(57)【要約】【課題】バンプ実装時に用いるフラックスによる、他の電子部品や部材への影響及び特性劣化を抑制することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板２（圧電体）と、圧電基板２上に設けられているＩＤＴ電極３（機能電極）と、ＩＤＴ電極３を囲むように、圧電基板２上に設けられている支持部材５と、支持部材５を覆うように設けられているカバー部材６と、支持部材５及びカバー部材６を貫通するように設けられているビア電極８と、ビア電極８に接合されているバンプ９とを備える。圧電基板２、支持部材５及びカバー部材６により囲まれた中空空間にＩＤＴ電極３が配置されている。カバー部材６における圧電基板２側とは反対側の面の外周縁６Ａの少なくとも一部に、突出部７が設けられており、突出部７は圧電基板２側とは反対側に延びている。【選択図】図１
2018078419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体と、
前記圧電体上に設けられている機能電極と、
前記機能電極を囲むように、前記圧電体上に設けられている支持部材と、
前記支持部材を覆うように設けられているカバー部材と、
前記支持部材及び前記カバー部材を貫通するように設けられているビア電極と、
前記ビア電極に接合されているバンプと、
を備え、
前記圧電体、前記支持部材及び前記カバー部材により囲まれた中空空間に前記機能電極が配置されており、
前記カバー部材における前記圧電体側とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、突出部が設けられており、
前記突出部は、前記圧電体側とは反対側に延びている、弾性波装置。
【請求項２】
平面視において、前記突出部は、枠状の形状を有し、かつ前記カバー部材における前記圧電体側とは反対側の面の外周縁全体に設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記カバー部材は樹脂からなる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記カバー部材は、前記支持部材上に設けられている第１の層と、前記第１の層上に設けられている第２の層と、を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記機能電極はＩＤＴ電極である、請求項１〜４のいずれか1項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項７】
請求項６に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
ベースバンド信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられた支持部材と、支持部材上に設けられたカバー部材とを有する。この弾性波装置においては、圧電基板、支持部材及びカバー部材により囲まれた中空空間が設けられている。該中空空間に臨むように、圧電基板上にＩＤＴ電極が設けられている。支持部材及びカバー部材を貫通するようにビア電極が設けられており、ビア電極にはバンプが接合されている。このように、特許文献１の弾性波装置は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性波装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７８９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の弾性波装置は、バンプを介して実装基板に実装される。具体的には、弾性波装置が実装される前に、バンプ表面の酸化膜をフラックスにより除去する。そして、バンプが加熱され溶融することによって、実装基板に実装される。このとき、バンプに付着したフラックスが、加熱されて蒸発する。そのため、蒸発したフラックスが他の電子部品や部材に腐食などを生じさせ、機能の劣化を招くおそれがある。
【０００５】
さらに、カバー部材側から圧電基板側に蒸発したフラックスがＷＬＰ内部の中空空間に侵入し、ＷＬＰ内部の露出した電極と接触することで特性劣化を招くおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、バンプ実装時に用いるフラックスによる、他の電子部品や部材への影響及び特性劣化を抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、圧電体と、前記圧電体上に設けられている機能電極と、前記機能電極を囲むように、前記圧電体上に設けられている支持部材と、前記支持部材を覆うように設けられているカバー部材と、前記支持部材及び前記カバー部材を貫通するように設けられているビア電極と、前記ビア電極に接合されているバンプとを備え、前記圧電体、前記支持部材及び前記カバー部材により囲まれた中空空間に前記機能電極が配置されており、前記カバー部材における前記圧電体側とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、突出部が設けられており、前記突出部は、前記圧電体側とは反対側に延びている。
【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、平面視において、前記突出部は、枠状の形状を有し、かつ前記カバー部材における前記圧電体側とは反対側の面の外周縁全体に設けられている。この場合には、蒸発したフラックスがカバー部材の外側に拡散することをより一層抑制することができる。従って、バンプ実装時に用いるフラックスによる、他の電子部品や部材への影響をより一層抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記カバー部材は樹脂からなる。この場合には、突出部を容易に設けることができる。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記カバー部材は、前記支持部材上に設けられている第１の層と、前記第１の層上に設けられている第２の層とを有する。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記機能電極はＩＤＴ電極である。
【００１２】
本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
【００１３】
本発明に係る通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路と、ベースバンド信号処理回路とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、バンプ実装時に用いるフラックスによる、他の電子部品や部材への影響及び特性劣化を抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の拡大正面断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
【図８】高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００１９】
弾性波装置１は、圧電体としての圧電基板２を有する。圧電基板２は、特に限定されないが、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や適宜の圧電セラミックスからなる。
【００２０】
圧電基板２上には、機能電極としてのＩＤＴ電極３が設けられている。圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３に電気的に接続された電極パッド４が設けられている。電極パッド４は、圧電基板２上に設けられている第１の電極層４ａと、第１の電極層４ａ上に設けられている第２の電極層４ｂとを有する。電極パッド４は２層の電極層を有するため、電極パッド４の電気抵抗は低い。なお、電極パッド４は単層の電極層からなっていてもよい。
【００２１】
圧電基板２上には、開口部５ａを有する支持部材５が設けられている。支持部材５は、開口部５ａによりＩＤＴ電極３を囲んでいる。支持部材５は電極パッド４を覆っている。支持部材５は、例えば、適宜の樹脂からなる。
【００２２】
支持部材５上にはカバー部材６が設けられている。カバー部材６は、支持部材５上に設けられている第１の層６ａと、第１の層６ａ上に設けられている第２の層６ｂとを有する。第１の層６ａは、例えば、エポキシ樹脂などからなる。これにより、カバー部材６と支持部材５との接合力を高めることができる。第２の層６ｂは、例えば、ポリイミドなどからなる。これにより、カバー部材６の強度を高めることができる。このように、カバー部材６は樹脂からなることが好ましい。この場合には、後述する突出部を容易に設けることができる。なお、カバー部材６の構成は特に限定されず、例えば、カバー部材６は単層であってもよい。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、圧電基板２、支持部材５及びカバー部材６により囲まれた中空空間に配置されている。
【００２４】
カバー部材６の圧電基板２側とは反対側の面における外周縁６Ａには、突出部７が設けられている。より具体的には、突出部７は、外周縁６Ａから、圧電基板２側とは反対側に延びている。本実施形態では、突出部７は、平面視における弾性波装置１の内側に向かい延びるように湾曲している。突出部７は、平面視において、カバー部材６の内側に位置するように設けられている。これにより、実装時、後述するバンプ９に付着したフラックスが、蒸発しカバー部材６から外に飛散することを抑制できる。
【００２５】
図２に示すように、平面視において、突出部７は枠状の形状を有し、かつカバー部材６の圧電基板２側とは反対側の面における外周縁６Ａ全体に設けられている。突出部７により外周全体を囲むことで、上記フラックスの飛散を効果的に抑制できる。なお、突出部７は、カバー部材６の外周縁６Ａの少なくとも一部に設けられていればよい。
【００２６】
図１に戻り、本実施形態では、突出部７は、カバー部材６の第２の層６ｂと同じ材料により、一体的に設けられている。
【００２７】
支持部材５とカバー部材６とを貫通するようにビア電極８が設けられている。ビア電極８の一方端は電極パッド４に接続されている。ビア電極８の他方端に接合されるように、バンプ９が設けられている。バンプ９は、例えば、半田からなる。
【００２８】
このように、本実施形態の弾性波装置１はＷＬＰ構造の弾性波装置である。ＩＤＴ電極３は、電極パッド４、ビア電極８及びバンプ９を介して外部に電気的に接続される。なお、弾性波装置１はＷＬＰ構造の弾性波装置であればよく、圧電基板２上に設けられた機能電極は必ずしもＩＤＴ電極ではなくともよい。
【００２９】
本実施形態では、電極パッド４には、圧電基板２上に設けられている配線電極１４が接続されている。配線電極１４は、支持部材５の外側に引き出されており、圧電基板２の外周縁に至っている。配線電極１４は、本実施形態の弾性波装置１の製造工程においてビア電極８を形成するための給電配線である。なお、配線電極１４は設けられていなくともよい。
【００３０】
本発明の特徴は、カバー部材６の圧電基板２側とは反対側の面の外周縁６Ａの少なくとも一部に突出部７が設けられていることにある。それによって、バンプ実装時に用いるフラックスによる、他の電子部品や部材への影響及び特性劣化を抑制することができる。これを以下において説明する。
【００３１】
弾性波装置１は、実装に際し、実装基板などにバンプ９により接合される。実装の前に、一般的に、バンプ９はフラックスを付着させる。実装に際し、バンプ９が加熱されて溶融し、実装基板などに接合される。このとき、バンプ９に付着したフラックスが蒸発する。なお、実装時には、カバー部材６が下側とされ、圧電基板２が上側とされているため、蒸発したフラックスは圧電基板２側及びカバー部材６の外側に向かう。本実施形態では、カバー部材６の外周縁６Ａに突出部７が設けられている。そのため、蒸発したフラックスは、カバー部材６の外側に向かうに際し、突出部７及びカバー部材６の圧電基板２側とは反対側の面に付着し易い。それによって、蒸発したフラックスがカバー部材６の外側に拡散することを抑制することができる。従って、フラックスにより他の電子部品や部材に腐食などが生じることを抑制することができ、機能の劣化を抑制することができる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、蒸発したフラックスがカバー部材６側から圧電基板２側に回り込むことを抑制することができ、フラックスが支持部材５や圧電基板２に付着することを抑制することができる。それによって、実装後の加熱などにより支持部材５上や圧電基板２上からフラックスが蒸発するということが生じ難い。従って、フラックスによる他の電子部品や部材などの機能の劣化をより一層確実に抑制することができる。
【００３３】
さらに、圧電基板２、支持部材５及びカバー部材６により囲まれた中空空間内にフラックスが浸入し、該中空空間内のＩＤＴ電極３などの電極を腐食させるおそれがある。そのため、弾性波装置１の特性劣化が生じるおそれがある。これに対して、本実施形態では、フラックスが上記中空空間内に浸入することを抑制することができるため、弾性波装置１の特性劣化を抑制することができる。
【００３４】
ところで、図１に示すように弾性波装置１が配線電極１４を有する場合には、配線電極１４の腐食などが生じた場合、ＩＤＴ電極３の密閉性が特に阻害されるおそれがある。あるいは配線電極１４が破損することにより、電極パッド４も破損するおそれがある。本実施形態では、フラックスの上記回り込みが生じ難いため、配線電極１４にフラックスが至ることも抑制することができる。従って、弾性波装置１の破損が生じ難い。
【００３５】
本実施形態のように、カバー部材６の外周縁６Ａ全体に突出部７が設けられていることが好ましい。それによって、蒸発したフラックスをカバー部材６及び突出部７により囲まれた空間に閉じ込め易い。従って、カバー部材６の外側に拡散することをより一層抑制することができ、かつカバー部材６側から圧電基板２側に回り込むことをより一層抑制することができる。
【００３６】
なお、突出部７は、カバー部材６の外周縁６Ａの少なくとも一部に設けられていればよい。この場合においても、蒸発したフラックスは、圧電基板２側及びカバー部材６の外側に向かうに際し、突出部７及びカバー部材６の圧電基板２側とは反対側の面に付着し易い。よって、蒸発したフラックスがカバー部材６の外側に拡散することを抑制することができ、かつカバー部材６側から圧電基板２側に回り込むことを抑制することができる。
【００３７】
突出部７は圧電基板２側とは反対側に延びていればよく、突出部７の形状は特に限定されない。例えば、図３に示す第１の実施形態の第１の変形例の突出部２７は、圧電基板２側とは反対側に直線状に延びている。他方、図４に示す第１の実施形態の第２の変形例の突出部３７は、カバー部材６の外周縁６Ａから、平面視において、一部が外周縁６Ａの外側に延びており、かつ内側に向かい延びるように湾曲している。このように、突出部３７の一部が、平面視において、外周縁６Ａの外側に位置していてもよい。
【００３８】
ところで、第１の実施形態では、圧電体は圧電基板２であるが、図５に示す第１の実施形態の第３の変形例のように、圧電体は圧電薄膜４２であってもよい。例えば、圧電薄膜４２のＩＤＴ電極３が設けられている面とは反対側の面には、低音速膜４３が設けられていてもよい。低音速膜４３の圧電薄膜４２側とは反対側の面には、高音速部材４４が設けられていてもよい。
【００３９】
ここで、低音速膜４３とは、圧電薄膜４２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速な膜である。低音速膜４３は、例えば、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などからなる。なお、低音速膜４３の材料は、相対的に低音速な材料であればよい。
【００４０】
高音速部材４４とは、圧電薄膜４２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速な部材である。高音速部材４４は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドを主成分とする材料などからなる。なお、高音速部材４４の材料は、相対的に高音速な材料であればよい。
【００４１】
高音速部材４４は、高音速膜であってもよく、あるいは、高音速基板であってもよい。このように、低音速膜４３及び高音速部材４４を有する場合、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
【００４２】
以下において、弾性波装置１の製造方法を説明する。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。図７（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、マザー基板１２を用意する。マザー基板１２は、特に限定されないが、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や適宜の圧電セラミックスからなる。
【００４５】
次に、マザー基板１２上に複数のＩＤＴ電極３、電極パッド４及び給電配線１４Ｘを形成する。ＩＤＴ電極３、電極パッド４及び給電配線１４Ｘは、例えば、スパッタリング法や蒸着法などにより形成することができる。
【００４６】
次に、図６（ｂ）に示すように、マザー基板１２上に、各ＩＤＴ電極３を囲むように、複数の支持部材５を設ける。支持部材５は、例えば、フォトリソグラフィ法などにより設けることができる。次に、複数の支持部材５の各開口部５ａを覆うように、複数の支持部材５上に切断前のカバー部材１６を設ける。このとき、例えば、第１の層１６ａを複数の支持部材５上に設け、次に、第１の層１６ａ上に第２の層１６ｂを積層してもよい。あるいは、予め第１の層１６ａと第２の層１６ｂとが積層された積層体を形成しておき、該積層体を複数の支持部材５上に設けてもよい。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、支持部材５及び切断前のカバー部材１６を貫通するように、貫通孔１８を形成する。貫通孔１８は、電極パッド４に至るように形成する。貫通孔１８は、例えば、レーザー光の照射や機械的な切削などにより形成することができる。
【００４８】
次に、図７（ａ）に示すように、貫通孔内に、ビア電極８を形成する。ビア電極８は、電極パッド４に接続するように形成する。弾性波装置１の製造に際しては、給電配線１４Ｘを用いて、電解めっき法によりビア電極８を形成する。なお、ビア電極８は、電解めっき法以外の方法により形成してもよい。次に、ビア電極８に接合するように、バンプ９を設ける。
【００４９】
次に、図７（ｂ）に示すように、ダイシングラインＩ−Ｉに沿いダイシングを行い、切断前のカバー部材を切断する。これにより、複数のカバー部材６を得る。ダイシングに際し、カバー部材６の外周縁６Ａをダイシングブレードとの接触により変形させることにより、突出部７を形成することができる。カバー部材６への加工負荷を高めるように、例えばダイシング速度を高めることが好ましい。それによって、突出部７を容易に形成することができる。
【００５０】
なお、カバー部材６の本硬化は、ダイシング後に行うことが好ましい。切断前のカバー部材の本硬化を行っていない場合には、カバー部材６の外周縁６Ａが変形し易いため、突出部７をより一層容易に形成することができる。
【００５１】
図７（ｂ）に示すように、ダイシングにより、切断前のカバー部材を切断すると同時に、マザー基板１２のハーフカットを行う。なお、このときに給電配線が切断され、配線電極１４が形成される。次に、カバー部材６側をグラインドテープにより固定し、マザー基板１２のカバー部材６側とは反対側の面を研磨する。これにより、マザー基板１２を分割し、図７（ｃ）に示すように、複数の弾性波装置１を得る。上記研磨により、圧電基板２の厚みを容易に調整することができる。
【００５２】
なお、図７（ｂ）に示した工程において、マザー基板１２を切断することにより、複数の弾性波装置１を得てもよい。
【００５３】
上記弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
【００５４】
図８は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素（アンテナ素子２０２、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３及びベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）２０４）についても併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０、ＲＦ信号処理回路２０３、ベースバンド信号処理回路２０４及びフィルタ２３１，２３２は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
【００５５】
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。
【００５６】
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂや、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２を構成する弾性波共振子であってもよい。
【００５７】
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
【００５８】
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
【００５９】
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
【００６０】
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路２０４へ出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、ベースバンド信号処理回路２０４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２２４へ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。ベースバンド信号処理回路２０４で処理された信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、または、音声信号として通話のために使用される。なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
【００６１】
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路及びパワーアンプ回路を介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
【００６２】
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂを備えることにより、バンプ洗浄用のフラックスによる、各素子への影響を抑制することができる。よって、各素子の機能の劣化が生じ難い。
【００６３】
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
【００６４】
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００６５】
例えば、上記説明では、弾性波装置として、デュプレクサであってもよいし、フィルタであってもよいとしたが、本発明は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなどのマルチプレクサについても適用することができる。マルチプレクサは、２以上のフィルタを備えていればよい。
【００６６】
さらには、マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
【００６７】
本発明は、フィルタ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【００６８】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
４…電極パッド
４ａ，４ｂ…第１，第２の電極層
５…支持部材
５ａ…開口部
６…カバー部材
６ａ，６ｂ…第１，第２の層
６Ａ…外周縁
７…突出部
８…ビア電極
９…バンプ
１２…マザー基板
１４…配線電極
１４Ｘ…給電配線
１６…切断前のカバー部材
１６ａ，１６ｂ…第１，第２の層
１８…貫通孔
２７，３７…突出部
４２…圧電薄膜
４３…低音速膜
４４…高音速部材
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２０４…ベースバンド信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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