(57)【要約】【課題】電極指の寸法の分布を抑制すること。【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、前記圧電基板１０上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指１４を有するＩＤＴ２０と、前記ＩＤＴ２０の前記電極指の配列方向に設けられ、前記配列方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターンと、を具備する弾性波デバイスである。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指を有するＩＤＴと、
前記ＩＤＴの前記電極指の配列方向に設けられ、前記配列方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターンと、
を具備する弾性波デバイス。
【請求項２】
前記圧電基板はタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記複数のダミー金属パターンは、前記電極指の延伸方向に延伸する複数の直線状パターンを含む請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記複数のダミー金属パターンの前記配列方向のデューティ比は、前記ＩＤＴの前記配列方向のデューティ比と略同じである請求項１から３のいずれか１項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記複数のダミー金属パターンの前記配列方向の周期は、前記ＩＤＴの前記配列方向の周期と略同じである請求項１から４のいずれか１項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記ＩＤＴと前記複数のダミー金属パターンとの間に前記弾性波を反射する反射器を具備する請求項１から５のいずれか１項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記複数のダミー金属パターンの配列方向の幅は、前記反射器の前記配列方向の幅より大きい請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記反射器と前記複数のダミー金属パターンのうち最も反射器に近いダミー金属パターンとの間の距離は、前記反射器と前記ＩＤＴとの距離より大きい請求項６または７記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記複数のダミー金属パターンの一部は、前記ＩＤＴの対角方向に設けられている請求項１から８のいずれか１項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記複数のダミー金属パターンは、前記弾性波の励振および反射のいずれにも寄与しない請求項１から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
圧電基板上にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに、前記圧電基板を透過する露光光を照射することで、弾性波を励振する複数の電極指を有するＩＤＴと、前記ＩＤＴの前記電極指の配列方向に設けられ前記配列方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターンと、に対応する開口を形成する工程と、
前記開口に金属膜を形成することにより、前記圧電基板上に前記ＩＤＴと前記複数のダミー金属パターンとを形成する工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えばＩＤＴを有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用した弾性波デバイスとして、圧電基板上に一対の櫛型電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスが知られている。ＳＡＷデバイスは、例えば携帯電話に代表される４５ＭＨｚから２ＧＨｚの周波数帯の無線信号を処理する各種回路におけるバンドパスフィルタとして用いられている（例えば特許文献１）。ＩＤＴをリフトオフ法を用い形成することが知られている（例えば特許文献２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−８９０６９号公報
【特許文献２】特開２００１−２６７８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＩＤＴ内の電極指の寸法がＩＤＴ周辺のパターンに影響されることが生じる。これにより、同じチップ内で電極指の寸法が異なることがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電極指の寸法の分布を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指を有するＩＤＴと、前記ＩＤＴの前記電極指の配列方向に設けられ、前記配列方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターンと、を具備する弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記圧電基板はタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンは、前記電極指の延伸方向に延伸する複数の直線状パターンを含む構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンの前記配列方向のデューティ比は、前記ＩＤＴの前記配列方向のデューティ比と略同じである構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンの前記配列方向の周期は、前記ＩＤＴの前記配列方向の周期と略同じである構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記ＩＤＴと前記複数のダミー金属パターンとの間に前記弾性波を反射する反射器を具備する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンの配列方向の幅は、前記反射器の前記配列方向の幅より大きい構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記反射器と前記複数のダミー金属パターンのうち最も反射器に近いダミー金属パターンとの間の距離は、前記反射器と前記ＩＤＴとの距離より大きい構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンの一部は、前記ＩＤＴの対角方向に設けられている構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記複数のダミー金属パターンは、前記弾性波の励振および反射のいずれにも寄与しない構成とすることができる。
【００１６】
本発明は、圧電基板上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに、前記圧電基板を透過する露光光を照射することで、弾性波を励振する複数の電極指を有するＩＤＴと、前記ＩＤＴの前記電極指の配列方向に設けられ前記配列方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターンと、に対応する開口を形成する工程と、前記開口に金属膜を形成することにより、前記圧電基板上に前記ＩＤＴと前記複数のダミー金属パターンとを形成する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電極指の寸法の分布を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は弾性表面波共振器の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実験１に用いたパターンを示す平面図である。
【図５】図５は、実験１におけるＬ３に対するＬ１／Ｐを示す図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実験２に用いたパターンを示す平面図である。
【図７】図７は、実験２におけるＬ４に対するＬ１／Ｐを示す図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実験３に用いたパターンを示す平面図である。
【図９】図９は、実験３におけるダミーＩＤＴの数に対するＬ１／Ｐを示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１におけるダミーパターンの例を示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図１４】図１４は、実施例２に係るフィルタの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
まず、以下の実施例等において用いる弾性表面波共振器について説明する。図１（ａ）は弾性表面波共振器の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、弾性表面波共振器２４は、ＩＤＴ２０と反射器２２を有する。ＩＤＴ２０および反射器２２は、圧電基板１０上に形成された金属膜１２により形成される。ＩＤＴ２０は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１６を備える。一対の櫛型電極１８は、電極指１４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。
【００２０】
ＩＤＴ２０が励振する弾性波は、主に電極指１４の配列方向に伝搬する。電極指１４の周期がほぼ弾性波の波長λとなる。弾性波の伝搬方向をＸ方向、伝搬方向に直交する方向をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜または銅膜である。
【００２１】
次に、ＩＤＴの電極指の寸法が周囲のパターンに影響される原因について説明する。図２から図３（ｂ）は、弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。圧電基板１０上にフォトレジスト５０を塗布する。フォトレジスト５０は、例えばポジ形のフォトレジストであり、スピンコート法を用い圧電基板１０上に塗布される。開口５３を有するマスク５２を介し露光光５４を照射する。露光光５４は例えばｉ線（波長が約３６５ｎｍ）光である。開口５３を通過した露光光５４はフォトレジスト５０に照射され、マスク５２で遮光された領域には照射されない。フォトレジスト５０に一定以上の強度の露光光５４が照射されると、現像後にフォトレジスト５０が除去される。領域５１は、一定以上の強度の露光光５４が照射され除去されるべき領域である。
【００２２】
領域５１に照射される露光光５４は、ほとんどが開口５３を通過した露光光５４である。しかし、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板はｉ線光に対しほぼ透明である。このため、露光光５４の一部は圧電基板１０内を通過し下面で反射した反射光５６がフォトレジスト５０に照射される。このとき、パターンの中央の領域５１ｂには両側から反射光５６が照射される。一方、パターンの端の領域５１ａには右側から反射光５６が照射されるが左側からは照射されない。これにより、領域５１ａは５１ｂより幅が狭くなる。特に圧電基板１０の下面が粗面となっている場合、圧電基板１０の下面で光が乱反射するため、反射光５６は遠くのパターンまで影響する。
【００２３】
図３（ａ）に示すように、フォトレジスト５０を現像すると、領域５１が除去され、開口５８が形成される。パターンの端の開口５８ａはパターン中央の開口５８ｂより幅が狭くなる。残存したフォトレジスト５０においては、パターンの端のフォトレジスト５０ａはパターンの中央のフォトレジスト５０ｂより幅が広くなる。フォトレジスト５０ａの幅をＬ１とする。パターンのピッチをピッチＰとする。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、露光および現像したフォトレジスト５０をマスクに金属膜１２を蒸着およびリフトオフする。これにより、金属膜１２からなる電極指１４が形成される。電極指１４は、フォトレジスト５０の開口５８とほぼ同じパターンとなる。パターンの端の電極指１４ａはパターンの中央の電極指１４ｂより幅が狭くなる。電極指１４ａの幅をＬ２とする。電極指１４のピッチをピッチＰとする。
【００２５】
フォトレジスト５０の幅Ｌ１の分布が大きくなると、電極指１４の幅Ｌ２の分布が大きくなる。電極指１４の分布は、ＩＤＴ２０内および／またはチップ内で大きくなる。これにより、ＩＤＴ２０を用いた弾性表面波共振器２４の特性がばらついてしまう。図２から図３（ｂ）では、ＩＤＴ２０内の電極指１４の幅Ｌ２のばらつきが大きいように図示しているが、以下の実験では、ＩＤＴ２０の周辺パターンの影響により、ＩＤＴ２０内全体の電極指１４の幅Ｌ２が変化する傾向にある。
【００２６】
［実験１］
ＩＤＴの周辺にパターンを設けパターン幅を測定する実験を行った。実験１では、ＩＤＴの周辺にベタパターン（開口が設けられていない一体のパターン）を配置した。図４（ａ）および図４（ｂ）は、実験１に用いたパターンを示す平面図である。図４（ａ）はベタパターンなし、図４（ｂ）はベタパターンありを示す。図４（ａ）に示すように、ＩＤＴ２０と配線２６が設けられている。ＩＤＴ２０は波長λ＝２×Ｐが２μｍ、電極指１４の対数が１００、開口長が２０λ、デューティ比が５０％である。配線２６はＩＤＴ２０のＹ方向の両側に設けられている。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ２０のＸ方向の両側にベタパターン３０が設けられている。ＩＤＴ２０とベタパターン３０との距離をＬ３とする。距離Ｌ３を１０μｍから９０μｍとした。その他のパターンは図４（ａ）と同じである。
【００２８】
図５は、実験１におけるＬ３に対するＬ１／Ｐを示す図である。Ｌ１／Ｐは、レジスト幅Ｌ１をピッチＰを規格化した値である。Ｌ１／Ｐは、ＩＤＴ２０の中央付近の値である。ＩＤＴ２０のデューティ比は５０％のため、Ｌ１／Ｐ＝０．５が目標である。図５に示すように、パターン３０を設けない場合、Ｌ１／Ｐは０．５２２である。これは、図２のように、ＩＤＴ２０周辺からの反射光５６が少ないためである。Ｌ３＝１０μｍでは、パターン３０から多くの反射光５６がＩＤＴ２０に照射されるため、Ｌ１／Ｐは０．４６０と小さくなる。距離Ｌ３を大きくするとＬ１／Ｐは０．５に近づく。Ｌ３＝９０μｍのとき０．５０２となる。
【００２９】
［実験２］
実験２では、ＩＤＴの周辺にドットパターンを配置した。図６（ａ）および図６（ｂ）は、実験２に用いたパターンを示す平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の領域３３の拡大図である。図６（ａ）に示すように、ＩＤＴ２０のＸ方向の両側の領域３３にドットパターン３２を配置した。ＩＤＴ２０と領域３２との距離Ｌ３は１０μｍとした。図６（ｂ）に示すように、ドットパターン３２は、Ｘ方向およびＹ方向の1辺の長さがＬ４の正方形である。ドットパターン３２のＸ方向およびＹ方向のピッチはＬ５である。Ｌ５を１０μｍとして、Ｌ４を０．５μｍから５μｍに変化させた。Ｌ４が大きくなると、単位面積当たりのドットパターン３２の面積が大きくなることに対応する。
【００３０】
図７は、実験２におけるＬ４に対するＬ１／Ｐを示す図である。図７に示すように、Ｌ４が大きくなるとＬ１／Ｐは０．５に近づく。Ｌ４が４μｍと５μｍのときはＬ１／Ｐは０．５０９である。
【００３１】
［実験３］
実験３では、ＩＤＴ２０の周辺にダミーＩＤＴ３４を配置した。図８（ａ）から図８（ｃ）は、実験３に用いたパターンを示す平面図である。図８（ａ）に示すように、パターンＡでは、ＩＤＴ２０のＸＹの対角に４つのＩＤＴ３４を配置した。図８（ｂ）に示すように、パターンＢでは、パターンＡに加えＩＤＴ２０のＸ方向両側にダミーＩＤＴ３４を配置した。図８（ｃ）に示すように、パターンＣでは、パターンＢに加えダミーＩＤＴ３４の間にダミーＩＤＴ３４を配置した。ダミーＩＤＴ３４の波長λ、開口長はＩＤＴ２０と同じである。
【００３２】
図９は、実験３におけるダミーＩＤＴの数に対するＬ１／Ｐを示す図である。図９に示すように、パターンＡではＬ１／Ｐは０．５２３であり、ダミーＩＤＴを設けない場合（図５のなしに相当）と変わらない。パターンＢではＬ１／Ｐは０．５０４であり、０．５に近づく。パターンＣではＬ１／Ｐは０．５００となる。
【００３３】
実験１のように、ベタパターン３０を用いた場合、Ｌ１／Ｐは、ベタパターン３０とＩＤＴ２０との距離Ｌ３に大きく依存する。このため、Ｌ１／Ｐの分布改善は難しい。実験２のように、単位面積当たりのドットパターン３２の面積をＩＤＴ２０のデューティ比に近づければＬ１／Ｐの分布改善できると考えられる。実験３のように、ＩＤＴ２０とデューティ比が同じダミーＩＤＴ３４をＸ方向に設けると、Ｌ１／Ｐに分布を小さくできると考えられる。
【実施例１】
【００３４】
図１０（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、ＩＤＴ２０のＸ方向の両側に反射器２２が設けられている。反射器２２のＸ方向の両側にダミーパターン３６が設けられている。反射器２２とダミーパターン３６との距離はＬ６である。ダミーパターン３６は、ＩＤＴ２０および反射器２２と同じ金属膜１２により形成されている。
【００３５】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１におけるダミーパターンの例を示す平面図である。図１１（ａ）に示すように、ダミーパターン３６は、複数の電極指３６ａとバスバー３６ｂを有している。複数の電極指３６ａはＹ方向の両側でバスバー３６ｂに接続されている。図１１（ｂ）に示すように、複数の電極指３６ａはＹ方向で交互にバスバー３６ｂに接続されている。図１１（ｃ）に示すように、バスバー３６ｂが設けられていない。このように、バスバー３６ｂは設けられていてもよいし設けられていなくてもよい。
【００３６】
図１２（ａ）から図１２（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。図１２（ａ）に示すように、圧電基板１０上にフォトレジスト５０を塗布する。フォトレジスト５０は例えばポジ型である、図１２（ｂ）に示すように、マスク５２の開口５３を通過した露光光５４をフォトレジスト５０に照射する。露光光５４は圧電基板１０を透過する波長を有する。露光光５４の波長は例えば３６５ｎｍである。圧電基板１０がタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板の場合、３６５ｎｍの光は圧電基板１０を透過する。
【００３７】
図１２（ｃ）に示すように、フォトレジスト５０を現像することで、フォトレジスト５０に開口５８を形成する。開口５８は、ＩＤＴ２０、反射器２２およびダミーパターン３６に対応するそれぞれパターン５５ａから５５ｃを含む。図１２（ｄ）に示すように、フォトレジスト５０上および開口５８内に金属膜１２を形成しリフトオフする。金属膜１２は例えば蒸着法を用い形成する。これにより、圧電基板１０上に金属膜１２を形成する。金属膜１２により、ＩＤＴ２０、反射器２２およびダミーパターン３６が形成される。以上により、実施例１に係る弾性表面波共振器が形成される。
【００３８】
実施例１によれば、ＩＤＴ２０の電極指１４の配列方向（Ｘ方向）に設けられ、Ｘ方向に周期的に配列された複数のダミー金属パターン（例えば図１１（ａ）から図１１（ｃ）の電極指３６ａ）が設けられている。これにより、実験２および３のように、ＩＤＴ２０の電極指１４の寸法の分布を抑制できる。ここで、ダミー金属パターンは、弾性波の励振および反射のいずれにも寄与しないパターンであり、ＩＤＴおよび反射器ではない。Ｘ方向から見たときに、電極指３６ａ（ダミー金属パターン）はＩＤＴ２０の電極指１４と少なくとも一部が重なっていればよい。
【００３９】
実験１のようにベタパターン３０を設けることも考えられる。しかし、実験１のように、ベタパターン３０を弾性表面波共振器２４から大きく離すことになり、チップサイズが大きくなる。また、ベタパターン３０は他のパターンと電気的に結合しやすく、弾性波デバイスに電気特性に影響する。一方、実験２および３のように、ドット状パターンまたは線状パターンを用いると、弾性表面波共振器２４の近くに配置できチップサイズを小さくできる。さらに、他のパターンと電気的に結合しにくく弾性波デバイスに電気的に影響することを抑制できる。
【００４０】
圧電基板１０をタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板とした場合、圧電基板１０は露光光５４に対し透明である。例えば、露光光５４が圧電基板１０を厚さ方向に１往復しても反射光はあまり減衰しない。よって、電極指１４の分布が大きくなる。よって、ダミーパターン３６を設けることが好ましい。
【００４１】
複数のダミー金属パターンは、図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、電極指１４の延伸方向に延伸する複数の直線状パターンを含む。これにより、実験３のように、電極指１４の分布を抑制できる。複数のダミー金属パターンは実験２のようにドット状パターンでもよい。
【００４２】
複数の電極指３６ａ（ダミー金属パターン）の配列方向のデューティ比は、ＩＤＴ２０の電極指１４の配列方向のデューティ比と略同じである。また、複数の電極指３６ａの配列方向の周期は、ＩＤＴ２０の電極指１４の配列方向の周期と略同じである。これにより、反射光の影響を均一にでき、電極指１４の寸法の分布を抑制できる。ダミーパターン３６の電極指３６ａのデューティ比は、ＩＤＴ２０の電極指１４のデューティ比の±２０％内であることが好ましい。複数の電極指３６ａの周期は、ＩＤＴ２０の電極指１４の周期の±２０％内であることが好ましい。
【００４３】
ＩＤＴ２０とダミーパターン３６との間に弾性波を反射する反射器２２が設けられている。反射器２２により弾性波が反射されるため、ダミーパターン３６は弾性波の励振および反射に寄与しない。
【００４４】
ダミーパターン３６の幅は、電極指１４の幅の分布が抑制できる程度に大きいことが好ましい。例えば、１つのダミーパターン３６のＸ方向の幅は、１つの反射器２２のＸ方向の幅より大きい。また、ダミーパターン３６のＸ方向の幅は、圧電基板１０の厚さより大きいことが好ましい。
【００４５】
ＩＤＴ２０と反射器２２との間の距離は、ＩＤＴ２０内の電極指１４の距離程度である。一方、反射器２２と複数の電極指３６ａのうち最も反射器２２に近い電極指３６ａとの間の距離Ｌ６は、反射器２２とＩＤＴ２０との距離より大きくてもよい。距離Ｌ６は、例えばλより大きく、圧電基板１０の厚さより小さいことが好ましい。
【００４６】
実施例１の製造方法では、図１２（ａ）のように、圧電基板１０上にフォトレジスト５０を形成する。図１２（ｂ）および図１２（ｃ）のように、フォトレジスト５０に、露光光５４を照射することで、圧電基板１０にＩＤＴ２０と電極指３６ａに対応する開口５８を形成する。図１２（ｄ）のように、開口５８に金属膜１２を形成することにより、圧電基板１０上にＩＤＴ２０と電極指３６ａとを形成する。これにより、ＩＤＴ２０に相当する開口５８の分布を抑制できる。
【００４７】
図１３は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。ダミーパターン３６はＩＤＴ２０の対角に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。ダミーパターン３６の一部がＩＤＴ２０の対角に設けられることで、実験３のパターンＢのように、電極指１４の分布を抑制できる。ダミーパターン３６はＩＤＴ２０の対角の少なくとも１か所に設けられていればよい。
【実施例２】
【００４８】
実施例２は、フィルタの例である。図１４は、実施例２に係るフィルタの平面図である。図１４に示すように、圧電基板１０上に弾性表面波共振器２４、ダミーパターン３６、配線２６およびパッド２８が設けられている。弾性波表面共振器２４は、直列共振器Ｓ１ａからＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ４を含む。パッド２８は、入力パッドＴｉｎ、出力パッドＴｏｕｔおよびグランドパッドＧｎｄを含む。配線２６は、弾性表面波共振器２４間、および弾性表面波共振器２４とパッド２８との間を電気的に接続する。直列共振器Ｓ１ａからＳ４は入力パッドＴｉｎと出力パッドＴｏｕｔとの間に配線２６を介し直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ４は入力パッドＴｉｎと出力パッドＴｏｕｔとの間に配線２６を介し並列に接続されている。弾性表面波共振器２４のＸ方向にダミーパターン３６が設けられている。
【００４９】
実施例２のように、弾性波フィルタに用いられる弾性波表面共振器の少なくとも１つのＸ方向にダミーパターン３６を設ける。これにより、弾性波フィルタ内の電極指１４の分布を抑制できる。これにより、弾性波フィルタの特性を改善できる。弾性波フィルタとしてラダー型フィルタの例を説明したが、多重モードフィルタでもよい。実施例２の弾性波フィルタを用い、マルチプレクサを形成してもよい。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  圧電基板
１２  金属膜
１４  電極指
１６  バスバー
１８  櫛型電極
２０  ＩＤＴ
２２  反射器
３６  ダミーパターン
３６ａ  電極指
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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