(57)【要約】【課題】板状物を良好に保持しつつ板状物に作用する圧力で板状物側に変形が生じることを防止できるようにすること。【解決手段】チャックテーブル機構（１００）は、ウェーハ（Ｗ）を吸引保持する保持面（４３）及び保持面に連通する連通路（４２ｂ）を備えたチャックテーブル（４２）と、連通路に吸引通路（１０１）を介して接続された吸引源（１０２）と、連通路近傍の吸引通路に配設されて吸引通路内の圧力を検出する圧力検出手段（１０７）と、吸引通路の圧力検出手段と吸引源との間で分岐して制御弁（１０９）を介して大気解放される解放経路（１０８）と、圧力検出手段からの検出信号に基づいて制御弁の弁開度を制御する制御手段（１１１）とを備えている。制御手段は、保護テープ（Ｔ）が貼着されたウェーハに応じ、所定の圧力で吸引保持するように制御弁の弁開度を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物を吸引保持する保持面及び該保持面に連通する連通路を備えたチャックテーブルと、該連通路に吸引通路を介して接続された吸引源と、を備えるチャックテーブル機構において、
該連通路近傍の該吸引通路に配設され該吸引通路内の圧力を検出する圧力検出手段と、
該吸引通路の該圧力検出手段と該吸引源との間で分岐して制御弁を介して大気解放される解放経路と、
該圧力検出手段からの検出信号に基づいて該制御弁の弁開度を制御する制御手段と、を備え、
該制御手段は、板状物に応じた所定の圧力で吸引保持するように該制御弁の弁開度を制御することを特徴とするチャックテーブル機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の板状物を研削、研磨する際に板状物を保持するチャックテーブル機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを薄く形成するため、半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着後、その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより所望の厚みに薄化する技術がある（例えば、特許文献１参照）。研削される半導体ウェーハの表面にバンプ等の凹凸が形成される場合、その表面に粘着層を有する研削用保護テープを貼着し、貼着した研削用保護テープを凹凸に沿う凹凸形状とすることが考えられる。そして、このように保護テープを貼着して凹凸に沿う形状としてから、半導体ウェーハの保護テープ側を研削装置のチャックテーブル上に吸引保持させて研削が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０２１０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のように保護テープを凹凸に沿うように貼着した場合、チャックテーブルでの吸引力が強くなると、凹凸に沿っていた保護テープが平坦なチャックテーブル上面に倣うよう変形してしまう。このとき、保護テープにてバンプ間で凹むように貼着した部分が半導体ウェーハの表面から剥がれて気泡が生じ、かかる気泡に研削で発生したコンタミ等の加工屑が侵入して汚染の原因になる、という問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、板状物を良好に保持しつつ板状物に作用する圧力で板状物側に変形が生じることを防止することができるチャックテーブル機構を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のチャックテーブル機構は、板状物を吸引保持する保持面及び該保持面に連通する連通路を備えたチャックテーブルと、該連通路に吸引通路を介して接続された吸引源と、を備えるチャックテーブル機構において、連通路近傍の該吸引通路に配設され該吸引通路内の圧力を検出する圧力検出手段と、吸引通路の該圧力検出手段と該吸引源との間で分岐して制御弁を介して大気解放される解放経路と、圧力検出手段からの検出信号に基いて該制御弁の弁開度を制御する制御手段と、を備え、制御手段は、板状物に応じた所定の圧力で吸引保持するように該制御弁の弁開度を制御することを特徴とする。
【０００７】
この構成では、吸引通路に通じて大気解放可能な制御弁を制御し板状物を吸引保持する圧力を調整することができる。これにより、例えば表面の凹凸に沿って保護テープが貼着された板状物の裏面を加工するため、板状物の保護テープ側を保持面で吸引保持する場合、凹凸に沿って貼着された保護テープの形状を維持することができる。従って、従来のように凹凸に沿っていた保護テープが保持面に平坦に倣うことを回避でき、保護テープと板状物との間の気泡の発生防止を通じ、気泡への加工屑の侵入をなくすことができる。しかも、板状物の加工に伴う外力が加わっても、チャックテーブルでの吸引保持で板状物が変位しないよう板状物に応じ吸引圧力を調整することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、所定の圧力で板状物を吸引保持するよう制御弁の弁開度を制御するので、板状物を良好に保持しつつ板状物に作用する圧力で板状物側に変形が生じることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態の研削研磨装置の斜視図である。
【図２】チャックテーブル機構及び搬送パッドの概略構成図であり、載置ステップの説明図である。
【図３】図３Ａは、制御弁調整ステップの説明図であり、図３Ｂは、従来の保持方法で気泡が生じた状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のチャックテーブル機構を備えた研削研磨装置について説明する。図１は、本実施の形態の研削研磨装置の斜視図である。なお、チャックテーブル機構は、保持面を有するチャックテーブルを備えた加工装置に適用可能であり、図１に示す研削研磨装置に限定されない。
【００１１】
図１に示すように、研削研磨装置１は、フルオートタイプの加工装置であり、半導体ウェーハＷ（以下、「ウェーハＷ」と称する）に対して搬入処理、粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、カセットＣＴに収容された状態で研削研磨装置１に搬入される。なお、ウェーハＷは、研削対象及び研磨対象になる板状物からなるワークであればよく、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体基板でもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の無機材料基板でもよいし、さらに半導体製品のパッケージ基板等でもよい。ウェーハＷの表面には、バンプ等の半球状の凸部Ｂ（図２参照）が複数形成され、且つ、保護テープＴが貼着されている。なお、凸部Ｂは、バンプに限られるものでなく、必ずしも形成されなくてよい。
【００１２】
研削研磨装置１の基台１１の前側には、複数のウェーハＷが収容された一対のカセットＣＴが載置されている。一対のカセットＣＴの後方には、カセットＣＴに対してウェーハＷを出し入れするカセットロボット１６が設けられている。カセットロボット１６の両斜め後方には、加工前のウェーハＷを位置決めする位置決め機構２１と、加工済みのウェーハＷを洗浄する洗浄機構２６とが設けられている。位置決め機構２１と洗浄機構２６の間には、加工前のウェーハＷをチャックテーブル４２に搬入する搬入手段３１と、チャックテーブル４２から加工済みのウェーハＷを搬出する搬出手段３６とが設けられている。チャックテーブル４２は後述するチャックテーブル機構１００（図２参照）を構成する。
【００１３】
カセットロボット１６は、多節リンクからなるロボットアーム１７の先端にハンド部１８を設けて構成されている。カセットロボット１６では、カセットＣＴから位置決め機構２１に研削研磨加工前のウェーハＷが搬送される他、洗浄機構２６からカセットＣＴに研削研磨加工済みのウェーハＷが搬送される。位置決め機構２１は、仮置きテーブル２２の周囲に、仮置きテーブル２２の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン２３を配置して構成される。位置決め機構２１では、仮置きテーブル２２上に載置されたウェーハＷの外周縁に複数の位置決めピン２３が突き当てられることで、ウェーハＷの中心が仮置きテーブル２２の中心に位置決めされる。
【００１４】
搬入手段３１は、基台１１上で旋回可能な搬入アーム３２の先端に搬入パッド３３を設けて構成される。搬入手段３１では、搬入パッド３３によって仮置きテーブル２２からウェーハＷが持ち上げられ、搬入アーム３２によって搬入パッド３３が旋回されることでチャックテーブル４２にウェーハＷが搬入される。搬出手段３６は、基台１１上で旋回可能な搬出アーム３７の先端に搬出パッド３８を設けて構成される。搬出手段３６では、搬出パッド３８によってチャックテーブル４２からウェーハＷが持ち上げられ、搬出アーム３７によって搬出パッド３８が旋回されることでチャックテーブル４２からウェーハＷが搬出される。
【００１５】
洗浄機構２６は、スピンナーテーブル（チャックテーブル）２７に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル（不図示）を設けて構成される。洗浄機構２６では、ウェーハＷを保持したスピンナーテーブル２７が基台１１内に降下され、基台１１内で洗浄水が噴射されてウェーハＷがスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられてウェーハＷが乾燥される。搬入手段３１及び搬出手段３６の後方には、４つのチャックテーブル４２が周方向に均等間隔で、回転可能に配置されたターンテーブル４１が設けられている。各チャックテーブル４２の上面には、ウェーハＷを保持する保持面４３が形成されている。
【００１６】
ターンテーブル４１が９０度間隔で間欠回転することで、ウェーハＷが搬入及び搬出される搬入出位置、粗研削手段４６に対峙する粗研削位置、仕上げ研削手段５１に対峙する仕上げ研削位置、研磨手段５６に対峙する研磨位置に順に位置付けられる。粗研削位置では、粗研削手段４６によってウェーハＷが所定の厚みまで粗研削される。仕上げ研削位置では、仕上げ研削手段５１によってウェーハＷが仕上げ厚みまで仕上げ研削される。研磨位置では、研磨手段５６によってウェーハＷが研磨される。ターンテーブル４１の周囲には、コラム１２、１３、１４が立設されている。
【００１７】
コラム１２には、粗研削手段４６を上下動させる駆動機構６１が設けられている。駆動機構６１は、コラム１２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール６２と、一対のガイドレール６２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ６３とを有している。Ｚ軸スライダ６３の前面には、ハウジング６４を介して粗研削手段４６が支持されている。Ｚ軸スライダ６３の背面側にはボールネジ６５が螺合されており、ボールネジ６５の一端には駆動モータ６６が連結されている。駆動モータ６６によってボールネジ６５が回転駆動され、粗研削手段４６がガイドレール６２に沿ってＺ軸方向に移動される。
【００１８】
同様に、コラム１３には、仕上げ研削手段５１を上下動させる駆動機構７１が設けられている。駆動機構７１は、コラム１３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール７２と、一対のガイドレール７２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ７３とを有している。Ｚ軸スライダ７３の前面には、ハウジング７４を介して仕上げ研削手段５１が支持されている。Ｚ軸スライダ７３の背面側にはボールネジ７５が螺合されており、ボールネジ７５の一端には駆動モータ７６が連結されている。駆動モータ７６によってボールネジ７５が回転駆動され、仕上げ研削手段５１がガイドレール７２に沿ってＺ軸方向に移動される。
【００１９】
粗研削手段４６のスピンドル４７の下端にはマウント４８が設けられ、マウント４８の下面に複数の粗研削砥石５０が環状に配設された粗研削用の研削ホイール４９が装着される。粗研削砥石５０は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成される。また、仕上げ研削手段５１のスピンドル５２の下端にはマウント５３が設けられ、マウント５３の下面に複数の仕上げ研削砥石５５が環状に配設された仕上げ研削用の研削ホイール５４が装着される。仕上げ研削砥石５５は、粗研削砥石５０よりも粒径が細かい砥粒で構成される。
【００２０】
コラム１４には、研磨手段５６をウェーハＷに対して所定の研磨位置に位置付ける駆動機構８１が設けられている。駆動機構８１は、コラム１４の前面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール８２と、一対のガイドレール８２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸スライダ８３とを有している。また、駆動機構８１は、Ｙ軸スライダ８３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール８４と、一対のガイドレール８４にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ８５とを有している。Ｚ軸スライダ８５の前面には、ハウジング８６を介して研磨手段５６が支持されている。
【００２１】
Ｙ軸スライダ８３、Ｚ軸スライダ８５の背面側にはボールネジ（不図示）が螺合されており、ボールネジの一端には駆動モータ８７、８８が連結されている。駆動モータ８７、８８によってボールネジが回転駆動され、研磨手段５６がガイドレール８２、８４に沿ってＹ軸方向及びＺ軸方向に移動される。研磨手段５６のスピンドル９３の下端にはマウント９４が設けられ、マウント９４の下面に発泡材や繊維質等で形成された研磨パッド９５が装着されている。研磨パッド９５によるウェーハＷの研磨により、ウェーハＷに残された研削ダメージが除去される。
【００２２】
このような研削研磨装置１では、カセットＣＴ内からウェーハＷが位置決め機構２１に搬送されて、位置決め機構２１でウェーハＷがセンタリングされる。次に、チャックテーブル４２上にウェーハＷが搬入され、ターンテーブル４１の回転によってウェーハＷが粗研削位置、仕上げ研削位置、研磨位置の順に位置付けられる。粗研削位置ではウェーハＷの裏面が粗研削加工され、仕上げ研削位置ではウェーハＷの裏面が仕上げ研削加工され、これら研削加工によってウェーハＷが所定の仕上げ厚みまで薄厚化される。この薄厚化によって、ウェーハＷの裏面に先ダイシング法による切削溝が表出し、ウェーハＷが個々の半導体チップＣに分割されて個片化済みウェーハＷａとなる（図２参照）。粗研削加工及び仕上げ研削加工の実施後に、研磨位置では個片化済みウェーハＷａが研磨加工される。そして、チャックテーブル４２からスピンナーテーブル２７に個片化済みウェーハＷａが搬送された後、洗浄機構２６で個片化済みウェーハＷａが洗浄され、洗浄機構２６からカセットＣＴへ洗浄された個片化済みウェーハＷａが搬出される。
【００２３】
次いで、図２を参照して、本実施の形態のチャックテーブル機構と搬送パッドとについて説明する。図２は、チャックテーブル機構及び搬送パッドの概略構成図である。図２に示すように、本実施の形態のチャックテーブル機構１００は、上記のチャックテーブル４２を含んで構成される。チャックテーブル機構１００は、４つのチャックテーブル４２（図１参照）を有しているが、各チャックテーブル４２は同様の構成となるので、１つのチャックテーブル４２について図示、説明する。チャックテーブル４２は、その上面を形成する多孔性部材４２ａを備え、多孔性部材４２ａは、無数の吸引孔を備えたポーラスセラミックス等からなる。この多孔性部材４２ａによってチャックテーブル４２の上面にウェーハＷを吸引保持する保持面４３が形成される。また、チャックテーブル４２には、保持面４３に連通する連通路４２ｂが形成されている。
【００２４】
本実施の形態のチャックテーブル機構１００において、連通路４２ｂには、吸引通路１０１を介して吸引源１０２が連通されている。吸引通路１０１の吸引源１０２近傍には電磁開閉弁１０５が配設され、電磁開閉弁１０５を開路すると、吸引源１０２が吸引通路１０１及び連通路４２ｂを介して保持面４３に連通して保持面４３に当接する保護テープＴに吸引力が付与される。
【００２５】
吸引通路１０１における連通路４２ｂ近傍には圧力検出手段１０７が配設され、圧力検出手段１０７は吸引通路１０１内の圧力を検出する。吸引通路１０１の圧力検出手段１０７と吸引源１０２との間で分岐して解放経路１０８が設けられている。解放経路１０８には制御弁１０９が配設され、制御弁１０９の弁開度を調整して閉弁状態から開路することで解放経路１０８が大気解放される。そして、この大気解放によって負圧となる吸引通路１０１及び連通路４２ｂを圧力上昇させることができる。
【００２６】
また、本実施の形態のチャックテーブル機構１００は、圧力検出手段１０７からの検出信号に基づいて電磁開閉弁１０５及び制御弁１０９を制御する制御手段１１１を具備している。制御手段１１１は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。なお、ここでは説明を省略したが、４つのチャックテーブル４２それぞれが上記と同様にして弁や通路を介して吸引源１０２が連通され、制御手段１１１による制御によって保持面４３での吸引が制御される。
【００２７】
チャックテーブル４２の保持面４３では、ウェーハＷが保護テープＴを介して吸引保持される。チャックテーブル４２の保持面４３上からのウェーハＷの搬送（搬出）は、搬送パッド３３によって行われる。搬送パッド３３の下面には吸引保持面３３ａが形成され、吸引保持面３３ａはウェーハＷの外径に相当する径寸法に形成されている。搬送パッド３３には、吸引保持面３３ａに連通する連通路（不図示）が形成され、連通路には、吸引通路３３ｂを介して吸引源３３ｃが連通されている。吸引通路３３ｂには、搬送パッド用電磁弁３３ｄが設けられている。チャックテーブル４２の保持面４３上からウェーハＷを搬送する場合、搬送パッド３３の吸引保持面３３ａをウェーハＷの上面（裏面）に当接させる。この当接した状態で、搬送パッド用電磁弁３３ｄを開路するように作動し、吸引源３３ｃを吸引保持面３３ａと連通することで個片化済みウェーハＷａが吸引保持面３３ａに吸引保持される。
【００２８】
ところで、保護テープＴは、研削加工を行う前のウェーハＷに貼着され、凸部Ｂを有するウェーハＷでは、凸部Ｂによって形成されるウェーハＷ表面の凹凸に沿って保護テープＴが貼着される。従って、ウェーハＷの表面に貼着された保護テープＴも、凸部Ｂの形成位置で突出するように凹凸形状に形成される。そして、ウェーハＷの裏面を研削、研磨加工する場合には、保護テープＴ側を下向きとしてチャックテーブル４２の保持面４３に吸引保持させる。ここで、吸引に用いられる吸引源１０２にあっては、工場や施設において複数の各種装置に負圧を供給する大型の吸引ポンプに接続されている。この吸引ポンプによる負圧は、多様な利用態様があるため、比較的高吸引力を発揮するように設定される。
【００２９】
このため、従来のチャックテーブル機構の吸引保持では、図３Ｂで示すように、保持面４３で保護テープＴを吸引保持すると、保護テープＴが保持面４３に全体的に面接触するようになって平坦になる。この結果、隣接する凸部Ｂ間でウェーハＷの表面から保護テープＴが剥離され、この剥離された部分に気泡Ａが生じるようになる。
【００３０】
そこで、本実施の形態では、チャックテーブル４２上でウェーハＷが加工時に移動しないように保持可能としつつ、図３Ｂのように気泡Ａが発生しない吸引圧力を予め実験や経験則等によって求めておき、かかる吸引圧力に応じて以下に述べるようにウェーハＷを保持している。これにより、チャックテーブル４２からウェーハＷに加わる吸引力を十分にしつつ、上述した気泡Ａの発生を防ぐことができる。
【００３１】
以下、図２に加えて、図３を参照して、本実施の形態のウェーハＷをチャックテーブル４２で保持する流れについて説明する。図２及び図３は、本実施の形態の保持方法における各ステップの説明図である。図２は、載置ステップの説明図、図３は、制御弁調整ステップの説明図である。なお、図２及び図３に示す各ステップは、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。
【００３２】
図２に示すように、まず載置ステップを実施する。載置ステップでは、搬送パッド３３の吸引保持面３３ａにウェーハＷを当接し、搬送パッド用電磁弁３３ｄを開路して吸引源３３ｃを吸引保持面３３ａと連通する。これにより、吸引保持面３３ａに当接しているウェーハＷに吸引力が付与され、ウェーハＷが吸引保持面３３ａに吸引保持される。この状態で、搬送パッド３３を移動し、ウェーハＷに貼着された保護テープＴをチャックテーブル４２の保持面４３に当接する。そして、制御弁１０９が閉路された状態で、電磁開閉弁１０５を開路し、保持面４３と吸引源１０２とが連通されて保持面４３に当接する保護テープＴを吸引保持する。
【００３３】
図３に示すように、載置ステップを実施した後には制御弁調整ステップを実施する。制御弁調整ステップでは、図２に示した状態から閉路した制御弁１０９を開路して解放経路１０８を大気解放する。この解放によって、制御弁１０９から外部の空気が解放経路１０８を通じて吸引通路１０１内に流れ込んで吸引通路１０１及び連通路４２ｂの負圧を弱め、ウェーハＷに貼着された保護テープＴを吸引保持する吸引力を低減させる。このとき、圧力検出手段１０７が吸引通路１０１内の圧力値を検出して検出信号として制御手段１１１に出力する。制御手段１１１では、圧力検出手段１０７から出力された検出信号に基づいて制御弁１０９の弁開度を制御する。具体的には、制御手段１１１において、圧力検出手段１０７が検出した吸引通路１０１内の圧力値を所定の閾値と比較し、検出した圧力値が閾値より大きい、つまり負圧が弱くなる場合、制御弁１０９の弁開度を小さくするよう制御する。一方、検出した圧力値が閾値より小さい、つまり負圧が強くなる場合、制御弁１０９の弁開度を大きくするよう制御する。これにより、閾値に応じた所定の圧力でウェーハＷに貼着された保護テープＴがチャックテーブル４２に吸引保持される。
【００３４】
なお、上記の閾値は、研削や研磨加工時にチャックテーブル４２に対してウェーハＷが移動しないように保持し、且つ、図３Ｂのように気泡Ａが発生せずに保護テープＴの凹凸形状を維持して吸引保持可能な吸引圧力である。閾値は、特に限定されるものでないが、チャックテーブル４２で保持される各種のウェーハＷ及び保護テープＴに応じ、実験や試験を行うことで予め求めることができる。保持されるウェーハＷ及び保護テープＴに対する閾値は、範囲を持たない所定値としても良いが、上限値及び下限値を備えた所定の数値範囲とすることが好ましい。
【００３５】
以上のように、本実施の形態のチャックテーブル機構１００を用いた保持においては、圧力検出手段１０７で検出した圧力値に応じて制御弁１０９の弁開度を調整し、チャックテーブル４２での吸引圧力を可変とすることができる。これにより、設備上の都合等によって吸引源１０２での負圧が強くなっても、チャックテーブル４２での負圧を適度に弱めることができ、図３Ｂのように凹凸に沿った保護テープＴが平坦に変形してウェーハＷと保護テープＴとの間に気泡Ａが生じることを防止できる。従って、研削で発生したコンタミ等の加工屑が気泡Ａに侵入することによる汚染を回避することができる。
【００３６】
しかも、制御弁１０９よる大気解放によってチャックテーブル４２での負圧を弱めているが、制御弁１０９の弁開度の制御によって負圧が弱くなり過ぎなくなる。これにより、研削や研磨時にウェーハＷに外力が作用しても、保護テープＴにおいて凸部Ｂに応じて突出した部分のみでのチャックテーブル４２による吸引保持によって、ウェーハＷが位置ずれすることを防止することができる。
【００３７】
なお、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
【００３８】
例えば、チャックテーブル機構１００を構成するチャックテーブルは、研削や研磨を実施する際に加工対象物となるウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル４２に限定されず、洗浄機構２６のスピンナーテーブル２７等に変更してもよい。この場合、スピンナーテーブル２７は、図２に示すチャックテーブル４２と同様に構成され、また、洗浄されたウェーハＷは、搬送パッドによって転写装置等に搬送される。
【００３９】
また、制御弁１０９での弁開度の制御は、制御弁１０９の開路を継続してもよいし、開閉を複数回断続的に行うようにしてもよい。
【００４０】
また、板状物として、凸部Ｂの形成及び保護テープＴの貼着の少なくとも一方を省略したものとしてもよい。この場合、例えば、板状物が軟質材料や脆質材料とした場合、制御弁１０９の弁開度を制御することで吸引保持するための圧力を適度に調整し、板状物に生じる応力を軽減して変形等を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上説明したように、本発明は、ウェーハを良好に保持しつつウェーハに作用する圧力で保護テープとの間に気泡が生じることを防止できるという効果を有し、特に、バンプ等の凸部が形成されて保護テープが貼着されたウェーハを吸引保持するチャックテーブル機構に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
４２  チャックテーブル
４２ｂ  連通路
４３  保持面
１００  チャックテーブル機構
１０１  吸引通路
１０２  吸引源
１０５  電磁開閉弁
１０７  圧力検出手段
１０８  解放経路
１０９  制御弁
１１１  制御手段
Ｔ  保護テープ
Ｗ  ウェーハ（板状部材、半導体ウェーハ）
【図１】
2018082037.tif 000003
【図２】
2018082037.tif 000004
【図３】
2018082037.tif 000005