(57)【要約】【課題】信頼性を向上させた、安価な半導体装置を提供する。【解決手段】  トランジスタ１（半導体装置）は、流体に浸漬されて冷却される。トランジスタ１は、板状に形成され、表面に複数の電極が形成されている半導体素子１０と、板状に形成され、一方の面が半導体素子１０の電極に接合材Ｓを介して電気的に接合された電極板（ドレイン電極板２０、ソース電極板３０）と、半導体素子１０の表面における前記複数の電極の間に設けられ、金属微粒子が前記複数の電極の間に付着することを抑制する絶縁手段（凹溝Ｒ、絶縁膜Ｆ）と、を備える。前記電極板は、半導体素子１０の電極に接合される部分にて板厚方向に貫通する貫通孔を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体に浸漬されて冷却される半導体装置であって、
板状に形成され、表面に複数の電極が形成されている半導体素子と、
板状に形成され、一方の面が前記半導体素子の電極に接合材を介して電気的に接合された電極板と、
前記半導体素子の表面における前記複数の電極の間に設けられ、金属微粒子が前記複数の電極の間に付着することを抑制する絶縁手段と、を備え、
前記電極板は、前記半導体素子の電極に接合される部分にて板厚方向に貫通する貫通孔を有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁手段は、前記半導体素子の表面に形成された複数の凹凸である、半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記凹凸が非導電材で構成された絶縁膜によって覆われている、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記電極板は、長尺状に形成され、
前記貫通孔は、前記電極板の長手方向に垂直な方向へ延設されている、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流体に浸漬されて冷却される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子は、接合材（例えば、はんだ）を介して電極板、基板などに接合されている。半導体素子に電流が流れることにより半導体素子が発熱し、その熱が、接合材を介して電極板、基板などに伝わる。このような熱により、半導体装置を構成する各部材（半導体素子、接合材、電極板、基板など）が膨張する。その際、半導体装置を構成する各部材の線膨張係数が異なるため、各部材の接合部に熱応力が生じる。その結果、接合材が、半導体素子、電極板、基板などから剥離する虞がある。また、各部材（特に接合材及び半導体素子）にクラックが生じる虞がある。
【０００３】
上記のような接合材の剥離及び各部材のクラックの発生を抑制して信頼性の向上を図った半導体装置は知られている。例えば、下記特許文献１の半導体装置は、車両のトランスミッションの潤滑油に浸漬されて冷却される。これにより、半導体装置を構成する各部材の膨張が抑制される。よって、接合材の剥離及び各部材のクラックの発生が抑制される。
【０００４】
また、接合材に生じたクラックを修復する機能を備えた半導体装置も知られている。例えば、下記特許文献２の半導体装置は、半導体素子の温度を検出する温度検出手段を備えている。この半導体装置において、接合材にクラックが発生する温度範囲が予め計測されている。半導体素子の温度が上昇して前記温度範囲内に入ったとき、通常よりも大きな電流が半導体素子に流される。これにより半導体素子がさらに発熱し、その熱により接合材が溶融する。その後、半導体素子に流れる電流が元に戻されると、接合材が冷えて固化する。このようにして接合材のクラックが修復される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２５６９８３号公報
【特許文献２】特開２０１４−１６０８０４号公報
【発明の概要】
【０００６】
特許文献１の半導体装置が浸漬されるトランスミッションの潤滑油には、金属イオン及び金属微粒子が含まれる。すなわち、トランスミッションを構成する部材の表面から金属が金属イオンとして潤滑油中に溶出する。また、部材の磨耗に由来する金属微粒子が潤滑油中に浮遊している。そのため、半導体素子の表面にてエレクトロマイクレーション及びイオンマイグレーションが生じて半導体素子の電極同士（例えば、ドレイン電極とソース電極）が短絡し、半導体装置、電源装置などが破損する虞があり、半導体装置の信頼性が低い。
【０００７】
また、特許文献２の半導体装置は温度検出手段を備えているため、半導体装置の構造が複雑であって、半導体装置が大型である。また、温度検出手段の部品コストが高い。また、半導体装置を修復している間、負荷（例えば、電動モータ）を制御できない。
【０００８】
本発明は上記問題に対処するためになされたもので、その目的は、信頼性を向上させた、安価な半導体装置を提供することにある。なお、下記本発明の各構成要件の記載においては、本発明の理解を容易にするために、実施形態の対応箇所の符号を括弧内に記載しているが、本発明の各構成要件は、実施形態の符号によって示された対応箇所の構成に限定解釈されるべきものではない。
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、流体に浸漬されて冷却される半導体装置（１）であって、板状に形成され、表面に複数の電極（１１，１２）が形成されている半導体素子（１０）と、板状に形成され、一方の面が前記半導体素子の電極に接合材を介して電気的に接合された電極板（２０，３０）と、半導体素子の表面における前記複数の電極の間に設けられ、金属微粒子が前記複数の電極の間に付着することを抑制する絶縁手段（Ｒ，Ｆ）と、を備え、前記電極板は、半導体素子の電極に接合される部分にて板厚方向に貫通する貫通孔（２１，２２，２３，２４，２５、３１，３２，３３，３４）を有する、半導体装置としたことにある。
【００１０】
この場合、絶縁手段は、前記半導体素子の表面に形成された複数の凹凸（Ｒ）であるとよい。
【００１１】
さらに、前記凹凸が非導電材で構成された絶縁膜（Ｆ）によって覆われているとよい。
【００１２】
また、この場合、前記電極板は、長尺状に形成され、前記貫通孔は、前記電極板の長手方向に垂直な方向へ延設されているとよい。
【００１３】
本発明によれば、半導体素子と電極板とを接合する際、接合材が貫通孔内に少し入り込むことによるアンカー効果が得られる。すなわち、貫通孔が設けられていない場合に比べて、接合材と電極板との接合強度が高い。よって、電極板からの接合材の剥離を抑制できる。
【００１４】
また、半導体素子の電極間には絶縁手段が設けられているので、特許文献２のように、半導体装置を、金属イオン及び金属微粒子が含まれる流体（例えば、トランスミッションの潤滑油）に浸漬させた場合であっても、電極間においては、前記流体に含まれる金属イオンが金属微粒子として析出し難い。また、電極間においては、前記流体に含まれる金属微粒子が堆積し難い。よって、イオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションに起因する、半導体素子の電極同士の短絡が生じ難い。
【００１５】
また、半導体装置を、金属イオン及び金属微粒子が含まれる流体（例えば、トランスミッションの潤滑油）に浸漬させた場合、貫通孔内に前記流体が流入する。半導体装置の通常動作中（電極間に電流が流れているとき）に、貫通孔内においてイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションが生じる。すなわち、貫通孔の内周面から接合材が剥離して隙間が形成されている場合、又は貫通孔内に入り込んだ接合材の一部にクラックが生じている場合には、前記隙間内又はクラック内にて、前記流体に含まれる金属イオンが金属微粒子として析出する。また、前記隙間内又はクラック内にて、前記流体に含まれる金属微粒子が堆積する。これにより、貫通孔の内周面からの接合材の剥離及び貫通孔内の接合材のクラックが修復される。
【００１６】
上記のように、本発明に係る半導体装置によれば、電極板に設けられた貫通孔に接合材を入り込ませることにより、電極板と接続材との接合強度を高めることができる。このため電極板からの接合材の剥離が抑制される。また、たとえ貫通孔の内周面から接合材が剥離したとしても、貫通孔内で生じるイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションにより剥離部分に堆積した金属微粒子が剥離部分を埋めることにより、半導体装置の通常動作中に前記剥離が修復される。同様に、貫通孔内にて接合材のクラックが生じたとしても、貫通孔内で生じるイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションによりクラック発生部分に堆積した金属微粒子がクラックによる隙間を埋めることにより、半導体装置の通常動作中に前記クラックが修復される。つまり、従来では忌避されてきたイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションを、剥離部分及びクラック発生部分に積極的に起こさせることにより、剥離及びクラックが修復される。一方、電極間には絶縁手段が設けられているので、電極間にてイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションは生じ難い。このためイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションによる電極間の短絡は防止することができる。このように、本発明によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、特許文献２のような温度検出手段が不要なので、半導体装置を小型化でき、コストを削減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るトランジスタの斜視図である。
【図２】図１のトランジスタの分解斜視図である。
【図３】半導体素子の周端部を拡大した断面図である。
【図４】トランジスタの前後方向に垂直な断面図である。
【図５】インバータ装置の回路図である。
【図６】潤滑油に浸漬されたアーム回路の前後方向に垂直な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一実施形態に係る半導体装置であるトランジスタ１の構成について説明する。トランジスタ１は、図１及び図２に示すように、半導体素子１０、ドレイン電極板２０、ソース電極板３０及び複数（例えば５つ）のゲート電極ピン４０を備える。半導体素子１０は、薄板状に形成されている。半導体素子１０は、平面視において略正方形を呈する。半導体素子１０の１辺の寸法は、例えば１０ｍｍである。半導体素子１０の厚さは、例えば、１ｍｍである。以下の説明において、半導体素子１０の厚さ方向を上下方向と呼ぶ。また、半導体素子１０の一方の辺に沿う方向を左右方向と呼び、他方の辺に沿う方向（すなわち、上下方向及び左右方向に垂直な方向）を前後方向と呼ぶ。
【００１９】
半導体素子１０の下面には、ドレイン電極１１が形成されている。また、半導体素子１０の上面には、ソース電極１２及びゲート電極１３が形成されている。ゲート電極１３は、半導体素子１０の上面の左端部に形成されている。半導体素子１０の上面のうち、ゲート電極１３を除く部分がソース電極１２である。また、図３に示すように、半導体素子１０の周端面１４（左面、右面、前面及び後面）には、微細な凹凸が形成されている。例えば、周端面１４を平面状に形成しておき、周端面１４にフェムト秒ファイバレーザービームを走査して、複数の凹溝Ｒを形成するとよい。凹溝Ｒの深さは、例えば、１００μｍである。凹溝Ｒの幅は、例えば、４０μｍである。周端面１４に形成された凹凸の表面には、非導電材で構成された絶縁膜Ｆが形成される。この絶縁膜Ｆの膜厚は、例えば、８μｍである。なお、この凹凸が、本発明の絶縁手段に相当する。
【００２０】
ドレイン電極板２０は、左右方向に延びる長方形の金属板（例えば、アルミニウム製の板材、銅製の板材など）を段曲げ加工して形成されている。すなわち、ドレイン電極板２０の右側部２０Ｒが、左側部２０Ｌよりも上方に位置している。右側部２０Ｒ及び左側部２０Ｌの板厚方向が上下方向に平行である。ドレイン電極板２０の前後方向の寸法は、例えば、１２ｍｍである。右側部２０Ｒの左右方向の寸法は、例えば、２５ｍｍである。左側部２０Ｌの左右方向の寸法は、例えば、８ｍｍである。右側部２０Ｒには、上下方向に貫通する貫通孔２１，２２，２３，２４，２５が形成されている。貫通孔２１，２２，２３，２４，２５は、この順に左側から右側へ向かって並設されている。各貫通孔２１，２２，２３，２４，２５は、前後方向（ドレイン電極板２０の長手方向に垂直な方向）に沿って延設されている。貫通孔２１，２２，２３，２４，２５の前後方向の寸法は、例えば、５ｍｍである。また、貫通孔２１，２２，２３，２４，２５の左右方向の寸法は、例えば、１．２ｍｍである。また、貫通孔２１，２２，２３，２４，２５の間隔は、例えば、３ｍｍである。右側部２０Ｒの上面が、接合材Ｓ（例えば、はんだ）を介して、半導体素子１０のドレイン電極１１に接合される（図４参照）。ドレイン電極板２０が半導体素子１０に接合された状態において、貫通孔２２，２３，２４は、半導体素子１０の下方に位置しており、貫通孔２２，２３，２４内に接合材Ｓが少し入り込んでいる。貫通孔２１，２５は、半導体素子１０の外側に位置しており、貫通孔２１，２５の上方の空間と下方の空間とが連通している。
【００２１】
ソース電極板３０は、左右方向に延びる長方形の金属板（例えば、アルミニウム製の板材、銅製の板材など）を段曲げ加工して形成されている。ソース電極板３０の左側部３０Ｌが、右側部３０Ｒよりも上方に位置している。左側部３０Ｌ及び右側部３０Ｒの板厚方向が上下方向に平行である。ソース電極板３０の前後方向の寸法は、例えば、１２ｍｍである。右側部３０Ｒの左右方向の寸法は、例えば、２２ｍｍである。左側部３０Ｌには、上下方向に貫通する貫通孔３１，３２，３３，３４が形成されている。貫通孔３１，３２，３３，３４は、この順に左側から右側へ向かって並設されている。各貫通孔３１，３２，３３，３４は、前後方向（ソース電極板３０の長手方向に垂直な方向）に沿って延設されている。貫通孔３１，３２，３３，３４の前後方向の寸法は、例えば、５ｍｍである。また、貫通孔３１，３２，３３，３４の左右方向の寸法は、例えば、１．２ｍｍである。また、貫通孔３１，３２，３３，３４の間隔は、例えば、３ｍｍである。左側部３０Ｌの下面が、接合材Ｓ（例えば、はんだ）を介して、半導体素子１０のソース電極１２に接合される（図４参照）。ソース電極板３０が半導体素子１０に接合された状態において、貫通孔３１，３２，３３は、半導体素子１０の上方に位置しており、貫通孔３１，３２，３３内に接合材Ｓが少し入り込んでいる。貫通孔３４は、半導体素子１０の外側に位置しており、貫通孔３４の上方の空間と下方の空間とが連通している。
【００２２】
また、半導体素子１０のゲート電極１３は、ソース電極板３０の左端よりも左方に位置している。また、ソース電極板３０の右側部３０Ｒの下面とドレイン電極板２０の左側部２０Ｌの下面の高さが揃うように、ソース電極板３０の上下方向の寸法（左側部３０Ｌと右側部３０Ｒとの段差）がドレイン電極板２０の上下方向の寸法（左側部２０Ｌと右側部２０Ｒとの段差）よりも少し大きく設定されている。
【００２３】
ゲート電極ピン４０は、左右方向に延びる金属棒（例えば、アルミニウム製の棒材、銅製の棒材など）である。ゲート電極ピン４０の長手方向に垂直な断面は正方形であり、その１辺の寸法は、例えば、１ｍｍである。各ゲート電極ピン４０は、半導体素子１０の左方に配置されている。ゲート電極ピン４０は、前後方向に等間隔に整列配置されている。隣り合う２つのゲート電極ピン４０の間隔は、例えば、３ｍｍである。各ゲート電極ピン４０は、図示しない治具によって支持された状態で、半導体素子１０のゲート電極１３に金属製（例えば、アルミニウム製）のボンディングワイヤＷを介して電気的に接続される。そして、各ゲート電極ピン４０の右端部及びボンディングワイヤＷが、合成樹脂製の封止材Ｐによって封止されるとともに半導体素子１０の左方に固定される。
【００２４】
このトランジスタ１は、ハイブリッド車の走行用の電動モータＭＴ（三相交流モータ）を駆動するインバータ装置ＩＮＶに適用することができる。
【００２５】
インバータ装置ＩＮＶは、図５に示すように、スイッチング回路部ＳＷＣと制御部ＣＴＬとを備える。スイッチング回路部ＳＷＣは、電動モータＭＴのＵ相、Ｖ相及びＷ相にそれぞれ対応したアーム回路ＡＭｎ＝Ｕ，ＡＭｎ＝Ｖ，ＡＭｎ＝Ｗを有する。アーム回路ＡＭｎは、２つのトランジスタ１を直列に接続して形成されている。すなわち、アーム回路ＡＭｎの一方のトランジスタ１（以下、トランジスタ１ｎ，ａと呼ぶ）のソース電極板３０と他方のトランジスタ１（以下、トランジスタ１ｎ，ｂと呼ぶ）のドレイン電極板２０とが、バスバーＢＯｎによって接続されている。各アーム回路ＡＭｎは、図６に示すように、オートマチックトランスミッションの潤滑油ＡＴＦに浸漬されている。
【００２６】
図６において、潤滑油ＡＴＦが流れる方向は、紙面に直交する方向である。各アーム回路ＡＭｎは、それが備えるトランジスタ１ｎ，ａとトランジスタ１ｎ，ｂとを結ぶ方向が、潤滑油の流れ方向と直交する方向であるように、潤滑油ＡＴＦ内に浸漬される。また、各アーム回路ＡＭｎが備えるトランジスタ１ｎ，ａのドレイン電極板２０が、バスバーＢＰに接続され、各アーム回路ＡＭｎが備えるトランジスタ１ｎ，ｂのソース電極板３０がバスバーＢＮに接続される。これらのバスバーＢＰ，ＢＮは、潤滑油ＡＴＦの循環経路を構成するパイプＡＴＰの内壁面に、非導電性のスペーサＳＰを介して接続される。従って、各アーム回路ＡＭｎは、バスバーＢＰ，ＢＮ及びスペーサＳＰを介して、パイプＡＴＰの内壁面に固定されることになる。
【００２７】
バスバーＢＰ及びバスバーＢＮは、パイプＡＴＰを流れる潤滑油ＡＴＦの流れ方向（つまり、図６において紙面に垂直な方向）に延在している。また、各アーム回路ＡＭｎは、パイプＡＴＰを流れる潤滑油ＡＴＦの流れ方向に沿って整列配置している。そして、一つのバスバーＢＰに各アーム回路ＡＭｎのトランジスタ１ｎ，ａのドレイン電極板２０が接続され、一つのバスバーＢＮに各アーム回路ＡＭｎのトランジスタ１ｎ，ｂのソース電極板３０が接続される。
【００２８】
パイプＡＴＰには、図示しない開口部が設けられており、バスバーＢＰ、バスバーＢＮ及びバスバーＢＯｎは、前記開口部を通ってパイプＡＴＰの外側（つまり潤滑油の循環経路の外部）へ延びている。また、トランジスタ１ｎ，ａ及びトランジスタ１ｎ，ｂの各ゲート電極ピン４０には、バスバーＢＧｎ，ａ及びバスバーＢＧｎ，ｂがそれぞれ接続されている。バスバーＢＧｎ，ａ及びバスバーＢＧｎ，ｂも、バスバーＢＰ，ＢＮ，ＢＯｎと同様に、前記開口部を通ってパイプＡＴＰの外側（つまり潤滑油の循環経路の外部）へ延びている。なお、潤滑油ＡＴＦが漏れ出ないように、前記開口部が、非導電性の封止材によって封止されている。
【００２９】
バスバーＢＰ及びバスバーＢＮは、直流電源装置のプラス電極及びマイナス電極にそれぞれ接続されている。バスバーＢＯｎ＝Ｕ，ＢＯｎ＝Ｖ，ＢＯｎ＝Ｗは、電動モータＭＴのＵ相、Ｖ相及びＷ相の端子にそれぞれ接続されている。また、バスバーＢＧｎ，ａ及びバスバーＢＧｎ，ｂは、制御部ＣＴＬに接続されている。制御部ＣＴＬは、バスバーＢＧｎ，ａ及びバスバーＢＧｎ，ｂを介して、トランジスタ１ｎ，ａ及びトランジスタ１ｎ，ｂのゲート電極１３に、制御信号（ＰＷＭ信号）をそれぞれ供給して、電動モータＭＴに三相交流電力を供給する。
【００３０】
上記のように、半導体素子１０とドレイン電極板２０とを接合する際、及び半導体素子１０とソース電極板３０とを接合する際、接合材Ｓが貫通孔２２，２３，２４及び貫通孔３１，３２，３３内に少し入り込むことによるアンカー効果が得られる。つまり、貫通孔２２，２３，２４及び貫通孔３１，３２，３３が設けられていない場合に比べて、接合材Ｓとドレイン電極板２０との接合強度、及び接合材Ｓとソース電極板３０との接合強度が高い。よって、ドレイン電極板２０及びソース電極板３０からの接合材Ｓの剥離を抑制できる。
【００３１】
また、半導体素子１０の周端面１４のうちの左面は、封止材Ｐによって封止されている。また、周端面１４のうちの前面、後面及び右面は露出しているが、これらの面には微細な凹凸が形成されるとともに、その凹凸が絶縁膜Ｆによって覆われている。この凹凸は、流体を撥じく性質（濡れ状態になり難い性質）を有している。そのため、周端面１４に対する流体の接触が抑制される。これにより、周端面１４のうちの前面、後面及び右面には、潤滑油ＡＴＦに含まれる金属イオンが金属微粒子として析出し難い。また、周端面１４のうちの前面、後面及び右面には、潤滑油ＡＴＦ中に浮遊している金属微粒子が堆積し難い。よって、周端面１４においては、イオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションは生じ難い。たとえ、周端面１４において金属微粒子が析出又は堆積して導電経路が成長したとしても、ドレイン電極１１とソース電極１２とが短絡するほどに前記導電経路が成長するまでには非常に長い時間がかかる。よって、イオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションに起因するドレイン電極１１とソース電極１２との短絡は生じ難い。
【００３２】
また、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３内に潤滑油ＡＴＦが流入する。トランジスタ１の通常動作中（ドレイン電極からソース電極に電流が流れているとき）に、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３内においてイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションが生じる。ここで、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３の内周面から接合材Ｓが剥離して隙間が形成されている場合、又は貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３内に入り込んだ接合材Ｓの一部にクラックが生じている場合には、イオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションにより、前記隙間内及びクラック内にて金属微粒子が堆積する。これにより、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３の内周面からの接合材Ｓの剥離、及び貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３内の接合材Ｓのクラックが修復される。
【００３３】
上記のように、本実施形態では、接合材Ｓとドレイン電極板２０との接合強度、及び接合材Ｓとソース電極板３０との接合強度が高い。また、たとえ、接合材Ｓが、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３の内周面から剥離したとしても、トランジスタ１の通常動作中にイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションにより剥離部分に堆積した金属微粒子によって前記剥離が修復される。また、貫通孔２２，２３，２４，３１，３２，３３内で接合材Ｓにクラックが生じたとしても、トランジスタ１の通常動作中にイオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションによりクラック発生部に堆積した金属微粒子によって前記クラックが修復される。また、イオンマイグレーション及びエレクトロマイグレーションに起因するドレイン電極１１とソース電極１２との短絡は生じ難い。よって、本実施形態によれば、トランジスタ１の信頼性が向上する。また、特許文献２のような温度検出手段が不要なので、トランジスタ１を小型化でき、コストを削減できる。
【００３４】
さらに、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００３５】
上記実施形態では、トランジスタ１をオートマチックトランスミッションの潤滑油ＡＴＦに浸漬させているが、これに代えて、トランジスタ１を他の流体（例えば、エンジンオイル）に浸漬させてもよい。
【００３６】
また、本発明は、トランジスタのみならず、他の半導体装置（例えば、ダイオード）にも適用可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１・・・トランジスタ、１０・・・半導体素子、１１・・・ドレイン電極、１２・・・ソース電極、１３・・・ゲート電極、１４・・・周端面、２０・・・ドレイン電極板、２１，２２，２３，２４，２５・・・貫通孔、３０・・・ソース電極板、３１，３２，３３，３４・・・貫通孔、４０・・・ゲート電極板、ＡＭｎ・・・アーム回路、ＡＴＦ・・・潤滑油、ＢＰ，ＢＮ，ＢＯｎ，ＢＧｎ，ａ，ＢＧｎ，ｂ・・・バスバー、ＣＴＬ・・・制御部、Ｆ・・・絶縁膜、ＩＮＶ・・・インバータ装置、ＭＴ・・・電動モータ、Ｐ・・・封止材、Ｒ・・・凹溝、Ｓ・・・接合材、ＳＷＣ・・・スイッチング回路部、Ｗ・・・ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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