(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージの厚さを薄板化することができるプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板５００は、第１絶縁部１００と、第１絶縁部１００上に形成された第２絶縁部２００と、第２絶縁部２００を貫通して形成された収容溝ＣＶと、第１絶縁部１００と第２絶縁部２００との間及び第１絶縁部１００と収容溝ＣＶとの間に形成された保護層３００と、収容溝ＣＶから露出された接続パターン４１０を含み、保護層３００に埋め込まれた連結導体パターン層４００と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁部と、
前記第１絶縁部上に形成された第２絶縁部と、
前記第２絶縁部を貫通して形成された収容溝と、
前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間、及び前記第１絶縁部と前記収容溝との間に形成された保護層と、
前記収容溝から露出された接続パターンを含み、前記保護層に埋め込まれた連結導体パターン層と、
を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記保護層は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第１絶縁部に形成される第１導体パターン層と、
前記第２絶縁部に形成される第２導体パターン層と、をさらに含み、
前記連結導体パターン層は、
前記保護層を貫通して前記第１導体パターン層と前記第２導体パターン層とを互いに接続する接続ビアをさらに含む請求項１または請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記連結導体パターン層は、
前記第２絶縁部と前記収容溝との間の境界にかけて形成される停止パターンをさらに含む請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント回路基板と、
前記収容溝内に配置され、前記接続パターンに接続する電子部品と、
を含むパッケージ。
【請求項６】
前記電子部品は、半導体チップである請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】
一面に保護層が形成された第１絶縁部をキャリア上に形成するステップと、
前記キャリアと前記第１絶縁部とを分離するステップと、
前記保護層上に収容溝が形成された第２絶縁部を形成するステップと、を含み，
前記第１絶縁部をキャリア上に形成するステップは，
前記キャリア上に前記保護層を形成するステップと、
前記保護層に貫通ホールを形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記保護層は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される請求項７に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記貫通ホールは、サンドブラストにより形成される請求項７または請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）、パッケージ及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの高性能化に伴って信号を迅速に伝達できるパッケージ技術が求められている。また、電子装備の軽薄短小化によりパッケージの厚さをより薄くする技術が求められている。
【０００３】
チップの製造業社は、信号の高速化及び安定化のために、チップに直接配線層を形成したＦＯ−ＷＬＰパッケージを開発している。パッケージ用基板の製造業社は、１００μｍ以下の厚さを有する基板を開発してパッケージの厚さを薄くする試みを行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１３−００５５３３５号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例によれば、パッケージの厚さを薄板化することができるプリント回路基板が提供される。
【０００６】
また本発明の実施例によれば、半導体チップとメイン基板との間の信号を迅速に伝送できるプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための一工程を示す図である。
【図４】図３の次の工程を示す図である。
【図５】図４の次の工程を示す図である。
【図６】図５の次の工程を示す図である。
【図７】図６の次の工程を示す図である。
【図８】図７の次の工程を示す図である。
【図９】図８の次の工程を示す図である。
【図１０】図９の次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。
【０００９】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。
【００１０】
また、明細書全体において、「上に」ということは、対象部分の上または下に位置することを意味するものであり、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するものではない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１２】
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されるものではない。
【００１３】
以下、本発明に係るプリント回路基板、パッケージ及びプリント回路基板の製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１４】
（プリント回路基板及びパッケージ）
図１は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。図２は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。
【００１５】
図１を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００は、第１絶縁部１００と、第２絶縁部２００と、収容溝ＣＶと、保護層３００と、連結導体パターン層４００と、を含む。
【００１６】
第１絶縁部１００及び第２絶縁部２００のそれぞれは、少なくとも１つ以上の絶縁層１１０、２１０を含む。第１絶縁部１００を形成する絶縁層を第１絶縁層１１０、第２絶縁部２００を形成する絶縁層を第２絶縁層２１０と称し、第１絶縁層１１０と第２絶縁層２１０との間の区別が必要のない限り絶縁層と通称し、共通的に説明する。
【００１７】
絶縁層１１０、２１０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド等の熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラー等の補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグで形成することができる。他の例として、絶縁層１１０、２１０は、ＡＢＦ等のビルドアップフィルムで形成することができる。また他の例として、絶縁層１１０、２１０は、光硬化性樹脂で形成することができる。絶縁層１１０、２１０の他の例及びまた他の例において、絶縁層１１０、２１０は、無機フィラーを含むことができる。
【００１８】
無機フィラーとしては、アルミナ、シリカ、ガラス、シリコンカーバイド及びこれらの混合物からなるグループから選択された少なくとも１種以上を用いることができる。無機フィラーは、球状、半球状、多角形状、シリンダー状または板状等様々な形状を有するものを用いることができる。無機フィラーの直径は、数ｎｍから数百ｎｍの大きさを多様に選択することができる。無機フィラーが球状ではない場合の無機フィラーの直径とは、無機フィラー表面の互いに異なる二つの点を結び、無機フィラーの重さ中心を通る複数の線分中の最も長い長さを意味する。
【００１９】
絶縁部１００、２００にはそれぞれ導体パターン層１２０、２２０が形成される。すなわち、第１絶縁部１００には第１導体パターン層１２０が形成され、第２絶縁部２００には第２導体パターン層２２０が形成される。第１導体パターン層１２０及び第２導体パターン層２２０のそれぞれは、複数形成することができる。
【００２０】
導体パターン層１２０、２２０は、第１及び第２絶縁部１００、２００に埋め込まれ、外部に露出されない。ただ、最外層に形成される導体パターン層１２０、２２０は、少なくとも一部が絶縁部１００、２００から突出して形成される。
【００２１】
導体パターン層１２０、２２０は、電気伝導性物質により形成される。例として、導体パターン層１２０、２２０は、銅（Ｃｕ）で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等様々な電気伝導性物質により形成することができる。
【００２２】
図１には、第１絶縁部１００及び第２絶縁部１００のそれぞれが２つの絶縁層１１０、２１０に形成されているが、これは例示に過ぎない。すなわち、第１絶縁部１００及び第２絶縁部２００のそれぞれは、３つ以上の絶縁層または１つの絶縁層により形成されることも可能である。
【００２３】
また、図１に示されている第１導体パターン層１２０及び第２導体パターン層２２０のそれぞれの数は、例示に過ぎない。他の例として、第１導体パターン層１２０は、第１絶縁部１００に４層構造に形成されることが可能である。また他の例として、第２導体パターン層２２０は、第２絶縁部２００に３層構造に形成されることも可能である。
【００２４】
収容溝ＣＶは、第２絶縁部２００を貫通して形成される。収容溝ＣＶには、後述する電子部品６００が配置される。収容溝ＣＶの幅及び深さは、電子部品６００の幅及び高さに対応することができ、これに限定されることはない。例として、収容溝ＣＶは、電子部品６００の幅よりも広い幅に形成され、電子部品６００がより容易に本実施例に係るパッケージ１０００に配置されることができる。
【００２５】
収容溝ＣＶは、レーザードリル、ＣＮＣドリル、パンチングまたは化学的エッチングにより形成可能である。または、第２絶縁層２１０が光硬化性樹脂を含む場合、収容溝ＣＶは、フォトリソグラフィ工程により形成可能である。
【００２６】
保護層３００は、第１絶縁部１００と第２絶縁部２００との間、及び第１絶縁部１００と収容溝ＣＶとの間に形成される。すなわち、保護層３００は、第１絶縁部１００の一面の全面に形成され、第１絶縁部１００と第２絶縁部２００との間に形成される。このため、保護層３００の少なくとも一部が収容溝ＣＶにより外部に露出される。
【００２７】
保護層３００は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される。
【００２８】
本実施例で採用する保護層３００は、通常の光硬化性ソルダーレジストではなく熱硬化性ソルダーレジストである。
【００２９】
後述するように、保護層３００が第１絶縁部１００よりも先に形成されるので、保護層３００を熱硬化性ソルダーレジストにより形成する。本実施例で採用する保護層３００を光硬化性ソルダーレジストにより形成する場合、基板工程を経りながら保護層３００に加えられる熱及び圧力によりガスが発生し、基板の不良可能性が高くなる恐れがある。
【００３０】
熱硬化性ソルダーレジストは、エポキシとシアネート系の樹脂を含むことができる。熱硬化性ソルダーレジストは、アルミナ、シリカ、ガラス及びシリコンカーバイド等の無機フィラーを含むことができる。
【００３１】
連結導体パターン層４００は、収容溝ＣＶから露出された接続パターン４１０を含み、保護層３００に埋め込まれるように形成される。連結導体パターン層４００は、保護層３００の一面に埋め込まれた形状で保護層３００に形成される。
【００３２】
接続パターン４１０は、後述する電子部品に電気的に接続される。接続パターン４１０も保護層３００に埋め込まれる。接続パターン４１０の一面は保護層３００の一面と同一の平面に位置するか、保護層３００の一面から陥入され、収容溝ＣＶに露出される。
【００３３】
一方、図１等には接続パターン４１０が保護層３００を貫通することに示されているが、これは例示に過ぎない。すなわち、接続パターン４１０は、設計上の必要によって保護層３００を貫通しないパッド形態に形成することも可能である。接続パターン４１０の数及び接続パターン４１０間のピッチは、後述する電子部品６００の外部接続端子の数及び外部接続端子間のピッチにより様々に変更することができる。
【００３４】
連結導体パターン層４００は、保護層３００を貫通し、第１導体パターン層１２０と第２導体パターン層２２０とを互いに接続する接続ビア４２０をさらに含むことができる。接続ビアは保護層３００を貫通して、第１導体パターン層１２０と第２導体パターン層２２０とを電気的に接続させる。
【００３５】
連結導体パターン層４００は、第２絶縁部２００と収容溝ＣＶとの間の境界にかけて形成される停止パターン４３０をさらに含むことができる。
【００３６】
停止パターン４３０は、連結導体パターン層４００に含まれる構成であり、上述したように、連結導体パターン層４００は、保護層３００に埋め込まれて形成される構成である。保護層３００は、第２絶縁部２００が形成されて外部に露出されない第１領域と、収容溝ＣＶにより外部に露出される第２領域とに区別できる。よって、停止パターン４３０が第２絶縁部２００と収容溝ＣＶとの間の境界にかけて形成されるということは、停止パターン４３０が保護層３００の第１領域と第２領域にかけて形成されるという意味に理解されることができる。
【００３７】
停止パターン４３０は、本実施例に係るプリント回路基板の製造工程において、第２絶縁層２１０を形成する樹脂が収容溝ＣＶの内側へ流動した場合、流動した樹脂をレーザーにより除去するに当たって、第１絶縁部１００及び保護層３００がレーザーにより除去されることを防止することができる。すなわち、停止パターン４３０は、レーザーに対するストッパとしての機能をすることができる。
【００３８】
連結導体パターン層４００、接続パターン４１０、接続ビア４２０及び停止パターン４３０は、電気伝導性物質により形成される。例として、接続パターン４１０は、銅（Ｃｕ）で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等様々な電気伝導性物質により形成可能である。
【００３９】
本発明の一実施例に係るパッケージ１０００は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００と、収容溝ＣＶ内に配置され、接続パターン４１０に接続される電子部品６００と、を含む。
【００４０】
電子部品６００は、半導体チップであり得る。半導体チップは、一面が活性面（Ａｃｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）であり、他面が非活性面（Ｉｎａｃｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）であってもよい。半導体チップの一面には、外部接続端子が形成され、本実施例に係るプリント回路基板５００に電気的に接続されることができる。
【００４１】
図１等に示されている電子部品６００の外部接続端子の数は、例示に過ぎない。
【００４２】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００及びパッケージ１０００は、第１絶縁部１００の下面及び第２絶縁部２００の上面に形成されたソルダーレジスト層ＳＲをさらに含むことができる。ソルダーレジスト層ＳＲには、第１絶縁部１００及び第２絶縁部２００の最外層に形成された導体パターン層１２０、２２０のうちの少なくとも一部を外部に露出する開口を形成することができる。
【００４３】
ソルダーレジスト層ＳＲは、光硬化性または熱硬化性樹脂を含むことができる。ソルダーレジスト層ＳＲが光硬化性樹脂を含む場合に、開口は、フォトリソグラフィ工程を用いて形成することができる。ソルダーレジスト層ＳＲが熱硬化性樹脂を含む場合には、開口は、レーザードリルまたはサンドブラストにより形成することができる。
【００４４】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００及びパッケージ１０００は、第１絶縁部１００及び第２絶縁部２００のそれぞれに形成され、互いに異なる第１導体パターン層１２０を接続させ、互いに異なる第２導体パターン層２２０を接続させるビアをさらに含むことができる。
【００４５】
ビアは、電気伝導性物質により形成される。例として、ビアは、銅（Ｃｕ）で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等様々な電気伝導性物質で形成可能である。
【００４６】
一方、示されていないが、本発明の一実施例に係るパッケージ１０００は、電子部品６００を保護するために電子部品６００の側面と収容溝ＣＶの内側面との間に形成されるモールディング材をさらに含むことができる。
【００４７】
（プリント回路基板及びパッケージの製造方法）
図３から図９は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程を順次示す図である。
【００４８】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、一面に保護層が形成された第１絶縁部をキャリア上に形成するステップと、キャリアと第１絶縁部とを分離するステップと、保護層上に収容溝が形成された第２絶縁部を形成するステップと、を含む。
【００４９】
第１絶縁部をキャリア上に形成するステップは、キャリア上に保護層を形成するステップ及び保護層に貫通ホールを形成するステップを含む。
【００５０】
先ず、図３に示すように、キャリアＣを準備する。
【００５１】
キャリアＣは、支持部Ｓ、支持部Ｓの両面に形成された第１銅箔ＣＦ１、第１銅箔ＣＦ１に形成された第２銅箔ＣＦ２、第２銅箔ＣＦ２に形成されたエッチング防止層ＥＳ、及びエッチング防止層ＥＳに形成された第３銅箔ＣＦ３を含む。
【００５２】
支持部Ｓは、保護層３００及び第１絶縁部１００を形成する工程において保護層３００及び第１絶縁部１００を支持するに十分な剛性を有するものであれば材質に何ら制限はない。支持部Ｓは、ＰＥＴフィルム等の樹脂材であってもよく、これに限定されることはないが、金属材であってもよい。
【００５３】
第１銅箔ＣＦ１は、支持部Ｓとともに保護層３００及び第１絶縁部１００を形成する工程において保護層３００及び第１絶縁部１００を支持する。第１銅箔ＣＦ１は、銅または銅を含む合金により形成することができる。第１銅箔ＣＦ１は、例として１８μｍの厚さを有することができる。
【００５４】
第２銅箔ＣＦ２は、後述するキャリアＣと第１絶縁部１００とを分離する工程において第１銅箔ＣＦ１から分離される。第２銅箔ＣＦ２と第１銅箔ＣＦ１との間の分離が容易になるように、キャリアＣは、第１銅箔ＣＦ１と第２銅箔ＣＦ２との間に形成される離型層ＲＬをさらに含むことができる。第２銅箔ＣＦ２は、例として５μｍの厚さを有することができる。
【００５５】
エッチング防止層ＥＳは、キャリアＣから第１絶縁部１００を分離した後に第１絶縁部１００に付着されている第２銅箔ＣＦ２をエッチングにより除去するに当たって、上述した連結導体パターン層４００がエッチングされることを防止する。エッチング防止層ＥＳは、第２銅箔ＣＦ２をエッチングするエッチング液とは化学反応しない物質により形成することができる。例示的に、エッチング防止層ＥＳは、ニッケル（Ｎｉ）により形成することができる。
【００５６】
第３銅箔ＣＦ３は、連結導体パターン層４００を電解メッキにより形成するに当たってシード層として機能することができる。第３銅箔ＣＦ３は、例示的に０．３μｍの厚さを有することができる。
【００５７】
第３銅箔ＣＦ３が薄い場合は接続パターン４１０を微細に形成することができるので、電子部品６００の外部接続端子間のピッチが狭小な場合にも接続パターン４１０を電子部品６００に電気的に接続することができる。
【００５８】
一方、上述したキャリアＣの構造は、例示に過ぎず、本発明の範囲が上述したキャリアＣの構造に限定されることはない。設計上の必要によってキャリアＣの構造は様々に変更することができる。
【００５９】
次に、図４に示すように、キャリアＣ上に連結導体パターン層４００、保護層３００、及び第１導体パターン層１２０を形成する。連結導体パターン層４００及び保護層３００を形成する順序は設計上の必要によって変更可能である。また、連結導体パターン層４００の一部分が先に形成され、保護層３００が形成された後に連結導体パターン層４００のその他の部分が形成されることも可能である。
【００６０】
図１に示されている本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００を製造する場合には、キャリアＣ上に熱硬化性ソルダーレジストにより保護層３００を先に形成し、その後接続パターン４１０、接続ビア４２０及び停止パターン４３０を含む連結導体パターン層４００を形成することができる。
【００６１】
保護層３００は、フィルム状の熱硬化性ソルダーレジストを積層して形成することができる。連結導体パターン層４００は、保護層３００の一部をサンドブラストにより除去してキャリアＣを外部に露出させ、キャリアＣの第３銅箔ＣＦ３をシード層とする電解メッキにより形成することができる。
【００６２】
第１導体パターン層１２０は、保護層３００上にパターニングされたメッキレジストを形成した後に、電解メッキにより形成することができる。連結導体パターン層４００と第１導体パターン層１２０は、同一のメッキ工程または分離されたメッキ工程により形成することができる。
【００６３】
本実施例の場合、連結導体パターン層４００を形成するために、保護層３００の一部をレーザードリリングよりも相対的に直進性に優れたサンドブラストにより除去する。よって、本実施例により形成された連結導体パターン層４００は、レーザービア等に比べると、側面の傾斜がより急に形成される。
【００６４】
一方、図２に示されている本発明の他の実施例に係るプリント回路基板５００'を製造する場合には、先ず、キャリアＣ上に接続パターン４１０を形成し、接続パターン４１０とキャリアＣ上に保護層３００を形成した後に、接続ビア４２０及び停止パターン４３０を形成することができる。このとき、上述したように、第１導体パターン層１２０は、接続ビア４２０及び停止パターン４３０と同一のメッキ工程または分離されたメッキ工程により形成することができる。
【００６５】
次に、図５に示すように、第１導体パターン層１２０及び保護層３００上に第１絶縁層１１０及び他の第１導体パターン層１２０を形成する。第１絶縁層１１０の形成工程及び他の第１導体パターン層１２０の形成工程は、設計上の必要によって数回繰り返されることができる。
【００６６】
第１絶縁層１１０は、フィルム状のプリプレグまたはＡＢＦフィルムをラミネーションして形成することができる。第１導体パターン層１２０は、サブトラックティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法、またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法のうちのいずれか一つの方法を用いて形成することができる。
【００６７】
ビアは、第１絶縁層１１０を積層した後に、第１絶縁層１１０にビアホールを形成し、ビアホールに伝導性物質を充填することにより形成することができる。ビアホールは、第１絶縁層１１０の種類に応じてレーザードリリング、ＣＮＣドリリング、化学的エッチング及びフォトリソグラフィのうちのいずれか一つ以上の方法を用いて形成することができる。
【００６８】
ビアは、電解メッキによりビアホールに形成可能であるが、これに限定されず、伝導性ペーストをビアホールに充填して形成することも可能である。ビアは、それぞれの第１導体パターン層１２０を形成するメッキ工程において第１導体パターン層１２０と共に形成されることが可能である。
【００６９】
次に、図６に示すように、最外層の第１導体パターン層１２０上にソルダーレジスト層ＳＲを形成する。ソルダーレジスト層ＳＲは、ソルダーレジストフィルムを積層して形成することができる。ソルダーレジスト層ＳＲには、最外層の第１導体パターン層１２０の少なくとも一部を露出させる開口が形成される。開口は、レーザードリリング、サンドブラストまたはフォトリソグラフィ工程を用いてソルダーレジスト層に形成することができる。
【００７０】
次に、図７に示すように、キャリアＣから第１絶縁部１００を分離する。具体的には、キャリアＣの第１銅箔ＣＦ１と第２銅箔ＣＦ１とを互いに分離する。よって、キャリアＣの第２銅箔ＣＦ２、エッチング防止層ＥＳ、及び第３銅箔ＣＦ３は、第１絶縁部１００とともにキャリアＣの第１銅箔ＣＦ１から分離される。
【００７１】
次に、図８に示すように、第２銅箔ＣＦ２、エッチング防止層ＥＳ、及び第３銅箔ＣＦ３を順次除去する。第２銅箔ＣＦ２をエッチングにより除去するに当たって、エッチング防止層ＥＳは、第３銅箔ＣＦ３及び連結導体パターン層４００がエッチングにより除去されることを防止する。第３銅箔ＣＦ３をエッチングにより除去するに当たって、第３銅箔ＣＦ３と接している連結導体パターン層４００の一部が除去され、連結導体パターン層４００の一面が保護層３００の一面から陥入された形態に形成されることもある。
【００７２】
次に、図９に示すように、保護層３００上に第２絶縁部２００を形成する。
【００７３】
第２絶縁部２００は、保護層３００上に、第２絶縁層２１０、ビア及び第２導体パターン層２２０を順次形成することで形成可能である。このとき、第２絶縁層２１０は、収容溝ＣＶとなる貫通溝が予め形成された状態で保護層３００上に積層されることが可能である。この場合、第２絶縁層２１０は、流動性の低いＮｏ−Ｆｌｏｗ  ＰＰＧにより形成されてもよい。第２絶縁層２１０、ビア及び第２導体パターン層２２０を形成する工程は、設計上の必要により数回繰り返されることが可能である。
【００７４】
本発明の一実施例に係るパッケージの製造方法は、プリント回路基板の収容溝に電子部品を配置するステップ及び電子部品の側面と収容溝の内壁との間にモールディング材を形成するステップを含む。
【００７５】
先ず、図１０に示すプリント回路基板５００'の収容溝ＣＶに電子部品６００を配置する。電子部品６００の活性面には外部接続端子が形成されており、電子部品６００は、外部接続端子が、本発明の一実施例に係るプリント回路基板５００'の接続パターン４１０に接続するように収容溝ＣＶに配置される。
【００７６】
次に、電子部品６００の側面と収容溝ＣＶの内壁との間にモールディング材を形成する。モールディング材は、ＥＭＣであってもよい。
【００７７】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除などにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【００７８】
１００    第１絶縁部
１１０    第１絶縁層
１２０    第１導体パターン層
２００    第２絶縁部
２１０    第２絶縁層
２２０    第２導体パターン層
３００    保護層
４００    連結導体パターン層
４１０    接続パターン
４２０    接続ビア
４３０    停止パターン
５００、５００'  プリント回路基板
６００    電子部品
１０００、１０００'  パッケージ
ＣＶ      収容溝
ＳＲ      ソルダーレジスト層
Ｃ        キャリア
Ｓ        支持部
ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３  銅箔
ＲＬ      離型層
ＥＳ      エッチング防止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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