(57)【要約】【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレードの側面接触を少なくして、切削ブレードによるＬｏｗ−ｋ膜のめくり上げを防止すること。【解決手段】切削ブレード（７１）の製造方法は、分割予定ラインによって区画されデバイスを形成したウエーハ（Ｗ）を分割予定ラインに沿って切削ブレードを回転させ切削する切削装置（１）に装着する切削ブレードの製造方法である。砥粒と結合剤とを混合させ円板状に形成した円板砥石の外周部において、一方の面側で円周方向に均等間隔に形成する第１の凹み部（７１ａ）と、他方の面側で第１の凹み部と対面して形成する第２の凹み部（７１ｃ）とを備え、第１の凹み部と第２の凹み部とは結合剤に対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ形成する構成にした。【選択図】図２
2018078166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインによって区画されデバイスを形成したウエーハを該分割予定ラインに沿って切削ブレードを回転させ切削する切削装置に装着する該切削ブレードの製造方法であって、
砥粒と結合剤とを混合させ円板状に形成した円板砥石の外周部において、
一方の面側で円周方向に均等間隔に形成する第１の凹み部と、
他方の面側で該第１の凹み部と対面して形成する第２の凹み部とを備え、
該第１の凹み部と該第２の凹み部とは該結合剤に対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ形成する切削ブレードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを分割する切削ブレードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、半導体基板の表面に半導体デバイスを形成したデバイスウエーハが実用化されている。デバイスウエーハとしては、シリコンやガリウム砒素等の半導体基板の表面に、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ等の無機物系膜あるいはパリレン系ポリマー等の有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁膜）と、回路を形成する機能膜とを積層して形成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。Ｌｏｗ−ｋ膜が積層されたデバイスウエーハは、デバイスウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってＬｏｗ−ｋ膜に切削ブレードが切り込まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１７６３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、切削ブレードでウエーハに対して加工送りされると、加工送り方向の前側では切削ブレードの刃先が下向きに移動してウエーハに切込み、後側では切削ブレードの刃先が上向きに移動してウエーハから離れる。このような切削ブレードの回転によって、切削ブレードの側面によって脆いＬｏｗ−ｋ膜がめくり上げられて、ウエーハからＬｏｗ−ｋ膜が剥離してしまう問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレードの側面接触を少なくして、切削ブレードによるＬｏｗ−ｋ膜のめくり上げを防止できる切削ブレードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の切削ブレードの製造方法の一態様は、分割予定ラインによって区画されデバイスを形成したウエーハを分割予定ラインに沿って切削ブレードを回転させ切削する切削装置に装着する切削ブレードの製造方法であって、砥粒と結合剤とを混合させ円板状に形成した円板砥石の外周部において、一方の面側で円周方向に均等間隔に形成する第１の凹み部と、他方の面側で第１の凹み部と対面して形成する第２の凹み部とを備え、第１の凹み部と第２の凹み部とは結合剤に対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ形成する。
【０００７】
この構成によれば、切削ブレードの一方の面側では、平面と第１の凹み部とが交互に配置され、他方の面側では、平面と第２の凹み部とが交互に配置されている。このため、切削ブレードの両面においてＬｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレードの側面接触が少なくなり、切削ブレードがＬｏｗ−ｋ膜をめくり上げることを防止することができる。また、切削ブレードの両面に第１の凹み部と第２の凹み部とが対面して形成されることで、一方の面と他方の面の負荷が均一になって、切削ブレードの反りを防止できる。また、レーザ光線により、第１の凹み部及び第２の凹み部の均等間隔の形成を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレードの側面接触を少なくして、切削ブレードによるＬｏｗ−ｋ膜のめくり上げを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態に係る切削ブレードが用いられる切削装置の斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る切削ブレードの加工前後の状態を示す図である。
【図３】本実施の形態に係る一方の面側から見た切削ブレードの上面図である。
【図４】本実施の形態に係る切削ブレードが保持される様子を示す図である。
【図５】本実施の形態に係るレーザ加工装置の概略斜視図である。
【図６】本実施の形態に係るレーザ加工装置で切削ブレードの一方の面側をレーザ加工する様子を示す図である。
【図７】本実施の形態に係る切削ブレードの製造方法を示す図である。
【図８】本実施の形態に係る切削ブレードの側面の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によって複数の半導体デバイスを形成したウエーハが実用化されている。Ｌｏｗ−ｋ膜が積層されたウエーハを切削ブレードで切削すると、切削ブレードの側面によりＬｏｗ−ｋ膜がめくり上げられ、チッピングが生じる問題があった。そこで、本実施の形態においては、切削ブレードの両側面に対面する凹み部を形成して、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する側面接触を少なくする構成とした。
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る切削ブレードが用いられる切削装置の斜視図である。図２は、本実施の形態に係る切削ブレードの加工前後の状態を示す図である。図２Ａは、加工前の切削ブレード７０を示し、図２Ｂは、加工後の切削ブレード７１を示す。図３は、本実施の形態に係る切削ブレードの一方の面側から見た上面図である。図４は、本実施の形態に係る切削ブレードが保持される様子を示す図である。図８は、本実施の形態に係る切削ブレードの側面の拡大図である。なお、本実施の形態に係る切削装置は、図１に示す構成に限定されない。本発明は、ウエーハを切削可能な切削装置における切削ブレードであれば、どのような切削ブレードにも適用可能である。
【００１２】
図１に示すように、切削装置１は、チャックテーブル１２に保持されたウエーハＷと切削手段１４とを相対的に移動させることによってウエーハＷを切削するように構成されている。ウエーハＷは、ダイシングテープＴを介してリングフレームＦに支持された状態で切削装置１に搬入される。ウエ―ハＷは、シリコン等の基板と、基板の表面に形成された絶縁膜とで構成されている。絶縁膜には複数の分割予定ラインが格子状に形成され、分割予定ラインによって区画された領域にはデバイスＤが形成されている。絶縁膜は、ＳｉＯ２膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系膜、若しくはポリイミド、パリレン等を含むポリマーの有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜（低誘導率絶縁体被膜）で構成されている。
【００１３】
切削装置１の基台１１上には、チャックテーブル１２をＸ方向に切削送りする切削送り手段１３が設けられている。切削送り手段１３は、基台１１上に配置されたＸ方向に平行な一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル３２とを有している。Ｘ軸テーブル３２の背面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ３３が螺合されている。そして、ボールネジ３３の一端部に連結された駆動モータ３４が回転駆動されることで、チャックテーブル１２が一対のガイドレール３１に沿って、切削ブレード７１の切削方向となるＸ方向に切削送りされる。
【００１４】
Ｘ軸テーブル３２の上部には、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１２がＺ軸回りに回転可能に設けられている。チャックテーブル１２には、ポーラスセラミック材により保持面（不図示）が形成されており、この保持面に生じる負圧によってウエーハＷが吸引保持される。チャックテーブル１２の周囲には、エア駆動式の４つのクランプ部２２が設けられ、各クランプ部２２によってウエーハＷの周囲のリングフレームＦが四方から挟持固定される。基台１１の上面には、チャックテーブル１２の移動経路を跨ぐように立設した門型の立壁部８１が設けられている。
【００１５】
立壁部８１には、切削手段１４をＹ方向にインデックス送りするインデックス送り手段１５と、切削手段１４をＺ方向に切込み送りする切込み送り手段１６とが設けられている。インデックス送り手段１５は、立壁部８１の前面に配置されたＹ方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたＹ軸テーブル５２とを有している。切込み送り手段１６は、Ｙ軸テーブル５２上に配置されたＺ方向に平行な一対のガイドレール６１と、一対のガイドレール６１にスライド可能に設置されたＺ軸テーブル６２とを有している。Ｚ軸テーブル６２の下部には、ウエーハＷを切削する切削手段１４が設けられている。
【００１６】
Ｙ軸テーブル５２及びＺ軸テーブル６２の背面側には、それぞれナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５３、６３が螺合されている。Ｙ軸テーブル５２用のボールネジ５３、Ｚ軸テーブル６２用のボールネジ６３の一端部には、それぞれ駆動モータ６４（Ｙ軸用の駆動モータは不図示）が連結されている。駆動モータ６４により、それぞれのボールネジ５３、６３が回転駆動されることで、切削手段１４がガイドレール５１に沿ってＸ方向に直交するＹ方向にインデックス送りされ、切削手段１４がガイドレール６１に沿ってウエーハＷに接近および離反するＺ方向に切込み送りされる。
【００１７】
切削手段１４は、ハウジング７５から突出したスピンドル９２（図４参照）の先端に切削ブレード７１を装着して構成される。ハウジング７５には、切削ブレード７１の回転軸となるスピンドル９２が回転可能に支持されると共に、スピンドル９２を回転させるモータ（不図示）が設置されている。また、ハウジング７５の先端側には、切削ブレード７１がウエーハＷに切込む領域を露出させるように、切削ブレード７１を囲繞するブレードカバー７３が設けられている。
【００１８】
また、切削手段１４のハウジング７５にはウエーハＷの上面を撮像する撮像手段１７が設けられており、撮像手段１７の撮像画像に基づいてウエーハＷに対して切削ブレード７１がアライメントされる。このアライメントにより、切削ブレード７１の切削方向にチャックテーブル１２上のウエーハＷの分割予定ラインの向きが合わせられる。切削手段１４では、切削水が噴射されながら、切削ブレード７１によってウエーハＷに積層されるＬｏｗ−ｋ膜と共にウエーハＷが分割予定ラインに沿って切削されることで個々のデバイスに分割される。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る切削ブレードの加工前後の状態を説明する。図２Ａに示すように、加工前の切削ブレード７０は、例えばダイアモンド砥粒を結合剤によって、円板状に固めて形成されている。図２Ｂ及び図３に示すように、加工後の切削ブレード７１は、一方の面側の外周部、すなわちウエーハＷに切込む外側の略半部には、平面部７１ｂを残すようにレーザ光線により第１の凹み部７１ａが均等間隔に形成され、第１の凹み部７１ａと平面部７１ｂが交互に設けられている。また、他方の面側の外周部には、平面部７１ｄを残すように第２の凹み部７１ｃが均等間隔に形成され、第２の凹み部７１ｃと平面部７１ｄが交互に設けられている。第２の凹み部７１ｃは、第１の凹み部７１ａと対面して形成されている。すなわち、第１の凹み部７１ａと第２の凹み部７１ｃが背合わせで周方向に同じ位置に形成されている。また、切削ブレード７１の内側の略半部は平面部７１ｂ、７１ｄに連なる内周部７１ｅ、７１ｆがそれぞれ形成される。
【００２０】
切削ブレード７１の外周部において、レーザ光線を照射して第１の凹み部７１ａ及び第２の凹み部７１ｃが形成され、レーザ光線を停止して平面部７１ｂ、７１ｄが形成されている。レーザ光線のＯＮ、ＯＦＦを調節することで平面部７１ｂの幅は第１の凹み部７１ａの幅より大きく、平面部７１ｄの幅は第２の凹み部７１ｃの幅よりも大きく形成されている。これにより、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する側面接触が調節され、切削ブレードのウエーハＷへの切削性能の低下を抑えている。
【００２１】
第１の凹み部７１ａと平面部７１ｂとの高さの差と、第２の凹み部７１ｃと平面部７１ｄとの高さ差は、略同じにすることが好ましい。また、切削ブレード７１は、例えば、粒度が＃２０００であり、砥粒径が５μｍ以上１０μｍ以下となるように形成されることが好ましい。図８に示すように、第１の凹み部７１ａの表面から突出する砥粒Ｇａの最も高い位置と平面部７１ｂの表面から突出する砥粒Ｇｂの最も高い位置との差Ｈを、砥粒径Ｄより小さく形成することが好ましい。これにより、ウエーハＷに接触する際の砥粒Ｇａと砥粒Ｇｂとの高さ差Ｈを小さくすることができるため、切削ブレード７１がウエーハＷに切込む際に切削ブレード７１の微小変位を砥粒径Ｄ内に抑えることができる。よって、第１の凹み部７１ａ及び第２の凹み部７１ｃによってＬｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレード７１の側面接触を少なくしながら、切削ブレード７１の蛇行を防いで切削ブレード７１を安定化させることができる。このため、Ｌｏｗ−ｋ膜の切削ブレード７１によるめくり上げが防止される。また、第２の凹み部７１ｃの表面から突出する砥粒の最も高い位置と平面部７１ｄの表面から突出する砥粒の最も高い位置との差を砥粒径より小さく形成することにより（不図示）、同様の効果を得ることができる。
【００２２】
図４に示すように、加工後の切削ブレード７１は、切削手段１４におけるスピンドル９２の先端に装着される。スピンドル９２のテーパは、ブレードマウント９１の嵌合孔９１ａに嵌め込まれており、ブレードマウント９１の嵌合穴９１ａから突出したスピンドル９２のボルト９３に押えナット９４が締め込まれて、ブレードマウント９１がスピンドル９２に固定されている。ブレードマウント９１のフランジ９１ｂに内周部７１ｅ、７１ｆが接触するように切削ブレード７１が取り付けられ、固定プレート９５によってフランジ９１ｂとの間に挟み込まれている。この状態で、固定ナット９６によって、ブレードマウント９１に固定ブレード９５を介して切削ブレード７１が取り付けられている。これにより、加工後の切削ブレード７１が切削手段１４に保持される。
【００２３】
ウエーハＷが切削装置１のチャックテーブル１２に載置されると、切削手段１４がＺ方向に切込み送りされ、切削ブレード７１が回転しながらウエーハＷに切り込まれる（図１参照）。切込み方向の前側では切削ブレード７１の刃先が下向きに回転して、ウエーハＷに積層されるＬｏｗ−ｋ膜に切込み、後側では切削ブレード７１の刃先が上向きに回転してＬｏｗ−ｋ膜から離れる。このとき、切削ブレード７１の刃先において、一方の面に形成される第１の凹み部７１ａ及び第１の凹み部７１ａと対面して他方の面に形成される第２の凹み部７１ｃの領域と、一方の面に形成される平面部７１ｂ及び他方の面に形成される平面部７１ｄの領域が、交互にＬｏｗ−ｋ膜に接触される。そして、Ｌｏｗ−ｋ膜及びウエーハＷが分割予定ラインに沿って切削され、ウエーハＷがデバイスに分割される。
【００２４】
切削ブレード７１の一方の面側の外周部で、平面部７１ｂと第１の凹み部７１ａとを形成し、他方の面側の外周部で、平面部７１ｄと第２の凹み部７１ｃとが形成されている。これにより、切削ブレード７１がＬｏｗ−ｋ膜に切込んだ際に切削ブレード７１の両面においてＬｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレード７１の側面接触を少なくすることができる。このため、切削ブレード７１がＬｏｗ−ｋ膜をめくり上げることを防止することができ、Ｌｏｗ−ｋ膜のチッピングが防止されてウエーハＷが良好に切削される。
【００２５】
次に、本実施の形態に係る切削ブレードの製造方法について説明する。まず、本実施の形態に係る切削ブレードの製造方法において用いられるレーザ加工装置について説明する。図５は、本実施の形態に係るレーザ加工装置の概略斜視図である。図６は、本実施の形態に係るレーザ加工装置で切削ブレードの一方の面側をレーザ加工する様子を示す図である。
【００２６】
図５に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光線を照射するレーザ加工手段１６０と、切削ブレード７０を保持したチャックテーブル１２０とを相対移動させて、ウエーハＷを加工するように構成されている。
【００２７】
レーザ加工装置１００は、直方体状の基台１１０を有している。基台１１０の上面には、チャックテーブル１２０をＸ方向及びＹ方向に移動するチャックテーブル移動機構１３０が設けられている。チャックテーブル移動機構１３０の後方には、立壁部１４１が立設されている。立壁部１４１の前面からはアーム部１４２が突出しており、アーム部１４２にはチャックテーブル１２０に対向するようにレーザ加工手段１６０が支持されている。
【００２８】
チャックテーブル移動機構１３０は、基台１１０の上面に配設されたＹ方向送り手段１５１と、Ｙ方向送り手段１５１の上部に配設されたＸ方向送り手段１３１とを備えている。Ｘ方向送り手段１３１は、Ｙ方向送り手段１５１に下方から支持されている。
【００２９】
Ｙ方向送り手段１５１は、基台１１０の上面に配置されたＹ方向に平行な一対のガイドレール１５１ａと、一対のガイドレール１５１ａにスライド可能に設置されたＹ軸テーブル１５２とを有している。Ｙ軸テーブル１５２の下面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ１５３が螺合されている。ボールネジ１５３の一端部には、駆動モータ１５４が連結されている。Ｙ軸テーブル１５２、Ｘ方向送り手段１３１及びチャックテーブル１２０は、駆動モータ１５４が回転駆動されることで、Ｙ方向に移動される。
【００３０】
Ｘ方向送り手段１３１は、Ｙ軸テーブル１５２の上面に配置されたＸ方向に平行な一対のガイドレール１３１ａと、一対のガイドレール１３１ａにスライド可能に設置されたＸ軸テーブル１３２とを有している。Ｘ軸テーブル１３２上部には、チャックテーブル１２０が設けられている。Ｘ軸テーブル１３２の下面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ１３３が螺合されている。ボールネジ１３３の一端部には、駆動モータ１３４が連結されている。Ｘ軸テーブル１３２及びチャックテーブル１２０は、駆動モータ１３４が回転駆動されることで、Ｘ方向に移動される。
【００３１】
チャックテーブル１２０は、円板状に形成されており、θテーブル１２１を介してＸ軸テーブル１３２の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル１２０の上面には、ポーラスセラミックス材により保持面が形成されている。チャックテーブル１２０の周囲には、４つのクランプ部１２２が設けられ、各クランプ部１２２によってリングフレームＦが四方から挟持固定される。
【００３２】
レーザ加工手段１６０は、アーム部１４２の先端に設けられたレーザ発振器１６１を有している。レーザ発振器１６１は、切削ブレード７０における結合剤に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を下向きに照射する。
【００３３】
図６に示すように、チャックテーブル１２０上に切削ブレード７０が保持されると、切削ブレード７０はチャックテーブル１２０の回転に伴い回転される。この状態で、レーザ発振器１６１におけるレーザ光線の発振のＯＮとＯＦＦを交互に繰り返し、切削ブレード７０の外周部をレーザ加工し、円周方向に溝を形成していく。レーザ光線の発振がＯＮのとき、第１の凹み部７１ａが形成され、レーザ光線の発振がＯＦＦのとき加工されず平面部７１ｂが残される。これにより、第１の凹み部７１ａと平面部７１ｂとが交互に形成される。切削ブレード７０の他方の面側においても、同様に第２の凹み部７１ｃと平面部７１ｄとが交互に形成される。なお、図６においてチャックテーブル１２０に設けられるクランプ１２２は省略している。
【００３４】
上記レーザ加工装置１００を用いて、切削ブレード７１が製造される。図７は、本実施の形態に係る切削ブレードの製造方法を示す図である。
【００３５】
図７Ａに示すように、まず切削ブレード７０の一方の側面に第１の凹み部７１ａが形成される。切削ブレード７０は、一方の面側を上面にしてチャックテーブル１２０に吸引保持され、チャックテーブル１２０の周囲に設けられている４つのクランプ部１２２は使われず開かれている。レーザ加工手段１６０のレーザ発振器１６１の射出口が切削ブレード７０の外周部に位置付けられ、レーザ光線が切削ブレード７０に照射される。レーザ光線は、切削ブレード７０における結合剤に対して吸収性を有する波長であり、切削ブレード７０の表面近傍に集光するように調整されている。そして、チャックテーブル１２０の回転により切削ブレード７０を回転させた状態で、レーザ光線の照射のＯＮとＯＦＦが繰り返され、切削ブレード７０の円周方向にレーザ光線の照射位置が動かされる。これにより、切削ブレード７０の一方の面側に均等間隔に矩形状の第１の凹み部７１ａ（図２及び図３参照）が形成され、第１の凹み部７１ａ間には平面部７１ｂが残される。
【００３６】
図７Ｂに示すように、第１の凹み部７１ａ形成後には、切削ブレード７０の一方の側面に形成された第１の凹み部７１ａの位置がダイシングテープＴに転写され、ダイシングテープＴに加工跡Ｐが形成される。切削ブレード７０は、第１の凹み部７１ａが形成された一方の面側を上面にしてチャックテーブル１２０に吸引保持される。この状態で、切削ブレード７０の一方の面に、リングフレームＦに支持されたダイシングテープＴが載置され、チャックテーブル１２０の周囲に設けられた４つのクランプ部１２２によってリングフレームＦが四方から挟持固定される。レーザ発振器１６１の射出口がダイシングテープＴの第１の凹み部７１ａに対応する位置に位置付けられ、レーザ光線が照射される。レーザ光線は、ダイシングテープＴに集光するように調整されている。これにより、ダイシングテープＴの下方に配置される第１の凹み部７１ａを目印にして、ダイシングテープＴの第１の凹み部７１ａに対応する位置がレーザ加工され、加工跡Ｐが形成される。
【００３７】
図７Ｃに示すように、ダイシングテープＴに加工跡Ｐを形成した後には、切削ブレード７０の他方の側面に第２の凹み部７１ｃが形成される。切削ブレード７０は、図７Ｂの一方の面にダイシングテープＴが載置された状態からひっくり返され、他方の面を上面にしてダイシングテープＴを介してチャックテーブル１２０に吸引保持される。チャックテーブル１２０の周囲の４つのクランプ部１２２によりダイシングテープＴ及びダイシングテープＴを支持するリングフレームＦが四方から挟持固定されている。レーザ発振器１６１の射出口が、ダイシングテープＴに形成されている加工跡Ｐを目印にして、切削ブレード７０の外周部に位置付けられ、レーザ光線が照射される。レーザ光線は、切削ブレード７０の表面近傍に集光するように調整されている。そして、チャックテーブル１２０の回転により切削ブレード７０を回転させた状態で、レーザ光線の照射のＯＮとＯＦＦが繰り返され、切削ブレード７０の円周方向にレーザ光線の照射位置が動かされる。これにより、切削ブレード７０の他方の面側に均等間隔に矩形状の第２の凹み部７１ｃ（図２及び図３参照）が形成され、第２の凹み部７１ｃ間には平面部７１ｄが残される。
【００３８】
レーザ加工により、第１の凹み部７１ａ及び第２の凹み部７１ｃの均等間隔の形成を容易に行うことができる。また、切削ブレード７０の一方の面側に第１の凹み部７１ａを形成した後に、第１の凹み部７１ａに対応する位置をダイシングテープＴに加工跡Ｐとして転写する。そして、ダイシングテープＴに形成された加工跡Ｐを目印として、他方の面側に第２の凹み部７１ｃを形成する。これにより、一方の面と他方の面のアライメントを正確に行うことができる。このため、切削ブレード７０の両面において第１の凹み部７１ａと第２の凹み部７１ｃとを対面させて形成することができ、切削ブレード７１を製造することができる。
【００３９】
第１の凹み部７１ａと第２の凹み部７１ｃとを対面させて形成することで、一方の面と他方の面に均一に負荷をかけることができる。これにより、一方の面側に第１の凹み部７１ａを形成した際に片方の面側にのみ切削負荷が掛かることで生じる切削ブレード７０の反りを、第２の凹み部７１ｃの形成時に抑えることができる。
【００４０】
なお、加工跡Ｐは、切削ブレード７０に形成される第１の凹み部７１ａを円周方向に若干はみ出すようにダイシングテープＴに形成されることが好ましい。これにより、図７Ｂに示すダイシングテープＴが載置された切削ブレード７０をひっくり返して、図７Ｃに示すように切削ブレード７０を他方の面側を上面にしてチャックテーブル１２０に保持した際に、加工跡Ｐの確認が容易になる。
【００４１】
以上のように、本実施の形態に係る切削ブレード７１では、切削ブレード７１の一方の面側では、平面７１ｂと第１の凹み部７１ａとが交互に配置され、他方の面側では、平面７１ｄと第２の凹み部７１ｃとが交互に配置されている。このため、切削ブレード７１の両面においてＬｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレード７１の側面接触が少なくなり、切削ブレード７１がＬｏｗ−ｋ膜をめくり上げることを防止することができる。また、切削ブレード７１の両面に第１の凹み部７１ａと第２の凹み部７１ｃとが対面して形成されることで、一方の面と他方の面の負荷が均一になって、切削ブレード７１の反りを防止できる。また、レーザ光線により、第１の凹み部７１ａ及び第２の凹み部７１ｃの均等間隔の形成を容易に行うことができる。
【００４２】
上記実施の形態においては、切削ブレード７１の両側面において、平面部７１ｂ、７１ｄと凹み部７１ａ、７１ｃとを交互に形成することによりＬｏｗ−ｋ膜との側面接触を少なくする構成としたが、これに限定されない。Ｌｏｗ−ｋ膜との接触する平面部の他に、例えばレーザ加工により平面部よりも接触面積が小さくなる部分を形成する構成としてもよい。
【００４３】
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
【００４４】
本実施の形態では、本発明をＬｏｗ−ｋ膜が積層されるウエーハを切削する切削ブレードに適用した構成について説明したが、剥離し易い膜が積層される基板を切削する切削ブレードに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上説明したように、本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜に対する切削ブレードの側面接触を少なくして、切削ブレードによるＬｏｗ−ｋ膜のめくり上げを防止できるという効果を有し、特に、ウエーハを分割する切削ブレードに有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１  切削装置
７１  切削ブレード
７１ａ  第１の凹み部
７１ｂ、７１ｄ  平面部（平面）
７１ｃ  第２の凹み部
Ｗ  ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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