(57)【要約】【課題】電界発光表示装置の発光層を溶液工程によって形成する場合に発生する発光層の厚さの不均一の問題、及び当該不均一の問題に起因する電界発光表示装置の表示品質の低下、及び寿命短縮の問題を解決すること。【解決手段】本発明による電界発光表示装置は、基板と、前記基板上に第１方向に配列された第１画素および第２画素と、第１画素および第２画素の一側に位置し、第１方向に伸びた第１部分、および隣接する第１画素と第２画素との間の空間に対応する第２部分を含む第１溝と、第１画素および第２画素のそれぞれに位置する発光ダイオードとを備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に第１方向に配列された第１画素および第２画素と、
前記第１画素および前記第２画素の一側に位置し、前記第１方向に伸びた第１部分、および隣接する第１画素と第２画素との間の空間に対応する第２部分を含む第１溝と、
前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する発光ダイオードと、
を備える、電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離と同一である、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第２部分は、前記第１部分から突出している、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第２部分は、前記第１部分から離隔されている、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第１方向に配列された第３画素および第４画素と、
前記第３画素および前記第４画素の一側と前記第１溝との間に位置し、前記第１方向に伸びた第３部分、および隣接する前記第３画素と前記第４画素との間の空間に対応する第４部分を含む第２溝と、
をさらに備える、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第４部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離と同一である、請求項５に記載の電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離、前記第４部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離が同一である、請求項５に記載の電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第４部分は、前記第３部分から突出している、請求項５に記載の電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第４部分は、前記第３部分から離隔されている、請求項５に記載の電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１方向に配列された前記第３画素および前記第４画素をさらに備え、
前記第１溝は、前記第３画素および前記第４画素の一側と前記第１溝との間に位置し、隣接する前記第３画素と前記第４画素との間の空間に対応する前記第３部分をさらに含む、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離と同一である、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離、前記第１部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離が同一である、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第３部分は、前記第１部分から突出している、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第３部分は、前記第１部分から離隔されている、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板上における前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に位置し、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれを取り囲むバンク層と、
をさらに備え、
前記発光ダイオードは、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する発光層と、前記発光層を覆う第２電極を含み、
前記第１溝は、前記バンク層に形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１溝に位置する補助物質パターンをさらに備え、
前記補助物質パターンは、前記絶縁層および前記第２電極と接触する、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１溝において、前記第２電極は前記絶縁層と接触する、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光表示装置に関するものであって、さらに詳細には均一な厚さを有する発光層を含む電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
新しいフラットディスプレイの１つである電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）は、自己発光型であるため、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）に比べて視野角とコントラスト比などに優れており、また、バックライトが要らないため、軽量・薄型が可能な上に消費電力の面でも有利である。
【０００３】
また電界発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能で、応答速度が速い。そして、固体であるため外部からの衝撃に強く、使用可能な温度範囲が広く、特に製造コストが安いという長所がある。
【０００４】
アクティブマトリクス方式の電界発光表示装置では、画素に印加される電流を制御する電圧がストレージキャパシタに充電されており、次のフレームの信号が印加されるまで電圧を維持することで、ゲート配線数に関係なく一画面が表示される間、発光状態を保つように駆動される。
【０００５】
図１は、従来の電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【０００６】
図１に示すように、従来の電界発光表示装置１は、基板１０と、前記基板１０上に位置する駆動薄膜トランジスタＴｄと、前記駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される発光ダイオードＤを備える。
【０００７】
ガラスまたはプラスチックからなる前記基板１０上には、半導体層２０が形成される。前記半導体層２０は、酸化物半導体物質から形成してもよく、多結晶シリコンから形成してもよい。
【０００８】
半導体層２０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜２６が基板１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜２６は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機絶縁物質から形成することができる。
【０００９】
ゲート絶縁膜２６の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極３０が半導体層２０の中央に対応して形成される。
【００１０】
ゲート電極３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜３６が基板１０の全面に形成される。層間絶縁膜３６は、酸化シリコンや窒化シリコンのような無機絶縁物質で形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質で形成してもよい。
【００１１】
層間絶縁膜３６は、半導体層２０の両側を露出する第１コンタクトホール３７および第２コンタクトホール３８を有する。第１コンタクトホール３７および第２コンタクトホール３８は、ゲート電極３０の両側にゲート電極３０と離隔して位置する。
【００１２】
層間絶縁膜３６の上部には、ソース電極４０とドレイン電極４２が、金属のような導電性物質から形成される。
【００１３】
前記半導体層２０と、前記ゲート電極３０と、前記ソース電極４０と、前記ドレイン電極４２は、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを構成する。
【００１４】
図示していないが、前記基板１０上には、第１および第２方向に沿ってそれぞれ伸びるゲート配線およびデータ配線、前記ゲート配線および前記データ配線に接続されるスイッチング薄膜トランジスタ、前記ゲート配線および前記データ配線のうち、いずれか一本に平行に離隔するパワー配線を形成することができる。
【００１５】
前記ゲート配線と前記データ配線は交差して画素領域を定義し、前記駆動薄膜トランジスタＴｄは、前記スイッチング薄膜トランジスタに接続される。また、前記画素領域にはストレージキャパシタが備えられる。
【００１６】
前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極４２を露出するドレインコンタクトホール５２を有する保護層５０が、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを覆って形成される。
【００１７】
前記保護層５０上には、前記ドレインコンタクトホール５２を介して前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極４２に接続される第１電極６０が形成される。また、前記保護層５０上には、前記第１電極６０の縁部を覆うバンク層７０が形成される。前記バンク層７０は、前記第１電極６０の中央を露出する開口を有する。
【００１８】
前記第１電極６０上には、発光層６２と第２電極６４が順次積層される。
【００１９】
前記第１電極６０、前記第１電極６０と対向する前記第２電極６４、前記第１電極６０と前記第２電極６４との間に位置する前記発光層６２は、前記発光ダイオードＤを構成する。
【００２０】
一方、一般的に前記発光層６２は、熱蒸着工程によって形成するが、表示装置が大型化するにつれて蒸着工程で発光層６２を形成するに限界があり、最近は溶液工程によって前記発光層６２を形成する方法が提案されている。
【００２１】
しかしながら、溶液工程によって形成された発光層６２の場合、画素領域毎に厚さの不均一が生じ、それによって電界発光表示装置１の表示品質が低下し、寿命が短縮するという問題を引き起こしてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明は、電界発光表示装置の発光層を溶液工程によって形成する場合に発生する発光層の厚さの不均一、そしてそれによる電界発光表示装置の表示品質の低下、および寿命短縮の問題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、基板と、前記基板上に第１方向に配列された第１画素および第２画素と、前記第１画素および前記第２画素の一側に位置し、前記第１方向に伸びた第１部分、および隣接する第１画素と第２画素との間の空間に対応する第２部分を含む第１溝と、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する発光ダイオードとを備える電界発光表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る電界発光表示装置は、第１方向に配列された画素に対応する第１部分および隣接する画素間に対応する第２部分を含む溝を形成し、前記溝に発光層の形成工程の発光物質溶液またはその溶媒をコーティングすることで、方向に関係なく大気中の溶媒濃度を均一にする。
【００２５】
その結果、方向による溶媒濃度の偏りによって発生する発光層の厚さ不均一の問題が防止できる。
【００２６】
したがって、溶液工程によって大面積の電界発光表示装置を提供すると共に、表示装置の表示品質の低下および寿命短縮の問題を最小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来の電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２】発光層における厚さ不均一の問題を説明するための図面である。
【図３】本発明に係る電界発光表示装置の一画素に対する回路図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図９】図７のＩＸ‐ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１２】図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１３】本発明の第４実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１４】本発明の第５実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１５Ａ】電界発光表示装置における発光層の厚さを示すグラフである。
【図１５Ｂ】電界発光表示装置における発光層の厚さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
前述したように、液体状の溶液工程によって発光層を形成する場合、発光層の厚さに偏りが生じるが、これは画素領域の位置によって大気中の溶媒濃度が異なるためである。これについてさらに詳細に説明する。
【００２９】
図２は、発光層における厚さ不均一の問題を説明するための図面である。
【００３０】
まず、図２を参照すると、電界発光表示装置１には第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に前記第１画素と離隔して、第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。
【００３１】
そのとき、隣接する第１画素Ｐ１同士および隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素と第２画素Ｐ１、Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔する。
【００３２】
発光ダイオードの発光層を溶液工程によって形成する場合、発光物質溶液をコーティングして溶媒を蒸発させる工程が行われる。例えば、発光物質溶液をコーティングした後、真空チャンバーで溶媒の蒸発工程を行うことができる。そのとき、真空チャンバーへ運ばれる前に、コーティングされた発光物質溶液から自然蒸発が起こる。
【００３３】
自然蒸発の過程において、第１方向に沿って隣接する第１画素Ｐ１間、または第１方向に沿って隣接する第２画素Ｐ２間における溶媒濃度と、第２方向に沿って隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間における溶媒濃度は均一ではない。
【００３４】
すなわち、第１方向に隣接する第１画素Ｐ１のそれぞれの端部または第１方向に隣接する第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と比較して、第２方向に隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部で溶媒が速く蒸発する。
【００３５】
その結果、各画素Ｐ１、Ｐ２において方向によって発光層（図１の６２）の厚さが不均一となる。
【００３６】
かかる問題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に第１方向に配列された第１画素および第２画素と、前記第１画素および前記第２画素の一側に位置し、前記第１方向に伸びた第１部分および隣接する第１画素と第２画素との間の空間に対応する第２部分を含む第１溝と、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する発光ダイオードとを備える電界発光表示装置を提供する。
【００３７】
本発明の電界発光表示装置において、前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離と同一である。
【００３８】
本発明の電界発光表示装置において、第２部分は前記第１部分から突出する。
【００３９】
本発明の電界発光表示装置において、第２部分は前記第１部分から離隔する。
【００４０】
本発明の電界発光表示装置は、前記第１方向に配列された第３画素および第４画素と、前記第３画素および前記第４画素の一側と前記第１溝との間に位置し、前記第１方向に伸びた第３部分、そして隣接する第３画素と第４画素との間の空間に対応する第４部分を含む第２溝とをさらに備える。
【００４１】
本発明の電界発光表示装置において、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第４部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離と同一である。
【００４２】
本発明の電界発光表示装置において、前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離、前記第４部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離は同一である。
【００４３】
本発明の電界発光表示装置において、第４部分は前記第３部分から突出する。
【００４４】
本発明の電界発光表示装置において、第４部分は前記第３部分から離隔する。
【００４５】
本発明の電界発光表示装置は、前記第１方向に配列された第３画素および第４画素をさらに備え、前記第１溝は、前記第３画素および前記第４画素の一側と前記第１溝との間に位置し、隣接する第３画素と第４画素との間の空間に対応する第３部分をさらに備える。
【００４６】
本発明の電界発光表示装置において、前記第１部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離は、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離と同一である。
【００４７】
本発明の電界発光表示装置において、前記第１部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの端部までの距離、前記第２部分から前記第１画素および前記第２画素のそれぞれの角部までの距離、前記第１部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの端部までの距離、前記第３部分から前記第３画素および前記第４画素のそれぞれの角部までの距離は同一である。
【００４８】
本発明の電界発光表示装置において、第３部分は前記第１部分から突出する。
【００４９】
本発明の電界発光表示装置において、第３部分は前記第１部分から離隔する。
【００５０】
本発明の電界発光表示装置は、前記基板上に、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層と、前記絶縁層上に位置し、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれを取り囲むバンク層をさらに備え、前記発光ダイオードは、前記第１画素および前記第２画素のそれぞれに位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する発光層と、前記発光層を覆う第２電極とを含み、前記第１溝は、前記バンク層に形成される。
【００５１】
本発明の電界発光表示装置は、前記第１溝に位置する補助物質パターンをさらに備え、前記補助物質パターンは、前記絶縁層および前記第２電極と接触する。
【００５２】
本発明の電界発光表示装置において、前記第１溝で前記第２電極は、前記絶縁層と接触する。
【００５３】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【００５４】
図３は、従来の電界発光表示装置における一画素領域に対する概略的な回路図である。
【００５５】
図３に示すように、電界発光表示装置には、互いに交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬおよびパワー配線ＰＬが形成され、画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓ、駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔ、発光ダイオードＤが形成される。
【００５６】
スイッチング薄膜トランジスタＴｓは、ゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬに接続され、駆動薄膜トランジスタＴｄおよびストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴｓとパワー配線ＰＬの間に接続されて、発光ダイオードＤは、駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される。
【００５７】
かかる電界発光表示装置において、ゲート配線ＧＬに印加されたゲート信号によってスイッチング薄膜トランジスタＴｓがターンオンすると、データ配線ＤＬに印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴｓを通じて、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。
【００５８】
駆動薄膜トランジスタＴｄは、ゲート電極に印加されたデータ信号によってターンオンし、その結果、データ信号に比例する電流がパワー配線ＰＬから駆動薄膜トランジスタＴｄを通じて発光ダイオードＤへ流れ、発光ダイオードＤは、駆動薄膜トランジスタＴｄを通じて流れる電流に比例する輝度に発光する。
【００５９】
そのとき、ストレージキャパシタＣｓｔにはデータ信号に比例する電圧で充電され、一フレームの間、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極の電圧が一定に維持される。
【００６０】
したがって、電界発光表示装置は、ゲート信号およびデータ信号によって希望する映像を表示することができる。
【００６１】
第１実施例
図４は、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【００６２】
図４に示すように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００には、第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に、前記第１画素と離隔して第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。また、隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間には溝１８０が位置する。
【００６３】
図示していないが、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、発光ダイオードが位置する。前記発光ダイオードは、互いに対向する第１電極および第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層を含むことができる。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、前記発光ダイオードに接続される駆動薄膜トランジスタが位置する。
【００６４】
隣接する第１画素Ｐ１同士と隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔し、前記溝１８０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれと前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３だけ離隔する。
【００６５】
すなわち、前記溝１８０は、複数の第１画素Ｐ１が配列された第１水平画素列と複数の第２画素Ｐ２が配列された第２水平画素列との間に位置する。前記溝１８０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれから第３距離ｄ３を持つ。前記溝１８０は、水平画素列と平行な棒状であり得るが、その形状は制限されるものではない。
【００６６】
前記発光ダイオードの発光層を、液体状の溶液を用いるコーティング工程によって形成する場合、前記溝１８０に、溶媒を含む発光物質または溶媒をコーティングすることで、溶液工程での不均一な溶媒蒸発による画素Ｐ１、Ｐ２における発光層の厚さ不均一の問題を解消することができる。
【００６７】
すなわち、各垂直画素列において隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間の第２距離ｄ２が、各水平画素列において隣接する第１画素Ｐ１間の第１距離ｄ１より大きいので、各画素Ｐ１、Ｐ２において、水平方向の端部と垂直方向の端部とで発光層の厚さ不均一が発生し得る。
【００６８】
しかしながら、本発明では、垂直画素列において隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間に、溶媒がコーティングできる溝１８０を形成し、前記溝１８０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれと、前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３を持つため、各画素Ｐ１、Ｐ２における水平方向および垂直方向の端部で発光層は均一な厚さを有する。
【００６９】
したがって、画素Ｐ１、Ｐ２内の発光層の厚さ不均一による電界発光表示装置１００の表示品質の低下問題を解決することができる。
【００７０】
図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図であり、図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【００７１】
図５および図６に示すように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００は、第１方向に隣接する複数の第１画素Ｐ１、および第２方向に沿って前記第１画素Ｐ１と隣接する複数の第２画素Ｐ２が定義された基板１１０と、前記基板１１０上に位置する駆動薄膜トランジスタＴｄと、前記駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される発光ダイオードＤと、第１方向に隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に位置する溝１８０とを備える。
【００７２】
前記基板１１０上には、第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ伸びたゲート配線（図３のＧＬ）およびデータ配線ＤＬ、前記ゲート配線ＧＬおよび前記データ配線ＤＬに接続されるスイッチング薄膜トランジスタ（図３のＴｓ）、前記データ配線ＤＬに平行に離隔するパワー配線ＰＬを形成することができる。これとは異なって、前記パワー配線ＰＬは、前記ゲート配線ＧＬに平行に離隔して形成することもできる。
【００７３】
前記ゲート配線ＧＬと前記データ配線ＤＬは交差して第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を定義し、前記駆動薄膜トランジスタＴｄは、前記スイッチング薄膜トランジスタに接続される。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２には、ストレージキャパシタ（図３のＣｓｔ）を備えることができる。
【００７４】
ガラスまたはプラスチックからなる前記基板１１０上には、半導体層１２０が形成される。前記半導体層１２０は酸化物半導体物質から形成してもよく、多結晶シリコンから形成してもよい。
【００７５】
前記半導体層１２０が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層１２０の下部には遮光パターン（不図示）を形成することができる。遮光パターンは、半導体層１２０から光が入射することを防止し、半導体層１２０が光によって劣化することを防止する。一方、半導体層１２０は多結晶シリコンからなってもよいが、この場合は、半導体層１２０の両端部に不純物がドープされていることがある。
【００７６】
半導体層１２０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１２２が基板１１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜１２２は、酸化シリコンや窒化シリコンといった無機絶縁物質から形成することができる。
【００７７】
ゲート絶縁膜１２２の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極１３０が半導体層１２０の中央に対応して形成される。また、ゲート絶縁膜１２２の上部には、前記ゲート配線ＧＬと前記ストレージキャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極（不図示）を形成することができる。ゲート配線ＧＬは第１方向に沿って伸び、第１キャパシタ電極は前記ゲート電極１３０に接続することができる。
【００７８】
一方、本発明の第１実施例では、ゲート絶縁膜１２２が基板１１０の全面に形成されているが、ゲート絶縁膜１２２はゲート電極１３０と同一形状にパターニングすることもできる。
【００７９】
ゲート電極１３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１３６が基板１１０の全面に形成される。層間絶縁膜１３６は、酸化シリコンや窒化シリコンのような無機絶縁物質から形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質から形成してもよい。
【００８０】
層間絶縁膜１３６は、半導体層１２０の両側を露出する第１コンタクトホール１３７および第２コンタクトホール１３８を有する。第１コンタクトホール１３７および第２コンタクトホール１３８は、ゲート電極１３０の両側にゲート電極１３０と離隔して位置する。
【００８１】
ここで、第１コンタクトホール１３７および第２コンタクトホール１３８は、ゲート絶縁膜１２２内にも形成される。これと異なって、ゲート絶縁膜１２２がゲート電極１３０と同一形状にパターニングされる場合、第１コンタクトホール１３７および第２コンタクトホール１３８は、層間絶縁膜１３６内にのみ形成され得る。
【００８２】
層間絶縁膜１３６上には、金属のような導電性物質からなるソース電極１４０およびドレイン電極１４２が形成される。また、層間絶縁膜１３６上には、第２方向に沿って伸びるデータ配線ＤＬとパワー配線ＰＬおよび第２キャパシタ電極（不図示）を形成することができる。
【００８３】
ソース電極１４０とドレイン電極１４２は、ゲート電極１３０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１コンタクトホール１３７および第２コンタクトホール１３８を介して半導体層１２０の両側に接触する。前記データ配線ＤＬは、第２方向に沿って伸び、ゲート配線ＧＬと交差して第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を定義し、パワー配線ＰＬは、データ配線ＤＬと離隔して位置する。
【００８４】
これと異なって、前記パワー配線ＰＬが、前記ゲート配線ＧＬと同一層に前記ゲート配線ＧＬに平行に離隔して位置することで、前記データ配線ＤＬと交差するように形成され得る。
【００８５】
前記第２キャパシタ電極がソース電極１４０と接続され、第１キャパシタ電極と重なることで、第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極の間の層間絶縁膜１３６を誘電体層としてストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【００８６】
前記半導体層１２０、前記ゲート電極１３０、前記ソース電極１４０、前記ドレイン電極１４２は、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを構成し、前記駆動薄膜トランジスタＴｄは、前記半導体層１２０の上部に前記ゲート電極１３０、前記ソース電極１４０および前記ドレイン電極１４２が位置するコプラナー構造を有する。
【００８７】
一方、駆動薄膜トランジスタＴｄは、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタガード構造を有することができる。この場合、半導体層は非晶質シリコンから構成することができる。
【００８８】
前述したように、前記基板１１０上にはスイッチング薄膜トランジスタＴｓがさらに形成されるが、前記スイッチング薄膜トランジスタＴｓは、前記駆動薄膜トランジスタＴｄと実質的に同一構造を有する。
【００８９】
前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ゲート電極１３０は、前記スイッチング薄膜トランジスタＴｓのドレイン電極（不図示）に接続され、前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ソース電極１４０はパワー配線ＰＬに接続される。また、前記スイッチング薄膜トランジスタＴｓのゲート電極（不図示）およびソース電極（不図示）は、ゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬにそれぞれ接続される。
【００９０】
前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極１４２を露出するドレインコンタクトホール１５２を有する保護層１５０が、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを覆って形成される。
【００９１】
前記保護層１５０上には、前記ドレインコンタクトホール１５２を介して前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極１４２に接続される第１電極１６０が、第１および第２画素Ｐ１、Ｐ２毎に分離して形成される。前記第１電極１６０はアノードであり得る。また第１電極１６０は、仕事関数が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、前記第１電極１６０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができる。
【００９２】
一方、本発明の電界発光表示装置がトップエミッション型である場合、前記第１電極１６０の下部には、反射電極または反射層をさらに形成することができる。例えば、前記反射電極または前記反射層は、アルミニウム−パラジウム−銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｐａｌａｄｉｕｍ−ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）の合金から形成することができる。
【００９３】
また、前記保護層１５０上には、前記第１電極１６０の縁部を覆うバンク層１７０が形成される。前記バンク層１７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応して開口（ｏｐｅｎｉｎｇ，ＯＰ）を有し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に対応して溝１８０を有する。
【００９４】
前記バンク層１７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２をそれぞれ取り囲み、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２の面積は、前記バンク層１７０の開口ＯＰの面積、または開口ＯＰに形成される発光層１６２の面積に対応する。
【００９５】
前記開口ＯＰによって前記第１電極１６０の中央が露出され、前記溝１８０によって前記保護層１５０が露出される。
【００９６】
また、前記溝１８０は、前記バンク層１７０の厚さと実質的に同一の深さを有する。これと異なって、前記バンク層１７０の一部のみを除去して前記溝１８０を形成することで、前記溝１８０の深さを前記バンク層１７０の厚さより小さくしてもよい。また、前記バンク層１７０の全体と前記保護層１５０の全体、または一部を除去して前記溝１８０を形成することで、前記溝１８０の深さを前記バンク層１７０の厚さより大きくしてもよい。
【００９７】
前記第１電極１６０上には発光層１６２が形成される。前記発光層１６２は、液体状の発光物質を用いる溶液工程（ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって形成される。すなわち、溶媒に溶けている発光物質の溶液をコーティングした後、溶媒を乾燥させて形成する。例えば、前記溶液工程は、インクジェットコーティング工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、プリント工程、ドロップコーティング工程のうち、いずれか一つであり得るが、これに限定されるものではない。
【００９８】
前記発光層１６２は、発光物質からなる発光物質層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｌａｙｅｒ）の単層構造にすることができる。また、発光効率を高めるため、前記発光層１６２は、前記第１電極１６０と前記発光物質層の間に順次位置する正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）および正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、前記発光物質層と第２電極１６４の間に順次位置する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）をさらに含むことができる。
【００９９】
前記発光物質層は、量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ）のような無機発光物質または有機発光物質を含むことができる。すなわち、本発明の電界発光表示装置１００は、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）であってもよく、量子ドット発光表示装置（ＱＬＥＤ）であってもよい。
【０１００】
前記溝１８０に発光物質溶液の溶媒がコーティングされた後、溶媒は乾燥して蒸発する。したがって、前記発光層１６２の形成工程後、前記溝１８０には構成要素が何も残らず、前記保護層１５０が露出され得る。
【０１０１】
一方、前記溝１８０に発光物質溶液がコーティングされる場合、前記溝１８０には補助物質パターンが形成され得る。
【０１０２】
かかる場合、水平画素列において隣接する第１画素Ｐ１間、または隣接する第２画素Ｐ１間の第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔して隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間で前記溝１８０内の溶媒が蒸発するため、各画素Ｐ１、Ｐ２の周辺は方向に関係なく、大気中の溶媒濃度が均一となる。
【０１０３】
したがって、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間における距離差によって発光層１６２の厚さが不均一となる問題を解決、または最小化することができる。
【０１０４】
前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２における発光層１６２と、前記溝１８０の保護層１５０上に第２電極１６４が形成される。
【０１０５】
前記第２電極１６４は基板１１０の表示領域の全面に位置し、仕事関数が比較的に小さい導電性物質からなり、カソードに用いることができる。例えば、前記第２電極１６４は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム‐マグネシウムの合金（ＡｌＭｇ）のうち、いずれか一つから形成することができる。
【０１０６】
本発明の電界発光表示装置１００がトップエミッション型である場合、前記第２電極１６４は光が透過できるように比較的に薄い厚さを有することができる。一方、本発明の電界発光表示装置１００がボトムエミッション型である場合、前記第２電極１６４は反射電極に用いることができる。
【０１０７】
前記第２電極１６４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて前記発光層１６２と接触し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間の前記溝１８０において前記第２電極１６４は前記保護層１５０と接触する。
【０１０８】
また、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において前記第２電極１６４の全面は、前記バンク層１７０と接触する。
【０１０９】
言い換えると、前記第２電極１６４は、前記基板１１０から、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて第１高さを有し、前記溝１８０において前記第１高さより小さい高さを有する。また、前記第２電極１６４は、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において前記第１高さより大きい前記基板１１０からの第２高さを有する。
【０１１０】
一方、前記溝１８０に補助物質パターンが形成される場合、前記第２電極１６４は前記溝１８０で前記補助物質パターンと接触する。そのとき、前記補助物質パターンは前記第１電極１６０と接触しないので、前記溝１８０に形成された前記補助物質パターンでは発光が発生しない。
【０１１１】
前記第１電極１６０、前記第１電極１６０と対向する前記第２電極１６４、前記第１電極１６０と前記第２電極１６４との間に位置する前記発光層１６２は発光ダイオードＤを構成する。
【０１１２】
図示していないが、前記発光ダイオードＤの上部には、カプセル化基板（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）またはカプセル化フィルム（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ  ｆｉｌｍ）をさらに形成することができる。
【０１１３】
例えば、無機絶縁層、有機絶縁層および無機絶縁層が順次積層されて外部からの水分浸透を防止し、前記発光ダイオードを保護するカプセル化フィルムが前記発光ダイオードＤを覆って形成され得る。
【０１１４】
また、前記カプセル化フィルム上には、外部光の反射を最小化するための偏光板を取り付けることができる。前記偏光板は円形偏光板であり得る。
【０１１５】
本発明の電界発光表示装置１００において、前記発光層１６２は溶液工程によって形成されるので、製造工程が単純となり、大面積の表示装置の製造にも適する。
【０１１６】
また、比較的に大きい距離で離隔して配置された第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間に溝１８０を形成し、溶媒または発光物質溶液を前記溝１８０にコーティングすることで、溶液工程によって製造される発光層１６２の厚さ不均一の問題を解決、または最小化することができる。したがって、発光層１６２の厚さ不均一による電界発光表示装置１００の表示品質の低下問題を解消することができる。
【０１１７】
ところが、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００の第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの角部において発光層１６２の厚さ不均一の問題が依然として生じ得るので、それを解決するための電界発光表示装置を提案する。
【０１１８】
第２実施例
図７は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【０１１９】
図７に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００には、第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に前記第１画素と離隔して、第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。また、隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間には、第１溝２８０、および第２溝２９０が位置する。
【０１２０】
図示していないが、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、発光ダイオードが位置する。前記発光ダイオードは、互いに対向する第１電極および第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層を含むことができる。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、前記発光ダイオードに接続される駆動薄膜トランジスタが位置する。
【０１２１】
前記第１溝２８０は、複数の第１画素Ｐ１が配列された第１水平画素列と複数の第２画素Ｐ２が配列された第２水平画素列の間に位置し、前記第２溝２９０は、前記第１溝２８０と前記第２水平画素列の間に位置する。
【０１２２】
前記第１溝２８０は、前記第１水平画素列に対応する第１部分２８２、および隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分２８４を含み、前記第２溝２９０は、前記第２水平画素列に対応する第３部分２９２、および隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第４部分２９４を含む。
【０１２３】
すなわち、前記第１部分２８２および前記第３部分２９２は、直線状であって前記第１および第２水平画素列の方向に沿って伸びる。前記第２部分２８４は、前記第１部分２８２から前記第１画素Ｐ１に向かって突出し、前記第４部分２９４は、前記第３部分２９２から前記第２画素Ｐ２に向かって突出する。
【０１２４】
前記第１部分２８２および前記第３部分２９２が棒状であり、前記第２部分２８４および前記第４部分２９４が半円状であるものとして示しているが、その形状に制限はない。
【０１２５】
言い換えると、前記第１部分２８２は前記第１画素Ｐ１のそれぞれに対応し、前記第２部分２８４は隣接する第１画素Ｐ１間に対応する。また、前記第３部分２９２は前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応し、前記第４部分２９４は隣接する第２画素Ｐ２間に対応する。
【０１２６】
隣接する第１画素Ｐ１同士と隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔する。また、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０のそれぞれは、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２と、前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３だけ離隔する。
【０１２７】
すなわち、前記第１部分２８２および前記第３部分２９２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分２８４および前記第４部分２９４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０１２８】
本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００において、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれは、垂直方向の端部がラウンド状である。
【０１２９】
そのとき、第１溝２８０が第２部分２８４を除いて第１部分２８２のみを含む場合、第１溝２８０から第１画素Ｐ１の端部まで、そして第１画素Ｐ１の角部までの距離は互いに異なる。したがって、第１画素Ｐ１の端部および角部周辺の大気中の溶媒濃度が異なり、第１画素Ｐ１の端部および角部において発光層の厚さ不均一が生じることになる。
【０１３０】
また、第２溝２９０が第４部分２９４を除いて第３部分２９２のみを含む場合、第２溝２９０から第２画素Ｐ２の端部まで、そして第２画素Ｐ２の角部までの距離が互いに異なるため、第２画素Ｐ２の端部および角部においても発光層の厚さ不均一が生じることになる。
【０１３１】
しかしながら、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００のように、第１溝２８０および第２溝２９０のそれぞれが、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間に対応する第２部分２８４および第４部分２９４を含む場合、かかる問題を解決することができる。
【０１３２】
すなわち、第１画素Ｐ１の端部と第１溝２８０の第１部分２８２、そして第１画素Ｐ１の角部と第１溝２８０の第２部分２８４は、同一に第３距離ｄ３だけ離隔するので、第１画素Ｐ１の端部および角部において発光層は均一な厚さを有する。また、第２画素Ｐ２の端部と第２溝２９０の第３部分２９２、そして第２画素Ｐ２の角部と第２溝２９０の第４部分２９４も同様に第３距離ｄ３だけ離隔するので、第２画素Ｐ２の端部および角部において発光層は均一な厚さを有する。
【０１３３】
さらに、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間の第１距離ｄ１が、前記第３距離ｄ３と実質的に同一であるので、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２において発光層は方向に関係なく、均一な厚さを有することができる。
【０１３４】
図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図９は、図７のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【０１３５】
図８および図９に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００は、第１方向に隣接する複数の第１画素Ｐ１、および第２方向に沿って前記第１画素Ｐ１と隣接する複数の第２画素Ｐ２が定義された基板２１０と、前記基板２１０上に位置する駆動薄膜トランジスタＴｄと、前記駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される発光ダイオードＤと、第１方向に隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に位置する第１溝２８０および第２溝２９０とを備える。
【０１３６】
ガラスまたはプラスチックからなる前記基板２１０上には、半導体層２２０が形成される。前記半導体層２２０は、酸化物半導体物質から形成してもよく、多結晶シリコンから形成してもよい。
【０１３７】
半導体層２２０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜２２２が基板２１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜２２２は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機絶縁物質から形成することができる。
【０１３８】
ゲート絶縁膜２２２の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極２３０が半導体層２２０の中央に対応して形成される。ゲート配線ＧＬは第１方向に沿って伸び、第１キャパシタ電極は前記ゲート電極２３０に接続することができる。
【０１３９】
ゲート電極２３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜２３６が基板２１０の全面に形成される。層間絶縁膜２３６は、酸化シリコンや窒化シリコンのような無機絶縁物質で形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質で形成してもよい。
【０１４０】
層間絶縁膜２３６は、半導体層２２０の両側を露出する第１コンタクトホール２３７および第２コンタクトホール２３８を有する。第１コンタクトホール２３７および第２コンタクトホール２３８は、ゲート電極２３０の両側にゲート電極２３０と離隔して位置する。
【０１４１】
層間絶縁膜２３６上には、ソース電極２４０とドレイン電極２４２が、金属のような導電性物質から形成される。また、層間絶縁膜２３６上には、第２方向に沿って伸びるデータ配線ＤＬとパワー配線ＰＬおよび第２キャパシタ電極（不図示）を形成することができる。
【０１４２】
ソース電極２４０とドレイン電極２４２は、ゲート電極２３０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１コンタクトホール２３７および第２コンタクトホール２３８を介して半導体層２２０の両側に接触する。前記データ配線ＤＬは、第２方向に沿って伸び、ゲート配線ＧＬと交差して第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を定義し、パワー配線ＰＬは、データ配線ＤＬと離隔して位置する。
【０１４３】
前記第２キャパシタ電極がソース電極２４０と接続され、第１キャパシタ電極と重なることで、第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極の間の層間絶縁膜２３６を誘電体層としてストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【０１４４】
前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極２４２を露出するドレインコンタクトホール２５２を有する保護層２５０が、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを覆って形成される。
【０１４５】
前記保護層２５０上には、前記ドレインコンタクトホール２５２を介して前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極２４２に接続される第１電極２６０が、第１および第２画素Ｐ１、Ｐ２毎に分離して形成される。前記第１電極２６０はアノードであり得る。また、仕事関数が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、前記第１電極２６０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができる。
【０１４６】
一方、本発明の電界発光表示装置がトップエミッション型である場合、前記第１電極２６０の下部には、反射電極または反射層をさらに形成することができる。例えば、前記反射電極または前記反射層は、アルミニウム−パラジウム−銅（ＡＰＣ）の合金から形成することができる。
【０１４７】
また、前記保護層２５０上には、前記第１電極２６０の縁部を覆うバンク層２７０が形成される。前記バンク層２７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応して開口ＯＰを有し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に対応して第１溝２８０および第２溝２９０を有する。
【０１４８】
前記バンク層２７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２をそれぞれ取り囲み、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２の面積は、前記バンク層２７０の開口ＯＰの面積、または開口ＯＰに形成される発光層２６２の面積に対応する。
【０１４９】
前記開口ＯＰによって前記第１電極２６０の中央が露出され、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０によって前記保護層２５０が露出される。
【０１５０】
前記第１溝２８０は、前記第１水平画素列に対応する第１部分２８２、および隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分２８４を含み、前記第２溝２９０は、前記第２水平画素列に対応する第３部分２９２、および隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第４部分２９４を含む。
【０１５１】
前記第１部分２８２および前記第３部分２９２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分２８４および前記第４部分２９４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０１５２】
また、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０は、前記バンク層２７０の厚さと実質的に同一の深さを有する。これと異なって、前記バンク層２７０の一部のみを除去して前記第１溝２８０および前記第２溝２９０を形成することで、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０の深さを前記バンク層２７０の厚さより小さくしてもよい。また、前記バンク層２７０の全体と前記保護層２５０の全体、または一部を除去して前記第１溝２８０および前記第２溝２９０を形成することで、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０の深さを前記バンク層２７０の厚さより大きくしてもよい。
【０１５３】
前記第１電極２６０上には発光層２６２が形成される。前記発光層２６２は、液体状の発光物質を用いる溶液工程によって形成される。すなわち、溶媒に溶けている発光物質溶液をコーティングした後、溶媒を乾燥させて形成する。例えば、前記溶液工程は、インクジェットコーティング工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、プリント工程、ドロップコーティング工程のうち、いずれか一つであり得るが、これに限定されるものではない。
【０１５４】
前記発光層２６２は、発光物質からなる発光物質層の単層構造にすることができる。また、発光効率を高めるため、前記発光層２６２は、前記第１電極２６０と前記発光物質層の間に順次位置する正孔注入層および正孔輸送層、前記発光物質層と第２電極２６４の間に順次位置する電子輸送層および電子注入層をさらに含むことができる。
【０１５５】
前記発光物質層は、量子ドットのような無機発光物質または有機発光物質を含むことができる。すなわち、本発明の電界発光表示装置２００は、有機発光表示装置であってもよく、量子ドット発光表示装置であってもよい。
【０１５６】
前記第１溝２８０および前記第２溝２９０には発光物質溶液がコーティングされ、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０には、第１補助物質パターン２６６および第２補助物質パターン２６８がそれぞれ形成される。
【０１５７】
一方、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０に発光物質溶液の溶媒がコーティングされる場合、前記発光層２６２の形成工程後、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０には構成要素が何も残らず、前記保護層２５０が露出され得る。
【０１５８】
かかる場合、水平画素列において隣接する第１画素Ｐ１間、または隣接する第２画素Ｐ１間の第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔して隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間で、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０内の溶媒が蒸発するため、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２の周辺は方向に関係なく、大気中の溶媒濃度が均一となる。
【０１５９】
さらに、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０が、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間に対応する第２部分２８４および第４部分２９４を含むため、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部および角部において発光層２６２の厚さ不均一が防止される。
【０１６０】
したがって、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間における距離差、並びに第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のラウンド状によって発光層２６２の厚さが不均一となる問題を解決、または最小化することができる。
【０１６１】
前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２における発光層２６２と、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０の第１補助物質パターン２６６および第２補助物質パターン２６８上に第２電極２６４が形成される。
【０１６２】
前記第２電極２６４は基板２１０の表示領域の全面に位置し、仕事関数が比較的に小さい導電性物質からなり、カソードに用いることができる。例えば、前記第２電極２６４は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム‐マグネシウムの合金（ＡｌＭｇ）のうち、いずれか一つから形成することができる。
【０１６３】
本発明の電界発光表示装置２００がトップエミッション型である場合、前記第２電極２６４は光が透過できるように比較的に薄い厚さを有することができる。一方、本発明の電界発光表示装置２００がボトムエミッション型である場合、前記第２電極２６４は反射電極に用いることができる。
【０１６４】
前記第２電極２６４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて前記発光層２６２と接触し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間の前記第１溝２８０および前記第２溝２９０において、前記第２電極２６４は、前記第１補助物質パターン２６６および前記第２補助物質パターン２６８と接触する。
【０１６５】
また、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において、前記第２電極２６４の全面は前記バンク層２７０と接触する。
【０１６６】
言い換えると、前記第２電極２６４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて前記基板２１０からの第１高さを有し、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０において前記第１高さと実質的に同一の高さを有する。また、前記第２電極２６４は、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において前記第１高さより大きい前記基板２１０からの第２高さを有する。
【０１６７】
一方、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０において、前記第２電極２６４は前記第１補助物質パターン２６６および前記第２補助物質パターン２６９と接触する。しかしながら、前記第１補助物質パターン２６６および前記第２補助物質パターン２６９は前記第１電極２６０と接触しないので、前記第１溝２８０および前記第２溝２９０に形成された前記第１補助物質パターン２６６および前記第２補助物質パターン２６９では発光が発生しない。
【０１６８】
前記第１電極２６０、前記第１電極２６０と対向する前記第２電極２６４、前記第１電極２６０と前記第２電極２６４との間に位置する前記発光層２６２は発光ダイオードＤを構成する。
【０１６９】
図示していないが、前記発光ダイオードＤの上部には、カプセル化基板またはカプセル化フィルムをさらに形成することができる。また、前記カプセル化フィルム上には、外部光の反射を最小化するための偏光板を取り付けることができる。前記偏光板は円形偏光板であり得る。
【０１７０】
本発明の電界発光表示装置２００において、前記発光層２６２は溶液工程によって形成されるので、製造工程が単純となり、大面積の表示装置の製造にも適する。
【０１７１】
また、比較的に大きい距離で離隔して配置された第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間に位置し、それぞれが棒状の第１部分２８２および第３部分２９２と、これらから突出する第２部分２８４および第４部分２９４とを含む第１溝２８０並びに第２溝２９０を形成し、溶媒または発光物質溶液を前記第１溝２８０および前記第２溝２９０にコーティングすることで、溶液工程によって製造される発光層２６２の厚さ不均一の問題を解決、または最小化することができる。したがって、発光層２６２の厚さ不均一による電界発光表示装置２００の表示品質の低下、および寿命短縮の問題を解消することができる。
【０１７２】
第３実施例
図１０は、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【０１７３】
図１０に示すように、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置３００には、第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に前記第１画素と離隔して、第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。また、隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間には、溝３８０が位置する。
【０１７４】
図示していないが、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、発光ダイオードが位置する。前記発光ダイオードは、互いに対向する第１電極および第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層を含むことができる。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、前記発光ダイオードに接続される駆動薄膜トランジスタが位置する。
【０１７５】
前記溝３８０は、複数の第１画素Ｐ１が配列された第１水平画素列と複数の第２画素Ｐ２が配列された第２水平画素列の間に位置する。
【０１７６】
前記溝３８０は、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に位置する第１部分３８２と、隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分３８４と、隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第３部分３８６とを含む。
【０１７７】
すなわち、前記第１部分３８２は直線状であって、前記第１および第２水平画素列の方向に沿って伸びる。前記第２部分３８４は、前記第１部分３８２から前記第１画素Ｐ１に向かって突出し、前記第３部分３８６は、前記第１部分３８２から前記第２画素Ｐ２に向かって突出する。
【０１７８】
前記第１部分３８２が棒状であり、前記第２部分３８４および前記第３部分３８６が半円状であるものとして示しているが、その形状に制限はない。
【０１７９】
言い換えると、前記第１部分３８２は前記第１画素Ｐ１のそれぞれと前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応し、前記第２部分３８４は隣接する第１画素Ｐ１間に対応して、前記第３部分３８６は隣接する第２画素Ｐ２間に対応する。
【０１８０】
隣接する第１画素Ｐ１同士と隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔する。また、前記溝３８０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれと、前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３だけ離隔する。
【０１８１】
すなわち、前記第１部分３８２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分３８４および前記第３部分３８６は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０１８２】
したがって、端部がラウンド状の第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を備える電界発光表示装置３００において、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部および角部で発光層は均一な厚さを有する。
【０１８３】
さらに、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間の第１距離ｄ１が、前記第３距離ｄ３と実質的に同一であるので、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２における発光層は、方向に関係なく、均一な厚さを有することができる。
【０１８４】
図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図であり、図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【０１８５】
図１１および図１２に示すように、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置３００は、第１方向に隣接する複数の第１画素Ｐ１と、第２方向に沿って前記第１画素Ｐ１と隣接する複数の第２画素Ｐ２が定義された基板３１０と、前記基板３１０上に位置する駆動薄膜トランジスタＴｄと、前記駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される発光ダイオードＤと、第１方向に隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に位置する溝３８０とを備える。
【０１８６】
前記ゲート配線ＧＬと前記データ配線ＤＬは交差して第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を定義し、前記駆動薄膜トランジスタＴｄは、前記スイッチング薄膜トランジスタに接続される。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２には、ストレージキャパシタ（図３のＣｓｔ）を備えることができる。
【０１８７】
ガラスまたはプラスチックからなる前記基板３１０上には、半導体層３２０が形成される。前記半導体層３２０は酸化物半導体物質から形成してもよく、多結晶シリコンから形成してもよい。
【０１８８】
半導体層３２０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜３２２が基板３１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜３２２は、酸化シリコンや窒化シリコンといった無機絶縁物質から形成することができる。
【０１８９】
ゲート絶縁膜３２２の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極３３０が半導体層３２０の中央に対応して形成される。また、ゲート配線ＧＬは第１方向に沿って伸び、第１キャパシタ電極は前記ゲート電極３３０に接続することができる。
【０１９０】
ゲート電極３３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜３３６が基板３１０の全面に形成される。層間絶縁膜３３６は、酸化シリコンや窒化シリコンのような無機絶縁物質から形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質から形成してもよい。
【０１９１】
層間絶縁膜３３６は、半導体層３２０の両側を露出する第１コンタクトホール３３７および第２コンタクトホール３３８を有する。第１コンタクトホール３３７および第２コンタクトホール３３８は、ゲート電極３３０の両側にゲート電極３３０と離隔して位置する。
【０１９２】
層間絶縁膜３３６上には、金属のような導電性物質からなるソース電極３４０およびドレイン電極３４２が形成される。また、層間絶縁膜３３６上には、第２方向に沿って伸びるデータ配線ＤＬとパワー配線ＰＬおよび第２キャパシタ電極（不図示）を形成することができる。
【０１９３】
ソース電極３４０とドレイン電極３４２は、ゲート電極３３０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１コンタクトホール３３７および第２コンタクトホール３３８を介して半導体層３２０の両側に接触する。前記データ配線ＤＬは、第２方向に沿って伸び、ゲート配線ＧＬと交差して第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を定義し、パワー配線ＰＬは、データ配線ＤＬと離隔して位置する。
【０１９４】
前記第２キャパシタ電極がソース電極３４０と接続され、第１キャパシタ電極と重なることで、第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極の間の層間絶縁膜３３６を誘電体層としてストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【０１９５】
前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極３４２を露出するドレインコンタクトホール３５２を有する保護層３５０が、前記駆動薄膜トランジスタＴｄを覆って形成される。
【０１９６】
前記保護層３５０上には、前記ドレインコンタクトホール３５２を介して前記駆動薄膜トランジスタＴｄの前記ドレイン電極３４２に接続される第１電極３６０が、第１および第２画素Ｐ１、Ｐ２毎に分離して形成される。前記第１電極３６０はアノードであり得る。また、仕事関数が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、前記第１電極３６０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができる。
【０１９７】
一方、本発明の電界発光表示装置がトップエミッション型である場合、前記第１電極３６０の下部には、反射電極または反射層をさらに形成することができる。例えば、前記反射電極または前記反射層は、アルミニウム−パラジウム−銅（ＡＰＣ）の合金から形成することができる。
【０１９８】
また、前記保護層３５０上には、前記第１電極３６０の縁部を覆うバンク層３７０が形成される。前記バンク層３７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応して開口ＯＰを有し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に対応して溝３８０を有する。
【０１９９】
前記バンク層３７０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２をそれぞれ取り囲み、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２の面積は、前記バンク層３７０の開口ＯＰの面積、または開口ＯＰに形成される発光層３６２の面積に対応する。
【０２００】
前記開口ＯＰによって前記第１電極３６０の中央が露出され、前記溝３８０によって前記保護層３５０が露出される。
【０２０１】
前記溝３８０は、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に位置する第１部分３８２と、隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分３８４と、隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第３部分３８６とを含む。
【０２０２】
前記第１部分３８２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分３８４および前記第３部分３８６は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０２０３】
また、前記溝３８０は、前記バンク層３７０の厚さと実質的に同一の深さを有する。これと異なって、前記バンク層３７０の一部のみを除去して前記溝３８０を形成することで、前記溝３８０の深さを前記バンク層３７０の厚さより小さくしてもよい。また、前記バンク層３７０の全体と前記保護層３５０の全体、または一部を除去して前記溝３８０を形成することで、前記溝３８０の深さを前記バンク層３７０の厚さより大きくしてもよい。
【０２０４】
前記第１電極３６０上には発光層３６２が形成される。前記発光層３６２は、液体状の発光物質を用いる溶液工程によって形成される。すなわち、溶媒に溶けている発光物質溶液をコーティングした後、溶媒を乾燥させて形成する。例えば、前記溶液工程は、インクジェットコーティング工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程、プリント工程、ドロップコーティング工程のうち、いずれか一つであり得るが、これに限定されるものではない。
【０２０５】
前記発光層３６２は、発光物質からなる発光物質層の単層構造にすることができる。また、発光効率を高めるため、前記発光層３６２は、前記第１電極３６０と前記発光物質層の間に順次位置する正孔注入層および正孔輸送層、前記発光物質層と第２電極３６４の間に順次位置する電子輸送層および電子注入層をさらに含むことができる。
【０２０６】
前記発光物質層は、量子ドットのような無機発光物質または有機発光物質を含むことができる。すなわち、本発明の電界発光表示装置３００は、有機発光表示装置であってもよく、量子ドット発光表示装置であってもよい。
【０２０７】
前記溝３８０には、発光物質溶液がコーティングされ、補助物質パターン３６６が形成される。
【０２０８】
一方、前記溝３８０に発光物質溶液の溶媒がコーティングされる場合、前記発光層３６２の形成工程後、前記溝３８０には構成要素が何も残らず、前記保護層３５０が露出され得る。
【０２０９】
かかる場合、水平画素列において隣接する第１画素Ｐ１間、または隣接する第２画素Ｐ１間の第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔して隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間で前記溝３８０内の溶媒が蒸発するため、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２の周辺は方向に関係なく、大気中の溶媒濃度が均一となる。
【０２１０】
さらに、前記溝３８０が、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間に対応する第２部分３８４および第３部分３８６を含むため、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部および角部において発光層３６２の厚さ不均一が防止される。
【０２１１】
したがって、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間における距離差、並びに第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のラウンド状によって発光層３６２の厚さが不均一となる問題を解決、または最小化することができる。
【０２１２】
前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２における発光層３６２と、前記溝３８０の補助物質パターン３６６上に第２電極３６４が形成される。
【０２１３】
前記第２電極３６４は基板３１０の表示領域の全面に位置し、仕事関数が比較的に小さい導電性物質からなり、カソードに用いることができる。例えば、前記第２電極３６４は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム‐マグネシウムの合金（ＡｌＭｇ）のうち、いずれか一つから形成することができる。
【０２１４】
本発明の電界発光表示装置３００がトップエミッション型である場合、前記第２電極３６４は光が透過できるように比較的に薄い厚さを有することができる。一方、本発明の電界発光表示装置３００がボトムエミッション型である場合、前記第２電極３６４は反射電極に用いることができる。
【０２１５】
前記第２電極３６４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて前記発光層３６２と接触し、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間の前記溝３８０において前記第２電極３６４は前記補助物質パターン３６６と接触する。
【０２１６】
また、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において、前記第２電極３６４の全面は前記バンク層３７０と接触する。
【０２１７】
言い換えると、前記第２電極３６４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれにおいて、前記基板３１０からの第１高さを有し、前記溝３８０において前記第１高さと実質的に同一の高さを有する。また、前記第２電極３６４は、前記第１画素Ｐ１間および前記第２画素Ｐ２間において、前記第１高さより大きい前記基板３１０からの第２高さを有する。
【０２１８】
一方、前記溝３８０において、前記第２電極３６４は前記補助物質パターン３６６と接触する。しかしながら、前記補助物質パターン３６６は前記第１電極３６０と接触しないので、前記溝３８０に形成された前記補助物質パターン３６６では発光が発生しない。
【０２１９】
前記第１電極３６０、前記第１電極３６０と対向する前記第２電極３６４、そして前記第１電極３６０と前記第２電極３６４との間に位置する前記発光層３６２は発光ダイオードＤを構成する。
【０２２０】
図示していないが、前記発光ダイオードＤの上部には、カプセル化基板またはカプセル化フィルムをさらに形成することができる。また、前記カプセル化フィルム上には、外部光の反射を最小化するための偏光板を取り付けることができる。前記偏光板は円形偏光板であり得る。
【０２２１】
本発明の電界発光表示装置３００において、前記発光層３６２は溶液工程によって形成されるため、製造工程が単純となり、大面積の表示装置の製造にも適する。
【０２２２】
また、比較的に大きい距離で離隔して配置された第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間に位置し、棒状の第１部分３８２と、これから突出する第２部分３８４および第３部分３８６とを含む溝３８０を形成し、溶媒または発光物質溶液を前記溝３８０にコーティングすることで、溶液工程によって製造される発光層３６２の厚さ不均一の問題を解決、または最小化することができる。したがって、発光層３６２の厚さ不均一による電界発光表示装置３００の表示品質の低下、および寿命短縮の問題を解消することができる。
【０２２３】
第４実施例
図１３は、本発明の第４実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【０２２４】
図１３に示すように、本発明の第４実施例に係る電界発光表示装置４００には、第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に前記第１画素と離隔して、第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。また、隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間には、第１溝４８０、および第２溝４９０が位置する。
【０２２５】
前記第１溝４８０は、複数の第１画素Ｐ１が配列された第１水平画素列と複数の第２画素Ｐ２が配列された第２水平画素列の間に位置し、前記第２溝４９０は、前記第１溝４８０と前記第２水平画素列の間に位置する。
【０２２６】
前記第１溝４８０は、前記第１水平画素列に対応する第１部分４８２、および隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分４８４を含み、前記第２溝４９０は、前記第２水平画素列に対応する第３部分４９２、および隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第４部分４９４を含む。
【０２２７】
すなわち、前記第１部分４８２および前記第３部分４９２は、直線状であって前記第１および第２水平画素列の方向に沿って伸びる。前記第２部分４８４は、前記第１部分４８２から前記第１画素Ｐ１に向かって離隔し、前記第４部分４９４は、前記第３部分４９２から前記第２画素Ｐ２に向かって離隔する。
【０２２８】
前記第１部分４８２および前記第３部分４９２が棒状であり、前記第２部分４８４および前記第４部分４９４が円状であるものとして示しているが、その形状に制限はない。
【０２２９】
言い換えると、前記第１部分４８２は前記第１画素Ｐ１のそれぞれに対応し、前記第２部分４８４は隣接する第１画素Ｐ１間に対応する。また、前記第３部分４９２は前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応し、前記第４部分４９４は隣接する第２画素Ｐ２間に対応する。
【０２３０】
隣接する第１画素Ｐ１同士と隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔する。また、前記第１溝４８０および前記第２溝４９０のそれぞれは、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２と、前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３だけ離隔する。
【０２３１】
すなわち、前記第１部分４８２および前記第３部分４９２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分４８４および前記第４部分４９４は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０２３２】
したがって、端部がラウンド状の第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を備える電界発光表示装置４００において、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部および角部で発光層は均一な厚さを有する。
【０２３３】
さらに、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間の第１距離ｄ１が、前記第３距離ｄ３と実質的に同一であるので、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２において発光層は方向に関係なく、均一な厚さを有することができる。
【０２３４】
第５実施例
図１４は、本発明の第５実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【０２３５】
図１４に示すように、本発明の第５実施例に係る電界発光表示装置５００には、第１方向の第１列に複数の第１画素Ｐ１が配列され、前記第１方向と垂直な第２方向に前記第１画素と離隔して、第２列に複数の第２画素Ｐ２が配列される。また、隣接する第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２の間には、溝５８０が位置する。
【０２３６】
図示していないが、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、発光ダイオードが位置する。前記発光ダイオードは、互いに対向する第１電極および第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層を含むことができる。また、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれには、前記発光ダイオードに接続される駆動薄膜トランジスタが位置する。
【０２３７】
前記溝５８０は、複数の第１画素Ｐ１が配列された第１水平画素列と複数の第２画素Ｐ２が配列された第２水平画素列の間に位置する。
【０２３８】
前記溝５８０は、前記第１画素Ｐ１と前記第２画素Ｐ２の間に位置する第１部分５８２と、隣接する第１画素Ｐ１間に位置する第２部分５８４と、隣接する第２画素Ｐ２間に位置する第３部分５８６とを含む。
【０２３９】
すなわち、前記第１部分５８２は直線状であって、前記第１および第２水平画素列の方向に沿って伸びる。前記第２部分５８４は、前記第１部分５８２から前記第１画素Ｐ１に向かって離隔し、前記第３部分５８６は、前記第１部分５８２から前記第２画素Ｐ２に向かって離隔する。
【０２４０】
前記第１部分５８２が棒状であり、前記第２部分５８４および前記第３部分５８６が円状であるものとして示しているが、その形状に制限はない。
【０２４１】
言い換えると、前記第１部分５８２は前記第１画素Ｐ１のそれぞれと前記第２画素Ｐ２のそれぞれに対応し、前記第２部分５８４は隣接する第１画素Ｐ１間に対応して、前記第３部分５８６は隣接する第２画素Ｐ２間に対応する。
【０２４２】
隣接する第１画素Ｐ１同士と隣接する第２画素Ｐ２同士のそれぞれは、第１距離ｄ１だけ離隔し、隣接する第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２は、前記第１距離ｄ１より大きい第２距離ｄ２だけ離隔する。また、前記溝５８０は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれと、前記第１距離ｄ１と実質的に同一の第３距離ｄ３だけ離隔する。
【０２４３】
すなわち、前記第１部分５８２は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの端部と第３距離ｄ３を持ち、前記第２部分５８４および前記第３部分５８６は、前記第１画素Ｐ１および前記第２画素Ｐ２のそれぞれの角部と第３距離ｄ３を持つ。
【０２４４】
したがって、端部がラウンド状の第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２を備える電界発光表示装置５００において、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２のそれぞれの端部および角部で発光層は均一な厚さを有する。
【０２４５】
さらに、隣接する第１画素Ｐ１間および隣接する第２画素Ｐ２間の第１距離ｄ１が、前記第３距離ｄ３と実質的に同一であるので、第１画素Ｐ１および第２画素Ｐ２における発光層は、方向に関係なく、均一な厚さを有することができる。
【０２４６】
本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）における発光層の厚さ（Ｅｘ）と、溝が形成されていない従来の電界発光表示装置における発光層の厚さ（Ｒｅｆ）を測定して下記の表１および表２に記載し、発光層の短軸における厚さプロファイルおよび長軸における厚さプロファイルを、図１５Ａおよび図１５Ｂに示す。表１で「Ａｖｇ」は発光層の平均厚さであり、「ｄＣ」は発光層の中央における厚さである。また、「ｄ＋５」および「ｄ＋１０」は、発光層の端部ｄから中央へ所定の距離移動した地点における発光層の厚さと「ｄＣ」との差である。
【０２４７】
【表１】
2018098195.tif 000003
【０２４８】
【表２】
2018098195.tif 000004
【０２４９】
表１、表２および図１５Ａ、図１５Ｂで示すように、長軸方向に隣接する画素間に第１溝および第２溝が形成された本発明の電界発光表示装置における発光層（Ｅｘ）は、短軸と長軸の両方において厚さの均一性が向上した。
【０２５０】
以上、本発明の好適な実施例を参照して説明したが、当該技術分野における熟練した技術者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から外れない範囲内で、本発明を様々に修正および変更できることを理解できるであろう。
【符号の説明】
【０２５１】
１００、２００、３００、４００、５００…電界発光表示装置、１１０、２１０、３１０…基板、１２０、２２０、３２０…半導体層、１２２、２２２、３２２…ゲート絶縁膜、１３０、２３０、３３０…ゲート電極、１３６、２３６、３３６…層間絶縁膜、１４０、２４０、３４０…ソース電極、１４２、２４２、３４２…ドレイン電極、１５０、２５０、３５０…保護層、１６０、２６０、３６０…第１電極、１６２、２６２、３６２…発光層、１６４、２６４、３６４…第２電極、１７０、２７０、３７０…バンク層、１８０、２８０、２９０、３８０、４８０、４９０、５８０…溝、２８２、２８４、２９２、２９４、３８２、３８４、３８６、４８２、４８４、４９２、４９４、５８２、５８４、５８６…（溝の）部分、２６６、２６８、３６６…補助物質パターン、Ｔｄ…駆動薄膜トランジスタ、Ｔｓ…スイッチング薄膜トランジスタ、ＧＬ…ゲート配線、ＤＬ…データ配線、ＰＬ…パワー配線、Ｃｓｔ…ストレージキャパシタ、Ｐ１、Ｐ２…画素領域、Ｄ…発光ダイオード、ＯＰ…開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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