(57)【要約】【課題】フレキシブル性を有する液晶表示装置の表示不良を防ぐことができる製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第１フレキシブル材料から成る第１領域と、前記第１フレキシブル材料を含まない第２領域とを含む前記第１フレキシブル基板を形成する第１工程を含む第１基板製造工程と、第２フレキシブル材料から成る前記第２フレキシブル基板を形成する第２工程を含む第２基板製造工程と、前記第１基板製造工程で製造された前記第１基板と、前記第２基板製造工程で製造された前記第２基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第１基板と、前記第１基板に対向配置され、第２フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、
第１フレキシブル材料から成る第１領域と、前記第１フレキシブル材料を含まない第２領域とを含む前記第１フレキシブル基板を形成する第１工程を含む第１基板製造工程と、
第２フレキシブル材料から成る前記第２フレキシブル基板を形成する第２工程を含む第２基板製造工程と、
前記第１基板製造工程で製造された前記第１基板と、前記第２基板製造工程で製造された前記第２基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせたときに、平面視で、前記第２領域が前記端子部に重なる、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程は、第１ガラス基板における前記第１領域に対応する第１部分に、前記第１フレキシブル材料を塗布し、前記第１ガラス基板における前記第２領域に対応する第２部分に、前記第１フレキシブル材料を塗布しない工程を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程は、第１ガラス基板の全面を疎水化する工程と、前記第１ガラス基板における前記第２領域に対応する第２部分を親水化する工程と、前記疎水化及び前記親水化した前記第１ガラス基板の全面に前記第１フレキシブル材料を塗布する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程は、第１ガラス基板における前記第２領域に対応する部分に金属材料を成膜する工程と、前記金属材料を成膜した前記第１ガラス基板の全面に前記第１フレキシブル材料を塗布する工程と、ウェットエッチングにより前記金属材料と前記金属材料上に塗布された前記第１フレキシブル材料とを除去する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後に、前記第２領域で前記第１基板を切断する切断工程と、
前記切断工程の後に、前記第１ガラス基板を前記第１フレキシブル基板から剥離する剥離工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項３から５の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ基板を製造する工程と、カラーフィルタ基板を製造する工程と、両基板を貼り合せる工程と、両基板を貼り合せた後に、薄膜トランジスタ基板に形成された、電子回路を接続するための端子部を露出させる工程と、を含んでいる。端子部を露出させる工程では、カラーフィルタ基板における、平面視で上記端子部に重なる部分を除去する処理が行われる。従来の液晶表示装置の製造方法では、カラーフィルタ基板を構成するガラス基板をカッター等により切断することにより、上記部分を除去している（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１８１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年提案されているフレキシブル性を有する液晶表示装置では、ガラス基板の代わりにフレキシブル材料（例えば、ポリイミド系樹脂材料）から成るフレキシブル基板が含まれている。フレキシブル材料上記端子部を露出させる工程において、ガラス基板のみを切断する場合は、基板表面にカッターで傷を入れることにより比較的簡易にできるが、ガラス基板の裏面にフレキシブル材料が形成されている場合は、フレキシブル材料にも切断するための傷を入れる必要があり、フレキシブル材料にカッターの刃を深く入れる処理や、フレキシブル材料をレーザ光により切断する処理が必要となる。しかし、このような処理を行うと、フレキシブル材料の下に配置された上記端子部に破損や断線が生じ、表示不良につながる恐れがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フレキシブル性を有する液晶表示装置の表示不良を防ぐことができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第１基板と、前記第１基板に対向配置され、第２フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、第１フレキシブル材料から成る第１領域と、前記第１フレキシブル材料を含まない第２領域とを含む前記第１フレキシブル基板を形成する第１工程を含む第１基板製造工程と、第２フレキシブル材料から成る前記第２フレキシブル基板を形成する第２工程を含む第２基板製造工程と、前記第１基板製造工程で製造された前記第１基板と、前記第２基板製造工程で製造された前記第２基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第２基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせたときに、平面視で、前記第２領域が前記端子部に重なってもよい。
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１工程は、第１ガラス基板における前記第１領域に対応する第１部分に、前記第１フレキシブル材料を塗布し、前記第１ガラス基板における前記第２領域に対応する第２部分に、前記第１フレキシブル材料を塗布しない工程を含んでもよい。
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１工程は、第１ガラス基板の全面を疎水化する工程と、前記第１ガラス基板における前記第２領域に対応する第２部分を親水化する工程と、前記疎水化及び前記親水化した前記第１ガラス基板の全面に前記第１フレキシブル材料を塗布する工程と、を含んでもよい。
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１工程は、第１ガラス基板における前記第２領域に対応する部分に金属材料を成膜する工程と、前記金属材料を成膜した前記第１ガラス基板の全面に前記第１フレキシブル材料を塗布する工程と、ウェットエッチングにより前記金属材料と前記金属材料上に塗布された前記第１フレキシブル材料とを除去する工程と、を含んでもよい。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後に、前記第２領域で前記第１基板を切断する切断工程と、前記切断工程の後に、前記第１ガラス基板を前記第１フレキシブル基板から剥離する剥離工程と、をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、フレキシブル性を有する液晶表示装置の表示不良を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。
【図２】本実施形態に係る表示パネルの表示領域の概略構成を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ´断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ´断面図である。
【図６】（ａ）は本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における露出工程を説明するための図である。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における剥離工程を説明するための図である。
【図９】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶表示装置を例に挙げるが、これに限定されず、例えばＣＯＦ（Chip On Film）方式又はＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式の液晶表示装置であってもよい。
【００１５】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図及び断面図である。液晶表示装置１は、表示パネル１０、ソースドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０、及び、バックライト（図示せず）を含んで構成されている。表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板１００（ＴＦＴ基板）、カラーフィルタ基板２００（ＣＦ基板）、及び、両基板間に挟持された液晶層３００を含んでいる。表示パネル１０は、画像を表示する表示領域１０ａと、表示領域１０ａの周囲の非表示領域１０ｂとを含んでいる。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、薄膜トランジスタ基板１００に搭載されている。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０の数は限定されない。
【００１６】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。薄膜トランジスタ基板１００は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板１１０と、フレキシブル基板１１０の表示面側に形成されたＴＦＴ素子層１２０と、フレキシブル基板１１０の背面側に形成された偏光板１３０と、を含んでいる。ＴＦＴ素子層１２０の非表示領域１０ｂには、端子部３１と、端子部３１に電気的に接続されたソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０とが設けられている。カラーフィルタ基板２００は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板２１０と、フレキシブル基板２１０の背面側に形成されたＣＦ素子層２２０と、フレキシブル基板２１０の表示面側に形成された偏光板２３０と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００との間には液晶層３００が配置されており、液晶層３００の周囲にはシール材３１０が形成されている。
【００１７】
図２は、表示パネル１０における表示領域１０ａの概略構成を示す平面図（等価回路図）である。表示パネル１０には、第１方向（例えば列方向）に延在する複数のソース線１１と、第２方向（例えば行方向）に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（ＴＦＴ）が設けられている。各ソース線１１はソースドライバＩＣ２０（図１参照）に電気的に接続されており、各ゲート線１２はゲートドライバＩＣ３０（図１参照）に電気的に接続されている。
【００１８】
表示パネル１０には、各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。薄膜トランジスタ基板１００には、画素１４ごとに配置された複数の画素電極１５と、複数の画素１４に共通する共通電極１６とが設けられている。
【００１９】
各ソース線１１には、ソースドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給され、各ゲート線１２には、ゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。共通電極１６には、コモンドライバ（図示せず）から共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続された薄膜トランジスタ１３がオンし、薄膜トランジスタ１３に接続されたソース線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのソース線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。
【００２０】
図３は、画素１４の構成を示す平面図である。図４は図３のＢ−Ｂ´断面図であり、図５は図３のＣ−Ｃ´断面図である。図３〜図５を参照しつつ、表示パネル１０の具体的な構成について説明する。
【００２１】
図３において、隣り合う２本のソース線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、薄膜トランジスタ１３が設けられている。薄膜トランジスタ１３は、絶縁膜１２１（図４参照）上に形成された半導体層１７と、半導体層１７上に形成されたドレイン電極１８及びソース電極１９とを含んで構成されている（図３参照）。ドレイン電極１８はソース線１１に電気的に接続されており、ソース電極１９はスルーホール２１を介して画素電極１５に電気的に接続されている。
【００２２】
各画素１４には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。各画素１４に共通して、表示領域全体にＩＴＯ等の透明導電膜からなる１つの共通電極１６が形成されている。なお、共通電極１６における、スルーホール２１及び薄膜トランジスタ１３のソース電極１９に重なる領域には、画素電極１５とソース電極１９とを電気的に接続させるための開口部が形成されている。
【００２３】
図４及び図５に示すように、表示パネル１０は、背面側に配置された薄膜トランジスタ基板１００（第２基板）と、表示面側に配置されたカラーフィルタ基板２００（第１基板）と、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んでいる。
【００２４】
薄膜トランジスタ基板１００では、フレキシブル基板１１０の表示面側にゲート線１２（図５）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１２１が形成されている。絶縁膜１２１上にはソース線１１（図４）が形成され、ソース線１１を覆うように絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１２３が形成されている。絶縁膜１２３上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１２４が形成されている。フレキシブル基板１１０の背面側には、偏光板１３０が形成されている。
【００２５】
カラーフィルタ基板２００では、フレキシブル基板２１０の背面側にブラックマトリクス２２２及びカラーフィルタ２２１（例えば、赤色カラーフィルタ２２１ｒ、緑色カラーフィルタ２２１ｇ、青色カラーフィルタ２２１ｂ）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２２３が形成されている。オーバコート層２２３上には配向膜２２４が形成されている。フレキシブル基板２１０の表示面側には、偏光板２３０が形成されている。
【００２６】
液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。
【００２７】
配向膜１２４、２２４は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００２８】
画素１４を構成する各部の積層構造は、図４及び図５の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。また上記のように、液晶表示装置１は、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有している。液晶表示装置１の構成は、上記構成に限定されない。
【００２９】
次に、液晶表示装置１の製造方法について説明する。液晶表示装置１の製造方法は、薄膜トランジスタ基板１００（第２基板）を製造する薄膜トランジスタ基板製造工程（第２基板製造工程）と、カラーフィルタ基板２００（第１基板）を製造するカラーフィルタ基板製造工程（第１基板製造工程）と、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルタ基板２００を貼り合せる基板貼り合わせ工程と、表示パネル１０（液晶セル）ごとに切断する切断工程と、電子部品（ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０）を接続するための端子部３１を露出する露出工程と、下地のガラス基板を剥離する剥離工程と、を含んでいる。
【００３０】
図６（ａ）は、基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ´断面図である。図６に示す例では、９枚分の表示パネル１０を製造する工程を示している。
【００３１】
薄膜トランジスタ基板製造工程では、先ず、ガラス基板１０１（マザーガラス）の全面に、レーザ光を吸収する吸収膜を成膜し、剥離層（図示せず）を形成する。次に、剥離層の全面に、ポリイミド系樹脂等を主成分とするフレキシブル材料を塗布、焼成して、フレキシブル基板１１０を形成する（第２工程）。次に、フレキシブル基板１１０上にＴＦＴ素子層１２０を形成する。ＴＦＴ素子層１２０には、図４及び図５等に示した、各構成部材（ソース線１１、ゲート線１２、薄膜トランジスタ１３、画素電極１５、共通電極１６等）が含まれる。次に、ＴＦＴ素子層１２０上における非表示領域１０ｂ（図１参照）に端子部３１を形成する。以上により、薄膜トランジスタ基板１００が製造される。尚、薄膜トランジスタ基板１００において、剥離層は、省略されてもよい。
【００３２】
カラーフィルタ基板製造工程では、先ず、ガラス基板２０１（マザーガラス）の全面に、レーザ光を吸収する吸収膜を成膜し、剥離層（図示せず）を形成する。次に、剥離層の全面のうち、薄膜トランジスタ基板１００を貼り合せたときに平面視で端子部３１に重なる領域（非形成領域２１１）を除いた領域に、ポリイミド系樹脂等を主成分とするフレキシブル材料を塗布、焼成して、フレキシブル基板２１０を形成する（第１工程）。例えば、インクジェット方式またはリニアコータを用いてフレキシブル材料を塗布する箇所を制御して、剥離層を含むガラス基板２０１における上記端子部３１に重なる領域を除いた領域に対応する部分（第１部分）にフレキシブル材料を塗布し、ガラス基板２０１における上記端子部３１に重なる領域に対応する部分（第２部分）にフレキシブル材料を塗布しない処理を実行する。これにより、フレキシブル材料から成る領域（第１領域）と、フレキシブル材料を含まない非形成領域２１１（第２領域）とを含むフレキシブル基板２１０が形成される。次に、フレキシブル基板２１０上にＣＦ素子層２２０を形成する。ＣＦ素子層２２０には、図４及び図５等に示した、各構成部材（カラーフィルタ２２１、ブラックマトリクス２２２等）が含まれる。以上により、カラーフィルタ基板２００が製造される。尚、カラーフィルタ基板２００において、剥離層は、省略されてもよい。
【００３３】
基板貼り合わせ工程では、先ず、カラーフィルタ基板製造工程を経て製造されたカラーフィルタ基板２００上にシール材３１０を塗布し、薄膜トランジスタ基板製造工程を経て製造された薄膜トランジスタ基板１００の表示領域１０ａ（図１参照）に液晶３０１を滴下する。次に、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００とを貼り合わせ、紫外線を照射してシール材３１０を硬化させる。
【００３４】
切断工程では、基板貼り合せ工程後に、表示パネル１０（液晶セル）ごとに切断する。図６に示す例では、切断線ＣＬ１に沿ってカッター等により切断して、９枚の表示パネル１０に分断する。
【００３５】
図７は、露出工程を説明するための図である。露出工程では、図７（ａ）に示すように、カラーフィルタ基板２００における平面視で端子部３１に重なる部分を除去するために、カッター等により切断線ＣＬ２に沿って、非形成領域２１１でカラーフィルタ基板２００を切断する（切断工程）。図７（ｂ）は、カラーフィルタ基板２００の一部を切断した様子を示している。これにより、図７（ｃ）に示すように、端子部３１を露出することができる。その後、端子部３１に電子部品（例えばゲートドライバＩＣ３０）を搭載する。
【００３６】
図８は、剥離工程を説明するための図である。剥離工程では、図８（ａ）に示すように、ガラス基板２０１とフレキシブル基板２１０との間の剥離層にレーザ光（エキシマレーザ）を照射して、剥離層を結晶化させる。結晶化の際の構造変化により、フレキシブル基板２１０が剥離層から剥離される。同様に、ガラス基板１０１とフレキシブル基板１１０との間の剥離層にレーザ光を照射して、剥離層を結晶化させる。結晶化の際の構造変化により、フレキシブル基板１１０が剥離層から剥離される。ガラス基板１０１、２０１を剥離した後に（図８（ｂ）参照）、偏光板１３０、２３０を貼り付ける（図８（ｃ）参照）。また、剥離層が無い場合でも、レーザ照射条件を最適化することにより、ガラス基板とフレキシブル基板の温度変化による体積膨張差により、フレキシブル基板からガラス基板を剥離することも可能である。
【００３７】
以上の工程を経て、液晶表示装置１が製造される。上記製造方法によれば、特に、カラーフィルタ基板２００のフレキシブル基板２１０に、フレキシブル材料が形成されない非形成領域２１１が含まれ、また非形成領域２１１が薄膜トランジスタ基板１００の端子部３１に重なる位置に配置される。このため、端子部３１を露出させる際に、フレキシブル材料が存在しない部分（非形成領域２１１）でカラーフィルタ基板２００を切断することができる。これにより、端子部３１を傷付けることなく、容易に端子部３１を露出させることができる。すなわち、液晶表示装置１の表示不良を防ぐことができる。
【００３８】
本発明は上記構成に限定されない。特に、カラーフィルタ基板２００の製造工程において、非形成領域２１１を含むフレキシブル基板２１０を形成する方法は、上記方法に限定されない。図９及び図１０は、フレキシブル基板２１０の他の形成方法を説明するための図である。先ず、ガラス基板２０１の全面を、例えばＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane）処理により疎水化する（図９（ａ）参照）。次に、薄膜トランジスタ基板１００を貼り合せたときに平面視で端子部３１に重なる領域（非形成領域２１１）を親水化する（図９（ｂ）参照）。親水化する処理は限定されず、例えば、ポジ型フォトレジスト用現像液のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）をインクジェット方式で塗布した後、水洗いしてもよいし、親水性コーティング剤をインクジェット方式で塗布してもよいし、所望のマスクを用いてＵＶオゾン処理を施してもよいし、大気圧プラズマ処理を施してもよい。次に、疎水化処理及び親水化処理を施したガラス基板２０１の全面にフレキシブル材料を塗布する（図１０参照）。これにより、親水化処理を施した部分にはフレキシブル材料がほぼ存在しなくなり、非形成領域２１１を含むフレキシブル基板２１０が形成される。
【００３９】
図１１及び図１２は、フレキシブル基板２１０の他の形成方法を説明するための図である。先ず、ガラス基板２０１上に、Ｍｏ等の金属材料をスパッタリングにより成膜した後、エッチング等の処理を施して、薄膜トランジスタ基板１００を貼り合せたときに平面視で端子部３１に重なる領域（非形成領域２１１）が残るようにパターン化する（図１１（ａ）参照）。次に、パターン化した金属材料を含むガラス基板２０１の全面にフレキシブル材料を塗布、焼成する（図１１（ｂ）参照）。次に、ウェットエッチングにより、パターン化した金属材料とその上部のフレキシブル材料とを同時に除去する（図１２参照）。これにより、非形成領域２１１を含むフレキシブル基板２１０が形成される。尚、パターン化した金属材料とその上部のフレキシブル材料とが同時に除去できず、金属材料のみが除去され、フレキシブル材料が残ることが起こり得る。その場合は、ウェットエッチング工程より前に、金属材料パターンに沿って、焼成されたフレキシブル材料をカッターを用いて切断しても良い。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４１】
１  液晶表示装置、１０  表示パネル、１０ａ  表示領域、１０ｂ  非表示領域、１１  ソース線、１２  ゲート線、１３  薄膜トランジスタ、１４  画素、１５  画素電極、１６  共通電極、２０  ソースドライバＩＣ、３０  ゲートドライバＩＣ、３１  端子部、４０  表示パネル、  １００  薄膜トランジスタ基板、２００  カラーフィルタ基板、３００  液晶層、１０１，２０１  ガラス基板、１１０，２１０  フレキシブル基板、１２０  ＴＦＴ素子層、２１１  非形成領域、２２０  ＣＦ素子層、３１０  シール材。
【図１】
2018159817.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018159817.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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