(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子が搭載されるサブマウントとベースプレートとがはんだで固定される光モジュールを作製する際に、発光素子の直下でサブマウントとベースプレートとがはんだ付けされ易くなる光モジュールの製造方法及び光モジュールを提供する。【解決手段】ベースプレート２の上面にはんだ７を配置するはんだ配置工程と、発光素子１１が載置されたサブマウント４をベースプレートの上面にはんだを介して重ねるサブマウント配置工程と、はんだを加熱してベースプレートとサブマウントとを固定するサブマウント固定工程とを備え、ベースプレートの上面は、サブマウントとベースプレートとが固定されたときに発光素子と重なる領域を含む発光素子投影領域２１と、発光素子投影領域２１に連続すると共に発光素子投影領域２１に対して相対的に高い高位置領域２２とを有し、はんだ配置工程で少なくとも高位置領域の一部にはんだを配置する。【選択図】図３
2018098365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートの上面にはんだを配置するはんだ配置工程と、
発光素子が載置されたサブマウントを前記ベースプレートの上面に前記はんだを介して重ねるサブマウント配置工程と、
前記はんだを加熱して前記ベースプレートと前記サブマウントとを前記はんだによって固定するサブマウント固定工程と、
を備え、
前記ベースプレートの上面は、前記サブマウントと前記ベースプレートとが固定されたときの平面視において前記発光素子と重なる領域を含む発光素子投影領域と、前記発光素子投影領域に連続すると共に前記発光素子投影領域に対して相対的に高い位置となる高位置領域と、を有し、
前記はんだ配置工程において、少なくとも前記高位置領域の一部に前記はんだを配置する
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記サブマウント固定工程前における前記発光素子の直下に前記はんだが配置されない
ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記高位置領域が前記発光素子投影領域に繋がる傾斜面を含む
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記発光素子投影領域の前記高位置領域とは反対側に、前記発光素子投影領域よりも上方に突出する突起部が形成される
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記サブマウント固定工程において、前記サブマウントまたは前記ベースプレートに振動が加えられる
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記発光素子投影領域は、前記ベースプレートの上面のうち最も低い部位を含む
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記サブマウント固定工程において、前記発光素子投影領域と前記発光素子投影領域に対向する前記サブマウントの下面の少なくとも一部とが平行となる
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項８】
一方の面上に発光素子が載置されるサブマウントと、
一方の面がはんだを介して前記サブマウントの他方の面に固定されるベースプレートと、
を備え、
前記サブマウントは、前記他方の面の一部が前記ベースプレート側に突出することで他の部位より相対的に厚い厚板部を有し、
前記発光素子は前記厚板部に載置される
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
前記サブマウントのうち最も厚い部位に前記発光素子が載置される
ことを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記厚板部の厚さは一定である
ことを特徴とする請求項８または９に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光モジュールの一つとして、レーザダイオードから出射する光が光ファイバを介して出射する光モジュールが知られている。この光モジュールでは、筐体内から筐体外に光ファイバが導出されており、筐体内には、レーザダイオード、ミラー、レンズ、光ファイバ等の光学部品が配置されている。それぞれのレーザダイオードから出射する光は、集光された後に光ファイバに入射して、筐体外において光ファイバから出射する。
【０００３】
このような光モジュールとして、光学部品が搭載されたサブマウントが、筐体の底板（ベースプレート）上に配置されたものがある。下記特許文献１には、このような光モジュールが記載されている。特許文献１に記載の光モジュールでは、サブマウントは、ベースプレートとの間に広がったはんだによってベースプレートと接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−４７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような光モジュールにおいて、レーザダイオードは発光時に発熱する。この熱をレーザダイオードからベースプレートへと効率良く伝えて放熱させるためには、サブマウントとベースプレートとの間に広がるはんだは、レーザダイオードの直下、すなわちレーザダイオードとベースプレートとの最短経路上に配置されていることが好ましい。しかし、サブマウントとベースプレートとの接合面は大きいため、サブマウントとベースプレートとをはんだで固定する際に、レーザダイオードの直下にはんだが適切に濡れ広がり難い場合がある。
【０００６】
そこで、本発明は、レーザダイオードなどの熱源となる発光素子が搭載されるサブマウントとベースプレートとがはんだで固定される光モジュールを作製する際に、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとがはんだ付けされ易くなる光モジュールの製造方法、及び、光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の光モジュールの製造方法は、ベースプレートの上面にはんだを配置するはんだ配置工程と、発光素子が載置されたサブマウントを前記ベースプレートの上面に前記はんだを介して重ねるサブマウント配置工程と、前記はんだを加熱して前記ベースプレートと前記サブマウントとを前記はんだによって固定するサブマウント固定工程と、を備え、前記ベースプレートの上面は、前記サブマウントと前記ベースプレートとが固定されたときの平面視において前記発光素子と重なる領域を含む発光素子投影領域と、前記発光素子投影領域に連続すると共に前記発光素子投影領域に対して相対的に高い位置となる高位置領域と、を有し、前記はんだ配置工程において、少なくとも前記高位置領域の一部に前記はんだを配置することを特徴とする。
【０００８】
上記のようにはんだ配置工程において高位置領域を含む位置にはんだが配置されることにより、サブマウント固定工程において加熱されて溶融したはんだは、高位置領域から高位置領域よりも低い発光素子投影領域に濡れ広がりやすくなる。したがって、高位置領域及び発光素子投影領域を含む広い範囲にはんだが濡れ広がり易く、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとをはんだ付けし易くなる。
【０００９】
また、前記サブマウント固定工程前における前記発光素子の直下に前記はんだが配置されないことが好ましい。
【００１０】
はんだを溶融させて濡れ広がらせた後に冷却して固化させる場合、溶融される前にはんだが配置されていた位置には、他の位置に比べてはんだにボイドが形成され易い傾向がある。よって、上記のように発光素子の直下に溶融前のはんだが配置されないことによって、発光素子の直下にボイドが形成されることを抑制することができる。したがって、発光素子からベースプレートへの熱の伝達がボイドによって阻害されることを抑制することができる。
【００１１】
また、前記高位置領域が前記発光素子投影領域に繋がる傾斜面を含むことが好ましい。
【００１２】
発光素子投影領域と高位置領域とが傾斜面で繋がっていることによって、高位置領域に配置されたはんだが加熱されて溶融した際に、溶融したはんだが高位置領域から発光素子投影領域へとより濡れ広がりやすくなる。したがって、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとをはんだ付けすることがより容易になる。
【００１３】
また、前記発光素子投影領域の前記高位置領域とは反対側に、前記発光素子投影領域よりも上方に突出する突起部が形成されることが好ましい。
【００１４】
上記のように、発光素子投影領域は高位置領域よりも低い。したがって、サブマウント固定工程において、サブマウントは高位置領域から発光素子投影領域の方向へとベースプレートに対して相対的に移動し易い。ここで、上記のように発光素子投影領域の高位置領域とは反対側に突起部が形成されることによって、サブマウントを突起部に当接させてサブマウントの配置を決めることができるので、サブマウントの位置決めが容易になる。また、サブマウント固定工程において、溶融したはんだは高位置領域から発光素子投影領域の方向に流れ易い。上記のように突起部がベースプレートに設けられることによって、上記のように発光素子投影領域側に流れる溶融したはんだがベースプレートとサブマウントとの間から漏れ出ることを抑制することができる。また、上記のように突起部が設けられることによって、サブマウント固定工程で溶融したはんだを発光素子投影領域に留め易くなる。発光素子が発する熱をベースプレートへと効率良く伝えて放熱させる観点からは、特に発光素子投影領域にはんだが濡れ広がることが好ましい。上記のように溶融したはんだが発光素子投影領域に留められることによって、はんだが余計な場所に濡れ広がることが抑制されるので、はんだの使用量を抑制しつつ発光素子投影領域にはんだを濡れ広がらせ得る。
【００１５】
また、前記サブマウント固定工程において、前記サブマウントまたは前記ベースプレートに振動が加えられることが好ましい。
【００１６】
サブマウントとベースプレートとの間に配置されたはんだが溶融した状態でサブマウントまたはベースプレートに振動が加えられることによって、ベースプレート及びサブマウントのはんだ濡れ性を向上させやすくなる。また、サブマウントまたはベースプレートに振動が加えられることによって、上記のようなサブマウントの発光素子投影領域側への移動が促され易くなる。上記のように突起部が設けられる場合、このように発光素子投影領域側へ移動するサブマウントを突起部で抑えることができ、サブマウントの位置決めがより容易になる。
【００１７】
また、前記発光素子投影領域は、前記ベースプレートの上面のうち最も低い部位を含むことが好ましい。
【００１８】
発光素子投影領域がベースプレートの上面のうち最も低い部位を含むことによって、溶融したはんだが発光素子投影領域により濡れ広がり易くなる。したがって、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとをはんだ付けすることがより容易になる。
【００１９】
また、前記サブマウント固定工程において、前記発光素子投影領域と前記発光素子投影領域に対向する前記サブマウントの下面の少なくとも一部とが平行となることが好ましい。
【００２０】
発光素子投影領域と発光素子投影領域に対向するサブマウントの下面とが平行となることによって、発光素子投影領域とサブマウントの下面との間に溶融したはんだを均一な厚さで濡れ広がらせることが容易になる。したがって、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとを均一な厚さのはんだで固定することが容易になり、発光素子からベースプレートへと効率良く熱を伝えることがより容易になる。
【００２１】
また、本発明の光モジュールは、一方の面上に発光素子が載置されるサブマウントと、一方の面がはんだを介して前記サブマウントの他方の面に固定されるベースプレートと、を備え、前記サブマウントは、前記他方の面の一部が前記ベースプレート側に突出することで他の部位より相対的に厚い厚板部を有し、前記発光素子は前記厚板部に載置されることを特徴とする。
【００２２】
上記のように厚板部に発光素子が載置されることによって、サブマウントのうち発光素子が載置される部位に撓みが生じることを抑制することができる。よって、発光素子から出射される光の方向が意図せずずれることを抑制することができる。
【００２３】
また、上記光モジュールにおいて、前記サブマウントのうち最も厚い部位に前記発光素子が載置されることが好ましい。
【００２４】
発光素子が載置される部位が最も厚くされることによって、サブマウントのうち発光素子が載置される部位に撓みが生じることをより抑制することができる。よって、発光素子から出射される光の方向が意図せずずれることをより抑制することができる。
【００２５】
また、上記光モジュールにおいて、前記厚板部の厚さは一定であることが好ましい。
【００２６】
サブマウントのうち厚板部の厚さが一定であることによって、サブマウントに撓みが生じるとしても、その撓みが生じる方向を想定することが容易である。このため、サブマウントに載置される発光素子から出射される光の方向が意図せずずれることを抑制することがより容易になる。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように、本発明によれば、レーザダイオードなどの熱源となる発光素子が搭載されるサブマウントとベースプレートとがはんだで固定される光モジュールを作製する際に、発光素子の直下においてサブマウントとベースプレートとがはんだ付けされ易くなる光モジュールの製造方法、及び、光モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１に示す光モジュールの蓋体を外した図である。
【図３】図２に示すIII−IIIに沿った光モジュールの断面図である。
【図４】図２に示すベースプレートの平面図である。
【図５】図１に示す蓋体を裏面から見る図である。
【図６】光モジュールの製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図７】部品固定工程の様子を示す図である。
【図８】はんだ配置工程後の様子を示す図３と同様の視点の断面図である。
【図９】はんだを介してベースプレートとサブマウントとを重ねた様子を示す図３と同様の視点の断面図である。
【図１０】蓋体固定工程の様子を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る光モジュールを図３と同様の視点で示す図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る光モジュールを図３と同様の視点で示す図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る光モジュールを図３と同様の視点で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る光モジュール及び光モジュールの製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
＜光モジュール＞
まず、本実施形態の光モジュールについて説明する。
【００３１】
図１は、本実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態の光モジュール１は、ベースプレート２及び蓋体３から成る筐体と、筐体内に固定される後述の光学部品と、一部の光学部品に電力を供給するコネクタ４１とを備えている。
【００３２】
図２は、図１に示す光モジュールの蓋体３を外した図である。図２では、破線でレーザダイオードから出射する光の光路が示されている。図３は、図２に示すIII−IIIに沿った光モジュールの断面図である。
【００３３】
ベースプレート２は、筐体の底板となる部材である。ベースプレート２は、図３に示すように、下面が平面状であり、他の部位より相対的に薄くなっている薄板部２ａを有する、概ね平板状の部材である。ベースプレート２の外周部には複数のねじ孔２７が形成されている。また、ベースプレート２の上面には、はんだ７を介してサブマウント４が固定されている。サブマウント４の上面には、発光素子であるレーザダイオード１１を含む光学部品が固定されている。
【００３４】
図４は、図２に示すベースプレート２の平面図である。図２〜図４からわかるように、ベースプレート２の上面には、サブマウント４とベースプレート２とが固定されたときの平面視においてサブマウント４と重なるサブマウント投影領域２０が形成される。サブマウント投影領域２０は、発光素子投影領域２１及び高位置領域２２を有する。発光素子投影領域２１は、サブマウント４とベースプレート２とが固定されたときの平面視において、レーザダイオード１１と重なる領域を含む領域である。高位置領域２２は、発光素子投影領域２１に連続すると共にベースプレート２の下面からの距離が発光素子投影領域２１よりも長くなる位置に形成される領域である。高位置領域２２は上記のように形成されることにより、発光素子投影領域２１に対して相対的に高い位置となる。薄板部２ａの上面は、発光素子投影領域２１の少なくとも一部を含む。本実施形態において、高位置領域２２は、発光素子投影領域２１に連続する傾斜面２３を含んでいる。また、ベースプレート２が水平面に載置されたとき、本実施形態の発光素子投影領域２１は、ベースプレート２の上面のうち最も低い部位であり、水平となる。
【００３５】
また、ベースプレート２の上面のうち発光素子投影領域２１の高位置領域２２とは反対側に、発光素子投影領域２１よりも上方に突出する突起部２５が形成されている。本実施形態のベースプレート２では、突起部２５は、発光素子投影領域２１の外周のうち高位置領域２２側を除く三方を囲うように形成されている。また、突起部２５の上面は、高位置領域２２うち最も高い位置と面一とされている。
【００３６】
このようなベースプレート２は熱伝導性が高い金属から成り、ベースプレート２を構成する金属としては例えば銅を挙げることができる。
【００３７】
サブマウント４は、図３に示すように、光学部品が固定される側の面が平面状であり、ベースプレート２側の面の一部がベースプレート２側に突出することで他の部位より相対的に厚くなっている厚板部４ａを有する、概ね平板状の基板である。本実施形態では、厚板部４ａはサブマウント４のうち最も厚い部位であり、厚さは一定である。図３及び図４からわかるように、平面視において、厚板部４ａはベースプレート２の薄板部２ａと重なる。ベースプレート２が水平面に載置されたとき、ベースプレート２の発光素子投影領域２１に対向する厚板部４ａの下面は、発光素子投影領域２１と平行になり、水平となる。また、サブマウント４は、ベースプレート２と固定されたときにベースプレート２の傾斜面２３と平行になる傾斜面４３を有する。
【００３８】
サブマウント４は熱伝導性が高い金属から成り、サブマウント４を構成する金属としては例えば銅を挙げることができる。ベースプレート２とサブマウント４とが同じ材料から成る場合、両者の線膨脹係数を揃えることができる。このため、熱によってベースプレート２及びサブマウント４が反ってレーザダイオード１１から出射される光の方向が意図せずずれることを抑制することができる。
【００３９】
サブマウント４の上面には、発光素子であるレーザダイオード１１を含む光学部品が固定されている。本実施形態の光学部品は、レーザダイオード１１、コリメートレンズ１６、ミラー１３、第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５、光ファイバ５０を含んで構成される。
【００４０】
本実施形態では、光源である発光素子としてレーザダイオード１１が用いられる。複数のレーザダイオード１１は、複数の半導体層が積層されて成るファブリペロー構造を有する素子であり、例えば波長が９００ｎｍ帯のレーザ光を出射する。それぞれのレーザダイオード１１は、レーザマウント１２上にはんだ等により固定されており、レーザマウント１２を介してサブマウント４の厚板部４ａ上に固定されている。レーザマウント１２は、レーザダイオード１１の高さを調整するための台であり、それぞれのレーザマウント１２は、サブマウント４における外周側の位置に例えばはんだ付け等により固定されている。なお、このようにレーザマウント１２がサブマウント４と別体とされて、レーザマウント１２がサブマウント４上に固定されても良いが、レーザマウント１２がサブマウント４と一体に成型されても良い。或いは、レーザダイオード１１の高さ調整が不要の場合、このレーザマウント１２は省略されても良い。
【００４１】
コリメートレンズ１６は、それぞれのレーザダイオード１１に対応してレーザマウント１２上に配置されている。コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１から出射する光のファスト軸方向の光、スロー軸方向の光をコリメートするレンズであり、一般的にファスト軸方向の光をコリメートするレンズ、スロー軸方向の光のコリメートするレンズの組み合わせからなる。またコリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１と共にレーザマウント１２上に接着等により固定されている。なお、上記のようにレーザマウント１２が省略される場合、コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１と共にサブマウント４上に固定される。
【００４２】
ミラー１３は、それぞれのレーザダイオード１１に対応してサブマウント４上に配置されている。それぞれのミラー１３は、対応するレーザダイオード１１から出射しコリメートレンズ１６でコリメートされた光を反射して、ミラー１３に入射する光に対してサブマウント４の面方向に沿って垂直に出射するよう調整されている。本実施形態のミラー１３は、プリズムから構成されており、サブマウント４上に接着剤により固定されている。なお、ミラー１３は、反射膜が形成されたガラス体のように、プリズム以外から構成されても良い。
【００４３】
また、第１集光レンズ１４及び第２集光レンズ１５は、それぞれシリンドリカルレンズから成り、サブマウント４に接着により固定されている。第１集光レンズ１４は、それぞれのミラー１３で反射される光をファスト軸方向に集光し、第２集光レンズ１５は、第１集光レンズ１４から出射する光をスロー軸方向に集光する。こうして、第２集光レンズ１５から出射する光は所定の位置において光を集光する。なお、第２集光レンズ１５から出射する光が所望の位置で集光しない場合には、第２集光レンズ１５から出射する光を集光する集光レンズが更にサブマウント４上に配置されても良い。
【００４４】
光ファイバ５０は、パイプ状のホルダ５１に挿通されて、ホルダ５１に固定されている。本実施形態では、光ファイバ５０の光の入射端となる一端がホルダ５１から僅かに導出されている。ホルダ５１はファイバマウント５２に固定され、ファイバマウント５２はサブマウント４に固定されている。光ファイバ５０の一端は、第２集光レンズ１５から出射する光が、コアに入射可能な位置とされる。なお、本実施形態では、光ファイバ５０はホルダ５１に接着剤やはんだ付けにより固定されており、ホルダ５１はファイバマウント５２に接着されることで固定され、ファイバマウント５２はサブマウント４に接着により固定されている。
【００４５】
コネクタ４１は、一対の棒状の導体から形成されており、それぞれの導体は一対のコネクタホルダ４２に固定されている。それぞれのコネクタホルダ４２は、サブマウント４に接着されて固定されている。コネクタ４１の一方の導体は、コネクタ４１に最も近いレーザダイオード１１と図示しない金線により接続されており、それぞれのレーザダイオード１１は図示しない金線によりデイジーチェーン接続されている。また、コネクタ４１から最も離れたレーザダイオード１１は、コネクタ４１の他方の導体に図示しない金線により接続されている。
【００４６】
図５は、図１に示す蓋体を裏面から見る図である。図５に示すように、本実施形態の蓋体３は、金属板がプレス加工されて成り、トッププレート３１と、枠体３２と、鍔部３３とから成る。
【００４７】
トッププレート３１は、筐体の天板となる部位であり、平板状の部材からなる。枠体３２は、トッププレート３１の周縁においてトッププレート３１に垂直に連結される部位である。また、枠体３２は、図１に示すように蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、サブマウント４及びサブマウント４上の光学部品等を囲む大きさとされる。また、枠体３２には、光ファイバ５０を筐体内から筐体外に導出するための切り欠き３５ａ、および、コネクタ４１を筐体内から筐体外に導出するための切り欠き３５ｂが形成されている。鍔部３３は、枠体３２のトッププレート３１側とは反対側において、枠体３２に連結される部位であり、枠体３２に対して垂直（トッププレート３１と平行）に枠体３２の外側に広がるように延在している。また、鍔部３３における枠体３２のそれぞれの切り欠き３５ａ，３５ｂと隣り合う位置は、それぞれ切り欠かれている。また、鍔部３３には、複数のねじ孔３７が形成されており、これらのねじ孔３７が形成されている位置は、図１に示すように蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、ベースプレート２に形成されたねじ孔２７と重なる位置とされている。
【００４８】
この蓋体３が、図１に示すように、ベースプレート２上に配置された状態で、ベースプレート２と蓋体３とは、ベースプレート２のそれぞれのねじ孔２７と蓋体３のそれぞれのねじ孔３７とに螺入される複数のねじ２５により固定される。なお、特に図示しないが、本実施形態では、ベースプレート２と蓋体３の鍔部３３との間にシリコーン樹脂が介在して、ベースプレート２と鍔部３３との間の気密が保たれている。
【００４９】
また、このように蓋体３が筐体の底板であるベースプレート２上に配置された状態で、図１に示すように、ホルダ５１が光ファイバ５０と共に切り欠き３５ａから導出している。そして、切り欠き３５ａにおいて、ホルダ５１と枠体３２との間には、ブッシュ５５が配置されて、ホルダ５１と枠体３２との間の隙間が埋められている。こうして、切り欠き３５ａにおける枠体３２と光ファイバとの間の隙間はブッシュ５５により封止されている。ブッシュ５５は、少なくとも枠体３２と接する部位が弾性変形可能な構成とされる。このようなブッシュ５５の構成としては、例えば、枠体３２と接する部位、ベースプレート２と接する部位及びホルダ５１と接する部位が変性シリコーン樹脂を主成分とする接着性の樹脂からなり、当該接着性の樹脂で囲まれる部位がポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の硬質な樹脂から成ることが挙げられる。なお、ブッシュ５５全体が弾性変形可能な樹脂から構成されても良い。
【００５０】
また、蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、コネクタ４１が切り欠き３５ｂから導出している。そして、コネクタ４１と枠体３２との間には、ブッシュ５５と同様のブッシュが配置されており、切り欠き３５ｂにおける枠体３２とコネクタ４１との間の隙間は当該ブッシュにより封止されている。
【００５１】
次に、光モジュール１の光学的な動作について説明する。
【００５２】
コネクタ４１からそれぞれのレーザダイオード１１に所望の電力が供給されると、それぞれのレーザダイオード１１は、それぞれのレーザダイオード１１に対応するそれぞれのコリメートレンズ１６に向かって光を出射する。この光は、上記のように例えば波長が９００ｎｍ帯のレーザ光とされる。それぞれのコリメートレンズ１６では、レーザダイオード１１から出射する光をコリメートして出射する。それぞれのコリメートレンズ１６から出射した光は、対応するそれぞれのミラー１３に入射する。それぞれのミラー１３は、入射する光を反射して、ミラー１３に入射する光に対して、ベースプレート２の面方向に沿った垂直な方向に出射する。ミラー１３から出射した光は第１集光レンズ１４に入射して、第１集光レンズ１４により光のファスト軸方向が集光される。第１集光レンズ１４から出射する光は、第２集光レンズ１５に入射して、第２集光レンズ１５により光のスロー軸方向が集光される。第２集光レンズ１５により集光された光は、光ファイバ５０のコアに入射して、光ファイバ５０を伝搬する。こうして、光ファイバ５０の他端から光が出射する。
【００５３】
次に、光モジュール１の作用について説明する。
【００５４】
光モジュール１が上記のように動作する際、入力する電力の一部が光エネルギーとして出射するが、他の一部は熱エネルギーとなる。この熱エネルギーの多くはレーザダイオード１１から発生し、レーザダイオード１１で発生する熱の多くはサブマウント４及びはんだ７を介して筐体の底板であるベースプレート２に伝達する。ベースプレート２に伝達する熱は、ベースプレート２の下面に設置されるヒートシンクに伝達しベースプレート２は冷却される。本実施形態の光モジュール１では、レーザダイオード１１の直下を含む範囲において、ベースプレート２とサブマウント４とがはんだ７で固定されている。したがって、レーザダイオード１１からの熱がベースプレート２へと効率良く伝えられて冷却される。
【００５５】
また、上記のようにサブマウント４の厚板部４ａにレーザダイオード１１が載置されることによって、レーザダイオード１１の直下のサブマウント４の剛性が高められる。このため、サブマウント４のうちレーザダイオード１１が載置される部位に撓みが生じることを抑制することができる。よって、レーザダイオード１１から出射される光の方向が意図せずずれることを抑制することができる。また、本実施形態の光モジュール１では、サブマウント４のうちレーザダイオード１１が載置される部位が最も厚くされることによって、サブマウント４のうちレーザダイオード１１が載置される部位に撓みが生じることをより抑制することができる。よって、レーザダイオード１１から出射される光の方向が意図せずずれることをより抑制することができる。また、サブマウント４のうちレーザダイオード１１が載置される部位の厚さが一定とされることによって、サブマウント４に撓みが生じるとしても、その撓みが生じる方向を想定することが容易である。このため、サブマウント４に載置されるレーザダイオード１１から出射される光の方向が意図せずずれることを抑制することがより容易になる。
【００５６】
サブマウント４に撓みが生じることを抑制するという観点からは、はんだ７のヤング率は、サブマウント４のヤング率より低いことが好ましい。サブマウント４の厚板部４ａに重ねられるベースプレート２の薄板部２ａは、薄く形成されていることによって、ベースプレート２の他の部位に比べて撓み易い。しかし、薄板部２ａに撓みが生じるような応力が加えられる場合であっても、はんだ７のヤング率がサブマウント４のヤング率より低いことによって、はんだ７がサブマウント４よりも先に変形して上記応力を緩和することができる。このため、サブマウント４が撓むことを抑制することができる。
【００５７】
また、ベースプレート２の薄板部２ａとサブマウント４の厚板部４ａとが重なることによって、ベースプレート２とサブマウント４とが重ねられた積層体の両面を平行にすることが容易になる。よって、サブマウント４に載置されるレーザダイオード１１から出射される光の方向を調整することが容易になる。
【００５８】
＜光モジュールの製造方法＞
次に本実施形態の光モジュールの製造方法について説明する。
【００５９】
図６は、本実施形態の光モジュール１の製造方法の工程を示すフローチャートである。図６に示すように、本実施形態の光モジュール１の製造方法は、部品固定工程Ｐ１１と、はんだ配置工程Ｐ１２と、サブマウント配置工程Ｐ１３と、サブマウント固定工程Ｐ１４と、蓋体固定工程Ｐ１５とを備える。
【００６０】
（部品固定工程Ｐ１１）
部品固定工程Ｐ１１は、サブマウント４上に配置されたレーザダイオード１１から出射する光が光ファイバ５０に入射するように、レーザダイオード１１を含む光学部品及び光ファイバ５０の入射端をサブマウント４上に固定する工程である。図７は、本工程の様子を示す図である。
【００６１】
レーザダイオード１１は、上記のようにレーザマウント１２を介してサブマウント４上に固定される。従って、レーザダイオード１１をサブマウント４上に配置する前に、レーザダイオード１１をレーザマウント１２上に配置して固定する。固定は、例えばはんだ付けにより行う。また、コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１と同様にレーザマウント１２を介してサブマウント４上に固定される。従って、レーザダイオード１１からの光がコリメートレンズ１６に入射するようにコリメートレンズ１６をレーザマウント１２上に固定する。本固定は、例えば接着により行う。このようにレーザダイオード１１及びコリメートレンズ１６が固定された後、レーザダイオード１１及びコリメートレンズ１６が搭載されたレーザマウント１２をサブマウント４上に配置して固定する。本固定は、例えばはんだ付けにより行う。
【００６２】
コネクタ４１は、上記のようにコネクタホルダ４２を介してサブマウント４上に配置される。従って、コネクタ４１をサブマウント４上に配置する前に、それぞれの棒状の導体をコネクタホルダ４２に挿通して、導体をコネクタホルダ４２に固定する。この固定は、例えば接着により行う。そして、導体が固定されたそれぞれのコネクタホルダ４２をサブマウント４上に配置して固定する。この固定は、例えば接着により行う。次に、コネクタ４１の一方の導体と最もコネクタ４１に近いレーザダイオード１１とを金線により接続する。さらに、それぞれのレーザダイオード１１を金線によりデイジーチェーン接続し、コネクタ４１から最も離れたレーザダイオード１１とコネクタ４１の他方の導体とを金線により接続する。こうして、コネクタ４１とそれぞれのレーザダイオード１１とが電気的に接続され、コネクタ４１を介してそれぞれのレーザダイオード１１に電力を供給可能な状態となる。
【００６３】
光ファイバ５０は、上記のように、ホルダ５１に固定された状態で、ファイバマウント５２を介して、サブマウント４上に配置される。従って、光ファイバ５０をサブマウント４上に配置する前に、光ファイバ５０をホルダ５１に挿通して固定する。この際、図７に示すように、事前に光ファイバ５０にブッシュ５５を挿通しておく。更に、光ファイバ５０が被覆層で被覆されている場合には、光ファイバ５０の入射端となる一方の端部から所定の距離だけ被覆層を剥離する。そして、光ファイバ５０をホルダ５１に挿通して、光ファイバ５０をホルダ５１に固定する。このとき、本実施形態では、ホルダ５１から光ファイバ５０の入射端が僅かに導出された状態とする。光ファイバ５０のホルダ５１への固定は、はんだ付けや熱硬化性樹脂等の樹脂等により行えばよい。次に、ホルダ５１をファイバマウント５２に固定する。この固定は、例えば接着により行う。なお、ホルダ５１とファイバマウント５２とが一体形成されていても良い。そして、光ファイバ５０が固定されたファイバマウント５２をサブマウント４上に配置して固定する。この固定は、例えば接着により行う。
【００６４】
第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５は、上記のようにサブマウント４上に直接配置され固定される。この固定は、例えば接着により行う。具体的には、サブマウント４上の第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５が配置されるそれぞれの位置に接着剤を塗布して、接着剤が塗布されたサブマウント４上に第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５を配置して、接着剤を固化することで固定する。
【００６５】
それぞれのミラー１３は、上記のようにサブマウント４上に直接配置され固定される。この固定は、例えば接着により行う。具体的には、サブマウント４上のミラー１３が配置されるそれぞれの位置に接着剤を塗布して、接着剤が塗布されたサブマウント４上にミラー１３を配置して、接着剤を固化することで固定する。
【００６６】
なお、全ての光学部品及び光ファイバ５０をサブマウント４上に固定する前に、レーザダイオード１１から出射しコリメートレンズ１６を介してミラー１３に入射する光が光ファイバ５０のコアの入射するように、サブマウント４上において、いずれかの光学部品或いは光ファイバ５０の位置を微調整する必要がある。例えば、以下に説明するようにミラー１３の位置を微調整することが考えられる。まず、ミラー１３以外の光学部品及びコネクタ４１をサブマウント４上に固定し、コネクタ４１から電力を供給することで、レーザダイオード１１から光が出射可能な状態とする。次に、光ファイバ５０をサブマウント４上に固定する。その後、接着剤が塗布されたサブマウント４上にミラー１３を配置して、コネクタ４１から電力をレーザダイオード１１に印加し、それぞれのレーザダイオード１１から光を出射する。このレーザダイオード１１から出射する光が光ファイバ５０のコアに入射するようにそれぞれのミラー１３の位置を微調整する。例えば、光ファイバ５０の他端から出射する光のエネルギーが最大となるように、ミラー１３の位置を微調整する。こうしてミラー１３の位置が確定する。そして、ミラー１３の位置が確定した後に、ミラー１３が配置されている接着剤を固化して、ミラー１３を固定する。
【００６７】
こうして、それぞれの光ファイバを含む光学部品、コネクタ４１がサブマウント４上に固定される。
【００６８】
（はんだ配置工程Ｐ１２）
はんだ配置工程Ｐ１２は、ベースプレート２の上面にはんだ７を配置する工程である。図８は本工程後の様子を図３と同様の視点で示す断面図である。はんだ配置工程Ｐ１２では、少なくとも高位置領域２２の一部にはんだ７を配置する。なお、後に詳述するサブマウント固定工程Ｐ１４前におけるレーザダイオード１１の直下にははんだ７が配置されない。
【００６９】
（サブマウント配置工程Ｐ１３）
サブマウント配置工程Ｐ１３は、上面にレーザダイオード１１などの光学部品が載置されたサブマウント４をベースプレート２の上面にはんだ７を介して重ねる工程である。図９は、はんだ７を介してベースプレート２とサブマウント４とを重ねた様子を図３と同様の視点で示す断面図である。図９からわかるように、レーザダイオード１１の直下にははんだ７が配置されていない。
【００７０】
（サブマウント固定工程Ｐ１４）
サブマウント固定工程Ｐ１４は、はんだ７を加熱してベースプレート２とサブマウント４とをはんだ７によって固定する工程である。はんだ７の加熱は、例えば、ベースプレート２を不図示のヒーター上に配置してベースプレート２を加熱することによって行われる。ベースプレート２をヒーター上に配置し、はんだ７が溶融するまで当該ヒーターではんだ７を加熱する。このようにしてはんだ７を溶融させることによって、はんだ７を高位置領域２２から発光素子投影領域２１へと濡れ広がらせることができる。その後、はんだ７が固化する温度までヒーターの温度を下げ、はんだ７を固化する。
【００７１】
上記のようにしてサブマウント４とベースプレート２とをはんだ付けする際、はんだ７が溶融している状態でサブマウント４とベースプレート２とが互いに近付く方向に押圧することが好ましい。このように押圧することによって、ベースプレート２及びサブマウント４のはんだ濡れ性を向上させやすくなる。この押圧は、例えば、サブマウント４を吸着コレットに固定し、当該吸着コレットをベースプレート２側に押しつけるようにしてサブマウント４に荷重を掛ければよい。このようにサブマウント４が押圧される場合であっても、厚板部４ａにレーザダイオード１１が載置されていることによって、サブマウント４のうちレーザダイオード１１が載置される部位に撓みが生じることを抑制することができる。
【００７２】
また、はんだ７が溶融している状態でサブマウント４とベースプレート２との少なくともいずれかに振動を加えることも好ましい。このように振動を加えることによっても、ベースプレート２及びサブマウント４のはんだ濡れ性を向上させやすくなる。この振動は、例えば、はんだ７を加熱する上記ヒーターに超音波を印加することによって加えられる。
【００７３】
上記のようにして、図３に示すように、ベースプレート２とサブマウント４とがはんだ７によって固定された状態となる。
【００７４】
（蓋体固定工程Ｐ１５）
蓋体固定工程Ｐ１５は、枠体３２及びトッププレート３１を含む蓋体３をベースプレート２上に固定する工程である。図１０は、本工程の様子を示す図である。
【００７５】
本工程では、まず、光学部品、コネクタ４１が搭載されたサブマウント４がはんだ７により固定されたベースプレート２上に蓋体３を配置する。このとき、枠体３２がサブマウント４を囲むようにして、切り欠き３５ａからホルダ５１と共に光ファイバ５０を枠体３２の外側に導出させると共に、切り欠き３５ｂからコネクタ４１を枠体３２の外側に導出させる。また、ベースプレート２のそれぞれのねじ孔２７と鍔部３３のそれぞれのねじ孔３７とが貫通するように、ベースプレート２と蓋体３とを位置合わせする。なお、上記のようにベースプレート２と蓋体３の鍔部３３との間にシリコーン樹脂を介在させる場合には、当該シリコーン樹脂を予め鍔部３３におけるベースプレート２側の面に貼り付けておく。こうして、ベースプレート２上に蓋体３が配置される。
【００７６】
次に、互いに貫通したベースプレート２のねじ孔２７と鍔部３３のねじ孔３７のそれぞれにねじ２５を螺入して、蓋体３をベースプレート２上に固定する。更に、上記のように予め光ファイバ５０に挿通しておいたブッシュ５５を切り欠き３５ａに嵌め込んで固定する。また、コネクタ４１のそれぞれの導体をブッシュ４５の孔に挿通して、ブッシュ４５を切り欠き３５ｂに嵌め込んで固定する。ブッシュ５５やブッシュ４５の固定は、例えば接着により行う。
【００７７】
こうして、図１に示す光モジュールを得る。
【００７８】
上記光モジュール１の製造方法によれば、上記のようにはんだ配置工程Ｐ１２において高位置領域２２を含む位置にはんだ７が配置される。これにより、サブマウント固定工程Ｐ１４において加熱されて溶融したはんだ７は、高位置領域２２から高位置領域２２よりも低い発光素子投影領域２１に濡れ広がりやすくなる。したがって、高位置領域２２及び発光素子投影領域２１を含む広い範囲にはんだ７が濡れ広がり易く、レーザダイオード１１の直下においてサブマウント４とベースプレート２とをはんだ付けし易くなる。
【００７９】
はんだ７を溶融させて濡れ広がらせた後に冷却して固化させる場合、溶融される前にはんだ７が配置されていた位置には、他の位置に比べてはんだ７にボイドが形成され易い傾向がある。これには以下の理由が考えられる。ベースプレート２上にはんだ７を配置する際、はんだ７とベースプレート２との間には、僅かな隙間が形成される場合がある。このような隙間が形成された状態ではんだ７が溶融されると、最初にはんだ７が配置されていた個所でははんだ７の動きが小さいため、上記隙間に存在する空気がはんだ７とベースプレート２との間に残りやすい。その結果、はんだ７にボイドが形成され易くなる。よって、上記のように、サブマウント固定工程Ｐ１４の前においてレーザダイオード１１の直下にはんだ７を配置しないことによって、レーザダイオード１１の直下にボイドが形成されることを抑制することができる。したがって、レーザダイオード１１からベースプレート２への熱の伝達がボイドによって阻害されることを抑制することができる。このように、レーザダイオード１１の直下のはんだ７にボイドが形成されることを抑制する観点からは、図９に示す発光素子投影領域２１の端とはんだ配置工程Ｐ１２において配置されるはんだ７との距離ｄは、０≦ｄであることが好ましい。ただし、発光素子投影領域２１に溶融したはんだ７を濡れ広がらせ易くする観点からは、距離ｄは小さいことが好ましい。したがって、０＝ｄであることがより好ましい。
【００８０】
また、発光素子投影領域２１と高位置領域２２とが傾斜面２３で繋がっていることによって、高位置領域２２に配置されたはんだ７が加熱されて溶融した際に、溶融したはんだ７が高位置領域２２から発光素子投影領域２１へとより濡れ広がりやすくなる。したがって、レーザダイオード１１の直下においてサブマウント４とベースプレート２とをはんだ付けすることがより容易になる。また、本実施形態では、発光素子投影領域２１がベースプレート２の上面のうち最も低い部位を含むことによって、溶融したはんだ７が発光素子投影領域２１により濡れ広がり易くなる。
【００８１】
また、本実施形態では、発光素子投影領域２１と発光素子投影領域２１に対向するサブマウント４の下面の一部とが平行となることによって、発光素子投影領域２１の上に溶融したはんだ７を均一な厚さで濡れ広がらせることが容易になる。したがって、レーザダイオード１１の直下においてサブマウント４とベースプレート２と均一な厚さではんだ付けすることが容易になり、レーザダイオード１１からベースプレート２へと効率良く熱を伝えることがより容易になる。
【００８２】
また、上記のようにベースプレート２に突起部２５が設けられることによって、サブマウント４を突起部２５に当接させてサブマウント４の配置を決めることができるので、サブマウント４の位置決めが容易になる。上記のように、発光素子投影領域２１は高位置領域２２よりも低く、本実施形態では、上記のようにベースプレート２が傾斜面２３を有すると共にサブマウント４が傾斜面２３と平行になる傾斜面４３を有する。したがって、サブマウント固定工程Ｐ１４において、サブマウント４は高位置領域２２から発光素子投影領域２１の方向へとベースプレート２に対して相対的に移動し易い。ここで、上記のように発光素子投影領域２１の高位置領域２２とは反対側に突起部２５が形成されることによって、上記のように高位置領域２２から発光素子投影領域２１の方向へと移動するサブマウント４を突起部２５に当接させてサブマウントの配置決めをすることが容易になる。このようなサブマウント４のベースプレート２に対する相対的な移動は、サブマウント固定工程Ｐ１４において上記のように押圧されたり振動を加えられたりする場合、より顕著になる。
【００８３】
また、サブマウント固定工程Ｐ１４において、溶融したはんだ７は高位置領域２２から発光素子投影領域２１の方向に流れ易い。上記のように突起部２５がベースプレート２に設けられることによって、上記のように発光素子投影領域２１側に流れる溶融したはんだ７がベースプレート２とサブマウント４との間から漏れ出ることを抑制することができる。このようにはんだ７が漏れ出ることが抑制されることによって、蓋体３とベースプレート２との間にはんだ７が挟まれて気密性が低下することを抑制することができる。
【００８４】
また、上記のように突起部２５が設けられることによって、サブマウント固定工程Ｐ１４で溶融したはんだ７を発光素子投影領域２１に留め易くなる。レーザダイオード１１が発する熱をベースプレート２へと効率良く伝えて放熱させる観点からは、特に発光素子投影領域２１にはんだ７が濡れ広がることが好ましい。上記のように溶融したはんだ７が発光素子投影領域２１に留められることによって、はんだ７が余計な場所に濡れ広がることが抑制されるので、はんだ７の使用量を抑制しつつ発光素子投影領域２１にはんだ７を濡れ広がらせ得る。
【００８５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図１１を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【００８６】
図１１は、本発明の第２実施形態に係る光モジュール１ａを図３と同様の視点で示す断面図である。
【００８７】
本実施形態の光モジュール１ａでは、サブマウント投影領域２０が全体的に傾斜している。したがって、発光素子投影領域２１が傾斜すると共に高位置領域２２も発光素子投影領域２１と同様に傾斜している。これにより、図１１に示す断面において、ベースプレート２の一部は、突起部２５とは反対側の端から突起部２５側に向かって徐々に薄くなっている。このため、ベースプレート２のうち突起部２５側に薄板部２ａが形成される。また、本実施形態のサブマウント４では、傾斜したサブマウント投影領域２０と平行になるように、下面が全体的に傾斜している。すなわち、サブマウント４は突起部２５に当接する側とは反対側の端から突起部２５に当接する側に向かって徐々に厚くなっている。このため、サブマウント４のうち突起部２５に当接する側が厚板部４ａとされる。
【００８８】
このような光モジュール１ａは、上記第１実施形態の光モジュール１と同様の工程で作製することができる。本実施形態の光モジュール１ａでは、サブマウント投影領域２０は上記のように全体的に傾斜しており、発光素子投影領域２１と高位置領域２２とは一連の斜面となっている。このため、はんだ配置工程Ｐ１２においてはんだ７が高位置領域２２のどの位置に配置されても、サブマウント固定工程Ｐ１４において溶融したはんだ７が発光素子投影領域２１へと濡れ広がり易い。したがって、本実施形態では、はんだ配置工程Ｐ１２においてはんだ７を配置するときの自由度を高めることができる。
【００８９】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について図１２を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【００９０】
図１２は、本発明の第３実施形態に係る光モジュール１ｂを図３と同様の視点で示す断面図である。
【００９１】
本実施形態の光モジュール１ｂでは、発光素子投影領域２１が全体的に傾斜している。これにより、図１２に示す断面において、ベースプレート２の一部は、突起部２５とは反対側の端から突起部２５側に向かって徐々に薄くなっている。このため、ベースプレート２のうち突起部２５側に薄板部２ａが形成される。また、本実施形態のサブマウント４では、傾斜した発光素子投影領域２１と平行になるように、下面の一部が傾斜している。すなわち、サブマウント４は突起部２５に当接する側とは反対側の端から突起部２５に当接する側に向かって徐々に厚くなっている。このため、サブマウント４のうち突起部２５に当接する側が厚板部４ａとされる。
【００９２】
このような光モジュール１ｂは、上記第１実施形態の光モジュール１と同様の工程で作製することができる。本実施形態の光モジュール１ｂでは、ベースプレート２の上面のうち発光素子投影領域２１を含む部位が上記のように傾斜していることによって、サブマウント固定工程Ｐ１４において溶融したはんだ７が発光素子投影領域２１の全体へと濡れ広がり易い。
【００９３】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について図１３を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【００９４】
図１３は、本発明の第４実施形態に係る光モジュール１ｃを図３と同様の視点で示す断面図である。
【００９５】
本実施形態のベースプレート２では、上面のうち一部に階段状に凹んだ凹部が形成されることによって、相対的に他の部位より薄い薄板部２ａが形成されている。また、本実施形態のサブマウント４では、ベースプレート２の上記凹部に対応して階段状に突出した凸部が下面の一部に形成されることによって、相対的に他の部位より厚い厚板部４ａが形成されている。ただし、ベースプレート２の凹部はサブマウント４の凸部より大きく、ベースプレート２の凹部とサブマウント４の凸部とが嵌め合わされたときに両者の間に隙間が形成される。
【００９６】
このような光モジュール１ｃは、上記第１実施形態の光モジュール１と同様の工程で作製することができる。はんだ配置工程Ｐ１２において高位置領域２２に配置されたはんだ７は、サブマウント固定工程Ｐ１４において溶融し、ベースプレート２の凹部とサブマウント４の凸部との間に形成される上記隙間から発光素子投影領域２１へと濡れ広がることができる。
【００９７】
以上、本発明について、第１から第４実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９８】
例えば、上記実施形態では、はんだ配置工程Ｐ１２においてレーザダイオード１１の直下にはんだ７が配置されない場合を例示して説明したが、はんだ配置工程Ｐ１２においてレーザダイオード１１の直下にはんだ７が配置されても良い。上記のように、はんだ７を溶融させて濡れ広がらせた後に冷却して固化させる場合、溶融される前にはんだ７が配置されていた位置には、他の位置に比べてはんだ７にボイドが形成され易い傾向がある。しかし、はんだ配置工程Ｐ１２においてレーザダイオード１１の直下にはんだ７が配置される場合であっても、高位置領域２２にもはんだ７が配置されることによって、はんだ７が溶融されたときに高位置領域２２から濡れ広がるはんだ７がレーザダイオード１１の直下の空気を押し出すと考えられる。したがって、はんだ配置工程Ｐ１２においてレーザダイオード１１の直下にはんだ７が配置される場合であっても、高位置領域にもはんだ７が配置されることによって、レーザダイオード１１の直下にボイドが形成されることを抑制することができる。
【００９９】
また、上記第１から第４実施形態では、突起部２５が発光素子投影領域２１の三方を囲うように形成される例を挙げて説明したが、突起部２５は、発光素子投影領域２１の高位置領域２２とは反対側の少なくとも一部に設けられれば良い。なお、突起部２５は必須の構成要素ではなく設けられていなくても良い。突起部２５が設けられない場合は、所定の治具を用いてサブマウント４の位置決めを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上説明したように、本発明による光モジュールは、例えば、ファイバレーザ装置等の分野において使用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ・・・光モジュール
２・・・ベースプレート
３・・・蓋体
４・・・サブマウント
７・・・はんだ
１１・・・レーザダイオード
１２・・・レーザマウント
１３・・・ミラー
１４・・・第１集光レンズ
１５・・・第２集光レンズ
１６・・・コリメートレンズ
４５，５５・・・ブッシュ
５０・・・光ファイバ
５２・・・ファイバマウント
Ｐ１１・・・部品固定工程
Ｐ１２・・・はんだ配置工程
Ｐ１３・・・サブマウント配置工程
Ｐ１４・・・サブマウント固定工程
Ｐ１５・・・蓋体固定工程
【図１】
2018098365.tif 000003
【図２】
2018098365.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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