(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接する電極領域間のクロストークを回避するための、費用も時間もかからない、有機電子デバイスを作成する方法を提供する。【解決手段】ａ）ａａ）第一電極構造および非電極部を有する基板３１と、ｂｂ）グリッド材料３２で形成されたグリッドであって、グリッドの複数の開口領域が第一電極構造の少なくとも一部の上方に配置され、グリッド材料が非電極部の少なくとも一部の上方に配置されている、グリッドと、ｃｃ）少なくとも１Ｅ‐７Ｓ／ｃｍの導電率を有する少なくとも一層のレドックスドープ層を含む積層３３であって、グリッド上に堆積される積層と、を含む有機電子デバイスを作成する工程と、ｂ）前記層構造に、持続時間が１０ｍｓ未満でありエネルギーが１パルスにつき０．１から２０Ｊ／ｃｍ２、または１から１０Ｊ／ｃｍ２である光パルスを照射する工程と、を含む、方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）有機電子デバイスを作成するのに適用可能な層構造を提供する工程であって、前記層構造は、
ａａ）第一電極構造および非電極部を有する基板と、
ｂｂ）グリッド材料で形成されたグリッドであって、前記グリッドの複数の開口領域が前記第一電極構造の少なくとも一部の上方に配置され、前記グリッド材料が前記非電極部の少なくとも一部の上方に配置されている、グリッドと、
ｃｃ）少なくとも１Ｅ‐７  Ｓ／ｃｍの導電率を有する少なくとも一層のレドックスドープ層を含む積層であって、前記グリッド上に堆積される積層と、を含み、
吸光光度法によって測定された前記グリッド材料の光学密度は前記複数の開口領域の光学密度より高い、工程と、
ｂ）前記層構造に、持続時間が１０ｍｓ未満でありエネルギーが１パルスにつき０．１から２０  Ｊ／ｃｍ２、または１から１０  Ｊ／ｃｍ２である光パルスを照射する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記積層は発光層をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記グリッド材料はフォトレジストを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記層構造は、前記積層の上端の上に配置された第二電極をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記層構造は、前記第二電極の上端の上に配置されたバリア層をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
照射はフラッシュランプを用いて行われ、前記フラッシュランプはキセノンまたはＬＥＤまたはレーザー光源である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記積層の厚みの合計は１０ｎｍより大きく５０００ｎｍ未満、または３０ｎｍより大きく３００ｎｍ未満、かつ／または、前記グリッドの厚みは前記少なくとも一層のレドックスドープ層の厚みより大きい、または５００ｎｍより大きく１００００ｎｍ未満である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ｉ．前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントから成り、または
ｉｉ．前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントおよびマトリクス材料から成り、前記マトリクス材料は電荷移動材料であり、または
ｉｉｉ．前記少なくとも一層のレドックスドープ層は、注入材料から成る第一層と、電荷移動材料から成る第二層とから成る二重層であり、前記電荷移動材料はレドックスドープされていてもよく、されていなくてもよい、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記レドックスドーパントは、
１．ｐ型ドーパントであって、当該ｐ型ドーパントは、
１．１．分子量が約３５０から約１７００である有機または有機金属分子ドーパントであって、当該有機または有機金属分子ドーパントは、ジマロノニトリル化合物、芳香族／複素環式芳香族ニトリル化合物、フラーレン誘導体、または式１のラジアレン誘導体から選択され、式１においてＡｒ１−３は同じであるか異なり、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリールから選択される、有機または有機金属分子ドーパント、
【化１】
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または、
１．２．ＭｏＯ３およびＶ２Ｏ５から選択される遷移金属酸化物、または、
１．３．ルイス酸であって、（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物であり、元素周期系の第１から第１２族の金属のビス（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物から選択され、前記第１から第１２族の金属は、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇまたはそれらの混合物から選択される、ルイス酸
であり、
または、
２．ｎ型ドーパントであって、当該ｎ型ドーパントは、
２．１．分子量が約３００から約１５００である有機または有機金属分子ドーパント、または
２．２．金属ドーパントであって、当該金属ドーパントは、分子量が約２５から約５００の金属ハロゲン化物、分子量が約１５０から約１５００の金属錯体、および０価金属から成る群から選択され、当該０価金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および希土類金属から成る群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記注入材料は、
１．ｐ型材料であって、当該ｐ型材料は、
１．１．分子量が約３５０から約１７００である有機または有機金属分子ドーパントであって、当該有機または有機金属分子ドーパントは、ジマロノニトリル化合物、芳香族／複素環式芳香族ニトリル化合物、フラーレン誘導体、または式１のラジアレン誘導体から選択され、式１においてＡｒ１−３は同じであるか異なり、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリールから選択される、有機または有機金属分子ドーパント、
【化２】
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または
１．２．ＭｏＯ３およびＶ２Ｏ５から選択される遷移金属酸化物、または、
１．３．ルイス酸であって、（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物であり、元素周期系の第１から第１２族の金属のビス（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物から選択され、前記第１から第１２族の金属は、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇまたはそれらの混合物から選ばれてよい、ルイス酸、または
１．４．ＭｇＦ２であってよい金属ハロゲン化物
であり、
または、
２．ｎ型材料であって、当該ｎ型材料は、
２．１．分子量が約３００から約１５００である有機または有機金属分子ドーパント、または
２．２．金属ドーパントであって、当該金属ドーパントは、分子量が約２５から約５００の金属ハロゲン化物、分子量が約１５０から約１５００の金属錯体、および０価金属から成る群から選ばれ、当該０価金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および希土類金属から成る群から選択される、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第一電極構造は、前記基板上の多数の画素を構成し、前記多数の画素の画素ギャップは、５０μｍ未満、または１μｍより大きく３０μｍ未満であり、画素ピッチは１５０μｍ未満、または２μｍより大きく１２５μｍ未満である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法によって得られる、有機電子デバイス。
【請求項１３】
ＯＬＥＤ、光検知器、トランジスタ、または太陽電池である、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の有機電子デバイスを有するデバイス。
【請求項１５】
表示デバイスである、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第一電極構造が、前記表示デバイスの画素を構成する、請求項１５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュライト照射を用いて有機電子デバイスを作成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子工学では、クロストークとは、一つの回路またはデバイスに送られた信号が他の回路またはデバイスに望ましくない効果をもたらす現象である。クロストークは通常、一つの回路またはデバイス素子もしくはそれらの一部から、他の回路またはデバイス素子もしくはそれらの一部への、望ましくない静電結合、誘電結合、または導電結合によって引き起こされる。回路間またはデバイス素子間の距離が非常に短い電子デバイス、例えば高解像度ディスプレイスクリーンや、高解像度アクティブマトリクス有機電子ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイまたは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイや、光検知器アレイや、イメージセンサでは、クロストークの弊害は特に目立っている。根本原因は、通常、隣接する回路間またはデバイス素子間に、デバイスアレイに用いられる共通の導電層または導電材料がもたらす導電路である。
【０００３】
例えば、共通の導電層はディスプレイＯＬＥＤの電極上の電荷注入層、またはディスプレイＯＬＥＤ中の電荷発生層（ＯＧＬ）中の導電層でありうる。そのような導電注入層は、ディスプレイの画素中の、すべてではないにしてもいくつかのＯＬＥＤ間で共有されうるので、「共通」層と称される。このため、電流が、アドレスされた画素から、アドレスされていない隣接画素へと、導電層を通って流れうる。これにより、隣接画素が、スイッチを入れられていないのに発光するという望ましくない結果がもたらされる。ディスプレイＯＬＥＤの導電層は、通常、レドックスドープされた電荷移動層である。
【０００４】
クロストークを減らすいくつかの方法が、関連する従来技術に記載されている。例えば、有機機能材料（もっとも一般的には発光層）を、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）によって、共通の導電層または電荷移動層上に真空蒸着することによって、ＯＬＥＤディスプレイを産業的に大規模に製造する（特許文献１）。ＦＭＭを用いて、表示装置のＯＬＥＤ中のすべての機能的有機層を分離し、それによって電気クロストークが発生する可能性を減らしてよい。回路またはデバイス素子を空間的に分離する他の方法として、非特許文献１に記載されたマイクロおよびナノパターニング技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第２００８１００２０４号明細書（２００８年５月１日公開）
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｍｅｎａｒｄ  ｅｔ  ａｌ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，１１１７−１１６０“Micro- and Nanopatterning Techniques for Organic Electronic and Optoelectronic Systems”
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の方法は、費用と時間がかかるという欠点がある。
【０００８】
共通の導電層の厚みを１０ｎｍ未満の最小値に減らすことでクロストーク現象を減らすことができるが、デバイスの性能がしばしば犠牲になる。ドーピング濃度を１ｗｔ％より大幅に低くまで減らす場合も同様である。他の選択肢は、回路間またはデバイス素子間の距離を増やすことである。しかしこれは、デバイス密度および解像度を高めるという電子産業の大望に反する。
【０００９】
走査ビーム法を用いて、隣接する回路間またはデバイス素子間の共通導電層を選択的に無効にすることができる。特に大規模な応用では、これらの技術は時間がかかりすぎる。
【００１０】
したがって、従来技術を踏まえて、本発明の目的は、従来技術の諸欠点を克服する、隣接する回路またはデバイス素子のアレイから構成されうる個々の有機電子デバイス、および一個の有機電子デバイスを作成する方法を提供することである。特に、有機電子デバイスに含まれる隣接する電極領域間の電気クロストークを回避するための、有機電子デバイスの作製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本方法は費用も時間もかからず、すぐれたデバイス性能を得るのに適している。
【００１２】
この目的は、第一に、
ａ）有機電子デバイスを作成するのに適用可能な層構造を提供する工程であって、前記層構造は、
ａａ）第一電極構造および非電極部を有する基板と、
ｂｂ）グリッド材料で形成されたグリッドであって、前記グリッドの複数の開口領域が前記第一電極構造の少なくとも一部の上方に配置され、前記グリッド材料が前記非電極部の少なくとも一部の上方に配置されている、グリッドと、
ｃｃ）少なくとも１Ｅ‐７  Ｓ／ｃｍの導電率を有する少なくとも一層のレドックスドープ層を含む積層であって、前記グリッド上に堆積される積層と、を含み、
吸光光度法によって測定された前記グリッド材料の光学密度は前記複数の開口領域の光学密度より高い、工程と、
ｂ）前記層構造に、持続時間が１０ｍｓ未満、または０．１から１０ｍｓであり、エネルギーが１パルスにつき０．１から２０  Ｊ／ｃｍ２、または１から１０  Ｊ／ｃｍ２である光パルスを照射する工程と、を含む、方法によって達成された。
本発明における「有機電子デバイスを作成するのに適用可能な層構造」とは、本技術分野で公知の、それぞれ層化された有機電子デバイスの一部と解されたい。本開示によれば、前記層構造は、基板と、第一電極構造と、グリッドと、積層を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】層構造を有する基板を、流体冷却型キセノンフラッシュランプの下方に置いた概略図である。
【図２】クロストーク電流を測定するためのテストレイアウトを示す。
【図３】層構造の、ａ）照射前、ｂ）照射中、ｃ）照射後の概略断面図である。
【図４】グリッドを有するレドックスドープ層と有さないレドックスドープ層の抵抗比を示す。
【図５】画素化したＯＬＥＤレイアウトにおける基板上のグリッドの上面図（広域および詳細）である。
【図６】照射前および照射後におけるクロストーク電流比を示す。
【図７】グリッドの光学密度対第一電極の光学密度を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本方法は費用も時間もかからず、すぐれたデバイス性能を得るのに適している。
【００１５】
この目的は、第一に、
ａ）有機電子デバイスを作成するのに適用可能な層構造を提供する工程であって、前記層構造は、
ａａ）第一電極構造および非電極部を有する基板と、
ｂｂ）グリッド材料で形成されたグリッドであって、前記グリッドの複数の開口領域が前記第一電極構造の少なくとも一部の上方に配置され、前記グリッド材料が前記非電極部の少なくとも一部の上方に配置されている、グリッドと、
ｃｃ）少なくとも１Ｅ‐７  Ｓ／ｃｍの導電率を有する少なくとも一層のレドックスドープ層を含む積層であって、前記グリッド上に堆積される積層と、を含み、
吸光光度法によって測定された前記グリッド材料の光学密度は前記複数の開口領域の光学密度より高い、工程と、
ｂ）前記層構造に、持続時間が１０ｍｓ未満、または０．１から１０ｍｓであり、エネルギーが１パルスにつき０．１から２０  Ｊ／ｃｍ２、または１から１０  Ｊ／ｃｍ２である光パルスを照射する工程と、を含む、方法によって達成された。
本発明における「有機電子デバイスを作成するのに適用可能な層構造」とは、本技術分野で公知の、それぞれ層化された有機電子デバイスの一部と解されたい。本開示によれば、前記層構造は、基板と、第一電極構造と、グリッドと、積層を含む。
【００１６】
一つの実施形態では、前記基板は、例えばＵＳ２００５２４７９４６に記載されているような、ガラスまたはプラスチック基板でよい。
【００１７】
他の実施形態では、前記基板は、シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）バックプレーン、またはポリシリコンバックプレーン（例えば、サムスンＳＤＩ社（韓国、京畿道、龍仁市）またはＡＵ  Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ社（台湾）の提供するもの）でよい。
【００１８】
さらなる実施形態では、前記第一電極構造は、例えばＵＳ２００５２４７９４６に記載されているような、画素電極でよい。
【００１９】
一つの実施形態では、前記第一電極は、カソード、アノード、ソース電極、ドレイン電極、またはゲート電極でよい。
【００２０】
他の実施形態では、前記積層は、例えばＵＳ２００５２４７９４６に記載されているＯＬＥＤを構成する。
【００２１】
一つの実施形態では、前記グリッド材料は有機ポリマーを含む。
【００２２】
さらなる実施形態では、前記グリッド材料は無機化合物を含み、当該無機化合物は金属化合物でよい。
【００２３】
一つの実施形態では、前記グリッド材料は金属または合金である。
【００２４】
他の実施形態では、前記グリッド材料は、有機化合物および無機化合物を含む複合材料である。
【００２５】
他の実施形態では、前記グリッド材料は、有機化合物および少なくとも一つの金属を含む複合材料である。
【００２６】
前記積層は、前記少なくとも一層のレドックスドープ層に加えて、有機電子デバイスを構成するのに好適にするため、本技術分野で周知の層をさらに含んでよい。しかし、他の実施形態では、前記積層はレドックスドープ層のみから成ってよい。本実施形態における前記積層のさらなる層は、前記照射する工程を終えたあと、前記レドックスドープ層上に堆積してよい。前記層構造は、さらなる諸要素、特にさらなる諸層、さらなる電極、カプセル封入、または本技術分野で公知の他の任意の素子と組み合わせて、一つの有機電子デバイスの作製に好適になるというかたちで、各有機電子デバイスの作成に適用可能である。
【００２７】
前記基板は第一電極構造を含む。当該第一電極構造は、前記第一電極構造と前記積層間の直接的な電気接触が保証されるという前提が守られる限り、前記基板内に含まれるまたは前記基板上に堆積されるというかたちで、前記基板に含まれてよい。
【００２８】
一つの実施形態では、第一電極構造はアノードである。アノード電極を形成するのに用いられる化合物は、正孔注入を容易にするため高仕事関数化合物でよい。アノード材料は、低仕事関数材料（例えば、アルミニウム）から選ばれてもよい。アノード電極は透明電極または反射性電極でよい。透明導電性化合物（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、スズ二酸化物（ＳｎＯ２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ））を用いてアノード電極を形成してよい。アノード電極は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムリチウム（Ａｌ‐Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム‐インジウム（Ｍｇ‐Ｉｎ）、マグネシウム‐銀（Ｍｇ‐Ａｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを用いて形成してもよい。
【００２９】
一つの実施形態では、第一電極はカソードである。カソード電極は、少なくとも一層の実質的に金属のカソード層を含み、当該カソード層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、第３族遷移金属、およびそれらの混合物から成る群から選択される第一の０価金属を含む。
【００３０】
「実質的に金属の」という語は、実質的な元素形態において少なくとも部分的に金属である金属を含むと解されるべきである。「実質的な元素」という語は、電子の状態およびエネルギーの観点から、および含有される金属原子の化学結合の観点から、元素金属または自由金属原子の形態により近い、あるいは金属原子のクラスタの形態により近く、さらに、有機金属化合物または金属と非金属との共有結合を含む他の化合物の金属塩の形態により近く、あるいは金属の配位化合物の形態により近い形態として解されるべきである。合金は、元素金属単体の他に、アトマイズ金属、金属分子、金属クラスタ、金属の実質的な元素形態である他の任意の例を表わすと解されるべきである。
【００３１】
他の態様によれば、実質的に金属のカソード層は、金属ハロゲン化物を含まず、かつ／または、金属有機錯体を含まない。
【００３２】
一つの実施形態では、前記第一電極構造は透明である。前記第一電極構造は前記基板上に配置されてよく、または前記基板中に含まれてもよい。
【００３３】
前記グリッドは、グリッド材料から成る相互に連結した複数の部分から形成される。グリッド材料は固体材料でよい。相互に連結した複数の部分の構造は、多数の開口領域を含む。前記開口領域は、第一電極構造の少なくとも一部の上方に配置されている。前記開口領域は、第一電極構造全体の上方に配置されてよい。前記開口領域の特徴は、グリッド材料をまったく含まないことである。これは、第一電極が、グリッド上に配置された積層と直接接触できるようにするためである。積層はグリッド上に配置され、相互に連結した複数の部分（すなわち、グリッド材料）および開口領域を覆ってよい。
【００３４】
グリッドの底辺は、基板と直接接触してよい。グリッドのうち、底辺以外の部分は積層と直接接触してよい。
【００３５】
積層は、第一電極およびグリッド材料と直接接触してよい。
【００３６】
一つの実施形態では、積層と第一電極との間に中間層が存在してよい。前記中間層は、表面の性質が改変された第一電極の表面領域でよい。
【００３７】
他の実施形態では、グリッドと基板との間に中間層が存在してよい。前記中間層は、表面の性質が改変されたグリッドまたは基板の表面領域でよい。
【００３８】
他の実施形態では、積層とグリッド材料との間に中間層が存在してよい。前記中間層は、表面の性質が改変されたグリッドの表面領域でよい。
【００３９】
積層の個々の層は閉鎖層でよい。
【００４０】
一つの実施形態では、積層中の個々の層は非閉鎖層でよい。これは、積層中の個々の層は第一電極の上方のみに配置されてよい、または積層中の個々の層はグリッド材料の上方のみに配置されてよいという意味においてである。
【００４１】
他の実施形態では、グリッド材料に表面処理を施して、当該グリッド材料の表面の性質を改変してよい。前記表面処理はプラズマ処理でよい。さらなる実施形態では、積層中の層の少なくとも一層が、グリッドの相互に連結した複数の部分を覆うマスクを用いて、開口領域の中のみに堆積される。
【００４２】
一つの実施形態では、グリッドの相互に連結した複数の部分は、ＵＳ２００５２４７９４６に記載されているような、第一電極構造を露出させる画素画定層を構成してよい。
【００４３】
本発明の積層は、少なくとも一層のレドックスドープ層を含む。レドックスドープ層はエミッタドーパントを含まない。本開示に係るレドックスドープ層は、導電率が１Ｅ‐７  Ｓ／ｃｍ以上である。導電率は、テクトロニクス（米国、ビーバートン）が提供するパラメータ分析器ケースレー４２００Ａ‐ＳＣＳで測定してよい。レドックスドープ層は、積層の底部または上端に配置してよく、もしくは積層中の一層であってよい。
【００４４】
一つの実施形態では、前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントから成る。
【００４５】
他の実施形態では、前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントとマトリクス材料を含んでよく、当該マトリクス材料は有機マトリクス材料でよい。
【００４６】
前記マトリクス材料は電荷移動材料でよい。
【００４７】
さらなる実施形態では、前記少なくとも一層のレドックスドープ層は、注入材料から成る第一層と、電荷移動材料から成る第二層とから成る二重層であり、前記電荷移動材料はレドックスドープされていてもよく、されていなくてもよい。
【００４８】
他の実施形態では、多数のレドックスドープ層が互いに直接接触している。
【００４９】
他の実施形態では、隣接するレドックスドープ層は、厚みが約０．５から約１０ｎｍである中間層によって分けられている。当該中間層は有機でも無機でもよい。
【００５０】
さらなる実施形態では、前記中間層は金属、金属錯体、金属塩、またはそれらの混合物から成ってよい。
【００５１】
さらなる実施形態では、前記中間層は、有機電荷移動材料から成ってよい。
【００５２】
レドックスドープ層に加えて、積層は、有機電子デバイスを形成するのに好適になるため、本技術分野で公知のさらなる層を含んでよい。積層の個々の層の順番、種類、および数は特に定義されず、限定されない。
【００５３】
一つの実施形態では、前記積層は、以下から成る群から選択される一層または複数の層を含んでよい。
【００５４】
正孔注入層 （ＨＩＬ）。ＨＩＬを形成するのに用いてよい化合物の例として、フタロシアニン化合物、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４,４',４’’-tris （３‐メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ-ＭＴＤＡＴＡ）、ＴＤＡＴＡ、２Ｔ‐ＮＡＴＡ、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルフォン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３,４-エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４-スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、およびポリアニリン)／ポリ（４-スチレンスルホネート（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ））が挙げられる。前記ＨＩＬはｐ型ドーパントから成る層でよく、またはｐ型ドーパントでレドックスドープされた正孔移動マトリクス化合物から選ばれてよい。公知のレドックスドープ正孔移動材料の典型例として、テトラフルオロ-テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）でドープされた銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ） 、Ｆ４ＴＣＮＱでドープされた銅フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、Ｆ４ＴＣＮＱでドープされたα -ＮＰＤ（Ｎ,Ｎ’-ビス（ナフタレン-１-イル）-Ｎ,Ｎ'-ビス(フェニル)-ベンジジン、２,２'-（パーフルオロナフタレン-２,６-ジイリデン）ジマロノニトリルでドープされたα-ＮＰＤ、２,２',２''-（シクロプロパン-１,２,３-トリイリデン）トリス（２-（ｐ-シアノテトラフルオロフェニル）アセトニトリルでドープされたα-ＮＰＤが挙げられる。ドーパント濃度は、１から２０ｗｔ％、または３ｗｔ％から１０ｗｔ％から選択してよい。
正孔移動層（ＨＴＬ）。当該ＨＴＬは、ＨＴＬを形成するのに通常用いられる任意の化合物から形成してよい。好適に用いられる化合物が、例えばYasuhiko Shirota and Hiroshi Kageyama, Chem. Rev. 2007, 107, 953-1010に開示されており、これは参照により本願に含まれる。前記ＨＴＬを形成するのに用いてよい化合物の例としては、Ｎ‐フェニルカルバゾールまたはポリビニルカルバゾールのようなカルバゾール誘導体や、Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン（ＴＰＤ）またはＮ，Ｎ’‐ジ（ナフタレン‐１‐イル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニルベンジジン（アルファ‐ＮＰＤ）のような、芳香族縮合環を有するアミン誘導体や、４，４’，４’’‐ｔｒｉｓ（Ｎ-カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のような、トリフェニルアミンベースの化合物が挙げられる。
【００５５】
電子ブロック層（ＥＢＬ）。典型的には、前記ＥＢＬはトリアリールアミンまたはカルバゾール化合物を含む。前記電子ブロック層が高い三重項レベルを有する場合、三重項制御層と記載してもよい。三重項制御層の役割は、燐光性の緑または青の発光層が用いられる場合に、三重項の消光を減らすことである。それにより、ＯＬＥＤデバイスにおいて、燐光発光層からの発光効率をより高くすることができる。前記三重項制御層は、隣接する発光層中の燐光エミッタの三重項レベルよりも高い三重項レベルを有するトリアリールアミンから選択される。好適な三重項制御層、特にトリアリールアミン化合物が、ＥＰ２７２２９０８Ａ１に記載されている。
【００５６】
発光層（ＥＭＬ）。前記ＥＭＬはＯＬＥＤで通常用いられるものであり、ホストとエミッタドーパントの組み合わせでよい。エミッタドーパントが、ＥＭＬの発光スペクトルを主に制御する。前記ホストの例として、Ａｌｑ３、４,４'-Ｎ,Ｎ'- ジカルバゾール-ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ‐ビニルカルバゾール）ＰＶＫ）、９,１０-ジ（ナフタレン-２-イル）アントラセン（ＡＤＮ）、４,４',４''-Tris（カルバゾール-９-イル）-トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１,３,５-tris（Ｎ-フェニルベンズイミダゾール-２-イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３-tert-ブチル-９,１０-ジ-２-ナフチルアントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、ビス（２-（２-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾレート）、および亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）が挙げられる。前記エミッタドーパントは、燐光エミッタまたは蛍光エミッタでよい。効率がより高いことから、燐光エミッタおよび熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）メカニズムによって発光するエミッタを用いてよい。エミッタドーパントは低分子またはポリマーでよい。赤色エミッタドーパントの例としてＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３およびＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）が挙げられるが、これらに限定されない。これらの化合物は燐光エミッタであるが、蛍光性赤色エミッタドーパントも用いうる。
【００５７】
【化１】
2018098209.tif 000003
【００５８】
燐光性緑色エミッタドーパントの例としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３が挙げられる。それらを以下に示す。
【００５９】
【化２】
2018098209.tif 000004
【００６０】
燐光性青色エミッタドーパントの例としては、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）およびＩｒ（ｄｆｐｐｚ）３、テルフルオレンが挙げられ、それらの構造を以下に示す。４,４’‐ビス（４‐ジフェニルアミノスチリルビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１‐テトラ‐ｔｅｒｔ‐ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）は、蛍光性青色エミッタドーパントの例である。
【００６１】
【化３】
2018098209.tif 000005
【００６２】
正孔ブロック層（ＨＢＬ）。ＨＢＬを形成するのに通常用いられる任意の化合物を用いてよい。前記ＨＢＬを形成するのに用いる化合物の例として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、およびフェナントロリン誘導体が挙げられる。
【００６３】
電子移動層（ＥＴＬ）。前記ＥＴＬは、マトリクス化合物および添加物またはｎ型ドーパントを含んでよい。前記マトリクス化合物は、ベンゾ［ｋ］フルオランテン、ピレン、アントラセン、フルオレン、スピロ(ビフルオレン)、フェナントレン、ペリレン、トリプチセン、スピロ［フルオレン-９,９'-キサンテン］、コロネン、トリフェニレン、キサンテン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ジナフトフラン、アクリジン、ベンゾ［ｃ］アクリジン、ジベンゾ［ｃ,ｈ］アクリジン、ジベンゾ［ａ,ｊ］アクリジン、トリアジン、ピリジン、ピリミジン、カルバゾール、フェニルトリアゾール、ベンゾイミダゾール、フェナントロリン、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、オキサゾール、キナゾリン、ベン-ゾ［ｈ］キナゾリン、ピリド［３，２−ｈ］キナゾリン、ピリミド［４，５−ｆ］キナゾリン、キノリン、ベンゾ‐キノリン、ピロロ［２，１−ａ］イソキノリン、ベンゾフルオロ［２，３−ｄ］ピリダジン、チエノピリミジン、ジチエノチオフェン、ベンゾチエノピリミジン、ベンゾチエノピリミジン、ホスフィンオキシド、ホスホール、トリアリールボラン、２-（ベンゾ［ｄ］オキサゾール-２-イル)フェノキシ金属錯体、２-（ベンゾ［ｄ］チアゾール-２-イル)フェノキシ金属錯体またはそれらの混合物から成る群から選ばれてよい。前記添加物またはｎ型ドーパントは、金属、金属錯体、金属ハロゲン化物、グアニジンあるいはホスフィン‐イミン、アクリジンオレンジ塩基（ＡＯＢ）;テトラキス（１，３，４，６，７，８‐ヘキサヒドロ‐２Ｈ‐ピリミド［１，２‐ａ］ピリミジナト）ジタングステン（ＩＩ）（Ｗ２（ｈｐｐ）４）； ３,６-ビス-(ジメチルアミノ - アクリジン；ビス(エチレン-ジチオ(テトラチアフルバレン（ＢＥＤＴ-ＴＴＦ）；オキソカーボン；疑似オキソカーボン誘導体から成る群から選ばれてよい。
【００６４】
電子注入層（ＥＩＬ）。前記ＥＩＬは、アルカリ、アルカリ土類、または希土類金属、またはそれらの錯体または塩を含んでよい。前記ＥＩＬは、ホスフィンオキシド、ジフェニルホスフィンオキシド、ベンズイミダゾール、フェナントロリン、キナゾリン、ベンゾ［ｈ］キナゾリン、ピリド［３，２−ｈ］キナゾリンから成る群から選択される有機マトリクス化合物を含んでよい。前記ＥＩＬは、添加物またはｎ型ドーパントを含んでよい。前記添加物またはｎ型ドーパントは、金属、金属錯体、金属ハロゲン化物、グアニジンあるいはホスフィン‐イミン、アクリジンオレンジ塩基（ＡＯＢ）；テトラキス（１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１、２−ａ］ピリミジナト）ジタングステン（ＩＩ）（Ｗ２（ｈｐｐ）４）；３，６-ビス-(ジメチルアミノ）-アクリジン；ビス（エチレン-ジチオ）テトラチアフルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）；オキソカーボン；疑似オキソカーボン誘導体から成る群から選ばれてよい。
電荷発生層（ＣＧＬ）。前記ＣＧＬは、ＵＳ２０１２０９８０１２ＡにＯＬＥＤで使用するものとして記載されているが、他の電子デバイスに用いてよい。前記ＣＧＬは一般に二重層から成り、当該二重層ＣＧＬの二つの層は、厚みが約０．５から約１０ｎｍの中間層によって分けられてよい。前記中間層の材料は、金属、金属錯体、金属塩、または有機化合物でよい。
【００６５】
前記ＣＧＬは、ｐ型ＣＧＬとｎ型ＣＧＬをつなげるｐｎ接合ＣＧＬでありうる。前記ｐ型ＣＧＬは、ｐ型ドーパントでドープされた有機ホスト材料または金属から成ってよい。ここで、前記金属は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、およびＴｉから成る群から選択される一つ、または二つ以上から成る合金でありうる。また、ｐ型ドーパントおよびホスト材料は、従来の材料でよい。例えば、前記ｐ型ドーパントは、テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノキノジメタン誘導体、ラジアレン誘導体、ヨウ素、ＦｅＣｌ３、ＦｅＦ３、およびＳｂＣ１５から成る群から選択される一つでありうる。前記ホストは、Ｎ，Ｎ’‐ジ（ナフタレン‐１‐イル）‐Ｎ，Ｎ‐ジフェニル‐ベンジジン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴＰＤ）、およびＮ，Ｎ’，Ｎ’‐テトラナフチル‐ベンジジン（ＴＮＢ）から成る群から選択される一つでありうる。ｎ型電荷発生層は、金属またはｎ型ドーパントでドープされた有機金属から成りうる。前記金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、およびＹｂから成る群から選択される一つでありうる。また、ｎ型ドーパントおよびホスト材料は従来の材料でよい。例えば、ｎ型ドーパントは、アルカリ金属, アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、またはアルカリ土類金属化合物でありうる。より具体的には、ｎ型ドーパントは、Ｃｓ、Ｋ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｅｕ、およびＹｂから成る群から選ばれてよい。ｎ型ドーパントは、金属錯体, 金属ハロゲン化物, グアニジンあるいはホスフィン‐イミン、アクリジンオレンジ塩基（ＡＯＢ）；テトラキス（１，３４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジナト）ジタングステン（ＩＩ）（Ｗ２（ｈｐｐ）４）；３，６−ビス−(ジメチルアミノ）−アクリジン；ビス(エチレン-ジチオ）テトラチアフルバレン（ＢＥＤＴ‐ＴＴＦ）；オキソカーボン；疑似オキソカーボン誘導体から成る群から選ばれてもよい。ホスト材料は、ｔｒｉｓ（８−ヒドロキシキノリン)アルミニウム、トリアジン、ヒドロキシキノリン誘導体、ベンザゾール誘導体、およびシロール誘導体から成る群から選ばれてもよい。
【００６６】
光吸収層。光吸収層は、太陽電池デバイスで用いられる、単層、またはフラットヘテロ接合二重層、またはバルクヘテロ接合層でよい。光吸収層は、少なくとも一つの吸収材化合物を含む。フラットヘテロ接合二重層およびバルクヘテロ接合層は、電子アクセプタ材料（例えばフラーレンＣ６０）および電子ドナー材料（例えばＰ３ＨＴ）を含んでよい。光吸収層は、ＡＭＸ３またはＡ２ＭＸ４の化学量論を有するペロブスカイト構造中で結晶化する材料を含んでよい。ＡとＭはカチオンであり、Ｘはアニオンである。光吸収層は、光検知器の光電変換層でよい。
【００６７】
誘電層。誘電層はトランジスタデバイスで用いてよく、誘電材料を含む。誘電材料とは、導電体としては劣っているが、静電界を効率的に支持する物質である。誘電材料は有機でも無機でもよい。無機誘電材料は酸化物でも窒化物でもよい。無機材料は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘから成る群から選ばれてよい。有機誘電材料は、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリパーフルオロアルケニルビニルエーテル、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ-オキシメチレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリビニルフェノール、ポリスルホン、ポリカーボネート、またはリソグラフィで用いられる任意の種類のフォトレジストから成る群から選ばれてよい。
半導体層。半導体層用のＰ型半導体は、ペンタセン、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）、さらに、ＤＮＴＴ誘導体（例えば、Ｃ１０−ＤＮＴＴ（一般にはＣｘ‐ＤＮＴＴ））、金属フタロシアニン（ＺｎＰｃ、ＣｕＰｃ）、ペリレン（例えば、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、テトラプロピル‐テトラフェニル‐ジインデノペリレン（Ｐ４‐ＰＨ４‐ＤＩＰ））でよい。半導体層用のＮ型半導体は、Ｃ６０、Ｃ７０、ＺｎＰｃ、ＣｕＰｃ、Ｆ１６ＣｕＰｃ、Ｆ４ＣｕＰｃ、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）でよい。また、トリ-フェニル-ジアミン（ＴＰＤ）、３‐（Ｎ‐マレイミドプロピオニル）-ビオシチン（ＭＰＢ）、およびバソフェナントロリン（ＢＰＨＥＮ）、２，４，７，９−テトラフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＴＰＨＥＮ）、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ）、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）も用いてよい。さらに、半導体材料は、ポリマー、例えば、ポリ（３‐ヘキシルチオフェン‐２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）、ＤＩＰｓ‐ペンタセン、ポリ［２，５‐ビス（３‐アルキルチオフェン‐２‐イル）チエノ（３，２−ｂ）チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）のようなｐ型材料、またはポリ｛［Ｎ，Ｎ９−ビス（２−オクチルドデシル）−ナフタレン−１，４，５，８−ビス（ジカルボキシミド）−２，６−ジイル］−ａｌｔ−５，５９−（２，２９−ビチオフェン）｝（Ｐ（ＮＤＩ２ＯＤ−Ｔ２）のようなｎ型材料でよい。
【００６８】
一つの実施形態では、前記積層の個々の層は、真空蒸着、スピンコーティング、プリンティング、キャスティング、スロットダイコーティング、ラングミュア‐ブロジェット（ＬＢ）蒸着などにより、次々に堆積される。前記積層の個々の層が真空蒸着によって形成される場合、蒸着条件は、個々の層を形成するのに用いられる化合物や、個々の層の望ましい構造や熱的性質に応じて異なってよい。しかしながら、一般に、真空蒸着の条件は、１００℃から５００℃の蒸着温度、１０−８から１０−３Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒは１３３．３２２Ｐａに等しい）の圧力、および０．１から１０ｎｍ／秒の蒸着速度を含んでよい。
【００６９】
一つの実施形態では、前記積層はＯＬＥＤに含まれる。
【００７０】
他の実施形態では、前記積層はＯＬＥＤに含まれ、前記ＣＧＬは少なくとも一層のレドックスドープ層を含む。
【００７１】
他の実施形態では、前記積層はＯＬＥＤに含まれ、前記少なくとも一層のレドックスドープ層はＨＩＬである。
【００７２】
他の実施形態では、前記積層はＯＬＥＤに含まれ、前記少なくとも一層のレドックスドープ層はＥＩＬである。
【００７３】
他の実施形態では、前記積層は有機太陽電池に含まれる。
【００７４】
他の実施形態では、前記積層は有機電界効果トランジスタに含まれる。
【００７５】
他の実施形態では、 前記積層は光検知器に含まれる。
【００７６】
明確に断りのない限り、本発明の層構造および本発明の有機電子デバイスの方向は以下の通りである。本開示に関して、前記基板は層構造の底部を構成する。前記積層の底層（または、言い換えれば、前記積層の第一層）は、前記積層のうち、前記基板にもっとも近く配置されている層である（すなわち、前記グリッド上にある）。同様に、前記積層の最上層（または、言い換えれば、前記積層の最終層）は、前記基板からもっとも離れている層である。層構造の最上端は、当該層構造の最上面層のうち、前記基板からもっとも離れている表面によって形成される。
【００７７】
本開示によれば、吸光光度法によって測定される、相互に連結した複数の部分（すなわち、グリッド材料）の光学密度は、複数の開口領域の光学密度より高い。グリッド材料の吸光度は、複数の開口領域の吸光度より大幅に高くてよく、特に二倍高くてよい。相互に連結した複数の部分の光学密度は、複数の開口領域の光学密度より十倍高くてよい。光学密度は、シマヅサイエンティフィックインスツルメンツ（日本、東京）が提供する分光光度計ＵＶ‐２４５０  ＰＣで測定してよい。
【００７８】
本発明の方法に従えば、光パルスの層構造への照射は、層構造の最上端から層構造の底部へ行ってよい。すなわち、前記積層を通してグリッド／第一電極構造へと行ってよい。しかし、本発明の照射はこの方向に限定されない。例えば、透明基板が用いられる場合（例えば、底部発光構造を作成するために）、照射は層構造の底部から層構造の最上端へと行ってもよい。すなわち、前記基板を通してグリッドへと行ってよい。同様に、グリッドが光パルスに対して本当に露出するならば、照射は任意の角度または方向から行ってよい。
【００７９】
さらなる実施形態では, 前記積層は発光層をさらに含む。当該発光層はレドックスドーパントを含まない。また、当該発光層は注入材料を含まない。
さらなる実施形態では, 前記グリッド材料はフォトレジストを含む。当該フォトレジストはポジティブフォトレジストでもよく、あるいはネガティブフォトレジストでもよい。ネガティブフォトレジストは、当該フォトレジストのうち露光している部分がフォトレジスト現像剤に対して不溶性になる種類のフォトレジストである。フォトレジストのうち露光していない部分はフォトレジスト現像剤によって溶かされる。ポジティブレジストは、露光している部分がフォトレジスト現像剤に対して溶性になる種類のフォトレジストである。フォトレジストのうち露光していない部分はフォトレジスト現像剤に対して不溶性のままである。
【００８０】
一つの実施形態では、ネガティブフォトレジストはポリイミド化合物を含む。ポリイミド化合物としては、例えば、旭硝子が提供しているものや、メルク社（ドイツ、ダルムシュタット）が提供しているものや、マイクロケム社（米国、ウェストボロー）が提供しているＳＵ‐８が挙げられる。
一つの実施形態では、ポジティブフォトレジストは、フェノール樹脂およびジアゾナフトキノン増感剤またはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）化合物（例えば、マイクロケミカルズ社（ドイツ、ウルム）またはブリューワーサイエンス社（米国、ローラ）またはＪＳＲマイクロ社（米国、サニーベール）によって提供されるもの）を含む。
【００８１】
さらなる実施形態では、前記層構造は、前記積層の最上端の上に配置された第二電極をさらに含む。
【００８２】
一つの実施形態では、前記第二電極はカソードである。前記カソード電極は、第一の０価金属を含む少なくとも一層の実質的に金属のカソード層を含む。当該０価金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、第３族遷移金属およびそれらの混合物から成る群から選択される。
【００８３】
「実質的に金属の」という語は、実質的な元素形態において少なくとも部分的に金属である金属を含むと解されるべきである。「実質的な元素」という語は、電子の状態およびエネルギーの観点から、および含有される金属原子の化学結合の観点から、元素金属または自由金属原子の形態により近い、あるいは金属原子のクラスタの形態により近く、さらに、有機金属化合物または金属と非金属との共有結合を含む他の化合物の金属塩の形態により近く、あるいは金属の配位化合物の形態により近い形態として解されるべきである。合金は、元素金属単体の他に、アトマイズ金属、金属分子、金属クラスタ、金属の実質的な元素形態である他の任意の例を表わすと解されるべきである。
【００８４】
他の態様によれば、実質的に金属のカソード層は、金属ハロゲン化物を含まず、かつ／または、金属有機錯体を含まない。
【００８５】
他の実施形態では、第二電極構造はアノードである。アノード電極を形成するのに用いられる化合物は、正孔注入を容易にするため高仕事関数化合物でよい。アノード材料は、低仕事関数材料（例えば、アルミニウム）から選ばれてもよい。アノード電極は透明電極または反射電極でよい。透明導電性化合物（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、スズ二酸化物（ＳｎＯ２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を用いてアノード電極を形成してよい。アノード電極は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムリチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム‐インジウム（Ｍｇ‐Ｉｎ）、マグネシウム‐銀（Ｍｇ‐Ａｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを用いて形成してもよい。
【００８６】
一つの実施形態では、第二電極構造は透明である。さらなる実施形態では、前記有機電子デバイスはカプセル封入をさらに含んでよい。
さらなる実施形態では、層構造は第二電極の最上端の上に配置されたバリア層をさらに含む。当該バリア層は透明でよい。透明なバリア層および透明な第二電極を用いることにより、本発明の方法に係る照射を、有機電子デバイスの作成後に行うことができる。
【００８７】
一つの実施形態では 、前記バリア層はカプセル封入を構成してよい。
【００８８】
さらなる実施形態では、照射はフラッシュランプを用いて行われる。前記フラッシュランプはキセノンまたはＬＥＤ光源または一回の照射パルスで１ｃｍ２より大きい領域を照射するのに適したレーザー光源でよい。前記フラッシュランプは、一回の照射パルスで１ｃｍ２未満の領域を照射する走査集束レーザーではない。
【００８９】
前記フラッシュランプは、ヘレウス・ノーブルライト社（英国、ケンブリッジ）から販売されている流体冷却型キセノンフラッシュランプ部品Ｐ３７７５でよい。
【００９０】
本開示に従って、異なる方法の照射を行って前記層構造を光パルスに露光してよい。一般に、照射には四つの異なる方法がある。
【００９１】
ｉ）グリッド上にレドックスドープ層を堆積した直後、または、前記積層のうち、レドックスドープ層を堆積する前に形成した部分の上にレドックスドープ層を堆積した直後に行う。
【００９２】
ｉｉ）特に、非透明第二電極の場合、当該第二電極の堆積の前に行う。
【００９３】
ｉｉｉ）第二電極の堆積後に行う（透明電極の場合）。または
ｉｖ）最終的なカプセル封入されたデバイスに対して行う（当該カプセル封入が透明である場合）。
【００９４】
一つの実施形態では、上記方法の解像度を増すため、層構造への照射を、第一電極領域を覆うシャドー・マスクを通して行ってよい。
【００９５】
一つの実施形態では、層構造を含む基板は、照射の間、照射源の上方または下方に配置される。
【００９６】
他の実施形態では、層構造を含む基板は、照射の間、照射源の上方または下方をスライドまたは移動してよい。この作業態様は、面積の大きい基板の場合に有用かもしれない。
【００９７】
さらなる実施形態では、前記積層の厚みの合計は、１０ｎｍより大きく、５０００ｎｍ未満でよい。前記積層の厚みの合計は、３０ｎｍより大きく３００ｎｍ未満でよい。前記グリッドの厚みは、前記少なくとも一層のレドックスドープ層の厚みより大きくてよい。前記グリッドの厚みは、５００ｎｍより大きく１００００ｎｍ未満でよい。
【００９８】
基板上の個々の層の厚みは、ブルカー社（米国、マサチューセッツ州、ビレリカ）が提供する表面形状測定装置である触針式プロファイラーＤｅｋｔａｋＸＴで測定してよい。
【００９９】
個々の層の厚みは、電子顕微鏡を用いて、前記積層の断面で測定してよい。走査型または透過型電子顕微鏡を用いてよい。
【０１００】
前記積層の断面は、マイクロ電子デバイスに一般的に用いられる試料調製、例えば、ＵＳ２０１３０１１０４２１にある、集束イオンビーム（ＦＩＢ）またはウルトラミクロトーム調製によって得てよい。
【０１０１】
真空蒸着では、層の厚みは、蒸着プロセスのあいだ、水晶マイクロバランス（ＱＣＭ）センサを用いてモニタしてよい。
【０１０２】
さらなる実施形態では、（ｉ）前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントから成り、または（ｉｉ）前記少なくとも一層のレドックスドープ層はレドックスドーパントおよびマトリクス材料を含み、当該マトリクス材料は電荷移動材料であり、または（ｉｉｉ）前記少なくとも一層のレドックスドープ層は、注入材料から成る第一層と電荷移動材料から成る第二層とから成る二重層であり、前記電荷移動材料はレドックスドープされていてよく、されていなくてもよい。
【０１０３】
本開示の文脈では、「レドックスドープ」という語は、層の導電率を増すドーパントを指す。本開示のｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントは、本質的に非発光ドーパントである。「本質的に非発光」という語は、デバイスからの発光スペクトルに対する非発光ドーパントの貢献が、発光スペクトルに対して１０％未満であることを意味し、これは５％未満でもよい。
【０１０４】
この点に関して、以下の通りでよい。
【０１０５】
前記レドックスドーパントは、
１．ｐ型ドーパントであって、当該ｐ型ドーパントは、
１．１．分子量が約３５０から約１７００である有機または有機金属分子ドーパントであって、当該有機または有機金属分子ドーパントは、ジマロノニトリル化合物、芳香族／複素環式芳香族ニトリル化合物、フラーレン誘導体、または式１のラジアレン誘導体から選ばれてよく、式１においてＡｒ１−３は同じであるか異なり、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリールから選択される、有機または有機金属分子ドーパント、
【０１０６】
【化４】
2018098209.tif 000006
【０１０７】
または、
１．２．ＭｏＯ３およびＶ２Ｏ５から選ばれてよい遷移金属酸化物、または、
１．３．ルイス酸であって、（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物であってよく、元素周期系の第１から第１２族の金属のビス（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物から選ばれてよく、前記第１から第１２族の金属は、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇまたはそれらの混合物から選ばれてよい、ルイス酸
であり、
または、
２．ｎ型ドーパントであって、当該ｎ型ドーパントは、
２．１．分子量が約３００から約１５００である有機または有機金属分子ドーパント、または
２．２．金属ドーパントであって、当該金属ドーパントは、分子量が約２５から約５００の金属ハロゲン化物、分子量が約１５０から約１５００の金属錯体、および０価金属から成る群から選ばれ、当該０価金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および希土類金属から成る群から選択される。
【０１０８】
一つの実施形態では、前記レドックスドーパントは式２の化合物である。
【０１０９】
【化５】
2018098209.tif 000007
【０１１０】
「分子量」または「分子質量」という語は、任意の分子の質量として定義される物理的特性である。分子量のＳＩ基本単位はｋｇ／ｍｏｌである。歴史的な事情により、分子量はほとんど常にｇ／ｍｏｌで表される。本開示でも同様である。分子量は標準原子量から計算してよい。それは、ある化合物におけるすべての標準原子量の合計である。標準元素原子量は、元素周期表で与えられる。実験的に、分子量は質量分析法によって、蒸気密度、凝固点降下、または沸点上昇から測定してよい。
【０１１１】
他の実施形態では、前記注入材料は、
１．ｐ型材料であって、当該ｐ型材料は、
１．１．分子量が約３５０から約１７００である有機または有機金属分子ドーパントであって、当該有機または有機金属分子ドーパントは、ジマロノニトリル化合物、芳香族／複素環式芳香族ニトリル化合物、フラーレン誘導体、または式１のラジアレン誘導体から選ばれてよく、式１においてＡｒ１−３は同じであるか異なり、それぞれ独立してアリールまたはヘテロアリールから選択される、有機または有機金属分子ドーパント、
【０１１２】
【化６】
2018098209.tif 000008
【０１１３】
または
１．２．ＭｏＯ３およびＶ２Ｏ５から選ばれてよい遷移金属酸化物、または、
１．３．ルイス酸であって、（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物であってよく、元素周期系の第１から第１２族の金属のビス（トリフルオロメタンスルフォニル）イミド化合物から選ばれてよく、前記第１から第１２族の金属は、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇまたはそれらの混合物から選ばれてよい、ルイス酸、または
１．４．ＭｇＦ２であってよい金属ハロゲン化物
であり、
または、
２．ｎ型材料であって、当該ｎ型材料は、
２．１．分子量が約３００から約１５００である有機または有機金属分子ドーパント、または
２．２．金属ドーパントであって、当該金属ドーパントは、分子量が約２５から約５００の金属ハロゲン化物、分子量が約１５０から約１５００の金属錯体、および０価金属から成る群から選ばれ、当該０価金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および希土類金属から成る群から選択される。
【０１１４】
一つの実施形態では 前記注入材料は式２の化合物である。
【０１１５】
【化７】
2018098209.tif 000009
【０１１６】
他の実施形態では、前記注入材料は自己組織化単層膜（ＳＡＭ）を形成する。
【０１１７】
さらなる実施形態では、電極構造は、前記基板上の多数の画素を構成し、前記多数の画素の画素ギャップは、５０μｍ未満である。前記画素ギャップは１μｍより大きく３０μｍ未満でよい。画素ピッチは１５０μｍ未満である。前記画素ピッチは２μｍより大きく１２５μｍ未満でよい。
【０１１８】
この実施形態は、さまざまな有機発光ダイオードを含む有機電子デバイスの作製方法について特に言及する。前記有機電子デバイスに含まれる前記有機発光ダイオードのそれぞれは、この場合、前記第一電極構造の一部の上方に作成されてよい。この実施形態では、画素は、グリッドの複数の開口領域が電極構造の上方に配置され、その後、前記積層がその上に配置されるというやり方で、前記第一電極構造によって構成される。それから、少なくとも一つの第二電極構造を加えて電気接続を可能にすることにより、画素が完成する。
【０１１９】
前記第二電極は、前記積層と直接接触するよう配置してよい。前記第二電極と前記積層のあいだに中間層があってよい。
【０１２０】
「画素ピッチ」は、一般に、「ドットピッチ」とも称される。それは、マイクロ電子機器中の画素またはデバイス素子の規則的アレイにおける、画素同士、またはサブ画素（例えば、表示画素を構成する赤、緑、青のサブ画素）同士、または最小の機能デバイス素子としての「ドット」同士の直接距離を、一つの画素、サブ画素、またはデバイス素子の中心から、隣接する画素またはデバイス素子の中心まで測ったものである。例として、イメージセンサにおけるセンサ素子またはＡＭＯＬＥＤディスプレイにおけるＯＬＥＤ画素が挙げられる。「画素ギャップ」は「ドットギャップ」とも称せる。それは、マイクロ電子機器中の画素またはデバイス素子の規則的アレイにおける、画素同士（あるいは、最小の機能デバイス素子としての「ドット」同士）の直接距離を、一つの画素またはデバイス素子の端から、隣接する画素またはデバイス素子のうちもっとも近い端まで測ったものである。さらに、上記目的は、本発明の方法によって得られる有機電子デバイスによって達成される。本開示の有機電子デバイスは、上記第一電極構造の異なる部分間の、非電極部を通してのクロストークが減るという点において、従来技術で公知のデバイスと異なる。
【０１２１】
さらなる実施形態では、前記有機電子デバイスは、ＯＬＥＤ、光検知器、トランジスタ、または太陽電池である。
最後に、上記目的は、本発明の有機電子デバイスを有するデバイスによって達成される。
【０１２２】
この点に関して、前記デバイスは表示デバイスであってよい。
【０１２３】
さらなる実施形態では, 前記第一電極構造が前記表示デバイスの複数の画素を構成する。
【０１２４】
本明細書において、数値はすべて、明示の有無を問わず、「約」という語が前に付いていると見なされる。本明細書において、「約」という語は、数量において起こり得る変動を意味する。「約」という語による修飾の有無を問わず、本願請求項は前記量に対する均等物を含む。
【０１２５】
本明細書および添付の請求項において、単数形「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」は、明確な断りがない限り、複数の対象を含むことに留意されたい。
【０１２６】
「含まない」という語を用いる場合においては、不純物について考慮しない。不純物は、本開示によって達成される目的に関していかなる技術的効果ももたらさない。
【実施例】
【０１２７】
以下に、本発明の方法を行うための材料および条件の具体例を、本願添付の図面を参照しながら参照することにより、本開示を詳述する。図面には以下のことが示されている。
【０１２８】
図１：層構造を有する基板を、流体冷却型キセノンフラッシュランプの下方に置いた概略図である。
【０１２９】
図２：クロストーク電流を測定するためのテストレイアウトを示す。
【０１３０】
図３：層構造の、ａ）照射前、ｂ）照射中、ｃ）照射後の概略断面図である。
【０１３１】
図４：グリッドを有するレドックスドープ層と有さないレドックスドープ層の抵抗比を示す。
【０１３２】
図５：画素化したＯＬＥＤレイアウトにおける基板上のグリッドの上面図（広域および詳細）である。
【０１３３】
図６：照射前および照射後におけるクロストーク電流比を示す。
【０１３４】
図７：グリッドの光学密度対第一電極の光学密度を示す。
【０１３５】
表１：４０μｍのチャネル用のテストレイアウトにおける５Ｖでのクロストーク電流
図１は、２５ｍｍの距離を置いた照射の間、層構造１０をパルス照射１１の源の下方に配置した概略図を示す。層構造１０は、サンプルホルダー１２に取り付けてよい。本開示に係る方法は、ｔ≦２ｍｓである単一可視光フラッシュに基づく光パルスを用いる。したがって、基板にはわずかな熱しか伝わらず、温度上昇は局所的なものに留まり、熱放散はなく、非照射領域への熱応力は小さい。
【０１３６】
図２は、第一画素２１の第一電極と第二画素２２の第一電極間のクロストーク電流を測定するのに用いるテストレイアウトの概略図を示す。テストレイアウトにおける画素ギャップは、画素２１の第一電極と画素２２の第一電極間の直接最小距離に対応する。このテストレイアウトでは、この画素ギャップは４０μｍであり、例えばＡＭＯＬＥＤディスプレイの製造で用いられる実際の画素ギャップに極めて近い。用いた電圧は５Ｖであった。電流は、テクトロニクス社（米国、ビーバートン）が提供するパラメータアナライザであるケースレーＳ４２００で測定した。ロボットを用いて電極同士を接触させた。第一電極の上に、１．５μｍの厚さのポリイミドグリッド２３を、フォトリソグラフィプロセスを用いて堆積させた。レドックスドープ層２４は正孔注入層（ＨＩＬ）であった。前記ＨＩＬは、化合物
【０１３７】
【化８】
2018098209.tif 000010
【０１３８】
を電荷移動材料として、また、 
【０１３９】
【化９】
2018098209.tif 000011
【０１４０】
をレドックスドーパントとして、９２：８の重量比で含んだ。前記材料は蒸着によってともに堆積された。レドックスドープ層の厚みは１０ｎｍであった。 
【０１４１】
図３は、層構造の、ａ）照射前、ｂ）照射中、ｃ）照射後の概略断面図を示す。前記層構造は、基板３１、グリッド材料３２、積層３３、第一画素３４の第一電極、および第二画素３５の第一電極を含む。照射前（図３ａ）、前記積層のレドックスドープ層は、前記第一電極の領域の上方および前記グリッド材料の上方において、約４Ｅ‐５  Ｓ／ｃｍという同じ導電率を有する。これは、以下のようにして計算される。
【０１４２】
【数１】
2018098209.tif 000012
【０１４３】
前記層構造の照射後（図３ｃ）、驚くべきことに、前記積層３３のレドックスドープ層は、第一電極の領域（積層領域３７）の上方の導電率は変わらないが、前記グリッド材料上方の領域（積層領域３６）では、クロストーク電流は大幅に減少することがわかった。照射後、クロストーク電流は非常に小さかった（＜１００ｐＡ）。したがって、導電率は意味のあるかたちでは計算できなかった。測定設定（配線リーク電流、ノイズ）の影響が支配的であった。
【０１４４】
この結果、第一画素３４の第一電極と第二画素３５の第一電極間のレドックスドープ層を流れうるクロストーク電流も、大幅に減少する。この効果の根本原因は、おそらく、グリッド材料と、前記積層３３のレドックスドープ層の導電率を消滅させる効果を有する照射光との、相互作用によるものである。グリッドの厚みと前記積層の厚みとが大きなアスペクト比を成すため、前記効果は、積層領域３７中の前記積層の導電率を大幅に減少させることはない。
【０１４５】
図４は、テストレイアウトにおける、グリッドを有するレドックスドープ層と有さないレドックスドープ層の抵抗比を、異なる照射エネルギー密度それぞれについて示す。グリッドが用いられる場合、レドックスドープ層の抵抗値は、照射エネルギー密度に対して指数関数的に増大する。一方、グリッドが用いられない場合、レドックスドープ層の抵抗値は、照射後も変わらない。
【０１４６】
図５は、画素化したＯＬＥＤレイアウトにおけるＩＴＯ基板上にある、グリッド材料５１から作られ複数の開口領域５２を有するグリッドの例示的上面図（広域および詳細）を示す。画素ピッチは１２５μｍであり、画素ギャップは３０μｍである。
【０１４７】
【表１】
2018098209.tif 000013
【０１４８】
表１は、４０μｍのチャネル（この場合、画素ピッチに対応）用のテストレイアウト上で５Ｖを印加したとき測定したクロストーク電流を示す。参照例は照射されなかった。本発明の実施例１は、パルスエネルギー密度４Ｊ／ｍ２で照射された。本発明の実施例２は、パルスエネルギー密度４．５Ｊ／ｍ２で照射された。本発明の実施例３は、パルスエネルギー密度５Ｊ／ｍ２で照射された。クロストーク電流は、パルスエネルギー密度の上昇とともに大幅に減少し、実施例３では、電流の減少が１０００倍を超えている。実施例２ですでに、クロストーク電流は＜１ｎＡに減少している。
【０１４９】
図６は、表１の数値をグラフ形式で示す。
【０１５０】
図７は、グリッド材料の光学密度と第一電極の光学密度を示す。本開示の意味では、望ましい技術的効果をもたらすためには、グリッド材料の光学密度が第一電極の光学密度より高いことが重要である。参照例および実施例１〜３における実験結果は、キセノンフラッシュランプを用いて得られた。しかし、ミリ秒の範囲で定義した短パルスを生成できる適切な光スペクトルを有する高光量光源（例えば、ＬＥＤ）ならいずれも、本開示の意味で適切である。照射源の種類および波長は特に限定または定義しない。重要なのは、広範な使用波長範囲にわたって、グリッド材料の光学密度が第一電極の光学密度より高いことである。
【０１５１】
上記記載、請求項、および添付の図面で開示された諸特徴は、別々でも任意の組み合わせでも、開示された方法を多様なかたちで実現する材料としてよい。
【図１】
2018098209.tif 000016
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2018098209.tif 000021
【図７】
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