(57)【要約】【課題】単層型の感光層を備え、高感度で且つ環境による感度差が抑制された電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に配置された単層型の感光層であって、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び疎水性シリカ粒子を含有し、感光層全体に占める前記疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％以上７０質量％以下である感光層と、を備える電子写真感光体。【選択図】図１
2018159863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された単層型の感光層であって、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び疎水性シリカ粒子を含有し、感光層全体に占める前記疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％以上７０質量％以下である感光層と、
を備える電子写真感光体。
【請求項２】
前記疎水性シリカ粒子の体積平均粒径が、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記疎水性シリカ粒子が、トリメチルシリル基、デシルシリル基又はフェニルシリル基を有するシラン化合物により表面処理されたシリカ粒子である、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記電荷発生材料が、フタロシアニン顔料である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンの少なくとも一方である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記電荷発生材料が、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンである、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記正孔輸送材料が、下記一般式（１）で表される化合物である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化１】
2018159863.tif 000019
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
【請求項８】
前記一般式（１）においてｍ及びｎが共に０又は共に１である、請求項７に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記電子輸送材料が、下記一般式（２）で表される化合物である、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化２】
2018159863.tif 000020
一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ｒ１８は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０（但し、Ｌ１９はアルキレン基を表し、Ｒ２０はアルキル基を表す。）を表す。
【請求項１０】
前記一般式（２）においてＲ１８が、炭素数４以上１０以下のアルキル基である、請求項９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電荷発生剤を含有する電荷発生層と、正孔輸送剤、バインダー樹脂、及びヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカ粒子を含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光層、又は、電荷発生剤、正孔輸送剤、バインダー樹脂、及びヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカ粒子を含有する単層型感光層を備える電子写真感光体が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、電荷発生材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、フィラーとしてシリカ、及び結着樹脂を同一層に含む感光層を備える電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２１０２８２号公報
【特許文献２】特開２０１６−０９５５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、単層型の感光層を備える電子写真感光体において、感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％未満又は７０質量％超である場合に比べて、高感度で且つ環境による感度差が抑制された電子写真感光体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
【０００７】
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された単層型の感光層であって、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び疎水性シリカ粒子を含有し、感光層全体に占める前記疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％以上７０質量％以下である感光層と、
を備える電子写真感光体。
【０００８】
請求項２に係る発明は、
前記疎水性シリカ粒子の体積平均粒径が、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【０００９】
請求項３に係る発明は、
前記疎水性シリカ粒子が、トリメチルシリル基、デシルシリル基又はフェニルシリル基を有するシラン化合物により表面処理されたシリカ粒子である、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【００１０】
請求項４に係る発明は、
前記電荷発生材料が、フタロシアニン顔料である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１１】
請求項５に係る発明は、
前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンの少なくとも一方である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１２】
請求項６に係る発明は、
前記電荷発生材料が、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンである、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００１３】
請求項７に係る発明は、
前記正孔輸送材料が、下記一般式（１）で表される化合物である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化１】
2018159863.tif 000003
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
【００１４】
請求項８に係る発明は、
前記一般式（１）においてｍ及びｎが共に０又は共に１である、請求項７に記載の電子写真感光体。
【００１５】
請求項９に係る発明は、
前記電子輸送材料が、下記一般式（２）で表される化合物である、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化２】
2018159863.tif 000004
一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ｒ１８は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０（但し、Ｌ１９はアルキレン基を表し、Ｒ２０はアルキル基を表す。）を表す。
【００１６】
請求項１０に係る発明は、
前記一般式（２）においてＲ１８が、炭素数４以上１０以下のアルキル基である、請求項９に記載の電子写真感光体。
【００１７】
請求項１１に係る発明は、
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【００１８】
請求項１２に係る発明は、
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１、３、４、５、６、７、８、９及び１０に係る発明によれば、感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％未満又は７０質量％超である場合に比べて、高感度で且つ環境による感度差が抑制された電子写真感光体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、疎水性シリカ粒子の体積平均粒径が２０ｎｍ未満又は２００ｎｍ超である場合に比べて、高感度で且つ環境による感度差が抑制された電子写真感光体が提供される。
【００２０】
請求項１１又は１２に係る発明によれば、単層型感光層を有する電子写真感光体において、感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％未満又は７０質量％超である場合に比べて、高感度で且つ環境による感度差が抑制された電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の別の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、発明の実施形態を説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、発明の範囲を制限するものではない。
【００２３】
本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
【００２４】
本明細書において、単層型の感光層を「単層型感光層」といい、電子写真感光体を「感光体」ということがある。単層型感光層とは、電荷発生能と共に、正孔輸送能及び電子輸送能を有する感光層である。
【００２５】
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された単層型感光層であって、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び疎水性シリカ粒子を含有する単層型感光層と、を備える。そして、単層型感光層は、単層型感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％以上７０質量％以下である。
【００２６】
感光体が備える感光層においては、電荷発生材料は結晶構造を有することでその機能を発現するが、それ故に感光層中に分子分散されず、感光層において分布の均一性が低い傾向がある。電荷発生材料の分布の均一性が低い場合、特に電荷発生材料が凝集体を形成している場合、感光層の光に対する感度が低下する。また、電荷発生材料は空気中の水を吸着しやすく、低湿環境と高湿環境とで電荷発生材料の水分吸着度に差が生じ、その結果、感光層に感度差が生じることがある。この感度差は、電荷発生材料を含有する層が他の層によって覆われ得る積層型感光層に比べて、単層型感光層において顕著である。
【００２７】
これに対し、本実施形態に係る感光体は、高感度で且つ環境による感度差が抑制される。この理由は、次のように推測される。
【００２８】
感光層は、一般的に、感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、塗布膜を乾燥させて形成するところ、感光層形成用塗布液において、疎水性シリカ粒子が電荷発生材料の周りに配位し、電荷発生材料の凝集を抑制する故、感光層における電荷発生材料の分布の均一性が高まり、感光層の感度が向上すると推測される。そして、単層型感光層は環境による感度差が現れやすいところ、電荷発生材料の周りに存在する疎水性シリカ粒子が、電荷発生材料が空気中の水を吸着することを抑制する故、環境による感度差が抑制されると推測される。単層型感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が３０質量％未満であると上記の作用が得られにくく、一方、単層型感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合が７０質量％超であると、疎水性シリカ粒子の凝集が発生する場合があり、感光層の感度を低下させる。
【００２９】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る感光体を説明する。
図１は、本実施形態に係る感光体７の一部の断面を概略的に示している。図１に示した感光体７は、導電性基体１を備え、導電性基体１上に単層型感光層２が配置されている。感光体７は、必要に応じてその他の層を備えていてもよく、例えば、導電性基体１と単層型感光層２との間に下引層が配置されていてもよい。
【００３０】
以下、本実施形態に係る感光体の各層について詳細に説明する。
【００３１】
［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３２】
導電性基体の表面は、感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００３３】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００３４】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００３５】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００３６】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００３７】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００３８】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００３９】
［単層型感光層］
本実施形態において単層型感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、電子輸送材料と、疎水性シリカ粒子とを含有する。
【００４０】
−疎水性シリカ粒子−
疎水性シリカ粒子としては、シリカ粒子の表面が疎水化剤で表面処理されたシリカ粒子が好ましい。
【００４１】
疎水化が施されるシリカ粒子としては、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子のいずれでもよい。乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）；金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカ；が挙げられる。湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）；酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）；有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子；が挙げられる。
【００４２】
シリカ粒子の疎水化剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。これらの中でも、疎水化剤としては、残留電位の発生を抑制する観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基又はフェニルシリル基を有するシラン化合物が好ましい。つまり、疎水性シリカ粒子はその表面に、トリメチルシリル基、デシルシリル基又はフェニルシリル基を有することが好ましい。
【００４３】
トリメチルシリル基を有するシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。デシルシリル基を有するシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。フェニルシリル基を有するシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００４４】
疎水化剤によるシリカ粒子の処理方法としては、例えば、シリカ粒子と水と疎水化剤とを反応容器に入れ、５０℃乃至２５０℃で１時間乃至６時間攪拌し、次いで窒素気流下で攪拌して乾燥させ、次いで冷却する。
【００４５】
シリカ粒子の疎水化率は、疎水化前のシリカ粒子表面に存在していたシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）への疎水性基の結合割合で評価する。シリカ粒子の疎水化率は、９０％以上が好ましく、９１％以上がより好ましく、９５％以上が更に好ましい。シリカ粒子表面に存在する基及びその割合はＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）で検出し得る。
【００４６】
疎水性シリカ粒子の体積平均粒径は、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が更に好ましい。
【００４７】
疎水性シリカ粒子の体積平均粒径は、以下のとおりに測定する。
感光層の断面を走査型電子顕微鏡により４万倍の倍率で観察し、一次粒子１００個について粒子ごとの長径及び短径を測定し、両者の中間値を粒子ごとの球相当径とする。ここで、長径及び短径は、粒子像（二次元図形）の重心をとおる径のうち最大及び最小の径である。粒子ごとの球相当径をもとに、体積基準の累積５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径とする。
【００４８】
感光層全体に占める疎水性シリカ粒子の質量割合は、３０質量％以上７０質量％以下であり、３５質量％以上７０質量％以下がより好ましく、４０質量％以上６５質量％以下が更に好ましく、４５質量％以上６５質量％以下が更に好ましい。
【００４９】
感光層において、疎水性シリカ粒子の含有量は、電荷発生材料の含有量よりも多いことが好ましい。疎水性シリカ粒子の含有量は、電荷発生材料１質量部に対して、５０質量部以上２５０質量部以下が好ましく、６０質量部以上２００質量部以下がより好ましく、８０質量部以上１５０質量部以下が更に好ましい。
【００５０】
−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
結着樹脂としては、感光層の機械的強度の観点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。結着樹脂としては、感光層の成膜性の観点から、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリアリレート樹脂が好ましい。
【００５２】
感光層全体に占める結着樹脂の質量割合は、２５質量％以上５０質量％以下が好ましく、３０質量％以上４０質量％以下がより好ましい。
【００５３】
−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００５４】
電荷発生材料としては、感光層の高感度化の観点から、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料としては、具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンが挙げられる。
【００５５】
電荷発生材料としては、電荷発生効率の観点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンの少なくともいずれかが好ましく、ヒドロキシガリウムフタロシアニンがより好ましく、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンが更に好ましい。
【００５６】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおいて８１０ｎｍから８３９ｎｍの範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンが、分散性に優れる観点から好ましい。
【００５７】
８１０ｎｍから８３９ｎｍの範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンは、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましく、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが更に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径であり、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所ＬＡ−７００）にて測定した値である。ＢＥＴ比表面積は、流動式比表面積自動測定装置（島津製作所フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００５８】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンの最大粒径（一次粒径の最大値）は、１．２μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。
【００５９】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、平均粒径が０．２μｍ以下であり、且つ、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【００６０】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【００６１】
クロロガリウムフタロシアニンとしては、感光層の高感度化の観点から、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°に回折ピークを有する化合物が好ましい。クロロガリウムフタロシアニンの最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及びＢＥＴ比表面積の好ましい範囲は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンと同様である。
【００６２】
電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６３】
単層型感光層に含まれる電荷発生材料の量は、結着樹脂１００質量部に対して、０．５質量部以上１０質量部以下が好ましく、１質量部以上８質量部以下がより好ましく、１．５質量部以上５質量部以下が更に好ましい。
【００６４】
−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等が挙げられる。正孔輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
正孔輸送材料としては、一般式（Ｂ−１）で表される化合物、一般式（Ｂ−２）で表される化合物、一般式（Ｂ−３）で表される化合物、一般式（１）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、感光層の高感度化の観点から、一般式（１）で表される化合物が好ましい。
【００６６】
【化３】
2018159863.tif 000005
【００６７】
一般式（Ｂ−１）中、ＲＢ１はメチル基を表し、ｎ１１は０以上２以下の整数を表す。ＡｒＢ１及びＡｒＢ２は各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＢ３）＝Ｃ（ＲＢ４）（ＲＢ５）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ６）（ＲＢ７）を表し、ＲＢ３乃至ＲＢ７は各々独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。
【００６８】
【化４】
2018159863.tif 000006
【００６９】
一般式（Ｂ−２）中、ＲＢ８及びＲＢ８’は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基を表す。ＲＢ９、ＲＢ９’、ＲＢ１０及びＲＢ１０’は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＢ１１）＝Ｃ（ＲＢ１２）（ＲＢ１３）又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１４）（ＲＢ１５）を表し、ＲＢ１１乃至ＲＢ１５は各々独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。ｍ１２、ｍ１３、ｎ１２及びｎ１３は各々独立に、０以上２以下の整数を表す。上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。
【００７０】
【化５】
2018159863.tif 000007
【００７１】
一般式（Ｂ−３）中、ＲＢ１６及びＲＢ１６’は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基を表す。ＲＢ１７、ＲＢ１７’、ＲＢ１８及びＲＢ１８’は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＢ１９）＝Ｃ（ＲＢ２０）（ＲＢ２１）又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ２２）（ＲＢ２３）を表し、ＲＢ１９乃至ＲＢ２３は各々独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。ｍ１４、ｍ１５、ｎ１４及びｎ１５は各々独立に、０以上２以下の整数を表す。上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。
【００７２】
正孔輸送材料としては、感光層の高感度化の観点から、一般式（１）で表される化合物が好ましい。
【００７３】
【化６】
2018159863.tif 000008
【００７４】
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
【００７５】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００７６】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。
【００７７】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。直鎖状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。分岐状のアルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【００７８】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すフェニル基は、１個乃至５個（好ましくは１個又は２個）の置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基（メチル基、エチル基等）；炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）；が挙げられる。
【００７９】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すフェノキシ基は、ベンゼン環に１個乃至５個（好ましくは１個又は２個）の置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基（メチル基、エチル基等）；炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）；が挙げられる。
【００８０】
一般式（１）中、ｍ及びｎは各々独立に０又は１であり、感光層の高感度化の観点から、ｍ及びｎが共に０又は共に１であることが好ましく、ｍ及びｎが共に１であることがより好ましい。
【００８１】
一般式（１）で表される化合物としては、感光層の高感度化の観点から、Ｒ１〜Ｒ６が各々独立に、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、又は炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが共に０又１を表す化合物が好ましい。
【００８２】
以下に、一般式（１）で表される化合物の例示化合物を示す。一般式（１）で表される化合物は、これに限定されるわけではない。置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示す。
【００８３】
【表１】
2018159863.tif 000009
【００８４】
【表２】
2018159863.tif 000010
【００８５】
【表３】
2018159863.tif 000011
【００８６】
【表４】
2018159863.tif 000012
【００８７】
一般式（１）で表される化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合せて用いてもよい。一般式（１）で表される化合物を用いる場合、一般式（１）で表される化合物以外の他の正孔輸送材料と併用してもよい。一般式（１）で表される化合物とそれ以外の他の正孔輸送材料を併用する場合、正孔輸送材料全量に対して、一般式（１）で表される化合物を７５質量％以上とすることが好ましい。
【００８８】
正孔輸送材料の添加量は、結着樹脂１００質量部に対して、５０質量部以上９０質量部以下が好ましく、６０質量部以上８５質量部以下がより好ましく、７０質量部以上８０質量部以下が更に好ましい。
【００８９】
−電子輸送材料−
電子輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物；などが挙げられる。電子輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９０】
電子輸送材料としては、感光層の高感度化の観点から、フルオレノン化合物が好ましく、フルオレノン化合物の中でも、一般式（２）で表される化合物が好ましい。
【００９１】
【化７】
2018159863.tif 000013
【００９２】
一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ｒ１８は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０（但し、Ｌ１９はアルキレン基を表し、Ｒ２０はアルキル基を表す。）を表す。
【００９３】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００９４】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。
【００９５】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。直鎖状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。分岐状のアルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【００９６】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。具体的には、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。これらアリール基は、１個乃至５個（好ましくは１個又は２個）の置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基（メチル基、エチル基等）；炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）；が挙げられる。
【００９７】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアラルキル基としては、炭素数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基（メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等）にフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基等が結合した基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基が好ましい。これらアラルキル基のベンゼン環は、１個乃至５個（好ましくは１個又は２個）の置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基（メチル基、エチル基等）；炭素数１以上４以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）；が挙げられる。
【００９８】
一般式（２）中、Ｒ１８が表すアルキル基としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルキル基と同様の基が挙げられる。Ｒ１８が表すアルキル基としては、炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、炭素数４以上１０以下のアルキル基がより好ましく、炭素数５以上１０以下の分岐状のアルキル基が更に好ましい。
【００９９】
一般式（２）中、Ｒ１８が表すアリール基としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアリール基と同様の基が挙げられる。Ｒ１８が表すアリール基としては、有機溶剤への溶解性の観点からは、アルキル基で置換されたアルキル置換アリール基が好ましい。Ｒ１８が表すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基が好ましい。
【０１００】
一般式（２）中、Ｒ１８が表すアラルキル基としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアラルキル基と同様の基が挙げられる。Ｒ１８が表すアラルキル基としては、有機溶剤への溶解性の観点からは、アルキル基で置換されたアルキル置換アラルキル基が好ましい。Ｒ１８が表すアラルキル基としては、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、フェネチル基が好ましい。
【０１０１】
一般式（２）中、Ｒ１８が表す−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０（但し、Ｌ１９はアルキレン基を表し、Ｒ２０はアルキル基を表す。）において、Ｌ１９としては、炭素数１以上６以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基（メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等）が挙げられ、Ｒ２０としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルキル基と同様の基が挙げられる。
【０１０２】
一般式（２）で表される化合物としては、感光層の高感度化の観点から、Ｒ１１〜Ｒ１７が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基であり、Ｒ１８が炭素数４以上１０以下のアルキル基である化合物が好ましい。
【０１０３】
以下に、一般式（２）で表される化合物の例示化合物を示す。一般式（２）で表される化合物は、これに限定されるわけではない。
【０１０４】
【表５】
2018159863.tif 000014
【０１０５】
一般式（２）で表される化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合せて用いてもよい。一般式（２）で表される化合物を用いる場合、一般式（２）で表される化合物以外の他の電子輸送材料と併用してもよい。一般式（２）で表される化合物とそれ以外の他の電子輸送材料を併用する場合、電子輸送材料全量に対して、一般式（２）で表される化合物を９０質量％以上とすることが好ましい。
【０１０６】
電子輸送材料の添加量は、結着樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上６０質量部以下が好ましく、２０質量部以上５０質量部以下がより好ましく、３０質量部以上４０質量部以下が更に好ましい。
【０１０７】
−その他の成分−
単層型の感光層には、界面活性剤、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の周知のその他添加剤が含まれていてもよい。また、単層型の感光層が表面層となる場合、単層型の感光層には、フッ素樹脂粒子、シリコーンポリマー等の離型剤が含まれていてもよい。
【０１０８】
［単層型感光層の形成方法］
単層型感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、疎水性シリカ粒子とを含む感光層形成用塗布液を準備し、この感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、塗布膜を乾燥させて形成することが好ましい。
【０１０９】
感光層形成用塗布液は、例えば、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料と疎水性シリカ粒子とを、溶剤に溶解又は分散させた液状組成物である。
【０１１０】
電荷発生材料としてフタロシアニン顔料を用いる場合、感光層形成用塗布液は、波長８３０ｎｍにおける吸光度Ａ８３０と、波長１０００ｎｍにおける吸光度Ａ１０００との吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０が２５以下であることが好ましい。吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０は、感光層形成用塗布液中でのフタロシアニン顔料の分散状態を表す指標である。波長８３０ｎｍでの吸光度は、フタロシアニン顔料特有の吸光度を表し、波長１０００ｎｍでの吸光度は、感光層形成用塗布液中でのフタロシアニン顔料の分散状態を表す。感光層形成用塗布液中でのフタロシアニン顔料の分散状態を良化させることにより、フタロシアニン顔料の粒径が小さくなり、フタロシアニン顔料による光の散乱が少なくなる故、感光層形成用塗布液は光が透過しやすくなる。それにより、吸光度Ａ１０００の値は小さくなるので、吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０は２５以下となる。上記吸光度比は、感光層の高感度化の観点から、２２以下であることがより好ましく、２０以下であることが更に好ましく、１５以下であることが更に好ましい。
【０１１１】
吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０は、次のようにして求める。感光層形成用塗布液を吸光度Ａ８３０が、０．９５以上１．０５以下となるように希釈し、分光光度計（例えば、島津製作所社製ＵＶ−２６００）にて測定する。次いで、測定波長を１０００ｎｍに設定して吸光度Ａ１０００を測定する。得られたＡ１０００とＡ８３０の値から、吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０を求める。
【０１１２】
感光層形成用組成物を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類；などの有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１１３】
感光層形成用組成物中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
【０１１４】
感光層形成用組成物を導電性基体上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【０１１５】
導電性基体上に塗布された感光層形成用組成物を乾燥することによって、導電性基体上に感光層が形成される。感光層形成用組成物の乾燥のために、加熱処理（例えば、１２０℃乃至１５０℃、１０分間乃至６０分間）を行ってもよい。
【０１１６】
単層型感光層の層厚は、５μｍ以上６０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上４０μｍ以下が更に好ましい。
【０１１７】
［下引層］
導電性基体と感光層との間には、下引層を設けてもよい。下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【０１１８】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１×１０２Ωｃｍ以上１×１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。無機粒子の中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【０１１９】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【０１２０】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【０１２１】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【０１２２】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【０１２３】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【０１２６】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【０１２７】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【０１２８】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【０１２９】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【０１３０】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法又は湿式法が挙げられる。
【０１３１】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１３２】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤を除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤の除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤の除去後には、さらに１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として、溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１３３】
電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１３４】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【０１３５】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１３６】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１３７】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに下引層に添加してもよい。
【０１３８】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３９】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１４０】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１４１】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１４２】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１４３】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１４４】
下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１４５】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１４６】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１４７】
下引層形成用塗布液を導電性支持体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１４８】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１４９】
［中間層］
下引層と感光層との間には、中間層を設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１５０】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１５１】
中間層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１５２】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。中間層を下引層としてもよい。
【０１５３】
＜画像形成装置、プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、感光体と、感光体の表面を帯電させる帯電手段と、帯電した感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、感光体として、本実施形態に係る感光体が適用される。
【０１５４】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための感光体加熱部材を備える装置等の公知の画像形成装置が適用される。
【０１５５】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１５６】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１５７】
本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。プロセスカートリッジは、感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１５８】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１５９】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１６０】
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、感光体７の表面に接触するように配置されている。クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１６１】
図２には、画像形成装置として、潤滑剤１４を感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１６２】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１６３】
［帯電装置］
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１６４】
［露光装置］
露光装置９としては、例えば、感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１６５】
［現像装置］
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１６６】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、公知のものが適用される。
【０１６７】
［クリーニング装置］
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１６８】
［転写装置］
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１６９】
［中間転写体］
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１７０】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例】
【０１７１】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１７２】
＜疎水性シリカ粒子の作製＞
［シリカ粒子Ａ］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０」（アエロジル社製）を準備し、これをシリカ粒子Ａとした。  
【０１７３】
［疎水性シリカ粒子Ｂの作製］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０」（アエロジル社製）１００質量部に、疎水化剤としてトリメチルシラン化合物（１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン）（東京化成工業社製）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、次いで濾取し、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これを疎水性シリカ粒子Ｂとした。 
【０１７４】
［疎水性シリカ粒子Ｃの作製］
疎水化処理シリカ粒子「商品名：ＲＸ２００」（アエロジル社製）を準備し、これを疎水性シリカ粒子Ｃとした。
【０１７５】
［疎水性シリカ粒子Ｄの作製］
疎水性シリカ粒子「商品名：Ｘ２４−９１６３Ａ」（信越化学工業社製）を準備し、これを疎水性シリカ粒子Ｄとした。
【０１７６】
［疎水性シリカ粒子Ｅの作製］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＳＦＰ−２０Ｍ」（電気化学工業社製）１００質量部に、テトラヒドロフラン２００質量部、疎水化剤としてトリメチルシラン化合物（１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン）（東京化成工業社製）３０質量部を添加し、１２時間反応させ、次いで濾取し、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これを疎水性シリカ粒子Ｅとした。
【０１７７】
［疎水性シリカ粒子Ｆの作製］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０」（アエロジル社製）１００質量部に、テトラヒドロフラン２００質量部、疎水化剤としてデシルシラン化合物（デシルトリメトキシシラン、「商品名：ＫＢＭ−３１０３」（信越化学工業社製））３０質量部を添加し、２４時間反応させ、次いで濾取し、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これを疎水性シリカ粒子Ｆとした。
【０１７８】
［疎水性シリカ粒子Ｇの作製］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０」（アエロジル社製）１００質量部に、テトラヒドロフラン２００質量部、疎水化剤としてフェニルシラン化合物（フェニルトリエトキシシラン、「商品名：ＫＢＥ−１０３」（信越化学工業社製））３０質量部を添加し、２４時間反応させ、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これを疎水性シリカ粒子Ｇとした。
【０１７９】
シリカ粒子Ａ及び疎水性シリカ粒子Ｂ〜Ｇの物性を表６に示す。表６に記載の粒径は、感光体を製造した後、感光層に含有されているシリカ粒子について、既述の方法で計測して求めた値である。
【０１８０】
【表６】
2018159863.tif 000015
【０１８１】
＜感光体の製造＞
［実施例１］
ビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量５万）４７．２質量部と、電荷発生材料０．８質量部と、正孔輸送材料３４質量部と、電子輸送材料１８質量部と、疎水性シリカ粒子Ｂ  ５４質量部と、テトラヒドロフラン２５０質量部との混合物を高圧ホモジナイザーにて分散し、感光層形成用塗布液を得た。電荷発生材料などの化合物種は、表７に記載のとおりである。
【０１８２】
導電性基体として、直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材を用意した。感光層形成用塗布液を浸漬塗布法にてアルミニウム基材上に塗布し、温度１３５℃において３５分間の乾燥硬化を行い、厚さ３０μｍの単層型感光層をアルミニウム基材上に形成した。こうして、実施例１の感光体を得た。
【０１８３】
［実施例２〜１５、比較例１〜４］
表７に記載の組成となるように、シリカ粒子の種類と量、電荷発生材料の種類、正孔輸送材料の種類、及び電子輸送材料の種類を変更した以外は、実施例１と同様にして、各例の感光体を作製した。
【０１８４】
表７中の略称は以下の化学物質を意味する。
【０１８５】
−電荷発生材料−
・ＣＧＭ１：Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン。ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長８２０ｎｍ、平均粒径０．１２μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積６０ｍ２／ｇ。
【０１８６】
・ＣＧＭ２：クロロガリウムフタロシアニン。ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長７８０ｎｍ、平均粒径０．１５μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積５６ｍ２／ｇ。
【０１８７】
・ＣＧＭ３：チタニルフタロシアニン。
・ＣＧＭ４：Ｘ型無金属フタロシアニン。フタロシアニン骨格の中心に２個の水素原子が配位したフタロシアニン。
【０１８８】
−正孔輸送材料−
・ＨＴＭ１：一般式（１）で表される化合物の例示化合物（１−４１）。
・ＨＴＭ２：一般式（１）で表される化合物の例示化合物（１−１）。
・ＨＴＭ３：下記構造の化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン。
【０１８９】
【化８】
2018159863.tif 000016
【０１９０】
−電子輸送材料−
・ＥＴＭ１：一般式（２）で表される化合物の例示化合物（２−１１）。
・ＥＴＭ２：一般式（２）で表される化合物の例示化合物（２−１４）。
・ＥＴＭ３：下記構造の化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジフェノキノン。
【０１９１】
【化９】
2018159863.tif 000017
【０１９２】
＜評価＞
［感光層形成用塗布液の吸光度比］
感光層形成用塗布液について、既述の方法にしたがって吸光度を測定し、吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０を算出し、下記のとおり分類した。
Ｇ１：吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０が４．５以下であった。
Ｇ２：吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０が４．５を超え５．０以下であった。
Ｇ３：吸光度比Ａ１０００／Ａ８３０が５．０を超えていた。
【０１９３】
［感光体の感度］
感光体の感度の評価は、＋８００Ｖに帯電させたときの半減露光量として評価した。具体的には、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用いて、温度２０℃／相対湿度４０％の環境下、＋８００Ｖに帯電させた後、タングステンランプの光をモノクロメーターを用いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ２になるように調整して照射した。帯電直後における感光体表面電位Ｖｏ（Ｖ）が、光照射により２分の１となる半減露光量（μＪ／ｃｍ２）を測定し、下記のとおり分類した。
Ｇ１：半減露光量が０．１５μＪ／ｃｍ２以下であった。
Ｇ２：半減露光量が０．１５μＪ／ｃｍ２を超え０．１８μＪ／ｃｍ２以下であった。
Ｇ３：半減露光量が０．１８μＪ／ｃｍ２を超えていた。
【０１９４】
［環境による感光体の感度差］
上記の半減露光量を、温度２８℃／相対湿度８５％の環境と、温度１０℃／相対湿度１５％の環境とにおいて測定し、その差の絶対値を算出し、下記のとおり分類した。
Ｇ１：半減露光量の差の絶対値が０．０４μＪ／ｃｍ２以下であった。
Ｇ２：半減露光量の差の絶対値が０．０４μＪ／ｃｍ２を超え０．０６μＪ／ｃｍ２以下であった。
Ｇ３：半減露光量の差の絶対値が０．０６μＪ／ｃｍ２を超えていた。
【０１９５】
【表７】
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【符号の説明】
【０１９６】
１  導電性基体、２  単層型感光層、７  感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材、１３３  繊維状部材、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
2018159863.tif 000021
【図２】
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【図３】
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