(57)【要約】【課題】  継続的に異物を捕捉できるインプリント装置を提供すること。【解決手段】  本発明は、型９を用いて基板４上にインプリント材４のパターンを形成するインプリント装置１００に関する。基板４を保持する保持手段６上の基板４を保持する部分の周辺部３０に液膜３７を形成する液膜形成手段３１と、液膜形成手段３１により形成された液膜３７の液体を回収する回収手段３２とを有する。回収手段３２により液体を回収することにより周辺部３０上の異物を除去する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段上の前記基板を保持する部分の周辺部に液膜を形成する液膜形成手段と、
前記液膜形成手段により形成された前記液膜の液体を回収する回収手段と、を有し、
前記回収手段により前記液体を回収することにより前記周辺部上の異物を除去することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記周辺部は、前記液体が供給される領域に親水加工が施された親水領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記周辺部は、前記液体の供給位置よりも前記周辺部の外縁側の領域に、撥水加工が施された撥水領域を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記周辺部は、前記親水領域よりも前記周辺部の外縁側に形成された、撥水加工が施された撥水領域を含むことを特徴とする、請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記周辺部は、前記液体の供給位置よりも前記周辺部の外縁側に、前記液膜の液体を受ける溝を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記周辺部は、前記液体の供給位置よりも前記周辺部の外縁側に、前記液膜の液体を受ける溝を有し、
該溝は前記撥水領域よりも前記周辺部の外縁側に形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記液膜形成手段は、前記液膜の液体の補充動作を行うことを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記液膜形成手段及び前記回収手段は、前記液膜の液体の入れ替え動作を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記液膜形成手段は、前記周辺部の上方から前記液体を流出することにより前記液体を供給することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記周辺部は、所定の面に形成された開口と該開口に連通する管とを有し、
前記液膜形成手段は、前記管及び前記開口を通じて前記周辺部の前記所定の面に前記液体を供給することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記液膜形成手段により形成された液膜は、当該液膜に付着した異物を前記液膜の液体にはたらく表面張力により捕捉することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記液膜と対面する空間を加湿することにより、前記液膜による前記異物の捕捉力を大きくする加湿手段を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記液膜形成手段は、前記基板を保持する部分を取り囲むように前記保持手段上に前記液膜を形成することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板を保持する保持手段上に液膜を形成する工程と、前記液膜の液体を回収することにより前記液膜に付いた異物を除去する工程とを有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記パターンの形成された基板を処理する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造のために基板上に微細なパターンを形成するための装置として、インプリント装置が知られている。インプリント装置は、基板上のインプリント材と、パターンが形成された部分（以下、パターン部という）を有するモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、硬化物のパターンを形成する装置である。モールドをインプリント材から剥離する際にモールドが帯電してしまうため、電荷を帯びた周囲の異物（パーティクル）がモールドのパターン部に付着しやすくなる。パターン部に異物が付着したモールドとインプリント材とを接触させると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる恐れがある。
【０００３】
特許文献１には、モールド又はモールドの保持機構の一部の領域を帯電させた異物捕捉領域を用いて基板を保持して移動するステージ上に存在する異物を捕捉することによって、モールドのパターン部に異物が付着することを抑制することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７５３４０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１には異物捕捉領域に捕捉された異物を当該異物捕捉領域から取り除く方法が開示されていない。そのため、異物捕捉領域に異物が堆積しすぎると異物捕捉領域から周囲の空間にはたらく静電気力が弱まり次第に異物の捕捉能力が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、継続的に異物を捕捉できるインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかるインプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記保持手段上の前記基板を保持する部分の周辺部に液膜を形成する液膜形成手段と、前記液膜形成手段により形成された前記液膜の液体を回収する回収手段と、を有し、前記回収手段により前記液体を回収することにより前記周辺部上の異物を除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインプリント装置及びインプリント方法は、継続的に異物を捕捉できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るインプリント装置を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る周辺部材の構成を示す図である。
【図３】液体の供給・回収を説明する図である。
【図４】液体の交換方法を示すフローチャート。
【図５】第１実施形態の効果を説明するための比較図である。
【図６】第１実施形態の効果を説明する図である。
【図７】第２実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る周辺部材及び液体供給部の構成を示す図である。
【図９】第４実施形態に係る周辺部材の構成を示す図である。
【図１０】第５実施形態に係る周辺部材の周囲の様子を示す図である。
【図１１】物品の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
（インプリント装置の構成）
図１は第１実施形態に係るインプリント装置１００の構成を示す図である。以下の図において、鉛直方向の軸をＺ軸、当該Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２軸をＸ軸及びＹ軸としている。
【００１１】
インプリント装置１００は、モールド９（型）を用いて基板４上にインプリント材４ａのパターンを形成する。具体的には、モールド９とインプリント材４ａとを接触させた状態でインプリント材４ａを硬化させ、硬化したインプリント材４ａからモールド９を引き離すと、モールド９のパターン部９ａに形成されたパターンがインプリント材４ａに転写される。インプリント材４ａとして、例えば光硬化性組成物を使用する。
【００１２】
インプリント装置１００は、ベース定盤２と、ベース定盤２の上に配置されたステージ定盤３と、ステージ定盤３上で基板４を移動させるステージ装置６とを有する。インプリント装置１００は、さらに、ベース定盤２上に配置された支柱７、支柱７により支持されており且つモールド保持部材（以下、保持機構という）１０を支持する、ブリッジ定盤８を有する。
【００１３】
保持部材１０はモールドチャック（不図示）によりモールド９を保持する。保持部材１０は、少なくともＺ軸方向にモールド９を位置決めできるモールド駆動機構（不図示）も有する。当該モールド駆動機構は、モールド９をその他の方向（例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及び、Ｘ軸周り、Ｙ軸周り、Ｚ軸周りの回転方向等を含む６軸方向）に位置決めしてもよい。
【００１４】
照射部１１はブリッジ定盤８の上部に配置されている。照射部１１は、インプリント材４ａを硬化するための紫外光２２を射出し、射出された紫外光２２はミラー２１で反射され且つモールド９を透過して基板４上に到達する。
【００１５】
モールド９は基板４側（−Ｚ方向側）の面にパターンの形成されたパターン部９ａを有する。パターン部９ａには、例えば十数ナノメートルの線幅の凹凸パターンが形成されている。パターン部９ａの外周側を、前述のモールドチャックが保持している。モールド９の材質は、紫外光２２が透過する材質が好ましく、例えば石英である。
【００１６】
観察系１５は、モールド９の鉛直上方に配置されており、パターン部９ａ内の位置合わせ用マークと、基板４上に形成された位置合わせ用マーク（不図示）を検出する。供給部１６は、基板４が供給部１６の下方に位置決めされた際に未硬化状態のインプリント材４ａを所定の位置に供給する。
【００１７】
気流形成部１２は保持部材１０を取り囲むように配置された開口（不図示）当該開口から−Ｚ方向に清浄な気体を放出して気流１２ａを形成する。少なくともインプリント処理が行われる間は気流形成部１２が気流１２ａを形成することにより、インプリント処理の間に気流１２ａで囲まれた空間内に当該空間の外から異物が舞い込むことを抑制している。気流形成部１２は、基板４の搬入出時等インプリント処理以外の時間帯も気流１２ａは形成し続けることが好ましい。
【００１８】
ステージ装置６は、基板４を保持する基板保持部材（基板保持手段）１と、基板保持部材１をステージ定盤３に沿って移動させるステージ駆動機構６ａとを有する。基板保持部材１は、チャック５、周辺部材（周辺部）３０、チャック５及び周辺部材３０を支持するステージ天板１ａを含む。周辺部材３０とステージ天板１ａとが一体の構成物でもよい。
【００１９】
チャック５は、基板４とチャック５の間の空間を減圧することにより基板４を保持する。ステージ駆動機構６ａは、例えば、リニアモータやエアシリンダ等であり、ステージ駆動機構６ａは少なくとも、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に基板４を位置決めする。ステージ駆動機構６ａは、基板４を２軸以上の方向（例えば、６軸方向）に位置決めできるものでもよい。基板保持部１の位置計測は、例えば、レーザ干渉計（不図示）を用いて行われる。
【００２０】
周辺部材３０は、基板保持部材１のうち基板４が保持される部分（基板の配置位置）の周辺部に配置されている。本実施形態に係る周辺部材３０は、基板保持部材１の上面（＋Ｚ側の面）において基板４の外周を取り囲むように配置されており、周辺部材３０の表面の高さは基板４の表面の高さと同程度である。例えば、周辺部材３０と基板４との高低差は１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
周辺部材３０を配置することによって、基板４の外周を含むショット領域にパターンを形成する際に、基板４の外周部に局所的に力が加わることを抑制している。これにより、基板４の外周を含まないショット領域にパターンを形成するときと同等の押印力で基板４の外周を含むショット領域にパターンが形成される。パターン部９ａと周辺部材３０との接触を防ぐため、周辺部材３０の表面の高さが基板４の表面よりも低いことが好ましい。また、周辺部材３０はパターン部９ａの真下（−Ｚ方向）の空間にＨｅ等の気体を効率よく流入させる役割も有する。
【００２２】
インプリント装置１００は、周辺部材３０の上の異物を除去するために、液体供給部３１と液体回収部３２を有する。液体供給部３１は、周辺部材３０の上に液体を供給して周辺部材３０の上に液膜３７（図２に図示）を形成する液膜形成手段である。液体回収部３２は、液体供給部３１により形成された液膜３７の液体を回収する回収手段である。
【００２３】
液体供給部３１及び液体回収部３２はブリッジ定盤８に支持されており、本実施形態において液体供給部３１は周辺部材３０の上方から液体を流出することにより周辺部材３０に液体を供給する。後述の制御部１７からの指示を受けて、液体供給部３１及び液体回収部３２は所定のタイミングでＺ軸方向に移動する。これにより、液体供給部３１は周辺部材３０への液体の供給を行い、液体回収部３２は液体の回収を行う。
【００２４】
インプリント装置１００は、周辺部材３０の上に形成される液膜３７にはたらく表面張力によって異物を捕捉する。そのため、液体供給部３１が供給する液体は、液膜３７に落下した異物を捕捉可能な程度の表面張力がはたらく液体がよい。例えば、液膜３７の液体は水である。また、液体はジェル状の流体も含むものとする。液体の表面張力が大きすぎることにより、異物が液体に浮いてしまう場合は、液体に界面活性剤を混ぜて液体表面における表面張力を低下させてもよい。
【００２５】
液体供給部３１が周辺部材３０上に供給する液体の量は、対象としている異物（パーティクル）の大きさに応じて決定されることが好ましい。例えば、異物の大きさが数十μｍ以下の場合は、液膜３７の厚さが１００〜５００μｍであることが好ましい。液膜３７の厚さが薄いと異物の捕捉力が弱く、異物が再びインプリント装置１００の内部に浮遊する恐れがある。一方液膜３７の厚さが厚いと、溝３５（図２に図示）だけでなく周辺部材３０の外部に供給された液体がこぼれるおそれがある。
【００２６】
液体供給部３１が供給する液体の適正量は、予め制御部１７のメモリ等に記憶されている。
【００２７】
制御部１７は、ステージ装置６、保持部材１０、照射部１１、気流形成部１２、観察系１５、供給部１６、液体供給部３１、及び液体回収部３２と、有線または無線の通信手段により接続されている。制御部１７はＣＰＵ及びＲＯＭ、ＲＡＭ等のメモリを有し、制御部１７と接続された構成要素を統括的に制御してインプリント処理を実行する。制御部１７のメモリには、液体供給部３１及び液体回収部３２の動作のタイミングや、液膜形成のために必要な液体の量等が記憶されている。
【００２８】
なお、本明細書においてインプリント処理とは、基板４へのインプリント材４ａの供給、インプリント材４ａとモールド９との接触、インプリント材４ａの硬化、モールド９とインプリント材４ａを引き離し、を繰り返す処理のことをいう。
【００２９】
次に、図２を用いて周辺部材３０の詳細な構成について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、周辺部材３０の構成を示す図である。図２（ａ）は周辺部材３０を＋Ｚ方向から見た図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’断面から＋Ｙ方向を見た矢視図である。図２（ｃ）は、周辺部材３０を拡大した図である。
【００３０】
周辺部材３０は、液体供給部３１によって液体が供給される領域に、親水加工が施された親水領域３６を有する。親水領域３６は、例えば親水性のコーティング材料によるコーティング加工が施されている。当該親水性の材料は例えばリン酸カルシウム系のセラミックス蒸着材料やシリカ系の超親水性コート剤等である。親水領域３６は、親水性基が表面に配向した膜構造を有する超親水膜が貼り付けられることにより形成されていてもよい。
【００３１】
周辺部材３０は、液体の供給位置よりも周辺部材３０の外縁側の領域に、撥水加工された撥水領域３４を有する。周辺部材３０の外縁側の領域は、周辺部材３０上の外周側で且つ外周に沿う領域３３ａと、周辺部材３０の上の内周側で且つ内周に沿う領域３３ｂとを含む。撥水領域３４は、親水領域３６よりも周辺部材３０の外縁側に形成されている。撥水領域３４は、例えば、表面を数μｍ単位の突起物で構成された凹凸構造であったり、ふっ素等の撥水性の高いコーティング材料でコーティング加工がされた部分である。
【００３２】
なお、本実施形態において液体の供給位置とは、液体供給部３１が液体を供給するときに液体供給部３１の液体流出ノズルと対向する位置のことをいう。
【００３３】
周辺部材３０は、液体の供給位置よりも周辺部材３０の外縁側に、すなわち領域３３ａ及び領域３３ｂに、液膜３７の液体を受ける溝３５を有する。溝３５は、領域３３ａ、３３ｂのそれぞれにおいて、撥水領域３４よりもさらに周辺部材３０の外縁側にある。
【００３４】
液体供給部３１が親水領域３６に液体を供給すると、周辺部材３０上において液体は濡れやすくなり液体は水平方向に広がる。広がった液体は撥水領域３４ではじかれるため、液体は周辺部材３０上のうち親水領域３６のみ、あるいは親水領域３６と撥水領域３４の一部にとどまることで、液膜３７が形成される。
【００３５】
周辺部材３０上に供給する液体の量が多過ぎた場合またはステージ装置６の加速移動時や減速移動時に液体にはたらく慣性力が大きい場合は、液体の表面張力を超えて液体が撥水領域３４よりも外縁側に流れてしまう場合がありうる。係る場合であっても、溝３５に液体が溜まることにより、液膜３７の液体がステージ定盤３の上にこぼれることを防ぐことができる。
【００３６】
（液体の供給・回収について）
図３及び図４を用いて、液膜３７の液体の供給と回収の動作を説明する。図３は液体の供給・回収を説明する図である。図３（ａ）は、周辺部材３０を＋Ｚ方向から見た時の図である。ステージ駆動機構６ａは、周辺部材３０に液体を供給するとき、または回収するときに、液体供給部３１と液体回収部３２の下方に周辺部材３０が位置するように基板保持部材１を移動させる。
【００３７】
図３（ｂ）は、周辺部材３０への液体の供給及び回収のいずれも行っていないときの、液体供給部３１と液体回収部３２液体回収部３２の様子を示す図である。
【００３８】
図３（ｃ）は、液体供給部３１が周辺部材３０に液体を供給する様子を示す図である。液体供給部３１は制御部１７の指示を受けて−Ｚ方向に移動し、液体供給用のノズルを周辺部材３０に近接させた状態で液体を供給する。
【００３９】
図３（ｄ）は、液体回収部３２が周辺部材３０上の液膜３７の液体を回収すると共に、液体供給部３１が新たな液体を周辺部材３０上に供給している様子を示す図である。このように液膜３７の液体を交換する（入れ替える）場合、液体供給部３１と液体回収部３２の両方が制御部１７の指示を受けて−Ｚ方向に移動し、液体供給用のノズル及び液体回収用のノズルを周辺部材３０に近接させる。なお、液体の交換作業は、周辺部材３０上の液膜３７の液体を全て回収した後に新たな液体を供給してもよいし、図３（ｄ）に示すように周辺部材３０上の液膜３７の液体を回収しながら新たな液体を供給してもよい。
【００４０】
図４は液体の交換方法を示すフローチャートである。インプリント装置１００は、インプリント処理を一度中断して図４のフローチャートに示す各工程を行う。
【００４１】
所定のタイミングで、制御部１７は液膜３７の液体の交換を液体供給部３１及び液体回収部３２に指示をする。当該所定のタイミングとは、所定枚数の基板４へのインプリント処理を終えるごと、所定ロットの基板４へインプリント処理を終えるごと、所定時間経過毎、液膜３７上に捕捉された異物が所定量堆積するごと、等である。当該フローチャートの開始のタイミングにおいて、周辺部材３０上に液膜３７が形成されているとする。
【００４２】
Ｓ１０１において、ステージ駆動機構６ａが基板保持部材１を初期位置へ移動させる。当該初期位置とは、例えば図３（ａ）に示すように、液体供給部３１と液体供給部３１とが対向する位置である。Ｓ１０２において、液体供給部３１と液体回収部３２を用いて、周辺部材３０への液体の供給及び液体の回収を開始する。
【００４３】
Ｓ１０３では、液体供給部３１と液体回収部３２により液体の供給・回収を行っている間に、ステージ駆動機構６ａが液体交換ルートに沿って基板保持部材１を移動させる。液体交換ルートとは、例えば周辺部材３０が液体供給部３１と液体回収部３２が周辺部材３０の下方で周辺部材３０の周方向に一周するようなルートである。Ｓ１０４において、周辺部材３０全面の液体の交換が完了したら、液体供給部３１と液体回収部３２液体回収部３２を＋Ｚ方向に上げて、液体の供給および回収を終了する。
【００４４】
液体供給部３１は、液膜３７の液体が蒸発した場合に少なくなった液体を補充する補充動作を行ってもよい。液体供給部３１は、制御部１７からの指示をうけて所定のタイミングで当該補充動作を行ってもよいし、計測手段によって液膜３７の液体量を計測して、当該計測結果に基づいて減量分だけ液体を補充してもよい。液膜３７の液体量を計測するための計測手段として、例えば干渉計がある。当該干渉計を用いて液膜３７の表面の高さを計測することにより、液膜３７の表面の高さの変化量から液体の減った分量を間接的に予測することができる。
【００４５】
（液膜による異物の捕捉について）
次に、液膜３７による異物の捕捉効果について図５、図６を用いて説明する。図５は従来のインプリント装置において基板保持部材１を移動させた場合を示す図である。図５（ａ）に示すように、インプリント装置１００において電荷を帯びた異物が浮遊している場合、周辺部材３０の上に落下することがある。液膜３７が形成されていない従来のインプリント装置の場合、図５（ｂ）に示すように周辺部材３０が異物を引き寄せる力が弱いため、帯電したモールド９が対向するとモールド９に異物が付着してしまう。
【００４６】
図６は本実施形態に係るインプリント装置１００において基板保持部材１を移動させた場合を示す図である。図６（ａ）に示す、本実施形態に係るインプリント装置１００は、液膜３７の液体に働く表面張力を利用して異物を引き付けたままの状態にすることができる。これにより周辺部材３０が帯電したモールド９と対向することがあっても、モールド９に周辺部材３０の上の異物が付着することを抑制できる。
【００４７】
さらに、所定のタイミングで液体回収部３２が異物の付着した液体を回収することによって、周辺部材３０上の異物を回収できる。つまり、周辺部材３０の上の異物を、周辺部材３０の上以外の部分に除去することができる。このようにして、液膜３７には所定量以下の異物しか含まない状態とすることができ、液膜３７は継続的に異物を捕捉することができる。よってモールド９のパターン部９ａへの異物の挟み込みを生じにくくすることができる。
【００４８】
インプリント装置１００は、チャンバの内部において異物の捕捉手段である液膜３７を交換できる。そのため、異物の捕捉手段の交換のためにインプリント装置１００のチャンバを開閉する必要がなく、チャンバを開けてしまった後のチャンバ内の雰囲気の清浄化に要する時間も不要とできる。
【００４９】
［第２実施形態］
（インプリント装置の構成）
図７は第２実施形態に係るインプリント装置２００の構成を示す図である。なお、インプリント装置１００と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。インプリント装置２００は周辺部材３０に液体を供給して液膜を形成する液膜形成手段として、液体供給部４０を有する。液体供給部４０は、周辺部材３０上への液体の供給方法が液体供給部３１とは異なる。制御部１７は、液体供給部４０を制御している。
【００５０】
また、周辺部材３０の構成もインプリント装置１００とは異なり、本実施形態に係るインプリント装置３００は、＋Ｚ側の面（所定の面）に形成された開口４１ａと、開口４１ａに連通する配管（管）４１とを有する。液体供給部４０は、配管４１及び開口４１ａを通じて周辺部材３０の表面（所定の面）に液体を供給する。
【００５１】
図８（ａ）〜（ｃ）は周辺部材３０及び液体供給部４０の構成を示す図である。図８（ａ）は周辺部材３０を＋Ｚ方向から見た図である。図８（ａ）は周辺部材３０を＋Ｚ方向から見た図である。図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ’断面から＋Ｙ方向を見た矢視図である。図８（ｃ）は、周辺部材３０を拡大した図である。
【００５２】
図８（ａ）に示すように、周辺部材３０をＺ軸方向に沿って貫通する複数の配管４１を有する。周辺部材３０の上面側の配管４１の開口は、基板４の中心から放射線状に配置されている。周辺部材３０の上面における配管４１の開口は、基板４の中心に対して所定の角度で等角度間隔に配置されることが好ましい。当該当該角度は任意に設定可能であり、例えば図８（ａ）に示すように角度が２２．５°間隔で配置してもよい。
【００５３】
開口４１ａの総面積が、周辺部材３０において均一な密度で配置されていることが好ましい。領域３３ｂの周方向の距離よりも領域３３ａの周方向の距離の方が長いため、１つあたりの開口面積が同じ場合は、領域３３ａの側ほど開口４１ａの数を増やすことにより、開口４１ａの密度を均一にすることができる。インプリント装置２００では、径方向に５つの配管４１を並べる場合と径方向に３つの配管４１を並べる場合とを周方向に交互に配置した構成を採用している。これにより、周辺部材３０に供給された液体が周辺部材３０上で均等に広がりやすくできる。
【００５４】
なお、図８（ａ）に示す配管４１の開口の配置は一例であり、配管４１の個数や間隔等が図８（ａ）とは異なっていてもよい。また、本実施形態において液体の供給位置とは、液体供給部４０が液体を供給するための開口４１ａが形成されている位置のことをいう。
【００５５】
液体供給部４０によって液膜３７のための液体を供給するタイミング、液体回収部３２により液体を回収するタイミングは第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５６】
本実施形態に係るインプリント装置２００によれば、液膜３７の液体に働く表面張力を利用して異物を引き付けたまま捕捉することができる。これにより帯電したモールド９と対向することがあっても、モールド９に周辺部材３０の上の異物が付着することを抑制できる。
【００５７】
さらに、所定のタイミングで液体回収部３２によって、液体とともに液膜３７に捕捉された異物を回収できる。つまり、周辺部材３０の上の異物を除去することができる。このようにして、液膜３７には所定量以下の異物しか含まない状態とすることができ、液膜３７は継続的に異物を捕捉することができる。よってモールド９のパターン部９ａへの異物の挟み込みを生じにくくすることができる。
【００５８】
液体供給部３１を使用する場合は、周辺部材３０上に液体を補充するために基板保持部材１を液体供給部３１の下方位置まで移動させる必要があった。しかし、液体供給部４０は周辺部材３０の下方から液体を供給するので、基板保持部材１の位置によらず任意のタイミングで液体を供給することができる。
【００５９】
配管４１が液体供給部４０と液体回収部３２とに選択的に接続されるように構成されている場合は、周辺部材３０の下側から周辺部材３０上の液体を回収してもよい。
【００６０】
［第３実施形態］
第３実施形態に係るインプリント装置は、インプリント装置１００に加えて液膜３７と対面する空間を加湿する加湿手段を有する。当該加湿手段以外の構成は前述と同様なので、詳細な説明は省略する。加湿手段は例えば周辺部材３０の表面を温調するヒータ等の温調手段である。加湿手段は、周辺部材３０に埋め込まれていてもよいし、周辺部材３０の上方に配置されていてもよい。
【００６１】
ヒータ等の温調手段は、インプリント処理中に液膜３７の液体を強制的に蒸発させて液膜３７の上部の雰囲気の湿度を上げる。液膜３７の付近の湿度が上昇することで、異物と液膜３７との間にはたらく液架橋力を大きくすることができる。よって、液膜３７が異物を捕捉力を第１実施形態及び第２実施形態に比べて大きくすることができる。なお、液架橋力とは、液体表面を最小にしようとして粒子同士を引き寄せる方向に働く力／表面張力、である。液架橋力は、約６０％以上の高湿度下ではたらく力である。
【００６２】
なお、本実施形態は第１実施形態及び第２実施形態に比べて液膜３７の液体の蒸発量が多くなりやすい。そのため、液体供給部４０は、液膜３７に対して液体を補充することが好ましい。当該液体の補充は定期的に所定量の液体を供給してもよいし、前述した液膜３７の膜厚計測手段による計測結果に基づいて制御部１７が決定した量の液体を供給してもよい。
【００６３】
［第４実施形態］
第４実施形態に係るインプリント装置は、インプリント装置１００に加えて周辺部材３０を帯電させる帯電手段を有する。図９は、周辺部材３０の構成を示す図であり、帯電手段として電圧源３８を有する。第１実施形態と同様の効果に加え、電圧源３８が周辺部材３０の表面を帯電させることにより、周辺部材３０は周辺部材３０の上方を浮遊している異物を引き寄せることができるようになる。電圧源３８によって電圧を調整することにより、異物を捕捉する力も調整できるようになる。
【００６４】
［第５実施形態］
第５実施形態に係るインプリント装置の構成はインプリント装置１００同じである。液体供給部３１及び液体回収部３２の使用方法が異なる。本実施形態では、インプリント装置はインプリント処理は液膜３７が形成されていない状態で行う。周辺部材３０には異物が落下するが、図１０に示すように液体供給部３１による液体の供給と液体回収部３２による液体の回収とを同時に行うことにより、一時的に液膜３７を形成して、当該液膜３７によって周辺部材３０の上の異物の除去することができる。
【００６５】
［その他の実施形態］
第１実施形態〜第５実施形態に共通に適用可能なその他の実施形態について説明する。
【００６６】
周辺部材３０が基板４の周囲を取り囲んだ形状の場合を図示したが、周辺部材３０は必ずしも基板４が保持される部分を取り囲んでいなくてもよい。基板４のが保持される部分の周辺において、一部分に配置されただけでもよいし、複数箇所に分けて配置されていてもよい。
【００６７】
撥水領域３４や、親水領域３６も、図２で示したように、円環状に形成されていなくてもよい。領域３３ａ及び領域３３ｂのうち、少なくとも一部に形成されていればよい。より好ましくは、領域３３ａ、領域３３ｂそれぞれの半周以上の領域に形成されていればよい。
【００６８】
なお、以上の説明における異物とはパターン形成に関与することを目的としていない物質のことである。例えば、インクジェット方式で液滴が漂い乾燥した固形物、スピンコート方式で供給されたインプリント材４ａの飛沫が漂い乾燥した固形物、インプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等である。
【００６９】
インプリント材４ａには、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線等の光である。
【００７０】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分等の群から選択される少なくとも一種である。
【００７１】
インプリント材４ａは、スピンコーターやスリットコーターにより基板４上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板４上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００７２】
前述の第１〜第８の各実施形態及びその他の実施形態を適宜組み合わせて、複数の特徴を有するインプリント装置であってもよい。
【００７３】
［物品の製造方法］
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００７４】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００７５】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板４を用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材４ａを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材４ａが基板上に付与された様子を示している。
【００７６】
図１１（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド９を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材４ａに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材４ａが付与された基板４とモールド９とを接触させ、圧力を加える。インプリント材４ａはモールド９と被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド９を透して照射すると、インプリント材４ａは硬化する。
【００７７】
図１１（ｄ）に示すように、インプリント材４ａを硬化させた後、モールド９と基板４を引き離すと、基板４上にインプリント材４ａの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材４ａにモールド９の凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７８】
図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００８０】
４  基板
４ａ  インプリント材
６  ステージ（保持部材）
９  モールド（型）
２３  異物
３０  周辺部材（周辺部）
３１  液体供給部（液膜形成手段）
３２  液体回収部（回収手段）
３７  液膜
１００  インプリント装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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