(57)【要約】【課題】ダイパッドの側面で封止樹脂の剥離やクラックが発生することを抑制することができるリードフレームの製造方法およびリードフレームを提供する。【解決手段】リードフレームの製造方法は、パターン形成工程と、マスク工程と、めっき工程とを含む。パターン形成工程は、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、ダイパッドにおいて複数のリードに対向する側面と複数のリードとの間を遮るように設けられるダミーパッドと、を含むパターンを金属板に形成する。マスク工程は、パターン形成工程の後に、ダイパッドの全体とダミーパッドの少なくとも一部とを覆うとともに、複数のリードにおけるダイパッド側の先端部を露出させる開口部が形成されるめっきマスクで金属板のおもて面を覆う。めっき工程は、マスク工程の後に、めっきマスクの開口部を介して複数のリードの先端部にめっき膜を形成する。【選択図】図１
2018117009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、前記ダイパッドにおいて前記複数のリードに対向する側面と前記複数のリードとの間を遮るように設けられるダミーパッドと、を含むパターンを金属板に形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程の後に、前記ダイパッドの全体と前記ダミーパッドの少なくとも一部とを覆うとともに、前記複数のリードにおける前記ダイパッド側の先端部を露出させる開口部が形成されるめっきマスクで前記金属板のおもて面を覆うマスク工程と、
前記マスク工程の後に、前記めっきマスクの前記開口部を介して前記複数のリードの前記先端部にめっき膜を形成するめっき工程と、を含むこと
を特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記ダミーパッドは、
前記ダイパッドの前記側面における両方の端部に支持されるように形成されること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームは、前記ダイパッドを支持するサポートバーをさらに含み、
前記ダミーパッドは、
前記サポートバーに支持されるように形成されること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記ダミーパッドは、
前記複数のリードの前記先端部に支持されるように形成されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記めっき工程の後に、前記ダミーパッドを切断する切断工程をさらに含むこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記めっき工程の後に、前記ダミーパッドを前記ダイパッドのおもて面側に折り曲げる折り曲げ工程をさらに含むこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、を有し、前記ダイパッドの裏面が封止樹脂から露出するように構成される半導体装置用のリードフレームにおいて、
前記ダイパッドの側面の近傍における前記ダイパッドの裏面側に形成されるハーフエッチング部と、
前記複数のリードにおける前記ダイパッド側の先端部に形成されるめっき膜と、
前記ダイパッドの前記側面にリードフレームの一部が切断された切断部と、を有すること
を特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
前記ハーフエッチング部は、
前記側面における中央部の近傍に形成され、
前記切断部は、
前記側面における両方の端部に一対形成されること
を特徴とする請求項７に記載のリードフレーム。
【請求項９】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、前記ダイパッドを支持するサポートバーと、を有し、前記ダイパッドの裏面が封止樹脂から露出するように構成される半導体装置用のリードフレームにおいて、
前記ダイパッドにおける側面の裏面側に形成されるハーフエッチング部と、
前記複数のリードにおける前記ダイパッド側の先端部に形成されるめっき膜と、
前記サポートバーにリードフレームの一部が切断された切断部と、を有すること
を特徴とするリードフレーム。
【請求項１０】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、を有し、前記ダイパッドの裏面が封止樹脂から露出するように構成される半導体装置用のリードフレームにおいて、
前記リードフレームは、
前記ダイパッドにおいて前記複数のリードに対向する側面と前記複数のリードとの間に設けられるダミーパッドと、
前記ダイパッドの側面の近傍における前記ダイパッドの裏面側に形成されるハーフエッチング部と、
前記複数のリードにおける前記ダイパッド側の先端部に形成されるめっき膜と、を備え、
前記ダミーパッドが前記ダイパッドのおもて面側に折り曲げられる屈曲部を有すること
を特徴とするリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、リードフレームの製造方法およびリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のリードフレームにおいて、ボンディングワイヤとの密着性を向上させるため、ダイパッドの周りに複数形成されるリードの先端部に、Ａｇめっきなどのめっき膜を形成する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３４０３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のリードフレームにおいて、樹脂板などにより構成されるめっきマスクでリードフレームを覆いながらリードの先端部にめっき膜を形成する際、リードの先端部を露出させるめっきマスクの開口部からめっき成分がダイパッド側に拡散し、ダイパッドの側面にもめっき膜が形成される場合がある。
【０００５】
ここで、かかるリードフレームを用いて、ダイパッドの底面を封止樹脂から露出させるExposed  Padタイプの半導体装置を構成する場合、ダイパッドの側面に形成されるめっき膜によりダイパッドと封止樹脂との密着性が低下することから、ダイパッドの側面で封止樹脂の剥離やクラックが発生する恐れがある。
【０００６】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、ダイパッドの側面で封止樹脂の剥離やクラックが発生することを抑制することができるリードフレームの製造方法およびリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係るリードフレームの製造方法は、パターン形成工程と、マスク工程と、めっき工程とを含む。前記パターン形成工程は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられる複数のリードと、前記ダイパッドにおいて前記複数のリードに対向する側面と前記複数のリードとの間を遮るように設けられるダミーパッドと、を含むパターンを金属板に形成する。前記マスク工程は、前記パターン形成工程の後に、前記ダイパッドの全体と前記ダミーパッドの少なくとも一部とを覆うとともに、前記複数のリードにおける前記ダイパッド側の先端部を露出させる開口部が形成されるめっきマスクで前記金属板のおもて面を覆う。前記めっき工程は、前記マスク工程の後に、前記めっきマスクの前記開口部を介して前記複数のリードの前記先端部にめっき膜を形成する。
【発明の効果】
【０００８】
実施形態の一態様によれば、ダイパッドの側面で封止樹脂の剥離やクラックが発生することを抑制することができるリードフレームの製造方法およびリードフレームを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るリードフレームの各製造工程を示す拡大平面図および断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、第１の実施形態に係るリードフレームを用いて構成される半導体装置の透視平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示すＡ−Ａ線の矢視断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第１の実施形態の変形例１に係るパターン形成工程を示す拡大平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第１の実施形態の変形例２に係るパターン形成工程を示す拡大平面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、第１の実施形態の変形例３に係るパターン形成工程を示す拡大平面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、第１の実施形態の変形例４に係るパターン形成工程を示す拡大平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第２の実施形態に係るリードフレームを用いて構成される半導体装置の透視平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａに示すＢ−Ｂ線の矢視断面図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係る折り曲げ工程を示す拡大平面図および断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの製造方法およびリードフレームについて説明する。なお、以下に示す各実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
＜第１の実施形態＞
最初に、図１を参照しながら、第１の実施形態に係るリードフレーム１の製造工程について説明する。なお、図１では、左側に各工程における拡大平面図を示すとともに、右側にはかかる拡大平面図に矢線で示した部分の断面図を示している。
【００１２】
まず、図１（ａ）に示すように、銅や銅合金、鉄ニッケル合金などで構成される金属板２０に、リードフレーム１を構成する各部位のパターンを形成するパターン形成工程を行う。かかるパターン形成工程により、リードフレーム１を構成するダイパッド１０や複数のリード１１、サポートバー１２などの部位を形成する。
【００１３】
ダイパッド１０は、たとえば略矩形状であり（図２Ａ参照）、かかるダイパッド１０のおもて面側には、後述する半導体素子３０（図２Ａ参照）が搭載可能である。
【００１４】
複数のリード１１は、ダイパッド１０の周囲に並んで配置されており、先端部１１ａがダイパッド１０に向かって延びている。かかるリード１１は、先端部１１ａに後述するボンディングワイヤ３１（図２Ａ参照）が接合され、半導体素子３０の電極と電気的に接続されることにより、後述する半導体装置１００（図２Ａ参照）の外部端子として機能する。
【００１５】
なお、図１（ａ）には図示していないが、第１の実施形態において、複数のリード１１は、ダイパッド１０の４つの側面１０ａすべてにそれぞれ並んで配置されている（図２Ａ参照）。
【００１６】
サポートバー１２は、ダイパッド１０とリードフレーム１におけるその他の部位との間をつないでおり、かかるその他の部位にダイパッド１０を支持する機能を有する。なお、図示していないが、リード１１も、サポートバー１２と同様に、リードフレーム１におけるその他の部位につなげられている。
【００１７】
さらに、かかるパターン形成工程では、ダイパッド１０においてリード１１と対向する側面１０ａと複数のリード１１との間に、かかる側面１０ａとリード１１の先端部１１ａとの間を遮るように、ダミーパッド１３が形成される。なお、第１の実施形態では、図１（ａ）に示すように、側面１０ａが、リード１１側に突出する中央部１０ａ１と、かかる中央部１１ａ１の両側に配置される一対の端部１０ａ２とを有する。そして、ダミーパッド１３は両方の端部１０ａ２に支持され、ダミーパッド１３により中央部１０ａ１の周囲に閉空間が形成される。
【００１８】
ここまで説明したパターン形成工程のほかに、図１（ａ）に示すように、ダイパッド１０におけるリード１１側への突出部分の裏面側にハーフエッチング加工を施すハーフエッチング工程を行う。これにより、中央部１０ａ１の近傍におけるダイパッド１０の裏面側にハーフエッチング部１０ｂが形成される。
【００１９】
このハーフエッチング工程は、上述のパターン形成工程と同時に行ってもよいし、パターン形成工程の後に行ってもよい。たとえば、金属板２０へのパターン形成工程をエッチング加工で行う場合は、金属板２０のおもて面と裏面とでレジストマスクを異なるパターン形状にすることにより、パターン形成工程とハーフエッチング工程とを同時に行うことができる。
【００２０】
また、たとえば、金属板２０へのパターン形成工程をスタンピング加工（打抜き加工）で行う場合は、かかるスタンピング加工でパターン形成工程を行った後、ダイパッド１０におけるリード１１側への突出部分の裏面側を押しつぶすように加工することにより、ハーフエッチング部１０ｂを形成することができる。
【００２１】
つづいて、図１（ｂ）に示すように、パターン形成工程およびハーフエッチング工程の後に、金属板２０のおもて面側をめっきマスク２１で覆うマスク工程を行う。ここで、めっきマスク２１は、ダイパッド１０の全体と、ダミーパッド１３の少なくとも一部とを覆うとともに、所定の位置に形成される開口部２１ａからリード１１の先端部１１ａが上方に露出するように配置される。
【００２２】
めっきマスク２１は、たとえば板状であり、ガラスエポキシ樹脂などの樹脂で構成される。また、金属板２０のおもて面とめっきマスク２１の裏面との間に隙間ができないように、金属板２０と直接接するめっきマスク２１の裏面側には、シリコンゴムなどで構成される軟質層が形成される。
【００２３】
このマスク工程では、また、金属板２０の裏面側に隙間ができないように、たとえば軟質なゴムで構成されるシート状の押さえ部材２２が配置される。
【００２４】
ここで、第１の実施形態では、図１（ｂ）に示すように、ダミーパッド１３が、めっきマスク２１と押さえ部材２２とで隙間が形成されないように挟まれている。これにより、マスク工程では、開口部２１ａとダイパッド１０の側面１０ａとの間をダミーパッド１３が遮るように、それぞれの部材が配置される。
【００２５】
なお、めっきマスク２１は、ダミーパッド１３の全体を覆ってもよいし、ダミーパッド１３の一部を覆ってもよい。仮にめっきマスク２１でダミーパッド１３の一部を覆う場合には、開口部２１ａと側面１０ａとの間を十分に遮ることができるように、めっきマスク２１を配置すればよい。
【００２６】
つづいて、図１（ｃ）に示すように、マスク工程の後に、めっきマスク２１の開口部２１ａを介して、リード１１における先端部１１ａのおもて面にめっき膜１４を形成するめっき工程を行う。めっき膜１４は、たとえば、ＡｇやＡｇ合金などで構成され、ボンディングワイヤ３１とリード１１の先端部１１ａとの間の密着性を向上させる。
【００２７】
なお、めっき工程では、めっき膜１４の成分が雰囲気中を拡散することにより、先端部１１ａのおもて面のほかに、先端部１１ａの側面やダミーパッド１３の側面にもめっき膜１４が形成される。一方で、開口部２１ａとダイパッド１０の側面１０ａとの間を遮るようにダミーパッド１３が配置され、ダイパッド１０の側面１０ａへのめっき成分の拡散が抑制されることから、側面１０ａへのめっき膜１４の形成を抑制することができる。
【００２８】
つづいて、図１（ｄ）に示すように、めっき工程の後に、金属板２０からめっきマスク２１と押さえ部材２２とを外し、金属板２０からダミーパッド１３を切断する切断工程を行う。かかる切断工程により、ダイパッド１０の側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２には、ダミーパッド１３が支持された部分に、切断された跡である切断部１０ｃが一対形成される。そして、かかる切断工程の後に、洗浄工程などを経て、第１の実施形態に係るリードフレーム１が完成する。
【００２９】
＜リードフレームを用いた半導体装置の構成＞
つづいて、図２Ａおよび図２Ｂを参照しながら、ここまで説明したリードフレーム１を用いて構成される半導体装置１００の構成について説明する。図２Ａおよび図２Ｂに示す半導体装置１００は、Exposed  Pad（以下、Ｅ−Ｐａｄと呼称する。）ＱＦＰ（Quad  Flat  Package）タイプの半導体装置である。
【００３０】
なお、第１の実施形態では、Ｅ−Ｐａｄ  ＱＦＰタイプの半導体装置１００の製造に用いられるリードフレーム１について示すが、その他のＥ−Ｐａｄタイプ、たとえばＥ−Ｐａｄ  ＳＯＰ（Small  Outline  Package）タイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに本実施形態を適用するようにしてもよい。
【００３１】
半導体装置１００は、リードフレーム１と、半導体素子３０と、ボンディングワイヤ３１と、封止樹脂３２とを有する。かかる半導体装置１００において、図２Ａに示すように、複数のリード１１やサポートバー１２は、半導体装置１００の製造工程において所定の位置で切断されて個片化され、互いが短絡しないように処理されている。
【００３２】
また、図２Ｂに示すように、かかる半導体装置１００において、リード１１は、先端部１１ａがダイパッド１０のおもて面より上側に配置されるとともに、先端部１１ａとは反対側の端部がダイパッド１０と面一か、ダイパッド１０よりも下側に配置されるように折り曲げられている。
【００３３】
半導体素子３０は、ダイパッド１０のおもて面に、はんだなどの接合材を用いて接合される。かかる半導体素子３０のおもて面には図示しない電極が設けられ、かかる電極にボンディングワイヤ３１の一端が接合される。
【００３４】
また、ボンディングワイヤ３１の他端は、リード１１の先端部１１ａに形成されためっき膜１４に接合される。これにより、半導体素子３０の電極と、かかる電極に対応するリード１１との間が電気的に接続される。
【００３５】
ボンディングワイヤ３１は、たとえば、ＣｕやＣｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金などで構成される。したがって、リード１１の先端部１１ａにめっき膜１４を形成することにより、リード１１とボンディングワイヤ３１との間の密着性を向上させることができる。
【００３６】
封止樹脂３２は、たとえば、エポキシ樹脂などで構成され、モールド工程などにより所定の形状に成型される。封止樹脂３２は、半導体素子３０やボンディングワイヤ３１などを封止する。また、半導体装置１００では、封止樹脂３２からダイパッド１０の裏面が露出するとともに、リード１１における先端部１１ａとは反対側の端部が突出する。
【００３７】
ここで、第１の実施形態に係るリードフレーム１では、上述の製造工程において形成されるダミーパッド１３により、ダイパッド１０の側面１０ａにめっき膜１４が形成されることを抑制することができる。これにより、ダイパッド１０の裏面を封止樹脂３２から露出させるＥ−Ｐａｄタイプの半導体装置１００において、側面１０ａと封止樹脂３２との間の密着性を向上させることができる。
【００３８】
したがって、第１の実施形態によれば、ダイパッド１０の側面１０ａで封止樹脂３２の剥離やクラックが発生することを抑制することができる。すなわち、第１の実施形態によれば、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
なお、半導体装置１００では、リード１１の先端部１１ａにめっき膜１４が形成されており、かかるめっき膜１４の周囲にも封止樹脂３２が配置されている。しかしながら、先端部１１ａの周囲は封止樹脂３２ですべて覆われており、めっき膜１４と封止樹脂３２との界面は外部に露出していない。したがって、かかる界面に外部から直接大気中の水分などが浸透することはないため、半導体装置１００の信頼性は十分に確保される。
【００４０】
また、半導体装置１００では、上述の切断工程により、めっき膜１４が形成されたダミーパッド１３を切断している。これにより、めっき膜１４が形成され、封止樹脂３２との密着性が低い部位をリードフレーム１から除去することができる。したがって、第１の実施形態によれば、上述の切断工程により、封止樹脂３２とリードフレーム１との密着性を向上させることができることから半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、第１の実施形態では、中央部１０ａ１の近傍におけるダイパッド１０の裏面側にハーフエッチング部１０ｂが形成されている。そして、かかるハーフエッチング部１０ｂに形成される凹凸により、ダイパッド１０と封止樹脂３２との密着性をさらに向上させることができることから、半導体装置１００の信頼性をさらに向上させることができる。
【００４２】
また、側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２には、上述の切断部１０ｃが一対形成されている。ここで、第１の実施形態では、ダミーパッド１３が側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２に支持され、ダミーパッド１３を用いて側面１０ａにおける中央部１０ａ１の周囲に閉空間が形成される（図１（ａ）参照）。
【００４３】
このように、ダミーパッド１３を用いて中央部１０ａ１の周囲に閉空間を形成することにより、上述のめっき工程の際に、めっき成分が中央部１０ａ１に回り込むことを抑制することができる。したがって、第１の実施形態によれば、切断部１０ｃを側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２に一対形成することにより、側面１０ａの中央部１０ａ１にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００４４】
＜変形例＞
つづいて、第１の実施形態の各種変形例に係るリードフレーム１の製造工程について、図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明する。なお、図３Ａ〜図３Ｄに示す拡大平面図は、図１（ａ）の左側に示した拡大平面図に対応する図面である。
【００４５】
図３Ａに示す変形例１では、パターン形成工程において、ダミーパッド１３がサポートバー１２に支持されるようなパターンを金属板２０に形成している。また、変形例１では、側面１０ａの両側に配置されるサポートバー１２のそれぞれに、ダミーパッド１３がつなげられている。
【００４６】
これにより、側面１０ａ全体の周囲に、ダミーパッド１３により閉空間を形成することができる。したがって、上述のめっき工程の際に、めっき成分が側面１０ａ全体に回り込むことを抑制することができることから、側面１０ａ全体にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００４７】
図３Ｂに示す変形例２では、パターン形成工程において、ダミーパッド１３がリード１１の先端部１１ａに支持されるようなパターンを金属板２０に形成している。これにより、隣接するリード１１同士の間隔が所定の間隔を維持するように、並んで配置されるリード１１を支持する機能をダミーパッド１３に付加することができる。
【００４８】
また、変形例２では、並んで配置されるリード１１の配列方向におけるダミーパッド１３の幅を、リード１１が並んで配置される幅よりも広くなるように形成している。かかる広い形状にダミーパッド１３を形成することにより、上述のめっき工程の際に、めっき成分が側面１０ａに回り込むことを抑制することができることから、側面１０ａにめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００４９】
図３Ｃに示す変形例３では、パターン形成工程において、ダミーパッド１３がダイパッド１０に支持されるとともに、リード１１の先端部１１ａにも支持されるようなパターンを金属板２０に形成している。すなわち、ダミーパッド１３はダイパッド１０につなげられるとともに、リード１１の先端部１１ａにもつなげられている。
【００５０】
これにより、第１の実施形態と同様に、ダミーパッド１３を用いて、側面１０ａにおける中央部１０ａ１の周囲に閉空間を形成することができる。したがって、上述のめっき工程の際に、めっき成分が中央部１０ａ１に回り込むことを抑制することができることから、中央部１０ａ１にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００５１】
さらに、変形例２と同様に、隣接するリード１１同士の間隔が所定の間隔を維持するように、並んで配置されるリード１１を支持する機能をダミーパッド１３に付加することができる。
【００５２】
図３Ｄに示す変形例４では、パターン形成工程において、ダミーパッド１３がサポートバー１２に支持されるとともに、リード１１の先端部１１ａにも支持されるようなパターンを金属板２０に形成している。すなわち、ダミーパッド１３はサポートバー１２につなげられるとともに、リード１１の先端部１１ａにもつなげられている。
【００５３】
これにより、変形例１と同様に、ダミーパッド１３を用いて、側面１０ａ全体の周囲に閉空間を形成することができる。したがって、上述のめっき工程の際に、めっき成分が側面１０ａ全体に回り込むことを抑制することができることから、側面１０ａ全体にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００５４】
さらに、変形例２と同様に、隣接するリード１１同士の間隔が所定の間隔を維持するように、並んで配置されるリード１１を支持する機能をダミーパッド１３に付加することができる。
【００５５】
なお、いずれの変形例においても、図３Ａ〜図３Ｄに示したそれぞれのパターン形成工程の後（または同時）に、第１の実施形態で示したハーフエッチング工程と、マスク工程と、めっき工程と、切断工程とを行うことにより、リードフレーム１を完成させることができる。なお、上述の変形例１および変形例４においては、かかる切断工程により、側面１０ａの両側に配置されるサポートバー１２のうちダミーパッド１３が支持された部分に、切断された跡である切断部が形成される。
【００５６】
＜第２の実施形態＞
つづいて、図４Ａおよび図４Ｂを参照しながら、第２の実施形態に係るリードフレーム１を用いて構成される半導体装置１００Ａの構成について説明する。なお、第２の実施形態は、リードフレーム１の一部が第１の実施形態と異なる。これ以外の部分については第１の実施形態と同様であることから、その他の部分については詳細な説明を省略する。
【００５７】
第２の実施形態に係る半導体装置１００Ａでは、第１の実施形態と異なり、金属板２０からダミーパッド１３が上述の切断工程により切断されておらず、リードフレーム１にダミーパッド１３が含まれる。さらに、ダミーパッド１３は、封止樹脂３２から露出しないように、ダイパッド１０のおもて面側に折り曲げられている。換言すると、ダミーパッド１３は、ダイパッド１０のおもて面側に折り曲げられる屈曲部を有する。
【００５８】
ここで、上述のように、リードフレーム１の製造工程におけるめっき工程の際には、ダミーパッド１３の側面にもめっき膜１４が形成される。しかしながら、ダミーパッド１３を折り曲げて、封止樹脂３２から露出しないようにすることにより、ダミーパッド１３の周囲を封止樹脂３２ですべて覆うことができ、めっき膜１４と封止樹脂３２との界面が外部に露出しないようにすることができる。
【００５９】
したがって、かかる界面に外部から直接大気中の水分などが浸透することを抑制することができることから、半導体装置１００Ａの信頼性を十分に確保することができる。
【００６０】
つづいて、第２の実施形態にかかるリードフレーム１の製造工程について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に、パターン形成工程（図１（ａ）参照）と、ハーフエッチング工程（図１（ａ）参照）と、マスク工程（図１（ｂ）参照）と、めっき工程（図１（ｃ）参照）とを行う。したがって、かかる工程の詳細については省略する。
【００６１】
第２の実施形態では、めっき工程の後に、図５に示すように、ダミーパッド１３をダイパッド１０のおもて面側に折り曲げる折り曲げ工程を行う。なお、図５では、図１と同様に、左側に折り曲げ工程における拡大平面図を示すとともに、右側にはかかる拡大平面図に矢線で示した部分の断面図を示している。
【００６２】
第２の実施形態によれば、かかる折り曲げ工程により、半導体装置１００Ａにおいて、ダミーパッド１３が封止樹脂３２から露出しないようにすることができる。
【００６３】
また、かかる折り曲げ工程では、ダミーパッド１３を折り曲げる工程のほかに、リード１１を折り曲げる工程を同時に行ってもよい。このように、ダミーパッド１３を折り曲げる工程とリード１１を折り曲げる工程とを同時に行うことにより、リードフレーム１の生産性を向上させることができる。
【００６４】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の各実施形態では、ダミーパッド１３が、ダイパッド１０やサポートバー１２に２カ所以上でつながるように形成されているが、ダミーパッド１３はダイパッド１０やサポートバー１２、リード１１のうち１カ所でつなげられてもよい。また、ダミーパッド１３の一端がダイパッド１０の一方の端部１０ａ２につなげられ、ダミーパッド１３の他端がダイパッド１０の他方の端部１０ａ２近傍のサポートバー１２につなげられてもよい。
【００６５】
しかしながら、ダミーパッド１３をダイパッド１０における両方の端部１０ａ２やサポートバー１２やダイパッド１０の一方の端部１０ａおよびサポートバー１２に２カ所でつながるように形成することにより、上述のように、側面１０ａの中央部１０ａ１や側面１０ａ全体の周囲に、ダミーパッド１３により閉空間を形成することができる。したがって、側面１０ａの中央部１０ａ１や側面１０ａ全体にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００６６】
また、本発明の各実施形態においては、ダイパッド１０の４つの側面１０ａすべてに向かい合うようにリード１１が配置されていることから、ダイパッド１０の４つの側面１０ａすべてにダミーパッド１３が形成されている。しかしながら、たとえばＳＯＰタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームのように、ダイパッド１０の２つの側面１０ａにのみ向かい合うようにリード１１が配置されている場合、リード１１に対向する２つの側面１０ａにのみダミーパッド１３を形成してもよい。
【００６７】
以上のように、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、パターン形成工程と、マスク工程と、めっき工程と、を含む。パターン形成工程は、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の周囲に設けられる複数のリード１１と、ダイパッド１０において複数のリード１１に対向する側面１０ａと複数のリード１１との間を遮るように設けられるダミーパッド１３と、を含むパターンを金属板２０に形成する。マスク工程は、パターン形成工程の後に、ダイパッド１０の全体とダミーパッド１３の少なくとも一部とを覆うとともに、複数のリード１１におけるダイパッド１０側の先端部１１ａを露出させる開口部２１ａが形成されるめっきマスク２１で金属板２０のおもて面を覆う。めっき工程は、マスク工程の後に、めっきマスク２１の開口部２１ａを介して複数のリード１１の先端部１１ａにめっき膜１４を形成する。これにより、ダイパッド１０の側面１０ａで封止樹脂３２の剥離やクラックが発生することを抑制することができる。
【００６８】
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、ダミーパッド１３は、ダイパッド１０の側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２に支持されるように形成される。これにより、めっき成分が側面１０ａの中央部１０ａ１に回り込むことを抑制することができることから、中央部１０ａ１にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００６９】
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、リードフレーム１は、ダイパッド１０を支持するサポートバー１２をさらに含み、ダミーパッド１３は、サポートバー１２に支持されるように形成される。これにより、めっき成分が側面１０ａ全体に回り込むことを抑制することができることから、側面１０ａ全体にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００７０】
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、ダミーパッド１３は、複数のリード１１の先端部１１ａに支持されるように形成される。これにより、隣接するリード１１同士の間隔が所定の間隔を維持するように、並んで配置されるリード１１を支持する機能をダミーパッド１３に付加することができる。
【００７１】
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、めっき工程の後に、ダミーパッド１３を切断する切断工程をさらに含む。これにより、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００７２】
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、めっき工程の後に、ダミーパッド１３をダイパッド１０のおもて面側に折り曲げる折り曲げ工程をさらに含む。これにより、半導体装置１００Ａにおいて、ダミーパッド１３が封止樹脂３２から露出しないようにすることができる。
【００７３】
また、実施形態に係るリードフレーム１は、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の周囲に設けられる複数のリード１１と、を有し、ダイパッド１０の裏面が封止樹脂３２から露出するように構成される半導体装置１００用のリードフレーム１において、ダイパッド１０の側面１０ａの近傍におけるダイパッド１０の裏面側に形成されるハーフエッチング部と、複数のリード１１におけるダイパッド１０側の先端部１１ａに形成されるめっき膜１４と、ダイパッド１０の側面１０ａにリードフレーム１の一部が切断された切断部１０ｃと、を有する。これにより、ダイパッド１０の側面１０ａで封止樹脂３２の剥離やクラックが発生することを抑制することができる。
【００７４】
また、実施形態に係るリードフレーム１において、ハーフエッチング部１０ｂは、側面１０ａにおける中央部１０ａ１の近傍に形成され、切断部１０ｃは、側面１０ａにおける両方の端部１０ａ２に一対形成される。これにより、側面１０ａの中央部１０ａ１にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００７５】
また、実施形態に係るリードフレーム１は、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の周囲に設けられる複数のリード１１と、ダイパッド１０を支持するサポートバー１２と、を有し、ダイパッド１０の裏面が封止樹脂３２から露出するように構成される半導体装置１００用のリードフレーム１において、ダイパッド１０における側面１０ａの裏面側に形成されるハーフエッチング部１０ｂと、複数のリード１１におけるダイパッド１０側の先端部１１ａに形成されるめっき膜１４と、サポートバー１２にリードフレーム１の一部が切断された切断部と、を有する。これにより、側面１０ａ全体にめっき膜１４が形成されることをさらに抑制することができる。
【００７６】
また、実施形態に係るリードフレーム１は、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の周囲に設けられる複数のリード１１と、を有し、ダイパッド１０の裏面が封止樹脂３２から露出するように構成される半導体装置１００Ａ用のリードフレーム１において、リードフレーム１は、ダイパッド１０において複数のリード１１に対向する側面１０ａと複数のリード１１との間に設けられるダミーパッド１３と、ダイパッド１０の側面１０ａの近傍におけるダイパッド１０の裏面側に形成されるハーフエッチング部と、複数のリード１１におけるダイパッド１０側の先端部１１ａに形成されるめっき膜１４と、を備え、ダミーパッド１３がダイパッド１０のおもて面側に折り曲げられる屈曲部を有する。これにより、ダイパッド１０の側面１０ａで封止樹脂３２の剥離やクラックが発生することを抑制することができる。
【００７７】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１      リードフレーム
１０    ダイパッド
１０ａ  側面
１０ａ１  中央部
１０ａ２  端部
１０ｂ  ハーフエッチング部
１０ｃ  切断部
１１    リード
１１ａ  先端部
１２    サポートバー
１３    ダミーパッド
１４    めっき膜
２０    金属板
２１    めっきマスク
２１ａ  開口部
２２    押さえ部材
３０    半導体素子
３１    ボンディングワイヤ
３２    封止樹脂
１００、１００Ａ  半導体装置
【図１】
2018117009.tif 000003
【図２Ａ】
2018117009.tif 000004
【図２Ｂ】
2018117009.tif 000005
【図３Ａ】
2018117009.tif 000006
【図３Ｂ】
2018117009.tif 000007
【図３Ｃ】
2018117009.tif 000008
【図３Ｄ】
2018117009.tif 000009
【図４Ａ】
2018117009.tif 000010
【図４Ｂ】
2018117009.tif 000011
【図５】
2018117009.tif 000012