(57)【要約】【課題】バーストフレームの立ち上りにおける波長変動を低減したバースト光信号を経済的に生成する光送信器を提供する。【解決手段】光送信器１０は、半導体レーザ１１と半導体光増幅器１２とを有する。半導体レーザ１１は、デジタルベースバンド信号をレーザ光の生成のための駆動電流に用いて、デジタルベースバンド信号を周波数変調した光信号を生成する。半導体光増幅器１２は、周波数変調された光信号を入射し、光信号を通過させる期間を表すゲート信号により変調された駆動信号に用いて利得を調整することにより、入射した光信号を出力する期間と出力しない期間とを切り替えて生成したバースト光信号を出力する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルベースバンド信号をレーザ光の生成のための駆動電流に用いて、前記デジタルベースバンド信号を周波数変調した光信号を生成する光信号生成部と、
光信号を通過させる期間を表すゲート信号により変調された駆動信号を用いて利得を調整することにより、周波数変調された前記光信号を出力する期間と出力しない期間とを切り替えて生成したバースト光信号を出力する光増幅部と、
を備えることを特徴とする光送信器。
【請求項２】
前記光信号生成部が用いた前記駆動電流と同一極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備え、
前記強度変調部は、前記光信号生成部から前記光信号を入射し、前記デジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した前記光信号を前記光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された前記光信号を前記光増幅部に出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項３】
前記光信号生成部が用いた前記駆動電流と逆極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備え、
前記強度変調部は、前記光信号生成部から前記光信号を入射し、前記デジタルベースバンド信号を反転したパターンのデジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した前記光信号を前記光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された前記光信号を前記光増幅部に出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項４】
前記光信号生成部は、半導体レーザであり、
前記強度変調部は、電界吸収型変調器であり、
前記光増幅部は、半導体光増幅器である、
ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の光送信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光加入者システムでは、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronic Engineers）やＩＴＵ-Ｔ（International Telecommunication Union Telecommunication Standardization Sector）で標準化されているＰＯＮ（Passive Optical Network）方式が広く用いられている。ＰＯＮシステムは、収容局と複数の加入者が、所外に配置された光スプリッタを介して、一本の光ファイバで結合されるネットワーク構成である。
【０００３】
ＰＯＮシステムでは、上り信号と下り信号が異なる波長により、同一光ファイバ上を双方向に伝送される。下り信号は、時分割多重（ＴＤＭ：Time Division Multiplexing）技術を用いて加入者ごとの信号が多重された連続信号である。加入者に配置される送受信装置（ＯＮＵ：Optical Network Unit）は、光スプリッタにより分岐された下りの連続信号から、自装置に割り当てられたタイムスロットの信号を取り出して受信する。また上り信号は、ＯＮＵから間欠的に送信されるバースト信号である。これらのバースト信号は光スプリッタで結合されてＴＤＭ信号となり、収容局に送られる。このＰＯＮシステムでは、収容局から光スプリッタまでの光ファイバ、および、収容局に配置される送受信装置（ＯＬＴ：Optical Line Terminal）を、複数の加入者で共用化できることから、ギガを超える高速の光アクセスサービスを経済的に提供することができる。
【０００４】
ＰＯＮの帯域を更に高速化するために、波長分割多重（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplexing）技術を併用したＴＷＤＭ−ＰＯＮ（Time- and Wavelength-Division Multiplexed PON）が新たに標準化されている。チャネル間の波長間隔として５０ＧＨｚ〜２００ＧＨｚが規定されているが、ＯＮＵに搭載するバースト光送信器の波長ドリフトによるチャネル間クロストークの影響が問題視されている。
【０００５】
図８は、ＴＤＭ−ＰＯＮで用いられている一般的なバースト光送信器の構成を示すブロック図である。ゲートスイッチには、データ信号とフレーム信号が入力される。ゲートスイッチは、ゲート信号が存在する時間範囲のデータ信号を抜出したフレーム信号により、半導体レーザを直接強度変調してバースト光信号を生成する（例えば、非特許文献１参照）。しかしながら、本手法では、半導体レーザの立ち上りにおいて出力波長が短波長から長波長に向けて大きくドリフトする（例えば、非特許文献２参照）。最終的にはグリッド波長に到達するが、許容される波長範囲に収まるまで時間を要する。それまでの間、５０ＧＨｚ〜２００ＧＨｚ離れた隣接チャネルに影響を与えてしまう。
【０００６】
一方、ＰＯＮは商用システムであるが、許容伝送路損失の拡大が大きな課題の一つと考えられている。これが実現できれば、分岐数の大きな光スプリッタを活用した収容加入者数の増大、伝送距離の長延化による収容エリアの拡大等、単一システムでより効率的な加入者の収容が可能となる。これを実現するため光増幅器をＯＬＴに配置し、ポストアンプとして用いて送信器の出力強度を増加したり、プリアンプとして用いて受信器の感度を改善したりすることによって、許容伝送路損失を拡大する手法が広く検討されている。ポストアンプによる出力強度の増加と比べて、プリアンプによる受信感度の改善効果は乏しい。従って、下り信号と同等の許容伝送路損失を得るためには、上り信号の更なる受信感度改善が課題となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Hirotaka Nakamura，et al.，"AC-Coupled Burst-Mode Transmitter Using Baseline-Wander Common-Mode-Rejection Technique for 10-Gbit/s-Class PON Systems"，IEEE，JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY，2009年，VOL. 27，NO. 3，p.336-342
【非特許文献２】G. Simon，et al.，"Experimental Demonstration of Low Cost Wavelength Drift Mitigation for TWDM Systems"，ECOC2016，42nd European Conference and Exhibition on Optical Communications，2016年9月，p.687-688
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記事情に鑑み、本発明は、バーストフレームの立ち上りにおける波長変動を低減したバースト光信号を経済的に生成するための光送信器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、デジタルベースバンド信号をレーザ光の生成のための駆動電流に用いて、前記デジタルベースバンド信号を周波数変調した光信号を生成する光信号生成部と、光信号を通過させる期間を表すゲート信号により変調された駆動信号を用いて利得を調整することにより、周波数変調された前記光信号を出力する期間と出力しない期間とを切り替えて生成したバースト光信号を出力する光増幅部と、を備えることを特徴とする光送信器である。
【００１０】
また、本発明の一態様は、上述の光送信器であって、前記光信号生成部が用いた前記駆動電流と同一極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備え、前記強度変調部は、前記光信号生成部から前記光信号を入射し、前記デジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した前記光信号を前記光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された前記光信号を前記光増幅部に出力する。
【００１１】
また、本発明の一態様は、上述の光送信器であって、前記光信号生成部が用いた前記駆動電流と逆極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備え、前記強度変調部は、前記光信号生成部から前記光信号を入射し、前記デジタルベースバンド信号を反転したパターンのデジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した前記光信号を前記光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された前記光信号を前記光増幅部に出力する。
【００１２】
また、本発明の一態様は、上述の光送信器であって、前記光信号生成部は、半導体レーザであり、前記強度変調部は、電界吸収型変調器であり、前記光増幅部は、半導体光増幅器である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、バーストフレームの立ち上りにおける波長変動を低減したバースト光信号を経済的に生成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態による光送信器の構成を示すブロック図である。
【図２】同実施形態による半導体レーザから出力されるレーザの光スペクトルの例を示す図である。
【図３】第２の実施形態による光送信器の構成を示すブロック図である。
【図４】同実施形態による半導体レーザの駆動電流と出力光の強度の関係を示す図である。
【図５】同実施形態によるＥＡ変調器の印加電圧と透過強度の関係を示す図である。
【図６】同実施形態による半導体レーザを電圧駆動するための電圧印加部の構成例を示す図である。
【図７】第３の実施形態による光送信器の構成を示すブロック図である。
【図８】従来技術によるバースト光送信器の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明の実施形態の光送信器は、バースト光信号の生成に際し、バーストフレームの立ち上りにおける波長変動を低減した、高感度受信可能なバースト光信号を経済的に生成する。以下に、光送信器の各実施形態について説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態による光送信器１０の構成を示すブロック図である。光送信器１０は、半導体レーザ１１及び半導体光増幅器１２から構成される。光送信器１０は、半導体レーザ１１の駆動電流をデジタルベースバンド信号の送信信号により直接変調するが、半導体レーザ１１は、従来のＰＯＮで用いられる強度変調信号ではなく、周波数変調信号を生成する。周波数変調信号の生成は、半導体レーザのバイアス電流を高く設定して断熱チャープが支配的な領域で直接変調を行うと、送信信号波形に対応した周波数変調信号が生成されることを利用して行う。その例を図２（ａ）に示す。
【００１７】
図２は、半導体レーザ１１から出力されるレーザの光スペクトルの例を示す図である。図２（ａ）は、２値のデジタルベースバンド信号により半導体レーザ１１を直接変調した際に出力される光スペクトルを示す。同図に示す通り、駆動電流が大きい「１」信号（以下、「マーク」と記載する。）は高周波側に偏移し、駆動電流が小さい「０」信号（以下、「スペース」と記載する。）は低周波側に偏移する。半導体レーザ１１の出力光の位相を直接的に送信波形で変調することはできないが、元の光キャリア周波数（ｆ０）に対して、周波数偏移（Δｆ）が生じ一定時間（ｔ）が経過すると、元のキャリアに対して２πΔｆｔの位相変化が生じる。
【００１８】
例えば、２値の位相変調信号では、マークとスペースの位相差（４πΔｆｔ）がπとなるよう周波数変調を行うことにより、復調可能な位相変調信号が生成される。このとき、周波数偏移量Δｆに応じて時間ｔ（＝１／４Δｆ）の遅延検波を行うことにより信号が復調される。この変調方式は、連続位相周波数偏移変調（ＣＰＦＳＫ：Continuous Phase Frequency Shift Keying）と呼ばれる。ＣＰＦＳＫについては、例えば、文献「KATSUSHI IWASHITA，TAKA0 MATSUMOTOM，"Modulation and Detection Characteristics of Optical Continuous Phase FSK Transmission System"，IEEE，JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY，1987年，VOL. LT-5，NO. 4，p.452-460」に記載されている。
【００１９】
１ビット時間（Ｔ）の遅延検波を行う場合、最少の周波数偏移量（１／４Ｔ）で復調可能な位相変調が生成され、この場合は特に、最少シフトキーイング（ＭＳＫ：Minimum Shift Keying）と呼ばれる。本方式によれば、これまで加入者ネットワークで用いられてきた強度変調信号の代わりにＣＰＦＳＫ信号を用いることで上り信号の受信感度を高めることができる。ＣＰＦＳＫ信号の受信には、マッハツェンダ干渉計等の遅延検波器を通過させた後に直接検波する手法や、局発光と結合して光コヒーレント検波する手法を用いることができる。いずれの手法を用いても、強度変調信号を同じ手法で受信した場合と比較して３ｄＢ（デシベル）の受信感度の改善効果を得ることができる。
【００２０】
半導体レーザ１１により生成されたＣＰＦＳＫ信号は、図１に示す半導体光増幅器１２に入力される。半導体光増幅器１２の駆動電流を、光信号を通過させる期間を表すゲート信号により変調し、光増幅器の利得を上げ下げする。これにより、半導体光増幅器１２は、半導体レーザ１１から入射された光の周波数変調信号を通過させる期間と通過させない期間を制御するようゲートを掛け、バースト光信号を生成する。半導体レーザ１１から半導体光増幅器１２に入射された光の周波数変調信号には、送信するデータ信号が重畳されている部分と、それ以外の何ら情報を含まない固定のアイドルパターンが重畳されている部分とから構成される。ゲート信号は、周波数変調信号において送信するデータ信号が重畳されている期間のみを抜き出して通過させ、バーストフレーム光信号を生成するために用いられる。
【００２１】
本手法によれば、半導体レーザ１１はデータ信号により連続的に変調され、その出力においてフレーム信号は生成されない。したがって、フレームの立ち上りにおける波長ドリフトは生じない。また実際には、半導体レーザ１１を直接変調すると、図２（ｂ）の光スペクトルに示されるように、周波数変調と同時に強度変調が生じ、マークとスペース間に強度差が生じる。強度変調信号を半導体光増幅器１２の飽和増幅領域に入力すると、強度波形に応じた不要なチャープ成分が重畳され、生成した位相変調信号が崩れてしまう問題が生じる。しかしながら、一般的な強度変調による信号生成では、マークとスペース間の強度差として６ｄＢ以上が求められるが、ＣＰＦＳＫ信号生成時に生じる強度差は小さいため、半導体光増幅器１２の飽和増幅効果による不要なチャープ成分の重畳の影響は十分少ないことが期待できる。
【００２２】
近年、４値の位相変調信号、すなわち、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）信号が、大容量の中継伝送システムで用いられているが、その信号生成はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）マッハツェンダ変調器（以下、「ＬＮ変調器」と記載する。）を用いて行われている。ＬＮ変調器は、変調帯域や光ファイバとの結合の面で優れた特性を有するため、長距離伝送システムに適したデバイスである。しかしながら、数センチメートルオーダの長さを有するため、加入者ネットワークへの適用、特にＯＮＵに搭載することは現実的ではない。
【００２３】
一方、ＬＮ変調器に代わる小型の変調器として、インジウムリン（ＩｎＰ）半導体マッハツェンダ変調器（以下、「ＩｎＰ変調器」と記載する。）の開発が進展し、商用化され始めている。位相変調をもたらす材料の屈折率変化がＬｉＮｂＯ３よりも大きいため、ミリメートルオーダの長さでデバイスを作製することができる。また、半導体デバイスであるため、半導体レーザや半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）等の光部品とモノリシック集積し、光送信器１０をより小型化することも可能である。しかしながら歩留り等の問題があり、アクセスシステムに適用するには更なる低コスト化技術の開発が必要である。本方式を用いれば、高価なマッハツェンダ変調器を用いることなく、ＩｎＰ変調器を用いてより経済的にＣＰＦＳＫ信号を生成することができる。
【００２４】
［第２の実施形態］
半導体レーザの駆動電流を直接変調して周波数変調を行うと、出力光キャリア周波数だけでなく強度も同時に変調される。従って、図２（ａ）のような理想的な周波数変調は実現されず、図２（ｂ）に示される通り、高周波側に偏移するマークと、低周波側に偏移するスペースの間に強度差が生じる。
【００２５】
図２（ａ）に示す理想的な変調信号と、図２（ｂ）に示す実際の変調信号の信号対雑音比（ＳＮＲ：Signal to Noise Ratio）を平均強度一定の条件で比較すると、実際の変調信号のスペースの強度が平均強度よりも低くなる。そのため、マークの強度が平均強度よりも高くとも、変調信号全体のＳＮＲはそれに引きずられて劣化し、理想的な変調信号と比較して受信感度が劣化するという問題がある。誘電体多層膜等の光フィルタを用いて、マークとスペースの強度を均一化することも考え得るが、半導体とは異なる部材を用いるため、送信器を構成する光部品をモノリシック集積により小型化することができない。
【００２６】
図３は、本発明の第２の実施形態による光送信器２０の構成を示す図である。光送信器２０は、半導体レーザ２１、電界吸収型（ＥＡ：Electro Absorption）変調器（以下、「ＥＡ変調器」と記載する。）２２及び半導体光増幅器２３から構成される。半導体レーザ２１は、送信信号である２値のデジタルベースバンド信号により、断熱チャープが支配的な領域で直接変調され、デジタルベースバンド信号に対応した２値の周波数変調信号を生成する。生成された周波数変調信号はＥＡ変調器２２に入力され、更に同一極性の２値のデジタルベースバンド信号を用いて強度変調される。
【００２７】
図４は、半導体レーザ２１の駆動電流と出力光の強度(以下、「出力強度」と記載する。）の関係を示す図である。半導体レーザ２１が有する駆動電流の印加部に電気抵抗を設けることにより、電流の代わりに電圧で駆動することも可能であるため、同図では、横軸が駆動電圧の場合を併記している。
【００２８】
図４（ａ）では、半導体レーザ２１の出力強度は、駆動電流が正の方向に増加するにつれて増加する。一方、図４（ｂ）では、半導体レーザ２１の出力強度は、駆動電流が負の方向に増加するにつれて増加する。従っていずれの場合においても、２値のデジタルベースバンド信号で直接変調すれば、周波数変調と同時に不要な強度変調成分が生じてしまう。その際、図４（ａ）では送信信号と同一極性の強度変調成分が生じ、図４（ｂ）では送信信号と逆特性の強度変調成分が生じる。
【００２９】
図５は、ＥＡ変調器２２の印加電圧と透過強度の関係を示す図である。図５（ａ）では、ＥＡ変調器２２の透過強度は、駆動電圧が正の方向に増加するにつれて減少する。一方、図５（ｂ）では、ＥＡ変調器２２の透過強度は、駆動電圧が負の方向に増加するのにつれて減少する。すなわち、図５（ａ）では印加信号電圧と符号が反転した強度変調が行われ、図５（ｂ）では印加電圧と同一符号の強度変調が行われる。半導体レーザ２１から出力された周波数変調信号に含まれる不要な強度変調成分は、ＥＡ変調器２２で強度変調成分と符号が反転した強度変調を行うことにより除去する。半導体光増幅器２３を用いてバーストフレームを生成するのは、第１の実施形態の半導体光増幅器１２と同様である。
【００３０】
本実施形態の光送信器２０は、半導体レーザ２１とＥＡ変調器２２を同一の１値のデジタルベースバンド信号で駆動する。そのため、図４（ａ）の特性を有する半導体レーザと図５（ａ）の特性を有するＥＡ変調器２２を組み合わせて用いるか、図４（ｂ）の特性を有する半導体レーザ２１と図５（ｂ）の特性を有するＥＡ変調器２２を組み合わせて用いることで、不要な強度変調成分の除去を実現できる。
【００３１】
本実施形態による光送信器２０によれば、モノリシック集積可能な光部品を用いてマークとスペースの光強度を均一化することで、小型かつ経済的な光送信器構成により位相変調信号の受信感度を向上させることができる。本構成はＥＡ変調器２２を用いるため、半導体レーザ２１から出力された連続光をＩｎＰ変調器等のＭＺ変調器において位相変調して信号生成を行う構成と、バースト光信号生成に用いる半導体光増幅器２３に至るまでに要する光デバイスの数は同じである。しかしながら、ＥＡ変調器２２は汎用光デバイスであり、現状ＩｎＰ変調器等のＭＺ変調器よりもはるかに安価である。
【００３２】
図６は、半導体レーザ２１を電圧駆動するための電圧印加部の構成例を示す図である。図６（ａ）に示す電圧印加部２１１ａは、ダイオードのアノード（Ａ）側に電気抵抗を、カソード（Ｃ）側にグランド（ＧＮＤ）を配置した構成である。図６（ｂ）に示す電圧印加部２１１ｂは、アノード（Ａ）側にグランド（ＧＮＤ）を、カソード（Ｃ）側に電気抵抗を配置した構成である。レーザ発振させるためには、ダイオードに順方向の電流を流す必要がある。図示の通り、図６（ａ）では正の電圧の駆動信号を、図６（ｂ）では負の電圧の駆動信号を印加することでこれを実現することができる。すなわち、図６（ａ）、図６（ｂ）はそれぞれ、図４（ａ）、図４（ｂ）に対応する。一方、図示はしないが、ＥＡ変調器２２の場合も同様にＧＮＤと電気抵抗の配置により、図５（ａ）、および図５（ｂ）の場合を実現できる。
【００３３】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態による光送信器３０の構成例を示す図である。光送信器３０は、光送信器３０の基本構成は第２の実施形態と同様である。すなわち、光送信器３０は、半導体レーザ３１、ＥＡ変調器３２及び半導体光増幅器３３を備える。第３の実施形態の光送信器３０が第２の実施形態の光送信器２０と異なる点は、以下のとおりである。
【００３４】
すなわち、半導体レーザ３１を駆動するデジタルベースバンド信号とＥＡ変調器３２を駆動するデジタルベースバンド信号の極性が、第２の実施形態とは異なる。第２の実施形態では、半導体レーザ２１を駆動するデジタルベースバンド信号とＥＡ変調器２２を駆動するデジタルベースバンド信号に同一極性の信号を用いた。第３の実施形態では、半導体レーザ３１を駆動するデジタルベースバンド信号とＥＡ変調器３２を駆動するデジタルベースバンド信号の極性が異なる。この場合、不要な強度変調成分を除去するためには、図４（ａ）の特性を有する半導体レーザ３１と図５（ｂ）の特性を有するＥＡ変調器３２を組み合わせて用いるか、図４（ｂ）の特性を有する半導体レーザ３１と図５（ａ）の特性を有するＥＡ変調器３２を組み合わせて用いればよい。一般に、高速信号を扱うシステムでは互いに極性の異なるデジタルベースバンド信号、すなわち差動信号が用いられる。従って、本実施形態による光送信器３０によれば、半導体レーザ３１とＥＡ変調器３２を駆動するデジタルベースバンド信号の生成が容易となる。
【００３５】
なお、上述した各実施形態では、２値のデジタルベースバンド信号を用いる場合を示したが、一般にＮ値（Ｎ：２以上の整数）のデジタルベースバンド信号を用い、Ｎ値のＣＰＦＳＫ信号を生成する場合であっても、上記の手法は適応可能である。
【００３６】
以上説明した実施形態によれば、光送信器は、光信号生成部と、光増幅部とを備える。光信号生成部は、例えば、半導体レーザ１１、２１、３１であり、光増幅部は、例えば、半導体光増幅器１２、２３、３３である。光信号生成部は、デジタルベースバンド信号をレーザ光の生成のための駆動電流に用いて、そのデジタルベースバンド信号を周波数変調した光信号を生成する。光増幅部は、光信号生成部が生成した光信号を入射し、光信号を通過させる期間を表すゲート信号により変調された駆動信号を用いて利得を調整することにより、周波数変調された光信号を出力する期間と出力しない期間とを切り替えて生成したバーストフレーム光信号を出力する。
【００３７】
光送信器は、光信号生成部が用いた駆動電流と同一極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備えてもよい。この強度変調部は、例えば、ＥＡ変調器２２である。強度変調部は、光信号生成部から光信号を入射する。強度変調部は、デジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した光信号を光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された光信号を光増幅部に出力する。
【００３８】
あるいは、光送信器は、光信号生成部が用いた駆動電流と逆極性の電圧で駆動する強度変調部をさらに備えてもよい。この強度変調部は、例えば、ＥＡ変調器３２である。強度変調部は、光信号生成部から光信号を入射する。強度変調部は、デジタルベースバンド信号を反転したパターンのデジタルベースバンド信号を駆動電流に用いて、入射した光信号を光信号生成部における周波数変調と同期したタイミングで強度変調し、強度変調された光信号を光増幅部に出力する。
【００３９】
以上説明したように、光送信器は、半導体レーザと半導体レーザの出力光を増幅する半導体光増幅器とを備える。光送信器は、半導体レーザの駆動電流をデジタルベースバンド信号で直接変調することにより周波数変調された光信号を生成し、半導体光増幅器の駆動電流を、光信号を通過させる期間を表すゲート信号で変調することにより、周波数変調された光信号からバースト光信号を生成する。また、光送信器は、周波数変調された光信号に、ＥＡ変調器により周波数変調と同期したタイミングで強度変調を施して半導体光増幅器に入力する。これにより、バーストフレームの立ち上りにおける波長変動を低減した、高感度受信可能なバースト光信号を経済的に生成することができる。
【００４０】
以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
バースト光信号を生成する光送信器に適用可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１０…光送信器，  １１…半導体レーザ，  １２…半導体光増幅器，  ２０…光送信器，  ２１…半導体レーザ，  ２２…電界吸収型変調器，  ２３…半導体光増幅器，  ３０…光送信器，  ３１…半導体レーザ，  ３２…電界吸収型変調器，  ３３…半導体光増幅器，  ２１１ａ…電圧印加部，  ２１１ｂ…電圧印加部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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