(57)【要約】【課題】光源光の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することのできる電子機器、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】電子機器１０００において、電気光学装置１００は、基板１と、基板１の一方面１ｓ側で基板１と離間して設けられた光変調用のミラー５０と、ミラー５０と基板１との間に設けられた高架アドレス電極３２等の電極を有している。光源部１１０は、ミラー５０に垂直な方向に対して斜めに傾いた方向からミラー５０に光源光Ｌ０を出射する。ミラー５０の光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する端面５０１、５０２である第１入射側端面５００には第１反射防止膜８１が設けられ、高架アドレス電極３２の光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する端面３２０である第２入射側端面３００には第２反射防止膜９１が設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板の一方面側に前記基板と離間して設けられた光変調用のミラー、および前記ミラーと前記基板との間に設けられ、前記ミラーとの間に作用する静電力によって前記ミラーを揺動させる電極を備えた電気光学装置と、
前記ミラーに斜め方向から光源光を照射する光源部と、
を有し、
前記ミラーの前記光源光が照射されてくる側に位置する端面である第１入射側端面に第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記ミラーの表面では穴が開口しており、
前記穴の前記光源光が照射されてくる側に向く内壁に前記第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子機器において、
前記電極の前記光源光が照射されてくる側に位置する端面である第２入射側端面に第２反射防止膜が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子機器において、
前記第１反射防止膜は、誘電体多層膜であることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項３に記載の電子機器において、
前記第１反射防止膜および前記第２反射防止膜は、誘電体多層膜であることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子機器において、
前記ミラーで反射した前記光源光を投射する投射光学系を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電子機器において、
前記ミラーの角を介して隣り合う２つの端面が前記第１入射側端面であることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電子機器において、
前記ミラーの１つの端面が前記第１入射側端面であることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板と、
前記基板の一方面側に前記基板と離間して設けられた光変調用のミラーと、
前記ミラーと前記基板との間に設けられ、前記ミラーとの間に作用する静電力によって前記ミラーを揺動させる電極と、
を有し、
前記ミラーにおいて、前記ミラーに沿う１つの方向に位置する端面である第１入射側端面に第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置において、
前記ミラーの表面では穴が開口しており、
前記穴の前記１つの方向に向く内壁に前記第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の電気光学装置において、
前記電極において、前記１つの方向に位置する端面である第２入射側端面に第２反射防止膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源光をミラーにより変調する電子機器および電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ミラーを備えた電子機器として、光源部から出射された光源光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射する表示装置が提案されている。かかる電子機器において、電気光学装置は、基板と、基板の一方面側に基板と離間して設けられた光変調用のミラーと、ミラーと基板との間に設けられた電極とを有しており、光源部は、ミラーに垂直な方向に対して斜めに傾いた方向からミラーに光源光を照射する。その際、ミラーと電極との間に作用する静電力によって、ミラーの姿勢を、光源光を投射光学系に向かうオン方向に反射するオン姿勢と、光源光をオン方向と異なるオフ方向に反射するオフ姿勢とに切り換えることにより、光源光を変調する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許ＵＳ２０１５／００７０７４９  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の電気光学装置および電子機器において、光源光が照射されてくる側に位置するミラーの端面で光源光が反射すると、迷光となって、投射光学系から投射され、投射画像の品位が低下するおそれがある。特に、ミラーがオフ姿勢になったとき、光源光が照射されてくる側のミラーの端部が基板から大きく浮き上がった状態となるので、ミラーの端面で反射した光が、迷光となって隣りのミラーに入射してしまう。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、光源光の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することのできる電子機器、および電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電子機器の一態様は、基板、前記基板の一方面側に前記基板と離間して設けられた光変調用のミラー、および前記ミラーと前記基板との間に設けられ、前記ミラーとの間に作用する静電力によって前記ミラーを揺動させる電極を備えた電気光学装置と、前記ミラーに斜め方向から光源光を照射する光源部と、を有し、前記ミラーの前記光源光が照射されてくる側に位置する端面である第１入射側端面に第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板の一方面側に前記基板と離間して設けられた光変調用のミラーと、前記ミラーと前記基板との間に設けられ、前記ミラーとの間に作用する静電力によって前記ミラーを揺動させる電極と、を有し、前記ミラーにおいて、前記ミラーに沿う１つの方向に位置する端面である第１入射側端面に第１反射防止膜が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、光源部が斜め方向から電気光学装置のミラーに光源光を照射した際に、ミラーと電極との間に作用する静電力によってミラーを揺動させれば、ミラーの姿勢を、光源光を所定の方向にオン方向に反射するオン姿勢と、光源光をオン方向と異なるオフ方向に反射するオフ姿勢とに切り換えることができる。従って、複数のミラーの姿勢を各々制御すれば、光源光を変調することができる。ここで、ミラーの光源光が照射されてくる側の端面（第１入射側端面）には第１反射防止膜が設けられているため、第１入射側端面での光源光の反射が第１反射防止膜によって抑制される。それ故、光源光の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る電子機器の別態様では、前記ミラーの表面では穴が開口しており、前記穴の前記光源光が照射されてくる側に向く内壁に前記第１反射防止膜が設けられている構成を採用することができる。本発明に係る電気光学装置の別態様では、前記ミラーの表面では穴が開口しており、前記穴の前記１つの方向に向く内壁に前記第１反射防止膜が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、穴の開口縁で光源光が反射することを抑制することができる。それ故、光源光の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【００１０】
本発明に係る電子機器の別態様では、前記電極の前記光源光が照射されてくる側に位置する端面である第２入射側端面に第２反射防止膜が設けられていることが好ましい。本発明に係る電気光学装置の別態様では、前記電極において、前記１つの方向に位置する端面である第２入射側端面に第２反射防止膜が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、電極の光源光が照射されてくる側に位置する端面（第２入射側端面）での光源光の反射が抑制される。それ故、光源光の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る電子機器および電気光学装置において、前記第１反射防止膜は、誘電体多層膜である態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１反射防止膜として光吸収膜を用いた場合に比べて、光の吸収に起因する温度上昇が発生しにくいという利点がある。
【００１２】
本発明に係る電子機器および電気光学装置において、前記第１反射防止膜および前記第２反射防止膜は、誘電体多層膜である態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１反射防止膜および第２反射防止膜として光吸収膜を用いた場合に比べて、光の吸収に起因する温度上昇が発生しにくいという利点がある。
【００１３】
本発明に係る電子機器を投射型装置として構成する場合、電子機器は、前記ミラーで反射した前記光源光を投射する投射光学系を有している。
【００１４】
本発明に係る電子機器および電気光学装置では、前記ミラーの角を介して隣り合う２つの端面が前記第１入射側端面である態様を採用することができる。
【００１５】
本発明に係る電子機器および電気光学装置では、前記ミラーの１つの端面が前記第１入射側端面である態様を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用した電子機器の説明図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の基本構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図４】図１に示す電気光学装置のミラー周辺の断面を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置の別の構成例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。
【００１８】
（電子機器１０００の全体構成）
図１は、本発明を適用した電子機器１０００の説明図であり、図１には、電気光学装置１００に設けられた複数のミラー５０の１つのみを示してある。図１では、ミラー５０の定常姿勢を二点鎖線で示し、オン姿勢を実線で示し、オフ姿勢を点線で示してある。
【００１９】
図１に示す電子機器１０００は、光源部１１０と、光源部１１０から出射された光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００とを有している。また、電子機器１０００は、電気光学装置１００で変調された光を投射画像として壁面やスクリーン等の被投射物２００に投射する投射光学系１２０とを有しており、投射型表示装置として構成されている。光源部１１０は、赤色光、緑色光および青色光を順次、出射し、電気光学装置１００は、赤色光、緑色光および青色光を順次、光変調して投射光学系１２０に出射する。従って、カラー画像を表示することができる。
【００２０】
光源部１１０には、例えば、光源から出射された白色光を、カラーフィルターを介して電気光学装置１００に出射する構成を採用することができる。また、光源部１１０には、赤色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発光素子、および青色光を出射する発光素子を順次、点灯させて、赤色光、緑色光および青色光を順次、出射する構成を採用してもよい。いずれの場合も、電気光学装置１００は、光源部１１０が赤色光、緑色光および青色光が出射するタイミングに同期して、入射した光を変調する。
【００２１】
（電気光学装置１００の基本構成）
図２は、図１に示す電気光学装置１００の基本構成の一例を模式的に示す説明図であり、図２には、その一部を分解した様子も示してある。図３は、図１に示す電気光学装置１００の平面構成を模式的に示す説明図であり、１つのミラー５０のみを示してある。図４は、図１に示す電気光学装置１００のミラー５０周辺の断面を模式的に示す説明図であり、図４には、ミラー５０が軸線Ｌ周りの一方側ＣＣＷに傾いたオン姿勢、およびミラー５０が軸線Ｌ周りの他方側ＣＷに傾いたオフ姿勢を示してある。
【００２２】
図２、図３および図４に示すように、電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓに、光変調用の複数のミラー５０がマトリクス状に配置されたチップ２を備えており、チップ２において、ミラー５０は基板１の一方面１ｓから離間している。基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５０は、アルミニウム等の反射金属膜からなる。ミラー５０、厚さは１μｍ以下、例えば、０．３μｍである。ミラー５０は、例えば、１辺の長さが１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５０は、例えば、８００×６００から１１９２０×１０８０の配列をもって配置されており、１つのミラー５０が投射画像の１画素に対応する。
【００２３】
電気光学装置１００において、チップ２は、基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびヒンジ３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５０を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、基板１にアドレス回路１４が形成されている。アドレス回路１４は、各ミラー５０の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に類似した回路構成を有している。
【００２４】
２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、ヒンジ３５、およびミラーポスト５１を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通しているとともに、基板側アドレス電極１２、１３によって支持されている。ヒンジ３５の両端からはヒンジアーム３６、３７が延在している。ヒンジアーム３６、３７は、ヒンジポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しているとともに、基板側バイアス電極１１によって支持されている。ミラー５０は、ミラーポスト５１を介してヒンジ３５に導通しているとともに、ヒンジ３５によって支持されている。従って、ミラー５０は、ミラーポスト５１、ヒンジ３５、ヒンジアーム３６、３７、ヒンジポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。ヒンジアーム３６、３７の先端には、ミラー５０が傾いたときに当接して、ミラー５０と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するストッパー３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。
【００２５】
このように電気光学装置１００では、ミラー５０と基板１との間に、基板側バイアス電極１１、基板側アドレス電極１２、１３、高架アドレス電極３２、３３等の電極が配置されている。また、ヒンジ３５およびヒンジアーム３６、３７は、ミラー５０への中継電極として用いられていることから、ヒンジ３５、およびヒンジアーム３６、３７も、ミラー５０と基板１との間に設けられた電極に相当する。
【００２６】
（駆動素子３０の構成）
高架アドレス電極３２、３３は、ヒンジ３５を挟む両側でミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動する駆動素子３０を構成している。また、基板側アドレス電極１２、１３も、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動するように構成される場合があり、この場合、駆動素子３０は、高架アドレス電極３２、３３、および基板側アドレス電極１２、１３によって構成されることになる。ヒンジ３５は、高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図４に示すように、ミラー５０が高架アドレス電極３２あるいは高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際にねじれ、高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５０に対する吸引力が消失した際、ミラー５０が基板１に平行な定常姿勢に戻す力を発揮する。
【００２７】
（光源部１１０等のレイアウト）
このように構成した電気光学装置１００では、駆動素子３０によって、ミラー５０が、定常姿勢にあるミラー５０と平行にヒンジ３５に沿って延在する軸線Ｌ周りの一方側ＣＣＷに揺動して、一方側の高架アドレス電極３２の側に傾いたオン姿勢になると、ミラー５０は、光源部１１０から出射された光源光Ｌ０を、投射光学系１２０に向かうオン方向Ｌｏｎに反射する。
【００２８】
これに対して、ミラー５０が軸線Ｌ周りの他方側ＣＷに揺動して他方側の高架アドレス電極３３の側に傾いたオフ姿勢になると、ミラー５０は、光源部１１０から出射された光源光Ｌ０を、オン方向Ｌｏｎと異なるオフ方向Ｌｏｆｆに反射する。従って、オフ姿勢のミラー５０は、光源光Ｌ０を投射光学系１２０に反射しない。本形態において、オフ方向Ｌｏｆｆには光吸収装置１４０が設けられている。
【００２９】
ここで、投射光学系１２０は、定常姿勢（図１に二点鎖線で示す姿勢）のミラー５０に対して垂直な方向に配置されており、ミラー５０から投射光学系１２０に向かう側がオン方向Ｌｏｎである。
【００３０】
光源部１１０は、オン方向Ｌｏｎ（ミラ−５０に垂直な方向）に対して、−θｅ°の角度で傾いた斜め方向から光源光Ｌ０をミラー５０に照射する。従って、駆動素子３０がミラー５０を定常姿勢から−θａ°傾いたオン姿勢（図１に実線で示す姿勢）に切り換えると、ミラー５０は、光源光Ｌ０を投射光学系１２０に向かうオン方向Ｌｏｎに反射する。ここで、角度θａ、θｅは、以下の関係にある。
θｅ＝２×θａ
θａ°は、例えば１２°であり、この場合、θｅ°は２４°である。
【００３１】
また、光吸収装置１４０は、オン方向Ｌｏｎに対して、＋（２×θｅ）°の角度方向（オフ方向Ｌｏｆｆ）に配置されている。従って、駆動素子３０がミラー５０を基本姿勢から＋θａ°傾いたオフ姿勢（図１に点線で示す姿勢）に切り換えると、ミラー５０は、光源光Ｌ０を光吸収装置１４０に向かうオフ方向Ｌｏｆｆに反射する。
【００３２】
従って、図２に示す複数のミラー５０の各々の姿勢を制御すれば、光源光Ｌ０を変調し、変調光Ｌ１を投射光学系１２０から画像光として被投射物２００に投射することができる。
【００３３】
（第１反射防止膜８１および第２反射防止膜９１の構成）
図２、図３および図４に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数のミラー５０のいずれにおいても、ミラー５０に沿う１つの方向Ｄ１に位置する端面である第１入射側端面５００に第１反射防止膜８１が設けられている。１つの方向Ｄ１は、電子機器１０００において、光源部１１０が配置されている方向である。このため、ミラー５０の光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する端面が第１入射側端面５００であり、かかる第１入射側端面５００に第１反射防止膜８１が設けられている。
【００３４】
本形態では、ミラー５０の角５０６を介して隣り合う２つの端面５０１、５０２が１つの方向Ｄ１に向いており、かかる２つの端面５０１、５０２が第１入射側端面５００である。すなわち、ミラー５０の角５０６を介して隣り合う２つの端面５０１、５０２が、光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する第１入射側端面５００である。第１反射防止膜８１は、屈折率が異なる層を交互に積層した誘電体多層膜や、光吸収膜からなる。本形態においては、第１反射防止膜８１は、誘電体多層膜からなる。
【００３５】
また、本形態の電気光学装置１００では、ミラー５０の表面に穴５５が開口している。穴５５は、図５〜図８を参照して後述する方法により、ミラーポスト５１を形成した場合にミラーポスト５１の内側に発生する凹部である。本形態では、穴５５において、１つの方向Ｄ１に向いている内壁５５０にも第１反射防止膜８１が形成されている。すなわち、穴５５において、光源光Ｌ０が照射されてくる側に向く内壁５５０に第１反射防止膜８１が形成されている。なお、穴５５においては、光源光Ｌ０が照射されてくる側に向く内壁５５０のみに第１反射防止膜８１が形成されている態様、および穴５５が第１反射防止膜８１によって埋められている態様のいずれであってもよい。本形態では、穴５５が第１反射防止膜８１によって埋められている構造を示してある。
【００３６】
さらに、本形態の電気光学装置１００では、ミラー５０と基板１との間に設けられた電極のうち、高架アドレス電極３２において、１つの方向Ｄ１に位置する端面３２０である第２入射側端面３００に第２反射防止膜９１が設けられている。すなわち、高架アドレス電極３２の光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する端面３２０（第２入射側端面３００）に第２反射防止膜９１が設けられている。第２反射防止膜９１は、屈折率が異なる層を交互に積層した誘電体多層膜や、光吸収膜からなる。本形態においては、第２反射防止膜９１は、誘電体多層膜からなる。
【００３７】
さらにまた、本形態の電気光学装置１００では、ミラー５０と基板１との間に設けられた電極のうち、ヒンジ３５およびヒンジアーム３６、３７において、１つの方向Ｄ１に位置する端面３５０、３６０、３７０も第２入射側端面３００であり、第２反射防止膜９１が設けられている。すなわち、ヒンジ３５およびヒンジアーム３６、３７の光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置する端面３５０、３６０、３７０（第２入射側端面３００）にも第２反射防止膜９１が設けられている。
【００３８】
（電気光学装置の製造方法）
図５〜図８は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法の一例を示す工程断面図であり、図２、図３および図４のＡ−Ａ′断面に相当する。なお、以下の工程は、単品サイズの基板１より大型のマザー基板を用いて行われるが、以下の説明では、マザー基板および単品サイズにかかわらず、基板１として説明する。
【００３９】
まず、図５に示す工程ＳＴ１では、図２を参照して説明したアドレス回路１４、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を形成した基板１の一方面１ｓにポジ型有機フォトレジスト等からなる第１感光性レジスト層６０を形成する。次に、図５に示す工程ＳＴ２において、第１感光性レジスト層６０に対して露光および現像を行い、電極ポスト３２１、３３１を形成するための開口部６１ａ、６１ｂを備えた第１犠牲層６１を形成する。その際、ヒンジポスト３９を形成するための開口部（図示せず）も形成する。
【００４０】
次に、図５に示す工程ＳＴ３において、第１犠牲層６１の表面に第１導電膜３を形成する。第１導電膜３は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜である。次に、図５に示す工程ＳＴ４において、第１導電膜３をパターニングし、高架アドレス電極３２、３３、およびヒンジ３５を形成する。その際、開口部６１ａ、６１ｂの内部に電極ポスト３２１、３３１が形成される。また、図示を省略するが、ヒンジアーム３６、３７等も形成される。
【００４１】
次に、図６に示す工程ＳＴ５において、高架アドレス電極３２、３３、およびヒンジ３５等の表面側に第２反射防止膜９１を形成する。次に、図６に示す工程ＳＴ６において、高架アドレス電極３２、３３、およびヒンジ３５の表面等から第２反射防止膜９１を除去し、高架アドレス電極３２の端面３２０、およびヒンジ３５の端面３５０からなる第２入射側端面３００に第２反射防止膜９１を残す。
【００４２】
図６に示す工程ＳＴ５において第２反射防止膜９１を形成する際には、例えば、矢印Ｓ９１で示すように、高架アドレス電極３２の端面３２０等が位置する側から斜方蒸着を行う。従って、高架アドレス電極３２の端面３２０等を第２反射防止膜９１によって確実に覆うことができる。また、図７に示す工程ＳＴ６において第２反射防止膜９１の一部を除去する場合には、例えば、レジスト等を形成した状態での異方性ドライエッチングを利用する。それ故、高架アドレス電極３２の端面３２０等に第２反射防止膜９１を確実に残すことができる。特に、第２反射防止膜９１を形成した後、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｆ  Ｇｌａｓｓ）やレジストなどを利用して第２反射防止膜９１を覆うように平坦膜を形成した後、平坦膜の表面から異方性ドライエッチングを行うことが好ましい。かかる構成によれば、平坦膜のエッチング速度を第２反射防止膜９１のエッチング速度よりも大きくしておくことにより、高架アドレス電極３２の表面や、高架アドレス電極３２とヒンジ３５との間に形成されていた第２反射防止膜９１が除去された時点で、第２反射防止膜９１を高架アドレス電極３２の端面３２０等に残すことができる。
【００４３】
次に、図７に示す工程ＳＴ７では、高架アドレス電極３２、３３、およびヒンジ３５を覆うように、ポジ型有機フォトレジスト等からなる第２感光性レジスト層７０を形成した後、図７に示す工程ＳＴ８において、第２感光性レジスト層７０に対して露光および現像を行い、ミラーポスト５１を形成するための開口部７１ａを備えた第２犠牲層７１を形成する。
【００４４】
次に、図７に示す工程ＳＴ９において、第２犠牲層７１の表面に第２導電膜５を全面に形成する。第２導電膜５はアルミニウム層である。次に、図７に示す工程ＳＴ１０において、第２導電膜５をパターニングし、ミラー５０を形成する。その際、開口部７１ａの内部にミラーポスト５１が形成される。その際、ミラーポスト５１の内側に穴５５が残り、かかる穴５５は、ミラー５０の表面で開口することになる。
【００４５】
次に、図８に示す工程ＳＴ１１において、ミラー５０の表面側に第１反射防止膜８１を形成した後、図８に示す工程ＳＴ１２において、ミラー５０の表面等から第１反射防止膜８１を除去し、ミラー５０の端面５０１、５０２からなる第１入射側端面５００に第１反射防止膜８１を残す。また、ミラー５０の表面で開口する穴５５において、光源光Ｌ０が照射されてくる側に向く内壁５５０に第１反射防止膜８１を残す。なお、穴５５においては、穴５５の大きさや第１反射防止膜８１の厚さによっては、内壁５５０のみに第１反射防止膜８１が形成されている態様、あるいは穴５５が第１反射防止膜８１によって埋められている態様となる。本形態では、穴５５が第１反射防止膜８１によって埋められている構造を示してある。
【００４６】
図８に示す工程ＳＴ１１において第１反射防止膜８１を形成する際には、例えば、矢印Ｓ８１で示すように、ミラー５０の端面５０１、５０２が位置する側から斜方蒸着を行う。従って、ミラー５０の端面５０１、５０２を第１反射防止膜８１によって確実に覆うことができる。また、図８に示す工程ＳＴ１２において第１反射防止膜８１の一部を除去する場合には、例えば、レジスト等を形成した状態での異方性エッチングを利用する。それ故、ミラー５０の端面５０１．５０２に第１反射防止膜８１を確実に残すことができる。特に、第１反射防止膜８１を形成した後、ＳＯＧやレジストなどを利用して第１反射防止膜８１を覆うように平坦膜を形成した後、平坦膜の表面から異方性ドライエッチングを行うことが好ましい。かかる構成によれば、平坦膜のエッチング速度を第１反射防止膜８１のエッチング速度よりも大きくしておくことにより、ミラー５０の表面や、ミラー５０とミラー５０との間に形成されていた第１反射防止膜８１が除去された時点で、第１反射防止膜８１をミラー５０の端面５０１、５０２等に残すことができる。
【００４７】
次に、プラズマエッチング等を行って、第１犠牲層６１および第２犠牲層７１を除去する。その結果、電気光学装置１００が得られる。
【００４８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００では、光源部１１０がミラー５０に垂直な方向に対して斜めに傾いた方向からミラー５０に光源光Ｌ０を照射する際、ミラー５０の姿勢をオン姿勢とオフ姿勢とに切り換える。ここで、ミラー５０の光源光Ｌ０が照射されてくる側の端面５０１、５０２（第１入射側端面５００）には第１反射防止膜８１が設けられているため、第１入射側端面５００での光源光Ｌ０の反射が第１反射防止膜８１によって抑制される。それ故、ミラー５０の端面５０１、５０２での反射（光源光Ｌ０の不要な反射）に起因する迷光の発生を抑制することができる。特にミラー５０がオフ姿勢になったとき、光源光Ｌ０が照射されてくる側のミラー５０の端部が基板１から大きく浮き上がった状態となるので、ミラー５０の端面５０１、５０２で反射した光が、迷光となって隣りのミラーに入射するおそれがあるが、本形態によれば、かかる問題が発生しにくい。
【００４９】
また、本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００では、ミラー５０の表面に穴５５が開口しているが、かかる穴５５において、光源光Ｌ０が照射されてくる側に向く内壁５５０に第１反射防止膜８１が形成されている。このため、穴５５の開口縁で光源光Ｌ０が反射することを抑制することができるので、光源光Ｌ０の不要な反射に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【００５０】
また、本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００では、基板１とミラー５０との間に配置された高架アドレス電極３２の光源光Ｌ０が照射されてくる側の端面３２０（第２入射側端面３００）等に第２反射防止膜９１が設けられているため、第２入射側端面３００での光源光Ｌ０の反射が第２反射防止膜９１によって抑制される。それ故、高架アドレス電極３２の端面３２０での反射（光源光Ｌ０の不要な反射）に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【００５１】
また、第１反射防止膜８１および第２反射防止膜９１は、誘電体多層膜であり、入射光と反射光の干渉により反射光を低減する。このため、光吸収膜を用いた場合に比べて、光の吸収に起因する温度上昇が発生しにくいので、光の吸収に伴う温度上昇によって、ミラー５０や高架アドレス電極３２等が変形することを抑制することができる。特に本形態では、電子機器１０００が投射型表示装置であるため、光源光の強度が大であるが、本形態によれば、光の吸収に伴う温度上昇を抑制することができる。
【００５２】
（電気光学装置１００の別の構成例）
図９は、本発明を適用した電気光学装置１００の別の構成例を示す説明図であり、ミラー５０が定常姿勢にあるときを示してある。なお、図９では、ミラー５０を二点鎖線で示してある。また、本形態の基本的な構成は、図２等を参照して説明した形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５３】
図２等を参照して説明した電気光学装置１００では、ミラー５０を１つの軸線Ｌ周りに揺動させたが、本形態では、以下に説明するように、ミラー５０は、互いに交差する第１軸線Ｌａおよび第２軸線Ｌｂのうち、第１軸線Ｌａ周りの一方側ＣＷａに揺動してオン姿勢となり、第２軸線Ｌｂの一方側ＣＣＷｂに揺動してオフ姿勢となる。
【００５４】
より具体的には、電気光学装置１００は、図２および図３を参照して説明した電気光学装置１００と同様、基板１の一方面１ｓに形成された基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３（駆動素子３０）、および片持ちのヒンジ（図示せず）を含む２階部分１００ｂと、ミラー５０を含む３階部分１００ｃとを備えている。２階部分１００ｂは、片持ちのヒンジの先端部とミラー５０とを接続するミラーポスト５１や、ヒンジと電気的に接続されたヒンジスプリング３８を含んでおり、ヒンジスプリング３８は、ミラー５０が傾いたときに当接するストッパー３８１、３８２が形成されている。また、２階部分１００ｂは、ヒンジスプリング３８と導通する電極３８０を有しているとともに、電極３８０にストッパー３８５を有している。
【００５５】
高架アドレス電極３２、３３は、ヒンジの先端部を挟む両側で、互いに直角を成すように配置されている。従って、高架アドレス電極３２とミラー５０との間、および高架アドレス電極３２とミラー５０との間に静電力を発生させれば、ヒンジが捩れ、ミラー５０が第１軸線Ｌａ周りの一方側ＣＷａに傾いたオン姿勢、およびミラー５０が第２軸線Ｌｂ周りの一方側ＣＣＷｂに傾いたオフ姿勢を実現することができる。また、高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５０に対する吸引力が消失した際、ヒンジ３５は、ミラー５０が基板１に平行な姿勢（定常姿勢）に戻す力を発揮する。ここで、第１軸線Ｌａは、定常姿勢にあるミラー５０と平行な軸線であり、第２軸線Ｌｂは、定常姿勢にあるミラー５０と平行かつ第１軸線Ｌａと交差する方向に延在する軸線である。
【００５６】
本形態でも、定常姿勢のミラー５０に対して垂直な方向に投射光学系１２０が配置されており、かかる投射光学系１２０に向かう側がオン方向Ｌｏｎである。また、光源部１１０は、オン方向Ｌｏｎに対して、第２軸線Ｌｂの延在方向の一方側＋Ｌｂに斜めに傾いた方向から光源光Ｌ０をミラー５０に照射する。従って、駆動素子３０がミラー５０を定常姿勢から、第１軸線Ｌａの一方側ＣＷａに傾いたオン姿勢に切り換えると、ミラー５０は、光源光Ｌ０を投射光学系１２０に向かうオン方向Ｌｏｎに反射する。また、駆動素子３０がミラー５０を定常姿勢から、第２軸線Ｌｂの一方側ＣＣＷｂに傾いたオフ姿勢に切り換えると、ミラー５０は、光源光Ｌ０を光吸収装置１４０に向かうオフ方向Ｌｏｆｆに反射する。
【００５７】
このように構成した電気光学装置１００では、ミラー５０の１つの端面５０３が１つの方向Ｄ１に向いており、かかる１つの端面５０３（第１入射側端面５００）に第１反射防止膜８１が形成されている。すなわち、ミラー５０の１つの端面５０３（第１入射側端面５００）が、光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置しており、かかる端面５０３（第１入射側端面３００）に第１反射防止膜８１が設けられている。第１反射防止膜８１は、誘電体多層膜や光吸収膜からなる。本形態においては、第１反射防止膜８１は、誘電体多層膜からなる。
【００５８】
また、本形態の電気光学装置１００では、高架アドレス電極３２の端面３２０が１つの方向Ｄ１に向いており、かかる端面３２０（第２入射側端面３００）に第２反射防止膜９１が形成されている。すなわち、高架アドレス電極３２の端面３２０（第２入射側端面３００）が、光源光Ｌ０が照射されてくる側に位置しており、かかる端面３２０（第２入射側端面３００）に第２反射防止膜９１が設けられている。第２反射防止膜９１は、誘電体多層膜や光吸収膜からなる。本形態においては、第２反射防止膜９１は、誘電体多層膜からなる。
【００５９】
このように構成した場合も、ミラー５０の端面５０３（第１入射側端面５００）での反射や、高架アドレス電極３２の端面３２０（第２入射側端面３００）での反射を第１反射防止膜８１および第２反射防止膜９１によって抑制することができるので、迷光の発生を抑制することができる。
【００６０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１反射防止膜８１および第２反射防止膜９１として誘電体多層膜を用いたが、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、それらの金属化合物等からなる光吸収膜を用いてもよい。
【００６１】
上記実施の形態では、光源部１１０から順次、出射された赤色光、緑色光および青色光を電気光学装置１００によって順次、光変調する構成であったが、光源部１１０から赤色光、緑色光および青色光を同時に出射し、かかる赤色光、緑色光および青色光を各々、赤色光用、緑色光用および青色光用の電気光学装置で変調してもよい。この場合、複数の電気光学装置１００から出射された変調光を合成光学系によって合成した後、投射光学系から投射する。
【００６２】
上記実施の形態では、ミラー５０の一部の端面５０１，５０２、５０３に第１反射防止膜８１を設けたが、ミラー５０の全ての端面に第１反射防止膜８１を設けてもよい。上記実施の形態では、高架アドレス電極３２の一部の端面３２０に第２反射防止膜９１を設けたが、高架アドレス電極３２の全ての端面３２０に第２反射防止膜９１を設けてもよい。また、上記実施の形態では、基板１とミラー５０との間の電極のうち、一部の電極のみに第２反射防止膜９１を設けたが、全ての電極に第２反射防止膜９１を設けてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１…基板、１ｓ…面、２…チップ、３…第１導電膜、５…第２導電膜、３０…駆動素子、３２、３３…高架アドレス電極、３５…ヒンジ、３６、３７…ヒンジアーム、５０…ミラー、５５・・・穴、８１…第１反射防止膜、９１…第２反射防止膜、１００…電気光学装置、１１０…光源部、１２０…投射光学系、１４０…光吸収装置、２００…被投射物、３００…第２入射側端面、３２０、３５０、３６０、３７０、５０１、５０２、５０３…端面、５００…第１入射側端面、５５０・・・内壁、１０００…電子機器、Ｄ１…方向、Ｌ０…光源光、Ｌｏｎ…オン方向、Ｌｏｆｆ…オフ方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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