(57)【要約】【課題】従来に比べ安価に製造し得る調光装置および調光窓を提供する。【解決手段】本開示の実施形態による調光装置は、互いに対向するように設けられた第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に設けられた調光層と、調光層に電圧を印加する少なくとも一対の電極とを備える。調光層は、媒体と、媒体中に分散された複数の形状異方性粒子とを含む。各形状異方性粒子は、媒体の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する第１の層を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように設けられた第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた調光層と、
前記調光層に電圧を印加する少なくとも一対の電極と、を備えた調光装置であって、
前記調光層は、媒体と、前記媒体中に分散され、形状異方性を有する複数の形状異方性粒子とを含み、
前記複数の形状異方性粒子のそれぞれは、前記媒体の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する第１の層を含む調光装置。
【請求項２】
前記調光層は、前記少なくとも一対の電極によって印加された電圧に応じて光散乱状態と光透過状態とを切り替えて呈し得る請求項１に記載の調光装置。
【請求項３】
前記光散乱状態における前記調光層のヘイズ値は８％以上である請求項２に記載の調光装置。
【請求項４】
前記複数の形状異方性粒子のそれぞれの長さは、前記複数の形状異方性粒子の長さの平均値±２０％の範囲内にある請求項１から３のいずれかに記載の調光装置。
【請求項５】
前記複数の形状異方性粒子は、フレーク状であり、
前記複数の形状異方性粒子の長さＬと幅Ｗとの比であるアスペクト比Ｌ／Ｗは、１．５以上である請求項１から４のいずれかに記載の調光装置。
【請求項６】
前記第１の層の屈折率は、前記媒体の屈折率よりも高い請求項１から５のいずれかに記載の調光装置。
【請求項７】
前記媒体の屈折率は、前記第１の層の屈折率よりも高い請求項１から５のいずれかに記載の調光装置。
【請求項８】
前記第１基板は、第１絶縁性基板と、前記第１絶縁性基板の前記調光層側に設けられた第１電極とを有し、
前記第２基板は、第２絶縁性基板と、前記第２絶縁性基板の前記調光層側に設けられた第２電極とを有し、
前記少なくとも一対の電極は、前記第１電極および前記第２電極を含む請求項１から７のいずれかに記載の調光装置。
【請求項９】
前記調光層は、前記第１電極および前記第２電極によって直流電圧が印加されたときに光散乱状態を呈し、前記第１電極および前記第２電極によって交流電圧が印加されたときに光透過状態を呈する請求項８に記載の調光装置。
【請求項１０】
前記調光層の層法線方向から見たとき、
前記第１基板は、前記第２基板に重ならない領域を含み、
前記第２基板は、前記第１基板に重ならない領域を含む請求項８または９に記載の調光装置。
【請求項１１】
前記第１基板は、前記第１電極を覆う第１絶縁層をさらに有し、
前記第２基板は、前記第２電極を覆う第２絶縁層をさらに有する請求項８から１０のいずれかに記載の調光装置。
【請求項１２】
前記複数の形状異方性粒子のそれぞれの表面は、凹凸形状を有する請求項１から１１のいずれかに記載の調光装置。
【請求項１３】
前記複数の形状異方性粒子のそれぞれは、前記第１の層の屈折率とは異なる屈折率を有する第２の層をさらに含む請求項１から１２のいずれかに記載の調光装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の調光装置を備えた調光窓。
【請求項１５】
人感センサと、
前記人感センサからの出力に基づいて、前記調光装置の前記調光層の状態を光散乱状態と光透過状態との間で切り替える制御回路と、をさらに備えた請求項１４に記載の調光窓。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、調光装置および調光窓に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、透明な状態と不透明な状態（すりガラスのような状態）とを電気的な制御により切り替えることができる窓ガラス（「調光窓」と呼ばれることがある）が上市されている。調光窓としては、高分子分散型液晶（PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal）を利用する方式が一般的である。ＰＤＬＣでは、高分子材料のマトリクス中に液晶材料がドロップレットとして分散されており、電圧の印加によって液晶分子の配向状態を変化させることにより、光透過状態と光散乱状態とを切り替えることができる。
【０００３】
ＰＤＬＣを用いた液晶表示装置は、例えば、特許文献１に開示されている。また、ＰＤＬＣを用いた調光窓は、例えば、特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１７１７８３号公報
【特許文献２】特開平８−２１９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＰＤＬＣを用いた調光窓は、大変高価である。その理由は、ＰＤＬＣには、液晶材料や特殊な高分子材料など、高価な材料が多く使用されるからである。
【０００６】
本開示の実施形態は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来に比べ安価に製造し得る調光装置および調光窓を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の実施形態による調光装置は、互いに対向するように設けられた第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた調光層と、前記調光層に電圧を印加する少なくとも一対の電極と、を備えた調光装置である。前記調光層は、媒体と、前記媒体中に分散され、形状異方性を有する複数の形状異方性粒子とを含む。前記複数の形状異方性粒子のそれぞれは、前記媒体の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する第１の層を含む。
【０００８】
ある実施形態において、前記調光層は、前記少なくとも一対の電極によって印加された電圧に応じて光散乱状態と光透過状態とを切り替えて呈し得る。
【０００９】
ある実施形態において、前記光散乱状態における前記調光層のヘイズ値は８％以上である。
【００１０】
ある実施形態において、前記複数の形状異方性粒子のそれぞれの長さは、前記複数の形状異方性粒子の長さの平均値±２０％の範囲内にある。
【００１１】
ある実施形態において、前記複数の形状異方性粒子は、フレーク状であり、前記複数の形状異方性粒子の長さＬと幅Ｗとの比であるアスペクト比Ｌ／Ｗは、１．５以上である。
【００１２】
ある実施形態において、前記第１の層の屈折率は、前記媒体の屈折率よりも高い。
【００１３】
ある実施形態において、前記媒体の屈折率は、前記第１の層の屈折率よりも高い。
【００１４】
ある実施形態において、前記第１基板は、第１絶縁性基板と、前記第１絶縁性基板の前記調光層側に設けられた第１電極とを有し、前記第２基板は、第２絶縁性基板と、前記第２絶縁性基板の前記調光層側に設けられた第２電極とを有し、前記少なくとも一対の電極は、前記第１電極および前記第２電極を含む。
【００１５】
ある実施形態において、前記調光層は、前記第１電極および前記第２電極によって直流電圧が印加されたときに光散乱状態を呈し、前記第１電極および前記第２電極によって交流電圧が印加されたときに光透過状態を呈する。
【００１６】
ある実施形態において、前記調光層の層法線方向から見たとき、前記第１基板は、前記第２基板に重ならない領域を含み、前記第２基板は、前記第１基板に重ならない領域を含む。
【００１７】
ある実施形態において、前記第１基板は、前記第１電極を覆う第１絶縁層をさらに有し、前記第２基板は、前記第２電極を覆う第２絶縁層をさらに有する。
【００１８】
ある実施形態において、前記複数の形状異方性粒子のそれぞれの表面は、凹凸形状を有する。
【００１９】
ある実施形態において、前記複数の形状異方性粒子のそれぞれは、前記第１の層の屈折率とは異なる屈折率を有する第２の層をさらに含む。
【００２０】
本開示の実施形態による調光窓は、上述したいずれかの構成を有する調光装置を備える。
【００２１】
ある実施形態において、本開示による調光窓は、人感センサと、前記人感センサからの出力に基づいて、前記調光装置の前記調光層の状態を光散乱状態と光透過状態との間で切り替える制御回路と、をさらに備える。
【発明の効果】
【００２２】
本開示の実施形態によると、従来に比べ安価に製造し得る調光装置および調光窓を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本開示の実施形態による調光装置１００を模式的に示す断面図である。
【図２】調光装置１００の調光層３０に含まれる形状異方性粒子３２の例を示す斜視図である。
【図３】形状異方性粒子３２の配向方向の変化によって光散乱の度合が変化する理由を説明するための図である。
【図４】（ａ）は、調光層３０が直流電圧の印加により光散乱状態を呈している様子を示す図である。（ｂ）は、調光層３０が交流電圧の印加により光透過状態を呈している様子を示す図である。
【図５】（ａ）は、光散乱状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。（ｂ）は、光透過状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。
【図６】文字が書かれた紙１を、調光装置１００の背面側において観察が行われている様子を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、図６に示すように観察が行われた結果を示す。（ａ）は、調光層３０が光散乱状態を呈しているときの観察結果を示す写真である。（ｂ）は、調光層３０が光透過状態を呈しているときの観察結果を示す写真である。
【図８】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、形状異方性粒子３２と媒体３１との屈折率差を変化させて光散乱の度合を検証した結果を示す写真であり、それぞれ屈折率差が０．２４、０．１２および０の場合を示している。
【図９】（ａ）は、光散乱状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。（ｂ）は、光透過状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、形状・サイズが略均一な形状異方性粒子３２の作製方法を示す工程断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、形状・サイズがランダムな形状異方性粒子３２の作製方法を示す工程断面図である。
【図１２】形状異方性粒子３２の他の例を示す断面図である。
【図１３】積層構造を有する形状異方性粒子３２の例を示す断面図である。
【図１４】調光層３０が電圧無印加状態において光散乱状態を呈している様子を示す図である。
【図１５】（ａ）は、調光装置１００に用いられる電源構成の例（電源システム５０Ａ）を示す図である。（ｂ）は、調光装置１００に用いられる電源構成の他の例（電源システム５０Ｂ）を示す図である。
【図１６】（ａ）は、調光装置１００に用いられる電源構成の他の例（電源システム５０Ｃ）を示す図である。（ｂ）は、調光装置１００に用いられる電源構成の他の例（電源システム５０Ｄ）を示す図である。
【図１７】調光装置１００のシール部４１の他の構成の例を示す断面図である。
【図１８】調光装置２００を模式的に示す断面図である。
【図１９】調光装置３００を模式的に示す断面図である。
【図２０】調光装置４００を模式的に示す断面図である。
【図２１】電極を覆う絶縁層が設けられていない場合に発生する現象を示す図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は、第１電極１２および第１絶縁層１３の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２３】第１絶縁層１３の一部が除去された構成を示す断面図である。
【図２４】本開示の実施形態による調光窓５００を模式的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本開示の実施形態を説明する。なお、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２５】
（実施形態１）
図１を参照しながら、本実施形態における調光装置１００を説明する。図１は、調光装置１００を模式的に示す断面図である。
【００２６】
調光装置１００は、図１に示すように、互いに対向するように設けられた第１基板１０および第２基板２０と、第１基板１０および第２基板２０の間に設けられた調光層３０とを備える。調光装置１００は、さらに、調光層３０に電圧を印加する一対の電極（以下では「第１電極」および「第２電極」と呼ぶ）１２および２２を備える。
【００２７】
第１基板１０は、絶縁性を有する基板（以下では「第１絶縁性基板」と呼ぶ）１１と、第１絶縁性基板１１の調光層３０側（つまり第１絶縁性基板１１と調光層３０との間）に設けられた第１電極１２とを有する。第２基板２０は、絶縁性を有する基板（以下では「第２絶縁性基板」と呼ぶ）２１と、第２絶縁性基板２１の調光層３０側（つまり第２絶縁性基板２１と調光層３０との間）に設けられた第２電極２２とを有する。
【００２８】
第１絶縁性基板１１および第２絶縁性基板２１は、それぞれ透明である。第１絶縁性基板１１および第２絶縁性基板２１のそれぞれは、例えばガラス基板である。
【００２９】
第１電極１２および第２電極２２は、それぞれ透明な（可視光を透過させる）導電材料から形成されている。第１電極１２および第２電極２２のそれぞれは、例えば、ＩｎＴｉＯ（Titanium doped indium oxide）膜やＩＴＯ（Indium tin oxide）膜である。あるいは、第１電極１２および第２電極２２のそれぞれは、アナターゼ型二酸化チタンをシード層として形成されたタンタル含有酸化スズ膜であってもよい。本実施形態では、第１電極１２は、第１絶縁性基板１１の調光層３０側の表面全体にわたって連続的に形成された単一の導電膜である。同様に、第２電極１２は、第２絶縁性基板２１の調光層３０側の表面全体にわたって連続的に形成された単一の導電膜である。
【００３０】
第１基板１０および第２基板２０は、シール部４１を介して貼り合わされている。シール部４１は、第１基板１０および第２基板２０の外周近傍に配置されている。シール部４１は、例えば紫外線硬化型の樹脂材料から形成される。紫外線硬化型の樹脂材料を用いる場合、第１基板１０および第２基板２０の一方に樹脂材料を付与しておき、第１基板１０および第２基板２０を貼り合せた後に紫外線照射を行って樹脂材料を硬化させることにより、シール部４１が形成される。
【００３１】
調光層３０は、液状の媒体３１と、媒体中３１に分散され、形状異方性を有する複数の粒子（以下では「形状異方性粒子」と呼ぶ）３２とを含む。媒体３１および形状異方性粒子３２は、シール材４１に包囲された領域内に封入されている。調光層３０の厚さ（セルギャップ）に特に制限はない。調光層３０の厚さは、例えば５０μｍである。
【００３２】
図１の構成では、第１基板１０と第２基板２０との間に柱状のスペーサ４２が設けられている。スペーサ４２により、調光層３０の厚さを好適に規定することができる。スペーサ４２は、例えば感光性樹脂材料を用いて形成することができる。調光層３０の厚さが５０μｍの場合、例えば、断面が５０μｍ四方の正方形状で高さが５０μｍであるスペーサ４２を用いることができる。スペーサ４２の個数に特に制限はない。
【００３３】
形状異方性粒子３２は、例えばフレーク状（薄片状）である。図２に、フレーク状の形状異方性粒子３２の例を示す。図２に例示する形状異方性粒子３２は、可視光を透過するガラスフレークであり、楕円板状である。図２に示す形状異方性粒子（ガラスフレーク）３２の、長さＬ、幅Ｗおよび厚さｄは、それぞれ例えば５０μｍ、１０μｍおよび１μｍである。
【００３４】
形状異方性粒子３２の比誘電率と、媒体３１の比誘電率とは、互いに異なっている。また、形状異方性粒子３２の屈折率と、媒体３１の屈折率とは、互いに異なっている。より具体的には、後に詳述するように、形状異方性粒子３２は、媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する層（以下では便宜的に「第１の層」と呼ぶことがある）を含んでいる。図２には、単一の層からなる（つまり第１の層のみを含む）形状異方性粒子３２を例示している。なお、一般に、光学材料の屈折率は、Ｄ線（波長約５８９ｎｍの光）に対する屈折率を指すことが多い。本開示においても、特にことわらない限り、「屈折率」は、「Ｄ線に対する屈折率」を指すこととする。
【００３５】
媒体３１としては、形状異方性粒子３２の比誘電率と異なる比誘電率を有するものが用いられる。応答特性を高くする観点からは、媒体３１の比誘電率と形状異方性粒子３２の比誘電率との差がなるべく大きいことが好ましい。媒体３１の比誘電率は、具体的には、１０以上であることが好ましい。媒体３１として、例えば炭酸プロピレンを用いることができる。媒体３１中に分散される形状異方性粒子３２の量は特に限定されないが、例えば６．５ｗｔ％である。
【００３６】
調光層３０は、調光層３０を介して対向する一対の電極（第１電極１２および第２電極２２）によって印加された電圧に応じ、光散乱状態と光透過状態とを切り替えて呈することができる。形状異方性粒子３２の配向方向が、調光層３０に印加された電圧に応じて変化し、そのことによって調光層３０による散乱の度合が変化する。以下、図３も参照しながら説明を行う。
【００３７】
既に説明したように、媒体３１の屈折率と、形状異方性粒子３２の屈折率とは異なっている。そのため、図３に示すように、媒体３１と形状異方性粒子３２との界面（屈折率が互いに異なる層同士の界面）では、光の散乱が生じる。電圧印加によって形状異方性粒子３２の配向方向が変化すると、形状異方性粒子３２の基板面（第１基板１０または第２基板２０の基板面）への投影面積が変化する。それに伴って、光散乱が生じる領域の割合が変化する。これにより、調光層３０による光の散乱度合を変化させることができる。
【００３８】
また、媒体３１の屈折率と形状異方性粒子３２の屈折率とが異なっていることにより、図３に示すように、形状異方性粒子３２を透過した光ＬＴ１と、透過しなかった光ＬＴ２とで位相のずれが生じる。位相のずれが生じると、調光層３０から出射する光に回折（干渉）による強弱が生じ、散乱しているように見える。
【００３９】
図４（ａ）および（ｂ）を参照しながら、電圧印加による形状異方性粒子３２の配向変化を説明する。
【００４０】
第１電極１２と第２電極２２との間に直流電圧（例えば２Ｖの直流電圧）を印加する。そうすると、図４（ａ）に示すように、帯電した形状異方性粒子３２が一方の電極（図４（ａ）に示す例では第２電極２２）の近傍に集まるとともに基板面に略平行に配向する。そのため、光散乱が生じる領域の割合が高くなり、調光層３０は光散乱状態となる。このように、調光層３０は、第１電極１２および第２電極２２によって直流電圧が印加されたときに光散乱状態を呈する。
【００４１】
これに対し、第１電極１２と第２電極２２との間に交流電圧（例えば２Ｖ、６０Ｈｚの交流電圧）を印加すると、図４（ｂ）に示すように、形状異方性粒子３２は、誘電泳動、クーロン力などにより、基板面に略垂直に配向する。そのため、光散乱が生じる領域の割合が低くなり、調光層３０は光透過状態となる。このように、調光層３０は、第１電極１２および第２電極２２によって交流電圧が印加されたときに光透過状態を呈する。
【００４２】
なお、調光層３０が光散乱状態を呈している状態において、印加電圧を周波数の低い交流電圧（光散乱状態が維持される程度の周波数：例えば１Ｈｚ以下）に切り替えてもよい。これにより、焼き付きを防止することができる。
【００４３】
図５（ａ）は、光散乱状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。図５（ａ）から、光散乱状態において、調光層３０内の形状異方性粒子３２は基板面に略平行に配向していることがわかる。
【００４４】
図５（ｂ）は、光透過状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。図５（ｂ）から、光透過状態において、調光層３０内の形状異方性粒子３２は基板面に略垂直に配向していることがわかる。
【００４５】
続いて、光散乱状態および光透過状態のそれぞれにおいて調光装置１００が（調光層３０が）どのように視認されるかを説明する。図６に示すように、文字が書かれた紙１を、調光装置１００の背面側（観察者とは反対側）に置いて観察を行った結果を説明する。
【００４６】
図７（ａ）は、調光層３０が光散乱状態を呈しているときの観察結果を示す写真である。図７（ａ）に示すように、調光装置１００がすりガラスのように視認されており、観察者は、背面側の紙１に記載された文字を識別できない。
【００４７】
図７（ｂ）は、調光層３０が光透過状態を呈しているときの観察結果を示す写真である。図７（ｂ）に示すように、調光装置１００が透き通っているように視認されており、観察者は、背面側の紙１に記載された文字を識別できる。
【００４８】
上述したように、本開示の実施形態による調光装置１００では、調光層３０が光散乱状態と光透過状態とを切り替えて呈し得る。調光装置１００は、ＰＤＬＣを用いた従来の調光装置（調光窓）と異なり、液晶材料や特殊な高分子材料などを必要としない。そのため、調光装置１００は、従来に比べ安価に製造することができる。
【００４９】
既に説明したように、形状異方性粒子３２は、媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する。あるいは媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する第１の層を含んでいる。これにより、光散乱状態における散乱の度合を十分に強くすることができる。
【００５０】
図８（ａ）〜（ｃ）に、形状異方性粒子３２と媒体３１との屈折率差を変化させて光散乱の度合を検証した結果を示す。検証に際し、波長５８９ｎｍの光に対する屈折率が約１．７８の形状異方性粒子３２を用いた。図８（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ波長５８９ｎｍの光に対する屈折率が１．５４、１．６６および１．７８の媒体３１を用いたときの結果を示している。
【００５１】
図８（ｂ）および（ｃ）に示すように、屈折率差が０．１２および０の場合には、文字がはっきりと視認される。これに対し、図８（ａ）に示すように、屈折率差が０．２４の場合には、光散乱により文字が視認されにくい。このことからも、形状異方性粒子３２が、媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する（あるいは媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する第１の層を含んでいる）ことが好ましいことが確認された。
【００５２】
以下、調光装置１００の構成要素の好ましい構成や代替的な構成などを説明する。
【００５３】
［調光層］
既に説明したように、調光層３０は、光散乱状態と光透過状態とを切り替えて呈し得る。
【００５４】
光透過状態は、調光層３０が入射光を十分に透過する状態である。光透過状態における調光層３０の光透過率は、例えば３０％以上であることが好ましい。
【００５５】
光散乱状態は、調光層３０が入射光を十分に散乱する状態である。調光層３０が光を散乱する度合は、例えばヘイズ値により表わされる。ヘイズ値の測定は、例えば市販のヘイズメータにより行うことができる。後述するように調光装置１００を調光窓として用いる場合に、調光装置１００を（調光層３０を）すりガラス状に視認させるためには、光散乱状態における調光層３０のヘイズ値は、８％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましい。
【００５６】
［形状異方性粒子］
図５（ａ）および（ｂ）には、形状異方性粒子３２の長さおよび形状が不揃いである例を示したが、形状異方性粒子３２の長さおよび形状は、なるべく均一であることが好ましい。形状異方性粒子３２の長さおよび／または形状の均一性が高いことにより、動作閾値を明確に決定することができる。そのため、調光装置１００を安定して動作させることができ、また、最低限の出力で動作させることができる。さらに、形状異方性粒子３２の長さおよび／または形状の均一性が高いことにより、光の透過・散乱のムラを少なくできる。
【００５７】
図９（ａ）および（ｂ）に、形状異方性粒子３２の長さおよび形状が実質的に均一である場合の調光層３０を示す。
【００５８】
図９（ａ）は、光散乱状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。図９（ａ）から、光散乱状態において、調光層３０内の形状異方性粒子３２は基板面に略平行に配向していることがわかる。
【００５９】
図９（ｂ）は、光透過状態における調光層３０を基板面法線方向から拡大観察したときの顕微鏡像である。図９（ｂ）から、光透過状態において、調光層３０内の形状異方性粒子３２は基板面に略垂直に配向していることがわかる。
【００６０】
各形状異方性粒子３２の長さは、平均値（調光層３０内の複数の形状異方性粒子３２の平均値）±２０％の範囲内にあることが好ましい。各形状異方性粒子３２の長さが、平均値±２０％の範囲内にあることにより、動作閾値の明確化、光の透過・散乱のムラの抑制などの効果を得ることができる。
【００６１】
形状異方性粒子３２は、例示したガラスフレークに限定されるものではない。形状異方性粒子３２の形状は、形状異方性粒子３２の配向方向が変化したときに基板面への投影面積が変化するような形状であればよい。形状異方性粒子３２の形状は、フレーク状に限定されず、例えば、ロッド状、針状などでもよい。
【００６２】
形状異方性粒子３２がフレーク状である場合、形状異方性粒子３２の長さＬと幅Ｗとの比であるアスペクト比Ｌ／Ｗが大きいほど、電圧印加時に形状異方性粒子３２に大きな力が働き、応答時間が短くなる。応答時間が短いほど、電圧の印加時間を短くできるので、低消費電力化を図ることができる。応答時間を短くする観点からは、形状異方性粒子３２のアスペクト比は、１．５以上であることが好ましい。
【００６３】
また、形状異方性粒子３２の材料は、可視光に対して透明であることが好ましい。形状異方性粒子３２の材料は、例示したＳｉＯ２を主成分とするガラスに限定されず、ＴｉＯｘ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｉＮ等の酸化物や窒化物であってもよいし、樹脂のような有機材料であってもよい。形状異方性粒子３２の色に制限はない。形状異方性粒子３２は、無色であってもよいし、着色されていてもよい。
【００６４】
形状異方性粒子３２の作製方法の例を説明する。まず、図１０（ａ）および（ｂ）を参照しながら、形状・サイズが略均一な形状異方性粒子３２の作製方法を説明する。
【００６５】
まず、図１０（ａ）に示すように、形状異方性粒子３２と同じ厚さｄを有する薄膜３２’を用意する。薄膜３２’として厚さｄのフィルムを用意してもよいし、厚さｄよりも大きな厚さを有する薄膜を用意し、それを薄く延ばすことによって厚さｄの薄膜３２’を形成してもよい。また、支持体上に塗布法などを用いて厚さｄの薄膜３２’を形成し、それをリフトオフしてもよい。
【００６６】
その後、図１０（ｂ）に示すように、薄膜３２’を、ドライエッチング工程を含むフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングすることにより、複数の形状異方性粒子３２が得られる。
【００６７】
次に、図１１（ａ）および（ｂ）を参照しながら、形状・サイズがランダムな形状異方性粒子３２の作製方法を説明する。
【００６８】
まず、図１１（ａ）に示すように、形状異方性粒子３２と同じ厚さｄを有する薄膜３２’を用意する。薄膜３２’を用意する工程は、図１０（ａ）を参照しながら説明したのと同様にして行うことができる。
【００６９】
その後、図１１（ｂ）に示すように、薄膜３２’をボールミル等で破砕することにより、複数の形状異方性粒子３２が得られる。なお、支持体上に形成された薄膜３２’を支持体ごとボールミル等で破砕し、続いて、支持体片をエッチャントで除去し、その後に遠心分離などで選り分け・回収を行うことによって、複数の形状異方性粒子３２を得ることもできる。
【００７０】
図１０（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明した作製方法によれば、形状・サイズが略均一な形状異方性粒子３２が得られる。形状異方性粒子３２の形状・サイズが均一であると、既に説明したような効果（動作閾値の明確化、光の透過・散乱のムラの抑制など）が得られる。一方、図１１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明した作製方法は、形状異方性粒子３２の作製コストを抑えることができるという利点がある。
【００７１】
図１２に、形状異方性粒子３２の他の例を示す。図１２に示す形状異方性粒子３２の表面は、凹部３２ａおよび凸部３２ｂを有する凹凸形状を有している。形状異方性粒子３２の表面が凹凸形状のような比較的粗い表面を有すると、形状異方性粒子３２の表面積が大きくなる。そのため、光散乱を生じる領域の面積が大きくなるので、散乱の度合を強くすることができる。
【００７２】
粗い表面を有する形状異方性粒子３２は、例えば、粗い表面を有する基板（薄膜）を用意し、その基板をパターニングまたは破砕することによって得られる。粗い表面の基板は、例えば、ＳｉＯ２から形成された基板に対してブラスト処理（サンドブラストやショットブラスト等）を行うことによって得られる。凹凸形状のサイズは、例えば表面粗さによって表わされる。散乱の度合を強くする観点からは、形状異方性粒子３２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．１μm以上であることが好ましい。
【００７３】
また、形状異方性粒子３２は、積層構造を有していてもよい。図１３に、積層構造を有する形状異方性粒子３２の例を示す。形状異方性粒子３２は、第１の層３２ｃと、第１の層３２ｃの表面を覆う第２の層３２ｄとを含んでいる。
【００７４】
第１の層３２ｃは、媒体３１の屈折率と０．２以上異なる屈折率を有する。第１の層３２ｃは、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。第２の層３２ｄは、第１の層３２ｃと異なる屈折率を有する。第２の層３２ｄは、透明な絶縁性材料（例えばＳｉＯ２）から形成されている。
【００７５】
導電材料から形成された第１の層３２ｃの表面を、絶縁性材料から形成された第２の層３２ｄで覆うことにより、形状異方性粒子３２全体を誘電体として扱うことができる。また、表面に絶縁層（第２の層３２ｄ）が形成されていることにより、金属材料から形成された形状異方性粒子３２同士の接触による導通や、物理的な相互作用による凝集等を防止する効果も得られる。
【００７６】
なお、形状異方性粒子３２の配向状態は、上述した例に限定されない。図１４に示すように、調光層３０に電圧が印加されていない状態において針状の形状異方性粒子３２をランダムに配向させ、それによって光散乱状態を実現してもよい。
【００７７】
［媒体］
媒体３１は、形状異方性粒子３２と比誘電率および屈折率が異なっていればよく、例示した炭酸プロピレンに限定されず、γ−ブチロラクトンや水などであってもよい。また、媒体３１は、屈折率の調整等のために複数種類の液体が混合された混合液であってもよい。媒体３１の色に制限はなく、無色であってもよいし、着色されていてもよい。媒体３１がチキソトロピーを有していてもよい。例えば、媒体３１にシリカ微粒子を分散させることにより、媒体３１にチキソトロピーを付与することができる。媒体３１がチキソトロピーを有していると、形状異方性粒子３２の沈降を抑制することができる。また、動作状態にメモリー性を持たせることができるので、電圧の印加頻度を少なくして消費電力の低減を図ることができる。
【００７８】
［基板］
第１透明基板１１および第２透明基板２１は、例示したガラス基板に限定されず、例えば樹脂基板であってもよい。あるいは、第１透明基板１１および第２透明基板２１は、可撓性を有するフィルムであってもよい。
【００７９】
第１透明基板１１および第２透明基板２１の色に制限はない。第１透明基板１１および第２透明基板２１は、無色であってもよいし、着色されていてもよい。
【００８０】
［電極］
図１には、第１基板１０が第１電極１２を１つ有するとともに、第２基板２０が第２電極２２を１つ有する構成を例示しているが、第１電極１２および／または第２電極２２は、電気的に独立した複数の領域に分割されていてもよい。言い換えると、第１基板１０が複数の第１電極１２を有していてもよいし、第２基板２０が複数の第２電極２２を有していてもよい。
【００８１】
第１電極１２および第２電極２２の少なくとも一方が複数の領域に分割されていると、調光層３０に、光透過状態および光散乱状態を独立に切り替えることができる複数の領域を形成することができる。これに対し、第１電極１２および第２電極２２の両方が分割されていない場合（第１基板１０が第１電極１２を１つ有するとともに第２基板２０が第２電極２２を１つ有する場合）、複数の領域に独立に電圧を印加するための付加的な構成要素（スイッチング素子や配線など）が不要となるので、構成を簡略化できるという利点が得られる。
【００８２】
［直流・交流の切り替え］
直流電圧と交流電圧とを切り替え、第１電極１２と第２電極２２との間である調光層３０に電圧を印加するための構成（以下では「電源構成」と呼ぶ）に特に制限はない。
【００８３】
図１５（a）に、電源構成の例を示す。電源システム５０Ａは、直流電源５１および交流電源５２と、スイッチ５３とを有する。電源システム５０Ａから延びる一対の配線５４および５５は、それぞれ調光装置１００の第１電極１２および第２電極２２に接続されている。
【００８４】
電源システム５０Ａでは、調光装置１００への供給電圧が、スイッチ５３により切り替えられる。調光層３０に直流電圧を印加する際は、直流電源５１からの直流電圧が調光装置１００に供給され、調光層３０に交流電圧を印加する際は、交流電源５２からの交流電圧が調光装置１００に供給される。
【００８５】
スイッチ５３としては、種々の方式のスイッチを用いることができる。スイッチ５３は、物理的なスイッチであってもよいし、電気的なスイッチであってもよい。
【００８６】
直流電源５１は、直流電圧を供給できる限り、どのような電源であってもよい。例えば、直流電源５１は、交流電源（図１５（ａ）中に示す交流電源５２とは別の交流電源）と整流回路（交流／直流変換回路）とを組み合わせたものであってもよい。整流回路と組み合わされる交流電源は、一般的な交流電源であってもよいし、家庭用電源であってもよい。
【００８７】
交流電源５２は、交流電圧を供給できる限り、どのような電源であってもよい。例えば、交流電源５２は、一般的な交流電源であってもよいし、家庭用電源と変圧器とを組み合わせたものであってもよい。また、交流電源５２は、直流電源（図１５（ａ）中に示す直流電源５１とは別の直流電源）と直流／交流変換回路とを組み合わせたものであってもよい。直流／交流変換回路を介して交流電圧を供給すると、交流電圧の供給を安定して行うことができる。また、交流電源５２から出力された交流電圧をいったん整流した後、再び交流電圧に戻して調光装置１００に供給してもよい。
【００８８】
直流電源５１、交流電源５２およびスイッチ５３についての上記説明は、以下に説明する他の例についてもあてはまる。電源（直流電源５１、交流電源５２）および各回路には、変圧回路が含まれていてもよい。
【００８９】
図１５（ｂ）に、電源構成の他の例を示す。図１５（ｂ）に示す例では、電源システム５０Ｂは、直流電源５１と、直流／交流変換回路５６と、スイッチ５３とを有する。
【００９０】
電源システム５０Ｂでは、調光装置１００への供給電圧が、スイッチ５３により切り替えられる。調光層３０に直流電圧を印加する際は、直流電源５１からの直流電圧がそのまま調光装置１００に供給される。また、調光層３０に交流電圧を印加する際は、直流電源５１からの直流電圧が直流／交流変換回路５６によって交流電圧に変換されて調光装置１００に供給される。
【００９１】
図１６（ａ）に、電源構成の他の例を示す。図１６（ａ）に示す例では、電源システム５０Ｃは、交流電源５２と、整流回路５７と、スイッチ５３とを有する。
【００９２】
電源システム５０Ｃでは、調光装置１００への供給電圧が、スイッチ５３により切り替えられる。調光層３０に直流電圧を印加する際は、交流電源５２からの交流電圧が整流回路５７によって直流電圧に変換されて調光装置１００に供給される。また、調光層３０に交流電圧を印加する際は、交流電源５２からの交流電圧がそのまま調光装置１００に供給される。
【００９３】
図１６（ｂ）に、電源構成の他の例を示す。図１６（ｂ）に示す例では、電源システム５０Ｄは、交流電源５２と、制御回路５８とを有する。
【００９４】
電源システム５０Ｄでは、調光層３０に直流電圧を印加する際は、交流電源５２からの交流電圧が制御回路５８によってオフセットを加えられて振幅を抑えられ、疑似的な直流電圧として調光装置１００に供給される。また、調光層３０に交流電圧を印加する際は、交流電源５２からの交流電圧がそのまま（または安定化されて）調光装置１００に供給される。
【００９５】
［シール部］
図１７に、シール部４１の他の構成の例を示す。図１７に示す例では、シール部４１は、異なる材料（シール材）から形成された２つの領域４１ａおよび４１ｂを有する。以下では、相対的に内側に位置する領域４１ａを「内側領域」と呼び、相対的に外側に位置する領域４１ｂを「外側領域」と呼ぶ。
【００９６】
内側領域４１ａは、外側領域４１ｂを形成するシール材よりも耐溶剤性の高いシール材から形成されている。これに対し、外側領域４１ｂは、内側領域４１ａを形成するシール材よりも接着力の強いシール材から形成されている。
【００９７】
このように、媒体３１に接触する内側領域４１ａを耐溶剤性の高いシール材で形成するとともに、外側領域４１ｂを接着力の強いシール材で形成することにより、シール部４１の高い信頼性および強い接着力を両立させることができる。
【００９８】
（実施形態２）
図１８を参照しながら、本実施形態における調光装置２００を説明する。図１８は、調光装置２００を模式的に示す断面図である。以下では、調光装置２００が実施形態１の調光装置１００と異なる点を中心に説明を行う。
【００９９】
本実施形態では、形状異方性粒子３２の屈折率は、媒体３１の屈折率よりも高い。例えば、媒体３１は炭酸プロピレンであり、形状異方性粒子３２は酸化チタンから形成されている。炭酸プロピレンの屈折率は約１．４２であり、酸化チタンの屈折率は約２．５０〜２．７２である。
【０１００】
形状異方性粒子３２が媒体３１の屈折率よりも高い（具体的には０．２以上高い）屈折率を有する層を含んでいることにより、光散乱状態を好適に実現することができる。
【０１０１】
なお、形状異方性粒子３２の材料は、例示した酸化チタンに限定されず、酸化亜鉛や樹脂などでもよい。媒体３１は、例示した炭酸プロピレンに限定されず、γ−ブチロラクトンや水などでもよい。
【０１０２】
また、本実施形態の調光装置２００では、第１基板１０および第２基板２０は、互いにずれた状態で貼り合わされている。そのため、調光層３０の層法線方向から見たとき、第１基板１０は、第２基板２０に重ならない領域１０ａを含み、第２基板２０は、第１基板１０に重ならない領域２０ａを含む。
【０１０３】
第１基板１０が第２基板２０に重ならない領域１０ａを含むことにより、第１電極１２を外部配線等に電気的に接続するための部分（端子部や電極取り出し口などと呼ばれる）の形成・配置が容易となる。同様に、第２基板２０が第１基板１０に重ならない領域２０ａを含むことにより、第２電極２２を外部配線等に電気的に接続するための部分（端子部または電極取り出し口）の形成・配置が容易となる。
【０１０４】
（実施形態３）
図１９を参照しながら、本実施形態における調光装置３００を説明する。図１９は、調光装置３００を模式的に示す断面図である。以下では、調光装置３００が実施形態１の調光装置１００と異なる点を中心に説明を行う。
【０１０５】
本実施形態では、媒体３１の屈折率は、形状異方性粒子３２の屈折率よりも高い。例えば、媒体３１は、酸化チタンの微粒子が分散されたγ―ブチロラクトンであり、形状異方性粒子３２は、光学ガラスから形成されている。酸化チタンの微粒子が分散されたγ―ブチロラクトンの屈折率は例えば約１．６４であり、光学ガラスの屈折率は例えば約１．４３である。
【０１０６】
形状異方性粒子３２が媒体３１の屈折率よりも低い（具体的には媒体３１の屈折率よりも０．２以上低い）屈折率を有する層を含んでいることによっても、光散乱状態を好適に実現することができる。
【０１０７】
なお、形状異方性粒子３２の材料は、例示した光学ガラスに限定されず樹脂などでもよい。媒体３１は、例示したもの（酸化チタンの微粒子が分散されたγ―ブチロラクトン）に限定されない。媒体３１は、酸化チタン以外の高屈折率微粒子（例えばジルコンの微粒子）が分散された液体であってもよいし、もともと（高屈折率微粒子を含まずとも）高い屈折率を有する液体（例えばブロモナフタレンやジヨードメタンなど）であってもよい。また、媒体３１は、混合液であってもよい。
【０１０８】
また、本実施形態の調光装置３００では、第１基板１０および第２基板２０は、互いにずれた状態で貼り合わされている。そのため、調光層３０の層法線方向から見たとき、第１基板１０は、第２基板２０に重ならない領域１０ａを含み、第２基板２０は、第１基板１０に重ならない領域２０ａを含む。
【０１０９】
第１基板１０が第２基板２０に重ならない領域１０ａを含むことにより、第１電極１２を外部配線等に電気的に接続するための部分（端子部または電極取り出し口）の形成・配置が容易となる。同様に、第２基板２０が第１基板１０に重ならない領域２０ａを含むことにより、第２電極２２を外部配線等に電気的に接続するための部分（端子部または電極取り出し口）の形成・配置が容易となる。
【０１１０】
（実施形態４）
図２０を参照しながら、本実施形態における調光装置４００を説明する。図２０は、調光装置４００を模式的に示す断面図である。以下では、調光装置４００が実施形態１の調光装置１００と異なる点を中心に説明を行う。
【０１１１】
本実施形態では、第１基板１０は、第１電極１２を覆う第１絶縁層１３をさらに有する。また、第２基板２０は、第２電極２２を覆う第２絶縁層２３をさらに有する。第１絶縁層１３および第２絶縁層２３のそれぞれは、例えば５０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ２膜である。
【０１１２】
以下、第１電極１２および第２電極２２を覆う第１絶縁層１３および第２絶縁層２３が設けられていることにより得られる利点を説明する。
【０１１３】
本願発明者は、調光層３０への印加電圧と形状異方性粒子３２の挙動との関係について詳細な検討を行った。その結果、上述したような第１絶縁層１３および第２絶縁層２３が設けられていない場合、調光装置の仕様によっては、図２１に示すように、直流電圧印加状態から電圧無印加状態に切り替えたときに、形状異方性粒子３２が電極（ここでは第２電極２２）に対して反発するように弾け飛ぶ挙動を示すことがわかった。形状異方性粒子３２がこのような挙動を示すと、例えば上述したように媒体３１にチキソトロピーを付与したとしても、メモリー性を実現することが困難となる。また、形状異方性粒子３２の配置をうまく制御できず、形状異方性粒子３２の偏在が生じる可能性がある。
【０１１４】
本願発明者がさらに詳細な検討を重ねた結果、本実施形態のように、第１電極１２および第２電極２２を覆う第１絶縁層１３および第２絶縁層２３を設けると、形状異方性粒子３２の上述した挙動を防止できることがわかった。
【０１１５】
続いて、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の形成方法を説明する。ここでは、図２２（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、第１基板１０側の第１絶縁層１３を例として説明を行い、第１電極１２の形成方法の例も併せて説明する。
【０１１６】
まず、図２２（ａ）に示すように、第１絶縁性基板１１を用意する。第１絶縁性基板１１は、例えば、絶縁性材料から形成されたウェハやガラス基板である。用意された第１絶縁性基板１１は、マグネトロンスパッタ装置の真空チャンバ内に配置される。真空チャンバ内には、ＳｉターゲットおよびＳｎＯ２比率５％のＩＴＯターゲットも配置されている。
【０１１７】
次に、図２２（ｂ）に示すように、第１絶縁性基板１１上に、下地層１４を形成する。まず、真空チャンバ内の圧力が５×１０−４Ｐａになるまでターボ分子ポンプを用いて排気を行う。次に、真空チャンバ内に、Ａｒガスを１６０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入し、真空チャンバ内の圧力を０．５Ｐａに調整する。その後、Ｓｉターゲットに１ｋＷの電力を印加してスパッタリングを行うことにより、約５０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ２膜を下地層１４として形成する。
【０１１８】
続いて、図２２（ｃ）に示すように、下地層１４上に、第１電極１２を形成する。まず、第１絶縁性基板１１を加熱し、その温度を１５０℃に保持したまま、Ａｒガスを１９８ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを２ｓｃｃｍの流量で真空チャンバ内に混合ガスとして導入し、真空チャンバ内の圧力を０．５Ｐａに調整する。その後、ＩＴＯターゲットに１ｋＷの電力を印加してスパッタリングを行うことにより、約１００ｎｍの厚さを有するＩＴＯ膜を第１電極１２として形成する。
【０１１９】
その後、図２２（ｄ）に示すように、第１電極１２上に、第１絶縁層１３を形成する。まず、真空チャンバ内に、Ａｒガスを１６０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを４ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入し、真空チャンバ内の圧力を０．５Ｐａに調整する。その後、Ｓｉターゲットに１ｋＷの電力を印加してスパッタリングを行うことによって、約１００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ２膜を第１絶縁層１３として形成する。
【０１２０】
このようにして、第１電極１２および第１絶縁層１３を有する第１基板１０が得られる。同様にして、第２電極２２および第２絶縁層２３を形成し、第２基板２０を得ることができる。
【０１２１】
なお、電極取り出し口を形成するために、図２３に示すように、第１電極１２上の第１絶縁層１３の一部（図中の領域１３ａ）が除去されてもよい。例えば、ＣＨＦ３などのガスを用いたドライエッチング工程を含むフォトリソグラフィプロセスにより、第１絶縁層１３をパターニングして任意の形状とすることができる。この方法に限定されず、第１絶縁層１３を形成する前に、第１電極１２の一部（その上の第１絶縁層１３が除去される部分）をレジスト等で覆っておき、リフトオフ法によって第１絶縁層１３の一部を除去してもよい。同様にして、第２電極２２上の第２絶縁層２３の一部が除去されてもよい。
【０１２２】
ここでは、スパッタリング法を用いる例を挙げたが、第１電極１２および第２絶縁層２２や、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３を形成する方法は、スパッタリング法に限定されない。蒸着法やＣＶＤ法などを用いてもよい。
【０１２３】
第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の厚さに特に制限はない。形状異方性粒子３２の上述した弾け飛ぶような挙動をより確実に防止する観点からは、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３のそれぞれの厚さは、５０ｎｍ以上であることが好ましい。ただし、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３のそれぞれの厚さが２００ｎｍを超えると、動作電圧が高くなりすぎることがある。動作電圧を低くする観点からは、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３のそれぞれの厚さは２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２４】
また、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の材料は、例示したＳｉＯ２に限定されない。第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の材料として、Ａｌ２Ｏ３やＴｉＯｘなどを用いてもよい。また、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の材料は、無機絶縁材料（上述したＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯｘ）に限定されない。第１絶縁層１３および第２絶縁層２３の材料として、有機絶縁材料を用いてもよい。一般に、無機絶縁材料は、紫外線などの外部刺激や経時的な劣化に対し、有機絶縁材料よりも安定である。そのため、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３が無機絶縁材料から形成されていると、信頼性を得られるという利点がある。
【０１２５】
また、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３が無機絶縁材料から形成される場合、形状異方性粒子３２の上述した挙動をより確実に防止する観点からは、第１絶縁層１３および第２絶縁層２３のそれぞれの電気抵抗率（比抵抗）は、１×１０９Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
【０１２６】
（実施形態５）
実施形態１〜４の調光装置１００〜４００は、例えば調光窓に好適に用いられる。図２４を参照しながら、調光装置１００を備えた調光窓５００を説明する。図２４は、調光窓５００を模式的に示すブロック図である。
【０１２７】
調光窓５００は、図２４に示すように、調光装置１００と、人感センサ５１０と、制御回路５２０とを有する。
【０１２８】
人感センサ５１０は、赤外線、超音波、可視光などを用いて、所定の範囲内の人間の所在を検知する。人感センサ５１０は、人間の所在の有無を示す検知信号を制御回路５２０に出力する。
【０１２９】
制御回路５２０は、人感センサ５１０からの出力（検知信号）に基づいて、調光層３０に制御信号を出力し、調光装置１００の調光層３０の状態を光散乱状態と光透過状態との間で切り替える。制御回路５２０は、例えば、所定の範囲内に人間がいない場合には、調光層３０を光透過状態とし、所定の範囲内に人間がいる場合には、調光層３０を光散乱状態とする。用途によってはこれとは逆に、所定の範囲内に人間がいない場合に調光層３０が光散乱状態となり、所定の範囲内に人間がいる場合には調光層３０が光透過状態となるように制御が行われてもよい。制御回路５２０は、例えばマイクロコントローラである。
【０１３０】
人感センサ５１０、制御回路５２０および調光装置１００間での信号やデータのやりとりは、有線通信で行われてもよいし、無線通信で行われてもよい。また、調光窓５００が人感センサ５１０に加えて（あるいは人感センサ５１０に代えて）手動スイッチを備えていてもよく、人間が手動スイッチを操作することによって調光層３０の光透過状態と光散乱状態とを切り替えてもよい。
【０１３１】
本実施形態の調光窓５００は、建物の壁や戸に設けられる窓として好適に用いられる。また、調光窓５００は、ショーウインドウやパーティションとしても好適に用いられる。さらに、調光窓５００は、電車や航空機、自動車などの窓やサンルーフとしても好適に用いられる。
【０１３２】
なお、本開示の実施形態による調光装置は、調光窓以外の用途に用いられてもよい。例えば、本開示の実施形態による調光装置は、照明装置を含む照明システムに用いられてもよい。照明装置の前方に調光装置を配置することにより、照明装置から出射した光の配向分布を変化させることができる。調光層が光透過状態の場合には、照明装置からの出射光の指向性を維持することができ、調光層が光散乱状態の場合には、照明装置からの出射光の指向性を低くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本開示の実施形態によると、従来に比べ安価に製造し得る調光装置を提供することができる。本開示の実施形態による調光装置は、調光窓に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１３４】
１０    第１基板
１０ａ    第２基板に重ならない領域
１１    第１絶縁性基板
１２    第１電極
１３    第１絶縁層
１４    下地層
２０    第２基板
２０ａ    第１基板に重ならない領域
２１    第２絶縁性基板
２２    第２電極
２３    第２絶縁層
３０    調光層
３１    媒体
３２    形状異方性粒子
３２’    薄膜
３２ａ    凸部
３２ｂ    凹部
３２ｃ    第１の層
３２ｄ    第２の層
４１    シール部
４１ａ    内側領域
４１ｂ    外側領域
４２    スペーサ
５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ    電源システム
５１    直流電源
５２    交流電源
５３    スイッチ
５４、５５    配線
５６    直流／交流変換回路
５７    交流／直流変換回路（整流回路）
５８    制御回路
１００、２００、３００、４００    調光装置
５００    調光窓
５１０    人感センサ
５２０    制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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