(57)【要約】【課題】弱い光で感光する処理対象を光処理するのに適した光処理装置を提供すること。【解決手段】紫外線を放射する光源１０と、ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０と、を有し、前記ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０によって偏光された偏光光を、処理対象Ｗに照射して配向処理する光配向装置１であって、前記処理対象Ｗは、２００〜４００ｎｍの波長域において感光に要する積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満の感度を有する感光性樹脂組成物であり前記光源１０は、低圧放電ランプ１１である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を放射する光源と、ワイヤーグリッド偏光子と、を有し、前記ワイヤーグリッド偏光子によって偏光された偏光光を、処理対象に照射して処理する光処理装置であって、
前記処理対象は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域において感光に要する積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満の感度を有する感光性樹脂組成物であり、
前記光源は、低圧放電ランプ、または、発光素子である
ことを特徴とする光処理装置。
【請求項２】
前記処理対象の前記感光性樹脂組成物は、光架橋、光異性化、または光フリース転位を起こす感光性基を有する材料である
ことを特徴とする請求項１に記載の光処理装置。
【請求項３】
前記光源は、線状光源であり、
前記線状光源の長手方向の輝度ムラによって前記処理対象に生じる低照度箇所の照度に合わせて、高照度箇所を照らす光を減じるフィルタ、または光を増やす補助反射機構を備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光処理装置。
【請求項４】
互いに並列に配置された線状光源である複数の前記光源を備え、
前記光源のそれぞれは、隙間をあけて前記低圧放電ランプが直列に並べられ、又は、複数の前記発光素子が直線状に隙間をあけて配置され、
隣り合う列の前記光源同士では、前記低圧放電ランプ、又は前記発光素子の間の隙間がずれている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光処理装置。
【請求項５】
複数の前記光源と、
前記光源ごとに設けられ、反射方向を可変な反射板と、を備え、
それぞれの前記反射板の反射方向によって前記処理対象に照射される光量が可変である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光処理装置。
【請求項６】
線状光源である複数の前記光源を収めた照射器を備え、
前記照射器には、前記光源が並列に配置されている、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、処理対象に偏光光を照射して光処理する光処理装置が知られている。この種の光処理装置の光源には、一般に、ＨＩＤランプ等の高圧放電灯ランプが用いられている（例えば、特許文献１参照）。特に、液晶パネル等を配向処理する光配向装置の光源には、一般に、ロングアーク式の高圧水銀ランプや、メタルハライドランプが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２１８３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光源が高圧放電灯ランプである場合、光処理装置には、高圧電源や比較的大規模な冷却機構が設けられる必要がある。
さらに、弱い光で感光する処理対象を光処理する場合、高圧放電灯ランプでは光出力が高すぎるため、光源の光を減光フィルタ等で減光して処理対象に照射する必要がある。
そこで本発明は、弱い光で感光する処理対象を光処理するのに適した光処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、紫外線を放射する光源と、ワイヤーグリッド偏光子と、を有し、前記ワイヤーグリッド偏光子によって偏光された偏光光を、処理対象に照射して処理する光処理装置であって、前記処理対象は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域において感光に要する積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満の感度を有する感光性樹脂組成物であり、前記光源は、低圧放電ランプ、または、発光素子であることを特徴とする。
【０００６】
本発明は、上記光処理装置において、前記処理対象の前記感光性樹脂組成物は、光架橋、光異性化、または光フリース転位を起こす感光性基を有する材料であることを特徴とする。
【０００７】
本発明は、上記光処理装置において、前記光源は、線状光源であり、前記線状光源の長手方向の輝度ムラによって前記処理対象に生じる低照度箇所の照度に合わせて、高照度箇所を照らす光を減じるフィルタ、または光を増やす補助反射機構を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明は、上記光処理装置において、互いに並列に配置された線状光源である複数の前記光源を備え、前記光源のそれぞれは、隙間をあけて前記低圧放電ランプが直列に並べられ、又は、複数の前記発光素子が直線状に隙間をあけて配置され、隣り合う列の前記光源同士では、前記低圧放電ランプ、又は前記発光素子の間の隙間がずれていることを特徴とする。
【０００９】
本発明は、上記光処理装置において、複数の前記光源と、前記光源ごとに設けられ、反射方向を可変な反射板と、を備え、それぞれの前記反射板の反射方向によって前記処理対象に照射される光量が可変であることを特徴とする。
【００１０】
本発明は、上記光処理装置において、線状光源である複数の前記光源を収めた照射器を備え、前記照射器には、前記光源が並列に配置されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、弱い光で感光する処理対象を光処理するのに適した光処理装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る光配向装置の構成を示す図である。
【図２】照射器の概略構成を示す図である。
【図３】照射器内の光源の構成を模式的に示す平面図である。
【図４】直列に並んだ低圧放電ランプ同士の間を拡大して示す図である。
【図５】反射板の回転を示す説明図であり、（Ａ）は未回転状態を示し、（Ｂ）は回転状態を示す。
【図６】評価試験に用いたサンプルＳ１の紫外線（ＵＶ）吸収スペクトルを示す図である。
【図７】波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの偏光光の積算光量を１ｍＪ／ｃｍ２から２０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で変化させて光処理したときの異方性測定結果を示す図である。
【図８】図７におけるサンプルＳ１についての測定結果をグラフ化した図である。
【図９】図７におけるサンプルＳ２についての測定結果をグラフ化した図である。
【図１０】波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの偏光光の積算光量を１ｍＪ／ｃｍ２から２０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で変化させて光処理したときの配向性評価結果を示す図である。
【図１１】本発明の変形例に係る照射器の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る光配向装置１の構成を示す図である。
光配向装置１は、光処理として配向処理を行う装置であり、処理対象Ｗに偏光光を照射し、当該処理対象Ｗを配向処理する。
本実施形態の光配向装置１は、図１に示すように、ステージ搬送架台２と、処理対象Ｗが載置されるワークステージ４と、照射器設置架台６と、照射器８と、を有する。
【００１４】
ステージ搬送架台２は、直線的に延びた台であり、その上面がワークステージ４を搬送する搬送面２Ａとして構成されている。ステージ搬送架台２には、搬送機構が設けられており、搬送機構がワークステージ４を搬送方向Ｘに直線的に搬送する。
照射器設置架台６は、ステージ搬送架台２から上方に所定距離の位置で、ステージ搬送架台２の幅方向Ｙには、（ステージ搬送架台２の搬送面２Ａにおいて搬送方向Ｘと直交する方向）に架け渡された門体であり、ステージ搬送架台２に取り付け固定される。
照射器８は、直下の搬送面２Ａに偏光光を照射する機器であり、照射器設置架台６に内設されている。ワークステージ４に載置された処理対象Ｗが、照射器８の直下を通過する際に、照射器８の偏光光に曝露されることで、処理対象Ｗが配向処理される。
【００１５】
図２は、照射器８の概略構成を示す図である。
照射器８は、図２に示すように、複数（図示例では２つ）の光源１０と、反射板１２と、フィルタユニット１９と、を有する。
【００１６】
それぞれの光源１０は、ワークステージ４の幅方向Ｙに延びた線状の光を放射する線状光源である。本実施形態の光源１０は、３００ｎｍから４００ｎｍの波長の紫外線を放射し、かつ高圧放電ランプよりも出力が小さい線状光源として低圧放電ランプ１１を備えている。低圧放電ランプ１１には、ブラックライト又はケミカルランプ（すなわち、蛍光ランプ）が用いられる。複数の光源１０のそれぞれは、搬送方向Ｘにおいて、同じ高さで互いに並列に配置されている。
【００１７】
反射板１２は、光源１０ごとに設けられ、光源１０の光をワイヤーグリッド偏光子ユニット２０に向けて反射しながら集光する光学部材である。本実施形態の反射板１２には、光源１０の長手方向に沿ってそれぞれ延びるシリンドリカル凹面反射鏡が用いられている。反射板１２の凹面は楕円面であり、楕円面の焦点ｆに、光源１０（低圧放電ランプ１１の中心軸）が配置されている。これにより、光源１０の光が反射板１２によって集光される。
【００１８】
フィルタユニット１９は、波長制御フィルタ１６と、減光フィルタ１８と、ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０と、を有し、これらが光源１０とワークステージ４との間に積層配置されている。
【００１９】
波長制御フィルタ１６は、光配向に必要な波長の光を透過させる光学フィルタである。
減光フィルタ１８は、透過光を減光する光学フィルタである。減光フィルタ１８には、ＮＤフィルタやメッシュ状のフィルタなどを用いられる。減光フィルタ１８は、専ら照度ムラを抑えるために設けられており、その詳細は後述する。
ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０は、透過光を偏光して出射する。ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０による偏光光が処理対象Ｗに照射されることで、処理対象Ｗが配向処理される。
【００２０】
この光配向装置１では、光源１０の低圧放電ランプ１１には、ブラックライト又はケミカルランプが用いられることで、高圧放電ランプに比べて光源１０の発熱が少ない。このため、光源１０の冷却機能を簡略化できる。また、ブラックライト、及びケミカルランプの放射光は、いずれも３００ｎｍ以下の波長成分を含まないため、オゾンが生成されることがなく、また、ワイヤーグリッド偏光子ユニット２０のワイヤーグリッド部分の酸化が促されることもない。
【００２１】
図３は、照射器８内の光源１０の構成を模式的に示す平面図である。
光源１０のそれぞれは、複数本（図示例では３本）のワーク有効幅に合わせた同一長さまたは異なる長さの低圧放電ランプ１１を備えている。幅方向Ｙに長い処理対象Ｗの全幅範囲に光を照射する長さの線状光源を構成すべく、これらの低圧放電ランプ１１がワークステージ４の幅方向Ｙに直列に並べられている。本実施形態では、光源１０の幅方向Ｙの全長は、液晶パネル製造における第１１世代（Ｇ１１）のマザーガラスもカバーでき、また、それ以上のマザーガラスサイズの場合も対応可能である。
【００２２】
また、光源１０のそれぞれは、低圧放電ランプ１１の長さ方向（すなわち、ワークステージ４の幅方向Ｙ）に、互いに距離αだけずらして配置されている。これにより、各光源１０における低圧放電ランプ１１同士の隙間１５が、ワークステージ４の幅方向Ｙにおいて重なることがなく、隙間１５の重なりによる照度ムラが抑えられる。
【００２３】
図４は、直列に並んだ低圧放電ランプ１１同士の間を拡大して示す図である。
同図に示すように、光源１０は、低圧放電ランプ１１同士の間の隙間１５に、板状の絶縁体１３を有し、この絶縁体１３の両側に、低圧放電ランプ１１のソケット１７が配置されている。ソケット１７の幅β（幅方向Ｙの長さ）は、低圧放電ランプ１１同士の隙間１５による照度ムラを抑えるため、既製品よりも短い２０ｍｍ以下に形成されており、隙間１５が大きく空くことが防止されている。
さらに、光源１０は、低圧放電ランプ１１の長手方向（すなわち、ワークステージ４の幅方向Ｙ）に、低圧放電ランプ１１の隙間１５を覆って延びる専用補助反射板２２を備えている。専用補助反射板２２は、隙間１５から漏れる光をワークステージ４の側に反射し、これにより照度低下が抑えられている。
【００２４】
ところで、光配向装置１による光配向では、処理対象Ｗには均一に光が照射されることが望ましい。本実施形態では、上述の通り、光源１０のそれぞれを、ワークステージ４の幅方向Ｙに距離αだけずらして配置し、それぞれの光源１０においては、２０ｍｍ以下の幅βのソケット１７が採用され、なおかつ、隙間１５を覆う専用補助反射板２２が設けられている。これにより、隙間１５による照度ムラが良好に抑えられる。
しかしながら、光源１０が備える低圧放電ランプ１１は、その長手方向において輝度ムラを生じ、この輝度ムラに起因して、処理対象Ｗに照射される光に照度ムラが生じる。
そこで、本実施形態の照射器８は、この照度ムラを打ち消すために、上記減光フィルタ１８を備えている。
【００２５】
詳述すると、減光フィルタ１８は、処理対象Ｗの照射面における低照度箇所の照度に合わせ、高照度箇所を照らす光を減光する。係る減光フィルタ１８は、照射器８の中に、適宜の位置に適宜の数だけ設けられている。これにより、低圧放電ランプ１１が輝度ムラを有した場合でも、当該輝度ムラに起因した照度ムラを抑え、処理対象Ｗに均一な光を照射でき、高品質な配向処理が実現可能になる。
【００２６】
ここで、本実施形態の光配向装置１の光源１０は、高圧放電ランプに比べて光量が小さな低圧放電ランプ１１の光を放射するので、比較的弱い光量で感光するような感度が非常に高い処理対象Ｗであっても、良好に配向処理できる。
【００２７】
具体的には、光配向装置１では低圧放電ランプ１１が用いられることで、感光に要する積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満というような高い感度を有する感光性樹脂組成物が処理対象Ｗであっても、これを良好に配向処理できる。なお、積算光量は、照射光照度（単位：ｍＷ／ｃｍ２）と照射時間（単位：秒）の積である。
【００２８】
処理対象Ｗとなる感光性樹脂組成物は、光架橋、光異性化、または光フリース転位を起こす感光性基を有した組成物である。さらに、処理対象Ｗとなる感光性樹脂組成物は、積算光量が１ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２の範囲において異方性を生じる性質を有している。
係る感光性樹脂組成物は、液晶表示素子や液晶レンズ、回折格子などの液晶光学素子、もしくは絶縁性のレジスト材全般に用いられている。
【００２９】
この場合において、感光性を有する部位の化学構造は任意であるが、処理対象Ｗとしては、光に感応して架橋反応、異性化反応、または光フリース転位を起こす構造が望ましく、さらに架橋反応を起こす化学構造がより望ましい。
また、処理対象Ｗとなる感光性樹脂組成物は、２００ｎｍ〜４００ｎｍ（少なくとも２５０ｎｍ〜４００ｎｍ）の波長範囲の光に反応する感光性基を有することが望ましい。感光性基の例としては、ケイ皮酸、アゾベンゼン、クマリン、カルコンなどが挙げられる。
【００３０】
ここで、光源１０が低圧放電ランプ１１の弱い光を放射することで、感度が非常に高い処理対象Ｗを、良好に光処理できるものの、何ら対策を施さなければ、感光に要する光量が光源１０の光出力を超えてしまうような処理対象Ｗを光処理することはできない。
そこで、本実施形態の照射器８は、複数の反射板１２のそれぞれが焦点ｆの回りに回転可能に構成されている。
【００３１】
図５は反射板１２の回転を示す説明図であり、図５（Ａ）は未回転状態を示し、図５（Ｂ）は回転状態を示す。
照射器８は、反射板１２のそれぞれを、焦点ｆ（低圧放電ランプ１１の中心軸）の回りに回転する回転機構を備えている。図５（Ａ）に示すように、反射板１２の反射光の反射方向Ｋ（反射板１２の光軸）が直下を向いた状態、すなわち反射板１２のそれぞれの反射方向Ｋが平行な状態に比べ、図５（Ｂ）に示すように、反射板１２のそれぞれの回転により反射方向Ｋを交差させることで、光源１０の各々の光が合成され、処理対象Ｗにおける照度（処理対象Ｗに照射する光量）が高められる。この照度は、反射板１２の回転角度によって任意に可変可能である。これにより、感光に要する光量が光源１０の光出力を超えるような処理対象Ｗでも、適切な照度で光処理を実施できる。
なお、反射板１２の回転による光の合成に加え、ワークステージ４の搬送速度を可変して、積算光量を調整してもよいことは勿論である。
【００３２】
次いで、本実施形態の光配向装置１による光処理の評価試験について説明する。
この評価試験では、処理対象Ｗの感光性樹脂組成物として、波長３００ｎｍから４００ｎｍの間に感度を有する日産化学工業株式会社製品（型式：ＲＮ−３９９３）が用いられている。
【００３３】
（異方性評価試験）
異方性試験では、偏光光の照射によって処理対象Ｗに生じた異方性を評価した。また、処理対象Ｗの感光性樹脂組成物として、本焼成時の温度が異なる２つのサンプルＳ１、Ｓ２を作成して試験を行った。
具体的には、２つのサンプルＳ１、Ｓ２はいずれも、基板に石英材が用いられ、かつ、７０℃のホットプレスを用いて９０秒間の仮焼成が行われている。そして、サンプルＳ１は、１５０℃のホットプレスを用いて２０分間焼成することで本焼成されており、サンプルＳ２は、１６０℃のホットプレスを用いて２０分間焼成することで本焼成されている。
【００３４】
図６は、サンプルＳ１の紫外線（ＵＶ）吸収スペクトルを示す。
同図に示すように、サンプルＳ１は、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲で比較的高い吸光度を有し、波長３５０ｎｍ以上では、吸光度が略ゼロに等しくなっている。
【００３５】
なお、サンプルＳ２の紫外線吸収スペクトルもサンプルＳ１と概ね同じ傾向を示している。
【００３６】
異方性試験において、光配向装置１の光源１０の低圧放電ランプ１１には、ケミカルランプを用い、波長制御フィルタ１６には、アイグラフィックス株式会社製特殊波長制御フィルタを用いた。また、比較試験として、波長制御フィルタ１６を用いずに光処理した場合も試験を行った。
【００３７】
図７は、波長２００〜４００ｎｍの偏光光の積算光量を１ｍＪ／ｃｍ２から２０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で変化させて光処理することでサンプルＳ１、Ｓ２に生じた異方性の測定結果を示す図である。図７の各数値は、サンプルＳ１、Ｓ２両方の測定結果の最大値で規格化した相対値である。また図８、及び図９は、図７の測定結果をグラフ化した図であり、図８はサンプルＳ１の測定結果を示し、図９はサンプルＳ２の測定結果を示す。
これら図７から図９に示すように、サンプルＳ１、Ｓ２は、いずれも焼成温度や、長波長透過フィルタの有無にかかわらず、積算光量が２ｍＪ／ｃｍ２から６ｍＪ／ｃｍ２の間で高い異方性を示した。
一方、積算光量が６ｍＪ／ｃｍ２を超えた範囲では、サンプルＳ１、Ｓ２のいずれも、積算光量が大きくなるにつれて異方性は低くなっている。特にサンプルＳ１では、積算光量が１５ｍＪ／ｃｍ２よりも大きくなると異方性は生じず、サンプルＳ２では、積算光量が１２ｍＪ／ｃｍ２よりも大きくなると異方性は生じなかった。
【００３８】
（配向性評価）
配向性試験では、偏光光の照射によって処理対象Ｗに生じた配向を評価した。また、処理対象Ｗの感光性樹脂組成物として、本焼成時の温度が異なる２つのサンプルＳ３、Ｓ４を試験に用いた。
具体的には、２つのサンプルＳ３、Ｓ４はいずれも、基板にＩＴＯベタガラスが用いられ、かつ、７０℃のホットプレスを用いて９０秒間の仮焼成が行われている。そして、サンプルＳ３は、１５０℃のホットプレスを用いて２０分間焼成することで本焼成されており、サンプルＳ４は、１６０℃のホットプレスを用いて２０分間焼成することで本焼成されている。
【００３９】
なお、サンプルＳ３、Ｓ４の紫外線吸収スペクトルは、サンプルＳ１と概ね同じ傾向を示している。
【００４０】
光配向装置１の光源１０、及び波長制御フィルタ１６については、異方性評価試験と同様である。
【００４１】
図１０は、波長２００〜４００ｎｍの偏光光の積算光量を１ｍＪ／ｃｍ２から２０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で変化させて光処理することでサンプルＳ３、Ｓ４に生じた配向性の評価結果を示す図である。
同図に示すように、サンプルＳ３、Ｓ４のいずれにおいても、波長制御フィルタ１６を用いた方が積算光量の広い範囲で配向性が良好であった。また、サンプルＳ３では、サンプルＳ４と比較して、積算光量のより広い範囲で配向性が良好であった。
【００４２】
具体的には、サンプルＳ３では、波長制御フィルタ１６が用いられていない場合には、積算光量が３ｍＪ／ｃｍ２から９ｍＪ／ｃｍ２の範囲において配向性が良好であった。波長制御フィルタ１６が用いられた場合には、積算光量が３ｍＪ／ｃｍ２から７ｍＪ／ｃｍ２の範囲において配向性が良好であった。
一方、サンプルＳ４では、波長制御フィルタ１６が用いられていない場合には積算光量が３ｍＪ／ｃｍ２から５ｍＪ／ｃｍ２の範囲において配向性が良好であり、また、１ｍＪ／ｃｍ２から７ｍＪ／ｃｍ２の範囲においても配向性が比較的良好であった。波長制御フィルタ１６が用いられている場合には、積算光量が３ｍＪ／ｃｍ２から５ｍＪ／ｃｍ２の範囲において配向性が良好であった。
さらに、サンプルＳ３、Ｓ４では、いずれも、積算光量が１５ｍＪ／ｃｍ２以上の範囲において、波長制御フィルタ１６の有無にかかわらず、光処理後でも無配向であった。
【００４３】
これらの評価試験によれば、偏光光の波長を波長制御フィルタ１６の有無にかかわらず、数ｍＪ／ｃｍ２の弱い積算光量で、処理対象Ｗの感光性樹脂組成物を良好に配向処理できることが示される。また、波長制御フィルタ１６を用いて積極的に波長を制限せずとも、十分に良好な配向処理ができることが示されている。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の光配向装置１は、光源１０が低圧放電ランプ１１を備え、当該低圧放電ランプ１１の光で配向処理する構成とした。
これにより、２００〜４００ｎｍの波長域において積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満の微少な光量で感光するような高感度な感光性樹脂組成物を処理対象Ｗとして、良好な配向処理ができる。
また、光源１０が低出力であるため、光源１０が例えば高圧放電ランプを備える構成に比べて、光源１０の冷却に必要な能力、及び電力も少なくて済むので、光配向装置１の構成を簡略化でき、またコストも抑えられる。これに加えて、波長制御フィルタ１６やワイヤーグリッド偏光子ユニット２０が光源１０の熱によって劣化することも抑制される。
【００４５】
また本実施形態によれば、処理対象Ｗである感光性樹脂組成物は、光架橋、光異性化、または光フリース転位を起こす感光性基を有する材料とした。これにより、液晶表示素子や液晶レンズ、回折格子などの液晶光学素子、もしくは絶縁性のレジスト材全般に用いられる感光性樹脂組成物を、好適に光処理できる。
【００４６】
また本実施形態の光配向装置１は、光源１０が直管形の低圧放電ランプ１１を備え、この低圧放電ランプ１１の輝度ムラによって処理対象Ｗに生じる低照度箇所の照度に合わせて、高照度箇所を照らす光を減じる減光フィルタ１８を備える。
これにより、光源１０の輝度ムラに起因して生じる処理対象Ｗの照度ムラが抑えられる。
【００４７】
また本実施形態の光配向装置１は、複数の光源１０を備え、それぞれの光源１０は、直列に並んだ低圧放電ランプ１１を備え、なおかつ、それぞれの光源１０が並列に配置されている。そして、隣り合う光源１０同士は、直列に並ぶ低圧放電ランプ１１の間の隙間１５がずれるように配置され、隙間１５には専用補助反射板２２が設けられている。
これにより、光源１０が、直列に並んだ低圧放電ランプ１１を備えることで、大型の処理対象Ｗを光処理できる。また、隣り合う光源１０同士は、直列に並ぶ低圧放電ランプ１１の間の隙間１５がずれるように配置され、さらに隙間１５には専用補助反射板２２が設けられているので、隙間１５による照度ムラが抑えられる。
【００４８】
また本実施形態の光配向装置１は、複数の光源１０と、光源１０ごとに設けられ、反射方向Ｋを可変な反射板１２と、を備え、それぞれの反射板１２の反射方向Ｋによって処理対象Ｗに照射される光量が可変になっている。
これにより、処理対象Ｗの感度が低く、１つの光源１０の光量だけでは感光させることができない場合でも、複数の光源１０の光を合成して照度を高めて感光させることができる。
【００４９】
また本実施形態の光配向装置１は、複数本の低圧放電ランプ１１が直列に並べられた複数の光源１０を並列に配置した照射器８を有する。
これにより、幅方向Ｙが低圧放電ランプ１１の全長よりも長い処理対象Ｗの全幅範囲は勿論のこと、当該幅方向Ｙに垂直な方向（手圧放電ランプ１１の並列方向）の広い範囲に光を照射可能にすることができる。また、各光源１０における低圧放電ランプ１１同士の隙間１５が、ワークステージ４の幅方向Ｙにおいて重なることがなく、隙間１５の重なりによる照度ムラが抑えられる。
【００５０】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様の例示であり、本発明の要旨の範囲において任意に変形、及び応用が可能である。
【００５１】
図１１は、本発明の変形例に係る照射器１０８の概略構成を示す図である。
上述した実施形態においては、減光フィルタ１８を備えることによって、光源１０の輝度ムラに起因して生じる処理対象Ｗの照度ムラが抑えられている。これに対して、図１１に示すように、低照度箇所の照度を上げる側面補助反射板１１８を設けても良い。
側面補助反射板１１８は、処理対象Ｗの照射面における低照度箇所を照らす光を増やし、その低照度箇所の照度を上昇させる補助反射機構を構成する。側面補助反射板１１８は、照射器１０８の内部の両側面、及び光源１０の間の、適宜の位置に適宜の数だけ設けられる。
本変形例によれば、低圧放電ランプ１１が輝度ムラを有した場合でも、当該輝度ムラに起因した照度ムラを抑え、処理対象Ｗに均一な光を照射することができる。
【００５２】
上述した実施形態においては、照射器８の光源１０が低圧放電ランプ１１を備えたが、これに限らない。例えば、紫外線を放射するＬＥＤ等の発光素子であってもよい。
この場合において、例えば低圧放電ランプ１１と同程度に長い矩形状の発光面を有する発光素子を光源１０として用いてもよい。または、複数の発光素子が直線状に隙間をあけて配置した線状光源を光源１０として用いてもよい。
発光素子から成る光源１０が長手方向に輝度ムラを有している場合にも、上述した減光フィルタ１８や補助反射機構（側面補助反射いた１１８）を用いて、照射面での照度ムラを抑えることができる。
また、複数の発光素子を直線状に隙間をあけて配置して線状光源である上記光源１０を構成した場合、複数の光源１０を並列に配置するときには、隣り合う列の光源１０において、発光素子の間の隙間をずらして配置することが好ましい。
【００５３】
また例えば、光源１０は、中圧ＵＶランプであってもよい。この場合において、処理対象Ｗが微少光量で感光するときには、必要に応じて、光源１０の光が、ＮＤフィルタ等の減光手段によって減じられる。
【００５４】
また例えば、上述した実施形態では、光処理装置の一例として光配向装置１を例示したが、本発明は、これに限らず、任意の光処理に適用可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１  光配向装置（光処理装置）
８、１０８  照射器
１０  光源
１１  低圧放電ランプ
１２  反射板
１３  絶縁体
１５  隙間
１６  波長制御フィルタ
１８  減光フィルタ（フィルタ）
１９  フィルタユニット
２０  ワイヤーグリッド偏光子ユニット
２２  専用補助反射板
１１８  側面補助反射板（補助反射機構）
Ｋ  反射方向
Ｗ  処理対象
Ｘ  搬送方向
Ｙ  幅方向
ｆ  焦点
α  距離
β  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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