(57)【要約】【課題】製造工程を増加させずにチップの側面、端面から入射する不所望の光をブロックした複合フォトダイオードと光センサを提供する。【解決手段】第１フォトダイオードＤｉ１のカソードは第１回路接続点Ｔ１に接続され、第１フォトダイオードのアノードは第２フォトダイオードＤｉ２のアノードに共通接続されて第２回路接続点Ｔ２に接続され、第２フォトダイオードのカソードは第３フォトダイオードのカソードと共通接続されて第３回路接続点Ｔ３に接続され、第３フォトダイオードのアノードが第４回路接続点Ｔ４に接続される複合フォトダイオードを提供する。各フォトダイオードは、第１回路接続点Ｔ１〜第４回路接続点Ｔ４の結線とそれぞれに与える電位の設定によって随時選択される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれにアノード及びカソードを有する第１フォトダイオード、第２フォトダイオード、及び第３フォトダイオードを備え、前記第１フォトダイオードのカソードは第１回路接続点に接続され、前記第１フォトダイオードのアノードは前記第２フォトダイオードのアノードと共通接続されて第２回路接続点に接続され、前記第２フォトダイオードのカソードは前記第３フォトダイオードのカソードと共通接続されて第３回路接続点に接続され、前記第３フォトダイオードのアノードは第４回路接続点に接続される複合フォトダイオード。
【請求項２】
前記第１フォトダイオード、前記第２フォトダイオード、及び前記第３フォトダイオードの各アノード・カソード間に同じ大きさの逆バイアス電圧を印加した時の各空乏層幅Ｗ１，Ｗ２及びＷ３の大きさは、前記第３フォトダイオード、前記第２フォトダイオード及び前記第１フォトダイオードの順に設定される（Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１）請求項１に記載の複合フォトダイオード。
【請求項３】
前記第１フォトダイオードを使用するときに、前記第１回路接続点には前記第２回路接続点の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える請求項２に記載の複合フォトダイオード。
【請求項４】
前記第１回路接続点に前記第２回路接続点の電位よりも高い電位もしくは同電位を与える時に、前記第３回路接続点は前記第２回路接続点と共通に接続される請求項３に記載の複合フォトダイオード。
【請求項５】
前記第２フォトダイオードを使用するときに、前記第３回路接続点には前記第２回路接続点の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える請求項２に記載の複合フォトダイオード。
【請求項６】
前記第２フォトダイオードを使用するときに、前記第１回路接続点と前記第３回路接続点は共通に接続する請求項５に記載の複合フォトダイオード。
【請求項７】
前記第２フォトダイオードを使用するときに、前記第１回路接続点と前記第２回路接続点は共通に接続する請求項５に記載の複合フォトダイオード。
【請求項８】
前記第１フォトダイオードまたは前記第２フォトダイオードを使用するときには、前記第３回路接続点に前記第４回路接続点よりも高い電位、もしくは同電位を常時与える請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の複合フォトダイオード。
【請求項９】
前記第３フォトダイオードを使用するときに、前記第３回路接続点には前記第４回路接続点の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える請求項２に記載の複合フォトダイオード。
【請求項１０】
前記第３回路接続点に前記第４回路接続点の電位よりも高い電位もしくは同電位を与える時に前記第１回路接続点は前記第２回路接続点と共通に接続され、この共通接続点を前記第３回路接続点に接続する請求項９に記載の複合フォトダイオード。
【請求項１１】
前記第１フォトダイオード、第２フォトダイオード、及び第３フォトダイオードは、ｐ型半導体基板の表面から前記ｐ型半導体基板の裏面に向かって順に形成される第１ｐｎ接合、第２ｐｎ接合および第３ｐｎ接合を利用して構成されており、前記第１ｐｎ接合部は前記第１フォトダイオードに、前記第２ｐｎ接合部は前記第２フォトダイオードに、前記第３ｐｎ接合部は前記第３フォトダイオードに利用されている請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の複合フォトダイオード。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１０のいずれか一項の複合フォトダイオードがＲＧＢ受光部に用いられる光センサ。
【請求項１３】
前記第１フォトダイオードが前記ＲＧＢ受光部の１つである緑色受光部または青色受光部に用いられる請求項１２に記載の光センサ。
【請求項１４】
前記第２フォトダイオードが前記ＲＧＢ受光部の１つである緑色受光部または赤色受光部に用いられる請求項１２に記載の光センサ。
【請求項１５】
前記光センサはさらに赤外光受光部を有し、前記第３フォトダイオードは前記赤外光受光部に用いられる請求項１２に記載の光センサ。
【請求項１６】
前記ＲＧＢ受光部及び前記その他受光部の集合体によって前記ｐ型半導体基板上に受光領域が構成され、前記受光領域の中心を対称として前記ＲＧＢ受光部を構成する前記緑色受光部、前記赤色受光部、前記青色受光部、及び前記その他受光部を構成する前記環境光受光部及び前記赤外光受光部が平面視で点対称に配置されている請求項１２に記載の光センサ。
【請求項１７】
前記受光領域の中心を点対称としかつ前記中心に最も近接して、前記緑色受光部及び前記赤色受光部が配置されている請求項１６に記載の光センサ。
【請求項１８】
前記受光領域は平面視で四辺形状を成し、前記四辺形状の４隅に前記環境光受光部及び前記赤外光受光部が前記受光領域の前記中心を軸として点対称に配置されている請求項１６に記載の光センサ。
【請求項１９】
前記環境光受光部と前記ＲＧＢ受光部との間、及び前記赤外光受光部と前記ＲＧＢ受光部との間にダミー領域が設けられる請求項１８に記載の光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合フォトダイオード及びそれを用いた光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
光の成分を検出する光センサは複数の受光部（ＲＧＢ）を持っている。各受光部には、均一に光が当たる必要があり、正面からの光だけでなく、斜めからの光に対しても均一に応答する必要がある。しかし、光はチップの表面からだけではなく、チップの側面からも入り込んでしまう。チップの側面から入射してしまう光は、光の均一性に影響を与えてしまう。
【０００３】
一般的に光センサは、透明なパッケージで覆われているため、光はチップの表面だけではなく、チップの側面からも侵入してくる。また、光センサがマウントされた基板からの反射光もチップの側面から入射してくるため、余分な光が予想以上に侵入してくることとなる。
【０００４】
特許文献１は、側面入射の赤外光の影響を受けない安価な可視光用照度センサを提供する。特許文献１、図６を参照すると、赤外光入射に対しての対策として、赤外領域に感度を有する第３のフォトダイオードが、主として可視領域に感度を持つ第１のフォトダイオードと主として赤外領域に感度を持つ第２のフォトダイオードの側方及び下方を取り囲むように形成されている。第３のフォトダイオードの正極端と負極端とが短絡されているので、半導体基板の側面から入射した赤外光は第３のフォトダイオードに吸収される。さらにその電流は消費されることにより、第３のフォトダイオードで生じた電流信号が第１及び第２のフォトダイオードの領域に流れ込むことは殆どなく、側面入射の赤外光の影響を実用上問題ない程度に軽減することができるとしている。
【０００５】
特許文献２は、チップ端面からの入射光によって発生するキャリアによるノイズ電流を抑制する。このためにフォトダイオード領域とチップ端面との間にｐウエルを配置するとともに、このｐウエルに逆方向バイアスを印加して広い空乏層を発生させて、この空乏層を高濃度ｎ型基板と接触させる。フォトダイオード領域はｐウエルのｐｎ接合に生じる空乏層と下部の高濃度ｎ型基板に囲まれているので、チップ端面から入射する光によって発生するキャリアのフォトダイオード領域への進入を抑制できるとしている。
【０００６】
特許文献３は、光検出装置および電子機器を提供する。特許文献３、図３、図４を参照すると、フォトダイオード１１で構成される信号検出用受光部Ｒ１，Ｇ１，Ｂ１、および赤外線受光部Ｒ２，Ｇ２，Ｂ２が半導体基板８に形成されたものが示されている。図５にはフォトダイオード１１の拡大図が示されている。この図５を参照すると、フォトダイオード１１は、半導体基板８の表面８Ａからの深さが互いに異なるｐｎ接合部を含むフォトＤｉ１、フォトＤｉ２およびフォトＤｉ３を有している。また、特許文献３、図２は光検出装置の受光領域のレイアウト図を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１４８０１４号公報
【特許文献２】特開２０１４−２９７３９２号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１５７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら特許文献１に記載された可視光用照度センサでは、複数の受光部（ＲＧＢ）を持つ光センサにおいては素子ごとにｐｎｐｎｐ構造を作製する必要があるためレイアウト面積の増大を招いてしまう。また、特許文献１は、複合フォトダイオード個々の空乏層の幅を調整することについては何ら開示していない。
【０００９】
また、特許文献２は、複合フォトダイオード及びこれら複合フォトダイオード個々の空乏層の幅を調整することについては何ら示唆していない。
【００１０】
また、特許文献３は、複合フォトダイオードの構造は開示するもこれら複合フォトダイオードの等価回路及び複合フォトダイオード個々の空乏層の幅を調整することについてまでは何ら示唆していない。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップの側面や端面からの所望しない入射光が複数の受光部（例えばＲＧＢ）への到来を抑制でき、かつ、複合フォトダイオード個々の空乏層の幅の調整を他のフォトダイオードに影響を与えることなく、容易に設定してフォトダイオードの分光感度特性が個々に調整できる複合フォトダイオードを提供することにある。また、この複合フォトダイオードを用いた光センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
ここで「課題を解決するための手段」を記述する。「発明を実施するための形態」で用いた番号、符号を本項で用いて記述するのは極めて有意義なものと思料する。なぜならば、「発明を実施するための形態」に至るまでに本発明の要旨が理解できるからである。しかし、本項で番号、符号を用いたことが「特許請求の範囲」に記載した技術的範囲を限定するものでないことを申し添える。
【００１３】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、それぞれにアノード及びカソードを有する第１フォトダイオード（Ｄｉ１）、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）、及び第３フォトダイオード（Ｄｉ３）を備える。第１フォトダイオード（Ｄｉ１）のカソードは第１回路接続点（Ｔ１）に接続され、第１フォトダイオードのアノードは第２フォトダイオード（Ｄｉ２）のアノードと共通接続されて第２回路接続点（Ｔ２）に接続される。第２フォトダイオード（Ｄｉ２）のカソードは第３フォトダイオード（Ｄｉ３）のカソードと共通接続されて第３回路接続点（Ｔ３）に接続され、第３フォトダイオード（Ｄｉ３）のアノードは第４回路接続点（Ｔ４）に接続される。第４回路接続点（Ｔ４）は、基準電位である例えば接地電位（ＧＮＤ）に結合される。
【００１４】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第１フォトダイオード（Ｄｉ１）、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）、及び第３フォトダイオード（Ｄｉ３）の各アノード・カソード間に同じ大きさの逆バイアス電圧（ＶＲ）を印加した時の各空乏層幅Ｗ１，Ｗ２及びＷ３の大きさが、第３フォトダイオード（Ｄｉ３）、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）及び第１フォトダイオード（Ｄｉ１）の順に大きくなるように設定される（Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１）。
【００１５】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第１フォトダイオード（Ｄｉ１）を使用するときに、第１回路接続点（Ｔ１）には第２回路接続点（Ｔ２）の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える。
【００１６】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第１回路接続点（Ｔ１）に第２回路接続点（Ｔ２）の電位よりも高い電位もしくは同電位を与える時には、第３回路接続点（Ｔ３）は第２回路接続点（Ｔ２）と共通に接続され、第４回路接続点は、接地電位（ＧＮＤ）に結合される。
【００１７】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）を使用するときに、第３回路接続点（Ｔ３）には第２回路接続点（Ｔ２）の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える。
【００１８】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）を使用するときには、第１回路接続点と第３回路接続点は共通に接続される。
【００１９】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）を使用するときには、別の回路結線として第１回路接続点（Ｔ１）と第２回路接続点（Ｔ２）は共通に接続される。
【００２０】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第１フォトダイオード（Ｄｉ１）または第２フォトダイオード（Ｄｉ２）を使用するときには、第３回路接続点（Ｔ３）に第４回路接続点（Ｔ４）よりも高い電位、もしくは同電位を常時与えるものである。
【００２１】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第３フォトダイオード（Ｄｉ３）を使用するときに、第３回路接続点（Ｔ３）には第４回路接続点（Ｔ４）の電位よりも高い電位、もしくは同電位を与える。
【００２２】
本発明に係る複合フォトダイオード（Ｄｉ）は、第３回路接続点（Ｔ３）に第４回路接続点（Ｔ４）の電位よりも高い電位もしくは同電位を与える時に第１回路接続点（Ｔ１）は第２回路接続点（Ｔ２）と共通に接続され、この共通接続点（Ｔ１＝Ｔ２）を第３回路接続点（Ｔ３）と共通に接続する。第４回路接続点（Ｔ４）は、接地電位（ＧＮＤ）に結合される。
【００２３】
本発明に係る複合フォトダイオードは、第１フォトダイオード（Ｄｉ１）、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）、及び第３フォトダイオード（Ｄｉ３）は、ｐ型半導体基板（１６）の表面（１６ｓ）からｐ型半導体基板の裏面（１６ｂ）に向かって順に形成される第１ｐｎ接合部（Ｊ１）、第２ｐｎ接合部（Ｊ２）および第３ｐｎ接合部（Ｊ３）を利用して構成されており、第１ｐｎ接合部（Ｊ１）は第１フォトダイオード（Ｄｉ１）に、第２ｐｎ接合部（Ｊ２）は第２フォトダイオード（Ｄｉ２）に、第３ｐｎ接合部（Ｊ３）は第３フォトダイオード（Ｄｉ３）にそれぞれ利用されている。
【００２４】
本発明の別の発明である光センサは、上記いずれかの１つの複合フォトダイオード（Ｄｉ）が受光領域（２０）に用いられる。
【００２５】
本発明の別の発明である光センサは、第１フォトダイオード（Ｄｉ１）が光センサの受光領域（２０）の１つである緑色（Ｇ）受光部または青色（Ｂ）受光部に用いられる。
【００２６】
本発明の別の発明である光センサは、第２フォトダイオード（Ｄｉ２）が光センサの受光領域（２０）の１つである緑色（Ｇ）受光部または赤色（Ｒ）受光部に用いられる。
【００２７】
本発明の別の発明である光センサはさらに赤外光受光部（Ｉｒ）を有し、第３フォトダイオード（Ｄｉ３）は赤外光受光部（Ｉｒ）に用いられる。
【００２８】
本発明の別の発明である光センサは、ＲＧＢ受光部及びその他受光部の集合体によってｐ型半導体基板（１６）上に受光領域（２０）が構成され、受光領域（２０）の中心（２０ｃ）を対称としてＲＧＢ受光部を構成する緑色受光部（Ｇ１，Ｇ２）、赤色受光部（Ｒ１，Ｒ２）、青色受光部（Ｂ１，Ｂ２）、及び前記その他受光部を構成する環境光受光部及び赤外光受光部が平面視で点対称に配置されている。
【００２９】
本発明の別の発明である光センサは、受光領域（２０）の中心（２０ｃ）を点対称としかつ中心（２０ｃ）に最も近接して、緑色受光部（Ｇ１，Ｇ２）及び赤色受光部（Ｒ１，Ｒ２）が配置されている。
【００３０】
本発明の別の発明である光センサにおいて、受光領域（２０）は平面視で四辺形状を成し、四辺形状の４隅に環境光受光部（Ｃ１）及び赤外光受光部（Ｉｒ）が受光領域（２０）の中心（２０ｃ）を軸として点対称に配置されている。
【００３１】
本発明の別の発明である光センサにおいて、環境光受光部（Ｃ１）とＲＧＢ受光部との間、及び赤外光受光部（Ｉｒ）とＲＧＢ受光部との間にダミー領域（ＤＵ）が設けられている。
【発明の効果】
【００３２】
この発明によれば、第３フォトダイオードを除いてチップ側面からの入射光をブロックできる複合フォトダオード及びこれを用いた光センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る複合フォトダイオードの等価回路図である。
【図２】図１に示した複合フォトダイオードを本発明の光センサに用いる時の各フォトダイオードの結線の一例を示す図である。
【図３】図２の複合フォトダイオードを半導体基板に構成する一実施例を示す断面図である。
【図４】図２の複合フォトダイオードの出力特性を測定するときの照射方向、照射角度を表す図である。
【図５】図３に示した光の照射方向、照射角度に添って測定した光出力特性図である。
【図６】本発明に係る複合フォトダイオードを採用した光センサの受光領域のレイアウト図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明に係る複合フォトダイオードの等価回路図である。複合フォトダイオードＤｉは、４つの回路接続点及び３つのフォトダイオードで構成されている。
【００３５】
第１フォトダイオードＤｉ１のカソードは第１回路接続点Ｔ１に、そのアノードは第２回路接続点Ｔ２にそれぞれ接続されている。
【００３６】
第２フォトダイオードＤｉ２のアノードは第２回路接続点Ｔ２に、そのカソードは第３回路接続点Ｔ３にそれぞれ接続されている。したがって、第２フォトダイオードＤｉ２のアノードは第１フォトダイオードＤｉ１のアノードと共通に接続されている。
【００３７】
第３フォトダイオードＤｉ３のカソードは第３回路接続点Ｔ３にそのアノードは第４回路接続点Ｔ４にそれぞれ接続されている。第４回路接続点Ｔ４は基準電位としての例えば接地電位ＧＮＤに結合されている。したがって、第３フォトダイオードＤｉ３のカソードは第２フォトダイオードＤｉ２のカソードと共通に接続されている。
【００３８】
一般的にフォトダイオードは通常アノード・カソード間に逆バイアス電圧を印加して用いるか同電位で用いられる。このため、例えば第１フォトダイオードＤｉ１では、第１回路接続点Ｔ１に与えられる電位は、第２回路接続点Ｔ２に与える電位よりも高くなるか同電位に設定される。第１フォトダイオードＤｉ１を用いるときには、第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２との間には逆バイアス電圧か同電位を印加する。この時に第２回路接続点Ｔ２と第３回路接続点Ｔ３は共通接続して例えば０．５Ｖ〜１．５Ｖの電位を与えておく。第１フォトダイオードＤｉ１に流れる光電流は第1回路接続点Ｔ１にＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）の入力を接続し、ＡＤＣの出力からアナログ信号をデジタル信号に変換して取り出される。ここで、第１フォトダイオードＤｉ１に逆バイアス電圧ＶＲを与えた時の第１フォトダイオードＤｉ１のカソード・アノード間に広がる空乏層幅を符号Ｗ１で示す。なお、第１フォトダイオードＤｉ１を使用する時に第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４との間に所定の電位が与えられているので、第３フォトダイオードＤｉ３はフォトダイオードとして機能するが、ＡＤＣは、第３回路接続点Ｔ３または第４回路接続点Ｔ４には結合されていないので第１フォトダイオードＤｉ１に流れる光電流のみがＡＤＣで処理される。
【００３９】
第２フォトダイオードＤｉ２は、第３回路接続点Ｔ３に印加される電圧は、第２回路接続点Ｔ２に印加される電圧よりも高いか同電位になるように設定される。第２フォトダイオードＤｉ２を用いるときには２通りの方法が考えられる。その１つは、第１回路接続点Ｔ１を第２回路接続点Ｔ２と共通に接続する。これによって、第１フォトダイオードＤｉ１のカソードとアノードはショートされ、第１フォトダイオードＤｉ１の存在を排除することができる。また、もう１つの方法は第１フォトダイオードＤｉ１の機能を並存させる方法である。いずれの方法においても、第２フォトダイオードＤｉ２に流れる光電流は、第２回路接続点Ｔ２にＡＤＣを接続して検出、処理される。ここで、第２フォトダイオードＤｉ２に逆バイアス電圧ＶＲを与えた時の第２フォトダイオードＤｉ２のカソード・アノード間に広がる空乏層幅を符号Ｗ２で示す。なお、第２フォトダイオードＤｉ２を使用する時に第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４との間に所定の電位が与えられているので、第３フォトダイオードＤｉ３はフォトダイオードとして機能するが、ＡＤＣは、第３回路接続点Ｔ３または第４回路接続点Ｔ４には結合されていないので第２フォトダイオードＤｉ２または、第２フォトダイオードＤｉ２と第１フォトダイオードＤｉ１に流れる光電流の和のみがＡＤＣで処理される。
【００４０】
第３フォトダイオードＤｉ３は、第３回路接続点Ｔ３に印加される電圧は、第４回路接続点Ｔ４に印加される電圧よりも高いか同電位になるように設定される。第４回路接続点Ｔ４は接地電位ＧＮＤに結合される。第３フォトダイオードＤｉ３を用いるときには、第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２は、共に第３回路接続点Ｔ３と共通に接続される。これによって、第１フォトダイオードＤｉ１及び第２フォトダイオードＤｉ２の存在を排除することができる。ここで第３フォトダイオードＤｉ３に逆バイアス電圧ＶＲを印加した時の第３フォトダイオードＤｉ３のカソード・アノード間に広がる空乏層の幅はＷ３であることを示す。なお、第３フォトダイオードＤｉ３を使用する時に第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２は共に第３回路接続点Ｔ３に接続され第１フォトダイオードＤｉ１及び第２フォトダイオードＤｉ２の動作は排除されているので第３フォトダイオードＤｉ３に流れる光電流のみが処理される。
【００４１】
さて、上述の各フォトダイオードの感光感度は空乏層の幅の大きさに比例することが知られている。空乏層の幅を広げることで、光に反応する領域を広め、光電流を強める効果が得られる。
【００４２】
図１において、各フォトダイオードに印加する逆バイアス電圧を共に等しく、その大きさをＶＲとするとそれぞれの空乏層幅Ｗ１，Ｗ２、及びＷ３にはＷ１＜Ｗ２＜Ｗ３の関係に保つように設定される。したがって、３つのフォトダイオードの分光感度特性が異なるように設定される。空乏層の幅は、アノードとカソードそれぞれの不純物濃度と逆バイアス電圧の大きさによって決定されることは公知のことである。本発明ではあえて空乏層幅を異ならせることで分光感度特性の異なる例えば３つのフォトダイオードを提供することができる。
【００４３】
空乏層幅の調整範囲が広く設定できるのは第１フォトダイオードＤｉ１であるが、これには大きな理由がある。それは第１フォトダイオードＤｉ１のカソードのみを第１回路接続点Ｔ１に接続しているからであり、他のフォトダイオードに影響を与えずに所定の逆バイアス電圧を第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２との間に印加して所望する空乏層幅に調整できるからである。したがって、第１フォトダイオードＤｉ１は同じ逆バイアス電圧ＶＲで比較すると他の２つのフォトダイオードの空乏層幅よりは狭いが、調整できる範囲は広くなることになる。
【００４４】
第２フォトダイオードＤｉ２の空乏層幅の調整は、第３回路接続点Ｔ３と第２回路接続点Ｔ２との間に印加される逆バイアス電圧の大きさを変えて行う。所定の逆バイアス電圧ＶＲにおける空乏層幅Ｗ２は第１フォトダイオードＤｉ１よりは広いが、空乏層幅の調整範囲でみると第１フォトダイオードＤｉ１よりは狭くなる。なぜならば、第３回路接続点Ｔ３にカソードが接続されるため第３フォトダイオードＤｉ３に影響を与えるからである。
【００４５】
第３フォトダイオードＤｉ３の空乏層幅の調整は、第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４との間に印加される逆バイアス電圧の大きさを変えて行う。所定の逆バイアス電圧ＶＲにおける空乏層幅Ｗ３は、第１フォトダイオードＤｉ１、第２フォトダイオードＤｉ２より広く、Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１の関係におかれている。第３フォトダイオードＤｉ３の空乏層幅の調整範囲は他の２つのフォトダイオードに比べて広くなる。
【００４６】
図２は、上述の理解を深めるために図１に示した複合フォトダイオードＤｉの各フォトダイオードの結線の一例を示す図である。すなわち、第１フォトダイオードＤｉ１、第２フォトダイオードＤｉ２、第３フォトダイオードＤｉ３それぞれを使用する時の第１回路接続点Ｔ１、第２回路接続点Ｔ２、第３回路接続点Ｔ３、及び第４回路接続点Ｔ４の結線の一例を示す。
【００４７】
図２（ａ）は、第１フォトダイオードＤｉ１を使用する時を示す。第１フォトダイオードＤｉ１は第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２との間に接続されている。第１フォトダイオードＤｉ１を使用する時は、使用対象外の第２フォトダイオードＤｉ２の機能を排除するために第２回路接続点Ｔ２と第３回路接続点Ｔ３とを結線Ｐ１で共通に接続する。これによって、第２フォトダイオードＤｉ２のカソード・アノード間はショートされ、フォトダイオードとしての機能を失うことになる。この時、第３フォトダイオードＤｉ３は第１フォトダイオードＤｉ１とは直接的には関係ないのだが、第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４（接地電位ＧＮＤ）との間に逆バイアス電圧ＶＲを印加している。これによって、第３フォトダイオードＤｉ３はフォトダイオードとして機能する。第３フォトダイオードＤｉ３を働かせる理由は後述で明らかにされるが、複合フォトダイオードＤｉを半導体基板に作り込んだときに、第３フォトダイオードＤｉ３に到来する不要入射光のストッパーとして作用させるためである。第１フォトダイオードＤｉ１に生じた光電流はカソード、すなわち、第１回路接続点Ｔ１に結合されるＡＤＣによって検出される。第３フォトダイオードＤｉ３のストッパーとしての働きは、第１フォトダイオードＤｉ１だけではなく、第２フォトダイオードＤｉ２にも用いられる。したがって、第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４との間には常に所定の逆バイアス電圧ＶＲが印加されている。
【００４８】
図２（ｂ）は、第２フォトダイオードＤｉ２を使用する時を示す。第２フォトダイオードＤｉ２は第２回路接続点Ｔ２と第３回路接続点Ｔ３との間に接続されている。第２フォトダイオードＤｉ２を使用する時には２つの結線方法が考えられる。その１つを図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）の結線では、第１回路接続点Ｔ１と第３回路接続点Ｔ３とを結線Ｐ２で共通に接続している。このため第２フォトダイオードＤｉ２の機能には直接関係がない第１フォトダイオードＤｉ１もフォトダイオードとして機能する。この時、ＡＤＣは第２回路接続点Ｔ２に結合されているので、図２（ｂ）の結線ではＡＤＣで処理されるのは、第２フォトダイオードＤｉ２の光電流に第１フォトダイオードＤｉ１の光電流が加算されたものとなる。なお、前述のように第３フォトダイオードＤｉ３は第２フォトダイオードＤｉ２とは直接的には関係ないのだが、第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４（接地電位ＧＮＤ）との間に逆バイアス電圧ＶＲを印加している。これによって、第３フォトダイオードＤｉ３はフォトダイオードとして機能する。第３フォトダイオードＤｉ３を働かせる理由は後述で明らかにされるが、複合フォトダイオードＤｉを半導体基板に作り込んだときに、第３フォトダイオードＤｉ３を、第２フォトダイオードＤｉ２に到来する不要入射光のストッパーとして用いるためである。第２フォトダイオードＤｉ２に生じた光電流はアノード、すなわち、第２回路接続点Ｔ２に結合されるＡＤＣによって処理される。
【００４９】
図２（ｃ）は、第２フォトダイオードＤｉ２を使用する時のもう１つの結線を示す。図２（ｃ）の結線では、図２（ｂ）とは異なり第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２とを結線Ｐ３で共通に接続している。これによって、第１フォトダイオードＤｉ１のカソード・アノード間はショートされ、フォトダイオードとしての機能を失うことになる。この時、ＡＤＣは第２回路接続点Ｔ２及び第１回路接続点Ｔ１に結合されるので、図２（ｃ）の結線ではＡＤＣで処理されるのは、第２フォトダイオードＤｉ２の光電流のみとなる。なお、前述のように第３フォトダイオードＤｉ３は第２フォトダイオードＤｉ２とは直接的には関係ないのだが、第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４（接地電位ＧＮＤ）との間に逆バイアス電圧ＶＲを印加している。これによって、第３フォトダイオードＤｉ３はフォトダイオードとして機能する。第３フォトダイオードＤｉ３を働かせる理由は後述で明らかにされるが、複合フォトダイオードＤｉを半導体基板に作り込んだときに、第３フォトダイオードＤｉ３を、第２フォトダイオードＤｉ２に到来する不要入射光のストッパーとして用いるためである。第２フォトダイオードＤｉ２に生じた光電流はアノード、すなわち、第２回路接続点Ｔ２に結合されるＡＤＣによって処理される。
【００５０】
図２（ｄ）は、第３フォトダイオードＤｉ３を使用する時を示す。第３フォトダイオードＤｉ３は第３回路接続点Ｔ３と第４回路接続点Ｔ４（接地電位ＧＮＤ）との間に接続されている。第３フォトダイオードＤｉ３を使用する時には、第１回路接続点Ｔ１と第２回路接続点Ｔ２とを共通接続し、さらに第３回路接続点Ｔ３とを結線Ｐ４によって共通に接続する。これによって、第１フォトダイオードＤｉ１及び第２フォトダイオードＤｉ２のカソード・アノード間はショートされ、フォトダイオードとしての機能を共に失うことになる。この時、ＡＤＣは第３回路接続点Ｔ３（＝第２回路接続点Ｔ２＝第１回路接続点Ｔ１）に結合され、第３フォトダイオードＤｉ３のみの光電流がＡＤＣで処理される。
【００５１】
図３は、図１、図２に示した本発明に係る複合フォトダイオードＤｉが半導体基板に作り込まれた時の断面図を模式的に示す。ｐ型半導体基板１６の表面１６ｓから裏面１６ｂに向かって順に形成された第１ｎ型領域１３、第１ｐ型領域１４、第２ｎ型領域１５、ｐ型半導体基板１６によって形成されたｎｐｎｐ構造を有している。第２ｎ型領域１５がｐ型半導体基板１６の内部に形成され、第２ｎ型領域１５の内方領域に第１ｐ型領域１４が形成されている。さらに第１ｐ型領域１４の内方領域に第１ｎ型領域１３が形成されている。これによりｐ型半導体基板１６の表面１６ｓから裏面１６ｂに向かって、第１フォトダイオードＤｉ１、第２フォトダイオードＤｉ２及び第３フォトダイオードＤｉ３が構成されることになる。
【００５２】
第１回路接続点Ｔ１は第１ｎ型領域１３に、第２回路接続点Ｔ２は第１ｐ型領域１４に、第３回路接続点Ｔ３は第２ｎ型領域１５に、及び第４回路接続点Ｔ４はｐ型半導体基板１６にそれぞれ接続されている。第４回路接続点Ｔ４すなわちｐ型半導体基板１６は、接地電位ＧＮＤに結合されている。
【００５３】
第１ｎ型領域１３の不純物濃度は、例えば１×１０１９／ｃｍ３〜１×１０２０／ｃｍ３であり、第１ｐ型領域１４の不純物濃度は、例えば１×１０１６／ｃｍ３〜１×１０１７／ｃｍ３であり、第２ｎ型領域１５の不純物濃度は、例えば５×１０１８／ｃｍ３〜５×１０１９／ｃｍ３であり、ｐ型半導体基板１６の不純物濃度は、例えば４×１０１５／ｃｍ３〜５×１０１５／ｃｍ３である。各領域の不純物濃度は上記の値に限定されずに適宜設定される設計事項の１つである。
【００５４】
第１フォトダイオードＤｉ１は、第１ｐ型領域１４と第１ｎ型領域１３と間に形成される第１ｐｎ接合部Ｊ１を含み、その深さはｐ型半導体基板１６の表面１６ｓから、例えば０．０９μｍ〜０．１７μｍである。第１ｐｎ接合部Ｊ１はＵ字状を成し、第１回路接続点Ｔ１に第２回路接続点Ｔ２よりも高い電位、すなわち逆バイアス電圧を与えると空乏層が形成され、その空乏層幅は逆バイアス電圧に比例して広がる。空乏層の幅が広がると第１フォトダイオードＤｉ１が反応する領域が広がり光電流を強める。
【００５５】
第２フォトダイオードＤｉ２は、第１ｐ型領域１４と第２ｎ型領域１５との間に形成される第２ｐｎ接合部Ｊ２を含み、その深さは第１フォトダイオードＤｉ１のｐｎ接合部Ｊ１よりも深く、例えばｐ型半導体基板１６の表面１６ｓから１．０μｍ〜１．８μｍである。第２ｐｎ接合部Ｊ２は、第１ｐｎ接合部Ｊ１と同様にＵ字状を成し、第３回路接続点Ｔ３に第２回路接続点Ｔ２よりも高い電位、すなわち逆バイアス電圧を与えると空乏層が形成され、その空乏層幅は逆バイアス電圧に比例して広がる。この空乏層幅は同じ逆バイアス電圧で比較すると、第１ｐｎ接合部Ｊ１に形成される空乏層幅（Ｗ１）よりは広くなる。第３ｐｎ接合部Ｊ３に生じる空乏層幅は図１に示したように同じ逆バイアス電圧ＶＲで比較すると最も広くなり、Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１の関係に置かれている。
【００５６】
第３フォトダイオードＤｉ３は、ｐ型半導体基板１６と第２ｎ型領域１５との間に形成される第３ｐｎ接合部Ｊ３を含み、その深さはフォトダイオードＤｉ２のｐｎ接合部よりも深く、例えばｐ型半導体基板１６の表面１６ｓから３．２μｍ〜５．９μｍである。第３ｐｎ接合部Ｊ３は、第１ｐｎ接合部Ｊ１及び第２ｐｎ接合部Ｊ２と同様にＵ字状を成し、第３回路接続点Ｔ３に第４回路接続点Ｔ４（ＧＮＤ）よりも高い電位、すなわち逆バイアス電圧を与えると空乏層が形成され、その空乏層幅は逆バイアス電圧に比例して広がる。
【００５７】
複合フォトダイオードＤｉが、互いに深さの異なる第１フォトダイオードＤｉ１，第２フォトダイオードＤｉ２及び第３フォトダイオードＤｉ３を有する利点は次の通りである。すなわち、ｐ型半導体基板１６に対しては、光の波長が長いほど透過深さが深くなる傾向にあり、複合フォトダイオードＤｉのように検出すべき光成分の波長域が複数ある場合には、第１フォトダイオードＤｉ１，第２フォトダイオードＤｉ２及び第３フォトダイオードＤｉ３のいずれかにおいて効率よく光を検出することができる。
【００５８】
例えば第１フォトダイオードＤｉ１は、青色の波長域（例えば４２０ｎｍ〜４８０ｎｍ）または緑色の波長域（例えば５００ｎｍ〜５６０ｎｍ）の成分の検出に適しており、第２フォトダイオードＤｉ２は、緑色の波長域または赤色の波長域（例えば５９０ｎｍ〜６８０ｎｍ）の成分の検出に適している。また、第３フォトダイオードＤｉ３は、赤外線の波長域（例えば７００ｎｍ〜１３００ｎｍ）の成分検出に適している。
【００５９】
図４は、図３に示した複合フォトダイオードＤｉ及びその出力特性を測定、評価する時の複合フォトダイオードＤｉに照射する照射方向（角度）を表している。ここで出力特性とは、チップ（半導体基板）の側面や端面からの入射光が複合フォトダイオードの光電流に及ぼす影響を定量的に把握するために用いた１つの評価項目である。
【００６０】
図４において、光ＬＬ＝０°、光ＬＬ＝＋９０°、及び光ＬＬ＝−９０°は、複合フォトダイオードＤｉに照射する照射方向（角度）を示す。光ＬＬ＝０°は、垂直方向を、光ＬＬ＝＋９０°は光ＬＬ＝０°と直交する方向である側面１６Ｔ１側を、光ＬＬ＝−９０°は、光ＬＬ＝０°と直交する反対側の方向である側面１６Ｔ２側からの照射方向をそれぞれ示す。したがって、光ＬＬ＝＋９０°と光ＬＬ＝−９０°とは照射方向が１８０度異なることになる。なお、今回の測定は、光ＬＬ＝０°、光ＬＬ＝＋９０°及び光ＬＬ＝−９０°の３方向だけではなく、多数の角度から測定光を照射してみた。測定結果を次に示す。
【００６１】
図５は図４に示した複合フォトダイオードＤｉに対して各角度から白熱灯を照射し、３つのフォトダイオードから出力された光電流をＡＤＣでデジタル変換し、それを正規化して示した第１フォトダイオードＤｉ１、第２フォトダイオードＤｉ２、及び第３フォトダイオードＤｉ３の出力特性である。横軸は照射角度を、縦軸は正規化した光電流の出力をそれぞれ表す。
【００６２】
図５に示した出力特性の測定は、図２に示した結線に添って行ったものである。図５を参照すると、第１フォトダイオードＤｉ１の出力特性は、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）で出力は１．０であるとして示されている。これは他の照射角度での出力を正規化した値で示すために、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）での光電流の大きさを１．０としたことによる。第１フォトダイオードＤｉ１の照射角度４５度での出力は０．６２程度となり、照射角度５２度の近傍で照射角度０度（光ＬＬ＝０°）の１／２になり、照射角度９０度（光ＬＬ＝９０°）では照射角度０度（光ＬＬ＝０°）の０．０２、すなわち１／５０程度になっていることが分かる。照射角度９０度がチップの側面から入射された時の出力であり、この時の値が小さいほどチップの側面からの入射に対する影響が低く、フォトダイオードとして良好であると言える。
【００６３】
第１フォトダイオードＤｉ１の出力特性は、照射角度が、光ＬＬ＝−９０°の方向に対しても光ＬＬ＝＋９０°とほぼ同じ特性を示していることが分かる。これは図３から明らかになるように、第１フォトダイオードＤｉ１の第１ｐｎ接合部Ｊ１は、第２ｎ型領域１５及び第１ｐ型領域１４で完全に包囲されていることにより、側面１６Ｔ１，１６Ｔ２から照射された光がこれらの領域に吸収され第１ｐｎ接合部Ｊ１への到達がブロックされたとみるのが妥当である。特に第２ｎ型領域１５とｐ型半導体基板１６との間に形成される第３ｐｎ接合部Ｊ３に形成される空乏層の広がりによって側面からの光の入射がブロックされたものと推測できる。
【００６４】
図５を参照すると、第２フォトダイオードＤｉ２の出力特性は、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）で出力は１．０であるとして示されている。これは他の照射角度での出力を正規化した値で示すために、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）での光電流の大きさを１．０としたことによる。第２フォトダイオードＤｉ２の照射角度４５度での出力は０．４３程度となり、照射角度９０度では照射角度０度（光ＬＬ＝０°）の０．０２、すなわち１／５０程度になっていることが分かる。照射角度９０度がチップの側面から入射された時の出力であり、この時の値が小さいほどチップの側面からの入射に対する影響が低く、フォトダイオードとして良好であると言える。
【００６５】
第２フォトダイオードＤｉ２の出力特性は、照射角度が、光ＬＬ＝−９０°に対しても
光ＬＬ＝＋９０°とほぼ同じ特性を示していることが分かる。これは図３から明らかになるように、第１フォトダイオードＤｉ２の第２ｐｎ接合部Ｊ２は、第２ｎ型領域１５で完全に包囲されていることにより、側面１６Ｔ１，１６Ｔ２から照射された光がこの領域に吸収されたものと推測される。特に第２ｎ型領域１５とｐ型半導体基板１６との間に形成される第３ｐｎ接合部Ｊ３によってチップ側面からの照射がブロックされたものと推測できる。
【００６６】
図５に示した符号ＲＰは、本発明者が当初期待した第１フォトダイオードＤｉ１及び第２フォトダイオードＤｉ２の出力特性である。すなわち、本発明者は、光ＬＬ＝＋９０°
及び、光ＬＬ＝−９０での出力がほぼ０になることを期待したが、その結果はほぼ満足できるものであった。
【００６７】
図５を参照すると、第３フォトダイオードＤｉ３の出力特性は、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）で出力は、第１フォトダイオードＤｉ１、第２フォトダイオードＤｉ２と同様に１．０であるとして示されている。これは他の照射角度での出力を正規化した値で示すために、照射角度０度（光ＬＬ＝０°）での光電流の大きさを１．０としたことによる。第３フォトダイオードＤｉ３の出力特性は、照射角度が、光ＬＬ＝−９０°に対しても光ＬＬ＝９０°に対してもほぼ同じ特性を示していることが分かるが、他の２つのフォトダイオードとは異なり出力特性が大きく異なる。
【００６８】
第３フォトダイオードＤｉ３の出力特性が、他の２つのフォトダイオードと異なるのは、チップ（ｐ型半導体基板１６）の側面１６Ｔ１，１６Ｔ２が第３フォトダイオードＤｉ３の一部を成し、ｐ型半導体基板１６が第３フォトダイオードＤｉ３のアノードを構成しているためであり、側面１６Ｔ１，１６Ｔ２から照射される光に直接曝されるからである。第３フォトダイオードＤｉ３の出力は、照射角度０度〜±６５度までは、出力が１．０以上であり、照射角度±９０度であっても光ＬＬ＝０°の時の０．４倍程度であり、広範囲の照射角度に反応していることが分かる。言い換えれば第３フォトダイオードＤｉ３の出力が高ければ高いほど第１フォトダイオードＤｉ１及び第２フォトダイオードＤｉ２への不要な入射光のブロック率は高まることになる。なお、第３フォトダイオードＤｉ３が側面１６Ｔ１，１６Ｔ２からの入射光に対してある程度出力されるということはｐ型半導体基板１６の裏面１６ｂ側からの入射光に対してのブロック効果があることもある程度推測される。
【００６９】
図６は、図１、図２、及び図３に示した複合フォトダイオードＤｉを本発明の光センサに用いた時の受光領域２０の配置図を示す。光センサの全体像は図６からは読み取れない。しかし、本発明者が提案した先の特許文献３にも開示したように光センサは、受光領域２０の他にＡＤＣやＡＤＣ論理回路などを含んでいる。受光領域２０は赤外光受光部Ｉｒ、青色受光部Ｂ１，Ｂ２、緑色受光部Ｇ１，Ｇ２、赤色受光部Ｒ１，Ｒ２、及び環境光受光部Ｃ１を備えている。受光領域２０は光センサの一部として、半導体基板に作り込まれ、最終的には例えば、外部端子が例えば８ピンのパッケージに実装される。
【００７０】
受光領域２０は、例えば平面視四角形の形状を成し、その中心が符号２０ｃで示されている。受光領域２０の中心２０ｃの近傍に緑色受光部Ｇ１，Ｇ２が配置され、受光部Ｇ１の隣に受光部Ｇ２が中心２０ｃから少し離れて配置されている。
【００７１】
青色受光部Ｂ１，Ｂ２、緑色受光部Ｇ１，Ｇ２、及び赤色受光部Ｒ１，Ｒ２は、不要な赤外光をカットするために赤外光カットフィルタ２で覆われている。
【００７２】
赤色受光部Ｒ１は、受光部Ｇ１と同様に受光領域２０の中心２０ｃの近傍に配置され、受光部Ｒ１の隣に受光部Ｒ２が中心２０ｃから少し離れて配置されている。
【００７３】
青色受光部Ｂ１，Ｂ２は、受光部Ｇ１，Ｒ１とは少し異なり、受光領域２０の中心２０ｃから少し離れた位置に配置される。
【００７４】
各受光部Ｇ１，Ｇ２，Ｒ１，Ｒ２，Ｂ１及びＢ２はＲＧＢ受光部を構成する。ＲＧＢ受光部は、受光領域２０の一部である。
【００７５】
緑色受光部Ｇ１，Ｇ２は、図１、図２、及び図３に示した第１フォトダイオードＤｉ１または第２フォトダイオードＤｉ２またはこれらの組み合わせで構成されている。
【００７６】
赤色受光部Ｒ１，Ｒ２は、図１、図２、及び図３に示した第２フォトダイオードＤｉ２で構成されている。
【００７７】
青色受光部Ｂ１，Ｂ２は、図１、図２、及び図３に示した第１フォトダイオードＤｉ１で構成されている。
【００７８】
受光部Ｃ１は環境光受光部を構成している。受光部Ｃ１は受光領域２０の中心２０ｃから最も離れた受光領域２０の２つの隅に配置されている。受光部Ｃ１は受光領域２０に到来するすべての波長域の光を受光する。このため、受光部Ｇ１，Ｇ２，Ｒ１，Ｒ２，Ｂ１及びＢ２に用いられた赤外光カットフィルタＣＦで覆われていない。
【００７９】
受光部Ｉｒは赤外光受光部を構成している。受光部Ｉｒは受光領域２０の中心２０ｃから最も離れ受光部Ｃ１が配置されていない２つの隅に配置されている。受光部Ｉｒは受光領域２０に到来する赤外光を検出する。当然のことではあるが受光部Ｉｒは赤外光カットフィルタ２で覆われていない。
【００８０】
受光部Ｉｒは、図１、図２、及び図３に示した第３フォトダイオードＤｉ３で構成されている。
【００８１】
環境光の受光部Ｃ１とＲＧＢ受光部（Ｇ１、Ｇ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｂ１、Ｂ２）との境界、及び受光部ＩｒとＲＧＢ受光部との境界に例えばＬ字状のダミー領域ＤＵが配置されている。ダミー領域ＤＵは感光領域であり、この感光領域には例えばバイポーラトランジスタ等が配置されている。ダミー領域ＤＵを設けることで赤外光カットフィルタ２の配置に所定のマージンをもたせるとともに、ＲＧＢ受光部に入射される光と、その他受光部に入射される光とをほぼ完全に分離するようにしている。
【００８２】
チップの側面、端面からの所望しない入射光が問題となるのは、その殆どが透過力の大きい赤外光である。可視光などはその殆どがチップエッジ周辺にて吸収・消滅するからである。第３フォトダイオードＤｉ３はチップ側面から見た場合、その第３ｐｎ接合部Ｊ３における空乏層は一番チップ端に存在している。そして第３フォトダイオードＤｉ３は、赤外線の波長域の成分検出に適している。これらの特徴が、角度依存性の少ない光センサを作製するにあたり重要となるのである。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、簡便な結線構成でかつ製造工程を増加させずにチップ側面からの不所望の入射光の影響を受けない複合フォトダイオード及びそれを用いた光センサを提供できるので産業上の利用可能性は極めて高い。
【符号の説明】
【００８４】
１３  第１ｎ型領域
１４  第１ｐ型領域
１５  第２ｎ型領域
１６  ｐ型半導体基板
１６ｂ  裏面
１６ｓ  表面
１６Ｔ１，１６Ｔ２  側面
２０  受光領域
Ｂ１，Ｂ２  青色受光部
Ｃ１  受光部
ＣＦ  赤外光カットフィルタ
Ｄｉ  複合フォトダイオード
Ｄｉ１  第１フォトダイオード
Ｄｉ２  第２フォトダイオード
Ｄｉ３  第３フォトダイオード
ＤＵ  ダミー領域
Ｇ１，Ｇ２  緑色受光部
Ｉｒ  赤外光
Ｊ１  第１ｐｎ接合部
Ｊ２  第２ｐｎ接合部
Ｊ３  第３ｐｎ接合部
Ｒ１，Ｒ２  赤色受光部
Ｔ１  第１回路接続点
Ｔ２  第２回路接続点
Ｔ３  第３回路接続点
Ｔ４  第４回路接続点
【図１】
2018082068.tif 000003
【図２】
2018082068.tif 000004
【図３】
2018082068.tif 000005
【図４】
2018082068.tif 000006
【図５】
2018082068.tif 000007
【図６】
2018082068.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月25日(2017.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１４８０１４号公報
【特許文献２】特開２０１４−２０７３９２号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１５７４６号公報