(57)【要約】      （修正有）【課題】洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減する基板処理装置、排出方法及びプログラムを提供する。【解決手段】気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間に設けられ且つ気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁Ｂ１と、気水分離槽の排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２と、第１の弁Ｂ１と第２の弁Ｂ２を制御する制御部５と、を備える。気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡは、基板を洗浄する洗浄室１９０の排出口Ｄ１と連通しており、制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じ、第１の弁Ｂ１を閉じた後に第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、
前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、
前記第１の弁と前記第２の弁を制御する制御部と、
を備え、
前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、
前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する
基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上であり、
前記最低限の気体供給時間は、少なくとも前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記最低限の気体供給時間は、更に前記気体供給源と前記気水分離槽との間を繋ぐ配管の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記最低限の気体供給時間は、更に、前記気水分離槽が満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて設定されている
請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記気体供給源の気体が前記洗浄室の吸着ステージに供給されるように前記気水分離槽の気体排出口は前記洗浄室の前記吸着ステージと連通可能であり、
前記気体供給源の圧力は、基板を前記洗浄室の吸着ステージから剥がすことができ且つ前記基板が飛び跳ねない範囲で設定されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板は、直径３００ｍｍのウエハであり、
前記気体供給源の圧力は、０．０５〜０．１５ＭＰａである
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の弁を閉じた時から前記第２の弁を閉じるまでの時間は、前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板処理装置における気水分離槽内の液体の排出方法であって、
気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じる工程と、
前記第１の弁を閉じた後に前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を閉じる工程と、
を有する排出方法。
【請求項９】
コンピュータを、
気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を制御する制御部として機能させるためのプログラムであって、
前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、
前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、排出方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細化が進むにつれて、水平方向の寸法の縮小化とともに、垂直方向の構造も複雑化している。このため、半導体基板（ウエハ）表面を平坦化し、加工を容易にする技術の必要性が高まっている。このような平坦化技術の中で、とりわけ重要度を増しているのが、化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）技術である。半導体基板などの基板（ウエハ）に対して各種処理を行うために、基板処理装置が用いられる。この基板処理装置の一例として、ＣＭＰ技術を用いて、ウエハなどの基板を研磨する研磨装置が挙げられる（特許文献１参照）。
【０００３】
ＣＭＰ技術を用いた研磨装置は、基板の研磨処理を行うための研磨部、基板の洗浄処理を行う洗浄部、洗浄した基板を乾燥処理する乾燥部、研磨部へ基板を受け渡すと共に乾燥部によって乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロード部などを備えている。また、研磨装置は、研磨部、洗浄部及びロード／アンロード部間で基板の搬送を行う搬送部を備えている。研磨装置は、搬送部によって基板を搬送しながら、研磨、洗浄及び乾燥の各種処理を順次行うようになっている。
【０００４】
洗浄部の洗浄槽等で使用される吸着ステージには、基板を真空吸着するために真空吸着ラインが設けられている。基板を真空吸着する際に真空吸着ラインには真空吸着用の貫通孔から大気と基板上に残っている洗浄水が吸引されるために、これらの水分を気水分離槽で分離する必要がある。そのため、真空吸着ラインには気水分離槽が接続されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１５０６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
気水分離槽の液体の排出口は、洗浄室の排水口とドレイン配管を介して連通している。この洗浄槽等で使用される吸着ステージに用いられる気水分離槽に溜まった液体を排出する際に、気体（例えば、加圧窒素）を連続的に気水分離槽に供給していた。しかし、気体を連続的に気水分離槽に供給することにより、汚染された雰囲気及び／または液体を洗浄室内へ逆流させてしまい、基板を汚染してしまうおそれがあった。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することを可能とする基板処理装置、排出方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る基板処理装置は、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁と、前記第１の弁と前記第２の弁を制御する制御部と、を備え、前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御する。
【０００９】
この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上であり、前記最低限の気体供給時間は、少なくとも前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている。
【００１１】
この構成によれば、最低限の気体供給時間より長い時間、気体を気水分離槽に供給することができるので、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様に係る基板処理装置は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記最低限の気体供給時間は、更に前記気体供給源と前記気水分離槽との間を繋ぐ配管の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている。
【００１３】
この構成によれば、最低限の気体供給時間を適切に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽に供給するので、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
【００１４】
本発明の第４の態様に係る基板処理装置は、第２または３の態様に係る基板処理装置であって、前記最低限の気体供給時間は、更に、前記気水分離槽が満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて設定されている。
【００１５】
この構成によれば、最低限の気体供給時間を気水分離槽が満水のときの液体の量を排出できる量の気体を供給できる時間に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽に供給するので、気水分離槽内の液体の量に関わらず、気水分離槽からの排水のきっかけを与えることができる。
【００１６】
本発明の第５の態様に係る基板処理装置は、第１から４のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記気体供給源の気体が前記洗浄室の吸着ステージに供給されるように前記気水分離槽の気体排出口は前記洗浄室の前記吸着ステージと連通可能であり、前記気体供給源の圧力は、基板を前記洗浄室の吸着ステージから剥がすことができ且つ前記基板が飛び跳ねない範囲で設定されている。
なお、基板が飛び跳ねるとは、基板が吸着ステージから突発的に離脱してしまうことを意味しており、もし基板が意図せずにステージから飛び跳ねてしまうと、基板が損傷する懸念が生じうる。
【００１７】
この構成によれば、基板を吸着ステージから剥がし、且つ基板が飛び跳ねないようにすることができる。
【００１８】
本発明の第６の態様に係る基板処理装置は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記基板は、直径３００ｍｍのウエハであり、前記気体供給源の圧力は、０．０５〜０．１５ＭＰａである。
【００１９】
この構成によれば、直径３００ｍｍのウエハの場合において、当該ウエハを吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ当該ウエハを搬送ロボットが受け取る受取位置まで上昇させることができる。
【００２０】
本発明の第７の態様に係る基板処理装置は、第１から６のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１の弁を閉じた時から前記第２の弁を閉じるまでの時間は、前記気体供給源の気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。
【００２１】
この構成によれば、排水所要時間以上の時間、第２の弁を開けることができるので、気水分離槽に蓄積された液体を全て排出することができる。
【００２２】
本発明の第８の態様に係る排出方法は、基板処理装置における気水分離槽内の液体の排出方法であって、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じる工程と、前記第１の弁を閉じた後に前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を閉じる工程と、を有する。
【００２３】
この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【００２４】
本発明の第９の態様に係るプログラムは、コンピュータを、気体供給源と気水分離槽との間に設けられ且つ前記気体供給源から供給される気体の流路を開閉する第１の弁と、前記気水分離槽の排出口から排出される液体の流路を開閉する第２の弁を制御する制御部として機能させるためのプログラムであって、前記気水分離槽の排出口は、基板を洗浄する洗浄室の排出口と連通しており、前記制御部は、前記第１の弁が開いており且つ前記気水分離槽から気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に前記第１の弁を閉じ、前記第１の弁を閉じた後に前記第２の弁を閉じるよう制御するプログラムである。
【００２５】
この構成によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、気体供給時間の間、気体を気水分離槽に供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽に蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽に供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の洗浄室内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の全体構成を示す平面図である。
【図２】第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を示す概略図である。
【図３】気体供給源の気体の圧力毎の、排水所要時間と気体供給時間の関係を示す図である。
【図４】気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。具体的には、基板処理装置の一例として、ＣＭＰ技術を用いた研磨装置について説明する。なお、以下に説明する個別の構成要素を任意に組み合わせた発明についても、本発明が対象とする技術思想に含まれるものである。
【００２９】
［全体概要］
図１は本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置１００は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と研磨部３と洗浄部４とに区画されている。これらのロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。洗浄部４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。本実施形態では一例として、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２とは、上下２段に積み重ねられた状態で配置されている。また、基板処理装置１００は、基板処理動作を制御する制御部５を有している。
【００３０】
［ロード／アンロード部］
ロード／アンロード部２は、多数のウエハ（基板）をストックするウエハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置１００の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウエハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００３１】
また、ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウエハカセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウエハカセットにアクセスできるようになっている。搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウエハをウエハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウエハをウエハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウエハを反転させることができるように構成されている。
【００３２】
ロード／アンロード部２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部２の内部は、基板処理装置１００の外部、研磨部３、および洗浄部４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
【００３３】
［研磨部］
研磨部３は、ウエハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置１００の長手方向に沿って配列されている。
【００３４】
図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ａと、ウエハを保持しかつウエハをテーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング（研磨ヘッド）３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル（研磨液供給部）３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、研磨面に流体を噴射するとともに研磨面の上にある流体を吸引するアドマイザ３４Ａとを備えている。例えば、流体は、気体（例えば窒素ガス）、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体、液体（例えば純水）である。流体は、液体が霧状になったものでもよい。
【００３５】
同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｂと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アドマイザ３４Ｂとを備えており、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｃと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アドマイザ３４Ｃとを備えており、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられたテーブル３０Ｄと、トップリング（研磨ヘッド）３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アドマイザ３４Ｄとを備えている。
【００３６】
［搬送機構］
次に、ウエハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウエハを搬送する機構である。
【００３７】
また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウエハを搬送する機構である。
【００３８】
ウエハは、第１リニアトランスポータ６によって第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂに搬送される。上述したように、第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッド（不図示）のスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウエハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウエハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウエハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウエハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
【００３９】
第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウエハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウエハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウエハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウエハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウエハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウエハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置されたウエハＷの仮置き台１８０が配置されている。この仮置き台１８０は、図１に示すように、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄部４との間に位置している。研磨部３で研磨されたウエハＷはスイングトランスポータ１２を経由して仮置き台１８０に載置され、その後、ウエハＷは、洗浄部４の搬送ロボットによって洗浄部４に搬送される。
【００４０】
［洗浄部］
洗浄部４は、基板を洗浄する第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、基板を洗浄する第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された複数の一次洗浄モジュールが配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された複数の二次洗浄モジュールが配置されている。一次及び二次洗浄モジュールは、洗浄液を用いてウエハを洗浄する洗浄機である。
【００４１】
乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された複数の乾燥モジュールが配置されている。これら複数の乾燥モジュールは互いに隔離されている。乾燥モジュールの上部には、清浄な空気を乾燥モジュールに供給するフィルタファン部が設けられている。各洗浄モジュールおよび乾燥モジュールは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
【００４２】
続いて、図２を用いて、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を説明する。図２は、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の配管の構成を示す概略図である。図２に示すように、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１を介して気体供給源ＧＳに連通する気水分離槽ＡＷＳを備える。気体供給源ＧＳには、例えば、圧縮窒素が蓄積されており、圧縮窒素を配管ＰＰ１を介して気水分離槽ＡＷＳに供給することができる。
同様にして、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１’を介して気体供給源ＧＳ’に連通する気水分離槽ＡＷＳ’を備える。気体供給源ＧＳ’には、例えば、圧縮窒素が蓄積されており、圧縮窒素を配管ＰＰ１’を介して気水分離槽ＡＷＳ’に供給することができる。
【００４３】
更に基板処理装置１００は、配管ＰＰ１と、第１の弁Ｂ１を備える。配管ＰＰ１は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとを連通する。第１の弁Ｂ１は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間（ここでは一例として配管ＰＰ１）に設けられ且つ気体供給源ＧＳから供給される気体の流路を開閉する。
同様に、基板処理装置１００は、配管ＰＰ１’と第１の弁Ｂ１’を備える。配管ＰＰ１’は、気体供給源ＧＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。第１の弁Ｂ１’は、気体供給源ＧＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間（ここでは一例として配管ＰＰ１’）に設けられ且つ気体供給源ＧＳ’から供給される気体の流路を開閉する。
更に基板処理装置１００は、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡ、気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡ’、第１洗浄室１９０の排出口Ｄ１、及び第２洗浄室１９２の排出口Ｄ２と連通する配管ＰＰ２と、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２と、気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２’とを備える。配管ＰＰ２により、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡ及び気水分離槽ＡＷＳ’の排出口ＤＡ’は、基板を洗浄する第１洗浄室１９０の排出口Ｄ１、及び第２洗浄室１９２の排出口Ｄ２と連通する。図２に示すように、配管ＰＰ２の排出先は大気に連通している。
【００４４】
図２に示すように、第１洗浄室１９０には、ウエハＷを吸着するための吸着ステージＶＳ１と、ウエハＷを上下動させるリフトピンＬＰ１と、ウエハＷを予め設定された受取位置に到達したことを検出するセンサＳ１とが設けられている。ここで、受取位置は、搬送ロボットがウエハＷを受け取る位置である。センサＳ１は、検出結果を制御部５に通知する。
【００４５】
吸着ステージＶＳ１には、ウエハＷを真空吸着するための穴が設けられている。また、基板処理装置１００には、気水分離槽ＡＷＳから二つに分岐する配管ＰＰ３が設けられている。配管ＰＰ３の一方の分岐先はロータリージョイントＲＪ１の他端部に接続されている。これにより、ロータリージョイントＲＪ１の他端部と気水分離槽ＡＷＳとを連通する。配管ＰＰ３の他方の分岐先は水供給源ＷＳに接続されている。これにより、水供給源ＷＳと気水分離槽ＡＷＳとを連通する。ロータリージョイントＲＪ１の一端部は、吸着ステージＶＳ１に設けられた穴に連通する。これにより、吸着ステージＶＳ１の穴と気水分離槽ＡＷＳとが連通する。すなわち、気体供給源ＧＳの気体が第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１に供給されるように気水分離槽ＡＷＳの気体排出口ＧＡは、第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１と連通可能である。
同様にして、基板処理装置１００には、気水分離槽ＡＷＳから二つに分岐する配管ＰＰ３’が設けられている。配管ＰＰ３’の一方の分岐先はロータリージョイントＲＪ２の他端部に接続されている。これにより、ロータリージョイントＲＪ２の他端部と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。配管ＰＰ３’の他方の分岐先は水供給源ＷＳ’に接続されている。これにより、水供給源ＷＳ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する。ロータリージョイントＲＪ２の一端部は、吸着ステージＶＳ２に設けられた穴に連通する。これにより、吸着ステージＶＳ２の穴と気水分離槽ＡＷＳ’とが連通する。すなわち、気体供給源ＧＳ’の気体が第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２に供給されるように気水分離槽ＡＷＳ’の気体排出口ＧＡ’は、第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２と連通可能である。
【００４６】
同様にして、図２に示すように、第２洗浄室１９２には、ウエハＷ’を吸着するための吸着ステージＶＳ２と、ウエハＷ’を上下動させるリフトピンＬＰ２と、ウエハＷ’を予め設定された受取位置に到達したことを検出するセンサＳ２とが設けられている。ここで、受取位置は、搬送ロボットがウエハＷ’を受け取る位置である。センサＳ２は、検出結果を制御部５に通知する。
【００４７】
吸着ステージＶＳ２には、ウエハＷ’を真空吸着するための穴が設けられている。また、一端部が吸着ステージＶＳ２に設けられた穴と連通するロータリージョイントＲＪ２が設けられ、配管ＰＰ３’によってロータリージョイントＲＪ２の他端部と気水分離槽ＡＷＳ’とが連通する。これにより、吸着ステージＶＳ２の穴と気水分離槽ＡＷＳとが連通する。
【００４８】
図２に示すように、基板処理装置１００には、第３の弁Ｂ３が設けられている。第３の弁Ｂ３は、気水分離槽ＡＷＳ及びと第１洗浄室１９０との間（ここでは一例として配管ＰＰ３）に設けられ且つ気水分離槽ＡＷＳと第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１との間の流路を開閉する。
同様にして、基板処理装置１００には、第３の弁Ｂ３’が設けられている。第３の弁Ｂ３’は、気水分離槽ＡＷＳ’及びと第２洗浄室１９２との間（ここでは一例として配管ＰＰ３’）に設けられ且つ気水分離槽ＡＷＳ’と第２洗浄室１９２の吸着ステージＶＳ２の間の流路を開閉する。
【００４９】
図２に示すように、基板処理装置１００は、真空発生器ＶＡＣと、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとを連通する配管ＰＰ４とを備える。更に基板処理装置１００には、第４の弁Ｂ４が設けられている。第４の弁Ｂ４は、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとの間（ここでは一例として配管ＰＰ４）に設けられており、真空発生器ＶＡＣと気水分離槽ＡＷＳとの間の流路を開閉する。これにより、第３の弁Ｂ３と後述する第４の弁Ｂ４を開くことにより、ウエハＷを吸着ステージＶＳ１に吸着することができる。
同様にして、基板処理装置１００は、真空発生器ＶＡＣ’と、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’とを連通する配管ＰＰ４’とを備える。更に基板処理装置１００には、第４の弁Ｂ４’が設けられている。第４の弁Ｂ４’は、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間（ここでは一例として配管ＰＰ４’）に設けられており、真空発生器ＶＡＣ’と気水分離槽ＡＷＳ’との間の流路を開閉する。これにより、第３の弁Ｂ３’と後述する第４の弁Ｂ４’を開くことにより、ウエハＷ’を吸着ステージＶＳ２に吸着することができる。
【００５０】
図２に示すように、基板処理装置１００は、第５の弁Ｂ５を備える。第５の弁Ｂ５は、配管ＰＰ３のうち分岐点ＤＰより水供給源ＷＳ側に設けられている。水供給源ＷＳには、純水（ＤＩＷ）が蓄えられており、水供給源ＷＳから気水分離槽ＡＷＳに純水（ＤＩＷ）を供給することができる。
同様にして、基板処理装置１００は、第５の弁Ｂ５’を備える。第５の弁Ｂ５’は、配管ＰＰ３’のうち分岐点ＤＰ’より水供給源ＷＳ側に設けられている。水供給源ＷＳ’には、純水（ＤＩＷ）が蓄えられており、水供給源ＷＳ’から気水分離槽ＡＷＳに純水（ＤＩＷ）を供給することができる。
【００５１】
制御部５は、第１の弁Ｂ１、第２の弁Ｂ２、第３の弁Ｂ３、第４の弁Ｂ４、及び第５の弁Ｂ５を制御する。同様に、制御部５は、第１の弁Ｂ１’、第２の弁Ｂ２’、第３の弁Ｂ３’、第４の弁Ｂ４’、及び第５の弁Ｂ５’を制御する。また、制御部５は、リフトピンＬＰ１及びリフトピンＬＰ２を制御する。
【００５２】
［液体排出時の制御部５の処理］
続いて、気水分離槽ＡＷＳ及びＡＷＳ’の排水に係る制御部５の処理は同じであるので、代表して気水分離槽ＡＷＳを対象にして、気水分離槽ＡＷＳに溜まった液体を排出する際の制御部５の処理について説明する。制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時から予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じ、第１の弁Ｂ１を閉じた後に第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。具体的な処理については、図４で後述する。これにより、気体供給時間の間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０内への逆流を抑制することができ、第１洗浄室１９０内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【００５３】
ここで、気体供給時間について図３を用いて説明する。図３は、気体供給源の気体の圧力毎の、排水所要時間と気体供給時間の関係の一例を示す図である。図３では、気体供給源の気体が窒素で、気水分離槽ＡＷＳの容量が６００ｍｌのときに、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された２００ｍｌの液体を排出するのにかかる時間が排水所要時間である。図３における気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときの関係は実験により得られたものである。図３における気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０５、０．１０、０．１５のときの関係は、下記に示す計算式から予測されたものである。
【００５４】
気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときには、気体供給時間が０．７秒以上であれば、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を全て排出できた。また、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときには、気体供給時間が２．０秒以下であれば、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０または第２洗浄室１９２内への逆流が観測されなかった。
【００５５】
図３に示すように、気体供給時間を変えても、同じ気体供給源の気体の圧力Ｐであれば、排水所要時間は同じである。このように、気体供給源の気体の圧力Ｐ毎に、排水所要時間が決まっている。よって、排水所要時間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力の気体の圧力Ｐに応じて決まっている。
【００５６】
第２の弁Ｂ２を閉じるのは、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体が全て排水された時以降である必要がある。例えば、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａであるときには、図３から排水所要時間は４．５秒である。ここで、気体供給期間が１秒の場合には、第１の弁Ｂ１を閉じた時から第２の弁Ｂ２を閉じるまでの時間は、３（＝４．５−１）秒以上に設定される。よって、第１の弁Ｂ１を閉じた時から第２の弁Ｂ２を閉じるまでの時間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。これにより、排水所要時間以上の時間、第２の弁Ｂ２を開けることができるので、気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を全て排出することができる。
【００５７】
ベルヌーイの定理から、流速ｖは次の式で表される。
【００５８】
ｖ＝（２×Ｐ／ρ）0.5
【００５９】
ここで、Ｐは気体供給源の気体の圧力であり、ρは流体密度である。よって、排出される液体の単位時間あたりに流れる量（以下、流量という）Ｑは次の式で表される。
【００６０】
Ｑ＝Ｃ×Ａ×（２×Ｐ／ρ）0.5
【００６１】
ここで、Ｃは流出係数で、Ａは流路面積である。よって、気水分離槽ＡＷＳから排出する液体の総量を排出総量Ｖとすると、排水所要時間Ｔｆは、次の式（１）から導出される。
【００６２】
Ｔｆ＝Ｖ／Ｑ  …（１）
【００６３】
また、本実施形態では、配管ＰＰ２の排出先が大気に連通しており、下流圧力ＰLが０であるから、（ＰL＋０．１）／（ＰL＋０．１）≦０．５が成り立つ。よって、気体流量ｑをチョーク流れで計算することができ、気体流量ｑ（Ｌ／ｍｉｎ）は次の式（２）から導出される。
【００６４】
ｑ＝１２０×Ｓ×（Ｐ＋０．１）√（２９３／２７３＋ｔ）  …（２）
【００６５】
ここで、Ｐは気体供給源の気体の圧力（ＭＰａ）で、Ｓは気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間を繋ぐ配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積であり、ｔは温度（℃）である。ここでは配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓは一例として１２．５６ｍｍ2であり、温度ｔは２０℃である。式（２）から、気体流量ｑは、気体供給源の気体の圧力と、配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積に比例する。
【００６６】
図３に示すように、気体供給源の気体の圧力Ｐが０．０８ＭＰａのときの実験では、最低限０．７秒間、気水分離槽ＡＷＳに気体（ここでは窒素）を供給しなければ排水されなかった。よって、排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積（最低供給体積）は、３．１７（＝４．５３（Ｌ／秒）×０．７（秒））Ｌである。
【００６７】
０．０５ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から３．７８（＝２２７／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．８３（＝３．１７（Ｌ）／３．７８（Ｌ／秒））秒になる。
【００６８】
同様にして、０．１ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から５．０３（＝３０２／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．６（＝３．１７（Ｌ）／５．０３（Ｌ／秒））秒になる。
【００６９】
同様にして、０．１５ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）から６．２８（＝３７７／６０）Ｌ／秒になるので、排水するのに必要な最低限の気体供給時間は０．５０（＝３．１７（Ｌ）／６．２８（Ｌ／秒））秒になる。
【００７０】
図３に示すように、気体供給時間は、排水するのに必要な最低限の気体供給時間以上である。ここで式（２）から気体流量ｑは気体供給源の気体の圧力Ｐに比例するから、最低限の気体供給時間は気体供給源の気体の圧力Ｐに反比例する。このことから、本実施形態に係る最低限の気体供給時間は、少なくとも気体供給源の気体の圧力に応じて設定されている。これにより、最低限の気体供給時間より長い時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することができるので、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。
【００７１】
また、式（２）から、気体流量ｑは配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓに比例するから、最低限の気体供給時間は配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積Ｓに反比例する。このことから、本実施形態に係る最低限の気体供給時間は、更に気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間を繋ぐ配管ＰＰ１の最小の内径の部分の内側の断面積に応じて設定されている。これにより、最低限の気体供給時間を適切に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給するので、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。
【００７２】
また、排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積（最低供給体積）は、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量に依存する。このことから、最低限の気体供給時間は、更に、気水分離槽ＡＷＳが満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体の体積に応じて決められていてもよい。例えば、気水分離槽ＡＷＳが満水のときに排水のきっかけを与えるのに供給することが最低限必要な気体（例えば、窒素）の体積は、気水分離槽の容積（例えば、０．６Ｌ）の固定値（５．２７）倍であるから、気水分離槽の容積が例えば０．６Ｌの場合、３．１６（≒０．６×５．２７）Ｌである。０．１ＭＰａでの気体流量ｑは、式（２）より５．０３（＝３０２／６０）Ｌ／秒であるため、最低限の気体供給時間は、０．６（≒３．１６／５．０３）秒になる。これにより、最低限の気体供給時間を気水分離槽ＡＷＳが満水のときの液体の量を排出できる量の気体を供給できる時間に設定でき、この最低限の気体供給時間以上の時間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給するので、気水分離槽ＡＷＳ内の液体の量に関わらず、気水分離槽ＡＷＳからの排水のきっかけを与えることができる。そして、短い時間（例えば０．６秒）で排水ができ、無駄で汚染源になる気体（例えば、窒素）の排出を止めることができる。
なお、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量を検出する検出部を備えていてもよい。検出部は例えば、気水分離槽ＡＷＳの内側に設けられた液面センサである。そして、本実施形態に係る気体供給時間は、検出部によって検出された気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量に応じて制御部５により設定されてもよい。具体的には例えば、制御部５は、気水分離槽ＡＷＳに存在する液体の量が多いほど気体供給時間が大きくなるように気体供給時間を設定してもよい。これにより、排水きっかけを与えることができるような気体供給時間を適切に設定できるので、気水分離槽ＡＷＳから液体を排水することができる。
【００７３】
［基板を吸着ステージから剥がす時の制御部５の処理］
続いて、吸着ステージＶＳ１、ＶＳ２を代表して、吸着ステージＶＳ１から基板を剥がす時の制御部５の処理について説明する。
制御部５は、基板を第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１から剥がすために、第２の弁Ｂ２と第３の弁Ｂ３を開けるよう制御する。ここで、気体供給源ＧＳの圧力は、基板を第１洗浄室１９０の吸着ステージＶＳ１から剥がすことができ且つ基板が飛び跳ねない範囲で設定されている。なお、基板が飛び跳ねるとは、基板が吸着ステージから突発的に離脱してしまうことを意味しており、もし基板が意図せずにステージから飛び跳ねてしまうと、基板が損傷する懸念が生じうる。これにより、基板を吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ基板を搬送ロボット２２が受け取る受取位置まで上昇させることができる。
【００７４】
実機で実験したところ、直径３００ｍｍのウエハの場合には、吸着ステージＶＳ１から剥がすことができる圧力は０．０５ＭＰａ以上であった。また、直径３００ｍｍのウエハの場合には、ウエハが飛び跳ねない圧力は０．１５ＭＰａ以下であった。よって、直径３００ｍｍのウエハの場合、気体供給源の圧力Ｐは、０．０５〜０．１５ＭＰａである。これにより、直径３００ｍｍのウエハの場合において、当該ウエハを吸着ステージＶＳ１から剥がし、且つ当該ウエハを搬送ロボット２２が受け取る受取位置まで上昇させることができる。
【００７５】
続いて、気水分離槽ＡＷＳ及びＡＷＳ’の排水に係る処理は同じであるので、代表して気水分離槽ＡＷＳを対象にして、図４を用いて気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理を説明する。図４は、気水分離槽ＡＷＳの排水に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。図４は、第１洗浄室１９０でウエハを洗浄する場合の例である。
【００７６】
（ステップＳ１０１）まず制御部５は、第４の弁Ｂ４を閉じるよう制御する。これにより、第１洗浄室１９０の真空が解除される。
（ステップＳ１０２）次に制御部５は、第５の弁Ｂ５を開くよう制御する。これにより、配管ＰＰ３に水が充填される。
【００７７】
（ステップＳ１０３）次に制御部５は、第５の弁Ｂ５を閉じ、第１の弁Ｂ１及び第３の弁Ｂ３を開くよう制御する。これにより、窒素ガスに押されて水がウエハＷを押すとともに、窒素ガスによってウエハＷが押される。これにより、ウエハＷが吸着ステージＶＳ１から剥がれる。
【００７８】
（ステップＳ１０４）次に制御部５は、ウエハＷをリフトピンＬＰ１で上昇させるよう制御する。これにより、ウエハＷが吸着ステージＶＳ１から離れる。
【００７９】
（ステップＳ１０５）次に制御部５は、センサＳ１の検出結果に基づいて、ウエハＷが受取位置に到達したか否か判定する。
【００８０】
（ステップＳ１０６）ステップＳ１０４でウエハＷが受取位置に到達した場合、制御部５は、第３の弁Ｂ３を閉じ、第２の弁Ｂ２を開くよう制御する。ここでも、第１の弁Ｂ１は開きっぱなしである。第２の弁Ｂ２が開くので、気水分離槽ＡＷＳからの排水が始まる。
【００８１】
（ステップＳ１０７）次に制御部５は、第３の弁Ｂ３が閉じた時から予め設定された気体供給時間を経過したか否か判定する。
【００８２】
（ステップＳ１０８）ステップＳ１０７で第３の弁Ｂ３が閉じた時から予め設定された気体供給時間を経過した場合、制御部５は、第１の弁Ｂ１を閉じるよう制御する。なお、但し、ウエハを剥がす工程が必要ない場合には、そもそも第３の弁Ｂ３を開く必要がないので予め第３の弁Ｂ３が閉じられており、ステップＳ１０６の第３の弁Ｂ３を閉じるまでの工程がない。その場合には、ステップＳ１０６までの工程はなく、制御部５は、第１の弁Ｂ１及び第２の弁Ｂ２を開くように制御することから始まり、第１の弁Ｂ１を開いた時からの時間をカウントする。いずれにしても、制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時からの時間をカウントする。
このように制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時（例えば、ステップＳ１０７で第３の弁Ｂ３を閉じた時）から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じるよう制御する。
【００８３】
（ステップＳ１０９）次に制御部５は、第１の弁Ｂ１を閉じてから更に予め決められた期間を経過したか否か判定する。上述したように、この予め決められた期間は、気体供給源ＧＳの気体の圧力に応じて設定された排水所要時間に応じて設定されている。すなわち、気体供給時間と予め決められた期間の合計時間が、排水所要時間以上になるように当該予め決められた期間が設定されている。
【００８４】
（ステップＳ１１０）ステップＳ１０９で更に予め決められた期間を経過した場合、制御部５は、第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。
【００８５】
以上、本実施形態に係る基板処理装置１００は、気体供給源ＧＳと気水分離槽ＡＷＳとの間に設けられ且つ気体供給源ＧＳから供給される気体の流路を開閉する第１の弁Ｂ１を備える。更に基板処理装置１００は、気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡから排出される液体の流路を開閉する第２の弁Ｂ２を備える。更に基板処理装置１００は、第１の弁Ｂ１と第２の弁Ｂ２を制御する制御部５を備える。気水分離槽ＡＷＳの排出口ＤＡは、基板を洗浄する第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排出口と連通している。そして制御部５は、第１の弁Ｂ１が開いており且つ気水分離槽ＡＷＳから気体が排出できない状態になった時から、予め設定された気体供給時間を経過した後に第１の弁Ｂ１を閉じ、第１の弁Ｂ１を閉じた後に第２の弁Ｂ２を閉じるよう制御する。
【００８６】
この構成により、気体供給時間の間、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給することにより、排水のきっかけを与えることができるので、その後に気水分離槽ＡＷＳに蓄積された液体を自然排水することができる。また、気体供給時間の間しか、気体を気水分離槽ＡＷＳに供給しないので、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０内への逆流を抑制することができ、洗浄室内の基板の汚染のおそれを低減することができる。
【００８７】
また、第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排水口にはそれぞれストレーナが設けられており、ストレーナは、洗浄槽で発生した残渣（基板の破片や、ごみ）を捕集する。仮に気体を連続的に気水分離槽に供給する場合、この気体がドレイン配管を介して第１洗浄室１９０及び第２洗浄室１９２の排水口に供給され、気体の圧力でストレーナが吹き飛んでしまうおそれがあるという問題もあった。それに対し、本実施形態に係る基板処理装置１００によれば、汚染された雰囲気及び／または液体の第１洗浄室１９０または第２洗浄室１９２内への逆流を抑制することができるので、ストレーナを吹き飛ぶ確率を低減することができる。
【００８８】
なお、本実施形態の制御部の各処理を実行するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、当該記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、プロセッサが実行することにより、本実施形態の制御部に係る上述した種々の処理を行ってもよい。
なお、本実施形態に係る基板処理装置１００は、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２の二つの洗浄室を備える構成としたが、これに限ったものではなく、一つでも、三つ以上の洗浄室を備える構成としてもよい。また、第１洗浄室１９０と第２洗浄室１９２とは、上下２段に積み重ねられた状態で配置されている構成としたが、これに限らず、積み重ねずに水平方向に分かれて配置されてもよい。
【００８９】
以上、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、対象となる基板の直径は、３００ｍｍに限定されず、例えば４５０ｍｍとされていてもよい。また、例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１      ハウジング
２      ロード／アンロード部
３      研磨部
３Ａ    第１研磨ユニット
３Ｂ    第２研磨ユニット
３Ｃ    第３研磨ユニット
３Ｄ    第４研磨ユニット
４      洗浄部
５      制御部
６      第１リニアトランスポータ
７      第２リニアトランスポータ
１０      研磨パッド
１１      リフタ
１２      スイングトランスポータ
２０      フロントロード部
２１      走行機構
２２      搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ    テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ    トップリング（研磨ヘッド）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ    研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ    ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ    アドマイザ
１００  基板処理装置
１９０  第１洗浄室
１９１  第１搬送室
１９２  第２洗浄室
１９３  第２搬送室
１９４  乾燥室
ＡＷＳ，ＡＷＳ’  気水分離槽
Ｂ１，Ｂ１’  第１の弁
Ｂ２，Ｂ２’  第２の弁
Ｂ３，Ｂ３’  第３の弁
Ｂ４，Ｂ４’  第４の弁
Ｂ５，Ｂ５’  第５の弁
Ｄ１，Ｄ２  排出口
ＧＳ，ＧＳ’  気体供給源
ＬＰ１，ＬＰ２  リフトピン
ＰＰ１，ＰＰ２，ＰＰ３，ＰＰ４  配管
ＲＪ１，ＲＪ２  ロータリージョイント
Ｓ１，Ｓ２  センサ
ＴＰ１  第１搬送位置
ＴＰ２  第２搬送位置
ＴＰ３  第３搬送位置
ＴＰ４  第４搬送位置
ＴＰ５  第５搬送位置
ＴＰ６  第６搬送位置
ＴＰ７  第７搬送位置
ＶＡＣ，ＶＡＣ’  真空発生器
ＶＳ１，ＶＳ２  吸着ステージ
ＷＳ，ＷＳ’  水供給源
【図１】
2018098319.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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