(57)【要約】【課題】  絶縁シートの破断や剥離といった不具合を抑制する。【解決手段】  半導体装置は、封止樹脂の内部に位置する上面に第１半導体素子及び前記第２半導体素子が載置されたリードフレームを備える。リードフレームは、第１厚肉部と、第１厚肉部に間隔を空けて隣り合う第２厚肉部と、第１厚肉部と第２厚肉部との間を第１厚肉部及び第２厚肉部よりも小さな断面積で伸びる薄肉部とを有する。第１厚肉部の上面には第１半導体素子が載置されており、第１厚肉部の下面には第１絶縁シートが接合されている。第２厚肉部の上面には第２半導体素子が載置されており、第２厚肉部の下面には第２絶縁シートが接合されている。そして、第１厚肉部と第２厚肉部との間は封止樹脂で満たされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体素子及び第２半導体素子と、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂の内部に位置する上面に、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が載置されたリードフレームと、
前記第１リードフレームの下面に接合されているとともに、前記封止樹脂の表面に露出する第１絶縁シート及び第２絶縁シートと、
を備え、
前記リードフレームは、第１厚肉部と、前記第１厚肉部に間隔を空けて隣り合う第２厚肉部と、前記第１厚肉部と前記第２厚肉部との間を前記第１厚肉部及び前記第２厚肉部より小さな断面積で伸びる薄肉部とを有し、
前記第１厚肉部の前記上面には、前記１半導体素子が載置されているとともに、前記第１厚肉部の前記下面には、前記第１絶縁シートが接合されており、
前記第２厚肉部の前記上面には、前記２半導体素子が載置されているとともに、前記第２厚肉部の前記下面には、前記第２絶縁シートが接合されており、
前記第１厚肉部と前記第２厚肉部との間は前記封止樹脂で満たされている、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、封止樹脂の内部に位置する上面に半導体素子が接合されたリードフレームと、第１リードフレームの下面に接合されているとともに封止樹脂の表面に露出する絶縁シートとを備える。絶縁シートは、例えば冷却器といった半導体装置に隣接配置された他の装置から、リードフレームを電気的に絶縁する。
【０００３】
上述した半導体装置の製造工程では、いわゆるモールド成形を行うことによって、封止樹脂による半導体素子の封止が行われる。このモールド成形では、半導体素子がはんだ付けされたリードフレームを、絶縁シートとともに金型内に配置する。そして、軟化する温度まで加熱された封止樹脂を金型内へ注入する。これにより、封止樹脂による半導体素子の封止と併せて、リードフレームと絶縁シートとの間の接合を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１６５２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
モールド成形後、半導体装置の温度が室温まで低下する過程において、半導体装置の各構成部材には熱収縮が生じる。ここで、封止樹脂とリードフレームは互いに異なる材料で構成されているので、封止樹脂とリードフレームにそれぞれ生じる収縮量も互いに相違する。その結果、半導体装置には反りといった変形が生じ得る。半導体装置が小型であれば、変形量も僅かであることから、そのような変形を無視することができる。しかしながら、例えば複数の半導体素子を有する半導体装置では、そのサイズが比較的に大きくなることから、上述した熱収縮に伴う変形量も大きくなる。この場合、封止樹脂の表面に位置する絶縁シートが引き伸ばされたり、折り曲げられたりして、絶縁シートの破断や剥離といった不具合が起こり得る。
【０００６】
上記を鑑み、本開示は、絶縁シートを有する半導体装置において、絶縁シートの破断や剥離といった不具合を抑制し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書が開示する半導体装置は、第１半導体素子及び第２半導体素子と、第１半導体素子及び第２半導体素子を封止する封止樹脂と、封止樹脂の内部に位置する上面に第１半導体素子及び第２半導体素子が載置されたリードフレームと、第１リードフレームの下面に接合されているとともに封止樹脂の表面に露出する第１絶縁シート及び第２絶縁シートとを備える。リードフレームは、第１厚肉部と、第１厚肉部に間隔を空けて隣り合う第２厚肉部と、第１厚肉部と第２厚肉部との間を第１厚肉部及び第２厚肉部よりも小さな断面積で伸びる薄肉部とを有する。第１厚肉部の上面には第１半導体素子が載置されており、第１厚肉部の下面には第１絶縁シートが接合されている。第２厚肉部の上面には第２半導体素子が載置されており、第２厚肉部の下面には第２絶縁シートが接合されている。そして、第１厚肉部と第２厚肉部との間は封止樹脂で満たされている。
【０００８】
ここで、本明細書における「上面」及び「下面」との用語は、互いに反対側に位置する二つの表面を便宜的に区別して表現するものであり、例えば鉛直上方に位置する面や鉛直下方に位置する面に限定して解釈されることを意図しない。半導体装置は、例えば「上面」が鉛直下方に位置するとともに「下面」が鉛直上方に位置するような姿勢で設計、製造又は使用されてもよい。また、ここでいう「断面積」とは、第１厚肉部と第２厚肉部とが隣り合う方向に垂直な断面の面積を意味する。
【０００９】
さらに、第１絶縁シート及び第２絶縁シートが封止樹脂の表面に露出するとは、それらが封止樹脂の内部に完全に封止されていないことを意味し、第１絶縁シート及び第２絶縁シートが必ずしも外部に露出されていることを意図しない。例えば、第１絶縁シート及び第２絶縁シートは、金属層といった導電性を有する層によって覆われていてもよく、第１絶縁シート及び第２絶縁シート（即ち、絶縁性の層）が外部から視認不能であってもよい。
【００１０】
上記した半導体装置では、リードフレームに薄肉部が形成されている。薄肉部は、第１厚肉部や第２厚肉部よりも断面積が小さく、リードフレームの剛性を低下させる。リードフレームの剛性が低下することで、熱収縮する封止樹脂に応じてリードフレームも変形しやすくなり、封止樹脂とリードフレームとの間の収縮量の差が低減される。また、第１厚肉部と第２厚肉部との間が封止樹脂で満たされているので、これによっても封止樹脂とリードフレームとの間の収縮量の差が低減される。両者の間で収縮量の差が低減されることで、半導体装置に生じる変形が抑制される。さらに、リードフレームに接合された絶縁シートは、第１絶縁シートと第２絶縁シートに分割されているので、各々の絶縁シートに生じる応力が低減される。以上により、絶縁シートの破断や剥離といった不具合が有意に抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例の半導体装置１０を示す断面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線における断面図。
【図３】半導体装置１０の製造工程（特に、モールド成形）を示す図。
【図４】半導体装置１０のモールド成形後に生じる変形を説明する図。
【図５】図２と同じ位置の断面図であって、リードフレーム２０の薄肉部２３、２５の態様が異なる変形例を示す。
【図６】図１と同じ位置の断面図であって、封止樹脂１８に凹部１８ｃ、１８ｄを設けた変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面を参照して、実施例の半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、いわゆるパワー半導体パッケージであって、例えばハイブリッド車、燃料電池車又は電気自動車といった電動型の自動車において、電源と走行用モータとの間を接続する電力供給回路に採用することができる。但し、半導体装置１０は、電動型の自動車に限られず、様々な装置の電力供給回路にも採用することができる。
【００１３】
図１、図２に示すように、半導体装置１０は、第１半導体素子１２、第２半導体素子１４及び第３半導体素子１６を備える。第１半導体素子１２、第２半導体素子１４及び第３半導体素子１６の各々は、いわゆるパワー半導体素子であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）といったスイッチング素子であってもよいし、ダイオードであってもよい。第１半導体素子１２、第２半導体素子１４及び第３半導体素子１６を構成する半導体材料は特に限定されず、例えばシリコン、炭化シリコン又は窒化ガリウムといったＩＩＩ−Ｖ族半導体であってもよい。なお、半導体装置１０が有する半導体素子の数は三つに限定されず、二つであってもよいし、四つ以上であってもよい。
【００１４】
第１半導体素子１２、第２半導体素子１４及び第３半導体素子１６は、図１の左右方向に沿って並んでおり、同一平面上に配置されている。ここで、説明の便宜上、第１半導体素子１２、第２半導体素子１４及び第３半導体素子１６が並ぶ方向（図１の左右方向）をＸ軸方向として、図１に示すようにＸＹＺ直交座標系を定義する。Ｙ軸方向は、図１の奥行方向であり、三つの半導体素子１２、１４、１６が配置された平面に平行である。Ｚ軸方向は、図１の上下方向であり、三つの半導体素子１２、１４、１６が配置された平面に垂直である。
【００１５】
半導体装置１０は、封止樹脂１８をさらに備える。封止樹脂１８は、三つの半導体素子１２、１４、１６を封止している。後述するように、封止樹脂１８は、金型１００（図３参照）を用いて成形されたものであり、樹脂モールド等とも称される。封止樹脂１８には、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂を主成分とする封止材料を採用することができる。封止樹脂１８は、概して板状の形状を有しており、上面１８ａと下面１８ｂを有する。上面１８ａと下面１８ｂは、互いに平行であるとともに、Ｚ軸方向に対して垂直である。換言すると、上面１８ａと下面１８ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行であり、上面１８ａ及び下面１８ｂの法線は、Ｚ軸方向に平行である。
【００１６】
半導体装置１０は、リードフレーム２０をさらに備える。リードフレーム２０は、例えば銅又はその他の金属といった、導電性を有する材料で構成されている。リードフレーム２０は、概して板状の形状を有しており、上面２０ａと下面２０ｂを有する。後述する凹部２３ｃ、２５ｃの範囲を除いて、上面２０ａと下面２０ｂは、互いに平行であるとともに、Ｚ軸方向に対して垂直である。換言すると、上面２０ａと下面２０ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行であり、上面２０ａ及び下面２０ｂの法線は、Ｚ軸方向に平行である。
【００１７】
リードフレーム２０の上面２０ａは、封止樹脂１８の内部に位置しており、三つの半導体素子１２、１４、１６は、リードフレーム２０の上面２０ａに載置されている。三つの半導体素子１２、１４、１６の各々は、リードフレーム２０の上面２０ａにはんだ付けされており、リードフレーム２０と電気的及び熱的に接続されている。リードフレーム２０の一部は、図示されない位置で封止樹脂１８の外部へ伸びており、外部の回路に接続するための接続端子を構成している。なお、リードフレーム２０は、単一の部材で構成されていてもよいし、複数の部材の組み合わせによって構成されていてもよい。
【００１８】
リードフレーム２０は、第１厚肉部２２、第２厚肉部２４及び第３厚肉部２６を有する。第１厚肉部２２、第２厚肉部２４及び第３厚肉部２６は、互いに間隔を空けながら、Ｘ軸方向に沿って並んでいる。第１厚肉部２２の上面２０ａには、第１半導体素子１２が載置されており、第２厚肉部２４の上面２０ａには、第２半導体素子１４が載置されており、第３厚肉部２６の上面２０ａには、第３半導体素子１２が載置されている。なお、第１厚肉部２２には、第１半導体素子１２に加えて、他の半導体素子がさらに載置されてもよい。第２厚肉部２４及び第３厚肉部２６についても同様である。
【００１９】
リードフレーム２０はさらに、第１薄肉部２３及び第２薄肉部２５を有する。第１薄肉部２３は、第１厚肉部２２と第２厚肉部２４との間に位置しており、第１厚肉部２２と第２厚肉部２４とを互い接続している。第１薄肉部２３の厚さは、第１厚肉部２２の厚さ及び第２厚肉部２４の厚さよりも薄い。ここでいう厚さとは、Ｚ軸方向の寸法であり、上面２０ａと下面２０ｂとの間の距離である。第１厚肉部２２と第２厚肉部２４との間は、封止樹脂１８によって満たされている。同様に、第２薄肉部２５は、第２厚肉部２４と第３厚肉部２６との間に位置しており、第２厚肉部２４と第３厚肉部２６とを互い接続している。第２薄肉部２５の厚さは、第２厚肉部２４の厚さ及び第３厚肉部２６の厚さよりも薄い。第２厚肉部２４と第３厚肉部２６との間についても、封止樹脂１８によって満たされている。
【００２０】
一例ではあるが、本実施例のリードフレーム２０では、リードフレーム２０の下面２０ｂに二つの凹部２３ｃ、２５ｃを設けることによって、第１薄肉部２３及び第２薄肉部２５がそれぞれ形成されている。二つの凹部２３ｃ、２５ｃの各々は、Ｙ軸方向に沿って伸びる溝状の凹部であり、封止樹脂１８によって満たされている。なお、第１薄肉部２３と第２薄肉部２５の一方又は両方に、上面２０ａから下面２０ｂまで伸びる開口を形成してもよい。このような開口を形成することで、モールド成形において封止樹脂１８の凹部２３ｃ、２５ｃへの流動を促すことができる。
【００２１】
上記した構成により、リードフレーム２０の断面積は、第１薄肉部２３及び第２薄肉部２５において、第１厚肉部２２、第２厚肉部２４及び第３厚肉部２６よりも小さくなっている。なお、ここでいう断面積とは、Ｘ軸方向（即ち、三つの厚肉部２２、２４、２６が並ぶ方向）に垂直な断面の面積を意味する。このような構成によると、第１薄肉部２３及び第２薄肉部２５が存在しない場合と比較して、リードフレーム２０の剛性（特に、Ｘ軸方向の圧縮に対する剛性）を低減することができる。これにより、詳しくは後述するが、半導体装置１０の温度変化に伴う変形を抑制することができる。
【００２２】
半導体装置１０は、第１絶縁シート３２、第２絶縁シート３４及び第３絶縁シート３６をさらに備える。三つの絶縁シート３２、３４、３６は、リードフレーム２０の下面２０ｂに接合されており、かつ、封止樹脂１８の下面１８ｂに露出している。詳しくは、第１絶縁シート３２は、第１厚肉部２２の下面２０ｂに接合されており、第２絶縁シート３４は、第２厚肉部２４の下面２０ｂに接合されており、第３絶縁シート３６は、第３厚肉部２６の下面２０ｂに接合されている。
【００２３】
第１絶縁シート３２は、第１厚肉部２２の下面２０ｂよりも面積が大きく、第１厚肉部２２の下面２０ｂを完全に覆うとともに、当該下面２０ｂに接合されていない余剰部分が、第１絶縁シート３２の周縁に沿って途切れることなく伸びている。第２絶縁シート３４及び第３絶縁シート３６についても同様である。三つの絶縁シート３２、３４、３６の各々は、例えば樹脂材料といった、絶縁性の材料を用いて構成されている。半導体装置１０は、通常、冷却器（図示省略）に隣接して配置され、封止樹脂１８の下面１８ｂが冷却器に当接する。このとき、リードフレーム２０と冷却器との間に絶縁シート３２、３４、３６が介在することで、半導体装置１０と冷却器との間が電気的に絶縁される。
【００２４】
半導体装置１０は、第１上部リード４２、第２上部リード４４及び第３上部リード４６をさらに備える。第１上部リード４２は、第１半導体素子１２にはんだ付けされており、第１半導体素子１２を介してリードフレーム２０と電気的に接続される。第２上部リード４４は、第２半導体素子１４にはんだ付けされており、第２半導体素子１４を介してリードフレーム２０と電気的に接続される。第３上部リード４６は、第３半導体素子１６にはんだ付けされており、第３半導体素子１６を介してリードフレーム２０と電気的に接続される。三つの上部リード４２、４４、４６の各々は、銅又はその他金属材料といった、導線性を有する材料を用いて構成されている。三つの上部リード４２、４４、４６の各々は、ここでは図示されないが、封止樹脂１８の内部又は外部で互いに電気的に接続されていてもよいし、封止樹脂１８の外部へ伸びて外部の回路と電気的に接続されてもよい。
【００２５】
図３に示すように、半導体装置１０の製造工程では、いわゆるモールド成形を行うことによって、封止樹脂１８の封止及び成形が行われる。モールド成形では、上部リード４２、４４、４６、半導体素子１２、１４、１６、リードフレーム２０及び絶縁シート３２、３４、３６といった半導体装置１０の構成部材が、金型１００内に配置される。なお、この段階で半導体素子１２、１４、１６はリードフレーム２０に既にはんだ付けされている。その他のはんだ付けされる部材（例えば上部リード４２、４４、４６）も同様である。次いで、軟化する温度まで加熱された封止樹脂１８が、金型１００内へ注入される。これにより、封止樹脂１８によって半導体素子１２、１４、１６が封止されるとともに、リードフレーム２０と絶縁シート３２、３４、３６とが互いに接合される。
【００２６】
図４に示すように、モールド成形後、半導体装置１０は金型１００から取り出され、室温まで冷却される。半導体装置１０の温度が室温まで低下する過程において、半導体装置１０の各構成部材には熱収縮が生じる。ここで、封止樹脂１８とリードフレーム２０は互いに異なる材料で構成されているので、封止樹脂１８とリードフレーム２０にそれぞれ生じる収縮量も互いに相違する。本実施例では、封止樹脂１８に生じる収縮量の方が、リードフレーム２０に生じる収縮量よりも大きい。一般的に、樹脂材料はガラス転移点以上の温度において線膨張係数が大きいので、金属材料に比べて、温度低下時における収縮量も大きくなりやすい。特に、半導体装置で一般的に採用されているエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いる場合は、硬化時の収縮量も大きいことから、これらの半導体装置（本実施例の半導体装置１０も含む）では、封止樹脂１８の方がリードフレーム２０よりも収縮量が大きくなり得る。この点に関して、半導体装置１０の上側部分１０ａは封止樹脂１８の占める割合が高く、半導体装置１０の下側部分１０ｂはリードフレーム２０の占める割合が高い。その結果、半導体装置１０には、図４中の破線Ｄで模式的に示すように、上面１８ａが凹状に湾曲する反りが生じ得る。図４中の矢印Ｓは、半導体装置１０の各部における収縮の方向及び収縮量を模式的に示す。なお、封止樹脂１８とリードフレーム２０を構成する材料によっては、両者に生じる収縮量の大小関係が逆になることもあり、この場合、半導体装置１０に生じる反りの向きも逆となる。
【００２７】
図４中の破線Ｄは、半導体装置１０に生じる変形を誇張して示しており、本実施例の半導体装置１０において、そのような大きな変形は生じない。しかしながら、そのような大きな変形が半導体装置１０に仮に生じたとすると、絶縁シート３２、３４、３６が引き伸ばされたり、折り曲げられたりして、絶縁シート３２、３４、３６の破断や剥離といった不具合が起こり得る。絶縁シート３２、３４、３６の不具合は、リードフレーム２０と外部の機器（例えば冷却器）との間の絶縁性を低下させる。ここで、本実施例の半導体装置１０は、複数の半導体素子１２、１４、１６を有しており、それらがＸ軸方向に沿って直線上に配列されている。このような構成であると、半導体装置１０のＸ軸方向の寸法が比較的に大きくなることから、半導体装置１０に生じる変形も大きくなり得る。半導体装置１０に変形が生じていると、冷却器に対して半導体装置１０を配置するときに、半導体装置１０に力を加え、冷却器の平坦な表面に密着するように半導体装置１０を矯正する必要がある。このとき、例えば図４に示す反り量δが大きいほど、半導体装置１０の矯正による変形量も大きくなるので、絶縁シート３２、３４、３６の剥離や剥離といった不具合を招きやすい。
【００２８】
上記の点に関して、本実施例の半導体装置１０では、リードフレーム２０に薄肉部２３、２５が形成されている。前述したように、薄肉部２３、２５は、厚肉部２２、２４、２６よりも断面積が小さく、リードフレーム２０の剛性を低下させる。リードフレーム２０の剛性が低下することで、熱収縮する封止樹脂１８に応じてリードフレーム２０も変形しやすくなり、封止樹脂１８とリードフレーム２０との間の収縮量の差が低減される。また、第１厚肉部２２と第２厚肉部２４との間、及び、第２厚肉部２４と第３厚肉部２６との間は、封止樹脂１８で満たされている。これによっても、封止樹脂１８とリードフレーム２０との間の収縮量の差（詳しくは、半導体装置１０の上側部分１０ａと下側部分１０ｂとの間の収縮量の差）が低減される。両者の間で収縮量の差が低減されることで、半導体装置１０に生じる変形が抑制される。
【００２９】
さらに、本実施例の半導体装置１０では、リードフレーム２０に接合された絶縁シート３２、３４、３６が、単一のシート材ではなく、第１絶縁シート３２、第２絶縁シート３４及び第３絶縁シート３６に分割されているので、各々の絶縁シート３２、３４、３６に生じる応力が低減される。半導体装置１０に生じる変形が抑制されることに加えて、各々の絶縁シート３２、３４、３６に生じる応力が低減されることで、絶縁シート３２、３４、３６の破断や剥離といった不具合が効果的に抑制される。これにより、冷却器（図示省略）とリードフレーム２０との間の絶縁性が確保される。また、複数の絶縁シート３２、３４、３６を用いることで、単一の絶縁シートを採用する場合よりも、絶縁シート３２、３４、３６の各々のサイズは小さくなる。それにより、例えば半導体装置１０の製造工程において、絶縁シート３２、３４、３６の取扱いが容易となる。
【００３０】
上述した半導体装置１０では、様々に設計変更を行うことができる。例えば、図４に示すように、リードフレーム２０の薄肉部２３、２５は、厚肉部２２、２４、２６よりも幅寸法が小さい部分であってもよい。このような薄肉部２３、２５は、一例ではあるが、平面視したリードフレーム２０に切欠き２３ｄ、２５ｄを形成することによって、設けることができる。ここでいう幅寸法とは、リードフレーム２０のＹ軸方向の寸法である。このような形態においても、薄肉部２３、２５は、厚肉部２２、２４、２６よりも断面積が小さくなることから、リードフレーム２０の剛性を低下させることができる。薄肉部２３、２５の幅寸法（Ｙ軸方向の寸法）は、例えば上部リード４２、４４、４６と同程度とすることができる。このとき、薄肉部２３、２５の厚み（Ｚ軸方向の寸法）は、厚肉部２２、２４、２６の厚みより小さくてもよいし、同じであってもよい。
【００３１】
第１薄肉部２３及び第２薄肉部２５の具体的な態様は、本明細書で開示されたものに限定されない。リードフレーム２０に凹部、切欠き、貫通孔等を設けることで、第１薄肉部２３や第２薄肉部２５は形成することができる。第１薄肉部２３は、第１厚肉部２２と第２厚肉部２４との間を、第１厚肉部２２及び第２厚肉部２４より小さな断面積で伸びる部分であればよい。同様に、第２薄肉部２５は、第２厚肉部２４と第３厚肉部２６との間を、第２厚肉部２４及び第３厚肉部２６より小さな断面積で伸びる部分であればよい。このような構成によれば、リードフレーム２０の剛性を低下させることによって、半導体装置１０の温度変化に伴う変形を抑制することができる。なお、半導体装置１０は、第３半導体素子１６を必ずしも備える必要はなく、この場合、リードフレーム２０は、少なくとも第１厚肉部２２、第２厚肉部２４及び第１薄肉部２３を有すればよい。
【００３２】
他の一変形例として、図５に示すように、封止樹脂１８の上面１８ａに、一又は複数の凹部１８ｃ、１８ｄを設けてもよい。なお、図５に例示する凹部１８ｃ、１８ｄは、それぞれ薄肉部２３、２５に沿って設けられており、Ｙ軸方向に伸びる溝形状を有している。なお、凹部１８ｃ、１８ｄの形状や数は特に限定されない。封止樹脂１８の上面１８ａに凹部１８ｃ、１８ｄを設けることで、半導体装置１０の上側部分１０ａの収縮量を低減することができ、半導体装置１０に生じる変形をさらに抑制することができる。また、封止樹脂１８に凹部１８ｃ、１８ｄを設けることで、必要となる封止樹脂１８の容積が減少することから、比較的に大型の半導体装置１０のモールド成形が容易となる。なお、モールド成形では、凹部１８ｃ、１８ｄによって区切られた複数の部分ごとに、軟化させた封止樹脂１８の注入を行ってもよい。
【００３３】
以上、本技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。本明細書又は図面に記載された技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載された組合せに限定されるものではない。また、本明細書又は図面に例示された技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３４】
１０：半導体装置
１２：第１半導体素子
１４：第２半導体素子
１６：第３半導体素子
１８：封止樹脂
２０：リードフレーム
２０ａ：リードフレーム２０の上面
２０ｂ：リードフレーム２０の下面
２２：リードフレーム２０の第１厚肉部
２３：リードフレーム２０の第１薄肉部
２４：リードフレーム２０の第２厚肉部
２５：リードフレーム２０の第２薄肉部
２６：リードフレーム２０の第３厚肉部
３２：第１絶縁シート
３４：第２絶縁シート
３６：第３絶縁シート
４２：第１上部リード
４４：第２上部リード
４６：第３上部リード
１００：金型
【図１】
2018082005.tif 000003
【図２】
2018082005.tif 000004
【図３】
2018082005.tif 000005
【図４】
2018082005.tif 000006
【図５】
2018082005.tif 000007
【図６】
2018082005.tif 000008