(57)【要約】【課題】モールディング部材内に埋込まれた電子部品から発生する電磁波を磁性体層で吸収することによって、隣接した部位に実装された他の電子部品に有害な影響を与えることを防止または低減でき、外部から由来した電磁波を磁性体層上に形成された導電体層で遮蔽することによって、モールディング部材内に埋込まれた電子部品を電磁波影響から保護することが可能な電磁波遮蔽用電子部品パッケージを提供する。【解決手段】電子部品が実装された基板と、前記基板および電子部品上に形成されたモールディング部材と、前記モールディング部材上に形成された磁性体層と、前記磁性体層上に形成された導電体層と、を含む、電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。【選択図】図１
2018078263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装された基板と、
前記基板および電子部品上に形成されたモールディング部材と、
前記モールディング部材上に形成された磁性体層と、
前記磁性体層上に形成された導電体層と、
を含む、電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含み、
前記磁性粒子は、鉄、コバルト、ニッケル、ニッケル合金、ステンレススチール、フェライト、およびパーマロイからなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含み、
前記導電性粒子は、銀、銅、アルミニウムおよびその合金、炭素系物質からなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１または２に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記基板の側面に埋込まれた形態で形成され、基板の側面外部に露出面がある接地電極をさらに含み、
前記導電体層と前記接地電極とは、接触していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記第２バインダー樹脂は、数平均分子量が１，５００〜１５，０００の範囲であることを特徴とする、請求項３に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項６】
電子部品が実装された基板を提供する段階と、
前記電子部品および基板上にモールディング部材を形成する段階と、
前記モールディング部材上に磁性体層を形成する段階と、
前記磁性体層上に導電体層を形成する段階と、
を含む電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含むことを特徴とする、請求項６に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記磁性体層または導電体層の形成は、スパッタリングによって行われることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記磁性体層または導電体層の形成は、スプレー噴射によって行われることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記第２バインダー樹脂の数平均分子量は、１，５００〜１５，０００であることを特徴とする、請求項８に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記スプレー噴射によって磁性体層または導電体層を形成する場合、スプレー噴射物中の導電性粒子、バインダー樹脂および溶剤の混合比は、質量比で、金属粒子およびバインダー樹脂を合わせた固形分を１００とするとき、溶剤が８０〜１２０であることを特徴とする、請求項１０に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波遮蔽用電子部品パッケージに関するものであり、より詳しくは、磁性体層および導電体層を導入することによって、有害な電磁波の吸収および遮蔽が可能な電磁波遮蔽用電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子通信技術の発展により、個人の携帯電話、およびタブレットＰＣなどの多くの電子機器の使用量が増大している。そのため、各種電子機器から発生する電磁波に対する関心が増大している。
【０００３】
一方、電子部品の高集積化、および信号処理速度の高速化に対するノイズとなる電磁波障害は、各種自動化装備および制御装置の動作および信頼性を大きく決定する要因として認識されている。
【０００４】
今までの電磁波遮蔽の方法としては、電気伝導性の高い素材を用いて電子部品などの表面に遮蔽膜を形成し、電磁波を反射することで、電磁波を遮蔽する方法が広く使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１４０７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、電磁波反射による遮蔽のみでは、広い領域範囲の周波数帯で発生する電磁波を完全に遮蔽するには限界があるため、これを補完するための技術が開発されている状況である。
【０００７】
また、電子部品が実装された電子部品パッケージにおいて、実装された電子部品から発生した電磁波が、隣接した他の電子部品パッケージに実装された電子部品に及ぼす影響を除去するには、導電性物質による反射のみでは限界があった。
【０００８】
本発明は、上述したような問題点を含む様々な問題点を解決するためのものであって、電磁波の吸収および遮蔽を同時に実現するように、磁性体層および導電体層を備えた電磁波遮蔽用電子部品パッケージ、およびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージは、電子部品が実装された基板と、前記基板および電子部品上に形成されたモールディング部材と、前記モールディング部材上に形成された磁性体層と、前記磁性体層上に形成された導電体層とを含む。
【００１０】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含み、前記磁性粒子は鉄、コバルト、ニッケル、ニッケル合金、ステンレススチール、フェライト、およびパーマロイからなる群より選択された少なくとも一つであってもよい。
【００１１】
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含み、前記導電性粒子は、銀、銅、アルミニウムおよびその合金、炭素系物質からなる群より選択された少なくとも一つであってもよい。
【００１２】
前記電磁波遮蔽用電子部品パッケージは、前記基板の側面に埋込まれた形態で形成され、基板の側面外部に露出面がある接地電極をさらに含み、前記導電体層と前記接地電極とは接触していてもよい。
【００１３】
前記第２バインダー樹脂は、数平均分子量が１，５００〜１５，０００の範囲であってもよい。
【００１４】
本発明の第２実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法は、電子部品が実装された基板を提供する段階と、前記電子部品および基板上にモールディング部材を形成する段階と、前記モールディング部材上に磁性体層を形成する段階と、前記磁性体層上に導電体層を形成する段階と、を含む。
【００１５】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含むことができる。
【００１６】
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含むことができる。
【００１７】
前記磁性体層または導電体層は、スパッタリング、プレーティング、スプレー噴射、および遮蔽テープから選択された少なくとも一つによって形成することができる。
【００１８】
前記第２バインダー樹脂の数平均分子量は、１，５００〜１５，０００であってもよい。
【００１９】
前記スプレー噴射によって磁性体層または導電体層を形成する場合、スプレー噴射物中の導電性粒子、バインダー樹脂および溶剤の混合比は、質量比で、金属粒子およびバインダー樹脂を合わせた固形分の量を１００とするとき、溶剤が８０〜１２０であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージは、基板に実装された電子部品から発生する電磁波を磁性体層によって吸収し、かつ隣接した導電体層によって電磁波を反射させることができる。これにより、本発明に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージは、発生した電磁波が電子部品パッケージの外部に出ることを防止することによって、隣接した他の電子部品を電磁波の影響から保護することができる。
【００２１】
また、付加的に、本発明に係る製造方法によって製造された電磁波遮蔽用電子部品パッケージは、外部要因によって発生した電磁波を導電体層によって反射させるだけでなく、導電体層を通過した電磁波を磁性体層によって吸収することにより、電子部品パッケージ内にある電子部品を外部の電磁波の影響から保護できる。
【００２２】
さらに、本発明に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージを適用することによって、より優れた電磁波適合性（ＥＭＣ）等級を有する電子部品を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージの断面を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージに形成された磁性体層および導電体層によって、電子部品から発生した電磁波の吸収および反射が行われる過程を概略的に示した図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法に関する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照することによって明確になる。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に実現され得る。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるためだけに提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載の範疇によって定義される。なお、明細書全体にかけて、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージについて説明する。
【００２６】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージ１００は、電子部品１０が実装された基板２０、前記基板２０および電子部品１０上に形成されたモールディング部材３０、前記モールディング部材３０上に形成された磁性体層４０、および前記磁性体層４０上に形成された導電体層５０を含む。
【００２７】
前記基板２０は、電子部品１０が実装できる形態の基板であれば、いずれも用いることが可能であり、好ましくは、印刷回路基板（ＰＣＢ）を用いることができる。
【００２８】
前記磁性体層４０は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含み、前記磁性粒子は、鉄、コバルト、ニッケル、ニッケル合金、ステンレススチール、フェライト、パーマロイからなる群より選択された少なくとも一つで構成されることを特徴とする。
【００２９】
前記第１バインダー樹脂は、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂、またはアミノ樹脂を用いることができる。前記第１バインダー樹脂は、好ましくは、エポキシ樹脂を使用することができる。
【００３０】
前記磁性粒子は、前記第１バインダー樹脂内に分散して埋込まれた状態で存在する。
【００３１】
前記電子部品１０は、チップ抵抗、チップスイッチ、ダイオード、トランジスタ、フィルター、キャパシタ、インダクタ、積層セラミックコンデンサ、印刷抵抗、薄膜コンデンサ、またはフラッシュメモリなどの多様な電子素子を含む。
【００３２】
前記モールディング部材３０は、電子部品１０および電子部品１０が実装された基板２０を保護する。モールディング部材３０は、エポキシモールディングコンパウンド樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、エポキシシートモールディング樹脂、およびシリコン樹脂から選択された少なくとも一つを用いることができる。
【００３３】
前記磁性体層４０は、モールディング部材３０の表面に形成され、電磁波を遮蔽する。磁性体層４０は、主に低周波帯域の電磁波に対する遮蔽性能に優れ、周波数が高まるほど遮蔽性能が減少する性質を有する。周波数が高まるほど磁性体層４０の遮蔽性能が落ちる理由は、磁性体層４０は磁性粒子からなるので、周波数の増加によって磁性粒子の比透磁率（ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）が減少するためである。
【００３４】
前記導電体層５０は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含み、前記導電性粒子は、銀、銅、アルミニウムおよびその合金、炭素系物質からなる群より選択された少なくとも一つで構成されることを特徴とする。
【００３５】
前記第２バインダー樹脂は、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂、またはアミノ樹脂を用いることができる。前記第２バインダー樹脂は、好ましくは、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００３６】
また、前記第１バインダー樹脂、および第２バインダー樹脂は、同一の物質を用いることができる。
【００３７】
導電体層５０の遮蔽効率は、一般に導電性粒子の固有抵抗値が低い（導電性に優れる）ほど、または、導電体層５０の厚さが厚くなるほど有利である。
【００３８】
即ち、導電体層５０を形成する金属粉末は、導電性に優れるほど遮蔽に有利であるため、本発明では、導電体層５０は、銀を好ましく使用することができる。
【００３９】
前記導電体層５０は、低周波帯域より高周波帯域での電磁波遮蔽性能に優れ、周波数が低くなるほど電磁波遮蔽量が減少する。
【００４０】
導電体層５０に到達した電磁波の一部は、導電体層５０内部まで到達せず導電体層５０表面で反射され、残りの電磁波は、導電体層５０の内部に透過される。
【００４１】
図２は、本実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージにおいて、磁性体層４０および導電体層５０を導入した場合、基板２０に実装された電子部品１０から電磁波が放射される際に、電磁波がモールディング部材３０上部に位置した磁性体層４０によって吸収された後、隣接した導電体層５０によって反射されることで、電磁波が外部に放出されず電子部品パッケージ内部で吸収および反射などを繰り返して消滅する過程を概念的に説明した図である。
【００４２】
前記電磁波遮蔽用電子部品パッケージ１００は、前記基板２０の側面に埋込まれた形態に形成され、基板２０の側面外部に露出面がある接地電極２５をさらに含み、前記導電体層５０と前記接地電極２５とが接触することを特徴とする。
【００４３】
前記基板２０の側面を通じて外部に露出された接地電極２５の露出面は、導電体層５０と導電可能に接触された状態となるため、外部または電子部品自体から発生して伝達された電磁波は、導電体層５０を経由して基板２０の側面に埋込まれた接地電極２５を通じて接地され、除去することができる。
【００４４】
前記第２バインダー樹脂は、数平均分子量が１，５００〜１５，０００の範囲であることを特徴とする。
【００４５】
即ち、一般的なスプレー工程時に、スプレー用ガン（ｓｐｒａｙ  ｇｕｎ）は、電子部品パッケージの上側から下側に向かって導電体層形成物質を噴射する。そのため、電子部品パッケージの全体高さにおいて下側に位置する基板は、スプレーガンとの距離が遠く、基板の側面部を通じて露出された接地電極まで導電体層形成物質の噴射が十分に行われず、接地電極と、形成された導電体層との間の接触がよく行われない問題があった。
【００４６】
そのために、本実施形態では、接地電極と、導電体層との間の接触が容易に形成されるように、第２バインダー樹脂の数平均分子量を調節することによって従来の問題点を解決した。
【００４７】
前記第２バインダー樹脂の数平均分子量が１，５００未満である場合、コーティング組成物の流れ性が増加し、モールディング部材上に導電体層を形成する時に、コーティング組成物が基板の最下段部までコーティングしてしまうため好ましくなく、１５，０００超過の場合、コーティング組成物の流れ性が過度に抑制され、コーティング組成物が基板の最下段部まで形成しないため好ましくない。
【００４８】
図３を参照すれば、本発明の好ましい他の実施形態に係る電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法は、電子部品が実装された基板を提供する段階（Ｓ１０）、前記電子部品および基板上にモールディング部材を形成する段階（Ｓ２０）、前記モールディング部材上に磁性体層を形成する段階（Ｓ３０）、および前記磁性体層上に導電体層を形成する段階（Ｓ４０）を含む。
【００４９】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含むことを特徴とし、使用される第１バインダー樹脂および磁性粒子は、前述のものと同一である。
【００５０】
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含むことを特徴とし、使用される第２バインダー樹脂および導電性粒子は、前述のものと同一である。
【００５１】
より具体的には、導電体層を形成する物質は、導電性粒子、バインダー樹脂、添加剤および溶剤である。溶剤は、導電体層が硬化される場合には消滅するようになる。
【００５２】
バインダー樹脂は、フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）である導電性粒子と、素地（導電体層が形成される物質）との間での付着性を付与する役割を果たし、最終形成される導電体層の物性を左右する。フィラーは、主に電気伝導性および電磁波遮蔽機能を遂行する。
【００５３】
電磁波遮蔽のための導電体層の電気伝導機構は、主に導電性粒子の物理的接触によって形成され、導電体層の電気伝導度に影響を与える因子は、フィラーの種類、形態および大きさ分布、含量などである。
【００５４】
フィラーは、接触面が小さい場合に低い抵抗値を示し、フレーク（ｆｌａｋｅ）形態の物質では、粒子間の接触が大きくなるので、本実施形態では導電性に優れたフレーク形態の銀を使用することが好ましい。
【００５５】
溶剤は、バインダー樹脂を溶解させて適切な付着性の導電体層を形成可能にすることが重要である。このために、溶剤は、溶解力が弱いアルコール、脂肪族炭化水素系溶剤、または溶解力が強いエステル、ケトン、芳香族炭化水素系溶剤をバランスよく組み合わせることが好ましい。
【００５６】
前記磁性体層または導電体層は、スパッタリング、プレーティング、スプレー、または遮蔽テープによって形成されることを特徴とする。
【００５７】
また、前記磁性体層または導電体層は、スプレー噴射によって形成されることが好ましい。
【００５８】
前記磁性体層または導電体層をスプレー噴射によって形成する場合、スプレー噴射コーティング法は、電子部品（半導体素子など）が実装された基板の側面に形成された接地電極と導電体層との間の通電が円滑に行われるように、導電体層の厚さおよび粘度、位置による側面部の厚さを容易に調節しながら形成することが可能なためである。
【００５９】
スプレー噴射による磁性体層または導電体層の形成時において、スプレー噴射のためのシリンジ内部吐出圧力は、０．５ｐｓｉ〜４ｐｓｉ（すなわち、３．４５ｋＰａ〜２７．５８ｋＰａ）であるのが好ましい。
【００６０】
また、スプレー噴射と共に側面部にエアーを噴射することができ、この時、側面エアー噴射圧力は、２０ｐｓｉ〜６０ｐｓｉ（すなわち、１３７．９ｋＰａ〜４１３．７ｋＰａ）であるのが好ましい。
【００６１】
側面部にエアーを噴射することにより、シリンジから吐出された噴射物の液滴を細かく砕くための機能を付与することができる。
【００６２】
また、スプレー噴射のためのスプレーヘッドスピードは、２００ｍｍ/ｓ〜４００ｍｍ/ｓであるのが好ましい。
【００６３】
また、スプレーヘッドノズル内径は、２５０μｍ〜４５０μｍに維持することが好ましく、スプレー時、基板に形成される円の直径は１０ｍｍ〜３０ｍｍに管理することが好ましく、スプレーヘッド高さは８０〜１００ｍｍとすることが好ましい。
【００６４】
前記スプレー噴射による導電体層形成時、スプレー噴射のための金属粉末、バインダー樹脂および溶剤の混合比は、質量比で、金属粉末およびバインダーを合わせた固形分を１００として、溶剤を８０〜１２０にすることを特徴とする。
【００６５】
ここで、溶剤の割合が８０未満である場合、混合溶液の粘度が高く、流れ性が低い状態であるので、膜形成のためのスプレー作業時に均一な膜質を得にくく好ましくない。溶剤の割合が１２０を超過する場合、溶液の粘度が過度に低く、電子部品が実装された基板の下端部位に付いた溶液によってフィレット（ｆｉｌｌｅｔ）が形成され、バー（ｂｕｒｒ）を発生するため好ましくない。
【００６６】
本発明では、電子部品が実装された電子部品パッケージに磁性体層および導電体層を共に形成することによって、すなわち、電磁波を消滅させず単純に反射させる役割を果たす導電体層と、電磁波を吸収する磁性体層とを並行して形成することによって、電磁波遮蔽をより効率的に達成することができる。
【００６７】
また、電磁波遮蔽のために２重層を形成することは、発生する周波数の範囲とも関連がある。これは、１ＭＨｚ以上の高周波帯域の場合には導電性遮蔽膜（導電体層）の反射効率が優れるが、１ＭＨｚ以下の低周波帯域の場合には磁性遮蔽膜（磁性体層）による吸収効率がさらに優れるためである。
【００６８】
したがって、磁性体層および導電体層の２重層（ｄｏｕｂｌｅ  ｌａｙｅｒ）構造を有する電子部品パッケージは、より広い周波数範囲の電磁波の遮蔽を達成することができる。
【００６９】
本発明は、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形および均等な他の実施形態を実現可能であるという点が理解できる。従って、本発明の真正の技術的な保護範囲は、添付された特許請求の範囲の技術的な思想によって決められなければならない。
【符号の説明】
【００７０】
１０      電子部品
２０      基板
２５      接地電極
３０      モールディング部材
４０      磁性体層
５０      導電体層
１００    電子部品パッケージ
【図１】
2018078263.tif 000003
【図２】
2018078263.tif 000004
【図３】
2018078263.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装された基板と、
前記基板および電子部品上に形成されたモールディング部材と、
前記モールディング部材上に形成された磁性体層と、
前記磁性体層上に形成された導電体層と、
を含み、
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含み、
前記導電性粒子は、銀、銅、アルミニウムおよびその合金、炭素系物質からなる群より選択された少なくとも一つであり、
前記第２バインダー樹脂は、数平均分子量が１，５００以上１０，０００未満の範囲であることを特徴とする、電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含み、
前記磁性粒子は、鉄、コバルト、ニッケル、ニッケル合金、ステンレススチール、フェライト、およびパーマロイからなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記基板の側面に埋込まれた形態で形成され、基板の側面外部に露出面がある接地電極をさらに含み、
前記導電体層と前記接地電極とは、接触していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージ。
【請求項４】
電子部品が実装された基板を提供する段階と、
前記電子部品および基板上にモールディング部材を形成する段階と、
前記モールディング部材上に磁性体層を形成する段階と、
前記磁性体層上に導電体層を形成する段階と、
を含み、
前記導電体層は、第２バインダー樹脂および導電性粒子を含み、
前記第２バインダー樹脂の数平均分子量は、１，５００以上１０，０００未満であることを特徴とする、電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記磁性体層は、第１バインダー樹脂および磁性粒子を含むことを特徴とする、請求項４に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記磁性体層または導電体層の形成は、スパッタリングによって行われることを特徴とする、請求項４又は５に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記磁性体層または導電体層の形成は、スプレー噴射によって行われることを特徴とする、請求項４又は５に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記スプレー噴射によって磁性体層または導電体層を形成する場合、スプレー噴射物中の導電性粒子、バインダー樹脂および溶剤の混合比は、質量比で、金属粒子およびバインダー樹脂を合わせた固形分を１００とするとき、溶剤が８０〜１２０であることを特徴とする、請求項７に記載の電磁波遮蔽用電子部品パッケージの製造方法。