(57)【要約】【課題】差圧センサチップ内に圧力伝達物質を確実に導入する。【解決手段】本発明に係る差圧センサチップの製造方法は、第１および第２圧力導入孔２１＿１，２１＿２と、第１および第２圧力導入孔を覆って形成された第１および第２ダイアフラム２３＿１，２３＿２と、第１および第２ダイアフラムを挟んで第１および第２圧力導入孔と夫々対面配置された凹状の第１および第２ストッパ部２４＿１，２４＿２と、第１ストッパ部と第１ダイアフラムとの間の部屋と第２ストッパ部と第２ダイアフラムとの間の部屋とを連通させる第１連通路２５と、一端が開口し他端が対応する上記部屋に夫々連結した第１および第２オイル導入路とを有する半導体チップを形成するステップと、第１および第２オイル導入路の何れか一方の開口部から圧力伝達物質を導入するステップと、第１および第２オイル導入路の一端を封止するステップとを含む。【選択図】図１
2018159595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測対象の流体の圧力差を検出する差圧センサチップの製造方法であって、
第１ダイアフラムおよび第２ダイアフラムと、前記第１ダイアフラムに設けられ、前記計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第１ひずみゲージと、前記第２ダイアフラムに設けられ、前記計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第２ひずみゲージと、前記第１ダイアフラムに圧力を導入するように構成された第１圧力導入孔と、前記第２ダイアフラムに圧力を導入するように構成された第２圧力導入孔と、前記第１ダイアフラムを挟んで前記第１圧力導入孔に対面配置され、前記第１ダイアフラムと離間して形成された第１ストッパ部と、前記第２ダイアフラムを挟んで前記第２圧力導入孔に対面配置され、前記第２ダイアフラムと離間して形成された第２ストッパ部と、前記第１ダイアフラムと前記第１ストッパ部との間の第１部屋と、前記第２ダイアフラムと前記第２ストッパ部との間の第２部屋と、前記第１部屋と前記第２部屋とを連通する第１連通路と、圧力伝達物質を導入するための一端と、前記第１部屋に接続された他端とを有する第２連通路と、前記圧力伝達物質を導入するための一端と、前記第２部屋に接続された他端とを有する第３連通路とを有する半導体チップを形成する第１ステップと、
前記第２連通路の前記一端または前記第３連通路の前記一端から、圧力伝達物質を導入する第２ステップと、
前記第２ステップの後に、前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端を封止する第３ステップと、を含む
差圧センサチップの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の差圧センサチップの製造方法において、
前記第２ステップは、前記第２連通路および前記第３連通路の何れか一方の前記一端から導入された前記圧力伝達物質が他方の前記一端から溢れ出るまで、前記圧力伝達物質を導入するステップを含む
ことを特徴とする差圧センサチップの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の差圧センサチップの製造方法において、
前記半導体チップは、
第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面と、夫々前記第１主面と前記第２主面とに開口する前記第１圧力導入孔および前記第２圧力導入孔とを有する第１基部と、
前記第１圧力導入孔および前記第２圧力導入孔を覆って前記第１基部の前記第２主面上に配置され、前記２主面と垂直な方向から見て前記第１圧力導入孔と重なる領域が前記第１ダイアフラムとして機能するとともに、前記第２圧力導入孔と重なる領域が前記第２ダイアフラムとして機能する半導体膜と、
第３主面と、前記第３主面に形成された凹部としての前記第１ストッパ部および前記第２ストッパ部と、前記第１ストッパ部と前記第２ストッパ部とを連通する前記第１連通路と、一端が前記第３主面以外の面に開口し、他端が前記第１ストッパ部に接続された前記第２連通路と、一端が前記第３主面以外の面に開口し、他端が前記第２ストッパ部に接続された前記第３連通路とを含み、前記第３主面が前記第３主面に垂直な方向から見て、前記第１ストッパ部の少なくとも一部が前記第１ダイアフラムと重なり、且つ前記第２ストッパ部の少なくとも一部が前記第２ダイアフラムと重なった状態で、前記第１基部の前記第２主面の前記半導体膜上に配置された第２基部と、を有する
ことを特徴とする差圧センサチップの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の差圧センサチップの製造方法において、
前記第２基部は、前記第３主面と反対側の第４主面を更に有し、
前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端は、前記第４主面に夫々開口している
ことを特徴とする差圧センサチップの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の差圧センサチップの製造方法において、
前記第２基部は、前記第３主面と垂直な側面を有し、
前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端は、前記側面に夫々開口している
ことを特徴とする差圧センサチップの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の差圧センサチップの製造方法において、
前記第２基部は、前記第３主面と反対側の第４主面と、前記第３主面と垂直な側面とを更に有し、
前記第２連通路の前記一端は、前記側面に開口し、
前記第３連通路の前記一端は、前記第４主面に開口している
ことを特徴とする差圧センサチップの製造方法。
【請求項７】
第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面と、夫々前記第１主面と前記第２主面とに開口する第１圧力導入孔および第２圧力導入孔とを有する第１基部と、
前記第１基部の前記第２主面上に設けられた半導体膜と、
第３主面、および前記第３主面と反対側の第４主面とを有し、前記第３主面が前記半導体膜上に接合された第２基部と、を有し、
前記半導体膜は、
前記第１基部の前記第２主面上に設けられ、前記第１圧力導入孔の一端を覆うように構成された第１ダイアフラムと、
前記第１基部の前記第２主面上に設けられ、前記第２圧力導入孔の一端を覆うように構成された第２ダイアフラムと、
前記第１ダイアフラムに設けられ、計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第１ひずみゲージと、
前記第２ダイアフラムに設けられ、前記計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第２ひずみゲージと、を含み、
前記第２基部は、
前記第３主面の前記第１ダイアフラムを挟んで前記第１圧力導入孔と対面する位置に形成され、前記第１ダイアフラムとともに第１部屋を形成する第１凹部と、
前記第３主面の前記第２ダイアフラムを挟んで前記第２圧力導入孔と対面する位置に形成され、前記第２ダイアフラムとともに第２部屋を形成する第２凹部と、
前記第１部屋と前記第２部屋とを連通する第１連通路と、
一端が前記第３主面以外の面に開口し、他端が前記第１ストッパ部に接続された第２連通路と、
一端が前記第３主面以外の面に開口し、他端が前記第２ストッパ部に接続された第３連通路とを有する
差圧センサチップ。
【請求項８】
請求項７に記載の差圧センサチップにおいて、
前記第２基部は、前記第３主面と反対側の第４主面を更に有し、
前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端は、前記第４主面に夫々開口している
ことを特徴とする差圧センサチップ。
【請求項９】
請求項７に記載の差圧センサチップにおいて、
前記第２基部は、前記第３主面と垂直な側面を更に有し、
前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端は、前記側面に夫々開口している
ことを特徴とする差圧センサチップ。
【請求項１０】
請求項７に記載の差圧センサチップにおいて、
前記第２基部は、前記第３主面と反対側の第４主面と、前記第３主面と垂直な側面とを更に有し、
前記第２連通路の前記一端は、前記第４主面に開口し、
前記第３連通路の前記一端は、前記側面に開口している
ことを特徴とする差圧センサチップ。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れか一項に記載の差圧センサチップにおいて、
前記第１部屋、前記第２部屋、前記第１連通路、前記第２連通路、および前記第３連通路に充填された圧力伝達物質と、
前記第２連通路の前記一端および前記第３連通路の前記一端を夫々封止する封止部材と、を更に有する
ことを特徴とする差圧センサチップ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の差圧センサチップと、
第５主面と、前記第５主面と反対側の第６主面と、夫々前記第５主面と前記第６主面とに開口する第１流体圧力導入孔および第２流体圧力導入孔とを有する基台と、
前記基台の前記第５主面上に設けられ、前記第１流体圧力導入孔の一端を覆う第３ダイアフラムと、
前記基台の前記第５主面上に設けられ、前記第２流体圧力導入孔の一端を覆う第４ダイアフラムと、
第７主面と、前記第７主面と反対側の第８主面と、夫々前記第７主面および前記第８主面に開口する第１貫通孔および第２貫通孔とを有し、前記第７主面が前記基台上に固定され、前記第８主面が前記第１基部の前記第１主面に接合されて、前記差圧センサチップを支持する支持基板と、を備え、
前記第１流体圧力導入孔と前記第１貫通孔とが連通し、
前記第２流体圧力導入孔と前記第２貫通孔とが連通している、
ことを特徴とする差圧発信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２以上の流体圧力の差を検出する差圧センサチップ、上記差圧センサチップを用いた差圧発信器、および上記差圧センサチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種プロセス系において２以上の流体圧力の差を計測する機器として、差圧発信器（差圧伝送器）が知られている。
差圧発信器の一形態として、半導体膜から成る第１のダイアフラムと第２のダイアフラムとを有し、夫々のダイアフラムに加えられた圧力差をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に変換し、その抵抗値の変化に基づく電気信号を圧力の計測結果として出力するものがある。
【０００３】
差圧発信器としては、例えば、半導体チップ内に、ピエゾ抵抗素子が形成された半導体膜から成る第１のダイアフラムと第２のダイアフラムとが平面方向に並んで形成されるとともに、夫々のダイアフラムの直上に形成された２つの部屋を連通路によって互いに空間的に接続した構造のセンサチップを用いたダイアフラム並列配置型の差圧発信器が知られている（例えば、特許文献１，２を参照）。
【０００４】
ダイアフラム並列配置型の差圧発信器では、一般に、一方のダイアフラムに加えられた圧力を他方のダイアフラムに伝達させるために、２つの部屋および連通路を、圧力伝達物質（オイル）で満たしている。
このオイルの封入方法としては、真空ポンプを用いて、オイルを封入すべき空間内のガスを排出して真空状態にした後で、上記空間内にオイルを導入する手法が従来から知られている（例えば、特許文献３を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５３−２０９５６号公報
【特許文献２】特開平５−２２９４９号公報
【特許文献３】特開平１０−３００６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、差圧発信器のセンサチップに封入されたオイルは、センサチップの周囲環境の変化によって膨張または収縮する。例えば、温度が−４０℃〜１１０℃の範囲で変化したとき、センサチップ内のダイアフラムは、検出対象の流体から圧力が加わっていない場合であっても、オイルの膨張または収縮によって変形する。このようにオイルの膨張または収縮が原因でダイアフラムが変形した状態において、ダイアフラムに検出対象の流体から圧力が加わった場合、差圧発信器としての圧力の検出感度の低下のおそれや、ダイアフラムに過大な応力が発生することによるダイアフラムの破壊のおそれがある。
【０００７】
したがって、センサチップ内に導入されたオイルの熱による膨張または収縮の影響を受け難くするためには、センサチップに封入するオイルの量を可能な限り少なくすることが望ましい。
【０００８】
そこで、本願発明者らは、半導体チップ内部に導入するオイル量をできるだけ少なくするとともにオイルの注入を容易にするために、新たな構造を有するダイアフラム並列配置型の差圧センサチップを作製することを検討した。具体的には、図６Ａに示すように、２つのダイアフラムに夫々対応する２つの部屋を連通させる連通路の径を可能な限り小さくするとともに、上記２つの部屋および連通路に接続したオイル導入路の開口を広く形成した構造を有する差圧センサチップ２Ｘを作製することを検討した。
【０００９】
しかしながら、この差圧センサチップ２Ｘでは、以下に示す課題があることが、本願発明者らの検討により明らかとなった。
【００１０】
一般に、センサチップ内へのオイルの導入は、上記特許文献３に示されるように、真空状態において行われる。具体的には、センサチップを真空チャンバー内に配置し、真空チャンバー内に存在する空気を排気することにより、センサチップ内の２つの部屋、連通路、およびオイル導入孔を高真空状態にした上で、オイル導入孔からオイルを導入する。
【００１１】
しかしながら、真空状態にすべき流路内に径（断面積）の小さい箇所（以下、「極小流路」とも称する。）が存在する場合、極小流路中を気体が流れるときに生ずる抵抗（排気抵抗）が大きくなる。この場合には、流路全体を真空状態にするために、長時間の真空引きが必要となる。しかしながら、真空引きによって流路全体を十分に排気することができなかった場合、流路内に残存ガスや真空溜まりが発生するおそれがある。例えば、センサチップ２Ｘの場合、オイル導入路５６および連通路５５の径が十分に小さいため、図６Ｂに示すように、真空引きによって２つの部屋５８＿１，５８＿２内を十分に排気することができず、部屋５８＿１，５８＿２内に残存ガスや真空溜まりが発生し、部屋５８＿１，５８＿２を完全にオイルで満たすことができない。その結果、センサチップ２Ｘを用いた最終製品としての差圧発信器は、圧力損失が大きくなるおそれがある。
【００１２】
なお、特許文献１には、夫々のダイアフラムに対応する各部屋に接続したオイル導入路を形成した構造のセンサチップが開示されているが、各部屋へのオイルの導入方法の具体的な説明や、上述した課題については記載されていない。
【００１３】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ダイアフラム並列配置型の差圧センサチップ内に圧力伝達物質を確実に導入することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る、計測対象の流体の圧力差を検出する差圧センサチップの製造方法は、第１ダイアフラム（２３＿１）および第２ダイアフラム（２３＿２）と、第１ダイアフラムに設けられ、計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第１ひずみゲージ（２３０＿１）と、第２ダイアフラムに設けられ、計測対象の流体の圧力を検出するように構成された第２ひずみゲージ（２３０＿２）と、第１ダイアフラムに圧力を導入するように構成された第１圧力導入孔（２１＿１）と、第２ダイアフラムに圧力を導入するように構成された第２圧力導入孔（２１＿２）と、第１ダイアフラムを挟んで第１圧力導入孔に対面配置され、第１ダイアフラムと離間して形成された第１ストッパ部（２４＿１）と、第２ダイアフラムを挟んで第２圧力導入孔に対面配置され、第２ダイアフラムと離間して形成された第２ストッパ部（２４＿２）と、第１ダイアフラムと第１ストッパ部との間の第１部屋（２８＿１）と、第２ダイアフラムと第２ストッパ部との間の第２部屋（２８＿２）と、第１部屋と第２部屋とを連通する第１連通路（２５）と、圧力伝達物質（２７）を導入するための一端と、第１部屋に接続された他端とを有する第２連通路（２６＿１）と、圧力伝達物質を導入するための一端と、第２部屋に接続された他端とを有する第３連通路（２６＿２）とを有する半導体チップ（２）を形成する第１ステップ（図３Ａ〜図３Ｈ）と、第１オイル導入路および第２オイル導入路の何れか一方の開口した一端から圧力伝達物質を導入する第２ステップ（図４Ａ〜図４Ｃ）と、第２ステップの後に、第１オイル導入路および第２オイル導入路の開口した夫々の一端を封止する第３ステップ（図４Ｄ）とを含むことを特徴とする。
【００１５】
上記差圧センサチップの製造方法において、第２ステップは、第２連通路および第３連通路の何れか一方の一端から導入された圧力伝達物質が他方の一端から溢れ出るまで、圧力伝達物質を導入するステップを含む（図４Ｃ）を含んでもよい。
【００１６】
上記差圧センサチップの製造方法において、半導体チップは、第１主面（２０ａ）および第１主面と反対側の第２主面（２０ｂ）と、夫々第１主面と第２主面とに開口する第１圧力導入孔および第２圧力導入孔とを含む第１基部（２０）と、第１圧力導入孔および第２圧力導入孔を覆って第１基部の第２主面上に配置され、第２主面と垂直な方向から見て第１圧力導入孔と重なる領域が第１ダイアフラムとして機能するとともに、第２圧力導入孔と重なる領域が第２ダイアフラムとして機能する半導体膜（２３）と、第３主面（２２ａ）と、第３主面に形成された凹部としての第１ストッパ部および第２ストッパ部と、第１ストッパ部と第２ストッパ部とを連通する第１連通路と、一端が第３主面以外の面に開口し、他端が第１ストッパ部に接続された第２連通路と、一端が第３主面以外の面に開口し、他端が第２ストッパ部に接続された第３連通路とを含み、第３主面が第３主面に垂直な方向から見て、第１ストッパ部の少なくとも一部が第１ダイアフラムと重なり、且つ第２ストッパ部の少なくとも一部が第２ダイアフラムと重なった状態で、第１基部の第２主面の半導体膜上に配置された第２基部（２２）とを有していてもよい。
【００１７】
上記差圧センサチップの製造方法において、第２基部は、第３主面と反対側の第４主面（２２ｂ）を更に有し、第２連通路の一端（２６＿１ａ）および第３連通路の一端（２６＿２ａ）は、第４主面に夫々開口していてもよい。
【００１８】
上記差圧センサチップの製造方法において、第２基部は、第３主面と垂直な側面（２２ｃ，２２ｄ）を有し、第２連通路の一端（２６Ａ＿１）および第３連通路の一端（２６Ａ＿２）は、側面に夫々開口していてもよい。
【００１９】
上記差圧センサチップの製造方法において、第２基部は、第３主面と反対側の第４主面（２２ｂ）と、第３主面と垂直な側面（２２ｃ）とを更に有し、第２連通路の一端（２６Ｂ＿１）は側面に開口し、第３連通路の一端（２６Ｂ＿２）は、第４主面に開口していてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ダイアフラム並列配置型の差圧センサチップ内に圧力伝達物質を確実に導入することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態に係る差圧センサチップを備えた差圧発信器の構成を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、差圧センサチップのオイル導入路周辺の模式的な構造を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、差圧センサチップのオイル導入路周辺の模式的な構造を示す上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、差圧センサチップの製造方法におけるオイル封入工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、差圧センサチップの製造方法におけるオイル封入工程を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、差圧センサチップの製造方法におけるオイル封入工程を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、差圧センサチップの製造方法におけるオイル封入工程を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、オイル導入路の第１の例を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、オイル導入路の第２の例を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、オイル導入路の第３の例を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、オイル導入路の第３の例を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本願発明者らが本発明に先立って検討した先行検討例に係る差圧センサチップの模式的な構造を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示した差圧センサチップにオイルを導入したときの状態を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、繰り返しの説明を省略する。
【００２３】
≪実施の形態≫
図１は、本発明の一実施の形態に係る差圧センサチップを備えた差圧発信器の構成を示す図である。同図には、本実施の形態に係る差圧発信器１００の断面形状が模式的に示されている。
図１に示される差圧発信器１００は、感圧素子が形成された半導体膜から成る第１のダイアフラムと第２のダイアフラムとが平面方向に並んで形成されるとともに、夫々のダイアフラムの直上に形成された２つの部屋を連通路によって互いに空間的に接続した構造のダイアフラム並列配置型のセンサチップを用いた差圧発信器である。
【００２４】
差圧発信器１００は、計測対象の流体の差圧を検出するための主な機能部として、差圧センサチップ２、支持基板３、ダイアフラムベース１、および中継基板４を有している。以下、上記機能部について詳細に説明する。
【００２５】
なお、本実施の形態では、差圧発信器１００を構成する全ての機能部のうち、流体の差圧を検出するための主な機能部について詳細に説明し、それ以外の機能部、例えば、差圧センサチップ２によって検出された圧力に応じた電気信号に基づいて各種の信号処理を行う信号処理回路や、信号処理回路による信号処理結果に基づく各種情報を出力する表示装置等の機能部についての詳細な説明および図を省略する。
【００２６】
（１）差圧センサチップ２
差圧センサチップ２は、計測対象の流体の圧力差を検出する半導体チップである。
差圧センサチップ２は、例えば、第１基部２０と第２基部２２とが、ダイアフラムを構成する半導体膜２３を挟んで接合された構造を有している。
【００２７】
第１基部２０は、例えばシリコンから構成されている。第１基部２０には、後述するダイアフラムベース１および支持基板３を介して、計測対象の流体の一方の圧力を導入するための圧力導入孔２１＿１と、計測対象の流体の他方の圧力を導入するための圧力導入孔２１＿２とが形成されている。
【００２８】
圧力導入孔２１＿１，２１＿２は、第１基部２０の主面２０ａとその反対側の主面２０ｂとを貫通する貫通孔である。圧力導入孔２１＿１と圧力導入孔２１＿２とは、第１基部２０の主面２０ａ，２０ｂにおいて、平面方向に離間して形成されている。
【００２９】
半導体膜２３は、第１基部２０の主面２０ｂ上に、少なくとも圧力導入孔２１＿１，２１＿２を覆って形成されている。半導体膜２３は、例えばシリコンから構成されている。
【００３０】
半導体膜２３のうち、圧力導入孔２１＿１および圧力導入孔２１＿２を覆う領域は、夫々ダイアフラムとして機能する。以下、半導体膜２３の圧力導入孔２１＿１を覆う領域をダイアフラム２３＿１と称し、半導体膜２３の圧力導入孔２１＿２を覆う領域をダイアフラム２３＿２と称する。
【００３１】
半導体膜２３は、圧力導入孔２１＿１，２１＿２側から計測対象の流体に基づく圧力を受ける受圧面と、受圧面の反対側の面とを有している。上記受圧面の反対側の面側の半導体膜２３内には、ダイアフラム２３＿１，２３＿２に加わった圧力を検出するための感圧素子としてのひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２が形成されている。
【００３２】
ひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２は、例えば、複数のピエゾ抵抗素子を含む。複数のピエゾ抵抗素子は、ブリッジ回路を構成している。上記ブリッジ回路は、一定の電流が流れている状態においてダイアフラム２３＿１，２３＿２に応力が発生したとき、その応力による各ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を電圧の変化として出力する差圧検出部として機能する。
【００３３】
上記ブリッジ回路における各ノードは、半導体膜２３の受圧面の反対側の面に形成された配線パターンを介して、同じく受圧面の反対側の面に形成された複数の電極パッド２９に夫々接続されている。
【００３４】
第２基部２２は、例えばシリコンから構成されている。第２基部２２は、半導体膜２３を介して第１基部２０上に固定されている。具体的には、第２基部２２の主面２２ａが、半導体膜２３の第１基部２０と接合されていない面に接合されている。
【００３５】
第２基部２２には、凹部２４＿１，２４＿２と、連通路２５，２６＿１，２６＿２とが形成されている。
【００３６】
凹部２４＿１，２４＿２は、第１基部２０の圧力導入孔２１＿１，２１＿２からダイアフラム２３＿１，２３＿２に圧力が加わってダイアフラム２３＿１，２３＿２が撓んだ場合に、ダイアフラム２３＿１，２３＿２が凹部２４＿１，２４＿２に着床することにより、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の一方向への変形を制限する機能部である。これにより、ダイアフラム２３＿１，２３＿２に過大圧が加わることによるダイアフラム２３＿１，２３＿２の破壊を防止することが可能となる。以下、凹部２４＿１，２４＿２を、「ストッパ部２４＿１，２４＿２」とも称する。
【００３７】
具体的に、ストッパ部２４＿１，２４＿２は、第２基部２２の半導体膜２３と接合する主面２２ａに、その主面２２ａと垂直な方向（Ｚ方向）に形成された窪みである。ストッパ部２４＿１は、ダイアフラム２３＿１を挟んで圧力導入孔２１＿１と対面配置され、ストッパ部２４＿２は、ダイアフラム２３＿２を挟んで圧力導入孔２１＿２と対面配置されている。ストッパ部２４＿１，２４＿２を構成する凹部は、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の変位に沿った曲面（例えば、非球面）を有している。
【００３８】
ストッパ部２４＿１，２４＿２とダイアフラム２３＿１，２３＿２との間には、空間が夫々形成されている。以下、ストッパ部２４＿１とダイアフラム２３＿１との間に形成される空間を部屋２８＿１と称し、ストッパ部２４＿２とダイアフラム２３＿２との間に形成される空間を部屋２８＿２と称する。
【００３９】
部屋２８＿１と部屋２８＿２とは、連通孔２５によって連通している。すなわち、部屋２８＿１と部屋２８＿２とは、連通孔２５を通して空間的に接続されている。具体的に、連通路２５は、例えば、第２基部２２における主面２２ａにおいてストッパ部２４＿１とストッパ部２４＿２との間に形成された溝によって構成されている。当該溝の一端は、ストッパ部２４＿１としての主面２２ａに形成された一方の凹部と接続し、当該溝の他端は、ストッパ部２４＿２としての主面２２ａに形成された他方の凹部と接続している。
上記溝の側面および底面と半導体膜２３との間の空間が、部屋２８＿１と部屋２８＿２とを導通する連通孔２５となる。連通路２５は、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の一方に加わった圧力を、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の他方に伝達するための圧力連通路として機能する。以下、連通孔２５を「圧力連通路２５」とも称する。
【００４０】
第２基部２２における主面２２ａの反対側の主面２２ｂには、部屋２８＿１，２８＿２と夫々連通する連通路２６＿１，２６＿２が形成されている。連通路２６＿１，２６＿２は、部屋２８＿１，２８＿２、および圧力連通路２５内に圧力伝達物質を導入するための孔である。なお、連通路２６＿１，２６＿２の具体的な構造については後述する。
【００４１】
連通路２６＿１，２６＿２、圧力連通路２５、および部屋２８＿１，２８＿２は、圧力伝達物質２７によって満たされている。圧力伝達物質２７は、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の一方に加わった圧力を、連通路２５を介してダイアフラム２３＿１，２３＿２の他方に伝達するための物質である。圧力伝達物質２７としては、シリコーンオイルやフッ素オイル等を例示することができる。
【００４２】
本実施の形態では、一例として、圧力伝達物質２７が液体（例えばシリコーンオイル）であるものとし、圧力伝達物質２７を「オイル２７」と、連通路２６＿１，２６＿２を「オイル導入路２６＿１，２６＿２」とも称する。
【００４３】
封止部材７は、オイル導入路２６＿１，２６＿２から部屋２８＿１，２８＿２および圧力連通路２５にオイル２７が導入された後に、オイル導入路２６＿１，２６＿２の一端を夫々封止する機能部である。例えば、封止部材７は、オイル導入路２６＿１，２６＿２の開口部分に嵌め込んだ、球体状の金属部材（例えば、金錫（ＡｕＳｎ）や金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）を主成分とする合金から成る金属ボール）を溶解させて形成されている。
【００４４】
次に、オイル導入路２６の構造について詳細に説明する。
図２Ａ，２Ｂは、差圧センサチップ２のオイル導入路２６周辺の模式的な構造を示す断面図である。
図２Ａには、差圧センサチップ２のオイル導入路２６周辺の断面図が示されている。図２Ｂには、差圧センサチップ２のオイル導入路２６周辺の上面図が示されている。
なお、図２Ａ、図２Ｂでは、オイル２７を導入する前の第２基部２２の構造が図示されている。
【００４５】
図２Ａ，２Ｂに示されるように、オイル導入路２６＿１は、第２基部２２の主面２２ｂに一つの開口部２６ａ＿１を有するとともに部屋２８＿１（ストッパ部２４＿１）に接続している。同様に、オイル導入路２６＿２は、第２基部２２の主面２２ｂに一つの開口部２６ａ＿２を有するとともに部屋２８＿２に接続している。
【００４６】
具体的には、オイル導入路２６＿１は、第２基部２２の主面２２ｂに形成された開口部としての凹部２６０＿１と、凹部２６０＿１の底面と部屋２８＿１（ストッパ部２４＿１）とを連通する連通路２６１＿１とから構成されている。同様に、オイル導入路２６＿２は、第２基部２２の主面２２ｂに形成された開口部としての凹部２６０＿２と、凹部２６０＿２の底面と部屋２８＿２（ストッパ部２４＿２）とを連通する連通路２６１＿２とから構成されている。
図２Ａ，２Ｂに示されるように、凹部２６０＿１，２６０＿２および連通路２６１＿１，２６１＿２は、例えば、主面２２ｂに垂直な方向（Ｚ方向）から見て略円形に夫々形成されている。連通路２６１＿１は、その一端が凹部２６０＿１の底面に接続され、その他端がストッパ部２４＿１に接続されている。連通路２６１＿２は、その一端が凹部２６０＿２の底面に接続され、その他端がストッパ部２４＿２に接続されている。
【００４７】
凹部２６０＿１，２６０＿２の径をφ１、連通路２６１＿１，２６１＿２の径をφ２としたとき、φ２＜φ１である。
【００４８】
（２）支持基板３
支持基板３は、ダイアフラムベース１上で差圧センサチップ２を支持するとともに、ダイアフラムベース１と差圧センサチップ２とを絶縁するための基板である。支持基板３は、例えばガラス基板である。
【００４９】
支持基板３は、主面３ａとその反対側の主面３ｂとを貫通する貫通孔３０＿１，３０＿２が形成されている。貫通孔３０＿１と貫通孔３０＿２とは、主面３ａおよび主面３ｂにおいて平面方向に離間して形成されている。
【００５０】
支持基板３は、差圧センサチップ２と接合されている。具体的には、支持基板３の主面３ａに垂直な方向から見て、貫通孔３０＿１と圧力導入孔２１＿１とが重なりを有し、且つ貫通孔３０＿２と圧力導入孔２１＿２とが重なりを有している状態において、支持基板３の主面３ｂが第１基部２０の主面２０ａに接合されている。
【００５１】
ここで、例えば、第１基部２０がシリコン、支持基板３がガラスである場合には、第１基部２０の主面２０ａと支持基板３の主面３ｂとは陽極接合により接合される。
【００５２】
（３）ダイアフラムベース１
ダイアフラムベース１は、差圧センサチップ２を支持するとともに、計測対象の流体の圧力を差圧センサチップ２に導くための金属材料から成る基台である。上記金属材料としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）を例示することができる。
【００５３】
図１に示すように、ダイアフラムベース１は、主面１ａとその反対側の主面１ｂとを有する。
ダイアフラムベース１には、主面１ａと主面１ｂとを貫通する２つの貫通孔１１＿１，１１＿２が形成されている。図１に示されるように、貫通孔１１＿１，１１＿２は、主面１ａ側の開口部が主面１ｂ側の開口部よりも開口面積が広く形成されている。
【００５４】
貫通孔１１＿１の主面１ａ側の開口部は、計測対象の流体からの圧力を受けるためのダイアフラム１０＿１によって覆われている。同様に、貫通孔１１＿２の主面１ａ側の開口部は、計測対象の流体からの圧力を受けるためのダイアフラム１０＿２によって覆われている。ダイアフラム１０＿１，１０＿２は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）から構成されている。
【００５５】
以下、ダイアフラム１０＿１，１０＿２によって一方の開口部が覆われた貫通孔１１＿１，１１＿２を「流体圧力導入孔１１＿１，１１＿２」と夫々称する。
【００５６】
図１に示されるように、ダイアフラムベース１の主面１ｂ側には、支持基板３と接合された差圧センサチップ２が載置されて固定されている。具体的には、支持基板３と接合された差圧センサチップ２は、Ｚ方向から見て、支持基板３の主面３ａに形成された貫通孔３０＿１，３０＿２と流体圧力導入孔１１＿１，１１＿２とが重なりを有する状態において、固定部材５Ａによってダイアフラムベース１の主面１ｂ上に固定される。
【００５７】
ここで、固定部材５Ａは、例えばフッ素系の接着剤である。
【００５８】
ダイアフラムベース１の主面１ｂの支持基板３（差圧センサチップ２）が接合されている領域以外の領域には、中継基板４が固定されている。中継基板４は、例えばエポキシ系の接着剤から成る固定部材６Ａによってダイアフラムベース１の主面１ｂ上に固定されている。
【００５９】
中継基板４は、上述した差圧センサチップ２に形成された複数のひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２（ピエゾ抵抗素子）によって構成されたブリッジ回路に電力を供給するための外部端子や、上記ブリッジ回路から電気信号を取り出すための外部端子等が形成された回路基板である。
具体的には、図１に示すように、中継基板４は、その一方の主面に形成された、上記外部出力端子としての複数の電極パッド４０を有している。複数の電極パッド４０は、例えば金（Ａｕ）等の金属材料から成るボンディングワイヤ８によって、差圧センサチップ２の主面２０ｂ上に形成された電極パッド２９と夫々接続されている。
【００６０】
また、中継基板４には、上記電極パッド４０の他に、複数の外部出力ピン（図示せず）が配設されるとともに、各電極パッド４０と各外部出力ピンとを電気的に接続する配線パターン（図示せず）が形成されている。これにより、差圧センサチップ２は、電極パッド２９、ボンディングワイヤ８、電極パッド４０、上記配線パターン、および上記外部出力ピンを介して、信号処理回路や電源回路等のその他の回路と電気的に接続される。
なお、信号処理回路や電源回路等は、中継基板４に配置されていてもよいし、中継基板４と上記外部出力ピンによって接続される別の回路基板（図示せず）に配置されていてもよい。
【００６１】
ダイアフラムベース１の流体圧力導入孔１１＿１，１１＿２と差圧センサチップ２の圧力導入孔２１＿１，２１＿２とは、支持基板３の貫通孔３０＿１，３０＿２を介して夫々連通されている。
【００６２】
ダイアフラムベース１の流体圧力導入孔１１＿１，１１＿２の内部と、支持基板３の貫通孔３０＿１，３０＿２の内部と、差圧センサチップ２の圧力導入孔２１＿１，２１＿２の内部は、圧力伝達物質１３で満たされている。圧力伝達物質１３としては、圧力伝達物質２７と同様に、シリコーンオイルやフッ素オイルを例示することができる。以下、圧力伝達物質１３を「オイル１３」とも称する。
【００６３】
オイル１３は、差圧発信器１００の製造工程において、ダイアフラムベース１に形成された流体圧力導入孔１１＿１，１１＿２と連通するオイル導入孔１４＿１，１４＿２から導入される。オイル導入孔１４＿１，１４＿２は、オイル１３が導入された後、封止部材（例えば、球状の金属材料）１５＿１，１５＿２によって夫々封止される。
【００６４】
（４）差圧発信器の動作
上述した構造を有する差圧発信器１００は、以下のように動作する。
例えば、計測対象の流体が流れるパイプラインに差圧発信器１００を実装する場合を考える。この場合、例えば、パイプラインの上流側（高圧側）の流体の圧力をダイアフラム１０＿１で検出し、下流側（低圧側）の流体の圧力をダイアフラム１０＿２で検出するように、差圧発信器１００をパイプラインに実装する。
【００６５】
この状態において、ダイアフラム１０＿１に流体の圧力が印加されると、ダイアフラム１０＿１が変位し、その変位に応じて圧力伝達物質１３が、流体圧力導入孔１１＿１から差圧センサチップ２の圧力導入孔２１＿１側に移動する。この圧力伝達物質１３の移動に応じた圧力が差圧センサチップ２のダイアフラム２３＿１に印加され、ダイアフラム２３＿１が変位する。
【００６６】
同様に、ダイアフラム１０＿２に流体の圧力が印加されると、ダイアフラム１０＿２が変位し、その変位に応じて圧力伝達物質２７が、流体圧力導入孔１１＿２から差圧センサチップ２の圧力導入孔２１＿２側に移動する。この圧力伝達物質２７の移動に応じた圧力が差圧センサチップ２のダイアフラム２３＿２に印加され、ダイアフラム２３＿２が変位する。
【００６７】
このとき、ダイアフラム２３＿１，２３＿２を挟んで圧力導入孔２１＿１，２１＿２に対面配置されている部屋２８＿１，２８＿２は、圧力連通路２５によって連通され、且つオイル２７によって満たされていることから、ダイアフラム２３＿１，２３＿２の一方の変位に伴うオイル２７の移動に応じた圧力が、圧力連通路２５を介してダイアフラム２３＿１，２３＿２の他方に印加される。
【００６８】
したがって、例えば、圧力導入孔２１＿１からダイアフラム２３＿１に印加される圧力が圧力導入孔２１＿２からダイアフラム２３＿２に印加される圧力よりも大きい場合、ダイアフラム２３＿２は、上記二つの圧力の差に応じた分だけ、図１の−Ｚ方向（支持基板３側）に変位する。一方、ダイアフラム２３＿１は、上記二つの圧力の差に応じた分だけ、図１の＋Ｚ方向（封止部材７側）に変位する。
【００６９】
これらのダイアフラム２３＿１，２３＿２の変位によってダイアフラム２３＿１，２３＿２に生じた応力がダイアフラム２３＿１，２３＿２に形成されたひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２に加わることにより、上記二つの圧力差に応じた電気信号が差圧センサチップ２から出力される。この電気信号は、上述した中継基板４を介して図示されない信号処理回路に入力され、当該信号処理回路が必要な信号処理を実行することにより、計測対象の流体の差圧の情報が得られる。この差圧の情報は、例えば、差圧発信器１００の表示装置（図示せず）に表示され、または、通信回線を介して外部機器に送信される。
【００７０】
（５）差圧センサチップ２の製造方法
次に、差圧センサチップ２の製造方法について説明する。
ここでは、一例として、半導体膜２３を介して第１基部２０と第２基部２２とを接合したチップを作製するチップ作製工程と、チップ作製工程で作製した半導体チップに圧力伝達物質としてのオイル２７を封入するオイル封入工程とに分けて説明する。
【００７１】
（ｉ）チップ作製工程
図３Ａ〜３Ｈは、差圧センサチップの製造方法におけるチップ作製工程を示す図である。
【００７２】
先ず、図３Ａに示すように、例えばシリコンから成る基板２２０にオイル導入路２６＿１の凹部２６０＿１とオイル導入路２６＿２の凹部２６０＿２を夫々形成する（ステップＳ０１）。具体的には、公知の半導体製造技術、例えばよく知られたフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によって、基板２２０を選択的に除去することにより、基板２２０の対向する２つの主面を貫通する、凹部２６０＿１，２６０＿２としての貫通孔を夫々形成する。
【００７３】
また、図３Ｂに示すように、基板２２０とは別の、例えばシリコンから成る基板２２１に、ストッパ部２４＿１，２４＿２と、圧力連通路２５と、オイル導入路２６＿１の連通路２６１＿１と、オイル導入路２６＿２の連通路２６１＿２とを形成する（ステップＳ０２）。具体的には、公知の半導体製造技術、例えばよく知られたフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によって、基板２２１を選択的に除去することにより、基板２２１の対向する２つの主面の一方に、圧力連通路２５の上面を構成する溝２５０とストッパ部２４＿１，２４＿２とを形成するとともに、基板２２１の上記２つの主面の他方に、ストッパ部２４＿１に連通する連通路２６１＿１としての貫通孔とストッパ部２４＿２に連通する連通路２６１＿２としての貫通孔を夫々形成する。
【００７４】
このとき、曲面を有するストッパ部２４＿１，２４＿２は、よく知られた、光の透過率を変化させたグレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術によって、基板２２１を選択的に除去することにより、形成することができる（例えば、特開２００５−６９７３６号参照）。
【００７５】
次に、図３Ｃに示すように、ステップＳ０１で加工した基板２２０とステップＳ０２で加工した基板２２１とを接合する（ステップＳ０３）。具体的には、公知の基板接合技術により、凹部２６０＿１としての貫通孔と連通路２６０＿１としての貫通孔とを接続させ、且つ凹部２６０＿２としての貫通孔と連通路２６０＿２としての貫通孔とを接続させた状態で、基板２２０と基板２２１とを接合させる。より具体的には、基板２２０の主面と垂直な方向（Ｚ方向）から見て、凹部２６０＿１と連通路２６１＿１とが同一軸線上に並び、且つ凹部２６０＿１と連通路２６１＿１とが同一軸線上に並んだ状態で、基板２２０と基板２２１とを接合する。これにより、第２基部２２が作製される。
【００７６】
次に、図３Ｄに示すように、基板２３１を、第１基部２２に接合する（ステップＳ０４）。ここで、基板２３１は、例えばシリコン基板である。基板２３１の一方の面側には、ひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２としてのピエゾ抵抗素子、ひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２等に電気的に接続するための配線パターン（図示せず）、および電極パッド２９が形成されている。
【００７７】
具体的にステップＳ０４では、公知の基板接合技術により、基板２３１における、ひずみゲージ２３０＿１，２３０＿２、配線パターン、および電極パッド２９が形成された面を、第２基部２２のストッパ部２４＿１，２４＿２および圧力連通路２５が形成された主面２２ａに接合する。
【００７８】
次に、図３Ｅに示すように、基板２３１の第２基部２２と接合された面の反対側の面を除去することにより、基板２３１の厚みを調整する（ステップＳ０５）。これにより、基板２３１は半導体膜２３となる。
【００７９】
また、図３Ｆに示すように、例えばシリコンから成る基板２００に、圧力導入孔２１＿１，２１＿２を形成する（ステップＳ０６）。具体的には、公知の半導体製造技術、例えばよく知られたフォトリソグラフィー技術やドライエッチング技術によって、基板２００を選択的に除去することにより、基板２００の対向する２つの主面を貫通する、圧力導入孔２１＿１，２１＿２としての２つの貫通孔を形成する。
これにより、第１基部２０が作製される。
【００８０】
次に、図３Ｇに示すように、ステップＳ０５において加工した半導体膜２３が接合された第２基部２２と、ステップＳ０６において作製された第１基部２０とを接合する（ステップＳ０７）。具体的には、公知の基板接合技術により、第２基部２２の積層方向（Ｚ方向）から見て圧力導入孔２１＿１とストッパ部２４＿１とが対面配置され、且つ圧力導入孔２１＿２とストッパ部２４＿２とが対面配置された状態で、半導体膜２３と第１基部２０（基板２００）の主面２０ｂとを接合する。
【００８１】
次に、図３Ｈに示されるようにステップＳ０６で作製されたチップと、貫通孔３０＿１，３０＿２が形成された例えばガラスから成る支持基板３とを接合する（ステップＳ０８）。具体的には、公知の陽極接合技術により、第２基部２２の積層方向（Ｚ方向）から見て、貫通孔３０＿１と圧力導入孔２１＿１とが重なりを有し、且つ貫通孔３０＿２と圧力導入孔２１＿２とが重なりを有する状態で、第１基部２０の主面２０ａを支持基板３に接合する。
以上の工程により、オイルが封入されていない、支持基板３が接合された差圧センサチップ２が作製される。
【００８２】
（ｉｉ）オイル封入工程
次に、差圧センサチップ２の製造方法におけるオイル封入工程について説明する。
図４Ａ〜４Ｆは、差圧センサチップ２の製造方法におけるオイル封入工程を示す図である。
【００８３】
先ず、図４Ａに示されるように、上述したチップ作製工程によって作製されたチップを用意する（ステップＳ１１）。
【００８４】
次に、図４Ｂに示されるように、ステップＳ１１で用意した差圧センサチップ２のオイル導入路２６＿１，２６＿２の開口部２６＿１ａ，２６＿２ａの何れか一方から、オイル２７を導入する（ステップＳ１２）。
【００８５】
ステップＳ１２のオイル導入工程は、図４Ｃに示されるように、一方のオイル導入路２６＿２の凹部２６０＿２から流し込まれたオイル２７が、他方のオイル導入路２６＿１の凹部２６０＿１から溢れ出るまで行われる。
【００８６】
次に、図４Ｄに示されるように、一方のオイル導入路２６＿２の凹部２６０＿２から流し込まれたオイル２７が、他方のオイル導入路２６＿１の凹部２６０＿１から溢れ出た状態において、オイル導入路２６＿１，２６＿２を夫々封止する（ステップＳ１３）。
具体的には、各オイル導入路２６＿１，２６＿２の凹部２６０＿１，２６０＿２に、例えば金錫（ＡｕＳｎ）を主成分とする合金から成る球体状の金属材料を嵌め込み、当該金属材料にレーザーを照射することにより、溶解させる。これにより、上記金属材料を加工した封止部材７によってオイル導入路２６＿１，２６＿２が夫々封止される。
【００８７】
以上の工程により、オイル２７が封止された差圧センサチップ２が作製される。
【００８８】
以上、本発明に係る差圧センサチップは、ダイアフラム並列配置型の差圧センサチップ２の２つのダイアフラム２３＿１，２３＿２に夫々対応する部屋２８＿１，２８＿２と圧力連通路２５にオイル２７を導入するための孔として、各部屋２８＿１，２８＿２に夫々連通するオイル導入路２６＿１，２６＿２が形成された構造を有している。
【００８９】
これによれば、上述したように、差圧センサチップの製造工程において一方のオイル導入路２６＿２からオイルを流し込むことにより、部屋２８＿２、圧力連通路２５、および部屋２８＿１に存在する残存ガスをオイルとともに、他方のオイル導入路２６＿１から追い出すことが可能となる。
【００９０】
特に、一方のオイル導入路２６＿１から導入したオイル２７が他方のオイル導入路２６＿２から溢れ出た後に、各オイル導入路２６＿１，２６＿２を封止部材７によって封止することにより、オイル導入路２６＿２から部屋２８＿２、圧力連通路２５、および部屋２８＿１を経由してオイル導入路２６＿１に至る流路が確実にオイル２７で満たされた状態で、各オイル導入路２６＿１，２６＿２を封止することが可能となる。
【００９１】
これによれば、本発明に係るダイアフラム並列配置型の差圧センサチップ２のように、極小流路が存在する場合であっても、残存ガスや真空溜まりが無く、且つ部屋２８＿１，２８＿２および圧力連通路２５を確実にオイル２７で満たすことが可能となる。
【００９２】
したがって、本発明に係る差圧センサチップを用いることにより、圧力損失の小さい差圧発信器を実現することが可能となる。また、本発明に係る差圧センサチップを用いることにより、必要十分な量の圧力伝達物質を差圧センサチップ内に封入することができるので、周囲環境の変化に基づく圧力の検出感度の低下のおそれやダイアフラムの破壊のおそれのない差圧発信器を実現することが可能となる。
【００９３】
また、一般に、圧力連通路２５のような極小流路にオイルを導入する場合には、流路内を高真空状態にすることが望ましい。これに対し、本発明に係る差圧センサチップの製造方法によれば、一方のオイル導入路２６＿２からオイル２７を注ぎ込むことにより、他方のオイル導入路２６から残存ガスを放出することが可能となるので、真空状態にすることなくオイルを確実に封入することが可能となる。
【００９４】
≪実施の形態の拡張≫
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９５】
例えば、上記実施の形態では、２つのオイル導入路２６＿１，２６＿２の開口部２６＿１ａ，２６＿２ａがダイアフラム２３＿１，２３＿２と反対側の主面２２ｂに形成される場合を例示したが、これに限られない。すなわち、オイル導入路２６＿１から部屋２８＿１、圧力連通路２５、および部屋２８＿２を通ってオイル導入路２６＿２に至る流路が形成されていればよく、オイル導入路２６＿１，２６＿２の開口部２６＿１ａ，２６＿２ａの位置は上記例に限定されるものではない。以下、具体例を示す。
【００９６】
図５Ａは、オイル導入路の第１の例を示す図である。
図５Ａに示される差圧センサチップ２Ａのように、オイル導入路２６Ａ＿１，２６Ａ＿２は、第２基部２２の主面２２ａ（２２ｂ）に垂直な側面２２ｃ，２２ｄに形成されていてもよい。例えば、オイル導入路２６Ａ＿１の開口部が第２基部２２の側面２２ｃに形成され、オイル導入路２６Ａ＿２の開口部が第２基部２２の側面２２ｄに形成されていてもよい。
【００９７】
図５Ｂは、オイル導入路の第２の例を示す図である。
図５Ｂに示される差圧センサチップ２Ｂのように、オイル導入路２６Ｂ＿１，２６Ｂ＿２は、夫々の開口部の位置、すなわちダイアフラム２３＿１，２３＿２からの高さ（Ｚ方向の高さ）が相違していてもよい。例えば、図５Ｂに示されるように、例えば、オイル導入路２６Ａ＿１の開口部が第２基部２２の側面２２ｃに形成され、オイル導入路２６Ａ＿２の開口部が第２基部２２の主面２２ｂに形成されていてもよい。
【００９８】
図５Ｃ，５Ｄは、オイル導入路の第３の例を示す図である。
図５Ｃには、オイル導入路の別の第３の例に係る差圧センサチップ２Ｃの模式的な断面構造（断面図）が示され、図５Ｄには、オイル導入路の別の第３の例に係る差圧センサチップ２Ｃの模式的な平面構造（上面図）が示されている。
図５Ｃ，５Ｄに示される差圧センサチップ２Ｃのように、オイル導入路２６Ｃ＿１の開口部２６＿１ｃの開口面積とオイル導入路２６＿２の開口面積は、互いに相違していてもよい。
【００９９】
ここで、オイル導入路２６Ｃ＿１の開口部２６＿１ｃの開口面積とは、凹部２６０＿１のＺ軸と垂直な方向の断面積であり、オイル導入路２６Ｃ＿２の開口部２６＿２ｃの開口面積とは、凹部２６０＿２のＺ軸と垂直な方向の断面積である。例えば、オイル導入路２６＿２からオイル２７を流し込む場合、オイル導入路２６＿２の開口部２６＿２ｃの開口面積を、オイル導入路２６＿１の開口部２６＿１ｃの開口面積よりも大きくしてもよい。これによれば、オイルの導入が更に容易となる。
【０１００】
また、封止部材７は、オイル導入路２６を封止することができるものであればよく、上記実施の形態に示したものに限定されない。例えば、封止部材７は、一端が開口し、他端が有底の筒状の金属材料（例えばステンレス鋼（ＳＵＳ））から構成されていてもよい。この場合、封止部材７は、封止部材７の開口した一端がオイル導入路２６＿１，２６＿２に挿入された状態で、エポキシ系の接着剤によって第２基部２２に固定される。
【０１０１】
また、上記実施の形態では、オイル導入路２６＿１，２６＿２、２６Ａ＿１，２６Ａ＿２，２６Ｂ＿１，２６Ｂ＿２，２６Ｃ＿１，２６Ｃ＿２を構成する凹部および連通路の断面が円形状である場合を例示したが、これに限られず、多角形状（例えば矩形状）であってもよい。
【０１０２】
また、上記実施の形態に係る差圧センサチップ２は、図１等に示した構造を有する差圧発信器１００のみならず、各種の構造を有する差圧発信器に適用できることは言うまでもない。すなわち、上記実施の形態で示した差圧発信器１００は、あくまで一例であり、差圧発信器として要求される仕様や用途等によって、ダイアフラムベース１を構成する材料や形状等が差圧発信器１００と異なる差圧発信器にも、本発明に係る差圧センサチップを適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１００…差圧発信器、１…ダイアフラムベース、１ａ，１ｂ…基台の主面、２，２Ａ〜２Ｃ…差圧センサチップ、３…支持基板、３ａ，３ｂ…支持基板の主面、４…中継基板、５Ａ、６Ａ…接着部材、７，７Ａ…封止部材、８…ボンディングワイヤ、１０＿１，１０＿２…ダイアフラム、１１＿１，１１＿２…流体圧力導入孔、１３…圧力伝達物質、１４＿１，１４＿２…オイル導入孔、１５＿１，１５＿２…金属ボール、２０…第１基部、２０ａ，２０ｂ…第１基部２０の主面、２１＿１，２１＿２…圧力導入孔、２２…第２基部、２２ａ，２２ｂ…第２基部２２の主面、２３…半導体膜、２３＿１，２３＿２…ダイアフラム、２４＿１，２４＿２…ストッパ部、２５…圧力連通路、２６＿１，２６＿２，２６Ａ＿１，２６Ａ＿２，２６Ｂ＿１，２６Ｂ＿２，２６Ｃ＿１，２６Ｃ＿２…オイル導入路、２６＿１ａ，２６＿２ａ…オイル導入路の開口部、２７…圧力伝達物質、２８＿１，２８＿２…部屋、２９，４０…電極パッド、３０＿１，３０＿２…貫通孔、２３０＿１，２３０＿２…ひずみゲージ、２６０＿１，２６０＿２，２６０Ａ＿１，２６０Ａ＿２，２６０Ｂ＿１，２６０Ｂ＿２，２６０Ｃ＿１，２６０Ｃ＿２…凹部、２６１＿１，２６１＿２，２６１Ａ＿１，２６１Ａ＿２，２６１Ｂ＿１，２６１Ｂ＿２，２６１Ｃ＿１，２６１Ｃ＿２，２６２Ｃ＿２…連通路。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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