(57)【要約】【課題】裏面および側面にゲッタリング層が形成されたデバイスチップを容易に製造することができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、複数のデバイスを覆いストリートを露出させるマスクを形成するマスク形成工程ＳＴ１と、マスクを介して表面側からプラズマ照射し溝を形成する溝形成工程ＳＴ２と、溝の側壁にゲッタリング用の膜を形成する側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３と、表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程ＳＴ４と、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化し複数のデバイスに個片化する個片化工程ＳＴ５と、個片化した複数のデバイスの裏面にゲッタリング層を形成する裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、
該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に該溝の側壁にゲッタリング用の膜を形成する側壁ゲッタリング層形成工程と、
該側壁ゲッタリング層形成工程後に、該ウエーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該ウエーハを薄化し複数のデバイスに個片化する個片化工程と、
該個片化した該複数のデバイスの裏面にゲッタリング層を形成する裏面ゲッタリング層形成工程と、を有するウエーハの加工方法。
【請求項２】
該裏面ゲッタリング層形成工程は、研削、乾式研磨、湿式研磨又はプラズマ照射により行われる請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該側壁ゲッタリング層形成工程で形成される膜は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はアモルファスシリコン膜である請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハをデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエーハを個々のデバイスに分割するにあたっては、水溶性のマスクをパターニングしストリートに対応する領域の基板を露出させ、プラズマ照射によりエッチングし個片化することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、薄化した後のウエーハの裏面の個々のデバイス領域に対応する位置にＳｉＮ膜を成膜しゲッタリング層として機能させることも行われている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８７０３５８１号公報
【特許文献２】特開２０１２−２３８７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来から表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にゲッタリング層を形成することが行われている。特許文献２に示されたウエーハの加工方法は、ＳｉＮ等の膜をスパッタ等により形成してゲッタリング層とする。しかしながら、特許文献２に示されたウエーハの加工方法を始め、従来の加工方法は、ウエーハを個々のデバイスに個片化して形成されるデバイスチップの側壁には、ゲッタリング層を形成することが困難であった。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、裏面および側面にゲッタリング層が形成されたデバイスチップを容易に製造することができるウエーハの加工方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さの溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程後に該溝の側壁にゲッタリング用の膜を形成する側壁ゲッタリング層形成工程と、該側壁ゲッタリング層形成工程後に、該ウエーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該ウエーハを薄化し複数のデバイスに個片化する個片化工程と、該個片化した該複数のデバイスの裏面にゲッタリング層を形成する裏面ゲッタリング層形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
該裏面ゲッタリング層形成工程は、研削、乾式研磨、湿式研磨又はプラズマ照射により行われても良い。
【０００９】
該側壁ゲッタリング層形成工程で形成される膜は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はアモルファスシリコン膜でも良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法は、裏面および側面にゲッタリング層が形成されたデバイスチップを容易に製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法によりウエーハから分割されたデバイスチップの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示されたウエーハの加工方法のマスク形成工程のレジストを塗布した状態を示す断面図である。
【図５】図５は、図３に示されたウエーハの加工方法のマスク形成工程のマスクを形成した状態を示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を示す断面図である。
【図７】図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程のゲッタリング用の膜を形成した状態を示す断面図である。
【図８】図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程のマスクを除去した状態を示す断面図である。
【図９】図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護部材貼着工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の個片化工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法の裏面ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の保護部材貼着工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す断面図である。
【図１５】図１５は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の裏面ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法によりウエーハから分割されたデバイスチップの斜視図である。
【００１４】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１に示すウエーハＷを加工する加工方法である。図１に示すウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板Ｓとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、基板Ｓの表面ＷＳに格子状に形成された複数のストリートＬによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスＤＶが形成されている。実施形態１に係るウエーハＷは、ストリートＬの幅が数十μｍ程度以下で、かつ一辺が０．１ｍｍ以上かつ２０ｍｍ以下の矩形状にデバイスＤＶが形成されて、プラズマエッチングによりデバイスチップＤＴに分割されるのが好適なものである。ウエーハＷは、表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに研削加工などが施されて基板Ｓが仕上がり厚さＴ（図２に示す）まで薄化されて、デバイスＤＶを含むデバイスチップＤＴに分割される。
【００１５】
デバイスチップＤＴは、図２に示すように、基板Ｓの一部とデバイスＤＶとを含んで構成され、基板Ｓの側面ＳＳ全体にゲッタリング層であるゲッタリング用の膜ＧＦが形成されているとともに、裏面ＷＲ全体にゲッタリング層ＧＬが形成されている。ゲッタリング用の膜ＧＦ及びゲッタリング層ＧＬは、金属汚染を引き起こす不純物を捕獲、固着する層である。ゲッタリング用の膜ＧＦは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）により構成されたシリコン窒化膜、酸化シリコン（ＳｉＯ２）により構成されたシリコン酸化膜、又はアモルファスシリコンにより構成されたアモルファスシリコン膜である。ゲッタリング層ＧＬは、ウエーハＷの裏面ＷＲ即ち各デバイスＤＶの裏面ＷＲに形成された結晶欠陥、歪みなどである。
【００１６】
次に、ウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図４は、図３に示されたウエーハの加工方法のマスク形成工程のレジストを塗布した状態を示す断面図である。図５は、図３に示されたウエーハの加工方法のマスク形成工程のマスクを形成した状態を示す断面図である。図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を示す断面図である。図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程のゲッタリング用の膜を形成した状態を示す断面図である。図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程のマスクを除去した状態を示す断面図である。図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護部材貼着工程を示す断面図である。図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の個片化工程を示す断面図である。図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法の裏面ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。
【００１７】
実施形態１に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、ウエーハＷをストリートＬに沿って切断して、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割（個片化ともいう）する方法である。加工方法は、図３に示すように、マスク形成工程ＳＴ１と、溝形成工程ＳＴ２と、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３と、保護部材貼着工程ＳＴ４と、個片化工程ＳＴ５と、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６とを有する。
【００１８】
マスク形成工程ＳＴ１は、複数のデバイスＤＶを覆い、基板ＳのストリートＬ領域を露出するようにパターニングされたマスクＭＳ（図５に示す）を形成する工程である。実施形態１において、マスク形成工程ＳＴ１は、ウエーハＷの裏面ＷＲに保護部材Ｐ１を貼着した後、硬化するとプラズマ耐性を有する液体であるレジストＲＳを、図４に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳの全体に塗布する。実施形態において、マスク形成工程ＳＴ１は、ウエーハＷを軸心回りに回転する回転テーブルに保持した後、回転テーブルを軸心回りに回転させながら表面ＷＳにレジストＲＳを供給するが、レジストＲＳの塗布方法は、これに限定されない。
【００１９】
マスク形成工程ＳＴ１は、レジストＲＳを硬化させた後、露光、現像して、ストリートＬ上のレジストＲＳを除去して、図５に示すように、デバイスＤＶを覆いかつストリートＬを露出させたマスクＭＳを形成する。マスクＭＳは、デバイスＤＶを覆いかつストリートＬを露出させるように、パターニングされている。実施形態１において、マスク形成工程ＳＴ１は、レジストＲＳによりマスクＭＳを形成したが、本発明ではＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミン、カルボキシメチルセルロース、又はヒドロキシエチルセルロースにより構成された水溶性の樹脂をウエーハＷの表面ＷＳ全体に塗布した後、レーザ光をストリートＬに対応する領域の樹脂に照射してレーザーアブレーションにより表面ＷＳのストリートＬを露出させて、マスクＭＳを形成してもよい。
【００２０】
溝形成工程ＳＴ２は、パターニングされたマスクＭＳを介して、ウエーハＷ表面ＷＳ側からプラズマＰＺ（図６に示す）照射し、仕上がり厚さＴに対応する深さＤＰの溝Ｒを形成する工程である。実施形態１において、溝形成工程ＳＴ２は、ウエーハＷを図示しないプラズマエッチング装置のチャンバ内に収容し、保護部材Ｐ１を介して裏面ＷＲ側を保持した状態で、チャンバ内を真空排気し、チャンバ内にエッチングガスをウエーハＷの表面ＷＳ側に向けて供給する。そして、プラズマエッチング装置の上部電極及び下部電極に高周波電力を印加して、図６に示すように、プラズマＰＺを発生させて、プラズマＰＺ中のイオンＩをウエーハＷのマスクＭＳから露出したストリートＬの表面ＷＳに引き込み、ウエーハＷの表面ＷＳ側から基板Ｓをプラズマエッチングして、ストリートＬに溝Ｒを形成する。溝形成工程ＳＴ２は、溝Ｒの深さＤＰが仕上がり厚さＴに対応した値である少なくとも仕上がり厚さＴ以上の値になると、プラズマエッチングを終了する。
【００２１】
側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、溝形成工程ＳＴ２後に、溝Ｒの側壁ＤＣＳにゲッタリング用の膜ＧＦを形成する工程である。側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、保護部材Ｐ１を介してウエーハＷの裏面ＷＲを保持した状態で、図７に示すように、スパッタリング、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）、プラズマ窒化処理又はプラズマ酸化処理などの真空処理によりマスクＭＳの表面ＷＳ及び溝Ｒの側壁ＤＣＳに膜ＧＦを形成する。側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、マスクＭＳの表面ＷＳ及び溝Ｒの側壁ＤＣＳに膜ＧＦを形成した後、溶液などを用いてマスクＭＳを除去する。側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、マスクＭＳを除去すると、マスクＭＳ上の膜ＧＦも除去され（所謂、リフトオフ）、図８に示すように、側壁ＤＣＳに形成された膜ＧＦのみが残存することになる。実施形態１において、膜ＧＦの膜厚は、６ｎｍ以上でかつ１００ｎｍ以下程度である。
【００２２】
保護部材貼着工程ＳＴ４は、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３後に、ウエーハＷの表面ＷＳ側に保護部材Ｐ２を貼着する工程である。保護部材貼着工程ＳＴ４は、図９に示すように、裏面ＷＲに貼着された保護部材Ｐ１を剥がし、ウエーハＷの表面ＷＳ側に保護部材Ｐ２を貼着する。
【００２３】
個片化工程ＳＴ５は、保護部材Ｐ２が貼着されたウエーハＷの表面ＷＳ側を保持して、ウエーハＷの裏面ＷＲを研削して、ウエーハＷを薄化し、デバイスチップＤＴに個片化する工程である。個片化工程ＳＴ５は、保護部材Ｐ２を介してウエーハＷの表面ＷＳ側を図示しない研削装置のチャックテーブルに吸引保持し、ウエーハＷの裏面ＷＲに研削砥石を当接させて、チャックテーブル及び研削砥石を軸心回りに回転して、ウエーハＷの裏面ＷＲに研削加工を施して、ウエーハＷの基板Ｓを仕上がり厚さＴまで薄化する。個片化工程ＳＴ５は、ウエーハＷの基板Ｓを仕上がり厚さＴまで薄化すると、溝Ｒの深さＤＰが仕上がり厚さＴに対応する値であるために、裏面ＷＲ側に溝Ｒが露出して、ウエーハＷは、個々のデバイスチップＤＴに分割される。
【００２４】
裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、個片化した複数のデバイスチップＤＴの裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬを形成する工程である。裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、保護部材Ｐ２を介してデバイスチップＤＴの表面ＷＳ側を図示しない乾式研磨装置（例えば、ディスコ社が提供するＧｅｔｔｅｒｉｎｇ  ＤＰホイールを用いた乾式研磨装置）のチャックテーブルに吸引保持し、デバイスチップＤＴの裏面ＷＲに研磨パッドを当接させて、チャックテーブル及び研磨パッドを軸心回りに回転して、デバイスチップＤＴの裏面ＷＲに乾式研磨加工を施して、図１１に示すように、デバイスチップＤＴの裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬを形成する。実施形態１において、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６後のデバイスチップＤＴの抗折強度は、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、裏面ＷＲに乾式研磨加工が施されるので、１０００ＭＰａ程度になる。
【００２５】
なお、実施形態１において、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、デバイスチップＤＴの裏面ＷＲに乾式研磨加工を施してゲッタリング層ＧＬを形成するが、本発明では、湿式研磨加工（例えば、ディスコ社が提供するＥ  Ｐａｄを研磨パッドとして備える湿式研磨装置を用いた加工）、番手が２０００番以上の砥粒を含む研削砥石を用いた研削加工、裏面ＷＲにプラズマを照射する加工を行っても良い。なお、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、デバイスチップＤＴの抗折強度を考慮する必要がない場合に、番手が２０００番以上の砥粒を含む研削砥石を用いた研削加工を行うのが望ましい。このように、本発明では、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、研削、乾式研磨、湿式研磨又はプラズマ照射により行われる。
【００２６】
実施形態１に係る加工方法は、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３において溝Ｒの側壁ＤＣＳ即ちデバイスチップＤＴの側面ＳＳにゲッタリング用の膜ＧＦを形成し、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６においてデバイスチップＤＴの裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬを形成する。このように、実施形態１に係る加工方法は、分割・個片化する前に溝Ｒの側壁ＤＣＳにゲッタリング用の膜ＧＦを形成するので、分割後に裏面ＷＲのみにゲッタリング層ＧＬを形成すればよい。また、実施形態１に係る加工方法は、互いに異なる工程において、側面ＳＳと裏面ＷＲとにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦを形成するので、裏面ＷＲのゲッタリング層ＧＬ形成の処理の選択の幅を広げることができ、デバイスチップＤＴの側面ＳＳ及び裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦを容易に形成することができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、裏面ＷＲおよび側面ＳＳにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦが形成されたデバイスチップＤＴを容易に製造することができる。
【００２７】
また、実施形態１に係る加工方法は、裏面ＷＲに形成するゲッタリング層ＧＬと側面ＳＳに形成するゲッタリング層である膜ＧＦとを互いに異なる方法で形成するので、互いに異なる工程において、側面ＳＳと裏面ＷＲとにゲッタリング層ＧＬを形成することができる。
【００２８】
また、実施形態１に係る加工方法は、溝形成工程ＳＴ２においてプラズマエッチングにより溝Ｒを形成し、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３おいて真空処理により膜ＧＦを形成するので、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３までを半導体の所謂前工程で行うことができるので、後工程において、プラズマエッチング装置やスパッタリング等を行う真空処理装置などの高価な装置を用いる必要がない。
【００２９】
〔実施形態２〕
実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。図１３は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の保護部材貼着工程を示す断面図である。図１４は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す断面図である。図１５は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の裏面ゲッタリング層形成工程を示す断面図である。図１２から図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３０】
実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、実施形態１と同様に、マスク形成工程ＳＴ１と、溝形成工程ＳＴ２と、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３と、保護部材貼着工程ＳＴ４と、個片化工程ＳＴ５と、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６とを有し、マスク形成工程ＳＴ１及び溝形成工程ＳＴ２は、実施形態１と同じである。実施形態２に係る加工方法は、側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３と、保護部材貼着工程ＳＴ４と、個片化工程ＳＴ５と、裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６とが実施形態１と異なる。
【００３１】
実施形態２に係る加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、溝形成工程ＳＴ２終了後マスクＭＳを除去した後、保護部材Ｐ１を介してウエーハＷの裏面ＷＲを保持した状態で、図１２に示すように、スパッタリング、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）、プラズマ窒化処理又はプラズマ酸化処理などの真空処理によりウエーハＷの表面ＷＳ全体及び溝Ｒの側壁ＤＣＳに膜ＧＦを形成する。実施形態２に係る加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、溝Ｒの側壁ＤＣＳにくわえて、デバイスＤＶ上にも膜ＧＦを形成して、膜ＧＦによりデバイスＤＶを被覆する。また、実施形態２に係る加工方法の側壁ゲッタリング層形成工程ＳＴ３は、膜ＧＦを一層形成するが、本発明では、膜ＧＦを複数層形成しても良い。
【００３２】
保護部材貼着工程ＳＴ４は、図１３に示すように、裏面ＷＲに貼着された保護部材Ｐ１を剥がし、ウエーハＷの表面ＷＳ側に保護部材Ｐ２を貼着する。
【００３３】
個片化工程ＳＴ５は、保護部材Ｐ２を介してウエーハＷの表面ＷＳ側を図示しない研削装置のチャックテーブルに吸引保持し、ウエーハＷの裏面ＷＲに研削砥石を当接させて、チャックテーブル及び研削砥石を軸心回りに回転して、図１４に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに研削加工を施して、ウエーハＷの基板Ｓを仕上がり厚さＴまで薄化して、個々のデバイスチップＤＴに個片化する。
【００３４】
裏面ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、実施形態１と同様に、研削、乾式研磨、湿式研磨又はプラズマ照射により、図１５に示すように、デバイスチップＤＴの裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬを形成する。
【００３５】
実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、互いに異なる工程において、側面ＳＳと裏面ＷＲとにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦを形成するので、デバイスチップＤＴの側面ＳＳ及び裏面ＷＲにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦを容易に形成することができ、裏面ＷＲおよび側面ＳＳにゲッタリング層ＧＬ及び膜ＧＦが形成されたデバイスチップＤＴを容易に製造することができる。
【００３６】
また、実施形態２に係る加工方法は、デバイスＤＶを膜ＧＦで被覆するので、膜ＧＦが窒化シリコン又は酸化シリコンにより構成されている場合には、膜ＧＦをゲッタリング層としてだけではなく、パッシベーション膜としても用いることができる。パッシベーション膜は、デバイスＤＶを保護する不動態膜である。
【００３７】
前述した各実施形態には、以下のデバイスチップの製造方法が含まれる。
【００３８】
（付記１）
基板の表面にデバイスが形成され、かつ基板の側面及び裏面にゲッタリング層が形成されたデバイスチップの製造方法であって、
格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの表面に、該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、
該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に該溝の側壁にゲッタリング用の膜を形成する側壁ゲッタリング層形成工程と、
を有するデバイスチップの製造方法。
【００３９】
（付記２）
基板の表面にデバイスが形成され、かつ基板の側面及び裏面にゲッタリング層が形成されたデバイスチップの製造方法であって、
格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの該ストリートに形成されたデバイスの仕上がり厚さに対応する深さの溝の側壁にゲッタリング用の膜が形成された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該ウエーハを薄化し複数のデバイスに個片化する個片化工程と、
該個片化した該複数のデバイスの裏面にゲッタリング層を形成する裏面ゲッタリング層形成工程と、
を有するデバイスチップの製造方法。
【００４０】
付記１及び付記２に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１及び実施形態２に係る加工方法と同様に、裏面および側面にゲッタリング層及び膜が形成されたデバイスチップを容易に製造することができる。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ  ウエーハ
Ｓ  基板
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｌ  ストリート
ＤＶ  デバイス
ＤＴ  デバイスチップ
ＭＳ  マスク
ＰＺ  プラズマ
Ｔ  仕上がり厚さ
ＤＰ  深さ
Ｒ  溝
ＤＣＳ  側壁
ＧＦ  膜（ゲッタリング層）
ＧＬ  ゲッタリング層
Ｐ２  保護部材
ＳＴ１  マスク形成工程
ＳＴ２  溝形成工程
ＳＴ３  側壁ゲッタリング層形成工程
ＳＴ４  保護部材貼着工程
ＳＴ５  個片化工程
ＳＴ６  裏面ゲッタリング層形成工程
【図１】
2018078235.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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