(57)【要約】【課題】熱伝導率、金属層に対するピール強度に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物、該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージの提供。【解決手段】（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）活性エステル硬化剤、を含有する樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び
（Ｄ）活性エステル硬化剤、を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
樹脂組成物を１８０℃で３０分間、さらに１８０℃で６０分間熱硬化させた硬化物と、メッキにより形成された金属層とのピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、８５質量％以上である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｃ）成分が、アルミナを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｃ）成分が、アミノシラン系カップリング剤で表面処理されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｃ）成分が、Ｎ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシランで表面処理されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の熱伝導率が、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ａ）成分が、（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ａ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基から選択される１種以上の官能基を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
（Ａ）成分が、イミド構造を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
（Ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
（Ａ）成分が、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１４】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１５】
セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１６】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
【請求項１８】
請求項１７に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
【請求項１９】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物、または請求項１６に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高機能化が進み、プリント配線板における半導体素子の実装密度は高くなる傾向にある。実装される半導体素子の高機能化も相俟って、半導体素子が発生する熱を効率的に拡散する技術が求められている。熱伝導性フィラーを含む樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する場合、樹脂組成物中の熱伝導性フィラーの含有量を高めることによって、得られる絶縁層の熱伝導率を向上させることができるものの、十分な熱伝導率を発現する程度に熱伝導性フィラーの含有量を高めると、得られる絶縁層は配線を形成するための金属層に対する密着強度に劣る傾向にある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素を含む樹脂組成物を硬化させた絶縁層をプリント配線板に用いることで、熱拡散性を発現するとともに、表面粗度が低く導体層との密着強度（ピール強度）が良好な熱を拡散させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／２０８３５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器の小型化及び高機能化が進み、基板の薄層化、コアレス化が進み、材料には熱拡散性、密着強度（剥離強度）に加え、さらに、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制が求められるようになった。これらの性能はトレードオフの関係にあり、バランスのとれた樹脂設計は非常に困難であった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、熱伝導率、金属層に対するピール強度に優れ、絶縁層を形成する際に発生する反り量の抑制においてバランスのとれた硬化物を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）活性エステル硬化剤を含有させることで、熱伝導率、金属層（特に、メッキにより形成された金属層）に対するピール強度に優れ、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制に優れる絶縁層が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び
（Ｄ）活性エステル硬化剤、を含有する樹脂組成物。
［２］  樹脂組成物を１８０℃で３０分間、さらに１８０℃で６０分間熱硬化させた硬化物と、メッキにより形成された金属層とのピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、８５質量％以上である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （Ｃ）成分が、アルミナを含む、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  （Ｃ）成分が、アミノシラン系カップリング剤で表面処理されている、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］  （Ｃ）成分が、Ｎ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシランで表面処理されている、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の熱伝導率が、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］  （Ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  （Ａ）成分が、（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  （Ａ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基から選択される１種以上の官能基を有する、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］  （Ａ）成分が、イミド構造を有する、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］  （Ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］  （Ａ）成分が、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１５］  セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１６］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１７］  ［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１８］  ［１７］に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１９］  ［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物、または［１６］に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱伝導率、金属層、特にメッキにより形成された金属層に対する密着強度に優れ、絶縁層を形成する際に発生する反り量の抑制においてバランスのとれた硬化物を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。
【００１２】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）活性エステル硬化剤、を含有する。
【００１３】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、熱伝導率、金属層に対するピール強度、及び反り量の抑制に優れる絶縁層を得ることが可能となる。また、前記の樹脂組成物は、通常、溶融粘度を低くできる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）硬化剤、（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）無機充填材（（Ｃ）成分に該当するものは除く）および（Ｈ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１４】
＜（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物＞
樹脂組成物は、（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物を含有する。このような構造を有する高分子化合物を樹脂組成物に含有させることで、硬化物の反りを抑制することができる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。
【００１５】
より具体的には、（Ａ）成分は、ポリブタジエン及び水添ポリブタジエン等が有するポリブタジエン構造、シリコーンゴム等が有するポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造（炭素原子数２〜１５のポリアルキレン構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレン構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレン構造がさらに好ましい）、ポリアルキレンオキシ構造（炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい）、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。
【００１６】
（Ａ）成分は柔軟性を示すために高分子量であることが好ましく、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、より好ましくは５，０００〜９，００，０００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００１７】
（Ａ）成分は柔軟性を示すために、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。
【００１８】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常−１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。
【００１９】
（Ａ）成分としては、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ｂ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００２０】
好適な一実施形態において、（Ｂ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。
【００２１】
（Ａ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましく、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂がさらに好ましい。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。
【００２２】
ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ポリブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。
【００２３】
ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１，０００〜１００，０００、より好ましくは５，０００〜５０，０００、より好ましくは７，５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２４】
ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ  Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。
【００２５】
ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化合物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、等が挙げられる。
【００２６】
また（Ａ）成分の他の好適な一実施形態として、イミド構造を有する樹脂を使用することもできる。イミド構造を有する樹脂として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００２７】
（Ａ）成分の好適な一実施形態は、イソプレン樹脂である。イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ−６１３」等が挙げられる。ここで、「イソプレン樹脂」とは、ポリイソプレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソプレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００２８】
また、（Ａ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、ポリカーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００２９】
カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基を持つ場合の官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００３０】
カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。
【００３１】
またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００３２】
（Ａ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリ（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３３】
アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００３４】
アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００３５】
アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ−３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。
【００３６】
また、さらなる（Ａ）成分の好適な一実施形態は、シロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソブチレン樹脂である。
【００３７】
シロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。ここで、「シロキサン樹脂」とは、ポリシロキサン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリシロキサン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３８】
アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）等が挙げられる。ＤＩＣ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製「ＥＸＡ−４８５０−１５０」「ＥＸＡ−４８１６」「ＥＸＡ−４８２２」ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−４０００」、「ＥＰ−４００３」、「ＥＰ−４０１０」、及び「ＥＰ−４０１１」、新日本理化社製「ＢＥＯ−６０Ｅ」「ＢＰＯ−２０Ｅ」ならびに三菱化学社製「ＹＬ７１７５」、及び「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。ここで、「アルキレン樹脂」とは、ポリアルキレン構造を含有する樹脂をいい、「アルキレンオキシ樹脂」とは、ポリアルキレンオキシ構造を含有する樹脂をいう。これらの樹脂においてポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３９】
イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。ここで、「イソブチレン樹脂」とは、ポリイソブチレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソブチレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００４０】
またさらなる（Ａ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ  ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。
【００４１】
樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、（Ｃ）成分及び（Ｇ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分（樹脂成分）を１００質量％とした場合、好ましくは６５質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５５質量％以下、さらにより好ましくは５０質量％以下である。また、下限は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、さらにより好ましくは２５質量％以上である。
【００４２】
＜（Ｂ）エポキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂を含む。（Ｂ）成分は、本発明の効果をより向上させる観点から、芳香族構造を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
【００４３】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有する線状脂肪族エポキシ樹脂、芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、芳香族構造を有する脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するスピロ環含有エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するトリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。
【００４４】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。
【００４５】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するエステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及び芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂がさらに好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱化学社製の「ＹＸ７４００」（高反発弾性エポキシ樹脂）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００Ｌ」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００ＨＨＨ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
（Ｂ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（固体状エポキシ樹脂：液状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（固体状エポキシ樹脂：液状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【００４８】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは６質量％以下である。
【００４９】
また、樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、（Ｃ）成分及び（Ｇ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、２０質量％以上、より好ましくは２５質量％以上、さらに好ましくは３０質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５５質量％以下である。
【００５０】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００５１】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００５２】
＜（Ｃ）熱伝導性フィラー＞
本発明の樹脂組成物は（Ｃ）熱伝導性フィラーを含む。ここで、本明細書において、熱伝導性フィラーとは、熱伝導率が、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材を意味する。
【００５３】
（Ｃ）成分の材料は、熱伝導率が上記範囲内であれば特に限定されない。（Ｃ）成分が含む材料としては、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化ケイ素等が挙げられる。これらの中でも、アルミナが特に好適である。（Ｃ）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、２種以上の同一材料を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
（Ｃ）成分の平均粒子径は、熱伝導率及びピール強度の双方に優れる絶縁層を得る観点及び充填性を向上させる観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。（Ｃ）成分の平均粒子径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、（Ｃ）成分を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ２２００」等を使用することができる。具体的には、後述する＜熱伝導性フィラーの平均粒子径の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００５５】
（Ｃ）成分の比表面積は、熱伝導率及びピール強度の双方に優れる絶縁層を得る観点及び充填性を向上させる観点から、好ましくは０．５ｍ２／ｇ以上である。（Ｃ）成分の比表面積は０．５ｍ２／ｇ〜１０ｍ２／ｇが好ましく、０．５ｍ２／ｇ〜５ｍ２／ｇがより好ましい。（Ｃ）成分の比表面積は、窒素ＢＥＴ法により測定することができる。具体的には自動比表面積測定装置を使用して測定することができ、自動比表面積測定装置としては、マウンテック社製「Ｍａｃｓｏｒｂ  ＨＭ−１２１０」等を使用することができる。具体的には、後述する＜熱伝導性フィラーの比表面積の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００５６】
（Ｃ）成分は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。なかでも、溶融粘度を低くし、ラミネート性を向上させる観点から、（Ｃ）成分は、アミノシラン系カップリング剤で表面処理されていることが好ましく、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシランをはじめとするＮ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシランで表面処理されていることが好ましく、Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシランで表面処理されていることがより好ましい。
【００５７】
（Ｃ）成分の含有量は、熱伝導率及びピール強度の双方に優れる絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは８５質量％以上、より好ましくは８８質量％以上、さらに好ましくは８９質量％以上、又は９０質量％以上である。上限は、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９２質量％以下である。
【００５８】
＜（Ｄ）活性エステル硬化剤＞
本発明の樹脂組成物は（Ｄ）活性エステル硬化剤を含む。活性エステル硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００５９】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００６０】
活性エステル化合物としては、特開２００４−２７７４６０号公報、特開２０１３−４０２７０号公報に開示されている活性エステル化合物を用いてもよく、また市販の活性エステル化合物を用いることもできる。活性エステル硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）、ＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９０５０Ｌ−６２Ｍ」（リン原子含有活性エステル化合物）等が挙げられる。
【００６１】
（Ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。また、下限は特に制限はないが０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましい。（Ｄ）成分の含有量を斯かる範囲内とすることにより、熱伝導率及びピール強度を向上させることができる。
【００６２】
＜（Ｅ）硬化剤＞
本発明の樹脂組成物は（Ｄ）成分に加え、（Ｅ）硬化剤を含み得る。但し、ここでいう（Ｅ）成分は、（Ｄ）活性エステル硬化剤を含めない。（Ｅ）硬化剤としては、（Ｂ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｄ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。
【００６３】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、配線層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び配線層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【００６４】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０
５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００６５】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００６６】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００６７】
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。
【００６８】
樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の（Ｅ）成分の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。また、下限は特に制限はないが０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましい。
【００６９】
＜（Ｆ）硬化促進剤＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００７１】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７２】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリ
テイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７３】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７４】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００７５】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００７６】
樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の（Ｆ）成分の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．０１質量％〜１質量％が好ましい。
【００７７】
＜（Ｇ）無機充填材（（Ｃ）成分に該当するものは除く）＞
本発明の樹脂組成物は（Ｇ）無機充填材を含み得る。但し、ここでいう（Ｇ）無機充填材は、（Ｃ）熱伝導性フィラーに該当するものは含めない。（Ｇ）成分の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７８】
無機充填材の平均粒径は、回路埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。無機充填材の平均粒径は（Ｃ）成分と同様に測定することができる。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」、トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」等が挙げられる。
【００７９】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。具体的な表面処理剤の市販品等は上記したとおりである。
【００８０】
樹脂組成物が（Ｇ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の（Ｇ）成分の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。
【００８１】
＜（Ｈ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（Ｈ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００８２】
難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」等が挙げられる。
【００８３】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、（Ｈ）成分の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．５質量％〜１０質量％、より好ましくは０．５質量％〜５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜３質量％がさらに好ましい。
【００８４】
＜（Ｉ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００８５】
＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間、さらに１８０℃で６０分間熱硬化させた硬化物は、金属層、特にメッキにより形成された金属層とのピール強度に優れるという特性を示す。即ち、ピール強度に優れる絶縁層をもたらす。詳細は、本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分熱処理後、硬化物表面を粗化処理した粗化面にメッキにより金属層を形成し、１８０℃で６０分間熱処理したとき、硬化物と金属層とのピール強度が優れるという特性を示す。ピール強度としては、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．４５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下、１ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の評価は、後述する＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定及び評価＞に記載の方法に従って測定することができる。金属層としては、好ましくは銅を含む金属層であり、より好ましくはメッキにより形成された金属層である。
【００８６】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、熱伝導率に優れるという特性を示す。即ち熱伝導率に優れる絶縁層をもたらす。熱伝導率としては、好ましくは１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは１．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらに好ましくは２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。熱伝導率の上限は５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、４．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、又は３．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下とし得る。熱伝導率の評価は、後述する＜硬化物の熱伝導率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８７】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、２３℃における弾性率が低いという特性を示す。即ち弾性率が低い絶縁層をもたらす。弾性率は、好ましくは２５ＧＰａ以下、より好ましくは２０ＧＰａ以下、さらに好ましくは１５ＧＰａ以下である。下限は０．１ＧＰａ以上等とし得る。弾性率は、後述する＜弾性率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８８】
本発明の樹脂組成物を１００℃で３０分間、さらに１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、反り量が低いという特性を示す。即ち反り量が低い絶縁層をもたらす。４つ角のそれぞれの反り量の平均値は、好ましくは１ｃｍ未満である。反り量は、後述する＜反り量の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８９】
本発明の樹脂組成物は、溶融粘度が低いという特性を示す。これにより、後述する樹脂シートの樹脂組成物層のラミネート性が向上し、ピール強度が高い樹脂組成物の硬化物を得ることができる。溶融粘度は、好ましくは５００ポイズ以上、より好ましくは１０００ポイズ以上、さらに好ましくは１５００ポイズ以上であり、好ましくは８５００ポイズ以下、より好ましくは８０００ポイズ以下、さらに好ましくは７５００ポイズ以下、又は７０００ポイズ以下である。溶融粘度は、後述する＜溶融粘度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９０】
本発明の樹脂組成物は、熱伝導率及びピール強度に優れる絶縁層をもたらすことができる。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板、すなわち、セミアディティブプロセス法によって回路形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。
【００９１】
［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【００９２】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。
【００９３】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００９４】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００９５】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【００９６】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【００９７】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【００９８】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【００９９】
樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター、コンプレッションモールド法等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【０１００】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１０１】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１０２】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１０３】
樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。
【０１０４】
また樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。また、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。
【０１０５】
樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。
【０１０６】
プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。
【０１０７】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【０１０８】
プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。
【０１０９】
［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。
【０１１０】
工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。
【０１１１】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層の順でそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層が形成されている。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをメッキマスクとして電解メッキ法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第１金属層、第２金属層は有していなくてもよい。
【０１１２】
基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。
【０１１３】
ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。
【０１１４】
基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１１５】
ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。
【０１１６】
配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。
【０１１７】
ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをメッキマスクとして使用し、メッキ法により実施することができる。
【０１１８】
配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【０１１９】
配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５〜２０μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。
【０１２０】
配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。
【０１２１】
＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。
【０１２２】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１２３】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【０１２４】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１２５】
樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
【０１２６】
樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。
【０１２７】
樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。
【０１２８】
＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。導体層は配線層ということがある。
【０１２９】
絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、樹脂シートの支持体の面側からレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して配線層を露出させるビアホールを形成する。
【０１３０】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１３１】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。
【０１３２】
ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をメッキ工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。
【０１３３】
導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１３４】
粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【０１３５】
ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、メッキ、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、メッキにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にメッキして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。このうち、セミアディティブ法が好ましい。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。
【０１３６】
メッキにより形成する場合、詳細には絶縁層の表面に、無電解メッキによりメッキシード層を形成する。次いで、形成されたメッキシード層上に、所望の配線パターンに対応してメッキシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出したメッキシード層上に、電解メッキにより電解メッキ層を形成する。その際、電解メッキ層の形成とともに、ビアホールを電解メッキにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解メッキ層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なメッキシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。
【０１３７】
導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。
【０１３８】
また、導体層は、メッキシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解メッキ層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。
【０１３９】
絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。
【０１４０】
＜工程（４）＞
工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。
【０１４１】
他の実施形態において、回路基板は、上述のプリプレグを用いて製造することができる。製造方法は基本的に樹脂シートを用いる場合と同様である。
【０１４２】
［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。
【０１４３】
半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。
【０１４４】
好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。
【０１４５】
また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。
【０１４６】
半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。
【０１４７】
本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。
【０１４８】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１４９】
基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等のガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板などが挙げられる。
【０１５０】
仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。
【０１５１】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。
【０１５２】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。
【０１５３】
半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１５４】
また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１５５】
樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。
【０１５６】
樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１５７】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。
【０１５８】
仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１５９】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。
【０１６０】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１６１】
再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。
【０１６２】
ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。
【０１６３】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。
【０１６４】
次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。
【０１６５】
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。
【０１６６】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。
【０１６７】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１６８】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。
【０１６９】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
【０１７０】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。
【０１７１】
ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１７２】
また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田メッキなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。
【０１７３】
＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。
【０１７４】
半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【０１７５】
本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。
【０１７６】
［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０１７７】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１７８】
＜ピール強度測定用サンプルの調製＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、パナソニック社製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をメック社製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
【０１７９】
（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスを行った。得られた樹脂組成物層付き積層板を１８０℃で３０分熱処理して、樹脂組成物層を硬化させて、硬化物付き積層板を得た。
【０１８０】
（３）粗化処理
得られた硬化物付き積層板を、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有するスエリングディップ・セキュリガンドＰ（膨潤液）に６０℃で５分間浸漬し、次にアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液、粗化液）に８０℃で１０分間浸漬し、最後にアトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントＰ（中和液）に４０℃で５分間浸漬して、硬化物の表面を粗化処理した。粗化処理で得られた積層板を評価基板Ａとした。
【０１８１】
（４）メッキによる金属層の形成
評価基板Ａを、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。次いで、硫酸銅電解メッキを行い、硬化物の粗化表面に３０μｍの厚さで金属層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。アニール後の積層板を評価基板Ｂとした。
【０１８２】
＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定及び評価＞
評価基板Ｂの金属層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具（ティー・エス・イー社製のオートコム型試験機「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に２０ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定し、ピール強度を求めた。
【０１８３】
＜弾性率評価用硬化物の準備＞
離型ＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」、厚さ３８μｍ、２４０ｍｍ角）の未処理面がガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（松下電工社製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚さ０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）に接するように、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板上に設置し、該離型ＰＥＴフィルムの四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した。
【０１８４】
実施例及び比較例で作製した各樹脂シート（１６７×１０７ｍｍ角）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層が離型ＰＥＴフィルムの離型面と接するように、中央にラミネート処理した。ラミネート処理は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。
【０１８５】
次いで、支持体を剥離し、１８０℃で９０分の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化させた。
【０１８６】
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、樹脂組成物層をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外した。更に樹脂組成物層から離型ＰＥＴフィルムを剥離して、シート状の硬化物（評価用硬化物）を得た。
【０１８７】
＜弾性率の測定＞
評価用硬化物をダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ−１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における弾性率を求めた。測定は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して実施した。この操作を３回行いその平均値を表に示した。
【０１８８】
＜反り量の評価＞
実施例及び比較例で作製した樹脂シートをガラス布基材ＢＴレジン両面銅張積層板（銅箔の厚み１８μｍ、基板厚み０．１５ｍｍ、三菱ガス化学社製「ＨＬ８３２ＮＳＦ  ＬＣＡ」、大きさ１５ｃｍ×１８ｃｍ）の片面にバッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）にてラミネートし、離型ＰＥＴを除去した後、１００℃３０分、さらに１８０℃３０分熱硬化させ平面に置き反り量を確認した。４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ未満を「○」、１〜２ｃｍを「△」、２ｃｍ以上を「×」とした。
【０１８９】
＜硬化物の熱伝導率の測定＞
（１）硬化物試料の調製
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１００μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１００℃（平均９０℃）で７分間乾燥して樹脂組成物層を得た。
【０１９０】
バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層を３枚重ね合わせた後、ラミネートを行い、１８０℃、９０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化し、硬化物試料を得た。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後２０秒間、１００℃、圧力０．４ＭＰａでプレスすることにより行った。
【０１９１】
（２）熱拡散率αの測定
硬化物試料について、該硬化物試料の厚さ方向の熱拡散率α（ｍ２／ｓ）を、ａｉ−Ｐｈａｓｅ社製「ａｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｂｉｌｅ  １ｕ」を用いて温度波分析法により測定した。同一試料について３回測定を行い、平均値を算出した。
【０１９２】
（３）比熱容量Ｃｐの測定
硬化物試料について、示差走査熱量計（ＳＩＩナノテクノロジー社製「ＤＳＣ７０２０」）を用いて、−４０℃から８０℃まで１０℃／分で昇温し、測定することにより、硬化物試料の２５℃での比熱容量Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）を算出した。
【０１９３】
（４）密度ρの測定
硬化物試料の密度（ｋｇ／ｍ３）を、メトラー・トレド社製分析天秤ＸＰ１０５（比重測定キット使用）を用いて測定した。
【０１９４】
（５）熱伝導率λの算出
上記（２）乃至（４）で得られた熱拡散率α（ｍ２／ｓ）、比熱容量Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）、及び密度ρ（ｋｇ／ｍ３）を下記式（Ｉ）に代入して、熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）を算出した。
λ＝α×Ｃｐ×ρ    （Ｉ）
【０１９５】
＜溶融粘度の測定＞
実施例および比較例で作製した樹脂シートにおける樹脂組成物層の溶融粘度を測定した。ユー・ビー・エム社製型式Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００を使用して、樹脂量は１ｇ、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用し、開始温度６０℃から２００℃まで、昇温速度５℃／分、測定温度間隔２．５℃、振動１Ｈｚ／ｄｅｇの測定条件にて溶融粘度を測定した。
【０１９６】
＜合成例１：高分子化合物１の合成＞
反応容器にＧ−３０００（２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、数平均分子量＝５０４７（ＧＰＣ法）、ヒドロキシル基当量＝１７９８ｇ／ｅｑ．、固形分１００質量％：日本曹達社製）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ−１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００μｍである濾布で濾過して、ポリブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する高分子化合物１（不揮発分５０質量％）を得た。
【０１９７】
＜合成例２：高分子化合物２の合成＞
反応容器にポリカーボネートジオール（数平均分子量：約１，０００、水酸基当量：５００、不揮発分：１００％、クラレ社製「Ｃ−１０１５Ｎ」）８０ｇ、及びジブチル錫ジラウレート０．０１ｇを、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）３７．６ｇ中に均一に溶解させた。次いで、該混合物を５０℃に昇温し、さらに撹拌しながら、トルエン−２，４−ジイソシアネート（イソシアネート基当量：８７．０８）２７．８ｇを添加し、約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量：１６１．１）１４．３ｇ、トリエチレンジアミン０．１２ｇ、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）８４．０ｇを添加し、撹拌しながら１３０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから目開きが１００μｍである濾布で濾過して、カーボネート構造を有する高分子化合物２（不揮発分５０質量％）を得た。
【０１９８】
＜熱伝導性フィラーの平均粒子径の測定＞
２０ｍｌのバイアル瓶に、熱伝導性フィラー０．０１ｇ、ノニオン系分散剤（日本油脂社製「Ｔ２０８．５」）０．２ｇ、純水１０ｇを加え、超音波洗浄機にて１０分間超音波分散を行い、サンプルを調製した。次いでレーザー回折式粒度分布測定装置（島津製作所社製「ＳＡＬＤ２２００」）にサンプルを投入し、循環させながら超音波を１０分間照射した。その後、超音波を止め、サンプルの循環を維持したまま粒度分布の測定を行い、熱伝導性フィラーの平均粒子径を求めた。なお、測定時の屈折率は１．４５−０．００１ｉに設定した。
【０１９９】
＜熱伝導性フィラーの比表面積の測定＞
比表面積は、自動比表面積測定装置（マウンテック社製「Ｍａｃｓｏｒｂ  ＨＭ−１２１０」）を用い、窒素ＢＥＴ法により求めた。
【０２００】
＜使用した熱伝導性フィラー＞
アルミナ１：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ２：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ３：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ４：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ９０３」（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
【０２０１】
＜実施例１＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、固形分６５％のトルエン溶液）３部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）２部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を作製した。
【０２０２】
樹脂ワニス１をアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、「離型ＰＥＴ」ということがある。）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが５０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１００℃（平均９０℃）で５分間乾燥し樹脂シート１を得た。
【０２０３】
＜実施例２＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、固形分６５％のトルエン溶液）６部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）６部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス２に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート２を得た。
【０２０４】
＜実施例３＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２４０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、固形分６５％のトルエン溶液）３部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）２部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス３を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス３に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート３を得た。
【０２０５】
＜実施例４＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ２を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、固形分６５％のトルエン溶液）３部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）２部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス４を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス４に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート４を得た。
【０２０６】
＜実施例５＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２７０部、高分子化合物２（固形分５０質量％、数平均分子量６０００）２４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、固形分６５％のトルエン溶液）３部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）２部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス５を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス４に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート５を得た。
【０２０７】
＜比較例１＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）６部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス６を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス６に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート６を得た。
【０２０８】
＜比較例２＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ１を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２６部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）２部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス７を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス７に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート７を得た。
【０２０９】
＜比較例３＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ３を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）６部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス８を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス８に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート８を得た。
【０２１０】
＜比較例４＞
アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ）６部、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ）２部をメチルエチルケトン１０部に溶解し、アルミナ４を２７０部、高分子化合物１（固形分５０質量％、数平均分子量５５００）２４部、固体状ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学社製「ＳＮ４８５」、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、固形分５０％のメチルエチルケトン溶液として使用）６部、硬化促進剤（２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）１部、メチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス９を作製した。また、実施例１において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス９に変えた以外は実施例１と同様にして樹脂シート９を得た。
【０２１１】
下記表中の略語等は以下のとおりである。
高分子１：合成例１で製造した高分子化合物
高分子２：合成例２で製造した高分子化合物
６３０：アミノフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ、三菱化学社製
ＺＸ１０５９：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ、新日鉄住金化学社製
ＹＸ４０００Ｈ：ビキシレノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１８５ｇ／ｅｑ、三菱化学社製
ＮＣ３１００：ビフェニル型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２５８ｇ／ｅｑ、日本化薬社製
アルミナ１：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ２：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ３：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
アルミナ４：平均粒子径及び比表面積の異なるアルミナの混合物、平均粒径３μｍ、比表面積１．５ｍ２／ｇ、信越化学工業社製「ＫＢＭ９０３」（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ：活性エステル硬化剤、活性エステル当量２２３ｇ／ｅｑ、ＤＩＣ社製
ＳＮ４８５：固体状ナフトール系硬化剤、水酸基当量２１５ｇ／ｅｑ、新日鉄住金化学社製
１Ｂ２ＰＺ：硬化促進剤、２−フェニル−１−ベンジル−１Ｈ−イミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液
（Ａ）成分の含有量：（Ｃ）成分を除いた樹脂成分の不揮発成分を１００質量％としたときの含有量
（Ｃ）成分の含有量：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの含有量
【０２１２】
【表１】
2018159028.tif 000002
【０２１３】
実施例１〜５に示したように、（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する樹脂組成物から形成された絶縁層は、ピール強度に優れることがわかる。一方、（Ｄ）成分を含まない比較例１〜４はピール強度が実施例１〜５と比べて劣ることがわかる。また、（Ｃ）成分がＮ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシランで処理されていない比較例３〜４は、溶融粘度が高いことからラミネート性が悪く、ピール強度も劣ることがわかる。
なお、（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。
【符号の説明】
【０２１４】
１００  半導体チップパッケージ
１１０  半導体チップ
１２０  封止層
１３０  再配線形成層（絶縁層）
１４０  導体層（再配線層）
１５０  ソルダーレジスト層
１６０  バンプ
【図１】
2018159028.tif 000003