(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた低温貼付性、段差埋込性、及び十分な耐熱性を有し、半導体チップ、半導体ウェハ等を支持体に十分固定でき、かつ加工後に容易に分離でき、仮固定材が残りにくい仮固定用樹脂組成物を提供する。【解決手段】半導体ウェハ６０を支持体５０にフィルム状の仮固定材７０を介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える加工方法に用いられる仮固定用樹脂組成物であって、高分子量成分を含み、高分子量成分が、重量平均分子量Ｍｗ（Ａ）が１０万以上６０万未満であり、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第１の高分子量成分と、重量平均分子量Ｍｗ（Ｂ）が下記式（１）を満足し、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第２の高分子量成分とを含む。Ｍｗ（Ｂ）−Ｍｗ（Ａ）≧１０万…（１）【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された前記半導体ウェハを前記支持体及び前記フィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる前記フィルム状の仮固定材を形成するための仮固定用樹脂組成物であって、
前記仮固定用樹脂組成物が高分子量成分を含み、
前記高分子量成分が、（Ａ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ａ））が１０万以上６０万未満であり、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第１の高分子量成分と、（Ｂ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ｂ））が下記式（１）を満足し、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第２の高分子量成分と、を含む、仮固定用樹脂組成物。
Ｍｗ（Ｂ）−Ｍｗ（Ａ）≧１０万      …（１）
【請求項２】
前記（Ａ）成分の含有量が、前記高分子量成分の全質量を基準として、５０質量％以上９５質量％以下である、請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）成分が、反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体である、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）成分が、反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であって、
いずれか一方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基がエポキシ基であり、他方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基がエポキシ基と反応しうる基である、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ａ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であって、
該反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体は、共重合体を構成する単量体成分として反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、前記単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｂ）成分が反応性基を含有する(メタ）アクリル共重合体であって、
該反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体は、共重合体を構成する単量体成分として反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、前記単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｃ）硬化促進剤を更に含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項９】
（Ｄ）シリコーン化合物を更に含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる、仮固定用樹脂フィルム。
【請求項１１】
離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた請求項１０に記載の仮固定用樹脂フィルムと、を備える、仮固定用樹脂フィルムシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の分野では、複数の半導体素子を積み重ねたＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージに関する技術の成長が著しい。ＳＩＰ型のパッケージでは半導体素子を多数積層するため、半導体素子はできるだけ厚さの薄いものが要求される。係る半導体素子は、例えば、一定の厚みを有する半導体ウェハに集積回路を組み込んだ後、半導体ウェハの裏面を研削することによって薄化した半導体ウェハを個片化することにより作製される。半導体ウェハの加工は、仮固定材によって半導体ウェハを支持体に仮固定して行われる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
半導体素子の接続に関しては、従来ワイヤボンディング法が主流であったが、近年ではＴＳＶ（シリコン貫通電極）と呼ばれる接続方法が注目を集め、盛んに検討されている。貫通電極を有する半導体素子を作製する場合、半導体ウェハの薄化後に更に貫通電極を形成する加工が施される。この場合、半導体ウェハを３００℃程度まで加熱する高温プロセスを伴う。
【０００４】
また、半導体素子の接続に関して、薄化した半導体ウェハ上に、半導体チップをフリップチップ実装し、ウェハレベルパッケージを作製する方法も注目を集めている。フリップチップ実装プロセスでは、ハンダを溶融させるために、２６０℃以上まで加熱する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／０４５６６９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そのため、上記の製造工程で使用される仮固定材に対しては、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体の回路面のＣｕピラー又はハンダボールの凹凸を隙間なく埋め込むことができる埋込性と、被加工体の研削等の際に支持体と被加工体とを強固に固定する接着性と、高温プロセスにおける耐熱性とが求められる。その一方で、仮固定材には、加工後の被加工体を支持体から容易に分離できる剥離性が要求されている。特に、半導体チップへのダメージ及び反りの問題が生じないように、なるべく低温で被加工体と支持体とを分離でき、しかも被加工体には仮固定材が残らないことが求められている。
【０００７】
特許文献１に記載の仮固定材は、半導体ウェハに貫通電極を形成するときの高温プロセス、及び貫通電極を形成した半導体ウェハ同士の接続を行うときの高温プロセスに対する耐熱性が十分でない傾向がある。仮固定材の耐熱性が不十分であると、高温プロセス中に仮固定材が熱分解して半導体ウェハが支持体から剥がれるといった不具合が生じやすい。
【０００８】
このような不具合を回避するため、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するポリイミド等の一般的な耐熱性に優れた樹脂の使用が考えられる。しかし、加工時における平坦性を確保しやすくするために仮固定材をフィルム状にする場合、樹脂のガラス転移温度が高いと、半導体ウェハと支持体とを十分固定するためには高温での貼り合せが必要となり半導体ウェハにダメージを与える可能性がある。そのため、フィルム状の仮固定材には、低温で貼りあわせても半導体ウェハの段差を隙間なく埋め込むことができ、かつ半導体ウェハと支持体とを十分固定することができる低温貼付性が求められる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、優れた低温貼付性、段差埋込性、及び十分な耐熱性を有し、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体を支持体に十分固定することができ、なおかつ加工後の被加工体を支持体及び仮固定材から容易に分離することができ、加工後の被加工体に仮固定材が残りにくいフィルム状の仮固定材の形成を可能とする仮固定用樹脂組成物、並びに、該仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられるフィルム状の仮固定材を形成するための仮固定用樹脂組成物であって、仮固定用樹脂組成物が高分子量成分を含み、高分子量成分が、（Ａ）高分子量成分が、（Ａ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ａ））が１０万以上６０万未満であり、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第１の高分子量成分と、（Ｂ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ｂ））が下記式（１）を満足し、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第２の高分子量成分とを含む仮固定用樹脂組成物を提供する。
Ｍｗ（Ｂ）−Ｍｗ（Ａ）≧１０万      …（１）
【００１１】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物によれば、優れた低温貼付性、段差埋込性、及び十分な耐熱性を有し、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体を支持体に十分固定することができるフィルム状の仮固定材を形成することができる。このフィルム状の仮固定材は、加工後の被加工体を支持体から仮固定材残りなく容易に分離することができるとともに、加工後の被加工体から仮固定材残りなく容易に剥離することができる。これにより被加工体を溶剤に浸漬させることなく、加工後の被加工体を支持体及び仮固定材から容易に分離することも可能となる。なお、一種類の高分子量成分のみで分散度の高い高分子量成分を調製すると、低分子量成分も多く含まれてしまい、耐熱性が悪化する傾向にある。
【００１２】
高分子量成分として（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を併用することによって、（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の一方のみを使用した場合と比較して、高分子量成分の分子の大きさ（分子量）の分散度を高めることができる。本発明に係る仮固定用樹脂組成物によれば、分散度の高い特定の高分子量成分を含有することで、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材において優れた段差埋込性と剥離後の仮固定材残りの低減を両立できる。
【００１３】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ａ）成分の含有量が、高分子量成分の全質量を基準として、５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性をより一層向上させ、剥離後の仮固定材の残りをより一層少なくすることができる。
【００１４】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ａ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とをより容易に両立させることができる。
【００１５】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ｂ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とをより容易に両立させることができる。
【００１６】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であって、いずれか一方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基がエポキシ基であり、他方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基がエポキシ基と反応しうる基であることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とを更に高水準で両立させることができる。
【００１７】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ａ）成分が反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体であって、該反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体は、共重合体を構成する単量体成分として反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とを更に高水準で両立させることができる。
【００１８】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ｂ）成分が反応性基を含有する(メタ）アクリル共重合体であって、該反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体は、共重合体を構成する単量体成分である反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とを更に高水準で両立させることができる。
【００１９】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ｃ）硬化促進剤を更に含有することが好ましい。この場合、本発明に係る仮固定用樹脂組成物の硬化性と保存安定性とを両立することがより容易となる。
【００２０】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ｄ）シリコーン化合物を更に含有することが好ましい。この場合、本発明に係る仮固定用樹脂組成物の剥離性を更に向上させることができる。
【００２１】
本発明はまた、本発明に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる仮固定用樹脂フィルムを提供する。このような仮固定用樹脂フィルムを用いることで、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体を効率よく加工することができる。これにより、ＳＩＰ型のパッケージに好適な半導体素子を効率よく製造することができ、更には係る半導体素子を備える半導体装置を効率よく製造することができる。
【００２２】
本発明はまた、離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムとを備える仮固定用樹脂フィルムシートを提供する。本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートによれば、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体或いは支持体に本発明に係る仮固定用樹脂フィルムを容易に転写することができ、被加工体を効率よく加工することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、優れた低温貼付性、段差埋込性、及び十分な耐熱性を有し、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体を支持体に十分固定することができ、なおかつ加工後の被加工体を支持体及び仮固定材から容易に分離しすることができ、加工後の被加工体に仮固定材が残りにくいフィルム状の仮固定材の形成を可能とする仮固定用樹脂組成物、並びに、該仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハを示す上面図である。
【図４】図４は、加工された半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図５】図５は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。
【００２６】
［仮固定用樹脂組成物］
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、半導体チップ、半導体ウェハ等の被加工体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された被加工体を加工する加工工程と、加工された被加工体を支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える被加工体の加工方法に用いられる仮固定用フィルムを形成するための仮固定用樹脂組成物であって、仮固定用樹脂組成物が高分子量成分を含み、高分子量成分が（Ａ）高分子量成分が、（Ａ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ａ））が１０万以上６０万未満であり、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第１の高分子量成分（以下、（Ａ）成分という場合もある）と、（Ｂ）重量平均分子量（Ｍｗ（Ｂ））が下記式（１）を満足し、ガラス転移温度が−５０℃以上５０℃以下である第２の高分子量成分（以下、（Ｂ）成分という場合もある）とを含む。
Ｍｗ（Ｂ）−Ｍｗ（Ａ）≧１０万      …（１）
【００２７】
本実施形態で用いる（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂を用いることができる。
【００２８】
熱可塑性樹脂としては、反応性基を含有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。
【００２９】
反応性基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムが挙げられるが、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレートが挙げられる。具体的なモノマーの組み合わせによる共重合体としては、ブチルアクリレートとアクリロニトリルとからなる共重合体、及びエチルアクリレートとアクリロニトリルとからなる共重合体が挙げられる。
【００３０】
反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、共重合体を構成する単量体成分として、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを含むことが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。
【００３１】
反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、アミノ基、エピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点からエポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。
【００３２】
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である場合、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のいずれか一方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基はエポキシ基であり、他方の（メタ）アクリル共重合体の反応性基がエポキシ基と反応しうる基であってもよい。エポキシ基と反応しうる反応性基としては、エポキシ基、カルボキシル基、フェニル基が好ましい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の共重合体において、好ましい反応性基の組み合わせとしては、例えば、エポキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシル基、エポキシ基とフェニル基が挙げられる。このような（Ａ）成分及び（Ｂ）成分であれば、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性及び段差埋込性と耐熱性とを更に高水準で両立させることができる。
【００３３】
反応性基がエポキシ基である場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが挙げられる。エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、中でも、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましい。
【００３４】
（Ａ）成分が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である場合、（Ａ）成分は、共重合体を構成する単量体成分として反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなることが好ましく、２．０質量％以上３５．０質量％以下配合されてなることがより好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性、段差埋込性及び耐熱性を更に高水準で両立させやすい。
【００３５】
（Ｂ）成分が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である場合、（Ｂ）成分は、共重合体を構成する単量体成分として反応性基を含有する（メタ）アクリルモノマーが、単量体成分全量を基準として、１．０質量％以上４０．０質量％以下配合されてなることが好ましく、２．０質量％以上３５．０質量％以下配合されてなることがより好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の低温貼付性、段差埋込性及び耐熱性を更に高水準で両立させやすい。
【００３６】
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体が共重合体を構成する単量体成分として、グリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを含む場合、これらの配合量は合計で、単量体成分全量を基準として、１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上３５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上３０質量％以下であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定用樹脂組成からフィルム状の仮固定材を形成したときに、耐熱性を十分確保しつつ、十分な保存安定性が得られる傾向にある。
【００３７】
上述のような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）等の市販品を用いてもよい。
【００３８】
（Ａ）成分の重量平均分子量は、１０万以上６０万未満であり、１５万以上５５万以下が好ましく、２０万以上５０以下がより好ましい。（Ｂ）成分の重量平均分子量は、２０万以上２００万以下であり、２５万以上１９０万以下が好ましく、３０万以上１８０万以下がより好ましい。重量平均分子量の異なる（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を併用することによって、（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の一方のみを使用した場合と比較して、高分子量成分の分子の大きさ（分子量）の分散度を高めることができる。そのため、本発明に係る仮固定用樹脂組成物によれば、分散度が大きい特定の高分子量成分を含有することで、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材において、優れた段差埋込性と剥離後の仮固定材残りの低減を両立できる。高分子量成分の分子の大きさの分散度を更に高めるという観点から、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分において、その重量平均分子量の差は、１０万以上あることが好ましく、１２万以上あることがより好ましく、１４万以上あることが更に好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３９】
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−５０℃以上５０℃以下である。（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分のＴｇが５０℃以下であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保でき、低温貼付性の低下を抑制できる。また、仮固定用樹脂組成物から形成したフィルム状の仮固定材は、半導体ウェハにバンプ等が存在する場合、１５０℃以下でのバンプ埋め込みが容易になる。一方、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のＴｇが−５０℃以上であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなりすぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のＴｇは、−４５℃以上４５℃以下が好ましく、−４０℃以上４０℃以下がより好ましい。
【００４０】
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用いて（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記Ｔｇは、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００４１】
高分子量成分において、（Ａ）成分の含有量は、高分子量成分の全質量を基準として５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５５質量％以上９０質量％以下がより好ましい。また、（Ｂ）成分の含有量は、高分子量成分の全質量を基準として５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上４５質量％以下がより好ましい。また、高分子量成分において、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、高分子量成分の全質量を基準として５５質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、６５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、１００質量％であってもよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の含有量が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂組成物を形成した仮固定用樹脂フィルムの段差埋込性をより向上させ、剥離後の残渣をより低減させることができる。
【００４２】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）第１の高分子量成分（（Ａ）成分）、及び（Ｂ）第２の高分子量成分（（Ｂ）成分）、必要に応じて（Ｃ）硬化促進剤（以下、（Ｃ）成分という場合もある）、（Ｄ）シリコーン化合物（以下、（Ｄ）成分という場合もある）、無機フィラー、有機溶剤、及びその他の成分を含有することができる。
【００４３】
（Ｃ）成分としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｃ）成分の配合量は、全高分子量成分１００質量部に対して０．０１質量部以上５０質量部以下が好ましく、０．１質量部以上２０質量部以下がより好ましい。硬化促進剤の配合量が上記範囲内であると、十分な硬化性を得つつ、保存安定性の低下を十分小さくすることができる傾向にある。
【００４６】
（Ｄ）成分としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができ、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｄ）成分の含有量は、溶解性と接着性とのバランスの観点から、全高分子量成分１００質量部に対し、合計で１．０質量部以上１００質量部以下が好ましく、５．０質量部以上８０質量部以下がより好ましく、１０質量部以上５０質量部以下が更に好ましい。
【００４８】
無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。例えば、金属フィラーは、仮固定用樹脂組成物にチキソ性を付与する目的で添加することができ、非金属無機フィラーは、仮固定用樹脂組成物に低熱膨張性及び低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】
上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、仮固定用樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びに仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
【００５０】
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ測定、ＩＲ測定、ＸＰＳ測定等で確認することが可能である。
【００５１】
【化１】
2018078199.tif 000003
【００５２】
式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアルキル基としては、入手が容易である点で、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘとしては、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００５３】
好ましいシランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン等が挙げられる。これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５４】
上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１質量部以上５０質量部以下が好ましく、０．０５質量部以上２０質量部以下がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５質量部以上１０質量部以下が更に好ましい。
【００５５】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における無機フィラーの配合量は、全高分子成分１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、全高分子量成分１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の接着性を十分確保しつつ、所望の機能を付与することができる。
【００５６】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物には、更に有機フィラーを配合することができる。有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの配合量は、全高分子量成分１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、全高分子量成分１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００５７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、必要に応じて更に有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は、特に限定されないが、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤は、製膜時にフィルムの硬化が進まない点で好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５８】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物の固形分濃度は、仮固定用樹脂組成物の全質量を基準として、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。
【００５９】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）第１の高分子量成分及び（Ｂ）第２の高分子量成分を含む高分子量成分、並びに、必要に応じて（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）シリコーン化合物、無機フィラー、有機溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
【００６０】
［仮固定用樹脂フィルム］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、上記本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなるものである。
【００６１】
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、例えば、仮固定用樹脂組成物を支持フィルムに塗布することにより容易に製造することができる。また、仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、該樹脂組成物を支持フィルムに塗布し、有機溶剤を加熱乾燥により除去することにより製造することができる。
【００６２】
支持フィルム上に設けられた仮固定用樹脂フィルムは、必要に応じて保護フィルムを貼り付けることができる。この場合、後述する、支持フィルム、仮固定用樹脂フィルム及び保護フィルムからなる３層構造を有する仮固定用樹脂フィルムシートを得ることができる。
【００６３】
このようにして得られた仮固定用樹脂フィルムシートは、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。
【００６４】
図１（Ａ）は、本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【００６５】
図１に示す仮固定用樹脂フィルムシート１は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた仮固定用樹脂フィルム２０と、仮固定用樹脂フィルム２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【００６６】
支持フィルム１０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等が挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドであることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【００６７】
支持フィルム１０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。３μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、支持フィルム１０の厚みは、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以上１５０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００６８】
本実施形態の仮固定用樹脂フィルム２０の厚みについては、特に限定されないが、乾燥後の厚みで、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。５μｍ以上であれば、厚みが十分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が十分であり、３００μｍ以下であれば、十分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときに発泡することを少なくできる。
【００６９】
厚膜のフィルムを製造する場合は、予め形成した厚み１００μｍ以下のフィルムを貼り合せてもよい。このように貼り合せたフィルムを用いることで、厚膜化フィルムを作製したときの残存溶剤を低下させることができる。
【００７０】
保護フィルム３０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンであることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルムとして用いることが好ましい。
【００７１】
保護フィルム３０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜設定することができるが、１０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３０の厚みは、１５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上１５０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００７２】
図２（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【００７３】
図２に示す仮固定用樹脂フィルムシート２は、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２０及び保護フィルム３０が予め裁断されていること以外は、仮固定用樹脂フィルムシート１と同様の構成を有する。なお、図２では、裁断された仮固定用樹脂フィルム２０及び保護フィルム３０の外縁部が除去されているが、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム及び保護フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。
【００７４】
［半導体ウェハ加工方法］
本実施形態に係る半導体ウェハの加工方法は、大きく分けて以下の４工程からなる。（ａ）半導体ウェハと支持体とをフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、（ｂ）支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、（ｃ）加工された半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、（ｄ）半導体ウェハに残渣がある場合に洗浄する洗浄工程とからなる。
【００７５】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハを示す上面図である。
【００７６】
＜（ａ）仮固定工程＞
図３の（Ａ）は、支持体５０及び半導体ウェハ６０の間に、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物又は仮固定用樹脂フィルムから形成されるフィルム状の仮固定材４０を介在させ、支持体５０に半導体ウェハ６０を仮固定する工程を示す。
【００７７】
半導体ウェハ６０の厚みは、特に制限はないが、６００μｍ以上８００μｍ以下とすることができる。
【００７８】
仮固定用樹脂組成物を用いる場合、スピンコート等の方法により半導体ウェハ６０の素子形成面上又は支持体上にフィルム状の仮固定材４０を形成することができる。仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じて、加熱乾燥により有機溶剤を加熱乾燥により除去し、フィルム状の仮固定材４０を形成する。
【００７９】
仮固定用樹脂フィルム２０を用いる場合、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて、半導体ウェハ６０の素子形成面上又は支持体上に仮固定用樹脂フィルム２０をラミネートすることによりフィルム状の仮固定材４０を設けることができる。
【００８０】
次に、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上に、フィルム状の仮固定材４０を形成した半導体ウェハ６０をセットし、支持体５０をプレスで押圧して貼り付ける。なお、支持体５０側にフィルム状の仮固定材４０を形成した場合には、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上に、フィルム状の仮固定材４０を設けた支持体５０をセットし、半導体ウェハ６０をプレスで押圧して貼り付ける。
【００８１】
ウェハ接合装置を用いる場合は、例えばＥＶＧ社製真空プレス機ＥＶＧ５２０ＩＳ（商品名）を用いて、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０℃以上２００℃以下、保持時間１００秒以上３００秒以下で、半導体ウェハ６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定する。
【００８２】
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ−５０×５０−Ｓ（商品名）、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０℃以上１８０℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、ラミネート圧力０．０１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下、好ましくは０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下、保持時間１秒以上６００秒以下、好ましくは３０秒以上３００秒以下で、半導体ウェハ６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定する。
【００８３】
半導体ウェハ６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定した後、１００℃以上２００℃以下で５分以上１２０分以下加熱することにより、フィルム状の仮固定材４０の熱硬化を行う。
【００８４】
本実施形態の支持体の材質は特に選ばないが、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ等の基板が使用可能である。
【００８５】
本実施形態の支持体には剥離処理を行ってもよく、図３（Ａ）のように支持体５０表面の全部、又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成する。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されないが、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【００８６】
以上説明したような構成のフィルム状の仮固定材を用いると、支持体を用いた高温での半導体ウェハの加工が可能で、加工後に室温で仮固定用樹脂組成物を半導体ウェハ及び支持体から糊残りなく剥離することができる。
【００８７】
＜（ｂ）加工工程＞
加工工程には、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は半導体ウェハと砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【００８８】
例えば、図３（Ｂ）に示すように、グラインダー９０によって半導体ウェハ８０の裏面、すなわち半導体ウェハ８０のフィルム状の仮固定材７０と接する側とは反対側の面を研削し、例えば７００μｍ程度の厚みを１００μｍ以下にまで薄化する。
【００８９】
研削加工する装置としては、例えばＤＩＳＣＯ株式会社製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられ、この場合の切削条件は所望の半導体ウェハの厚み及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【００９０】
その他の工程は具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、公知のプロセスが挙げられる。
【００９１】
図３（Ｃ）は、薄化した半導体ウェハ８０の裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理を行い、貫通電極８２を形成した例を示している。
【００９２】
こうして半導体ウェハ８０に所定の加工が施される。図３（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハ８０の上面図である。
【００９３】
＜（ｃ）分離工程＞
図４は、加工された半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る分離工程は、支持体から半導体ウェハを剥離する第一の剥離工程と、半導体ウェハからフィルム状の仮固定材を剥離する第二の剥離工程と、を含む。第一の剥離工程は、加工工程で加工を施した半導体ウェハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化した半導体ウェハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主に半導体ウェハと支持体とを加熱（好ましくは２００℃以上２５０℃以下）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、支持体の半導体ウェハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された半導体ウェハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウェハと保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられるが、特に制限なく採用することができる。
【００９４】
本実施形態では、図４（Ａ）に示されるような支持体の半導体ウェハ８０又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された半導体ウェハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウェハと保護フィルムとをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０℃以上１００℃以下程度の半導体ウェハにダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばＥＶＧ社製Ｄｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＥＶＧ８０５ＥＺＤを用いる。
【００９５】
第二の剥離工程では、例えば、図４（Ｂ）に示されるように、半導体ウェハ８０を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定材７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、フィルム状の仮固定材が剥離された半導体ウェハ８０を得ることができる（図４（Ｃ）を参照）。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物を用いてフィルム状の仮固定材が形成されていることにより、糊残り等の残渣が十分低減された加工済み半導体ウェハを容易に得ることができる。
【００９６】
本実施形態においては、第一の剥離工程で、半導体ウェハと、フィルム状の仮固定材との間で分離を行ってもよい。
【００９７】
＜（ｄ）洗浄工程＞
半導体ウェハの回路形成面は仮固定材の一部が残存しやすい。剥離した半導体ウェハの回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、半導体ウェハを洗浄することにより行うことができる。
【００９８】
用いる洗浄液には、一部残存した仮固定材を除去できるような洗浄液であれば、特に制限はなく、例えば、仮固定用樹脂組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００９９】
また、残存した仮固定材が除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましい。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。
【０１００】
洗浄方法として、特に制限はないが、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０℃以上８０℃以下、好ましくは１５℃以上６５℃以下が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の半導体ウェハ８０が得られる。
【０１０１】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物によれば、糊残り等の残渣を十分低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【０１０２】
加工された半導体ウェハ８０は、上記と同様にして貫通電極８２が形成され、更にダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される。
【０１０３】
本実施形態においては、得られた半導体素子を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
【０１０４】
図５は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。まず、上述した方法により、貫通電極８６が形成され、個片化された半導体素子１００を用意する（図５（Ａ））。そして、半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層することにより半導体装置１２０を得ることができる（図５（Ｂ））。
【実施例】
【０１０５】
以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０６】
［アクリルゴムＰ−１の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル６１ｇ、メタクリル酸メチル１９ｇ、グリシジルメタクリレート２０ｇ、１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．２ｇ、及びｎ−オクチルメルカプタン０．０６ｇを配合した。続いて、フラスコに６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＰ−１を得た。アクリルゴムＰ−１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＰ−１の重量平均分子量はポリスチレン換算で４０万であった。また、アクリルゴムＰ−１のＴｇは−１０℃であった。
【０１０７】
ＧＰＣの測定は、ＧＰＣ（東ソー株式会社製、ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０）を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラムとして日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ  ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを使用し、溶離液流量１．０ｍＬ／分、カラム温度４０℃の条件で行った。
【０１０８】
Ｔｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）（株式会社リガク社製、ＤＳＣ８２３０）を用いて、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で測定した。この場合のガラス転移温度とは、熱量変化からＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度のことである。
【０１０９】
［アクリルゴムＰ−２の合成］
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル６１ｇ、メタクリル酸メチル１９ｇ、グリシジルメタクリレート２０ｇ、１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．２ｇ、及びｎ−オクチルメルカプタン０．０３ｇを配合した。続いて、フラスコに６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＰ−２を得た。アクリルゴムＰ−２をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＰ−２の重量平均分子量はポリスチレン換算で７０万であった。また、アクリルゴムＰ−２のＴｇは−１０℃であった。
【０１１０】
（実施例１〜７、比較例１〜８）
［ワニス（仮固定用樹脂組成物）の調製］
表１及び表２に示す質量部の組成で高分子量成分、シリコーン化合物、硬化促進剤、フィラー及びシクロヘキサノンを配合し、ワニスをそれぞれ調製した。
【０１１１】
［仮固定用樹脂フィルムの作製］
調製したワニスを、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ａ３１、厚み３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で３０分間加熱乾燥して、保護フィルム及び支持フィルム付き仮固定用樹脂フィルムをそれぞれ得た。仮固定用樹脂フィルムの膜厚は、３０μｍで調製した。調製した実施例１〜７、及び比較例１〜８の仮固定用樹脂フィルムを用いて以下の試験を行い、その評価結果を表３及び表４に示す。
【０１１２】
［半導体ウェハへのフィルムラミネート］
支持フィルム付き仮固定用樹脂フィルムを、半導体ウェハの直径よりも２ｍｍ小さい直径を有する円形状に切り出した。その後、幅４０×４０μｍ２、深さ４０μｍ、間隔１００μｍの凹凸のある半導体ウェハに仮固定用樹脂フィルムを、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度８０℃、ラミネート圧力０．５ＭＰａ、保持時間６０秒でラミネートを行い、仮固定用樹脂フィルム付き半導体ウェハを得た。
【０１１３】
［支持体への圧着］
ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度１００℃、ラミネート圧力０．５ＭＰａ、保持時間１００秒で、離型処理剤付き支持体と仮固定用樹脂フィルム付き半導体ウェハとを圧着した。その後、これを１１０℃に設定したオーブン３０分間保持した後、１７０℃に設定したオーブンで１時間保持し、積層サンプルを得た。
【０１１４】
［低温貼付性、及び段差埋込性試験］
半導体ウェハへのフィルムラミネート及び支持体への圧着後に、超音波顕微鏡（ＳＡＭ）（インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態及び凹凸の埋め込み状態を確認した。低温貼付性は、仮固定用樹脂フィルムの剥離が見られなかったサンプルを「○」、剥離が見られたサンプルを「×」として評価した。段差埋込性は、ボイドなく凹凸を埋込めたサンプルを「○」、ボイドが見られたサンプルを「×」として評価した。
【０１１５】
［バックグラインド試験］
低温貼付性及び段差埋込性試験で評価が「○」であった積層サンプルについて、フルオートグラインダポリッシャ（ＤＩＳＣＯ株式会社製、ＤＧＰ−８７６１）を用いて、積層サンプルにおける半導体ウェハの表面を研削した。ホイールには、１軸：ＧＦ０１−ＳＤＣ３２０−ＢＴ３００−５０、２軸：ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ・Ｋ０９、３軸：ＤＰＥＧ−ＧＡ０００１をそれぞれ用いた。チャックテーブル回転数を３００ｒｐｍ、ホイール回転数を１軸：３，２００ｒｐｍ、２軸：３，４００ｒｐｍ、３軸：１，４００ｒｐｍとし、クロスフィード方式で研削を行った。半導体ウェハを、１軸で１４２μｍ厚になるまで研削後、２軸で１０２μｍ厚になるまで、３軸で１００μｍ厚になるまで研削した。研削終了時点で割れ等が発生しなかったサンプルを「○」、割れ等が発生したサンプルを「×」として評価した。
【０１１６】
［耐熱性試験］
バックグラインド試験において、評価が「○」であった積層サンプルについて、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。その後、積層サンプルを２００℃に設定したオーブンに２時間放置し、更に２６０℃に設定したオーブンに２０分間放置した。続いて、再度ＳＡＭを用いて積層サンプルの仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。オーブンに放置しても仮固定用樹脂フィルムの剥離が生じなかったサンプルを「○」、剥離が生じたサンプルを「×」として評価した。
【０１１７】
［支持体からの剥離性試験］
耐熱性試験において、評価が「○」であった積層サンプルについて、離型処理剤付き支持体と仮固定用樹脂フィルムとの間に先端が鋭利な状態のピンセットを差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。このとき、半導体ウェハが割れることなく支持体を剥離できたサンプルを「○」、剥離できなかったサンプルを「×」として評価した。
【０１１８】
［半導体ウェハからの剥離性試験］
支持体からの剥離性試験において評価が「○」であった積層サンプルについて、半導体ウェハに貼付されている仮固定用樹脂フィルムの端部をピンセットにて持ち上げた。このとき、半導体ウェハから仮固定用樹脂フィルムを剥離できたサンプルを「○」、剥離できなかったサンプルを「×」として評価した。
【０１１９】
［半導体ウェハ表面の仮固定材残渣］
半導体ウェハからの剥離性試験において評価が「○」であった半導体ウェハの凹凸面を顕微鏡にて観察した。このとき、仮固定材の残渣が見られなかったサンプルを「○」、残渣が見られたサンプルを「×」として評価した。
【０１２０】
【表１】
2018078199.tif 000004
【０１２１】
【表２】
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【０１２２】
表１及び表２中の各成分の詳細は以下のとおりである。
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、Ｔｇ−２８℃、カルボキシル基含有モノマー８質量％配合のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
Ｐ−１：ＧＰＣによる重量平均分子量４０万、Ｔｇ−１０℃のアクリルゴム、エポキシ基含有モノマー２０質量％配合
Ｐ−２：ＧＰＣによる重量平均分子量７０万、Ｔｇ−１０℃のアクリルゴム、エポキシ基含有モノマー２０質量％配合
ＴＡ３１−２０９Ｅ：シリコーン変性アルキッド樹脂（日立化成ポリマー株式会社製）
ＳＨ５５０：フェニル変性シリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社製）
ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社製）
２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
ＳＣ２０５０−ＳＥＪ：表面処理シリカフィラ（アドマテックス株式会社製）
【０１２３】
【表３】
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【０１２４】
【表４】
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【符号の説明】
【０１２５】
１…仮固定用樹脂フィルムシート、２…仮固定用樹脂フィルムシート、１０…支持フィルム、２０…仮固定用樹脂フィルム、３０…保護フィルム、４０…仮固定材、５０…支持体、５２…剥離層、６０…半導体ウェハ、７０…仮固定材、８０…半導体ウェハ、８２…貫通電極、８４…ダイシングライン、８６…貫通電極、１００…半導体素子、１１０…配線基板、１２０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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