(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性とはんだ接合性を良好にすることができる保護テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】保護テープ１０は、接着剤層１１と、第１の熱可塑性樹脂層１２と、第２の熱可塑性樹脂層１３と、基材フィルム層１４とをこの順に有し、第２の熱可塑性樹脂層の下記式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、下記式（２）の条件を満たす。（１）架橋基量（％）＝（ｐｍｒ／ｐｍｗ×（ｐｍｆ−１））／（Σ（ｍｒ／ｍｗ））×１００、（２）Ｇｎ／Ｇａ≦０．０１【選択図】図１
2018098228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤層と、第１の熱可塑性樹脂層と、第２の熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順に有し、
上記第２の熱可塑性樹脂層の下記式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、
下記式（２）の条件を満たす、保護テープ。
（１）架橋基量（％）＝（ｐｍｒ／ｐｍｗ×（ｐｍｆ−１））／（Σ（ｍｒ／ｍｗ））×１００
（２）Ｇｎ／Ｇａ＜０．０１
（式（１）中、ｐｍｒは上記第２の熱可塑性樹脂層に用いられる多官能モノマーの比率であり、ｐｍｗは多官能モノマーの分子量であり、ｐｍｆは多官能モノマーの官能基数であり、ｍｒは上記第２の熱可塑性樹脂層に用いられる各モノマーの比率であり、ｍｗは各モノマーの分子量である。式（２）中、Ｇｎは当該保護テープを貼付する貼付温度における上記接着剤層の貯蔵剪断弾性率であり、Ｇａは上記貼付温度における上記第１の熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率である。）
【請求項２】
上記貼付温度が、４０〜８０℃である、請求項１記載の保護テープ。
【請求項３】
上記第１の熱可塑性樹脂層の６０℃での貯蔵剪断弾性率が、１．０Ｅ＋０６Ｐａ〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであり、
上記接着剤層の６０℃での貯蔵剪断弾性率が、１．０Ｅ＋０１Ｐａ〜５．０Ｅ＋０４Ｐａである、請求項１又は２記載の保護テープ。
【請求項４】
上記第２の熱可塑性樹脂層の６０℃での貯蔵剪断弾性率が、１．０Ｅ＋０４Ｐａ〜２．０Ｅ＋０６Ｐａである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項５】
上記第２の熱可塑性樹脂層は、多官能モノマーの含有量が０．０１〜５質量％である組成物を硬化したものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項６】
上記組成物は、単官能モノマーと２官能モノマーとを含有し、２官能モノマーの含有量が０．０１〜５質量％である、請求項５記載の保護テープ。
【請求項７】
上記第１の熱可塑性樹脂層の厚さが１０〜２００μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項８】
バンプが形成されたウエハ面に上記接着剤層が貼付され、
上記第２の熱可塑性樹脂層の厚さが上記バンプの高さ以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項９】
バンプが形成されたウエハ面に、請求項１〜８のいずれか１項に記載の保護テープを貼付する工程（Ａ）と、
上記保護テープを貼付けたウエハの反対面をグラインド処理する工程（Ｂ）と、
上記接着剤層を硬化させる工程（Ｃ）と、
グラインド処理面に粘着テープを貼付する工程（Ｄ）と、
上記接着剤層を残して上記保護テープを剥離し、他の層を除去する工程（Ｅ）と、
上記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得る工程（Ｆ）とを有する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用される保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法において、複数のバンプ（突起電極）が形成されたウエハの反対面をグラインド処理する工程において、バンプ形成面の保護目的でバックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれる保護テープが用いられる。
【０００３】
従来の保護テープとしては、例えば、特許文献１に記載の半導体ウエハ表面保護用シートや、特許文献２に記載の半導体接合用接着シートのように、バンプ補強機能を付与させるために熱硬化性樹脂層を積層したものが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１５２０４５号
【特許文献２】国際公開第２０１５／０６４５７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば特許文献２に記載の半導体接合用接着シートをウエハにラミネートすると、バンプ上に熱硬化性樹脂が残りやすく、この樹脂がその後の実装時にはんだ接合を阻害するおそれがある。また、例えば特許文献１に記載の半導体ウエハ表面保護用シートに熱硬化性樹脂を貼り合わせてラミネートした場合にも同様の問題がある。また、はんだ接合性に加えて、耐熱性を良好にすることが望まれている。例えば、接着剤層と熱可塑性樹脂層と基材フィルム層とを有する保護テープをウエハに貼付し、接着剤層を熱硬化させたときの熱可塑性樹脂層の樹脂が基材フィルムからはみ出すことを抑制することが望まれている。
【０００６】
本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、耐熱性とはんだ接合性を良好にすることができる保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術に係る保護テープは、接着剤層と、第１の熱可塑性樹脂層と、第２の熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順に有し、第２の熱可塑性樹脂層の下記式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、下記式（２）の条件を満たす。
（１）架橋基量（％）＝（ｐｍｒ／ｐｍｗ×（ｐｍｆ−１））／（Σ（ｍｒ／ｍｗ））×１００
（２）Ｇｎ／Ｇａ＜０．０１
（式（１）中、ｐｍｒは第２の熱可塑性樹脂層に用いられる多官能モノマーの比率であり、ｐｍｗは多官能モノマーの分子量であり、ｐｍｆは多官能モノマーの官能基数であり、ｍｒは第２の熱可塑性樹脂層に用いられる各モノマーの比率であり、ｍｗは各モノマーの分子量である。式（２）中、Ｇｎは保護テープを貼付する貼付温度における接着剤層の貯蔵剪断弾性率であり、Ｇａは貼付温度における第１の熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率である。）
【０００８】
また、本技術に係る半導体装置の製造方法は、バンプが形成されたウエハ面に、保護テープを貼付する工程（Ａ）と、保護テープを貼付けたウエハの反対面をグラインド処理する工程（Ｂ）と、接着剤層を硬化させる工程（Ｃ）と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する工程（Ｄ）と、接着剤層を残して保護テープを剥離し、他の層を除去する工程（Ｅ）と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得る工程（Ｆ）とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本技術によれば、耐熱性とはんだ接合性を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、保護テープの概略を示す断面図である。
【図２】図２は、保護テープ貼付工程（Ａ）の概略を示す断面図である。
【図３】図３は、グラインド工程（Ｂ）の概略を示す断面図である。
【図４】図４は、硬化工程（Ｃ）の概略を示す断面図である。
【図５】図５は、粘着テープ貼付工程（Ｄ）の概略を示す断面図である。
【図６】図６は、保護テープ剥離工程（Ｅ）の概略を示す断面図である。
【図７】図７は、ダイシング処理工程（Ｆ）の概略を示す断面図である。
【図８】図８は、エキスパンド工程（Ｇ）の概略を示す断面図である。
【図９】図９は、ピックアップ工程（Ｈ）の概略を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実装工程（Ｉ）の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜１．保護テープ＞
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープと呼ばれるものであり、例えば後述する半導体装置の製造方法のグラインド工程（Ｂ）において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。保護テープ１０は、例えば、接着剤層１１と、第１の熱可塑性樹脂層１２と、第２の熱可塑性樹脂層１３と、基材フィルム層１４とをこの順に有する。また、保護テープ１０は、第２の熱可塑性樹脂層１３の下記式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、下記式（２）の条件を満たす。
（１）架橋基量（％）＝（ｐｍｒ／ｐｍｗ×（ｐｍｆ−１））／（Σ（ｍｒ／ｍｗ））×１００
（２）Ｇｎ／Ｇａ＜０．０１
（式（１）中、ｐｍｒは第２の熱可塑性樹脂層１３に用いられる多官能モノマーの比率であり、ｐｍｗは多官能モノマーの分子量であり、ｐｍｆは多官能モノマーの官能基数であり、ｍｒは第２の熱可塑性樹脂層１３に用いられる各モノマーの比率であり、ｍｗは各モノマーの分子量である。式（２）中、Ｇｎは保護テープ１０を貼付する貼付温度における接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率であり、Ｇａは保護テープ１０を貼付する貼付温度における第１の熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率である。）
【００１２】
保護テープ１０は、第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％である。すなわち、第２の熱可塑性樹脂層１３に用いられる全モノマー（官能基を１つ含む単官能モノマー、及び官能基を２つ以上含む多官能モノマー）中の、各多官能モノマーの架橋基量の総和が０．０１〜３％であってもよい。
【００１３】
第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量を０．０１％以上とすることにより、例えば後述する硬化工程（Ｃ）における接着剤層１１の熱硬化時に第２の熱可塑性樹脂層１３の樹脂が基材フィルム１４層からはみ出してウエハに接着してしまうことを抑制できる程度に、第２の熱可塑性樹脂層１３の架橋度を調整できる。そのため、接着剤層１１を硬化させた後に、接着剤層１１以外の保護テープ１０を構成する層（第１の熱可塑性樹脂層１２、第２の熱可塑性樹脂層１３及び基材フィルム層１４）を容易に剥離することができる。すなわち、保護テープ１０の剥離性を良好にできる。
【００１４】
第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量を３％以下とすることにより、例えば後述する保護テープ貼付工程（Ａ）で保護テープ１０をウエハに貼付けたときに、接着剤層１１のバンプ間に空隙が発生することを抑制できる程度に、第２の熱可塑性樹脂層１３の架橋度を調整できる。したがって、バンプの埋め込み性を良好にすることができる。このように、このように、第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量が０．０１％〜３％以下であることにより、保護テープ１０の耐熱性を良好にできる。
【００１５】
また、保護テープ１０は、上述した式（２）の条件を満たす。すなわち、保護テープ１０は、保護テープ１０を貼付する貼付温度における接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率（Ｇｎ）と、保護テープ１０を貼付する貼付温度における第１の熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率（Ｇａ）との比（Ｇｎ／Ｇａ）が０．０１未満である。式（２）の条件を満たすことにより、第１の熱可塑性樹脂層１２に比べて接着剤層１１の変形や流動が非常に良好となる。これにより、保護テープ１０をウエハに貼付けする際に、ウエハのバンプ上への接着剤層１１の付着をより効果的に抑制することができ、バンプ上に接着剤層１１が残りにくくなる。そのため、はんだ接合性をより良好にすることができる。
【００１６】
式（２）の左辺の値（Ｇｎ／Ｇａ）の下限値は、０．０００５以上が好ましく、０．００１以上がより好ましい。
【００１７】
以上のように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、第１の熱可塑性樹脂層１２と、第２の熱可塑性樹脂層１３と、基材フィルム層１４とをこの順に有し、第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、さらに式（２）の条件を満たす。第２の熱可塑性樹脂層１３の式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であることにより、保護テープ１０の耐熱性を良好にすることができる。また、保護テープ１０が式（２）の条件を満たすことにより、はんだ接合性を良好にすることができる。したがって、保護テープ１０を用いることにより、耐熱性とはんだ接合性を良好にすることができる。
【００１８】
保護テープ１０は、さらに保護テープ１０を貼付する貼付温度における第１の熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率（Ｇａ）が、保護テープ１０を貼付する貼付温度における第２の熱可塑性樹脂層１３の貯蔵剪断弾性率（Ｇｂ）よりも大きいことが好ましい。このような構成とすることにより、接着剤層１１の表層、すなわち、第１の熱可塑性樹脂層１２が第２の熱可塑性樹脂層１３よりも硬くなるため、第１の熱可塑性樹脂層１２が変形した際に、第１の熱可塑性樹脂層１２の変形を、第２の熱可塑性樹脂層１３が阻害しにくくなる。
【００１９】
保護テープ１０は、さらに式（３）の条件を満たすことが好ましい。
（３）Ｇａ＞Ｇｂ＞Ｇｎ
（式（３）中、Ｇｂは保護テープ１０を貼付する貼付温度における第２の熱可塑性樹脂層１３の貯蔵剪断弾性率であり、Ｇｎ及びＧａは式（２）中のＧｎ及びＧａと同義である。）
【００２０】
すなわち、保護テープ１０を貼付する貼付温度における第１の熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率（Ｇａ）が一番大きく、保護テープ１０を貼付する貼付温度における第２の熱可塑性樹脂層１３の貯蔵剪断弾性率（Ｇｂ）が二番目に大きく、保護テープ１０を貼付する貼付温度における接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率（Ｇｎ）が三番目に大きいことが好ましい。式（３）の条件を満たすことにより、接着剤層１１、第２の熱可塑性樹脂層１３、第１の熱可塑性樹脂層１２の順に硬くなるため、第１の熱可塑性樹脂層１２に比べて接着剤層１１の変形や流動が非常に良好となる。これにより、保護テープ１０をウエハに貼付けする際に、ウエハのバンプ上への接着剤層１１の付着をより効果的に抑制することができ、バンプ上に接着剤層１１が残りにくくなるため、はんだ接合性をより良好にすることができる。
【００２１】
また、保護テープ１０は、第２の熱可塑性樹脂層１３の厚み（Ｔｂ）が、第１の熱可塑性樹脂層１２の厚み（Ｔａ）よりも大きいことが好ましく、式（４）の条件を満たすことがより好ましい。
（４）Ｔｎ＜Ｔａ＜Ｔｂ
（式（４）中、Ｔｎは接着剤層１１の厚みであり、Ｔａは第１の熱可塑性樹脂層１２の厚みであり、Ｔｂは第２の熱可塑性樹脂層１３の厚みである。）
【００２２】
すなわち、保護テープ１０は、第２の熱可塑性樹脂層１３の厚み（Ｔｂ）が一番大きく、第１の熱可塑性樹脂層１２の厚み（Ｔａ）が二番目に大きく、接着剤層１１の厚み（Ｔｎ）が三番目に大きいことが好ましい。
【００２３】
以下、保護テープ１０を構成する各層の構成例について説明する。
【００２４】
［接着剤層１１］
接着剤層１１の６０℃での貯蔵剪断弾性率（Ｇｎ）は、後述する第１の熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率（Ｇａ）の範囲から、例えば１．０Ｅ＋０１Ｐａ〜５．０Ｅ＋０４Ｐａであることが好ましく、１．０Ｅ＋０２Ｐａ〜３．５Ｅ＋０３Ｐａであることがより好ましい。接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率を１．０Ｅ＋０１Ｐａ以上とすることにより、バンプが接着剤層１１を貫通する間に接着剤層１１に付着してバンプ先端を接着剤層１１が覆ってしまうことを抑制できる。また、保護テープ１０をウエハに貼り付けた際に接着剤層１１の樹脂が流れてしまうことを抑制できる。また、接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率を５．０Ｅ＋０４Ｐａ以下とすることにより、バンプが接着剤層１１をより容易に貫通でき、導通をより良好にできる。
【００２５】
接着剤層１１の樹脂組成としては、特に限定されず、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。
【００２６】
ここでは、接着剤層１１として、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化助剤と、無機フィラーとを含有する熱硬化型の接着剤組成物について説明する。
【００２７】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の種々の樹脂を用いることができる。これらの膜形成樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２８】
エポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、スピロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テルペン型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、α−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高接着性、耐熱性の点から、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２９】
硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、脂肪族アミン、芳香族アミン、酸無水物などが挙げられ、これらの硬化剤は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、硬化物の架橋密度の観点から、ノボラック型フェノール樹脂が好適に用いられる。
【００３０】
硬化助剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾ−ル類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７塩（ＤＢＵ塩）、２−（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの第３級アミン類、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類、オクチル酸スズなどの金属化合物などが挙げられる。これらの中でも、２−エチル−４−メチルイミダゾールが好ましい。
【００３１】
また、接着剤組成物には、その他の成分として、無機フィラー、シランカップリング剤、アクリルゴムなどのエラストマー、カーボンブラックなどの顔料を、目的に応じて適宜配合するようにしてもよい。
【００３２】
無機フィラーとしては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。無機フィラーは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。無機フィラーは、表面処理されていることが好ましく、親水性の無機フィラーであることが好ましい。親水性の無機フィラーとしては、無機フィラーが親水性表面処理剤で表面処理されたものが挙げられる。親水性表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、シリコーン、ステアリン酸アルミニウム等が挙げられ、シランカップリング剤が好ましい。
【００３３】
接着剤層１１の厚さは、ウエハに形成されたバンプの高さの１０〜８０％であることが好ましく、１０〜６０％であることがより好ましい。バンプの高さの１０％以上にすることにより、バンプの補強の効果がより得やすくなる。また、バンプの高さの８０％以下にすることにより、接着剤層１１がバンプをより容易に貫通させることができる。例えば、ウエハに形成されたバンプの高さが１００〜２００μｍである場合、接着剤層１１の厚みは５〜１００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましい。
【００３４】
［第１の熱可塑性樹脂層１２］
第１の熱可塑性樹脂層１２は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどの樹脂からなる層である。上記樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
第１の熱可塑性樹脂層１２の６０℃での貯蔵剪断弾性率（Ｇａ）は、１．０Ｅ＋０６Ｐａ〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであることが好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ〜１．０Ｅ＋０７Ｐａであることがより好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ〜６．０Ｅ＋０６Ｐａであることがさらに好ましい。
【００３６】
第１の熱可塑性樹脂層１２の厚さ（Ｔａ）は、接着剤層１１及び第２の熱可塑性樹脂層１３の厚みの範囲から、上述した（４）を満たすことが好ましく、例えば１０〜２００μｍとすることが好ましい。
【００３７】
［第２の熱可塑性樹脂層１３］
第２の熱可塑性樹脂層１３は、第１の熱可塑性樹脂層１２と接するように形成されている。
【００３８】
第２の熱可塑性樹脂層１３の６０℃での貯蔵剪断弾性率（Ｇｂ）は、上述した式（３）の条件を満たすことが好ましく、例えば、１．０Ｅ＋０４Ｐａ〜２．０Ｅ＋０６Ｐａとすることができ、１．０Ｅ＋０４Ｐａ〜３．０Ｅ＋０４Ｐａとすることもできる。
【００３９】
第２の熱可塑性樹脂層１３の厚さ（Ｔｂ）は、上述した式（４）を満たす範囲が好ましく、例えば１００〜７００μｍとすることができる。
【００４０】
第２の熱可塑性樹脂層１３は、上述した式（１）で表される架橋基量の範囲を考慮して、多官能モノマーの含有量の合計が０．０１〜５質量％である組成物を硬化したものであることが好ましい。例えば、第２の熱可塑性樹脂組成物層１３は、単官能モノマーと、２官能モノマーとを含有する組成物であって、２官能モノマーの含有量が０．０１〜５質量％である組成物を硬化したものであることが好ましい。
【００４１】
多官能モノマーの種類は、上述した式（１）で表される架橋基量の範囲を満たすものであれば、２官能であっても、３官能であっても、４官能以上であってもよい。多官能モノマーは、２種以上を併用してもよい。例えば、２官能モノマーと３官能モノマーを併用してもよいし、２種以上の２官能モノマーを併用してもよい。
【００４２】
多官能モノマーの分子量の下限値は、例えば２００以上であってもよく、３００以上であってもよい。また、多官能モノマーの分子量の上限値は、例えば６００以下であってもよい。
【００４３】
多官能モノマーとしては、上述した式（１）で表される架橋基量の範囲を満たすものであれば特に限定されず、市販品を用いることができる。２官能モノマーとしては、２官能（メタ）アクリレートが挙げられ、例えば、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＮＰＧＤＡ、ＰＥＧ４００ＤＡ、ＦＭ−４００、Ｒ-１６７、ＨＸ−２２０、ＨＸ−６２０、Ｒ−６２０、Ｒ−５５１、Ｒ−７１２、Ｒ−６０４、Ｒ−６８４（以上、日本化薬社製）等が挙げられる。３官能モノマーとしては、３官能（メタ）アクリレートが挙げられ、例えば、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＧＰＯ−３０３、ＴＭＰＴＡ（以上、日本化薬社製）等が挙げられる。
【００４４】
［基材フィルム層１４］
基材フィルム層１４としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
【００４５】
基材フィルム層１４の厚さは、２５〜２００μｍであることが好ましく、５０〜１００μｍであることがより好ましい。
【００４６】
なお、保護テープ１０は、上述した構成に限られることなく、本技術の効果を損なわない範囲で、各層の表面や隣接する層間に、他の層が形成されていてもよい。
【００４７】
保護テープ１０は、例えば、基材フィルム層と第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層とがこの順に形成されている基材フィルム層と熱可塑性樹脂層の積層体と、接着剤層とをラミネートすることにより得ることができる。基材フィルム層と熱可塑性樹脂層の積層体は、例えば、基材フィルム層に、第２の熱可塑性樹脂層を塗布し、紫外線硬化させた後、予め押し出し溶融成型した第１の熱可塑性樹脂層をラミネートすることにより得られる。接着剤層は、例えば、上述した熱硬化型の接着剤組成物を調製し、バーコーターを用いて接着剤組成物を剥離処理された基材に塗布し、乾燥させることにより得られる。
【００４８】
＜２．半導体装置の製造方法＞
次に、上述した保護テープ１０を用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。本製造方法は、バンプが形成されたウエハ面に保護テープを貼付する貼付工程（Ａ）と、保護テープを貼付けたウエハの反対面をグラインド処理する工程（Ｂ）と、接着剤層を硬化させる工程（Ｃ）と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する工程（Ｄ）と、接着剤層を残して保護テープを剥離し、他の層を除去する工程（Ｅ）と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得る工程（Ｆ）とを有する。さらに、本製造方法は、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを有する。
【００４９】
［保護テープ貼付工程（Ａ）］
図２は、保護テープ貼付工程（Ａ）の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程（Ａ）では、バンプ２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。保護テープ１０を貼り付ける貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後のウエハの反り防止の観点から、２５℃〜１００℃が好ましく、４０℃〜８０℃がより好ましい。
【００５０】
ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、接続用のバンプ２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、２００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００５１】
バンプ２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、バンプ２２の高さは、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましい。
【００５２】
保護テープ１０は、バンプ２２の形成面と接着剤層１１とが接する状態で貼り合わされる。図２に示すように、バンプ２２は、接着剤層１１を突き抜け、第１の熱可塑性樹脂層１２に埋め込まれる。また、第１の熱可塑性樹脂層１２における第２の熱可塑性樹脂１３と接する面は、バンプ２２の形状に追従するように変形する。さらに、第２の熱可塑性樹脂層１３における第１の熱可塑性樹脂層１２と接する面は、第１の熱可塑性樹脂層１２の変形に追従するように変形する。
【００５３】
［グラインド工程（Ｂ）］
図３は、グラインド工程（Ｂ）の概略を示す断面図である。グラインド工程（Ｂ）では、保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面、すなわち、バンプ２２が形成されている面とは反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０〜６００μｍになるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１によりバンプ２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さまで研磨してもよい。
【００５４】
［硬化工程（Ｃ）］
図４は、硬化工程（Ｃ）の概略を示す断面図である。硬化工程（Ｃ）では、保護テープ１０の接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。例えば、硬化条件は、１００〜２００℃で１時間以上が好ましい。
【００５５】
［粘着テープ貼付工程（Ｄ）］
図５は、粘着テープ貼付工程（Ｄ）の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程（Ｄ）では、ウエハ２１のグラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。
【００５６】
粘着テープ３０は、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ３０は、粘着剤層３１と、基材フィルム層３２とを有する。粘着剤層３１としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件を用いることができる。
【００５７】
［保護テープ剥離工程（Ｅ）］
図６は、保護テープ剥離工程（Ｅ）の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程（Ｅ）では、接着剤層１１を残して保護テープ１０を剥離し、他の層を除去する。すなわち、第１の熱可塑性樹脂層１２、第２の熱可塑性樹脂層１３及び基材フィルム層１４が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。
【００５８】
［ダイシング処理工程（Ｆ）］
図７は、ダイシング処理工程（Ｆ）の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程（Ｆ）では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。
【００５９】
［エキスパンド工程（Ｇ）］
図８は、エキスパンド工程（Ｇ）の概略を示す断面図である。エキスパンド工程（Ｇ）では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を水平方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
【００６０】
［ピックアップ工程（Ｈ）］
図９は、ピックアップ工程（Ｈ）の概略を示す断面図である。ピックアップ工程（Ｈ）では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
【００６１】
［実装工程（Ｉ）］
図１０は、実装工程（Ｉ）の概略を示す断面図である。実装工程（Ｉ）では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。
【００６２】
以上のように、本製造方法によれば、保護テープ貼付工程（Ａ）で保護テープ１０をウエハ２１に貼付けする際に、ウエハ２１のバンプ２２上への接着剤層１１の付着をより効果的に抑制することができ、バンプ２２上に接着剤層１１が残りにくくなる。そのため、はんだ接合性を良好にすることができる。
【００６３】
また、本製造方法では、上述したように耐熱性が良好な保護テープ１０を用いることにより、硬化工程（Ｃ）における接着剤層１１の熱硬化時に第２の熱可塑性樹脂層１３の樹脂が基材フィルム１４層からはみ出してウエハ２２に接着してしまうことを抑制できる。そのため、接着剤層１１を硬化させた後に、接着剤層１１以外の保護テープ１０を構成する層（第１の熱可塑性樹脂層１２、第２の熱可塑性樹脂層１３及び基材フィルム層１４）を容易に剥離することができる。このように、保護テープ１０の剥離性を良好にできるため、硬化工程（Ｃ）の後に保護テープ剥離工程（Ｅ）を行うことができる。本製造方法のように、硬化工程（Ｃ）の後に保護テープ剥離工程（Ｅ）を行うことにより、例えば保護テープ剥離工程（Ｅ）の後に硬化工程（Ｃ）を行う場合と比べて、ウエハが薄い場合のハンドリング性を向上させることができる。
【００６４】
また、本製造方法では、ダイシング処理工程（Ｆ）前にバンプが形成されたウエハ面の接着剤層１１が硬化してバンプが補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、バンプの破損を低減させることができる。また、優れた接続信頼性を有する半導体装置を歩留り良く得ることができる。
【００６５】
本製造方法で得られる半導体装置は、バンプとバンプ形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、バンプに対向する電極を有する回路基板とを備え、半導体チップのバンプ形成面に接着剤層が形成されているため、優れた接続信頼性が得られる。
【実施例】
【００６６】
以下、本技術の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、第１の熱可塑性樹脂層と、第２の熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とを積層させた保護テープを作製した。保護テープを用いて、保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、硬化工程（Ｃ）と、粘着テープ貼付工程（Ｄ）と、保護テープ剥離工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを順次行い、半導体装置を作製した。そして、耐熱性、はんだ接合性、バンプ埋め込み性について評価した。
【００６７】
［貯蔵剪断弾性率］
接着剤層及び熱可塑性樹脂層の６０℃における貯蔵剪断弾性率は、粘弾性測定装置を用いて算出した。測定条件は、測定温度域０〜１２０℃、昇温速度５℃／分、振動数１Ｈｚ、歪み０．１％に設定した。
【００６８】
［保護テープの作製］
＜熱可塑性樹脂層（フィルム１）の作製＞
ＰＥＴ基材上に、第２の熱可塑性樹脂層（下記樹脂層Ｂ１〜Ｂ５のいずれか）を塗布し、紫外線硬化した後、予め押し出し溶融成型した第１の熱可塑性樹脂層（下記樹脂層Ａ１）をラミネートした。
【００６９】
＜第１の熱可塑性樹脂層＞
樹脂層Ａ１：エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＶＦ１２０Ｔ、宇部丸善ポリエチレン（株）社製）、６０℃での貯蔵剪断弾性率：３．１Ｅ＋０６Ｐａ
【００７０】
＜第２の熱可塑性樹脂層＞
表１に示す各モノマーを用いて樹脂層Ｂ１〜Ｂ５を作製した。
【００７１】
［樹脂層Ｂ１］
樹脂層Ｂ１は、２ＥＨＡ（アクリル酸−２−エチルヘキシル）を９６質量部と、アクリル酸を３．５質量部と、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＦＭ−４００（日本化薬社製）を０．５質量部とからなり、架橋基量が０．２８％である。
【００７２】
［樹脂層Ｂ２］
樹脂層Ｂ２は、２ＥＨＡを９６．４９質量部と、アクリル酸を３．５質量部と、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＦＭ−４００を０．０１質量部とからなり、架橋基量が０．０１％である。
【００７３】
［樹脂層Ｂ３］
樹脂層Ｂ３は、２ＥＨＡを９１．５質量部と、アクリル酸を３．５質量部と、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＦＭ−４００を５質量部とからなり、架橋基量が２．８５％である。
【００７４】
［樹脂層Ｂ４］
樹脂層Ｂ４は、２ＥＨＡを９６．５質量部と、アクリル酸を３．５質量部とからなり、架橋基量が０％である。
【００７５】
［樹脂層Ｂ５］
樹脂層Ｂ５は、２ＥＨＡを８６．５質量部と、アクリル酸を３．５質量部と、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＦＭ−４００を１０質量部とからなり、架橋基量が５．８２％である。
【００７６】
【表１】
2018098228.tif 000003
【００７７】
＜接着剤層（フィルム２）の作製＞
［接着剤層Ｎｏ．１］
膜形成樹脂（フェノキシ樹脂（ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド（株）社製））を１３．０質量部と、エポキシ樹脂（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ（株）社製））を５４．８質量部と、硬化剤（ノボラック型フェノール樹脂（ＴＤ−２０９３、ＤＩＣ（株）社製））を３２．４質量部と、硬化助剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ））を０．３質量部とを配合して接着剤組成物を調製した。剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）に、調製した接着剤組成物を、乾燥後の厚みが３０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗布し、オーブンで乾燥させて、接着剤層Ｎｏ．１を作製した。接着剤層Ｎｏ．１の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、３．３Ｅ＋０３Ｐａであった。
【００７８】
［接着剤層Ｎｏ．２］
シリカフィラー（アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル（株）社製））を２５．０質量部さらに配合して接着剤組成物を調製したこと以外は、接着剤層Ｎｏ．１の作製方法と同様に接着剤層Ｎｏ．２を作製した。接着剤層Ｎｏ．２の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、３．６Ｅ＋０４Ｐａであった。
【００７９】
【表２】
2018098228.tif 000004
【００８０】
＜実施例１＞
熱可塑性樹脂層（フィルム１）と、接着剤層（フィルム２）とをラミネートし、保護テープを作製した。フィルム１としては、ＰＥＴ基材（７５μｍ）と熱可塑性樹脂層Ａ１（５０μｍ）と熱可塑性樹脂層Ｂ１（４５０μｍ）とからなるものを用いた。フィルム２としては、接着剤層Ｎｏ．１（２０μｍ）を用いた。
【００８１】
＜実施例２＞
フィルム１における熱可塑性樹脂層Ｂ１を、同じ厚さの熱可塑性樹脂層Ｂ２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして実施例２の保護テープを作製した。
【００８２】
＜実施例３＞
フィルム１における熱可塑性樹脂層Ｂ１を、同じ厚さの熱可塑性樹脂層Ｂ３に変更したこと以外は、実施例１と同様にして実施例３の保護テープを作製した。
【００８３】
＜比較例１＞
フィルム１における熱可塑性樹脂層Ｂ１を、同じ厚さの熱可塑性樹脂層Ｂ４に変更したこと以外は、実施例１と同様にして比較例１の保護テープを作製した。
【００８４】
＜比較例２＞
フィルム１における熱可塑性樹脂層Ｂ１を、同じ厚さの熱可塑性樹脂層Ｂ５に変更したこと以外は、実施例１と同様にして比較例２の保護テープを作製した。
【００８５】
＜比較例３＞
接着剤層Ｎｏ．１を、同じ厚さの接着剤層Ｎｏ．２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして比較例３の保護テープを作製した。
【００８６】
［半導体装置の作製］
保護テープの接着剤層面を、はんだバンプ（φ＝２５０μｍ、Ｈ＝２００μｍ、ピッチ＝２５０μｍ）が形成されたウエハ（サイズ：５ｃｍ×５ｃｍ×７００μｍｔ）に貼り付け、真空式ラミネータ（製品名：ＶＴＭ−３００、タカトリ社製）を用いて、ローラー温度６０℃、テーブル温度６０℃、ラミネート速度５ｍｍ／秒、ラミネート圧力０．３ＭＰａの条件でラミネートした。
【００８７】
次に、グラインダ（製品名：ＤＦＧ８５６０、（株）ディスコ社製）にてウエハの厚みを３００μｍまでバックグラインド処理した。ウエハ上の保護テープの接着剤層を１３０℃のオーブン中で２時間硬化させた後、接着剤層を残して保護テープを剥離し、他の層（ＰＥＴ基材、第１の熱可塑性樹脂層、及び第２の熱可塑性樹脂層）を除去した。そして、ウエハをダインシングし、チップに個片化した後、マウンターにて基板（フラックス付金電極）に搭載し、最大２６０℃のリフロー炉にてチップと基板とをはんだ接合させた。
【００８８】
［耐熱性の評価］
＜樹脂のはみ出し量＞
保護テープをカット後、上述した半導体装置の作製と同様の方法でウエハにラミネートした。１３０℃で２時間硬化後、ＰＥＴ基材からの樹脂のはみ出し量（はみ出し距離）をマイクロスコープ（１００倍）で測定した。結果を表３に示す。
【００８９】
［フィルムの剥離］
上述した半導体装置の作製における接着剤層の硬化後に、４０ｍｍ幅の粘着テープを保護テープの基材フィルム層の表面にラミネートし、引張り速度１００ｍｍ／ｍｉｎで接着剤層と接着剤層側の樹脂層（樹脂層Ａ１）間で剥離可能かどうかを調べた。結果を表３に示す。
【００９０】
＜バンプ埋め込み性＞
上述した半導体装置の作製におけるウエハへの保護テープのラミネート後に、マイクロスコープ（１００倍）による観察を行い、接着剤層のバンプ間に空隙のないものを「○」と評価し、空隙があるものを「△」と評価した。結果を表３に示す。
【００９１】
［はんだ接合性の評価］
基板の金電極上にフラックスを塗布し、最大２６０℃のリフロー温度ではんだ接合した際に、バンプサイズの面積を１００％として、はんだが濡れ広がった面積を計測した。はんだが濡れ広がった面積が、バンプサイズの面積に対して４０％以上の場合をはんだ接合性が良好と評価し、４０％未満の場合をはんだ接合性が良好でないと評価した。結果を表３に示す。
【００９２】
【表３】
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【００９３】
実施例１〜３のように、第２の熱可塑性樹脂層の上述した式（１）で表される架橋基量が０．０１〜３％であり、上述した式（２）の条件を満たす保護テープを用いた場合、耐熱性とはんだ接合性が良好であることが分かった。また、バンプ埋め込み性も良好であることが分かった。
【００９４】
比較例１のように、第２の熱可塑性樹脂層の上述した式（１）で表される架橋基量が０．０１％未満である保護テープを用いた場合、耐熱性が良好ではないことが分かった。これは、熱硬化時に第２の熱可塑性樹脂層の樹脂が溶融し、この樹脂が基材フィルム層から大きくはみ出してウエハに接着してしまったため、フィルムの剥離性も良好ではなかったと考えられる。
【００９５】
比較例２のように、第２の熱可塑性樹脂層の上述した式（１）で表される架橋基量が３％を超える保護テープを用いた場合、バンプの埋め込み性が良好ではないことが分かった。これは、第２の熱可塑性樹脂層の架橋度が大きすぎたためと考えられる。
【００９６】
比較例３のように、上述した式（２）の条件を満たさない、すなわちＧｎ／Ｇａが０．０１以上である保護テープを用いた場合、はんだ接合性が良好ではないことが分かった。これは、接着剤層の変形や流動が良好ではないため、保護テープをウエハに貼付けする際にウエハのバンプ上への接着剤層の付着を抑制できず、バンプ上に接着剤層が残りやすくなったためと考えられる。
【符号の説明】
【００９７】
１０  保護テープ、１１  接着剤層、１２  第１の熱可塑性樹脂層、１３  第２の熱可塑性樹脂層、１４  基材フィルム層、２１  ウエハ、２２  バンプ、３０  粘着テープ、３１  粘着剤層、３２  基材フィルム層
【図１】
2018098228.tif 000006
【図２】
2018098228.tif 000007
【図３】
2018098228.tif 000008
【図４】
2018098228.tif 000009
【図５】
2018098228.tif 000010
【図６】
2018098228.tif 000011
【図７】
2018098228.tif 000012
【図８】
2018098228.tif 000013
【図９】
2018098228.tif 000014
【図１０】
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