(57)【要約】【課題】容易に実装可能で、一体化したガス電子増幅モジュールを提供する。【解決手段】ガス電子増幅モジュールは、カソード電極と、前記カソード電極に対向する読出し電極と、前記カソード電極と前記読出し電極の間に配設され、前記カソード電極と前記読出し電極を結ぶ方向に貫通する複数の貫通孔を有し、絶縁層と、前記絶縁層の両面に形成された導電層からなるガス電子増幅器用電極と、前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極を囲むチャンバーと、前記チャンバーの外部と、前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極と、を電気的に接続可能な接続端子と、を備え、前記チャンバーは封止され、内部に電離ガスが封入されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極と、
前記カソード電極に対向する読出し電極と、
前記カソード電極と前記読出し電極の間に配設され、前記カソード電極と前記読出し電極とを結ぶ方向に貫通する複数の貫通孔を有し、無機材料により構成された絶縁層と前記絶縁層の両面に形成された導電層とからなるガス電子増幅器用電極と、
前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極を囲むチャンバーと、
前記チャンバーの外部と、前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極と、を電気的に接続する接続端子と、を備え、
前記チャンバーは封止され、内部に電離ガスが封入されている、ガス電子増幅モジュール。
【請求項２】
前記絶縁層が、セラミックスにより構成されている請求項１に記載のガス電子増幅モジュール。
【請求項３】
前記読出し電極が、無機材料により構成されている請求項１または２のいずれかに記載のガス電子増幅モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス電子増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、粒子線または電磁波の検出を行う検出器として、電子雪崩増幅を利用したガス電子増幅器が知られている（例えば、特許文献１）。ガス電子増幅器には、ガス電子増幅器用電極が用いられている。
【０００３】
ガス電子増幅器用電極は、絶縁性を有する部材と、部材の両面に被覆された導電膜とを有し、平面視で部材及び導電膜を貫通する貫通孔が複数形成されている。ガス電子増幅器用電極の両面に形成された導電膜に電位差を与えると、貫通孔内に強い電場が作り出される。貫通孔内に入射し、強い電場により加速された電子は、ガス電子増幅器内にフローにより供給される電離ガスの原子と衝突し、電子雪崩増幅を生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００１−５０８９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、ガス電子増幅器は、ガス電子増幅器用電極、チャンバー、読出し電極等をそれぞれ別々に入手し、組み立てられる。そのため、すべてが組みあがったモジュール化したガス電子増幅器は知られていない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、容易に実装可能で、一体化したガス電子増幅モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ガス電子増幅器をモジュール化するに至っていない理由の一つとして、まだ研究用途としての使用が主であり、製品化の想定までされていないことがある。また別の理由として、チャンバーを封止すると、チャンバー内の部材からの放出ガスの影響を受けるということがある。放出ガスは、電子雪崩増幅を妨げる。チャンバーを封止すると、放出ガスの逃げ場が無くなり、ガス電子増幅器の特性を低下させる。そのため、上記の課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
【０００８】
（１）第１の態様にかかるガス電子増幅モジュールは、カソード電極と、前記カソード電極に対向する読出し電極と、前記カソード電極と前記読出し電極の間に配設され、前記カソード電極と前記読出し電極とを結ぶ方向に貫通する複数の貫通孔を有し、無機材料により構成された絶縁層と前記絶縁層の両面に形成された導電層とからなるガス電子増幅器用電極と、前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極を囲むチャンバーと、前記チャンバーの外部と、前記カソード電極、前記読出し電極及び前記ガス電子増幅器用電極と、を電気的に接続する接続端子と、を備え、前記チャンバーは封止され、内部に電離ガスが封入されている。
【０００９】
（２）上記態様にかかるガス電子増幅モジュールは、前記絶縁層がセラミックスにより構成されていてもよい。
【００１０】
（３）上記態様にかかるガス電子増幅モジュールは、前記読出し電極が無機材料により構成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
上記の態様に係るガス電子増幅モジュールは、放射線検出器等に容易に実装可能であり、一体化している。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一態様に係るガス電子増幅モジュールの模式図である。
【図２】本発明の一態様に係るガス電子増幅モジュールのチャンバー内の構成を模式的に示した斜視図である。
【図３】本発明の一態様に係るガス電子増幅器用電極の斜視模式図である。
【図４】実施例１及び比較例１のガス電子増幅器用電極の放出ガス量を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一態様に係るガス電子増幅モジュールについて、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であり、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００１４】
「ガス電子増幅モジュール」
図１は、本発明の一態様に係るガス電子増幅モジュールの模式図である。ガス電子増幅モジュールは、入射した粒子線又は電磁波により発生した電子を、電子雪崩増幅を利用して増幅し、検出する。
【００１５】
「電子雪崩増幅」とは、強い電場中で自由電子が気体分子と衝突することで、気体分子から電子が叩き出され、叩き出された電子が電場により加速し、さらに他の気体分子と衝突することで、加速度的に電子数が増える現象をいう。
【００１６】
「粒子線」は、アルファ線、ベータ線、陽子線、重荷電粒子線、電子線、中性子線、宇宙線等が含まれる。また「電磁波」には、電波（低周波〜マイクロ波）、光（赤外線〜紫外線）、Ｘ線、ガンマ線が含まれる。検出ガスの種類、作り出す電場の強さ等を適宜選択することで、所望の検出対象を検出することができる。
【００１７】
図１に示すガス電子増幅モジュール１００は、カソード電極１１と、読出し電極１２と、所定のガス電子増幅器用電極１０と、チャンバー２０と、接続端子３０とを有し、一体化されている。図２は、図１のガス電子増幅モジュールに対応し、チャンバー２０内の構成を模式的に示した斜視図である。図１及び図２ではガス電子増幅器用電極１０が、カソード電極１１と読出し電極１２の間に３枚の構成を図示したが、３枚の構成に限られない。ガス電子増幅器用電極１０は１枚の単層構成でもよいし、２以上の複数枚の構成でもよい。
【００１８】
チャンバー２０は、封止されている。チャンバー２０内には、反応ガスとして電離ガスが封入されている。電離ガスとしては、アルゴン、ネオン等の希ガス又はこれらを含む混合ガスを用いることができる。
【００１９】
カソード電極１１には、第１電圧印加端子３１が接続されている。第１電圧印加端子３１を介してカソード電極１１に、所定の電圧を印加可能である。またガス電子増幅器用電極１０の両面には、第２電圧印加端子３２が接続されている。第２電圧印加端子３２を介して、ガス電子増幅器用電極１０の両面に所定の電圧を印加可能である。
【００２０】
ガス電子増幅器用電極１０、カソード電極１１及び読出し電極１２のそれぞれ間に電位差を加えることで、カソード電極１１とガス電子増幅器用電極１０の間の領域（以下、「ドリフト領域」という）１３、ガス電子増幅器用電極１０と読出し電極１２の間の領域（以下、「インダクション領域」という）１４には、電界が発生する。またガス電子増幅器用電極１０の貫通孔３内にも電界が発生する。
【００２１】
チャンバー２０の入射口２１から入射した粒子線又は電磁波は、ドリフト領域１３で電離ガスを電離させ電子を発生させる。発生した電子は、ドリフト領域１３に生じた電界によって、ガス電子増幅器用電極１０へ向かって引き寄せられる。
【００２２】
そして電子は、ガス電子増幅器用電極１０内の貫通孔３を通過する際に、電子雪崩増幅を生じ、電子数が増倍する。増幅した電子は、インダクション領域１４に生じた電界により読出し電極１２側に引き寄せられる。
【００２３】
読出し電極１２に到達した電子は、読出し端子３３によって外部に読み出される。読出し電極１２は、図１及び図２に示すように、エリアごとに区分けされており、どのエリアにどれだけの電子が測定されたかを判定できる。ガス電子増幅器では、上述のように検出対象である粒子線又は電磁波を測定できる。
【００２４】
以下、ガス電子増幅モジュールの各構成について説明する。
【００２５】
（カソード電極）
カソード電極１１は、読出し電極１２との間で電位差を生み出すための電極である。カソード電極１１は、導電性を有し、検出する放射線を透過できる公知のものを用いることができる。
【００２６】
（読出し電極）
読出し電極１２は、カソード電極１１に対向して配置される。読出し電極１２は、配線１２ａと基材１２ｂとを有する。
【００２７】
配線１２ａは、導電性を有する金属であれば特に問わない。配線１２ａには、例えば、銀、銅、金、クロム、ＩＴＯ等を用いることができる。配線１２ａの配置は、例えばマトリックス配置の配線構造をとることができる。配線をマトリックス配置で配置することで、電子が入射した位置を平面座標として読み出せる。
【００２８】
基材１２ｂは、配線１２ａを配設するための支持体であり、所謂プリント基板である。基材１２ｂは無機材料により構成されていることが好ましい。基材１２ｂが無機材料により構成されていることで、読出し電極１２全体が無機材料により構成され、チャンバー２０内での放出ガスの発生源となることが避けられる。
【００２９】
（ガス電子増幅器用電極）
ガス電子増幅器用電極１０は、カソード電極１１と、読出し電極１２の間に配設される。
【００３０】
図３は、本実施形態にかかるガス電子増幅器用電極の斜視模式図である。ガス電子増幅器用電極１０は、絶縁層１と、絶縁層１の両面に形成された導電層２とを備える。図３に示すように、ガス電子増幅器用電極１０には、絶縁層１及び導電層２を貫く貫通孔３が複数形成されている。
【００３１】
ガス電子増幅器用電極１０の両面には、上述のように第２電圧印加端子３２（図１参照）が接続され、電圧を印加可能となっている。導電層２は、図３に示すように平面視で連続しているため、第２電圧印加端子３２との接点はそれぞれ１点でよい。二つの導電層２に異なる電圧を印加することで、貫通孔３内に強い電場が生み出される。
【００３２】
絶縁層１は、無機材料により構成されている。無機材料としては、感光性ガラスに代表される機能性ガラス、セラミックス等が挙げられる。絶縁層１が無機材料からなることで、絶縁層１がチャンバー２０内での放出ガスの発生源となることが避けられる。
【００３３】
絶縁層１の両面を挟む導電層２間には、３００Ｖ〜７００Ｖ程度の電位差を与えられる。そのため、絶縁層１に有機物を用いた場合は、電圧印加により発熱し、放出ガスを発生しやすい。これに対し、絶縁層１を無機物により構成すると、電圧印加により発熱しても、放出ガスはほとんど発生しない。そのため、チャンバー２０を封止しても、電子雪崩増幅が放出ガスにより妨げられることはほとんどない。すなわち、ガス電子増幅器を一体化したモジュールとして構成できる。またガス電子増幅器用電極１０の動作の安定性および信頼性も高まる。
【００３４】
また絶縁層１を無機物質により構成すると、炭化導電路に伴う二つの導電層２間の短絡が避けられる。有機物を絶縁層として用いた場合、有機物が炭化することで炭化導電路が形成され、二つの導電層２間が短絡することがある。短絡が生じると、貫通孔３内に電場を生み出すことができなくなる。
【００３５】
絶縁層１は、無機材料の中でもセラミックスからなることが好ましく、ファインセラミックスからなることがより好ましい。本明細書においてセラミックスとは、無機物を焼き固めた焼結体を意味する。ファインセラミックスとは、目的の機能を発現させるために、化学組成、微細組織、形状及び製造工程が制御されたセラミックスをいう。具体的には、低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）、高温焼結セラミックス（ＨＴＣＣ）等を用いることが好ましい。
【００３６】
また無機材料の中でもセラミックスは、感光性ガラス等に代表される機能性ガラスと比較して安価である。さらにガラス等と比較すると柔らかく、加工性にも優れる。そのため、貫通孔３を所望の形状に加工しやすい。
【００３７】
また絶縁層に感光性ガラスを用いる場合は、電離ガスとして安価なアルゴンを用いることが難しく、高価なネオンを用いることが好ましいという報告がされている。これに対し、絶縁層１がセラミックスからなるガス電子増幅器用電極１０は、電離ガスとして安価なアルゴンを好適に用いることができる。
【００３８】
導電層２は、導電性を有する無機物質であればよい。例えば、銀、銅、金、クロム、ＩＴＯ等を用いることができる。導電層２は、蒸着、スパッタ等により成膜されたものであっても、塗布等により形成されたものであってもよい。
【００３９】
貫通孔３は、ガス電子増幅器用電極１０において、平面視で規則的に配列している。貫通孔３の孔径及び配列間隔（ピッチ）は適宜設定することができる。ガス電子増幅モジュール１００の増幅率を高めるためには、孔径を大きくし、ピッチを狭め、開口率を高めることが好ましい。絶縁層が有機物からなる場合は、強度を維持することができないため、孔径：ピッチ＝１：２の関係とすることが一般的であった。これに対し、無機物質からなる絶縁層１は、有機物を用いた場合より硬く高い強度を有するため、より開口率を高めることができる。
【００４０】
貫通孔３の孔径は、厚み方向で略一定であることが好ましい。ここで、略一定とは、絶縁層１の厚み方向中央における貫通孔３の孔径が、絶縁層１の一面における貫通孔３の孔径の０．９倍〜１．０倍であることを意味する。ここで、絶縁層１の一面とは、加工手段によって判断する。打抜き加工を行う場合はポンチが押し付けられる面に対し反対側の面を意味し、レーザー加工を行う場合はレーザーが照射される面を意味し、フォトリソグラフィーにより作製する場合はマスクを形成した面を意味する。
【００４１】
貫通孔３の孔径が厚み方向で略一定となると、貫通孔３内に生じる電界が均一になる。また電界が均一になると、部分的に電界強度が大きく低下することを抑制できる。すなわち、貫通孔３の孔径を厚み方向で略一定とすることで、導電層２に印加する電圧が低電圧の段階から、貫通孔３内で電子雪崩増幅を行うことができるだけの電界強度を発生させることができる。
【００４２】
また貫通孔３の孔径が厚み方向で略一定であると、貫通孔３のアスペクト比を高めることができる。アスペクト比は０．５以上であることが好ましい。アスペクト比とは、絶縁層１の一面における貫通孔３の孔径に対する貫通孔３の深さ（絶縁層１及び導電層２の厚みの和）の比を意味する。
【００４３】
貫通孔３の形状が厚さ方向に変化する場合、貫通孔３の孔径は厚さ方向中央部において最も小さくなる。すなわち、絶縁層１の一面における貫通孔３の孔径が広くても、貫通孔３を平面視した際の実質的な開口率は狭くなってしまう。つまり貫通孔３の形状が厚み方向に変化する場合、アスペクト比が高くなるとガス電子増幅モジュール１００の増幅率特性を最大限に得ることができない。
【００４４】
これに対し、貫通孔の孔径が厚み方向で略一定であれば、アスペクト比を高めても、実質的な開口率に差は生じない。すなわち、アスペクト比を高めても、ガス電子増幅モジュール１００の増幅率特性を低下させることはない。またアスペクト比を高めることができれば、導電層２間の短絡がより発生しにくくなる。
【００４５】
（チャンバー）
チャンバー２０は、カソード電極１１、読出し電極１２及びガス電子増幅器用電極１０を囲むように構成され、封止されている。すなわち、チャンバー２０によって形成される閉空間内に、カソード電極１１、読出し電極１２及びガス電子増幅器用電極１０は配設される。
【００４６】
チャンバー２０内には、電離ガスが封入されている。電離ガスは、従来のガス電子増幅器と異なり、チャンバー２０の外部から供給されたり、外部に排出されたりはしない。
【００４７】
上述のように、電圧印加により発熱するガス電子増幅器用電極１０が無機材料で構成されていることで、放出ガスの発生は抑制される。そのため、チャンバー２０が封止されていても、放出ガスによる悪影響はほとんど受けない。
【００４８】
チャンバー２０は、粒子線又は電磁波を入射する入射口２１を有する。入射口２１を構成する材料は、入射する粒子線又は電磁波によって選択できる。例えば、Ｘ線を入射する場合はベリリウムホイル（Ｂｅ−ｆｏｉｌ）、中性子を入射する場合はアルミホイル（Ａｌ−ｆｏｉｌ）、高電子を入射する場合はアルカリ金属膜等を用いることができる。
【００４９】
チャンバー２０の入射口２１以外の部分は、放出ガスの発生をより抑制するために、無機材料からなることが好ましい。またチャンバー２０及びチャンバー２０内に配設される各部材を全て同一の無機材料とすることが好ましい。各部材が同一の無機材料からなると、一体成型が容易となり、量産性が高まる。
【００５０】
（接続端子）
接続端子３０は、第１電圧印加端子３１と、第２電圧印加端子３２と、読出し端子３３からなる。接続端子３０は、導電性を有する公知のものを用いることができる。
【００５１】
第１電圧印加端子３１はカソード電極１１に接続され、カソード電極１１と読出し電極１２間の電位差を生み出す。第２電圧印加端子３２は、一つのガス電子増幅器用電極１０の両面の導電層２に接続され、貫通孔３内に電場を形成する。読出し端子３３は、読出し電極１２に接続され、読出し電極１２に入射した電子を信号として読み出す。
【００５２】
上述のように、本実施形態にかかるガス電子増幅モジュール１００は、ガス電子増幅器用電極１０が無機材料により構成されているため、放出ガスの発生が抑制され、チャンバー２０内を閉空間とすることができる。そのため、チャンバー２０内に電離ガスを封入し、一体化したガス電子増幅モジュール１００が得られる。
【００５３】
ガス電子増幅モジュール１００は一体化しており、実装部品として入手できる。そのため、ユーザーはガス電子増幅モジュール１００と、任意の検出回路をと組み合わせて、容易に放射線検出装置を組み上げることができる。
【００５４】
「ガス電子増幅モジュールの製造方法」
まず、ガス電子増幅器用電極１０を作製する。
ガス電子増幅器用電極１０は、絶縁層１に貫通孔３を形成した後に成膜、塗布等により導電層２を形成してもよいし、絶縁層１に成膜、塗布等により導電層２を形成した後に貫通孔３を設けてもよい。後者の方法は、貫通孔３の内壁に導電層２が付着することが避けられ、短絡や放電を抑制できるため好ましい。
【００５５】
絶縁層１に成膜、塗布等により導電層２を形成した後に貫通孔３を設ける手段としては、フォトリソグラフィーを用いた加工、打抜き加工、レーザー加工等の手段が挙げられる。
【００５６】
フォトリソグラフィーを用いた加工方法は、導電層２を形成後にフォトリソグラフィーにより貫通孔を形成する方法である。この方法では、フォトリソグラフィーにより導電層２の一部を除去し、残存した導電層２をマスクとしてウェットエッチング又はレーザー加工により貫通孔３を形成する。
【００５７】
打抜き加工法は、打ち抜き部材を用いて穴あけを行う方法である。打抜き部材としては、例えばポンチ等を用いることができる。ポンチとは、一般には穴あけ加工を行う部分に打ち付けて目印をつける工作物を意味するが、ここでは打ち抜き用の工作物として用いる。
【００５８】
打抜き加工は、柔らかい有機物等には用いることが難しいが、無機物に対しては加工後の貫通孔３の形状が円筒状になるため好ましい。貫通孔３の形状が円筒状になると、貫通孔３の孔径が厚み方向で略一定となり、貫通孔３のアスペクト比を高めることができる。
【００５９】
なお、ガラス等に対して打抜き加工を行うと、ガラス等が破損することがある。そのため、打抜き加工は、絶縁層１としてセラミックスを用いた場合に、好適に用いることができる。
【００６０】
レーザー加工法は、レーザーを用いた穴あけ加工方法である。レーザーとしては、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー等を用いることができる。
【００６１】
打抜き加工及びレーザー加工により貫通孔３を形成すると、ガス電子増幅器用電極１０の製造工程を簡略化できる。フォトリソグラフィーを用いた作製工程では、貫通孔３を形成するためにレジスト塗布、マスク露光、現像、エッチング、レジスト剥離と少なくとも５工程を行う必要があるのに対し、打抜き加工又はレーザー加工を用いた作製工程では、貫通孔３を１工程で形成することができる。すなわち、製造設備の簡素化、スループットの向上等によりガス電子増幅器用電極１０の製作コストを低減することができる。
【００６２】
そして上述の手順で貫通孔が形成された部品を、焼結し、所定のサイズに断裁することで、ガス電子増幅器用電極１０を得ることができる。焼結と断裁の手順は逆転していてもよい。
【００６３】
次いで、得られたガス電子増幅器用電極１０、カソード電極１１及び読出し電極１２を、チャンバー２０内に配設する。カソード電極１１及び読出し電極１２は、市販品を用いてもよいし、公知の手段で作製してもよい。この際、接続端子３０と、ガス電子増幅器用電極１０、カソード電極１１及び読出し電極１２とは、それぞれ接続される。
【００６４】
各部材をチャンバー２０内に配設した後は、チャンバー２０を封止する。封止の方法は、公知の方法を用いることができ、例えば、ガラス封止等を用いることができる。封止後に、チャンバー２０内を電離ガスで充填する。
【００６５】
上記のような手順を用いることで、一体化したガス電子増幅モジュールを製造することができる。チャンバー２０は封止されているため、電離ガスが外部に漏れることはない。
【００６６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
【００６８】
（実施例１）
まず厚み１００μｍの低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）を準備した。低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）は、ホウケイ酸ガラスを含むガラスとアルミナからなり、誘電率が７近傍であった。そして、ＬＴＣＣの両面に、厚み５μｍの銀ペーストを塗工した。そして、先端の直径が１００μｍのポンチを用いて、打抜き加工で孔径１００μｍの貫通孔を形成し、実施例１のガス電子増幅器用電極をえた。実施例１のガス電子増幅器用電極において、貫通孔は千鳥格子状に配列し、貫通孔間の最短ピッチは２００μｍであった。貫通孔の孔径は、打抜き加工した面と反対側の面で測定した。
【００６９】
（比較例１）
まずフレキシブル基板用材料として両面に７μｍの銅フィルムがラミネートされた液晶ポリマーを手配した。液晶ポリマー層の厚みは１００μｍであった。そして、まず銅フィルムの両面にレジストを塗布し、レジスト膜を形成した。そして、マスク露光と現像を行い、両面に形成されたレジスト膜に直径７０μｍの穴部を形成した。次いで、市販のエッチング液に浸漬し、銅のエッチング処理を行い、レジスト剥離を行った。さらに、波長１０．６μｍ近傍のＣＯ２レーザーを用い、エッチングされた銅をマスクとして液晶ポリマー層の所定の位置をエッチングし、貫通孔を形成した。このような手順で、比較例１のガス電子増幅器用電極を作製した。比較例１のガス電子増幅器用電極において、貫通孔は千鳥格子状に配列し、貫通孔間の最短ピッチは１４０μｍであった。
【００７０】
実施例１及び比較例１のガス電子増幅器用電極の放出ガス量を測定した。放出ガス量は、ガス電子増幅器用電極を真空度１．０×１０−４Ｐａの真空中に載置し、１００度に加熱して測定した。図４は、実施例１及び比較例１のガス電子増幅器用電極の放出ガス量を比較したグラフである。図４において横軸は加熱開始からの時間であり、縦軸は放出ガスのガス分圧の測定結果である。
【００７１】
図４に示すように、比較例１のガス電子増幅器用電極は、加熱開始から１５分後から急激にガス分圧が上昇していることが分かる。これに対し、実施例１のガス電子増幅器用電極は、加熱開始から３５分経過してもガス分圧に大きな変化は確認されない。すなわち、
絶縁層に低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）を用いることで、放出ガスの発生が抑制されている。
【００７２】
つまり、実施例１のガス電子増幅器用電極は、チャンバーが封止された閉空間内においても、放出ガスの発生源とはならず、電子雪崩増幅を妨げることはない。すなわち、絶縁層に無機材料を選択することで、一体化したガス電子増幅モジュールを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の一態様に係るガス電子増幅器用電極及びガス電子増幅モジュールは、一体化されているため、実装が容易である。そのため、医療、工業用途における放射線（中性子、Ｘ線等）の検出器への応用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１…絶縁層、２…導電層、３…貫通孔、１０…ガス電子増幅器用電極、１１…カソード電極、１２…読出し電極、１２ａ…配線、１２ｂ…基材、１３…ドリフト領域、１４…インダクション領域、２０…チャンバー、２１…入射口、３０…接続端子、３１…第１電圧印加端子、３２…第２電圧印加端子、３３…読出し端子、１００…ガス電子増幅モジュール
【図１】
2018078042.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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