(57)【要約】【課題】モールド加工電線の耐熱性を向上させつつ、その接続部での高い気密性を確保する。【解決手段】導体の外周に絶縁被覆が設けられる絶縁電線と、絶縁電線の端末に設けられ、端末の電子機器との接続部から絶縁被覆にわたって被覆するように形成されるモールド部と、を備え、絶縁被覆は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）から形成され、モールド部は、芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）から形成され、赤外分光分析により測定したときに、絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトしている、モールド加工電線が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体の外周に絶縁被覆が設けられる絶縁電線と、
前記絶縁電線の端末に設けられ、前記端末の電子機器との接続部から前記絶縁被覆にわたって被覆するように形成されるモールド部と、を備え、
前記絶縁被覆は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）から形成され、
前記モールド部は、芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）から形成され、赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトしている、モールド加工電線。
【請求項２】
前記芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）がポリフタルアミド樹脂である、
請求項１に記載のモールド加工電線。
【請求項３】
前記モールド部が、前記接続部とともに前記電子機器を一括して被覆するように形成される、
請求項１又は２に記載のモールド加工電線。
【請求項４】
前記モールド部が、前記電子機器が取り付けられる装置を収容するハウジングとモールド加工により一体的に形成される、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のモールド加工電線。
【請求項５】
前記熱可塑性ポリウレタン（ａ１）がポリエーテル系ポリウレタンである、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のモールド加工電線。
【請求項６】
前記ポリエステル系樹脂（ａ２）がポリブチレンテレフタレートである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のモールド加工電線。
【請求項７】
前記モールド樹脂（Ｂ）は繊維状の補強材（ｂ２）を含む、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のモールド加工電線。
【請求項８】
導体の外周に樹脂組成物（Ａ）から形成される絶縁被覆を備える絶縁電線を準備する準備工程と、
前記絶縁電線の電子機器が接続される側の端末を表面処理する表面処理工程と、
モールド加工により、前記端末の前記電子機器との接続部から前記絶縁電線の表面処理された前記絶縁被覆にわたって被覆するように、モールド樹脂（Ｂ）を射出成形してモールド部を形成するモールド加工工程と、を有し、
前記樹脂組成物（Ａ）が熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下とポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有し、
前記モールド樹脂（Ｂ）が芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含み、
前記表面処理工程では、前記モールド加工工程で形成する前記モールド部を赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトするように、前記端末における前記絶縁被覆を表面処理する、モールド加工電線の製造方法。
【請求項９】
前記表面処理工程では、大気圧下でプラズマ処理を行う、
請求項８に記載のモールド加工電線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド加工電線およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ケーブルは、導体および絶縁被覆を有する絶縁電線の外周にシースを備えて構成されており、電子機器に接続されて使用される。電子機器の中でも例えば自動車やロボットに取り付けられるセンサ等では、ケーブルとの接続において高い信頼性が求められるため、ケーブル端末と電子機器との接続部およびその周囲をモールド部で被覆して保護することが一般的に行われている。
【０００３】
具体的には、ケーブル端末から引き出される絶縁電線と電気機器とを接続し、その接続部からケーブルのシースにわたって被覆するようにモールド樹脂をモールド加工してモールド部を形成している（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
一方、ケーブルを電子機器に接続する場合、電子機器を収容するスペースを減らすためにモールド部を小型化するとともにケーブルを小さく折り曲げて配策性を高めることが求められる。特許文献１では、モールド部は接続部からシースに至るまで形成されて体積が大きいばかりか、モールド部から引き出されるケーブルが太く、小さく折り曲げにくいので、ケーブルの配策性が不十分となる。
【０００５】
そこで、特許文献１のようにモールド部をケーブルのシースまで被覆するように形成するのではなく、ケーブルから引き出した絶縁電線を直接被覆するように形成してモールド加工電線として構成する方法が提案されている（例えば、特許文献２を参照）。具体的には、モールド部の形成を、ケーブル端末から引き出される絶縁電線と電子機器との接続部から絶縁電線までの範囲として、ケーブルのシースにかからないようにしている。これにより、モールド部を小型化するとともに、ケーブルよりも細径な絶縁電線をモールド部から引き出すことにより、その近傍での曲げ半径を小さくして配策性を高め、電子機器を省スペースに収容することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−９５４３９号公報
【特許文献２】特開２０１６−１０４５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年、センサ等の電子機器が配置される環境は温度が高くなる傾向にあり、それに伴って、接続部を被覆するモールド部には高い耐熱性が求められるようになっている。そのため、モールド部を耐熱性に優れるモールド樹脂で形成することが検討されている。
【０００８】
しかしながら、耐熱性に優れるモールド樹脂は軟化温度が高く、モールド加工により射出成形するときに高温となるため、モールド樹脂を絶縁電線に対して所定の圧力で射出したときに絶縁被覆を溶融変形させてしまうことがある。例えば、絶縁被覆がモールド樹脂の射出により抉られ、モールド部との界面から外部に飛び出してしまうことがある。この結果、外観が悪くなるばかりか、モールド部と絶縁被覆との間で気密性を確保できるような高い密着性が得られず、接続の信頼性が損なわれてしまう。
【０００９】
そこで、本発明は、モールド加工電線の耐熱性を向上させつつ、その接続部での高い気密性を確保できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
導体の外周に絶縁被覆が設けられる絶縁電線と、
前記絶縁電線の端末に設けられ、前記端末の電子機器との接続部から前記絶縁被覆にわたって被覆するように形成されるモールド部と、を備え、
前記絶縁被覆は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）から形成され、
前記モールド部は、芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）から形成され、赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトしている、モールド加工電線が提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、
導体の外周に樹脂組成物（Ａ）から形成される絶縁被覆を備える絶縁電線を準備する準備工程と、
前記絶縁電線の電子機器が接続される側の端末を表面処理する表面処理工程と、
モールド加工により、前記端末の前記電子機器との接続部から前記絶縁電線の表面処理された前記絶縁被覆にわたって被覆するように、モールド樹脂（Ｂ）を射出成形してモールド部を形成するモールド加工工程と、を有し、
前記樹脂組成物（Ａ）が熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下とポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有し、
前記モールド樹脂（Ｂ）が芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含み、
前記表面処理工程では、前記モールド加工工程で形成する前記モールド部を赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトするように、前記端末における前記絶縁被覆を表面処理する、モールド加工電線の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、モールド加工電線の耐熱性を向上させつつ、その接続部での高い気密性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るモールド加工電線を模式的に示す概略図である。
【図２】モールド加工電線におけるモールド部が形成される端末の長さ方向に垂直な断面図である。
【図３】モールド加工電線におけるケーブルの長さ方向に垂直な断面図である。
【図４】モールド加工電線をハウジングと一体的に形成したときの接続構造を説明するための図である。
【図５】モールド加工電線をハウジングに取り付けたときの接続構造を説明するための図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るモールド加工電線を模式的に示す概略図である。
【図７】モールド加工電線の気密性を評価する方法を説明するための図である。
【図８】従来のケーブルと電子機器との接続構造を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明者らが得た知見について説明する。
【００１５】
上述したように、高い信頼性が求められるセンサ等の電子機器にケーブルを接続する場合、電子機器に接続するケーブルの端末をモールド部で被覆するのが一般的である。
【００１６】
具体的には、図８に示すように、ケーブル１１１の端末から引き出される絶縁電線１１２の導体１１４を電子機器１２０の端子１２１に接続して、その接続部からケーブル１１１のシース１１３にわたって被覆するようにモールド部１１６を形成することで、ケーブル１１１の端末と電子機器１２０との接続部分を被覆している。シース１１３の形成材料としては、一般に優れた機械特性を有することから、熱可塑性ポリウレタンが使用され、モールド部１１６を形成するモールド樹脂としてはシース１１３との密着性の観点からポリアミド樹脂やポリブチレンテレフタレート等が使用される。
【００１７】
ただし、図８に示す接続方法では、モールド部１１６が大きく、また電子機器１２０に接続されて引き出されるケーブル１１１の曲げ半径が大きいことから、電子機器１２０を収容するスペースを減らすことが困難である。
【００１８】
そこで、図１に示すように、モールド部１６の形成範囲を接続部からケーブル１１の端末に引き出した絶縁電線１２までに留めて、モールド加工電線１０として構成することが検討されている。これにより、図８に示す接続方法と比べてモールド部１６の体積を減らすとともに、モールド部１６から細径な絶縁電線１２を引き出すようにしてモールド部１６の近傍での曲げ半径を小さくしてケーブル１１の配策性を高めることができる。
【００１９】
モールド加工電線１０は、一般に、電子機器２０が取り付けられる装置を収容するハウジングに取り付けられる。例えば図５に示すように、コネクタ（図示略）を介して自動車やロボット等のハウジング３０に取り付けられる。ハウジング３０としては、耐熱性の観点から一般に金属製のものが使用される。
【００２０】
一方、近年、装置の軽量化のためハウジング３０を金属製から樹脂製に変更することが検討されている。ハウジング３０を樹脂で形成することにより、装置の軽量化だけでなく、例えば図４に示すように、接続部を被覆して封止するモールド部１６とハウジング３０とをモールド加工により一体的に形成し、製造工程を簡略化することができる。
【００２１】
モールド部１６やハウジング３０は、所定の耐熱性が求められることから、より耐熱性に優れるモールド樹脂で形成する必要がある。そのため、近年、モールド樹脂としては、これまで使用されていたポリアミドやポリブチレンテレフタレートから、より耐熱性に優れる芳香族ポリアミドへの変更が検討されている。
【００２２】
ただし、芳香族ポリアミドは、芳香環を持たない他のポリアミドやポリブチレンテレフタレートと比べて耐熱性に優れる反面、モールド加工による加工温度が高くなるため、絶縁電線１２に対して所定の圧力で射出形成したときに、熱可塑性ポリウレタンから形成される絶縁被覆１５を溶融変形させてしまうことがある。芳香族ポリアミドとして例えばフタルアミドは、加工温度が３５０℃程度であり、芳香環を持たないポリアミド（加工温度が２７０℃程度）やポリブチレンテレフタレート（加工温度が２６０℃程度）よりも加工温度が高くなる。その結果、モールド部１６と絶縁被覆１５との間で所望の密着性を得られなくなるという問題がある。
【００２３】
本発明者らは、この問題を解決すべく検討を行い、絶縁被覆１５を、熱可塑性ポリウレタンにポリエステル系樹脂を配合した樹脂組成物で形成することに着目した。ポリエステル系樹脂は、熱可塑性ポリウレタンに比べて耐熱性に優れ、絶縁被覆１５の溶融弾性を高めることができるので、高温のモールド樹脂の射出成形によって絶縁被覆１５を溶融変形させにくくすることができる。
【００２４】
しかし、ポリエステル系樹脂を絶縁被覆１５に配合すると、絶縁被覆１５とモールド部１６との間で気密性を得られるような高い密着性を確保できないことが見出された。これは、ポリエステル系樹脂と芳香族ポリアミドとの相溶性が低いためと考えられる。絶縁被覆１５においては、ポリエステル系樹脂の配合量が増えるほど、モールド部１６との密着性が低下するため、溶融変形を抑制しつつ、密着性を高く維持することが困難となっている。
【００２５】
そこで、本発明者らは、絶縁被覆１５において、ポリエステル系樹脂の配合に伴うモールド樹脂との密着性の低下を補完する方法について検討を行った。その結果、絶縁被覆１５に表面処理を施し、その上に形成されるモールド部１６に所定の化学構造を導入することにより、絶縁被覆１５とモールド部１６との密着性を高く維持できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００２６】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るモールド加工電線を模式的に示す概略図である。図２は、モールド加工電線におけるモールド部が形成される端末の長さ方向に垂直な断面図である。図３は、モールド加工電線におけるケーブルの長さ方向に垂直な断面図である。図４は、モールド加工電線をハウジングと一体的に形成したときの接続構造を説明するための図である。図５は、モールド加工電線をハウジングに取り付けたときの接続構造を説明するための図である。なお、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００２７】
〔モールド加工電線の概略構成〕
モールド加工電線は、ケーブルの一方の端末から引き出される絶縁電線を電子機器（例えばセンサ）の出力端子に接続し、その接続部から絶縁電線にわたって被覆するようにモールド樹脂を射出成形したものである。具体的には、図１に示すように、モールド加工電線１０は、導体１４および絶縁被覆１５を有する絶縁電線１２の外周にシース１３が設けられて一方の端末から絶縁電線１２が引き出されるケーブル１１と、端末から引き出される絶縁電線１２と電子機器２０との接続部から、引き出される絶縁電線１２の絶縁被覆１５にわたって被覆するように形成されるモールド部１６と、を備えて構成される。以下、各構成について具体的に説明する。
【００２８】
（ケーブル）
ケーブル１１は、図３に示すように、導体１４の外周に絶縁被覆１５が設けられた絶縁電線１２を２本撚り合わせて、その外周をシース１３で被覆したものである。
【００２９】
（導体）
導体１４としては、通常用いられる金属線、例えば銅線、軟銅線、銅合金線の他、アルミニウム線、金線、銀線などを用いることができる。また、耐熱性の向上のために金属線の外周に錫、ニッケル、銀および金などの金属めっきを施したものを用いてもよい。さらに、金属線を撚り合わせた集合撚り導体を用いることもできる。導体１４の外径は、特に限定されず、絶縁電線１２に求められる電気特性に応じて適宜変更するとよい。
【００３０】
（絶縁被覆）
導体１４の外周には絶縁被覆１５が設けられている。本実施形態では、上述したように、絶縁被覆１５の上に直接モールド部１６を形成するときに、モールド樹脂の射出成形により絶縁被覆１５が溶融変形しないように、絶縁被覆１５の形成材料として、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）にポリエステル系樹脂（ａ２）を配合した樹脂組成物（Ａ）を用いる。
【００３１】
熱可塑性ポリウレタン（ａ１）は、ジオール成分とジイソシアネート成分と必要に応じて鎖伸長剤とを反応させて得られ、特に機械特性や低温度での柔軟性に優れる成分である。熱可塑性ポリウレタン（ａ１）としては、ポリエステル系ポリウレタン（アジペート系、カプロラクトン系およびポリカーボネート系など）とポリエーテル系ポリウレタンを用いることができる。耐湿熱性の観点からはポリエーテル系ポリウレタンが好ましい。なお、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）の硬度は特に限定されず、絶縁被覆１５に求められる特性に応じて適宜変更するとよい。
【００３２】
熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を構成するジオール成分としては、例えばエチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオールなどの脂肪族ジオール；シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジオールなどの脂環式ジオール等を用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を構成するジイソシアネート成分としては、例えばテトラメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、シクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，２，４−又は２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソプロピリデンビス（４−シクロヘキシルイソシアネート）、メチルシクロヘキサンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂肪族又は脂環式ジイソシアネート、２，４−又は２，６−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ｍ−又はｐ−フェニレンジイソシアネート、クロロフェニレン−２，４−ジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネートなどを用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
ポリエステル系樹脂（ａ２）は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）に比べて耐熱性に優れる樹脂である。ポリエステル系樹脂（ａ２）によれば、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）と混合することにより、絶縁被覆１５において、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）が本来有する特性を維持しつつ、その溶融弾性を高めてモールド樹脂の射出成形による溶融変形を抑制することができる。
【００３５】
ポリエステル系樹脂（ａ２）としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリプロピレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリシクロヘキサンジメチレンテレフタレートなどを用いることができる。特に耐熱性の観点からはポリブチレンテレフタレートが好ましい。
【００３６】
樹脂組成物（Ａ）は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部〜７０質量部と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部〜７０質量部とを合計で１００質量部となるように含有する。ポリエステル系樹脂（ａ２）の配合量を３０質量部以上とすることにより、モールド加工による絶縁被覆１５の溶融変形を抑制することができる。一方、ポリエステル系樹脂（ａ２）の配合量を７０質量部以下とすることにより、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）が本来有する特性を損なわずに、絶縁被覆１５とモールド部１６との間で所望の密着性を確保することができる。絶縁被覆１５の溶融変形の抑制と密着性とを高い水準で両立する観点からは、樹脂組成物（Ａ）は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を４５質量部〜５５質量部、ポリエステル系樹脂（ａ２）を４５質量部〜５５質量部、含有することが好ましい。
【００３７】
絶縁被覆１５を形成する樹脂組成物（Ａ）には、上記成分以外に必要に応じてその他の添加剤を配合してもよい。例えば、加工助剤、難燃剤、難燃助剤、架橋剤、架橋助剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、銅害防止剤、滑剤、無機充填剤、接着性付与剤、安定剤、カーボンブラック、着色剤等を用いることができる。
【００３８】
絶縁被覆１５の電子機器２０との接続部側の端末は、モールド部１６との密着性を高めるために表面処理が施されている。絶縁被覆１５において表面処理が施された領域（表面処理領域）は、施されていない領域と比べて多くの反応性基（例えば−ＯＨ基）が導入されることで、モールド部１６との間で高い密着性を得ることができる。
【００３９】
なお、絶縁被覆１５を形成する樹脂組成物（Ａ）は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）、ポリエステル系樹脂（ａ２）および必要に応じて他の添加剤を二軸押出機やバッチ式ミキサなどで混練することで調製するとよい。また、絶縁被覆１５を押出成形する方法は公知の方法を用いることができる。
【００４０】
また、絶縁被覆１５はモールド部１６との密着性を損ねない範囲で架橋させてもよく、絶縁被覆１５は樹脂組成物（Ａ）の架橋体で形成されていてもよい。架橋方法は特に限定されないが、例えば電子線照射による架橋が好ましい。また、絶縁被覆１５の厚さはケーブル１１に求められる電気特性に応じて適宜変更するとよい。
【００４１】
（シース）
２本の絶縁電線１２を撚り合わせた外周にはシース１３が設けられている。シース１３は、モールド加工電線１０におけるケーブル１１を保護するために設けられている。シース１３の形成材料としては、熱可塑性ポリウレタンやポリオレフィン系材料などの公知の材料を用いることができ、これらはシース１３の耐熱性を向上させるために架橋させてもよい。
【００４２】
（モールド部）
ケーブル１１の一方の端末に、ケーブル１１の端末から引き出される絶縁電線１２と電子機器２０との接続部から絶縁被覆１５にわたって被覆するように、モールド部１６が設けられる。モールド部１６は、耐熱性の観点から、芳香族ポリアミド（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）を射出成形して形成される。
【００４３】
上述したように、芳香族ポリアミド（ｂ１）はポリエステル系樹脂（ａ２）と密着しにくく、絶縁被覆１５とモールド部１６との密着性を低下させるおそれがあるが、本実施形態では、モールド部１６は絶縁被覆１５の表面処理領域に形成される。
【００４４】
モールド部１６は、多くの反応性基が導入された表面処理領域上に形成されることで、非処理領域上に形成される場合と比べて、水素結合などの相互作用をより強く受けること
になる。相互作用は絶縁被覆１５の表面処理領域との界面に近づくほど大きく、界面から離れるほど小さくなる。モールド部１６では、この相互作用により化学シフトが起こり、特定吸収ピークの波数がシフトすることになる。
【００４５】
具体的に説明すると、図２に示すように、モールド加工電線１０のモールド部１６での断面をフーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ）で測定すると、モールド部１６では、絶縁被覆１５との界面に近づくほど、アミドＩの吸収ピークの波数が大きくシフトすることが確認された。アミドＩの吸収ピークとは、アミド結合のＣ＝Ｏ伸縮によるものであり、主に１６００ｃｍ−１〜１７００ｃｍ−１あたりで検出されるピークである。
【００４６】
本発明者らは、界面付近におけるアミドＩの吸収ピークの波数が界面から離れた領域に対してシフトする量（シフト量）が相互作用の大きさに対応し、密着性に寄与すると考え、シフト量と密着性との相関について検討を行った。その結果、モールド部１６を、絶縁被覆１５との界面から深さ５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトするように形成するとよいことが見出された。このようなシフト量となるようにモールド部１６を形成することで、絶縁被覆１５とモールド部１６との間での相互作用を高めることができ、絶縁被覆にポリエステル系樹脂（ａ２）を配合することで低下するモールド部との密着性を補完し、高く維持することができる。
【００４７】
モールド樹脂（Ｂ）は芳香族ポリアミド（ｂ１）を含む。芳香族ポリアミド（ｂ１）は、ジアミン成分と芳香族ジカルボン酸成分とを縮合重合させた芳香環を有するポリアミドである。例えば、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸からなるポリアミド６Ｔ、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸からなるポリアミド６Ｉ、ノナメチレンジアミンとテレフタル酸からなるポリアミド９Ｔ、デカメチレンジアミンとテレフタル酸からなるポリアミド１０Ｔなどを用いることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよく、あるいはこれらを共重合させたものを用いてもよい。芳香族ポリアミド（ｂ１）によれば、芳香環を持たないポリアミド、例えばポリアミド６、ポリアミド１１、ポリアミド１２、ポリアミド６６、ポリアミド４６、ポリアミド６１０およびポリアミド６１２等と比べて耐熱性に優れる。
【００４８】
モールド樹脂（Ｂ）は繊維状の補強材（ｂ２）をさらに含むことが好ましい。補強材（ｂ２）としては例えばガラス繊維を用いることができる。補強材（ｂ２）によれば、モールド樹脂（Ｂ）の機械特性を向上させてモールド部１６を強化することができる。補強材（ｂ２）の配合量は本発明の効果を損ねない範囲で適宜変更するとよい。
【００４９】
モールド部１６は、図１に示すように接続部とともに電子機器２０を一括して被覆するように形成されることが好ましく、図４に示すように、電子機器２０が取り付けられる装置（図示略）を収容するハウジング３０と一体的に形成されることがさらに好ましい。これにより、電子機器２０とケーブル１１との接続部の封止とともに、電子機器２０が取り付けられる装置のハウジング３０への収容を同時に行うことができる。
【００５０】
〔モールド加工電線の製造方法〕
続いて、上述のモールド加工電線１０の製造方法について説明する。
【００５１】
（準備工程）
まず、ケーブル１１を準備する。具体的には、導体１４の外周に、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下とポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）を押し出して絶縁被覆１５を形成し、絶縁電線１２を得る。この絶縁電線１２を２本撚り合わせてコアを形
成し、その外周にシース材を押し出すことでシース１３を形成し、ケーブル１１を得る。
【００５２】
（表面処理工程）
続いて、ケーブル１１の電子機器２０と接続する側の端末からシース１３を取り除き絶縁電線１２を引き出して露出させる。露出させた絶縁電線１２の表面に表面処理を施す。表面処理としては、例えば大気圧下でプラズマを照射する大気圧プラズマ処理やＵＶ処理などが挙げられるが、大気圧プラズマ処理が好ましい。
【００５３】
表面処理条件としては、絶縁被覆１５の表面処理領域にモールド部１６を形成したときにモールド部１６の界面近傍でのシフト量が所定範囲となれば特に限定されない。例えば、絶縁被覆１５をプラズマ処理する場合、十分に表面処理を施す観点からは、プラズマ照射ノズルの走査速度は遅くすることが好ましく、走査速度を０．５ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎとするとよい。また例えば、プラズマ照射ノズルの照射距離（絶縁被覆までの距離）は短くすることが好ましく、照射距離を１ｍｍ〜３ｍｍとするとよい。また例えば、プラズマ処理で使用するガス（雰囲気ガス）としては空気、酸素、アルゴンおよび窒素などの一般的なガスを用いることができる。
【００５４】
（モールド加工工程）
続いて、露出させた絶縁電線１２の導体１４と電子機器２０の端子２１とを接続して、その接続部から絶縁電線１２の絶縁被覆１５までを被覆するように、芳香族ポリアミド（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）を射出成形してモールド部１６を形成する。モールド部１６を絶縁被覆１５の表面処理領域上に形成することにより、モールド樹脂（Ｂ）に含まれる芳香族ポリアミド（ｂ１）が化学シフトし、モールド部１６の絶縁被覆１５の界面近傍の領域におけるアミドＩの吸収ピークが界面から離れた領域に比べて０．５ｃｍ−１以上シフトすることになる。
【００５５】
モールド加工工程では、絶縁電線１２の接続部とともに電子機器２０を一括して被覆するようにモールド加工することが好ましい。これにより、電子機器２０と絶縁電線１２との接続部の気密性を高め、接続の信頼性をより向上させることができる。
【００５６】
また、モールド加工工程では、モールド部１６を、電子機器２０が取り付けられる装置を収容するハウジング３０と一体的に形成することが好ましい。この場合、接続部を封止するとともにケーブル１１および電子機器２０をハウジング３０中に収容することができ、製造工程を簡略化することができる。また、ハウジング３０をモールド樹脂（Ｂ）で形成することにより軽量化することができる。しかも、本実施形態では、芳香族ポリアミド（ｂ１）でモールド部１６を形成しているので、所望の耐熱性を確保することができる。なお、モールド加工工程では、モールド部１６の形状に合わせて金型を適宜変更するとよい。
【００５７】
以上により、本実施形態のモールド加工電線を得る。
【００５８】
＜本実施形態にかかる効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００５９】
本実施形態では、モールド加工電線１０の耐熱性を向上させるため、電子機器２０と絶縁電線１２との接続部を、耐熱性の高い芳香族ポリアミド（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）で被覆するようにモールド部１６を形成する。また、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）およびポリエステル系樹脂（ａ２）を含む樹脂組成物（Ａ）で絶縁被覆１５を形成し、その溶融弾性を高めることで、モールド樹脂（Ｂ）の射出成形による絶縁被覆１５の溶融変形を抑制して密着性を高く維持することができる。さらに、絶縁被覆１５を表面処理して
、その上に設けられるモールド部１６を、アミドＩの吸収ピークの波数が所定量シフトするように形成することで、絶縁被覆１５へのポリエステル系樹脂（ａ２）の配合により低下する密着性を補完し、高く維持することができる。したがって、本実施形態によれば、モールド加工電線１０の耐熱性を高めつつ、電子機器２０と絶縁電線１２との接続部において高い気密性を得られることができる。
【００６０】
また、本実施形態では、ケーブル１１の端末から絶縁電線１２を引き出し、露出させた絶縁電線１２と電子機器２０とを接続し、その接続部から絶縁電線１２までの範囲にモールド部１６を形成するようにして、モールド部１６がケーブル１１のシース１３にまで被覆しないようにしている。これにより、モールド部１６の体積を減らすとともに、細径な絶縁電線１２をモールド部１６から引き出すようにして曲げ半径を小さくすることで、モールド加工電線１０を小型化することができる。
【００６１】
モールド部１６は、接続部とともに電子機器２０を一括して被覆するように形成されることが好ましい。これにより、電子機器２０とケーブル１１との接続部の気密性を高め、接続の信頼性をより向上させることができる。
【００６２】
モールド部１６は、モールド加工により、電子機器２０が取り付けられる装置を収容するハウジング３０と一体的に形成されていることが好ましい。これにより、ケーブル１１と電子機器２０との接続部を封止するとともにケーブル１１および電子機器２０をハウジング３０内に一括して収容することができる。つまり、装置の製造工程を簡略化することができる。
【００６３】
芳香族ポリアミド（ｂ１）はポリフタルアミドであることが好ましい。ポリフタルアミドの加工温度は３５０℃程度であるので、芳香環を持たないポリアミドに比べて高い耐熱性を得ることができる。
【００６４】
絶縁被覆１５における熱可塑性ポリウレタン（ａ１）がポリエーテル系ポリウレタンであることが好ましい。熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を用いることにより、絶縁被覆１５において所望の機械特性や低温度での柔軟性を得ることができる。
【００６５】
絶縁被覆１５におけるポリエステル系樹脂（ａ２）はポリブチレンテレフタレートが好ましい。ポリブチレンテレフタレートを用いることにより、絶縁被覆１５の溶融弾性をより高め、その溶融変形を抑制することができる。
【００６６】
＜変形例＞
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６７】
上述の実施形態では、図４に示すように、モールド加工電線１０のモールド部１６を、装置を収容するハウジング３０と一体的に形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図５に示すように、モールド部１６を接続部および電子機器２０を一括して被覆するように形成した後、モールド部１６を別途用意したハウジング３０に取り付けてもよい。この場合、ハウジング３０は樹脂製に限定されず金属製でもよい。
【００６８】
また、上述の実施形態では、図１に示すようにケーブル１１に絶縁電線１２を保護する保護部材としてシース１３を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。保護部材としてシース１３の代わりに、例えば図６に示すようなコルゲートチューブ１７を設けてもよく、あるいは絶縁電線１２の周囲に保護テープを巻き付けて保護テー
プ層を設けてもよい。コルゲートチューブ１７の形成材料としては、ポリプロピレンやポリアミドなどの汎用のものが使用でき、これらは難燃化されていることが好ましい。
【００６９】
また、上述の実施形態では、２本の絶縁電線１２を撚り合わせてコアを形成しているが、本発明はこれに限定されない。コアを構成する絶縁電線１２の本数は１本でもよく、３本以上でもよい。
【実施例】
【００７０】
次に、本発明について実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００７１】
本実施例では、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）として、ＢＡＳＦジャパン株式会社製「エラストランＥＴ８９０」（ポリエーテル系ポリウレタン）を用いた。
ポリエステル系樹脂（ａ２）として、三菱エンジニアリングプラスチック株式会社製「ノバデュラン５０２６」（ポリブチレンテレフタレート）を用いた。
モールド樹脂（Ｂ）として、ＥＭＳ−ＧＲＩＶＯＲＹ株式会社製「ＨＴＶ−３Ｈ１」を用いた。このモールド樹脂（Ｂ）は、芳香族ポリアミド（ｂ１）としてのポリフタルアミド（６Ｔ／６Ｉ）に繊維状の補強材（ｂ２）としてのガラス繊維を３０質量％含有するものである。なお、モールド樹脂（Ｂ）の加工温度は３４０℃である。
【００７２】
＜サンプルの作製＞
（実施例１）
本実施例では、図７に示すようなモールド加工電線を模擬したサンプル５０を作製した。
具体的には、まず、下記表１に示す配合で、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）としてのポリエーテル系ポリウレタン（以下、単にＥＵともいう）を７０質量部と、ポリエステル系樹脂（ａ２）としてのポリブチレンテレフタレート（以下、単にＰＢＴともいう）を３０質量部とを混合した。この混合物を２５ｍｍ二軸押出機（Ｌ／Ｄ＝３６）を用いてシリンダ温度２７０℃、回転数３００ｒｐｍで混練し、絶縁被覆形成用の樹脂組成物（Ａ）を調製した。
続いて、シリンダ温度を２７０℃に設定した４０ｍｍ単軸押出機（Ｌ／Ｄ＝２４）を用いて、調製した樹脂組成物（Ａ）を、銅素線を７本撚り合わせた外径０．２６ｍｍの銅撚り線の外周に押し出して絶縁被覆を形成し、外径が１．５ｍｍの絶縁電線５１を作製した。
続いて、絶縁電線５１の一方の端末から１５ｍｍまでの領域に、大気圧プラズマジェット装置（日本プラズマトリート株式会社製）を用いて下記表１に示す条件でプラズマ処理を施した。実施例１では、プラズマ照射の走査速度を０．５ｍ／ｍｉｎ、ノズルとサンプル間の距離を３ｍｍ、ガスの種類を窒素とした。
その後、絶縁電線５１のプラズマ処理を施した端末にモールド樹脂（Ｂ）を射出成形し、端末を封止するモールド部５２を形成することで、実施例１のサンプル５０を作製した。なお、サンプル５０におけるモールド部５２は、直径が１５ｍｍ、長さ２０ｍｍ、絶縁電線５１の挿入長さが１５ｍｍとなるように形成した。また、モールド樹脂（Ｂ）は、２０ｔ射出成形機を用いて、シリンダ温度を３５０℃、ノズル温度を３３０℃、金型温度を１５０℃に設定し射出成形した。
【００７３】
実施例１のサンプルについて、絶縁被覆とモールド部との界面をミクロトームにより切り出し、モールド部における界面から深さ方向に５μｍ離れた位置と２０μｍ離れた位置の２点をＦＴＩＲで測定したところ、５μｍ離れた位置におけるアミドＩの吸収ピークの波数が２０μｍ離れた位置と比べて１４．２ｃｍ−１シフトしており、シフト量が１４．２ｃｍ−１であることが確認された。
【００７４】
【表１】
2018098065.tif 000003
【００７５】
（実施例２，３）
実施例２，３では、絶縁被覆を形成する樹脂組成物（Ａ）に含まれるＥＵおよびＰＢＴの配合量を表１に示すように適宜変更した以外は実施例１と同様にサンプルを作製した。なお、モールド部におけるアミドＩの吸収ピークの波数のシフト量が、実施例２では０．６ｃｍ−１、実施例３では１１．７ｃｍ−１であることが確認された。
【００７６】
（実施例４，５）
実施例４，５では、絶縁電線の端末をプラズマ処理するときの条件を表１に示すように適宜変更した以外は実施例３と同様にサンプルを作製した。なお、モールド部におけるアミドＩの吸収ピークの波数のシフト量が、実施例４では７．８ｃｍ−１、実施例５では０．５ｃｍ−１であることが確認された。
【００７７】
（比較例１，２）
比較例１では、絶縁被覆を形成する樹脂組成物（Ａ）に含まれるＥＵの配合量を７５質量部、ＰＢＴの配合量を２５質量部として、ＰＢＴの配合比を過度に小さくした以外は、実施例と同様にサンプルを作製した。
比較例２では、絶縁被覆を形成する樹脂組成物（Ａ）に含まれるＥＵの配合量を２５質量部、ＰＢＴの配合量を７５質量部として、ＰＢＴの配合比を過度に大きくした以外は、実施例と同様にサンプルを作製した。
なお、モールド部におけるアミドＩの吸収ピークの波数のシフト量が、比較例１では１３．５ｃｍ−１、比較例２では０．４ｃｍ−１であることが確認された。
【００７８】
（比較例３）
比較例３では、絶縁電線の端末をプラズマ処理せずにモールド加工を行った以外は実施例３と同様にサンプルを作製した。なお、モールド部におけるアミドＩの吸収ピークの波数のシフト量は０．２ｃｍ−１であることが確認された。
【００７９】
＜評価方法＞
作製したサンプルを以下の方法により評価した。
【００８０】
（絶縁被覆の溶融変形）
サンプルの絶縁被覆における溶融変形の有無を評価した。本実施例では、サンプルにおいてモールド部で被覆される絶縁被覆が外部に飛び出していないかを目視で観察した。さらに、サンプルを長手方向に半割にした断面を観察して絶縁被覆の厚さを１０点で測定し、初期厚さからの厚さの減少量を算出した。本実施例では、絶縁被覆が外部に飛び出しが確認されず、かつ、絶縁被覆の厚さが初期厚さの０．３５ｍｍから０．２ｍｍ以上減少している箇所がないものを合格とした。
【００８１】
（気密性）
サンプルにおける絶縁被覆とモールド部との気密性を評価した。具体的には、図７に示すように、サンプル５０を、モールド部５２が形成される一端が水槽６０内の水６１に浸漬するように配置して、サンプル５０の他端に空気供給機７０を接続した。その後、空気供給機７０から３０ＫＰａで圧縮空気を３０秒送り込み、絶縁電線５１とモールド部５２との間から気泡８０が出ないかを確認した。気泡８０が確認されないサンプル５０については、−４０℃で３０分、１２５℃で３０分のヒートショック試験を２００サイクル実施し、上記と同様に一端を水６１に浸漬させて空気を送り込み、気泡８０が出ないかを確認した。そして、気泡８０が確認されるまで、上記と同様の条件でヒートショック試験を２００サイクルずつ追加していき、気泡８０が確認されるまでに要するサイクル数を計測した。本実施例では、サイクル数が１０００以上であれば、気密性に優れるものと判断して合格とした。
【００８２】
＜評価結果＞
実施例１〜５のサンプルでは、耐熱性に優れ加工温度の高いポリフタルアミド（６Ｔ／６Ｉ）をモールド加工により射出成形したが、絶縁被覆の溶融変形は少なく、モールド部と絶縁被覆との間での密着性が高く気密性に優れることが確認された。
実施例１〜３を比較すると、絶縁被覆に含まれるＥＵの割合が高くなるほど、その上に形成されるモールド部におけるシフト量が大きくなり、気密性の評価であるサイクル数が増えることが確認された。一方、絶縁被覆に含まれるＰＢＴの割合が高くなるほど、プラズマ処理による効果が薄れるためか、シフト量が少なくなり密着性が低下するが、絶縁被覆の溶融変形が抑制されて被覆厚が減少しにくくなることが確認された。実施例３によると、ＥＵおよびＰＢＴの割合を同程度とすることにより溶融変形の抑制と気密性とを高い水準で両立できることが確認された。
実施例３〜５を比較すると、プラズマ照射の走査速度を遅くして絶縁被覆の表面にプラズマ処理を十分に施すことにより、シフト量が大きくなるようにモールド部を形成でき、より高い気密性を得られることが確認された。
【００８３】
これに対して、比較例１では、絶縁被覆にプラズマ処理を施したものの、絶縁被覆に含まれるＰＢＴの比率を過度に小さくしたため、モールド加工の際に絶縁被覆が溶融変形して外部に飛び出したり、絶縁被覆の被覆厚が大きく減少したりすることが確認された。
一方、比較例２では、絶縁被覆に含まれるＰＢＴの比率を過度に大きくしたため、プラズマ処理による効果が薄れて、モールド部におけるシフト量が０．５ｃｍ−１よりも小さくなり、十分な気密性を得られないことが確認された。
また、比較例３では、絶縁被覆にプラズマ処理を施さなかったため、モールド部におけるシフト量が０．２ｃｍ−１程度であって、絶縁被覆とモールド部との間で十分な気密性を得られないことが確認された。
【００８４】
以上により、モールド加工電線において、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）およびポリエステル系樹脂（ａ２）を用いて絶縁被覆を形成するとともに表面処理を施すことにより、耐熱性に優れる芳香族ポリアミド（ｂ１）を絶縁被覆上に射出成形してモールド部を形成しても、絶縁被覆の溶融変形を抑制しつつ、絶縁被覆とモールド部との間で気密性を得られるような高い密着性を確保できる。
【００８５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００８６】
＜付記１＞
導体の外周に絶縁被覆が設けられる絶縁電線と、
前記絶縁電線の端末に設けられ、前記端末の電子機器との接続部から前記絶縁被覆にわたって被覆するように形成されるモールド部と、を備え、
前記絶縁被覆は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）から形成され、
前記モールド部は、芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）から形成され、赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトしている、モールド加工電線が提供される。
【００８７】
＜付記２＞
付記１のモールド加工電線において、好ましくは、
前記芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）がポリフタルアミド樹脂である。
【００８８】
＜付記３＞
付記１又は２のモールド加工電線において、好ましくは、
前記モールド部が、前記接続部とともに前記電子機器を一括して被覆するように形成される。
【００８９】
＜付記４＞
付記１〜３のいずれかのモールド加工電線において、好ましくは、
前記モールド部が、前記電子機器が取り付けられる装置を収容するハウジングとモールド加工により一体的に形成される。
【００９０】
＜付記５＞
付記１〜４のいずれかのモールド加工電線において、好ましくは、
前記熱可塑性ポリウレタン（ａ１）がポリエーテル系ポリウレタンである。
【００９１】
＜付記６＞
付記１〜５のいずれかのモールド加工電線において、好ましくは、
前記ポリエステル系樹脂（ａ２）がポリブチレンテレフタレートである。
【００９２】
＜付記７＞
付記１〜６のいずれかのモールド加工電線において、好ましくは、
前記モールド樹脂（Ｂ）は繊維状の補強材（ｂ２）を含む。
【００９３】
＜付記８＞
導体の外周に絶縁被覆が設けられた絶縁電線および前記絶縁電線を被覆する保護部材を備え、一方の端末から前記絶縁電線が引き出されるケーブルと、
前記端末から引き出される前記絶縁電線と電子機器との接続部から前記絶縁電線の前記絶縁被覆にわたって被覆するように形成されるモールド部と、を備え、
前記絶縁被覆は、熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下と、ポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有する樹脂組成物（Ａ）から形成され、
前記モールド部は、芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含むモールド樹脂（Ｂ）から形成され、赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトしている、モールド加工電線が提供される。
【００９４】
＜付記９＞
導体の外周に樹脂組成物（Ａ）から形成される絶縁被覆を備える絶縁電線を準備する準備工程と、
前記絶縁電線の電子機器が接続される側の端末を表面処理する表面処理工程と、
モールド加工により、前記端末の前記電子機器との接続部から前記絶縁電線の表面処理された前記絶縁被覆にわたって被覆するように、モールド樹脂（Ｂ）を射出成形してモールド部を形成するモールド加工工程と、を有し、
前記樹脂組成物（Ａ）が熱可塑性ポリウレタン（ａ１）を３０質量部以上７０質量部以下とポリエステル系樹脂（ａ２）を３０質量部以上７０質量部以下とを合計で１００質量部含有し、
前記モールド樹脂（Ｂ）が芳香族ポリアミド樹脂（ｂ１）を含み、
前記表面処理工程では、前記モールド加工工程で形成する前記モールド部を赤外分光分析により測定したときに、前記絶縁被覆との界面から深さが５μｍ以内の領域におけるア
ミドＩの吸収ピークの波数が、前記界面から深さが２０μｍ以上の領域におけるアミドＩの吸収ピークの波数と比べて０．５ｃｍ−１以上シフトするように、前記端末における前記絶縁被覆を表面処理する、モールド加工電線の製造方法が提供される。
【００９５】
＜付記１０＞
付記９のモールド加工電線の製造方法において、好ましくは、
前記表面処理工程では、大気圧下でプラズマ処理を行う。
【符号の説明】
【００９６】
１０  モールド加工電線
１１  ケーブル
１２  絶縁電線
１３  シース
１４  導体
１５  絶縁被覆
１６  モールド部
１７  コルゲートチューブ
２０  電子機器
２１  端子
３０  ハウジング
【図１】
2018098065.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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