(57)【要約】      （修正有）【課題】様々な前駆体で異なるエッチング処理に使用できるシステム及び方法を提供する。【解決手段】処理チャンバ５００は半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定するチャンバハウジング５０３を、チャンバハウジングはリッド５０２を、チャンバは処理領域内で基板５５５を支持するように構成されたペデスタル５６５と、電源５１９に連結された第１のシャワーヘッド５１５を含み得る。第１のシャワーヘッドは、リッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられ得る。チャンバはまた、第１のシャワーヘッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の誘電体面板５２１と電気的接地に連結され、第１の誘電体面板と処理領域との間に位置付けられた第２のシャワーヘッド５３１と、第１の誘電体面板と第２のシャワーヘッドとの間に位置付けられた第２の誘電体面板を含み得る。【選択図】図５
2018082149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定し、リッドを備えるチャンバハウジングと、
前記半導体処理チャンバの処理領域内で基板を支持するように構成されたペデスタルと、
電源に連結され、前記リッドと前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられている第１のシャワーヘッドと、
前記第１のシャワーヘッドと前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の誘電体面板と、
電気的接地に連結され、前記第１の誘電体面板と前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２のシャワーヘッドと、
前記第１の誘電体面板と前記第２のシャワーヘッドとの間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２の誘電体面板と
を備える半導体処理チャンバ。
【請求項２】
前記第１の誘電体面板及び前記第２の誘電体面板が石英を含む、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項３】
前記第１の誘電体面板と前記第２の誘電体面板との間に位置付けられた誘電体スペーサを更に備える、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項４】
前記誘電体スペーサが、前記第１の誘電体面板と前記第２の誘電体面板との間に位置付けられ、前記第１の誘電体面板及び前記第２の誘電体面板の各々に接触している環状スペーサを含む、請求項３の半導体処理チャンバ。
【請求項５】
前記第１の誘電体面板、前記第２の誘電体面板、及び前記スペーサが、前記半導体処理チャンバ内でプラズマ処理領域を画定し、前記プラズマ処理領域が、前記第１のシャワーヘッドと前記第２のシャワーヘッドとの間で生成されたプラズマを少なくとも部分的に含有するように構成される、請求項４に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項６】
前記プラズマ処理領域が、前記第１の誘電体面板と前記第２の誘電体面板との間に前記プラズマを実質的に含有するように構成されている、請求項５に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項７】
前記第１のシャワーヘッド及び前記第２のシャワーヘッドが金属酸化物を含む、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項８】
前記半導体処理チャンバの前記内部領域内の前記第１のシャワーヘッドと前記第１の誘電体面板との間隔が、前記半導体処理チャンバ内で形成可能なプラズマのデバイ長未満である、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項９】
前記間隔が約０．７ｍｍ以下である、請求項８に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１０】
前記第２の誘電体面板が第１の複数の開孔を画定し、前記第２のシャワーヘッドが第２の複数の開孔を画定し、前記第１の複数の開孔の各開孔が、前記第２の複数の開孔の各開孔の直径未満の直径によって特徴付けられる、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１１】
前記第１の複数の開孔の各開孔が、前記第２の複数の開孔のうちの１つの開孔の少なくとも一部と軸方向に位置合わせされている、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１２】
前記第１の複数の開孔が、少なくとも２つの開孔のグループに分けることによって特徴付けられ、各グループの中心軸が、前記第２の複数の開孔のうちの１つの開孔の中心軸と軸方向に位置合わせされている、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１３】
前記第１の複数の開孔が少なくとも又は約２０００の開孔を含み、前記第２の複数の開孔が、約１２００以下の開孔を含む、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１４】
前記第１の複数の開孔が少なくとも又は約５０００の開孔を含み、前記第２の複数の開孔が、約１０００以下の開孔を含む、請求項１３に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項１５】
酸素含有プラズマを形成する方法であって、
酸素含有前駆体を半導体処理チャンバに供給することであって、前記半導体処理チャンバが、
前記半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定し、リッドを備えるチャンバハウジングと、
前記半導体処理チャンバの処理領域内で基板を支持するように構成されたペデスタルと、
電源に連結され、前記リッドと前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられている第１のシャワーヘッドと、
前記第１のシャワーヘッドと前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の誘電体面板と、
電気的接地に連結され、前記第１の誘電体面板と前記処理領域との間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２のシャワーヘッドと、
前記第１の誘電体面板と前記第２のシャワーヘッドとの間の前記半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２の誘電体面板と
を含む、供給することと、
前記第１のシャワーヘッドと前記第２のシャワーヘッドとの間の酸素含有前駆体から容量結合プラズマを生成することと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０１６年１０月４日出願の米国特許出願第１５／２８５，２１４号の優先権を主張し、その全内容がすべての目的のために参照することにより本明細書に組み込まれる。
【０００２】
［０００２］本発明の技術は、半導体システム、プロセス及び機器に関する。より具体的には、本発明の技術は、チャンバ内に石英シャワーヘッドを含み得る処理チャンバに関する。
【背景技術】
【０００３】
［０００３］集積回路は、基板表面上に複雑にパターン形成された材料層を形成するプロセスによって可能になる。基板上にパターン形成された材料を形成するには、露出した材料を除去する制御された方法が必要である。化学エッチングは、下位層にフォトレジストでパターンを転写する、層を薄くする、又は表面にすでにある特徴の横寸法を薄くすることを含む、様々な目的に使用される。多くの場合、１つの材料を別の材料よりも早くエッチングして、例えばパターン転写プロセスを促進するエッチングプロセスを有することが望ましい。上記エッチングプロセスは、第１の材料に対して選択的であると言われる。材料、回路、及びプロセスに多様性があるために、様々な材料に対して選択性を有するエッチングプロセスが開発されてきた。
【０００４】
［０００４］エッチング処理は、様々な材料をエッチングする様々な前駆体を用いる。例えば、幾つかのエッチング処理は、エッチング処理中にフッ素含有前駆体を用いることがあり、他のエッチング処理は、エッチング処理中に水素含有前駆体を用いることがある。これらの化学物質は、異なる材料との異なる親和力を有しており、チャンバの構成要素のエッチング又は構成要素との相互作用を引き起こすことがある。チャンバ構成要素を調節しコーティングを施すことによって、異なるチャンバが、エッチング用に異なる前駆体を用いることがある。
【０００５】
［０００５］したがって、様々な前駆体で異なるエッチング処理を実行するために使用できる、改良されたシステム及び方法が必要とされる。これらの必要性及び他の必要性が、本発明の技術によって対処される。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］本発明の技術による半導体処理システム及び方法は、半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定するチャンバハウジングを含む半導体処理チャンバを含み得る。チャンバハウジングは、リッドを含み得る。チャンバは、チャンバの処理領域内で基板を支持するように構成されたペデスタルを含み得る。チャンバはまた、電源に連結された第１のシャワーヘッドを含み得る。第１のシャワーヘッドは、リッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられ得る。チャンバはまた、第１のシャワーヘッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の誘電体面板を含み得る。チャンバはまた、電気的接地に連結され、第１の誘電体面板と処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２のシャワーヘッドを含み得る。チャンバは、第１の誘電体面板と第２のシャワーヘッドとの間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２の誘電体面板を更に含み得る。
【０００７】
［０００７］実施形態では、第１の誘電体面板及び第２の誘電体面板は、石英であり得る、又は石英を含み得る。例示的チャンバにおいて、誘電体スペーサは、第１の誘電体面板と第２の誘電体面板との間に位置付けられ得る。誘電体スペーサが、第１の誘電体面板と第２の誘電体面板との間に位置付けられ、第１の誘電体面板及び第２の誘電体面板の各々に接触している環状スペーサであり得る又は環状スペーサを含み得る。幾つかの実施形態では、第１の誘電体面板、第２の誘電体面板、及びスペーサは、半導体処理チャンバ内にプラズマ処理領域を画定し得る。プラズマ処理領域は、第１のシャワーヘッドと第２のシャワーヘッドとの間に生成されたプラズマを少なくとも部分的に含有するように構成され得る。プラズマ処理領域は、第１の誘電体面板と第２の誘電体面板との間にプラズマを実質的に含有するように構成され得る。
【０００８】
［０００８］幾つかの実施形態では、第１のシャワーヘッド及び第２のシャワーヘッドは、金属酸化物であり得る、又は金属酸化物を含み得る。半導体処理チャンバの内部領域内の第１のシャワーヘッドと第１の誘電体面板との間隔が、半導体処理チャンバ内で形成可能なプラズマのデバイ長未満であり得る。幾つかの実施形態では、間隔は、約０．７ｍｍ以下であり得る。第２の誘電体面板は、第１の複数の開孔を画定し、第２のシャワーヘッドは、第２の複数の開孔を定義し得る。幾つかの実施形態では、第１の複数の開孔の各開孔は、第２の複数の開孔の各開孔の直径を下回る直径によって特徴付けられ得る。幾つかの例示的チャンバにおいて、第１の複数の開孔の各開孔が、第２の複数の開孔のうちの１つの開孔の少なくとも一部と軸方向に位置合わせされている。第１の複数の開孔が、少なくとも２つの開孔のグループに分けることによって特徴付けられ、幾つかの実施形態では、各グループの中心軸が、第２の複数の開孔のうちの１つの開孔の中心軸と軸方向に位置合わせされ得る。実施形態において、第１の複数の開孔は、少なくとも又は約２０００の開孔を含み、第２の複数の開孔が、約１２００以下の開孔を含み得る。加えて、第１の複数の開孔は、少なくとも又は約５０００の開孔を含み、第２の複数の開孔が、約１０００以下の開孔を含み得る。
【０００９】
［０００９］本発明の技術はまた、酸素含有プラズマを形成する方法を含み得る。方法は、酸素含有前駆体を半導体処理チャンバに供給することを含み得る。半導体処理チャンバは、半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定するチャンバハウジングを含み得る。チャンバハウジングは、リッドを含み得る。チャンバは、半導体処理チャンバの処理領域内で基板を支持するように構成されたペデスタルを含み得る。チャンバはまた、電源に連結された第１のシャワーヘッドを含み得る。第１のシャワーヘッドは、リッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられ得る。チャンバはまた、第１のシャワーヘッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の誘電体面板を含み得る。チャンバはまた、電気的接地に連結され、第１の誘電体面板と処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２のシャワーヘッドを含み得る。チャンバはまた、第１の誘電体面板と第２のシャワーヘッドとの間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２の誘電体面板を含み得る。方法はまた、第１のシャワーヘッドと第２のシャワーヘッドとの間の酸素含有前駆体から容量結合プラズマを生成することを含み得る。
【００１０】
［００１０］幾つかの実施形態では、プラズマは、第１のシャワーヘッドと第１の誘電体面板との間に本質的には存在し得ない。生成されたプラズマのプラズマ廃水は、例示的方法において、第２の誘電体面板及び第２のシャワーヘッドを通り、半導体処理チャンバの処理領域に向かって流れ得る。幾つかの実施形態において、プラズマ廃水の大多数は、第２のシャワーヘッドと相互に作用しなくてもよい。方法で用いられる幾つかのチャンバにおいて、第１のシャワーヘッド及び第２のシャワーヘッドは、酸化アルミニウムを含み得る。
【００１１】
［００１１］本発明の技術はまた、半導体処理チャンバを含む。チャンバは、半導体処理チャンバの内部領域を少なくとも部分的に画定するチャンバハウジングを含み得る。実施形態において、チャンバハウジングは、リッド又はリッドアセンブリを含み得る。チャンバは、チャンバの処理領域内で基板を支持するように構成されたペデスタルを含み得る。チャンバは、電源に連結された第１のシャワーヘッドを含み得る。第１のシャワーヘッドは、リッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられ、第１のシャワーヘッドは、金属酸化物であり得る、又は金属酸化物を含み得る。チャンバはまた、第１のシャワーヘッドと処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第１の石英面板を含み得る。チャンバはまた、電気的接地に連結され、第１の誘電体面板と処理領域との間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２のシャワーヘッドを含み得る。実施形態では、第１のシャワーヘッドは、金属酸化物であり得る、又は金属酸化物を含み得る。チャンバはまた、第１の誘電体面板と第２のシャワーヘッドとの間の半導体処理チャンバ内に位置付けられた第２の石英面板を含み得る。チャンバは、第１の石英面板と第２の石英面板との間に位置付けられ、第１の石英面板及び第２の石英面板の各々に接触している誘電体スペーサを含み得る。
【００１２】
［００１２］そのような技術は、従来のシステム及び技法よりも多数の利点を提供し得る。例えば、酸素含有プラズマが生成され、従来のシステムよりも改善された再結合特性を示すことがある。加えて、システムは、追加の挿入物を伴うチャンバ構成要素の改良された保護を可能にし得る。これら多数の利点及び特徴と共に、これらの実施形態及びその他の実施形態を、下記の説明及び添付の図面と合わせてさらに詳細に説明する。
【００１３】
［００１３］本開示の技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】［００１４］本発明の技術の実施形態による例示的処理システムの上面図を示す。
【図２】［００１５］本発明の技術の実施形態による例示的処理チャンバの概略断面図を示す。
【図３】［００１６］本発明の技術の実施形態による例示的シャワーヘッドの底面図を示す。
【図４】［００１７］本発明の技術の実施形態による例示的面板の平面図を示す。
【図５】［００１８］本発明の技術の実施形態による処理チャンバの断面図を示す。
【図６Ａ】［００１９］本発明の技術の実施形態による例示的面板の上面図を示す。
【図６Ｂ】［００２０］本発明の技術の実施形態による例示的シャワーヘッド及び面板の底面図を示す。
【図７Ａ】［００２１］本発明の技術の実施形態による例示的面板の上面図を示す。
【図７Ｂ】［００２２］本発明の技術の実施形態による例示的シャワーヘッドの底面図を示す。
【図８】［００２３］本発明の技術の実施形態による例示的方法の工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［００２４］図の幾つかは、概略図として含まれている。図面は例示のためのものであり、縮尺について特に規定されていない限り、正しい縮尺と見なすべきではないことに留意されたい。加えて、概略図として、図面は、理解を促すために提供されており、実際の描写表現と比べると態様又は情報をすべて含んでいるわけではなく、例示手目的で追加の材料又は強調された材料を含むこともある。
【００１６】
［００２５］添付図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同一の参照符号を有し得る。更に、同類の様々な構成要素は、類似の構成要素を区別する文字により、参照符号に従って区別されることがある。第１の参照符号のみが本明細書において使用されている場合、その説明は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素のうちの任意の１つに適用可能である。
【００１７】
［００２６］本発明の技術は、調整したエッチング処理を含む半導体処理のためのシステム及び構成要素を含む。容量結合プラズマ（「ＣＣＰ」）がチャンバ内で形成されるとき、プラズマ廃水は、プラズマを生成又は含有する際に含まれるチャンバ構成要素と相互に作用し得る。これらの構成要素で使用される材料次第で、材料は、有利にも有害にも相互に作用し得る。例えば、アルミニウム又は石英チャンバ構成要素は、フッ素含有プラズマ廃水と化学的に相互作用し得る。プラズマ粒子は、材料の表面で化学的に再結合し、構成要素それ自体を分解又はエッチングし得る。金属酸化物構成要素は、フッ素廃水によって化学的に分解されないかもしれないが、水素含有前駆体が酸化物コーティングを除去し、下位の材料が他のエッチャントに曝され得る。
【００１８】
［００２７］金属酸化物構成要素はまた、水素含有プラズマ廃水だけではなく、酸素プラズマ廃水の再結合も引き起こすか増加させることがある。このことは、イオンを表面で再結合させるための付着係数又は能力が高いと言われることもあった。一方で、石英は、酸素含有プラズマ廃水により再結合速度を低下させたかもしれないが、露出された石英表面を劣化させ得るフッ素含有前駆体には適していない可能性がある。幾つかの従来の技術は、酸化アルミニウム又は他の金属表面のコーティングを試みることによって酸素を扱ってきた。これらの技術は、複数の理由から不十分であり得る。最初に、石英などの金属は、コーティングされる構成要素との熱膨張係数の不一致に起因してコーティングには劣った構成要素であるため、石英ライナの亀裂を引き起こすことがある。加えて、構成要素の幾つかは、コーティングが難しいパターン形成された開孔を有し得るシャワーヘッド又は面板を含み得る。開孔を通して均一でないコーティングにより、酸素含有プラズマ廃水の再結合が増加可能になり得る。
【００１９】
［００２８］本発明の技術は、ＣＣＰ構成要素を有するチャンバ内で石英シャワーヘッドを統合することによって、これらの問題の多くを克服し得る。石英シャワーヘッドは、プラズマを生成するために使用される伝導性電極を保護するために位置付けられてもよく、廃水の再結合を制御するように特に構成されてもよい。例えば、シャワーヘッドを通る開孔は、金属電極との相互作用を低減するために、金属電極に関して位置合わせされてもよい。
【００２０】
［００２９］残りの開示内容は、本発明の技術を利用した特定のエッチング処理を規定通りに識別するものであるが、システム及び方法は、記載されたチャンバで起こりうる堆積及び洗浄プロセスに等しく適用可能であることは、容易に理解できることである。したがって、この技術は、エッチング処理のみでの使用に限定されるものと考えるべきではない。
【００２１】
［００３０］図１は、本発明の技術の態様を含み得る、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、及び硬化チャンバの処理システム１００の１つの実施形態の上面図を示す。図１に示される処理ツール１００は、複数の処理チャンバ１１４Ａ−Ｄ、移送チャンバ１１０、サービスチャンバ１１６、一体型計測チャンバ１１７、及び一対のロードロックチャンバ１０６Ａ−Ｂを含有し得る。処理チャンバは、追加の処理チャンバに加え、図２に関して記載されるものに類似の構造又は構成要素を含み得る。
【００２２】
［００３１］チャンバの間で基板を輸送するために、移送チャンバ１１０は、ロボット輸送機構１１３を含有し得る。輸送機構１１３は、延長可能なアーム１１３Ｂの遠位端にそれぞれ取り付けられた一対の基板輸送ブレード１１３Ａを有し得る。ブレード１１３Ａは、個々の基板を処理チャンバに及び処理チャンバから運ぶために使用され得る。動作中に、輸送機構１１３のブレード１１３Ａなどの基板輸送ブレードの１つが、チャンバ１０６Ａ−Ｂなどのロードロックチャンバの１つから基板Ｗを回収し、例えば、チャンバ１１４Ａ−Ｄにおける以下に記載されるエッチング処理などの第１段階の処理に基板Ｗを運び得る。チャンバが使用中の場合、ロボットは、処理が完了するまで待機し、次いで処理した基板を１つのブレード１１３Ａによりチャンバから除去し、第２のブレード（図示されず）で新しい基板を挿入し得る。基板はいったん処理されると、次に第２段階の処理に移動し得る。移動毎に、輸送機構１１３は、一般的に、基板を運ぶ１つのブレードと、基板交換を実行するための１つの空のブレードとを有し得る。移送機構１１３は、交換が遂行可能となるまで各チャンバで待機し得る。
【００２３】
［００３２］処理チャンバ内で処理がいったん完了すると、輸送機構１１３は、基板Ｗを最後の処理チャンバから移動させ、基板Ｗをロードロックチャンバ１０６Ａ−Ｂ内のカセットに輸送し得る。ロードロックチャンバ１０６Ａ−Ｂから、基板はファクトリインターフェース１０４内に移動し得る。ファクトリインターフェース１０４は、一般的に、大気圧清浄環境のポッドローダ１０５Ａ−Ｄとロードロックチャンバ１０６Ａ−Ｂとの間で基板を移送するために動作し得る。ファクトリインターフェース１０４の清浄環境は、一般的に、例えばＨＥＰＡろ過などの空気ろ過処理を介して提供され得る。ファクトリインターフェース１０４はまた、処理前に基板を正しく位置合わせするために使用され得る基板オリエンタ／アライナ（図示されず）を含み得る。ロボット１０８Ａ−Ｂなどの少なくとも１つの基板ロボットは、ファクトリインターフェース１０４内の種々の位置／場所の間とそれらに連通する他の場所に基板を輸送するために、ファクトリインターフェース１０４の中に位置付けら得る。ロボット１０８Ａ−Ｂは、ファクトリインターフェース１０４の第１の端から第２の端まで筐体１０４内を軌道システムに沿って移動するように構成され得る。
【００２４】
［００３３］処理システム１００は、処理チャンバで実行されている処理の何れかにわたって適応性のある制御を提供し得る、制御信号を提供するために、一体型計測チャンバ１１７を更に含み得る。一体型計測チャンバ１１７は、厚さ、粗さ、組成など、種々の膜特性を測定するために種々の計測デバイスの何れかを含み得、計測デバイスは、更に、自動化された方法で、真空下での限界寸法、側壁角度、及び特徴高さ等の格子パラメータを特徴付けることができる。
【００２５】
［００３４］ここで図２を参照すると、本開示全体で検討される態様を含み得る、本発明の技術による例示的処理チャンバシステム２００の断面図が示される。チャンバ２００は、例えば、先ほど検討されたシステム１００の処理チャンバセクション１１４のうちの一又は複数で使用され得る。一般的に、エッチングチャンバ２００は、イオンミリング動作を実施するための第１の容量結合プラズマ源と、エッチング動作及びオプションの堆積動作を実施するための第２の容量結合プラズマ源とを含み得る。更に以下に説明するように、チャンバは、加えて、酸素含有前駆体を含むプラズマ用に構成された構成要素を含み得る。チャンバ２００は、チャック２５０を取り囲む接地チャンバ壁２４０を含み得る。実施形態において、既知であろう他のクランプ機構が用いられてもよいが、チャック２５０は、処理中にチャック２５０の上面に基板２０２を締める静電チャックであり得る。チャック２５０は、埋め込まれた熱交換コイル２１７を含み得る。例示的実施形態では、熱交換コイル２１７は、チャック２５０の温度、及び最終的には基板２０２の温度を制御するために、エチレングリコール／水混合物などの熱移送流体がそれを介して通過し得るような一又は複数の熱移送流体チャネルを含む。
【００２６】
［００３５］チャック２５０は、メッシュ２４９が基板２０２の静電気的クランプを実施するためにＤＣバイアス電位を運び得るように、高圧ＤＣ供給２４８に結合されたメッシュ２４９を含み得る。チャック２５０は、第１のＲＦ電源に結合され得、そのような１つの実施形態では、メッシュ２４９は、ＤＣ電圧オフセット及びＲＦ電圧電位の双方が、チャック２５０の上面の薄い誘電体層全域で結合されるように、第１のＲＦ電源に結合され得る。例示的実施形態では、第１のＲＦ電源は、第１及び第２のＲＦ発生器２５２、２５３を含み得る。ＲＦ発生器２５２、２５３は、任意の産業上利用される周波数で動作し得るが、例示的実施形態では、ＲＦ発生器２５２は、有利な方向性を提供するために６０ＭＨｚで動作し得る。第２のＲＦ発生器２５３も提供される場合、例示的周波数は、２ＭＨｚであり得る。
【００２７】
［００３６］ＲＦ電力供給されるチャック２５０により、ＲＦリターン経路が、デュアルチャネルシャワーヘッドを含み得る第１のシャワーヘッド２２５によって提供され得る。第１のシャワーヘッド２２５は、第１のシャワーヘッド２２５及びチャンバ壁２４０によって画定された第１のチャンバ領域２８４内に第１の供給ガスを分散させるためにチャックの上に配置され得る。したがって、チャック２５０及び第１のシャワーヘッド２２５は、第１のチャンバ領域２８４内の第１の供給ガスの第１のプラズマ２７０に容量性のエネルギーを与えるために第１のＲＦ結合電極ペアを形成する。ＲＦ電力供給されたチャックの容量性の結合から生じる、ＤＣプラズマバイアス、又はＲＦバイアスは、イオンミリングプラズマを供給するために、例えば、第１の供給ガスがＡｒであるＡｒイオンなどのイオンフラックスを第１のプラズマ２７０から基板２０２に生成し得る。第１のシャワーヘッド２２５は、接地されてもよく、又は交互に、例えば１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚなどの、チャック２５０以外の周波数で動作可能な一又は複数の発生器を有するＲＦ源２２８に結合されてもよい。図示された実施形態では、第１のシャワーヘッド２２５は、例えばコントローラ（図示されず）によって、エッチング処理中に自動的に制御され得るリレー２２７を通して、接地又はＲＦ源２２８に選択可能に結合され得る。開示された実施形態では、チャンバ２００は、シャワーヘッド２２５又は誘電体スペーサ２２０を含まなくてもよく、その代わりに、更に以下に記載されるバッフル２１５及びシャワーヘッド２１０のみを含んでいてもよい。
【００２８】
［００３７］図に更に示されるように、エッチングチャンバ２００は、低い処理圧力で高いスループットが可能なポンプスタックを含み得る。実施形態において、少なくとも１つのターボ分子ポンプ２６５、２６６は、一又は複数のゲートバルブ２６０を通して第１のチャンバ領域２８４に結合され、第１のシャワーヘッド２２５に対向するチャック２５０の下に配置され得る。ターボ分子ポンプ２６５、２６６は、適切なスループットを有している任意の市販のポンプであり、より具体的には、例えば、アルゴンが第１の供給ガスである場合、５０ｓｃｃｍから５００ｓｃｃｍまでのＡｒなど、第１の供給ガスの所望の流量で約１０ｍＴｏｒｒ以下又は約５ｍＴｏｒｒ以下に処理ガスを維持するために適切にサイズ決定され得る。図示された実施形態では、チャック２５０は、２つのターボポンプ２６５と２６６との間で中心に置かれるペデスタルの一部を形成し得るが、代替構成では、チャック２５０は、チャック２５０の中心に位置合わせされた中心を有する単一のターボ分子ポンプを含むチャンバ壁２４０から一端が飛び出したペデスタルの上にあってもよい。
【００２９】
［００３８］第２のシャワーヘッド１２０は、第１のシャワーヘッド２２５の上に配置され得る。１つの実施形態では、処理中に、例えば、ガス供給システム２９０から供給されたアルゴンなどの第１の供給ガス源は、ガス注入口２７６に結合され得、第１の供給ガスは、第２のシャワーヘッド２１０を通って延びる複数の開孔２８０を介して第２のチャンバ領域２８１内へ、及び第１のシャワーヘッド２２５を通って延びる複数の開孔２８２を介して第１のチャンバ領域２８４内へ流れる。開孔２７８を有する追加の流れ分散器又はバッフル２１５は、分散領域２１８を通ってエッチングチャンバ２００の直径全域に第１の供給ガス流２１６を更に分散させ得る。代替的実施形態では、第１の供給ガスは、点線２２３によって示されるように、第２のチャンバ領域２８１から分離した開孔２８３を介して、第１のチャンバ領域２８４内に直接流れ得る。
【００３０】
［００３９］チャンバ２００は、加えて、エッチング動作を実行するために図示された状態から再構成されてもよい。二次的電極２０５が第１のシャワーヘッド２２５の上方に配置され得、第２のチャンバ領域２８１がそれらの間に存在する。二次的電極２０５は、エッチングチャンバ２００のリッド又は上面板を更に形成し得る。二次的電極２０５及び第１のシャワーヘッド２２５は、第２のチャンバ領域２８１内で第２の供給ガスの第２のプラズマ２９２を容量的に放電するために、誘電体リング２２０によって電気的に絶縁され、第２のＲＦ結合電極ペアを形成し得る。有利には、第２のプラズマ２９２は、チャック２５０の上にかなりのＲＦバイアス電位を供給しなくてもよい。第２のＲＦ結合電極ペアの少なくとも１つの電極は、エッチングプラズマにエネルギーを与えるためにＲＦ源に結合され得る。二次的電極２０５は、第２のシャワーヘッド２１０に電気的に結合され得る。例示的実施形態では、第１のシャワーヘッド２２５は、接地平面に結合されても浮遊していてもよく、リレー２２７を通して接地に結合されてもよく、第１のシャワーヘッド２２５は、動作のイオンミリングモード中にＲＦ電源２２８によって電力供給も可能になる。第１のシャワーヘッド２２５が接地される場合、例えば１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚで作動する一又は複数のＲＦ発生器を有するＲＦ電源２０８は、二次的電極２０５をイオンミリング動作中などの他の動作モード中に接地も可能にするリレー２０７を通して、二次的電極２０５に結合されるが、二次的電極２０５はまた、第１のシャワーヘッド２２５に電力供給される場合には浮遊したままでもよい。
【００３１】
［００４０］三フッ化窒素などの第２の供給ガス源、及びアンモニアなどの水素源は、ガス供給システム２９０から供給され、点線２２４などを介してガス吸入口２７６に結合され得る。このモードでは、第２の供給ガスは、第２のシャワーヘッド２１０を通って流れ、第２のチャンバ領域２８１においてエネルギーが与えられ得る。反応性核種は、次いで、基板２０２と反応するために、第１のチャンバ領域２８４内に移り得る。更に図示されるように、第１のシャワーヘッド２２５がマルチチャネルシャワーヘッドである実施形態について、一又は複数の供給ガスは、第２のプラズマ２９２によって生成される反応性核種と反応するように提供され得る。１つの実施形態では、水源が複数の開孔２８３に結合されてもよい。追加の構成はまた、提供された一般図に基づいてもよいが、種々の構成要素が再構成されてもよい。例えば、流れ分散器又はバッフル２１５は、第２のシャワーヘッド２１０に類似した板であってもよく、二次的電極２０５と第２のシャワーヘッド２１０との間に位置付けられてもよい。
【００３２】
［００４１］これらの板の何れかはプラズマ生成のための様々な構成において電極として動作し得るので、一又は複数の環状又は他の形状のスペーサが、誘電体リング２２０と同様に、これらの構成要素のうちの一又は複数の間に位置付けられてもよい。第２のシャワーヘッド２１０はまた、実施形態においてイオン抑制板として動作し得、第２のシャワーヘッド２１０を通したイオン核種の流れを低減、限定、又は抑制するように構成され得る一方で、中性核種及びラジカル核種の流れをなおも可能にする。一又は複数の追加のシャワーヘッド又は分散器は、第１のシャワーヘッド２２５とチャック２５０との間のチャンバ内に含まれ得る。そのようなシャワーヘッドは、先ほど記載された分配板又は構造体の何れかの形状又は構造をとり得る。また、実施形態では、遠隔プラズマユニット（図示されず）は、種々の処理で使用するためにプラズマ廃水をチャンバに提供するようにガス注入口に結合され得る。
【００３３】
［００４２］実施形態では、チャック２５０は、距離Ｈ２に沿って、第１のシャワーヘッド２２５に対して垂直な方向に移動可能であり得る。チャック２５０は、チャック２５０と第１のシャワーヘッド２２５との間での熱移送を制御する手段として、第１のシャワーヘッド２２５に近付く又は遠ざかるように移動できるようにするために、ベローズ２５５、又はそのようなものによって囲まれた作動機構上にあり、８０℃から１５０℃又はそれ以上の上昇温度となり得る。よって、エッチング処理は、第１のシャワーヘッド２２５に対する第１及び第２の所定の位置の間でチャック２５０を移動させることによって、実施され得る。代替的には、チャック２５０は、エッチング処理中に第１のシャワーヘッド２２５によって加熱を制御するために、基板２０２をチャック２５０の上面から距離Ｈ１ほど上昇させるためのリフターを含み得る。エッチング処理が、例えば約９０℃から１１０℃の固定温度で実行される、他の実施形態では、チャック変位機構が回避され得る。システムコントローラ（図示されず）は、自動的に第１及び第２のＲＦ結合電極ペアに交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１及び第２のプラズマ２７０及び２９２に交互にエネルギーを与え得る。
【００３４】
［００４３］チャンバ２００はまた、堆積動作を実行するために再構成されてもよい。プラズマ２９２は、第２のプラズマ２９２について記載された方法の何れかで実施され得るＲＦ放電によって、第２のチャンバ領域２８１で生成され得る。第１のシャワーヘッド２２５が堆積中にプラズマ２９２を生成するために電力供給される場合、第１のシャワーヘッド２２５は、チャンバ壁に対して電気的に浮遊しているように、誘電体スペーサ２３０によって接地されたチャンバ壁２４０から分離され得る。例示的実施形態では、分子酸素などの酸化剤供給ガス源が、ガス供給システム２９０から供給され、ガス注入口２７６に結合され得る。第１のシャワーヘッド２２５がマルチチャネルシャワーヘッドである実施形態では、例えばＯＭＣＴＳなどの任意のケイ素含有前駆体が、ガス供給システム２９０から供給され、プラズマ２９２から第１のシャワーヘッド２２５を通って移動する反応性核種と反応するように、第１のチャンバ領域２８４内に方向付けられ得る。代替的には、ケイ素含有前駆体はまた、酸化剤と共にガス注入口２７６を通って流れ得る。チャンバ２００は、本発明の技術に関して検討される種々の動作に用いられ得る一般的チャンバ構成として含まれる。
【００３５】
［００４４］図３は、実施形態による処理チャンバで使用するためのシャワーヘッド３２５の底面図である。シャワーヘッド３２５は、図２に示されるシャワーヘッド２２５に対応し得る。第１の流体チャネル又は開孔２８２の図であり得る通り孔３６５は、シャワーヘッド２２５を通る前駆体の流れを制御し影響を与えるように、複数の形状及び構成を有し得る。第２の流体チャネル又は開孔２８３の図であり得る小さな孔３７５は、シャワーヘッドの表面に、更には通り孔３６５の間でさえ、実質的に平らに分散され得、他の構成ではなくシャワーヘッドから出る際に前駆体のより均一な混合を提供し得る。
【００３６】
［００４５］実施形態による面板用の配置が、図４に示されている。図示されたように、面板４００は、貫通孔を含む板又はマニホールドを含み得る。面板のアセンブリは、図３に示されるようなシャワーヘッドに類似してもよく、又は特に前駆体ガスの分配パターン用に構成された設計を含んでいてもよい。面板４００は、図２に示されるチャンバなどの例示的処理チャンバ内に種々の配置で位置付けられた環状フレーム４１０を含み得る。実施形態において、以下に記載されるようなイオン抑制板５２３に類似し得る板４２０がフレーム上又は内に結合され得る。実施形態では、面板４００は、フレーム４１０と板４２０とが単一部品の材料である単一部品設計であり得る。
【００３７】
［００４６］板は、ディスク形状を有し、フレーム４１０上又は内に位置し得る。板は、板を前述のようなプラズマ配置で使用するための電極として機能させることができる他の導電性材料だけではなく、アルミニウムを含む金属などの導電性材料であってもよい。板は、様々な厚さであって、板内に画定される複数の開孔４６５を含み得る。図４に示される例示的配置は、図３の配置を参照しつつ先ほど記載されたパターンを含み、図示されたように六角形などの形状寸法パターンの開孔の一連のリングを含み得る。理解されるように、図示されたパターンは、例示的なものであって、様々なパターン、孔の配置、及び孔の間隔が設計に包含されることを理解すべきである。
【００３８】
［００４７］開孔４６５は、流体が動作中に開孔を通って流れることができるようにサイズ決定されてもよく、又は別の方法で構成されてもよい。開孔は、種々の実施形態では、約２インチ未満のサイズであり、約１．５インチ以下、約１インチ以下、約０．９インチ以下、約０．８インチ以下、約０．７５インチ以下、約０．７インチ以下、約０．６５インチ以下、約０．６インチ以下、約０．５５インチ以下、約０．５インチ以下、約０．４５インチ以下、約０．４インチ以下、約０．３５インチ以下、約０．３インチ以下、約０．２５以下、約０．２インチ以下、約０．１５インチ以下、約０．１インチ以下、約０．０５インチ以下、約０．０４インチ以下、約０．０３５インチ以下、約０．０３インチ以下、約０．０２５インチ以下、約０．０２インチ以下、約０．０１５インチ以下、約０．０１インチ以下などであり得る。
【００３９】
［００４８］幾つかの実施形態では、面板４００は、チャンバプラズマ領域からのイオン帯電の核種の移動を抑えるように構成されている構造全域に複数の開孔を画定するイオンサプレッサとして動作しつつ、帯電していない中性又はラジカル核種が、イオンサプレッサを通過して、イオンサプレッサ下流の活性化ガス供給領域内に移動できるようにし得る。実施形態において、イオンサプレッサは、種々の開孔構成を有する貫通孔を含む板であり得る。これらの荷電されていない核種には、開孔を介して反応が弱いキャリアガスと共に輸送される非常に反応性の高い核種が含まれ得る。上述したように、孔を介したイオン核種のマイグレーションが低減され、場合によっては完全に抑制されることがある。例えば、孔のアスペクト比、若しくは孔の長さに対する直径、及び／又は孔の形状寸法は、イオンサプレッサを通る活性化ガスの中のイオン帯電核種の流れが減るように制御され得る。
【００４０】
［００４９］ここで図５を参照すると、本発明の技術による処理チャンバ５００の簡略図が示される。チャンバ５００は、図２から図４までに関して前述した構成要素の何れかを含み、チャンバの処理領域５６０に半導体基板５５５を収納するように構成され得る。チャンバハウジング５０３は、チャンバの内部領域を少なくとも部分的に確定し得る。例えば、チャンバハウジング５０３は、リッド５０２を含み、図に示された他の板又は構成要素の何れかを少なくとも部分的に含み得る。例えば、チャンバ構成要素は、チャンバハウジング５０３の一部を少なくとも部分的に画定する各構成要素を含む一連の積み重ねられた構成要素として含まれてもよい。基板５５５は、図示したように、ペデスタル５６５上に位置し得る。処理チャンバ５００は、注入口５０１に結合された遠隔プラズマユニット（図示されず）を含み得る。他の実施形態では、システムは、遠隔プラズマユニットを含まなくてもよく、一又は複数の前駆体をチャンバ５００に分散させるための注入口アセンブリを含み得る注入口５０１を直接通って前駆体を受容するように構成され得る。
【００４１】
［００５０］遠隔プラズマユニットを含んでも含んでいなくても、システムは、処理チャンバの混合領域５１１へのアクセスを提供し得る、注入口５０１を通して前駆体又は他の流体を受容するように構成され得る。混合領域５１１は、チャンバの処理領域５６０から分離され、かつ処理領域５３３に流体結合され得る。混合領域５１１は、一又は複数の前駆体用の注入口アセンブリを含み得る、チャンバリッド５０２又はリッドアセンブリなどのシステム５００のチャンバの最上部と、下のシャワーヘッド又は面板５０９などの分配デバイスとによって少なくとも部分的に画定され得る。面板５０９は、開示された実施形態の図４に図示されたシャワーヘッド又は面板に類似し得る。面板５０９は、チャンバを介した処理の前に、混合領域５１１において前駆体の分配及び／又は滞留時間に影響を与えるように位置付けられ及び／又は成形され得る複数のチャネル若しくは開孔５０７を含み得る。
【００４２】
［００５１］例えば、再結合は、面板５０９全域の開孔数、開孔サイズ、又は開孔の構成を調節することによって、影響を受け、制御され得る。図示されたように、面板５０９は、混合領域５１１とチャンバの処理領域５６０との間に位置付けられ、面板５０９は、チャンバ５００を通して一又は複数の前駆体を分散させるように構成され得る。システム５００のチャンバは、開示された実施形態にオプションで含まれ得る一連の構成要素のうちの一又は複数を含み得る。例えば、面板５０９が記載されているが、幾つかの実施形態では、チャンバは、そのような面板を含まなくてもよい。加えて、開示された実施形態では、混合領域５１１で少なくとも部分的に混合された前駆体は、チャンバを通り、システムの動作圧、チャンバ構成要素の配置、又は前駆体の流れプロファイルを介して、方向付けられ得る。
【００４３】
［００５２］チャンバ５００は、加えて、第１のシャワーヘッド５１５を含み得る。シャワーヘッド５１５は、図３から図４を参照して検討される板の特徴又は特性のうちの何れかを有し得る。シャワーヘッド５１５は、図示されたように半導体処理チャンバ内に位置付けられ、リッド５０２と処理領域５６０との間に含まれ又は位置付けられ得る。実施形態では、シャワーヘッド５１５は、コーティング、シーズニング、又は他の方法で処理された材料であり得る金属又は伝導構成要素であってもよく、又はそのような構成要素を含んでいてもよい。例示的材料は、アルミニウムを含む金属、並びに酸化アルミニウムを含む金属酸化物を含み得る。用いられている前駆体、又はチャンバ内で実行されている処理次第で、シャワーヘッドは、構造的安定性、並びに用いられ得る伝導性を提供し得る任意の他の金属であり得る。
【００４４】
［００５３］シャワーヘッド５１５は、シャワーヘッドを通して前駆体の均一な分配を促すために、一又は複数の開孔５１７を画定し得る。開孔５１７は、様々な構成又はパターンで含まれてもよく、所望の前駆体分配を提供し得る任意の数の形状寸法によって特徴付けられ得る。シャワーヘッド５１５は、実施形態において、電源と電気的に連結され得る。例えば、シャワーヘッド５１５は、図示されたようにＲＦ源５１９と連結され得る。操作されるとき、ＲＦ源５１９は、容量結合プラズマ（「ＣＣＰ」）をシャワーヘッド５１５と別の構成要素との間に形成可能にするシャワーヘッド５１５に電流を供給し得る。
【００４５】
［００５４］チャンバ５００はまた、誘電体面板５２１を含み得る。誘電体面板５２１は、図３から図４を参照して先ほど検討された板の特徴又は特性のうちの何れかを有し得る。誘電体面板５２１は、シャワーヘッド５１５と処理領域５６０との間のチャンバ５００内に位置付けられ得る。誘電体面板５２１は、面板を通して画定された複数の開孔５２３を含み得る。加えて、チャンバ５００は、誘電体面板５２５を含み得る。誘電体面板５２５は、図３から図４を参照して先ほど検討された板の特徴又は特性のうちの何れかを有し、誘電体面板５２１と類似していても異なっていてもよい。誘電体面板５２５は、面板の構造内に開孔５２７を画定し、誘電体面板５２１と類似する又は異なるパターンの開孔を有し得る又は含み得る。誘電体面板５２５は、誘電体面板５２１とシャワーヘッド５３１との間のチャンバ内に位置付けられ得る。誘電体面板のどちらか又は両方が、絶縁体材料であっても、絶縁体材料を含んでもよい。実施形態において、誘電体面板５２１、５２５は、石英、又は金属酸化物構成要素と比較して、酸素再結合への影響が少ないなど、酸素含有プラズマ廃水との相互作用が少ない任意の材料であり得る。
【００４６】
［００５５］シャワーヘッド５３１は、チャンバ内に含まれる第２のシャワーヘッドであり、シャワーヘッド５１５と共に追加の電極として動作し得る。シャワーヘッド５３１は、先ほど検討されたシャワーヘッド５１５の特徴又は特性の何れかを含み得る。他の実施形態では、シャワーヘッド５３１の幾つかの特徴は、シャワーヘッド５１５から分岐し得る。例えば、シャワーヘッド５３１は、電気的接地５３４と連結され、実施形態において、プラズマがシャワーヘッド５１５とシャワーヘッド５３１との間で生成可能となり得る。シャワーヘッド５３１は、前駆体又はプラズマ廃水を処理領域５６０に供給可能にするため、構造内に開孔５３３を画定し得る。
【００４７】
［００５６］チャンバ５００は、オプションで、チャンバ内にガス供給アセンブリ５３５を更に含み得る。幾つかの実施形態では、シャワーヘッド５３１と処理領域５６０との間に構成要素がなく、シャワーヘッド５３１によって、処理領域５６０への前駆体又はプラズマ廃水の分配が可能になり得る。ある態様において前述のデュアルチャネルシャワーヘッドに類似し得るガス供給アセンブリ５３５は、処理領域５６０とリッド５０２との間、並びに処理領域５６０とシャワーヘッド５３１との間など、処理領域５６０上のチャンバ内に位置し得る。ガス供給アセンブリ５３５は、第１及び第２の前駆体の両方を、チャンバの処理領域５６０の中へ供給するように構成され得る。実施形態では、ガス供給アセンブリ５３５は、チャンバの内部領域を、遠隔領域と、基板５５５が位置付けられる処理領域とに少なくとも部分的に分割し得る。
【００４８】
［００５７］図５の例示的システムはデュアルチャネルシャワーヘッドを含むが、前駆体を注入口５０１を通って導入された核種から流体的に分離された状態に維持する代替的分配アセンブリを用いてもよいと理解される。例えば、貫通孔を含む板、及び板の下の管を用いることができるが、他の構成は、効率が低下した状態で動作してもよく、又は記載されたデュアルチャネルシャワーヘッドのように均一の処理として提供されなくてもよい。開示された設計の１つを用いることによって、前駆体は、処理領域５６０に侵入する前にプラズマによって事前に励起されない処理領域５６０に導入され得るか、又は前駆体（ｉｔ）が反応し得る追加の前駆体との接触を回避するように導入され得る。図示されていないが、環状スペーサなどの追加のスペーサが、板を互いから分離するために、シャワーヘッド５３１とガス供給アセンブリ５３５との間に配置されてもよい。追加の前駆体が含まれない実施形態では、ガス供給アセンブリ５３５は、前述の構成要素の何れかに類似の設計を有し、図３及び図４に示された面板に類似の特徴を含み得る。
【００４９】
［００５８］実施形態では、ガス供給アセンブリ５３５は、例えば、抵抗ヒータ又は温度制御された流体を含み得る、埋め込み式ヒータ５３９を含み得る。ガス供給アセンブリ５３５は、上板及び下板を含み得る。板は、板同士の間で空間５３７を画定するために、互いに結合され得る。上板と下板トを通る第１の流体チャネル５４０と、下板を通る第２の流体チャネル５４５を提供するように、板が結合され得る。形成されたチャネルは、下板を通して空間５３７から流体的にアクセスできるように構成され、第１の流体チャネル５４０は、複数の板と第２の流体チャネル５４５との間の空間５３７から流体的に分離させるようにしてもよい。空間５３７は、前述のチャネル２２３などのガス供給アセンブリ５３５の側面を介して流体的にアクセス可能となり得る。チャネルは、チャンバ５００の注入口５０１から分離したチャンバ内のアクセスと結合され得る。
【００５０】
［００５９］チャンバ５００に含まれても含まれなくてもいい追加のオプションの構成要素は、石英などの誘電体でもあり得る面板５４７である。面板５４７は、面板５２１、５２５と類似の機能性を提供し、かつ類似の特性を含み、先ほど説明されたイオンミリング動作又はイオンエッチング動作で使用され得る。面板５４７は、面板の構造を通して画定された開孔５４９を含み得る。面板の何れかは、本適用を通して検討されるような開孔、特性、パターン、又はサイジングを有し得る。チャンバ５００はまた、例えば材料堆積だけではなく、チャンバの壁をプラズマ廃水から保護し得る、チャンバライナ５５１を含み得る。ライナは、導電性材料であっても導電性材料を含んでいてもよく、実施形態において、絶縁体材料であっても絶縁体材料を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、チャンバ壁又はライナは、追加の電気的接地源として動作し得る。
【００５１】
［００６０］スペーサ５２９は、第１の誘電体面板５２１と第２の誘電体面板５２５との間に位置付けられ得る。スペーサは、誘電体であってもよく、２つの構成要素の間に絶縁を提供する任意の他の誘電材料であってもよい。実施形態では、スペーサ５２９は、２つの面板の間に位置付けられ、誘電体面板５２１と誘電体面板５２５の両方と接触する環状スペーサであってもよい。
【００５２】
［００６１］幾つかの実施形態では、最初に記載されたプラズマは、前述の構成要素のうちの２以上の間で画定されるチャンバの領域に形成され得る。例えば、プラズマ領域５５０などのプラズマ領域は、シャワーヘッド５１５とシャワーヘッド５３１との間に形成され得る。スペーサ５２９は、プラズマ場を形成可能とするために、互いから電気的に絶縁された２つの構成要素を維持し得る。シャワーヘッド５１５が帯電する一方で、シャワーヘッド５３１は、板同士の間で画定された領域内にプラズマ場を生成するために接地又はＤＣバイアスされ得る。板は、加えて、プラズマがそれらの間で形成され得る構成要素の劣化を最小化するために、コーティング又はシーズニングされ得る。板は、更に、劣化又は影響される可能性が低い、セラミック、金属酸化物、又は他の導電性材料を含む組成物を含み得る。
【００５３】
［００６２］酸素又は水素などの幾つかの前駆体で従来の容量結合プラズマ（「ＣＣＰ」）を機能させると、前述のプラズマ再結合に対する制御に影響を及ぼすことがある。例えば、構成要素は、酸化アルミニウムコーティングであるか酸化アルミニウムコーティングを含み得、又はアルミニウムであり得る。酸化アルミニウムは、接触すると酸素イオン及びラジカルの再結合を増加させ、プラズマ廃水の均一性及び制御に関する問題を引き起こし、作業中の基板に影響を与え得る。したがって、酸素含有廃水又は水素含有廃水であり得るプラズマ廃水を保護するために、石英板５２１、５２５がプラズマ処理領域５５０に含まれ得る。他の実施形態では、板５２１、５２５は、低い伝導性を示すセラミック又は非金属材料など他の誘電材料を含む石英以外の材料であってもそのような材料を含んでもよい。
【００５４】
［００６３］プラズマ処理領域５５０は、第１のシャワーヘッド５１５と第２のシャワーヘッド５３１との間の一部に画定され得る。加えて、双方が石英である、第１の誘電体面板５２１及び第２の誘電体面板５２５、並びにスペーサ５２９は、半導体処理チャンバ内にプラズマ処理領域５５０を画定し得る。これらの構成要素は、第１のシャワーヘッド５１５と第２のシャワーヘッド５３１との間で生成されたプラズマを少なくとも部分的に含有するように少なくとも部分的に構成され得る。幾つかの実施形態では、これらの構成要素は、第１の誘電体面板５２１と第２の誘電体面板５２５との間にプラズマを実質的に含有するように、間隔が空けられ、位置付けられ、又は構成され得る。
【００５５】
［００６４］第１の誘電体面板５２１及び第２の誘電体面板５２５に対する第１のシャワーヘッド５１５と第２のシャワーヘッド５３１との間隔は、プラズマ処理領域５５０の範囲に影響を与えることがある。例えば、プラズマは、シャワーヘッド５１５及びシャワーヘッド５３１などのプラズマを生成する電極間の完全な空間で生成可能であり得る。実施形態でこれが起こると、酸素含有前駆体は、第１のシャワーヘッド５１５と第１の誘電体面板５２１との間でイオン化され得る。イオン又はラジカルは、次いでシャワーヘッド５１５に接触し、例えば、石英構成要素間で維持される場合よりも高速で再結合を開始し得る。第２のシャワーヘッド５３１と第２の誘電体面板５２５との間で、類似の現象が発生し得る。しかしながら、第１の誘電体面板５２１及び第２の誘電体面板５２５は、プラズマ処理領域を調節し、電極、又はシャワーヘッド５１５、５３１の表面でのプラズマの生成を低減、防止、又は実質的に防止するように位置付けられてもよい。
【００５６】
［００６５］例えば、温度、圧力及び発生周波数などの動作条件を含む幾つかの特性に応じて、プラズマは、プラズマが平均的に電気的に中性又は準中性のままであるデバイ長よりも長い領域で生成され得る。デバイ長未満の距離を有する領域では、これは実現されず、プラズマが衝突しないこともある。したがって、第１のシャワーヘッド５１５とデバイ長未満の第１の誘電体スペーサ５２１との間の距離を維持することによって、プラズマは、構成要素間では形成されないこともある。同様に、第２のシャワーヘッド５３１と第２の誘電体面板５２５との間の距離はまた、プラズマがこの領域内で発生するのを制限するために、デバイ長未満に維持されてもよい。よって、実施形態では、両距離が、デバイ長未満に維持され、プラズマが、第１の誘電体面板５２１と第２の誘電体面板５２５との間に画定された領域内に実質的に又は本質的に含有されてもよい。
【００５７】
［００６６］例えば、動作圧力及び周波数に基づき、酸素含有プラズマがプラズマ処理領域５５０内で生成されている幾つかの実施形態では、デバイ長は、約２５ｍｍ以下とされ得る。この長さは、半導体処理チャンバの内部領域内の２つの板の上の軸方向に配向された位置の間であり得る。例えば、板は、板の外部エッジで互いに接触するが、処理チャンバの内部領域にわたって距離を維持し得る。実施形態では、シャワーヘッド５１５、５３１とそれらそれぞれの石英面板５２１、５２５との間の距離は、約２５ｍｍ以下に維持され得る。他の実施形態では、距離は、シャワーヘッド及び石英面板が接触した状態で約２０ｍｍ以下、約１５ｍｍ以下、約１２ｍｍ以下、約１０ｍｍ以下、約８ｍｍ以下、約６ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約０．９ｍｍ以下、約０．８ｍｍ以下、約０．７ｍｍ以下、約０．６ｍｍ以下、約０．５ｍｍ以下、約０．４ｍｍ以下、約０．３ｍｍ以下、約０．２ｍｍ以下、約０．１ｍｍ以下、又は約０ｍｍ以下で維持され得る。構成要素は、列挙された距離又は定義された範囲の任意のより小さな範囲内の距離の何れかの間の距離で維持され得る。例えば、シャワーヘッド及び石英板は、実施形態では、約０ｍｍから約１ｍｍの間で維持され、又は約０．１ｍｍから約０．６ｍｍの間で維持され得る。
【００５８】
［００６７］シャワーヘッド５１５又はシャワーヘッド５３１のどちらかは、例えば、誘電体面板５２１又は誘電体面板５２５と直接接触していなくてもよい。石英は、温度サイクル中に許容できる特性を示すが、石英面板とアルミニウム又は酸化アルミニウムシャワーヘッドとの直接的な接触は、石英面板の亀裂を引き起こすこともある。したがって、シャワーヘッド５１５、５３１と誘電体面板５２１、５２５との間で空間が展開されることのない実施形態では、材料は、何れかの材料における熱誘導された変化を吸収し得る、又は２つの構成要素間にバッファを提供し得るシャワーヘッド及び誘電体面板と直接接触した状態で位置付けられ得る。
【００５９】
［００６８］チャンバ５００又は類似のチャンバで実行され得る例示的処理中の動作において、酸素含有プラズマは、誘電体面板５２１と誘電体面板５２５との間で生成され得る。生成された廃水は、チャンバ５００の内部領域を通って、処理領域５６０の方に移動し得る。プラズマ処理領域５５０から処理領域５６０まで移動するために、酸素含有廃水を含み得るプラズマ廃水は、誘電体面板５２５だけではなく、シャワーヘッド５３１も通過し得る。したがって、酸化アルミニウムなどのコーティングを有し得る、アルミニウムなどの導電性材料であり得るシャワーヘッド５３１は、プラズマ廃水と相互作用し得る。実施形態では、シャワーヘッド５３１及び／又は誘電体面板５２５の開孔又は構成は、構造を収容し、生成されたプラズマ廃水への酸化アルミニウム及びアルミニウムの影響を低減するように調節されてもよい。
【００６０】
［００６９］図６Ａを見ると、本発明の技術の実施形態による例示的誘電体面板６００の上面図が示されている。図示されるように、面板６００は、実施形態では石英であり得る、誘電材料６１０を含み得る。  加えて、誘電体面板は、実施形態において、誘電体面板５２１、５２５のどちらかであってもよい。誘電体面板６００は、図３から図４を参照して先ほど検討された板の構成要素又は特性のうちの何れかを含み得る。誘電体面板６００は、面板の構造を通して画定された開孔６２０を含み得、面板は、実施形態では、第１の複数の開孔を画定し得る。面板６００内に含まれる開孔は、図示されたようなグループ分けで特徴付けられ得る。グループは、実施形態において、少なくとも２つの開孔を含み、面板のサイズ、対応するシャワーヘッド内の開孔のサイズ及び開孔の関連性を含む要因に応じて、グループ毎に少なくとも若しくは約３つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約４つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約５つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約６つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約７つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約８つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約９つの開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約１０の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約１５の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約２０の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約５０の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約１００の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約１３０の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約１６０の開孔、グループ毎に少なくとも若しくは約２００の開孔、又はそれ以上を含み得る。
【００６１】
［００７０］加えて、開孔６２０のサイジングは、プラズマ再結合に作用する又は制御するために使用され得る。各開孔６２０は、実施形態において、約０．１ｍｍ以上の直径によって特徴付けられ、かつ約０．１５ｍｍ以上、約０．２ｍｍ以上、約０．２５ｍｍ以上、約０．３ｍｍ以上、約０．３５ｍｍ以上、約０．４ｍｍ以上、約０．４５ｍｍ以上、約０．５ｍｍ以上、約０．５５ｍｍ以上、約０．６ｍｍ以上、約０．６５ｍｍ以上、約０．７ｍｍ以上、約０．７５ｍｍ以上、約０．８ｍｍ以上、約０．８５ｍｍ以上、約０．９ｍｍ以上、約０．９５ｍｍ以上、約１．０ｍｍ以上、約１．２５ｍｍ以上、約１．５ｍｍ以上、約１．７５ｍｍ以上、約２．０ｍｍ以上、約２．５ｍｍ以上、又はそれ以上の直径によって特徴付けられ得る。
【００６２】
［００７１］直径は、例えば、円形ではない開孔、又は開孔の高さ全体を通して形状寸法を変化させることによって特徴付けられた開孔のような、開孔全域の幅又は開孔の中心軸に対して垂直な幅を覆うことを目的としている。各開孔はまた、実施形態において、約０．１ｍｍから約１ｍｍまで、約０．３ｍｍから約０．８ｍｍまで、又は約０．４ｍｍから約０．５ｍｍまでの直径によって特徴付けられてもよい。実施形態では、誘電体面板は、面板全体を通して約１０００以上の開孔によって特徴付けられてもよく、各開孔は、特定のグループ内で統合されてもよい。加えて、面板は、例えば、開孔寸法だけではなく、グループ分けする際の板寸法及び開孔の配置に応じて、約２０００以上の開孔、約３０００以上の開孔、約４０００以上の開孔、約５０００以上の開孔、約６０００以上の開孔、約７０００以上の開孔、約８０００以上の開孔、約９０００以上の開孔、約１００００以上の開孔、又はそれ以上の開孔によって特徴付けられてもよい。他の実施形態では、面板６００は、列挙された開孔の数又はサイズの何れかより少ないもの、又は列挙された範囲の何れかの範囲より小さい範囲を含み得る。
【００６３】
［００７２］図６Ｂは、本発明の技術の実施形態による例示的シャワーヘッド６５０及び面板６００の底面図を示す。構成要素は、先ほど検討されたシャワーヘッド５３１及び誘電体面板５２５の図である。図示されるように、シャワーヘッド６５０は、導電性材料であり得る板６６０を含み得る。シャワーヘッド６５０は、ＣＣＰ配置における接地電極としてチャンバ内で動作し得る。シャワーヘッド６５０はまた、第２の複数の開孔であり得る、複数の開孔６７０を定義し得る。開孔６７０は、第２の複数の開孔６７０の各開孔の直径未満の直径によって各々が特徴付けられ得る、第１の開孔６２０より大きいとし得る。
【００６４】
［００７３］開孔６７０は、面板６００の個々の開孔６２０の直径より大きい直径によって特徴付けられ得る。実施形態において、開孔６７０は、シャワーヘッドのサイズ及び面板６００からの関連した開孔の数に応じて、約１ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約４ｍｍ以上、約５ｍｍ以上、約６ｍｍ以上、約７ｍｍ以上、約８ｍｍ以上、約９ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約１１ｍｍ以上、約１２ｍｍ以上、約１３ｍｍ以上、約１５ｍｍ以上、約２０ｍｍ以上、又はそれ以上の直径によって各々が特徴付けられ得る。加えて、シャワーヘッド６５０は、その構造を通して少なくとも約２００の開孔６７０を画定し、実施形態では、開孔のサイズだけではなく、開孔がそれを通して画定される板にも応じて、少なくとも約３００の開孔、少なくとも約４００の開孔、少なくとも約５００の開孔、少なくとも約６００の開孔、少なくとも約７００の開孔、少なくとも約８００の開孔、少なくとも約９００の開孔、少なくとも約１０００の開孔、少なくとも約１１００の開孔、少なくとも約１２００の開孔、少なくとも約１３００の開孔、少なくとも約１５００の開孔、少なくとも約２０００の開孔、又はそれ以上の開孔を画定し得る。他の実施形態では、シャワーヘッド６５０は、列挙された開孔の数又はサイズの何れかより少ないもの、又は列挙された範囲の何れかの範囲より小さい範囲を含み得る。
【００６５】
［００７４］開孔６７０は、第１の複数の開孔６２０が構成されるパターンに関するパターンで構成され得る。例えば、第１の複数の開孔６２０の各開孔が、第２の複数の開孔６７０のうちの１つの開孔の少なくとも一部と軸方向に位置合わせされ得る。本例では、第１の複数の開孔６２０のうちの１つの開孔は、第１の複数の開孔６２０のうちの１つの開孔の少なくとも１つが、第２の複数の開孔６７０のうちの１つの開孔によって画定された空間に向かって延びる又はその空間に重なるように、第２の複数の開孔６７０のうちの１つの開孔と又はその開孔周囲で位置合わせされ得る。加えて、第１の複数の開孔６２０がグループ分けの際に統合される実施形態では、第１の複数の開孔６２０の各グループの中心軸は、第２の複数の開孔６７０のうちの１つの開孔の中心軸と軸方向に位置合わせされ得る。例えば、図示されるように、各開孔６７０は、開孔６２０のグループの中心軸と位置合わせされ得る。
【００６６】
［００７５］実施形態では、各開孔６７０は、第１の複数の開孔６２０のうちの少なくとも約３つの開孔のグループと位置合わせされてもよい。加えて、各開孔６７０は、例えば、開孔６２０のサイズ、開孔６７０のサイズだけではなく、シャワーヘッド及び面板の寸法にも応じて、第１の複数の開孔６２０のうちの少なくとも約４つの開孔、少なくとも約５つの開孔、少なくとも約６つの開孔、少なくとも約７つの開孔、少なくとも約８つの開孔、少なくとも約９つの開孔、少なくとも約１０の開孔、少なくとも約１１の開孔、少なくとも約１２の開孔、少なくとも約１３の開孔、少なくとも約１４の開孔、少なくとも約１５の開孔、少なくとも約２０の開孔、少なくとも約５０の開孔、少なくとも約７５の開孔、少なくとも約１００の開孔、少なくとも約１２５の開孔、少なくとも約１５０の開孔、少なくとも約１７５の開孔、少なくとも約２００の開孔、又はそれ以上の開孔のグループと位置合わせされ得る。１つのシャワーヘッド及び面板のペアリングとして検討されてきたが、組み合わせは、先ほど検討したように、シャワーヘッド５１５、５３１及び誘電体面板５２１、５２５のどちらかであっても両方であってもいいと理解されるべきである。加えて、第１のシャワーヘッド／面板の組み合わせが第１の開孔構造によって特徴付けられるのに対し、第２のシャワーヘッド／面板の組み合わせは、第２の開孔構成によって特徴付けられてもよい。
【００６７】
［００７６］前駆体が基板と相互作用するために少なくとも１つの電極を通過する場合の多くのＣＣＰ電極フロースルー構成において、例えば、シャワーヘッド５３１などの電極の開孔サイジングは、動作に影響を与え得る。例えば、開孔サイズが増加するにつれ、プラズマ漏出が発生し、生成されているプラズマ又は廃水を制御することがより難しくなることもある。加えて、プラズマ粒子は、シャワーヘッドを通して漏出し、基板と相互に作用し、スパッタリング又は他の損傷を引き起こす可能性がある。したがって、多くの従来のＣＣＰシステムは、数ミリメートル未満又は１ミリメートル未満の開口サイズに限定され得る。しかしながら、本発明のシステムは、面板により小さな孔を用いることによってプラズマを制御するために、石英面板などの面板を用い得る。このように、シャワーヘッド内の開孔は、従来のシステムで起こり得る限界を越えて増加させてもよく、プラズマ廃水との相互作用を低減してもよい。加えて、開孔サイジングの増加にも関わらず、シャワーヘッドは、プラズマが形成される電極としてなおも許容可能に動作し得る。
【００６８】
［００７７］図７Ａを参照すると、本発明の技術の実施形態による例示的面板７００の上面図が示されている。面板７００は、先ほど検討された任意の面板の特徴又は特性のうちの何れかを含み得る、又はそれらの何れかによって特徴付けられる。面板７００は、開孔７２０が画定された誘電体７１０を含み得る。開孔７２０は、先ほど検討された特性のサイジング又はグループの何れかであり得る、又は何れかを含み得る。加えて、面板７００がそれによって連結されるシャワーヘッドの例示的開孔７３０が図示されている。そのような構成は、例えば、誘電体面板５２５及びシャワーヘッド５３１の上面図と似ているが、また誘電体面板５２１及びシャワーヘッド５１５と適合性のある特性も示し得る。開孔７３０は、面板７００の任意の特定の開孔７２０から見えないように隠れた状態で図示されている。
【００６９】
［００７８］例えば、実施形態では、開孔７２０は、任意の開孔７２０から任意の開孔７３０まで見通し線が存在しないように、開孔７３０などのシャワーヘッド開孔と互い違いであってもよい。そのような効果をもたらすように面板７００に開口を画定するために多くの構成が可能である。例えば、開孔７２０は、対応するシャワーヘッドの任意の開孔７３０との任意の配向又は位置合わせを回避するために、面板７００にわたり、あるパターンで含まれてもよい。加えて、開孔７２０は、対応するシャワーヘッドの開孔７３０の相対的に周囲あたりに延びるグループに含まれてもよい。例えば、図示されたように、開孔７２０は、対応するシャワーヘッドに対する開孔７３０の対応する場所周囲の約６つの開孔のグループに含まれてもよい。先ほど検討されたグループ又は開口構成の何れかが、同様に本配置に適用されてもよく、本発明の技術によって包含される。
【００７０】
［００７９］図７Ｂは、本発明の技術の実施形態による例示的シャワーヘッド７５０の底面図を示す。シャワーヘッド７５０は、例えば、面板７００と共に図示された開孔７３０を有する対応するシャワーヘッドであり得る。シャワーヘッド７５０は、実施形態において先ほど検討されたシャワーヘッドの何れかの構成又は特性の何れかによって特徴付けられ得る。図示されたように、開孔７３０は、対応する面板７００の開孔７３０周囲で互い違いの開孔を有し得る、面板７００の任意の開孔に対する見通し線を提供しなくてもよい。本実施例において対応する面板の開孔が図示されていないが、他の実施形態では、面板の開孔の任意の割合又は部分は、目に見えるか、又はシャワーヘッド７５０の任意の開孔７３０との見通し線を有し得るかである。
【００７１】
［００８０］上述のチャンバ、面板、及びシャワーヘッドは、一又は複数の方法で使用され得る。図８は、チャンバ５００の一又は複数の変形など、上述のチャンバで実行され得る、又は上述の面板又はシャワーヘッドの何れかを含むチャンバで実行され得る、例示的方法８００の工程を示している。図示されているように、方法は、工程８０５で前駆体をチャンバに流入させることを含み得る。実施形態では、前駆体は、例えば、酸素であるか酸素を含み、また水素、不活性前駆体、又は半導体処理で使用可能な幾つかの他の前駆体を含み得る。幾つかの実施形態では、チャンバに供給される一又は複数の前駆体は、一又は複数のハロゲン含有前駆体であるかそれらを含み得るが、他の実施形態では、前駆体は、一又は複数のハロゲン含有前駆体を含まなくてもよい。例えば、実施形態において、前駆体は、フッ素含有前駆体を含まなくてもよい。しかしながら、ガス供給アセンブリ５３５を介してチャンバ５００などのチャンバ内に追加の前駆体が供給されてもよく、これにより、石英であり得る面板をフッ素含有前駆体又は他の前駆体から保護することが可能になり得る。
【００７２】
［００８１］工程８１０において、容量結合プラズマ（「ＣＣＰ」）は、酸素又は酸素含有前駆体など、チャンバ内に供給される前駆体から生成され得る。実施形態では、プラズマは、例えば前述のような、シャワーヘッド５１５、５３１などのシャワーヘッドであり得る、ＣＣＰの電極間で生成され得る。プラズマは、ＣＣＰを生成するために使用される電極間に位置付けられ得る、石英面板の間に含まれるか実質的に含まれ得る。実施形態において、電極は、伝導性シャワーヘッドであり得、例えば、アルミニウム又は酸化アルミニウムであるかそれらを含み得る。加えて、プラズマが形成されなくてもよく、又は実施形態において、例えば、シャワーヘッド５１５及び誘電体面板５２１などの第１のシャワーヘッドと第１の誘電体面板との間に、プラズマが本質的に存在していなくていなくてもよい。
【００７３】
［００８２］形成されたプラズマ廃水は、工程８１５において、プラズマ処理領域から流出し得る。廃水は、半導体基板が内部に収容される処理領域に又は処理領域に向かって流され得る。廃水は、チャンバ５００などのチャンバの一又は複数の構成要素を通して流され、誘電体面板及び／又はシャワーヘッドを通して流され得る。シャワーヘッドは、実施形態における接地電極など、ＣＣＰがそれにより生成された電極であり得る。幾つかの実施形態では、プラズマ廃水は、廃水がそれを通って流され得る電極と相互作用しなくてもよく、又は実質的に相互作用しなくてもよい。例えば、シャワーヘッド５３１などの電極の開孔は、プラズマ廃水が形成された状態で、開孔の相互作用を限定するようにサイズ決定及び／又は構成されてもよい。実施形態において、電極は、誘電体面板が前述の配置の何れかにおいてなどのシャワーヘッドとの連携に含まれていないシステムよりも、プラズマ廃水との相互作用が少なくてもよい。幾つかの実施形態では、相互作用の量は、誘電体面板がシャワーヘッドとの連携に含まれていないシステムよりも１０％少なくてもよい。加えて、相互作用の量は、誘電体面板がシャワーヘッドとの連携に含まれていないシステムより２０％少なくても、３０％少なくても、４０％少なくても、５０％少なくても、６０％少なくても、７０％少なくても、８０％少なくても、９０％少なくても、１００％少なくてもよい。本発明の技術の構成要素を含むシステムは、例えば酸素を含み得るプラズマ廃水の再結合をより良好に制御し得る。
【００７４】
［００８３］上述の説明では、説明の目的のために、本発明の技術の様々な実施形態の理解を促すために、多数の詳細が記載されてきた。しかしながら、これらの詳細の幾つかを含まずに又は更なる詳細と共に、特定の実施形態を実施し得ることが、当業者には明らかであろう。
【００７５】
［００８４］幾つかの実施形態を開示したが、当然ながら当業者には、実施形態の主旨から逸脱することなく、様々な変更例、代替構造物、及び同等物を使用し得ることが理解されるだろう。加えて、本発明の技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素については説明しなかった。したがって、上記の説明は、本発明の技術の範囲を限定するものと解釈すべきではない。
【００７６】
［００８５］値の範囲が付与されているところでは、文脈上そうでないと明示されていない限り、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の小さい範囲、そしてその記載範囲のその他任意の記載された又は介在する値も含まれる。これら小さい範囲の上限値及び下限値は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値のいずれかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もこの手法に含まれ、記載された範囲において任意に具体的に除外された限界値に依存する。記載された範囲に一又は複数の限界値が含まれるところでは、これらの含有限界値のいずれか、又は両方を除外する範囲も含まれる。
【００７７】
［００８６］本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形の「１つの（ａ、ａｎ）」、及び「前記（ｔｈｅ）」は、文脈上明確な指示がない限り、複数の意味を含む。したがって、例えば、「１つの層」への言及は、複数のそのような層を含み、「その前駆体」への言及は、１つ又は複数の前駆体及び当業者に既知のその同等物への言及を含む、等々である。
【００７８】
［００８７］また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は動作の存在を特定することを意図しているが、一又は複数のその他の特徴、整数、構成要素、動作、作動、又はグループの存在、又は追加を除外するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【外国語明細書】
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