(57)【要約】【課題】Ｉ相−Ｑ相間のパワーバランスを容易に取る。【解決手段】入力する光信号の振幅を変調する振幅変調部１００と、振幅変調部１００が振幅を変調した光信号の位相を変調する位相変調部１１０と、位相変調部１１０の出力電極に逆バイアス電圧を印加するバイアス駆動部１２０と、位相変調部１１０の出力電極に流れる電流を検知する電流検知部１３０と、電流検知部１３０が検知した電流の値に基づいて、光信号のＩ相−Ｑ相間のパワーバランスを取るように、振幅変調部１００において変調する振幅を制御する制御部１４０とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力する光信号の振幅を変調する振幅変調部と、
前記振幅変調部が振幅を変調した光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記位相変調部の出力電極に逆バイアス電圧を印加するバイアス駆動部と、
前記出力電極に流れる電流を検知する電流検知部と、
前記電流検知部が検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する制御部とを有する光変調装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光変調装置において、
前記バイアス駆動部は、Ｘ偏波およびＹ偏波それぞれについて、前記位相変調部の前記Ｉ相および前記Ｑ相それぞれの出力電極に逆バイアス電圧を印加し、
前記電流検知部は、前記Ｘ偏波および前記Ｙ偏波それぞれについて、前記位相変調部の前記Ｉ相および前記Ｑ相それぞれの出力電極に流れる電流を検知する光変調装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光変調装置において、
前記制御部は、前記Ｉ相の出力の大きさと前記Ｑ相の出力の大きさとが同じとなるように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する光変調装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の光変調装置において、
前記制御部は、前記Ｉ相の出力の大きさおよび前記Ｑ相の出力の大きさが所定の値になるように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する光変調装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の光変調装置において、
前記電流検知部は、前記出力電極に接続された、所定の抵抗値を持つ抵抗器における電圧降下の値に基づいて、前記電流を検知する光変調装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の光変調装置において、
前記バイアス駆動部は、電圧増幅器を用いて増幅した電圧を前記出力電極に印加する光変調装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の光変調装置において、
前記位相変調部の入力電極の近傍または前記出力電極の近傍にモニタ専用電極を有し、
前記電流検知部は、前記モニタ専用電極に流れる電流を検知する光変調装置。
【請求項８】
入力する光信号の振幅を変調する処理と、
前記振幅が変調された光信号の位相を変調する処理と、
前記位相を変調する回路の出力電極に逆バイアス電圧を印加する処理と、
前記出力電極に流れる電流を検知する処理と、
前記検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅を変調する回路における振幅を制御する処理とを行う光変調方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調装置および光変調方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高速光通信では、光信号を変調する変調器に対して、外部から高周波のアナログ信号を変調信号として印加し、その変調信号を用いて光の位相関係を制御して、変調された光信号を送信信号とする位相変調方式が用いられている。この位相変調に用いられている変調器として、マッハツェンダー型光変調器であるＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）変調器や半導体変調器等が挙げられる。
これらの変調器を用いて、偏波多重と組み合わせた変調フォーマットにて、周波数利用効率の向上を目的に直交振幅変調（ＱＡＭ）や送信端での電気的な補償によって、波長スペクトルの占有率を下げるような変調方式が注目を浴びている。これらの多様なアナログ変調信号対して、変調器のバイアス電圧を最適な状態に制御すること、および駆動する振幅を最適に制御することが必要である。
【０００３】
一方、伝送容量の高密度化を進めるため、近年は、アナログコヒーレントオプティクスとして、プラガブルの光送受信器の開発が進んでいる。このプラガブル光送受信器はその容積が小さいため、一般的に用いられるＬＮ変調器の実装が困難である。そこで、プラガブル光送受信器には小型の半導体変調器を採用するケースが増えている。
【０００４】
図７は、一般的なマッハツェンダー型光変調器の構造の一例を示す図である。光信号は、図７に示したマッハツェンダー型光変調器を用いて生成される。波長可変光源がマッハツェンダー型変調器（以下、ＤＰ−ＭＺＭと称する）に入力し、導波路内にて分岐して、Ｉｎｎｅｒ９３１の変調部に入力する。Ｉｎｎｅｒ９３１は、分岐したそれぞれの導波路において、それぞれバイアス電極を有する。図７に示した例では、Ｉｎｎｅｒ９３１は、複数の導波路において、ＸＩＰ９０１、ＸＩＮ９０２、ＸＱＰ９０３、ＸＱＮ９０４、ＹＩＰ９０５、ＹＩＮ９０６、ＹＱＰ９０７、ＹＱＮ９０８の電極を有する。Ｉｎｎｅｒ９３１の後段には、ＲＦ９３２が接続され、さらにその後段にはＯｕｔｅｒ９３３が接続されている。図７に示した例では、Ｏｕｔｅｒ９３３は、Ｉ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間の位相を制御する。また、Ｏｕｔｅｒ９３３は、複数の導波路において、ＸＭＰ９１１、ＸＭＮ９１２、ＹＭＰ９１３、ＹＭＮ９１４の電極を有する。また、Ｘ偏波のＯｕｔｅｒ９３３の出力の先には、π／２位相シフタ９２１が設けられている。
図７に示した例では、Ｉｎｎｅｒ９３１およびＯｕｔｅｒ９３３の各電極にバイアス電圧を印加し、最適なバイアス状態を保持しながら、高周波の変調信号をＲＦ９３２が有する電極に加えることで位相変調を実現している。この変調器構造では、Ｘ偏波とＹ偏波とにそれぞれモニタ端子９４１，９４２が配置されており、各偏波の出力パワーをモニタすることが可能である。
【０００５】
また、駆動振幅を制御して、光出力パワーを変更させる技術が考えられている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２０６６３３号公報
【特許文献２】特表２０１５−５２８２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した技術においては、Ｘ偏波とＹ偏波とのそれぞれに１つのモニタ端子しか持たない。そのため、Ｘ−Ｙ偏波間のパワーバランスを取ることができるが、Ｉ相−Ｑ相間のパワーそれぞれについては、分離してモニタすることができない。したがって、運用途中において、Ｉ相−Ｑ相間のパワーバランスをモニタして、パワーバランスを保つことが困難であるという問題点がある。さらに、ＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）などの多値変調フォーマットなどでは、ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）よりもシンボル間距離が小さくなるため、Ｉ相−Ｑ相間パワーインバランスによる特性劣化がより顕著となる。そのため、Ｉ相−Ｑ相間およびＸ−Ｙ偏波間のパワーバランスを取ることは非常に重要な制御となる。
【０００８】
本発明の目的は、上述した課題を解決する光変調装置および光変調方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光変調装置は、
入力する光信号の振幅を変調する振幅変調部と、
前記振幅変調部が振幅を変調した光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記位相変調部の出力電極に逆バイアス電圧を印加するバイアス駆動部と、
前記出力電極に流れる電流を検知する電流検知部と、
前記電流検知部が検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する制御部とを有する。
また、本発明の光変調方法は、
入力する光信号の振幅を変調する処理と、
前記振幅が変調された光信号の位相を変調する処理と、
前記位相を変調する回路の出力電極に逆バイアス電圧を印加する処理と、
前記出力電極に流れる電流を検知する処理と、
前記検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅を変調する回路における振幅を制御する処理とを行う。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明においては、Ｉ相−Ｑ相間のパワーバランスを容易に取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の光変調装置の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の光変調装置の第２の実施の形態を示す図である。
【図３】図２に示した、バイアス駆動部、電流検知部および制御部の詳細の一例を示す図である。
【図４】Ｉｎｎｅｒの各電極の電圧の極性の相関の一例を示す図である。
【図５】本発明の光変調装置の第４の実施の形態を示す図である。
【図６】図５に示した太枠線の内部の一例を示す図である。
【図７】一般的なマッハツェンダー型光変調器の構造の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明では、半導体変調器特有の特性を用いて、光の送信信号特性を最適な状態に維持することを目的として、変調器内部の４つの変調部から出力する光のパワーバランスを保つ方法を提案する。
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
【００１４】
図１は、本発明の光変調装置の第１の実施の形態を示す図である。
本形態における光変調装置は図１に示すように、振幅変調部１００と、位相変調部１１０と、バイアス駆動部１２０と、電流検知部１３０と、制御部１４０とを有している。なお、図１には、本発明の光変調装置が具備する構成要素のうち、本実施の形態に関わる主要な構成要素の一例を示す。
【００１５】
振幅変調部１００は、入力する光信号の振幅を変調する。位相変調部１１０は、振幅変調部１００が振幅を変調した光信号の位相を変調する。バイアス駆動部１２０は、位相変調部１１０の出力電極に逆バイアス電圧を印加する。電流検知部１３０は、位相変調部１１０の出力電極に流れる電流を検知する。制御部１４０は、電流検知部１３０が検知した電流の値に基づいて、光信号のＩ相−Ｑ相間のパワーバランスを取るように、振幅変調部１００が変調する振幅を制御する。
【００１６】
このように、制御部１４０が、位相変調部１１０の出力電極に流れる電流の値に基づいて、光信号のＩ相−Ｑ相間のパワーバランスを取るように、振幅変調部１００が変調する振幅を制御するため、Ｉ−Ｑ間およびＸ−Ｙ偏波間のパワーバランスを取ることができる。
（第２の実施の形態）
【００１７】
図２は、本発明の光変調装置の第２の実施の形態を示す図である。
本形態における光変調装置は図２に示すように、ＲＦ１０１と、Ｏｕｔｅｒ１１１と、Ｉｎｎｅｒ１５１とを有している。
まず、波長可変光源がＸ偏波とＹ偏波とに分岐され、それぞれの偏波がＩ相（Ｘ−Ｉ，Ｙ−Ｉ）とＱ相（Ｘ−Ｑ，Ｙ−Ｑ）とに分岐される。さらにそれぞれが、Ｐ側とＮ側とに分岐される。Ｉｎｎｅｒ１５１の変調部は、バイアス電極であるＸＩＰ２０１、ＸＩＮ２０２、ＸＱＰ２０３、ＸＱＮ２０４、ＹＩＰ２０５、ＹＩＮ２０６、ＹＱＰ２０７、ＹＱＮ２０８を具備する。Ｉｎｎｅｒ１５１内の各電極の後段には、入力する光信号の振幅を変調する振幅変調部であるＲＦ１０１が備えられており、ＲＦ１０１には、Ｉｎｎｅｒ１５１内の各電極に対応する電極が具備されている。ＲＦ１０１の後段には、位相変調部であるＯｕｔｅｒ１１１が設けられている。具体的には、ＲＦ１０１内の各電極の後段に、Ｉ相とＱ相とのそれぞれについて出力電極ＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４が設けられている。さらにその後段において、Ｘ偏波とＹ偏波とを偏波多重させるために、Ｘ偏波側にπ／２位相シフタ２２１が設けられている。ここまでの構成は、図７に示した一般的なマッハツェンダー型光変調器の構造と同じである。本形態においては、このＸＭＰ２１１をＸ−Ｉ、ＸＭＮ２１２をＸ−Ｑ、ＹＭＰ２１３をＹ−Ｉ、ＹＭＮ２１４をＹ−Ｑのモニタ端子として利用する。
【００１８】
図２に示した光変調装置は、さらに、バイアス駆動部１２１と、電流検知部１３１と、制御部１４１とを有している。なお、図２には、本発明の光変調装置が具備する構成要素のうち、本実施の形態に関わる主要な構成要素の一例を示す。
バイアス駆動部１２１は、Ｏｕｔｅｒ１１１の出力電極であるＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４に逆バイアス電圧を印加する。このとき、バイアス駆動部１２１は、Ｘ偏波およびＹ偏波それぞれについて、Ｏｕｔｅｒ１１１のＩ相の出力電極（ＸＭＰ２１１，ＹＭＰ２１３）およびＱ相の出力電極（ＸＭＮ２１２，ＹＭＮ２１４）に逆バイアス電圧を印加する。
電流検知部１３１は、Ｏｕｔｅｒ１１１の出力電極であるＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４に流れる電流を検知する。このとき、電流検知部１３１は、Ｘ偏波およびＹ偏波それぞれについて、Ｏｕｔｅｒ１１１のＩ相の出力電極（ＸＭＰ２１１，ＹＭＰ２１３）およびＱ相の出力電極（ＸＭＮ２１２，ＹＭＮ２１４）に流れる電流を検知する。
制御部１４１は、電流検知部１３１が検知した電流の値に基づいて、光信号のＩ相−Ｑ相間のパワーバランスを取るように、ＲＦ１０１において変調する振幅を制御する。このとき、制御部１４１は、Ｉ相の出力の大きさとＱ相の出力の大きさとが同じとなるように、ＲＦ１０１において変調する振幅を制御するものであっても良い。あるいは、制御部１４１は、Ｉ相の出力の大きさおよびＱ相の出力の大きさが所定の値になるように、ＲＦ１０１において変調する振幅を制御するものであっても良い。具体的には、制御部１４１は、電流検知部１３１が検知したＸＭＰ２１１の電流に基づいて、Ｘ−Ｉの駆動振幅を調整する。また、制御部１４１は、電流検知部１３１が検知したＸＭＮ２１２の電流に基づいて、Ｘ−Ｑの駆動振幅を調整する。また、制御部１４１は、電流検知部１３１が検知したＹＭＰ２１３の電流に基づいて、Ｙ−Ｉの駆動振幅を調整する。また、制御部１４１は、電流検知部１３１が検知したＹＭＮ２１４の電流に基づいて、Ｙ−Ｑの駆動振幅を調整する。さらに、制御部１４１は、バイアス駆動部１２１の電圧を制御する。
【００１９】
図３は、図２に示した、バイアス駆動部１２１、電流検知部１３１および制御部１４１の詳細の一例を示す図である。電流検知部１３１は、抵抗１３２、ＡＭＰ１３３およびＡＤＣ１３４を有する。
抵抗１３２は０．１〜１Ω程度の抵抗値を持つ抵抗器であり、ＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４それぞれに対応して１つずつ、合計４つ設けられる。
増幅器であるＡＭＰ１３３は、ＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４それぞれに対応して１つずつ、合計４つが接続され、抵抗１３２における電圧降下を電圧−電流変換する。
アナログ−デジタル変換器であるＡＤＣ１３４は、ＡＭＰ１３３の出力をアナログ信号からデジタル信号へ変換して、制御部１４１へ出力する。このＡＤＣ１３４を用いることで、Ｉｎｎｅｒ１５１からの光出力をモニタすることができる。
増幅器であるＡＭＰ１２２は、ＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４それぞれに対応して１つずつ、合計４つ設けられ、それぞれ増幅した電圧をＸＭＰ２１１、ＸＭＮ２１２、ＹＭＰ２１３およびＹＭＮ２１４に印加する。このＡＭＰ１２２は、バイアス駆動部１２１に含まれるものであっても良い。
ＤＲＶ−ＩＣ１４２は、ドライバである。ＤＲＶ−ＩＣ１４２は、制御部１４１に含まれていても良い。ＤＲＶ−ＩＣ１４２は、制御部１４１からの指示に従って、ＲＦ１０１へ振幅変調を調整するための信号を送信する。
【００２０】
このように、Ｏｕｔｅｒ１１１の出力電極を用いてＩｎｎｅｒ１５１からの光出力をモニタし、モニタした結果に基づいて、ＲＦ１０１における振幅の変調を制御する。そのため、ＲＦ１０１の電極への高周波信号印加有無によらず、各経路を通る光出力パワーに比例して動作することとなる。つまり、ＲＦ１０１による変調、無変調に依存せず、パワーバランスを取ることが可能となる。また、光変調装置が運用中であっても、光変調装置における他の制御に影響を及ぼすことなく、電流をモニタすることができる。これらの電流値をあらかじめ製品製造時にＣａｌｉｂｒａｔｉｏｎしておき、この電流を維持するようにＡＤＣ１３４で得たモニタ値を制御部１４１が計算して、ＤＲＶ−ＩＣ１４２への制御信号を制御し、変調信号を大きくまたは小さくする。これにより、各Ｉｎｎｅｒからの出力光パワーのバランスを取ることが可能である。さらに、Ｘ−Ｉ、Ｘ−Ｑ、Ｙ−Ｉ、Ｙ−Ｑの出力光パワーバランスを取ることが可能となるため、Ｉ相−Ｑ相間だけではなく、Ｘ−Ｙ偏波間のパワーバランスも同様に容易に取ることが可能となる。
（第３の実施の形態）
【００２１】
図４は、Ｉｎｎｅｒの各電極の電圧の極性の相関の一例を示す図である。
図４に示すように、Ｉｎｎｅｒの各電極のダイナミックレンジが負電圧から正電圧にわたるとき、一方の電極が正電圧（順バイアス）であり、他方の電圧が負電圧（逆バイアス）である領域（図４中、Ｆ／Ｒ，Ｒ／Ｆ）が生じる。ここで、一方の電極を第１電極（ＸＩＰ，ＸＱＰ，ＹＩＰ，ＹＱＰ）とし、他方の電極を第２電極（ＸＩＮ，ＸＱＮ，ＹＩＮ，ＹＱＮ）とする。なお、一方の電極を第２電極とし、他方の電極を第１電極とするものであっても良い。
このような場合であっても、第１の電極と第２の電極との相関をあらかじめ把握しておくことにより、逆バイアスの電極のモニタ結果に基づいて、準バイアスの電極のモニタ値を換算することができる。
（第４の実施の形態）
【００２２】
図５は、本発明の光変調装置の第４の実施の形態を示す図である。
本形態における光変調装置は図５に示すように、ＲＦ１０１と、バイアス駆動部１２１と、電流検知部１３１と、制御部１４１と、Ｉｎｎｅｒ１５２と、Ｏｕｔｅｒ１１２とを有している。Ｉｎｎｅｒ１５２の内部に具備された電極およびＯｕｔｅｒ１１２の内部に具備された電極については、第２の実施の形態におけるＩｎｎｅｒ１５１の内部に具備された電極およびＯｕｔｅｒ１１１の内部に具備された電極と同じである。
【００２３】
図６は、図５に示した太枠線の内部の一例を示す図である。
図６に示すように、位相変調部のＩｎｎｅｒ１５２の入力電極であるＹＱＰ２０７の近傍にモニタ専用電極２３１が設けられている。また、位相変調部のＯｕｔｅｒ１１２の出力電極であるＹＭＮ２１４の近傍にモニタ専用電極２３２が設けられている。同様に、他の電極（ＸＩＰ２０１，ＸＩＮ２０２，ＸＱＰ２０３，ＸＱＮ２０４，ＹＩＰ２０５，ＹＩＮ２０６，ＹＱＮ２０８，ＸＭＰ２１１，ＸＭＮ２１２，ＹＭＰ２１３）それぞれの近傍にもモニタ専用電極を設ける。このとき、電流検知部１３１は、各モニタ専用電極に流れる電流を検知する。これにより、バイアス制御電圧の影響を受けずに光パワーをモニタすることができる。
なお、Ｉ相とＱ相とのそれぞれで、合波した後にモニタ専用電極を設けるものであっても良い。
【００２４】
上記の実施の形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
（付記１）
入力する光信号の振幅を変調する振幅変調部と、
前記振幅変調部が振幅を変調した光信号の位相を変調する位相変調部と、
前記位相変調部の出力電極に逆バイアス電圧を印加するバイアス駆動部と、
前記出力電極に流れる電流を検知する電流検知部と、
前記電流検知部が検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する制御部とを有する光変調装置。
（付記２）前記バイアス駆動部は、Ｘ偏波およびＹ偏波それぞれについて、前記位相変調部の前記Ｉ相および前記Ｑ相それぞれの出力電極に逆バイアス電圧を印加し、
前記電流検知部は、前記Ｘ偏波および前記Ｙ偏波それぞれについて、前記位相変調部の前記Ｉ相および前記Ｑ相それぞれの出力電極に流れる電流を検知する、付記１に記載の光変調装置。
（付記３）前記制御部は、前記Ｉ相の出力の大きさと前記Ｑ相の出力の大きさとが同じとなるように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する、付記１または付記２に記載の光変調装置。
（付記４）前記制御部は、前記Ｉ相の出力の大きさおよび前記Ｑ相の出力の大きさが所定の値になるように、前記振幅変調部において変調する振幅を制御する、付記１または付記２に記載の光変調装置。
（付記５）前記電流検知部は、前記出力電極に接続された、所定の抵抗値を持つ抵抗器における電圧降下の値に基づいて、前記電流を検知する、付記１から４のいずれか１項に記載の光変調装置。
（付記６）前記バイアス駆動部は、電圧増幅器を用いて増幅した電圧を前記出力電極に印加する、付記１から５のいずれか１項に記載の光変調装置。
（付記７）前記位相変調部の入力電極の近傍または前記出力電極の近傍にモニタ専用電極を有し、
前記電流検知部は、前記モニタ専用電極に流れる電流を検知する、付記１から６のいずれか１項に記載の光変調装置。
（付記８）入力する光信号の振幅を変調する処理と、
前記振幅が変調された光信号の位相を変調する処理と、
前記位相を変調する回路の出力電極に逆バイアス電圧を印加する処理と、
前記出力電極に流れる電流を検知する処理と、
前記検知した電流の値に基づいて、前記光信号のＩ相（Ｉｎ  Ｐｈａｓｅ）−Ｑ相（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ）間のパワーバランスを取るように、前記振幅を変調する回路における振幅を制御する処理とを行う光変調方法。
【符号の説明】
【００２５】
１００    振幅変調部
１０１    ＲＦ
１１０    位相変調部
１１１，１１２    Ｏｕｔｅｒ
１２０，１２１    バイアス駆動部
１２２，１３３    ＡＭＰ
１３０，１３１    電流検知部
１３２    抵抗
１３４    ＡＤＣ
１４０，１４１    制御部
１４２    ＤＲＶ−ＩＣ
１５１，１５２    Ｉｎｎｅｒ
２０１    ＸＩＰ
２０２    ＸＩＮ
２０３    ＸＱＰ
２０４    ＸＱＮ
２０５    ＹＩＰ
２０６    ＹＩＮ
２０７    ＹＱＰ
２０８    ＹＱＮ
２１１    ＸＭＰ
２１２    ＸＭＮ
２１３    ＹＭＰ
２１４    ＹＭＮ
２２１    π／２位相シフタ
２３１，２３２    モニタ専用端子
【図１】
2018004979.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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