(57)【要約】    【課題】  高い精度で指紋を認証できるプリント配線板の製造方法の提供    【解決手段】  第２導体回路３４Ｙの形成後、第１めっきレジスト２４を残した状態で第２めっきレジスト２７Ｆを形成し、第２めっきレジスト２７Ｆの開口２９に電解銅めっき３２を充填して導体６０を形成する（図３（Ａ））。このため、第２導体回路３４Ｙ上に、第２導体回路の幅に近い径の大きな導体６０を形成することができる。【選択図】  図３
2018082024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の前記第１面上に形成されている複数の指紋認証用の第１導体回路と、前記絶縁層の前記第２面上に形成されている複数の指紋認証用の第２導体回路と、前記指紋認証用の第２導体回路に接続し、前記絶縁層内に形成されている指紋認証用の導体と、前記絶縁層の前記第１面と前記第１導体回路上に形成されている上側のソルダーレジスト層とを有するプリント配線板の製造方法であって、
シード層を形成することと、
前記シード層上に第１めっきレジストを形成することと、
前記第１めっきレジストの非形成部に電解めっきを形成し、前記第２導体回路を形成することと、
前記第１めっきレジスト及び前記第２導体回路上に前記導体を形成するための開口を備える第２めっきレジストを形成することと、
前記第２めっきレジストの前記開口に電解めっきを充填して前記導体を形成することと、
前記第１めっきレジスト及び前記第２めっきレジストを剥離することと、
前記第２導体回路の非形成部の前記シード層を除去することと、
前記第２導体回路及び前記導体上に前記絶縁層を形成することと、
前記絶縁層上に前記第１導体回路を形成することと、を備える。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体回路のそれぞれは略平行に形成され、前記第２導体回路のそれぞれは略平行に形成され、前記第１導体回路と前記導体が前記絶縁層の前記第２面に垂直な光で前記絶縁層の前記第２面に投影されると、前記第１導体回路と前記第２導体回路は交差し、前記導体は隣接する前記第１導体回路間に位置する。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体回路は、芯材を備える樹脂絶縁層上に形成され、
前記第２導体回路は、前記樹脂絶縁層を貫通するスルーホール導体と同時に形成される。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記導体は柱状である。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかのプリント配線板の製造方法であって、前記導体は前記絶縁層に埋まっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、指紋認証用の導体回路を有するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、静電容量式指紋センサを開示している。特許文献１の図１に示されているように、特許文献１の静電容量式指紋センサは半導体チップとダイパッドとパッケージ部材とワイヤと接地電極とを有する。そして、特許文献１の半導体チップは、静電容量を検出するためのセルを有する。セルは電極を有し、その電極は保護膜で覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−５６２０４号公報
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１の静電容量式指紋センサが装置に組み込まれるとき、特許文献１の静電容量式指紋センサはプリント配線板に実装されると考えられる。その場合、静電容量式指紋センサ付きプリント配線板の厚みが厚くなると推察される。静電容量式指紋センサを実装するためのスペースが必要なので、プリント配線板のサイズが大きくなると推察される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の前記第１面上に形成されている複数の指紋認証用の第１導体回路と、前記絶縁層の前記第２面上に形成されている複数の指紋認証用の第２導体回路と、前記指紋認証用の第２導体回路に接続し、前記絶縁層内に形成されている指紋認証用の導体と、前記絶縁層の前記第１面と前記第１導体回路上に形成されている上側のソルダーレジスト層とを有する。そして、シード層を形成することと、前記シード層上に第１めっきレジストを形成することと、前記第１めっきレジストの非形成部に電解めっきを形成し、前記第２導体回路を形成することと、前記第１めっきレジスト及び前記第２導体回路上に前記導体を形成するための開口を備える第２めっきレジストを形成することと、前記第２めっきレジストの前記開口に電解めっきを充填して前記導体を形成することと、前記第１めっきレジスト及び前記第２めっきレジストを剥離することと、前記第２導体回路の非形成部の前記シード層を除去することと、前記第２導体回路及び前記導体上に前記絶縁層を形成することと、前記絶縁層上に前記第１導体回路を形成することと、を備える。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、指紋を認証するための機能を有するプリント配線板や応用例のサイズが小さくなる。
本発明の実施形態によれば、指紋を認証するための機能を有するプリント配線板や応用例の厚みが薄くなる。
本発明の実施形態によれば、第２導体回路の形成後、第１めっきレジストを残した状態で第２めっきレジストを形成し、第２めっきレジストの開口に電解めっきを充填して導体を形成する。このため、第２導体回路上に、第２導体回路の幅に近い径の大きな導体を形成することができるので、高い精度で指紋を認証できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の第１導体回路と第２導体回路の配置を示す投影図である。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図５】図５（Ａ）は実施形態のプリント配線板の模式図であり、図５（Ｂ）は参考例のプリント配線板の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[参考例]
図５（Ｂ）に、指紋を認証するための参考例のプリント配線板の模式図を示す。参考例のプリント配線板は第１面Ｚ０と第１面と反対側の第２面Ｗ０を有する絶縁層５００と絶縁層の第１面上の指紋認証用の第１導体回路５８０Ｘと絶縁層の第２面上の指紋認証用の第２導体回路３４０Ｙと絶縁層の第１面と指紋認証用の第１導体回路上のソルダーレジスト層７００を有する。そして、ソルダーレジスト層上に指ＹＢ０が置かれる。人は帯電しているので、ソルダーレジスト層上に指が置かれると、指ＹＢ０と第１導体回路５８０Ｘ間に電位差が生ずる。指ＹＢ０と第２導体回路３４０Ｙ間に電位差が生じる。ソルダーレジスト層７００や絶縁層５００は誘電体なので、指（電極）ＹＢ０と第１導体回路（電極）５８０Ｘと指ＹＢ０と第１導体回路５８０Ｘ間の誘電体層で第１コンデンサＣ１０が形成される。指（電極）ＹＢ０と第２導体回路（電極）３４０Ｙと指ＹＢ０と第２導体回路３４０Ｙ間の誘電体層で第２コンデンサＣ２０が形成される。
参考例や実施形態では、例えば、第１コンデンサＣ１０や第２コンデンサＣ２０を利用することで、指紋の認証が行われる。コンデンサの静電容量は電極間の距離に関係するので、第２コンデンサＣ２０の静電容量の値は第１コンデンサＣ１０の静電容量の値より小さくなりやすい。そのため、絶縁層５００の第２面Ｗ０上の第２導体回路３４０Ｙがコンデンサの電極に用いられて指紋が測定されると、精度が低くなりやすい。
【０００９】
[実施形態]
本発明の実施形態に係るプリント配線板１０の断面が図１（Ａ）に示されている。
実施形態のプリント配線板１０は、複数の指紋認証用の第１導体回路５８Ｘと複数の指紋認証用の第２導体回路３４Ｙを有するプリント配線板である。プリント配線板１０は、第１面Ｚと第１面Ｚと反対側の第２面Ｗを有する絶縁層（最上の樹脂絶縁層）５０と絶縁層５０の第１面Ｚ上に形成されている第１導体層５８と第１導体層５８と絶縁層５０の第１面Ｚ上に形成されている上側のソルダーレジスト層７０と絶縁層５０の第２面Ｗ上に形成されている第２導体層３４とを有する。指紋認証用の第１導体回路５８Ｘは第１導体層５８に含まれる。指紋認証用の第２導体回路３４Ｙは第２導体層３４に含まれる。絶縁層５０は第１絶縁層５０とも称される。
さらに、プリント配線板１０は指紋認証用の第２導体回路３４Ｙに接続し、絶縁層５０内に形成されている指紋認証用の導体６０を有する。導体（導電性ピラー）６０は第２導体回路３４Ｙ上に形成され、第１導体回路５８Ｘに繋がっていない。導体（導電性ピラー）６０の頂部６０Ｕは指紋を認証するための電極の機能を有する。参考例と実施形態は絶縁層５０、５００の第２面Ｗ、Ｗ０上に指紋認証用の第２導体回路３４Ｙ、３４０Ｙを有する。第２導体回路３４Ｙ、３４０Ｙを介する指紋認証が参考例と実施形態で比較される。参考例のプリント配線板の電極間の距離と実施形態のプリント配線板の電極間の距離が比較されると、実施形態のプリント配線板の電極間の距離は参考例の電極間の距離より小さい。例えば、図５（Ａ）中のコンデンサＣ２ａの電極間の距離は、図５（Ｂ）中のコンデンサＣ２０の電極間の距離より小さい。実施形態のプリント配線板によれば、コンデンサの静電容量が大きくなる。指紋を認証するための感度が高くなる。
【００１０】
図１（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の第１導体回路５８Ｘと第２導体回路３４Ｙの配置を示す投影図である。図１（Ｂ）中のＡ１−Ａ１が図１（Ａ）の断面図に対応する。図１（Ｂ）では、第１導体回路５８Ｘと導体６０と電極５８Ｙが絶縁層５０の第２面Ｗに垂直な光で絶縁層５０の第２面Ｗ上に投影されている。図１（Ｂ）にＸ軸とＹ軸が示されている。第１導体回路５８ＸはＸ軸に沿って形成され、第２導体回路３４ＹはＹ軸に沿って形成される。指紋認証用の第１導体回路はＸ配線と称される。指紋認証用の第２導体回路はＹ配線と称される。第１導体回路５８Ｘは実線で描かれ、第２導体回路３４Ｙは一点鎖線で描かれている。図１（Ｂ）に示されるように、第１導体回路５８Ｘと第２導体回路３４Ｙは交差している。図１（Ｂ）では第１導体回路５８Ｘと第２導体回路３４Ｙは直交している。両者は斜めに交わってもよい。各第１導体回路５８Ｘは略平行に形成されている。各第２導体回路３４Ｙは略平行に形成されている。各第１導体回路の幅ｘ１は略等しい。各第２導体回路の幅ｙ１は略等しい。隣接する第１導体回路５８Ｘ間の距離は略等しい。隣接する第２導体回路３４Ｙ間の距離は略等しい。図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示されるように、導体６０は、隣接する第１導体回路５８Ｘ間に形成されている。導体６０は隣接する第１導体回路間の略中間に形成されている。行に形成されている導体６０は略等間隔に形成されている。列に形成されている導体６０は略等間隔に形成されている。導体６０は図１（Ａ）に示されるように、絶縁層内に形成されている。指紋を認証するためのコンデンサを形成する電極間の距離が短くなる。
図１（Ａ）と図１（Ｂ）に示される導体６０の形状は、ほぼ四角柱である。そして、図１（Ｂ）に示されるように、導体６０の縦幅ｙ２は、第２導体回路３４Ｙの幅ｙ１よりわずかに小さい。導体６０の横幅ｘ２は縦幅ｙ２とほぼ等しい。指紋の認証の精度が高くなる。導体６０の形状は円柱や円錐台でもよい。
【００１１】
第１絶縁層（第１樹脂絶縁層）５０は、主面Ｆと副面Ｓとを有するコア基板３０の主面Ｆ側に配置されている。第１絶縁層の第２面Ｗがコア基板の主面Ｆと対向する。第１絶縁層の第１面Ｚの第１導体層５８と第２面Ｗの第２導体層３４とは第１絶縁層５０を貫通するビア導体６２を介して接続されている。コア基板３０の主面Ｆ側に第２導体層３４が配置されている。コア基板３０の副面Ｓ側に副面導体層１３４が配置されている。第２導体層３４と副面導体層１３４とはコア基板３０を貫通するスルーホール導体３６を介して接続される。スルーホール導体３６はコア基板の貫通孔２８に形成されている。コア基板の副面Ｓ側に最下の絶縁層１５０が形成されている。最下の絶縁層１５０上に最下の導体層１５８が配置されている。副面導体層１３４と最下の導体層１５８とは最下の絶縁層１５０を貫通するビア導体１６２を介して接続されている。
【００１２】
上側のソルダーレジスト層７０の上面ＦＦと下側のソルダーレジスト層１７０の上面ＳＳは外部に露出している。上側のソルダーレジスト層７０の上面ＦＦはプリント配線板の最上面であり、下側のソルダーレジスト層１７０の上面ＳＳはプリント配線板の最下面である。プリント配線板１０の最上面ＦＦは、最上の樹脂絶縁層５０の第１面Ｚ上に形成されていて、プリント配線板１０の最下面ＳＳは第２面Ｗ上に形成されている。上側のソルダーレジスト層７０は、絶縁層５０と第１導体層５８を覆っている。
【００１３】
上側のソルダーレジスト層７０は、開口を有していない。最上の樹脂絶縁層５０と第１導体層５８は上側のソルダーレジスト層７０で完全に被覆されている。上側のソルダーレジスト層の誘電率Ｅ１は第１絶縁層５０の誘電率Ｅ２より高いことが好ましい。
【００１４】
下側のソルダーレジスト層１７０は、電子部品搭載用のパッド１６４を露出するための開口１７１Ｓを有する。パッド１６４を介してプリント配線板に電子部品が搭載される。応用例が完成する。電子部品の例は指紋認証用の半導体素子である。
【００１５】
指紋を認証するための第１例が以下に示される。実施形態のプリント配線板が導体（導電性ピラー）６０を有すると、例えば、指紋認証用の第１導体回路５８Ｘと指紋認証用の導体６０がコンデンサの電極に利用される。図５（Ａ）にプリント配線板１０の一部と上側のソルダーレジスト層７０上に置かれている指ＹＢが描かれている。図５（Ａ）のプリント配線板は、Ｙ配線Ｙ１と、Ｙ配線Ｙ１上の第１絶縁層５０と、第１絶縁層上のＸ配線Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５と、第１絶縁層５０へ入りＹ配線Ｙ１に接続している導体６０（Ｙ１２，Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５、Ｙ１６）と、Ｘ配線５８Ｘと第１絶縁層５０上の上側のソルダーレジスト層７０で形成されている。図５（Ａ）に描かれているＹ配線はＹ１配線である。図５（Ａ）に描かれているＸ配線はＸ１配線とＸ２配線とＸ３配線とＸ４配線とＸ５配線である。図５（Ａ）に描かれている導体６０は導体６０Ｙ１２と導体６０Ｙ１３と導体６０Ｙ１４と導体６０Ｙ１５と導体６０Ｙ１６である。図５（Ａ）では、指ＹＢは簡易的に描かれている。指紋の各凸部の表面ＹＢＳで共通の表面が形成される。各凸部は上側のソルダーレジスト層７０の上面ＦＦに接している。指紋の凹部ＹＢＲは一定の深さの溝であって、形状は矩形である。各凹部は上側のソルダーレジスト層７０の上面ＦＦから離れている。凹部ＹＢＲの幅とＸ配線の幅は略等しい。凹部ＹＢＲの幅と導体６０の幅は略等しい。
【００１６】
上側のソルダーレジスト層を介してＸ配線５８ＸとＹ配線３４Ｙ上に指ＹＢが置かれる。Ｘ配線とＹ配線はグランドに繋げられている。指は帯電しているので、誘電分極により、指と対向している各Ｘ配線と各導体６０に電荷が蓄えられる。指ＹＢとＸ配線と両者間の誘電体でコンデンサＣ１が形成される。図５（Ａ）に示されるＸ１配線と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ１はコンデンサＣ１ａである。Ｘ２配線と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ１はコンデンサＣ１ｂである。Ｘ３配線と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ１はコンデンサＣ１ｃである。Ｘ４配線と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ１はコンデンサＣ１ｄである。Ｘ５配線と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ１はコンデンサＣ１ｅである。コンデンサＣ１の電極は指ＹＢとＸ配線である。
指ＹＢと導体６０と両者間の誘電体でコンデンサＣ２が形成される。コンデンサＣ２の電極は、指ＹＢと導体６０である。図５（Ａ）に示される導体６０Ｙ１２と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ２はコンデンサＣ２ａである。導体６０Ｙ１３と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ２はコンデンサＣ２ｂである。導体６０Ｙ１４と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ２はコンデンサＣ２ｃである。導体６０Ｙ１５と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ２はコンデンサＣ２ｄである。導体６０Ｙ１６と指と両者間の誘電体で形成されるコンデンサＣ２はコンデンサＣ２ｅである。
【００１７】
図５（Ａ）に示されるように、コンデンサＣ１ａ、Ｃ１ｂ、Ｃ２ｂ、Ｃ２ｃ、Ｃ１ｄ、Ｃ２ｅを形成している誘電体は上側のソルダーレジスト層７０と空気（指と上側のソルダーレジスト層間に存在している空気）である。それに対し、コンデンサＣ２ａ、Ｃ１ｃ、Ｃ２ｄ、Ｃ１ｅを形成している誘電体は上側のソルダーレジスト層７０である。また、コンデンサＣ１ａ、Ｃ１ｂ、Ｃ２ｂ、Ｃ２ｃ、Ｃ１ｄ、Ｃ２ｅを形成している電極間の距離は距離Ｄ又は（Ｄ＋ｄ２）であり、コンデンサＣ２ａ、Ｃ１ｃ、Ｃ２ｄ、Ｃ１ｅを形成している電極間の距離は距離ｄ又は（ｄ＋ｄ２）である。距離ｄは、導体層５８の上面と上側のソルダーレジスト層７０の上面ＦＦとの間の距離であり、上側のソルダーレジスト層の厚みである。距離Ｄは指の凹部ＹＢＲの深さｄ１と上側のソルダーレジスト層の厚みｄの和である。距離ｄ２は、導体層５８の上面と導体６０の頂部（電極）６０Ｕとの差である。電極間の距離の差により、コンデンサＣ１ａ、Ｃ１ｂ、Ｃ２ｂ、Ｃ２ｃ、Ｃ１ｄ、Ｃ２ｅの静電容量はコンデンサＣ２ａ、Ｃ１ｃ、Ｃ２ｄ、Ｃ１ｅの静電容量より小さい。各コンデンサの静電容量が指紋の凹凸に依存している。静電容量から指紋の認識が可能になる。
【００１８】
図５（Ｂ）に示される参考例のプリント配線板と図５（Ａ）に示される実施形態のプリント配線板が比較される。特に、Ｙ配線と指を含むコンデンサが比較される。実施形態のプリント配線板は、Ｙ配線上に導体６０を有するが、参考例のプリント配線板は導体６０を有していない。そのため、参考例のＹ配線に繋がっているコンデンサの電極間の距離は実施形態のＹ配線に繋がっているコンデンサの電極間の距離より大きい。参考例のＹ配線に繋がっているコンデンサの電極間の距離は、少なくとも、第１絶縁層５０の厚みｄ４と上側のソルダーレジスト層７０の厚みｄを含む。厚みｄ４は第１導体回路と第２導体回路との間の距離である。それに対し、実施形態のプリント配線板では、指紋を認証するためのコンデンサは第１絶縁層５０の全ての厚みｄ４を含まない。即ち、導体６０の高さｄ３分距離が近接している。従って、参考例のＹ配線に電気的に繋がっているコンデンサの静電容量は実施形態のＹ配線に電気的に繋がっているコンデンサの静電容量より小さい。参考例のＹ配線を用いる測定の感度は実施形態のＹ配線を用いる測定の感度より低い。実施形態によれば、指紋の認証の精度が高い。繰り返し精度が高い。
【００１９】
誤認識を防止するため、ノイズの影響を小さくすることが好ましい。測定結果の値が大きいと、ノイズの影響が小さくなる。測定結果の値を大きくするため、上側のソルダーレジスト層７０の誘電率Ｅ１は高いことが好ましい。誘電率Ｅ１は５より大きいことが好ましい。ノイズと測定値との差を大きくすることが出来る。誘電率Ｅ１が１０以上であると指紋の認証の精度が高くなる。誘電率Ｅ１が３０以上であると、繰り返し精度が高くなる。測定時間が短くなる。
【００２０】
上側のソルダーレジスト層の厚みｄは３μｍ以上、８μｍ以下である。高い誘電率と高い絶縁抵抗を有する上側のソルダーレジスト層を提供することができる。
【００２１】
導体６０をデータが通過するので、導体６０の周りに形成されている第１絶縁層５０の誘電率Ｅ２は低いことが好ましい。誘電率Ｅ２は４．５以下であることが好ましい。データが導体６０を通過する時、データが劣化しがたい。誘電率Ｅ２が４以下であると、指紋の認証の精度が高くなる。誘電率Ｅ２が３以下であると、繰り返し精度が高くなる。測定時間が短くなる。
【００２２】
上側のソルダーレジスト層の誘電率Ｅ１は第１絶縁層の誘電率Ｅ２より大きい。誘電率Ｅ１と誘電率Ｅ２との比（誘電率Ｅ１／誘電率Ｅ２）が１．５以上であると、ノイズが減少する。誘電率Ｅ１と誘電率Ｅ２の比（誘電率Ｅ１／誘電率Ｅ２）が２以上であると、指紋の認証の精度が高くなる。比（誘電率Ｅ１／誘電率Ｅ２）が３以上であると、繰り返し精度が高くなる。測定時間が短くなる。
【００２３】
下側のソルダーレジスト層１７０の誘電率Ｅ３は上側のソルダーレジスト層７０の誘電率Ｅ１より低いことが好ましい。最下の導体層１５８に含まれる導体回路で伝送されるデータが劣化し難い。信号遅延が発生し難い。
下側のソルダーレジスト層１７０の誘電率Ｅ３は第１絶縁層５０の誘電率Ｅ２より高いことが好ましい。誘電率が低いとガラス転移温度Ｔｇが低くなりやすい。下側のソルダーレジスト層１７０から露出するパッド１６４に電子部品が搭載されるので、下側のソルダーレジスト層１７０の温度が高くなりやすい。誘電率Ｅ３が誘電率Ｅ２より高いので、電子部品がプリント配線板に搭載される時、不具合が発生し難い。
【００２４】
実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層７０、１７０と第１絶縁層５０は樹脂と粒子を含み、ソルダーレジスト層７０、１７０と第１絶縁層５０の誘電率Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を粒子の種類や量で調整することができる。上側のソルダーレジスト層７０に含まれる粒子の比誘電率εｒ１は第１絶縁層５０に含まれる粒子の比誘電率εｒ２より高い。比誘電率εｒ１と比誘電率εｒ２の比（εｒ１／εｒ２）は１０以上である。比（εｒ１／εｒ２）は２０００以下である。例えば、第１絶縁層５０はシリカからなる粒子を有する。例えば、上側のソルダーレジスト層７０はチタン酸バリウムからなる粒子を有する。例えば、比誘電率εｒ１は５以上、１５００以下であり、比誘電率εｒ２は２以上、４．８以下である。
上側のソルダーレジスト層７０に含まれる粒子の比誘電率εｒ１は下側のソルダーレジスト層１７０に含まれる粒子の比誘電率εｒ３より高い。比誘電率εｒ１と比誘電率εｒ３の比（εｒ１／εｒ３）は１０以上である。比（εｒ１／εｒ３）は２０００以下である。例えば、下側のソルダーレジスト層１７０はシリカからなる粒子を有する。例えば、上側のソルダーレジスト層７０はチタン酸バリウムからなる粒子を有する。例えば、比誘電率εｒ１は５以上、１５００以下であり、比誘電率εｒ３は２以上、４．８以下である。
上側のソルダーレジスト層７０に含まれる粒子の量は、下側のソルダーレジスト層に含まれる粒子の量より多い。上側のソルダーレジスト層７０に含まれる粒子の量は、第１絶縁層５０Ｆに含まれる粒子の量より多い。第１絶縁層はガラスクロスなどの補強材を有しても良い。
【００２５】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図２〜図４に示される。
主面Ｆと副面Ｓとを有する絶縁基板（コア材）２０が準備される。絶縁基板２０は補強材と樹脂とからなる。絶縁基板２０は、樹脂基板１６と樹脂基板１６の両面に積層されている銅箔１８、１８で形成されている（図２（Ａ））。補強材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等である。樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。
【００２６】
絶縁基板２０の主面Ｆ側及び副面Ｓ側からＣＯ２レーザが照射され、テーパを備える貫通孔２８が形成される（図２（Ｂ））。絶縁基板２０の表面、及び、貫通孔２８の側壁上に無電解銅めっき膜２２が形成される（図２（Ｃ））。無電解銅めっき膜２２上に第１めっきレジスト２４が形成される（図２（Ｄ））。電解めっき処理が行われ、電解銅めっき膜２６で貫通孔２８が充填されスルーホール導体３６が形成される。同時に、第１めっきレジスト２４から露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜２６が形成される（図２（Ｅ））。第１めっきレジスト２４から露出する無電解銅めっき膜２２、電解銅めっき膜２６は第２導体層３４、副面導体層１３４を構成する。第２導体層３４に第２導体回路３４Ｙが含まれる。第１めっきレジスト２４及び電解銅めっき膜２６上に導体（導電性ピラー）を形成するための開口２９を有する第２めっきレジスト２７Ｆがコア基板３０の主面Ｆ側に形成される。開口２９は第２導体回路３４Ｙ上に形成される。コア基板３０の副面Ｓ側の第３めっきレジスト２７Ｓが形成される（図２（Ｆ））。
【００２７】
電解めっき処理が行われ、電解銅めっき膜３２で開口２９が充填され導体（導電性ピラー）６０が形成される（図３（Ａ））。第１めっきレジスト２４、第２めっきレジスト２７Ｆ、第３めっきレジスト２７Ｓが剥離され、電解銅めっき膜２６の非形成部分の無電解銅めっき膜２２が除去され、第２導体回路３４Ｙ上に導体６０を備えるコア基板３０が完成する（図３（Ｂ））。
【００２８】
コア基板３０の主面Ｆと第２導体層３４上に最上の絶縁層５０が形成される。コア基板３０の副面Ｓと副面導体層１３４上に最下の絶縁層１５０が形成される（図３（Ｃ））。導体６０は最上の絶縁層５０を貫通せず埋まっている。最上の絶縁層５０に開口５１が、最下の絶縁層１５０に開口１５１が形成される（図３（Ｄ））。
【００２９】
最上の絶縁層５０上、開口５１内、最下の絶縁層１５０上、開口１５１内に無電解銅めっき膜５２が形成され、無電解銅めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図４（Ａ））。電解めっき処理が行われ、電解銅めっき膜５６で開口５１、１５１が充填されビア導体６２、１６２が形成される。同時に、めっきレジスト５４から露出する無電解銅めっき膜５２上に電解銅めっき膜５６が形成される（図４（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解銅めっき膜５６の非形成部分の無電解銅めっき膜５２が除去され、最上の絶縁層５０上に第１導体層５８が、最下の絶縁層上に最下の導体層１５８が形成される（図４（Ｃ））。
【００３０】
最上の絶縁層５０の第１面Ｚと第１導体層５８上に上側のソルダーレジスト層７０が形成される。最下の絶縁層１５０と最下の導体層１５８上にパッド１６４を露出するための開口１７１を有する下側のソルダーレジスト層１７０が形成される（図１（Ａ））。上側のソルダーレジスト層７０に開口は形成されない。上側のソルダーレジスト層７０で第１導体層５８から露出する第１絶縁層５０と第１導体層５８は覆われている。パッド１６４上に保護膜（図示されず）が形成される。保護膜でパッド１６４の酸化が防止される。保護膜の例は、Ｎｉ／Ａｕである。プリント配線板１０が完成する。
【００３１】
実施形態のプリント配線板の製造方法では、第２導体回路３４Ｙの形成後、第１めっきレジスト２４を残した状態で第２めっきレジスト２７Ｆを形成し、第２めっきレジスト２７Ｆの開口２９に電解銅めっき３２を充填して導体６０を形成する（図３（Ａ））。このため、第２導体回路３４Ｙ上に、第２導体回路の幅に近い径の大きな導体６０を形成することができるので、電極を構成する導体６０の頂部６０Ｕの面積が広くなり、高い精度で指紋を認証できる。
【符号の説明】
【００３２】
３４  第２導体層
３４Ｙ  指紋認証用の第２導体回路
５０  第１絶縁層
５８  第１導体層
５８Ｘ  指紋認証用の第１導体回路
６０  指紋認証用の導体
７０  上側のソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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