(57)【要約】【課題】  ＶＥＰ測定装置によるＶＥＰの測定において、測定精度を向上させる。【解決手段】  ＶＥＰ刺激装置１は、被験者Ｓの閉じた瞼にあてられて使用される、複数の発光素子ＬＥが形成された発光素子パッド１１と、複数の発光素子の発光を制御する制御装置１２とを備え、発光素子パッド１１の前記複数の発光素子ＬＥが形成される発光エリアＬＡは、３ないし８のサブエリアにより構成され、各サブエリアにはそれぞれ二以上の発光素子が属し、制御装置１２は、前記各サブエリアに属する全ての発光素子を単位として当該発光素子の発光を制御する。【選択図】    図２
2018134300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者の閉じた瞼にあてられて使用される、複数の発光素子が形成された発光素子パッドと、
前記複数の発光素子の発光を制御する制御装置と、
を備えたＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光素子パッドの前記複数の発光素子が形成される発光エリアは、３ないし８のサブエリアにより構成され、
各サブエリアにはそれぞれ二以上の発光素子が属し、
前記制御装置は、前記各サブエリアに属する全ての発光素子を単位として当該発光素子の発光を制御する、
ＶＥＰ刺激装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記各サブエリアに属する二以上の発光素子は直列接続され、当該二以上の発光素子は前記制御装置により発光が一括して制御される、
ＶＥＰ刺激装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光エリアが
（ａ）センターサブエリアと、左サブエリアと、右サブエリアとの、３つのサブエリアから構成され、または、
（ｂ）センターサブエリアと、左上サブエリアと、左下サブエリアと、右上サブエリアと、右下サブエリアとの、５つのサブエリアから構成されている、
ＶＥＰ刺激装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光素子パッドは、可撓性の樹脂シートから構成されている、
ＶＥＰ刺激装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、視覚誘発電位測定装置による視覚誘発電位の測定精度を向上させるＶＥＰ刺激装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
脳腫瘍の手術では、腫瘍をできるだけ多く摘出することが理想である。
しかし、例えば視神経から視覚領野にいたる経路に腫瘍がある場合に、腫瘍部分を全摘出してしまうと、視覚障害などの後遺症を生じる場合がある。
この場合に、術中に実際に患者に対して視覚刺激を行って視覚誘発電位（ＶＥＰ）を生じさせることが行われる。
ＶＥＰをモニタすることで、視覚機能を確認しつつ手術を行うことができる。これにより、視神経を傷付ける危険が大幅に低減され、視覚障害などの後遺症の発生危険度が極めて低い腫瘍の摘出が可能となる。
【０００３】
ＶＥＰをモニタするために、図１１に示すようなＶＥＰモニタリングシステム９が従来用いられる。図１１においてＶＥＰモニタリングシステム９は、ＶＥＰ刺激装置９１とＶＥＰ測定装置９２とからなる。ＶＥＰ刺激装置９１は、複数のＬＥＤが形成されたＬＥＤパッド９１１と、これら複数のＬＥＤの発光を駆動制御する変換装置（制御装置）９１２からなる。
ＬＥＤパッド９１１は、特許文献１に示すように被験者の閉じた瞼にあてられて使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１０６７３５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＶＥＰ刺激装置９１は、「複数のＬＥＤに対して、それぞれ個別に電力供給を制御」している（特許文献１の段落００１６）。
また、ＶＥＰ刺激装置９１では、ＬＥＤを複数のグループに分けた場合にも、各ＬＥＤの制御を個別行っており（すなわち、「順次それぞれのグループを構成するＬＥＤに対して電力供給」を行っており）、この場合にもグループ単位で一括した発光制御を行ってはいない。
このため、制御装置９１２によるＶＥＰ刺激装置９１の制御が複雑になるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、ＶＥＰ測定装置によるＶＥＰの測定において、測定精度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下を要旨とする。
（１）
被験者の閉じた瞼にあてられて使用される、複数の発光素子が形成された発光素子パッドと、
前記複数の発光素子の発光を制御する制御装置と、
を備えたＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光素子パッドの前記複数の発光素子が形成される発光エリアが、３ないし８のサブエリアにより構成され、
各サブエリアにはそれぞれ二以上の発光素子が属し、
前記制御装置は、前記各サブエリアに属する全ての発光素子を単位として当該発光素子の発光を制御する、
ＶＥＰ刺激装置。
【０００８】
（２）
（１）に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記各サブエリアに属する二以上の発光素子は直列接続され、当該二以上の発光素子は前記制御装置により発光が一括して制御される、
ＶＥＰ刺激装置。
【０００９】
（３）
（１）または（２）に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光エリアが
（ａ）センターサブエリアと、左サブエリアと、右サブエリアとの、３つのサブエリアから構成され、
（ｂ）センターサブエリアと、左上サブエリアと、左下サブエリアと、右上サブエリアと、右下サブエリアとの、５つのサブエリアから構成されている、
ＶＥＰ刺激装置。
【００１０】
（４）
（１）から（３）の何れか１項に記載のＶＥＰ刺激装置であって、
前記発光素子パッドは、可撓性の樹脂シートから構成されている、
ＶＥＰ刺激装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＶＥＰ刺激装置により、ＶＥＰ測定装置によるＶＥＰの測定精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１はＶＥＰモニタリングシステム５を示す図である。
【図２】図２はＶＥＰ刺激装置１を示す図である。
【図３】図３はサブエリアＳＡの配置態様の例を示す図である。
【図４】図４はサブエリアＳＡの配置態様の他の例を示す図である。
【図５】図５は発光エリアが３つのサブエリアからなるＶＥＰ刺激装置の第１実施形態の説明図である。
【図６】図６は発光素子パッド１１に配置されたＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（１７）を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は第１実施形態における発光素子パッド１１の配線を示す図であり、図７（Ｂ）は第１実施形態における発光素子パッド１１の層構造を示すための説明図であり、図７（Ｃ）は第１実施形態における発光素子パッド１１の裏面図である。
【図８】図８は発光エリアが５つのサブエリアからなるＶＥＰ刺激装置の第２実施形態の説明図である。
【図９】図９（Ａ）は発光素子パッド１１に形成したプリント配線を示す図、図９（Ｂ）はプリント配線に２０個のＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（２０）を搭載した発光素子パッド１１を示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）は第２実施形態における発光素子パッド１１の配線を示す図であり、図１０（Ｂ）は第２実施形態における発光素子パッド１１の層構造を示すための説明図であり、図１０（Ｃ）は第２実施形態における発光素子パッド１１の裏面図である。
【図１１】図１１は従来のＶＥＰモニタリングシステムの説明図である。
【実施例】
【００１３】
図１は、ＶＥＰモニタリングシステム５を示す図である。図１において、ＶＥＰモニタリングシステム５は、ＶＥＰ刺激装置１およびＶＥＰ測定装置２を含んで構成されている。図１では、被験者Ｓの正面（顔面）および、背面（後頭部）を示してある。
ＶＥＰ測定装置２は、視覚刺激により誘発される生体電位変化を測定する装置である。ＶＥＰ測定装置２として、既存のＶＥＰ測定装置を使用することができ、例えば、株式会社ユニークメディカルのＬＥＤ視覚刺激装置（型番ＬＦＳ１０１）が使用できる。
本発明において、ＶＥＰ測定装置２は特徴的ではないので詳細な説明はしない。
ＶＥＰ刺激装置１は、発光素子パッド１１と制御装置１２とを備えており、発光素子パッド１１は、被験者Ｓの両方の閉じた瞼にあてられて使用される。発光素子パッド１１として、可撓性の樹脂シートが使用できる。
図１（Ｂ）に示すようにＶＥＰ測定電極Ｐは、たとえば後頭部の所定の２点に陰極針電極を、頭部両側部の所定の２点に陽極針電極を配置するとともに、ボディーアースを適宜の箇所（通常は前頭部の皮下）からとる。
【００１４】
図２はＶＥＰ刺激装置１を示す図である。発光素子パッド１１では、パッド基材ＰＢとしてシリコーンゴムシート，ポリイミドシート等のフレキシブル樹脂シートを使用することができる。このパッド基材ＰＢは単一の樹脂層から構成することもできるし、複数の樹脂層から構成することもできる。
パッド基材ＰＢは光遮蔽機能を持つことができる（図１では、発光素子パッド１１は黒色で示されている）。光遮蔽機能を持つパッド基材ＰＢを使用する場合には、被験者Ｓの瞼に外部からの光（照明光等）が入り込まないので、ＶＥＰ測定装置２の測定精度を向上させることができる。
パッド基材ＰＢが複数の樹脂層から構成される場合には、少なくとも樹脂層の一層を光遮蔽層とすることができる。光遮蔽層として、光反射材または光吸収材を使用することができる（光遮蔽層については、後述する図７（Ｂ），（Ｃ）、図１０（Ｂ），（Ｃ）の符号ＬＹ２を参照）。
【００１５】
発光素子ＬＥは、パッド基材ＰＢの表面ＲＳ（被験者Ｓの閉じた瞼に接する側の面）に設けることができる。また、パッド基材ＰＢの発光素子ＬＥが搭載される位置に有底穴または連通穴を設け、この穴に発光素子ＬＥを埋設することができる。さらに、パッド基材ＰＢが複数の樹脂層から構成される場合には、樹脂層のひとつに上記穴を設け、当該穴に発光素子ＬＥを埋設することができる。また、パッド基材ＰＢが複数の樹脂層から構成される場合において、樹脂層に上記穴を設けることなく発光素子ＬＥを層間に設けることもできる。
パッド基材ＰＢに設ける配線（発光素子に電力を供給するするためのライン）は、後述する第１実施形態（図５，図６，図７）で示すように、非プリント配線（ワイヤー配線）であってもよいし、後述する第２実施形態（図８，図９，図１０）で示すようにプリント配線であってもよい。
【００１６】
発光素子パッド１１の発光エリアＬＡは、３ないし８のサブエリアに分割されて構成される。
発光素子ＬＥは、各サブエリアに、それぞれ少なくとも２つ以上配置され、同一サブエリアに属する発光素子は一括して制御される（すなわち、同時に動作する）。
図示しないが、制御装置が全ての発光素子を個別に制御できるように設計することで、あるサブエリアに属する全ての発光素子を同時に動作させることもできるが、発光エリアＬＡを構成するサブエリアの数が増えると、配線数が増えてしまい、発光素子の配置領域が限定される。この結果、発光素子パッドに多くの発光素子を設けることができなくなる。
【００１７】
このような不都合を解決するため、すなわち、同時動作を簡単に実現するために、あるサブエリアに属する全ての発光素子を、直列接続しておくことができる。この場合には、制御装置１２はひとつの制御信号によりあるサブエリアに属する全ての発光素子を同時に制御することができる。
制御装置１２には、図２に示すように、断線検知センサ１２０を設けることができる。
あるサブエリアに属する全ての発光素子を、直列接続しておく場合には、断線検知センサ１２０を簡易な構成とすることができる。
具体的には、断線検知センサ１２０に、サブエリア単位で警告用発光素子を設けておく。警告用発光素子は、各サブエリアにおける発光素子の直列接続回路に直列接続してあるので、サブエリア単位で発光素子の断線を検出することができる。
【００１８】
発光素子パッド１１に形成する配線として、多層配線を採用することができる。
具体的には、発光素子パッド１１を多層構成とし、発光素子パッド１１の表面，裏面に配線を形成することができるし、発光素子パッド１１が複数の樹脂層から構成される場合には所定の層間に配線を形成することができる。
【００１９】
制御装置１２は、図２に示すように、コントローラ１２１とドライバ１２２とを含むことができ、ドライバ１２２は、半導体スイッチまたは機械スイッチを含んで構成することができる（後述する図５，図８のスイッチ回路ＳＷＣ参照）。
【００２０】
図３および図４に、サブエリアＳＡの配置態様の例を示す。
たとえば、図３に示すように、パッド基材ＰＢの中央にセンターサブエリアＳＡ＿Ｃを配置することができ、この場合には、センターサブエリアＳＡ＿Ｃを中心にして、左右対称または上下左右対称に、２つ、４つ、６つのサブエリアを配置することができる。
図３（Ａ）は、センターサブエリアＳＡ＿Ｃを中心にして、左右対称に右サブエリアＳＡ＿Ｒ、左サブエリアＳＡ＿Ｌが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
図３（Ｂ）は、センターサブエリアＳＡ＿Ｃを中心にして、左右対称に右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
図３（Ｃ）は、センターサブエリアＳＡ＿Ｃを中心にして、上下対称にセンター上サブエリアＳＡ＿ＣＵ、センター下サブエリアＳＡ＿ＣＬ、左右対称に右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
【００２１】
また、たとえば、図４に示すように、パッド基材ＰＢの中央にサブエリアを配置せず、パッド基材ＰＢの中心Ｃを基準にして、左右対称または上下左右対称に、４つ、６つ、８つのサブエリアを配置することができる。
図４（Ａ）は、パッド基材ＰＢの中心Ｃを基準にして、左右対称に右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
図４（Ｂ）は、パッド基材ＰＢの中心Ｃを基準にして、上下対称にセンター上サブエリアＳＡ＿ＣＵ，センター下サブエリアＳＡ＿ＣＬ、および左右対称に右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
図４（Ｃ）は、パッド基材ＰＢの中心Ｃを基準にして、上下対称にセンター上サブエリアＳＡ＿ＣＵ，センター下サブエリアＳＡ＿ＣＬ、および左右対称に右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右中サブエリアＳＡ＿ＲＣ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左中サブエリアＳＡ＿ＬＣ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬが配置されたパッド基材ＰＢを示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明のＶＥＰ刺激装置１の第１実施形態を図５，図６，図７により説明する。
図５は、本実施形態のＶＥＰ刺激装置１の全体を示す図である。図５に示すようにＶＥＰ刺激装置１は、発光素子パッド１１と、制御装置１２とからなる。
図６は発光素子パッド１１に配置されたＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（１７）を示す図である。図６においては配線の図示は省略してある。
図７（Ａ）は発光素子パッド１１の配線を示す図であり、図７（Ｂ）は発光素子パッド１１の層構造を示すための説明図であり、図７（Ｃ）は発光素子パッド１１の裏面図である。
図６および図７に示すように、本実施形態では、発光素子パッド１１の発光エリアは、３つのサブエリア（センターサブエリアＳＡ＿Ｃ，右サブエリアＳＡ＿Ｒ，左サブエリアＳＡ＿Ｌ）から構成されている。
【００２３】
図６に示すように、発光素子パッド１１は、全部で１７個のＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（１７）を備えており、センターサブエリアＳＡ＿Ｃには５個のＬＥＤ（０７）−ＬＥＤ（１１）が形成され、右サブエリアＳＡ＿Ｒには６個のＬＥＤ（１２）−ＬＥＤ（１７）が形成され、左サブエリアＳＡ＿Ｌには６個のＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０６）が形成されている。
図７に示すように、センターサブエリアＳＡ＿Ｃの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（０７）−ＬＥＤ（１１））、右サブエリアＳＡ＿Ｒの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（１２）−ＬＥＤ（１７））、および左サブエリアＳＡ＿Ｌの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０６））は、それぞれ直列接続されている。
なお、図７（Ａ）に示す本実施形態のＶＥＰ刺激装置１では、配線に線材（銅線，銅縒り線等）が用いられている。図７（Ｂ）に示すように、パッド基材ＰＢは保護層ＬＹ１，光遮蔽層ＬＹ２，発光素子搭載層ＬＹ３，表面保護層ＬＹ４から構成されている。発光素子搭載層ＬＹ３には有底穴が形成され、この有底穴に各ＬＥＤが形成されている。図７（Ｃ）に示すように、光遮蔽層ＬＹ２を設けたことにより被験者Ｓの瞼に外部からの光（照明光等）が入り込まない。
なお、図７（Ｃ）および後述する図１０（Ｃ）では、発光素子パッド１１に、右左向きを示す「Ｒ」および「Ｌ」の文字が描かれている。
【００２４】
上述したように、図５の制御装置１２は、断線検知センサ１２０と、コントローラ１２１と、ドライバ１２２とからなる。
コントローラ１２１が制御信号ＣＴＲＬ（ベース信号）を生成しており、この制御信号ＣＴＲＬを受け取ったドライバ１２２が、制御信号ＣＴＲＬに応じて、電圧出力端子Ａ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２、Ｃ１，Ｃ２から駆動信号を出力する。図５に示すように、ドライバ１２２は、スイッチ回路ＳＷＣ（スイッチｓｗ１，ｓｗ２，ｓｗ３）と電源ＰＧからなる。
これらのドライバ１２２からの駆動信号は、図７（Ａ）に示した、発光素子パッド１１の直列回路ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０５）の端子ａ１，ａ２、直列回路ＬＥＤ（０６）−ＬＥＤ（１１）の端子ｂ１，ｂ２、直列回路ＬＥＤ（１２）−ＬＥＤ（１７）の端子ｃ１，ｃ２、にそれぞれ与えられる。
以上のようにして、ドライバ１２２からの駆動信号は、直列回路ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０５）を一単位、直列回路ＬＥＤ（０６）−ＬＥＤ（１１）を一単位、および直列回路ＬＥＤ（１２）−ＬＥＤ（１７）を一単位として、各直列回路に与えられる。
【００２５】
本実施形態では、左サブエリアＳＡ＿ＬのＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０６）、センターサブエリアＳＡ＿ＣのＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０９）、および右サブエリアＳＡ＿ＲのＬＥＤ（１０）−ＬＥＤ（１７）は、それぞれ直列接続されているので、発光素子パッド１１の構成が簡素になり、結果として図示しないが、発光エリアに搭載するＬＥＤの個数を増加し、光強度を強くすることができる。
【００２６】
また、本実施形態では、制御装置１２側に、サブエリアごとに警告用ＬＥＤを接続することで、発光素子パッド１１に搭載した各ＬＥＤの不良を各サブエリア単位で表示することができる。すなわち、左サブエリアＳＡ＿Ｌの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０６））の直列回路、センターサブエリアＳＡ＿Ｃの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０９））の直列回路、および右サブエリアＳＡ＿Ｒの各ＬＥＤ（ＬＥＤ（１０）−ＬＥＤ（１７））の直列回路に直列にそれぞれ警告用ＬＥＤを設けておくことで、各ＬＥＤの不良を各サブエリア単位で表示することができる。
【００２７】
以下、本発明のＶＥＰ刺激装置１の第２実施形態を図８，図９，図１０により説明する。
図８に示すように、第２実施形態においても、ＶＥＰ刺激装置１は、発光素子パッド１１と制御装置１２とからなる。
図９（Ａ）は発光素子パッド１１に形成したプリント配線を示す図、図９（Ｂ）はプリント配線に２０個のＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（２０）を搭載した発光素子パッド１１を示す図である。
図１０（Ａ）は発光素子パッド１１の配線を示す図であり、図１０（Ｂ）は発光素子パッド１１の層構造を示すための説明図であり、図１０（Ｃ）は発光素子パッド１１の裏面図である。
【００２８】
図９（Ａ），（Ｂ）では、発光素子パッド１１の発光エリアは、５つのサブエリア（センターサブエリアＳＡ＿Ｃ，右上サブエリアＳＡ＿ＲＵ，右下サブエリアＳＡ＿ＲＬ，左上サブエリアＳＡ＿ＬＵ，左下サブエリアＳＡ＿ＬＬ）から構成されている。
以上のように、図８に示したコントローラ１２１はドライバ１２２に制御信号ＣＴＲＬを送出し、ドライバ１２２は、５つのサブエリアに属する各ＬＥＤをサブエリア単位で適宜のタイミングで同時駆動することができる。
【００２９】
本実施形態では、図９に示すように、センターサブエリアＳＡ＿ＣにはＬＥＤ（０９）−ＬＥＤ（１２）が形成され、右上サブエリアＳＡ＿ＲＵにはＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１６）が形成され、右下サブエリアＳＡ＿ＲＬにはＬＥＤ（１７）−ＬＥＤ（２０）が形成され、左上サブエリアＳＡ＿ＬＵにはＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）が形成され、左下サブエリアＳＡ＿ＬＬにはＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）が形成されている。
【００３０】
図９では、センターサブエリアＳＡ＿ＣのＬＥＤ（０９）−ＬＥＤ（１２）、右上サブエリアＳＡ＿ＲＵのＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１６）、右下サブエリアＳＡ＿ＲＬのＬＥＤ（１７）−ＬＥＤ（２０）、左上サブエリアＳＡ＿ＬＵのＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）、および左下サブエリアＳＡ＿ＬＬのＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）は、それぞれ直列接続されている。
なお、本実施形態では、図９（Ａ），図１０（Ａ）からわかるように、配線はプリント配線である。図１０（Ｂ）に示すように、パッド基材ＰＢは保護層ＬＹ１，光遮蔽層ＬＹ２，発光素子搭載層ＬＹ３，表面保護層（原材は液状樹脂）ＬＹ４から構成されている。発光素子搭載層ＬＹ３にはプリント配線が形成され、このプリント配線に各ＬＥＤが搭載され、各ＬＥＤには表面保護層ＬＹ４が形成されている。本実施形態では、図１０（Ｃ）に示すように、光遮蔽層ＬＹ２を設けたことにより被験者Ｓの瞼に外部からの光（照明光等）が入り込まない。
【００３１】
既に図８において述べたように、制御装置１２では、コントローラ１２１が制御信号ＣＴＲＬを生成している。図８に示すように、ドライバ１２２は、スイッチ回路ＳＷＣ（スイッチｓｗ１，ｓｗ２，ｓｗ３，ｓｗ４，ｓｗ５）と電源ＰＧからなる。この制御信号ＣＴＲＬを受け取ったドライバ１２２は、制御信号ＣＴＲＬに応じて、電圧出力端子Ａ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２、Ｃ１，Ｃ２、Ｄ１，Ｄ２、Ｅ１，Ｅ２から駆動信号を出力する。
これらの駆動信号は、図１０（Ａ）に示した発光素子パッド１１の直列回路ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）の端子ａ１，ａ２、直列回路ＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）の端子ｂ１，ｂ２、直列回路ＬＥＤ（０９）−ＬＥＤ（１２）の端子ｃ１，ｃ２、直列回路ＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１５）の端子ｄ１，ｄ２、直列回路ＬＥＤ（１６）−ＬＥＤ（２０）の端子ｅ１，ｅ２にそれぞれ与えられる。
以上のようにして、駆動信号は、直列回路ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）を一単位、直列回路ＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）を一単位、直列回路ＬＥＤ（０９）−ＬＥＤ（１２）を一単位、直列回路ＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１６）を一単位、直列回路ＬＥＤ（１７）−ＬＥＤ（２０）を一単位として、各直列回路に与えられる。
【００３２】
本実施形態では、センターサブエリアＳＡ＿ＣのＬＥＤ（０９）−ＬＥＤ（１２）、右上サブエリアＳＡ＿ＲＵのＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１６）、右下サブエリアＳＡ＿ＲＬのＬＥＤ（１７）−ＬＥＤ（２０）、左上サブエリアＳＡ＿ＬＵのＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）、および左下サブエリアＳＡ＿ＬＬのＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）は、それぞれ直列接続されているので、発光素子パッド１１の構成が簡素になり、結果として図示しないが、発光エリアに搭載するＬＥＤの個数を増加し、光強度を強くすることができる。
【００３３】
また、本実施形態でも、第１実施形態と同様、制御装置１２側に、ＬＥＤ（０１）−ＬＥＤ（０４）の直列回路、ＬＥＤ（０５）−ＬＥＤ（０８）の直列回路、ＬＥＤ（９）−ＬＥＤ（１２）の直列回路、ＬＥＤ（１３）−ＬＥＤ（１６）の直列回路、ＬＥＤ（１７）−ＬＥＤ（２０）の直列回路に、それぞれ警告用ＬＥＤを接続することで、ＬＥＤ不良を表示することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１  ＶＥＰ刺激装置
２  ＶＥＰ測定装置
５  ＶＥＰモニタリングシステム
１１  発光素子パッド
１２  制御装置
１２０  断線検知センサ
１２１  コントローラ
１２２  ドライバ
ＰＢ  パッド基材
ＬＥ  発光素子
ＬＡ  発光エリア
Ｓ  被験者
ＳＡ＿Ｃ，ＳＡ＿Ｒ，ＳＡ＿Ｌ，ＳＡ＿ＲＵ，ＳＡ＿ＲＬ，ＳＡ＿ＬＵ，ＳＡ＿ＬＬ  サブエリア
ＳＷＣ  スイッチ回路
ＰＧ  電源
ＬＥ  発光素子
ＬＹ１  保護層
ＬＹ２  光遮蔽層
ＬＹ３  発光素子搭載層
ＬＹ４  表面保護層（原材は液状樹脂）
ＳＷＣ  スイッチ回路
ｓｗ１，ｓｗ２，ｓｗ３，ｓｗ４，ｓｗ５  半導体スイッチ
Ａ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２、Ｃ１，Ｃ２、Ｄ１，Ｄ２、Ｅ１，Ｅ２  電圧出力端子
ａ１，ａ２、ｂ１，ｂ２、ｃ１，ｃ２、ｄ１，ｄ２、ｅ１，ｅ２  ＬＥＤの端子
【図１】
2018134300.tif 000003
【図２】
2018134300.tif 000004
【図３】
2018134300.tif 000005
【図４】
2018134300.tif 000006
【図５】
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【図６】
2018134300.tif 000008
【図７】
2018134300.tif 000009
【図８】
2018134300.tif 000010
【図９】
2018134300.tif 000011
【図１０】
2018134300.tif 000012
【図１１】
2018134300.tif 000013