(57)【要約】【課題】複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を、時間と手間を要することなく製造することができる粘着テープを提供すること。【解決手段】本発明の粘着テープは、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を基板上に配置した状態で得る際に、前記基板と前記半導体封止連結体との間に介在して、前記基板に仮固定して用いられるものであり、下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足する。  要件Ａ：粘着テープは、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスとシリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる  要件Ｂ：粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、２５℃において９０°の方向に１０ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が２．０Ｎ／ｍｍ以下となる。【選択図】図２
2018098225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を基板上に配置した状態で得る際に、前記基板と前記半導体封止連結体との間に介在して、前記基板に仮固定して用いられる粘着テープであって、
下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ａ：当該粘着テープは、透明ガラス上に前記粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを前記粘着テープを介して前記透明ガラスに固定し、次いで、２５℃において６００μｍ／ｓで前記シリコンチップを側面から押して、前記透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる。
要件Ｂ：当該粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす封止材上に幅２５ｍｍの前記粘着テープを貼付し、次いで、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が２．０Ｎ／ｍｍ以下となる。
【請求項２】
当該粘着テープは、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下である請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
当該粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である請求項１または２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
当該粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項５】
当該粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０.００１％以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項６】
当該粘着テープは、スチレン系ブロック共重合体を主材料として含有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項７】
前記スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを備えるブロック共重合体である請求項６に記載の粘着テープ。
【請求項８】
前記スチレン系ブロック共重合体は、前記第２ブロックがエチレンとプロピレンとの重合体を含み、前記第１ブロックと、前記第２ブロックと、前記第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体である請求項７に記載の粘着テープ。
【請求項９】
当該粘着テープは、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を得る際に用いられる粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
この半導体装置としては、半導体素子を基板上に実装してモジュール化したものが挙げられるが、この半導体装置を、一括して複数製造する製造方法として、例えば、半導体素子をウエハー・レベル・半導体装置（ＷＬＰ）に封止して埋め込む基板技術（ＦＯＷＬＰ；Ｆａｎ  Ｏｕｔ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
かかる製造方法では、まず、ダミー基板を用意し、その後、このダミー基板上に剥離層と粘着層とをこの順で積層した後に、複数の半導体素子を、このものが有する電極パッドがダミー基板側となるように載置する。
【０００５】
その後、ダミー基板に載置された半導体素子を覆うように封止部で封止することで、ダミー基板上に、複数の半導体素子が封止部により封止された半導体封止連結体（擬似ウエハ）を形成する。
【０００６】
次いで、剥離層にエネルギー線照射等の処理を施すことによりその接着力を低下させて、ダミー基板を取り除くことにより、半導体封止連結体（封止体）と粘着層との積層体を得た後に、溶媒を粘着層に接触させて粘着層を溶解・剥離することにより、半導体封止連結体を得る。
【０００７】
その後、半導体封止連結体の前記電極パッドが露出する側の面に対して、この電極パッドに電気的に接続された、配線およびバンプ等を備える回路基板を形成した後に、半導体封止連結体と回路基板とを、その厚さ方向に対して、封止された半導体素子毎に切断して個片化することにより、複数の半導体装置を一括して得る。
【０００８】
以上のようにして、複数の半導体装置を一括して製造することができるが、かかる製造方法では、特に、粘着層を剥離する剥離工程において、粘着層を溶解し得る溶媒を用いねばならず、すなわち、粘着層の剥離にウエットプロセスを用いる必要があり、時間と手間とを有すると言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−５８５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そのため、溶媒を使用するウエットプロセスを経ずに、時間と手間を要することなく、半導体封止連結体から容易に剥離し得る粘着層を形成することができる粘着テープの開発が求められている。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を、時間と手間を要することなく製造することができる粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）  複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を基板上に配置した状態で得る際に、前記基板と前記半導体封止連結体との間に介在して、前記基板に仮固定して用いられる粘着テープであって、
下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ａ：当該粘着テープは、透明ガラス上に前記粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを前記粘着テープを介して前記透明ガラスに固定し、次いで、２５℃において６００μｍ／ｓで前記シリコンチップを側面から押して、前記透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる。
要件Ｂ：当該粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす封止材上に幅２５ｍｍの前記粘着テープを貼付し、次いで、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が２．０Ｎ／ｍｍ以下となる。
【００１３】
（２）  当該粘着テープは、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下である上記（１）に記載の粘着テープ。
【００１４】
（３）  当該粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。
【００１５】
（４）  当該粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１６】
（５）  当該粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０.００１％以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１７】
（６）  当該粘着テープは、スチレン系ブロック共重合体を主材料として含有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１８】
（７）  前記スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを備えるブロック共重合体である上記（６）に記載の粘着テープ。
【００１９】
（８）  前記スチレン系ブロック共重合体は、前記第２ブロックがエチレンとプロピレンとの重合体を含み、前記第１ブロックと、前記第２ブロックと、前記第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体である上記（７）に記載の粘着テープ。
【００２０】
（９）  当該粘着テープは、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の粘着テープ。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体を、溶媒を使用するウエットプロセスを経ずに、時間と手間を要することなく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図４】半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の粘着テープを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００２４】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２５】
半導体装置２０は、ＦＯＷＬＰ型の半導体装置であり、図１に示すように、半導体素子２６と、半導体素子２６の上面側を封止する封止部（モールド部）２７と、半導体素子２６の下面を被覆し、かつ半導体素子２６が備える電極パッド（図示せず）を露出させるように設けられた、開口部２５１を備える第１被覆部２５と、開口部２５１を埋め、かつ第１被覆部２５の一部を覆うことで半導体素子２６が備える電極パッドに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた第２被覆部２２とを有している。
【００２６】
半導体素子２６は、図示しない電極パッドをその下面側に有しており、この電極パッドに対応して第１被覆部２５が備える開口部２５１が配置するように、第１被覆部２５が半導体素子２６の下面に接して形成されている。
【００２７】
かかる位置に半導体素子２６に対して第１被覆部２５が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６および第１被覆部２５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。
【００２８】
第１被覆部２５は、半導体素子２６の下面側を被覆する被覆層であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされ、平面視において半導体素子２６を包含するように半導体素子２６に対して大きく形成され、これにより、第１被覆部２５を覆うように形成される配線２３、ひいては、この配線２３に電気的に接続して設けられるバンプ２１を形成する位置の選択性の幅が広がる。この第１被覆部２５には、半導体素子２６が備える電極パッドに対応して、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では３つ）の開口部（スルーホール）２５１が形成されている。
【００２９】
また、第１被覆部２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が開口部２５１を埋めるように設けられ、この配線２３が開口部２５１における上側の端部で、半導体素子２６が備える電極パッドと電気的に接続される。
【００３０】
さらに、配線２３の下面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６とバンプ２１とが、電極パッドおよび配線２３を介して電気的に接続される。
【００３１】
そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える第２被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
【００３２】
なお、上述した半導体装置２０が備える各部のうち、配線２３、第２被覆部２２およびバンプ２１により半導体素子２６に電気的に接続された配線層が構成される。
【００３３】
以上のような構成をなす半導体装置２０を本発明の粘着テープを用いることで製造することができる。
【００３４】
＜半導体装置の製造方法＞
以下、本発明の粘着テープを用いた半導体装置２０の製造方法について詳述する。
【００３５】
半導体装置２０の製造方法では、平板状をなし、上面に剥離層と粘着層とがこの順で下側から形成されたダミー基板を用意し、粘着層および剥離層を介して、このダミー基板上に、電極パッドがダミー基板側となるように半導体素子を配置する配置工程と、半導体素子が配置されている側の面に、ダミー基板と半導体素子とを覆うように封止して封止部を形成することにより、ダミー基板上に半導体封止連結体を得る封止部形成工程と、半導体封止連結体の上面を研削および／または研磨する研削・研磨工程と、半導体封止連結体と粘着層との積層体からダミー基板を剥離する第１剥離工程と、半導体封止連結体から粘着層を剥離する第２剥離工程と、半導体封止連結体の電極パッドが形成されている面側に、この電極パッドが露出するように、開口部を備える第１被覆部を形成する第１被覆部形成工程と、第１被覆部の半導体封止連結体とは反対の面側に、第１被覆部が備える開口部で露出する電極パッドに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体封止連結体とは反対の面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える第２被覆部を形成する第２被覆部形成工程と、開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体封止連結体を個片化することにより、複数の半導体装置を一括して得る個片化工程とを有する。
【００３６】
図２〜図４は、半導体装置２０を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３７】
［１］まず、図２（ａ）に示すように、上面に剥離層１０３と粘着層１０２とがこの順で下側（ダミー基板側）から積層（形成）されたダミー基板１０１を用意し、粘着層１０２および剥離層１０３を介してダミー基板１０１上に、複数の半導体素子２６を、このものが有する電極パッド（図示せず）がダミー基板１０１側となるように配置（載置）する（配置工程）。
【００３８】
なお、本工程においてダミー基板１０１上に配置される半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、本実施形態で一括して製造される半導体装置２０の歩留まりの向上を図ることができるとともに、信頼性の高い半導体装置２０が得られる。
【００３９】
このダミー基板１０１は、半導体素子２６を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、金属材料で構成される金属基板、ガラス材料で構成されるガラス基板、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、金属基板またはガラス基板であるのが好ましい。金属基板およびガラス基板は、優れた支持性を備え、加工性に優れることから好ましく用いられる。
【００４０】
金属材料としては、特に限定されないが、例えば、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ、ＳＵＳ３１６Ｊ１、ＳＵＳ３１６Ｊ１Ｌ、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３４、ＳＵＳ４４４、ＳＵＳ４２９、ＳＵＳ４３０Ｆ、ＳＵＳ３０２のようなステンレス鋼、コバルト系合金（コバルト基合金）や、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｎまたはこれらを含む合金等が挙げられる。
【００４１】
ガラス材料としては、特に限定されないが、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、カリウムガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
【００４２】
なお、コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。
【００４３】
また、ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。
【００４４】
粘着層１０２は、本工程［１］〜後工程［３］において、剥離層１０３とともに、ダミー基板１０１に半導体素子２６を接着（接合）する機能を有し、かつ、後工程［５］において、ダミー基板１０１から、半導体素子２６を剥離させ得る程度の強度で半導体素子２６に接着しているものである。
【００４５】
この粘着層１０２は、本発明の粘着テープを、剥離層１０３が形成されたダミー基板１０１の剥離層１０３上に貼付することにより形成される。
【００４６】
このように、粘着層１０２の形成に用いられる本発明の粘着テープは、下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足する。
【００４７】
要件Ａ：粘着テープは、透明ガラス上に粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを粘着テープを介して透明ガラスに固定し、次いで、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度（せん断強度）が２０Ｎ以上となる。
【００４８】
要件Ｂ：粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす封止材上に幅２５ｍｍの粘着テープを貼付し、次いで、粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が２．０Ｎ／ｍｍ以下となる。
【００４９】
ここで、ダミー基板１０１の面方向をＸ，Ｙ方向とし、ダミー基板１０１の厚さ方向をＺ方向としたとき、前記要件Ａを満足すること、すなわち、ダイシェア強度が２０Ｎ以上となることにより、Ｘ，Ｙ方向に対するせん断力、さらには粘着力が優れたものであると言うことができるため、次工程［２］における半導体封止連結体２７０の形成の際、および、後工程［３］における半導体封止連結体２７０が備える封止部２７の研削および／または研磨の際に、半導体封止連結体２７０（特に、半導体素子２６）を、ダミー基板１０１から位置ずれ、さらには離脱してしまうのを的確に抑制または防止することができることから、ダミー基板１０１上に半導体封止連結体２７０（特に、半導体素子２６）を確実に保持することができる。
【００５０】
また、前記要件Ｂを満足すること、すなわち、封止材に対するピール強度が２．０Ｎ／ｍｍ以下となることにより、封止部２７における粘着層１０２のＺ方向に対する粘着力が低くなっているため、後工程［５］における半導体封止連結体２７０からの粘着層１０２の剥離の際に、半導体封止連結体２７０に粘着層１０２を残存させることなく、半導体封止連結体２７０から粘着層１０２を確実に剥離させることができる。
【００５１】
なお、前記要件Ａのダイシェア強度は、例えば、万能型ボンドテスター（ＤＡＧＥ社製、「シリーズ４０００」）を用いて測定することができ、また、前記要件Ｂのピール強度は、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。
【００５２】
上述したような機能を備える粘着テープ（粘着層１０２）、すなわち、前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足する粘着テープは、ゴム系粘着剤であるスチレン系ブロック共重合体を主材料として構成される。
【００５３】
このスチレン系ブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢ）、スチレン・イソプレンゴム（ＳＩ）、プロピレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン・エチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・ブロック共重合体（ＳＥＰ）、スチレン・エチレン・プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
また、スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを含むものであることが好ましい。なお、第２ブロックは、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種の水素添加物を重合させたものにより形成されたブロックであってもよい。また、第１ブロックは、スチレンを主の構成成分としたブロックであればよく、エチレン等の他の成分を含んでいてもよい。
【００５５】
さらに、第２ブロックは、エチレンとプロピレンとの重合体を含むブロックを有することが好ましい。これにより、粘着テープを確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。なお、このような第２ブロックは、エチレンのブロック（サブブロック）と、ブチレンのブロック（サブブロック）を含むブロックコポリマーで構成されていてもよいし、エチレンとブチレンとのランダムコポリマーで構成されていてもよい。
【００５６】
さらに、スチレン系ブロック共重合体は、第１ブロックと、第２ブロックと、第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体であることが好ましい。これにより、粘着テープを確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。なお、第２ブロックは、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの２種以上のランダムコポリマーで構成されていてもよいし、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの２種以上のブロックコポリマーで構成されていてもよい。第２ブロックが、かかる構成をなす場合においても、本明細書中では、スチレン系ブロック共重合体が、上記トリブロック共重合体であるということとする。
【００５７】
具体的には、第１ブロックと第２ブロックとを有するスチレン系ブロック共重合体としては、例えば、下記一般式（Ａ）で表されるスチレン−水添イソプレンのジブロック共重合体（ＳＥＰ）、下記一般式（Ｂ）で表されるスチレン−水添イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、下記一般式（Ｃ）で表されるスチレン−（エチレン／ブチレン）−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、下記一般式（Ｄ）で表されるスチレン−（水添イソプレン／エチレン）−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ）等が挙げられ、上記の点を考慮して、下記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳを含有することが好ましい。
【００５８】
【化１】
2018098225.tif 000003
［式中、ｍ、ｐは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００５９】
【化２】
2018098225.tif 000004
［式中、ｍ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００６０】
【化３】
2018098225.tif 000005
［式中、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００６１】
【化４】
2018098225.tif 000006
［式中、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００６２】
また、第１ブロックと第２ブロックとを有するスチレン系ブロック共重合体を、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳを含有するものとした場合、スチレン系ブロック共重合体としては、さらに、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰを含有することが好ましい。このように、スチレン系ブロック共重合体を、ＳＥＰとＳＥＰＳとの双方を含有するものとすることで、粘着テープをより確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。
【００６３】
また、スチレン系ブロック共重合体は、その重量平均分子量（Ｍｗ）が、５０００以上１５０００００以下であることが好ましく、４００００以上７０００００以下であることがより好ましい。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定法を用いて、ポリスチレン標準物質に関する検量線を作成し、この検量線を用いて算出することで得ることができる。
【００６４】
さらに、スチレン系ブロック共重合体中におけるスチレンの含有率は、スチレン系ブロック共重合体の全量に対して２０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。
【００６５】
スチレン系ブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）および前記スチレンの含有量を前記範囲内に設定することにより、粘着テープをより確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。
【００６６】
さらに、粘着テープ（粘着層１０２）は、スチレン系ブロック共重合体の他に、必要に応じて、任意の添加剤が含まれていてもよい。
【００６７】
この添加剤としては、例えば、架橋剤、ロジン系粘着付与剤、テルペン系粘着付与剤、炭化水素系粘着付与剤のような粘着付与剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸エステル系可塑剤のような可塑剤、顔料、染料、充填剤、老化防止剤、導電材、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、剥離調整剤、軟化剤、界面活性剤、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。
【００６９】
なお、粘着テープ（粘着層１０２）は、前記要件Ａのダイシェア強度は、２０Ｎ以上であれば良いが、３０Ｎ以上３００Ｎ以下であることが好ましく、１００Ｎ以上２５０Ｎ以下であることがより好ましく、さらに、前記要件Ｂのピール強度は、２．０Ｎ／ｍｍ以下であれば良いが、０．０１Ｎ／ｍｍ以上０．８Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５Ｎ／ｍｍ以上０．１５Ｎ／ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、次工程［２］および後工程［３］において、半導体封止連結体２７０とダミー基板１０１とを接合する粘着層１０２としての機能をより確実に発揮させることができるとともに、後工程［５］において、半導体封止連結体２７０からの粘着層１０２をより確実に剥離させることができる。
【００７０】
さらに、前記要件Ａのダイシェア強度をａ［Ｎ］とし、前記要件Ｂのピール強度をｂ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、ｂ／ａ［／ｍｍ］は、０．１×１０３以上２．５×１０３以下であることが好ましく、０．３×１０３以上２．０×１０３以下であることがより好ましい。これにより、要件Ａおよび要件Ｂを満足することにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７１】
また、粘着テープ（粘着層１０２）は、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度（ηＰａ・ｓ）が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１５００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。なお、上記熱時溶融粘度は、例えば、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳIII」）を用いて測定することができる。
【００７２】
さらに、粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることが好ましく、３０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下であることが好ましく、５００％以上９００％以下であることがより好ましい。なお、破断強度および破断伸びは、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。
【００７３】
粘着テープ（粘着層１０２）の粘度、破断強度および破断伸びが前記範囲内であることにより、次工程［２］および後工程［３］（特に、後工程［３］）において、半導体封止連結体２７０とダミー基板１０１との間で、粘着層１０２に厚みムラが生じたり、破断が生じるのを的確に抑制または防止することができるため、半導体封止連結体２７０とダミー基板１０１とを粘着層１０２を介して安定的に接合することができる。
【００７４】
さらに、粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０．００１％以下であることがより好ましい。これにより、次工程［２］において、圧縮成形によりエポキシ樹脂組成物を用いて、封止部２７を形成する際に、エポキシ樹脂組成物を加熱することで溶融状態としたとしても、この加熱により粘着層１０２が変質・劣化するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、次工程［２］を経た後においても、前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足する粘着層１０２とすることができ、粘着層１０２としての機能を確実に発揮させることができる。さらに、この加熱の際に、粘着層１０２に起因するアウトガスの発生が的確に抑制されるため、粘着層１０２に由来する残渣の製造される半導体装置２０への付着をも的確に抑制することができる。
【００７５】
なお、粘着テープの３４０℃における重量減少率は、ＴＧ／ＤＴＡ測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ２２０」）を用いて、窒素ガス２００ｍＬ／ｍｉｎフロー下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件により３４０℃となるまで温度を上昇させ、この際の粘着テープの重量を測定することで、加熱前後における粘着テープの重量に基づいて算出した。
【００７６】
また、粘着テープ（粘着層１０２）の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、４０μｍ以上１５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層１０２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層１０２は、次工程［２］および後工程［３］において、良好な粘着力を発揮するとともに、後工程［５］において、粘着層１０２と半導体封止連結体２７０との間において、良好な剥離性を発揮する。
【００７７】
以上のような粘着テープは、ダミー基板１０１に積層された剥離層１０３上に貼付され、これにより、粘着層１０２が形成されるが、この貼付より以前の粘着テープの保管・輸送時には、その両面（表面）には、セパレーターが積層されていることが好ましい。これにより、粘着テープの保管・輸送時において、粘着テープの表面が汚染されるのを的確に防止することができる。
【００７８】
なお、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。
【００７９】
また、セパレーターが積層されている場合、ダミー基板１０１に積層された剥離層１０３上への粘着テープの貼付は、一方のセパレーターを除去した状態で、粘着テープを剥離層１０３に貼付し、その後、他方のセパレーターを除去する工程を経ることで、形成される粘着層１０２と剥離層１０３との間に気泡を介在させることなく、粘着層１０２を均質に剥離層１０３上に形成することができる。
【００８０】
剥離層１０３は、本工程［１］〜後工程［３］において、粘着層１０２とともに、ダミー基板１０１に半導体素子２６を接着（接合）する機能を有し、かつ、後工程［４］において、剥離層１０３へのエネルギー線の照射により、粘着層１０２を介したダミー基板１０１への接着力が低下し、これにより、粘着層１０２と剥離層１０３との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となる機能を有するものである。
【００８１】
この剥離層１０３の構成材料としては、例えば、エネルギー線（レーザー）の照射により、その接着力が低下する熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００８２】
［２］次に、ダミー基板１０１の上面、すなわち半導体素子２６が配置されている側の面を、ダミー基板１０１と半導体素子２６とを覆うように封止部２７を形成する（図２（ｂ）参照。；封止部形成工程）。
【００８３】
これにより、粘着層１０２および剥離層１０３を介して、ダミー基板１０１上に、複数の半導体素子２６が封止部２７により封止された半導体封止連結体２７０を得る。
【００８４】
封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、金型が備える凹部内に顆粒状のエポキシ樹脂組成物を収納した状態で、ダミー基板１０１、半導体素子２６を覆うようにダミー基板１０１の上面を、このエポキシ樹脂組成物に接触させた後、金型を用いてエポキシ樹脂組成物を加熱・圧縮成形する方法（コンプレッションモールド成形方法）が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６をダミー基板１０１上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。
【００８５】
また、エポキシ樹脂組成物で構成される封止部２７によりダミー基板１０１上に配置された半導体素子２６を取り囲むようにして半導体素子２６を封止する構成とすることにより、ダミー基板１０１と封止部２７との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。これにより、ダミー基板１０１から半導体封止連結体２７０を剥離する際には、通常、これらを加熱することになるが、この際に、ダミー基板１０１と封止部２７との間で反りが生じ、これに起因して、封止部２７に亀裂が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【００８６】
顆粒状のエポキシ樹脂組成物は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものである。
【００８７】
このエポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８８】
また、エポキシ樹脂組成物は、その構成材料として、無機充填材を含有しているものであってもよい。
【００８９】
無機充填材としては、特に限定されず、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。
【００９０】
［３］  次に、図２（ｃ）に示すように、封止部２７の上面、すなわち、半導体封止連結体２７０の上面を、研削および／または研磨する（研削・研磨工程）。
【００９１】
これにより、不要な封止部２７を除去して得られる半導体装置２０の軽量化および薄型化を図ることができる。
【００９２】
この封止部２７の研削および／または研磨は、例えば、研削装置（グラインダー）が備える研削盤を用いて行うことができる。
【００９３】
ここで、本発明では、粘着シート（粘着層１０２）が上述した要件Ａを満足することから、上記の工程［２］および工程［３］において、半導体封止連結体２７０を、ダミー基板１０１から離脱させることなく、ダミー基板１０１上に確実に保持することができる。
【００９４】
［４］次に、剥離層１０３の接着力を低下させることにより、図２（ｄ）に示すように、半導体封止連結体２７０と粘着層１０２との積層体からダミー基板１０１を剥離する（取り除く）（第１剥離工程）。
【００９５】
これにより、半導体封止連結体２７０の下面が粘着層１０２により被覆された積層体が得られる。
【００９６】
この剥離層１０３の接着力の低下は、例えば、剥離層１０３に対するエネルギー線の照射により容易に行うことができる。
【００９７】
すなわち、剥離層１０３に対するエネルギー線の照射により、剥離層１０３の粘着力が低下する。
【００９８】
［５］次に、半導体封止連結体２７０（半導体素子封止体）から粘着層１０２を引き剥がすことにより、図２（ｅ）に示すように、半導体封止連結体２７０から粘着層１０２を剥離する（取り除く）（第２剥離工程）。
【００９９】
これにより、半導体封止連結体２７０を、その下側の面側（他方の面側）から半導体素子２６が露出した状態で得ることができる。
【０１００】
この粘着層１０２の剥離は、例えば、粘着層１０２の一端を指または把持部を備える治具等で持ち、その後９０°以上１８０°以下の方向を維持した状態で粘着層１０２を引き剥がすことにより行うことができる。
【０１０１】
ここで、本発明では、粘着シート（粘着層１０２）が上述した要件Ｂを満足することから、本工程［５］において、半導体封止連結体２７０から粘着層１０２を容易に剥離することができる。
【０１０２】
また、上記の配置工程［１］、封止部形成工程［２］、研削・研磨工程［３］、第１剥離工程［４］および第２剥離工程［５］を経ることにより、複数の半導体素子２６が、封止部２７により封止された半導体封止連結体２７０を製造することができる。
【０１０３】
そして、このような半導体封止連結体２７０をダミー基板上に配置して得る際に、本発明の粘着テープを、ダミー基板と半導体封止連結体２７０との間に介在するように、ダミー基板に仮固定して用いることにより、半導体封止連結体２７０を、溶媒を使用するウエットプロセスを経ずに、時間と手間を要することなく容易に製造することができる。
【０１０４】
［６］次に、図３（ａ）に示すように、半導体封止連結体２７０の電極パッドが形成されている面側に、この電極パッドが露出するように、開口部２５１を備える第１被覆部２５を形成する（第１被覆部形成工程）。
【０１０５】
この第１被覆部２５の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を、塗布法等を用いて半導体封止連結体２７０の電極パッドが形成されている面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２５１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２５１とすべき領域を除去することにより形成される。
【０１０６】
ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が好適に用いられる。
【０１０７】
なお、このようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。
【０１０８】
［７］次に、図３（ｂ）に示すように、第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に、開口部２５１で露出する電極パッドに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を、開口部２５１を埋めた状態で形成する（配線形成工程）。
【０１０９】
この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、半導体素子２６が有する電極パッドに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。
【０１１０】
［８］次に、図３（ｃ）に示すように、第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える第２被覆部２２を形成する（第２被覆部形成工程）。
【０１１１】
なお、この開口部２２１は、次工程［９］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
【０１１２】
また、開口部２２１から露出する配線２３上には、被覆層（アンダー・バリア・メタル層（ＵＢＭ層））を形成するのが好ましい。これにより、例えば、配線２３がＣｕや、Ｃｕ系合金で構成される場合には、配線２３からバンプ２１に対するＣｕ原子の溶出を的確に抑制または防止することができる。
【０１１３】
このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。
【０１１４】
この第２被覆部２２の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を塗布法等を用いて第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２２１とすべき領域を除去することにより形成される。
【０１１５】
ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が好適に用いられる。
【０１１６】
なお、このようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。
【０１１７】
［９］次に、図４（ａ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。
【０１１８】
ここで、本実施形態のように、電極パッドとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、第１被覆部２５の面方向において、開口部２５１とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と開口部２５１との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【０１１９】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【０１２０】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
【０１２１】
なお、上記のような工程［６］〜工程［９］により、半導体封止連結体２７０が有する半導体素子２６に電気的に接続された、第１被覆部２５、配線２３、第２被覆部２２およびバンプ２１を備える配線層を形成する配線層形成工程が構成される。
【０１２２】
［１０］  次に、図４（ｂ）に示すように、半導体素子２６毎に対応するように、第２被覆部２２等が設けられた半導体封止連結体２７０を個片化することにより、複数の半導体装置２０を一括して得る（個片化工程）。
【０１２３】
この半導体封止連結体２７０の個片化は、例えば、半導体封止連結体２７０の厚さ方向に、ダイシングソーを用いて、封止部２７、第１被覆部２５および第２被覆部２２を切断することにより行うことができる。
【０１２４】
以上のような工程を経て、複数の半導体装置２０が製造される。
このような半導体装置２０の製造方法によれば、半導体素子２６を備える半導体装置２０を、一括して製造することが可能となる。
【０１２５】
さらに、前記工程［１］において、ダミー基板１０１上に配置する半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、前記工程［１０］で得られる複数の半導体装置２０は、信頼性の高いものとなる。
【０１２６】
なお、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置２０は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
【０１２７】
また、本実施形態では、半導体装置２０を、ファン・アウト・ウエハ・レベル・パッケージ（ＦＯＷＬＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置２０を、粘着テープを用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、粘着テープを適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。
【０１２８】
以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
例えば、本発明の粘着テープには、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、上述した単層体で構成されるものの他、２層以上の積層体で構成されるものであってもよい。
【実施例】
【０１３０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１３１】
１．原材料の準備
まず、実施例および比較例の粘着テープの作製に使用した原料は以下の通りである。
【０１３２】
＜スチレン系ブロック共重合体＞
上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰ（クラレ社製、「セプトン２００２」）
上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳ（クラレ社製、「セプトン２００４」）
上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳ（クラレ社製、「セプトン８００７」）
上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨ（クラレ社製、「セプトン８００４」）
ＳＩＳ（ＪＳＲ社製、「ＪＳＲ  ＳＩＳ５２５０」）
【０１３３】
＜その他の重合体＞
ポリプロピレン（ＰＰ；住友化学社製、「ＦＳ２０１１ＤＧ３」）
【０１３４】
＜界面活性剤＞
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（ビック・ケミー社製、「ＢＫＹ−３３３」）
【０１３５】
２．粘着テープ形成用材料の調製
（サンプルＮｏ．１）
上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．８質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３３．２質量％となるようにそれぞれ秤量した後、これら構成材料の含有量が２５質量％となるようにメチレン中に溶解させることにより、サンプルＮｏ．１の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１３６】
（サンプルＮｏ．２）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．４質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３３．０質量％、界面活性剤が０．６質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．２の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１３７】
（サンプルＮｏ．３）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．３質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３２．９質量％、界面活性剤が０．８質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．３の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１３８】
（サンプルＮｏ．４）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが３６．０質量％、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳが６４．０質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．４の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１３９】
（サンプルＮｏ．５）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが３５．７質量％、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳが６３．５質量％、界面活性剤が０．８質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．５の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１４０】
（サンプルＮｏ．６）
構成材料として、上記ＳＩＳが４０．０質量％、上記ＰＰが６０．０質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．６の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１４１】
３．評価
＜粘着テープの作製＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１４２】
以上のようにして得られた各サンプルＮｏ．の粘着テープについて、それぞれ、ＪＩＳ  Ｋ  ６７８３に準拠して、定圧厚さ測定器（テクノック社製）を用いて、その膜厚を測定した。なお、この膜厚の測定は、各サンプルＮｏ．の粘着テープについて、それぞれ、１５箇所について実施した。その測定結果を、表１に示す。
【０１４３】
＜ダイシェア強度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１４４】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープをそれぞれ透明ガラス上に貼付（転写）し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを粘着テープを介して透明ガラスに固定し、次いで、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度を、万能型ボンドテスター（ＤＡＧＥ社製、「シリーズ４０００」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１４５】
＜ピール強度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１４６】
そして、各サンプルＮｏ．の幅を２５ｍｍとした粘着テープを、それぞれ、多官能型エポキシ樹脂（住友ベークライト社製、ＥＭＥ−Ｇ７３０  ｖｅｒ  ＧＲ）を主材料として含有し、板状をなす封止材上に貼付（転写）し、次いで、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度を、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１４７】
＜粘度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１４８】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープを離型ＰＥＴフィルムから剥離させた後、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度を、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳIII」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１４９】
＜破断強度、破断伸び＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１５０】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープの２０℃における破断強度および破断伸びを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１５１】
＜熱分解温度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１５２】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープを離型ＰＥＴフィルムから剥離させた後、ＴＧ／ＤＴＡ測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ２２０」）を用いて、粘着テープの３４０℃における重量減少率を、以下のようにして求めた。すなわち、窒素ガス２００ｍＬ／ｍｉｎフロー下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件により３４０℃となるまで温度を上昇させ、この際の粘着テープの重量を測定し、その後、測定された加熱前後における粘着テープの重量に基づいて、粘着テープの３４０℃における重量減少率を算出した。その測定結果を、表１に示す。
【０１５３】
＜封止部からの粘着テープの剥離性＞
封止部からの粘着テープの剥離性は、次のようにして評価した。
【０１５４】
すなわち、まず、各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１５５】
次に、ポリイミドフィルム上に形成された各サンプルＮｏ．の粘着テープ上に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）を供給した後、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）で挾持した状態で、圧縮成形することで、ポリイミドフィルムと粘着テープとの間に、封止部を形成した。
なお、圧縮成形する際の条件は、１７５℃／５ＭＰａ／５ｍｉｎとした。
【０１５６】
そして、封止部から粘着テープを剥離し、この際の封止部の粘着テープが接合されていた接合面の状態を確認して、下記に示す評価基準に基づいて、封止部からの粘着テープの剥離性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１５７】
［評価基準］
封止部の接合面から粘着テープが完全に剥離されている：◎
封止部の接合面に一部の粘着テープが残存した状態で剥離されている：○
封止部の接合面に半分以上の粘着テープが残存した状態で剥離されている：△
封止部から粘着テープを剥離させることができない：×
【０１５８】
＜半導体素子の粘着テープへの接着性＞
半導体素子の粘着テープへの接着性は、次のようにして評価した。
【０１５９】
すなわち、まず、各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布をエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ＦＲ４基板上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１６０】
次に、ＦＲ４基板上に形成された各サンプルＮｏ．の粘着テープ上に、フリップチップボンダー（パナソニック社製）を用いて、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を合計９個搭載し、その後、５個のＳｉ基板について１７０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃ、４個のＳｉ基板について１９０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。
【０１６１】
そして、処理５分後について、Ｓｉ基板の粘着テープに対する接合状態を確認して、下記に示す評価基準に基づいて、擬似半導体素子の粘着テープへの接着性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１６２】
［評価基準］
９個のＳｉ基板が粘着テープに接合している：◎
５〜８個のＳｉ基板が粘着テープに接合している：○
３〜４個のＳｉ基板が粘着テープに接合している：△
０〜２個のＳｉ基板が粘着テープに接合している：×
【０１６３】
＜半導体封止連結体における半導体素子のズレ＞
半導体封止連結体における半導体素子のズレは、次のようにして評価した。
【０１６４】
すなわち、まず、各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布がエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ＦＲ４基板上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１６５】
次に、ＦＲ４基板上に形成された各サンプルＮｏ．の粘着テープ上に、フリップチップボンダー（パナソニック社製）を用いて、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を合計９個搭載し、その後、５個のＳｉ基板について１７０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃ、４個のＳｉ基板について１９０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。
【０１６６】
次に、Ｓｉ基板が搭載された粘着テープ上に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）を供給した後、圧縮成形することで、Ｓｉ基板が封止部により封止された半導体封止連結体を形成した。
なお、圧縮成形する際の条件は、１７５℃／５ＭＰａ／５ｍｉｎとした。
【０１６７】
そして、２２０℃／１ｈｒの条件で封止部を硬化させた後に、半導体封止連結体におけるＳｉ基板（半導体素子）のズレを、Ｘ線観察装置（アイビット社製）を用いて確認して、下記に示す評価基準に基づいて評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１６８】
［評価基準］
封止部の形成の前後においてＳｉ基板のズレが認められない：◎
封止部の形成の前後においてＳｉ基板のズレが若干ではあるが認められる：○
封止部の形成の前後においてＳｉ基板のズレが明らかに認められる：×
【０１６９】
【表１】
2018098225.tif 000007
【０１７０】
表１に示すように、各実施例では、要件Ａと要件Ｂとの双方を満足することにより、半導体封止連結体の製造時に、粘着テープに半導体素子を接着させることができ、その結果、半導体封止連結体において半導体素子のズレを生じさせることなく半導体封止連結体を製造し得るとともに、半導体封止連結体の製造の後に、半導体封止連結体から粘着テープを剥離させ得る結果を示した。
【０１７１】
これに対して、比較例では、要件Ａを満足するものの、要件Ｂを満足しないことから、半導体封止連結体において半導体素子のズレを生じさせることなく、各実施例と同様に、半導体封止連結体を製造することができたが、この半導体封止連結体の製造の後において、半導体封止連結体から粘着テープを剥離させることができなかった。
【符号の説明】
【０１７２】
２０                半導体装置
２１                バンプ
２２                第２被覆部
２３                配線
２５                第１被覆部
２６                半導体素子
２７                封止部
１０１              ダミー基板
１０２              粘着層
１０３              剥離層
２２１              開口部
２５１              開口部
２７０              半導体封止連結体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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