(57)【要約】【課題】  製造歩留まりの高い表示装置を提供する。【解決手段】  第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板と、前記第１面に実装された配線基板と、前記第２面において、前記絶縁基板に接着された支持部材と、を備える表示装置であって、前記絶縁基板と前記支持部材との間に、帯電防止層を有する、表示装置。【選択図】図４
2018004948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板と、
前記第１面に実装された配線基板と、
前記第２面において、前記絶縁基板に接着された支持部材と、を備える表示装置であって、
前記絶縁基板と前記支持部材との間に、帯電防止層を有する、表示装置。
【請求項２】
前記帯電防止層は、樹脂と導電性の無機質粒子との混合材で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記帯電防止層の厚みは、前記絶縁基板全体の厚みより小さい、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記帯電防止層の厚みは、前記絶縁基板全体の厚みと同等である、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記帯電防止層の抵抗値は、前記絶縁基板の抵抗値よりも小さい、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
第１領域と、前記第１領域と隣接する第２領域と、前記第２領域と隣接する第３領域と、を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第３領域に実装された配線基板と、
前記配線基板が実装される側とは反対側で、前記絶縁基板に接着された支持部材と、を備える表示装置であって、
前記絶縁基板は、導電性の無機質粒子を含むポリイミド基板で形成されている、表示装置。
【請求項７】
前記絶縁基板は、前記配線基板が実装される側における第１面と、前記第１面とは反対側で、前記支持部材が実装される側における第２面と、を有し
前記第１面側の電気抵抗値が最も高く、前記第２面側の電気抵抗値が最も低く、前記第２面から前記第１面に向かって電気抵抗値が次第に高くなるように構成されている、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２領域において、前記支持部材は配置されていない、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
台座部と、
接着層と、をさらに備え、
前記第１領域と前記配線基板とが対向するように前記第２領域が折れ曲がり、
前記台座部は、前記第１領域と前記配線基板との間に配置され、
前記接着層は、前記配線基板と前記台座部との間、及び、前記第１領域と前記台座部との間に配置される、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フレキシブルな基板を用いたシート状ディスプレイの製品化が進められている。シート状ディスプレイは、軽量かつ薄型の表示デバイスとして注目されている。シート状ディスプレイの表示パネルは、フレキシブルな絶縁層を有している。絶縁層には、例えば、ＰＩ膜（ポリイミド前駆体含有溶液の塗膜からなるポリイミド前駆体溶液フィルム）が使用されている。表示パネルの製造工程において、上記絶縁層は、基材であるガラス基板の上に形成される。
【０００３】
基板を利用して複数の表示パネルを形成する工程において、基板を絶縁層から分離している。
上記のように、基板を絶縁層から剥がす際に、絶縁層に帯電が生じたり、絶縁層に異物が静電吸着したりする懸念がある。
【０００４】
また、基板を絶縁層から剥がす工程において、レーザー光を当てて基板から絶縁層を剥離している。このレーザー光が絶縁層にまで到達させるために、レーザー光を当てる前に、基板に対しブラシなどを用いたドライ洗浄が行われる。上記ドライ洗浄の後、絶縁層から基板片の分離が行なわれる。  
上記のように、ブラシを用いたドライ洗浄の工程、及び基板を絶縁層から剥がす工程において、絶縁層に帯電が生じる懸念がある。  
上記のように絶縁層に帯電が生じると、絶縁層に異物が吸着する恐れがある他、ＥＳＤ（Electro Static Discharge）破壊が生じる恐れがある。ＥＳＤ破壊が生じると、表示パネルのスイッチング素子や容量素子の破損を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−０５０１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態は、製造歩留まりの高い表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る表示装置は、
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する絶縁基板と、
前記第１面に実装された配線基板と、
前記第２面において、前記絶縁基板に接着された支持部材と、を備える表示装置であって、
前記絶縁基板と前記支持部材との間に、帯電防止層を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示装置を示す他の断面図であり、非表示領域などを示す図である。
【図４】図４は、帯電防止層などを示す図である。
【図５】図５は、基板上に第１絶縁基板を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６】図６は、図５に続く、基板上に第１絶縁基板を形成する工程を説明するための断面図である。
【図７】図７は、基板上に第１絶縁基板、第１パターン、封止層が形成された状態を示す断面図である。
【図８】図８は、基板を洗浄する工程を説明するための断面図である。
【図９】図９は、第１絶縁基板から基板を剥離する工程を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、接着層によって支持部材を貼り付ける工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１１は、配線基板を表示パネルに圧着する工程及び保護層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、表示パネルの折り曲げ領域を折り曲げる工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示した表示パネルの折り曲げ領域を折り曲げた後の状態を示す断面図である。
【図１４】図１４は、上記実施形態に係る表示パネルの第１絶縁基板の変形例を示す断面図である。
【図１５】図１５は、上記実施形態に係る表示パネルの帯電防止層の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を示す斜視図である。  
図１に示すように、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに直交している。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ直交している。なお、本実施形態と異なり、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、９０°以外の角度で交差していてもよい。以下、本実施形態において、表示装置が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である場合について説明する。
【００１１】
本実施形態においては、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。
【００１２】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、フレキシブル配線基板２と、支持部材５と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。本実施形態において、表示パネルＰＮＬは、有機ＥＬ表示パネルである。
【００１３】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。
【００１４】
第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と重なる領域よりも外側に延出した実装部ＭＴを有している。より具体的には、第１基板ＳＵＢ１の３つの側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の３つの側縁とそろっている。第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより大きい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積より大きい。ここで、Ｘ−Ｙ平面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面である。なお、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと同等に形成されていてもよい。このとき、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略同等となる。
【００１５】
図示した例では、配線基板１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、実装部ＭＴの上方に実装されている。図示した例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さに比べて小さいが、同等であっても良い。表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の下方に配置されている。  
ここで、本実施形態においては、表示装置ＤＳＰは、電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である折り曲げ領域ＢＡを有している。図中、折り曲げ領域ＢＡに斜線を付している。すなわち、配線基板１、フレキシブル配線基板２が表示領域ＤＡの下方側に配置されるように、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる。折り曲げ領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡ内に位置している。  
支持部材５は、表示パネルＰＮＬの下方に位置し第１基板ＳＵＢ１に貼り付けられている。なお、支持部材５は、第３方向Ｚに折り曲げ領域ＢＡと重なる位置には配置されていない。
【００１６】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。  
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３、封止層４１、支持部材５などを備えている。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。このため、第１絶縁基板１０を、有機絶縁基板（樹脂基板）と称した方が適当な場合があり得る。又は、第１絶縁基板１０を、絶縁層、有機絶縁層、又は樹脂層と称した方が適当な場合があり得る。第１絶縁基板１０は、第１面１０Ａと、第１面１０Ａとは反対側の第２面１０Ｂとを有している。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００１７】
スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３はトップゲート型の薄膜トランジスタで構成されているが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで構成されていてもよい。スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、同一構成であるため、以下、スイッチング素子ＳＷ１に注目してその構造をより詳細に説明する。スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００１８】
スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。
【００１９】
このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。
【００２０】
スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。
【００２１】
反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、平坦面であってもよいし、光散乱性を付与するための凹凸面であってもよい。
【００２２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するいわゆるトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された画素電極ＰＥ１を備えている。画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３を備えている。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。  
なお、本実施形態と異なり、有機ＥＬ素子は、第１絶縁基板１０の側に向かって光を放射するいわゆるボトムエミッションタイプとして構成されてもよい。この場合、反射層４の位置など、種々調整される。
【００２５】
封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の上を覆っている。封止層４１は、第１絶縁基板１０と封止層４１との間に配置された部材を封止するように形成されている。封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３への酸素や水分の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の劣化を抑制する。なお、封止層４１は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていてもよい。
【００２６】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、カラーフィルタ２２０等を備えている。第２絶縁基板３０は、封止層４１の上方に配置されている。第２絶縁基板３０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板などを含んだ光学素子で合っても良い。第２絶縁基板３０は、例えば、封止層４１に接着されている。
【００２７】
カラーフィルタ２２０は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に配置されている。カラーフィルタ２２０は、着色層ＣＦ１、着色層ＣＦ２、及び着色層ＣＦ３を備えている。着色層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。一例では、着色層ＣＦ１は青色層であり、着色層ＣＦ２は緑色層であり、着色層ＣＦ３は赤色層である。なお、カラーフィルタ２２０は、さらに、白色あるいは透明の層を含んでいてもよい。着色層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３と対向している。
【００２８】
支持部材５は、第１基板ＳＵＢ１の下方に配置されている。支持部材５は、第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに接着層ＡＤによって接着されている。支持部材５の材料としては、例えば、耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度に優れ、尚且つ安価な材料が好ましい。支持部材５は、例えば、表示装置ＤＳＰを製造する過程でのプロセス温度にて変質、変形しない程度の耐熱性を有する。また、支持部材５は、例えば、第１絶縁基板１０より大きな強度を有し、支持層として機能する。支持部材５を付加することにより、表示パネルＰＮＬは、外部からの応力がかからない状態にて湾曲し難くすることができる。また、支持部材５は、例えば、第１絶縁基板１０への水分等の侵入を抑制する防湿性やガスの侵入を抑制するガス遮断性等を有し、バリア層として機能する。本実施形態においては、支持部材５は、例えば、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。本実施形態においては、例えば、支持部材５の厚み（第３方向Ｚの幅）は、約５０μｍである。
【００２９】
このような表示装置ＤＳＰにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、着色層ＣＦ１、着色層ＣＦ２、着色層ＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光が着色層ＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光が着色層ＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光が着色層ＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
【００３０】
図１に示した画素ＰＸは、例えば、カラー画像を構成する最小単位であり、上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えている。
【００３１】
なお、上記の構成例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が共通の有機発光層ＯＲＧを備えていたが、これに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が青色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が緑色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が赤色に発光する有機発光層を備えていてもよく、このような構成例においては、カラーフィルタ２２０を省略してもよい。
【００３２】
図３は、図１に示した表示装置を示す他の断面図であり、非表示領域などを示す図である。  
図３に示すように、支持部材５は、第１部分５ａと、第１部分５ａに間隔を置いて配置された第２部分５ｂと、を有している。また、表示パネルＰＮＬは、第１領域ＡＲ１と、第１領域ＡＲ１に隣接する第２領域ＡＲ２と、第２領域ＡＲ２に隣接する第３領域ＡＲ３と、を有している。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１と第３領域ＡＲ３との間に位置している。
【００３３】
ここで、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。第１領域ＡＲ１は、平面視で第１部分５ａと重なる領域に相当する。第２領域ＡＲ２は、平面視で支持部材５が配置されていない領域に相当する。第３領域ＡＲ３は、平面視で第２部分５ｂと重なる領域に相当する。また、第１部分５ａは、接着層ＡＤによって第１領域ＡＲ１に接着され、第２部分５ｂは、接着層ＡＤによって第３領域ＡＲ３に接着されている。
【００３４】
信号配線６は、第１領域ＡＲ１から第３領域ＡＲ３まで連続して配置されている。信号配線６は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの積層体で形成されている。信号配線６は、電源線や各種制御用配線などに相当する。パッドＰＤは、第３領域ＡＲ３に配置されている。パッドＰＤは、第４絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨを通り信号配線６と電気的に接続されている。
【００３５】
配線基板１は、第３領域ＡＲ３に実装されている。配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の下面側に配置された接続配線１００と、コア基板２００の下面側に配置された駆動ＩＣチップ３と、を備えている。駆動ＩＣチップ３は、表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動ＩＣチップ３の位置は、特に制限されるものではなく、コア基板２００の上面側に配置されていてもよい。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の下面側に配置されている。
【００３６】
表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、導電材料である異方性導電膜８を介して互いに電気的に接続されると共に物理的に接着されている。接続配線１００は、異方性導電膜８及びパッドＰＤを介して信号配線６と電気的に接続されている。
【００３７】
保護層ＰＲは、信号配線６の上に配置されている。図示した例では、保護層ＰＲは、リブ１５の端部、封止層４１の端部、配線基板１の端部を覆っている。  
ここで、図１にも示した折り曲げ領域ＢＡは、第２領域ＡＲ２に含まれている。もしくは、折り曲げ領域ＢＡは、第２領域ＡＲ２と同等の領域である。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられることによって、パッドＰＤは、表示パネルＰＮＬの背面側へ配置される。
【００３８】
図４は、帯電防止層ＡＬなどを示す図である。  
図４に示した例では、第１絶縁基板１０は、帯電防止層ＡＬを有している。帯電防止層ＡＬは、第２面１０Ｂを有し、樹脂と導電性の無機質粒子との混合材で形成されている。導電性の無機質粒子としては、例えば、チタニア、ジルコニア、アンチモンなどの金属酸化物微粒子、或いは酸化スズ、酸化インジウム、アンチモン酸亜鉛などの導電性微粒子を挙げることができる。なお、帯電防止層ＡＬは、導電性の無機質粒子だけで形成されていても良い。
【００３９】
帯電防止層ＡＬは、上記スイッチング素子ＳＷなどの複数の素子と対向している。帯電防止層ＡＬは、表示領域ＤＡと対向している。本実施形態に係る平面視において、表示領域ＤＡは、帯電防止層ＡＬの輪郭より内側に位置している。
【００４０】
第１絶縁基板１０は、第１面１０Ａ側の電気抵抗値が最も高く、第２面１０Ｂ側の電気抵抗値が最も低く、第２面１０Ｂから第１面１０Ａに向かって電気抵抗値が次第に高くなるように構成されている。例えば、帯電防止層ＡＬのシート抵抗は１０６乃至１０１２Ω／□が望ましい。一方、第１絶縁基板１０は、第１面１０Ａ側のシート抵抗は１０１５乃至１０１６Ω／□である。  
また、帯電防止層ＡＬの厚みＴＡＬは、第１絶縁基板１０全体の厚みＴ１０より小さい。第１絶縁基板１０の厚みＴ１０は１０乃至２０μｍ程度であり、帯電防止層ＡＬの厚みＴＡＬは２００ｎｍ未満であり、例えば１００ｎｍ未満である。  
上記のように表示装置ＤＳＰが構成されている。
【００４１】
次に、上記表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。  
図５は、基板ＧＬ上に第１絶縁基板１０を形成する工程を説明するための断面図である。まず、基板ＧＬを用意する。例えば、基板はガラスによって形成されている。基板ＧＬ上に、ポリイミドに導電性の無機質粒子が混在した混合材を塗布し、低抵抗層９ａを形成する。低抵抗層９ａの厚みは２００ｎｍ以上である。その後、低抵抗層９ａを、５０乃至２００℃で１０分程度、焼成（仮焼成）する。
【００４２】
図６は、図５に続く、基板ＧＬ上に第１絶縁基板１０を形成する工程を説明するための断面図である。
次いで、低抵抗層９ａの上にポリイミドを塗布し、高抵抗層９ｂを形成する。高抵抗層９ｂの厚みは１０乃至２０μｍ程度である。その後、高抵抗層９ｂを低抵抗層９ａとともに、４５０〜５００℃で所定の期間、焼成（本焼成）する。すると、低抵抗層９ａから高抵抗層９ｂへの導電性の無機質粒子などの拡散が進み、低抵抗層９ａと高抵抗層９ｂとの間に混合層が形成される。  
なお、低抵抗層９ａ（導電成分）は、極性が高い金属酸化物、金属錯体、それらのナノ化合物、カルボン酸などの極性基を含んでいる組成であれば、極性が高くなる。高抵抗層９ｂは、低抵抗層９ａより極性の低い材料構成としている。ここで、親水基が多いと極性が高くなるものである。
【００４３】
図７は、基板ＧＬ上に第１絶縁基板１０、第１パターンＰＴ１、封止層４１が形成された状態を示す断面図である。これにより、基板ＧＬ上に帯電防止層ＡＬを有する第１絶縁基板１０が形成される。帯電防止層ＡＬは、大まかに低抵抗層９ａで形成される。
【００４４】
第１絶縁基板１０のうち、基板ＧＬに接する領域を低抵抗にする手法は、特に限定されるものではなく、各種の手法を採用することができる。例えば、本実施形態のように、基板ＧＬ上に成膜を２回行う手法を用いたり、基板ＧＬ上に成膜を１回行った後２層に分離する手法を用いたりし、第１絶縁基板１０を形成することができる。後者の場合、基板ＧＬ上に混合ワニスの１回塗布で２層に分離することが可能である。この場合も、第２面１０Ｂから第１面１０Ａに向かって電気抵抗値が次第に高くなる。
【００４５】
その後、第１絶縁基板１０上に位置し有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３などを含む第１パターンＰＴ１と、第１パターンＰＴ１上に位置する封止層４１と、を順次形成する。
【００４６】
図８は、基板を洗浄する工程を説明するための断面図である。  
続いて、基板ＧＬの第１絶縁基板１０と対向する側とは反対側の面を洗浄装置３００を用いて洗浄する。ここでは、基板ＧＬを、ブラシなどを用いたドライ洗浄を行う。これにより、基板ＧＬの裏面に存在し得る異物を除去することができる。この際、第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂへの帯電が懸念されるが、第２面１０Ｂは、帯電防止層ＡＬで形成されている。このため、上記洗浄を行っても、第２面１０Ｂへの帯電を抑制することができ、第２面１０Ｂから素子（スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３）への放電を発生し難くすることができる。このため、上記洗浄時における素子の破壊を低減することができる。なお、ドライ洗浄は、フレキシブル配線基板などを水で濡らしたくない場合などの洗浄にも用いられる。
【００４７】
図９は、第１絶縁基板１０から基板ＧＬを剥離する工程を説明するための断面図である。  
次いで、レーザー４００を用い、基板ＧＬの裏面側から第１絶縁基板１０にレーザー光を照射する。レーザー光は、第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに到達する。第１絶縁基板１０と基板ＧＬとの間の界面で、レーザー光を吸収して分解するアブレーションを生じる。これにより、基板ＧＬ及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、第１絶縁基板１０から基板ＧＬが剥離される。このとき、例えば、レーザー光の波長は、約３０８ｎｍである。
【００４８】
この際、第１絶縁基板１０のうち基板ＧＬ側に位置する帯電防止層ＡＬは、基板ＧＬとともに１００ｎｍ程度剥離する。しかしながら、予め帯電防止層ＡＬの厚みを１００ｎｍ以上に設定することにより、帯電防止層ＡＬの完全消失を防止することができる。また、基板Ｇの剥離に伴い第２面１０Ｂへの帯電が懸念されるが、帯電防止層ＡＬは帯電防止の機能を有している。このため、基板ＧＬを剥離する際も、第２面１０Ｂへの帯電を抑制することができ、素子の破壊を低減することができる。
【００４９】
また、ポリイミドのレーザーアブレーションに加えて、帯電防止層ＡＬに利用する導電性の無機質粒子のレーザーアブレーションの相乗効果により、ＬＬＯ（laser lift off）効率が向上すると言う新たな効果が期待できる。これは、ＵＶ（ultraviolet）レーザー光を照射する場合に限らず、ＩＲ（infrared laser）のレーザー光を照射する場合にも期待できる。
【００５０】
図１０は、接着層ＡＤによって支持部材５を貼り付ける工程を説明するための断面図である。  
続いて、支持部材５を、接着層ＡＤによって第１絶縁膜１０に貼り付ける。具体的には、第１絶縁膜１０及び支持部材５の間に接着層ＡＤとして、例えば接着シートなどを配置した状態で、支持部材５をアライメントした後、加熱処理することで、支持部材５を、第１絶縁膜１０の下に貼り付ける。このように、支持部材５は、アライメント後に加熱処理されるため、位置ズレが生じるのを抑制することができる。
【００５１】
図１１は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程及び保護層ＰＲを形成する工程を説明するための断面図である。  
続いて、表示パネルＰＮＬに配線基板１を実装し、表示パネルＰＮＬに保護層ＰＲを形成する。  
配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間であってパッドＰＤと重なる位置に、異方性導電膜８を配置し、配線基板１の上方及び表示パネルＰＮＬの下方から、圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜８が溶融して、配線基板１及び表示パネルＰＮＬが電気的及び物理的に接続される。
【００５２】
次いで、信号配線６上に保護層ＰＲを形成する。図示した例では、保護層ＰＲは、リブ１５の端部１５Ｅ、封止層４１の端部４１Ｅを覆っている。また、配線基板１の端部１Ｅを覆っている。保護層ＰＲは、例えば、有機絶縁材料を用いて形成され、ＵＶ照射によって硬化されることにより形成される。
【００５３】
図１２は、表示パネルＰＮＬの折り曲げ領域ＢＡを折り曲げる工程を説明するための断面図である。  
続いて、台座部７の位置合わせを行った後に、第１部分５ａに接着層ＡＤによって接着される。その後、パッドＰＤが、表示パネルＰＮＬの下方に配置されるように、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡが折り曲げられる。つまり、台座部７を基点として、配線基板１が台座部７の下方に配置されるように折り曲げ部ＢＡを折り曲げ、接着層ＡＤによって配線基板１を台座部７に貼り付ける。
【００５４】
上記のように構成された実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、表示装置ＤＳＰは、樹脂を利用して形成された第１絶縁基板１０と、スイッチング素子ＳＷなど、第１絶縁基板１０の第１面１０Ａの上方に形成された素子と、を備えている。第１絶縁基板１０は、帯電防止層ＡＬを有している。帯電防止層ＡＬは、第２面１０Ｂを有し、樹脂と導電性の無機質粒子との混合材で形成されている。このため、第２面１０Ｂへの帯電を抑制することができ、素子の破壊を低減することができる。
【００５５】
図１３は、図１２に示した表示パネルＰＮＬの折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた後の状態を示す断面図である。  
折り曲げ領域ＢＡは、表示パネルＰＮＬの第１領域ＡＲ１と配線基板１とが対向するように折れ曲がっている。本実施形態においては、曲率半径を１．０ｍｍ以下にすることが可能であり、例えば、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径は、約０．３ｍｍである。台座部７は、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に配置されている。台座部７が配置されることにより、外部から衝撃が加わった場合にも、衝撃に対して表示パネルＰＮＬ又は配線基板１に台座部７からの応力が生じるため、表示パネルＰＮＬや配線基板１が損傷し難くなる。また、台座部７が配置されることにより、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間の接着性が向上する。
【００５６】
接着層ＡＤ１は、第１領域ＡＲ１と台座部９との間に配置され、両者を接着している。また、接着層ＡＤ２は、配線基板１と台座部９との間に配置され、両者を接着している。なお、接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、図示したようにつながって形成されていても良いし、別々に形成されていても良い。接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、例えば両面テープである。
【００５７】
本実施形態によれば、第１絶縁基板１０は、帯電防止層ＡＬを有している。そのため、基板が剥離される際などに、第１絶縁基板１０への帯電を抑制することが可能である。したがって、製造歩留まりの低下を抑制することが可能である。また、上記のように、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げることによって、表示パネルＰＮＬを収容する電子機器等を狭額縁化もしくは小型化することが可能となる。また、非表示領域ＮＤＡの幅を縮めることなく収容体積を縮小することができる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留りの低下を抑制することが可能な表示装置ＤＳＰ及び表示装置ＤＳＰの製造方法を得ることができる。
【００５９】
なお、本発明の実施形態を説明したが、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述した新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６０】
例えば、図１４は、上記実施形態に係る表示パネルＰＮＬの第１絶縁基板１０の変形例を示す断面図である。図１４に示したように、帯電防止層ＡＬは、第１面１０Ａをさらに有し、第１絶縁基板１０の全体を形成していてもよい。例えば、第１絶縁基板１０は、導電性の無機質粒子を含むポリイミド基板で形成されている。この場合、帯電防止層ＡＬの厚みＴＡＬは、第１絶縁基板１０の全体の厚みＴ１０と同一である（ＴＡＬ＝Ｔ１０）。
【００６１】
また、図１５は、上記実施形態に係る表示パネルＰＮＬの帯電防止層ＡＬの変形例を示す断面図である。図１５に示したように、帯電防止層ＡＬは、第１絶縁基板の第２面１０Ｂに、第１絶縁基板１０とは別に形成されていてもよい。帯電防止層ＡＬは、第１絶縁基板１０と支持部材５との間に位置している。この場合、帯電防止層ＡＬの厚みＴＡＬは、第１絶縁基板１０全体の厚みＴ１０より小さい。帯電防止層ＡＬの厚みＴＡＬは、２００ｎｍ未満であり、例えば１００ｎｍ未満であり、第１絶縁基板１０の厚みＴ１０は１０乃至２０μｍ程度である。帯電防止層ＡＬの抵抗値は、第１絶縁基板１０の抵抗値よりも小さい。
【００６２】
上記の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に限らず、液晶表示装置に適用することも可能である。その場合、表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬが液晶表示パネルである場合には、液晶表示パネルは、第２基板ＳＵＢ２側から入射する光を選択的に反射することで画像を表示する反射型の液晶表示パネルであってもよいし、第１基板ＳＵＢ１側から入射する光を選択的に透過することで画像を表示する透過型の液晶表示パネルであってもよい。なお、平面視で、表示領域ＤＡと配線基板１とが重なる場合には、反射型が好適であるが、第１基板ＳＵＢ１と配線基板１との間にバックライトユニットを配置することが可能であれば、透過型であっても良い。なお、本実施形態に関する主要な構成については、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置であった場合にも略同一である。
【符号の説明】
【００６３】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＤＡ…表示領域、ＳＷ…スイッチング素子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、５…支持部材、１０…第１絶縁基板、１０Ａ…第１面、１０Ｂ…第２面、ＡＬ…帯電防止層、ＧＬ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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