(57)【要約】【課題】タッチパネルとしての機能を少なくとも一部有する表示装置を提供することを一つの課題とする。【解決手段】複数の画素電極と、複数の画素電極上に位置し、ストライプ状に配置され、互いに交互する複数の対向電極と複数の金属膜と、複数の画素電極と複数の対向電極の間に挟まれるＥＬ層を有し、複数の対向電極は、互いに電気的に独立している表示装置が提供される。複数の対向電極の各々は、複数の金属膜から電気的に独立していてもよい。複数の金属膜は、電気的に浮遊していてもよい。【選択図】図２
2018004925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上に位置し、ストライプ状に配置される複数の対向電極と、
前記複数の画素電極と前記複数の対向電極の間に挟まれるＥＬ層を有し、
前記複数の対向電極は、互いに電気的に独立している表示装置。
【請求項２】
ストライプ状に配置され、前記対向電極と交互に配置される複数の金属膜をさらに有し、
前記複数の対向電極の各々は、前記複数の金属膜から電気的に独立している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の対向電極のそれぞれは、前記複数の画素電極の複数と重なる、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の金属膜の各々の幅は、前記複数の対向電極の幅のいずれよりも小さい、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の対向電極と前記複数の金属膜の上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の複数の電極をさらに有し、
前記複数の電極はストライプ状に配列し、前記複数の対向電極と前記複数の金属膜と交差する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、前記画素電極上のＥＬ層、前記ＥＬ層上の対向電極をそれぞれ有する第１の画素と第２の画素と、
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極の端部を覆い、前記第１の画素と前記第２の画素において前記画素電極と前記ＥＬ層に挟まれる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上に位置し、前記第１の絶縁膜と接し、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極の間に位置する構造体を有し、
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置。
【請求項７】
前記構造体の上の第１の導電膜をさらに有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極と同じ層内に存在し、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極から電気的に分離される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記構造体は、前記表示領域の一つの辺に平行な第１の方向に伸びる、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の複数の第２の電極をさらに有し、
前記複数の第２の電極はストライプ状に配列し、前記第１の方向に垂直な第２の方向に伸びる、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記構造体と前記第１の導電膜の間に第２の導電膜をさらに有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜の上に位置し、前記構造体によって覆われる第２の導電膜をさらに有する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の導電膜は、前記第１の画素と第２の画素の前記対向電極の一つと電気的に接続される、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、前記画素電極上のＥＬ層、前記ＥＬ層上の対向電極をそれぞれ有する第１の画素と第２の画素と、
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極の端部を覆い、前記第１の画素と前記第２の画素において前記画素電極と前記ＥＬ層に挟まれる第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極に挟まれる溝を有し、
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置。
【請求項１４】
前記溝内に第１の導電膜をさらに有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極と同じ層に位置し、前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極から電気的に分離される、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の画素と前記第２の画素の前記対向電極上に第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜上に複数の第２の電極を有し、
前記複数の第２の電極はストライプ状に配列し、前記溝が伸延する方向に対して垂直な方向に伸びる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
互いに隣接する第１の画素電極と第２の画素電極を形成し、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極の端部を覆うように第１の絶縁膜を形成し、
少なくとも有機絶縁体と無機絶縁体の一方を含有する構造体を前記第１の絶縁膜上に形成し、
少なくとも前記第１の画素電極と前記第２の画素電極上にＥＬ層を形成し、その後、
前記ＥＬ層上、および前記ＥＬ層の積層のないことで露出状態にある前記第１の絶縁膜、ならびに構造体がある場合にはそれらの上に導電膜を形成することにより、前記構造体を挟むように、前記第１の画素電極上の第１の対向電極と前記第２の画素電極上の第２の対向電極を形成することを含む表示装置の作製方法。
【請求項１７】
前記第１の対向電極と前記第２の対向電極は、これらの間に前記構造体を介在させることによって互いに電気的に独立するように形成する、請求項１６に記載の表示装置の作製方法。
【請求項１８】
前記導電膜は前記構造体上にも形成され、
前記構造体上に形成される前記導電膜は、前記第１の対向電極と前記第２の対向電極と電気的に独立する、請求項１６に記載の表示装置の作製方法。
【請求項１９】
前記構造体上に形成される前記導電膜の幅は、前記第１の対向電極と前記第２の対向電極の幅よりも小さい、請求項１６に記載の表示装置の作製方法。
【請求項２０】
前記構造体上に形成される前記導電膜、前記第１の対向電極、および前記第２の対向電極上に絶縁層を形成し、当該絶縁層上にさらに複数の電極を形成することをさらに含み、
前記複数の電極はストライプ状に配列し、前記構造体上に形成される前記導電膜、前記第１の対向電極、および前記第２の対向電極と交差する、請求項１６に記載の表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、有機ＥＬ表示装置などの表示装置とその作製方法に関する。例えば、タッチパネルが搭載された表示装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチパネルが知られている。タッチパネルを表示装置の画面上に設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献１や２では、有機ＥＬ（Ｅｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置上にタッチパネルが搭載された電子機器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１８３３１号公報
【特許文献２】特開２０１５−５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、新しい電極構造を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。あるいは本発明は、タッチパネルとしての機能の少なくとも一部を有する表示装置を提供することを一つの課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態の一つは、複数の画素電極と、複数の画素電極上に位置し、ストライプ状に配置される複数の対向電極と、複数の画素電極と複数の対向電極の間に挟まれるＥＬ層を有し、複数の対向電極は、互いに電気的に独立している表示装置である。
【０００６】
本発明の実施形態の一つは、表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、画素電極上のＥＬ層、ＥＬ層上の対向電極をそれぞれ有する第１の画素と第２の画素、第１の画素と第２の画素の対向電極の端部を覆い、第１の画素と第２の画素において画素電極とＥＬ層に挟まれる第１の絶縁膜、ならびに第１の絶縁膜の上に位置し、第１の絶縁膜と接し、第１の画素と第２の画素の対向電極の間に位置する構造体を有し、第１の画素と第２の画素の対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置である。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは、表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、画素電極上のＥＬ層、ＥＬ層上の対向電極をそれぞれ有する第１の画素と第２の画素、ならびに第１の画素と第２の画素の対向電極の端部を覆い、第１の画素と第２の画素において画素電極とＥＬ層に挟まれる第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜は、第１の画素と第２の画素の対向電極に挟まれる溝を有し、第１の画素と第２の画素の対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置である。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、互いに隣接する第１の画素電極と第２の画素電極を形成し、第１の画素電極と第２の画素電極の端部を覆うように第１の絶縁膜を形成し、少なくとも有機絶縁体と無機絶縁体の一方を含有する構造体を第１の絶縁膜上に形成し、第１の画素電極、第２の画素電極、第１の絶縁膜、および構造体の上にＥＬ層を形成し、導電膜をＥＬ層上に形成することにより、構造体を挟むように、第１の画素電極上の対向電極と第２の画素電極上の対向電極を形成することを含む。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、互いに隣接する第１の画素電極と第２の画素電極を形成し、第１の画素電極と第２の画素電極の端部を覆うように第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に溝を形成し、第１の画素電極、第２の画素電極、第１の絶縁膜、および溝の上にＥＬ層を形成し、導電膜をＥＬ層上に形成することにより、溝を挟むように、第１の画素電極上の第１の対向電極と第２の画素電極上の第２の対向電極を形成することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。
【図２】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。
【図３】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図と斜視図。
【図４】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。
【図５】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。
【図６】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。
【図７】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。
【図８】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図９】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１０】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１１】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１２】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１３】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１４】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１６】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１７】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１８】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図１９】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図２０】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図２１】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図２２】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図２３】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式図。
【図２４】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【図２５】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図２６】本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省ほぼすることがある。
【００１３】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１４】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１５】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の表示装置１００の構造に関し、図１乃至図７を用いて説明する。
【００１６】
本実施形態に係る表示装置１００を模式的に示した上面図を図１に示す。表示装置１００は行方向と列方向に配置される複数の画素１０４を備えた表示領域１０６、駆動回路１０８を基板１０２の一方の面（上面）に有している。表示領域１０６、駆動回路１０８は基板１０２と対向基板１１２との間に設けられる。表示領域１０６や駆動回路１０８からは種々の配線（図示せず）が基板１０２の側面に向かって伸びており、配線は基板１０２の端部で露出され、露出部は端子１１０を形成する。端子１１０はフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタ（図示せず）と接続される。外部回路から供給された映像信号が駆動回路１０８を介して画素１０４に与えられ、画素１０４の表示素子が制御され、映像が表示領域１０６上に表示される。図１では、駆動回路１０８は表示領域１０６を挟むように二つ設けられているが、駆動回路１０８は一つでもよい。また、駆動回路１０８は、必ずしも基板１０２上に形成する必要は無く、異なる基板上に設けられた駆動回路を基板１０２上、またはコネクタ上に形成してもよい。
【００１７】
複数の画素１０４には互いに異なる色を与える発光素子や液晶素子などの表示素子を設けることができ、これにより、フルカラー表示を行うことができる。例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を三つの画素１０４にそれぞれ設けることができる。あるいは、全ての画素１０４で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素１０４ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素１０４の配列にも制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、ペンタイル配列などを採用することができる。
【００１８】
後述するように、各画素１０４には画素電極、画素電極上のＥＬ層が設けられる。ＥＬ層上には、図１に示すように、ストライプ状に配置された対向電極１２０が設けられ、画素電極、ＥＬ層によって発光素子が形成される。
【００１９】
表示装置１００はさらに、ストライプ状に配置された複数の第１の導電膜１２２を備えていてもよい。この場合、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は交互に配置される。例えば図１に示すように、一つの第１の導電膜１２２は隣接する二つの対向電極１２０によって挟まれる。同様に、一つの対向電極１２０は、両端の対向電極１２０を除き、隣接する二つの第１の導電膜１２２によって挟まれる。これらの対向電極１２０と第１の導電膜１２２は、表示領域１０６の一つの辺に対して平行な方向に伸びるように配置することができる。例えば図１では、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は、表示領域１０６の長辺方向に平行な方向に伸びている。あるいは図２に示すように、対向電極１２０と第１の導電膜１２２を、表示領域１０６の短辺方向に平行な方向に伸びるよう、配置してもよい。
【００２０】
複数の画素１０４は、それぞれ対向電極１２０のいずれかに覆われる。換言すると、一つの対向電極１２０は、複数の画素１０４のうちの複数を覆うように設置することができる。例えば対向電極１２０が表示領域１０６の長辺に平行な第１の方向に伸びる場合（図１）、第１の方向に並ぶ複数の画素１０４だけでなく、第１の方向に垂直な方向に並ぶ複数の画素１０４を覆うように設置することができる。図１では、左から二番目の対向電極１２０は、第１の方向に沿って三列に並ぶ複数の画素１０４を覆っている。これに対して第１の導電膜１２２は、複数の画素１０４のいずれとも重ならないように設置することができる。なお図１に示すように、両端の対向電極１２０は、駆動回路１０８の一部、あるいは全てと重なるように配置してもよく、図２に示すように、全ての複数の対向電極１２０が駆動回路１０８の一部、あるいは全てと重なるように配置してもよい。
【００２１】
隣合う二つの対向電極１２０は、一つの第１の導電膜１２２を介して分離されており、したがって、複数の対向電極１２０を、互いに電気的に独立するように構成することができる。この場合、各対向電極１２０には同時に同一の電位を印加することもでき、異なる電位を印加することもできる。
【００２２】
同様に、隣合う二つの第１の導電膜１２２は、一つの対向電極１２０を介して分離されており、したがって、第１の導電膜１２２を、互いに電気的に独立するように構成することができる。この場合、第１の導電膜１２２はそれぞれ電気的に浮遊していてもよく、あるいは各第１の導電膜１２２に同時に異なる電位を印加できるように構成してもよい。
【００２３】
なお、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は物理的に分離されて電気的に独立していてもよい。
【００２４】
図３（Ａ）に、図１で示した表示装置１００の拡大図を、図３（Ｂ）に図３（Ａ）で示した構造の斜視図を示す。図３（Ａ）では、対向電極１２０と第１の導電膜１２２の一部が、図３（Ｂ）では対向電極１２０と第１の導電膜１２２の全てが省略されている。また、図４に、図３（Ａ）の破線Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す。
【００２５】
図１、２は、明瞭化のため、隣接する対向電極１２０と第１の導電膜１２２の間に、それぞれ表示領域１０６の短辺、あるいは長辺方向にスペースを有するように描かれているが、図３（Ａ）、および図４に示すように、対向電極１２０と第１の導電膜１２２の側面はそれぞれ、同一平面内に存在するように表示装置１００を形成してもよい。この場合、基板１０２の法線方向から当該基板をみた平面視の状態で、隣合う対向電極１２０と第１の導電膜１２２の間にスペースが存在しない。あるいは、平面視で互いに重なるように、対向電極１２０と第１の導電膜１２２を設けてもよい。換言すると隣接する対向電極１２０と第１の導電膜１２２の側面は同一平面内、あるいは実質的に同一平面内に存在する。
【００２６】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、対向電極１２０、第１の導電膜１２２の下には隔壁１２６が設けられる。画素１０４に対応する位置に画素電極１２４が設けられ、画素電極１２４は隔壁１２６に設けられる開口部１２８において隔壁１２６から露出する。また、第１の導電膜１２２の下には、構造体１３０が設けられる。構造体１３０は隔壁１２６と接しており、隔壁１２６と第１の導電膜１２２の間に設けられる。構造体１３０は、表示領域１０６の短辺方向、あるいは長辺方向に平行な方向に伸びるように設置される。構造体１３０は隔壁１２６が設けられる領域にとどまるように設けられる。換言すると、構造体１３０は隔壁１２６の開口部１２８とは重ならない位置に設けられる。したがって、第１の導電膜１２２の各々は、複数の対向電極１２０のいずれよりも幅が小さい。後述するように構造体１３０は絶縁物を含むことができ、絶縁物は有機絶縁物でも無機絶縁物でもよい。
【００２７】
図１乃至図４で示すように、隣り合う対向電極１２０の間には絶縁物を含む構造物１３０が存在するため、これらは互いに電気的に切断される。また、隣り合う対向電極１２０は、その間に位置する第１の導電膜１２２とは同一平面上に存在せず、異なる高さに位置し、空間的に離れている。したがって、隣り合う対向電極１２０と第１の導電膜１２２も互いに電気的に切断される。
【００２８】
図４の断面模式図で示すように、画素１０４にはトランジスタ１４０と、これに接続される発光素子１６０が設けられる。図４は、一つの画素１０４に一つのトランジスタ１４０が設けられる例を示しているが、一つの画素１０４には複数のトランジスタが設けられてもよく、また、容量素子などの他の半導体素子が設けられていてもよい。
【００２９】
トランジスタ１４０は、基板１０２上に設けられるアンダーコート１４２の上に半導体膜１４４、ゲート絶縁膜１４６、ゲート電極１４８、ソース／ドレイン電極１５０などを有することができる。ゲート電極１４８上にはさらに層間膜１５２を設けることができる。トランジスタ１４０の構造に制約はなく、トップゲート型、ボトムゲート型、いずれのトランジスタを用いてもよい。また、半導体膜１４４とソース／ドレイン電極１５０の上下関係も任意に選択でき、ボトムコンタクト型、トップコンタクト型、いずれを採用してもよい。
【００３０】
トランジスタ１４０上には、トランジスタ１４０やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収して平坦な表面を与える平坦化膜１５４が設けられる。平坦化膜１５４内に形成される開口部を介して、発光素子１６０の画素電極１２４がソース／ドレイン電極１５０の一方と電気的に接続される。
【００３１】
隔壁１２６は、画素電極１２４の端部を覆うと同時に、画素電極１２４とソース／ドレイン電極１５０の一方との接続で用いられる開口部を埋める。さらに隔壁１２６の上には、隔壁１２６に接する構造体１３０が設けられる。図３（Ａ）、（Ｂ）で示すように、構造体１３０は隣接する画素１０４に挟まれる隔壁１２６全てに設置する必要は無く、数個から数十個の画素１０４列毎に設置すればよい。例えば、隣合う構造体１３０の間隔は１ｍｍから５ｍｍ、あるいは２ｍｍから４ｍｍの範囲から選択することができる。
【００３２】
隔壁１２６の開口部１２８、および隔壁１２６上にＥＬ層１６２が設けられ、その上に対向電極１２０が設けられる。なお本明細書、および特許請求の範囲では、ＥＬ層とは、画素電極１２４と対向電極１２０に挟まれる層を意味する。図４では、ＥＬ層１６２は三つの層１６４、１６６、１６８を含むように示されているが、後述するように、ＥＬ層１６２中の層の数に制限はない。
【００３３】
ＥＬ層１６２に含まれる全ての層、あるいは一部は構造体１３０上にも設けられ、さらにその上に第１の導電膜１２２が設けられる。後述するように、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は同時に形成される。したがって、これらは同一の層内に存在し、同一の構成、組成を持つことができる。対向電極１２０と第１の導電膜１２２は同時に形成することで、構造体１３０が作り出す段差に起因し、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は物理的に切断される。このため、上述したように、複数の対向電極１２０は互いに電気的に独立さていれる。
【００３４】
構造体１３０の断面形状は、図４に示すような長方形でもよく、正方形でもよい。あるいは図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、台形の断面を有してもよい。この場合、構造体１３０の底面と側面がなす角（テーパー角）θは、図５（Ａ）に示すように９０°よりも大きくてもよく、図５（Ｂ）に示すように９０°より小さくてもよい。θが９０°より大きい場合、対向電極１２０と第１の導電膜１２２は互いに重なってもよい。一方θが９０°、あるいはそれよりも小さい場合、対向電極１２０の一部は構造体１３０の側面と接してもよい（図５（Ｂ））。
【００３５】
表示装置１００はさらに、任意の構成として、対向電極１２０と第１の導電膜１２２上に絶縁膜を介して第２の電極を有することができる。具体的な構造を図６、７に示す。図７は図６に示す鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った断面模式図である。図６では、対向基板１１２は図示していない。図６、７に示すように、表示装置１００は、対向電極１２０と第１の導電膜１２２上に絶縁膜１７０、および絶縁膜１７０上に位置し、対向電極１２０と第１の導電膜１２２が伸びる方向とは垂直な方向にストライプ状に伸びる複数の第２の電極１８０を有することができる。さらに任意の構成として、対向基板１１２を第２の電極１８０上に設けてもよい（図７）。
【００３６】
なお、図７では、絶縁膜１７０は第１の層１７２、第２の層１７４、第３の層１７６を有するように描かれており、この場合、第１の層１７２は対向電極１２０、および第１の導電膜１２２上に形成される。しかしながら絶縁膜１７０の構造に制約はなく、単一の層から形成される絶縁膜１７０を用いてもよい。
【００３７】
絶縁膜１７０は、発光素子１６０を保護する機能を有すると同時に、対向電極１２０と第２の電極１８０とともに容量を形成することができる。すなわち、ストライプ状に形成される複数の対向電極１２０、絶縁膜１７０、および対向電極１２０と交差する方向にストライプ状に形成される第２の電極１８０の積層構造１８４によって容量が形成され、この積層構造１８４はタッチパネルとして機能することができる。したがって、第２の電極１８０に対して直接、あるいは対向基板１１２を介して第２の電極１８０に対して指や掌が接すると（以下、この動作をタッチと記す）、積層構造１８４によって形成される容量が変化し、この容量変化を感知することによりタッチの有無を感知し、タッチの場所を特定することが可能となる。つまり、対向電極１２０は発光素子１６０の一方の電極として機能するとともに、タッチパネルの一方の電極としても機能する。換言すると、対向電極１２０は発光素子１６０とタッチパネルに共有される。
【００３８】
なお、タッチパネルの一方の電極として、対向電極１２０に替わって複数の第１の導電膜１２２を用いてもよい。
【００３９】
上述したように、本実施形態で示す表示装置１００では、隣り合う二つの対向電極１２０とその間に設けられる第１の導電膜１２２は互いに空間的に離れており、電気的に切断される。すなわち、表示装置１００は、互いに電気的に独立した複数の対向電極１２０を発光素子１６０の上部電極として有することができる。さらに複数の対向電極１２０上に、これらと直交するストライプ状の電極（第２の電極１８０）を含むことができる。つまり、表示装置１００は所謂インセル型タッチパネルとして機能することが可能である。したがって、表示装置とタッチパネルを別途形成して貼り合わせる必要がなく、一つの基板（ここでは基板１０２）上に表示装置とタッチパネルを形成することができる。このため、本実施形態は、より簡潔な工程で低コストで製造可能なタッチパネル搭載表示装置を提供することができる。
【００４０】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で示した表示装置１００の作製方法に関し、図８乃至図１４を用いて説明する。図８乃至図１４は、図７に示す断面図に相当する。第１実施形態と同様の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００４１】
［１．トランジスタ］
まず、基板１０２上にアンダーコート１４２を形成する（図８（Ａ））。基板１０２は、トランジスタ１４０や発光素子１６０、第２の電極１８０など、表示装置１００に含まれる半導体素子などを支持する機能を有する。したがって基板１０２には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板１０２はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。表示装置１００に可撓性を付与する場合には、基板１０２として例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を用いることができる。
【００４２】
アンダーコート１４２は基板１０２からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１４０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。アンダーコート１４２は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なお基板１０２中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート１４２は設けない、あるいは基板１０２の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００４３】
次にアンダーコート１４２上に半導体膜１４４を形成する。半導体膜１４４は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１４４は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１４４はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１４４の結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスでもよい。
【００４４】
半導体膜１４４がケイ素を含む場合、半導体膜１４４は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１４４が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００４５】
次に半導体膜１４４を覆うようにゲート絶縁膜１４６を形成する。ゲート絶縁膜１４６は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、アンダーコート１４２と同様の手法で形成することができる。あるいは、酸化ハフニウムやハフニウムシリケートなどの高い誘電率を有する無機化合物を用いてもよい。
【００４６】
引き続き、ゲート絶縁膜１４６上にゲート電極１４８をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図８（Ｂ））。ゲート電極１４８はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００４７】
次にゲート電極１４８上に層間膜１５２を形成する（図８（Ｂ））。層間膜１５２は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、アンダーコート１４２と同様の手法で形成することができる。
【００４８】
次に、層間膜１５２とゲート絶縁膜１４６に対してエッチングを行い、半導体膜１４４に達する開口部を形成する（図８（Ｃ））。開口部は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。引き続き開口部を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース／ドレイン電極１５０を形成する（図８（Ｂ））。金属膜はゲート電極１４８と同様の構造を有することができ、ゲート電極１４８の形成と同様の方法を用いて形成することができる。以上の工程により、トランジスタ１４０が作製される。
【００４９】
［２．構造体］
次に平坦化膜１５４を、ソース／ドレイン電極１５０を覆うように形成する（図９（Ａ））。上述したように、平坦化膜１５４は、トランジスタ１４０やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜１５４は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、スピンコート法やディップコーティング法、インクジェット法、印刷法などの湿式成膜法などによって形成することができる。平坦化膜１５４は上記有機絶縁体を含む層と無機絶縁体を含む層の積層構造を有していてもよい。この場合、無機絶縁体としては酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのシリコンを含有する無機絶縁体が挙げられ、これらを含む膜はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。
【００５０】
次に平坦化膜１５４に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極１５０の一方に達する開口部を形成する（図９（Ａ））。その後開口部を覆うように、平坦化膜１５４上に発光素子１６０の画素電極１２４をスパッタリング法などを用いて形成する（図９（Ｂ））。なお、本実施形態では画素電極１２４がソース／ドレイン電極１５０と直接接する構成を示すが、画素電極１２４とソース／ドレイン電極１５０の間に導電性を有する他の膜を形成してもよい。
【００５１】
画素電極１２４は透光性を有する導電性酸化物、あるいは金属などを含有することができる。発光素子１６０から得られる光を基板１０２とは逆方向に取り出す場合、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を画素電極１２４に用いることができる。この場合、上記金属や合金、および透光性を有する導電性酸化物との積層構造、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造（導電性酸化物／銀／導電性酸化物）を採用してもよい。導電性酸化物としては、インジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００５２】
引き続き、画素電極１２４の端部を覆うように、隔壁１２６を形成する（図９（Ｂ））。隔壁１２６により、画素電極１２４などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１０４の画素電極１２４を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１２６は絶縁膜でもあり、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜１５４で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。具体的には、紫外線などの光に応答するレジストを塗布し、隔壁１２６を形成する領域をフォトマスクで遮光しながら光を照射（露光）する。露光された部分を現像によって除去し、残存したレジストを加熱して硬化し、隔壁１２６を形成する。現像時、および加熱によって隔壁１２６の上面に、図９（Ｂ）で示すような曲面が形成される。
【００５３】
次に構造体１３０を隔壁１２６上に形成する。具体的には、無機絶縁物、あるいは有機絶縁物を用いて構造体１３０を形成する。
【００５４】
無機絶縁物としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などのケイ素を含む無機化合物などが挙げられる。これらを含む構造体１３０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成することができる。ＣＶＤ法を用いる場合には、シランガス、あるいはトリアルコキシシランやテトラアルコキシシランなどを原料ガスとして、酸素やオゾンなどを酸素源として、アンモニアや酸化窒素などを窒素源として用いればよい。なお、ここで例示したもの以外の無機化合物も使用することができ、例えば可視光が透過しない、あるいは着色した無機化合物を用いてもよい。
【００５５】
このような方法によって無機絶縁物を含む膜１９０を画素電極１２４や隔壁１２６上に形成する。図１０（Ａ）では無機絶縁物を含む二つの膜１８６、１８８が積層された構造が示されているが、単一の膜１８６のみを用いてもよく、あるいは三つ以上の膜を用いて膜１９０を形成してもよい。
【００５６】
引き続いてレジスト１９２を膜１９０上に形成し（図１０（Ｂ））、フォトマスクを用いた露光、エッチャントによる現像、残存部分の加熱を順次行い、レジストマスク１９４を形成する（図１１（Ａ））。
【００５７】
次にエッチングを行い、レジストマスク１９４に覆われた部分のみを残し、膜１９０を除去する（図１１（Ｂ））。エッチングはドライエッチングでもよく、ウェットエッチングでもよい、ドライエッチングは、ＣＦ4やＣＨＦ3などのフッ素含有炭化水素を用い、プラズマ存在下、膜１９０を処理することで行うことができる。ウェットエッチングは、リン酸、フッ酸、あるいはフッ化アンモニウムを含むフッ酸などの酸性のエッチャント、あるいはテトラメチルアンモニウミヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液などのアルカリ性エッチャントで膜１９０を処理することで行えばよい。
【００５８】
その後、レジストマスク１９４を除去する（図１２（Ａ））。レジストマスク１９４は、例えば酸素ガスを用い、プラズマ存在下で処理する（アッシング）することで除去することができる。
【００５９】
以上の工程により、無機絶縁物を含む構造体１３０を形成することができる。
【００６０】
一方、有機絶縁物を有する構造体１３０を形成する場合、まず、有機絶縁物を含む膜１９０を画素電極１２４、隔壁１２６上に形成する（図１０（Ａ））。無機絶縁物を含む構造体１３０の作製と同様、膜１９０は単層の構造でも良く、図１０（Ａ）に示したような積層構造を有してもよい。有機絶縁物としては感光性の材料を用いることができる。例えば光照射によって溶解性が低下するような高分子、あるいはオリゴマーを用いることができ、この場合、高分子やオリゴマーとしては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。典型的には、例えばポリけい皮酸ビニルなどを基本骨格とするネガ型のレジストを用いればよい。一方、光照射によって溶解性が増大する材料としてはポジ型のレジストが挙げられ、例えば置換ポリスチレンを基本骨格として有する高分子材料が挙げられる。
【００６１】
この膜１９０に対してフォトマスクを用いる露光を行い、構造体１３０を残すように現像を行う（図１２（Ａ））。したがって、無機絶縁物を含む構造体１３０の形成と異なり、レジストマスク１９４を形成しなくてもよい。
【００６２】
次に、有機絶縁物を含む構造体１３０を硬化させる。具体的には、構造体１３０を形成した後、乾燥処理を行い、構造体１３０や隔壁１２６などから水分を除去する。乾燥処理は５０℃から１５０℃程度、好ましくは有機絶縁物のガラス転移温度を超えない温度以下で行う。この乾燥処理は常圧で行ってもよく、減圧（例えば１０Ｐａ程度）下で行ってもよい。
【００６３】
引き続き、乾燥後に構造体１３０に対して光照射を行う。例えば窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気中、光を照射する。この時の雰囲気は水分を含まないことが好ましく、例えば露点が−６０℃、あるいは水分濃度が１ｐｐｍ程度になるように調整する。光照射時の温度は室温から有機絶縁物のガラス転移温度の範囲で選択することができる。照射する光は紫外光が挙げられ、例えば２００ｎｍから４００ｎｍの範囲の波長を含むことができる。これにより、構造体１３０の形状を維持したまま有機絶縁物の架橋反応が進行する。その結果、構造体１３０が硬化し、その後の熱処理によって大きく変形することを防止し、その構造を維持することができる。
【００６４】
以上の工程を経ることで、無機絶縁物、あるいは有機絶縁物を含有する構造体１３０を形成することができる。なお、有機絶縁物は厚い膜を形成することができるため、大きな厚さを有する構造体１３０の形成に有利である。
【００６５】
［３．発光素子］
引き続き発光素子１６０を形成する。具体的には、画素電極１２４、隔壁１２６、構造体１３０上にＥＬ層１６２を形成する（図１２（Ｂ））。図１２（Ｂ）ではＥＬ層１６２は、第１の層１６４、第２の層１６６、第３の層１６８を含む三層構造を有しているが、ＥＬ層１６２の構造に制約はない。ＥＬ層１６２は単一の層で形成されてもよく、４つ以上の複数の層から形成されてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層など適宜を組み合わせてＥＬ層１６２を形成することができる。ＥＬ層１６２は上述した湿式法、あるいは蒸着法などによって形成することができる。
【００６６】
図１２（Ｂ）では、第１の層１６４と第３の層１６８は隣接する画素１０４によって共有されるように形成され、第２の層１６６は隣接する画素１０４間で個別に形成される例を示している。このような構造を形成するためには、まず、表示領域１０６以外を覆うメタルマスクを基板１０２の下に設置し、基板１０２の下に設けられる蒸着源から第１の層１６４を形成する材料を蒸発させ、蒸気を画素電極１２４表面で固化させることで第１の層１６４を形成する。引き続き、第２の層１６６を形成する画素１０４以外を選択的に覆うメタルマスクを用い、第２の層１６６を形成する材料を蒸発、固化させて第２の層１６６を形成する。最後に第１の層１６４と同様の方法で第３の層１６８を形成する。このような方法を用いる場合、構造体１３０上にはＥＬ層１６２のうち、第１の層１６４と第３の層１６８が存在することになる。
【００６７】
隣接する画素１０４間でＥＬ層１６２の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素１０４間で発光層が異なり、他の層が同一の構造を有するようにＥＬ層１６２を形成してもよい。逆に全ての画素１０４において同一のＥＬ層１６２を用いてもよい。この場合、例えば白色発光を与えるＥＬ層１６２を隣接する画素１０４に共有されるように形成し、カラーフィルタなどを用いて各画素１０４から取り出す光の波長を選択する。
【００６８】
引き続きＥＬ層１６２上に金属膜を形成する（図１２（Ｂ））。その結果、複数の対向電極１２０と複数の第１の導電膜１２２が同時に形成される。したがって、複数の対向電極１２０と複数の第１の導電膜１２２は同一の層内に存在する。この時、構造体１３０が与える段差に起因し、金属膜は、構造体１３０と重なる部分とそれ以外の部分に分断される。構造体１３０の上に堆積する金属膜は第１の導電層１２２を与え、それ以外の領域に堆積する金属膜は対向電極１２０を与える。隣り合う対向電極１２０は互いに電気的に切断され、これら間に位置する第１の導電膜１２２は対向電極１２０と同一平面上に存在せず、異なる高さに位置し、空間的に離れる。このため、隣り合う対向電極１２０と第１の導電膜１２２はそれぞれ電気的に切断される。
【００６９】
金属膜としては、例えばマグネシウムや銀、アルミニウムなどの金属、もしくはこれらの合金を用いることができる。これらの金属膜の上に、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を積層してもよい。金属膜は蒸着法やスパッタリング法などによって形成することができる。
【００７０】
以上の工程により、発光素子１６０が形成される。
【００７１】
［４．タッチパネル］
発光素子１６０上に設けられる絶縁膜１７０は、例えば図１４に示すように三層構造を有することができる。このような構造は以下のように形成される。まず、対向電極１２０、第１の導電膜１２２上に第１の層１７２を形成する（図１３（Ａ））。第１の層１７２は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機化合物を含むことができ、アンダーコート１４２と同様の方法で形成することができる。引き続き第２の層１７４を形成する（図１３（Ｂ））。第２の層１７４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含むことができる。また、図１３（Ｂ）に示すように、隔壁１２６や構造体１３０に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層１７４は、上述した湿式成膜法によって形成することもできるが、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１７２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって形成してもよい。その後、第３の層１７６を形成する（図１４）。第３の層１７６は、第１の層１７２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。
【００７２】
このような構造を有する絶縁膜１７０は高いガスバリア性を示すため、水や酸素などの不純物の発光素子１６０への侵入を防ぐことができ、表示装置１００に高い信頼性を与える。
【００７３】
この後、図７に示すように第２の電極１８０を形成する。第２の電極１８０は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過する導電性酸化物を用い、スパッタリング法などによって形成することができる。第２の電極１８０は、図６に示すように、複数の対向電極１２０や複数の第１の導電膜１２２が伸びる方向に対して垂直な方向に伸びるように形成する。
【００７４】
以上の工程を経ることにより、互いに電気的に独立した複数の対向電極１２０を発光素子１６０の上部電極として有する表示装置１００を作製することができる。電気的に独立した複数の上部電極を作製するための従来の方法の一つは、上部電極が分断される領域以外に開口部を有する蒸着用メタルマスクを用い、蒸着によって上部電極を形成することを含む。しかしながらこの方法では、メタルマスクは非常に広い開口部を有し、かつ開口部を横断する極めて細い遮蔽フレームを設ける必要がある。このため、メタルマスク自体の作製が困難になるだけでなく、その強度が大幅に低下する。メタルマスクを基板上に確度良く設置するためには、メタルマスクに対してテンションをかける必要があり、大きな開口部を有する場合、テンションによってメタルマスクは容易に変形、あるいは破損する。したがって、メタルマスクを用いて上部電極を複数に分割することには大きな困難が伴う。
【００７５】
一方、フォトリソグラフィーの技術を用いることで上部電極を任意の形に成形することは可能であるが、フォトリソグラフィーでの現像やエッチングにおいて、ＥＬ層は物理的、あるいは化学的に容易にダメージを受けてしまい、発光素子としての機能が失われる。従って、フォトリソグラフィーによる上部電極の分断も、事実上適用が難しい。
【００７６】
これに対して本実施形態で述べた作製方法では、隔壁１２８に構造体１３０を作製することにより、容易に上部電極を分断し、電気的に独立した複数の対向電極１２０を与えることができる。さらに、第１実施形態で述べたように、複数の対向電極１２０は発光素子１６０の上部電極としてのみならず、タッチパネルの一方の電極としても利用することができるため、本実施形態で述べた作製方法により、インセル型のタッチパネルを容易に、低コストで提供することができる。
【００７７】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態とは構造が異なる表示装置２００に関し、図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。第１、第２実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
【００７８】
表示装置２００は、構造体１３０と第１の導電膜１２２間に、第２の導電膜１３２を有する点で、表示装置１００と相違している。具体的には図１５（Ａ）に示すように、表示装置２００は、隔壁１２６上に、構造体１３０、および構造体１３０の上に位置し、構造体１３０と接する第２の導電膜１３２を有している。
【００７９】
構造体１３０は、第１、第２実施形態で述べた構造体１３０と同様の構造を有することができ、例えば無機絶縁物を含むことができる。一方第２の導電膜１３２は、例えばアルミニウムやチタン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属を用いることができる。あるいは、第２の導電膜１３２は、ゲート電極１４８やソース／ドレイン電極１５０に含まれる金属を含んでいてもよい。
【００８０】
第２の導電膜１３２を設ける場合、例えば図１５（Ｂ）に示すように、構造体１３０の上面の面積は第２の導電膜１３２の表面の面積よりも小さくてもよい。この場合、構造体１３０の断面は台形としてもよい。あるいは、構造体１３０の側面が内側に凹ませた曲面形状を有していてもよい（図１５（Ｃ））。図１５（Ｂ）や図１５（Ｃ）では、ＥＬ層１６０は構造体１３０の側面に接しないように示されている。しかしながら、構造体１３０の形状にも依存するが、ＥＬ層１６２は、形成時に導電膜１３２の下に回り込み、その結果図１５（Ｄ）や１５（Ｅ）に示すように、構造体１３０の側面とＥＬ層１６２が接することもある。
【００８１】
本実施形態の構造体１３０とその上の第２の導電膜１３２は、図１６に示す方法によって作製することができる。すなわち、第２実施形態で述べたように、無機絶縁物、あるいは有機絶縁物を含む膜１９０を画素電極１２４、および隔壁１２６上に形成する。その後さらに膜１９０上に導電膜２０２を形成する（図１６（Ａ））。詳細な説明は割愛するが、第２実施形態で述べた方法と同様に、導電膜２０２上にレジストを形成し、レジストを露光、現像してレジストマスクを形成し、導電膜２０２と膜１９０を部分的に除去することで、図１６（Ｂ）に示す構造体１３０、および第２の導電膜１３２を形成することができる。その後、第２実施形態で述べた方法と同様に発光素子１６０を形成することで、表示装置２００を作製することができる。
【００８２】
発光素子１６０の一方の電極として機能する対向電極１２０で用いられる材料の導電性が高くない場合、あるいは対向電極１２０の透光性を確保するためにその厚さを大きくできない場合、対向電極１２０はタッチパネルの一方の電極として用いるには導電性が不十分なことがある。これに対し、本実施形態に示す構造を採用することで、導電性の大きい第２の導電膜１３２をストライプ状に形成することができ、タッチパネルの一方の電極として効果的に機能させることができる。
【００８３】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１乃至第３実施形態とは構造が異なる表示装置３００に関し、図１７乃至図２０を用いて説明する。第１乃至第３実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
【００８４】
表示装置３００は、第２の導電膜１３２が構造体１３０の内部に設けられる点で、表示装置２００と相違している。具体的には図１７に示すように、表示装置３００は、隔壁１２６上に、隔壁１２６に接するように設けられる第２の導電膜１３２を有し、第２の導電膜１３２は構造体１３０に覆われる。構造体１３０は無機絶縁物を含んでもよく、あるいは有機絶縁物を含んでもよい。
【００８５】
このような構造を有する第２の導電膜１３２、構造体１３０は、図１８、１９に示した方法によって作製することができる。具体的には、画素電極１２４、隔壁１２６を覆うように、第２の導電膜１３２を形成する（図１８（Ａ））。第２の導電膜１３２は、ゲート電極１４８やソース／ドレイン電極１５０に含まれる金属などを用いてスパッタリング法やＣＶＤ法を適用して形成することができる。その後、第２実施形態で述べたように、第２の導電膜１３２上にレジストを塗布し、フォトマスクを介するレジストの露光および現像によってレジストマスクを作成し、第２の導電膜１３２をエッチングし、レジストマスクを除去することによって、構造体１３０が形成される位置に第２の導電膜１３２を形成する（図１８（Ｂ））。
【００８６】
構造体１３０が無機絶縁物を有する場合、第２実施形態で述べた方法と同様に、無機絶縁物を含む膜１９０を画素電極１２４、隔壁１２６、および第２の導電膜１３２上に形成する（図１８（Ｃ））。引き続き無機絶縁物を含む膜１９０上に、第２の導電膜１３２の全体と重なるレジストマスク１９４を形成し（図１９（Ａ））、膜１９０のレジストマスク１９４に覆われていない部分をエッチングによって除去することで、第２の導電膜１３２、およびそれを覆う構造体１３０が得られる（図１９（Ｂ））。
【００８７】
構造体１３０が有機絶縁物を有する場合には、第２実施形態で述べた方法と同様に、図１８（Ｂ）に示す画素電極１２４、隔壁１２６、および第２の導電膜１３２上にレジストを塗布し、フォトマスクによる露光、現像を行い、第２の導電膜１３２を覆うレジスト１９２を形成する（図２０（Ａ））。レジスト１９２に対し、第２実施形態で述べたように乾燥、加熱、光照射を行って形状の安定化を行うことで、第２の導電膜１３２、およびそれを覆う構造体１３０が得られる。
【００８８】
以降のプロセスは第２実施形態で述べたプロセスと同様である。
【００８９】
第３実施形態と同様、本実施形態に示す構造を採用することで、導電性の大きい第２の導電膜１３２をストライプ状に形成することができ、タッチパネルの一方の電極として効果的に機能させることができる。
【００９０】
（第５実施形態）
本実施形態では、第１乃至第４実施形態とは構造が異なる表示装置４００に関し、図２１乃至図２４を用いて説明する。第１乃至第４実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
【００９１】
表示装置４００は、第２の導電膜１３２が構造体１３０の下に設けられるものの、構造体１３０から一部露出して対向電極１２０と接する点、構造体１３０とＥＬ層１６２の間、および第２の導電膜１３２とＥＬ層１６２間で隔壁１２６の一部が露出している点、および、上記露出部で隔壁１２６と対向電極１２０が接する点で、表示装置３００と相違している。具体的には図２１に示すように、表示装置４００は、隔壁１２６上に、隔壁１２６に接するように設けられる第２の導電膜１３２を有し、第２の導電膜１３２の一部が構造体１３０に覆われる。換言すると、第２の導電膜１３２の一部は構造体１３０から露出している。第４実施形態同様、構造体１３０は無機絶縁物を含んでもよく、あるいは有機絶縁物を含んでもよい。
【００９２】
構造体１３０の導電膜１３２が形成される側壁は対向電極１２０で覆われるが、この側壁に対向する側壁の少なくとも一部は対向電極１２０に覆われず、露出される。これと同時に、この一部が露出した側壁の近傍には、スリット１３３が形成される。スリット１３３ではＥＬ層１６２の最上層である第３の層１６８が対向電極１２０から露出される。このため、スリット１３３によって隣り合う対向電極１２０が互いに電気的に独立する。
【００９３】
このような構造を有する第２の導電膜１３２、構造体１３０は、図２２、２３に示した方法によって作製することができる。具体的には、第４実施形態で述べたように、隔壁１２６上に第２の導電膜１３２を形成する（図２２（Ａ））。構造体１３０が無機絶縁物を有する場合、画素電極１２４、隔壁１２６、第２の導電膜１３２を覆うように、無機絶縁物を含む膜１９０を形成する。引き続き無機絶縁物を含む膜１９０上に、第２の導電膜１３２の一部と重なるレジストマスク１９４を形成し（図２２（Ｂ））、膜１９０のレジストマスク１９４に覆われていない部分をエッチングによって除去することで、第２の導電膜１３２、およびそれを部分的に覆う構造体１３０が得られる（図２１（Ｃ））。
【００９４】
図示しないが、構造体１３０が有機絶縁物を有する場合には、第２実施形態で述べた方法と同様に、図２２（Ａ）に示す画素電極１２４、隔壁１２６、および第２の導電膜１３２上にレジストを塗布し、レジストをフォトマスクによって露光し、現像し、第２の導電膜１３２を部分的に覆うレジストを形成すればよい。この時、レジストに対し、第２実施形態で述べたように乾燥、加熱、光照射を行って形状の安定化を行うことで、第２の導電膜１３２、およびそれを覆う構造体１３０が得られる。
【００９５】
このようにして得られる基板１０２に対し、斜め蒸着を行う。斜め蒸着では、図２３に示すように、画素電極１２４や構造体１３０が形成された面が下を向くように基板１０２を蒸着チャンバー内に設置し、かつ、水平面から基板１０２を傾ける。そして蒸着する材料が含まれる坩堝やボートなどの蒸着源２１０を基板１０２の下に設置し、そこから材料を蒸発させて成膜を行う。この時、蒸着源２１０と基板１０２表面との間隔を一定にするため、蒸着源２１０、基板１０２のいずれか、あるいは両方を、互いに相対的に、基板１０２の表面に平行な方向で（矢印に示した方向に沿って）動かしてもよい。
【００９６】
まず、ＥＬ層１６２を斜め蒸着によって形成することで、図２４（Ａ）に示すように、ＥＬ層１６２を形成する材料の蒸気を斜め方向から基板に近づける。これにより、構造体１３０の陰になる領域、すなわち、第２の導電膜１３２が露出される側の構造体１３０の側面、第２の導電膜１３２の露出した表面、および第２の導電膜１３２に対して構造体１３０とは反対側の隔壁１２６の一部において、ＥＬ層１６２の形成を防ぐことができる。
【００９７】
次に対向電極１２０を斜め蒸着によって形成する。この時、基板の角度を変え、図２４（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１６２の蒸気と対向する方向で対向電極１２０に含まれる材料を基板１０２に近づける。これにより、第２の導電膜１３２が露出する側と反対側の構造体１３０の側面に形成されたＥＬ層１６２、およびその付近には対向電極１２０は形成されない。しかしながら、ＥＬ層１６２が形成されない領域、すなわち、第２の導電膜１３２が露出される側の構造体１３０の側面、第２の導電膜１３２の露出した表面、および第２の導電膜１３２に対して構造体１３０とは反対側の隔壁１２６の一部には対向電極１２０が形成される。なお、この時、第２の導電膜１３２と対向電極１２０は電気的に接続される。このようにＥＬ層１６２と対向電極１２０を異なる方向で蒸着することにより、複数の対向電極１２０を互いに電気的に独立させることができる。
【００９８】
第１実施形態と同様、本実施形態に示す構造を採用することで、互いに電気的に独立した対向電極１２０をタッチパネルの一方の電極として用いることができる。対向電極１２０で用いられる材料の導電性が十分に高くない場合、表示領域１０６が大きくなると対向電極１２０内で電圧降下が生じる。その結果、表示領域１０６全体で均一な電位を画素電極１２４と対向電極１２０の間に与えることが困難となり、表示領域１０６内で均一な輝度が得られない。しかしながら、第２の導電膜１３２は、十分な厚さを有する金属膜として形成できるため、高い導電性を有することができる。そして対向電極１２０と同様にストライプ状に設け、対向電極１２０と電気的に接続させることで、補助電極として機能させることができる。その結果、電圧降下を防止することが可能となり、高品質な表示を実現することができる。
【００９９】
（第６実施形態）
本実施形態では、第１乃至第５実施形態とは構造が異なる表示装置５００に関し、図２５、２６を用いて説明する。第１乃至第５実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
【０１００】
表示装置５００では、構造体１３０は設けず、これに替わって溝１３４を隔壁１２６に設け、この溝１３４の内部にＥＬ層１６２の全て、あるいは一部、および第１の導電膜１２２を配置する点で、表示装置１００、２００、３００、４００と相違する。
【０１０１】
より具体的には、表示装置５００は、隔壁１２６に溝１３４を有している。溝１３４は、数個から数十個の画素１０４毎に設けることができる。溝１３４は、図２５に示すように平坦化膜１５４に達してもよく、あるいはその底面は隔壁１２６内にとどまっていてもよい。また、溝１３４は画素電極１２４を露出するように設けてもよい。
【０１０２】
溝１３４内には、ＥＬ層１６２の一部、あるいは全てが設けられる。図２５には、ＥＬ層のうち、第１の層１６４と第３の層１６８が溝１３４内に設けられた例を示している。
【０１０３】
溝１３４内にはさらに、ＥＬ層１６２の一部、あるいは全ての上に、第１の導電膜１２２が設けられる。後述するように、この第１の導電膜１２２は対向電極１２０と同時に形成され、したがって、第１の導電膜１２２と対向電極１２０は同一の層内に存在する。第１の導電膜１２２と対向電極１２０は、溝１３４に起因する段差によって切断されており、電気的に独立している。
【０１０４】
このような構造は、以下のような方法によって形成することができる。すなわち、第２実施形態で述べた方法と同様に隔壁１２６まで形成する（図２６（Ａ））。その後、溝１３４を形成する領域に開口部を有するレジストマスクを作成し、開口部に対してエッチングを行うことで、溝１３４が形成される（図２６（Ｂ））。溝１３４の側面は基板１０２の上面に対して垂直に近いことが好ましい。このため、ドライエッチングで溝１３４を形成することが好ましい。なお、溝１３４は、表示領域１０６の一辺に平行な方向に伸びるように形成される。
【０１０５】
この後、第２実施形態と同様にＥＬ層１６２を形成し（図２６（Ｃ））、ＥＬ層１６２上に導電膜を形成する。導電膜は溝１３４の側面にはほとんど形成されないため、溝１３４によって切断さる。その結果、隣り合う対向電極１２０が互いに電気的に独立する（図２５）。
【０１０６】
第１実施形態と同様、対向電極１２０は、発光素子１６０の一方の電極としてのみならず、タッチパネルの一方の電極としても機能する。したがって、簡潔な工程で低コストで製造可能なインセル型タッチパネルが組み込まれた表示装置を提供することができる。
【０１０７】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省ほぼもしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０１０８】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１０９】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１１０】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０６：表示領域、１０８：駆動回路、１１０：端子、１１２：対向基板、１２０：対向電極、１２２：第１の導電膜、１２４：画素電極、１２６：隔壁、１２８：開口部、１３０：構造体、１３２：第２の導電膜、１３３：スリット、１３４：溝、１４０：トランジスタ、１４２：アンダーコート、１４４：半導体膜、１４６：ゲート絶縁膜、１４８：ゲート電極、１５０：ドレイン電極、１５２：層間膜、１５４：平坦化膜、１６０：発光素子、１６２：ＥＬ層、１６４：第１の層、１６６：第２の層、１６８：第３の層、１７０：絶縁膜、１７２：第１の層、１７４：第２の層、１７６：第３の層、１８０：第２の電極、１８４：積層構造、１８６：膜、１８８：膜、１９０：膜、１９２：レジスト、１９４：レジストマスク、２００：表示装置、２０２：導電膜、２１０：蒸着源、３００：表示装置、４００：表示装置、５００：表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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