(57)【要約】【課題】レジストパターン表面を平滑化しＬＥＲを小さくすることで、寸法均一性が改善されるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】１）遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、２）ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅１００〜２０００ｎｍのライン＆スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、３）ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、４）レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長４００〜５００ｎｍの光に対する消衰係数が０．０１５〜２．０の光吸収材料からなる層を形成する工程、５）光吸収材料からなる層に３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射する工程、６）光吸収材料からなる層を除去する工程、７）レジストパターンをエッチングマスクとして、遮光膜をエッチングする工程、以上の工程を具備するフォトマスクの製造方法とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光膜上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程を備えるフォトマスクの製造方法において、
１）前記遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、
２）前記ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅１００〜２０００ｎｍのライン＆スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、
３）前記ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、
４）前記レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長４００〜５００ｎｍの光に対する消衰係数が０．０１５〜２．０の光吸収材料からなる層を形成する工程、
５）前記光吸収材料からなる層に３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射する工程、６）前記光吸収材料からなる層を除去する工程、
７）前記光吸収材料からなる層を除去した後のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程、
以上の工程を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
遮光膜上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程を備えるフォトマスクの製造方法において、
１）前記遮光膜上に、光吸収材料を含み波長４００〜５００ｎｍの光に対する消衰係数が０．０３０〜２．０のネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、
２）前記ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅１００〜２０００ｎｍのライン＆スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、
３）前記ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、
４）前記レジストパターンに、３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射する工程、
５）前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程、
６）前記レジストパターンを除去する工程、
以上の工程を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＲの小さいフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求精度が高まっている。同時に寸法均一性に対する要求精度も高まっている。
【０００３】
寸法均一性については、フォトリソグラフィによるデバイスの製造プロセスのみならず、原版となるフォトマスクも要因のひとつであり、フォトマスクにも同様に寸法の均一性向上が求められている。
【０００４】
フォトマスクの寸法均一性に影響する要因のひとつに、フォトマスクのパターン作製時に使用される、現像後のレジストパターン側面の荒れがある。これはＬｉｎｅ  Ｅｄｇｅ
Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ（ＬＥＲ）と呼ばれる。ＬＥＲが大きいと個々のパターンの寸法均一性が悪くなり、その結果、エッチング後のフォトマスク上パターンの面内の寸法均一性が悪化してしまうため、ＬＥＲを改善することが必要である。特にＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ＝極端紫外線）露光では、ＥＵＶ光が１３．５ｎｍと極短波長のため、フォトマスク上パターンのＬＥＲがそのままウェハへ転写してしまうことも報告されている。
【０００５】
レジストパターンのＬＥＲを改善する方法としては、現像後のレジストパターンに紫外光（波長２００ｎｍ以下）を照射し、レジストパターン表面（以下、レジストパターン表面と記載する場合はレジストパターン側面を含むものとする）を選択的に加熱する方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３３２４８４号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】”Ｉｍｐａｃｔ  ｏｆ  ＥＵＶ  ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  ｌｉｎｅ−ｅｄｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ  ｏｎ  ｗａｆｅｒ  ｐｒｉｎｔｓ“，  ＳＰＩＥ  ８５２２，  Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ２０１２，８５２２２Ｈ  （８  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  ２０１２）；  ｄｏｉ：  １０．１１１７／１２．９７６８５５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、紫外光を使用した場合、空気中の窒素及び酸素がラジカル化されてレジストパターンがエッチングされてしまうという問題がある。また、レジスト分子の結合を切るエネルギーに相当するため、レジスト自体がダメージを受けてしまう。
【０００９】
紫外光より長波長（例えば３００ｎｍ以上）を用いれば、上記のようにレジストパターンがエッチングされてしまう問題はなくなるが、レジストでの光吸収も弱くなってレジストを透過してしまい、レジストパターン表面近傍を選択的に加熱することは出来ない。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、レジス
トパターン表面を平滑化しＬＥＲを小さくすることで、寸法均一性が改善されるフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の本発明は、
遮光膜上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程を備えるフォトマスクの製造方法において、
１）前記遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、
２）前記ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅１００〜２０００ｎｍのライン＆スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、
３）前記ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、
４）前記レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長４００〜５００ｎｍの光に対する消衰係数が０．０１５〜２．０の光吸収材料からなる層を形成する工程、
５）前記光吸収材料からなる層に３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射する工程、６）前記光吸収材料からなる層を除去する工程、
７）前記光吸収材料からなる層を除去した後のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程、
以上の工程を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法としたものである。
【００１２】
請求項２に記載の本発明は、
遮光膜上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程を備えるフォトマスクの製造方法において、
１）前記遮光膜上に、光吸収材料を含み波長４００〜５００ｎｍの光に対する消衰係数が０．０３０〜２．０のネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、
２）前記ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅１００〜２０００ｎｍのライン＆スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、
３）前記ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、
４）前記レジストパターンに、３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射する工程、
５）前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程、
６）前記レジストパターンを除去する工程、
以上の工程を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、現像後のレジストパターンの表面が平滑化され、レジストパターンのＬＥＲに起因するフォトマスクの寸法均一性の悪化を防止出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のフォトマスクの製造方法の第１の実施形態におけるレジストパターン処理方法を示す概略断面図。
【図２】本発明のフォトマスクの製造方法の第２の実施形態におけるレジストパターン処理方法を示す概略断面図。
【図３】本発明のフォトマスクの製造方法の第１の実施形態におけるレジストパターン処理方法に係る、光吸収材料の光吸収率（％）を計算した例を示す特性図。
【図４】本発明のフォトマスクの製造方法の第２の実施形態におけるレジストパターン処理方法に係る、光吸収材料含有レジストの光吸収率（％）を計算した例を示す特性図。
【図５】本発明によるフォトマスクの製造方法の第１の実施形態のフロー図。
【図６】本発明によるフォトマスクの製造方法の第１の実施形態を工程順に示す概略断面図。
【図７】本発明によるフォトマスクの製造方法の第２の実施形態のフロー図。
【図８】本発明によるフォトマスクの製造方法の第２の実施形態を工程順に示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明のフォトマスクの製造方法の実施形態には第１の実施形態、及び第２の実施形態がある。第１の実施形態は、通常のレジストパターン上に別層として光吸収材料を用い、第２の実施形態は通常のレジストに光吸収材料を混合（添加）した光吸収材料含有レジストパターンを用いるものである。
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明のフォトマスクの製造方法について説明するが、第１の実施形態と第２の実施形態で同一の構成要素については同一の符号を付ける。また、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じではない。
【００１７】
はじめに、第１の実施形態と第２の実施形態で共に使用する照射光について説明する。
【００１８】
（照射光）
光源の波長はキセノンランプのように４００から５００ｎｍを中心とするものが望ましい。３００ｎｍ以下の短波長では、通常のレジスト成分の結合を切ってしまう可能性があり、レジストがダメージを受けてしまう。また、２００ｎｍ以下の波長では空気中の窒素や酸素がラジカル化してしまい、レジストにダメージを与えてしまう。また、通常のレジスト成分の結合を切るエネルギーにも相当する。よって光源の光は３００ｎｍ以下の波長をカットすることが望ましい。
【００１９】
逆に光源の波長が、５００ｎｍよりも長い成分が支配的な場合は、光吸収材料（第１の実施形態の場合）や光吸収材料含有レジスト（第２の実施形態の場合）の消衰係数が小さくなって光吸収が少なくなり、後述のように通常のレジストパターン表面近傍や、光吸収材料含有レジストパターン表面近傍を選択的に加熱することが難しくなる。
【００２０】
光の照射時間は、通常のレジストパターン表面近傍や、光吸収材料含有レジストパターン表面近傍の温度が、レジストのガラス転移点以上に上がり、且つ、表面近傍以外はレジストのガラス転移点に達しない時間であることが望ましい。具体的には、１秒以下の瞬間的な加熱によりレジストパターン表面近傍をレジストのガラス転移点以上の温度に瞬間的に加熱し、その後の熱拡散でガラス転移点以下の温度となってレジストパターン全体に熱が拡散する選択的な加熱であることが望ましい。
【００２１】
選択的な加熱とするために、基板を冷却したり、低温環境下で短時間・高パワーの光照射を行ってもよい。
【００２２】
（第１の実施形態におけるレジストパターン処理方法）
図１（ａ）は、基板１０上にレジストパターン４０ａを作製した断面図である。尚、基板１０はフォトマスクでは、基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクとなるが、ここでは遮光膜の図示を省略している。
【００２３】
次に、図１（ｂ）は、図１（ａ）で示したレジストパターン４０ａの表面に、３００ｎｍ以下の波長をカットした光を吸収する光吸収材料５０の層を形成した断面図である。図１（ｃ）は、光吸収材料５０の層を形成した表面に、３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射している状態を示している。さらに図１（ｄ）は、前記光照射によりレジストパターン４０ａの表面近傍が加熱され、平滑化したレジストパターン４０ｂとなった状態を示している。
【００２４】
光吸収材料の膜厚は、前述のようにレジストパターン表面近傍が選択的に加熱されるように、レジスト膜厚、パターン寸法、光吸収材料の消衰係数によって５０ｎｍから２０００ｎｍの範囲で調整することが好ましい。例えばパターンのスペース幅が広い場合や、光吸収材料の消衰係数が小さい場合は、光吸収材料の膜厚はより厚い範囲まで使用することができる（これは、後述の第２の実施形態で光吸収材料含有レジストを使用する場合においても同様である）。
【００２５】
光照射後は溶媒を用いて光吸収材料を除去することにより、表面が平滑化したレジストパターンが形成出来る。
【００２６】
（第１の実施形態に好適な光吸収材料）
照射された光のエネルギーは光吸収材料５０で５０％以上を吸収されることが望ましい。光吸収材料での吸収が少ない場合、レジストや基板１０で熱が吸収されることになり、レジストパターン表面近傍を選択的に加熱することは出来ない。
【００２７】
薄膜理論に依れば、薄膜材料による光の透過率、反射率は、光の波長と、材料の光学定数（屈折率、消衰係数）及び膜厚が決まれば一意に定まる。材料の光学定数のうち、光の吸収に関係するパラメータは消衰係数であり、光の吸収率（％）は入射光を１００％として、透過率（％）及び反射率（％）を差し引けば計算することができる。
【００２８】
図３は、光吸収材料の膜厚を２０００ｎｍ、または５０ｎｍとしたとき、消衰係数を横軸として、波長が４００ｎｍ、または５００ｎｍの場合の光の吸収率（％）を計算したものである。ここで、屈折率は１．３、２．５を下限値、上限値とし、本発明で用いる光吸収材料の範囲を十分カバーできるようにした。尚、基板は石英として計算している。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）の結果より、光吸収材料の膜厚が２０００ｎｍの場合は、ほぼ消衰係数が０．０１５以上の材料を選択することにより、５０％以上の光エネルギーを光吸収材料で吸収できることが分かる。
【００３０】
一方、光吸収材料の膜厚がかなり薄い領域では、消衰係数が大きすぎると反射が大きくなり、吸収率はピークを持つようになる。図３（ｃ）、（ｂ）の結果より、光吸収材料の膜厚が５０ｎｍの場合は、５０％以上の光エネルギーを吸収するためには、光吸収材料の消衰係数を、ほぼ１．０以上、２．０以下とする必要があることが分かる。光吸収材料の膜厚が略５０ｎｍよりも小さいと、吸収率が５０％を越えることは難しくなる。
【００３１】
第１の実施形態で用いる具体的な光吸収材料としては、少なくともt-アゾベンゼン、ナフトキノン、アントラキノン、ベンゼンジアゾニウム塩、アゾベンゼン、ピラゾロンアゾ染料、チアゾールアゾ染料、スチルベンゼンアゾ染料、ベンゾキノン染料、キノンイミン染料、ジフェニルメタン染料、トリフェニルメタン染料、ナフタルイミド染料、ペリノン染料、若しくはチタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、モリブデン、銀、タングステンのいずれかを含む錯化合物、もしくはフタロシアニン、アントラキノン、インジゴイドのいずれかよりなる分子、の光吸収性物質を含む材料を好適に用いることができる。
【００３２】
（第２の実施形態におけるレジストパターン処理方法）
図２（ａ）は、基板１０上に光吸収材料を含有したレジストパターン３０ａを作製した断面図である。尚、基板１０はフォトマスクでは、基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクとなるが、ここでは遮光膜の図示を省略している。
【００３３】
次に、図２（ｂ）は、図２（ａ）で示した光吸収材料含有レジストパターン３０ａの表
面に、３００ｎｍ以下の波長をカットした光を照射している状態を示している。さらに図２（ｃ）は、前記光照射により光吸収材料含有レジストパターン３０ａの表面近傍が加熱され、平滑化した光吸収材料含有レジストパターン３０ｂとなった状態を示している。
【００３４】
光吸収材料含有レジストの膜厚は、パターン寸法、光吸収材料含有レジストの消衰係数によって１００ｎｍから１０００ｎｍの範囲で調整することが好ましい。ここで、膜厚範囲が第１の実施形態の光吸収材料よりも狭い範囲になるのは、光吸収材料含有レジストではパターンを形成する必要があるからである。
【００３５】
（第２の実施形態に好適な光吸収材料含有レジスト）
照射された光のエネルギーは光吸収材料含有レジストパターン３０ａの表面近傍で５０％以上を吸収されることが望ましい。光吸収材料含有レジスト３０ａ表面近傍での吸収が少ない場合、光吸収材料含有レジスト内部や基板１０で熱が吸収されることになり、光吸収材料含有レジストパターン３０ａの表面近傍を選択的に加熱することは出来ない。
【００３６】
図４は、光吸収材料含有レジストの膜厚を１０００ｎｍ、または１００ｎｍとしたとき、消衰係数を横軸として、第１の実施形態の場合と同様にして、波長が４００ｎｍ、または５００ｎｍの場合の光の吸収率（％）を計算したものである。
【００３７】
図４（ａ）、（ｂ）の結果より、光吸収材料含有レジストの膜厚が１０００ｎｍの場合は、ほぼ消衰係数が０．０３０以上の材料を選択することにより、５０％以上の光エネルギーを光吸収材料含有レジストで吸収できることが分かる。
【００３８】
一方、光吸収材料含有レジストの膜厚がかなり薄い領域では、消衰係数が大きすぎると反射が大きくなり、吸収率はピークを持つようになる。図４（ｃ）、（ｄ）の結果より、膜厚が１００ｎｍの場合は、５０％以上の光エネルギーを吸収するためには、光吸収材料含有レジストの消衰係数を、ほぼ０．３以上、２．０以下とすればよいことが分かる。但し、パターニング性を考慮すれば光吸収材料の含有は少ない方が好ましいため、光吸収材料含有レジストの消衰係数は、０．５程度以下とすることが望ましい。
【００３９】
第２の実施形態で用いる光吸収材料含有レジストに含有する光吸収材料の具体的な例としては、第１の実施形態で述べた光吸収材料に含まれる光吸収性物質を好適に用いることができる。但し、第１の実施形態と異なり単層となるため、光吸収材料含有レジストの表面近傍を特に加熱するために、第１の実施形態の場合よりも熱伝導性の低い光吸収性物質を選ぶことが望ましい。
【００４０】
本発明は前記実施形態そのままに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、本明細書に示される事項の適宜の組み合わせによって種々の発明を想定できるものである。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例として、本発明によりＣｒを遮光膜とするバイナリ型フォトマスクを製造する場合を説明する。
【００４２】
＜実施例１＞
図５に本発明によるフォトマスクの製造方法の第１の実施形態のフロー、図６に本発明によるフォトマスクの製造方法の第１の実施形態を工程順に概略断面図で示している。
【００４３】
まず、石英を基板１０とするＣｒ膜１５付きのフォトマスクブランク２０を用意した（尚、レジスト４０を塗布した状態がフォトマスクブランクと呼ばれる場合もある）。フォトマスクブランク２０に対し、ネガ型化学増幅レジスト（ＦＥＮ２７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）４０を３００ｎｍの膜厚で塗布し（Ｓ１）、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）により、評価用として、線幅１００ｎｍから２０００ｎｍのＬｉｎｅｓ＆Ｓｐａｃｅｓ（Ｌ＆Ｓ）パターンを描画した（Ｓ２）。このときの照射エネルギーは１０μＣ/ｃｍ２とした。その後、１１０度、１０分のＰＥＢ及びスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック）によりレジストパターン４０ａを形成した（Ｓ３）。
【００４４】
次に、キノンイミン染料を含む光吸収材料５０をスピンコートにより上記レジストパターン４０ａ上に１００ｎｍの厚さで成膜した（Ｓ４）。成膜後は残留溶媒除去のため１１０度で１０分間加熱し、その後、室温まで冷却した。
【００４５】
次に、３００ｎｍ以下の波長をカットしたＸｅランプ照射装置を用いて、０．１秒間の光照射を行う（Ｓ５）ことにより光吸収材料５０を加熱し、レジストパターン表面を平滑化する（Ｓ６）。
【００４６】
次に、水溶媒を用いて光吸収材料５０を除去することにより、表面が平滑化したレジストパターン４０ｂを得た（Ｓ７）。
【００４７】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、遮光膜であるＣｒ膜１５のエッチングを行った（Ｓ８）。Ｃｒエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力１５ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗとした。
【００４８】
次に、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によってレジストパターン４０ｂを剥離した（Ｓ９）。その後、洗浄工程（Ｓ１０）、乾燥工程（Ｓ１１）を通すことで本発明のフォトマスク１００が完成した。尚、洗浄はＳＣ−１洗浄（水４３％／過酸化水素水３０％／アンモニア２７％）で５分浸漬、リンスは超純粋で１０分行った。乾燥は１０００ｒｐｍで１０分間の回転乾燥を行った。
【００４９】
完成したフォトマスク１００の前述のＬ＆ＳパターンのＬＥＲを、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で測定したところ、Ｓ４〜Ｓ７工程を使わない通常工程で作製したフォトマスクよりもＬＥＲが８％改善していることが確認出来た。
【００５０】
＜実施例２＞
図７に本発明によるフォトマスクの製造方法の第２の実施形態のフロー、図８に本発明によるフォトマスクの製造方法の第２の実施形態を工程順に概略断面図で示している。
【００５１】
まず実施例１と同様、石英を基板１０とするＣｒ膜１５付きのフォトマスクブランク２０を用意した。フォトマスクブランク２０に対し、ネガ型化学増幅レジスト（ＦＥＮ２７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）にキノンイミン染料よりなる光吸収材料を混合したレジスト３０を３００ｎｍの膜厚で塗布し（Ｒ１）、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）により、評価用として、線幅１００ｎｍから２０００ｎｍのＬｉｎｅｓ＆Ｓｐａｃｅｓ（Ｌ＆Ｓ）パターンを描画した（Ｒ２）。このときの照射エネルギーは１０μＣ/ｃｍ２とした。その後、１１０度、１０分のＰＥＢ及びスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック）により光吸収材料含有レジストパターン３０ａを形成した（Ｒ３）。
【００５２】
次に、３００ｎｍ以下の波長をカットしたＸｅランプ照射装置を用いて、０．1秒間の
光照射を行う（Ｒ４）ことによりレジストパターン３０を加熱し、表面を平滑化したレジストパターン３０ｂを得た（Ｒ５）。
【００５３】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、遮光膜であるＣｒ膜１５のエッチングを行った（Ｒ６）。Ｃｒエッチングの条件は、実施例１と同じで、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力１５ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗとした。
【００５４】
次に、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって光吸収材料含有レジストパターン３０ｂを剥離した（Ｒ７）。その後、洗浄工程（Ｒ８）、乾燥工程（Ｒ９）を通すことで本発明のフォトマスク１００が完成した。尚、洗浄はＳＣ−１洗浄（水４３％／過酸化水素水３０％／アンモニア２７％）で５分浸漬、リンスは超純粋で１０分行った。乾燥は１０００ｒｐｍで１０分間の回転乾燥を行った。
【００５５】
完成したフォトマスク１００の前述のＬ＆ＳパターンのＬＥＲを、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で測定したところ、Ｒ４工程を使わない通常工程で作製したフォトマスクよりもＬＥＲが６％改善していることが確認出来た。
【符号の説明】
【００５６】
１０      基板
１５      Ｃｒ膜
１５ａ    ドライエッチングにより形成されたＣｒパターン
２０      フォトマスクブランク
３０      光吸収材料含有レジスト
３０ａ    光吸収材料含有レジストパターン
３０ｂ    表面が平滑化した光吸収材料含有レジストパターン
４０      レジスト
４０ａ    レジストパターン
４０ｂ    表面が平滑化したレジストパターン
５０      光吸収材料
６０      電子線
７０      照射光
１００    フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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