(57)【要約】【課題】酸化物半導体の活性層を有する酸化物半導体装置の製造工程において、工程の簡略化を図り、生産性の向上を図る。【解決手段】インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体層の活性層を有する酸化物半導体装置の製造方法であって、活性層１３Ａの形成領域にレーザー光を照射して、活性層１３Ａにエッチング耐性を付与するレーザーアニール処理を施す。【選択図】図２
2018098313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体層の活性層を有する酸化物半導体装置の製造方法であって、
前記活性層の形成領域にレーザー光を照射して、前記活性層にエッチング耐性を付与するレーザーアニール処理を施すことを特徴とする酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸化物半導体層を形成後に前記レーザーアニール処理を施し、
フォトリソグラフィー工程を省いて、前記酸化物半導体層のレーザー光未照射部分をエッチング除去することを特徴とする請求項１に記載された酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
パターニングされた前記活性層の上に、直接金属層を形成して電極パターンを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載された酸化物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）は、ガラス基板上に形成されるフラットパネルディスプレイ用のアクティブ素子として普及している。ＴＦＴは、基本構成として、ゲート端子、ソース端子及びドレイン端子を備えた３端子素子であり、基板上に成膜した半導体薄膜を、電子又はホールが移動する活性層として用い、ゲート端子に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有する。
【０００３】
ＴＦＴの活性層としては、多結晶シリコン薄膜やアモルファスシリコン薄膜が広く用いられているが、スマートフォンに代表されるモバイル電子機器の普及によって、小型画面のディスプレイに超高精細・高画質且つ低消費電力の画像表示性能が求められており、これに対応できるＴＦＴ材料として、酸化物半導体が注目されている。
【０００４】
酸化物半導体の中で、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物であるＩＧＺＯは、従来のアモルファスシリコンなどに比べて、ディスプレイの高精細化や低消費電力化が可能になるＴＦＴ材料であることが知られている。下記特許文献１には、気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、酸化物の組成は、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をＴＦＴの活性層とすることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１９５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、ＩＧＺＯを活性層とするＴＦＴの製造工程は、図１に示すように、ベース基板（ガラス基板）上にゲート電極層を形成し、ゲート電極のパターニングを行う工程（Ｓ１工程）、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程（Ｓ２工程）、ゲート絶縁膜を表面処理する工程（Ｓ３工程）、活性層（ＩＧＺＯ層）を形成して、パターニングする工程（Ｓ４工程）、エッチストップ層を形成して、パターニングする工程（Ｓ５工程）、電極層（金属層）を形成し、ソース電極、ドレイン電極にパターニングする工程（Ｓ６工程）などを有する。
【０００７】
このように、ＩＧＺＯを活性層とするＴＦＴの製造では、前述したＳ１工程、Ｓ４工程、Ｓ５工程、Ｓ６工程などで、多数回のパターニングを行う必要があり、その都度、フォトレジストのマスク露光を伴うフォトリソグラフィー工程を要するので、工程が煩雑であり、良好な生産性を得ることができない問題があった。
【０００８】
特に、エッチストップ層は、ＩＧＺＯの活性層がその後の電極パターン形成時に削られることを防ぐ層であって、機能的な層ではないため、エッチストップ層を省いて、層形成を簡略化することが求められていた。
【０００９】
本発明は、このような問題に対処するために提案されたものである。すなわち、本発明は、酸化物半導体の活性層を有する酸化物半導体装置の製造工程において、工程の簡略化を図り、生産性の向上を図ることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するために、本発明は、以下の構成を具備するものである。
インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体層の活性層を有する酸化物半導体装置の製造方法であって、前記活性層の形成領域にレーザー光を照射して、前記活性層にエッチング耐性を付与するレーザーアニール工程を有することを特徴とする酸化物半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】従来のＩＧＺＯを活性層とするＴＦＴの製造工程の一部を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態に係る酸化物半導体装置の製造方法を示した説明図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る酸化物半導体装置の製造方法を示した説明図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る酸化物半導体装置の製造方法を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態に係る酸化物半導体装置の製造方法は、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体層の活性層形成領域にレーザー光を照射するレーザーアニール処理を行うことで、処理後の活性層にエッチング耐性が付与されることを見出し、発明の完成に至ったものである。これによると、活性層のパターニング時に行うフォトリソグラフィ工程を省いて、レーザーアニール処理がなされた活性層を直接エッチング処理して、レーザー光の未照射領域を除去することで、活性層のパターニングを行うことができる。また、パターニングされた活性層の上にエッチストップ層を形成することなく、直接金属層を形成して電極パターンを形成することができる。
【００１３】
このような酸化物半導体装置の製造方法は、レーザーアニール処理で活性層にエッチング耐性を付与することで、フォトレジストのマスク露光を伴うフォトリソグラフィー工程の回数を減らすことができ、生産性良く酸化物半導体装置を製造することができる。
【００１４】
以下、図面に沿って具体的な製造工程を説明する。図２においては、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の工程順で製造する。（ａ）工程は、ベース基板（ガラス基板）１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、酸化物半導体層（ＩＧＺＯ層）１３を形成する。ゲート電極１１は、例えば、Ｍｏや，Ｔｉ，ＴｉＮ層をスパッタリングなどで形成（例えば、膜厚１００ｎｍ）し、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程によって電極パターンを形成する。ゲート絶縁膜１２は、ゲート電極１１上に、例えば、ＳｉＯ2層をプラズマＣＶＤなどで形成（例えば、膜厚１００ｎｍ）する。酸化物半導体層１３は、ゲート絶縁膜１２上に、ＩＧＺＯ層をマグネトロンスパッタなどで形成する。
【００１５】
（ｂ）工程は、形成された酸化物半導体層１３の活性層形成領域にレーザー光を照射するレーザーアニール処理を行う。照射するレーザー光は、例えば、エキシマレーザ（ＸｅＦ波長３５１ｎｍやＫｒＦ波長２４８ｎｍ、エネルギー密度１５０ｍＪ／ｃｍ2、５０ショット）である。レーザーアニール処理に先立って、チャネルドープ（Ｓｉイオン注入）を必要に応じて行ってもよい。
【００１６】
（ｃ）工程は、レーザーアニール処理がなされた酸化物半導体層１３をエッチング処理して活性層１３Ａをパターニングする。ここでは、レーザーアニール処理によって、活性層形成領域にはエッチング耐性が付与されているので、フォトレジストをマスク露光するフォトリソグラフィー工程を省いて、直接酸化物半導体層１３をエッチング液に浸け、酸化物半導体層１３のレーザー光未照射部分をエッチング除去して活性層１３Ａを形成している。
【００１７】
レーザーアニール処理によるＩＧＺＯ層のエッチング耐性について説明すると、レーザー照射されている領域のみ、条件によりＩＧＺＯ層が結晶化することを見出した。ＸｅＦレーザー、ＫｒＦレーザーともに、エネルギー密度２０ｍＪ／ｃｍ2から１４０ｍＪの間の領域において、アモルファスではあるが膜密度が上昇して緻密化し、さらに１４０ｍＪ／ｃｍ2から２００ｍＪ／ｃｍ2の領域で結晶化していることが確認された。このような結晶化や緻密化は、面積１００μｍ×１００μｍ程度以下の領域に局所的にレーザーを照射することで、膜全体の膨張を抑えることでより効率よく起こることが分かった。そして、結晶化したＩＧＺＯ膜はウェットのエッチング耐性が向上していることが分かった。例えば、結晶化したＩＧＺＯ（膜厚５０ｎｍ）は、りん酸、及びりん酸・硝酸・酢酸の混合液に対し、２分以上浸漬してもエッチングされないことが分かった。一方、アモルファスＩＧＺＯの領域は５０ｎｍの膜厚がりん酸では約1分で、りん酸・硝酸・酢酸の混合液においては約２０秒でエッチングされた。
【００１８】
（ｄ）工程は、レーザーアニール処理によってエッチング耐性が付与された活性層１３Ａ上に、エッチストップ層を形成することなく、直接電極パターンを形成する。すなわち、活性層１３Ａ及びゲート絶縁膜１２上にＡｌ層を形成して、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程によって、ソース電極１４Ａを形成し、更に、活性層１３Ａ及びゲート絶縁膜１２上にＡｌ層を形成して、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程によって、ドレイン電極１４Ｂを形成する。その後は、パッシベーション膜（例えば、ＳｉＯ2）の形成など、適宜の工程を行う。
【００１９】
図３に示す他の実施形態においては、（ａ１），（ｂ１），（ｃ１），（ｄ１），（ｅ１）の工程順で製造する。（ａ１），（ｂ１）工程は、図２に示した（ａ），（ｂ）工程と同様である。この実施形態では、（ｃ１）工程において、レーザーアニール処理によってエッチング耐性が付与された活性層形成領域上にフォトリソ工程でフォトレジスト２０のパターンを形成し、（ｄ１）工程にて、エッチング処理を行って、フォトレジスト２０のパターンを残して酸化物半導体層１３をエッチング除去し、その後フォトレジスト２０を除去することで、活性層１３Ａを含むパターン１３Ｂを形成する。その後の（ｅ１）工程は、図２における（ｄ）工程と同様に、ソース電極１４Ａとドレイン電極１４Ｂのパターンを形成する。エッチング耐性が付与されたＩＧＺＯ層は、ドライエッチングに対しても耐性が向上しているので、パターニングの際は、ウェットプロセスだけでなくドライエッチングプロセスを用いても良い。
【００２０】
図４に示す他の実施形態においては、（ａ２），（ｂ２），（ｃ２），（ｄ２），（ｅ２）の工程順で製造する。（ａ２）〜（ｃ２）工程は、図２に示した（ａ）〜（ｃ）工程と同様である。この実施形態では、活性層１３Ａをパターニングした後、（ｄ２）工程にて、活性層１３Ａ上にエッチストップ層２１のパターンを形成して、その後、（ｅ２）工程にて、ソース電極１４Ａとドレイン電極１４Ｂのパターンを形成する。ここでは、エッチストップ層２１のパターン形成とソース電極１４Ａ及びドレイン電極１４Ｂのパターン形成時に、フォトレジストをマスク露光するフォトリソグラフィー工程とエッチング工程が行われる。
【００２１】
以上説明した実施形態は、レーザーアニール処理によって活性層１３Ａにエッチング耐性が付与されることで、活性層１３Ａのパターニングと電極パターンの形成の一方又は両方において、フォトレジストをマスク露光するフォトリソグラフィー工程を省くことができ、工程の簡略化を図ることができる。
【符号の説明】
【００２２】
１０：ベース基板（ガラス基板），１１：ゲート電極，１２：ゲート絶縁膜，
１３：酸化物半導体層，１３Ａ：活性層，１４Ａ：ソース電極，
１４Ｂ：ドレインで極，２０：フォトレジスト，２１：エッチストップ層
【図１】
2018098313.tif 000003
【図２】
2018098313.tif 000004
【図３】
2018098313.tif 000005
【図４】
2018098313.tif 000006