(57)【要約】【課題】  プリント回路基板を提供する。【解決手段】  本発明の一側面に係るプリント回路基板は、絶縁層と、絶縁層にそれぞれ形成される上部導体パターン層及び下部導体パターン層と、高融点金属層及び高融点金属層の溶融点より低い溶融点を有する低融点金属層を含み、上部導体パターン層と下部導体パターン層とを接続するために絶縁層を貫通するビアと、を含み、低融点金属層には低融点金属層の全体重量対比０．１ｗｔ％超過１ｗｔ％以下の炭素が含有される。【選択図】図１
2018078291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層にそれぞれ形成される上部導体パターン層及び下部導体パターン層と、
高融点金属層及び前記高融点金属層の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層を含み、前記上部導体パターン層と前記下部導体パターン層とを接続するために前記絶縁層を貫通するビアと、を含み、
前記低融点金属層には、前記低融点金属層の全体重量対比０．１ｗｔ％超過１ｗｔ％  以下の炭素が含有されたプリント回路基板。
【請求項２】
前記低融点金属層は、錫（Ｓｎ）を含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記低融点金属層は、
銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくともいずれか１種をさらに含む請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、感光性物質を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
複数の単位基板のそれぞれを形成するステップと、
前記複数の単位基板を一括積層するステップと、を含み、
前記複数の単位基板のそれぞれを形成するステップは、
導体パターン層を形成するステップと、
前記導体パターン層を埋め込む絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に高融点金属層を形成するステップと、
前記高融点金属層に接する一面とは反対側の他面の表面粗度（Ｒａ）が、０．１μｍ以下である低融点金属層を前記高融点金属層に形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記低融点金属層は、
錫（Ｓｎ）及び有機化合物を含むメッキ液を用いた電解メッキにより形成される請求項５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記有機化合物は、アセトアルデヒド（ａｃｅｔａｌｄｅｈｙｄｅ）を含む請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機化合物は、硫黄系化合物をさらに含む請求項７に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記メッキ液での前記有機化合物の濃度は、１００ｐｐｍを超過する、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常プリント回路基板は、コア基板上に複数のビルドアップ層を順次積層して生産される。このようにビルドアップ層を順次積層してプリント回路基板を生産することを順次積層工法とも称する。
【０００３】
順次積層工法によりプリント回路基板を製造する場合、プリント回路基板の層数が増えると積層工程数も増加する。このような積層工程は、既に積層されている部分にも熱を加えるので、不要でかつ予測不可能な変形を起こしたりする。このような変形が多いと層間の位置合わせが困難となる。
【０００４】
これにより、それぞれのビルドアップ層を単位基板に分離生産した後に、複数の単位基板を一括的に同時に積層してプリント回路基板を生産する一括積層工法が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−００６６０４４号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施例によれば、導体パターン層とビアとの間の接続信頼性が向上されたプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用される単位基板の製造工程の一工程を示す図である。
【図４】図３の次の工程を示す図である。
【図５】図４の次の工程を示す図である。
【図６】図５の次の工程を示す図である。
【図７】図６の次の工程を示す図である。
【図８】図７の次の工程を示す図である。
【図９】図３から図８により製造された単位基板を一括的に積層することを説明するための図である。
【図１０】図３から図８により製造された単位基板を一括的に積層することを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。
【０００９】
本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。
【００１０】
また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されるものではない。
【００１２】
以下、本発明に係るプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面番号を付し、これに対する重複説明を省略する。
（プリント回路基板）
【実施例】
【００１３】
（一実施例）
図１は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板１０００は、導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０と、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０と、ビアＶ１と、を含む。
【００１４】
先ず、図１を参照すると、導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０は複数形成されるが、相互間の区別が不要な場合は、導体パターン層と通称する。ただし、導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０の間の区別が必要な場合は、第１導体パターン層１１０、第２導体パターン層２１０、第３導体パターン層３１０、第４導体パターン層４１０、または第５導体パターン層５１０に区別して説明する。
【００１５】
また、図１を参照すると、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、複数形成されるが、相互間の区別が不要な場合は、絶縁層と通称する。ただし、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０の間の区別が必要な場合は、第１絶縁層１２０、第２絶縁層２２０、第３絶縁層３２０または第４絶縁層４２０に区別する。
【００１６】
導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０のそれぞれは、互いに離隔して形成される。導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０のそれぞれは、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターンまたは外部接続端子のうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００１７】
導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）で形成されることができる。
【００１８】
導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０のそれぞれのパターンの形状は、すべて同一であってもよく、設計デザインに応じて互いに異ならせて形成されてもよい。
【００１９】
図１には、５層の導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０が示されているが、これは例示に過ぎない。本実施例に適用される導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０の数は、設計上の必要等によって様々に変更することができる。
【００２０】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０のそれぞれは、隣接した導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０を互いに電気的に絶縁するために、隣接した導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０の間に形成される。例として、第１絶縁層１２０は、互いに隣接している第１導体パターン層１１０と第５導体パターン層５１０とを互いに絶縁させるために、第１導体パターン層１１０と第５導体パターン層５１０との間に形成される。
【００２１】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、感光性物質を含むことができる。すなわち、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、光に反応する感光性物質を含む光硬化性絶縁樹脂であることができる。
【００２２】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０が光硬化性である場合、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、光により硬化度を調整することができる。ただし、光硬化性の絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は熱硬化性でもあるので、熱により硬化度を調整することもできる。
【００２３】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０が光硬化性である場合、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、別途のフォトレジストなしでフォトリソグラフィ工程、すなわち、露光及び現像工程を行うことができる。この場合、フォトリソグラフィ工程を用いて絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０にホールを形成することができる。このため、複数のホールを一つの絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０に同時に形成することができ、工程を単純化することができる。また、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０に形成されるホールの形状を、様々な形状に形成することができる。例えば、ホールの縦断面形状は、逆台形、正台形、長方形等を有することができる。
【００２４】
光硬化性の絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、ポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）またはネガ型（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）であることができる。絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０がポジ型である場合、露光された部分の光重合体ポリマー結合が切れる。以後、現像工程を行うと、光を受けて光重合体ポリマー結合の切れた部分が除去される。
【００２５】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０がネガ型である場合、露光された部分が光重合反応を起こし、単一構造から鎖構造の３次元網状構造となり、現像工程を行うと、光を受けていない部分が除去される。
【００２６】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、光硬化性絶縁樹脂に無機フィラーを含有させたものであってもよい。無機フィラーは、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０の剛性を向上させる。無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）より構成された群から選択された少なくとも１種以上を用いることができる。
【００２７】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０のそれぞれは、第１導体パターン層から第４導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０のうちのいずれか一つと共に、後述する単位基板１００、２００、３００、４００に含まれる。すなわち、順次積層工法とは異なって、一括積層工法によりプリント回路基板を製造する本発明の実施例によれば、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０のそれぞれは、互いに別に形成された後に一括的に同時に積層される。
【００２８】
絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０のそれぞれには、第１導体パターン層から第４導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０のうちのいずれか一つが埋め込まれることができる。すなわち、第１絶縁層１２０には、第１導体パターン層１１０の少なくとも一部が埋め込まれることができる。第２絶縁層から第４絶縁層２２０、３２０、４２０のそれぞれには、第２導体パターン層から第４導体パターン層２１０、３１０、４１０のそれぞれが埋め込まれる。
【００２９】
第５導体パターン層５１０は、第１導体パターン層から第４導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０とは異なって、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０に埋め込まれない。これについては、後述する本実施例に係るプリント回路基板の製造方法で詳細に説明する。
【００３０】
ビアＶ１は、隣接している導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０を互いに接続するために絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０を貫通する。例として、ビアＶ１は、隣接している第１導体パターン層１１０と第５導体パターン層５１０とを互いに接続するために、第１絶縁層１２０を貫通して形成される。また、ビアＶ１は、隣接している第１導体パターン層１１０と第２導体パターン層２１０とを互いに接続するために、第２絶縁層２２０を貫通して形成される。
ビアＶ１は、高融点金属層６１０と、高融点金属層６１０の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層６２０と、を含む。
【００３１】
高融点金属層６１０は、銅（Ｃｕ）を含むことができる。例として、高融点金属層６１０は、銅（Ｃｕ）で形成可能であり、これに限定されることはない。すなわち、高融点金属層６１０は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）で形成可能であり、銅（Ｃｕ）と銅（Ｃｕ）以外の金属のうちの少なくともいずれか１種とを含む合金で形成されることも可能である。
【００３２】
低融点金属層６２０は、高融点金属層６１０の溶融点よりも低い溶融点を有し、高融点金属層６１０と導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０との間に形成される。
【００３３】
低融点金属層６２０は、単位基板１００、２００、３００、４００、５００を一括積層する際に少なくとも一部が溶融する。よって、低融点金属層６２０は、単位基板１００、２００、３００、４００、５００を一括積層する際に発生する導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０の間の圧力ばらつき及び／または導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０と高融点金属層６１０との間の圧力ばらつきを防止することができる。
【００３４】
低融点金属層６２０は、一括積層する際に少なくとも一部が溶融するので、高融点金属層６１０及び／または導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０と容易に層間金属化合物（Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＩＭＣ）を形成することができる。
【００３５】
層間金属化合物は、高融点金属層６１０及び／または導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０と低融点金属層６２０との間の結合力を向上させることができ、さらに単位基板１００、２００、３００、４００、５００の間の結合力を向上させることができる。
【００３６】
低融点金属層６２０は、ソルダー材質で形成されることができる。ここで「ソルダー」とは、半田に使用可能な金属材料を意味し、鉛（Ｐｂ）を含む合金であってもよく、鉛を含まなくてもよい。例えば、低融点金属層６２０は、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びインジウム（Ｉｎ）またはこれらから選択された金属の合金であることができる。具体的には、本発明の実施例に適用されるソルダーは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくともいずれか１種と、ソルダー全体に対して９０％以上に含有された錫（Ｓｎ）とで構成された合金であることができる。
【００３７】
低融点金属層６２０には、低融点金属層６２０の全体重量対比０．１ｗｔ％超過１ｗｔ％以下の炭素が含有される。低融点金属層６２０に含有された炭素は、後述する錫メッキ液に含有された有機化合物に由来する。
【００３８】
低融点金属層６２０は、光沢メッキと通称する、低粗度の形成が可能な電解メッキにより形成される。単位基板１００、２００、３００、４００を一括積層する前に低融点金属層６２０は０．１μｍ以下の表面粗度（Ｒａ）を有する。具体的には、第１単位基板から第４単位基板１００、２００、３００、４００のうちのいずれか一つに形成された低融点金属層６２０は、他の単位基板１００、２００、３００、４００、５００の導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０と接することになる表面の粗度が０．１μｍ以下に形成される。
【００３９】
低融点金属層６２０の表面粗度が０．１μｍ以下に形成されることにより、一括積層する際に導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０と低融点金属層６２０との間のボイド（ｖｏｉｄ）の発生が低減する。よって、本実施例に係るプリント回路基板１０００は、導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０と低融点金属層６２０との間の接合信頼性を向上することができる。
【００４０】
一方、図１には示されていないが、本実施例に係るプリント回路基板１０００は、最外層に形成された第４導体パターン層４１０及び／または第５導体パターン層５１０を保護するために、第４導体パターン層４１０及び／または第５導体パターン層５１０に形成されたソルダーレジスト層をさらに含むことができる。
【００４１】
ソルダーレジスト層には、本実施例に係るプリント回路基板１０００の外部接続端子を外部に露出する開口部を形成することができる。ソルダーレジスト層は、感光性物質を含むことができ、この場合、開口部はフォトリソグラフィ工程により形成することができる。または、ソルダーレジスト層の開口部は、レーザードリリングにより形成することができる。
【００４２】
（他の実施例）
図２は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
図２を参照すると、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板２０００は、導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０、５１０と、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０、５２０と、第１ビアＶ１と、第２ビアＶ２と、を含む。
【００４３】
本実施例に係るプリント回路基板２０００と本発明の一実施例に係るプリント回路基板１０００とを比べると、第２ビアＶ２が異なるのでこれを中心に説明する。
一方、本実施例に適用される第１ビアＶ１は、本発明の一実施例で説明したビアＶ１に対応する。
【００４４】
図２を参照すると、第２ビアＶ２は、隣接している第１導体パターン層１１０と第５導体パターン層５１０とを接続するために、第１絶縁層１２０及び第５絶縁層５２０に形成される。
【００４５】
第２ビアＶ２は、第１ビアＶ１とは異なって、３層構造を有する。すなわち、第１ビアＶ１は、高融点金属層６１０−低融点金属層６２０の２層構造を有するが、第２ビアＶ２は、高融点金属層６１０−低融点金属層６２０−高融点金属層６１０の３層構造を有する。
【００４６】
第２ビアＶ２の高融点金属層６１０及び低融点金属層６２０については、本発明の一実施例に係るプリント回路基板１０００で説明したので詳細な説明を省略する。
【００４７】
第２ビアＶ２が３層構造に形成されるのは、第５単位基板５００が第５絶縁層５２０を含むからである。また、単位基板１００、２００、３００、４００、５００を一括積層する際に第５単位基板５００が他の単位基板１００、２００、３００、４００とは異なって、第５導体パターン層５１０が上部に向くように配置されるからである。
第５絶縁層５２０には、本発明の一実施例で説明した第１絶縁層から第４絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０に関する説明がそのまま適用される。
【００４８】
一方、図２には、第２ビアＶ２が第１導体パターン層１１０と第５導体パターン層５１０とを互いに接続するために、第１絶縁層１２０及び第５絶縁層５２０に形成されているが、これは例示に過ぎない。すなわち、第２ビアＶ２は、第１導体パターン層１１０と第２導体パターン層２１０とを互いに接続するために第１絶縁層１２０と第２絶縁層２２０に形成されることもできる。
【００４９】
本実施例に係るプリント回路基板２０００は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板１０００とは異なって、一括積層後に第５導体パターン層５１０を形成する工程が削除可能である。
【００５０】
（プリント回路基板の製造方法）
図３から図１０は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を順次示す図である。
具体的には、図３から図８は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用される単位基板の製造工程を順次示す図であり、図９及び図１０は、図３から図８により製造された単位基板を一括的に積層することを示す図である。
【００５１】
図３から図１０を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、複数の単位基板それぞれを形成するステップ及び複数の単位基板を一括積層するステップを含む。
【００５２】
複数の単位基板それぞれを形成するステップは、導体パターン層を形成するステップと、導体パターン層を埋め込む絶縁層を形成するステップと、絶縁層に高融点金属層を形成するステップと、低融点金属層を高融点金属層に形成するステップと、を含む。
以下では、単位基板を形成するステップと単位基板を一括積層するステップとを区別して説明する。
【００５３】
（単位基板の製造方法）
図３から図８は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用される単位基板の製造工程を順次示す図である。
具体的には、図３から図８は、第４絶縁層及び第４導体パターン層を含む第４単位基板の製造工程を示す図である。
【００５４】
第４単位基板４００の製造工程に関する説明は、第１単位基板から第３単位基板１００、２００、３００の製造工程にそのまま適用される。よって、以下では第４単位基板４００の製造工程のみを説明し、第１単位基板から第３単位基板１００、２００、３００の製造工程についての説明を省略する。
【００５５】
本実施例の場合、第５単位基板５００は、第１単位基板から第４単位基板１００、２００、３００、４００とは異なって、絶縁層を含まず、第５導体パターン層形成用の銅箔のみで形成される。第５単位基板５００の第５導体パターン層形成用の銅箔は、通常の技術者にとって容易であるので、詳細な説明を省略する。
【００５６】
先ず、図３を参照すると、支持フィルムＦの両面に銅箔ＣＦが形成されたキャリアＣ  を準備する。銅箔ＣＦは、支持フィルムＦとは別に形成された後に、支持フィルムＦに圧着されることができる。または、銅箔ＣＦは、支持フィルムＦの両面に銅メッキを施して形成することもできる。
【００５７】
一方、示されていないが、キャリアＣは、支持フィルムＦと銅箔ＣＦとの間に形成された離型層をさらに含むことができる。離型層は、追って第４単位基板４００から支持フィルムＦを除去する際に支持フィルムＦと銅箔ＣＦが容易に分離できるようにする。
次に、図４を参照すると、キャリアＣに第４導体パターン層４１０を形成する。
【００５８】
第４導体パターン層４１０は、銅箔ＣＦ上に第４導体パターン層４１０のパターンが逆転写されたメッキレジストを形成し、その後、銅箔ＣＦをシード層とする電解メッキを実施して形成することができる。
【００５９】
第４導体パターン層４１０を形成した後に、メッキレジストは銅箔ＣＦから除去される。メッキレジストは、銅箔ＣＦ上面の全領域にメッキレジスト形成用物質を形成した後にフォトリソグラフィ工程により形成できる。メッキレジストは、ドライフィルムで形成可能であり、これに限定されることはない。
【００６０】
一方、以上では、第４導体パターン層４１０の形成方法を、いわゆるＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により説明したが、これとは異なって、サブトラックティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法により形成することもできる。この場合、上述したキャリアＣの構造とは異なる構造のキャリアを用いることもできる。
【００６１】
また、以上では、キャリアＣの上面を基準にして第４導体パターン層４１０を形成する工程を説明したが、これに限定されることはない。すなわち、必要によって、キャリアＣの下面にも第１導体パターン層から第４導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０のうちのいずれか一つを形成するための工程が同時に行われることができる。これは、図５から図７にもそのまま適用されるので、以下の説明は、キャリアＣの上面のみを基準にして説明する。
【００６２】
次に、図５を参照すると、第４導体パターン層４１０の少なくとも一部が埋め込まれるように第４絶縁層４２０を形成し、第４絶縁層４２０にビアホールＨを形成する。
【００６３】
第４絶縁層４２０は光硬化性であるため、ビアホールＨは、フォトリソグラフィ工程により第４絶縁層４２０に形成することができる。または、ビアホールＨは、レーザードリリングにより形成することもできる。
【００６４】
第４絶縁層４２０は、真空ラミネートを用いてキャリアＣ上にラミネートされることができる。ただし、ラミネートされて選択的に露光工程を経た第４絶縁層４２０は、一括積層工程前までは、後硬化工程を経ないため半硬化状態（Ｂ−ｓｔａｇｅ）にある。例として、選択的に露光工程を経た第４絶縁層４２０は、完全硬化状態（Ｃ−ｓｔａｇｅ）対比１０〜２０％の硬化度を有することができる。
【００６５】
一方、必要により、第４絶縁層４２０を別途の工程により完全硬化状態（Ｃ−ｓｔａｇｅ）対比５０％の硬化度を有するように半硬化させることができる。別途の半硬化工程としては、ビアホールＨを形成するためのフォトリソグラフィ工程に使用される光を用いて行うことができる。しかし、この場合でも、第４絶縁層４２０は、一括積層工程前までは完全硬化されない。
【００６６】
次に、図６を参照すると、第４絶縁層４２０に高融点金属層６１０を形成する。
高融点金属層６１０は、電解メッキにより形成可能である。電解メッキの場合は、異方性または等方性メッキをすべて含む。
【００６７】
高融点金属層６１０は、銅電解メッキにより形成され、銅（Ｃｕ）を含むことができる。高融点金属層６１０を電解メッキにより形成するに当たって、シード層として第４導体パターン層４１０を用いることができる。または、シード層としては、第４導体パターン層４１０ではなく別途の工程により形成したものを用いることができる。後者の例として、第４導体パターン層４１０を形成した後に、第４導体パターン層４１０の表面に沿って無電解メッキを用いてシード層を形成し、その上に第４絶縁層４２０を形成することができる。
【００６８】
次に、図７を参照すると、高融点金属層６１０に低融点金属層６２０を形成する。低融点金属層６２０は、高融点金属層６１０に接する一面とは反対側の他面の表面粗度（Ｒａ）が、０．１μｍ以下に形成される。
【００６９】
低融点金属層６２０は、通常光沢メッキと称され、低粗度を形成することが可能な電解メッキにより形成されるので、他面の粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以下に形成されることができる。この低融点金属層６２０を形成するために、錫及び有機化合物が含まれた錫メッキ液を使用する。
【００７０】
有機化合物は、アセトアルデヒド（ａｃｅｔａｌｄｅｈｙｄｅ）を含む。メッキ液に含まれたアセトアルデヒドは、低融点金属層６２０の表面粗度を低くすることができる。有機化合物は、硫黄系化合物をさらに含むことができる。硫黄系化合物は、チオ尿素（Ｔｈｉｏｕｒｅａ）及びサッカリンのうちのいずれか１種以上を含むことができる。硫黄系化合物は、アセトアルデヒドと同じく、低融点金属層６２０の表面粗度を低くすることができる。
【００７１】
錫メッキ液に含まれた有機化合物の濃度は、１００ｐｐｍを超過する。通常の錫メッキ液での有機化合物の濃度が数十ｐｐｍであることに比べて、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用する錫メッキ液は、有機化合物の濃度が１００ｐｐｍを超過する。このため、低融点金属層６２０は、通常の錫メッキ層に比べて炭素の含量が相対的に高い。具体的に、低融点金属層６２０には低融点金属層６２０の全体重量対比０．１ｗｔ％超過１ｗｔ％以下の炭素が含有される。これは、通常の錫メッキ層には、錫メッキ層の全体重量対比０．１ｗｔ％以下の炭素が含有されることと対比される。
【００７２】
次に、図８を参照すると、第４絶縁層４２０からキャリアＣを除去することで第４単位基板４００が製造される。このとき、キャリアＣの銅箔ＣＦと支持フィルムＦとの間に形成された離型層を基準にして支持フィルムＦを先に除去した後に、第４絶縁層４２０の下面に結合された銅箔ＣＦを除去することにより、第４単位基板４００を製造することができる。ただし、第４単位基板４００の剛性のために、銅箔ＣＦは一括積層工程直前に除去することもできる。
【００７３】
（単位基板を一括積層するステップ）
図９及び図１０は、図３から図８により製造された単位基板を一括的に積層することを示す図である。
【００７４】
図９を参照すると、単位基板１００、２００、３００、４００、５００を上下に配置し、互いに位置合わせする。このとき、単位基板１００、２００、３００、４００、５００のそれぞれに形成された位置合わせマークを用いて単位基板１００、２００、３００、４００、５００を互いに位置合わせする。
【００７５】
次に、図１０を参照すると、単位基板１００、２００、３００、４００、５００を一括接合した後に、第５導体パターン層５１０を形成する。Ｖ−ｐｒｅｓｓ積層機等を用いて単位基板１００、２００、３００、４００、５００を一括的に高温圧着する。
【００７６】
一括積層する際に、温度は１８０〜２００℃に設定され、プレス圧力は３０〜５０ｋｇ／ｃｍ２に設定されることができるが、この数値に限定されず、一括積層する際の温度及び圧力は、絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０の成分または低融点金属層６２０の成分等により異ならせて設定することができる。特に、一括積層する際の温度は、低融点金属層６２０の溶融点以上であることが好ましい。
【００７７】
一括積層する際に、低融点金属層６２０が溶融しながら、隣合う第１導体パターン層から第４導体パターン層１１０、２１０、３１０、４１０及び第５単位基板５００を互いに接合させることができる。この場合、一括積層する際の圧力により低融点金属層６２０が絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０側に広がることができる。これにより、低融点金属層６２０の上部断面積と低融点金属層６２０の下部断面積とは互いに異なり得る。
半硬化状態にあった絶縁層１２０、２２０、３２０、４２０は、一括積層後に完全硬化状態になる。
【００７８】
第５導体パターン層５１０は、第５単位基板５００である第５導体パターン層形成用の銅箔を選択的にエッチングして形成される。第５導体パターン層形成用の銅箔５００に第５導体パターン層５１０のパターンが逆転写されたエッチングレジストを形成し、その後第５導体パターン層形成用の銅箔５００を選択的にエッチングすることにより第５導体パターン層５１０を形成することができる。以後、エッチングレジストは除去される。
【００７９】
その後、示していないが、第４導体パターン層４１０及び／または第５導体パターン層５１０のそれぞれにソルダーレジスト層を形成することができる。ソルダーレジスト層は、ソルダーレジストを第４導体パターン層４１０及び／または第５導体パターン層５１０の全面に形成し、その後、第４導体パターン層４１０及び／または第５導体パターン層５１０の一部を開放することで形成することができる。
【００８０】
ソルダーレジスト層は、上述したように、一括積層工程後に形成されることが可能であり、一括積層工程において単位基板１００、２００、３００、４００、５００と共に積層されることも可能である。
【００８１】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【００８２】
Ｃ      キャリア
ＣＦ    銅箔
Ｆ      支持フィルム
Ｈ      ビアホール
Ｖ１    第１ビア
Ｖ２    第２ビア
１００、２００、３００、４００、５００      単位基板
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０      導体パターン層
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０      絶縁層
６１０    高融点金属層
６２０    低融点金属層
１０００、２０００      プリント回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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