(57)【要約】【課題】メンテナンス時などにおける取り扱いが容易であり、且つ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板搬送部２０と、基板を処理する第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとロードロックモジュール３とが設けられた複数の処理ユニットＵを上下に並べて収容する処理ユニット収容部７とを備える。処理ユニット収容部７の段内を上面側から見て、ロードロックモジュール７の側方には、基板搬送部と第１の真空処理モジュール４Ａとの間の領域Ｒに第１の貫通配管５１Ａが配設され、基板搬送部２０と第２の真空処理モジュール４Ｂとの間の領域Ｒに第２の貫通配管５１Ｂが配設される。さらに横断配管５１、８３２は、各処理ユニットＵ内の第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続され、処理ユニット収容部７の各段７０Ａ〜７０Ｃを横断するように配設される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気下で基板を処理する複数の真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第１の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備え、前記基板搬送部側から見て、横方向に並べて設けられた第１の真空処理モジュール及び第２の真空処理モジュールと、これら第１、第２の真空処理モジュールの各真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記各真空容器との間で基板を搬送するための第２の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、複数の前記処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、
前記多段に並べられた複数の処理ユニットの第１の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第１の貫通配管と、前記複数の処理ユニットの第２の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第２の貫通配管と、
前記各処理ユニット内の第１、第２の真空処理モジュールに接続され、前記処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管と、を備え、
前記処理ユニット収容部の段内を上面側から見たとき、前記第１の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第１の真空処理モジュールとの間の領域に配設され、前記第２の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第２の真空処理モジュールとの間の領域に配設されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
各々、前記複数の処理ユニットを収容し、横方向に並べて配置された複数の処理ユニット収容部を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記第１、第２の貫通配管を当該処理ユニット収容部側に残して、前記ロードロックモジュールを基板搬送部から離間させる方向へと、横方向に移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記横方向に移動可能に構成された処理ユニットは、当該処理ユニットと共に前記処理ユニット収容部に収容される処理ユニット支持部に支持され、前記横方向の移動に際して、前記処理ユニットは、前記処理ユニット支持部に支持された状態で移動することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理ユニット収容部に収容された処理ユニットは、前記ロードロックモジュールが基板搬送部に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置へと処理ユニットを上昇移動させることにより、前記基板搬送部からロードロックモジュールを切り離すように構成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
一端部が前記真空処理モジュールまたはロードロックモジュールに接続され、他端部が開口した処理ユニット側の処理ユニット側配管部と、
前記処理ユニット側配管部に接続される開口端部を備えた前記処理ユニット収容部側の装置側配管部と、を備え、
前記処理ユニット側配管部の他端部、及び前記装置側配管部の開口端部には、前記切り離し位置から接続位置まで処理ユニットを降下させて基板搬送部に接続する動作に伴って互いに連結される連結部材が設けられていることと、
前記装置側配管部は、前記第１、第２の貫通配管、または前記横断配管の少なくとも一つであることと、を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に、ロードロックモジュールと真空処理モジュールとを備えた処理ユニットを配置する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して成膜、エッチング、アッシング、アニールなどの真空処理が行われる。真空処理を高いスループットで行うために、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）にロードロックモジュールを介して平面視多角形状の真空搬送室を接続し、この真空搬送室の各側壁面に真空処理モジュールを接続したマルチチャンバシステムなどと呼ばれている基板処理装置が知られている。
【０００３】
一方最近では、半導体デバイスの多様化により、処理の完了までに長い時間を要する真空処理が必要となる場合がある。例えば三次元のメモリーであるＮＡＮＤ回路を形成する場合には、酸化層、窒化層を交互に多数回積層するために、１回の成膜処理にかなり長い時間が必要となる。このため、スループットを高めるために、基板処理装置に設けられる真空処理モジュール数を増やす技術の構築が望まれている。
【０００４】
ここで特許文献１には、基板に対する加熱処理や冷却処理などが行われる複数の処理室を垂直方向へ積層して配置するために、これらの処理室を多段に収容することが可能な処理装置フレーム（第１支持構造）を備えた基板処理装置が記載されている。
【０００５】
しかしながら、基板に対する真空処理を行う基板処理装置においては、真空雰囲気と常圧雰囲気との間で内部雰囲気を自在に切り替えることが可能なロードロックモジュールと、真空処理モジュールとを組み合わせて基板の処理が行われる。この点、特許文献１に記載の技術は、処理室を単純に積層する技術が記載されているにすぎない。このため、真空処理モジュールやロードロックモジュールのうち、何をどのように積層して配置することが好ましいのか、またそのとき、処理ガスの供給や真空排気などを行う各種配管をどのように接続すればよいのか明らかでなく、基板に対する真空処理を実施可能な基板処理装置を構築することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２１０７６７号公報：請求項１、段落０００２、００１７、図１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、メンテナンス時などにおける取り扱いが容易であり、且つ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理装置は、真空雰囲気下で基板を処理する複数の真空処理モジュールを備えた基板処理装置において、
常圧雰囲気下で基板を搬送する第１の基板搬送機構が設けられた基板搬送部と、
基板の処理が行われる真空容器を備え、前記基板搬送部側から見て、横方向に並べて設けられた第１の真空処理モジュール及び第２の真空処理モジュールと、これら第１、第２の真空処理モジュールの各真空容器に接続され、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替え自在に構成されたロードロック室内に、前記基板搬送部と、前記各真空容器との間で基板を搬送するための第２の基板搬送機構が設けられたロードロックモジュールと、を備えた処理ユニットと、
各々、前記ロードロックモジュールが前記基板搬送部に接続された状態にて、複数の前記処理ユニットを上下方向に多段に並べて収容する処理ユニット収容部と、
前記多段に並べられた複数の処理ユニットの第１の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第１の貫通配管と、前記複数の処理ユニットの第２の真空処理モジュールが共通に接続され、前記処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第２の貫通配管と、
前記各処理ユニット内の第１、第２の真空処理モジュールに接続され、前記処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管と、を備え、
前記処理ユニット収容部の段内を上面側から見たとき、前記第１の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第１の真空処理モジュールとの間の領域に配設され、前記第２の貫通配管は、前記ロードロックモジュールの側方であって、前記基板搬送部と第２の真空処理モジュールとの間の領域に配設されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、第１、第２の真空処理モジュールとロードロックモジュールとを備えた処理ユニットが複数組収容された処理ユニット収容部に設けられる配管について、当該処理ユニット収容部を上下方向に貫通するように配設された第１、第２の貫通配管と、処理ユニット収容部の各段を横断するように配設された横断配管とに分けて配置を行っている。この構成により、処理ユニット収容部内に分散して配置された各種配管へのアクセスが容易となり、メンテナンス性の良好な基板処理装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の外観斜視図である。
【図２】前記基板処理装置の横断平面図である。
【図３】前記基板処理装置に設けられているアウターフレームの側面図である。
【図４】前記アウターフレームに収容された処理ユニットの平面図である。
【図５】前記アウターフレームの外観斜視図である。
【図６】前記アウターフレームに処理ユニットが組み込まれた状態を示す斜視図である。
【図７】前記処理ユニットを引き出した状態を示す第１の作用図である。
【図８】前記処理ユニットを接続した状態を示す第２の作用図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図１〜６を参照しながら本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図１の外観斜視図に示すように、本例の基板処理装置は、複数枚のウエハＷを収容した搬送容器であるキャリアＣからウエハＷを取り出すためのＥＦＥＭ１０１と、このＥＦＥＭ１０１に接続され、ウエハの処理を行う処理ブロック１０２と、を備えている。
【００１２】
例えばＥＦＥＭ１０１は、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であるキャリアＣが、手前から見て例えば左右方向（図１中のＸ方向）に４個載置されるように構成された容器載置部であるロードポート１１を備えている。図２に示すように、ロードポート１１におけるキャリアＣの載置面には、キャリアＣの底面を位置決めした状態で支持する支持部１０が設けられている。ロードポート１１の奥手側には、キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う受け渡し機構１２を備えた搬送室１３が設けられている。搬送室１３の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、搬送室１３内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。搬送室１３におけるロードポート１１側の側壁面には、キャリアＣの側面側に設けられた蓋体を脱着する脱着機構を備えると共に、ウエハＷの搬入出が行われる開口部の開閉を行う開閉ドア１４が設けられている。
【００１３】
受け渡し機構１２は、ロードポート１１側から見て左右方向に伸びる走行レール１５に沿って移動自在な基体（図示せず）に、伸縮自在な関節アームを昇降、回転自在に設けた構成となっている。開閉ドア１４によりキャリアＣの蓋が取り外され、開口部が開かれると、キャリアＣ内に受け渡し機構１２が進入してウエハＷが取り出される。
【００１４】
ロードポート１１から見て、搬送室１３の背面側には、受け渡し機構１２がウエハＷを保持した状態で通過するための不図示の受け渡し口が形成されている。受け渡し機構１２によるウエハＷの受け渡しが行われない期間中は、ＥＦＥＭ１０１と処理ブロック１０２との雰囲気を区画するために図示しないシャッターにより受け渡し口を閉じてもよい。
【００１５】
図２に示すように処理ブロック１０２は、ＥＦＥＭ１０１側から受け渡されたウエハＷが搬送される基板搬送部２０と、この基板搬送部２０に接続された複数の処理ユニットＵを収容したアウターフレーム７とを備える。これら基板搬送部２０やアウターフレーム７は、例えば筐体内に収容されている（図１）。
【００１６】
図２に示すように基板搬送部２０は、ＥＦＥＭ１０１から見て、前後方向に伸びる細長い基板搬送室２００を備える。基板搬送室２００は、後述のアウターフレーム７に多段に収容された各処理ユニットＵ（より詳細には処理ユニットＵ内のロードロックモジュール３）を基板搬送室２００に対して接続することが可能な高さを有する。基板搬送室２００の上面側には、不図示のファンフィルタユニットが設けられ、基板搬送室２００内は例えば常圧の清浄空気雰囲気の空間となっている。
【００１７】
基板搬送室２００の底部には、前後方向に沿って伸びる移動路である走行レール２１が設けられている。さらに基板搬送室２００内には、走行レール２１に案内されながら前後方向に移動自在に構成された支柱部２２が設けられ、この支柱部２２のＥＦＥＭ１０１側の側面には、当該支柱部２２に沿って昇降自在に構成された第１の基板搬送機構２が設けられている。
【００１８】
本例において、第１の基板搬送機構２は、例えば全面が開口した筐体内に、ウエハＷを１枚ずつ保持する不図示のウエハ保持部を多段に設けた構造となっている。また第１の基板搬送機構２は、前記筐体を鉛直軸周りに回転させる不図示の回転駆動部を介して支柱部２２に支持されている。この構成により第１の基板搬送機構２は、前記筐体の開口面をＥＦＥＭ１０１側、及びアウターフレーム７が設けられている基板搬送室２００の左右の両側面側に向けることができる。
【００１９】
なお、多段にウエハＷを収容可能な筐体によって第１の基板搬送機構２を構成することは必須の要件ではない。例えば伸縮、回転自在な１本、または複数本の関節アームを走行レール２１に沿って移動自在、支柱部２２に沿って昇降自在に設けてもよい。この場合には、ＥＦＥＭ１０１と基板搬送部２０との間に、受け渡し対象のウエハＷを一時的に載置するための棚段状のウエハ載置部を設けてもよい。
【００２０】
ＥＦＥＭ１０１側から見て基板搬送部２０の左右側方には、処理ユニットＵを収容した処理ユニット収容部であるアウターフレーム７が、複数基ずつ（本例では３基ずつ）配置されている。  
以下、図３〜８を参照しながらアウターフレーム７や処理ユニットＵの構成、作用の説明を行うが、これらの図には、アウターフレーム７から基板搬送部２０の側壁面を見たとき、基板搬送部２０へ近づく方向をＸ’軸の正方向、アウターフレーム７から見て右手側をＹ’軸の正方向、鉛直方向の上側をＺ’軸の正方向とする副座標軸を併記してある。
【００２１】
図３、５に示すようにアウターフレーム７は例えば骨組み構造の枠体に、上下方向に間隔を開けて例えば２枚の棚板部７２を設けた棚段構造となっている。アウターフレーム７において、処理ブロック１０２内の床面と下段側の棚板部７２との間の空間、下段側の棚板部７２と上段側の棚板部７２との間の空間、上段側の棚板部７２の上方の空間は、各々、処理ユニットＵを収容するための収容空間７０Ａ〜７０Ｃとなっている。
【００２２】
これら収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内に収容される処理ユニットＵの構成について述べておく。各処理ユニットＵは、ロードロックモジュール（ＬＬＭ）３と、このＬＬＭ３を介して第１の基板搬送機構２との間でウエハＷの受け渡しが行われる複数、例えば２つの真空処理モジュール（第１の真空処理モジュール４Ａ、第２の真空処理モジュール４Ｂ）とを備える。
【００２３】
図２、４に示すように、ＬＬＭ３は、平面形状が五角形のロードロック室３２内に、第２の基板搬送機構３３を設けた構造となっている。ロードロック室３２の一側面には連結口部３４が設けられ、当該連結口部３４の内側にはウエハＷの搬入出が行われる搬入出口３１を開閉するためのゲートバルブＧ１が設けられている。一方、基板搬送部２０の側壁面には連結部２３が設けられ、ＬＬＭ３側の連結口部３４は当該連結部２３に接続される。  
なお、図示の便宜上、図２においては、ＬＬＭ３の連結口部３４や基板搬送部２０の連結部２３の記載を省略してある。
【００２４】
一方、基板搬送部２０との接続面から見て、ロードロック室３２の背面側に位置する２つの面には、各々、ゲートバルブＧ２、Ｇ３により開閉自在な搬入出口３５が設けられている。そして、これら搬入出口３５が設けられた基板搬送部２０の側壁面には、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを構成する真空容器４０が気密に接続されている。即ち、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂは、基板搬送部２０側から見て、横方向に並べて設けられている。
【００２５】
ロードロック室３２には、不図示の排気管が接続され、当該排気管を介してロードロック室３２内を真空排気することにより、常圧の大気雰囲気（常圧雰囲気）と真空雰囲気との間で内部雰囲気を切り替えることができる。  
ロードロック室３２内に設けられた第２の基板搬送機構３３は、例えば、伸縮自在、及び鉛直軸周りに回転自在に構成された関節アームによって構成され、当該ＬＬＭ３の接続位置の前方に移動してきた第１の基板搬送機構２と、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２６】
第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを構成する真空容器４０は、ウエハＷに対して真空処理である例えば成膜を実施する。真空容器４０には、処理対象のウエハＷが載置される載置台や、真空容器４０内に成膜用の処理ガスの供給を行う処理ガス供給部、真空容器４０の内部をクリーニングするためのクリーニングガスの供給を行うクリーニングガス供給部、プラズマを利用した成膜を行う場合に、処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ発生機構などが設けられている（いずれも不図示）。
【００２７】
以上に説明した構成を備える処理ユニットＵは、図６に示すように、例えば骨組み構造の枠体として構成されたインナーフレーム６によってＬＬＭ３や第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂが下面側から支持されている。インナーフレーム６の内側（処理ユニットＵの下方側）の空間には、ＬＬＭ３内の第２の基板搬送機構３３を駆動する駆動機構や、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０内に設けられた載置台と、ＬＬＭ３側の第２の基板搬送機構３３との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し機構など、各種の付帯機器が収容されているが、個別の図示、説明は省略する。
【００２８】
そして図２、３、６などに示すように、処理ユニットＵはインナーフレーム６に支持された状態にて、アウターフレーム７内の収容空間７０Ａ〜７０Ｃに収容され、各処理ユニットＵのＬＬＭ３が基板搬送部２０に接続される。この結果、本例の基板処理装置では、６基のアウターフレーム７内に収容された合計１８台の処理ユニットＵが基板搬送部２０に接続され、３６台の第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂを用いてウエハＷに対する成膜を行うことができる。  
なお、図示の便宜上、図２、４においてはアウターフレーム７やインナーフレーム６の記載を簡略化して、枠線のみを表示してある。
【００２９】
図２に示すように、基板搬送部２０に向かうアウターフレーム７から見て、アウターフレーム７の例えば左手側には、各処理ユニットＵの第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに対して成膜用の各種処理ガスや、不要な処理ガスを排出するためのパージガスなどを供給するためのガスボックス８１が設けられている。さらに基板搬送部２０側から見てガスボックス８１の後方には、ＬＬＭ３や第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに設けられた各種の駆動機器やプラズマ発生機構などに電力を供給するための電源ボックス８２が設けられている。
【００３０】
本例の基板処理装置において、これらガスボックス８１や電源ボックス８２、プラズマボックス８３は、各アウターフレーム７内に多段に収容された複数台の処理ユニットＵ（本例では３台の処理ユニットＵ）に共通に設けられている。そして図２に示すようにガスボックス８１や電源ボックス８２は、処理ブロック１０２内に設けられた各々のアウターフレーム７の側方に配置される。このとき図２に示すように、アウターフレーム７から見たガスボックス８１、電源ボックス８２の配置位置を共通化しておくとよい。これにより、ガスボックス８１から第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに供給される処理ガスなどの供給配管や、電源ボックス８２からＬＬＭ３、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに供給される電力の供給線の構成や配置経路を、全ての処理ユニットＵで共通化することが可能となる。
【００３１】
また図５に示すように、各アウターフレーム７の最上段の収容空間７０Ｃの上方であって、基板搬送部２０から見た手前側の右手位置には、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ（各真空容器４０）に対して、クリーニングガスであるリモートプラズマを供給するためのプラズマボックス８３が設けられている。当該プラズマボックス８３の配置位置についても、各アウターフレーム７にて共通化しておくことにより、プラズマボックス８３から第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに供給されるリモートプラズマの供給配管（後述のリモートプラズマ供給配管８３１、リモートプラズマ分岐配管８３２）を、全ての処理ユニットＵで共通化することができる。
【００３２】
このように、各アウターフレーム７、ガスボックス８１、電源ボックス８２、プラズマボックス８３のレイアウト、処理ユニットＵ内におけるＬＬＭ３、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂのレイアウトを共通化しておくことにより、共通の構成を備えたＬＬＭ３、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ、アウターフレーム７やインナーフレーム６を用いて基板処理装置を構成することが可能となる。
【００３３】
この要件を満たすため、本例の基板処理装置は、図２に示すように、基板搬送部２０を挟んで３基ずつ配置されたアウターフレーム７やこれに付設されたガスボックス８１、電源ボックス８２の配置レイアウトが、基板搬送部２０を挟んで回転対称に配置された構成となっている。
【００３４】
さらに図６、７などに示すように、インナーフレーム６の下面側には、当該インナーフレーム６及び処理ユニットＵを下面側から支持するスライダー部６１が設けられている。本例のスライダー部６１は、細長い板状の部材によって構成され、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの並び方向（Ｙ’方向）と交差する方向（Ｘ’方向）に沿って、互いに間隔を開けて２本設けられている。
【００３５】
例えば、各収容空間７０Ａ〜７０Ｃに収容される処理ユニットＵにおいて、スライダー部６１の下面側には、スライダー部６１の延伸方向に沿って複数組のカムフォロア（ローラーフォロアでもよい）が設けられている（不図示）。これらのカムフォロアは、アウターフレーム７側の棚板部７２に、基板搬送部２０の側壁面と直交する方向（図６のＸ’方向）に伸びるように形成された溝状の走行軌道７４に沿ってインナーフレーム６を移動させる機能を果たす。これらのインナーフレーム６において、スライダー部６１やカムフォロアは、処理ユニットＵを移動させる移動機構に相当する。また、カムフォロア（ローラーフォロア）に替えて、スライダー部６１にキャスターを設けて移動機構を構成してもよい。なお、図６以外においては走行軌道７４の記載は、省略してある。  
さらに、各カムフォロアとスライダー部６１との間には、インナーフレーム６を昇降させるための昇降機構であるジャッキ部６２が介設されている。
【００３６】
上述の構成により、収容空間７０Ａ〜７０Ｃでは走行軌道７４に沿ってカムフォロアが移動することにより、各々の収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内で、インナーフレーム６に支持された処理ユニットＵ（ＬＬＭ３及び第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ）を一体として横方向に移動させることができる。
【００３７】
一方で、処理ユニットＵを構成するＬＬＭ３や第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂには、既述のように各種の配管が接続されているところ、これらの配管が接続された状態では、処理ユニットＵを移動させることができない。  
そこで本例の処理ユニットＵは、既述の移動機構や昇降機構を用いた横方向の移動と昇降動作とを利用して、真空容器４０内を真空排気するためのユニット側排気管４１や、真空容器４０に処理ガスなどを供給するためのユニット側ガス供給管４２を、アウターフレーム７側に配置された装置側排気管５１や装置側ガス供給管５２に対して簡便に脱着することが可能な構成を備えている。
【００３８】
また、各種の配管が取り外され、処理ユニットＵを横方向に移動させることが可能となっても、処理ユニットＵの移動経路と干渉する位置に配管が配置されていると、処理ユニットＵを移動させることができない。また、アウターフレーム７はできるだけコンパクトに構成することが要請されるところ、複数の処理ユニットＵを収容した状態では空き領域が少なくなってしまう場合もある。このとき、処理ユニットＵの移動経路と干渉せずに配管を配置することが可能な領域があったとしても十分に広い空間を確保できず、全ての配管を当該領域に集中して配置してしまうと、配管同士の隙間が狭くなって、各々の配管のメンテナンスを行えなくなってしまうおそれもある。
【００３９】
そこで本例の基板処理装置においては、ＬＬＭ３や第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続される配管を種類分けして異なる領域に分散して配置することにより、処理ユニットＵが横方向に移動可能な状態を確保しつつ、メンテナンス性のよい配管配置を実現している。  
なお、図示の便宜上、以下に説明するユニット側排気管４１、ユニット側ガス供給管４２、装置側排気管５１（第１の装置側排気管５１Ａ、第２の装置側排気管５１Ｂ）や装置側ガス供給管５２、リモートプラズマ供給配管８３１、リモートプラズマ分岐配管８３２などについては、図２、４〜８以外の図では適宜、記載を省略してある。
【００４０】
図４中に破線で囲んで示すように、アウターフレーム７の各段内（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）を上面側から見たとき、ＬＬＭ３の左右の側方であって、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂと基板搬送部２０との間には、処理ユニットＵの本体機器（ＬＬＭ３や第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ）が配置されていない空き領域Ｒが存在する。そこで、本例の基板処理装置では、この空き領域を利用して処理ユニット側配管部であるユニット側排気管４１、ユニット側ガス供給管４２を、装置側配管部である装置側排気管５１（第１の装置側排気管５１Ａ、第２の装置側排気管５１Ｂ）、装置側ガス供給管５２（５２Ａ、５２Ｂ）に対して接続する。
【００４１】
図２、５、７などに示すように、アウターフレーム７における既述の空き領域Ｒには、当該アウターフレーム７を上下方向に貫通するように、真空排気用の第１の装置側排気管５１Ａ、第２の装置側排気管５１Ｂが各々配設されている。第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂの上端は、最上段の収容空間７０Ｃ内まで延びだした後、フランジ蓋にて封止されている。これら第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂは、棚板部７２の前記空き領域Ｒに形成された開口部７２１を通ってアウターフレーム７を上下方向に貫通し、その下端は、例えば処理ブロック１０２の床面の下方側にて、工場用力の真空排気ラインに接続されている。  
なお、第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂは、その全体が空き領域Ｒの内側に配置されることは必須の要件ではない。例えばこれらの配管５１Ａ、５１Ｂの一部が、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの外縁よりも外側（空き領域Ｒの外側）にはみ出していてもよい。
【００４２】
第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂからは、収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内の所定の高さ位置にて分岐管５１１が分岐し、これらの分岐管５１１の末端は、上面へ向いて開口する開口端部を構成すると共に、当該開口端部には、フランジ状の連結部材５１０が設けられている。  
なお、分岐管５１１には真空容器４０内の圧力制御を行うためのバタフライ弁が設けられているが、本例では図示を省略してある。
【００４３】
一方、図４、７などに示すように、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの下面側には、真空容器４０内の真空排気を行うためのユニット側排気管４１が接続されている。一端部が真空容器４０に接続されたニット側排気管４１は、前方側へ向けて延伸され、その他端部は、ＬＬＭ３と基板搬送部２０とが接続される接続位置に処理ユニットＵを配置したとき、既述の空き領域Ｒ内に配置された分岐管５１１の開口と連通する位置に開口している。当該ユニット側排気管４１の末端部にもフランジ状の連結部材４１０が設けられている。
【００４４】
ユニット側排気管４１の末端部と分岐管５１１の末端部を接続したとき、フランジ状の連結部材５１０と連結部材４１０の対向面同士は不図示のＯ‐リングなどを介して気密に連結され、さらに不図示のクランプ機構を用いて、連結された状態を固定することができるようになっている。なお、クランプ機構を用いる場合に限らず、ねじなどを用いて連結部材５１０と連結部材４１０とを締結する構造としてもよい。  
また、一方側の装置側排気管５１（例えば第２の装置側排気管５１Ｂ）から分岐した分岐管５１１に設けられている連結部材５１０には、ロードロック室３２に設けられた既述の不図示の排気管の末端部に設けられたフランジ状の連結部（不図示）と連結される開口が形成されている。
【００４５】
これらの構成によりアウターフレーム７内にて、上下方向へと多段（本例では３段）に並べられた処理ユニットＵの第１の真空処理モジュール４Ａに対しては、第１の装置側排気管５１Ａが共通に接続される。また同じく多段に並べられた処理ユニットＵの第２の真空処理モジュール４Ｂに対しては、第２の装置側排気管５１Ｂが共通に接続される。  
本例において、第１の装置側排気管５１Ａは第１の貫通配管に相当し、第２の装置側排気管５１Ｂは第２の貫通配管に相当する。
【００４６】
次にガス供給用の配管（装置側ガス供給管５２、ユニット側ガス供給管４２）の構成について説明する。なお、ガス供給用の配管の配置数は、成膜に利用されるガスの種類数やパージガスの利用の有無などに応じて変化するが、図示の便宜上、図１、５、７、８においては、１〜２本の配管のみを表示してある。  
図２、５、７などに示すように、アウターフレーム７に隣接して配置されたガスボックス８１からは、各収容空間７０Ａ〜７０Ｃの高さ位置にて、ガス供給用の装置側ガス供給管５２（５２Ａ、５２Ｂ）が２組ずつ各収容空間７０Ａ〜７０Ｃへ向けて延びだしている。一方の組の装置側ガス供給管５２Ｂは、アウターフレーム７の側面に沿って真空処理モジュール４Ｂの手前側、且つ、ＬＬＭ３の側方位置（既述の「空き領域Ｒ」の一方側）まで延びだしている。
【００４７】
また、他方の組の装置側ガス供給管５２Ａは、既述の装置側ガス供給管５２Ｂとは反対向きに、基板搬送部２０側へ向けて延伸された後、基板搬送部２０に対向するアウターフレーム７の前面にて下方側へと延伸方向を変え、基板搬送部２０とＬＬＭ３との接続部を迂回するようにガスボックス８１の配置面とは反対のアウターフレーム７の側面まで引き回されている。さらに装置側ガス供給管５２Ａは、延伸方向を上向きに変えた後、既述の装置側ガス供給管５２Ｂと同じ高さ位置にて、アウターフレーム７の側面に沿って第１の真空処理モジュール４Ａの手前側、且つ、ＬＬＭ３の側方位置（既述の「空き領域Ｒ」の他方側）まで延伸されている。
【００４８】
図７、８に示すように、ＬＬＭ３の側方位置に配置された装置側ガス供給管５２（図７、８には、装置側ガス供給管５２Ｂの例を示してある）からは、さらに処理ユニットＵが配置される方向であるアウターフレーム７（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）の内側領域へ向けて接続管５２１が延伸されている。そして、各接続管５２１の末端部は、これらの接続管５２１が共通に接続されたブロック形状の連結部材５２０が設けられ、当該接続管５２１内には、各接続管５２１に対応する流路が形成され、上面へ向けて開口している（装置側ガス供給管５２Ｂの開口端部）。
【００４９】
一方、図４、７などに示すように、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの上面側には、真空容器４０に処理ガスなどを供給するための複数本のユニット側ガス供給管４２が接続されている。一端部が第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続された各ユニット側ガス供給管４２は、前方側へ向けて延伸された後、その他端部において、ブロック形状の共通の連結部材４２０に接続されている。当該連結部材４２０内には、各ユニット側ガス供給管４２に対応する流路が形成され、下面へ向けて開口している。連結部材４２０は、ＬＬＭ３と基板搬送部２０とが接続される接続位置に処理ユニットＵを配置したとき、連結部材５２０と連結される位置に配置されている。
【００５０】
装置側ガス供給管５２側の連結部材５２０とユニット側ガス供給管４２側の連結部材４２０とは不図示のＯ‐リングなどを介して気密に連結される。さらにこれらの連結部材５２０、４２０は、ねじなどを用いて連結する構造としてもよいし、簡易に連結、取り外しすることが可能なソケット構造としてもよい。
【００５１】
これらの構成により、装置側ガス供給管５２（５２Ａ、５２Ｂ）を一体として見たとき、当該装置側ガス供給管５２は、アウターフレーム７の各段（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）を横断するように配設され、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続されているといえる。
本例において、装置側ガス供給管５２（５２Ａ、５２Ｂ）は横断配管に相当する。
【００５２】
最後に、真空容器４０のクリーニングの際に、プラズマボックス８３にて発生させたリモートプラズマを第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂへ供給する配管（リモートプラズマ供給配管８３１、リモートプラズマ分岐配管８３２）の構成について説明する。
図５に示すように、最上段の収容空間７０Ｃの上方側に配置されたプラズマボックス８３には、リモートプラズマ供給配管８３１が接続されている。当該リモートプラズマ供給配管８３１はアウターフレーム７の側面に沿って、基板搬送部２０から見て横方向奥手側へと伸び出した後、アウターフレーム７の側面の中央位置にて延伸方向を下方側へと変化させ、最下段の収容空間７０Ａの高さ位置まで伸び出している。
【００５３】
上下方向に伸びるリモートプラズマ供給配管８３１からは、各段（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）に収容された第１、第２の処理モジュール４Ａ、４Ｂよりもやや上方の高さ位置にて、リモートプラズマ分岐配管８３２が横方向に分岐している。各リモートプラズマ分岐配管８３２は、処理ユニットＵの第１、第２の処理モジュール４Ａ、４Ｂの並び方向に沿って横方向に伸び出し、第１、第２の処理モジュール４Ａ、４Ｂ側に設けられた接続部４３に接続されている（図６には収容空間７０Ｂの例を示してある）。
【００５４】
リモートプラズマ分岐配管８３２は、ジョイント８３３を介して連結され途中から取り外すことができるようになっている。そこで、処理ユニットＵを横方向に移動させてアウターフレーム７から引き出す際には、第１、第２の処理モジュール４Ａ、４Ｂからリモートプラズマ分岐配管８３２の一部を取り外すことにより、処理ユニットＵの移動経路との干渉を避けている。
【００５５】
上述の構成を踏まえると、リモートプラズマ分岐配管８３２についても、アウターフレーム７の各段（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）を横断するように配設され、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続され横断配管に相当するといえる。  
なお、図示の便宜上、図２においてはリモートプラズマ供給配管８３１、リモートプラズマ分岐配管８３２などの記載は省略してある。
【００５６】
この他、本例の基板処理装置には、不図示の制御部が設けられている。例えば制御部はＣＰＵ（Central Processing Unit）と記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には各処理ユニットＵの第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて実施される成膜の内容や第１の基板搬送機構２によるウエハＷの搬送順などの制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００５７】
以上に説明した構成を備える基板処理装置の作用について説明する。  
図３などに示すように、基板処理装置の通常の運転時において、処理ユニットＵはインナーフレーム６に支持された状態で各アウターフレーム７の収容空間７０Ａ〜７０Ｃ内に収容され、それぞれの処理ユニットＵのＬＬＭ３は基板搬送部２０に接続されている。
【００５８】
そして、処理対象のウエハＷを収容したキャリアＣがＥＦＥＭ１０１のロードポート１１に載置されると、受け渡し機構１２によってキャリアＣからウエハＷが取り出され、第１の基板搬送機構２に搬送される。予め設定された枚数だけ処理対象のウエハＷが第１の基板搬送機構２内に収容されたら、これらのウエハＷに対して成膜を行う処理ユニットＵが収容されている位置まで第１の基板搬送機構２を移動させる。そして、第１の基板搬送機構２を構成する筐体の開口面を処理ユニットＵ側に向けると共に、当該処理ユニットＵ内のＬＬＭ３内の第２の基板搬送機構３３との間でウエハＷを受け渡し可能な高さに、取り出されるウエハＷの高さ位置を合わせる。
【００５９】
一方、処理ユニットＵ側では、ロードロック室３２内が常圧雰囲気の状態にて基板搬送部２０側のゲートバルブＧ１を開き、第２の基板搬送機構３３の関節アームを延伸させて第１の基板搬送機構２内に進入させ、関節アームのフォークを、受け取るウエハＷの下方側に位置させる。しかる後、第１の基板搬送機構２を少し降下させることにより、第１の基板搬送機構２内の保持部材からフォークへとウエハＷを受け取る。なお、上記ウエハＷの受け渡し動作に先行して、当該処理ユニットＵ内での成膜が終了したウエハＷを第１の基板搬送機構２の空いているウエハ保持部に受け渡す動作を実施してもよい。  
ウエハＷを受け取った第２の基板搬送機構３３は、関節アームを縮退させ、ゲートバルブＧ１を閉じてロードロック室３２内を真空雰囲気に切り替える。
【００６０】
次いで、当該ウエハＷへの成膜を行う第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂ側のゲートバルブＧ２、Ｇ３を開き、真空容器４０内にウエハＷを搬入して成膜を実施する。処理ユニットＵに設けられている第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの使用方法については、例えば一方側の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて成膜を行っている期間中、他方側の真空処理モジュール４Ｂ、４Ａにクリーニングガスを供給してクリーニングを実施してもよい。また、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて並行してウエハＷへの成膜を行ってもよい。
【００６１】
所定の処理ユニットＵにウエハＷを受け渡した第１の基板搬送機構２は、当該第１の基板搬送機構２内に収容されている他のウエハＷに対して成膜を行う処理ユニットＵの配置位置へと順次、移動してウエハＷの受け渡しを行う。この動作により、基板処理装置に設けられている複数の処理ユニットＵにて並行してウエハＷに対する成膜を行うことができる。  
そして処理ユニットＵにおける成膜が終了したら、第１の基板搬送機構２を移動させて当該処理ユニットＵから成膜後のウエハＷを受け取る。しかる後、第１の基板搬送機構２内に、成膜後のウエハＷを所定枚数だけ収容したら、第１の基板搬送機構２をＥＦＥＭ１０１側へ移動させ、搬入時とは反対の経路にて、成膜後のウエハＷを元のキャリアＣに戻す。
【００６２】
上述の手順に基づき、ウエハＷに対する成膜が行われる基板処理装置において、例えばいずれかの処理ユニットＵに設けられている第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて真空容器４０を開放してメンテナンスを行う必要が生じた場合を考える。  
この場合には、メンテナンス対象の処理ユニットＵが、第１の基板搬送機構２によるウエハＷの搬送先から外されるように制御部の設定を行い、ＬＬＭ３のロードロック室３２内を常圧状態とし、また第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０の真空状態を解除して開放可能な状態とする。基板処理装置は、メンテナンスの対象ではない他のアウターフレーム７内に設けられた処理ユニットＵを用いて、ウエハＷの処理を継続することができる。
【００６３】
所定の処理ユニットＵがメンテナンス可能な状態となったら、当該処理ユニットＵについて、作業者が真空容器４０を開放する準備を行う。  
例えば中段の収容空間７０Ｂに収容された処理ユニットＵにおけるメンテナンスの準備を行う場合について説明すると、初めに作業者は、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続されているリモートプラズマ分岐配管８３２の一部を取り外す。次いで、図７に示すように、処理ユニットＵが引き出される位置に、インナーフレーム６を載置する載置台９１を設ける。載置台９１の上面側に設けられた天板は、アウターフレーム７側の棚板部７２と連続した面が形成されるように配置され、また当該天板面には棚板部７２側の走行軌道７４と連続する不図示の溝状の走行軌道が形成されている。
【００６４】
そして、ユニット側排気管４１と分岐管５１１、ユニット側ガス供給管４２と接続管５２１の連結を解除し、ジャッキ部６２を用いてインナーフレーム６（処理ユニットＵ）を上昇させる。次いで、カムフォロアのロックを解除し、棚板部７２及び載置台９１の天板の走行軌道７４に沿ってカムフォロアを移動させ、基板搬送部２０から離間させる方向へとインナーフレーム６及びインナーフレーム６に支持された処理ユニットＵを引き出す。
【００６５】
このとき、アウターフレーム７を上下方向に貫通するように空き領域Ｒに配置された第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂをアウターフレーム７側に残して、処理ユニットＵは外部へと引き出される。  
しかる後、作業者は不図示の踏み台などに乗って第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を開放し、必要なメンテナンスを行う。
【００６６】
また、最下段の収容空間７０Ａに収容された処理ユニットＵの場合は、処理ブロック１０２内の床面に上を移動させる点を除いて中段の収容空間７０Ｂに収容された処理ユニットＵに対する操作と同様である。
【００６７】
また、最上段の収容空間７０Ｃに収容された処理ユニットＵについては、当該処理ユニットＵよりも上段側に処理ユニットＵが配置されていない。そこで、踏み台などに乗った作業者が処理ブロック１０２を収容する筐体の一部、及びリモートプラズマ分岐配管８３２の一部を取り外すことにより、直接、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにアクセスすることができる。
【００６８】
次に、収容空間７０Ａ、７０Ｂから引き出された処理ユニットＵを基板搬送部２０に接続する動作について図７、８を参照しながら説明する。図７、８は、中段の収容空間７０Ｂに収容されたが処理ユニットＵ及びインナーフレーム６の例を示しているが最下段の収容空間７０Ａに収容された処理ユニットＵ、インナーフレーム６についての動作も同様である。
【００６９】
図７に示すように基板搬送部２０から離間した所定のメンテナンス位置まで引き出された処理ユニットＵについて、メンテナンスが終了したら、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの真空容器４０を閉じて開放状態から復旧する。ついで、カムフォロアのロックを解除し、棚板部７２の走行軌道７４に沿ってカムフォロアを移動させ、基板搬送部２０にＬＬＭ３を接続する位置、より詳細には、ＬＬＭ３が基板搬送部２０に接続される接続位置よりも上方側の切り離し位置まで、横方向にインナーフレーム６を押し戻す。
しかる後、ジャッキ部６２によりインナーフレーム６を降下させ、処理ユニットＵを接続位置まで移動させて、ＬＬＭ３の連結口部３４と連結部２３の連結口部２３１とを嵌合させることにより、ＬＬＭ３を基板搬送部２０に接続する（図８）。
【００７０】
また上記切り離し位置から接続位置までの降下動作に伴って、ＬＬＭ３に設けられた連結口部３４の先端部と連結部２３側に設けられた不図示の連結口部２３１とが嵌合し、基板搬送部２０にＬＬＭ３が接続される。  
処理ユニットＵが基板搬送部２０に接続されると、処理ユニットＵ側に設けられたユニット側排気管４１やユニット側ガス供給管４２は、アウターフレーム７側に設けられた分岐管５１１や接続管５２１と切り離される前の位置に配置される。そこで、当該位置にてユニット側排気管４１及び分岐管５１１の連結部材４１０、５１０を締結し、ユニット側ガス供給管４２及びロードロック室３２の排気管（不図示）と、接続管５２１との連結部材４２０、５２０を締結し、また取り外されていたリモートプラズマ分岐配管８３２を第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂに接続することにより、処理ユニットＵは再稼働の準備を開始可能な状態となる。
【００７１】
以上に説明した実施の形態に係る基板処理装置によれば以下の効果がある。第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂとロードロックモジュール３とを備えた処理ユニットＵが複数組収容された処理ユニット収容部７に設けられる配管について、当該処理ユニット収容部７を上下方向に貫通するように配設された第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂ（第１、第２の貫通配管）と、処理ユニット収容部７の各段（収容空間７０Ａ〜７０Ｃ）を横断するように配設された装置側ガス供給管５２、リモートプラズマ分岐配管８３２（横断配管）とに分けて配置を行っている。この構成により、処理ユニット収容部７内に分散して配置された各種配管（第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂ、装置側ガス供給管５２、リモートプラズマ分岐配管８３２）へのアクセスが容易となり、メンテナンス性の良好な基板処理装置を構成することができる。
【００７２】
基板処理装置において、第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂは、最も直径の大きな配管の一つである。そこで、これら第１、第２の装置側排気管５１Ａ、５１Ｂを、ＬＬＭ３の左右の側方であって、第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂと基板搬送部２０との間の空き領域Ｒに収容することにより、アウターフレーム７の大型化を抑制することができる。
【００７３】
ここで、図３に示すように複数の処理ユニットＵを上下方向に多段に並べて収容するアウターフレーム７において、アウターフレーム７に収容される全ての処理ユニットＵがインナーフレーム６に支持されていることは必須の要件ではない。例えば最上段の収容空間７０Ｃに収容される処理ユニットＵについては、アウターフレーム７に対して直接、組み付けてもよい。
【００７４】
一方で既述のように、収容空間７０Ｃから横方向に引き出しての真空容器４０の開放メンテナンスを行わない例を示した最上段側に配置される処理ユニットＵについても、インナーフレーム６により支持する手法を選択し、さらに昇降機構であるジャッキ部６２や移動機構であるスライダー部６１、カムフォロアなどを設けて横方向に引き出してもよいことは勿論である。例えば第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂの交換や、ＬＬＭ３内の機器の補修など、より大がかりなメンテナンスが必要な場合に、載置台９１上に処理ユニットＵを引き出すことが必要な場合もある。
【００７５】
またここで、処理ユニットＵを支持するインナーフレーム６には、常設の昇降機構（ジャッキ部６２）や移動機構（スライダー部６１、カムフォロア（ローラーフォロア）やキャスター）を設けることは必須ではない。例えば、処理ユニットＵを移動させる必要が生じた場合に、インナーフレーム６の下方側にエアキャスターを挿入し、エアキャスターによってインナーフレーム６を浮上させて、基板搬送部２０から離間させる処理ユニットＵの横方向移動を行ってもよい。
【００７６】
さらには、上下方向に多段に並べて処理ユニットＵを収容するアウターフレーム７における処理ユニットＵの収容段数は、図５、３などに示した例の如く３段に限られるものではない。例えば２段であってもよいし、４段以上であってもよい。そして、基板搬送部２０の側面に配置されるアウターフレーム７の配置基数についても、図２に示す例の如く３基ずつに限定されるものではなく、２基ずつ、若しくは４基以上ずつであってもよい。この他、例えばＥＥＦＭ１０１に、例えば１基のアウターフレーム７を直接接続してもよい。この場合には、ＥＦＥＭ１０１が基板搬送部に相当し、受け渡し機構１２が第１の基板搬送機構に相当することとなる。
【００７７】
そして、基板搬送部２０の構成についても平面視したとき、細長い直線状の基板搬送室２００の両側にアウターフレーム７を複数基ずつ配置した、図２に示す例に限定されない。例えば、平面形状が多角形の基板搬送部２０の一面にＥＦＥＭ１０１を接続し、他の面にアウターフレーム７を放射状に接続する構成としてもよい。
【００７８】
この他、基板処理装置に設けられる処理ユニットＵの第１、第２の真空処理モジュール４Ａ、４Ｂにて実施される処理の種類は、成膜に限られるものではなく、エッチングやアッシング、アニールなどであってもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００７９】
Ｒ          空き領域
Ｕ          処理ユニット
Ｗ          ウエハ
２          第１の基板搬送機構
２０        基板搬送部
３          ロードロックモジュール（ＬＬＭ）
３２        ロードロック室
３３        第２の基板搬送機構
３４        連結口部
４Ａ、４Ｂ  真空処理モジュール
４０        真空容器
５１Ａ      第１の装置側排気管
５１Ｂ      第２の装置側排気管
５２、５２Ａ、５２Ｂ
装置側ガス供給管
６          インナーフレーム
７          アウターフレーム
７０Ａ〜７０Ｃ
収容空間
８３１      リモートプラズマ供給配管
８３２      リモートプラズマ分岐配管
【図１】
2018098387.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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