(57)【要約】      （修正有）【課題】めっき処理への影響を抑制しつつクラックの発生を抑制することができる積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックを主成分とする誘電体層１１と、内部電極層１２とが交互に積層され、積層された複数の内部電極層が交互に対向する２端面に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップ１０と、２端面から積層チップの側面にかけて形成された１対の外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。外部電極は、誘電体層の主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属または当該金属の合金を主成分として共材を含む下地層上に、めっき層が形成された構造を有する。積層チップの積層方向の最外層は、誘電体層と主成分が同じカバー層１３であり、下地層の主成分と、共材と、カバー層の主成分との間の熱膨張係数は、下地層の主成分＞カバー層の主成分＞共材、の関係を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に対向する２端面に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、
前記２端面から前記積層チップの側面にかけて形成された１対の外部電極と、を備え、
前記１対の外部電極は、前記誘電体層の主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属または当該金属の合金を主成分として共材を含む下地層上にめっき層が形成された構造を有し、
前記積層チップの積層方向の最外層は、前記誘電体層と主成分が同じのカバー層であり、
前記下地層の主成分と、前記共材と、前記カバー層の主成分との間の熱膨張係数は、前記下地層の主成分＞前記カバー層の主成分＞前記共材、の関係を有していることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記下地層の主成分は、Ｎｉであることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記共材は、酸化物であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記共材は、コージエライトを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体層の主成分は、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
セラミック誘電体層グリーンシートと、内部電極形成用導電ペーストと、を交互に積層し、最外層を前記セラミック誘電体層グリーンシートと主成分が同じのカバーシートとし、積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを交互に対向する２端面に露出させることによって、略直方体形状のセラミック積層体を形成し、
前記２端面から前記セラミック積層体の側面にかけて、前記セラミック誘電体層グリーンシートの主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属または当該金属の合金を主成分とする金属粉末と、共材と、を含む金属ペーストを塗布し、
前記金属ペーストの塗布後の前記セラミック積層体を焼成する工程と、を含み、
前記金属粉末の主成分と、前記共材と、前記カバーシートの主成分セラミックとの間の熱膨張係数は、前記金属粉末の主成分＞前記主成分セラミック＞前記共材、の関係を有していることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体の表面に引き出された内部電極と導通するように積層体の表面に形成された一対の外部電極とを備えている。外部電極の形成方法として、未焼成のセラミック積層体に外部電極ペーストを塗布した後に、当該積層体の焼成と同時に外部電極の下地層を焼き付ける方法がある（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２６０３１４号公報
【特許文献２】特開２００５−４４９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この方法においては、外部電極ペーストとセラミック積層体との焼成収縮挙動の違いにより、焼成後の外部電極近傍の誘電体にクラックが発生するおそれがある。そこで、外部電極ペーストに、誘電体との密着性向上や焼成収縮挙動を誘電体と近づけるための共材の添加量を多くすることで、クラックの発生を抑制することができる。しかしながら、共材の添加量を多くすると、下地層へのめっき処理が困難となるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、めっき処理への影響を抑制しつつクラックの発生を抑制することができる積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に対向する２端面に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、前記２端面から前記積層チップの側面にかけて形成された１対の外部電極と、を備え、前記１対の外部電極は、前記誘電体層の主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属または当該金属の合金を主成分として共材を含む下地層上にめっき層が形成された構造を有し、前記積層チップの積層方向の最外層は、前記誘電体層と主成分が同じのカバー層であり、前記下地層の主成分と、前記共材と、前記カバー層の主成分との間の熱膨張係数は、前記下地層の主成分＞前記カバー層の主成分＞前記共材、の関係を有していることを特徴とする。
【０００７】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記下地層の主成分は、Ｎｉとしてもよい。
【０００８】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記共材は、酸化物としてもよい。
【０００９】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記共材は、コージエライトを含んでいてもよい。
【００１０】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の主成分は、チタン酸バリウムとしてもよい。
【００１１】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック誘電体層グリーンシートと、内部電極形成用導電ペーストと、を交互に積層し、最外層を前記セラミック誘電体層グリーンシートと主成分が同じのカバーシートとし、積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを交互に対向する２端面に露出させることによって、略直方体形状のセラミック積層体を形成し、前記２端面から前記セラミック積層体の側面にかけて、前記セラミック誘電体層グリーンシートの主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属または当該金属の合金を主成分とする金属粉末と、共材と、を含む金属ペーストを塗布し、前記金属ペーストの塗布後の前記セラミック積層体を焼成する工程と、を含み、前記金属粉末の主成分と、前記共材と、前記カバーシートの主成分セラミックとの間の熱膨張係数は、前記金属粉末の主成分＞前記主成分セラミック＞前記共材、の関係を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、めっき処理への影響を抑制しつつクラックの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線の部分断面図である。
【図３】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【図４】実施例および比較例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
【００１５】
（実施形態）
まず、積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図１で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、４つの側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、４つの側面において互いに離間している。
【００１６】
積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、卑金属材料を含む内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、積層チップ１０において、４つの側面のうち、誘電体層１１と内部電極層１２との積層方向（以下、積層方向と称する。）の上面と下面とに対応する２側面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３の材料は、誘電体層１１と主成分が同じである。したがって、カバー層１３は、積層チップ１０の積層方向において最外層の誘電体層と言い換えることもできる。
【００１７】
積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍであり、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
【００１８】
内部電極層１２は、Ｎｉ，Ｃｕ（銅），Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分とする。内部電極層１２として、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３−αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）、ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）、ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１−ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。
【００１９】
図２は、外部電極２０の断面図であり、図１のＡ−Ａ線の部分断面図である。なお、図２では断面を表すハッチを省略している。図２で例示するように、外部電極２０ｂは、下地層２１上に、例えば、Ｃｕめっき層２２、Ｎｉめっき層２３およびＳｎめっき層２４が形成された構造を有する。下地層２１、Ｃｕめっき層２２、Ｎｉめっき層２３およびＳｎめっき層２４は、積層チップ１０の両端面から４つの側面に延在している。なお、図２では、外部電極２０ｂについて例示しているが、外部電極２０ａも同様の構造を有する。
【００２０】
下地層２１は、誘電体層１１の主成分セラミックよりも熱膨張係数が大きい金属やその合金を主成分とし、下地層２１の焼結性を制御するための共材を含んでいる。下地層２１は、下地層２１の緻密化のためのガラス成分を含んでいてもよい。例えば、下地層２１は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ等を主成分とする。ガラス成分は、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｚｎ（亜鉛），Ａｌ（アルミニウム），Ｓｉ（ケイ素），Ｂ（ホウ素）等の酸化物である。
【００２１】
下地層２１に含まれる共材は、小さい熱膨張係数を有している。具体的には、熱膨張係数に関して下記式（１）が成立する。
下地層２１の主成分＞カバー層１３の主成分セラミック＞下地層２１の共材    （１）
上記式（１）が成立することで、下地層２１の熱膨張係数がカバー層１３および誘電体層１１の熱膨張係数に近づくことになる。すなわち、下地層２１と、カバー層１３および誘電体層１１との間の熱膨張係数差を小さくすることができる。それにより、下地層２１と、カバー層１３および誘電体層１１との間の応力が抑制される。その結果、カバー層１３および誘電体層１１（特に下地層２１近傍のカバー層１３および誘電体層１１）におけるクラックの発生を抑制することができる。また、共材を過剰に添加しなくてもよい。それにより、下地層２１上へのめっき処理への影響を抑制することができる。
【００２２】
下地層２１と、カバー層１３および誘電体層１１との間の熱膨張係数差は、小さい方が好ましい。そこで、下記式（２）のように熱膨張係数の複合則に従って、下地層２１に共材を添加することが好ましい。例えば、下記式（２）で求まるαｃを、カバー層１３の熱膨張係数に対して±２０％以内とすることが好ましく、±１０％以内とすることがより好ましい。なお、体積分率とは、下地層２１の全体積に占める体積の割合のことである。
αｃ＝（αａＥａＶａ＋αｍＥｍＶｍ）／（ＥａＶａ＋ＥｍＶｍ）    （２）
αｃ：下地層２１の熱膨張係数
αａ：共材の熱膨張係数
Ｅａ：共材のヤング率
Ｖａ：下地層２１における共材の体積分率
αｍ：下地層２１の主成分の熱膨張係数
Ｅｍ：下地層２１の主成分のヤング率
Ｖｍ：下地層２１の主成分の体積分率
【００２３】
下地層２１に添加する共材は、上記式（１）を満たすセラミックであれば特に限定されるものではない。下地層２１に添加する共材として、例えば、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２（ムライト）、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２（コージエライト）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、石英ガラスなどを用いることができる。カバー層１３および誘電体層１１の主成分材料が酸化物であるため、下地層２１に添加する共材も酸化物であることが好ましい。また、下地層２１に添加する共材として、２種類以上のセラミックを組み合わせて添加してもよい。
【００２４】
続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。
【００２５】
（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ（マグネシウム），Ｍｎ（マンガン），Ｖ（バナジウム），Ｃｒ（クロム），希土類元素(Ｙ（イットリウム）,Ｄｙ（ジスプロシウム）,Ｔｍ（ツリウム）,Ｈｏ（ホロミウム）,Ｔｂ（テルビウム），Ｙｂ（イッテルビウム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユウロビウム），Ｇｄ（ガドリニウム）およびＥｒ（エルビウム）)の酸化物、並びに、Ｃｏ（コバルト），Ｎｉ，Ｌｉ（リチウム），Ｂ，Ｎａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）およびＳｉの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。
【００２６】
（積層工程）
次に、得られたセラミック材料の粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み０．８μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
【００２７】
次に、誘電体グリーンシートの表面に、内部電極形成用導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層１２のパターンを配置する。内部電極層形成用導電ペーストは、内部電極層１２の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。バインダおよび溶剤は、上記したセラミックスラリーと異なるものを使用することが好ましい。また、内部電極形成用導電ペーストには、共材として、誘電体層１１の主成分であるセラミック材料を分散させてもよい。
【００２８】
次に、内部電極層パターンが印刷された誘電体グリーンシートを所定の大きさに打ち抜いて、打ち抜かれた誘電体グリーンシートを、基材を剥離した状態で、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極に交互に引き出されるように、所定層数（例えば２００〜５００層）だけ積層する。積層したパターン形成シートの上下にカバー層１３となるカバーシートを圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットする。カバーシートは、誘電体グリーンシートと同じ主成分の材料である。これにより、略直方体形状のセラミック積層体が得られる。
【００２９】
（金属ペースト塗布工程）
次に、積層工程で得られたセラミック積層体を、２５０〜５００℃のＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、セラミック積層体の両端面から各側面にかけて、金属フィラー、共材、バインダおよび溶剤を含む金属ペーストを塗布し、乾燥させる。この金属ペーストは、外部電極形成用金属ペーストである。共材として、上記式（１）を満足するものを用いる。
【００３０】
（焼成工程）
次に、外部電極形成用金属ペーストが塗布されたセラミック積層体を、還元雰囲気中で１１００〜１３００℃で１０分〜２時間焼成する。このようにして、内部に焼結体からなる誘電体層１１と内部電極層１２とが交互に積層されてなる積層チップ１０と、積層方向上下の最外層として形成されるカバー層１３と、下地層２１とを有する焼結体が得られる。
【００３１】
（再酸化処理工程）
その後、得られた焼結体に対して、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃〜１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
【００３２】
（めっき処理工程）
その後、めっき処理工程を実施することによって、Ｃｕめっき層２２、Ｎｉめっき層２３およびＳｎめっき層２４を、下地層２１上に順に形成する。以上の工程を経て、積層セラミックコンデンサ１００が完成する。
【００３３】
本実施形態に係る製造方法によれば、上記式（１）を満たすように、下地層２１に共材が添加される。上記式（１）が成立することで、下地層２１の熱膨張係数がカバー層１３および誘電体層１１の熱膨張係数に近づくことになる。それにより、下地層２１と、カバー層１３および誘電体層１１との間の応力が抑制される。その結果、カバー層１３および誘電体層１１（特に下地層２１近傍のカバー層１３および誘電体層１１）におけるクラックの発生を抑制することができる。また、過剰に共材を添加しなくてもよい。それにより、下地層２１上へのめっき処理への影響を抑制することができる。
【実施例】
【００３４】
積層セラミックコンデンサの作製に先立って、外部電極形成用金属ペーストに含まれるＮｉ重量に対して共材を添加したペーストを作製した。共材として、コージエライト、ＣａＺｒＯ３、およびＢａＴｉＯ３を用いた。共材の添加部数は、図４に示す。作製したペーストを１００℃で乾燥、粉砕した後、φ６ｍｍ、高さ５ｍｍ程度の円柱を成型し、脱バインダ処理し、還元雰囲気焼成を実施してペレットを作製した。作製した各ペレットを用いてＴＭＡ（熱機械分析装置）により熱膨張係数を測定し(窒素雰囲気下)、２００℃〜４００℃での熱膨張係数を導出し、ペレットの熱膨張係数を比較した。図４に各ペレットの熱膨張係数を表す。図４で例示するように、共材に用いたセラミック粉末の熱膨張係数を小さくすると、それに応じてペレットの熱膨張係数も小さくなることが確認できた。
【００３５】
次に、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。
【００３６】
（実施例１〜３）
チタン酸バリウム粉末に必要な添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に、有機バインダとしてＰＶＢ（ポリビニルブチラール）を加え、溶剤としてトルエン、エタノール等を加えて、ドクターブレード法にて誘電体グリーンシートを作製した。次に、内部電極層１２の主成分金属（Ｎｉ）の粉末と、バインダ（エチルセルロース）と、溶剤（トルエン、エタノール等）と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる内部電極形成用導電ペーストを作製した。誘電体シートに内部電極形成用導電ペーストをスクリーン印刷した。内部電極形成用導電ペーストを印刷したシートを３５０枚重ね、その上下に、誘電体グリーンシートと同じ主成分の材料のカバーシートをそれぞれ積層した。その後、熱圧着によりセラミック積層体を得て、所定の形状に切断した。
【００３７】
得られたセラミック積層体をＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、セラミック積層体の両端面から各側面にかけて、Ｎｉを主成分とする金属フィラー、共材、バインダおよび溶剤を含む金属ペーストを塗布し、乾燥させた。実施例１では、共材としてＣａＺｒＯ３を用いた。実施例２では、共材としてＢａＴｉＯ３とコージエライトとの混合物（１：１の体積比）を用いた。実施例３では、共材としてコージエライトを用いた。共材の添加部数は、上述したペレット作製時と同じであり、図４に示す。その後、金属ペーストをセラミック積層体と同時に焼成して焼結体を得た。焼成条件１および焼成条件２のいずれにおいても、焼成温度を１２５０℃〜１３００℃とした。焼成条件１においては、酸素分圧を１０−９ａｔｍとした。焼成条件２においては、酸素分圧を１０−１０ａｔｍとした。
【００３８】
得られた焼結体の形状寸法は、長さ＝３．２ｍｍ、幅＝１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであった。各誘電体層１１の厚さは、３．２μｍである。カバー層１３の厚さは、３００μｍである。下地層２１の厚みは、２０μｍである。設計容量は、１０μＦである。焼結体をＮ２雰囲気下１０００℃の条件で再酸化処理を行った後、メッキ処理して下地層２１の表面にＣｕめっき層２２、Ｎｉめっき層２３およびＳｎめっき層２４を形成し、積層セラミックコンデンサ１００を得た。実施例１〜４に係るサンプルをそれぞれ１００個作成した。
【００３９】
（比較例１）
比較例１では、下地層２１用の金属ペーストに共材としてＢａＴｉＯ３を用いた他は、実施例１〜３と同様の条件とした。比較例１に係るサンプルをそれぞれ１００個作成した。
【００４０】
実施例１〜３および比較例１のそれぞれについて、焼成後のクラック発生率を調べた。図４に結果を示す。図４に示すように、比較例１では、クラック発生率が高くなった。これは、共材にカバー層１３の主成分と同じ材料を用いたために、下地層２１の熱膨張係数を小さくすることができず、下地層２１とカバー層１３との間の熱膨張率差が大きかったからであると考えられる。これに対して、実施例１〜３では、クラック発生率が低くなった。これは、共材に、上記式（１）を満たす成分を用いたために、下地層２１の熱膨張係数が小さくなり、下地層２１とカバー層１３との間の熱膨張率差が小さくなったからであると考えられる。なお、コージエライトを用いると、特に熱膨張係数を低くすることができているため、コージエライトを用いることが特に好ましいことがわかる。
【００４１】
また、実施例１〜３のいずれにおいても、焼成条件２よりも焼成条件１においてクラック発生率が低くなった。これは、高酸素分圧としたことで内部電極層の球状化が抑制され、積層チップ１０の収縮挙動の変化が抑制されたからであると考えられる。
【００４２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  積層チップ
１１  誘電体層
１２  内部電極層
２０ａ，２０ｂ  外部電極
２１  下地層
２２  Ｃｕめっき層
２３  Ｎｉめっき層
２４  Ｓｎめっき層
１００  積層セラミックコンデンサ
【図１】
2018098327.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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