(57)【要約】【課題】基板表面の導体部分の平坦性を改善する。【解決手段】配線基板の製造方法は、第１絶縁層に対して導体材料により通電部を形成し、第１絶縁層の通電部上に内部導体層を形成するステップと、第１絶縁層及び内部導体層を覆うように第２絶縁層を形成し、内部導体層上の第２絶縁層に、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔を形成し、異方性を有する成膜方法を用いて所定の方向から成膜を行うことで、貫通孔内の内部導体層上の第１給電膜と、第１給電膜とは離間する第２絶縁層上の第２給電膜と、を形成し、通電部を介して第１給電膜に対して給電し、電気めっきにより貫通孔内にビア導体を形成し、ビア導体を形成した後に通電部を介してビア導体及び第２給電膜に対して給電し、電気めっきにより表面導体層を形成する。【選択図】図１
2018117040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層に対して導体材料により通電部を形成するステップと、
前記第１絶縁層の前記通電部上に内部導体層を形成するステップと、
前記第１絶縁層及び前記内部導体層を覆うように第２絶縁層を形成するステップと、
前記内部導体層上の前記第２絶縁層に、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔を形成するステップと、
異方性を有する成膜方法を用いて前記所定の方向から成膜を行うことで、前記貫通孔内の前記内部導体層上の第１給電膜と、前記第１給電膜とは離間する前記第２絶縁層上の第２給電膜と、を形成するステップと、
前記通電部を介して前記第１給電膜に対して給電し、電気めっきにより前記貫通孔内にビア導体を形成するステップと、
前記ビア導体を形成した後に前記通電部を介して前記ビア導体及び前記第２給電膜に対して給電し、電気めっきにより表面導体層を形成するステップと、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記所定の方向は、前記第１絶縁層、前記内部導体層、及び前記第２絶縁層の積層方向であり、且つ、第２絶縁層が積層されている側である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
導体材料による通電部を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記通電部上に積層された内部導体層と、
前記第１絶縁層及び前記内部導体層を覆うように積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に積層された表面導体層と、
前記内部導体層上の前記第２絶縁層に、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔の内部に導体材料が充填され、前記内部導体層と前記表面導体層を電気的に接続するビア導体と、
を有する配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から各種の電子機器等に用いられる配線基板は、異なった層の間に形成される導体同士を電気的に接続するためのビア導体をめっきにより形成することが知られている。例えば、特許文献１では、給電膜を形成し、当該給電膜に給電を行うことでビア導体を形成することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１１０２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、給電膜を用いためっきにより、ビア導体と、ビア導体から連続する基板表面の導体層とを形成しようとする場合、めっき後の基板表面の平坦性に改善の余地があった。
【０００５】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、基板表面の導体部分の平坦性が改善された配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る配線基板の製造方法は、第１絶縁層に対して導体材料により通電部を形成するステップと、前記第１絶縁層の前記通電部上に内部導体層を形成するステップと、前記第１絶縁層及び前記内部導体層を覆うように第２絶縁層を形成するステップと、前記内部導体層上の前記第２絶縁層に、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔を形成するステップと、異方性を有する成膜方法を用いて前記所定の方向から成膜を行うことで、前記貫通孔内の前記内部導体層上の第１給電膜と、前記第１給電膜とは離間する前記第２絶縁層上の第２給電膜と、を形成するステップと、前記通電部を介して前記第１給電膜に対して給電し、電気めっきにより前記貫通孔内にビア導体を形成するステップと、前記ビア導体を形成した後に前記通電部を介して前記ビア導体及び前記第２給電膜に対して給電し、電気めっきにより表面導体層を形成するステップと、を有する。
【０００７】
また、本発明の一形態に係る配線基板は、導体材料による通電部を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記通電部上に積層された内部導体層と、前記第１絶縁層及び前記内部導体層を覆うように積層された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に積層された表面導体層と、前記内部導体層上の前記第２絶縁層に、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔の内部に導体材料が充填され、前記内部導体層と前記表面導体層を電気的に接続するビア導体と、を有する。
【０００８】
上記の配線基板の製造方法及び配線基板によれば、所定の方向から見たときに、全周にわたって、一方側の端部と他方側の端部との間の内面が連続していない貫通孔が形成された上で、当該所定の方向から成膜を行うことで、第２絶縁層内の貫通孔の内面の一部において給電膜が成膜されず、第２絶縁層上に形成される第２給電膜が、貫通孔内に設けられる第１給電膜とは離間した状態で形成される。そして、内部導体層及び通電部を介して第１絶縁層側から給電を行うことにより、最初は第１給電膜のみに給電がなされ、ビア導体が先に形成された後に、第２給電膜にも給電がなされ、表面導体層が形成される。したがって、基板表面の表面導体層の形成は、ビア導体の形成後に行われることから、ビア導体上及び第２給電膜上の間で段差等が生じることを防ぐことができ、表面の平坦性を改善することができる。
【０００９】
ここで、前記所定の方向は、前記第１絶縁層、前記内部導体層、及び前記第２絶縁層の積層方向であり、且つ、第２絶縁層が積層されている側である態様とすることができる。
【００１０】
各層の積層方向であり第２絶縁層が積層されている側から見たときに第２絶縁層の貫通孔が連続していない状態とし、当該方向からの成膜により、第１給電膜及び第２給電膜を形成する構成とした場合、第２絶縁層の貫通孔が連続していない状態の貫通孔を比較的容易に形成することができる。したがって、表面の導体が平坦な配線基板をより簡単な方法で製造することができる。なお、「第２絶縁層の貫通孔が連続していない状態」とは、各層の積層方向であり第２絶縁層が積層されている側から貫通孔を見たときに、第２絶縁層の貫通孔の内面を連続な面として観察できない状態をいう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板表面の導体部分の平坦性が改善された配線基板の製造方法及び配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図２】配線基板の製造方法を説明する図である。
【図３】配線基板の製造方法を説明する図である。
【図４】配線基板の変形例について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板の断面図であり、各層の積層構造を示す図である。図１に示す配線基板１は、多層配線基板を構成する一部分として用いられる。多層配線基板の一部として配線基板１を使用する場合には、配線基板１及び他の基板を厚さ方向に積層して用いられる。なお、図１では、配線基板１の一部の断面を模式的に示している。
【００１５】
配線基板１は、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に積層される内部導体層１２と、第１絶縁層１１及び内部導体層１２上に積層される第２絶縁層１３と、第２絶縁層１３上に内部導体層１２に対してビア導体１４を介して電気的に接続される表面導体層１５と、を有する。本実施形態では、第１絶縁層、内部導体層１２及び、第２絶縁層１３が積層される方向（図１では上下方向）を積層方向という。なお、図１では、内部導体層１２上の表面であってビア導体１４の底面に形成された第１給電膜１６と、第２絶縁層１３上の表面導体層１５の底面に形成された第２給電膜１７について、個別に図示している。第１給電膜１６、第２給電膜１７、ビア導体１４及び表面導体層１５が同一材料（例えば、全て銅）である場合には、これらは一体化される。また、これらの材料が同一材料ではない場合には、図１に示すように一体化されない状態となる。
【００１６】
第１絶縁層１１及び第２絶縁層１３は、電気絶縁性を有する材料から構成される。本実施形態では、第１絶縁層１１及び第２絶縁層１３として、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。第１絶縁層１１及び第２絶縁層１３は、材料が互いに異なっていてもよい。また、第１絶縁層１１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
【００１７】
第１絶縁層１１は、平板状を呈しているが、内部導体層１２の底面となる位置に開口１８が設けられ、内部に導体材料が満たされた通電部１９を形成する。この通電部１９は、めっきによるビア導体１４及び表面導体層１５の形成時に第１給電膜１６及び第２給電膜１７に対して給電をするために設けられる。なお、通電部１９は、配線基板１等から多層積層基板を組み立てる際に内部導体層１２と他の導体とを電気的に接続するためのビア導体として機能してもよい。また、図１の通電部１９Ａのように、第１絶縁層１１に開口１８を設けることに代えて、第１絶縁層１１の表面（内部導体層１２側）に層状に通電部を設けてもよい。なお、通電部１９Ａの高さ（厚み）は特に限定されず、内部導体層１２と同一の厚みを有していてもよく、内部導体層１２と異なる厚みを有していてもよい。
【００１８】
通電部１９、第１絶縁層１１上の内部導体層１２、後述のビア導体１４、及び表面導体層１５は、主成分がタンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられるが、これらに限定されない。また、主成分となる材料のほか、微量の不純物等が含まれていてもよい。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が５０質量％以上であることをいう。なお、本実施形態では、通電部１９、内部導体層１２、ビア導体１４、及び表面導体層１５の主成分がＣｕである場合について説明する。
【００１９】
内部導体層１２は、配線基板１における配線を形成する層である。したがって、内部導体層１２の形状は、配線基板１が所望の機能を果たすことができるように設計される。また、内部導体層１２の厚さは特に限定されないが、例えば、例えば、１μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
【００２０】
第２絶縁層１３は、第１絶縁層１１及び内部導体層１２を覆うように設けられる。第２絶縁層１３の厚さ（第１絶縁層１１との界面からの積層方向の厚さ）は、特に限定されないが、第１絶縁層１１上に形成されつつ且つ内部導体層１２上を覆うことが可能なように、内部導体層１２よりも厚くなるように設定され、例えば、１μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
【００２１】
また、内部導体層１２上の第２絶縁層１３には、第２絶縁層１３を貫通する貫通孔２１が形成され、その内部に導体材料が満たされることでビア導体１４が形成される。図１に示すように、貫通孔２１（及びその内部に形成されるビア導体１４）の形状は、表面導体層１５側の端部に対して内部導体層１２側の端部に向かうにつれて断面積が大きくなるように徐々に断面形状が大きくなる、断面が台形状となっている。この形状では、ビア導体１４は、ビア導体１４の表面導体層１５側の端部の断面積（積層方向に対して垂直な面における面積）よりも、その断面積が大きく、且つ、平面視（上面から配線基板１を見た場合）においてビア導体１４の表面導体層１５側の端部の断面に対して重なり、且つ、それよりも大きな外形を形成する。図１に示す例では、ビア導体１４における表面導体層１５側の端部以外は、断面積が、平面視におけるビア導体１４の表面導体層１５側の端部の断面積よりも大きく、且つ、平面視においてビア導体１４の表面導体層１５側の端部よりも大きな断面を形成している。
【００２２】
換言すると、貫通孔２１の形状としては、貫通孔２１の全周にわたって、所定の方向である上方（表面導体層１５側）から積層方向に沿って見たときに、表面導体層１５側の貫通孔２１の端部と底面である内部導体層１２側の貫通孔２１端部との間の内面が連続していない状態となっている。「内面が連続していない」とは、所定の方向から見たときに、貫通孔２１の一方の端部から他方の端部までの間の内面の一部が途切れて見える状態をいう。内面が平坦である場合には、内面の延在する方向に沿って見たときには、内面が途切れる状態は確認することができないはずである。一方内面が平坦であっても、延在する方向とは異なる方向から見た場合には、一方の端部から他方の端部の間の一部が見えない場合がある。このような状態を「内面が連続していない」という。
【００２３】
第２絶縁層１３の貫通孔２１及びビア導体１４が上記のような形状を有していることで、表面導体層１５を平坦に形成することができる。
【００２４】
表面導体層１５は、第２絶縁層１３上においてビア導体１４と電気的に接続するように形成される。表面導体層１５の厚さは特に限定されないが、例えば、例えば、１μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
【００２５】
ビア導体１４及び表面導体層１５は、給電膜を利用しためっきにより形成される。ビア導体１４の形成に用いられる第１給電膜１６と、表面導体層１５の形成に用いられる第２給電膜１７と、は給電可能な材料であれば、特に限定されないが、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属、これらの金属を含有する合金等を用いることができる。第１給電膜１６及び第２給電膜１７は、めっきに係る給電を適切に行うことが可能な範囲で適宜設定することができるが、例えば、１００ｎｍ〜数十μｍ程度とすることができる。第１給電膜１６と第２給電膜１７とは物理的に離間している（連続していない）ことを特徴とする。この結果、めっきにより形成された表面導体層１５の表面、特にビア導体１４の上方の表面導体層１５を平坦に形成することができる。
【００２６】
上記の配線基板１の製造方法について、図２及び図３を参照しながら説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、第１絶縁層１１を準備する。そして、レーザ等により開口１８を設けた後に、内部に導体材料を充填し、通電部１９を形成する（通電部を形成するステップ）。なお、第１絶縁層１１の表面（内部導体層１２側）に層状に通電部１９Ａを設ける（図１参照）場合は、開口１８の形成は行わず、次の内部導体層１２の形成の際に通電部１９Ａを形成する。
【００２７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、第１絶縁層１１上に内部導体層１２及び第２絶縁層１３を形成し、第２絶縁層１３に貫通孔２１を形成する。まず、第１絶縁層１１の通電部１９と電気的に接続するように、内部導体層１２を形成する（内部導体層を形成するステップ）。内部導体層１２を形成する方法は特に限定されないが、例えば、内部導体層となる金属膜を第１絶縁層１１上に形成した後に、レジストを用いたパターンエッチング等により所望の配線形状を形成する方法を用いることができる。内部導体層１２を形成した後に、第１絶縁層１１及び内部導体層１２の表面を覆うように第２絶縁層１３を形成する（第２絶縁層を形成するステップ）。その後、内部導体層１２上の第２絶縁層１３に対して、貫通孔２１を形成する（貫通孔を形成するステップ）。貫通孔２１を形成する方法として、例えば、レーザ照射又はフォトリソグラフィ等を用いることができる。
【００２８】
貫通孔２１は、上述のように、第２絶縁層１３の上面側（すなわち表面導体層１５が形成される側）の端部の断面が小さく、内部導体層１２側へ向かうにつれて断面積が大きくなる。このとき、貫通孔２１の内面が各層の積層方向（上下方向）に対して傾斜し、且つ、内面が上面側からは見えないように、貫通孔２１が形成される。このような貫通孔２１を形成する方法としては、例えば、第２絶縁層１３に対して照射するレーザ光の強度を調節する方法が挙げられる。また、内部導体層１２表面に対してレーザ光を照射した際の放熱を利用して、内部導体層１２側で貫通孔２１を大きくする方法も挙げられる。貫通孔２１の形成方法は限定されないが、上記のような手法を利用することで、内部導体層１２側では断面積が大きくなるような開口を形成することができる。なお、図２（Ｂ）の破線で示すように第２絶縁層１３を上下二層（層１３Ａ及び層１３Ｂ）に分割し、すでに開口を形成されたシート（第２絶縁層の上層となる層１３Ｂ）を、内部導体層１２と第２絶縁層１３の下層（層１３Ａ）とからなる面に貼り付けてもよい。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、内部導体層１２層上に第１給電膜１６を成膜すると共に、第２絶縁層１３上に第２給電膜１７を成膜する（第１給電膜及び第２給電膜を形成するステップ）。第１給電膜１６及び第２給電膜１７の成膜方法は特に限定されないが、異方性を有する成膜方法を用いることを特徴とする。異方性を有する成膜方法とは、膜が形成される方向（膜が成長し厚さが大きくなる方向）に異方性がある方法である。このような成膜方法としては、代表的にはスパッタ、蒸着等を用いることができる。この中でもスパッタ法は異方性が高いため、本実施形態に係る配線基板１の製造方法に好適に用いられる。
【００３０】
図２（Ｃ）では、各層の積層方向（上下方向：図２（Ｃ）における矢印Ａ方向）に膜が成長する（厚さが大きくなる）ように、第１給電膜１６及び第２給電膜１７を同時に成膜する。貫通孔２１は、内部導体層１２側の断面積が大きくなるように内面が傾斜している。その結果、貫通孔２１の内面には給電膜は成膜されず、第１給電膜１６と第２給電膜１７とは離間した状態で形成される。
【００３１】
次に、図３（Ａ）に示すように、表面導体層の形状を特定するためのレジスト２３を形成する。この際、レジスト２３の下方の第２給電膜１７は除去されていてもよいし、残存していてもよい。
【００３２】
その後、第１給電膜１６及び第２給電膜１７を利用して電気めっきによりビア導体１４及び表面導体層１５を形成する。このとき、第１絶縁層１１の開口１８に充填された通電部１９を利用して、下側（第１絶縁層１１側）からの給電を行うことで、電気めっきを行うことを特徴とする。
【００３３】
第１絶縁層１１側から通電部１９を介して給電を行うと、まず、図３（Ｂ）に示すように、内部導体層１２とその上に形成された第１給電膜１６との二ヶ所のみに給電がなされる。そのため、第１給電膜１６側においてのみめっきによりビア導体１４となる金属１４Ａが析出されていき、第２絶縁層１３の貫通孔２１内の金属１４Ａが矢印Ｂ方向に成長し、貫通孔２１内にビア導体１４が形成される（ビア導体を形成するステップ）。
【００３４】
金属１４Ａが第２絶縁層１３の貫通孔２１内を満たすと、金属１４Ａと第２給電膜１７とが電気的に接続する状態となるため、第２給電膜１７に対しても下部の通電部１９を介して給電がなされる。この結果、ビア導体１４となる金属１４Ａ上及び第２給電膜１７上の両方で金属が析出されていき、表面導体層１５となる金属が、破線で示す矢印Ｃ方向に成長する。この結果、図１で示すように表面が平坦な表面導体層１５が形成される（表面導体層を形成するステップ）。その後、レジスト２３を除去すると、図１の配線基板１が得られる。
【００３５】
以上のように、本実施形態に係る配線基板１及びその製造方法によれば、第２絶縁層１３内の貫通孔２１の内面の一部において給電膜が成膜されず、第２絶縁層１３上に形成される表面導体層１５用の第２給電膜１７が、ビア導体１４用に貫通孔２１内に設けられる第１給電膜１６とは離間した状態で形成される。そして、内部導体層１２及び通電部１９を介して第１絶縁層１１側から給電を行うことにより、最初は内部導体層１２とその上に形成された第１給電膜１６との二ヶ所のみに給電がなされ、ビア導体１４を先に形成することができる。そして、ビア導体１４が形成された後に、第２給電膜１７にも給電がなされ、ビア導体１４上及び第２給電膜１７上に表面導体層１５が形成される。そのため、ビア導体１４上及び第２給電膜１７上の間で表面導体層１５の段差等が生じることを防ぐことができ、表面の平坦性を改善することができる。
【００３６】
従来の一般的なめっきによるビア導体及び表面導体層の形成方法では、貫通孔２１の内面にも給電膜が形成されていて、第１給電膜１６と第２給電膜１７とが連続していた。したがって、どちらか一方にのみ給電を行うということは行われていなかった。一般的に、給電膜上に析出する金属は、給電膜上では略均一な厚さとなりながら成長する。第２絶縁層１３の貫通孔２１内では底面に形成された第１給電膜１６から金属の析出が行われるため、第１給電膜１６と第２給電膜１７との両方で同一の厚さ分だけ金属が成長したとしても、その表面の高さ位置（積層方向での高さ位置）は異なり、第１給電膜１６側の金属表面の方が第２給電膜１７側の金属表面に対して低くなる。この従来の方法では、第２絶縁層１３の貫通孔２１の内面にも給電膜は形成されるが金属の成長方向は上下方向（積層方向）とは異なる。そのため、配線基板においては、第２給電膜１７上に形成される金属の表面の高さ位置（積層方向での高さ位置）に対して、ビア導体１４上に形成される金属の表面の高さ位置が低くなる。したがって、基板の表面における導体部分の平坦性に改善の余地があった。
【００３７】
これに対して、本実施形態に係る配線基板１及びその製造方法では、ビア導体１４の形成のための第１給電膜１６と、第２絶縁層１３表面での表面導体層１５の形成のための第２給電膜１７とが離間していて、且つ第１絶縁層１１側から給電することで、第１給電膜１６に対する給電を先行することでビア導体１４を形成する。その後、ビア導体１４上及び第２給電膜１７上に表面導体層１５を形成する。これにより、表面導体層１５の表面をより均一な高さで製造することができるため、表面の平坦性が改善された配線基板１を得ることができる。そして、上記の配線基板１によれば、表面の胴体部分の平坦性が改善される。
【００３８】
また、上記のように、第１給電膜１６と第２給電膜１７とを離間した状態で形成するためには、第２絶縁層１３の貫通孔２１の形状を変更した上で、異方性を有する成膜方法により給電膜が設けられる。従来、ビア導体１４を形成するための貫通孔２１は、積層方向に伸びて断面積が略均一であるか、又は、表面（表面導体層１５側）が大きく、底面に向かうにつれて断面積が小さくなる場合が一般的であった。この場合、異方性を有する成膜方法を用いて積層方向に沿って成膜したとしても、貫通孔２１の内面の少なくとも一部にも金属材料が付着し、第１給電膜１６と第２給電膜１７とが連続する可能性があった。
【００３９】
これに対して、本実施形態に係る配線基板１及びその製造方法では、貫通孔２１の全周にわたって、所定の方向である上方（表面導体層１５側）から積層方向に沿って見たときに、表面導体層１５側の貫通孔２１端部と底面である内部導体層１２側の貫通孔２１端部との間が連続していない状態となっている。図１に示す例では、底面側の貫通孔２１の断面積の方が大きく、上方から積層方向に沿って見たときには、貫通孔２１の内面を全て確認することはできない。したがって、所定の方向である上方から積層方向に沿って成膜をした場合、第１給電膜１６と第２給電膜１７とが連続して成膜されることは防がれる。したがって、下側から給電した場合、ビア導体１４を先行して製造することができ、表面導体層１５の平坦性を向上させることができる。
【００４０】
また、本実施形態の配線基板のように、上方から積層方向に沿って見たときに第２絶縁層１３の貫通孔２１が連続していない状態とし、上方からの成膜により、第１給電膜１６及び第２給電膜１７する構成とした場合、第２絶縁層１３の貫通孔２１が連続していない状態の貫通孔を比較的容易に形成することができる。したがって、表面の導体が平坦な配線基板をより簡単な方法で製造することができる。なお、成膜を行う方向である「所定の方向」とは、本実施形態で説明した「上方からの積層方向に沿った方向」には限定されない。ただし、第２絶縁層１３に貫通孔２１を形成した状態で、貫通孔２１の底部の第１給電膜１６を成膜することができる成膜方向は限られているので、その範囲で変更することが可能である。
【００４１】
なお、第１給電膜１６及び第２給電膜１７を離間させるための第２絶縁層１３の貫通孔２１の形状は、図１等で示したように下方（内部導体層１２側）へ向かうにつれて広がった形状に限られない。上述したように、貫通孔２１の全周にわたって、所定の方向から見たときに、表面導体層１５側の貫通孔２１端部と底面である内部導体層１２側の貫通孔２１端部との間が連続していない状態が形成されていて、且つ、当該方向から給電膜の成膜を行うことができれば、第１給電膜１６と第２給電膜１７とが連続しない構成を得ることができる。
【００４２】
図４は、開口形状が異なる配線基板２の例を示している。図４に示す配線基板２では、第２絶縁層１３に形成される貫通孔２５が、端部と比較して中央部が大きくなる所謂ビア樽状となっていて、積層方向に沿って見たときの中程に最も断面積が大きい領域が形成される。このような形状の貫通孔２５を形成する方法としては、例えば、照射するレーザ光の強度の調節等が挙げられる。
【００４３】
貫通孔２５が図４に示すような形状である場合も、この断面積が大きい領域が設けられることで、上方（表面導体層１５側）から見たときに、表面導体層１５側の貫通孔２５端部と底面である内部導体層１２側の貫通孔２５端部との間が連続していない状態となっている。したがって、上方から積層方向に沿って成膜をした場合、第１給電膜１６と第２給電膜１７とが連続して成膜されることは防がれる。したがって、下側から給電した場合、ビア導体１４を先行して製造することができ、表面導体層１５の平坦性を向上させることができる。なお、貫通孔２５が、ビア樽状でなく、端部と比較して中央部が小さくなる所謂ボトルネック状であった場合も、同様の効果を得ることができる。
【００４４】
このように、内部導体層１２と表面導体層１５とを接続するビア導体１４を形成するために第２絶縁層１３に形成される貫通孔の形状は適宜変更することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４６】
例えば、第１給電膜１６と第２給電膜１７とを同時に成膜する場合について説明したが、第１給電膜１６と第２給電膜１７とを同時に成膜しない構成であってもよい。貫通孔２１の全周にわたって、所定の方向から見たとき（ここでは、表面導体層１５側であって積層方向に沿ってみたとき）に、表面導体層１５側の貫通孔２１端部と底面である内部導体層１２側の貫通孔２１端部との間が連続していない状態であれば、当該方向から成膜した場合には、第１給電膜と第２給電膜とを不連続に形成することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１，２…配線基板、１１…第１絶縁層、１２…内部導体層、１３…第２絶縁層、１４…ビア導体、１５…表面導体層、１６…第１給電膜、１７…第２給電膜、１８…開口、１９…通電部、２１，２５…貫通孔。
【図１】
2018117040.tif 000003
【図２】
2018117040.tif 000004
【図３】
2018117040.tif 000005
【図４】
2018117040.tif 000006