(57)【要約】【課題】互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させる。【解決手段】光学装置１０は、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる結合構造を有している。上記接合構造を構成する第１導電膜１１０は、透明導電材料などにより構成される。また、上記接合構造を構成する第２導電膜１３０は、金属材料により構成される。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、透明導電材料と金属材料とが混在する遷移領域が存在している。透明導電材料は、例えば、導電性高分子を含んでいる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造を有し、
前記接合構造において、前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、前記導電材料と前記金属材料とが混在する遷移領域が存在する光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶素子や有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子の光学素子を利用する光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学装置は、各種照明装置やディスプレイとして利用されている。一般的に、光学装置には、光学素子を駆動するための電気信号を送信するため、端子や配線などの異なる材料同士を接合させる接合構造が必要となる。光学素子の一例である。有機ＥＬ素子は、たとえば透明電極と、これに対向して配置される他の電極と、これらの電極に狭持される有機層と、により構成される。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１および特許文献２に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、発光機能層上に形成された電極と、当該電極に対して表示信号を供給するための引き出し電極と、の接続構造を溶融接合により形成するというものである。具体的には、金属電極層からなる陰極と、金属引き出し電極層と、が接続部分においてレーザ光による局部的な加熱により溶融接合されることが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、ライン状に形成された金属ラインと、当該金属ラインの上面および側面を覆うポリマーラインと、からなる電極を有する発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２６４０６４号公報
【特許文献２】特開２００６−９３１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第１導電膜と第２導電膜と、を互いに接合させてなる接合構造においては、第１導電膜と第２導電膜との間に高い接触抵抗が生じうる。この場合、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性が低下し、光学装置の消費電力が増加するおそれがあった。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させ、光学装置の消費電力を低減することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造を有し、
前記接合構造において、前記第１導電膜と前記第２導電膜との間には、前記導電材料と前記金属材料とが混在する遷移領域が存在する光学装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図４】図１に示す発光装置の一部を示す図である。
【図５】図１に示す発光装置の一部を示す図である。
【図６】第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。
【図７】第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１０】図８のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。
【図１１】図８に示す発光装置の一部を示す図である。
【図１２】第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図１３】第４の実施形態に係る光学装置の構成を示す断面図である。
【図１４】光学装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る光学装置１０を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
また、図４および５は、図１に示す光学装置１０の一部を示す図である。図４では、とくに第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０との位置関係が示されている。また、図５では、とくに絶縁層１２０の構成が示されている。図６および７は、本実施形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の一例を示す図である。本実施形態において、光学装置１０は、例えば照明装置やディスプレイなどの発光装置である。以下、光学装置１０を発光装置１０として説明を行う。
【００１３】
接合構造２００は、透明導電材料により構成される第１導電膜１１０と、金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。また、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、透明導電材料と金属材料とが混在する遷移領域が存在する。
【００１４】
また、本実施形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。
【００１５】
以下、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例、発光装置１０の構成の一例、および発光装置１０の製造方法の一例につき、詳細に説明する。
【００１６】
まず、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例について説明する。
接合構造２００は、第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる接合構造である。なお、本明細書において、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が接合するとは、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に他の構成が介在する場合を含む。
本実施形態において、接合構造２００は、たとえば基板１００上に形成される。この場合、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、基板１００上に形成されることとなる。
【００１７】
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、引出配線および第１配線を介して有機ＥＬ素子を構成する電極に外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
【００１８】
第１導電膜１１０は、実質的に導電材料を含んで構成される。第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。この中でも、透明導電材料がとくに好ましい。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、透明性を有する導電膜となる。本実施形態において、第１導電膜１１０は、たとえば基板１００平面に平行な一方向に延在する形状を有する。
【００１９】
透明導電材料は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
透明導電材料が導電性高分子を含む場合、第１導電膜１１０は塗布法を用いて形成することができる。この場合、第１導電膜１１０を形成する工程において、基板１００等の他の構成へ熱負荷がかかってしまうことを抑制することが可能となる。
また、透明導電材料として無機材料を含む場合には、第１導電膜１１０は、この無機材料を有機溶剤中に分散させた溶液を塗布することにより形成される塗布型導電膜であることが好ましい。このような場合においても、第１導電膜１１０を、塗布法を用いて形成することができる。
【００２０】
本実施形態において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料に含まれる導電性高分子は、たとえばπ共役系導電性高分子とポリアニオンを含んでなる導電性高分子である。この場合、とくに導電性や耐熱性、フレキシブル性に優れた第１導電膜１１０を形成することが可能となる。
π共役系導電性高分子としては、特に限定されないが、たとえばポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、またはポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを用いることができる。導電性、透明性、安定性等の観点からは、ポリチオフェン類またはポリアニリン類であることが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることがとくに好ましい。
ポリアニオンとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、またはポリアクリル酸を用いることができる。本実施形態において用いられるポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
【００２１】
第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、架橋剤、レベリング剤、または消泡剤等をさらに含んでいてもよい。
【００２２】
第２導電膜１３０は、金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０に含まれる金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料よりも電気抵抗率が低い金属材料が使用される。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０は、互いに異なる材料により構成されることとなる。
第２導電膜１３０に含まれる金属材料としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄが挙げられる。なお、第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子が焼結されてなる焼結体である。
【００２３】
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と、第２導電膜１３０を構成する金属材料とが混在する遷移領域が存在している。
ここで、透明導電材料と金属材料が混在しているとは、第２導電膜１３０を構成する金属材料が第１導電膜１１０の内部へ分散する態様を含む。このとき、金属材料が第１導電膜１１０へ分散するとは、第２導電膜１３０から互いに連なって第１導電膜１１０側へ延びる金属材料の連続体が形成される場合、第２導電膜１３０から離間した金属材料が第１導電膜１１０の内部へ分散する場合、の双方を含む。
また、透明導電材料と金属材料が混在している場合において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料が第２導電膜１３０の内部へ分散していてもよい。このとき、透明導電材料が第２導電膜１３０へ分散するとは、第１導電膜１１０から互いに連なって第２導電膜１３０側へ延びる透明導電材料の連続体が形成される場合、第１導電膜１１０から離間した透明導電材料が第２導電膜１３０の内部へ分散する場合、の双方を含む。
【００２４】
遷移領域は、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に位置する一定の空間を占める領域をさす。本実施形態における遷移領域の一例を構成する空間では、第１導電膜１１０の延在方向に延びる法線を有する全ての断面と、基板１００平面と平行な全ての平面と、のいずれにおいても、透明導電材料および金属材料が存在する。
【００２５】
本実施形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と、第２導電膜１３０を構成する金属材料とが混在する遷移領域が存在している。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間の接触面積を増大させ、これらの間の接触抵抗を低減することができる。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
【００２６】
第１導電膜１１０の一部は、たとえば平面視で第２導電膜１３０と重なる。このとき、たとえば第１導電膜１１０と第２導電膜１３０とが互いに積層する積層領域において、透明導電材料と金属材料が混在した遷移領域が形成される。そして、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００は、この積層領域を含むこととなる。
本実施形態においては、第１導電膜１１０の一端が第２導電膜１３０の一部上に重なるように第１導電膜１１０が形成され、上記積層領域が形成されることとなる。この場合、第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成される。
【００２７】
図６および図７では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０とが互いに積層する積層領域の構成が示されている。
図６に示す例では、第２導電膜１３０のうちの上記積層領域に位置する部分を構成する金属材料の一部のみが、第１導電膜１１０内部へ分散している例が示されている。このとき、第１導電膜１１０のうちの上記積層領域に位置する部分を構成する透明導電材料の一部のみが、第２導電膜１３０内部へ分散している。上記積層領域において、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、いずれも膜としての形状を維持している。
【００２８】
図７では、上記積層領域における金属材料の第１導電膜１１０内部への拡散の程度が、図６に示す例より大きい例が示されている。この場合、上記積層領域における透明導電材料の第２導電膜１３０内部への分散の程度についても、図６に示す例より大きくなる。このとき、上記積層領域における第２導電膜１３０の膜厚は、たとえば図６に示す場合と比較して薄くなる。また、上記積層領域における第１導電膜１１０の膜厚についても、たとえば図６に示す場合と比較して薄くなる。
【００２９】
図６および図７に示す例において、第２導電膜１３０には、第２導電膜１３０から第１導電膜１１０内部へ分散した金属粒子が粒成長して互いに連結した連鎖体が形成される場合がある。これにより、第２導電膜１３０表面には、この連鎖体からなる突起が形成される。また、上記連鎖体は、たとえば樹枝状の形状を有していてもよい。第１導電膜１１０内部には、たとえば第２導電膜１３０から第１導電膜１１０内部へ分散し、かつ第２導電膜１３０から離間した金属粒子が存在する。
なお、遷移領域における透明導電材料および金属材料の分散の程度は、特に限定されない。図６および図７に示すように、第１導電膜１１０の少なくとも一部および第２導電膜１３０の少なくとも一部が膜としての形状を維持する程度に、透明導電材料および金属材料が分散していてもよい。また、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が膜としての形状を失う程度に、透明導電材料および金属材料が分散していてもよい。
【００３０】
本実施形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子を含有した塗布液を、塗布法を用いて基板１００上に塗布することにより形成される。当該工程において使用される塗布法としては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、またはディスペンサー塗布法が挙げられる。また、第２導電膜１３０を形成する当該工程において用いられる塗布液は、たとえばバインダ樹脂および有機溶剤を含む。バインダ樹脂としては、たとえばセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、またはアクリル系樹脂を用いることができる。有機溶剤としては、たとえば炭化水素系溶剤、またはアルコール系溶剤を用いることができる。また、塗布液中に含有される金属粒子は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＰｄである。
【００３１】
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。
透明導電材料含有塗布液は、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ダイコート、スピンコート、またはスプレーを用いて基板１００上に塗布される。第１導電膜１１０を形成する当該工程において用いられる透明導電材料含有塗布液は、たとえば上述した透明導電材料に加え、有機溶剤や水等を含む。有機溶剤としては、たとえばアルコール系溶剤を用いることができる。
【００３２】
本実施形態において、第１導電膜１１０を形成する当該工程は、たとえば第２導電膜１３０が焼結されていない未焼結状態において行われる。この際、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０とが互いに接触する部分において、未焼結状態の第２導電膜１３０から第１導電膜１１０内部へ金属粒子が分散する。また、このとき、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０とが互いに接触する部分において、第１導電膜１１０から第２導電膜１３０内部へ透明導電材料が分散する。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に、透明導電材料と金属材料が混在する遷移領域が形成されることとなる。
【００３３】
次に、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０に対し熱処理を施す。これにより、第２導電膜１３０を焼結するとともに、第１導電膜１１０を乾燥させる。透明導電材料が導電性高分子を含む場合には、第１導電膜１１０を乾燥させることにより導電性高分子の凝集力が高まり、第１導電膜１１０を強固な膜とすることができる。また、第１導電膜１１０に対し熱処理を施すことにより、第１導電膜１１０の硬化が行われる。この熱処理は、たとえば１２０〜２５０℃、２〜６０分の条件下において行われる。また、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料が感光性材料を含む場合には、ＵＶ照射により第１導電膜１１０を硬化してもよい。
本実施形態においては、未焼結状態の第２導電膜１３０から第１導電膜１１０内部へ金属粒子が分散した状態において熱処理が施される。第１導電膜１１０内部に分散した金属粒子は、当該熱処理により粒成長して互いに連結した連鎖体となる場合もある。この場合、第２導電膜１３０には、金属粒子が粒成長して互いに連結した連鎖体が形成されることとなる。
【００３４】
次に、発光装置１０の構成の一例について説明する。
図１においては、発光装置１０がディスプレイである場合が例示される。
なお、発光装置１０は、照明装置であってもよい。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は、たとえば互いに発光色が異なるライン状の有機層１４０を複数繰り返し並べた構成を有する。これにより、演色性に優れた照明装置が実現される。また、照明装置である発光装置１０は、面状の有機層１４０を有していてもよい。
【００３５】
基板１００は、たとえば透明基板である。本実施形態において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた発光装置１０を安価に製造することが可能となる。
【００３６】
基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリカーボネートが挙げられる。また、基板１００は、ガラスと樹脂材料を組み合わせたものでもよい。本実施形態によれば、光学装置（発光装置１０）が可撓性を有していても、第１導電膜１１０及び第２導電膜１３０により構成される接合構造２００における接続信頼性は高いため、消費電力低減の効果は高い。
【００３７】
ディスプレイである発光装置１０は、たとえばアレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０を基板１００上に有する。有機ＥＬ素子２０は、基板１００上に設けられた第１電極１１２と、第１電極１１２上に設けられた有機層１４０と、有機層１４０上に設けられた第２電極１５２と、を有している。このとき、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２により狭持されることとなる。
【００３８】
本実施形態では、たとえば図中Ｙ方向に延びる複数の第１電極１１２と、図中Ｘ方向に延びる複数の第２電極１５２と、が基板１００上に設けられる。そして、第１電極１１２と第２電極１５２が平面視で互いに重なる各部分において、有機ＥＬ素子２０が形成される。これにより、基板１００上には、アレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０が形成されることとなる。
【００３９】
第１電極１１２は、たとえば有機ＥＬ素子の陽極となる。この場合、第１電極１１２は、たとえば後述する有機層１４０のうちの発光層１４４から発光される光の波長に対して透明または半透明である透明電極となる。また、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、かつ画素領域３００内において、図中Ｙ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第１電極１１２が、第１電極１１２の延在方向と垂直な方向（図中Ｘ方向）に配列される。このとき、複数の第１電極１１２は、たとえば互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図４に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
【００４０】
本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば透明導電材料により構成される。第１電極１１２を構成する透明導電材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。
【００４１】
基板１００上には、たとえば第１配線１１４が設けられている。本実施形態では、第１配線１１４が、第１電極１１２と電気的に接続する場合が例示される。このとき、基板１００上には、それぞれ異なる第１電極１１２へ接続する複数の第１配線１１４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第１電極１１２は、それぞれ第１配線１１４を介して引出配線１３４へ接続されることとなる。
【００４２】
本実施形態において、第１配線１１４は、透明導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。このため、第１配線１１４は透明性を有することができる。
【００４３】
本実施形態において、第１電極１１２および第１配線１１４は、たとえば基板１００上に一体として設けられる。この場合、第１配線１１４および第１電極１１２は、たとえば第１導電膜１１０により構成されることとなる。このとき、第１導電膜１１０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第１電極１１２となる。また、第１導電膜１１０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第１配線１１４となる。第１電極１１２は、第１配線１１４を介して引出配線１３４に接続する。
図４に示す例において、基板１００上には、図中Ｙ方向に延在する第１導電膜１１０が複数設けられている。これら複数の第１導電膜１１０は、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列されている。そして、第１導電膜１１０のうち、一点鎖線で示される画素領域３００よりも引出配線１３４と接続する端部側に位置する部分が、第１配線１１４となる。
【００４４】
基板１００上には、引出配線１３４が設けられている。
本実施形態では、引出配線１３４が第１配線１１４に接続する場合が例示される。基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれ第１配線１１４に接続される。このため、複数の第１配線１１４は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、第１配線１１４および引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
【００４５】
本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４が第１配線１１４に接続される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図４に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
【００４６】
第１配線１１４は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１配線１１４は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。第１配線１１４は、引出配線１３４からみて第１方向に延びている。なお、本実施形態において第１方向とは、たとえば図中Ｙ方向をさす。
【００４７】
本実施形態において、第１配線１１４の一部は、たとえば平面視で引出配線１３４と重なっている。このとき、たとえば第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４とが互いに積層する積層領域において、透明導電材料と金属材料が混在した遷移領域が形成される。そして、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００は、この積層領域を含む。本実施形態では、第１配線１１４の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１配線１１４が形成され、上記積層領域が形成される。この場合、第１配線１１４は、たとえば引出配線１３４のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成される。
図４では、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部のみが、平面視で第１配線１１４と重なる場合が例示される。この場合、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部は第１配線１１４により覆われ、他の部分は第１配線１１４により覆われずに露出することとなる。本実施形態においては、引出配線１３４は、たとえば上面の一部、画素領域３００に面する端面、および当該端面に隣接する二つの側面の一部において第１配線１１４により覆われる。
【００４８】
基板１００上には、たとえば第１電極１１２を覆うように絶縁層１２０が設けられている。本実施形態においては、たとえば第１電極１１２と、第１配線１１４および後述する引出配線１６４それぞれの一部と、を覆うように絶縁層１２０が設けられる。
絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
【００４９】
絶縁層１２０には、たとえば複数の第１開口１２２が設けられている。図５に示すように、第１開口１２２は、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本実施形態においては、複数の第１開口１２２は、第１電極１１２上に位置するように形成される。図中Ｙ方向に延在する各第１電極１１２の上には、たとえば複数の第１開口１２２が所定の間隔を空けて図中Ｙ方向に配列される。また、これらの複数の第１開口１２２は、たとえば第１電極１１２と直交する方向（図中Ｘ方向）に延在する第２電極１５２と重なる位置に設けられる。このため、複数の第１開口１２２は、マトリクスを構成するように配置されることとなる。
【００５０】
絶縁層１２０には、たとえば複数の第２開口１２４が設けられている。
図５に示すように、第２開口１２４は、たとえば引出配線１６４上に位置するように設けられる。複数の第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。この一辺に沿う方向（たとえば図中Ｙ方向）でみた場合、第２開口１２４は、第１開口１２２と同じ間隔で配置されている。
【００５１】
絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。
図１に示すように、隔壁１７０は、図中Ｘ方向に延在するように設けられる。すなわち、隔壁１７０は、第２電極１５２の延在方向に沿って形成されることとなる。また、隔壁１７０は、図中Ｙ方向に配列されるよう複数設けられる。
隔壁１７０は、たとえばポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。なお、隔壁１７０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
【００５２】
隔壁１７０は、たとえば断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）を有している。すなわち、隔壁１７０の上面の幅は、たとえば隔壁１７０の底面の幅よりも大きい。この場合、複数の第２電極１５２をスパッタリング法や蒸着法等により一括して形成する場合であっても、隣接する隔壁１７０間にそれぞれ位置する複数の第２電極１５２を互いに分断させることが可能となる。したがって、第２電極１５２を容易に形成することができる。
なお、隔壁１７０の平面形状は、図１に示すものに限られない。このため、隔壁１７０の平面形状を変更することにより、隔壁１７０により互いに分断される複数の第２電極１５２の平面パターンを自由に変更することが可能となる。
【００５３】
図２に示すように、第１開口１２２の中には、たとえば有機層１４０が形成されている。
本実施形態において、有機層１４０は、たとえば正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に積層した積層体により構成される。このとき、正孔注入層１４２は第１電極１１２に接し、電子注入層１４６は第２電極１５２に接する。このため、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に狭持されることとなる。
なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されてもよいし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。また、有機層１４０は、正孔注入層１４２を有していなくともよい。
【００５４】
本実施形態において、絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。この場合、図２に示すように、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた有機層１４０は、図中Ｙ方向において互いに分断される。なお、隔壁１７０上には、たとえば有機層１４０と同一材料からなる積層膜が形成される。
一方で、図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する図中Ｘ方向において、隣り合う第１開口１２２の間において連続するように設けられる。
【００５５】
有機層１４０上には、第２電極１５２が設けられている。
本実施形態において、第２電極１５２は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極となる。第２電極１５２は、たとえば図中Ｘ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第２電極１５２が、第２電極１５２の延在方向と垂直な方向（図中Ｙ方向）に配列される。
【００５６】
第２電極１５２は、たとえば錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、もしくは銀、またはこれらの合金等の金属材料により構成される。これらの材料は、一種を単独で用いてもよく、二種以上の任意の組み合わせを用いてもよい。なお、第２電極１５２が陰極である場合、第２電極１５２は、陽極である第１電極１１２よりも仕事関数が小さい導電性材料により構成されることが好ましい。
【００５７】
基板１００上には、第２配線１５４が設けられている。
第２配線１５４は、第１電極１１２または第２電極１５２のうち第１配線１１４と接続していない一方に接続している。これにより、第１電極１１２および第２電極１５２のうち第２配線１５４と接続されるいずれか一方は、第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。
本実施形態においては、第２配線１５４が有機層１４０上に設けられ、第２電極１５２に接続される場合が例示される。このとき、有機層１４０上には、それぞれ異なる第２電極１５２へ接続する複数の第２配線１５４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第２電極１５２は、それぞれ第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。なお、第２配線１５４は、たとえば一部が第２開口１２４内に埋め込まれ、当該一部において後述する引出配線１６４に接続される。
【００５８】
第２配線１５４は、たとえば金属材料により構成される。第２配線１５４を構成する金属材料としては、たとえば第２電極１５２と同様のものを用いることができる。
【００５９】
本実施形態において、第２電極１５２および第２配線１５４は、たとえば有機層１４０上に一体として設けられ、導電膜１５０を構成する。この場合、導電膜１５０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第２電極１５２となる。また、導電膜１５０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第２配線１５４となる。第２電極１５２は、たとえば第２配線１５４を介して引出配線１６４に接続する。なお、図１に示す例では、一点鎖線で囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
図１に示す例において、有機層１４０上には、図中Ｘ方向に延在する導電膜１５０が複数設けられている。また、これらの複数の導電膜１５０は、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列されている。そして、導電膜１５０のうち、画素領域３００よりも引出配線１６４と接続する端部側に位置する部分が、第２配線１５４となる。
【００６０】
複数の導電膜１５０は、たとえばスパッタリング法または蒸着法等を用いて有機層１４０上に一括で形成される。このような場合であっても、本実施形態においては絶縁層１２０上に隔壁１７０が形成されているため、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた導電膜１５０は図中Ｙ方向において互いに分断されることとなる。
これにより、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列され、かつ図中Ｘ方向に延在する複数の導電膜１５０を形成することが可能となる。このとき、隔壁１７０上には、導電膜１５０と同一材料からなる膜が形成されることとなる。
【００６１】
基板１００上には、たとえば引出配線１６４が設けられている。第２配線１５４は、引出配線１６４を介して外部に接続する。このため、第２電極１５２は、第２配線１５４および引出配線１６４を介して外部に接続され、信号が供給されることとなる。
【００６２】
引出配線１６４は、たとえば金属材料により構成される。引出配線１６４を構成する金属材料としては、たとえば引出配線１３４と同様のものを用いることができる。この場合、引出配線１６４は、引出配線１３４と同時に形成することが可能となる。このため、発光装置１０の製造工程数が増大することを抑制することができる。一般的に、引出配線（１３４、１６４）の端部は発光装置１０の端子部を形成することになる。この端子部が外部回路と電気的に接続する。この端子部と外部との接続では、ＡＣＦ（異方性導電膜）やボンディングワイヤを利用する。特に、ボンディングワイヤを利用した光学装置（発光装置１０）では、光学装置を長方形の装置形状だけではなく、異形や円形などの装置形状のものにおいても、第１導電膜１１０及び第２導電膜１３０により構成される接合構造２００における接続信頼性は高いため、消費電力低減の効果は高い。
【００６３】
次に、発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
まず、基板１００上に引出配線１３４を形成する。引出配線１３４は、たとえば金属粒子を含有した塗布液を、塗布法を用いて基板１００上に塗布することにより形成される。なお、本実施形態において、引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４は、たとえば上述した第２導電膜１３０を形成する方法および第２導電膜１３０を構成する材料を用いて形成される。
【００６４】
また、本実施形態においては、たとえば引出配線１３４を形成する工程と同時に、基板１００上に引出配線１６４が形成される。この場合、引出配線１６４は、たとえば引出配線１３４と同様の方法および材料により形成される。
【００６５】
次に、基板１００上に、第１配線１１４を形成する。第１配線１１４は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。なお、本実施形態において、第１配線１１４は、第１導電膜１１０である。このため、第１配線１１４は、たとえば上述した第１導電膜１１０を形成する方法および第１導電膜１１０を構成する材料を用いて形成される。
本実施形態において、第１配線１１４を形成する当該工程は、たとえば引出配線１３４が焼結されていない未焼結状態において行われる。この際、引出配線１３４と第１配線１１４とが互いに接触する部分において、未焼結状態の引出配線１３４から第１配線１１４内部へ金属粒子が分散する。また、引出配線１３４と第１配線１１４とが互いに接触する部分において、第１配線１１４から引出配線１３４内部へ透明導電材料が分散する。これにより、第１配線１１４を構成する第１導電膜１１０と、引出配線１３４を構成する第２導電膜１３０と、の間に透明導電材料と金属材料が混在する遷移領域が形成される。
【００６６】
第１配線１１４を形成する上記工程においては、たとえば第１配線１１４とともに、第１配線１１４に接続する第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば第１配線１１４と一体として第１導電膜１１０により形成される。
【００６７】
次に、第１配線１１４および引出配線１３４に対し熱処理を施す。これにより、引出配線１３４を焼結するとともに、第１配線１１４を乾燥させる。この熱処理は、たとえば１２０〜２５０℃、２〜６０分の条件下において行われる。
本実施形態においては、未焼結状態の引出配線１３４から第１配線１１４内部へ金属粒子が分散した状態において熱処理が施される。このとき、第１配線１１４内部に分散した金属粒子は、当該熱処理により粒成長して互いに連結した連鎖体となり得る。また、第１配線１１４内部に分散した金属粒子は、連鎖体を構成せずに、第２導電膜１３０から離間して存在することもある。この段階において得られる構造が、図４に示されるものである。
【００６８】
次に、基板１００上、第１電極１１２上、第１配線１１４上および引出配線１６４上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、ドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングされる。これにより、絶縁層１２０に、複数の第１開口１２２および複数の第２開口１２４が形成される。このとき、複数の第１開口１２２は、たとえば各第１開口１２２から第１電極１１２の一部が露出するように形成される。
【００６９】
次に、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、絶縁層１２０上に設けられた絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングすることにより得られる。隔壁１７０が感光性樹脂により形成される場合、露光および現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。この段階において得られる構造が、図５に示されるものである。
【００７０】
次に、第１開口１２２内に、正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に形成する。これらは、たとえば塗布法または蒸着法を用いて形成される。
これにより、有機層１４０が形成される。
【００７１】
次に、有機層１４０上に、第２電極１５２および第２配線１５４を構成する導電膜１５０を形成する。このとき、たとえば導電膜１５０の一部が第２開口１２４内に位置するように、導電膜１５０が形成される。導電膜１５０は、たとえば蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。
これにより、第１電極１１２と、第２電極１５２と、これらに狭持された有機層１４０と、により構成される有機ＥＬ素子２０が、基板１００上に形成されることとなる。
本実施形態においては、たとえばこのようにして発光装置１０が形成される。
【００７２】
以上、本実施形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と、第２導電膜１３０を構成する金属材料とが混在する遷移領域が存在している。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間の接触面積を増大させ、これらの間の接触抵抗を低減することができる。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１０の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【００７３】
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１２を示す平面図であり、第１の実施形態に係る図１に対応している。図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。図１１は、図８に示す発光装置１２の一部を示す図である。図１１では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との位置関係が示されている。
【００７４】
本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極と電気的に接続する引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、接合構造２００が形成される。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、透明導電材料と金属材料が混在する遷移領域が形成されることとなる。
【００７５】
本実施形態に係る発光装置１２は、第１電極１１２、および引出配線１３４の構成を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。
【００７６】
以下、発光装置１２の構成の一例について説明する。
【００７７】
本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、画素領域３００内にマトリクス状に配置される。マトリクス状に配置された複数の第１電極１１２は、互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図８に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
第１電極１１２は、透明導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。
【００７８】
本実施形態に係る発光装置１２においては、第１の実施形態に係る発光装置１０を構成する第１配線１１４が設けられていない。
【００７９】
本実施形態では、引出配線１３４が第１電極１１２に接続される場合が例示される。引出配線１３４は、図中Ｙ方向に延在している。また、基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれＹ方向に配列された複数の第１電極１１２に接続される。このため、複数の第１電極１１２は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図１１に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
【００８０】
第１電極１１２は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１電極１１２は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。図１０に示すように、引出配線１３４のうち第１電極１１２と接合する部分は、たとえば平面視で有機ＥＬ素子２０を形成する領域内に位置する。
第１電極１１２は、引出配線１３４からみて第２方向に延びている。なお、本実施形態において第２方向とは、たとえば図中Ｘ方向をさす。第１電極１１２の形状は、特に限定されず有機ＥＬ素子２０の設計に併せて適宜選択可能であるが、たとえば矩形である。
【００８１】
引出配線１３４は、少なくとも一部が第１電極１１２と重なるように設けられている。このとき、たとえば第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４とが互いに積層する積層領域において、透明導電材料と金属材料が混在した遷移領域が形成される。そして、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００は、この積層領域を含む。
図１１に示す例においては、第１電極１１２の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１電極１１２が形成され、上記積層領域が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば引出配線１３４のうちの、上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成されることとなる。
【００８２】
絶縁層１２０は、たとえば引出配線１３４を覆うように形成される。本実施形態においては、たとえば引出配線１３４と引出配線１６４のそれぞれの一部を覆うように絶縁層１２０が設けられる。また、図１１に示すように、絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２が、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本実施形態においては、第１電極１１２は、第１開口１２２内に形成される。これにより、基板１００上にマトリクス状に配置された複数の第１電極１１２が形成される。また、図９および１０に示すように、複数の第１電極１１２は、絶縁層１２０によって互いに離間されることとなる。第１開口１２２は、たとえば引出配線１３４の一部と平面視で重なるように形成される。この場合、引出配線１３４のうちの第１開口１２２と平面視で重なる一部が、第１開口１２２に形成された第１電極１１２と接続することとなる。
絶縁層１２０は、たとえば第１の実施形態と同様の材料により構成される。
【００８３】
本実施形態における隔壁１７０、有機層１４０、第２電極１５２、第２配線１５４、および引出配線１６４は、たとえば第１の実施形態と同様の構成を有する。
【００８４】
以上、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１２の動作信頼性を向上させることも可能となる。
【００８５】
（第３の実施形態）
図１２は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施形態において、発光装置１０は例えば照明装置などの光源として使用される。このため、発光装置１０は、第１電極１１２に接続する端子（引出配線１３４の端部）及び第２電極１５２に接続する端子（引出配線１６６の端部）を、一つずつ有している。そして、発光装置１０が有する有機ＥＬ素子２０は一つの場合もあれば、複数の場合もある。後者の場合、複数の有機ＥＬ素子２０は、同時に電流が流されるため、同時に制御される。なお、いずれの場合においても、絶縁層１２０（本図においては図示せず）は、有機ＥＬ素子２０を囲むことにより、有機ＥＬ素子２０となる領域を画定している。
【００８６】
引出配線１３４と第１配線１１４との接続部は、第１の実施形態に示した接合構造２００となっている。また、引出配線１６６は引出配線１３４と同様の構成を有している。引出配線１３４，１６６は、複数の導電層を積層した構成を有している。この場合、引出配線１３４，１６６は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成された第１層、Ａｌ又はＡｌ合金で形成された第２層、及びＭｏ又はＭｏ合金で形成された第３層を、この順に積層した構成を有している。
【００８７】
次に、本実施形態に係る発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００に、引出配線１３４，１６６を形成する。引出配線１３４，１６６は、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。次いで、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０の形成方法は、第１の実施形態と同様である。このとき、接合構造２００も形成される。次いで、絶縁層１２０、有機層１４０、及び導電膜１５０を形成する。
【００８８】
なお、導電膜１５０は、第１の実施形態と同様の方法で形成されていても良いし、第１導電膜１１０と同様の方法によって形成されていても良い。後者の場合、導電膜１５０と引出配線１６６との接続部も、接合構造２００となる。この場合、導電膜１５０が第１導電膜に相当し、引出配線１６６が第２導電膜に相当する。
【００８９】
本実施形態によっても、引出配線１３４と第１配線１１４の間には接合構造２００が形成されているため、これらの間の接続信頼性は向上する。また、導電膜１５０を第１導電膜１１０と同様の方法で形成した場合、導電膜１５０と引出配線１６６との接続部も接合構造２００となるため、これらの間の接続信頼性も向上する。
【００９０】
（第４の実施形態）
図１３は、第４の実施形態に係る光学装置１１の構成を示す断面図である。本実施形態に係る光学装置１１は液晶装置であり、基板４０２と基板４０４の間に液晶材料４２０を挟んだ構成を有している。
【００９１】
詳細には、基板４０２のうち基板４０４に対向する面には第１電極４１２が形成されており、基板４０４のうち基板４０２に対向する面には第２電極４１４が形成されている。第１電極４１２及び第２電極４１４は、何れも透明導電材料によって形成されている。そして、基板４０２と基板４０４の間には、液晶材料４２０が充填される空間を取り囲むように、シール部材４０６が設けられている。言い換えると、基板４０２と基板４０４はシール部材４０６によって互いに固定されている。そして、基板４０２，４０４、及びシール部材４０６によって囲まれた空間内に、液晶材料４２０が充填されている。
【００９２】
図１４は、光学装置１１の平面図である。図１４において、説明のため基板４０４及び第２電極４１４の図示を省略している。
【００９３】
図１４に示すように、基板４０２の上には複数の第１電極４１２が互いに平行に延在している。複数の第１電極４１２の端部は、いずれもシール部材４０６の外側に位置しており、互いに異なる端子４３２に接続している。第１電極４１２と端子４３２の接続部は、接合構造２００となっている。
【００９４】
なお、基板４０４には、複数の第２電極４１４が第１電極４１２と交わる方向（例えば直交する方向）に延在している。そして基板４０４には、第２電極４１４に接続する端子が形成されている。この端子と第２電極４１４との接続部も、接合構造２００となっている。
【００９５】
本実施形態によっても、第１電極４１２と端子４３２の間、及び第２電極４１４とこれに接続する端子の間には接合構造２００が形成されているため、これらの間の接続信頼性は向上する。
【００９６】
以下、本実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【００９７】
（実施例１）
まず、ガラス基板上に、銀粒子含有インキをインクジェット法によりライン状に塗布し、第２導電膜を形成した。次いで、透明導電材料含有塗布液をライン状に塗布し、乾燥させて、第１導電膜を形成した。このとき、第１導電膜が第２導電膜の一部を覆うように透明導電材料含有塗布液を塗布した。透明導電材料含有塗布液としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ＣＬＥＶＩＯＳ  ＰＨ５１０（Ｈｅｒａｅｕｓ社製））を溶剤中へ分散して得られる溶液を使用した。次いで、２００℃、２分の条件で、第１導電膜および第２導電膜に対し熱処理を施し、第２導電膜を焼結するとともに、第１導電膜を乾燥させた。これにより、第１導電膜と第２導電膜と、からなる構造体を作製した。
このようにして得られた構造体を、第１の実施形態に係る発光装置に適用した。
【００９８】
実施例１において、第１導電膜と第２導電膜との間には、透明導電材料と金属材料とが混在する遷移領域が形成されていた。このとき、第２導電膜の表面には、樹枝状に延びた金属粒子の連鎖体が観察された。また、第１導電膜内部には、第２導電膜から離間して分散する金属材料が観察された。
実施例１では、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れていた。
【００９９】
（比較例１）
まず、ガラス基板上に、ＩＴＯからなる透明導電膜を、スパッタリング法により形成した。次いで、この透明導電膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第１導電膜を形成した。次いで、銀からなる金属膜を、スパッタリング法を用いて第１導電膜上に形成した。次いで、この金属膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第１導電膜上に第２導電膜を形成した。これにより、第１導電膜と第２導電膜と、からなる構造体を作製した。
【０１００】
比較例１では、第１導電膜と第２導電膜との間には、透明導電材料と金属材料とが混在する遷移領域が形成されていなかった。比較例１は、実施例１と比較して、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際の、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に劣っていた。
【０１０１】
（実施例２）
実施例２では、基板として二軸延伸ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムからなるフィルム状基板を用いる点を除いて、実施例１と同様に第１導電膜と第２導電膜と、からなる構造体を得ることができる。また、得られた構造体を、第１の実施形態に係る発光装置に適用することができる。
実施例２においても、第１導電膜と第２導電膜との間には、透明導電材料と金属材料とが混在する遷移領域が形成される。このため、実施例２は、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れることがわかる。
【０１０２】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【０１０３】
この出願は、２０１３年４月１日に出願された日本出願特願２０１３−７５９９６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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