(57)【要約】【課題】ビア電極の形状を変更して、ビアパッドの面積を減少させることにより、コア面積の減少に伴うインダクタンスの損失を防ぐことができるインダクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁基板と、上記絶縁基板の一面に配置される第１内部コイル部、及び上記絶縁基板の一面と対向する他面に配置される第２内部コイル部と、上記絶縁基板を貫通して上記第１内部コイル部と第２内部コイル部を連結するビア電極と、上記ビア電極を覆うように上記絶縁基板の一面に配置される第１ビアパッド、及び上記絶縁基板の他面に配置される第２ビアパッドと、を含み、上記ビア電極は、上記第１及び第２ビアパッドと接する上下部の断面積が中央部の断面積より大きいインダクタ及びその製造方法に関するものである。【選択図】図５
2018117111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一面に配置される第１内部コイル部、及び前記絶縁基板の一面と対向する他面に配置される第２内部コイル部と、
前記絶縁基板を貫通して前記第１内部コイル部と第２内部コイル部を連結するビア電極と、
前記ビア電極を覆うように前記絶縁基板の一面に配置される第１ビアパッド、及び前記絶縁基板の他面に配置される第２ビアパッドと、を含み、
前記ビア電極は、前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドと接する上下部の断面積が中央部の断面積よりも大きい、インダクタ。
【請求項２】
前記ビア電極の断面は、下部から中央部までが台形状であり、中央部から上部までが逆台形状である、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記ビア電極は、前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドと接する上下部の断面積が互いに同一である、請求項１または２に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記第１ビアパッドは、前記第１内部コイル部の一端が延長されて形成される部分であり、前記第２ビアパッドは、前記第２内部コイル部の一端が延長されて形成される部分である、請求項１から３のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記第１内部コイル部及び前記第２内部コイル部と前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドはめっきで形成される、請求項１から４のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項６】
前記第１内部コイル部及び前記第２内部コイル部を囲む磁性体本体をさらに含み、
前記磁性体本体は金属磁性体粉末を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項７】
前記絶縁基板の中央部には貫通孔が配置され、前記貫通孔は磁性体で充填されることでコア部が形成される、請求項１から６のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記第１内部コイル部及び前記第２内部コイル部の他端は延長されて、前記磁性体本体の一面に引き出される引き出し部が形成される、請求項６に記載のインダクタ。
【請求項９】
絶縁基板を設ける段階と、
前記絶縁基板の一面から中央部まで第１ビアホールを形成する段階と、
前記絶縁基板の他面から中央部まで第２ビアホールを形成し、前記第１ビアホールと連結する段階と、
前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールに電極物質を充填してビア電極を形成する段階と、
前記絶縁基板上に第１内部コイル部及び第２内部コイル部並びに前記ビア電極を覆うように、第１ビアパッド及び第２ビアパッドを形成する段階と、
前記第１内部コイル部及び前記第２内部コイル部を磁性体で覆って磁性体本体を形成する段階と、を含む、インダクタの製造方法。
【請求項１０】
前記ビア電極は、前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドと接する上下部の断面積を中央部の断面積よりも大きくする、請求項９に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１１】
前記ビア電極の断面は、下部から中央部までを台形状に形成し、中央部から上部までを逆台形状に形成する、請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドと接する前記ビア電極の上下部の断面積を互いに同一にする、請求項９から１１のいずれか一項に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１３】
前記第１ビアパッドは、前記第１内部コイル部の一端を延長して形成し、前記第２ビアパッドは、前記第２内部コイル部の一端を延長して形成する、請求項９から１２のいずれか一項に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１４】
前記第１内部コイル部及び前記第２内部コイル部と前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドはめっきで形成する、請求項９から１３のいずれか一項に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁基板の中央部に貫通孔を配置し、前記貫通孔に磁性体を充填することでコア部を形成する、請求項９から１４のいずれか一項に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１６】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一面と対向する他面に配置された第１内部コイル部及び第２内部コイル部と、
前記絶縁基板を貫通して前記第１内部コイル部と前記第２内部コイル部を連結するビア電極と、
前記ビア電極を覆うように前記絶縁基板の一面に配置された第１ビアパッド、及び前記絶縁基板の他面に配置された第２ビアパッドと、を含み、
前記ビア電極は、前記第１ビアパッド及び前記第２ビアパッドと接する上下部の前記絶縁基板の主面方向の長さが中央部の長さより大きい、インダクタ。
【請求項１７】
前記ビア電極の上下部の長さは互いに同一である、請求項１６に記載のインダクタ。
【請求項１８】
前記ビア電極の上下部の長さは互いに異なる、請求項１６または１７に記載のインダクタ。
【請求項１９】
前記ビア電極の中央部の断面形状は凹んでいる、請求項１６から１８のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項２０】
前記ビア電極の中央部の断面は凹状及び凸状を有する、請求項１６から１９のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項２１】
前記ビア電極の中央部における側壁傾斜が上下部における側壁傾斜と異なる、請求項１６から２０のいずれか一項に記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ電子部品の一つであるインダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であって、電磁気的特性を用いてキャパシタと組み合わせることで、特定の周波数帯域の信号を増幅させる共振回路や、フィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路などの構成に用いられる。
【０００３】
最近、様々な通信デバイスまたはディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速している。かかるＩＴデバイスに採用されるインダクタ、キャパシタ、トランジスタなどの各種素子にも、小型化及び薄型化のための研究が継続的に行われている。
【０００４】
そこで、インダクタも、小型でありながら高密度の自動表面実装が可能なチップへの移行が急速に行われており、薄膜の絶縁基板の上下面にめっきでコイルパターンを形成し、かかるコイルパターンを覆う磁性粉末を樹脂と混合して形成した薄膜型インダクタの開発が続いている。
【０００５】
かかる薄膜型インダクタは、絶縁基板上にコイルパターンを形成した後、外部に磁性体材料を充填して製作する。
【０００６】
しかし、上記インダクタの小型化及び薄膜化を実現するには、コイルの幅に制限があるため、内部コアの面積を確保することが難しい。
【０００７】
一方、上記インダクタのコイルを形成する絶縁基板のめっき工程について説明すると、上記絶縁基板の一面にコイル形状のパターンを有するコイル導体パターンを形成することができ、上記絶縁基板の反対面にもコイル形状のパターンを有するコイル導体パターンを形成することができる。
【０００８】
上記絶縁基板の一面と反対面に形成されるコイル導体パターンは、上記絶縁基板に形成されるビア電極を介して電気的に連結されることができる。
【０００９】
上記ビア電極は、絶縁基板にレーザーでビアホールを開けて形成し、レーザーを用いてビアホールを形成すると、必然的にビアホールがテーパー状を有するようになる。ここで、安定した連結性を確保するために、ビアホールのサイズとビアパッドのサイズを増加させる。その結果、コアの面積が減少するため、小型及び大容量のインダクタを実現することに問題が発生する可能性がある。
【００１０】
図１は従来のインダクタ内部のコイル部が現れるように示す概略斜視図であり、図２は図１のＬ−Ｗ方向による断面図である。
【００１１】
図１及び図２を参照すると、従来の薄膜型インダクタ１０は、一方向にビア電極を形成する方法によりコイル４１、４２を連結させていた。かかる一方向にビア電極を形成する場合は、図１に示すように、ビアホールのテーパー状によりビア電極４５の下部サイズが減少して連結不良が発生する可能性が高くなる。
【００１２】
かかる連結不良を低減するためには、ビア電極の下部面積を確保する必要がある。また、さらに大きいビア電極のサイズに形成する場合は、ビアパッド４３、４４のサイズも大きくするしかない。その結果、内部コア５５の面積が縮小されて、大容量インダクタの実現に大きな制約を伴うのが実情である。
【００１３】
したがって、容量を十分に確保することができるとともに、小型のインダクタを実現することが必要な実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−０６７２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、ビア電極の形状を変更して、ビアパッドの面積を減少させることにより、コア面積の減少に伴うインダクタンスの損失を防ぐことができるインダクタに関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一実施形態は、絶縁基板と、上記絶縁基板の一面に配置される第１内部コイル部、及び上記絶縁基板の一面と対向する他面に配置される第２内部コイル部と、上記絶縁基板を貫通して上記第１内部コイル部と第２内部コイル部を連結するビア電極と、上記ビア電極を覆うように上記絶縁基板の一面に配置される第１ビアパッド、及び上記絶縁基板の他面に配置される第２ビアパッドと、を含み、上記ビア電極は、上記第１及び第２ビアパッドと接する上下部の断面積が中央部の断面積よりも大きいインダクタを提供する。
【００１７】
本発明の他の実施形態は、絶縁基板を設ける段階と、上記絶縁基板の一面から中央部まで第１ビアホールを形成する段階と、上記絶縁基板の他面から中央部まで第２ビアホールを形成し、上記第１ビアホールと連結する段階と、上記第１及び第２ビアホールに電極物質を充填してビア電極を形成する段階と、上記絶縁基板上に第１及び第２内部コイル部並びに上記ビア電極を覆うように、第１及び第２ビアパッドを形成する段階と、上記第１及び第２内部コイル部を磁性体で覆って磁性体本体を形成する段階と、を含むインダクタの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、絶縁基板の上部と下部の両方向にビアホールを形成することにより、ビア電極及びビアパッドのサイズを減らすことで、コアの面積を十分に確保することができ、コア面積の減少に伴うインダクタンスの損失を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来のインダクタ内部のコイル部が現れるように示す概略斜視図である。
【図２】図１のＬ−Ｗ方向による断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるインダクタの内部コイル部が現れるように示す概略斜視図である。
【図４】図３のＬ−Ｗ方向による断面図である。
【図５】図３のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。
【図６】図５のＡ部分を拡大して示す断面図である。
【図７ａ】本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【図７ｂ】本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【図７ｃ】本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【図７ｄ】本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【図７ｅ】本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【００２１】
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
【００２２】
さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対である記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００２３】
インダクタ
以下、本発明の一実施形態によるインダクタを説明にあたり、特に薄膜型インダクタで説明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２４】
図３は本発明の一実施形態によるインダクタの内部コイル部が現れるように示す概略斜視図であり、図４は図３のＬ−Ｗ方向による断面図であり、図５は図３のＩ−Ｉ'線に沿った断面図であり、図６は図５のＡ部分を拡大して示す断面図である。
【００２５】
図３及び図４を参照すると、インダクタの一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクタが示される。
【００２６】
本発明の一実施形態によるインダクタ１００は、磁性体本体１５０と、上記磁性体本体１５０の内部に埋設される内部コイル部１４１、１４２と、上記磁性体本体１５０の外側に配置され、上記内部コイル部１４１、１４２と電気的に連結される第１及び第２外部電極１８１、１８２と、を含む。
【００２７】
本発明の一実施形態によるインダクタ１００において、「長さ」方向は図３の「Ｌ」方向、「幅」方向は「Ｗ」方向、及び「厚さ」方向は「Ｔ」方向と定義する。
【００２８】
上記磁性体本体１５０は、インダクタ１００の外観を成し、磁気特性を示す材料であれば制限されず、例えば、フェライトまたは金属磁性体粉末を充填して形成することができる。
【００２９】
上記フェライトは、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト、またはＬｉ系フェライトなどであることができる。
【００３０】
また、上記金属磁性体粉末は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができ、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属であってもよいが、必ずしもこれらに制限されるものではない。
【００３１】
上記金属磁性体粉末の粒径は、０．１μｍ〜３０μｍであることができ、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂に分散された形で含まれることができる。
【００３２】
上記磁性体本体１５０の内部に配置される絶縁基板１２０の一面には、コイル形状の第１内部コイル部１４１が形成され、上記絶縁基板１２０の一面と対向する他面には、コイル形状の第２内部コイル部１４２が形成される。
【００３３】
上記第１及び第２内部コイル部１４１、１４２は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状に形成することができ、電気めっき法を行って形成することができる。
【００３４】
上記絶縁基板１２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、または金属系軟磁性基板などで形成される。
【００３５】
上記絶縁基板１２０の中央部を貫通して貫通孔を形成し、上記貫通孔に磁性材料を充填してコア１５５を形成する。
【００３６】
磁性材料で充填されているコア１５５を形成することにより、インダクタンス（Ｌｓ）を向上させることができる。
【００３７】
図５を参照すると、上記絶縁基板１２０の一面に形成される第１内部コイル１４１と、上記絶縁基板１２０の他面に形成される第２内部コイル部１４２が、上記絶縁基板１２０を貫通して形成されるビア電極１４５を介して互いに連結される。
【００３８】
上記ビア電極１４５を覆うように上記絶縁基板１２０の一面と他面にそれぞれ第１及び第２ビアパッド１４３、１４４を形成する。
【００３９】
上記第１ビアパッド１４３は、上記第１内部コイル部１４１の一端を延長して形成したものであり、上記第２ビアパッド１４４は、上記第２内部コイル部１４２の一端を延長して形成したものである。
【００４０】
上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４は、上記第１及び第２内部コイル部１４１、１４２と同様に、電気めっき法を行って形成することができる。
【００４１】
一般に、ビア（Ｖｉａ）電極は、内部コイルが形成される部分と一直線上にあり、上記ビア（Ｖｉａ）電極のねじれによるオープン（Ｏｐｅｎ）不良が問題になることがある。
【００４２】
かかるオープン（Ｏｐｅｎ）不良を防ぐためのビアパッドを形成する場合、ビアパッドの面積を大きくする傾向がある。これは、チップ電子部品の小型化及び大容量化の実現における制約条件として作用してきた。
【００４３】
一方、上記ビア電極は、絶縁基板にレーザーでビアホールを開けて形成し、レーザーを用いてビアホールを形成すると、必然的にビアホールがテーパー状を有するようになる。ここで、安定した連結性を確保するために、ビアホールのサイズとビアパッドのサイズを増加させる。その結果、コアの面積が減少するため、小型及び大容量のインダクタを実現することに問題が発生する可能性がある。
【００４４】
図１及び図２に示すように、従来の薄膜型インダクタ１０の場合、一方向にビア電極を形成する方法によってコイル４１、４２を連結させる。一方向にビア電極を形成する場合は、ビアホールのテーパー状によりビア電極４５の下部サイズが減少して連結不良が発生する可能性が高くなる。
【００４５】
かかる連結不良を低減するためには、ビア電極の下部面積を確保する必要がある。また、さらに大きいビア電極のサイズに形成する場合は、ビアパッド４３、４４のサイズも大きくするしかない。その結果、内部コア５５の面積が縮小されて、大容量インダクタの実現に大きな制約を伴うのが実情である。
【００４６】
すなわち、ビアパッド４３、４４の面積が増加するにつれて、コア５５の面積が減少するようになり、コアに充填される磁性体が減少してインダクタンス（Ｌｓ）の特性が低下することがある。
【００４７】
一方、本発明の一実施形態によると、上記問題を解決するために、絶縁基板１２０の上部と下部の両方向にビアホールを形成することにより、ビア電極１４５のサイズ、及びビアパッド１４３、１４４のサイズを減らすことで、コア１５５の面積を十分に確保することができ、コア面積の減少に伴うインダクタンスの損失を防止することができる。
【００４８】
具体的には、図６を参照すると、本発明の一実施形態によるインダクタにおいて、上記ビア電極１４５は、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積が中央部の断面積よりも大きいことを特徴とする。
【００４９】
すなわち、図６に示すように、上記ビア電極１４５の断面形状において、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の長さＡ１が中央部の長さＡ２よりも長く、その結果、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積が中央部の断面積よりも大きくなることを特徴とする。
【００５０】
上述のとおり、ビアホールをレーザーによって形成する場合、テーパー状が必然的に発生するようになる。このとき、本発明の一実施形態のように、絶縁基板１２０の上部と下部の両方向にビアホールを形成すると、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積が中央部の断面積よりも大きくなるように調節することができる。
【００５１】
このように、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積を中央部の断面積よりも大きく調節することにより、従来のようにテーパー状によりビア電極の下部面積が縮小されることを防ぐことができる。さらに、上記ビア電極１４５の上下部の断面積が従来に比べて増加していない。
【００５２】
これにより、上記ビアパッド１４３、１４４のサイズを増やすことなく、第１及び第２内部コイル部１４１、１４２の電気的連結に優れることができるため、コア１５５の面積を十分に確保することができる。
【００５３】
本発明の一実施形態によると、上記ビアパッド１４３、１４４のサイズを減らすことができ、コアの面積を十分に確保するようになり、結果的にインダクタンスの損失を防止することができる。
【００５４】
図２と図４を比較すると、従来のインダクタのビアパッド４３に比べて、本発明の一実施形態によるビアパッド１４３のサイズが減少したことが分かる。本発明の一実施形態によるインダクタの場合、コア面積を十分に確保するとともに、大容量を実現できることが分かる。
【００５５】
再び図６を参照すると、本発明の一実施形態によるインダクタ１００における上記ビア電極１４５の断面は、下部から中央部までが台形状であり、中央部から上部までが逆台形状であることができる。
【００５６】
本発明の一実施形態によると、後述のとおり、ビア電極１４５を形成するにあたり、絶縁基板１２０の上部と下部の両方向にビアホールを形成し、且つ上記絶縁基板１２０の中央部までそれぞれビアホールを形成するため、絶縁基板１２０の上部から中央部まで形成されたビアホールと、絶縁基板１２０の下部から中央部まで形成されたビアホールがそれぞれテーパー状を有する。
【００５７】
その結果、上記ビア電極１４５の断面は、下部から中央部までが台形状であり、中央部から上部までが逆台形状であることができる。
【００５８】
上記ビア電極１４５の断面が、下部から中央部までが台形状であり、中央部から上部までが逆台形状を有するため、ビア電極１４５の上下部の断面積は従来に比べて増加していない。
【００５９】
これにより、上記ビアパッド１４３、１４４のサイズを増やすことなく、第１及び第２内部コイル部１４１、１４２の電気的連結に優れることができるため、コア１５５の面積を十分に確保することができる。
【００６０】
本発明の一実施形態によると、上記ビア電極１４５は、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積が互いに同一であることができる。
【００６１】
すなわち、ビア電極１４５を形成するにあたり、絶縁基板１２０の上部と下部の両方向にビアホールを形成し、且つ上記絶縁基板１２０の中央部までそれぞれ別工程でビアホールを形成するため、上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４と接する上下部の断面積を同一にすることができる。
【００６２】
これにより、従来のように、連結不良を低減するためのビア電極の下部面積を確保する必要がなく、コア１５５の面積を十分に確保することができるため、大容量インダクタを実現することができる。
【００６３】
上記第１及び第２ビアパッド１４３、１４４は、その形状に制限がなく、断面が長方形状を有してもよく、ビア電極１４５の形状と同様に円状を有してもよい。
【００６４】
上記のようにビア電極１４５の形状を制御することにより、従来に比べてコア１５５の面積が大きくなり、コア１５５に充填される磁性体が増加するため、インダクタンス（Ｌｓ）の特性を向上させることができる。
【００６５】
すなわち、インダクタが小型化しても、上記のようにビア電極１４５の形状を制御することにより、ビアパッド１４３、１４４のサイズも減らすことができ、コアの面積を大きく確保することができるため、充填される磁性体の増加により大容量インダクタを実現することができる。
【００６６】
上記第１及び第２内部コイル部１４１、１４２、ビア電極１４５、並びに第１及び第２ビアパッド１４３、１４４は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、またはこれらの合金などで形成することができる。
【００６７】
図３を参照すると、上記第１内部コイル部１４１の他端を延長して磁性体本体１５０の長さ（Ｌ）方向における一端面に露出する第１引き出し部１４６を形成することができ、第２内部コイル部１４２の他端を延長して磁性体本体１５０の長さ（Ｌ）方向における他端面に露出する第２引き出し部１４７を形成することができる。
【００６８】
但し、必ずしもこれに限定されず、上記第１及び第２引き出し部１４６、１４７は、上記磁性体本体１５０の少なくとも一面に露出するように形成してもよい。
【００６９】
上記磁性体本体１５０の長さ（Ｌ）方向における両端面に露出する上記第１及び第２引き出し部１４６、１４７とそれぞれ連結されるように磁性体本体１５０の長さ（Ｌ）方向における両端面にそれぞれ第１及び第２外部電極１８１、１８２を配置する。
【００７０】
上記第１及び第２外部電極１８１、１８２は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）などを単独で、またはこれらの合金などで形成することができる。
【００７１】
インダクタの製造方法
図７ａから図７ｅは、本発明の一実施形態によるインダクタのビア電極を形成する過程を順に示す断面図である。
【００７２】
以下、図７ａから図７ｅを参照して、本発明の一実施形態によるインダクタの製造方法を説明する。
【００７３】
図７ａを参照すると、先ず、絶縁基板１２０を設ける。
【００７４】
上記絶縁基板１２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、または金属系軟磁性基板などで設けることができる。
【００７５】
上記絶縁基板１２０の中央部を貫通して貫通孔を形成し、上記貫通孔には磁性材料を充填することでコア（図示せず）を形成する。
【００７６】
磁性材料で充填されているコア（図示せず）を形成することにより、インダクタンス（Ｌｓ）を向上させることができる。
【００７７】
次に、図７ｂを参照すると、上記絶縁基板１２０の一面から中央部まで第１ビアホールＶ１を形成する。
【００７８】
第１ビアホールＶ１を形成する方法は、特に制限されず、例えば、レーザーや穴開け機などを用いて行うことができる。
【００７９】
上記第１ビアホールＶ１の形成は、従来の方法とは異なり、上記絶縁基板１２０の一面から中央部までに行う。
【００８０】
次に、図７ｃを参照すると、上記絶縁基板１２０の他面から中央部まで第２ビアホールＶ２を形成して上記第１ビアホールＶ１と連結する。
【００８１】
第２ビアホールＶ２を形成する方法は、上記第１ビアホールＶ１を形成する方法と同一の方法で行うことができ、例えば、レーザーや穴開け機などを用いて行うことができる。
【００８２】
上記第２ビアホールＶ２の形成は、従来の方法とは異なり、上記絶縁基板１２０の他面から中央部までに行う。
【００８３】
次に、図７ｄを参照すると、上記第１及び第２ビアホールＶ１、Ｖ２の内部に電極物質を充填してビア電極１４５を形成する。
【００８４】
次に、図７ｅを参照すると、上記絶縁基板１２０上に第１及び第２内部コイル部（図示せず）並びに上記ビア電極１４５を覆うように第１及び第２ビアパッド１４３、１４４を形成する。
【００８５】
最後に、上記第１及び第２内部コイル部を磁性体で覆って磁性体本体を形成し、上記磁性体本体の両側に外部電極用ペーストを塗布して外部電極を形成することでインダクタを製作する。
【００８６】
その他、上述の本発明の一実施形態によるインダクタについての説明と同一の部分に対してはその説明を省略する。
【００８７】
本発明の他の実施形態によると、ビア電極の抵抗及び電気伝導性を多様に実現するために、化学的／物理的エッチング及びレーザードリルなどの異なるパラメーター、例えば、焦点、強度、焦点形状などを異なるように選択することにより、断面形状が様々なビア電極を実現することができる。
【００８８】
例えば、ビア電極の中央部をさらに狭く形成してもよく、さらに広く形成してもよい。また、凹状を有するように形成してもよく、凸状と凹状の二重形状を有するように形成してもよい。さらに、側壁傾斜が中央部及び上下部において互いに異なるように形成してもよい。
【００８９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００９０】
１０、１００  インダクタ
２０、１２０  絶縁基板
４１、４２  コイル
１４１  第１内部コイル部
１４２  第２内部コイル部
４３、４４  ビアパッド
１４３  第１ビアパッド
１４４  第２ビアパッド
４５、１４５  ビア電極
１４６  第１引き出し部
１４７  第２引き出し部
５０、１５０  磁性体本体
５５、１５５  コア
１８１、１８２  第１及び第２外部電極
【図１】
2018117111.tif 000003
【図２】
2018117111.tif 000004
【図３】
2018117111.tif 000005
【図４】
2018117111.tif 000006
【図５】
2018117111.tif 000007
【図６】
2018117111.tif 000008
【図７ａ】
2018117111.tif 000009
【図７ｂ】
2018117111.tif 000010
【図７ｃ】
2018117111.tif 000011
【図７ｄ】
2018117111.tif 000012
【図７ｅ】
2018117111.tif 000013