(57)【要約】【課題】複数の独立した部品を用いることなしに半導体素子側への電気の供給が行えるようにし、半導体素子取付用の取り扱い容易な基板端子板を提供する。【解決手段】下基板２と上基板３との樹脂被覆膜７相互の接着にて下基板２と上基板３とを連結し、第一素子接続端子部８と第二素子接続端子部１３とを備えた素子取付部４を有するとともに、それぞれが電極線拘束部１０を近傍に配した第一電極端子部９と第二電極端子部１４とを配した電極端子部５を有する一つの半導体素子取付用基板端子板１を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子板上面中央に、半導体素子に接続するための第一素子接続端子部と第二素子接続端子部とを対にして備えて半導体素子を配置可能にした素子取付部を有し、端子板辺部に、電極線を接続するための第一電極端子部と第二電極端子部とからなる電極端子部を有している半導体素子取付用基板端子板を製造する方法であって、
導電性金属板から、上面中央に前記第一素子接続端子部が設けられ、一隅に前記第一電極端子部が設けられ、この第一電極端子部の近傍に電極線拘束部が配されている下基板を形成するとともに、
導電性金属板から、前記下基板と重ね合わせたときの前記第一素子接続端子部に対応する部分にして透孔が開口され、この透孔の周辺に前記第二素子接続端子部が設けられ、下基板と重ね合わせたときの前記第一電極端子部と対向する位置に前記第二電極端子部が設けられ、この第二電極端子部の近傍に電極線拘束部が配されている上基板を形成し、
前記下基板と上基板とを、耐熱性と絶縁性とを有する電着塗料を用いた電着塗装を施してなる樹脂被覆膜で被覆して、前記各電極線拘束部を樹脂被覆膜で覆われた状態とし、
前記下基板の第一素子接続端子部に前記上基板の透孔を対応させるとともに、下基板の第一電極端子部と電極拘束部とが上基板の第二電極端子部と電極線拘束部とに重ならない非重合状態となるようにして、下基板の上に上基板を重ね合わせ、
この重ね合わされた状態での下基板と上基板とに対して加圧加熱処理を施すことにより、下基板と上基板との間の樹脂被覆膜同士を接着させ、
この接着による下基板と上基板との連結により、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部とを備えた前記素子取付部を有するとともに、それぞれが電極線拘束部を近傍に配した第一前記電極端子部と第二電極端子部とを配した前記電極端子部を有する一つの基板端子板を形成することを特徴とする半導体素子取付用基板端子板の製造方法。
【請求項２】
上記電極線拘束部は、基板厚さ方向に貫通した透孔、または基板厚さ方向での上方に向けて凸となる隆起形状物である請求項１に記載の半導体素子取付用基板端子板の製造方法。
【請求項３】
上記下基板における電極線拘束部と第一電極端子部とを配する部分と上記上基板の電極線拘束部と第二電極端子部とを配する部分とが、それぞれギボシ端子とされていて、下基板の前記ギボシ端子に電極線拘束部と第一電極端子部とが形成されているとともに、上基板の前記ギボシ端子に電極線拘束部と第二電極端子部とが形成されている請求項１に記載の半導体素子取付用基板端子板の製造方法。
【請求項４】
上記電着塗料を施す前に、上記第一素子接続端子部と上記第二素子接続端子部と上記第一電極端子部と上記第二電極端子部とのそれぞれにマスキングを施し、
下基板と上基板との上記連結後に前記マスキングを除去して、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部と外方に表出させる請求項１から３の何れか一項に記載の半導体素子取付用基板端子板の製造方法。
【請求項５】
下基板と上基板との上記連結後に、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部との部分を被覆する樹脂被覆膜を除去して、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部とを外部に表出させる請求項１から３の何れか一項に記載の半導体素子取付用基板端子板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、例えば消費電力の大きく発熱量が多いＬＥＤチップ、ＬＳＩ、ＣＰＵなどの素子を取り付けるための部分を有するとともに、電極線との接続を行なう端子部分も有する取付用基板端子板を、簡易な構成で製造できるようにした製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から消費電力が大きいＬＥＤ素子においては、チップをガラスエポキシ基板に封じ込めて端子を表出した構成としているものがある。そしてこの種のＬＥＤ素子では発熱量が大きいなどの理由から、他の素子類や装置と同じ回路基板に並べ設けることはせずに、ＬＥＤ素子への専用の電極線を設けてＬＥＤ素子へ給電を行なっていて、ＬＥＤ素子の接点と電極線との間は、導電性を有する金属板を所定形状に折り曲げた接続部品を用いて導通させるようにしていた。
【０００３】
例えば特許文献１、２に示されているようにＬＥＤ素子を保持することのできるボックス部分を備えてＬＥＤ素子の端子と接続できる接続部品と、ＬＥＤ素子の他方の接点と接続することのできる接続部品とを対にして用意している。そしてＬＥＤ素子の前記他方の接点に接続できる接続部品を電極線であるケーブルに取り付けたのち、もう一つの接続部品をケーブルに取り付け、ボックス部分にＬＥＤ素子を嵌め入れることで、各接続部品がＬＥＤ素子の接点に接触するようにしていた。
【０００４】
また対の接続部品とＬＥＤ素子とをデバイスホルダーに組み入れることで、デバイスホルダーの内部でＬＥＤ素子の接点と接続部品とが接触し、デバイスホルダーで電極線のケーブルを挟むことで接続部品がケーブルと接触するようにした点も示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９３４５４５号公報
【特許文献２】特許第５２０３０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ケーブルなどの電極線からＬＥＤ素子側に給電を行なえるようにするために、二つの接続部品を独立させて電極線に取り付けたりデバイスホルダーに組み付けるようにしなければ、接続部品間の絶縁を保った状態でのＬＥＤ素子側への接続が行なえない。このようにＬＥＤ素子への給電には二つの接続部品が必要でそれぞれ単独で取り扱うものとなる。ましてやＬＥＤチップへの給電に対してこのような構成を採用すると接続部品それぞれの構造が非常に複雑になり、接続部品の管理が煩雑になるという欠点がある。
【０００７】
上述した点はＬＥＤ素子やＬＥＤチップ用のものに限られた欠点ではなく、発熱するＬＳＩ、ＣＰＵなどの半導体素子製品用のものの場合でも同様の欠点であった。
【０００８】
そこで本発明は上記事情に鑑み、複数の独立した部品を用いることなしに半導体素子への電気の供給が行えるようにすることを課題とし、半導体素子が取り付けられる取り扱い容易な基板端子板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（請求項１の発明）
本発明は上記課題を考慮してなされたもので、端子板上面中央に、半導体素子に接続するための第一素子接続端子部と第二素子接続端子部とを対にして備えて半導体素子を配置可能にした素子取付部を有し、端子板辺部に、電極線を接続するための第一電極端子部と第二電極端子部とからなる電極端子部を有している半導体素子取付用基板端子板を製造する方法であって、
導電性金属板から、上面中央に前記第一素子接続端子部が設けられ、一隅に前記第一電極端子部が設けられ、この第一電極端子部の近傍に電極線拘束部が配されている下基板を形成するとともに、
導電性金属板から、前記下基板と重ね合わせたときの前記第一素子接続端子部に対応する部分にして透孔が開口され、この透孔の周辺に前記第二素子接続端子部が設けられ、下基板と重ね合わせたときの前記第一電極端子部と対向する位置に前記第二電極端子部が設けられ、この第二電極端子部の近傍に電極線拘束部が配されている上基板を形成し、
前記下基板と上基板とを、耐熱性と絶縁性とを有する電着塗料を用いた電着塗装を施してなる樹脂被覆膜で被覆して、前記各電極線拘束部を樹脂被覆膜で覆われた状態とし、
前記下基板の第一素子接続端子部に前記上基板の透孔を対応させるとともに、下基板の第一電極端子部と電極拘束部とが上基板の第二電極端子部と電極線拘束部とに重ならない非重合状態となるようにして、下基板の上に上基板を重ね合わせ、
この重ね合わされた状態での下基板と上基板とに対して加圧加熱処理を施すことにより、下基板と上基板との間の樹脂被覆膜同士を接着させ、
この接着による下基板と上基板との連結により、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部とを備えた前記素子取付部を有するとともに、それぞれが電極線拘束部を近傍に配した第一前記電極端子部と第二電極端子部とを配した前記電極端子部を有する一つの基板端子板を形成することを特徴とする半導体素子取付用基板端子板の製造方法を提供して、上記課題を解消するものである。
【００１０】
（請求項２の発明）
そして、本発明において、上記電極線拘束部は、基板厚さ方向に貫通した透孔、または基板厚さ方向での上方に向けて凸となる隆起形状物であることが良好である。
【００１１】
（請求項３の発明）
また、本発明において、上記下基板における電極線拘束部と第一電極端子部とを配する部分と上記上基板の電極線拘束部と第二電極端子部とを配する部分とが、それぞれギボシ端子とされていて、下基板の前記ギボシ端子に電極線拘束部と第一電極端子部とが形成されているとともに、上基板の前記ギボシ端子に電極線拘束部と第二電極端子部とが形成されていることが良好である。
【００１２】
（請求項４の発明）
また、本発明において、上記電着塗料を施す前に、上記第一素子接続端子部と上記第二素子接続端子部と上記第一電極端子部と上記第二電極端子部とのそれぞれにマスキングを施し、
下基板と上基板との上記連結後に前記マスキングを除去して、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部と外方に表出させることが良好である。
【００１３】
（請求項５の発明）
また、本発明において、下基板と上基板との上記連結後に、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部との部分を被覆する樹脂被覆膜を除去して、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部とを外部に表出させることが可能である。
【発明の効果】
【００１４】
（請求項１の発明の効果）
請求項１の発明によれば、下基板と上基板との樹脂被覆膜同士の接着によって、一つの半導体素子取付用基板端子板が形成され、その一つの半導体素子取付用基板端子板に、素子取付部と、それぞれ電極線拘束部が近接している第一電極端子部と第二電極端子部とを備える電極端子部とが設けられているので、半導体素子取付用基板端子板にて、従来のように対の接続部品をそれぞれ単独で取り扱うような取り扱いや管理の煩雑さを解消することができる。また絶縁層となる樹脂被覆膜同士の接着を利用して半導体素子取付用基板端子板を得るようにしているので、安価に製造することができて、コストを引き上げることも無いという優れた効果を奏するものである。
【００１５】
また下基板と上基板との二つの基板を重ね合わせた簡単な構造であり、上下基板間の熱抵抗による熱損失が少なくなって良好な放熱を行なうことができるという効果を奏する。
【００１６】
（請求項２の発明の効果）
請求項２の発明によれば、電極線拘束部の形状が簡易なものであり、製造に係るコストを引き上げることなしに、電極線の接続がより確実になる半導体素子取付用基板端子板が得られるようになるという効果を奏する。
【００１７】
（請求項３の発明の効果）
請求項３の発明によれば、半導体素子取付用基板端子板が対のギボシ端子を有するものとなり、従来から公知の工具を用いて電極線の取付が確実に行えるようになる。
【００１８】
（請求項４の発明の効果）
請求項４の発明によれば、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部を、予め定められた位置に正確に設けることができるという優れた効果を奏する。
【００１９】
（請求項５の発明の効果）
請求項５の発明によれば、第一素子接続端子部と第二素子接続端子部と第一電極端子部と第二電極端子部での導体の表面が表出する部分の広さを適宜変更することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る半導体素子取付用基板端子板の製造方法の一例からなる半導体素子取付用基板端子板を示す説明図である。
【図２】半導体素子取付用基板端子板を下基板と上基板とを分離した状態で示す説明図である。
【図３】本発明の半導体素子取付用基板端子板の製造方法で用いる下基板を図１Ａ−Ａ線に沿った断面で示す説明図である。
【図４】同じく第一の実施の形態で用いる上基板を図１Ａ−Ａ線に沿った断面で示す説明図である。
【図５】上下基板の重ね合わせ状態で上基板の樹脂被覆膜を完全硬化させた状態を断面で示す説明図である。
【図６】電極線拘束部がブリッジ状とされている例を示す説明図である。
【図７】電極線拘束部が透孔とされている例を示す説明図である。
【図８】電極線拘束部がギボシ端子とされている例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
つぎに本発明を図１から図８に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。なお、ＬＥＤチップを配するための例を実施の形態として挙げて本発明を説明するが、本発明はＬＥＤチップを配するものに限定されず、ＬＳＩやＣＰＵなどの半導体素子を配するものとすることもできる。
【００２２】
図中１は半導体素子取付用基板端子板で、図１と図２に示されているように下基板２と上基板３とを重ね合わせて一体化して形成されているものである。この半導体素子取付用基板端子板１にあっては、端子板上面中央にしてＬＥＤチップを配置可能にした素子取付部４を有するとともに、端子板辺部で離間する配置にして、素子取付部に配されるＬＥＤチップに電気を供給するために電気ケーブルなどの電極線を接続できるようにした電極端子部５を有している。
【００２３】
（下基板、第一素子接続端子部）
半導体素子取付用基板端子板１を形成している上下基板の内の下基板２は、銅材などの導電性金属板からなる下基板用導体板６の導体板表面を、絶縁性の樹脂被覆膜７で被覆したものである。そして中央には凸面があり、その凸面を、樹脂被覆膜が存在せずに下基板用導体板６の導体板表面が表出する部分にしてＬＥＤチップを接続するための第一素子接続端子部８として設けている。
【００２４】
（下基板、第一電極端子部）
また下基板２での端子板辺部一隅側の表面に、樹脂被覆膜が存在せずに下基板用導体板６の導体板表面が長方形状にして表出する上記電極端子部５の一方である第一電極端子部９が設けられている。
【００２５】
（下基板、電極線拘束部）
さらに図１と図２とに示すように第一電極端子部９の近傍に、この下基板用導体板６の導体板表面（第一素子接続端子部が存在する表面）を、導体板厚さ方向での上方に凸となるように隆起させた平面形状四角形の隆起形状物からなる電極線拘束部１０が設けられており、この電極線拘束部１０も樹脂被覆膜７にて覆われている。
【００２６】
（上基板、第二素子接続端子部）
上記上基板３は、下基板２と同じく銅材などの導電性金属板からなる上基板用導体板１１の導体板表面を、絶縁性の樹脂被覆膜７で被覆したものである。そして上記下基板用導体板６の第一素子接続端子部８に対応して開口している透孔１２の周辺の薄板状とした板部の表面に、前記樹脂被覆膜が存在せずに上基板用導体板１１の導体板表面が表出する部分にしてＬＥＤチップを接続するための第二素子接続端子部１３が設けられている。
【００２７】
半導体素子取付用基板端子板１では、下基板２の上に上基板３を重ね合わせて一体とすることで、この半導体素子取付用基板端子板１の中央にして、第一素子接続端子部８と第二素子端子部１２とが表出した上記素子取付部４が形成されている。
【００２８】
（上基板、第二電極端子部）
また上基板３の端子板辺部一隅側であって上記第一電極端子部９とは反対側となる隅部の表面に、第一電極端子部９と同様に樹脂被覆膜が存在せずに上基板用導体板１１の導体板表面が長方形状にして表出して、対の電極端子部５の内の他方である第二電極端子部１４が設けられている。
【００２９】
半導体素子取付用基板端子板１では、下基板２の上に上基板３を重ね合わせて一体とすることで、この半導体素子取付用基板端子板１の端子板辺部において、上記第一電極端子部９と第二電極端子部１４とからなる対の電極端子部５が対向して配置されている。
【００３０】
さらにこの上基板３の上記第二電極端子部１４の近傍に電極線拘束部１０が設けられている。この電極線拘束部１０も上記下基板２の電極線拘束部１０と同じように、上基板用導体板１１の導体板表面（第二素子接続端子部が存在する表面）を、導体板厚さ方向での上方に凸となるように隆起させた隆起形状物からなるものであり、樹脂被覆膜７にて覆われている。
【００３１】
（上下基板、樹脂被覆膜）
下基板２と上基板３とのそれぞれの樹脂被覆膜７は、後述するように上記導体板表面に耐熱性と絶縁性とを有する電着塗料を用いた電着塗装を施して、電着塗料を析出させて形成したものである。そして電着塗料として、優れた耐熱性及び絶縁性を有するポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、好ましくはポリアミドイミド樹脂などを用いてなるものであり、耐熱性及び絶縁性を有する樹脂被覆膜７が樹脂層として形成されている。
【００３２】
下基板２の上に上基板３を重ね合わせて一体化した状態においても、下基板２の上面側の樹脂被覆膜７と上基板３の下面側の樹脂被覆膜７が、下基板用導体板６と上基板用導体板１１との間に存在して、下基板用導体板６と上基板用導体板１１との間の絶縁を行なっているものである。
【００３３】
（製造方法）
つぎに上記半導体素子取付用基板端子板１の製造方法について第一の実施の形態を説明する。なお、図示の各断面は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った位置と同一部分での断面である。
【００３４】
（下基板、上基板の製造）
まず、打ち抜き用のプレス金型を用いた打ち抜き加工などによって所定の形状とされた下基板用導体板６と上基板用導体板１１とを準備する。この時点で下基板用導体板６と上基板用導体板１１とに隆起形状物として上記電極線拘束部１０が形成される。
【００３５】
つぎに下基板用導体板６と上基板用導体板１１とに電着塗料の電着塗装を行なう。また電着塗料の塗工を行なう前に、下基板用導体板６には、第一素子接続端子部８と第一電極端子部９とする部分についてマスキング１５を施し、上基板用導体板１１には、第二素子接続端子部１３と第二電極端子部１４とする部分にマスキングを施しておく。そして必要部分にマスキングが施された下基板用導体板６と上基板用導体板１１とに電着塗料を電着塗装にて施し、下基板用導体板６と上基板用導体板１１との全面に樹脂被覆膜７を析出形成させる。
【００３６】
なお、図示の断面にて第一素子接続端子部８にマスキング１５を施している点のみが示されているが、第二素子接続端子部１２、第一電極端子部９、第二電極端子部１３に対するマスキングも同様である。
【００３７】
（下基板、図３）
全面に樹脂被覆膜７が析出形成された下基板用導体板６については、適宜な温度で加熱処理（焼付）を施して、図３に示すように樹脂被覆膜７を焼付乾燥して樹脂被覆膜７を完全硬化した状態にする。これにより所定の厚みでかつ厚さが均一とされた完全硬化の樹脂被覆膜７を有した下基板２を得ることができる。析出形成した時点で樹脂被覆膜７にピンホールがある場合、そのピンホールは加熱処理時に周囲の電着塗料によって埋め合わされて充足されるため、厚みの均一性が確保される。
【００３８】
（上基板、図４）
一方、全面に樹脂被覆膜７が形成された上基板用導体板１１については適宜な温度で加熱処理（焼付）を施して、樹脂被覆膜７を半硬化させて軟質状態に形成し、半硬化の樹脂被覆膜７を有した上基板３を得る。
【００３９】
（重ね合わせ、図５）
つぎに、完全硬化の樹脂被覆膜７を有する下基板２の上面に、上述したように半硬化の樹脂被覆膜７を有する上基板３を重ね合わせる。このとき下基板２のマスキング１５されている第一素子接続端子部８の部分が上基板３の透孔１２を通して外部に位置するようにし、共にマスキングされている第一素子接続端子部８（下基板２）と第二素子接続端子部１３（上基板３）とが外部に表われるようにしている。またマスキングされている第一電極端子部９の部分と電極線拘束部１０、およびマスキングされている第二電極端子部１４の部分と電極線拘束部１０も外部に表われる状態にして下基板２と上基板３との重ね合わせが行われる。
【００４０】
（加圧加熱）
重ね合わされた下基板２と上基板３に対して、上下方向から適宜な圧力で加圧しながら適宜な温度で加熱する加圧加熱処理を施し、上基板３の半硬化の樹脂被覆膜７を完全硬化させる。重ね合わせによって下基板２の完全硬化している樹脂被覆膜７と上基板３の半硬化の樹脂被覆膜７とが相対して密着しており、加圧加熱処理を施すことにより半硬化の樹脂被覆膜７が完全硬化する。
【００４１】
そして半硬化の樹脂被覆膜７が完全硬化する過程で、下基板２の樹脂被覆膜７と上基板３の樹脂被覆膜７とが接着して、下基板２と上基板３とが強固に貼り合わされて一体となる。図５においては、共に樹脂被覆膜７が完全硬化して接着している状態を示している。
【００４２】
図５に示されているように、上記加圧加熱処理によって貼り合わされて一体となる下基板２と上基板３との間には絶縁性を有する樹脂被覆膜７が存在しており、下基板２と上基板３とは電気的に絶縁された積層状態で連結されている。
【００４３】
（マスキング除去）
加圧加熱処理を施して下基板２と上基板３とを樹脂被覆膜７同士の接着で積層状態で連結した後、マスキングを除去すると、半導体素子取付用基板端子板１が完成する。
【００４４】
これによって、一つの半導体素子取付用基板端子板１は、第一素子接続端子部８と第二素子接続端子部１２とが外方に表出した素子取付部４を有するとともに、上方に凸の電極線拘束部１０を近接させた第一電極端子部９と同じく上方に凸の電極線拘束部１０を近接させた第二電極端子部１４とが外方に表出した対の電極端子部５を有するものとなっている。
【００４５】
（重ね合わせの他の例）
上述した重ね合わせでは、下基板２の完全硬化した樹脂被覆膜７に上基板３の半硬化した樹脂被覆膜７が接するように下基板２に上基板３を重ね合わせていて、その重ね合わされた状態での下基板２と上基板３とに加圧加熱処理を施しているが、重ね合わせ前の下基板２の樹脂被覆膜７を半硬化の状態としておき、その下基板２の半硬化した樹脂被覆膜７と上基板３の半硬化した樹脂被覆膜７との間に、ガラスビーズやシリカビーズ、或いは電着塗料と同一の素材からなる樹脂シートからなる空間保持部材（図示せず）を介在させた状態にして、下基板２の半硬化した樹脂被覆膜７に上基板３の半硬化した樹脂被覆膜７が接するように下基板２に上基板３を重ね合わせ、この後に下基板２と上基板３とに加圧加熱処理を施して、前記空間保持部材を介在させて下基板２と下基板３とを一体とするようにしてもよい。
【００４６】
（マスキング無しのレーザ加工）
また上述した実施の形態においてはマスキングを行なっているが、第一素子接続端子部８、第二素子接続端子部１３、第一電極端子部９、第二電極端子部１４を表出させる手法としては、マスキングを行なわずに上記下基板２と上基板３との連結を行ない、その後に第一素子接続端子部８、第二素子接続端子部１３、第一電極端子部９、第二電極端子部１４を覆っている樹脂被覆膜７をレーザ加工によって除去するようにしてもよい。
【００４７】
（電極線拘束部の他の例）
上記実施の形態での電極線拘束部１０については平面形状を四角形状にした隆起形状物からなるものを示したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、図６に示すように基板厚さ方向での上方に向けて凸のブリッジ状とされた隆起形状物からなるものや、図７に示すように基板厚さ方向に貫通する貫通孔からなるものとすることができる。
【００４８】
さらには上記第一電極端子部９と電極線拘束部１０を配する下基板２の一隅全体、及び上記第二電極端子部１４と電極線拘束部１０とを配する上基板３の一隅全体を、図８に示すようにそれぞれギボシ端子１６とし、下基板２のギボシ端子１６にて第一電極端子部９と電極線拘束部１０とが連続した状態で形成され、上基板３のギボシ端子１６にて第二電極端子部１４と電極線拘束部１０とが連続した状態で形成されるようにすることも可能である。
【００４９】
ギボシ端子１６を備えるものである場合、ギボシ全体をマスキングしてから下基板２と上基板３との一体化後にマスキング除去を行なったり、或いはマスキング無しで樹脂被覆膜にて覆い、上述したようにレーザ加工にて樹脂被覆膜を除去するようにしても構わない。
【００５０】
上述したように電極線拘束部１０は、樹脂被覆膜を形成する前の下基板２と上基板３とに設けるようにしており、下基板用導体板６と上基板用導体板１１とのそれぞれに対して加工を施して形成するものである。この電極線拘束部１０を得るための加工方法自体は特に限定されるものではないが、例えば平面形状四角形の隆起形状物からなる電極線拘束部やブリッジ状の隆起形状物からなる電極線拘束部を得るときには、プレスの型打ち加工にて対応することが可能である。また貫通孔からなる電極線拘束部を得るときには、打ち抜き加工にて対応することが可能である。上記ギボシ端子にて電極端子部と連続する電極線拘束部を得るときには、ギボシ用として形成された部位を曲げ起こし加工することにて対応することが可能である。
【００５１】
そして、下基板用導体板と上基板用導体板との隆起形状物や貫通孔からなる電極線拘束部は、超音波溶着にて接続する電極線の掛け留め部位を電極接続端子部と同一面側（即ち、電極線を超音波溶着に際して重ね置く側）に孔や凸部として表われるようにして形成されているものである。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体素子取付用基板端子板
２…下基板
３…上基板
４…素子取付部
５…電極端子部
６…下基板用導体板
７…樹脂被覆膜
８…第一素子接続端子部
９…第一電極端子部
１０…電極線拘束部
１１…上基板用導体板
１２…透孔
１３…第二素子接続端子部
１４…第二電極端子部
１６…ギボシ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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