(57)【要約】【課題】各配線基板上に載置された電子部品を適切かつ安定して各配線基板に電気的に接続する。【解決手段】熱容量の異なる配線基板１０，２０を有する電子装置１の製造方法であって、配線基板１０を準備する工程と、熱容量が配線基板１０よりも小さく、主面２０ａのうち少なくとも一部が配線基板１０よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜２４で被覆された配線基板２０を準備する工程と、配線基板１０の主面１０ａに電子部品１７，１８，１９を載置する工程と、配線基板２０の主面２０ａに電子部品２８，２９を載置する工程と、主面１０ａと主面２０ｂが対向するように配線基板１０と配線基板２０の位置合わせを行う工程と、主面１０ａおよび主面２０ａに赤外線を照射して配線基板１０，２０を加熱する工程とを備える。【選択図】図５
2018078244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱容量の異なる複数の配線基板を有する電子装置の製造方法であって、
第１主面および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１配線基板を準備する工程と、
第３主面および前記第３主面と反対側の第４主面を有し、熱容量が前記第１配線基板よりも小さく、前記第３主面のうち少なくとも一部が前記第１配線基板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜で被覆された第２配線基板を準備する工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面に第１電子部品を載置する工程と、
前記第２配線基板の前記第３主面に第２電子部品を載置する工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面と前記第２配線基板の前記第４主面とが対向するように、前記第１配線基板と前記第２配線基板の位置合わせを行う位置合わせ工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面および前記第２配線基板の前記第３主面に赤外線を照射して前記第１および第２配線基板を加熱する工程と、
を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２配線基板として、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接合領域に前記低放射率膜が設けられていない配線基板を準備することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２配線基板として、前記低放射率膜が前記第２配線基板に載置される電子部品のうち少なくとも電極を取り囲むように設けられた配線基板を準備することを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記低放射率膜は、ソルダーレジスト、またはソルダーレジスト上に設けられた金属膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１配線基板として、前記第１主面の少なくとも一部が前記低放射率膜よりも放射率の高い高放射率膜で被覆されている配線基板を準備することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記高放射率膜は、ソルダーレジストであることを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記低放射率膜のソルダーレジストは白系色であり、前記高放射率膜のソルダーレジストは黒系色または緑系色であることを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１配線基板は、金属製のベース基材、絶縁層および配線パターンをこの順に有する金属ベース基板であり、
前記第２配線基板は、非金属製のベース基材、および配線パターンをこの順に有する非金属ベース基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１配線基板の前記金属製のベース基材はアルミニウムからなり、前記第２配線基板の前記非金属製のベース基材はガラスエポキシからなることを特徴とする請求項８に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記位置合わせ工程では、前記第１配線基板の辺縁部に設けられた第１ランド部と、前記第２配線基板の辺縁部に設けられた第２ランド部とが導電性接合材を介して接続されるように、前記第１配線基板と前記第２配線基板の位置合わせを行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
第１主面および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１配線基板と、
第３主面および前記第３主面と反対側の第４主面を有し、前記第１主面と前記第４主面が対向するように前記第１配線基板に電気的に接続された第２配線基板と、を備え、
前記第２配線基板は、熱容量が前記第１配線基板よりも小さく、かつ、前記第３主面のうち少なくとも一部が前記第１配線基板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜で被覆されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
前記第１配線基板と前記第２配線基板との接合領域には、前記低放射率膜が設けられていないことを特徴とする請求項１１に記載の電子装置。
【請求項１３】
前記低放射率膜は、前記第２配線基板に載置される電子部品のうち少なくとも電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記低放射率膜は、ソルダーレジスト、またはソルダーレジスト上に設けられた金属膜であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１５】
前記第１配線基板の前記第１主面の少なくとも一部は、前記低放射率膜よりも放射率の高い高放射率膜で被覆されていることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法および電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、２枚の配線基板を電気的に接続する場合、導電性の接続端子（接続ピン、接続子とも呼ばれる。）が用いられる。また、接続端子を用いない方法として、はんだを介して２枚の配線基板を直接接合する技術も知られている。いずれの方法でも、はんだ等の導電性接合材を用いて配線基板同士が電気的に接続される。
【０００３】
具体的には、まず、配線基板に塗布されたクリームはんだの上に電子部品を載置する。その後、各配線基板をリフロー治具にセットして配線基板間の位置合わせを行う。その後、リフロー治具にセットされた状態で配線基板をリフロー炉に入れ、赤外線照射により配線基板を加熱する。加熱工程の終了後、配線基板を冷却させ、はんだを硬化させる。
【０００４】
特許文献１には、ベース基材が金属からなる配線基板が記載されている。赤外線照射による加熱の際に配線基板の温度を上昇し易くするため、配線基板の露出面にアルミナやエポキシ等、熱放射（熱吸収）の良好な物質が塗布されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１３３５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、熱容量の異なる配線基板を接合する場合、リフロー炉で加熱する際、配線基板間に温度差が発生する。すなわち、熱容量の大きい配線基板の温度は、熱容量が小さい配線基板の温度よりも低くなる。例えば、アルミニウム基板とガラスエポキシ基板を接合する場合、ガラスエポキシ基板はアルミニウム基板よりも熱容量が小さい。このため、リフロー炉で加熱する際、ガラスエポキシ基板の温度はアルミニウム基板の温度よりも高くなる。
【０００７】
したがって、加熱温度をガラスエポキシ基板に合わせた場合、ガラスエポキシ基板は十分に加熱され、ガラスエポキシ基板上のはんだは溶融する。しかし、アルミニウム基板は十分に加熱されないため、アルミニウム基板上のはんだが十分に溶融せず、アルミニウム基板上のはんだ付けが適切に行われないおそれがある。反対に、加熱温度をアルミニウム基板に合わせた場合、アルミニウム基板上のはんだ付けは適切に行われるものの、ガラスエポキシ基板の温度が上がり過ぎて、ガラスエポキシ基板上の電子部品を損傷ないし破壊するおそれがある。このように熱容量の異なる配線基板をはんだ接合する場合、各配線基板とも適切にはんだ付けを行うことが困難である。なお、上記の課題は、はんだ以外の導電性接合材、より詳しくは、加熱により溶融させる必要がある導電性接合材を用いる場合も同様である。
【０００８】
そこで、本発明は、熱容量の異なる配線基板を有する電子装置を製造する際、各配線基板上に載置された電子部品を適切かつ安定して各配線基板に電気的に接続することが可能な電子装置の製造方法および電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電子装置の製造方法は、
熱容量の異なる複数の配線基板を有する電子装置の製造方法であって、
第１主面および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１配線基板を準備する工程と、
第３主面および前記第３主面と反対側の第４主面を有し、熱容量が前記第１配線基板よりも小さく、前記第３主面のうち少なくとも一部が前記第１配線基板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜で被覆された第２配線基板を準備する工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面に第１電子部品を載置する工程と、
前記第２配線基板の前記第３主面に第２電子部品を載置する工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面と前記第２配線基板の前記第４主面とが対向するように、前記第１配線基板と前記第２配線基板の位置合わせを行う位置合わせ工程と、
前記第１配線基板の前記第１主面および前記第２配線基板の前記第３主面に赤外線を照射して前記第１および第２配線基板を加熱する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記第２配線基板として、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接合領域に前記低放射率膜が設けられていない配線基板を準備してもよい。
【００１１】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記第２配線基板として、前記低放射率膜が前記第２配線基板に載置される電子部品のうち少なくとも電極を取り囲むように設けられた配線基板を準備してもよい。
【００１２】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記低放射率膜は、ソルダーレジスト、またはソルダーレジスト上に設けられた金属膜であってもよい。
【００１３】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記第１配線基板として、前記第１主面の少なくとも一部が前記低放射率膜よりも放射率の高い高放射率膜で被覆されている配線基板を準備してもよい。
【００１４】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記高放射率膜は、ソルダーレジストであってもよい。
【００１５】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記低放射率膜のソルダーレジストは白系色であり、前記高放射率膜のソルダーレジストは黒系色または緑系色であるようにしてもよい。
【００１６】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記第１配線基板は、金属製のベース基材、絶縁層および配線パターンをこの順に有する金属ベース基板であり、
前記第２配線基板は、非金属製のベース基材、および配線パターンをこの順に有する非金属ベース基板であるようにしてもよい。
【００１７】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記第１配線基板の前記金属製のベース基材はアルミニウムからなり、前記第２配線基板の前記非金属製のベース基材はガラスエポキシからなるようにしてもよい。
【００１８】
また、前記電子装置の製造方法において、
前記位置合わせ工程では、前記第１配線基板の辺縁部に設けられた第１ランド部と、前記第２配線基板の辺縁部に設けられた第２ランド部とが導電性接合材を介して接続されるように、前記第１配線基板と前記第２配線基板の位置合わせを行うようにしてもよい。
【００１９】
本発明に係る電子装置は、
第１主面および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１配線基板と、
第３主面および前記第３主面と反対側の第４主面を有し、前記第１主面と前記第４主面が対向するように前記第１配線基板に電気的に接続された第２配線基板と、を備え、
前記第２配線基板は、熱容量が前記第１配線基板よりも小さく、かつ、前記第３主面のうち少なくとも一部が前記第１配線基板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜で被覆されていることを特徴とする。
【００２０】
また、前記電子装置において、
前記第１配線基板と前記第２配線基板との接合領域には、前記低放射率膜が設けられていないようにしてもよい。
【００２１】
また、前記電子装置において、
前記低放射率膜は、前記第２配線基板に載置される電子部品のうち少なくとも電極を取り囲むように設けられていてもよい。
【００２２】
また、前記電子装置において、
前記低放射率膜は、ソルダーレジスト、またはソルダーレジスト上に設けられた金属膜であるようにしてもよい。
【００２３】
また、前記電子装置において、
前記第１配線基板の前記第１主面の少なくとも一部は、前記低放射率膜よりも放射率の高い高放射率膜で被覆されているようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、第１配線基板よりも熱容量の小さい第２配線基板について、電子部品が実装される第３主面のうち少なくとも一部が第１配線基板よりも赤外線の放射率（吸収率）が低い低放射率膜で被覆されている。このため、赤外線照射による第２配線基板の温度上昇が抑制され、第１配線基板との温度差を低減することができる。その結果、本発明によれば、熱容量の異なる配線基板を有する電子装置を製造する際、各配線基板上に載置された電子部品を適切かつ安定して各配線基板に電気的に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係る電子装置１の平面図である。
【図２】図１のＡ方向から見た電子装置１の側面図である。
【図３Ａ】配線基板２０に設けられる低放射率膜２４の例を示す平面図である。
【図３Ｂ】配線基板２０に設けられる低放射率膜２４の別の例を示す平面図である。
【図４】電子装置１の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】電子装置１の製造方法を説明するための側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお、各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付している。
【００２７】
＜電子装置１＞
本発明の実施形態に係る電子装置１について、図１および図２を参照して説明する。なお、図１では、配線パターンは省略している。
【００２８】
本実施形態に係る電子装置１は、交流発電機（ＡＣ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ：ＡＣＧ）から出力される交流電力を直流電力に変換してバッテリーに出力するスイッチングレギュレータ（ＲＥＧ／ＲＥＣＴ）である。なお、本発明に係る電子装置は、スイッチングレギュレータに限定されるものではない。
【００２９】
電子装置１は、図１に示すように、熱容量の異なる配線基板１０（第１配線基板）および配線基板２０（第２配線基板）を有する。配線基板１０と配線基板２０の熱容量を比較すると、配線基板２０の熱容量は配線基板１０の熱容量よりも小さい。本実施形態では、配線基板１０は、アルミニウムベースのアルミニウム基板であり、配線基板２０は、ガラスエポキシ基板である。
【００３０】
電子装置１は、図２に示すように、熱容量の異なる配線基板１０および配線基板２０が導電部３３を介して直接接合されたものとして構成されている。すなわち、配線基板１０および配線基板２０は、はんだ等の導電性接合材を介して電気的に接続されている。ここで、導電性接合材は、本実施形態では、はんだであるがこれに限られず、加熱により溶融し、加熱後の冷却により硬化する導電性の接合材であればよい。例えば、銀ペーストなどの導電ペーストでもよいし、あるいは、導電性のナノ粒子を接着剤中に分散させた導電性接着剤でもよい。
【００３１】
なお、配線基板１０と配線基板２０は、直接接合に限らず、接続子（接続ピン）等を介して電気的に接続されてもよい。
【００３２】
上記のように、電子装置１は、配線基板１０と、導電部３３を介して配線基板１０に直接接合された配線基板２０とを備えている。各構成要素について以下詳しく説明する。
【００３３】
配線基板１０は、図２に示すように、主面１０ａ（第１主面）、および主面１０ａと反対側の主面１０ｂ（第２主面）を有する。本実施形態では、配線基板１０は、金属製のベース基材１１、絶縁層１２および配線パターン１３をこの順に有する金属ベース基板である。本実施形態では、ベース基材１１は、アルミニウムからなる。
【００３４】
なお、ベース基材１１は、アルミニウム以外の金属から構成されてもよい。また、配線基板１０は、セラミック基板等の非金属ベース基板であってもよい。
【００３５】
絶縁層１２は、図２に示すように、ベース基材１１の少なくとも上面を被覆するように設けられている。配線パターン１３は、絶縁層１２の上に設けられている。この配線パターン１３は、ランド部１３ａを有している。このランド部１３ａは、配線基板２０のランド部２２ａ（後述）と対応付けられるように、配線基板１０の側端に沿って複数設けられている。
【００３６】
図１に示すように、配線基板１０の主面１０ａには、電子部品１７，１８，１９が実装されている。電子部品１７は、チップ抵抗、チップコンデンサ等のチップ型の電子部品である。電子部品１８は、ダイオードブリッジを構成するダイオードである。電子部品１９は、交流発電機から入力された交流電力を直流電力に変換する電力変換回路を構成する半導体スイッチ素子（ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等）である。
【００３７】
なお、本実施形態では、配線基板１０の主面１０ｂは、ダイオードや半導体スイッチ素子等の発熱部品から発せられた熱を放熱するための放熱面として機能する。このため、主面１０ｂには電子部品が実装されていない。
【００３８】
図１に示すように、配線基板１０には、３本のバスバー１５および２本のバスバー１６が設けられている。バスバー１５は、交流発電機（ＡＣＧ）により発生した三相交流電力を入力するための端子である。バスバー１６は、電力変換により得られた直流電力を出力するための端子である。本実施形態では、バスバー１５，１６は、ランド部１３ａが設けられた配線基板１０の側端とは反対側の側端から外側に延在するように設けられている。
【００３９】
配線基板２０は、図２に示すように、主面２０ａ（第３主面）、および主面２０ａと反対側の主面２０ｂ（第４主面）を有する。配線基板２０は、主面２０ｂが配線基板１０の主面１０ａと対向するように配線基板１０に電気的に接続されている。本実施形態では、配線基板２０は、導電部３３を介して配線基板１０の辺縁部に直接接合されている。
【００４０】
なお、配線基板２０は、接続端子を介して配線基板１０に電気的に接続されてもよい。また、配線基板２０は、平面視して配線基板１０に包含されるように配線基板１０上に接合されてもよい。
【００４１】
本実施形態では、配線基板２０は、非金属製のベース基材２１および配線パターン２３をこの順に有する非金属ベース基板である。本実施形態では、ベース基材２１は、ガラスエポキシ（ＦＲ−４）からなる。なお、配線基板２０は、アルミニウム基板等の金属ベースの配線基板であってもよい。配線基板２０は、図２に示すように、主面２０ａに配線パターン２３を有し、主面２０ｂに配線パターン２２を有する。
【００４２】
配線パターン２３は、図２に示すように、ランド部２３ａを有している。同様に、配線パターン２２は、ランド部２２ａを有している。本実施形態では、図１に示すように、ランド部２２ａは、配線基板２０の側端に沿って複数設けられている。各ランド部２２ａは配線基板１０のランド部１３ａに対応付けられている。
【００４３】
図１に示すように、配線基板２０の上面（主面２０ａ）には、電子部品２８，２９が実装されている。電子部品２８は、チップ抵抗、チップコンデンサ等のチップ型の電子部品である。電子部品２９は、配線基板１０上に実装された半導体スイッチ素子をオン／オフ制御するための制御ＩＣである。なお、配線基板２０の下面（主面２０ｂ）にも、平滑コンデンサ等の電子部品が実装されてもよい。また、配線基板２０には、ランド部２２ａと、電子部品２８，２９とを電気的に接続するためのスルーホール（図示せず）が設けられてもよい。
【００４４】
配線基板１０と配線基板２０は、図２に示すように、導電部３３を介して直接接合されている。また、配線基板１０上に配置された電子部品１７は、導電部３１を介してランド部１３ａに電気的に接続されている。同様に、配線基板２０上に配置された電子部品２８は、導電部３２を介してランド部２３ａに電気的に接続されている。導電部３１〜３３は、はんだ等の導電性接合材が溶融硬化したものである。
【００４５】
図２に示すように、配線基板２０の主面２０ａのうち少なくとも一部は、低放射率膜２４で被覆されている。この低放射率膜２４は、配線基板１０よりも赤外線の放射率（吸収率）が低い。例えば、低放射率膜２４はソルダーレジストである。この場合、ソルダーレジストは、赤外線吸収率の低い色（白色もしくは明るいグレーなどの白系色）である。なお、低放射率膜２４は、ソルダーレジスト上に設けられた金属膜であってもよい。金属膜の材質は、例えば、アルミニウム、銅、金などである。
【００４６】
なお、図２に示すように、電子装置１において、配線基板１０と配線基板２０との接合領域Ｒには、低放射率膜２４が設けられていないようにしてもよい。
【００４７】
また、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、低放射率膜２４は、配線基板２０に載置される電子部品２８のうち少なくとも電極２８ａを取り囲むように設けられているようにしてもよい。図３Ａの例では、電子部品２８の全体を包含するように低放射率膜２４が設けられている。図３Ｂの例では、電子部品２８の２つの電極２８ａのみを包含するように低放射率膜２４が設けられている。このように、電子部品２８の電極２８ａを少なくとも取り囲むように低放射率膜２４を設けることで、ランド部２３ａ上に塗布された導電性接合材の温度上昇を抑制することができる。
【００４８】
図２に示すように、配線基板１０の主面１０ａの少なくとも一部は、低放射率膜２４よりも放射率の高い高放射率膜１４で被覆されている。この高放射率膜１４は、例えばソルダーレジストである。この場合、ソルダーレジストは、赤外線吸収率の高い色（黒系色、緑系色など）である。高放射率膜１４は、配線基板１０に載置される電子部品のうち少なくとも電極を取り囲むように設けられていることが好ましい。これにより、ランド部１３ａ上に塗布された導電性接合材を溶融し易くすることができる。
【００４９】
＜電子装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る電子装置１、すなわち、熱容量の異なる複数の配線基板（配線基板１０，２０）を有する電子装置１の製造方法について、図４のフローチャートを参照して説明する。
【００５０】
まず、配線基板１０（第１配線基板）および配線基板２０（第２配線基板）を準備する（ステップＳ１）。前述のように、配線基板２０の熱容量は配線基板１０よりも小さく、配線基板２０の主面２０ａのうち少なくとも一部は低放射率膜２４で被覆されている。
【００５１】
次に、配線基板１０のランド部１３ａに導電性接合材を塗布する（ステップＳ２）。導電性接合材は、例えば、クリームはんだである。その後、電子部品１７（第１電子部品）をランド部１３ａ上に塗布された導電性接合材の上に載置する（ステップＳ３）。また、バスバー１５，１６および電子部品１８，１９についても、各々対応するランド部上に塗布された導電性接合材の上に載置する。ステップＳ２およびＳ３を実行することにより、配線基板１０の主面１０ａに電子部品１７，１８，１９を載置する。
【００５２】
次に、配線基板２０のランド部２２ａおよび２３ａに導電性接合材を塗布する（ステップＳ４）。その後、電子部品２８をランド部２３ａ上に塗布された導電性接合材の上に載置する（ステップＳ５）。また、電子部品２９についても、対応するランド部上に塗布された導電性接合材の上に載置する。ステップＳ４およびＳ５実行することにより、配線基板２０の主面２０ａに電子部品２８，２９を載置する。
【００５３】
次に、図５に示すように、配線基板１０の主面１０ａと配線基板２０の主面２０ｂとが対向するように、配線基板１０と配線基板２０の位置合わせを行う（ステップＳ６）。この位置合わせは、例えば、配線基板１０および２０をリフロー治具（図示せず）にセットすることにより行う。
【００５４】
ステップＳ６の位置合わせ工程では、図５に示すように、配線基板１０の辺縁部に設けられたランド部１３ａと、配線基板２０の辺縁部に設けられたランド部２２ａとが導電性接合材を介して接続されるように、配線基板１０と配線基板２０の位置合わせを行う。なお、ランド部１３ａとランド部２２ａとを導電性接合材のみを介して直接接合する場合に限らず、ランド部１３ａとランド部２２ａとを接続子（接続ピン）等を介して電気的に接続してもよい。
【００５５】
次に、図５に示すように、配線基板１０の主面１０ａおよび配線基板２０の主面２０ａに赤外線を照射して配線基板１０および２０を加熱する（ステップＳ７）。具体的には、リフロー治具にセットされた配線基板１０および２０をリフロー炉に入れ、配線基板１０および２０に赤外線を照射して加熱する。これにより、ランド部１３ａ，２２ａ，２３ａ上に塗布された導電性接合材を溶融させる。なお、加熱温度の設定については、例えば配線基板１０が所定の温度になるように設定する。ステップＳ７の加熱工程の後、配線基板１０および２０を冷却して導電性接合材を硬化させる。
【００５６】
上記の工程を経て、配線基板１０と電子部品１７，１８，１９間を導電性接合材により電気的に接続するとともに、配線基板２０と電子部品２８，２９間を導電性接合材により電気的に接続する。
【００５７】
本実施形態に係る電子装置の製造方法では、配線基板１０の熱容量よりも小さい配線基板２０の主面２０ａのうち少なくとも一部が配線基板１０よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜２４で被覆されているため、赤外線照射による配線基板２０の温度上昇が抑制され、配線基板１０との温度差を低減することができる。その結果、本実施形態によれば、熱容量の異なる配線基板１０，２０を有する電子装置１を製造する際、配線基板１０および２０上にそれぞれ載置された電子部品１７，１８，１９および電子部品２８，２９を、適切かつ安定して配線基板１０および２０に導電性接合材により電気的に接続することができる。すなわち、配線基板１０上に載置された電子部品１７，１８，１９を適切かつ安定して配線基板１０に電気的に接続することができるとともに、配線基板２０上に載置された電子部品２８，２９を適切かつ安定して配線基板２０に電気的に接続することができる。
【００５８】
なお、配線基板の準備工程（ステップＳ１）において、配線基板１０と配線基板２０との接合領域Ｒに低放射率膜２４が設けられていない配線基板２０を準備してもよい。これにより、加熱工程（ステップＳ７）において、配線基板１０と配線基板２０を電気的に接合する導電性接合材（すなわち、導電部３３となる導電性接合材）に熱が伝わりにくくなることを防止できる。換言すれば、電子部品２８，２９が設けられた実装領域は低放射率膜２４により温度上昇を抑制しつつも、接合領域Ｒは十分に加熱されるようにすることで、配線基板１０および配線基板２０間の接合不良を防止することができる。
【００５９】
また、配線基板の準備工程（ステップＳ１）において、低放射率膜２４が配線基板２０に載置される電子部品２８のうち少なくとも電極２８ａを取り囲むように設けられた配線基板を準備してもよい（図３Ａ，図３Ｂ参照）。これにより、赤外線照射による加熱工程（ステップＳ７）の際、配線基板２０から電子部品２８に熱が伝わりづらくなる。これにより、配線基板１０に合わせて加熱温度を高めに設定した場合でも、電子部品２８の損傷ないし破壊を抑制することができる。
【００６０】
また、配線基板の準備工程（ステップＳ１）において、配線基板１０として、主面１０ａの少なくとも一部が低放射率膜２４よりも放射率の高い高放射率膜１４で被覆されている配線基板を準備してもよい。これにより、赤外線照射による加熱工程（ステップＳ７）の際、配線基板１０の温度が上がりやすくなるため、配線基板１０および配線基板２０間の温度差をさらに低減することができる。
【００６１】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１  電子装置
１０，２０  配線基板
１０ａ，１０ｂ，２０ａ，２０ｂ  主面
１１，２１  ベース基材
１２  絶縁層
１３，２２，２３  配線パターン
１３ａ，２２ａ，２３ａ  ランド部
１４  高放射率膜
２４  低放射率膜
１５，１６  バスバー
１８，１９，２８，２９  電子部品
１７ａ，２８ａ  電極
３１，３２，３３  導電部
Ａ  方向
Ｒ  接合領域
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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