(57)【要約】【課題】電子物品の形成方法を提供する。【解決手段】電子物品は、周囲を有し、上板と、上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子と、硬化性シリコーン組成物から形成されてオプトエレクトロニクス素子上に配置されたシリコーン封止材とを含む。電子物品は、電子物品の内部から電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンでオプトエレクトロニクス素子上に硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程を含む方法を使用して形成される。方法は、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び硬化性シリコーン組成物を積層する工程も含む。硬化性シリコーン組成物は、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で１０，０００〜５０，０００，０００ｃＰの複素粘度を有する。積層中に、硬化性シリコーン組成物は硬化してシリコーン封止材を形成し、空気は少なくとも１つの通路を通って逃げる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲を有し、上板と、前記上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子と、硬化性シリコーン組成物から形成されて前記オプトエレクトロニクス素子上に層として配置されたシリコーン封止材とを含み、前記シリコーン封止材が前記オプトエレクトロニクス素子を前記上板と前記シリコーン封止材の前記層との間に挟んでいる、電子物品の形成方法であって、前記方法が、
前記電子物品の内部から前記電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンで前記オプトエレクトロニクス素子上に前記硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程と、
前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、及び前記硬化性シリコーン組成物を積層し、前記電子物品を形成する工程と、を含み、
前記硬化性シリコーン組成物が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で１０，０００〜５０，０００，０００ｃＰの複素粘度を有し、
前記積層工程中に、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材を形成し、空気が前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ逃げ、前記硬化性シリコーン組成物の層を形成し、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材の前記層を形成する、方法。
【請求項２】
前記シリコーン封止材の１平方メートル当たり０〜４個の気泡が存在し、前記気泡が１ｍｍ未満の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子物品が、前記上板上に配置されて前記オプトエレクトロニクス素子と前記上板との間に挟まれたシリコーン結合層を更に含み、前記シリコーン結合層が、第２硬化性シリコーン組成物から形成され、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、及び前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記シリコーン結合層を形成し、前記シリコーン結合層を更に含む前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記電子物品が、前記シリコーン封止材上に配置されたバックシートを更に含み、前記バックシートが前記シリコーン封止材を前記オプトエレクトロニクス素子と前記バックシートとの間に挟んでいる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、前記バックシート、及び任意追加的に前記第２シリコーン組成物を積層し、前記バックシートを更に含み、かつ任意追加的に前記シリコーン結合層を更に含む、前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電子物品が、複数の繊維を更に含み、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、任意のバックシート、前記複数の繊維、及び任意追加的に前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記複数の繊維を更に含み、かつ任意追加的に前記バックシート及び／又は前記シリコーン結合層を更に含む、前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の繊維が前記シリコーン封止材中に配置されている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、真空を適用し、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン組成物の前記層を形成する工程を更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、前記積層工程中に熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程を更に含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記積層工程が、真空及び圧縮力を同時に適用して、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン層の圧縮層を形成し、その後熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程として更に定義される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記硬化性シリコーン組成物の前記複素粘度が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で８０，０００〜２００，０００ｃＰである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記パターンが、互いにほぼ平行に前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記パターンが、互いに交差して前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記上板及び前記バックシートが、共にシリカガラスであり、前記電子物品が、前記電子物品の前記周囲に沿って配置され、かつ前記上板及び前記バックシートの両方の上に直接接触して配置された、少なくとも１つのスペーサであって、前記電子物品全体にわたって前記スペーサの公称厚さの±１５％の均一な厚さを前記電子物品に提供するスペーサを更に含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法から形成される電子物品。
【請求項１６】
周囲を有し、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して紫外／可視分光光度法により測定した光透過率が少なくとも７０パーセントである上板と、前記上板上に配置された光電池と、前記光電池上に層として配置されたシリコーン封止材とを含み、前記シリコーン封止材が前記光電池を前記上板と前記シリコーン封止材の前記層との間に挟んでいる、光電池モジュールの形成方法であって、前記方法が、
前記光電池モジュールの内部から前記光電池モジュールの周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンで前記光電池上に前記硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程と、
前記上板、前記光電池、及び前記硬化性シリコーン組成物を積層し、前記光電池モジュールを形成する工程と、を含み、
前記硬化性シリコーン組成物が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で８０，０００〜２００，０００ｃＰの複素粘度を有し、
前記積層工程中に、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材を形成し、空気が前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ逃げ、前記硬化性シリコーン組成物の層を形成し、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材の前記層を形成する、方法。
【請求項１７】
前記シリコーン封止材の１平方メートル当たり５個未満の気泡が存在し、前記気泡が１ｍｍ未満の直径を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光電池モジュールが、前記上板上に配置されて前記オプトエレクトロニクス素子と前記上板との間に挟まれたシリコーン結合層を更に含み、前記シリコーン結合層が、第２硬化性シリコーン組成物から形成され、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、及び前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記シリコーン結合層を形成し、前記シリコーン結合層を更に含む前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記光電池モジュールが、前記シリコーン封止材上に配置されたバックシートを更に含み、前記バックシートが前記シリコーン封止材を前記オプトエレクトロニクス素子と前記バックシートとの間に挟んでいる、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記上板及び前記バックシートが、共にシリカガラスであり、前記モジュールが、周囲を有し、前記周囲に沿って配置され、かつ前記上板及び前記バックシートの両方の上に直接接触して配置された、少なくとも１つのスペーサであって、前記モジュール全体にわたって前記スペーサの公称厚さの±１５％の均一な厚さを前記モジュールに提供するスペーサを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、前記バックシート、及び任意追加的に前記第２シリコーン組成物を積層し、前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記光電池モジュールが、複数の繊維を更に含み、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、前記任意のバックシート、前記複数の繊維、及び任意追加的に前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記複数の繊維を更に含み、かつ任意追加的に前記バックシート及び／又は前記シリコーン結合層を更に含む、前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数の繊維が前記シリコーン封止材中に配置されている、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法が、真空を適用し、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン組成物の前記層を形成する工程を更に含む、請求項１６〜２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法が、前記積層工程中に熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程を更に含む、請求項１６〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記積層工程が、真空及び圧縮力を同時に適用して、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン層の圧縮層を形成し、その後熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程として更に定義される、請求項１６〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記硬化性シリコーン組成物の前記複素粘度が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で８０，０００〜２００，０００ｃＰである、請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記パターンが、互いにほぼ平行に前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１６〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記パターンが、互いに交差して前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１６〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
請求項１６〜２９のいずれか一項に記載の方法から形成される光電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
オプトエレクトロニクス素子及びそのような素子を含む電子物品は、当該技術分野で周知である。一般的なオプトエレクトロニクス素子として、光（太陽）電池及びダイオードが挙げられる。光電池は、様々な波長の光を電気に変換する。これと反対に、発光ダイオード（ＬＥＤ）などのダイオードは、電気から様々な波長の光を生成する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは、作動させたときに光を放射する１つ又は複数のダイオードを含み、典型的にはダイオードに接続されたフリップチップ又はワイヤボンドチップを利用して出力を提供する。多くのＬＥＤは、光電池を封入するのに用いられるものと同様の成分及び方法を用いて封入され、それにより生産コスト及び複雑さを増している。
【０００３】
２つの一般的なタイプの光電池、ウェハ及び薄膜が存在する。ウェハは、半導体材料の薄板であり、典型的には単結晶又は多結晶インゴットからウェハを機械的に切断することにより形成される。あるいは、ウェハは、鋳造により形成することができる。薄膜光電池は、通常、スパッタリング又は化学気相成長処理技術を使用して基板に堆積された連続的な半導体材料層を含む。典型的には、光電池は、結合層、基板、上板、及び／又は強度と安定性を提供する追加材料を含む光電池モジュールに含まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
多くの用途では、オプトエレクトロニクス素子は、風及び雨などの環境要因から更なる保護を与えるために封入されている。しかしながら、今まで当技術分野で知られている封止材及び封入方法は高価でかつ時間がかかり、多くの場合役に立たなかった。例えば、多くの用途では、気泡が封止材中に混入し、オプトエレクトロニクス素子及び電子物品の機械的、電気的、及び美的性質を弱める。したがって、改良する機会は依然としてある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、周囲を有し、上板と、上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子と、硬化性シリコーン組成物から形成されてオプトエレクトロニクス素子上に配置されたシリコーン封止材とを含み、オプトエレクトロニクス素子を上板とシリコーン封止材との間に挟んでいる、電子物品の形成方法を提供する。方法は、電子物品の内部から電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンでオプトエレクトロニクス素子上に硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程を含む。方法は、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び硬化性シリコーン組成物を積層し、電子物品を形成する工程も含む。本法では、硬化性シリコーン組成物は、２５℃で歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定した複素粘度が１０，０００〜５０，０００，０００ｃＰである。更に、積層工程中に、硬化性シリコーン組成物は、硬化してシリコーン封止材を形成し、空気は、少なくとも１つの通路を通って電子物品の内部から電子物品の周囲へ逃げる。典型的には、この空気の逃げにより、シリコーン封止材中に最小限の欠陥（例えば、気泡）を有するか又は欠陥のない電子物品を形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本開示は、電子物品（「物品」）の形成方法を提供する。電子物品は、更に光電池モジュール（「モジュール」）として定義され得る。別の実施形態では、物品は、更に固体光又は固体照明として定義される。他の実施形態では、物品は、更に照明装置（例えば、非固体照明装置）として定義される。
【０００７】
上板：
物品は、周囲を有し、別に第１最外層と呼ばれることがある上板を含む。上板は、典型的には、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して紫外／可視分光光度法を用いて測定するとき、少なくとも７０パーセントの光透過率を有する。種々の実施形態では、上板は、少なくとも７５、８０、８５、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、又は９９パーセントの光透過率を有し、光透過率は最大で１００パーセントである。別の実施形態では、上板は、約１００パーセント（例えば、９９．５％〜１００．０％）の光透過率を有する。上板は、後述する任意の１つ以上のシリコーンであるか又は異なり得るケイ素及び酸素系材料（ＳｉＯｘ）で少なくとも部分的に被覆されてもよい。この場合、ＳｉＯｘ材料の被覆は少なくとも部分的に物品の「最外」層になり、上板は少なくとも一部の領域で被覆の内側の層になるであろう。
【０００８】
上板は、シリコーン（例えば、ポリオルガノシロキサン）であるか、それを含むか、それから本質的に成る（有機モノマー又はポリマーを含まない）か、又はそれから成ってもよい。シリコーンは、特に限定されず、後述する任意のシリコーンであってもよく、又は異なってもよい。一実施形態では、上板は、シリカガラス（例えば、非晶質ソーダ石灰ガラス又はホウケイ酸ガラス）であるか、それを含むか、それから本質的に成る（有機モノマー若しくはポリマー又はシリコーンを含まない）か、又はそれから成る。他の実施形態では、上板は、上述した化合物に限定されず、上板がＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して少なくとも７０パーセントの光透過率を有する限り、当該技術分野で既知の任意の化合物又は組成物を含み得る。
【０００９】
典型的には、上板は、物品の前面に保護を与える。同様に、上板は、物品の配向によっては物品の後面に保護を与え得る。上板は、柔軟かつ可撓性であってもよく、又は剛性かつ硬質であってもよい。あるいは、上板は、剛性かつ硬質の部分を含みつつ、同時に柔軟かつ可撓性の部分を含んでもよい。上板は、耐荷重性又は非耐荷重性でもよく、物品の任意の部分に含まれてもよい。典型的には、上板は、物品の上面で光源（例えば、太陽又は発光ダイオード）の前に配置されている。上板は、雨、雪、熱などの環境条件から物品を保護するために使用され得る。一実施形態では、上板は、それぞれ１２５ｍｍの長さ及び幅を有する。他の実施形態では、上板は、それぞれ１５６ｍｍの長さ及び幅を有する。上板、及び本開示は、これらの寸法に限定されない。
【００１０】
物品の配向によっては、上板は、代わりに基板（即ち、物品の「底面」に配置された上板）と呼ばれることがある。例えば、シリコーン封止材又は後述するようなバックシートが少なくとも７０パーセントの光透過率を有する場合、上板（又は基板）は７０パーセント未満のより低い透過率を有し得る。種々の実施形態では、基板は、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して測定した光透過率が７０パーセント未満であり、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して測定した光透過率が０、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、又は６５パーセントであってもよい。種々の非限定的な実施形態では、上板及び基板という用語は置き換え可能に使用される。上記の光透過率の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。
【００１１】
オプトエレクトロニクス素子：
物品は、上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子も含む。オプトエレクトロニクス素子は、上板上に直接接触して配置されていてもよく、又は依然として上板上に配置されているが上板から離れて配置されていてもよい。一実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、化学気相成長又はスパッタリングにより上板上に直接接触して配置されている。別の実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、上板上に上板から離れて配置されている。この実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、詳細に後述するようなシリコーン結合層上に直接接触して配置されてもよく、シリコーン結合層自体は、上板上に直接接触して配置されている。換言すれば、この実施形態では、シリコーン結合層は、オプトエレクトロニクス素子と上板との間に挟まれ得る。
【００１２】
オプトエレクトロニクス素子は、典型的には、可視光線、ガンマ線、Ｘ線、紫外線及び赤外線などの光を発し、並びに／又は検出及び調節するデバイスである。オプトエレクトロニクス素子は、典型的には、電気−光変換器又は光−電気変換器として働く。典型的であるが非限定的なオプトエレクトロニクス素子には、太陽電池を含むフォトダイオード、フォトトランジスタ、光電子増倍管、光集積回路（ＩＯＣ）素子、フォトレジスタ、光導電型撮像管、電荷結合撮像装置、注入レーザーダイオード、量子カスケードレーザー、発光ダイオード、光電子放出撮像管などが挙げられる。一実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、更に太陽（又は光）電池として定義される。他の実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、更に発光ダイオードとして定義される。
【００１３】
オプトエレクトロニクス素子は、更にオプトエレクトロニクス半導体として定義され得る。典型的には、オプトエレクトロニクス素子は、約１０３Ｓ／ｃｍ〜約１０−８Ｓ／ｃｍの導電率を有する。一実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、ケイ素を含む。他の実施形態では、オプトエレクトロニクス素子として、ヒ素、セレン、テルル、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、炭化ケイ素、及び／又は第ＩＶ、ＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩ、Ｉ−ＶＩＩ、ＩＶ−ＶＩ、Ｖ−ＶＩとＩＩーＶ族元素が挙げられ、及びｐ型又はｎ型でもよい。
【００１４】
オプトエレクトロニクス素子は、第１面及び第２面を有する。典型的には、第１面は第２面の反対側にある。しかし、第１面と第２面とは互いに隣接していてもよい。種々の実施形態において、１つ以上の導線が、一連のオプトエレクトロニクス素子をつなげるために第１面と第２面の一方又は両方に取り付けられる。導線は任意の大きさ及び形状のものでよく、典型的には長方形である。一実施形態では、導線は、長さ及び／又は幅がおよそ０．０１〜０．２０センチメートル（０．００５〜０．０８０インチ）の寸法を有する。他の実施形態では、導線は、０．０１〜０．０３８、０．０１〜０．０３、又は０．０２〜０．０２５センチメートル（０．００５〜０．０１５、０．００５〜０．０１０、又は０．００７〜０．０１０インチ）の厚さを有する。導線は、当技術分野で知られている任意のタイプのものでよく、オプトエレクトロニクス素子の任意の部分に配置することができる。
【００１５】
典型的には、１つの導線がアノードとして作動し、別の導線はカソードとして作動する。種々の実施形態において、オプトエレクトロニクス素子は、その上に配置された１つ以上の導線、例えば、第１、第２、第３、及び第４の導線を含む。これらの導線は同じでもよく、又は互いに異なってもよく（すなわち、同じ材料又は異なる材料から製造され）、金属、導電性高分子及びこれらの組み合わせを含むことができる。１つの実施形態では、１つ以上の導線はスズ−銀はんだ被覆銅を含む。他の実施形態では、１つ以上の導線はスズ−鉛はんだ被覆銅を含む。オプトエレクトロニクス素子自体は、寸法又は形状において限定されず、当該技術分野で既知の任意の寸法又は形状であってもよい。
【００１６】
シリコーン封止材：
物品は、シリコーン封止材も含む。シリコーン封止材は、オプトエレクトロニクス素子上に配置された硬化性シリコーン組成物から形成される。シリコーン封止材は、上板とシリコーン封止材との間にオプトエレクトロニクス素子を挟んでいる。シリコーン封止材は、硬化性シリコーン組成物の硬化（反応）生成物（即ち、硬化シリコーン組成物又は硬化ポリオルガノシロキサン）であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよい。あるいは、シリコーン封止材は、シリコーン（即ち、ポリオルガノシロキサン又は硬化ポリオルガノシロキサン）であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよい。用語「本質的に成る」は、シリコーン組成物及び／又は硬化反応生成物及び／又は硬化シリコーン組成物及び／又は硬化ポリオルガノシロキサンが、有機又は非シリコーンポリマーを含まないことを言う。
【００１７】
硬化性シリコーン組成物は、２５℃で歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定した複素（動的）粘度が典型的には１０，０００〜５，０００，０００ｃＰであることを除いては、特に限定されない。より具体的には、ＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＨＲ−２平行平板レオメータにおいて周波数掃引を生成する。２枚の２５ｍｍ平行平板間に厚さ２ｍｍまで試料を載置する。歪５％で０．１ｒａｄ／ｓｅｃ〜１００ｒａｄ／ｓｅｃで周波数掃引を行い、１ｒａｄ／ｓｅｃでの動的（複素）粘度をｃＰ単位で記録する。他の実施形態では、２５℃で上記のように測定した複素粘度は、１５，０００〜１００，０００、２０，０００〜９５，０００、２５，０００〜９０，０００、３０，０００〜８５，０００、３５，０００〜７５，０００、４０，０００〜７０，０００、４５，０００〜６５，０００、５０，０００〜６０，０００、又は５５，０００〜６０，０００ｃＰである。他の実施形態では、２５℃で上記のように測定した複素粘度は、５０，０００〜１００，０００、５５，０００〜９５，０００、６０，０００〜９０，０００、６５，０００〜８５，０００、７０，０００〜８０，０００、又は７５，０００〜８０，０００ｃＰである。
【００１８】
更に他の実施形態では、２５℃で上記のように測定した複素粘度は、３５，０００〜３００，０００、４０，０００〜２９５，０００、４５，０００〜２９０，０００、５０，０００〜２８５，０００、５５，０００〜２８０，０００、６０，０００〜２７５，０００、６５，０００〜２７５，０００、７０，０００〜２７０，０００、７５，０００〜２６５，０００、８０，０００〜２６０，０００、８５，０００〜２５５，０００、９０，０００〜２５０，０００、９５，０００〜２４５，０００、１００，０００〜２４０，０００、１０５，０００〜２３５，０００、１１０，０００〜２３０，０００、１１５，０００〜２２５，０００、１２０，０００〜２２０，０００、１２５，０００〜２１５，０００、１３０，０００〜２１０，０００、１３５，０００〜２０５，０００、１４０，０００〜２００，０００、１４５，０００〜１９５，０００、１５０，０００〜１９０，０００、１５５，０００〜１８５，０００、１６０，０００〜１８０，０００、１６５，０００〜１７５，０００、又は１６５，０００〜１７０，０００、８０，０００〜２００，０００、４０，０００〜２００，０００、又は４０，０００〜３００，０００ｃＰである。
【００１９】
更に他の実施形態では、２５℃で上記のように測定した複素粘度は、１００，０００〜１，０００，０００、１２５，０００〜９７５，０００、１５０，０００〜９５０，０００、１７５，０００〜９２５，０００、２００，０００〜９００，０００、２２５，０００〜８７５，０００、２５０，０００〜８５０，０００、２７５，０００〜８２５，０００、３００，０００〜８００，０００、３２５，０００〜７７５，０００、３５０，０００〜７５０，０００、３７５，０００〜７２５，０００、４００，０００〜７００，０００、４２５，０００〜６７５，０００、４５０，０００〜６５０，０００、４７５，０００〜６２５，０００、５００，０００〜６００，０００、５２５，０００〜５７５，０００、又は５５０，０００〜５７５，０００ｃＰである。また別の実施形態では、２５℃で上記のように測定した複素粘度は、１，１２５，０００〜１，９７５，０００、１，１５０，０００〜１，９５０，０００、１，１７５，０００〜１，９２５，０００、１，２００，０００〜１，９００，０００、１，２２５，０００〜１，８７５，０００、１，２５０，０００〜１，８５０，０００、１，２７５，０００〜１，８２５，０００、１，３００，０００〜１，８００，０００、１，３２５，０００〜１，７７５，０００、１，３５０，０００〜１，７５０，０００、１，３７５，０００〜１，７２５，０００、１，４００，０００〜１，７００，０００、１，４２５，０００〜１，６７５，０００、１，４５０，０００〜１，６５０，０００、１，４７５，０００〜１，６２５，０００、１，５００，０００〜１，６００，０００、１，５２５，０００〜１，５７５，０００、１，５５０，０００〜１，５７５，０００、２，１２５，０００〜２，９７５，０００、２，１５０，０００〜２，９５０，０００、２，１７５，０００〜２，９２５，０００、２，２００，０００〜２，９００，０００、２，２２５，０００〜２，８７５，０００、２，２５０，０００〜２，８５０，０００、２，２７５，０００〜２，８２５，０００、２，３００，０００〜２，８００，０００、２，３２５，０００〜２，７７５，０００、２，３５０，０００〜２，７５０，０００、２，３７５，０００〜２，７２５，０００、２，４００，０００〜２，７００，０００、２，４２５，０００〜２，６７５，０００、２，４５０，０００〜２，６５０，０００、２，４７５，０００〜２，６２５，０００、２，５００，０００〜２，６００，０００、２，５２５，０００〜２，５７５，０００、２，５５０，０００〜２，５７５，０００、３，１２５，０００〜３，９７５，０００、３，１５０，０００〜３，９５０，０００、３，１７５，０００〜３，９２５，０００、３，２００，０００〜３，９００，０００、３，２２５，０００〜３，８７５，０００、３，２５０，０００〜３，８５０，０００、３，２７５，０００〜３，８２５，０００、３，３００，０００〜３，８００，０００、３，３２５，０００〜３，７７５，０００、３，３５０，０００〜３，７５０，０００、３，３７５，０００〜３，７２５，０００、３，４００，０００〜３，７００，０００、３，４２５，０００〜３，６７５，０００、３，４５０，０００〜３，６５０，０００、３，４７５，０００〜３，６２５，０００、３，５００，０００〜３，６００，０００、３，５２５，０００〜３，５７５，０００、３，５５０，０００〜３，５７５，０００、４，１２５，０００〜４，９７５，０００、４，１５０，０００〜４，９５０，０００、４，１７５，０００〜４，９２５，０００、４，２００，０００〜４，９００，０００、４，２２５，０００〜４，８７５，０００、４，２５０，０００〜４，８５０，０００、４，２７５，０００〜４，８２５，０００、４，３００，０００〜４，８００，０００、４，３２５，０００〜４，７７５，０００、４，３５０，０００〜４，７５０，０００、４，３７５，０００〜４，７２５，０００、４，４００，０００〜４，７００，０００、４，４２５，０００〜４，６７５，０００、４，４５０，０００〜４，６５０，０００、４，４７５，０００〜４，６２５，０００、４，５００，０００〜４，６００，０００、４，５２５，０００〜４，５７５，０００、又は４，５５０，０００〜４，５７５，０００ｃＰである。上記の値の任意の１つ以上を１桁上げることができる。ほんの一例として、硬化性シリコーン組成物は、２５℃で上記のように測定した複素粘度が１０，０００〜５０，０００，０００ｃＰであってもよい。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。上記の粘度は、硬化前の硬化性シリコーン組成物の複素粘度である。硬化後、硬化した反応生成物は、典型的には固体であるが、ゲルであってもよい。
【００２０】
硬化性シリコーン組成物は、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物、縮合硬化性シリコーン組成物、及び／又はフリーラジカル硬化性シリコーン組成物（例えば、放射線硬化性シリコーン組成物及び光（例えば、紫外線）硬化性組成物）、並びに過酸化物硬化性シリコーン組成物であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成るものとして更に定義され得る。用語「本質的に成る」は、硬化性シリコーン組成物が、１種類の硬化機構によって硬化可能であり、異なる硬化機構によって硬化可能な組成物を１つ以上含まない実施形態を言う。
【００２１】
ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物は、典型的には、１分子当たり平均で少なくとも２つのケイ素結合アルケニル基又はケイ素結合水素原子を有するポリオルガノシロキサンと、ポリオルガノシロキサンを硬化するのに十分な量の有機ケイ素化合物であって、ポリオルガノシロキサン中のケイ素結合アルケニル基又はケイ素結合水素原子と反応可能なケイ素結合水素原子又はケイ素結合アルケニル基を１分子当たり平均で少なくとも２つ有する、有機ケイ素化合物と、触媒量のヒドロシリル化触媒とを含む。
【００２２】
縮合硬化性シリコーン組成物は、典型的には、１分子当たり平均で少なくとも２つのケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基、又は加水分解性基を有するポリオルガノシロキサンと、任意追加的に、ケイ素結合加水分解性基を有する架橋剤及び／又は縮合触媒とを含む。
【００２３】
放射線硬化性シリコーン組成物は、典型的には、１分子当たり平均で少なくとも２つのケイ素結合放射線感応性基を有するポリオルガノシロキサンと、任意追加的に、ポリオルガノシロキサン中の放射線感応性基の性質に応じたカチオン性又はフリーラジカル光開始剤とを含む。
【００２４】
過酸化物硬化性シリコーン組成物は、典型的には、ケイ素結合不飽和脂肪族炭化水素基を有するポリオルガノシロキサンと、有機過酸化物とを含む。
【００２５】
シリコーン組成物は、硬化性シリコーン組成物の種類に応じて、組成物を周囲温度、高温、水分、又は放射線に曝すことにより硬化され得る。
【００２６】
ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物は、大気圧で、室温（約２３±２℃）〜２５０℃、あるいは室温〜１５０℃、あるいは室温〜１１５℃の温度に曝すことによって硬化させることができる。シリコーン組成物は一般に、ポリオルガノシロキサンを硬化（架橋）するために十分な、ある長さの時間加熱される。例えば、被膜は、典型的には、１００〜１５０℃の温度で０．１〜３時間の間加熱される。
【００２７】
縮合硬化性シリコーン組成物は、ポリオルガノシロキサン中のケイ素結合基の性質に応じて硬化する。例えば、ポリオルガノシロキサンがケイ素結合ヒドロキシ基を含む場合、組成物は、組成物を加熱することにより硬化（即ち、架橋）され得る。組成物は、典型的には５０〜２５０℃の温度で１〜５０時間加熱することにより硬化され得る。縮合硬化性シリコーン組成物が縮合触媒を含む場合、組成物は、典型的にはより低い温度、例えば、室温（約２３±２℃）〜１５０℃で硬化され得る。
【００２８】
縮合硬化性シリコーン組成物は、典型的にはケイ素結合水素原子を有するポリオルガノシロキサンを含み、１００〜４５０℃の温度で０．１〜２０時間組成物を水分又は酸素に曝すことにより硬化され得る。縮合硬化性シリコーン組成物が縮合触媒を含む場合、組成物は、典型的にはより低い温度、例えば、室温（約２３±２℃）〜４００℃で硬化され得る。
【００２９】
更に、硬化性シリコーン組成物がケイ素結合加水分解性基を有するポリオルガノシロキサンを含む縮合硬化性シリコーン組成物である場合、組成物は、室温（約２３±２℃）〜２５０℃、あるいは１００〜２００℃の温度で１〜１００時間組成物を水分に曝すことにより硬化され得る。例えば、シリコーン組成物は、典型的には、ほぼ室温（約２３±２℃）〜１５０℃の温度で０．５〜７２時間３０％の相対湿度に曝すことにより硬化され得る。組成物に加熱、高湿度への曝露、及び／又は縮合触媒の添加を行うことにより、硬化を加速させることができる。
【００３０】
放射線硬化性シリコーン組成物は、組成物を電子ビームに曝すことにより硬化され得る。典型的には、加速電圧は約１．６ｅ−１７〜１．６ｅ−１４ジュール（Ｊ）（０．１〜１００キロ電子ボルト（ｋｅＶ））、真空は約１０〜１０−３パスカル（Ｐａ）、電子流は約０．０００１〜１アンペア、電力は約０．１ワット〜１キロワットである。線量は、典型的には約１００マイクロクーロン／平方センチメートル（マイクロクーロン／ｃｍ２）〜１００クーロン／平方センチメートル（クーロン／ｃｍ２）、あるいは約１〜１０クーロン／ｃｍ２である。電圧に応じて、曝露時間は典型的には約１０秒〜１時間である。
【００３１】
また、放射線硬化性シリコーン組成物がカチオン性又はフリーラジカル光開始剤を更に含む場合、組成物は、ポリオルガノシロキサンを硬化（架橋）するのに十分な線量で１５０〜８００ナノメートル（ｎｍ）、あるいは２００〜４００ｎｍの波長を有する放射線に曝すことにより硬化され得る。光源は、典型的には中圧水銀アークランプである。放射線量は、典型的には３０〜１，０００ミリジュール／平方センチメートル（ｍＪ／ｃｍ２）、あるいは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２である。更に、硬化の速度及び／又は範囲を増すために、放射線への曝露中又は曝露後にシリコーン組成物を外部から加熱してもよい。
【００３２】
硬化性シリコーン組成物が過酸化物硬化性シリコーン組成物である場合、組成物は、室温（約２３±２℃）〜１８０℃の温度に０．０５〜１時間曝すことにより硬化され得る。
【００３３】
硬化性シリコーン組成物及び／又はシリコーン封止材は、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して紫外／可視分光光度法を用いて測定するとき、少なくとも７０パーセントの光透過率を有し得る。種々の実施形態では、硬化性シリコーン組成物及び／又はシリコーン封止材は、少なくとも７５、８０、８５、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、又は９９パーセントの光透過率を有し、光透過率は最大で１００パーセントである。別の実施形態では、硬化性シリコーン組成物及び／又はシリコーン封止材は、約１００パーセント（例えば、９９．５％〜１００．０％）の光透過率を有する。硬化性シリコーン組成物及び／又はシリコーン封止材は、２．５Ｅ−４、５．１Ｅ−４、７．６Ｅ−４、１Ｅ−３、１．３Ｅ−３、１．５Ｅ−３、１．８Ｅ−３、２Ｅ−３、２．３Ｅ−３、２．５Ｅ−３、５Ｅ−３、７．６Ｅ−３、１Ｅ−２、１．２Ｅ−２、１．５Ｅ−２、１．８Ｅ−２、２Ｅ−２、２．２Ｅ−２、又は２．５Ｅ−２、５Ｅ−２、８Ｅ−２、０．１、０．１３、０．１５、０．１８、０．２、０．２３、０．２５、０．２８、０．３、０．３３、０．３６、０．３８、０．４１、０．４３、０．４６、０．４８、０．５、０．６４、０．７６、０．８９、１．０、１．１、１．３、１．４、１．５、１．６５、１．８、１．９、２、２．２、２．３、２．４、又は２．５ミリメートル、又はそれ以上（０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、又は１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、又は１００ミル、又はそれ以上）の厚さを有し得る。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。
【００３４】
シリコーン結合層：
物品は、上板上に配置されてオプトエレクトロニクス素子と上板との間に挟まれたシリコーン結合層も含み得る。典型的には、シリコーン結合層は、第２シリコーン組成物から形成され、第２シリコーン組成物は、上記の硬化性シリコーン組成物と同じでもよく、又は異なってもよい。
【００３５】
例えば、シリコーン結合層は、第２シリコーン組成物の硬化（反応）生成物（即ち、硬化第２シリコーン組成物又は硬化第２ポリオルガノシロキサン）であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよい。あるいは、シリコーン結合層は、未硬化第２シリコーン組成物（即ち、未硬化第２ポリオルガノシロキサン）であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよい。第２シリコーン組成物は、第２ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物、第２縮合硬化性シリコーン組成物、及び／又は第２フリーラジカル硬化性シリコーン組成物（例えば、放射線硬化性シリコーン組成物及び光（例えば、紫外線）硬化性組成物）、並びに第２過酸化物硬化性シリコーン組成物であるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成るものとして更に定義され得るが、それぞれの組成物は、独立して上記の任意の組成物と同じでもよく、又は異なってもよい。また、一実施形態では、用語「本質的に成る」は、上記と同様である。第２硬化性シリコーン組成物は、塗布時及び最終物品中の両方で硬化されても若しくは硬化されなくてもよく、又は物品の形成プロセス中に硬化されてもよい。
【００３６】
シリコーン結合層及び／又は第２硬化性シリコーン組成物は、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して紫外／可視分光光度法を用いて測定するとき、少なくとも７０パーセントの光透過率を有し得る。種々の実施形態では、シリコーン結合層及び／又は第２硬化性シリコーン組成物は、少なくとも７５、８０、８５、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、又は９９パーセントの光透過率を有し、光透過率は最大で１００パーセントである。別の実施形態では、シリコーン結合層及び／又は第２硬化性シリコーン組成物は、約１００パーセント（例えば、９９．５％〜１００．０％）の光透過率を有する。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。
【００３７】
シリコーン結合層は、米国特許第６，０２０，４０９号及び同第６，１６９，１５５号に開示されるものなどのケイ素原子を含む硬化性組成物から形成されてもよく、これらの特許は、これらの硬化性シリコーン組成物に関して参照することにより本明細書に明示的に組み込まれる。別の実施形態では、シリコーン結合層は、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ）から市販されているものなどのシリコーン流体を含む硬化又は硬化性組成物から形成され得る。特に好適なシリコーン流体の非限定的な一例は、２５℃で１００ｍＰａ．ｓの複素粘度を有するトリメチルシリル末端ポリジメチルシロキサンである。
【００３８】
一実施形態では、１つ以上の第１及び第２硬化性シリコーン組成物（即ち、シリコーン封止材及び／又はシリコーン結合層の形成に使用されるもの）は、更にヒドロシリル化硬化性として定義され、１分子当たり少なくとも１つの不飽和部分を有する有機ケイ素化合物と、１分子当たり少なくとも１つのケイ素結合水素原子を有する有機水素ケイ素化合物と、有機ケイ素化合物と有機水素ケイ素化合物とのヒドロシリル化反応を加速させるために用いられるヒドロシリル化触媒とを含む。この実施形態では、有機ケイ素化合物の１分子当たりの不飽和部分に対する有機水素ケイ素化合物の１分子当たりのケイ素結合水素原子の比は、典型的には０．０５〜１００である。
【００３９】
別の実施形態では、有機ケイ素化合物は、ビニルジメチルシリル末端封鎖ポリジメチルシロキサンとしてそれ自体が更に定義され得るアルケニルジアルキルシリル末端封鎖ポリジアルキルシロキサンとして更に定義される。また、有機水素ケイ素化合物は、ジアルキルハイドロジェンシリル末端ポリジアルキルシロキサン及びトリアルキルシリル末端ポリジアルキルシロキサン−アルキルハイドロジェンシロキサンコポリマーの混合物として更に定義され得る。ジアルキルハイドロジェンシリル末端ポリジアルキルシロキサン自体は、ジメチルハイドロジェンシリル末端ポリジメチルシロキサンとして更に定義され得る一方、トリアルキルシリル末端ポリジアルキルシロキサン−アルキルハイドロジェンシロキサンコポリマーは、トリメチルシリル末端ポリジメチルシロキサン−メチルハイドロジェンシロキサンコポリマーとして更に定義され得る。あるいは、シリコーン結合層及び／又はシリコーン封止材は、米国特許出願公開第２０１１／００６１７２４号に記載されるような構成要素（Ａ）〜（Ｅ）の１つ以上を含む硬化性組成物及びそれらの組み合わせから形成されてもよく、この特許は、これらの構成要素に関して参照することにより本明細書に明示的に組み込まれる。
【００４０】
第２硬化性シリコーン組成物及び／又はシリコーン結合層は、２．５Ｅ−４、５．１Ｅ−４、７．６Ｅ−４、１Ｅ−３、１．３Ｅ−３、１．５Ｅ−３、１．８Ｅ−３、２Ｅ−３、２．３Ｅ−３、２．５Ｅ−３、５Ｅ−３、７．６Ｅ−３、１Ｅ−２、１．２Ｅ−２、１．５Ｅ−２、１．８Ｅ−２、２Ｅ−２、２．２Ｅ−２、又は２．５Ｅ−２、５Ｅ−２、８Ｅ−２、０．１、０．１３、０．１５、０．１８、０．２、０．２３、０．２５、０．２８、０．３、０．３３、０．３６、０．３８、０．４１、０．４３、０．４６、０．４８、０．５、０．６４、０．７６、０．８９、１．０、１．１、１．３、１．４、１．５、１．６５、１．８、１．９、２、２．２、２．３、２．４、又は２．５ミリメートル、又はそれ以上（０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、又は１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、又は１００ミル、又はそれ以上）の厚さを有し得る。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。
【００４１】
非シリコーン結合層：
上記のシリコーン結合層に加えて又はシリコーン結合層の代わりに、非シリコーン結合層を使用できることも意図される。非シリコーン結合層は、シリコーン結合層に関して上述したような１つ以上の特性若しくは説明を有し、上述したように配置されてもよく、又は異なってもよい。非シリコーン結合層は、典型的にはシリコーンを含まず、有機ポリマー、プラスチック、木材、金属、又はシリカガラスであるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよい。
【００４２】
バックシート：
物品は、バックシートも含み得る。バックシートは、シリコーン封止材上に配置され、シリコーン封止材をオプトエレクトロニクス素子とバックシートとの間に挟んでもよい。バックシートは、オプトエレクトロニクス素子上に配置されてもよい。あるいは、オプトエレクトロニクス素子をバックシート上に配置してもよい。バックシートは、上板及びオプトエレクトロニクス素子を固定し、及び／又はオプトエレクトロニクス素子を少なくとも部分的に封入し得る。種々の実施形態では、バックシートは、更に制御ビードと呼ばれる。制御ビードは、典型的には矩形の形状に適用される。ただし、制御ビードを任意の形状に形成してもよい。制御ビードは、上板、オプトエレクトロニクス素子、又は上板とオプトエレクトロニクス素子との両方の内部と接触することにより、バックシートを含まない上板、オプトエレクトロニクス素子、又は上板とオプトエレクトロニクス素子との両方の周囲に沿って空間を残すことができる。一実施形態では、この空間は、幅が約１．３センチメートル（１／２インチ）である。バックシート及び／又はバックシートの形成に使用される組成物は、後述するような複数の繊維がシリコーン中に配置された及び／又はシリコーンによって封入されたマトリックスと呼ばれることがある。このような実施形態では、バックシート及び／又はバックシートの形成に使用される組成物は、シリコーンであるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成ってもよく、依然として複数の繊維を含む。このシリコーンは、本明細書に記載の任意の他のシリコーンと同じでもよく、又は異なってもよい。
【００４３】
バックシートは、典型的には２．５Ｅ−２〜１、より典型的には０．１〜１、更に典型的には７Ｅ−２〜０．８、更により典型的には０．１〜０．３８、最も典型的には０．１〜０．３ミリメートル（１〜５０、より典型的には４〜４０、更に典型的には３〜３０、更により典型的には４〜１５、最も典型的には４〜１０ミル）の厚さを有する。種々のＳＩ単位へのミルの換算は、０．０２５４ｍｍ／ミル又は２５．４マイクロメートル／ミルである。バックシートは、粘着性又は非粘着性であってもよく、ゲル、ゴム、液体、ペースト、樹脂、又は固体であってもよい。バックシートは、本明細書に記載の任意のシリコーンと同じか又は異なり得る液体シリコーン組成物から形成されてもよく、粘着性若しくは非粘着性、及び／又はゲル、ゴム、液体、ペースト、樹脂、若しくは固体になるように硬化又は部分硬化され得る。一実施形態では、適切な（即ち、期待される）反応性部分の９０パーセント未満が反応する場合、部分硬化が生じる。他の実施形態では、２９Ｓｉ  ＮＭＲによって測定するとき、適切な（即ち、期待される）反応性部分の少なくとも９０パーセントが反応する場合、硬化が生じる。バックシートは、有機ポリマー、シリコーン以外のポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、及び／又はエチレン酢酸ビニルの１つ以上を含まなくてもよいバックシートは、Ｔｅｄｌａｒ（登録商標）を含まなくてもよい。
【００４４】
複数の繊維：
物品、シリコーン封止材、及び／又はバックシートは、単一の繊維又は複数の繊維を含み得る。他の実施形態では、物品、シリコーン封止材、及び／又はバックシートの１つ以上は、複数の繊維を含まず、単一の繊維も含まない。複数の繊維は、シリコーン封止材及び／又はバックシート中に存在してもよく、例えば、シリコーン封止材及び／又はバックシートにより少なくとも部分的に封入されてもよく、シリコーン封止材及び／又はバックシートから独立していてもよく、又はその両方であってもよい。シリコーン封止材及び／又はバックシートは、少なくとも２つ又は複数の個別繊維を含み得る。あるいは、複数の繊維は、独立した個別の層として物品中に存在してもよい。複数の繊維は、物品及び／又はシリコーン封止材及び／又はバックシート中に配置され得る。例えば、用語「配置された」は、複数の繊維が小領域に集中するのではなく広く分布していることを説明し得る。
【００４５】
用語「繊維」は、連続フィラメント及び／又は別個の長さの天然又は合成であり得る材料を含む。天然繊維には、植物、動物、及び地質作用により生産されるもの、例えば、植物繊維、木質繊維、動物繊維、及び天然鉱物繊維が挙げられるが、これらに限定されない。合成繊維には、非天然鉱物繊維、例えば、繊維ガラス、金属繊維、炭素繊維、ポリマー繊維、例えば、ポリアミド繊維、ＰＥＴ又はＰＢＴポリエステル繊維、フェノール−ホルムアルデヒド（ＰＦ）繊維、ポリビニルアルコール繊維（ＰＶＯＨ）繊維、ポリ塩化ビニル繊維（ＰＶＣ）繊維、ポリオレフィン繊維、アクリル繊維、ポリアクリロニトリル繊維、芳香族ポリアミド（アラミド）繊維、エラストマー繊維、ポリウレタン繊維、マイクロファイバー、及びこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
一実施形態では、複数の繊維は、高弾性及び高引張強度を有する。他の実施形態では、複数の繊維は、２５℃で少なくとも３ギガパスカル（ＧＰａ）のヤング率を有する。例えば、複数の繊維は、２５℃で３〜１，０００ＧＰａ、あるいは３〜２００ＧＰａ、あるいは１０〜１００ＧＰａのヤング率を有し得る。更に、複数の繊維は、２５℃で少なくとも５０ＭＰａの引張強度を有し得る。例えば、複数の繊維は、２５℃で５０〜１０，０００メガパスカル（ＭＰａ）、あるいは５０〜１，０００ＭＰａ、あるいは５０〜５００ＭＰａの引張強度を有し得る。
【００４７】
個々の繊維は、典型的には円筒形であり、１〜１００μｍ、あるいは１〜２０（マイクロメートル）μｍ、あるいは１〜１０μｍの直径を有し得る。複数の繊維は、有機汚染物質を除去するために、使用前に熱処理されてもよい。例えば、複数の繊維は、空気中で高温（例えば、５７５℃）で好適な期間（例えば、２時間）の間加熱されてもよい。
【００４８】
一実施形態では、複数の繊維は、更にマット又はロービングと呼ばれる。他の実施形態では、複数の繊維は、更に布地と呼ばれる。布地は、織布であってもよく、若しくは不織布であってもよく、又は織布と不織布の双方の部分を含んでもよい。一実施形態では、布地は、織布であり、繊維ガラス、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、及びそれらの組み合わせの群から選択される。他の実施形態では、布地は、不織布であり、繊維ガラス、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、及びそれらの組み合わせの群から選択される。更なる実施形態では、布地は、不織繊維ガラスであり、Ｃｒａｎｅ  Ｎｏｎｗｏｖｅｎｓ（Ｄａｌｔｏｎ，ＭＡ）から市販されている。あるいは、布地は、Ｃｒａｎｅ  Ｎｏｎｗｏｖｅｎｓから市販されている不織ポリエステルであってもよい。更に、布地は、不織布であり、ポリプロピレン又はポリエチレンテレフタレートを含んでもよい。布地は、上述の種類の織布地及び不織布地に限定されず、当該技術分野において既知の任意の織布地又は不織布地を含んでもよい。一実施形態では、複数の布地（例えば、２つ、３つ、又はそれ以上の個別の布地）を使用する。
【００４９】
当該技術分野において既知の通り、織布地は典型的には、機織りによって形成され、バイアス方向に伸びる布である。同様に当該技術分野において既知の通り、不織布地は、織物でも編物でもなく、典型的には、個々の繊維をシート又はウェブの形態で一緒に定置し、次にそれらを、接着剤と共に機械的に、又は布地上に結合剤を溶かすことによって熱的に、のいずれかで結合することによって、製造される。不織布地としては、ステープル不織布地及びスパンレイド不織布地が挙げられ得る。ステープル不織布地は典型的には、均一なウェブ内に広げられ、次に樹脂又は熱のいずれかを用いることによって結合される繊維を紡績することによって、作製される。スパンレイド不織布地は典型的には、ウェブ内に直接配置された繊維を紡績することによって、１つの連続的なプロセスで作製される。スパンレイドプロセスは、メルトブロープロセスと組み合わされて、ＳＭＳ（スパン−メルト−スパン）不織布地を形成することができる。
【００５０】
不織布地はまた、フィルム及び小繊維（fibrillate）を含んでもよく、セレーション又は真空成型を用いて模様付き穴を形成することによって形成され得る。繊維ガラス不織布地は典型的には、湿式切断された（wet-chopped）６〜２０マイクロメートルの直径を有するデニール繊維を有する湿式マット、又は０．１〜６マイクロメートルの直径を有する不連続デニール繊維を有する火炎減衰マットを含む、２種類のうちの１つである。
【００５１】
複数の繊維は、シリコーン封止材及び／又はバックシートにより少なくとも部分的に封入され得る。種々の実施形態では、複数の繊維の総表面積の少なくとも５０、７５、又は９５パーセントがシリコーン封止材及び／又はバックシートにより封入され、総表面積は最大で１００パーセントである。他の実施形態では、複数の繊維の総表面積の約１００パーセント（例えば、９９．５〜１００．０パーセント）がシリコーン封止材及び／又はバックシートにより封入される。
【００５２】
用語「封入される」は、複数の繊維の表面積の少なくとも一部を被覆することを指す。典型的には、バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、複数の繊維（例えば、布地）の孔などの部分を通って被覆及び／又は滲出する。別の実施形態では、複数の繊維は、バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物で含浸されていると更に説明される。バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、複数の繊維の一部又は全部を含浸し得る。即ち、この実施形態では、バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、複数の繊維の外面（表面積）を被覆し、更に複数の繊維で説明される空隙の一部又は全部にわたって配置されている。換言すれば、この実施形態では、バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、一部の空隙を通って他は通らずに滲出し得る。更なる実施形態では、複数の繊維は、バックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物で飽和される。他の実施形態では、複数の繊維は、バックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物で飽和されない。バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、複数の繊維を全体的又は部分的に封入し得ることも意図される。複数の繊維の表面積は、噴霧、浸漬、圧延、ブラッシング、及びこれらの組み合わせなどの当該技術分野で既知の任意の方法を使用して少なくとも部分的に封入され得るが、これらに限定されない。一実施形態では、複数の繊維は、バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物中に配置されている。バックシート、及び／又はバックシート及び／又はシリコーン封止材の形成に使用される組成物は、２．５Ｅ−２〜１、より典型的には８Ｅ−２〜０．８、最も典型的には０．１〜０．３８ミリメートル（１〜５０、より典型的には３〜３０、最も典型的には４〜１５ミル）の厚さで複数の繊維の総表面積の少なくとも一部を被覆し得る。当然のことながら、本開示はこれらの厚さに限定されない。
【００５３】
光電池モジュール：
一実施形態では、電子物品は、更に光電池モジュール（モジュール）として定義される。この実施形態では、オプトエレクトロニクス素子は、更に光電池として定義される。光電池を上板上に配置してもよく、又は上板を光電池上に配置してもよい。一実施形態では、光電池は、上板上に直接配置され、即ち、上板と直接接触している。他の実施形態では、光電池は、依然として上板「上」に配置されているが、上板から離間している。光電池は、化学気相成長及び／又は物理スパッタリングにより上板上に直接接触して配置（即ち、上板に直接適用）され得る。典型的には、この実施形態では、光電池と上板との間に結合層は必要ない。この実施形態は、典型的には、「薄膜」応用例と呼ばれる。光電池がスパッタリング又は化学気相成長処理技術を用いて上板上に配置された後、１つ以上の導線が光電池に取り付けられ得る。シリコーン封止材がその後導線を覆って適用され得る。あるいは、光電池は、上板及び／又はモジュールとは別に形成され、後に上板上に配置されてもよい。
【００５４】
光電池は、典型的には５０〜２５０、より典型的には１００〜２２５、及び最も典型的には１７５〜２２５マイクロメートルの厚さを有する。一実施形態では、光電池は、それぞれ１２５ｍｍの長さ及び幅を有する。他の実施形態では、光電池は、それぞれ１５６ｍｍの長さ及び幅を有する。光電池は、これらの寸法に限定されない。
【００５５】
光電池は、大面積で単結晶で単一層のｐ−ｎ接合ダイオードを含んでもよい。そのような光電池は、典型的には、シリコンウェハに拡散処理を使用して作製される。あるいは、光電池は、格子整合ウェハ上に（シリコン）半導体の薄いエピタキシャル析出を含んでもよい。この実施形態では、光電池は、宇宙又は地上用途のいずれかでの使用に分類されてもよく、典型的には７〜４０％のＡＭＯ効率を有する。更に、光電池は、量子井戸デバイス、例えば量子ドット、量子ロープなどを含んでもよく、またカーボンナノチュープを含んでもよい。また更に、光電池は、マルチスペクトル太陽電池をより効率よく安価に作製するために積層され得る単一のマルチスペクトル層を形成する、ポリマー及びナノ粒子の混合物を含んでもよい。
【００５６】
光電池の組成は、特に限定されず、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、ナノ結晶質シリカ、テルル化カドミウム、セレン化／硫化銅インジウム／ガリウム、ガリウムヒ素、ポリフェニレンビニレン、銅フタロシアニン、炭素フラーレン、及びそれらの組み合わせを、インゴット、リボン、薄膜、及び／又はウェハの状態で含んでもよい。光電池はまた、ルテニウム有機金属染料などの光吸収染料を含むことができる。最も典型的には、光電池は、単結晶及び多結晶シリコンを含む。
【００５７】
光電池は、第１面及び第２面を有する。典型的には、第１面は第２面の反対側にある。第１の導線は、典型的には第１面上に配置され、第２の導線は、典型的には第２面上に配置されている。光電池は、代わりにフロントコンタクト電池又はリアコンタクト電池と呼ばれることがある。第１及び第２の導線の一方は典型的にはアノードとして働き、他方は典型的にはカソードとして働く。第１及び第２の導線は、同じでも又は異なってもよく、金属、導電性ポリマー、及びそれらの組み合わせを含んでもよい。一実施形態では、第１及び第２の導線は、スズ−銀はんだ被覆銅を含む。他の実施形態では、第１及び第２の導線は、スズ−鉛はんだ被覆銅を含む。
【００５８】
第１及び第２の導線は、光電池の第１及び第２面の任意の部分に配置され得る。第１及び第２の導線は、任意の寸法及び形状であってもよく、典型的には矩形であり、長さ及び／又は幅の寸法が約０．１〜０．２０センチメートル（０．００５〜０．０８０インチ）である。第１及び第２の導線は、典型的にはモジュール（２６）を光電池アレイ内の更なるモジュールに接続する。モジュールは、直列又は並列に接続され得る。
【００５９】
モジュールは、以下に限定されないが、自動車、トラック、海上船舶、列車、小型電子機器、遠隔地電力システム、人工衛星、宇宙探査機、無線電話、ウォータポンプ、グリッド接続電気システム、バッテリー、充電器、光電気化学用途、ポリマー太陽電池用途、ナノ結晶太陽電池用途、及び色素増感太陽電池用途を含む、任意の産業に用いることができる。一実施形態では、一連のモジュールは、電気的に接続されて光電池アレイを形成する。本開示は、光電池アレイ自体も提供する。光電池アレイは、少なくとも２つのモジュールを含む。光電池アレイは、典型的に屋根の上、バッテリーバックアップに接続された農村地域、及びＤＣポンプ、信号ブイなどで用いられる。本開示の光電池アレイは、平面又は非平面であってもよく、典型的にはモジュールが電圧を発生させるような方法で相互に接続された、単一の発電用ユニットとして機能する。典型的には、モジュールは、上述されたように電気的に接続され、相応の電圧を供給する。光電池アレイは、任意の大きさ及び形状のものであり、任意の産業で使用することができる。
【００６０】
固体照明：
電子物品は、代わりに更に固体光又は固体照明、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）と定義することができる。当技術分野で知られているように、ＬＥＤは、典型的には電子がオプトエレクトロニクス半導体に形成された正孔と再結合したとき順方向バイアス状態で光を発生する。電子は、再結合するとき、典型的にはエレクトロルミネセンスと言われる過程で光子を放出する。固体照明は、以下に限定されないが、インストルメントパネル＆スイッチ、カーテシ照明、ウィンカーとストップ信号、家庭用器具、ＶＣＲ／ＤＶＤ／ステレオ／オーディオ／ビデオデバイス、おもちゃ／ゲーム器具類、防犯設備、スイッチ、建築照明、標識（経路識別文字）、マシンビジョン、小売ディスプレー、非常用照明、ネオンサイン及び電球代替品、懐中電灯、アクセント照明、フルカラービデオ、白黒メッセージボード、交通・鉄道・航空用途に、携帯電話に、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ラップトップ、医療機器に、バーコードリーダー、色＆マネーセンサー、エンコーダー、光スイッチ、光ファイバー通信、及びこれらの組み合わせを含む任意の用途で使用することができる。
【００６１】
物品は、多層に関して、１つ以上のシリコーンであるか、それを含むか、それから本質的に成るか、又はそれから成り、有機化合物を含まなくてもよいが、電気素子又はオプトエレクトロニクス素子について言うものではない。より具体的には、上板、シリコーン結合層、シリコーン封止材、バックシート、及び任意の１つ以上の追加の層は、有機化合物又はポリマーなどの非シリコーン化合物又はポリマーを含まなくてもよい。一実施形態では、用語「本質的に成る」は、上記の層が有機化合物又はポリマーを含まないことを言う。
【００６２】
電子物品の形成方法：
本開示は、上板と、上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子と、硬化性シリコーン組成物から形成されてオプトエレクトロニクス素子上に配置されたシリコーン封止材とを含み、オプトエレクトロニクス素子を上板とシリコーン封止材との間に挟んでいる、電子物品の形成方法も提供する。方法は、電子物品の内部から電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンでオプトエレクトロニクス素子上に硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程を含む。堆積工程は、特に限定されない。硬化性シリコーン組成物は、当該技術分野で既知の任意の方法、例えば、ブラシ／コテの使用、噴霧、注入、浸漬、分注ノズルの利用、ロールコーティング、転写印刷、スクリーン印刷、カーテンコーティング、又は当該技術分野で既知の任意の方法により堆積され得る。堆積工程は、代わりに分配、配置、塗布、又は被覆と呼ばれ得ることが意図される。一実施形態では、方法は、最初の分配工程（例えば、１つ以上のスプレーノズルを通して）、その後の手動コテ塗り工程、及び任意追加的に塊の分配後の自動コテ塗り工程の組み合わせを含んでもよい。例えば、これは可使時間の長い組成物を使用する場合に可能であり得る。
【００６３】
硬化性シリコーン組成物は、電子物品の内部から電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンで堆積される。パターンは、特に限定されず、更に幾何学的、非幾何学的、均一、又は不均一パターンと呼ばれることがある。パターンの全体又は一部は、直線、ジグザグ、ヘリンボーン、円形若しくは楕円形、三角形、渦巻き状、リボン状、マーブル、螺旋状、コイル状、カール状、ねじれ状、環状、へリックス、Ｓ字状、正弦波形状、巻線、星形、「ｘ」形、及び／又はランダムと説明され得る。一実施形態では、硬化性シリコーン組成物は、１列、２列、又は複数の列に堆積される。１つ以上の列は、１つ以上の他の列と実質的に平行に又は交差して（即ち、所定の角度で）配置され得る。例えば、硬化性シリコーン組成物から形成される通路は、電子物品の周囲の対向する又は異なる位置へ延びてもよい。これは、硬化性シリコーン組成物の１つ以上の列の配置に基づいて実現され得る。
【００６４】
パターンの１つ以上の列又は部分は、０．０３、０．０５、０．０８、０．１、０．１３、０．１５、０．１８、０．２、０．２２、０．２５、０．５、０．８、１、１．３、１．５、１．８、２、２．３、又は２．５センチメートル（０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、又は１インチ）の長さ、幅、及び／又は高さを有し得る。同様に、パターンの１つ以上の列又は部分は、パターンの１つ以上の他の列又は部分から０．０３、０．０５、０．０８、０．１、０．１３、０．１５、０．１８、０．２、０．２２、０．２５、０．５、０．８、１、１．３、１．５、１．８、２、２．３、２．５、５、８、１０、１３、又は１５センチメートル以上（０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、又は６インチ以上）の距離を置いて配置され得る。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。
【００６５】
通路も特に限定されない。典型的には、通路は、硬化性シリコーン組成物の堆積により２つ以上の面上に画定される。通路は、代わりに導管、ダクト、溝彫り、筋、削り溝、溝、ガター、道、通路、樋、チャネル、レーン、開口部、又は経路と呼ばれることがある。
【００６６】
通路は、物品の内部から物品の周囲（例えば、外部）へ延び、物品の内部の任意の箇所から始まり得る。通路は、内部全体にわたって又は内部の一部にわたって延びてもよい。通路は、物品の周囲の２箇所以上又は単一箇所へ延びてもよい。通路は、全体又は１つ以上の部分で互いに連結しても又は連結しなくてもよい、１つ、２つ、又は複数の個別通路として更に定義され得る。空気は、通路を画定する堆積された硬化性シリコーン組成物が融合して通路を埋めることにより通路がなくなる前に、通路を通って物品の周囲へ抜けることができる。典型的には、通路は、１つ以上の層（例えば、シリコーン封止材）中の任意の気泡の存在を減らすか又は無くすために、空気が通路を通って物品から出るように画定される。換言すれば、通路は、典型的には、空気を物品の内部から（例えば、中心から）物品の周囲へ向けて（例えば、縁部へ）流出させることにより、物品内の任意の１つ以上の層又は構成要素中に混入した空気の量を最小化する。第２硬化性シリコーン組成物を適用する場合は、同じ、類似の、又は異なるパターンを使用してもよい。あるいは、第２硬化性シリコーン組成物をランダムに（即ち、パターン及び任意のチャネルを使用せずに）適用してもよい。
【００６７】
上述したように、方法は、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び硬化性シリコーン組成物を積層し、電子物品を形成する工程も含む。積層工程は、特に限定されず、当該技術分野で既知の任意の１つ以上の積層技術を含み得る。例えば、積層工程は、任意の１つ以上の上記成分を他の成分と接触及び／又は圧縮する工程と説明され得る。圧縮工程には、機械的重量、圧力、又はローラー（例えば、ピンチローラー）の適用が挙げられ得る。圧縮工程は、物品又は構成要素の任意の１つ以上の層の内部に（例えば、中心において）力を加える工程として更に定義され得る。この力を物品の周囲又は縁部に向けて移動させてもよい。例えば、この力を中心に加えた後、外向きに移動させて、物品から空気を排出するのを助けてもよい。
【００６８】
積層工程、又は例えば圧縮工程は、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び硬化性シリコーン組成物、又は任意の他の上記構成要素の１つ以上に真空を適用する工程も含み得る。あるいは、真空を適用する工程は、積層又は圧縮工程から独立して行われてもよく、又は全く使用されなくてもよい。また更に、積層工程は、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び硬化性シリコーン組成物、又は任意の他の上記構成要素の１つ以上を加熱する工程を含み得る。あるいは、加熱工程は、積層又は圧縮工程から独立していてもよく、又は全く使用されなくてもよい。
【００６９】
典型的には、真空を適用する場合、真空は、５０〜１０２、６８〜１０２、８５〜１０２、９５〜１０２、５４〜９８、５８〜９５、６１〜９１、６４〜８８、６８〜８５、７１〜８１、又は７４〜７９キロパスカル（１５〜３０、２０〜３０、２５〜３０、２８〜３０、１６〜２９、１７〜２８、１８〜２７、１９〜２６、２０〜２５、２１〜２４、又は２２〜２３水銀柱インチ）の圧力で作動される。同様に、加熱する場合、上板、オプトエレクトロニクス素子、及び／又は硬化性シリコーン組成物、又は任意の他の上記構成要素は、５０〜１６０、７０〜１２０、７０〜１００、５５〜１５５、６０〜１５０、６５〜１４５、７０〜１４０、７５〜１３５、８０〜１３０、８５〜１２５、９０〜１２０、９５〜１１５、１００〜１１０、又は１０５〜１１０℃の温度で加熱され得る。積層工程は、任意の１つ以上の上記構成要素に真空及び圧縮力を同時に適用した後に加熱する工程として更に定義され得る。例えば、方法は、真空及び圧縮力を同時に適用して、少なくとも１つの通路を通って空気を電子物品の内部から電子物品の周囲へ排出し、硬化性シリコーン層の圧縮層を形成し、その後熱を加えて硬化性シリコーン組成物を加熱する工程を含み得る。
【００７０】
一実施形態では、電子物品は、上板上に配置されてオプトエレクトロニクス素子と上板との間に挟まれたシリコーン結合層を更に含む。この実施形態では、積層工程は、上板、オプトエレクトロニクス素子、硬化性シリコーン組成物、及び第２シリコーン組成物を積層し、シリコーン封止材、シリコーン結合層、及び電子物品を形成する工程として更に定義される。
【００７１】
他の実施形態では、電子物品は、シリコーン封止材上に配置されたバックシートを更に含み、シリコーン封止材をオプトエレクトロニクス素子とバックシートとの間に挟んでいる。この実施形態では、積層工程は、上板、オプトエレクトロニクス素子、硬化性シリコーン組成物、及びバックシートを積層し、硬化性シリコーン組成物を硬化してシリコーン封止材を形成し、電子物品を形成する工程として更に定義される。
【００７２】
更なる実施形態では、電子物品は、複数の繊維を更に含む。この実施形態では、積層工程は、上板、オプトエレクトロニクス素子、硬化性シリコーン組成物、任意のバックシート、複数の繊維、及び任意追加的に第２シリコーン組成物を積層し、シリコーン封止材を形成し、任意追加的にシリコーン結合層を形成し、電子物品を形成する工程として更に定義され得る。
【００７３】
積層工程中に、硬化性シリコーン組成物は、硬化してシリコーン封止材を形成し、空気は、少なくとも１つの通路を通って電子物品の内部から電子物品の周囲へ逃げる。例えば、空気は、逃げてもよく、又は圧縮及び／又は真空を使用して排出されてもよい。少なくとも１つの通路を通って空気が逃げることにより、目に見える欠陥が最小限〜無い電子物品を形成することができる。一実施形態では、電子物品、シリコーン封止材、及び／又はシリコーン結合層は、混入空気（気泡）を実質的に含まない。用語「気泡」は、シリコーン封止材の層内に封入された容積空間を言い、封入された容積空間は、少なくともある程度の量の地球の大気由来のガス状又は蒸気状物質を封じ込める。気泡中の気圧は、１０１キロパスカル（ｋＰａ）、あるいは１０１ｋＰａ未満、例えば、＜５０ｋＰａ、あるいは＜２０ｋＰａ、あるいは＜１０ｋＰａ、あるいは＜５ｋＰａであり得る。用語「実質的に含まない」は、裸眼又は倍率１０ｘで見た場合に、電子物品が目に見える気泡を有していないことを言う。他の実施形態では、電子物品、シリコーン封止材、及び／又はシリコーン結合層は、シリコーン封止材及び／又はシリコーン結合層の１平方メートル当たりの気泡が２０、１５、１０、５、４、３、２、又は１個未満で形成されてもよく、気泡は、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、又は１ｍｍ未満の直径を有する。あるいは、物品又は物品内の任意の層若しくは構成要素の１つ以上は、倍率１０×（１０倍）及び／又は肉眼における（目に見える）欠陥、クラック、空隙、泡、及び／又は層間剥離がないと説明され得る。例えば、シリコーン封止材中に空隙又は泡がないことは、上板を通して及び／又はバックシートを通して見る直接評価により、及び／又は（例えば、バックシート及び／又は繊維を使用していない場合）シリコーン封止材自体の直接評価により、視覚的に評価できる。
【００７４】
更なる実施形態では、上板及びバックシートは、共にシリカガラスであるか、又は少なくとも一方若しくは両方が剛性である。関連の実施形態では、電子物品は、周囲に沿って配置され、かつ上板及びバックシートの両方の上に直接接触して配置された、少なくとも１つのスペーサを含み、電子物品全体にわたってスペーサの公称厚さの±１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、又は２０％の均一な厚さを電子物品に提供してもよい。少なくとも１つのスペースは、剛性層が互いに接触して偏向するのを防止又は最小化することもできる。一実施形態では、幅が約１．３センチメートル（１／２インチ）である厚さ０．８ｍｍのシリコーンエラストマースペーサを使用する。このスペーサは、モジュールの周囲（全体）に連続的に適用され、少なくとも１０のショアＡ硬度を有する。スペーサは、ガラス基板と封止剤表面との凝集破壊を改良するために、必要に応じて高ビニル型シランで下塗りされてもよい。
【００７５】
少なくとも１つのスペーサは、寸法又は組成において限定されない。種々の実施形態では、少なくとも１つのスペーサは、ゴム又はシリカガラス又はポリマー又はそれらの組み合わせである。少なくとも１つのスペーサの寸法は、同様に限定されず、０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、又は１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、又は１００ｍｍ、又はそれ以上の長さ、高さ、及び／又は幅を有してもよい。上記の値はいずれも、例えば、種々の非限定的な実施形態において１、２、３、４、５、１０、１５、２０、又は２５＋％異なってもよい。上記の値の間にあってそれらの値を含む全ての値及び値の範囲も、種々の非限定的な実施形態において本明細書により明示的に意図される。１つ以上のスペーサを方法の間に取り除いてもよく、又は完成した物品に組み込んでもよい。更に、シーラントを物品に追加し、１つ以上の充填材によって占められた空間を捕捉又は置換してもよい。シーラントは、特に限定されず、当該技術分野で既知の任意のものであってもよい。
【実施例】
【００７６】
実施例Ａ：
ジメチルビニル末端ポリジメチルシロキサンと、ＳｉＨ単位／分子が＞３である適量のポリ（ジメチルメチルハイドロジェン）シロキサン架橋剤と、ヒドロシリル化触媒（Ｐｔ）と、阻害物質（テトラメチルビニルシクロシロキサン）とを含む、硬化性シリコーン組成物を形成する。混合物の粘度は、２５℃でＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＤｉｓｃｏｖｅｒｙ  ＨＲ−２、平行平板レオメータを使用して周波数１ラジアン／秒及び粘弾性範囲内の歪率１％〜５％で測定した初期混合複素粘度が４０，０００ｃＰ〜８０，０００ｃＰである。
【００７７】
実施例Ｂ：
９８重量％の実施例Ａ及び２重量％のヒュームドシリカ（Ａｅｒｏｓｉｌ  ２００）を含む硬化性シリコーン組成物を形成し、２５℃でＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＤｉｓｃｏｖｅｒｙ  ＨＲ−２、平行平板レオメータを使用して周波数１ラジアン／秒及び粘弾性範囲内の歪率１％〜５％で測定した複素粘度は８０，０００〜１８０，０００ｃＰである。Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより供給される遠心ミキサーを使用して、ヒュームドシリカを実施例Ｂ中に分散する。
【００７８】
実施例Ｃ：
７０重量％の実施例Ａ及び３０重量％の３００，０００ｃＰのポリジメチルシロキサン流体を含むシリコーン組成物を形成し、２５℃で上記のように測定した粘度は１００，０００〜１５０，０００ｃＰである。
【００７９】
実施例Ｄ：
硬化性シリコーン組成物は、ジメチルビニル末端ポリジメチルシロキサンと、ＳｉＨ単位／分子が＞３である適量のポリ（ジメチルメチルハイドロジェン）シロキサン架橋剤と、ヒドロシリル化触媒（Ｐｔ）と、阻害物質（テトラメチルビニルシクロシロキサン）とを含み、２５℃でＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＤｉｓｃｏｖｅｒｙ  ＨＲ−２、平行平板レオメータを使用して周波数１ラジアン／秒及び粘弾性範囲内の歪率１％〜５％で測定した初期混合複素粘度は５００ｃＰ〜２０００ｃＰである。
【００８０】
実施例Ｅ：
９７重量％の実施例Ｄ及び３重量％のＡｅｒｏｓｉｌ  ２００を含むシリコーン組成物を形成し、２５℃でＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＤｉｓｃｏｖｅｒｙ  ＨＲ−２、平行平板レオメータを使用して周波数１ラジアン／秒及び粘弾性範囲内の歪率１％〜５％で測定した複素粘度は１０６，９３２ｃＰである。Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより供給される遠心ミキサーを使用して、ヒュームドシリカを実施例Ｅ中に分散する。
【００８１】
実施例Ｆ：
９５重量％の実施例Ｄ及び５重量％のＡｅｒｏｓｉｌ  ２００を含むシリコーン組成物を形成し、２５℃でＴＡ  ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＤｉｓｃｏｖｅｒｙ  ＨＲ−２、平行平板レオメータを使用して周波数１ラジアン／秒及び粘弾性範囲内の歪率１％〜５％で測定した複素粘度は１．８０Ｅ６ｃＰである。Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより供給される遠心ミキサーを使用して、ヒュームドシリカを実施例Ｆ中に分散する。
【００８２】
【表１−１】
2018117155.tif 000002
【００８３】
【表１−２】
2018117155.tif 000003
【００８４】
評価：
上記実施例の試料をシリカガラスパネル（上板）及び透明なＭｙｌａｒ（登録商標）バックシートの両方に独立して塗布する。切欠きブレード（コテ）を使用して手動のドローダウン技術で試料を塗布し、切欠きは、シリカガラスに使用するブレードでは０．０９７ｃｍ（０．０３８インチ）、透明なＭｙｌａｒ（登録商標）に使用するブレードでは０．１１ｃｍ（０．０４２インチ）である。このドローダウン技術により、中心で１．３ｃｍ（０．５インチ）離間する試料のビード（列）が生じる。
【００８５】
その後、シリカガラス上板上に配置された各シリコーンビード上に１対の光電池（ストリング）を配置する。その後、シリコーンビードを有するＭｙｌａｒシートを光電池のストリングに適用し、シリカガラス上板上及びＭｙｌａｒシート上のビードを整列させることにより、構成体の内部から周囲へ延びるチャネルを形成し、チャネルを通って空気を逃がすことができる。次に、経時的なシリコーンの列の流延性及びチャネルを通った空気の逃げを観測できる鏡張りのステージにこの構成体を配置する。これは真空又は熱を用いずに室温で完了され、封止材の列が前側の封止材上の電池の重み及び透明なＭｙｌａｒバックシートの重みからその形状を維持する時間を測定する。
【００８６】
結果：
実施例Ａ：ビードは約６分で合流する。
実施例Ｂ：１６分後、ビードは分離したまま残り、追加の重量又は力を加えなければビードが合流する兆候はない。
実施例Ｃ：ビードは６分で合流する。
実施例Ｄ：ビードは＜６分で合流する。
実施例Ｅ：１６分後、ビードは分離したまま残り、追加の重量又は力を加えなければビードが合流する兆候はない。
【００８７】
データは、合流がない場合、実物大のモジュール中に存在する目に見える気泡がないことを示す。換言すれば、データは、流延しない材料によって封止材の列が形状を維持でき、その結果、例えば積層体を真空積層する場合に、空気が通路を通って逃げるか又は排出され得ることで泡のない積層が得られることを示す。
【００８８】
追加のデータは、上記の、スピンドル５２を１ｒｐｍで用いる円錐平板粘度計ＨＡＤＶＩＩ＋から生じる、複素動的粘度の範囲内に含まれる。例えば、粘度が非常に高い場合、ＨＡＤＶＩＩ＋粘度計は上端の粘度限界を有するため、複素粘度の周波数掃引を使用し、複素粘度を１ｒａｄ／ｓｅｃで報告してもよい。このため、上端の粘度でレオメータの周波数掃引曲線を生成してもよい。
【００８９】
上で説明される値の１つ以上は、変動が本開示の範囲内に留まる限り、約１５％、約１０％、約１５％、約２０％、約２５％などで変動し得る。他の全ての部材とは無関係に、マーカッシュ群の各部材から、予期しない結果が得られることがある。各部材は、個別にかつ／又は組み合わせで依存してもよく、添付の「特許請求の範囲」に含まれる特定の実施形態を十分に支援する。独立請求項及び従属請求項（単一従属形式及び多数従属形式の両方）の全ての組み合わせの主題が、そこに記載される項及び実施形態の全ての組み合わせと共に、本明細書で明示的に意図される。本開示は、説明の文言を含めて、限定よりもむしろ説明のためのものである。上記の教示を鑑みれば、本開示の多数の修正及び変形が可能となり、本開示は、本明細書で具体的に説明した以外の形でも実施され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月16日(2018.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲を有し、上板と、前記上板上に配置されたオプトエレクトロニクス素子と、硬化性シリコーン組成物から形成されて前記オプトエレクトロニクス素子上に層として配置されたシリコーン封止材とを含み、前記シリコーン封止材が前記オプトエレクトロニクス素子を前記上板と前記シリコーン封止材の前記層との間に挟んでいる、電子物品の形成方法であって、前記方法が、
前記電子物品の内部から前記電子物品の周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンで前記オプトエレクトロニクス素子上に前記硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程と、
前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、及び前記硬化性シリコーン組成物を積層し、前記電子物品を形成する工程と、を含み、
前記硬化性シリコーン組成物が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で１０，０００〜５０，０００，０００ｃＰの複素粘度を有し、
前記積層工程中に、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材を形成し、空気が前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ逃げ、前記硬化性シリコーン組成物の層を形成し、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材の前記層を形成し、
前記シリコーン封止材の前記層内には、前記シリコーン封止材の１平方メートル当たり０〜４個の気泡が存在する、方法。
【請求項２】
前記気泡が１ｍｍ未満の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子物品が、前記上板上に配置されて前記オプトエレクトロニクス素子と前記上板との間に挟まれたシリコーン結合層を更に含み、前記シリコーン結合層が、第２硬化性シリコーン組成物から形成され、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、及び前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記シリコーン結合層を形成し、前記シリコーン結合層を更に含む前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電子物品が、前記シリコーン封止材上に配置されたバックシートを更に含み、前記バックシートが前記シリコーン封止材を前記オプトエレクトロニクス素子と前記バックシートとの間に挟んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、前記バックシート、及び第２シリコーン組成物を積層し、前記バックシートを更に含み、かつシリコーン結合層を更に含む前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電子物品が、複数の繊維を更に含み、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、バックシート、前記複数の繊維、及び第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記複数の繊維を更に含み、かつ前記バックシート及び／又はシリコーン結合層を更に含む前記電子物品を形成する工程として更に定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の繊維が前記シリコーン封止材中に配置されている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、真空を適用し、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン組成物の前記層を形成する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、前記積層工程中に熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記積層工程が、真空及び圧縮力を同時に適用して、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記電子物品の前記内部から前記電子物品の前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン層の圧縮層を形成し、その後熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程として更に定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記硬化性シリコーン組成物の前記複素粘度が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で８０，０００〜２００，０００ｃＰである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記パターンが、互いにほぼ平行に前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記パターンが、互いに交差して前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記上板及び前記バックシートが、共にシリカガラスであり、前記電子物品が、前記電子物品の前記周囲に沿って配置され、かつ前記上板及び前記バックシートの両方の上に直接接触して配置された、少なくとも１つのスペーサを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法から形成される電子物品。
【請求項１６】
周囲を有し、ＡＳＴＭ  Ｅ４２４−７１（２００７）を使用して紫外／可視分光光度法により測定した光透過率が少なくとも７０パーセントである上板と、前記上板上に配置された光電池と、前記光電池上に層として配置されたシリコーン封止材とを含み、前記シリコーン封止材が前記光電池を前記上板と前記シリコーン封止材の前記層との間に挟んでいる、光電池モジュールの形成方法であって、前記方法が、
前記光電池モジュールの内部から前記光電池モジュールの周囲へ延びる少なくとも１つの通路を画定するパターンで前記光電池上に前記硬化性シリコーン組成物を堆積させる工程と、
前記上板、前記光電池、及び前記硬化性シリコーン組成物を積層し、前記光電池モジュールを形成する工程と、を含み、
前記硬化性シリコーン組成物が、歪１〜５％で１ラジアン／秒で測定するとき、２５℃で８０，０００〜２００，０００ｃＰの複素粘度を有し、
前記積層工程中に、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材を形成し、空気が前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ逃げ、前記硬化性シリコーン組成物の層を形成し、前記硬化性シリコーン組成物が硬化して前記シリコーン封止材の前記層を形成し、
前記シリコーン封止材の前記層内には、前記シリコーン封止材の１平方メートル当たり５個未満の気泡が存在する、方法。
【請求項１７】
前記気泡が１ｍｍ未満の直径を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記光電池モジュールが、前記上板上に配置されて前記オプトエレクトロニクス素子と前記上板との間に挟まれたシリコーン結合層を更に含み、前記シリコーン結合層が、第２硬化性シリコーン組成物から形成され、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、及び前記第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記シリコーン結合層を形成し、前記シリコーン結合層を更に含む前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記光電池モジュールが、前記シリコーン封止材上に配置されたバックシートを更に含み、前記バックシートが前記シリコーン封止材を前記オプトエレクトロニクス素子と前記バックシートとの間に挟んでいる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記上板及び前記バックシートが、共にシリカガラスであり、前記モジュールが、周囲を有し、前記周囲に沿って配置され、かつ前記上板及び前記バックシートの両方の上に直接接触して配置された、少なくとも１つのスペーサを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、前記バックシート、及び第２シリコーン組成物を積層し、前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記光電池モジュールが、複数の繊維を更に含み、前記積層工程が、前記上板、前記オプトエレクトロニクス素子、前記硬化性シリコーン組成物、バックシート、前記複数の繊維、及び第２硬化性シリコーン組成物を積層し、前記複数の繊維を更に含み、かつ前記バックシート及び／又はシリコーン結合層を更に含む前記光電池モジュールを形成する工程として更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数の繊維が前記シリコーン封止材中に配置されている、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法が、真空を適用し、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン組成物の前記層を形成する工程を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法が、前記積層工程中に熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
前記積層工程が、真空及び圧縮力を同時に適用して、前記空気を前記少なくとも１つの通路を通って前記光電池モジュールの前記内部から前記光電池モジュールの前記周囲へ排出し、前記硬化性シリコーン層の圧縮層を形成し、その後熱を加えて前記硬化性シリコーン組成物を加熱する工程として更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
前記パターンが、互いにほぼ平行に前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記パターンが、互いに交差して前記オプトエレクトロニクス素子上にそれぞれ配置された前記硬化性シリコーン組成物の２つ以上の列を含むと更に定義される、請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
請求項１６に記載の方法から形成される光電池モジュール。
【外国語明細書】
2018117155000001.pdf