(57)【要約】      （修正有）【課題】調整可能であり且つディスペンサの制限によって制限されないインプリントリソグラフィプロセスのための液滴パターンを生成するための方法を提供する。【解決手段】事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で吐出される成形可能材料３４のための第１液滴パターンを決定する工程と、第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、第２液滴パターンは、事前設定の最小ピッチの非整数倍である工程と、第２液滴パターンを生成するように基板１２と流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程と、基板と流体吐出ポートとを互いに対して調整速度で移動させる工程と、第２液滴パターンを基板上に形成するように事前設定の周波数で成形可能材料を流体吐出ポートを介して吐出する工程とを含みうる。【選択図】図１
2018098507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィプロセスについての液滴パターンを生成する方法であって、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程であって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板と流体流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された、工程と、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させる工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記第２液滴パターンとで前記基板上にパターン層を形成する工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インプリントリソグラフィテンプレートで前記基板上にパターン層を形成する工程であって、前記パターン層は、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記第１液滴パターンとを用いて前記基板上に形成された他のパターン層の残膜厚（ＲＬＴ）と異なるＲＬＴを有する、工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
パーセンテージで表される場合、前記パターン層のＲＬＴのばらつきは、前記他の層のＲＬＴのばらつきより小さい、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２液滴パターンは、前記並進方向における第１ピッチと、前記ラインに沿った第２ピッチとを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記成形可能材料を吐出する工程は、前記事前設定の周波数および事前設定の最小ピッチで前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することと比較して、前記第２液滴パターンにおける液滴が少なくとも１つの少ないパスで形成されるように行われる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２液滴パターンは、第１液滴ピッチを有する第１セットの液滴と、前記第１液滴ピッチと異なる第２液滴ピッチを有する第２セットの液滴とを含み、前記第１液滴ピッチまたは前記第２液滴ピッチは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１セットの液滴を吐出した後であって前記第２セットの液滴を吐出する前に、前記調整速度を第１速度から第２速度に変更する工程を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記調整速度は、第１速度を含み、
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記成形可能材料を吐出することは、前記基板上に前記第１セットの液滴を形成するように、前記第１速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することを含む、ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記調整速度は、第２速度を更に含み、
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記成形可能材料を吐出することは、前記基板上に前記第２セットの液滴を形成するように、前記第２速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記調整速度は前記事前設定の速度より小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記調整速度は前記事前設定の速度より大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１液滴パターンおよび前記第２液滴パターンの各々は、矩形、グリッド形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１液滴パターンおよび前記第２液滴パターンの各々は、ダイヤモンド形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
物品の製造方法であって、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程であって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板と流体流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された、工程と、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させる工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出する工程と、
パターン面を有するテンプレートに前記成形可能材料を接触させる工程と、
前記テンプレートの前記パターン面に対応するパターン層を形成するように前記成形可能材料を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１６】
前記物品は電子デバイスを含み、前記基板は半導体ウェハを含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の物品の製造方法。
【請求項１７】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムであって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板が前記流体吐出ポートに対して移動されているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された流体吐出システムと、
前記流体吐出ポートに対して前記並進方向に基板を移動させるように適用されたステージと、
論理素子と、を含み、
前記論理素子は、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させるための情報を送信する工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出するための情報を送信する工程と、を行う、
ことを特徴とする装置。
【請求項１８】
前記流体吐出ポートの配置は、Ｙ方向ピッチを決定する、ことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
事前設定の周波数と前記調整速度との組み合わせは、Ｘ方向ピッチを決定する、ことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記論理素子は、前記第２液滴パターンの第１セットの液滴を吐出した後であって前記第２液滴パターンの第２セットの液滴を吐出する前に、前記調整速度から異なる速度に変更する情報を送信するように更に構成され、前記第１セットの液滴および前記第２セットの液滴は、前記並進方向における同じパスで吐出される、ことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントリソグラフィに関し、より具体的にはインプリントリソグラフィ用途のための液滴パターニングに関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリントリソグラフィ装置およびプロセスは、電子デバイスの製造において半導体ウェハ上にナノスケールのパターンを形成するのに有用である。このような装置およびプロセスは、液滴吐出などの技術を用いてウェハ上に成形可能材料、例えば、樹脂またはレジストなどの重合可能材料を堆積させるための流体吐出システムの使用を含みうる。堆積された材料は、所望のパターンフィーチャを有するインプリントテンプレート（またはモールド）に接触されて固化され、ウェハ上にパターン層を形成する。テンプレートフィーチャの充填率および関連する欠陥は、テンプレートパターンのフィーチャ密度および方位、ならびに、液滴間の間隔を含む液滴パターン配置に部分的に依存する。
【０００３】
従来の流体吐出システムは、液滴間の間隔をいくらか調整することを可能にするが、典型的には、そのような調整の程度を制限する制約を有する。したがって、より細かく調整可能であり且つディスペンサの制限によって制限されない吐出パターンプロセスに対する産業界の需要が引き続き存在する。
【発明の概要】
【０００４】
一態様では、方法は、インプリントリソグラフィプロセスについての液滴パターンを生成するために用いられうる。この方法は、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程であって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板と流体流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された、工程と、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させる工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出する工程と、を含む。
【０００５】
一実施形態では、この方法は、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記第２液滴パターンとで前記基板上にパターン層を形成する工程を更に含み、前記パターン層は、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記第１液滴パターンとを用いて基板上に形成された他のパターン層よりより少ない非充填欠陥を有する。
【０００６】
他の実施形態では、前記インプリントリソグラフィテンプレートで前記基板上にパターン層を形成する工程であって、前記パターン層は、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記第１液滴パターンとを用いて前記基板上に形成された他のパターン層の残膜厚（ＲＬＴ）と異なるＲＬＴを有する。
【０００７】
特定の実施形態では、パーセンテージで表される場合、前記パターン層のＲＬＴのばらつきは、前記他の層のＲＬＴのばらつきより小さい。
【０００８】
更なる実施形態では、前記第２液滴パターンは、前記並進方向における第１ピッチと、前記ラインに沿った第２ピッチとを有する。
【０００９】
更なる他の実施形態では、前記成形可能材料を吐出する工程は、前記事前設定の周波数および事前設定の最小ピッチで前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することと比較して、前記第２液滴パターンにおける液滴が少なくとも１つの少ないパスで形成されるように行われる。
【００１０】
更なる他の実施形態では、前記第２液滴パターンは、第１液滴ピッチを有する第１セットの液滴と、前記第１液滴ピッチと異なる第２液滴ピッチを有する第２セットの液滴とを含み、前記第１液滴ピッチまたは前記第２液滴ピッチは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍である。
【００１１】
特定の実施系値では、前記第１セットの液滴を吐出した後であって前記第２セットの液滴を吐出する前に、前記調整速度を第１速度から第２速度に変更する工程を更に含む。
【００１２】
他の特定の実施形態では、前記調整速度は、第１速度を含み、前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記成形可能材料を吐出することは、前記基板上に前記第１セットの液滴を形成するように、前記第１速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することを含む。
【００１３】
更なる特定の実施形態では、前記調整速度は、第２速度を更に含み、前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記成形可能材料を吐出することは、前記基板上に前記第２セットの液滴を形成するように、前記第２速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させて前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出することを含む。
【００１４】
一実施形態では、前記調整速度は前記事前設定の速度より小さい。
【００１５】
更なる実施形態では、前記調整速度は前記事前設定の速度より大きい。
【００１６】
更なる他の実施形態では、前記第１液滴パターンおよび前記第２液滴パターンの各々は、矩形、グリッド形状である。
【００１７】
更なる他の実施形態では、前記第１液滴パターンおよび前記第２液滴パターンの各々は、ダイヤモンド形状である。
【００１８】
他の態様では、方法は、物品を製造するために用いられうる。この方法は、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程であって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板と流体流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された、工程と、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させる工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出する工程と、
パターン面を有するテンプレートに前記成形可能材料を接触させる工程と、
前記テンプレートの前記パターン面に対応するパターン層を形成するように前記成形可能材料を硬化する工程と、を含む。
【００１９】
一実施形態では、前記物品は電子デバイスを含み、前記基板は半導体ウェハを含む。
【００２０】
更なる態様では、インプリントリソグラフィのための装置は、
ラインを画定する流体吐出ポートを有する流体吐出システムであって、前記流体吐出システムは、基板上に事前設定の最小ピッチで離間した液滴を達成するため、前記ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って前記基板が前記流体吐出ポートに対して移動されているときに、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された流体吐出システムと、
前記流体吐出ポートに対して前記並進方向に基板を移動させるように適用されたステージと、
論理素子と、を含み、
前記論理素子は、
前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定する工程であって、前記第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記第１液滴パターンは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って前記事前設定の速度で互いに対して移動されているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で離間した前記基板上の液滴を表す、工程と、
前記第１液滴パターンに基づいて第２液滴パターンを決定する工程であって、前記第２液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す、工程と、
前記第２液滴パターンを生成するための前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させるための情報を送信する工程と、
前記基板上に前記第２液滴パターンを形成するように、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出するための情報を送信する工程と、を行う。
【００２１】
一実施形態では、前記流体吐出ポートの配置は、Ｙ方向ピッチを決定する。
【００２２】
特定の実施形態では、事前設定の周波数と前記調整速度との組み合わせは、Ｘ方向ピッチを決定する。
【００２３】
他の実施形態では、前記論理素子は、前記第２液滴パターンの第１セットの液滴を吐出した後であって前記第２液滴パターンの第２セットの液滴を吐出する前に、前記調整速度から異なる速度に変更する情報を送信するように更に構成され、前記第１セットの液滴および前記第２セットの液滴は、前記並進方向における同じパスで吐出される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
実施形態は、例として示され、添付の図面に限定されない。
【００２５】
【図１】図１は、例示的なインプリントリソグラフィシステムの簡略側面図を含む。
【図２】図２は、パターン層を有する、図１に示す基板の簡略断面図を含む。
【図３】図３は、流体吐出ポートと、基板表面上に堆積された例示的な液滴パターンとを含む流体吐出システムの簡略上面図を含む。
【図４】図４は、液滴パターンを生成することを含む、例示的な物品の形成方法のフローチャートを含む。
【図５】図５は、一実施形態に係る液滴パターンを含む表面の簡略上面図を含む。
【００２６】
当業者であれば、図面の要素は、簡潔かつ明瞭にするために図示されており、必ずしも縮尺どおりに描かれていないことを理解する。例えば、図面のいくつかの要素の寸法は、本発明の実施形態の理解の向上を助けるために、他の要素に対して誇張されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図面と組み合わせた以下の説明は、本明細書に開示された教示の理解を助けるために提供される。以下の説明は、教示の特定の実装および実施形態に着目するであろう。この着目は、教示を説明するのを助けるために提供され、教示の範囲または適用可能性の限界として解釈されるべきではない。
【００２８】
用語「ピッチ」は、フィーチャの中心から次の隣り合うフィーチャの中心までの距離を意味するものとする。液滴パターンの場合、ピッチは、液滴の中心から次の隣り合う液滴の中心までの距離である。直交座標系では、２次元パターン（上面または平面から見たパターン）は、Ｘ方向で計測されたフィーチャの中心間の距離に対応するＸ方向のピッチ（Ｘ方向ピッチ）と、Ｙ方向で計測されたフィーチャの中心間の距離に対応するＹ方向のピッチ（Ｙ方向ピッチ）とを有しうる。Ｘ方向ピッチは、Ｙ方向ピッチと同じでも異なってもよい。
【００２９】
本明細書で使用される速度および動きは、相対的な基準で示されてもよい。例えば、物体Ａと物体Ｂとは互いに対して相対的に移動する。このような用語は、物体Ａが移動していて物体Ｂが移動していない；物体Ａが移動していなくて物体Ｂが移動している；および物体Ａと物体Ｂとの両方が移動していることを意図している。
【００３０】
本明細書で使用されている場合、用語「包含する」、「包含している」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、またはそれらの任意の他の用例は、非排他的な包含をカバーすることを意図する。例えば、特徴のリストを含むプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもこれらの特徴だけに限定されるものではなく、明示的に列挙されていないか、またはそのようなプロセス、方法、物品、または装置に本来備わっている他の特徴を含んでもよい。さらに、逆のことが明示的に述べられていない限り、「または」は、非排他的または包括的でないことを意味する。例えば、条件ＡまたはＢは、以下のいずれか１つを満たす：Ａが真（または存在する）でＢが偽（または存在しない）、Ａが偽（または存在しない）でＢが真（または存在する）、ＡおよびＢの両方が真（または存在する）。
【００３１】
「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に記載される要素および構成要素を説明するために用いられる。これは、便宜上のため、および本発明の範囲の一般的な意味を与えるために用いられる。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含むように読まれるべきであり、単数形は、それが他の意味であることが明らかでない限り、複数形を含むか、またはその逆である。
【００３２】
他に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法、および実施例は、例示的なものにすぎず、限定されるものではない。本明細書に記載されていない限りにおいて、特定の材料およびプロセス技術に関連する多くの詳細は、従来のものであり、インプリントおよびリソグラフィ技術における教科書および他の情報源に見出すことができる。
【００３３】
本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態によれば、装置は、インプリントリソグラフィプロセスのための液滴パターンを生成するために用いられうる。その装置は、流体吐出システム、ステージ、および論理素子を含みうる。流体吐出システムは、ラインを画定する流体吐出ポートを含み、流体吐出システムは、ラインに対してほぼ横である並進方向に沿って事前設定の速度で基板と流体吐出ポートとが互いに対して相対的に移動しているときに、事前設定の最小ピッチで基板上に離間した液滴を達成するように、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成される。特定の実施形態では、並進方向は、ラインに対して絶対的な横にすることができる。ステージは、流体吐出ポートに対して横方向に基板を移動させるために適用されうる。論理素子は、本明細書に記載された１つまたは複数の方法に関して説明された１つまたは複数の活動のパフォーマンスを実行または支援することができる。
【００３４】
一実施形態では、インプリントリソグラフィプロセスのための液滴パターンを生成する方法は、基板上に成形可能材料を吐出するための第１液滴パターンを決定することを含み、第１液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、第１液滴パターンは、基板と流体吐出ポートとが横方向に沿って事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で基板上に離間された液滴を表す。この方法は、第１液滴パターンに基づいて、第２液滴パターンを決定することを更に含み、第２液滴パターンは、事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間された液滴を表す。この方法は、第２液滴パターンを生成するように基板と流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定することを更に含み、調整速度は、基板と流体吐出ポートとの互いに対する事前設定の速度と異なる。この方法は、並進方向に調整速度で基板と流体吐出ポートとを互いに対して移動させ、基板上に第２液滴パターンを形成するように事前設定の周波数で流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出することを含むこともできる。
【００３５】
一実施形態では、液滴パターンを生成する方法は、物品を製造する際に用いられうる。基板上に液滴パターンを形成した後、この方法は、パターン面を有するテンプレートに成形可能材料を接触させ、テンプレートのパターン面に対応するパターン層を形成するために成形可能材料を硬化することを更に含む。特定の実施形態では、物品は電子デバイスを含み、基板は半導体ウェハを含む。
【００３６】
装置および方法に関する詳細は、図面と併せて本明細書を読めばよりよく理解される。以下の説明は、実施形態を例示することを意図しており、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の範囲を限定するものではない。
【００３７】
図を参照すると、特に図１を参照すると、本明細書に記載された実施形態に係るリソグラフィシステム１０は、基板１２上のレリーフパターンを形成するために用いられうる。基板１２は、基板チャック１４に結合されうる。図示のように、基板チャック１４は、真空チャックであるが、他の実施形態では、基板チャック１４は、真空、ピン型、溝形、静電、電磁気などを含む任意のチャックであってもよい。典型的なチャックは、本明細書に引用によりその全体が組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。
【００３８】
基板１２および基板チャック１４は、ステージ１６によってさらに支持されうる。ステージ１６は、Ｘ、ＹまたはＺ方向に沿った並進移動または回転移動を提供しうる。ステージ１６、基板１２、および基板チャック１４は、ベース（不図示）上に位置決めされうる。
【００３９】
基板１２から離間しているのは、テンプレート１８である。テンプレート１８は、第１面と第２面とを有する本体を含み、一方の面に、基板１２に向かってそこから延設されたメサ２０を有する。メサ２０は、モールド２０と呼ぶことがある。一実施形態では、テンプレート１８は、メサ２０なしで形成されてもよい。
【００４０】
テンプレート１８またはモールド２０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマ、シロキサンポリマ、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマ、金属、硬化サファイア、他の同様の材料、またはそれらの任意の組み合わせを含む材料から形成されうる。テンプレート１８およびモールド２０は、一体構造を含むことができる。あるいは、テンプレート１８およびモールド２０は、互いに結合された別個の構成要素を含むことができる。図示の場合、パターン面２２は、離間したリセス部（凹部）２４と突起部（凸部）２６とによって画定されるフィーチャを含む。本開示は、そのような構成（例えば、平坦面）に限定されるものではない。パターン面２２は、基板１２上に形成されるべきパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを画定しうる。他の実施形態では、パターン面２２はブランクであってもよく、即ち、任意のリセス部または突起部を有さない。
【００４１】
テンプレート１８は、チャック２８に結合されうる。チャック２８は、真空、ピン型、溝形、静電、電磁気、または他の同様のチャックタイプとして構成されうる。典型的なチャックは、米国特許第６，８７３，０８７号に更に記載されている。一実施形態では、チャック２８は、チャック２８またはインプリントヘッド３０がテンプレート１８の移動を容易にするように、インプリントヘッド３０に結合されうる。
【００４２】
リソグラフィシステム１００は、基板１２上に成形可能材料３４を吐出するために用いられる流体吐出システム３２を更に含みうる。例えば、成形可能材料は、樹脂などの重合可能材料を含みうる。成形可能材料３４は、液滴吐出（ドロップディスペンス）、スピンコーティング、浸漬コーティング（ディップコーティング）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積、またはそれらの組み合わせなどの技術を用いて、１または複数の層で基板１０２上に配置されうる。成形可能材料３４は、設計上の考慮事項に応じて、モールド２０と基板１２との間に所望の体積が画定される前または後に基板１２上に吐出されうる。例えば、成形可能材料３４は、本明細書に引用によりその全体が組み込まれる米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているような、モノマ混合物を含むことができる。
【００４３】
図１および図２を参照すると、リソグラフィシステム１０は、経路４２に沿ってエネルギ４０を導くように結合されたエネルギ源３８を更に含みうる。インプリントヘッド３０およびステージ１６は、テンプレート１８および基板１２を経路４２に重ね合わせて位置決めするように構成されうる。リソグラフィシステム１０は、ステージ１６、インプリントヘッド３０、流体吐出システム３２、またはエネルギ源３８に連通する論理素子５４によって統制され、任意でメモリ（記憶部）５６に記憶されたコンピュータ可読プログラム上で動作しうる。
【００４４】
一実施形態では、インプリントヘッド３０、ステージ１６、またはインプリントヘッド３０とステージ１６との両方は、モールド２０と基板１２との間の距離を、成形可能材料３４で充填されたそれらの間に所望の体積を画定するように変化させる。例えば、インプリントヘッド３０は、モールド２０が基板１２上の成形可能材料３４に接触するようにテンプレート１９に力を加えうる。所望の体積が成形可能材料３４で充填された後、エネルギ源３８は、基板１２の面４４とパターン面２２との形状を一致させて成形可能材料３４を固化または交差結合（クロスリンク）させ、基板１２上にパターン層４６を画定する例えば紫外線などのエネルギ４０発出する。パターン層４６は、突出部（凸部）５０およびリセス部（凹部）５２として示されるフィーチャを含み、突出部５０は厚さｔ１を有し、残膜に対応するリセス部５２は、残膜厚（ＲＬＴ）である厚さｔ２を有する。
【００４５】
低欠陥密度での高スループットは、インプリントリソグラフィプロセスにおいて重要な考慮事項である。基板に成形可能材料を適用する液滴吐出法を用いる場合、インプリントプロセスサイクルは、一般に、（１）基板表面上に成形可能材料の液滴を吐出（または堆積）すること、（２）テンプレートを液滴に接触させて、流体を拡げてテンプレートパターン面のトポグラフィを充填すること、（３）流体を固化（例えば光硬化）すること、（４）基板からテンプレートを剥離し、テンプレートパターンのレリーフ像を有する成型可能材料の固化層を基板表面上に残すこと、を含む。基板表面上への成形可能材料の液滴の吐出、およびテンプレート１８のパターンの適切な充填は、インプリントサイクル時間、つまりスループットに対する主な原因である。特定のテンプレートパターンは、インプリントヘッド３０に対する基板１２の複数のパス（通過）を必要としうる。即ち、基板１２およびインプリントヘッド３０は、複数回、互いに対して並進移動されなければならない。例えば、テンプレートが密集したフィーチャパターンを有する場合、または隣り合う液滴をより接近させて配置することを必要とする特定のパターンの場合、複数の吐出パスが一般的である。吐出時間を低減する方法およびシステムは、本明細書に記載された１以上の実施形態に従って記載される。
【００４６】
吐出中、成形可能材料の液滴は、基板表面上に液滴のパターンを生成するように、流体吐出システム３２から吐出される。液滴パターンは、表面上の液滴の総体積が所望の液滴パターンの総体積と一致するように決定されうる。所望の液滴パターンの総体積を一致させることと同様に、所望の液滴パターンのうちの局所的な体積を一致させることが望ましいことがある。したがって、より大きな体積の成形可能材料が望まれる基板の領域に、より大きな体積の流体が吐出されうる。
【００４７】
利用可能なインクジェットシステムは、０．１〜１０ピコリットル（ｐＬ）またはそれ以上の範囲の体積で成形可能材料の液滴を吐出するように調整することができ、０．９ｐＬは典型的な液滴の体積である。液滴は、インプリントヘッド３０と基板１２との互いに対する１回以上のパスによって形成されたパターンで吐出されうる。典型的なパターンは、矩形、グリッドパターン、ダイヤモンドパターン、他の適切なパターン、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【００４８】
図３を参照すると、流体吐出システム３２は、流体吐出ポート３０２を含みうる。図示の場合、流体吐出システム３２は、６個の流体吐出ポート３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ、３０２ｅおよび３０２ｆを含むが、流体吐出ポート３０２の数は、例えば、少なくとも２個の流体吐出ポート、少なくとも３個の流体吐出ポート、少なくとも４個の流体吐出ポート、少なくとも５個の流体吐出ポート、少なくとも１０個の流体吐出ポート、または少なくとも２０個の流体吐出ポートのように、６個より少なくても多くてもよい。一実施形態では、流体吐出ポート３０２は、直線ライン３０４に沿って位置する少なくとも３個の流体吐出ポート（例えば、流体吐出ポート３０２ａ、３０２ｂおよび３０２ｃ）の組を含むことができる。流体吐出システム３２およびその下に位置する表面３０６（例えば、基板１２または基板チャック１４上）は、ライン３０４に対してほぼ横の方向（矢印３０８で示す）に移動可能でありうる。このような方向は、この横方向と呼ばれる。本明細書で使用する場合、「ほぼ横」は、９０°±１０°の２つの物体間の相対角度位置を指す。一実施形態では、流体吐出システム３２と基板３０６とは、ライン３０４に対して絶対的な横の方向に移動可能でありうる。本明細書で使用する場合、「絶対的な横」は、９０°の２つの物体間の相対角度位置を指す。
【００４９】
成形可能材料の従来の吐出動作では、Ｙ方向ピッチが、隣り合う流体吐出ポートの中心間の距離によって固定されているため、Ｙ方向ピッチは、流体吐出ヘッドにおける流体吐出ポートの物理的なレイアウトによって決定される。
【００５０】
流体吐出ヘッド（および、それを操作する制御ソフトウェア）は、流体吐出システムの柔軟性を制限する可能性のある事前設定のパラメータ（以下、「プリセット」）を有する。流体吐出ヘッドは、事前設定の発射周波数と、流体吐出ヘッドがプリセットと一致して移動可能な事前設定の速度とを有する。本明細書で使用する場合、「事前設定の最小ピッチ」は、基板と流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに事前設定の発射周波数で吐出された、図３に図示された実施形態でのＸ方向における２つの直近の液滴間の距離である。ソフトウェア制御は、事前設定の最小ピッチの非整数倍では困難である。よって、対応するＸ−Ｙグリッド上の位置に基づいて生成されうる液滴パターンの数が制限されるだけである。したがって、ソフトウェア制御は、事前設定の最小ピッチに最も近い整数を単に決定する。例えば、流体吐出システムは、３５ミクロンのＸ方向における事前設定の最小ピッチを有しうる。整数ベースの液滴パターンの場合、許容可能な整数値は、Ｘ方向における液滴ピッチについて３５ミクロン、７０ミクロン、１０５ミクロンなどを含む。その結果、流体吐出システムは、理想より小さい液滴パターンを形成する。
【００５１】
本発明者らは、装置のプリセットに基づいて、前述した液滴パターンを取得し、基板の並進速度（Ｘ方向）を調整することによって流体吐出パターンを調整液滴パターンにする方法を見出した。一実施形態では、ソフトウェア制御は、最良の整数ベースの液滴パターンを決定することができ、ステージは、流体吐出システムの発射周波数との組み合わせにおいて、最良な整数ベースの液滴パターン（並進速度の調整が行われる前）と比較して理想的な液滴パターンにより近い調整液滴パターンを達成するための並進速度に設定されることができる。
【００５２】
本明細書に記載の一実施形態によれば、図４は、インプリントリソグラフィプロセスのための液滴パターンを形成するために用いられる方法のフローチャートを含む。この方法は、流体吐出システム、ステージ、および論理素子を含むインプリントリソグラフィ装置によって実行されうる。一実施形態では、流体吐出システムは、ラインを画定する流体吐出ポートを有する。流体吐出システムは、事前設定の最小ピッチでの基板上に離間した液滴を達成するため、事前設定の周波数で成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成されうる。ステージ、流体吐出ヘッド、またはその両方は、ラインに対してほぼ横の方向に互いに対して相対的に移動するように適用されうる。論理素子は、本明細書で説明される動作の多くを実行するように、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組み合わせを含みうる。特定の実施形態では、論理素子は、プロセッサ（処理部）５４であってもよい。基板は、ステージ上に配置され、一実施形態では、基板は、半導体ウェハでありうる。
【００５３】
この方法は、ブロック４０２において、事前設定の最小ピッチの整数倍を用いて初期液滴パターンを決定することを含みうる。初期液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに少なくとも部分的に基づきうる。初期液滴パターンは、基板と流体吐出ポートとが並進方向に沿って互いに対して相対的に移動しているときの事前設定の最小ピッチまたはその整数倍での液滴を表す。したがって、初期液滴パターンは、整数ベースの事前設定の最小ピッチを有する。
【００５４】
この方法は、ブロック４０４において、初期液滴パターンに基づいて調整液滴パターンを決定することを更に含みうる。調整液滴パターンは、事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表す。
【００５５】
この方法は、ブロック４０６において、調整液滴パターンを生成する際に用いられる調整速度を決定することを含みうる。初期液滴パターンについての事前設定の速度と比較して、調整液滴パターンのための調整速度は、より少ない非充填欠陥、より低いＲＬＴばらつき、またはその両方をもたらしうるより理想的な液滴パターンを可能にする。論理素子は、初期液滴パターン、調整液滴パターン、および調整速度を決定するための回路、プログラム、または他の論理を含みうる。
【００５６】
一例として、６０ミクロンのピッチは、達成されるべき特定のパターン層のためによく用いられるが、６０ミクロンは、３５ミクロンの１．７倍である。明らかに１．７は、３５ミクロンの事前設定の最小ピッチの整数倍ではない。よって、速度調整は、吐出ヘッドのプリセットのいずれかを再プログラムする必要なしに行われうる。例えば、互いに対する基板と流体吐出ポートとの速度は、３５ミクロンの事前設定の最小ピッチについて使用される速度の１．７倍になるように調整されうる。先の例は、具体的な例を提供するものであり、本発明の範囲を限定するものではない。速度についての他の非整数値は、１．０１Ｘ、１．５Ｘ、２．１Ｘ、３．７Ｘなど１．００より大きくてもよいし、０．９７Ｘ、０．８６Ｘ、０．７１Ｘ、０．５７Ｘ、０．４３Ｘ、０．２９Ｘ、０．１４Ｘ、０．０３Ｘを含む１．００より小さくてもよいし、または他の非整数値であってもよく、ここで、Ｘは、事前設定の速度を表し、よって、事前設定の速度を乗算する係数である。本明細書で説明する概念は、他の事前設定のピッチおよび対応する速度値に適用することができる。
【００５７】
調整速度を決定した後、装置は、基板を処理する準備が整う。基板は、ステージ上に置かれて保持される。この方法は、ブロック４２２において、基板と流体吐出ポートとを調整速度で互いに対して相対的に移動させることを含みうる。論理素子は、調整速度に関する情報を、ステージまたはステージコントローラに送信しうる。調整速度は、ステージ（つまり基板）と流体吐出ポートとの互いに対する相対速度である。この方法は、ブロック４２４において、基板上に調整液滴パターンを形成するように、事前設定の周波数で流体吐出ポートを介して成形可能材料を吐出することを更に含みうる。
【００５８】
図３を再び参照すると、Ｘ方向に隣り合う液滴は、事前設定の最小ピッチの非単位の整数倍を用いて離間させることができる。例えば、事前設定の最小ピッチが３５ミクロンである場合、第１液滴３１０ａの中心と第２液滴３１０ｂに対応するＸ方向ピッチは、３４ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．９７倍）、３０ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．８６倍）、２５ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．７１倍）、２０ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．５７倍）、１５ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．４３倍）、１０ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．２９倍）、５ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．１４倍）、１ミクロン（事前設定の最小ピッチの０．０３倍）、またはそれらの間の任意の値でありうる。当業者は、Ｘ方向ピッチが３５ｎｍ未満になると、液滴が合体する可能性が増加することを理解するであろう。他の例では、第１液滴３１０ａと３１０ｂの中心間の距離に対応するＸ方向ピッチは、３６ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．０３倍）、４０ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．１４倍）、４５ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．２９倍）、５０ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．４３倍）、５５ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．５７倍）、６０ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．７１倍）、６５ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．８６倍）、６９ミクロン（事前設定の最小ピッチの１．９７倍）、またはそれらの間の任意の値でありうる。このような非整数のＸ方向ピッチは、装置のプリセットに限定される従来のリソグラフィシステムと比較して、テンプレートのフィーチャとの液滴の配列の強化を可能にすることができる。Ｘ方向ピッチは、並進方向の調整速度を得るため、上記の倍数のうちのいずれか１つの事前設定の最小ピッチの倍数を得るために用いられる事前設定の速度のいずれかを乗じることによって求められうる。
【００５９】
図５は、基板５０２が標準の調整不可のＸ方向速度で移動される従来実施の流体吐出技術を用いて生成された液滴パターン５００を示す。このような速度では、装置のプリセットによって制限された特定の流体吐出システムを用いる場合、最小の可能なＸ方向ピッチは３５μｍである。ある例では、基板５０２の１つの領域５０４は、成形可能材料から突起部を形成するために使用されるであろうテンプレートのパターン面に沿った高密度のリセス部のために、より高密度の液滴を要求することがある。領域５０４内におけるＸ方向ピッチは、３５μｍとは異なる（例えば少ない）。従来の吐出中では、液滴５０６ａは、第１パス中に吐出され、液滴５０６ｂは、次のパス中に吐出される。
【００６０】
本明細書の１つまたは複数の実施形態に記載の流体吐出技術を用いると、液滴５０６ａおよび５０６ｂは、単一のパスにおいて吐出されうる。具体的には、Ｘ方向に沿って基板５０２を移動させるための適切な速度を算出することは、Ｘ方向ピッチを３５μｍ以外の値にすることを可能にする。結果として、液滴５０６ａおよび５０６ｂを含む液滴パターン５００は、単一パスにおいて堆積されることができ、パスの数を減少させ、吐出回数を減少させ、スループットを向上させる。
【００６１】
この方法は、異なる間隔をアドレスするために適応されることができ、同じパスである。図に見られるように、領域５０４は、図５の右側付近に示すように、基板５０２上における異なるピッチおよび面密度を有する液滴の他のセットと比較されるピッチおよび面密度での液滴のセットを有する。液滴のセットの一方、または両方は、事前設定の最小ピッチの非整数倍である液滴ピッチを有しうる。液滴パターンを形成する場合、液滴のセットの両方は、単一パスにおいて吐出されうる。したがって、液滴のセットの一方を吐出した後、および液滴の他のセットを吐出する前に、並進速度が変更されてもよい。特定の実施形態では、領域５０４に液滴のセットを形成する時の並進速度は、事前設定の速度の非整数倍であり、領域５０４の外側に液滴のセットを形成するときでは、並進速度は、事前設定の速度の整数倍であってもなくてもよい。特定の実施形態では、図５における全ての液滴は、事前設定の周波数で形成されうる。
【００６２】
特定の例では、Ｘ方向ピッチは、Ｘ方向に沿って一定とすることができ、Ｙ方向ピッチは、Ｙ方向に沿って一定とすることができ、またはその両方でもよい。したがって、液滴の均一な間隔は、ＸおよびＹ方向の一方または両方にすることができる。Ｘ方向に隣り合う液滴間の均一な間隔は、成形可能材料を吐出する動作全体の間に、流体吐出部に対して調整速度で表面を移動させることによって行われうる。即ち、表面と吐出ポートとの間の並進速度を均一に保つことは、等しい液滴間隔を可能にする。あるいは、表面と吐出ポートとの並進速度を変化させることにより、隣り合う液滴の２つの異なるセット間で計測されるように、液滴間隔が変化されうる。
【００６３】
この方法は、ブロック４４２において、パターン面を有するテンプレートに成形可能材料を接触させることを含みうる。一実施形態では、パターン面は、突起部とリセス部とを含み、他の実施形態では、パターン面は、ブランク（突起部またはリセス部のいずれもない平坦な表面）でありうる。この方法は、ブロック４４４において、テンプレートのパターン面に対応するパターン層を形成するように、成形可能材料を硬化させることを含む。硬化は、電磁放射にさらすことによって行われうる。一実施形態では、電磁放射は、紫外線放射でありうる。他の実施形態では、成形可能材料は、熱を用いて硬化されうる。基板上のパターン層は、テンプレートのパターン面と比較して相補的なパターンを有する。パターン層に沿った突起部は、テンプレートのパターン面におけるリセス部に対応し、パターン層のリセス部は、テンプレートのパターン面に沿った突起部に対応する。パターン層のリセス部は、残膜の一部である。
【００６４】
本明細書の実施形態に従って形成されたパターン層は、調整速度を用いずに成形可能材料を吐出した対応パターン層と比較して、より少ない欠陥を有する。より具体的には、本明細書の実施形態に従って形成されたパターン層は、整数ベースの単位（例えば、３５μｍの液滴間隔）で離間した液滴を有する対応パターン層と比較して、より少ない欠陥を有することが見い出された。本明細で使用する場合、「欠陥」は、成形可能材料で完全に充填されていない硬化パターン層の領域を指す。このような欠陥は、テンプレートフィーチャの不完全な充填があるときに起こり、例えば、トラップされたガス、または硬化前にテンプレートフィーチャを完全に充填することができなかったことにより引き起こされうる。このような欠陥は、後の形成ステップで問題を生じさせるか、最終的に形成されるデバイスの動作上の有効性の低下さえしうる。
【００６５】
さらに、この方法は、特定の用途のために調整されたＲＬＴを有するパターン層を生成することができる。整数ベースの初期液滴パターンは、特定のテンプレートに対する単一のＲＬＴ、または非常に小さなばらつきを提供しうる。調整液滴パターンは、整数ベースの初期液滴パターンと比較して、かなり薄いまたはかなり厚いＲＬＴが要求される同じテンプレートについてのＲＬＴのより大きなばらつきを可能にすることができる。一般に、より薄いＲＬＴは、より均一なエッチングと、エッチングされたフィーチャのより小さい限界寸法（ＣＤ）ばらつきとを提供する。しかしながら、非常に薄いＲＬＴは、分離欠陥、特に、基板から剥がれ落ちるフィーチャをより受けやすい。整数ベースの初期液滴パターンは、非常に薄いＲＬＴを生成しうる。したがって、比較的厚いＲＬＴは、非常に薄いＲＬＴを起こすかもしれない潜在的な分離または他の欠陥を回避するために望まれうる。よって、調整液滴パターンは、特定のテンプレートに対してＲＬＴを調整するために用いられうる。
【００６６】
一般的な説明または実施例において上述した全ての活動が必要であるとは限らず、特定の活動の一部が必要でなくてもよく、これらの記載に加えて１つまたは複数の更なる活動が行われてもよいことに留意されたい。更に、活動が列挙される順序は、必ずしもそれが実行される順序ではない。
【００６７】
利点、他の有意性、および問題に対する解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利点、有意性、問題に対する解決策、および利点、有意性、または解決策を生じ又はより顕在化させる任意の特徴は、任意のまたは全ての請求項の重要な、必須の、または本質的な特徴として解釈されるべきではない。
【００６８】
ここに記載された実施形態の明細書および図面は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書および図面は、本明細書に記載された構造または方法を使用する装置およびシステムの要素および特徴の全ての包括的かつ総合的な記載としての役割を果たすことを意図するものではない。別々の実施形態は、単一の実施形態を組み合わせて提供することができ、逆に、簡潔にするために、単一の実施形態の文脈で説明した様々な特徴は、別々に、または任意の小結合で提供することもできる。更に、範囲内に記載された値の参照は、その範囲内の各値を含む。他の多くの実施形態は、本明細書を読んだ後にのみ当業者にとって明らかになりうる。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、または他の変更を行うことができるように、他の多くの実施形態が本開示から使用され導かれうる。よって、本開示は、限定的よりはむしろ例示的なものとみなされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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