(57)【要約】【課題】簡潔な製造工程で表示領域の周囲を遮光する。【解決手段】発光装置１００は、表示領域１２内に配置され第１電極Ｅ1および第２電極Ｅ2と発光機能層４６とを含む発光素子４５と、平面視で表示領域１２の周囲に形成されて第２電極Ｅ2に導通する周辺配線Ｄと、第１波長（約６１０ｎｍ）の光を透過させる第１着色層ＫRを含むフィルター層９０とを具備する。フィルター層９０は、第１着色層ＫRで形成されて発光素子４５に重なる第１カラーフィルター９４Rと、第１着色層ＫRで形成されて周辺配線Ｄに重なる第１層９６Rとを含む。【選択図】図１６
2018078110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域内に配置され、第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の電流に応じて発光する発光機能層とを含む発光素子と、
平面視で前記表示領域の周囲に形成されて前記第２電極に導通する周辺配線と、
第１波長の光を透過させる第１着色層を含むフィルター層であって、前記第１着色層で形成されて前記発光素子に重なる第１カラーフィルターと、前記第１着色層で形成されて前記周辺配線に重なる第１層とを含むフィルター層と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記フィルター層は、前記第１波長とは異なる第２波長の光を透過させる第２着色層を含み、前記第２着色層で形成されて前記発光素子に重なる第２カラーフィルターと、前記第２着色層で前記第１層の面上に形成されて前記周辺配線に重なる第２層とを含む
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記第２層の周縁は、平面視で前記第１層の周縁の内側に位置する
請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記フィルター層は、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長の光を透過させる第３着色層を含み、前記第３着色層で形成されて前記発光素子に重なる第３カラーフィルターと、前記第３着色層で前記第２層の面上に形成されて前記周辺配線に重なる第３層とを含む
請求項２または請求項３の発光装置。
【請求項５】
前記第３層の周縁は、平面視で前記第２層の周縁の内側に位置する
請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記フィルター層は、前記表示領域内の複数の第１開口部と前記周辺配線に重なる第２開口部とが形成された絶縁層を含み、
前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターと前記第３カラーフィルターとは、前記複数の第１開口部の内側に形成され、
前記第１層と前記第２層と前記第３層とは、前記第２開口部の内側に形成される
請求項４または請求項５の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ材料等の発光材料を利用した発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板の表示領域に配列した発光装置が従来から提案されている。発光素子は、陽極電極および陰極電極と、両電極間の電流に応じて発光する発光機能層とを含み、発光の輝度に応じた電位が陽極電極に供給され、陰極電極には低位側の電源電位が供給される。特許文献１には、発光素子に接続して電源電位を供給する電源導電体（周辺配線）が、平面視で表示領域の周囲に形成された発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０７８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示領域の周囲に観察側からの光が入射する場合がある。特許文献１の技術では、平面視で表示領域の周囲に周辺配線が形成されるため、入射した外光が周辺配線の表面で反射して観察者に知覚される（観察側の物体の写り込みが知覚される）という問題がある。以上の問題を解決する手段として、遮光性の部材を周辺配線に重ねて形成することが考えられる。しかし、周辺配線に重なる遮光性の部材を形成する工程の追加が必要となり、製造工程が煩雑化するという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、製造工程の煩雑化を抑制しながら周辺配線の表面での反射光が観察者に知覚され難くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る発光装置は、表示領域内に配置され、第１電極および第２電極と、第１電極と第２電極との間の電流に応じて発光する発光機能層とを含む発光素子と、平面視で表示領域の周囲に形成されて第２電極に導通する周辺配線と、第１波長の光を透過させる第１着色層を含むフィルター層であって、第１着色層で形成されて発光素子に重なる第１カラーフィルターと、第１着色層で形成されて周辺配線に重なる第１層とを含むフィルター層とを具備する。以上の構成によれば、第１層が周辺配線に重なるため、観察側から周辺配線に向かう光や周辺配線の表面での反射光が第１層で遮光される。したがって、周辺配線の表面での反射光が観察者に知覚され難いという利点がある。また、第１層と第１カラーフィルターとは、共に第１着色層で形成されるから、共通の工程で一括的に形成され得る。したがって、第１カラーフィルターを形成する工程とは個別に第１層を形成する場合と比較して、製造工程が簡素化されるという利点がある。
【０００６】
本発明の好適な態様において、フィルター層は、第１波長とは異なる第２波長の光を透過させる第２着色層を含み、第２着色層で形成されて発光素子に重なる第２カラーフィルターと、第２着色層で第１層の面上に形成されて周辺配線に重なる第２層とを含む。以上の構成によれば、第２層と第１層とが周辺配線に重なるため、例えば単層で遮光する構成と比較して、遮光性能が向上する。したがって、周辺配線の表面での反射光が観察者に知覚され難くなるという効果は格別に顕著である。また、第２層と第２カラーフィルターとは、共に第２着色層で形成されるから、共通の工程で一括的に形成され得る。したがって、第２カラーフィルターを形成する工程とは個別に第２層を形成する場合と比較して、製造工程が簡素化されるという利点がある。
【０００７】
本発明の好適な態様において、第２層の周縁は、平面視で第１層の周縁の内側に位置する。以上の構成によれば、第１層の周縁と第２層の周縁とが平面視で重ならないため、第１層と第２層との側面が面一に形成されない。第１層と第２層との側面が面一に形成される（すなわち、第２層の周縁と第１層の周縁とが平面視で重なる）構成においては、フィルター層の表面に第１層と第２層との膜厚の和に相当する段差が生じる。一方、本発明の態様によれば、第１層の膜厚に相当する段差と第２層の膜厚に相当する段差とが個別に形成されるため、フィルター層の表面に生じる段差が第１層と第２層との膜厚の和より小さくなる。すなわち、第１層と第２層との側面が面一に形成される構成と比較して、フィルター層の表面が平坦に形成される。
【０００８】
本発明の好適な態様において、フィルター層は、第１波長および第２波長とは異なる第３波長の光を透過させる第３着色層を含み、第３着色層で形成されて発光素子に重なる第３カラーフィルターと、第３着色層で第２層の面上に形成されて周辺配線に重なる第３層とを含む。以上の構成によれば、第１層と第２層と第３層とが周辺配線に重なるため、例えば単層や２層で遮光する構成と比較して、遮光性能が向上する。したがって、周辺配線の表面での反射光が観察者に知覚され難くなるという効果は格別に顕著である。また、第３層と第３カラーフィルターとは、共に第３着色層で形成されるから、共通の工程で一括的に形成され得る。したがって、第３カラーフィルターを形成する工程とは個別に第３層を形成する場合と比較して、製造工程が簡素化されるという利点がある。
【０００９】
本発明の好適な態様において、第３層の周縁は、平面視で第２層の周縁の内側に位置する。以上の構成によれば、第２層の膜厚に相当する段差と第３層の膜厚に相当する段差とがフィルター層の表面に個別に形成される。したがって、第２層と第３層との周縁が平面視で重なる構成（第２層と第３層との膜厚の和に相当する段差がフィルター層の表面に生じる構成）と比較して、フィルター層の表面を平坦にすることができる。
【００１０】
本発明の好適な態様において、フィルター層は、表示領域内の複数の第１開口部と周辺配線に重なる第２開口部とが形成された絶縁層を含み、第１カラーフィルターと第２カラーフィルターと第３カラーフィルターとは、複数の第１開口部の内側に形成され、第１層と第２層と第３層とは、第２開口部の内側に形成される。以上の構成においては、第１カラーフィルターと第２カラーフィルターと第３カラーフィルターとが絶縁層により表示領域内で区画される。第１層と第２層と第３層とは、絶縁層に形成された第２開口部の内側に形成されるから、第１層と第２層と第３層とを絶縁層の面上に形成した構成と比較して、フィルター層の表面の段差が低減される。
【００１１】
以上の各態様に係る発光装置は、例えば表示装置として各種の電子機器に利用される。具体的には、頭部装着型の表示装置や撮像装置の電子式ビューファインダー等が本発明の電子機器の好適例として例示され得るが、本発明の適用範囲は以上の例示に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態の発光装置の平面図である。
【図２】画素の回路図である。
【図３】発光装置の断面図である。
【図４】発光装置の断面図である。
【図５】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図６】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図７】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図８】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図９】基板上に形成される各要素の説明図である。
【図１０】第１電源導電体および第２電源導電体の模式図である。
【図１１】基板上に形成される各要素の位置関係の説明図である。
【図１２】第２導電体の効果の説明図である。
【図１３】周辺領域に形成された各導通孔の平面図である。
【図１４】対比例における周辺領域に形成された導通孔の近傍の断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態および対比例における発光機能層の周縁の近傍の断面図である。
【図１６】封止体およびフィルター層の断面図である。
【図１７】封止体およびフィルター層の平面図である。
【図１８】対比例における封止体およびフィルター層の断面図である。
【図１９】第２実施形態における封止体およびフィルター層の断面図である。
【図２０】変形例における封止体およびフィルター層の断面図である。
【図２１】電子機器の一例たる頭部装着型の表示装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００の平面図である。第１実施形態の発光装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０の面上に形成した有機ＥＬ装置である。基板１０は、珪素（シリコン）等の半導体材料で形成された板状部材（半導体基板）であり、複数の発光素子が形成される基体（下地）として利用される。
【００１４】
図１に例示される通り、基板１０の表面には、表示領域１２と周辺領域１４と実装領域１６とが画定される。表示領域１２は、複数の画素Ｐが配列された矩形状の領域である。表示領域１２には、Ｘ方向に延在する複数の走査線２２と、各走査線２２に対応してＸ方向に延在する複数の制御線２４と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在する複数の信号線２６とが形成される。複数の走査線２２と複数の信号線２６との各交差に対応して画素Ｐが形成される。したがって、複数の画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にわたり行列状に配列する。
【００１５】
周辺領域１４は、表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域である。周辺領域１４には駆動回路３０が設置される。駆動回路３０は、表示領域１２内の各画素Ｐを駆動する回路であり、２個の走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んで構成される。第１実施形態の発光装置１００は、基板１０の表面に直接的に形成されたトランジスター等の能動素子で駆動回路３０が構成される回路内蔵型の表示装置である。なお、画像表示には直接には寄与しないダミー画素を周辺領域１４内に形成することも可能である。
【００１６】
実装領域１６は、周辺領域１４を挟んで表示領域１２とは反対側（すなわち周辺領域１４の外側）の領域であり、複数の実装端子３６が配列される。制御回路や電源回路等の各種の外部回路（図示略）から制御信号や電源電位が各実装端子３６に供給される。外部回路は、例えば実装領域１６に接合された可撓性の配線基板（図示略）に実装される。
【００１７】
図２は、表示領域１２内の各画素（画素回路）Ｐの回路図である。図２に例示される通り、画素Ｐは、発光素子４５と駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELと選択トランジスターＴSLと容量素子Ｃとを含んで構成される。なお、第１実施形態では、画素Ｐの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを利用することも可能である。
【００１８】
発光素子４５は、有機ＥＬ材料の発光層を含む発光機能層４６を第１電極（陽極）Ｅ1と第２電極（陰極）Ｅ2との間に介在させた電気光学素子である。第１電極Ｅ1は画素Ｐ毎に個別に形成され、第２電極Ｅ2は複数の画素Ｐにわたり連続する。図２から理解される通り、発光素子４５は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する電流経路上に配置される。第１電源導電体４１は、高位側の電源電位（第１電位）ＶELが供給される電源配線であり、第２電源導電体４２は、低位側の電源電位（第２電位）ＶCTが供給される電源配線である。
【００１９】
駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する電流経路上で発光素子４５に対して直列に配置される。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は第１電源導電体４１に接続される。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と発光素子４５の第１電極Ｅ1との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート-ソース間の電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する。発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給されることで発光素子４５が駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。発光制御トランジスターＴELがオフ状態に制御された状態では発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断されることで発光素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは制御線２４に接続される。
【００２０】
図２の選択トランジスターＴSLは、信号線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続される。また、容量素子Ｃは、第１電極Ｃ1と第２電極Ｃ2との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１電極Ｃ1は駆動トランジスターＴDRのゲートに接続され、第２電極Ｃ2は第１電源導電体４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続される。したがって、容量素子Ｃは、駆動トランジスターＴDRのゲート-ソース間の電圧を保持する。
【００２１】
信号線駆動回路３４は、外部回路から供給される画像信号が画素Ｐ毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を書込期間（水平走査期間）毎に複数の信号線２６に対して並列に供給する。他方、各走査線駆動回路３２は、各走査線２２に走査信号を供給することで複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する各画素Ｐの選択トランジスターＴSLはオン状態に遷移する。したがって、各画素Ｐの駆動トランジスターＴDRのゲートには信号線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、容量素子Ｃには階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、各走査線駆動回路３２は、各制御線２４に制御信号を供給することで当該制御線２４に対応する各画素Ｐの発光制御トランジスターＴELをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給される。以上のように各発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示領域１２に表示される。
【００２２】
第１実施形態の発光装置１００の具体的な構造を以下に詳述する。なお、以下の説明で参照する各図面では、説明の便宜のために、各要素の寸法や縮尺を実際の発光装置１００とは相違させている。図３および図４は、発光装置１００の断面図であり、図５から図９は、発光装置１００の各要素を形成する各段階での基板１０の表面の様子を画素Ｐの１個分に着目して図示した平面図である。図５から図９のIII−III線を含む断面に対応した断面図が図３に相当し、図５から図９のIV−IV線の断面に対応した断面図が図４に相当する。なお、図５から図９は平面図であるが、各要素の視覚的な把握を容易化する観点から、図３または図４と共通する各要素に図３または図４と同態様のハッチングが便宜的に付加されている。
【００２３】
図３、図４および図５から理解される通り、珪素等の半導体材料で形成された基板１０には、画素Ｐの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）の能動領域１０A（ソース／ドレイン領域）が形成される。能動領域１０Aにはイオンが注入される。画素Ｐの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Aとは別種類のイオンが注入されるが、図示は便宜的に省略されている。図３および図４に例示される通り、能動領域１０Aが形成された基板１０の表面は絶縁膜Ｌ0（ゲート絶縁膜）で被覆され、各トランジスターＴのゲートＧ（ＧDR，ＧEL，ＧSL）が絶縁膜Ｌ0の面上に形成される。各トランジスターＴのゲートＧは、絶縁膜Ｌ0を挟んでアクティブ層に対向する。図４には、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLと駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRと発光制御トランジスターＴELのゲートＧELとが図示されている。
【００２４】
図３および図４から理解される通り、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上には、複数の絶縁層Ｌ（ＬA〜ＬE）と複数の配線層Ｗ（ＷA〜ＷE）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各配線層Ｗは、アルミニウムや銀等を含有する低抵抗な導電材料で形成される。各絶縁層Ｌは、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。なお、以下の説明では、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を「同層から形成される」と表記する。
【００２５】
絶縁層ＬAは、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上に形成される。図３、図４および図６から理解される通り、絶縁層ＬAの面上には、走査線２２と制御線２４と複数の中継電極ＱA（ＱA1，ＱA2，ＱA3，ＱA4）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷA）から形成される。走査線２２および制御線２４は、相互に間隔をあけて複数の画素ＰにわたりＸ方向に直線状に延在する。具体的には、図６に例示される通り、走査線２２は、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLの上方および駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRの上方を通過するように形成され、絶縁層ＬAを貫通する導通孔（コンタクトホール）ＨA1を介して選択トランジスターＴSLのゲートＧSLに導通する。導通孔ＨA1は、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLおよびアクティブ層に平面視で重なるように形成される。他方、制御線２４は、発光制御トランジスターＴELのゲートＧELの上方を通過するように形成され、絶縁層ＬAを貫通する導通孔ＨA2を介して発光制御トランジスターＴELのゲートＧELに導通する。導通孔ＨA2は、発光制御トランジスターＴELのゲートＧELおよびアクティブ層に平面視で重なるように形成される。
【００２６】
中継電極ＱA1は、選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aと駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとを接続する配線であり、図６に例示される通り、平面視で走査線２２と制御線２４との間に位置する。具体的には、中継電極ＱA1は、図４および図６から理解される通り、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA3を介して選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aに導通するとともに、絶縁層ＬAの導通孔ＨA4を介して駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRに導通する。また、図６から理解される通り、中継電極ＱA2は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA5を介して選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aに導通する。中継電極ＱA3は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA6を介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。中継電極ＱA4は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA7を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。図６から理解される通り、選択トランジスターＴSLと駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとの各々は、チャネル長がＹ方向に沿うように形成される。また、駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとはＹ方向に沿って配列し、選択トランジスターＴSLは、駆動トランジスターＴDRおよび発光制御トランジスターＴELに対してＸ方向（図６ではＸ方向の負側）にずれた位置に配置される。
【００２７】
絶縁層ＬBは、配線層ＷAが形成された絶縁層ＬAの面上に形成される。図３、図４および図７から理解される通り、絶縁層ＬBの面上には、信号線２６と第１電極Ｃ1と複数の中継電極ＱB（ＱB1，ＱB2）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷB）から形成される。信号線２６は、複数の画素ＰにわたりＹ方向に直線状に延在し、絶縁層ＬAにより走査線２２および制御線２４からは電気的に絶縁される。具体的には、信号線２６は、選択トランジスターＴSLの能動領域１０A（ソース，ドレイン）およびアクティブ層の上方と駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRに導通する中継電極ＱA1の上方とを通過するように形成され、選択トランジスターＴSLのチャネル長の方向（Ｙ方向）に沿って延在するとともに平面視で選択トランジスターＴSLに重なる。また、信号線２６は、各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）の能動領域１０A（ソース，ドレイン）や各トランジスターＴのゲートＧよりも上層に形成される。図７から理解される通り、配線層ＷBの信号線２６は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔ＨB1を介して配線層ＷAの中継電極ＱA2に導通する。すなわち、信号線２６と選択トランジスターＴSLの能動領域１０A（ソース）とが中継電極ＱA2を介して接続される。図７の配線層ＷBの第１電極Ｃ1は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔ＨB2を介して配線層ＷAの中継電極ＱA1に導通する。すなわち、容量素子Ｃの第１電極Ｃ1と駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとが中継電極ＱA1を介して接続される。図７の配線層ＷBの中継電極ＱB1は、絶縁層ＬBの導通孔ＨB3を介して配線層ＷAの中継電極ＱA3に導通し、配線層ＷBの中継電極ＱB2は、絶縁層ＬBの導通孔ＨB4を介して配線層ＷAの中継電極ＱA4に導通する。
【００２８】
絶縁層ＬCは、配線層ＷBが形成された絶縁層ＬBの面上に形成される。図３、図４および図８から理解される通り、絶縁層ＬCの面上には、第２電極Ｃ2を含む導体パターンが同層（配線層ＷC）から形成される。第２電極Ｃ2は、平面視（すなわち基板１０の表面に垂直な方向からみた状態）で第１電極Ｃ1に重複する形状および位置に形成される。図３から理解される通り、第１電極Ｃ1および第２電極Ｃ2と両者間の絶縁層ＬCとで容量素子Ｃが構成される。図８に例示される通り、容量素子Ｃ（第１電極Ｃ1，第２電極Ｃ2）は、平面視で駆動トランジスターＴDRおよび発光制御トランジスターＴELに重なるように設置される。
【００２９】
図３および図４に例示される通り、絶縁層ＬDは、配線層ＷCが形成された絶縁層ＬCの面上に形成される。絶縁層ＬDの表面には平坦化処理が実行される。平坦化処理には、化学機械研磨（CMP：Chemical Mechanical Polishing）等の公知の表面処理技術が任意に採用される。平坦化処理で高度に平坦化された絶縁層ＬDの表面に、図３および図４に例示される通り、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と中継電極ＱD1とを含む導体パターンが同層（配線層ＷD）から形成される。図３に示すように、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とは、相互に離間して形成されて電気的に絶縁される。第１電源導電体４１は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、高位側の電源電位ＶELが供給される実装端子３６に導通する。同様に、第２電源導電体４２は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、低位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３６に導通する。第１実施形態の第１電源導電体４１および第２電源導電体４２は、例えば銀やアルミニウムを含有する光反射性の導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。
【００３０】
図１０は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との平面図である。第１電源導電体４１は、前述の通り高位側の電源電位ＶELが供給される電源配線であり、図１０に例示される通り、表示領域１２の略全域にわたり面状に形成された略矩形状のベタパターンである。ベタパターンとは、線状または帯状のパターンやその組合せ（例えば格子状）のパターンではなく、表示領域１２の略全面を塗潰すように実質的に隙間なく一様に連続する面状（すなわちベタ状）のパターンを意味する。なお、第１電源導電体４１を、画素Ｐ毎に個別に形成してもよい。
【００３１】
図４および図９から理解される通り、表示領域１２内に形成された第１電源導電体４１は、画素Ｐ毎に絶縁層ＬDと絶縁層ＬCとを貫通する導通孔ＨD1を介して中継電極ＱA3と導通する。すなわち、図４から理解される通り、駆動トランジスターＴDRのソースとして機能する能動領域１０Aは、中継電極ＱA3および中継電極ＱB1を介して第１電源導電体４１に接続される。また、図９に例示される通り、第１電源導電体４１は、絶縁層ＬDの導通孔ＨD2を介して容量素子Ｃの第２電極Ｃ2に接続される。すなわち、駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとソース（第１電源導電体４１）との間に容量素子Ｃが介在する。なお、絶縁層ＬDに複数個の導通孔ＨD2を形成し、複数の箇所で第１電源導電体４１と容量素子Ｃの第２電極Ｃ2とが接続することも可能である。
【００３２】
図９に例示される通り、第１電源導電体４１には画素Ｐ毎に開口部４１Aが形成される。各開口部４１Aの内側には、中継電極ＱD1が第１電源導電体４１および第２電源導電体４２と同層から形成される。中継電極ＱD1と第１電源導電体４１とは、相互に離間して形成されて電気的に絶縁される。図４および図９から理解される通り、中継電極ＱD1は、絶縁層ＬDと絶縁層ＬCとを貫通する導通孔ＨD3を介して中継電極ＱB2に導通する。
【００３３】
第２電源導電体４２は、周辺領域１４内に形成され、前述の通り低位側の電源電位ＶCTが供給される電源配線である。図１０に例示される通り、本実施形態の第２電源導電体４２は、平面視で第１電源導電体４１（表示領域１２）を包囲する矩形枠状（閉図形）に形成される。第２電源導電体４２の幅（内周縁から外周縁までの距離）は例えば１．５ｍｍである。図１１は、絶縁層ＬDの面上に形成される各要素の位置関係の説明図である。図１０における領域αの拡大図が、図１１の各部分（(A)〜(D)）に対応する。図１０と図１１の部分(A)とから把握される通り、平面視で第１電源導電体４１の周縁と第２電源導電体４２の内周縁とで囲まれる領域に、表示領域１２と周辺領域１４との境界が位置する。
【００３４】
図３および図４に例示される通り、絶縁層ＬEは、配線層ＷDが形成された絶縁層ＬDの面上に形成される。絶縁層ＬEの面上には、図３に示す第２導電体５８と図４に示す中継電極ＱE1とを含む導体パターンが同層（配線層ＷE）から形成される。配線層ＷEは、例えば遮光性の導電材料（例えば窒化チタン）で形成される。
【００３５】
中継電極ＱE1は、絶縁層ＬEを貫通する導通孔を介して中継電極ＱD1に導通する。図４から理解される通り、中継電極ＱE1は、第１電源導電体４１の開口部４１Aに平面視で重複するように形成される。すなわち、中継電極ＱE1の外周縁は平面視で開口部４１Aの内周縁の外側に位置する。中継電極ＱE1は遮光性の導電材料で形成されるから、多層配線層に対する開口部４１Aからの外光の侵入が中継電極ＱE1により防止される。したがって、光照射に起因した各トランジスターＴの電流リークを防止できるという利点がある。
【００３６】
第２導電体５８は、図１０および図１１の部分(B)に示されるように、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の面上に形成される。図１０では第２導電体５８の一部が実線で図示され、他の一部の外形が鎖線で表現されている。図１０から理解される通り、第２導電体５８は、第２電源導電体４２に類似する環状（矩形枠状）に形成され、平面視で第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の双方に重なる帯状に形成される。具体的には、第２導電体５８の内周縁は、平面視で第１電源導電体４１の周縁の内側に位置する。すなわち、第２導電体５８は、第１電源導電体４１のうち周縁の近傍の領域に重なる。また、第２導電体５８の外周縁は、平面視で第２電源導電体４２の外周縁の外側に位置する。すなわち、第２導電体５８は、平面視で第２電源導電体４２の全域に重なる。以上の説明から理解される通り、第２導電体５８は、平面視で第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との間隙の領域（すなわち表示領域１２と周辺領域１４との境界の近傍の領域）に重なる。
【００３７】
第２導電体５８を形成しない構成を対比例（以下「対比例１」という）として想定する。図１２は、対比例１における第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の断面図（表示領域１２と周辺領域１４との境界の近傍の断面図）である。図１２に例示される通り、対比例１では、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２を被覆する絶縁層ＬEの形成後に、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の縁端部（隅部）ｅが絶縁層ＬEから露出し、第１電源導電体４１や第２電源導電体４２に損傷や腐食が発生する可能性がある。他方、第１実施形態では、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の間隙に重なる（第１電源導電体４１や第２電源導電体４２の縁端部ｅを被覆する）ように第２導電体５８が形成されるから、絶縁層ＬEからの露出に起因した第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の損傷や腐食を防止できるという利点がある。
【００３８】
第２導電体５８は、図３および図１１の部分(B)に示す通り、絶縁層ＬEを貫通する導通孔ＨE1を介して第２電源導電体４２に導通する。図１３は、周辺領域１４に形成された各導通孔（ＨE1，ＨF1，ＨG1）の平面図である。導通孔ＨE1は、図１３に示すように、絶縁層ＬEのうち平面視で表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域を除去した貫通孔である。導通孔ＨE1は、平面視で第２電源導電体４２に重なる領域のうち第１領域Ｓ1内に形成される。第１領域Ｓ1は、図１３に示すように平面視で矩形枠状の領域であり、図１１の部分(D)に示すように周辺領域１４で第２電源導電体４２の内周縁と外周縁との間に位置する。第１領域Ｓ1の幅（内周縁から外周縁までの距離）は、例えば０．３ｍｍである。第２導電体５８は、導通孔ＨE1を介して周辺領域１４の全周にわたり第２電源導電体４２に導通する。
【００３９】
図３および図４に例示される通り、配線層ＷEが形成された絶縁層ＬEの面上には光路調整層６０が形成される。光路調整層６０は、共振構造の共振波長（表示色）を画素Ｐの表示色毎に個別に設定するための要素であり、珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の光透過性の絶縁材料で形成される。具体的には、共振構造を構成する第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間の光路長（光学的距離）を光路調整層６０の膜厚に応じて適宜に調整することで各画素Ｐの出射光の共振波長が表示色毎に設定される。
【００４０】
図３に例示される通り、光路調整層６０の面上には、表示領域１２内の画素Ｐ毎の第１電極Ｅ1と周辺領域１４内の第１導電体６３とが同層から形成される。第１電極Ｅ1と第１導電体６３とは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の導電材料で形成される。第１電極Ｅ1は、図２を参照して説明した通り、発光素子４５の陽極として機能する略矩形状の電極（画素電極）であり、図４に示すように光路調整層６０を貫通する導通孔を介して中継電極ＱE1に導通する。すなわち、第１電極Ｅ1は、多層配線層の各中継電極（ＱE1，ＱD1，ＱB2，ＱA4）を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。
【００４１】
第１導電体６３は、第２導電体５８に類似する環状（矩形枠状）に形成される。図１１の部分(C)に示すように、第１導電体６３の内周縁は第２導電体５８の内周縁の内側（基板１０の周縁側）に位置し、第１導電体６３の外周縁は第２導電体５８の外周縁の内側に位置する。第１導電体６３は、図３および図１１の部分(C)に示すように、光路調整層６０を貫通する導通孔ＨF1を介して第２導電体５８に導通する。導通孔ＨF1は、図１３に示すように、光路調整層６０のうち平面視で表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域を除去した貫通孔である。導通孔ＨF1は、導通孔ＨE1より表示領域１２側に位置する。第１導電体６３は導通孔ＨF1を介して周辺領域１４の全周にわたり第２導電体５８に導通する。
【００４２】
第１電極Ｅ1と第１導電体６３とが形成された光路調整層６０の面上には、図３に例示される通り、基板１０の全域にわたり画素定義層６５が形成される。画素定義層６５は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。図３から理解される通り、画素定義層６５には、表示領域１２内の各第１電極Ｅ1に対応する開口部６５Aが形成される。
【００４３】
図３および図４に例示される通り、第１電極Ｅ1と第１導電体６３と画素定義層６５とが形成された光路調整層６０の面上には発光機能層４６が形成される。発光機能層４６は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を含んで構成され、電流の供給により白色光を放射する。発光層は、印刷技術や蒸着技術等の公知の成膜技術で形成される。白色光は、青色の波長域と緑色の波長域と赤色の波長域とにわたるスペクトルを有する光であり、可視光の波長域内に少なくとも２個のピークが観測される。なお、発光層に供給される電子や正孔の輸送層または注入層を発光機能層４６に含ませることも可能である。
【００４４】
図３に示すように、発光機能層４６は、表示領域１２内の複数の画素Ｐにわたり連続し、周縁４８は平面視で周辺領域１４に位置する。具体的には、発光機能層４６の周縁４８は、図１１の部分(D)に示すように、第２領域Ｓ2内に位置する。第２領域Ｓ2は、平面視で第１領域Ｓ1の表示領域１２側に位置する矩形枠状の領域である。発光機能層４６の周縁４８の位置には製造上の誤差が生じ得る。製造精度が比較的に低い印刷技術等の成膜技術を発光機能層４６の形成に採用した場合には、周縁４８の位置の誤差が特に顕著となる。第２領域Ｓ2は、周縁４８の位置の誤差範囲を包含するように確保された領域（製造マージン）である。具体的には、第２領域Ｓ2の幅は、第１領域Ｓ1の２倍程度の幅（例えば０．６ｍｍ）に設定され、第１領域Ｓ1の１倍以上３倍以下であることが好ましい。
【００４５】
発光機能層４６の周縁４８は、図１１の部分(B)から部分(D)に示すように、第２導電体５８に重なる。具体的には、周縁４８の全周が平面視で矩形枠状の第２導電体５８に重なる。発光機能層４６の周縁４８の一部が第２導電体５８に重なり、他の一部が第２導電体５８に重ならない構成では、第２導電体５８の膜厚を反映した段差が発光機能層４６の表面に現れる可能性がある。本実施形態においては、周縁４８の全周が単一の部材（第２導電体５８）に重なるから、発光機能層４６の表面の段差が低減されるという利点がある。
【００４６】
発光機能層４６が形成された光路調整層６０の面上には、表示領域１２の全域にわたり第２電極Ｅ2が形成される。第２電極Ｅ2は、図１１の部分(D)に示すように、画素定義層６５の導通孔ＨG1を介して第１導電体６３に導通する。導通孔ＨG1は、図１３に示すように、画素定義層６５のうち平面視で表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域を除去した貫通孔であり、周辺領域１４の第１領域Ｓ1内に位置する。第２電極Ｅ2は、導通孔ＨG1を介して周辺領域１４の全周にわたり第１導電体６３と導通する。導通孔ＨG1は、導通孔ＨF1よりも表示領域１２側に位置する。
【００４７】
図３および図１１から理解される通り、第２電源導電体４２と第２導電体５８とが導通孔ＨE1を介して接続され、第２導電体５８と第１導電体６３とが導通孔ＨF1を介して接続され、第１導電体６３と第２電極Ｅ2とが導通孔ＨG1を介して接続される。したがって、第２電源導電体４２に供給された低位側の電源電位（第２電位）ＶCTが第２導電体５８と第１導電体６３とを介して第２電極Ｅ2に供給される。また、第２電源導電体４２と第２電極Ｅ2との接続に利用される各導通孔（ＨE1，ＨF1，ＨG1）は、平面視で矩形枠状の第１領域Ｓ1内に形成される。換言すると、図１１に示すように、平面視で導通孔ＨE1の外周縁と導通孔ＨG1の内周縁とで囲まれた領域が第１領域Ｓ1として画定される。なお、周辺領域１４に形成されて第２電極Ｅ2に接続される配線を、以下の説明では「周辺配線Ｄ」と表記する。第１実施形態の周辺配線Ｄは、図３に例示される通り、第２電源導電体４２と第２導電体５８と第１導電体６３とを包含する。
【００４８】
図３に例示される通り、発光機能層４６のうち画素定義層６５の各開口部６５Aの内側にて第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とに挟まれた領域（発光領域）が発光する。すなわち、開口部６５Aの内側で第１電極Ｅ1と発光機能層４６と第２電極Ｅ2とが積層された部分が発光素子４５として機能する。以上の説明から理解される通り、画素定義層６５は、各画素Ｐの発光素子４５の平面形状やサイズ（実際に発光する領域）を規定する。第１実施形態の発光装置１００は、発光素子４５が非常に高精細に配置されたマイクロディスプレイである。例えば１個の発光素子４５の面積（１個の開口部６５Aの面積）は４０μｍ2以下に設定され、Ｘ方向に相互に隣合う各発光素子４５の間隔は１.５μｍ以下に設定される。
【００４９】
第２電極Ｅ2は、表面に到達した光の一部を透過するとともに残りを反射する性質（半透過反射性）の半透過反射層として機能する。例えば、銀やマグネシウムを含有する合金等の光反射性の導電材料を充分に薄い膜厚に形成することで半透過反射性の第２電極Ｅ2が形成される。発光機能層４６からの放射光は、第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間で往復し、特定の共振波長の成分が選択的に増幅されたうえで第２電極Ｅ2を透過して観察側（基板１０とは反対側）に出射する。すなわち、反射層として機能する第１電源導電体４１と半透過反射層として機能する第２電極Ｅ2との間で発光機能層４６からの出射光を共振させる共振構造が形成される。
【００５０】
前述した通り、第２電極Ｅ2と第１導電体６３との導通用の導通孔ＨG1は第１領域Ｓ1に形成され、第１領域Ｓ1より表示領域１２側に位置する第２領域Ｓ2内に発光機能層４６の周縁４８は位置する。したがって、図３および図１１に示すように、発光機能層４６と導通孔ＨG1とは平面視で相互に重ならない。
【００５１】
図１４は、導通孔ＨG1と発光機能層４６とが平面視で重なる構成（以下「対比例２」という）の説明図である。対比例２においては、導通孔ＨG1内の領域Ｕにおいて、第２電極Ｅ2と第１導電体６３との間に発光機能層４６が介在する。したがって、対比例２では、第２電極Ｅ2と第１導電体６３との導通が不充分になる可能性がある。前述の通り、発光機能層４６の周縁４８の位置には製造誤差が発生し得る。製造誤差に起因して領域Ｕが拡大した場合（第２電極Ｅ2と第１導電体６３との接触面積が減少した場合）には、第２電極Ｅ2と第１導電体６３との導通の不足が特に顕在化する。他方、第１実施形態においては、発光機能層４６と導通孔ＨG1とが重ならないから、発光機能層４６と第１導電体６３とは接触しない。したがって、発光機能層４６と第１導電体６３とが導通孔ＨG1を介して充分に接続される。
【００５２】
また、前述した通り、導通孔ＨG1は平面視で導通孔ＨF1より表示領域１２側に位置し、導通孔ＨF1は導通孔ＨE1より表示領域１２側に位置する。つまり、図１１および図１３に示すように、導通孔ＨE1、導通孔ＨF1および導通孔ＨG1は平面視で互いにずれた位置に形成される。図１５の部分(A)は、本実施形態に係る導通孔ＨG1と導通孔ＨF1とを拡大した断面図である。他方、図１５の部分(B)には、導通孔ＨG1と導通孔ＨF1とが平面視で重なる構成（以下「対比例３」という）が例示されている。図１５の部分(B)に示すように、導通孔ＨG1と導通孔ＨF1とが平面視で重複する場合、第２電極Ｅ2のうち導通孔ＨG1の外側に位置する領域の表面と導通孔ＨG1の内側に入り込んだ領域の表面との間に、光路調整層６０の膜厚と画素定義層６５の膜厚との合計に相当する高さの段差Ｒが発生する。したがって、第２電極Ｅ2を覆う各層には、第２電極Ｅ2の表面の段差Ｒを反映した段差（凹凸）が発生し得る。他方、第１実施形態では、図１５の部分(A)に示すように、導通孔ＨG1と導通孔ＨF1とが平面視で重ならない。したがって、対比例３と比較して第２電極Ｅ2の表面の段差が低減されるという利点がある。同様に、本実施形態においては、導通孔ＨE1と導通孔ＨF1とが平面視でずれた位置に形成されるため、画素定義層６５の膜厚と絶縁層ＬEの膜厚との合計に相当する段差が発生しない。したがって、第１導電体６３の表面の段差を低減することができる。
【００５３】
第２電極Ｅ2と第２電源導電体４２との導通のみを考慮すれば、第２電源導電体４２は、第１領域Ｓ1内のみに存在すれば足りる。ただし、第１実施形態では、図１１の部分(D)に示すように、第１領域Ｓ1に加えて、発光機能層４６の製造マージンとして確保された第２領域Ｓ2にもわたるように第２電源導電体４２が形成される。以上の構成によれば、第２電源導電体４２を第１領域Ｓ1内のみに形成した構成と比較して第２電源導電体４２の面積が充分に確保されるから、第２電源導電体４２の抵抗が低減されるという利点がある。抵抗の低減により第２電源導電体４２での電圧降下が抑制されるから、表示領域１２内の各画素Ｐに供給される電位ＶCTが均一化され、電位ＶCTの誤差に起因した表示斑が低減されるという利点がある。
【００５４】
図３に例示される通り、第２電極Ｅ2の面上には、基板１０の全域にわたり封止体７０が形成される。なお、図４では封止体７０の図示を便宜的に省略した。封止体７０は、基板１０上に形成された各要素を封止することで外気や水分の侵入を防止する光透過性の膜体であり、第１封止層７１と第２封止層７２と第３封止層７３との積層で構成される。第３封止層７３の面上に第１封止層７１が形成され、第１封止層７１および第３封止層７３の面上に第２封止層７２が形成される。
【００５５】
封止体７０の第３封止層７３は、第２電極Ｅ2の面上に形成されて第２電極Ｅ2の表面に直接に接触する。図３から理解される通り、第３封止層７３は、表示領域１２と周辺領域１４とを含む基板１０の全域にわたり形成される。第３封止層７３は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で例えば２００ｎｍから４００ｎｍ程度の膜厚に形成される。第３封止層７３は、光路調整層６０の膜厚差（例えば１２０ｎｍ）以上の膜厚に好適に形成される。第３封止層７３の形成には、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜技術が好適に利用される。酸化珪素を窒素雰囲気中で蒸着することで珪素酸窒化物の第３封止層７３を形成することも可能である。また、酸化チタン等の金属酸化物に代表される無機酸化物も第３封止層７３の材料として採用され得る。
【００５６】
第１封止層７１は、発光素子４５を封止する要素であり、図３に示す通り、封止面８２と側端面８４とを含んで構成される。封止面８２は、第１封止層７１の上面（第３封止層７３との接触面と逆側の面）のうち、発光素子４５に重なる面である。側端面８４は、封止面８２と連続する面であり平面視で封止面８２の外側に位置するとともに封止面８２に対して傾斜する。側端面８４は、封止面８２側の上側周縁８６と基板１０側の下側周縁８８とを含み、下側周縁８８に近いほど膜厚が小さくなるように形成される。第１封止層７１の下側周縁８８は、図１１の部分(D)に示すように平面視で第１領域Ｓ1の基板１０の周縁側（表示領域１２とは反対側）の第３領域Ｓ3内に位置する。第３領域Ｓ3は、所定の幅の矩形枠状の領域である。第１封止層７１の下側周縁８８の位置には製造上の誤差が生じ得る。製造精度が比較的に低い印刷技術等の成膜技術を第１封止層７１の形成に採用した場合には、下側周縁８８の位置の誤差が特に顕著となる。第３領域Ｓ3は、下側周縁８８の位置の誤差範囲を包含するように確保された領域（製造マージン）である。具体的には、第３領域Ｓ3の幅は、第１領域Ｓ1の２倍程度の幅（例えば０．６ｍｍ）に設定され、第１領域Ｓ1の１倍以上３倍以下であることが好ましい。
【００５７】
図１１の部分(B)から部分(D)に示すように、下側周縁８８は第２導電体５８に重なる。具体的には、発光機能層４６の周縁４８と同様に、下側周縁８８は全周が平面視で矩形枠状の第２導電体５８に重なる。したがって、発光機能層４６について前述したのと同様に、下側周縁８８の一部が第２導電体５８と重なり他の一部が第２導電体５８とは重ならない構成と比較して、第１封止層７１（下側周縁８８）の表面の段差を低減することが可能である。
【００５８】
前述したように、第２電極Ｅ2と第２電源導電体４２との導通のみを考慮すれば、第２電源導電体４２は、第１領域Ｓ1内のみに存在すれば足りる。ただし、第１実施形態では、図１１の部分(D)に示すように、第１領域Ｓ1に加えて、第１封止層７１の製造マージンとして確保された第３領域Ｓ3にもわたるように第２電源導電体４２が形成される。以上の構成によれば、第２電源導電体４２を第１領域Ｓ1内のみに形成した構成と比較して第２電源導電体４２の面積が充分に確保されるから、第２電源導電体４２の抵抗が低減されるという利点がある。抵抗の低減により第２電源導電体４２での電圧降下が抑制されるから、表示領域１２内の各画素Ｐに供給される電位ＶCTが均一化され、電位ＶCTの誤差に起因した表示斑が低減されるという利点がある。
【００５９】
第１封止層７１は、第２電極Ｅ2や第３封止層７３の表面の段差を埋める平坦化膜として機能する。すなわち、第２電極Ｅ2や第３封止層７３の表面には下方（基板１０側）の各要素の形状を反映した段差が形成されるが、第１封止層７１の封止面８２は、段差が充分に低減された略平面である。第１封止層７１の封止面８２が下面（すなわち第３封止層７３との接触面）と比較して平坦であるとも換言され得る。例えば、第１封止層７１は第１領域Ｓ1に形成された各導通孔（ＨE1，ＨF1，ＨG1）を覆い、当該導通孔に起因して第１領域Ｓ1の面上（第２電極Ｅ2や第３封止層７３）に生じた段差を平坦化する。以上に説明した平坦化の機能が実現されるように、第１封止層７１は、第２封止層７２および第３封止層７３と比較して充分に厚い膜厚（例えば１μｍから５μｍ、特に好適には３μｍ）に形成される。第１封止層７１は、例えばエポキシ樹脂等の光透過性の有機材料の溶液を公知の塗布技術（例えば印刷法やスピンコート法）で第２封止層７２の表面に塗布して加熱処理で硬化させる工程により形成される。なお、第１封止層７１の材料は有機材料に限定されない。例えば酸化珪素等の無機材料を印刷法等の塗布技術で塗布して乾燥させることで平坦化に充分な膜厚の第１封止層７１を形成することも可能である。第１封止層７１は、発光機能層４６が形成された領域と比較して広い領域にわたり連続し、少なくとも発光機能層４６を覆うように形成される。また、第１封止層７１が第２電極Ｅ2を覆う構成も採用され得る。
【００６０】
図３から理解される通り、第２封止層７２は、表示領域１２と周辺領域１４とを含む基板１０の全域にわたり形成される。第２封止層７２は、例えば耐水性や耐熱性に優れた無機材料で例えば３００ｎｍから７００ｎｍ程度（特に好適には４００ｎｍ程度）の膜厚に形成される。例えば窒素化合物（珪素窒化物、珪素酸化物、珪素酸窒化物）が第３封止層７３の材料として好適である。第２封止層７２の形成には、第３封止層７３について例示した公知の成膜技術が任意に採用される。以上が封止体７０の具体的な構成である。
【００６１】
封止体７０（第２封止層７２）の面上にはフィルター層９０が形成される。ここで、図１６では、フィルター層９０は封止体７０（第２封止層７２）の面上に積層されている。図１６は封止体７０およびフィルター層９０（絶縁層９２，カラーフィルター９４，保護部９６）の断面図であり、図１７は平面図である。図１７ではフィルター層９０（保護部９６）の一部が実線で図示され、他の一部の外形が鎖線で表現されている。なお、図３や図４では、フィルター層９０の図示を便宜的に省略した。
【００６２】
フィルター層９０は、絶縁層９２と複数のカラーフィルター９４と保護部９６とを含む。絶縁層９２は、第２封止層７２の面上に形成された絶縁性の部材であり、基板１０の全域にわたり形成される。図１６に示す通り、表示領域１２の絶縁層９２には画素Ｐ毎に開口部（第１開口部）９２Aが形成され、周辺領域１４の絶縁層９２には開口部（第２開口部）９２Bが形成される。開口部９２Bは、図１７に示すように平面視で表示領域１２を包囲する矩形枠状の領域に形成される。
【００６３】
カラーフィルター９４と保護部９６とは、特定の波長の光を透過させる着色層Ｋ（ＫR，ＫG，ＫB）から形成される。具体的には、第１実施形態の各カラーフィルター９４および保護部９６は、相異なる波長の光を透過させる複数の着色層Ｋ（ＫR，ＫG，ＫB）で構成される。第１着色層ＫRは、波長が約６１０ｎｍの赤色光を透過させ、第２着色層ＫGは、波長が約５５０ｎｍの緑色光を透過させ、第３着色層ＫBは、波長が約４７０ｎｍの青色光を透過させる。
【００６４】
第１実施形態のフィルター層９０は、相異なる波長の単色光を透過させる複数のカラーフィルター９４（９４R，９４G，９４B）を包含する。第１カラーフィルター９４Rは第１着色層ＫRから形成される。同様に、第２カラーフィルター９４Gは第２着色層ＫGから形成され、第３カラーフィルター９４Bは第３着色層ＫBから形成される。各カラーフィルター９４は、絶縁層９２に画素Ｐ毎に形成された開口部９２Aの内側に配置されて各画素Ｐの発光素子４５に平面視で重なる。具体的には、赤色の画素Ｐ（共振波長が赤色光の波長に設定された画素Ｐ）の発光素子４５には第１カラーフィルター９４Rが重なり、緑色の画素Ｐの発光素子４５には第２カラーフィルター９４Gが重なり、青色の画素Ｐの発光素子４５には第３カラーフィルター９４Bが重なる。図１６から理解される通り、絶縁層９２は、各カラーフィルター９４の隔壁として機能する。各発光素子４５からの出射光は、当該発光素子４５に重なるカラーフィルター９４で着色された後に、発光装置１００の外部に出射されて観測者に視認される。なお、図１７では、同色の複数の画素ＰがＹ方向に配列されたストライプ配列を例示したが、各表示色の画素Ｐの配列の態様は任意である。
【００６５】
保護部９６は、封止体７０による封止性能を向上させる要素である。図１６および図１７に示す通り、保護部９６は、平面視で表示領域１２を全周にわたり包囲するように周辺領域１４内に矩形枠状に形成される。したがって、保護部９６の内側に表示領域１２が位置し、保護部９６の外側に実装領域１６が位置する。すなわち、表示領域１２と実装領域１６との間には保護部９６が存在する。
【００６６】
保護部９６は、第１封止層７１の側端面８４のうち基板１０側に位置する下側周縁８８に平面視で重なる。周辺領域１４内で封止体７０の表面が露出する構成では、第１封止層７１と第１封止層７１の下地面（第３封止層７３）との境界部（下側周縁８８）から水分や外気が進入して発光素子４５に到達する可能性がある。本実施形態においては、第１封止層７１の下側周縁８８に保護部９６が重なるから、第１封止層７１の周縁から水分や外気が進入することが防止される。すなわち、第１封止層７１による封止性能を向上させることが可能である。
【００６７】
図１６から理解される通り、第２封止層７２のうち上側周縁８６に重なる部分（以下「角部」という）は、第２封止層７２のうち封止面８２の面上に位置する平坦な部分と比較して外力を受けやすく破損し易いという問題がある。本実施形態の保護部９６（第１層９６R）は、第２封止層７２の面上で第１封止層７１の上側周縁８６に重なる（すなわち第２封止層７２の角部を覆う）。すなわち、第２封止層７２のうち破損し易い角部が保護部９６で保護される。したがって、第２封止層７２の角部が破損する可能性が低減される（第２封止層７２の破損部分からの外気や水分に進入が防止される）という利点がある。
【００６８】
図１６に示すように、第１実施形態の保護部９６は、第１層９６Rと第２層９６Gと第３層９６Bとの積層で構成される。第１層９６Rは第２封止層７２上に形成される。第２層９６Gは第１層９６R上に重ねて形成され、第３層９６Bは第２層９６G上に重ねて形成される。第１層９６Rは第１着色層ＫRから形成される。同様に、第２層９６Gは第２着色層ＫGから形成され、第３層９６Bは第３着色層ＫBから形成される。
【００６９】
以上の通り、第１カラーフィルター９４Rと保護部９６の第１層９６Rとは同層（第１着色層ＫR）から形成される。同様に、第２カラーフィルター９４Gと第２層９６Gとは同層（第２着色層ＫG）から形成され、第３カラーフィルター９４Bと第３層９６Bとは同層（第３着色層ＫB）から形成される。以上の構成によれば、各色のカラーフィルター９４を形成する工程において保護部９６を形成することができる。すなわち、保護部９６を形成する工程をカラーフィルター９４の形成とは別個に実行する必要はない。したがって、保護部９６とカラーフィルター９４とを別個に形成する構成と比較して、発光装置の製造工程が簡素化されるという利点がある。
【００７０】
保護部９６は、図１６に示すように、周辺領域１４内の周辺配線Ｄ（第２電源導電体４２、第２導電体５８、第１導電体６３）に平面視で重なる。図１６では、周辺配線Ｄの一部（第２電源導電体４２および第１導電体６３の全部と第２導電体５８の一部）に保護部９６が重なる構成が例示されている。周辺領域１４に外光が進入した場合、外光が周辺配線Ｄで反射して観測者によって知覚される可能性がある。第１実施形態では、周辺配線Ｄと保護部９６とが平面視で重なるため、観察側から周辺配線Ｄに向かう光や周辺配線Ｄの表面での反射光は保護部９６で遮光される。したがって、周辺配線Ｄの表面での反射光（観察側の物体の写り込み）が観察者に知覚され難いという利点がある。第１実施形態では特に、赤色の第１層９６Rと緑色の第２層９６Gと青色の第３層９６Bとの積層で保護部９６が形成されるから、例えば単層や２層で保護部９６を形成した構成と比較して、保護部９６に充分な遮光性能を付与することが可能である。もっとも、単層や２層で保護部９６を構成することも可能である。
【００７１】
図１６に例示される通り、フィルター層９０の面上には接着層２１を介して封止基板２０が接合される。封止基板２０は、例えばガラスや石英等で形成された光透過性の板状部材である。接着層２１は、フィルター層９０の表面に塗布された接着剤を硬化させることで形成される。接着剤の塗布にはスピンコート法が好適に採用される。具体的には、硬化前の接着剤を基板１０（フィルター層９０）上に滴下し、基板１０を回転させることで接着剤を流動させてフィルター層９０の表面（絶縁層９２、第３層９６B、各カラーフィルター９４の表面）の全域に均一に塗布する。フィルター層９０の表面に段差が形成されていると、この段差によりフィルター層９０の表面における接着剤の流動が阻害されて接着剤が均一に塗布されず、接着層２１の成膜不良が生じ得る。特に、フィルター層９０の表面に形成される段差が大きいほど成膜不良が生じやすくなる。図１８は、絶縁層９２に開口部９２Bを形成せずに絶縁層９２の面上に保護部９６を形成した構成（以下「対比例４」という）の説明図である。対比例４においては、保護部９６が絶縁層９２の面上に形成されるため、フィルター層９０の表面に保護部９６の膜厚（第１層９６Rと第２層９６Gと第３層９６Bとの膜厚の和）に応じた段差が生じる。一方で、本実施形態においては、図１６に示すように、保護部９６は絶縁層９２に形成された開口部９２Bの内側（絶縁層９２より下層の第２封止層７２の面上）に形成される。したがって、本実施形態では、フィルター層９０の面上に生じる段差は保護部９６の膜厚から絶縁層９２の膜厚を差し引いた大きさになる。すなわち、対比例４と比較してフィルター層９０の面上に形成される段差が小さくなり、接着層２１の成膜不良が低減される。
【００７２】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００７３】
図１９は、第２実施形態の封止体７０の面上に形成されたフィルター層９０の説明図である。図１９に例示される通り、第２実施形態の絶縁層９２には、第１実施形態で説明した開口部９２Bが形成されない。第２実施形態の保護部９６は、各層（第１層９６R，第２層９６G，第３層９６B）の周縁の位置関係が第１実施形態とは相違する。第１実施形態では、保護部９６の各層の周縁が平面視で重なる（すなわち、各層の側面が面一である）のに対し、第２実施形態では、各層の周縁の平面的な位置が平面視で相違する。
【００７４】
具体的には、図１９に示すように、第１層９６Rの内周縁は、第２層９６Gの内周縁より距離Ｌ1だけ表示領域１２側に位置し、第１層９６Rの外周縁は、第２層９６Gの外周縁より距離Ｌ3だけ基板１０の周縁側（表示領域１２とは反対側）に位置する。すなわち、第２層９６Gは、直下の第１層９６Rが形成される範囲に平面視で包含されるように、第１層９６と比較して小面積に形成される。同様に、第２層９６Gの内周縁は、第３層９６Bの内周縁より距離Ｌ2だけ表示領域１２側に位置し、第２層９６Gの外周縁は、第３層９６Bの外周縁より距離Ｌ4だけ基板１０の周縁側に位置する。したがって、保護部９６の内周縁側の側面および外周縁側の側面は、各層の膜厚に相当する段差の階段状に形成される。距離Ｌ1から距離Ｌ4は適宜な大きさに設定されるが、第１層９６Rから第３層９６Bの膜厚以上の大きさに形成されるのが好適である。例えば、膜厚が約１μｍの第１層９６Rから第３層９６Bに対して、距離Ｌ1から距離Ｌ4を約５μｍに形成することができる。
【００７５】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が実現される。また、例えば、第１層９６Rから第３層９６Bの側面を面一とした保護部９６が絶縁層９２の表面に形成される構成（例えば、図１８に示した対比例４）においては、保護部９６の各層（第１層９６R，第２層９６G，第３層９６B）の膜厚の和に相当する段差がフィルター層９０の表面に生じる。第２実施形態においては、図１９から理解される通り、フィルター層９０の表面の１段分の段差は、保護部９６を構成する各層（９６R，９６G，９６B）の膜厚に相当し、保護部９６の各層の膜厚の和よりも小さい。以上の通り、第２実施形態によれば、保護部９６を形成することでフィルター層９０の表面（絶縁層９２、第１層９６R、第２層９６G、第３層９６B、各カラーフィルター９４の表面）に生じる各段差（滴下された接着剤の流動を阻害し得る段差）は、対比例４と比較して小さくなる。したがって、本実施形態によれば、接着剤をスピンコート法でフィルター層９０の表面に塗布する場合に、接着剤の流動がフィルター層９０の段差で阻害される可能性が低減され、結果的に接着層２１の成膜不良が低減される。
【００７６】
＜変形例＞
以上に例示した形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は適宜に併合され得る。
【００７７】
（１）フィルター層９０の表面の段差を低減するという観点から、図２０に示すように、絶縁層９２と同程度の膜厚の保護部９６を、絶縁層９２に形成された開口部９２Bの内側に形成してもよい。以上の構成によれば、図２０に示すように、絶縁層９２の表面と保護部９６の表面とが略同一面内に位置するので、フィルター層９０の表面の段差を低減するという効果は格別に顕著である。
【００７８】
ところで、接着層２１の形成にスピンコート法を採用した場合、表示領域１２内に滴下された接着剤が流動して表示領域１２や周辺領域１４から実装領域１６まで到達する可能性がある。接着剤が実装領域１６に到達して各実装端子３６の表面に付着した場合、実装端子３６と外部回路の端子とが充分に導通しない可能性がある。第１実施形態では、表示領域１２と実装領域１６との間に保護部９６が位置し、保護部９６の膜厚に対応した段差がフィルター層９０の表面に現れる。以上の構成では、実装領域１６に対する接着剤の流動が保護部９６の段差により阻止されるから、接着剤の付着に起因した実装端子３６と外部回路の端子との導通不良を防止できるという効果を奏する。
【００７９】
（２）前述の各形態では、保護部９６が第１封止層７１の側端面８４を覆う構成を例示し他が、第１封止層７１と保護部９６との位置関係は前述の例示に限定されない。例えば、第１封止層７１の周縁（下側周縁８８）からみて基板１０の周縁側（表示領域１２とは反対側）の領域に保護部９６を形成した構成（すなわち保護部９６が平面視で第１封止層７１に重ならない構成）も採用される。また、第１封止層７１の封止面８２上に保護部９６を形成した構成（第１封止層７１の上側周縁８６からみて表示領域１２側の領域に保護部９６が位置する構成）も採用される。以上の説明から理解される通り、保護部９６が平面視で第１封止層７１（第１封止層７１の側端面８４）に重なるか否かは本発明において不問である。
【００８０】
（３）以上の各形態における各要素は、適宜に省略することが可能である。例えば、前述の各形態では、フィルター層９０を絶縁層９２を含めて構成したが、フィルター層９０から絶縁層９２を省略することも可能である。また、封止体７０を第１封止層７１と第２封止層７２と第３封止層７３とを含めて構成したが、各層は適宜に省略される。例えば第２封止層７２を省略する場合は、第１封止層７１の表面に保護部９６が直接形成される。また、保護部９６を第１層９６Rと第２層９６Gと第３層９６Bとの３層を含んで構成したが、例えば、第１層９６Rから第３層９６Bの何れか１層または２層を含んで構成してもよい。
【００８１】
（４）以上の各形態では、第１封止層７１の側端面８４および周辺配線Ｄの両方に重なる保護部９６を例示したが、側端面８４および周辺配線Ｄの何れか一方に保護部９６を重ねる構成も採用し得る。
【００８２】
（５）前述の各形態では、保護部９６を、第１封止層７１の周縁に重ねて形成したが、発光機能層４６の周縁４８に重ねて保護部９６を形成してもよい。以上の構成においては、第１実施形態と同様に、周縁４８と下地層との隙間に水分や外気が進入することが低減される。
【００８３】
（６）以上の各形態においては、保護部９６を下側周縁８８の全周に重ねて形成したが、保護部９６を下側周縁８８の一部に重ねてもよい。同様に、保護部９６を上側周縁８６の一部に重ねてもよい。また、以上の各形態においては、保護部９６が周辺配線Ｄの一部に重なる構成としたが、保護部９６が平面視で周辺配線Ｄの全域に重なる構成も採用し得る。
【００８４】
（７）以上の各形態においては、保護部９６を第１封止層７１の上側周縁８６および下側周縁８８の双方に重ねたが、保護部９６を上側周縁８６および下側周縁８８の何れか一方に重ねてもよい。
【００８５】
（８）フィルター層９０の着色層Ｋの種類は前述の各形態での例示に限られない。例えば、フィルター層９０を、赤色の光を透過させる第１着色層ＫRと緑色の光を透過させる第２着色層ＫGと青色の光を透過させる第３着色層ＫBとに加えて、波長が約５８０ｎｍの黄色の光を透過させる第４着色層を含めて構成してもよい。以上の構成において、表示色が黄色の画素Ｐが表示領域１２に形成され、この画素Ｐの発光素子４５に重なる第４カラーフィルターと、保護部９６の第３層９６Bに重なる第４層とが第４着色層を用いて同層から形成される。
【００８６】
（９）前述の各形態では有機ＥＬ材料を利用した発光素子４５を例示したが、無機ＥＬ材料で発光層を形成した発光素子やＬＥＤ等の発光素子を利用した構成にも本発明は同様に適用される。また、前述の各形態では、基板１０とは反対側に光を出射するトップエミッション型の発光装置１００を例示したが、基板１０側に光を出射するボトムエミッション型の発光装置にも本発明は同様に適用される。
【００８７】
＜電子機器＞
前述の各形態に例示した発光装置１００は各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図２１には、前述の各形態に例示した発光装置１００を利用した頭部装着型の表示装置１（HMD：Head Mounted Display）が電子機器として例示されている。
【００８８】
表示装置１は、利用者の頭部に装着可能な電子機器であり、利用者の左眼に重なる透過部（レンズ）２Lと、利用者の右眼に重なる透過部２Rと、左眼用の発光装置１００Lおよびハーフミラー４Lと、右眼用の発光装置１００Rおよびハーフミラー４Rとを具備する。発光装置１００Lと発光装置１００Rとは、出射光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー４Lは、透過部２Lの透過光を利用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１００Lからの出射光を利用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー４Rは、透過部２Rの透過光を利用者の右眼側に透過させるとともに発光装置１００Rからの出射光を利用者の右眼側に反射させる。したがって、利用者は、透過部２Lおよび透過部２Rを介して観察される像と各発光装置１００による表示画像とを重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１００Lと発光装置１００Rとに表示させることで、利用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。
【００８９】
なお、前述の各形態の発光装置１００が適用される電子機器は図２１の表示装置１に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも本発明の発光装置１００が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本発明の発光装置を採用することが可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１０……基板、１００……発光装置、１２……表示領域、１４……周辺領域、１６……実装領域、２２……走査線、２４……制御線、２６……信号線、３０……駆動回路、３２……走査線駆動回路、３４……信号線駆動回路、３６……実装端子、４１……第１電源導電体、４２……第２電源導電体、Ｅ1……第１電極、Ｅ2……第２電極、４５……発光素子、４６……発光機能層、４８……周縁、５８……第２導電体、６０……光路調整層、６３……第１導電体、６５……画素定義層、７０……封止体、７１……第１封止層、８２……封止面、８４……側端面、８６……上側周縁、８８……下側周縁、７２……第２封止層、７３……第３封止層、９０……フィルター層、９２……絶縁層、９４R，９４G，９４B……カラーフィルター、９６……保護部、９６R……第１層、９６G……第２層、９６B……第３層、２０……封止基板、２１……接着層、Ｃ……容量素子、Ｄ……周辺配線、ＴDR……駆動トランジスター、ＴEL……発光制御トランジスター、ＴSL……選択トランジスター、Ｑ（ＱA1，ＱA2，ＱA3，ＱA4，ＱB1，ＱB2，ＱD1，ＱE1）……中継電極、１……表示装置、２L……透過部、２R……透過部、４L……ハーフミラー、４R……ハーフミラー。
【図１】
2018078110.tif 000003
【図２】
2018078110.tif 000004
【図３】
2018078110.tif 000005
【図４】
2018078110.tif 000006
【図５】
2018078110.tif 000007
【図６】
2018078110.tif 000008
【図７】
2018078110.tif 000009
【図８】
2018078110.tif 000010
【図９】
2018078110.tif 000011
【図１０】
2018078110.tif 000012
【図１１】
2018078110.tif 000013
【図１２】
2018078110.tif 000014
【図１３】
2018078110.tif 000015
【図１４】
2018078110.tif 000016
【図１５】
2018078110.tif 000017
【図１６】
2018078110.tif 000018
【図１７】
2018078110.tif 000019
【図１８】
2018078110.tif 000020
【図１９】
2018078110.tif 000021
【図２０】
2018078110.tif 000022
【図２１】
2018078110.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に、
表示領域内に配置され、第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の電流に応じて発光する発光機能層とを含む発光素子と、
平面視で前記表示領域の周囲に形成されて前記第２電極に導通する周辺配線と、
前記表示領域と前記表示領域の周囲とにわたり形成され、前記表示領域内に開口部が形成された絶縁層と、
第１波長の光を透過させる第１着色層を含むフィルター層であって、前記第１着色層で前記開口部の内側に形成されて前記発光素子に重なる第１カラーフィルターと、前記第１着色層で前記絶縁層の面上に形成されて前記周辺配線に重なる第１層とを含むフィルター層と
が形成された発光装置。
【請求項２】
基体に、
表示領域内に配置され、第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の電流に応じて発光する発光機能層とを含む発光素子と、
平面視で前記表示領域の周囲に形成されて前記第２電極に導通する周辺配線と、
前記表示領域内の第１開口部と前記周辺配線に重なる第２開口部とが形成された絶縁層と、
第１波長の光を透過させる第１着色層を含むフィルター層であって、前記第１着色層で前記第１開口部の内側に形成されて前記発光素子に重なる第１カラーフィルターと、前記第１着色層で前記第２開口部の内側に形成されて前記周辺配線に重なる第１層とを含むフィルター層と
が形成された発光装置。
【請求項３】
前記フィルター層は、前記第１波長とは異なる第２波長の光を透過させる第２着色層を含み、前記第２着色層で形成されて前記発光素子に重なる第２カラーフィルターと、前記第２着色層で前記第１層の面上に形成されて前記周辺配線に重なる第２層とを含む
請求項１または請求項２の発光装置。
【請求項４】
前記フィルター層は、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長の光を透過させる第３着色層を含み、前記第３着色層で形成されて前記発光素子に重なる第３カラーフィルターと、前記第３着色層で前記第２層の面上に形成されて前記周辺配線に重なる第３層とを含む
請求項３の発光装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図１６に例示される通り、フィルター層９０の面上には接着層２１を介して封止基板２０が接合される。封止基板２０は、例えばガラスや石英等で形成された光透過性の板状部材である。接着層２１は、フィルター層９０の表面に塗布された接着剤を硬化させることで形成される。接着剤の塗布にはスピンコート法が好適に採用される。具体的には、硬化前の接着剤を基板１０（フィルター層９０）上に滴下し、基板１０を回転させることで接着剤を流動させてフィルター層９０の表面（絶縁層９２、第３層９６B、各カラーフィルター９４の表面）の全域に均一に塗布する。フィルター層９０の表面に段差が形成されていると、この段差によりフィルター層９０の表面における接着剤の流動が阻害されて接着剤が均一に塗布されず、接着層２１の成膜不良が生じ得る。特に、フィルター層９０の表面に形成される段差が大きいほど成膜不良が生じやすくなる。図１８は、絶縁層９２に開口部９２Bを形成せずに絶縁層９２の面上に保護部９６を形成した構成（以下「実施例Ａ」という）の説明図である。実施例Ａにおいては、保護部９６が絶縁層９２の面上に形成されるため、フィルター層９０の表面に保護部９６の膜厚（第１層９６Rと第２層９６Gと第３層９６Bとの膜厚の和）に応じた段差が生じる。一方で、本実施形態においては、図１６に示すように、保護部９６は絶縁層９２に形成された開口部９２Bの内側（絶縁層９２より下層の第２封止層７２の面上）に形成される。したがって、本実施形態では、フィルター層９０の面上に生じる段差は保護部９６の膜厚から絶縁層９２の膜厚を差し引いた大きさになる。すなわち、実施例Ａと比較してフィルター層９０の面上に形成される段差が小さくなり、接着層２１の成膜不良が低減される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が実現される。また、例えば、第１層９６Rから第３層９６Bの側面を面一とした保護部９６が絶縁層９２の表面に形成される構成（例えば、図１８に示した実施例Ａ）においては、保護部９６の各層（第１層９６R，第２層９６G，第３層９６B）の膜厚の和に相当する段差がフィルター層９０の表面に生じる。第２実施形態においては、図１９から理解される通り、フィルター層９０の表面の１段分の段差は、保護部９６を構成する各層（９６R，９６G，９６B）の膜厚に相当し、保護部９６の各層の膜厚の和よりも小さい。以上の通り、第２実施形態によれば、保護部９６を形成することでフィルター層９０の表面（絶縁層９２、第１層９６R、第２層９６G、第３層９６B、各カラーフィルター９４の表面）に生じる各段差（滴下された接着剤の流動を阻害し得る段差）は、実施例Ａと比較して小さくなる。したがって、本実施形態によれば、接着剤をスピンコート法でフィルター層９０の表面に塗布する場合に、接着剤の流動がフィルター層９０の段差で阻害される可能性が低減され、結果的に接着層２１の成膜不良が低減される。