(57)【要約】      （修正有）【課題】回転検出を有する円形メモリ装置及びそれをつくるための方法を提供する。【解決手段】円形メモリ装置１００は、複数の下部電極１０４Ａ〜１０４Ｅ、複数の上部電極１０８Ａ〜１０８Ｅ、強誘電体層１０６、各下部電極のそれぞれと各上部電極との交差点での強誘電体層１０６内の複数のメモリ記憶場所を含む。下部電極及び上部電極の接触パッド１１０Ａ〜１１０Ｅ、１１４Ａ〜１１４Ｅは、メモリ動作が回転位置の範囲全体にわたって円形メモリ装置１００で実行されることを可能にする環状セクタを画定する周辺部を含む。メモリ動作は、リーダに対する円形メモリ装置１００の回転配向に関係なく、円形メモリ装置１００で実行されてもよい。【選択図】図１
2018206370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置であって、
複数の下部電極接触パッド及び複数の下部電極拡張部材を含む複数の下部電極であって、
前記複数の下部電極接触パッドのそれぞれが、前記下部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、
前記複数の下部電極接触パッドのそれぞれが、前記下部電極接触パッドを二分して、前記メモリ装置の中心から第１の半径で位置付けられる第１の円弧状の中線を含み、
各下部電極接触パッドの周辺部が、前記第１の円弧状の中線によって二分された環状セクタを画定する、複数の下部電極と、
複数の上部電極接触パッド及び複数の上部電極拡張部材を含む複数の上部電極であって、
前記複数の上部電極接触パッドのそれぞれが、前記上部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、
前記複数の上部電極接触パッドのそれぞれが、前記上部電極を二分して、前記メモリ装置の中心から第２の半径で位置付けられる第２の円弧状の中線を含み、前記第１の半径が、前記第２の半径と異なる、複数の上部電極と、
前記複数の下部電極拡張部材と前記複数の上部電極拡張部材との間に位置付けられる強誘電体層と、を含む、メモリ装置。
【請求項２】
前記複数の下部電極拡張部材及び前記複数の上部電極拡張部材のうちの少なくとも１つが、インターリービング、非交差螺旋に配列される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記複数の上部電極拡張部材のそれぞれが、交差点で前記複数の下部電極拡張部材のあらゆる下部電極拡張部材と交差する、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項４】
あらゆる交差点で位置付けられたメモリ記憶場所をさらに含む、請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項５】
円形メモリ装置であって、
複数の下部電極接触パッド及び複数の下部電極拡張部材を含む複数の下部電極であって、
前記複数の下部電極接触パッドのそれぞれが、前記下部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、
前記複数の下部電極接触パッドのそれぞれが、前記下部電極接触パッドを二分して、前記円形メモリ装置の中心から第１の半径で位置付けられる第１の円弧状の中線を含み、
各下部電極接触パッドの周辺部が、前記第１の円弧状の中線によって二分された環状セクタを画定する、複数の下部電極と、
複数の上部電極接触パッド及び複数の上部電極拡張部材を含む複数の上部電極であって、
前記複数の上部電極接触パッドのそれぞれが、前記上部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、
前記複数の上部電極接触パッドのそれぞれが、前記上部電極を二分して、前記円形メモリ装置の中心から第２の半径で位置付けられる第２の円弧状の中線を含み、前記第１の半径が、前記第２の半径と異なる、複数の上部電極と、
前記複数の下部電極拡張部材と前記複数の上部電極拡張部材との間に位置付けられる強誘電体層と、を含む、円形メモリ装置と、
前記円形メモリ装置でメモリ動作を実行するように構成されるリーダであって、前記複数の下部電極接触パッド及び前記複数の上部電極接触パッドに電気的に結合するように構成される複数のプローブを含むリーダとを含む、メモリシステム。
【請求項６】
前記複数のプローブが、複数の一次プローブ及び複数の二次プローブを含み、
前記複数の一次プローブからの各一次プローブが、メモリ動作の間、前記下部電極接触パッドのうちの１つと、または前記上部電極接触パッドのうちの１つと電気的に連通するとき、前記複数の二次プローブが、非活性になるように構成され、
前記一次プローブの少なくとも１つが、前記メモリ動作の間、前記下部電極接触パッドのうちの１つと、または前記上部電極接触パッドのうちの１つと電気的に連通しないとき、前記複数の一次プローブが、非活性になるように構成され、前記複数の二次プローブが、前記メモリ動作を実行するように構成される、請求項５に記載のメモリシステム。
【請求項７】
各下部電極接触パッド及び各上部電極接触パッドが、５２°〜６２°の円弧に沿って延在し、
前記複数の二次プローブが、１３°〜３６°だけ前記複数の一次プローブから回転オフセットされる、請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項８】
円形メモリ装置でメモリ動作を実行するための方法であって、
前記円形メモリ装置と物理的に接触するリーダを配置することと、
前記リーダの複数の一次プローブのあらゆる一次プローブが前記円形メモリ装置の複数の電極の１つの電極に電気的に結合されるかどうかを検出することと、
前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されている前記複数の一次プローブのあらゆる一次プローブに応答して、前記複数の一次プローブを使用して前記円形メモリ装置で前記メモリ動作を実行することと、
前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されていない前記複数の一次プローブのあらゆる一次プローブに応答して、前記リーダの複数の二次プローブのあらゆる二次プローブが前記円形メモリ装置の前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されるかどうかを検出することと、
前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されている前記複数の二次プローブのあらゆる二次プローブに応答して、前記複数の二次プローブを使用して前記円形メモリ装置で前記メモリ動作を実行することと、を含む、方法。
【請求項９】
前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されていない前記複数の二次プローブのあらゆる二次プローブに応答して、前記円形メモリ装置に対して前記リーダを再位置付けするまたは再整合することと、
前記リーダの前記複数の一次プローブのあらゆる一次プローブが前記円形メモリ装置の前記複数の電極の１つの電極に電気的に結合されるかどうかの前記検出を実行することと、をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記リーダの中心パッドプローブが前記複数の一次プローブの前記一次プローブのうちの１つに電気的に結合されるかどうかを検出することと、
前記一次プローブのうちの前記１つに電気的に結合されている前記リーダの前記中心パッドプローブに応答して、あらゆる一次プローブが前記複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されるかどうかの前記検出を実行することと、
前記一次プローブのうちの１つに電気的に結合されていない前記中心パッドプローブに応答して、前記中心パッドプローブが前記複数の二次プローブの前記二次プローブのうちの１つに電気的に結合されるかどうかを検出することと、をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本教示は、一般に、印刷メモリ装置に関し、より詳細には、回転検出を有する円形メモリ装置及びそれをつくるための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷メモリ装置は、複数ビットの情報またはデータビットを記憶する複数のメモリ場所またはメモリセルを含んでもよい。印刷メモリ装置は、複数の平行上部電極（すなわち、導電性ライン）及び複数の平行下部電極を含み、下部電極は、上部電極に対して垂直に配置される。複数の電極は、マトリクス状の交差する交差点を形成し、各交差点は、メモリ記憶場所である。各データビットは、２つの交差電極の間に挟まれた活性層の状態によって記憶される。これにより、各電極は、複数のメモリ場所及びデータビットにアクセスするために使用される。
【０００３】
各電極は、電極との電気的結合を軽減するために、増大された寸法及び／または表面積を有する接触パッドで終端してもよい。複数の下部電極のための接触パッドは、互いに線形に配置されてもよい。さらに、複数の上部電極のための接触パッドは、互いに線形に配置されてもよい。メモリ場所に対してメモリ動作（例えば、読出し及び／または書込み）を実行するために、メモリ場所の交差点を形成する下部電極及び上部電極は、接触パッドを使用して、電気的にアクセスされる。メモリ動作は、複数のプローブが複数の接触パッドに物理的かつ電気的に接触するように配置されたリーダなどの装置によって実行されてもよい。
【０００４】
印刷メモリ装置は、様々な異なる用途に対して使用されてもよい。例えば、印刷メモリ装置は、識別または他の用途に対して使用することができるデータビットの組み合わせを記憶してもよい。
【発明の概要】
【０００５】
以下は、本教示の１つ以上の実装のいくつかの態様を基本的に理解するために、簡略化した概要を示す。この概要は、広範な概要ではなく、本教示の手がかりとなるまたは重要な要素を特定することも、本開示の範囲を描写することも意図していない。むしろ、その主な目的は、後で示される発明を実施するための形態の序文として、簡略化した形状で１つ以上の概念を単に示すことである。
【０００６】
実装において、メモリ装置は、複数の下部電極接触パッド及び複数の下部電極拡張部材を含む複数の下部電極を含み、複数の下部電極接触パッドのそれぞれは、下部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、複数の下部電極接触パッドのそれぞれは、下部電極接触パッドを二分して、メモリ装置の中心から第１の半径で位置付けられる第１の円弧状の中線を含み、各下部電極接触パッドの周辺部は、第１の円弧状の中線によって二分された環状セクタを画定する。この実装において、メモリ装置は、複数の上部電極接触パッド及び複数の上部電極拡張部材を含む複数の上部電極を含み、複数の上部電極接触パッドのそれぞれは、上部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、複数の上部電極接触パッドのそれぞれは、上部電極を二分して、メモリ装置の中心から第２の半径で位置付けられる第２の円弧状の中線を含み、第１の半径は、第２の半径と異なり、さらに、メモリ装置は、複数の下部電極拡張部材と複数の上部電極拡張部材との間に位置付けられる強誘電体層を含む。
【０００７】
別の実装において、メモリシステムは、複数の下部電極接触パッド及び複数の下部電極拡張部材を含む複数の下部電極を有する円形メモリ装置を含み、複数の下部電極接触パッドのそれぞれは、下部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、複数の下部電極接触パッドのそれぞれは、下部電極接触パッドを二分して、円形メモリ装置の中心から第１の半径で位置付けられる第１の円弧状の中線を含み、各下部電極接触パッドの周辺部は、第１の円弧状の中線によって二分された環状セクタを画定する。円形メモリ装置は、複数の上部電極接触パッド及び複数の上部電極拡張部材を含む複数の上部電極を含み、複数の上部電極接触パッドのそれぞれは、上部電極拡張部材のうちの１つと電気的に連通し、複数の上部電極接触パッドのそれぞれは、上部電極を二分して、円形メモリ装置の中心から第２の半径で位置付けられる第２の円弧状の中線を含み、第１の半径は、第２の半径と異なり、さらに、円形メモリ装置は、複数の下部電極拡張部材と複数の上部電極拡張部材との間に位置付けられる強誘電体層を含む。メモリシステムは、円形メモリ装置でメモリ動作を実行するように構成されるリーダであって、複数の下部電極接触パッド及び複数の上部電極接触パッドに電気的に結合するように構成される複数のプローブを含むリーダを含む。
【０００８】
円形メモリ装置でメモリ動作を実行するための方法の実装は、円形メモリ装置と物理的に接触するリーダを配置することと、リーダの複数の一次プローブのあらゆる一次プローブが円形メモリ装置の複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されるかどうかを検出することと、複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されている複数の一次プローブのあらゆる一次プローブに応答して、複数の一次プローブを使用して円形メモリ装置でメモリ動作を実行することと、複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されていない複数の一次プローブのあらゆる一次プローブに応答して、リーダの複数の二次プローブのあらゆる二次プローブが円形メモリ装置の複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されるかどうかを検出することと、複数の電極のうちの１つの電極に電気的に結合されている複数の二次プローブのあらゆる二次プローブに応答して、複数の二次プローブを使用して円形メモリ装置でメモリ動作を実行することとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、本教示の実装を例証し、説明とともに、本開示の原理を説明する働きをする。図において：
【００１０】
【図１】本教示の実装に従う円形メモリ装置の平面図である。
【図２】図１の２−２に沿った概略断面図である。
【図３】図１の３−３に沿った概略断面図である。
【図４】任意選択のパッシベーション層を含む図３構造を表す図である。
【図５】リーダのプローブによって物理的かつ電気的に接触された図１構造を表す図である。
【図６】リーダのプローブと不整合の図１構造を表す図である。
【図７】リーダのプローブによって電気的に接触された図１構造を表す図である。
【図８】リーダのプローブを表す平面図である。
【図９】製品に取り付けられた図１装置の透視図である。
【図１０】図１の装置でメモリ動作を実行し得るリーダと物理的かつ電気的に接触する図９構造の透視図である。
【図１１Ａ】本教示の実装により実行され得る方法のフローチャートを示す図である。
【図１１Ｂ】本教示の実装により実行され得る方法のフローチャートを示す図である。
【図１２】図１１Ａ、１１Ｂのフローチャートを用いる方法の間に図１の装置に対して起こり得るリーダの種々の整合を表す図である。
【図１３】本教示の実装に従う円形メモリ装置の別の実装の図である。
【図１４Ａ】本教示の実装により実行され得る方法のフローチャートを示す図である。
【図１４Ｂ】本教示の実装により実行され得る方法のフローチャートを示す図である。
【図１５】図１４Ａ、１４Ｂのフローチャートを用いる方法の間に図１３の装置に対して起こり得るリーダの種々の整合を表す図である。
【００１１】
図のいくつかの細部が簡略化され、厳格な構造精度、細部、及びスケールを維持するのではなく、本教示の理解を促進するように描かれている点に留意すべきである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ここで、本教示の例示的な実装について詳しく言及し、その例が添付図面に例証される。可能な限り、同じまたは同様の部品を指すために、図面全体にわたって同じ参照番号が使用される。
【００１３】
円形メモリ装置の実装は、「Ｃｉｒｃｕｌａｒ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｄｅｖｉｃｅ  ｗｉｔｈ  Ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ．」という表題の２０１７年３月６日に出願された米国特許出願第１５／４５０，８５６号に記載され、その全体が参照により組み込まれる。開示された円形メモリ装置は、中心部材を含む上部電極及び複数の下部電極を含み、各下部電極は、円形接触面積及び拡張部材を含む。読出し及び／または書込みなどのメモリ動作は、上部電極の中心部材と下部電極円形部材のうちの１つとを接触させることによって、この円形メモリ装置で実行されてもよい。特定のメモリセルを読み出すために、例えば、リーダのピンまたはプローブは、特定のメモリセルの円形部材と正確に整合される。円形メモリ装置を回転させると、プローブは、異なるメモリセルの円形部材と物理的に接触し得る。リーダは、複数のプローブを含み、円形メモリ装置の設計は、リーダが回転配向を決定することを可能にする特徴を含むので、リーダは、リーダの異なる電気的接触を使用して特定のメモリセルを読み出し得る。
【００１４】
本開示は、回転配向に対してロバスト性を有する円形印刷メモリ装置（「円形メモリ装置」または「メモリ装置」と呼ばれる）を広範に開示する。一実装において、メモリ装置は、メモリ装置がある範囲の回転配向にわたって位置付けられるときにリーダを接触させることによって、成功裏に読み込まれ得る。
【００１５】
本教示の実装に従うメモリ装置１００は、図１の平面図、図１の「２−２」に沿って見た図２の断面図、及び図１の「３−３」に沿って見た図３の断面図において表される。メモリ装置１００は、ベース基板１０２、複数の下部電極１０４Ａ〜１０４Ｅ（本明細書において、個々に下部電極１０４及び／または集合的に下部電極１０４と呼ばれる）、強誘電体層１０６、ならびに複数の上部電極１０８Ａ〜１０８Ｅ（本明細書において、個々に上部電極１０８及び／または集合的に上部電極１０８と呼ばれる）。一実装において、ベース基板１０２、下部電極１０４、強誘電体層１０６及び上部電極１０８は、互いの上部で層状化され、強誘電体層１０６は、下部電極１０４と上部電極１０８との間に位置付けられる。本教示の実装に従うメモリ装置１００は、簡略化のために表されていない他の構造及び／または特徴を含んでもよく、表された構造及び／または特徴は、取り除かれても、もしくは修正されてもよい。
【００１６】
実装において、ベース基板１０２は、可撓性ベース基板１０２を提供する可撓性材料であってもよい。例えば、可撓性材料は、可撓性プラスチック、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などであってもよく、または含んでもよい。
【００１７】
ベース基板１０２は、連続シートとして提供されてもよい。例えば、ベース基板１０２は、複数の円形メモリ装置１００を生産する組み立てラインによってロールされ、供給されてもよい。このため、ベース基板１０２及び各円形メモリ装置１００は、その後、ベース基板１０２の連続シートから打ち抜かれても、または切り取られてもよい。
【００１８】
複数の下部電極１０４及び複数の上部電極１０８は、導電性材料、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、金属合金などの１層以上の層から製作されてもよい。
【００１９】
実装において、各下部電極１０４Ａ〜１０４Ｅは、接触パッド１１０Ａ〜１１０Ｅ及び拡張部材１１２Ａ〜１１２Ｅを含んでもよい。各メモリセルと関連付けられた接触パッド１１０及び拡張部材１１２は、単一の連続構造（例えば、同じ導電層から形成される）であってもよい。さらに、各上部電極１０８Ａ〜１０８Ｅは、接触パッド１１４Ａ〜１１４Ｅ及び拡張部材１１６Ａ〜１１６Ｅを有してもよい。各メモリセルと関連付けられた接触パッド１１４及び拡張部材１１６はまた、単一の連続構造であってもよい。接触パッド１１０、１１４は、リーダのプローブまたはピンのアレイが、下部電極１０４及び上部電極１０８と物理的かつ電気的に接触し得る比較的大きい表面を提供する。実装において、図１の平面図における各接触パッド１１０、１１４は、表されるように、環状セクタの形状を画定する周辺部を有してもよい。下部電極の接触パッド１１０Ａ〜１１０Ｅのそれぞれは、他の接触パッド１１０Ａ〜１１０Ｅのそれぞれとほぼ同じである第１の表面積を有してもよく、上部電極の接触パッド１１４Ａ〜１１４Ｅのそれぞれは、他の接触パッド１１４Ａ〜１１４Ｅのそれぞれとほぼ同じである第２の表面積を有してもよく、第１の表面積は、第２の表面積よりも大きい。
【００２０】
複数の下部電極１０４は、ベース基板１０２の上に円形パターンで配列されてもよく、接触パッド１１０は、メモリ装置１００の外周部に向かって位置付けられ、拡張部材１１２は、メモリ装置１００の中心「Ｏ」に向かって配向される（例えば、指向して）。（図１において表すように、メモリ装置１００の中心「Ｏ」は、線２−２及び３−３が交差する位置である。）各下部電極１０４の各接触パッド１１０は、接触パッド１１０にわたって延在して、二分する第１の円弧状の中線１１８を有してもよく、第１の中線１１８の各点は、中心「Ｏ」から第１の距離である。
【００２１】
任意のタイプの強誘電体材料が強誘電体層１０６のために使用されてもよい。一実装において、強誘電体層１０６は、フッ素、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、トリフルオロエチレン（ＴＦＥ）など、またはそれらの組み合わせを含有するポリマーを含んでもよい。他の強誘電体材料及び／または材料の組み合わせは、強誘電体層１０６として使用するために考察される。
【００２２】
複数の上部電極１０８はまた、接触パッド１１４とともに、中心「Ｏ」に向かってベース基板１０２上に円形パターンで配列されてもよい。図１において表すように、上部電極１０８の拡張部材１１６は、それらが互いに交差しない（すなわち、非交差である）ように、インターリービングまたはインターディジット螺旋に配列されてもよい。表されるように、各上部電極１０８は、あらゆる下部電極１０４を交差してもよく、各交差点でメモリセルが形成される。各下部電極１０４の各接触パッド１１４は、円弧として接触パッド１１４にわたって延在して、二分する第２の円弧状の中線１２０を有してもよく、第２の中線１２０の各点は、中心「Ｏ」から第２の距離であり、第２の距離は、第１の距離未満である。
【００２３】
図１〜３は、５個の下部電極１０４及び５個の上部電極１０８を有するメモリ装置を表す。このため、表されたメモリ装置１００は、２５個のメモリセルを含み、各メモリセルは、下部電極１０４のうちの１つと上部電極１０８のうちの１つとの交差点に位置付けられる。本教示によるメモリ装置は、下部電極１０４及び上部電極１０８の数に応じて、およそ２５個のメモリセルを含んでもよい。
【００２４】
強誘電体メモリの動作は、当該技術分野において既知であるため、メモリ装置１００の電気動作は、本明細書において簡潔に記載するのみである。一般に、「０」状態または「１」状態のいずれかを有するデータビットは、各下部電極１０４と各上部電極１０８との交差点の場所における強誘電体層１０６内に記憶される。強誘電体層内の強誘電体結晶の分極ベクトルは、どのデータビットが記憶されるかを決定する。データビットのうちの１つは、特定のメモリ場所と対の下部電極１０４及び上部電極１０８に好適な電圧を印加することによって、メモリセル内に選択的に記憶されてもよく、またはメモリセルから読み出されてもよい。
【００２５】
下部電極（すなわち、図１〜３の記述における下部電極１０４Ａ）のうちの１つは、中心「Ｏ」に位置付けられる任意選択の中心接触パッド１３０を含んでもよく（例えば、電気的に結合される）、このため、本明細書において、「配向性電極」または「配向電極」と呼ばれる。中心接触パッド１３０は、拡張部材１１２Ａに電気的に結合され（すなわち、電気的に連通する）、拡張部材１１２Ａによって接触パッド１１０Ａにさらに接続される。実装において、メモリ装置１００は、１つの配向性電極のみを含んでもよく、中心パッド１３０は、１つの下部電極のみと電気的に結合される。中心接触パッド１３０の周辺部は、図１において表すように、円を画定する。使用の間、リーダのプローブのアレイからの第１のプローブは、中心接触パッド１３０に電気的に接触するように位置付けられてもよく、また第２のプローブは、接触パッド１１０Ａ〜１１０Ｅのうちの１つに電気的に接触するように位置付けられてもよい。低い電気抵抗が第１のプローブと第２のプローブとの間で測定される場合、第２のプローブは、下部電極１０４Ａと物理的に接触しており、それによって、円形メモリ装置の配向を知ることを決定してもよい。反対に、高い電気抵抗が第１のプローブと第２のプローブとの間で測定される場合、第２のプローブが下部電極１０４Ｂ〜１０４Ｅのうちの１つと物理的に接触していることを決定してもよい。実際には、後述するように、リーダは、５個のプローブ（または、他の実装において、５個超または５個未満）を含んでもよく、円形メモリ装置１１０の配向が決定され得るように、１つのプローブが下部電極１０４Ａ〜１０４Ｅのそれぞれと接触する。
【００２６】
メモリ装置１００は、装置構造を保護するために、図４において表すように、例えば、誘電体パッシベーション層４００を含んでもよい。使用する場合、パッシベーション層４００は、種々の導電構造を露出させるために、その中に開口を含み、例えば、メモリ装置１００を試験する、読出す、及び／または書込むためにプローブとの電気的接触を可能にし得る。図４において表すように、パッシベーション層４００は、下部電極接触パッド１１０のそれぞれを露出させて、それらに対する電気的接触を可能にする複数の第１の接触開口４０２、中心接触パッド１３０を露出させて、それに対する電気的接触を可能にする第２の接触開口４０４、及び上部電極接触パッド１１４のそれぞれを露出させて、それらに対する電気的接触を可能にする複数の第３の接触開口４０６を含む。
【００２７】
メモリ装置１００でメモリ動作（例えば、読出し及び／または書込み動作、試験動作、電気特性動作など）を実行するために、例えば、リーダの複数の接触ピンまたはプローブは、図５の概略平面図に表されるように、下部電極１０４の複数の接触パッド１１０及び上部電極１０８の複数の接触パッド１１４と電気的に接触して配置されてもよい。図５は、図１のメモリ装置１００及び接触パッド１１０、１１４、１３０と物理的かつ電気的に接触する、１組または複数の一次電極プローブまたは一次プローブ５００〜５０４を表す。複数の一次プローブは、リーダの接触プローブのアレイの一部であってもよく、または含んでもよい。一次プローブ５００〜５０４は、円形メモリ装置１００の外半径に向かって下部電極１０４に接触する複数の一次下部電極プローブ５００、円形メモリ装置１００の中間半径で上部電極１０８に接触する複数の一次上部電極プローブ５０２、及び円形メモリ装置１００の中心「Ｏ」に向かって中心接触パッド１３０に接触する中心パッドプローブ５０４を含む。例証のために、下部電極プローブ５００及び上部電極プローブ５０２は、円として表され、中心接触プローブ５０４は、星として表されているが、接触プローブ５００〜５０４のそれぞれは、異なる形状が考察されるけれども、一般に、同じ形状を有することが理解されよう。
【００２８】
図５平面図の実装において及び上述のように、接触パッド１１０、１１４のそれぞれは、環状セクタとして形成されてもよく、または環状セクタの形状を有してもよい。各環状セクタは、図６において表すように、円のａ°にわたって延在してもよい（すなわち、ａ°の円弧に沿って延在してもよい）。ａ°の角度は、少なくとも部分的に、下部電極接触パッド１１０の数または上部電極１０８の数に依存する。表された実装において、下部電極接触パッド１１０の数（すなわち、５個）は、上部電極接触パッド１１４の数（すなわち、５個）に等しく、そのため、それぞれの数は、「Ｎ」と指定されてもよい。ａ°の角度はまた、少なくとも部分的に、図６において、ｂ°であるそれぞれの電極タイプのための隣接する接触パッド間の隙間に依存する。接触パッド１１０、１１４は、中心「Ｏ」の周りに均一に分布されてもよい。隣接する環状セクタ間のｂ°の隙間は、ｂ°＝（３６０°／Ｎ−ａ°）として算出され得る。実装において、プローブ５００〜５０４が隣接する下部電極接触パッド１１０の間、または上部電極接触パッド１１４の間をブリッジする、またはまたがることができないように、ｂ°は、一次プローブ５００〜５０４の幅より大きくてもよい。
【００２９】
例えば、図６実装において、Ｎ＝５であり、このため、ａ°＋ｂ°について７２°（３６０°／５）が利用可能である。ａ°が５２．６°になるように指定されるまたは選択される場合、そのとき、ｂ°＝７２°−５２．６°＝１９．４°である。このため、図５に関するこの実装において、プローブ５００、５０２と各それぞれの接触パッド１１０、１１４との間の物理的かつ電気的な接触を維持しながら、メモリ装置１００は、５２．６°（すなわち、図５の配向に対して時計回りに２６．３°または反時計回りに２６．３°）で回転することができる。このため、環状セクタの形状を有する接触パッド１１０、１１４を含む図５の装置は、丸形または正方形の接触パッドを有する装置と比較して、回転不整合に対する向上した公差を有する。
【００３０】
図５の記述は、一般に、一次プローブ５００〜５０４のそれぞれが各接触パッド１１０、１１４、１３０の中心と物理的に接触するため、プローブ５００〜５０４と接触パッド１１０、１１４、１３０との間の理想的な接触状態である。図６は、リーダ及び１組の一次プローブ５００〜５０４をメモリ装置１００に対して３５°回転させる図５構造を表す。この場合、中心パッドプローブ５０４のみがメモリ装置１００と電気的に接触するため、メモリ装置に対するメモリ動作は、成功しない。回転不整合に関して、図６は、一般に、プローブ５００〜５０４と接触パッド５００、５０２との間の最も悪い場合の接触状態を表す。
【００３１】
成功したメモリ動作にはならない、図６において表すような回転不整合を解決するために、１組または複数の二次電極プローブまたは二次プローブが考察される。複数の二次プローブは、リーダの接触プローブのアレイの一部であってもよく、または含んでもよい。複数の第２の電極プローブを１組の一次プローブの位置から回転させるが、二次プローブは、中心「Ｏ」からの同じ距離である。図７は、図６のメモリ装置１００及び一次プローブ５００〜５０４、ならびに１組の二次プローブ７００、７０２を表す。例証のために、二次プローブ７００、７０２は、五角形として表されているが、接触プローブ５００〜５０４、７００、７０２のそれぞれは、異なる形状が考察されるけれども、一般に、同じ形状を有することが理解されよう。二次プローブ７００、７０２は、円形メモリ装置１００の外半径に向かって下部電極１０４に接触する複数の二次下部電極プローブ７００及び円形メモリ装置１００の中間半径で上部電極１０８に接触する複数の二次上部電極プローブ７０２を含む。
【００３２】
二次プローブ７００、７０２を一次接点５００、５０２に対して中心点の周りを「ｃ°」回転させる。図７において、ｃ°＝２９°である。この「回転オフセット」は、少なくとも部分的に、Ｎの値、及びリーダプローブと接触パッドとの間の接触面積（本明細書において「ｄ°」と指定される）によって決定されるｃ°の値を有する。図７において表すように、リーダプローブと接触パッドとの間の接触面積は、ｄ°を定め、約５．５°である。上記のように測定されるａ°、ｂ°、ｃ°及びｄ°について、ｂ°＜ｃ°＋ｄ°＜ａ°となるように、値が選択されてもよく、リーダが設計されてもよい。このため、接触パッドは、Ｎ倍の回転対称性を有する。さらに、幾何形状が適切な公差によって選択される場合、この関係は、特定の公差窓内で印刷メモリ装置に対するリーダの任意の相対位置、例えば、リーダ上の中心接点が装置上の中心接触パッドに接触する任意の相対位置に対して維持されてもよい。
【００３３】
図７において表すように、一次下部電極プローブ５００及び二次下部電極プローブ７００のそれぞれは、プローブアレイの中心から第１の距離（すなわち、第１の半径で）で位置付けられ、プローブアレイの中心は、プローブアレイの中心に位置付けられる中心パッドプローブ５０４の中心である。一次上部電極プローブ５０２及び二次上部電極プローブ７０２のそれぞれは、プローブアレイの中心から第２の距離（すなわち、第２の半径で）で位置付けられ、第２の距離は、第１の距離未満である。
【００３４】
図８は、リーダ８００の端面図であり、リーダ８００は、複数の一次下部電極プローブ５００、複数の二次下部電極プローブ７００、複数の一次上部電極プローブ５０２、複数の二次上部電極プローブ７０２、及び中心パッドプローブ５０４を含む。プローブ５００〜５０４、７００、７０２は、例えば、Ｐｏｇｏ（登録商標）ピン、プローブチップ、または別の種類のプローブであってもよい。
【００３５】
リーダ８００は、任意の回転配向において円形メモリアレイ１００と物理的かつ電気的に接触して配置され得、メモリ動作は、中心パッドプローブ５０４が中心接触パッド１３０に整合されていると仮定して、任意の回転配向において成功裏に実行され得ることが本明細書における説明から理解されるであろう。実装において、本明細書において記載されるシステムが使用されてもよいが、これは、メモリ装置１００とリーダ８００との位置関係が正確に制御され得るが、印刷メモリ装置とリーダとの間の回転関係は、厳密に制御されない、または厳密に制御されなくてもよい。例えば、図９は、円筒形状または円筒部分もしくは突出部を有する製品９００上に位置付けられるメモリ装置１００の透視図である。メモリ装置１００は、締結具（簡略化のために、個々に表されていない）、例えば、接着剤層または別の締結具を使用して製品９００に位置付けられてもよい。例えば、生産ライン内の製品９００の位置は、正確に制御されてもよいが、製品９００の回転整合は、正確に制御されない、または正確に制御されなくてもよい。図１０において表すように、リーダ８００は、メモリ装置１００でメモリ動作を実行するために、任意の回転配向において製品９００と整合されてもよい。例えば、メモリ装置１００は、製品９００に特有の製造データ、追跡データ、在庫データなどを記憶するために使用されてもよい。
【００３６】
円形メモリ装置１００などの集積回路（ＩＣ）１００でのメモリ動作、例えば、読出し動作、書込み動作、機能試験動作、特性試験動作、または別の動作を実行するための方法またはプロセス１１００は、図１１Ａ、１１Ｂの流れ図において表される。方法１１００は、上記の図において表される構造のうちの１つ以上の動作または使用によって、進行されてもよく、このため、図１〜１０に関して記載されているが、方法１１００は、本明細書において明確に述べられない限り、任意の特定の構造または使用に限定されないことが理解されよう。方法１１００は、一連の作用または現象として記載されるが、本教示は、そのような作用または現象の順序付けによって限定されないことが理解されよう。いくつかの作用は、本明細書において記載されるものだけでなく異なる順序で及び／または他の作用もしくは現象と並行して生じてもよい。さらに、本教示に従う方法は、簡略化のために表されていない他の作用または現象を含んでもよく、また、他の表された作用または現象は、取り除かれても、または修正されてもよい。
【００３７】
方法１１００は、１１０２でのようにメモリ装置１００と物理的かつ／または電気的に接触するリーダ８００を配置することから始まり、任意選択のカウンタは、初期化されかつ／または１１０４でのように「０」に設定されてもよい。次いで、リーダ８００は、中心パッドプローブ５０４が１１０６でのように一次下部電極プローブ５００のうちの１つに電気的に接続または結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。上述のように、中心パッドプローブ５０４と一次下部電極プローブ５００のうちの１つとの間で測定された低い電気抵抗は、２つのプローブがそれぞれ、配向性電極（すなわち、図１の下部電極１０４Ａ）の一端に接続されていることを示す。
【００３８】
一次下部電極プローブ５００のうちの１つ及び中心パッドプローブ５０４がそれぞれ、１１０６で配向性電極１０４Ａの一端に接続されることをリーダ８００が決定すると、リーダ８００は、１１０８でのように、あらゆる一次プローブ５００、５０２がメモリ装置に電気的に接続されるまたは結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。リーダ８００が１１０８で電気的接続を確認すると、メモリ動作は、１１１０でのように１組の一次プローブ５００、５０２を使用して実行される。１１１０でのメモリ動作の間、１組の二次プローブ７００、７０２は、一次プローブ及び／またはメモリ動作との電気的干渉を減少するまたは防止するために、電気的に非活性であってもよい（すなわち、非活動状態）。電気的接続が１１０８で確認されない場合、フローは、１１１２に分岐する。
【００３９】
ブロック１１０６を参照すると、中心パッドプローブ５０４が一次下部電極プローブ５００のうちの１つに電気的に接続されない場合、リーダ８００は、中心パッドプローブ５０４が１１１２でのように二次下部電極プローブ７００のうちの１つに電気的に接続または結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。二次下部電極プローブ７００及び中心パッドプローブ５０４のうちの１つがそれぞれ、１１１２で配向電極１０４Ａの一端に接続されることをリーダ８００が決定する場合、リーダ８００は、１１１４でのように、あらゆる二次プローブ７００、７０２がメモリ装置１００に電気的に接続されるまたは結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。リーダ８００が１１１４で電気的接続を確認すると、メモリ動作は、１１１６でのように１組の二次プローブ７００、７０２のセットを使用して実行される。１１１６のメモリ動作の間、１組の一次プローブ５００、５０２は、電気的に非活性であってもよい（すなわち、非活動状態）。電気的接続が１１１４で確認されない場合、フローは、１１１８に分岐する。
【００４０】
１１１８において、リーダ８００は、リーダ８００とメモリ装置１００との間の位置公差が満たされず、かつ／または電気的接続が確立されなかったことを決定した。１１２０において、任意選択のカウンタは、１だけ増加されてもよく、そのとき、カウンタの値は、１１２２でのように予定された最大値と比較される。カウンタ値が最大値に等しい場合、起こり得るメモリ故障（例えば、メモリ装置の故障）、電気的故障（例えば、リーダ８００の故障）、及び／または他の永続的な接続エラー（例えば、メモリ装置１００とリーダ８００のプローブ５００〜５０４、７００、７０２との間に位置付けられる外部絶縁性材料）が１１２４でのように生じることが決定される。
【００４１】
カウンタの値が所定の最大値未満であることがブロック１１２２で決定されると、リーダ８００及び／またはメモリ装置１００は、１１２６でのように再位置付け及び／または再整合されてもよく、フローは、ブロック１１０６に戻ってもよい。
【００４２】
図１２は、図１１Ａ、１１Ｂプロセスフローの種々の決定になる、メモリ装置１００とリーダ８００の種々のプローブとの間の物理的かつ電気的な接続状態の例を表す。例えば、状態１２００、１２０２、１２０４のいずれもブロック１１０６で「はい」決定になり、状態１２００、１２０２のどちらも１１０８で「はい」決定になるが、状態１２０４は、ブロック１１０８で「いいえ」決定になる。加えて、状態１２０４は、ブロック１１１２で「いいえ」決定になるが、状態１２０６、１２０８のどちらもブロック１１１２で「はい」決定になる。状態１２０６は、ブロック１１１４で「はい」決定になるが、状態１２０８は、ブロック１１１４で「いいえ」決定になる。状態１２１０は、ブロック１１０６及び１１１２の両方で、「いいえ」決定になる。
【００４３】
上記のように、図１の中心接触パッド１３０は、任意選択である。図１３は、中心接触パッドの使用を用いないメモリ装置１３００を表す。図１３のメモリ装置１３００は、ベース基板１３０２、複数の下部電極１３０４、及び複数の上部電極１３０６を含む。図１３の構造は、図１構造に類似しているので、種々の類似した特徴についての参照番号は、簡略化のために省略されている。この実装は、図１構造において、メモリ装置１００の回転配向を決定するために使用される中心パッドを省略しているため、メモリ装置１３００の配向を決定するための異なるスキームが用いられてもよい。例えば、その全体が本明細書に参照により組み込まれる、米国特許公開第２０１７／００６８８３０Ａ１号として、２０１６年９月２日に出願され、２０１７年３月９日に公開された米国特許出願第１５／２５５，４３５号に記載されているスキームは、図１３の装置に適用されてもよい。この組み込まれた開示は、実装において、リーダに対するメモリ装置の配向がメモリ装置コンテンツの決定を変更しないように、対称的に配向されたビットペアを比較するリーダ及び方法を記載する。この実装とともに使用するためのリーダは、中心プローブ５０４がない、またはメモリ動作の一部を実行するために使用されない中心プローブ５０４を有する図８のリーダ８００と同様に見え得る。
【００４４】
円形メモリ装置１３００などのＩＣ１３００でのメモリ動作、例えば、読出し動作、書込み動作、機能試験動作、特性試験動作、または別の動作を実行するための方法またはプロセス１４００は、図１４Ａ、１４Ｂの流れ図において表される。方法１４００は、上記の図において表される構造のうちの１つ以上の動作または使用によって、進行されてもよく、このため、一般に、図８及び１３に関して記載されているが、方法１４００は、本明細書において明確に述べられない限り、任意の特定の構造または使用に限定されないことが理解されよう。方法１４００は、一連の作用または現象として記載されるが、本教示は、そのような作用または現象の順序付けによって限定されないことが理解されよう。いくつかの作用は、本明細書において記載されるものだけでなく異なる順序で及び／または他の作用もしくは現象と並行して生じてもよい。さらに、本教示に従う方法は、簡略化のために表されていない他の作用または現象を含んでもよく、また、他の表された作用または現象は、取り除かれても、または修正されてもよい。
【００４５】
方法１４００は、１４０２でのようにメモリ装置１３００と物理的かつ／または電気的に接触するリーダ８００を配置することから始まり、任意選択のカウンタは、初期化されかつ／または１４０４でのように「０」に設定されてもよい。次いで、リーダ８００は、１４０６でのように、あらゆる一次プローブ５００、５０２がメモリ装置に電気的に接続される、または結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。リーダ８００が１４０６で電気的接続を確認すると、メモリ動作は、１４０８でのように１組の一次プローブを使用して実行される。１４０８でのメモリ動作の間、１組の二次プローブ７００、７０２は、電気的に非活性であってもよい（すなわち、非活動状態）。電気的接続が１４０６で確認されない場合、フローは、１４１０に分岐する。
【００４６】
１４１０において、リーダ８００は、あらゆる二次プローブ７００、７０２がメモリ装置１３００に電気的に接続される、または結合されるかどうかを決定するために、センサ動作を実行する。リーダ８００が１４１０で電気的接続を確認すると、メモリ動作は、１４１２でのように１組の二次プローブ７００、７０２を使用して実行される。１４１２でのメモリ動作の間、１組の一次プローブ５００、５０２は、電気的に非活性であってもよい（すなわち、非活動状態）。電気的接続が１４１０で確認されない場合、フローは、１４１４に分岐する。１４１４において、リーダ８００は、リーダ８００とメモリ装置１３００との間の位置公差が満たされず、かつ／または電気的接続が確立されなかったことを決定した。１４１６において、任意選択のカウンタは、１だけ増加されてもよく、そのとき、カウンタの値は、１４１８でのように予め設定された最大値と比較される。カウンタ値が最大値に等しい場合、起こり得るメモリ障害（例えば、メモリ装置の障害）、電気的障害（例えば、リーダ８００の障害）、及び／または他の永続的な接続エラー（例えば、メモリ装置１３００とリーダ８００のプローブ５００〜５０４、７００、７０２との間に位置付けられる外部絶縁性材料）が１１２４でのように生じ、適切な修正が実行され得ることが決定される。
【００４７】
カウンタの値が所定の最大値未満であることがブロック１４１８で決定されると、リーダ８００及び／またはメモリ装置１３００は、１４２２でのように再位置付け及び／または再整合されてもよく、フローは、ブロック１４０６に戻ってもよい。
【００４８】
図１５は、図１４Ａ、１４Ｂプロセスフローの種々の決定になる、メモリ装置１３００とリーダ８００の種々のプローブとの間の物理的かつ電気的な接続状態の例を表す。例えば、状態１５００、１５０２のどちらもブロック１４０６で「はい」決定になり、状態１５０４は、１４１０で「はい」決定になるが、状態１５０６は、ブロック１４０６及び１４１０の両方で「いいえ」決定になる。
【００４９】
本教示による印刷メモリ装置１００、１３００は、例えば、製造のためのグラビアシリンダを使用して、または従来の印刷メモリ製作技法を使用して実装されてもよい。リーダ８００のための電子機器及び構造は、本明細書における説明から当業者によって設計され、実装されてもよい。
【００５０】
本明細書において、厳密に５個の下部電極、厳密に５個の上部電極、及び２５個のメモリ場所を含むメモリ装置が記載され、表されているが、５個未満または５個超の下部及び上部電極を有するメモリ装置が考察されることが理解されよう。下部電極の数が上部電極の数と等しい必要はない。実装において、ａ°の値は、約５２°〜約５５°の範囲であってもよく、ｂ°の値は、約１７°〜約２０°の範囲であってもよく、ｃ°の値は、約２４°〜約３４°の範囲であってもよく、ｄ°の値は、約５°〜約９°の範囲であってもよい。別の実装において、ａ°の値は、約５７°〜約６０°の範囲であってもよく、ｂ°の値は、約１２°〜約１５°の範囲であってもよく、ｃ°の値は、約２６°〜約３６°の範囲であってもよく、ｄ°の値は、約３°〜約６°の範囲であってもよい。５個の上部電極及び５個の下部電極を有する一般の円形メモリ装置（すなわち、Ｎ＝５、または５倍の対称性を有する装置）において、ａ°は、約５２°〜約６２°の範囲であってもよく、ｂ°の値は、約１２°〜約２０°の範囲であってもよく、ｃ°の値は、約１３°〜約３６°の範囲であってもよく、ｄ°の値は、約３°〜約９°の範囲であってもよく、ｂ°＜ｃ°＋ｄ°＜ａ°である。これらの値は、異なるＮの値、及び上部電極の数が下部電極の数と等しくない装置のための装置設計に応じて変動してもよい。
【００５１】
実装において、メモリシステムは、円形メモリ装置１００、１３００、及びリーダ８００であってもよい円形メモリ装置を含んでもよい。メモリ動作は、リーダに対する円形メモリ装置の回転配向に関係なく、円形メモリ装置で実行されてもよい。
【００５２】
例示的な表された実装において、下部電極（例えば、１０４）の拡張部材（例えば、１１２）は、円形メモリ装置（例えば、１００）の中心「Ｏ」に向かって、接触パッド（例えば、１１０）から線形に延在するように表される。さらに、上部電極（例えば、１０８）の拡張部材（例えば、１１６）は、インターディジットまたはインターリービング螺旋として表される。線形拡張部材及び螺旋拡張部材は、逆にされてもよく、それにより、下部電極は、インターディジットまたはインターリービング螺旋拡張部材を含み、また、上部電極は、円形メモリ装置の中心「Ｏ」に向かって、接触パッドから線形に延在する線形拡張部材を含むことを理解されたい。本教示を組み込む他の装置設計は、本明細書における開示から当業者に明らかになる。
【００５３】
下部電極１０４、１３０４、上部電極１０８、１３０６、及びリーダプローブ５００〜５０４、７０２、７０４は、典型的に、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、プラチナなどを含み得る金属及び／または金属合金などの導電性材料から形成されることを理解されたい。ベース基板１０２は、誘電体材料であってもよく、または例えば、誘電体材料のパターン化もしくはブランケット層（簡略化のために、個々に表されていない）を使用して、下部電極１０４、１３０４及び上部電極１０８、１３０６から好適に電気的に絶縁される導電性材料であってもよい。
【００５４】
上記の開示における「任意選択の」という用語の使用は、「任意選択」であると明確に述べられていない他の処理作用または装置構造が必要とされるまたは任意選択ではないことを意味する意図ではないことを理解されたい。したがって、任意選択であると上記で明確に記載されていない処理作用または構造を省略する任意の特許請求の範囲は、処理作用または構造が特許請求された実装において任意選択であることを反映する意図ではない。
【００５５】
本教示の広範囲で示す数値的範囲及びパラメータは、近似値であるが、具体例に記載の数値は可能な限り正確に報告される。しかしながら、いずれの数値も、これらのそれぞれの試験測定で見られる標準偏差に起因して本質的にある程度の誤差を必然的に含む。また、本明細書において開示されるすべての範囲は、その中に包括される任意及びすべての部分範囲を包含することを理解すべきである。例えば、「１０未満」の範囲は、最小値のゼロと最大値の１０との間（及び含む）の任意及びすべての部分範囲、すなわち、ゼロ以上の最小値及び１０以下の最大値を有する任意及びすべての部分範囲、例えば、１〜５を含むことができる。ある特定の場合において、パラメータについて述べられる数値は、負値を呈することができる。この場合、「１０未満」と述べられた範囲の例示的な値は、負値、例えば、−１、−２、−３、−１０、−２０、−３０などをとることができる。
【００５６】
本教示は、１つ以上の実装に関して例証してきたが、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例証された例に対して変更及び／または修正をすることができる。例えば、本プロセスは、一連の作用または現象として記載されるが、本教示は、そのような作用または現象の順序付けによって限定されないことが理解されよう。いくつかの作用は、本明細書において記載されるものだけでなく異なる順序で及び／または他の作用もしくは現象と並行して生じてもよい。また、すべてのプロセス段階が、本教示の１つ以上の態様または実装に従って方法論を実装することを必要とし得るわけではない。構造要素及び／もしくは処理段階を加えることができ、または既存の構造要素及び／もしくは処理段階を取り除くことができ、もしくは修正することができることが理解されよう。さらに、本明細書において表される作用の１つ以上は、１つ以上の別個の作用及び／またはフェーズに行われてもよい。さらに、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｗｉｔｈ）」という用語、またはそれらの変形が発明を実施するための形態及び特許請求の範囲のいずれかで使用される限りにおいて、このような用語は、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語と同様に包含的であることを意図する。「の少なくとも１つ」という用語は、列挙された品目の１つ以上を選択することができることを意味するために使用される。本明細書において使用する場合、例えば、Ａ及びＢなどの品目の列挙に関する「の１つ以上」という用語は、Ａのみ、Ｂのみ、またはＡ及びＢを意味する。「の少なくとも１つ」という用語は、列挙された品目の１つ以上を選択することができることを意味するために使用される。さらに、本明細書における考察及び特許請求の範囲において、一方が他方の「上」にある２つの材料に関して使用される「上に」という用語は、材料間の少なくともいくらかの接触を意味するが、「の上に」は、材料が近接しているが、接触が可能であるが必要ではないような１つ以上の追加の介在材料を伴う可能性があることを意味する。本明細書において使用する場合、「上に」または「の上に」のいずれもいかなる方向性を暗示しない。「共形の」という用語は、下にある材料の角度が共形材料によって保存されるコーティング材料を記載する。「約」という用語は、変更が例証された実装に対するプロセスまたは構造の不適合をもたらさない限り、列挙された値がいくらか変更されてもよいことを示す。最後に、「例示的な」は、説明が理想的であることを意味するのではなく、一例として、それが使用されることを示す。本教示の他の実装は、本明細書の考察及び本明細書における開示の実施から、当業者には明らかであろう。本明細書及び実施例は、例示的なものとしてのみ考慮され、本教示の真の範囲及び趣旨は、以下の特許請求の範囲によって示されることを意図する。
【００５７】
本出願において使用されるような相対位置の用語は、加工物の配向に関係なく、加工物の従来の平面または作業面に平行な平面に基づいて定義される。本出願において使用されるような「水平の」または「横の」という用語は、加工物の配向に関係なく、加工物の従来の平面または作業面に平行な平面と定義される。「垂直の」という用語は、水平に対して垂直な方向を指す。「上の」、「側面の」（「側壁」と同様）、「より高い」、「より低い」、「の上の」、「上部」、及び「の下の」などの用語は、加工物の配向に関係なく、加工物の従来の平面または上面になる作業面に対して定義される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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