(57)【要約】【課題】専有面積の増大を抑えつつ、複数枚の被処理基板に対するプラズマ処理を実施することが可能なプラズマ処理装置などを提供する。【解決手段】円形の被処理基板Ｗに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１は、処理容器１０内に第１、第２の載置台２１と、ガス供給部１５から供給された処理ガスをプラズマ化するエネルギーの供給を行う複数のエネルギー供給窓７３とを備える。これらのエネルギー供給窓７３は、第１、第２の載置台３に載置された各被処理基板Ｗに対向する多角形の各頂点に設けられ、双方の多角形の一辺が共通化された配置となっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形の被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理基板が載置される載置面を備えた第１の載置台、及び第２の載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記第１の載置台、及び第２の載置台の各載置面に対向する位置に設けられ、前記処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化するエネルギーを供給するための複数のエネルギー供給窓と、を備え、
前記複数のエネルギー供給窓は、前記第１の載置台に載置された被処理基板の中心に対向する中心位置を囲む多角形の各頂点であり、当該第１の載置台に載置された被処理基板に供給される処理ガスをプラズマ化するための第１の配置位置と、前記第２の載置台に載置された被処理基板の中心に対向する中心位置を囲み、前記第１の載置台側の多角形と合同な多角形の各頂点であり、当該第２の載置台に載置された被処理基板に供給される処理ガスをプラズマ化するための第２の配置位置と、に設けられることと、
前記第１の配置位置に配置されたエネルギー供給窓により構成される多角形の一辺と、前記第２の配置位置に配置されたエネルギー供給窓により構成される多角形の一辺とが共通化されていることと、を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記エネルギー供給窓は、前記第１の配置位置及び第２の配置位置の中心にも設けられることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記多角形は、正六角形であることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理ガスをプラズマ化するためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部を備え、
前記エネルギー供給窓は、前記マイクロ波供給部より供給されたマイクロ波を透過させて、前記処理容器内に導入するマイクロ波透過窓であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記処理容器の内側壁面は、被処理基板よりも半径が大きく、互いに共通の半径を有する第１の円及び第２の円の中心を、前記第１の配置位置及び第２の配置位置の各中心位置に合わせて配置したときに形成される、前記第１の円及び第２の円の重ね合わせ形状の輪郭に沿って形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１の載置台及び第２の載置台は、各被処理基板が載置された前記載置面を、これら被処理基板の中心の周りに回転させるための回転駆動部に接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室と、
前記真空搬送室に対して仕切りバルブを介して前記処理容器が接続された請求項１ないし６のいずれか一つに記載の複数のプラズマ処理装置と、を備えたことを特徴とする基板処理システム
【請求項８】
前記複数のプラズマ処理装置の各処理容器は、前記真空搬送室の側壁面に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に対してプラズマ化された処理ガスを用いてプラズマ処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
円形の被処理基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）を処理する技術として、マイクロ波や誘導結合現象を利用して処理容器内に高密度のプラズマを形成し、ウエハに対する酸化処理、窒化処理、成膜処理、エッチング処理やアッシング処理などを行うプラズマ処理装置が知られている。
【０００３】
一方、半導体デバイスのさらなる微細化や３次元デバイス加工の要請に応えつつ、例えば直径が３００ｍｍの大型のウエハに対するプラズマ処理の生産性を向上させるためには、ウエハの面内でより均一な密度分布を持つプラズマを発生させる技術が必要とされている。
【０００４】
上記の課題に対応するため、出願人は、処理容器内に配置されたウエハと対向する天井部から、処理容器内へとマイクロ波を導入するための複数のマイクロ波透過窓を設け、これらのマイクロ波透過窓の中心点間の距離が互いに等しくなるように配置したプラズマ処理装置を開発した（例えば、特許文献１）。
【０００５】
特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、正三角形を組み合わせて成る正六角形の中心及び各頂点に対応する位置にマイクロ波透過窓の中心点を配置することにより、処理容器内に形成されるプラズマ分布の均一化を図っている。
【０００６】
ここでプラズマ処理装置は、処理容器内の圧力を真空雰囲気に保った状態でウエハの搬入出を行うことができるように、真空雰囲気下でウエハの搬送が行われる真空搬送室にプラズマ処理装置を接続した基板処理システムを構成する場合がある。  
この種の基板処理システムは、基板処理システムの専有面積（フットプリント）に対する単位時間当たりのウエハの処理枚数（スループット）の比であるシステムスルーフット（スループット／フットプリント）を指標とした生産性の評価が行われる。
【０００７】
この点、特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、ウエハを一枚ずつ処理容器内に搬入する構成となっているため、例えば特許文献２、３に記載の複数枚の被処理基板を一括して処理するプラズマ処理装置と比較してスループットを向上させる余地がある。  
また、特許文献１に係るプラズマ処理装置を、真空搬送室に対して複数基、接続する場合には、基板処理システム全体の専有面積の増大を抑える工夫が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−２１６７４５号公報：請求項１、段落００６４〜００６９、図１、７、８
【特許文献２】国際公開第２０１１／１２５４７０号パンフレット：段落００５２〜００５３、図８
【特許文献３】国際公開第２０１１／１２５４７１号パンフレット：段落００５０〜００５１、図６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、プラズマ処理装置の専有面積の増大を抑えつつ、複数枚の被処理基板に対するプラズマ処理を実施することが可能なプラズマ処理装置、及びこのプラズマ処理装置を備えた基板処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置は、円形の被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理基板が載置される載置面を備えた第１の載置台、及び第２の載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記第１の載置台、及び第２の載置台の各載置面に対向する位置に設けられ、前記処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化するエネルギーを供給するための複数のエネルギー供給窓と、を備え、
前記複数のエネルギー供給窓は、前記第１の載置台に載置された被処理基板の中心に対向する中心位置を囲む多角形の各頂点であり、当該第１の載置台に載置された被処理基板に供給される処理ガスをプラズマ化するための第１の配置位置と、前記第２の載置台に載置された被処理基板の中心に対向する中心位置を囲み、前記第１の載置台側の多角形と合同な多角形の各頂点であり、当該第２の載置台に載置された被処理基板に供給される処理ガスをプラズマ化するための第２の配置位置と、に設けられることと、
前記第１の配置位置に配置されたエネルギー供給窓により構成される多角形の一辺と、前記第２の配置位置に配置されたエネルギー供給窓により構成される多角形の一辺とが共通化されていることと、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、第１、第２の配置位置に配置されたエネルギー供給窓を用いて複数の被処理基板に対して同時にプラズマ処理を行うので、複数の処理容器に分けて被処理基板のプラズマ処理を行う場合と比べて、被処理基板の搬入出や処理容器内の圧力調整を効率的に行うことができる。  
また、各々、合同な多角形を構成する第１の配置位置の一辺と、第２の配置位置の一辺とを共通化することにより、複数の処理容器に分けてエネルギー供給窓を配置する場合と比べて、プラズマ処理装置の専有面積の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係るプラズマ処理装置の縦断側面図である。
【図２】前記プラズマ処理装置の横断平面図である。
【図３】前記プラズマ処理装置に設けられているマイクロ波導入機構の構成図である。
【図４】前記マイクロ波導入機構に設けられているマイクロ波導入部の縦断側面図である。
【図５】前記マイクロ波導入部に設けられているマイクロ波透過窓の配置位置を示す模式図である。
【図６】比較形態に係るプラズマ処理装置の平面図である。
【図７】本例のプラズマ処理装置を備えたウエハ処理システムの平面図である。
【図８】他の例に係るプラズマ処理装置を備えたウエハ処理システムの平面図である。
【図９】他の例に係るマイクロ波透過窓の配置位置を示す模式図である。
【図１０】ウエハ処理システムのフットプリントの比較に係る模式図である。
【図１１】さらに他の例に係るプラズマ処理装置を備えたウエハ処理システムの平面図である。
【図１２】共通の処理容器内で処理されるウエハの枚数と、共通化されるマイクロ波導入部との関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置１の構成について、図１〜５を参照しながら説明する。  
本例のプラズマ処理装置１は、ウエハＷに対して、プラズマ化された処理ガスを供給することにより、酸化処理、窒化処理、成膜処理、エッチング処理やアッシング処理などの所定の処理を実施する。
【００１４】
図１の縦断側面図に示すように、プラズマ処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器１０と、処理容器１０内に配置され、各々、ウエハＷが載置される載置面２１ａを備えた２つの載置台２１と、処理容器１０内に処理ガスを供給するガス供給部１５及びガス供給源３１と、処理容器１０内を減圧排気する真空排気部４と、処理容器１０内に供給された処理ガスをプラズマ化するためのマイクロ波を発生させると共に、処理容器１０内にマイクロ波を導入するマイクロ波供給部５とを備えている。
【００１５】
図１に示すように処理容器１０は、例えばアルミニウムなどの導電性の金属材料によって構成され、上面側が開口した容器本体１２と、この容器本体１２の開口を塞ぐ天板１１とを備える。容器本体１２と天板１１との間は、Ｏ−リング１２ｂによって気密に塞がれる。図２の横断平面図に示すように処理容器１０は、２つの載置台２１を横方向に並べて配置することが可能な細長い内部空間を備える。
【００１６】
図２に示すように、２つの載置台２１の並び方向に沿った容器本体１２の側壁面には、ウエハＷの搬入出が行われる搬入出口１２ａが形成されている。搬入出口１２ａには、開閉自在なゲートバルブＧが設けられ、このゲートバルブＧを閉じることにより、後述の真空搬送室１０７と処理容器１０（プラズマ処理装置１）との間が気密に仕切られる。
【００１７】
図１に示すように容器本体１２の底面には、例えば複数の排気口１３ａが形成されている。排気口１３ａの下流側には、処理容器１０内の真空排気を実行する真空排気部４が設けられている。例えば真空排気部４は、ＡＰＣ（Automatic Pressure Controlling）バルブと、所定の真空度まで処理容器１０内を真空排気することが可能な高速真空ポンプとを備えている。真空排気部４の高速真空ポンプは、処理容器１０の内部空間が所定の真空度、例えば０．１３３Ｐａとなるまで真空排気を行うことができる。
【００１８】
各載置台２１は、表面にアルマイト処理（陽極酸化処理）が施されたアルミニウムなどからなる円板によって構成され、その上面はウエハＷが載置される載置面２１ａとなっている。  
載置台２１には、載置面２１ａに載置されたウエハＷを、例えば２５℃（室温）〜９００℃の範囲内の温度に調節する温度調節機構や、載置面２１ａに載置されたウエハＷを固定する静電チャックなどが設けられている。また載置台２１の下方側には、真空搬送室１０７側から進入してきた第２のウエハ搬送機構１０８との間でウエハＷの受け渡しを行うための昇降ピンなどが設けられている（いずれも不図示）。
【００１９】
載置台２１の下面側中央部には、載置台２１を支持する円柱形状の支持部材２２が接続されている。支持部材２２の下部側は、容器本体１２の底面に設けられ、支持部材２２を回転自在に保持する軸受部１３ｂを貫通し、処理容器１０の下方側に設けられた回転駆動部２３に接続されている。回転駆動部２３は、鉛直軸周りに載置台２１を回転させることにより、載置面２１ａに載置されたウエハＷを、当該ウエハＷの中心の周りに回転させる。  
本例では、支持部材２２が貫通する軸受部１３ｂの周囲の下面と、回転駆動部２３の側周面との間をカバー部材２３１によって覆い、処理容器１０内を気密に保っている。
【００２０】
さらに図１に示すように、各載置台２１には、整合器２４を介してバイアス用高周波電源２５が接続されている。バイアス用高周波電源２５は、プラズマ内のイオンを載置台２１（載置面２１ａに載置されたウエハＷ）側へ引き込むためのバイアス用の高周波電力を供給する。
【００２１】
次に処理容器１０の天板１１には、処理容器１０内に処理ガスを供給するためのノズルを備えた複数のガス供給部１５が設けられている。天板１１におけるこれら複数のガス供給部１５の配置位置については、後述のマイクロ波導入機構６３の配置位置と併せて説明する。
【００２２】
各ガス供給部１５は、ガス供給ライン３２を介してガス供給源３１に接続されている。ガス供給ライン３２には、不図示のマスフローコントローラや開閉バルブが設けられ、処理容器１０に供給される処理ガスの種類や、処理ガスの供給流量などを制御することができる。  
図示の便宜上、図１には、１つのガス供給源３１だけを示しているが、プラズマ処理に用いられる処理ガスのガス種数に応じて、複数のガス供給源３１を設けてもよい。
【００２３】
ガス供給源３１からは、ウエハに対して実施されるプラズマ処理の種類（既述の酸化処理、窒化処理、成膜処理、エッチング処理やアッシング処理など）に応じて選択される各種の処理ガスや、安定なプラズマを形成するための希ガスが供給される。また、プラズマ処理に付随して、処理容器１０内に残留する処理ガスをパージするパージガスや、成膜処理などに伴って処理容器１０内に形成された薄膜を除去するクリーニングガスなどの供給を行ってもよい。
【００２４】
次いで処理容器１０内に、ガス供給部１５から供給された処理ガスをプラズマ化するためのエネルギーであるマイクロ波を供給するマイクロ波供給部５の構成について、図１〜４を参照しながら説明する。  
マイクロ波供給部５は、処理容器１０を構成し、後述のマイクロ波導入機構６３が挿入される複数の開口部が形成された導電性の金属材料からなる天板（導電性部材）１１と、マイクロ波を発生させると共に、当該マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部５０と、マイクロ波出力部５０から出力されたマイクロ波を処理容器１０に導入するアンテナユニット６０とを備える。
【００２５】
図３に示すように、マイクロ波出力部５０は、電源部５１と、マイクロ波発振器５２と、マイクロ波発振器５２によって発振されたマイクロ波を増幅するアンプ５３と、アンプ５３によって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配する分配器５４とを備える。マイクロ波発振器５２は、所定の周波数（例えば、２．４５ＧＨｚ）でマイクロ波を発振（例えば、ＰＬＬ（Phase Locked loop）発振）させる。なお、マイクロ波の周波数は、２．４５ＧＨｚに限らず、他の周波数であってもよい。  
分配器５４は、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。
【００２６】
アンテナユニット６０は、複数のアンテナモジュール６１を含んでいる。各アンテナモジュール６１は、分配器５４によって分配されたマイクロ波を処理容器１０に導入する。本実施の形態では、共通の構成を備えたアンテナモジュール６１が設けられている。  
各アンテナモジュール６１は、分配されたマイクロ波を増幅して出力するアンプ部６２と、アンプ部６２から出力されたマイクロ波を処理容器１０内に導入するマイクロ波導入機構６３とを備える。
【００２７】
アンプ部６２は、マイクロ波の位相を変化させ、プラズマの分布を調整するために用いられる位相器６２Ａと、個々のアンテナモジュール６１のばらつきの調整や、プラズマ強度の調整のために、メインアンプ６２Ｃに入力されるマイクロ波の電力レベルを調整する可変ゲインアンプ６２Ｂと、メインアンプ６２Ｃと、後述するマイクロ波導入機構６３のアンテナ部で反射された反射マイクロ波を分離するアイソレータ６２Ｄとを含んでいる。
【００２８】
上述のアンプ部６２の後段に設けられたマイクロ波導入機構６３は、図４に示すように、インピーダンスを整合させるチューナ６４と、増幅されたマイクロ波を処理容器１０内に放射するアンテナ部６５と、金属材料によって構成され、上下方向に伸びる円筒状の本体容器６６と、本体容器６６の中心軸に沿って伸びるように配置された内側導体６７とを備える。
【００２９】
本体容器（外側導体）６６および内側導体６７は、同軸管を構成している。内側導体６７は、棒状または筒状の形状を有している。本体容器６６の内周面と内側導体６７の外周面との間の空間は、マイクロ波伝送路６８を形成する。  
マイクロ波伝送路６８の上端部側は、不図示の給電変換部、及び既述のアイソレータ６２Ｄが介設された同軸ケーブルを介してメインアンプ６２Ｃに接続されている。
【００３０】
アンテナ部６５は、マイクロ波伝送路６８の下部側に設けられ、内側導体６７の下端部に接続され、例えば円弧状に伸びる複数のスロット（不図示）を備えた平面アンテナ７１と、平面アンテナ７１の上面側に配置され、真空よりも大きい誘電率を有する材料（石英など）によって形成され、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整するマイクロ波遅波材７２と、平面アンテナ７１の下面側に配置され、石英やセラミックスなどの誘電体材料により構成されたマイクロ波透過窓７３とを備えている。
【００３１】
図１に示すようにマイクロ波透過窓７３は、処理容器１０の天板１１側に形成された開口部に嵌合するように挿入され、当該マイクロ波透過窓７３の下面は、処理容器１０の内部空間に向けて露出している。マイクロ波透過窓７３は、本例のエネルギー供給窓に相当する。  
既述のように誘電体材料によって構成されたマイクロ波透過窓７３は、マイクロ波をＴＥモードで効率的に放射することができる形状に加工されている。例えばマイクロ波透過窓７３は、円柱形状、直方体形状、五角柱形状、六角柱形状、八角柱形状、楕円柱形状などに形成される。
【００３２】
上記の構成を備えるマイクロ波導入機構６３によると、メインアンプ６２Ｃで増幅されたマイクロ波が、マイクロ波伝送路６８（本体容器６６の内周面と内側導体６７の外周面との間）を通って平面アンテナ７１に達し、平面アンテナ７１のスロット７１ａからマイクロ波透過窓７３を透過して処理容器１０の内部空間に放射される。
【００３３】
さらにマイクロ波導入機構６３は、アンプ部６２からマイクロ波導入機構６３を見たときのインピーダンスが５０Ωになるように、リング状に上下方向に離間して設けられた誘電体からなるスラグ７４Ａ、７４Ｂの位置を上下方向に移動させて調整するアクチュエータ７５と、このアクチュエータ７５を制御するチューナコントローラ７６とを有している。
【００３４】
本実施の形態では、メインアンプ６２Ｃ、チューナ６４および平面アンテナ７１は、互いに近接して配置されている。特に、チューナ６４および平面アンテナ７１は、集中定数回路を構成し、且つ共振器として機能する。  
チューナ６４を用いることにより、プラズマを含めて高精度でチューニングすることができ、平面アンテナ７１における反射の影響を解消することができる。また、チューナ６４によって、平面アンテナ７１に至るまでのインピーダンス不整合を高精度で解消することができ、実質的に不整合部分をプラズマ空間とすることができる。これにより、チューナ６４によって、高精度のプラズマ制御が可能になる。
【００３５】
以上に説明した複数のマイクロ波導入機構６３を利用して処理容器１０内に供給された処理ガスをプラズマ化するにあたり、本例のプラズマ処理装置１は、これらマイクロ波透過窓７３（マイクロ波導入機構６３）を特別な位置関係で配置することにより、プラズマ処理装置１の専有面積の増大を抑制しつつ、２つの載置台２１に載置されたウエハＷの同時処理を実現している。  
以下、図２、５を参照しながらマイクロ波透過窓７３（即ち、マイクロ波導入機構６３。以下の説明では「マイクロ波透過窓７３」のみに言及する）の配置について説明する。また本例では、円柱形状のマイクロ波透過窓７３が設けられている場合を示す。
【００３６】
図２に示すプラズマ処理装置１の横断平面図には、処理容器１０の内部空間に向けて露出しているマイクロ波透過窓７３の配置位置、及び前記内部空間に向けて処理ガスを吐出するガス供給部１５のノズルの配置位置を併記してある。なお図示の便宜上、図２以外の横断平面図では、ガス供給部１５の配置位置は記載を省略する。  
また図５は、前記マイクロ波透過窓７３の中心点の配置位置を示す模式図である。
【００３７】
既述のように各マイクロ波透過窓７３は、導電性部材である天板１１の複数の開口部に嵌合し、各載置台２１の載置面２１ａに平行な平面内に分散して配置されている。  
図２において、搬入出口１２ａ側から見て右手側に配置された載置台２１を「第１の載置台２１」と呼ぶ。このとき、第１の載置台２１に載置されたウエハＷの中心に対向する天板１１側の位置である「中心位置Ｃ１」に対して中心点を揃えて、１つのマイクロ波透過窓７３が配置されている（図２、５）。
【００３８】
図２に示すように、中心位置Ｃ１に配置されたマイクロ波透過窓７３の周囲には、複数のガス供給部１５が円環状に並べて設けられ、これらのガス供給部１５から、第１の載置台２１に載置されたウエハＷ側へ向けて処理ガスが供給される。
【００３９】
さらにこれら円環状に並べられたガス供給部１５の外方側には、中心位置Ｃ１に配置されたマイクロ波透過窓７３を囲む六角形（多角形）の各頂点（１２時の位置の頂点から時計回りにＰ１Ａ〜Ｐ１Ｆの符号を付す）に対して中心点を揃えて、６つのマイクロ波透過窓７３が配置されている（図２、５）。  
本例において頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆは、加工精度の範囲内で、中心位置Ｃ１と頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆとの距離が互いに等しく、且つ、隣り合う頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ間の距離も等しい正六角形を構成している。頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆは、本例の第１の配置位置に相当する。
【００４０】
また、中心位置Ｃ１と頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆとの距離は、これら中心位置Ｃ１及頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆに配置された７つのマイクロ波透過窓７３から処理容器１０内に導入されたマイクロ波を利用して、ガス供給部１５から供給された処理ガスをプラズマ化することが可能な距離に設定されている。
【００４１】
当該距離設定の一例として、既述のように、第１の載置台２１に載置されたウエハＷの中心と揃う位置に中心位置Ｃ１設定されているとき、上面側から見て頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆを結んで形成される正六角形が、ウエハＷの全面を包含するように中心位置Ｃ１と頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆとの距離が設定される。
【００４２】
次に図２において、搬入出口１２ａ側から見て左手側に配置された載置台２１を「第２の載置台２１」と呼ぶ。このとき、第２の載置台２１に載置されたウエハＷの中心に対向する天板１１側の位置である「中心位置Ｃ２」に対して中心点を揃えて、１つのマイクロ波透過窓７３が配置されている（図２、５）。  
また、中心位置Ｃ２に配置されたマイクロ波透過窓７３の周囲に、複数のガス供給部１５が円環状に並べて設けられ、これらのガス供給部１５から処理ガスが供給される構成は、第１の載置台２１側と同様である。
【００４３】
そしてこれら円環状に並べられたガス供給部１５の外方側には、中心位置Ｃ２に配置されたマイクロ波透過窓７３を囲む六角形（多角形）の各頂点（１２時の位置の頂点から時計回りにＰ２Ａ〜Ｐ２Ｆの符号を付す）に対して中心点を揃えて、６つのマイクロ波透過窓７３が配置されている（図２、５）。  
第２の載置台２１側の頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆについても、加工精度の範囲内で、中心位置Ｃ２と頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆとの距離が互いに等しく、且つ、隣り合う頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ間の距離も等しい正六角形を構成している。頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆは、本例の第２の配置位置に相当する。
【００４４】
さらに本例では、第２の載置台２１側の頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆによって形成される正六角形は、第１の載置台２１側の頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆによって形成される正六角形と合同となっている。  
即ち、第２の載置台２１側においても、中心位置Ｃ２と頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆとの距離は、これら中心位置Ｃ１及頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆと中心点を揃えて配置された７つのマイクロ波透過窓７３から処理容器１０内に導入されたマイクロ波を利用して、ガス供給部１５から供給された処理ガスをプラズマ化することが可能な距離に設定されているといえる。
【００４５】
本例では、中心位置Ｃ２が、第２の載置台２１に載置されたウエハＷの中心と揃う位置に設定されているとき、上面側から見て頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆを結んで形成される正六角形は、ウエハＷの全面を包含する位置に配置されている。
【００４６】
さらに本例に係るプラズマ処理装置１は、図５中に太線で示すように、第１の配置位置（頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ）に配置されたマイクロ波透過窓７３により構成される正六角形の一辺と、前記第２の配置位置（頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ）に配置されたマイクロ波透過窓７３により構成される正六角形の一辺とが共通化されている（辺Ｌ１２）。  
言い替えると、第１の載置台２１側と第２の載置台２１側とでは、頂点Ｐ１Ｆ、Ｐ２Ｂに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化され、さらに頂点Ｐ１Ｅ、Ｐ２Ｃに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化されている。
【００４７】
即ち、本例のプラズマ処理装置１においては、六方最密配置となるように配置された第１の載置台２１側の７つのマイクロ波透過窓７３と、第２の載置台２１側の７つのマイクロ波透過窓７３とが辺Ｌ１２を介して連結された構成となっている。
【００４８】
図６は、特許文献１に記載の従来のプラズマ処理装置１’を２基並べて配置した状態を示している。図６に示すプラズマ処理装置１’は、１つの容器本体１２内に１つの載置台２１を設け、載置台２１に載置されるウエハＷと対向するように、７つのマイクロ波透過窓７３を六方最密配置した構成となっている（搬入出口１２ａやゲートバルブＧについては図示を省略）。
【００４９】
図６に示す従来のプラズマ処理装置１’においては、２基のプラズマ処理装置１’が互いに処理容器１０によって区画されている。また、各プラズマ処理装置１’の内部においては、不均一なプラズマの形成を抑制するため、処理容器１０の内側壁面から一定の距離を開けてマイクロ波透過窓７３が配置されている。  
この結果、頂点Ｐ１Ｆに配置されたマイクロ波透過窓７３と頂点Ｐ２Ｂに配置されたマイクロ波透過窓７３との間、頂点Ｐ１Ｅに配置されたマイクロ波透過窓７３と頂点Ｐ２Ｃに配置されたマイクロ波透過窓７３との間を離間させて２基のプラズマ処理装置１’を配置せざるを得ない。
【００５０】
これに対して図２、５に示すプラズマ処理装置１は、共通の処理容器１０内に２つの載置台２１を配置し、さらに頂点Ｐ１Ｆ、Ｐ２Ｂに配置されたマイクロ波透過窓７３、及び頂点Ｐ１Ｅ、Ｐ２Ｃに配置されたマイクロ波透過窓７３を共通化している。この結果、図６を用いて説明した従来のプラズマ処理装置１’を２基並べて設ける場合と比較して、プラズマ処理装置１の専有面積を低減することができる。
【００５１】
プラズマ処理装置１の構成の説明に戻ると、容器本体１２（処理容器１０）の前記内側壁面は、各頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ、Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆに配置されたマイクロ波透過窓７３から、近傍の内側壁面までの距離が均一となるよう形成されている。  
即ち図２の平面図に示すように、容器本体１２の内側壁面は、ウエハＷよりも半径が大きく、互いに共通の半径ｒ（図２中に破線の矢印で示してある）を有する第１の円及び第２の円の中心を、各中心位置Ｃ１、Ｃ２に合わせて配置したときに形成される、第１の円及び第２の円の重ね合わせ形状の輪郭に沿って形成されている。なお、異常放電などが発生しないように、重ね合わせ形状の鋭角部分は、平坦面１２ｃとするとよい。但し、平坦面１２ｃとすることは必須の要件ではなく、前記鋭角部分を曲面としてもよい。
【００５２】
上述の構成を備えるプラズマ処理装置１は、例えば真空搬送室１０７を備えるウエハ処理システム１００に複数基、接続される。  
図７に示すようにウエハ処理システム１００は、処理対象のウエハＷを所定枚数、例えば２５枚収容したキャリアＣ（搬送容器）が載置される載置台１０１と、キャリアＣから取り出されたウエハＷを、第１のウエハ搬送機構１０３によって大気雰囲気下で搬送する大気搬送室１０２と、ウエハＷの位置合わせを行うオリエンタを内蔵したアライメントモジュール１０４と、内部を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えてウエハＷを待機させるためのロードロック室１０５、１０６と、第２のウエハ搬送機構１０８によって真空雰囲気下でウエハＷの搬送が行われる真空搬送室１０７と、を備えている。
【００５３】
これらの機器は、ウエハＷの搬入方向に対して、大気搬送室１０２、ロードロック室１０５、１０６、真空搬送室１０７の順で並んでおり、隣り合う機器同士はドアＧ１、ドアバルブＧ２やゲートバルブＧ３を介して気密に接続されている。  
また図７に示すように、本例のウエハ処理システム１００においては、真空搬送室１０７の側壁面に対して、３基のプラズマ処理装置１が、各々仕切りバルブであるゲートバルブＧを介して接続されている。
【００５４】
以上に説明した構成を備えるプラズマ処理装置１、ウエハ処理システム１００には、図１、７に示すように、動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部８が設けられている。この制御部８には、ウエハＷへのプラズマ処理を実行するプログラムが格納されている。前記プログラムは、ウエハ処理システム１００及びプラズマ処理装置１の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御する。具体的には、各ガス供給部１５からの供給される処理ガスの給断や供給流量調整、マイクロ波供給部５からのマイクロ波の導入タイミングや、マイクロ波の出力、載置台２１の回転速度調整などが、制御信号に従って行われる。上記のプログラムにおいてはこれらの制御を行い、上述の各動作が実行されるようにステップ群が組まれている。当該プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部８内にインストールされる。
【００５５】
以上に説明したプラズマ処理装置１、ウエハ処理システム１００の作用について説明する。  
始めに、載置台１０１に載置されたキャリアＣから第１のウエハ搬送機構１０３によってウエハＷを取り出し、アライメントモジュール１０４にてウエハＷの向きや位置の調整を行った後、当該ウエハＷを搬入用のロードロック室１０５に搬入する。次いで、ロードロック室１０５内を真空排気して大気雰囲気から真空雰囲気への切り替えを行った後、第２のウエハ搬送機構１０８により真空搬送室１０７内へウエハＷを取り出す。
【００５６】
しかる後、当該ウエハＷの処理が行われるプラズマ処理装置１の処理容器１０内へとウエハＷを搬入し、一方側の載置台２１にウエハＷを載置する。本例のプラズマ処理装置１に対しては、上述の動作を繰り返して、もう一方の載置台２１にもウエハＷを載置する。  なお、第１、第２のウエハ搬送機構１０３、１０８、ロードロック室１０５、１０６に、複数枚のウエハＷを同時に取扱い可能な搬送アームや棚段を設け、プラズマ処理装置１へのウエハＷの搬入動作を１回で完了させてもよい（プラズマ処理装置１からのウエハＷの搬出動作において同じ）。
【００５７】
しかる後、処理容器１０内から第２のウエハ搬送機構１０８を退避させ、ゲートバルブＧを閉じた後、真空排気部４により処理容器１０内を真空排気して圧力調整を行うと共に、ウエハＷの温度調節を行う。しかる後、各載置台２１を回転させ、真空排気部４による真空排気を継続しながらガス供給部１５から処理ガスを供給すると共に、マイクロ波供給部５にてマイクロ波を発生させ、各マイクロ波透過窓７３を介して処理容器１０内にマイクロ波を導入する。  
この結果、処理容器１０内で処理ガスがプラズマ化して、ウエハＷに対するプラズマ処理が行われる。
【００５８】
このとき、図２、５を用いて説明した位置に各マイクロ波透過窓７３が配置されていることにより、各ウエハＷを覆うように比較的均一な密度分布を持つプラズマが形成され、ウエハＷの面内で均一な処理を行うことができる。
【００５９】
ここで図６を用いて説明した従来の各プラズマ処理装置１’におけるプラズマ処理との比較を行う。  
図６に示すプラズマ処理装置１’内にて、処理容器１０内に供給された処理ガスがプラズマ化される場合、各マイクロ波透過窓７３からマイクロ波が放射された領域にプラズマが形成されることになる。この結果、ウエハＷの周方向に沿って回転対称なプラズマ密度分布を有するプラズマが合成される。
【００６０】
これに対し、図２に示す本例のプラズマ処理装置１内では、第１の載置台２１側の頂点Ｐ１Ｆ、Ｐ１Ｅと、第２の載置台２１側の頂点Ｐ２Ｂ、Ｐ２Ｃとの２つのマイクロ波透過窓７３が共通化されている。ここで、各ウエハＷの中心から径方向外側を見たとき、共通化されていない頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｄ、Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｄ〜Ｐ２Ｆに配置されたマイクロ波透過窓７３の外方には処理容器の１０の内側壁面が位置している。一方、頂点Ｐ１Ｆ、Ｐ１Ｅ、Ｐ２Ｂ、Ｐ２Ｄの外方には、別の頂点Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｄ、Ｐ１Ａ、Ｐ１Ｄに配置されたマイクロ波透過窓７３が存在する。このため、全てのマイクロ波透過窓７３の外方側に処理容器の１０の内側壁面が存在する図６のプラズマ処理装置１’と比較して、本例のプラズマ処理装置１は、プラズマ密度分布の回転対称性がやや劣るおそれもある。
【００６１】
そこで本例のプラズマ処理装置１においては、回転駆動部２３によって載置台２１を回転させることにより、載置台２１に載置されたウエハＷの周方向に沿って均一な（回転対称な）プラズマ処理を行う構成となっている。  
また例えば図６のプラズマ処理装置１’と比較して、プラズマ密度が高くなる領域では、円柱形状のマイクロ波透過窓７３に替えて楕円柱形状のマイクロ波透過窓７３を設けるなどして、プラズマ処理装置１内に形成されるプラズマ密度分布がより均一になるように調整を行ってもよい。
【００６２】
こうして、所定時間のプラズマ処理を行ったら、処理ガスの供給、マイクロ波の供給、及び各載置台２１の回転を停止し、必要に応じて処理容器１０内にパージガスを供給する。しかる後、処理容器１０内の圧力調整を行った後、真空排気を停止する。  
そして、プラズマ処理が行われた後のウエハＷを、真空搬送室１０７→搬出用のロードロック室１０６→第１のウエハ搬送機構１０３の経路に沿って搬送し、元のキャリアＣへと戻す。  
以上に説明した動作を、真空搬送室１０７に接続されたプラズマ処理装置１にて並行して実行することにより、キャリアＣ内のウエハＷが順次、処理される。
【００６３】
本実施の形態に係るプラズマ処理装置１、ウエハ処理システム１００によれば以下の効果がある。  
本例のプラズマ処理装置１は、第１、第２の載置台２１に対応して所定の位置（頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ、及び中心位置Ｃ１、頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ、及び中心位置Ｃ２）に配置されたマイクロ波透過窓７３を用い、複数のウエハＷに対して同時にプラズマ処理を行う。このため、複数の処理容器１０に分けてウエハＷのプラズマ処理を行う従来のプラズマ処理装置１’と比較して、同じ枚数のウエハＷの搬入出や処理容器１０内の圧力調整、処理ガスがプラズマ化されるまでに要する時間をトータルで低減し、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数を向上させることができる。
【００６４】
また、各々、合同な正六角形を構成する第１の配置位置の一辺と、第２の配置位置の一辺とを共通化することにより（図５のＬ１２）、複数の処理容器１０に分けてマイクロ波透過窓７３を配置する場合と比べて、プラズマ処理装置１の専有面積の低減を図ることができる。
【００６５】
次いで、図８〜１０を参照しながら、他の例に係るプラズマ処理装置１ａの構成例を説明する。図８以降に示す各実施の形態において、図１〜５、７を用いて説明した第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置１、ウエハ処理システム１００と共通の構成要素には、これらの図にて用いたものと共通の符号を付してある。
【００６６】
図８に示すウエハ処理システム１００ａには、３枚のウエハＷに対するプラズマ処理を同時に実施することが可能なプラズマ処理装置１ａが設けられている。  
即ち、プラズマ処理装置１ａの処理容器１０の内部には、ゲートバルブＧから見て横方向に並べて設けられた２つの載置台２１の中間位置の奥手側に、もう一つの載置台２１が配置されている。
【００６７】
図９は、プラズマ処理装置１ａにおけるマイクロ波透過窓７３の中心点の配置位置を示している。
図９に示す例では、図５を用いて説明した頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ及び中心位置Ｃ１、頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ及び中心位置Ｃ２に加えて、頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆ及び中心位置Ｃ３に中心点を揃えて、さらにもう一組のマイクロ波透過窓７３が配置されている。
【００６８】
これら頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆについても、加工精度の範囲内で、中心位置Ｃ３と頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆとの距離が互いに等しく、且つ、隣り合う頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆ間の距離が等しい正六角形を構成している。  
また、中心位置Ｃ３と頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆとの距離についても、図５を用いて説明した例と同様に、中心位置Ｃ３が、奥手の載置台２１に載置されたウエハＷの中心と揃う位置に設定されているとき、上面側から見て頂点Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆを結んで形成される正六角形は、当該載置台２１に載置されたウエハＷの全面を包含する位置に配置されている。
【００６９】
そして、図９中に太線で示すように、本例に係るプラズマ処理装置１ａは、３つの正六角形の共通の頂点（三重点）であるＰ１Ｆ、Ｐ２Ｂ、Ｐ３Ｄに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化されている。そして前記三重点から放射状に直線（辺Ｌ１２、Ｌ２３、Ｌ３１）を伸ばした位置にある３つの頂点Ｐ１Ｅ、Ｐ２Ｃ、頂点Ｐ２A、Ｐ３Ｅ、頂点Ｐ３Ｃ、Ｐ１Ａが、各々２つの正六角形間で共通化されている。
【００７０】
この結果、図９中に太線で示すように、本例では辺Ｌ１２、Ｌ２３、Ｌ３１の３本の辺が２つの正六角形の間で共通化されているといえる。  
言い替えると、中心位置Ｃ１を囲む正六角形の各頂点を第１の配置位置、中心位置Ｃ２を囲む正六角形の各頂点を第２の配置位置と見たとき、頂点Ｐ１Ｆ、Ｐ２Ｂに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化され、さらに頂点Ｐ１Ｅ、Ｐ２Ｃに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化されている（辺Ｌ１２）。
【００７１】
また、中心位置Ｃ２を囲む正六角形の各頂点を第１の配置位置、中心位置Ｃ３を囲む正六角形の各頂点を第２の配置位置と見たとき、頂点Ｐ２Ｂ、Ｐ３Ｄに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化され、さらに頂点Ｐ２A、Ｐ３Ｅに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化されている（辺Ｌ２３）  
さらに、中心位置Ｃ３を囲む正六角形の各頂点を第１の配置位置、中心位置Ｃ１を囲む正六角形の各頂点を第２の配置位置と見たとき、頂点Ｐ３Ｄ、Ｐ１Ｆに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化され、さらに頂点Ｐ３Ｃ、Ｐ１Ａに配置されたマイクロ波透過窓７３が共通化されている（辺Ｌ３１）。
【００７２】
プラズマ処理装置１ａにおいても、各頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ、Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ、Ｐ３Ａ〜Ｐ３Ｆに配置されたマイクロ波透過窓７３から、容器本体１２（処理容器１０）の近傍の内側壁面までの距離が均一となるように、前記内側壁面が形成される。  
即ち図２を用いて説明した例と同様に、容器本体１２の内側壁面は、ウエハＷよりも半径が大きく、互いに共通の半径ｒ（図２中に破線の矢印で示してある）を有する第１の円及び第２の円の中心を、各中心位置Ｃ１、Ｃ２に合わせて配置したときに形成される、第１の円及び第２の円の重ね合わせ形状の輪郭に沿って形成される。
【００７３】
そして、その他の第１、第２の配置位置の組み合わせについても、中心位置Ｃ２、Ｃ３、及び中心位置Ｃ３、Ｃ１に合わせて前記第１、第２の円の重ね合わせを繰り返す。これにより、図８のプラズマ処理装置１ａに示すように、上面側から見たときの容器本体１２の内側壁面の輪郭が、概略三つ葉状となる。
【００７４】
図１０（ａ）、（ｂ）は、図７に示す第１の実施の形態に係るウエハ処理システム１００と、図８に示す第２の実施の形態に係るウエハ処理システム１００ａとの間で、真空搬送室１０７及びプラズマ処理装置１、１ａの専有面積（フットプリント）を概略比較した図である。  
図１０（ａ）中に破線で示すＳ２がウエハ処理システム１００側のフットプリントに対応し、一点鎖線で示すＳ３がウエハ処理システム１００ａ側のフットプリントに対応する。
【００７５】
例えばウエハＷの直径３００ｍｍ、ウエハＷから容器本体１２の内側壁面までの距離を１３０ｍｍに設定したとき、各実施の形態のフットプリントやスループット、システムスルーフットなどを下記の（表１）にまとめた。  
（表１）  
2018182259.tif 000003
【００７６】
第１、第２の実施の形態に係るウエハ処理システム１００、１００ａを比較すると、２枚のウエハＷを処理可能なプラズマ処理装置１を３基備えるウエハ処理システム１００と比較して、３枚のウエハＷを処理可能なプラズマ処理装置１ａを３基備えるウエハ処理システム１００ａは、フットプリントが１５％大きくなった。一方で、スループットをフットプリントで除したシステムスルーフットは３０％向上した。なお、（表１）に示すスループットは載置台２１単位で見た単位時間当たりの処理枚数である。
【００７７】
ここで、処理容器１０内で処理するウエハＷの枚数は、２〜３枚に限定されるものではなく、４枚以上のウエハＷのプラズマ処理を同時に行ってもよい。図１１のウエハ処理システム１００ｂに設けられたプラズマ処理装置１ｂは、各々、４枚のウエハＷに対して同時にプラズマ処理を行うことができるように、４つの載置台２１が真空搬送室１０７の側壁面に沿って１列に設けられ、これらの載置台２１の載置面２１ａに対応してマイクロ波導入機構６３（マイクロ波透過窓７３）が配置されている。
【００７８】
そして、隣り合って設けられている２つの載置台２１にいずれについても、図５を用いて説明したように、第１の配置位置（頂点Ｐ１Ａ〜Ｐ１Ｆ）に配置されたマイクロ波透過窓７３により構成される正六角形の一辺と、前記第２の配置位置（頂点Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｆ）に配置されたマイクロ波透過窓７３により構成される正六角形の一辺とが共通化されている。
【００７９】
処理容器１０内で同時にプラズマ処理を行うことが可能なウエハＷの枚数が増加するにつれて、共通化されるマイクロ波透過窓７３の割合は増えていく。図１２のグラフは、図９に示す最密配置に基づく正六角形の配置数を横方向に増やしていったときの共通化されたマイクロ波透過窓７３の数の変化の様子を示している。図１２の横軸は、同時にプラズマ処理されるウエハＷの枚数を示し、縦軸はウエハＷ１枚あたりの、共通化されたマイクロ波透過窓７３の数［個／枚］を示している。
【００８０】
ここで、上述の各実施の形態では、マイクロ波透過窓７３から放射されるマイクロ波により処理ガスをプラズマ化する場合について説明したが、マイクロ波以外の手法を用いて処理ガスをプラズマ化してもよい。  
例えば、マイクロ波透過窓７３の配置位置に、エネルギー供給窓である誘電体窓配置し、各誘電体窓の上面側にコイル状のアンテナを設け、このアンテナに高周波電力を印加することにより、誘電体窓を介して処理容器内に均一な誘導電界を生成することにより処理ガスをプラズマ化してもよい（ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）処理）。
【００８１】
また、例えば直径が２００ｍｍや１５０ｍｍといった小型のウエハＷを処理するプラズマ処理装置１、１ａ、１ｂでは、中心位置Ｃ１、Ｃ２にマイクロ波導入機構６３（マイクロ波透過窓７３）を設けなくてもウエハＷの面内で均一なプラズマを形成することができる場合がある。この場合には、中心位置Ｃ１、Ｃ２におけるマイクロ波導入機構６３（７３）の配置を省略してもよい。
【００８２】
さらにまた、エネルギー供給窓（マイクロ波透過窓７３や誘電体窓）の配置位置は、正六角形の各頂点により構成する例に限らず、正四角形や正五角形などの他の多角形でもよい。
また、多角形の頂点が共通化されていることに伴うプラズマ密度分布の偏りを補正するといった目的で、多角形の一部の頂点については、正多角形の頂点に相当する位置からずらして配置してもよい。
【符号の説明】
【００８３】
Ｗ          ウエハ
１、１’、１ａ、１ｂ
プラズマ処理装置
１０        処理容器
１５        ガス供給部
２１        載置台
５          マイクロ波供給部
７３        マイクロ波透過窓
８          制御部
【図１】
2018182259.tif 000004
【図２】
2018182259.tif 000005
【図３】
2018182259.tif 000006
【図４】
2018182259.tif 000007
【図５】
2018182259.tif 000008
【図６】
2018182259.tif 000009
【図７】
2018182259.tif 000010
【図８】
2018182259.tif 000011
【図９】
2018182259.tif 000012
【図１０】
2018182259.tif 000013
【図１１】
2018182259.tif 000014
【図１２】
2018182259.tif 000015