(57)【要約】【課題】光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができる。【解決手段】光源から出射され、マスクに形成された光透過領域を透過した偏光光は、ステージに載置された露光対象物に照射される。偏光光は、ステージの上面と略直交する方向に対して、略５０度から略７０度傾いた方向から露光対象物へ照射される。【選択図】  図２
2018120106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光光を出射する光源と、
前記光源から出射された偏光光を透過させる光透過領域が形成されたマスクと、
前記光透過領域を透過した偏光光が照射される露光対象物が載置されるステージと、
を備え、
前記光源は、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から前記露光対象物へ偏光光を照射することを特徴とする偏光光照射装置。
【請求項２】
前記ステージを搬送方向に移動させ、かつ、前記ステージを略１８０度回転させる駆動部と、を備え、
前記光源は、前記搬送方向に沿って設けられた第１光源と第２光源とを有し、
前記駆動部は、前記第１光源と前記第２光源との間で前記ステージを略１８０度回転させ、
前記マスクは、前記第１光源から出射された露光光が透過する第１光透過領域が形成された第１マスクと、前記第２光源から出射された露光光が透過する第２光透過領域が形成された第２マスクと、を有し、
前記第２光透過領域は、前記露光対象物において、前記第１光透過領域が透過した光が照射されなかった領域に光が照射される位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の偏光光照射装置。
【請求項３】
露光対象物が載置されたステージを搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射することを特徴とする偏光光照射方法。
【請求項４】
露光対象物が載置されたステージを搬送方向に沿って搬送し、
前記ステージが第１の位置に搬送されたら、前記ステージを搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射して、前記露光対象物の第１の領域に光を照射し、
前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送して第２の位置へと搬送し、
前記ステージが前記第２の位置に搬送されたら、前記ステージを略１８０度回転し、
前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送して第３の位置へと搬送し、
前記ステージが第３の位置に搬送されたら、前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射して、前記露光対象物の前記第１の領域と異なる第２の領域に光を照射することを特徴とする偏光光照射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光光照射装置及び偏光光照射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、垂直配向型の液晶層と、遮光部材を有する第１基板および第２基板と、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極および第２基板の液晶層側に設けられた第２電極と、液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜と、を有する液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−５３７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１１は、特許文献１に記載された垂直配向型の液晶層を用いた液晶表示装置（以下、ＶＡモード液晶表示装置という）の画素領域の例を示す図である。画素領域１００は、４つの液晶ドメインＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有し、図中３時方向を０°としたときの液晶ドメインＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのチルト方向ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４はそれぞれ２２５°、３１５°４５°１３５°である。このように、１つの画素を複数の領域に分割することで、視野角特性が改善される。
【０００５】
しかしながら、液晶ドメインの境界部分で液晶分子の配向が乱れる。液晶分子の配向が不連続となった領域は、光を透過しないため暗線として視認される。画素領域１００には、液晶ドメインＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのそれぞれに、エッジ部に沿った暗線（ドメインラインＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）が形成される。
【０００６】
図１２は、画素領域１００の分割方法を説明する図であり、（Ａ）はＴＦＴ基板（下側基板）１００ａの配向膜のプレチルト方向を示し、（Ｂ）はカラーフィルタ基板（上側基板）１００ｂのプレチルト方向を示す。図１２における円柱は、液晶分子を模式的に示す。ＴＦＴ基板１００ａ、カラーフィルタ基板１００ｂを用いた画素領域１００においては、観察者側から見たときに、円柱状に示した液晶分子の端部（楕円形部分）が観察者に近づくように、液晶分子がチルトしている。
【０００７】
下側基板の画素領域を２つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＡ１、ＰＡ２を付与するとともに、上側基板の画素領域を２つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向ＰＢ１、ＰＢ２を付与する。下側基板と上側基板とを貼り合わせることで、画素領域１００の配向分割構造が得られる。
【０００８】
特許文献１には、図１２中の矢印で示した方向から紫外線を斜め照射することで光配向処理を行い、液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させることが記載されている。また、特許文献１には、プレチルト角を小さくすると好ましいことが記載されている。
【０００９】
しかしながら、特許文献１には、光配向処理を用いて液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる場合に、プレチルト角を小さくする具体的な方法については開示されていない。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができる偏光光照射装置及び偏光光照射方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る偏光光照射装置は、例えば、偏光光を出射する光源と、前記光源から出射された偏光光を透過させる光透過領域が形成されたマスクと、前記光透過領域を透過した偏光光が照射される露光対象物が載置されるステージと、を備え、前記光源は、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から前記露光対象物へ偏光光を照射することを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る偏光光照射装置によれば、ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から露光対象物へ偏光光を照射する。これにより、光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができる。このように生成された配向膜を用いて液晶表示装置を生成することで、画素領域に発生する暗線が細くなり、表示品質が高くなる。
【００１３】
ここで、前記ステージを搬送方向に移動させ、かつ、前記ステージを略１８０度回転させる駆動部と、を備え、前記光源は、前記搬送方向に沿って設けられた第１光源と第２光源とを有し、前記駆動部は、前記第１光源と前記第２光源との間で前記ステージを略１８０度回転させ、前記マスクは、前記第１光源から出射された露光光が透過する第１光透過領域が形成された第１マスクと、前記第２光源から出射された露光光が透過する第２光透過領域が形成された第２マスクと、を有し、前記第２光透過領域は、前記露光対象物において、前記第１光透過領域が透過した光が照射されなかった領域に光が照射される位置に形成されてもよい。これにより、同じ露光対象物の異なる位置に、異なる方向から偏光光を照射することができる。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係る偏光光照射方法は、例えば、露光対象物が載置されたステージを搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射することを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明に係る偏光光照射方法は、例えば、露光対象物が載置されたステージを搬送方向に沿って搬送し、前記ステージが第１の位置に搬送されたら、前記ステージを搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射して、前記露光対象物の第１の領域に光を照射し、前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送して第２の位置へと搬送し、前記ステージが前記第２の位置に搬送されたら、前記ステージを略１８０度回転し、前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送して第３の位置へと搬送し、前記ステージが第３の位置に搬送されたら、前記ステージを前記搬送方向に沿って搬送しながら、前記ステージの上面と略直交する方向に対して略５０度から略７０度傾いた方向から光を出射して、前記露光対象物の前記第１の領域と異なる第２の領域に光を照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施の形態に係る偏光光照射装置１の概略を示す斜視図である。
【図２】偏光光照射装置１の概略を示す正面図であり、一部を拡大した図である。
【図３】マスク３２に形成された光透過領域を説明する図であり、マスク３２を平面視したときの概略図である。
【図４】偏光光照射装置１の電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】光照射領域ＥＡ１において基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における偏光光が照射される位置を模式的に示す図である。
【図６】光照射領域ＥＡ２において基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における偏光光が照射される位置を説明する図である。
【図７】Ｐ偏光の反射率と、入射角θ１との関係を示すグラフである。
【図８】ブリュースター角と屈折率との関係を示すグラフである。
【図９】第２の実施の形態に係る偏光光照射装置２の概略を示す正面図である。
【図１０】マスク３３に形成された光透過領域を説明する図である。
【図１１】特許文献１に記載された垂直配向型の液晶層を用いた液晶表示装置（ＶＡモード液晶表示装置）の画素領域の例を示す図である。
【図１２】画素領域１００の分割方法を説明する図であり、（Ａ）はＴＦＴ基板１００ａの配向膜のプレチルト方向を示し、（Ｂ）はカラーフィルタ基板１００ｂのプレチルト方向を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は第１の実施の形態に係る偏光光照射装置１の概略を示す斜視図である。偏光光照射装置１は、例えば、偏光子を通過させて偏光した光（以下、偏光光という）を露光対象物である基板Ｗ（例えば、ガラス基板）の被露光面に照射して光配向処理を行い、液晶パネル等の配向膜を生成する装置である。基板Ｗは、例えば表面に配向材料膜が形成されたガラス基板である。また、光配向処理とは、直線偏光紫外線を高分子膜上に照射して、膜内の分子の再配列や異方的な化学反応を誘起することで、膜に異方性を持たせる処理である。
【００１９】
以下、基板Ｗの搬送方向（すなわち、走査方向）Ｆをｘ方向とし、搬送方向Ｆに直交する方向をｙ方向とし、鉛直方向をｚ方向とする。
【００２０】
偏光光照射装置１は、主として、基板Ｗを搬送する搬送部１０と、露光光を出射する光照射部２０と、マスクユニット３０と、を備える。
【００２１】
搬送部１０は、主として、ステージ１１と、ステージを駆動する駆動部１２（図４参照）と、ステージ１１の位置を測定する位置検出部１３（図４参照）と、を有する。
【００２２】
ステージ１１は、上面１１ａに基板Ｗが載置される。本実施の形態では、３枚の基板Ｗ（基板Ｗは、基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を含む概念である）が千鳥配置される。
【００２３】
駆動部１２は、ステージ１１を水平方向に移動させる水平駆動部１２ａ（図４参照）と、ステージ１１を回転させる回転駆動部１２ｂ（図４参照）と、を有する。水平駆動部１２ａは、図示しないアクチュエータおよび駆動機構を有し、ステージ１１を搬送方向Ｆに沿って移動させる。回転駆動部１２ｂは、図示しないアクチュエータおよび駆動機構を有し、ステージ１１を略１８０°回転させる。ステージ１１は、回転駆動部１２ｂにより、光照射部２１（後に詳述）と光照射部２２（後に詳述）との間で略１８０°回転される。
【００２４】
位置検出部１３は、例えばセンサやカメラである。ステージ１１が搬送方向Ｆに移動する際には、位置検出部１３によりステージ１１の位置が検出される。
【００２５】
光照射部２０は、基板Ｗに光を照射する。光照射部２０は、主として、ｘ方向に沿って設けられる２つの光照射部２１、２２を有する。
【００２６】
図２は、偏光光照射装置１の概略を示す正面図であり、一部を拡大した図である。図２においては、光照射部２１の要部を透視している。光照射部２１と光照射部２２とは同一の構成であるため、光照射部２２についての説明を省略する。
【００２７】
光照射部２１は、主として、光源２１１と、ミラー２１２、２１３と、フライアイレンズ２１４と、コンデンサレンズ２１５と、偏光ビームスプリッタ（Polarizing Beam Splitter、ＰＢＳ）２１６と、を有する。
【００２８】
光源２１１は、主として、ランプ２１１ａと、ランプ２１１ａの背面側に設けられた反射鏡２１１ｂと、を有する。ランプ２１１ａは、例えば水銀灯であり、偏光していない光（例えば、紫外光）を出射する。なお、ランプ２１１ａには、キセノンランプ、エキシマランプ、紫外ＬＥＤ等を用いることもできる。反射鏡２１１ｂは、例えば楕円反射鏡であり、ランプ２１１ａの光を前方に反射させる。
【００２９】
ランプ２１１ａから照射された光は、反射鏡２１１ｂで反射され、ミラー２１２、２１３で向きが変えられて、フライアイレンズ２１４へ導かれる。図２における二点鎖線は光の経路を示し、矢印は光の進行方向を示す。
【００３０】
フライアイレンズ２１４は、複数の小さなレンズが千鳥配置されたレンズであり、照射面を均一な照度分布にする。
【００３１】
コンデンサレンズ２１５は、複数のレンズを組み合わせて構成されたものであり、光を集光させるためのレンズである。フライアイレンズ２１４を通過した光は、コンデンサレンズ２１５で集光されて、ＰＢＳ２１６に導かれる。
【００３２】
ＰＢＳ２１６は、入射光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する光学素子であり、Ｓ偏光を反射させ（図２点線矢印参照）、Ｐ偏光を透過させる。
【００３３】
光照射部２１は、ステージ１１の上面１１ａと略直交する方向（ｚ方向）に対して略５０度から略７０度傾いた方向から基板Ｗへ偏光光を照射する。言い換えると、Ｐ偏光の入射角（光の中心Ａｘとｚ方向に沿った線Ｈとの成す角度）θ１が略５０度から略７０度となるように、光照射部２１（特に、ミラー２１３、フライアイレンズ２１４、コンデンサレンズ２１５、ＰＢＳ２１６）が設けられる。入射角θ１については、後に詳述する。
【００３４】
マスクユニット３０は、光照射部２１、２２から基板Ｗへ照射される偏光光の光路上にそれぞれ設けられる。光照射部２１、２２から基板Ｗへ偏光光が照射されるときに、マスクユニット３０と上面１１ａとが隣接する。
【００３５】
マスクユニット３０は、主として、マスク３２と、マスク保持部３５と、を有する。マスク３２は、略板状の部材であり、平面視が略矩形形状である。マスク３２は、マスク保持部３５により上面１１ａと略平行に保持される。また、マスク３２は、マスク保持部３５により、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向、θ方向にそれぞれ駆動される。
【００３６】
図３は、マスク３２に形成された光透過領域を説明する図であり、マスク３２を平面視したときの概略図である。マスク３２は、ｘ方向に沿った帯状の光透過領域３２ａと、ｘ方向に沿った帯状の遮光領域３２ｂと、を有する。光透過領域３２ａ及び遮光領域３２ｂの幅は、画素領域１００（図１１等参照）の幅の半分である。光透過領域３２ａと遮光領域３２ｂとは、ｘ方向と略直交する方向（ｙ方向）に沿って交互に設けられる。ＰＢＳ２１６を透過したＰ偏光は、光透過領域３２ａを透過して基板Ｗに照射される。
【００３７】
図４は、偏光光照射装置１の電気的な構成を示すブロック図である。偏光光照射装置１は、主として、制御部１０１、記憶部１０２、入力部１０３、出力部１０４を含んで構成される。
【００３８】
制御部１０１は、演算装置であるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等のプログラム制御デバイスであり、記憶部１０２に格納されたプログラムにしたがって動作する。本実施の形態では、制御部１０１は、ランプ２１１ａの点灯や消灯を制御する光源制御部１０１ａ、駆動部１２を制御してステージ１１を移動又は回転させる駆動制御部１０１ｂ、位置検出部１３における測定結果を取得してステージ１１やステージ１１に載置された基板Ｗの位置を求める位置決定部１０１ｃ等として機能する。なお、ステージ１１の移動及び位置決めは、すでに公知の技術であるため、説明を省略する。制御部１０１の詳しい動作の内容については、後に詳述する。
【００３９】
記憶部１０２は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ等であり、制御部１０１によって実行されるプログラム等を保持するとともに、制御部１０１のワークメモリとして動作する。
【００４０】
入力部１０３は、キーボードやマウス等の入力デバイスを含む。出力部１０４は、ディスプレイ等である。
【００４１】
次に、このように構成された偏光光照射装置１の動作について、図１を用いて説明する。駆動制御部１０１ｂは、水平駆動部１２ａを介してステージ１１を搬送方向Ｆ（＋ｘ方向）に沿って移動させる。上面１１ａには、搬送方向Ｆの下流側（＋ｘ側）に基板Ｗ１が配置され、搬送方向Ｆの上流（−ｘ側）側に基板Ｗ２、Ｗ３が配置される。
【００４２】
位置決定部１０１ｃにより基板Ｗ１が光照射部２１からのＰ偏光が照射される領域（光照射領域ＥＡ１）に差し掛かったことが求められると、光源制御部１０１ａは、光照射部２１のランプ２１１ａを点灯する。その状態のまま、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。これにより、光照射部２１から照射された光が連続的に基板Ｗに照射される。光照射部２１からのＰ偏光のうち、光透過領域３２ａを透過した光は、まず基板Ｗ１に照射され、その後基板Ｗ２、Ｗ３に照射される。
【００４３】
図５は、光照射領域ＥＡ１において基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における偏光光が照射される位置を模式的に示す図である。図５においては、説明のため、マスク３２（光透過領域３２ａ、遮光領域３２ｂ）及び光照射領域ＥＡ１を基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３と並べて表示している。また、図５における太矢印は、偏光光の照射を模式的に表している。
【００４４】
光透過領域３２ａを通過した偏光光は、基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における領域Ｉ（図５においては上対角線で網掛けしている）に照射される。領域Ｉは、搬送方向Ｆに沿った帯状の領域である。
【００４５】
図１の説明に戻る。位置決定部１０１ｃにより基板Ｗ２、Ｗ３が光照射領域ＥＡ１を通り過ぎたことが求められると、光源制御部１０１ａは、光照射部２１のランプ２１１ａを消灯する。その状態のまま、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。
【００４６】
位置決定部１０１ｃによりステージ１１の位置が光照射部２１と光照射部２２との間にあることが求められると、駆動制御部１０１ｂは、回転駆動部１２ｂを介してステージ１１を略１８０度回転させる（図１の矢印Ｒ参照）。これにより、上面１１ａにおいて、＋ｘ側に基板Ｗ２、Ｗ３が配置され、−ｘ側に基板Ｗ１が配置される。
【００４７】
ステージ１１の回転後、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。位置決定部１０１ｃにより基板Ｗ２、Ｗ３が光照射部２２からのＰ偏光が照射される領域（光照射領域ＥＡ２）に差し掛かったことが求められると、光源制御部１０１ａは、光照射部２２のランプ２１１ａを点灯する。その状態のまま、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。これにより、光照射部２２から照射された光が連続的に基板Ｗに照射される。光照射部２２からのＰ偏光のうち、光透過領域３２ａを透過した光は、まず基板Ｗ２、Ｗ３に照射され、その後基板Ｗ１に照射される。
【００４８】
図６は、光照射領域ＥＡ２において基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における偏光光が照射される位置を説明する図である。図６においては、説明のため、マスク３２（光透過領域３２ａ、遮光領域３２ｂ）及び光照射領域ＥＡ２を基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３と並べて表示している。また、図６における太矢印は、偏光光の照射を模式的に表している。
【００４９】
光透過領域３２ａを通過した偏光光は、基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３における領域ＩＩ（図６においては、下対角線で網掛けしている）に照射される。領域ＩＩは、搬送方向Ｆに沿った帯状の領域である。領域Ｉと領域ＩＩとは、ｙ方向に沿って交互に形成される。領域Ｉと領域ＩＩとが形成されたら、制御部１０１は一連の処理を終了する。
【００５０】
ここで、ＰＢＳ２１６を透過したＰ偏光の入射角θ１を略５０度から略７０度とする点について、詳細に説明する。
【００５１】
画素領域１００（図１１等参照）において発生するエッジ部に沿った暗線は、プレチルト角（基板Ｗ表面に対する液晶分子の平均傾斜角）が小さくなるにしたがって細くなる。光配向処理により液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる場合には、入射角θ１が大きくなるにしたがってプレチルト角が小さくなる。したがって、入射角θ１はできるだけ大きくすることが望ましい。
【００５２】
しかしながら、入射角θ１を大きくしすぎると、Ｐ偏光の反射率が大きくなってしまう。反射率が大きくなると、Ｐ偏光を基板Ｗに照射したとしても、基板Ｗに光が吸収されにくくなってしまう。
【００５３】
以上により、入射角θ１は、反射率が低い範囲で、できるだけ大きくすることが望ましい。
【００５４】
図７は、Ｐ偏光の反射率と、入射角θ１との関係を示すグラフである。図７においては、空気から基板Ｗへ光が進むときの屈折率１．７としている。
【００５５】
屈折率が１．７のときには、空気と基板Ｗとの界面においてＰ偏光の反射率が略０となる入射角（ブリュースター角）は略５９．５度である。したがって、できるだけ大きく、かつ反射率が低いという条件を満たす入射角θ１は、略５０度から略７０度である（図７網掛け部参照）。略５０度から略７０度は、ブリュースター角である略６０度を中心とし、反射率が入射角θ１が略４０度（一般的な入射角θ１）のときの反射率以下の範囲である。
【００５６】
図８は、ブリュースター角と屈折率との関係を示すグラフである。屈折率が大きくなるとブリュースター角も大きくなるが、屈折率１．７の近傍ではブリュースター角の変化が緩やかである。したがって、屈折率１．６〜１．８程度では、図７に示した屈折率１．７の場合と略同様に考えることができる。
【００５７】
本実施の形態によれば、入射角θ１を略５０度から略７０度とすることで、光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができることができる。
【００５８】
また、本実施の形態によれば、１回の処理で２回の偏光光照射を行い、２回の偏光光照射の間にステージ１１を略１８０度回転させることで、同じ基板の異なる位置に、それぞれ異なる方向から偏光光を照射することができる。
【００５９】
なお、本実施の形態では、入射角θ１を略５０度から略７０度としたが、反射率がさらに低い範囲である略５３度から略６５度（屈折率が１．７のときに反射率が０．０１以下の範囲）としてもよい。
【００６０】
また、本実施の形態では、入射角θ１を略５０度から略７０度とすることで液晶分子のプレチルト角を小さくしたが、基板Ｗに照射する光の積算光量を増加させても液晶分子のプレチルト角を小さくすることができる。したがって、入射角θ１を略５０度から略７０度とし、さらにランプ２１１ａの出力を長くする、露光時環を長くする（ステージ１１の搬送速度を遅くする）等により積算光量を増加させることも、液晶分子のプレチルト角を小さくするのに有効である。
【００６１】
また、本実施の形態では、基板Ｗに形成される領域Ｉ、ＩＩは隣接していたが、領域Ｉ、ＩＩは隣接していなくてもよい。例えば、領域Ｉと領域ＩＩとの間に隙間があってもよい。また、本実施の形態では、光照射部２１、２２のそれぞれから出射した偏光光は、共に、マスク３２に形成された光透過領域３２ａを通過したが、領域Ｉ、ＩＩの形態によっては、光照射部２１から出射した偏光光が通過するマスクに形成された光透過領域の位置と、光照射部２２から出射した偏光光が通過するマスクに形成された光透過領域の位置とが異なっていてもよい。
【００６２】
＜第２の実施の形態＞
第１の実施の形態は、ステージ１１を回転させて露光を行なうことで、プレチルト方向の異なる領域Ｉ、ＩＩを基板Ｗに形成したが、領域Ｉ、ＩＩを基板Ｗに形成する方法はこれに限られない。
【００６３】
第２の実施の形態は、ステージ１１を回転させず、領域Ｉ、ＩＩを基板Ｗに略同時に形成する形態である。以下、第２の実施の形態に係る偏光光照射装置２について説明する。なお、第１の実施の形態に係る偏光光照射装置１と同一の部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６４】
図９は、第２の実施の形態に係る偏光光照射装置２の概略を示す正面図である。偏光光照射装置２は、主として、基板Ｗを搬送する搬送部１０Ａと、露光光を出射する光照射部２０Ａと、マスクユニット３０Ａと、を備える。
【００６５】
搬送部１０Ａは、主として、ステージ１１と、ステージ１１を水平方向に移動させる水平駆動部１２ａ（図４参照）と、ステージ１１の位置を測定する位置検出部１３（図４参照）と、を有する。
【００６６】
光照射部２０Ａは、基板Ｗに光を照射するものであり、２つの光照射部２１、２３を有する。光照射部２３は、光照射部２１と同一の構成であり、光照射部２１と対向するように設けられる。
【００６７】
光照射部２１のＰＢＳ２１６を透過したＰ偏光の入射角θ１は、略５０度から略７０度である。光照射部２３のＰＢＳ２１６を透過したＰ偏光の入射角θ２も、略５０度から略７０度である。入射角θ１と入射角θ２は、線Ｈを含み、ｘ方向と略直交する面に対して面対称である。
【００６８】
マスクユニット３０Ａは、光照射部２１、２３から基板Ｗへ照射される光の光路上に設けられる。光照射部２１、２３から基板Ｗへ偏光光が照射されるときには、マスクユニット３０Ａと上面１１ａとが隣接する。
【００６９】
マスクユニット３０Ａは、主として、マスク３３と、マスク保持部３５と、を有する。マスク３３は、平面視が略矩形形状の略板状の部材である。マスク３３は、マスク保持部３５により、上面１１ａと略平行に保持される。また、マスク３３は、マスク保持部３５により、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向、θ方向にそれぞれ駆動される。
【００７０】
図１０は、マスク３３に形成された光透過領域を説明する図である。マスク３３は、ｘ方向に沿った帯状の光透過領域３３ａ、３３ｂを有する。
【００７１】
光透過領域３３ａ、３３ｂは、それぞれ、ｙ方向に沿って複数設けられる。また、光透過領域３３ａと光透過領域３３ｂとは、ｘ方向の位置及びｙ方向の位置が重ならないように千鳥配置される。
【００７２】
次に、このように構成された偏光光照射装置２の動作について、図９を用いて説明する。駆動制御部１０１ｂは、水平駆動部１２ａを介してステージ１１を搬送方向Ｆ（＋ｘ方向）に沿って移動させる。位置決定部１０１ｃにより基板Ｗ１が光照射部２１、２３からのＰ偏光が照射される領域（光照射領域ＥＡ３）に差し掛かったことが求められると、光源制御部１０１ａは、光照射部２１、２３のランプ２１１ａを点灯する。その状態のまま、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。これにより、光照射部２１、２３から照射された光が連続的に基板Ｗに照射される。
【００７３】
光照射部２１からのＰ偏光のうちの光透過領域３３ａを透過した光、及び光照射部２３からのＰ偏光のうちの光透過領域３３ｂを透過した光は、まず基板Ｗ１に照射され、その後基板Ｗ２、Ｗ３に照射される。
【００７４】
光透過領域３３ａを通過した偏光光が照射される領域（領域ＩＩＩ、図示省略）及び光透過領域３３ｂを通過した偏光光が照射される領域（領域ＩＶ、図示省略）は、搬送方向Ｆに沿った帯状の領域である。領域ＩＩＩは領域Ｉに相当し、領域ＩＶは領域ＩＩに相当する。領域ＩＩＩと領域ＩＶとは、ｙ方向に沿って交互に、かつ互いに隣接するように形成される。
【００７５】
位置決定部１０１ｃにより基板Ｗ２、Ｗ３が光照射領域ＥＡ３を通り過ぎたことが求められると、光源制御部１０１ａは、光照射部２１、２３のランプ２１１ａを消灯する。その状態のまま、駆動制御部１０１ｂはステージ１１を搬送方向Ｆに移動させる。その後、制御部１０１は一連の処理を終了する。
【００７６】
本実施の形態によれば、一度の露光処理で、異なる方向から偏光光を照射することができる。そのため、一度の露光処理で領域ＩＩＩと領域ＩＶとを同時に形成することができる。また、入射角θ１、θ２が略５０度から略７０度であるため、光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができることができる。
【００７７】
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００７８】
また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略平行、略直交とは、厳密に平行、直交の場合には限られない。また、例えば、単に平行、直交等と表現する場合においても、厳密に平行、直交等の場合のみでなく、略平行、略直交等の場合を含むものとする。また、本発明において「近傍」とは、例えばＡの近傍であるときに、Ａの近くであって、Ａを含んでも含まなくてもよいことを示す概念である。
【符号の説明】
【００７９】
１、２                ：偏光光照射装置
１０、１０Ａ          ：搬送部
１１                  ：ステージ
１１ａ                ：上面
１２                  ：駆動部
１２ａ                ：水平駆動部
１２ｂ                ：回転駆動部
１３                  ：位置検出部
２０、２０Ａ          ：光照射部
２１、２２、２３      ：光照射部
３０、３０Ａ          ：マスクユニット
３２、３３            ：マスク
３２ａ、３３ａ、３３ｂ：光透過領域
３２ｂ                ：遮光領域
３５                  ：マスク保持部
１００                ：画素領域
１０１                ：制御部
１０１ａ              ：光源制御部
１０１ｂ              ：駆動制御部
１０１ｃ              ：位置決定部
１０２                ：記憶部
１０３                ：入力部
１０４                ：出力部
２１１                ：光源
２１１ａ              ：ランプ
２１１ｂ              ：反射鏡
２１２、２１３        ：ミラー
２１４                ：フライアイレンズ
２１５                ：コンデンサレンズ
２１６                ：ＰＢＳ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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