(57)【要約】【課題】切断装置において、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設けることにより、切断物に水滴が落下することを抑制する。【解決手段】切断装置１は、切断対象物２を切断する切断機構１１ａ、１１ｂと、切断機構１１ａ、１１ｂにより切断対象物２が切断された切断物１３が載置されるテーブル９と、テーブル９上の切断物１３を洗浄する洗浄部１５と、洗浄部１５から移動されたテーブル９上の切断物１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部１５と乾燥部１６との間に設けられた中間室１７とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断対象物を切断する切断機構と、
前記切断機構により前記切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、
前記テーブル上の前記切断物を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部から移動された前記テーブル上の前記切断物を乾燥する乾燥部と、
前記洗浄部と前記乾燥部との間に設けられた中間室とを備える、切断装置。
【請求項２】
請求項１に記載の切断装置において、
前記洗浄部の中間室側仕切壁の下方に前記洗浄部側に傾斜した仕切板を有する、切断装置。
【請求項３】
請求項２に記載の切断装置において、
前記仕切板の上面に気体を噴射する気体噴射機構を有する、切断装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の切断装置において、
前記中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する、切断装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の切断装置において、
少なくとも前記中間室の天井内面が粗面化されている、切断装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の切断装置において、
前記洗浄部は前記切断物を洗浄する洗浄機構を有し、
前記乾燥部は前記切断物を乾燥する乾燥機構を有する、切断装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の切断装置において、
前記切断対象物は樹脂部を有する支持部材である、切断装置。
【請求項８】
請求項６に記載の切断装置において、
前記乾燥機構は、前記テーブルが少なくとも前記乾燥部及び前記中間室の下方を移動する際に前記切断物を乾燥する、切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切断機構により切断された切断物を洗浄して乾燥する切断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、切断装置を使用してウェーハや封止済基板などの切断対象物を切断機構により切断している。切断対象物を切断することによって発生する切断屑や汚染物などを除去するために切断された切断物を洗浄して乾燥する。例えば、洗浄機構を使用して加工済みの被加工物を洗浄する切削装置が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−８０８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された切削装置１では、次のような課題が発生する。特許文献１の図３に示されるように、洗浄乾燥ノズル８９は下面を開放した直方体状のケーシング８２内に設けられ、洗浄水及び乾燥エアーを被加工物Ｗに噴射する。洗浄乾燥ノズル８９は、洗浄水供給源９４及び乾燥エアー供給源９５に切替バルブ９６を介して接続されている。切替バルブ９６の切替によって、洗浄乾燥ノズル８９に洗浄水及び乾燥エアーを選択的に供給する。ケーシング８２内において洗浄乾燥ノズル８９を往復移動させることにより、被加工物Ｗを洗浄及び乾燥する。
【０００５】
このように、洗浄水及び乾燥エアーを選択的に切り替えて洗浄乾燥ノズル８９から噴射するので、被加工物Ｗを乾燥中にノズル内及び配管内に残っていた洗浄水を再び被加工物Ｗに噴射するおそれがある。また、洗浄中に被加工物Ｗから飛び跳ねた洗浄水及び霧状となった洗浄水がケーシング８２内の天井や内壁などに付着し、乾燥中に水滴となって被加工物Ｗの上に落下するおそれがある。したがって、被加工物Ｗの表面に水滴の跡（ウォーターマーク）が形成され、染みとなって残るおそれがある。また、水滴が落下することによる乾燥不良が発生するおそれがある。
【０００６】
本発明は上記の課題を解決するもので、切断装置において、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設けることにより、切断物に水滴が落下することを抑制する切断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明に係る切断装置は、切断対象物を切断する切断機構と、切断機構により切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、テーブル上の切断物を洗浄する洗浄部と、洗浄部から移動されたテーブル上の切断物を乾燥する乾燥部と、洗浄部と乾燥部との間に設けられた中間室とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、切断装置において、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設けることにより、切断物に水滴が落下することを抑制する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る切断装置において、装置の概要を示す平面図である。
【図２】実施形態１において使用される洗浄乾燥機構を示す概観図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、実施形態１の洗浄乾燥機構を使用して切断物を洗浄する動作を示す概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、実施形態１の洗浄乾燥機構を使用して切断物を乾燥する動作を示す概略断面図である。
【図５】実施形態２において使用される洗浄乾燥機構を示す概観図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ線断面図、（ｃ）はＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、実施形態２の洗浄乾燥機構を使用して切断物を洗浄する動作を示す概略断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、実施形態２の洗浄乾燥機構を使用して切断物を乾燥する動作を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。なお、本出願書類において、「支持部材」とは、チップ、絶縁性膜、導電性膜、半導体膜等の支持体対象物を支持する部材であって、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、樹脂基板、金属基板などの一般的な基板、及び、リードフレーム、半導体ウェーハなどが挙げられる。
〔実施形態１〕
【００１１】
（切断装置の構成）
本発明に係る切断装置の構成について、図１を参照して説明する。図１に示されるように、切断装置１は、例えば、大面積を有する切断対象物を切断して複数の領域に個片化する装置である。切断装置１は、切断対象物を供給する供給モジュールＡと切断対象物を切断する切断モジュールＢと切断された切断物を検査する検査モジュールＣとを、それぞれ構成要素として備える。各構成要素（各モジュールＡ〜Ｃ）は、それぞれ他の構成要素に対して着脱可能かつ交換可能である。なお、ここで、「大面積を有する切断対象物」とは、例えば、四辺が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以上若しくは３００ｍｍ以上の四角形又は直径が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以上若しくは３００ｍｍ以上の円形の切断対象物である。
【００１２】
切断対象物として、樹脂部を有する支持部材や半導体前工程（拡散工程及び配線工程）が完了した半導体ウェーハなどが、切断装置１によって切断されて個片化される。樹脂部を有する支持部材としては、例えば、基板に装着されたチップを樹脂封止した封止済基板や半導体ウェーハに装着されたチップを樹脂封止した封止済ウェーハなどが挙げられる。樹脂部を成形する前の支持部材そのものを切断することもできる。実施形態１においては、切断対象物として封止済基板を切断して個片化する場合について説明する。なお、切断対処物は、素子形成された半導体ウェーハであってもよい。
【００１３】
封止済基板は、基板と、基板が有する複数の領域に装着された複数のチップと、複数の領域が一括して覆われるようにして成形された封止樹脂とを有する。封止済基板を切断して個片化された各領域がそれぞれ製品に相当する。
【００１４】
供給モジュールＡには、切断対象物に相当する封止済基板２を供給する切断対象物供給機構３と、封止済基板２を受け渡しする切断対象物載置部４と、封止済基板２を搬送する搬送機構５とが設けられる。搬送機構５は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能である。封止済基板２は、切断対象物載置部４において位置決めされた後、搬送機構５によって切断モジュールＢに搬送される。
【００１５】
切断モジュールＢには、封止済基板２に仮想的な切断線を設定するアライメント領域６と、封止済基板２を切断して個片化する切断領域７と、個片化された切断物を洗浄して乾燥する洗浄乾燥領域８とが設けられる。
【００１６】
切断モジュールＢにおいて、アライメント領域６には、封止済基板２を載置する切断用テーブル９が設けられる。切断用テーブル９は、移動機構（図示なし）によって図のＹ方向に移動可能である。切断用テーブル９は、アライメント領域６、洗浄乾燥領域８及び切断領域７の間を移動することができる。かつ、切断用テーブル９は、回転機構（図示なし）によってθ方向に回動可能である。切断用テーブル９の上に、例えば、切断用治具（図示なし）を取り付け、切断用治具の上に封止済基板２を載置するようにしてもよい。
【００１７】
アライメント領域６には、アライメント用のカメラ１０が設けられる。アライメント用のカメラ１０は、独立してＸ方向に移動可能である。カメラ１０がＸ方向に移動し、かつ、切断用テーブル９がＹ方向に移動することによって、封止済基板２に形成されたアライメントマークの座標位置が測定される。このことによって、封止済基板２の切断線がＸ方向及びＹ方向に沿って仮想的に設定される。
【００１８】
切断領域７には、切断機構として２個のスピンドル１１ａ、１１ｂが設けられる。切断装置１は、２個のスピンドル１１ａ、１１ｂが設けられるツインスピンドル構成の切断装置である。スピンドル１１ａ、１１ｂは、独立してＸ方向とＺ方向とに移動可能である。スピンドル１１ａ、１１ｂには回転刃１２ａ、１２ｂがそれぞれ装着される。スピンドル１１ａ、１１ｂには、高速回転する回転刃１２ａ、１２ｂによって発生する摩擦熱を抑えるために切削水を噴射する切削水用ノズル、冷却水を噴射する冷却水用ノズル（図示なし）などがそれぞれ設けられる。切断用テーブル９とスピンドル１１ａ、１１ｂとを相対的に移動させることによって封止済基板２が切断される。回転刃１２ａ、１２ｂは、Ｘ軸に直交する平面の面内において回転することによって封止済基板２を切断する。
【００１９】
切断領域７に１個のスピンドルが設けられるシングルスピンドル構成の切断装置にすることも可能である。大面積の切断対象物を切断する場合には、回転刃が切断する切断対象物の総距離が非常に長くなるので、２個のスピンドルを設けて効率的に切断対象物を切断することが好ましい。
【００２０】
洗浄乾燥領域８には、スピンドル１１ａ、１１ｂによって切断された切断物である切断済基板１３を洗浄して乾燥する洗浄乾燥機構１４が設けられる。洗浄乾燥機構１４は、切断された切断済基板１３を洗浄する洗浄部１５と、洗浄した切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６とを備える。洗浄部１５と乾燥部１６との間には、洗浄部１５及び乾燥部１６のそれぞれの仕切り壁によって区切られる空間を構成する中間室１７が設けられる。洗浄乾燥機構１４の下方において、切断用テーブル９がＹ方向に往復移動することにより切断済基板１３は洗浄されて乾燥される。洗浄乾燥機構１４については、後述の図２〜４を参照する部分において詳しく説明する。
【００２１】
検査モジュールＣには検査用テーブル１８が設けられる。検査用テーブル１８には、封止済基板２を切断して個片化された製品Ｐの集合体である切断済基板１３が移載される。切断済基板１３は、搬送機構１９によって、切断用テーブル９から検査用テーブル１８の上に移載される。搬送機構１９は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能である。
【００２２】
検査モジュールＣにおいて、複数の製品Ｐは、例えば、検査用のカメラ２０によって検査される。検査用のカメラ２０は、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。検査された製品Ｐは、良品と不良品とに選別される。良品は良品トレイ２１に収容される。不良品は不良品トレイ２２に収容される。
【００２３】
供給モジュールＡには制御部ＣＴＬが設けられる。制御部ＣＴＬは、切断装置１の動作、封止済基板２の搬送、封止済基板２の位置合わせ、封止済基板２の切断、切断済基板１３の洗浄及び乾燥、切断済基板１３の搬送、切断済基板１３の検査などを制御する。本実施形態においては、制御部ＣＴＬを供給モジュールＡに設けた。これに限らず、制御部ＣＴＬを他のモジュールに設けてもよい。また、制御部ＣＴＬは、複数に分割して、供給モジュールＡ、切断モジュールＢ及び検査モジュールＣのうちの少なくとも二つのモジュールに設けてもよい。
【００２４】
なお、図１においては、切断対象物として封止済基板２を切断する例を示したので、切断対象物載置部４、切断用テーブル９及び検査用テーブル１８を矩形状（正方形）の形状とした。これに限らず、切断対象物として、例えば、半導体ウェーハを扱う場合であれば、切断対象物載置部４、切断用テーブル９及び検査用テーブル１８を円形状の形状にしてもよい。
【００２５】
（洗浄乾燥機構の構成）
図２を参照して、図１に示した切断装置１において使用される実施形態１の洗浄乾燥機構１４の構成について説明する。
【００２６】
図２（ａ）に示されるように、洗浄乾燥機構１４は、切断された切断済基板１３を洗浄する洗浄部１５と、洗浄した切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部１５と乾燥部１６との間に設けられた中間室１７とを備える。洗浄乾燥機構１４は、平面視して長さＬ１及び幅Ｗの大きさを有する。洗浄乾燥機構１４の幅Ｗは、切断用テーブル９の幅よりも大きく設定される。切断用テーブル９は、洗浄乾燥機構１４の下方において、Ｙ方向に往復移動する。
【００２７】
図２（ｂ）、（ｃ）に示されるように、洗浄乾燥機構１４の下方には、切断用テーブル９及び切断用テーブル９の上に載置された切断済基板１３が移動する移動空間２３が形成される。切断用テーブル９は、例えば、ボールねじ機構などの移動機構（図示なし）を使用して、移動空間２３の中をＹ方向に往復移動する。
【００２８】
移動空間２３は、洗浄部１５、乾燥部１６及び中間室１７を構成するそれぞれの外周の側壁板によって少なくとも一部を囲まれ、洗浄乾燥機構１４の下端を基準面として高さｈ１を有する空間である。移動空間２３は、洗浄部１５、乾燥部１６及び中間室１７のそれぞれの壁の厚さも含めると、長さＬ１×幅Ｗ×高さｈ１を有する直方体状の空間である。なお、洗浄乾燥機構１４の下端を基準面として、中間室１７はｈ２の高さ、乾燥部１６はｈ３の高さ、洗浄部１５はｈ４の高さを有する。これらの高さの関係は、ｈ４＞ｈ３＞ｈ２＞ｈ１となっている。
【００２９】
洗浄部１５は、下方に開口部を有する洗浄室２４と洗浄室２４内に収容された洗浄機構２５とを備える。洗浄室２４と中間室１７とは、洗浄部１５を構成する中間室側仕切壁２６によって仕切られる。切断済基板１３が洗浄室２４及び中間室１７の下方の移動空間２３内を往復移動することにより、切断済基板１３の全面が洗浄機構２５によって洗浄される。
【００３０】
洗浄機構２５として、例えば、洗浄液２７を噴射する噴射洗浄機構（スプレー洗浄）が使用される。スプレー洗浄は、一流体又は二流体からなるノズルを使用した洗浄である。一流体ノズルの場合には、ノズルの先端から洗浄液２７が切断済基板１３に向かって噴射される。洗浄液２７としては、純水、炭酸水、オゾン水などを使用することが好ましい。二流体ノズルの場合には、洗浄液２７の中に圧縮空気や窒素ガスなどの気体が供給される。気体が混合された洗浄液２７は、微細な霧状の粒子となって切断済基板１３に向かって噴射される。また、洗浄機構２５から噴射される洗浄液２７に超音波を印加して噴射することもできる。洗浄液２７を噴射する方向、角度などは任意に設定することができる。
【００３１】
大面積を有する切断済基板１３を洗浄する場合には、切断済基板１３の全面を一括して洗浄するために、複数の洗浄機構２５又は切断済基板１３の幅よりも広くスリット状のノズルや多孔式のノズルを備えた洗浄機構２５を使用することが好ましい。更に、ノズルの向きを、切断済基板１３に向かって左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。図２（ｂ）に示されるように、洗浄液２７は、洗浄室２４から中間室１７とは反対側の方向に向かって噴射することが好ましい。洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室１７に侵入しないようにすることが好ましい。
【００３２】
乾燥部１６は、下方に開口部を有する乾燥室２８と乾燥室２８内に収容された乾燥機構２９とを備える。乾燥室２８と中間室１７とは、乾燥部１６を構成する中間室側仕切壁３０によって仕切られる。切断済基板１３が乾燥室２８及び中間室１７の下方の移動空間２３内を往復移動することにより、切断済基板１３の全面が乾燥機構２９によって乾燥される。
【００３３】
乾燥機構２９として、例えば、切断済基板１３に向かって圧縮空気や窒素ガスなどの気体３１を吹き付けて切断済基板１３の表面から洗浄液２７を吹き飛ばすエアナイフ水切り乾燥が使用される。エアナイフ水切り乾燥は、幅が広くかつ狭い空気の流れを作り出し、強い噴出力で洗浄液２７を吹き飛ばすことができる。気体３１を吹き付ける方向、角度などは任意に設定することができる。
【００３４】
エアナイフを用いた場合にその幅は、切断済基板１３の全面を一括して乾燥するために切断済基板１３の幅よりも大きくすることが好ましい。更に、エアナイフの噴射口の向きを、左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。乾燥機構２９から噴射される気体３１は、乾燥室２８から中間室１７とは反対側の方向に向かって噴射してもよいし、乾燥室２８から中間室１７の方向に向かって噴射してもよい。又は、真下に噴射してもよい。切断済基板１３上の洗浄液２７を乾燥室２８から下方に向かって吹き飛ばすような構成であればよい。
【００３５】
洗浄乾燥機構１４において、洗浄機構２５及び乾燥機構２９のそれぞれは、切断済基板１３の幅方向に沿って配列された複数の製品Ｐからなる集合体を一括して洗浄及び乾燥する形態であればよい。かつ、洗浄乾燥機構１４は、切断済基板１３を乾燥中又は乾燥後に、洗浄乾燥機構１４（具体的には洗浄室２４及び中間室１７）の内壁などに付着した水滴が切断済基板１３の上に落下することを抑制するような構成にすることが好ましい。
【００３６】
（洗浄乾燥機構の動作）
図３〜４を参照して、洗浄乾燥機構１４によって切断済基板１３を洗浄して乾燥する動作について説明する。
【００３７】
図３（ａ）、（ｂ）に示されるように、切断済基板１３を洗浄するために、移動機構（図示なし）を使用して切断用テーブル９を洗浄室２４の下方においてＹ方向に往復移動させる。切断用テーブル９の上に載置された切断済基板１３が洗浄室２４の下方を通過する際に、複数の洗浄機構２５から洗浄液２７を切断済基板１３に噴射して切断済基板１３を洗浄する。例えば、切断用テーブル９をＳ１の位置からＳ２の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に往復移動させることによって、切断済基板１３の全面を複数の洗浄機構２５によって洗浄することができる。複数の洗浄機構２５によって、切断済基板１３上に残っている切断屑や汚染物などを除去する。
【００３８】
洗浄機構２５として、一流体又は二流体からなるノズルを使用したスプレー洗浄を使用する。一流体ノズルの場合には、ノズルの先端から噴射された洗浄液２７の一部が切断済基板１３から飛び跳ねて、洗浄室２４の内壁や洗浄機構２５に付着して水滴となることがある。洗浄室２４の内壁や洗浄機構２５に付着した水滴は、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。
【００３９】
二流体ノズルの場合には、洗浄液２７の中に圧縮空気や窒素ガスなどの気体を供給する。気体が混合された洗浄液２７は、微細な霧状の粒子（ミスト）となって切断済基板１３に噴射される。ミストは、洗浄室２４内の壁や天井に付着し凝集して水滴となるおそれがある。洗浄室２４内の壁や天井に付着し水滴は、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。なお、二流体ノズルの方がミストは発生しやすいが、一流体ノズルであってもミストが発生する場合もある。
【００４０】
このように、スプレー洗浄を使用する場合には、洗浄室２４内の壁や天井及び洗浄機構２５に付着した水滴が、時間の経過と共に下方に落下するおそれがある。したがって、洗浄乾燥機構１４において、切断済基板１３を乾燥する際又は乾燥後に、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制するような構成にすることが好ましい。
【００４１】
図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、洗浄された切断済基板１３を乾燥するために、移動機構（図示なし）を使用して切断用テーブル９を乾燥室２８の下方においてＹ方向に往復移動させる。切断用テーブル９の上に載置された切断済基板１３が乾燥室２８の下方を通過する際に、乾燥機構２９から圧縮空気や窒素ガスなどの気体３１を切断済基板１３に吹き付けて切断済基板１３の表面から洗浄液２７を吹き飛ばす。例えば、切断用テーブル９をＳ３の位置からＳ４の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に往復移動させることによって、切断済基板１３の全面を乾燥機構２９によって乾燥する。
【００４２】
切断済基板１３の全面を洗浄するために、切断用テーブル９をＳ１の位置からＳ２の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に移動させて切断済基板１３を洗浄する。同様に、切断済基板１３の全面を乾燥するために、切断用テーブル９をＳ３の位置からＳ４の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に移動させて切断済基板１３を乾燥する。切断済基板１３を洗浄する場合及び切断済基板１３を乾燥する場合いずれの場合においても、切断用テーブル９を一定の距離ＤだけＹ方向に移動させることによって切断済基板１３の全面を洗浄及び乾燥することができる。
【００４３】
洗浄乾燥機構１４において、洗浄部１５と乾燥部１６との間に中間室１７を設けている。図４（ａ）に示されるように、Ｙ方向において、中間室１７はｄ１の長さを有する。このことにより、切断済基板１３を乾燥中に切断済基板１３が洗浄室２４の下方を通過することがないような構成にすることができる。したがって、切断済基板１３を乾燥中又は乾燥後に、洗浄室２４内の壁や天井及び洗浄機構２５に付着した水滴が切断済基板１３の上に落下することを抑制することができる。
【００４４】
（作用効果）
本実施形態では、切断装置１は、切断対象物である封止済基板２を切断する切断機構であるスピンドル１１ａ、１１ｂと、スピンドル１１ａ、１１ｂにより封止済基板２が切断された切断物である切断済基板１３が載置されるテーブルである切断用テーブル９と、切断用テーブル９上の切断済基板１３を洗浄する洗浄部１５と、洗浄部１５から移動された切断用テーブル９上の切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部１５と乾燥部１６との間に設けられた中間室１７とを備える構成としている。
【００４５】
この構成によれば、切断装置１は、切断済基板１３を洗浄する洗浄部１５と、切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部１５と乾燥部１６との間に設けられた中間室１７とを備える。中間室１７を設けることによって、切断済基板１３を乾燥中に切断用テーブル９が洗浄室２４の下方を通過しない構成としている。したがって、洗浄室２４内の壁や天井及び洗浄機構２５に付着した水滴が切断済基板１３の上に落下することを抑制することができる。
【００４６】
本実施形態によれば、切断装置１は、封止済基板２を切断するスピンドル１１ａ、１１ｂと、封止済基板２が切断された切断物である切断済基板１３を載置する切断用テーブル９と、切断用テーブル９を移動させて切断済基板１３を洗浄して乾燥する洗浄乾燥機構１４とを備える。洗浄乾燥機構１４は、切断済基板１３を洗浄する洗浄部１５と、切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部１５と乾燥部１６との間に設けられた中間室１７とを備える。洗浄部１５と乾燥部１６との間に中間室１７を設けることにより、乾燥機構２９によって切断済基板１３を乾燥する際に、洗浄室２４の下方を切断済基板１３が通過しない構成としている。このことにより、洗浄室２４内の壁や天井及び洗浄機構２５に付着した水滴が、切断済基板１３の上に落下することを抑制することができる。したがって、水滴の落下による染みの発生や乾燥不良を抑制することができる。
【００４７】
本実施形態によれば、洗浄部１５と乾燥部１６との間に中間室１７を設けているので、中間室を設けない構成と比較して、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストの乾燥部１６への侵入を抑制でき、切断物への水滴落下を抑制できる。
〔実施形態２〕
【００４８】
（洗浄乾燥機構の構成）
図５を参照して、切断装置１において使用される実施形態２の洗浄乾燥機構の構成について説明する。実施形態１との違いは、洗浄部及び中間室の構成を変更したことである。それ以外の構成については実施形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００４９】
図５（ａ）に示されるように、洗浄乾燥機構３２は、切断された切断済基板１３を洗浄する洗浄部３３と、洗浄した切断済基板１３を乾燥する乾燥部１６と、洗浄部３３と乾燥部１６との間に設けられた中間室３４とを備える。乾燥部１６は、実施形態１に示した乾燥部と同じである。洗浄乾燥機構３２は、平面視して長さＬ２及び幅Ｗの大きさを有する。洗浄乾燥機構３２の幅Ｗは、実施形態１に示した洗浄乾燥機構１４の幅と同じである。洗浄乾燥機構３２の長さＬ２は、実施形態１に示した洗浄乾燥機構１４の長さＬ１よりも小さい（図２（ａ）参照）。切断用テーブル９は、洗浄乾燥機構３２の下方において、Ｙ方向に往復移動する。
【００５０】
図５（ｂ）に示されるように、洗浄部３３は、洗浄部３３の中間室３４側に設けられた中間室側仕切壁３５と中間室側仕切壁３５から洗浄部３３側に傾斜した仕切板３６とを備える。仕切板３６は、例えば、中間室側仕切壁３５において、中間室３４の天板頂上部に対応する位置（洗浄乾燥機構３２の下端を基準面としてｈ２の高さ位置）から洗浄部３３側の下方（洗浄乾燥機構３２の下端を基準面としてｈ１の高さ位置）に向かって設けられる。洗浄部３３の中間室側仕切壁３５において、仕切板３６の取り付け位置、傾斜角度及び長さは任意に設定することができる。洗浄室２４と中間室３４とは、洗浄部３３を構成する中間室側仕切壁３５と仕切板３６とによって仕切られる。仕切板３６を設けることによって、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することを抑制することができる。
【００５１】
図５（ｃ）に示されるように、中間室３４を構成する天板３７は、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状を有する。言い換えれば、中間室３４の天板３７の下面３８である天井内面は、中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する。中間室３４の中央部は洗浄乾燥機構３２の下端を基準面としてｈ２の高さを有し、中間室３４の側壁板は洗浄乾燥機構３２の下端を基準面としてｈ１の高さを有する。したがって、中間室３４は、切妻屋根形状を有する天板３７と洗浄部３３に設けられた仕切板３６と中間室３４及び洗浄部３３をそれぞれ構成する側壁板とによって囲まれる空間から構成される。
【００５２】
図５（ｂ）、図７（ａ）に示されるように、中間室３４の天板３７の下方の空間と洗浄部３３に設けられた仕切板３６の下方の空間とによって、中間室３４は構成される。中間室３４の天板３７の下方の空間だけでなく、洗浄部３３に設けられた仕切板３６の下方の空間も中間室３４を構成する空間となる。したがって、洗浄乾燥機構３２のＹ方向において、天板３７の下方の空間の長さｄ２（図７（ａ）参照）と仕切板３６の下方の空間の長さｄ３（図７（ａ）参照）とを合計した長さ（ｄ２＋ｄ３）が実効的な中間室３４の長さとなる。このことにより、切断済基板１３を乾燥する際に、切断用テーブル９を仕切板３６の下方に形成された空間まで往復移動させることが可能となる。仕切板３６の下方に形成された空間のＹ方向における長さｄ３（図７（ａ）参照）だけ切断用テーブル９＋Ｙ方向に移動させる距離を長くすることができる。したがって、洗浄乾燥機構３２の長さＬ２（図５（ａ）参照）を、洗浄乾燥機構１４の長さＬ１（図２（ａ）参照）より小さくしても、切断済基板１３の全面を乾燥するために切断用テーブル９を往復移動させる距離Ｄ（図７（ａ）参照）を中間室３４の下方において確保することができる。
【００５３】
洗浄乾燥機構３２は、洗浄部３３に仕切板３６を設けることによって、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７が中間室３４に侵入すること、洗浄室２４の内壁に付着した水滴が中間室３４に侵入すること、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することを抑制する構成としている。しかし、洗浄部３３に仕切板３６を設けた場合であっても、まだ洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入するおそれがある。
【００５４】
そこで、中間室３４に侵入したミストが中間室３４の内壁に付着し凝集して水滴になることを抑制するために、中間室３４の内壁を親水性にしてもよい。中間室３４を構成する天板３７の下面３８即ち天井内面及び洗浄部３３に設けられた仕切板３６の下面３９を、例えば、ブラスト処理することにより表面に細かい凹凸を形成することができる。天板３７の下面３８と仕切板３６の下面３９とをブラスト処理により粗面化して親水性にすることができる。このことにより、天板３７の下面３８や仕切板３６の下面３９に付着したミストが凝集しても、下方に落下する程度の大きな水滴になることを抑制することができる。なお、天板３７の下面３８の方が、仕切板３６の下面３９よりも、切断物への水滴落下の可能性があるので、天板３７の下面３８のみを粗面化の加工を施しても良い。
【００５５】
加えて、中間室３４を構成する天板３７を、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状にしている。洗浄部３３に設けられた仕切板３６も下方に傾斜している。そのため、中間室３４の内壁に付着したミストが凝集して水滴となっても下方に落下する程度の大きな水滴とならず、天板３７及び仕切板３６の傾斜に沿って水滴が下方に流れやすくなっている。したがって、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００５６】
さらに、洗浄部３３に設けられた仕切板３６の上面に空気や窒素を噴射する気体噴射機構４０を設けることができる。気体を噴射する方向、角度などは任意に設定することができる。更に、気体を噴射する方向を左右又は上下方向に自動的に可変するような構成にしてもよい。気体噴射機構４０を設けることによって、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することを更に抑制することができる。したがって、中間室３４の内壁に水滴が付着することを更に抑制することができる。
【００５７】
実施形態２に示した洗浄乾燥機構３２においては、次の４つの対応を行った。（１）洗浄部３３に傾斜した仕切板３６を設ける、（２）中間室３４の天板３７を切妻屋根形状にする、（３）中間室３４の天板３７の下面３８及び洗浄部３３に設けた仕切板３６の下面３９を粗面化する、（４）仕切板３６の上面に気体噴射機構４０を設ける。これらの対応をすることにより、切断済基板１３の上に水滴が落下することをより一層抑制することができる。
【００５８】
（洗浄乾燥機構の動作）
図６〜７を参照して、洗浄乾燥機構３２によって切断済基板１３を洗浄して乾燥する動作について説明する。
【００５９】
図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、切断済基板１３を洗浄するために、移動機構（図示なし）を使用して切断用テーブル９を洗浄室２４の下方においてＹ方向に往復移動させる。洗浄部３３に設けられた仕切板３６によって仕切られ洗浄室２４の下方に開口された開口部を切断用テーブル９が通過する際に、複数の洗浄機構２５から洗浄液２７を切断済基板１３に噴射して切断済基板１３を洗浄する。実施形態１と同様に、切断済基板１３の全面を洗浄するために切断用テーブル９をＳ１の位置からＳ２の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に往復移動させる。複数の洗浄機構２５によって切断済基板１３の全面を洗浄する。
【００６０】
洗浄室２４と中間室３４とは、洗浄部３３を構成する中間室側仕切壁３５及び仕切板３６によって仕切られる。仕切板３６を設けることによって、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７が中間室３４に侵入すること、洗浄室２４の内壁に付着した水滴が中間室３４に侵入すること、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することを抑制することができる。
【００６１】
図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、切断済基板１３を乾燥するために、移動機構（図示なし）を使用して切断用テーブル９を乾燥室２８の下方においてＹ方向に往復移動させる。実施形態１と同様に、切断済基板１３の全面を乾燥するために切断用テーブル９をＳ３の位置からＳ４の位置まで一定の距離ＤだけＹ方向に往復移動させる。
【００６２】
中間室３４は、中間室３４の天板３７の下方の空間と洗浄部３３に設けられた仕切板３６の下方の空間とによって構成される。切断済基板１３を乾燥する際に、切断用テーブル９を仕切板３６の下方の空間まで往復移動させることができる。すなわち、洗浄乾燥機構３２のＹ方向において、天板３７の下方の空間の長さｄ２と仕切板３６の下方の空間の長さｄ３とを合計した長さ（ｄ２＋ｄ３）の範囲まで、切断用テーブル９を＋Ｙ方向に往復移動させることができる。洗浄部３３に仕切板３６を設けることによって、Ｙ方向における実効的な中間室３４の長さを大きくすることができる。したがって、中間室３４の下方において、切断用テーブル９を往復移動させる距離を長くすることができる。このことにより、洗浄乾燥機構３２の長さを小さくしても、切断済基板１３の全面を乾燥するために切断用テーブル９を往復移動させる距離Ｄを確保することができる。したがって、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００６３】
（作用効果）
本実施形態よれば、洗浄乾燥機構３２において、洗浄部３３の中間室側仕切壁３５から洗浄部３３側に傾斜した仕切板３６を設ける。洗浄室２４と中間室３４とを、洗浄部３３を構成する中間室側仕切壁３５と仕切板３６とによって仕切る。このことにより、洗浄室２４の下方の開口部を小さくして、中間室３４を構成する実効的な空間を大きくすることができる。そのため、切断済基板１３を乾燥する際に、中間室３４において切断用テーブル９を往復移動させる距離を長くすることができる。したがって、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。かつ、洗浄乾燥機構３２の長さを小さくすることができる。
【００６４】
本実施形態よれば、洗浄乾燥機構３２において、洗浄部３３の中間室側仕切壁３５から洗浄部３３側に傾斜した仕切板３６を設ける。このことにより、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することを抑制することができる。したがって、中間室３４の内壁に水滴が付着することを抑制することができる。そのため、中間室３４において、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００６５】
本実施形態よれば、中間室３４を構成する天板３７を、中央部から両側に傾斜する切妻屋根形状にする。言い換えれば、中間室３４の天井内面を中央部から両側に下向きに傾斜する形状にする。中間室３４に侵入したミストが凝集して水滴になったとしても、天井内面即ち天板３７の傾斜に沿って水滴が両側に流れやすくすることができる。したがって、中間室３４において、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００６６】
本実施形態よれば、中間室３４の内壁において、少なくとも天井内面を粗面化して親水性にする。中間室３４を構成する天板３７の下面３８及び洗浄部３３に設けられた仕切板３６の下面３９を、ブラスト処理することにより表面に細かい凹凸を形成する。このことにより、中間室３４の内壁に付着したミストが大きな水滴となることを抑制できる。したがって、中間室３４において、切断済基板１３の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００６７】
本実施形態よれば、洗浄部３３に設けられた仕切板３６の上面に気体噴射機構４０を設ける。このことによって、洗浄機構２５から噴射された洗浄液２７、洗浄室２４の内壁に付着した水滴、及び洗浄室２４内で発生したミストが中間室３４に侵入することをより抑制することができる。したがって、中間室３４の内壁に水滴が付着することをより抑制することができる。そのため、切断済基板１３の上に水滴が落下することを一層抑制することができる。
【００６８】
各実施形態においては、切断対象物として、矩形（正方形）の形状を有する切断対象物を切断する場合を示した。これに限らず、半導体ウェーハのような実質的に円形の形状を有する切断対象物を切断する場合においても、ここまで説明した内容を適用できる。
【００６９】
各実施形態においては、切断対象物としてチップが装着された封止済基板を切断する場合を示した。これに限らず、封止済基板以外の切断対象物として次の切断対象物を切断して個片化する場合に本発明を適用できる。第１に、シリコン、化合物半導体からなり回路素子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などの機能素子が作り込まれた半導体ウェーハ（semiconductor wafer ）を個片化する場合である。第２に、抵抗体、コンデンサ、センサ、表面弾性波デバイスなどの機能素子が作り込まれたセラミック基板、ガラス基板などを個片化してチップ抵抗、チップコンデンサ、チップ型のセンサ、表面弾性波デバイスなどの製品を製造する場合である。これらの２つの場合には、半導体ウェーハ、セラミック基板、ガラス基板などが、複数の領域にそれぞれ対応する機能素子が作りこまれた支持部材に該当する。
【００７０】
以上のように、上記実施形態の切断装置は、切断対象物を切断する切断機構と、切断機構により切断対象物が切断された切断物が載置されるテーブルと、テーブル上の切断物を洗浄する洗浄部と、洗浄部から移動されたテーブル上の切断物を乾燥する乾燥部と、洗浄部と乾燥部との間に設けられた中間室とを備える構成としている。
【００７１】
この構成によれば、洗浄部と乾燥部との間に中間室を設ける。このことにより、切断物を乾燥する際に切断物が洗浄部の下方を通過しないようにすることができる。したがって、洗浄部から水滴が切断物の上に落下することを抑制することができる。
【００７２】
さらに、上記実施形態の切断装置は、洗浄部の中間室側仕切壁の下方に洗浄部側に傾斜した仕切板を有する構成としている。
【００７３】
この構成によれば、洗浄部に仕切板を設けることで、中間室の実効的な空間を大きくしている。このことにより、切断物を乾燥する際にテーブルを移動させる距離を長くすることができる。したがって、切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００７４】
さらに、上記実施形態の切断装置は、仕切板の上面に気体を噴射する気体噴射機構を有する構成としている。
【００７５】
この構成によれば、気体噴射機構によって洗浄液、水滴、ミストが中間室に侵入することを抑制する。したがって、中間室の天板から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００７６】
さらに、上記実施形態の切断装置は、中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜する形状を有する構成としている。
【００７７】
この構成によれば、中間室の天井内面が中央部から両側に下向きに傾斜を有する。天井内面に水滴が付着しても天井内面の傾斜に沿って水滴を両側に流れやすくする。したがって、中間室の天井内面から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００７８】
さらに、上記実施形態の切断装置は、少なくとも中間室の天井内面が粗面化されている構成としている。
【００７９】
この構成によれば、中間室の天井内面に細かい凹凸を形成する。このことにより、中間室の天井内面に付着したミストが大きな水滴となることを抑制する。したがって、中間室の天井内面から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００８０】
さらに、上記実施形態の切断装置は、洗浄部は切断物を洗浄する洗浄機構を有し、乾燥部は切断物を乾燥する乾燥機構を有する構成としている。
【００８１】
この構成によれば、洗浄機構によって切断物を洗浄し、乾燥機構によって切断物を乾燥することができる。
【００８２】
さらに、上記実施形態の切断装置において、切断対象物は樹脂部を有する支持部材である。
【００８３】
この構成によれば、上記の切断装置を使用して支持部材に対して樹脂成形された切断対象物を切断することができる。
【００８４】
さらに、上記実施形態の切断装置では、乾燥機構は、テーブルが少なくとも乾燥部及び中間室の下方を移動する際に切断物を乾燥する構成としている。
【００８５】
この構成によれば、テーブルが乾燥部及び中間室の下方を移動する際に、乾燥機構によって切断物を乾燥する。したがって、洗浄部から切断物の上に水滴が落下することを抑制することができる。
【００８６】
本発明は、上述した各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
【符号の説明】
【００８７】
１    切断装置
２    封止済基板（切断対象物）
３    切断対象物供給機構
４    切断対象物載置部
５    搬送機構
６    アライメント領域
７    切断領域
８    洗浄乾燥機構
９    切断用テーブル（テーブル）
１０  アライメント用のカメラ
１１ａ、１１ｂ  スピンドル（切断機構）
１２ａ、１２ｂ  回転刃
１３  切断済基板（切断物）
１４、３２  洗浄乾燥機構
１５、３３  洗浄部
１６  乾燥部
１７、３４  中間室
１８  検査用テーブル
１９  搬送機構
２０  検査用のカメラ
２１  良品トレイ
２２  不良品トレイ
２３  移動空間
２４  洗浄室
２５  洗浄機構
２６  中間室側仕切壁
２７  洗浄液
２８  乾燥室
２９  乾燥機構
３０  中間室側仕切壁
３１  気体
３５  中間室側仕切壁
３６  仕切板
３７  天板
３８  天板の下面（天井内面）
３９  仕切板の下面
４０  気体噴射機構
Ａ    供給モジュール
Ｂ    切断モジュール
Ｃ    検査モジュール
Ｐ    製品
ＣＴＬ  制御部
Ｌ１、Ｌ２  長さ
Ｗ    幅
ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４  高さ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４  位置
Ｄ    距離
ｄ１、ｄ２、ｄ３  長さ
【図１】
2018101649.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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