(57)【要約】【課題】屋外で使用するために配線表面からの反射を低減する構成を有していても、各種のＩＤパターンを安定して形成できる表示装置を提供する。【解決手段】導電膜、反射防止膜、透明膜で構成される積層配線と、積層配線の端部に設けられ、積層配線と同じ積層構造を有する配線端子部と、積層配線、配線端子部を覆う絶縁膜と、絶縁膜で覆われ、製造工程で使用されるマークおよび識別記号の少なくとも一方を備え、絶縁膜側が表示面側となる表示装置であって、配線端子部において、絶縁膜、透明膜を貫通して反射防止膜に達する第１の開口部が設けられ、第１の開口部の外縁部は、導電膜、反射防止膜、透明膜、絶縁膜の積層構造を有し、マークおよび識別記号は、導電膜、反射防止膜、透明膜の積層膜と、絶縁膜、透明膜を貫通して反射防止膜に達する第２の開口部とで構成され、第２の開口部の外縁部は、導電膜、反射防止膜、透明膜および絶縁膜の積層構造を有する。【選択図】図２２
2018101144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に順に配設された導電膜、反射防止膜および透明膜とで構成される積層配線と、
前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と同じ積層構造を有する配線端子部と、
前記積層配線および前記配線端子部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜で覆われ、製造工程で使用されるマークおよび識別記号の少なくとも一方と、を備え、前記絶縁膜側が表示面側となる表示装置であって、
前記配線端子部において、
前記絶縁膜を貫通すると共に、前記透明膜を貫通して前記反射防止膜に達する第１の開口部が設けられ、
前記第１の開口部の外縁部は、
少なくとも一部において、前記導電膜、前記反射防止膜、前記透明膜および前記絶縁膜の積層構造を有し、
前記マークおよび前記識別記号の少なくとも一方は、
前記導電膜、前記反射防止膜および前記透明膜の積層膜と、前記絶縁膜を貫通すると共に、前記透明膜を貫通して前記反射防止膜に達する第２の開口部とで構成され、
前記第２の開口部の外縁部は、
少なくとも一部において、前記導電膜、前記反射防止膜、前記透明膜および前記絶縁膜の積層構造を有する、表示装置。
【請求項２】
前記第１および第２の開口部の底部の前記反射防止膜の厚みは、前記第１および第２の開口部の前記外縁部の前記反射防止膜の厚みより薄い、請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に屋外での使用に適した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
屋外で用いられる表示装置においては、太陽光下での使用等、表示装置外部からの入射光量が高い環境においても良好な表示特性が求められている。一方、表示装置の配線は、低抵抗で加工が容易であることが求められ、当該要求を満たす金属としてアルミニウム（Ａｌ）合金を用いて形成されることが多くなっている。
【０００３】
しかし、アルミニウム合金は反射率が高く、表示装置外部からの入射光量が高い環境においては、入射した光がアルミニウム合金配線に反射し、良好な表示特性が得られないという問題がある。
【０００４】
表示面側から入射する光の反射を低減するために、アルミニウム合金配線上に反射防止膜を配設することが考えられており、例えば特許文献１にはアルミニウム膜と窒化アルミニウム膜とで構成される反射防止膜が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ニッケルおよび窒素を含むアルミニウム合金膜を上層膜とする導電体構造が開示されている。
【０００６】
一方、上記のように外部から入射する光の反射を低減するために配線上に反射防止膜を形成すると、当該配線の形成工程でパネルやアレイ基板を識別するための識別記号（ＩＤ）も同時に形成するような場合に、反射率が低く反射光の強度が低いためＩＤ形成用の露光装置ではフォーカス動作が行えず、各種のＩＤパターンを安定して形成できないという可能性がある。
【０００７】
例えば特許文献３においては、最上層に反射率が低いチタン層を有した配線層に形成されたアライメントマークの光学的な検出を行うために、アライメントマークの上層の層間絶縁膜を除去する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−７９２４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３６７２号公報
【特許文献３】特開２００４−３１７７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明したように、表示装置外部からの入射光量が高い環境においても良好な表示特性を得るために、配線層上に反射防止膜を配設すると、当該配線層ではＩＤパターンを安定して形成できないという問題があった。
【００１０】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、屋外で使用するために配線表面からの反射を低減する構成を有する場合であっても、各種のＩＤパターンを安定して形成できる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る表示装置は、下地層上に順に配設された導電膜、反射防止膜および透明膜とで構成される積層配線と、前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および前記配線端子部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜で覆われ、製造工程で使用されるマークおよび識別記号の少なくとも一方と、Ｓを備え、前記絶縁膜側が表示面側となる表示装置であって、前記配線端子部において、前記絶縁膜を貫通すると共に、前記透明膜を貫通して前記反射防止膜に達する第１の開口部が設けられ、前記第１の開口部の外縁部は、少なくとも一部において、前記導電膜、前記反射防止膜、前記透明膜および前記絶縁膜の積層構造を有し、前記マークおよび前記識別記号の少なくとも一方は、前記導電膜、前記反射防止膜および前記透明膜の積層膜と、前記絶縁膜を貫通すると共に、前記透明膜を貫通して前記反射防止膜に達する第２の開口部とで構成され、前記第２の開口部の外縁部は、少なくとも一部において、前記導電膜、前記反射防止膜、前記透明膜および前記絶縁膜の積層構造を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表示装置によれば、マークおよび識別記号は、透明膜を貫通して反射防止膜に達する第２の開口部を有するので反射率が上昇し、この構成を、例えば後工程で用いるマークに適用した場合はマークの認識精度が向上でき、例えばＩＤパターンに適用した場合は、読取装置によるＩＤパターンの誤認を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の断面図である。
【図３】アレイ基板の一例を示す図である。
【図４】本発明に係る表示装置のタッチパネルの断面図である。
【図５】本発明に係る表示装置のタッチパネルの断面図である。
【図６】マークおよびＩＤの構成を示す平面図である。
【図７】マークおよびＩＤの構成を示す断面図である。
【図８】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図９】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１８】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図２０】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図２１】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図２３】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図２４】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図２５】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２７】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２８】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２９】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３０】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３１】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図３２】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図３３】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図３４】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図３５】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３６】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３７】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３８】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３９】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４０】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４１】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４２】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４３】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４４】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４５】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図４６】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図４７】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図４８】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図４９】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図５０】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図５１】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図５２】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図５３】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図５４】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５５】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５６】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５７】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５８】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５９】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図６０】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図６１】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図６２】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図６３】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図６４】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図６５】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図６６】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図６７】本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図６８】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの構成を示す断面図である。
【図６９】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７０】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７１】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７２】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７３】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７４】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図７５】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの変形例の製造工程を説明する断面図である。
【図７６】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【図７７】本発明に係る実施の形態６のタッチパネルの変形例の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜表示装置の全体構成＞
図１は本発明に係る表示装置１００の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線での断面図である。
【００１５】
図１および図２に示す表示装置１００は、屋外で使用することを前提としてタッチパネルによる入力が可能な構成となっており、手指等によるポインティング機能を有している。
【００１６】
図２に示すように表示装置１００は、例えば液晶ディスプレイ等の表示モジュール１１と、表示モジュール１１の表示面側に配置されたタッチパネル１２と、タッチパネル１２の表面をキズ等から保護するための保護ガラス１３と、これらを収納する筐体１４とを備えている。タッチパネル１２は、ＧＵＩ（グラフィカルユーザーインタフェース）機器を構成する表示モジュールと組み合わせて用いることで、表示装置にポインティング機能を持たせることができる。
【００１７】
タッチパネル１２は、投射容量方式のタッチパネルであり、ガラスやＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等で構成される透明基板上に、列方向（図１のＹ方向）に延在するように配置されたＸ位置検知用配線２と、Ｘ位置検知用配線２の上方に配設され、Ｘ位置検知用配線２と立体的に交差するように行方向（図１のＸ方向）に延在して配置されたＹ位置検知用配線３とで構成されるマトリクス配線を有した構成となっている。
【００１８】
図１に示されるように、Ｘ位置検知用配線２およびＹ位置検知用配線３は、引き出し配線４を介してタッチパネル１２の端縁部に設けた外部との信号入出力用の端子部５に電気的に接続され、タッチパネル１２は、端子部５を介して図示されない制御基板などと電気的に接続されることとなる。
【００１９】
なお、以下の実施の形態ではＸ位置検知用配線２を下層配線（透明基板側）、Ｙ位置検知用配線３を上層配線として説明するが、上下逆に配置されていても良い。
【００２０】
また、タッチパネル１２の各部には、後工程用マークＭ１、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２およびパネル識別記号（パネルＩＤ）６などが形成されている。すなわち、図１の例では、タッチパネル１２のＹ方向上部の２つの角部にそれぞれ後工程プロセス認識用マークＭ１が形成され、Ｘ方向に延在する端子部５の両端部近傍にそれぞれＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２が形成され、タッチパネル１２のＹ方向下部の端縁部にはパネルＩＤ６が形成されている。
【００２１】
後工程プロセス認識用マークＭ１は、Ｘ位置検知用配線２およびＹ位置検知用配線３を形成した後の工程で使用されるマークであり、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を端子部５に接続する際の位置合わせのためのマークであり、パネルＩＤ６は、タッチパネル１２を識別するための記号である。
【００２２】
ここで、タッチパネルや液晶パネルの製造においては複数のパネルを１つのマザー基板上に配列形成して、それらの複数のパネルに対する各種工程を同時に行い、所定の工程が終了した後に、マザー基板を分割して個々のパネルに分離する方式を採る。
【００２３】
このように、複数のパネルを配置したマザー基板をアレイ基板と呼称し、アレイ基板での工程においては、パネルＩＤによりパネルを識別し、アレイ基板を識別するためにアレイ基板のどこかにシートＩＤを付与する。
【００２４】
図３にはアレイ基板の一例を示す。図３においては１枚のマザー基板ＭＢ上に６枚のタッチパネル１２が形成される例を示しており、６枚のタッチパネル１２は、Ｙ方向に３枚、Ｘ方向に２枚配列されている。そして、マザー基板ＭＢの各部には、シートＩＤ７の他に、下層配線パターンに対して上層配線パターンを重ねる際の写真製版処理および下層配線パターンおよび上層配線パターンに対して端子開口パターンを合わせる際の写真製版処理に用いるアライメントマークＭ３およびマザー基板ＭＢを切断してそれぞれのタッチパネル１２を分離する切断用マークＭ４が形成されている。すなわち、図３の例では、マザー基板ＭＢの２つの角部にそれぞれ切断用マークＭ４が形成され、４つの切断用マークＭ４の近傍にはアライメントマークＭ３が形成され、シートＩＤ７は、マザー基板ＭＢのＸ方向の端縁部のＹ方向下部の切断用マークＭ４の近傍に形成されている。
【００２５】
＜実施の形態１＞
以下、タッチパネル１２の断面構成を用いて、本発明に係る実施の形態１について説明する。図４は、図１に示すＢ−Ｂ線でのタッチパネル１２の断面構成を示す図である。
【００２６】
図４に示すように、タッチパネル１２は、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０（マザー基板と等価）上に、下層側に低抵抗導電膜３１を、上層側に低反射膜３２を配設した積層膜で構成される下層配線３０が配設され、下層配線３０を覆うように層間絶縁膜２１が配設された構成となっている。下層配線３０が図１に示すＸ位置検知用配線２に相当する。なお、透明基板２０は、下層配線３０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。また、低反射膜３２は反射防止膜と呼称する場合もある。
【００２７】
そして、層間絶縁膜２１上には、下層側に低抵抗導電膜４１を、上層側に低反射膜４２を配設した積層膜で構成される上層配線４０が配設され、上層配線４０を覆うように保護膜２２が配設された構成となっている。上層配線４０が図１に示すＹ位置検知用配線２に相当する。なお、層間絶縁膜２１は、上層配線４０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。
【００２８】
低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【００２９】
低反射膜３２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ（アルミニウム）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【００３０】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【００３１】
低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ（アルミニウム）系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【００３２】
低反射膜４２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【００３３】
なお、窒化Ａｌ膜は、窒化度を窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％の条件より適宜選択することで、反射率を５０％以下とすることが可能であり、例えば窒化度を窒素の組成比で約４５ａｔ％とすることで、反射率を３０％以下にすることができる。また、窒化度に応じて膜厚を調整することで最適な低反射膜を得ることができる。
【００３４】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【００３５】
なお、上記では低反射膜３２および４２をＡｌＮで構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、Ａｌを主成分として他の金属を添加したＡｌ系合金を窒化した金属（窒化金属）であっても良い。他の金属としては、例えば８族遷移金属のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉや、希土類元素のＮｄなどが挙げられる。
【００３６】
なお、上記ではＹ位置検知用配線２である上層配線４０は、下層配線３０より配線長が長くなることから、配線抵抗低減のため、低抵抗導電膜４１は低抵抗導電膜３１より厚膜としているが、下層配線３０および上層配線４０の導電膜の膜厚は必要とする抵抗より任意に決定すれば良い。
【００３７】
また上記では、低抵抗導電膜３１および４１をＡｌ系合金で構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＡｇで構成しても良い。
【００３８】
また、プロセス完了時の低反射膜３２および４２の設定膜厚に対する膜厚分布を、最小膜厚／最大膜厚＞０．６程度に抑えることで反射分布のバラツキを小さくできる。
【００３９】
なお、本実施の形態においてはアレイ基板の状態での工程（アレイ工程）における下層配線等に対して上層配線の重ね合わせや端子部の開口のための写真製版工程において、アライメントマークを認識できる範囲の反射率に設定する。
【００４０】
層間絶縁膜２１の膜厚は、所望の静電容量等により任意に決定すれば良く、保護膜２２についてはドライエッチングプロセス処理時のレジスト膜との選択比および処理時間等により決定すれば良いが、厚い方が下層配線３０との色目および反射率の差が小さくなる場合が多いので、厚さは１μｍ前後、望ましくは１．３μｍ以上に設定する。
【００４１】
図５は、図１に示すタッチパネル１２の端子部５のＣ−Ｃ線での断面構成を示す図である。端子部５には、下層配線３０が接続される下層配線端子３０１と、上層配線４０が接続される上層配線端子４０１を有し、下層配線端子３０１は下層配線３０と同じ工程で形成され、上層配線端子４０１は上層配線４０と同じ工程で形成される。
【００４２】
図５に示すように、下層配線端子３０１は、透明基板２０上に配設された低抵抗導電膜３１と、その上に配設された低反射膜３２とで構成され、下層配線端子３０１の上部に該当する部分の層間絶縁膜２１および保護膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ１が形成されている。なお、コンタクトホールＣＨ１直下の低反射膜３２も除去され、コンタクトホールＣＨ１は低抵抗導電膜３１に達している。なお、コンタクトホールは開口部とも呼称する。
【００４３】
また、上層配線端子４０１は、層間絶縁膜２１上に配設された低抵抗導電膜４１と、その上に配設された低反射膜４２とで構成され、上層配線端子４０１の上部に該当する部分の保護膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。なお、コンタクトホールＣＨ２直下の低反射膜４２も除去され、コンタクトホールＣＨ２は低抵抗導電膜４１に達している。このコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２を介して制御基板等がＦＰＣを介して電気的に接続される。
【００４４】
なお、低反射膜３２および４２を介してＦＰＣ等に接続した場合でも、接続抵抗が低くタッチパネルの動作に問題がなければ、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２の直下の低反射膜３２および４２を完全に除去する必要はなく、反射膜３２および４２の膜厚を薄くすることで、低抵抗導電膜４１および４２の反射率に近づける構成としても良い。
【００４５】
次に、図６および図７を用いて切断用マークＭ４、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２およびパネルＩＤ６の構成について説明する。
【００４６】
図６は、切断用マークＭ４、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２およびパネルＩＤ６の平面形状の一例を示しており、図７は、図６におけるＤ−Ｄ線での断面構成を示す図である。
【００４７】
図６に示すように切断用マークＭ４は、平面視形状が十字形をなし、十字形の輪郭をなす端縁部は図７に示すように低反射膜３２、低抵抗導電膜３１、層間絶縁膜２１および保護膜２２の積層膜で構成され、十字形をなす中央部は、低抵抗導電膜３１で構成されるように、層間絶縁膜２１、保護膜２２および低反射膜３２を貫通するコンタクトホールＣＨ３の底部には低抵抗導電膜３１が露出している。
【００４８】
図６に示すようにＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２は、平面視形状が四角形をなし、四角形の輪郭をなす端縁部は図７に示すように低反射膜３２、低抵抗導電膜３１、層間絶縁膜２１および保護膜２２の積層膜で構成され、四角形をなす中央部は低抵抗導電膜３１で構成されるように、層間絶縁膜２１、保護膜２２および低反射膜３２を貫通するコンタクトホールＣＨ３の底部には低抵抗導電膜３１が露出している。
【００４９】
また、図６に示すようにパネルＩＤ６は、平面視形状が矩形をなす低反射膜３２に、数字の配列がパターニングされることで構成され、数字部分は図７に示すように低反射膜３２で構成され、その他の部分は低反射膜３２、低抵抗導電膜３１、層間絶縁膜２１および保護膜２２の積層膜で構成されている。なお、数字の形状は、図７に示すように層間絶縁膜２１、保護膜２２および低反射膜３２を貫通するコンタクトホールＣＨ３の平面視形状によって規定されている。
【００５０】
このように、コンタクトホールＣＨ３の底部に低抵抗導電膜３１を露出させることで、低抵抗導電膜３１による強い反射光と低反射膜３２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができ、後工程で用いるマークの認識精度が向上できるので、マザー基板の切断不良やＦＰＣの接続不良による歩留低下を防止できる。また、ＩＤパターンの読取装置によるＩＤパターンの誤認を低減できるので、作業効率が高まり製造ラインの安定稼動を実現できる。
【００５１】
なお、上記では、コンタクトホールＣＨ３の底部に低抵抗導電膜３１を露出させ、その周囲は低反射膜３２で囲むことでマークやＩＤパターンを構成したが、低反射膜３２の周囲に形成したコンタクトホールＣＨ３により露出した低抵抗導電膜３１によりマークやＩＤパターンを構成しても良い。前者と後者とではネガとポジのような関係となる。
【００５２】
次に、タッチパネル１２の製造工程を順に示す断面と図である図８〜図１８を用いて、本発明に係る実施の形態１の表示装置の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、図８に示す工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。
【００５４】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度が低い場合は反射膜となり低反射膜が形成できず、また逆に窒化度が高い場合は透明膜となり低反射膜とならないので、使用する成膜装置でのＮ２分圧と反射特性との関係を事前に取得し、所望の反射率の低反射膜が得られるように成膜条件を決定することが望ましい。
【００５５】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜３３１を３０〜５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【００５６】
次に、ＩＴＯ膜３３１上にレジスト材を塗布した後、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンを露光し、現像することで、下層配線、下層配線端子およびマーク類（マークやＩＤなど）のパターンを有するレジストマスク（図９においてレジストマスクＲＭ１として示す）をパターニングする。なお、以下の図においては、下層配線が形成される領域を下層配線領域、下層配線端子が形成される領域を下層配線端子領域、マーク類が形成される領域をマーク領域と呼称する。また、図９〜図１８では、下層配線領域、下層配線端子領域およびマーク領域が並列して形成されるように示しているが、これは便宜的なものであり、発明の概念を判りやすく説明するための措置である。
【００５７】
次に、図９に示すように、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３３１をエッチングしてキャップ膜３３（エッチング保護膜として機能する膜）をパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ１およびキャップ膜３３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【００５８】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１とＡｌＮｉＮｄ膜３１１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【００５９】
次に、図１０に示すように、レジストマスクＲＭ１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去し、続いて、例えば蓚酸溶液を用いてキャップ膜３３を除去することにより、図１１に示す下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫが形成される。
【００６０】
次に、図１２に示すように、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫを覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成する。
【００６１】
次に、図１３に示すように、層間絶縁膜２１上にスパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜４１１を４００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜４１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜４２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、窒化Ａｌ合金膜４２１の窒化度は、窒化Ａｌ合金膜３２１と同様の条件より選択すれば良い。
【００６２】
さらに、窒化Ａｌ合金膜４２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜４３１を３０〜５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【００６３】
次に、ＩＴＯ膜４３１上にレジスト材を塗布した後、上層配線および上層配線端子のパターンを露光し、現像することで、層配線および上層配線端子のパターンを有するレジストマスク（図１４においてレジストマスクＲＭ２として示す）をパターニングする。
【００６４】
その後、図１４に示すようにレジストマスクＲＭ２をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜４３１をエッチングしてキャップ膜４３（エッチング保護膜として機能する膜）をパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ２およびキャップ膜４３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜４２１およびＡｌＮｉＮｄ膜４１１をエッチングして、それぞれ低反射膜４２および低抵抗導電膜４１をパターニングする。
【００６５】
なお、窒化Ａｌ合金膜４２１とＡｌＮｉＮｄ膜４１１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜４２１の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【００６６】
次に、図１５に示すように、レジストマスクＲＭ２を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去し、続いて、例えば蓚酸溶液を用いてキャップ膜４３を除去することにより、図１６に示す上層配線４０および上層配線端子４０１が形成される。なお、以下の図においては、上層配線が形成される領域を上層配線領域、上層配線端子が形成される領域を上層配線端子領域と呼称する。
【００６７】
次に、図１７に示すように、例えばＣＶＤ法により上層配線４０および上層配線端子４０１を覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成する。
【００６８】
保護膜２２上にレジスト材を塗布した後、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１およびマーク類ＭＫの開口パターンを露光し、現像することで、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１、マーク類ＭＫの開口パターンを有するレジストマスク（図１８においてレジストマスクＲＭ３として示す）をパターニングする。なお、レジストマスクＲＭ３の形成においては、マーク類ＭＫに含まれるアライメントマークを用いて写真製版処理を行う。
【００６９】
その後、レジストマスクＲＭ３をエッチングマスクとして、図１８に示すように下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫの上方の保護膜２２および層間絶縁膜２１をドライエッチングにより除去し、低反射膜３２に達するコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３を形成すると共に、上層配線端子４０１の上方の保護膜２２を除去して、低反射膜４２に達するコンタクトホールＣＨ２を形成する。
【００７０】
その後、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に露出する低反射膜３２をドライエッチングにより除去すると共に、コンタクトホールＣＨ２の底部に露出する低反射膜４２も除去することで、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部には低抵抗導電膜３１を露出させ、コンタクトホールＣＨ２の底部には低抵抗導電膜４１を露出させる。これにより、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫでは、低抵抗導電膜３１による強い反射光と低反射膜３２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができ、上層配線端子４０１では、低抵抗導電膜４１による強い反射光と低反射膜４２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができる。
【００７１】
最後に、レジストマスクＲＭ３を除去することでタッチパネルが形成される。なお、下層配線端子３０１および上層配線端子４０１には、それぞれコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２を介してＦＰＣ等が接続されることとなるが、ＦＰＣ等は低反射膜３２および４２を介さずに直接に低抵抗導電膜３１および低抵抗導電膜４１に接続されるので、接続抵抗を低減できるという効果もある。ここで、保護膜２２および層間絶縁膜２１をドライエッチングにより除去する際に、低反射膜３２および４２も同時にエッチングすることも可能である。このドライエッチングでは、例えばＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いる。
【００７２】
以上説明したような製造方法を採用することで、新たに工程を追加することなく、高いコントラストを有するマーク類および配線端子を形成することが可能となる。
【００７３】
以上の説明では、非結晶質のＩＴＯ膜でキャップ膜を構成する例を示したが、これに限定されるものではなく、キャップ膜除去時に低反射膜と低抵抗導電膜がダメージを受けない方法で除去できる材質のキャップ膜を選択すれば良い。例えば、キャップ膜として非結晶質のＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いた場合は蓚酸系の液で除去することができ、Ｃｒ（クロム）を用いた場合は、硝酸第２セリウムアンモニウム系の液で除去することができ、何れも低反射膜と低抵抗導電膜にダメージを与えない。
【００７４】
また、以上の説明では、窒化Ａｌ合金膜のエッチングを燐酸と硝酸と酢酸との混酸で行う例を示したが、アルカリ液を用いてエッチングしても良く、ドライエッチングを用いても良い。窒化Ａｌ合金膜を、低抵抗導電膜をエッチング不可能な溶液でエッチングする場合は、上記混酸を用いる場合よりも、高い窒化度で窒化Ａｌ合金膜を形成することができ、さらなる低反射化も可能である。
【００７５】
また、上記ではレジストマスクを用いて低反射膜と低抵抗導電膜をパターニングする構成を示したが、キャップ膜が低反射膜および低抵抗導電膜に対するエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、キャップ膜のパターニング後にレジストマスクを除去し、パターニングされたキャップ膜をエッチングマスクとして低反射膜および低抵抗導電膜をパターニングしても良い。
【００７６】
また、キャップ膜が低抵抗導電膜のみに対してエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、低反射膜のパターニング後にレジストマスクを除去し、パターニングされたキャップ膜をエッチングマスクとして低抵抗導電膜をパターニングしても良い。
【００７７】
また、上記においては低反射膜として窒化Ａｌ合金を適用した場合について説明し、窒化Ａｌ合金のレジスト剥離時の保護膜としてキャップ膜を設けたが、別の低反射材料を適用しキャップ膜を用いない製造方法を適用しても良い。
【００７８】
＜変形例１＞
以上説明した実施の形態１では、キャップ膜は、最終的には低反射膜上から除去される構成を示したが、キャップ膜を透明な材料で構成する場合には、低反射膜上に残した構成としても良い。以下、この構成について図１９〜図２１を用いて説明する。
【００７９】
図１９は、実施の形態１の図１８からレジストマスクを除去した状態に対応する図であり、低反射膜３２の上には透明キャップ膜３３Ａ（エッチング保護膜として機能する膜）が残され、低反射膜４２の上には透明キャップ膜４３Ａ（エッチング保護膜として機能する膜）が残された構成となっている。なお、図１８と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８０】
透明キャップ膜３３Ａは、層間絶縁膜２１（上層配線の場合は保護膜）よりも高い屈折率、例えば屈折率が約１．７〜２．４の材料を選択し、膜厚を３０ｎｍ〜７０ｎｍとすることで、光路長を０．０５〜０．１７μｍに設定し、積層配線の反射率をさらに低下させることが可能となる。
【００８１】
図１９に示すように、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫ１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３は、透明キャップ膜３３Ａおよび低反射膜３２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、透明キャップ膜４３Ａおよび低反射膜４２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。透明キャップ膜３３Ａおよび４３Ａは例えば、非結晶質のＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）で５０ｎｍ程度の厚さに構成されている。
【００８２】
この構成の製造方法について図２０および図２１を用いて説明する。図８を用いて説明した工程で、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に形成するＩＴＯ膜３３１の代わりにスパッタリング法によりＩＺＯ膜を形成する。次に、当該ＩＺＯ膜上にレジスト材を塗布した後、図８を用いて説明したようにレジストマスクをパターニングし、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、ウエットエッチングによりＩＺＯ膜をエッチングして透明キャップ膜３３Ａをパターニングする。
【００８３】
その後、レジストマスクと透明キャップ膜３３Ａをエッチングマスクとして、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングすることで、下層配線３０Ａ、下層配線端子３０１Ａおよびマーク類ＭＫ１を得る。
【００８４】
下層配線３０Ａ、下層配線端子３０１Ａおよびマーク類ＭＫ１を覆うようにＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成する。
【００８５】
次に、図１３を用いて説明した工程で、窒化Ａｌ合金膜４２１の上に形成するＩＴＯ膜４３１の代わりにスパッタリング法を用いてＩＺＯ膜を形成する。次に、当該ＩＺＯ膜上にレジスト材を塗布した後、図１４を用いて説明したようにレジストマスクをパターニングし、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、ウエットエッチングによりＩＺＯ膜をエッチングして透明キャップ膜４３Ａをパターニングする。
【００８６】
その後、レジストマスクと透明キャップ膜４３Ａをエッチングマスクとして、窒化Ａｌ合金膜４２１およびＡｌＮｉＮｄ膜４１１をエッチングして、それぞれ低反射膜４２および低抵抗導電膜４１をパターニングすることで、上層配線４０Ａおよび上層配線端子４０１Ａを得る。
【００８７】
次に、図１７を用いて説明したように、上層配線４０Ａおよび上層配線端子４０１Ａを覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成し、保護膜２２上にレジスト材を塗布した後、下層配線端子３０１Ａ、上層配線端子４０１Ａおよびマーク類ＭＫ１の開口パターンを露光し、現像することで、下層配線端子３０１Ａ、上層配線端子４０１Ａ、マーク類ＭＫ１の開口パターンを有するレジストマスク（図２０においてレジストマスクＲＭ３として示す）をパターニングする。なお、レジストマスクＲＭ３の形成においては、マーク類ＭＫ１に含まれるアライメントマークを用いて写真製版処理を行う。
【００８８】
その後、図２０に示すようにレジストマスクＲＭ３をエッチングマスクとして、下層配線端子３０１Ａおよびマーク類ＭＫ１の上方の保護膜２２および層間絶縁膜２１をドライエッチングにより除去し、透明キャップ膜３３Ａに達するコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３を形成すると共に、上層配線端子４０１Ａの上方の保護膜２２を除去して、透明キャップ膜４３Ａに達するコンタクトホールＣＨ２を形成する。
【００８９】
次に、例えば蓚酸溶液を用いて、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に露出する透明キャップ膜３３Ａを除去すると共に、コンタクトホールＣＨ２の底部に露出する透明キャップ膜４３Ａを除去することで、図２１に示すように、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部には低反射膜３２を露出させ、コンタクトホールＣＨ２の底部には低反射膜４２を露出させる。
【００９０】
その後、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に露出する低反射膜３２をドライエッチングにより除去すると共に、コンタクトホールＣＨ２の底部に露出する低反射膜４２も除去することで、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部には低抵抗導電膜３１を露出させ、コンタクトホールＣＨ２の底部には低抵抗導電膜４１を露出させる。
【００９１】
これにより、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫ１では、低抵抗導電膜３１による強い反射光と低反射膜３２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができ、上層配線端子４０１では、低抵抗導電膜４１による強い反射光と低反射膜４２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができる。また、ＦＰＣ等は低反射膜３２および４２を介さずに直接に低抵抗導電膜３１および低抵抗導電膜４１に接続されるので、接続抵抗を低減できるという効果もある。
【００９２】
透明キャップ膜は除去しないので、窒化Ａｌ合金膜および低抵抗導電膜とのエッチングの選択性を透明キャップ膜に持たせる必要はなく、透明キャップ膜の材料および加工プロセスの選択肢が広がり、製造コストを低減することが可能となる。
【００９３】
なお、上記では、透明キャップ膜３３Ａおよび４３ＡとしてＩＺＯ膜を用いた例を示したが、ＳｉＮ膜等の高屈折率の絶縁膜を用いても良く、この場合は保護膜２２および層間絶縁膜２１のドライエッチングと同時に透明キャップ膜３３Ａおよび４３Ａをエッチング可能であり、同一のエッチング装置内で処理ができるので製造工程の削減が可能となる。
【００９４】
＜変形例２＞
また、キャップ膜を透明な材料で構成し、低反射膜上に残した構成の例としては、以下に図２２〜図２４を用いて説明する構成を採っても良い。なお、図１９と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００９５】
図２２は、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３が、透明キャップ膜３３Ａを貫通し低反射膜３２に達し、コンタクトホールＣＨ２が、透明キャップ膜４３Ａを貫通して低反射膜４２に達した構成を示しており、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３は低反射膜３２を貫通せず、コンタクトホールＣＨ２は低反射膜４２を貫通しない構成となっている。
【００９６】
このような構成を採ることで、低抵抗導電膜３１および４１が低反射膜に覆われた下層配線端子３０１Ａおよび上層配線端子４０１Ａ端子を得ることができる。
【００９７】
この構成の製造方法について図２３を用いて説明する。図２０を用いて説明した工程を経て、透明キャップ膜３３Ａに達するコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３を形成すると共に、透明キャップ膜４３Ａに達するコンタクトホールＣＨ２を形成した後、レジストマスクＲＭ３をレジスト剥離液により除去する。この状態を図２３に示す。
【００９８】
次に、例えば蓚酸溶液を用いて、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３をマスクとしてコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に露出する透明キャップ膜３３Ａを除去すると共に、コンタクトホールＣＨ２をマスクとしてコンタクトホールＣＨ２の底部に露出する透明キャップ膜４３Ａを除去することで、図２２に示す構成を得る。
【００９９】
また、図２２では、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ３およびＣＨ２のそれぞれの周辺の非開口部の低反射膜３２および４２の厚さと、コンタクトホール開口部の低反射膜３２および４２の厚さとは同じ膜厚となった構成であったが、図２４に示すように、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ３およびＣＨ２の底部において、それぞれ低反射膜３２および４２が貫通されない程度に除去された構成を採っても良い。
【０１００】
このような構成を採ることで、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の周辺の非開口部や下層配線領域の低反射膜３２の膜厚ｔ１２よりもコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部の低反射膜３２の膜厚ｔ１１の方が薄くなり、また、コンタクトホールＣＨ２の周辺の非開口部や上層配線領域の低反射膜４２の膜厚ｔ２２よりもコンタクトホールＣＨ２の底部の低反射膜４２の膜厚ｔ２１の方が薄くなる。
【０１０１】
このような構成の製造方法は、図２１を用いて説明した工程を経て、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に低反射膜３２を露出させ、コンタクトホールＣＨ２の底部に低反射膜４２を露出させた後、レジストマスクＲＭ３をレジスト剥離液により除去する。
【０１０２】
ここで、低反射膜をアルカリ性溶液に溶解する材質、例えば窒化度が高い窒化Ａｌ合金で形成することで、レジストマスクＲＭ３の除去時にレジスト剥離液によりコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３の底部に露出する低反射膜３２、コンタクトホールＣＨ２の底部に露出する低反射膜４２の表層を除去し配線上の低反射膜より薄膜化することができる。
【０１０３】
なお、低反射膜の膜厚を更に薄くする場合やアルカリ性溶液に溶解しない低反射膜の場合はドライエッチングを使用し、低抵抗導電膜が露出する前にエッチングを停止させる方法を採っても良い。
【０１０４】
以上説明したように、低抵抗導電膜３１および４１が低反射膜に覆われた端子の構成を採ることで、以下に説明する効果が得られる。
【０１０５】
すなわち、低抵抗導電膜３１および４１を、例えばＮｉ等を含有するＡｌ合金などの金属間化合物や共晶構造をとる材質で形成した場合、端子開口部を水などで洗浄すると局所電池反応による孔食が発生しやすくなるが、低抵抗導電膜の表面を低反射膜で覆うことで、局所電池反応を抑制し孔食の発生に起因するＦＰＣと配線間の導通不良を防止できる。
【０１０６】
また、透明キャップ膜と低反射膜との積層構造に比べて、底部の透明キャップ膜を除去したコンタクトホールＣＨ３を持つマーク類の反射率は上昇するので、後工程でのマーク認識が容易になる。また、ＦＰＣと低抵抗導電膜間の抵抗値としては、透明キャップ膜と低反射膜との接触抵抗分を低減できるという効果も得られる。
【０１０７】
＜実施の形態２＞
次に、図２５〜図３０を用いて、本発明に係る実施の形態２について説明する。図２５は、実施の形態１の図１８からレジストマスクを除去した状態に対応する図である。なお、図１８と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１０８】
図２５に示すように、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ２は低反射膜３２を有さない構成となっている。下層配線端子３０１Ｂの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、層間絶縁膜２１および保護膜２２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、保護膜２２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。なお、マーク類ＭＫ２の上部にはコンタクトホールは設けられていない。マーク類ＭＫ２がアライメントマークなど、低抵抗導電膜３１の平面視形状だけで構成され、パネルＩＤなどの識別記号を必要としないのであれば、マーク類ＭＫ２に達するコンタクトホールは設けなくても良い。
【０１０９】
低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０１１０】
低反射膜３２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ（アルミニウム）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【０１１１】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【０１１２】
低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ（アルミニウム）系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【０１１３】
低反射膜４２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【０１１４】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０１１５】
このように、マーク類ＭＫ２は低抵抗導電膜３１で構成され、低反射膜３２を有さないので、高反射の低抵抗導電膜３１で例えばアライメントマークを形成した場合には、コントラストが高くなるのでアライメントマークの認識を安定して行うことができる。
【０１１６】
一方、下層配線３０や上層配線４０では、それぞれ低反射膜３２や低反射膜４２を有するので外部からの入射光の反射を抑制して、画像の視認性を高めることができる。
【０１１７】
また、マーク類ＭＫ２は、層間絶縁膜２１および保護膜２２に覆われているので、後工程でのリペア処理時のダメージを受け難く、パターン消失による歩留の低下を抑制できる。
【０１１８】
次に、図２６〜図３０を用いて、本発明に係る実施の形態２の表示装置の製造方法について説明する。
【０１１９】
まず、図２６に示す断面図の状態に至るまでの工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１２０】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜３３１を３０〜５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【０１２１】
次に、図２６に示すように、ＩＴＯ膜３３１上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、下層配線領域には厚膜のレジストマスクＲＭ１１を、下層配線端子領域上およびマーク領域上には薄膜のレジストマスクＲＭ１２をパターニングする。
【０１２２】
その後、レジストマスクＲＭ１１およびＲＭ１２をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３３１をエッチングしてキャップ膜３３をパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２およびキャップ膜３３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングすることで、図２７に示す状態となる。
【０１２３】
次に、図２８に示すように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去する。
【０１２４】
次に、図２９に示すように、例えば蓚酸溶液を用いてレジストマスクで覆われないキャップ膜３３を除去し、引き続き、ドライエッチング法を用いて、キャップ膜３３で覆われない低反射膜３２をエッチングにより除去する。
【０１２５】
次に、レジストマスクＲＭ１１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去し、続いて、例えば蓚酸溶液を用いてキャップ膜３３を除去することにより、図３０に示す下層配線３０、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ２が形成される。
【０１２６】
その後、ＣＶＤ法により下層配線３０、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ２を覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成し、層間絶縁膜２１上に上層配線４０および上層配線端子４０１を形成するが、マーク類ＭＫ２に到達するコンタクトホールを設けないこと以外は、図１３〜図１８を用いて説明した実施の形態１の製造方法と同様であるので、説明は省略する。
【０１２７】
以上説明した製造方法を採用することで、新たに工程を追加することなく、高い反射率を有するマーク類および配線端子を形成することが可能となるので、層間絶縁膜２１や保護膜２２の写真製版を安定に行うことができ、低コストの製造ラインの構築が可能となる。
【０１２８】
また、下層配線端子３０１ＢではコンタクトホールＣＨ１の開口時に、保護膜２２と層間絶縁膜２１のエッチングで済み、下層配線端子３０１Ｂ上の低反射膜３２をエッチングする必要がなくなるので、端子部の開口処理におけるドライエッチング時間を短くすることが可能となり、製造工程を低減することが可能となる。
【０１２９】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態２においては、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ２では低反射膜３２を完全に除去した構成としたが、図３１に示すように厚みの薄い低反射膜３２Ａを低抵抗導電膜３１上に設けることで、反射率を低抵抗導電膜３１に近づけた構成としても良い。なお、低反射膜３２Ａは反射防止膜と呼称することもある。
【０１３０】
このような構成とすることで、新たに工程を追加することなく、高い反射率を有するマーク類および配線端子を形成することが可能となるので、層間絶縁膜２１や保護膜２２の写真製版を安定に行うことができ、低コストの製造ラインの構築が可能となる。
【０１３１】
図３１において、下層配線端子３０１Ｃおよびマーク類ＭＫ３においては、低抵抗導電膜３１上に厚みの薄い低反射膜３２Ａが設けられ、コンタクトホールＣＨ１は、低反射膜３２Ａを貫通して低抵抗導電膜３１に達している。なお、図２５と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１３２】
この構成の製造方法について図３２および図３３を用いて説明する。図２８を用いて説明したアッシングによる薄膜のレジストマスクＲＭ１２の除去の後に、例えば蓚酸溶液を用いてレジストマスクで覆われないキャップ膜３３を除去し、その後、レジストマスクＲＭ１１を除去する。この際、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のアルカリ液を用いてレジストマスクＲＭ１１を除去することで、キャップ膜３３に覆われない低反射膜の厚さが薄くなり、図３２に示すように厚みの薄い低反射膜３２Ａとして低抵抗導電膜３１上に残る。
【０１３３】
その後、下層配線３０上のキャップ膜３３を除去することで、図３３に示すように、下層配線３０は低反射膜３２と低抵抗導電膜３１との積層膜で構成され、下層配線端子３０１Ｃおよびマーク類ＭＫ３は、低反射膜３２より薄い低反射膜３２Ａと低抵抗導電膜３１との積層膜で構成されることとなる。なお、低反射膜３２Ａの厚みは３０ｎｍ以下、望ましくは２０ｎｍ以下とする。
【０１３４】
なお、上記では、レジストマスクＲＭ１１の除去にアルカリ液を用いることで、同時に厚みの薄い低反射膜３２Ａを得る構成を示したが、低抵抗導電膜３１に影響を与えないのであれば、レジストマスクＲＭ１１をドライエッチングにより除去し、同時に厚みの薄い低反射膜３２Ａを得る構成としても良い。
【０１３５】
また、保護膜２２および層間絶縁膜２１にコンタクトホールを形成する際のドライエッチングにおいて、低反射膜３２のエッチングレートが高い場合は、下層配線端子形成のためのレジストマスクＲＭ１２を厚膜のレジストマスクＲＭ１１とし、下層配線と同じ積層構造で作成し、コンタクトホールＣＨ１の開口後は、下層配線端子の輪郭をなす端縁部は低反射膜３２と低抵抗導電膜３１との積層膜で構成されていても良い。すなわち、マーク類ＭＫ３のみが、低抵抗導電膜３１上に厚みの薄い低反射膜３２Ａが設けられた構成となっていても良い。
【０１３６】
＜実施の形態３＞
次に、図３４〜図４５を用いて、本発明に係る実施の形態３について説明する。図３４は、実施の形態１の図１８からレジストマスクを除去した状態に対応する図であり、下層配線３０Ａは、低反射膜３２の上部に透明キャップ膜３３Ａが配置され、上層配線４０Ａは、低反射膜４２の上部に透明キャップ膜４３Ａが配置された構成となっている。なお、図１８と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１３７】
下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３は、低反射膜３２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、低反射膜４２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。透明キャップ膜３３Ａおよび４３Ａは例えば、非結晶質のＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成されている。
【０１３８】
このように、コンタクトホールＣＨ３の底部に低抵抗導電膜３１を露出させることで、低抵抗導電膜３１による強い反射光と低反射膜３２による弱い反射光とで高いコントラストを確保することができ、後工程で用いるマークの認識精度が向上できるので、マザー基板の切断不良やＦＰＣの接続不良による歩留低下を防止できる。また、ＩＤパターンの読取装置によるＩＤパターンの誤認を低減できるので、作業効率が高まり製造ラインの安定稼動を実現できる。
【０１３９】
次に、図３５〜図４５を用いて、本発明に係る実施の形態３の表示装置の製造方法について説明する。
【０１４０】
まず、図３５に示す断面図の状態に至るまでの工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度については実施の形態１と同じである。
【０１４１】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＺＯ膜３３１Ａを３０〜５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１４２】
次に、ＩＺＯ膜３３１Ａ上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、下層配線領域には厚膜のレジストマスクＲＭ１１を、下層配線端子領域上およびマーク領域上には薄膜のレジストマスクＲＭ１２をパターニングすることで図３５に示す状態となる。
【０１４３】
次に、図３６に示すように、レジストマスクＲＭ１１およびＲＭ１２をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜３３１Ａをエッチングして透明キャップ膜３３Ａをパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２および透明キャップ膜３３Ａをエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【０１４４】
次に、図３７に示すように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去する。
【０１４５】
次に、図３８に示すように、例えば蓚酸溶液を用いてレジストマスクで覆われない透明キャップ膜３３Ａを除去する。
【０１４６】
次に、図３９に示すように、レジストマスクＲＭ１１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去する。
【０１４７】
次に、図４０に示すように、例えばＣＶＤ法により下層配線３０Ａ、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫを覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成する。
【０１４８】
次に、層間絶縁膜２１上にスパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜を４００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜を５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、窒化Ａｌ合金膜の窒化度については実施の形態１と同じである。
【０１４９】
さらに、窒化Ａｌ合金膜の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＺＯ膜を３０〜５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１５０】
次に、ＩＺＯ膜上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、上層配線領域には厚膜のレジストマスク（図４１においてレジストマスクＲＭ２１として示す）を、上層配線端子領域上およびマーク領域上には薄膜のレジストマスク（図４１においてレジストマスクＲＭ２２として示す）をパターニングする。
【０１５１】
次に、図４１に示すように、レジストマスクＲＭ２１およびＲＭ２２をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜をエッチングして透明キャップ膜４３Ａをパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ２１、ＲＭ２２および透明キャップ膜４３Ａをエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜およびＡｌＮｉＮｄ膜をエッチングして、それぞれ低反射膜４２および低抵抗導電膜４１をパターニングする。
【０１５２】
そして、図４２に示すようにアッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ２１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ２２を除去する。
【０１５３】
次に、図４３に示すように、例えば蓚酸溶液を用いてレジストマスクで覆われない透明キャップ膜４３Ａを除去する。
【０１５４】
次に、図４４に示すように、レジストマスクＲＭ２１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去する。
【０１５５】
次に、図４５に示すように、例えばＣＶＤ法により上層配線４０Ａおよび上層配線端子４０１を覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成する。
【０１５６】
次に、保護膜２２上にレジスト材を塗布した後、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１およびマーク類ＭＫの開口パターンを露光し、現像することで、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１、マーク類ＭＫ１の開口パターンを有するレジストマスクをパターニングする。そして、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫの上方の保護膜２２、層間絶縁膜２１および低反射膜３２をドライエッチングにより除去し、低抵抗導電膜３１に達するコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ３を形成すると共に、上層配線端子４０１の上方の保護膜２２および低反射膜４２を除去して、低抵抗導電膜４１に達するコンタクトホールＣＨ２を形成することで、図３４に示す構成を得る。
【０１５７】
以上説明したように、下層配線３０Ａにおいては低反射膜３２の上部に透明キャップ膜３３Ａが配置され、上層配線４０Ａにおいては低反射膜４２の上部に透明キャップ膜４３Ａが配置され、透明キャップ膜は除去しないので、窒化Ａｌ合金膜および低抵抗導電膜とのエッチングの選択性を透明キャップ膜に持たせる必要はなく、透明キャップ膜の材料および加工プロセスの選択肢が広がり、製造コストを低減することが可能となる。
【０１５８】
＜変形例１＞
以上説明した実施の形態３においては、マーク類ＭＫの上部にはコンタクトホールＣＨ３が設けられた構成としたが、図４６に示すようにマーク類ＭＫに達するコンタクトホールは設けない構成としても良い。マーク類ＭＫがアライメントマークなど、低抵抗導電膜３１等の平面視形状だけで構成され、パネルＩＤなどの識別記号を必要としないのであれば、マーク類ＭＫに達するコンタクトホールは設けなくても良い。
【０１５９】
以上説明した実施の形態３においては、上層配線端子４０１は、低反射膜４２の上部には透明キャップ膜を有さない構成であったが、図４７に示すように、低反射膜４２の上部に透明キャップ膜４３Ａを有した上層配線端子４０１Ａとし、コンタクトホールＣＨ２は、透明キャップ膜４３Ａおよび低反射膜４２を貫通して低抵抗導電膜４１に達する構成としても良い。
【０１６０】
この場合、透明キャップ膜４３Ａは、透明キャップ膜３３Ａと同様にＩＺＯで構成しても良いが、ＳｉＮ等の高屈折率でドライエッチング可能な材料で構成した場合は、複数のプロセスによる加工は必要なく１回のエッチング工程でコンタクトホールＣＨ２を形成可能であるので製造コストを低減する効果がある。
【０１６１】
また、上層配線端子にも透明キャップ膜４３Ａを形成することで、レジストマスクの形成に多段階露光を用いる必要がなくなり、プロセスコストを低減できる。
【０１６２】
また、図４８に示すように、低反射膜３２の上部に透明キャップ膜３３Ａを有した下層配線端子３０１Ａとし、コンタクトホールＣＨ１は、透明キャップ膜３３Ａおよび低反射膜３２を貫通して低抵抗導電膜３１に達する構成としても良い。
【０１６３】
この場合も、透明キャップ膜の材料および加工プロセスの選択肢が広がり、製造コストを低減することが可能となる。
【０１６４】
＜変形例２＞
以上説明した実施の形態３においては、図３７を用いて説明したように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去し、レジストマスクＲＭ１１で覆われない透明キャップ膜３３Ａを除去する構成について説明したが、図４９に示されるように、レジストマスクＲＭ１１で覆われない低反射膜３２も除去する構成としても良い。図５０には、この方法で得られた構成を示す。
【０１６５】
図５０は、実施の形態３の図４６に対応する図であり、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ２は、低反射膜３２を有さない構成となっている。また、上層配線端子４０１Ｂは、低反射膜４２を有さない構成となっている。
【０１６６】
これにより、マーク類ＭＫ２の反射率を高めて、後工程で用いるマークの認識精度を向上させることができ、マザー基板の切断不良やＦＰＣの接続不良による歩留低下を防止できる。また、ＩＤパターンの読取装置によるＩＤパターンの誤認を低減できるので、作業効率が高まり製造ラインの安定稼動を実現できる。
【０１６７】
下層配線端子３０１Ｂの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、層間絶縁膜２１および保護膜２２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１Ｂの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、保護膜２２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。なお、マーク類ＭＫ２の上部にはコンタクトホールは設けられていない。なお、図４６と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１６８】
また、図５０では、下層配線端子３０１Ｂ、マーク類ＭＫ２および上層配線端子４０１Ｂでは低反射膜３２を完全に除去した構成としたが、図５１に示すように厚みの薄い低反射膜３２Ａを低抵抗導電膜３１上に設けたマーク類ＭＫ３とし、厚みの薄い低反射膜４２Ａを低抵抗導電膜４１上に設けた上層配線端子４０１Ｃとすることで、反射率を低抵抗導電膜３１および４１に近づけた構成としても良い。
【０１６９】
これにより、マーク類ＭＫ３の反射率を高めて、後工程で用いるマークの認識精度を向上させることができ、マザー基板の切断不良やＦＰＣの接続不良による歩留低下を防止できる。また、ＩＤパターンの読取装置によるＩＤパターンの誤認を低減できるので、作業効率が高まり製造ラインの安定稼動を実現できる。
【０１７０】
図５１において、下層配線端子３０１Ｃおよびマーク類ＭＫ３においては、低抵抗導電膜３１上に厚みの薄い低反射膜３２Ａが設けられ、コンタクトホールＣＨ１は、低反射膜３２Ａを貫通して低抵抗導電膜３１に達している。また、コンタクトホールＣＨ２は、低反射膜４２Ａを貫通して低抵抗導電膜４１に達している。なお、図４６と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１７１】
この構成の製造方法について図５２を用いて説明する。図３７を用いて説明したように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去し、レジストマスクＲＭ１１で覆われない透明キャップ膜３３Ａを除去し、その後、レジストマスクＲＭ１１を除去する際に、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のアルカリ液を用いてレジストマスクＲＭ１１を除去することで、キャップ膜３３に覆われない低反射膜の厚さが薄くなり、図５２に示すように厚みの薄い低反射膜３２Ａとして低抵抗導電膜３１上に残るようにする。
【０１７２】
これにより、下層配線端子３０１Ｃ、マーク類ＭＫ３は、低反射膜３２より薄い低反射膜３２Ａと低抵抗導電膜３１との積層膜で構成されることとなる。また、上層配線端子４０１Ｃについても、同様の工程を経ることで、低反射膜４２より薄い低反射膜４２Ａと低抵抗導電膜４１との積層膜で構成されることとなる。なお、低反射膜３２Ａおよび４２Ａの厚みは３０ｎｍ以下、望ましくは２０ｎｍ以下とする。
【０１７３】
＜実施の形態４＞
次に、図５３〜図５８を用いて、本発明に係る実施の形態４について説明する。図５３は、実施の形態１の図１８からレジストマスクを除去した状態に対応する図であり、下層配線端子３０１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、低反射膜３２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１の上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、低反射膜４２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。また、マーク類ＭＫ４は、低抵抗導電膜３１、低反射膜３２、キャップ膜３３および非低反射膜３４との積層膜で構成され、マーク類ＭＫ４の上部にはコンタクトホールは設けられていない。なお、図１８と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１７４】
低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０１７５】
低反射膜３２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ（アルミニウム）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【０１７６】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【０１７７】
上層配線４０の低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ（アルミニウム）系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【０１７８】
低反射膜４２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【０１７９】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０１８０】
キャップ膜３３は例えば、非結晶質のＩＴＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成され、非低反射膜３４は、例えばＣｒ（クロム）で５０ｎｍ程度の厚さに構成される。
【０１８１】
なお、キャップ膜３３は、非低反射膜３４との選択エッチングが可能な材料であり、かつキャップ膜３３のエッチング時に低反射膜３２および低抵抗導電膜３１とエッチング選択性が高いエッチングが可能な材料あればＩＴＯに限定されない。
【０１８２】
また、非低反射膜３４は、低反射膜３２および低抵抗導電膜３１とのエッチング選択性が高いエッチングが可能な材料であり、形成時の反射率として３０％以上で、さらには層間絶縁膜２１および保護膜２２を形成した後に、低反射膜の反射率より高く、レジスト塗布状態でのアライメントマークの認識が可能で、ＩＤ形成用の露光装置のフォーカス動作用の光源の波長に対する反射率が２０％以上である材質であることが望ましい。
【０１８３】
次に、図５４〜図５８を用いて、本発明に係る実施の形態４の表示装置の製造方法について説明する。
【０１８４】
まず、図５４に示す断面図の状態に至るまでの工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。なお、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度については実施の形態１と同じである。
【０１８５】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ膜３３１を５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１８６】
次に、ＩＴＯ膜３３１上に、スパッタリング法により厚さ１０〜３０ｎｍのＣｒ膜３４１を成膜する。
【０１８７】
次に、Ｃｒ膜３４１上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、マーク領域上には厚膜のレジストマスクＲＭ１１を、下層配線領域上および下層配線端子領域上には薄膜のレジストマスクＲＭ１２をパターニングすることにより図５４に示す状態となる。
【０１８８】
次に、図５５に示すように、レジストマスクＲＭ１１およびＲＭ１２をエッチングマスクとして、例えば硝酸と硝酸セリウムアンモニウムの混合液を用いてＣｒ膜３４１をエッチングして非低反射膜３４をパターニングする。ここで、「非低反射」とはＩＤ形成用の露光装置でのフォーカス動作が可能な最低反射率よりも高い反射率のことを指すものと定義する。
【０１８９】
引き続き、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２および非低反射膜３４をエッチングマスクとして例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３３１をエッチングしてキャップ膜３３をパターニングする。
【０１９０】
さらに、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２、非低反射膜３４およびキャップ膜３３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【０１９１】
そして、図５６に示すように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去する。
【０１９２】
次に、図５７に示すように、例えば硝酸と硝酸セリウムアンモニウムの混合液を用いてレジストマスクで覆われない非低反射膜３４を除去する。
【０１９３】
次に、図５８に示すように、レジストマスクＲＭ１１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去した後、例えば蓚酸溶液を用いて非低反射膜３４で覆われないキャップ膜３３を除去する。
【０１９４】
その後、ＣＶＤ法により下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫ４を覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成し、層間絶縁膜２１上に上層配線４０および上層配線端子４０１を形成するが、マーク類ＭＫ４に到達するコンタクトホールを設けないことを以外は、図１３〜図１８を用いて説明した実施の形態１の製造方法と同様であるので、説明は省略する。
【０１９５】
以上説明した製造方法を採用することで、新たに工程を追加することなく、高い反射率を有するマーク類を形成することが可能となるので、層間絶縁膜２１や保護膜２２の写真製版を安定に行うことができ、低コストのライン構築が可能となる。
【０１９６】
また、シートＩＤ等を下層レイヤーで形成することで、アレイプロセス中のマザー基板単位での識別が可能となり、プロセス不良の原因究明に役立てることができる。
【０１９７】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態４では、配線および配線端子は低抵抗導電膜と低反射膜との積層で構成される例について説明したが、低抵抗導電膜と低反射膜と透明キャップ膜との積層膜としても良い。
【０１９８】
すなわち、図５９に示すように低反射膜３２の上には透明キャップ膜３３Ａが配置され、低反射膜４２の上には透明キャップ膜４３Ａが配置された構成となっている。なお、図５３と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１９９】
図５９に示すように、下層配線端子３０１Ａの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、透明キャップ膜３３Ａおよび低反射膜３２を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１Ａの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、透明キャップ膜４３Ａおよび低反射膜４２を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。透明キャップ膜３３Ａおよび４３Ａは例えば、非結晶質のＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成されている。
【０２００】
また、マーク類ＭＫ４は、低抵抗導電膜３１、低反射膜３２、キャップ膜３３Ａおよび非低反射膜３４との積層膜で構成されている。
【０２０１】
このような構成を採ることで、実施の形態４と同様の効果が得られると共に、透明キャップ膜は除去しないので、窒化Ａｌ合金膜および低抵抗導電膜とのエッチングの選択性を透明キャップ膜に持たせる必要はなく、透明キャップ膜の材料および加工プロセスの選択肢が広がり製造コストを低減することが可能となる。
【０２０２】
＜実施の形態５＞
次に、図６０〜図６４を用いて、本発明に係る実施の形態５について説明する。図６０は、実施の形態３の変形例の図４６の状態に対応する図であり、下層配線３０Ｂおよび下層配線端子３０１Ｄは、低抵抗導電膜３１の上部に透過膜３５および半透過膜３６を順に積層した積層膜で構成され、マーク類ＭＫ６は、低抵抗導電膜３１の上部に透過膜３５を積層した積層膜で構成されている。また、上層配線４０Ｂおよび上層配線端子４０１Ｄは、低抵抗導電膜４１の上部に透過膜４５および半透過膜４６を順に積層した積層膜で構成されている。
【０２０３】
下層配線端子３０１Ｄの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、半透過膜３６および透過膜３５を貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１Ｄの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、半透過膜４６および透過膜４５を貫通して低抵抗導電膜４１に達している。なお、マーク類ＭＫ６の上部にはコンタクトホールは設けられていない。マーク類ＭＫ６がアライメントマークなど、低抵抗導電膜３１等の平面視形状だけで構成され、パネルＩＤなどの識別記号を必要としないのであれば、マーク類ＭＫ６に達するコンタクトホールは設けなくても良い。なお、図４６と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０２０４】
低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０２０５】
透過膜３５は、例えばＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成され、半透過膜３６は、例えばＭｏ（モリブデン）で５ｎｍ程度の厚さに構成される。
【０２０６】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【０２０７】
低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ（アルミニウム）系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【０２０８】
透過膜４５は、例えばＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成され、半透過膜４６は、例えばＭｏ（モリブデン）で５ｎｍ程度の厚さに構成される。
【０２０９】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０２１０】
以上説明したような低抵抗導電膜、透過膜および半透過膜の積層膜で配線を形成することで、外部から入射し、半透過膜を透過し低抵抗導電膜で反射して出射する光と、半透過膜表面で反射する光とを、光干渉効果により相殺することができるので、反射防止効果をさらに高めることができる。なお、透過膜および半透過膜の積層膜は、光干渉効果により反射を抑制するので反射抑制膜と呼称することができる。
【０２１１】
一方、低抵抗導電膜および透過膜の積層膜でマーク類を構成するので、マーク類上の反射率を高めることができ、端子開口工程等におけるアライメント動作を安定して行うことができる。
【０２１２】
なお、低抵抗導電膜と透過膜、透過膜と半透過膜の接続抵抗がタッチパネルの動作に対して問題ない範囲であれば、各端子上の透過膜および半透過膜をコンタクトホールが貫通しない構成としても良い。
【０２１３】
また、マーク類において半透過膜３６および透過膜３５をコンタクトホールが貫通する構成としても良い。
【０２１４】
次に、図６１〜図６４を用いて、本発明に係る実施の形態５の表示装置の製造方法について説明する。
【０２１５】
まず、図６１に示す断面図の状態に至るまでの工程においてガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜を３００ｎｍの厚さに成膜する。
【０２１６】
次に、例えば、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄ膜上にＩＺＯ膜を５０ｎｍの厚さに成膜し、例えばスパッタリング法によりＩＺＯ膜上にＭｏ膜を５ｎｍの厚さに成膜する。
【０２１７】
次に、Ｍｏ膜上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、下層配線領域および下層配線端子領域上には厚膜のレジストマスク（図６１においてレジストマスクＲＭ１１として示す）をパターニングし、マーク領域上には薄膜のレジストマスク（図６１においてレジストマスクＲＭ１２として示す）をパターニングする。
【０２１８】
そして、レジストマスクＲＭ１１およびＲＭ１２をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜をエッチングして半透過膜３６をパターニングする。
【０２１９】
引き続き、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２および半透過膜３６をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜をエッチングして透過膜３５をパターニングする。
【０２２０】
さらに、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２、半透過膜３６および透過膜３５をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜をエッチングして、低抵抗導電膜３１をパターニングすることにより図６１に示す状態となる。
【０２２１】
そして、図６２に示すように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去する。
【０２２２】
次に、図６３に示すように、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混合液を用いてレジストマスクで覆われない半透過膜３６を除去する。
【０２２３】
次に、図６４に示すように、レジストマスクＲＭ１１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去する。
【０２２４】
その後、ＣＶＤ法により下層配線３０Ｂ、下層配線端子３０１Ｄおよびマーク類ＭＫ６を覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成し、層間絶縁膜２１上に上層配線４０Ｂおよび上層配線端子４０１Ｄを形成するが、これらの形成方法は、下層配線３０Ｂおよび下層配線端子３０１Ｄの形成方法と同様であるので、説明は省略する。
【０２２５】
その後、例えばＣＶＤ法により上層配線４０Ｂおよび上層配線端子４０１Ｄを覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成する。
【０２２６】
なお、図６２を用いて説明したアッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１を薄膜化する工程において、レジストマスクで覆われなくなった半透過膜３６の一部を酸化させて、図６５に示されるように、酸化Ｍｏ膜とＭｏ膜の積層膜となった半透過膜３７を有するマーク類ＭＫ７を形成しても良い。
【０２２７】
また、レジストマスクのアッシング処理時に、半透過膜３６の表面も若干エッチングし、膜厚を薄くすることで図６６に示されるように、透過率を変化させた半透過膜３８を有するマーク類ＭＫ８を形成しても良い。なお、この際のエッチングでは、半透過膜３８の膜厚ｔ１が半透過膜３６の厚さｔ２の約半分の２〜３ｎｍとなるようにエッチングする。
【０２２８】
このように、半透過膜の一部を酸化する、あるいは半透過膜を薄膜化することで、半透過膜を透過し低抵抗導電膜で反射して出射する光と、半透過膜表面で反射する光との干渉のバランスが崩れることで、マーク類での反射率をさらに高めることができる。
【０２２９】
なお、酸化Ｍｏ膜とＭｏ膜の積層膜となった半透過膜３７を有するマーク類ＭＫ７を備えた表示装置の断面構成を図６７に示す。
【０２３０】
半透過膜の一部を酸化する方法として、アッシング法以外に、例えばレジスト材が硬化しない温度範囲でアニールすることで酸化させる等の方法を用いても良く、また酸化したＭｏ膜を除去することで薄膜化しても良い。
【０２３１】
＜実施の形態６＞
次に、図６８〜図７３を用いて、本発明に係る実施の形態６について説明する。図６８は、実施の形態３の変形例の図４６の状態に対応する図であり、下層配線３０Ｃおよび下層配線端子３０１Ｅは、低抵抗導電膜３１の上部に透過膜３５Ａ、半透過膜３６および透過膜３５Ｂを順に積層した積層膜で構成され、マーク類ＭＫ６は、低抵抗導電膜３１の上部に透過膜３５Ａを積層した積層膜で構成されている。また、上層配線４０Ｂおよび上層配線端子４０１Ｅは、低抵抗導電膜４１の上部に透過膜４５Ａ、半透過膜４６および透過膜４５Ｂを順に積層した積層膜で構成されている。
【０２３２】
下層配線端子３０１Ｅの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ１は、透過膜３５Ｂ、半透過膜３６および透過膜３５Ａを貫通して低抵抗導電膜３１に達し、上層配線端子４０１Ｅの上部に設けられたコンタクトホールＣＨ２は、透過膜４５Ｂ、半透過膜４６および透過膜４５Ａを貫通して低抵抗導電膜４１に達している。なお、マーク類ＭＫ６の上部にはコンタクトホールは設けられていない。なお、図４６と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０２３３】
低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０２３４】
透過膜３５Ａは、例えばＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成され、半透過膜３６は、例えばＭｏで８ｎｍ程度の厚さに構成され、透過膜３５Ｂは、例えばＩＺＯで６０ｎｍ程度の厚さに構成される。
【０２３５】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【０２３６】
低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【０２３７】
透過膜４５Ａは、例えばＩＺＯで５０ｎｍ程度の厚さに構成され、半透過膜４６は、例えばＭｏで８ｎｍ程度の厚さに構成され、透過膜４５Ｂは、例えばＩＺＯで６０ｎｍ程度の厚さに構成される。
【０２３８】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【０２３９】
以上説明したような低抵抗導電膜、透過膜、半透過膜および透過膜の積層膜で配線を形成することで、層間絶縁膜（保護膜）、透過膜および半透過膜による干渉効果と、半透過膜および透過膜による光干渉効果との相乗効果により反射防止効果をさらに高めることができる。なお、半透過膜の上下にそれぞれ透過膜を配設した積層膜は、光干渉効果により反射を抑制するので反射抑制膜と呼称することができる。
【０２４０】
一方、低抵抗導電膜および透過膜の積層膜でマーク類を構成するので、マーク類上の反射率を高めることができ、端子開口工程等におけるアライメント動作を安定して行うことができる。
【０２４１】
なお、低抵抗導電膜と透過膜、透過膜と半透過膜、半透過膜と透過膜の接続抵抗がタッチパネルの動作に対して問題ない範囲であれば、各端子上の透過膜、半透過膜および透過膜をコンタクトホールが貫通しない構成としても良い。
【０２４２】
次に、図６９〜図７３を用いて、本発明に係る実施の形態６の表示装置の製造方法について説明する。
【０２４３】
まず、図６９に示す断面図の状態に至るまでの工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜を３００ｎｍの厚さに成膜する。
【０２４４】
次に、例えば、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄ膜上にＩＺＯ膜を５０ｎｍの厚さに成膜し、次に、ＩＺＯ膜上に例えばスパッタリング法によりＭｏ膜を８ｎｍの厚さに成膜する。さらに、Ｍｏ膜上に、例えばスパッタリング法によりＩＺＯ膜を６０ｎｍの厚さに成膜する。
【０２４５】
次に、ＩＺＯ膜上にレジスト材を塗布した後、多段階露光（ハーフトーン露光あるいはグレートーン露光）を用いて、下層配線領域および下層配線端子領域上には厚膜のレジストマスクＲＭ１１をパターニングし、マーク領域上には薄膜のレジストマスクＲＭ１２をパターニングする。
【０２４６】
そして、レジストマスクＲＭ１１およびＲＭ１２をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜をエッチングして透過膜３５Ｂをパターニングする。
【０２４７】
次に、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２および透過膜３５Ｂをエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜をエッチングして半透過膜３６をパターニングする。
【０２４８】
引き続き、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２、透過膜３５Ｂおよび半透過膜３６をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜をエッチングして透過膜３５Ａをパターニングする。
【０２４９】
さらに、レジストマスクＲＭ１１、ＲＭ１２、透過膜３５Ｂ、半透過膜３６および透過膜３５をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜をエッチングして、低抵抗導電膜３１をパターニングすることにより、図６９に示す状態となる。
【０２５０】
そして、図７０に示すように、アッシング法等を用いて厚膜のレジストマスクＲＭ１１がパターンとして残存する処理条件で、薄膜のレジストマスクＲＭ１２を除去する。
【０２５１】
次に、図７１に示すように、例えば蓚酸溶液を用いてレジストマスクで覆われない透過膜３５Ｂを除去する。
【０２５２】
次に、図７２に示すように、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混合液を用いてレジストマスクで覆われない半透過膜３６を除去する。
【０２５３】
次に、図７３に示すように、レジストマスクＲＭ１１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去する。
【０２５４】
その後、ＣＶＤ法により下層配線３０Ｃ、下層配線端子３０１Ｅおよびマーク類ＭＫ６を覆うように厚さ６００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成し、層間絶縁膜２１上に上層配線４０Ｃおよび上層配線端子４０１Ｅを形成するが、これらの形成方法は、下層配線３０Ｃおよび下層配線端子３０１Ｅの形成方法と同様であるので、説明は省略する。
【０２５５】
その後、例えばＣＶＤ法により上層配線４０Ｃおよび上層配線端子４０１Ｅを覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成する。
【０２５６】
なお、図７１を用いて説明した透過膜３５Ｂの除去後に、レジスト材が硬化しない温度範囲でアニールすることで半透過膜３６表面を酸化させる等の方法を用いて半透過膜３６を同時に酸化させて、図７４に示されるように、半透過膜が酸化Ｍｏ膜となった半透過膜３７Ａを有するマーク類ＭＫ９を形成しても良い。
【０２５７】
また、図７１を用いて説明した透過膜３５Ｂの除去後に、半透過膜３６の表面を若干エッチングし、膜厚を薄くすることで図７５に示されるように、透過率を変化させた半透過膜３８を有するマーク類ＭＫ８を形成しても良い。なお、この際のエッチングでは、半透過膜３８の膜厚ｔ１が半透過膜３６の膜厚ｔ２の約半分の４〜５ｎｍとなるようにエッチングする。
【０２５８】
このように、半透過膜の一部を酸化する、あるいは半透過膜を薄膜化することで、半透過膜を透過し低抵抗導電膜で反射して出射する光と、半透過膜表面で反射する光との干渉のバランスが崩れることで、マーク類での反射率をさらに高めることができる。
【０２５９】
なお、半透過膜３７Ａを有するマーク類ＭＫ９を備えた表示装置の断面構成を図７６に示す。
【０２６０】
また、図７１を用いて説明した透過膜３５Ｂの除去工程の後は、半透過膜３６を除去せず、低抵抗導電膜３１、透過膜３５Ａおよび半透過膜３６で構成されるマーク類ＭＫ７を備える構成としても良い。当該構成を図７７に示す。
【０２６１】
なお、実施の形態１〜４では、層間絶縁膜２１や保護膜２２をＳｉＯ２で構成する例を示したが、配線部以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば塗布型のＳＯＧ（spin on glass）膜などを用いても良い。なお、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜２１に用いることで上層配線が下層配線と交差する場所での断線が抑制できる。
【０２６２】
また、低反射膜として窒化Ａｌ合金を使用するものとしたので、キャップ膜を用いてレジスト除去時の低反射膜のダメージを抑制する構成としたが、レジスト除去時にダメージを受けない低反射膜であれば、キャップ膜を有さない構成としても良い。
【０２６３】
また、実施の形態２、３、５および６において、パネルＩＤ等を後工程で形成する場合、パッドをマーク類と同様な手法で反射率の高い状態にしても良く、さらには端子開口部と同じ状態にしても良い。
【０２６４】
また、以上説明した実施の形態１〜６では、タッチパネルの配線やマーク類に本発明を適用した例を示したが、液晶ディスプレイの配線やマーク類に適用しても良く、さらには液晶ディスプレイの表示面側の反射を低減する遮光層に適用しても良い。
【０２６５】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０２６６】
３０，３０Ａ〜３０Ｃ  下層配線、３４  非低反射膜、３５，３５Ａ，３５Ｂ  透過膜、３６  半透過膜、４０，４０Ａ〜４０Ｃ  上層配線、３０１，３０１Ａ〜３０１Ｃ  下層配線端子、４０１，４０１Ａ〜４０１Ｃ  上層配線端子、ＭＫ，ＭＫ１〜ＭＫ９  マーク類。
【図１】
2018101144.tif 000003
【図２】
2018101144.tif 000004
【図３】
2018101144.tif 000005
【図４】
2018101144.tif 000006
【図５】
2018101144.tif 000007
【図６】
2018101144.tif 000008
【図７】
2018101144.tif 000009
【図８】
2018101144.tif 000010
【図９】
2018101144.tif 000011
【図１０】
2018101144.tif 000012
【図１１】
2018101144.tif 000013
【図１２】
2018101144.tif 000014
【図１３】
2018101144.tif 000015
【図１４】
2018101144.tif 000016
【図１５】
2018101144.tif 000017
【図１６】
2018101144.tif 000018
【図１７】
2018101144.tif 000019
【図１８】
2018101144.tif 000020
【図１９】
2018101144.tif 000021
【図２０】
2018101144.tif 000022
【図２１】
2018101144.tif 000023
【図２２】
2018101144.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2018101144.tif 000026
【図２５】
2018101144.tif 000027
【図２６】
2018101144.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
2018101144.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
2018101144.tif 000032
【図３１】
2018101144.tif 000033
【図３２】
2018101144.tif 000034
【図３３】
2018101144.tif 000035
【図３４】
2018101144.tif 000036
【図３５】
2018101144.tif 000037
【図３６】
2018101144.tif 000038
【図３７】
2018101144.tif 000039
【図３８】
2018101144.tif 000040
【図３９】
2018101144.tif 000041
【図４０】
2018101144.tif 000042
【図４１】
2018101144.tif 000043
【図４２】
2018101144.tif 000044
【図４３】
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【図４４】
2018101144.tif 000046
【図４５】
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【図４６】
2018101144.tif 000048
【図４７】
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【図４８】
2018101144.tif 000050
【図４９】
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【図５０】
2018101144.tif 000052
【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
2018101144.tif 000056
【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
2018101144.tif 000072
【図７１】
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【図７２】
2018101144.tif 000074
【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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