(57)【要約】【課題】成形アパーチャアレイの開口ピッチが変化した場合でも、マルチビームがブランキングアパーチャアレイの開口を通過できるようにする。【解決手段】本実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部１４と、複数の第１開口１８Ａが含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、複数の第１開口１８Ａを前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイ１８と、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口２０Ａが形成され、各第２開口２０Ａにビームのブランキング偏向を行うブランカが設けられたブランキングアパーチャアレイ２０と、成形アパーチャアレイ１８又はブランキングアパーチャアレイ２０を移動し、成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間隔を調整する移動部５０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記複数の第１開口を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行うブランカが設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記成形アパーチャアレイ又は前記ブランキングアパーチャアレイを移動し、前記成形アパーチャアレイと前記ブランキングアパーチャアレイとの間隔を調整する移動部と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第１開口の配列ピッチと前記第２開口の配列ピッチとは異なることを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第２開口の配列ピッチは、前記第１開口の配列ピッチよりも狭いことを特徴とする請求項２に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記放出部から放出される前記荷電粒子ビームの強度、前記成形アパーチャアレイを構成する材料の熱膨張係数、及び前記荷電粒子ビームの放出を開始してからの経過時間に基づいて、前記マルチビームが前記第２開口を通過するブランキングアパーチャアレイの位置を算出する制御部をさらに備え、
前記移動部は、算出された位置に前記ブランキングアパーチャアレイを下降させることを特徴とする請求項３に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電粒子ビームを放出する工程と、
複数の第１開口が形成された成形アパーチャアレイを用いて、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する工程と、
ブランキングアパーチャアレイに配置された複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、
前記成形アパーチャアレイ又は前記ブランキングアパーチャアレイを移動し、前記成形アパーチャアレイと前記ブランキングアパーチャアレイとの間隔を調整する工程と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングアパーチャアレイを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングアパーチャアレイのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。
【０００４】
ブランキングアパーチャアレイはビームを個別に偏向するための電極対と、その間にビーム通過用の開口を備えており、電極対（ブランカ）の一方をグラウンド電位で固定して他方をグラウンド電位とそれ以外の電位に切り替えることにより、それぞれ個別に、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
【０００５】
成形アパーチャアレイは、ビーム照射に伴い温度が上がり、熱膨張により開口ピッチが変化する。成形アパーチャアレイの開口ピッチが変化すると、マルチビームのビームピッチが変化し、ブランキングアパーチャアレイの開口を通過しなくなるビームが発生し、試料面上に結像すべきビームアレイの一部が欠損するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１７１７１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５２６６号公報
【特許文献３】特開２０１５−２１１０４０号公報
【特許文献４】特開２０１６−８２１０６号公報
【特許文献５】特開２０１０−１５３８５８号公報
【特許文献６】特開２０１２−２５３０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、成形アパーチャアレイの開口ピッチが変化した場合でも、マルチビームがブランキングアパーチャアレイの開口を通過するマルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記複数の第１開口を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行うブランカが設けられたブランキングアパーチャアレイと、前記成形アパーチャアレイ又は前記ブランキングアパーチャアレイを移動し、前記成形アパーチャアレイと前記ブランキングアパーチャアレイとの間隔を調整する移動部と、を備えるものである。
【０００９】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記第１開口の配列ピッチと前記第２開口の配列ピッチとは異なる。
【００１０】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記第２開口の配列ピッチは、前記第１開口の配列ピッチよりも狭い。
【００１１】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、前記放出部から放出される前記荷電粒子ビームの強度、前記成形アパーチャアレイを構成する材料の熱膨張係数、及び前記荷電粒子ビームの放出を開始してからの経過時間に基づいて、前記マルチビームが前記第２開口を通過するブランキングアパーチャアレイの位置を算出する制御部をさらに備え、前記移動部は、算出された位置に前記ブランキングアパーチャアレイを下降させる。
【００１２】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、複数の第１開口が形成された成形アパーチャアレイを用いて、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する工程と、ブランキングアパーチャアレイに配置された複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、前記成形アパーチャアレイ又は前記ブランキングアパーチャアレイを移動し、前記成形アパーチャアレイと前記ブランキングアパーチャアレイとの間隔を調整する工程と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、成形アパーチャアレイの開口ピッチが変化した場合でも、マルチビームをブランキングアパーチャアレイの開口を通過させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。
【図２】成形アパーチャアレイの模式図である。
【図３】（ａ）はブランキングアパーチャアレイの位置調整前のビーム通過を示す模式図であり、（ｂ）はブランキングアパーチャアレイの位置調整後のビーム通過を示す模式図である。
【図４】変形例によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。
【図５】変形例によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。
【００１７】
図１に示す描画装置１は、マスクやウェーハ等の対象物に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する描画部１０と、描画部１０による描画動作を制御する制御部６０とを備える。描画部１０は、電子ビーム鏡筒１２及び描画室３０を有した、マルチビーム描画装置の一例である。
【００１８】
電子ビーム鏡筒１２内には、電子銃１４、照明レンズ１６、成形アパーチャアレイ１８、ブランキングアパーチャアレイ２０、偏向器２２、制限アパーチャ部材２４、及び対物レンズ２６が配置されている。描画室３０内には、ＸＹステージ３２が配置される。ＸＹステージ３２上には、描画対象の基板３４であるマスクブランクが載置されている。
【００１９】
描画対象の基板３４には、例えば、ウェーハや、ウェーハにエキシマレーザを光源としたステッパやスキャナ等の縮小投影型露光装置や極端紫外線露光装置を用いてパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、描画対象基板には、既にパターンが形成されているマスクも含まれる。例えば、レベンソン型マスクは２回の描画を必要とするため、１度描画されマスクに加工された物に２度目のパターンを描画することもある。
【００２０】
ブランキングアパーチャアレイ２０は実装基板４０に実装（搭載）されている。実装基板４０の中央部には、電子ビーム（マルチビームＭＢ）が通過するための開口４２が形成されている。
【００２１】
実装基板４０は、上下動可能なステージ等の移動部（昇降機構）５０に取り付けられている。移動部５０を上下動させることで、ブランキングアパーチャアレイ２０の上下方向（ビーム進行方向）の位置を調整することができる。すなわち、移動部５０は、ビーム進行方向における成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間の距離を調整することができる。
【００２２】
図２に示すように、成形アパーチャアレイ１８には、縦ｍ列×横ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口（第１開口）１８Ａが所定の配列ピッチで形成されている。各開口１８Ａは、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。開口１８Ａの形状は、円形であっても構わない。これらの複数の開口１８Ａを電子ビームＢの一部がそれぞれ通過することで、マルチビームＭＢが形成される。
【００２３】
ブランキングアパーチャアレイ２０は、成形アパーチャアレイ１８の下方に設けられ、成形アパーチャアレイ１８の各開口１８Ａに対応する通過孔（第２開口）２０Ａが形成されている。通過孔２０Ａの配列ピッチは、開口１８Ａの配列ピッチよりも狭くなっている。各通過孔２０Ａには、対となる２つの電極の組からなるブランカ（図示略）が配置される。ブランカの一方はグラウンド電位で固定されており、他方をグラウンド電位と別の電位に切り替える。各通過孔２０Ａを通過する電子ビームは、ブランカに印加される電圧によってそれぞれ独立に偏向される。このように、複数のブランカが、成形アパーチャアレイ１８の複数の開口１８Ａを通過したマルチビームＭＢのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
【００２４】
制御部６０は、制御計算機６２、偏向制御回路６４、及び移動制御回路６６を有している。偏向制御回路６４は、ブランキングアパーチャアレイ２０及び偏向器２２に接続されている。移動制御回路６６は、移動部５０に接続されている。
【００２５】
描画部１０では、照明レンズ１６及び対物レンズ２６によって電子光学系が構成されている。電子銃１４（放出部）から放出された電子ビームＢは、制限アパーチャ部材２４に形成された中心の穴でクロスオーバーを形成するように、照明レンズ１６により収束され、成形アパーチャアレイ１８全体を照明する。
【００２６】
電子ビームＢが成形アパーチャアレイ１８の複数の開口１８Ａを通過することによって、マルチビームＭＢが形成される。マルチビームＭＢは、ブランキングアパーチャアレイ２０のそれぞれ対応するブランカ内を通過する。マルチビームＭＢの各ビームは、制限アパーチャ部材２４に形成された中心の穴に向かって角度を持って進む。従って、マルチビームＭＢ全体のビーム径及びマルチビームＭＢのビームピッチは、成形アパーチャアレイ１８を通過時から徐々に小さくなっていく。
【００２７】
マルチビームＭＢは、成形アパーチャアレイ１８によって形成されるビームピッチよりも狭くなったピッチでブランキングアパーチャアレイ２０を通過する。ブランキングアパーチャアレイ２０を通過したマルチビームＭＢは、制限アパーチャ部材２４に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ２０のブランカにより偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材２４の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２４によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ２０のブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材２４の中心の穴を通過する。
【００２８】
このように、制限アパーチャ部材２４は、ブランキングアパーチャアレイ２０のブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに制限アパーチャ部材２４を通過したビームが、１回分のショットのビームとなる。
【００２９】
制限アパーチャ部材２４を通過したマルチビームＭＢは、対物レンズ２６により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となる。制限アパーチャ部材２４を通過した各ビーム（マルチビーム全体）は、偏向器２２によって同方向にまとめて偏向され、各ビームの基板３４上のそれぞれの照射位置に照射される。
【００３０】
なお、図１の例では、偏向器２２が制限アパーチャ部材２４よりも光路の上流側に配置されるが、下流側に配置されてもよい。偏向器２２が制限アパーチャ部材２４よりも光路の上流側に配置される場合、偏向量はＯＮビームが制限アパーチャ部材２４の中心の穴を通過可能な量に制限される。また、偏向器２２が制限アパーチャ部材２４よりも光路の上流側に配置される場合は、さらに、偏向器２２を２段として、制限アパーチャ部材２４の位置をいわゆる支点とする偏向軌道を形成させれば、基板３４のより広い領域でビームを走査させることができる。
【００３１】
ＸＹステージ３２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ３２の移動に追従するように偏向器２２によって制御される。ＸＹステージ３２の移動は図示しないステージ制御部により行われる。
【００３２】
制御計算機６２は、記憶装置から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータを生成する。ショットデータには、各ショットの照射量及び照射位置座標等が定義される。
【００３３】
制御計算機６２は、ショットデータに基づき各ショットの照射量を偏向制御回路６４に出力する。偏向制御回路６４は、入力された照射量を電流密度で割って照射時間ｔを求める。そして、偏向制御回路６４は、対応するショットを行う際、照射時間ｔだけブランカがビームＯＮするように、ブランキングアパーチャアレイ２０の対応するブランカに偏向電圧を印加する。
【００３４】
また、制御計算機６２は、ショットデータが示す位置（座標）に各ビームが偏向されるように、偏向位置データを偏向制御回路６４に出力する。偏向制御回路６４は、偏向量を演算し、偏向器２２に偏向電圧を印加する。これにより、その回にショットされるマルチビームＭＢがまとめて偏向される。
【００３５】
成形アパーチャアレイ１８は、マルチビームＭＢを成形する際に、電子ビームＢの大部分を阻止するため発熱して熱膨張する。成形アパーチャアレイ１８の熱膨張により開口１８Ａの配列ピッチが変化すると、マルチビームＭＢのビームピッチも変化する。移動部５０は、マルチビームＭＢのビームピッチの変化に合わせてブランキングアパーチャアレイ２０の上下方向の位置を変える。
【００３６】
上述したように、マルチビームＭＢは、ビームピッチを狭めながら制限アパーチャ部材２４の中心の穴に向かって進む。成形アパーチャアレイ１８の熱膨張によりマルチビームＭＢのビームピッチが変化した場合でも、ブランキングアパーチャアレイ２０の通過孔２０Ａの配列ピッチに対応したビームピッチになる箇所が存在する。このような位置にブランキングアパーチャアレイ２０を移動させることで、ビームピッチが変化した場合でも、マルチビームＭＢがブランキングアパーチャアレイ２０の各通過孔２０Ａを通過することが可能となる。
【００３７】
例えば、図３（ａ）に示すように、成形アパーチャアレイ１８が熱膨張し、ビームピッチが拡がると、ブランキングアパーチャアレイ２０の通過孔２０Ａを通過しないビームが生じる。この場合、図３（ｂ）に示すように、ブランキングアパーチャアレイ２０を下降させ、成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間隔を大きくし、ブランキングアパーチャアレイ２０の位置におけるマルチビームＭＢのビームピッチを狭くする。これにより、マルチビームＭＢのビームピッチと、通過孔２０Ａの配列ピッチとが合い、全てのビームが通過孔２０Ａを通過する。なお、図３（ａ）（ｂ）では、移動部５０等の図示を省略している。
【００３８】
制御計算機６２は、マルチビームＭＢがブランキングアパーチャアレイ２０の各通過孔２０Ａを通過するように、ブランキングアパーチャアレイ２０の位置情報を移動制御回路６６へ出力する。移動制御回路６６は、ブランキングアパーチャアレイ２０の移動量を演算し、移動部５０へ制御信号を出力する。ブランキングアパーチャアレイ２０が下方へ移動し、マルチビームＭＢのビームピッチと、通過孔２０Ａの配列ピッチとが合わせられる。
【００３９】
例えば、制御計算機６２は、電子ビームＢの強度、成形アパーチャアレイ１８を構成する材料の熱膨張係数等を用いて、マルチビームＭＢのビームピッチの経時変化を求めておき、電子ビームＢの放出を開始してからの経過時間からブランキングアパーチャアレイ２０の好適な位置を算出し、移動制御回路６６へ位置情報を出力する。描画開始後、ブランキングアパーチャアレイ２０は徐々に（段階的に）下降する。
【００４０】
このような計算ではなく、測定によりブランキングアパーチャアレイ２０の好適な位置を求めてもよい。例えば、図４に示すように、ブランキングアパーチャアレイ２０を通過する総ビーム電流を、ＸＹステージ３２に設置した電流検出器３６によって測定しながら、移動制御回路６６へ位置情報を上下に微動させる信号を送り、最も電流量が大きくなる位置を検出し、その位置にブランキングアパーチャアレイ２０を移動させてもよい。電流検出を行う場所としては、ブランキングアパーチャアレイ２０よりも下流側であればどこでもよく、例えば図５に示すように、制限アパーチャ部材２４を検出電極として利用して、その吸収電流を電流検出器３８により検出してもよい。
【００４１】
このように、ビーム進行方向におけるブランキングアパーチャアレイ２０の位置を調整することで、成形アパーチャアレイ１８の開口ピッチが変化した場合でも、マルチビームＭＢがブランキングアパーチャアレイ２０の通過孔２０Ａを通過可能となり、基板３４に結像するビームアレイに欠損が生じることを防止できる。
【００４２】
上記実施形態では、移動部５０によりブランキングアパーチャアレイ２０を上下に移動させる例について説明したが、ブランキングアパーチャアレイ２０の位置は固定し、成形アパーチャアレイ１８を上下に移動するようにしてもよい。
【００４３】
例えば、成形アパーチャアレイ１８が熱膨張し、マルチビームＭＢのビームピッチが拡がった場合、成形アパーチャアレイ１８を上昇させる。成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間隔が大きくなり、ブランキングアパーチャアレイ２０の位置におけるマルチビームＭＢのビームピッチが狭くなる。これにより、マルチビームＭＢのビームピッチと、通過孔２０Ａの配列ピッチとが合い、全てのビームが通過孔２０Ａを通過する。
【００４４】
成形アパーチャアレイ１８を上下させることで、成形アパーチャアレイ１８を通過するビーム寸法や電流量が変化することがあるが、その変化量は１／４０００程度と極めて僅かである。基板３４に結像するビームアレイ幅もこの比率で変化するが、この程度の変化であれば、描画時にショット位置を微調整することで対応可能である。あるいはまた、対物レンズ２６を２段以上で構成する光学系として、倍率を調整することでも、ビームアレイ幅の変化に対応することができる。
【００４５】
ブランキングアパーチャアレイ２０には、各種の電子回路が搭載されており、この電子回路の動作発熱量が大きい場合、ブランキングアパーチャアレイ２０が熱膨張し、通過孔２０Ａの配列ピッチが拡がり得る。このような場合は、ブランキングアパーチャアレイ２０を上昇させるか、又は成形アパーチャアレイ１８を下降させ、成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間隔を小さくすることで、マルチビームＭＢのビームピッチと、通過孔２０Ａの配列ピッチとを合わせることができる。
【００４６】
上記実施形態では、成形アパーチャアレイ１８の上方に照明レンズ１６を設け、照明レンズ１６により収束された電子ビームＢが成形アパーチャアレイ１８を照明し、マルチビームＭＢ全体のビーム径は、成形アパーチャアレイ１８を通過時から徐々に小さくなっていく構成について説明したが、電子銃１４から放出されて拡散された電子ビームＢが成形アパーチャアレイ１８を照明し、マルチビームＭＢ全体のビーム径が、成形アパーチャアレイ１８を通過時から徐々に大きくなり、ブランキングアパーチャアレイ２０の下方に設けた照明レンズによりマルチビームＭＢを収束するようにしてもよい。この場合、ブランキングアパーチャアレイ２０の通過孔２０Ａの配列ピッチは、成形アパーチャアレイ１８の開口１８Ａの配列ピッチよりも広くなる。
【００４７】
このような構成においては、成形アパーチャアレイ１８が熱膨張し、マルチビームＭＢのビームピッチが拡がった場合、ブランキングアパーチャアレイ２０を上昇させるか、又は成形アパーチャアレイ１８を下降させ、成形アパーチャアレイ１８とブランキングアパーチャアレイ２０との間隔を小さくすることで、マルチビームＭＢのビームピッチと、通過孔２０Ａの配列ピッチとを合わせることができる。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１  描画装置
１０  描画部
１２  電子ビーム鏡筒
１４  電子銃
１６  照明レンズ
１８  成形アパーチャアレイ
２０  ブランキングアパーチャアレイ
２２  偏向器
２４  制限アパーチャ部材
２６  対物レンズ
３０  描画室
３２  ＸＹステージ
３４  基板
３６、３８  電流検出器
５０  移動部
６２  制御計算機
６４  偏向制御回路
６６  移動制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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