(57)【要約】【課題】可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供する【解決手段】活性領域と配線領域とを含有する可撓性基板を有する表示装置が提供される。活性領域は、それぞれ表示素子を含む複数の画素を有する。配線領域は、複数の端子と、活性領域から複数の端子へ延伸する複数の配線とを有する。活性領域に含まれ、かつ活性領域から延伸する絶縁膜は、配線領域において、可撓性基板のエッジと、エッジに隣接する近い配線との間に側壁を有する。側壁は、複数の配線が配置される面内において湾曲した湾曲部を有し、エッジと前曲部間の距離は曲線状に変化する。【選択図】図１
2018092018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域と配線領域とを含有する可撓性基板を有し、
前記活性領域は、それぞれ表示素子を含む複数の画素を有し
前記配線領域は、
複数の端子、および
前記活性領域から前記複数の端子へ延伸する複数の配線を有し、
前記活性領域に含まれ、かつ前記活性領域から延伸する絶縁膜は、前記配線領域において、前記可撓性基板のエッジと、前記エッジに隣接する配線との間に側壁を有し、
前記側壁は、前記複数の配線が配置される面内において湾曲部を有し、
前記エッジと前記湾曲部間の距離が曲線的に変化する表示装置。
【請求項２】
前記エッジ上の位置に対する前記距離のプロットが曲線で表されるように変化する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記距離は、前記面内における前記エッジの法線の、前記エッジから前記側壁までの距離である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜が無機化合物を含有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜が有機化合物を含有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記湾曲部は、前記面内において円周の一部を形成する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の配線上に樹脂膜を有し、
前記可撓性基板は、前記エッジと前記湾曲部の間の領域で前記樹脂膜と接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記活性領域の下に第１のベースフィルムを有し、
前記配線領域の下に第２のベースフィルムを有し、
前記湾曲部は、少なくとも前記第１のベースフィルムのエッジと前記第２のベースフィルムのエッジの一方と交差する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の配線は、前記第１のベースフィルムと前記第２のベースフィルムの間の領域においてジグザグ構造を有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数の配線は、前記面内において湾曲形状を有し、前記湾曲形状は少なくとも前記第１のベースフィルムの前記エッジと前記第２のベースフィルムの前記エッジの一方と交差する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
活性領域と配線領域とを含有する可撓性基板を有し、
前記活性領域は、
前記可撓性基板上のアンダーコートと、
前記アンダーコート上の半導体膜、ゲート、および前記半導体膜と前記ゲートに挟まれるゲート絶縁膜と、
前記半導体膜、前記ゲート、前記ゲート絶縁膜上の層間膜と、
前記半導体膜と電気的に接続されるソースとドレインを有し、
前記配線領域は、
前記可撓性基板上の端子と、
前記可撓性基板上に位置し、前記活性領域と前記端子を電気的に接続する配線を有し、
前記配線領域において、前記アンダーコート、前記ゲート絶縁膜、および前記層間膜の少なくとも一つの側壁は前記可撓性基板のエッジと前記配線の間に位置し、
前記側壁は、前記配線が配置される面内において湾曲部を有し、
前記エッジと前記湾曲部間の距離が曲線的に変化する表示装置。
【請求項１２】
前記エッジと前記側壁間の距離は、前記エッジ上の位置に対する前記距離のプロットが曲線で表されるように変化する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記距離は、前記面内における前記エッジの法線の、前記エッジから前記側壁までの距離である、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記湾曲部は、前記面内において円周の一部を形成する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記配線上に樹脂膜を有し、
前記可撓性基板は、前記エッジと前記側壁の間の領域で前記樹脂膜と接する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記活性領域の下に第１のベースフィルムを有し、
前記配線領域の下に第２のベースフィルムを有し、
前記湾曲部は、少なくとも前記第１のベースフィルムのエッジと前記第２のベースフィルムのエッジの一方と交差する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記配線は、前記第１のベースフィルムと前記第２のベースフィルムの間の領域においてジグザグ構造を有する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記配線は、前記面内において湾曲形状を有し、前記湾曲形状は少なくとも前記第１のベースフィルムの前記エッジと前記第２のベースフィルムの前記エッジの一方と交差する、請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、可撓性の表示装置、およびその製造方法に関する。例えば高い信頼性を有する可撓性の表示装置や、表示装置を高い歩留りで製造するための製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、基板上に複数の画素を備え、各画素には液晶素子や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（以下、発光素子と記す）などの表示素子が設けられる。液晶素子や発光素子は、一対の電極間に液晶性を示す化合物を含む層、あるいは発光性を示す有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
【０００３】
表示装置の基板に可撓性を付与することで、折り曲げたり湾曲させることが可能な、いわゆるフレキシブルディスプレイ（シートディスプレイ）を提供することができる。例えば特許文献１や２では、可撓性の基板を利用して作製された有機ＥＬ表示装置、およびその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９５１０６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１２８０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明に係る実施形態は、可撓性の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは、活性領域と配線領域とを含有する可撓性基板を有する表示装置である。活性領域は、それぞれ表示素子を含む複数の画素を有する。配線領域は、複数の端子と、活性領域から複数の端子へ延伸する複数の配線とを有する。活性領域に含まれ、かつ活性領域から延伸する絶縁膜は、配線領域において、可撓性基板のエッジと、エッジに隣接する配線との間に側壁を有する。側壁は、複数の配線が配置される面内において湾曲部を有し、エッジと湾曲部間の距離は曲線状に変化する。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは、活性領域と配線領域とを含有する可撓性基板を有する表示装置である。活性領域は、可撓性基板上のアンダーコートと、アンダーコート上の半導体膜、ゲート、および半導体膜とゲートに挟まれるゲート絶縁膜と、半導体膜、ゲート、ゲート絶縁膜上の層間膜と、半導体膜と電気的に接続されるソースとドレインとを有する。配線領域は、可撓性基板上の端子と、可撓性基板上に位置し、活性領域と端子を電気的に接続する配線を有する。配線領域において、アンダーコート、ゲート絶縁膜、および層間膜の少なくとも一つの側壁は可撓性基板のエッジと配線の間に位置する。側壁は、配線が配置される面内において湾曲部を有し、エッジと湾曲部間の距離は曲線状に変化する。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。製造方法は、支持基板上に高分子フィルムを形成すること、高分子フィルム上に複数の画素を形成することによって活性領域を形成すること、複数の画素のそれぞれに表示素子を形成すること、高分子フィルム上に複数の配線と複数の端子を形成することによって、活性領域が複数の配線を介して複数の端子と電気的に接続される配線領域を形成すること、活性領域に含まれ、かつ活性領域から延伸する絶縁膜に対し、配線領域において、高分子フィルムのエッジから部分的除去を行うこと、支持基板を除去すること、およびエッジと、絶縁膜の部分的除去によって形成される絶縁膜の側壁との間の領域を延伸する切断線に沿って高分子フィルムを切断することを含む。絶縁膜の部分的除去は、側壁が複数の配線が配置される面内において湾曲部を有し、エッジと湾曲部の距離が曲線状に変化するように行う。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。製造方法は、支持基板上に高分子フィルムを形成すること、高分子フィルム上にアンダーコートを形成すること、半導体膜、ゲート、および半導体膜とゲートに挟まれるゲート絶縁膜をアンダーコート上に形成すること、半導体膜、ゲート、およびゲート絶縁膜上に層間膜を形成すること、半導体膜と電気的に接続されるソース、およびドレインを形成すること、ソースとドレイン上に、ソースとドレインの一方と電気的に接続される表示素子を形成すること、高分子フィルム上に配線と端子を形成することによって、表示素子が配線を介して端子と電気的に接続される配線領域を形成すること、アンダーコート、ゲート絶縁膜、および層間膜の少なくとも一つに対し、高分子フィルムのエッジから部分的除去を行うこと、支持基板を除去すること、エッジと、部分的除去によって形成されるアンダーコート、ゲート絶縁膜、および層間膜の前記少なくとも一つの側壁との間の領域を延伸する切断線に沿って、高分子フィルムを切断することを含む。部分的除去は、側壁が配線が配置される面内において湾曲部を有し、エッジと湾曲部間の距離が曲線状に変化するように行う。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の表示装置の模式的斜視図と側面図。
【図２】本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図３】本発明の実施形態の表示装置の模式的側面図。
【図４】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図５】本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。
【図６】本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。
【図７】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図８】本発明の実施形態の表示装置の模式的側面図、および絶縁膜の側壁形状を説明する概念図。
【図９】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図１０】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１２】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１３】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１４】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１５】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１６】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１７】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１８】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１９】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図２０】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図２１】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図２２】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的底面図。
【図２３】表示装置の上面拡大図。
【図２４】表示装置の上面拡大図、および本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図２５】本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。
【図２６】表示装置の模式的断面図。
【図２７】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図２８】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図２９】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【図３０】本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図３１】本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１３】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１４】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１５】
（第１実施形態）
［１．全体構成］
図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本実施形態の表示装置１００の模式的な斜視図と側面図である。表示装置１００は可撓性基板１０２を有しており、湾曲させたり、折り曲げることが可能である。可撓性基板１０２上には活性領域（アクティブエリア）１０４が設けられる。後述するように、活性領域１０４は種々の絶縁膜や導電膜、半導体膜が積層され、これらによってトランジスタや容量、表示素子などが形成される。活性領域１０４上には、活性領域１０４を保護し、表示装置１００に対し、十分な可撓性を維持しつつ、かつ取り扱いを容易にするために必要な物理的強度を付与するためのキャップフィルム１０６が設けられる。表示装置１００は任意の構成として、キャップフィルム１０６上に偏光板１１４を有することができる。活性領域１０４、キャップフィルム１０６、および偏光板１１４は同一、あるいはほぼ同一の形状を有することができ、互いに重なる。図示していないが、表示装置１００において偏光板１１４がキャップフィルム１０６を兼ねてもよい。
【００１６】
可撓性基板１０２の下には、可撓性基板１０２を保護するとともに物理的強度を付与するための第１のベースフィルム１１０、第２のベースフィルム１１２が設けられる。前者はキャップフィルム１０６とともに活性領域１０４を挟持する。
【００１７】
図１（Ａ）や（Ｂ）では図示しないが、表示素子などへ映像信号を伝達するための複数の配線１２４が、可撓性基板１０２上において活性領域１０４から延伸する。複数の配線１２４はＩＣチップ１２０を介し、ＦＰＣ（フレキシブル印刷回路）基板などのコネクタ１１８と電気的に接続される。図示しない外部回路からコネクタ１１８を介して映像信号がＩＣチップ１２０に入力される。映像信号はＩＣチップ１２０からさらに活性領域１０４に伝えられ、これによりトランジスタなど、活性領域１０４に含まれる各種素子が制御される。ＩＣチップ１２０は任意の構成であり、例えばＩＣチップ１２０の代わりに、活性領域１０４に駆動回路を形成してもよい。コネクタ１１８上にＩＣチップが形成されていてもよい。
【００１８】
可撓性基板１０２のうち、第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２のいずれとも重ならない領域、すなわち、第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２の間の領域は、樹脂層１０８で覆われてもよい。樹脂層１０８は、ＩＣチップ１２０やコネクタ１１８を覆うように設けてもよい。これにより、可撓性基板１０２やその上に形成される配線１２４やＩＣチップ１２０、コネクタ１１８などを保護することができるとともに、この領域の物理的強度を制御することができる。
【００１９】
図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示すように、可撓性基板１０２は第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２の間の領域で湾曲する、あるいは折り曲げることができる。この場合、第１のベースフィルム１１０の下面と第２のベースフィルム１１２の下面は互いに直接、あるいは図示しない接着層を介して接することが可能である。可撓性基板１０２を折り曲げる場合、任意の構成であるスペーサ１１６を可撓性基板１０２で包み込んでもよい。スペーサ１１６は例えば円柱形状を持つことができ、図１（Ｂ）に示すように、可撓性基板１０２、第１のベースフィルム１１０、第２のベースフィルム１１２によって囲まれる空間内に収容することができる。図示しないが、スペーサ１１６は平板形状を併せ持ってもよく、この場合、平板形状部分が第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２で挟持されるように表示装置１００を折り曲げてもよい。スペーサ１１６を用いることで、表示装置１００の立体形状を制御することができる。
【００２０】
図示しないが、可撓性基板１０２を湾曲、あるいは折り曲げる領域は第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２の間に限られず、例えば活性領域１０４で表示装置１００を湾曲、折り曲げてもよい。
【００２１】
図２に、表示装置１００を展開した状態の上面模式図を示す。ここでは、偏光板１１４やキャップフィルム１０６は図示していない。図２に示すように、活性領域１０４に含まれる各種素子により、複数の画素１３２や画素１３２の駆動を制御するための駆動回路１３４などが形成される。画素１３２には発光素子や液晶素子などの表示素子が備えられる。複数の画素１３２はマトリクス状に配置され、複数の画素１３２によって表示領域１３０が形成される。本明細書と請求項では、活性領域１０４は表示領域１３０と駆動回路１３４を含む。
【００２２】
駆動回路１３４は、外部回路から供給される各種信号を受け取り、これを各画素１３２に供給することで、画素１３２に含まれる各種素子の駆動を制御する。これにより画素１３２内の表示素子が制御され、様々な映像を表示領域１３０上に表示することができる。図２では駆動回路１３４が二つ設けられた例が示されているが、駆動回路１３４は１つ、あるいは３つ以上設置してもよい。
【００２３】
図２では図示していないが、複数の配線１２４が活性領域１０４から可撓性基板１０２の側面（図において下辺）に向かって延伸するように設けられる。配線１２４はＩＣチップ１２０と接続される。さらに配線１２４は端部で露出され、端子１２２を形成する。端子１２２はコネクタ１１８との電気的接続に用いられる。本明細書と請求項では、可撓性基板１０２のうち、活性領域１０４と端子１２２の間の領域を配線領域１３６と呼ぶ。
【００２４】
図２に示すように、配線領域１３６において、可撓性基板１０２の幅は一定ではなく、活性領域１０４よりも端子１２２に近い配線領域１３６の幅は、端子１２２よりも活性領域１０４に近い配線領域１３６の幅よりも大きくなるような形状を有していてもよい。この場合、可撓性基板１０２の幅の変化は連続的でもよい。あるいは可撓性基板１０２は、配線領域１３６全体において、活性領域１０４と同じ幅を有していてもよい。
【００２５】
図２の鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図を図３に示す。図３に示すように、表示装置１００を展開した状態では、第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２は離間しており、それぞれの端（エッジ）１１０ａと１１２ａは互いに対向する。第１のベースフィルム１１０は、その一部が配線領域１３６と重なってもよい。第２のベースフィルム１１２は、ＩＣチップ１２０やコネクタ１１８と重なるように配置することができる。第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２の間では、可撓性基板１０２の裏面は露出されもよい。なお任意の構成として、活性領域１０４と重なるように、熱拡散板１２６を第１のベースフィルム１１０の下、あるいは可撓性基板１０２と第１のベースフィルム１１０の間に設けてもよい。熱拡散板１２６は活性領域１０４で発生する熱を外部へ拡散する機能を有しており、例えばアルミニウムや銅、ステンレスなどの金属やその合金を含み、可撓性を有する程度の厚さを有することができる。
【００２６】
配線１２４が可撓性基板１０２上に設けられ、活性領域１０４から配線領域１３６を経て端子１２２へ延伸する。配線１２４の上には上述した樹脂層１０８を設けることができる。図３では図示していないが、ＩＣチップ１２０の上面の一部、あるいは全てを覆うように樹脂層１０８を設けてもよい。逆に、コネクタ１１８の上面を覆わないように、樹脂層１０８を設けてもよい。
【００２７】
［２．活性領域］
図２における領域１４０の上面図を図４に、図４の鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った断面模式図を図５に示す。図４に示すように、可撓性基板１０２の端（エッジ）１０２ａに隣接する、あるいはエッジ１０２ａから最も近い画素１３２とエッジ１０２ａの間に駆動回路１３４が配置される。図５では見やすさを考慮し、画素１３２は鎖線Ｂ−Ｂ’上に１つのトランジスタ１５０と表示素子１６０を有し、駆動回路１３４では１つのトランジスタ１５２と二つの配線１５４、１５６が鎖線Ｂ−Ｂ’と交差するとして説明を行う。また、表示素子１６０としては発光素子を用いる例を用いて説明を行うが、表示素子１６０の構成に制約はない。例えば表示素子１６０は液晶素子や電気泳動素子など、電圧駆動型の表示素子でもよい。
【００２８】
トランジスタ１５０は表示素子１６０を制御するための素子として機能することができる。トランジスタ１５２は、例えばバッファ回路やシフトレジスタ、あるいはラッチ回路などの回路に含まれることができる。配線１５４、１５６の機能にも制約はなく、駆動回路１３４内に設けられる各種回路間を接続する配線として機能してもよく、あるいは表示素子１６０の一方の電極に一定電位を供給するための電源線として機能してもよい。配線１５６は、駆動回路１３４内の配線のうち、エッジ１０２ａに隣接する、あるいはエッジ１０２ａに最も近い配線であるとして説明を行う。
【００２９】
図５に示すように、表示領域１３０とそれを構成する画素１３２、および駆動回路１３４には種々の絶縁層、導電層、半導体層が積層される。例えば可撓性基板１０２上には、アンダーコート２００を設けることができる。アンダーコート２００は、可撓性基板１０２に含まれるアルカリ金属イオンなどの不純物がトランジスタ１５０や１５２へ拡散することを防ぐ機能を有し、例えばケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。無機化合物としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などが挙げられる。アンダーコート２００は単層の構造を有していてもよく、上記無機化合物から選択される複数の化合物が積層された構造を有していてもよい。
【００３０】
アンダーコート２００上には、トランジスタ１５０や１５２の活性領域を形成する半導体膜２０２、ゲート２０６、および半導体膜２０２とゲート２０６間に挟持されるゲート絶縁膜２０４が設けられる。半導体膜２０２は例えばケイ素などの１４族元素、あるいは酸化物半導体を含むことができる。
【００３１】
ゲート絶縁膜２０４も絶縁膜であり、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ゲート絶縁膜２０４も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。
【００３２】
ゲート２０６は、電圧を印加することによって半導体膜２０２にキャリアを発生させる機能を有し、これにより、トランジスタ１５０や１５２のオン／オフが制御される。ゲート２０６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００３３】
ゲート２０６上には層間膜２０８を設けることができる。層間膜２０８も絶縁膜であり、ゲート絶縁膜２０４と同様、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。層間膜２０８も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。
【００３４】
トランジスタ１５０、１５２はさらに、ソース２１０とドレイン２１２を有する。ソース２１０とドレイン２１２は、ゲート絶縁膜２０４や層間膜２０８に設けられる開口部で半導体膜２０２と電気的に接続される。ソース２１０やドレイン２１２もゲート２０６で使用可能な金属を含むことができ、積層構造、あるいは単層構造で形成される。なお、配線１５４、１５６もソース２１０やドレイン２１２と同時に形成してもよい。この場合、ソース２１０やドレイン２１２、配線１５４、１５６は同一層内に存在することができる。
【００３５】
トランジスタ１５０、１５２は、上述した半導体膜２０２、ゲート絶縁膜２０４、ゲート２０６、層間膜２０８、ソース２１０、およびドレイン２１２などによって構成される。トランジスタ１５０、１５２の構造に限定はなく、図５に示すトップゲート構造を有してもよく、ボトムゲート構造を有していてもよい。あるいは、ゲート２０６は半導体膜２０２の上下に設置してもよい。また、複数のゲート２０６が１つの半導体膜２０２と重なる、いわゆるマルチゲート構造を有するトランジスタを用いてもよい。
【００３６】
表示装置１００はさらに、トランジスタ１５０、１５２上に平坦化膜２１４を有することができる。平坦化膜２１４は、トランジスタ１５０、１５２などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜２１４も絶縁膜であり、有機化合物で形成することができ、有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられる。図示しないが、平坦化膜２１４上に窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁膜を形成してもよい。
【００３７】
平坦化膜２１４には、トランジスタ１５０と表示素子１６０を電気的に接続するための開口部が設けられる。図５に示すように、この開口部に接続電極２１６を設けてもよい。接続電極２１６は、例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物を用いて形成することができる。
【００３８】
表示装置１００は任意の構成として、平坦化膜２１４上に付加容量電極２２０を有していてもよい。なお、配線１５４や１５６は付加容量電極２２０と同時に形成してもよい。この場合には、これらの電極や配線は同一の層内に存在することができる。
【００３９】
図５に示した例では、駆動回路１３４内で平坦化膜２１４の一部が除去されて層間膜２０８が露出され、露出された層間膜２０８と接するように、配線１５４、１５６が設けられる。このような構成を採用することで、平坦化膜２１４は可撓性基板１０２のエッジ１０２ａから離れた位置に配置することができる。上述したように、平坦化膜２１４は有機化合物を含むことができる。有機化合物は一般にケイ素を含有する無機化合物と比較して水との親和性高い。このため、平坦化膜２１４がエッジ１０２ａで表示装置１００の外部と接すると、水などの不純物が外部から平坦化膜２１４に侵入し、平坦化膜２１４内を経由して駆動回路１３４や表示領域１３０へ拡散する。すなわち、平坦化膜２１４は不純物の輸送経路として働く。その結果、不純物による表示装置１００の劣化が生じる。
【００４０】
しかしながら図５に示すように、エッジ１０２ａと接しないように平坦化膜２１４を配置することで、不純物の侵入確率を大幅に低下させることができ、その結果、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
付加容量電極２２０や配線１５６、配線１５４の一部を覆うように絶縁膜２２２が設けられる。絶縁膜２２２は、付加容量電極２２０と、その上に設けられる表示素子１６０の第１の電極２３０に挟まれ、付加容量を形成する。すなわち、絶縁膜２２２は誘電体膜として機能する。この付加容量は、トランジスタ１５０のゲート２０６とも電気的に接続することができ、トランジスタ１５０のソース２１０−ゲート２０６間の電位の維持に寄与する。同時に、絶縁膜２２２は配線１５６の保護膜としても機能する。絶縁膜２２２は、アンダーコート２００やゲート絶縁膜２０４と同様、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができ、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。
【００４２】
表示装置１００は、絶縁膜２２２上に、付加容量電極２２０と重なり、かつ、接続電極２１６と電気的に接続される第１の電極２３０を有する。第１の電極２３０や、平坦化膜２１４に設けられる開口部に起因する凹凸は、第１の電極２３０の端部を覆う隔壁２２４によって覆われる。隔壁２２４は第１の電極２３０の端部を覆うことで、その上に設けられるＥＬ層２３２や第２の電極２４０の断線を防ぐことができる。隔壁２２４も絶縁膜であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料を含むことができる。
【００４３】
表示素子１６０は、第１の電極２３０に加え、ＥＬ層２３２と第２の電極２４０を有する。ＥＬ層２３２と第２の電極２４０は第１の電極２３０、および隔壁２２４と重なるように設けられる。
【００４４】
表示装置１００はさらに、表示素子１６０上に封止膜（パッシベーション膜）２５０を有してもよい。パッシベーション膜２５０は、外部から表示素子１６０やトランジスタ１５０、１５２に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ機能を有する。図５に示すように、パッシベーション膜２５０は３つの層（第１の層２５２、第２の層２５４、第３の層２５６）を含んでもよい。第１の層２５２と第３の層２５６は、例えばケイ素を含有する無機化合物を用いることができる。一方、第２の層２５４では、有機化合物を用いることができる。第２の層２５４は、表示素子１６０や隔壁２２４に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成してもよい。
【００４５】
キャップフィルム１０６は接着層２６０を介して可撓性基板１０２上に固定される。キャップフィルム１０６には、例えばポリ（エチレンテレフタレート）やポリ（エチレンナフタレート）などのポリエステル、あるいはポリカーボナート、ポリオレフィンなどを主骨格とする高分子材料を使用することができる。なお、第１のベースフィルム１１０、第２のベースフィルム１１２にもキャップフィルム１０６と同様の材料を用いることができる。キャップフィルム１０６が接着力を有する場合、接着層２６０を設けなくてもよい。
【００４６】
表示装置１００はさらに、任意の構成として、偏光板１１４をキャップフィルム１０６上に有することができる。偏光板１１４は円偏光板でも直線偏光板でもよい。偏光板１１４が円偏光板である場合、第１の電極２３０や配線１５４、１５６などで反射した外光を表示装置１００内に閉じ込めることができ、その結果、コントラストの高い映像を提供することが可能となる。なお、キャップフィルム１０６を設けず、偏光板１１４がパッシベーション膜２５０、あるいは接着層２６０と接するよう、表示装置１００を構成してもよい。
【００４７】
［３．基板端部の構造］
上述したように、表示装置１００の活性領域１０４には多くの絶縁膜が含まれるが、上述した無機化合物を含むことができる絶縁膜（例えばアンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２、第３の層２５６）や有機化合物を含むことができる絶縁膜（例えば平坦化膜２１４、隔壁２２４、パッシベーション膜２５０の第２の層２５４など）のうち少なくとも一つを、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａから部分的に除去することができる。具体的には図４、５に示すように、表示領域１３０とエッジ１０２ａの間、あるいは駆動回路１３４とエッジ１０２ａの間では、上記絶縁膜のうち少なくとも一つが部分的に除去されている。図５に示した例では、アンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、第１の層２５２、第３の層２５６の端部はいずれもエッジ１０２ａと重ならず、エッジ１０２ａよりも可撓性基板１０２内部に位置している。すなわち、これらの層の側壁は、エッジ１０２ａと駆動回路１３４の間に位置する。換言すると、これらの層の側壁は、駆動回路１３４内に位置する、あるいは駆動回路１３４から延伸する配線のうち、エッジ１０２ａに隣接する配線（例えば配線１５６）とエッジ１０２ａの間に位置する。駆動回路１３４を活性領域１０４に設けない場合には、これらの層の側壁は、表示領域１３０から延伸する配線のうち、もっともエッジ１０２ａに近い配線とエッジ１０２ａの間に位置する。側壁とエッジ１０２ａ間の領域２７０では、接着層２６０が可撓性基板１０２や上記絶縁層の側壁と直接接する。接着層２６０を用いない場合には、キャップフィルム１０６が可撓性基板１０２や上記絶縁層の側壁と接する。
【００４８】
図５では、アンダーコート２００やゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２と第３の層２５６、平坦化膜２１４、パッシベーション膜２５０の第２の層２５４などの絶縁膜の全てがエッジ１０２ａから離れるように設けられる例が示されているが、表示装置１００はこのような形態に限られない。例えば図６（Ａ）に示すように、アンダーコート２００の端部はエッジ１０２ａと重なるが、他の絶縁膜の端部はエッジ１０２ａと重ならないように表示装置１００を構成することができる。この場合、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２と第３の層２５６の側壁は、配線１５６とエッジ１０２ａの間に位置する。
【００４９】
あるいは図６（Ｂ）に示すように、アンダーコート２００と絶縁膜２２２の端部はエッジ１０２ａと重なるが、他の絶縁膜の端部はエッジ１０２ａと重ならないように表示装置１００を構成することができる。この場合、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２と第３の層２５６の側壁は、配線１５６とエッジ１０２ａの間に位置する。
【００５０】
あるいは図６（Ｃ）に示すように、アンダーコート２００とパッシベーション膜２５０の第３の層２５６の端部はエッジ１０２ａと重なるが、他の絶縁膜の端部はエッジ１０２ａと重ならないように表示装置１００を構成することができる。この場合、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２の側壁は、配線１５６とエッジ１０２ａの間に位置する。
【００５１】
あるいは図６（Ｄ）に示すように、有機化合物を含むことができる絶縁膜（例えば平坦化膜２１４）の端部はエッジ１０２ａと重なるが、他の絶縁膜の端部はエッジ１０２ａと重ならないように表示装置１００を構成することができる。この場合、例えばアンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２と第３の層２５６の側壁は、配線１５６とエッジ１０２ａの間に位置する。この場合、平坦化膜２１４は駆動回路１３４が設けられる領域のいずれかの箇所において除去される形となる。有機膜で形成されている平坦化膜２１４が水分や酸素を通しやすいので、いずれかの箇所で分断されていないと表示素子１６０に水分や酸素が到達してしまい、特性を劣化させるからである。
【００５２】
図４に示すように、活性領域１０４においては、領域２７０の幅は一定、あるいは実質的に一定にすることができる。すなわち、エッジ１０２ａと、部分的に除去された絶縁膜の側壁間の距離（すなわち、領域２７０の幅）は、一定、あるいは実質的に一定になるよう、表示装置１００を構成することができる。
【００５３】
絶縁膜の全て、あるいは一部を可撓性基板１０２のエッジ１０２ａから部分的に除去する構成は、配線領域１３６にも適用することが可能である。配線領域１３６の一部の領域１４２（図２参照）の拡大図を図７に模式的に示す。ここでは、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａと、エッジ１０２ａ近傍に位置し、活性領域１０４から延伸する配線１２４が示されている。領域１４２では、エッジ１０２ａは湾曲した部分を有している。そして領域２７０は、湾曲した部分を取り囲むように、配線１２４が形成される面内において可撓性基板１０２の内側に凹んだ形状を有している。すなわち、絶縁膜の全て、あるいは一部は、えぐれた切り欠き部２７２を有している。このため、エッジ１０２ａと部分的に除去された絶縁膜の側壁間の距離Ｌは、エッジ１０２ａが湾曲した部分では一定ではなく、変化する。
【００５４】
図７、８（Ａ）、８（Ｂ）を用いてより具体的に説明する。図８（Ａ）は図７の鎖線Ｃ−Ｃ’に沿った断面模式図である。図７、図８（Ａ）に示すように、側壁は、エッジ１０２ａの湾曲に対応するように、配線１２４が形成される面内で湾曲して湾曲部を形成し、その結果、絶縁膜の全て、あるいは一部に切り欠き部２７２を与える。そして切り欠き部２７２は、エッジ１０２ａと湾曲部間の距離Ｌが、図７に示すように、なめらかに（あるいは徐々に）変化するような形状となり、典型的には円の一部や楕円の一部で表現される曲線を有する形状となる。ここで距離Ｌとは、エッジ１０２ａの法線１４４の、エッジ１０２ａから絶縁膜の側壁までの距離である。例えば距離Ｌは、エッジ１０２ａ上の位置ｙに対する距離Ｌのプロットが曲線で表されるように変化する（図８（Ｂ）参照）。ここで位置ｙは、エッジ１０２ａ上の点の位置である。このプロットは、距離Ｌが一定である区間と、これらに挟持され、距離Ｌが連続的に、または曲線的に増減する区間を有する。距離Ｌが連続的、曲線的に増減する区間では、このプロットの傾き（微分係数）が連続的に変化する。あるいは図８（Ｃ）に示すように、距離Ｌが一定である区間と、距離Ｌが連続的に増減する区間の間において、このプロットの傾き（微分係数）が連続的に変化してもよい。
【００５５】
図７では、配線１２４が形成される面内において、絶縁膜の側壁が円周の一部を形成するように、絶縁膜の一部が除去される。ただし、絶縁膜の端部の構造はこのような構造に限られない。例えば図９に示すように、配線１２４が形成される面内において、絶縁膜の側壁は複数の変曲点１４６を有するように、絶縁膜を構成してもよい。この場合、絶縁膜は切り欠き部２７２を有し、位置ｙに対する距離Ｌのプロットは、距離Ｌが一定である区間から連続的に傾きが変化する。
【００５６】
詳細は第２実施形態で述べるが、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａから無機化合物を含む絶縁膜、有機化合物を含む絶縁膜、あるいはこれらの両方を部分的に除去することで、可撓性基板１０２の製造中に、可撓性基板１０２や絶縁膜にクラックが生じる確率を大幅に低減することができる。特に図７や図９で示すように、エッジ１０２ａが湾曲した領域におけるクラックの発生を効果的に抑制することができる。その結果、表示装置の製造歩留りが改善されるだけでなく、信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。
【００５７】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００の製造方法を述べる。第１実施形態と同様の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００５８】
表示装置１００は、いわゆるマザーガラスと呼ばれる支持基板上に複数の表示装置１００を形成した後、個々の表示装置１００へ分断することによって製造される。例えば図１０に示すように、マザーガラス１７０上にマトリクス状に複数の表示装置１００を形成する。ここでは３行６列に配列した合計１８個の表示装置１００が１つのマザーガラス１７０上に形成される態様が図示されている。一つのマザーガラス１７０上に形成する表示装置１００の数に制約はなく、マザーガラス１７０と表示装置１００の大きさや形状などを考慮して決定される。以下、図５に示した断面構造に対応する断面図を主に用いて表示装置１００の製造方法を述べる。
【００５９】
まず、図１１（Ａ）に示すように、マザーガラス１７０上に可撓性基板１０２を形成する。可撓性基板１０２は絶縁膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。マザーガラス１７０は可撓性を持たないため、可撓性基板１０２がマザーガラス１７０上に位置しているときには、可撓性基板１０２はマザーガラス１７０上に固定された高分子フィルムと認識することができる。可撓性基板１０２は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。
【００６０】
可撓性基板１０２上にはアンダーコート２００が形成される（図１１（Ａ））。アンダーコート２００は第１実施形態で述べた材料を含むことができ、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。可撓性基板１０２中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート２００は設けない、あるいは可撓性基板１０２の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００６１】
次に半導体膜２０２を形成する（図１１（Ｂ））。半導体膜２０２がケイ素を含む場合、半導体膜２０２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜２０２が酸化物半導体を含む場合、酸化物半導体を含むターゲットを用い、スパッタリング法を利用して形成することができる。
【００６２】
次に半導体膜２０２を覆うようにゲート絶縁膜２０４を形成する（図１１（Ｂ））。ゲート絶縁膜２０４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。引き続き、ゲート絶縁膜２０４上にゲート２０６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１１（Ｂ））。詳細な説明は割愛するが、半導体膜２０２の形成後、半導体膜２０２に対して適宜ドーピングを行い、ソース／ドレイン領域２０２ｂやチャネル領域２０２ａ、低濃度不純物領域２０２ｃなどを形成してもよい（図１１（Ｂ））。
【００６３】
次にゲート２０６上に層間膜２０８を形成する（図１２（Ａ））。層間膜２０８もアンダーコート２００やゲート絶縁膜２０４と同様、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。引き続き層間膜２０８とゲート絶縁膜２０４に対してエッチングを行い、半導体膜２０２に達する開口を形成する（図１２（Ｂ））。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００６４】
次に開口を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース２１０、ドレイン２１２を形成する（図１３（Ａ））。これにより、トランジスタ１５０、１５２が形成される。本実施形態では図示していないが、ソース２１０やドレイン２１２の形成と同時に端子１２２や配線１２４などを同時に形成してもよい。
【００６５】
次に平坦化膜２１４を、トランジスタ１５０、１５２を覆うようにマザーガラス１７０の全体の上に形成する（図１３（Ａ））。平坦化膜２１４は第１実施形態で述べた高分子材料を含むことができ、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを適用して形成することができる。その後、平坦化膜２１４に対してエッチングを行い、ソース２１０に達する開口部を形成する。さらに、平坦化膜２１４の端部がエッジ１０２ａと重ならないよう、平坦化膜２１４に対してエッチングを行う（図１３（Ｂ））。すなわち、平坦化膜２１４の一部をエッジ１０２ａから除去し、層間膜２０８を露出する。開口部の形成と層間膜２０８の露出は、同一のエッチング工程で行ってもよく、異なるエッチング工程で行ってもよい。なお、層間膜２０８が露出された構造は、水分遮断構造とも呼ばれる。
【００６６】
引き続き、ソース２１０を露出する開口部を覆うように接続電極２１６を形成する（図１４（Ａ））。接続電極２１６は、例えば導電性酸化物をスパッタリングすることで形成することができる。図示していないが、接続電極２１６の形成と同時に、導電性酸化物で端子１２２を覆ってもよい。接続電極２１６は必ずしも設ける必要は無いが、これを設けることで、その後のプロセスにおいてソース２１０や端子１２２が酸化、劣化することを防ぐことができ、その結果、これらの表面におけるコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
【００６７】
引き続き、付加容量電極２２０を平坦化膜２１４上に形成する（図１４（Ｂ））。付加容量電極２２０は、ゲート２０６やソース２１０、ドレイン２１２で使用可能な金属や合金を含むことができ、スパッタリング法やＣＶＤ法を適用して形成することができる。付加容量電極２２０は、単層構造、積層構造、いずれの構造を有してもよい。図１４（Ｂ）に示すように、本実施形態では、付加容量電極２２０の形成と同時に配線１５４、１５６が層間膜２０８上に形成される。ただし上述したように、配線１５４、１５６はソース２１０やドレイン２１２と同時に形成してもよい。
【００６８】
その後、接続電極２１６や付加容量電極２２０を覆うように絶縁膜２２２を形成する（図１４（Ｂ））。絶縁膜２２２も窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機化合物を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。なお絶縁膜２２２は、接続電極２１６の底面の一部を露出する開口を有する。この開口において、表示素子１６０の第１の電極２３０と接続電極２１６が電気的に接続される。また、絶縁膜２２２は配線１５４や１５６の上面の全て、あるいは一部を覆うように形成される。
【００６９】
引き続き、図１５（Ａ）に示すように、活性領域１０４内、および活性領域１０４から配線領域１３６へ延伸する絶縁膜をエッジ１０２ａから部分的に除去し、領域２７０を形成する。ここではアンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、および絶縁膜２２２に対して同時にエッチングを行い、エッジ１０２ａから配線１５６の間に存在する上記絶縁膜を部分的に取り除いて可撓性基板１０２を露出させる。したがって、これらの絶縁膜の側壁は互いに同一平面状に存在し、かつ、エッジ１０２ａから配線１５６の間、すなわち、エッジ１０２ａと駆動回路１３４の間、あるいはエッジ１０２ａと表示領域１３０との間に位置する。図示しないが、この段階において、エッジ１０２ａの湾曲した部分では、切り欠き部２７２が形成される（図７参照）。
【００７０】
本実施形態では、アンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、および絶縁膜２２２を同時にエッチングを行って領域２７０を形成する例を述べたが、各絶縁膜の形成とエッチングを段階的に行ってもよい。例えばアンダーコート２００を形成した後にエッジ１０２ａから部分的に除去し、その後ゲート絶縁膜２０４を形成してもよい。この場合、ゲート絶縁膜２０４の部分的除去、層間膜２０８の形成、層間膜２０８の部分的除去、絶縁膜２２２の形成、絶縁膜２２２の部分的除去が順次行われる。
【００７１】
次に、接続電極２１６と接するように、かつ、付加容量電極２２０を覆うように、第１の電極２３０を形成する。表示素子１６０からの発光を第２の電極２４０から取り出す場合、第１の電極２３０は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極２３０は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。表示素子１６０からの発光を第１の電極２３０から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第１の電極２３０を形成すればよい。
【００７２】
次に、第１の電極２３０の端部を覆うように、隔壁２２４を形成する（図１６（Ａ））。隔壁２２４により、第１の電極２３０などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１３２の第１の電極２３０同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁２２４はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００７３】
次に表示素子１６０のＥＬ層２３２、および第２の電極２４０を、第１の電極２３０と隔壁２２４を覆うように形成する（図１６（Ｂ））。ＥＬ層２３２は有機化合物を含み、湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。ＥＬ層２３２の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばＥＬ層２３２は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロッキング層などを適宜組み合わせて形成すればよい。またＥＬ層２３２は、隣接する画素１３２間で異なる構造を有してもよい。図１６（Ｂ）では、ＥＬ層２３２が正孔注入／輸送層２３４、発光層２３６、電子注入／輸送層２３８を含む例が示されている。
【００７４】
表示素子１６０からの発光を第１の電極２３０から取り出す場合には、第２の電極２４０として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に表示素子１６０からの発光を第２の電極２４０から取り出す場合には、第２の電極２４０として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。なお、第２の電極２４０は配線１５４と接続されるように形成することができる。第２の電極２４０の抵抗が比較的大きい場合、配線１５４は補助配線として機能し、第２の電極２４０の高い抵抗に起因する電圧降下を抑制することができる。
【００７５】
次にパッシベーション膜２５０を形成する。図１７に示すように、まず第１の層２５２を第２の電極２４０を覆うように形成する。第１の層２５２は、隔壁２２４や平坦化膜２１４を覆い、絶縁膜２２２と接するように設けることができる。第１の層２５２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。
【００７６】
引き続き第２の層２５４を形成する（図１７）。第２の層２５４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、図１７に示すように、隔壁２２４に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層２５４は、第１の層２５２の端部を覆わないように形成することが好ましい。第２の層２５４は、湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層２５２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって第２の層２５４を形成してもよい。
【００７７】
その後、第３の層２５６を形成する（図１７）。第３の層２５６は、第１の層２５２で使用可能な材料を含むことができ、第１の層２５２の形成に適用可能な方法で形成することができる。第３の層２５６も、第２の層２５４だけでなく、第１の層２５２と接するように設けることができる。
【００７８】
図１７では、第１の層２５２と第３の層２５６の側壁がアンダーコート２００やゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８などの絶縁膜の側壁と重なり、同一平面状に位置する構成が示されている。このような構造は、例えば、領域２７０を覆うように（すなわち、可撓性基板１０２と接するように）第１の層２５２を形成し、領域２７０で第１の層２５２と重なるように第３の層２５６を形成し、その後エッチングによって第１の層２５２と第３の層２５６の部分的除去を行って形成することができる。この場合、第１の層２５２と第３の層２５６は端子１２２上を覆うようにも形成されるが、可撓性基板１０２を露出するためのエッチングと同時に端子１２２上の第１の層２５２と第３の層２５６も同時に取り除き、端子１２２を露出することができる。
【００７９】
この後、接着層２６０を用い、キャップフィルム１０６をパッシベーション膜２５０上に固定する（図１８）。接着層２６０としては、例えばアクリル系の接着剤、あるいはアクリレート系の接着剤などを使用することができる。さらに偏光板１１４をキャップフィルム１０６上に貼り合わせる。
【００８０】
ここまでの段階で、マザーガラス１７０上に複数の表示装置１００の基本構造が形成される。引き続き、マザーガラス１７０を仮切断し、個々の表示装置へ仮分断する。具体的には、図１０に示す破線１７２に沿ってマザーガラス１７０を仮切断する。これにより得られる表示装置１００の基本構造の上面図を図１９、図２０に示す。図１９では最上面は偏光板１１４であり、図２０では偏光板１１４、キャップフィルム１０６、および接着層２６０は示されておらず、最上面には第３の層２５６が存在する。いずれの図においても、表示領域１３０や駆動回路１３４、端子１２２は点線で表されている。
【００８１】
マザーガラス１７０の仮切断で得られる形状は、表示装置１００の最終的な形状よりも大きい。仮切断の後、図１９や図２０中鎖線で示したカットライン１７４に従ってトリミングが行われ、表示装置１００が取り出される。したがって、カットライン１７４がエッジ１０２ａに相当する。このため図１９や図２０に示すように、カットライン１７４から内側の活性領域１０４と配線領域１３６において、絶縁膜（すなわち、アンダーコート２００、ゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、パッシベーション膜２５０の第１の層２５２、第２の層２５４、第３の層２５６、平坦化膜２１４、隔壁２２４）のうち少なくとも一つがエッジ１０２ａから部分的に除去され領域２７０を形成する。同時に、カットライン１７４が湾曲している部分（図中、点線の円で囲った領域）では、上記絶縁膜の一部が除去されて切り欠き部２７２が形成される。ここでは、切り欠き部２７２は円の一部で表現される曲線形状を有している。したがって領域２７０は、湾曲した部分を取り囲むように、可撓性基板１０２の内側に凹んだ形状を有している。
【００８２】
具体的な工程の一例を以下に説明する。マザーガラス１７０の仮切断後、端子１２２を覆う絶縁膜（例えば第１の層２５２や第３の層２５６、あるいは絶縁膜２２２など）を除去して端子１２２を露出し、露出した端子１２２に対してコネクタ１１８を貼り合わせる（図２１）。図示していないが、コネクタ１１８を貼り合わせる前、あるいは後に、ＩＣチップ１２０を搭載してもよい。また、樹脂層１０８を形成してもよい。なお図２１では、偏光板１１４やキャップフィルム１０６は図示していない。
【００８３】
次に、マザーガラス１７０を分離する。具体的には、図１８の直線矢印で示すように、マザーガラス１７０の底面側からレーザなどの光を照射し、マザーガラス１７０と可撓性基板１０２間の接着力を低下させる。その後物理的な力を利用し、これらの界面でマザーガラス１７０を可撓性基板１０２から剥離する。これにより、可撓性基板１０２の底面が露出する。
【００８４】
引き続き、第１のベースフィルム１１０と第２のベースフィルム１１２を形成する。具体的な方法を図２２に示す。図２２は、図２１に示した構造の底面図である。開口部１７８を有するラミネーションフィルム１７６を、可撓性基板１０２の底面に貼り合わせる。貼り合わせは、アクリル系やエポキシ系接着剤を用い、ポリ（エチレンテレフタレート）などのポリエステル、あるいはポリオレフィンやポリカーボナートなどを含有するフィルムをラミネーションフィルム１７６として用いれてばよい。カットライン１７４が開口部１７８を二回横断するよう、ラミネーションフィルム１７６は選択され、貼り合わせられる。
【００８５】
ラミネーションフィルム１７６を貼り合わせたのち、カットライン１７４に沿ってトリミングを行う。トリミングは、カットライン１７４に沿ってカッターを動かしながら行ってもよく、あるいは、カットライン１７４の形状に成型されたカッターを可撓性基板１０２の上から押し当てることによって行ってもよい。以上の工程により、表示装置１００を製造することができる。
【００８６】
上述したように、表示装置１００の最終的な形状は、カットライン１７４に沿ったトリミングによって決定される。トリミングの際、カッターを介して印加される物理的な力により活性領域１０４や配線領域１３６に含まれる絶縁膜が変形するためクラックが発生しやすく、クラックが駆動回路１３４や表示領域１３０、あるいは配線１２４へ達すると、配線の断線や劣化、封止構造の破壊が生じる。その結果、映像信号が正常に伝達されない、一部の画素が表示機能を失うなどの不具合が発生し、表示装置１００は表示装置としての機能を失う。
【００８７】
このため、絶縁膜をカットライン１７４側から部分的に除去して領域２７０を形成し、その後にカットライン１７４に沿ってトリミングを行う。しかしながら、領域２７０を設けてもクラックの発生を完全に抑制することは困難である。特に領域１４２のように、カットライン１７４が湾曲する、あるいは屈曲する部分では、クラック１８０が発生しやすい（図２３）。これは、カットライン１７４が湾曲する部分にトリミング時の圧力が集中しやすいためと考えられる。
【００８８】
しかしながら、第１、第２実施形態で述べたように、カットライン１７４が湾曲する部分、すなわち、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａが湾曲する部分を取り囲み、可撓性基板１０２の内側に凹んだ形状を有するように領域２７０を形成することで、クラック１８０の発生を抑制することができる。これは、クラックが発生しやすいエッジ１０２ａから絶縁膜の側壁までの距離が増大するためと考えられる。このため、可撓性の表示装置１００を歩留まり良く製造することが可能となるととともに、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００８９】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００と異なる構成を有する表示装置３００について説明する。表示装置１００と同様の構成については説明を割愛することがある。
【００９０】
表示装置３００では、第１のベースフィルム１１０のエッジ１１０ａ、あるいは第２のベースフィルム１１２のエッジ１１２ａと交差する領域において、活性領域１０４に含まれる絶縁膜の側壁が、配線１２４が形成する面内において湾曲する。また、エッジ１０２ａから側壁間の距離Ｌのプロットが曲線で表されるように変化する。
【００９１】
具体的な構造を図２４（Ａ）、図２５に示す。図２４（Ａ）は、図２における領域１４８を模式的に表した図であり、図２４（Ａ）の鎖線Ｄ−Ｄ’に沿った模式的断面図が図２５である。図２４（Ａ）に示すように領域１４８では、活性領域１０４から延伸する配線１２４は直線状に延びている。図２４（Ａ）、図２５に示すように、領域１４８では、絶縁膜の少なくとも一つはエッジ１０２ａから部分的に除去されており、絶縁膜の側壁は、配線１２４が形成される面において湾曲部を有する。つまり、絶縁膜はエッジ１１０ａ、１１０ｂと交差する切り欠き部２７２を有する。そして湾曲部は、第１のベースフィルム１１０のエッジ１１０ａ、あるいは第２のベースフィルム１１２のエッジ１１２ａと交差する。したがって、絶縁膜の側壁とエッジ１０２ａ間の距離Ｌは、図２４（Ａ）に示すように、第１のベースフィルム１１０のエッジ１１０ａ、あるいは第２のベースフィルム１１２のエッジ１１２ａと交差する領域において、連続的に変化する。この変化は、第１実施形態と同様、エッジ１０２ａ上の位置に対し、曲線で表され、エッジ１０２ａ上の位置に対する距離Ｌのプロットの傾き（微分係数）は連続的に変化する。
【００９２】
本実施形態では、図２５に示すように、アンダーコート２００やゲート絶縁膜２０４、層間膜２０８、絶縁膜２２２、第１の層２５２、第３の層２５６の全てが、エッジ１０２ａから部分的に除去されて領域２７０を形成し、これらの膜の側壁は同一平面上に存在する例が示されている。また、領域２７０では可撓性基板１０２は樹脂層１０８と接する。しかしながら、本実施形態はこの形態に限られず、活性領域１０４内に存在する絶縁膜の少なくとも一つがエッジ１０２ａから部分的に除去され、その側壁が上述した構造を有していればよい。
【００９３】
領域２７０の幅が一定、すなわち、部分的に除去された絶縁膜の側壁がエッジ１０２ａと平行である場合、図２４（Ｂ）に示すように、エッジ１１０ａやエッジ１１２ａとの交差部において絶縁膜にクラック１８０が発生する。これは図２４（Ｂ）の鎖線Ｅ−Ｅ’に沿った断面である図２６に示すように、カットライン１７４に沿ったトリミングによって可撓性基板１０２やその上に設けられる絶縁膜が変形するが、その際、エッジ１１０ａやエッジ１１２ａと接する部分（図中、矢印で示した部分）には大きな圧力が局所的に印加されるためである。このため、図２４（Ｂ）に示すように、エッジ１１０ａやエッジ１１２ａと交差する部分から絶縁膜にクラック１８０が発生し、可撓性基板１０２内部へと進行する。
【００９４】
しかしながら、絶縁膜の側壁に湾曲部を形成し、湾曲部をエッジ１１０ａやエッジ１１２ａと交差させることで、クラック１８０の発生を防止する、あるいはクラック１８０の成長を抑制することができる。このため、表示装置１００の歩留まりが改善され、かつ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００９５】
図２４（Ａ）に示した例では、配線１２４はエッジ１１０ａからエッジ１１２ａにわたる領域において直線形状を有しているが、配線１２４は、図２７（Ａ）に示すように、エッジ１１０ａやエッジ１１２ａと交差する部分において、エッジ１０２ａからの距離が大きくなるよう、湾曲形状を有していてもよい。この湾曲形状は、配線１２４が形成される面において、エッジ１０２ａに対し、可撓性基板１０２の内部へ窪む形状である。各配線１２４は湾曲形状を複数有し、湾曲形状の間では配線１２４は直線状に延伸してもよい。
【００９６】
切り欠き部２７２は可撓性基板１０２の両辺に形成することができる。具体的には図２８に示すように、可撓性基板１０２の互いに対向する両辺に、エッジ１１０ａ、１１０ｂと交差するよう、絶縁膜に切り欠き部２７２を形成することができる。この場合、一つのエッジ（例えばエッジ１１０ａ）に交差する切り欠き部２７２は互いに対称関係にあり、切り欠き部２７２が可撓性基板１０２の内側に向くよう、領域２７０が形成される。
【００９７】
したがって配線１２４の湾曲形状も、互いに対向する切り欠き部２７２の対称関係に従い、可撓性基板１０２上の位置によって異なってもよい。具体的には図２８に示すように、各配線１２４の湾曲部は、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａ、１０２ｂから内側に湾曲するように配置することができる。例えば一つのエッジ（例えばエッジ１０２ａ）よりも、そのエッジに対向するエッジ（例えばエッジ１０２ｂ）に近い配線１２４の湾曲部は、そのエッジ（エッジ１０２ａ）の方向に湾曲する。逆に、エッジ１０２ｂよりもエッジ１０２ａに近い配線の湾曲部は、エッジ１０２ｂの方向に湾曲する。これらの配線１２４は、配線１２４が延伸する方向に平行な直線に関し、互いに対称になるよう配置される。
【００９８】
このような配線配置では、互いに対称関係にあり、かつ、互いに隣接する一対の配線（図２８中の配線１２４ａ、１２４ｂ）が可撓性基板１０２の中央、もしくはその付近に配置される。配線１２４ａと１２４ｂの湾曲部の湾曲方向は互いに逆となる。このため、湾曲部が互いに接しないよう、配線１２４ａと１２４ｂ間の間隔Ｄ２が、他の配線１２４の間隔Ｄ１よりも大きくなるよう、配線１２４を配置してもよい。具体的には、互いに隣接し、かつ、湾曲部が同じ方向を向く配線１２４間の間隔Ｄ１と比較して間隔Ｄ２が大きくなるよう、配線１２４を配置することができる。
【００９９】
配線１２４の湾曲形状は図２７（Ａ）に示したものに限られず、例えば図２７（Ｂ）に示すように、配線１２４は、エッジ１１０ａとエッジ１１２ａの間にわたって波状の形状を維持してもよい。すなわち、エッジ１１０ａとエッジ１１２ａの間にわたり、配線１２４は実質的に湾曲形状によって構成され、かつ配線１２４は一つ以上の変曲点を有することができる。
【０１００】
カットライン１７４に沿ってトリミングを行う場合、カッターからの圧力に起因して配線１２４も変形する。しかしながらこのような湾曲形状を配線１２４に付与することで、変形後の配線１２４の曲率を小さくすることができるため、配線１２４の損傷を抑制することができ、その結果、配線１２４の断線を防止することができる。これにより、信頼性の高い表示装置１００を提供することができる。
【０１０１】
あるいは図２９（Ａ）に示すように、配線１２４が形成される平面内において、配線１２４は、エッジ１１０ａあるいはエッジ１１２ａと交差する部分で、エッジ１０２ａからの距離が増大するように、折れ曲がった構造を有していてもよい。すなわち、配線１２４は互いに異なる方向のベクトルを有する二つの直線部を有し、その直線部はエッジ１１０ａあるいはエッジ１１２ａと交差する部分において互いに接続される。この場合配線１２４は、エッジ１１０ａとエッジ１１２ａ間では、エッジ１０２ａに平行な直線部分を有してもよい。
【０１０２】
あるいは図２９（Ｂ）に示すように、配線１２４はエッジ１１０ａとエッジ１１２ａ間にわたってジグザグ形状を有してもよい。この場合、配線１２４はエッジ１１０ａとエッジ１１２ａ間において複数の直線部で構成され、これらの直線部はエッジ１０２ａに対して傾いている。
【０１０３】
図２９（Ａ）や図２９（Ｂ）で示す構造を有する配線１２４は、エッジ１１０ａ、あるいはエッジ１１２ａとの交差部において、エッジ１０２ａに対して斜めのベクトル成分を有しているため、トリミング時における圧力が印加されても、変形後の配線１２４の曲率を小さくすることができる。このため、配線１２４の損傷を抑制することができ、その結果、配線１２４の断線を防止することができる。これにより、信頼性の高い表示装置１００を提供することができる。
【０１０４】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１実施形態の表示装置１００とは構造が異なる表示装置３１０に関して説明する。第１から第４実施形態で示した構成と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
【０１０５】
表示装置１００と同様、表示装置３１０の可撓性基板１０２の幅は、配線領域１３６では一定ではなく、連続的に幅が変化する部分を有している。しかしながら図３０に示すように、表示装置１００とは異なり、活性領域１０４よりも端子１２２に近い配線領域１３６の幅は、端子１２２よりも活性領域１０４に近い配線領域１３６の幅よりも小さい。
【０１０６】
このため、可撓性基板１０２のエッジ１０２ａの一部は湾曲する。湾曲した部分では、図３１に示すように、絶縁膜のすべて、あるいは一部が除去されて形成される領域２７０は、湾曲した部分を取り囲むように、配線１２４が形成される面内において可撓性基板１０２の内側に凹んだ形状を有している。すなわち、絶縁膜の全て、あるいは一部は、エッジ１０２の湾曲部の少なくとも一部を囲むように、えぐれた切り欠き部２７４を有している。このため、エッジ１０２ａと部分的に除去された絶縁膜の側壁間の距離Ｌは、エッジ１０２ａが湾曲した部分では一定ではなく、変化する。この変化は、表示装置１００のそれと同様である。
【０１０７】
図示していないが、表示装置３００と同様、領域２７０は、第１のベースフィルム１１０のエッジ１１０ａ、あるいは第２のベースフィルム１１２のエッジ１１２ａと交差する切り欠き部２７２を有していてもよい。
【０１０８】
表示装置１００と同様、湾曲したエッジ１０２ａの近傍において、無機化合物を含む絶縁膜、有機化合物を含む絶縁膜、あるいはこれらの両方を部分的に除去して切り欠き部２７４を形成することで、トリミング時のクラックが発生を抑制することができる。その結果、表示装置の製造歩留りが改善されるだけでなく、信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。
【０１０９】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０１１０】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１１１】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１１２】
１００：表示装置、１０２：可撓性基板、１０２ａ：エッジ、１０４：活性領域、１０６：キャップフィルム、１０８：樹脂層、１１０：第１のベースフィルム、１１０ａ：エッジ、１１２：第２のベースフィルム、１１２ａ：エッジ、１１４：偏光板、１１６：スペーサ、１１８：コネクタ、１２０：ＩＣチップ、１２２：端子、１２４：配線、１２６：熱拡散板、１３０：表示領域、１３２：画素、１３４：駆動回路、１３６：配線領域、１４０：領域、１４２：領域、１４４：法線、１４６：変曲点、１４８：領域、１５０：トランジスタ、１５２：トランジスタ、１５４：配線、１５６：配線、１６０：表示素子、１７０：マザーガラス、１７２：破線、１７４：カットライン、１７６：ラミネーションフィルム、１７８：開口部、１８０：クラック、２００：アンダーコート、２０２：半導体膜、２０２ａ：チャネル領域、２０２ｂ：ドレイン領域、２０２ｃ：低濃度不純物領域、２０４：ゲート絶縁膜、２０６：ゲート、２０８：層間膜、２１０：ソース、２１２：ドレイン、２１４：平坦化膜、２１６：接続電極、２２０：付加容量電極、２２２：絶縁膜、２２４：隔壁、２３０：第１の電極、２３２：ＥＬ層、２３４：正孔注入／輸送層、２３６：発光層、２３８：電子注入／輸送層、２４０：第２の電極、２５０：パッシベーション膜、２５２：第１の層、２５４：第２の層、２５６：第３の層、２６０：接着層、２７０：領域、２７２：切り欠き部、２７４：切り欠き部、３００：表示装置、３１０：表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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