(57)【要約】【課題】ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子（撮像素子）に損傷が発生し難い構成、構造を有する固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置１０は、半導体基板３１に形成され、有効画素領域１１に複数の光電変換素子２１が配列されて成る光電変換素子群、及び、半導体基板３１の上方に形成され、光電変換素子２１に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子５０を備えており、有効画素領域１１の外側に位置する周辺領域１３には導体最上層７０が配設されており、ワイヤグリッド偏光素子５０が形成された第１面３０Ａは、導体最上層７０が形成された第２面３０Ｂよりも上方に位置し、ワイヤグリッド偏光素子５０は、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０を介して導体最上層７０に接続されている。【選択図】  図１
2018182022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、導体最上層が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された面を第１面、導体最上層が形成された面を第２面としたとき、第１面は第２面よりも上方に位置し、
ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して導体最上層に接続されている固体撮像装置。
【請求項２】
光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は、第２面上に位置する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子延在部は、光学的黒画素領域から周辺領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子延在部によって遮光されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
光学的黒画素領域は導体最上層によって遮光されている請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
有効画素領域の上方から周辺領域の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズが形成されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、パッド部が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された層とパッド部が形成された層とは、同じ層内に位置しており、
ワイヤグリッド偏光素子とパッド部とは電気的に接続されている固体撮像装置。
【請求項９】
光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子とを接続する、光を通過させないフレーム部から構成されている請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子によって遮光されている請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
有効画素領域の上方から周辺領域の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズが形成されている請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている請求項８に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像装置に関し、より具体的には、ワイヤグリッド偏光素子を備えた表面照射型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤグリッド偏光素子（Wire Grid Polarizer，ＷＧＰ）が設けられた光電変換素子を複数有する固体撮像装置が、例えば、特開２０１６−１６４９５６号公報から周知である。有効画素領域に含まれ、入射した光に基づき電流を生成する光電変換素子（撮像素子）は、例えば、ＣＣＤ素子（Charge Coupled Device：電荷結合素子）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補性金属酸化膜半導体）イメージセンサーから成る。ワイヤグリッド偏光素子は、光電変換素子の光入射側に配設され、ライン・アンド・スペース構造を有する。ライン・アンド・スペース構造の延びる方向を、便宜上、『第１の方向』と呼び、ライン部の繰り返し方向（第１の方向と直交する方向）を、便宜上、『第２の方向』と呼ぶ。
【０００３】
図５４に概念図を示すように、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ0が入射する電磁波の波長λ0よりも有意に小さい場合、ワイヤグリッドの延在方向（第１の方向）に平行な平面で振動する電磁波は、選択的にワイヤグリッドにて反射・吸収される。ここで、ライン部とライン部との間の距離（第２の方向に沿ったスペース部の距離、長さ）を、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ0とする。すると、図５４に示すように、ワイヤグリッド偏光素子に到達する電磁波（光）には縦偏光成分と横偏光成分が含まれるが、ワイヤグリッド偏光素子を通過した電磁波は縦偏光成分が支配的な直線偏光となる。ここで、可視光波長帯に着目して考えた場合、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ0がワイヤグリッド偏光素子へ入射する電磁波の実効波長λeffよりも有意に小さい場合、第１の方向に平行な面に偏った偏光成分はワイヤグリッドの表面で反射若しくは吸収される。一方、第２の方向に平行な面に偏った偏光成分を有する電磁波がワイヤグリッドに入射すると、ワイヤグリッドの表面を伝播した電場がワイヤグリッドの裏面から入射波長と同じ波長、同じ偏光方位のまま透過（出射）する。ここで、スペース部に存在する物質に基づき求められた平均屈折率をｎaveとしたとき、実効波長λeffは、（λ0／ｎave）で表される。平均屈折率ｎaveとは、スペース部において存在する物質の屈折率と体積の積を加算して、スペース部の体積で除した値である。波長λ0の値を一定とした場合、ｎaveの値が小さいほど、実効波長λeffの値は大きくなり、従って、形成ピッチＰ0の値を大きくすることができる。また、ｎaveの値が大きくなるほど、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の低下、消光比の低下を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１６４９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子が帯電し、一種の放電が発生する結果、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子に損傷が発生するといった問題が生じ得る。しかしながら、上記の特許公開公報には、ワイヤグリッド偏光素子形成時のこのような問題に関して、何ら、言及されていない。
【０００６】
従って、本開示の目的は、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子（撮像素子）に損傷が発生し難い構成、構造を有する固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る固体撮像装置は、
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子（撮像素子）が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、導体最上層が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された面を第１面、導体最上層が形成された面を第２面としたとき、第１面は第２面よりも上方に位置し、
ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して導体最上層に接続されている。
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る固体撮像装置は、
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子（撮像素子）が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、パッド部が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された層とパッド部が形成された層とは、同じ層内に位置しており、
ワイヤグリッド偏光素子とパッド部とは電気的に接続されている。
【０００９】
即ち、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置と本開示の第２の態様に係る固体撮像装置とは、ワイヤグリッド偏光素子が形成された第１面（層）と、導体最上層（あるいはパッド部）が形成された第２面（層）との位置関係が異なり、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置にあっては、第１面は第２面よりも上方に位置し、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、同じ層内に位置する（第１面と第２面とは同じ面内に位置する）。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して導体最上層に接続されているので、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子が帯電し、一種の放電が発生する結果、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子（撮像素子）に損傷が発生するといった問題の発生を確実に回避することができる。また、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、ワイヤグリッド偏光素子とパッド部とは電気的に接続されているので、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子が帯電し、一種の放電が発生する結果、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子（撮像素子）に損傷が発生するといった問題の発生を確実に回避することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施例１の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、実施例２の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図３】図３は、実施例３の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図４】図４は、実施例４の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図５】図５は、実施例５の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図６】図６は、実施例６の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図７】図７は、実施例７の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図８】図８は、実施例８の固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、実施例８の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、実施例１の固体撮像装置の概念図である。
【図１１】図１１は、実施例１の固体撮像装置における有効画素領域、光学的黒画素領域及び周辺領域の配置を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子の等価回路図である。
【図１３】図１３は、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な斜視図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、本開示の固体撮像装置におけるワイヤグリッド偏光素子及び変形例の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、本開示の固体撮像装置におけるワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、実施例１の固体撮像装置におけるワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図１８】図１８は、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子の模式的な部分的平面図である。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第１変形例における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２０】図２０は、実施例１の固体撮像装置の第１変形例における光電変換素子の模式的な部分的平面図である。
【図２１】図２１Ａ及び図２１Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第２変形例における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２２】図２２Ａ及び図２２Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第２変形例における光電変換素子の模式的な部分的平面図、及び、実施例１の固体撮像装置の第２変形例の変形におけるワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２３】図２３Ａ及び図２３Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第３変形例における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２４】図２４Ａ及び図２４Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第３変形例における光電変換素子の模式的な部分的平面図、及び、実施例１の固体撮像装置の第３変形例の変形におけるワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂは、実施例１の固体撮像装置の第５変形例における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図である。
【図２６】図２６は、実施例１の固体撮像装置の第５変形例における光電変換素子の模式的な部分的平面図である。
【図２７】図２７は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図２８】図２８は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図２９】図２９は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３０】図３０は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３１】図３１は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３２】図３２は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３３】図３３は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３４】図３４は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３５】図３５は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３６】図３６は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３７】図３７は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３８】図３８は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図３９】図３９は、ベイヤ配列を有する光電変換素子の変形例の平面レイアウト図である。
【図４０】図４０は、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な斜視図である。
【図４１】図４１は、実施例１の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４２】図４２は、図４１に示した実施例１の固体撮像装置の変形例における有効画素領域、光学的黒画素領域及び周辺領域の配置を模式的に示す図である。
【図４３】図４３は、実施例１の固体撮像装置の別の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４４】図４４は、実施例２の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４５】図４５は、実施例３の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４６】図４６は、実施例４の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４７】図４７は、実施例５の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４８】図４８は、実施例６の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図４９】図４９は、実施例７の固体撮像装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図５０】図５０は、実施例８の固体撮像装置の別の変形例の模式的な一部断面図である。
【図５１】図５１は、本開示の固体撮像装置を電子機器（カメラ）を用いた例の概念図である。
【図５２】図５２Ａ、図５２Ｂ、図５２Ｃ及び図５２Ｄは、実施例１の固体撮像装置を構成するワイヤグリッド偏光素子の製造方法を説明するための下地絶縁層等の模式的な一部端面図である。
【図５３】図５３は、第３の態様に係る固体撮像装置の模式的な一部断面図である。
【図５４】図５４は、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光等を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る固体撮像装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の別の変形）
６．実施例５（実施例１の別の変形）
７．実施例６（実施例１の別の変形）
８．実施例７（実施例１の別の変形）
９．実施例８（本開示の第２の態様に係る固体撮像装置）
１０．その他
【００１３】
〈本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明〉
複数の光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されているが、便宜上、光電変換素子の一方の配列方向を『ｘ0方向』と呼び、他方の配列方向を『ｙ0方向』と呼ぶ。ｘ0方向とｙ0方向とは、直交していることが好ましい。ｘ0方向は所謂行方向あるいは所謂列方向であり、ｙ0方向は列方向あるいは行方向である。
【００１４】
本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、導体最上層には、所定の電位が印加される形態とすることができる。また、ワイヤグリッド偏光素子延在部は、光を通過させない構造を有する形態とすることができる。
【００１５】
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、
光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は第２面上（第２面内）に位置する形態とすることができる。遮光部を設けることで、光学的クロストークの低減を図ることができる。遮光部は、導体最上層と同じ構成を有する形態とすることができる。
【００１６】
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子延在部は、光学的黒画素領域から周辺領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子延在部によって遮光されている構成とすることができる。そして、これによって、光学的黒画素領域における暗電流特性の改善を図ることができる。
【００１７】
有効画素領域においては、通常、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷が増幅され、駆動回路に読み出される。また、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）においては、黒レベルの基準になる光学的黒が出力される。
【００１８】
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されている構成とすることができる。そして、この場合、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）は、導体最上層によって遮光されている形態とすることができる。
【００１９】
本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、
光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子とを接続する、光を通過させないフレーム部から構成されている形態とすることができる。遮光部を設けることで、光学的クロストークの低減を図ることができる。そして、このような形態を含む本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、
有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子によって遮光されている構成とすることができ、これによって、光学的黒画素領域における暗電流特性の改善を図ることができる。尚、フレーム部は、限定するものではないが、一種、額縁状に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子を取り囲んで配設されていることが好ましい。また、光学的黒画素領域がワイヤグリッド偏光素子によって遮光されている場合、光学的黒画素領域を遮光するワイヤグリッド偏光素子の部分（以下、この部分を、『光を通過させないワイヤグリッド偏光素子の部分』と呼ぶ場合がある）の構造は、例えば、フレーム部の構造と同じとすることができる。
【００２０】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置において、有効画素領域の上方から周辺領域の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズが形成されている形態とすることができる。
【００２１】
更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置において、半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている形態とすることができる。そして、これによって、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。
【００２２】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置（以下、これらを総称して、単に、『本開示の固体撮像装置等』と呼ぶ場合がある）において、ワイヤグリッド偏光素子は、複数の光電変換素子において共通である。具体的には、ワイヤグリッド偏光素子は、固体撮像装置を構成する光電変換素子の全てにおいて共通である形態とすることもできるし、固体撮像装置を構成する光電変換素子を複数のブロックに所属するように分割したとき、各ブロックおいて共通である形態とすることもできる。そして、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、有効画素領域の外側に位置する周辺領域には導体最上層が配設されているが、導体最上層の配設箇所は、ワイヤグリッド偏光素子の構成に依存して、１箇所であってもよいし、複数箇所であってもよい。有効画素領域におけるワイヤグリッド偏光素子と周辺領域における導体最上層とを結ぶ領域にはワイヤグリッド偏光素子延在部が配設されているが、周辺領域にワイヤグリッド偏光素子は設けられていない。周辺領域にワイヤグリッド偏光素子を設けないことで、回路容量の低減を図ることができる。本開示の固体撮像装置等において、ワイヤグリッド偏光素子は、半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられているが、具体的には、半導体基板の上には層間絶縁層が形成されており、層間絶縁層の頂面あるいは層間絶縁層の上に形成された下地絶縁層の上にワイヤグリッド偏光素子が形成されている。本開示の第１の態様に係る固体撮像装置において、ワイヤグリッド偏光素子が形成された第１面は下地絶縁層の頂面に相当し、導体最上層が形成された第２面は層間絶縁層の頂面に相当する。また、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、ワイヤグリッド偏光素子が形成された第１面は層間絶縁層の頂面に相当し、パッド部が形成された第２面も層間絶縁層の頂面に相当する。
【００２３】
本開示の固体撮像装置等において、ワイヤグリッド偏光素子は、少なくとも帯状の光反射層及び光吸収層の積層構造体（光吸収層が光入射側に位置する）が、複数、離間して並置されて成る形態（即ち、ライン・アンド・スペース構造を有する形態）とすることができる。あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子は、帯状の光反射層、絶縁膜及び光吸収層の積層構造体（光吸収層が光入射側に位置する）が、複数、離間して並置されて成る形態とすることができる。尚、この場合、積層構造体における光反射層と光吸収層とは絶縁膜によって離間されている構成（即ち、光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている構成）とすることもできるし、絶縁膜の一部が切り欠かれ、光反射層と光吸収層とは絶縁膜の切欠き部において接している構成とすることもできる。そして、これらの場合、光反射層は第１導電材料から成り、光吸収層は第２導電材料から成る形態とすることができる。このような構成にすることで、光吸収層及び光反射層の全領域が導体最上層あるいはパッド部に電気的に接続される結果、一層確実に放電の発生を防止することができる。あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子は、絶縁膜が省略され、光入射側側から、光吸収層及び光反射層が積層されて成る構成とすることができる。
【００２４】
これらのワイヤグリッド偏光素子は、例えば、
（Ａ）例えば光電変換素子を形成した後、光電変換素子の上方に、第１導電材料から成り、基板又は光電変換素子と電気的に接続された光反射層形成層を設け、次いで、
（Ｂ）光反射層形成層の上に絶縁膜形成層を設け、絶縁膜形成層の上に、第２導電材料から成り、少なくとも一部が光反射層形成層と接した光吸収層形成層を設け、その後、
（Ｃ）光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングすることで、帯状の光反射層、絶縁膜及び光吸収層のライン部が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子を得る、
各工程に基づき製造することができる。尚、
工程（Ｂ）において、基板又は光電変換素子を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、第２導電材料から成る光吸収層形成層を設け、
工程（Ｃ）において、基板又は光電変換素子を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングする形態とすることができる。
【００２５】
また、光反射層の下に下地膜が形成されている構成とすることができ、これによって、光反射層形成層（後述する）、光反射層のラフネスを改善することができる。下地膜（バリアメタル層）を構成する材料として、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造を挙げることができる。
【００２６】
以下において、ワイヤグリッド偏光素子を構成する積層構造体を、便宜上、『第１積層構造体』と呼び、ワイヤグリッド偏光素子延在部あるいは光を通過させないワイヤグリッド偏光素子の部分を構成する積層構造体を、便宜上、『第２積層構造体』と呼ぶ場合がある。
【００２７】
光を通過させないワイヤグリッド偏光素子延在部あるいは光を通過させないワイヤグリッド偏光素子の部分は、ワイヤグリッド偏光素子を構成する積層構造体と同じ構成の積層構造体（即ち、少なくとも光反射層及び光吸収層から成り、例えば、光反射層、絶縁膜及び光吸収層から成る第２積層構造体であり、ライン・アンド・スペース構造が設けられていない、所謂ベタ膜の構造）から構成することができる。ワイヤグリッド偏光素子延在部に要求される機能にも依るが（即ち、遮光機能が不要な場合には）、第２積層構造体は、ワイヤグリッド偏光素子として機能しないのであれば、ワイヤグリッド偏光素子のようにライン・アンド・スペース構造が設けられていてもよい。即ち、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ0が入射する電磁波の実効波長よりも充分に大きい構造を有していてもよい。
【００２８】
フレーム部も、第２積層構造体から構成すればよい。場合によっては、フレーム部は第１積層構造体から構成してもよい。フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部（後述する）と連結されていることが好ましい。フレーム部を遮光部として機能させることもできる。
【００２９】
本開示の固体撮像装置等におけるワイヤグリッド偏光素子において、帯状の光反射層の延びる方向は、消光させるべき偏光方位と一致しており、帯状の光反射層の繰り返し方向は、透過させるべき偏光方位と一致している構成とすることができる。即ち、光反射層は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子に入射した光の内、光反射層の延びる方向と平行な方向に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させ、光反射層の延びる方向と直交する方向（帯状の光反射層の繰り返し方向）に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。即ち、光反射層の延びる方向がワイヤグリッド偏光素子の光吸収軸となり、光反射層の延びる方向と直交する方向がワイヤグリッド偏光素子の光透過軸となる。また、第２の方向はｘ0方向あるいはｙ0方向と平行である形態とすることができる。帯状の（即ち、ライン・アンド・スペース構造のライン部を構成する）光反射層の延びる方向を、便宜上、『第１の方向』と呼び、帯状の光反射層（ライン部）の繰り返し方向（帯状の光反射層の延びる方向と直交する方向）を、便宜上、『第２の方向』と呼ぶ場合がある。
【００３０】
即ち、本開示の固体撮像装置等にあっては、光吸収層から光が入射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子は、光の透過、反射、干渉、光学異方性による偏光波の選択的光吸収の４つの作用を利用することで、第１の方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させると共に、第２の方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。即ち、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰される。帯状の光反射層は偏光子として機能し、光吸収層及び絶縁膜を透過した一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）を反射する。このとき、光吸収層を透過し、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）の位相が半波長分ずれるように絶縁膜を構成すれば、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）との干渉により打ち消し合って減衰される。以上のようにして、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）を選択的に減衰させることができる。但し、上述したように、絶縁膜の厚さが最適化されていなくても、コントラストの向上を実現することができる。それ故、上述したように、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき、絶縁膜の厚さを決定すればよい。
【００３１】
光反射層（光反射層形成層）は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができるし、光吸収層は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができる。光反射層（光反射層形成層）を構成する無機材料として、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。
【００３２】
光吸収層（あるいは、後述する光吸収層形成層）を構成する材料として、消衰係数ｋが零でない、即ち、光吸収作用を有する金属材料や合金材料、半導体材料、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。また、ＦｅＳｉ2（特にβ−ＦｅＳｉ2）、ＭｇＳｉ2、ＮｉＳｉ2、ＢａＳｉ2、ＣｒＳｉ2、ＣｏＳｉ2等のシリサイド系材料を挙げることもできる。特に、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、アルミニウム又はその合金、あるいは、β−ＦｅＳｉ2や、ゲルマニウム、テルルを含む半導体材料を用いることで、可視光域で高コントラスト（高消光比）を得ることができる。尚、可視光以外の波長帯域、例えば赤外域に偏光特性を持たせるためには、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を用いることが好ましい。これらの金属の共鳴波長が赤外域近辺にあるからである。
【００３３】
光反射層形成層、光吸収層形成層は、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、ゾル−ゲル法、メッキ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、光反射層形成層、光吸収層形成層のパターニング法として、リソグラフィ技術とエッチング技術との組合せ（例えば、四フッ化炭素ガス、六フッ化硫黄ガス、トリフルオロメタンガス、二フッ化キセノンガス等を用いた異方性ドライエッチング技術や、物理的エッチング技術）や、所謂リフトオフ技術、サイドウォールをマスクとして用いる所謂セルフアラインダブルパターニング技術を挙げることができる。リソグラフィ技術として、フォトリソグラフィ技術（高圧水銀灯のｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＥＵＶ等を光源として用いたリソグラフィ技術、及び、これらの液浸リソグラフィ技術、電子線リソグラフィ技術、Ｘ線リソグラフィ）を挙げることができる。あるいは又、フェムト秒レーザ等の極短時間パルスレーザによる微細加工技術や、ナノインプリント法に基づき、光反射層や光吸収層を形成することもできる。
【００３４】
絶縁膜（あるいは、後述する絶縁膜形成層）や層間絶縁層、下地絶縁層、平坦化膜を構成する材料として、入射光に対して透明であり、光吸収特性を有していない絶縁材料、具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＰｂＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）等のＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）、ＳｉＮ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、低誘電率絶縁材料（例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、有機ＳＯＧ、パリレン、フッ化フラーレン、アモルファスカーボン）、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ)系材料）を挙げることができ、単独、あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。あるいは又、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ポリイミド；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）；ポリスチレン；Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）；ノボラック型フェノール樹脂；フッ素系樹脂；オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。絶縁膜形成層は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、ゾル−ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。絶縁膜は、光吸収層の下地層として機能すると共に、光吸収層で反射された偏光光と、光吸収層を透過し、光反射層で反射された偏光光の位相を調整し、干渉効果により消光比と透過率を向上させ、反射率を低減する目的で形成される。従って、絶縁膜は、１往復での位相が半波長分ずれるような厚さとすることが望ましい。但し、光吸収層は、光吸収効果を有するが故に、反射された光が吸収される。従って、絶縁膜の厚さが、上述のように最適化されていなくても、消光比の向上を実現することができる。それ故、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき絶縁膜の厚さを決定すればよく、例えば、１×１０-9ｍ乃至１×１０-7ｍ、より好ましくは、１×１０-8ｍ乃至８×１０-8ｍを例示することができる。また、絶縁膜の屈折率は、１．０より大きく、限定するものではないが、２．５以下とすることが好ましい。
【００３５】
光電変換素子の駆動を制御する制御部を構成する浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造は、従来の制御部における浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造と同様とすることができる。駆動回路も周知の構成、構造とすることができる。
【００３６】
本開示の固体撮像装置等において、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である形態（即ち、スペース部は少なくとも空気で満たされている形態）とすることもできる。このように、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで、平均屈折率ｎaveの値を小さくすることができる結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＰ0の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜が形成された形態とすることもでき、これによって、高い信頼性を有する光電変換素子、固体撮像装置を提供することができるし、保護膜を設けることで、ワイヤグリッド偏光素子の耐湿性の向上等、信頼性を向上させることができる。保護膜の厚さは、偏光特性に影響を与えない範囲の厚さとすればよい。入射光に対する反射率は保護膜の光学厚さ（屈折率×保護膜の膜厚）によっても変化するので、保護膜の材料と厚さは、これらを考慮して決定すればよく、厚さとして、１５ｎｍ以下を例示することができ、あるいは又は、積層構造体と積層構造体との間の距離の１／４以下を例示することができる。保護膜を構成する材料として、屈折率が２以下、消衰係数が零に近い材料が望ましく、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2を含むＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ等の絶縁材料や、酸化アルミニウム（ＡｌＯX）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等の金属酸化物を挙げることができる。あるいは又、パーフルオロデシルトリクロロシランやオクタデシルトリクロロシランを挙げることができる。保護膜は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、ゾル−ゲル法等の公知のプロセスによって形成することができるが、所謂単原子成長法（ＡＬＤ法、Atomic Layer Doposition 法）や、ＨＤＰ−ＣＶＤ法（高密度プラズマ化学的気相成長法）を採用することが、より好ましい。ＡＬＤ法やＨＤＰ−ＣＶＤ法を採用することで、薄い保護膜をコンフォーマルにワイヤグリッド偏光素子上に形成することができる。保護膜は、ワイヤグリッド偏光素子の全面に形成してもよいが、ワイヤグリッド偏光素子の側面にのみ形成し、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子との間に位置する下地絶縁層の上には形成しない形態とすることができる。そして、このように、ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料等の露出した部分である側面を覆うように保護膜を形成することで、大気中の水分や有機物を遮断することができ、ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料等の腐食や異常析出といった問題の発生を確実に抑制することができる。そして、光電変換素子の長期信頼性の向上を図ることが可能となり、より高い信頼性を有するワイヤグリッド偏光素子をオンチップで備える光電変換素子の提供が可能となる。
【００３７】
そして、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成する場合、更には、
ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ1、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ2としたとき、
ｎ1＞ｎ2
を満足する形態とすることができる。ｎ1＞ｎ2 を満足することで、平均屈折率ｎaveの値を確実に小さくすることができる。ここで、保護膜はＳｉＮから成り、第２保護膜はＳｉＯ2又はＳｉＯＮから成ることが好ましい。
【００３８】
更には、少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている形態とすることができる。即ち、スペース部は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜が存在する。ここで、第３保護膜を構成する材料として、屈折率が２以下、消衰係数が零に近い材料が望ましく、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2を含むＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ等の絶縁材料や、酸化アルミニウム（ＡｌＯX）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等の金属酸化物を挙げることができる。あるいは又、パーフルオロデシルトリクロロシランやオクタデシルトリクロロシランを挙げることができる。第３保護膜は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、ゾル−ゲル法等の公知のプロセスによって形成することができるが、所謂単原子成長法（ＡＬＤ法、Atomic Layer Doposition 法）や、ＨＤＰ−ＣＶＤ法（高密度プラズマ化学的気相成長法）を採用することが、より好ましい。ＡＬＤ法を採用することで、薄い第３保護膜をコンフォーマルにワイヤグリッド偏光素子上に形成することができるが、より一層薄い第３保護膜をライン部の側面に形成するといった観点から、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を採用することが更に一層好ましい。あるいは又、スペース部を、第３保護膜を構成する材料で充填し、しかも、第３保護膜に、隙間、空孔、ボイド等を設ければ、第３保護膜全体の屈折率を低下させることができる。
【００３９】
ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料や合金材料（以下、『金属材料等』と呼ぶ場合がある）が外気と接触すると、外気からの水分や有機物の付着によって金属材料等の腐食耐性が劣化し、光電変換素子の長期信頼性が劣化する虞がある。特に、金属材料等−絶縁材料−金属材料等のライン部（積層構造体）に水分が付着すると、水分中にはＣＯ2やＯ2が溶解しているために電解液として作用し、２種類のメタル間の間で局部電池が形成される虞がある。そして、このような現象が生じると、カソード（正極）側では水素発生等の還元反応が進み、アノード（負極側）では酸化反応が進むことにより、金属材料等の異常析出やワイヤグリッド偏光素子の形状変化が発生する。そして、その結果、本来期待されたワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子の性能が損なわれる虞がある。例えば、光反射層としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる場合、以下の反応式で示すようなアルミニウムの異常析出が発生する虞がある。しかしながら、保護膜を形成すれば、また、第３保護膜を形成すれば、このような問題の発生を確実に回避することができる。
Ａｌ  →  Ａｌ3+  ＋  ３ｅ-
Ａｌ3+  ＋  ３ＯＨ-  →   Ａｌ（ＯＨ）3
【００４０】
本開示の固体撮像装置等において、第１の方向に沿った光反射層の長さは、光電変換素子の実質的に光電変換を行う領域である光電変換領域の第１の方向に沿った長さと同じとすることができるし、光電変換素子の長さと同じとすることもできるし、第１の方向に沿った光電変換素子の長さの整数倍とすることもできるが、これら限定するものではない。
【００４１】
本開示の固体撮像装置等において、複数の光電変換素子の配列方向と第１の方向とが成す角度が、例えば、０度の角度を有する光電変換素子と、９０度の角度を有する光電変換素子との組合せとすることができるし、０度の角度を有する光電変換素子と、４５度の角度を有する光電変換素子と、９０度の角度を有する光電変換素子と、１３５度の角度を有する光電変換素子との組合せとすることができる。
【００４２】
本開示の固体撮像装置等において、オンチップ・マイクロレンズ（ＯＣＬ）は、ワイヤグリッド偏光素子の上方に配設された主オンチップ・マイクロレンズから構成することができるし、ワイヤグリッド偏光素子の上方に配設された副オンチップ・マイクロレンズ（インナーレンズ、ＯＰＡ）、及び、副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）の上方に配設された主オンチップ・マイクロレンズから構成することもできる。
【００４３】
そして、このような構成にあっては、ワイヤグリッド偏光素子とオンチップ・マイクロレンズとの間に、波長選択手段（具体的には、例えば、周知のカラーフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。このような構成を採用することで、各ワイヤグリッド偏光素子における透過光の波長帯域において独立してワイヤグリッド偏光素子の最適化を図ることができ、可視光域全域において一層の低反射率を実現することができる。ワイヤグリッド偏光素子と波長選択手段との間には平坦化膜が形成され、ワイヤグリッド偏光素子の下には、ワイヤグリッド偏光素子製造工程においてプロセスの下地として機能するシリコン酸化膜等の無機材料から成る下地絶縁層が形成されている構成とすることができる。副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）の上方に主オンチップ・マイクロレンズが配設されている場合には、副オンチップ・マイクロレンズと主オンチップ・マイクロレンズとの間に、波長選択手段（周知のカラーフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。
【００４４】
カラーフィルタ層として、赤色、緑色、青色、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を透過させるフィルタ層を挙げることができる。カラーフィルタ層を、顔料や染料等の有機化合物を用いた有機材料系のカラーフィルタ層から構成するだけでなく、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８−１７７１９１参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜から構成することもできる。
【００４５】
導体最上層の下方（あるいは又、場合によっては、ワイヤグリッド偏光素子の下方）には光電変換素子を駆動するために、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等から構成された各種配線（配線層）が、例えば、複数層、形成されている。そして、導体最上層あるいはワイヤグリッド偏光素子は、各種配線（配線層）やコンタクトホール部を介して半導体基板に接続されており、これによって、導体最上層、更には、ワイヤグリッド偏光素子に所定の電位を印加することができる。具体的には、導体最上層あるいはワイヤグリッド偏光素子は、例えば、接地されている。導体最上層は、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から構成することができる。また、半導体基板としてシリコン半導体基板、ＩｎＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板を挙げることができる。
【００４６】
光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間に導波路構造を設けてもよいし、集光管構造を設けてもよく、これによって、光学的クロストークの低減を図ることができる。ここで、導波路構造は、光電変換素子を覆う層間絶縁層の光電変換素子と光電変換素子との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、層間絶縁層を構成する材料の屈折率の値よりも大きな値の屈折率を有する薄膜から構成されており、光電変換素子の上方から入射した光は、この薄膜で全反射され、光電変換素子に到達する。即ち、基板に対する光電変換素子の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像の内側に位置し、基板に対する光電変換素子の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像によって囲まれている。また、集光管構造は、光電変換素子を覆う層間絶縁層の光電変換素子と光電変換素子との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、金属材料あるいは合金材料から成る遮光性の薄膜から構成されており、光電変換素子の上方から入射した光が、この薄膜で反射され、光電変換素子に到達する。即ち、基板に対する光電変換素子の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像の内側に位置し、基板に対する光電変換素子の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像によって囲まれている。
【００４７】
本開示の固体撮像装置等においては、１光電変換素子ユニット（１画素）は複数の光電変換素子（副画素）から構成することができる。そして、例えば、各副画素は１つの光電変換素子を備えている。画素と副画素の関係については後述する。光電変換素子、それ自体の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。
【００４８】
本開示の固体撮像装置を構成する全ての光電変換素子がワイヤグリッド偏光素子を備えていてもよいし、一部の光電変換素子がワイヤグリッド偏光素子を備えていてもよい。複数の光電変換素子から構成された光電変換素子ユニットはベイヤ配列を有し、１光電変換素子ユニット（１画素）は４つの光電変換素子（４つの副画素）から構成されている形態とすることができる。但し、光電変換素子ユニットの配列は、ベイヤ配列に限定されず、その他、インターライン配列、ＧストライプＲＢ市松配列、ＧストライプＲＢ完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、斜めストライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、ＭＯＳ型配列、改良ＭＯＳ型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列を挙げることができる。ここで、１つの光電変換素子（撮像素子）によって１つの画素（あるいは副画素）が構成される。例えば、ベイヤ配列の場合、２×２の副画素領域の内の３つの副画素領域のそれぞれに、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層を配置し、本来、緑色のカラーフィルタ層を配置すべき残りの１つの副画素領域にはカラーフィルタ層を配置せず、この残りの１つの副画素領域にワイヤグリッド偏光素子を配置する構成とすることができる。あるいは又、ベイヤ配列の場合、２×２の副画素領域の内の３つの副画素領域のそれぞれに、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層を配置し、残りの１つの副画素領域に緑色のカラーフィルタ層とワイヤグリッド偏光素子を配置する構成とすることもできる。色分離や分光を目的としない場合、若しくは、光電変換素子それ自体が特定波長に感度を有するような光電変換素子にあっては、フィルタは不要な場合がある。また、カラーフィルタ層を配置しない副画素領域にあっては、カラーフィルタ層を配置した副画素領域との間の平坦性を確保するために、カラーフィルタ層の代わりに透明な樹脂層を形成してもよい。即ち、光電変換素子は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換素子、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換素子、青色光に感度を有する青色光用光電変換素子の組合せから構成されていてもよいし、これらに加えて、赤外線に感度を有する赤外線光電変換素子の組合せから構成されていてもよいし、単色の画像を得る固体撮像装置としてもよいし、単色の画像と赤外線に基づく画像の組合せを得る固体撮像装置としてもよい。
【００４９】
本開示の固体撮像装置等における光電変換素子として、ＣＣＤ素子、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、ＣＭＤ（Charge Modulation Device）型の信号増幅型イメージセンサーを挙げることができる。光電変換素子は、表面照射型の光電変換素子である。固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラを構成することができる。そして、通常の撮像に加えて、偏光情報が同時に取得可能な固体撮像装置とすることができる。また、立体画像を撮像する固体撮像装置とすることもできる。
【００５０】
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置によって、単板式カラー固体撮像装置を構成することができる。
【実施例１】
【００５１】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置に関する。実施例１の固体撮像装置の一部断面図を図１に示し、実施例１の固体撮像装置の概念図を図１０に示す。また、実施例１の固体撮像装置における有効画素領域、光学的黒画素領域及び周辺領域の配置を模式的に図１１に示し、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子の等価回路図を図１２に示す。更には、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な斜視図を図１３に示し、実施例１の固体撮像装置におけるワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部端面図を図１４Ａに示し、実施例１の固体撮像装置におけるワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図を図１６に示し、実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図を図１７Ａ及び図１７Ｂに示し、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子の模式的な部分的平面図を図１８に示す。
【００５２】
実施例１の固体撮像装置１０は、
半導体基板３１に形成され、有効画素領域１１に光電変換素子（撮像素子）２１が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板３１の上方に形成され、光電変換素子２１の光入射側に、光電変換素子２１に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子５０、
を備えている。そして、
有効画素領域１１の外側に位置する周辺領域１３には、導体最上層７０が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子５０が形成された面を第１面３０Ａ、導体最上層７０が形成された面を第２面３０Ｂとしたとき、第１面３０Ａは第２面３０Ｂよりも上方に位置し、
ワイヤグリッド偏光素子５０は、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０を介して導体最上層７０に接続されている。
【００５３】
また、有効画素領域１１と周辺領域１３との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２が設けられており、ワイヤグリッド偏光素子５０は、有効画素領域１１から光学的黒画素領域１２に亙り形成されている。更には、図１６の模式的な部分的平面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０を取り囲むフレーム部５９を備えており、フレーム部５９とワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４（後述する）とは連結されている。フレーム部５９はワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４と同じ構造を有し、即ち、第２積層構造体から構成されており、遮光部としても機能する。
【００５４】
ここで、導体最上層７０には、所定の電位が印加される。また、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０は、後述するように、光を通過させない構造を有する。
【００５５】
更には、半導体基板３１には、光電変換素子２１と接続され、光電変換素子２１において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部ＴＲmemが形成されている。
【００５６】
実施例１の固体撮像装置において、周知の構成、構造を有する光電変換素子２１が、シリコン半導体基板３１内に、周知の方法で形成されている。
【００５７】
メモリ部ＴＲmemは、光電変換素子２１、ゲート部２２、チャネル形成領域、及び、高濃度不純物領域２３から構成されている。ゲート部２２は、メモリ選択線ＭＥＭに接続されている。また、高濃度不純物領域２３は、光電変換素子２１と離間して、シリコン半導体基板３１内に、周知の方法で形成されている。高濃度不純物領域２３の上方には遮光膜２４が形成されている。即ち、高濃度不純物領域２３は遮光膜２４で覆われている。これによって、高濃度不純物領域２３に光が入射することを阻止している。電荷を一時的に保存するメモリ部ＴＲmemを備えることで、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。遮光膜２４を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、光を通さない樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）を例示することができる。
【００５８】
図１２にのみ図示する転送トランジスタＴＲtrsは、転送ゲート線ＴＧに接続されたゲート部、チャネル形成領域、高濃度不純物領域２３に接続された（あるいは又、高濃度不純物領域２３と領域を共有した）一方のソース／ドレイン領域、及び、浮遊拡散層ＦＤを構成する他方のソース／ドレイン領域から構成されている。
【００５９】
図１２にのみ図示するリセット・トランジスタＴＲrstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲrstのゲート部はリセット線ＲＳＴに接続され、リセット・トランジスタＴＲrstの一方のソース／ドレイン領域は電源ＶDDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、浮遊拡散層ＦＤを兼ねている。
【００６０】
図１２にのみ図示する増幅トランジスタＴＲampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は配線層を介して、リセット・トランジスタＴＲrstの他方のソース／ドレイン領域（浮遊拡散層ＦＤ）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源ＶDDに接続されている。
【００６１】
図１２にのみ図示する選択トランジスタＴＲselは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬに接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ（１１７）に接続されている。
【００６２】
光電変換素子２１は、また、電荷排出制御トランジスタＴＲABGの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。電荷排出制御トランジスタＴＲABGのゲート部は、電荷排出制御トランジスタ制御線ＡＢＧに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は電源ＶDDに接続されている。
【００６３】
光電変換素子２１の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の光電変換素子における電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００６４】
光電変換素子２１、メモリ部ＴＲmem、転送トランジスタＴＲtrs、リセット・トランジスタＴＲrst、増幅トランジスタＴＲamp、選択トランジスタＴＲsel及び電荷排出制御トランジスタＴＲABGは第１層間絶縁層３２1で覆われている。第１層間絶縁層３２1の上には、配線層３７及びコンタクトパッド部３９が形成されている。コンタクトパッド部３９は、コンタクトホール３８を介してシリコン半導体基板３１に形成された配線部３６に接続されている。
【００６５】
周辺領域１３において、導体最上層７０が形成された第２面３０Ｂの上に、導体最上層７０と離間してパッド部７１が形成されている。導体最上層７０とパッド部７１とは、同じ構造を有し、同時に形成することができるし、第５層間絶縁層３２5にコンタクトパッド部３９，３９’を同時に形成することができるので、工程の削減を図ることができる。
【００６６】
第１層間絶縁層３２1、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’は第２層間絶縁層３２2で覆われている。第２層間絶縁層３２2の上には、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’が形成されている。コンタクトパッド部３９，３９’は、コンタクトホール３８，３８’を介して第１層間絶縁層３２1上に形成されたコンタクトパッド部３９，３９’と接続されている。
【００６７】
第２層間絶縁層３２2、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’は第３層間絶縁層３２3で覆われている。第３層間絶縁層３２3の上には、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’が形成されている。コンタクトパッド部３９，３９’は、コンタクトホール３８，３８’を介して第２層間絶縁層３２2上に形成されたコンタクトパッド部３９，３９’と接続されている。
【００６８】
第３層間絶縁層３２3、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’は第４層間絶縁層３２4で覆われている。第４層間絶縁層３２4の上には、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’が形成されている。コンタクトパッド部３９，３９’は、コンタクトホール３８，３８’を介して第３層間絶縁層３２3上に形成されたコンタクトパッド部３９，３９’と接続されている。
【００６９】
第４層間絶縁層３２4、配線層３７及びコンタクトパッド部３９，３９’は、第５層間絶縁層３２5で覆われている。図面では、第１層間絶縁層３２1、第２層間絶縁層３２2、第３層間絶縁層３２3、第４層間絶縁層３２4及び第５層間絶縁層３２5を纏めて参照番号３２で示しており、また、各層間絶縁層にハッチング線を付すことは省略した。図示した例では４層の配線層を示したが、これに限定するものではなく、配線層の層数は任意である。
【００７０】
第５層間絶縁層３２5の頂面が第２面３０Ｂに該当する。第５層間絶縁層３２5の頂面（第２面３０Ｂ）上には、導体最上層７０及びパッド部７１が形成されている。
【００７１】
第５層間絶縁層３２5並びに導体最上層７０及びパッド部７１は下地絶縁層３３で覆われている。下地絶縁層３３の頂面が第１面３０Ａに該当する。下地絶縁層３３の上に、ワイヤグリッド偏光素子５０及びワイヤグリッド偏光素子延在部６０が形成されている。ワイヤグリッド偏光素子５０は、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０、及び、下地絶縁層３３に形成されたコンタクトホール部６１を介して導体最上層７０に接続されている。導体最上層７０は、コンタクトホール３８、コンタクトパッド部３９を介して配線部３６に接続されており、例えば、接地された状態とされる。パッド部７１も、コンタクトホール３８’、コンタクトパッド部３９’を介して、シリコン半導体基板３１に形成された配線部（図示せず）に接続されている。
【００７２】
ワイヤグリッド偏光素子５０及びワイヤグリッド偏光素子延在部６０は第１平坦化膜３４で覆われている。そして、光電変換素子２１の上方に位置する第１平坦化膜３４の領域の上には副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）８２が配設されている。また、第１平坦化膜３４及び副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）８２は第２平坦化膜で覆われている。そして、光電変換素子２１の上方に位置する第２平坦化膜の領域の上には、波長選択手段（具体的には、例えば、周知のカラーフィルタ層）９１が形成されている。更には、第２平坦化膜及び波長選択手段９１は第３平坦化膜で覆われている。そして、光電変換素子２１の上方に位置する第３平坦化膜の領域の上には主オンチップ・マイクロレンズ８１が配設されている。図面では、第２平坦化膜及び第３平坦化膜を纏めて参照番号３５で示している。
【００７３】
パッド部７１の上方の第１平坦化膜３４、第２平坦化膜及び第３平坦化膜３５には、開口部７２が形成されており、開口部７２を介して、例えば、ワイヤボンディング法によって、パッド部７１は外部の回路や外部の配線と接続される。
【００７４】
ワイヤグリッド偏光素子５０は、ライン・アンド・スペース構造を有する。ワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４は、光入射側とは反対側（実施例１にあっては光電変換素子側）から、第１導電材料（具体的には、アルミニウム（Ａｌ））から成る光反射層５１、ＳｉＯ2から成る絶縁膜５２、及び、第２導電材料（具体的には、タングステン（Ｗ））から成る光吸収層５３が積層された積層構造体（第１積層構造体）から構成されている。光反射層５１の頂面全面に絶縁膜５２が形成されており、絶縁膜５２の頂面全面に光吸収層５３が形成されている。具体的には、光反射層５１は、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から構成され、絶縁膜５２は、厚さ２５ｎｍあるいは５０ｎｍのＳｉＯ2から構成され、光吸収層５３は、厚さ２５ｎｍのタングステン（Ｗ）から構成されている。光反射層５１は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した光の内、光反射層５１の延びる方向（第１の方向）と平行な方向に電界成分を有する偏光波を減衰させ、光反射層５１の延びる方向と直交する方向（第２の方向）に電界成分を有する偏光波を透過させる。第１の方向はワイヤグリッド偏光素子５０の光吸収軸であり、第２の方向はワイヤグリッド偏光素子５０の光透過軸である。下地絶縁層３３と光反射層５１との間には、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜が形成されているが、下地膜の図示は省略した。
【００７５】
実施例１の固体撮像装置において、光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３は、光電変換素子２１において共通である。ワイヤグリッド偏光素子延在部６０及びフレーム部５９は、スペース部５５が設けられていない点を除き、光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３から成る積層構造体（第２積層構造体）から構成されている。
【００７６】
ワイヤグリッド偏光素子５０は、以下の方法で作製することができる。即ち、先ず、下地絶縁層３３にコンタクトホール部６１を形成しておく。そして、下地絶縁層３３上に、ＴｉあるいはＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜（図示せず）、第１導電材料（具体的には、アルミニウム）から成る光反射層形成層５１Ａを真空蒸着法に基づき設ける（図５２Ａ及び図５２Ｂ参照）。次いで、光反射層形成層５１Ａの上に絶縁膜形成層５２Ａを設け、絶縁膜形成層５２Ａの上に、第２導電材料から成る光吸収層形成層５３Ａを設ける。具体的には、ＳｉＯ2から成る絶縁膜形成層５２Ａを、光反射層形成層５１Ａ上にＣＶＤ法に基づき形成する（図５２Ｃ参照）。そして、絶縁膜形成層５２Ａ上に、スパッタリング法によって、タングステン（Ｗ）から成る光吸収層形成層５３Ａを形成する。こうして、図５２Ｄに示す構造を得ることができる。
【００７７】
その後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、光吸収層形成層５３Ａ、絶縁膜形成層５２Ａ及び光反射層形成層５１Ａ、更には、下地膜をパターニングすることで、帯状の光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３のライン部（積層構造体）５４が、複数、離間して並置されて成るライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子５０を得ることができる。その後、ＣＶＤ法に基づき第１平坦化膜３４を、ワイヤグリッド偏光素子５０を覆うように形成すればよい。光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３から成るフレーム部５９（図１６を参照）によってワイヤグリッド偏光素子５０は囲まれており、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２にはワイヤグリッド偏光素子延在部６０が設けられている。
【００７８】
光電変換素子群は、複数の光電変換素子ユニットから構成されている。そして、複数の光電変換素子から構成された光電変換素子ユニットはベイヤ配列を有する。実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的平面図を図１７Ａ及び図１７Ｂに示し、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図１８に示すように、４つの光電変換素子ユニットの内、第１の光電変換素子ユニットは、赤色光（６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍの光）を吸収する４つの赤色光用光電変換素子２１Ｒ（２１Ｒ1，２１Ｒ2，２１Ｒ3，２１Ｒ4）、及び、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１Ｒ、並びに、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｒ（５０Ｒ1，５０Ｒ2，５０Ｒ3，５０Ｒ4）から構成されている。これらのワイヤグリッド偏光素子５０Ｒ1，５０Ｒ2，５０Ｒ3，５０Ｒ4が透過させるべき偏光方位は、α度、（α＋４５）度、（α＋９０）度、及び（α＋１３５）度である。第２の光電変換素子ユニット及び第４の光電変換素子ユニットは、緑色光（４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍの光）を吸収する４つの緑色光用光電変換素子２１Ｇ（２１Ｇ1，２１Ｇ2，２１Ｇ3，２１Ｇ4）、及び、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１Ｇ、並びに、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｇ（５０Ｇ1，５０Ｇ2，５０Ｇ3，５０Ｇ4）から構成されている。これらのワイヤグリッド偏光素子５０Ｇ1，５０Ｇ2，５０Ｇ3，５０Ｇ4が透過させるべき偏光方位は、α度、（α＋４５）度、（α＋９０）度、及び（α＋１３５）度である。第３の光電変換素子ユニットは、青色光（４２５ｎｍ乃至４９５ｎｍの光）を吸収する４つの青色光用光電変換素子２１Ｂ（２１Ｂ1，２１Ｂ2，２１Ｂ3，２１Ｂ4）、及び、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１Ｂ、並びに、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｂ（５０Ｂ1，５０Ｂ2，５０Ｂ3，５０Ｂ4）から構成されている。これらのワイヤグリッド偏光素子５０Ｂ1，５０Ｂ2，５０Ｂ3，５０Ｂ4が透過させるべき偏光方位は、α度、（α＋４５）度、（α＋９０）度、及び（α＋１３５）度である。αの値として、ｙ0方向と間に成す角度「０度」を例示することができる。ワイヤグリッド偏光素子５０にハッチング線を付したが、ハッチング線の延びる方向と直交する方向は、ワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位を示している。
【００７９】
実施例１の固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ（車載カメラ）、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラ等が構成されている。
【００８０】
図１０に、実施例１の固体撮像装置の概念図を示す。実施例１の固体撮像装置１００は、光電変換素子１０１が２次元アレイ状に配列された撮像領域（有効画素領域）１１１、並びに、周辺領域１３に配設され、その駆動回路（周辺回路）としての垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３、水平駆動回路１１４、出力回路１１５及び駆動制御回路１１６等から構成されている。これらの回路は周知の回路から構成することができるし、また、他の回路構成（例えば、従来のＣＣＤ撮像装置やＣＭＯＳ撮像装置にて用いられる各種の回路）を用いて構成することができることは云うまでもない。図１０において、光電変換素子１０１における参照番号「１０１」の表示は、１行のみとした。
【００８１】
駆動制御回路１１６は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスター・クロックに基づいて、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、生成されたクロック信号や制御信号は、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４に入力される。
【００８２】
垂直駆動回路１１２は、例えば、シフトレジスタによって構成され、撮像領域１１１の各光電変換素子１０１を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各光電変換素子１０１における受光量に応じて生成した電流（信号）に基づく画素信号（画像信号）は、信号線（データ出力線）１１７，ＶＳＬを介してカラム信号処理回路１１３に送られる。
【００８３】
カラム信号処理回路１１３は、例えば、光電変換素子１０１の列毎に配置されており、１行分の光電変換素子１０１から出力される画像信号を光電変換素子毎に黒基準画素（図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される）からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅の信号処理を行う。カラム信号処理回路１１３の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１１８との間に接続されて設けられる。
【００８４】
水平駆動回路１１４は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路１１３の各々を順次選択し、カラム信号処理回路１１３の各々から信号を水平信号線１１８に出力する。
【００８５】
出力回路１１５は、カラム信号処理回路１１３の各々から水平信号線１１８を介して順次供給される信号に対して、信号処理を行って出力する。
【００８６】
実施例１の固体撮像装置において、ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して導体最上層に接続されており、導体最上層は半導体基板に設けられた配線部に接続されているので、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子の帯電を確実に防止することができ、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換素子（撮像素子）に損傷が発生するといった問題の発生を確実に回避することができる。
【００８７】
しかも、実施例１あるいは後述する実施例８の固体撮像装置において、オンチップで一体的にワイヤグリッド偏光素子が形成されているが故に、光電変換素子の上方に位置する部分の厚さを薄くすることができる。その結果、隣接する光電変換素子への偏光光の混入（偏光クロストーク）を最小にできる。また、ワイヤグリッド偏光素子は、光吸収層を有する吸収型ワイヤグリッド偏光素子であるために反射率が低く、映像に対する迷光、フレア等の影響を軽減することができる。また、周辺領域における周辺回路の配線負荷の増加を抑制することができる。
【００８８】
そして、実施例１あるいは後述する実施例８の固体撮像装置にあっては、ワイヤグリッド偏光素子を備えているので、通常の撮像に加えて、偏光情報が同時に取得可能な固体撮像装置とすることができる。即ち、入射光の偏光情報を空間的に偏光分離する偏光分離機能を、固体撮像装置に付与することができる。具体的には、各光電変換素子（撮像素子）において光強度、偏光成分強度、偏光方向を得ることができるので、例えば、撮像後に、偏光情報に基づき画像データを加工することができる。例えば、空や窓ガラスを撮像した画像の部分、水面を撮像した画像の部分等に対して所望の処理を加えることで、偏光成分を強調あるいは低減させることができ、あるいは又、偏光成分と無偏光成分とを分離することができ、画像のコントラストの改善、不要な情報を削除を行うことができる。尚、具体的には、例えば、固体撮像装置を用いて撮像を行うときに撮像モードを規定することで、このような処理を行うことができる。更には、固体撮像装置によって、窓ガラスへの映り込みの除去を行うことができるし、偏光情報を画像情報に加えることで複数の物体の境界（輪郭）の鮮明化を図ることができる。あるいは又、路面の状態の検出や、路面上の障害物の検出を行うこともできる。更には、物体の複屈折性を反映した模様の撮像、リターデーション分布の測定、偏光顕微鏡画像の取得、物体の表面形状の取得や物体の表面性状の測定、移動体（車両等）の検出、雲の分布等の測定といった気象観測、各種の分野への適用、応用が可能である。また、立体画像を撮像する固体撮像装置とすることもできる。
【００８９】
ワイヤグリッド偏光素子５０の変形例として、図１４Ｂの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０の上に形成された保護膜５６を備えており、ワイヤグリッド偏光素子５０のスペース部５５は空隙である構成を挙げることができる。即ち、スペース部５５の一部若しくは全部が空気で満たされている。実施例１にあっては、具体的には、スペース部５５の全てが空気で満たされている。
【００９０】
また、図１５Ａの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０と保護膜５６との間に第２保護膜５７が形成されている構成とすることもできる。保護膜５６を構成する材料の屈折率をｎ1、第２保護膜５７を構成する材料の屈折率をｎ2としたとき、
ｎ1＞ｎ2
を満足する。ここで、例えば、保護膜５６は、ＳｉＮ（ｎ1＝２．０）から成り、第２保護膜５７は、ＳｉＯ2（ｎ2＝１．４６）から成る。図面においては、第２保護膜５７の底面（下地絶縁層３３と対向する面）を平坦な状態で示したが、スペース部５５に向かって第２保護膜５７の底面が凸状となっている場合もあるし、保護膜５６に向かって第２保護膜５７の底面が凹状となっている場合、あるいは、楔状に凹んでいる場合もある。
【００９１】
このような構造は、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子５０を得た後、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ2から成り、平均厚さ０．０１μｍ乃至１０μｍの第２保護膜５７を全面に形成する。ライン部５４とライン部５４との間に位置するスペース部５５の上方は、第２保護膜５７によって塞がれる。次いで、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＮから成り、平均厚さ０．１μｍ乃至１０μｍの保護膜５６を第２保護膜５７の上に形成する。保護膜５６をＳｉＮから構成することで、高い信頼性を有する光電変換素子を得ることができる。但し、ＳｉＮは比較的高い比誘電率を有するので、ＳｉＯ2から成る第２保護膜５７を形成することで、平均屈折率ｎaveの低下を図っている。
【００９２】
このようにワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで（具体的には、空気で充填されているので）、平均屈折率ｎaveの値を小さくすることができ、その結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＰ0の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。しかも、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成すれば、高い信頼性を有する光電変換素子、固体撮像装置を提供することができる。また、フレーム部とワイヤグリッド偏光素子のライン部とを連結することで、また、フレーム部をワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造とすることで、安定して、しかも、均質・均一なワイヤグリッド偏光素子を形成することができる。それ故、光電変換素子の四隅に対応するワイヤグリッド偏光素子の外周部の部分に剥離が発生するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部の構造とワイヤグリッド偏光素子の中央部の構造に差異が生じ、ワイヤグリッド偏光素子自体の性能が低下するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部に入射した光が偏光方向の異なる隣接する光電変換素子に漏れ込み易いといった問題を解消することができ、高い信頼性を有する光電変換素子、固体撮像装置を提供することができる。
【００９３】
ワイヤグリッド偏光素子は、絶縁膜が省略された構造、即ち、光入射側とは反対側から、光反射層（例えば、アルミニウムから成る）及び光吸収層（例えば、タングステンから成る）が積層された構成とすることができる。あるいは又、１層の導電遮光材料層から構成することもできる。導電遮光材料層を構成する材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、あるいは、これらの金属を含む合金といった、光電変換素子が感度を有する波長域において複素屈折率の小さい導体材料を挙げることができる。
【００９４】
場合によっては、図１５Ｂにワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部端面図を示すように、スペース部５５に面したライン部５４の側面に、例えば、ＳｉＯ2から成る第３保護膜５８が形成されていてもよい。即ち、スペース部５５は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜５８が存在する。第３保護膜５８は、例えば、ＨＤＰ−ＣＶＤ法に基づき成膜されており、これによって、より一層薄い第３保護膜５８をコンフォーマルにライン部５４の側面に形成することができる。
【実施例２】
【００９５】
実施例２は実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図２に示す実施例２の固体撮像装置において、光電変換素子群における光電変換素子２１と光電変換素子２１との間の領域の上方には遮光部８０が形成されており、遮光部８０は第２面３０Ｂ上（第２面３０Ｂ内）に位置する。遮光部８０は、例えば、第５層間絶縁層３２5の頂面（第２面３０Ｂ）上に導体最上層７０及びパッド部７１を形成するとき、併せて形成すればよい。導体最上層７０と同じ構造、構成を有する遮光部８０は、半導体基板３１に対する光電変換素子２１の正射影像を囲むように形成すればよい。
【００９６】
以上の点を除き、実施例２の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例３】
【００９７】
実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。模式的な一部断面図を図３に示す実施例３の固体撮像装置において、有効画素領域１１と周辺領域１３との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２が設けられており、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０は、光学的黒画素領域１２から周辺領域１３に亙り形成されており、光学的黒画素領域１２は、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０によって遮光されている。
【００９８】
以上の点を除き、実施例３の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例２の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例４】
【００９９】
実施例４も、実施例１〜実施例２の変形である。模式的な一部断面図を図４に示す実施例４の固体撮像装置において、有効画素領域１１と周辺領域１３との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２が設けられており、光学的黒画素領域１２は、光学的黒画素領域１２まで延びる導体最上層７０によって遮光されている。
【０１００】
以上の点を除き、実施例４の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例２の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例５】
【０１０１】
実施例５は、実施例１〜実施例４の変形である。模式的な一部断面図を図５に示す実施例５の固体撮像装置にあっては、光電変換素子群における光電変換素子２１と光電変換素子２１との間に導波路構造８３が設けられている。ここで、導波路構造８３は、光電変換素子２１を覆う層間絶縁層（具体的には、層間絶縁層３２の一部）の光電変換素子２１と光電変換素子２１との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、層間絶縁層３２を構成する材料の屈折率の値よりも大きな値の屈折率を有する薄膜８４から構成されている。そして、光電変換素子２１の上方から入射した光は、この薄膜８４で全反射され、光電変換素子２１に到達する。半導体基板３１に対する光電変換素子２１の正射影像は、導波路構造８３を構成する薄膜８４の半導体基板３１に対する正射影像の内側に位置する。そして、半導体基板３１に対する光電変換素子２１の正射影像は、導波路構造８３を構成する薄膜８４の基板に対する正射影像によって囲まれている。
【０１０２】
以上の点を除き、実施例５の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例４の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例６】
【０１０３】
実施例６も、実施例１〜実施例４の変形である。模式的な一部断面図を図６に示す実施例６の固体撮像装置にあっては、光電変換素子群における光電変換素子２１と光電変換素子２１との間に集光管構造８５が設けられている。集光管構造８５は、光電変換素子２１を覆う層間絶縁層の光電変換素子２１と光電変換素子２１との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、金属材料あるいは合金材料から成る遮光性の薄膜８６から構成されており、光電変換素子２１の上方から入射した光が、この薄膜８６で反射され、光電変換素子２１に到達する。即ち、半導体基板３１に対する光電変換素子２１の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜８６の半導体基板３１に対する正射影像の内側に位置する。そして、半導体基板３１に対する光電変換素子２１の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜８６の半導体基板３１に対する正射影像によって囲まれている。薄膜８６は、例えば、第４層間絶縁層３２4を形成した後、第４層間絶縁層３２4から第１層間絶縁層３２1に亙り環状の溝部を形成し、この溝部を金属材料あるいは合金材料で埋め込むことで得ることができる。
【０１０４】
以上の点を除き、実施例６の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例４の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例７】
【０１０５】
実施例７は、実施例１〜実施例６の変形である。模式的な一部断面図を図７に示す実施例７の固体撮像装置にあっては、有効画素領域１１の上方から周辺領域１３の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズ８１，８２が形成されている。尚、周辺領域１３の上方に形成されたオンチップ・マイクロレンズ（一種のダミー・オンチップ・マイクロレンズ）を、参照番号８１Ａ，８２Ａで示す。
【０１０６】
有効画素領域１１の上方から光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズ８１，８２を形成した場合、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２に隣接した有効画素領域１１の領域に形成されたオンチップ・マイクロレンズ８１，８２が、所望の仕様を満足しないといった事態が生じる虞があるが、有効画素領域１１の上方から周辺領域１３の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズ８１，８２，８１Ａ，８２Ａを形成することで、このような問題の発生を確実に回避することができる。
【０１０７】
以上の点を除き、実施例７の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例６の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例８】
【０１０８】
実施例８は、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置に関する。模式的な一部断面図を図８に示す実施例８の固体撮像装置は、
半導体基板３１に形成され、有効画素領域１１に光電変換素子（撮像素子）２１が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板３１の上方に形成され、光電変換素子２１の光入射側に、光電変換素子２１に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子５０、
を備えている。そして、
有効画素領域１１の外側に位置する周辺領域１３には、パッド部７１が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子５０が形成された層とパッド部７１が形成された層とは、同じ層内に位置しており、
ワイヤグリッド偏光素子５０とパッド部７１とは電気的に接続されている。
【０１０９】
即ち、ワイヤグリッド偏光素子５０が形成された面を第１面３０Ａ、パッド部７１が形成された面を第２面３０Ｂとしたとき、第１面３０Ａと第２面３０Ｂとは同じ面内に位置する。
【０１１０】
実施例８の固体撮像装置は、実施例１の固体撮像装置における第５層間絶縁層３２5の頂面が第１面３０Ａ及び第２面３０Ｂに該当する。第５層間絶縁層３２5の頂面（第１面３０Ａ、第２面３０Ｂ）上には、パッド部７１及びワイヤグリッド偏光素子５０が形成されている。第５層間絶縁層３２5は下地絶縁層にも該当する。第５層間絶縁層３２5及びワイヤグリッド偏光素子５０は、第１平坦化膜３４で覆われている。
【０１１１】
実施例１の固体撮像装置と同様に、光電変換素子２１の上方に位置する第１平坦化膜３４の領域の上には副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）８２が配設されている。また、第１平坦化膜３４及び副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）８２は第２平坦化膜で覆われている。そして、光電変換素子２１の上方に位置する第２平坦化膜の領域の上には、波長選択手段（具体的には、例えば、周知のカラーフィルタ層）９１が形成されている。更には、第２平坦化膜及び波長選択手段９１は第３平坦化膜で覆われている。そして、光電変換素子２１の上方に位置する第３平坦化膜の領域の上には主オンチップ・マイクロレンズ８１が配設されている。
【０１１２】
実施例８の固体撮像装置にあっても、実施例２の固体撮像装置と同様に、光電変換素子群における光電変換素子２１と光電変換素子２１との間の領域の上方には遮光部が形成されている形態とすることができる。遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子５０とワイヤグリッド偏光素子５０とを接続する、光を通過させないフレーム部５９から構成されている。フレーム部５９は、一種、額縁状に、光電変換素子２１に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子５０を取り囲んで配設されている。また、有効画素領域１１と周辺領域１３との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２が設けられており、ワイヤグリッド偏光素子５０は、有効画素領域１１から光学的黒画素領域１２に亙り形成されている。
【０１１３】
場合によっては、図９に示すように、有効画素領域１１と周辺領域１３との間には光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２が設けられており、ワイヤグリッド偏光素子５０は、有効画素領域１１から光学的黒画素領域１２に亙り形成されており、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）１２は、ワイヤグリッド偏光素子５０（光を通過させないワイヤグリッド偏光素子５０の部分）によって遮光されている。光を通過させないワイヤグリッド偏光素子５０の部分は、例えば、第２積層構造体から構成することができる。
【０１１４】
以上の点を除き、実施例８の固体撮像装置の構成、構造は、実施例１〜実施例７の固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１１５】
実施例８の固体撮像装置にあっては、実施例１において説明した固体撮像装置よりも、光電変換素子の上方に位置する部分の厚さを一層薄くすることができ結果、低背化を達成でき、隣接する光電変換素子への偏光光の混入（偏光クロストーク）を一層少なくすることができる。
【０１１６】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した光電変換素子（撮像素子）、固体撮像装置の構造や構成、製造方法、使用した材料は例示であり、適宜変更することができる。各実施例の固体撮像装置を、適宜、組み合わせることができる。
【０１１７】
実施例において説明した光電変換素子、波長選択手段、ワイヤグリッド偏光素子の組み合わせを、適宜、変更することができる。また、近赤外光用光電変換素子（あるいは、赤外光用光電変換素子）を備えていてもよい。
【０１１８】
実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の第１変形例の模式的な部分的平面図を図１９Ａ及び図１９Ｂに示し、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図２０に示すように、４つの光電変換素子ユニットの内、第１の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ1、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ1，２１Ｇ1、及び、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ1、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ1，９１Ｇ1，９１Ｇ1，９１Ｂ1）から構成され、第２の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ2、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ2，２１Ｇ2、及び、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ2、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ2，９１Ｇ2，９１Ｇ2，９１Ｂ2）から構成され、第３の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ3、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ3，２１Ｇ3、及び、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ3、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ3，９１Ｇ3，９１Ｇ3，９１Ｂ3）から構成され、第４の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ4、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ4，２１Ｇ4、及び、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ4、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ4，９１Ｇ4，９１Ｇ4，９１Ｂ4）から構成されている。そして、各光電変換素子ユニットに対して、１つのワイヤグリッド偏光素子５０が配設されている。ここで、ワイヤグリッド偏光素子５０1が透過させるべき偏光方位はα度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０2が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０3が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０4が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である。
【０１１９】
実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の第２変形例の模式的な部分的平面図を図２１Ａ及び図２１Ｂに示し、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図２２Ａに示すように、４つの光電変換素子ユニットの内、第１の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ1、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ1、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ1、及び、白色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｗ1、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ1，９１Ｇ1，９１Ｂ1）及び透明な樹脂層９１Ｗ1から構成され、第２の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ2、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ2、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ2、及び、白色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｗ2、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ2，９１Ｇ2，９１Ｂ2）及び透明な樹脂層９１Ｗ2から構成され、第３の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ3、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ3、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ3、及び、白色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｗ3、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ3，９１Ｇ3，９１Ｂ3）及び透明な樹脂層９１Ｗ3から構成され、第４の光電変換素子ユニットは、赤色光を吸収する赤色光用光電変換素子２１Ｒ4、緑色光を吸収する緑色光用光電変換素子２１Ｇ4、青色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｂ4、及び、白色光を吸収する青色光用光電変換素子２１Ｗ4、並びに、これらの光電変換素子のための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ4，９１Ｇ4，９１Ｂ4）及び透明な樹脂層９１Ｗ4から構成されている。尚、白色光に感度を有する光電変換素子は、例えば、４２５ｎｍ乃至７５０ｎｍの光に感度を有する。そして、各光電変換素子ユニットに対して、１つのワイヤグリッド偏光素子５０が配設されている。ここで、ワイヤグリッド偏光素子５０1が透過させるべき偏光方位はα度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０2が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０3が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０4が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である。あるいは又、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図２２Ｂに示すように、白色光用光電変換素子２１Ｗ（２１Ｗ1，２１Ｗ2，２１Ｗ3，２１Ｗ4）の上方にのみ、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ1，５０Ｗ2，５０Ｗ3，５０Ｗ4が配設されている。
【０１２０】
実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の第３変形例の模式的な部分的平面図を図２３Ａ及び図２３Ｂに示し、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図２４Ａに示すように、４つの光電変換素子ユニットの内、第１の光電変換素子ユニットは、４つの光電変換素子２１Ｒ（２１Ｒ1，２１Ｒ2，２１Ｒ3，２１Ｒ4）から構成され、第２の光電変換素子ユニットは、４つの光電変換素子２１Ｇ（２１Ｇ1，２１Ｇ2，２１Ｇ3，２１Ｇ4）から構成され、第３の光電変換素子ユニットは、４つの光電変換素子２１Ｂ（２１Ｂ1，２１Ｂ2，２１Ｂ3，２１Ｂ4）から構成され、第４の光電変換素子ユニットは、４つの光電変換素子２１Ｗ（２１Ｗ1，２１Ｗ2，２１Ｗ3，２１Ｗ4）から構成されている。そして、赤色光用光電変換素子２１Ｒ、緑色光用光電変換素子２１Ｇ、青色光用光電変換素子２１Ｂ及び白色光用光電変換素子２１Ｗのための波長選択手段（カラーフィルタ層）９１（９１Ｒ，９１Ｇ，９１Ｂ）、透明な樹脂層９１Ｗが配設されている。また、白色光用光電変換素子２１Ｗ（２１Ｗ1，２１Ｗ2，２１Ｗ3，２１Ｗ4）に対して、４つのワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ1，５０Ｗ2，５０Ｗ3，５０Ｗ4が配設されている。ここで、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ1が透過させるべき偏光方位はα度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ2が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ3が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、ワイヤグリッド偏光素子５０Ｗ4が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である。
【０１２１】
尚、ワイヤグリッド偏光素子の第３変形例の変形の模式的な部分的平面図を図２４Ｂに示すように、各光電変換素子ユニット（１画素）に対して、４つのワイヤグリッド偏光素子５０（５０Ｒ1，５０Ｒ2，５０Ｒ3，５０Ｒ4／５０Ｇ1，５０Ｇ2，５０Ｇ3，５０Ｇ4／５０Ｂ1，５０Ｂ2，５０Ｂ3，５０Ｂ4／５０Ｗ1，５０Ｗ2，５０Ｗ3，５０Ｗ4）が配設されていてもよい。
【０１２２】
実施例１の固体撮像装置における波長選択手段（カラーフィルタ層）及びワイヤグリッド偏光素子の第５変形例の模式的な部分的平面図を図２５Ａ及び図２５Ｂに示し、光電変換素子の模式的な部分的平面図を図２６に示すように、固体撮像装置に要求される仕様にも依るが、固体撮像装置を白色光用光電変換素子２１Ｗのみから構成することもできる。
【０１２３】
図２７に示すように、複数の光電変換素子の配列方向と第１の方向とが成す角度が、例えば、０度の角度を有する光電変換素子と、１８０度の角度を有する光電変換素子との組合せとすることができる。また、図２８に示すように、複数の光電変換素子の配列方向と第１の方向とが成す角度が、例えば、４５度の角度を有する光電変換素子と、１３５度の角度を有する光電変換素子との組合せとすることができる。尚、図２７〜図３９に図示する光電変換素子ユニットの平面レイアウト図において、「Ｒ」は赤色カラーフィルタ層を備えた赤色光用光電変換素子を示し、「Ｇ」は緑色カラーフィルタ層を備えた緑色光用光電変換素子を示し、「Ｂ」は青色カラーフィルタ層を備えた青色光用光電変換素子を示し、「Ｗ」はカラーフィルタ層を備えていない白色光用光電変換素子を示す。
【０１２４】
図２２Ｂに示した例では、ワイヤグリッド偏光素子５０を有する白色光用光電変換素子Ｗをｘ0方向及びｙ0方向に１光電変換素子を飛ばして配置したが、２光電変換素子を飛ばして、あるいは又、３光電変換素子を飛ばして配置に配置してもよいし、ワイヤグリッド偏光素子５０を有する光電変換素子を、千鳥格子状に配置してもよい。図２９に平面レイアウト図は、図２２Ｂに示した例の変形例である。
【０１２５】
図３０や図３１に平面レイアウトを図示する構成とすることも可能である。ここで、図３０に示す平面レイアウトを有するＣＭＯＳイメージセンサーの場合、２×２の光電変換素子で選択トランジスタ、リセット・トランジスタ、増幅トランジスタを共有する２×２画素共有法式を採用することができ、画素加算を行わない撮像モードでは偏光情報を含む撮像を行い、２×２の副画素領域の蓄積電荷をＦＤ加算するモードでは、全偏光成分を積分した通常撮像画像を提供することができる。また、図３１に示す平面レイアイトの場合、２×２の光電変換素子に対して１方向のワイヤグリッド偏光素子を配置するレイアウトであるため、光電変換素子ユニット間での積層構造体の不連続が生じ難く、高品質な偏光撮像を実現できる。
【０１２６】
更には、図３２、図３３、図３４、図３５、図３６、図３７、図３８、図３９に平面レイアウトを図示する構成とすることも可能である。
【０１２７】
また、実施例において、ワイヤグリッド偏光素子は、専ら、可視光波長帯に感度を有する光電変換素子における偏光情報の取得のために用いられたが、光電変換素子が赤外線や紫外線に感度を有する場合、それに応じて、ライン部の形成ピッチＰ0を拡大・縮小することで、任意の波長帯で機能するワイヤグリッド偏光素子としての実装が可能である。
【０１２８】
また、実施例１の固体撮像装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な斜視図を図４０に示すように、絶縁膜５２の一部が切り欠かれ、光反射層５１と光吸収層５３とは絶縁膜５２の切欠き部５２ａにおいて接している構成とすることもできる。
【０１２９】
場合によっては、光電変換素子の縁部には、基板からワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部（一種の素子分離領域）が形成されている形態とすることができる。絶縁材料として、絶縁膜（絶縁膜形成層）や層間絶縁層を構成する材料を挙げることができるし、遮光材料として、前述した遮光膜２４を構成する材料を挙げることができる。このような溝部を形成することで、感度低下、偏光クロストークの発生、消光比の低下を防止することができる。
【０１３０】
図４１に実施例１の固体撮像装置の変形例（実施例１の第１変形例）の模式的な一部断面図を示すように、開口部７２の底面の露出したパッド部７１の上から第３平坦化膜３５の上に亙り導電体層７３を形成し、第３平坦化膜３５の上の導電体層７３の部分の上にパッド部７４を設けてもよい。このような実施例１の第１変形例の固体撮像装置における有効画素領域、光学的黒画素領域及び周辺領域の配置を模式的に図４２に示す。この場合、開口部７２を樹脂等で埋め込んでもよい。また、導電体層７３は、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から構成することができる。実施例１の第１変形例を、実施例２〜実施例７において説明した固体撮像装置に適用することもできる。あるいは又、図４３に実施例１の固体撮像装置の別の変形例（実施例１の第２変形例）の模式的な一部断面図を示すように、パッド部を導体最上層７０の延在部７０’から構成してもよい。このような実施例１の第２変形例を、実施例２〜実施例７において説明した固体撮像装置に適用した例を図４４、図４５、図４６、図４７、図４８、図４９に示す。また、実施例７を適用した実施例８の固体撮像装置の模式的な一部断面図を図５０に示す。
【０１３１】
また、場合によっては、図５３に第３の態様に係る固体撮像装置の模式的な一部断面図を示すように、遮光膜２４と同じレベルにワイヤグリッド偏光素子５０を配設し、遮光膜２４をフレーム部５９で代替してもよい。即ち、この固体撮像装置は、
半導体基板３１に形成され、有効画素領域１１に光電変換素子２１が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板３１の上方に形成され、光電変換素子２１の光入射側に、光電変換素子２１に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子５０、
を備えており、
半導体基板３１には、光電変換素子２１と接続され、光電変換素子２１において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部ＴＲmemが形成されており、
メモリ部ＴＲmemの上方には遮光部が配設されており、
遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子５０とワイヤグリッド偏光素子５０とを接続する、光を通過させないフレーム部から構成されており、
ワイヤグリッド偏光素子５０には、所定の電位が印加され、あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子５０には、ワイヤグリッド偏光素子５０から延びるワイヤグリッド偏光素子延在部６０を介して、所定の電位が印加される。具体的には、ワイヤグリッド偏光素子５０は、コンタクトホール部６１’を介して（あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子延在部６０、コンタクトホール部６１’を介して）、半導体基板３１に設けられた配線部３６に接続され、例えば、接地される。ワイヤグリッド偏光素子５０及びワイヤグリッド偏光素子延在部６０の上方に位置する領域には配線層３７等が形成されている。このようにワイヤグリッド偏光素子５０を光電変換素子２１の近傍（直上）に配設することで、集光ポイントの近傍にワイヤグリッド偏光素子５０を配置することができる。また、周辺領域における周辺回路の配線負荷の増加を抑制することができるし、工程数削減を図ることができる。
【０１３２】
また、実施例にあっては、入射光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されて成るＣＭＯＳ型固体撮像装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、ＣＭＯＳ型固体撮像装置への適用に限られるものではなく、ＣＣＤ型固体撮像装置に適用することもできる。後者の場合、信号電荷は、ＣＣＤ型構造の垂直転送レジスタによって垂直方向に転送され、水平転送レジスタによって水平方向に転送され、増幅されることにより画素信号（画像信号）が出力される。また、画素が２次元マトリックス状に形成され、画素列毎にカラム信号処理回路を配置して成るカラム方式の固体撮像装置全般に限定するものでもない。更には、場合によっては、選択トランジスタを省略することもできる。
【０１３３】
更には、本開示の光電変換素子（撮像素子）は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは、粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。また、広義には、圧力や静電容量等、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。
【０１３４】
更には、撮像領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、選択画素から画素単位で画素信号を読み出すＸ−Ｙアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像領域と、駆動回路又は光学系とを纏めてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
【０１３５】
また、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器を指す。電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
【０１３６】
本開示の固体撮像装置２０１を電子機器（カメラ）２００に用いた例を、図５１に概念図として示す。電子機器２００は、固体撮像装置２０１、光学レンズ２１０、シャッタ装置２１１、駆動回路２１２、及び、信号処理回路２１３を有する。光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置２０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置２０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路２１２は、固体撮像装置２０１の転送動作等及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０１の信号転送を行う。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。このような電子機器２００では、固体撮像装置２０１における画素サイズの微細化及び転送効率の向上を達成することができるので、画素特性の向上が図られた電子機器２００を得ることができる。固体撮像装置２０１を適用できる電子機器２００としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用可能である。
【０１３７】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《固体撮像装置：第１の態様》
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、導体最上層が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された面を第１面、導体最上層が形成された面を第２面としたとき、第１面は第２面よりも上方に位置し、
ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して導体最上層に接続されている固体撮像装置。
［Ａ０２］導体最上層には所定の電位が印加される［Ａ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ａ０３］ワイヤグリッド偏光素子延在部は光を通過させない構造を有する［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ａ０４］光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は、第２面上（第２面内）に位置する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ０５］遮光部は、導体最上層と同じ構成を有する［Ａ０４］に記載の固体撮像装置。
［Ａ０６］有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子延在部は、光学的黒画素領域から周辺領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子延在部によって遮光されている［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ０７］有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ０８］光学的黒画素領域は導体最上層によって遮光されている［Ａ０７］に記載の固体撮像装置。
［Ａ０９］有効画素領域の上方から周辺領域の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズが形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１０］半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１１］周辺領域にワイヤグリッド偏光素子は設けられていない［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１２］ワイヤグリッド偏光素子の上には、保護膜が形成されており、
ワイヤグリッド偏光素子は、ライン・アンド・スペース構造を有し、
ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１３］ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ1、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ2としたとき、
ｎ1＞ｎ2
を満足する［Ａ１２］に記載の固体撮像装置。
［Ａ１４］保護膜は、ＳｉＮから成り、第２保護膜は、ＳｉＯ2又はＳｉＯＮから成る［Ａ１３］に記載の固体撮像装置。
［Ａ１５］少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている［Ａ１２］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１６］ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部を更に備えており、
フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する［Ａ１２］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１７］ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換素子側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁膜、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている［Ａ１２］乃至［Ａ１６］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ１８］光反射層及び光吸収層は光電変換素子において共通である［Ａ１７］に記載の固体撮像装置。
［Ａ１９］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ａ１７］又は［Ａ１８］に記載の固体撮像装置。
［Ａ２０］光反射層の下に下地絶縁層が形成されている［Ａ１７］乃至［Ａ１９］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ａ２１］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ａ１７］乃至［Ａ２０］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０１］《固体撮像装置：第２の態様》
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
有効画素領域の外側に位置する周辺領域には、パッド部が配設されており、
ワイヤグリッド偏光素子が形成された層とパッド部が形成された層とは、同じ層内に位置しており、
ワイヤグリッド偏光素子とパッド部とは電気的に接続されている固体撮像装置。
［Ｂ０２］光電変換素子群における光電変換素子と光電変換素子との間の領域の上方には遮光部が形成されており、
遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子とを接続する、光を通過させないフレーム部から構成されている［Ｂ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０３］有効画素領域と周辺領域との間には光学的黒画素領域が設けられており、
ワイヤグリッド偏光素子は、有効画素領域から光学的黒画素領域に亙り形成されており、
光学的黒画素領域は、ワイヤグリッド偏光素子によって遮光されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０４］有効画素領域の上方から周辺領域の上方に亙りオンチップ・マイクロレンズが形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０５］半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０６］周辺領域にワイヤグリッド偏光素子は設けられていない［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０７］ワイヤグリッド偏光素子の上には、保護膜が形成されており、
ワイヤグリッド偏光素子は、ライン・アンド・スペース構造を有し、
ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０８］ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ1、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ2としたとき、
ｎ1＞ｎ2
を満足する［Ｂ０７］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ０９］保護膜は、ＳｉＮから成り、第２保護膜は、ＳｉＯ2又はＳｉＯＮから成る［Ｂ０８］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１０］少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている［Ｂ０７］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１１］ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部を更に備えており、
フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する［Ｂ０７］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１２］ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換素子側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁膜、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている［Ｂ０７］乃至［Ｂ１１］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１３］光反射層及び光吸収層は光電変換素子において共通である［Ｂ１２］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１４］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ｂ１２］又は［Ｂ１３］に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１５］光反射層の下には下地絶縁層が形成されている［Ｂ１２］乃至［Ｂ１４］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｂ１６］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ｂ１２］乃至［Ｂ１３］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０１］《第３の態様に係る固体撮像装置》
半導体基板に形成され、有効画素領域に光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されて成る光電変換素子群、及び、
半導体基板の上方に形成され、光電変換素子の光入射側に、光電変換素子に対応して設けられたワイヤグリッド偏光素子、
を備えた固体撮像装置であって、
半導体基板には、光電変換素子と接続され、光電変換素子において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されており、
メモリ部の上方には遮光部が配設されており、
遮光部は、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子とを接続する、光を通過させないフレーム部から構成されており、
ワイヤグリッド偏光素子には、ワイヤグリッド偏光素子から延びるワイヤグリッド偏光素子延在部を介して、所定の電位が印加される固体撮像装置。
［Ｃ０２］ワイヤグリッド偏光素子は、ワイヤグリッド偏光素子延在部を介して半導体３１に設けられた配線部に接続されている［Ｃ０１］に記載の固体撮像装置。
【符号の説明】
【０１３８】
１０・・・固体撮像装置、１１・・・有効画素領域、１２・・・光学的黒画素領域（ＯＰＢ）、１３・・・周辺領域、２１，２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｗ・・・光電変換素子（撮像素子）、２２・・・メモリ部を構成するゲート部、２３・・・メモリ部を構成する高濃度不純物領域、２４・・・遮光膜、３０Ａ・・・第１面、３０Ｂ・・・第２面、３１・・・半導体基板、３２・・・層間絶縁層（第１層間絶縁層〜第５層間絶縁層）、３３・・・下地絶縁層、３４・・・第１平坦化膜、３５・・・第２平坦化膜及び第３平坦化膜、３６・・・配線部、３７・・・配線層、３８・・・コンタクトホール、３９・・・コンタクトパッド部、５０，５０1，５０2，５０3，５０4，５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５０Ｗ1，５０Ｗ2，５０Ｗ3，５０Ｗ4・・・ワイヤグリッド偏光素子、５１・・・光反射層、５１Ａ・・・光反射層形成層、５２・・・絶縁膜、５２Ａ・・・絶縁膜形成層、５２ａ・・・絶縁膜の切欠き部、５３・・・光吸収層、５３Ａ・・・光吸収層形成層、５４・・・ライン部（積層構造体）、５５・・・スペース部（積層構造体と積層構造体との間の隙間）、５６・・・保護膜、５７・・・第２保護膜、５８・・・第３保護膜、５９・・・フレーム部、６０・・・ワイヤグリッド偏光素子延在部、６１，６１’・・・コンタクトホール部、７０・・・導体最上層、７０’・・・導体最上層の延在部、７１，７４・・・パッド部、７２・・・開口部、７３・・・導電体層、８１，８１Ａ・・・主オンチップ・マイクロレンズ、８２，８２Ａ・・・副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）、８３・・・導波路構造、８４・・・導波路構造を構成する薄膜、８５・・・集光管構造、８６・・・集光管構造を構成する薄膜、９１，９１Ｒ，９１Ｇ、９１Ｂ・・・波長選択手段（カラーフィルタ層）、１００・・・固体撮像装置、１０１・・・光電変換素子（撮像素子）、１１１・・・撮像領域（有効画素領域）、１１２・・・垂直駆動回路、１１３・・・カラム信号処理回路、１１４・・・水平駆動回路、１１５・・・出力回路、１１６・・・駆動制御回路、１１７・・・信号線（データ出力線）、１１８・・・水平信号線、２００・・・電子機器（カメラ）、２０１・・・固体撮像装置、２１０・・・光学レンズ、２１１・・・シャッタ装置、２１２・・・駆動回路、２１３・・・信号処理回路、ＦＤ・・・浮遊拡散層、ＴＲmem・・・メモリ部、ＴＲtrs・・・転送トランジスタ、ＴＲrst・・・リセット・トランジスタ、ＴＲamp・・・増幅トランジスタ、ＴＲsel・・・選択トランジスタ、ＶDD・・・電源、ＭＥＭ・・・メモリ選択線、ＴＧ・・・転送ゲート線、ＲＳＴ・・・リセット線、ＳＥＬ・・・選択線、ＶＳＬ・・・信号線（データ出力線）
【図１】
2018182022.tif 000003
【図２】
2018182022.tif 000004
【図３】
2018182022.tif 000005
【図４】
2018182022.tif 000006
【図５】
2018182022.tif 000007
【図６】
2018182022.tif 000008
【図７】
2018182022.tif 000009
【図８】
2018182022.tif 000010
【図９】
2018182022.tif 000011
【図１０】
2018182022.tif 000012
【図１１】
2018182022.tif 000013
【図１２】
2018182022.tif 000014
【図１３】
2018182022.tif 000015
【図１４】
2018182022.tif 000016
【図１５】
2018182022.tif 000017
【図１６】
2018182022.tif 000018
【図１７】
2018182022.tif 000019
【図１８】
2018182022.tif 000020
【図１９】
2018182022.tif 000021
【図２０】
2018182022.tif 000022
【図２１】
2018182022.tif 000023
【図２２】
2018182022.tif 000024
【図２３】
2018182022.tif 000025
【図２４】
2018182022.tif 000026
【図２５】
2018182022.tif 000027
【図２６】
2018182022.tif 000028
【図２７】
2018182022.tif 000029
【図２８】
2018182022.tif 000030
【図２９】
2018182022.tif 000031
【図３０】
2018182022.tif 000032
【図３１】
2018182022.tif 000033
【図３２】
2018182022.tif 000034
【図３３】
2018182022.tif 000035
【図３４】
2018182022.tif 000036
【図３５】
2018182022.tif 000037
【図３６】
2018182022.tif 000038
【図３７】
2018182022.tif 000039
【図３８】
2018182022.tif 000040
【図３９】
2018182022.tif 000041
【図４０】
2018182022.tif 000042
【図４１】
2018182022.tif 000043
【図４２】
2018182022.tif 000044
【図４３】
2018182022.tif 000045
【図４４】
2018182022.tif 000046
【図４５】
2018182022.tif 000047
【図４６】
2018182022.tif 000048
【図４７】
2018182022.tif 000049
【図４８】
2018182022.tif 000050
【図４９】
2018182022.tif 000051
【図５０】
2018182022.tif 000052
【図５１】
2018182022.tif 000053
【図５２】
2018182022.tif 000054
【図５３】
2018182022.tif 000055
【図５４】
2018182022.tif 000056