(57)【要約】【課題】クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路、及び、製造工程の煩雑化を抑えることが可能な前記伝送線路の製造方法を提供する。【解決手段】伝送線路１は、平面状に並列配置された複数の導体パターン１１〜１３と、複数の導体パターン１１〜１３を略平面状に取り囲む絶縁層２０と、絶縁層２０の一面側に形成された第１グランドパターン３１と、絶縁層２０の他面側に形成された第２グランドパターン３２とを備え、絶縁層２０は、平面視して複数の導体パターン１１〜１３の間となる箇所のそれぞれに、絶縁層２０を分断することがなく、複数の導体パターン１１〜１３の長手方向に連続して形成された溝Ｇを一面側に有し、第１グランドパターン３１は、溝Ｇの内外に亘って連続して形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状に並列配置された信号の伝送路となる複数の導体パターンと、前記複数の導体パターンを略平面状に取り囲む絶縁層と、前記絶縁層の一面側に形成された第１グランドパターンと、前記絶縁層の他面側に形成された第２グランドパターンとを備えた伝送線路であって、
前記絶縁層は、平面視して前記複数の導体パターンの間となる箇所のそれぞれに、前記絶縁層を分断することがなく、前記複数の導体パターンの長手方向に連続して形成された溝を前記一面側に有し、
前記第１グランドパターンは、前記溝の内外に亘って連続して形成されている
ことを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
前記溝は、前記複数の導体パターンの配置深さ以上の深さで形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記溝は、断面視してＶ字形状となるように形成されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項４】
信号の伝送路となる平面状に並列配置された複数の導体パターンに絶縁性樹脂を押出成形して、前記複数の導体パターンを略平面状に取り囲む絶縁層を形成する第１工程と、
前記第１工程において形成された前記絶縁層の一面側に第１グランドパターンを形成すると共に、前記絶縁層の他面側に第２グランドパターンを形成する第２工程と、を備え、
前記第１工程では、平面視して前記複数の導体パターンの間となる箇所のそれぞれに、前記絶縁層が分断されることなく、前記複数の導体パターンの長手方向に連続する溝を形成するための凸部を有した金型によって前記絶縁性樹脂が押出成形され、
前記第２工程では、前記溝の内外に亘って前記第１グランドパターンが連続して形成される
ことを特徴とする伝送線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導体パターンを絶縁層にて取り囲んで形成した伝送線路が提案されている。このような伝送線路では、導体パターンが並列に複数設けられることがあり、例えば複数の導体パターンが信号線として用いられる場合には信号線間のクロストークが問題となる。このような問題に対して、導体パターン間となる位置に、パターン長手方向に延びる空孔を形成したものや、導体パターンを上下方向にオフセットさせたものが提案されている（特許文献１参照）。また、クロストークを低減させるためには導体パターン間の距離を大きくすることも有効である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９２５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、本件発明者らは、特許文献１に記載の伝送線路のように導体パターン間に空孔を設けるだけでは、クロストークを低減できないことを見出した。そこで、クロストークを低減させるために、特許文献１に記載の伝送線路のように導体パターンを上下方向にオフセットさせた場合には、構造の複雑化を招いてしまう。また、導体パターン間の距離を大きくする場合に、充分に大きな距離を空ける必要があることから、伝送線路が大型化してしまう。さらに、特許文献１に記載の伝送線路の製造法においては構造の複雑化の関係上、製造工程の煩雑化を招いてしまう。
【０００５】
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路、及び、製造工程の煩雑化を抑えることが可能な前記伝送線路の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る伝送線路は、平面状に並列配置された信号の伝送路となる複数の導体パターンと、前記複数の導体パターンを略平面状に取り囲む絶縁層と、前記絶縁層の一面側に形成された第１グランドパターンと、前記絶縁層の他面側に形成された第２グランドパターンとを備えた伝送線路であって、前記絶縁層は、平面視して前記複数の導体パターンの間となる箇所のそれぞれに、前記絶縁層を分断することがなく、前記複数の導体パターンの長手方向に連続して形成された溝を前記一面側に有し、前記第１グランドパターンは、前記溝の内外に亘って連続して形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この伝送線路によれば、絶縁層は、複数の導体パターンの間となる箇所のそれぞれに溝を有し、第１グランドパターンは、溝の内外に亘って連続して形成されているため、グランドパターンが複数の導体パターンの間それぞれに入り込むように位置することとなり、これがシールド箔として機能してクロストークが低減される。このため、導体パターン間の距離を充分に確保する必要がなく大型化を抑えることができる。また、導体パターンを平面状に並列配置することから、導体パターンをオフセットして形成する必要もない。このため、構造の複雑化を抑えることとなる。従って、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路を提供することができる。また、溝は絶縁層を分断することがないため、伝送線路がグランドパターンのみによって幅方向に接続されるわけではなく、強度面で有利とすることができる。
【０００８】
また、本発明に係る伝送線路において、前記溝は、前記複数の導体パターンの配置深さ以上の深さで形成されていることが好ましい。
【０００９】
この伝送線路によれば、溝は複数の導体パターンの配置深さ以上の深さで形成されているため、複数の導体パターンの間にグランドパターンが入り込むこととなり、シールド箔としての効果を一層高めることとなる。従って、より一層クロストークを低減することができる。
【００１０】
また、本発明に係る伝送線路において、前記溝は、断面視してＶ字形状となるように形成されていることが好ましい。
【００１１】
この伝送線路によれば、溝は断面視してＶ字形状となるように形成されているため、クロストークの低減効果を安定させることができる。
【００１２】
本発明に係る伝送線路の製造方法は、信号の伝送路となる平面状に並列配置された複数の導体パターンに絶縁性樹脂を押出成形して、前記複数の導体パターンを略平面状に取り囲む絶縁層を形成する第１工程と、前記第１工程において形成された前記絶縁層の一面側に第１グランドパターンを形成すると共に、前記絶縁層の他面側に第２グランドパターンを形成する第２工程と、を備え、前記第１工程では、平面視して前記複数の導体パターンの間となる箇所のそれぞれに、前記絶縁層が分断されることなく、前記複数の導体パターンの長手方向に連続する溝を形成するための凸部を有した金型によって前記絶縁性樹脂が押出成形され、前記第２工程では、前記溝の内外に亘って前記第１グランドパターンが連続して形成されることを特徴とする。
【００１３】
この伝送線路の製造方法によれば、溝を形成するための凸部を有した金型によって絶縁性樹脂が押出成形されて、長手方向に連続する溝を有した絶縁層を形成するため、溝を有しない絶縁層と同様の工程で、溝を有する絶縁層を形成することが可能となり、製造工程の煩雑化を軽減することとなる。従って、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路の製造方法において、製造工程の煩雑化を抑えた製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、クロストークの低減にあたり製造工程の煩雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る伝送線路を示す斜視図である。
【図２】図１に示した伝送線路の断面図である。
【図３】図１及び図２に示した伝送線路の第１の製造方法を示す断面図である。
【図４】図１及び図２に示した伝送線路の第２の製造方法を示す断面図である。
【図５】比較例に係る伝送線路の特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。
【図６】本実施形態に係る伝送線路の特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。
【図７】第２実施形態に係る伝送線路を示す断面図である。
【図８】第１実施形態に係る伝送線路において溝の幅を変化させたときの特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。
【図９】第２実施形態に係る伝送線路において溝の幅を変化させたときの特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を好適な実施形態に沿って説明する。なお、本発明は以下に示す実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す実施形態においては、一部構成の図示や説明を省略している箇所があるが、省略された技術の詳細については、以下に説明する内容と矛盾が生じない範囲内において、適宜公知又は周知の技術が適用されていることはいうまでもない。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る伝送線路を示す斜視図であり、図２は、図１に示した伝送線路の断面図である。図１及び図２に示すように、伝送線路１は、平面状に並列配置された信号の伝送路となる複数（例えば３つ）の導体パターン１１〜１３と、複数の導体パターン１１〜１３を取り囲んで略平面状をなす絶縁層２０と、絶縁層２０の一面側に形成された第１グランドパターン３１と、絶縁層２０の他面側に形成された第２グランドパターン３２とを備えたものである。
【００１８】
本実施形態において第１〜第３導体パターン１１〜１３は、高周波信号伝送用の平面回路であって、例えば銅材によって構成されている。絶縁層２０は例えば絶縁性樹脂によって構成された誘電体である。また、グランドパターン３１，３２は、第１〜第３導体パターン１１〜１３と同様に例えば銅材によって構成されている。なお、グランドパターン３１，３２はアース接続される。
【００１９】
ここで、第１〜第３導体パターン１１〜１３は、平面状に並列配置されることから、高さ方向にオフセットされることなく、同一高さに設けられる。さらに、絶縁層２０は、断面視して凹形状となる溝Ｇを一面側に有している。溝Ｇは、伝送線路１を平面視して（一面側から見て）複数の導体パターン１１〜１３の間となる箇所それぞれに形成されており、導体パターン１１〜１３の長手方向に沿って連続したものとなっている。
【００２０】
また、溝Ｇは、断面視して絶縁層２０を分断することなく形成されている。このため、絶縁層２０は、溝Ｇの下部（他面側）に接続部２１を有している。すなわち、絶縁層２０は、溝Ｇが形成されているものの接続部２１を介して幅方向に接続された構造となっている。
【００２１】
ここで、溝Ｇの深さは、特に問われるものではないが、複数の導体パターン１１〜１３の配置深さ以上（すなわち複数の導体パターン１１〜１３の配置深さと同程度又はそれを超える深さ）で形成されることが好ましい。具体的に説明すると、本実施形態において各導体パターン１１〜１３は、絶縁層２０の厚みの中間となる位置に配置されている。溝Ｇは一面側から形成されて、その底面が上記の中間となる位置と同程度又はこれを超えて他面側まで達していることが好ましい。
【００２２】
さらに、第１グランドパターン３１は、溝Ｇの凹凸に追従するように、溝Ｇの内外に亘って連続して形成されている。このため、第１グランドパターン３１は、複数の導体パターン１１〜１３の間に入り込むこととなる。
【００２３】
このような伝送線路１は、以下のような製造方法によって製造される。以下に伝送線路１の製造方法を説明する。
【００２４】
図３は、図１及び図２に示した伝送線路１の第１の製造方法を示す断面図である。第１の製造方法は、各種材料等を積層する方法である。まず、図３に示すように、第２グランドパターン３２となる金属箔上に、第１絶縁フィルム２０ａ（例えば液晶ポリマーのシート）を載置する。次いで、第１絶縁フィルム２０ａ上に３つの第２絶縁フィルム２０ｂを、間隔を設けて積層する。なお、ここで設けた間隔が溝Ｇの幅（図２に示す符号ｗ２）に相当する。
【００２５】
次に、３つの第２絶縁フィルム２０ｂ上に、３つ導体パターン１１〜１３を載置する。このとき、溝Ｇとなる箇所との幅ｗ１を考慮して３つの導体パターン１１〜１３上に積層する。その後、３つの第３絶縁フィルム２０ｃを３つの導体パターン１１〜１３上に積層する。次に、第１〜第３絶縁フィルム２０ａ〜２０ｃによって形成された絶縁層２０の一面側に例えば無電解メッキなどにより第１グランドパターン３１を形成する。これにより、溝Ｇの内外に亘って第１グランドパターン３１が形成される。
【００２６】
なお、上記第１の製造方法において、溝Ｇの深さを導体パターン１１〜１３の配置深さと同程度とする場合には、３つの第２絶縁フィルム２０ｂを積層する構成が省略されることとなる。
【００２７】
図４は、図１及び図２に示した伝送線路１の第２の製造方法を示す断面図である。第２の製造方法は、絶縁性樹脂を押出成形する方法である。まず、図４に示すような金型１００を利用して、信号の伝送路となる平面状に並列配置された３つの導体パターン１１〜１３に絶縁性樹脂２００を押出成形する。これにより、複数の導体パターン１１〜１３を略平面状に取り囲む絶縁層２０を形成する（第１工程）。
【００２８】
次いで、無電解メッキ等により、第１工程において形成された絶縁層２０の一面側に第１グランドパターン３１を形成すると共に、絶縁層２０の他面側に第２グランドパターン３２を形成する（第２工程）。
【００２９】
ここで、第１工程において用いられる金型１００は、平面視して３つの導体パターン１１〜１３の間となる箇所のそれぞれに、絶縁層２０が分断されることなく３つの導体パターン１１〜１３の長手方向に連続する溝Ｇを形成するための凸部ＣＰを有したものとなっている。このため、第１工程での押出成形によって、３つの導体パターン１１〜１３の間となる箇所のそれぞれに溝Ｇが形成される。
【００３０】
また、第２工程では、無電解メッキ等により、溝Ｇの内外に亘って第１グランドパターン３１が連続して形成されることとなる。
【００３１】
次に、本実施形態に係る伝送線路１のインピーダンス特性及びクロストーク低減特性について説明するが、これに先立って、溝Ｇ内に第１グランドパターン３１を有しない伝送線路（比較例に係る伝送線路）のインピーダンス特性及びクロストーク低減特性について説明する。
【００３２】
まず、比較例に係る伝送線路は、溝が無い場合（すなわち、絶縁層の一面側が面一の場合）と、絶縁層２０の中間深さに位置する導体パターン１１〜１３と溝Ｇの深さが同程度である場合（図２に示すｘ＝０の場合）と、溝Ｇの深さが上記同程度である場合よりも更に０．７ｍｍ深くなった場合（図２に示すｘ＝０．７の場合）との３パターンを採用した。そして、この３パターンについて特定の測定を行った。
【００３３】
また、比較例に係る伝送線路は、絶縁層２０の厚み（溝Ｇが形成される場合には溝Ｇ以外の箇所の厚み）を１．４６ｍｍとし、導体パターン１１〜１３の厚みを０．０３ｍｍとし幅を１．１５ｍｍとした。また、溝Ｇを形成する場合には、その幅ｗ２を２ｍｍとし、導体パターン１１〜１３から溝Ｇまでの距離ｗ１を０．５ｍｍとした。
【００３４】
図５は、比較例に係る伝送線路の特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。なお、図５に示すグラフにおいて、破線は溝Ｇが無い場合の特性を示し、実線は溝Ｇの深さがｘ＝０である場合の特性を示し、太線は溝Ｇの深さがｘ＝０．７ｍｍである場合の特性を示している。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、溝Ｇが無い場合（破線参照）と溝Ｇの深さがｘ＝０である場合（実線参照）とでは、インピーダンスが同程度となった。しかし、溝Ｇの深さがｘ＝０．７ｍｍである場合には、インピーダンスの上昇を招くこととなった（太線参照）。
【００３６】
また、図５（ｂ）に示すように、クロストークの低減特性は、溝Ｇが無い場合が最も良好であり（破線参照）、溝Ｇがある場合にはクロストークの低減特性は低下する傾向にあった（実線及び太線参照）。
【００３７】
以上、図５（ａ）及び図５（ｂ）からすると、溝Ｇ内に第１グランドパターン３１を形成しない場合、すなわち単なる空孔だけを設けた場合には、クロストークの面で不利であり、更に溝Ｇが深くなるとインピーダンスについて不利であることがわかった。このように、絶縁層２０の一面側に第１グランドパターン３１を形成しない場合には、むしろ溝Ｇが存在しない方が良いということがわかった。
【００３８】
図６は、本実施形態に係る伝送線路１の特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。なお、図６に示すグラフにおいて、破線は比較例に係る溝Ｇが無い場合の特性を示し、実線及び太線は本実施形態に係る伝送線路１の特性を示すものとする。実線は溝Ｇの深さがｘ＝０である場合の特性を示し、太線は溝Ｇの深さがｘ＝０．７ｍｍである場合の特性を示している。また、本実施形態に係る伝送線路１の他の寸法については、比較例と同じとしている。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、溝Ｇが無い場合（破線参照）と溝Ｇの深さがｘ＝０である場合（実線参照）とでは、インピーダンスが同程度となった。しかし、溝Ｇの深さがｘ＝０．７ｍｍである場合には、インピーダンスが低くなることがわかった（太線参照）。
【００４０】
さらに、図６（ｂ）に示すように、溝Ｇが無い場合よりも溝Ｇがある場合の方がクロストークの低減効果が高く（実線及び太線参照）、溝Ｇが深い方がクロストークの低減効果が高いことがわかった（太線参照）。一方で、溝Ｇの深さがｘ＝０である場合、クロストークの低減効果を安定させることができることもわかった（実線参照）。
【００４１】
以上、図６（ａ）及び図６（ｂ）からすると、導体パターン１１〜１３間に溝を形成し、溝Ｇ内に第１グランドパターン３１を形成した場合には、クロストークについて一定の低減効果があることがわかった。
【００４２】
このようにして、本実施形態に係る伝送線路１によれば、絶縁層２０は、複数の導体パターン１１〜１３の間となる箇所のそれぞれに溝Ｇを有し、第１グランドパターン３１は、溝Ｇの内外に亘って連続して形成されているため、グランドパターン３１が複数の導体パターン１１〜１３の間それぞれに入り込むように位置することとなり、これがシールド箔として機能してクロストークが低減される。このため、導体パターン１１〜１３間の距離を充分に確保する必要がなく大型化を抑えることができる。また、導体パターン１１〜１３を平面状に並列配置することから、導体パターン１１〜１３をオフセットして形成する必要もない。このため、構造の複雑化を抑えることとなる。従って、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路１を提供することができる。
【００４３】
また、溝は複数の導体パターンの配置深さ以上の深さで形成されているため、複数の導体パターンの間にグランドパターンが入り込むこととなり、シールド箔としての効果を一層高めることとなる。従って、より一層クロストークを低減することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係る伝送線路１の製造方法（第２の製造方法）によれば、溝Ｇを形成するための凸部を有した金型によって絶縁性樹脂が押出成形されて、長手方向に連続する溝Ｇを有した絶縁層２０を形成するため、溝Ｇを有しない絶縁層と同様の工程で、溝Ｇを有する絶縁層２０を形成することが可能となり、製造工程の煩雑化を軽減することとなる。従って、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路１の製造方法において、製造工程の煩雑化を抑えた製造方法を提供することができる。
【００４５】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態に係る伝送線路は第１実施形態のものと同様であるが、一部構成が異なっている。以下、第１実施形態との相違点のみを説明する。
【００４６】
図７は、第２実施形態に係る伝送線路２を示す断面図である。図７に示すように、第１実施形態に係る伝送線路１は溝Ｇが断面視して凹形状となっていたが、第２実施形態に係る伝送線路２は溝Ｇが断面視してＶ形状となっている。
【００４７】
次に、第２実施形態に係る伝送線路２と、第１実施形態に係る伝送線路１との特性を比較して説明する。なお、以下では溝Ｇが無い場合、溝Ｇの幅ｗ２，ｗ３（符号ｗ３は図７参照）が小さい場合、及び溝Ｇの幅ｗ２，ｗ３が大きい場合との３つの例を挙げて説明する。
【００４８】
図８は、第１実施形態に係る伝送線路１において溝Ｇの幅ｗ２を変化させたときの特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。なお、図８において破線は比較例に係る溝Ｇが無い場合の特性を示し、実線は溝Ｇの幅ｗ２が０．１ｍｍである場合の特性を示し、太線は溝Ｇの幅ｗ２が２．８ｍｍである場合の特性を示している。なお、溝Ｇの深さは１．２５ｍｍ（接続部２１の厚さが０．２１ｍｍ）であり、他の寸法については、上記した比較例と同じとしている。
【００４９】
図８（ａ）に示すように、溝Ｇが無い場合（破線参照）と溝Ｇの幅ｗ２が０．１ｍｍである場合（実線参照）とでは、インピーダンスが同程度となった。しかし、溝Ｇの幅ｗ２が２．８ｍｍである場合には、インピーダンスが低くなることがわかった（太線参照）。すなわち、溝Ｇの幅が大きくなるとインピーダンスの低下効果が高まることがわかった。
【００５０】
さらに、図８（ｂ）に示すように、溝Ｇが無い場合よりも溝Ｇがある場合の方がクロストークの低減効果が高いことがわかった（実線及び太線参照）。しかし、溝Ｇの幅ｗ２の大きさによって、クロストークの低減効果には差異が見られなかった（実線及び太線参照）。特に、溝Ｇの幅ｗ２が２．８ｍｍである場合には、クロストークの低減効果が安定しない結果となった（太線参照）。
【００５１】
以上、図８（ａ）及び図８（ｂ）からすると、溝Ｇの幅ｗ２が大きい方が、インピーダンスが低くなることがわかった。しかし、溝Ｇの幅ｗ２が大きいとクロストークの低減効果が安定しなくなった。
【００５２】
図９は、第２実施形態に係る伝送線路２において溝Ｇの幅ｗ３を変化させたときの特性を示すグラフであり、（ａ）はインピーダンス特性を示し、（ｂ）はクロストーク低減特性を示している。なお、図９において破線は比較例に係る溝Ｇが無い場合の特性を示し、実線は溝Ｇの幅ｗ３（図７に示すように最大となる幅）が０．１６ｍｍである場合の特性を示し、太線は溝Ｇの幅ｗ３が１．７５ｍｍである場合の特性を示している。なお、溝Ｇの深さは１．２３５ｍｍ（接続部２１の厚さが０．２２５ｍｍ）であり、また、他の寸法については、比較例と同じとしている。
【００５３】
図９（ａ）に示すように、溝Ｇが無い場合（破線参照）、溝Ｇの幅ｗ３が０．１６ｍｍである場合（実線参照）、及び、溝Ｇの幅ｗ３が１．７５ｍｍである場合（太線参照）とでは、インピーダンスが同程度となった。
【００５４】
図９（ｂ）に示すように、クロストークの低減効果については、溝Ｇが無い場合（破線参照）、溝Ｇの幅ｗ３が０．１６ｍｍである場合（実線参照）、及び、溝Ｇの幅ｗ３が１．７５ｍｍである場合（太線参照）の順に高まっていくことがわかった。特に、溝Ｇの幅ｗ３が大きくなり１．７５ｍｍとなった場合であっても、クロストークの低減効果が安定することがわかった（太線参照）。
【００５５】
以上、図９（ａ）及び図９（ｂ）からすると、インピーダンスは溝Ｇの有無や溝Ｇの幅ｗ３に左右されないことがわかった。さらに、溝ＧがＶ字形状であると、溝Ｇの幅ｗ３が大きくなるほど、クロストークの低減効果が高まり、しかも、溝Ｇの幅ｗ３が大きかったとしても、クロストークの低減効果が安定することがわかった。
【００５６】
このようにして、第２実施形態に係る伝送線路２によれば、第１実施形態と同様に、クロストークの低減にあたり構造の複雑化及び大型化を抑えることが可能な伝送線路２を提供することができる。また、溝Ｇは複数の導体パターン１１〜１３の配置深さ以上の深さで形成されているため、複数の導体パターン１１〜１３の間にグランドパターン３１が入り込むこととなり、シールド箔としての効果を一層高めることとなる。従って、より一層クロストークを低減することができる。
【００５７】
また、第２実施形態に係る伝送線路２の製造方法（第２の製造方法）によれば、第１実施形態と同様に、製造工程の煩雑化を抑えた製造方法を提供することができる。
【００５８】
さらに、第２実施形態によれば、溝Ｇは断面視してＶ字形状となるように形成されているため、クロストークの低減効果を安定させることができる。
【００５９】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよいし、可能な範囲で適宜他の公知や周知の技術を組み合わせてもよい。
【００６０】
例えば、上記実施形態においては３つの導体パターン１１〜１３を例示したが、特にこれに限らず、導体パターンは２つ又は４つ以上であってもよい。さらには、上記実施形態において複数の導体パターン１１〜１３は、略同じ幅、且つ、略同じ厚みとなっているが、これに限らず、幅又は厚みの少なくとも一方が異なっていてもよい。
【００６１】
さらに、上記実施形態では、各溝Ｇの幅ｗ２，ｗ３や深さが同じである場合を例に説明したが、これに限らず、一部の溝Ｇについて幅ｗ２，ｗ３や深さが異なっていてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１，２        ：伝送線路
１１〜１３    ：導体パターン
２０          ：絶縁層
２０ａ〜２０ｃ：絶縁フィルム
２１    ：接続部
３１    ：第１グランドパターン
３２    ：第２グランドパターン
Ｇ      ：溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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