(57)【要約】【課題】ショートが生じても負荷への供給電圧の低下を抑制できる電源システムを提供する。【解決手段】サブＦＥＴＱｓは、安定化負荷Ｌｓに電源を供給する並列接続されたメインバッテリＢｍ及びサブバッテリＢｓ間の接続を切断して、サブバッテリＢｓのみから安定化負荷Ｌｓに電源供給を行わせる。第１コンパレータＣＰ１が、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１と基準電圧Ｖｒｅｆとを比較して、メインバッテリＢｍの電圧低下を検出したときにサブＦＥＴＱｓをオフする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に電源を供給する並列接続された第１バッテリ及び第２バッテリ間を切断して、前記第２バッテリのみから前記負荷に電源供給を行わせるスイッチと、
前記第１バッテリの電圧と基準電圧とを比較して、前記第１バッテリの電圧低下を検出したときに前記スイッチをオフして、前記第１バッテリ及び前記第２バッテリ間を切断する第１コンパレータと、を備えたことを特徴とする電源システム。
【請求項２】
前記第１バッテリ及び前記第２バッテリ間に、寄生ダイオードの順方向が逆向きになるように直列接続された一対の半導体スイッチを備え、
前記第１コンパレータによりオフされるスイッチは、前記一対の半導体スイッチのうち前記寄生ダイオードの順方向が前記第２バッテリから前記第１バッテリに向かう半導体スイッチのみから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電源システム。
【請求項３】
前記スイッチは、前記第１コンパレータがオフ制御してからオフされるまでの時間が、前記第１コンパレータが電圧低下を検出してから前記第２バッテリの電圧が前記負荷の動作下限電圧に低下するまでの時間よりも短いものが用いられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電源システム。
【請求項４】
前記第１バッテリの電圧と前記第２バッテリの電圧とを比較して、前記第１バッテリの電圧から前記第２バッテリの電圧を減じた値が所定値以下になったときに前記スイッチをオフする第２コンパレータを備えたことを特徴とする請求項１〜３何れか１項に記載の電源システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上述した電源システムとして、車両にメインバッテリ及びサブバッテリを搭載し、メイン側負荷及びサブ側負荷それぞれに電源を供給するものが提案されている（特許文献１）。特許文献１の電源システムは、メインバッテリ及びサブバッテリ間にスイッチを設け、通常はスイッチをオフして、メインバッテリのみにオルタネータからの充電が行われる。これに対して、回生時にはスイッチをオンして、メインバッテリ及びサブバッテリの双方にオルタネータからの充電が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−３６４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した電源システムにおいては、メインバッテリの配線付近でグランドへのショートが発生すると、ヒューズが切れるまでの数百ｍｓ程度の時間、メインバッテリの電圧低下が起こる。このときスイッチがオンされていると、メインバッテリの電圧低下につられてサブバッテリも電圧低下が起こるため、サブ側負荷への供給電圧も低下する、という問題があった。
【０００５】
本発明は、以上の背景に鑑みてなされたものであり、ショートが生じても負荷への供給電圧の低下を抑制できる電源システムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様である電源システムは、負荷に電源を供給する並列接続された第１バッテリ及び第２バッテリ間を切断して、前記第２バッテリのみから前記負荷に電源供給を行わせるスイッチと、前記第１バッテリの電圧と基準電圧とを比較して、前記第１バッテリの電圧低下を検出したときに前記スイッチをオフして、前記第１バッテリ及び前記第２バッテリ間を切断する第１コンパレータと、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
第２の態様である電源システムは、前記第１バッテリ及び前記第２バッテリ間に、寄生ダイオードの順方向が逆向きになるように直列接続された一対の半導体スイッチを備え、
前記第１コンパレータによりオフされるスイッチは、前記一対の半導体スイッチのうち前記寄生ダイオードの順方向が前記第２バッテリから前記第１バッテリに向かう半導体スイッチのみから構成されていることを特徴とする。
【０００８】
第３の態様である電源システムは、前記スイッチは、前記第１コンパレータがオフ制御してからオフされるまでの時間が、前記第１コンパレータが電圧低下を検出してから前記第２バッテリの電圧が前記負荷の動作下限電圧に低下するまでの時間よりも短いものが用いられていることを特徴とする。
【０００９】
第４の態様である電源システムは、前記第１バッテリの電圧と前記第２バッテリの電圧とを比較して、前記第１バッテリの電圧から前記第２バッテリの電圧を減じた値が所定値以下になったときに前記スイッチをオフする第２コンパレータを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように第１の態様によれば、第１コンパレータが、第１バッテリの電圧と基準電圧とを比較して、第１バッテリの電圧低下を検出したときにスイッチをオフする。これにより、第１バッテリがショートして電圧低下が生じたとしても、迅速にそれを検出して、スイッチをオフでき、ショートが生じても負荷への供給電圧の低下を抑制できる。
【００１１】
第２の態様によれば、第１コンパレータによりオフされるスイッチは、一対の半導体スイッチのうち寄生ダイオードの順方向が第２バッテリから第１バッテリに向かう半導体スイッチのみから構成されている。これにより、一対の半導体スイッチのうち一方のみ第１コンパレータによりオフし、他方は第１コンパレータによりオフしなくてもよい。
【００１２】
第３の態様によれば、第１コンパレータがオフ制御した後、第２バッテリが負荷の動作下限電圧以下に低下するよりも先にスイッチがオフされるため、より一層、ショートが生じても負荷への供給電圧の低下を抑制できる。
【００１３】
第４の態様によれば、負荷への供給電圧の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第1実施形態における本発明の電源システムを示す回路図である。
【図２】コンパレータの出力、メインバッテリの電圧Ｖ１及び安定化負荷に供給される電圧Ｖ２のタイムチャートである。
【図３】安定化負荷に供給する電圧の最小値と遮断時間との関係を示すグラフである。
【図４】メインバッテリの電圧、安定化負荷に供給する電圧及びサブＦＥＴのゲート電圧とのタイムチャートである。
【図５】第２実施形態における本発明の電源システムを示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図１に基づいて説明する。本実施形態の電源システム１は、互いに並列接続された第１バッテリとしてのメインバッテリＢｍと第２バッテリとしてのサブバッテリＢｓとの２個のバッテリが搭載された車両に設けられている。車両は、エンジン（内燃機関）を駆動源として走行する。車両は、エンジンの始動時にはスタータモータＳＴの駆動によりエンジンに初期回転が付与される。
【００１６】
メインバッテリＢｍは、例えば、鉛バッテリなどから構成されている。メインバッテリＢｍは、上記スタータモータＳＴや一般負荷Ｌｍに接続され、スタータモータＳＴや一般負荷Ｌｍに電源を供給する。一般負荷Ｌｍとしては、例えば、ヘッドライト、や空調機など自動運転時に制御されることがない負荷である。また、メインバッテリＢｍは、オルタネータＡＬＴに接続され、オルタネータＡＬＴにより充電される。
【００１７】
また、メインバッテリＢｍのプラス端子には、ヒュージブルリンクなどの保護器ＦＬが設けられ、メインバッテリＢｍに過電流が流れ続けると保護器ＦＬが切れて、過電流を遮断できる。サブバッテリＢｓは、鉛バッテリやリチウムイオンバッテリなどから構成されている。サブバッテリＢｓは、負荷としての安定化負荷Ｌｓに接続され、安定化負荷Ｌｓに電源が供給されている。安定化負荷Ｌｓは、例えば、パワーステアリングや電動ブレーキといった自動運転時に制御される負荷である。安定化負荷Ｌｓは、安定的な電源供給が要求される負荷であり、安定化動作下限電圧が定められている。
【００１８】
電源システム１は、一対の半導体スイッチとしてのメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓと、ゲート駆動回路１１と、第１コンパレータＣＰ１と、ＮＰＮトランジスタＴｒと、を備えている。
【００１９】
メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓは、メインバッテリＢｍ及びサブバッテリＢｓ間に設けられ、メインバッテリＢｍ及びサブバッテリＢｓ間の接続をオンオフする。上述したスタータモータＳＴ、オルタネータＡＬＴ及び一般負荷Ｌｍは、これらメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓよりもメインバッテリＢｍ側に接続されている。また、安定化負荷Ｌｓは、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓのサブバッテリＢｓ側に接続されている。
【００２０】
これにより、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓがオフされると、スタータモータＳＴ、オルタネータＡＬＴ及び一般負荷ＬｍとサブバッテリＢｓとの接続がオフされると共に、安定化負荷ＬｓとメインバッテリＢｍとの接続がオフされる。
【００２１】
メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓは、Ｎチャンネル型である。メインＦＥＴＱｍは、ドレインがメインバッテリＢｍ側、ソースがサブバッテリＢｓ側に接続され、その寄生ダイオードＤｍの順方向がサブバッテリＢｓからメインバッテリＢｍに向かう方向となっている。メインＦＥＴＱｍは、メインバッテリＢｍからサブバッテリＢｓに流れる電流を遮断する。
【００２２】
サブＦＥＴＱｓは、ドレインがサブバッテリＢｓ側、ソースがメインバッテリＢｍ側に接続され、その寄生ダイオードＤｓの順方向がメインバッテリＢｍからサブバッテリＢｓに向かう方向となっている。サブＦＥＴＱｓは、サブバッテリＢｓからメインバッテリＢｍに流れる電流を遮断する。
【００２３】
ゲート駆動回路１１は、外部の例えば制御部（図示せず）からの指令により、抵抗Ｒｍ、Ｒｓを介してメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓの各々にゲート電圧を供給して、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓのオンオフを制御する回路である。具体的には、上記制御部は、例えば、通常はメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓをオフにして、回生運転時にメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓをオンにしてオルタネータＡＬＴからサブバッテリＢｓに充電できるように指令する。
【００２４】
ゲート駆動回路１１は、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓをオンするときには、ソース電圧（メインバッテリＢｍの電圧）＋１０Ｖ程度のゲート電圧をメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓのゲートに加える。また、ゲート駆動回路１１は、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓをオフするときには、ソース電圧（メインバッテリＢｍの電圧）＋しきい値電圧以下の電圧に下げる。
【００２５】
第１コンパレータＣＰ１は、反転入力がメインバッテリＢｍのプラス側（メインバッテリＢｍとメインＦＥＴＱｍとの間）に接続され、非反転入力が基準電圧源１２に接続されている。これにより、第１コンパレータＣＰ１の反転入力にメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が入力され、非反転入力に基準電圧源１２からの基準電圧Ｖｒｅｆが入力される。基準電圧Ｖｒｅｆは、安定化負荷Ｌｓの安定化動作下限電圧以上に設定されている。第１コンパレータＣＰ１は、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｒｅｆより高い間は出力がＬレベルとなり、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｒｅｆより低くなると出力がＨレベルとなる。
【００２６】
この第１コンパレータＣＰ１の出力は、ＮＰＮトランジスタＴｒのベースに接続されている。ＮＰＮトランジスタＴｒは、エミッタが接地され、コレクタがサブＦＥＴＱｓのゲートと抵抗Ｒｓとの間に接続されている。これにより、第１コンパレータＣＰ１の出力がＬレベルの間は、ＮＰＮトランジスタＴｒはオフとなり、サブＦＥＴＱｓはゲート駆動回路１１によりオンオフされる。一方、第１コンパレータＣＰ１の出力がＨレベルになると、ＮＰＮトランジスタＴｒはオンとなり、サブＦＥＴＱｓのゲートを接地するため、サブＦＥＴＱｓは、ゲート駆動回路１１の出力に関係なく、強制的にオフされる。
【００２７】
次に、上述した構成の電源システム１の動作について、図２のタイムチャートを参照して説明する。ゲート駆動回路１１は、外部の制御部からの指令により、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓをオンまたはオフする。
【００２８】
正常時には、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１は基準電圧Ｖｒｅｆ以下になることはほぼなく、図２に示すように、第１コンパレータＣＰ１の出力はＬレベルとなる。これにより、ＮＰＮトランジスタＴｒがオフとなるため、メインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓはゲート駆動回路１１の制御に従ってオンオフされる。
【００２９】
今、図１に示すように、メインバッテリＢｍの配線でショートが発生したとする。このとき、図２に示すように、ショートが発生したタイミングで、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が急激に下がり、基準電圧Ｖｒｅｆ以下となる。メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｒｅｆ以下になるタイミングで、第１コンパレータＣＰ１の出力がＬからＨに切り替わる。これにより、ＮＰＮトランジスタＴｒがオンされるため、サブＦＥＴＱｓのゲートが接地され、サブＦＥＴＱｓが強制的にオフされる。
【００３０】
即ち、サブＦＥＴＱｓは、ゲート駆動回路１１によりオン制御されていても、強制的にオフされる。なお、このとき、メインＦＥＴＱｍは、ゲート駆動回路１１の制御に従ってオンオフされる。配線ショートが発生している間は、サブバッテリＢｓの電圧がメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１よりも高いため、サブＦＥＴＱｓの寄生ダイオードＤｓを通ってサブバッテリＢｓからメインバッテリＢｍに電流が流れることがない。このため、メインＦＥＴＱｍがオンであっても、サブＦＥＴＱｓがオフであれば、メインバッテリＢｍ及びサブバッテリＢｓ間の切断できる。そして、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧はサブバッテリＢｓの電圧に切り替えられるため、安定化負荷Ｌｓの動作が停止される恐れがない。
【００３１】
なお、図２に示すように、サブＦＥＴＱｓは、第１コンパレータＣＰ１がＬからＨに切り替わってもすぐにはオフとならずに、遮断時間Ｔの経過後にオフする。これはゲート容量にたまった電荷を引き抜くのに時間がかかるからである。この遮断時間Ｔが経過してサブＦＥＴＱｓがオフした後に、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧が安定化する。
【００３２】
瞬時にサブＦＥＴＱｓをオフさせるためには、電荷を引き抜く速度を速めればよいが、そのためには回路が大型化、高コスト化してしまうので、必要最低限の遮断時間Ｔとすることが望ましい。ここで、安定化負荷Ｌｓの配線にはインダクタンス成分Ｌがあり、このインダクタンス成分Ｌにより安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２はメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１よりも遅れて低下する。安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２は、下記の式（１）で表される。
Ｖ２＝Ｖ１−ｉ×Ｒ＋Ｌ×（ｄｉ／ｄｔ）  …（１）
【００３３】
ここで、ｉは安定化負荷Ｌｓに流れる電流、Ｒは負荷配線の抵抗である。インダクタンス成分Ｌを考慮することにより、遮断時間Ｔの猶予が生み出される。Ｌ×（ｄｉ／ｄｔ）は、時間ｔの経過に応じて過渡的に小さくなる。即ち、図２に示すように、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が低下したとき、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２は、直ぐに（Ｖ１−ｉ×Ｒ）まで低下せず、ゆっくり低下して（Ｖ１−ｉ×Ｒ）に近づく。このため、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｒｅｆ（＝安定化動作下限電圧）以下に落ちるまでの間に、サブＦＥＴＱｓをオフできればよい。
【００３４】
次に、ある車の安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２を基準電圧Ｖｒｅｆ（＝安定化動作下限電圧）以上に保つために必要な遮断時間Ｔを検討した結果を図３で示す。同図に示すように、安定化動作下限電圧としては１０Ｖ以上の電圧を保てばよいが、そのためには、遮断時間Ｔが１０μｓでよいことが分かる。
【００３５】
次に、遮断時間Ｔを６μｓとしたときのメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２及びサブＦＥＴＱｓのゲート電圧のタイムチャートを図４に示す。同図に示すように、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２の最小値を１１Ｖに抑えることができた。なお、サブＦＥＴＱｓをオフした後、ショートが継続すると、保護器ＦＬが切れて、過電流が遮断される。
【００３６】
上述した第１実施形態によれば、第１コンパレータＣＰ１が、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１と基準電圧Ｖｒｅｆとを比較して、メインバッテリＢｍの電圧低下を検出したときにサブＦＥＴＱｓをオフする。これにより、メインバッテリＢｍがショートして電圧低下が生じたとしても、迅速にそれを検出して、サブＦＥＴＱｓをオフでき、ショートが生じても安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２の低下を抑制できる。
【００３７】
また、上述した第１実施形態によれば、第１コンパレータＣＰ１によりオフされるスイッチは、一対のメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓのうち寄生ダイオードＤｓの順方向がメインバッテリＢｍからサブバッテリＢｓに向かうサブＦＥＴＱｓのみから構成されている。これにより、第１コンパレータＣＰ１で、サブＦＥＴＱｓのみオフすればよい。
【００３８】
また、上述した第１実施形態によれば、サブＦＥＴＱｓは、第１コンパレータＣＰ１がオフ制御してからオフされるまでの遮断時間Ｔが、第１コンパレータＣＰ１が電圧低下を検出してからメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が安定化動作下限電圧に低下するまでの時間よりも短いものが用いられている。これにより、第１コンパレータＣＰ１がオフ制御した後、サブバッテリＢｓが安定化動作下限電圧以下に低下するよりも先に、サブＦＥＴＱｓをオフできるため、より一層、ショートが生じても安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２が安定化動作下限電圧以下になることを抑制でき、安定化負荷Ｌｓが瞬断しにくくなる。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を図５に基づいて説明する。上述した図１に示す第１実施形態の電源システム１では、メインバッテリＢｍとサブバッテリＢｓとの間に一対のメインＦＥＴＱｍ及びサブＦＥＴＱｓを設けていた。これにより、オルタネータＡＬＴが発電状態のとき（電圧Ｖ１がサブバッテリＢｓの起電力よりも高いとき）にメインＦＥＴＱｍをオフにして安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ１をサブバッテリＢｓに切り替えることができる。
【００４０】
しかしながら、例えば、オルタネータＡＬＴからの電流のみを安定化負荷Ｌｓに供給するような用途では、図５に示すように、メインＦＥＴＱｍを省略し、サブＦＥＴＱｓのみを設けてもよい。図５の例では、サブＦＥＴＱｓは常時オンし、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１がサブバッテリＢｓの電圧Ｖ３よりも低下したときのみサブＦＥＴＱｓをオフする。
【００４１】
電圧Ｖ１が電圧Ｖ３よりも下がってしまうのは、例えば一般負荷Ｌｍの消費が一時的に増加してオルタネータＡＬＴの発電許容量を上回ったようなときである。この場合、サブＦＥＴＱｓをオフして安定化負荷Ｌｓへの電源供給をサブバッテリＢｓに切り替える。これにより、安定化負荷Ｌｓに供給される電圧Ｖ２の低下を抑制することができる。
【００４２】
図５に示す例では、上述したサブＦＥＴＱｓの制御を第２コンパレータＣＰ２で行っている。第２コンパレータＣＰ２は、反転入力がサブバッテリＢｓのプラス側（サブバッテリＢｓと安定化負荷Ｌｓとの間）に接続され、非反転入力がメインバッテリＢｍのプラス側（メインバッテリＢｍとサブＦＥＴＱｓとの間）に接続されている。これにより、第２コンパレータＣＰ２の反転入力にサブバッテリＢｓの電圧Ｖ３が入力され、非反転入力にメインバッテリＢｍの電圧Ｖ１が供給される。第２コンパレータＣＰ２は、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１がサブバッテリＢｓの電圧Ｖ３より高い間は出力がＨレベルとなり、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１がサブバッテリＢｓの電圧Ｖ２より低くなると出力がＬレベルとなる。
【００４３】
第２コンパレータＣＰ２の出力がＨレベルの間（Ｖ１＞Ｖ３）は、サブＦＥＴＱｓがオンする。これに対して、第２コンパレータＣＰ２の出力がＬレベルの間（Ｖ１＜Ｖ３）は、サブＦＥＴＱｓをオフする。即ち、第２コンパレータＣＰ２は、電圧Ｖ１から電圧Ｖ３を減じた値が０（＝所定値）以下になったときにサブＦＥＴＱｓをオフする。
【００４４】
なお、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１及びサブバッテリＢｓの電圧Ｖ３と第２コンパレータＣＰ２の入力との間には遅延回路１３を設けてもよい。この遅延回路１３により入力を遅延させることにより、入力にフィルタがかかるため、配線にのったノイズなどにより頻繁にサブＦＥＴＱｓがオンオフ制御されることを抑制することができる。
【００４５】
また、上述した第２実施形態では、Ｖ１＜Ｖ３のときにサブＦＥＴＱｓをオフしていたが、これに限ったものではない。例えば、第２コンパレータＣＰ２の非反転入力にマイナスオフセットした電圧Ｖ１を入力する。これにより、Ｖ１−オフセット電圧＜Ｖ３のときにサブＦＥＴＱｓがオフされる。即ち、第２コンパレータＣＰ２は、電圧Ｖ１から電圧Ｖ３を減じた値がオフセット電圧（正の所定値）以下のときにサブＦＥＴＱｓをオフできる。これにより、電圧Ｖ１の方が電圧Ｖ３よりも高いが流れる電流が０に近づいた状態で、サブＦＥＴＱｓをオフできる。
【００４６】
また、第２コンパレータＣＰ２の非反転入力にプラスオフセットした電圧Ｖ１を入力する。これにより、Ｖ１＋オフセット電圧＜Ｖ３のときにサブＦＥＴＱｓがオフされる。即ち、第２コンパレータＣＰ２は、電圧Ｖ１から電圧Ｖ３を減じた値が−オフセット電圧（負の所定値）以下のときにサブＦＥＴＱｓをオフできる。これにより、電圧Ｖ１が電圧Ｖ３よりも十分に下がってある程度の電流が逆に流れるようになった状態で、サブＦＥＴＱｓをオフできる。
【００４７】
上述した第２実施形態によれば、メインバッテリＢｍの電圧Ｖ１とサブバッテリＢｓの電圧Ｖ３とを比較して、メインバッテリＢｍの電圧がサブバッテリＢｓの電圧より低下したときにサブＦＥＴＱｓをオフする第２コンパレータＣＰ２を備えている。これにより、より一層、安定化負荷Ｌｓへの供給電圧の低下を抑制できる。
【００４８】
また、上述した第１及び第２実施形態では、サブバッテリＢｓと安定化負荷Ｌｓとの間にスイッチを設けていなかったが、従来技術と同様にスイッチを設けてもよい。
【００４９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５０】
Ｂｍ  メインバッテリ（第１バッテリ）
Ｂｓ  サブバッテリ（第２バッテリ）
ＣＰ１  第１コンパレータ
Ｌｓ  安定化負荷（負荷）
Ｑｍ  メインＦＥＴ(半導体スイッチ)
Ｑｓ  サブＦＥＴ（スイッチ、半導体スイッチ）
Ｖｒｅｆ  基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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