(57)【要約】【課題】レーザービームによるデバイスの損傷を抑制する。裏面にダイボンド用樹脂が配設されたデバイスチップを容易に形成する。【解決手段】表面に保護部材が貼着されたウェーハの裏面側を研削する研削ステップと、レーザービームを該ウェーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射することで、改質層と、該改質層から該表面に向かって伸長するクラックと、を形成するレーザー加工ステップと、該改質層に沿って切削ブレードを切り込ませることで、該改質層を除去するとともに溝を形成する溝形成ステップと、該ウェーハの該裏面の該溝によって区画された各領域に液状のダイボンド用樹脂を供給するダイボンド用樹脂配設ステップと、該ウェーハの裏面にエキスパンドテープを貼着した後、該保護部材を剥離する貼り替えステップと、該エキスパンドテープを径方向に拡張することで該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備える。【選択図】図３
2018206795.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に分割予定ラインが設定され、該分割予定ラインにより区画された複数の領域のそれぞれにデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの該表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該表面に該保護部材が貼着された該ウェーハの裏面側を研削することで該ウェーハを薄化する研削ステップと、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを薄化された該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハの所定の深さ位置に照射することで、改質層と、該改質層から該表面に向かって伸長するクラックと、をウェーハ内部に形成するレーザー加工ステップと、
該ウェーハの該裏面から該改質層に沿って切削ブレードを該表面に至らない深さまで該ウェーハに切り込ませることで、該改質層を除去するとともに該分割予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、
該ウェーハの該裏面の該溝によって区画された各領域に液状のダイボンド用樹脂を供給し、該液状のダイボンド用樹脂を固化させるダイボンド用樹脂配設ステップと、
該ウェーハの裏面に該ダイボンド用樹脂を介してエキスパンドテープを貼着した後、該ウェーハの表面から該保護部材を剥離する貼り替えステップと、
該エキスパンドテープを径方向に拡張することで該クラックを起点に該ウェーハを個々のデバイスチップに分割して、裏面にダイボンド用樹脂が配設されたデバイスチップを形成する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該ダイボンド用樹脂配設ステップは、
該液状のダイボンド用樹脂を霧状にして該ウェーハの該裏面に吹き付けて塗布する塗布ステップと、
該塗布された該液状のダイボンド用樹脂を固化させて薄膜層を形成する固化ステップと、を含み、
該塗布ステップと、該固化ステップと、をそれぞれ複数回交互に実施することで該薄膜層を積層させた該ダイボンド用樹脂を形成することを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハの表面には格子状に並ぶ複数の分割予定ライン（ストリート）が設定される。該分割予定ラインによって区画された該表面の各領域には半導体を用いたデバイスが形成される。そして、該分割予定ラインに沿って該ウェーハが分割されると、個々のデバイスチップが形成される。形成されたデバイスチップは、各種の電子機器に搭載される。
【０００３】
近年、デバイスチップが搭載される電子機器の小型化や薄型化の傾向が著しく、これに伴いデバイスチップの小型化や薄型化への要求も高まっている。また、分割予定ラインの幅を細くすることで１枚のウェーハに形成できるデバイスの数を増やし、デバイスチップの製造コストを低下させる試みがなされている。
【０００４】
薄型のデバイスチップは、ウェーハを裏面側から研削して薄化し、次に該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで作製される。ウェーハの分割は、例えば、円環状の切削ブレードによる切削、または、レーザービームの照射によるアブレーション加工により行われる。ただし、これらの方法でウェーハを分割すると、分割により形成されるデバイスチップの端部に欠けが発生したり、該デバイスチップの側面に歪みが生じたりする場合があり、抗折強度の低いデバイスチップが作製されやすい。
【０００５】
そこで、先ダイシング（ＤＢＧ：Dicing Before Grinding）と呼ばれるプロセスにより薄化されたデバイスチップが製造されている。該プロセスでは、該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側に溝を形成し、次にウェーハを裏面側から研削して該溝の底部を除去することでウェーハを分割してデバイスチップを形成する。
【０００６】
近年、先ダイシングプロセスの中でも、ＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）と呼ばれるプロセスが着目されている。ＳＤＢＧでは、分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に改質層を形成し、該改質層を起点にウェーハの表面に至るクラックを形成してウェーハを分割する（特許文献１参照）。ウェーハに対して透過性を有するレーザービームをウェーハの内部に集光させた状態で、該分割予定ラインに沿って該ウェーハに該レーザービームを照射すると、多光子吸収により該改質層が形成される。
【０００７】
ＳＤＢＧで該分割予定ラインに沿って形成されるクラックは、切削ブレードによる切削やレーザービームによるアブレーション加工で形成される溝よりも細いため、これらの場合に比べて分割予定ラインを細く設定することができる。また、切削ブレードによる切削やレーザービームによるアブレーション加工でウェーハに溝を形成するよりも、ＳＤＢＧによりクラックを形成する方がウェーハに欠けが生じにくく、形成されるデバイスチップの抗折強度が高くなる。
【０００８】
ところで、製造されるデバイスチップの裏面には、ダイボンド用樹脂（ＤＡＦ：Die Attach Film）が設けられる場合がある。ダイボンド用樹脂は、該デバイスチップを実装対象に実装する際の接着剤として機能する（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−２８９７７３号公報
【特許文献２】特開２０１６−２０７９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＤＢＧやＳＤＢＧでは、ウェーハの裏面側を研削してウェーハを薄化してデバイスチップを形成してからフィルム状のダイボンド用樹脂をウェーハの裏面に貼着し、隣接するデバイスチップの間にレーザービームを照射し、該フィルム状のダイボンド用樹脂をデバイスチップ毎に破断することとなる。しかし、デバイスチップが形成されたときデバイスチップ間の間隔が狭いため、それぞれのデバイスチップに応じて分離したダイボンド用樹脂を破断するのが容易ではないとの課題があった。
【００１１】
また、ＳＤＢＧでは、該ウェーハの表面側の所定の位置にクラックを適切に伸長させるために、薄化される前の厚いウェーハの裏面側からレーザービームを照射して、該ウェーハの表面側に近い深さ位置に改質層を形成しなければならない。そのため、改質層の形成のために照射されるレーザービームには所定の出力が必要であり、また、複数回のレーザービームの照射が必要となる場合がある。
【００１２】
照射されたレーザービームの一部は、多光子吸収による改質層の形成に寄与するが、他の一部は集光点を通過してウェーハを透過する。そして、ウェーハを透過したレーザービームの漏れ光やスプラッシュがデバイスに到達する。そのため、出力の高いレーザービームや複数回のレーザービームがウェーハに照射されると該デバイスを破損させるおそれがあった。
【００１３】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、低い出力のレーザービームや、走査回数の少ないレーザービームで改質層を形成でき、レーザービームの漏れやスプラッシュを抑制してデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法を提供することである。また、形成されるデバイスチップの裏面にダイボンド用樹脂を容易に形成できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様によれば、表面に格子状に分割予定ラインが設定され、該分割予定ラインにより区画された複数の領域のそれぞれにデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、該ウェーハの該表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該表面に該保護部材が貼着された該ウェーハの裏面側を研削することで該ウェーハを薄化する研削ステップと、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを薄化された該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハの所定の深さ位置に照射することで、改質層と、該改質層から該表面に向かって伸長するクラックと、をウェーハ内部に形成するレーザー加工ステップと、該ウェーハの該裏面から該改質層に沿って切削ブレードを該表面に至らない深さまで該ウェーハに切り込ませることで、該改質層を除去するとともに該分割予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、該ウェーハの該裏面の該溝によって区画された各領域に液状のダイボンド用樹脂を供給し、該液状のダイボンド用樹脂を固化させるダイボンド用樹脂配設ステップと、該ウェーハの裏面に該ダイボンド用樹脂を介してエキスパンドテープを貼着した後、該ウェーハの表面から該保護部材を剥離する貼り替えステップと、該エキスパンドテープを径方向に拡張することで該クラックを起点に該ウェーハを個々のデバイスチップに分割して、裏面にダイボンド用樹脂が配設されたデバイスチップを形成する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１５】
なお、本発明の一態様において、該ダイボンド用樹脂配設ステップは、該液状のダイボンド用樹脂を霧状にして該ウェーハの該裏面に吹き付けて塗布する塗布ステップと、該塗布された該液状のダイボンド用樹脂を固化させて薄膜層を形成する固化ステップと、を含み、該塗布ステップと、該固化ステップと、をそれぞれ複数回交互に実施することで該薄膜層を積層させた該ダイボンド用樹脂を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの表面に保護部材を貼着して裏面側を研削してウェーハを薄化する。その後に、ウェーハの裏面側から該ウェーハに透過性を有する波長のレーザービームを照射して、分割予定ラインに沿って該ウェーハの内部に改質層を形成するとともに、該改質層から該表面に伸長するクラックを形成する。
【００１７】
従来のＳＤＢＧプロセスでは、ウェーハを研削する前の厚いウェーハに裏面側からレーザービームを照射して改質層を形成するため、該裏面からレーザービームの集光位置までの距離が比較的長くなる。そのため、出力の高いレーザービームを照射したり、レーザービームを複数回走査して複数層の改質層を形成したりする必要があった。
【００１８】
これに対して、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、先にウェーハを裏面側から研削して薄化するため、ウェーハの裏面からレーザービームの集光位置までの距離が比較的短くなり、レーザービームの出力を比較的小さくできる。そのため、該レーザービームの漏れやスプラッシュによるデバイスの損傷を抑制できる。
【００１９】
また、デバイスチップに改質層が残ると該デバイスチップの抗折強度が低下するため、該改質層は除去される。本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、該改質層に沿って切削ブレードを該ウェーハに切り込ませて切削することで、該改質層を除去する。このとき、切削ブレードを裏面側から該表面に至らない深さに切り込ませる。
【００２０】
該ウェーハでは表面側に伸長するクラックにより該ウェーハを個々のデバイスチップに分割するため分割予定ラインの幅は小さく設定されるが、該切削ブレードを表面側に至らない深さで切り込ませるのであれば切削ブレードがデバイスに損傷を与えることもない。
【００２１】
該切削ブレードにより改質層が除去されると、該ウェーハの裏面側には該分割予定ラインに沿って溝が形成される。すると、デバイスチップ毎に分割されたダイボンド用樹脂（ＤＡＦ）を該ウェーハの裏面側に形成するのが容易となる。
【００２２】
すなわち、例えば、液状のダイボンド用樹脂を霧状にして吹き付ける等の方法で該ウェーハの裏面側に所定の量の該液状のダイボンド用樹脂を供給してこれを固化させる。該ウェーハの裏面側が該溝によりデバイスチップ毎の領域に区画されているため、デバイスチップ毎に分割されたダイボンド用樹脂を該裏面に形成できる。
【００２３】
このとき、ダイボンド用樹脂がデバイスチップ間で僅かに連結されて形成されるおそれもある。しかし、該ウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着して保護部材を表面側から剥離し、該エキスパンドテープを径方向に拡張すると、該ウェーハが個々のデバイスチップに分割されるとともに連結された該ダイボンド用樹脂も分割できる。以上により、裏面側にダイボンド用樹脂が配設された個々のデバイスチップを作製できる。
【００２４】
本発明により、低い出力のレーザービームや、走査回数の少ないレーザービームで改質層を形成でき、レーザービームの漏れやスプラッシュを抑制してデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法が提供される。また、形成されるデバイスチップの裏面にダイボンド用樹脂を容易に形成できるウェーハの加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの表面側を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、表面側に保護部材が貼着されたウェーハの裏面側を模式的に示す斜視図である。
【図２】研削ステップを模式的に示す側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、溝形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、塗布ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、固化ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｃ）は、再度実施される塗布ステップを示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、張り替えステップを模式的に示す断面図であり、図５（Ｂ）は、エキスパンドテープが裏面に貼着されたウェーハを模式的に示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、エキスパンドテープを拡張する前のウェーハを模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
まず、本実施形態に係る加工方法の被加工物であるウェーハ１について図１（Ａ）を用いて説明する。図１（Ａ）は、該ウェーハを模式的に示す斜視図である。該ウェーハ１は、例えば、シリコン、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる基板である。
【００２７】
ウェーハ１の表面１ａは格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）３で複数の領域に区画されており、該複数の分割予定ライン３により区画された各領域にはＩＣ等のデバイス５が形成されている。最終的に、ウェーハ１が薄化されて分割予定ライン３に沿って分割されることで、個々のデバイスチップが形成される。
【００２８】
以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について説明する。まず、該ウェーハ１の該表面１ａに保護部材７を貼着する保護部材貼着ステップを実施する。図１（Ｂ）は、表面１ａ側に保護部材７が貼着されたウェーハ１の裏面１ｂ側を模式的に示す斜視図である。
【００２９】
保護部材７は、本実施形態に係るウェーハの加工方法が実施されている間、各ステップや搬送等の際に加わる衝撃からウェーハ１の表面１ａ側を保護し、デバイス５に損傷が生じるのを防止する機能を有する。
【００３０】
保護部材７は、可撓性を有するフィルム状の基材と、該基材の一方の面に形成された糊層（接着剤層）と、を有する。例えば、基材にはＰＯ（ポリオレフィン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられる。また、糊層（接着剤層）には、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。
【００３１】
次に、該ウェーハ１の裏面１ｂ側を研削することで該ウェーハ１を薄化する研削ステップを実施する。図２は、研削ステップを模式的に説明する断面図である。研削ステップは、図２に示す研削装置２で実施される。
【００３２】
該研削装置２は、ウェーハ１を吸引保持するチャックテーブル４を備えている。該チャックテーブル４は、一端が吸引源（不図示）に接続された吸引路（不図示）を内部に有し、該吸引路の他端がチャックテーブル４上の保持面４ａを形成する多孔質部材（不図示）に通じている。チャックテーブル４は、該保持面４ａ上に載せられた被加工物１に該多孔質部材を介して該吸引源により生じた負圧を作用させてウェーハ１を吸引保持する。また、チャックテーブル４は保持面４ａに略垂直な軸の周りに回転可能である。
【００３３】
チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配設される。該研削ユニット６は、伸長方向の周りに回転されるスピンドル８を有し、該スピンドル８の下端には研削ホイール１０が固定されている。該研削ホイール１０の下面にはチャックテーブル４に吸引保持されたウェーハ１を研削する研削砥石１２が装着されている。該研削ユニット６は図示しない加工送りユニットに支持されており、該研削ユニット６は、該加工送りユニットにより上下方向に移動できる。
【００３４】
研削ステップでは、まず、表面１ａに保護部材７が貼着されたウェーハ１をチャックテーブル４の保持面４ａ上に載せる。このとき、該ウェーハ１の表面１ａ側を下方に向け該表面１ａに貼着された保護部材７を介してウェーハ１を該保持面４ａ上に載せる。次に、該吸引源を作動させて該多孔質部材を介してウェーハ１に負圧を作用して、チャックテーブル４にウェーハ１を吸引保持させる。すると、ウェーハ１の裏面１ｂが上方に露出する。
【００３５】
次に、チャックテーブル４を保持面４ａに略垂直な軸のまわりに回転させ、研削ユニット６のスピンドル８を回転させる。そして、研削ホイール１０を回転させた状態で加工送りユニットを作動させて、研削ホイール１０を下方に加工送りする。研削砥石１２がウェーハ１の裏面１ｂに接触すると、ウェーハ１の研削加工が始まる。ウェーハ１が所定の厚さとなるように研削ホイール１０を加工送りすると、ウェーハ１が薄化される。
【００３６】
研削ステップを実施すると、ウェーハ１が薄化されて所定の厚さとなる。該所定の厚さは、本実施形態に係るウェーハの加工方法により形成されるデバイスチップの仕上がり厚さに設定される。該仕上がり厚さは、例えば、２０μｍ〜２００μｍである。
【００３７】
次に、レーザー加工ステップを実施する。レーザー加工ステップでは、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービームを該ウェーハ１の裏面１ｂ側から該分割予定ライン３に沿ってウェーハ１の所定の深さ位置に照射する。図３（Ａ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す断面図である。
【００３８】
レーザー加工ステップでは、図３（Ａ）に示すレーザー加工装置１４が使用される。該レーザー加工装置１４は、ウェーハ１を吸引保持するチャックテーブル１６を備えている。該チャックテーブル１６は、上述の研削装置２が備えるチャックテーブル４と同様の構成である。
【００３９】
該レーザー加工装置１４は、レーザービームを発振する加工ヘッド１８を該チャックテーブル１６の上方に備える。加工ヘッド６は、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを発振してウェーハ１の内部の所定の深さに集光する機能を有し、多光子吸収により該所定の深さに改質層９を形成し、さらに、該改質層９からウェーハ１の表面１ａに至るクラック１１を生じさせる。なお、該レーザービームには、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４やＮｄ：ＹＡＧを媒体として発振されるレーザービームが用いられる。
【００４０】
レーザー加工装置１４はパルスモータ等を動力とする加工送り手段（加工送り機構、不図示）により、チャックテーブル１６をレーザー加工装置１４の加工送り方向に移動できる。ウェーハ１のレーザー加工時等には、チャックテーブル１６を加工送り方向に送ってウェーハ１を加工送りさせる。また、チャックテーブル１６は保持面１６ａに略垂直な軸の周りに回転可能であり、チャックテーブル１６を回転させるとウェーハ１の加工送り方向を変えられる。
【００４１】
さらに、レーザー加工装置１４はパルスモータ等を動力とする割り出し送り手段（割り出し送り機構、不図示）により、チャックテーブル１６をレーザー加工装置１４の割り出し送り方向（不図示）に移動できる。
【００４２】
レーザー加工ステップでは、まず、研削ステップと同様にチャックテーブル１６にウェーハ１を吸引保持させて、ウェーハ１の裏面１ｂを上方に露出させる。次に、分割予定ライン３に沿って分割予定ライン３の一端から他端にかけてウェーハ１の内部に改質層９を形成できるように、チャックテーブル１６及び加工ヘッド１８の相対位置を調整する。
【００４３】
次に、レーザー加工装置１４の加工ヘッド１８からウェーハ１の裏面１ｂ側にレーザービーム２０を照射し該レーザービーム２０をウェーハ１の内部に集光させながらチャックテーブル４を移動させてウェーハ１を加工送りする。
【００４４】
すると、図３（Ａ）に示すようにウェーハ１の内部のレーザービーム２０の集光点付近に多光子吸収により改質層９が形成される。さらに、形成された改質層９ａから表面１ａに至るクラック１１が形成される。
【００４５】
一つの分割予定ライン３に沿って改質層９と、クラック１１と、が形成された後、ウェーハ１を割り出し送りして、隣接する分割予定ライン３に沿って次々と改質層９と、クラック１１と、を形成する。さらに、チャックテーブル１６を保持面１６ａに垂直な軸の周りに回転させ加工送り方向を変えて、同様にレーザービームの照射を続ける。そして、すべての分割予定ライン３に沿って改質層９と、クラック１１と、が形成されるとレーザー加工ステップが完了する。
【００４６】
なお、改質層９は、例えば、表面１ａから７０μｍ〜９０μｍの深さ位置に形成される。また、レーザー加工ステップでは、一つの分割予定ライン３に沿って深さ位置を変えてレーザービームを複数回照射してもよい。この場合、例えば、一度目のレーザービームの照射により改質層９を形成し、該一度目のレーザービームが照射される深さ位置よりも裏面１ｂに近い深さ位置に二度目のレーザービームを照射することで該改質層９から該表面１ａに伸長するクラック１１を形成してもよい。
【００４７】
例えば、該ウェーハの加工方法に依らずに研削ステップを実施せずにレーザー加工ステップを実施する場合、改質層９の形成のためには比較的大きな出力のレーザービームをウェーハ１に照射しなければならない。すると、レーザービームの漏れやスプラッシュが生じて、ウェーハ１に形成されたデバイス５を破損させるおそれがあった。
【００４８】
これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、研削ステップを実施しウェーハ１を裏面１ｂ側から研削して薄化した後にレーザー加工ステップを実施する。そのため、改質層９が形成されやすくなりレーザービームの出力を比較的小さくできる。したがって、該レーザービームの漏れやスプラッシュによるデバイス５の損傷を抑制できる。
【００４９】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、レーザー加工ステップを実施した後、該改質層を切削ブレートによる切削で除去する溝形成ステップを実施する。図３（Ｂ）は、溝形成ステップを模式的に示す断面図である。溝形成ステップでは、図３（Ｂ）に示される切削装置２２が使用される。該切削装置２２は、ウェーハ１を吸引保持するチャックテーブル２４を備えている。該チャックテーブル２４は、上述の研削装置２が備えるチャックテーブル４と同様の構成である。
【００５０】
切削装置２２は、チャックテーブル２４の上方に切削ユニット２２ａを備える。切削ユニット２２ａは、チャックテーブル２４の保持面２４ａに平行に伸長するスピンドル２６と、該スピンドル２６の一端に装着された円環状の切削ブレード２８と、を備える。該スピンドル２６の他端には回転駆動源（不図示）が接続されており、該回転駆動源によりスピンドル２６がその伸長方向の周りに回転すると、該切削ブレード２８が回転する。
【００５１】
該切削ユニット２２ａは図示しない切り込み送りユニットに支持されており、該切削ユニット２２ａは、該切り込み送りユニットにより上下方向に移動できる。チャックテーブル２４は、図示しない加工送りユニットにより該保持面２４ａに平行かつ該スピンドル２６の伸長方向に垂直な加工送り方向に移動できる。切削ブレード２８を回転させた状態でチャックテーブル２４を加工送りして切削ブレード２８をウェーハ１に切り込ませると、ウェーハ１が切削される。
【００５２】
溝形成ステップでは、該ウェーハ１の該裏面１ｂから該改質層９に沿って切削ブレード２８を該表面１ａに至らない深さまで該ウェーハ１に切り込ませることで、該改質層９を除去するとともに該分割予定ライン３に沿って溝１３を形成する。
【００５３】
まず、レーザー加工ステップと同様にチャックテーブル２４にウェーハ１を吸引保持させて、ウェーハ１の裏面１ｂを上方に露出させる。次に、分割予定ライン３に沿って分割予定ライン３の一端から他端にかけてウェーハ１に溝１３を形成できるように、チャックテーブル２４及び切削ブレード２８の刃先の相対位置を調整する。
【００５４】
そして、該回転駆動源を作動させてスピンドル２６を回転させて切削ブレード２８を回転させ、切り込み送りユニットを作動させて、該切削ブレード２８を所定の高さ位置に位置付ける。ここで、該所定の高さ位置とは、切削ブレード２８の刃先の下端が改質層９の形成位置よりも下方かつ該表面１ａに到達しない高さ位置に位置付けられるときの切削ブレード２８の高さ位置である。
【００５５】
次に、加工送りユニットによりチャックテーブル２４を移動させてウェーハ１を加工送りする。すると、図３（Ｂ）に示すように、切削ブレード２８によりウェーハ１の内部の形成された改質層９に沿ってウェーハ１が切削され改質層９が除去されるとともに、溝１３が形成される。
【００５６】
一つの分割予定ライン３に沿って改質層９が除去され溝１３が形成された後、ウェーハ１を割り出し送りして、隣接する分割予定ライン３に沿って次々と溝１３を形成する。さらに、チャックテーブル２４を保持面２４ａに垂直な軸の周りに回転させ加工送り方向を変えて、ウェーハ１の切削を続ける。そして、すべての分割予定ライン３に沿って改質層９を除去して溝１３を形成すると、溝形成ステップが完了する。
【００５７】
溝形成ステップを実施すると、ウェーハ１から改質層９が除去される。ウェーハ１や形成されるデバイスチップに改質層９が残ると、抗折強度が低下するため、該溝形成ステップを実施して改質層９を除去する。切削ブレード２８により改質層９が除去されると、ウェーハ１の裏面１ｂ側に溝１３が形成され、該裏面１ｂは該溝１３によって区画される。
【００５８】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、溝形成ステップの後に、該ウェーハ１の該裏面１ｂの該溝１３によって区画された各領域に液状のダイボンド用樹脂を供給し、該液状のダイボンド用樹脂を固化させるダイボンド用樹脂配設ステップを実施する。
【００５９】
該ダイボンド用樹脂配設ステップは、例えば、該液状のダイボンド用樹脂を霧状にして該ウェーハの該裏面に吹き付けて塗布する塗布ステップと、該塗布された該液状のダイボンド用樹脂を固化させて薄膜層を形成する固化ステップと、を含む。該ダイボンド用樹脂配設ステップでは、該塗布ステップと、該固化ステップと、をそれぞれ複数回交互に実施することで該薄膜層を積層させた該ダイボンド用樹脂を形成してもよい。
【００６０】
ダイボンド用樹脂配設ステップについて、図４（Ａ）乃至図４（Ｃ）を用いて説明する。図４（Ａ）は、塗布ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、固化ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｃ）は、再度実施される塗布ステップを示す断面図である。
【００６１】
ダイボンド用樹脂配設ステップは、図４（Ａ）乃至図４（Ｃ）に示す、塗布装置３０で実施される。塗布装置３０は、ウェーハ１を保持するためのチャックテーブル３４を備える。該チャックテーブル３４は、上述の研削装置２が備えるチャックテーブル４と同様に構成される。
【００６２】
該塗布装置３０は噴霧ユニット３２を備え、該噴霧ユニット３２は下方に向いた噴霧口（不図示）を有し、該噴霧口は図示しないダイボンド用樹脂の供給源に接続されている。該噴霧ユニット３２は、該液状のダイボンド用樹脂の塗布時に該チャックテーブル３４の上方に位置付けられ、該チャックテーブル３４の保持面３４ａ上に保持されたウェーハ１に対して液状のダイボンド用樹脂を噴霧して、該ウェーハ１に液状のダイボンド用樹脂を塗布する。
【００６３】
また、該塗布装置３０は、該チャックテーブル３４の上方に配設可能な樹脂固化ユニット３６を有する。該樹脂固化ユニット３６は、例えば、紫外線照射ユニット、または、加熱ユニットであり、該液状のダイボンド用樹脂の材料の種別に応じて適宜選択される。該樹脂固化ユニット３６は、該チャックテーブル３４に吸引保持されたウェーハ１に塗布された該液状のダイボンド用樹脂を固化するための紫外線や熱等を発する。
【００６４】
ダイボンド用樹脂配設ステップでは、まず、裏面１ｂ側に溝１３が形成されたウェーハ１を塗布装置３０のチャックテーブル３４の上に載せ、チャックテーブル３４にウェーハ１を吸引保持させる。このとき、ウェーハ１の表面１ａ側を保持面３４ａに向けて、裏面１ｂ側を上方に露出する。そして、塗布ステップを実施する。
【００６５】
塗布ステップでは、図４（Ａ）に示すように、該塗布装置３０の噴霧ユニット３２を該チャックテーブル３４の上方に配設する。そして、供給源を作動させて、該噴霧ユニット３２の噴霧口から液状のダイボンド用樹脂をウェーハ１の裏面１ｂに向けて噴霧させる。すると、該ウェーハ１の裏面１ｂに該液状のダイボンド用樹脂が塗布されて、液状のダイボンド用樹脂の薄膜層１５ａが形成される。
【００６６】
なお、該塗布ステップでは、該裏面１ｂに形成された溝１３を利用して、該溝１３によって区画された該裏面１ｂの各領域にそれぞれ分かれるように該液状のダイボンド用樹脂を塗布する。塗布する該液状のダイボンド用樹脂１５ａの量が多すぎると該各領域間で該液状のダイボンド用樹脂が接続されてしまうため、塗布する量は適切に調節される。
【００６７】
ダイボンド用樹脂配設ステップでは、該塗布ステップを実施した後、ウェーハ１の裏面１ｂに塗布された液状のダイボンド用樹脂の薄膜層１５ａを固化する固化ステップを実施する。
【００６８】
固化ステップでは、図４（Ｂ）に示される通り、チャックテーブル３４の上方から噴霧ユニット３２を移動させて、代わりにチャックテーブル３４の上方に樹脂固化ユニット３６を配設する。次に、樹脂固化ユニット３６に、例えば、紫外線または熱を発せさせて、ウェーハ１の裏面１ｂに形成された該液状のダイボンド用樹脂の薄膜層１５ａを紫外線または熱により固化させる。
【００６９】
該塗布ステップと、該固化ステップと、を実施することでダイボンド用樹脂の薄膜層１５ａをウェーハ１の裏面１ｂに形成できる。ここで、塗布ステップでは該ダイボンド用樹脂がウェーハ１の裏面１ｂの各領域間で接続されないように液状のダイボンド用樹脂の供給量が制限されるため、該薄膜層１５ａの厚さが不十分となる場合がある。
【００７０】
この場合、図４（Ｃ）に示す通り、さらに、塗布ステップを実施して薄膜層１５ａに重ねて液状のダイボンド用樹脂の薄膜層１５ｂを形成し、固化ステップを実施して該薄膜層１５ｂを固化させる。このように、塗布ステップと、固化ステップと、を交互に繰り返して、ダイボンド用樹脂の薄膜層を積層させることで、所望の厚みのダイボンド用樹脂をウェーハ１の裏面１ｂに配設する。以下、２層の薄膜層１５ａ，１５ｂでなるダイボンド用樹脂が該裏面１ｂに配設された場合を例に、各ステップを説明する。
【００７１】
なお、ダイボンド用樹脂配設ステップでは、ウェーハ１の裏面１ｂの溝１３で区画された各領域に配設したダイボンド用樹脂が該溝１３上を渡るように互いに僅かに接続されてもよい。後述の分割ステップにおいて、ウェーハ１が分割される際に該ダイボンド用樹脂も分割される。
【００７２】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ダイボンド用樹脂配設ステップの次に、該ウェーハ１の裏面１ｂに該ダイボンド用樹脂を介してエキスパンドテープを貼着し、さらに、該ウェーハ１の表面１ａから該保護部材７を剥離する貼り替えステップを実施する。該張り替えステップについて図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を用いて説明する。図５（Ａ）は、張り替えステップを模式的に示す断面図であり、図５（Ｂ）は、エキスパンドテープが裏面に貼着されたウェーハを模式的に示す断面図である。
【００７３】
該張り替えステップでは、まず、環状フレーム１９を準備する。該環状フレーム１９は、例えば、金属で形成されている。該環状フレーム１９の内周縁の径は、該ウェーハ１の外周縁の径よりも大きい。そして、裏面１ｂ側が上方に露出した状態で所定の床面上に置かれたウェーハ１の外周を囲むように、該床面上に環状フレーム１９を配設する。
【００７４】
次に、図５（Ａ）に示す通り、該環状フレーム１９と、該ウェーハ１と、を覆うようにエキスパンドテープ１７を上方から該環状フレーム１９と、該ウェーハ１と、に貼着する。
【００７５】
例えば、該環状フレーム１９の外周の径よりも大きい幅を有するエキスパンドテープ１７を該環状フレーム１９と、該ウェーハ１と、の上方に配し、ローラー状の押圧部材３８で上方からエキスパンドテープ１７を押圧する。そして、エキスパンドテープ１７を該環状フレーム１９と、該ウェーハ１と、に貼着した後、該環状フレーム１９の外周縁に沿って該エキスパンドテープ１７を切断する。
【００７６】
次に、一体化された該ウェーハ１と、該環状フレーム１９と、該エキスパンドテープ１７と、の上下を反転させて、さらに、ウェーハ１の表面１ａ側に貼着された保護部材７を剥離する。すると、図５（Ｂ）に示す通り、保護部材７がエキスパンドテープ１７に張り替えられて、ウェーハ１は、環状フレーム１９に張られたエキスパンドテープ１７に裏面１ｂ側が貼着されている状態となる。
【００７７】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、張り替えステップの次に、エキスパンドテープ１７を径方向に拡張することでウェーハ１を個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。該分割ステップについて、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）を用いて説明する。図６（Ａ）は、エキスパンドテープ１７を拡張する前のウェーハ１を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す断面図である。
【００７８】
エキスパンドテープ１７の分割には図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す円筒状の拡張ドラム４０と、該拡張ドラム４０の外周側に配されたフレーム保持ユニット４２と、を使用する。フレーム保持ユニット４２は、上端部の外周に複数のクランプ４２ａを備え、該クランプ４２ａは、環状フレーム１９を挟持することができる。
【００７９】
該拡張ドラム４０と、該フレーム保持ユニット４２と、は相対的に上下方向に移動可能である。該環状フレーム１９に張られたエキスパンドテープ１７を介して拡張ドラム４０の上にウェーハ１を載せるとき、環状フレーム１９をクランプ４２ａで挟持できるように該拡張ドラム４０と、該フレーム保持ユニット４２と、は互いの相対的な高さが調整される。
【００８０】
図６（Ａ）に示す通り、分割ステップでは、まず、環状フレーム１９に張られたエキスパンドテープ１７に貼着されたウェーハ１を拡張ドラム４０の上に載せて、環状フレーム１９をクランプ４２ａにより挟持する。
【００８１】
次に、図６（Ｂ）に示す通り、該拡張ドラム４０を該フレーム保持ユニット４２に対して相対的に上方向に移動させる。すると、エキスパンドテープ１７が径方向に拡張され、ウェーハ１がクラックを起点に個々のデバイスチップ５ａに分割され、薄膜層１５ａ，１５ｂが積層されて形成されたダイボンド用樹脂が裏面に配設されたデバイスチップ５ａが形成される。
【００８２】
ウェーハ１の裏面１ｂに形成された溝１３で区画された各領域間でダイボンド用樹脂が僅かに接続されている場合、ウェーハ１が分割される際に該ダイボンド用樹脂も分割される。
【００８３】
以上に示す通り、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、ウェーハ１の裏面１ｂ側を研削してウェーハ１を薄化してから改質層９を形成する。そのため、改質層９の形成のために照射するレーザービームの出力を低くでき、レーザービームの漏れやスプラッシュを抑制してデバイスの損傷を抑制できる。
【００８４】
レーザービームの照射により形成される改質層９を切削ブレード２８で除去することでウェーハ１の裏面１ｂに形成される溝１３は、該裏面１ｂを個々のデバイスチップ５ａの単位で区画する。該溝１３により区切られるように該裏面１ｂにダイボンド用樹脂を配設できるため、該ダイボンド用樹脂を分割する処理が必要とならないようにダイボンド用樹脂を容易に配設できる。
【００８５】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記の実施形態ではウェーハ１の裏面１ｂにダイボンド用樹脂を配設する際、液状のダイボンド用樹脂を噴霧して該裏面１ｂに塗布する塗布ステップと、該液状のダイボンド用樹脂を固化する固化ステップと、を交互に２回繰り返す場合について説明した。しかし、本発明の一態様はこれに限定されない。
【００８６】
すなわち、例えば、該塗布ステップと、該固化ステップと、は、それぞれ１回実施して
ダイボンド用樹脂を配設してもよく、それぞれ３回以上交互に繰り返して実施してもよい。また、液状のダイボンド用樹脂を噴霧して塗布するのではなく、例えば、インクジェット法によりウェーハ１の裏面１ｂにダイボンド用樹脂を塗布してもよい。
【００８７】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００８８】
１  ウェーハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
３  分割予定ライン
５  デバイス
７  保護部材
９  改質層
１１  クラック
１３  溝
１５ａ，１５ｂ  薄膜層
１７  エキスパンドテープ
１９  環状フレーム
２  研削装置
４，１６，２４，３４  チャックテーブル
４ａ，１６ａ，２４ａ，３４ａ  保持面
６  研削ユニット
８  スピンドル
１０  研削ホイール
１２  研削砥石
１４  レーザー加工装置
１８  加工ヘッド
２０  レーザービーム
２２  切削装置
２２ａ  切削ユニット
２６  スピンドル
２８  切削ブレード
３０  塗布装置
３２  噴霧ユニット
３６  樹脂固化ユニット
３８  押圧部材
４０  拡張ドラム
４２  フレーム保持ユニット
４２ａ  クランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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