(57)【要約】      （修正有）【課題】薄膜コンデンサの製造工程において、不要な誘電層を反応性イオンエッチングなどのエッチング法によって除去する際に、基板が損傷することがないような貫通電極基板を提供する。【解決手段】貫通電極基板１０は、貫通孔２０が設けられた基板１２と、基板の貫通孔に位置する貫通電極２２と、基板の第１面上に位置するキャパシタ１５と、を備える。キャパシタは、貫通電極に電気的に接続された第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層上及び基板の第１面上に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第１面第１無機層３２と、第１面第１無機層上に位置する第１面第２導電層３３と、を有する。また、貫通電極基板は、第１面第１無機層上及び第１面第２導電層上に位置し、基板の面内方向において第１面第１導電層上の第１面第１無機層の端部と同一の位置にある端部を有し、有機材料を含む第１面第１有機層３４を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の前記貫通孔に位置する貫通電極と、
前記基板の前記第１面上に位置し、前記貫通電極に電気的に接続された第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上及び前記基板の前記第１面上に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する第１面第２導電層と、を有するキャパシタと、
前記第１面第１無機層上及び前記第１面第２導電層上に位置し、前記基板の面内方向において前記第１面第１導電層上の前記第１面第１無機層の端部と同一の位置にある端部を有し、有機材料を含む第１面第１有機層と、を備える、貫通電極基板。
【請求項２】
前記第１面第１無機層の前記端部は、前記第１面第１導電層上に位置する、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記キャパシタの前記第１面第１導電層の端部は、前記第１面第１無機層によって覆われている、請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
前記貫通電極基板は、前記基板の前記第１面に位置し、前記キャパシタから電気的に絶縁された第１配線を更に備え、
前記第１配線は、前記第１配線の幅方向において前記第１面第１無機層によって覆われた前記第１面第１導電層を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記第１面第２導電層の端部は、前記第１面第１無機層上に位置する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
前記第１面第１無機層は、前記貫通電極と前記第１面第１導電層とが接続される接続部分を覆っている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項７】
前記貫通電極基板は、前記基板の前記第２面側に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第２面第１無機層を更に備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
前記貫通電極基板は、前記第１面第１導電層及び前記貫通電極と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記基板の前記第２面上に位置する第２面第１導電層と、を有するインダクタを更に備える、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項９】
前記第１面第１無機層の前記無機材料は、珪素窒化物を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１０】
前記第１面第１有機層の前記有機材料は、ポリイミドを含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の貫通電極基板と、
前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備える、実装基板。
【請求項１２】
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板を準備する工程と、
前記基板の前記貫通孔に、貫通電極を形成し、前記基板の前記第１面の一部分上に、前記貫通電極に電気的に接続された第１面第１導電層を形成する工程と、
前記第１面第１導電層上及び前記基板の前記第１面上に、無機材料を含み、絶縁性を有する第１面第１無機層を形成する工程と、
前記第１面第１無機層の一部分上に第１面第２導電層を形成する工程と、
前記第１面第２導電層の一部分上及び前記第１面第１無機層の一部分上に、有機材料を含む第１面第１有機層を形成する工程と、
前記第１面第１有機層をマスクとして用いて、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１無機層をエッチングする工程と、を備える、貫通電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、キャパシタを備える貫通電極基板に関する。また、本発明は、貫通電極基板を備える実装基板及び貫通電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサとして、例えば特許文献１に開示されているように、基板上に順に積層された下部導電層、誘電層及び上部導電層を備えるタイプのコンデンサ、いわゆる薄膜コンデンサが知られている。薄膜コンデンサにおいては、高い誘電率を有する無機材料を用いて誘電層を構成することにより、小型で大容量のコンデンサを実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−８９８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄膜コンデンサの製造工程においては、所定の形状を有する下部導電層、誘電層及び上部導電層を基板上に順に形成する。無機材料を含む誘電層を形成する方法の一例として、特許文献１に開示されているように、貫通孔が形成された金属マスクを介して下部導電層上に無機材料を蒸着させるという方法が知られている。誘電層を形成する方法のその他の例として、まず、下部導電層上及び基板上の全域に誘電層を設け、次に、基板上の不要な誘電層を反応性イオンエッチングなどのエッチング法によって除去するという方法も考えられる。しかしながら、この場合、基板上の誘電層が除去された後に基板もエッチングされ、基板が損傷してしまう恐れがある。
【０００５】
本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る貫通電極基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に位置する貫通電極と、前記基板の前記第１面上に位置し、前記貫通電極に電気的に接続された第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上及び前記基板の前記第１面上に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する第１面第２導電層と、を有するキャパシタと、前記第１面第１無機層上及び前記第１面第２導電層上に位置し、前記基板の面内方向において前記第１面第１導電層上の前記第１面第１無機層の端部と同一の位置にある端部を有し、有機材料を含む第１面第１有機層と、を備える、貫通電極基板である。
【０００７】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面第１無機層の前記端部は、前記第１面第１導電層上に位置していてもよい。
【０００８】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記キャパシタの前記第１面第１導電層の端部は、前記第１面第１無機層によって覆われていてもよい。
【０００９】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記貫通電極基板は、前記基板の前記第１面に位置し、前記キャパシタから電気的に絶縁された第１配線を更に備え、前記第１配線は、前記第１配線の幅方向において前記第１面第１無機層によって覆われた前記第１面第１導電層を有していてもよい。
【００１０】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面第２導電層の端部は、前記第１面第１無機層上に位置していてもよい。
【００１１】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面第１無機層は、前記貫通電極と前記第１面第１導電層とが接続される接続部分を覆っていてもよい。
【００１２】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記基板の前記第２面側に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第２面第１無機層を更に備えていてもよい。
【００１３】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記第１面第１導電層及び前記貫通電極と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記基板の前記第２面上に位置する第２面第１導電層と、を有するインダクタを更に備えていてもよい。
【００１４】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面第１無機層の前記無機材料は、珪素窒化物を含んでいてもよい。
【００１５】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面第１有機層の前記有機材料は、ポリイミドを含んでいてもよい。
【００１６】
本開示の一実施形態は、上記記載の貫通電極基板と、前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備える、実装基板である。
【００１７】
本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板を準備する工程と、前記基板の前記貫通孔に、貫通電極を形成し、前記基板の前記第１面の一部分上に、前記貫通電極に電気的に接続された第１面第１導電層を形成する工程と、前記第１面第１導電層上及び前記基板の前記第１面上に無機材料を含み、絶縁性を有する第１面第１無機層を形成する工程と、前記第１面第１無機層の一部分上に第１面第２導電層を形成する工程と、前記第１面第２導電層の一部分上及び前記第１面第１無機層の一部分上に、有機材料を含む第１面第１有機層を形成する工程と、前記第１面第１有機層をマスクとして用いて、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１無機層をエッチングする工程と、を備える、貫通電極基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本開示の実施形態によれば、第１面第１無機層を形成する工程に起因する損傷が抑制された貫通電極基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一実施形態に係る貫通電極基板を示す断面図である。
【図２】貫通電極基板の貫通電極を拡大して示す断面図である。
【図３】貫通電極基板の第１面第１導電層を示す平面図である。
【図４】貫通電極基板の第１面第１無機層及び第１面第２導電層を示す平面図である。
【図５】貫通電極基板の第１面第１無機層の開口部を拡大して示す平面図である。
【図６】貫通電極基板の第１配線を拡大して示す断面図である。
【図７】貫通電極基板の貫通孔の一変形例を示す断面図である。
【図８】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図９】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１０】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１１】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１２】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１３】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１４】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１５】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１６】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１７】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１８】一変形例に係る貫通電極基板を示す断面図である。
【図１９】一変形例に係る貫通電極基板を示す断面図である。
【図２０】一変形例に係る貫通電極基板を示す断面図である。
【図２１】貫通電極基板及び素子を備える実装基板の一例を示す断面図である。
【図２２】貫通電極基板が搭載される製品の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【００２１】
貫通電極基板
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、本実施の形態に係る貫通電極基板１０の構成について説明する。図１は、貫通電極基板１０を示す断面図である。
【００２２】
貫通電極基板１０は、基板１２、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を備える。以下、貫通電極基板１０の各構成要素について説明する。
【００２３】
（基板）
基板１２は、第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２には、第１面１３から第２面１４に至る複数の貫通孔２０が設けられている。
【００２４】
基板１２は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO2)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。
【００２５】
基板１２で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２がガラスを含む場合、基板１２の厚みは、例えば０．０２０ｍｍ以上且つ１ｍｍ以下である。基板１２がガラスを含むことにより、基板１２の絶縁性を高めることができる。これにより、貫通電極２２の高周波特性を向上させることができる。例えば、貫通電極２２を通過する電流の、高周波領域における通過特性を向上させることができる。
【００２６】
図１に示す例において、基板１２に形成された貫通孔２０は、基板１２の第１面１３及び第２面１４から基板１２の厚み方向の中央部に向かうにつれて幅が小さくなる形状を有している。しかしながら、貫通孔２０の形状が特に限られることはない。例えば、貫通孔２０の側壁２１は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って広がっていてもよい。また、側壁２１の一部が湾曲していてもよい。
【００２７】
貫通孔２０の長さ、すなわち第１面１３の法線方向における貫通孔２０の寸法は、基板１２の厚みに等しい。貫通孔２０の幅、すなわち第１面１３の面内方向における貫通孔２０の寸法Ｓ（図８参照）は、例えば２０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。また、貫通孔２０の幅に対する長さの比、すなわち貫通孔２０のアスペクト比は、例えば１以上且つ１５以下である。
【００２８】
（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に位置し、且つ導電性を有する部材である。本実施の形態において、貫通電極２２の厚みは、貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、貫通孔２０の内部には、貫通電極２２が存在しない空間がある。すなわち、貫通電極２２は、いわゆるコンフォーマルビアである。貫通電極２２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。
【００２９】
図２は、貫通孔２０に設けられた貫通電極２２を拡大して示す断面図である。貫通電極２２が導電性を有する限りにおいて、貫通電極２２の構成は特には限定されない。例えば、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。ここでは、図２に示すように、貫通電極２２が、貫通孔２０の側壁２１側から貫通孔２０の中心側へ順に並ぶシード層２２１及びめっき層２２２を含む例について説明する。
【００３０】
シード層２２１は、電解めっき処理によってめっき層２２２を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層２２２を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層２２１の材料としては、銅などの導電性を有する材料を用いることができる。シード層２２１の材料は、めっき層２２２の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。シード層２２１の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ５μｍ以下である。シード層２２１は、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法などによって形成される。
【００３１】
めっき層２２２は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層２２２を構成する材料としては、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。
【００３２】
なお、図示はしないが、貫通孔２０の側壁２１とシード層２２１との間に中間層を設けてもよい。中間層を構成する材料としては、例えば、チタン、チタン窒化物、クロム、モリブデン、モリブデン窒化物、タンタル、タンタル窒化物等、又はこれらを積層したものを用いることができる。中間層の厚みは、例えば１０ｎｍ以上且つ１μｍ以下である。中間層は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成される。中間層は、例えば、側壁２１に対するシード層２２１やめっき層２２２の密着性を高めるという役割を果たす。また、中間層は、シード層２２１又はめっき層２２２に含まれる金属元素が貫通孔２０の側壁２１を介して基板１２の内部に拡散することを抑制するという役割を果たしてもよい。
【００３３】
（第１配線構造部）
次に、第１配線構造部３０について説明する。第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３側に電気的な回路を構成するよう第１面１３側に設けられた導電層や絶縁層などの層を有する。後述するように、第１配線構造部３０の一部によって、キャパシタ１５、第１配線１７及び第１端子１８が構成されている。また、第１配線構造部３０の一部によって、インダクタ１６の一部が構成されている。本実施の形態において、第１配線構造部３０は、第１面第１導電層３１、第１面第１無機層３２、第１面第２導電層３３、第１面第１有機層３４、第１面第３導電層３５及び第１面第２有機層３６を有する。
【００３４】
〔第１面第１導電層〕
第１面第１導電層３１は、基板１２の第１面１３上に位置する、導電性を有する層である。第１面第１導電層３１は、貫通電極２２に電気的に接続されていてもよい。また、第１面第１導電層３１は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。例えば、第１面第１導電層３１は、貫通電極２２と同様に、基板１２の第１面１３上に順に積層されたシード層２２１及びめっき層２２２を含んでいてもよい。第１面第１導電層３１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第１面第１導電層３１の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。
【００３５】
〔第１面第１無機層〕
第１面第１無機層３２は、少なくとも部分的に第１面第１導電層３１上及び基板１２の第１面１３上に位置し、無機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第１無機層３２の無機材料としては、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、第１面第１無機層３２の無機材料の例として、酸化シリコン、酸化アルミ、五酸化タンタルなどを挙げることができる。第１面第１無機層３２の無機材料の比誘電率は、例えば３以上且つ７５以下である。また、第１面第１無機層３２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上且つ１μｍ以下である。第１面第１無機層３２は、単一の層から構成されていてもよく、複数の層を含んでいてもよい。
【００３６】
第１面第１無機層３２は、第１面第１導電層３１を部分的に覆っていてもよい。例えば、第１面第１無機層３２は、キャパシタ１５を構成する第１面第１導電層３１の端部３１ｅを覆っていてもよい。これによって、第１面第２導電層３３、第１面第１有機層３４などを形成する工程において用いる薬液によって第１面第１導電層３１が損傷してしまうことを抑制することができる。なお「覆う」とは、図１に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って貫通電極基板１０を見た場合に、第１面第１導電層３１の端部３１ｅと第１面第１無機層３２とが重なっていることを意味する。
【００３７】
また、第１面第１無機層３２は、図２に示すように、貫通電極２２と第１面第１導電層３１とが接続される接続部分２３を覆っていてもよい。例えば、第１面第１無機層３２の端部３２ｅが貫通電極２２上に位置していてもよい。これによって、後述するように、酸を含む薬液が第１面第１導電層３１とその上の層との間に浸入してしまうことを抑制することができる。
【００３８】
〔第１面第２導電層〕
第１面第２導電層３３は、第１面第１無機層３２上に位置する、導電性を有する層である。図１に示すように、第１面第２導電層３３の端部３３ｅは、第１面第１無機層３２上に位置する。上述の第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上に位置する上述の第１面第１無機層３２と、第１面第１無機層３２上に位置する第１面第２導電層３３とによって、キャパシタ１５が構成されている。
【００３９】
第１面第２導電層３３は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、第１面第１無機層３２上に順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第２導電層３３を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１を構成する材料と同様である。第１面第２導電層３３の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。
【００４０】
〔第１面第１有機層〕
第１面第１有機層３４は、第１面第１無機層３２上及び第１面第２導電層３３に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第１有機層３４の有機材料としては、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、BTレジン、FR-4、FR-5、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン 、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は、単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂が組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等 、無機フィラー等を併用して用いてもよい。第１面第１有機層３４の有機材料は、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する。誘電正接の小さい有機材料を用いて第１面第１有機層３４を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号が第１面第１有機層３４を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える貫通電極基板１０の帯域を高周波側に広げることができる。
【００４１】
〔第１面第３導電層〕
第１面第３導電層３５は、第１面第１導電層３１上又は第１面第２導電層３３上に位置する、導電性を有する層である。図１に示す例において、第１面第３導電層３５は、キャパシタ１５の一方の電極である第１面第１導電層３１に電気的に接続された部分、及び、キャパシタ１５の他方の電極である第１面第２導電層３３に電気的に接続された部分を含む。
【００４２】
第１面第３導電層３５は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第３導電層３５を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１を構成する材料と同様である。
【００４３】
〔第１面第２有機層〕
第１面第２有機層３６は、第１面第１有機層３４上及び第１面第３導電層３５上に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第２有機層３６は、第１面第１有機層３４と同様に、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第２有機層３６の有機材料としては、第１面第１有機層３４の場合と同様の材料を用いることができる。
【００４４】
（第２配線構造部）
次に、第２配線構造部４０について説明する。第２配線構造部４０は、基板１２の第２面１４側に電気的な回路を構成するよう第２面１４側に設けられた導電層や絶縁層などの層を有する。第２配線構造部４０の一部と、上述の第１配線構造部３０の一部及び貫通電極２２とによって、インダクタ１６が構成されている。本実施の形態において、第２配線構造部４０は、第２面第１導電層４１及び第２面第１有機層４３を有する。
【００４５】
〔第２面第１導電層〕
第２面第１導電層４１は、基板１２の第２面１４上に位置する、導電性を有する層である。第２面第１導電層４１は、貫通電極２２に電気的に接続されていてもよい。また、第２面第１導電層４１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、基板１２の第２面１４上に順に積層されたシード層２２１及びめっき層２２２を含んでいてもよい。第２面第１導電層４１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第２面第１導電層４１の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。
【００４６】
図３は、貫通電極基板１０の第１面第１導電層３１及び第２面第１導電層４１を第１面１３側から見た場合を示す平面図である。図３においては、第１面第１導電層３１上に積層される第１面第１無機層３２などの層が省略されている。また、図３においては、第２面１４側に位置する第２面第１導電層４１が点線で表されている。図１及び図３に示すように、第２面第１導電層４１と、第２面第１導電層４１に電気的に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に電気的に接続された第１面第１導電層３１とによって、インダクタ１６が構成される。
【００４７】
〔第２面第１有機層〕
第２面第１有機層４３は、第２面第１導電層４１上及び基板１２の第２面１４上に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第２面第１有機層４３は、第１面第１有機層３４や第１面第２有機層３６と同様に、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第２面第１有機層４３の有機材料としては、第１面第１有機層３４や第１面第２有機層３６の場合と同様の材料を用いることができる。
【００４８】
次に、貫通電極基板１０の各構成要素について詳細に説明する。図４は、貫通電極基板１０の第１面第１導電層３１、第１面第１無機層３２及び第１面第２導電層３３を第１面１３側から見た場合を示す平面図である。図４においては、第１面第２導電層３３上に積層される第１面第１有機層３４，第１面第３導電層３５などの層が省略されている。また、図４においては、第１面第１無機層３２によって覆われている構成要素が点線で表されている。なお、図１は、図３や図４に示す貫通電極基板１０を線Ａ−Ａに沿って切断した場合の断面図に相当する。
【００４９】
図４に示すように、第１面第１無機層３２は、基板１２の第１面１３及び第１面第１導電層３１を広域にわたって覆っている。例えば、第１面第１無機層３２は、キャパシタ１５を構成する第１面第１導電層３１の少なくとも端部３１ｅを覆っている。また、第１面第１無機層３２は、キャパシタ１５を構成する第１面第１導電層３１に並行する第１配線１７の第１面第１導電層３１を、少なくとも第１面第１導電層３１の幅方向において覆っている。第１面第１無機層３２が、基板１２の第１面１３及び第１面第１導電層３１をこのように広域にわたって覆うことにより、貫通電極基板１０の製造工程において基板１２の第１面１３や第１面第１導電層３１が損傷することを抑制することができる。
【００５０】
図４に示すように、第１面第１無機層３２には開口部３２ａが形成されている。開口部３２ａは、貫通孔２０の位置及び第１面第１導電層３１と第１面第３導電層３５の接続位置などの限られた位置に形成されている。例えば、開口部３２ａは、第１配線１７に電気的に接続された第１端子１８を構成する第１面第１導電層３１の位置において第１面第１無機層３２に形成されている。
【００５１】
第１面第１無機層３２の構造について、図５及び図６を参照して更に説明する。図５は、第１面第１無機層３２の開口部３２ａ及びその周辺部分を拡大して示す断面図である。また、図６は、第１配線１７及びその周辺部分を拡大して示す断面図である。図６は、図３や図４に示す貫通電極基板１０を線Ｂ−Ｂに沿って切断した場合の断面図に相当する。なお、図５及び図６においては、図面が煩雑になるのを防ぐため、第１面第３導電層３５及び第１面第２有機層３６を省略している。
【００５２】
図５において、第１面第１無機層３２の開口部３２ａを画定する端部を、符号３２ｅで表している。第１面第１無機層３２の開口部３２ａは、第１面第１無機層３２上に位置する第１面第１有機層３４の開口部３４ａに連通している。また、第１面第１無機層３２の端部３２ｅは、第１面第１有機層３４の開口部３４ａを画定する端部３４ｅと、基板１２の第１面１３の面内方向において同一の位置にある。このような位置関係は、後述するように、第１面第１有機層３４をマスクとして用いて第１面第１無機層３２をエッチングすることによって実現され得る。なお、「同一の位置」とは、第１面第１無機層３２と第１面第１有機層３４とが接する界面において、第１面第１無機層３２の端部３２ｅと第１面第１有機層３４の開口部３４ａとの間の、基板１２の第１面１３の面内方向における距離ｄが、５μｍ以下であることを意味する。
【００５３】
図５に示すように、第１面第１無機層３２の端部３２ｅは、第１面第１導電層３１上に位置する。このことは、端部３２ｅによって画定される開口部３２ａが、第１面第１導電層３１上に位置する第１面第１無機層３２に形成されることを意味する。この場合、後述するようにエッチング法によって第１面第１無機層３２を除去して開口部３２ａを形成する時、除去される第１面第１無機層３２の下には第１面第１導電層３１が存在する。このため、後述するように、第１面第１無機層３２が除去された後に基板１２の第１面１３がエッチングによって損傷してしまうことを抑制することができる。
【００５４】
図６に示すように、キャパシタ１５を構成する第１面第１導電層３１及び第１配線１７を構成する第１面第１導電層３１のいずれも、第１面第１無機層３２によって覆われている。これによって、エレクトロマイグレーションによってキャパシタ１５の第１面第１導電層３１と第１配線１７の第１面第１導電層３１とが導通することを抑制することができる。
【００５５】
（貫通孔の変形例）
図７は、貫通孔２０の一変形例を示す断面図である。図７に示すように、貫通電極基板１０は、貫通電極２２よりも貫通孔２０の中心側に位置する有機層２６を備えていてもよい。なお、「中心側」とは、貫通孔２０の内部において、有機層２６と側壁２１との間の距離が貫通電極２２と側壁２１との間の距離よりも大きいことを意味する。有機層２６は、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。有機層２６の有機材料としては、第１面第１有機層３４の場合と同様の材料を用いることができる。誘電正接の小さい有機材料を用いて有機層２６を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号の一部が有機層２６を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える貫通電極基板１０の帯域を高周波側に広げることができる。
【００５６】
貫通電極基板の製造方法
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図８乃至図１８を参照して説明する。
【００５７】
（貫通孔形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、第１面１３又は第２面１４の少なくともいずれかにレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図８に示すように、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。
【００５８】
なお、基板１２にレーザを照射することによって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。
【００５９】
また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。
【００６０】
第１面１３側及び第２面１４側の両方から基板１２を加工することにより、図８に示す、基板１２の厚み方向の中央部に向かうにつれて幅が小さくなる形状を有する貫通孔２０を形成することができる。
【００６１】
（貫通電極形成工程）
次に、貫通孔２０の側壁２１に貫通電極２２を形成する。本実施の形態においては、貫通電極２２と同時に、基板１２の第１面１３の一部分上に第１面第１導電層３１を形成し、基板１２の第２面１４の一部分上に第２面第１導電層４１を形成する例について説明する。
【００６２】
スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法などによって、図９に示すように、基板１２の第１面１３上、第２面１４及び側壁２１上にシード層２２１を形成する。続いて、図１０に示すように、シード層２２１上に部分的にレジスト層３７を形成する。続いて、図１１に示すように、電解めっきによって、レジスト層３７によって覆われていないシード層２２１上にめっき層２２２を形成する。その後、図１２に示すように、レジスト層３７を除去する。また、シード層２２１のうちレジスト層３７によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。このようにして、貫通電極２２、第１面第１導電層３１及び第２面第１導電層４１を形成することができる。これにより、第２面第１導電層４１と、第２面第１導電層４１に電気的に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に電気的に接続された第１面第１導電層３１とを備えるインダクタ１６を構成することができる。なお、めっき層２２２をアニールする工程を実施してもよい。
【００６３】
（表面処理工程）
次に、第１面第１導電層３１の表面をＮＨ３プラズマなどのプラズマに晒す表面処理工程を実施してもよい。これにより、第１面第１導電層３１の表面の酸化物を除去することができる。例えば、第１面第１導電層３１が銅を含む場合、第１面第１導電層３１の表面の酸化銅を除去することができる。このことにより、第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上に形成される第１面第１無機層３２との間の密着性を高めることができる。
【００６４】
（第１面第１無機層の形成工程）
次に、図１３に示すように、第１面第１導電層３１上の全域及び基板１２の第１面１３上の全域に第１面第１無機層３２を形成する。第１面第１無機層３２を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、原子層堆積法などを採用することができる。好ましくは、第１面第１無機層３２を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程及び表面処理工程の場合と同一の装置において連続的に実施される。これらの工程は、好ましくは、第１面第１導電層３１が酸化することが抑制された雰囲気下で、例えばアンモニアガスなどの還元ガスの雰囲気下で実施される。
【００６５】
（第１面第２導電層の形成工程）
次に、図１４に示すように、第１面第１無機層３２の一部分上に第１面第２導電層３３を形成する。これにより、第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上の第１面第１無機層３２と、第１面第１無機層３２上の第１面第２導電層３３と、を備えるキャパシタ１５を構成することができる。第１面第２導電層３３を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
（第１面第１有機層の形成工程）
次に、図１５に示すように、第１面第２導電層３３の一部分上及び第１面第１無機層３２の一部分上に第１面第１有機層３４を形成する。例えば、まず、有機材料を含む感光層と、基材とを有する、図示しない第１面側フィルムを、基板１２の第１面１３側に貼り付ける。続いて、第１面側フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、第１面側フィルムの感光層からなり、開口部３４ａが形成された第１面第１有機層３４を、基板１２の第１面１３側に形成することができる。この際、第１面第１有機層３４の場合と同様にして、図１５に示すように、基板１２の第２面１４の一部分上及び第２面第１導電層４１の一部分上に第２面第１有機層４３を形成してもよい。
【００６７】
第１面第１有機層３４の開口部３４ａは、第１面第３導電層３５と第１面第１導電層３１とが電気的に接続される位置、第１面第３導電層３５と第１面第２導電層３３とが電気的に接続される位置などにおいて、第１面第１無機層３２上に形成される。
【００６８】
なお、第１面第１有機層３４や第２面第１有機層４３の形成方法が、フィルムを用いる方法に限られることはない。例えば、まず、ポリイミドなどの有機材料を含む液を、スピンコート法などによって塗布し、乾燥させることによって有機層を形成する。続いて、有機層に露光処理及び現像処理を施すことにより、第１面第１有機層３４や第２面第１有機層４３を形成することもできる。
【００６９】
また、第１面第１有機層３４の一部や第２面第１有機層４３の一部を貫通孔２０の内部にまで到達させることにより、上述の図７に示すように、貫通孔２０の内部に有機層２６を形成してもよい。なお、第１面第１有機層３４や第２面第１有機層４３とは別の工程で貫通孔２０の内部に有機層２６を形成してもよい。
【００７０】
（第１面第１無機層の加工工程）
次に、第１面第１有機層３４をマスクとして用いて、第１面第１導電層３１上に位置する第１面第１無機層３２を、例えば反応性イオンエッチングによって部分的に除去するする。これによって、図１６に示すように、第１面第１有機層３４の開口部３４ａに連通する開口部３２ａを第１面第１無機層３２に形成する。第１面第１有機層３４をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工するので、第１面第１無機層３２の端部３２ｅは、第１面第１有機層３４の端部３４ｅと、基板１２の第１面１３の面内方向において同一の位置にある。エッチングガスとしては、例えば、ＳＦ６とＯ２との混合ガスを用いることができる。なお、プラズマエッチングにより第１面第１有機層３４の表面に損傷が生じる場合、第１面第１有機層３４に熱処理を施すことにより、損傷が生じた第１面第１有機層３４の表面を除去してもよい。第１面第１有機層３４の熱処理温度は、例えば２００℃以上である。
【００７１】
（第１面第３導電層の形成工程）
次に、図１７に示すように、第１面第１有機層３４の開口部３４ａを介して第１面第１導電層３１又は第１面第２導電層３３に電気的に接続される第１面第３導電層３５を形成する。第１面第３導電層３５を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。
【００７２】
（第１面第２有機層の形成工程）
その後、第１面第１有機層３４の一部分上及び第１面第３導電層３５の一部分上に、必要に応じて第１面第２有機層３６を形成する。これによって、図１に示す貫通電極基板１０を得ることができる。第１面第２有機層３６を形成する方法は特には限定されない。例えば、第１面第１有機層３４の場合と同様に、有機材料を含むフィルムや液を用いることによって、第１面第２有機層３６を形成することができる。
【００７３】
以下、本実施の形態によってもたらされる作用について説明する。
【００７４】
本実施の形態においては、第１面第１無機層３２を加工して開口部３２ａを形成する加工工程において、第１面第１無機層３２のうち開口部３２ａとなる部分と基板１２の第１面１３との間には第１面第１導電層３１が存在する。言い換えると、第１面第１無機層３２のうち基板１２の第１面１３に接触している部分は、加工工程においてエッチングされない。このため、仮にエッチングによって第１面第１無機層３２が除去された後にもエッチングが継続したとしても、エッチングによって基板１２の第１面１３が損傷することを、第１面１３上の第１面第１導電層３１によって抑制することができる。
【００７５】
また、第１面第１無機層３２のうち基板１２の第１面１３に接触している部分をエッチングせずに残すことにより、第１面第１導電層３１の端部３１ｅを第１面第１無機層３２によって覆うことができる。このため、第１面第２導電層３３がシード層を含む場合に、第１面第２導電層３３のシード層をエッチングによって除去する際に第１面第１導電層３１もエッチングされてしまうことを抑制することができる。これにより、第１面第１導電層３１によって構成される配線などの電気要素の抵抗が増加してしまうことを抑制することができる。また、第１面第１導電層３１によって構成される配線がサイドエッチングされてしまうことを抑制することができ、これにより、第１面１３から配線が剥離してしまうことを抑制することができる。また、第１面第２導電層３３のシード層をエッチングする際や、第１面第１有機層３４を現像する際などに、第１面第１導電層３１の表面にアルカリ性溶液が接触することを防ぐことができる。これにより、第１面第１導電層３１が銅を含む場合に、第１面第１導電層３１の表面が変色してしまうことを抑制することができる。これらのことは、第１面第１導電層３１と他の層との界面での剥離を抑制するので、貫通電極基板１０の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施の形態によれば、貫通電極２２と第１面第１導電層３１とが接続される接続部分２３を第１面第１無機層３２によって覆うことができる。上述のように、第１面第１無機層３２を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程及び表面処理工程の場合と同一の装置において連続的に実施される。このため、第１面第１無機層３２は、表面の酸化物が抑制又は除去された状態の第１面第１導電層３１を覆うことができる。
従来、第１面第１導電層３１上には部分的に第１面第１有機層３４が形成されている。この場合、第１面第１有機層３４の後に第１面第３導電層３５を形成する際に第１面第１導電層３１の表面の酸化物を除去するために酸を含む洗浄液などの薬液を用いて第１面第１導電層３１を洗浄する工程において、第１面第１導電層３１と第１面第１有機層３４との間の界面に薬液の浸入が生じることが考えられる。
これに対して、本実施の形態によれば、接続部分２３を第１面第１無機層３２によって覆うことにより、薬液が第１面第１導電層３１と第１面第１有機層３４との間の界面に浸入することを抑制することができる。従って、貫通電極基板１０の信頼性を向上させることができる。
また、接続部分２３が第１面第１無機層３２によって覆われていない場合、その後に形成される第１面第２導電層３３を構成するシード層の不要部分をエッチングにより除去する時に接続部分２３のめっき層２２２もエッチングされてしまう恐れがある。一方、接続部分２３は貫通孔２０のエッジ部に位置するので、接続部分２３を構成するめっき層２２２の厚みは、その他の部分におけるめっき層２２２の厚みに比べて小さくなりやすい。この場合、接続部分２３の抵抗がその他の部分に比べて著しく高くなったり、接続部分２３において電気的な断線が生じたりすることが考えられる。
これに対して、本実施の形態によれば、接続部分２３を第１面第１無機層３２によって覆うことにより、接続部分２３の抵抗が高くなったり電気的な断線が生じたりすることを抑制することができる。
【００７７】
また、本実施の形態においては、第１面第１有機層３４をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工する。これによって得られる効果を、その他の加工方法との比較に基づいて説明する。
【００７８】
比較用の第１の加工方法として、第１面第１無機層３２上に第１面第２導電層３３を形成する前に第１面第１無機層３２上にレジスト層を設け、レジスト層をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工する例を考える。この場合、上述の本実施の形態の場合に比べて、レジスト層を設ける工程、及びレジスト層を除去する工程が余分に必要になる。また、第１面第１無機層３２上に第１面第２導電層３３を形成する際、レジスト層の残渣が第１面第１無機層３２上に存在している可能性がある。この場合、レジスト層の残渣に起因してキャパシタ１５の静電容量の値が設計からずれてしまうことが考えられる。また、第１面第１有機層３４や第１面第２有機層３６に熱処理を施す際にレジスト層の残渣がガスを発生させ、この結果、各層の間の密着性が低下してしまうことも考えられる。各層の間の密着性の低下も、キャパシタ１５の静電容量の値が設計からずれてしまうことを導き得る。
【００７９】
これに対して、本実施の形態によれば、第１面第１有機層３４をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工することにより、第１面第１無機層３２を加工することに要する工数を削減することができる。また、第１面第１無機層３２上にレジスト層などの有機物の残渣が存在することを防ぐことができる。
【００８０】
次に、比較用の第２の加工方法として、第１面第１無機層３２上に形成された第１面第２導電層３３をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工する例を考える。この場合、第１面第１無機層３２を加工する際に、第１面第１無機層３２上の第１面第２導電層３３の残渣が第１面第１無機層３２の端部に付着し、この結果、第１面第１導電層３１と第１面第２導電層３３とが導通してしまうことが考えられる。
【００８１】
これに対して、本実施の形態によれば、第１面第１有機層３４をマスクとして用いて第１面第１無機層３２を加工することにより、第１面第１無機層３２上に位置する第１面第２導電層３３の端部３３ｅを、第１面第１無機層３２の端部３２ｅから十分に離間させることができる。このため、第１面第１導電層３１と第１面第２導電層３３とが導通してしまうことを抑制することができる。
【００８２】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００８３】
（第１変形例）
図１８は、第１変形例に係る貫通電極基板１０を示す断面図である。図１８に示すように、貫通電極基板１０は、基板１２の第２面１４側に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第２面第１無機層４２を更に備えていてもよい。第２面第１無機層４２は、第２面第１導電層４１上及び基板１２の第２面１４上に位置する。第２面第１無機層４２の無機材料は、第１面第１無機層３２の無機材料と同様である。
【００８４】
図１８に示すように、第２面第１有機層４３は第２面第１無機層４２上に位置する。第２面第１無機層４２は、第１面第１無機層３２の場合と同様に、第２面第１有機層４３をマスクとして用いて加工される。このため、第２面第１無機層４２の端部４２ｅは、第２面第１有機層４３の端部４３ｅと、第２面１４の面内方向において同一の位置にある。
【００８５】
無機層は、有機層に比べて高い剛性を有する。このため、有機層及び無機層が積層された積層体において、無機層は、積層体に反りが生じることを抑制するという効果を奏することができる。本変形例によれば、基板１２の第１面１３側及び第２面１４側の両方に無機層を形成することにより、貫通電極基板１０に反りが生じることを更に抑制することができる。また、基板１２の第１面１３側及び第２面１４側の両方に無機層を形成することにより、第１面１３側に生じる応力と第２面１４側に生じる応力とを平衡させ易くなる。このことも、貫通電極基板１０の反りの抑制に寄与し得る。第１面１３側及び第２面１４側の無機層の厚みや材料は、応力の平衡を考慮して適切に選択されることが好ましい。
【００８６】
（第２変形例）
図１９は、第１変形例に係る貫通電極基板１０を示す断面図である。図１９に示すように、貫通電極基板１０は、貫通電極２２上に位置する無機層２７を更に備えていてもよい。このため、第１面第２導電層３３がシード層を含む場合に、第１面第２導電層３３のシード層をエッチングによって除去する際に貫通電極２２をエッチング液から保護することができる。これにより、エッチング液との接触によって貫通電極２２の厚みが低減してしまうことを抑制することができる。従って、貫通電極２２の電気要素の抵抗が増加してしまうことを抑制することができる。貫通電極２２上の無機層２７は、第１面１３側の第１面第１無機層３２や第２面１４側の第２面第１無機層４２と一体的に構成されていてもよい。
【００８７】
（第３変形例）
図２０は、第１変形例に係る貫通電極基板１０を示す断面図である。図２０に示すように、貫通電極基板１０の基板１２の貫通孔２０は、第１面１３側から第２面１４側に向かうにつれて幅が小さくなる形状を有していてもよい。これにより、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、原子層堆積法などによって上述の第１面第１無機層３２を形成する際に、貫通電極２２上に第１面第１無機層３２が付着し易くなる。すなわち、貫通電極２２が第１面第１無機層３２によって覆われ易くなる。貫通電極２２を少なくとも部分的に第１面第１無機層３２によって覆うことにより、貫通電極２２の表面に酸を含む薬液などが接触することを抑制することができる。
【００８８】
（第４変形例）
図２１は、貫通電極基板１０と、貫通電極基板１０に搭載された素子５０と、を備える実装基板６０の一例を示す断面図である。素子５０は、ロジックＩＣやメモリＩＣなどのＬＳＩチップである。また、素子５０は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)チップであってもよい。ＭＥＭＳチップとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが１つの基板上に集積化された電子デバイスである。図２１に示すように、素子５０は、貫通電極基板１０の第１面第３導電層３５などの導電層に電気的に接続された端子５１を有する。
【００８９】
通電極基板が搭載される製品の例
図２２は、本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。
【符号の説明】
【００９０】
１０  貫通電極基板
１２  基板
１３  第１面
１４  第２面
１５  キャパシタ
１６  インダクタ
１７  第１配線
１８  第１端子
２０  貫通孔
２１  側壁
２２  貫通電極
２２１  シード層
２２２  めっき層
２３  接続部分
２６  有機層
３０  第１配線構造部
３１  第１面第１導電層
３２  第１面第１無機層
３３  第１面第２導電層
３４  第１面第１有機層
３５  第１面第３導電層
３６  第１面第２有機層
３７  レジスト層
４０  第２配線構造部
４１  第２面第１導電層
４２  第２面第１無機層
４３  第２面第１有機層
５０  素子
５１  端子
６０  実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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