(57)【要約】【課題】載置台に載置される基板の中心位置の位置ずれを適切に補正する。【解決手段】基板受け渡し方法は、載置台に突没自在に設けられた複数のピンを突出させることにより、基板を受け取り、基板が複数のピンに支持された状態で、基板の所定部分の位置を検出し、検出結果を用いて、基板の中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向を推定し、推定されたずれ量及びずれ方向に応じた各ピンの高さ位置まで各ピンを個別に移動させることにより、基板を傾斜させ、基板が傾斜した状態で複数のピンを同一の速度で下降させることにより、基板を載置台に部分的に接触させ、複数のピンの下降を継続させることにより、載置台との接触に伴う基板に対する垂直方向の回転を用いてずれ方向とは反対の方向にずれ量だけ基板の中心位置を移動させつつ基板を載置台に載置させる。【選択図】図３
2018206992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送装置によって搬送される基板が載置される載置台に突没自在に設けられた複数のピンを前記載置台の上方に突出させることにより、前記搬送装置から前記基板を受け取り、
前記基板が前記複数のピンに支持された状態で、前記基板の所定部分の位置を検出し、
前記基板の所定部分の位置の検出結果を用いて、前記基板の中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向を推定し、
推定された前記ずれ量及び前記ずれ方向に応じた各前記ピンの高さ位置まで各前記ピンを個別に移動させることにより、前記基板を傾斜させ、
前記基板が傾斜した状態で前記複数のピンを同一の速度で下降させることにより、前記基板を前記載置台に部分的に接触させ、前記複数のピンの下降を継続させることにより、前記載置台との接触に伴う前記基板に対する垂直方向の回転を用いて前記ずれ方向とは反対の方向に前記ずれ量だけ前記基板の中心位置を移動させつつ前記基板を前記載置台に載置させる
ことを特徴とする基板受け渡し方法。
【請求項２】
前記傾斜させる処理は、
前記基板の中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向の組み合せごとに、前記基板を傾斜させるための各前記ピンの高さ位置を対応付けて記憶するテーブルを参照して、推定された前記ずれ量及び前記ずれ方向の組み合わせに対応する各前記ピンの高さ位置を選択し、選択した高さ位置まで各前記ピンを個別に移動させることにより、前記基板を傾斜させることを特徴とする請求項１に記載の基板受け渡し方法。
【請求項３】
前記傾斜させる処理は、
各前記ピンを個別に移動させることにより、前記基板のエッジ部のうち、前記基準位置から延び且つ前記基板の中心位置を通る直線と交差する部分が最も低くなる状態で、前記基板を傾斜させることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板受け渡し方法。
【請求項４】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、搬送装置によって搬送される基板が載置される載置台と、
前記載置台に突没自在に設けられた複数のピンと、
前記基板の所定部分の位置を検出する検出部と、
請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板受け渡し方法を実行する制御部と
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、基板受け渡し方法及び基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばエッチングや成膜などの基板処理を行う基板処理装置では、半導体ウエハなどの基板を載置する載置台の載置面から突没するように複数のピンが載置台に設けられる。そして、搬送アームによって搬送される基板が載置台へ受け渡される場合、載置台から突出される複数のピンによって搬送アームから基板が受け取られ、基板が複数のピンに支持された状態で複数のピンが下降されることにより、基板が載置台に載置される。
【０００３】
ここで、搬送アームによって基板が載置台へ搬送される前に、基板の中心位置が予め定められた基準位置と一致する様に、アライメント機器を用いて基板の位置合わせを行う技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−５４９３３号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、位置合わせ済みの基板が搬送アームによって載置台へ搬送される際に、搬送アームの振動に起因して基板の中心位置が予め定められた基準位置からずれてしまうことがある。その結果、搬送アームから基板を受け取った複数のピンを下降させて基板を載置台に載置させる場合に、基板の中心位置の位置ずれが残存することがある。このため、載置台に載置される基板の中心位置の位置ずれを適切に補正することが期待されている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示する基板受け渡し方法は、１つの実施態様において、搬送装置によって搬送される基板が載置される載置台に突没自在に設けられた複数のピンを突出させることにより、前記搬送装置から前記基板を受け取り、前記基板が前記複数のピンに支持された状態で、前記基板の所定部分の位置を検出し、前記基板の所定部分の位置の検出結果を用いて、前記基板の中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向を推定し、推定された前記ずれ量及び前記ずれ方向に応じた各前記ピンの高さ位置まで各前記ピンを個別に移動させることにより、前記基板を傾斜させ、前記基板が傾斜した状態で前記複数のピンを同一の速度で下降させることにより、前記基板を前記載置台に部分的に接触させ、前記複数のピンの下降を継続させることにより、前記載置台との接触に伴う前記基板に対する垂直方向の回転を用いて前記ずれ方向とは反対の方向に前記ずれ量だけ前記基板の中心位置を移動させつつ前記基板を前記載置台に載置させる。
【発明の効果】
【０００７】
開示する基板受け渡し方法の１つの態様によれば、載置台に載置される基板の中心位置の位置ずれを適切に補正することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示す基板処理装置のステージＳＴを拡大して示す断面図である。
【図３】図３は、一実施形態に係る基板受け渡し処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図４Ａ】図４Ａは、一実施形態に係る基板受け渡し処理の流れの一例を説明するための図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、一実施形態に係る基板受け渡し処理の流れの一例を説明するための図である。
【図５】図５は、高さ位置テーブルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本願の開示する基板受け渡し方法及び基板処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。
【００１０】
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係る基板処理装置の断面が示されている。
【００１１】
図１に示すように、一実施形態の基板処理装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置である。基板処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。基板処理装置１０は、処理容器１２内に、ステージＳＴを備える。ステージＳＴは、被処理基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と記載）Ｗが載置される載置台である。ウエハＷは、図示しない搬送アーム等の搬送装置によってステージＳＴへ向けて搬送される。一実施形態においては、ステージＳＴは、台１４及び静電チャック５０を有する。台１４は、略円板形状を有しており、処理空間Ｓの下方に設けられている。台１４は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。
【００１２】
一実施形態においては、基板処理装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、台１４の側面及び底面の縁部に接して、台１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介して台１４を支持している。
【００１３】
基板処理装置１０は、フォーカスリング１８を更に備えている。フォーカスリング１８は、台１４の周縁部分の上面に載置される。フォーカスリング１８は、ウエハＷの処理精度の面内均一性を改善するための部材である。フォーカスリング１８は、略環形状を有する板状部材であり、例えば、シリコン、石英、又はシリコンカーバイドから構成される。
【００１４】
一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
【００１５】
台１４には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。高周波電源３２は、所定の高周波数（例えば１３ＭＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、台１４に印加する。
【００１６】
基板処理装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。
【００１７】
電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板４０には、プラズマ生成用の高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、所定の高周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。高周波電源３２及び高周波電源３５によって台１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、台１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
【００１８】
電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。基板処理装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。この処理ガスは、例えば、エッチング用の処理ガスであってもよく、又は、成膜用の処理ガスであってもよい。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。
【００１９】
一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
【００２０】
また、処理容器１２の天井部には、後述する複数のピン７０によって支持されたウエハＷのエッジ部分の位置を検出する検出器８０が設けられている。検出器８０は、図示しない発光部及び受光部を有し、発光部から発せられたレーザ光をウエハＷのエッジ部分に照射し、ウエハＷのエッジ部分に照射されたレーザ光の反射光を受光部によって受光し、反射光の受光量に基づいてウエハＷのエッジ部分の位置を検出する。検出器８０の検出結果は、後述する制御部６６へ出力される。なお、検出器８０の設置位置は、処理容器１２の天井部に限られず、処理容器１２の側壁部やステージＳＴの内部であっても良い。
【００２１】
基板処理装置１０では、台１４の上面に静電チャック５０が設けられている。静電チャック５０は、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂと、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂにより挟まれた電極５２とを含んでいる。電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によってウエハＷが静電チャック５０上に吸着保持される。
【００２２】
一実施形態においては、基板処理装置１０は、ガス供給ライン５８、及び、伝熱ガス供給部６２を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面とウエハＷとの間に供給する。
【００２３】
（ステージＳＴの構成）
図２は、図１に示す基板処理装置のステージＳＴを拡大して示す断面図である。図２に示すようにステージＳＴは、載置面ＰＦを有している。この載置面ＰＦは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含んでいる。第１の領域Ｒ１は、ウエハＷを載置するための領域である。一実施形態においては、第１の領域Ｒ１は、静電チャック５０の上面によって画成されており、略円形の領域である。第１の領域Ｒ１は、ステージＳＴの載置面の一例である。第２の領域Ｒ２は、フォーカスリング１８を載置するための領域であり、第１の領域Ｒ１を囲むよう環状に設けられている。一実施形態においては、第２の領域Ｒ２は、台１４の周縁部分の上面によって画成されている。
【００２４】
ステージＳＴには、複数のピン７０がステージＳＴの載置面（つまり、第１の領域Ｒ１）から突没するように設けられる。複数のピン７０は、例えばステージＳＴに周方向に等間隔で設けられた複数の孔にＯリングなどのシール部材を介して設けられる。一実施形態では、３つの孔が周方向に等間隔で設けられ、３つのピン７０が３つの孔に設けられる。
【００２５】
複数のピン７０は、複数の駆動部７２（図１参照）に独立に接続されて、複数の駆動部７２によってそれぞれ上下に駆動される。例えば、各駆動部７２は、モータ及びボールネジを含み、モータの回転運動をボールネジによって直線運動に変換することによって、各ピン７０を上昇又は下降させる。そして、ステージＳＴへウエハＷを搬送する搬送アームとステージＳＴとの間でウエハＷの受け渡しが行われる際に、複数のピン７０が上昇又は下降されて一時的にウエハＷをステージＳＴの上方に支持する。
【００２６】
また、複数の駆動部７２には、エンコーダなどの図示しない複数の測定器が設けられ、複数の測定器は、複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ測定する。ここで、複数のピン７０の高さ位置とは、ステージＳＴの載置面又は当該載置面から所定の距離だけ下方の基準面を基準とした複数のピン７０の先端の位置である。
【００２７】
図１の説明に戻る。一実施形態においては、基板処理装置１０は、制御部６６を更に備えている。制御部６６は、基板処理装置１０の動作を統括的に制御する。制御部６６には、ＣＰＵを備えるコントローラと、ユーザインタフェースと、記憶部とが設けられる。ユーザインターフェースは、工程管理者が基板処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置１０の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２８】
記憶部には、プラズマ処理装置で実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェースからの指示等にて任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、基板処理装置１０での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読み取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００２９】
制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２による伝熱ガスの供給が制御される。
【００３０】
基板処理装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０と台１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、ウエハＷの処理が行われる。なお、ウエハＷの処理は、任意の処理であり得るものであり、例えば、ウエハＷのエッチング、又は、ウエハＷ上への成膜であってもよいが、限定されるものではない。
【００３１】
また、制御部６６は、後述する基板受け渡し処理を行うように複数の駆動部７２を制御する。詳細な一例を挙げると、制御部６６は、搬送アームによってステージＳＴへウエハＷが搬送される場合に、ステージＳＴに突没自在に設けられた複数のピン７０をステージＳＴの上方に突出させることにより、搬送アームからウエハＷを受け取る。そして、制御部６６は、ウエハＷが複数のピン７０に支持された状態で、ウエハＷの所定部分の位置を検出する。そして、制御部６６は、ウエハＷの所定部分の位置の検出結果を用いて、ウエハＷの中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向を推定する。そして、制御部６６は、推定されたずれ量及びずれ方向に応じた各ピン７０の高さ位置まで各ピン７０を個別に移動させることにより、ウエハＷを傾斜させる。そして、制御部６６は、ウエハＷが傾斜した状態で複数のピン７０を同一の速度で下降させることにより、ウエハＷをステージＳＴに部分的に接触させる。そして、制御部６６は、複数のピン７０の下降を継続させることにより、ステージＳＴとの接触に伴うウエハＷの回転運動を用いてずれ方向とは反対の方向にずれ量だけウエハＷの中心位置を移動させつつウエハＷをステージＳＴに載置させる。
【００３２】
ここで、ウエハＷの所定部分の位置とは、例えば、ウエハＷのエッジ部分の位置である。ウエハＷのエッジ部分の位置は、例えば、検出器８０によって検出される。また、基準位置とは、ウエハＷがステージＳＴに正常に載置された場合（つまり、ウエハＷの中心位置がステージＳＴの中心位置と一致する様にウエハＷがステージＳＴに載置された場合）におけるウエハＷの仮想的な中心位置である。
【００３３】
次に、一実施形態に係る搬送装置からのウエハＷの基板受け渡し処理について説明する。図３は、一実施形態に係る基板受け渡し処理の流れの一例を示すフローチャートである。図４Ａ及び図４Ｂは、一実施形態に係る基板受け渡し処理の流れの一例を説明するための図である。
【００３４】
図３に示すように、搬送装置（ここでは、搬送アーム）によってステージＳＴへウエハＷが搬送される際に、基板処理装置１０の制御部６６は、複数のピン７０をステージＳＴから突出させることにより、搬送アームからウエハＷを受け取る（ステップＳ１０１）。すなわち、図４Ａの（１）に示す様に、制御部６６は、複数のピン７０をステージＳＴの載置面（つまり、第１の領域Ｒ１）から垂直方向に上昇させることにより、搬送アーム上のウエハＷを持ち上げる。これにより、複数のピン７０によってウエハＷが水平に支持される。ここで、一般に、搬送アームによってステージＳＴへウエハＷが搬送される前に、ウエハＷの中心位置Ｃが予め定められた基準位置Ｏと一致する様に、アライメント機器を用いたウエハＷの位置合わせが行われる。しかしながら、位置合わせ済みのウエハＷが搬送アームによってステージＳＴへ搬送される際に、搬送アームの振動や繰り返し精度等に起因して、ウエハＷの中心位置Ｃが予め定められた基準位置Ｏから水平方向にずれてしまうことがある。なお、一実施形態では、複数のピン７０によって搬送アームからウエハＷが受け取られた時点において、図４Ａの（１）に示す様に、ウエハＷの中心位置ＣがステージＳＴの中心位置に応じた基準位置Ｏから水平方向にずれているものとする。
【００３５】
続いて、制御部６６は、ウエハＷが複数のピン７０に支持された状態で、検出器８０を用いて、ウエハＷの所定部分の位置を検出する（ステップＳ１０２）。すなわち、図４Ａの（２）に示す様に、制御部６６は、検出器８０の発光部からウエハＷのエッジ部分へレーザ光を照射し、レーザ光の反射光を検出器８０の受光部で受光し、反射光の受光量に基づいてウエハＷのエッジ部分の位置を検出する。
【００３６】
続いて、制御部６６は、ウエハＷのエッジ部分の位置の検出結果を用いて、ウエハＷの中心位置Ｃと予め定められた基準位置Ｏとの位置ずれのずれ量「ｄ」及びずれ方向「θ」を推定する（ステップＳ１０３）。すなわち、制御部６６は、図４Ａの（３）に示す様に、ウエハＷがステージＳＴに正常に載置された場合におけるウエハＷのエッジ部分の位置Ｗｏと、実際に検出されたウエハＷのエッジ部分の位置Ｗｅとを比較する。そして、制御部６６は、位置Ｗｏと位置Ｗｅとの比較結果に基づいて、ウエハＷの中心位置Ｃと予め定められた基準位置Ｏとの位置ずれのずれ量「ｄ」及びずれ方向「θ」を推定する。なお、図４Ａの（３）に示す様に、ずれ方向「θ」とは、例えば、基準位置Ｏから所定の方向へと延びる基準線に対する角度が該当する。
【００３７】
続いて、制御部６６は、推定されたずれ量「ｄ」及びずれ方向「θ」に応じた各ピン７０の高さ位置まで各ピン７０を個別に移動させることにより、ウエハＷを傾斜させる（ステップＳ１０４）。すなわち、制御部６６は、図４Ｂの（４）に示す様に、各ピン７０を個別に移動させることにより、ウエハＷのエッジ部のうち、基準位置Ｏから延び且つウエハＷの中心位置Ｃを通る直線と交差する部分Ｅが最も低くなる状態で、ウエハＷを傾斜させる。
【００３８】
ここで、制御部６６がウエハＷを傾斜させる処理について、更に詳細に説明する。制御部６６は、図５に示す高さ位置テーブルを参照し、推定されたずれ量「ｄ」及びずれ方向「θ」の組み合わせに対応する各ピン７０の高さ位置を選択し、選択した高さ位置まで各ピン７０を個別に移動させることにより、ウエハＷを傾斜させる。図５に示す高さ位置テーブルは、ウエハの中心位置Ｃと予め定められた基準位置Ｏとの位置ずれのずれ量及びずれ方向の組み合わせごとに、ウエハＷを傾斜させるための各ピン７０の高さ位置を対応付けて記憶するテーブルであり、シミュレーション等を用いて予め作成され、制御部６６の記憶部に記憶される。例えば、ずれ量「ｄ」及びずれ方向「θ」の組み合わせ（ｄ，θ）が（ｄ１，θ１）である場合、３つのピン７０（ピン＃１、ピン＃２及びピン＃３）の各々の高さ位置として、（ピン＃１，ピン＃２，ピン＃３）＝（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）が選択される。
【００３９】
図３の説明に戻る。続いて、制御部６６は、ウエハＷが傾斜した状態で複数のピン７０を同一の速度で下降させることにより、ウエハＷをステージＳＴに部分的に接触させる（ステップＳ１０５）。すなわち、制御部６６は、図４Ｂの（５）に示す様に、ウエハＷが傾斜した状態で複数のピン７０を同一の速度で下降させることにより、ウエハＷにおいて中心位置Ｃと上記の部分Ｅとで挟まれた部分をステージＳＴに接触させる。
【００４０】
続いて、制御部６６は、複数のピン７０の下降を継続させることにより、ステージＳＴとの接触に伴うウエハＷに対する垂直方向の回転を用いてずれ方向「θ」とは反対の方向にずれ量「ｄ」だけウエハＷの中心位置Ｃを移動させつつウエハＷをステージＳＴに載置させる（ステップＳ１０６）。すなわち、制御部６６は、図４Ｂの（６）に示す様に、複数のピン７０の下降を継続させることにより、ステージＳＴとの接触点を支点としてステージＳＴの載置面に近づく方向にウエハＷが回転する回転運動を発生させ、発生させた回転運動に基づき、ずれ方向「θ」とは反対の方向にずれ量「ｄ」だけウエハＷの中心位置Ｃを移動させつつウエハＷをステージＳＴに載置させる。これにより、ウエハＷの中心位置Ｃが基準位置Ｏと一致した状態で、ウエハＷがステージＳＴに載置される。
【００４１】
上述したように、一実施形態によれば、搬送アームによって搬送されるウエハＷが載置されるステージＳＴに突没自在に設けられた複数のピン７０を突出させることにより、搬送アームからウエハＷを受け取り、ウエハＷが複数のピン７０に支持された状態で、ウエハＷの所定部分の位置を検出し、ウエハＷの所定部分の位置の検出結果を用いて、ウエハＷの中心位置と予め定められた基準位置との位置ずれのずれ量及びずれ方向を推定し、推定されたずれ量及びずれ方向に応じた各ピン７０の高さ位置まで各ピン７０を個別に移動させることにより、ウエハＷを傾斜させ、ウエハＷが傾斜した状態で複数のピン７０を同一の速度で下降させることにより、ウエハＷをステージＳＴに部分的に接触させ、複数のピン７０の下降を継続させることにより、ステージＳＴとの接触に伴うウエハＷの回転運動を用いてずれ方向とは反対の方向にずれ量だけウエハＷの中心位置を移動させつつウエハＷをステージＳＴに載置させる。この結果、ステージＳＴに載置されるウエハＷの中心位置の位置ずれを適切に補正することができる。例えば、搬送アームの振動等に起因して、ウエハＷの中心位置が予め定められた基準位置から水平方向にずれてしまう場合でも、ステージＳＴに載置されるウエハＷの中心位置の位置ずれを適切に補正することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０  基板処理装置
１２  処理容器
１４  台
１６  筒状保持部
１７  筒状支持部
１８  フォーカスリング
２０  排気路
２２  バッフル板
２４  排気口
２５  ガス導入口
２６  排気装置
２８  排気管
３０  ゲートバルブ
３２  高周波電源
３４  整合器
３５  高周波電源
３６  整合器
３８  シャワーヘッド
４０  電極板
４０ｈ  ガス通気孔
４２  電極支持体
４２ａ  バッファ室
４４  ガス供給部
４６  ガス供給導管
４８  磁場形成機構
５０  静電チャック
５２  電極
５６  直流電源
５８  ガス供給ライン
６２  伝熱ガス供給部
６６  制御部
７０  ピン
７２  駆動部
８０  検出器
ＳＴ  ステージ
ＳＷ  スイッチ
Ｗ  ウエハ
【図１】
2018206992.tif 000003
【図２】
2018206992.tif 000004
【図３】
2018206992.tif 000005
【図４Ａ】
2018206992.tif 000006
【図４Ｂ】
2018206992.tif 000007
【図５】
2018206992.tif 000008