(57)【要約】【課題】寄生インダクタンスを低減したバスバセットを提供する。【解決手段】バスバセット１０は、第１バスバ３、第２バスバ４、第１絶縁層７、第２絶縁層８、低透磁率層１２を備えている。第１バスバ３と第２バスバ４は平行に延びており、互いに逆向きの電流が流れる。第１絶縁層７は低透磁率層１２を第１バスバ３から絶縁し、第２絶縁層８は低透磁率層１２を第２バスバ４から絶縁する。低透磁率層１２は、第１導体層５と第２導体層６とそれらに挟まれている絶縁性のスペーサ９を備えている。第１導体層５と第２導体層６は、第１バスバ３の延設方向の２箇所で電気的に接続されており、第１バスバ３の延設方向と交差するとともに第１及び第２バスバ３、４の並び方向とも交差する方向に軸を有するループコイル２を構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１バスバと、
前記第１バスバと平行に延びており、前記第１バスバに流れる電流の向きと逆向きに電流が流れる第２バスバと、
弾性又は可塑性を有しており、前記第１バスバと前記第２バスバの間に挟まれている低透磁率層と、
弾性又は可塑性を有しており、前記低透磁率層を前記第１バスバと前記第２バスバの一方から絶縁する絶縁層と、
を備えており、
前記低透磁率層に、前記第１バスバと前記第２バスバに互いに逆向きの交流が流れたときにその内部で発生する磁束の時間変化を抑制するようにループ状の誘導電流が発生する、バスバセット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、互いに逆方向に電流が流れる一対のバスバを含むバスバセットを開示する。バスバとは、大出力の電力変換器などで用いられる、電流容量の大きい細長金属材である。
【背景技術】
【０００２】
バスバの寄生インダクタンスを低減する技術が例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の技術は、互いに逆向きに電流が流れる平行に配策された一対のバスバを備えたバスバセットを対象としている。特許文献１のバスバセットでは、夫々のバスバを導体で被覆するとともに、接続導体によって２個の被覆導体をその両端で接続する。一対のバスバに逆向きの電流が流れると磁束が発生し、その磁束によって被覆導体と接続導体で構成される閉ループに環状の誘導電流が発生する。誘導電流はバスバに起因する磁束を低減するように作用する。バスバに流れる電流に起因する磁束が低減されるので、寄生インダクタンスが抑えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０１７３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のバスバセットは、被覆導体で覆われた一対のバスバが間に空間を挟んで平行に延びている。寄生インダクタンスの大きさは、一対のバスバの間の距離（ギャップ）に比例する。即ち、一対のバスバの間のギャップを小さくするほど寄生インダクタンスは小さくなる。一方、ギャップを小さくすると、一対のバスバが短絡し易くなってしまう。特許文献１のバスバセットでは、製造誤差を考慮しつつ一対のバスバが短絡しないように所定のマージン（安全余裕）を含んでギャップの大きさを定める必要がある。本明細書は、一対のバスバの短絡を防ぎつつ、寄生インダクタンスを小さくすることが期待できるバスバセットを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示するバスバセットは、第１バスバ、第２バスバ、低透磁率層、絶縁層を備えている。第１バスバと第２バスバは平行に延びており、互いに逆向きの電流が流れる。低透磁率層は第１導体層と第２導体層の間に挟まれている。低透磁率層は、絶縁層によって、第１バスバ（又は第２バスバ）から絶縁されている。低透磁率層には、第１バスバと第２バスバに互いに逆向きの交流が流れたときに、その内部で発生する磁束の時間変化を抑制するようにループ状の誘導電流が発生する。
【０００６】
本明細書が開示するバスバセットでは、一対のバスバに互いに逆向きの交流電流が流れるので、第１バスバと第２バスバの間には、電磁誘導によりバスバ延設方向と直交する方向に磁界（磁束）が発生する。この磁束は低透磁率層を貫き、低透磁率層にループ状の誘導電流を誘起する。誘導電流に起因してさらに磁界（磁束）が発生する。ループ状に流れる誘導電流に起因する磁界（磁束）は、バスバに流れる電流に起因する磁界（磁束）を相殺する。よって、バスバの寄生インダクタンスが抑制される。低透磁率層は、ＭＨｚオーダの高周波の磁束変化を抑制する。低透磁率層は、バスバに接続されたスイッチング回路のスイッチングによって発生する高周波ノイズに起因する磁束変化を抑制する。その結果、高周波数帯域での寄生インダクタンスが小さくなる。低透磁率層は、高周波数帯域の磁束変化に対して透磁率が低いように振る舞う層である。絶縁層の厚みの総和は、バスバの使用電圧に対する十分な絶縁機能を発揮できる値であって、組み付け時の厚みの変化が十分に小さい材料で構成してある。低透磁率層は、その内部にあるスペーサ、又は低透磁率層全体の弾性、又は可塑性により組み付け時に厚みが変化することによって、バスバ間の寸法の誤差、バラツキを吸収できる材料で構成してある。
【０００７】
低透磁率層は、例えば、別の絶縁層で隔てられた一対の導体層がその両端で電気的に接続されたループコイルであってよい。一対のバスバの間に複数のループコイルが配置されていてもよい。また、低透磁率層は、弾性又は可塑性を有する多孔質の導体材料であってもよい。あるいは、低透磁率層は、スポンジ状の弾性又は可塑性を有する樹脂材料に導電性の金属メッキを施したものであってもよい。さらにまた、低透磁率層は、弾性又は可塑性を有する導体そのものを絶縁体で挟んだシートであってもよい。低透磁率層は、明示的な導体ループ構造を有してなくとも、渦電流のようなループ状の誘導電流が発生する材料で作られていればよい。
【０００８】
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例のバスバセットの適用先の一例である電力変換器の回路図である。
【図２】バスバセットの断面図である。
【図３】第１変形例のバスバセットの断面図である。
【図４】第２変形例のバスバセットの断面図である。
【図５】第３変形例のバスバセットの断面図である。
【図６】第４変形例のバスバセットの分解斜視図である。
【図７】第５変形例のバスバセットの断面図である。
【図８】第６変形例のバスバセットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して実施例のバスバセットを説明する。本明細書が開示するバスバセットは、例えば、電気自動車においてバッテリの電力を走行用モータの駆動電力に変換する電力変換器で使われている。まず、バスバセットが適用される電力変換器を説明する。図１に、電力変換器２０の回路図を示す。電力変換器２０は、電気自動車において、バッテリ５２の直流電力を走行用モータ（モータ５８）の駆動電力に変換するデバイスである。電力変換器２０は、バッテリ５２の電圧を昇圧する電圧コンバータ２１と、昇圧された直流電力を交流電力に変換するインバータ２２を備える。電圧コンバータ２１は、フィルタコンデンサ５３、リアクトル５４、２個のトランジスタ５６ａ、５６ｂ、２個のダイオードを備えている。２個のトランジスタ５６ａ、５６ｂは、直列に接続されている。夫々のトランジスタ５６ａ、５６ｂに、ダイオードが逆並列に接続されている。トランジスタ５６ａ、５６ｂの直列接続は、電圧コンバータ２１の高電圧端（インバータ側の端子）の正極と負極の間に直列に接続されている。２個のトランジスタ５６ａ、５６ｂの直列接続の中点に、リアクトル５４の一端が接続されている。リアクトル５４の他端は、電圧コンバータ２１の低電圧端（バッテリ側の端子）の正極に接続されている。低電圧端の正極と負極の間にフィルタコンデンサ５３が接続されている。図２の電圧コンバータ２１は、バッテリ５２の電圧を昇圧してインバータ２２に供給する昇圧動作と、インバータ２２から送られる電力（モータ５８が発電した回生電力）を降圧してバッテリ５２を充電する降圧動作の双方を行うことができる。電圧コンバータ２１は、いわゆる双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである。図２の電圧コンバータ２１の回路構成と機能はよく知られているので詳しい説明は省略する。
【００１１】
インバータ２２は、２個のトランジスタの直列接続が３組並列に接続された構成を有している。トランジスタ５６ｃ、５６ｄが直列に接続されており、トランジスタ５６ｅ、５６ｆが直列に接続されており、トランジスタ５６ｇ、５６ｈが直列に接続されている。各トランジスタにダイオードが逆並列に接続されている。３組の直列接続の中点から交流が出力される。インバータ２２の交流出力がモータ５８に供給される。図１のインバータ２２の回路構成と動作も良く知られているので詳しい説明は省略する。電圧コンバータ２１とインバータ２２の間に平滑コンデンサ５７が並列に接続されている。平滑コンデンサ５７は、電圧コンバータ２１とインバータ２２の間を流れる電流の脈動を抑える。
【００１２】
トランジスタ５６ａ−５６ｈは、コントローラ５９によって制御される。コントローラ５９は、不図示の上位コントローラからモータ５８の目標出力を受信し、その目標出力が実現されるように、トランジスタ５６ａ−５６ｈを駆動する。なお、図１では、破線矢印が信号線を示している。コントローラ５９からトランジスタ５６ａ、５６ｂへの信号線は示してあるが、トランジスタ５６ｃ−５６ｈへの信号線は図示を省略してある。
【００１３】
電力変換器２０は、２個のトランジスタの直列接続を４組備えている。２個のトランジスタの直列接続の高電位側のトランジスタを上アームトランジスタと称し、低電位側のトランジスタを下アームトランジスタと称する。図１のトランジスタ５６ａ、５６ｃ、５６ｅ、５６ｇが上アームトランジスタであり、トランジスタ５６ｂ、５６ｄ、５６ｆ、５６ｈが下アームトランジスタである。
【００１４】
図１において、符号２３が示す範囲は、平滑コンデンサ５７の高電位側と、４個の上アームトランジスタ５６ａ、５６ｃ、５６ｅ、５６ｇを接続する正極線を示している。符号２４が示す範囲は、平滑コンデンサ５７の低電位側と、４個の下アームトランジスタ５６ｂ、５６ｄ、５６ｆ、５６ｈを接続する負極線を示している。正極線２３と負極線２４には、大電流が流れる。そこで、ハードウエアとしては、正極線２３と負極線２４は、電流容量の大きいバスバで実現される。なお、図１から明らかなとおり、正極線２３と負極線２４には、常に互いに逆向きの電流が流れることになる。
【００１５】
正極線２３に対応するバスバ（第１バスバ）と、負極線２４に対応するバスバ（第２バスバ）は、いくつかの層を挟んで積層されている。いくつかの層を挟んだ第１バスバと第２バスバを、「バスバセット」と総称する。図２に、バスバセット１０をバスバの積層方向と延設方向を含む平面でカットした断面図を示す。なお、図２以降では、説明の便宜上、座標系を次の通りに定義する。座標系のＸ方向は、バスバの延設方向に定める。座標系のＺ方向は、２本のバスバ（第１バスバ３と第２バスバ４）の積層方向に定める。Ｙ方向は、Ｘ軸とＺ軸の双方と直交する方向に定める。
【００１６】
バスバセット１０は、図１の正極線２３に対応する第１バスバ３と、図１の負極線２４に対応する第２バスバ４と、それらの間に挟まれている第１絶縁層７、第２絶縁層８、及び、低透磁率層１２を備えている。第１絶縁層７、第２絶縁層８、及び、低透磁率層１２は、いずれも、幅（図中のＹ方向の長さ）は、第１バスバ３と第２バスバ４と同程度である。低透磁率層１２は、スペーサ９を第１導体層５と第２導体層６で挟んだ構造を有している。スペーサ９は、絶縁体である。
【００１７】
低透磁率層１２の第１導体層５と第２導体層６は、例えば銅の薄膜で作られている。第１導体層５と第２導体層６は、第１バスバ３と第２バスバ４の延設方向（図中のＸ方向）の２箇所（図中のポイントＡ１とポイントＡ２）で電気的に接続されている。従って、第１導体層５と第２導体層６は、図中のＹ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９を囲むループコイル２を構成する。なお、Ｙ方向は、第１バスバ３と第２バスバ４の延設方向（Ｘ方向）に直交するとともに、第１バスバ３と第２バスバ４の並び方向（Ｚ方向）とも直交する方向である。ループコイル２と第１バスバ３との間には、第１絶縁層７が挟まれており、ループコイル２は第１バスバ３から絶縁されている。ループコイル２と第２バスバ４との間には、第２絶縁層８が挟まれており、ループコイル２は第２バスバ４からも絶縁されている。第１絶縁層７と第２絶縁層８は、例えば、絶縁性の樹脂フィルムであり、弾性又は可塑性を有している。
【００１８】
低透磁率層１２も弾性を有している。具体的には、スペーサ９は、絶縁性と弾性と柔軟性に優れたシリコンゴムで作られている。第１導体層５と第２導体層６はシリコンゴム製のスペーサ９の表面に形成された銅の薄膜であり、弾性に富んでいる。それゆえ、第１導体層５と第２導体層６とスペーサ９で構成される低透磁率層１２は、柔軟で弾性を有している。
【００１９】
バスバセット１０の作用効果を説明する。先に述べたように、図１の正極線２３と負極線２４には、互いに逆向きの交流電流が流れる。例えば、図２において、第１バスバ３に右から左へ電流が流れるとき（図中の矢印Ｉｐｏｓ参照）、第２バスバ４では、左から右へ向けて電流が流れる（図中の矢印Ｉｎｅｇ参照）。互いに逆向きの電流が流れることを別言すれば、第１バスバ３と第２バスバ４の同じ側の端部が、夫々、電気デバイスの正極と負極に接続される、ということである。
【００２０】
第１バスバ３を流れる電流Ｉｐｏｓも第２バスバ４を流れる電流Ｉｎｅｇも、電磁誘導により、両者の間では紙面奥側から手前側を向く磁束（図中の符号Ｂｘ参照）を発生させる。その磁束は低透磁率層１２を紙面奥側から手前側へと貫く。磁束が低透磁率層１２のループコイル２を貫くと、その磁束を打ち消す電流（誘導電流）がループコイル２に発生する。別言すれば、ループコイル２に誘導電流が発生することにより、第１バスバ３と第２バスバ４の電流に起因して発生する磁束が低減される。バスバの寄生インダクタンスは、バスバに流れる電流と、その電流に起因して発生する磁束の比であるから、磁束Ｂｘが抑えられることによって、第１バスバ３と第２バスバ４の寄生インダクタンスが低減される。
【００２１】
第１バスバ３と第２バスバ４には、トランジスタ５６ａ−５６ｈのスイッチング動作に起因する数ＭＨｚオーダのノイズ電流が流れる。そのノイズ電流に起因して、低透磁率層１２には、ＭＨｚオーダの磁束変化が現れる。スペーサ９を囲むループコイル２を有する低透磁率層１２は、ＭＨｚオーダの磁束変化を抑制し、高周波帯域での寄生インダクタンスを低減する。低透磁率層１２は、ＭＨｚオーダの磁束変化に対してあたかも透磁率が低い材料のように振る舞う。
【００２２】
低透磁率層１２は、弾性又は可塑性を有しており、第１バスバ３と第２バスバ４の間の距離の変動を吸収する役割も果たす。第１バスバ３と第２バスバ４が湾曲すると、低透磁率層１２もバスバの湾曲に伴って湾曲する。
【００２３】
以下、実施例のバスバセット１０の変形例を説明する。図３は、第１変形例のバスバセット１０ａの断面図である。この変形例では、低透磁率層１２ａは、第１導体層１０５、第２導体層１０６、及び、それらに挟まれたスペーサ９で構成されている。第１導体層１０５は、フィルム状の第１絶縁層１０７に蒸着させた金属メッキ層であり、第２導体層１０６は、フィルム状の第２絶縁層１０８に蒸着させた金属メッキ層である。金属メッキ層を有するフィルム状の第１絶縁層１０７と第２絶縁層１０８を、第１バスバ３と第２バスバ４の延設方向（図中のＸ方向）の２箇所（図中のポイントＡ３とポイントＡ４）で接合する。そうすると、第１導体層１０５に相当する金属メッキ層と、第２導体層１０６に相当する金属メッキ層も、バスバの延設方向の２箇所（図中のポイントＡ１とポイントＡ２）で電気的に接続される。その結果、低透磁率層１２ａの第１導体層１０５と第２導体層１０６は、図中のＹ方向に軸線を有するとともにスペーサ９を囲むループコイル１０２を構成する。このバスバセット１０ａも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００２４】
図４に、第２変形例のバスバセット１０ｂの断面図を示す。バスバセット１０ｂは、第１バスバ３と第２バスバ４の間に、バスバの延設方向（Ｘ方向）に並ぶ複数のループコイル２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｘ、２０２ｙを備えている。ループコイル２０２ａは、第１導体層２０５ａと第２導体層２０６ａがＸ方向の２箇所で電気的に接続されたものである。ループコイル２０２ａは、Ｙ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９ａを囲んでいる。ループコイル２０２ｂ、２０２ｘ、２０２ｙも同様の構成を有している。ループコイル２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｘ、２０２ｙは、第１絶縁層７によって第１バスバ３から絶縁されており、第２絶縁層８によって第２バスバ４からも絶縁されている。複数の第１導体層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｘ、２０５ｙと、複数の第２導体層２０６ａ、２０６５ｂ、２０６ｘ、２０６ｙ、及び、夫々の第１導体層２０５と第２導体層２０６に囲まれたスペーサ９ａ、９が、低透磁率層１２ｂを構成する。図４のバスバセット１０ｂも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００２５】
図５に、第３変形例のバスバセット１０ｃの断面図を示す。バスバセット１０ｃは、第１バスバ３と第２バスバ４の間に、バスバの並び方向（Ｚ方向）に並ぶ複数のループコイル３０２ａ、３０２ｂを備えている。ループコイル３０２ａは、第１導体層３０５ａと第２導体層３０６ａがＸ方向の２箇所（ポイントＡａ１とポイントＡａ２）で電気的に接続されたものである。ループコイル３０２ａは、Ｙ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９ａを囲んでいる。ループコイル３０２ｂは、第１導体層３０５ｂと第２導体層３０６ｂがＸ方向の２箇所（ポイントＡｂ１とポイントＡｂ２）で電気的に接続されたものである。ループコイル３０２ｂは、Ｙ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９ｂを囲んでいる。ループコイル３０２ａと３０２ｂの間には、第３絶縁層３０８が挟まれており、その第３絶縁層３０８によって、両者は絶縁されている。また、２個のループコイル３０２ａ、３０２ｂと第１バスバ３の間には、第１絶縁層７が挟まれており、第１絶縁層７によって、ループコイル３０２ａ、３０２ｂは第１バスバ３から絶縁されている。２個のループコイル３０２ａ、３０２ｂと第２バスバ４の間には、第２絶縁層８が挟まれており、第２絶縁層８によって、ループコイル３０２ａ、３０２ｂは第２バスバ４から絶縁されている。２個のループコイル３０２ａ、３０２ｂ（第１導体層３０５ａ、３０５ｂと第２導体層３０６ａ、３０６ｂ）とスペーサ９ａ、９ｂが、低透磁率層１２ｃを構成する。図５のバスバセット１０ｃも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００２６】
図６に第４変形例のバスバセット１０ｄの分解斜視図を示す。バスバセット１０ｄは、第１バスバ３と第２バスバ４の間に、バスバの延設方向（Ｘ方向）と並び方向（Ｚ方向）の夫々に直交するＹ方向に並ぶ複数のループコイル４０２ａ、４０２ｂを備えている。ループコイル４０２ａは、第１導体層４０５ａと第２導体層４０６ａがＸ方向の２箇所（ポイントＡａ１とポイントＡａ２）で電気的に接続されたものである。ループコイル４０２ａは、Ｙ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９ａを囲んでいる。ループコイル４０２ｂは、第１導体層４０５ｂと第２導体層４０６ｂがＸ方向の２箇所（ポイントＡｂ１とポイントＡｂ２）で電気的に接続されたものである。ループコイル４０２ｂは、Ｙ方向に軸線を有するとともに、スペーサ９ｂを囲んでいる。
【００２７】
２個のループコイル４０２ａ、４０２ｂと第１バスバ３の間には、第１絶縁層７が挟まれており、第１絶縁層７によって、ループコイル４０２ａ、４０２ｂは第１バスバ３から絶縁されている。２個のループコイル４０２ａ、４０２ｂと第２バスバ４の間には、第２絶縁層８が挟まれており、第２絶縁層８によって、ループコイル４０２ａ、４０２ｂは第２バスバ４から絶縁されている。ループコイル４０２ｂはループコイル４０２ａから離間しており、両者は電気的に遮断されている。なお、ループコイル４０２ａと４０２ｂは、Ｙ方向で接して電気的に接続されていてもよい。ループコイル４０２ａ、４０２ｂ（第１導体層４０５ａ、４０５ｂと第２導体層４０６ａ、４０６ｂ）とスペーサ９ａ、９ｂが低透磁率層１２ｄを構成する。図６のバスバセット１０ｄも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００２８】
図７に、第５変形例のバスバセット１０ｅの断面図を示す。バスバセット１０ｅは、第１バスバ３と第２バスバ４の間に、絶縁層７と低透磁率層１２ｅを備えている。低透磁率層１２ｅは、多孔質の導体であり、弾性又は可塑性を有している。絶縁層７は、低透磁率層１２ｅを第１バスバ３から絶縁している。低透磁率層１２ｅは、第２バスバ４とは接触しており、電気的に接続されている。第１バスバ３と第２バスバ４に互いに逆向きの交流電流が流れると、低透磁率層１２ｅを図中のＹ方向に磁束が貫く。低透磁率層１２ｅには、複数の小さな渦電流（即ち、ループ状の電流）が発生する。複数の渦電流は磁束を発生し、その磁束は、第１、第２バスバ３、４を流れる交流に起因する磁束を相殺する。即ち、第１、第２バスバ３、４を流れる電流に起因して低透磁率層１２ｅに発生するＭＨｚオーダの磁束変化が抑制される。その結果、バスバセット１０ｅの寄生インダクタンスが小さくなる。また、低透磁率層１２ｅは、弾性又は可塑性を有する多孔質性の材料で作られており、第１、第２バスバ３、４が湾曲しても、それらの間の距離の変動を吸収することができる。図７のバスバセット１０ｅも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００２９】
図８に、第６変形例のバスバセット１０ｆの断面図を示す。バスバセット１０ｆは、第１バスバ３と第２バスバ４の間に、絶縁層７と低透磁率層１２ｆを備えている。絶縁層７は、低透磁率層１２ｆを第１バスバ３から絶縁している。低透磁率層１２ｆは、第２バスバ４とは接触しており、電気的に接続されている。低透磁率層１２ｆは、弾性又は可塑性を有する樹脂製のスペーサ９ｃと、その表面に形成された導電性の金属メッキ層５０５を備えている。金属メッキ層５０５は、第１、第２バスバ３、４の並び方向（図中のＺ方向）とバスバの延設方向（図中のＸ方向）の両方に直交する方向（Ｙ方向）を軸線とするループコイルを構成する。このバスバセット１０ｆも、実施例のバスバセット１０と同様の効果を奏する。
【００３０】
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。第１バスバと第２バスバの間の層は互いに密着しており、第１バスバと第２バスバとそれらに挟まれている層群が一体になっているとよい。
【００３１】
低透磁率層は、第１バスバと第２バスバの少なくとも一方から絶縁されていればよい。例えば図７の変形例のバスバセット１０ｅでは、低透磁率層１２ｅは第１バスバ３から絶縁されているが、第２バスバ４とは導通している。絶縁層７が第２バスバ４と低透磁率層１２ｅの間にあり、第１バスバ３と低透磁率層１２ｅが導通していてもよい。
【００３２】
図２−図６、図８のバスバセットは、明示的なループコイルを備えている。そのようなバスバセットは、次のように表現することができる。バスバセットは、第１バスバと第２バスバと絶縁層と低透磁率層を備えている。第２バスバは、第１バスバと平行に延びている。第１バスバと第２バスバには互いに逆向きの交流電流が流れる。低透磁率層は、第１バスバと第２バスバの間に挟まれている。絶縁層は、第１バスバと第２バスバの一方と低透磁率層の間に挟まれており、低透磁率層を第１バスバと第２バスバの一方から絶縁する。低透磁率層は、第１導体層と第２導体層と絶縁性のスペーサを備えている。スペーサは、第１導体層と第２導体層の間に挟まれており、第１導体層と第２導体層とスペーサの積層体は、それらの積層方向が第１、第２バスバの積層方向と一致するように、第１、第２バスバの間に挟まれている。第１導体層と第２導体層は、バスバの延設方向の両端で電気的に接続されており、第１バスバの延設方向と交差するとともに第１、第２バスバの積層方向とも交差する方向に軸を有するループコイルを構成する。
【００３３】
低透磁率層と絶縁層をバスバ間に固定する方法としては、（図示していない）絶縁体で構成された部材で２枚のバスバをその間に絶縁層と低透磁率層を圧力を加えた状態で挟んで固定する以外に、量産に適したＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＡ（ポリアミド）等のエンジニアリングプラスチックによる、バスバ、絶縁層、低透磁率層の一体成形（インサート成形）によってもよい。
【００３４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３５】
２、１０２、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｘ、２０２ｙ、３０２ａ、３０２ｂ、４０２ａ、４０２ｂ：ループコイル
３：第１バスバ
４：第２バスバ
５、１０５、２０５ａ、３０５ａ、３０５ｂ、４０５ａ、４０５ｂ：第１導体層
６、１０６、２０６ａ、３０６ａ、３０６ｂ、４０６ａ、４０６ｂ：第２導体層
７、１０７：第１絶縁層
８、１０８：第２絶縁層
９、９ａ、９ｂ、９ｃ：スペーサ
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ：バスバセット
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ：低透磁率層
２０：電力変換器
２１：電圧コンバータ
２２：インバータ
２３：正極線
２４：負極線
５２：バッテリ
５３：フィルタコンデンサ
５４：リアクトル
５６ａ−５６ｈ：トランジスタ
５７：平滑コンデンサ
５８：モータ
５９：コントローラ
３０８：第３絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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