(57)【要約】【課題】基板上に形成された半導体装置を、基板から容易に剥離して、半導体装置の軽量化および薄厚化を実現することができる粘着テープを提供すること。【解決手段】本発明の粘着テープは、複数の半導体素子がその厚さ方向に積層され、半導体素子同士が貫通電極を介して電気的に接続された半導体装置を得る際に、半導体装置に仮固定して用いられ、要件Ａ、Ｂを満足する。  要件Ａ：粘着テープは、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスとシリコンチップとの間で測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる。  要件Ｂ：粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、シリコンチップ上に粘着テープを貼付し、次いで、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に引き剥がしたときに測定されるピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となる。【選択図】図４
2018206885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子がその厚さ方向に積層され、前記半導体素子同士が前記厚さ方向に貫通する貫通電極を介して電気的に接続された半導体装置を得る際に、前記半導体装置に仮固定して用いられる粘着テープであって、
下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ａ：当該粘着テープは、透明ガラス上に前記粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを、前記粘着テープを介して前記透明ガラスに固定し、その後、２５℃において６００μｍ／ｓで前記シリコンチップを側面から押して、前記透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる。
要件Ｂ：当該粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなすシリコンチップ上に幅２５ｍｍの前記粘着テープを貼付し、次いで、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となる。
【請求項２】
当該粘着テープは、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下である請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
当該粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である請求項１または２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
当該粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項５】
当該粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０.００１％以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項６】
当該粘着テープは、スチレン系ブロック共重合体を主材料として含有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項７】
前記スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを備えるブロック共重合体である請求項６に記載の粘着テープ。
【請求項８】
前記スチレン系ブロック共重合体は、前記第２ブロックがエチレンとプロピレンとの重合体を含み、前記第１ブロックと、前記第２ブロックと、前記第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体である請求項７に記載の粘着テープ。
【請求項９】
当該粘着テープは、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体素子がその厚さ方向に積層され、これら半導体素子同士が厚さ方向に貫通する貫通電極を介して電気的に接続された半導体装置を得る際に用いられる粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
この半導体装置としては、複数の半導体素子がその厚さ方向に積層され、これら半導体素子同士が厚さ方向に貫通する貫通電極を介して電気的に接続されたＴｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ（ＴＳＶ）型のものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
かかる半導体装置の製造方法では、まず、基板上に、半導体素子が備える電極パッドが上側となるようにして半導体素子を積層した後、半導体素子上に、さらに同様にして、半導体素子を積層する。
【０００５】
その後、積層された半導体素子が備える電極パッド同士が電気的に接続されるように、上側に位置する半導体素子に、その厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。
【０００６】
次いで、上記で説明した、半導体素子に対するさらなる半導体素子の積層と、貫通電極の形成による電極パッド同士の電気的な接続とを、繰り返して実施することで、上述した構成の半導体装置が基板上に製造される。
【０００７】
そして、この半導体装置の基板側を上側（フェイスダウン状態）として、配線基板が備える端子と、半導体装置の基板と反対側に位置する半導体素子が備える電極パッドとを電気的に接続することで、配線基板上に半導体装置が搭載される。
【０００８】
以上のようにして、半導体装置を製造することができるが、かかる製造方法では、半導体装置に基板が残存し、半導体装置の軽量化、さらには、薄厚化が実現できないと言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−１７９１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そのため、基板上に形成された半導体装置を、基板から容易に剥離し得るように、基板と半導体装置との間に、易剥離性を有する粘着層を形成することができる粘着テープの開発が求められている。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、基板上に形成された半導体装置を、基板から容易に剥離して、半導体装置の軽量化および薄厚化を実現することができる粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）  複数の半導体素子がその厚さ方向に積層され、前記半導体素子同士が前記厚さ方向に貫通する貫通電極を介して電気的に接続された半導体装置を得る際に、前記半導体装置に仮固定して用いられる粘着テープであって、
下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ａ：当該粘着テープは、透明ガラス上に前記粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを、前記粘着テープを介して前記透明ガラスに固定し、その後、２５℃において６００μｍ／ｓで前記シリコンチップを側面から押して、前記透明ガラスと前記シリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となる。
要件Ｂ：当該粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなすシリコンチップ上に幅２５ｍｍの前記粘着テープを貼付し、次いで、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となる。
【００１３】
（２）  当該粘着テープは、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下である上記（１）に記載の粘着テープ。
【００１４】
（３）  当該粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。
【００１５】
（４）  当該粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１６】
（５）  当該粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０.００１％以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１７】
（６）  当該粘着テープは、スチレン系ブロック共重合体を主材料として含有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１８】
（７）  前記スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを備えるブロック共重合体である上記（６）に記載の粘着テープ。
【００１９】
（８）  前記スチレン系ブロック共重合体は、前記第２ブロックがエチレンとプロピレンとの重合体を含み、前記第１ブロックと、前記第２ブロックと、前記第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体である上記（７）に記載の粘着テープ。
【００２０】
（９）  当該粘着テープは、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の粘着テープ。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の粘着テープによれば、この粘着テープに由来する粘着層が介在した状態で、基板上に、半導体装置が形成され、これにより、半導体装置の形成の後に、半導体装置を、基板から容易に剥離し得ることから、形成される半導体装置の軽量化および薄厚化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の粘着テープを用いて半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】本発明の粘着テープを用いて半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の粘着テープを用いて半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の粘着テープを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００２４】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２５】
半導体装置２０は、Ｃｉｐ  ｏｎ  Ｃｉｐ（ＣＯＣ）型の半導体装置の１種であるＴｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ（ＴＳＶ）型の半導体装置であり、図１に示すように、積層された複数（本実施形態では４つ）の半導体素子２６と、厚さ方向で隣接する半導体素子２６同士を接合する接合層２７と、これら半導体素子２６同士を電気的に接続する貫通電極２３とを有している。複数の半導体素子２６は、半導体集積回路を備える主面を上側（同一方向）に向けて接合層２７を介して積層され、厚さ方向で隣接する半導体素子２６の主面に備える電極パッド２５同士が貫通電極２３を介して電気的に接続されている。
【００２６】
半導体装置２０において、半導体素子２６は、図示しない半導体集積回路を、主面である上面側に有しており、さらに、この半導体集積回路に電気的に接続された電極パッド２５を、上面に有している。
【００２７】
この電極パッド２５は、図示しない絶縁層を介して、半導体集積回路の上面に形成されており、半導体集積回路が備える配線と電気的に接続されている。
【００２８】
また、厚さ方向（上下方向）で隣接する半導体素子２６同士は、絶縁性を有する接合層２７を介して接合されており、さらに、各半導体素子２６が備える電極パッド２５同士は、半導体素子２６を貫通するように設けられた貫通電極２３を介して電気的に接続されている。
【００２９】
以上のような構成をなす半導体装置２０を、本発明の粘着テープを用いることで、製造することができる。
【００３０】
＜半導体装置の製造方法＞
以下、本発明の粘着テープを用いた半導体装置２０の製造方法について詳述する。
【００３１】
半導体装置２０の製造方法では、半導体ウエハ２００を用意（準備）する準備工程と、粘着テープ１０２を、半導体ウエハ２００に貼付する貼付工程と、半導体ウエハ２００の粘着テープ１０２の反対側に、半硬化状態の接合層２７を形成する接合層形成工程と、硬化された接合層２７を介して、半導体ウエハ２００同士を接合する接合工程と、下側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５と、上側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５とを貫通電極２３を介して電気的に接続する貫通電極形成工程と、半導体ウエハ２００上に、さらに半導体ウエハ２００を、接合層２７を介して接合する繰り返し工程と、複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体に対して粘着テープ１０２を介してダイシングテープ１０１を接着する接着工程と、半導体素子２６毎に対応する位置で、積層された半導体ウエハ２００を個片化する個片化工程と、粘着テープ１０２から半導体装置２０を剥離する（取り除く）剥離工程とを有する。
【００３２】
図２〜図４は、本発明の粘着テープを用いて半導体装置を複数一括して製造する半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３３】
［１］まず、上面に半導体集積回路が作り込まれた複数の半導体素子２６（半導体チップ）が形成された半導体ウエハ２００（半導体基板）を用意（準備）する（図２（ａ）参照）。
【００３４】
［２］  次に、図２（ｂ）に示すように、粘着テープ１０２（本発明の粘着テープ）を用意し、この粘着テープ１０２を、半導体ウエハ２００（半導体基板）に、半導体ウエハ２００が有する電極パッド２５が粘着テープ１０２と反対側となるようにして配置（貼付）する（貼付工程）。
【００３５】
粘着テープ１０２は、本工程［２］〜後工程［６］において、半導体ウエハ２００を単独で支持し、また、後工程［７］〜後工程［８］において、半導体ウエハ２００（半導体素子２６）をダイシングテープ１０１とともに支持する機能を有し、かつ、後工程［９］において、個片化された半導体素子２６を剥離させ得る程度の強度で半導体素子２６に接着しているものである。
【００３６】
この粘着テープ１０２は、本発明の粘着テープで構成され、下記要件Ａと下記要件Ｂとの双方を満足する。
【００３７】
要件Ａ：粘着テープは、透明ガラス上に粘着テープを貼付し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを粘着テープを介して透明ガラスに固定し、その後、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスとシリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度（せん断強度）が２０Ｎ以上となる。
【００３８】
要件Ｂ：粘着テープは、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなすシリコンチップ上に幅２５ｍｍの前記粘着テープを貼付し、次いで、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、前記粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となる。
【００３９】
ここで、粘着テープ１０２の面方向をＸ，Ｙ方向とし、粘着テープ１０２の厚さ方向をＺ方向としたとき、前記要件Ａを満足すること、すなわち、ダイシェア強度が２０Ｎ以上となることにより、Ｘ，Ｙ方向に対するせん断力、さらには粘着力が優れたものであると言うことができる。そのため、後工程［４］における、半導体ウエハ２００に対する半導体ウエハ２００の更なる積層の際、後工程［５］における、半導体ウエハ２００に対する貫通電極２３の形成の際、および、後工程［８］における、半導体ウエハ２００の個片化による半導体素子２６の形成の際に、半導体ウエハ２００（半導体素子２６）を、粘着テープ１０２から位置ずれ、さらには離脱してしまうのを的確に抑制または防止することができることから、粘着テープ１０２上に半導体ウエハ２００（半導体素子２６）を確実に保持することができる。
【００４０】
また、前記要件Ｂを満足すること、すなわち、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後におけるシリコンチップに対するピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となることにより、加熱処理が施された後であっても半導体素子２６への粘着テープ１０２のＺ方向に対する粘着力が低くなっている。そのため、後工程［９］における半導体素子２６からの粘着テープ１０２の剥離の際に、半導体素子２６に粘着テープ１０２を残存させることなく、半導体素子２６から粘着テープ１０２を確実に剥離させることができる。
【００４１】
なお、前記要件Ａのダイシェア強度は、例えば、万能型ボンドテスター（ＤＡＧＥ社製、「シリーズ４０００」）を用いて測定することができ、また、前記要件Ｂのピール強度は、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。
【００４２】
上述したような機能を備える粘着テープ１０２、すなわち、前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足する粘着テープ１０２は、ゴム系粘着剤であるスチレン系ブロック共重合体を主材料として構成される。
【００４３】
このスチレン系ブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢ）、スチレン・イソプレンゴム（ＳＩ）、プロピレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＰＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン・エチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）、スチレン・エチレン・プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）、スチレン・エチレン・プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
また、スチレン系ブロック共重合体は、スチレンを重合させた第１ブロックと、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種を重合させた第２ブロックとを含むものであることが好ましい。なお、第２ブロックは、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの少なくとも１種の水素添加物を重合させたものにより形成されたブロックであってもよい。また、第１ブロックは、スチレンを主の構成成分としたブロックであればよく、エチレン等の他の成分を含んでいてもよい。
【００４５】
さらに、第２ブロックは、エチレンとプロピレンとの重合体を含むブロックを有することが好ましい。これにより、粘着テープを確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。なお、このような第２ブロックは、エチレンのブロック（サブブロック）と、ブチレンのブロック（サブブロック）を含むブロックコポリマーで構成されていてもよいし、エチレンとブチレンとのランダムコポリマーで構成されていてもよい。
【００４６】
さらに、スチレン系ブロック共重合体は、第１ブロックと、第２ブロックと、第１ブロックとをこの順で備えるトリブロック共重合体であることが好ましい。これにより、粘着テープを確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。なお、第２ブロックは、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの２種以上のランダムコポリマーで構成されていてもよいし、エチレン、プロピレンおよびブチレンのうちの２種以上のブロックコポリマーで構成されていてもよい。第２ブロックが、かかる構成をなす場合においても、本明細書中では、スチレン系ブロック共重合体が、上記トリブロック共重合体であるということとする。
【００４７】
具体的には、第１ブロックと第２ブロックとを有するスチレン系ブロック共重合体としては、例えば、下記一般式（Ａ）で表されるスチレン−水添イソプレンのジブロック共重合体（ＳＥＰ）、下記一般式（Ｂ）で表されるスチレン−水添イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、下記一般式（Ｃ）で表されるスチレン−（エチレン／ブチレン）−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、下記一般式（Ｄ）で表されるスチレン−（水添イソプレン／エチレン）−スチレンのトリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ）等が挙げられ、上記の点を考慮して、下記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳを含有することが好ましい。
【００４８】
【化１】
2018206885.tif 000003
［式中、ｍ、ｐは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００４９】
【化２】
2018206885.tif 000004
［式中、ｍ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００５０】
【化３】
2018206885.tif 000005
［式中、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００５１】
【化４】
2018206885.tif 000006
［式中、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、１以上の整数を表し、その大きさは、スチレン系ブロック共重合体の分子量およびスチレンの含有率により決定される。］
【００５２】
また、第１ブロックと第２ブロックとを有するスチレン系ブロック共重合体を、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳを含有するものとした場合、スチレン系ブロック共重合体としては、さらに、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰを含有することが好ましい。このように、スチレン系ブロック共重合体を、ＳＥＰとＳＥＰＳとの双方を含有するものとすることで、粘着テープをより確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。
【００５３】
また、スチレン系ブロック共重合体は、その重量平均分子量（Ｍｗ）が、５０００以上１５０００００以下であることが好ましく、４００００以上７０００００以下であることがより好ましい。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定法を用いて、ポリスチレン標準物質に関する検量線を作成し、この検量線を用いて算出することで得ることができる。
【００５４】
さらに、スチレン系ブロック共重合体中におけるスチレンの含有率は、スチレン系ブロック共重合体の全量に対して２０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。
【００５５】
スチレン系ブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）および前記スチレンの含有量を前記範囲内に設定することにより、粘着テープをより確実に前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足するものとすることができる。
【００５６】
さらに、粘着テープ１０２は、スチレン系ブロック共重合体の他に、必要に応じて、任意の添加剤が含まれていてもよい。
【００５７】
この添加剤としては、例えば、架橋剤、ロジン系粘着付与剤、テルペン系粘着付与剤、炭化水素系粘着付与剤のような粘着付与剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸エステル系可塑剤のような可塑剤、顔料、染料、充填剤、老化防止剤、導電材、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、剥離調整剤、軟化剤、界面活性剤、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。
【００５９】
界面活性剤としては、特に限定されず、例えば、非イオン系（ノニオン系）界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤等が挙げられる。
【００６０】
非イオン系（ノニオン系）界面活性剤としては、例えば、ポリエーテル変性シリコーンのようなシリコーン類、ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、脂肪酸モノグリセライド類、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステル類等が挙げられる。また、アニオン系界面活性剤としては、例えば、高級脂肪酸塩類、高級アルコール硫酸エステル塩類、アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類等が挙げられる。さらに、カチオン系界面活性剤としては、例えば脂肪族アミン塩類、第４級アンモニウム塩類、アルキルピリジニウム塩類等が挙げられる。また、両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン等の各種ベタイン、各種アミノカルボン酸、各種リン酸エステル塩等が挙げられる。
【００６１】
これらの中でも、界面活性剤は、非イオン系（ノニオン系）界面活性剤、特に、ポリエーテル変性シリコーンであることが好ましい。このように、界面活性剤（特に、ポリエーテル変性シリコーン）を含有するものとすることで、粘着テープをより確実に前記要件Ｂを満足するもの、すなわち、ピール強度の大きさをより好ましい範囲内に設定することができる。
【００６２】
また、粘着テープ中における界面活性剤の含有率は、０．１質量％以上２．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１．０質量％以下であることがより好ましい。これにより、界面活性剤を添加することにより得られる効果を、確実に発揮させることができる。
【００６３】
なお、粘着テープ１０２は、前記要件Ａのダイシェア強度は、２０Ｎ以上であれば良いが、３０Ｎ以上３００Ｎ以下であることが好ましく、１００Ｎ以上２５０Ｎ以下であることがより好ましく、さらに、前記要件Ｂのピール強度は、０．４Ｎ／ｍｍ以下であれば良いが、０．００１Ｎ／ｍｍ以上０．０４Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましく、０．００１Ｎ／ｍｍ以上０．０１Ｎ／ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、後工程［４］、後工程［５］および後工程［８］において、半導体ウエハ２００（半導体素子２６）を支持する粘着テープ１０２としての機能をより確実に発揮させることができるとともに、後工程［９］において、半導体素子２６から粘着テープ１０２をより確実に剥離させることができる。
【００６４】
さらに、前記要件Ａのダイシェア強度をａ［Ｎ］とし、前記要件Ｂのピール強度をｂ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、ｂ／ａ［／ｍｍ］は、０．０２×１０３以上１．０×１０３以下であることが好ましく、０．０２×１０３以上０．１×１０３以下であることがより好ましい。これにより、要件Ａおよび要件Ｂを満足することにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
【００６５】
また、粘着テープ１０２は、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度（ηＰａ・ｓ）が５００Ｐａ・ｓ以上３５００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１５００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。なお、上記熱時溶融粘度は、例えば、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳIII」）を用いて測定することができる。
【００６６】
さらに、粘着テープは、２０℃における破断強度が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることが好ましく、３０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、粘着テープは、２０℃における破断伸びが１０％以上２０００％以下であることが好ましく、５００％以上９００％以下であることがより好ましい。なお、破断強度および破断伸びは、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。
【００６７】
粘着テープ１０２の粘度、破断強度および破断伸びが前記範囲内であることにより、後工程［４］、後工程［５］および後工程［８］において、半導体ウエハ２００（半導体素子２６）を支持する粘着テープ１０２に厚みムラが生じたり、破断が生じるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、半導体ウエハ２００（半導体素子２６）を粘着テープ１０２により安定的に接合することができる。
【００６８】
さらに、粘着テープは、３４０℃における重量減少率が０．００１％以下であることが好ましい。これにより、後工程［４］において、接合層２７を介して半導体ウエハ２００同士を接合する際に、接合層２７を硬化させるために加熱したとしても、この加熱により粘着テープ１０２が変質・劣化するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、後工程［４］を経た後においても、前記要件Ａおよび前記要件Ｂを満足する粘着テープ１０２とすることができ、粘着テープ１０２としての機能を確実に発揮させることができる。さらに、この加熱の際に、粘着テープ１０２に起因するアウトガスの発生が的確に抑制されるため、粘着テープ１０２に由来する残渣の製造される半導体装置２０への付着をも的確に抑制することができる。
【００６９】
なお、粘着テープの３４０℃における重量減少率は、ＴＧ／ＤＴＡ測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ２２０」）を用いて、窒素ガス２００ｍＬ／ｍｉｎフロー下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件により３４０℃となるまで温度を上昇させ、この際の粘着テープの重量を測定することで、加熱前後における粘着テープの重量に基づいて算出した。
【００７０】
また、粘着テープ１０２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、４０μｍ以上１５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着テープ１０２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着テープ１０２は、後工程［４］、後工程［５］および後工程［８］において、良好な粘着力を発揮するとともに、後工程［９］において、粘着テープ１０２と半導体装置２０との間において、良好な剥離性を発揮する。
【００７１】
以上のような粘着テープ１０２は、半導体ウエハ２００に貼付されるが、この貼付より以前の粘着テープ１０２の保管・輸送時には、その両面（表面）には、セパレーターが積層されていることが好ましい。これにより、粘着テープ１０２（本発明の粘着テープ）の保管・輸送時において、粘着テープ１０２の表面が汚染されるのを的確に防止することができる。
【００７２】
なお、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。
【００７３】
また、セパレーターが積層されている場合、半導体ウエハ２００への粘着テープ１０２の貼付は、一方のセパレーターを除去した状態で、粘着テープ１０２を半導体ウエハ２００に貼付し、その後、他方のセパレーターを除去する工程を経ることで、粘着テープ１０２と半導体ウエハ２００との間に気泡を介在させることなく、粘着テープ１０２を均質に半導体ウエハ２００に貼付することができる。
【００７４】
［３］  次に、図２（ｃ）に示すように、半導体ウエハ２００の粘着テープ１０２との反対側、すなわち、電極パッド２５が形成されている面側に、半硬化状態の接合層２７を形成する（接合層形成工程）。
【００７５】
すなわち、粘着テープ１０２上に半導体ウエハ２００を固定した状態で、半導体ウエハ２００の電極パッド２５が形成されている面側に、半硬化状態の接合層２７を形成する。
【００７６】
この接合層２７は、例えば、スピンコート法のような液相成膜法を用いて、半導体ウエハ２００上に供給した後、例えば、２００℃、２時間の条件よりも低温かつ短時間の条件で加熱することにより、半硬化の状態として形成される。なお、接合層２７は、半硬化状態のものであればよく、液相成膜法に代えて気相成膜法を用いて形成されたものであってもよいし、フィルム状をなす半硬化状態の接合層２７を、直接、半導体ウエハ２００に貼付することで形成されたものであってもよい。
【００７７】
また、接合層２７の構成材料としては、熱硬化性を有する樹脂材料であれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
【００７８】
［４］  次に、図２（ｄ）に示すように、前記工程［３］で得られた、粘着テープ１０２上に固定された、接合層２７が形成された半導体ウエハ２００上に、前記工程［１］で用意したのと同様の半導体ウエハ２００を、新たに用意した半導体ウエハ２００が有する電極パッド２５が上側となるように配置（載置）する。
【００７９】
その後、半導体ウエハ２００同士が接近するように押圧した状態で、例えば、２００℃、２時間の条件により加熱する加熱処理を施すことで、半硬化の状態の接合層２７を硬化させることで、硬化された接合層２７を介して、半導体ウエハ２００同士を接合する（接合工程）。
【００８０】
ここで、本発明では、粘着テープ１０２が上述した要件Ａを満足する。すなわち、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスとシリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度が２０Ｎ以上となっている。そのため、本工程［４］において、半導体ウエハ２００同士を、粘着テープ１０２において位置ズレさせることなく、粘着テープ１０２上に確実に保持した状態で、半導体ウエハ２００同士を接合することができる。
【００８１】
［５］次に、図３（ａ）に示すように、半導体ウエハ２００同士が接合層２７を介して接合された積層体において、厚さ方向で重なる位置に配置された、下側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５と、上側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５とを、貫通電極２３を介して、電気的に接続する（貫通電極形成工程）。
【００８２】
これにより、厚さ方向で重なる位置に配置された電極パッド同士が貫通電極２３を介して電気的に接続された、半導体ウエハ２００と接合層２７と半導体ウエハ２００との積層体が粘着テープ１０２の上側に得られる。
【００８３】
なお、この貫通電極２３は、例えば、下側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５と、上側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５とが厚さ方向で重なる領域において、フォトリソグラフィー法および各種エッチング法等を組み合わせて、上側に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５の一部と、この電極パッド２５の下側に位置する半導体ウエハ２００の一部とを除去してビアホールを形成した後、無電解メッキ法、電解メッキ法のような各種メッキ法等を用いて、ビアホール内に貫通電極２３を設けることで形成し得る。
【００８４】
また、本工程［５］においても、粘着テープ１０２が上述した要件Ａを満足することから、半導体ウエハ２００同士を、粘着テープ１０２において位置ズレさせることなく、粘着テープ１０２上に確実に保持した状態で、上下に位置する半導体ウエハ２００が備える電極パッド２５同士を、貫通電極２３を介して電気的に接合することができる。
【００８５】
［６］次に、粘着テープ１０２の上に形成された、前記工程［５］で得られた貫通電極２３を備える半導体ウエハ２００と接合層２７と半導体ウエハ２００との積層体に対して、前記工程［３］〜前記工程［５］を繰り返して実施することで、半導体ウエハ２００上に、さらに半導体ウエハ２００を、接合層２７を介して接合する（繰り返し工程）。
【００８６】
本実施形態では、これら前記工程［３］〜前記工程［５］の繰り返しを、合計２回実施する。これにより、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ２００と接合層２７と半導体ウエハ２００との積層体に対して、さらに、２つの半導体ウエハ２００が接合層２７を介して厚さ方向に積層される。
【００８７】
その結果、半導体ウエハ２００上に、さらに、３つの半導体ウエハ２００が接合層２７を介して厚さ方向に積層され、かつ、厚さ方向で重なる位置に対応する電極パッド２５同士が貫通電極２３を介して電気的に接続された積層体が粘着テープ１０２の上側に得られる。
【００８８】
［７］次に、図３（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１０１を用意し、前記工程［６］で得られた複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体に対して粘着テープ１０２を介してダイシングテープ１０１を接着する（接着工程）。
【００８９】
このダイシングテープ１０１は、基材層と、この基材層上に積層され粘着テープ１０２に接合される粘着層とを備え、次工程［８］において、複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体を、ダイシングソーを用いて個片化する際に、この積層体を、粘着テープ１０２を介して支持する機能を有するものである。
【００９０】
基材層としては、樹脂材料を主材料として構成されるものが好ましく用いられる。また、樹脂材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
また、粘着層としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分を主材料として構成されるものが好ましく用いられる。
【００９２】
［８］  次に、図４（ａ）に示すように、複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体が粘着テープ１０２を介してダイシングテープ１０１に支持された状態で、半導体素子２６毎に対応する位置で、積層された半導体ウエハ２００を個片化する（個片化工程）。
【００９３】
これにより、ダイシングテープ１０１の上側に、粘着テープ１０２を介して、複数の半導体装置２０を一括して得ることができる。
【００９４】
この半導体ウエハ２００の個片化は、例えば、複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体の厚さ方向に、ダイシングソーを用いて、半導体ウエハ２００の半導体素子２６毎に対応する位置で、粘着テープ１０２に到達する位置まで半導体ウエハ２００を切断することにより行うことができる。
【００９５】
また、本工程［８］においても、粘着テープ１０２が上述した要件Ａを満足することから、半導体ウエハ２００同士が積層された積層体を、粘着テープ１０２において位置ズレさせることなく、粘着テープ１０２上に確実に保持した状態で、半導体ウエハ２００を個片化して、複数の半導体装置２０を粘着テープ１０２上に形成することができる。
【００９６】
［９］次に、ダイシングテープ１０１上の粘着テープ１０２に接着され半導体装置２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等により、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、順次、ピックアップすることで、粘着テープ１０２から半導体装置２０を剥離する（取り除く）（剥離工程）。
【００９７】
これにより、複数の半導体装置２０が、複数の半導体ウエハ２００が積層された積層体から、一括して得られる。さらに、半導体装置２０をダイシングテープ１０１等の基板が残存することなく剥離させた状態で得ることができる。そのため、得られる半導体装置２０の軽量化および薄厚化を図ることができる。
【００９８】
また、本発明では、粘着テープ１０２が上述した要件Ｂを満足する。すなわち、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度が０．４Ｎ／ｍｍ以下となっている。そのため、前記工程［４］における加熱処理により粘着テープ１０２が熱履歴を経ていたとしても、本工程［９］において、半導体装置２０から粘着テープ１０２を容易に剥離することができる。
【００９９】
以上のような工程を経て、複数の半導体素子２６がその厚さ方向に積層され、これら半導体素子２６同士が厚さ方向に貫通する貫通電極２３を介して電気的に接続された構成をなす半導体装置２０が複数製造される。
【０１００】
このような半導体装置２０の製造方法によれば、複数の半導体素子２６がその厚さ方向に積層され、半導体素子２６同士が厚さ方向に貫通する貫通電極２３を介して電気的に接続された半導体装置２０を、粘着テープ１０２（本発明の粘着テープ）を用いることで、一括して製造することが可能となる。また、半導体装置２０が粘着テープ１０２（本発明の粘着テープ）に仮固定して形成され、半導体装置２０を、基板に固定されることなく形成することができるため、半導体装置２０を、軽量化および薄厚化が図られたものとし得る。
【０１０１】
なお、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置２０は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
【０１０２】
以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１０３】
例えば、本発明の粘着テープには、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、上述した単層体で構成されるものの他、２層以上の積層体で構成されるものであってもよい。
【実施例】
【０１０４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１０５】
１．原材料の準備
まず、実施例および比較例の粘着テープの作製に使用した原料は以下の通りである。
【０１０６】
＜スチレン系ブロック共重合体＞
上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰ（クラレ社製、「セプトン２００２」）
上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳ（クラレ社製、「セプトン２００４」）
上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳ（クラレ社製、「セプトン８００７」）
上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨ（クラレ社製、「セプトン８００４」）
ＳＩＳ（ＪＳＲ社製、「ＪＳＲ  ＳＩＳ５２５０」）
【０１０７】
＜その他の重合体＞
ポリプロピレン（ＰＰ；住友化学社製、「ＦＳ２０１１ＤＧ３」）
【０１０８】
＜界面活性剤＞
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（ビック・ケミー社製、「ＢＫＹ−３３３」）
【０１０９】
２．粘着テープ形成用材料の調製
（サンプルＮｏ．１）
上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．８質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３３．２質量％となるようにそれぞれ秤量した後、これら構成材料の含有量が２５質量％となるようにメチレン中に溶解させることにより、サンプルＮｏ．１の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１０】
（サンプルＮｏ．２）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．４質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３３．０質量％、界面活性剤が０．６質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．２の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１１】
（サンプルＮｏ．３）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが６４．３質量％、上記一般式（Ｄ）で表されるＳＥＥＰＳ−ＯＨが２．０質量％、上記一般式（Ｃ）で表されるＳＥＢＳが３２．９質量％、界面活性剤が０．８質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．３の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１２】
（サンプルＮｏ．４）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが３６．０質量％、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳが６４．０質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．４の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１３】
（サンプルＮｏ．５）
構成材料として、上記一般式（Ａ）で表されるＳＥＰが３５．７質量％、上記一般式（Ｂ）で表されるＳＥＰＳが６３．５質量％、界面活性剤が０．８質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．５の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１４】
（サンプルＮｏ．６）
構成材料として、上記ＳＩＳが４０．０質量％、上記ＰＰが６０．０質量％となるようにそれぞれ秤量したこと以外は、前記サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．６の粘着テープ形成用材料を調製した。
【０１１５】
３．評価
＜粘着テープの作製＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１１６】
以上のようにして得られた各サンプルＮｏ．の粘着テープについて、それぞれ、ＪＩＳ  Ｋ  ６７８３に準拠して、定圧厚さ測定器（テクノック社製）を用いて、その膜厚を測定した。なお、この膜厚の測定は、各サンプルＮｏ．の粘着テープについて、それぞれ、１５箇所について実施した。その測定結果を、表１に示す。
【０１１７】
＜ダイシェア強度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１１８】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープをそれぞれ透明ガラス（無アルカリガラス、コーニング社製、「ＥＡＧＬＥ  ＸＧ」）上に貼付（転写）し、次いで、１０×１０ｍｍのシリコンチップを粘着テープを介して透明ガラスに固定し、次いで、２５℃において６００μｍ／ｓでシリコンチップを側面から押して、透明ガラスとシリコンチップとの間で破断が生じたときに測定されるダイシェア強度を、万能型ボンドテスター（ＤＡＧＥ社製、「シリーズ４０００」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１１９】
＜ピール強度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１２０】
そして、各サンプルＮｏ．の幅を２５ｍｍとした粘着テープを、それぞれ、板状に成形されたシリコンチップ（擬似半導体素子）上に貼付（転写）し、次いで、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、粘着テープの一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度を、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１２１】
＜粘度＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１２２】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープを離型ＰＥＴフィルムから剥離させた後、１５０℃においてレオメーターにより測定される熱時溶融粘度を、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳIII」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１２３】
＜破断強度、破断伸び＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１２４】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープの２０℃における破断強度および破断伸びを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
【０１２５】
＜重量減少率＞
各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、離型ＰＥＴフィルム（帝人デュポン社製、厚さ３８μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、離型ＰＥＴフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１２６】
そして、各サンプルＮｏ．の粘着テープを離型ＰＥＴフィルムから剥離させた後、ＴＧ／ＤＴＡ測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ２２０」）を用いて、粘着テープの３４０℃における重量減少率を、以下のようにして求めた。すなわち、窒素ガス２００ｍＬ／ｍｉｎフロー下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件により３４０℃となるまで温度を上昇させ、この際の粘着テープの重量を測定し、その後、測定された加熱前後における粘着テープの重量に基づいて、粘着テープの３４０℃における重量減少率を算出した。その測定結果を、表１に示す。
【０１２７】
＜半導体素子からの粘着テープの剥離性＞
半導体素子からの粘着テープの剥離性は、次のようにして評価した。
【０１２８】
すなわち、まず、各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ポリイミドフィルム（ユーピレックス社製、厚さ５０μｍ）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ポリイミドフィルム上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１２９】
次に、各サンプルＮｏ．の粘着テープをポリイミドフィルムから剥離させた後、粘着テープ上に、フリップチップボンダー（パナソニック社製）を用いて、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を搭載し、その後、１７０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。
【０１３０】
そして、２００℃、２時間の条件で加熱し、冷却した後に、半導体素子から粘着テープを剥離し、この際の半導体素子の粘着テープが接合されていた接合面の状態を確認して、下記に示す評価基準に基づいて、半導体素子からの粘着テープの剥離性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１３１】
［評価基準］
半導体素子の接合面から粘着テープが完全に剥離されている：◎
半導体素子の接合面に一部の粘着テープが残存した状態で剥離されている：○
半導体素子の接合面に半分以上の粘着テープが残存した状態で剥離されている：△
半導体素子から粘着テープを剥離させることができない：×
【０１３２】
＜積層体における半導体素子のズレ＞
積層体（擬似半導体装置）における半導体素子のズレは、次のようにして評価した。
【０１３３】
＜１＞まず、各サンプルＮｏ．の粘着テープ形成用材料について、スピンコート法（回転数２５０〜３００ｒｐｍ、時間１０ｓｅｃ）を用いて、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布がエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に供給した後、ポットプレートにより６０℃／３０ｍｉｎの条件で加熱・乾燥することにより、ＦＲ４基板上に各サンプルＮｏ．の粘着テープを作製した。
【０１３４】
＜２＞次に、各サンプルＮｏ．の粘着テープをＦＲ４基板から剥離させた後、粘着テープ上に形成された各サンプルＮｏ．の粘着テープ上に、半導体ウエハを載置し、その後、１７０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。
【０１３５】
＜３＞次に、粘着テープ上に固定された半導体ウエハの上面に、エポキシ系接着剤を供給した後、加熱処理することで、半硬化状態の接合層を形成した。
【０１３６】
＜４＞次に、粘着テープ上に固定された、半硬化状態の接合層が形成された半導体ウエハに対して、さらに、半導体ウエハを載置した後、１７０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。その後、２００℃、２時間の条件で加熱処理を施し接合層を硬化させることで、接合層を介して、２つの半導体ウエハが積層された積層体を、粘着テープ上に形成した。
【０１３７】
＜５＞次に、前記工程＜３＞および前記工程＜４＞を、合計２回繰り返して実施することで、４つの半導体ウエハが積層された積層体を、粘着テープ上に形成した。
【０１３８】
そして、積層体における半導体ウエハの粘着テープに対するズレを、Ｘ線観察装置（アイビット社製）を用いて確認して、下記に示す評価基準に基づいて評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１３９】
［評価基準］
積層体の形成の前後において
半導体ウエハのズレが認められない：◎
積層体の形成の前後において
半導体ウエハのズレが若干ではあるが認められる：○
積層体の形成の前後において
半導体ウエハのズレが明らかに認められる：×
【０１４０】
【表１】
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【０１４１】
表１に示すように、各実施例では、要件Ａと要件Ｂとの双方を満足することにより、積層体（擬似半導体装置）の製造時に、粘着テープに半導体ウエハを接着して、積層体において半導体ウエハのズレを生じさせることなく積層体を製造し得るとともに、積層体の製造の後に、積層体から粘着テープを剥離させ得る結果を示した。
【０１４２】
これに対して、比較例では、要件Ａを満足するものの、要件Ｂを満足しないことから、積層体において半導体ウエハのズレを生じさせることなく、各実施例と同様に、積層体を製造することができたが、この積層体の製造の後において、積層体から粘着テープを剥離させることができなかった。
【符号の説明】
【０１４３】
２０                半導体装置
２３                貫通電極
２５                電極パッド
２６                半導体素子
２７                接合層
１０１              ダイシングテープ
１０２              粘着テープ
２００              半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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