(57)【要約】【課題】被照射面の凹凸に起因するレーザービームの屈折を防いで、適切な改質層を被加工物の内部に形成できる被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】被加工物の裏面に、レーザービームを透過させる樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、レーザービームを透過させ且つ被加工物の裏面より平坦な表面を備えるカバー部材の裏面を、被加工物の裏面に形成された樹脂層に密着させるカバー部材密着ステップと、カバー部材の露出した表面側から、樹脂層を介して被加工物にレーザービームを照射し、被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、を含み、樹脂層及びカバー部材により、裏面の凹凸に起因するレーザービームの屈折が抑制される。【選択図】図４
2018101678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成された表面と凹凸を有する梨地状の裏面とを備える板状の被加工物に、該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを該裏面側から照射して、該被加工物の内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の該裏面に、該レーザービームを透過させる樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、
該レーザービームを透過させ且つ該被加工物の該裏面より平坦な表面を備えるカバー部材の裏面を、該被加工物の該裏面に形成された該樹脂層に密着させるカバー部材密着ステップと、
該カバー部材の露出した該表面側から、該樹脂層を介して該被加工物に該レーザービームを照射し、該被加工物の内部に該改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、を備え、
該樹脂層及び該カバー部材により、該裏面の凹凸に起因する該レーザービームの屈折が抑制されることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
該レーザービームの該波長では、該樹脂層の屈折率又は該カバー部材の屈折率と該被加工物の屈折率との差が、空気の屈折率と該被加工物の屈折率との差より小さいことを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
該樹脂層は、該裏面の該凹凸の最大高低差を超える厚さに形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被加工物の加工方法。
【請求項４】
該カバー部材は、該被加工物と同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の内部をレーザービームで改質する被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン（Ｓｉ）や炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）等の材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで得られる。
【０００３】
上述したウェーハ等の被加工物を分割する方法の一つに、透過性のレーザービームを被加工物の内部に集光させて、多光子吸収により改質された改質層（改質領域）を形成するＳＤ（Stealth Dicing）と呼ばれる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。分割予定ラインに沿って改質層を形成した後に、被加工物に対して力を加えることで、この改質層を起点に被加工物を分割できる。
【０００４】
ところで、レーザービームの照射される被照射面が不規則な凹凸の梨地状に形成されている場合には、この凹凸によりレーザービームが不規則に屈折、反射、散乱して、被加工物の内部に適切な改質層を形成できないことがある。そこで、凹凸を覆うように液状の樹脂を塗布し、被照射面を平坦にすることで、レーザービームの不規則な屈折等を防ぐ技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報
【特許文献２】特開２０１２−８４６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、樹脂の粘度が低かったり、凹凸が大きかったりすると、樹脂を塗布しても被照射面を十分に平坦化できないことがある。つまり、その場合には、レーザービームの不規則な屈折等を防いで、被加工物の内部に適切な改質層を形成することができなかった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被照射面の凹凸に起因するレーザービームの屈折を防いで、適切な改質層を被加工物の内部に形成できる被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成された表面と凹凸を有する梨地状の裏面とを備える板状の被加工物に、該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを該裏面側から照射して、該被加工物の内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する被加工物の加工方法であって、該被加工物の該裏面に、該レーザービームを透過させる樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、該レーザービームを透過させ且つ該被加工物の該裏面より平坦な表面を備えるカバー部材の裏面を、該被加工物の該裏面に形成された該樹脂層に密着させるカバー部材密着ステップと、該カバー部材の露出した該表面側から、該樹脂層を介して該被加工物に該レーザービームを照射し、該被加工物の内部に該改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、を備え、該樹脂層及び該カバー部材により、該裏面の凹凸に起因する該レーザービームの屈折が抑制されることを特徴とする被加工物の加工方法が提供される。
【０００９】
本発明の一態様において、該レーザービームの該波長では、該樹脂層の屈折率又は該カバー部材の屈折率と該被加工物の屈折率との差が、空気の屈折率と該被加工物の屈折率との差より小さいことが望ましい。また、本発明の一態様において、該樹脂層は、該裏面の該凹凸の最大高低差を超える厚さに形成されることが好ましい。また、本発明の一態様において、該カバー部材は、該被加工物と同じ材質で形成されていると良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る被加工物の加工方法では、凹凸を有する梨地状の裏面にレーザービームを透過させる樹脂層を形成した後に、レーザービームを透過させ且つ被加工物の裏面より平坦な表面を持つカバー部材の裏面を樹脂層に密着させるので、この樹脂層及びカバー部材により、裏面の凹凸に起因するレーザービームの屈折は抑制される。よって、梨地状の裏面側からレーザービームを照射する場合でも、適切な改質層を被加工物の内部に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】被加工物の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、樹脂層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、樹脂層形成ステップの後の被加工物等の状態を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、カバー部材密着ステップを模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、カバー部材密着ステップの後の被加工物等の状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、レーザービーム照射ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップ中の被加工物等の状態を模式的に示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、剥離ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の加工方法は、樹脂層形成ステップ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、カバー部材密着ステップ（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）参照）、及びレーザービーム照射ステップ（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）を含む。
【００１３】
樹脂層形成ステップでは、板状の被加工物が有する梨地状の裏面に、改質層を形成するためのレーザービームを透過させる樹脂層を形成する。カバー部材密着ステップでは、このレーザービームを透過させ、且つ被加工物の裏面より平坦な表面を有するカバー部材の裏面を樹脂層に密着させる。
【００１４】
レーザービーム照射ステップでは、カバー部材の露出した表面側から被加工物を透過する波長のレーザービームを照射して、被加工物の内部に改質層を形成する。本実施形態に係る被加工物の加工方法によれば、樹脂層及びカバー部材によって裏面の凹凸に起因するレーザービームの屈折を抑制し、分割に適した改質層を形成できる。以下、本実施形態に係る被加工物の加工方法について詳述する。
【００１５】
図１は、本実施形態で使用される被加工物１１の構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、被加工物１１は、シリコン（Ｓｉ）や炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）等の材料でなる円盤状のウェーハであり、その表面１１ａ側は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されている。各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイス１５が形成されている。
【００１６】
被加工物１１の裏面１１ｂは、不規則な凹凸を有する梨地状になっている。一方で、この裏面１１ｂ側には、デバイス１５等の構造物が設けられていない。なお、本実施形態では、シリコンや炭化珪素、サファイア等の材料でなる円盤状のウェーハを被加工物１１としているが、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板を被加工物１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、大きさ、配置等にも制限はない。
【００１７】
本実施形態に係る被加工物の加工方法を実施する前には、上述した被加工物１１の表面１１ａ側に、被加工物１１よりも径の大きいテープ１７の中央部分を貼付する。また、このテープ１７の外周部分には、被加工物１１を囲む環状のフレーム１９を固定する。これにより、被加工物１１は、テープ１７を介して環状のフレーム１９に支持される。
【００１８】
本実施形態に係る被加工物の加工方法では、まず、被加工物１１に改質層を形成するためのレーザービームを透過させる樹脂層を、被加工物１１が有する梨地状の裏面１１ｂに形成するための樹脂層形成ステップを行う。図２（Ａ）は、樹脂層形成ステップについて説明するための一部断面側面図である。本実施形態の樹脂層形成ステップは、例えば、図２（Ａ）に示すスピンコーター２を用いて行われる。
【００１９】
スピンコーター２は、被加工物１１を吸引、保持するための保持テーブル（スピンナテーブル）４を備えている。保持テーブル４は、ステンレス等の金属でなる基台６を含む。基台６は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００２０】
基台６の上面側には、例えば、平面視で円形の凹部６ａが形成されている。凹部６ａには、多孔質材でなる円盤状の保持板８が嵌め込まれている。保持板８は、基台６の内部に形成された吸引路６ｂ等を介して、吸引源（不図示）に接続されている。この保持板８の上面８ａには、被加工物１１の表面１１ａ側に貼付されたテープ１７が接触する。
【００２１】
よって、上面８ａに吸引源の負圧を作用させると、被加工物１１は、テープ１７を介して保持テーブル４に吸引、保持される。保持テーブル４の周囲には、環状のフレーム１９を固定するための複数のクランプ１０が設けられている。また、保持テーブル４の上方には、液状の樹脂２１ａを滴下するためのノズル１２が配置されている。
【００２２】
樹脂層形成ステップでは、まず、被加工物１１の表面１１ａ側に貼付されたテープ１７を保持板８の上面８ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ１０でフレーム１９を固定する。これにより、被加工物１１は、梨地状の裏面１１ｂが上方に露出した状態で保持される。
【００２３】
続いて、図２（Ａ）に示すように、保持テーブル４及びクランプ１０を回転させ、ノズル１２から液状の樹脂２１ａを滴下する。これにより、被加工物１１の裏面１１ｂに液状の樹脂２１ａを塗布して、樹脂層２１ｂを形成できる。図２（Ｂ）は、樹脂層形成ステップの後の被加工物１１等の状態を示す断面図である。なお、後のカバー部材密着ステップにおいて、この樹脂層２１ｂを硬化させる。
【００２４】
樹脂層２１ｂの形成に用いられる液状の樹脂２１ａの種類等に大きな制限はないが、少なくとも、硬化後の樹脂層２１ｂは、後のレーザービーム照射ステップで使用されるレーザービームを十分に透過させる必要がある。また、このレーザービームの波長において、硬化後の樹脂層２１ｂの屈折率と被加工物１１の屈折率との差を、空気の屈折率と被加工物１１の屈折率との差より小さくすることが望ましい。これにより、裏面１１ｂの不規則な凹凸による屈折、反射、散乱を十分に抑制して、レーザービームを適切に集光できる。
【００２５】
また、樹脂層２１ｂは、裏面１１ｂの凹凸の最大高低差を超える厚さに形成されることが望ましい。これにより、凹凸を樹脂層２１ｂで確実に埋め、この凹凸に起因するレーザービームの屈折、反射、散乱をより適切に抑制できる。このような改質層２１ｂの形成に適した液状の樹脂２１ａとしては、例えば、デンカ株式会社製のＴＥＭＰＬＯＣ（登録商標）が挙げられる。
【００２６】
樹脂層形成ステップの後には、被加工物１１に改質層を形成するためのレーザービームを透過させ、且つ被加工物１１の裏面１１ｂよりも平坦な表面を有するカバー部材を樹脂層２１ｂに密着させるカバー部材密着ステップを行う。図３（Ａ）は、カバー部材密着ステップについて説明するための一部断面側面図である。
【００２７】
図３（Ａ）に示すように、カバー部材２３は、後のレーザービーム照射ステップで使用されるレーザービームを十分に透過させる材料を用いて、例えば、被加工物１１と概ね同じ径の円盤状に形成される。このカバー部材２３の表面２３ａ及び裏面２３ｂは、被加工物１１の裏面１１ｂよりも平坦である。
【００２８】
カバー部材密着ステップでは、図３（Ａ）に示すように、例えば、カバー部材２３の裏面２３ｂを樹脂層２１ｂに密着させて、表面２３ａを露出させる。後のレーザービーム照射ステップで使用されるレーザービームを、この平坦な表面２３ａに照射することで、レーザービームの不規則な屈折、反射、散乱を抑制して分割に適した改質層を形成できるようになる。
【００２９】
なお、本実施形態では、カバー部材２３の裏面２３ｂを被加工物１１の裏面１１ｂよりも平坦にしているが、カバー部材２３の裏面１１ｂは、必ずしも被加工物１１の裏面１１ｂより平坦でなくて良い。少なくとも、カバー部材２３の露出する表面２３ａが、被加工物１１の裏面１１ｂよりも平坦であれば良い。
【００３０】
また、後のレーザービーム照射ステップで使用されるレーザービームの波長において、カバー部材２３の屈折率と被加工物１１の屈折率との差を、空気の屈折率と被加工物１１の屈折率との差より小さくすることが望ましい。同様に、このレーザービームの波長において、カバー部材２３の屈折率と硬化後の樹脂層２１ｂの屈折率との差を、空気の屈折率と硬化後の樹脂層２１ｂの屈折率との差より小さくすることが望ましい。
【００３１】
これにより、裏面１１ｂの不規則な凹凸による屈折、反射、散乱を十分に抑制して、レーザービームを適切に集光できる。上述のような特性は、例えば、被加工物１１と同じ材質のカバー部材２３を用いることで実現できる。ただし、カバー部材２３の材質に特段の制限はなく、被加工物１１とは異なる材質を用いても良い。
【００３２】
図３（Ａ）に示すように、カバー部材２３の裏面２３ｂを樹脂層２１ｂに密着させた後には、適切な方法（例えば、紫外線の照射、加熱等）で樹脂層２１ｂを硬化させる。これにより、樹脂層２１ｂを介して被加工物１１の裏面１１ｂ側にカバー部材２３を固定できる。
【００３３】
カバー部材密着ステップの後には、カバー部材２３の露出した表面２３ａ側から、樹脂層２１ｂを介して被加工物１１にレーザービームを照射し、被加工物１１の内部に分割の起点となる改質層を形成するレーザービーム照射ステップを行う。図４（Ａ）は、レーザービーム照射ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップ中の被加工物１１等の状態を模式的に示す断面図である。レーザービーム照射ステップは、例えば、図４（Ａ）に示すレーザー加工装置２２を用いて行われる。
【００３４】
レーザー加工装置２２は、被加工物１１を吸引、保持するためのチャックテーブル２４を備えている。チャックテーブル２４は、ステンレス等の金属でなる基台２６を含む。基台２６は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、基台２６の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００３５】
基台２６の上面側には、例えば、平面視で円形の凹部２６ａが形成されている。凹部２６ａには、多孔質材でなる円盤状の保持板２８が嵌め込まれている。保持板２８は、基台２６の内部に形成された吸引路２６ｂ等を介して、吸引源（不図示）に接続されている。この保持板２８の上面２８ａには、被加工物１１の表面１１ａ側に貼付されたテープ１７が接触する。
【００３６】
よって、上面２８ａに吸引源の負圧を作用させると、被加工物１１は、テープ１７を介してチャックテーブル２４に吸引、保持される。チャックテーブル２４の周囲には、環状のフレーム１９を固定するための複数のクランプ３０が設けられている。また、チャックテーブル２４の上方には、レーザー照射ユニット３２が配置されている。
【００３７】
レーザー照射ユニット３２は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービーム３２ａを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、被加工物１１を透過する波長（被加工物１１に対して透過性を有する波長、吸収され難い波長）のレーザービーム３２ａをパルス発振できるように構成されている。
【００３８】
レーザービーム照射ステップでは、まず、被加工物１１の表面１１ａに貼付されているテープ１７を保持板２８の上面２８ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ３０でフレーム１９を固定する。これにより、被加工物１１は、カバー部材２３の表面２３ａが上方に露出した状態で保持される。
【００３９】
次に、チャックテーブル２４及びクランプ３０を移動、回転させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット３２を合わせる。そして、図４（Ａ）に示すように、レーザー照射ユニット３２から、カバー部材２３の露出した表面２３ａに向けてレーザービーム３２ａを照射しながら、対象の分割予定ライン１３に対して平行な方向にチャックテーブル２４を移動させる。
【００４０】
レーザービーム３２ａは、図４（Ｂ）に示すように、被加工物１１の内部の所定の深さの位置に集光させる。このように、被加工物１１を透過する波長のレーザービーム３２ａを被加工物１１の内部に集光させることで、被加工物１１の内部を改質して分割の起点となる改質層２５を形成できる。
【００４１】
上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層２５が形成されると、レーザービーム照射ステップは終了する。この改質層２５は、例えば、表面１１ａ又は裏面１１ｂにクラックが到達する条件で形成されても良い。また、一本の分割予定ライン１３に対して、異なる深さの位置に複数の改質層２５を形成することもできる。
【００４２】
本実施形態では、不規則な凹凸を有する梨地状の裏面１１ｂに樹脂層２１ｂを形成した上で、裏面１１ｂより平坦な表面２３ａを持つカバー部材２３の裏面２３ｂを樹脂層２１ｂに密着させている。そのため、この樹脂層２１ｂ及びカバー部材２３により、裏面１１ｂの不規則な凹凸に起因するレーザービーム３２ａの屈折、反射、散乱は抑制される。よって、裏面１１ｂ側からレーザービーム３２ａを照射する場合でも、分割に適した改質層２５を被加工物１１の内部に形成できる。
【００４３】
なお、レーザービーム照射ステップの後には、樹脂層２１ｂ及びカバー部材２３を被加工物１１から剥離する剥離ステップや、分割予定ライン１３に沿って形成された改質層２５を起点に被加工物１１を分割する分割ステップを行うと良い。図５（Ａ）は、レーザービーム照射ステップの後の剥離ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００４４】
剥離ステップは、例えば、図５（Ａ）に示す温水槽４２を用いて行われる。温水槽４２には、樹脂層２１ｂの剥離に適した温度（例えば、８０℃〜９０℃）の温水４４が貯留されている。この温水４４に被加工物１１を浸すことで、樹脂層２１ｂ及びカバー部材２３を被加工物１１から剥離できる。
【００４５】
図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、剥離ステップの後の分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。分割ステップは、例えば、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す拡張装置５２を用いて行われる。拡張装置５２は、被加工物１１を支持するための支持構造５４と、円筒状の拡張ドラム５６とを備えている。
【００４６】
支持構造５４は、平面視で円形の開口部を有する支持テーブル５８を含む。この支持テーブル５８の上面には、環状のフレーム１９が載せられる。支持テーブル５８の外周部分には、フレーム１９を固定するための複数のクランプ６０が設けられている。支持テーブル５８は、支持構造５４を昇降させるための昇降機構（不図示）によって支持されている。
【００４７】
支持テーブル５８の開口部には、拡張ドラム５６が配置されている。拡張ドラム５６の内径（直径）は、被加工物１１の直径よりも大きくなっている。一方で、拡張ドラム５６の外径（直径）は、環状のフレーム１９の内径（直径）や、支持テーブル５８の開口部の直径よりも小さくなっている。
【００４８】
分割ステップでは、まず、図５（Ｂ）に示すように、支持テーブル５８の上面の高さを拡張ドラム５６の上端の高さに合わせ、支持テーブル５８の上面にフレーム１９を載せた後に、フレーム１９をクランプ６０で固定する。これにより、拡張ドラム５６の上端は、被加工物１１とフレーム１９との間でテープ１９に接触する。
【００４９】
次に、昇降機構で支持構造５４を下降させて、図５（Ｃ）に示すように、支持テーブル５８の上面を拡張ドラム５６の上端より下方に移動させる。その結果、拡張ドラム５６は支持テーブル５８に対して上昇し、テープ１７は拡張ドラム５６で押し上げられて放射状に拡張される。テープ１７が拡張されると、被加工物１１には、テープ１７を拡張する方向の力（放射状の力）が作用する。これにより、被加工物１１は、改質層２５を起点に複数のチップ２７へと分割される。
【００５０】
以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、凹凸を有する梨地状の裏面１１ｂにレーザービーム３２ａを透過させる樹脂層２１ｂを形成した後に、レーザービーム３２ａを透過させ且つ被加工物１１の裏面１１ｂより平坦な表面１１ａを持つカバー部材２３の裏面２３ｂを樹脂層２１ｂに密着させるので、この樹脂層２１ｂ及びカバー部材２３により、裏面１１ｂの凹凸に起因するレーザービーム３２ａの屈折は抑制される。よって、梨地状の裏面１１ｂ側からレーザービーム３２ａを照射する場合でも、分割に適した改質層２５を被加工物１１の内部に形成できる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、スピンコーター２を用いて樹脂層２１ｂを形成しているが、樹脂層を形成する方法に制限はない。
【００５２】
また、上記実施形態では、被加工物１１の内部に分割の起点となる改質層２５を形成しているが、他の目的で改質層を形成しても良い。例えば、被加工物の内部に改質層を形成すると、改質層及びその近傍が膨張して、被加工物を反らせるような応力が発生する。この現象を利用して、被加工物の反りを抑制するために改質層を形成することもできる。
【００５３】
例えば、平坦な被加工物の表面にＧａＮ（窒化ガリウム）等の結晶を成長させると、被加工物は、その表面が凹状となる向きに反る。そこで、このような反りを相殺する応力が発生するように、予め被加工物の表面側に改質層を形成しておく。これにより、結晶を成長させた後の被加工物の反りを低減できる。なお、結晶を成長させた後の反った被加工物に対して改質層を形成しても良い。
【００５４】
上述のように、改質層を形成すると、改質層及びその近傍が膨張して、改質層に近い側の面を凸状に反らせるような応力が発生する。そのため、この改質層を形成する位置を制御することで、被加工物の反りを抑制するような応力を発生させることができる。被加工物の表面が凹状となる向きに反る場合には、表面側に改質層を形成することで被加工物の反りを低減できる。同様に、被加工物の裏面が凹状となる向きに反る場合には、裏面側に改質層を形成することで被加工物の反りを低減できる。
【００５５】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５６】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  テープ
１９  フレーム
２１ａ  樹脂
２１ｂ  樹脂層
２３  カバー部材
２３ａ  表面
２３ｂ  裏面
２５  改質層
２７  チップ
２  スピンコーター
４  保持テーブル（スピンナテーブル）
６  基台
６ａ  凹部
６ｂ  吸引路
８  保持板
８ａ  上面
１０  クランプ
１２  ノズル
２２  レーザー加工装置
２４  チャックテーブル
２６  基台
２６ａ  凹部
２６ｂ  吸引路
２８  保持板
２８ａ  上面
３０  クランプ
３２  レーザー照射ユニット
３２ａ  レーザービーム
４２  温水槽
４４  温水
５２  拡張装置
５４  支持構造
５６  拡張ドラム
５８  支持テーブル
６０  クランプ
【図１】
2018101678.tif 000003
【図２】
2018101678.tif 000004
【図３】
2018101678.tif 000005
【図４】
2018101678.tif 000006
【図５】
2018101678.tif 000007