(57)【要約】      （修正有）【課題】コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる基板処理方法、送液方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】イオンを含有する薬液（ＳＣ２）を基板の表面に供給する薬液供給工程（ＳＣ２処理：Ｓ５）の後に、低純度リンス液供給工程（炭酸水リンス処理：Ｓ７）を実行する。さらに、薬液供給工程と低純度リンス液供給工程との間に高純度リンス液供給工程（ＤＩＷリンス処理：Ｓ６）を実行する。低純度リンス液供給工程では、薬液に含有されるイオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有する低純度リンス液（炭酸水）を、基板の表面に供給する。高純度リンス液工程では、含有する不純物の量が低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液（ＤＩＷ）を、基板の表面に供給する。【選択図】図４
2018101670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを含有する薬液を、基板の表面に供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後に実行され、前記薬液に含有される前記イオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有する低純度リンス液を、前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給工程と、
前記薬液供給工程と前記低純度リンス液供給工程との間に実行され、含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記薬液が、酸性の水溶液を含み、
前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記酸性の水溶液が、塩酸を含有する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記低純度リンス液が、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記薬液供給工程の前に実行され、前記基板の表面に前記低純度リンス液を供給する第２の低純度リンス液供給工程と、
前記薬液供給工程と前記第２の低純度リンス液供給工程との間に実行され、前記基板の表面に前記高純度リンス液を供給する第２の高純度リンス液供給工程とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
共通流路を介してノズルに送液する送液方法であって、
イオンを含有する薬液を、前記共通流路に供給する流路薬液供給工程と、
前記流路薬液供給工程の後に、前記薬液に含有される前記イオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有する低純度リンス液を、前記共通流路に供給する流路低純度リンス液供給工程と、
前記流路薬液供給工程と前記流路低純度リンス液供給工程との間に、含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記共通流路に供給する流路高純度リンス液供給工程とを含む、送液方法。
【請求項７】
前記薬液が、酸性の水溶液を含み、
前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する、請求項６に記載の送液方法。
【請求項８】
前記酸性の水溶液が、塩酸を含有する、請求項７に記載の送液方法。
【請求項９】
前記低純度リンス液が、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を含む、請求項６〜８のいずれか一項に記載の送液方法。
【請求項１０】
前記流路薬液供給工程の前に実行され、前記共通流路に前記低純度リンス液を供給する第２の流路低純度リンス液供給工程と、
前記流路薬液供給工程と前記第２の流路低純度リンス液供給工程との間に実行され、前記共通流路に前記高純度リンス液を供給する第２の流路高純度リンス液供給工程とを含む、請求項６〜９のいずれか一項に記載の送液方法。
【請求項１１】
イオンを含有する薬液を、基板の表面に供給する薬液供給ユニットと、
前記薬液に含有されるイオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有し得る低純度リンス液を、前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給ユニットと、
含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給ユニットと、
前記薬液供給ユニット、前記リンス液供給ユニットおよび前記高純度リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記基板の表面に前記薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程の後に前記低純度リンス液を前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給工程とを実行する、基板処理装置。
【請求項１２】
前記薬液供給ユニットが、酸性の水溶液を、前記基板の表面に供給する酸性水溶液供給ユニットを含み、
前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記酸性の水溶液が、塩酸を含有する、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記低純度リンス液供給ユニットが、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を、前記基板の表面に供給する炭酸含有液供給ユニットを含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記制御装置が、前記薬液供給工程の前に前記低純度リンス液を前記基板の表面に供給する第２の低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記第２の低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記基板の表面に供給する第２の高純度リンス液供給工程とを実行する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
ノズルと、前記ノズルに送液する共通流路とをさらに含み、
前記薬液供給ユニットが、前記共通流路への前記薬液の供給の有無を切り換える薬液バルブを含み、
前記低純度リンス液供給ユニットが、前記共通流路への前記低純度リンス液の供給の有無を切り換える低純度リンス液バルブを含み、
前記高純度リンス液供給ユニットが、前記共通流路への前記高純度リンス液の供給の供給を切り換える高純度リンス液バルブを含み、
前記制御装置が、前記薬液バルブ、前記低純度リンス液バルブおよび前記高純度リンス液バルブを制御し、
前記制御装置が、前記共通流路に前記薬液を供給する流路薬液供給工程と、前記流路薬液供給工程の後に前記低純度リンス液を前記共通流路に供給する流路低純度リンス液供給工程と、前記流路薬液供給工程と前記流路低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記共通流路に供給する流路高純度リンス液供給工程とを実行する、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置、ならびに、基板処理装置で用いられるノズルに送液する送液方法に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１に記載の基板処理方法では、基板に薬液を供給した後、基板に付着した薬液を洗い流すために基板に炭酸水を供給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５８１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板処理後の基板上にパーティクルが発生すると、基板処理後のプロセス（半導体装置の製造）などで動作不良が発生するおそれがある。そのため、酸性の薬液と塩基性の薬液との混合を避けたり、薬液やリンス液をフィルタでろ過したりすることによって、パーティクルの発生に対する予防策が従来から施されてきた。しかし、基板処理後のプロセス（半導体装置の製造）などにおいて動作不良が発生することがあった。
【０００５】
本願発明者らは、基板の表面に付着した薬液をリンス液で洗い流した後の基板上に発生する析出物が基板処理後のプロセスの動作不良の原因であることを見出した。このような析出物は、基板上に供給する前のリンス液中にはパーティクルとして検出されないので、基板処理後のプロセスの動作不良の原因としてこれまで着目されていなかった。このような析出物の発生は、基板上のみならず、リンス液や薬液が通過する流路内でも起こり得る。
【０００６】
析出物の発生を避けるために、比較的純度の高いリンス液を用いて基板処理を実行することも考えられるが、そのようなリンス液の使用頻度が高くなるほど、基板処理に必要なコストが増大する。
そこで、この発明の一つの目的は、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる基板処理方法、送液方法、および、基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
基板処理において、リンス液や薬液は、薬液に本来含有される成分と、リンス液に本来含有される成分とによって析出物が形成されないように、選択されている。それにもかかわらず、基板上の薬液をリンス液で洗い流す際に析出物が形成される。
そこで、本願発明者らは、この析出物の原因となる物が、リンス液や薬液に溶解されているか、あるいは、リンス液や薬液に溶解されていないとしても、その直径がパーティクルカウンタの検出の限界（たとえば１８ｎｍ）よりも小さい物であると考えた。そして、本願発明者らは、この析出物が、リンス液に含有される不純物と、薬液に含有されるイオンとの相互作用に起因して発生するものであることを見出した。
【０００８】
この発明は、イオンを含有する薬液を、基板の表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程の後に実行され、前記薬液に含有される前記イオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有する低純度リンス液を、前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記低純度リンス液供給工程との間に実行され、含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給工程とを含む、基板処理方法を提供する。
【０００９】
この方法によれば、薬液供給工程と低純度リンス液供給工程との間に高純度リンス工程が実行される。そのため、薬液供給工程において基板上に供給された薬液は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に基板上に供給される低純度リンス液とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００１０】
また、低純度リンス液供給工程の前に実行される高純度リンス液供給工程において、基板上の薬液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板上の薬液中のイオンの濃度が、高純度リンス液によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用が低減される。したがって、低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００１１】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、前記薬液が、酸性の水溶液を含み、前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する。
この方法によれば、薬液が酸性の水溶液を含み、低純度リンス液が、不純物として有機物を含有する。ここで、酸性の水溶液と、不純物として有機物を含有するリンス液とが混合されると、析出物が形成されることがある。この析出物の形成は、塩析に起因するものと考えられる。塩析とは、水などの溶媒中に分散した状態にある有機物を、塩の作用を利用して凝集させることをいう。詳しくは、酸性の水溶液中の陰イオンに水分子が引き付けられて水分子が当該陰イオンの水和水となることによって、有機物に水和している水分子が取り除かれる。これにより、有機物の水和に必要な水分子が不足するため、当該有機物が凝集する。この凝集によって、析出物が発生する。塩析の発生の原因となる陰イオンとしては、たとえば、塩酸に含有される塩化物イオンなどが挙げられる。塩析の発生の原因となる有機物としては、たとえば、タンパク質や、タンパク質よりも分子量が小さい有機化合物などが挙げられる。
【００１２】
しかし、低純度リンス液供給工程の前に実行される高純度リンス液供給工程において、基板上の酸性の水溶液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板上の酸性の水溶液中の陰イオンの濃度が高純度リンス液によって薄められる。そのため、当該陰イオンと、低純度リンス液に含有される有機物との相互作用が低減される。したがって、低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００１３】
この発明の一実施形態では、前記低純度リンス液が、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記薬液供給工程の前に実行され、前記基板の表面に前記低純度リンス液を供給する第２の低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記第２の低純度リンス液供給工程との間に実行され、前記基板の表面に前記高純度リンス液を供給する第２の高純度リンス液供給工程とを含む。
【００１４】
この方法によれば、薬液供給工程の前に第２の低純度リンス液供給工程が実行され、薬液供給工程と第２の低純度リンス液供給工程との間に第２の高純度リンス液供給工程が実行される。そのため、薬液供給工程の前に基板の表面をリンス液で洗浄する基板処理では、基板の表面は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に基板上に供給される低純度リンス液とによって洗浄される。したがって、高純度リンス液のみで基板の表面を洗浄する基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００１５】
また、薬液供給工程の前に実行される第２の高純度リンス液供給工程において、基板上の低純度リンス液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、薬液供給工程が実行される前に、基板上のリンス液における不純物の量が低減される。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用によって形成される析出物の量が低減される。あるいは、当該析出物の形成を防止することができる。したがって、薬液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００１６】
よって、薬液供給工程の前に基板の表面をリンス液で洗浄する基板処理において、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、共通流路を介してノズルに送液する送液方法であって、イオンを含有する薬液を、前記共通流路に供給する流路薬液供給工程と、前記流路薬液供給工程の後に、前記薬液に含有される前記イオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有する低純度リンス液を、前記共通流路に供給する流路低純度リンス液供給工程と、前記流路薬液供給工程と前記流路低純度リンス液供給工程との間に、含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記共通流路に供給する流路高純度リンス液供給工程とを含む、送液方法を提供する。
【００１７】
この方法によれば、流路薬液供給工程と流路低純度リンス液供給工程との間に流路高純度リンス工程が実行される。そのため、流路薬液供給工程において共通流路に供給された薬液は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に共通流路に供給される低純度リンス液とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す送液方法と比較して、必要なコストが低減される。
【００１８】
また、流路低純度リンス液供給工程の前に実行される流路高純度リンス液供給工程によって、共通流路内の薬液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、流路低純度リンス液供給工程が実行される前に、共通流路内の薬液中のイオンの濃度が、高純度リンス液によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用が低減される。したがって、流路低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００１９】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、前記薬液が、酸性の水溶液を含み、前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する。
この方法によれば、薬液が酸性の水溶液を含み、低純度リンス液が、不純物として有機物を含有する。流路低純度リンス液供給工程の前に実行される流路高純度リンス液供給工程において、共通流路内の酸性の水溶液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、流路低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板上の酸性の水溶液中の陰イオンの濃度が高純度リンス液によって薄められる。そのため、当該陰イオンと、低純度リンス液に含有される有機物との相互作用が低減される。したがって、流路低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００２０】
この発明の一実施形態では、前記低純度リンス液が、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記送液方法が、前記流路薬液供給工程の前に実行され、前記共通流路に前記低純度リンス液を供給する第２の流路低純度リンス液供給工程と、前記流路薬液供給工程と前記第２の流路低純度リンス液供給工程との間に実行され、前記共通流路に前記高純度リンス液を供給する第２の流路高純度リンス液供給工程とを含む。
【００２１】
この方法によれば、流路薬液供給工程の前に第２の流路低純度リンス液供給工程が実行され、流路薬液供給工程と第２の流路低純度リンス液供給工程との間に第２の流路高純度リンス液供給工程が実行される。そのため、流路薬液供給工程の前に共通流路がリンス液で洗浄される方法において、共通流路は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に基板上に供給される低純度リンス液とによって洗浄される。したがって、高純度リンス液のみで共通流路を洗浄する送液方法と比較して、必要なコストが低減される。
【００２２】
また、流路薬液供給工程の前に実行される第２の流路高純度リンス液供給工程において、共通流路内の低純度リンス液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、流路薬液供給工程が実行される前に、共通流路内のリンス液中の不純物の量が低減される。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用によって形成される析出物の量が低減される。あるいは、当該析出物の形成を防止することができる。したがって、流路薬液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００２３】
よって、流路薬液供給工程の前に共通流路がリンス液で洗浄される方法において、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、イオンを含有する薬液を、基板の表面に供給する薬液供給ユニットと、前記薬液に含有されるイオンと相互作用することによって析出物を形成する不純物を含有し得る低純度リンス液を、前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給ユニットと、含有する前記不純物の量が前記低純度リンス液よりも少ない高純度リンス液を、前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給ユニットと、前記薬液供給ユニット、前記リンス液供給ユニットおよび前記高純度リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含む基板処理装置を提供する。
【００２４】
前記制御装置は、前記基板の表面に前記薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程の後に前記低純度リンス液を前記基板の表面に供給する低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記基板の表面に供給する高純度リンス液供給工程とを実行する。
この構成によれば、薬液供給工程と低純度リンス液供給工程との間に高純度リンス工程が実行される。そのため、薬液供給工程において基板上に供給された薬液は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に基板上に供給される低純度リンス液とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００２５】
また、低純度リンス液供給工程の前に実行される高純度リンス液供給工程において、基板上の薬液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板上の薬液中のイオンの濃度が、高純度リンス液によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用が低減される。したがって、低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００２６】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、前記薬液供給ユニットが、酸性の水溶液を、前記基板の表面に供給する酸性水溶液供給ユニットを含み、前記低純度リンス液が、前記不純物として有機物を含有する。
【００２７】
この構成によれば、薬液供給ユニットが酸性の水溶液を基板の表面に供給する酸性水溶液供給ユニットを含み、低純度リンス液が、不純物として有機物を含有する。低純度リンス液供給工程の前に実行される高純度リンス液供給工程において、基板上の酸性の水溶液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板上の酸性の水溶液中の陰イオンの濃度が高純度リンス液によって薄められる。そのため、当該陰イオンと、低純度リンス液に含有される有機物との相互作用が低減される。したがって、低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００２８】
この発明の一実施形態では、前記低純度リンス液供給ユニットが、二酸化炭素を含有する炭酸含有液を、前記基板の表面に供給する炭酸含有液供給ユニットを含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記薬液供給工程の前に前記低純度リンス液を前記基板の表面に供給する第２の低純度リンス液供給工程と、前記薬液供給工程と前記第２の低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記基板の表面に供給する第２の高純度リンス液供給工程とを実行する。
【００２９】
この構成によれば、薬液供給工程の前に第２の低純度リンス液供給工程が実行され、薬液供給工程と第２の低純度リンス液供給工程との間に第２の高純度リンス液供給工程が実行される。そのため、薬液供給工程の前に基板の表面をリンス液で洗浄する基板処理では、基板の表面は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に基板上に供給される低純度リンス液とによって洗浄される。したがって、高純度リンス液のみで基板の表面を洗浄する基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００３０】
また、薬液供給工程の前に実行される第２の高純度リンス液供給工程において、基板上の低純度リンス液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、薬液供給工程が実行される前に、基板上のリンス液中の不純物の量が低減される。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用によって形成される析出物の量が低減される。あるいは、当該析出物の形成を防止することができる。したがって、薬液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００３１】
よって、薬液供給工程の前に基板の表面をリンス液で洗浄する基板処理において、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、ノズルと、前記ノズルに送液する共通流路とをさらに含む。前記薬液供給ユニットが、前記共通流路への前記薬液の供給の有無を切り換える薬液バルブを含む。前記低純度リンス液供給ユニットが、前記共通流路への前記低純度リンス液の供給の有無を切り換える低純度リンス液バルブを含む。前記高純度リンス液供給ユニットが、前記共通流路への前記高純度リンス液の供給の供給を切り換える高純度リンス液バルブを含む。
【００３２】
そして、前記制御装置が、前記薬液バルブ、前記低純度リンス液バルブおよび前記高純度リンス液バルブを制御する。前記制御装置が、前記共通流路に前記薬液を供給する流路薬液供給工程と、前記流路薬液供給工程の後に前記低純度リンス液を前記共通流路に供給する流路低純度リンス液供給工程と、前記流路薬液供給工程と前記流路低純度リンス液供給工程との間に前記高純度リンス液を前記共通流路に供給する流路高純度リンス液供給工程とを実行する。
【００３３】
この構成によれば、流路薬液供給工程と流路低純度リンス液供給工程との間に流路高純度リンス工程が実行される。そのため、流路薬液供給工程において共通流路に供給された薬液は、低純度リンス液よりも不純物の含有量が少ない高純度リンス液と、高純度リンス液の後に共通流路に供給される低純度リンス液とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す送液方法と比較して、必要なコストが低減される。
【００３４】
また、流路低純度リンス液供給工程の前に実行される流路高純度リンス液供給工程によって、共通流路内の薬液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、流路低純度リンス液供給工程が実行される前に、共通流路内の薬液中のイオンの濃度が、高純度リンス液によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用が低減される。したがって、流路低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００３５】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの一構成例を説明するための図解的な縦断面図である。
【図３】図３は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】図４は、前記基板処理装置による基板処理の一例について説明するための流れ図である。
【図５Ａ】図５Ａは、炭酸水リンス処理（図４のＳ３）における基板の周辺の模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ４）における基板の周辺の模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、ＳＣ２処理（図４のＳ５）における基板の周辺の模式図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ６）における基板の周辺の模式図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、炭酸水リンス処理（図４のＳ７）における基板の周辺の模式図である。
【図６Ａ】図６Ａは、炭酸水リンス処理（図４のＳ３）におけるミキシングバルブユニットの周辺の模式図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ４）におけるミキシングバルブユニットの周辺の模式図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、ＳＣ２処理（図４のＳ５）におけるミキシングバルブユニットの周辺の模式図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ６）におけるミキシングバルブユニットの周辺の模式図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、炭酸水リンス処理（図４のＳ７）におけるミキシングバルブユニットの周辺の模式図である。
【図７】図７は、前記基板処理装置による基板処理の別の例について説明するための流れ図である。
【図８】図８は、前記基板処理装置による基板処理のさらに別の例について説明するための流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円形状の基板である。
【００３８】
基板処理装置１は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣをそれぞれ保持する複数のロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。
【００３９】
複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。処理ユニット２は、処理液で基板Ｗを処理するために基板Ｗを収容するチャンバ１４と、基板Ｗを処理するためにチャンバ１４内で使用される処理液や気体などの流体を供給する配管類を収容する流体ボックス１５とを含む。
処理液とは、たとえば、薬液やリンス液などのことである。薬液とは、たとえば、基板Ｗの表面に形成された薄膜を基板Ｗの表面から除去したり、基板Ｗの表面に付着したパーティクルや金属汚染などを基板Ｗの表面から除去したりする液である。リンス液とは、基板Ｗの表面などから薬液を洗い流す脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）などのことである。
【００４０】
図示は省略するが、チャンバ１４には、チャンバ１４内に基板Ｗを搬入したりチャンバ１４内から基板Ｗを搬出したりするための出入口が形成されている。チャンバ１４には、当該出入口を開閉するシャッタユニットが備えられている。
図２は、処理ユニット２の一構成例を説明するための図解的な縦断面図である。
処理ユニット２は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ８と、基板Ｗの上面（表面）に流体を供給す第１ノズル１１および第２ノズル１２とを含む。
【００４１】
スピンチャック５は、水平に保持した基板Ｗを鉛直方向に沿う所定の回転軸線Ａ１まわりに回転させる基板保持回転ユニットの一例である。スピンチャック５は、チャックピン２０と、スピンベース２１と、スピンベース２１の下面中央に結合された回転軸２２と、回転軸２２に回転力を与える電動モータ２３とを含む。
回転軸２２は回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端には、スピンベース２１が結合されている。スピンベース２１は、水平方向に沿う円盤形状を有している。スピンベース２１の上面の周縁部に、複数のチャックピン２０が周方向に間隔を空けて配置されている。電動モータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転される。
【００４２】
第１ノズル１１は、基板Ｗの上面に対向する吐出口１１ａを有する。第１ノズル１１は、第１ノズル移動機構２４によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第１ノズル１１は、基板Ｗの上面の回転中心に対向する中心位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動することができる。ホーム位置は、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、より具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。第１ノズル１１は、第１ノズル移動機構２４によって移動される移動ノズルである必要はなく、位置が固定された固定ノズルであってもよい。
【００４３】
第２ノズル１２は、基板Ｗの上面に対向する吐出口１２ａを有する。第２ノズル１２は、第２ノズル移動機構２５によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第２ノズル１２は、基板Ｗの上面の回転中心に対向する中心位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動することができる。ホーム位置は、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、より具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。第２ノズル１２は、第２ノズル移動機構２５によって移動される移動ノズルである必要はなく、位置が固定された固定ノズルであってもよい。
【００４４】
第１ノズル１１には、第１処理液供給路Ｐ６１が結合されている。第２ノズル１２には、第２処理液供給路Ｐ６２が結合されている。第１処理液供給路Ｐ６１および第２処理液供給路Ｐ６２は、たとえば、いずれも配管である。第１処理液供給路Ｐ６１および第２処理液供給路Ｐ６２は、ミキシングバルブユニット６に接続されている。第１処理液供給路Ｐ６１および第２処理液供給路Ｐ６２は、ミキシングバルブユニット６から処理液の供給を受ける。
【００４５】
ミキシングバルブユニット６は、ノズル１１，１２に送液する共通流路６０と、流出側の複数のバルブＶ６１，Ｖ６２と、流入側の複数のバルブＶ６３〜Ｖ６７と、排液バルブＶ６８とを含む。複数のバルブＶ６１〜Ｖ６８は、いずれも開閉弁である。第１処理液供給路Ｐ６１は、共通流路６０に結合されている。第１処理液供給路Ｐ６１には、流出側の複数のバルブＶ６１，Ｖ６２のうちの第１処理液バルブＶ６１が介装されている。第２処理液供給路Ｐ６２には、流出側の複数のバルブＶ６１，Ｖ６２のうちの第２処理液バルブＶ６２が介装されている。第２処理液供給路Ｐ６２において、第２処理液バルブＶ６２と共通流路６０との間には、フィルタ４５が介装されていてもよい。
【００４６】
共通流路６０には、流体を共通流路６０に供給する複数の流体供給路Ｐ６３〜Ｐ６７が結合されている。複数の流体供給路Ｐ６３〜Ｐ６７は、たとえば、いずれも配管である。複数の流体供給路Ｐ６３〜Ｐ６７のそれぞれには、流入側の複数のバルブＶ６３〜Ｖ６７が介装されている。バルブＶ６３〜Ｖ６７が開閉されることによって、共通流路６０への処理液の供給の有無が切り換えられる。
【００４７】
複数の流体供給路Ｐ６３〜Ｐ６７は、第１流体供給路Ｐ６３、第２流体供給路Ｐ６４、第３流体供給路Ｐ６５、第４流体供給路Ｐ６６、第５流体供給路Ｐ６７を含む。複数のバルブＶ６３〜６７は、第１流体バルブＶ６３、第２流体バルブＶ６４、第３流体バルブＶ６５、第４流体バルブＶ６６および第５流体バルブＶ６７を含む。
本実施形態では、第１流体供給路Ｐ６３は、炭酸水供給源７０に接続されている。第２流体供給路Ｐ６４は、ＤＩＷ供給源７１に接続されている。第３流体供給路Ｐ６５は、アンモニア水供給源７２（ＮＨ４ＯＨ供給源）に接続されている。第４流体供給路Ｐ６６は、過酸化水素水供給源７３（Ｈ２Ｏ２供給源）に接続されている。第５流体供給路Ｐ６７は、塩酸供給源７４（ＨＣｌ供給源）に接続されている。炭酸水供給源７０の炭酸水は、ＤＩＷ供給源７１から供給されるＤＩＷに二酸化炭素ガスを溶解させることによって準備された炭酸水であってもよい。
【００４８】
共通流路６０には、排液路Ｐ６８が結合されている。排液路Ｐ６８は、たとえば、配管である。排液路Ｐ６８には、排液バルブＶ６８が介装されている。排液路Ｐ６８は、吸引機構８０に接続されている。吸引機構８０は、たとえば、真空ポンプなどである。
第１ノズル１１には、第１処理液供給路Ｐ６１に加えて、気体供給路３０が結合されている。気体供給路３０には、気体バルブ４０が介装されている。気体供給路３０には、気体供給源７５が接続されている。第１ノズル１１には、気体供給路３０を介して、気体供給源７５から窒素（Ｎ２）ガスなどの気体が供給される。本実施形態では、第１ノズル１１は、処理液と気体とを混合した流体を基板Ｗの上面に吐出することができる二流体ノズルである。
【００４９】
気体供給源７５から第１ノズル１１に供給される気体としては、窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましい。不活性ガスとは、基板Ｗの上面に対して不活性なガスのことである。不活性ガスには、窒素ガス以外にも、たとえば、アルゴンの希ガス類が含まれる。気体バルブ４０は、ミキシングバルブユニット６とともに流体ボックス１５に収容されている。気体供給源７５は、流体供給源７０〜７４や吸引機構８０とともに流体ボックス１５の外部に配置されている。
【００５０】
第１ノズル１１および第２ノズル１２には、共通流路６０に流入するいずれか１種の処理液を供給でき、かつ、共通流路６０に流入する任意の２種の処理液を混合した混合処理液を供給できる。
１種の処理液としては、炭酸水やＤＩＷなどのリンス液が挙げられる。リンス液としては、炭酸水やＤＩＷのほかにも、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、アンモニア水などを用いることができる。
【００５１】
本実施形態では、第１ノズル１１および第２ノズル１２のそれぞれには、リンス液として、ＤＩＷおよび炭酸水を供給することができる。リンス液としては、炭酸水の代わりに、有機溶剤などのＤＩＷ以外の液体とＤＩＷとの混合液に二酸化炭素ガスを溶解させたものを用いることができる。このような二酸化炭素ガスを含有する混合液、および、炭酸水をまとめて炭酸含有液という。
【００５２】
混合処理液としては、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）や、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）などの薬液を用いることができる。ＳＣ１とは、アンモニア水と過酸化水素水とＤＩＷとの混合液であり、塩基性の水溶液である。ＳＣ２とは、塩酸と過酸化水素水との混合液であり、酸性の水溶液である。ＳＣ２は、塩酸を含有する塩酸含有液の一例である。本実施形態では、第１ノズル１１および第２ノズル１２のそれぞれには、薬液として、ＳＣ１およびＳＣ２を供給することができる。
【００５３】
リンス液には、不純物が含有されることがある。たとえば、第１流体供給路Ｐ６３、共通流路６０、第１処理液供給路Ｐ６１および第２処理液供給路Ｐ６２を構成する有機物が炭酸水に溶け込むことがある。これにより、第１ノズル１１または第２ノズル１２に供給される炭酸水には、不純物として有機物が含有される。この有機物としては、たとえば、タンパク質や、タンパク質よりも低分子の有機化合物などが挙げられる。
【００５４】
別の例として、ＤＩＷ供給源７１から供給されるＤＩＷに二酸化炭素ガスを溶解させることによって炭酸水が生成されている場合において、二酸化炭素ガスに含有される有機物などの不純物が二酸化炭素とともにＤＩＷに溶け込むことがある。この場合も、第１ノズル１１または第２ノズル１２に供給される炭酸水には、不純物としての有機物が含有される。
【００５５】
このように、本実施形態では、炭酸水は、ＤＩＷと比較して、不純物を多量に含有していることがある。リンス液の純度は、不純物を含有する量が少ないほど高く、不純物を含有する量が多いほど低い。したがって、本実施形態では、炭酸水が低純度リンス液である。そして、ＤＩＷが、含有する不純物の量が炭酸水よりも少ない高純度リンス液である。リンス液中の不純物の含有量は、単位体積当たりのリンス液中に存在する不純物のモル数が大きければ大きく、単位体積当たりのリンス液中に存在する不純物のモル数が小さければ小さい。
【００５６】
不純物を含有するリンス液と、所定のイオンを含有する薬液とが混合されると、当該イオンと不純物との相互作用に起因して、析出物（沈殿物）が発生することがある。この析出物の原因となる不純物は、リンス液に溶解されているか、あるいは、リンス液に溶解されていないとしても、その直径がパーティクルカウンタ（図示せず）の検出の限界（たとえば１８ｎｍ）よりも小さい。そのため、この不純物は、パーティクルカウンタによって検出することができない。この不純物は、イオンとの相互作用によって、パーティクルカウンタによって検出可能な程度の大きさの析出物になる。不純物が有機物である場合、この析出物は、塩析に起因するものと考えられる。
【００５７】
塩析とは、水などの溶媒中に分散した有機物を、塩の作用を利用して凝集させることをいう。詳しくは、薬液中の所定のイオンに水分子が引き付けられて当該水分子が当該所定のイオンの水和水となることによって、有機物に水和している水分子が取り除かれる。これにより、有機物の水和に必要な水分子が不足するため、当該有機物が凝集する。この凝集によって、析出物が発生する。
【００５８】
塩析の原因となる所定のイオンとしては、クエン酸イオン、酒石酸イオン、硫酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、硝酸イオンなどの陰イオンや、アンモニウムイオン、カリウムイオン、ナトリウムイオン、カルシウムイオン、マグネシウムイオンなどの陽イオンが挙げられる。硫酸イオンを含有する酸性の水溶液（薬液）としては、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）が挙げられる。溶媒中のこれらのイオンの濃度が薄いほど、塩析は起こりにくい。言い換えると、溶媒のｐＨが７に近づくほど、塩析は起こりにくい。
【００５９】
図３は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御装置３は、マイクロコンピュータを備えており、所定の制御プログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含み、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御装置３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、電動モータ２３、ノズル移動機構２４，２５およびバルブ類４０，Ｖ６１〜Ｖ６８などの動作を制御する。
【００６０】
以下の図４〜図６では、炭酸水とＳＣ２とが混合に起因する析出物の形成を抑制または防止することができる基板処理方法および送液方法の一例を説明する。
図４は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図４には、主として、制御装置３が動作プログラムを実行することによって実現される処理が示されている。
【００６１】
基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図４に示すように、基板搬入（Ｓ１）、ＳＣ１処理（Ｓ２）、炭酸水リンス処理（Ｓ３）、ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）、ＳＣ２処理（Ｓ５）、ＤＩＷリンス処理（Ｓ６）、炭酸水リンス処理（Ｓ７）、乾燥（Ｓ８）および基板搬出（Ｓ９）がこの順番で実行される。
本実施形態の基板処理では、ＳＣ１が、第１ノズル１１から供給され、酸性の水溶液としてのＳＣ２、高純度リンス液としてのＤＩＷ、および低純度リンス液としての炭酸水が、第２ノズル１２から供給される。
【００６２】
すなわち、本実施形態では、第２ノズル１２、第２処理液供給路Ｐ６２、第２処理液バルブＶ６２、第２流体供給路Ｐ６４、第２流体バルブＶ６４および共通流路６０が、高純度リンス液供給ユニットを構成している。第２流体バルブＶ６４は、共通流路６０への高純度リンス液の供給を切り換える高純度リンス液バルブの一例である。
そして、第２ノズル１２、第２処理液供給路Ｐ６２、第２処理液バルブＶ６２、第１流体供給路Ｐ６３、第１流体バルブＶ６３および共通流路６０が、炭酸含有液供給ユニット（低純度リンス液供給ユニット）を構成している。第１流体バルブＶ６３は、共通流路６０への低純度リンス液の供給を切り換える低純度リンス液バルブの一例である。
【００６３】
そして、第２ノズル１２、第２処理液供給路Ｐ６２、流体バルブＶ６６，Ｖ６７、流体供給路Ｐ６６，Ｐ６７および共通流路６０が、塩酸含有液供給ユニット（酸性水溶液供給ユニット，薬液供給ユニット）を構成している。本実施形態では、流体バルブＶ６６，Ｖ６７は、共通流路６０への薬液の供給を切り換える薬液バルブの一例である。
基板処理装置１による基板処理Ｓ１〜Ｓ９について詳しく説明する。
【００６４】
まず、未処理の基板Ｗが、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（Ｓ１）。この後、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって搬出されるまでの間、チャックピン２０によって、スピンベース２１の上面から上方に間隔を空けて水平に保持される（基板保持工程）。
電動モータ２３が、スピンベース２１とともに基板Ｗを回転させる（基板回転工程）。この回転速度での基板回転工程は、後述する乾燥処理（Ｓ８）の開始まで継続されてもよい。基板処理において、回転状態の基板Ｗ上に供給された液体は、遠心力によって基板Ｗの周縁から外方に飛び散り、カップ８によって受けられる。
【００６５】
そして、チャックピン２０に保持された基板Ｗの上面をＳＣ１で処理するＳＣ１処理（Ｓ２）が実行される。
具体的には、第１ノズル移動機構２４が、基板Ｗの上方の処理位置に第１ノズル１１を配置する。処理位置は、第１ノズル１１から吐出される薬液が基板Ｗの上面の回転中心に供給される位置であってもよい。そして、ＳＣ１が、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第１ノズル１１から供給される。回転状態の基板Ｗの上面に供給されたＳＣ１は、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って径方向外方に流れる。これにより、洗浄液が基板Ｗの上面の全体に行き渡る。ＳＣ１の供給の開始と同時に、または、ＳＣ１の供給の開始後に、気体バルブ４０が開かれてもよい。これにより、ＳＣ１と窒素ガスとが混合された流体が基板Ｗの上面に向けて吐出される。
【００６６】
次に、一定時間のＳＣ１処理（Ｓ２）の後、基板Ｗの上面のＳＣ１を炭酸水で洗い流す炭酸水リンス処理（Ｓ３）が実行される。図５Ａは、炭酸水リンス処理（図４のＳ３）における基板Ｗの周辺の模式図である。
具体的には、第２ノズル移動機構２５が、基板Ｗの上方の処理位置に第２ノズル１２を配置する。処理位置は、第２ノズル１２から吐出される炭酸水が基板Ｗの上面の回転中心に供給される位置であってもよい。そして、炭酸水が、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２ノズル１２から供給される（第２の低純度リンス液供給工程）。その一方で、第１ノズル１１からのＳＣ１の供給が停止される。第１ノズル移動機構２４は、第１ノズル１１を退避位置に退避させる。回転状態の基板Ｗの上面に着液した炭酸水には、遠心力が作用する。これにより、基板Ｗの上面に着液した炭酸水は、基板Ｗの外周へ向けて基板Ｗの上面を流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が炭酸水によって置換される。第２ノズル１２および基板Ｗの上面に炭酸水が供給されることによって、第２ノズル１２および基板Ｗの上面の静電気を除去することができる。
【００６７】
次に、一定時間の炭酸水リンス処理（Ｓ３）の後、基板Ｗの上面の炭酸水をＤＩＷで洗い流すＤＩＷリンス処理（Ｓ４）が実行される。図５Ｂは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ４）における基板Ｗの周辺の模式図である。
具体的には、第２ノズル１２は、基板Ｗの上方の処理位置に配置された状態に維持される。そして、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、ＤＩＷが第２ノズル１２から供給される（第２の高純度リンス液供給工程）。回転状態の基板Ｗの上面に着液したＤＩＷには、遠心力が作用する。これにより、基板Ｗの上面に着液したＤＩＷは、基板Ｗの外周へ向けて基板Ｗの上面を流れる。これにより、基板Ｗ上の炭酸水がＤＩＷによって置換される。このとき、基板Ｗ上の炭酸水は、ＤＩＷによって、必ずしも完全に置換される必要はない。ＤＩＷが供給される期間は、基板Ｗ上の炭酸水の一部がＤＩＷによって置換される程度の期間であってもよい。
【００６８】
次に、一定時間のＤＩＷリンス処理（Ｓ４）の後、基板Ｗの上面をＳＣ２によって処理するＳＣ２処理（Ｓ５）が実行される。図５Ｃは、ＳＣ２処理（図４のＳ５）における基板Ｗの周辺の模式図である。
具体的には、第２ノズル１２は、基板Ｗの上方の処理位置に配置された状態に維持される。そして、ＳＣ２が、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２ノズル１２から供給される（薬液供給工程，酸性水溶液供給工程，塩酸含有液供給工程）。回転状態の基板Ｗの上面に着液したＳＣ２には、遠心力が作用する。これにより、基板Ｗの上面に着液したＳＣ２は、基板Ｗの外周へ向けて基板Ｗの上面を流れる。これにより、基板Ｗ上のＤＩＷがＳＣ２によって置換される。
【００６９】
ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）終了直後に基板Ｗ上に炭酸水が残存している場合は、基板Ｗ上のＤＩＷおよび炭酸水の混合液がＳＣ２によって置換される。基板Ｗ上のＤＩＷがＳＣ２によって置換された後、基板Ｗの上面に対するＳＣ２の供給を継続することによって、基板Ｗの上面の金属汚染が除去される。
この基板処理では、炭酸水リンス処理（Ｓ３）における第２の低純度リンス液供給工程は、ＳＣ２処理（Ｓ５）における薬液供給工程よりも前に実行されている。この基板処理では、ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）における第２の高純度リンス供給工程は、炭酸水リンス処理（Ｓ３）における第２の低純度リンス液供給工程と、ＳＣ２処理（Ｓ５）における薬液供給工程との間に実行されている。
【００７０】
次に、一定時間のＳＣ２処理（Ｓ５）の後、基板Ｗの上面のＳＣ２をＤＩＷによって洗い流すＤＩＷリンス処理（Ｓ６）が実行される。図５Ｄは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ６）における基板Ｗの周辺の模式図である。
具体的には、第２ノズル１２は、基板Ｗの上方の処理位置に配置された状態に維持される。そして、ＤＩＷが、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２ノズル１２から供給される（高純度リンス液供給工程）。回転状態の基板Ｗの上面に着液したＤＩＷには、遠心力が作用する。これにより、基板Ｗの上面に着液したＤＩＷは、基板Ｗの外周へ向けて基板Ｗの上面を流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ２がＤＩＷによって置換される。このとき、基板Ｗ上の炭酸水は、ＤＩＷによって、必ずしも完全に置換される必要はない。ＤＩＷが供給される期間は、基板Ｗ上のＳＣ２の一部がＤＩＷによって置換される程度の期間であってもよい。
【００７１】
次に、一定時間のＤＩＷリンス処理（Ｓ６）の後、基板Ｗの上面のＤＩＷを炭酸水で洗い流す炭酸水リンス処理（Ｓ７）が実行される。図５Ｅは、炭酸水リンス処理（図４のＳ７）における基板Ｗの周辺の模式図である。
具体的には、第２ノズル１２は、基板Ｗの上方の処理位置に配置された状態に維持される。そして、炭酸水が、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２ノズル１２から供給される（低純度リンス液供給工程）。回転状態の基板Ｗの上面に着液した炭酸水には、遠心力が作用する。これにより、基板Ｗの上面に着液した炭酸水は、基板Ｗの外周へ向けて基板Ｗの上面を流れる。これにより、基板Ｗ上のＤＩＷが炭酸水によって置換される。ＤＩＷリンス処理（Ｓ６）の直後に基板Ｗ上にＳＣ２が残存している場合は、基板Ｗ上のＤＩＷおよびＳＣ２の混合液が炭酸水によって置換される。
【００７２】
この基板処理では、ＤＩＷリンス処理（Ｓ６）における高純度リンス液供給工程は、ＳＣ２処理（Ｓ５）における薬液供給工程と、炭酸水リンス処理（Ｓ７）における低純度リンス液供給工程との間に実行されている。
次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥処理（Ｓ８）が行われる。
具体的には、第２ノズル１２からの炭酸水の供給が停止される。第２ノズル移動機構２５は、第２ノズル１２を退避位置に退避させる。そして、電動モータ２３は、ＳＣ１処理（Ｓ２）〜炭酸水処理（Ｓ７）の基板Ｗの回転速度よりも速い高回転速度（たとえば５００〜３０００ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の炭酸水に作用し、基板Ｗ上の炭酸水が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから炭酸水が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンベース２１による基板Ｗの回転を停止させる。
【００７３】
その後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（Ｓ９）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。
次に、上述した基板処理において、共通流路６０を介して第２ノズル１２に送液する送液方法について説明する。
【００７４】
図６Ａは、炭酸水リンス処理（図４のＳ３）におけるミキシングバルブユニット６の周辺の模式図である。図６Ａでは、流体が流れている供給路Ｐ６１〜Ｐ６７を、太線を用いて図示している（後述する図６Ｂ〜図６Ｅも同様）。炭酸水リンス処理（Ｓ３）では、共通流路６０を介して第２ノズル１２に炭酸水が供給される。
炭酸水リンス処理（Ｓ３）では、まず、前述したように基板ＷへのＳＣ１の供給が停止される。基板ＷへのＳＣ１の供給を停止するために、ミキシングバルブユニット６では、第１処理液バルブＶ６１が閉じられる。そして、第２流体バルブＶ６４、第３流体バルブＶ６５および第４流体バルブＶ６６が閉じられる。これにより、共通流路６０へのＤＩＷ、アンモニア水および過酸化水素水の供給が停止されるので、第１ノズル１１および基板ＷへのＳＣ１の供給も停止される。
【００７５】
そして、前述したように基板Ｗへの炭酸水の供給が開始される。基板Ｗへの炭酸水の供給を開始するために、ミキシングバルブユニット６では、第１流体バルブＶ６３が開かれる。これにより、第１流体供給路Ｐ６３を介した共通流路６０への炭酸水の供給が開始される（第２の流路低純度リンス液供給工程）。そして、第２処理液バルブＶ６２が開かれた状態を維持することにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２に炭酸水が供給される。その結果、基板Ｗへの炭酸水の供給も開始される。
【００７６】
共通流路６０から第２ノズル１２に炭酸水が供給される前に、共通流路６０に残っていたＳＣ１が炭酸水で置換されてもよい。
具体的には、共通流路６０へ供給される流体がＳＣ１から炭酸水に切り替えられる際、第２処理液バルブＶ６２が開かれるのではなく、排液バルブＶ６８が開かれる。これにより、共通流路６０に残っていたＳＣ１が炭酸水で洗い流される。共通流路６０内のＳＣ１が炭酸水によって置換された後、排液バルブＶ６８が閉じられ、先ほど説明したように第２処理液バルブＶ６２が開かれる。これにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２に炭酸水が送られる。
【００７７】
図６Ｂは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ４）におけるミキシングバルブユニット６の周辺の模式図である。ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）では、共通流路６０を介して第２ノズル１２にＤＩＷが供給される。
ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）では、まず、前述したように基板Ｗへの炭酸水の供給が停止される。基板Ｗへの炭酸水の供給を停止するために、ミキシングバルブユニット６では、第１流体バルブＶ６３が閉じられる。これにより、共通流路６０への炭酸水の供給が停止されるので、第２ノズル１２および基板Ｗへの炭酸水の供給も停止される。
【００７８】
そして、前述したように基板ＷへのＤＩＷの供給が開始される。基板ＷへのＤＩＷの供給を開始するために、ミキシングバルブユニット６では、第２流体バルブＶ６４が開かれる。これにより、第２流体供給路Ｐ６４を介した共通流路６０へのＤＩＷの供給が開始される（第２の流路高純度リンス液供給工程）。そして、第２処理液バルブＶ６２が開かれた状態を維持することにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２にＤＩＷが供給される。その結果、基板ＷへのＤＩＷの供給も開始される。
【００７９】
このとき、共通流路６０内の炭酸水は、ＤＩＷによって、必ずしも完全に置換される必要はない。ＤＩＷが供給される期間は、共通流路６０内の炭酸水の一部がＤＩＷによって置換される程度の期間であってもよい。
逆に、第２ノズル１２にＤＩＷを供給する前に、共通流路６０に残っていた炭酸水がＤＩＷによって完全に置換されていてもよい。具体的には、共通流路６０へ供給する流体が炭酸水からＤＩＷに切り替えられる際、第２処理液バルブＶ６２が開かれた状態が維持されるのではなく、第２処理液バルブＶ６２が一度閉じられ、排液バルブＶ６８が開かれる。これにより、共通流路６０に残っていた炭酸水がＤＩＷで洗い流される。共通流路６０内の炭酸水がＤＩＷによって置換された後、排液バルブＶ６８が閉じられ、第２処理液バルブＶ６２が再び開かれる。これにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２にＤＩＷが供給される。
【００８０】
図６Ｃは、ＳＣ２処理（図４のＳ５）におけるミキシングバルブユニット６の周辺の模式図である。ＳＣ２処理（Ｓ５）では、共通流路６０を介して第２ノズル１２にＳＣ２が供給される。
ＳＣ２処理（Ｓ５）では、まず、前述したように基板ＷへのＤＩＷの供給が停止される。基板ＷへのＤＩＷの供給を停止するために、ミキシングバルブユニット６では、第２流体バルブＶ６４が閉じられる。これにより、共通流路６０へのＤＩＷの供給が停止されるので、第２ノズル１２および基板ＷへのＤＩＷの供給も停止される。
【００８１】
そして、前述したように基板ＷへのＳＣ２の供給が開始される。基板ＷへのＳＣ２の供給を開始するために、ミキシングバルブユニット６では、第４流体バルブＶ６６および第５流体バルブＶ６７が開かれる。これにより、第４流体供給路Ｐ６６を介して共通流路６０に過酸化水素水が供給され、第５流体供給路Ｐ６７を介して共通流路６０に塩酸が供給される。共通流路６０で過酸化水素水と塩酸とが混合される。結果として、共通流路６０へＳＣ２が供給される（流路薬液供給工程，流路酸性水溶液供給工程，流路塩酸含有液供給工程）。そして、第２処理液バルブＶ６２が開かれた状態を維持することにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２にＳＣ２が供給される。その結果、基板ＷへのＳＣ２の供給が開始される。
【００８２】
ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）と同様に、排液バルブＶ６８が開かれることによって、第２ノズル１２にＳＣ２が供給される前に、共通流路６０に残っていたＤＩＷがＳＣ２によって置換されてもよい。
図６Ｄは、ＤＩＷリンス処理（図４のＳ６）におけるミキシングバルブユニット６の周辺の模式図である。ＤＩＷリンス処理（Ｓ６）では、共通流路６０を介して第２ノズル１２にＤＩＷが供給される。
【００８３】
ＤＩＷリンス処理（Ｓ６）では、まず、前述したように基板ＷへのＳＣ２の供給が停止される。基板ＷへのＳＣ２の供給を停止するために、ミキシングバルブユニット６では、第４流体バルブＶ６６および第５流体バルブＶ６７が閉じられる。これにより、共通流路６０への過酸化水素水および塩酸の供給が停止されるので、第２ノズル１２および基板ＷへのＳＣ２の供給も停止される。
【００８４】
そして、前述したように基板ＷへのＤＩＷの供給が開始される。基板ＷへのＤＩＷの供給を開始するために、ミキシングバルブユニット６では、第２流体バルブＶ６４が開かれる。これにより、第２流体供給路Ｐ６４を介した共通流路６０へのＤＩＷの供給が開始される（流路高純度リンス液供給工程）。そして、第２処理液バルブＶ６２が開かれた状態を維持することにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２にＤＩＷが供給される。その結果、基板ＷへのＤＩＷの供給も開始される。
【００８５】
このとき、共通流路６０内のＳＣ２は、ＤＩＷによって、必ずしも完全に置換される必要はない。ＤＩＷが供給される期間は、共通流路６０内のＳＣ２の一部がＤＩＷによって置換される程度の期間であってもよい。
逆に、ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）と同様に、排液バルブＶ６８が開かれることによって、第２ノズル１２にＤＩＷを供給する前に、共通流路６０に残っていたＳＣ２がＤＩＷによって完全に置換されていてもよい。
【００８６】
図６Ｅは、炭酸水リンス処理（図４のＳ７）におけるミキシングバルブユニット６の周辺の模式図である。炭酸水リンス処理（Ｓ７）では、共通流路６０を介して第２ノズル１２に炭酸水が供給される。
炭酸水リンス処理（Ｓ７）では、まず、前述したように基板ＷへのＤＩＷの供給が停止される。基板ＷへのＤＩＷの供給を停止するために、ミキシングバルブユニット６では、第２流体バルブＶ６４が閉じられる。これにより、共通流路６０へのＤＩＷの供給が停止されるので、第２ノズル１２および基板ＷへのＤＩＷの供給も停止される。
【００８７】
そして、前述したように基板Ｗへの炭酸水の供給が開始される。その際、ミキシングバルブユニット６では、第１流体バルブＶ６３が開かれる。これにより、第１流体供給路Ｐ６３を介した共通流路６０への炭酸水の供給が開始される（流路低純度リンス液供給工程）。そして、第２処理液バルブＶ６２が開かれることにより、第２処理液供給路Ｐ６２を介して共通流路６０から第２ノズル１２に炭酸水が供給される。その結果、基板Ｗへの炭酸水の供給も開始される。
【００８８】
ＤＩＷリンス処理（Ｓ４）と同様に、排液バルブＶ６８が開かれることによって、第２ノズル１２に炭酸水を供給する前に、共通流路６０に残っていたＤＩＷが炭酸水によって置換されてもよい。
この実施形態によれば、薬液供給工程と低純度リンス液供給工程との間に高純度リンス工程が実行される。そのため、薬液供給工程において基板Ｗ上に供給された薬液（ＳＣ２）は、低純度リンス液（炭酸水）よりも不純物（有機物）の含有量が少ない高純度リンス液（ＤＩＷ）と、高純度リンス液の後に基板Ｗ上に供給される低純度リンス液（炭酸水）とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００８９】
また、低純度リンス液供給工程の前に実行される高純度リンス液供給工程において、基板Ｗ上の薬液の一部または全部が高純度リンス液によって置換される。これにより、低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板Ｗ上の薬液（ＳＣ２）中のイオン（塩化物イオン）の濃度が、高純度リンス液によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用が低減される。したがって、低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００９０】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
また、この実施形態によれば、薬液供給工程の前に第２の低純度リンス液供給工程が実行され、薬液供給工程と第２の低純度リンス液供給工程との間に第２の高純度リンス液供給工程が実行される。そのため、薬液供給工程の前に基板Ｗの上面をリンス液で洗浄する基板処理では、基板Ｗの上面は、低純度リンス液（炭酸水）よりも不純物（有機物）の含有量が少ない高純度リンス液（ＤＩＷ）と、高純度リンス液の後に基板Ｗ上に供給される低純度リンス液とによって洗浄される。したがって、高純度リンス液のみで基板Ｗの上面を洗浄する基板処理と比較して、基板処理に必要なコストが低減される。
【００９１】
また、薬液供給工程の前に実行される第２の高純度リンス液供給工程において、基板Ｗ上の低純度リンス液（炭酸水）の一部または全部が高純度リンス液によって置換されている。これにより、薬液供給工程が実行される前に、基板Ｗ上のリンス液における不純物（有機物）の量が低減されている。そのため、薬液（ＳＣ２）に含有されるイオン（塩化物イオン）と、低純度リンス液（炭酸水）に含有される不純物との相互作用によって形成される析出物の量が低減される。あるいは、当該析出物の形成を防止することができる。したがって、薬液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００９２】
よって、薬液供給工程の前に基板Ｗの上面をリンス液で洗浄する基板処理において、コストの増大を抑制し、かつ、析出物の発生を抑制または防止することができる。
また、この実施形態によれば、流路薬液供給工程と流路低純度リンス液供給工程との間に流路高純度リンス工程が実行される。そのため、流路薬液供給工程において共通流路６０に供給された薬液（ＳＣ２）は、低純度リンス液（炭酸水）よりも不純物（有機物）の含有量が少ない高純度リンス液（ＤＩＷ）と、高純度リンス液の後に共通流路６０に供給される低純度リンス液（炭酸水）とによって洗い流される。したがって、高純度リンス液のみで薬液を洗い流す送液方法と比較して、必要なコストが低減される。
【００９３】
また、流路低純度リンス液供給工程の前に実行される流路高純度リンス液供給工程によって、共通流路６０内の薬液（ＳＣ２）の一部または全部が高純度リンス液（ＤＩＷ）によって置換される。これにより、流路低純度リンス液供給工程が実行される前に、基板Ｗ上の薬液（ＳＣ２）中のイオン（塩化物イオン）の濃度が、高純度リンス液（ＤＩＷ）によって薄められる。そのため、薬液に含有されるイオンと、低純度リンス液に含有される不純物（有機物）との相互作用が低減される。したがって、流路低純度リンス液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００９４】
よって、コストの増大を抑制し、かつ、薬液とリンス液との混合による析出物の発生を抑制または防止することができる。
また、この実施形態によれば、流路薬液供給工程の前に第２の流路低純度リンス液供給工程が実行され、流路薬液供給工程と第２の流路低純度リンス液供給工程との間に第２の流路高純度リンス液供給工程が実行される。そのため、流路薬液供給工程の前に共通流路６０がリンス液で洗浄される方法において、共通流路６０は、低純度リンス液（炭酸水）よりも不純物（有機物）の含有量が少ない高純度リンス液（ＤＩＷ）と、高純度リンス液の後に基板Ｗ上に供給される低純度リンス液とによって洗浄される。したがって、高純度リンス液のみで共通流路６０を洗浄する送液方法と比較して、必要なコストが低減される。
【００９５】
また、流路薬液供給工程の前に実行される第２の流路高純度リンス液供給工程において、共通流路６０内の低純度リンス液（炭酸水）の一部または全部が高純度リンス液（ＤＩＷ）によって置換されている。これにより、流路薬液供給工程が実行される前に、共通流路６０のリンス液中の不純物（有機物）の量が低減されている。そのため、薬液（ＳＣ２）に含有されるイオン（塩化物イオン）と、低純度リンス液に含有される不純物との相互作用によって形成される析出物の量が低減される。あるいは、当該析出物の形成を防止することができる。したがって、流路薬液供給工程における析出物の形成が抑制または防止される。
【００９６】
よって、流路薬液供給工程の前に共通流路がリンス液で洗浄される方法において、コストの増大を抑制し、かつ、薬液とリンス液との混合による析出物の発生を抑制または防止することができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
【００９７】
たとえば、上述の実施形態における基板処理では、ＳＣ１が、第１ノズル１１から供給され、ＳＣ２、ＤＩＷおよび炭酸水が、第２ノズル１２から供給されるとしたが、これらの処理液は、いずれのノズル１１，１２から基板Ｗに供給されるように構成されていてもよい。これらの処理液は、ノズル１１，１２とは別に設けられたノズルから基板Ｗに供給されるように構成されていてもよい。
【００９８】
上述の実施形態における基板処理では、炭酸水が低純度リンス液であり、ＤＩＷが高純度リンス液であるとした。しかし、上述の実施形態における基板処理とは異なり、不純物を含有するＤＩＷが低純度リンス液として用いられ、当該ＤＩＷよりも含有する不純物の量が少ないＤＩＷが高純度リンス液として用いられてもよい。
この場合、図４の炭酸水リンス処理（Ｓ３）の代わりに、ＤＩＷ（低純度リンス液）によって、基板Ｗ上のＳＣ１を置換するＤＩＷリンス処理が実行される。そして、図４の炭酸水リンス処理（Ｓ７）の代わりに、ＤＩＷ（低純度リンス液）によって、基板Ｗ上のＤＩＷ（高純度リンス液）を置換するＤＩＷリンス処理が実行される。
【００９９】
また、上述の実施形態における基板処理とは異なり、不純物を含有する炭酸水が低純度リンス液として用いられ、当該炭酸水よりも含有する不純物の量が少ない炭酸水が高純度リンス液として用いられてもよい。
この場合、図４のＤＩＷリンス処理（Ｓ４）の代わりに、炭酸水（高純度リンス液）によって炭酸水（低純度リンス液）を置換する炭酸水リンス処理が実行される。そして、図４のＤＩＷリンス処理（Ｓ６）の代わりに、炭酸水（高純度リンス液）によってＳＣ２（薬液）を置換する炭酸水リンス処理が実行される。
【０１００】
また、上述の実施形態における基板処理とは異なり、不純物を含有するＤＩＷが低純度リンス液として用いられ、含有する不純物の量が当該ＤＩＷよりも少ない炭酸水が高純度リンス液として用いられてもよい。
この場合、図４の炭酸水リンス処理（Ｓ３）の代わりに、ＤＩＷ（低純度リンス液）によって、基板Ｗ上のＳＣ１を置換するＤＩＷリンス処理が実行される。そして、図４のＤＩＷリンス処理（Ｓ４）の代わりに、炭酸水（高純度リンス液）によってＤＩＷ（低純度リンス液）を置換する炭酸水リンス処理が実行される。そして、図４のＤＩＷリンス処理（Ｓ６）の代わりに、炭酸水（高純度リンス液）によってＳＣ２（薬液）を置換する炭酸水リンス処理が実行される。そして、図４の炭酸水リンス処理（Ｓ７）の代わりに、ＤＩＷ（低純度リンス液）によって、基板Ｗ上の炭酸水（高純度リンス液）を置換するＤＩＷリンス処理が実行される。
【０１０１】
上述の実施形態における基板処理とは異なり、ＤＩＷや炭酸水とは異なる種類のリンス液（上述の実施形態で列挙したリンス液）が低純度リンス液や高純度リンス液として用いられてもよい。
上述の実施形態における基板処理（図４参照）においてＳＣ１処理（Ｓ２）を実行しない場合、図７に示すように、その後の炭酸水リンス処理（Ｓ３）およびＤＩＷリンス処理（Ｓ４）を実行しなくてもよい。つまり、基板搬入（Ｓ１）の後、ＳＣ２処理（Ｓ５）が実行されてもよい。この場合、ＳＣ２処理（Ｓ５）の開始時には、基板ＷへのＤＩＷや炭酸水の供給が停止されているし、共通流路６０へのＤＩＷや炭酸水の供給も停止されている。
【０１０２】
前述したように、塩析は、薬液が所定の陽イオンを含有する塩基性の水溶液である場合にも起こりうる。上述実施形態における基板処理のようにアンモニウムイオンを含有するＳＣ１（塩基性の水溶液）を用いる場合、図８に示すように、ＳＣ１処理（Ｓ２）と炭酸水リンス処理（Ｓ３）との間にＤＩＷリンス処理（Ｓ１０）が実行されてもよい。
ＤＩＷリンス処理（Ｓ１０）では、基板Ｗの上面にＤＩＷが供給され、これにより、基板Ｗの上面のＳＣ１がＤＩＷによって置換される（高純度リンス液供給工程）。その際、共通流路６０にＤＩＷが供給され、これにより、共通流路６０内のＳＣ１がＤＩＷによって置換される（流路高純度リンス液供給工程）。そして、ＤＩＷリンス処理（Ｓ１０）に続く炭酸水リンス処理（Ｓ３）では、基板Ｗの上面に炭酸水が供給され、基板Ｗの上面のＤＩＷ、または、ＤＩＷおよびＳＣ１の混合液が炭酸水によって置換される（低純度リンス液供給工程）。その際、共通流路６０に炭酸水が供給され、これにより、共通流路６０内のＤＩＷ、または、ＤＩＷおよびＳＣ１の混合液がＤＩＷによって置換される（流路低純度リンス液供給工程）。
【０１０３】
上述の実施形態における基板処理とは異なり、リンス液に含有される不純物と相互作用することによって析出物を形成するイオンを含有する薬液としてＳＣ２やＳＣ１以外の薬液が用いられてもよい。たとえば、硫酸イオンを含有するＳＰＭが酸性の水溶液（薬液）として用いられてもよい。この場合、たとえば、ＳＣ２処理（Ｓ５）の代わりに、一定時間のＤＩＷリンス処理（Ｓ４）の後、基板Ｗの上面にＳＰＭを供給することによって基板Ｗの上面をＳＰＭによって処理するＳＰＭ処理が実行される（薬液供給工程、酸性水溶液供給工程）。この場合、塩酸供給源７４の代わりに、硫酸供給源を設ける必要がある。
【０１０４】
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１      ：基板処理装置
３      ：制御装置
１１    ：第１ノズル（ノズル、薬液供給ユニット、低純度リンス液供給ユニット、高純度リンス液供給ユニット）
１２    ：第２ノズル（ノズル、薬液供給ユニット、低純度リンス液供給ユニット、高純度リンス液供給ユニット）
６０    ：共通流路
Ｐ６１  ：第１処理液供給路（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット、低純度リンス液供給ユニット、炭酸含有液供給ユニット、高純度リンス液供給ユニット）
Ｐ６２  ：第２処理液供給路（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット、低純度リンス液供給ユニット、炭酸含有液供給ユニット、高純度リンス液供給ユニット）
Ｐ６３  ：第１流体供給路（低純度リンス液供給ユニット、炭酸含有液供給ユニット）
Ｐ６４  ：第２流体供給路（高純度リンス液供給ユニット）
Ｐ６５  ：第３流体供給路
Ｐ６６  ：第４流体供給路（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット）
Ｐ６７  ：第５流体供給路（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット）
Ｖ６１  ：第１処理液バルブ
Ｖ６２  ：第２処理液バルブ（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット、低純度リンス液供給ユニット、炭酸含有液供給ユニット、高純度リンス液供給ユニット）
Ｖ６３  ：第１流体バルブ（低純度リンス液供給ユニット、炭酸含有液供給ユニット、低純度リンス液バルブ）
Ｖ６４  ：第２流体バルブ（高純度リンス液供給ユニット、高純度リンス液バルブ）
Ｖ６５  ：第３流体バルブ
Ｖ６６  ：第４流体バルブ（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット、薬液バルブ）
Ｖ６７  ：第５流体バルブ（薬液供給ユニット、酸性水溶液供給ユニット、薬液バルブ）
Ｗ      ：基板
【図１】
2018101670.tif 000003
【図２】
2018101670.tif 000004
【図３】
2018101670.tif 000005
【図４】
2018101670.tif 000006
【図５Ａ】
2018101670.tif 000007
【図５Ｂ】
2018101670.tif 000008
【図５Ｃ】
2018101670.tif 000009
【図５Ｄ】
2018101670.tif 000010
【図５Ｅ】
2018101670.tif 000011
【図６Ａ】
2018101670.tif 000012
【図６Ｂ】
2018101670.tif 000013
【図６Ｃ】
2018101670.tif 000014
【図６Ｄ】
2018101670.tif 000015
【図６Ｅ】
2018101670.tif 000016
【図７】
2018101670.tif 000017
【図８】
2018101670.tif 000018