(57)【要約】【課題】内燃機関の点火コイルに流れる電流を制御するＩＧＢＴの長時間に亘る異常動作から点火コイルの性能劣化を防ぐことのできる簡易な構成の内燃機関用点火装置を提供する。【解決手段】ＩＧＢＴに流れる電流に応じてＩＧＢＴのゲート電圧を制御してＩＧＢＴに流れる電流を制限する電流制限回路と、この電流制限回路による電流制限時にＩＧＢＴのコレクタ電圧から生成した補助電圧をＩＧＢＴのゲート電圧に加えてＩＧＢＴに流れる電流の振動を抑制する波形整形回路と、更に電流制限回路による電流制限時に波形整形回路が生成した補助電圧を抵抗分割して中間電圧を求め、この中間電圧に従って前記ＩＧＢＴに流れる電流を増加させてＩＧＢＴの発熱を抑制する発熱抑制回路とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の点火コイルに流れる電流を制御するパワー半導体デバイスと、
このパワー半導体デバイスに流れる電流に応じて前記パワー半導体デバイスの制御電極に加える制御電圧を制御して前記パワー半導体デバイスに流れる電流を制限する電流制限回路と、
この電流制限回路による電流制限時に前記パワー半導体デバイスの主電極に加わる電圧から生成した補助電圧を前記パワー半導体デバイスの前記制御電極に加えて前記パワー半導体デバイスに流れる電流の振動を抑制する波形整形回路と、
前記電流制限回路による電流制限時に前記補助電圧を抵抗分割して中間電圧を求め、この中間電圧に従って前記パワー半導体デバイスの発熱を抑制する発熱抑制回路と
を具備する内燃機関用点火装置。
【請求項２】
前記パワー半導体デバイスは、前記主電極をコレクタとし前記制御電極をゲートとするＩＧＢＴである請求項１に記載の内燃機関用点火装置。
【請求項３】
前記発熱抑制回路は、前記補助電圧に従って前記電流制限回路における電圧閾値を高めるように構成される請求項１に記載の内燃機関用点火装置。
【請求項４】
前記発熱抑制回路は、前記中間電圧を前記パワー半導体デバイスの制御電極に印加する制御電圧に重畳するように構成される請求項１に記載の内燃機関用点火装置。
【請求項５】
前記パワー半導体デバイスの温度を検出し、検出した温度値が第1の過熱保護温度閾値に達したときに前記パワー半導体デバイスの制御電圧を増加させて該パワー半導体デバイスの発熱温度を抑える過熱検出回路を備える請求項１に記載の内燃機関用点火装置。
【請求項６】
前記過熱検出回路は、前記パワー半導体デバイスの温度値が、該パワー半導体デバイスの通常動作時における前記第１の過熱保護温度閾値よりも低く設定された第２の過熱保護温度閾値を備える請求項５に記載の内燃機関用点火装置。
【請求項７】
前記過熱検出回路は、前記パワー半導体デバイスの温度値が前記第２の過熱保護温度閾値を超えたとき、前記発熱抑制回路における電圧閾値を高めるように構成される請求項６に記載の内燃機関用点火装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、点火コイルに流れる電流を制御するパワー半導体デバイス、例えば絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）の長時間に亘る異常動作から点火コイルの性能劣化を防ぐことのできる簡易な構成の内燃機関用点火装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
内燃機関を点火制御する内燃機関用点火装置（イグナイタ）１、例えば図３に示すようにエンジン制御装置（ＥＣＵ）２から与えられる制御信号に従って内燃機関の点火コイル３に流れる電流を制御するパワー半導体デバイス４を備えて構成される。このパワー半導体デバイス４としては、専ら、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）が用いられる。ちなみにＩＧＢＴ４は、点火コイル３の一次側コイルに直列に接続して設けられ、一次側コイルに流れる電流をオン・オフすることで、点火コイル３の二次側コイルに高電圧を誘起する役割を担う。
【０００３】
またこの種の内燃機関用点火装置１は、図３に示すようにＩＧＢＴ４のエミッタに直列接続されたシャント抵抗ＲＳを備える。このシャント抵抗ＲＳは、その両端間にＩＧＢＴ４に流れる電流に相当する電圧を電流検出電圧値Ｖisとして検出する。ＩＧＢＴ４に流れる電流を制御する電流制限回路５は、シャント抵抗ＲＳにより検出された電流検出電圧値Ｖisと、定電圧源５ａにより設定された電圧閾値Ｖrefとの電圧差が０（零）となるようにＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeを制御する演算増幅器５ｂを備える。具体的には演算増幅器５ｂは、ＩＧＢＴ４のゲートと接地端子との間に接続されたＮ型のＭＯＳ-ＦＥＴ６のゲート電圧を制御し、ＭＯＳ-ＦＥＴ６のソース・ドレイン間電圧を制御することによってＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeを制御する。この電流制限回路５によるＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeの制御により、ＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcが一定化される。
【０００４】
また内燃機関用点火装置１は、過熱検出回路７を備える。この過熱検出回路７はＩＧＢＴ４の温度が所定の温度を超えたとき、例えばＭＯＳ-ＦＥＴ８をオンさせることでＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeを接地電位（０Ｖ）に設定する。するとＭＯＳ-ＦＥＴ８のオン動作によってＩＧＢＴ４が強制的にオフされ、これによってＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcが遮断される。そしてＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcの遮断により、ＩＧＢＴ４の異常発熱（過熱）が防止される。尚、図３においてＲinはエンジン制御装置（ＥＣＵ）２から与えられる制御信号が印加される入力抵抗であり、ＺＤは制御信号を一定電圧にクランプしてＩＧＢＴ４のゲートに印加するツェナー・ダイオードである。
【０００５】
このような電流制限回路５および過熱検出回路７を備えてＩＧＢＴ４の過熱を防止する内燃機関用点火装置１については、例えば特許文献１に詳しく紹介される通りである。
【０００６】
ところで図３に示す内燃機関用点火装置１は、前述した電流制限回路５および過熱検出回路７に加えて、更に波形整形回路９を備える。この波形整形回路９は、電流制限回路５による電流制限動作の開始時に跳ね上がるＩＧＢＴ４のコレクタ・エミッタ間電圧（以下、コレクタ電圧と称する）Ｖceから補助電圧Ｖ１を生成する。そして波形整形回路９は、補助電圧Ｖ１をＩＧＢＴのゲート電圧に加えることでＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcの位相遅れに起因するＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの振動（電圧振動）を抑制する役割を担う。
【０００７】
具体的には波形整形回路９は、例えばそのコレクタをＩＧＢＴ４のコレクタに接続し、ダイオードＤを逆方向に介してそのエミッタとゲートとを接地したＩＧＢＴ９ａを備える。そして波形整形回路９は、ＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceに応じてＩＧＢＴ９ａのエミッタに生起される補助電圧Ｖ１を、抵抗Ｒ１を介してＩＧＢＴ４のゲートに印加するように構成される。
【０００８】
波形整形回路９は、補助電圧Ｖ１をＩＧＢＴ４のゲート電圧に加えることで、ＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの跳ね上がりに応じてＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを増加させる。この結果、電流制限動作の開始時におけるＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの跳ね上がりが抑制される。換言すれば電流制限回路５による電流制限動作の開始時におけるＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcの位相遅れに起因するＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの振動が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３３２０２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところでＩＧＢＴ４には、内燃機関用点火装置１の通常動作時における諸特性（動作仕様）を満たすスイッチング特性やコレクタ・エミッタ耐圧を有することが求められる。また内燃機関用点火装置１は、例えばＩＧＢＴ４が異常に発熱した場合、過熱検出回路７によりＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを強制的に遮断し、或いは減少させる。そして点火コイル３の異常点火等の不具合を未然に防ぐものとなっている。これ故、ＩＧＢＴ４には上述した特性に加えて、更に異常時にコレクタ・エミッタ間に加わる急峻なサージ電圧や逆電圧に耐え得る破壊耐量を有することが要求される。しかしこれらの要求の全て満たすＩＧＢＴ４は、その素子面積の大きい高価なものとならざるを得ない。
【００１１】
一方、ＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを制限する電流制限回路５や過熱検出回路７は、数ミリ秒程度の短時間の瞬時的な異常に対する保護機能として有効である。しかし、例えば１０ミリ秒以上に及ぶ長時間の異常発生時に上述した電流制限制御を実行すると、これに起因してＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceが高くなる。
【００１２】
ここで図４(ａ)は電流制限したときのＩＧＢＴ４をオン・オフするゲート電圧Ｖgeに対するコレクタ電圧Ｖce、コレクタ電流Ｉc、電力損失Ｗの変化を示している。また図４(ｂ)は電流制限しないときのＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖce、コレクタ電流Ｉc、電力損失Ｗの変化を図４(ａ)に対比して示している。これらの図４(ａ), (ｂ)に示すように電流制限したときのＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceは、電流制限しないときのコレクタ電圧Ｖceよりも高くなり、また発熱を伴うＩＧＢＴ４での電力損失Ｗも大きくなる。
【００１３】
この為、例えば電流制限動作する条件下でＩＧＢＴ４の長時間通電が発生すると、電流制限しない通常動作時におけるＩＧＢＴ４の発熱量に比較して数倍〜数十倍の発熱が生じる。するとＩＧＢＴ４の過大な発熱量に起因する高温化によって、例えば内燃機関用点火装置１の劣化や破壊を招来する恐れがある。このような大きな発熱量に対処するにはＩＧＢＴ４の素子面積を十分に大きくする必要があり、内燃機関用点火装置１の大型化・高価格化の原因となる。
【００１４】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、ＩＧＢＴの長時間に亘る異常動作時におけるＩＧＢＴの不本意な発熱を抑え、発熱に起因する高温化によるＩＧＢＴや点火コイル等の性能劣化を防ぐことのできる簡易な構成の内燃機関用点火装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る内燃機関用点火装置は、基本的には
内燃機関の点火コイルに流れる電流をオン・オフ制御するパワー半導体デバイス、例えばＩＧＢＴと、
このＩＧＢＴに流れる電流に応じて前記ＩＧＢＴのゲート電圧を制御して前記ＩＧＢＴに流れる電流を制限する電流制限回路と、
この電流制限回路による電流制限時に、例えば前記ＩＧＢＴのコレクタ電圧から生成した補助電圧を前記ＩＧＢＴのゲート電圧に加えて前記ＩＧＢＴに流れる電流の振動を抑制する波形整形回路とを備えて構成される。
【００１６】
特に本発明に係る内燃機関用点火装置は、上述した目的を達成するべく、
前記電流制限回路による電流制限時に前記補助電圧を抵抗分割して中間電圧を求め、この中間電圧に従って前記ＩＧＢＴに流れる電流を増加させて前記ＩＧＢＴの発熱を抑制する発熱抑制回路を備えたことを特徴としている。
【００１７】
ちなみに前記電流制限回路は、例えば前記ＩＧＢＴのエミッタに直列接続されたシャント抵抗に生起される電流検出電圧値と所定の電圧閾値との電圧差が０（零）となるように前記ＩＧＢＴのゲート電圧を制御する増幅器を備えて構成される。また前記発熱抑制回路は、前記補助電圧に従って前記電流制限回路における電圧閾値を高めるように構成される。或いは前記発熱抑制回路は、例えば前記中間電圧を前記ＩＧＢＴのゲート電圧に加えることで該ゲート電圧を所定電圧だけプルアップするように構成される。
【００１８】
更に発明に係る内燃機関用点火装置は、前記ＩＧＢＴのゲート電圧を増加させて該ＩＧＢＴの発熱温度を抑える過熱検出回路を備えることを特徴としている。
【００１９】
ここで前記過熱検出回路は、例えば前記ＩＧＢＴの温度値が、該ＩＧＢＴの通常動作時における前記過熱保護温度閾値よりも低く設定された第２の過熱保護温度閾値を超えたとき、前記発熱抑制回路を用いて前記ＩＧＢＴに流れる電流を増大させるように構成される。具体的には前記過熱検出回路は、前記ＩＧＢＴの温度値が前記第２の過熱保護温度閾値を超えたとき、前記発熱抑制回路における電圧閾値を高めて前記ＩＧＢＴに流れる電流を増大させるように構成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る内燃機関用点火装置は、前記補助電圧を抵抗分割して求めた中間電圧に従って前記ＩＧＢＴに流れる電流を増加させて前記ＩＧＢＴの発熱を抑制する発熱抑制回路を備える。そして前記電流制限回路による電流制限時であっても前記ＩＧＢＴの異常動作が長時間に亘る場合には、前記発熱抑制回路により前記ＩＧＢＴに流れる電流を増加させる。この結果、電流制限時における前記ＩＧＢＴの発熱を抑えることができ、ＩＧＢＴの発熱に伴う点火コイルの性能劣化を防ぐことができる。
【００２１】
特に前記発熱抑制回路は、前記中間電圧に従って前記電流制限回路における電圧閾値を高めて、或いは前記ＩＧＢＴのゲート電圧を高めて前記ＩＧＢＴに流れる電流を大きくするだけである。従って簡単な構成により前記ＩＧＢＴの異常動作が長時間に亘る場合における前記ＩＧＢＴの発熱を効果的に抑えることができる。
【００２２】
また前記ＩＧＢＴの温度に応じて前記ＩＧＢＴの発熱温度を抑える過熱検出回路を備える場合においても、前記ＩＧＢＴの温度が通常動作時における過熱保護温度閾値よりも低く設定された第２の過熱保護温度閾値を超えたときに前記ＩＧＢＴのゲート電圧を増加させるだけで良い。従って前記ＩＧＢＴの温度が瞬時的に過熱保護温度閾値を超えたときだけでなく、前記ＩＧＢＴの温度が第２の過熱保護温度閾値を超えたときにも前記ＩＧＢＴに流れる電流を低下させ、その発熱を抑えることができる。従って前記ＩＧＢＴの長時間に亘る異常動作が生じた場合でも、前記ＩＧＢＴの不本意な過熱を効果的に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る内燃機関用点火装置の全体構成を示す概略構成図。
【図２】本発明の別の実施形態に係る内燃機関用点火装置の全体構成を示す概略構成図。
【図３】従来の内燃機関用点火装置の全体構成の一例を示す概略構成図。
【図４】電流制限したときのＩＧＢＴの動作特性と電流制限しないときのＩＧＢＴの動作特性とを対比して示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る内燃機関用点火装置について説明する。
【００２５】
図１は本発明の一実施形態に係る内燃機関用点火装置１０の全体構成を示す図で、図３に示した従来の内燃機関用点火装置１と同一部分には同一符号を付して示してある。尚、従来の内燃機関用点火装置１と同一部分については、その詳細な説明を省略する。
【００２６】
この実施形態に係る内燃機関用点火装置１０は、従来の内燃機関用点火装置１の構成に加えて、例えば１０ミリ秒以上に及ぶ長時間の異常発生に対処する為の発熱抑制回路１１を備えたことを特徴としている。この発熱抑制回路１１は、電流制限回路５によりＩＧＢＴ４に流れる電流が制限されている状態（電流制限動作時）において、ＩＧＢＴ４に流れる電流を増加させることでＩＧＢＴの発熱を抑制する役割を担う。
【００２７】
具体的には発熱抑制回路１１は、ＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceに応じて波形整形回路９が生成した補助電圧Ｖ１を、具体的にはＩＧＢＴ９ａのエミッタ電圧を抵抗分割して中間電圧Ｖ２を求める抵抗Ｒ２,Ｒ３を備える。更に発熱抑制回路１１は、抵抗Ｒ２,Ｒ３を介して求められた中間電圧Ｖ２に従って定電圧源５ａにより設定される電圧閾値Ｖrefを高めるＭＯＳ-ＦＥＴスイッチ１２を備える。このＭＯＳ-ＦＥＴスイッチ１２は、ＭＯＳ-ＦＥＴのゲート・ソース間を接続することでダイオード動作し、定電圧源５ａが生成して出力する一定電圧に中間電圧Ｖ２を加算することで、演算増幅器５ｂに与える電圧閾値Ｖrefを高める役割を担う。
【００２８】
発熱抑制回路１１は、このようにして電流制限回路５における電圧閾値Ｖrefを高めることで電流制限動作時におけるＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeを高め、これによってＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを増加させる。するとＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcの増加に伴ってＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceが低下する。ちなみにＩＧＢＴ４の発熱量は、ＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcよりも、そのコレクタ電圧Ｖceに大きく依存する。
【００２９】
従って電流制限回路５による電流制限時にＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceに応じてＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを増加させることで、ＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceを低下させることができる。この結果、長時間に亘るＩＧＢＴ４の異常なオン動作時におけるＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceを低く抑えることができるので、ＩＧＢＴ４の発熱量を効果的に抑制することが可能となる。
【００３０】
また発熱抑制回路１１は、ＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeよりもコレクタ電圧Ｖceが高く、これによって波形整形回路９が補助電圧Ｖｌを生成しているときにだけ動作する。換言すれば異常発生時に電流制限回路５がＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを制限しているときにだけ発熱抑制回路１１が有効に機能する。従って発熱抑制回路１１の存在は制御信号に従ってＩＧＢＴ４をオン・オフ駆動している通常動作に何等の悪影響を及ぼすことがない。
【００３１】
しかも発熱抑制回路１１は、上述したように非常に簡単な構成であり、従来の内燃機関用点火装置１に比較して内燃機関用点火装置１０の構成の徒な複雑化・大規模化を招くものでもない。それにも増して発熱抑制回路１１は、長時間に亘る異常動作を含めてＩＧＢＴ４に要求される仕様を大幅に緩和することができる。従って本発明によれば、通常動作と瞬時的な異常動作に対処し得る耐圧特性を持つ適度な大きさのＩＧＢＴ４を用いることができる。この結果、簡易な構成の内燃機関用点火装置１０を安価に実現することが可能となる。
【００３２】
図２は本発明の別の実施形態に係る内燃機関用点火装置２０の概略構成図である。尚、図３に示す従来の内燃機関用点火装置１、および図１に示して内燃機関用点火装置１０と同一な部分には同一符号を付して示してある。
【００３３】
この内燃機関用点火装置２０が特徴とするところは、発熱抑制回路１１におけるＭＯＳ-ＦＥＴスイッチ１２と並列にＭＯＳ-ＦＥＴ１３を備える点にある。このＭＯＳ-ＦＥＴ１３は、過熱検出回路７から得られる温度情報、具体的には過熱検出回路７がＭＯＳ-ＦＥＴ８をオンする温度閾値よりも低く設定された温度閾値にＩＧＢＴ４の温度が達したときにオン駆動される。
【００３４】
このＭＯＳ-ＦＥＴ１３は、そのオン動作時に中間電圧Ｖ２に応じて電流制限回路５における定電圧源５ａが生成している一定電圧に、中間電圧Ｖ２を加算する役割を担う。このＭＯＳ-ＦＥＴ１３のオン動作により、演算増幅器５ｂに与える電圧閾値Ｖrefに中間電圧Ｖ２が加算され、ＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖge が高められる。この結果、電流制限回路５によりＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを制限している状態において、ＩＧＢＴ４のゲート電圧Ｖgeの高めることでＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを増やすことができる。従ってＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcの制限下においてＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを増やすことができ、ＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの上昇を抑えてＩＧＢＴ４の異常な発熱を抑えることができる。
【００３５】
従って図２に示す内燃機関用点火装置２０によれば、電流制限回路５によりＩＧＢＴ４に流れる電流を制限している状態において、その異常状態が長時間に及ぶ場合であっても過熱検出回路７から求められる温度情報に基づいてＩＧＢＴ４の異常な発熱を抑えることができる。即ち、ＩＧＢＴ４の温度が、ＩＧＢＴ４を強制的にオフする過熱検出回路７の温度閾値に達する前に過熱検出回路７が求めたＩＧＢＴ４の温度に従ってＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを制限することができる。この結果、電流制限動作時におけるＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの不本意な高まりを抑えることができる。
【００３６】
即ち、内燃機関用点火装置２０によれば、通常動作状態においてＩＧＢＴ４の温度が過熱検出回路７が動作する温度閾値に達する前に発熱抑制回路１１の下でＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを抑制することができる。特に通常動作状態においてＩＧＢＴ４の温度が所定の温度閾値よりも低く設定された第２の温度閾値に達したときからＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを、中間電圧Ｖ２に基づいて抑制することができる。従って過電流検出時におけるＩＧＢＴ４のコレクタ電圧Ｖceの不本意な上昇が生じる前に、ＩＧＢＴ４の温度上昇を防ぐことができる。この結果、ＩＧＢＴ４の不本意なオン動作が長時間に及ぶ場合であっても、ＩＧＢＴ４の発熱に伴う点火コイル３等の性能劣化や破損を効果的に防ぐことが可能となる。従って前述した実施形態と様な効果が奏せられる。
【００３７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば発熱抑制回路１１によるＩＧＢＴ４に流れる電流Ｉcを低減する場合、前述した中間電圧Ｖ２をＩＧＢＴ４のゲート電圧に直接的に加算することも可能である。また過熱検出回路７は、一般的には、例えば直列に接続された複数のダイオードを備え、これらのダイオードのカソードからＩＧＢＴ４の温度に応じた（比例した）温度情報を出力するように構成される。
【００３８】
従って発熱抑制回路１１においては、過熱検出回路７において求められる複数の温度情報をＩＧＢ４の温度情報として用いてＭＯＳ-ＦＥＴ１３の動作を制御するように構成すれば十分である。例えば過熱検出回路７がＩＧＢＴ４の温度が２００℃を超えたときに動作するものとすれば、発熱抑制回路１１はＩＧＢＴ４の温度が１７０℃を超えたときに動作するように構成すれば十分である。またパワー半導体デバイスとして、例えばパワーＭＯＳ-ＦＥＴを用いる場合にも同様に適用することができる。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１,１０,２０  内燃機関用点火装置（イグナイタ）
２  エンジン制御装置（ＥＣＵ）
３  点火コイル３
４  パワー半導体デバイス（ＩＧＢＴ）
５  電流制限回路
５ａ  定電圧源（Ｖref）
５ｂ  演算増幅器
６  ＭＯＳ-ＦＥＴ
７  過熱検出回路
８  ＭＯＳ-ＦＥＴ
９  波形整形回路
９ａ  ＩＧＢＴ
１１  発熱抑制回路
１２  ＭＯＳ-ＦＥＴスイッチ
Ｒin  入力抵抗
ＺＤ  ツェナー・ダイオード
ＲＳ  シャント抵抗
Ｄ  ダイオード
Ｒ１.Ｒ２,Ｒ３  抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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