(57)【要約】【課題】回転しているウエハにノズルから処理液を供給してエッチングを行うにあたって、ウエハの表面のエッチング量の面内均一性を高める技術を提供すること。【解決手段】回転するウエハＷに処理液を供給してエッチングを行うにあたって、ウエハＷの中心にエッチング液を供給できる位置Ｐ１と、ウエハＷの周縁側の位置Ｐ２との間をエッチング液を吐出しながら移動する主ノズル部４０ａと、ウエハＷの周縁側の位置Ｐ３に向けてエッチング液を吐出する副ノズル部４０ｂを設けている。さらにウエハＷの半径方向複数個所に処理液を吐出する補助ノズル部４０ｃを設け、主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂから吐出する各エッチング液によるウエハＷの面内のエッチング量の不均一性を補償するようにしている。【選択図】図５
2018182262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持するための基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、
前記基板保持部に保持され、前記回転機構により回転する基板に処理液を吐出したときに吐出された処理液が基板の中心に広がることができる吐出位置である第１位置と当該第１位置よりも基板の周縁側の第２位置との間で処理液を吐出しながら移動する主ノズルと、
前記第１位置に対応する処理液の吐出位置よりも基板の周縁側に処理液を吐出するために第３位置に位置する副ノズルと、
前記主ノズル及び副ノズルからの各処理液を供給したときの基板面内のエッチング量の分布に基づいて、基板面内のエッチング量の分布の不均一性を補償するために、基板の半径方向において互いに異なる複数位置に処理液を吐出するための補助ノズルと、を備えたことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
前記互いに異なる複数位置は、基板の中心を中心とする前記第１の位置を通る円と、基板の中心を中心とする前記第３の位置を通る円と、の間であることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記補助ノズルは、前記第１位置に対応する処理液の吐出位置よりも基板の周縁側に処理液を吐出する第４位置と、当該第４位置よりも基板の周縁側の第５位置との間で移動し、停止した状態で処理液を吐出することを特徴とする請求項１または２に記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記補助ノズルの停止位置は、前記第４位置、第５位置、及びこれらの位置の間の位置であることを特徴とする請求項３に記載のエッチング装置。
【請求項５】
前記主ノズル及び副ノズルを使用し、前記補助ノズルを使用しないときの基板面内のエッチング量の分布と、目標とするエッチング量の分布と、の差分が、前記補助ノズル単独で各停止位置で処理液を吐出したときの基板面内の各エッチング量の分布の合計となるように、決められた前記補助ノズルの停止位置を記憶するパラメータ記憶部を備え、この停止位置メモリから読み出された前記停止位置に基づいて制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項３または４に記載のエッチング装置。
【請求項６】
前記主ノズルは、第１位置と第２位置との間で複数回往復し、
前記第１位置は、各回毎に異なることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のエッチング装置
【請求項７】
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる工程と、
主ノズルを、前記基板保持部に保持、前記回転機構により回転する基板に処理液を吐出したときに吐出された処理液が基板の中心に広がることができる吐出位置である第１位置と当該第１位置よりも基板の周縁側の第２位置との間で処理液を吐出しながら往復移動させる工程と、
副ノズルにより、前記第１位置に対応する処理液の吐出位置よりも基板の周縁側の第３位置に処理液を吐出する工程と、
補助ノズルにより、前記主ノズル及び副ノズルからの各処理液を供給したときの基板面内のエッチング量の分布に基づいて、基板面内のエッチング量の分布の不均一性を補償するために、基板の半径方向において互いに異なる複数位置に処理液を吐出する工程と、含むことを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
基板にノズルから処理液を吐出してエッチング処理を行うエッチング装置に用いられるソフトウェアを格納した記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、請求項７に記載されたエッチング方法を実行するステップ群を実行するプログラムを含むことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持部に保持された基板を回転させながらノズルから処理液を供給してエッチングを行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に対する液処理として、エッチング液を供給してエッチングする処理、洗浄液を供給して洗浄する処理、メッキ液や絶縁膜の前駆体を含む液を供給して塗布膜を形成する処理などが知られている。このような液処理を行う手法の一つとして、基板保持部に基板を保持して回転させ、ノズルから基板の中心部に処理液を供給し、基板の遠心力により処理液を基板の表面全体に広げる手法が知られている。
【０００３】
ウエハに液処理を行うにあたって、液処理の種別によっては、ウエハの表面の温度分布により処理に影響が及ぶ場合があり、例えばウエハにエッチング液を供給してエッチングを行うエッチング装置においては、ウエハの温度分布によりエッチング速度に差が生じてしまい、ウエハの面内で処理が不均一になってしまうおそれがある。
【０００４】
回転するウエハの中心部に向けてエッチング液を供給して、ウエハにエッチングを行う場合に、エッチング液はウエハの表面を中心側から周縁に向かって広がるときに徐々に温度が下がる。そのためウエハの表面においてウエハＷの中心側の領域のエッチング速度が周縁側のエッチング速度よりも速くなってしまい、ウエハＷのエッチング量の面内均一性が悪くなる問題があった。このような問題を解決するため、特許文献１に記載されているようにウエハの中心側とウエハの周縁側とに各々エッチング液を供給し、ウエハＷの表面において、エッチング液の温度を面内で均一にしていた。しかしながら近年の半導体装置の微細化、高集積化によって、エッチング量の面内均一性を更に改善する技術が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１０３６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、回転している基板にノズルから処理液を供給してエッチング処理を行うにあたって、基板のエッチング量の面内均一性を向上することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエッチング装置は、基板を水平に保持するための基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、
前記基板保持部に保持され、前記回転機構により回転する基板に処理液を吐出したときに吐出された処理液が基板の中心に広がることができる吐出位置である第１位置と当該第１位置よりも基板の周縁側の第２位置との間で処理液を吐出しながら移動する主ノズルと、
前記第１位置に対応する処理液の吐出位置よりも基板の周縁側に処理液を吐出するために第３位置に位置する副ノズルと、
前記主ノズル及び副ノズルからの各処理液を供給したときの基板面内のエッチング量の分布に基づいて、基板面内のエッチング量の分布の不均一性を補償するために、基板の半径方向において互いに異なる複数位置に処理液を吐出するための補助ノズルと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明のエッチング方法は、基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる工程と、
主ノズルを、前記基板保持部に保持、前記回転機構により回転する基板に処理液を吐出したときに吐出された処理液が基板の中心に広がることができる吐出位置である第１位置と当該第１位置よりも基板の周縁側の第２位置との間で処理液を吐出しながら往復移動させる工程と、
副ノズルにより、前記第１位置に対応する処理液の吐出位置よりも基板の周縁側の第３位置に処理液を吐出する工程と、
補助ノズルにより、前記主ノズル及び副ノズルからの各処理液を供給したときの基板面内のエッチング量の分布に基づいて、基板面内のエッチング量の分布の不均一性を補償するために、基板の半径方向において互いに異なる複数位置に処理液を吐出する工程と、含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の記憶媒体は、基板にノズルから処理液を吐出してエッチング処理を行うエッチング装置に用いられるソフトウェアを格納した記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、上述のエッチング方法のステップ群を実行するプログラムを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、回転する基板にノズルから処理液を供給してエッチング処理を行うにあたって、基板の中心を含む第１位置と第１位置よりも基板の周縁側の第２位置との間を処理液を吐出しながら移動する主ノズルと、第１位置よりも基板の周縁側の第３位置に向けて処理液を吐出する副ノズルと、を設けている。さらに基板の半径方向複数個所に処理液を吐出する補助ノズルを設け、主ノズル及び副ノズルから吐出する各処理液による基板面内のエッチング量の分布に基づいて、基板面内のエッチング量の分布の不均一性を補償するようにしている。そのため基板のエッチング量の面内均一性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る処理ユニットを備えた基板処理システムの概要を示す平面図である。
【図２】前記処理ユニットの概要を示す縦断側面図である。
【図３】保持部に保持されたウエハの近傍領域の拡大図である。
【図４】前記処理ユニットを上面側から見た平面図である。
【図５】主ノズル部、副ノズル部及び補助ノズル部から吐出されるエッチング液の吐出位置を示す説明図である
【図６】処理ユニットに設けられるユニット制御部を示す構成図である。
【図７】主ノズル部及び副ノズル部各々によるウエハのエッチング量の面内分布を示す特性図である。
【図８】主ノズル部及び副ノズル部を用いてエッチングをしたときのウエハのエッチング量の面内分布を示す特性図である。
【図９】補助ノズル部によるウエハのエッチング量の面内分布を示す特性図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る処理ユニットの作用を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る処理ユニットの作用を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る処理ユニットの作用を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態の他の例における主ノズル部の移動を説明する説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態の他の例における主ノズル部の移動を説明する説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態の他の例における主ノズル部の移動を説明する説明図である。
【図１６】実施例１〜３、比較例及び参考例におけるウエハのエッチング量の面内分布を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１４】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１５】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１６】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１７】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１８】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１９】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２０】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２１】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２２】
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２３】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２４】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２５】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。
【００２６】
処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００２７】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００２８】
以上に概略構成を説明した処理ユニット１６は、本発明の実施の形態のエッチング装置に相当する。以下図３〜図６を参照しながら前記処理ユニット１６を半導体装置の配線工程にて直径３００ｍｍウエハＷの表面に形成されたメタル膜に有機系のエッチング液を供給して不溶なメタルの剥離及び異物の除去を行うエッチングユニットとして構成された場合を例に説明する。なお実施の形態においては、ウエハＷは上方から見て時計回り方向に回転するものとして説明する。また図４、図５において回収カップ５０は省略した。
【００２９】
処理ユニット１６は、保持部３１に保持されたウエハＷの全面にエッチング液を供給するための主ノズル部４０ａと、ウエハＷの周縁に向けてエッチング液を供給する副ノズル部４０ｂと、を備えている。さらに主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂから供給されるエッチング液によりウエハＷのエッチングを行ったときにウエハＷの表面において温度が低くなり、エッチング量が少なくなる部位に向けてエッチング液を補充供給するための補助ノズル部４０ｃが設けられている。
【００３０】
主ノズル部４０ａは図３、図４に示すように共通のノズルヘッド４１Ａに、ウエハＷに向けてエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ａと、ＤＩＷ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）などのリンス液を供給するリンスノズル４１２Ａと、がノズルヘッド４１Ａの下面に並べて配置されている。図３に示すようにこれらのノズル４１１Ａ、４１２Ａは、下方側へ向けて各処理液（エッチング液、リンス液）を直線状に吐出する（副ノズル部４０ｂにおいても同じ）。この例では、エッチングノズル４１１Ａが、エッチング液を処理液としたときの主ノズルに相当する。
【００３１】
図４に示すようにノズルヘッド４１Ａはエッチングノズル４１１Ａとリンスノズル４１２Ａとが並ぶ方向と直交する方向に向かい、ウエハＷの表面に沿って伸びるノズルアーム４２Ａの先端部に設けられている。ノズルアーム４２Ａの基端側は、回収カップ５０の外部にて、上方に向けて伸びる回転軸４３Ａの先端に固定されている。回転軸４３Ａの基端側は、回転軸４３Ａを鉛直軸周りに回動させる回転機構４４を介して、チャンバ２０の底面に固定されており、回転軸４３Ａを回転させることにより、エッチングノズル４１１Ａ及びリンスノズル４１２ＡがウエハＷの中心の上方を通過する円弧に沿って旋回する。
【００３２】
なお図４、図５においては、処理ユニット１６内にウエハＷは、図４、図５を正面に見て上方から（図４中矢印の方向に）搬入される。この時主ノズル部４０ａは、図５に示すように当該円弧上におけるウエハＷの中心部Ｏから１６ｍｍ離れた位置Ｐ１と、当該円弧上におけるウエハＷの中心部Ｏから１４５ｍｍ離れた位置Ｐ２と、の間を旋回する。図５中の位置Ｐ１及び位置Ｐ２を含む斜線を付した領域９０は、ウエハＷ表面における主ノズル部４０ａに設けたエッチングノズル４１１Ａによりエッチング液が吐出される領域を示す。ここでは、位置Ｐ１にエッチング液を吐出するときのエッチングノズル４１１Ａの位置が第１位置に相当し、位置Ｐ２にエッチング液を吐出するときのエッチングノズル４１１Ａの位置が第２位置に相当する。
【００３３】
位置Ｐ１をウエハＷの中心部Ｏからずらしているのは、往復移動する主ノズル部４０ａが折り返して方向を転換するときに、折り返して点である位置Ｐ１で移動速度が０になり、局所的にエッチング液を供給してしまう。またウエハＷを回転させたときにウエハＷの中心部Ｏは移動しない。そのため折り返し点である位置Ｐ１をウエハＷの中心部Ｏに位置させると、移動しないウエハＷの中心部Ｏに局所的にエッチング液を供給することになり、エッチング量が増えすぎるためである。そのため位置Ｐ１をウエハＷにエッチング液を吐出したときにウエハＷの中心部Ｏまでエッチング液が広がる位置に設定することで、位置Ｐ１にて供給されるエッチング液がウエハＷの表面を広がり、ウエハＷの中心部Ｏに供給することができる。
【００３４】
また副ノズル部４０ｂについても、共通のノズルヘッド４１Ｂに、ウエハＷに対してエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ｂと、リンス液を供給するリンスノズル４１２Ｂとを設けた構造となっている点は、主ノズル部４０ａと同様である。この例では、エッチングノズル４１１Ｂが、処理液をエッチング液としたときの副ノズルに相当する。
図４に示すようにノズルヘッド４１Ｂはエッチングノズル４１１Ｂとリンスノズル４１２Ｂとが並ぶ方向と直交する方向にウエハＷの表面に沿うように伸びるノズルアーム４２Ｂの先端部に設けられている。ノズルアーム４２Ｂの基端側は、回収カップ５０の外部にて、上方に向けて伸びる支持柱４３Ｂに固定されている。
【００３５】
そして副ノズル部４０ｂは、主ノズル部４０ａから見てウエハＷの回転方向下流側に配置されている。エッチングノズル４１１Ｂとリンスノズル４１２Ｂとは、各々、図５に示すウエハＷの周縁部におけるウエハＷの中心から１４８ｍｍ離れた位置Ｐ３と、位置Ｐ３に隣り合う位置に夫々エッチング液及びリンス液を吐出するよう配置されている。従って位置Ｐ３に向けてエッチング液を吐出するエッチングノズル４１１Ｂの位置が第３位置に相当する。
【００３６】
補助ノズル部４０ｃについても、共通のノズルヘッド４１Ｃに、ウエハＷに対してエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ｃと、リンス液を供給するリンスノズル４１２Ｃとを設けた構造となっている点は、主ノズル部４０ａと同様である。またエッチングノズル４１１Ｃ及びリンスノズル４１２Ｃはノズルヘッド４１Ｃの下面に並べて設けられ、各々先端が、リンスノズル４１２Ｃから見て、エッチングノズル４１１Ｃの方向に傾斜して設けられている。なお記載が繁雑になることを防ぐため図中では、下方に向けて吐出するように示している。この例では、エッチングノズル４１１Ｃが、処理液をエッチング液としたときの補助ノズルに相当する。
【００３７】
図４に示すようにノズルヘッド４１Ｃは、エッチングノズル４１１Ｃとリンスノズル４１２Ｃとが並ぶ方向と直交する方向にウエハＷの表面に沿うように伸びるノズルアーム４２Ｃの先端部に設けられている。ノズルアーム４２Ｃの基端側は、回収カップ５０の外部にて、上方に向けて伸びる回転軸４３Ｃの先端に固定されている。回転軸４３Ｃの基端側は、回転軸４３Ｃを鉛直軸周りに回動させる回転機構４５を介してチャンバ２０の底面に固定されており、回転軸４３Ａを回転させることにより、エッチングノズル４１１Ｃ及びリンスノズル４１２ＣがウエハＷの中心の上方を通過する円弧に沿って旋回する。
【００３８】
また補助ノズル部４０ｃは、主ノズル部４０ａから見てウエハＷの回転方向上流側であって、副ノズル部４０ｂから見てウエハＷの回転方向下流側に配置されており、エッチングノズル４１１Ｃとリンスノズル４１２Ｃとが各々ウエハＷの上方を円弧状に旋回するように構成されている。補助ノズル部４０ｃは、後述するように停止位置メモリ１０４に記憶された停止位置の間を移動し各停止位置にて設定された時間の間、エッチング液を吐出する。ここでは補助ノズル部４０ｃの停止位置は、図５中に示すウエハＷの中心から１０７ｍｍ離れた位置にエッチング液を吐出する位置Ｐａ、ウエハＷの中心から１２４ｍｍ離れた位置にエッチング液を吐出する位置Ｐｂ、ウエハＷの中心から１３５ｍｍ離れた位置にエッチング液を吐出する位置Ｐｃに設定されている。なお図５では、補助ノズル部４０ｃの停止位置である位置Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃは、当該位置に補助ノズル部４０ｃを停止させてエッチングノズル４１１Ｃからエッチング液を供給したときに、ウエハＷの表面高さにおけるエッチング液が吐出される位置にて示している。なおこの例では、位置Ｐａに向けてエッチング液を吐出するときの補助ノズル部４０ｃの位置が第４位置に相当し、位置Ｐｃに向けてエッチング液を吐出するときの補助ノズル部４０ｃの位置が第５位置に相当する。
【００３９】
また説明の便宜上、以下の説明では、主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃの各エッチングノズル４１１Ａ、Ｂ、Ｃからのエッチング液の吐出を「主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃからのエッチング液の吐出」と言う。またウエハＷの表面の高さにおける主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃの各エッチングノズル４１１Ａ、Ｂ、Ｃからのエッチング液の吐出される位置、あるいは領域を「主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃの吐出位置あるいは領域」というものとする。
【００４０】
主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃに夫々設けられたエッチングノズル４１１Ａ〜Ｃは、夫々ノズルヘッド４１Ａ〜Ｃやノズルアーム４２Ａ〜Ｃ内に設けられたエッチング液供給路４６Ａ〜４６Ｃ（図３参照）を介してエッチング液供給源７０１に接続されている。エッチング液供給源７０１には、エッチング液を貯留する図示しない貯留部及び貯留部内のエッチング液の温度調整を行う図示しないヒータなどの温度調整部が設けられ、エッチング液が２０〜７０℃の範囲の温度、例えば５０℃に調整されている。またエッチング液供給源７０１の出口部には、流量調整部７１ａ〜７１ｃが設けられ、温調されたエッチング液の流量が調整されて、各エッチングノズル４１１Ａ〜Ｃに送液されるように構成されている。
【００４１】
また主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃに設けられた各リンスノズル４１２Ａ〜Ｃは、夫々図３に示すリンス液供給路４７Ａ〜４７Ｃを介してリンス液を貯留する図示しない貯留部を含むリンス液供給源７０２に接続されている。リンス液供給源７０２の出口部には、流量調整部７２ａ〜ｃが設けられ、リンス液の流量が調整されて、各リンスノズル４１２Ａ〜Ｃに送液されるように構成されている。
【００４２】
また図６に示すように処理ユニット１６には、処理ユニット１６におけるエッチング処理を制御するユニット制御部１００が設けられ、ユニット制御部１００は、基板処理システム１に設けられた制御装置４から送信される制御信号により、制御されている。
【００４３】
ユニット制御部１００は、主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃを用いて行われる後述の動作を制御するためのステップ群を備えたエッチングプログラム１０２ａを含むソフトウェアが格納されるプログラム格納部１０２を備え、エッチングプログラム１０２ａを実行するためのＣＰＵ１０３を備えている。なお図６中１０１はバスである。ソフトウェアは、処理の手順を記載した処理レシピを含んでおり、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどの記憶媒体を介して、プログラム格納部１０２にインストールされる。またユニット制御部１００は、補助ノズル部４０ｃの停止位置を記憶するパラメータ記憶部である停止位置メモリ１０４を備えており、例えば入力部１０５により、補助ノズル部４０ｃの停止位置を書き換えることができるように構成されている。そしてＣＰＵ１０３によりエッチングプログラム１０２ａを実行したときに、主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂを操作してエッチング処理を実行すると共に、補助ノズル部４０ｃを停止位置メモリ１０４に記憶された停止位置に各々停止させ、各停止位置にて設定された流量のエッチング液を設定された時間吐出して、エッチング処理を行う。
【００４４】
このように補助ノズル部４０ｃは、停止位置メモリ１０４に記憶された停止位置に各々停止してエッチング液を吐出するが、この停止位置メモリ１０４に予め記憶しておく補助ノズル部４０ｃの停止位置の設定方法について説明する。
補助ノズル部４０ｃは、既述のように主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いてエッチングを行った時に、ウエハＷの温度が低くなり、エッチング量が少なくなる個所に向けてエッチング液を供給し、ウエハＷの表面温度の面内均一性を改善することで、ウエハＷのエッチング量の面内均一性を改善するために設けられている。そのため予め主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いてエッチング処理を行った時のウエハＷの表面におけるエッチング量の面内分布を把握しておく。
【００４５】
図７の実線のグラフは、主ノズル部４０ａからエッチング液を吐出しながら、主ノズル部４０ａをウエハＷの中心側の位置Ｐ１から位置Ｐ２の範囲を繰り返し往復させて、回転するウエハＷにエッチング液を供給した時のウエハＷの表面におけるエッチング量の面内分布の一例を示す。図７の横軸は、ウエハＷの表面の半径方向の位置を示し、縦軸は各位置におけるエッチング量を示している。
【００４６】
主ノズル部４０ａの位置をウエハＷの中心部Ｏの上方に固定し、ウエハＷの中心部Ｏのみにエッチング液を供給した場合には、回転するウエハＷの表面を広がるにつれてエッチング液の温度が低くなるためエッチング量が少なくなるが、主ノズル部４０ａの位置をウエハＷの中心側と周縁側との間を繰り返し移動することにより、ウエハＷの周縁側にも温度の高いエッチング液が供給されるようになるため図７に示すようにウエハＷの中心側の領域において、ウエハＷの温度の面内均一性が高くなり、エッチング量の面内均一性も高くなる。しかしながらウエハＷの周縁部においては、温度の落ち込みが改善されず、エッチング量が少なくなる。
【００４７】
図７の破線のグラフは、副ノズル部４０ｂからエッチング液を吐出して、回転するウエハＷにエッチング液を供給したときのウエハＷの表面におけるエッチング量の面内分布を示す。このようにウエハＷの周縁部に向けて直接エッチング液を供給する副ノズル部４０ｂを設けることで、ウエハＷの周縁部の温度を局所的に高めることができ、エッチング量を増加させることができる。
【００４８】
そのため主ノズル部４０ａに加えて副ノズル部４０ｂを用いてエッチングを行った場合には、図８中の実線（１）で示すようにウエハＷの面内のエッチング量の分布Ｄ１は、主ノズル部４０ａから吐出されるエッチング液によりウエハＷの中心側の領域における温度の面内均一性が高まると共に、副ノズル部４０ｂから吐出されるエッチング液により、ウエハＷの周縁における温度が補償され、エッチング量が補償される。
【００４９】
しかしながら図８中の鎖線（２）で示す目標とするエッチング量の面内分布Ｄ０（ここでは、エッチング量がウエハＷの面内で均一となる例）と比較したときに、ウエハＷの周縁部、例えばウエハＷの中心から１３０ｍｍ程度の位置などにおいては、図７の主ノズル部４０ａのみからエッチング液を供給する場合に比べて改善はしているもののわずかにエッチング量が少ない部位が残っている。そのためこれらのウエハＷ表面温度が局所的に低い個所に向けて補助ノズル部４０ｃからエッチング液を供給して温度の不均一性を補償することでエッチング量を補償し、ウエハＷエッチング量の面内分布を目標とするエッチング量の分布Ｄ０に揃えるようにすればよい。
【００５０】
図９（ａ）におけるＤａは、補助ノズル部４０ｃをウエハＷの中心から１０４ｍｍ離れた位置にエッチング液を吐出する位置Ｐａに位置させて、６０秒間エッチング液を供給してエッチングを行った時のウエハＷのエッチング量の分布Ｄａを示す。またＤｂは、補助ノズル部４０ｃをウエハＷの中心から１２７ｍｍ離れた位置にエッチング液を吐出する位置Ｐｂに位置させて、７０秒間エッチング液を供給してエッチングを行った時のウエハＷのエッチング量の分布Ｄｂを示す。さらにＤｃは、補助ノズル部４０ｃをウエハＷの中心から１３５ｍｍの距離に位置に位置させてエッチング液を供給する位置Ｐｃに位置させてエッチング液を供給してエッチングを行った時のウエハＷのエッチング量の分布を示す。そしてウエハＷ上における複数の位置を補助ノズル部４０ｃの位置に設定し、図９（ａ）に示すような補助ノズル部４０ｃの位置に対するウエハＷのエッチング量の分布の傾向のデータを取得して、例えばデータテーブルを作成する。
なおウエハＷの中心側の位置よりも周縁側位置の方がウエハＷ一回転あたりのウエハ上の移動距離が長くなる。そのためエッチング液の供給量をウエハＷの面内で均一にするためには、ウエハＷの中心側の位置よりも周縁側位置の方が長い時間供給する必要がある。ここではエッチング液の供給時間は、エッチング液の供給量をウエハＷの面内で均一にするように、補助ノズル部４０ｃ位置のウエハＷの中心からの距離に従って決定されているものとする。従ってデータテーブルの作成にあたってエッチング量の分布を求めるときには、補助ノズル部４０ｃの位置により決定されるエッチング液の供給時間に従ってエッチング処理を行い、エッチング量の分布を評価しているものとする。
【００５１】
さらにこれらのデータテーブルから、主ノズル部４０ａに加えて副ノズル部４０ｂを用いてエッチングを行った場合におけるウエハＷ表面におけるエッチング量の面内分布を示す図８中（１）のグラフにおけるエッチング量が少なくなっている部位、例えばウエハＷの中心から１３０ｍｍ程度離れた位置における部位のウエハＷのエッチング量を補償するように補助ノズル部４０ｃによりエッチング液を吐出するべき位置を選択する。
【００５２】
具体的には、図８に鎖線（２）で示す目標とするエッチング量の分布Ｄ０、ここでは面内で均一なエッチング量の分布から主ノズル部４０ａに加えて副ノズル部４０ｂを用いてエッチングを行った場合におけるエッチング量の分布Ｄ１を（図８中実線（１））を差し引き、図８中破線（３）で示すような差し引いたエッチング量の分布（Ｄ０−Ｄ１）を求める。さらに各補助ノズル部４０ｃの停止位置に対応したエッチング量の分布のデータテーブルから、補助ノズル部４０ｃの停止位置を選択する。この時図９（ｂ）に示すように、選択した補助ノズル部４０ｃの停止位置に対応したエッチング量の分布を合算したときに、合算したエッチング量の分布（ここでは例として図９（ｂ）中の（Ｄａ＋Ｄｂ＋Ｄｃ））と、差し引いたエッチング量の分布（Ｄ０−Ｄ１）（図８中破線（３）の分布）と、が揃うように補助ノズル部４０ｃの停止位置を選択決定する。ここでは、例えば図５に示した３つの位置Ｐａ〜Ｐｃがエッチング液の吐出を行う補助ノズル部４０ｃの停止位置をとして決定され、これら選択決定された補助ノズル部４０ｃの停止位置は、例えば入力部１０５により停止位置メモリ１０４に書き込まれる。
【００５３】
またウエハＷの表面における主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃの各々のノズルから供給するエッチング液の供給位置の各々の位置関係について説明する。ウエハＷの中央側の位置Ｐ１と周縁側の位置Ｐ２との間を往復移動する主ノズル部４０ａにおいて、主ノズル部４０ａが周縁側に移動したときに供給されるエッチング液の流れは、中央側で供給される場合に比べてエッチング液の厚みが増大する。
【００５４】
また、ウエハＷの中央側よりも周縁側のほうがエッチング液に加わる遠心力が大きい。したがって、大きい遠心力が加わり、且つ、厚くなったエッチング液の流れが、副ノズル部４０ｂから供給されるエッチング液の流れと合流すると、大きなスプラッシュが発生する。また副ノズル部４０ｂから供給されたエッチング液が、主ノズル部４０ａから供給されたエッチング液によりウエハＷの外に押し流されてしまい、副ノズル部４０ｂから供給されたエッチング液によって、所定のエッチング量が得られなくなることがある。
【００５５】
そのため周縁側に移動した主ノズル部４０ａから供給されるエッチング液の流れに対し、ウエハＷの回転方向の下流側のできるだけ遠い位置に副ノズル部４０ｂを配置するようにしている。
【００５６】
また補助ノズル部４０ｃについても副ノズル部４０ｂにおけるエッチング液の吐出位置よりもウエハＷの中心側にエッチング液を供給する。そのため補助ノズル部４０ｃからエッチング液を供給する位置と、副ノズル部４０ｂからエッチング液を供給する位置とが近い場合には、補助ノズル部４０ｃから供給したエッチング液が大きな力で副ノズル部４０ｂから供給したエッチング液に衝突する。このためスプラッシュが発生したり、副ノズル部４０ｂから供給したエッチング液を押し流してしまうことがある。従って、補助ノズル部４０ｃは、副ノズル部４０ｂの吐出位置よりも下流側に配置することが好ましい。
【００５７】
続いてエッチング装置の作用について説明する。例えばエッチング対象となる直径３００ｍｍのウエハＷが処理ユニット１６に搬入され、保持部３１に受け渡される。次いでウエハＷを例えば１５０ｒｐｍの回転数で回転させると共に主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃからエッチング液を供給してエッチングを行う。なお図１０〜１５では、主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃを夫々ノズルヘッド４１Ａ〜Ｃ及びエッチングノズル４１１Ａ〜Ｃのみ示している。また主ノズル部４０ａの位置Ｐ１、Ｐ２、副ノズル部４０ｂの位置Ｐ３、及び補助ノズルの停止位置である位置Ｐａ、Ｐｂは模式的に示しており、正確に記載したものではない。
【００５８】
この時図１０〜図１２に示すように主ノズル部４０ａにおいては、例えば５３０ｓｃｃｍの流量でエッチング液を吐出しながら、ウエハＷの中心側の位置Ｐ１とウエハＷの周縁側の位置Ｐ２との間を、例えば１００ｍｍ／秒の速度で７０回往復する。また副ノズル部４０ｂにおいては、ウエハＷの周縁部に向けて、例えば３５０〜４００ｓｃｃｍの流量でエッチング液を供給する。さらに補助ノズル部４０ｃにおいては、停止位置メモリ１０４から読み出した既述の補助ノズル部４０ｃの停止位置に各々停止し、各停止位置にてエッチング液を吐出する。例えば図１０に示すように補助ノズル部４０ｃは、まず位置Ｐａに移動し、その後当該位置Ｐａにて静止した状態で、エッチング液を２５０ｓｃｃｍの流量で６０秒間供給する。
【００５９】
続いて図１１に示すように補助ノズル部４０ｃをエッチング液を停止した状態で、位置Ｐｂに移動する。続いて補助ノズル部４０ｃを当該位置Ｐｂにて静止させた状態で、図１２に示すようにエッチング液を２５０ｓｃｃｍの流量で７０秒間供給する。その後補助ノズル部４０ｃをエッチング液を停止した状態で、位置Ｐｃに移動させ、図１２に示すように補助ノズル部４０ｃを当該位置にて静止した状態で、エッチング液を２５０ｓｃｃｍの流量で８５秒間供給する。このように各位置Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃの間を移動するときには、補助ノズル部４０ｃをエッチング液の吐出を行わない状態で移動させ、補助ノズル部４０ｃを各位置Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃに停止させた状態で、一定時間エッチング液を吐出する。
【００６０】
主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いてエッチング液を吐出したときには、例えば図８の実線（１）に示すようにウエハＷの周縁部の領域において、エッチング液の温度が低くなる傾向にあるが、補助ノズル部４０ｃから各々エッチング液を供給することにより、ウエハＷにおけるエッチング液の温度が低く、エッチング量が少ない個所にエッチング液が供給されてエッチング液の温度が高まり、図９（ａ）に示す各グラフ分のエッチング量が合算されて加算される。このエッチング量が合算値は、目標とするエッチング量の分布Ｄ０と主ノズル部４０ａに加えて副ノズル部４０ｂを用いてエッチングを行った場合におけるエッチング量の分布Ｄ１との差分値に揃えている。そのためウエハＷの表面温度の不均一性が補償されて、目標とするエッチング量の分布Ｄ０に揃う。従ってウエハＷの表面におけるエッチング速度の均一性が改善し、ウエハＷのエッチング量の面内均一性が改善する。
【００６１】
こうして所定時間、ウエハＷのエッチング処理を行った後、主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃからのエッチング液の吐出を停止し、各ノズル部４０ａ、４０ｂ、４０ｃのリンスノズル４１２Ａ、Ｂ、Ｃからリンス液を吐出する。ここで、ホットリンス処理等、リンス液によるリンス洗浄時のウエハＷの面内温度分布がエッチング処理の結果に影響を与える場合には、エッチング液の供給時と同様に第１位置と第２位置との間を往復移動する主ノズル部４０ａ及びの副ノズル部４０ｂ及びウエハＷの温度の面内均一性を改善するための補助ノズル部４０ｃの各々を用いてリンス液を供給する。このとき補助ノズル部４０ｃの停止位置の設定手法にて説明した例と同様の検討を行い、補助ノズル部４０ｃの吐出位置をエッチング液の吐出時とは異なる位置に設定しておいてもよい。
【００６２】
また、リンス洗浄時におけるウエハＷの面内温度分布がエッチング処理の結果に与える影響が小さい場合には、例えばウエハＷの中央部上方側で主ノズル部４０ａを停止させ、当該主ノズル部４０ａのみからリンス液供給を行って副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃによる面内温度分布の調整は行わないようにしてもよい。  
こうしてリンス洗浄を実行し、振り切り乾燥を行った後、保持部３１の回転を止める。そしてチャンバ２０内に進入してきたウエハ保持機構に、搬入時とは反対の手順でウエハＷを受け渡し、処理ユニット１６からウエハＷを搬出する。
【００６３】
上述の実施の形態によれば、回転するウエハＷにエッチング液を供給してエッチング処理を行うにあたって、ウエハＷの中心にエッチング液を供給できる位置Ｐ１と、ウエハＷの周縁側の位置Ｐ２との間をエッチング液を吐出しながら移動する主ノズル部４０ａと、ウエハＷの周縁側の位置Ｐ３に向けてエッチング液を吐出する副ノズル部４０ｂと、を設けている。さらにウエハＷの半径方向複数個所に処理液を吐出する補助ノズル部４０ｃを設け、主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂから吐出する各エッチング液によるウエハＷの面内の温度の不均一性を補償し、エッチング量の不均一性を補償するようにしている。そのためエッチング処理を行った時のウエハＷの面内の温度を均一化することができ、ウエハＷのエッチング量を均一にすることができる。
【００６４】
主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いてエッチング液を吐出したときに、ウエハＷの面内において補助ノズル部４０ｃによりエッチング液を供給してエッチング量を補償するべき個所は一か所であるとは限らず、複数個所にエッチング液を供給することでよりウエハＷの温度の面内均一性が良好になり、エッチング量の面内均一性が良好になる場合も多い。そのため例えば処理液を案内する供給流路を分岐させて複数の吐出口を形成し、各吐出口から、基板における回転軸線から、距離が異なる複数の位置に夫々処理液を吐出するように構成した装置の場合には、処理液の吐出位置を調整することが難しく、所望のエッチング量の面内均一性を得られないこともある。また各吐出口毎に温度を調整する装置を組み込む必要があるなど装置が複雑化する問題がある。
【００６５】
上述の実施の形態においては、主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂに加えて、補助ノズル部４０ｃをウエハＷの径方向に移動自在に構成し、所定の箇所に夫々エッチング液を吐出できるように構成している。そのため簡単な構成で、ウエハＷの温度の面内分布に寄らず、ウエハＷの温度の面内均一性が良好にすることができる。従ってウエハＷのエッチング量の面内均一性が良好になる。
【００６６】
また上述の実施の形態では、補助ノズル部４０ｃの停止位置である位置Ｐａ〜Ｐｃを第１位置Ｐ１よりも外側にエッチング液を吐出する位置であって、第３位置Ｐ３よりも内側にエッチング液を吐出する位置に設定しているが、ウエハＷのエッチング量を補償すべき位置が第１位置Ｐ１よりも外側であって、第３位置Ｐ３よりも内側から外れることも想定される。従って補助ノズル部４０ｃの停止位置である位置Ｐａ〜Ｐｃは、ウエハＷの中心を中心とし、第１位置Ｐ１、あるいは第３位置Ｐ３を通る同周円上の位置にエッチング液を吐出する位置であってもよい。また第１位置Ｐ１よりもウエハの中心寄りの位置にエッチング液を吐出する位置、及び第３位置Ｐ３よりもウエハＷの周縁側の位置にエッチング液を吐出する位置であってもよい。
【００６７】
さらに補助ノズル部４０ｃは、エッチング液を供給した状態で移動させず、停止位置に到達した後、エッチング液を吐出するようにしている。主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いることでウエハＷエッチング量は、凡そ均一になり、補助ノズル部４０ｃは局所的なエッチング量の調整に用いるが、補助ノズル部４０ｃからエッチング液を供給した状態で移動させるとエッチング量の分布が複雑な傾向を示しやすくなるため、局所的な補償を行うための流量や位置の制御が複雑になる。そのため補助ノズル部４０ｃは、供給位置に到達した後エッチング液を吐出を開始することが好ましい。
【００６８】
また主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂを用いてエッチング液を吐出し、停止位置メモリ１０４に記憶させた停止位置にて補助ノズル部４０ｃからエッチング液を吐出してエッチングを行って、ウエハＷの温度分布を測定し、さらに当該ウエハＷの温度分布に基づいて、補助ノズル部４０ｃにおける停止位置を追加するようにしてもよい。
【００６９】
さらに上述の実施の形態においては、補助ノズル部４０ｃにおける各停止位置におけるエッチング液の流量は、予めエッチングプログラム１０２ａに記憶され、エッチング液の吐出時間は、停止位置により決定されるとして説明しているが、停止位置メモリ１０４に記憶する情報としては、停止位置のみでなく、停止回数、各停止位置におけるエッチング液の供給時間や、エッチング液の流量などのパラメータを記憶するようにしてもよい。これらのパラメータを調整することで、ウエハの温度を調整することができるため同様の効果を得ることができる。
【００７０】
またウエハＷを回転させたときにウエハＷの周縁側の領域ほど速度が速くなり、放熱量が多くなる。そのためウエハＷの周縁側に処理液を吐出するノズルほど処理液の温度を高くすることが好ましい。従って主ノズル部４０ａから吐出するエッチング液よりも副ノズル部４０ｂから吐出するエッチング液の温度が高いことが好ましい。さらに補助ノズル部４０ｃから吐出するエッチング液については、その処理液の吐出位置に合わせて設定することが好ましい。実施の形態に示すようにウエハＷの周縁側にて処理液を吐出することが多い場合には、補助ノズル部４０ｃから吐出するエッチング液の温度は、主ノズル部４０ａから吐出するエッチング液の温度よりも高く、副ノズル部４０ｂから吐出するエッチング液の温度よりも低いことが好ましい。またウエハＷの中心側にて処理液を吐出することが多い場合には、補助ノズル部４０ｃから吐出するエッチング液の温度は、主ノズル部４０ａから吐出するエッチング液の温度よりも低いことが好ましい。
【００７１】
また、本実施の形態の主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃを用いてウエハＷの面内温度分布を調整することが可能な処理液の種類はエッチング液に限られるものではない。塗布、現像装置にてウエハＷに供給されるレジスト液やレジスト液をウエハＷの表面に広げるためのシンナー、反射防止膜の原料液や現像後のレジスト膜に供給される現像液であってもよい。またウエハＷの洗浄処理を行う洗浄装置にて供給される酸性やアルカリ性の薬液、ウエハＷにメタル膜を形成するためのメッキ装置にて供給されるメッキ液など、各種の処理液の供給にも本発明は適用することができる。これらの場合、各種処理液は処理液供給時のウエハＷの温度よりも高い温度で供給される場合だけでなく、ウエハＷよりも低い温度で供給してもよく、この場合にも主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂに加えて補助ノズル部４０ｃを設けることによってウエハＷの面内温度分布を調整することができる。
【００７２】
そして、本実施の形態の処理ユニット（エッチング装置）を用いて処理することが可能な基板の種類は、半導体ウエハに限定されるものではない。例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板のエッチング処理を行う処理ユニットに対しても本発明は適用することができる。
【００７３】
上述の実施の形態では、主ノズル部４０ａをウエハＷの中心側の位置Ｐ１と、ウエハＷの周縁側の位置Ｐ２との間を円弧上を往復移動させているが、ウエハＷの中心側における折り返し位置である位置Ｐ１を一往復ごとに位置をずらすようにしてもよい。例えば一往復目においては、図１３に示すようにウエハＷの中心から１６ｍｍ離れた位置Ｐ１ａにて折り返し、周縁方向に移動する。続いて図１４に示すようにウエハＷの周縁側においては、位置Ｐ２にて折り返し、ウエハＷの中心側に移動する。続いて図１５に示すように、位置Ｐ１ａよりもウエハＷの周縁側の位置、例えばウエハＷの中心から２０ｍｍ離れた位置Ｐ１ｂにて折り返すようにする。
【００７４】
ウエハＷの回転中心に近い領域は、回転半径が小さく、ウエハＷの周縁部に比べて、エッチング液の吐出量に対する当該エッチング液の供給される面積が狭く、単位面積当たりのエッチング液の供給量が多くなりやすい。従ってウエハＷの中心に近い領域においてエッチング液を供給するときにウエハＷの周縁部におけるエッチング液の供給時間と同じ時間供給すると、周縁部においてエッチングする場合よりもエッチング量の供給量が多くなってしまう。またウエハＷの折り返し位置は、瞬間的にノズルが停止するため、エッチング液の供給量が多くなりやすく、特にウエハＷの中心側は既述のように単位面積当たりのエッチング液の供給量が多くなりやすい。そのためウエハＷの往復ごとにウエハＷの中心側の折り返し位置をずらすことにより、ウエハＷの中心側において局所的にエッチング液の供給量が増えることを抑えることができる。
【００７５】
［実施例］
本発明のエッチング装置の効果を検証するために以下の試験を行った。
実施の形態にて示した処理ユニット１６を用い、実施の形態と同様にウエハＷにエッチング処理を行った例を実施例１とした。また補助ノズル部４０ｃを位置Ｐａ及び位置Ｐｂの２カ所に位置させてエッチング液を吐出するように設定し、夫々エッチング液を６０秒及び７０秒間吐出するように設定したことを除いて実施例１と同様に処理を行った例を実施例２とした。また補助ノズル部４０ｃを位置Ｐａの１カ所に位置させてエッチング液を吐出するように設定し、エッチング液を６０秒間吐出するように設定したことを除いて実施例１と同様に処理を行った例を実施例３とした。
【００７６】
また副ノズル部４０ｂ及び補助ノズル部４０ｃからエッチング液を吐出しないように設定したことを除いて、実施例１と同様に処理した例を比較例とし、補助ノズル部４０ｃからエッチング液を吐出しないように設定したことを除いて、実施例１と同様に処理した例を参考例とした。
【００７７】
図１６は、実施例１〜３、比較例及び参考例におけるウエハＷのエッチング量の面内分布を示す特性図である。図１６中の横軸は、ウエハＷの中心を通る直線上の位置を一方の周縁側を＋、他方の周縁側を−として示し、縦軸は、各ウエハ上の位置におけるエッチング量（Å）を示している。
【００７８】
図１６に示すように比較例では、ウエハＷの周縁部のエッチング量が少なくなっていたが、参考例、実施例３、実施例２、実施例１の順番に周縁部のエッチング量増加し、エッチング量の面内均一性が良好になっていることが分かる。
【００７９】
比較例及び参考例からウエハＷ上を移動してエッチング液を供給する主ノズル部４０ａに加え、副ノズル部４０ｂからエッチング液を吐出することでエッチング量の面内均一性は改善することが分かる。さらに実施例１〜３の結果より、主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂに加え、さらに補助ノズル部４０ｃを用いることで、エッチング量の面内均一性を改善することができるとわかる。また実施例３よりも実施例２、実施例１の順番でさらにエッチング量の面内均一性が改善していることから、エッチング量の面内分布に基づいて、補助ノズル部４０ｃによるエッチングの吐出個所を複数個所に増やすことで、よりウエハＷの温度の面内均一性が改善され、エッチング量の面内均一性を改善させることができると言える。
【符号の説明】
【００８０】
４０ａ              主ノズル部
４０ｂ              副ノズル部
４０ｃ              補助ノズル部
４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ
ノズルヘッド
４１１Ａ、４１１Ｂ、４１１Ｃ
エッチングノズル
４１２Ａ、４１２Ｂ、４１２Ｃ
リンスノズル
１００              ユニット制御部
１０４              停止位置メモリ
Ｗ                  ウエハ
【図１】
2018182262.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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