(57)【要約】      （修正有）【課題】転写メモリーの発生を抑制する電子写真感光体を提供する。【解決手段】電子写真感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。感光層は、単層型感光層である。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。正孔輸送剤は、トリフェニルアミン誘導体を含む。バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂を含む。ポリアリレート樹脂は、一般式（１）で表される。2018120161.tif 000030【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、感光層とを備える電子写真感光体であって、
前記感光層は、単層型感光層であり、
前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有し、
前記正孔輸送剤は、トリフェニルアミン誘導体を含み、
前記トリフェニルアミン誘導体は、一般式（ＨＴ）で表され、
前記バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂を含み、
前記ポリアリレート樹脂は、一般式（１）で表される、電子写真感光体。
【化１】
2018120161.tif 000021
前記一般式（１）中、
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、及びＱ4は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表し、
ｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表し、
ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表し、
ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００であり、
ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕであり、
ｒ及びｔは、互いに同一であっても異なってもよく、
ｓ及びｕは、互いに同一であっても異なってもよく、
Ｘは、化学式（２Ａ）、化学式（２Ｂ）、化学式（２Ｃ）、化学式（２Ｄ）、化学式（２Ｅ）、又は化学式（２Ｆ）で表される二価の基を表し、
Ｙは、化学式（４Ａ）、化学式（４Ｂ）、化学式（４Ｃ）、化学式（４Ｄ）、又は化学式（４Ｅ）で表される二価の基を表し、
Ｘ及びＹは、互いに異なる。
【化２】
2018120161.tif 000022
【化３】
2018120161.tif 000023
前記一般式（ＨＴ）中、
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基及び炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基からなる群より選択される基を表し、
ｋ、ｐ、及びｑは、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
ｍ１及びｍ２は、各々独立に、１以上３以下の整数を表し、
ｋが２以上の整数を表す場合、複数のＲ1は互いに同一であっても異なってもよく、
ｐが２以上の整数を表す場合、複数のＲ2は互いに同一であっても異なってもよく、
ｑが２以上の整数を表す場合、複数のＲ3は互いに同一であっても異なってもよい。
【請求項２】
化学式（Ｒｅｓｉｎ−１）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−２）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−３）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−４）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−５）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−６）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−７）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−８）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−９）、化学式（Ｒｅｓｉｎ−１０）、又は化学式（Ｒｅｓｉｎ−１１）で表される、請求項１に記載の電子写真感光体。
【化４】
2018120161.tif 000024
【化５】
2018120161.tif 000025
【化６】
2018120161.tif 000026
【請求項３】
前記一般式（１）中、
Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、及びＱ4は、メチル基を表す、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記一般式（１）中、
ｓが０を表す場合、
Ｙは、前記一般式（４Ａ）、前記一般式（４Ｂ）、又は前記一般式（４Ｃ）で表される前記二価の基を表し、
ｓが１以上の整数を表す場合、
Ｘは、前記一般式（２Ａ）、前記一般式（２Ｂ）、又は前記一般式（２Ｃ）で表される前記二価の基を表し、
Ｙは、前記一般式（４Ａ）、前記一般式（４Ｂ）、又は前記一般式（４Ｃ）で表される前記二価の基を表す、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記一般式（１）中、
ｓが１以上の整数を表す、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記一般式（ＨＴ）中、
Ｒ1は、前記炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基及び前記炭素原子数１以上４以下のアルキル基よりなる群から選択される前記基を表し、
ｋは、１又は２を表し、
ｋが２を表す場合、２つのＲ1は互いに同一であっても異なってもよく、
ｐ及びｑは、０を表し、
ｍ１及びｍ２は、２又は３を表す、請求項１〜５の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記一般式（ＨＴ）中、
Ｒ1は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、
ｋは２を表す、請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記一般式（ＨＴ）中、
ｍ１及びｍ２は３を表す、請求項１〜７の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記正孔輸送剤は、化学式（ＨＴ−１）、化学式（ＨＴ−２）、化学式（ＨＴ−３）、化学式（ＨＴ−４）、化学式（ＨＴ−５）、化学式（ＨＴ−６）、又は化学式（ＨＴ−７）で表される、請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【化７】
2018120161.tif 000027
【請求項１０】
前記電子輸送剤は、一般式（ＥＴ１）、一般式（ＥＴ２）、一般式（ＥＴ３）、一般式（ＥＴ４）、又は一般式（ＥＴ５）で表される、請求項１〜９の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【化８】
2018120161.tif 000028
前記一般式（ＥＴ１）中、
Ｒ11及びＲ12は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴ２）中、
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴ３）中、
Ｒ17及びＲ18は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を１又は複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
前記一般式（ＥＴ４）中、
Ｒ19及びＲ20は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
Ｒ21は、ハロゲン原子を１又は複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
前記一般式（ＥＴ５）中、
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。
【請求項１１】
前記一般式（ＥＴ１）中、
Ｒ11及びＲ12は、炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴ２）中、
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴ３）中、
Ｒ17及びＲ18は、炭素原子数１以上２以下のアルキル基を複数有するフェニル基を表し、
前記一般式（ＥＴ４）中、
Ｒ19及びＲ20は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、
Ｒ21は、ハロゲン原子を有するフェニル基を表し、
前記一般式（ＥＴ５）中、
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表す、請求項１０に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記電子輸送剤は、前記一般式（ＥＴ１）又は前記一般式（ＥＴ２）で表される、請求項１０に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
前記電子輸送剤は、化学式（ＥＴ１−１）、化学式（ＥＴ２−１）、化学式（ＥＴ３−１）、化学式（ＥＴ４−１）、又は化学式（ＥＴ５−１）で表される、請求項１０又は１１に記載の電子写真感光体。
【化９】
2018120161.tif 000029
【請求項１４】
前記電荷発生剤は、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンである、請求項１〜１３の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項１５】
請求項１〜１４の何れか一項に記載の電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
【請求項１６】
像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電部と、
帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
前記トナー像を前記像担持体から転写体へ転写する転写部と
を備える画像形成装置であって、
前記像担持体は、請求項１〜１４の何れか一項に記載の電子写真感光体であり、
前記帯電部の帯電極性は、正極性であり、
前記転写部は、前記像担持体の前記表面と前記転写体とが接触しながら前記トナー像を前記転写体に転写する、画像形成装置。
【請求項１７】
前記帯電部は、前記像担持体の前記表面と接触しながら直流電圧を印加して前記像担持体の前記表面を帯電する、請求項１６に記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記転写体は記録媒体である、請求項１６又は１７に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、像担持体として電子写真方式の画像形成装置（例えば、プリンター、又は複合機）において用いられる。電子写真感光体は、感光層を備える。電子写真感光体としては、例えば、単層型電子写真感光体が用いられる。単層型電子写真感光体は、電荷発生の機能と、電荷輸送の機能とを有する感光層を備える。積層型電子写真感光体は、感光層が電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。
【０００３】
特許文献１には、化学式（Ｒｅｓｉｎ−Ｇ）で表される繰返し単位を有するポリアリレート樹脂が記載されている。また、上記ポリアリレート樹脂を含有する電子写真感光体が記載されている。
【０００４】
【化１】
2018120161.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２９７６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、転写メモリーの発生を十分に抑制することができない。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、転写メモリーの発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。本発明の別の目的は、画像不良の発生を抑制するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。前記感光層は、単層型感光層である。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。前記正孔輸送剤は、トリフェニルアミン誘導体を含む。前記トリフェニルアミン誘導体は、一般式（ＨＴ）で表される。前記バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂を含む。前記ポリアリレート樹脂は、一般式（１）で表される。
【０００９】
【化２】
2018120161.tif 000003
【００１０】
前記一般式（１）中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、及びＱ4は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。ｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。ｒ及びｔは、互いに同一であっても異なってもよい。ｓ及びｕは、互いに同一であっても異なってもよい。Ｘは、化学式（２Ａ）、化学式（２Ｂ）、化学式（２Ｃ）、化学式（２Ｄ）、化学式（２Ｅ）、又は化学式（２Ｆ）で表される二価の基を表す。Ｙは、化学式（４Ａ）、化学式（４Ｂ）、化学式（４Ｃ）、化学式（４Ｄ）、又は化学式（４Ｅ）で表される二価の基を表す。Ｘ及びＹは、互いに異なる。
【００１１】
【化３】
2018120161.tif 000004
【００１２】
【化４】
2018120161.tif 000005
【００１３】
一般式（ＨＴ）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上４以下のアルキル基からなる群より選択される基を表す。ｋ、ｐ、及びｑは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。ｋが２以上の整数を表す場合、複数のＲ1は互いに同一であっても異なってもよい。ｐが２以上の整数を表す場合、複数のＲ2は互いに同一であっても異なってもよい。ｑが２以上の整数を表す場合、複数のＲ3は互いに同一であっても異なってもよい。
【００１４】
本発明のプロセスカートリッジは、上述の電子写真感光体を備える。
【００１５】
本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記帯電部は、前記像担持体の表面を帯電する。前記露光部は、帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記トナー像を前記像担持体から記録媒体へ転写する。前記像担持体は、上述の電子写真感光体である。前記帯電部の帯電極性は、正極性である。前記転写部は、前記像担持体の前記表面と前記記録媒体とが接触しながら前記トナー像を前記記録媒体に転写する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子写真感光体は、転写メモリーの発生を抑制することができる。また、本発明のプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、画像不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体の構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第二実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。
【図３】画像ゴーストが発生した画像を示す図である。
【図４】評価用画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨を限定するものではない。なお、本明細書において、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。
【００１９】
以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数１以上２以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、及び炭素原子数８以上１２以下のフェニルアルケニル基は、それぞれ次の意味である。
【００２０】
ハロゲン原子（ハロゲン基）としては、例えば、フッ素原子（フロオロ基）、塩素原子（クロロ基）、臭素原子（ブロモ基）、又はヨウ素原子（ヨード基）が挙げられる。
【００２１】
炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、又はヘキシル基が挙げられる。
【００２２】
炭素原子数１以上５以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上５以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、又はネオペンチル基が挙げられる。
【００２３】
炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、又はｔ−ブチル基が挙げられる。
【００２４】
炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基が挙げられる。
【００２５】
炭素原子数１以上２以下のアルキル基は、直鎖状で非置換である。炭素原子数１以上２以下のアルキル基としては、例えば、メチル基又はエチル基が挙げられる。
【００２６】
炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、又はｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００２７】
炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、非置換である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基又は炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基が挙げられる。
【００２８】
炭素原子数８以上１２以下のフェニルアルケニル基は、フェニル基と、炭素原子数２以上６以下のアルカポリエン基とが結合した基である。炭素原子数８以上１２以下のフェニルアルケニル基は、直鎖状又は分岐状で非置換である。炭素原子数８以上１２以下のフェニルアルケニル基としては、例えば、エテニル基、ブタジエニル基、又はヘキサトリエン基が挙げられる。
【００２９】
＜第一実施形態：電子写真感光体＞
本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）の構造を説明する。図１は、第一実施形態に係る感光体１の構造を示す概略断面図である。図１（ａ）に示すように、感光体１は、導電性基体２と、感光層３とを備える。感光層３は、単層型感光層である。図１（ａ）に示すように、感光層３は導電性基体２上に直接的に配置されてもよい。また、図１（ｂ）に示すように、感光体１は、例えば、導電性基体２と、中間層４（下引層）と、感光層３とを備える。図１（ｂ）に示すように、感光層３は導電性基体２上に間接的に配置されてもよい。図１（ｂ）に示すように、中間層４は、導電性基体２と感光層３との間に設けられてもよい。図１（ｃ）に示すように、感光体１は、最表面層として保護層５を備えてもよい。
【００３０】
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。正孔輸送剤は、一般式（ＨＴ）で表されるトリフェニルアミン誘導体（以下、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）と記載することがある）を含む。バインダー樹脂は、一般式（１）で表されるポリアリレート樹脂（以下、ポリアリレート樹脂（１）と記載することがある）を含む。第一実施形態に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制する。その理由は、以下のように推測される。
【００３１】
便宜上、まず、転写メモリーについて説明する。電子写真方式の画像形成では、例えば、以下の１）〜４）の工程を含む画像形成プロセスが実施される。
１）像担持体（感光体に相当）の表面を帯電する帯電工程、
２）帯電された像担持体の表面を露光して、像担持体の表面に静電潜像を形成する露光工程、
３）静電潜像をトナー像として現像する現像工程、及び
４）形成されたトナー像を、像担持体から記録媒体へ転写する転写。
【００３２】
このような画像形成プロセスでは、像担持体を回転させて使用するため、転写工程に起因する転写メモリーが発生する場合がある。具体的には、以下の通りである。帯電工程において、像担持体の表面は、一様に一定の正極性の電位まで帯電される。続いて、露光工程及び現像工程を経て、転写工程において、帯電とは逆極性（負極性）の転写バイアスが、記録媒体を介して像担持体に印加される。具体的には、印加された逆極性の転写バイアスの影響により、像担持体表面の非露光領域（非画像領域）の電位が大きく低下し、低下した状態が保持されることがある。この電位低下の影響を受け、非露光領域は、感光体が画像を形成した周を基準として（以下、基準周と記載することがある）次の周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され難くなる。一方、転写バイアスが印加された状態であっても、露光領域にトナーが付着しているため感光体表面に転写バイアスが直接印加され難いことから、露光領域（画像領域）の電位は低下し難い。このため、露光領域は、基準周の次の周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され易い。その結果、露光領域と非露光領域とで帯電電位が異なり、像担持体の表面を一様に一定の正極性の電位まで帯電させることが困難となる場合がある。
【００３３】
このように、感光体の基準周の作像工程（画像形成プロセス）における転写バイアスによって電位低下の影響を受け、非露光領域の帯電能が低下する場合がある。このような帯電電位に電位差が生じる現象を、転写メモリーという。
【００３４】
トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）は、中心のトリフェニルアミン構造において３つのベンゼン環のうち２つのベンゼン環で置換基としてＲ2又はＲ3を有する炭素原子数８以上１２以下のフェニルアルケニル基を有する。ここで、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）のπ共役系は空間的広がりが比較的大きいため、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）の分子内におけるキャリア（正孔）の移動距離が大きくなる傾向にある。すなわち、キャリア（正孔）の分子内移動距離が大きくなる傾向にある。また、感光層中の複数のトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）は互いのπ共役系が重なり易くなり、複数のトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）の分子間におけるキャリア（正孔）の移動距離が減少する傾向にある。すなわち、キャリア（正孔）の分子間移動距離が減少する傾向にある。一方、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）は分子内に窒素原子を１個有するため、分子内に窒素原子を２個有する化合物（例えば、ジアミン化合物）に比べ、分子内に電荷の偏りが少ない傾向にある。よって、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）は、感光体のキャリアの受容性（注入性）及び輸送性を向上させると考えられる。また、トリフェニルアミン誘導体（１）を含む感光層は、帯電時の表面電位を安定的に維持し易い。
【００３５】
ポリアリレート樹脂（１）は、一般式（１）で表されるようにジカルボン酸由来の繰返し単位と、ジオール由来の繰返し単位とを有する。ジカルボン酸由来の繰返し単位は、一般式（４Ａ）〜（４Ｅ）で表される二価の置換基を有し、ジオール由来の繰返し単位はフルオレン基を有する。このような構造を有するポリアリレート樹脂は、層密度の高い感光層を形成し、高硬度の感光層を形成し易い。このため、帯電時の表面電位を安定的に維持され易くなる。更に、ポリアリレート樹脂（１）は、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）との相溶性に優れるため、感光層中でトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）を分散させ易い。よって、感光層のキャリアの輸送性を向上させ易い。以上から、第一実施形態に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制することができると考えられる。
【００３６】
以下、第一実施形態に係る感光体の要素（導電性基体、感光層、及び中間層）を説明する。更に感光体の製造方法も説明する。
【００３７】
［１．導電性基体］
導電性基体は、感光体の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体としては、少なくとも表面部が導電性を有する材料で構成される導電性基体を用いることができる。導電性基体の一例としては、導電性を有する材料で構成される導電性基体が挙げられる。導電性基体の別の例としては、導電性材料で被覆される導電性基体が挙げられる。導電性を有する材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、又はインジウムが挙げられる。これらの導電性を有する材料の中でも、１種単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。２種以上の組合せとしては、例えば、合金（具体的には、アルミニウム合金、ステンレス鋼、又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性を有する材料の中でも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから導電性、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
【００３８】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて適宜選択することができる。導電性基体の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚みは、導電性基体の形状に応じて、適宜選択することができる。
【００３９】
［２．感光層］
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。感光層は添加剤を含有してもよい。感光層の厚さは、感光層としての機能を十分に発現できれば、特に限定されない。具体的には、感光層の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
以下、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、バインダー樹脂、及び添加剤を説明する。
【００４１】
［２−１．電荷発生剤］
電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤であれば、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコンのような無機光導電材料の粉末、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、又はキナクリドン系顔料が挙げられる。フタロシアニン系顔料としては、例えば、フタロシアニン又はフタロシアニン誘導体が挙げられる。フタロシアニンとしては、例えば、無金属フタロシアニン顔料（より具体的には、Ｘ型無金属フタロシアニン（ｘ−Ｈ2Ｐｃ）等）が挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、例えば、金属フタロシアニン顔料（より具体的には、チタニルフタロシアニン、又はＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン等）が挙げられる。フタロシアニン系顔料の結晶形状については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。フタロシアニン顔料の結晶形状としては、例えば、α型、β型、又はＹ型が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの電荷発生剤のうち、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがより好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン（ｘ−Ｈ2Ｐｃ）又はＹ型チタニルフタロシアニン（Ｙ−ＴｉＯＰｃ）が更に好ましい。
【００４２】
Ｙ型チタニルフタロシアニンは、Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ±０．２°＝２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。
【００４３】
（ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法）
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法を説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。得られたＸ線回折スペクトルから主ピークを決定し、主ピークのブラッグ角を読み取る。
【００４４】
所望の領域に吸収波長を有する電荷発生剤を単独で用いてもよいし、２種以上の電荷発生剤を組み合わせて用いてもよい。更に、例えば、デジタル光学式の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。デジタル光学式の画像形成装置としては、例えば、半導体レーザーのような光源を使用したレーザービームプリンター又はファクシミリが挙げられる。そのため、例えば、フタロシアニン系顔料が好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンがより好ましい。感光体の感度特性を更に向上させる観点から、Ｙ型チタニルフタロシアニンが更に好ましい。転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、Ｘ型無金属フタロシアニンが更に好ましい。
【００４５】
短波長レーザー光源を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料又はペリレン系顔料が好適に用いられる。短波長レーザーの波長としては、例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長が挙げられる。
【００４６】
電荷発生剤は、例えば、化学式（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−４）で表されるフタロシアニン系顔料である（以下、それぞれ電荷発生剤（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−４）と記載することがある）。
【００４７】
【化５】
2018120161.tif 000006
【００４８】
電荷発生剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上４．５質量部以下であることが特に好ましい。
【００４９】
［２−２．正孔輸送剤］
正孔輸送剤は、一般式（ＨＴ）で表される。
【００５０】
【化６】
2018120161.tif 000007
【００５１】
一般式（ＨＴ）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基及び炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基からなる群より選択される基を表す。ｋ、ｐ、及びｑは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に、１以上３以下の整数を表す。ｋが２以上の整数を表す場合、複数のＲ1は互いに同一であっても異なってもよい。ｐが２以上の整数を表す場合、複数のＲ2は互いに同一であっても異なってもよい。ｑが２以上の整数を表す場合、複数のＲ3は互いに同一であっても異なってもよい。
【００５２】
一般式（ＨＴ）中、Ｒ1が表す炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、メチル基、エチル基、又はｎ−ブチル基を表すことが好ましい。Ｒ1が表す炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基は、エトキシ基又はｎ−ブトキシ基を表すことが好ましい。Ｒ1で表される置換基は、窒素原子との結合に対してベンゼン環のオルト位（ｏ位）、メタ位（ｍ位）、又はパラ位（ｐ位）の何れであってもよく、オルト位又はパラ位が好ましい。
【００５３】
一般式（ＨＴ）中、Ｒ1は、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上４以下のアルキル基よりなる群から選択される基を表し、ｋは１又は２を表し、ｋが２を表す場合２つのＲ1は互いに同一であっても異なってもよく、ｐ及びｑは０を表し、ｍ１及びｍ２は２又は３を表すことが好ましい。
【００５４】
転写メモリーの発生を更に抑制し、感光体の感度特性を向上させる観点から、一般式（ＨＴ）中、Ｒ1は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、ｋは２を表すことが好ましい。転写メモリーの発生を更に抑制し、感光体の感度特性を向上させる観点から、一般式（ＨＴ）中、ｍ１及びｍ２は２又は３を表すことが好ましい。
【００５５】
トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）としては、例えば、化学式（ＨＴ−１）、化学式（ＨＴ−２）、化学式（ＨＴ−３）、化学式（ＨＴ−４）、化学式（ＨＴ−５）、化学式（ＨＴ−６）、又は化学式（ＨＴ−７）で表されるトリフェニルアミン誘導体が挙げられる（以下、それぞれトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−１）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−２）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−３）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−４）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−５）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−６）、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−７）と記載することがある）。
【００５６】
【化７】
2018120161.tif 000008
【００５７】
正孔輸送剤は、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ）以外に他の正孔輸送剤を含んでもよい。他の正孔輸送剤としては、例えば、ジアミン誘導体（より具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、又はＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体等）；オキサジアゾール系化合物（より具体的には、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等）；スチリル系化合物（より具体的には、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等）；カルバゾール系化合物（より具体的には、ポリビニルカルバゾール等）；有機ポリシラン化合物；ピラゾリン系化合物（より具体的には、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等）；ヒドラゾン系化合物；インドール系化合物；オキサゾール系化合物；イソオキサゾール系化合物；チアゾール系化合物；チアジアゾール系化合物；イミダゾール系化合物；ピラゾール系化合物；トリアゾール系化合物が挙げられる。
【００５８】
正孔輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。
【００５９】
［２−３．電子輸送剤］
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸、又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物、又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これらの電子輸送剤のうち、一般式（ＥＴ１）、一般式（ＥＴ２）、一般式（ＥＴ３）、一般式（ＥＴ４）、又は一般式（ＥＴ５）で表される。以下、これらの電子輸送剤を、それぞれ電子輸送剤（ＥＴ１）、電子輸送剤（ＥＴ２）、電子輸送剤（ＥＴ３）、電子輸送剤（ＥＴ４）、及び電子輸送剤（ＥＴ５）と記載することがある。
【００６０】
【化８】
2018120161.tif 000009
【００６１】
一般式（ＥＴ１）中、Ｒ11及びＲ12は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。一般式（ＥＴ２）中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。一般式（ＥＴ３）中、Ｒ17及びＲ18は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を１又は複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。一般式（ＥＴ４）中、Ｒ19及びＲ20は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。Ｒ21は、ハロゲン原子を１又は複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。一般式（ＥＴ５）中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。
【００６２】
転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、電子輸送剤（ＥＴ１）〜（ＥＴ５）のうち電子輸送剤（ＥＴ１）又は（ＥＴ２）が好ましい。
【００６３】
一般式（ＥＴ１）中、Ｒ11及びＲ12は、炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表すことが好ましく、２−メチル−２−ブチル基がより好ましい。電子輸送剤（ＥＴ１）としては、例えば、化学式（ＥＴ１−１）で表される電子輸送剤が挙げられる（以下、電子輸送剤（ＥＴ１−１）と記載することがある）。
【００６４】
一般式（ＥＴ２）中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、及びＲ16は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基又はｔ−ブチル基を表すことがより好ましい。電子輸送剤（ＥＴ２）としては、例えば、化学式（ＥＴ２−１）で表される電子輸送剤が挙げられる（以下、電子輸送剤（ＥＴ２−１）と記載することがある）。
【００６５】
一般式（ＥＴ３）中、Ｒ17及びＲ18は、炭素原子数１以上２以下のアルキル基を複数有するフェニル基を表すことが好ましく、２−エチル−６−メチルフェニル基がより好ましい。電子輸送剤（ＥＴ３）としては、例えば、化学式（ＥＴ３−１）で表される電子輸送剤が挙げられる（以下、電子輸送剤（ＥＴ３−１）と記載することがある）。
【００６６】
一般式（ＥＴ４）中、Ｒ19及びＲ20は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましく、ｔ−ブチル基を表すことがより好ましい。Ｒ21は、ハロゲン原子を有するフェニル基を表すことが好ましく、クロロフェニル基を表すことがより好ましく、ｐ−クロロフェニル基を表すことが更に好ましい。電子輸送剤（ＥＴ４）としては、例えば、化学式（ＥＴ４−１）で表される電子輸送剤が挙げられる（以下、電子輸送剤（ＥＴ４−１）と記載することがある）。
【００６７】
一般式（ＥＴ５）中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基又はｔ−ブチル基を表すことがより好ましい。電子輸送剤（ＥＴ５）としては、例えば、化学式（ＥＴ５−１）で表される電子輸送剤が挙げられる（以下、電子輸送剤（ＥＴ５−１）と記載することがある）。
【００６８】
【化９】
2018120161.tif 000010
【００６９】
［２−４．バインダー樹脂］
バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂（１）を含む。ポリアリレート樹脂（１）は、一般式（１）で表される。
【００７０】
【化１０】
2018120161.tif 000011
【００７１】
一般式（１）中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、及びＱ4は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。ｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。ｒ及びｔは、互いに同一であっても異なってもよい。ｓ及びｕは、互いに同一であっても異なってもよい。Ｘは、化学式（２Ａ）、化学式（２Ｂ）、化学式（２Ｃ）、化学式（２Ｄ）、化学式（２Ｅ）、又は化学式（２Ｆ）で表される二価の基を表す。Ｙは、化学式（４Ａ）、化学式（４Ｂ）、化学式（４Ｃ）、化学式（４Ｄ）、又は化学式（４Ｅ）で表される二価の基を表す。Ｘ及びＹは、互いに異なる。
【００７２】
【化１１】
2018120161.tif 000012
【００７３】
感光体の感度特性を更に向上させ、転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、一般式（１）中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、及びＱ4はメチル基を表すことが好ましい。
【００７４】
感光体の感度特性を更に向上させ、転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、一般式（１）中、ｓが０を表す場合、Ｙは、一般式（４Ａ）、一般式（４Ｂ）、又は一般式（４Ｃ）で表される二価の基を表すことが好ましい。一般式（１）中、ｓが１以上の整数を表す場合、Ｘは、一般式（２Ａ）、一般式（２Ｂ）、又は一般式（２Ｃ）で表される二価の基を表し、Ｙは、一般式（４Ａ）、一般式（４Ｂ）、又は一般式（４Ｃ）で表される二価の基を表すことが好ましい。
【００７５】
ｓは、１以上の整数を表してもよい。ｒとｓとが互いに異なり、ｒとｕとが互いに異なってもよい。ｔとｓとが互いに異なり、ｔとｕとが互いに異なってもよい。
【００７６】
ポリアリレート樹脂（１）は、一般式（１−７）で表される繰返し単位（以下、繰返し単位（１−７）と記載することがある）と、一般式（１−８）で表される繰返し単位（以下、繰返し単位（１−８）と記載することがある）とを有する。ポリアリレート樹脂（１）は、ｒ及びｓが１以上の整数を表す場合、化学式（１−５）で表される繰返し単位（以下、繰返し単位（１−５）と記載することがある）と、一般式（１−６）で表される繰返し単位（以下、繰返し単位（１−６）と記載することがある）とを更に有する。
【００７７】
【化１２】
2018120161.tif 000013
【００７８】
一般式（１−５）中のＱ1及びＱ2、一般式（１−６）中のＸ、一般式（１−７）中のＱ3及びＱ4、並びに一般式（１−８）中のＹは、それぞれ一般式（１）中のＱ1、Ｑ2、Ｘ、Ｑ3、Ｑ4、及びＹと同義である。
【００７９】
ポリアリレート樹脂（１）は、繰返し単位（１−５）〜（１−８）以外の繰返し単位を有してもよい。ポリアリレート樹脂（１）中の繰返し単位の物質量の合計に対する繰返し単位（１−５）〜（１−８）の物質量の合計の比率（モル分率）は、０．８０以上が好ましく、０．９０以上がより好ましく、１．００が更に好ましい。
【００８０】
ポリアリレート樹脂（１）における繰返し単位（１−５）〜（１−８）の配列は、芳香族ジオール由来の繰返し単位と芳香族ジカルボン酸由来の繰返し単位とが互いに隣接する限り、特に限定されない。例えば、繰返し単位（１−５）及び繰返し単位（１−７）は、各々独立に、繰返し単位（１−６）又は繰返し単位（１−８）と隣接して互いに結合している。
【００８１】
一般式（１）中、ｒ及びｓは０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。ｓ／（ｓ＋ｕ）は、０．３０以上０．７０以下であってもよい。ｓ／（ｓ＋ｕ）は、ポリアリレート樹脂（１）における繰返し単位（１−６）の物質量及び繰返し単位（１−８）の物質量の合計に対する繰返し単位（１−６）の物質量の比率（モル分率）を表す。
【００８２】
ポリアリレート樹脂（１）としては、例えば、化学式（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）で表されるポリアリレート樹脂（以下、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）と記載することがある）が挙げられる。
【００８３】
【化１３】
2018120161.tif 000014
【００８４】
【化１４】
2018120161.tif 000015
【００８５】
【化１５】
2018120161.tif 000016
【００８６】
バインダー樹脂の粘度平均分子量は、１０，０００以上であることが好ましく、１４，０００以上であることがより好ましく、２０，０００以上であることが更に好ましく、４８，０００以上であることが特に好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量は、１００，０００以下であることが好ましく、８０，０００以下であることがより好ましく、７０，０００以下であることが更に好ましく、５３，０００以下であることが特に好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が２０，０００以上である場合、バインダー樹脂の耐摩耗性を高めることができ、電荷輸送層が摩耗しにくくなる。一方、バインダー樹脂の粘度平均分子量が７０，０００以下である場合、感光層の形成時に、バインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層の形成が容易になる傾向がある。
【００８７】
（バインダー樹脂の製造方法）
バインダー樹脂の製造方法は、ポリアリレート樹脂（１）を製造できれば、特に限定されない。これらの製造方法として、例えば、ポリアリレート樹脂の繰返し単位を構成するための芳香族ジオールと芳香族ジカルボン酸とを縮重合させる方法が挙げられる。ポリアリレート樹脂（１）の合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（より具体的には、溶液重合、溶融重合、又は界面重合等）を採用することができる。以下、ポリアリレート樹脂（１）の製造方法の一例を説明する。
【００８８】
ポリアリレート樹脂（１）は、例えば、反応式（Ｒ−１）で表される反応（以下、反応（Ｒ−１）と記載することがある）に従って又はこれに準じる方法によって製造される。ポリアリレート樹脂の製造方法は、例えば、反応（Ｒ−１）を含む。
【００８９】
【化１６】
2018120161.tif 000017
【００９０】
反応（Ｒ−１）において、一般式（１−１１）中のＱ1及びＱ2、一般式（１−１２）中のＱ3及びＱ4、一般式（１−９）中のＸ、並びに一般式（１−１０）中のＹは、それぞれ一般式（１）中のＱ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4、Ｘ、及びＹと同義である。
【００９１】
反応（Ｒ−１）では、一般式（１−９）で表される芳香族ジカルボン酸及び一般式（１−１０）で表される芳香族ジカルボン酸（以下、それぞれ芳香族ジカルボン酸（１−９）及び（１−１０）と記載することがある）と、一般式（１−１１）で表される芳香族ジオール酸及び一般式（１−１２）で表される芳香族ジオール（以下、それぞれ芳香族ジオール（１−１１）及び（１−１２）と記載することがある）とを反応させて、ポリアリレート樹脂（１）を得る。
【００９２】
芳香族カルボン酸（１−９）及び（１−１０）の合計物質量１モルに対する、芳香族ジオール（１−１１）及び（１−１２）の合計物質量は、０．９モル以上１．１モル以下であることが好ましい。上記範囲であると、ポリアリレート樹脂（１）を精製し易く、ポリアリレート樹脂（１）の収率が向上するからである。
【００９３】
反応（Ｒ−１）は、アルカリ及び触媒の存在下で進行させてもよい。触媒としては、例えば、第三級アンモニウム（より具体的には、トリアルキルアミン等）又は第四級アンモニウム塩（より具体的には、ベンジルトリメチルアンモニウムブロマイド等）が挙げられる。アルカリとしては、例えば、アルカリ金属の水酸化物（より具体的には、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等）、アルカリ土類金属の水酸化物（より具体的には、水酸化カルシウム等）が挙げられる。反応（Ｒ−１）は、溶媒中及び不活性ガス雰囲気下で進行させてもよい。溶媒としては、例えば、水又はクロロホルムが挙げられる。不活性ガスとしては、例えば、アルゴンが挙げられる。反応（Ｒ−１）の反応時間は、２時間以上５時間以下が好ましい。反応温度は、５℃以上２５℃以下が好ましい。
【００９４】
芳香族ジカルボン酸としては、例えば、芳香環上に結合する２つのカルボキシル基を有する芳香族ジカルボン酸（より具体的には、ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル又は４，４’−ジカルボキシビフェニル等）が挙げられる。芳香族ジカルボン酸は、芳香族ジカルボン酸（１−９）及び（１−１０）以外に他のジカルボン酸を含んでもよい。なお、ポリアリレート樹脂の合成において、芳香族ジカルボン酸の代わりに、芳香族ジカルボン酸誘導体（より具体的には、ハロゲン化アルカノイル又は芳香族ジカルボン酸無水物）を用いてもよい。
【００９５】
ポリアリレート樹脂を合成する際、芳香族ジオールは、ジアセテートのような誘導体として用いることができる。芳香族ジオールは、芳香族ジオール（１−１１）及び（１−１２）以外の他のジオール（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＥ、又はビスフェノールＦ）を含んでもよい。
【００９６】
ポリアリレート樹脂（１）の製造では、必要に応じて他の工程（例えば、精製工程）を含んでもよい。このような工程としては、例えば、精製工程が挙げられる。精製方法としては、例えば、公知の方法（より具体的には、ろ過、クロマトグラフィー、又は晶折等）が挙げられる。
【００９７】
［２−５．添加剤］
電荷発生層と、電荷輸送層と、単層型感光体の感光層と、中間層とのうちの少なくとも一つが、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤、又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、ドナー、界面活性剤、又はレベリング剤が挙げられる。
【００９８】
［３．中間層］
第一実施形態に係る感光体は、中間層（例えば、下引き層）を有してもよい。中間層は、例えば、無機粒子及び樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層を介在させると、電流リークの発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、電気抵抗の上昇を抑えることができる。
【００９９】
無機粒子としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄、又は銅等）の粒子、金属酸化物（より具体的には、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、又は酸化亜鉛等）の粒子、又は非金属酸化物（より具体的には、シリカ等）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、又は２種以上を併用してもよい。
【０１００】
［４．感光体の製造方法］
感光体の製造方法について説明する。感光体の製造方法は、例えば、感光層形成工程を有する。
【０１０１】
感光層形成工程では、感光層を形成するための塗布液（以下、感光層用塗布液と記載することがある）を調製する。感光層用塗布液を導電性基体上に塗布する。次いで、適宜な方法で乾燥することによって、塗布した感光層用塗布液に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去して感光層を形成する。感光層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂と、溶剤とを含む。このような感光層用塗布液は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを溶剤に溶解又は分散させることにより調製する。感光層用塗布液は、必要に応じて各種添加剤を加えてもよい。
【０１０２】
以下、感光層形成工程の詳細を説明する。感光層用塗布液に含有される溶剤は、感光層用塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できれば、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、又はブタノール等）、脂肪族系炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン、又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン、又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、又はクロロベンゼン等）、エーテル（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、又はジエチレングリコールジメチルエーテル等）、ケトン（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、又はシクロヘキサノン等）、エステル（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの溶剤のうち、非ハロゲン系溶剤を用いることが好ましい。
【０１０３】
感光層用塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー、又は超音波分散器を用いることができる。
【０１０４】
感光層用塗布液は、各成分の分散性、又は形成される各々の層の表面平滑性を向上させるために、例えば、界面活性剤又はレベリング剤を含有してもよい。
【０１０５】
感光層用塗布液を塗布する方法としては、感光層用塗布液を均一に塗布できる方法であれば、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法、又はバーコート法が挙げられる。
【０１０６】
感光層用塗布液に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去する方法としては、感光層用塗布液中の溶剤の少なくとも一部を除去（より具体的には、蒸発等）させ得る方法であれば、特に限定されない。除去する方法としては、例えば、加熱、加圧、又は加熱と減圧との併用が挙げられる。より具体的には、高温乾燥機、又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。
【０１０７】
なお、感光体の製造方法は、必要に応じて中間層を形成する工程を更に有してもよい。中間層を形成する工程は、公知の方法を適宜選択することができる。
【０１０８】
＜第二実施形態：画像形成装置＞
以下、図２を参照して第二実施形態に係る画像形成装置の一態様について説明する。図２は、第二実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。
【０１０９】
第二実施形態に係る画像形成装置１００は、画像形成ユニット４０を備える。画像形成ユニット４０は、像担持体３０と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とを備える。像担持体３０は、第一実施形態に係る感光体である。帯電部４２は、像担持体３０の表面を帯電する。帯電部４２の帯電極性は、正極性である。露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光して、像担持体３０の表面に静電潜像を形成する。現像部４６は、静電潜像をトナー像として現像する。転写部４８は、像担持体３０の表面と転写体として記録媒体Ｐとが接触しながらトナー像を像担持体３０から記録媒体Ｐへ転写する。以上、第二実施形態に係る画像形成装置の概要を記載した。
【０１１０】
第二実施形態に係る画像形成装置１００は、画像不良（例えば、転写メモリーの発生に起因する画像不良）を抑制することができる。その理由は、以下のように推測される。第二実施形態に係る画像形成装置１００は、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制することができる。よって、第二実施形態に係る画像形成装置１００は、画像不良を抑制することができる。
【０１１１】
転写メモリーに起因する画像不良について説明する。画像形成プロセスで転写メモリーが発生すると、画像形成における感光体の周（基準周）を基準としたときに、像担持体３０の表面において次の周の帯電工程で所望の電位が得られない領域は、基準周の次の周の帯電工程で所望の電位が得られる領域に比べ、電位が低下する傾向にある。具体的には、像担持体３０の表面における基準周の非露光領域は、基準周の露光領域に比べ、次周回の帯電時に電位が低下する傾向にある。このため、基準周の非露光領域は、基準周の露光領域に比べ、帯電時の電位が低下し易いため、現像時に正帯電トナーを引き付け易くなる。その結果、基準周の非画像部（非露光領域）を反映した画像が形成され易い。このような基準周の画像部を反映した画像が形成される画像不良が、転写メモリーに起因して発生する画像不良（以下、画像ゴーストと記載することがある）である。
【０１１２】
図３を参照して、画像不良が発生した画像を説明する。図３は、画像ゴーストが発生した画像６０を示す図である。画像６０は、領域６２及び領域６４を含む。領域６２は像担持体１周分に相当する領域であり、領域６４も像担持体１周分に相当する領域である。領域６２は画像６６を含む。画像６６は、正方形状のソリッド画像から構成される。領域６４は画像６８及び画像６９を含む。画像６８は、正方形状のハーフトーン画像である。画像６９は、領域６４における正方形状の白抜きのハーフトーン画像である。画像６９は、画像６８に比べ画像濃度が濃い。画像６９は、領域６２の非露光領域を反映し、設計画像濃度より濃くなった画像不良（画像ゴースト）である。なお、領域６４の画像は、設計画像上全面ハーフトーン画像から構成される。
【０１１３】
以下、図２を参照して各部について詳細に説明する。画像形成装置１００は、電子写真方式の画像形成装置である限り、特に限定されない。画像形成装置１００は、例えば、モノクロ画像形成装置であってもよいし、カラー画像形成装置であってもよい。画像形成装置１００がカラー画像形成装置である場合、画像形成装置１００は、例えば、タンデム方式を採用する。以下、タンデム方式の画像形成装置１００を例に挙げて説明する。
【０１１４】
画像形成装置１００は、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄと、転写ベルト５０と、定着部５２とを備える。以下、区別する必要がない場合には、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄの各々を、画像形成ユニット４０と記載する。なお、画像形成装置１００がモノクロ画像形成装置である場合には、画像形成装置１００は、画像形成ユニット４０ａを備え、画像形成ユニット４０ｂ〜４０ｄは省略される。
【０１１５】
画像形成装置１００は、直接転写方式を採用することができる。通常、直接転写方式を採用する画像形成装置では、像担持体の表面と記録媒体が接触しながら、トナー像を記録媒体に転写する。このため、像担持体は、中間転写方式を採用する画像形成装置に搭載された像担持体に比べ、転写バイアスの影響を大きく受ける。よって、転写メモリーの発生に起因する画像不良の発生を抑制しにくい。しかし、第二実施形態に係る画像形成装置１００は、第一実施形態に係る感光体を備える。そして、第一実施形態に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制することができる。よって、第二実施形態に係る画像形成装置１００は、直接転写方式を採用するが、転写メモリーの発生に起因した画像不良を抑制することができる。
【０１１６】
画像形成ユニット４０は、その中央位置に像担持体３０が設けられる。像担持体３０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能に設けられる。像担持体３０の周囲には、帯電部４２を基準として像担持体３０の回転方向の上流側から順に、帯電部４２、露光部４４、現像部４６、及び転写部４８が設けられる。なお、画像形成ユニット４０には、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。
【０１１７】
画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々によって、転写ベルト５０上の記録媒体Ｐに、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。
【０１１８】
帯電部４２は、像担持体３０の表面と接触しながら像担持体３０の表面を帯電する。帯電部４２は、いわゆる接触方式の帯電部であり、帯電ローラーである。他の接触方式の帯電部としては、例えば、帯電ブラシが挙げられる。また、帯電部は、非接触方式の帯電部であってもよい。非接触方式の帯電部としては、例えば、コロトロン帯電部又はスコロトロン帯電部が挙げられる。
【０１１９】
接触方式の帯電部は、非接触方式の帯電部に比べ、感光体の表面を帯電させにくい。例えば、通常、帯電ローラーを備える画像形成装置では、転写メモリーの発生に起因した画像不良を抑制しにくい。第二実施形態に係る画像形成装置１００は、第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制する。このため、第二実施形態に係る画像形成装置１００は、接触方式の帯電部を備える場合であっても、転写メモリーの発生に起因する画像不良を抑制することができる。
【０１２０】
帯電部４２が印加する電圧は、直流電圧、交流電圧、又は重畳電圧の何れであってもよく、直流電圧であることが好ましい。重畳電圧とは、直流電圧に交流電圧を重畳させた電圧である。帯電部が像担持体に印加する電圧が直流電圧である場合、交流電圧や重畳電圧である場合に比べ、感光層の最表面層（例えば、単層型感光層）の摩耗量を低減させることができる。
【０１２１】
帯電部が交流電圧を印加すると、像担持体の表面の表面電位を均一化することができる傾向があるが、接触帯電方式の帯電部を備えた画像形成装置では、直流電圧のみを印加しても均一に帯電できる。帯電ローラーに直流電圧のみを印加することによって、好適な画像を形成することができ、更に、感光層の摩耗量を低減させることができる。
【０１２２】
露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光する。これにより、像担持体３０の表面に静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置１００に入力された画像データに基づいて形成される。
【０１２３】
現像部４６は、像担持体３０の表面にトナーを供給し、静電潜像をトナー像として現像する。現像部４６は、像担持体３０の表面と接触しながら静電潜像をトナー像として現像することができる。
【０１２４】
転写ベルト５０は、像担持体３０と転写部４８との間に記録媒体Ｐを搬送する。転写ベルト５０は、無端状のベルトである。転写ベルト５０は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。
【０１２５】
転写部４８は、現像部４６によって現像されたトナー像を、像担持体３０の表面から記録媒体Ｐへ転写する。転写部４８としては、例えば、転写ローラーが挙げられる。像担持体３０から記録媒体Ｐにトナー像が転写されるときに、像担持体３０の表面は記録媒体Ｐと接触している。
【０１２６】
定着部５２は、転写部４８によって記録媒体Ｐに転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部５２は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｐにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｐに画像が形成される。
【０１２７】
＜第三実施形態：プロセスカートリッジ＞
第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、第一実施形態に係る感光体を備える。引き続き、図２を参照して、第三実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明する。
【０１２８】
プロセスカートリッジは、ユニット化された部分を含む。ユニット化された部分は、像担持体３０である。ユニット化された部分は、像担持体３０である。ユニット化された部分は、像担持体３０に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６、及び転写部４８からなる群より選択される少なくとも１つを含んでもよい。プロセスカートリッジは、例えば、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々に相当する。プロセスカートリッジには、クリーニング装置（不図示）及び除電器（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジは、画像形成装置１００に対して着脱自在に設計される。そのため、プロセスカートリッジは取り扱いが容易であり、像担持体３０の感度特性等が劣化した場合に、像担持体３０を含めて容易かつ迅速に交換することができる。
【実施例】
【０１２９】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。なお、本発明は実施例の範囲に何ら限定されるものではない。
【０１３０】
［感光体の材料］
（正孔輸送剤）
第一実施形態で説明したトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）を準備した。また、化学式（ＨＴ−８）又は（ＨＴ−９）で表される正孔輸送剤（以下、正孔輸送剤（ＨＴ−８）又は（ＨＴ−９）と記載することがある）を準備した。
【０１３１】
【化１７】
2018120161.tif 000018
【０１３２】
（電子輸送剤）
第一実施形態で説明した電子輸送剤（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ５−１）を準備した。
【０１３３】
（電荷発生剤）
第一実施形態で説明した電荷発生剤（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−２）を準備した。電荷発生剤（ＣＧＭ−１）は、化学式（ＣＧＭ−１）で表されるＸ型無金属フタロシアニンであった。
【０１３４】
電荷発生剤（ＣＧＭ−２）は、化学式（ＣＧＭ−２）で表されるＹ型チタニルフタロシアニン（Ｙ型チタニルフタロシアニン結晶）であった。結晶構造はＹ型であった。
【０１３５】
Ｙ型チタニルフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートにおいて、ブラッグ角２θ±０．２°＝９．２°、１４．５°、１８．１°、２４．１°、２７．２°にピークを有しており、主ピークは２７．２°であった。なお、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルは、第一実施形態で説明した測定装置及び測定条件で測定された。
【０１３６】
（バインダー樹脂）
［ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）］
第一実施形態で説明したポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）を調製した。
【０１３７】
［ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）の作製］
三口フラスコを反応容器として用いた。この反応容器は、温度計、三方コック、及び滴下ロート２００ｍＬを備えた容量１Ｌの三口フラスコである。反応容器に９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン３１．２５ｇ（８２．５６ミリモル）と、ｔ−ブチルフェノール０．１２４ｇ（０．８２６ミリモル）と、水酸化ナトリウム７．８４ｇ（１９６ミリモル）と、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド０．２４０ｇ（０．７６８ミリモル）とを投入した。次いで、反応容器内をアルゴン置換した。その後、水６００ｍＬを更に反応容器に投入した。反応容器の内温２０℃の条件下で、反応容器の内容物を１時間攪拌した。次いで、反応容器の内容物を冷却し、反応容器の内温を１０℃まで降温した。このようにしてアルカリ性水溶液を調製した。
【０１３８】
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド９．８４ｇ（３８．９ミリモル）と、４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１１．４７ｇ（３８．９ミリモル）とをクロロホルム（アミレン添加品）３００ｇに溶解させて、クロロホルム溶液を調製した。
【０１３９】
次いで、アルカリ水溶液の反応容器の内温を１０℃に維持し、反応容器内の内容物を攪拌した状態とした。アルカリ水溶液へクロロホルム溶液を投入し、重合反応を開始させた。重合反応は、反応容器の内容物を攪拌させて反応容器内の内温を１３±３℃に維持しつつ、３時間進行させた。その後、デカントを用いて上層（水層）を除去し、有機層を得た。
【０１４０】
反応容器として容量２Ｌの三角フラスコを用いた。反応容器にイオン交換水５００ｍＬを投入した後に有機層を投入した。更に、反応容器にクロロホルム３００ｇと、酢酸６ｍＬとを添加した。反応容器の内容物を室温（２５℃）で３０分間攪拌した。次いで、デカントで上層（水層）を除去し、有機層を得た。次いで、イオン交換水５００ｍＬを用いて有機層を分液ロートにて８回洗浄した。
【０１４１】
水洗後の有機層を分液により取り出した。有機層をろ過し、ろ液を得た。容量３Ｌのビーカーに１．５Ｌのメタノールを投入した。メタノールを攪拌した状態で、有機層をゆっくりと滴下し、沈殿物を得た。沈殿物をろ過によりろ別した。得られた沈殿物を温度７０℃で１２時間真空乾燥させた。その結果、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）を得た。ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）の収量は３９．７ｇであり、収率は８８．１％であった。
【０１４２】
［ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）の作製］
９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンをポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）の出発物質である芳香族ジオールに変更し、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド及び４，４’−オキシビス安息香酸クロリドをポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）の出発物質であるハロゲン化アルカノイルに変更した以外は、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）と同様にしてそれぞれポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）を製造した。また、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）の製造における出発物質の物質量は、ポリアリレート樹脂の製造における物質量と同様であった。ここで、出発物質の物質量は、芳香族ジカルボン酸の合計物質量、及び芳香族ジオールの物質量を示す。
【０１４３】
［ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−７）の作製］
９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンをポリアリレート樹脂（（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−７））の出発物質である芳香族ジオールに変更し、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド及び４，４’−オキシビス安息香酸クロリドをポリアリレート樹脂（（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−７））の出発物質であるハロゲン化アルカノイルに変更した以外は、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）と同様にしてそれぞれポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−７）を製造した。また、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−７）の製造における出発物質の物質量は、ポリアリレート樹脂の製造における物質量と同様であった。ここで、出発物質の物質量は、芳香族ジカルボン酸の合計物質量、及び芳香族ジオールの物質量を示す。
【０１４４】
［ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−８）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）の作製］
ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−８）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）の製造における出発物質（芳香族ジカルボン酸及び芳香族ジオール）の物質量を、それぞれ化学式（Ｒｅｓｉｎ−８）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）中のモル分率に相当する物質量に変更した以外は、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）と同様にしてそれぞれポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−８）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）を製造した。
【０１４５】
次に、プロトン核磁気共鳴分光計（日本分光株式会社製、３００ＭＨｚ）を用いて、作製したポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。溶媒としてＣＤＣｌ3を用いた。内部標準試料としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。これらのうちポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）を代表例として挙げる。以下に、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）の化学シフト値を示す。
ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）：1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ＝８．８１（ｓ，  １Ｈ），  ８．２６（ｄ，  １Ｈ），  ８．２０（ｄ，  ２Ｈ），  ８．０９（ｄ，  １Ｈ），  ７．７４−７．８０（ｍ，  ２Ｈ），  ７．２８−７．４８（ｍ，  ７Ｈ），  ６．９９−７．１８（ｍ，  ７Ｈ），  ２．１１−２．１８（ｍ，  ６Ｈ）．
【０１４６】
化学シフト値により、ポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−５）が得られていることを確認した。他のポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）及び（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）も同様にして、化学シフト値により、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−４）及び（Ｒｅｓｉｎ−６）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）が得られていることを確認した。
【０１４７】
［バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）］
バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）を準備した。バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）は、それぞれ化学式（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）で表される。
【０１４８】
【化１８】
2018120161.tif 000019
【０１４９】
［感光体（Ａ−１）の製造］
以下、実施例１に係る感光体（Ａ−１）の製造について説明する。
【０１５０】
電荷発生剤（ＣＧＭ−１）５質量部、正孔輸送剤としてのトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ１−１）５０質量部、電子輸送剤（ＥＴ１−１）３５質量部、バインダー樹脂としてのポリアリレート樹脂（Ｒ−１）１００質量部、及び溶剤としてのテトラヒドロフラン７５０質量部を容器内に投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて５０時間混合して、溶剤に材料を分散させた。これにより、感光層用塗布液を得た。導電性基体としてのアルミニウム製のドラム状支持体（直径３０ｍｍ、全長２３８．５ｍｍ）上に、ディップコート法を用いて感光層用塗布液を塗布した。塗布した感光層用塗布液を１００℃で４０分間熱風乾燥させた。これにより、導電性基体上に、単層型感光層（膜厚３５μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。
【０１５１】
［感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２３）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）］
下記に示す事項以外は、感光体（Ａ−１）と同様の手法を用いて感光体を作製した。電荷発生剤（ＣＧＭ−１）の代わりに表１に記載の電荷発生剤を用いた。電子輸送剤（ＥＴ１−１）の代わりに表１に記載の電子輸送剤を用いた。トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ１−１）の代わりに表１に記載の正孔輸送剤を用いた。ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）の代わりに表１に記載のバインダー樹脂を用いた。このようにして感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２３）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）を得た。
【０１５２】
［感光体の性能評価］
（感度特性及び転写メモリーの評価）
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）の各々に対し、感度特性及び転写メモリーの評価を行った。
【０１５３】
感光体を画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」）に装着した。この画像形成装置は、直流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備えていた。また、この画像形成装置は、中間転写ベルト上に直接トナー像を転写する中間転写方式を採用していた。帯電性スリーブは、帯電ローラーの表面に備えられ、エピクロルヒドリン樹脂を主たる構成材料とする帯電性ゴムで形成されていた。帯電部の帯電電圧を調整し、非露光時の現像部位置に対応する感光体の帯電電位（白紙部電位Ｖｓ）を＋５７０Ｖに設定した。記録媒体として京セラドキュメントソリューションズ株式会社販売「京セラドキュメントソリューションズブランド紙ＶＭ−Ａ４」（Ａ４サイズ）を使用した。測定環境は、温度２３℃かつ相対湿度５０％ＲＨであった。
【０１５４】
次いで、バンドパスフィルターを用いて、ハロゲンランプの白色光から単色光を取り出した。取り出した単色光は、波長７８０ｎｍ、半値幅２０ｎｍ、及び光エネルギー０．５μＪ／ｃｍ2のレーザー光で露光した時の現像位置に対応する感光体の帯電電位を測定した。測定された露光領域の表面電位を、感度電位ＶL（単位：Ｖ）とした。測定した非露光領域の表面電位を白紙部電位Ｖ3（単位：Ｖ）とした。なお、感度電位ＶL及び白紙部電位Ｖ3は、転写バイアスをオフにした状態で測定された。次いで、−２ｋＶの転写バイアスを印加し、転写バイアスをオンにした状態で非露光領域（白紙部）の表面電位を測定した。得られた非露光領域（白紙部）の表面電位を、白紙部電位Ｖ4とした。得られたＶ3とＶ4とから数式「転写メモリー電位ΔＶｔｃ＝Ｖ4−Ｖ3」を用いて転写メモリー電位ΔＶｔｃ（単位：Ｖ）を得た。
【０１５５】
得られた感度電位ＶL、及び転写メモリー電位ΔＶｔｃを表１に示す。なお、感度電位ＶLの値が小さいほど、感光体の感度特性が優れていることを示す。転写メモリー電位ΔＶｔｃの絶対値が小さいほど、転写メモリーの発生が抑制されていることを示す。
【０１５６】
（画像不良の評価）
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）の各々に対し、画像不良の評価を行った。
【０１５７】
感光体を画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」）に装着した。この画像形成装置は、直流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備えていた。また、この画像形成装置は、中間転写ベルト上に直接トナー像を転写する中間転写方式を採用していた。帯電性スリーブは、帯電ローラーの表面に備えられ、エピクロルヒドリン樹脂を主たる構成材料とする帯電性ゴムで形成されていた。帯電部の帯電電圧を調整し、非露光時の現像部位置に対応する感光体の帯電電位（白紙部電位Ｖｓ）を＋５７０Ｖに設定した。レーザー光を露光光として使用した。このレーザー光は、バンドパスフィルターを用いて、ハロゲンランプの白色光から単色光を取り出した光であって、波長７８０ｎｍ、半値幅２０ｎｍ、及び光エネルギー０．５μＪ／ｃｍ2であった。記録媒体として京セラドキュメントソリューションズ株式会社販売「京セラドキュメントソリューションズブランド紙ＶＭ−Ａ４」（Ａ４サイズ）を使用した。測定環境は、温度２３℃かつ相対湿度５０％ＲＨであった。
【０１５８】
まず、評価機の感光体の動作を安定化させるために、印字試験を行った。印字試験は、記録媒体に１時間連続して印字パターン（画像濃度４０％）を印刷する試験であった。次いで、評価用画像を作成した。図４を参照して、評価用画像を説明する。図４は、評価用画像７０を示す図である。評価用画像７０は、領域７２及び領域７４を含む。領域７２は、像担持体１周分に相当する領域である。領域７２は、画像７６を含む。画像７６は、正方形状のソリッド画像（画像濃度１００％）から構成される。領域７４は、像担持体１周分に相当する領域である。領域７４は画像７８を含む。画像７８は、全面ハーフトーン画像（画像濃度１２．５％）から構成される。はじめに領域７２の画像７６を形成し、その後、領域７４の画像７８を形成した。画像７６は感光体１周分に相当する画像であり、画像７８は画像７６を形成する周を基準として次周回１周分に相当する画像である。
【０１５９】
評価用画像を目視で観察し、領域７４における画像７６に対応した画像の有無を確認した。ここで、目視による観察とは、肉眼での観察（肉眼観察）又はルーペ（倍率１０倍、ＴＲＵＳＣＯ社製、ＴＬ−ＳＬ１０Ｋ）を介した観察（ルーペ観察）である。転写メモリーに起因する画像不良（画像ゴースト）の発生の有無を確認した。画像ゴーストの発生の有無は、下記の基準に基づいて評価した。得られた評価結果を表１に示す。なお、評価Ａ〜Ｃを合格とした。
（画像ゴーストの評価基準）
評価Ａ（非常に良い）：画像７６に対応する画像ゴーストが肉眼観察でもルーペ観察でも全く確認されなかった。
評価Ｂ（良い）：画像７６に対応する画像ゴーストが肉眼観察では確認されないが、ルーペ観察ではわずかに確認された。
評価Ｃ（普通）：画像７６に対応する画像ゴーストが肉眼観察でわずかに観察された。
評価Ｄ（悪い）：画像７６に対応する画像ゴーストが肉眼観察で明確に確認された。
【０１６０】
表１は感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２３）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）の構成及び評価結果を示す。表１中、ポリアリレート樹脂の分子量は粘度平均分子量を表す。表１中、欄「正孔輸送剤の種類」のＨＴ−１〜ＨＴ−７及びＨＴ−８〜ＨＴ−９は、それぞれトリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）及び正孔輸送剤（ＨＴ−８）〜（ＨＴ−９）を示す。欄「電子輸送剤の種類」のＥＴ１−１〜ＥＴ５−１は、それぞれ電子輸送剤（ＥＴ１−１）〜（ＥＴ５−１）を示す。表１中、欄「バインダー樹脂の種類」のＲ−１〜Ｒ−１１及びＲ−Ａ〜Ｒ−Ｅは、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）〜（Ｒｅｓｉｎ−１１）及びバインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）を示す。欄「電荷発生剤の種類」のＣＧＭ−１〜ＣＧＭ−２は、それぞれ電荷発生剤（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−２）を示す。
【０１６１】
【表１】
2018120161.tif 000020
【０１６２】
表１に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２２）では、感光層は、単層型感光層であった。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有していた。正孔輸送剤は、トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）の何れか１種であった。トリフェニルアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）は、何れも一般式（ＨＴ）で表される。バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−１１）の何れかであった。ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−１１）は、何れも一般式（１）で表される。表１に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２２）では、転写メモリー電位ΔＶｔｃが−２０Ｖ以上−９Ｖ以下であり、画像の評価結果がＡ（非常に良い）又はＢ（良い）であった。
【０１６３】
表１に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）では、感光層は、単層型感光層であった。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有していた。具体的には、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−２）では、感光層は、正孔輸送剤（ＨＴ−８）又は（ＨＴ−９）を含有していた。正孔輸送剤（ＨＴ−８）及び（ＨＴ−９）は、一般式（ＨＴ）で表されるトリフェニルアミン誘導体ではなかった。感光体（Ｂ−３）〜（Ｂ−７）では、感光層は、バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）の何れか１種を含有していた。バインダー樹脂（Ｒｅｓｉｎ−Ａ）〜（Ｒｅｓｉｎ−Ｅ）は、何れも一般式（１）で表されるポリアリレート樹脂ではなかった。表１に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）では、転写メモリー電位ΔＶｔｃが−６６Ｖ以上−４０Ｖ以下であり、画像の評価結果はＤ（悪い）であった。
【０１６４】
表１から明らかなように、第一実施形態に係る感光体（感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２２））は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）に比べ、転写メモリー電位の絶対値が小さく、画像の評価結果が優れていた。従って、本発明に係る感光体は、転写メモリーの発生を抑制することが明らかである。また、第二実施形態に係る画像形成装置（感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２２）の何れか１種を搭載した画像形成装置）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）の何れか１種を搭載した画像形成装置に比べ、画像の評価結果が優れていた。従って、本発明に係る画像形成装置は、画像不良の発生を抑制することが明らかである。
【産業上の利用可能性】
【０１６５】
本発明に係る電子写真感光体は、複合機のような画像形成装置に利用できる。
【符号の説明】
【０１６６】
１      電子写真感光体
２      導電性基体
３      感光層
【図１】
2018120161.tif 000031
【図２】
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【図３】
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【図４】
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