(57)【要約】      （修正有）【課題】ターゲット供給装置およびＥＵＶ光生成装置を提供する。【解決手段】ターゲット供給装置７Ｃは、筒状に形成された本体部７１２Ａ、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部７１４Ａを有するタンク７１１Ａと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部７３Ｃとを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路７３１Ｃと、タンク内部の他端部から離れた位置において、ガス流路の開口面をタンク内に収容されたターゲット物質の液面から遮蔽可能に構成された遮蔽部材７３４Ｃと、遮蔽部材を支持するように構成された支持部７３７Ｃとを備えてもよい。【選択図】図６
2018101139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、
前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、
前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通し、前記不活性ガスを前記本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、
前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、
前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通するガス流路を備え、
前記ガス流路は、前記他端部における前記タンクの外部側に設けられた第１流路と、前記第１流路より細い形状に形成され、前記他端部における前記タンクの内部側に設けられた複数の第２流路とを備えるターゲット供給装置。
【請求項３】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、
前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、
前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通するガス流路と、
前記タンク内部の前記他端部から離れた位置において、前記ガス流路の開口面を前記タンク内に収容されたターゲット物質の液面から遮蔽可能に構成された遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を支持するように構成された支持部とを備えるターゲット供給装置。
【請求項４】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、
前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、
前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通するガス流路と、
前記ガス流路の少なくとも一部を塞ぐように配置されたフィルタとを備えるターゲット供給装置。
【請求項５】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、
前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、
前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
レーザ光および前記ノズルから出力された前記ターゲット物質を内部に導入可能なチャンバとを備え、
前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通し、前記不活性ガスを前記本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備え、
前記タンクは、前記本体部の軸方向が重力方向に対して傾くように、かつ、前記内壁面に衝突して進行方向が変えられた前記不活性ガスが前記ターゲット物質の液面に斜めに衝突するように、前記チャンバに固定されたＥＵＶ光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置およびＥＵＶ光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６６０４１号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０２９２５２７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１０／０２５８７４７号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通し、不活性ガスを本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備えてもよい。
【０００６】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路を備え、ガス流路は、他端部におけるタンクの外部側に設けられた第１流路と、第１流路より細い形状に形成され、他端部におけるタンクの内部側に設けられた複数の第２流路と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路と、タンク内部の他端部から離れた位置において、ガス流路の開口面をタンク内に収容されたターゲット物質の液面から遮蔽可能に構成された遮蔽部材と、遮蔽部材を支持するように構成された支持部とを備えてもよい。
【０００８】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路と、ガス流路の少なくとも一部を塞ぐように配置されたフィルタと、を備えてもよい。
【０００９】
本開示の一態様によるＥＵＶ光生成装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、レーザ光およびノズルから出力されたターゲット物質を内部に導入可能なチャンバとを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通し、不活性ガスを本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備え、タンクは、本体部の軸方向が重力方向に対して傾くように、かつ、内壁面に衝突して進行方向が変えられた不活性ガスがターゲット物質の液面に斜めに衝突するように、チャンバに固定されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図４】図４は、ターゲット生成器に供給された不活性ガスにより、ターゲット物質が重力方向と反対方向に飛散した状態を概略的に示す。
【図５】図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図６】図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図７】図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図８】図８は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【実施例】
【００１１】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
３．２  第１実施形態
３．２．１  構成
３．２．２  動作
３．３  第２実施形態
３．３．１  構成
３．３．２  動作
３．４  第３実施形態
３．４．１  構成
３．４．２  動作
３．５  第４実施形態
３．５．１  構成
３．５．２  動作
３．６  第５実施形態
３．６．１  構成
３．６．２  動作
３．７  変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１２】
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通し、不活性ガスを本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備えてもよい。
【００１３】
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路を備え、ガス流路は、他端部におけるタンクの外部側に設けられた第１流路と、第１流路より細い形状に形成され、他端部におけるタンクの内部側に設けられた複数の第２流路と、を備えてもよい。
【００１４】
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路と、タンク内部の他端部から離れた位置において、ガス流路の開口面をタンク内に収容されたターゲット物質の液面から遮蔽可能に構成された遮蔽部材と、遮蔽部材を支持するように構成された支持部とを備えてもよい。
【００１５】
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通するガス流路と、ガス流路の少なくとも一部を塞ぐように配置されたフィルタと、を備えてもよい。
【００１６】
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光生成装置は、筒状に形成された本体部、本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、タンクの一端部に設けられ、タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、レーザ光およびノズルから出力されたターゲット物質を内部に導入可能なチャンバとを備え、不活性ガス供給部は、タンクの他端部を貫通し、不活性ガスを本体部の内壁面に向かう方向に導くガス流路を備え、タンクは、本体部の軸方向が重力方向に対して傾くように、かつ、内壁面に衝突して進行方向が変えられた不活性ガスがターゲット物質の液面に斜めに衝突するように、チャンバに固定されてもよい。
【００１７】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置７を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置７は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１８】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットとしてのドロップレット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００２０】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００２１】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２２】
２．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００２３】
ターゲット供給装置７は、ドロップレット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２４】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドロップレット２７が出力されるタイミング、ドロップレット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２５】
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
以下、図１以外の図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したＸＹＺ軸を基準として説明する場合がある。
【００２６】
なお、この表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。
【００２７】
３．２  第１実施形態
３．２．１  構成
図２は、第１実施形態および後述する第２〜第５実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【００２８】
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
【００２９】
ターゲット生成部７０Ａは、図２および図３に示すように、ターゲット生成器７１Ａと、不活性ガス供給部７３Ａと、圧力調節器７６Ａと、温度制御部７８Ａと、ピエゾ部７９Ａとを備えてもよい。
【００３０】
ターゲット生成器７１Ａは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１Ａを備えてもよい。タンク７１１Ａは、本体部７１２Ａと、一端部としての底面部７１３Ａと、他端部としての蓋部７１４Ａとを備えてもよい。
【００３１】
本体部７１２Ａは、筒状であってもよい。
【００３２】
底面部７１３Ａは、本体部７１２Ａの軸方向の一端としての＋Ｚ方向側の端部を塞ぐように構成されてもよい。底面部７１３Ａは、本体部７１２Ａと一体的に形成されてもよい。
【００３３】
蓋部７１４Ａは、本体部７１２Ａの軸方向の他端としての−Ｚ方向側の端部を塞ぐように構成されてもよい。蓋部７１４Ａは、本体部７１２Ａと別体で構成されてもよい。蓋部７１４Ａは、図示しないボルトによって本体部７１２Ａに固定されてもよい。このとき、蓋部７１４Ａの＋Ｚ方向側の面に設けられた溝にＯリング７１５Ａを嵌め込むことで、本体部７１２Ａと蓋部７１４Ａとの間をシールしてもよい。
【００３４】
タンク７１１Ａの中空部は、収容空間７１６Ａであってもよい。収容空間７１６Ａは、本体部７１２Ａの内壁面７１７Ａと、底面部７１３Ａの−Ｚ方向側の面と、蓋部７１４Ａの＋Ｚ方向側の面とにより囲まれる空間であってもよい。
【００３５】
タンク７１１Ａには、収容空間７１６Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１８Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、タンク７１１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１８Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。
【００３６】
ノズル７１８Ａには、ノズル孔７１９Ａが設けられてもよい。ノズル孔７１９Ａは、ノズル７１８Ａにおける＋Ｚ方向側の端部の略中央部に開口してもよい。ノズル孔７１９Ａの直径は、３μｍ〜１５μｍであってもよい。ノズル７１８Ａは、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されてもよい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°を超える材料であってもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
【００３７】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、ノズル孔７１９Ａの中心軸方向であってもよく、以降、設定出力方向１０Ａと称する。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００３８】
不活性ガス供給部７３Ａは、タンク７１１Ａの収容空間７１６Ａに不活性ガスを供給してもよい。不活性ガス供給部７３Ａは、ガス流路７３１Ａを備えてもよい。ガス流路７３１Ａは、タンク７１１Ａの蓋部７１４Ａを貫通する孔により構成されてもよい。
【００３９】
ガス流路７３１Ａは、第１流路７３２Ａと、第２流路７３３Ａとを備えてもよい。
【００４０】
第１流路７３２Ａは、蓋部７１４Ａにおけるタンク７１１Ａの外部側に設けられてもよい。第１流路７３２Ａは、重力方向１０Ｂと略平行な方向に延びるように形成されてもよい。第１流路７３２Ａの直径は、３ｍｍ〜１６ｍｍであってもよい。
【００４１】
第２流路７３３Ａは、第１流路７３２Ａと略等しい太さに形成されてもよい。第２流路７３３Ａは、蓋部７１４Ａにおけるタンク７１１Ａの内部側に設けられてもよい。第２流路７３３Ａの−Ｚ方向側の端部は、第１流路７３２Ａの＋Ｚ方向側の端部と連結してもよい。第２流路７３３Ａは、重力方向１０Ｂに対して＋Ｘ方向側に傾いた方向に延びるように形成されてもよい。例えば、第２流路７３３Ａの軸と第１流路７３２Ａの軸とのなす角度は、３０°〜６０°であってもよい。これにより、ガス流路７３１Ａは、不活性ガスをタンク７１１Ａの内壁面７１７Ａに向かう方向に導き得る。
【００４２】
タンク７１１Ａの蓋部７１４Ａには、配管７６４Ａが設けられてもよい。配管７６４Ａの軸方向の一端には、フランジ７６５Ａが設けられてもよい。配管７６４Ａは、図示しないボルトによって、フランジ７６５Ａが蓋部７１４Ａの−Ｚ方向側の面に固定されてもよい。このとき、フランジ７６５Ａの＋Ｚ方向側の面に設けられた溝にＯリング７６６Ａを嵌め込むことで、フランジ７６５Ａと蓋部７１４Ａとの間をシールしてもよい。配管７６４Ａは、当該配管７６４Ａの軸方向が重力方向１０Ｂと略平行となるように設けられてもよい。配管７６４Ａは、当該配管７６４Ａの内部空間がガス流路７３１Ａと連通するように設けられてもよい。
【００４３】
配管７６４Ａの−Ｚ方向側の端部には、継手７６７Ａを介して配管７６８Ａの一方の端部が接続されてもよい。配管７６８Ａの他方の端部は、圧力調節器７６Ａを介して不活性ガスボンベ７６１Ａに接続されてもよい。このような構成によって、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、ターゲット生成器７１Ａに供給され得る。
【００４４】
配管７６８Ａには、圧力調節器７６Ａが設けられてもよい。圧力調節器７６Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、圧力制御部７６２Ａと、圧力センサ７６３Ａとを備えてもよい。
【００４５】
第１バルブＶ１は、配管７６８Ａに設けられてもよい。
【００４６】
配管７６８Ａにおける第１バルブＶ１よりタンク７１１Ａ側には、配管７６９Ａが接続されてもよい。配管７６９Ａは、第１の端が配管７６８Ａの側面に連結されてもよい。配管７６９Ａは、第２の端が開放されてもよい。
【００４７】
第２バルブＶ２は、配管７６９Ａの途中に設けられてもよい。
【００４８】
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
【００４９】
第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、圧力制御部７６２Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７６２Ａに第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に関する信号を送信してもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、圧力制御部７６２Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
【００５０】
配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。
【００５１】
第１バルブＶ１が開くと、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、配管７６８Ａ，７６４Ａおよびガス流路７３１Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じている場合、配管７６８Ａ，７６４Ａ、ガス流路７３１Ａおよびターゲット生成器７１Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７６９Ａの第２の端から当該配管７６９Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに、第２バルブＶ２が閉じると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の圧力まで上がり得る。その後、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の圧力で維持され得る。
【００５２】
第１バルブＶ１が閉じると、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスが、配管７６８Ａ，７６４Ａおよびガス流路７３１Ａを介してターゲット生成器７１Ａ内に供給されることを防止し得る。第２バルブＶ２が開くと、配管７６８Ａ，７６４Ａ、ガス流路７３１Ａおよびターゲット生成器７１Ａの内部と、当該配管７６８Ａ，７６４Ａ、ガス流路７３１Ａおよびターゲット生成器７１Ａの外部との間の圧力差によって、配管７６８Ａ，７６４Ａ、ガス流路７３１Ａおよびターゲット生成器７１Ａ内に存在する不活性ガスが、配管７６９Ａの第２の端から当該配管７６９Ａの外部に排出され得る。これにより、第１バルブＶ１が閉じるとともに、第２バルブＶ２が開くと、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が下がり得る。
【００５３】
配管７６８Ａにおける配管７６９Ａよりタンク７１１Ａ側には、配管７７０Ａが連結されてもよい。配管７７０Ａは、第１の端が配管７６８Ａの側面に接続されてもよい。配管７７０Ａの第２の端には、圧力センサ７６３Ａが設けられてもよい。圧力センサ７６３Ａには、圧力制御部７６２Ａが電気的に接続されてもよい。圧力センサ７６３Ａは、配管７７０Ａ内に存在する不活性ガスの圧力を検出して、この検出した圧力に対応する信号を圧力制御部７６２Ａに送信してもよい。配管７７０Ａ内の圧力は、配管７６８Ａ内、配管７６４Ａ内、ガス流路７３１Ａ内およびターゲット生成器７１Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。
【００５４】
温度制御部７８Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７８Ａは、ヒータ７８１Ａと、ヒータ電源７８２Ａと、温度センサ７８３Ａと、温度コントローラ７８４Ａとを備えてもよい。ヒータ７８１Ａは、タンク７１１Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７８２Ａは、温度コントローラ７８４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７８１Ａに電力を供給してヒータ７８１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク７１１Ａを介して加熱され得る。
【００５５】
温度センサ７８３Ａは、タンク７１１Ａの外周面におけるノズル７１８Ａ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７８３Ａは、タンク７１１Ａにおける主に温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７８４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
【００５６】
温度コントローラ７８４Ａは、温度センサ７８３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７８２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００５７】
ピエゾ部７９Ａは、ピエゾ素子７９１Ａと、電源７９２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７９１Ａは、チャンバ２内において、ノズル７１８Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７９１Ａの代わりに、高速でノズル７１８Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７９２Ａは、フィードスルー７９３Ａを介してピエゾ素子７９１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７９２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。
【００５８】
ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル７１８Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。
【００５９】
３．２．２  動作
図４は、ターゲット生成器に供給された不活性ガスにより、ターゲット物質が重力方向と反対方向に飛散した状態が生じる問題を概略的に示す。
【００６０】
なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。
【００６１】
ターゲット供給装置は、図４に示すように、不活性ガス供給部７３Ａの代わりに不活性ガス供給部７３を適用したこと以外は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様の構成であってもよい。
【００６２】
不活性ガス供給部７３は、ガス流路７３１を備えてもよい。ガス流路７３１は、蓋部７１４を貫通する孔により構成されてもよい。ガス流路７３１は、重力方向１０Ｂと略平行な方向に延びるように形成されてもよい。ガス流路７３１は、第１流路７３２Ａと略等しい太さに形成されてもよい。
【００６３】
このようなターゲット供給装置において、ターゲット制御装置８０Ａは、温度制御部７８Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。
【００６４】
ターゲット制御装置８０Ａは、ピエゾ素子７９１Ａに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子７９１Ａが、ジェット２７Ａからドロップレット２７を周期的に生成するように振動し得る。
【００６５】
ターゲット制御装置８０Ａは、圧力制御部７６２Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに設定してもよい。圧力制御部７６２Ａは、圧力センサ７６３Ａで計測した圧力Ｐと目標圧力Ｐｔの差ΔＰの値が小さくなるように、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２を開閉制御してもよい。これにより、不活性ガスボンベ７６１Ａ内の不活性ガスがターゲット生成器７１Ａ内に供給され、当該ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに安定し得る。ターゲット生成器７１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ノズル７１８Ａの振動に応じてドロップレット２７が生成し得る。
【００６６】
不活性ガスのターゲット生成器７１Ａ内への供給が始まると、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力は、０．１Ｍｐａから２０Ｍｐａに急激に上昇し得る。
【００６７】
このとき、ガス流路７３１は、不活性ガス７７１を重力方向１０Ｂと略等しい方向に導き得る。重力方向１０Ｂと略等しい方向に導かれた不活性ガス７７１は、ターゲット物質２７０の液面２７１に略垂直に衝突し得る。この衝突により、ターゲット物質２７２が不活性ガス７７１の進行方向と略正反対の方向に飛散し、ガス流路７３１の＋Ｚ方向側の開口部に到達し得る。ガス流路７３１が重力方向１０Ｂと略平行な方向に、すなわちターゲット物質２７２が飛散する方向と略平行な方向に延びるように形成されているため、ターゲット物質２７２は、ガス流路７３１内に進入し得る。ガス流路７３１内に進入したターゲット物質２７２は、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つの内部に付着し得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａが加熱されていないため、これらのうち少なくとも１つの内部に付着したターゲット物質２７２は、冷却されて固化し得る。この固化したターゲット物質２７２が、不活性ガス７７１の供給を妨げることがあり得る。
【００６８】
また、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、付着したターゲット物質２７２とが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１が重力方向１０Ｂと略平行な方向に延びるように形成されているため、不純物を含んだターゲット物質２７２が落下すると、当該不純物を含んだターゲット物質２７２がガス流路７３１を通過して、ターゲット生成器７１Ａ内に到達し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことがあり得る。
【００６９】
このような現象を抑制するために、ターゲット供給装置７Ａのターゲット生成器７１Ａを図３に示すように構成してもよい。
【００７０】
図３に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給し始めると、ガス流路７３１Ａは、第２流路７３３Ａによって不活性ガス７７１Ａを重力方向１０Ｂに対して＋Ｘ方向側に傾いた方向に導き得る。ガス流路７３１Ａによって導かれた不活性ガス７７１Ａは、ターゲット物質２７０の液面２７１に衝突する前に、タンク７１１Ａの内壁面７１７Ａに衝突し得る。内壁面７１７Ａに衝突した不活性ガス７７１Ａは、進行方向が変えられるとともに流速が減速されて、不活性ガス７７２Ａとして液面２７１に衝突し得る。このとき、不活性ガス７７２Ａの流速が不活性ガス７７１Ａの流速と比べて減速するため、ターゲット物質２７２Ａの飛散が図４に示す構成の場合と比べて抑制され得る。その結果、ターゲット物質２７２Ａが蓋部７１４Ａまで到達してガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得る。
【００７１】
また、ターゲット物質２７２Ａが蓋部７１４Ａまで到達することがあり得るが、不活性ガス７７２Ａは、液面２７１に斜めに衝突し得る。この衝突により、ターゲット物質２７２Ａは、液面２７１に対して斜めの方向に、すなわち−Ｚ方向に対して−Ｘ方向側に傾いた方向に飛散し得る。その結果、ターゲット物質２７２Ａがガス流路７３１Ａの＋Ｚ方向側の開口部に到達することを抑制し、当該ターゲット物質２７２Ａがガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得る。
【００７２】
上述のようにターゲット物質２７２Ａがガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得るため、当該ターゲット物質２７２Ａが配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａの内部で固化することを抑制し得る。その結果、不活性ガス７７１Ａの供給が妨げられることを抑制し得る。
【００７３】
また、ターゲット物質２７２Ａがガス流路７３１Ａ内に進入し、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つに付着することがあり得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、ターゲット物質２７２Ａとが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１Ａの第２流路７３３Ａが重力方向１０Ｂに対して＋Ｘ方向側に傾いた方向に延びるように形成されているため、不純物を含んだターゲット物質２７２Ａが落下しても、第２流路７３３Ａに付着し、ターゲット生成器７１Ａ内に到達することを抑制し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことを抑制し得る。
【００７４】
３．３  第２実施形態
３．３．１  構成
図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【００７５】
第２実施形態のターゲット供給装置７Ｂは、不活性ガス供給部７３Ｂ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
【００７６】
不活性ガス供給部７３Ｂは、ガス流路７３１Ｂを備えてもよい。ガス流路７３１Ｂは、タンク７１１Ａの蓋部７１４Ａを貫通する孔により構成されてもよい。
【００７７】
ガス流路７３１Ｂは、１つの第１流路７３２Ｂと、複数の第２流路７３３Ｂとを備えてもよい。
【００７８】
第１流路７３２Ｂは、タンク７１１Ａの外部側に設けられてもよい。第１流路７３２Ｂは、重力方向１０Ｂと略平行な方向に延びるように形成されてもよい。第１流路７３２Ｂは、ガス流路７３１と略等しい太さに形成されてもよい。例えば、第１流路７３２Ｂの直径は、３ｍｍ〜１６ｍｍであってもよい。
【００７９】
第２流路７３３Ｂは、第１流路７３２Ｂより細い形状に形成されてもよい。例えば、第２流路７３３Ｂの直径は、０．３ｍｍ〜２ｍｍであってもよい。第２流路７３３Ｂの直径は、好ましくは、配管７６４Ａと不活性ガス７７２Ｂにより飛散するターゲット物質２７２Ｂの最大径より、小さくてもよい。第２流路７３３Ｂは、蓋部７１４Ａにおけるタンク７１１Ａの内部側に設けられてもよい。第２流路７３３Ｂの−Ｚ方向側の端部は、第１流路７３２Ｂの＋Ｚ方向側の端部と連結してもよい。複数の第２流路７３３Ｂの−Ｚ方向側の開口面は、第１流路７３２Ｂの＋Ｚ方向側の開口面内に位置してもよい。第２流路７３３Ｂは、重力方向１０Ｂと略平行な方向に、すなわち第１流路７３２Ｂと略平行な方向に延びるように形成されてもよい。これにより、ガス流路７３１Ｂは、第１流路７３２Ｂに導かれた不活性ガスを複数の第２流路７３３Ｂに導くことで、不活性ガスの流速を減速し得る。
【００８０】
３．３．２  動作
ターゲット供給装置７Ｂの動作について説明する。
【００８１】
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００８２】
図５に示すターゲット供給装置７Ｂにおいて、温度制御部７８Ａがターゲット物質２７０を溶融するとともに、ピエゾ素子７９１Ａがノズル７１８Ａを振動させてもよい。圧力制御部７６２Ａが不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給し始めると、ガス流路７３１Ｂは、第１流路７３２Ｂによって不活性ガス７７１Ｂを重力方向１０Ｂと略等しい方向に導き得る。第１流路７３２Ｂを通過した不活性ガス７７１Ｂは、複数の第２流路７３３Ｂに導かれ、流速が減速されて、不活性ガス７７２Ｂとして液面２７１に衝突し得る。このとき、不活性ガス７７２Ｂの流速が不活性ガス７７１Ｂの流速と比べて減速するため、ターゲット物質２７２Ｂの飛散が図４に示す構成の場合と比べて抑制され得る。その結果、ターゲット物質２７２Ｂが蓋部７１４Ａまで到達してガス流路７３１Ｂ内に進入することを抑制し得る。
【００８３】
なお、不活性ガス７７２Ｂが液面２７１に略垂直に衝突し得るため、ターゲット物質２７２Ｂが不活性ガス７７２Ｂの進行方向と略正反対の方向に飛散し、ガス流路７３１Ｂの＋Ｚ方向側の開口部に到達することがあり得る。しかし、第２流路７３３Ｂの開口が第１流路７３２Ｂの開口より小さいため、ターゲット物質２７２Ｂがガス流路７３１Ｂ内に進入することを抑制し得る。
【００８４】
上述のようにターゲット物質２７２Ｂがガス流路７３１Ｂ内に進入することを抑制し得るため、当該ターゲット物質２７２Ｂが配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａの内部で固化することを抑制し得る。その結果、不活性ガス７７１Ｂの供給が妨げられることを抑制し得る。
【００８５】
ターゲット物質２７２Ｂがガス流路７３１Ｂ内に進入し、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つに付着することがあり得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、ターゲット物質２７２Ｂとが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１Ｂの第２流路７３３Ｂの直径が不純物の最大幅より小さいため、不純物を含んだターゲット物質２７２Ｂが第２流路７３３Ｂを通過して、ターゲット生成器７１Ａ内に到達することを抑制し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことを抑制し得る。
【００８６】
３．４  第３実施形態
３．４．１  構成
図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【００８７】
第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃは、不活性ガス供給部７３Ｃ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
【００８８】
不活性ガス供給部７３Ｃは、ガス流路７３１Ｃと、遮蔽部材７３４Ｃと、支持部としての複数のポール７３７Ｃとを備えてもよい。
【００８９】
ガス流路７３１Ｃは、タンク７１１Ａの蓋部７１４Ａを貫通する孔により構成されてもよい。ガス流路７３１Ｃは、重力方向１０Ｂと略平行な方向に延びるように形成されてもよい。ガス流路７３１Ｃは、ガス流路７３１と略等しい太さに形成されてもよい。例えば、ガス流路７３１Ｃの直径は、３ｍｍ〜１６ｍｍであってもよい。
【００９０】
遮蔽部材７３４Ｃは、略円板状に形成されてもよい。遮蔽部材７３４Ｃの直径は、ガス流路７３１Ｃの直径より大きくてもよい。
【００９１】
ポール７３７Ｃは、蓋部７１４Ａにおける＋Ｚ方向側の面から、＋Ｚ方向に延びるように固定されてもよい。ポール７３７Ｃは、ガス流路７３１Ｃの外周に沿って略等間隔で配置されてもよい。ポール７３７Ｃの先端には、遮蔽部材７３４Ｃが固定されてもよい。遮蔽部材７３４Ｃは、当該遮蔽部材７３４Ｃの第１面７３５Ｃが蓋部７１４Ａの＋Ｚ方向側の面と略平行となるように固定されてもよい。これにより、遮蔽部材７３４Ｃは、タンク７１１Ａ内部の蓋部７１４Ａから離れた位置において、ガス流路７３１Ｃの開口面を液面２７１から遮蔽し得る。遮蔽部材７３４Ｃは、ガス流路７３１Ｃを通過した不活性ガス７７１Ｃを、第１面７３５Ｃによって、本体部７１２Ａの内壁面７１７Ａ側に導き得る。
【００９２】
なお、遮蔽部材７３４Ｃおよびポール７３７Ｃは、ターゲット物質２７０であるスズと反応し難い材料、例えば、モリブデン、タングステン等の高融点材料で形成されてもよい。遮蔽部材７３４Ｃおよびポール７３７Ｃは、セラミック、例えば、酸化アルミ、酸化ケイ素、炭化珪素等で形成されてもよい。
【００９３】
３．４．２  動作
ターゲット供給装置７Ｃの動作について説明する。
【００９４】
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【００９５】
図６に示すターゲット供給装置７Ｃにおいて、温度制御部７８Ａがターゲット物質２７０を溶融するとともに、ピエゾ素子７９１Ａがノズル７１８Ａを振動させてもよい。圧力制御部７６２Ａが不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給し始めると、ガス流路７３１Ｃは、不活性ガス７７１Ｃを重力方向１０Ｂと略等しい方向に導き得る。ガス流路７３１Ｃを通過した不活性ガス７７１Ｃは、遮蔽部材７３４Ｃの第１面７３５Ｃに衝突し、流速が減速されて、不活性ガス７７２Ｃとして放射状に拡散し得る。不活性ガス７７２Ｃは、内壁面７１７Ａに衝突した後、液面２７１に衝突し得る。このとき、不活性ガス７７２Ｃの流速が不活性ガス７７１Ｃの流速と比べて減速するため、ターゲット物質の飛散が図４に示す構成の場合と比べて抑制され得る。その結果、ターゲット物質が蓋部７１４Ａまで到達してガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得る。
【００９６】
なお、不活性ガス７７２Ｂが液面２７１に衝突することにより、ターゲット物質が−Ｚ方向に飛散することがあり得る。しかし、遮蔽部材７３４Ｃがガス流路７３１Ｃの開口面を遮蔽しているため、ターゲット物質がガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得る。
【００９７】
上述のようにターゲット物質がガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得るため、当該ターゲット物質が配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａの内部で固化することを抑制し得る。その結果、不活性ガス７７１Ｃの供給が妨げられることを抑制し得る。
【００９８】
ターゲット物質がガス流路７３１Ｃ内に進入し、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つに付着することがあり得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、ターゲット物質とが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１Ｃの＋Ｚ方向側に、直径がガス流路７３１Ｃの直径より大きい遮蔽部材７３４Ｃが設けられているため、不純物を含んだターゲット物質が落下しても、遮蔽部材７３４Ｃの第１面７３５Ｃに付着して、ターゲット生成器７１Ａ内に到達することを抑制し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことを抑制し得る。
【００９９】
３．５  第４実施形態
３．５．１  構成
図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【０１００】
第４実施形態のターゲット供給装置７Ｄは、不活性ガス供給部７３Ｄ以外の構成については、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
【０１０１】
不活性ガス供給部７３Ｄは、ガス流路７３１Ｃと、フィルタ７３８Ｄと、ホルダ７４１Ｄとを備えてもよい。
【０１０２】
フィルタ７３８Ｄは、多孔質フィルタであってもよい。フィルタ７３８Ｄには、口径が例えば３μｍ〜２０μｍ程度の無数の貫通細孔が設けられてもよい。フィルタ７３８Ｄは、略円板状に形成されてもよい。フィルタ７３８Ｄの直径は、ガス流路７３１Ｃの直径より大きくてもよい。フィルタ７３８Ｄは、ターゲット物質２７０であるスズと反応し難い材料、例えば、モリブデン、タングステン、酸化アルミニウム・二酸化珪素系ガラス、炭化珪素等で形成されてもよい。
【０１０３】
ホルダ７４１Ｄは、蓋部７１４Ａにおける＋Ｚ方向側の面に固定されてもよい。ホルダ７４１Ｄは、フィルタ７３８Ｄを＋Ｚ方向側から保持してもよい。ホルダ７４１Ｄは、フィルタ７３８Ｄの第１面７３９Ｄの面内にガス流路７３１Ｃの開口面が位置し、かつ、当該第１面７３９Ｄが蓋部７１４Ａの＋Ｚ方向側の面に密着するように、フィルタ７３８Ｄを保持してもよい。これにより、フィルタ７３８Ｄは、ガス流路７３１Ｃにおけるタンク７１１Ａ内部側の端部を塞ぎ得る。
【０１０４】
なお、ホルダ７４１Ｄは、ターゲット物質２７０であるスズと反応し難い材料、例えば、モリブデン、タングステン等の高融点材料で形成されてもよい。ホルダ７４１Ｄは、セラミック、例えば、酸化アルミ、酸化ケイ素、炭化珪素等で形成されてもよい。
【０１０５】
３．５．２  動作
ターゲット供給装置７Ｄの動作について説明する。
【０１０６】
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【０１０７】
図７に示すターゲット供給装置７Ｄにおいて、温度制御部７８Ａがターゲット物質２７０を溶融するとともに、ピエゾ素子７９１Ａがノズル７１８Ａを振動させてもよい。圧力制御部７６２Ａが不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給し始めると、ガス流路７３１Ｃは、不活性ガス７７１Ｄを重力方向１０Ｂと略等しい方向に導き得る。ガス流路７３１Ｃを通過した不活性ガス７７１Ｄは、フィルタ７３８Ｄ内に進入し、流速が減速されて、不活性ガス７７２Ｄとして無数の貫通細孔を通過し得る。不活性ガス７７２Ｄは、重力方向１０Ｂと略等しい方向に進行し、液面２７１に衝突し得る。このとき、不活性ガス７７２Ｄの流速が不活性ガス７７１Ｄの流速と比べて減速するため、ターゲット物質２７２Ｄの飛散が図４に示す構成の場合と比べて抑制され得る。その結果、ターゲット物質２７２Ｄが蓋部７１４Ａまで到達してガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得る。
【０１０８】
なお、不活性ガス７７２Ｄが液面２７１に衝突することにより、ターゲット物質２７２Ｄが−Ｚ方向に飛散することがあり得る。しかし、フィルタ７３８Ｄがガス流路７３１Ｃの開口面を塞いでいるため、ターゲット物質２７２Ｄがガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得る。
【０１０９】
上述のようにターゲット物質２７２Ｄがガス流路７３１Ｃ内に進入することを抑制し得るため、当該ターゲット物質２７２Ｄが配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａの内部で固化することを抑制し得る。その結果、不活性ガス７７１Ｄの供給が妨げられることを抑制し得る。
【０１１０】
微小なターゲット物質２７２Ｄがガス流路７３１Ｃ内に進入し、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つに付着することがあり得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、ターゲット物質とが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１Ｃの＋Ｚ方向側の端部がフィルタ７３８Ｄで塞がれているため、不純物を含んだターゲット物質２７２Ｄが落下しても、フィルタ７３８Ｄに付着して、ターゲット生成器７１Ａ内に到達することを抑制し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことを抑制し得る。
【０１１１】
３．６  第５実施形態
３．６．１  構成
図８は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【０１１２】
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｅは、チャンバ２およびターゲット生成器７１Ａの設置角度が異なる以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
【０１１３】
チャンバ２は、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して傾くように設置されてもよい。
【０１１４】
ターゲット生成器７１Ａのタンク７１１Ａは、本体部７１２Ａの軸方向が重力方向１０Ｂに対して傾くようにチャンバ２に固定されてもよい。タンク７１１Ａは、内壁面７１７Ａに衝突して進行方向が変えられた不活性ガスが、ターゲット物質２７０の液面２７１に斜めに衝突するように、チャンバ２に固定されてもよい。
【０１１５】
３．６．２  動作
ＥＵＶ光生成装置１Ｅの動作について説明する。
【０１１６】
以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
【０１１７】
図８に示すＥＵＶ光生成装置１Ｅにおいて、温度制御部７８Ａがターゲット物質２７０を溶融するとともに、ピエゾ素子７９１Ａがノズル７１８Ａを振動させてもよい。圧力制御部７６２Ａが不活性ガスをターゲット生成器７１Ａ内に供給し始めると、ガス流路７３１Ａは、不活性ガス７７１Ｅを重力方向１０Ｂと略直交する方向に導き得る。ガス流路７３１Ａによって導かれた不活性ガス７７１Ｅは、ターゲット物質２７０の液面２７１に衝突する前に、タンク７１１Ａの内壁面７１７Ａに衝突し得る。内壁面７１７Ａに衝突した不活性ガス７７１Ｅは、進行方向が変えられるとともに流速が減速されて、不活性ガス７７２Ｅとして液面２７１に衝突し得る。このとき、不活性ガス７７２Ｅの流速が不活性ガス７７１Ｅの流速と比べて減速するため、ターゲット物質２７２Ｅの飛散が図４に示す構成の場合と比べて抑制され得る。その結果、ターゲット物質２７２Ｅが蓋部７１４Ａまで到達してガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得る。
【０１１８】
ターゲット物質２７２Ｅが蓋部７１４Ａまで到達することがあり得るが、不活性ガス７７２Ｅは、液面２７１に斜めに衝突し得る。この衝突により、ターゲット物質２７２Ｅは、液面２７１に対して斜めの方向に飛散し得る。その結果、ターゲット物質２７２Ｅがガス流路７３１Ａの＋Ｚ方向側の開口部に到達することを抑制し、当該ターゲット物質２７２Ｅがガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得る。
【０１１９】
上述のようにターゲット物質２７２Ｅがガス流路７３１Ａ内に進入することを抑制し得るため、当該ターゲット物質２７２Ｅが配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａの内部で固化することを抑制し得る。その結果、不活性ガス７７１Ｅの供給が妨げられることを抑制し得る。
【０１２０】
ターゲット物質２７２Ｅがガス流路７３１Ａ内に進入し、配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つに付着することがあり得る。配管７６４Ａ，７６８Ａ，７６９Ａ，７７０Ａおよび継手７６７Ａのうち少なくとも１つと、ターゲット物質２７２Ｅとが反応し、不純物が生成され得る。ガス流路７３１Ａの第２流路７３３Ａが重力方向１０Ｂに対して傾いた方向に延びるように形成されているため、不純物を含んだターゲット物質２７２Ｅが落下しても、第２流路７３３Ａに付着し、ターゲット生成器７１Ａ内に到達することを抑制し得る。その結果、不純物がノズル７１８Ａのノズル孔７１９Ａを塞ぐことを抑制し得る。
【０１２１】
３．７  変形例
なお、ターゲット供給装置としては、以下に示すような構成としてもよい。
【０１２２】
第１，第５実施形態において、ガス流路７３１Ａの第１流路７３２Ａを第２流路７３３Ａと同じ方向に延びるように形成してもよい。
【０１２３】
第２実施形態において、ガス流路７３１Ｂの第２流路７３３Ｂを、重力方向１０Ｂに対して傾いた方向に延びるように形成してもよい。
【０１２４】
第３実施形態において、遮蔽部材７３４Ｃの第１面７３５Ｃの形状を、ガス流路７３１Ｃの開口面の形状と略等しくしてもよい。
【０１２５】
第４実施形態において、２個以上のフィルタ７３８Ｄを設けてもよい。２個以上のフィルタ７３８Ｄは、それぞれの貫通細孔の口径が異なってもよいし、略同一であってもよい。フィルタ７３８Ｄは、ガス流路７３１Ｃの内部に固定されてもよい。フィルタ７３８Ｄがガス流路７３１Ｃの内部に固定される場合、フィルタ７３８Ｄは、ガス流路７３１Ｃの全域に設けられてもよいし、一部に設けられてもよい。
【０１２６】
第２，第３，第４実施形態において、ターゲット供給装置７Ｂ，７Ｃ，７Ｄのタンク７１１Ａを、本体部７１２Ａの軸方向が重力方向１０Ｂに対して傾くようにチャンバ２に固定してもよい。
【０１２７】
第１〜第５実施形態において、ガス流路７３１Ａ，７３１Ｂ，７３１Ｃを、蓋部７１４Ａを貫通する孔により構成したが、筒状部材により構成してもよい。
【０１２８】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１２９】
本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」または「１またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１３０】
１，１Ｅ  ＥＵＶ光生成装置
２  チャンバ
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ  ターゲット供給装置
７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ，７３Ｄ  不活性ガス供給部
７１１Ａ  タンク
７１２Ａ  本体部
７１３Ａ  底面部（一端部）
７１４Ａ  蓋部（他端部）
７１７Ａ  内壁面
７１８Ａ  ノズル
７３１Ａ，７３１Ｂ，７３１Ｃ  ガス流路
７３２Ａ，７３２Ｂ  第１流路
７３３Ａ，７３３Ｂ  第２流路
７３４Ｃ  遮蔽部材
７３７Ｃ  ポール（支持部）
７３８Ｄ  フィルタ。
【図１】
2018101139.tif 000003
【図２】
2018101139.tif 000004
【図３】
2018101139.tif 000005
【図４】
2018101139.tif 000006
【図５】
2018101139.tif 000007
【図６】
2018101139.tif 000008
【図７】
2018101139.tif 000009
【図８】
2018101139.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月10日(2018.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状に形成された本体部、前記本体部の軸方向の一端を閉塞する一端部、および、前記軸方向の他端を閉塞する他端部を有するタンクと、 前記タンクの前記一端部に設けられ、前記タンク内部に収容されたターゲット物質を出力するノズルと、 前記タンク内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、 前記不活性ガス供給部は、前記タンクの前記他端部を貫通するガス流路と、 前記タンク内部の前記他端部から離れた位置において、前記ガス流路の開口面を前記タンク内に収容されたターゲット物質の液面から遮蔽可能に構成された遮蔽部材と、 前記遮蔽部材を支持するように構成された支持部とを備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記遮蔽部材は、前記不活性ガスを、前記タンクの内壁に向かう方向に導くものであり、前記内壁は、前記ターゲット物質の液面と前記他端部との間である請求項１に記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記ガス流路の開口は、前記ターゲット物質の液面と対面しており、 前記遮蔽部材は、前記開口と前記液面との間に配置される請求項１又は２に記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、円板形状である請求項３に記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記支持部は、前記ガス流路の開口の外周に沿って配置されている請求項３又は４に記載のターゲット供給装置。
【請求項６】
前記遮蔽部材及び前記支持部は、モリブデン、タングステン、酸化アルミ、酸化ケイ素、及び炭化珪素のうちのいずれかで形成されている請求項１から５のいずれか１項に記載のターゲット供給装置。
【請求項７】
前記内壁面  前記一端部、および前記他端部は、前記タンクにおいて、前記ターゲット物質を収容する収容部を形成する請求項１から６のいずれか１項に記載のターゲット供給装置。
【請求項８】
前記他端部は、本体部にボルトで固定されている請求項１から７のいずれか１項に記載のターゲット供給装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】  本発明は、ターゲット供給装置に関する。