(57)【要約】【課題】光ビームの広がり角を抑制しつつ、複数のＬＤ素子に対し均等に電流を分配することができるレーザー光源モジュールに関する。【解決手段】レーザー光源モジュールにおいては、ＬＤアレイは、配列された複数のＬＤ（４）を備え、各サブマウントは、ＬＤの一方の電極（８）と接続される第１導電性パターン（１２２ａ）と、他方の電極（２）と接続される第２導電性パターン（１２３ａ）とを備え、第１導電性パターンにおける、ＬＤの配列方向における第１端部側に、第１給電端子側の第１給電箇所（２２２ａ）が設けられ、第２導電性パターンにおける、配列方向における第２端部側に、第２給電端子側の第２給電箇所（２２３ａ）が設けられる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置される少なくとも１組のレーザーダイオードアレイと、
各前記レーザーダイオードアレイがそれぞれ配置されるサブマウントと、
少なくとも１組の前記レーザーダイオードアレイの側方に配置される、第１給電端子および第２給電端子とを備え、
各前記レーザーダイオードアレイは、配列された複数のレーザーダイオードを備え、
各前記サブマウントは、
複数の前記レーザーダイオードの一方の電極と電気的に接続される第１導電性パターンと、
前記第１導電性パターンとは離間して形成され、かつ、複数の前記レーザーダイオードの他方の電極と電気的に接続される第２導電性パターンとを備え、
前記第１導電性パターンにおける、複数の前記レーザーダイオードが配列される方向である配列方向における第１端部側の位置に、前記第１給電端子側の第１給電箇所が設けられ、
前記第２導電性パターンにおける、前記配列方向における前記第１端部とは反対側の第２端部側の位置に、前記第２給電端子側の第２給電箇所が設けられる、
レーザー光源モジュール。
【請求項２】
前記第１給電箇所と前記レーザーダイオードとの間で生じる電気抵抗と、前記第２給電箇所と前記レーザーダイオードとの間で生じる電気抵抗との和が、各前記レーザーダイオード間で等しい、
請求項１に記載のレーザー光源モジュール。
【請求項３】
前記第１給電箇所と前記レーザーダイオードとの間の距離と、前記第２給電箇所と前記レーザーダイオードとの間の距離との和が、各前記レーザーダイオード間で等しい、
請求項１または請求項２に記載のレーザー光源モジュール。
【請求項４】
前記第１給電端子および前記第２給電端子は、１組の前記レーザーダイオードアレイの同じ側の側方に双方配置され、
１組の前記レーザーダイオードアレイは、前記第１給電端子および前記第２給電端子が配置される側とは反対側において、対向する一方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第２導電性パターンが、対向する他方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第１導電性パターンと電気的に接続される、
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載のレーザー光源モジュール。
【請求項５】
前記第１導電性パターンは、各前記サブマウントにおける前記第１端部側の辺に沿う部分を備え、
前記第２導電性パターンは、各前記サブマウントにおける前記第２端部側の辺に沿う部分を備える、
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載のレーザー光源モジュール。
【請求項６】
複数組の、互いに対向して配置される前記レーザーダイオードアレイを備え、
１組の前記レーザーダイオードアレイと、他の組の前記レーザーダイオードアレイとは、複数の前記レーザーダイオードの前記配列方向に沿って隣接して配列され、
前記第１給電端子および前記第２給電端子は、複数組の前記レーザーダイオードアレイの同じ側の側方に双方配置され、
１組の前記レーザーダイオードアレイは、前記第１給電端子および前記第２給電端子が配置される側とは反対側において、対向する一方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第２導電性パターンが、対向する他方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第１導電性パターンと電気的に接続され、
互いに隣接する前記レーザーダイオードアレイは、隣接する一方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第２導電性パターンが、隣接する他方の前記レーザーダイオードアレイが配置される前記サブマウントの前記第１導電性パターンと電気的に接続される、
請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載のレーザー光源モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、レーザー光源モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルシネマ・プロジェクターなどの光機器には、要求される光出力を得るために、光源として複数のレーザー光源モジュールが設置されている。レーザー光源モジュールには、レーザーダイオード（ｌａｓｅｒ  ｄｉｏｄｅ、すなわちＬＤ）アレイが複数搭載されている。ＬＤアレイは、マルチエミッタＬＤバーとも称する場合がある。
【０００３】
これらの光機器において、レーザー光源モジュールから出力される光を結合させるための光ファイバーなどの光学結合部材は、光機器の製造コストを決定する主要因となる。よって、結合前のレーザー光源モジュール単体での光の出力を高め、光機器において必要とされるレーザー光源モジュールの数を減らすことで、複数のレーザー光源モジュールから出力される光を結合させる必要機会を低減させることができるため、必要となる光学結合部材を減らすことができる。よって、光機器の光出力当りの製造コストを低減させることができる。以上のような理由から、単体での光出力が高いレーザー光源モジュールが要望されている。
【０００４】
従来、たとえば、特許文献１または特許文献２などには、ＬＤアレイが同一平面上の一軸方向に複数個並べられ、２種類のレンズでファイバーに光が結合されることで、高光出力が得られる構造が開示されている。
【０００５】
また、たとえば、特許文献３または特許文献４などには、モジュール内に、複数のＬＤアレイが共通の保持部材の各側面に搭載されることで、光出力を向上させることができるモジュール構造が開示されている。
【０００６】
また、たとえば、特許文献５などには、階段形状の保持部材に複数のＬＤアレイが搭載されたモジュール構造が開示されている。
【０００７】
また、たとえば、特許文献６などには、複数のＬＤアレイをその各々の保持部材の側面に搭載し、これら保持部材のＬＤアレイが搭載された面を互いに対向させて近接配置する構造が開示されている。当該構造によれば、光出力を向上させることができ、また、光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）を小さく維持することができる。さらに、各々の保持部材による放熱効率を高め、レーザー素子の発光効率の低下を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１５８３３２号公報
【特許文献２】特開２００２−２０２４４２号公報
【特許文献３】特開平６−２２２２９６号公報
【特許文献４】特開２００４−０７７７７９号公報
【特許文献５】特開２００７−１４２４３９号公報
【特許文献６】特願２０１４−０９４６８９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１または特許文献２などに示される構造では、発光点が一軸方向、すなわちエミッタ列と平行な方向に広がるため、合成した光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）が当該方向に大きくなる。よって、所定のＬＤアレイの数を超えると、ファイバー結合時の光結合損失が増大してしまい、発光効率が低下してしまうという問題がある。
【００１０】
また、特許文献３または特許文献４などに示される構造では、１つの保持部材によって複数のＬＤアレイが保持されているため、ＬＤアレイ間の距離を縮めることができない。よって、光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）が各々のＬＤアレイ方向に大きくなるため、ファイバー結合時の光結合損失が増大してしまい、発光効率が低下してしまうという問題がある。
【００１１】
また、特許文献５などに示される構造では、階段形状の保持部材が用いられるため、モジュール全体の小型化が困難である。
【００１２】
また、特許文献６などに示される構造では、ＬＤアレイの両端から給電されているため、ＬＤアレイ内にある複数のＬＤ素子のうち、両端のＬＤ素子により多くの電流が流れ、ＬＤアレイ内のＬＤ素子に電流が均等に分配されない。そのため、レーザー光源モジュールとしての発光効率が下がるという問題がある。
【００１３】
本技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）を抑制しつつ、複数のＬＤ素子に対する電流分配の偏りを抑制することができるレーザー光源モジュールに関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本技術の一態様に関するレーザー光源モジュールは、互いに対向して配置される少なくとも１組のレーザーダイオードアレイと、各前記レーザーダイオードアレイがそれぞれ配置されるサブマウントと、少なくとも１組の前記レーザーダイオードアレイの側方に配置される、第１給電端子および第２給電端子とを備え、各前記レーザーダイオードアレイは、配列された複数のレーザーダイオードを備え、各前記サブマウントは、複数の前記レーザーダイオードの一方の電極と電気的に接続される第１導電性パターンと、前記第１導電性パターンとは離間して形成され、かつ、複数の前記レーザーダイオードの他方の電極と電気的に接続される第２導電性パターンとを備え、前記第１導電性パターンにおける、複数の前記レーザーダイオードが配列される方向である配列方向における第１端部側の位置に、前記第１給電端子側の第１給電箇所が設けられ、前記第２導電性パターンにおける、前記配列方向における前記第１端部とは反対側の第２端部側の位置に、前記第２給電端子側の第２給電箇所が設けられる。
【発明の効果】
【００１５】
本技術の一態様に関するレーザー光源モジュールは、互いに対向して配置される少なくとも１組のレーザーダイオードアレイと、各前記レーザーダイオードアレイがそれぞれ配置されるサブマウントと、少なくとも１組の前記レーザーダイオードアレイの側方に配置される、第１給電端子および第２給電端子とを備え、各前記レーザーダイオードアレイは、配列された複数のレーザーダイオードを備え、各前記サブマウントは、複数の前記レーザーダイオードの一方の電極と電気的に接続される第１導電性パターンと、前記第１導電性パターンとは離間して形成され、かつ、複数の前記レーザーダイオードの他方の電極と電気的に接続される第２導電性パターンとを備え、前記第１導電性パターンにおける、複数の前記レーザーダイオードが配列される方向である配列方向における第１端部側の位置に、前記第１給電端子側の第１給電箇所が設けられ、前記第２導電性パターンにおける、前記配列方向における前記第１端部とは反対側の第２端部側の位置に、前記第２給電端子側の第２給電箇所が設けられる。
【００１６】
このような構成によれば、レーザーダイオードアレイにおけるレーザーダイオードの一方の電極が、第１導電性パターン上の第１給電箇所から第１給電端子に接続され、レーザーダイオードアレイにおけるレーザーダイオードの他方の電極が、第２導電性パターン上の第２給電箇所から第２給電端子に接続される。ここで、第１給電箇所と第２給電箇所とは、複数のレーザーダイオードの配列方向における反対側の端部側に位置している。よって、各レーザーダイオードにおける、第１給電箇所までの距離に基づく電気抵抗と、第２給電箇所までの距離に基づく電気抵抗とが、互いの電気抵抗の大きさの不均衡を相殺することとなるため、これらの電気抵抗の合計値には、各レーザーダイオード間での偏りが小さくなる。すなわち、複数のレーザーダイオードに対する電流分配の偏りを抑制することができる。
【００１７】
本技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する平面図である。
【図２】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。
【図３】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する展開図である。
【図４】ＬＤアセンブリの構成を例示する正面図である。
【図５】ＬＤアセンブリの構成を例示する側面図である。
【図６】ＬＤアセンブリの構成を例示する平面図である。
【図７】ＬＤアレイの構成を例示する正面図である。
【図８】ＬＤアレイの構成を例示する平面図である。
【図９】ＬＤアレイの構成を例示する背面図である。
【図１０】ＬＤアレイの構成を例示する側面図である。
【図１１】サブマウントの構成を例示する正面図である。
【図１２】サブマウントの構成を例示する背面図である。
【図１３】サブマウントの構成を例示する側面図である。
【図１４】図３に例示されるレーザー光源モジュールの展開図を用いて、各ＬＤアセンブリにおける電流分配を例示する図である。
【図１５】従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する平面図である。
【図１６】従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。
【図１７】図１６とは異なる方向から見た、従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。
【図１８】図１７に例示される従来のレーザー光源モジュールの側面図を用いて、各ＬＤアセンブリにおける電流分配を例示する図である。
【図１９】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成の平面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【図２０】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成の側面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【図２１】従来のレーザー光源モジュールの構成の平面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【図２２】従来のレーザー光源モジュールの構成の側面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【図２３】実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付される図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は模式的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示されている画像の大きさと位置との相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００２０】
また、以下に示される説明において、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられているものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。
【００２１】
＜第１実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関するレーザー光源モジュールについて説明する。
【００２２】
図１、図２および図３は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する図である。図１は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する平面図である。また、図２は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。
【００２３】
また、図３は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する展開図である。具体的には、ＬＤアセンブリ１ｂを図１の紙面上で反時計回りに回転させ、さらに、ＬＤアセンブリ１ａの図１に向かって右隣に並べて、ＬＤアレイ１１ａおよびＬＤアレイ１１ｂが正面に見えるように展開した状態を例示する図であり、この状態においては、図１において隣接して配置されている給電端子２２と給電端子２３とが、ＬＤアセンブリ１ａおよびＬＤアセンブリ１ｂを挟んで反対側に位置する。各構成については、後述する。
【００２４】
図１、図２および図３に示されるように、レーザー光源モジュールは、ステムベース２１と、給電端子２２（＋電極側）と、給電端子２３（−電極側）と、ＬＤアセンブリ１ａと、ＬＤアセンブリ１ｂとを備える。
【００２５】
ステムベース２１は、たとえば、Ｃｕなどの熱伝導率の高い材料に金メッキが施された板状部材である。ステムベース２１上にはＬＤアセンブリ１ａとＬＤアセンブリ１ｂとが互いに対向して配置され、双方のＬＤアセンブリは位置決めされる。また、ステムベース２１は、ＬＤアセンブリ１ａとＬＤアセンブリ１ｂとで生じる熱を放熱する。
【００２６】
給電端子２２は、ステムベース２１に設けられた穴２１ａに挿入される。また、給電端子２３は、ステムベース２１に設けられた穴２１ｂに挿入される。給電端子２２および給電端子２３は、ステムベース２１とは電気的に絶縁される。ステムベース２１の穴２１ａと給電端子２２との隙間には、封止材２４ａとして、たとえば低融点ガラスが充填される。同様に、ステムベース２１の穴２１ｂと給電端子２３との隙間には、封止材２４ｂとして、たとえば低融点ガラスが充填される。
【００２７】
また、給電端子２２および給電端子２３は、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の側方に、双方ともに配置される。すなわち、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の一方の側方に、給電端子２２および給電端子２３双方が配置され、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の他方の側方には、給電端子２２および給電端子２３双方とも配置されない。
【００２８】
図４、図５および図６は、ＬＤアセンブリの構成を例示する図である。図４は、ＬＤアセンブリの構成を例示する正面図である。また、図５は、ＬＤアセンブリの構成を例示する側面図である。また、図６は、ＬＤアセンブリの構成を例示する平面図である。なお、図４、図５および図６においては、ＬＤアセンブリ１ａが示されるが、ＬＤアセンブリ１ｂであっても対応する構成である。
【００２９】
ＬＤアセンブリ１ａは、ＬＤ発光機能を担うものである。図４、図５および図６に示されるように、ＬＤアセンブリ１ａは、ＬＤアレイ１１ａと、サブマウント１２ａと、保持ブロック１３ａとを備える。なお、ＬＤアセンブリ１ｂは、ＬＤアレイ１１ｂと、サブマウント１２ｂと、保持ブロック１３ｂとを備える。
【００３０】
サブマウント１２ａは、電気絶縁機能および熱伝達機能を担うものである。図４、図５および図６に示されるように、サブマウント１２ａは、平板形状の電気絶縁体１２１ａと、電気絶縁体１２１ａの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ａおよび導電性パターン１２３ａと、電気絶縁体１２１ａの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ａとを備える。電気絶縁体１２１ａは、熱伝導率が高い材料、たとえば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミック材料で形成される。サブマウント１２ｂも同様に、平板形状の電気絶縁体１２１ｂと、電気絶縁体１２１ｂの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｂおよび導電性パターン１２３ｂと、電気絶縁体１２１ｂの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｂとを備える。
【００３１】
給電端子２２は、Ａｕなどの導電性リボン３を介して、ＬＤアセンブリ１ａにおける導電性パターン１２２ａと電気的に接続される。これにより、給電端子２２とＬＤアセンブリ１ａとは、電気的に接続される。
【００３２】
また、給電端子２３は、Ａｕなどの導電性リボン３を介して、ＬＤアセンブリ１ｂにおける導電性パターン１２３ｂと電気的に接続される。これにより、給電端子２３とＬＤアセンブリ１ｂとは、電気的に接続される。
【００３３】
さらに、ＬＤアセンブリ１ａにおける導電性パターン１２３ａと、ＬＤアセンブリ１ｂにおける導電性パターン１２２ｂとが、Ａｕなどの導電性リボン３を介して、電気的に接続される。
【００３４】
保持ブロック１３ａは、熱伝達機能を担うものである。保持ブロック１３ａは、たとえば、Ｃｕなどの熱伝導率の大きい材料に金メッキなどが施されて形成される。保持ブロック１３ａの形状は、ステムベース２１と接触する下面と、この下面に対して垂直に形成された少なくとも１つの側面とを有する立体形状であり、たとえば、直方体である。
【００３５】
保持ブロック１３ａの少なくとも１つの側面は、ＬＤ素子の搭載面として機能する。また、保持ブロック１３ａとステムベース２１とは、はんだを介して接合される。ここで、保持ブロック１３ａとステムベース２１とを接合するはんだは、保持ブロック１３ａとサブマウント１２ａとを接合する際に用いられるはんだよりも低い融点を有するものであることが好ましい。
【００３６】
サブマウント１２ａは、保持ブロック１３ａの側面に搭載される。具体的には、サブマウント１２ａの導電性パターン１２４ａが保持ブロック１３ａの側面にはんだを介して接触して搭載される。
【００３７】
サブマウント１２ａの、保持ブロック１３ａの側面と接触する側とは反対側における導電性パターン１２２ａの表面には、ＬＤアレイ１１ａが搭載される。導電性パターン１２２ａとＬＤアレイ１１ａとは、はんだを介して接合される。
【００３８】
図７、図８、図９および図１０は、ＬＤアレイの構成を例示する図である。図７は、ＬＤアレイの構成を例示する正面図である。また、図８は、ＬＤアレイの構成を例示する平面図である。また、図９は、ＬＤアレイの構成を例示する背面図である。また、図１０は、ＬＤアレイの構成を例示する側面図である。
【００３９】
図７、図８、図９および図１０に示されるように、ＬＤアレイ１１ａは、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＮなどの半導体基材上に複数のＬＤ素子４がたとえば等間隔で配置され、半導体基材の端面において各ＬＤ素子４の発光点４０が形成されたレーザーダイオードである。ＬＤアレイ１１ａにおいて、各ＬＤ素子４の発光点４０から、半導体基材の主面に対して平行なレーザー光が放射される。
【００４０】
ＬＤアレイ１１ａのＮ側電極２は、単一の電極である。Ｎ側電極２において、各発光点４０に対応する導電性ワイヤー接続部４１が設けられる。また、ＬＤアレイ１１ａのＰ側電極８は、各ＬＤ素子４の発光点に対応した複数の電極である。
【００４１】
図１１、図１２および図１３は、サブマウントの構成を例示する図である。図１１は、サブマウントの構成を例示する正面図である。また、図１２は、サブマウントの構成を例示する背面図である。また、図１３は、サブマウントの構成を例示する側面図である。
【００４２】
サブマウント１２ａにおいて、電気絶縁体１２１ａの表面に形成された導電性パターン１２２ａおよび導電性パターン１２３ａは、互いに離間して配置される。ＬＤアレイ１１ａは、導電性パターン１２２ａ上に接触して配置される。そして、ＬＤアレイ１１ａのＰ側電極８が、導電性パターン１２２ａと電気的に接続される。このとき、ＬＤアレイ１１ａにおけるＬＤ素子４から放射されるレーザー光の光軸は、保持ブロック１３ａの搭載面に対して平行であり、かつ、保持ブロック１３ａの下面と接触するステムベース２１の主面に対して垂直である。
【００４３】
導電性パターン１２３ａは、Ａｕなどの導電性ワイヤー１４を介して、ＬＤアレイ１１ａのＮ側電極２における各導電性ワイヤー接続部４１と接続される。
【００４４】
また、この場合、はんだ接合時に生じる熱応力を緩和したり、温度変動に対する耐久性を確保したりするために、ＬＤアレイ１１ａの熱膨張係数をα１、サブマウント１２ａの熱膨張係数をα２、保持ブロック１３ａの熱膨張係数をα３として、
【００４５】
【数１】
2018101647.tif 000003
【００４６】
を満たすことが好ましい。
【００４７】
本実施形態において、ＬＤアセンブリ１ａとＬＤアセンブリ１ｂとは、ステムベース２１とそれぞれが接合される前に、各ＬＤアレイにおけるＬＤ素子４から放射されるレーザー光の光軸が互いに平行となるように、かつ、各ＬＤアレイの主面が互いに平行になるように、対向して位置決めされる。そして、そのように位置決めされた状態で、ステムベース２１上に固定される。
【００４８】
このような構成であることにより、ＬＤアレイ１１ａとＬＤアレイ１１ｂとの近接配置が可能となる。これにより、各ＬＤアレイから放射されるレーザー光を合成した光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）は、小さく維持される。その結果、出力された光ビームを光ファイバーと結合させた場合の、光結合損失を低減することができる。
【００４９】
また、上記の構成によれば、１つのＬＤアレイ１１ａにつき１つの保持ブロック１３ａが備えられている。そのため、保持ブロックとステムベース２１との接合面積を大きく確保することができる。また、各ＬＤアレイからステムベース２１への良好な熱伝達を実現することができる。その結果、ＬＤアレイ１１ａの放熱効率が高くなり、ＬＤ素子４における発熱による発光効率の低下を抑制することができる。
【００５０】
図１４は、図３に例示されるレーザー光源モジュールの展開図を用いて、各ＬＤアセンブリにおける電流分配を例示する図である。図中に示される矢印は、電流の流れを示すものである。
【００５１】
図１４に例示されるように、本実施形態における給電方法では、まず、給電端子２２から、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ａ上の導電性パターン１２２ａに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２２ａとの接続箇所は、給電箇所２２２ａである。給電箇所２２２ａは、導電性パターン１２２ａ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図１４においては給電端子２２が配置される側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ａから、Ｐ側電極８を介してＬＤアセンブリ１ａ上のＬＤアレイ１１ａに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ａ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極２における各導電性ワイヤー接続部４１から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ａに給電される。
【００５２】
さらに、ＬＤアセンブリ１ａ上の導電性パターン１２３ａから、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ｂ上の導電性パターン１２２ｂに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ａとの接続箇所は、給電箇所２２３ａである。給電箇所２２３ａは、導電性パターン１２３ａ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図１４においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。また、導電性リボン３と導電性パターン１２２ｂとの接続箇所は、給電箇所２２２ｂである。給電箇所２２２ｂは、導電性パターン１２２ｂ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図１４においては給電端子２２が配置される側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ｂから、Ｐ側電極８を介してＬＤアセンブリ１ｂ上のＬＤアレイ１１ｂに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｂ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極２における各導電性ワイヤー接続部４１から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｂに給電される。
【００５３】
そして、ＬＤアセンブリ１ｂ上の導電性パターン１２３ｂから、導電性リボン３を介して給電端子２３に給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ｂとの接続箇所は、給電箇所２２３ｂである。給電箇所２２３ｂは、導電性パターン１２３ｂ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図１４においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。
【００５４】
このように構成されているため、ＬＤアセンブリ１ａ上のＬＤ素子４における、導電性パターン１２２ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２２ａ）までの距離に基づく電気抵抗と、導電性パターン１２３ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２３ａ）までの距離に基づく電気抵抗との合計値には、各ＬＤ素子４間での偏りが小さくなる。たとえば、給電端子２２に最も近く配置されているＬＤ素子４は、導電性パターン１２２ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２２ａ）までの距離に基づく電気抵抗は、配列された複数のＬＤ素子４のなかで最も小さいが、導電性パターン１２３ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２３ａ）までの距離に基づく電気抵抗は、配列された複数のＬＤ素子４のなかで最も大きい。このように、各ＬＤ素子４において、導電性パターン１２２ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２２ａ）までの距離に基づく電気抵抗と、導電性パターン１２３ａ上の導電性リボン３端（給電箇所２２３ａ）までの距離に基づく電気抵抗とが、互いの電気抵抗の大きさの不均衡を相殺することとなるため、これらの電気抵抗の合計値には、各ＬＤ素子４間での偏りが小さくなる。また、同様に、ＬＤアセンブリ１ｂ上のＬＤ素子４における、導電性パターン１２２ｂ上の導電性リボン３端（給電箇所２２２ｂ）までの距離に基づく電気抵抗と、導電性パターン１２３ｂ上の導電性リボン３端（給電箇所２２３ｂ）までの距離に基づく電気抵抗との合計値には、各ＬＤ素子４間での偏りが小さくなる。よって、各ＬＤアレイ上において、複数のＬＤ素子４に対する電流分配の偏りを抑制することができる。
【００５５】
ＬＤアセンブリ１ａにおける給電箇所２２２ａおよび給電箇所２２３ａのように、電気抵抗の合計値が各ＬＤ素子４間で完全に等しくなる位置に給電箇所が設けられることが望ましい。
【００５６】
なお、各ＬＤアレイ上に配置されるＬＤ素子４の数が変化した場合であっても同様に、複数のＬＤ素子４に対する電流分配の偏りを抑制することができる。
【００５７】
また、サブマウント１２ａにおける導電性パターン１２２ａおよび導電性パターン１２３ａは、電気絶縁体１２１ａ上の、複数のＬＤ素子４が配列される配列方向における一方の端部において、当該配列方向と垂直な方向に幅を有して形成されている。すなわち、導電性パターン１２２ａおよび導電性パターン１２３ａは、複数のＬＤ素子４の配列方向における一方の端部に沿って形成される部分を有する。同様に、サブマウント１２ｂにおける導電性パターン１２２ｂおよび導電性パターン１２３ｂは、電気絶縁体１２１ｂ上の、複数のＬＤ素子４が配列される配列方向における他方の端部において、当該配列方向と垂直な方向に幅を有して形成されている。すなわち、導電性パターン１２２ｂおよび導電性パターン１２３ｂは、複数のＬＤ素子４の配列方向における他方の端部に沿って形成される部分を有する。
【００５８】
このような構造であることにより、導電性リボン３を配置する際の自由度が向上する。よって、電気抵抗の合計値が各ＬＤ素子４間で完全に等しくなる位置に給電箇所を設ける場合にも、自由度が増す。
【００５９】
また、導電性リボン３の本数を増やすことによって、給電端子とＬＤアレイとの間の抵抗値を小さくすることができる。また、幅の広い導電性リボンを用いることによって、給電端子とＬＤアレイとの間の抵抗値を小さくすることができる。これらの結果として、ＬＤアレイに供給することができる電流値を高めることができる。
【００６０】
また、導電性リボン３を接合する工程において、工程の流れを一軸方向に統一することができるため、レーザー光源モジュールに供給される電流の許容値を高め、レーザー光源モジュールの工作性を改善することができる。
【００６１】
図１５、図１６および図１７は、従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する図である。図１５は、従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する平面図である。また、図１６は、従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。また、図１７は、図１６とは異なる方向から見た、従来のレーザー光源モジュールの構成を例示する側面図である。図１７は、ＬＤアセンブリ１ｃを、ＬＤアレイ１１ｃ側から見た側面図である。
【００６２】
図１５、図１６および図１７に示されるように、レーザー光源モジュールは、ステムベース２１と、給電端子２２ａと、給電端子２３ａと、ＬＤアセンブリ１ｃと、ＬＤアセンブリ１ｄとを備える。
【００６３】
ステムベース２１上にはＬＤアセンブリ１ｃとＬＤアセンブリ１ｄとが互いに対向して配置され、双方のＬＤアセンブリは位置決めされる。また、ステムベース２１は、ＬＤアセンブリ１ｃとＬＤアセンブリ１ｄとで生じる熱を放熱する。
【００６４】
給電端子２２ａは、ステムベース２１に設けられた穴２１ｃに挿入される。また、給電端子２３ａは、ステムベース２１に設けられた穴２１ｄに挿入される。給電端子２２ａおよび給電端子２３ａは、ステムベース２１とは電気的に絶縁される。ステムベース２１の穴２１ｃと給電端子２２ａとの隙間には、封止材２４ｃとして、たとえば低融点ガラスが充填される。同様に、ステムベース２１の穴２１ｄと給電端子２３ａとの隙間には、封止材２４ｄとして、たとえば低融点ガラスが充填される。
【００６５】
また、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａは、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の側方に、各１つずつ配置される。すなわち、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の一方の側方に、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａが１つずつ配置され、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の他方の側方にも、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａが１つずつ配置される。
【００６６】
ＬＤアセンブリ１ｃは、ＬＤ発光機能を担うものである。ＬＤアセンブリ１ｃは、ＬＤアレイ１１ｃと、サブマウント１２ｃと、保持ブロック１３ｃとを備える。なお、ＬＤアセンブリ１ｄは、ＬＤアレイ１１ｄと、サブマウント１２ｄと、保持ブロック１３ｄとを備える。
【００６７】
サブマウント１２ｃは、電気絶縁機能および熱伝達機能を担うものである。サブマウント１２ｃは、平板形状の電気絶縁体１２１ｃと、電気絶縁体１２１ｃの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｃおよび導電性パターン１２３ｃと、電気絶縁体１２１ｃの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｃとを備える。電気絶縁体１２１ｃは、熱伝導率が高い材料、たとえば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミック材料で形成される。サブマウント１２ｄも同様に、平板形状の電気絶縁体１２１ｄと、電気絶縁体１２１ｄの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｄおよび導電性パターン１２３ｄと、電気絶縁体１２１ｄの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｄとを備える。
【００６８】
給電端子２２ａは、Ａｕなどの導電性リボン３ｃを介して、ＬＤアセンブリ１ｃにおける導電性パターン１２２ｃと電気的に接続される。これにより、給電端子２２ａとＬＤアセンブリ１ｃとは、電気的に接続される。なお、給電端子２２ａは、ＬＤアセンブリ１ｃの双方の側方にそれぞれ配置されており、それぞれの給電端子２２ａと接続される導電性リボン３ｃは、双方の側方から導電性パターン１２２ｃと電気的に接続される。すなわち、導電性リボン３ｃと導電性パターン１２２ｃとの接続箇所は、給電箇所２２２ｃおよび給電箇所３２２ｃである。給電箇所２２２ｃは、導電性パターン１２２ｃ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図１７においては左側）に位置する。給電箇所３２２ｃは、導電性パターン１２２ｃ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図１７においては右側）に位置する。
【００６９】
また、給電端子２３ａは、Ａｕなどの導電性リボン３ｄを介して、ＬＤアセンブリ１ｃにおける導電性パターン１２３ｃと電気的に接続される。これにより、給電端子２３ａとＬＤアセンブリ１ｃとは、電気的に接続される。なお、給電端子２３ａは、ＬＤアセンブリ１ｃの双方の側方にそれぞれ配置されており、それぞれの給電端子２３ａと接続される導電性リボン３ｄは、双方の側方から導電性パターン１２３ｃと電気的に接続される。すなわち、導電性リボン３ｄと導電性パターン１２３ｃとの接続箇所は、給電箇所２２３ｃおよび給電箇所３２３ｃである。給電箇所２２３ｃは、導電性パターン１２３ｃ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図１７においては左側）に位置する。給電箇所３２３ｃは、導電性パターン１２３ｃ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図１７においては右側）に位置する。
【００７０】
保持ブロック１３ｃは、熱伝達機能を担うものである。保持ブロック１３ｃは、たとえば、Ｃｕなどの熱伝導率の大きい材料に金メッキなどが施されて形成される。
【００７１】
保持ブロック１３ｃの少なくとも１つの側面は、ＬＤ素子の搭載面として機能する。また、保持ブロック１３ｃとステムベース２１とは、はんだを介して接合される。
【００７２】
サブマウント１２ｃは、保持ブロック１３ｃの側面に搭載される。具体的には、サブマウント１２ｃの導電性パターン１２４ｃが保持ブロック１３ｃの側面にはんだを介して接触して搭載される。
【００７３】
サブマウント１２ｃの、保持ブロック１３ｃの側面と接触する側とは反対側における導電性パターン１２２ｃの表面には、ＬＤアレイ１１ｃが搭載される。導電性パターン１２２ｃとＬＤアレイ１１ｃとは、はんだを介して接合される。
【００７４】
サブマウント１２ｃにおいて、電気絶縁体１２１ｃの表面に形成された導電性パターン１２２ｃおよび導電性パターン１２３ｃは、互いに離間して配置される。ＬＤアレイ１１ｃは、導電性パターン１２２ｃ上に接触して配置される。そして、ＬＤアレイ１１ｃのＰ側電極が、導電性パターン１２２ｃと電気的に接続される。このとき、ＬＤアレイ１１ｃにおけるＬＤ素子４から放射されるレーザー光の光軸は、保持ブロック１３ｃの搭載面に対して平行であり、かつ、保持ブロック１３ｃの下面と接触するステムベース２１の主面に対して垂直である。
【００７５】
導電性パターン１２３ｃは、Ａｕなどの導電性ワイヤー１４を介して、ＬＤアレイ１１ｃのＮ側電極２と接続される。
【００７６】
図１８は、図１７に例示される従来のレーザー光源モジュールの側面図を用いて、各ＬＤアセンブリにおける電流分配を例示する図である。
【００７７】
図１８に例示されるように、従来の給電方法では、まず、双方の側方に配置された給電端子２２ａから、導電性リボン３ｃを介してＬＤアセンブリ１ｃ上の導電性パターン１２２ｃにそれぞれ給電される。そして、導電性パターン１２２ｃから、Ｐ側電極を介してＬＤアセンブリ１ｃ上のＬＤアレイ１１ｃに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｃ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極２における各導電性ワイヤー接続部４１から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｃに給電される。ここで、各ＬＤ素子４では、主に、より電気抵抗の低い方の給電端子２２ａ、すなわち、より給電箇所が近い方の給電端子２２ａから給電が行われる。
【００７８】
そして、ＬＤアセンブリ１ｃ上の導電性パターン１２３ｃから、導電性リボン３ｄを介して給電端子２３ａに給電される。ここで、各ＬＤ素子４からは、主に、より電気抵抗の低い方の給電端子２３ａ、すなわち、より給電箇所が近い方の給電端子２３ａへ給電が行われる。
【００７９】
このように構成されているため、ＬＤアセンブリ１ｃ上のＬＤ素子４における、導電性パターン１２２ｃ上の導電性リボン３ｃ端（給電箇所２２２ｃまたは給電箇所３２２ｃ）までの距離に基づく電気抵抗と、導電性パターン１２３ｃ上の導電性リボン３ｄ端（給電箇所２２３ｃまたは給電箇所３２３ｃ）までの距離に基づく電気抵抗との合計値は、各ＬＤ素子４で偏りが生じる。すなわち、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａが配置される側方に近い位置に配置されたＬＤ素子４、たとえば、図１８における左端に位置するＬＤ素子４または右端に位置するＬＤ素子４に関する電気抵抗の合計値は、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａが配置される側方から遠い位置に配置されたＬＤ素子４、たとえば、図１８における中央付近に位置するＬＤ素子４に関する電気抵抗の合計値よりも小さくなる。また、ＬＤアセンブリ１ｄ上のＬＤ素子４における、導電性パターン１２２ｄ上の導電性リボン３ｃ端（給電箇所２２２ｃまたは給電箇所３２２ｃ）までの距離に基づく電気抵抗と、導電性パターン１２３ｄ上の導電性リボン３ｄ端（給電箇所２２３ｃまたは給電箇所３２３ｃ）までの距離に基づく電気抵抗との合計値は、各ＬＤ素子４で偏りが生じる。よって、各ＬＤアレイ上において、各ＬＤ素子４には均等な電流が配分されず、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａが配置される側方に近い位置に配置されたＬＤ素子４に対し、より多くの電流が流れる。結果として、各ＬＤ素子４の熱分布および発光の輝度が不均一となり、発光効率が低下する。
【００８０】
図１９および図２０は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの給電および放熱に関する説明を行うための図である。図１９は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成の平面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。図２０は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成の側面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【００８１】
レーザー光源モジュールでは、一般に、使用時の発熱による結露を予防するため、ステムベース２１のＬＤアセンブリを設置する側にカバー５が設置され、気密封止がなされる。
【００８２】
これにより、ステムベース２１のＬＤアセンブリを設置する側には、給電端子２２の電流源７と接続される端部および給電端子２３の電流源７と接続される端部、さらには放熱部材６をも接続することはできず、必然的にステムベース２１のＬＤアセンブリを設置する側とは反対側、すなわち裏面側にこれらが設置されることとなる。
【００８３】
本実施形態に関するレーザー光源モジュールでは、給電端子２２および給電端子２３は、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の側方に、双方ともに配置される。よって、放熱部材６を配置する領域と、給電端子およびその配線が配置される領域とが平面視上重ならない。
【００８４】
図２１および図２２は、従来のレーザー光源モジュールの給電および放熱に関する説明を行うための図である。図２１は、従来のレーザー光源モジュールの構成の平面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。図２２は、従来のレーザー光源モジュールの構成の側面図を用いて、給電および放熱に関する説明を行うものである。
【００８５】
従来のレーザー光源モジュールでは、給電端子２２ａおよび給電端子２３ａは、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の側方に、各１つずつ配置される。よって、放熱部材６ａを配置する領域と給電端子が配置される領域とが平面視上重なってしまう。そのため、たとえば給電端子が配置される領域を確保するために放熱部材６ａの大きさ、特に高さに制約が課せられる。このことは、レーザー光源モジュールが複数使用される光機器内の設計制約をさらに厳しいものとする。
【００８６】
また、上記の制約により、当該レーザー光源モジュールを適切な条件下で作動させることが困難となる。
【００８７】
＜第２実施形態＞
＜構成＞
本実施形態に関するレーザー光源モジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
【００８８】
図２３は、本実施形態に関するレーザー光源モジュールの構成を例示する図である。本実施形態に関するレーザー光源モジュールは、ステムベース２１に、２組の給電端子２２および給電端子２３と、４組のＬＤアセンブリ（８つのＬＤアセンブリ）とを備える。
【００８９】
１組の給電端子２２および給電端子２３に連なる２組のＬＤアセンブリである、ＬＤアセンブリ１ｅ、ＬＤアセンブリ１ｆ、ＬＤアセンブリ１ｇおよびＬＤアセンブリ１ｈは、第１実施形態において示された２つのＬＤアセンブリであるＬＤアセンブリ１ａおよびＬＤアセンブリ１ｂをもう１組、電気的に直列に接続させたものである。ＬＤアセンブリ１ｅとＬＤアセンブリ１ｇとが１組のＬＤアセンブリであり、ＬＤアセンブリ１ｆとＬＤアセンブリ１ｈとが１組のＬＤアセンブリである。１組のＬＤアセンブリと他の組のＬＤアセンブリとは、ＬＤ素子４の配列方向に沿って隣接して配列される。また、給電端子２２および給電端子２３は、２組のＬＤアセンブリの、ＬＤ素子４の配列方向の一端に双方が配置される。
【００９０】
なお、ＬＤアセンブリ１ｅは、ＬＤアレイ１１ｅと、サブマウント１２ｅと、保持ブロック１３ｅとを備える。そして、ここでは図示しないが、サブマウント１２ｅは、平板形状の電気絶縁体１２１ｅと、電気絶縁体１２１ｅの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｅおよび導電性パターン１２３ｅと、電気絶縁体１２１ｅの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｅとを備える。さらに、導電性パターン１２２ｅにおいては、給電箇所２２２ｅが設けられ、導電性パターン１２３ｅにおいては、給電箇所２２３ｅが設けられる。サブマウント１２ｅにおいて、電気絶縁体１２１ｅの表面に形成された導電性パターン１２２ｅおよび導電性パターン１２３ｅは、互いに離間して配置される。
【００９１】
また、ＬＤアセンブリ１ｆは、ＬＤアレイ１１ｆと、サブマウント１２ｆと、保持ブロック１３ｆとを備える。そして、ここでは図示しないが、サブマウント１２ｆは、平板形状の電気絶縁体１２１ｆと、電気絶縁体１２１ｆの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｆおよび導電性パターン１２３ｆと、電気絶縁体１２１ｆの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｆとを備える。さらに、導電性パターン１２２ｆにおいては、給電箇所２２２ｆが設けられ、導電性パターン１２３ｆにおいては、給電箇所２２３ｆが設けられる。サブマウント１２ｆにおいて、電気絶縁体１２１ｆの表面に形成された導電性パターン１２２ｆおよび導電性パターン１２３ｆは、互いに離間して配置される。
【００９２】
また、ＬＤアセンブリ１ｇは、ＬＤアレイ１１ｇと、サブマウント１２ｇと、保持ブロック１３ｇとを備える。そして、ここでは図示しないが、サブマウント１２ｇは、平板形状の電気絶縁体１２１ｇと、電気絶縁体１２１ｇの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｇおよび導電性パターン１２３ｇと、電気絶縁体１２１ｇの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｇとを備える。さらに、導電性パターン１２２ｇにおいては、給電箇所２２２ｇが設けられ、導電性パターン１２３ｇにおいては、給電箇所２２３ｇが設けられる。サブマウント１２ｇにおいて、電気絶縁体１２１ｇの表面に形成された導電性パターン１２２ｇおよび導電性パターン１２３ｇは、互いに離間して配置される。
【００９３】
また、ＬＤアセンブリ１ｈは、ＬＤアレイ１１ｈと、サブマウント１２ｈと、保持ブロック１３ｈとを備える。そして、ここでは図示しないが、サブマウント１２ｈは、平板形状の電気絶縁体１２１ｈと、電気絶縁体１２１ｈの表面に形成された２つの導電性パターン１２２ｈおよび導電性パターン１２３ｈと、電気絶縁体１２１ｈの裏面において全面に亘って形成された導電性パターン１２４ｈとを備える。さらに、導電性パターン１２２ｈにおいては、給電箇所２２２ｈが設けられ、導電性パターン１２３ｈにおいては、給電箇所２２３ｈが設けられる。サブマウント１２ｈにおいて、電気絶縁体１２１ｈの表面に形成された導電性パターン１２２ｈおよび導電性パターン１２３ｈは、互いに離間して配置される。
【００９４】
具体的には、まず、給電端子２２から、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ｅ上の導電性パターン１２２ｅに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２２ｅとの接続箇所は、給電箇所２２２ｅである。給電箇所２２２ｅは、導電性パターン１２２ｅ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図２３においては給電端子２２が配置される側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ｅから、Ｐ側電極を介してＬＤアセンブリ１ｅ上のＬＤアレイ１１ｅに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｅ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極における各導電性ワイヤー接続部から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｅに給電される。
【００９５】
そして、ＬＤアセンブリ１ｅ上の導電性パターン１２３ｅから、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ｆ上の導電性パターン１２２ｆに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ｅとの接続箇所は、給電箇所２２３ｅである。給電箇所２２３ｅは、導電性パターン１２３ｅ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図２３においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。また、導電性リボン３と導電性パターン１２２ｆとの接続箇所は、給電箇所２２２ｆである。給電箇所２２２ｆは、導電性パターン１２２ｆ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図２３においては給電端子２２が配置される側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ｆから、Ｐ側電極を介してＬＤアセンブリ１ｆ上のＬＤアレイ１１ｆに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｆ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極における各導電性ワイヤー接続部から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｆに給電される。
【００９６】
そして、ＬＤアセンブリ１ｆ上の導電性パターン１２３ｆから、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ｈ上の導電性パターン１２２ｈに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ｆとの接続箇所は、給電箇所２２３ｆである。給電箇所２２３ｆは、導電性パターン１２３ｆ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図２３においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。また、導電性リボン３と導電性パターン１２２ｈとの接続箇所は、給電箇所２２２ｈである。給電箇所２２２ｈは、導電性パターン１２２ｈ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図２３においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ｈから、Ｐ側電極を介してＬＤアセンブリ１ｈ上のＬＤアレイ１１ｈに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｈ上において、等間隔に配置されたＬＤ素子４のＮ側電極における各導電性ワイヤー接続部から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｈに給電される。
【００９７】
そして、ＬＤアセンブリ１ｈ上の導電性パターン１２３ｈから、導電性リボン３を介してＬＤアセンブリ１ｇ上の導電性パターン１２２ｇに給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ｈとの接続箇所は、給電箇所２２３ｈである。給電箇所２２３ｈは、導電性パターン１２３ｈ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図２３においては給電端子２２が配置される側）に位置する。また、導電性リボン３と導電性パターン１２２ｇとの接続箇所は、給電箇所２２２ｇである。給電箇所２２２ｇは、導電性パターン１２２ｇ上の、ＬＤ素子４の配列方向における一方（図２３においては給電端子２２が配置される側とは反対側）に位置する。そして、導電性パターン１２２ｇから、Ｐ側電極を介してＬＤアセンブリ１ｇ上のＬＤアレイ１１ｇに給電される。そして、当該ＬＤアレイ１１ｇ上において、等間隔に配置された各ＬＤ素子４のＮ側電極における各導電性ワイヤー接続部から、導電性ワイヤー１４を介して導電性パターン１２３ｇに給電される。
【００９８】
そして、ＬＤアセンブリ１ｇ上の導電性パターン１２３ｇから、導電性リボン３を介して給電端子２３に給電される。このとき、導電性リボン３と導電性パターン１２３ｇとの接続箇所は、給電箇所２２３ｇである。給電箇所２２３ｇは、導電性パターン１２３ｇ上の、ＬＤ素子４の配列方向における他方（図２３においては給電端子２２が配置される側）に位置する。
【００９９】
このように構成されているため、各ＬＤアセンブリ上のＬＤ素子４における電気抵抗との合計値には、各ＬＤ素子４間での偏りが小さくなる。よって、各ＬＤアレイ上において、複数のＬＤ素子４に対する電流分配の偏りを抑制することができる。
【０１００】
また、本実施形態に示される構成によれば、第１実施形態において示されたＬＤアセンブリをそのまま複数個並べる場合よりも狭いスペースに、８個のＬＤアセンブリを集約させて配置することができる。
【０１０１】
また、給電端子２２および給電端子２３は、一方のＬＤアセンブリの他方のＬＤアセンブリと対向する面の側方に、双方ともに配置される。よって、放熱部材を配置する領域（各ＬＤアセンブリの裏面）と給電端子が配置される領域とが平面視上重ならない。
【０１０２】
本実施形態においては、８つのＬＤアセンブリに関する例が記載されたが、１組の給電端子２２および給電端子２３に連なるＬＤアセンブリの数および給電端子２２および給電端子２３の組数は、自由に変えることができる。なお、その場合であっても、基本的な構成に変わりはないため、上記の特徴を実現することができる。
【０１０３】
＜効果＞
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。
【０１０４】
上記の実施形態によれば、レーザー光源モジュールが、少なくとも１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ａおよびＬＤアレイ１１ｂと、サブマウント１２ａおよびサブマウント１２ｂと、第１給電端子に含まれる給電端子２２と、第２給電端子に含まれる給電端子２３とを備える。
【０１０５】
ＬＤアレイ１１ａとＬＤアレイ１１ｂとは、互いに対向して配置される。サブマウント１２ａには、ＬＤアレイ１１ａが配置される。また、サブマウント１２ｂには、ＬＤアレイ１１ｂが配置される。
【０１０６】
給電端子２２は、１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ａおよびＬＤアレイ１１ｂの側方に配置される。また、給電端子２３は、１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ａおよびＬＤアレイ１１ｂの側方に配置される。
【０１０７】
ＬＤアレイ１１ａは、配列された複数のＬＤ、たとえばＬＤ素子４を備える。また、ＬＤアレイ１１ｂは、配列された複数のＬＤ、たとえばＬＤ素子４を備える。
【０１０８】
サブマウント１２ａは、第１導電性パターン、たとえば導電性パターン１２２ａと、第２導電性パターン、たとえば導電性パターン１２３ａとを備える。
【０１０９】
導電性パターン１２２ａは、複数のＬＤ素子４の一方の電極、たとえばＰ側電極８と電気的に接続される。導電性パターン１２３ａは、導電性パターン１２２ａとは離間して形成され、かつ、複数のＬＤ素子４の他方の電極、たとえばＮ側電極２と電気的に接続される。
【０１１０】
サブマウント１２ｂは、第１導電性パターン、たとえば導電性パターン１２２ｂと、第２導電性パターン、たとえば導電性パターン１２３ｂとを備える。
【０１１１】
導電性パターン１２２ｂは、複数のＬＤ素子４の一方の電極、たとえばＰ側電極８と電気的に接続される。導電性パターン１２３ｂは、導電性パターン１２２ｂとは離間して形成され、かつ、複数のＬＤ素子４の他方の電極、たとえばＮ側電極２と電気的に接続される。
【０１１２】
導電性パターン１２２ａにおける、複数のＬＤ素子４が配列される方向である配列方向における第１端部側の位置に、給電端子２２側の電気的位置である第１給電箇所、たとえば給電箇所２２２ａが設けられる。また、導電性パターン１２２ｂにおける、複数のＬＤ素子４が配列される方向である配列方向における第１端部側の位置に、給電端子２２と電気的に接続される第１給電箇所、たとえば給電箇所２２２ｂが設けられる。
【０１１３】
導電性パターン１２３ａにおける、配列方向における第１端部とは反対側の第２端部側の位置に、給電端子２３側の電気的位置である第２給電箇所、たとえば給電箇所２２３ａが設けられる。また、導電性パターン１２３ｂにおける、配列方向における第１端部とは反対側の第２端部側の位置に、給電端子２３と電気的に接続される第２給電箇所、たとえば給電箇所２２３ｂが設けられる。
【０１１４】
このような構成によれば、たとえば、ＬＤアレイ１１ａにおけるＬＤ素子４のＰ側電極８が、導電性パターン１２２ａ上の給電箇所２２２ａから給電端子２２に接続され、ＬＤアレイ１１ａにおけるＬＤ素子４のＮ側電極２が、導電性パターン１２３ａ上の給電箇所２２３ａから給電端子２３に接続される。ここで、給電箇所２２２ａと給電箇所２２３ａとは、複数のＬＤ素子４の配列方向における反対側の端部側に位置している。よって、各ＬＤ素子４における、給電箇所２２２ａまでの距離に基づく電気抵抗と、給電箇所２２３ａまでの距離に基づく電気抵抗とが、互いの電気抵抗の大きさの不均衡を相殺することとなるため、これらの電気抵抗の合計値には、各ＬＤ素子４間での偏りが小さくなる。すなわち、複数のＬＤ素子４に対する電流分配の偏りを抑制することができる。
【０１１５】
また、少なくとも１組のＬＤアレイが、互いに対向して配置されるため、ＬＤアレイの近接配置が可能となる。そのため、各ＬＤ素子から放射されるレーザー光を合成した光ビームの広がり角（エタンデュ、Ｅｔｅｎｄｕｅ）を小さく維持することができる。
【０１１６】
また、各ＬＤアレイにつき１つの保持ブロックが設置されるため、保持ブロックとステムベースとの接合面積を大きく確保することができる。そのため、ＬＤアレイからステムベースまでの良好な熱伝達を実現することができる。そのため、レーザー素子の放熱効率が高くなり、レーザー素子の発熱による発光効率の低下を抑制することができる。
【０１１７】
なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される少なくとも１つの他の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。
【０１１８】
また、上記の実施形態によれば、給電箇所２２２ａとＬＤ素子４との間で生じる電気抵抗と、給電箇所２２３ａとＬＤ素子４との間で生じる電気抵抗との和が、ＬＤアレイ１１ａにおける各ＬＤ素子４間で等しい。
【０１１９】
このような構成によれば、各ＬＤ素子４における、給電箇所２２２ａまでの距離に基づく電気抵抗と、給電箇所２２３ａまでの距離に基づく電気抵抗との合計値が、各ＬＤ素子４間で等しくなる。すなわち、複数のＬＤ素子４に対し電流を等しく分配することができる。
【０１２０】
また、上記の実施形態によれば、給電箇所２２２ａとＬＤ素子４との間の距離と、給電箇所２２３ａとＬＤ素子４との間の距離との和が、ＬＤアレイ１１ａにおける各ＬＤ素子４間で等しい。
【０１２１】
このような構成によれば、各ＬＤ素子４における、給電箇所２２２ａまでの距離に基づく電気抵抗と、給電箇所２２３ａまでの距離に基づく電気抵抗との合計値が、各ＬＤ素子４間で等しくなる。すなわち、複数のＬＤ素子４に対し電流を等しく分配することができる。
【０１２２】
また、上記の実施形態によれば、給電端子２２および給電端子２３は、たとえばＬＤアレイ１１ａの同じ側の側方に双方配置される。
【０１２３】
１組のＬＤアレイは、給電端子２２および給電端子２３が配置される側とは反対側において、対向する一方のＬＤアレイ１１ａが配置されるサブマウント１２ａの導電性パターン１２３ａが、対向する他方のＬＤアレイ１１ｂが配置されるサブマウント１２ｂの導電性パターン１２２ｂと電気的に接続される。
【０１２４】
一方のＬＤアレイ１１ａが配置されるサブマウント１２ａの導電性パターン１２２ａにおける、複数のＬＤ素子４の配列方向における第１端部側の位置に、給電端子２２と電気的に接続される給電箇所２２２ａが設けられる。
【０１２５】
他方のＬＤアレイ１１ｂが配置されるサブマウント１２ｂの導電性パターン１２３ｂにおける、配列方向における第２端部側の位置に、給電端子２３と電気的に接続される給電箇所２２３ｂが設けられる。
【０１２６】
このような構成によれば、給電端子２２および給電端子２３が、ＬＤアレイの同じ側の側方に双方配置される。そのため、発熱が想定されるＬＤアレイの周辺領域と、給電端子およびその配線が配置される領域とが平面視上重ならない。よって、給電端子およびその配線への熱による影響を抑制し、レーザー光源モジュールを適切な条件下で作動させることができる。
【０１２７】
また、上記の実施形態によれば、導電性パターン１２２ａは、サブマウント１２ａにおける第１端部側の辺に沿って形成される。また、導電性パターン１２２ｂは、サブマウント１２ｂにおける第１端部側の辺に沿って形成される。
【０１２８】
導電性パターン１２３ａは、サブマウント１２ａにおける第２端部側の辺に沿って形成される。また、導電性パターン１２３ｂは、サブマウント１２ｂにおける第２端部側の辺に沿って形成される。
【０１２９】
このような構成によれば、給電箇所２２２ａおよび給電箇所２２３ａを設ける際の自由度が向上する。よって、電気抵抗の合計値が各ＬＤ素子４間で完全に等しくなる位置に給電箇所２２２ａおよび給電箇所２２３ａを設ける場合にも、自由度が増す。
【０１３０】
また、上記の実施形態によれば、レーザー光源モジュールが、複数組の、互いに対向して配置されるＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ｅ、ＬＤアレイ１１ｆ、ＬＤアレイ１１ｇおよびＬＤアレイ１１ｈを備える。
【０１３１】
１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ｅおよびＬＤアレイ１１ｇと、他の組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ｆおよびＬＤアレイ１１ｈとは、複数のＬＤ素子４の配列方向に沿って隣接して配列される。
【０１３２】
給電端子２２および給電端子２３は、複数組のＬＤアレイの同じ側の側方に双方配置される。
【０１３３】
１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ｆおよびＬＤアレイ１１ｈは、給電端子２２および給電端子２３が配置される側とは反対側において、対向する一方のＬＤアレイ１１ｆが配置されるサブマウント１２ｆの導電性パターン１２３ｆが、対向する他方のＬＤアレイ１１ｈが配置されるサブマウント１２ｈの導電性パターン１２２ｈと電気的に接続される。
【０１３４】
互いに隣接する１組のＬＤアレイ、たとえば、ＬＤアレイ１１ｅおよびＬＤアレイ１１ｆは、隣接する一方のＬＤアレイ１１ｅが配置されるサブマウント１２ｅの導電性パターン１２３ｅが、隣接する他方のＬＤアレイ１１ｆが配置されるサブマウント１２ｆの導電性パターン１２２ｆと電気的に接続される。
【０１３５】
給電端子２２は、給電端子２２および給電端子２３が配置される一端の、対向する一方のＬＤアレイ、たとえばＬＤアレイ１１ｅが配置されるサブマウント１２ｅに接続される。そして、当該サブマウント１２ｅの導電性パターン１２２ｅにおける、配列方向における第１端部側の位置に、給電端子２２と電気的に接続される給電箇所２２２ｅが設けられる。
【０１３６】
給電端子２３は、給電端子２２および給電端子２３が配置される一端の、対向する他方のＬＤアレイ、たとえばＬＤアレイ１１ｇが配置されるサブマウント１２ｇに接続される。そして、当該サブマウント１２ｇの導電性パターン１２３ｇにおける、配列方向における第２端部側の位置に、給電端子２３と電気的に接続される給電箇所２２３ｇが設けられる。
【０１３７】
このような構成によれば、ＬＤアセンブリをそのまま複数個並べる場合よりも狭いスペースに、ＬＤアセンブリを集約させて配置することができる。
【０１３８】
＜変形例＞
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載している場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれる。
【０１３９】
また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合とを含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。
【０１４０】
また、本明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。
【０１４１】
また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１４２】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈ  ＬＤアセンブリ、２  Ｎ側電極、３，３ｃ，３ｄ  導電性リボン、４  ＬＤ素子、５  カバー、６，６ａ  放熱部材、７  電流源、８  Ｐ側電極、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ  ＬＤアレイ、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈ  サブマウント、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ  保持ブロック、１４  導電性ワイヤー、２１  ステムベース、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ  穴、２２，２２ａ，２３，２３ａ  給電端子、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ  封止材、４０  発光点、４１  導電性ワイヤー接続部、１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ，１２１ｄ，１２１ｅ，１２１ｆ，１２１ｇ，１２１ｈ  電気絶縁体、１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄ，１２２ｅ，１２２ｆ，１２２ｇ，１２２ｈ，１２３ａ，１２３ｂ，１２３ｃ，１２３ｄ，１２３ｅ，１２３ｆ，１２３ｇ，１２３ｈ，１２４ａ，１２４ｂ，１２４ｃ，１２４ｄ，１２４ｅ，１２４ｆ，１２４ｇ，１２４ｈ  導電性パターン、２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｅ，２２２ｆ，２２２ｇ，２２２ｈ，２２３ａ，２２３ｂ，２２３ｃ，２２３ｅ，２２３ｆ，２２３ｇ，２２３ｈ，３２２ｃ，３２３ｃ  給電箇所。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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