(57)【要約】【課題】半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理する。【解決手段】書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理する制御部、を備え、前記制御部は、前記半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行された場合、前記半導体不揮発性メモリにおける前記消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、前記消去回数を管理する、制御装置が提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理する制御部、
を備え、
前記制御部は、前記半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行された場合、前記半導体不揮発性メモリにおける前記消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、前記消去回数を管理する、
制御装置。
【請求項２】
前記半導体不揮発性メモリは、複数の前記第１の不揮発性記憶領域を有し、
前記制御部は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域における前記書き換え対象データの消去の実行に基づいて、前記第２の不揮発性記憶領域に前記所定値を追記する、
請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域におけるそれぞれの前記消去回数を管理する、
請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記第２の不揮発性記憶領域は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域に対応する複数のサブ領域を有し、
前記制御部は、前記第１の不揮発性記憶領域における前記書き換え対象データの消去の実行に基づいて、当該第１の不揮発性記憶領域に対応する前記サブ領域に前記所定値を追記する、
請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の不揮発性記憶領域ごとに異なる前記所定値を前記第２の不揮発性記憶領域に追記する、
請求項３に記載の制御装置。
【請求項６】
前記制御部は、所定数の前記第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行されるごとに、前記第２の不揮発性記憶領域に前記所定値を追記する、
請求項２に記載の制御装置。
【請求項７】
前記第１の不揮発性記憶領域と前記第２の不揮発性記憶領域とは、前記半導体不揮発性メモリにおける消去の最小単位でそれぞれ構成される、
請求項１〜６のいずれかに記載の制御装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記半導体不揮発性メモリにおける書き込みの最小単位で、前記所定値を追記する、
請求項１〜７のいずれかに記載の制御装置。
【請求項９】
書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理すること、
を含み、
前記管理することは、前記半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行された場合、前記半導体不揮発性メモリにおける前記消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、前記消去回数を管理する、
制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御装置および制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の装置における補助記憶媒体や保管用ストレージとして半導体不揮発性メモリが広く普及している。半導体不揮発性メモリは、データの書き換えが可能である一方、データの消去が繰り返し実行されることで半導体特性の劣化が生じることから、消去回数には上限が存在する。このため、半導体不揮発性メモリの使用においては、消去回数が上限に達しないよう制御を行う機構が求められる。上記のような機構としては、例えば、特許文献１に開示されるフラッシュメモリ制御方法が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１３４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のフラッシュメモリ制御方法では、フラッシュメモリのメモリブロックを複数のデータブロックに分割し、当該データブロックごとに書き込み回数（すなわち、消去回数）を管理している。より詳細には、特許文献１に記載のフラッシュメモリ制御方法では、上記のデータブロック内に設けられる書き込み回数領域に記憶される値を、データの書き込み時にカウントアップすることで、書き込み回数を記録する。
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のフラッシュメモリ制御方法では、上記のカウントアップ時に、書き込み回数領域に記憶される書き込み回数を消去してから、新たな回数を書き込む方式を採用している。このため、特許文献１に記載のフラッシュメモリ制御方法では、例えば、書き込み回数領域の消去中や書き込み中に電力供給が停止した場合、揮発性メモリに一時記憶される書き込み回数が失われてしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理することが可能な、新規かつ改良された制御装置および制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理する制御部、を備え、前記制御部は、前記半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行された場合、前記半導体不揮発性メモリにおける前記消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、前記消去回数を管理する、制御装置が提供される。
【０００８】
係る構成によれば、消去回数を記録する領域を消去せずに、当該消去回数を記録することが可能となる。したがって、係る構成によれば、消去回数の記録時に電力供給が停止した場合であっても、半導体不揮発性メモリに消去回数が残存するため、当該消去回数を正しく管理することができる。
【０００９】
また、前記半導体不揮発性メモリは、複数の前記第１の不揮発性記憶領域を有し、前記制御部は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域における前記書き換え対象データの消去の実行に基づいて、前記第２の不揮発性記憶領域に前記所定値を追記してもよい。
【００１０】
また、前記制御部は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域におけるそれぞれの前記消去回数を管理してもよい。
【００１１】
また、前記第２の不揮発性記憶領域は、複数の前記第１の不揮発性記憶領域に対応する複数のサブ領域を有し、前記制御部は、前記第１の不揮発性記憶領域における前記書き換え対象データの消去の実行に基づいて、当該第１の不揮発性記憶領域に対応する前記サブ領域に前記所定値を追記してもよい。
【００１２】
また、前記制御部は、前記第１の不揮発性記憶領域ごとに異なる前記所定値を前記第２の不揮発性記憶領域に追記してもよい。
【００１３】
また、前記制御部は、所定数の前記第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行されるごとに、前記第２の不揮発性記憶領域に前記所定値を追記してもよい。
【００１４】
また、前記第１の不揮発性記憶領域と前記第２の不揮発性記憶領域とは、前記半導体不揮発性メモリにおける消去の最小単位でそれぞれ構成されてもよい。
【００１５】
また、前記制御部は、前記半導体不揮発性メモリにおける書き込みの最小単位で、前記所定値を追記してもよい。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理すること、を含み、前記管理することは、前記半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において前記書き換え対象データの消去が実行された場合、前記半導体不揮発性メモリにおける前記消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、前記消去回数を管理する、制御方法が提供される。
【００１７】
係る方法を用いることで、消去回数を記録する領域を消去せずに、当該消去回数を記録することが可能となる。よって、係る方法によれば、消去回数の記録時に電力供給が停止した場合であっても、半導体不揮発性メモリに消去回数が残存するため、当該消去回数を正しく管理することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように本発明によれば、半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来の半導体不揮発性メモリに係る消去回数の管理手法について説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体不揮発性メモリの消去回数管理手法について説明するための図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る制御装置の機能構成例を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリの構成例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る複数の第１の不揮発性記憶領域ごとに管理される消去回数について説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る第１の不揮発性記憶領域ごとに異なる所定値について説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る所定数の第１の不揮発性記憶領域における消去に基づく所定値の追記について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２１】
＜１．一実施形態＞
＜＜１．１．実施形態の概要＞＞
まず、本発明の一実施形態の概要について説明する。上述したように、フラッシュメモリなどの半導体不揮発性メモリは、データの消去により半導体特性が劣化し、消去回数の上限を超えて繰り返し書き換えを実行する場合には、最終的に利用が不可能な状態となる。
【００２２】
このため、フラッシュメモリなどの半導体不揮発性メモリが利用不能となる状況を避け、装置を安全に利用するためには、半導体不揮発性メモリの消去回数を正確に管理し、当該消去回数が上限に達する前に半導体不揮発性メモリを交換するなどの対応が求められる。
【００２３】
この際、例えば、特許文献１に記載されるように、上記の消去回数を半導体不揮性メモリ自体に記憶させることで、当該消去回数を管理することも可能である。
【００２４】
図１は、従来の半導体不揮発性メモリに係る消去回数の管理手法について説明するための図である。図１には、従来のフラッシュメモリ９３０における消去回数の書き込み手順が示されている。
【００２５】
図１を参照すると、従来のフラッシュメモリ９３０は、例えば、第１の不揮発性記憶領域９４０と第２の不揮発性記憶領域９５０とを有する。ここで、第１の不揮発性記憶領域９４０は、リプログラミングが想定される各種のプログラムが格納される領域である。
【００２６】
また、第２の不揮発性記憶領域９５０は、第２の不揮発性記憶領域９５０に格納されるプログラムのリプログラミング、すなわち書き換えに伴う消去回数を記憶するための領域である。
【００２７】
ここで、第１の不揮発性記憶領域９４０に格納されるプログラムの書き換えを実行する場合、図１の中央に示すように、まず、第１の不揮発性記憶領域９４０における全ビットを「１」に書き換え電気的に消去したのち、図右に示すように新たなプログラムを書き込む必要がある。
【００２８】
この際、図１に示すような従来手法では、消去回数を記憶する第２の不揮発性記憶領域９５０についても同様に、全ビットを「１」に書き換え電気的に消去したのち、カウントアップした新たな消去回数の書き込みを行っていた。図１に示す一例の場合、第２の不揮発性記憶領域９５０に記憶される消去回数が、消去および書き込みに伴い、「Ｎ」、「ＦＦＦＦ」、「Ｎ＋１」と順に変化している。
【００２９】
この際、消去回数をカウントアップする手法としては、消去を行う前に第２の不揮発性記憶領域９５０に記憶される消去回数の値をＲＡＭなどの揮発性メモリに退避し、第２の不揮発性記憶領域９５０の消去を実行した後に、揮発性メモリに退避した値を用いて算出した新たな消去回数を第２の不揮発性記憶領域９５０に書き込むことが想定される。
【００３０】
しかし、例えば、第２の不揮発性記憶領域９５０の消去中や書き込み中に、電力供給が停止した場合、揮発性メモリに退避した上記の値が消失するため、消去回数を正しく加算することができないのみならず、過去に記録した消去回数も同時に失われてしまう。
【００３１】
このため、従来の管理手法では、突発的な瞬断などが生じた場合、フラッシュメモリ９３０の消去回数を正しく管理することができなくなり、上限回数を超えた消去を実行することでフラッシュメモリ９３０が利用不能な状態に陥る可能性がある。また、消去回数が失われた場合にフラッシュメモリ９３０を交換する場合には、本来は十分な寿命が残っているフラッシュメモリ９３０を廃棄する可能性なども想定され、コストの増加が懸念される。
【００３２】
このため、フラッシュメモリなどの半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理することが可能な新たな手法が望まれていた。
【００３３】
本発明の一実施形態に係る制御装置および制御方法は、上記の点に着目して発想されたものであり、電力供給の停止が想定される環境であっても半導体不揮発性メモリの消去回数を正確に管理することを可能とする。
【００３４】
このために、本発明の一実施形態に係る制御方法に基づく処理を実行する制御装置は、半導体不揮発性メモリにおける書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域において書き換え対象データの消去が実行された場合、半導体不揮発性メモリにおける消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記することで、消去回数を管理すること、を特徴の一つとする。
【００３５】
本発明の一実施形態に係る制御装置および制御方法が有する上記の特徴によれば、半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理することが可能となる。
【００３６】
図２は、本発明の一実施形態に係る半導体不揮発性メモリの消去回数管理手法について説明するための図である。図２には、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０における消去回数の書き込み手順が示されている。
【００３７】
図２を参照すると、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０は、第１の不揮発性記憶領域１４０と第２の不揮発性記憶領域１５０とを有する。ここで、第１の不揮発性記憶領域１４０は、書き換え対象データが格納される領域である。上記の書き換え対象データは、例えば、リプログラミングが想定される各種のプログラムであってよい。
【００３８】
また、第２の不揮発性記憶領域１５０は、第１の不揮発性記憶領域１４０に格納される書き換え対象データの書き換えに伴う消去回数を記憶するための領域である。
【００３９】
上述したように、本発明の一実施形態に係る制御方法に基づく処理を実行する制御装置は、第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することで、消去回数を管理することが可能である。
【００４０】
図２の左には、第１の不揮発性記憶領域１４０に格納される書き換えデータの書き換えが実行される前のフラッシュメモリ１３０の状態が示されている。ここで、第２の不揮発性記憶領域１５０には、上記の書き換えに伴い実行される消去の度に追記された６つの所定値が示されている。なお、図２においては、上記の所定値は、黒い四角で示されており、当該所定値は、いずれかのビットが「０」である任意の値であってよい。すなわち、図２の左に示す状態では、第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数が６回であることが把握できる。
【００４１】
この状態でリプログラミングなどに伴う書き換えを実行する場合、本発明の一実施形態に係る制御装置は、従来手法と同様に、第１の不揮発性記憶領域１４０における全ビットを「１」に書き換え電気的に消去したのち、新たなプログラムの書き込みを実行する。
【００４２】
一方、この際、本発明の一実施形態に係る制御装置は、図示するように、第２の不揮発性記憶領域１５０に対する電気的消去は行わず、第２の不揮発性記憶領域１５０に上記の所定値を追記することで、第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数を管理する。
【００４３】
図２を参照すると、本発明の一実施形態に係る制御方法においては、第１の不揮発性記憶領域１４０の消去時にも第２の不揮発性記憶領域１５０に記憶される所定値が保持されていることがわかる。また、第１の不揮発性記憶領域１４０の消去および書き換えが実行されると、第２の不揮発性記憶領域１５０に新たな所定値が追記され消去回数が７回にカウントアップされていることがわかる。
【００４４】
このように、本発明の一実施形態に係る制御装置は、第２の不揮発性記憶領域１５０の消去を行わずに、所定値を追記することが可能である。このため、本発明の一実施形態に係る制御装置および制御方法によれば、第１の不揮発性記憶領域１４０の消去時や書き換え時に電力供給が途絶えた場合であっても、第２の不揮発性記憶領域１５０に残存する所定値の数に基づいて、消去回数を正しく管理することが可能となる。
【００４５】
このため、本発明の一実施形態に係る制御装置および制御方法は、例えば、マイクロコントローラに内蔵されるフラッシュメモリなど、消去回数の上限が比較的少なく、またマイクロコントローラのリセットなどによる電力供給の遮断が起こり得る環境であっても、当該フラッシュメモリにおける消去回数を正確に管理することができ、当該消去回数が上限を超えないように安全に管理することが可能である。
【００４６】
また、本発明の一実施形態に係る制御装置および制御方法は、第２の不揮発性記憶領域１５０の消去を行わず消去回数を管理することが可能であるため、半導体不揮発性メモリの劣化を防止し、寿命を効果的に延ばすことが可能である。
【００４７】
以上、本発明の一実施形態の概要について説明した。以下、本発明の一実施形態に係る制御方法に基づく処理を実行する制御装置の構成および機能について詳細に説明する。
【００４８】
＜＜１．２．本発明の一実施形態に係る制御装置の機能構成＞＞
まず、本発明の一実施形態に係る制御装置の機能構成について説明する。本発明の一実施形態に係る制御方法は、半導体不揮発性メモリを用いる種々の装置に適用することが可能である。本発明の一実施形態に係る制御装置は、例えば、車載ＥＣＵ（Electronic Control Unit）として実現されてもよい。
【００４９】
図３は、本発明の一実施形態に係る制御装置の機能構成例を示すブロック図である。図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る制御装置１０は、例えば、制御部１１０、ＲＡＭ１２０、フラッシュメモリ１３０を備える。
【００５０】
（制御部１１０）
制御部１１０は、書き換え可能な複数の不揮発性記憶領域を有する半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理する機能を有する。上記の半導体不揮発性メモリには、例えば、フラッシュメモリ１３０が挙げられる。より具体的には、制御部１１０は、フラッシュメモリ１３０における書き換え対象データが格納される第１の不揮発性記憶領域１４０において書き換え対象データの消去が実行された場合、フラッシュメモリ１３０における消去回数が記憶される第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することで、消去回数を管理する。
【００５１】
この際、制御部１１０は、フラッシュメモリ１３０における書き込みの最小単位で、所定値を追記してもよい。上記の最小単位は、例えば、Ｂｙｔｅ単位やＷｏｒｄ単位であってもよい。制御部１１０がフラッシュメモリ１３０における書き込みの最小単位で所定値を追記することで、第２の不揮発性記憶領域１５０の容量を抑え、フラッシュメモリ１３０の限られたリソースを有効に活用することが可能となる。
【００５２】
また、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における書き換え対象データの消去の実行に基づいて、第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することができる。制御部１１０による複数の複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数の管理については、別途詳細に説明する。
【００５３】
制御部１１０は、例えば、ＥＣＵを構成するＭＣＵ（Micro  Controller  Unit）により実現される。
【００５４】
（ＲＡＭ１２０）
ＲＡＭ１２０は、フラッシュメモリ１３０に格納されるプログラムや、制御部１１０による演算の結果を一時的に保持する機能を有する。ＲＡＭ１２０は、例えば、制御部１１０により算出された消去回数や、消去回数の上限値などを保持してよい。
【００５５】
なお、制御部１１０は、第２の不揮発性記憶領域１５０に記憶される所定値の数に基づいて、消去回数を算出することができる。また、制御部１１０は、フラッシュメモリ１３０の容量やメモリブロックのサイズなどに基づいて、消去回数を算出することが可能である。
【００５６】
（フラッシュメモリ１３０）
フラッシュメモリ１３０は、リプログラミングが想定される各種のプログラムなどを記憶する半導体不揮発性メモリである。上述したように、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０は、書き換え対象データを格納する第１の不揮発性記憶領域１４０と、消去回数を管理するための第２の不揮発性記憶領域１５０を有する。
【００５７】
なお、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０は、後述するように、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０を有してもよい。
【００５８】
以上、本発明の一実施形態に係る制御装置１０の機能構成例について説明した。なお、図３を用いて上記の機能構成はあくまで一例であり、本発明の一実施形態に係る制御装置１０の機能構成は係る例に限定されない。
【００５９】
例えば、本発明の一実施形態に係る制御装置１０は、必ずしもフラッシュメモリ１３０を備えなくてもよい。制御装置１０は、外部装置に備えられる半導体不揮発性メモリにおける消去回数を管理することも可能である。
【００６０】
一方、本発明の一実施形態に係る制御装置１０は、複数のフラッシュメモリ１３０を備えてもよい。この場合、制御部１１０は、複数のフラッシュメモリ１３０における消去回数をそれぞれ同時に管理することができる。また、制御部１１０は、制御装置１０に備えられるフラッシュメモリ１３０と外部装置に備えられるフラッシュメモリにおける消去回数を同時に管理することも可能である。
【００６１】
また、制御装置１０は、図３に示す以外の構成をさらに備えることもできる。本発明の一実施形態に係る制御装置１０の機能構成は、仕様や運用に応じて柔軟に変形可能である。
【００６２】
＜＜１．３．複数の第１の不揮発性記憶領域における消去回数の管理＞＞
次に、本発明の一実施形態に係る複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数の管理について説明する。上述したように、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０は、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０を有してもよい。また、制御部１１０は、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数を管理することができる。
【００６３】
図４は、本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０の構成例を示す図である。本発明の一実施形態に係るフラッシュメモリ１３０は、複数のメモリブロックにより構成され得る。ここで、上記のメモリブロックは、フラッシュメモリ１３０における消去の最小単位であってよい。図４に示一例の場合、フラッシュメモリ１３０は、４つのメモリブロックＭＢ０〜ＭＢ３から構成されている。
【００６４】
この際、本発明の一実施形態に係る第１の不揮発性記憶領域１４０と第２の不揮発性記憶領域１５０とは、上記のメモリブロック単位で定義されてもよい。図４に示す一例では、フラッシュメモリ１３０が、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に対応する３つの第１の不揮発性記憶領域１４０と、メモリブロックＭＢ０に対応する１つの第２の不揮発性記憶領域１５０を有する場合が示されている。なお、図４においては、第２の不揮発性記憶領域１５０がドットのハッチングにより表されている。
【００６５】
この際、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における書き換え対象データの消去の実行に基づいて、第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記してよい。
【００６６】
制御部１１０は、例えば、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０におけるそれぞれの消去回数を管理することが可能である。
【００６７】
図５は、本発明の一実施形態に係る複数の第１の不揮発性記憶領域１４０ごとに管理される消去回数について説明するための図である。図５には、複数のサブ領域ＳＲ１〜ＳＲ３を有する第２の不揮発性記憶領域が示されている。ここで、上記のサブ領域ＳＲ１〜ＳＲ３は、図４に示すメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３にそれぞれ対応する領域であってよい。
【００６８】
制御部１１０は、例えば、メモリブロックＭＢ１において書き換え対象データの消去が実行されたことに基づいて、メモリブロックＭＢ１に対応するサブ領域ＳＲ１に所定値を追記することができる。
【００６９】
同様に、制御部１１０は、メモリブロックＭＢ２やＭＢ３において消去が実行された場合には、それぞれ対応するサブ領域ＳＲ２またはＳＲ３に所定値を追記することができる。
【００７０】
本発明の一実施形態に係る制御部１１０が有する上記の機能によれば、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数をそれぞれ正確に管理することが可能となる。
【００７１】
また、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、上記とは異なる手法を用いて、複数の第１の不揮発性記憶領域における消去回数をそれぞれ管理してもよい。
【００７２】
制御部１１０は、例えば、第１の不揮発性記憶領域１４０ごとに異なる所定値を第２の不揮発性記憶領域１５０に追記することで、消去回数を管理することも可能である。
【００７３】
図６は、本発明の一実施形態に係る第１の不揮発性記憶領域１４０ごとに異なる所定値について説明するための図である。図６には、第２の不揮発性記憶領域に記憶される３つの異なる所定値が示されている。ここで、図６における黒い四角は、メモリブロックＭＢ１における消去を示す所定値であってもよい。また、黒い三角および丸は、それぞれメモリブロックＭＢ２およびＭＢ３における消去を示す所定値であってもよい。
【００７４】
このように、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、第１の不揮発性記憶領域１４０ごとに異なる所定値を使い分けることで、複数の第１の不揮発性記憶領域における消去回数をそれぞれ正確に管理することができる。
【００７５】
一方、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、複数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去回数を包括的に管理してもよい。例えば、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に格納される書き換え対象データが順にリプログラミングされる場合、制御部１１０は、所定数のメモリブロックにおいて消去が実行されるごとに、第２の不揮発性記憶領域に所定値を追記してもよい。なお、上記の所定数は、メモリブロックの数や特性に応じて設定されてよく、制御部１１０は、例えば、すべてのメモリブロックにおいて消去が実行された場合に、第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することができる。
【００７６】
図７は、本発明の一実施形態に係る所定数の第１の不揮発性記憶領域１４０における消去に基づく所定値の追記について説明するための図である。図７では、メモリブロックＭＢ０〜ＭＢ３の状態と第２の不揮発性記憶領域に記憶される所定値とが対応づけて示されている。
【００７７】
なお、図７においては、図４の場合と同様に、第２の不揮発性記憶領域１５０がドットのハッチングにより表されている。また、図７においては、消去が実行された第１の不揮発性記憶領域１４０が斜線のハッチングにより表されている。また、以下の説明においては、上記の所定数が第１の不揮発性記憶領域１４０の数と同一、すなわち所定数が３である場合を例に説明する。
【００７８】
ここで、図７の上段に示すように、メモリブロックＭＢ１およびＭＢ２においてのみ消去が実行されている場合、所定数を満たさないことから、制御部１１０は、第２の不揮発性記憶領域１５０に対し、所定値の追記を実行しない。
【００７９】
一方、図７の下段に示すように、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３のすべてにおいて消去が実行されている場合、所定数を満たすため、制御部１１０は、第２の不揮発性記憶領域１５０に対し所定値の追記を行う。
【００８０】
このように、本発明の一実施形態に係る制御部１１０は、所定数の第１の不揮発性記憶領域１４０において消去が実行されるごとに第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することで、所定値の追記回数の増加や第２の不揮発性記憶領域の容量圧迫を防ぐことが可能である。
【００８１】
以上、本発明の一実施形態に係る制御方法に基づく処理を実行する制御装置１０の機能について詳細に説明した。なお、本発明の一実施形態に係る制御装置１０は、上記で例示した消去回数の管理手法以外にも、種々の変形例により消去回数の管理を行うことができる。
【００８２】
＜２．まとめ＞
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る制御方法に基づく処理を実行する制御装置１０は、半導体不揮発性メモリが有する第２の不揮発性記憶領域１５０に所定値を追記することで、消去回数を管理することを特徴の一つとする。係る構成によれば、半導体不揮発性メモリに係る消去回数をより正確かつより安全に管理することが可能となる。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は係る例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８４】
例えば、上記実施形態では、制御装置および制御方法が提供されることを示したが、本発明の一実施形態は、さらに、上記制御方法をコンピュータに実現させるためのプログラムや、当該プログラムを記憶させた記録媒体も併せて提供することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１０      制御装置
１１０    制御部
１２０    ＲＡＭ
１３０    フラッシュメモリ
ＭＢ０〜ＭＢ４  メモリブロック
ＳＲ１〜ＳＲ３  サブ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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