(57)【要約】【課題】半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の半導体チップ及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層の形成を可能とする仮固定用樹脂組成物、該仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、及び、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】熱可塑性樹脂及びシリコーン化合物を含有し、半導体チップと、該半導体チップを封止する封止体とを仮固定するために用いられる、仮固定用樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂及びシリコーン化合物を含有し、半導体チップと、該半導体チップを封止する封止体とを仮固定するために用いられる、仮固定用樹脂組成物。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂が反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体である、請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項３】
前記シリコーン化合物がシリコーン変性アルキド樹脂である、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項４】
硬化促進剤を更に含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項５】
熱硬化性樹脂を更に含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項６】
光熱変換材を更に含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項７】
前記光熱変換材がカーボンブラックである、請求項６に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる、仮固定用樹脂フィルム。
【請求項９】
離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、請求項８に記載の仮固定用樹脂フィルムと、を備える、仮固定用樹脂フィルムシート。
【請求項１０】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物から形成された仮固定材層を設ける第一工程と、
前記仮固定材層上に半導体チップを配置する第二工程と、
前記半導体チップを覆う封止体を設け、半導体チップと封止体とを有する半導体チップ封止物を形成する第三工程と、
前記半導体チップの前記支持体とは反対側の面が露出するように、前記半導体チップ封止物を研削する第四工程と、
前記半導体チップの露出した面上に配線を形成する第五工程と、
前記第四工程及び前記第五工程を経た前記半導体チップ封止物から前記仮固定材層を剥離する第六工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第一工程において、前記仮固定材層が請求項８に記載の仮固定用樹脂フィルムを前記支持体上に貼付して形成される、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記支持体が光透過性支持体である、請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第六工程が、前記光透過性支持体側から前記仮固定材層に放射エネルギーを照射した後、前記半導体チップ封止物から前記仮固定材層を剥離する、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記放射エネルギーが、ＹＡＧレーザーによって発生する波長１０６４ｎｍの光を含む、請求項１３に記載の仮固定用樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止材で封止された半導体チップを仮固定する際に使用される仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型、軽量化、及び高機能化の要求が高まっている。これらの要求に応じて電子機器を構成する半導体装置についても、小型化、薄型化、及び高密度実装化が求められている。
【０００３】
このような半導体装置の製造には、基板又は仮止め材等に固定された半導体チップを封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位の半導体装置となるようにダイシングする手順が採用されている。このような過程の中で、上記要求に応えるべく、封止樹脂で封止後に封止体を研削して薄型化を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２等を参照）。フリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、フリップチップＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ファンイン型ウェハレベルパッケージ、及びファンアウト型ウェハレベルパッケージ等の薄型半導体装置の製造においては、研削による薄型化に加えて、薄厚半導体チップを適用することも重要な要素となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４２０７４８号公報
【特許文献２】特許第３６６６５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ファンアウト型ウェハレベルパッケージのような薄型且つ高密度の半導体装置の製造工程においては、まず、支持体上に形成した仮固定材層の上に、複数の薄厚の半導体チップを仮固定後、当該半導体チップを封止体で埋め込み、その後、封止体を研削することによって露出した半導体チップ表面に再配線を形成し、次いで半導体チップから仮固定材層付き支持体を剥離する工程が提案されている。
【０００６】
上記工程で使用される仮固定材に対しては、接着性及び高温プロセスに対する耐熱性だけでなく、加工後の半導体チップ及び封止体を支持体から容易に分離できる剥離性が要求されている。特に、半導体チップを埋め込む封止体は樹脂成分であることが多く、封止体から仮固定材が剥離しにくい傾向にあるため、仮固定材には充分な固定力と一層優れた剥離性との両立が要求されている。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の半導体チップ及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層の形成を可能とする仮固定用樹脂組成物、該仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、熱可塑性樹脂及びシリコーン化合物を含有し、半導体チップと、該半導体チップを封止する封止体とを仮固定するために用いられる、仮固定用樹脂組成物を提供する。
【０００９】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物によれば、半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の半導体チップ及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層を形成することができる。また、本発明に係る仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層は、支持体からも容易に剥離することができる。更に、本発明に係る仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層は、溶剤に浸漬させる等の操作を行わなくとも、半導体チップ及び封止体、並びに支持体からの剥離を行うことができる。
【００１０】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、上記熱可塑性樹脂は、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層及び仮固定用樹脂フィルムの耐熱性と低温貼付性とを更に高水準で両立させることができる。
【００１１】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、シリコーン化合物は、シリコーン変性アルキド樹脂であることが好ましい。このようなシリコーン化合物を用いることで、仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層の接着性と剥離性とを更に高水準で両立させることができる。
【００１２】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、硬化促進剤を更に含有することが好ましい。この場合、本発明に係る仮固定用樹脂組成物の硬化性と保存安定性とを両立することが容易となる。
【００１３】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を更に含有することが好ましい。この場合、本発明に係る仮固定用樹脂組成物の耐熱性を更に向上させることができる。
【００１４】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、光熱変換材を更に含有することが好ましい。この場合、放射エネルギーの照射により仮固定用樹脂組成物の接着性を低下させることができるため、半導体チップ及び封止体から仮固定材層を更に低ストレスで剥離することが可能になる。
【００１５】
本発明に係る仮固定材樹脂組成物において、光熱変換材は、カーボンブラックであることが好ましい。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層は、支持体からの剥離性に一層優れたものとなり得る。
【００１６】
本発明はまた、上記本発明に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる仮固定用樹脂フィルムを提供する。
【００１７】
ところで、仮固定材に優れた耐熱性を付与するために高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するポリイミド等の一般的な耐熱性に優れた樹脂の使用が考えられる。しかし、加工時における平坦性を確保しやすくするために仮固定材をフィルム状にする場合、樹脂のガラス転移温度が高いため、半導体チップと支持体とを充分固定するには高温で貼り合せを行わなければならず、半導体チップにダメージを与える可能性がある。そのため、フィルム状の仮固定材には、低温で貼りあわせても半導体チップと支持体とを充分固定することができる低温貼付性が求められる。これに対し、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムによれば、耐熱性と低温貼付性とを高水準で両立させることができる。このような仮固定用樹脂フィルムを用いることで、半導体チップを効率よく加工することができる。これにより、ＳＩＰ型のパッケージに好適な半導体素子を効率よく製造することができ、更には係る半導体素子を備える半導体装置を効率よく製造することができる。
【００１８】
本発明はまた、離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムとを備える仮固定用樹脂フィルムシートを提供する。本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートによれば、支持体に本発明に係る仮固定用樹脂フィルムを容易に転写することができ、半導体チップを効率よく加工することができる。
【００１９】
本発明はまた、支持体上に、上記本発明に係る仮固定用樹脂組成物から形成された仮固定材層を設ける第一工程と、仮固定材層上に半導体チップを配置する第二工程と、半導体チップを覆う封止体を設け、半導体チップと封止体とを有する半導体チップ封止物を形成する第三工程と、半導体チップの支持体とは反対側の面が露出するように、半導体チップ封止物を研削する第四工程と、半導体チップの露出した面上に配線を形成する第五工程と、第四工程及び第五工程を経た半導体チップ封止物から仮固定材層を剥離する第六工程と、を備える半導体装置の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明に係る製造方法によれば、本発明に係る仮固定用樹脂組成物から形成された仮固定材層を設けることにより、半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定して研削、配線形成等の加工を良好に行うことができ、加工後には、仮固定材層を溶剤等に浸漬させる等の操作を行わなくとも、半導体チップ及び封止体から仮固定材層を容易に剥離でき、効率的に半導体装置を製造することができる。また、本発明に係る製造方法では、加工後の半導体チップ封止物から仮固定材層を容易に剥離することができるため、半導体チップへのストレスをより低減することができる。
【００２１】
本発明に係る製造方法の上記第一工程において、仮固定材層が上記本発明に係る仮固定用樹脂フィルムを支持体上に貼付して形成されてもよい。
【００２２】
本発明に係る製造方法において、支持体は光透過性支持体であってもよい。また、上記第六工程が、光透過性支持体側から仮固定材層に放射エネルギーを照射した後、半導体チップ封止物（半導体チップ及び封止体）から仮固定材層を剥離してもよい。例えば、仮固定材層に光熱変換材等を含有させた場合には、放射エネルギーの照射により仮固定材層の接着性を低下させることができる。これにより、支持体から仮固定材層を容易に剥離でき、その後、半導体チップ及び封止体から仮固定材層を容易に剥離できるため、導体チップ及び封止体へのストレスを更に低減することが可能になる。また、上記放射エネルギーは、ＹＡＧレーザーによって発生する波長１０６４ｎｍの光を含んでいてよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の半導体チップ及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層の形成を可能とする仮固定用樹脂組成物、該仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート、及び、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】図３は、半導体チップの加工方法の一実施形態を示す模式断面図である。
【図４】図４は、半導体チップの加工方法の一実施形態を示す模式断面図である。
【図５】図５は、加工された半導体チップを支持体から分離する分離工程の一実施形態を示す模式断面図である。
【図６】図６（ａ）は、加工された半導体チップからフィルム状の仮固定材層を分離する分離工程の一実施形態を示す模式断面図である。図６（ｂ）及び図６（ｃ）は半導体チップの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態（以下、「本実施形態」という場合もある。）について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。
【００２６】
［仮固定用樹脂組成物］
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂及びシリコーン化合物を含有し、半導体チップと、該半導体チップを封止する封止体とを仮固定するために用いられる。
【００２７】
本実施形態で用いる熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２８】
熱可塑性樹脂としては、仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層及び仮固定用樹脂フィルムの耐熱性及び低温貼付性に優れるという観点から、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。
【００２９】
（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、アクリルガラス、アクリルゴム等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体などが挙げられる。これらの中でも、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。具体的なモノマーの組み合わせによる共重合体としては、共重合成分としてブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体、及び共重合成分としてエチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体が挙げられる。
【００３０】
反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。
【００３１】
反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基及びエピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点からエポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。
【００３２】
本実施形態において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル及び３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが挙げられる。反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーは、中でも、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート及びグリシジルメタクリレートが好ましい。
【００３３】
熱可塑性樹脂のＴｇは、−５０℃〜５０℃であることが好ましい。熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保しやすく、低温貼付性を向上させることができる。また、半導体チップに凹凸が存在する場合、１５０℃以下でのバンプ埋め込みが更に容易になる。一方、熱可塑性樹脂のＴｇが−５０℃以上であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなりすぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる。
【００３４】
熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００３５】
熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定用樹脂組成物の耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が２００万以下であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定材を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制しやすい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３６】
反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの配合量は合計で、共重合成分全量を基準として０．１質量％以上であってよく、０．５質量％以上であってもよく、１．０質量％以上であってもよく、２．０質量％以上であってもよく、３．０質量％以上であってもよい。上記配合量は、４０質量％以下であってよく、３５質量％以下がであってもよく、３０質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよく、１５質量％以下であってもよく、１０質量％以下であってもよい。上記配合量は、例えば、０．１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜１５質量％であることがより好ましく、１．０〜１０質量％であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定用樹脂組成からフィルム状の仮固定材を形成したときに、耐熱性と柔軟性とをより高水準で両立することができる。同様の観点から、上記配合量は、１．０〜４０質量％であることが好ましく、２．０〜３５質量％であることがより好ましく、３．０〜３０質量％であることが更に好ましい。
【００３７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物が、後述する光熱変換材を更に含有する場合、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体が共重合成分として含むグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートの配合量は、合計で、共重合成分全量を基準として、１．０〜４０質量％であることが好ましく、２．０〜３５質量％であることがより好ましく、３．０〜３０質量％であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定用樹脂組成からフィルム状の仮固定材を形成したときに、耐熱性と柔軟性とをより高水準で両立することができる。
【００３８】
上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）等の市販品を用いてもよい。
【００３９】
本実施形態の仮固定用樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、仮固定用樹脂組成物全量を基準として、３０〜９９質量％が好ましく、５０〜９５質量％がより好ましい。
【００４０】
本実施形態で用いるシリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、シリコーン変性樹脂、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
仮固定用樹脂組成物がシリコーン化合物を含有することで、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材を、半導体チップ及び封止体並びに支持体から剥離する際、１００℃以下の低温であっても、溶剤を用いることなく容易に剥離することが可能となる。
【００４２】
本実施形態で用いるシリコーン化合物がシリコーン変性樹脂である場合、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。
【００４３】
シリコーン変性アルキド樹脂を得る方法としては、例えば、（ｉ）アルキド樹脂を得る通常の合成反応、すなわち多価アコールと脂肪酸、多塩基酸等とを反応させる際に、オルガノポリシロキサンをアルコール成分として同時に反応させる方法、及び、（ｉｉ）あらかじめ合成された一般のアルキド樹脂に、オルガノポリシロキサンを反応させる方法が挙げられる。
【００４４】
アルキド樹脂の原料として用いられる多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の二価アルコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、マンニット、ソルビット等の四価以上の多価アルコールが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
アルキド樹脂の原料として用いられる多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、無水トリメット酸等の芳香族多塩基酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族飽和多塩基酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の脂肪族不飽和多塩基酸、シクロペンタジエン−無水マレイン酸付加物、テルペン−無水マレイン酸付加物、ロジン−無水マレイン酸付加物等のディールス・アルダー反応による多塩基酸が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
シリコーン変性アルキド樹脂としては、例えば、テスファイン３１９、ＴＡ３１−２０９Ｅ（以上、日立化成ポリマー株式会社製、商品名）等の市販品を用いることもできる。
【００４７】
アルキド樹脂は、変性剤又は架橋剤を更に含有していてもよい。
【００４８】
変性剤は、例えばオクチル酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレイン酸、エレオステアリン酸、リシノレイン酸、脱水リシノレイン酸、或いはヤシ油、アマニ油、キリ油、ヒマシ油、脱水ヒマシ油、大豆油、サフラワー油及びこれらの脂肪酸等を用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物がシリコーン変性アルキド樹脂を含有する場合、シリコーン変性アルキド樹脂を熱架橋できる架橋剤、又は架橋剤及び触媒を更に含むことが好ましい。係る架橋剤としては、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂が挙げられる。この場合、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の耐熱性及び剥離性を更に向上させることができる。
【００５０】
架橋剤としては、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂が挙げられる。これらの中でも、アミノ樹脂を用いた場合、アミノ樹脂により架橋されたアミノアルキド樹脂が得られ好ましい。架橋剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
シリコーン変性アルキド樹脂においては、硬化触媒として酸性触媒を用いることができる。酸性触媒は特に制限なく使用でき、アルキド樹脂の架橋反応触媒として公知の酸性触媒の中から適宜選択して用いることができる。このような酸性触媒としては、例えばｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機系の酸性触媒が好適である。酸性触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸性触媒の配合量は、アルキド樹脂と架橋剤との合計１００質量部に対し、通常０.１〜４０質量部、好ましくは０.５〜３０質量部、より好ましくは１〜２０質量部の範囲で選定される。
【００５２】
シリコーン変性アルキド樹脂の表面自由エネルギーは１５〜３０ｍＮ／ｍであることが好ましい。シリコーン変性アルキド樹脂の表面自由エネルギーがこのような範囲にあると、仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層の耐熱性と剥離性とを更に高水準で両立させることができる。更に、仮固定用樹脂組成物は、耐熱性の観点から、表面自由エネルギーが１５〜２７ｍＮ／ｍであるシリコーン変性アルキド樹脂を含むことがより好ましく、１５〜２４ｍＮ／ｍであるシリコーン変性アルキド樹脂を含むことが更に好ましい。なお、表面自由エネルギーは、シリコーン変性アルキド樹脂をＰＥＴフィルム上に塗布後、１５０℃で３０秒乾燥して得られた厚み０．３μｍの膜に対して、接触角計（協和界面科学株式会社製ＣＡ−Ｘ型）を用いて、水、エチレングリコール、及びヨウ化メチルの接触角を測定し、表面自由エネルギー解析ソフト（協和界面科学株式会社製ＥＧ−２）により、算出することができる。
【００５３】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物におけるシリコーン化合物の配合量は、溶解性と接着性とのバランスの観点から、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、合計で１．０〜１００質量部が好ましく、３．０〜８０質量部がより好ましい。同様の観点から、シリコーン化合物の配合量は、３．０〜５０質量部であってもよく、５．０〜４０質量部であってもよい。シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であると、仮固定材における半導体チップ及び封止体からの剥離性が更に向上する。
【００５４】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、光熱変換材を更に含有することが好ましい。
【００５５】
光熱変換材は、後述する放射エネルギーを吸収して熱が発生する物質を用いることができる。光熱変換材は、例えば、カーボンブラック；カーボンファイバー；グライファイト粉；鉄、アルミニウム、銅、ニッケル等の微粒子金属粉末；黒色酸化チタン等の金属酸化物粉末等が挙げられる。光熱変換材は１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
仮固定用樹脂組成物に光熱変換材が含まれる場合、放射エネルギーの照射によって剥離性を容易にすることができる。例えば、光熱変換材が含まれる仮固定材に放射エネルギーを照射することにより、光熱変換材から発生した熱エネルギーにより仮固定材の構成成分を熱分解させてボイド（空隙）を発生させることができ、これにより仮固定材の接着性を低下させ、分離性を更に向上させることができる。カーボンブラックは効率よく上記の作用が得られることから好ましい。
【００５７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における光熱変換材の配合量は、光熱変換材の種類、粒子形態、及び分散度等によっても異なるが、当該光熱変換材の配合量は、仮固定用樹脂組成物の全量１００質量部に対して、好ましくは０．５〜５０質量部であり、より好ましくは０．８〜４０質量部であり、更に好ましくは１．０〜３０質量部である。光熱変換材の配合量が０．５質量部以上であれば、仮固定用樹脂組成から形成された仮固定材に放射エネルギーを照射した際に、その構成成分を熱分解するために充分な熱エネルギーが得られやすい。光熱変換材の配合量が５０質量部以下であれば、仮固定用樹脂組成の製膜性を維持することができるため、支持体等への貼り付け不良等が生じにくい。かかる効果は、光熱変換材として粒径５〜５００ｎｍ程度の一般的なカーボンブラックが用いられる場合に顕著である。光熱変換材の粒径は、仮固定用樹脂組成を６００℃のオーブンで２時間加熱し、樹脂成分を分解、揮発させ、残存物をＳＥＭで観察する方法、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定する方法等により導き出すことができる。
【００５８】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂、シリコーン化合物及び光熱変換材以外に、必要に応じて硬化促進剤、熱硬化性樹脂、有機溶剤、及びその他の成分を含有することができる。
【００５９】
硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００６１】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における硬化促進剤の配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５〜２０質量部がより好ましい。硬化促進剤の配合量が上記範囲内であると、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成の硬化性を向上させながら保存安定性の低下を充分抑制できる傾向にある。
【００６２】
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば特に制限なく用いることができる。
【００６３】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱硬化性樹脂としては、耐熱性、作業性、及び信頼性に優れる仮固定用樹脂組成物が得られるという観点から、エポキシ樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
【００６４】
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。エポキシ樹脂は、また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００６５】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコートシリーズ（商品名：エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、東都化成（株）製の商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名：エピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製の商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＮ−４３８等が挙げられる。ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製の商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、東都化成（株）製の商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名：Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製の商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス（株）製の商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名：エピコート６０４、東都化成（株）製の商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製の商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製の商品名：ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製の商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製の商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に、吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
【００６７】
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。
【００６８】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における熱硬化性成分の配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０〜３００質量部が好ましく、３０〜１００質量部がより好ましい。熱硬化性成分の配合量が上記範囲内であると、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、充分な低温貼付性と耐熱性とを両立しやすくなる。
【００６９】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物には、更に無機フィラーを配合することができる。無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。例えば、金属フィラーは、仮固定用樹脂組成物にチキソ性を付与する目的で添加することができ、非金属無機フィラーは、仮固定用樹脂組成物に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、仮固定用樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びに仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
【００７１】
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ測定、ＩＲ測定、ＸＰＳ測定等で確認することが可能である。
【００７２】
【化１】
2018009138.tif 000002
【００７３】
式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００７４】
好ましいシランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン等が挙げられる。これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００７５】
上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５質量部〜２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部が更に好ましい。
【００７６】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における無機フィラーの配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの配合量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの配合量を上記範囲とすることにより、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材の接着性を充分確保しつつ、所望の機能を付与しやすくなる。
【００７７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物には、更に有機フィラーを配合することができる。有機フィラーとしては、例えば、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更により好ましい。無機フィラーの配合量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００７８】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、必要に応じて更に有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は特に限定されず、製膜時の揮発性等を考慮して、沸点から決めることができる。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤は、製膜時にフィルムの硬化が進みにくいという観点から好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００７９】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物の固形分濃度は、１０〜８０質量％であることが好ましい。
【００８０】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂及びシリコーン化合物、並びに、必要に応じて、光熱変換材、硬化促進剤、熱硬化性樹脂、有機溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
【００８１】
［仮固定用樹脂フィルム］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、上記本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなるものである。
【００８２】
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、例えば、仮固定用樹脂組成物を支持フィルムに塗布することにより容易に製造することができる。また、仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、該樹脂組成物を支持フィルムに塗布し、有機溶剤を加熱乾燥により除去することにより製造することができる。
【００８３】
支持フィルム上に設けられた仮固定用樹脂フィルムは、必要に応じて保護フィルムを貼り付けることができる。この場合、後述する、支持フィルム、仮固定用樹脂フィルム及び保護フィルムからなる３層構造を有する仮固定用樹脂フィルムシートを得ることができる。
【００８４】
このようにして得られた仮固定用樹脂フィルムシートは、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。
【００８５】
図１（ａ）は、本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【００８６】
図１に示す仮固定用樹脂フィルムシート１００は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた仮固定用樹脂フィルム２０と、仮固定用樹脂フィルム２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。仮固定用樹脂フィルム２０は、上記本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる。
【００８７】
支持フィルム１０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等が挙げられる。柔軟性及び強靭性の観点から、支持フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等であることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【００８８】
支持フィルム１０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３〜２５０μｍであることが好ましい。厚みが３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、２５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１０の厚みは、５〜２００μｍであることが更に好ましく、７〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００８９】
本実施形態の仮固定用樹脂フィルム２０の厚みについては特に限定されないが、乾燥後の厚みが５〜３００μｍであることが好ましい。厚みが５μｍ以上であれば、フィルム又はフィルムの硬化物の強度を充分確保することが容易となり、３００μｍ以下であれば、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときに発泡することを更に少なくできる。
【００９０】
厚膜のフィルムを製造する場合は、予め形成した厚み１００μｍ以下のフィルムを貼り合せてもよい。このように貼り合せたフィルムを用いることで、厚膜化フィルムを作製したときの残存溶剤を低下させることができる。
【００９１】
保護フィルム３０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。柔軟性及び強靭性の観点から、保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等であることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルムとして用いることが好ましい。
【００９２】
保護フィルム３０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜設定することができる。保護フィルム３０の厚みは、１０〜２５０μｍであることが好ましい。厚みが１０μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、２５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、保護フィルム３０の厚みは、１５〜２００μｍであることが更に好ましく、２０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００９３】
図２（ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【００９４】
図２に示す仮固定用樹脂フィルムシート２００は、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２０及び保護フィルム３０が予め裁断されていること以外は、仮固定用樹脂フィルムシート１００と同様の構成を有する。なお、図２では、裁断された仮固定用樹脂フィルム２０及び保護フィルム３０の外縁部が除去されているが、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム及び保護フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。
【００９５】
［半導体装置製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、大きく分けて以下の６工程からなる。
本実施形態の方法は、支持体上に、上記仮固定用樹脂組成物から形成された仮固定材層を設ける第一工程と、仮固定材層上に半導体チップを配置する第二工程と、半導体チップを覆う封止体を設け、半導体チップと封止体とを有する半導体チップ封止物を形成する第三工程と、半導体チップの支持体とは反対側の面が露出するように、半導体チップ封止物を研削する第四工程と、半導体チップの露出した面上に配線を形成する第五工程と、第四工程及び第五工程を経た半導体チップ封止物から仮固定材を剥離する第六工程と、を備える。
【００９６】
図３、図４、図５、及び図６は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。これらの図を参照しながら、本実施形態の方法について説明する。
【００９７】
＜第一工程＞
図３の（ａ）及び（ｂ）は、支持体１に、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物又は仮固定用樹脂フィルムから形成されるフィルム状の仮固定材層２１を設ける工程を示す。
【００９８】
仮固定用樹脂組成物を用いる場合、スピンコート等の方法により支持体上に仮固定材層２１を形成することができる。仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じて、加熱乾燥により有機溶剤を加熱乾燥により除去し、仮固定材層２１を形成することができる。
【００９９】
予め作製された仮固定用樹脂フィルムを用いる場合、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば室温（２０℃）、又は加熱状態）で、支持体上に仮固定用樹脂フィルムをラミネートすることにより仮固定材層２１を設けることができる。
【０１００】
本実施形態の支持体１の材質は特に選ばないが、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ等の基板が使用可能である。放射エネルギーを照射する剥離方法を行う場合、支持体１の材質は光透過性であれば特に選ばないが、ガラスウェハ、石英ウェハ等の光透過性支持体を用いることができる。
【０１０１】
本実施形態の支持体１には剥離処理を行ってもよい。支持体１の表面の全部、又は一部を剥離処理することで、剥離層を形成することができる。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されない。剥離剤は、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【０１０２】
＜第二工程＞
次に、仮固定材層２１を形成した支持体１に、複数の半導体チップ３を配置する。仮固定材層２１上に、所定条件（例えば室温（２０℃）、又は加熱状態）で、複数の半導体チップ３を個別に圧着して配置することができる。
【０１０３】
半導体チップ３の圧着には、例えばフリップチップボンダーを用いることができる。例えば、株式会社新川製のフリップチップボンダーを用いて、圧着圧力０．０１ＭＰａ〜１ＭＰａ、圧着温度２０℃〜１２０℃、保持時間０．１秒〜６０秒で、仮固定材層２１を介して支持体１上に半導体チップ３を配置することができる。
【０１０４】
仮固定材層２１を介して支持体１上に半導体チップ３を配置した後、必要に応じて仮固定材層２１を所定条件（１００〜２００℃で５〜１８０分）で熱硬化してもよい。
【０１０５】
複数の半導体チップ３のそれぞれは、予め、半導体ウェハを所定サイズに切断してチップ状に個片化したものである。半導体チップ３の厚みは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時若しくは圧着工程等の際の割れ抑制の観点から、１μｍ〜１０００μｍが好ましく、１０μｍ〜５００μｍがより好ましく、２０μｍ〜２００μｍが更に好ましい。
【０１０６】
以上説明したような構成の仮固定材層２１を用いると、支持体１を用いた高温での半導体装置の製造が可能で、製造後に室温で仮固定材層２１を半導体チップ３及び支持体１から糊残りなく剥離することができる。
【０１０７】
＜第三工程＞
次に、図３（ｄ）に示すように、仮固定材層２１上に配置した複数の半導体チップ３を覆う封止体４を形成し、半導体チップ３と封止体４とを有する半導体チップ封止物４１を得る。封止体４の材質には特に制限はないが、耐熱性、その他の信頼性等の観点から、熱硬化性樹脂組成物が好ましい。封止体４に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。封止体４を形成するための組成物には、フィラー及び／又はブロム化合物等の難燃性物質等の添加剤が添加されてもよい。
【０１０８】
封止体４の供給形態には特に制限はなく、固形材、液状材、細粒材、シート材等が挙げられる。
【０１０９】
例えば、封止シートから形成される封止体４による半導体チップ３の封止には、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。例えば、上記装置を使用して、４０℃〜１８０℃（好ましくは６０℃〜１５０℃）、０．１〜１０ＭＰａ（好ましくは０．５〜８ＭＰａ）、且つ０．５〜１０分間の条件で熱溶融させた封止シートにて半導体チップ３を覆い、封止体４を形成することができる。封止シートは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の剥離ライナー上に積層された状態で準備されてもよい。この場合、封止シートが半導体チップ３側に配置されて半導体チップ３を埋め込んだ後、剥離ライナーを剥離することにより封止体４を形成することができる。
【０１１０】
封止シートの厚さは、封止体４が半導体チップ３の厚み以上になることを必須とする。この場合、封止シートの厚みは、半導体チップ３の厚みに鑑み、好ましくは５０μｍ〜２０００μｍ、より好ましくは７０μｍ〜１５００μｍ、更に好ましくは１００μｍ〜１０００μｍである。封止シートの厚みが５０μｍ以上であれば、使用する半導体チップ３の厚みを過度に薄くする必要がなくなる傾向にある。この場合、半導体チップ３を仮固定材層２１上に配置する際、又は封止シートで半導体チップ３を埋め込み封止する際に当該半導体チップ３が割れにくくなる傾向にある。また、封止シートの厚みが２０００μｍ以下であれば、その後の工程にかかる時間を更に減らすことができる。
【０１１１】
封止シートの製造方法は、特に限定されない。例えば、上記樹脂組成物の混練物を調製し、得られた混練物を塗工して封止シートを形成する方法、或いは得られた混練物をシート状に塑性加工して形成する方法が挙げられる。
【０１１２】
また、封止体４にて半導体チップ３を覆った後、所定の条件で熱硬化を目的とした加熱処理を行うことができる。この場合、半導体チップ３を覆う封止体４の全体を加熱することができる。熱硬化処理の条件として、加熱温度が１００℃以上、好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限は、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下である。加熱時間は、１０分以上、好ましくは１８０分以下である。
【０１１３】
＜第四工程＞
次に、図４（ａ）に示すように、埋め込んだ半導体チップ３の表面３ａが露出するように半導体チップ封止物４１を研削する。半導体チップ封止物４１を研削する方法としては特に限定されず、公知の研削方式が利用できる。例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法を挙げることができる。この場合、研削は封止体と砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。なお、半導体チップ３の表面３ａとは、支持体１側とは反対側の面である。研削等によって、例えば半導体チップに設けられたバンプ、又は引き出し配線の一部を露出させることができる。
【０１１４】
研削加工する装置としては、例えばＤＩＳＣＯ株式会社製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられる。この場合の切削条件は所望の半導体装置の厚み及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【０１１５】
＜第五工程＞
次に、図４（ｂ）に示すように、研削された半導体チップ封止物４２において、研削により露出した半導体チップ３の表面３ａ上に再配線（配線）５を形成する。再配線５の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ３上へ真空成膜法等の公知の方法を利用して金属シード層を形成した後、セミアディティブ法等の公知の方法により、再配線５を形成することができる。再配線５を形成した後、再配線５及び封止体上へポリイミド又はＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）等の絶縁層を形成してもよい。なお、セミアディティブ法とは、金属シード層を形成し、所望のパターンを有するレジストを金属シード層上に形成し、金属シード層における露出した部分を電解めっき法等により厚膜化し、レジストを除去した後、薄い金属シード層をエッチングして配線を得る方法である。
【０１１６】
次に、図４（ｃ）に示すように、形成した再配線５上にバンプ６を形成するバンピング加工を行う。バンピング加工は、半田ボール又は半田メッキ等を用いた公知の方法で行うことができる。以下では、第四工程及び第五工程を経た半導体チップ封止物４２、すなわち再配線５及びバンプ６が形成された半導体チップ３と研削された封止体４との集合体をデバイス形成体７とも呼称する。
【０１１７】
＜第六工程＞
図５（ａ）、図５（ｂ）、図６（ａ）及び図６（ｂ）は、デバイス形成体７を、支持体１及び仮固定材層２１から分離する工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る工程は、支持体１から仮固定材層２１付きのデバイス形成体７を分離する第一の剥離工程と、デバイス形成体７から仮固定材層２１を剥離する第二の剥離工程と、を含む。即ち、封止体４の研削により半導体チップの表面を露出し、半導体チップ表面側に配線等を形成した後、ダイシングする前に支持体１及び仮固定材層２１からデバイス形成体７を剥離する工程である。
【０１１８】
第一の剥離工程は、デバイス形成体７を支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主にデバイス形成体７と支持体１とを加熱（好ましくは２００〜２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、図５（ｂ）に示されるような支持体１とデバイス形成体７又は支持体１の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、デバイス形成体７に保護フィルムを貼り、デバイス形成体７と保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられる。これらの方法は、特に制限なく採用することができる。
【０１１９】
本実施形態には、これらの剥離方法のすべてが適用可能であるが、図５（ｂ）に示されるような支持体１とデバイス形成体７又は支持体１の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、デバイス形成体７に保護フィルムを貼り、デバイス形成体７と保護フィルムとをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０〜１００℃程度のデバイス形成体にダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばＥＶＧ社製のＤｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＥＶＧ８０５ＥＺＤ（商品名）を用いる。
【０１２０】
仮固定材層２１が光熱変換材を含む場合、支持体１に光透過性を有する支持体を用いることで、放射エネルギー８により、機械的な剥離よりも更に低ストレスで剥離することが可能である。光透過性の支持体１から仮固定材層２１及びデバイス形成体７を剥離する工程では、図５（ａ）に示すように、光透過性の支持体１側から放射エネルギー８を仮固定材層２１に照射する。このとき、仮固定材層２１に含まれる光熱変換材によって放射エネルギー８が吸収され、当該放射エネルギー８は仮固定材層２１中にて熱エネルギーに変換される。発生した熱エネルギーが光熱変換材の温度を急激に上昇させることにより、仮固定材層２１を構成する成分（例えば、樹脂成分）が熱分解する。それによって、仮固定材層２１中（特に、仮固定材層２１と光透過性の支持体１との界面付近）でボイド（空隙）が発生し、光透過性の支持体１が仮固定材層２１から分離しやすくなる。
【０１２１】
放射エネルギー８は、仮固定材層２１が吸収する光の波長を有し、且つ、仮固定材層２１が熱溶融或いは熱分解して、光透過性の支持体１と仮固定材層２１とを分離するのに充分なエネルギーの光を出力できるレーザー光によって供給される。レーザー光の具体例としては、１０６４ｎｍの波長の光を発生するＹＡＧレーザー、５３２ｎｍの波長の光を発生する２倍高階調ＹＡＧレーザー、又は７８０ｎｍ〜１３００ｎｍの波長の光を発生する半導体レーザーが挙げられる。レーザー照射装置の規模、汎用性、コスト等の観点から、レーザー光は１０６４ｎｍの波長の光を発生するＹＡＧレーザーが好ましく使用される。レーザー照射条件については、光透過性の支持体１と、仮固定材層２１とを分離する出力と、デバイス形成体７へのダメージ軽減、隣接領域への漏れエネルギーを低減できる出力のバランスを考慮して設定される。
【０１２２】
第二の剥離工程では、例えば、デバイス形成体７を水平に固定しておき、仮固定材層２１の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材２が剥離されたデバイス形成体７を得ることができる（図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照）。例えば、デバイス形成体７と仮固定材層２１よりも高い粘着力を有する粘着テープを、仮固定材層２１のデバイス形成体７と接する面とは反対側の面に貼り合せた後、当該粘着テープと仮固定材層２１とをデバイス形成体７からまとめて剥がす方法をとってもよい。これにより、図６（ｂ）に示されるように、デバイス形成体７から仮固定材層２１が除去される。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物を用いて仮固定材層２１が形成されていることにより、糊残り等の残渣が充分低減されたデバイス形成体７を容易に得ることができる。
【０１２３】
本実施形態においては、第一の剥離工程で、デバイス形成体７と仮固定材層２１との間で分離を行ってもよい。
【０１２４】
＜洗浄工程＞
剥離したデバイス形成体７に仮固定材層２１が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材層２１の除去は、例えば、デバイス形成体７を洗浄することにより行うことができる。
【０１２５】
用いる洗浄液には、一部残存した仮固定材層２１を除去できるような洗浄液であれば、特に制限はない。洗浄液としては、例えば、仮固定用樹脂組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
また、残存した仮固定材層２１が除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％が好ましい。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。
【０１２７】
洗浄方法として、特に制限はないが、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。このときの温度は、１０〜８０℃が好ましく、１５〜６５℃がより好ましい。最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、デバイス形成体７が得られる。
【０１２８】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物によれば、糊残り等の残渣を充分低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【０１２９】
次に、図６（ｃ）に示すように、半導体チップ３、封止体４、再配線５、及びバンプ６等の要素からなるデバイス形成体７のダイシングを行う。具体的には、隣接する半導体チップ３の間に位置する封止体４をダイシングすることにより、再配線５及びバンプ６が設けられた半導体チップ３を個片化する。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体素子９を得ることができる。
【０１３０】
本実施形態においては、得られた半導体素子９を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
【０１３１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ファンアウト型ウェハレベルパッケージ等の薄型且つ高密度の半導体装置を低ストレスで製造することができる。
【０１３２】
以上に説明したように、上記本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物から形成される仮固定材層を設けることにより、半導体チップ及びその封止体を支持体に充分固定して研削、配線形成等の加工を良好に行うことができ、加工後には、仮固定材層を溶剤等に浸漬させる等の操作を行わなくとも、半導体チップ及び封止体から仮固定材層を容易に剥離でき、効率的に半導体装置を製造することができる。また、本実施形態に係る製造方法では、加工後の半導体チップ封止物から仮固定材層を容易に剥離することができるため、半導体チップへのストレスをより低減することができる。また、仮固定材層が光熱変換材を含む場合、支持体に光透過性を有する支持体を用い、支持体側から仮固定材層に放射エネルギーを照射することで、支持体から仮固定材層を容易に剥離することができ、その後、半導体チップ及び封止体から仮固定材層を容易に剥離できるため、半導体チップへのストレスを更に低減することができる。
【実施例】
【０１３３】
以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１３４】
（実施例１〜１５、比較例１〜７）
［仮固定用樹脂組成物のワニスの調製］
表１〜４に示す質量部の組成で熱可塑性樹脂、シリコーン化合物、熱硬化性成分、光熱変換材、及び硬化促進剤と溶剤としてシクロヘキサノンとを配合し、仮固定用樹脂組成物のワニス（固形分濃度３０質量％）をそれぞれ調製した。
【０１３５】
［仮固定用樹脂フィルムの作製］
調製したワニスを、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：Ａ３１、厚み：３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で３０分間加熱乾燥して、保護フィルム及び支持フィルム付き仮固定用樹脂フィルムをそれぞれ得た。仮固定用樹脂フィルムの膜厚は、３０μｍであった。調製した実施例１〜９及び比較例１〜７の仮固定用樹脂フィルムを用いて以下の試験を行い、その評価結果を表５〜８にまとめた。
【０１３６】
［低温貼付性試験］
支持フィルム付き仮固定用樹脂フィルムを、支持体の直径よりも２ｍｍ小さい直径を有する円形状に切り出した。その後、支持体に仮固定用樹脂フィルムを、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度８０℃、ラミネート圧力０．５ＭＰａ、保持時間６０秒でラミネートを行い、仮固定用樹脂フィルム付き支持体を得た。この仮固定用樹脂フィルム付き支持体の目視観察にて、仮固定用樹脂フィルムの剥離が見られなかったサンプルを「○」、剥離が見られたサンプルを「×」と評価した。なお、支持体には、機械剥離を行う場合はシリコンウェハを用い、レーザー剥離を行う場合はガラス製の支持体を用いた。
【０１３７】
［チップ圧着性試験］
低温貼付性試験において、評価が「○」であったサンプルについて、１０ｍｍ×１０ｍｍ、１５０μｍ厚に加工した半導体チップの裏面が仮固定用樹脂フィルムに貼り合わされるように、株式会社新川製フリップチップボンダーを用い、圧着圧力０．０５ＭＰａ、圧着温度８０℃、圧着時間１０秒で、半導体チップを仮固定用樹脂フィルム付き支持体に圧着した。その後、１１０℃に設定したオーブン３０分間保持した後、１７０℃に設定したオーブンで１時間保持し、半導体チップ実装サンプルを得た。半導体チップ実装サンプルを目視及び顕微鏡で観察を行い、半導体チップの剥離、ズレ等が発生しなかったサンプルを「○」、半導体チップの剥離、ズレ等が発生したサンプルを「×」と評価した。
【０１３８】
［耐封止性試験］
チップ圧着性試験において、評価が「○」であったサンプルについて、アピックヤマダ株式会社製コンプレッション封止設備（ＷＣＭ−３００ＭＳ）を用いて半導体チップ搭載面を封止材（ＣＥＬ−９７５０ＺＨＦ１０ＡＫＬＣ１）で８インチサイズにコンプレッション封止した。封止温度１４０℃、封止圧力４．８ＭＰａ、封止時間１０分の条件で封止した。次いで、オーブンにて１７０℃で５時間の条件で封止材を加熱硬化し、封止体サンプルを得た。硬化後の時点で仮固定フィルムの溶融（仮固定材の流れ）、チップズレ等が発生しなかったサンプルを「○」、仮固定フィルムの溶融（仮固定材の流れ）、チップズレ等が発生したサンプルを「×」と評価した。
【０１３９】
［バックグラインド試験］
耐封止性試験において、評価が「○」であった封止体サンプルについて、フルオートグラインダポリッシャ（ＤＩＳＣＯ株式会社製、ＤＧＰ−８７６１）を用いて封止体表面を研削した。ホイールには、１軸：ＧＦ０１−ＳＤＣ３２０−ＢＴ３００−５０、２軸：ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ・Ｋ０９、３軸：ＤＰＥＧ−ＧＡ０００１をそれぞれ用いた。チャックテーブル回転数を３００ｒｐｍ、ホイール回転数を１軸：３，２００ｒｐｍ、２軸：３，４００ｒｐｍ、３軸：１，４００ｒｐｍとし、クロスフィード方式で研削を行った。封止体サンプルを１軸で１９２μｍ厚になるまで研削後、２軸で１５２μｍ厚になるまで、３軸で１５０μｍ厚になるまで研削し、デバイス形成体を得た。研削終了時点で割れ等が発生しなかったサンプルを「○」、割れ等が発生したサンプルを「×」と評価した。なお、比較例６については、耐封止性試験の結果が「×」であったことから、本試験及び以下の試験は行わなかった。
【０１４０】
［耐熱性試験］
バックグラインド試験において、評価が「○」であったサンプルについて、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。その後、サンプルを２００℃に設定したオーブンに２時間放置し、更に２６０℃に設定したオーブンに２０分間放置した。続いて、再度ＳＡＭを用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認し、オーブンに放置しても仮固定用樹脂フィルムの剥離が生じなかったサンプルを「○」、剥離が生じたサンプルを「×」と評価した。
【０１４１】
［支持体からの剥離性試験］
剥離方式が「機械」の場合は、耐熱性試験において、評価が「○」であったサンプルについて、支持体と仮固定用樹脂フィルムとの間に先端が鋭利な状態のピンセットを差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。このとき、デバイス形成体が割れることなく支持体を剥離できたサンプルを「○」、剥離できなかったサンプルを「×」と評価した。
【０１４２】
剥離方式が「レーザー」の場合は、耐熱性試験において、評価が「○」であったサンプルについて、光透過性支持体側から、レーザー出力１０Ｗ、周波数３０ｋＨｚ、レーザースキャン速度４０００ｍ／ｓ、レーザースキャン幅０．３ｍｍの条件で、１０６４ｎｍの波長の光を発生するＹＡＧレーザーによる放射エネルギーを照射した。この後、光透過性支持体を仮固定用樹脂フィルムから手動で剥離した。このとき、デバイス形成体が割れることなく支持体を剥離できたサンプルを「○」、剥離できなかったサンプルを「×」と評価した。
【０１４３】
［デバイス形成体からの剥離性試験］
支持体からの剥離性試験において評価が「○」であったサンプルについて、デバイス形成体に貼付されている仮固定用樹脂フィルムの端部をピンセットにて持ち上げた。このとき、デバイス形成体から仮固定用樹脂フィルムを剥離できたサンプルを「○」、剥離できなかったサンプルを「×」と評価した。なお、比較例５については、支持体からの剥離性試験の結果が「×」であったことから、本試験は行わなかった。
【０１４４】
【表１】
2018009138.tif 000003
【０１４５】
【表２】
2018009138.tif 000004
【０１４６】
【表３】
2018009138.tif 000005
【０１４７】
【表４】
2018009138.tif 000006
【０１４８】
表１〜４中の各成分の詳細は以下のとおりである。
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ１２℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ：ＧＰＣによる重量平均分子量９０万、アクリル酸８質量％、Ｔｇ−２９℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
ＴＡ３１−２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（日立化成ポリマー株式会社製）
ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社製）
ＹＤＣＮ−７００−１０：クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（新日鐵住金化学株式会社製）
ＸＬＣ−ＬＬ：フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製）
ＦＰ  Ｂｌａｃｋ  Ｃ１１１５：カーボンブラックペースト（Ｎｖ．３０％、粒径：３００〜５００ｎｍ）（山陽色素株式会社製）
２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
【０１４９】
【表５】
2018009138.tif 000007
【０１５０】
【表６】
2018009138.tif 000008
【０１５１】
【表７】
2018009138.tif 000009
【０１５２】
【表８】
2018009138.tif 000010
【符号の説明】
【０１５３】
１００…仮固定用樹脂フィルムシート、２００…仮固定用樹脂フィルムシート、１０…支持フィルム、２０…仮固定用樹脂フィルム、３０…保護フィルム、１…支持体、２１…仮固定材層、３…半導体チップ、３ａ…半導体チップの表面、４…封止体、４１、４２…半導体チップ封止物、５…再配線、６…バンプ、７…デバイス形成体、８…放射エネルギー、９…半導体素子。
【図１】
2018009138.tif 000011
【図２】
2018009138.tif 000012
【図３】
2018009138.tif 000013
【図４】
2018009138.tif 000014
【図５】
2018009138.tif 000015
【図６】
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