(57)【要約】【課題】本発明が解決しようとする課題は、半導体デバイスの表面等の狭い領域の温度を測定することが可能な光導波路を用いた温度測定装置を提供することにある。【解決手段】本発明の温度測定装置は、光源と、一方と他方を有し、被測定対象の所望の領域表面に配置させる第１の光導波路と、前記光源の光を前記第１の光導波路に導光する第２の光導波路と、前記第１の光導波路に導光された前記光をさらに導光する第３の光導波路と、前記第３の光導波路に導光された前記光のうち、第１の周波数帯域の光を透過する第１のフィルタと、第２の周波数帯域の光を透過する第２のフィルタと、前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度を検出する検出部と、検出された前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度から、前記半導体基板の前記所望の領域の温度を算出する制御部と、を備える。【選択図】図１
2018059851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
一方と他方を有し、被測定対象の所望の領域表面に配置させる第１の光導波路と、
前記第１の光導波路の前記一方に接続し、前記光源の光を前記第１の光導波路に導光する第２の光導波路と、
前記第１の光導波路の前記他方に接続し、前記第１の光導波路に導光された前記光をさらに導光する第３の光導波路と、
前記第３の光導波路に導光された前記光のうち、第１の周波数帯域の光を透過する第１のフィルタと、第２の周波数帯域の光を透過する第２のフィルタと、
前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度を検出する検出部と、
検出された前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度から、前記半導体基板の前記所望の領域の温度を算出する制御部と、
を備える温度測定装置。
【請求項２】
前記第２の光導波路は前記第１の光導波路の前記一方を覆い、前記第３の光導波路は前記第１の光導波路の前記他方を覆う請求項１に記載の温度測定装置。
【請求項３】
前記第１の光導波路の屈折率は、前記第２の光導波路の屈折率もしくは前記第３の光導波路の屈折率とは異なる請求項１または請求項２に記載の温度測定装置。
【請求項４】
前記第１の光導波路の前記一方と前記他方はそれぞれテーパ状である請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の温度測定装置。
【請求項５】
前記第１の光導波路はＳｉを含む請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の温度測定装置。
【請求項６】
前記第２の光導波路と前記第３の光導波路はそれぞれＳｉＯＮを含む請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載の温度測定装置。
【請求項７】
前記第２の光導波路と前記第３の光導波路がＳｉＯを含む場合、前記第１の光導波路はＡｌＮ、ＡｌＯ、ＳｉＮ、ＧａＮのうちのいずれかを含む請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の温度測定装置。
【請求項８】
前記第２の光導波路と前記第３の光導波路に接続され、前記第１の光導波路を覆う第４の光導波路をさらに備える請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の温度測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
温度測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度測定装置の中には熱を電気信号に変換するものがあるが、電磁ノイズ環境下では温度を正確に測定できないという問題がある。また温度測定装置に電気材料を用いると、ショートしてしまう可能性がある。そのため、電気信号ではなく光を信号とした、光ファイバ等の光導波路を用いた温度測定装置が開発されている。
【０００３】
これまでに光導波路を用いた温度測定装置として光ファイバ温度計や蛍光式光ファイバ温度計、ラマン散乱を用いた温度分布測定システム等が考案されている。これらは主に発電所やプラント施設等、大型インフラ設備等で用いるよう長距離用の光ファイバを用いており、広い領域での温度を測定するのに適したものである。一方で、半導体デバイスの表面等、例えば５００平方マクロメートル以下の狭い領域の温度を測定するための温度測定装置が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９‐２６３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、半導体デバイスの表面等の狭い領域の温度を測定することが可能な光導波路を用いた温度測定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の温度測定装置は、光源と、一方と他方を有し、被測定対象の所望の領域表面に配置させる第１の光導波路と、前記第１の光導波路の前記一方に接続し、前記光源の光を前記第１の光導波路に導光する第２の光導波路と、前記第１の光導波路の前記他方に接続し、前記第１の光導波路に導光された前記光をさらに導光する第３の光導波路と、前記第３の光導波路に導光された前記光のうち、第１の周波数帯域の光を透過する第１のフィルタと、第２の周波数帯域の光を透過する第２のフィルタと、前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度を検出する検出部と、検出された前記第１の周波数帯域の光の強度と前記第２の周波数帯域の光の強度から、前記半導体基板の前記所望の領域の温度を算出する制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の温度測定装置の全体図。
【図２】第１の実施形態の温度測定装置の光導波路の拡大図。
【図３】第１の実施形態の温度測定装置の光導波路の斜視図。
【図４】散乱光の強度と周波数の関係図。
【図５】第２の実施形態の温度測定装置の全体図。
【図６】第３の実施形態の温度測定装置の全体図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１に温度測定装置１０の全体図を示す。
【００１０】
温度測定装置１０は、光源１、光導波路３、３ａ、３ｂ、３ｃ、第１のフィルタ４、第２のフィルタ５、表示部８、駆動回路９、および入力部１６を備える。
【００１１】
温度測定装置１０の測定対象は、半導体基板１３表面上の所望する領域（第１の領域２）である。被測定対象は半導体基板に限らずどのような物体であっても良いが、本実施形態の温度測定装置は電磁波ノイズの影響を受けずに測定できるため、電磁波に影響を与える金属等の部材を有している物体、たとえば電子部品、半導体装置、半導体基板などの半導体装置用の部材などに好適であり、特に大きな電磁波ノイズを発する、高電圧駆動素子や高周波素子の測定に適している。
【００１２】
本実施形態では、半導体基板１３上における第１の領域２に、光導波路３ｂを配置することで、第１の領域２の温度を測定する。
【００１３】
光源１は、例えば、半導体レーザ光源である。光源１は、例えば、波長１．５μｍのコヒーレント光を発する。
【００１４】
光導波路３ａの一方は、光源１と接続される。光源１、光導波路３ａ、３ｂ、３ｃはこの順で接続しており、光源１の光は、光導波路３ａ、光導波路３ｂ、光導波路３ｃの中で散乱し、この順に散乱光が導光される。
【００１５】
図２に第１の領域２に配置される光導波路３ａ、３ｂ、３ｃの拡大図を示す。前述のごとく光導波路３ａ、３ｂ、３ｃはこの順で接続している。すなわち、光導波路（第１の光導波路）３ｂの一端は、光導波路（第２の光導波路）３ａに接続される。光導波路３ｂの他端は、光導波路（第３の光導波路）３ｃに接続される。
【００１６】
光導波路３ｂに含まれる材料の屈折率は、光導波路３ａ、３ｃに含まれる材料の屈折率よりも大きいものを用いる。それにより光導波路３ｂへの入射光の導光効率が高くなる。光導波路３ｂは、例えば、ａ‐Ｓｉ、ポリシリコン、単結晶シリコンなどのＳｉ（シリコン）を含む材料で構成される。また、光導波路３ｂは例えば、ＡｌＮ、ＡｌＯ、ＳｉＮ、およびＧａＮのうちのいずれかを含む材料で構成される。光導波路３ｂが、ａ‐Ｓｉ（アモルファスシリコン）を含む材料である場合、光導波路３ａ、３ｃは、屈折率差が大きいＳｉＯＮを含む材料が望ましい。また、光導波路３ｂがＡｌＮ、ＡｌＯ、ＳｉＮ、およびＧａＮのうちのいずれかを含む材料である場合、光導波路３ａ、３ｃはＳｉＯを含む材料であることが、光導波路３ｂおける散乱光の周波数と光導波路３ａ、３ｃにおける散乱光の周波数が異なるため望ましい。
【００１７】
光導波路３ａ、３ｃの線幅は、例えば、２μｍである。光導波路３ａ、３ｃの厚さは、例えば、１．２μｍである。
【００１８】
光導波路３ｂの線幅は、例えば、４００ｎｍである。光導波路３ｂの厚さは、例えば、２２０ｎｍである。
【００１９】
図２において、光導波路（第１の光導波路）３ｂの一方は、光導波路（第２の光導波路）３ａで覆われている。光導波路３ｂの他方は、光導波路（第３の光導波路）３ｃで覆われている。
【００２０】
光導波路３ｂは、半導体基板１３上の領域の温度を測定するために、光導波路３ｂは半導体基板１３上の第１の領域２に配置されている。第１の領域２の温度をより正確に測定するために、光導波路３ｂは、第１の領域２と接する面積が多くなるようにすることが望ましい。例えば、図２のように、少なくとも１つの蛇行した部分を備えて長距離化した光導波路３ｂを第１の領域２に配置する。
【００２１】
光導波路３ａから光導波路３ｂの一方に光を導光させるために、光導波路３ｂの一方と光導波路３ａは光学的に接続している。光導波路３ｂの他方と光導波路３ｃも光学的に接続している。光導波路３ｂの一方と光導波路３ａは光学的に接続させるため、光導波路３ｂの一方は光導波路３ａに覆われた状態、または、接した、あるいは近接した状態であることが望ましい。同様に、光導波路３ｂの他方と光導波路３ｃも光学的に接続させるため、光導波路３ｂの一方は光導波路３ｃに覆われた状態、または、接した、あるいは近接した状態であることが望ましい。
【００２２】
図３に被測定対象である半導体基板１３上の光導波路３ｂと光導波路３ｃの斜視図を示す。
【００２３】
半導体基板１３は、例えば、基板１１と絶縁膜１２で構成されている。光導波路３ｂと光導波路３ｃは、半導体基板１３上に位置する。
【００２４】
光導波路３ｃで覆われている光導波路３ｂ、つまり、光導波路３ｂの端部の形状は細く、テーパ状になっている。光導波路３ｂの端部がテーパ状になっていることで、光導波路３ｂと光導波路３ｃにおいて、光が導光しやすくなる。また、光導波路３ｂの光導波路３ｃの光の結合効率が向上する。
【００２５】
光導波路３ｂのもう一方の端部もテーパ状であることで光導波路３ｂの一方と光導波路３ａの光の結合効率が向上する。すなわち光導波路３ｂの両端部がテーパ状になっていることで、光導波路３ａ、３ｂ、３ｃにおける光の結合効率が向上する。
【００２６】
光導波路３ｂの一方が光導波路３ａに覆われ、光導波路３ｂの他方が光導波路３ｂに覆われているが、光導波路３ｂの全体が、図示しない、光導波路３ａ、３ｃと同じ形状の光導波路（第４の光導波路）３ｄで覆われていてもよい。このとき、光導波路３ｄは、光導波路３ａ、３ｃと接続される。光導波路３ｄは、光導波路３ｂの形状に沿って、光導波路３ｂを覆う。また、光導波路３ｄは、光導波路３ａ、３ｃと同様の材料を含む。
【００２７】
なお、光の結合効率の向上を考慮して、光導波路３ｂの一方と他方の端部は図示するテーパ状だけではなく、他の形状としてもよい。
【００２８】
図４に光導波路３ａ、３ｂ、３ｃを導光した散乱光の周波数と強度の関係を示す。
【００２９】
横軸に散乱光の周波数（ｃｍ−１）、縦軸に散乱光の強度（ａ．ｕ．）を示す。縦軸の強度（ａ．ｕ．）は対数をとっている。
【００３０】
周波数ω０は、光源１の光と同じ周波数の散乱光の周波数である。光導波路３ａ、３ｂ、３ｃの中を導光する散乱光は、大部分が入射光と同じ周波数ω０である。そのため、周波数ω０の散乱光の強度は大きい。
【００３１】
光導波路３ａ、３ｂ、３ｃの中を導光する散乱光のうち、周波数ω０よりも低い第１の周波数帯域の光がストークス光である。第１の周波数帯域の周波数ω０−ωｋの位置にストークス光のピークが現れる。ここで、周波数ωｋは媒質内の分子振動エネルギー分に相当する周波数である。周波数ωｋの値は光導波路３ｂに含まれる材料に由来して決まる。第１の周波数帯域の周波数ω０−ωｋの位置のストークス光のピーク強度が解析に用いられる。
【００３２】
光導波路３ａ、３ｂ、３ｃの中を導光する散乱光のうち、周波数ω０よりも高い第２の周波数帯域の光がアンチストークス光である。第２の周波数帯域の周波数ω０＋ωｋの位置にアンチストークス光のピークが現れる。第２の周波数帯域の周波数ω０＋ωｋの位置のアンチストークス光のピーク強度が解析に用いられる。図１に戻る。光導波路３ｃは２方向に分岐し、第１のフィルタ４と第２のフィルタ５のそれぞれに接続される。
【００３３】
光導波路３ｃの散乱光は、第１のフィルタ４と第２のフィルタ５のそれぞれに導光される。
【００３４】
第１のフィルタ４と第２のフィルタ５のそれぞれは、例えば、バンドパスフィルタである。光導波路上に形成するバンドパスフィルタとしては、回折格子の周期に変調をかけたものや光共振器を用いたフィルタなどが用いられる。
【００３５】
第１のフィルタ４は、例えば、光導波路３ｃで導光された散乱光のうち、第１の周波数帯域の散乱光を透過する。第１のフィルタ４のバンドパスフィルタの種類を変えることで、第１のフィルタ４を透過する散乱光の周波数帯域を変えることができる。第１のフィルタ４は、例えば、ストークス光を透過する周波数帯域（１３６０ｎｍ〜１４２０ｎｍ）のバンドパスフィルタが用いられる。
【００３６】
第２のフィルタ５は、例えば、光導波路３ｃで導光された散乱光のうち、第２の周波数帯域の散乱光を透過する。第２のフィルタ５のバンドパスフィルタの種類を変えることで、第２のフィルタ５を透過する散乱光の周波数帯域を変えることができる。第２のフィルタ５は、例えば、アンチストークス光を透過する周波数帯域（１６００ｎｍ〜１６６０ｎｍ）のバンドパスフィルタが用いられる。なお、例えば、第１のフィルタ４がストークス光を透過し、第２のフィルタ５がアンチストークス光を透過するようにしてもよい。
【００３７】
駆動回路９は、検出部６、制御部７、記憶部１５、および信号ケーブル１４で構成される。
【００３８】
検出部６は、光導波路３を介して、第１のフィルタ４と第２のフィルタ５のそれぞれと接続される。検出部６は、第１のフィルタ４を透過したストークス光を検出する。検出部６は、第２のフィルタ５を透過したアンチストークス光を検出する。
【００３９】
制御部７は、信号ケーブル１４を介して、検出部６と接続される。制御部７は、温度測定装置１０の全体を制御する。
【００４０】
制御部７は、周波数ω０−ωｋのストークス光の強度ＩＳ、周波数ω０＋ωｋのアンチストークス光の強度ＩＡＳ、ストークス光の周波数ω０−ωｋと、アンチストークス光の周波数ω０＋ωｋを用いて、下記の式から温度Ｔ（Ｋ）の値を算出する。
【数１】
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【００４１】
例えば、光導波路３ｂにＳｉを用いた場合、周波数ωｋは約５２０ｃｍ−１となるので、ＩＡＳ／ＩＳの値が０．１のときに、半導体基板１３上の第１の領域２の温度は４５０Ｋである。光導波路３ｂに含まれる材料が同じ場合、半導体基板１３上の第１の領域２の温度はＩＡＳ／ＩＳの値で決まる。つまり、第１の領域２の温度によって、ストークス光の強度ＩＳとアンチストークス光の強度ＩＡＳは異なる。
【００４２】
制御部７は、測定された温度を表示部８に表示するように制御する。
【００４３】
記憶部１５には、光導波路３ｂの材料によって異なる周波数ωｋの値や、上式も格納されている。
【００４４】
入力部１６は、操作者がマウスまたはキーボード等を操作することで入力された各種指示および各種設定の情報を、制御部７に転送する。入力部１６は、操作者から、上式の各種値の設定、測定頻度等を受け付ける。
【００４５】
表示部８は制御部７と接続されている。表示部８は、操作者によって参照されるモニタ装置である。表示部８は、制御部７による制御のもと、制御部７が算出した、半導体基板１３上の第１の領域２の温度を表示する。表示部８は、入力部１６を介して操作者から各種指示を表示する。
【００４６】
検出部６および制御部１４は、一つの制御回路で駆動されてもよいし、それぞれ別々に駆動されてもよい。
【００４７】
本実施形態の温度測定装置１０によって、細線（線幅）の光導波路を被測定対象の温度のセンシング部分に用いているため半導体デバイス表面等の狭い領域の温度を測定することが可能である。さらに、本実施形態の温度測定装置１０は光信号の変化によって温度センシングを行うため、温度測定装置１０は電磁波ノイズが発生する環境下であっても電磁波ノイズの影響を受けず、所望の領域の温度を正確に測定することが可能である。
【００４８】
（第２の実施形態）
図５に温度測定装置１００を示す。
【００４９】
第１の実施形態および図１〜図３と同様の部分には同様の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
温度測定装置１００は、光源１、１ａ、光導波路３、３ａ、３ａ’、３ｂ、３ｂ’、３ｃ、３ｃ’、第１のフィルタ４、第２のフィルタ５、第３のフィルタ４ａ、第４のフィルタ５ａ、表示部８、駆動回路９ａ、および入力部１６を備える。
【００５１】
温度測定装置１００の測定対象は、半導体素子１３上の所望する領域（第１の領域２）と、半導体素子１３ａ上の第１の領域２とは別の所望する領域（第２の領域２ａ）である。温度測定装置１００は第１の実施形態の温度測定装置１０と、半導体素子上の２か所の領域を測定する点で異なる。そのため、被測定対象のうちの複数個所の温度を把握することが可能である。被測定対象は半導体素子に限らずどのような物体であっても良いが、本実施形態の温度測定装置は電磁波ノイズの影響を受けずに測定できるため、大きな電磁波ノイズを発する、高電圧駆動素子や高周波素子の測定に適している。
【００５２】
半導体基板１３上における第１の領域２に、光導波路３ｂを配置することで、第１の領域２の温度を測定することが可能である。さらに半導体基板１３ａ上における第２の領域２ａに、光導波路３ｂ’を配置することで、第２の領域２ａの温度を測定することが可能である。
【００５３】
光源１ａは光源１と同様のものであり、例えば、半導体レーザ光源である。
【００５４】
光導波路３ａと光導波路３ａ’は同様の形状であり、同様の材料を含む。光導波路３ｂと光導波路３ｂ’は同様の形状であり、同様の材料を含む。光導波路３ｃと光導波路３ｃ’は同様の形状であり、同様の材料を含む。
【００５５】
光導波路３ａ’は、光源１ａと接続される。光源１ａの光は、光導波路３ａ’、光導波路３ｂ’、光導波路３ｃ’の中で散乱し、この順に散乱光が導光される。
【００５６】
第２の領域２ａは、半導体基板１３ａ上の任意の領域である。第２の領域２ａには、光導波路３ｂ’を配置させる。半導体基板１３ａ上の第２の領域２ａに光導波路３ｂ’を配置させることで、第２の領域２ａの温度を測定することができる。
【００５７】
光導波路３ｃ’は２方向に分岐し、第３のフィルタ４ａと第４のフィルタ５ａのそれぞれに接続される。
【００５８】
光導波路３ｃ’の散乱光は、第３のフィルタ４ａと第４のフィルタ５ａのそれぞれに導光される。
【００５９】
第３のフィルタ４ａと第４のフィルタ５ａのそれぞれは、例えば、バンドパスフィルタである。第３のフィルタ４ａはアンチストークス光を透過し、第４のフィルタ５ａはストークス光を透過する。
【００６０】
なお、例えば、第３のフィルタ４ａがストークス光を透過し、第４のフィルタ５ａがアンチストークス光を透過するようにしてもよい。
【００６１】
駆動回路９ａは、検出部６ａ、制御部７、記憶部１５、および信号ケーブル１４で構成される。
【００６２】
検出部６ａは、光導波路３を介して、第１のフィルタ４、第２のフィルタ５、第３のフィルタ４ａ、第４のフィルタ５ａのそれぞれと接続される。検出部６ａは、第１のフィルタ４、第３のフィルタ４ａのそれぞれを透過したストークス光を検出する。検出部６ａは、第２のフィルタ５、第４のフィルタ５ａを透過したアンチストークス光を検出する。
【００６３】
制御部７は第１の領域２と第２の領域２ａのそれぞれの温度を算出する。
【００６４】
記憶部１５には、光導波路３ａ、３ａ’、３ｂ、３ｂ’、３ｃ、３ｃ’の材料によって異なる周波数ωｋの値や、上式も格納されている。
【００６５】
入力部１６は、操作者がマウスまたはキーボード等を操作することで入力された各種指示および各種設定の情報を、制御部７に転送する。入力部１６は、操作者から、上式の各種値の設定、測定頻度等を受け付ける。
【００６６】
表示部８は制御部７と接続されている。表示部８は、操作者によって参照されるモニタ装置である。表示部８は、制御部７による制御のもと、制御部７が算出した、第１の領域２の温度と第２の領域２ａを表示する。表示部８は、入力部１６を介して操作者から各種指示を表示する。
【００６７】
温度測定装置１００によって、第１の領域２と第２の領域２ａの２か所の温度を同時に測定することが可能である。そのため、被測定対象物の温度分布を把握することが可能である。実施例では２か所の温度を測定する例を示したが、光源、光導波路、およびフィルタの数を増やすことで、さらに複数個所の温度を測定することが可能である。
【００６８】
なお、光源１、１ａがそれぞれ設置される例を示したが、単一光源の出力を分岐して、光導波路３ａ、３ａ’のそれぞれに光源の光が入力されるようにしても良い。
【００６９】
（第３の実施形態）
図６に温度測定装置１０１を示す。
【００７０】
図５と同様の部分には同様の符号を付して説明を省略する。
【００７１】
温度測定装置１０１は、光源１、光導波路３ａ、３ｂ、３ｂ’、３ｃ、３ｄ、第１のフィルタ４、第２のフィルタ５、第３のフィルタ４ａ、第４のフィルタ５ａ、表示部８、駆動回路９ａ、および入力部１６を備える。
【００７２】
温度測定装置１０１のように、単一のものとして接続された光導波路３ａ、３ｂ、３ｂ’、３ｃ、３ｄを用いて、第１の領域２と第２の領域２ａのそれぞれの温度を測定することが可能である。この場合、第１の領域２に光導波路３ｂを配置し、第２の領域２ａに光導波路３ｂ’を配置する。
【００７３】
第１の領域２に配置される光導波路３ｂの材料と第２の領域２ａに配置される光導波路３ｂ’の材料を変えることで、測定箇所によって異なる周波数ωｋが得られる。例えば、第１の領域２の光導波路３ｂの材料にＳｉを用い、第２の領域２ａの光導波路３ｂ’の材料にＡｌＯを用いた場合を考える。このとき、第１の領域２の光導波路３ｂを導光する散乱光の周波数ωｋ１は約５２０ｃｍ−１、第２の領域２ａの光導波路３ｂ’を導光する散乱光の周波数ωｋ２は３９５ｃｍ−１となる。そのため、光導波路３ｄを４つに分岐させ、４つに分岐された光導波路３ｄのそれぞれに、周波数ωｋ１のストークス光を透過する第１のフィルタ４、周波数ωｋ１のアンチストークス光を透過する第２のフィルタ５、周波数ωｋ２のストークス光を透過する第３のフィルタ４ａ、周波数ωｋ２のアンチストークス光を透過する第４のフィルタ５ａを配置する。第１のフィルタ４と第２のフィルタ５を透過した散乱光から第１の領域２の温度を測定することができる。第３のフィルタ４ａと第４のフィルタ５ａを透過した散乱光から第２の領域２ａの温度を測定することができる。
【００７４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、説明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７５】
１、１ａ  光源
２  第１の領域
２ａ  第２の領域
３  光導波路
３ａ、３ａ’  第２の光導波路
３ｂ、３ｂ’  第１の光導波路
３ｃ、３ｃ’  第３の光導波路
３ｄ  光導波路
４  第１のフィルタ
４ａ  第３のフィルタ
５  第２のフィルタ
５ａ  第４のフィルタ
６、６ａ  検出部
７  制御部
８  表示部
９、９ａ  駆動回路
１０  温度測定装置
１１  基板
１２  絶縁膜
１３、１３ａ  半導体基板
１４  信号ケーブル
１５  記憶部
１６  入力部
１００、１０１  温度測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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