(57)【要約】【課題】吸い上げられたはんだ部に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１０と、チップ搭載部２２及び接続子実装部２４を有するリードフレーム２０と、第１接続面４２及び架橋部４４を有する第１部品４０並びに第２接続面５２を有する第２部品５０からなる接続子３０とを備え、半導体チップ１０及び第２部品５０の第２接続面５２は、はんだ部６０により接合されており、第２部品５０には、第２接続面５２と接続されている貫通孔である受容孔５４が形成されており、架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６は、受容孔５４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品５０と接合されていることを特徴とする半導体装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部及び前記チップ搭載部とは離隔している接続子実装部を有するリードフレームと、
前記接続子実装部上に接続されている導電性の第１接続面、及び、前記第１接続面と接続され前記第１接続面から前記半導体チップ側に伸びる導電性の架橋部を有する第１部品、並びに、前記半導体チップ上に接続されている導電性の第２接続面を有する第２部品からなる接続子とを備え、
前記半導体チップ及び前記第２部品の前記第２接続面は、はんだ部により接合されており、
前記第２部品には、前記第２接続面と接続されている貫通孔である受容孔が形成されており、
前記架橋部の前記半導体チップ側にある先端部は、前記受容孔に差し込まれており、かつ、前記はんだ部により前記第２部品と接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記受容孔は、前記第２部品の外縁から離隔した位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第２部品は、前記第２部品を基準として前記半導体チップがある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記受容孔は、前記第２部品を基準として前記半導体チップがある側とは反対の側からみたとき、前記第２部品の前記外形形状である前記円形の中心を含むように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記受容孔を構成する面の前記第２接続面と接続する部分には、第１の面取り面が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２部品の前記第２接続面側の外縁には、第２の面取り面が形成されており、
前記第２の面取り面は、前記第１の面取り面よりも面取りの度合いが小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記先端部には、はんだ吸い上げ溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記受容孔を構成する面と前記先端部の表面との間の距離は０．１ｍｍ以下であり、かつ、前記受容孔を構成する面と前記先端部の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１部品の前記半導体チップ側の部材先端は、前記半導体チップとは異なる方向を向いていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップを搭載するチップ搭載部及び前記チップ搭載部とは離隔している接続子実装部を有するリードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを載置する第１工程と、
前記半導体チップ上にはんだ部前駆体を配置する第２工程と、
前記半導体チップ上に、導電性の第２接続面を有し、かつ、前記第２接続面と接続されている貫通孔である受容孔が形成されている第２部品を前記はんだ部前駆体を介して配置する第３工程と、
導電性の第１接続面及び前記第１接続面と接続され前記第１接続面から前記半導体チップ側に伸びる導電性の架橋部を有する第１部品について、前記第１接続面を前記接続子実装部上に配置し、かつ、前記架橋部の前記半導体チップ側にある先端部を前記受容孔に差し込む第４工程と、
前記はんだ部前駆体を加熱溶融した後に固化させてはんだ部とすることにより、前記半導体チップと前記第２部品とを接合し、かつ、前記第２部品と前記先端部とを接合して前記第１部品及び前記第２部品からなる接続子を形成する第５工程とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、接続子を用いて半導体チップとリードフレームとを接続する半導体装置が広く知られている（例えば、特許文献１参照。）。
図７に示す半導体装置９００は、接続子を用いる従来の半導体装置を例示するものである。従来の半導体装置９００は、半導体チップ９１０と、半導体チップ９１０を搭載するチップ搭載部９２２及びチップ搭載部９２２とは離隔している接続子実装部９２４を有するリードフレーム９２０と、接続子実装部９２４上に接続されている導電性の第１接続面９３２、第１接続面９３２と接続され第１接続面９３２から半導体チップ９１０側に伸びる導電性の架橋部９３４及び半導体チップ９１０上に接続されている導電性の第２接続面９３８を有する接続子９３０とを備える。また、半導体チップ９１０及び接続子９３０の第２接続面９３８は、はんだ部９４０により接合されている。
【０００３】
半導体チップ９１０及び接続子９３０の第２接続面９３８の接合は、半導体チップ９１０上にはんだ部前駆体（例えば、はんだペースト）を配置し、半導体チップ９１０上に、接続子９３０の第２接続面９３８をはんだ部前駆体を介して配置し、はんだ部前駆体を加熱溶融した後に固化させてはんだ部９４０とする（リフローを行う）ことにより行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−４３５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来の半導体装置９００においては、その製造時にリフローを行うと、溶融したはんだの一部が第２接続面９３８の外縁から吸い上げられ、さらに当該外縁と連続している架橋部９３４に沿って吸い上げられる現象が起こりやすい。ある程度多量のはんだが吸い上げられ、そのまま固化してはんだ部が形成された場合、吸い上げられたまま固化したはんだ部の一部（以下、「吸い上げられたはんだ部」という。図７の符号９４２参照。）が意図せぬ形状（例えば、半導体チップ９１０側面付近に向かって垂れ下がるような形状）となることがある。この場合、半導体チップ９１０のチップエッジ（チップ沿面）と吸い上げられたはんだ部９４２との間の距離が小さくなりやすくなるため、沿面放電が発生しやすくなるという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、吸い上げられたはんだ部に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。また、吸い上げられたはんだ部に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法についても提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するチップ搭載部及び前記チップ搭載部とは離隔している接続子実装部を有するリードフレームと、前記接続子実装部上に接続されている導電性の第１接続面、及び、前記第１接続面と接続され前記第１接続面から前記半導体チップ側に伸びる導電性の架橋部を有する第１部品、並びに、前記半導体チップ上に接続されている導電性の第２接続面を有する第２部品からなる接続子とを備え、前記半導体チップ及び前記第２部品の前記第２接続面は、はんだ部により接合されており、前記第２部品には、前記第２接続面と接続されている貫通孔である受容孔が形成されており、前記架橋部の前記半導体チップ側にある先端部は、前記受容孔に差し込まれており、かつ、前記はんだ部により前記第２部品と接合されていることを特徴とする。
【０００８】
［２］本発明の半導体装置においては、前記受容孔は、前記第２部品の外縁から離隔した位置に形成されていることが好ましい。
【０００９】
［３］本発明の半導体装置においては、前記第２部品は、前記第２部品を基準として前記半導体チップがある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形であることが好ましい。
【００１０】
［４］本発明の半導体装置においては、前記受容孔は、前記第２部品を基準として前記半導体チップがある側とは反対の側からみたとき、前記第２部品の前記外形形状である前記円形の中心を含むように形成されていることが好ましい。
【００１１】
［５］本発明の半導体装置においては、前記受容孔を構成する面の前記第２接続面と接続する部分には、第１の面取り面が形成されていることが好ましい。
【００１２】
［６］本発明の半導体装置においては、前記第２部品の前記第２接続面側の外縁には、第２の面取り面が形成されており、前記第２の面取り面は、前記第１の面取り面よりも面取りの度合いが小さいことが好ましい。
【００１３】
［７］本発明の半導体装置においては、前記先端部には、はんだ吸い上げ溝が形成されていることが好ましい。
【００１４】
［８］本発明の半導体装置においては、前記受容孔を構成する面と前記先端部の表面との間の距離は０．１ｍｍ以下であり、かつ、前記受容孔を構成する面と前記先端部の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在することが好ましい。
【００１５】
［９］本発明の半導体装置においては、前記第１部品の前記半導体チップ側の部材先端は、前記半導体チップとは異なる方向を向いていることが好ましい。
【００１６】
［１０］本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するチップ搭載部及び前記チップ搭載部とは離隔している接続子実装部を有するリードフレームの前記チップ搭載部に半導体チップを載置する第１工程と、前記半導体チップ上にはんだ部前駆体を配置する第２工程と、前記半導体チップ上に、導電性の第２接続面を有し、かつ、前記第２接続面と接続されている貫通孔である受容孔が形成されている第２部品を前記はんだ部前駆体を介して配置する第３工程と、導電性の第１接続面及び前記第１接続面と接続され前記第１接続面から前記半導体チップ側に伸びる導電性の架橋部を有する第１部品について、前記第１接続面を前記接続子実装部上に配置し、かつ、前記架橋部の前記半導体チップ側にある先端部を前記受容孔に差し込む第４工程と、前記はんだ部前駆体を加熱溶融した後に固化させてはんだ部とすることにより、前記半導体チップと前記第２部品とを接合し、かつ、前記第２部品と前記先端部とを接合して前記第１部品及び前記第２部品からなる接続子を形成する第５工程とをこの順序で含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置によれば、第１接続面及び架橋部を有する第１部品並びに第２接続面を有する第２部品からなる接続子を備え、第２部品には受容孔が形成されており、架橋部の半導体チップ側にある先端部は、受容孔に差し込まれており、かつ、はんだ部により第２部品と接合されているため、リフローを行うときに第１部品の先端部と第２部品の受容孔を構成する面との間から溶融したはんだの一部を吸い上げさせることで、溶融したはんだの吸い上がりを受容孔の周辺と第２部品の外縁とに分散させることが可能となる。このため、本発明の半導体装置によれば、リフローを行うときに第２部品の外縁から吸い上げられる溶融したはんだを少なくすることが可能となり、第２部品の外縁における吸い上げられたはんだ部が意図せぬ形状となることを抑制でき、半導体チップのチップエッジと吸い上げられたはんだ部との間の距離が小さくなることを抑制できる。その結果、本発明の半導体装置は、吸い上げられたはんだ部に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置となる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、架橋部の半導体チップ側にある先端部を受容孔に差し込み、その状態ではんだ部前駆体を加熱溶融した後に固化させてはんだ部とする（リフローを行う）ため、リフローを行うときに第１部品の先端部と第２部品の受容孔を構成する面との間から溶融したはんだの一部を吸い上げさせることで、溶融したはんだの吸い上がりを受容孔の周辺と第２部品の外縁とに分散させることが可能となる。このため、本発明の半導体装置の製造方法によれば、リフローを行うときに第２部品の外縁から吸い上げられる溶融したはんだを少なくすることが可能となり、製造する半導体装置において、第２部品の外縁における吸い上げられたはんだ部が意図せぬ形状となることを抑制でき、半導体チップのチップエッジと吸い上げられたはんだ部との間の距離が小さくなることを抑制できる。その結果、本発明の半導体装置の製造方法は、吸い上げられたはんだ部に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係る半導体装置１の図である。図１（ａ）は半導体装置１の側断面図であり、図１（ｂ）は半導体装置１の上面図である。図１以下の各図面は模式図であり、図示した構成要素等の大きさは、必ずしも現実の構成要素の大きさに対応するものではない。
【図２】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）は第１工程を実施した後の図であり、図２（ｂ）は第２工程を実施した後の図であり、図２（ｃ）は第３工程を実施した後の図であり、図２（ｄ）は第４工程を実施した後の図であり、図２（ｅ）は第５工程を実施した後の図である。
【図３】実施形態２に係る半導体装置２の図である。図３（ａ）は半導体装置２の側断面図であり、図３（ｂ）は第２部品７０の側断面図を拡大して示す図である。
【図４】実施形態３に係る半導体装置３の側断面図である。なお、図４においては、はんだ吸い上げ溝８８を図示するために、先端部８６についてのみ断面図ではなく側面図として先端部８６の表面を図示している。
【図５】実施形態４に係る半導体装置４の側断面図である。
【図６】変形例に係る半導体装置５の上面図である。
【図７】従来の半導体装置９００の側断面図である。
【００２０】
以下、本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
【００２１】
［実施形態１］
まず、実施形態１に係る半導体装置１について説明する。
実施形態１に係る半導体装置１は、図１に示すように、半導体チップ１０と、リードフレーム２０と、接続子３０とを備える。
【００２２】
半導体チップ１０は、半導体物質（代表的には、ケイ素や炭化ケイ素）を基体とし、特定の電子的機能を有する部品のことをいう。実施形態１における半導体チップ１０は、上面視したときに後述するチップ搭載部２２よりも小さく、かつ、正方形に見える形状からなる。
【００２３】
リードフレーム２０は、半導体チップ１０を搭載するチップ搭載部２２及びチップ搭載部２２とは離隔している接続子実装部２４を有する。
リードフレーム２０は、金属（例えば、銅）からなることが好ましい。
【００２４】
接続子３０は、第１部品４０及び第２部品５０からなる。第１部品４０及び第２部品５０は、金属（例えば、銅）からなることが好ましい。
第１部品４０は、接続子実装部２４上に接続されている導電性の第１接続面４２及び第１接続面４２と接続され第１接続面４２から半導体チップ１０側に伸びる導電性の架橋部４４を有する。
実施形態１においては、架橋部４４は第１接続面４２から一度立ち上がってから半導体チップ１０側に伸びる屈曲形状からなる。実施形態１においては、架橋部４４は第１接続面４２から一度立ち上がり、半導体チップ１０の載置面と平行に半導体チップ１０上まで伸び、半導体チップ１０側にさらに伸びる（下がる）形状からなる。
【００２５】
架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６は、後述する受容孔５４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品５０と接合されている。
実施形態１においては、先端部４６は円柱状の部材からなる。
【００２６】
本明細書において「架橋部の半導体チップ側にある先端部」は、架橋部のうち半導体チップに最も近い部分のことをいう。
本明細書において「はんだ」とは、広義のはんだ、つまり、導電性及び接着性を有する比較的低融点の合金のことをいう。このため、本明細書でいう「はんだ」には、いわゆる鉛フリーはんだも含まれる。
本明細書において「はんだ部」とは、上記したはんだからなる部材のことをいう。
【００２７】
第２部品５０は、半導体チップ１０上に接続されている導電性の第２接続面５２を有する。また、第２部品５０には、第２接続面５２と接続されている貫通孔である受容孔５４が形成されている。受容孔５４は、第２部品５０の外縁から離隔した位置に形成されている。
第２部品５０は、第２部品５０を基準として半導体チップ１０がある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形である（図１（ｂ）参照。）。受容孔５４は、第２部品５０を基準として半導体チップ１０がある側とは反対の側からみたとき、第２部品５０の外形形状である円形の中心（図１の符号Ｃ参照。）を含むように形成されている。実施形態１においては、受容孔５４は第２部品５０の中心に形成されている。実施形態１における受容孔５４は、上面視円形の貫通孔である。
【００２８】
半導体チップ１０及び第２部品５０の第２接続面５２は、はんだ部６０により接合されている。
図１における符号６２は架橋部４４に沿って吸い上げられたはんだ部であり、符号６４は第２部品５０の外縁に沿って吸い上げられたはんだ部である。
なお、実施形態１においては、半導体チップ１０及びチップ搭載部２２並びに接続子実装部２４及び第１接続面４２も、はんだ部６０と同質のはんだ部により接合されている。これらのはんだ部は本発明とは直接関係するものではないため、詳細な説明及び符号の図示を省略する。
【００２９】
受容孔５４を構成する面（内側面）と先端部４６の表面との間の距離は、０．１ｍｍ以下であり、かつ、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在する。なお、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在するのであれば、受容孔５４を構成する面と先端部４６との一部が接触していてもよい。
【００３０】
なお、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離を０．１ｍｍ以下としたのは、当該距離が０．１ｍｍより大きい場合には、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離が大きくなりすぎ、リフローを行うときにおける第１部品４０及び第２部品５０の位置ずれを十分に抑制することができない場合があるためである。
また、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在するとしたのは、当該部分が存在しない場合、リフローを行うときにおいて溶融したはんだを吸い上げるための間隙の大きさを十分なものとすることができない場合があるためである。なお、当該間隙の大きさを十分なものとすることができない場合、溶融したはんだの吸い上がりを受容孔５４の周辺と第２部品５０の外縁とに分散させることが困難となることや、リフローを行うときにおいて第１部品４０と第２部品５０との間に引っかかりが生じて半導体チップ１０やリードフレーム２０に余分な負荷がかかること等の問題が発生する可能性が考えられる。
【００３１】
次に、実施形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、実施形態１に係る半導体装置１を製造するための製造方法であり、以下に説明する第１工程〜第５工程をこの順序で含む。
【００３２】
第１工程は、半導体チップ１０を搭載するチップ搭載部２２及びチップ搭載部２２とは離隔している接続子実装部２４を有するリードフレーム２０のチップ搭載部２２に半導体チップ１０を載置する工程である（図２（ａ）参照。）。
【００３３】
実施形態１においては、チップ搭載部２２及び接続子実装部２４には、半導体チップ１０の配置前にはんだ部前駆体を配置する。これらのはんだ部前駆体は本発明に直接関連するものではないため、詳細な説明及び符号の図示を省略する。
本明細書における「はんだ部前駆体」とは、加熱溶融した後に固化させる（リフローを行う）ことではんだ部となるもののことをいう。はんだ部前駆体としては、例えば、はんだ粉末に有機溶剤等を混合してペースト状にしたはんだペーストや、はんだリボン等の固体はんだ（バルクのはんだ）を用いることができる。
【００３４】
第２工程は、半導体チップ１０上にはんだ部前駆体６０ａを配置する工程である（図２（ｂ）参照。）。
はんだ部前駆体６０ａとしては、はんだペーストを好適に用いることができる。はんだ部前駆体６０ａとしてはんだペーストを用いる場合、その配置は、例えば、公知のスクリーン印刷法により実施することができる。
【００３５】
第３工程は、半導体チップ１０上に、導電性の第２接続面５２を有し、かつ、第２接続面５２と接続されている貫通孔である受容孔５４が形成されている第２部品５０をはんだ部前駆体６０ａを介して配置する工程である（図２（ｃ）参照。）。
【００３６】
第４工程は、導電性の第１接続面４２及び第１接続面４２と接続され第１接続面４２から半導体チップ１０側に伸びる導電性の架橋部４４を有する第１部品４０について、第１接続面４２を接続子実装部２４上に配置し、かつ、架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６を受容孔５４に差し込む工程である（図２（ｄ）参照。）。
【００３７】
第５工程は、はんだ部前駆体６０ａを加熱溶融した後に固化させてはんだ部６０とする（つまり、リフローを行う）ことにより、半導体チップ１０と第２部品５０とを接合し、かつ、第２部品５０と先端部４６とを接合して第１部品４０及び第２部品５０からなる接続子３０を形成する工程である（図２（ｅ）参照。）。
第５工程は、構成要素を加熱装置（図示せず。）で加熱することにより実施することができる。加熱温度及び加熱時間は、はんだ部前駆体の種類や構成要素の耐熱性に応じた温度とすることができる。
【００３８】
以上の第１工程〜第５工程を実施することにより、実施形態１に係る半導体装置１を製造することができる。
【００３９】
次に、実施形態１に係る半導体装置１及び半導体装置の製造方法の効果について説明する。
【００４０】
実施形態１に係る半導体装置１によれば、第１接続面４２及び架橋部４４を有する第１部品４０並びに第２接続面５２を有する第２部品５０からなる接続子３０を備え、第２部品５０には受容孔５４が形成されており、架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６は、受容孔５４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品５０と接合されているため、リフローを行うときに第１部品４０の先端部４６と第２部品５０の受容孔５４を構成する面との間から溶融したはんだの一部を吸い上げさせることで、溶融したはんだの吸い上がりを受容孔５４の周辺と第２部品５０の外縁とに分散させることが可能となる。このため、実施形態１に係る半導体装置１によれば、リフローを行うときに第２部品５０の外縁から吸い上げられる溶融したはんだを少なくすることが可能となり、第２部品５０の外縁における吸い上げられたはんだ部６４が意図せぬ形状となることを抑制でき、半導体チップ１０のチップエッジと吸い上げられたはんだ部６４との間の距離が小さくなることを抑制できる。その結果、実施形態１に係る半導体装置１は、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置となる。
【００４１】
ところで、半導体装置に従来の半導体装置９００の接続子９３０のような接続子（本発明でいう第１部品に相当する部分及び第２部品に相当する部分が一体となっている接続子）を用いる場合には、リフローを行うときに第２部品に相当する部分が第１部品に相当する部分からの圧力により押さえつけられ、第２部品に相当する部分が半導体チップに対して傾いてしまう場合がある。
一方、実施形態１に係る半導体装置１によれば、接続子３０が第１部品４０及び第２部品５０からなり、リフローを行うときには第１部品４０と第２部品５０とが分離しているため、リフローを行うときに第２部品５０が第１部品４０からの圧力により押さえつけられることを抑制することが可能となり、その結果、第２部品５０が半導体チップ１０に対して傾くこと（第２部品５０と半導体チップ１０との間のはんだ部の厚さが不均一になること）を抑制することが可能となる。
【００４２】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、受容孔５４は、第２部品５０の外縁から離隔した位置に形成されているため、吸い上げられたはんだ部６２，６４を離隔することが可能となる。
【００４３】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、第２部品５０は、第２部品５０を基準として半導体チップ１０がある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形であるため、リフローを行うときに仮に第２部品５０が回転した場合であっても、第２部品５０の外縁が半導体チップ１０のチップエッジに接近することを抑制することが可能となる。
【００４４】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、受容孔５４は、第２部品５０を基準として半導体チップ１０がある側とは反対の側からみたとき、第２部品５０の外形形状である円形の中心を含むように形成されているため、受容孔５４が円形の中心を含まない位置に形成されている場合と比較して、吸い上げられたはんだ部６２，６４を大きく離隔することが可能となる。
【００４５】
また、実施形態１に係る半導体装置１によれば、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離は０．１ｍｍ以下であり、かつ、受容孔５４を構成する面と先端部４６の表面との間の距離が０．００５ｍｍ以上の部分が存在するため、リフローを行うときにおける第１部品４０及び第２部品５０の位置ずれを十分に抑制することが可能となり、かつ、リフローを行うときにおいて溶融したはんだを吸い上げるための間隙の大きさを十分なものとすることが可能となる。
【００４６】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６を受容孔５４に差し込み、その状態ではんだ部前駆体６０ａを加熱溶融した後に固化させてはんだ部６０とする（リフローを行う）ため、リフローを行うときに第１部品４０の先端部４６と第２部品５０の受容孔５４を構成する面との間から溶融したはんだの一部を吸い上げさせることで、溶融したはんだの吸い上がりを受容孔５４の周辺と第２部品５０の外縁とに分散させることが可能となる。このため、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、リフローを行うときに第２部品５０の外縁から吸い上げられる溶融したはんだを少なくすることが可能となり、製造する半導体装置１において、第２部品５０の外縁における吸い上げられたはんだ部６４が意図せぬ形状となることを抑制でき、半導体チップ１０のチップエッジと吸い上げられたはんだ部６４との間の距離が小さくなることを抑制できる。その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置１を製造可能な半導体装置の製造方法となる。
【００４７】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、接続子３０となる部品として第１部品４０及び第２部品５０を用い、第５工程でリフローを行うときには第１部品４０と第２部品５０とが分離しているため、第５工程でリフローを行うときに第２部品５０が第１部品４０からの圧力により押さえつけられることを抑制することが可能となり、その結果、第２部品５０が半導体チップ１０に対して傾くこと（第２部品５０と半導体チップ１０との間のはんだ部の厚さが不均一になること）を抑制することが可能となる。
【００４８】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体装置２は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、第２部品に面取り面が形成されている点で実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態２に係る半導体装置２は、図３に示すように、実施形態１に係る半導体装置１における第２部品５０に相当する構成要素として、第２部品７０を備える。第２部品７０においては、受容孔７４を構成する面の第２接続面７２と接続する部分には、第１の面取り面７６が形成されている。
また、第２部品７０の第２接続面７２側の外縁には、第２の面取り面７８が形成されている。第２の面取り面は、第１の面取り面よりも面取りの度合いが小さい（図３（ｂ）参照。）。
【００４９】
第１の面取り面７６及び第２の面取り面７８は、共に曲面である。なお、本発明においては、第１の面取り面及び第２の面取り面の一方又は両方が平面であってもよい。
本明細書における「面取り面」とは、部材の角にあたる部分に形成された面のことをいう。
本明細書における面取りの度合いの大小は、面取りがない場合に存在する角から面取りの基点（基準となる面から角度が変わり始める点）までの距離の大小で表すことができる。
【００５０】
このように、実施形態２に係る半導体装置２は、第２部品に面取り面が形成されている点で実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、第１接続面４２及び架橋部４４を有する第１部品４０並びに第２接続面７２を有する第２部品７０からなる接続子３２を備え、第２部品７０には受容孔７４が形成されており、架橋部４４の半導体チップ１０側にある先端部４６は、受容孔７４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品７０と接合されているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置となる。
【００５１】
また、実施形態２に係る半導体装置２によれば、受容孔７４を構成する面の第２接続面７２と接続する部分には、第１の面取り面７６が形成されているため、リフローを行うときに、溶融したはんだが第１部品４０の先端部４６と第２部品７０の受容孔７４を構成する面との間から吸い上がるのを促進し、溶融したはんだが第２部品７０の外縁に沿って吸い上がる量を抑制することが可能となる。
【００５２】
また、実施形態２に係る半導体装置２によれば、第２部品７０の第２接続面７２側の外縁に、第２の面取り面７８が形成されているが、第２の面取り面７８は第１の面取り面７６よりも面取りの度合いが小さいため、溶融したはんだを主に第１部品４０の先端部４６と第２部品７０の受容孔７４を構成する面との間から吸い上げさせることが可能となる。このため、第２の面取り面７８が存在する場合であっても、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能であるという効果は損なわれない。
なお、第２の面取り面７８が形成されているのは、溶融したはんだがチップエッジ側へ流出することを抑制するためである。
【００５３】
実施形態２に係る半導体装置２は、第２部品に面取り面が形成されている点以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００５４】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体装置３は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、第１部品にはんだ吸い上げ溝が形成されている点で実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態３に係る半導体装置３は、図４に示すように、実施形態１に係る半導体装置１における第１部品４０に相当する構成要素として、第１部品８０を備える。第１部品８０における先端部８６には、複数のはんだ吸い上げ溝８８が形成されている。
実施形態３においては、はんだ吸い上げ溝８８は、先端部８６の先端と接続している直線状の溝である。実施形態３においては、複数のはんだ吸い上げ溝８８は、円柱状の先端部８６の表面に等間隔に配置されている。
【００５５】
このように、実施形態３に係る半導体装置３は、第１部品にはんだ吸い上げ溝が形成されている点で実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、第１接続面８２及び架橋部８４を有する第１部品８０並びに第２接続面５２を有する第２部品５０からなる接続子３４を備え、第２部品５０には受容孔５４が形成されており、架橋部８４の半導体チップ１０側にある先端部８６は、受容孔５４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品５０と接合されているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置となる。
【００５６】
また、実施形態３に係る半導体装置３においては、先端部８６には、はんだ吸い上げ溝８８が形成されているため、リフローを行うときに、架橋部８４における溶融したはんだの吸い上がりを促進することが可能となる。
【００５７】
実施形態３に係る半導体装置３は、第１部品にはんだ吸い上げ溝が形成されている点以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００５８】
［実施形態４］
実施形態４に係る半導体装置４は、基本的には実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するが、第１部品の部材先端の向きが実施形態１に係る半導体装置１とは異なる。実施形態４に係る半導体装置４は、図５に示すように、実施形態１に係る半導体装置１における第１部品４０に相当する構成要素として、第１部品９０を備える。第１部品９０の半導体チップ１０側の部材先端９７は、半導体チップ１０とは異なる方向を向いている。実施形態４においては、部材先端９７は、半導体チップ１０とは反対の側を向いている。
実施形態４においては、先端部９６は、折り曲げられた平板状の部材からなる。
【００５９】
本明細書において「第１部品の部材先端」とは、第１部品を仮に一直線に伸ばしたときの先端のことをいう。このため、「第１部品の半導体チップ側の部材先端」は、半導体チップに最も近接する部分とは限らず（図５参照。）、この点で「先端部」とは異なる。
【００６０】
このように、実施形態４に係る半導体装置４は、第１部品の部材先端の向きが実施形態１に係る半導体装置１とは異なるが、第１接続面９２及び架橋部９４を有する第１部品９０並びに第２接続面５２を有する第２部品５０からなる接続子３６を備え、第２部品５０には受容孔５４が形成されており、架橋部９４の半導体チップ１０側にある先端部９６は、受容孔５４に差し込まれており、かつ、はんだ部６０により第２部品５０と接合されているため、実施形態１に係る半導体装置１と同様に、吸い上げられたはんだ部６４に起因する沿面放電の発生を抑制することが可能な半導体装置となる。
【００６１】
また、実施形態４に係る半導体装置４によれば、第１部品９０の半導体チップ１０側の部材先端９７は、半導体チップ１０とは異なる方向を向いているため、製造過程により仕上げにばらつきが出易い部材先端９７を半導体チップ１０とは異なる方向に向けることで、半導体装置４の品質を安定させることが可能となる。
【００６２】
実施形態４に係る半導体装置４は、第１部品の部材先端の向き以外については実施形態１に係る半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る半導体装置１が有する効果と同様の効果も有する。
【００６３】
以上、本発明を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の各実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００６４】
（１）上記各実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ、角度等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。
【００６５】
（２）上記各実施形態においては、第２部品５０，７０は、第２部品５０，７０を基準として半導体チップ１０がある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第２部品は、第２部品を基準として半導体チップがある側とは反対の側からみたとき、外形形状が円形以外の形状（例えば、多角形形状、楕円形状、星型形状、不定形形状。正方形形状の場合については図６に記載する変形例１の第２部品１００参照。）であってもよい。
【００６６】
（３）上記実施形態１〜３においては先端部４６，８６は円柱状の部材からなり、上記実施形態４においては先端部９６は折り曲げられた平板状の部材からなるが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明における先端部は、受容孔に差し込むことが可能である限りにおいて、多角柱状、楕円柱状等種々の形状の部材からなるものを用いることができる。
【００６７】
（４）本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法においては、架橋部の半導体チップ側にある先端部の表面に傾斜（テーパー）が設けられていてもよい。また、架橋部の半導体チップ側にある先端部の外縁に、面取り面が形成されていてもよい。上記実施形態２のように第２部品に面取り面が形成されている場合には、先端部における面取り面は、第２の面取り面よりも面取りの度合いが大きい（例えば、面取りの度合いが第１の面取り面と同程度である）ことが好ましい。
【００６８】
（５）上記各実施形態においては、受容孔５４，７４は上面視円形の貫通孔であるが、本発明はこれに限定されるものではない。受容孔は多角形、楕円形等、上面視円形以外の形状の貫通孔であってもよい。
【００６９】
（６）本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法においては、受容孔を構成する面に傾斜（テーパー）が設けられていてもよい。
【００７０】
（７）本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法においては、第２部品の受容孔を構成する面の第２接続面とは反対の面と接続する部分に、面取り面が形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法においては、第２部品の第２接続面とは反対側の外縁に、面取り面が形成されていてもよい。
【００７１】
（８）上記各実施形態及び変形例１においては、１つの接続子実装部２４と１つの半導体チップ１０とが対応する構造の半導体装置１〜５を例示して説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。接続子実装部及び半導体チップの一方又は両方が複数であってもよい。このような半導体装置は、第１部品が分岐している接続子や第１部品が長尺となっている接続子を用いて実現することができる。なお、半導体チップが複数ある場合には、これに対応して複数の第２部品を用いる。
【００７２】
（９）上記実施形態３においては、複数のはんだ吸い上げ溝８８が形成されているが、はんだ吸い上げ溝は１本のみであってもよい。また、上記実施形態３においては、はんだ吸い上げ溝８８は直線状の溝であるが、はんだ吸い上げ溝は曲線状、螺旋状、屈曲線（ジグザグ）状等の直線状以外の形状の溝であってもよい。また、上記実施形態３においては、複数のはんだ吸い上げ溝８８は、円柱状の先端部８６の表面に等間隔に配置されているが、複数のはんだ吸い上げ溝は、等間隔ではない間隔で配置されていてもよい。
【００７３】
（１０）本発明の半導体装置は、樹脂で封止されていてもよい。
【００７４】
（１１）上記実施形態２〜４に係る半導体装置は、各実施形態に特徴的な構成要素を用いることで、実施形態１に記載の半導体装置の製造方法と基本的に同様の方法により製造することができる。
【符号の説明】
【００７５】
１，２，３，４，５…半導体装置、１０…半導体チップ、２０…リードフレーム、２２…チップ搭載部、２４…接続子実装部、３０，３２，３４，３６，３８‥接続子、４０，８０，９０…第１部品、４２，８２，９２…第１接続面、４４，８４，９４…架橋部、４６，８６，９６…先端部、５０，７０，１００…第２部品、５２，７２…第２接続面、５４，７４，１０４…受容孔、６０…はんだ部、６０ａ…はんだ部前駆体、６２，６４…吸い上げられたはんだ部、７６…第１の面取り面、７８…第２の面取り面、８８…はんだ吸い上げ溝、９７…部材先端、Ｃ…第２部品の外形形状である円形の中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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