(57)【要約】      （修正有）【解決手段】貫通電極基板は、第１面及び前記第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂを有する基板と、第１面及び第２面にかけて基板を貫通する貫通孔１０３と、貫通孔内に充填された充填物と、を含む。貫通孔は、断面視において貫通孔壁面に凹部を有し、凹部の頂点と貫通孔と凹部との接続部とを結ぶ直線が基板の垂直方向となす角をθとするとき、６°≦θ≦４０°となる。【効果】前記貫通孔の前記充填物が外れにくくなる。【選択図】図２
2018206991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板と、
前記第１面及び前記第２面にかけて前記基板を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に充填された充填物と、を含み、
前記貫通孔は断面視において前記貫通孔壁面に凹部を有し、
前記凹部の頂点と前記貫通孔と前記凹部との接続部とを結ぶ直線が基板の垂直方向となす角をθとするとき、６°≦θ≦４０°となる、
貫通電極基板。
【請求項２】
前記貫通孔の壁面に第１金属層を有し、前記第１金属層は前記貫通孔とコンフォーマルである、
請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記第１金属層上に第２金属層を有し、前記第２金属層は前記貫通孔及び前記第１金属層とコンフォーマルである、
請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
貫通孔で壁面の曲率が変化する、
請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記充填物が熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂である、
請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
アスペクト比が１．６７〜４．２である、
請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項７】
前記第１の面における前記貫通孔の径と、前記第２の面における前記貫通孔の径とが異なる、
請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の貫通電極基板と、
前記基板の前記貫通電極に接続されたＬＳＩ基板と、
前記基板の前記貫通電極に接続された半導体チップと、
を有する、半導体装置。
【請求項９】
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板に、
前記第１面及び前記第２面にかけて前記基板を貫通する貫通孔を形成し、
前記貫通孔の壁面に凹部を形成し、
前記貫通孔内に充填物を充填し、
前記凹部は、前記凹部の頂点と前記貫通孔と前記凹部との接続部とを結ぶ直線が基板の垂直方向となす角をθとするとき、６°≦θ≦４０°となる、
貫通電極基板の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通孔の内壁に第１金属層を形成する、
請求項９に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属層上に設けられた第２の金属層を形成する
請求項１０に記載の貫通電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、貫通電極基板、貫通電極基板の製造方法及び貫通電極基板を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩシステムの更なる高集積化、高機能化のために半導体チップを垂直に積層した三次元実装技術が必須となってきている。この技術においては、上下の半導体チップ同士を効率よく接続する必要がある。そこで、半導体チップに貫通孔を設けて貫通孔の内部に導電材を充填し、半導体チップの両面を電気的に接続する貫通電極技術が注目されている。
【０００３】
貫通電極は、基板に形成された貫通孔の内側面に貫通導体をめっきすることによって形成される。貫通導体の内側は、樹脂を充填することによって穴埋めされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１０６０１５号公報
【特許文献２】特開２０１４−１８７２９７号公報
【特許文献３】特開２００７−０６７３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インターポーザ（たとえば、シリコン基板を使用した貫通電極基板であるＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）やガラス基板を使用した貫通電極基板であるＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｇｌａｓｓ  Ｖｉａ）を含む。）であって、貫通孔に充填物が充填される場合における信頼性の高い貫通電極基板が求められている。
【０００６】
本開示は、上記実情に鑑み、信頼性の高い貫通孔に充填物が充填される貫通電極基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板と、前記第１面及び前記第２面にかけて前記基板を貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に充填された充填物と、を含み、前記貫通孔は断面視において前記貫通孔壁面に凹部を有し、前記凹部の頂点と前記貫通孔と前記凹部との接続部とを結ぶ直線が基板の垂直方向となす角をθとするとき、６°≦θ≦４０°となる、貫通電極基板である。
【０００８】
前記貫通孔の壁面に第１金属層を有し、前記第１金属層は前記貫通孔とコンフォーマルであってもよい。
【０００９】
前記第１金属層上に第２金属層を有し、前記第２金属層は前記貫通孔及び前記第１金属層とコンフォーマルであってもよい。
【００１０】
貫通孔で壁面の曲率が変化する形状であってもよい。
【００１１】
前記充填物が熱硬化性樹脂、又は、光硬化性樹脂であってもよい。
【００１２】
貫通孔の平面形状が円形の場合、貫通孔の開口端直径に対する貫通孔の深さと定義されるアスペクト比が、１．６７〜４．２であってもよい。
【００１３】
前記第１の面における前記貫通孔の径と、前記第２の面における前記貫通孔の径とが異なる形状であってもよい。
【００１４】
前記基板は、絶縁性基板であってもよい。
【００１５】
前記絶縁性基板は、ガラス基板、サファイア基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板又は樹脂基板であってもよい。
【００１６】
前記基板は、半導体基板であってもよい。
【００１７】
前記半導体基板はシリコン基板、炭化シリコン基板、又は窒化シリコン基板であってもよい。
【００１８】
本開示の一実施形態に係る半導体装置は、貫通電極基板と、前記基板の前記貫通電極に接続されたＬＳＩ基板と、前記基板の前記貫通電極に接続された半導体チップと、を有する。
【００１９】
本開示の一実施形態による貫通電極基板の製造方法は、第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板に、前記第１面及び前記第２面にかけて前記基板を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔の壁面に凹部を形成し、前記貫通孔内に充填物を充填し、前記凹部は、前記凹部の頂点と前記貫通孔と前記凹部との接続部とを結ぶ直線が基板の垂直方向となす角をθとするとき、６°≦θ≦４０°となる、貫通電極基板の製造方法である。
【００２０】
前記貫通孔の内壁に第１金属層を形成してもよい。
【００２１】
前記第１金属層上に設けられた第２の金属層を形成してもよい。
【００２２】
前記充填物は、導電性物質であってもよい。
【００２３】
前記導電性物質は、金属であってもよい。
【００２４】
前記充填物の前記第１面側の表面に設けられた絶縁層をさらに含んでもよい。
【００２５】
前記充填物の前記第１面側の表面に設けられた配線層をさらに含んでもよい。
【００２６】
貫通孔の内壁に金属層をさらに含んでもよい。
【００２７】
金属層上に設けられた第２の金属層をさらに含んでもよい。
【００２８】
前記金属層は、前記内壁の一部に設けられ、前記充填物は、前記金属層に接着していてもよい。
【００２９】
前記貫通孔内の前記充填物の間隙に絶縁性樹脂をさらに含んでもよい。
【００３０】
前記貫通孔は逆テーパ形状であってもよい。
【００３１】
前記貫通孔はテーパ形状であってもよい。
【００３２】
前記第１の露出面を覆い、前記貫通電極と電気的に接続する第１の電極をさらに含んでもよく、前記第１の絶縁層は、前記第１の電極を露出する第１の開口部を有してもよい。
【００３３】
前記充填樹脂は、前記第２の面側の第２の露出面に第２の凸部をさらに有してもよく、前記第２の面上に配置される第２の絶縁層をさらに含んでもよい。
【００３４】
前記第２の凸部は、前記第２の面から突出していてもよい。
【００３５】
前記充填樹脂は感光性有機樹脂材料であってもよい。
【発明の効果】
【００３６】
本開示では、より信頼性の高い貫通電極基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本開示に係る貫通電極基板の構成を示す上面図（模式図）である。
【図２】本開示に係る貫通電極基板の構成を示す断面図（模式図）である。
【図３】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図４】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図５】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図６】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図７】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図８】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図９】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図１０】本開示に係る貫通電極基板の製造方法を示す断面図（模式図）である。
【図１１】本開示に係る貫通電極基板の構成を示す断面図（模式図）である。
【図１２】本開示に係る貫通電極基板の構成を示す断面図（模式図）である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂなどを付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００３９】
本開示の一実施形態に係る本発明の貫通電極基板１００の構成について、図１、図２（ａ）、図２（ｂ）を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る本発明の貫通電極基板１００を上面から見た平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線の断面図である。なお、図２（Ａ）及び（Ｂ）とも、説明の便宜上、本実施形態に係る本発明の貫通電極基板１００の一部を示している。
【００４０】
図１、図２を参照すると、本実施形態に係る貫通電極基板１００は、第１面１０１ａと、第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂを有する基板１０１を含む。
【００４１】
基板１０１には、第１面１０１ａ及び第２面１０１ｂにかけて基板１０１を貫通する貫通孔１０３が設けられる。すなわち、基板１０１に設けられた貫通孔１０３は、基板１０１の第１面１０１ａ及び第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂにかけて基板１０１を貫通している。
【００４２】
図面上、貫通孔１０３は、第１面１０１ａ及び第２面１０１ｂに対して垂直に立設されているが、当該内側面が傾斜面となっていてもよい。換言すると、貫通孔１０３の内側面は、基板１０１を上面または下面から見たときに側面が視認されるような傾斜面を有していてもよい。さらに、貫通孔はテーパ形状や逆テーパ形状であってもよい。また壁面の曲率が変化する形状であってもよい。
【００４３】
貫通孔のアスペクト比は、１．６７〜４．２が好ましい。貫通孔のアスペクト比とは、貫通孔の平面形状が円形の場合、貫通孔の開口端直径に対する貫通孔の深さ（基板１０１の厚み）と定義される。
【００４４】
なお、図１、図２では、基板１０１に複数の貫通孔１０３が設けられた例を示している。しかし、これは具体例であって、基板１０１に設けられる貫通孔１０３の数は、一つ以上であればよく複数である必要はない。仮に複数の貫通孔１０３を設ける場合には、１０μｍ以上の間隔で配置されていることが好ましく、例えば、４０μｍ〜１００ｍｍの間隔で配置されていてもよい。
【００４５】
基板１０１は、絶縁性基板である。絶縁性基板としては、例えば、ガラス基板、サファイア基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板又は樹脂基板などである。また、基板１０１は、シリコン基板、炭化シリコン基板、窒化シリコン基板などの半導体基板であってもよい。
【００４６】
貫通孔１０３の内壁には、第１金属層１０５が設けられ、第１金属層１０５上に第２金属層１０７が設けられる。この第１金属層１０５及び第２金属層１０７が貫通電極として機能する。第１金属層１０５及び第２金属層１０７は金属材料を含む。
【００４７】
第１金属層１０５に含まれる金属材料としては、例えば、銅、金、白金、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、タングステンなどの金属又はこれらの金属を組み合わせた合金が用いられる。第１金属層１０２は、上述した金属の単層構造であってもよく、上述した２種以上の金属を組み合わせた多層構造であってもよい。第２金属層１０７に含まれる金属材料としては、例えば、銅、金、スズ、銀、ニッケル、クロムなどが用いられる。
【００４８】
尚、図示はしないが、貫通孔１０３の内壁と第１金属層１０５との間に絶縁層が設けられてもよい。
【００４９】
貫通孔１０３内には、充填物１０９が充填されている（図２（ａ））。充填物１０９としては、例えば、銅、金、白金、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、タングステンなどの金属又はこれらの金属を組み合わせた合金が用いられることができる。
【００５０】
充填物１０９は、上述した金属の単層構造であってもよく、上述した２種以上の金属を組み合わせた多層構造であってもよい。
【００５１】
本開示に係る貫通電極基板１００では、貫通孔１０３内には充填物１０９が充填される。そのため、貫通孔１０３上に第３の層（絶縁層等）を設けることが容易になる。
【００５２】
本開示に係る貫通電極基板１００では、貫通孔１０３内の壁面部分に、凹部１１１が設けられている（図２（ａ））。凹部１１１は、貫通孔中心から壁面方向に向かって凸形状であり、他方これを壁面から見れば壁面に凹形状の窪みが存在するということである。第１金属層１０５と、第１金属層１０５上に設けられた第２金属層１０７は、凹部１１１についてコンフォーマルに積層してもよい（図２（ａ））。
【００５３】
凹部１１１には頂点１１５が存在する。頂点１１５は、貫通孔の第１面１０１ａにおける中心と貫通孔の１０１ｂにおける中心を結んだ線分としての貫通孔中心線を基準とし、そこから最も離れている箇所をいう。
【００５４】
上記の頂点１１５を通る直線であって、凹部１１１の入口部分を通るものについて、基板の垂直方向となす角をθとする（図２（ｂ））とき、θは６°＜θ＜４０°との関係を満たす。本開示において本開示に係る貫通電極基板１００では、貫通孔１０３内の壁面部分に、上記θが６°＜θ＜４０°との関係を満たす形状で凹部１１１が設けられていることによって、貫通孔１０３に充填された充填物１０９が外れにくくなるという作用効果を奏する。
【００５５】
［貫通電極基板の製造方法］
図３〜図１０を参照して、本実施形態の貫通電極基板１００の製造方法の一例について説明する。
【００５６】
図３は、本実施形態の貫通電極基板１００の一部を示す平面図である。尚、ここでは、基板１０１としてガラス基板を使用し貫通孔１０３及び凹部１１１が存在する貫通電極基板１００の製造方法を説明する。
【００５７】
貫通孔１０３の作成方法としては対応するマスクを形成し、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  ＲＩＥ：深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチング加工、サンドブラスト加工、レーザー加工等を用いることができる。図４は、基板１０１内部にレーザ光を照射する工程を示す断面図である。図４では、超短パルスレーザ（たとえばフェムト秒レーザ）を基板１０１に照射することで、貫通孔を形成したい領域の基板１０１の材料を変質させ、エッチングする方法について説明する。
【００５８】
光源４００から出射されたレーザ光４０１は基板１０１の第１面１０１ａ側から入射され、基板１０１の内部の貫通孔を形成したい領域で焦点を結ぶ。レーザ光４０１が焦点を結んだ位置では、高いエネルギーが基板１０１に供給され、基板の材料が変質する。この変質層をエッチングすることで、貫通孔を形成する。
【００５９】
上記では、貫通孔を形成する方法としてフェムト秒レーザを用いた製造方法を例示したが、フェムト秒レーザ以外の方法で貫通孔を形成することができる。なお基板として半導体基板を用いる場合にはレーザを用いることはできない。例えば、波長λのパルスレーザをレンズで集光することで貫通孔を形成してもよい。尚、レーザ光４０１は、基板１０１の第２面１０１ｂ側から入射されてもよく、第１面１０１ａ側及び第２面１０１ｂ側から入射されてもよい。上記のレーザのパルス幅、波長、及びエネルギー等は、基板に用いられる材質の組成及び吸収係数等に応じて適宜設定される。例えば、ガラス基板に貫通孔を形成する場合、パルスレーザのパルス幅は１ナノ秒（ｎｓｅｃ）以上２００ｎｓｅｃ以下の範囲とするとよい。パルス幅が下限よりも短いと、高価なレーザ発振器が必要となり、パルス幅が上限よりも長いと、レーザパルスの尖頭値が低下して加工性が低下するという問題が生じる。また、パルスレーザの波長λは、５３５ｎｍ以下とするとよい。波長λが上限よりも長いと、照射スポットが大きくなるため、微小孔を形成することが困難になる、及び熱の影響で照射スポットの周囲が割れやすくなるという問題が生じる。
【００６０】
［本開示者らが発見した問題点］
図５において貫通孔１０３を設けた基板を表す。貫通孔１０３にそのまま充填物たる樹脂（たとえば、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂）を充填し、硬化させると、樹脂と貫通孔との間に隙間ができ、樹脂が抜け落ちる現象があることを発見した。
【００６１】
そこで本開示では、レーザによって、基板の貫通孔壁面に凹部１１１を形成する。レーザとしては、上記貫通孔を形成したのと同様のレーザを用いることができる。かかるレーザを基板の斜め方向から打ち込み、凹部１１１を形成する。
【００６２】
図６では凹部１１１を基板第１面１０１ａと第２面１０１ｂとの中央部に形成している。しかし、基板第１面１０１ａと第２面１０１ｂとの中央に位置する必要はなく、基板第１面１０１ａと第２面１０１ｂとの間であればどこでもよい。
【００６３】
凹部の形状は、半球状、半楕円体等に限られず、特に曲率が連続的に変化する形状である必要はないが、下記の通り、凹部１１１の形状には制限がある。
【００６４】
凹部１１１には頂点１１５が存在する。頂点１１５は、貫通孔の第１面１０１ａにおける中心と貫通孔の１０１ｂにおける中心を結んだ線分としての貫通孔中心線を基準とし、そこから最も離れている箇所をいう。
【００６５】
上記の頂点１１５を通る直線であって、凹部１１１の入口部分を通るものについて、基板の垂直方向となす角をθとする（図２（ｂ））とき、θは６°＜θ＜４０°との関係を満たす。本開示において本開示に係る貫通電極基板１００では、貫通孔１０３内の壁面部分に、上記θが６°＜θ＜４０°との関係を満たす形状で凹部１１１が設けられていることによって、貫通孔１０３に充填された充填物１０９が外れにくくなるという作用効果を奏する。
【００６６】
貫通孔１０３において、壁面に設けられる第１金属層１０５は、たとえばスパッタリング法により形成される。第１金属層１０５と貫通孔壁面とはコンフォーマルな形状であってもよい（図７）。
【００６７】
第１金属層１０５形成後、第１金属層１０５を覆うように、さらに第２金属層１０７が形成されてもよい。第２金属層１０７は、たとえばスパッタリング法により形成される。第２金属層１０７と第１金属層１０５及び貫通孔壁面とはコンフォーマルな形状であってもよい（図８）。
【００６８】
貫通導体の内側は、樹脂を充填することによって穴埋めされる（図９）。樹脂は、充填される樹脂（充填剤）は、感熱性有機樹脂材料や感光性有機樹脂材料等であってもよい。貫通孔に樹脂を充填する際には、気泡等が混入しないようにするため、真空ラミネータにて貫通孔を充填してもよい。
【００６９】
露光後、不要部分を現像除去し、焼成して樹脂（充填物１０９）を硬化させる。そしてＬＳＩ１３００と接続させる等により使用される（図１０）。
【００７０】
図１１は、本開示の一実施形態に係る貫通電極基板を用いた半導体装置を示す断面図である。半導体装置１１００は、３つの貫通電極基板１１０１、１１０３、１１０５が積層され、例えば、ＭＥＭＳデバイス、ＣＰＵ、メモリ等の半導体チップ（ＬＳＩチップ）１１０１、１１０３、および貫通電極基板１１０５が積層され、ＬＳＩ基板１１０７に接続されている。半導体チップ１１０１と半導体チップ１１０３との間に貫通電極基板１１０５が配置され、バンプ１１１７、１１１９により接続されている。ＬＳＩ基板１１０７上に半導体チップ１１０１が載置され、ＬＳＩ基板１１０１と半導体チップ１１０３とはワイヤ１１２１により接続されている。この例では、貫通電極基板１１０５は、それぞれ機能の異なる複数の半導体チップを積層することで、多機能の半導体装置を製造することができる。例えば、半導体チップ１１０１を３軸加速度センサとし、半導体チップ１１０３を２軸磁気センサとすることによって、５軸モーションセンサを１つのモジュールで実現した半導体装置を製造することができる。半導体チップがＭＥＭＳデバイスにより形成されたセンサなどである場合には、センシング結果がアナログ信号により出力されるようなときがある。この場合には、ローパスフィルタ、アンプ等についても半導体チップまたは貫通電極基板１１０５に形成してもよい。
【００７１】
図１２は、本開示の一実施形態に係る貫通電極基板を用いた半導体装置のさらに別の例を示す断面図である。図１２に示す例は２次元と３次元との併用実装に適用した例である（２．５次元という場合もある）。図１２に示す例では、ＬＳＩ基板１２１３には、６つの貫通電極基板１２０１、１２０３、１２０５、１２０７、１２０９、１２１１が積層されて接続されている。ただし、全ての貫通電極基板が積層して配置されているだけでなく、基板面内方向にも並んで配置されている。これらの貫通電極基板はそれぞれが異なる材質の基板から形成された貫通電極基板であってもよい。
【００７２】
図１２の例では、ＬＳＩ基板１２１３上に貫通電極基板１２０１、１２０９が接続され、貫通電極基板１２０１上に貫通電極基板１２０３、１２０７が接続され、貫通電極基板１２０３上に貫通電極基板１２０５が接続され、貫通電極基板１２０９上に貫通電極基板１２１１が接続されている。尚、貫通電極基板を複数の半導体チップを接続するためのインターポーザとして用いても、このよう２次元と３次元との併用実装が可能である。例えば、図１２に示す貫通電極基板１２０５、１２０７、１２１１などが半導体チップに置き換えられてもよい。
【実施例】
【００７３】
上記にて記載した貫通電極付きガラス基板の板厚を０．５ｍｍに固定し、貫通孔の孔径を０．０３〜０．３ｍｍ（アスペクト比は１６．７〜１．６７に対応する）として貫通電極基板を作成した。なお、貫通孔のアスペクト比とは、貫通孔の平面形状が円形の場合、貫通孔の開口端直径に対する貫通孔の深さ（基板１０１の厚み）と定義される。作製した貫通電極付きガラス基板において、充填物の脱落が生じるかどうか、一方の基板面を液体にさらした際、他方の面に液が漏れだすかどうか、について実験した。
【００７４】
上記実験をしたところ、表１にて示す通りの結果となった。
【表１】
2018206991.tif 000003
【００７５】
表１を参照する。貫通孔の孔径を０．０３〜０．３ｍｍ（アスペクト比は１６．７〜１．６７に対応する）としてアスペクト比の最適化を試みたところ、１．６７〜４．２という範囲で充填物の脱落が防止可能であることが判明した。さらに、１．６７〜４．２という範囲で液漏れも抑制できることが判明した。
【００７６】
さらに、貫通孔の孔径を５０μｍ、凹部の深さ（貫通孔面から凹部の頂部までの深さ）を５μｍとして、θを６°〜４５°まで変化させた場合の充填物脱落等の作用効果の変化を示す。
【表２】
2018206991.tif 000004
【００７７】
θが、６°≦θ≦４０°という範囲を満たす場合には、充填物の脱落を抑止できるのみならず、液漏れも抑止できるということが判明した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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