(57)【要約】【課題】  鏡面面取り加工で発生する半導体ウェーハ主面内へのオーバーポリッシュの有無の評価及びオーバーポリッシュの入り込み量の測定を短時間かつ非破壊にて評価することができる半導体ウェーハの評価方法を提供する。【解決手段】  半導体インゴットからスライスされた主表面と主裏面からなる主面を有する半導体ウェーハのエッジを面取り研削加工した後に、面取り研削加工された半導体ウェーハの前記主表面もしくは前記主表面と主裏面の両面を研磨加工して前記主面と面取り面を有する半導体ウェーハを作製し、その後鏡面面取り加工が施された半導体ウェーハの評価方法であって、前記面取り面近傍の半導体ウェーハの前記主面に対してレーザー光を照射し、照射面からの散乱光を検知することで暗視野にて検査し、前記鏡面面取り加工により前記面取り面と前記主面との境界を越えて研磨されるオーバーポリッシュを検査することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。【選択図】  図１
2018182160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットからスライスされた主表面と主裏面からなる主面を有する半導体ウェーハのエッジを面取り研削加工した後に、面取り研削加工された半導体ウェーハの前記主表面もしくは前記主表面と主裏面の両面を研磨加工して前記主面と面取り面を有する半導体ウェーハを作製し、その後鏡面面取り加工が施された半導体ウェーハの評価方法であって、
前記面取り面近傍の半導体ウェーハの前記主面に対してレーザー光を照射し、照射面からの散乱光を検知することで暗視野にて検査し、前記鏡面面取り加工により前記面取り面と前記主面との境界を越えて研磨されるオーバーポリッシュを検査することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
【請求項２】
前記面取り面と前記主面との境界から、前記半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの評価方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハがノッチ部を有しており、
前記ノッチ部近傍における前記面取り面と前記主面との境界から、前記半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの評価方法。
【請求項４】
前記レーザー光の波長を２００ｎｍ〜７００ｎｍとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの評価方法によって得られた結果を用いて、前記鏡面面取り加工の工程管理を行うことを特徴とする半導体ウェーハ製造工程の管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨加工後の鏡面面取り加工で発生する半導体ウェーハ主面へのオーバーポリッシュの有無及びオーバーポリッシュの入り込み量を評価する半導体ウェーハの評価方法、及びこの半導体ウェーハの評価方法を用いた半導体ウェーハ製造工程の管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの片面もしくは両面研磨加工後に鏡面面取り加工を施すと、前記半導体ウェーハの表裏の主面の一方もしくは両面研磨加工面が再度研磨（以下、追研磨）され、オーバーポリッシュと言われる過研磨が発生する。ここで主面とは主表面と主裏面からなるものである。このオーバーポリッシュを抑制する方法が特許文献１−４で開示されている。これらの特許文献では、オーバーポリッシュの発生を確認する方法としてエッジロールオフや平坦度測定機などの表面形状測定機が利用されている。また特許文献５でもオーバーポリッシュ抑制方法が開示されており、オーバーポリッシュの確認方法ではビデオマイクロスコープが使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１２８２６９号公報
【特許文献２】特開２０１３−２５８２２６号公報
【特許文献３】特開２０１３−２５８２２７号公報
【特許文献４】特開２０１５−１５３９３９号公報
【特許文献５】ＷＯ２００２／００５３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のオーバーポリッシュを確認する方法として、上記のような表面形状測定機を利用した場合、視覚的に面取り加工部近傍からの入り込み量が把握できないという問題があった。また視覚的であるビデオマイクロスコープは半導体ウェーハ１枚１枚を作業者が確認する必要があり手間と時間が掛かり、また製造検査ラインとは別のオフラインでの作業となるため破壊検査となるという問題があった。
【０００５】
本発明は、前述のような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、鏡面面取り加工で発生する半導体ウェーハ主面内へのオーバーポリッシュの有無の評価及びオーバーポリッシュの入り込み量の測定を短時間かつ非破壊にて評価することができる半導体ウェーハの評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体インゴットからスライスされた主表面と主裏面からなる主面を有する半導体ウェーハのエッジを面取り研削加工した後に、面取り研削加工された半導体ウェーハの前記主表面もしくは前記主表面と主裏面の両面を研磨加工して前記主面と面取り面を有する半導体ウェーハを作製し、その後鏡面面取り加工が施された半導体ウェーハの評価方法であって、前記面取り面近傍の半導体ウェーハの前記主面に対してレーザー光を照射し、照射面からの散乱光を検知することで暗視野にて検査し、前記鏡面面取り加工により前記面取り面と前記主面との境界を越えて研磨されるオーバーポリッシュを検査することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法を提供する。
【０００７】
半導体ウェーハの片面もしくは両面研磨加工後の鏡面面取り加工により、研磨加工より前段の面取り研削加工で作られた半導体ウェーハの主面と面取り加工部（面取り面）の境界より半導体ウェーハの主面内側にも追研磨され、この追研磨された部分をオーバーポリッシュと本発明では記している。このオーバーポリッシュされた部分の半導体ウェーハ厚さは薄化し、また半導体ウェーハの平坦度も悪化することが知られている。このオーバーポリッシュが想定される半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の主面にレーザー光を照射し、暗視野にて検査することにより、オーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量の測定が短時間かつ非破壊にて可能となる。
【０００８】
このとき、面取り面と前記主面との境界から、前記半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することが好ましい。
【０００９】
また、半導体ウェーハがノッチ部を有しており、ノッチ部近傍における面取り面と主面との境界から、半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することも好ましい。
【００１０】
レーザー光を照射する範囲を、上記のような範囲に指定することで、より短時間での観察及び評価が可能となる。
【００１１】
このとき、レーザー光の波長を２００ｎｍ〜７００ｎｍとすることが好ましい。
【００１２】
このように、照射するレーザー光の波長を可視光域と紫外域と限定することでより優れた評価、すなわち、より確実にオーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量の測定ができる評価が可能となる。
【００１３】
また、本発明は、上記の半導体ウェーハの評価方法によって得られた結果を用いて、鏡面面取り加工の工程管理を行うことを特徴とする半導体ウェーハ製造工程の管理方法を提供する。
【００１４】
鏡面面取り加工時のオーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量を取得しておくことにより、鏡面面取り加工を行う工程の工程管理が可能となる。具体的には、鏡面面取り加工機の機差の把握や鏡面面取り加工の加工条件の変更に役立てることが可能である。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の半導体ウェーハの評価方法であれば、鏡面面取り加工により発生するオーバーポリッシュの有無や、オーバーポリッシュの入り込み量を短時間で評価でき、また非破壊検査であるため製品の収率低下もない。さらには、本発明の半導体ウェーハの評価方法では鏡面面取り工程の工程管理に有効なデータも取得可能であるので、本発明の半導体ウェーハの評価方法によって得られた結果を用いる本発明の半導体ウェーハ製造工程の管理方法であれば、鏡面面取り加工を行う工程の工程管理を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の半導体ウェーハの評価方法の一例を示すフロー図である。
【図２Ａ】本実施例で示す半導体ウェーハの面取り加工部近傍の暗視野画像である。
【図２Ｂ】参考例で示す半導体ウェーハの面取り加工部近傍の明視野画像である。
【図３Ａ】本実施例で示す半導体ウェーハのノッチ部近傍の暗視野画像である。
【図３Ｂ】参考例で示す半導体ウェーハのノッチ部近傍の明視野画像である。
【図４】本実施例で示す半導体ウェーハのＥＳＦＱＲグラフである。
【図５】本実施例で示す半導体ウェーハの面取り加工部近傍の主面の暗視野画像である。
【図６】図５の半導体ウェーハのＥＳＦＱＲグラフである。
【図７】本実施例で用いたエッジ検査装置の検出機構の模式図である。
【図８】本実施例で用いたエッジ検査装置の検出部が評価対象の半導体ウェーハのエッジ部に対してどのように移動するかを示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
上述したように、オーバーポリッシュを確認する方法として、表面形状測定機を利用した場合、視覚的に面取り加工部近傍からの入り込み量が把握できないという問題があり、また視覚的であるビデオマイクロスコープは手間と時間が掛かり、また製造検査ラインとは別のオフラインでの作業となるため破壊検査となるという問題があった。
【００１８】
そこで、本発明者は、鏡面面取り加工で発生する半導体ウェーハ主面内へのオーバーポリッシュの有無の評価及びオーバーポリッシュの入り込み量の測定を短時間かつ非破壊にて評価することができる半導体ウェーハの評価方法について鋭意検討を重ねた。
【００１９】
その結果、本発明者は、レーザー光照射面の暗視野観察を利用することで、オーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量が視覚的に確認できることを見出し、またレーザー発光部と暗視野受光部を備えた検査機を利用して、半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の半導体ウェーハの主面を観察することで、オンラインでの検査も可能となり、その結果、検査時間短縮や作業者による手間も軽減でき、さらに非破壊検査が可能となることを見出し、本発明を完成させた。
【００２０】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２１】
まず、本発明の半導体ウェーハの評価方法について、図１を参照しながら説明する。
図１は、本発明の半導体ウェーハの評価方法の一例を示すフロー図である。ここで半導体ウェーハとは、シリコン、ＧａＡｓなどの化合物半導体、ＧａＮ、ＳｉＣなど半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を作製するために用いられる基板材料をいい、主表面と主裏面からなる主面を有している。
【００２２】
図１に記載のフローより前段では、例えばインゴット作製、スライス、面取り、ラップ、平面研削、両頭研削、エッチング、洗浄などの工程が適宜行われる。
尚、図１の片面研磨もしくは両面研磨工程（Ｓ１）と鏡面面取り工程（Ｓ２）との間には、洗浄工程やその他検査工程が入っていても良い。
【００２３】
図１の片面研磨もしくは両面研磨工程（Ｓ１）とは、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工が一般的である。本発明では、このＣＭＰ加工を半導体ウェーハの主表面もしくは主裏面に適用した加工を片面研磨としており、主表面と主裏面の両面にＣＭＰ加工したものを両面研磨と記している。このＣＭＰ加工は一般の手法によればよく、詳細については省略する。この片面研磨もしくは両面研磨工程（Ｓ１）が行われた半導体ウェーハは、主表面と主裏面からなる主面と、面取り面とを有している。
【００２４】
図１の鏡面面取り工程（Ｓ２）とは、片面研磨もしくは両面研磨工程（Ｓ１）より前段にある研削による面取り加工にて作られた面取り部（面取り面）に対して、上記ＣＭＰ加工を施すものである。このＣＭＰ加工は前述の通り、半導体ウェーハの面取り部に対して行うものであるが、そこで使用される研磨布には厚みがあり柔軟性を持つ。また、半導体ウェーハの主面へのＣＭＰ加工の場合は、その面に対してほぼ平行に研磨布を当てることが一般的であるが、面取り部（面取り面）へのＣＭＰ加工に関しては、半導体ウェーハの主面に対して研磨布を傾ける必要がある。この傾ける角度や前述の研磨布の厚み、研磨布の柔軟性により、面取り面のみならず、主面までを研磨をしてしまい、このオーバーポリッシュの入り込み量が変化することが知られている。
【００２５】
尚、図１の鏡面面取り工程（Ｓ２）とエッジ検査工程（Ｓ３）との間には、洗浄工程や、その他の研磨や検査工程が入っていても良い。
【００２６】
このエッジ検査工程（Ｓ３）とは、上記面取り部（面取り面）とその近傍の主面、例えば半導体ウェーハの最先端部から数ｍｍ内側までのキズやカケ、クラックなどの欠陥を検査する工程である。ここで前述の半導体ウェーハの最先端部とは、半導体ウェーハの主面の円の中心から径方向に最も遠い最外周部を指す。また数ｍｍ内側とは、例えば、半導体ウェーハの主面へのキズなどの欠陥やパーティクル検査では半導体ウェーハの最先端部から２ｍｍ〜３ｍｍ程度内側は検査ができず、その外周部分を補う検査範囲が前記数ｍｍでありエッジ検査対象部分となる。
【００２７】
このエッジ検査では一般的に主にレーザー光による検査が用いられ、前述のようにキズ、カケ、クラックなどに反射した光を観察することで欠陥を特定している。本発明では、前述のように面取り研削加工（面取り面）と半導体ウェーハの主面との境界から内側に、鏡面面取り加工時に追研磨されたオーバーポリッシュの痕跡を観察するため、その近傍の主面にレーザー光を照射し、さらに暗視野による受光までをこのエッジ検査工程（Ｓ３）で行っている。
【００２８】
半導体ウェーハの片面もしくは両面研磨加工後の鏡面面取り加工により、研磨加工より前段の面取り研削加工で作られた半導体ウェーハの主面と面取り面の境界より半導体ウェーハの主面内側にも追研磨され、この追研磨された部分であるオーバーポリッシュ部分の半導体ウェーハ厚さは薄化し、また半導体ウェーハの平坦度も悪化することが知られている。このオーバーポリッシュが想定される半導体ウェーハの面取り面近傍の主面にレーザー光を照射し、暗視野を用いて検査することにより、オーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量の測定が短時間かつ非破壊にて可能となる。
上述した面取り面近傍の主面とは、値の指定はしないが、半導体ウェーハの最先端部から数ｍｍ内側の領域とすることができる。
【００２９】
このとき、面取り面と主面との境界から、半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することが好ましい。また、半導体ウェーハがノッチ部を有しており、ノッチ部近傍における面取り面と主面との境界から、半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側までの領域にレーザー光を照射することも好ましい。レーザー光を照射する範囲を、上記のような範囲に指定することで、より短時間での観察及び評価が可能となる。
上述したように、レーザー光を照射する範囲、（すなわち、検査範囲）を面取り面と半導体ウェーハの主面の境界から半導体ウェーハの中心側に２ｍｍ内側が好ましいとしたが、面取り研削加工の径方向幅は概ね０．２ｍｍ〜０．４ｍｍであるため、エッジ検査範囲は半導体ウェーハの最先端部から２ｍｍ〜３ｍｍ内側が妥当であると言える。
【００３０】
このレーザー光の波長は２００ｎｍ〜７００ｎｍとすることが好ましい。このように、照射するレーザー光の波長を可視光域と紫外域と限定することでより優れた評価、すなわち、より確実にオーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量の測定ができる評価が可能となる。
【００３１】
またこのエッジ検査工程では、レーザー光による検査装置が、そのオーバーポリッシュ部の画像から自動的にオーバーポリッシュ入り込み量を算出し、それを記録する手段を備えても良いし、オーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの痕跡の強弱だけを記録しても良い。これらの記録により鏡面面取り工程の工程管理、例えば鏡面面取り加工機の機差の把握や、鏡面面取り加工機ごとの経時変化を捕らえることに役立てられる。
【００３２】
このように、本発明の半導体ウェーハ製造工程の管理方法では、上記で説明した本発明の半導体ウェーハの評価方法によって得られた結果を用いて、鏡面面取り加工の工程管理を行うものである。本発明の半導体ウェーハの評価方法により鏡面面取り加工時のオーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュの入り込み量を取得しておくことにより、鏡面面取り加工を行う工程の工程管理が可能となる。具体的には、鏡面面取り加工機の機差の把握や鏡面面取り加工の加工条件の変更に役立てることが可能である。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３４】
（実施例）
本実施例では、チョクラルスキー法で成長させた直径３００ｍｍのシリコン単結晶インゴットから得られた半導体ウェーハを使用した。図１のフローを参照すると、ここで使用した半導体ウェーハは、図１の両面研磨（Ｓ１）を実施し、洗浄後に鏡面面取り加工（Ｓ２）を実施している。
【００３５】
ここで両面研磨（Ｓ１）は、不二越機械工業株式会社製のＤＳＰ−２０Ｂを用いた。半導体ウェーハの研磨取り代は両面で概ね１２μｍであった。
【００３６】
両面研磨（Ｓ１）の次工程の半導体ウェーハに対する洗浄は、水、アンモニア、過酸化水素を混合した、いわゆるＳＣ１洗浄である。
【００３７】
さらに、鏡面面取り加工（Ｓ２）では、スピードファム株式会社製ＩＶ型エッジポリッシュ装置を使用し、両面研磨（Ｓ１）と概ね同じ研磨取り代になるよう加工を行った。
【００３８】
図２Ａは本実施例で示す半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の主面の暗視野画像である。この画像の見方を説明する。横方向は、画像に半導体ウェーハ全周と示した通り、このウェーハの１周３６０度を示している。また縦方向は、画像の右側にウェーハ主表面側、面取り研削加工領域、ウェーハ主裏面側と記している通り、本発明でいう面取り加工部（面取り面）近傍を示した。このように、半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の全周を引き延ばし、この画像のように長方形に示したことがこの画像の特徴である。
【００３９】
図２Ａの画像は、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＣＶ３５０というエッジ検査装置を用いて取得したものである。
図７に上記のエッジ検査装置の暗視野像及び明視野像の検出機構の模式図を示す。
図２Ａの暗視野画像は、図７においてレーザー源から出たレーザー光をウェーハ上に照射し、照射面からの散乱光を散乱光検知器で検知した画像である。ここで使用するレーザー光の波長は４０５ｎｍであった。
【００４０】
図２Ｂは参考例で示す半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の主面の明視野画像であり、上記のエッジ検査装置を用いて取得したものである。
図２Ｂの明視野画像は、図７においてレーザー源から出たレーザー光をウェーハ上に照射し、照射面からの反射光を反射光検知器で検知した画像である。
また、図２Ａと図２Ｂの画像は、図７に示すレーザー源、散乱光検知器、反射光検知器を含む検出部が、図８に示すように、左のステップ１から、下面→エッジ部→上面という順に動いて、ウェーハ表面を観察することで得られたものである。
ちなみに図２Ａと図２Ｂの両方の画像の縦倍率が同じであり、また、図２Ａと図２Ｂの両方の画像の横倍率が同じである。図２Ｂの明視野画像を載せた理由は、図２Ａの暗視野画像では面取り研削加工領域（面取り面）と半導体ウェーハの主面との境界が不明瞭であり、明視野ではこの境界部が明瞭化できるためである。このように縦倍率同士が同じであり、横倍率同士が同じであるため、図２Ｂで得られた面取り研削加工領域（面取り面）と半導体ウェーハの主面との境界を、図２Ａの同一の位置に示すことができる。
【００４１】
ここで図２Ａにおいて、半導体ウェーハの主表面側や主裏面側の領域内に横に伸びる白い線が見える。この線が本発明の暗視野で見ることのできるオーバーポリッシュの痕跡である。詳しくは、鏡面面取り加工により追研磨されたオーバーポリッシュ部の最も面内中心側が白い線として顕在化している。そのため、半導体ウェーハの最先端部からこの白い線までの径方向の長さを測定することでオーバーポリッシュ入り込み量が測定可能となる。
図２Ａの画像では半導体ウェーハの最先端部からオーバーポリッシュの痕跡である白い線まで、この半導体ウェーハでは径方向に６００μｍであった。ここで白い線は、画像のように、詳細には直線ではなく波を打っているため、オーバーポリッシュ入り込み量としては、入り込んだ最大量を取得している。
【００４２】
実際の検査では、面取り研削加工領域（面取り面）と半導体ウェーハの主面との境界を明らかにする必要はないため、図２Ｂの明視野画像は不要である。
【００４３】
図３Ａは本実施例で示す半導体ウェーハのノッチ部近傍の暗視野画像である。図３Ａの画像は図２Ａとは異なり、半導体ウェーハの主表面側ノッチ部近傍を撮影している。
【００４４】
図３Ｂは参考例で示す半導体ウェーハのノッチ部近傍の明視野画像である。図３Ａと図３Ｂも前述のＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＣＶ−３５０にて取得した。図２Ｂ同様、図３Ｂも面取り研削加工領域（面取り面）と半導体ウェーハの主面との境界が明瞭であるため、図３Ａの境界部の参考のために取得したが、実際の検査では、図３Ｂの明視野画像は不要である。
【００４５】
図３Ａの画像ではオーバーポリッシュの痕跡をより明瞭に見ることができる。このように通常の面取り加工部（面取り面）近傍の主面だけでなく、ノッチ部の面取り加工部（面取り面）近傍の主面であっても暗視野の検査は利用価値が高いことが分かる。
【００４６】
図４は本実施例で示す半導体ウェーハのＥＳＦＱＲグラフである。ＥＳＦＱＲ（Ｅｄｇｅ  Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔｓｕｒｆａｃｅ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）とは、半導体ウェーハ全周の外周域に形成した扇型の領域内のＳＦＱＲを測定したものである。ＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  Ｌｅａｓｔ  Ｓｑｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）とは、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、この平面からの＋側（すなわち、半導体ウェーハの主表面を上に向け水平に置いた場合の上側）、−側（同下側）の最大偏差のことである。
【００４７】
図４のグラフ取得時の上記扇型のサイズは、ウェーハ全周を５度間隔で７２分割し、径方向の一辺の長さは３５ｍｍとした。またグラフにはＥＥ０．５ｍｍやＥＥ１ｍｍ、ＥＥ２ｍｍとあるが、このＥＥ（Ｅｄｇｅ  Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ）とは、ＥＳＦＱＲ測定時の外周除外領域を示している。したがって、ＥＥ０．５ｍｍとは半導体ウェーハの最先端部から内側の、径方向に０．５ｍｍ〜３５．５ｍｍ（前述の径方向の一辺が３５ｍｍであるため）の領域を測定している。ちなみに、ＥＳＦＱＲの測定機には、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔシリーズを使用した。
【００４８】
図４のグラフのデータは、図２Ａ、Ｂや図３Ａ、Ｂで使用した同一の半導体ウェーハを使用して測定したものである。この図４ではＥＥ１ｍｍやＥＥ２ｍｍと比較してＥＥ０．５ｍｍのＥＳＦＱＲの値が乱れ、悪化している様子が分かる。この悪化の原因は、鏡面面取り加工でのオーバーポリッシュによるものである。図２Ａの画像では半導体ウェーハの最先端部から６００μｍ内側までオーバーポリッシュが入り込んでいた。そのためＥＥ０．５ｍｍでは、オーバーポリッシュの影響で、直前の両面研磨加工で形成された形状が崩れたため、ＥＳＦＱＲの悪化につながった。一方で、ＥＥ１ｍｍやＥＥ２ｍｍはオーバーポリッシュの影響を受けておらず、ＥＳＦＱＲの悪化も見られないということである。
【００４９】
図５は本実施例で示す半導体ウェーハの面取り加工部（面取り面）近傍の暗視野画像である。図５の半導体ウェーハは、図２Ａで使用した半導体ウェーハとは異なり、実験的に、鏡面面取り工程にて半導体ウェーハの主表面側にオーバーポリッシュを発生させないように作製したものである。図５の画像からウェーハ主表面側と書かれた領域に、図２Ａのようなオーバーポリッシュの痕跡が確認できないことが分かる。
【００５０】
図６は図５の半導体ウェーハのＥＳＦＱＲグラフである。前述の図２Ａで確認できるオーバーポリッシュの影響により図４ではＥＥ０．５ｍｍでは、ＥＳＦＱＲの悪化が見られたが、図６のように主表面側にオーバーポリッシュが無い半導体ウェーハではＥＥ０．５ｍｍのＥＳＦＱＲを測定しても悪化が見られないことが分かる。
【００５１】
以上の結果から、本発明の暗視野によるエッジ検査を行うことで、オーバーポリッシュの有無やオーバーポリッシュ入り込み量を簡単に評価でき、非破壊の評価および測定が可能であるため製品の収率低下もなく、さらには鏡面面取り工程の工程管理にも利用可能なデータが得られることが分かる。
【００５２】
以上説明したように、オーバーポリッシュの位置と入り込み量を測定するために、上記では説明のために半導体ウェーハの主面及びエッジ部にレーザー光を照射したが、オーバーポリッシュを測定するだけであれば、レーザー光を主面に照射すればよい。
【００５３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
2018182160.tif 000003
【図２Ａ】
2018182160.tif 000004
【図２Ｂ】
2018182160.tif 000005
【図３Ａ】
2018182160.tif 000006
【図３Ｂ】
2018182160.tif 000007
【図４】
2018182160.tif 000008
【図５】
2018182160.tif 000009
【図６】
2018182160.tif 000010
【図７】
2018182160.tif 000011
【図８】
2018182160.tif 000012