(57)【要約】【課題】高周波特性を劣化させること無くかつ低コストで作製可能な高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】高周波用半導体装置１は、半導体チップ１１と、半導体チップが搭載されたベース基板１２と、ベース基板１２上で半導体チップ１１を取り囲むように配置された枠体１３と、枠体１３により固定され、配線１６を介して半導体チップ１１と電気的に接続されたリード端子１４とを備える。ここで、リード端子１４は枠体１３の内側から枠体１３の外方まで延伸しており、少なくともリード端子１４における配線１６側の第１の面には、延伸する凸部および延伸する凹部からなる凹凸１４ａが形成されており、凹凸１４ａは、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸している。【選択図】図３
2018206865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたベース基板と、
前記ベース基板上で前記半導体チップを取り囲むように配置された枠体と、
前記枠体により固定され、配線を介して前記半導体チップと電気的に接続されたリード端子とを備え、
前記リード端子は、前記枠体の内側から前記枠体の外方まで延伸しており、
少なくとも前記リード端子における前記配線側の第１の面には、延伸する凸部および延伸する凹部からなる凹凸が形成されており、
前記凹凸は、前記リード端子の延伸方向と同一方向に延伸している、
高周波用半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたベース基板と、
前記ベース基板上で前記半導体チップを取り囲むように配置された枠体と、
前記枠体により固定され、配線を介して前記半導体チップと電気的に接続されたリード端子とを備え、
前記リード端子は、前記枠体の内側から前記枠体の外方まで延伸しており、
前記リード端子における前記配線側の第１の面において、少なくとも前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域よりも前記リード端子の外方の領域が平坦化されている、
高周波用半導体装置。
【請求項３】
前記第１の面において、前記接続領域および前記接続領域よりも前記半導体チップに近い側の領域も平坦化されている、
請求項２に記載の高周波用半導体装置。
【請求項４】
前記第１の面において、前記接続領域および前記接続領域よりも前記半導体チップに近い側の領域には、延伸する凸部および延伸する凹部からなる凹凸が形成されており、
前記凹凸は、ランダムな形状又は前記リード端子の延伸方向と直交する方向に延伸している、
請求項２に記載の高周波用半導体装置。
【請求項５】
前記リード端子にはアンカーホールが形成されており、
前記アンカーホールは、前記第１の面において、前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域と前記リード端子の延伸先に位置する先端部とをつなぐ直線領域を避けて形成されている、
請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の高周波用半導体装置。
【請求項６】
前記リード端子は、平面視において幅広に形成された幅広部と、前記幅広部よりも外方に位置し、平面視において幅狭に形成された幅狭部とを有し、
前記幅広部は、前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域を含み、
前記幅狭部は、前記リード端子の延伸方向の先に位置する先端部を含み、
前記幅広部における、前記接続領域と前記先端部とをつなぐ直線領域には、アンカーホールが形成されており、
前記リード端子の外周における前記幅広部と前記幅狭部との相異なる２つの境界点の各々と前記アンカーホールとの最短距離をそれぞれａ、ｂとし、前記幅狭部の幅をｗとすると、ａ＋ｂ≧ｗの関係を満たしいている、
請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の高周波用半導体装置。
【請求項７】
さらに、前記第１の面とは反対側の第２面に凹凸が形成されている、
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の高周波用半導体装置。
【請求項８】
前記第２の面に形成された前記凹凸は、延伸する凸部および延伸する凹部からなり、前記リード端子の延伸方向と同一方向に延伸している、
請求項７に記載の高周波用半導体装置。
【請求項９】
前記第２の面に形成された前記凹凸は、延伸する凸部および延伸する凹部からなり、前記リード端子の延伸方向と直交する方向に延伸している、
請求項７に記載の高周波用半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の面に形成された前記凹凸は、ランダムな凹凸形状である、
請求項７に記載の高周波用半導体装置。
【請求項１１】
前記リード端子は、ニッケル、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも１つを含む銅合金によって構成される、
請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の高周波用半導体装置。
【請求項１２】
前記リード端子の表面は、ＮｉＡｕ、ＮｉＰｄＡｕ、Ｓｎ合金および銀のうちの少なくともいずれか１つからなるめっきで被覆されている、
請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の高周波用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、高周波用半導体装置に関し、具体的には高周波用デバイスを搭載した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高周波用半導体装置は、ベース基板上に搭載された半導体チップ等の電子部品を収納するためにパッケージ化されている。これまで、高周波用半導体装置に用いられるパッケージ構造としては、セラミック製の中空パッケージ構造が主流であった。
【０００３】
近年、高周波用半導体装置では、低コスト化が大きな課題になっており、従来のセラミック製ではなく、樹脂モールド製の中空パッケージ構造が検討されている。
【０００４】
具体的に、安価でかつ高周波特性にも優れた中空パッケージ構造を有する高周波用半導体装置として特許文献１に開示された電子部品が提案されている。
【０００５】
図８は、特許文献１に開示された電子部品１００の平面図を示している。
【０００６】
図８に示すように、特許文献１に開示された電子部品１００は、半導体チップ１１１と、半導体チップ１１１が搭載されたリードフレーム１１２と、半導体チップ１１１とボンディングワイヤを介して電気的に接続されたリードフレーム１１４と、樹脂で半導体チップ１１１を囲むように枠状に形成された土手部１１３ａを有するベース１１３とを備える。
【０００７】
リードフレーム１１２および１１４には、土手部１１３ａと接する部位にアンカーホール１１７が形成されており、アンカーホール１１７内にはベース１１３の樹脂が充填されている。そして、リードフレーム１１２および１１４には、平面視形状が三角形の切り欠き部１１２ａおよび１１４ａが形成されている。
【０００８】
この構成により、特許文献１に開示された電子部品１００では、パッケージの機械的強度および高周波特性を維持しつつ低コスト化が実現できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−１６３３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、現実には、特許文献１に開示された電子部品の構造では、低コスト化と高周波特性の伝播損失の抑制とを両立させるには不十分である。
【００１１】
なぜなら、第１に、特許文献１の構造では、半導体チップからボンディングワイヤを介してリードフレームへと流れる高周波信号の伝播経路の途中にアンカーホールがあるため、高周波信号がアンカーホールを避けるように迂回して伝播する結果、高周波信号の電流経路が長くかつ複雑になって高周波特性が劣化する。
【００１２】
また、第２に、一般的にリードフレームの表面にはめっき処理が施されて下地のリードフレームが保護されているが、めっきとリードフレームとの密着性を確保するために、リードフレームの表面を粗化することが多い。このとき、特許文献１に開示された電子部品において低コスト化を目指すとなると必然的にめっき厚を薄くすることになるが、めっき厚を薄化すると、めっきの下地となるリードフレームの粗さがめっき表面の荒れ（凹凸）として顕在化してしまう。このため、めっき表面の凹凸の起伏によって、リードフレームにおける高周波信号の伝播距離が長くなって高周波特性が劣化する。
【００１３】
本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、高周波特性を劣化させること無くかつ低コストで作製可能な高周波用半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本開示に係る第１の高周波用半導体装置の一態様は、半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたベース基板と、前記ベース基板上で前記半導体チップを取り囲むように配置された枠体と、前記枠体により固定され、配線を介して前記半導体チップと電気的に接続されたリード端子とを備え、前記リード端子は、前記枠体の内側から前記枠体の外方まで延伸しており、少なくとも前記リード端子における前記配線側の第１の面には、延伸する凸部および延伸する凹部からなる凹凸が形成されており、
前記凹凸は、前記リード端子の延伸方向と同一方向に延伸している。
【００１５】
また、本開示に係る第２の高周波用半導体装置の一態様は、半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたベース基板と、前記ベース基板上で前記半導体チップを取り囲むように配置された枠体と、前記枠体により固定され、配線を介して前記半導体チップと電気的に接続されたリード端子とを備え、前記リード端子は、前記枠体の内側から前記枠体の外方まで延伸しており、前記リード端子における前記配線側の第１の面において、少なくとも前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域よりも前記リード端子の外方の領域が平坦化されている。
【００１６】
また、本開示に係る第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記第１の面において、前記接続領域および前記接続領域よりも前記半導体チップに近い側の領域も平坦化されているとよい。
【００１７】
また、本開示に係る第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記第１の面において、前記接続領域および前記接続領域よりも前記半導体チップに近い側の領域には、延伸する凸部および延伸する凹部からなる凹凸が形成されており、前記凹凸は、ランダムな形状又は前記リード端子の延伸方向と直交する方向に延伸しているとよい。
【００１８】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記リード端子にはアンカーホールが形成されており、前記アンカーホールは、前記第１の面において、前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域と前記リード端子の延伸先に位置する先端部とをつなぐ直線領域を避けて形成されているとよい。
【００１９】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記リード端子は、平面視において幅広に形成された幅広部と、前記幅広部よりも外方に位置し、平面視において幅狭に形成された幅狭部とを有し、前記幅広部は、前記リード端子および前記配線を接続するための接続領域を含み、前記幅狭部は、前記リード端子の延伸方向の先に位置する先端部を含み、前記幅広部における、前記接続領域と前記先端部とをつなぐ直線領域には、アンカーホールが形成されており、前記リード端子の外周における前記幅広部と前記幅狭部との相異なる２つの境界点の各々と前記アンカーホールとの最短距離をそれぞれａ、ｂとし、前記幅狭部の幅をｗとすると、ａ＋ｂ≧ｗの関係を満たしいているとよい。
【００２０】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、さらに、前記第１の面とは反対側の第２面に凹凸が形成されているとよい。
【００２１】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記第２の面に形成された前記凹凸は、延伸する凸部および延伸する凹部からなり、前記リード端子の延伸方向と同一方向に延伸しているとよい。
【００２２】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記第２の面に形成された前記凹凸は、延伸する凸部および延伸する凹部からなり、前記リード端子の延伸方向と直交する方向に延伸しているとよい。
【００２３】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記第２の面に形成された前記凹凸は、ランダムな凹凸形状であるとよい。
【００２４】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記リード端子は、ニッケル、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも１つを含む銅合金によって構成されているとよい。
【００２５】
また、本開示に係る第１又は第２の高周波用半導体装置の一態様において、前記リード端子の表面は、ＮｉＡｕ、ＮｉＰｄＡｕ、Ｓｎ合金および銀のうちの少なくともいずれか１つからなるめっきで被覆されているとよい。
【発明の効果】
【００２６】
本開示によれば、高周波特性を劣化させること無くかつ低コストで作製可能な高周波用半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態に係る高周波用半導体装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る高周波用半導体装置において、蓋を外したときの状態を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る高周波用半導体装置のリード端子の構成を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る高周波用半導体装置のリード端子の構成を示す図である。
【図５】第３実施形態に係る高周波用半導体装置のリード端子の構成を示す図である。
【図６】第３実施形態の変形例１に係る高周波用半導体装置のリード端子の構成を示す図である。
【図７】第３実施形態の変形例２に係る高周波用半導体装置のリード端子の構成を示す図である。
【図８】特許文献１に開示された電子部品の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２９】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない場合がある。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００３０】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る高周波用半導体装置１の全体構成について、図１および図２を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る高周波用半導体装置１の構成を示しており、（ａ）は頂面側から見たときの平面図、（ｂ）は断面図である。図１において、（ｂ）は、（ａ）のＩＢ−ＩＢ線における断面図である。また、図２は、同高周波用半導体装置１において、蓋１５を外したときの状態を示す平面図である。
【００３１】
図１および図２に示すように、本実施形態に係る高周波用半導体装置１は、半導体チップ１１と、半導体チップ１１が搭載されたベース基板１２と、ベース基板１２上で半導体チップ１１を取り囲むように配置された枠体１３と、配線１６を介して半導体チップ１１と電気的に接続されたリード端子１４と、半導体チップ１１を覆う蓋１５とを備える。
【００３２】
半導体チップ１１は、例えば高周波用デバイスである。具体的には、半導体チップ１１としては、ＧａＮ系半導体材料によって構成された窒化物半導体デバイスが用いられる。半導体チップ１１の裏面には、接地電極として金属膜（図示せず）が形成されている。この接地電極は、金属性のダイボンド剤を介してベース基板１２と接続される。
【００３３】
ベース基板１２は、半導体チップ１１を支持する支持基材であり、例えば金属材料によって構成されている。ベース基板１２は、例えば接地電位となっている。また、本実施形態において、ベース基板１２は、平面視において一部がリード端子１４の下部と重なるように配置されている。
【００３４】
枠体１３は、平面視において、半導体チップ１１を囲むように、例えば矩形の枠状に形成されている。枠体１３の内周縁と半導体チップ１１とは接触しておらず、平面視において、枠体１３の内周縁と半導体チップ１１の外周縁との間には隙間が存在している。本実施形態において、枠体１３の外形は、ベース基板１２の外形と同じであるとともに、蓋１５の外形とも同じである。
【００３５】
枠体１３の材料としては、例えば、液晶ポリマー又はエポキシを代表例とする樹脂が用いられる。特に液晶ポリマーは耐熱温度が高いため、枠体１３の材料として液晶ポリマーを用いることで、枠体１３を形成した後の半導体チップ搭載工程において高温処理を必要とするダイボンド剤を用いることができる。これにより、より信頼性の高い高周波用半導体装置を実現できるという利点がある。例えば、枠体１３の材料として３５０℃以上に耐えうるものを用いる場合には、ダイボンド剤の材料としてＡｕＳｎを用いることができる。なお、耐熱温度が高い枠体１３の材料は、液晶ポリマーに限らず、その他の樹脂材料を用いてもよい。
【００３６】
枠体１３は、厚み方向におけるベース基板１２と蓋１５の外周部との間にリード端子１４を挟むようにして、ベース基板１２と蓋１５との間に形成されている。本実施形態において、枠体１３は、ベース基板１２と蓋１５とを封着している。具体的には、枠体１３は、ベース基板１２とリード端子１４と蓋１５とを密封するように形成されている。これにより、ベース基板１２と枠体１３とリード端子１４と蓋１５とによって、低コストの中空パッケージ構造を構成することができる。
【００３７】
また、枠体１３は、リード端子１４と配線１６との接続領域の外側の箇所でリード端子１４を上下で挟んでおり、それ以外の箇所では上下部分が密着されて一体化されている。したがって、リード端子１４は、一部が枠体１３の内部に挿入される状態で枠体１３に固定されている。つまり、リード端子１４は、枠体１３により固定されている。具体的には、リード端子１４は、樹脂からなる枠体１３をバインダとしてベース基板１２に固定されている。
【００３８】
また、リード端子１４には、アンカーホール１７が設けられている。したがって、リード端子１４を境界とする枠体１３の上部分と下部分とは、リード端子１４のアンカーホール１７を介して接続されて密着している。つまり、アンカーホール１７内には枠体１３が充填されている。アンカーホール１７を設けることで、アンカー効果によって、リード端子１４と枠体１３との固着力を向上させることができる。
【００３９】
リード端子１４は、半導体チップ１１を挟むように一対配置されている。一対のリード端子１４と半導体チップ１１とは直線状に配置されている。各リード端子１４は、リードフレームであり、枠体１３の外方に向かって延伸している。つまり、各リード端子１４は、半導体チップ１１から離れる方向に延在するように形成されており、各リード端子１４の一部は、高周波用半導体装置１の外部に露出している。
【００４０】
具体的には、各リード端子１４は、枠体１３の内側から枠体１３の外方まで延伸している。つまり、リード端子１４の一方の端部は、枠体１３の枠内（半導体チップ１１を囲む領域）に位置し、リード端子１４の他方の端部は、枠体１３の枠外に位置している。
【００４１】
リード端子１４の材料としては、例えば金属等の導電性材料が用いられる。この場合、リード端子１４は、ニッケル、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも１つを含む銅合金によって構成されているとよい。
【００４２】
蓋１５は、半導体チップ１１と隙間をあけて半導体チップ１１を覆っている。本実施形態において、蓋１５は、半導体チップ１１側の内面を窪ませた凹部を有する。これにより、蓋１５の内面（凹部の底面）と半導体チップ１１との間に容易に隙間を形成することができる。なお、枠体１３の厚みを厚くするなどすれば、蓋１５に凹部を形成しなくても、半導体チップ１１と蓋１５の内面との間に隙間を形成することができる。蓋１５の材料は、例えば金属又は樹脂であるが、特に限定されるものではない。
【００４３】
配線１６は、半導体チップ１１とリード端子１４とを電気的および機械的に接続している。配線１６は、例えば金属のボンディングワイヤであるが、これに限定されるものではない。配線１６がボンディングワイヤである場合、配線１６の一方の端部が半導体チップ１１に接続され、配線１６の他方の端部がリード端子１４に接続される。配線１６の延伸方向とリード端子１４の延伸方向とは一致しているとよい。
【００４４】
なお、配線１６は、電流容量を確保するために１つのリード端子１４に対して複数本で接続されることが多い。この場合、複数本の配線１６の各々は互いに同じ長さになるように架張される。これにより、半導体チップ１１からの伝達信号のインダクタンスの差異を小さくすることができる。本実施形態では、各リード端子１４と半導体チップ１１とは、２本の配線１６によって接続されている。
【００４５】
次に、リード端子１４の具体的な構成について、本開示の技術に至った経緯を含めて説明する。
【００４６】
リード端子１４は、例えば銅合金などからなる金属板を加工することで所定の形状に作製される。例えば圧延ロール加工によって金属板を所定の厚さにし、その後、金型による打ち抜き加工を施すことで所定の形状に成形されたリード端子１４を作製することができる。このとき、リード端子１４の作製上、リード端子１４の表面には、圧延疵として凹凸が形成される。つまり、リード端子１４を作製する過程で、リード端子１４の表面には圧延疵に起因する凹凸形状が形成される。このリード端子１４の凹凸形状による表面粗さは、枠体１３とリード端子１４との接触面積を増加させるため、枠体１３とリード端子１４との密着性を向上させるには有利に作用する。
【００４７】
一方、リード端子１４には通常金属めっきが施され、リード端子１４の表面にはめっき（めっき膜）が被覆されている。めっきの種類としては、ＮｉＡｕ、ＮｉＰｄＡｕ、Ｓｎ合金又は銀などが考えられる。この場合、リード端子１４を作製する過程でリード端子１４の表面に形成された凹凸形状はめっきにより平坦化されうるが、低コスト化を目的としてめっき厚を薄化すると、めっきの下地となるリード端子１４の表面の凹凸形状がめっき表面上にそのまま顕在化することになる。つまり、薄いめっき膜がリード端子１４の表面の凹凸形状に従って形成された状態となり、リード端子１４の表面の凹凸形状による粗さがめっき表面の荒れとして顕在化する。
【００４８】
さらに、リード端子１４にアンカーホール１７を形成する際においても、金型による打ち抜き加工が施されるが、リード端子１４における配線１６側の第１の面側からその反対側の第２の面側に打ち抜くことでアンカーホール１７を形成するとよい。つまり、アンカーホール１７の打ち抜き方向は、リード端子１４における配線１６側の第１の面（上面）側からその反対側の第２の面側に向かう方向であるとよい。
【００４９】
これは、アンカーホール１７の打ち抜き加工時に発生するリード端子１４のバリおよびアンカーホール１７のバリがリード端子１４の第２の面（配線１６側の面とは反対側の面）に形成されるため、上記の打ち抜き方向でアンカーホール１７を形成すると、リード端子１４の第１の面における配線１６とリード端子１４との電磁干渉を防ぐことができるためである。
【００５０】
ここで、高周波用半導体装置１において発生する高周波信号は、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する。上記のように、半導体チップ１１の裏面の接地電極はベース基板１２と接続されて接地電位となっている。また、ベース基板１２の一部はリード端子１４と重なっている。これにより、リード端子１４に伝播する高周波信号と接地電位とのペアにより効率よく高周波信号を伝送できる。
【００５１】
このように、高周波用半導体装置１において発生する高周波信号は、半導体チップ１１を起点とし、配線１６を介して、リード端子１４における配線１６との接続部分を伝ってリード端子１４の延伸方向へと伝播するが、高周波信号は、その表皮効果により高周波になればなるほど高周波信号による電流がリード端子１４のより表面側（表層側）を流れる特性を有する。
【００５２】
例えば、リード端子１４を構成する金属が銅合金である場合、リード端子１４を伝播する高周波信号の周波数が１ＧＨｚのときはリード端子１４の表面から深さ約２μｍまでの領域に高周波信号による電流が集中し、高周波信号の周波数が１０ＧＨｚのときはリード端子１４の表面から深さ約０．７μｍまでの領域に高周波信号による電流が集中する。さらに、高周波信号の周波数が１００ＧＨｚの超高周波になると、リード端子１４の表面から深さ約０．２μｍまでの領域に高周波信号による電流が集中する。
【００５３】
したがって、上記のように、リード端子１４の表面に凹凸形状が形成されていると、リード端子１４を伝播する高周波信号はリード端子１４の表面に凹凸形状の起伏に沿って伝播する。この結果、リード端子１４を伝播する高周波信号の伝播距離が長くなり、高周波特性が劣化する。特に、リード端子１４の表面をめっきで被覆した場合でも、低コスト化のためにめっき厚を薄化してしまうと、めっきの下地となるリード端子１４の粗さがめっき表面の凹凸（荒れ）として残ってしまうことになり、めっき表面の凹凸の起伏によってリード端子１４を伝播する高周波信号の伝播距離が長くなる。
【００５４】
また、半導体チップ１１をＧａＮ系半導体材料によって構成する場合、現在数十ＧＨｚの半導体チップ１１が適用されているが、更なる高周波帯への開発がすすめられていることを鑑みると、リード端子１４の表面近傍の粗さ状態がより高周波信号の伝送に大きく影響する。このため、リード端子１４の表面上の粗さはより高周波になるほど伝播距離の増加を招き、高周波特性の劣化が大きくなる。
【００５５】
本発明者らは、このような知見に基づいて鋭意検討した結果、リード端子１４の凹凸（凹凸形状）の方向をリード端子１４の延伸方向との関係で規定することによって、低コスト化した場合であっても、高周波特性を劣化させることを抑制できることを見出した。
【００５６】
以下、リード端子１４の具体的な特徴について、図３を用いて詳細に説明する。図３は、第１実施形態に係る高周波用半導体装置１のリード端子１４の構成を示している。図３において、（ａ）は頂面側から見たときの平面図であり、（ｂ）はリード端子１４の延伸方向と直交する方向から見たときの側面図であり、（ｃ）はリード端子１４の延伸方向から見たときの側面図である。
【００５７】
図３に示すように、少なくともリード端子１４における配線１６側の第１の面（上面）には、延伸する長尺状の凸部（山部）および延伸する長尺状の凹部（谷部）からなる凹凸形状として凹凸１４ａ（第１の凹凸）が形成されている。具体的には、凹凸１４ａは、直線状に形成された凸部（凸条）と直線状に形成された凹部（溝）とが交互に繰り返すように構成された凹凸形状である。凹凸１４ａの凸部および凹部の各々は断面形状が略三角形状であって、凹凸１４ａ全体の断面形状はジグザグ状である。
【００５８】
なお、凹凸１４ａは、上記のように、凸条および溝の両方がリード端子１４の表面に形成されたものと考えることができるが、複数の凸条のみ又は複数の溝のみがリード端子１４の表面に形成されたものと考えることもできる。本実施形態において、この凹凸１４ａは、リード端子１４を加工する過程でリード端子１４の表面に圧延疵として形成された凹凸形状（表面粗さ）である。
【００５９】
そして、本発明者らは、リード端子１４の凹凸１４ａの方向をリード端子１４の延伸方向との関係で規定するにあたり、凹凸１４ａの延伸方向とリード端子１４の延伸方向とが同一方向となるようにリード端子１４を構成した。
【００６０】
具体的には、凹凸１４ａによる表面粗さの延伸方向とリード端子１４の延伸方向とを一致させている。この結果、凹凸１４ａは、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸していることになる。
【００６１】
ここで、図３の（ａ）において、Ｒａｘは、リード端子１４の表面のうち延伸方向の算術平均粗さを示しており、Ｒａｙは、リード端子１４の表面のうち延伸方向に垂直な方向の算術平均粗さを示している。
【００６２】
本実施形態において、リード端子１４の凹凸１４ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は約０．０５μｍ程度であり、リード端子１４の延伸方向に沿って一定である。つまり、Ｒａｘは一定である。また、本実施形態において、凹凸１４ａは複数の溝からなり、少なくともＲａｙ＞Ｒａｘの関係が成り立つ。
【００６３】
また、図３の（ａ）に示すように、リード端子１４は、平面視において幅広に形成された幅広部１４Ｗと、幅広部１４Ｗよりも外方に位置し、平面視において幅狭に形成された幅狭部１４Ｎとを有する。本実施形態において、幅広部１４Ｗおよび幅狭部１４Ｎは、平面視において矩形状であり、幅広部１４Ｗの幅（リード端子１４の延伸方向に垂直な方向の幅）は、幅狭部１４Ｎの幅（リード端子１４の延伸方向に垂直な方向の幅）よりも広くなっている。また、幅狭部１４Ｎの長さ（リード端子１４の延伸方向における長さ）は、幅広部１４Ｗの長さ（リード端子１４の延伸方向における長さ）よりも長くなっている。
【００６４】
幅広部１４Ｗは、リード端子１４および配線１６を接続するための接続領域ＣＡを含む。つまり、リード端子１４における配線１６との接続箇所は、幅広部１４Ｗ内に位置する。本実施形態において、１つのリード端子１４に２本の配線１６が接続されているので、接続領域ＣＡには、リード端子１４における配線１６との接続箇所が２つ存在する。
【００６５】
また、幅狭部１４Ｎは、リード端子１４の延伸方向の先に位置する先端部を含む。幅狭部１４Ｎの先端部は、リード端子１４の延伸方向の終端部である。
【００６６】
リード端子１４には、上述のように、打ち抜き加工などによってアンカーホール１７が形成されている。本実施形態において、アンカーホール１７は、幅広部１４Ｗに形成されている。具体的には、アンカーホール１７は、幅広部１４Ｗにおける接続領域ＣＡよりもリード端子１４の先端部側で、かつ、幅広部１４Ｗにおける幅方向の張り出し部に形成されている。
【００６７】
次に、リード端子１４における高周波信号の伝播について説明する。高周波信号は、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播し、リード端子１４の延伸方向（長手方向）に沿ってリード端子１４を伝播する。つまり、リード端子１４の延伸方向は、高周波信号によってリード端子１４に生じる電流が流れる方向（電流経路）となる。
【００６８】
このため、凹凸１４ａの延伸方向がリード端子１４の延伸方向に対して垂直になっている場合、リード端子１４の表面近傍を流れる高周波信号による電流は、リード端子１４の延伸方向に凹凸１４ａの凹凸形状に沿って流れることになる。つまり、リード端子１４の表面近傍を流れる高周波信号による電流は、凹凸１４ａの起伏の変化に従って凸部と谷部とを交互に昇り降りするように流れる。この結果、高周波信号の電流経路長（伝播距離）が増加して抵抗が増大する。
【００６９】
これに対して、本実施形態では、凹凸１４ａは、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸している。つまり、リード端子１４の延伸方向と凹凸１４ａの延伸方向とを一致させている。これにより、リード端子１４の延伸方向に沿って高周波信号が伝播したときに、リード端子１４の表面近傍を流れる高周波信号による電流は、凹凸１４ａの凹凸形状の起伏の変化を受けることなくリード端子１４を流れるので、高周波信号の電流経路長（伝播距離）の増加が抑制される。これにより、高周波信号の伝送でのロスを極小化することができる。
【００７０】
また、リード端子１４の表面に凹凸１４ａが形成されていることで、リード端子１４と枠体１３との密着性を確保することもできる。これにより、リード端子１４と枠体１３とを強固に固定することができる。
【００７１】
なお、図３（ａ）では、リード端子１４の凹凸１４ａの複数の凹部（複数の凸部）は、リード端子１４における配線１６との接続領域から半導体チップ１１側とは反対側の方向（外部方向）へ向かって互いに平行して延伸しているが、これに限定されるものではない。図示はしないが、例えば、リード端子１４の凹凸１４ａの複数の凹部（複数の凸部）は、リード端子１４における配線１６との接続領域から半導体チップ１１側とは反対側の方向（外部方向）へ向かって広がるように放射状に形成されていてもよい。
【００７２】
この場合、枠体１３とリード端子１４との密着性の確保のためにはリード端子１４の表面が粗化されていることが望ましいが、凹凸１４ａの複数の凹部（複数の凸部）が、リード端子１４における配線１６との接続領域を中心部としてこの中心部から半導体チップ１１側とは反対側の方向（外部方向）へ向かって広がるように放射状に形成されていれば、凹凸１４ａの延伸方向がリード端子１４の中心部以外ではリード端子１４の延伸方向に対して同一でなくなるため、リード端子１４の一定方向のはがしに対する強度を強固にできる。
【００７３】
このように、リード端子１４には、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸している凹凸１４ａを含んでさえいれば、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸していない凹凸１４ａが含まれていてもよい。
【００７４】
一方、リード端子１４における配線１６との接続領域から半導体チップ１１に向かう方向の部分においては、凹凸１４ａはランダムな凹凸形状になっていてもよい。むしろ、この部分では、凹凸１４ａはランダムな凹凸形状になっている方がよい。この部分で凹凸１４ａをランダムな凹凸形状にすることで、リード端子１４の表面の粗化の程度を大きくできるため、より枠体１３との密着性が高い領域の面積が増大する。
【００７５】
さらには、リード端子１４における配線１６との接続領域から半導体チップ１１に向かう方向の部分においては、凹凸１４ａは、リード端子１４の延伸方向に対して垂直な方向に延伸していてもよい。
【００７６】
また、本実施形態における高周波用半導体装置１では、図３に示すように、リード端子１４の第１の面とは反対側の第２の面（下面）にも凹凸１４ｂ（第２の凹凸）が形成されている。第２の面に形成された凹凸１４ｂは、第１の面に形成された凹凸１４ａと同様に、延伸する長尺状の凸部および延伸する長尺状の凹部からなる凹凸形状である。このように、リード端子１４の第２の面にも凹凸１４ｂを形成することで、リード端子１４と枠体１３との密着性がより向上する。
【００７７】
また、リード端子１４の第２の面に形成された凹凸１４ｂは、第１の面に形成された凹凸１４ａと同様に、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸しているとよい。
【００７８】
なお、リード端子１４の第２の面に形成された凹凸１４ｂは、ランダムな形状であってもよい。この場合、凹凸１４ｂは、リード端子１４の第２の面の全領域に亘ってランダムな凹凸形状であってもよい。
【００７９】
以上、本実施形態に係る高周波用半導体装置１では、配線１６を介して半導体チップ１１と電気的に接続されたリード端子１４が、ベース基板１２上の枠体１３により固定されている。この構成により、低コストのパッケージを構成することが可能となる。しかも、リード端子１４における配線側の第１の面に形成された凹凸１４ａが、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸している。この構成により、リード端子１４に凹凸１４ａが形成されていたとしても、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する高周波信号の伝播距離が凹凸１４ａの凹凸形状の起伏によって長くなることを抑制できるので、高周波特性の劣化を抑制できる。例えば、リード端子１４における高周波信号の伝播距離を最短にすることができる。
【００８０】
したがって、本実施形態に係る高周波用半導体装置１によれば、高周波特性を劣化させること無くかつ低コストで作製することができる。
【００８１】
また、本実施形態に係る高周波用半導体装置１において、ベース基板１２の凹凸（表面粗さ）をリード端子１４の凹凸１４ａおよび１４ｂ（表面粗さ）と同一とし、しかも、ベース基板１２の凹凸の延伸方向とリード端子１４の凹凸１４ａおよび１４ｂの延伸方向とを揃えるとよい。これにより、信号線と接地線とのペアを強固にすることができ、一層高周波に適した高周波用半導体装置１を実現できる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る高周波用半導体装置２の構成について、図４を用いて説明する。図４は、第２実施形態に係る高周波用半導体装置２のリード端子１４の構成を示している。図４において、（ａ）は頂面側から見たときの平面図であり、（ｂ）はリード端子１４の延伸方向と直交する方向から見たときの側面図であり、（ｃ）はリード端子１４の延伸方向から見たときの側面図である。
【００８３】
本実施形態に係る高周波用半導体装置２は、リード端子１４における配線１６側の第１の面に平坦化領域が形成されている点で、上記第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と異なる。それ以外の構成は、上記第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と同じである。したがって、図４に図示されていない構成であっても、第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と同じ構成については、同じ符号を用いて説明する。
【００８４】
図４の（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態における高周波用半導体装置２では、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、少なくとも、リード端子１４と配線１６とを接続するための接続領域ＣＡよりもリード端子１４の外方（半導体チップ１１側とは反対側の方向）の領域が平坦化されている。
【００８５】
具体的には、図４の（ａ）に示すように、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、幅広部１４Ｗにおける接続領域ＣＡよりも外方（幅狭部１４Ｎ側）の領域が平坦化されているとともに、幅狭部１４Ｎの全領域が平坦化されている。
【００８６】
リード端子１４の平坦化領域は、例えば、部分プレス又は部分研磨処理などによる表面平坦化処理を行って、リード端子１４の圧延疵による表面上の凹凸１４ａを部分的に消失させることで形成することができる。これにより、図４の（ｂ）に示すように、リード端子１４の延伸方向に沿って、リード端子１４における配線１６側の第１の面に平坦化領域を形成することができる。したがって、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する高周波信号の伝播距離が凹凸１４ａの凹凸形状の起伏によって長くなることを抑制できるので、高周波特性の劣化を抑制できる。
【００８７】
一方、図４の（ａ）に示すように、リード端子１４における配線１６側の第１の面（上面）における接続領域ＣＡおよび接続領域ＣＡから半導体チップ１１側の領域には、圧延疵としてリード端子１４の延伸方向に直交する方向に延伸する凹凸１４ａが形成されている。さらに、リード端子１４における第１の面とは反対側の第２の面（下面）には、第２の面の全体に亘って、圧延疵としてリード端子１４の延伸方向に直交する方向に延伸する凹凸１４ｂが形成されている。つまり、リード端子１４の第１の面および第２の面には圧延疵である凹凸１４ａおよび１４ｂを平坦化せずに残している。これにより、リード端子１４の引っ張り強度に対する枠体１３とリード端子１４との強固な密着性を確保できる。
【００８８】
つまり、本実施の形態では、高周波信号の伝播の影響を大きく受けるリード端子１４の第１の面については圧延疵（凹凸１４ａ）を残しつつ一部平坦化し、高周波信号の伝播の影響が小さいリード端子１４の第２の面について凹凸１４ｂを平坦化せずに全て残している。これにより、リード端子１４と枠体１３との密着性を大きく確保しつつ、高周波特性の劣化を効果的に抑制できる低コストの高周波用半導体装置を実現できる。
【００８９】
なお、本実施形態では、リード端子１４における第１の面の接続領域ＣＡから半導体チップ１１側の領域と第２の面の全面とに、リード端子１４の延伸方向に直交する方向に延伸する凹凸１４ａおよび１４ｂを残したが、これに限らない。例えば、リード端子１４における第１の面の接続領域ＣＡから半導体チップ１１側の領域と第２の面の全面とに、圧延疵の方向を特に定めないランダムな凹凸形状の凹凸を残した場合であっても、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸する凹凸を残した場合であっても、リード端子１４の引っ張り強度に対する枠体１３とリード端子１４との密着性を確保することができる。
【００９０】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る高周波用半導体装置３の構成について、図５を用いて説明する。図５は、第３実施形態に係る高周波用半導体装置３のリード端子１４の構成を示している。図５において、（ａ）は頂面側から見たときの平面図であり、（ｂ）はリード端子１４の延伸方向と直交する方向から見たときの側面図であり、（ｃ）はリード端子１４の延伸方向から見たときの側面図である。
【００９１】
本実施形態に係る高周波用半導体装置３も、上記第２実施形態と同様に、リード端子１４における配線１６側の第１の面に平坦化領域が形成されている点で、上記第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と異なる。それ以外の構成は、上記第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と同じである。したがって、図５に図示されていない構成であっても、第１実施形態に係る高周波用半導体装置１と同じ構成については、同じ符号を用いて説明する。
【００９２】
図５の（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態における高周波用半導体装置３では、上記第２実施形態と同様に、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、リード端子１４と配線１６とを接続するための接続領域ＣＡよりもリード端子１４の外方（半導体チップ１１側とは反対側の方向）の領域が平坦化されている。
【００９３】
さらに、本実施形態における高周波用半導体装置３では、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、接続領域ＣＡおよび接続領域ＣＡよりも半導体チップ１１に近い側の領域も平坦化されている。
【００９４】
具体的には、図５の（ａ）に示すように、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、幅広部１４Ｗの全領域が平坦化されているとともに、幅狭部１４Ｎの全領域が平坦化されている。つまり、リード端子１４における配線１６側の第１の面の全面に亘って平坦化されている。
【００９５】
リード端子１４の平坦化領域は、例えば、部分プレス又は部分研磨処理などによる表面平坦化処理を行って、リード端子１４の圧延疵による表面上の凹凸１４ａを消失させることで形成することができる。これにより、図５の（ｂ）に示すように、リード端子１４の延伸方向に沿って、リード端子１４における配線１６側の第１の面の表面全体を平坦化することができる。したがって、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する高周波信号の伝播距離が凹凸１４ａの凹凸形状の起伏によって長くなることを一層抑制できるので、高周波特性の劣化をさらに抑制できる。
【００９６】
一方、図４の（ａ）に示すように、リード端子１４における第１の面とは反対側の第２の面（下面）には、第２の面の全体に亘って、圧延疵としてランダムな凹凸形状の凹凸１４ｂが形成されている。これにより、リード端子１４の引っ張り強度に対する枠体１３とリード端子１４との強固な密着性を確保できる。
【００９７】
つまり、本実施の形態では、高周波信号の伝播の影響を大きく受けるリード端子１４の第１の面については圧延疵（凹凸１４ａ）を全て無くし、高周波信号の伝播の影響の小さいリード端子１４の第２の面については凹凸１４ｂを平坦化せずに残している。これにより、リード端子１４と枠体１３との密着性を維持しつつ、高周波特性の劣化をさらに効果的に抑制できる低コストの高周波用半導体装置を実現できる。
【００９８】
なお、本実施形態では、リード端子１４における第２の面の全面に、ランダムな形状の凹凸１４ｂを形成したが、これに限らない。例えば、リード端子１４における第２の面の全面に、リード端子１４の延伸方向と同一方向に延伸する凹凸１４ｂを形成した場合であっても、リード端子１４の延伸方向に直交する方向に延伸する凹凸１４ｂを形成した場合であっても、リード端子１４の引っ張り強度に対する枠体１３とリード端子１４との密着性を確保することができる。
【００９９】
（第３実施形態の変形例１）
次に、第３実施形態の変形例１に係る高周波用半導体装置４の構成について、図６を用いて説明する。図６は、第３実施形態の変形例１に係る高周波用半導体装置４のリード端子１４を頂面側から見たときの平面図である。
【０１００】
本変形例に係る高周波用半導体装置４は、上記第３実施形態に係る高周波用半導体装置３に対して、アンカーホール１７の位置が異なる。それ以外の構成は、上記第３実施形態に係る高周波用半導体装置３と同じである。したがって、図６に図示されていない構成についても、第３実施形態に係る高周波用半導体装置３と同じ構成については、同じ符号を用いて説明する。
【０１０１】
図６に示すように、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する高周波信号１８は、上記第１〜第３実施形態と同様に、リード端子１４の延伸方向に沿って伝播する。
【０１０２】
ここで、第１〜第３実施形態でも説明したように、リード端子１４には、リード端子１４と枠体１３との密着性向上およびリード端子１４の引っ張り強度向上のために、アンカーホール１７が形成されている。具体的には、アンカーホール１７は、リード端子１４の幅広部１４Ｗに形成される。
【０１０３】
リード端子１４を伝播する高周波信号１８にとって、アンカーホール１７は伝播経路の障害物となる。したがって、リード端子１４を伝播する高周波信号１８による電流は、アンカーホール１７を避けて流れることになる。
【０１０４】
そこで、本変形例では、図６に示すように、アンカーホール１７は、リード端子１４における配線１６側の第１の面において、リード端子１４および配線１６を接続するための接続領域ＣＡとリード端子１４の延伸先に位置する先端部とをつなぐ直線領域を避けて形成されている。
【０１０５】
これにより、アンカーホール１７が高周波信号１８による電流の最短経路を阻害することがなくなるので、高周波信号１８による電流は、アンカーホール１７を避けることなくリード端子１４の延伸方向に沿って流れることができる。したがって、高周波信号１８による電流は最短経路で配線１６からリード端子１４の先端部に流れることになる。
【０１０６】
このように、本変形例では、高周波信号１８がリード端子１４を伝播する際に、高周波信号１８による電流がアンカーホール１７を避けて流れることがないため、高周波特性の劣化をさらに防止することができる。
【０１０７】
なお、本変形例は、第３実施形態だけではなく、第１実施形態および第２実施形態にも適用することができる。
【０１０８】
また、本変形例において、リード端子１４の第１の面の凹凸１４ａおよび／または第２の面の凹凸１４ｂの有無は必須ではなく、また、凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂが有る場合でも、凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂは、その延伸方向は限定されず、また、ランダムな凹凸形状であってもよい。
【０１０９】
但し、本変形例の構成に加えて、第１〜第３実施形態で示したように、リード端子１４の第１の面および／又は第２の面に凹凸形状（凹凸１４ａ、１４ｂ）があれば、リード端子１４と枠体１３との密着性をより向上させることができる。
【０１１０】
（第３実施形態の変形例２）
次に、第３実施形態の変形例２に係る高周波用半導体装置５の構成について、図７を用いて説明する。図７は、第３実施形態の変形例２に係る高周波用半導体装置５のリード端子１４を頂面側から見たときの平面図である。
【０１１１】
本変形例に係る高周波用半導体装置５は、上記第３実施形態に係る高周波用半導体装置３に対して、アンカーホール１７の位置が異なる。それ以外の構成は、上記第３実施形態に係る高周波用半導体装置３と同じである。したがって、図７に図示されていない構成についても、第３実施形態に係る高周波用半導体装置３と同じ構成については、同じ符号を用いて説明する。
【０１１２】
図７に示すように、半導体チップ１１から配線１６を介してリード端子１４に伝播する高周波信号１８は、上記第１〜第３実施形態と同様に、リード端子１４の延伸方向に沿って伝播する。
【０１１３】
ここで、第１〜第３実施形態でも説明したように、リード端子１４には、リード端子１４と枠体１３との密着性向上およびリード端子１４の引っ張り強度向上のために、アンカーホール１７が形成されている。アンカーホール１７は、幅広部１４Ｗにおける、リード端子１４および配線１６を接続するための接続領域ＣＡとリード端子１４の先端部とをつなぐ直線領域に形成されている。
【０１１４】
本変形例では、図７に示すように、アンカーホール１７を高周波信号１８の伝播経路の中に配置している。つまり、リード端子１４を伝播する高周波信号１８による電流は、アンカーホール１７を避けて迂回して流れる。
【０１１５】
そこで、本変形例における高周波用半導体装置５では、高周波信号１８のアンカーホール１７による影響を極力無くすために、高周波信号１８の伝播経路中におけるアンカーホール１７の位置を規定している。
【０１１６】
具体的には、リード端子１４の外周における幅広部１４Ｗと幅狭部１４Ｎとの相異なる２つの境界点の各々とアンカーホール１７との最短距離をそれぞれａ、ｂとし、幅狭部１４Ｎの幅をｗとすると、ａ＋ｂ≧ｗの関係を満たすように、アンカーホール１７を配置している。つまり、本変形例では、配線１６からリード端子１４の先端部にかけての高周波信号１８の伝播経路幅を勘案し、リード端子１４における半導体チップ１１に近い側での高周波信号１８の最短となる伝播経路幅となるａとｂとの幅合計が、リード端子１４の先端側における伝播経路幅となるｗよりも大きくなるように、アンカーホール１７を配置している。
【０１１７】
これにより、本変形例では、リード端子１４および配線１６を接続するための接続領域ＣＡとリード端子１４の先端部とをつなぐ直線領域にアンカーホール１７が形成されてはいるものの、高周波信号１８がリード端子１４を伝播する伝播経路幅が十分に確保されているため、高周波特性の劣化を抑制することができる。
【０１１８】
また、図示はしないが、ａ＋ｂ≧ｗの関係を満たす条件下で、アンカーホール１７の形状を、リード端子１４の延伸方向に引き伸ばした楕円形状としてもよい。これにより、アンカーホール１７によるアンカーの面積を広げることができるので、高周波特性の劣化を抑制しつつ、アンカー効果を増加させることができる。
【０１１９】
なお、本変形例は、第３実施形態だけではなく、第１実施形態および第２実施形態にも適用することができる。
【０１２０】
また、本変形例においても、リード端子１４の第１の面の凹凸１４ａおよび／又は第２の面の凹凸１４ｂの有無は必須ではなく、また、凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂが有る場合でも、凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂは、その延伸方向は限定されず、また、ランダムな凹凸形状であってもよい。
【０１２１】
但し、本変形例の構成に加えて、第１〜第３実施形態で示したように、リード端子１４の第１の面および／又は第２の面に凹凸形状（凹凸１４ａ、１４ｂ）があれば、リード端子１４と枠体１３との密着性をより向上させることができる。
【０１２２】
（その他の変形例）
以上、本開示に係る高周波用半導体装置について、実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。
【０１２３】
例えば、第３実施形態の変形例１、２におけるアンカーホール１７の配置は、それ単独でも高周波信号１８の劣化を抑制するという効果をもたらすが、第１〜第３実施形態のリード端子１４の表面の凹凸形状のいずれかと組み合わせることにより、リード端子１４の引っ張り強度に対する枠体１３とリード端子１４との密着性をより強固なものとしつつ、かつ、高周波信号の劣化をより小さくすることができる。
【０１２４】
また、上記実施形態および変形例では、リード端子１４の第１の面（上面）の凹凸１４ａおよび第２の面（下面）の凹凸１４ｂは、リード端子１４を作製する過程の圧延ロール加工における圧延疵としたが、これに限るものではない。凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂは、リード端子１４を作製する過程の他の加工工程で形成されるものであってもよい。あるいは、凹凸１４ａおよび凹凸１４ｂは、他の目的で積極的にリード端子１４に形成するものであってもよい。
【０１２５】
その他、各実施形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本開示は、高周波用半導体装置に有用であり、特に、ＧａＮ系半導体材料からなる高周波デバイスを代表とする高周波用半導体装置において有用である。
【符号の説明】
【０１２７】
１、２、３、４、５  高周波用半導体装置
１１  半導体チップ
１２  ベース基板
１３  枠体
１４  リード端子
１４ａ、１４ｂ  凹凸
１４Ｗ  幅広部
１４Ｎ  幅狭部
１５  蓋
１６  配線
１７  アンカーホール
１８  高周波信号
【図１】
2018206865.tif 000003
【図２】
2018206865.tif 000004
【図３】
2018206865.tif 000005
【図４】
2018206865.tif 000006
【図５】
2018206865.tif 000007
【図６】
2018206865.tif 000008
【図７】
2018206865.tif 000009
【図８】
2018206865.tif 000010