(57)【要約】【課題】第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合（ホワイトバランス）が調整された光を出射できる波長変換素子、光源装置及びプロジェクターを提供すること。【解決手段】第１波長帯の光が入射する前記入射面を有する波長変換部と、前記波長変換部の入射面とは反対方向側に位置する基板と、前記波長変換部と前記基板との間に位置する反射部と、を備え、前記波長変換部は、前記第１波長帯の光により励起され、前記第１波長帯とは異なる第２波長帯の光を生成する波長変換層と、前記第１波長帯の光を第１反射率にて反射させるとともに、前記波長変換層により生成された前記第２波長帯の光を透過させる第１波長選択層と、を有し、前記入射面は、平面部及び非平面部を有し、前記非平面部は、前記第１波長帯の光を第２反射率にて反射させることを特徴とする波長変換素子。【選択図】図５
2018092054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長帯の光が入射する入射面を有する波長変換部と、
前記波長変換部の前記入射面とは反対方向側に位置する基板と、
前記波長変換部と前記基板との間に位置する反射部と、を備え、
前記波長変換部は、
前記第１波長帯の光により励起され、前記第１波長帯とは異なる第２波長帯の光を生成する波長変換層と、
前記第１波長帯の光を第１反射率にて反射させるとともに、前記波長変換層により生成された前記第２波長帯の光を透過させる第１波長選択層と、を有し、
前記入射面は、平面部及び非平面部を有し、
前記非平面部は、前記第１波長帯の光を第２反射率にて反射させることを特徴とする波長変換素子。
【請求項２】
請求項１に記載の波長変換素子において、
前記第１波長選択層は、前記平面部に設けられることを特徴とする波長変換素子。
【請求項３】
請求項１に記載の波長変換素子において、
前記波長変換部は、前記波長変換層より前記第１波長帯の光の入射側に設けられ、当該第１波長帯の光を透過させる透光層を有し、
前記第１波長選択層は、前記波長変換層と前記透光層との間に位置することを特徴とする波長変換素子。
【請求項４】
請求項３に記載の波長変換素子において、
前記波長変換部は、前記第１波長帯の光を第３反射率にて反射させるとともに、前記波長変換層により生成された前記第２波長帯の光を透過させる第２波長選択層を有し、
前記第２波長選択層は、前記平面部に位置することを特徴とする波長変換素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の波長変換素子において、
前記入射面における前記平面部及び前記非平面部の割合は、前記波長変換素子に入射される前記第１波長帯の光の照射領域の範囲に応じて設定されることを特徴とする波長変換素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の波長変換素子と、
前記第１波長帯の光を出射する光源と、を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光源装置と、
前記光源装置から出射された光を変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換素子、光源装置及びプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、照明装置と、当該照明装置から出射された光を変調して画像情報に応じた画像を形成する光変調装置と、形成された画像をスクリーン等の被投射面上に拡大投射する投射光学装置と、を備えたプロジェクターが知られている。このようなプロジェクターに用いられる照明装置として、固体光源及び蛍光発光素子を有する照明装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載の照明装置が有する蛍光発光素子（波長変換素子）は、蛍光体層と、当該蛍光体層を支持する基板と、当該蛍光体層と基板との間に位置する第２の反射部と、当該蛍光体層上に位置する第１の反射部と、を備える。このような蛍光発光素子により、固体光源から出射され、蛍光体層に入射された励起光（青色光）のうち、一部の光が蛍光に変換され、第２の反射部により反射されて蛍光体層（蛍光発光素子）から出射される。一方、蛍光体層に入射される励起光のうち、他の光は、第１の反射部により反射される。また、このような蛍光体層の光入射側の面（表面）の略全領域は、ディンプル加工等により形成された粗面を有している。すなわち、第１の反射部は、粗面を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１９９４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
更に、第１の反射部は、反射膜により形成されている。すなわち、上記蛍光発光素子では、蛍光体層における光入射側の面が粗面により形成されているので、当該粗面上に均一に反射膜を形成しなければならない。
しかしながら、当該粗面上に均一に反射膜を形成することは技術的に困難である。このため、上記蛍光体層上に反射膜を形成しても、蛍光体層の光入射側表面の略全領域において、当該反射膜の膜特性が均一にならないので、当該反射膜により反射される励起光（青色光）の反射率が、所望の反射率とならない可能性がある。換言すると、上記蛍光発光素子の構成では、励起光（青色光）及び蛍光の割合が調整された光、すなわち、ホワイトバランスが調整された光を上記蛍光体層から出射させることが難しいという課題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも１つを解決することを目的とするものであり、励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）が調整された光を出射できる波長変換素子、光源装置及びプロジェクターを提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１態様に係る波長変換素子は、第１波長帯の光が入射する入射面を有する波長変換部と、前記波長変換部の前記入射面とは反対方向側に位置する基板と、前記波長変換部と前記基板との間に位置する反射部と、を備え、前記波長変換部は、前記第１波長帯の光により励起され、前記第１波長帯とは異なる第２波長帯の光を生成する波長変換層と、前記第１波長帯の光を第１反射率にて反射させるとともに、前記波長変換層により生成された前記第２波長帯の光を透過させる第１波長選択層と、を有し、前記入射面は、平面部及び非平面部を有し、前記非平面部は、前記第１波長帯の光を第２反射率にて反射させることを特徴とする。
【０００８】
なお、上記第１波長帯の光としては、励起光（例えば、青色光）を例示でき、上記第２波長帯の光としては、蛍光を例示できる。また、上記波長変換層としては、セラミック蛍光体を例示でき、上記第１波長選択層としては、励起光（青色光）の一部を反射させ、かつ、蛍光を透過させる誘電体多層膜を例示できる。更に、上記平面部と上記非平面部とは、面粗さに違いがあればよく、上記平面部とは、面粗さＲａ≦０．１μｍの研磨面を例示でき、上記非平面部とは、面粗さＲａ＞０．１μｍの凹凸面等を例示できる。
上記第１態様によれば、波長変換部の入射面に平面部及び非平面部が形成され、当該非平面部が第２反射率にて第１波長帯の光を反射させるので、当該波長変換部の製造時において、入射面における非平面部及び平面部の割合を調整することによって、波長変換部（波長変換層）に入射される第１波長帯の光の割合を調整できる。波長変換層に入射された第１波長帯の光の全てまたは一定の割合が第２波長帯の光に波長変換される場合には、入射面における非平面部及び平面部の割合を調整することによって、当該波長変換部から出射される光のうち、第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合を調整できる。また、第１波長選択層が第１波長帯の光を第１反射率にて反射させるので、上記製造時において、当該第１反射率を調整することによって、波長変換部から出射される第１波長帯の光量を増減できる。
従って、第１波長帯や、波長変換層の波長変換効率、平面部及び非平面部の割合、第１波長選択層の第１反射率、並びに、非平面部の第２反射率を調整することによって、波長変換素子から出射される光の励起光（青色光）及び蛍光の割合（例えば、ホワイトバランス）を調整できる。
【０００９】
上記第１態様では、前記第１波長選択層は、前記平面部に設けられることが好ましい。
例えば、第１波長選択層が非平面部に位置する場合、当該非平面部の凹凸により、当該非平面部に第１波長選択層を位置させることが困難であり、仮に非平面部に第１波長選択層が位置したとしても、平面部全体で、第１反射率が均一にならない恐れがある。よって、当該第１波長選択層が第１反射率にて第１波長帯の光を反射させることができない恐れがある。
これに対し、このような構成によれば、第１波長選択層が平面部に位置しているので、波長変換部に入射される第１波長帯の光の一部を確実に当該第１波長選択層により反射させることができる。
【００１０】
上記第１態様では、前記波長変換部は、前記波長変換層より前記第１波長帯の光の入射側に設けられ、当該第１波長帯の光を透過させる透光層を有し、前記第１波長選択層は、前記波長変換層と前記透光層との間に位置することが好ましい。
なお、上記透光層としては、ガラスを例示できる。
このような構成によれば、透光層が波長変換層より第１波長帯の光の入射側に設けられるので、透光層が波長変換層を保護することができる。
また、透光層が波長変換部において最も第１波長帯の光の入射側に位置している場合には、当該透光層の入射面に非平面部及び平面部が形成される。これによれば、例えば、波長変換層に平面部及び非平面部が形成される場合に比べて、当該非平面部及び平面部を形成する際に生じる当該波長変換層の破損を抑制できる。
更に、波長変換層がセラミック蛍光体等により形成され、透光層がガラス等により形成されている場合には、波長変換層に比べて透光層が加工しやすいため、当該波長変換層に非平面部及び平面部を形成する場合に比べて、容易に透光層に非平面部及び平面部を形成することができる。
【００１１】
上記第１態様では、前記波長変換部は、前記第１波長帯の光を第３反射率にて反射させるとともに、前記波長変換層により生成された前記第２波長帯の光を透過させる第２波長選択層を有し、前記第２波長選択層は、前記平面部に位置することが好ましい。
なお、上記第２波長選択層としては、第１波長帯の光が青色光の場合において、当該青色光の一部を反射させ、かつ、蛍光を透過させる誘電体多層膜の他、上記第１波長帯の光の反射を抑制する反射防止膜（ＡＲ（Antireflection）コート）を例示できる。
上記第２波長選択層が上記誘電体多層膜により構成されている場合、当該第２波長選択層（誘電体多層膜）が上記平面部に位置するので、第１波長選択層の第１反射率だけでなく、入射面における非平面部及び平面部の割合、及び、第２波長選択層の第３反射率を、波長変換部の製造時に調整することによって、当該波長変換部から出射される光の第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合を調整できる。すなわち、第２波長選択層が無い場合に比べて、第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合（ホワイトバランス）の調整に用いることができる対象（変数；パラメーター）が増加するので、波長変換部の製造時において、励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）の調整を確実に実行できる。
従って、第１波長帯や、波長変換層の波長変換効率、平面部及び非平面部の割合、並びに、第１波長選択層及び第２波長選択層の各反射率を調整することによって、波長変換素子から出射される光の励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）を調整でき、これにより、当該光を波長変換素子から出射させることができる。
一方、第２波長選択層が反射防止膜により構成されている場合には、第２波長選択層（反射防止膜）が平面部に位置しているので、透光層及び波長変換部（波長変換層）への第１波長帯の光の入射光量を高めることができる。これによれば、平面部に入射される第１波長帯の光を有効に利用できるので、波長変換素子から出射される第１波長帯の光の光量が低減することを抑制できる。従って、第１波長帯の光をより確実に出射させることができる。
【００１２】
上記第１態様では、前記入射面における前記平面部及び前記非平面部の割合は、前記波長変換素子に入射される前記第１波長帯の光の照射領域の範囲に応じて設定されることが好ましい。
なお、上記波長変換素子に入射される第１波長帯の光の照射領域の範囲とは、当該波長変換素子における第１波長帯の光の照射スポットの範囲であってもよい。
このような構成によれば、波長変換素子に入射される光の照射領域の範囲に応じて平面部及び非平面部の割合が設定されるので、波長変換素子から出射される第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合を略均一にできる。従って、励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）が調整された光を波長変換装置から確実に出射させることができる。
更に、波長変換素子を構成する基板が当該基板を回転させる回転装置に設けられる場合には、当該回転装置により基板が回転されるので、波長変換素子の一点に第１波長帯の光が入射することを抑制し、熱飽和が生じることを抑制でき、かつ、当該基板により波長変換素子の熱を放熱できる。
【００１３】
本発明の第２態様に係る光源装置は、上記波長変換素子と、前記第１波長帯の光を出射する光源と、を備えることを特徴とする。
上記第２態様によれば、上記第１態様に係る波長変換素子と同様の作用効果を奏することができる。また、光源から出射された光が波長変換素子に入射されると、当該波長変換素子から第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合、すなわち、励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）が調整された光が出射されるので、所望の照度及び彩度の光を出射できる光源装置を提供できる。
【００１４】
本発明の第３態様に係るプロジェクターは、上記光源装置と、前記光源装置から出射された光を変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とする。
上記第３態様によれば、上記第２態様に係る光源装置と同様の作用効果を奏することができる。また、光源装置から所望の照度及び彩度の光、すなわち、第１波長帯の光及び第２波長帯の光の割合、すなわち、励起光（青色光）及び蛍光の割合（ホワイトバランス）が調整された光が出射されるので、プロジェクターの信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプロジェクターの外観を示す斜視図。
【図２】上記第１実施形態における装置本体の構成を示す模式図。
【図３】上記第１実施形態における照明装置の構成を示す模式図。
【図４】上記第１実施形態における波長変換素子の平面図。
【図５】上記第１実施形態における波長変換素子の断面図。
【図６】上記第１実施形態における波長変換素子の特性を示す図。
【図７】上記第１実施形態の第１変形例における波長変換素子を示す図。
【図８】上記第１実施形態の第２変形例における波長変換素子を示す図。
【図９】上記第１実施形態の第３変形例における波長変換素子を示す図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るプロジェクターの波長変換素子を示す図。
【図１１】上記第２実施形態における波長変換素子の特性を示す図。
【図１２】上記第２実施形態の第１変形例における波長変換素子を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図面に基づいて説明する。
［プロジェクターの概略構成］
図１は、本実施形態に係るプロジェクター１の外観を示す斜視図である。
本実施形態に係るプロジェクター１は、後述する照明装置４１から出射された光を変調して画像情報に応じた画像を形成し、形成された画像をスクリーン等の被投射面ＰＳ上に拡大投射する投射型画像表示装置である。このプロジェクター１は、図１に示すように、外装を構成する外装筐体２と、当該外装筐体２内に収容配置される装置本体３（図２参照）と、を備える。
このようなプロジェクター１は、詳しくは後述するが、波長変換部６２が、励起光を第１反射率にて反射させるとともに、蛍光を透過させる第１波長選択層６２３を有し、当該波長変換部６２の入射面６２０が非平面部６２１及び平面部６２２を有し、当該非平面部６２１が、励起光を第２反射率にて反射させることを特徴の１つとしている（図６参照）。
以下、プロジェクター１の構成について説明する。
【００１７】
［外装筐体の構成］
外装筐体２は、それぞれ合成樹脂により形成されたアッパーケース２Ａ、ロアーケース２Ｂ、フロントケース２Ｃ及びリアケース２Ｄが組み合わされて、略直方体形状に構成されている。このような外装筐体２は、天面部２１、底面部２２、正面部２３、背面部２４、左側面部２５及び右側面部２６を有する。
【００１８】
底面部２２には、プロジェクター１が載置面に載置される場合に当該載置面に接触する脚部２２１（図１では２つの脚部２２１のみ図示）が、複数箇所に設けられている。
正面部２３の中央部分には、後述する投射光学装置４６の端部４６１を露出させ、当該投射光学装置４６により投射される画像が通過する開口部２３１が形成されている。
また、正面部２３において左側面部２５側の位置には、外装筐体２内の熱を帯びた冷却気体が排出される排気口２３２が形成されている。
右側面部２６には、外部の空気を冷却気体として内部に導入する導入口２６１が形成されている。
【００１９】
［装置本体の構成］
図２は、装置本体３の構成を示す模式図である。
装置本体３は、図２に示すように、画像投射装置４を備える。更に、図示を省略するが、装置本体３は、プロジェクター１の動作を制御する制御装置、プロジェクター１を構成する電子部品に電力を供給する電源装置、及び、冷却対象を冷却する冷却装置を備える。
【００２０】
［画像投射装置の構成］
画像投射装置４は、上記制御装置から入力される画像信号に応じた画像を形成して、上記被投射面ＰＳ上に投射する。この画像投射装置４は、照明装置４１、色分離装置４２、平行化レンズ４３、光変調装置４４、色合成装置４５及び投射光学装置４６を備える。
これらのうち、照明装置４１は、光変調装置４４を均一に照明する照明光ＷＬを出射する。この照明装置４１の構成については、後に詳述する。
【００２１】
色分離装置４２は、照明装置４１から入射される照明光ＷＬから青色光ＬＢ、緑色光ＬＧ及び赤色光ＬＲを分離する。この色分離装置４２は、ダイクロイックミラー４２１，４２２、反射ミラー４２３，４２４，４２５及びリレーレンズ４２６，４２７と、これらを内部に収容する光学部品用筐体４２８と、を備える。
ダイクロイックミラー４２１は、上記照明光ＷＬに含まれる青色光ＬＢを透過させ、緑色光ＬＧ及び赤色光ＬＲを反射させる。このダイクロイックミラー４２１を透過した青色光ＬＢは、反射ミラー４２３にて反射され、平行化レンズ４３（４３Ｂ）に導かれる。
ダイクロイックミラー４２２は、上記ダイクロイックミラー４２１にて反射された緑色光ＬＧ及び赤色光ＬＲのうち、緑色光ＬＧを反射させて平行化レンズ４３（４３Ｇ）に導き、赤色光ＬＲを透過させる。この赤色光ＬＲは、リレーレンズ４２６、反射ミラー４２４、リレーレンズ４２７及び反射ミラー４２５を介して、平行化レンズ４３（４３Ｒ）に導かれる。
平行化レンズ４３（赤、緑及び青の各色光用の平行化レンズを、それぞれ４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂとする）は、入射される光を平行化する。
【００２２】
光変調装置４４（赤、緑及び青の各色光用の光変調装置を、それぞれ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂとする）は、それぞれ入射される上記色光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを変調して、制御装置から入力される画像信号に応じた色光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに基づく画像を形成する。これら光変調装置４４のそれぞれは、例えば、入射される光を変調する液晶パネルと、当該液晶パネルの入射側及び出射側のそれぞれに配置される偏光板と、を備えて構成される。
色合成装置４５は、各光変調装置４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂから入射される色光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに基づく画像を合成する。この色合成装置４５は、本実施形態では、クロスダイクロイックプリズムにより構成されているが、複数のダイクロイックミラーによって構成することも可能である。
投射光学装置４６は、色合成装置４５にて合成された画像を上記被投射面ＰＳに拡大投射する。このような投射光学装置４６として、例えば、鏡筒と、当該鏡筒内に配置される複数のレンズとにより構成される組レンズを採用できる。
【００２３】
［照明装置の構成］
図３は、照明装置４１の構成を示す模式図である。
照明装置４１は、本発明の光源装置に相当し、照明光ＷＬを色分離装置４２に向けて出射する。この照明装置４１は、図３に示すように、光源部４１１、アフォーカル光学装置４１２、ホモジナイザー光学装置４１３、偏光分離装置４１４、位相差板４１５、ピックアップ光学装置４１６、波長変換装置５、インテグレーター光学装置４１７、偏光変換素子４１８及び重畳レンズ４１９を備える。
これらのうち、光源部４１１、アフォーカル光学装置４１２及びホモジナイザー光学装置４１３は、第１照明光軸Ａｘ１上に配置されている。一方、位相差板４１５、ピックアップ光学装置４１６、波長変換装置５、インテグレーター光学装置４１７、偏光変換素子４１８及び重畳レンズ４１９は、第１照明光軸Ａｘ１に直交する第２照明光軸Ａｘ２上に配置される。そして、偏光分離装置４１４は、第１照明光軸Ａｘ１と第２照明光軸Ａｘ２との交差部分に配置される。
【００２４】
光源部４１１は、アフォーカル光学装置４１２に向けて、青色光である励起光ＥＬを出射する。この光源部４１１は、光源としてのアレイ光源４１１Ａと、当該アレイ光源４１１Ａから出射された励起光ＥＬが入射されるコリメーター光学装置４１１Ｂと、を備える。
アレイ光源４１１Ａは、第１照明光軸Ａｘ１に対する直交面内に複数の半導体レーザー４１１１がアレイ状に配列された構成を有する。これら半導体レーザー４１１１は、例えば、４４０〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する励起光ＥＬ（青色光）を出射するＬＤ（Laser Diode）である。また、半導体レーザー４１１１から出射される励起光ＥＬは、コヒーレントな直線偏光であり、偏光分離装置４１４に向けて第１照明光軸Ａｘ１と平行に出射される。なお、本実施形態では、各半導体レーザー４１１１が出射する励起光ＥＬの偏光方向は、偏光分離装置４１４の偏光分離層４１４３にて反射される偏光成分の偏光方向と一致しており、当該励起光ＥＬはｓ偏光である。
【００２５】
コリメーター光学装置４１１Ｂは、アレイ光源４１１Ａから入射される励起光ＥＬを平行光に変換する。このコリメーター光学装置４１１Ｂは、例えば各半導体レーザー４１１１に対応してアレイ状に配置された複数のコリメーターレンズ４１１２を備えて構成される。このようなコリメーター光学装置４１１Ｂを通過して平行光に変換された励起光ＥＬは、アフォーカル光学装置４１２に入射される。
【００２６】
アフォーカル光学装置４１２は、コリメーター光学装置４１１Ｂから入射された励起光ＥＬの光束径を調整する。このアフォーカル光学装置４１２は、集光レンズ４１２１及び平行化レンズ４１２２を備える。このようなアフォーカル光学装置４１２を通過して光束径が調整された励起光ＥＬは、ホモジナイザー光学装置４１３に入射される。
【００２７】
ホモジナイザー光学装置４１３は、後述するピックアップ光学装置４１６と協同して、波長変換装置５の照明領域における励起光ＥＬの照度分布を均一化する。このホモジナイザー光学装置４１３は、第１照明光軸Ａｘ１に対する直交面にそれぞれ複数の小レンズがマトリクス状に配列されたマルチレンズアレイ４１３１，４１３２を備える。このようなホモジナイザー光学装置４１３から出射された励起光ＥＬは、偏光分離装置４１４に入射される。
【００２８】
偏光分離装置４１４は、ｐ偏光及びｓ偏光のうち、一方の偏光光を通過させ、他方の偏光光を反射させるものである。この偏光分離装置４１４は、それぞれ略三角柱形状に形成されたプリズム４１４１，４１４２を備え、全体略直方体形状に形成された、いわゆるプリズム型の偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ：Polarizing Beam Splitter）として構成されている。これらプリズム４１４１，４１４２の界面は、それぞれ第１照明光軸Ａｘ１及び第２照明光軸Ａｘ２に対して４５°の角度で傾斜しており、当該界面には、偏光分離層４１４３が配置されている。
【００２９】
偏光分離層４１４３は、励起光ＥＬに含まれるｓ偏光とｐ偏光とを分離する特性を有する他、後述する波長変換装置５にて生じた蛍光を、当該蛍光の偏光状態に依らずに透過させる特性を有する。すなわち、偏光分離層４１４３は、青色光領域の波長帯の光についてはｓ偏光とｐ偏光とを分離するが、蛍光として、例えば緑色光領域及び赤色光領域の波長帯の光についてはｓ偏光及びｐ偏光のそれぞれを透過させる、波長選択性の偏光分離特性を有する。
このような偏光分離装置４１４は、入射されたｓ偏光の励起光ＥＬを、第２照明光軸Ａｘ２に沿って位相差板４１５側に反射させる。また、詳しくは後述するが、偏光分離装置４１４は、位相差板４１５側から入射される蛍光とｐ偏光の励起光とを透過させ、これら蛍光及び励起光（青色光）を合成してインテグレーター光学装置４１７に入射させる。
なお、偏光分離装置４１４は、プリズム型に限らず、プレート型でもよい。
【００３０】
位相差板４１５は、１／４波長板である。この位相差板４１５は、偏光分離装置４１４から入射されるｓ偏光の励起光ＥＬｓを円偏光の励起光ＥＬｃに変換し、当該円偏光の励起光ＥＬｃをピックアップ光学装置４１６に入射させる。
ピックアップ光学装置４１６は、位相差板４１５から入射される励起光ＥＬｃを波長変換装置５に集光する。このピックアップ光学装置４１６は、２つのレンズ４１６１，４１６２を有する。
なお、本実施形態では、ピックアップ光学装置４１６は、２つのレンズ４１６１，４１６２を備えることとしたが、当該ピックアップ光学装置４１６を構成するレンズの数は２に限らず、１でも３以上でもよい。
【００３１】
波長変換装置５は、ピックアップ光学装置４１６から入射される青色光である励起光ＥＬｃ（第１波長帯の光）の一部を拡散反射させるとともに、他の一部を緑色光及び赤色光を含む蛍光（第２波長帯の光）に変換して出射する。この波長変換装置５は、反射型の波長変換素子６と、当該波長変換素子６を回転させる回転装置７と、を有する。これにより、波長変換素子６が当該回転装置７の動力により回転されるので、当該波長変換素子６の波長変換部６２において、励起光ＥＬｃが入射される位置を時間的に変化させることにより、一点に入射される場合に生じ得る熱飽和の発生を抑制し、かつ、当該波長変換素子６により生じた熱の基板６１から放熱させる。これらのうち、回転装置７は、例えば、モーター等により構成されている。
このような波長変換装置５にて生成される蛍光は、本実施形態では、５００〜７００ｎｍの波長域にピーク波長を有する光である。なお、波長変換素子６の構成については、後述する。
【００３２】
このような波長変換装置５から出射された励起光ＥＬｃ及び蛍光を含む照明光ＷＬは、ピックアップ光学装置４１６を介して、位相差板４１５に入射される。
これらのうち、励起光ＥＬｃは、位相差板４１５を通過する過程にて、円偏光となり、波長変換装置５にて反射された場合には、位相差板４１５を再度通過する過程にて、円偏光の励起光ＥＬｃは、ｓ偏光に対して偏光方向が９０°回転されたｐ偏光の励起光に変換される。このｐ偏光の励起光は、上記偏光分離装置４１４を第２照明光軸Ａｘ２に沿って通過して、インテグレーター光学装置４１７に青色光として入射される。
一方、波長変換装置５から出射された蛍光は非偏光光であり、偏光分離層４１４３が上記波長選択性の偏光分離特性を有することから、ピックアップ光学装置４１６及び位相差板４１５を通過した後、第２照明光軸Ａｘ２に沿って偏光分離装置４１４を通過して、インテグレーター光学装置４１７に緑色光及び赤色光として入射される。
これにより、白色の照明光ＷＬが、偏光分離装置４１４を介してインテグレーター光学装置４１７に入射される。
【００３３】
インテグレーター光学装置４１７は、重畳レンズ４１９と協同して、光変調装置４４における照明光ＷＬの照度分布を均一化する。このインテグレーター光学装置４１７は、上記ホモジナイザー光学装置４１３と同様に、第２照明光軸Ａｘ２に対する直交面内にそれぞれ複数の小レンズがマトリクス状に配列されたレンズアレイ４１７１，４１７２を備える。このようなインテグレーター光学装置４１７から出射された照明光ＷＬは、偏光変換素子４１８に入射する。
偏光変換素子４１８は、入射される照明光ＷＬの偏光方向を揃える機能を有する。この偏光変換素子４１８から出射された照明光ＷＬは、重畳レンズ４１９に入射する。
そして、当該重畳レンズ４１９を介した照明光ＷＬは、上記色分離装置４２のダイクロイックミラー４２１に入射される。
【００３４】
［波長変換素子の構成］
図４は、本実施形態に係る波長変換素子６を光入射側から見た図であり、図５は、波長変換素子６の断面図である。
波長変換素子６は、上記のように、ピックアップ光学装置４１６から入射される励起光ＥＬｃの一部を拡散反射させるとともに、他の一部の励起光ＥＬｃを波長変換して生成される蛍光を、当該励起光ＥＬｃの入射側（すなわちピックアップ光学装置４１６側）に出射する。このような波長変換素子６は、基板６１、波長変換部６２、及び反射層６３を有する。
【００３５】
この波長変換素子６においては、波長変換部６２は、ピックアップ光学装置４１６から入射される励起光ＥＬｃの入射側とは反対側に、当該波長変換部６２に蒸着された（一体化された）反射層６３が形成されている。波長変換部６２は、反射層６３が接合材（図示省略）によって基板６１に接合されることにより、当該基板６１に固定されている。すなわち、基板６１は、波長変換部６２における励起光ＥＬｃの入射面６２０とは反対方向側に位置する。
従って、この波長変換素子６においては、波長変換部６２、反射層６３、接合材（図示省略）が、ピックアップ光学装置４１６からの励起光ＥＬｃの入射側から順に、基板６１上に積層されている。
【００３６】
［基板の構成］
基板６１は、波長変換部６２及び反射層６３を支持する支持基板として機能する他、当該波長変換部６２から伝達された熱を放熱する放熱基板として機能する。この基板６１は、図４に示すように、励起光の入射側から見て略円板状に形成され、金属やセラミックス等により形成される。また、基板６１には、上述したように、回転装置７が取り付けられ、当該回転装置７の動力により、回転中心ＲＡを中心として回転される。
なお、本実施形態では、回転装置７により回転される基板６１の回転速度は、例えば、４０００〜７２００ｒｐｍに設定されている。
【００３７】
［波長変換部の構成］
波長変換部６２は、波長変換素子６において最もピックアップ光学装置４１６側、すなわち、当該ピックアップ光学装置４１６から入射される励起光ＥＬｃの最も入射側に入射面６２０を有する。更に、波長変換部６２の光入射側に位置する入射面６２０は、非平面部６２１及び平面部６２２を有する。また、波長変換部６２は、波長変換層６２４を有する。
この波長変換層６２４は、入射される第１波長帯の光としての励起光ＥＬｃ（青色光）によって励起され、第２波長帯（緑色光〜赤色光の波長域）の光としての蛍光を出射するものである。このような波長変換層６２４の蛍光体の含有比率は、照明装置４１から出射される照明光ＷＬの波長に基づいて設定される。波長変換層６２４としては、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体が用いられる。
【００３８】
なお、蛍光体粒子の形成材料は、１種であってもよいし、２種以上の材料を用いて形成された粒子が混合されたものが用いられてもよい。波長変換層６２４には、耐熱性及び表面加工性に優れたものを用いることが好ましい。このような波長変換層６２４として、アルミナ等の無機バインダー中に蛍光体粒子を分散させた蛍光体層、バインダーを用いずに蛍光体粒子を焼結した蛍光体層（セラミック蛍光体層）などが好適に用いられる。
また、本実施形態では、波長変換部６２（波長変換層６２４）の厚さ寸法は、略１００μｍに設定されているが、当該厚さ寸法は１００μｍより小さくてもよい。
【００３９】
非平面部６２１は、微細な凹凸を複数有する面である。この非平面部６２１は、例えば、ブラスト加工等により形成され、入射される励起光ＥＬｃのうち、一部の励起光ＥＬｃを所定の反射率（第２反射率）にて反射させ、他の励起光ＥＬｃを入射させる。また、非平面部６２１は、当該非平面部６２１から蛍光を拡散させて出射させる。そして、詳しくは後述するが、このような非平面部６２１による励起光ＥＬｃの反射率（第２反射率）も、製造時に調整される。
なお、本実施形態では、非平面部６２１は、ブラスト加工等により形成されることとしたが、これに限らず、例えば、エッチング等により形成されてもよい。
【００４０】
平面部６２２は、研磨されることにより形成された研磨面（例えば、面粗さＲａ≦０．１μｍの研磨面）であり、入射面６２０において、複数箇所に点在する。具体的に、平面部６２２は、図４に示すように、励起光ＥＬｃの入射側から見て略円形状に形成され、当該入射面６２０におけるランダムな位置に配置されている。この平面部６２２には、図５に示すように、第１波長選択層６２３が位置している。
なお、本実施形態では、平面部６２２は、研磨面であることとしたが、これに限らず、略平坦な面であれば、研磨されていなくてもよい。
そして、詳しくは後述するが、これら非平面部６２１及び平面部６２２の入射面６２０における割合は、波長変換素子６から出射される青色光及び蛍光の出射比率に応じて設定される。
【００４１】
第１波長選択層６２３は、波長変換層６２４に入射される励起光ＥＬｃを所定の反射率（第１反射率）にて反射させるとともに、波長変換部６２により生成された蛍光を透過させる機能を有する。この第１波長選択層６２３は、本実施形態では、誘電体多層膜により形成されている。また、第１波長選択層６２３の所定の反射率（第１反射率）は、詳しくは後述するが、波長変換素子６から出射される青色光及び蛍光の出射比率に応じて設定される。
【００４２】
反射層６３は、本発明の反射部に相当し、波長変換部６２の励起光ＥＬｃの光入射側とは反対側の面に蒸着され、波長変換部６２からの光を、当該波長変換部６２に向けて反射させる。具体的に、反射層６３は、波長変換層６２４により波長変換された蛍光を波長変換部６２の入射面６２０、ないし、ピックアップ光学装置４１６側に向けて反射させる。
また、反射層６３の波長変換部６２側とは反対側の面には、図示を省略するが、銀（Ａｇ）を含む金属ペーストにより形成される接合材が配置され、当該接合材により反射層６３と基板６１とが固定される。すなわち、反射層６３は、波長変換部６２（波長変換層６２４）と基板６１との間に位置する。
なお、本実施形態では、上記接合材は、金属ペーストにより形成されることとしたが、これに限らず、樹脂ペースト等により形成されてもよい。
【００４３】
図６は、波長変換素子６に入射され、出射される光を模式的に示した図である。
図６に示すように、波長変換素子６に入射される励起光ＥＬｃ（青色光）のうち、励起光ＢＬ１は、非平面部６２１に入射される。この励起光ＢＬ１のうち、一部の励起光ＢＬ１１は、当該非平面部６２１の凹凸面により第２反射率にて、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、当該励起光ＢＬ１のうち、非平面部６２１により反射されなかった励起光ＢＬ１２は、波長変換層６２４内を進行し、蛍光体Ｐｈに入射され、予め設定された当該蛍光体Ｐｈの波長変換効率で蛍光に変換される。このため、励起光ＢＬ１２の一部が、蛍光体Ｐｈにより蛍光ＹＬ１に変換されて、波長変換部６２からピックアップ光学装置４１６に向けて出射される。
なお、励起光ＢＬ１２の一部は、蛍光に変換されることなく波長変換部６２内に吸収されるか、若しくは、異なる蛍光体Ｐｈに入射され、所定の波長変換効率で蛍光に変換される。この過程を繰り返すことで、当該波長変換部６２の入射面６２０から出射される励起光は僅かな光量であることから、本実施形態では考慮しない。
【００４４】
次に、平面部６２２に入射される励起光ＢＬ２のうち、一部の励起光ＢＬ２１は、当該平面部６２２に位置する第１波長選択層６２３により第１反射率にて、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、励起光ＢＬ２のうち、第１波長選択層６２３により反射されなかった励起光ＢＬ２２は、第１波長選択層６２３及び波長変換部６２内を進行し、蛍光体Ｐｈに入射され、予め設定された蛍光体Ｐｈの波長変換効率で蛍光に変換される。このため、励起光ＢＬ２２の一部が、蛍光体Ｐｈにより蛍光ＹＬ２に変換されて、波長変換部６２からピックアップ光学装置４１６に向けて出射される。
なお、励起光ＢＬ２２の一部は、蛍光に変換されることなく波長変換部６２内に吸収されるか、若しくは、異なる蛍光体Ｐｈに入射され、所定の波長変換効率で蛍光に変換される。この過程を繰り返すことで、当該波長変換部６２の入射面６２０から出射される励起光は僅かな光量であることから、本実施形態では考慮しない。
【００４５】
上記した蛍光体Ｐｈの波長変換効率は、波長変換素子６の製造時に調整可能である。例えば、本実施形態では、蛍光体Ｐｈの波長変換効率は、略５０％に設定されている。
また、本実施形態では、入射面６２０における非平面部６２１の割合は、略７０％に設定されており、入射面６２０におけるピックアップ光学装置４１６から入射される光の照射領域Ａｒ１（例えば、直径０．４ｍｍ〜０．６ｍｍの領域）における非平面部６２１の割合も同様に、上記入射面６２０における非平面部６２１の割合と略同じとなるように設定されている。
更に、本実施形態では、波長変換層６２４全体の波長変換効率が略５０％に設定されている。また、非平面部６２１の第２反射率は、略７．５％に設定されている。このため、入射される励起光ＥＬｃの略７．５％は、当該非平面部６２１により、表面フレネル反射される。この場合、非平面部６２１に入射される励起光ＥＬｃのうち、略７．５％が反射され、略９２．５％が波長変換部６２に入射される。
加えて、本実施形態では、第１波長選択層６２３の第１反射率は、略７０％に設定されている。これにより、平面部６２２に入射される励起光ＥＬｃのうち、略７０％が第１波長選択層６２３により反射され、略３０％が波長変換部６２に入射される。
【００４６】
ここで、波長変換素子６（照明装置４１）から出射される光において、励起光の割合は、略３７％±８％（すなわち、蛍光の割合は６３％±８％）であることが好ましい。このため、本実施形態では、上記入射面６２０における非平面部６２１の割合が略７０％、平面部６２２の割合が略３０％、上記第１波長選択層６２３の第１反射率が７０％であることとしている。しかしながら、上記構成に限らず、上記波長変換素子６から出射される光における励起光の割合を３７％±８％に収めることが可能な範囲内において、上記入射面６２０における非平面部６２１の割合、上記入射面６２０における平面部６２２の割合、及び、第１波長選択層６２３の第１反射率を適宜設定できる。
【００４７】
上述したように、波長変換素子６から出射される光のホワイトバランス調整（励起光及び蛍光の割合）は、入射面６２０における非平面部６２１及び平面部６２２の割合、並びに、第１波長選択層６２３の第１反射率を適宜設定することにより行われる。
なお、本実施形態では、非平面部６２１の第２反射率（表面フレネル反射における反射率）、及び、波長変換部６２の波長変換効率は、ホワイトバランス調整に用いていない。
まず、波長変換部６２の入射面６２０における非平面部６２１及び平面部６２２の割合を決定する。具体的に、入射面６２０における非平面部６２１の割合が１０％（平面部６２２の割合が９０％）である場合、上記第１反射率は、略２０％でよいが、当該非平面部６２１の割合が６０％（平面部６２２の割合が４０％）である場合、上記第１反射率は、略４０％必要となる。すなわち、入射面６２０において非平面部６２１の割合が増大する程、第１波長選択層６２３の第１反射率を大きくする必要がある。このため、製造者は、第１波長選択層６２３の第１反射率に応じて、非平面部６２１及び平面部６２２の割合を設定する。
なお、本実施形態では、第１波長選択層６２３の第１反射率に応じて、非平面部６２１及び平面部６２２の割合を設定することとしたが、これに限らず、例えば、非平面部６２１及び平面部６２２の割合を設定した後に、当該平面部６２２の割合に応じた第１反射率の第１波長選択層６２３を製造してもよい。
【００４８】
このような構成により、波長変換素子６に入射された励起光ＥＬｃは、励起光ＢＬ１１、励起光ＢＬ２１、蛍光ＹＬ１及び蛍光ＹＬ２として、当該波長変換素子６から出射される。この波長変換素子６から出射される励起光（励起光ＢＬ１１，ＢＬ２１の和）の割合は、３７％±８％となり、蛍光（蛍光ＹＬ１，ＹＬ２の和）の割合は、６３％±８％となる。従って、本実施形態に係る波長変換素子６から出射される光は、上述した適切な範囲内の光であることから、プロジェクター１に利用可能な照明光ＷＬ（白色光）が出射されることとなる。
【００４９】
［第１実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係るプロジェクター１は、以下の効果を奏する。
波長変換部６２の入射面６２０に平面部６２２及び非平面部６２１が形成され、当該非平面部６２１が第２反射率にて第１波長帯の光（励起光ＥＬｃの一部）を反射させるので、当該波長変換部６２の製造時において、入射面６２０における非平面部６２１及び平面部６２２の割合を調整することによって、当該波長変換部６２から出射される光のうち、第１波長帯の光（励起光ＥＬｃ）及び第２波長帯の光（蛍光）の割合を調整できる。また、第１波長選択層６２３が励起光ＥＬｃを第１反射率にて反射させるので、上記製造時において、当該第１反射率を調整することによって、波長変換部６２から出射される励起光ＥＬｃの光量を増減できる。
従って、第１波長帯や、波長変換部６２（波長変換層６２４）に含まれる蛍光体の種別の他、平面部６２２及び非平面部６２１の割合、並びに、第１波長選択層６２３の第１反射率を調整することによって、波長変換素子６から出射される光のホワイトバランス（励起光と蛍光の割合）を調整でき、これにより、当該光を波長変換素子６から出射させることができる。
【００５０】
例えば、第１波長選択層６２３が非平面部６２１に位置する場合、当該非平面部６２１の凹凸により、当該非平面部６２１に第１波長選択層６２３を位置させることが困難であり、仮に非平面部６２１に第１波長選択層６２３が位置したとしても、当該第１波長選択層６２３が第１反射率にて励起光ＥＬｃを反射させることができない。
これに対し、本実施形態によれば、第１波長選択層６２３が平面部６２２に位置しているので、波長変換部６２に入射される励起光ＥＬｃの一部を確実に当該第１波長選択層６２３により反射させることができる。波長変換素子６の製造時における非平面部６２１及び平面部６２２の割合の調整が容易になる。従って、波長変換素子６からホワイトバランス（励起光と蛍光の割合）が調整された光を確実に出射させることができる。
【００５１】
波長変換装置５は、波長変換素子６を構成する基板６１を回転させる回転装置７を備えているので、当該回転装置７により基板６１が回転されるので、波長変換素子６の一点に励起光ＥＬｃが入射することを抑制し、当該基板６１により波長変換素子６の熱を放熱できる。
【００５２】
また、光源部４１１から出射された光が波長変換装置５（波長変換素子６）に入射されると、当該波長変換装置５からホワイトバランス（励起光と蛍光の割合）が調整された光が出射されるので、所望の照度及び所望の励起光と蛍光の割合の光を出射できる照明装置４１を提供できる。
【００５３】
更に、照明装置４１から所望の照度及び所望の励起光と蛍光の割合の光が出射されるので、投射光学装置４６から出射される画像光の輝度及び彩度を向上できる。すなわち、プロジェクター１の信頼性を高めることができる。
【００５４】
［第１実施形態の第１変形例］
図７は、第１実施形態の第１変形例に係る波長変換素子６Ａを示す図である。
上記第１実施形態では、波長変換装置５は、波長変換素子６を備えることとしたが、これに限らず、例えば、波長変換素子６に代えて、波長変換素子６Ａを備えることとしてもよい。
波長変換素子６Ａは、図７に示すように、基板６１及び反射層６３を備える他、波長変換部６２に代えて、波長変換部６２Ａを備える。
波長変換部６２Ａは、入射面６２０Ａ、非平面部６２１Ａ、平面部６２２Ａ、第１波長選択層６２３Ａ及び波長変換層６２４Ａを有する。
この波長変換部６２Ａの入射面６２０Ａは、非平面部６２１Ａ及び平面部６２２Ａを有する。非平面部６２１Ａは、例えば、エッチング等により形成された複数の凹部により構成される。この非平面部６２１Ａを構成する上記複数の凹部は、略三角錐状に形成され、１０〜１００μｍピッチにて入射面６２０Ａに形成されている。すなわち、非平面部６２１Ａ（上記凹部）は、入射面６２０Ａにおいてマトリクス状に配置されている。
また、平面部６２２Ａは、上記各凹部間に位置し、当該平面部６２２Ａには、第１波長選択層６２３Ａが位置する。すなわち、本変形例では、入射面６２０Ａにおける非平面部６２１Ａの割合は、平面部６２２Ａの割合よりも大きい。これにより、ピックアップ光学装置４１６から励起光ＥＬｃが照射された際に、上記照射領域Ａｒ１の範囲内に上記非平面部６２１Ａ（上記複数の凹部）が６０個以上配置できることとなり、蛍光の利用効率の低減を抑制できる。
【００５５】
［第１変形例の効果］
以上説明した本変形例に係るプロジェクターは、上記第１実施形態に係るプロジェクター１と同様の効果を奏する他、以下の効果を奏する。
ピックアップ光学装置４１６から励起光ＥＬｃが照射された際に、上記照射領域Ａｒ１の範囲内に上記非平面部６２１Ａ（上記複数の凹部）が６０個以上配置できるので、蛍光の利用効率の低減をより抑制できる。
【００５６】
［第１実施形態の第２変形例］
図８は、第１実施形態の第２変形例に係る波長変換素子６Ｂを示す図である。
上記第１実施形態では、波長変換装置５は、波長変換素子６を備えることとしたが、これに限らず、例えば、波長変換素子６に代えて、波長変換素子６Ｂを備えることとしてもよい。
波長変換素子６Ｂは、図８に示すように、基板６１及び反射層６３を備える他、波長変換部６２に代えて、波長変換部６２Ｂを備える。
波長変換部６２Ｂは、入射面６２０Ｂ、非平面部６２１Ｂ、平面部６２２Ｂ、第１波長選択層６２３Ｂ及び波長変換層６２４Ｂを有する。
この波長変換部６２Ｂの入射面６２０Ｂは、非平面部６２１Ｂ及び平面部６２２Ｂを有する。非平面部６２１Ｂは、例えば、エッチング等により形成された複数の凹部により構成される。この非平面部６２１Ｂを構成する上記複数の凹部は、１０〜１００μｍピッチにて入射面６２０Ｂに形成されている。すなわち、非平面部６２１Ｂ（上記凹部）は、入射面６２０Ｂにおいてマトリクス状に配置されている。
また、平面部６２２Ｂは、上記各凹部間に位置し、当該平面部６２２Ｂには、第１波長選択層６２３Ｂが位置する。すなわち、本変形例では、入射面６２０Ｂにおける非平面部６２１Ｂの割合は、平面部６２２Ｂの割合よりも大きい。これにより、ピックアップ光学装置４１６から励起光ＥＬｃが照射された際に、上記照射領域Ａｒ１の範囲内に上記非平面部６２１Ｂ（上記複数の凹部）が６０個以上配置できることとなり、蛍光の利用効率の低減を抑制できる。
【００５７】
［第２変形例の効果］
以上説明した本変形例に係るプロジェクターは、上記第１変形例に係るプロジェクターと同様の効果を奏する他、以下の効果を奏する。
本変形例では、非平面部６２１Ｂは、レンズ形状の凹部により構成されているので、上記第１変形例のように非平面部６２１Ａが三角錐状に形成されている場合に比べて、当該非平面部６２１Ｂにおける表面フレネル反射効率を向上させることができる。従って、波長変換素子６Ｂにおいて、平面部６２２Ｂに位置する第１波長選択層６２３Ｂの第１反射率をより低減できるので、更に安定して励起光を反射させることができる。
【００５８】
［第１実施形態の第３変形例］
図９は、第１実施形態の第３変形例に係る波長変換素子６Ｃを示す図である。
上記第１実施形態では、波長変換装置５は、波長変換素子６を備えることとしたが、これに限らず、例えば、波長変換素子６に代えて、波長変換素子６Ｃを備えることとしてもよい。
波長変換素子６Ｃは、図９に示すように、基板６１及び反射層６３を備える他、波長変換部６２に代えて、波長変換部６２Ｃを備える。
波長変換部６２Ｃは、入射面６２０Ｃ、非平面部６２１Ｃ、平面部６２２Ｃ、第１波長選択層６２３Ｃ及び波長変換層６２４Ｃを有する。
この波長変換部６２Ｃの入射面６２０Ｃは、非平面部６２１Ｃ及び平面部６２２Ｃを有する。非平面部６２１Ｃは、複数の凸部により構成される。この非平面部６２１Ｃを構成する上記複数の凸部は、入射面６２０Ｃから突出する凸レンズ状に形成され、１０〜１００μｍピッチにて入射面６２０Ｃに形成されている。すなわち、非平面部６２１Ｃ（上記凸部）は、入射面６２０Ｃにおいてマトリクス状に配置されている。
また、平面部６２２Ｃは、上記各凸部間に位置し、当該平面部６２２Ｃには、第１波長選択層６２３Ｃが位置する。すなわち、本変形例では、入射面６２０Ｃにおける非平面部６２１Ｃの割合は、平面部６２２Ｃの割合よりも大きい。これにより、ピックアップ光学装置４１６から励起光ＥＬｃが照射された際に、上記照射領域Ａｒ１内に上記非平面部６２１Ｃ（上記複数の凸部）が６０個以上配置できることとなり、蛍光の利用効率の低減を抑制できる。
【００５９】
［第３変形例の効果］
以上説明した本変形例に係るプロジェクターは、上記第２変形例に係るプロジェクターと同様の効果を奏する他、以下の効果を奏する。
本変形例では、非平面部６２１Ｃは、凸部により構成されているので、波長変換部６２Ｃの光の入射方向に沿う方向の寸法を拡大できるので、波長変換部６２Ｃの耐久性を向上できる。また、非平面部６２１Ｃが凸レンズ形状に構成されていることから、当該非平面部６２１Ｃにより励起光ＥＬｃ（励起光ＢＬ１）をより拡散反射させやすくすることができるので、上記第２変形例に比べて、当該非平面部６２１Ｃにおける反射効率を向上させることができる。従って、波長変換素子６Ｃにおいて、平面部６２２Ｃに位置する第１波長選択層６２３Ｃの第１反射率をより低減できるので、極めて安定して励起光を反射させることができる。
【００６０】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
本発明の第２実施形態に係るプロジェクターは、上記第１実施形態に係るプロジェクター１と略同様の構成を備える。ここで、第１実施形態に係るプロジェクター１の照明装置４１を構成する波長変換装置５は、波長変換素子６を備えていた。これに対し、本実施形態に係るプロジェクターの波長変換装置は、上記波長変換素子６とは異なる波長変換素子を備える。この点で、本実施形態に係るプロジェクターと上記第１実施形態に係るプロジェクター１とは相違する。
なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一又は略同一である部分については、同一の符号を付して説明を簡略化又は省略する。
【００６１】
図１０は、本実施形態に係るプロジェクターの照明装置４１が有する波長変換素子６Ｄの断面図である。
本実施形態に係る照明装置４１は、波長変換素子６に代えて、波長変換素子６Ｄを有する。この波長変換素子６Ｄは、図１０に示すように、基板６１及び反射層６３を備える他、波長変換部６２に代えて、波長変換部６２Ｄを有する。
この波長変換部６２Ｄは、透光層６４、第１波長選択層６２３Ｄ及び波長変換層６５を有する。これらのうち、第１波長選択層６２３Ｄは、上記第１波長選択層６２３と同様の構成を有し、波長変換層６５の励起光ＥＬｃの入射側の面の略全領域を覆うように、当該波長変換層６５上に配置される。すなわち、第１波長選択層６２３Ｄは、透光層６４及び波長変換層６５の間に位置する。
また、波長変換層６５は、上記波長変換層６２４と同様の構成を有する。すなわち、波長変換層６５は、第１波長帯の光である励起光により励起され、第２波長帯の光である蛍光を生成するセラミック蛍光体等により構成される。
【００６２】
透光層６４は、ガラス等の透光性部材により構成され、上記励起光ＥＬｃ、波長変換層６５から出射される蛍光及び第１波長選択層６２３Ｄにより反射される励起光ＥＬｃの一部を透過させる。このような透光層６４は、第１波長選択層６２３Ｄの励起光ＥＬｃが入射される側の面の略全領域を覆うように、当該第１波長選択層６２３Ｄ上に配置される。
なお、本実施形態では、透光層６４は、励起光ＥＬｃの入射方向に直交する方向から見て、厚さ寸法が略３０μｍに設定されているが、これに限らず、当該厚さ寸法は、５０μｍ以下であればよい。
【００６３】
この波長変換素子６Ｄにおいては、波長変換部６２Ｄは、ピックアップ光学装置４１６から入射される励起光ＥＬｃの入射側とは反対側に、第１波長選択層６２３Ｄに蒸着された（一体化された）反射層６３が形成されている。これにより、波長変換部６２Ｄは、反射層６３が接合材（図示省略）によって基板６１に接合されることにより、当該基板６１に固定されている。すなわち、基板６１は、波長変換部６２Ｄにおける励起光ＥＬｃの入射面６４０とは反対方向側に位置する。
従って、この波長変換素子６Ｄにおいては、波長変換部６２Ｄ、反射層６３、接合材（図示省略）が、ピックアップ光学装置４１６からの励起光ＥＬｃの入射側から順に、基板６１上に積層されている。
【００６４】
非平面部６４１は、上記非平面部６２１と略同一の構成を有する。すなわち、非平面部６４１は、微細な凹凸を複数有する面である。この非平面部６４１は、例えば、ブラスト加工等により形成され、入射される励起光ＥＬｃの一部を上記第２反射率にて反射させ、他の励起光ＥＬｃを入射させる。また、非平面部６４１は、当該非平面部６４１から蛍光を拡散させて出射させる。
【００６５】
平面部６４２は、上記平面部６２２と略同一の構成を有する。すなわち、平面部６４２は、研磨されることにより形成された研磨面（例えば、面粗さＲａ≦０．１μｍの研磨面）であり、入射面６４０において、複数箇所に点在する。また、平面部６４２には、図１０に示すように、第２波長選択層６４３が位置している。
第２波長選択層６４３は、励起光ＥＬｃの一部を所定の反射率（第３反射率）にて反射させるとともに、波長変換層６５により生成された蛍光を透過させる機能を有する。この第２波長選択層６４３は、上記第１波長選択層６２３と同様に、誘電体多層膜により形成されている。また、第２波長選択層６４３の所定の反射率（第３反射率）は、詳しくは後述するが、波長変換素子６Ｄから出射される励起光及び蛍光の出射比率に応じて設定される。
【００６６】
図１１は、波長変換素子６Ｄに入射され、出射される光を模式的に示した図である。
図１１に示すように、波長変換素子６Ｄに入射される励起光ＥＬｃのうち、励起光ＢＬ１は、非平面部６４１に入射される。この励起光ＢＬ１のうち、一部の励起光ＢＬ１３は、当該非平面部６４１の凹凸面により第２反射率にて、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、励起光ＢＬ１のうち、非平面部６４１により反射されなかった励起光ＢＬ１４は、透光層６４を透過して、第１波長選択層６２３Ｄに入射される。
【００６７】
この第１波長選択層６２３Ｄに入射された励起光ＢＬ１４のうち、一部の励起光ＢＬ１５は、波長変換層６５上に位置する第１波長選択層６２３Ｄにより第１反射率にて、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、励起光ＢＬ１４のうち、第１波長選択層６２３Ｄにより反射されなかった励起光ＢＬ１６は、第１波長選択層６２３Ｄ及び波長変換層６５内を進行し、予め設定された蛍光体Ｐｈの波長変換効率に応じて蛍光に変換される。このため、励起光ＢＬ１６の一部が、蛍光体Ｐｈにより蛍光ＹＬ１１に変換されて、波長変換部６２からピックアップ光学装置４１６に向けて出射される。
なお、励起光ＢＬ１６の一部は、蛍光に変換されることなく波長変換層６５内に吸収されるか、若しくは、異なる蛍光体Ｐｈに入射され、所定の波長変換効率で蛍光に変換される。この過程を繰り返すことで、波長変換部６２Ｄにおける透光層６４の入射面６４０から出射される励起光は僅かな光量であることから、本実施形態では考慮しない。
【００６８】
次に、平面部６４２に入射される励起光ＢＬ２のうち、一部の励起光ＢＬ２３は、当該平面部６４２に位置する第２波長選択層６４３により、予め設定された反射率（第３反射率）にて反射され、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、励起光ＢＬ２のうち、第２波長選択層６４３を透過した励起光ＢＬ２４は、透光層６４を透過し、第１波長選択層６２３Ｄに入射される。
【００６９】
この第１波長選択層６２３Ｄに入射された励起光ＢＬ２４のうち、一部の励起光ＢＬ２５は、波長変換層６５上に位置する第１波長選択層６２３Ｄにより第１反射率にて、ピックアップ光学装置４１６に向けて反射される。
一方、励起光ＢＬ２４のうち、第１波長選択層６２３Ｄにより反射されなかった励起光ＢＬ２６は、第１波長選択層６２３Ｄ及び波長変換層６５内を進行し、予め設定された蛍光体Ｐｈの波長変換効率に応じて蛍光に変換される。このため、励起光ＢＬ２６の一部が、蛍光体Ｐｈにより蛍光ＹＬ２１に変換されて、波長変換部６２Ｄからピックアップ光学装置４１６に向けて出射される。
なお、励起光ＢＬ２６の一部は、蛍光に変換されることなく波長変換層６５内に吸収されるか、若しくは、異なる蛍光体Ｐｈに入射され、所定の波長変換効率で蛍光に変換される。この過程を繰り返すことで、波長変換部６２Ｄにおける透光層６４の入射面６４０から出射される励起光は僅かな光量であることから、本実施形態では考慮しない。
【００７０】
上記した蛍光体Ｐｈの波長変換効率は、第１実施形態と同様に、波長変換素子６Ｄの製造時に調整可能である。例えば、本実施形態では、蛍光体Ｐｈの波長変換効率は、略５０％に設定されている。
また、本実施形態では、入射面６４０における非平面部６４１の割合は、略７０％に設定されている。このため、入射面６４０におけるピックアップ光学装置４１６から入射される光の照射領域Ａｒ１（例えば、直径０．４ｍｍ〜０．６ｍｍの領域）における非平面部６４１の割合は、上記入射面６４０における非平面部６４１の割合と略同じとなる。
更に、本実施形態では、波長変換層６５の波長変換効率が略５０％に設定されている。また、非平面部６２１の第２反射率は、略７．５％に設定されている。このため、入射される励起光ＥＬｃの略７．５％は、当該非平面部６２１により、表面フレネル反射される。
加えて、本実施形態では、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率は、略７０％に設定され、第２波長選択層６４３の第３反射率は、１％に設定されている。
【００７１】
このような構成により、波長変換素子６Ｄに入射された励起光ＥＬｃは、励起光ＢＬ１３、励起光ＢＬ１５、励起光ＢＬ２３、励起光ＢＬ２５、蛍光ＹＬ１１及び蛍光ＹＬ２１として、当該波長変換素子６Ｄから出射される。この波長変換素子６Ｄから出射される励起光（励起光ＢＬ１３，ＢＬ１５，ＢＬ２３，ＢＬ２５の和）の割合は、３７％±８％となり、蛍光（蛍光ＹＬ１１，ＹＬ２１の和）の割合は、６３％±８％となる。従って、本実施形態に係る波長変換素子６Ｄから出射される光は、上述した適切な範囲内の光であることから、上記プロジェクターに利用可能な照明光ＷＬ（白色光）が出射されることとなる。
なお、本実施形態では、上記入射面６４０における非平面部６４１の割合が略７０％、平面部６４２の割合が略３０％、上記第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率が７０％、非平面部６４１の第２反射率が略７．５％、第２波長選択層６４３の第３反射率が略１％であることとしている。しかしながら、上記構成に限らず、上記波長変換素子６Ｄから出射される光における励起光の割合を３７％±８％に収めることが可能な範囲内において、上記入射面６４０における非平面部６４１の割合、平面部６４２の割合、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率、及び第２波長選択層６４３の第３反射率を適宜設定できる。
【００７２】
上述したように、波長変換素子６Ｄから出射される光のホワイトバランス調整は、入射面６４０における非平面部６４１、平面部６４２の割合、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率、及び第２波長選択層６４３の第３反射率を適宜設定することにより行われる。
なお、本実施形態においても、非平面部６４１の第２反射率（表面フレネル反射における反射率）、及び、波長変換層６５の波長変換効率は、ホワイトバランス調整に用いない。
まず、波長変換部６２Ｄの透光層６４における入射面６４０の非平面部６４１及び平面部６４２の割合を決定する。具体的に、入射面６４０における非平面部６４１の割合が１０％（平面部６４２の割合が９０％）である場合、上記第１反射率は、略２０％でよいが、当該非平面部６４１の割合が６０％（平面部６４２の割合が４０％）である場合、上記第１反射率は、略４０％必要となる。すなわち、入射面６４０において非平面部６４１の割合が増大する程、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率を大きくする必要がある。このため、製造者は、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率、及び、第２波長選択層６４３の第３反射率に応じて、非平面部６４１及び平面部６４２の割合を設定する。
なお、本実施形態では、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率及び第２波長選択層６４３の第３反射率に応じて、非平面部６４１及び平面部６４２の割合を設定することとしたが、これに限らず、例えば、非平面部６４１及び平面部６４２の割合を設定した後に、当該平面部６４２の割合に応じて、第１反射率の第１波長選択層６２３Ｄ及び第３反射率の第２波長選択層６４３を製造してもよい。
【００７３】
このように、入射面６４０における非平面部６４１、平面部６４２の割合、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率及び第２波長選択層６４３の第３反射率を、波長変換素子６Ｄの製造時点において、適宜設定することによって、波長変換素子６Ｄ、ひいては、照明装置４１からホワイトバランス（励起光と蛍光との割合）が調整された照明光ＷＬを出射させることができる。
【００７４】
［第２実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係るプロジェクターは、上記第１実施形態に係るプロジェクターと同様の効果を奏する他、以下の効果を奏する。
波長変換層６５より励起光ＥＬｃの入射側に位置して、当該励起光ＥＬｃを透過させる透光層６４を有し、第１波長選択層６２３Ｄが、波長変換層６５と透光層６４との間に位置するので、当該透光層６４によって、衝撃等に対する波長変換部６２Ｄの強度を向上させることができる。
また、透光層６４が波長変換部６２Ｄにおいて最も励起光ＥＬｃの入射側に位置しているので、当該透光層６４の入射面６４０に非平面部６４１及び平面部６４２が形成される。これによれば、例えば、波長変換層６５に非平面部６４１及び平面部６４２が形成される場合に比べて、当該非平面部６４１及び平面部６４２を形成する際に生じる当該波長変換層６５の破損を抑制できる。
更に、波長変換層６５がセラミック蛍光体等により形成され、透光層６４がガラス等により形成されているので、波長変換層６５に比べて加工しやすいため、当該波長変換層６５に非平面部６４１及び平面部６４２を形成する場合に比べて、透光層６４に非平面部６４１及び平面部６４２を容易に形成することができる。
【００７５】
第２波長選択層６４３が上記平面部６４２に位置するので、第１波長選択層６２３Ｄの第１反射率だけでなく、入射面６４０における非平面部６４１及び平面部６４２の割合、及び、第２波長選択層６４３の第３反射率を、波長変換部６２Ｄの製造時に調整することによって、当該波長変換部６２Ｄから出射される光の励起光ＥＬｃ及び蛍光の割合を調整できる。すなわち、第２波長選択層６４３が無い場合に比べて、ホワイトバランス（励起光と蛍光との割合）調整に用いることができる対象が増加するので、波長変換部６２Ｄの製造時において、ホワイトバランスの調整を確実に実行できる。
従って、第１波長帯や、波長変換層６５に含まれる蛍光体の種別の他、平面部６４２及び非平面部６４１の割合、並びに、第１波長選択層６２３Ｄ及び第２波長選択層６４３の各反射率を調整することによって、波長変換素子６Ｄから出射される光のホワイトバランスを調整でき、これにより、当該光を波長変換素子６Ｄから出射させることができる。
【００７６】
［第２実施形態の第１変形例］
図１２は、第２実施形態の第１変形例に係る波長変換素子６Ｅを示す図である。
上記第２実施形態では、波長変換装置５は、波長変換素子６Ｄを有することとしたが、これに限らず、例えば、波長変換素子６Ｅを備えることとしてもよい。
波長変換素子６Ｅは、波長変換部６２Ｅを有し、当該波長変換部６２Ｅは、第２波長選択層６４３に代えて、反射抑制層６４４を有する。
【００７７】
この反射抑制層６４４は、本発明の第２波長選択層に相当し、入射される第１波長帯の光の反射を抑制しつつ、蛍光を透過させる機能を有する。例えば、本変形例では、反射抑制層６４４は、ＡＲコートにより構成されている。これにより、平面部６４２に入射される励起光ＥＬｃの一部の光（励起光ＢＬ２）の略全ては、当該反射抑制層６４４を透過して透光層６４へと入射される。そして、第１波長選択層６２３Ｄにより一部の励起光が反射され、他の一部の光が波長変換層６５に入射され、当該波長変換層６５により蛍光に変換されて、透光層６４を透過して入射面６４０から出射される。
なお、上記第１変形例では、透光層６４の入射面６４０は、第１実施形態における入射面６２０と同様の構成を有することとしたが、これに限らず、例えば、上記入射面６４０に代えて、上記第１実施形態の第１〜第３変形例に示す入射面６２０Ａ〜６２０Ｃのいずれかを、有することとしてもよい。
【００７８】
［第１変形例の効果］
これによれば、反射抑制層６４４が平面部６４２に位置しているので、透光層６４及び第１波長選択層６２３Ｄへの第１波長帯の光（励起光ＢＬ２）の入射光量を高めることができる。これによれば、平面部６４２に入射される励起光ＢＬ２を有効に利用できるので、波長変換素子６Ｅから出射される励起光ＢＬ２の光量が低減することを抑制できる。従って、第１波長帯の光である励起光ＢＬ２をより確実に出射させることができる。
【００７９】
［実施形態の変形］
本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記各実施形態では、図４に示す程度の半径の平面部６２２が入射面６２０に形成されることとしたが、これに限られない。例えば、上記平面部６２２は、当該平面部６２２の半径よりも大きな半径の円形状であってもよいし、小さな円形状であってもよい。すなわち、入射面６２０において平面部６２２と非平面部６２１との照射領域Ａｒ１の範囲内における割合が変わらない範囲であればよい。また、平面部６２２の形状は、励起光ＥＬｃの光の入射方向基端側から見て、略矩形状であってもよいし、三角形状であってもよい。なお、入射面６４０、非平面部６４１、平面部６４２においても同様に形成されていてもよい。
【００８０】
上記各実施形態では、入射面６２０，６４０において、平面部６２２，６４２が略円形状に形成されていることとしたが、これに限られない。例えば、入射面６２０，６４０において、非平面部６２１，６４１が上記平面部６２２，６４２と同様に略円形状に形成されていてもよい。すなわち、入射面６２０，６４０において、非平面部６２１，６４１と平面部６２２，６４２との形状が逆であってもよい。この場合であっても、上記各実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００８１】
上記各実施形態では、入射面６２０，６４０において、照射領域Ａｒ１内における非平面部６２１，６２１Ａ〜６２１Ｃ，６４１と、平面部６２２，６２２Ａ〜６２２Ｃ，６４２の割合が所定の割合に設定されていることとしたが、これに限らない。例えば、入射面において、ピックアップ光学装置４１６から照射される全領域における非平面部６２１，６２１Ａ〜６２１Ｃ，６４１と、平面部６２２，６２２Ａ〜６２２Ｃ，６４２の割合が所定の割合であればよい。具体的に、非平面部６２１，６２１Ａ〜６２１Ｃ，６４１と、平面部６２２，６２２Ａ〜６２２Ｃ，６４２とが、交互に設けられていてもよい。この場合であっても、例えば、基板６１の回転速度を７２００ｒｐｍに設定すればよい。
【００８２】
上記第１実施形態では、第１波長選択層６２３は、平面部６２２に位置することとしたが、これに限らない。例えば、第１波長選択層６２３は、波長変換部６２と反射層６３との間に位置することとしてもよい。この場合であっても、入射面６２０における非平面部６２１及び平面部６２２の割合を調整することによって、上記第１実施形態と略同様の効果を奏することができる。
【００８３】
上記第２実施形態では、第１波長選択層６２３Ｄは、透光層６４と波長変換層６５との間に位置することとしたが、これに限らない。例えば、第１波長選択層６２３Ｄは、平面部６４２上に位置することとしてもよい。これによれば、第１実施形態と略同様の効果を奏することができる。なお、この場合、第２波長選択層６４３は設けなくてもよい。
また、上記第２実施形態では、平面部６２２に第２波長選択層６４３が位置することとしたが、これに限らない。例えば、当該第２波長選択層６４３は、なくてもよい。
【００８４】
上記第２実施形態の第１変形例では、反射抑制層６４４は、ＡＲコートにより形成されていることとしたが、これに限られない。例えば、反射抑制層６４４は、ＡＧコート（アンチグレア処理がなされた膜）により形成されていてもよい。この場合であっても、上記第２実施形態の第１変形例と略同様の効果を奏することができる。
【００８５】
上記各実施形態では、波長変換装置５は、回転装置７を有することとしたが、これに限らない。例えば、波長変換装置５は、波長変換素子６，６Ａ〜６Ｅと同様に、非平面部６２１，６４１、平面部６２２，６４２を有する波長変換素子と、当該波長変換素子を冷却する放熱部材を有することとしてもよい。この場合であっても、上記各実施形態と略同様の効果を奏することができる。
【００８６】
上記各実施形態では、非平面部６２１，６４１の第２反射率、並びに、蛍光体Ｐｈの波長変換効率については、ホワイトバランス調整に用いないこととした。しかしながら、これに限らず、例えば、上記第２反射率及び上記蛍光体Ｐｈの波長変換効率をホワイトバランス調整に用いることとしてもよい。
また、上記各実施形態では、ホワイトバランス調整には、上記第１反射率及び入射面６２０，６４０における非平面部６２１，６４１及び平面部６２２，６４２の割合を用いることとしたが、これに限らず、これらのいずれかのみをホワイトバランス調整に用いることとしてもよい。この場合であっても、波長変換素子６，６Ａ〜６Ｄから出射される光の励起光及び蛍光の割合を調整することができる。
【００８７】
上記各実施形態では、画像投射装置４は、上記図２に示した構成を有し、照明装置４１は、上記図３に示した構成及び配置を有するとした。しかしながら、これに限らず、画像投射装置、照明装置及び光源装置の構成及び配置は、適宜変更してよい。例えば、光源部４１１は、半導体レーザー４１１１から出射された励起光のうち、一部を拡散装置にて拡散反射させ、他の一部を波長変換素子６，６Ａ〜６Ｅに入射させて蛍光を生成させた後、これら励起光及び蛍光を合成して出射する構成としてもよい。また、照明装置４１は、波長変換素子６，６Ａ〜６Ｅにて生成される蛍光と合成される励起光を出射する光源部を、上記半導体レーザー４１１１とは別に有する構成としてもよい。更に、照明装置４１が出射する照明光ＷＬは、白色光でなくてもよい。
【００８８】
上記各実施形態では、プロジェクター１は、それぞれ液晶パネルを含む３つの光変調装置４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を備えるとした。しかしながら、これに限らず、２つ以下、或いは、４つ以上の光変調装置を備えたプロジェクターに本発明を適用してもよい。
上記実施形態では、プロジェクターは、光入射面と光出射面とが異なる透過型の液晶パネルを有する光変調装置４４を備えるとした。しかしながら、これに限らず、光入射面と光出射面とが同一となる反射型の液晶パネルを有する光変調装置を採用してもよい。また、入射光束を変調して画像情報に応じた画像を形成可能な光変調装置であれば、マイクロミラーを用いたデバイス、例えば、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等を利用したものなど、液晶以外の光変調装置を採用してもよい。
【００８９】
上記各実施形態では、波長変換装置５を照明装置４１に適用した例を挙げ、当該波長変換装置５を備えた照明装置４１をプロジェクターに適用した例を挙げた。しかしながら、これに限らず、波長変換装置５（波長変換素子６，６Ａ〜６Ｅ）を照明装置４１以外の装置に適用してもよいし、当該照明装置４１を照明機器等の電子機器に採用してもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…プロジェクター、５…波長変換装置、６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ…波長変換素子、７…回転装置、４１…照明装置（光源装置）、４４，４４Ｂ，４４Ｇ，４４Ｒ…光変調装置、４６…投射光学装置、６１…基板、６２，６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ，６２Ｄ、６２Ｅ…波長変換部、６３…反射層（反射部）、６４…透光層、６５、６２４，６２４Ａ，６２４Ｂ，６２４Ｃ…波長変換層、４１１…光源部（光源）、６２０，６２０Ａ，６２０Ｂ，６２０Ｃ，６４０…入射面、６２１，６２１Ａ，６２１Ｂ，６２１Ｃ，６４１…非平面部、６２２，６２２Ａ，６２２Ｂ，６２２Ｃ，６４２…平面部、６２３，６２３Ａ，６２３Ｂ，６２３Ｃ，６２３Ｄ…第１波長選択層、６４３…第２波長選択層、６４４…反射抑制層（第２波長選択層）、Ａｒ１…照射領域、ＢＬ１，ＢＬ１１，ＢＬ１２，ＢＬ１３，ＢＬ１４，ＢＬ１５，ＢＬ１６，ＢＬ２，ＢＬ２１，ＢＬ２２，ＢＬ２３，ＢＬ２４，ＢＬ２５，ＢＬ２６…励起光（第１波長帯の光）、ＥＬｃ…励起光（第１波長帯の光）、Ｐｈ…蛍光体、ＷＬ…照明光、ＹＬ１，ＹＬ１１，ＹＬ２，ＹＬ２１…蛍光（第２波長帯の光）。
【図１】
2018092054.tif 000003
【図２】
2018092054.tif 000004
【図３】
2018092054.tif 000005
【図４】
2018092054.tif 000006
【図５】
2018092054.tif 000007
【図６】
2018092054.tif 000008
【図７】
2018092054.tif 000009
【図８】
2018092054.tif 000010
【図９】
2018092054.tif 000011
【図１０】
2018092054.tif 000012
【図１１】
2018092054.tif 000013
【図１２】
2018092054.tif 000014