(57)【要約】【課題】上面視したときの遮蔽板の面積を連続的に変えられ、大型化が抑制される成膜装置を提供する。【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、真空槽と、成膜源と、支持ホルダと、第１の遮蔽機構と、を具備する。前記成膜源は、前記真空槽内に設けられている。前記支持ホルダは、前記真空槽内に設けられている。前記支持ホルダは、前記成膜源に対向し、ワークを支持することが可能である。前記支持ホルダは、第１の軸のまわりに回転可能になっている。前記第１の遮蔽機構は、前記成膜源と前記支持ホルダとの間において前記第１の軸に交差する第２の軸のまわりに回転可能に設けられる。前記第１の遮蔽機構は、前記第１の軸方向から見て、第１の回転位置で第１の面積を有し、第２の回転位置で前記第１の面積と異なる第２の面積を有する第１の遮蔽板を含む。【選択図】図１
2018059133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
前記真空槽内に設けられた成膜源と、
前記真空槽内に設けられ、前記成膜源に対向し、ワークを支持することが可能であり、第１の軸のまわりに回転可能な支持ホルダと、
前記成膜源と前記支持ホルダとの間に前記第１の軸に交差する第２の軸のまわりに回転可能に設けられ、前記第１の軸方向から見て、第１の回転位置で第１の面積を有し、第２の回転位置で前記第１の面積と異なる第２の面積を有する第１の遮蔽板を含む第１の遮蔽機構と、
を具備する成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載された成膜装置であって、
前記第１の遮蔽板は、前記第２の軸に沿って幅が変化する平面形状を有する
成膜装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された成膜装置であって、
前記第１の遮蔽機構は、前記第２の軸のまわりに回転可能に設けられた第２の遮蔽板をさらに有し、
前記第２の遮蔽板は、前記第１の遮蔽板に対して交差するように配置され、
前記第２の遮蔽板の形状は、前記第１の遮蔽板の形状と異なる
成膜装置。
【請求項４】
請求項３に記載された成膜装置であって、
前記第２の遮蔽板は、前記第２の軸に沿って幅が変化する平面形状を有する
成膜装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載された成膜装置であって、
第２の遮蔽機構をさらに具備し、
前記第２の遮蔽機構は、前記成膜源と前記支持ホルダとの間に前記第２の軸または前記第２の軸に交差する第３の軸のまわりに回転可能に設けられた第２の遮蔽板を有し、
前記第２の遮蔽板は、前記第１の軸方向から見て、第３の回転位置で第３の面積を有し、第４の回転位置で前記第３の面積と異なる第４の面積を有する第２の遮蔽板を含む
成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載された成膜装置であって、
前記第２の遮蔽板は、前記第２の軸または前記第３の軸に沿って幅が変化する平面形状を有する
成膜装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載された成膜装置であって、
前記第２の遮蔽板の形状は、前記第１の遮蔽板の形状と異なる
成膜装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載された成膜装置であって、
前記成膜源は、複数の蒸発源を有する
成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置に、複数の基板を基板ホルダに支持し、基板ホルダの回転方向における基板間の膜厚のばらつきを抑制するために、基板ホルダを回転しながら成膜を行うものがある。また、この種の成膜装置には、基板ホルダに複数の蒸着源を対向させ、複数の蒸着源ごとに異なる材料を収容し、複数の蒸着源の中から選択された１つの材料を支持ホルダに向かって蒸発させて成膜を行うものがある。
【０００３】
しかし、基板ホルダの直径方向における膜厚は、いわゆる余弦則に則り、蒸着源と基板ホルダとの距離に応じてばらつく場合がある。このばらつきを抑制するため、蒸着源と基板ホルダとの間に、膜厚分布を均一にするための遮蔽板を設けた成膜装置がある。しかし、蒸発させる材料によっては、余弦則の係数（ｃｏｓｎθ）のｎ値が異なる。これにより、蒸着源と基板ホルダとの間に、同じ遮蔽板を設けても基板ホルダの直径方向における膜厚のばらつきが改善されない場合がある。
【０００４】
これに対し、開口の形状が異なる複数の遮蔽板を切り替えて、これらの遮蔽板から選ばれた１つの遮蔽板を蒸着源と基板ホルダとの間に設置可能にした成膜装置が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−０４３８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の成膜装置では、開口の形状が個々の遮蔽板で固定であり、基板ホルダの側から遮蔽板を見たときの（上面視）遮蔽板の面積は、連続的には変わらない。これにより、基板ホルダの直径方向における膜厚のばらつきが抑制され得る材料の選択の自由度が限られる。また、複数の遮蔽板を成膜装置内に収容すると、遮蔽板を収容する収容室が成膜装置内に必要になり、成膜装置が大型になる。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板ホルダの直径方向における膜厚のばらつきが抑制される材料の選択の自由度がより向上し、大型化が抑制される成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、真空槽と、成膜源と、支持ホルダと、第１の遮蔽機構と、を具備する。
前記成膜源は、前記真空槽内に設けられている。前記支持ホルダは、前記真空槽内に設けられている。前記支持ホルダは、前記成膜源に対向し、ワークを支持することが可能である。前記支持ホルダは、第１の軸のまわりに回転可能になっている。
前記第１の遮蔽機構は、前記成膜源と前記支持ホルダとの間において前記第１の軸に交差する第２の軸のまわりに回転可能に設けられる。前記第１の遮蔽機構は、前記第１の軸方向から見て、第１の回転位置で第１の面積を有し、第２の回転位置で前記第１の面積と異なる第２の面積を有する第１の遮蔽板を含む。
これにより、第１の遮蔽板の遮蔽面積が連続的に変わり、基板ホルダの直径方向における膜厚のばらつきが抑制される材料の選択の自由度がより向上する。さらに、成膜装置の大型化が抑制される。
【０００９】
上記の成膜装置においては、前記第１の遮蔽板は、前記第２の軸に沿って幅が変化する平面形状を有してもよい。
これにより、前記第２の軸に沿って幅が変化する平面形状を有する第１の遮蔽板が回転することにより、第１の遮蔽板の遮蔽面積が連続的に変わる。
【００１０】
上記の成膜装置においては、前記第１の遮蔽機構は、前記第２の軸のまわりに回転可能に設けられた第２の遮蔽板をさらに有してもよい。前記第２の遮蔽板は、前記第１の遮蔽板に対して交差するように配置されてもよい。前記第２の遮蔽板の形状は、前記第１の遮蔽板の形状と異なってもよい。
これにより、第１の遮蔽板と形状が異なる第２の遮蔽板の遮蔽面積も連続的に変わる。
【００１１】
上記の成膜装置においては、第２の遮蔽機構をさらに具備してもよい。
前記第２の遮蔽機構は、第２の遮蔽板を有する。前記第２の遮蔽板は、前記成膜源と前記支持ホルダとの間において、前記第２の軸または前記第２の軸に交差する第３の軸のまわりに回転可能に設けられてもよい。前記第２の遮蔽板は、前記第１の軸方向から見て、第３の回転位置で第３の面積を有し、第４の回転位置で前記第３の面積と異なる第４の面積を有する第２の遮蔽板を含んでもよい。
これにより、第２の遮蔽板の遮蔽面積が連続的に変わる。
【００１２】
上記の成膜装置においては、前記第２の遮蔽板は、前記第２の軸または前記第３の軸に沿って幅が変化する平面形状を有してもよい。
これにより、前記第２の軸または前記第３の軸に沿って幅が変化する平面形状を有する第２の遮蔽板が回転することにより、第２の遮蔽板の遮蔽面積が連続的に変わる。
【００１３】
上記の成膜装置においては、前記第２の遮蔽板の形状は、前記第１の遮蔽板の形状と異なってもよい。
これにより、第１の遮蔽板と形状が異なる第２の遮蔽板の遮蔽面積も連続的に変わる。
【００１４】
上記の成膜装置においては、前記成膜源は、複数の蒸発源を有してもよい。
これにより、各材料の蒸発角度が異なっても、第１の遮蔽板または第２の遮蔽板の回転位置を適宜調整することにより、各材料における支持ホルダの径方向における膜厚分布のばらつきが抑制される。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明によれば、遮蔽板の面積が連続的に変わり、成膜装置の成膜装置の大型化が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図Ａは、本実施形態に係る成膜装置の全体構成を示す概略側面図である。図Ｂは、本実施形態に係る成膜装置の支持ホルダの一部を拡大した概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る遮蔽板を支持ホルダから見た様子を示す概念上面図である。
【図３】図Ａおよび図Ｂは、本実施形態に係る成膜装置が動作した場合の支持ホルダの径方向における膜厚分布を示す概念図である。
【図４】図Ａは、本実施形態の遮蔽機構の変形例に係る概念断面図である。図Ｂおよび図Ｃは、本実施形態の遮蔽機構の変形例に係る概念上面図である。
【図５】本実施形態の成膜装置の変形例に係る概念側面図である。
【図６】図５に示された成膜装置内の遮蔽機構の概念上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標系が導入される場合がある。
【００１８】
［成膜装置の全体構成］
図１Ａは、本実施形態に係る成膜装置の全体構成を示す概略側面図である。図１Ｂは、本実施形態に係る成膜装置の支持ホルダの一部を拡大した概略断面図である。
図１Ａに示す成膜装置１００は、真空槽１０と、成膜源２０と、支持ホルダ３０と、遮蔽機構４０Ａ（第１の遮蔽機構）と、を具備する。
【００１９】
真空槽１０は、減圧状態が維持することが可能な真空容器である。真空槽１０をＸ−Ｙ平面で切断したときの形状は、例えば、矩形状である。真空槽１０には、真空槽１０外から真空槽１０内にガスを供給することが可能なガス供給機構が設けられてもよい。
【００２０】
成膜源２０は、真空槽１０内に設けられている。成膜源２０は、例えば、真空槽１０内の底部１０ｂまたは底部１０ｂの近傍に設けられている。成膜源２０は、銅製の坩堝２１を有する。坩堝２１は、例えば、Ｚ軸方向に延伸する軸心２０ｃの周りに回転可能である。坩堝２１には、例えば、複数の蒸発源２１ｈが設けられている。蒸発源２１ｈは、坩堝２１に設けられた孔部である。坩堝２１を上面視したときの複数の蒸発源２１ｈは、軸心２０ｃを中心に放射状に配置されている。それぞれの蒸発源２１ｈには、材料が設置される。
【００２１】
成膜源２０は、電子ビーム２３を放出する電子銃２２を有する。電子銃２２は、例えば、Ｙ軸方向（または、Ｘ軸方向）において坩堝２１に並んで配置されている。坩堝２１の回転によって電子銃２２が照射される材料が選択されて、この材料が電子銃２２により加熱されることにより、材料は蒸発源２１ｈから支持ホルダ３０に向かい蒸発する。本実施形態では、成膜源２０として、電子ビーム蒸着源が例示されたが、成膜源２０は、誘導加熱式の蒸着源、抵抗加熱式の蒸着源であってもよい。
【００２２】
蒸発源２１ｈの直上には、材料の支持ホルダ３０への飛遊を遮断するシャッタ２５が設けられる。なお、成膜源２０には、回転によって電子ビーム２３を遮断する別のシャッタ（不図示）が設けられてもよい。図１Ａには、材料が蒸発源２１ｈから支持ホルダ３０へ飛遊する範囲の外延を模式的に線２６で表している。材料が支持ホルダ３０に向かう蒸気流の角度分布は、一般的にいわゆる余弦則に則ることが知られている。
【００２３】
例えば、膜厚は、成膜源２０に最も近い支持ホルダ３０の中心部において、最も厚くなり、中心部から離れるほど（支持ホルダ３０の外側に向かうほど）薄くなる傾向を示す。さらに、電子ビーム２３を用いた成膜源２０の蒸発角度分布については、余弦則の係数として、ｃｏｓｎθが用いられる。ｎの値は材料等により異なる。
【００２４】
支持ホルダ３０は、真空槽１０内に設けられている。支持ホルダ３０は、Ｚ軸方向において成膜源２０に対向する。支持ホルダ３０は、ドーム型構造を有する。支持ホルダ３０は、平板構造でもよい。支持ホルダ３０は、複数のワークＷ１を支持することができる。
【００２５】
例えば、図１Ｂに示すように、ワークＷ１は、基板支持具３５を介して、支持ホルダ３０に支持されている。基板支持具３５は、支持ホルダ３０に対して脱着可能である。基板支持具３５の外端３５ｅは、例えば、円形である。基板支持具３５は、基板支持具３５の外端３５ｅと同心円状に設けられた多段状の開口を有する。例えば、基板支持具３５は、開口３５ｈａと、この開口３５ｈａに連通し開口３５ｈｂよりも径が小さい開口３５ｈｂとを有する。この段差形状により、基板支持具３５においては、ワークＷ１を載置可能な環状の載置面３５ｐが形成される。
【００２６】
また、支持ホルダ３０には、基板支持具３５を収容する開口３０ｈが設けられている。ここで、開口３０ｈの内径は、基板支持具３５の外端３５ｅの外径よりも小さい。また、基板支持具３５の外端３５ｅにも段差が設けられ、基板支持具３５には、支持ホルダ３０に当接する当接面３５ｒが形成されている。
【００２７】
ワークＷ１においては、成膜面が載置面３５ｐに接するように基板支持具３５によって支持される。これにより、ワークＷ１の成膜面の一部が開口３５ｈａから下側に向かって露出する。露出した面は、成膜源（不図示）に対向する。この露出した面に、例えば、成膜が施される。ワークＷ１は、例えば、円形状の半導体ウェーハである。ワークＷ１の平面形状は、例えば、矩形状であってもよい。ワークＷ１は、成膜面を成膜源２０に向けて支持ホルダ３０に支持される。すなわち、ワークＷ１の成膜面は、成膜源２０に対向する。
【００２８】
支持ホルダ３０の中心部（ドーム構造の最上部）は、軸部３１に連結されている。軸部３１は、Ｚ軸方向（第１の軸）に延伸する。軸部３１は、真空槽１０の上部１０ｕに設けられている。支持ホルダ３０は、軸部３１のまわりに回転可能である。軸部３１は、真空槽１０を介して駆動ユニット３２に連結されている。駆動ユニット３２は、例えば、真空槽１０の上部１０ｕ上に設けられている。軸部３１の回転は、駆動ユニット３２によって制御されている。成膜装置１００では、支持ホルダ３０が回転しながら成膜処理が可能である。
【００２９】
遮蔽機構４０Ａは、成膜源２０と支持ホルダ３０との間に設けられている。遮蔽機構４０Ａは、遮蔽板４１（第１の遮蔽板）と、軸部４４と、駆動ユニット４６と、を有する。遮蔽板４１は、一組の遮蔽部４１ａと遮蔽部４１ｂとを有する。また、本実施形態では、遮蔽部４１ａと遮蔽部４１ｂとを総括的に遮蔽板４１と呼ぶ場合がある。また、本実施形態において例示される遮蔽板４１の形状は、一例である。
【００３０】
例えば、遮蔽板４１（遮蔽部４１ａ、４１ｂ）は、軸部４４が延伸する方向に沿った板状部材である。遮蔽板４１は、軸部４４に沿って幅が変化する平面形状を有する。例えば、遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂのそれぞれは、平面形状が楕円状の板状部材を含む。遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂのそれぞれの平面形状は、円形、矩形状であってもよい。図１Ａには、遮蔽板４１の一例として、遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂのそれぞれが軸部４４が延伸する方向に並んだ様子が示されている。例えば、遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂは、遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂのそれぞれの主面４１ｓが平行になるように、軸部４４が延伸する方向に並んでいる。遮蔽部４１ａおよび遮蔽部４１ｂのそれぞれは、軸部４４に対して、例えば、線対称に設けられている。
【００３１】
遮蔽板４１は、軸部４４に支持されている。軸部４４は、Ｚ軸方向に交差する軸（第２の軸）に沿って延伸する。以下では、第２の軸を例えば、図中のＹ軸方向とする。例えば、軸部４４は、軸部３１に対して略直交している。ここで、略直交とは、なす角度が直交または実質的に直交であることを言う。軸部４４は、駆動ユニット４６に連結されている。駆動ユニット４６は、例えば、真空槽１０の側壁１０ｗに設置されている。軸部４４の回転は、駆動ユニット４６によって制御されている。
【００３２】
例えば、蒸発源２１ｈから蒸発した材料がいわゆる余弦則に則った場合、基板ホルダ３０の直径方向における膜厚は、基板ホルダ３０の中心部ほど厚く、中心部から外側に向かうにつれ薄くなっていく。この膜厚分布を均一にするには、例えば、遮蔽板４１が軸部４４の中心付近においてＹ軸方向に対して直交する方向における幅が広く、中心から外側に向かうにつれ、その幅が狭くなっていく構成を有してもよい。
【００３３】
但し、支持ホルダ３０の中心部には軸部３１が設置されているため、中心部付近には、ワークＷ１を設置できない。すなわち、支持ホルダ３０の中心部は、成膜を要しない。このため、本実施形態の遮蔽板４１においては、一例として、支持ホルダ３０の中心部の直下の部分（遮蔽部４１ａと遮蔽部４１ｂとの間）には、間隙が設けられている。一方、支持ホルダ３０から外側に向かうほど、上述した蒸気流が弱くなる。このため、支持ホルダ３０の外側においては蒸気流の遮蔽効果を抑えた方が支持ホルダ３０内における膜厚がより均一になる。このため、本実施形態の遮蔽板４１では、一例として、外側ほどＹ軸方向に対して直交する方向における遮蔽板４１の幅が狭く設定されている。
【００３４】
図１Ａには、一例として遮蔽板４１の主面がＺ軸方向に平行な状態で停止した様子が表されているが、軸部４４が回転することにより、遮蔽板４１は、軸部４４のまわりに回転可能になっている。そして、Ｚ軸方向から（支持ホルダ３０から）遮蔽板４１を見たとき、遮蔽板４１が軸部４４のまわりに回転することにより遮蔽板４１の面積が変わる。例えば、遮蔽板４１をＸ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４１の形状は、遮蔽板４１が軸部４４のまわりに回転することにより変わる。この構成を図２Ａ〜図２Ｃを用いて説明する。
【００３５】
図２Ａ〜図２Ｃは、本実施形態に係る遮蔽板を支持ホルダから見た様子を示す概念上面図である。図２Ａ〜図２Ｃには、支持ホルダ３０の外形が破線で表されている。
【００３６】
成膜装置１００では、遮蔽板４１をＸ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４１の形状が連続的に変わる。これにより、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４１の面積が連続的に変わる。例えば、Ｚ軸方向から遮蔽板４１を見たとき、任意の回転位置（第１の回転位置）で遮蔽板４１が停止したとき遮蔽板４１の面積（第１の面積）は、別の任意の回転位置（第２の回転位置）で遮蔽板４１が停止したときの遮蔽板４１の面積（第２の面積）と異なる。また、成膜装置１００においては、遮蔽板４１が第１の回転位置から第２の回転位置に移るとき、Ｚ軸方向から遮蔽板４１を見たとの遮蔽板４１の面積が連続的に変化することもできる。
【００３７】
例えば、図２Ａには、図１Ａと同じ状態の遮蔽板４１の様子が示されている。図２Ａでは、遮蔽板４１の主面４１ｓがＺ軸方向に対して平行になっている。このときの回転角度を０度とする。この状態は、支持ホルダ３０から見たときの遮蔽板４１の面積が最小（実質的に"０"）になった状態とみなすことができる。
【００３８】
図２Ｂには、図２Ａの状態から遮蔽板４１を４５度回転させた様子が示されている。図２Ｂでは、遮蔽板４１の主面４１ｓとＺ軸方向とのなす角度は、４５度である。この状態では、Ｚ軸方向から遮蔽板４１を見たとの遮蔽板４１の面積が図２Ａの状態よりも増加している。
【００３９】
図２Ｃには、図２Ｂの状態から遮蔽板４１を４５度回転させた様子（図２Ａの状態から９０度回転）が示されている。図２Ｃでは、遮蔽板４１の主面４１ｓがＺ軸方向に対して直交している。この状態は、支持ホルダ３０から見たときの遮蔽板４１の面積が最大になっている。
【００４０】
なお、遮蔽機構４０Ａは、軸部４４を有さず、遮蔽板４１が駆動ユニット４６に直接接し、駆動ユニット４６によって遮蔽板４１が直接回転される機構であってもよい。
【００４１】
［成膜装置の作用］
図２Ａ〜図２Ｃに例示した遮蔽機構４０Ａを用いて、成膜装置１００の作用を説明する。
図３Ａおよび図３Ｂは、本実施形態に係る成膜装置が動作した場合の支持ホルダの径方向における膜厚分布を示す概念図である。この膜厚分布は、支持ホルダの任意の径方向における膜厚分布である。図３Ａおよび図３Ｂの横軸は、支持ホルダ３０の中心から距離が示されている。図３Ａおよび図３Ｂの縦軸は、膜厚（規格値）が示されている。
【００４２】
例えば、材料として、２種の金属（金属Ａ、金属Ｂ）を準備する。金属Ａの特性（例えば、蒸発温度、熱伝導率等）は、金属Ｂの特性と異なるとする。そして、支持ホルダ３０を回転させつつ、２種の金属をそれぞれ独立して成膜源２０から蒸発させる。
【００４３】
支持ホルダ３０には、複数のワークＷ１が支持されている。支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布は、支持ホルダ３０に支持された複数のワークＷ１に形成された膜の厚さを測定することで求められる。膜厚は、機械的手法（例えば、触針式）、光学的手法（例えば、エリプソメトリ）により求められる。但し、支持ホルダ３０の中心は、軸部３１に連結されているので、この部分には、ワークＷ１を設置することができない。これにより、支持ホルダ３０の中心部の膜厚は測定されず、図３Ａおよび図３Ｂには、支持ホルダ３０の中心付近での膜厚分布曲線が途切れている。
【００４４】
まず、図３Ａに金属Ａによる膜厚分布を示す。
遮蔽板４１による遮蔽が角度０度（図２Ａ）の状態では、金属Ａによる膜厚分布は、支持ホルダ３０の中心に向かうほど厚く、支持ホルダ３０の外周に向かうほど薄くなっている。この理由は、０度の状態では、支持ホルダ３０は、遮蔽板４１により実質的に遮蔽されず、支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布に上述した余弦則が反映されるからである。この状態から、遮蔽板４１を角度９０度（図２Ｃ）の状態に変えると、支持ホルダ３０内における金属Ａの蒸気流の強さが平均化されて、金属Ａによる膜厚分布が均一になる。
【００４５】
次に、図３Ｂに金属Ｂによる膜厚分布を示す。
遮蔽板４１による遮蔽が角度０度（図２Ａ）の状態では、金属Ｂによる膜厚分布は、支持ホルダ３０の中心に向かうほど厚く、支持ホルダ３０の外周に向かうほど薄くなっている。これは、角度０度の状態では、支持ホルダ３０は、遮蔽板４１により実質的に遮蔽されないからである。そして、この状態から、遮蔽板４１を上記と同様に角度９０度（図２Ｃ）の状態に変えても、金属Ｂによる膜厚分布は均一になるとは限らない。
【００４６】
上述したように、余弦則の係数（ｃｏｓｎθ）のｎは、材料により異なる。これにより、金属Ｂに対して金属Ａと同じ角度９０度の遮蔽板４１の状態を用いても金属Ｂによる膜厚分布は、均一にならない。その状態が図３Ｂに示されている。
【００４７】
これに対して、本実施形態では、例えば、金属Ｂに対しては、遮蔽板４１を角度９０度ではなく、例えば、角度４５度（図２Ｂ）の状態にして成膜を行う。これにより、支持ホルダ３０内における金属Ｂの蒸気流の強さが平均化されて、金属Ｂによる膜厚分布が均一になる。その状態が図３Ｂに示されている。
【００４８】
このように、成膜装置１００では、遮蔽板４１が回転することにより、支持ホルダ３０から見たときの遮蔽板４１の面積が連続的に変わる。これにより、各材料の蒸発角度が異なっても、遮蔽板４１の回転位置を適宜調整することにより、各材料における支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布のばらつきが抑制される。この結果、基板ホルダ３０の直径方向における膜厚のばらつきが抑制される材料の選択の自由度がより向上する。
【００４９】
例えば、金属Ａおよび金属Ｂとはさらに異なる金属Ｃをさらに材料として用いる場合は、図２Ｂの状態と図２Ｃの状態との間のいずれかの回転位置において金属Ｃを成膜すれば、金属Ｃによる膜厚分布を均一にすることもできる。つまり、成膜装置１００を用いれば、膜厚分布を均一にできる材料の種類が増加する。また、遮蔽機構４０Ａは、真空槽１０の内部に収容され、成膜装置の大型化が抑制される。また、遮蔽板４１の回転は、真空槽１０を大気開放せずに行うことができる。
【００５０】
［遮蔽機構の変形例１］
図４Ａは、本実施形態の遮蔽機構の変形例に係る概念断面図である。図４Ｂおよび図４Ｃは、本実施形態の遮蔽機構の変形例に係る概念上面図である。図４Ａには、例えば、図４ＢにおけるＡ１−Ａ２断面が示されている。
【００５１】
図４Ａ〜図４Ｃに示す遮蔽機構４０Ｂは、遮蔽板４１のほかに遮蔽板４２（第２の遮蔽板）をさらに有する。遮蔽板４２は、遮蔽部４２ａと遮蔽部４２ｂとを有する。本実施形態では、遮蔽部４２ａと遮蔽部４２ｂとを総括的に遮蔽板４２と呼ぶ場合がある。また、遮蔽機構４０Ｂには、遮蔽板４１および遮蔽板４２のほか、別の遮蔽板が少なくとも１つ設けられてもよい。
【００５２】
例えば、遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれは、平面形状が楕円状の板状部材を含む。遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれは、軸部４４に沿って幅が変化する平面形状を有する。遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれの平面形状は、矩形状（例えば、四角形、六角形）であってもよい。遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれは、軸部４４に対して、例えば、線対称に設けられている。図４Ａ〜図４Ｃには、遮蔽板４２の一例として、遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれがＹ軸方向に並んだ様子が示されている。例えば、遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂは、遮蔽部４２ａおよび遮蔽部４２ｂのそれぞれの主面４２ｓが平行になるようにＹ軸方向に並んでいる。
【００５３】
遮蔽板４２は、軸部４４に支持されている。例えば、遮蔽板４２は、軸部４４の周りに回転可能に設けられている。遮蔽板４２は、遮蔽板４１に対して交差（例えば、直交）するように配置されている。
【００５４】
但し、遮蔽板４２の平面形状は、遮蔽板４１の平面形状と異なる。例えば、Ｙ軸方向において、遮蔽部４２ａの幅（例えば、最大の幅）は、遮蔽部４１ａの幅（例えば、最大の幅）よりも狭い。また、Ｙ軸方向において、遮蔽部４２ｂの幅（例えば、最大の幅）は、遮蔽部４１ｂの幅（例えば、最大の幅）よりも狭い。さらに、遮蔽板４２の主面４２ｓの面積は、遮蔽板４１の主面４１ｓの面積よりも小さい。なお、Ｙ軸方向に対して直交する方向において、遮蔽部４２ａの幅が遮蔽部４１ａの幅と異なってもよく、遮蔽部４２ｂの幅が遮蔽部４１ｂの幅と異なってもよい。
【００５５】
遮蔽板４２においても、軸部４４が回転することにより、遮蔽板４１ともに回転可能になっている。これにより、遮蔽板４２をＸ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４２の形状が連続的に変わる。これにより、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４２の面積が連続的に変わる。例えば、Ｚ軸方向から遮蔽板４２を見たとき、任意の回転位置（第３の回転位置）で遮蔽板４２が停止したとき遮蔽板４２の面積（第３の面積）は、別の任意の回転位置（第４の回転位置）で遮蔽板４２が停止したときの遮蔽板４２の面積（第４の面積）と異なる。これにより、支持ホルダ３０から見たときの遮蔽板４２の面積も連続的に変わる。
【００５６】
例えば、図４Ｂには、遮蔽板４１の主面４１ｓがＸ−Ｙ平面において平行になった状態が示されている。この状態では、遮蔽板４２は、Ｘ−Ｚ平面に平行になり、支持ホルダ３０は、遮蔽板４２によって実質的に遮蔽されなくなる。一方、図４Ｃには、図４Ｂの状態から９０度、軸部４４が回転して、遮蔽板４２の主面４２ｓがＸ−Ｙ平面において平行になった状態が示されている。この状態では、遮蔽板４１は、Ｘ−Ｚ平面に平行になり、遮蔽板４１による遮蔽は実質的になくなる。
【００５７】
例えば、図４Ｂに示す状態で支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布が均一になる金属Ａに対しては、図４Ｂの状態で成膜を行う。また、図４Ｃに示す状態で支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布が均一になる金属Ｂに対しては、図４Ｂの状態から図４Ｃの状態に遮蔽機構４０Ｂを切り替え、図４Ｃの状態で成膜を行う。これにより、金属Ａおよび金属Ｂに対して、ともに支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布がより均一になる。
【００５８】
このように、遮蔽機構４０Ｂを用いれば、遮蔽板４１または遮蔽板４２の回転位置を適宜調整することにより、各材料における支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布のばらつきが抑制される。特に、遮蔽機構４０Ｂを用いれば、金属Ａに対する専用の遮蔽板４１と、金属Ｂに対する専用の遮蔽板４２と、を回転により簡便に切り替え可能になる。さらに、遮蔽機構４０Ｂにおいては、平面形状が異なった遮蔽板（遮蔽板４１、４２）を使い分けることができる。例えば、遮蔽機構４０Ｂにおいては、Ｙ軸方向において幅が異なった複数の遮蔽板（遮蔽板４１、４２）を使い分けることができる。
【００５９】
［遮蔽機構の変形例２］
図５は、本実施形態の成膜装置の変形例に係る概念側面図である。
図６は、図５に示された成膜装置内の遮蔽機構の概念上面図である。
【００６０】
図５および図６に示す成膜装置１０１は、真空槽１０内に、遮蔽機構４０Ａのほかに遮蔽機構４０Ｃ（第２の遮蔽機構）をさらに備える。遮蔽機構４０Ｃは、成膜源２０と支持ホルダ３０との間に設けられる。遮蔽機構４０Ｃは、遮蔽機構４０Ａとは独立して真空槽１０内に設けられている。図５、６では、遮蔽機構４０Ｃは、遮蔽機構４０Ａの下に設けられた状態が示されているが、遮蔽機構４０Ｃは、遮蔽機構４０Ａの上に設けられてもよい。また、遮蔽機構４０Ｃおよび遮蔽機構４０Ａとは異なる別の遮蔽機構が真空槽１０内に設けられてもよい。
【００６１】
遮蔽機構４０Ｃは、遮蔽板４２と、軸部４７と、駆動ユニット４９と、を有する。軸部４７は、Ｙ軸方向に平行またはＹ軸方向に交差する方向に延伸する。例えば、図５、６では、Ｙ軸方向に直交したＸ軸方向に延伸する軸部４７が示されている。また、遮蔽板４２は、軸部４７によって支持されている。これにより、遮蔽板４２は、軸部４７のまわりに回転可能になる。遮蔽板４２の平面形状は、遮蔽板４１の平面形状と同じでもよく、図４Ａ〜図４Ｃに例示した形状と同じでもよい。
【００６２】
成膜装置１０１によれば、駆動ユニット４９により、遮蔽板４２を遮蔽板４１の回転とは独立して回転させることができる。例えば、遮蔽板４１を回転しても、遮蔽板４２は、遮蔽板４１の回転に応じて回転しない。
【００６３】
例えば、金属Ａに対しては、金属Ａに対する専用の遮蔽機構４０Ａを用いて、支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布を均一にする。一方、金属Ｂに対しては、金属Ｂに対する専用の遮蔽機構４０Ｃを用いて、支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布を均一する。
【００６４】
このように、各材料の蒸発角度が異なっても、遮蔽板４１または遮蔽板４２の回転位置を独立して適宜調整することにより、各材料における支持ホルダ３０の径方向における膜厚分布のばらつきが抑制される。特に、成膜装置１０１によれば、金属Ａに対する専用の遮蔽機構４０Ａと金属Ｂに対する専用の遮蔽機構４０Ｂとを独立して動作可能になっている。
【００６５】
これにより、遮蔽板４１、４２をＸ−Ｙ平面に投影したときの遮蔽板４１、４２の形状がさらに多様になる。その結果、膜厚分布を均一にできる材料の種類がさらに増加する。
【００６６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６７】
１０…真空槽
１０ｂ…底部
１０ｗ…側壁
２０…成膜源
２０ｃ…軸心
２１…坩堝
２１ｈ…蒸発源
２２…電子銃
２３…電子ビーム
２５…シャッタ
３０…支持ホルダ
３０ｈ…開口
３１…軸部
３２…駆動ユニット
３５…基板支持具
３５ｅ…外端
３５ｐ…載置面
３５ｒ…当接面
３５ｈａ、３５ｈｂ…開口
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ…遮蔽機構
４１、４２…遮蔽板
４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ…遮蔽部
４１ｓ、４２ｓ…主面
４４、４７…軸部
４６、４９…駆動ユニット
１００、１０１…成膜装置
Ｗ１…ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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