(57)【要約】【課題】スプリアスを抑制すること。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指２１と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを有する一対の櫛型電極を備え、電極指のピッチが略同じ第１領域と、前記第１領域の前記複数の電極指の配列方向における外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが小さくなる第２領域と、前記第２領域の前記配列方向の外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが大きくなる第３領域と、を含むＩＤＴ２０と、を具備する弾性波共振器。【選択図】図３
2018182460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを有する一対の櫛型電極を備え、電極指のピッチが略同じ第１領域と、前記第１領域の前記複数の電極指の配列方向における外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが小さくなる第２領域と、前記第２領域の前記配列方向の外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが大きくなる第３領域と、を含むＩＤＴと、
を具備する弾性波共振器。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域とは接し、前記第２領域と前記第３領域とは接する請求項１記載の弾性波共振器。
【請求項３】
前記第２領域内の最も前記第１領域側の電極指のピッチは前記第１領域内の前記電極指のピッチ以下であり、
前記第３領域内の最も前記第２領域側の前記電極指のピッチは前記第２領域内の最も前記第３領域側の前記電極指のピッチ以上である請求項１または２記載の弾性波共振器。
【請求項４】
前記第２領域および前記第３領域内では各々一定の傾きでピッチが変化する請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波共振器。
【請求項５】
前記第２領域の対数と前記第３領域の対数は同じである請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波共振器。
【請求項６】
前記圧電基板上に設けられ、前記配列方向の外側に設けられた反射器を具備する請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波共振器。
【請求項７】
前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波共振器。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
【請求項９】
入力端子と出力端子との間に接続された１または複数の直列共振器と、
前記入力端子と前記出力端子との間に接続された１または複数の並列共振器と、
を具備し、
前記１または複数の直列共振器のうち少なくとも１つの共振器は、
前記弾性波共振器である請求項８記載のフィルタ。
【請求項１０】
請求項８または９記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えばＩＤＴを有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波共振器では、圧電基板上に複数の電極指を有するＩＤＴ（Interdigital Transducer）および反射器が設けられている。反射器はＩＤＴが励振する弾性波を反射しＩＤＴ内に閉じ込める。ＩＤＴの中央部に電極指のピッチが一定の等ピッチ領域を設け、ＩＤＴの両端部に電極指のピッチが徐々に小さくなるグラデーション領域を設けることが知られている（例えば特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１３８９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、スプリアスを抑制することができる。しかしながら、特許文献１の方法を用いたスプリアスの抑制は十分ではない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、スプリアスを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを有する一対の櫛型電極を備え、電極指のピッチが略同じ第１領域と、前記第１領域の前記複数の電極指の配列方向における外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが小さくなる第２領域と、前記第２領域の前記配列方向の外側に設けられ外側に向かうにしたがい電極指のピッチが大きくなる第３領域と、を含むＩＤＴと、を具備する弾性波共振器である。
【０００７】
上記構成において、前記第１領域と前記第２領域とは接し、前記第２領域と前記第３領域とは接する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２領域内の最も前記第１領域側の電極指のピッチは前記第１領域内の前記電極指のピッチ以下であり、前記第３領域内の最も前記第２領域側の前記電極指のピッチは前記第２領域内の最も前記第３領域側の前記電極指のピッチ以上である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２領域および前記第３領域内では各々一定の傾きでピッチが変化する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２領域の対数と前記第３領域の対数は同じである構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記圧電基板上に設けられ、前記配列方向の外側に設けられた反射器を具備する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。
【００１４】
上記構成において、入力端子と出力端子との間に接続された１または複数の直列共振器と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された１または複数の並列共振器と、を具備し、前記１または複数の直列共振器のうち少なくとも１つの共振器は、前記弾性波共振器である構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、スプリアスを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、それぞれ比較例１および２に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ比較例３および実施例１に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、それぞれ比較例１から３および実施例１の各サンプルのシミュレーション条件を示す図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、比較例１および実施例１の通過特性を示す図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は、比較例２および実施例１の通過特性を示す図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は、比較例１および比較例３の通過特性を示す図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例に係る弾性波共振器のＸに対するピッチを示す図である。
【図９】図９は、実施例１の一変形例に係る弾性波共振器の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１０（ｂ）は、平面図である。
【図１１】図１１は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下図面を参照し実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、１ポート弾性表面波共振器２５では、圧電基板１０上にＩＤＴ２０および反射器２４形成されている。ＩＤＴ２０および反射器２４は、圧電基板１０に形成された金属膜１２により形成される。ＩＤＴ２０は、対向する一対の櫛型電極２２を備える。櫛型電極２２は、複数の電極指２１と、複数の電極指２１が接続されたバスバー２３と、を備える。一対の櫛型電極２２は、電極指２１がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。
【００２０】
一対の櫛型電極２２の電極指２１が励振する弾性波は、主に電極指２１の配列方向に伝搬する。弾性波の伝搬方向（すなわち電極指２１の配列方向）をＸ方向、電極指２１の延伸方向をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは限らない。１つの櫛型電極２２の電極指２１のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。反射器２４は、弾性波を反射する。これにより弾性波のエネルギーがＩＤＴ２０内に閉じ込められる。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜または銅膜である。アルミニウム膜または銅膜と圧電基板１０との間にチタン膜またはクロム膜等の金属膜が設けられていてもよい。金属膜１２の膜厚は例えば５０ｎｍから５００ｎｍ、電極指２１のＸ方向の幅は例えば２００ｎｍから１５００ｎｍ、電極指２１のピッチは例えば５００ｎｍから２５００ｎｍである。ＩＤＴ２０の静電容量は例えば０．１ｐＦから１０ｐＦである。圧電基板１０上に金属膜１２を覆うように保護膜または温度補償膜として機能する絶縁膜が設けられていてもよい。
【００２１】
以下、比較例１から３および実施例１についてシミュレーションを行った。図２（ａ）から図３（ｂ）は、それぞれ比較例１から３および実施例１に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。図２（ａ）から図３（ｂ）内の上図は、弾性波共振器の平面図を示し、下図はＸ方向に対する電極指２１のピッチを示す図である。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、比較例１では、ＩＤＴ２０内のピッチＰ０は一定である。図２（ｂ）に示すように、比較例２では、ＩＤＴ２０のＸ方向の中央の第１領域５２内のピッチＰ０は一定である。ＩＤＴ２０の両端のピッチはＰ１であり、第１領域５２の両側に位置する第２領域５４では第１領域５２との境界から第２領域５４の端にかけてピッチは一様に減少する。
【００２３】
図３（ａ）に示すように、比較例３では、第１領域５２内のピッチＰ０は一定である。第１領域５２の両側に第２領域５４、第２領域５４の外側に第３領域５６が設けられている。第２領域５４と第３領域５６との境界におけるピッチはＰ１であり、第２領域５４内では外側に向かうにしたがい、ピッチはＰ０からＰ１に一様に大きくなる。第３領域５６の外側端におけるピッチはＰ０であり、第３領域５６内では外側に向かうにしたがい、ピッチはＰ１からＰ０に一様に小さくなる。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、実施例１では、ピッチＰ１はＰ０より小さい。第２領域５４内では外側に向かうにしたがい、ピッチはＰ０からＰ１に一様に小さくなる。第３領域５６内では外側に向かうにしたがい、ピッチはＰ１からＰ０に一様に大きくなる。
【００２５】
シミュレーションの条件は以下である。
圧電基板１０：４８°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
金属膜１２：圧電基板１０側から膜厚が５０ｎｍのチタン膜および膜厚が１６６ｎｍのアルミニウム膜
反射器２４：ピッチ：２．１２５μｍ、対数：１５対
ＩＤＴ２０：ピッチＰ０：２．０００μｍ、デュティ比：５０％
開口長：３０μｍ（１５λ）
【００２６】
図４（ａ）から図４（ｄ）は、それぞれ比較例１から３および実施例１の各サンプルのシミュレーション条件を示す図である。チップ変化率は｜Ｐ０−Ｐ１｜／Ｐ０×１００％である。第２領域５４の対数は第１領域５２の両側の第２領域５４の対数の合計を示している。第３領域５６の対数は両側の第３領域５６の対数の合計を示している。第２領域５４の両側の対数は互いに等しく、第３領域５６の両側の対数は互いに等しい。図４（ａ）に示すように、比較例１のサンプル１では、ＩＤＴ２０のピッチＰ０は２μｍであり、対数は８０対である。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、比較例２では、第２領域５４のピッチ変化率と対数を変えたサンプル２Ａから２Ｃについてシミュレーションした。サンプル２Ａから２Ｃのピッチ変化率は、３％、４％および５％である。よって、サンプル２Ａ、２Ｂおよび２Ｃでは、ピッチＰ１はそれぞれ１．９４μｍ、１．９２μｍおよび１．９０μｍである。ＩＤＴ全体の対数は８０対である。
【００２８】
図４（ｃ）に示すように、比較例３では、第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率と対数を変えたサンプル３Ａから３Ｃについてシミュレーションした。サンプル３Ａから３Ｃにおける第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率は、３％、４％および５％である。よって、サンプル３Ａから３ＣのピッチＰ１は、それぞれ２．０６μｍ、２．０８μｍおよび２．１０μｍである。
【００２９】
図４（ｄ）に示すように、実施例１では、第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率と対数を変えたサンプル４Ａから４Ｃについてシミュレーションした。サンプル４Ａから４Ｃにおける第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率は、３％、４％および５％である。よって、サンプル４Ａから４ＣのピッチＰ１は、それぞれ１．９４μｍ、１．９２μｍおよび１．９０μｍである。
【００３０】
図５（ａ）から図５（ｄ）は、比較例１および実施例１の通過特性を示す図である。図５（ａ）は、サンプル１およびサンプル４Ａの弾性波共振器の通過特性を示す。図５（ｂ）から図５（ｄ）は、それぞれ、サンプル４Ａから４Ｃの共振周波数付近の通過特性の拡大図である。
【００３１】
図５（ａ）に示すように、このスケールでは、サンプル１と４Ａでは通過特性にあまり差はない。共振周波数は約１８８０ＭＨｚであり、反共振周波数は約１９４５ＭＨｚである。
【００３２】
図５（ｂ）から図５（ｃ）に示すように、共振周波数付近の通過特性を拡大すると、サンプル１では、共振周波数より低周波数側に大きなスプリアス６０が観察される。サンプル４Ａから４Ｃでは、スプリアス６０が小さい。
【００３３】
図６（ａ）から図６（ｄ）は、比較例２および実施例１の通過特性を示す図である。図６（ａ）は、サンプル２Ａおよびサンプル４Ａの弾性波共振器の通過特性を示す。図６（ｂ）から図６（ｄ）は、それぞれ、サンプル４Ａから４Ｃと２Ａから２Ｃの共振周波数付近の通過特性の拡大図である。
【００３４】
図６（ａ）に示すように、サンプル２Ａと４Ａでは通過特性にあまり差はなく、共振周波数は約１８８０ＭＨｚであり、反共振周波数は約１９４５ＭＨｚである。
【００３５】
図６（ｂ）から図６（ｄ）に示すように、サンプル２Ａから２Ｂは、図５（ｂ）から図５（ｄ）のサンプル１に比べるとスプリアス６０が小さい。サンプル４Ａから４Ｃはサンプル２Ａから２Ｃよりさらにスプリアス６０が小さい。
【００３６】
図７（ａ）から図７（ｄ）は、比較例１および比較例３の通過特性を示す図である。図７（ａ）は、サンプル１およびサンプル３Ａの弾性波共振器の通過特性を示す。図７（ｂ）から図７（ｄ）は、それぞれ、サンプル３Ａから３Ｃの共振周波数付近の通過特性の拡大図である。
【００３７】
図７（ａ）に示すように、サンプル３Ａでは共振周波数より低周波側で、スプリアスが観察できる。共振周波数は約１８８０ＭＨｚであり、反共振周波数は約１９４５ＭＨｚである。図７（ｂ）から図７（ｄ）に示すように、サンプル３Ａから３Ｃは、サンプル１に比べるとスプリアス６０がさらに大きい。
【００３８】
以上のように、比較例１では共振周波数の低周波数側にスプリアス６０が生じる。比較例２のように、外側に向かうにしたがいピッチが小さくなる第２領域５４を設けると、図６（ａ）から図６（ｄ）の比較例２のサンプル２Ａから２Ｃのように、スプリアス６０が小さくなる。実施例１のように、第２領域５４の外側に、外側に向かうにしたがいピッチが大きくなる第３領域５６を設けると、図６（ａ）から図６（ｄ）のサンプル４Ａから４Ｃのように、スプリアス６０はさらに小さくなる。
【００３９】
比較例３のように、第２領域５４では外側に向かうにしたがいピッチを大きくし、第３領域５６では外側に向かうにしたがいピッチを小さくすると、図７（ａ）から図７（ｄ）のように、スプリアス６０は比較例１より大きくなる。このように、実施例１とピッチの変化させる方向を逆にするとスプリアス６０は、大きくなってしまう。
【００４０】
実施例１によれば、図３（ｂ）のように、ＩＤＴ２０は、第１領域５２、第１領域５２のＸ方向における外側に設けられた第２領域５４、および第２領域５４のＸ方向における外側に設けられた第３領域５６を含む。第１領域５２では、電極指２１のピッチＰ０が略同じである。第２領域５４では、外側に向かうにしたがい電極指２１のピッチが小さくなる。第２領域５４では、外側に向かうにしたがい電極指２１のピッチが大きくなる。これにより、図５（ａ）から図７（ｄ）のように、共振周波数より低周波数側のスプリアスを抑制できる。第１領域５２のピッチＰ０は１％程度以下で異なっていてもよい。第１領域５２のピッチＰ０は、第１領域５２のＸ方向の長さを対数で割ることで算出できる。
【００４１】
第１領域５２と第２領域５４とは接し、第２領域５４と第３領域５６とは接することが好ましい。これにより、スプリアスをより抑制できる。
【００４２】
第２領域５４内の最も第１領域５２側の電極指２１のピッチは第１領域５２内の電極指２１のピッチＰ０以下が好ましい。第３領域５６内の最も第２領域５４側の電極指２１のピッチは第２領域５４内の最も第３領域５６側の電極指２１のピッチ以上が好ましい。これにより、スプリアスをより抑制できる。
【００４３】
さらに、第２領域５４内の最も第１領域５２側の電極指２１のピッチは第１領域５２内の電極指２１のピッチＰ０と製造誤差程度に略同一である。第３領域５６内の最も第２領域５４側の電極指２１のピッチは第２領域５４内の最も第３領域５６側の電極指２１のピッチと製造誤差程度に略同一である。これにより、スプリアスをより抑制できる。
【００４４】
さらに、第３領域５６内の最も外側の電極指２１のピッチは第１領域５２内の電極指２１のピッチＰ０と製造誤差程度に略同一である。これにより、スプリアスをより抑制できる。
【００４５】
第２領域５４および第３領域５６内では各々一定の傾きでピッチが変化する。これにより、スプリアスを抑制できる。なお、電極指２１のピッチを一定の傾きで変化させる場合、１対の電極指２１の範囲内では電極指２１の幅および電極指２１間のギャップの幅を一定としてもよい。また、１対の電極指２１の範囲内で電極指２１の幅および電極指２１間のギャップの幅を一定の傾きで変えてもよい。上記シミュレーションは、１対の電極指２１の範囲内で電極指２１の幅および電極指２１間のギャップの幅を一定の傾きで変化させて行った。
【００４６】
図４（ｄ）のように、第２領域５４の対数と第３領域５６の対数は同じである。これにより、スプリアスを抑制できる。第２領域５４の対数と第３領域５６の対数は異なっていてもよい。
【００４７】
スプリアスを抑制するため、第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率は各々１％以上が好ましく、３％以上がより好ましい、また、１０％以下が好ましく、５％以下がより好ましい。第２領域５４の両側の対数の合計は、ＩＤＴ全体の対数の１％以上が好ましく３％以上がより好ましい、また、１０％以下が好ましく、６％以下がより好ましい。第３領域５６の両側の対数の合計は、ＩＤＴ全体の対数の１％以上が好ましく３％以上がより好ましい、また、１０％以下が好ましく、６％以下がより好ましい。第２領域５４と第３領域５６のピッチ変化率は同じでもよいし、異なっていてもよい。第３領域５６のピッチ変化率は第２領域５４のピッチ変化率の０．５倍以上かつ２倍以下が好ましい。
【００４８】
第３領域５６のＸ方向の外側に反射器２４が設けられている。これにより、スプリアスを抑制できる。第３領域５６と反射器２４との間には他のＩＤＴは設けられていないことは好ましい。
【００４９】
圧電基板１０としては、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板を用いることができる。これらの基板は回転ＹカットＸ伝搬基板であることが好ましい。例えばタンタル酸リチウム基板の場合、３６°〜４８°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であることが好ましい。
【００５０】
［実施例１の変形例］
図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例に係る弾性波共振器のＸに対するピッチを示す図である。図８（ａ）に示すように、第２領域５４および第３領域５６内において、ピッチはＸに対し曲線的に変化してもよい。図３（ｂ）のようにピッチはＸに対し直線的に変化してもよい。図８（ｂ）に示すように、反射器２４の領域５８において、ピッチは外側に向かうに従いＰ０からＰ２まで一様に大きくなってもよい。なお、反射器２４のピッチは、ＩＤＴ２０内と同様に、電極指一対の距離である。
【００５１】
図８（ｃ）に示すように、反射器２４内のピッチＰ２は、ピッチＰ０より大きくてもよい。図８（ｄ）に示すように、反射器２４内のピッチＰ２はピッチＰ０より小さくてもよい。反射器２４内のピッチＰ２はピッチＰ０と同じでもよい。反射器２４内のピッチＰ２はピッチＰ１より大きくてもよいし小さくてもよい。
【００５２】
図９は、実施例１の一変形例に係る弾性波共振器の断面図である。図９に示すように、圧電基板１０は、支持基板１１の上面に接合されていてもよい。支持基板１１は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板である。
【実施例２】
【００５３】
図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１０（ｂ）は、平面図である。図１０（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、直列共振器Ｓ１からＳ３が直列に接続され、並列共振器Ｐ４およびＰ５が並列に接続されている。
【００５４】
図１０（ｂ）に示すように、圧電基板１０上に弾性表面波共振器２５、配線１６およびパッド１８が設けられている。弾性表面波共振器２５は、直列共振器Ｓ１からＳ３および並列共振器Ｐ４およびＰ５に対応する。パッド１８は入力端子Ｔｉｎ、出力端子Ｔｏｕｔおよびグランド端子Ｔｇｎｄに対応する。配線１６は弾性表面波共振器２５間および弾性表面波共振器２５とパッド１８とを電気的に接続する。
【００５５】
実施例２のフィルタの弾性表面波共振器２５のうち少なくとも１つの共振器を実施例１およびその変形例の弾性波共振器とする。これにより、スプリアスに起因したリップル等を抑制できる。
【００５６】
実施例２のようなラダー型フィルタでは、直列共振器Ｓ１からＳ３の共振周波数より低周波数側が通過帯域となる。よって、直列共振器Ｓ１からＳ３の少なくとも１つの共振器を実施例１およびその変形例の弾性波共振器とすることが好ましい。これにより、通過帯域内のリップルを抑制できる。直列共振器Ｓ１からＳ３の全てを実施例１およびその変形例の弾性波共振器とすることが好ましい。
【００５７】
直列共振器Ｓ１からＳ３のうち少なくとも２つの共振器を実施例１およびその変形例の弾性波共振器とする場合、少なくとも２つの共振器の全ての第２領域５４および第３領域５６のピッチ変化率および対数を同じとしてもよい。また、少なくとも２つの共振器ごとに、第２領域５４および／または第３領域５６のピッチ変化率および／または対数を異ならせてもよい。
【００５８】
直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定できる。ラダー型フィルタは１または複数の直列共振器および１または複数の並列共振器を有していればよい。
【００５９】
［実施例２の変形例１］
図１１は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１１に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子に通過させ他の周波数帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子に通過させ他の周波数帯域の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも１つのフィルタを実施例２のフィルタとすることができる。マルチプレクサの例としてデュプレクサを説明したがマルチプレクサはトライプレクサまたはクワッドプレクサ等でもよい。
【００６０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  圧電基板
１２  金属膜
２０  ＩＤＴ
２１  電極指
２２  櫛型電極
２５  弾性表面波共振器
４０  送信フィルタ
４２  受信フィルタ
５２  第１領域
５４  第２領域
５６  第３領域
【図１】
2018182460.tif 000003
【図２】
2018182460.tif 000004
【図３】
2018182460.tif 000005
【図４】
2018182460.tif 000006
【図５】
2018182460.tif 000007
【図６】
2018182460.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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