(57)【要約】【課題】スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に任意の差をつけることのできる、電子部品の周波数調整方法を提供する。【解決手段】電子部品素子の一面上に形成されている電極に、照射領域内における強度が正規分布に従うイオンビームを照射してエッチングすることにより電子部品の特性を規定する周波数の調整を行なう電子部品の周波数調整方法である。エッチングは、第１のイオンビームＩＢａおよび第２のイオンビームＩＢｂを、電子部品素子１０１の一面に形成されている電極１０２に照射することにより実施され、電子部品素子１０１の一面上の照射領域内において、第２のイオンビームＩＢｂの標準偏差は、第１のイオンビームＩＢａの標準偏差より小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品素子の一面上に形成されている電極に、照射領域内における強度が正規分布に従うイオンビームを照射してエッチングすることにより電子部品の特性を規定する周波数の調整を行なう電子部品の周波数調整方法であって、
前記エッチングは、第１のイオンビームおよび第２のイオンビームを、前記電子部品素子の一面に形成されている前記電極に照射することにより実施され、
前記電子部品素子の一面上の照射領域内において、前記第２のイオンビームの標準偏差は、前記第１のイオンビームの標準偏差より小さいことを特徴とする、電子部品の周波数調整方法。
【請求項２】
前記第２のイオンビームの強度分布の平均における強度は、前記第１のイオンビームの強度分布の平均における強度より小さく、前記第２のイオンビームの強度分布の平均は、前記第１のイオンビームの強度分布の負側の標準偏差または正側の標準偏差の位置と同一、またはその外側にあることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品の周波数調整方法。
【請求項３】
前記第１のイオンビームは、第１のイオンガンから放射されたものであり、前記第２のイオンビームは、前記第１のイオンガンとは異なる第２のイオンガンから放射されたものであることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子部品の周波数調整方法。
【請求項４】
前記第１のイオンビームおよび前記第２のイオンビームは、同一のイオンガンから、それぞれ放射時間をずらして放射されたものであることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子部品の周波数調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品の周波数調整方法に関するものであり、特に圧電性基板上に形成された電極にイオンビームを照射してエッチングすることにより、電子部品の特性を規定する周波数を調整する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＡＷフィルタなどの電子部品において、圧電性基板上に形成された電極にイオンビームを照射してエッチングすることにより、電子部品の特性を規定する周波数を調整する方法が知られている。そのような電子部品の周波数調整方法の一例として、特開２００１−２８５００２号公報（特許文献１）に記載された方法が挙げられる。
【０００３】
図６は、特許文献１に記載の電子部品の周波数調整方法を模式的に表した外観斜視図である。特許文献１に記載の電子部品の周波数調整方法では、電子部品素子２０１の上面に形成されている電極（不図示）に、イオンガン２００から放射されるイオンビームＩＢが照射される。それにより、電極がイオンビームＩＢでエッチングされ、電子部品の特性を規定する周波数が調整される。その際、イオンビームＩＢおよび電子部品素子２０１の少なくとも一方を、Ｘ方向およびＹ方向の少なくとも一方に移動させながら、電極にイオンビームＩＢが照射される。
【０００４】
特許文献１に記載の電子部品の周波数調整方法では、エッチング領域における電極のエッチング量のばらつきを低減することができ、周波数調整をより高品位かつ高精度に行うことができるとされている。
【０００５】
このように、電子部品素子２０１のウエハにイオンビームＩＢをスキャンしながら照射して、個々の電子部品素子２０１の電極をエッチングし、電子部品の特性を規定する周波数を調整することは、スキャン周波数調整と呼称される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２８５００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
イオンビームの照射領域内における強度分布は、その原理から正規分布に従う。この強度分布における標準偏差をσとする。また、ある領域にイオンビームを照射することは、「ショット」と呼称される。ここで、ある領域に対して図７に示すようなイオンビームが照射され、エッチングが行なわれる状態を考える。
【０００８】
図７において、横軸はイオンビームの照射分布を相対的な比率（無名数）で表したものであり、縦軸はイオンビームの強度を振幅（無名数）で表したものである（以後のグラフにおいても同様である）。一方のイオンビームは、ビーム１と呼称される。ビーム１の強度分布は、上記したように正規分布に従い、その標準偏差はσB1である。また、他方のイオンビームは、ビーム２と呼称される。ビーム２の強度分布も正規分布に従い、その標準偏差はσB2である。
【０００９】
スキャン周波数調整は、ビーム１とビーム２とが合成された合成ビームにより、隣り合う２つの領域の一方領域と他方領域とにそれぞれ形成された電極が連続的にエッチングされることに相当する。
【００１０】
ビーム１とビーム２とは、同一のビーム源から放射され、同一の強度分布を有するイオンビームである。すなわち、ビーム１の標準偏差σB1とビーム２の標準偏差σB2とは同一となるように設定されている。そして、ビーム１の強度がピークとなる位置と、ビーム２の強度がピークとなる位置との間の距離は、ショット間距離ｄｓと呼称される。
【００１１】
一般的なスキャン周波数調整において、ショット間距離ｄｓは、２σB1（＝２σB2）近傍、またはそれ以下の値となるように設定される。この場合、隣り合う２つの領域の一方の電極を所定の量だけエッチングし、他方の電極をその半分だけエッチングすることは、ビーム１とビーム２とが重なり、図７に示す合成ビームを形成するため、原理的に不可能である。図７では、ショット間距離ｄｓが２σB1である場合、一方の電極のエッチング量を１００％としたとき、一方の電極のエッチング時の他方の電極のエッチング量は６０．７％となる。
【００１２】
すなわち、一方領域の電極をエッチングする際に、合成ビームのすそが他方領域の電極もエッチングしてしまう。したがって、一般的なスキャン周波数調整においては、隣り合う２つの領域にそれぞれ形成された電極に、一定量以上のエッチング量の差をつけることができない。
【００１３】
一方、図８に示すように、ショット間距離ｄｓを４σB1（＝４σB2）以上とすれば、ビーム１とビーム２との重なりを大きく改善できる。すなわち、ショット間距離ｄｓが４σB1である場合は、他方の電極のエッチング量は１３.５％となる。しかしながら、これではそれぞれの電子部品素子を１つずつ周波数調整することと変わらず、時間と手間とがかかる。
【００１４】
そこで、この発明の目的は、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に任意の差をつけることのできる、電子部品の周波数調整方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明では、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に任意の差をつけることができるように、イオンビームの重ね合わせの仕方についての改良が図られる。
【００１６】
この発明に係る電子部品の周波数調整方法は、電子部品素子の一面上に形成されている電極に、照射領域内における強度が正規分布に従うイオンビームを照射してエッチングすることにより電子部品の特性を規定する周波数の調整を行なう。エッチングは、第１のイオンビームおよび第２のイオンビームを、電子部品素子の一面に形成されている電極に照射することにより実施される。そして、電子部品素子の一面上の照射領域内において、第２のイオンビームの標準偏差は、第１のイオンビームの標準偏差より小さい。
【００１７】
上記の電子部品の周波数調整方法では、第１のイオンビームの強度分布のすそに第２のイオンビームの強度分布が重ね合わされるため、両者が合成されたイオンビームの強度分布は、ピーク値からの急峻な落ち込みを示すことになる。したがって、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に任意の差をつけることができる。
【００１８】
この発明に係る電子部品の周波数調整方法は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、第２のイオンビームの強度分布の平均における強度は、第１のイオンビームの強度分布の平均における強度より小さい。また、第２のイオンビームの強度分布の平均は、第１のイオンビームの強度分布の負側の標準偏差または正側の標準偏差の位置と同一、またはその外側にある。
【００１９】
上記の電子部品の周波数調整方法では、両者が合成されたイオンビームの強度分布は、ピーク値からのより急峻な落ち込みを示すことになる。したがって、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に明確な差をつけることができる。
【００２０】
この発明に係る電子部品の周波数調整方法およびその好ましい実施形態は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、第１のイオンビームは、第１のイオンガンから放射されたものであり、第２のイオンビームは、第１のイオンガンとは異なる第２のイオンガンから放射されたものである。
【００２１】
上記の電子部品の周波数調整方法では、第１のイオンビームと第２のイオンビームとの重ね合わせを同時に行なうことができるため、スキャン周波数調整の実施時間を短縮することができる。
【００２２】
この発明に係る電子部品の周波数調整方法およびその好ましい実施形態は、以下の特徴を備えることがさらに好ましい。すなわち、第１のイオンビームおよび第２のイオンビームは、同一のイオンガンから、それぞれ放射時間をずらして放射されたものである。
【００２３】
上記の構成を有している電子部品の周波数調整方法では、第１のイオンビームと第２のイオンビームとを同一のイオンガンから放射するようにしているため、スキャン周波数調整を実施するための装置構成を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明に係る電子部品の周波数調整方法では、周波数調整の実施速度を低下させることなく、隣接する２つの領域のエッチング量に任意の差をつけることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態を模式的に表した外観斜視図である。
【図２】この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。
【図３】この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第１の変形例における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。
【図４】この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例を模式的に表した外観斜視図である。
【図５】この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。
【図６】背景技術の電子部品の周波数調整方法の実施形態を模式的に表した外観斜視図である。
【図７】背景技術の電子部品の周波数調整方法の実施形態における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。
【図８】背景技術の電子部品の周波数調整方法の別の実施形態における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明が適用される電子部品の周波数調整方法が対象とする電子部品としては、例えばＳＡＷフィルタおよびＢＡＷフィルタなどが挙げられるが、これに限られるものではない。
【００２７】
−電子部品の周波数調整方法の第１の実施形態−
この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態について、図１および図２を用いて説明する。なお、図面は、要部のみを示すものであり、要部以外については簡略化のため言及および図示を省略している。また、以後の図面についても、同様に要部のみを示す。
【００２８】
また、図面において、後述するイオンガンの傾き角度およびイオンビームの放射のされ方などは模式的なものである。すなわち、以後で用いる図面は、たとえ実際の装置構成や実施状態と異なる部分があったとしても、本質的な面で実際の電子部品の周波数調整方法を表すものと言うことができる。
【００２９】
図１は、この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態を模式的に表した外観斜視図である。図１に示された電子部品の周波数調整方法では、電子部品素子１０１の上面に形成されている電極１０２に第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂとを含む合成ビームが照射される。それにより、電極１０２が合成ビームによりエッチングされ、電子部品の特性を規定する周波数が調整される。
【００３０】
第１のイオンビームＩＢａは、第１のイオンガン１００ａから放射されている。また、第２のイオンビームＩＢｂは、第２のイオンガン１００ｂから放射されている。その際、合成ビームおよび電子部品素子１０１の少なくとも一方を、Ｘ方向およびＹ方向の少なくとも一方に移動させながら、電極１０２に合成ビームが照射される。
【００３１】
この実施形態においては、第１のイオンガン１００ａと第２のイオンガン１００ｂとは、それぞれビーム方向が電子部品素子１０１の一面の法線方向と所定の角度を為すように配置されている。そして、第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂとは、電極１０２に同時に照射されている。この場合、スキャン周波数調整の実施時間を短縮することができる。
【００３２】
一方、第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂとは、ビーム方向が電子部品素子１０１の一面の法線方向と平行となるように配置された１つのイオンガンから、それぞれ放射時間をずらして放射されるようにしてもよい。この場合、スキャン周波数調整を実施するための装置構成を簡略化することができる。
【００３３】
図２は、図１に示された電子部品の周波数調整方法における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。図２では、第１のイオンビームＩＢａがビーム１と呼称され、第２のイオンビームＩＢｂがビーム２と呼称されている（以後、同様に呼称されることがある）。第１の実施形態では、電子部品素子１０１の一面上の照射領域内において、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2が、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1より小さくなるように設定される。
【００３４】
図２では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2の比率は、３０％である。
【００３５】
また、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度（ピーク値）は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度より小さい。図２では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度の比率は、１５％である。また、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1の負側の位置と同一の位置にある（図２のショット間距離ｄｓ）。
【００３６】
この電子部品の周波数調整方法の実施形態では、上記の特徴を有する第１のイオンビームＩＢａおよび第２のイオンビームＩＢｂにおいて、第１のイオンビームＩＢａの強度分布のすそに第２のイオンビームＩＢｂの強度分布が重ね合わされている。そのため、両者の合成ビームの強度分布は、ピーク値からの急峻な落ち込みを示すことになる。
【００３７】
すなわち、図２では、合成ビームのショット間距離が２σB1である場合、一方の電極のエッチング量を１００％としたとき、一方の電極のエッチング時の他方の電極のエッチング量を１１．４％まで減少させることができる。したがって、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に明確な差をつけることができる。
【００３８】
−電子部品の周波数調整方法の実施形態の第１の変形例−
この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第１の変形例について、図３を用いて説明する。図３は、この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第１の変形例における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。第１の変形例においても、電子部品素子１０１の一面上の照射領域内において、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2が、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1より小さくなるように設定される。
【００３９】
図３では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2の比率は、４０％である。
【００４０】
一方、第１の変形例においては、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度（ピーク値）は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度より大きくなっている。図３では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度の比率は、１６５％である。また、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均と同一の位置にある。
【００４１】
第１の変形例においては、合成ビームの強度分布における強度のピーク値と、すそ部分との差を大きくすることができる。すなわち、図３では、合成ビームのショット間距離が２σB1である場合、一方の電極のエッチング量を１００％としたとき、一方の電極のエッチング時の他方の電極のエッチング量を３.４％まで減少させることができる。したがって、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量に明確な差をつけることができる。
【００４２】
−電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例−
この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例について、図４および図５を用いて説明する。図４は、この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例を模式的に表した外観斜視図である。図４に示された電子部品の周波数調整方法では、電極１０２に第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂと第３のイオンビームＩＢｃとを含む合成ビームが照射される。それにより、電極１０２が合成ビームによりエッチングされ、電子部品の特性を規定する周波数が調整される。
【００４３】
第３のイオンビームＩＢｃは、第３のイオンガン１００ｃから放射されている。その際、その際、第１の実施形態と同様に、合成ビームおよび電子部品素子１０１の少なくとも一方を、Ｘ方向およびＹ方向の少なくとも一方に移動させながら、電極１０２に合成ビームが照射される。
【００４４】
この実施形態においては、第１のイオンガン１００ａと第２のイオンガン１００ｂと第３のイオンガン１００ｃとは、それぞれビーム方向が電子部品素子１０１の一面の法線方向と所定の角度を為すように配置されている。そして、第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂと第３のイオンビームＩＢｃとは、電極１０２に同時に照射されている。
【００４５】
一方、第１の実施形態と同様に、第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂと第３のイオンビームＩＢｃとは、ビーム方向が電子部品素子１０１の一面の法線方向と平行となるように配置された１つのイオンガンから、それぞれ放射時間をずらして放射されるようにしてもよい。また、例えば第１のイオンビームＩＢａと第２のイオンビームＩＢｂとが第１のイオンガン１００ａから放射され、第３のイオンビームＩＢｃが第２のイオンガン１００ｂから放射されるようにしてもよい。すなわち、３つのイオンビームが２つのイオンガンから放射されるようにしてもよい。
【００４６】
図５は、この発明に係る電子部品の周波数調整方法の実施形態の第２の変形例における各イオンビームの強度分布を示すグラフである。図５では、第３のイオンビームＩＢｃは、ビーム３と呼称されている。第２の変形例では、電子部品素子１０１の一面上の照射領域内において、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2が、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1より小さくなるように設定される。また、第３のイオンビームＩＢｃの強度分布の標準偏差σB3が、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2より小さくなるように設定される。
【００４７】
図５では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2の比率は、５０％である。また、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1に対する第３のイオンビームＩＢｃの強度分布の標準偏差σB3の比率は、２０％である。
【００４８】
また、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度（ピーク値）は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度より小さい。そして、第３のイオンビームＩＢｃの強度分布の平均における強度は、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度より小さい。
【００４９】
図５では、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度に対する第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均における強度の比率は、６０％である。また、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の平均における強度に対する第３のイオンビームＩＢｃの強度分布の平均における強度の比率は、５０％である。
【００５０】
さらに、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の平均は、第１のイオンビームＩＢａの強度分布の標準偏差σB1の負側の位置の外側の位置にある（図５のショット間距離ｄｓ1）。そして、第３のイオンビームＩＢｃの強度分布の平均は、第２のイオンビームＩＢｂの強度分布の標準偏差σB2の負側の位置より内側の位置にある（図５のショット間距離ｄｓ2）。
【００５１】
第２の変形例においては、上記の特徴を有する第１のイオンビームＩＢａ、第２のイオンビームＩＢｂおよび第３のイオンビームＩＢｃにおいて、第１のイオンビームＩＢａの強度分布のすそに第２のイオンビームＩＢｂの強度分布および第３のイオンビームＩＢｃの強度分布が重ね合わされている。そのため、これらのビームの合成ビームの強度分布は、ピーク値からのより急峻な落ち込みを示すことになる。
【００５２】
すなわち、図５では、合成ビームのショット間距離が２σB1である場合、一方の電極のエッチング量を１００％としたとき、一方の電極のエッチング時の他方の電極のエッチング量を２.６％まで減少させることができる。したがって、スキャン周波数調整を実施しながら、隣接する２つの領域にそれぞれ形成された電極のエッチング量にさらに明確な差をつけることができる。
【００５３】
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。また、この明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【符号の説明】
【００５４】
１００ａ    第１のイオンガン
１００ｂ    第２のイオンガン
１００ｃ    第３のイオンガン
１０１    電子部品素子
１０２    電極
ＩＢａ    第１のイオンビーム
ＩＢｂ    第２のイオンビーム
ＩＢｃ    第３のイオンビーム
【図１】
2018101918.tif 000003
【図２】
2018101918.tif 000004
【図３】
2018101918.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018101918.tif 000009
【図８】
2018101918.tif 000010