(57)【要約】【課題】優れた封止状態を有するワイヤーグリッド型の偏光素子、偏光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】偏光素子７０Ａは、基材７１と、基材７１上に設けられ、複数のスリット７３を有する金属膜７２と、複数のスリット７３を封止するように金属膜７２に積層された第１誘電体層７５と、第１誘電体層７５に積層され、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と異なる方向に傾斜した光学軸を有する第２誘電体層７６と、を備えた。【選択図】図２
2018092015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に設けられ、複数のスリットを有する金属膜と、
前記複数のスリットを封止するように前記金属膜に積層された第１誘電体層と、
前記第１誘電体層に積層され、前記第１誘電体層の光学軸の傾斜方向と異なる方向に傾斜した光学軸を有する第２誘電体層と、を備えた偏光素子。
【請求項２】
前記スリットの延在方向に対して交差する方向において、
前記第１誘電体層の光学軸は、前記金属膜上で第１の方向に傾斜し、
前記第２誘電体層の光学軸は、前記第１誘電体層上で前記第１の方向と反対の第２の方向に傾斜している、請求項１に記載の偏光素子。
【請求項３】
前記第２誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と直交する第３の方向に傾斜した光学軸を有する第３誘電体層と、
前記第３誘電体層に積層され、前記第３の方向と反対の第４の方向に傾斜した光学軸を有する第４誘電体層と、をさらに備えた、請求項２に記載の偏光素子。
【請求項４】
前記スリットの延在方向に対して交差する方向において、
前記第１誘電体層の光学軸は、前記金属膜上で第１の方向に傾斜し、
前記第２誘電体層の光学軸は、前記第１誘電体層上で前記第１の方向と直交する第２の方向に傾斜し、
前記第２誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と反対の第３の方向に傾斜した光学軸を有する第３誘電体層と、
前記第３誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と反対であって、前記第３の方向と直交する第４の方向に傾斜する光学軸を有する第４誘電体層と、をさらに備えた、請求項１に記載の偏光素子。
【請求項５】
前記第１誘電体層の上方において、前記基材の法線方向に光学軸を有する誘電体層をさらに備えた、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の偏光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の偏光素子を備えた、電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
【請求項８】
基材上に成膜された金属膜に複数のスリットを形成する工程と、
気相成膜法により、前記スリットの延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層を形成する工程と、
気相成膜法により、前記第１の方向と反対の第２の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第１誘電体層に積層して第２誘電体層を形成する工程と、を備えた偏光素子の製造方法。
【請求項９】
気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と直交する第３の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第２誘電体層に積層して第３誘電体層を形成する工程と、
気相成膜法により、前記第３の方向と反対の第４の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第３誘電体層に積層して第４誘電体層を形成する工程と、を備えた請求項８に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項１０】
基材上に成膜された金属膜に複数のスリットを形成する工程と、
気相成膜法により、前記スリットの延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層を形成する工程と、
気相成膜法により、前記第１の方向と直交する第２の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第１誘電体層に積層して第２誘電体層を形成する工程と、
気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と反対の第３の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第２誘電体層に積層して第３誘電体層を形成する工程と、
気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と反対であって、前記第３の方向と直交する第４の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第３誘電体層に積層して第４誘電体層を形成する工程と、を備えた偏光素子の製造方法。
【請求項１１】
気相成膜法により、前記基材の法線方向から前記無機材料を堆積させ、前記第１誘電体層の上方に誘電体層を形成する工程をさらに備えた請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の偏光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子、偏光素子の製造方法、該偏光素子を備えた電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置に用いられる偏光素子として、例えば、特許文献１には、透明な基板と、透明な基板の一方の表面上に互いに平行に形成された複数の金属線と、金属線の表面上に形成された位相差機能膜とを有する偏光子が開示されている。特許文献１によれば、位相差板と偏光板の光学軸が高精度に一致した位相差機能付ワイヤーグリッド型偏光子を提供できるとしている。ところが、この偏光子は、複数の金属線の間が位相差機能膜によって埋められてしまうため、偏光分離特性が低下するという課題があった。
【０００３】
このような課題を解決する方法として、例えば、特許文献２には、基材上に形成されて複数のスリット状の開口部を有する金属膜からなる偏光素子部と、偏光素子部上に形成された被覆膜と、を有し、被覆膜と基材と金属膜とに囲まれた空間を有する偏光素子とその製造方法が開示されている。特許文献２によれば、複数のスリット状の開口部に空間が構成された状態で、金属膜が被覆膜によって覆われることから、優れた光学特性を実現できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８０８７５号公報
【特許文献２】特開２００８−１４５５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２の被覆膜は、入射光に対して位相差を生ずるおそれがある。詳しくは、上記特許文献２には、金属膜上に形成されたシリコン酸化物膜からなるシード層に、スパッタ法などを用いてシリコン酸化物膜を堆積させて被覆膜を形成する方法が示されている。それゆえに、シリコン酸化物を用いシード層に対して例えば斜め方向からスパッタして被覆膜を形成すると、シリコン酸化物の成膜方向に起因して位相差が生ずる。このような偏光素子を例えば液晶表示装置に適用すると、被覆膜の位相差によりコントラストなどの光学特性が低下するおそれがあるという課題があった。
【０００６】
また、上記特許文献２には、金属膜上のシード層から上方に成長したシリコン酸化物の結晶粒同士が当接してスリット状の開口部を塞ぐことにより被覆膜が形成される例が示されている。そうすると、偏光素子に熱などの応力が加わった場合、上記結晶粒が当接した部分からクラックが生じ、偏光素子の破損に繋がるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例］本適用例に係る偏光素子は、基材と、前記基材上に設けられ、複数のスリットを有する金属膜と、前記複数のスリットを封止するように前記金属膜に積層された第１誘電体層と、前記第１誘電体層に積層され、前記第１誘電体層の光学軸の傾斜方向と異なる方向に傾斜した光学軸を有する第２誘電体層と、を備えた。
【０００９】
本適用例によれば、第１誘電体層の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層にて低減することが可能となる。また、第１誘電体層及び第２誘電体層の各光学軸の傾斜方向は、それぞれの誘電体層を成膜する際の成膜方向に依存する。第１誘電体層の光学軸の傾斜方向と第２誘電体層の光学軸の傾斜方向とが異なっていることから、例えば各誘電体層を無機材料の結晶粒の集合体として成膜しても、結晶粒の配列の仕方が第１誘電体層と第２誘電体層とで異なることになり、熱などの応力でクラックが生じ難くなる。つまり、第１誘電体層及び第２誘電体層によって封止され、位相差やクラックが生じ難い偏光素子を提供することができる。
【００１０】
上記適用例に記載の偏光素子は、前記スリットの延在方向に対して交差する方向において、前記第１誘電体層の光学軸は、前記金属膜上で第１の方向に傾斜し、前記第２誘電体層の光学軸は、前記第１誘電体層上で前記第１の方向と反対の第２の方向に傾斜していることが好ましい。
この構成によれば、第１誘電体層の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層によって打ち消すことができる。
【００１１】
上記適用例に記載の偏光素子において、前記第２誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と直交する第３の方向に傾斜した光学軸を有する第３誘電体層と、前記第３誘電体層に積層され、前記第３の方向と反対の第４の方向に傾斜した光学軸を有する第４誘電体層と、をさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、第２誘電体層に第３誘電体層及び第４誘電体層を積層しても、第３誘電体層の光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層で打ち消すことができる。また、第３誘電体層の光学軸の傾斜方向が、第１誘電体層または第２誘電体層の光学軸の傾斜方向に対して直交していることから、積層された第１〜第４誘電体層を基材面の法線方向から見たときの光学的な異方性が解消されて等方性となる。加えて、金属膜は、積層された４つの誘電体層で保護されることから、耐久品質が向上した偏光素子を提供できる。
【００１２】
上記適用例に記載の偏光素子は、前記スリットの延在方向に対して交差する方向において、前記第１誘電体層の光学軸は、前記金属膜上で第１の方向に傾斜し、前記第２誘電体層の光学軸は、前記第１誘電体層上で前記第１の方向と直交する第２の方向に傾斜し、前記第２誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と反対の第３の方向に傾斜した光学軸を有する第３誘電体層と、前記第３誘電体層に積層され、前記第１の方向または前記第２の方向と反対であって、前記第３の方向と直交する第４の方向に傾斜する光学軸を有する第４誘電体層と、をさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、第１誘電体層及び第２誘電体層のうちの一方の光学軸の傾斜に起因する位相差を第３誘電体層により打ち消し、他方の光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層により打ち消すことができる。また、上下に重なり合う第１誘電体層と第２誘電体層、並びに第３誘電体層と第４誘電体層において光学軸が互いに直交しているため、積層された第１〜第４誘電体層を基材面の法線方向から見たときの光学的な異方性が解消される。加えて、金属膜は、積層された４つの誘電体層で保護されることから、耐久品質が向上した偏光素子を提供できる。
【００１３】
上記適用例に記載の偏光素子は、前記第１誘電体層の上方において、前記基材の法線方向に光学軸を有する誘電体層をさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、少なくとも第１誘電体層と第２誘電体層とを積層することによる厚み方向の位相差を追加した誘電体層により打ち消すことができる。加えて、金属膜は、積層された少なくとも３つの誘電体層で保護されることから、耐久品質がさらに向上した偏光素子を提供できる。
【００１４】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載の偏光素子を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、位相差やクラックが生じ難い偏光素子を備えているので、優れた光学特性と高い耐久品質とを兼ね備えた電気光学装置を提供することができる。
【００１５】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、位相差やクラックが生じ難い偏光素子を有する電気光学装置を備えているので、優れた光学特性と高い耐久品質とを兼ね備えた電子機器を提供することができる。
【００１６】
［適用例］本適用例に係る偏光素子の製造方法は、基材上に成膜された金属膜に複数のスリットを形成する工程と、気相成膜法により、前記スリットの延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層を形成する工程と、気相成膜法により、前記第１の方向と反対の第２の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第１誘電体層に積層して第２誘電体層を形成する工程と、を備えた。
【００１７】
本適用例によれば、気相成膜法により、スリットの延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層を形成するので、複数のスリットを第１誘電体層で埋めることなく金属膜を封止することができる。また、第１誘電体層及び第２誘電体層のそれぞれを成膜する際の成膜方向が、第１誘電体層及び第２誘電体層の光学軸の傾斜方向となる。したがって、第１誘電体層の光学軸の傾斜方向と第２誘電体層の光学軸の傾斜方向とが反対となることから、第１誘電体層の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層で打ち消すことができる。加えて、各誘電体層を無機材料の例えば結晶粒の集合体として成膜しても、結晶粒の配列の仕方が第１誘電体層と第２誘電体層とで異なることになり、熱などの応力でクラックが生じ難くなる。つまり、第１誘電体層及び第２誘電体層によって封止され、位相差やクラックが生じ難い偏光素子を製造することができる。
【００１８】
上記適用例に記載の偏光素子の製造方法において、気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と直交する第３の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第２誘電体層に積層して第３誘電体層を形成する工程と、気相成膜法により、前記第３の方向と反対の第４の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第３誘電体層に積層して第４誘電体層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
この方法によれば、成膜方向に係る第３誘電体層の光学軸の傾斜方向と第４誘電体層の光学軸の傾斜方向とが反対となるため、第３誘電体層の光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層により打ち消すことができる。また、第１誘電体層または第２誘電体層の光学軸の傾斜方向と第３誘電体層の光学軸の傾斜方向とが直交していることから、積層された第１〜第４誘電体層を基材面の法線方向から見たときの光学的な異方性が解消された偏光素子を製造することができる。つまり、複数のスリットを有する金属膜上に第１〜第４誘電体層を順に形成し、位相差やクラックが生じ難く、耐久品質が向上した偏光素子を製造することができる。
【００１９】
［適用例］本適用例に係る他の偏光素子の製造方法は、基材上に成膜された金属膜に複数のスリットを形成する工程と、気相成膜法により、前記スリットの延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層を形成する工程と、気相成膜法により、前記第１の方向と直交する第２の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第１誘電体層に積層して第２誘電体層を形成する工程と、気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と反対の第３の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第２誘電体層に積層して第３誘電体層を形成する工程と、気相成膜法により、前記第１の方向または前記第２の方向と反対であって、前記第３の方向と直交する第４の方向から前記無機材料を斜めに堆積させ、前記第３誘電体層に積層して第４誘電体層を形成する工程と、を備えた。
この方法によれば、成膜方向に係る第１誘電体層及び第２誘電体層のうちの一方の光学軸の傾斜方向が第３誘電体層の光学軸の傾斜方向と反対となり、第１誘電体層及び第２誘電体層のうちの他方の光学軸の傾斜方向が第４誘電体層の光学軸の傾斜方向と反対となる。また、第１誘電体層及び第２誘電体層の光学軸の傾斜方向が互いに直交し、第３誘電体層と第４誘電体層の光学軸の傾斜方向が互いに直交していることから、積層された第１〜第４誘電体層を基材面の法線方向から見たときの光学的な異方性が解消される。したがって、第１〜第４誘電体層を積層しても相互に位相差が打ち消された偏光素子を製造することができる。つまり、複数のスリットを有する金属膜上に第１〜第４誘電体層を順に形成し、位相差やクラックが生じ難く、耐久品質が向上した偏光素子を製造することができる。
【００２０】
上記適用例に記載の偏光素子の製造方法において、気相成膜法により、前記基材の法線方向から前記無機材料を堆積させ、前記第１誘電体層の上方に誘電体層を形成する工程をさらに備えることが好ましい。なお、第１誘電体層の上方に誘電体層を形成するとは、第１誘電体層に接して上方に当該誘電体層を形成する場合だけでなく、第１誘電体層の上方に他の誘電体層を介して当該誘電体層を形成する場合も含むものである。
この方法によれば、少なくとも第１誘電体層と第２誘電体層とを積層することによる厚み方向の位相差を追加形成した誘電体層により打ち消すことができる。加えて、金属膜は、積層された少なくとも３つの誘電体層で保護されることから、耐久品質がさらに向上した偏光素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図。
【図２】第１実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【図３】第１実施形態の偏光素子の製造方法を示す概略断面図。
【図４】偏光素子における光の透過率を測定する方法を示す概略図。
【図５】偏光素子における光の反射率を測定する方法を示す概略図。
【図６】第２実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図。
【図７】第２実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【図８】第３実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【図９】第３実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【図１０】第４実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図。
【図１１】第４実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【図１２】電子機器としての投射型表示装置の一例である３板式の透過型液晶プロジェクターの構成を示す概略図。
【図１３】光変調手段としての液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１４】電子機器としての他の投射型表示装置の一例である３板式の反射型液晶プロジェクターの構成を示す概略図。
【図１５】光変調手段としての反射型の液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１６】変形例の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
（第１実施形態）
＜偏光素子＞
第１実施形態の偏光素子について、図１及び図２を参照して説明する。図１は第１実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図、図２は第１実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態の偏光素子７０Ａは、透光性の基材７１と、基材７１の一方の面側に設けられた金属膜７２と、金属膜７２上に設けられた透光性の封止層７４とを有している。金属膜７２には、複数のスリット７３が設けられている。
【００２５】
基材７１は、例えば石英や無アルカリガラスなどの透明基板であって、厚みは任意に設定可能である。
【００２６】
金属膜７２は、例えばアルミニウムなどの光反射性を有する金属が用いられており、例えばフォトリソグラフィ法などを用いてパターニングされ、複数のスリット７３が形成されている。本実施形態では、複数のスリット７３の周辺に基材７１の外形に沿って額縁部が残るように、金属膜７２がパターニングされている。なお、上記額縁部が無いように金属膜７２をパターニングしてもよい。言い換えれば、スリット７３の延在方向における両端部が開放された状態に金属膜７２をパターニングしてもよい。
【００２７】
複数のスリット７３は、一定の方向に等間隔で設けられ、その配置間隔は可視光波長よりも短い例えば２００ｎｍ（ナノメーター）以下の値である。金属膜７２の膜厚は、スリット７３の配置間隔とほぼ同じ値となっている。したがって、実際には目視でスリット７３を確認することは困難なため、図１では、スリット７３を視認可能な大きさとなるように拡大して表示している。
【００２８】
封止層７４は、複数のスリット７３が設けられた金属膜７２を封止するものであって、第１誘電体層７５と第２誘電体層７６とがこの順に積層されたものである。
【００２９】
第１誘電体層７５及び第２誘電体層７６は、低透湿性の無機材料を用いて積層後の封止層７４が透光性を有するように形成されている。このような無機材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）などが挙げられる。
【００３０】
このような偏光素子７０Ａは、ワイヤーグリッド型と呼ばれ、基材７１あるいは封止層７４側から入射した光のうち、スリット７３の延在方向に振動する波である光（偏光）は透過せずに一部は吸収され他は反射する。その一方で、スリット７３の延在方向と直交する方向に振動する波である光（偏光）は透過する。
【００３１】
以降、スリット７３の延在方向と直交する方向をＸ方向とし、スリット７３の延在方向をＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向に直交すると共に、金属膜７２が設けられた基材７１の基材面の法線方向をＺ方向として説明する。また、Ｚ方向に沿って上方から見ることを「平面視」と言う。さらに、平面視における方位を、時計の時刻で表すこととする。例えば、Ｘ方向において３時に向かう方向を３時方向と呼び、その反対方向を９時方向と呼ぶ。同じく、Ｙ方向において１２時に向かう方向を１２時方向と呼び、その反対方向を６時方向と呼ぶ。
【００３２】
図２に示すように、基材７１上に設けられた金属膜７２は、複数の金属線７２ａが等間隔で配置されることにより、金属線７２ａ間にスリット７３が構成されたものである。複数のスリット７３の空間を維持した状態で金属膜７２は封止層７４によって封止されている。
【００３３】
封止層７４は、第１誘電体層７５と第２誘電体層７６とが積層されたものであり、いずれも成膜に係る異方性により光学的には屈折率ｎが、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体として表すことができる。この場合の屈折率楕円体における光学軸は、屈折率ｎが最も大きなｎｘの軸であり、後述する誘電体層の成膜方向と同じである。第１誘電体層７５の光学軸は、金属膜７２が形成された基材７１の基材面に対して所定の角度θで３時方向に傾斜している（３時方向に下がった状態となっている）。これに対して、第２誘電体層７６の光学軸は、同じく金属膜７２が形成された基材７１の基材面に対して所定の角度θで９時方向に傾斜している（９時方向に下がった状態となっている）。つまり、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向とは異なっており、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向に対して第２誘電体層７６の光学軸はＸ方向において反対方向に傾斜している。なお、誘電体層の成膜方向は、基材面に対する成膜の角度だけでなく成膜の方位も含まれる。
【００３４】
このような第１誘電体層７５及び第２誘電体層７６の光学的な配置によれば、基材７１に対してＺ方向の真上から見た場合、封止層７４は、ｎｘ＞ｎｙの関係を満たす屈折率楕円体となる。つまり、光学軸が３時方向に傾斜した第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差は、光学軸が９時方向に傾斜した第２誘電体層７６の光学軸の傾斜に起因する位相差によって打ち消されることになる。
【００３５】
＜偏光素子の製造方法＞
次に、本実施形態の偏光素子７０Ａの製造方法について、図３を参照して説明する。図３は第１実施形態の偏光素子の製造方法を示す概略断面図である。
【００３６】
本実施形態の偏光素子７０Ａの製造方法は、基材７１上に金属膜７２を成膜する第１工程と、成膜された金属膜７２に複数のスリット７３を形成する第２工程と、気相成膜法により、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成する第３工程と、同じく気相成膜法により、第１の方向と反対の第２の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第１誘電体層７５に積層して第２誘電体層７６を形成する第４工程と、を含んでいる。
【００３７】
本実施形態の偏光素子７０Ａの製造方法において、スリット７３の延在方向の一例は前述したようにＹ方向である。また、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向の一例は、図３において矢印で示すように３時方向であり、第１の方向と反対の第２の方向の一例は、同じく図３において矢印で示すように９時方向である。
【００３８】
第１工程では、気相成膜法として例えばアルミニウムをターゲットとしたスパッタ法により、基材７１の一方の表面に所定の膜厚でアルミニウム膜を形成して金属膜７２とする。そして、第２工程へ進む。
【００３９】
第２工程では、アルミニウム膜からなる金属膜７２をパターニングして、複数のスリット７３を形成する。アルミニウム膜のパターニング方法としては、パターニング後に形成される金属線７２ａの断面におけるエッジがウェットエッチングに比べて明瞭となるドライエッチングを用いることが好ましい。
【００４０】
図３に示すように、Ｘ方向における、金属線７２ａのライン幅Ｌと、金属線７２ａ間のスペース（つまりスリット７３の幅）Ｓとを加えた値が、金属線７２ａの配置ピッチＰである。スリット７３の配置ピッチもＰである。基材７１上における金属線７２ａの高さｈは、配置ピッチＰとほぼ同じである。本実施形態では、幅ＬとスペースＳとをそれぞれ例えば７０ｎｍ（ナノメーター）として、金属膜７２及びスリット７３を形成した。なお、金属線７２ａの配置ピッチＰは、スリット７３の形成精度と、後述する偏光素子７０Ａの偏光分離特性とを考慮すると、２００ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。そして、第３工程へ進む。
【００４１】
第３工程では、気相成膜法として例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）をターゲットとしたスパッタ法により、無機材料である酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を３時方向から斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成する。具体的には、図３に示すように、無機材料を３時方向から斜めに堆積させる初期の段階では、隣り合う金属線７２ａ間のスリット７３の空間をまだ閉塞されない。金属線７２ａの頭頂部に無機材料が斜めに堆積され、ある程度の膜厚ｄ0に到達したときに、堆積された無機材料によってスリット７３の空間が閉塞される。続けて、無機材料を斜めに堆積させ、膜厚ｄ1まで無機材料を堆積させることで表面が平坦になった第１誘電体層７５が形成される。つまり、第１誘電体層７５は、膜厚ｄ0の第１層７５ａに膜厚ｄ1の第２層７５ｂを堆積させたものである。したがって、第１誘電体層７５の膜厚は、ｄ0にｄ1を加えた値となる。そして、第４工程に進む。
【００４２】
第４工程では、気相成膜法として例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）をターゲットとしたスパッタ法により、無機材料である酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を９時方向から斜めに堆積させて第１誘電体層７５上に第２誘電体層７６を形成する。第１誘電体層７５の表面に無機材料を堆積させることから、第２誘電体層７６の表面もまた平坦となる。第２誘電体層７６の膜厚はｄ2である。
【００４３】
上述したように、第１誘電体層７５の第１層７５ａは、斜め方向に堆積された無機材料と、スリット７３の上方に形成された空間とを含むことから、第１層７５ａに積層された第２層７５ｂの屈折率をｎ1とすると、第１層７５ａの屈折率ｎ0は、下記式（１）で導かれる。
ｎ0＝ａ×ｎ1・・・（１）
ａは１未満の係数である。
【００４４】
第１誘電体層７５と第２誘電体層７６とは同じ無機材料を用いて形成されていることから、第１誘電体層７５の第２層７５ｂの屈折率ｎ1と、第２誘電体層７６の屈折率ｎ2とは下記式（２）に示すように同じ値となる。
ｎ1＝ｎ2・・・・（２）
【００４５】
第１誘電体層７５の第１層７５ａの膜厚ｄ0は、スリット７３の幅すなわち、スペースＳに依存すると考えられる。無機材料を斜めに堆積させて第１層７５ａを形成するときの基材面に対する成膜の角度にもよるが、ｄ0≒Ｓとみなすことができる。そうすると、金属線７２ａの配置ピッチＰは、金属線７２ａのライン幅ＬとスペースＳとの和であることから、Ｌ：Ｓ＝１：１のときの第１層７５ａの膜厚ｄ0は下記式（３）で導くことができる。
ｄ0＝Ｐ／２・・・（３）
【００４６】
各誘電体層の正面位相差の値は、誘電体層の屈折率と膜厚との積で与えることができる。前述したように、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層７６によって打ち消そうとする場合は、第１誘電体層７５の正面位相差の値と、第２誘電体層７６の正面位相差の値とを同じとすることになる。ゆえに、第１誘電体層７５の正面位相差の値と第２誘電体層７６の正面位相差の値との関係は、下記式（４）で導くことができる。
ｎ2×ｄ2＝ｎ0×ｄ0＋ｎ1×ｄ1・・・（４）
【００４７】
上記式（４）に上記式（１）〜（３）を当てはめると、下記式（５）が導かれる。
ｄ2＝ｄ1＋ａ×Ｐ／２・・・（５）
【００４８】
ここで、例えば、ａ＝０．８、Ｐ＝１４０ｎｍとすると、ａ×Ｐ／２＝５６ｎｍとなる。したがって、例えば、ｄ1＝１００ｎｍとすると、ｄ2＝１５６ｎｍとなる。第１誘電体層７５は、ｄ0≒Ｓとみなすと、ｄ0＋ｄ1＝１７０ｎｍであり、第１誘電体層７５に第２誘電体層７６を加えた封止層７４の総膜厚は、１７０ｎｍ＋１５６ｎｍ＝３２６ｎｍとなる。なお、封止層７４の総膜厚は、偏光素子７０Ａの光学特性と耐久品質（耐熱性、耐湿性）とを考慮して決める。
【００４９】
なお、気相成膜法は、スパッタ法に限らず真空蒸着法を用いてもよい。気相成膜法を用いることにより、上述した無機材料が斜め方向に堆積することにより上記各誘電体層が形成される。そうすると、図３に示すように、第１誘電体層７５の第１層７５ａにおいて、隣り合う金属線７２ａ上に堆積した無機材料の例えば結晶粒によりスリット７３を閉塞する部分では、結晶粒同士が当接した境界が生ずる。第１層７５ａに無機材料を堆積させて第２層７５ｂを成膜し、さらに成膜方位を変えて第２誘電体層７６を成膜することで、当該境界は目立ち難くなる。例えば、第１誘電体層７５だけで金属膜７２を封止する状態では、熱などの応力が加わると、当該境界からクラックが生ずるおそれがある。クラックが生ずると偏光素子の破損に繋がる。また、クラックから水分や酸素が浸入して金属膜７２が変質すると、偏光素子の光学特性に影響を及ぼすおそれがある。本実施形態では、第１誘電体層７５に対して異なる成膜方位から無機材料を斜めに堆積させて第２誘電体層７６を形成するので、このようなクラックの発生を低減可能である。
【００５０】
次に、偏光素子７０Ａの光学特性の測定方法について、図４及び図５を参照して説明する。図４は偏光素子における光の透過率を測定する方法を示す概略図、図５は偏光素子における光の反射率を測定する方法を示す概略図である。
【００５１】
偏光素子７０Ａに入射する光において、スリット７３の延在方向に振動する波である光をＳ波とし、その透過率をＴｓとし、反射率をＲｓとして表す。また、スリット７３の延在方向と直交する方向に振動する波である光をＰ波とし、その透過率をＴｐとし、反射率をＲｐとして表す。そうすると、偏光素子７０Ａは、Ｓ波に比べてＰ波をよく透過することから、透過率の関係は、Ｔｐ≫Ｔｓとなる。透過率の関係に対して反射率の関係は、逆となることから、Ｒｓ≫Ｒｐとなる。本実施形態では、Ｔｐが９０％以上、好ましくは９２％以上となるように金属膜７２を成膜してパターニングし、複数のスリット７３を形成している。
【００５２】
例えば、Ｔｐが９０％で、Ｔｓが０．０５％ならば、Ｔｐ／Ｔｓの比は、１８００となる。Ｔｐ／Ｔｓの値は偏光分離特性と呼ばれ、偏光素子７０Ａを例えば液晶装置に用いた場合、液晶装置におけるコントラストを規定する要因の１つとなる。つまり、透過率Ｔｐ，Ｔｓ、反射率Ｒｐ，Ｒｓ、偏光分離特性は、偏光素子７０Ａの光学特性を示すものである。
【００５３】
図４に示すように、透過率の測定系としては、光源からの光束を所定の方向に振動する波である直線偏光に変換する偏光変換素子８１と、偏光変換素子８１で変換された直線偏光を受光してその強度を測定する積分球８２とを備える測定系を挙げることができる。偏光変換素子８１は、入射したランダム偏光である光束を一定の方向に振動する直線偏光に変換する、例えば結晶型のグランテーラー偏光子を挙げることができる。偏光変換素子８１は、光束の光軸を中心に回転可能となっており、これにより入射したランダム偏光を回転角を変えることによって、Ｐ波とＳ波とに変換することができる。偏光変換素子８１に入射するランダム偏光の光束の大きさは、例えばφ５ｍｍである。
【００５４】
まず、偏光変換素子８１と積分球８２との間の光軸上に、測定対象の偏光素子Ｗを配置しない状態で、偏光変換素子８１により光束をＰ波に変換して積分球８２で受光し、その強度を基準の「１」とする。次に、偏光変換素子８１と積分球８２との間の光軸上に、例えば図４に示すように、スリット７３の延在方向が水平となるように測定対象の偏光素子Ｗを配置して、偏光素子Ｗを透過したＰ波を積分球８２で受光し、その強度を測定する。先に測定した強度との比をとることにより、Ｐ波の透過率Ｔｐ（％）を求めることができる。
【００５５】
同様にして、偏光変換素子８１と積分球８２との間の光軸上に、測定対象の偏光素子Ｗを配置しない状態で、今度は偏光変換素子８１を９０度回転させて光束をＳ波に変換して積分球８２で受光し、その強度を基準の「１」とする。次に、偏光変換素子８１と積分球８２との間の光軸上に、例えばスリット７３の延在方向が水平となるように測定対象の偏光素子Ｗを配置して、偏光素子Ｗを透過したＳ波を積分球８２で受光し、その強度を測定する。先に測定した透過光の強度との比をとることにより、Ｓ波の透過率Ｔｓ（％）を求めることができる。
【００５６】
図５に示すように、反射率の測定系としては、偏光変換素子８１と、積分球８２と、光束の光軸上に所定の角度で互いに反対方向に傾斜して配置される一対のミラー８３とを備える測定系を挙げることができる。一対のミラー８３のうち一方のミラー８３で反射した直線偏光が入射するように測定対象の偏光素子Ｗが配置される。具体的には、一対のミラー８３のうちの一方のミラー８３に入射した直線偏光が反射して、偏光素子Ｗの法線に対して５度の角度で偏光素子Ｗに入射し、偏光素子Ｗで反射した直線偏光が同じく法線に対して５度の角度で他方のミラー８３に入射するように、一対のミラー８３に対して偏光素子Ｗが対向して配置される。
【００５７】
まず、偏光素子Ｗが配置される位置に全反射ミラーを配置して、偏光変換素子８１により変換された直線偏光（Ｐ波またはＳ波）を全反射ミラーに入射させ、その反射光の強度を積分球８２で測定して基準の「１」とする。次に、例えば図５に示すように、スリット７３の延在方向がミラー８３に入射する直線偏光（Ｐ波またはＳ波）の光軸と直交するように測定対象の偏光素子Ｗを配置して、上記直線偏光（Ｐ波またはＳ波）を入射させ、その反射光を積分球８２で受光して、その強度を測定する。先に測定した反射光の強度との比をとることによりＰ波の反射率ＲｐまたはＳ波の反射率Ｒｓのうち一方を求めることができる。続いて、測定対象の偏光素子Ｗを面内で９０度回転させて、上記直線偏光（Ｐ波またはＳ波）を入射させ、その反射光を積分球８２で受光して、その強度を測定する。先に測定した反射光の強度との比をとることによりＰ波の反射率Ｒｐ（％）またはＳ波の反射率Ｒｓ（％）のうち他方を求めることができる。
【００５８】
上記第１実施形態の偏光素子７０Ａとその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）金属膜７２に対して複数のスリット７３が延在した方向と直交する３時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成し、第１誘電体層７５に対して９時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第２誘電体層７６を形成する。第１誘電体層７５は成膜方位の３時方向に傾斜した光学軸を有し、第２誘電体層７６は成膜方位の９時方向に傾斜した光学軸を有することから、第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向は、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と反対となる。したがって、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層７６で打ち消すことができる。すなわち、位相差が生じ難い封止層７４により封止されたワイヤーグリッド型の偏光素子７０Ａを提供あるいは製造することができる。
【００５９】
（２）第１誘電体層７５は、気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させてスリット７３を閉塞している。したがって、第１誘電体層７５のスリット７３を閉塞する部分には成膜に係る境界が生じる。本実施形態では、第１誘電体層７５に積層して、第１誘電体層７５と反対の成膜方位から第２誘電体層７６が形成されるため、例えば熱などの応力が加わっても当該境界にクラックが生じ難い。すなわち、熱などの応力によりクラックが生じ難く、優れた耐久品質（耐熱性、耐湿性）を有する偏光素子７０Ａを提供あるいは製造することができる。
【００６０】
なお、第１誘電体層７５の成膜方位は、３時方向に限定されず、９時方向でもよい。その場合、第２誘電体層７６の成膜方位は、反対の３時方向となる。
【００６１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の偏光素子とその製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。図６は第２実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図、図７は第２実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図である。第２実施形態の偏光素子は、上記第１実施形態の偏光素子７０Ａに対して封止層７４の構成を異ならせたものである。したがって、上記第１実施形態の偏光素子７０Ａと同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６２】
図６に示すように、本実施形態の偏光素子７０Ｂは、透光性の基材７１と、基材７１の一方の面側に設けられた金属膜７２と、金属膜７２上に設けられた透光性の封止層７４Ｂとを有している。金属膜７２には、複数のスリット７３が設けられている。スリット７３はＹ方向に延在している。上記第１実施形態の偏光素子７０Ａと同様に、金属線７２ａ及びスリット７３はＸ方向において等間隔で配置されている。
【００６３】
封止層７４Ｂは、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６、第３誘電体層７７、第４誘電体層７８がこの順に積層されたものである。各誘電体層は、いずれも気相成膜法により同じ無機材料を基材面（金属膜７２）に対して斜め方向から堆積させて形成されたものである。つまり、本実施形態の偏光素子７０Ｂにおける封止層７４Ｂは、上記第１実施形態の偏光素子７０Ａの封止層７４に対して、さらに第３誘電体層７７と第４誘電体層７８とを積層したものである。
【００６４】
図７に示すように、金属膜７２を封止する封止層７４Ｂは、順に積層された、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６、第３誘電体層７７、第４誘電体層７８を有し、いずれの誘電体層も成膜に係る異方性により光学的には屈折率ｎが、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体として表すことができる。上記第１実施形態で説明したように、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向は例えば３時方向であり、第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向は３時方向と反対の９時方向である。これに対して、第３誘電体層７７の光学軸は、３時方向または９時方向（言い換えればＸ方向）と直交するＹ方向において、金属膜７２が形成された基材面に対して例えば１２時方向に所定の角度θで傾斜している（所定の角度θで１２時方向に下がった状態となっている）。第４誘電体層７８の光学軸は、第３誘電体層７７の光学軸の傾斜方向と反対の６時方向に所定の角度θで傾斜している（所定の角度θで６時方向に下がった状態となっている）。つまり、上記第１実施形態で説明したように、各誘電体層の膜厚を適宜調整することにより、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層７６により打ち消すことができ、第３誘電体層７７の光学軸の傾斜に起因する位相差もまた第４誘電体層７８によって打ち消すことができる。
【００６５】
このような第１誘電体層７５、第２誘電体層７６、第３誘電体層７７、第４誘電体層７８の光学的な配置によれば、第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向に対して第３誘電体層７７の光学軸の傾斜方向が直交していることから、基材７１に対してＺ方向の真上から見た場合、封止層７４Ｂは、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体となる。ゆえに、個々の誘電体層の光学軸の傾斜に起因する光学的な異方性（ｎｘ＞ｎｙ）が解消され、封止層７４Ｂは平面視において光学的に等方性となる。
【００６６】
本実施形態の偏光素子７０Ｂの製造方法は、基材７１上に金属膜７２を成膜する第１工程と、成膜された金属膜７２に複数のスリット７３を形成する第２工程と、気相成膜法により、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成する第３工程と、同じく気相成膜法により、第１の方向と反対の第２の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第１誘電体層７５に積層して第２誘電体層７６を形成する第４工程と、を有している。また、気相成膜法により、第１の方向または第２の方向と直交する第３の方向から無機材料を斜めに堆積させて、第２誘電体層７６に積層して第３誘電体層７７を形成する第５工程と、同じく気相成膜法により、第３の方向と反対の第４の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第３誘電体層７７に積層して第４誘電体層７８を形成する第６工程と、を有している。
【００６７】
本実施形態の偏光素子７０Ｂの製造方法において、スリット７３の延在方向の一例は前述したようにＹ方向である。また、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向の一例は、３時方向であり、第１の方向と反対の第２の方向の一例は９時方向である。第３の方向の一例は、１２時方向であり、第３の方向と反対の第４の方向の一例は６時方向である。なお、第３の方向は、６時方向であってもよく、その場合、第４の方向は６時方向と反対の１２時方向となる。このように第１の方向から第４の方向で規定される成膜方位において所定の角度θで成膜する方向が各誘電体層における光学軸の傾斜方向となる。
【００６８】
上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂとその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
金属膜７２に対して複数のスリット７３が延在した方向と直交する３時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成し、第１誘電体層７５に対して９時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第２誘電体層７６を形成する。さらに、１２時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて、第２誘電体層７６に積層して第３誘電体層７７を形成し、第３誘電体層７７に対して６時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて、第３誘電体層７７に積層して第４誘電体層７８を形成する。成膜に係る第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向は、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と反対となることから、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第２誘電体層７６で打ち消すことができる。同様にして、成膜に係る第４誘電体層７８の光学軸の傾斜方向は、第３誘電体層７７の光学軸の傾斜方向と反対となることから、第３誘電体層７７の光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層７８で打ち消すことができる。さらに、第２誘電体層７６の光学軸の傾斜方向が第３誘電体層７７の光学軸の傾斜方向と直交していることから、封止層７４Ｂは平面視において光学的に等方性となる。すなわち、位相差が生じ難い封止層７４Ｂにより封止されたワイヤーグリッド型の偏光素子７０Ｂを提供あるいは製造することができる。また、複数のスリット７３が形成された金属膜７２は積層された４つの誘電体層によって封止されることから、クラックがより生じ難くなり、上記第１実施形態の偏光素子７０Ａに比べて、耐久品質（耐熱性、耐湿性）がさらに向上する。
【００６９】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の偏光素子とその製造方法について、図８及び図９を参照して説明する。図８及び図９は第３実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図である。詳しくは、図８はＹ方向に沿った方向から見たときの構造を示し、図９はＸ方向に沿った方向から見たときの構造を示すものである。第３実施形態の偏光素子は、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂに対して封止層７４Ｂの構成を変えたものである。したがって、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂ（あるいは上記第１実施形態の偏光素子７０Ａ）と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７０】
図８に示すように、本実施形態の偏光素子７０Ｃは、透光性の基材７１と、基材７１の一方の面側に設けられた金属膜７２と、金属膜７２上に設けられた透光性の封止層７４Ｃとを有している。金属膜７２には、複数のスリット７３が設けられている。スリット７３はＹ方向に延在している。上記第１実施形態の偏光素子７０Ａと同様に、金属線７２ａ及びスリット７３はＸ方向において等間隔で配置されている。
【００７１】
封止層７４Ｃは、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６ｃ、第３誘電体層７７ｃ、第４誘電体層７８ｃがこの順に積層されたものである。各誘電体層は、いずれも気相成膜法により同じ無機材料を基材面（金属膜７２）に対して斜め方向から堆積させて形成されたものである。したがって、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６ｃ、第３誘電体層７７ｃ、第４誘電体層７８ｃは、いずれも成膜の異方性により光学的には屈折率ｎが、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体として表すことができる。
【００７２】
上記第２実施形態（あるいは上記第１実施形態）で説明したように、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向は例えば３時方向である。これに対して、図８に示すように、第１誘電体層７５に対して第２誘電体層７６ｃを介して積層される第３誘電体層７７ｃの光学軸の傾斜方向は３時方向と反対の９時方向である。また、図９に示すように、第１誘電体層７５に積層された第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向は、３時方向と直交する例えば１２時方向であり、第２誘電体層７６ｃに対して第３誘電体層７７ｃを介して積層された第４誘電体層７８ｃの光学軸の傾斜方向は、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向と反対の６時方向となっている。したがって、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向とが直交し、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向と第３誘電体層７７ｃの光学軸の傾斜方向とが直交し、第３誘電体層７７ｃの光学軸の傾斜方向と第４誘電体層７８ｃの光学軸の傾斜方向とが直交していることになる。上記第１実施形態で説明したように、各誘電体層の膜厚を適宜調整すれば、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第３誘電体層７７ｃで打ち消し、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層７８ｃで打ち消すことができる。
【００７３】
このような第１誘電体層７５、第２誘電体層７６ｃ、第３誘電体層７７ｃ、第４誘電体層７８ｃの光学的な配置によれば、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向に対して第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向が直交し、第３誘電体層７７ｃの光学軸の傾斜方向に対して第４誘電体層７８ｃの光学軸の傾斜方向が直交していることから、基材７１に対してＺ方向の真上から見た場合、封止層７４Ｃは、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂにおける封止層７４Ｂと同様に、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体となる。ゆえに、個々の誘電体層の平面視における光学的な異方性（ｎｘ＞ｎｙ）が解消され、封止層７４Ｃは平面視において光学的に等方性となる。
【００７４】
本実施形態の偏光素子７０Ｃの製造方法は、基材７１上に金属膜７２を成膜する第１工程と、成膜された金属膜７２に複数のスリット７３を形成する第２工程と、気相成膜法により、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成する第３工程と、同じく気相成膜法により、第１の方向と直交する第２の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第１誘電体層７５に積層して第２誘電体層７６ｃを形成する第４工程と、を有している。また、気相成膜法により、第１の方向または第２の方向と反対の第３の方向から無機材料を斜めに堆積させて、第２誘電体層７６ｃに積層して第３誘電体層７７ｃを形成する第５工程と、同じく気相成膜法により、第１の方向または第２の方向と反対であって、第３の方向と直交する第４の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第３誘電体層７７ｃに積層して第４誘電体層７８ｃを形成する第６工程と、を有している。
【００７５】
本実施形態の偏光素子７０Ｃの製造方法において、スリット７３の延在方向の一例は前述したようにＹ方向である。また、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向の一例は、３時方向であり、第１の方向と直交する第２の方向の一例は１２時方向である。第１の方向または第２の方向と反対の第３の方向の一例は、９時方向であり、第１の方向または第２の方向と反対であって、第３の方向と直交する第４の方向の一例は６時方向である。
【００７６】
なお、第３の方向は、１２時方向と反対の６時方向であってもよく、その場合、第４の方向は、３時方向と反対の９時方向となる。このようにすれば、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層７８ｃで打ち消すことができ、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜に起因する位相差を第３誘電体層７７ｃで打ち消すことができる。
【００７７】
上記第３実施形態の偏光素子７０Ｃとその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
金属膜７２に対して複数のスリット７３が延在した方向と直交する３時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成し、第１誘電体層７５に対して１２時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて第２誘電体層７６ｃを形成する。さらに、９時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて、第２誘電体層７６ｃに積層して第３誘電体層７７ｃを形成し、第３誘電体層７７ｃに対して６時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて、第３誘電体層７７ｃに積層して第４誘電体層７８ｃを形成する。成膜に係る第３誘電体層７７ｃの光学軸の傾斜方向は、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜方向と反対となることから、第１誘電体層７５の光学軸の傾斜に起因する位相差を第３誘電体層７７ｃで打ち消すことができる。同様にして、成膜に係る第４誘電体層７８ｃの光学軸の傾斜方向は、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜方向と反対となることから、第２誘電体層７６ｃの光学軸の傾斜に起因する位相差を第４誘電体層７８ｃで打ち消すことができる。さらに、各誘電体層の光学軸の傾斜方向が互いに直交していることから、封止層７４Ｃは平面視において光学的に等方性となる。すなわち、位相差が生じ難い封止層７４Ｃにより封止されたワイヤーグリッド型の偏光素子７０Ｃを提供あるいは製造することができる。また、複数のスリット７３が形成された金属膜７２は積層された４つの誘電体層によって封止されることから、クラックがより生じ難くなり、上記第１実施形態の偏光素子７０Ａに比べて、耐久品質（耐熱性、耐湿性）がさらに向上する。
【００７８】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態の偏光素子とその製造方法について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は第４実施形態の偏光素子の構成を示す概略斜視図、図１１は第４実施形態の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図である。第４実施形態の偏光素子は、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂにおける封止層７４Ｂにさらに誘電体層を積層したものである。したがって、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂ（あるいは上記第１実施形態の偏光素子７０Ａ）と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７９】
図１０に示すように、本実施形態の偏光素子７０Ｄは、透光性の基材７１と、基材７１の一方の面側に設けられた金属膜７２と、金属膜７２上に設けられた透光性の封止層７４Ｄとを有している。金属膜７２には、複数のスリット７３が設けられている。スリット７３はＹ方向に延在している。上記第１実施形態の偏光素子７０Ａと同様に、金属線７２ａ及びスリット７３はＸ方向において等間隔で配置されている。
【００８０】
封止層７４Ｄは、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６、第３誘電体層７７、第４誘電体層７８、第５誘電体層７９がこの順に積層されたものである。第１誘電体層７５から第４誘電体層７８は、いずれも気相成膜法により同じ無機材料を基材面（金属膜７２）に対して斜め方向から堆積させて形成されたものである。したがって、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６、第３誘電体層７７、第４誘電体層７８は、いずれも成膜の異方性により光学的には屈折率ｎが、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの関係を満たす屈折率楕円体として表すことができ、上記第２実施形態で説明したように、第４誘電体層７８が積層された時点では、図１１に示すように、平面視において光学的には等方性（ｎｘ＝ｎｙ）である。
【００８１】
本実施形態では、図１１に示すように、気相成膜法により同じ無機材料を基材面（金属膜７２）の法線方向から堆積させて、第４誘電体層７８に積層して第５誘電体層７９を形成した。第５誘電体層７９は、屈折率ｎが、ｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの関係を満たす屈折率楕円体として表すことができる。第５誘電体層７９の光学軸は屈折率が最も大きいｎｚの軸である。
【００８２】
このような封止層７４Ｄの構成によれば、第５誘電体層７９の膜厚を適宜調整することにより、積層された第１誘電体層７５から第４誘電体層７８までの厚み方向における位相差を第５誘電体層７９で打ち消すことができる。そうすると、封止層７４Ｄは、屈折率楕円体が、ｎｘ＝ｎｙ＝ｎｚの関係を満たす光学的に等方な球体となる。すなわち、あらゆる方向から入射する光に対して位相差が生じ難くなる。
【００８３】
本実施形態の偏光素子７０Ｄの製造方法は、基材７１上に金属膜７２を成膜する第１工程と、成膜された金属膜７２に複数のスリット７３を形成する第２工程と、気相成膜法により、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向から無機材料を斜めに堆積させて第１誘電体層７５を形成する第３工程と、同じく気相成膜法により、第１の方向と反対の第２の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第１誘電体層７５に積層して第２誘電体層７６を形成する第４工程と、を有している。また、気相成膜法により、第１の方向または第２の方向と直交する第３の方向から無機材料を斜めに堆積させて、第２誘電体層７６に積層して第３誘電体層７７を形成する第５工程と、同じく気相成膜法により、第３の方向と反対の第４の方向から無機材料を斜めに堆積させ、第３誘電体層７７に積層して第４誘電体層７８を形成する第６工程と、を有している。さらに、気相成膜法により、基材７１の法線方向から無機材料を堆積させ、第４誘電体層７８に積層して第５誘電体層７９を形成する第７工程を有している。
【００８４】
本実施形態の偏光素子７０Ｄの製造方法において、スリット７３の延在方向の一例は前述したようにＹ方向である。また、スリット７３の延在方向と交差する第１の方向の一例は、３時方向であり、第１の方向と反対の第２の方向の一例は９時方向である。第３の方向の一例は、１２時方向であり、第３の方向と反対の第４の方向の一例は６時方向である。なお、第３の方向は、６時方向であってもよく、その場合、第４の方向は６時方向と反対の１２時方向となる。
【００８５】
上記第４実施形態の偏光素子７０Ｄとその製造方法によれば、気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて積層した第１誘電体層７５から第４誘電体層７８に対して、さらに、気相成膜法により無機材料を基材面の法線方向から堆積させた第５誘電体層７９を積層形成することで光学的に等方性（ｎｘ＝ｎｙ＝ｎｚ）となった封止層７４Ｄを形成することができる。すなわち、あらゆる方向から入射した光に対して位相差が生じ難い封止層７４Ｄにより封止されたワイヤーグリッド型の偏光素子７０Ｄを提供あるいは製造することができる。また、複数のスリット７３が形成された金属膜７２は積層された５つの誘電体層によって封止されることから、クラックがより生じ難くなり、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂに比べて、耐久品質（耐熱性、耐湿性）がさらに向上する。
【００８６】
なお、本実施形態の偏光素子７０Ｄは、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂの封止層７４Ｂに第５誘電体層７９を積層したものであるが、上記第３実施形態の偏光素子７０Ｃの封止層７４Ｃに第５誘電体層７９を積層した構成としても、同様な効果が得られる。
【００８７】
（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、上記各実施形態のワイヤーグリッド型の偏光素子を適用可能な電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図１２は電子機器としての投射型表示装置の一例である３板式の透過型液晶プロジェクターの構成を示す概略図、図１３は光変調手段としての液晶装置の構成を示す概略断面図である。
【００８８】
図１２に示すように、本実施形態の液晶プロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、を備えている。また、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、を備えている。さらに、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７と、を備えている。
【００８９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９０】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９３】
液晶ライトバルブ１２１０は、図１３に示す電気光学装置としての液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子４１，４２を有している。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。当該一対の偏光素子４１，４２として、上記各実施形態の偏光素子を適用可能である。
【００９４】
＜電気光学装置＞
図１３に示すように、電気光学装置としての液晶装置１００は、一対の基板としての第１基板１０及び第２基板２０と、一対の基板に挟持された液晶層５０とを有する液晶パネル１１０を備えている。第１基板１０及び第２基板２０の基材は、透明な例えば石英基板が用いられている。第１基板１０の液晶層５０側には、画素電極１５が設けられている。第２基板２０の液晶層５０側には対向電極２３が設けられている。画素電極１５及び対向電極２３は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を用いて形成されている。図１３には、図示していないが、本実施形態の液晶装置１００は、アクティブ駆動型であって、画素電極１５をスイッチング制御するスイッチング素子として、薄膜トランジスターが第１基板１０に設けられている。
【００９５】
本実施形態における液晶層５０は、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣで構成されている。画素電極１５には、液晶分子ＬＣを所定のプレチルト角θｐで略垂直配向させるための配向膜１８が形成されている。対向電極２３にも同様に、液晶分子ＬＣを所定のプレチルト角θｐで略垂直配向させるための配向膜２８が形成されている。配向膜１８及び配向膜２８は、例えば酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの無機材料を各電極に対して例えば所定の角度θｂで斜め蒸着することで形成される柱状体の集合体（無機配向膜）である。配向膜１８の成膜における蒸着方向と、配向膜２８の成膜における蒸着方向とはまったく逆の方向となっている。液晶分子ＬＣのプレチルトの方向は、蒸着方向に依存する。また、電極面の法線に対するプレチルト角θｐは、柱状体の傾斜角度θｃや柱状体の堆積状態に依存する。各電極から斜め方向に堆積する柱状体の傾斜角度θｃと斜め蒸着における所定の角度θｂとは必ずしも同じではない。
【００９６】
無機材料の蒸着方向は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置される偏光素子４１，４２の透過軸または吸収軸に対して４５度で交差している。つまり、液晶分子ＬＣのプレチルトの方向は、クロスニコルに配置される偏光素子４１，４２の透過軸または吸収軸に対して４５度で交差している。このような液晶分子ＬＣの配向状態は、１軸垂直配向と呼ばれている。本実施形態では、偏光素子４１，４２として上記実施形態の偏光素子が適用されているため、偏光素子自体に位相差が生じ難いので、優れたコントラスト比、視野角特性などの光学特性が実現されている。また、当該偏光素子は封止層によって封止されていることから優れた耐久品質が実現されている。
【００９７】
なお、図１３では、第２基板２０側から光が入射するように表示したが、第１基板１０側から光を入射させてもよい。また、液晶層５０は、液晶分子ＬＣのプレチルトに伴う位相差を生ずるので、当該位相差を打ち消す方向に補償が可能な位相差補償板を、液晶パネル１１０と偏光素子との間に配置してもよい。当該位相差補償板としては、例えば光軸に対して所定の角度で傾斜させた負のＣプレートを用いることができる。
【００９８】
このような液晶プロジェクター１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、優れた耐久品質を有すると共に、見栄えのよい表示状態が得られる透過型の液晶プロジェクター１０００を提供することができる。
【００９９】
次に、上記各実施形態のワイヤーグリッド型の偏光素子を適用可能な電子機器としての他の投射型表示装置について例を挙げて説明する。図１４は電子機器としての他の投射型表示装置の一例である３板式の反射型液晶プロジェクターの構成を示す概略図、図１５は光変調手段としての反射型の液晶装置の構成を示す概略断面図である。つまり、反射型の液晶装置においても、上記各実施形態のワイヤーグリッド型の偏光素子を適用することができる。
【０１００】
図１４に示すように、本実施形態の他の投射型表示装置である液晶プロジェクター１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調手段としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０１】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【０１０２】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子であるワイヤーグリッド型の偏光素子１２５３とを備えている。
液晶ライトバルブ１２５０は、偏光素子１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、偏光素子１２５３の偏光度を補う補助偏光素子１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光素子１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光素子１２５４，１２５５を省略することも可能である。
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【０１０３】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド型の偏光素子１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０４】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０として図１５に示す電気光学装置としての液晶装置２００が適用されている。液晶装置２００の光の入射側には、ワイヤーグリッド型の偏光素子２０１が光軸に対して４５度の角度で傾斜した状態で配置されている。偏光素子２０１として上記各実施形態の偏光素子を適用可能である。
【０１０５】
図１５に示すように、電気光学装置としての液晶装置２００は、一対の基板としての第１基板１０及び第２基板２０と、一対の基板に挟持された液晶層５０とを有する液晶パネル２１０を備えている。第１基板１０及び第２基板２０の基材は、透明な例えば石英基板が用いられている。第１基板１０の液晶層５０側には、光反射性を有する画素電極１５Ｒが設けられている。第２基板２０の液晶層５０側には対向電極２３が設けられている。画素電極１５Ｒは、光反射性を有する例えばアルミニウムやアルミニウムの合金などを用いて形成されている。対向電極２３は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を用いて形成されている。なお、図１５には、図示していないが、本実施形態の液晶装置２００は、アクティブ駆動型であって、画素電極１５Ｒをスイッチング制御するスイッチング素子として、薄膜トランジスターが第１基板１０に設けられている。
【０１０６】
液晶層５０は、前述した透過型の液晶装置１００と同様に、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣで構成されている。画素電極１５Ｒには、液晶分子ＬＣを所定のプレチルト角θｐで略垂直配向させるための配向膜１８が形成されている。対向電極２３にも同様に、液晶分子ＬＣを所定のプレチルト角θｐで略垂直配向させるための配向膜２８が形成されている。配向膜１８及び配向膜２８は、前述したように酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの無機材料を例えば斜め蒸着して形成された柱状体の集合体（無機配向膜）である。蒸着方向と液晶分子ＬＣのプレチルトの方向との関係もまた、前述した透過型の液晶装置１００と同様である。
【０１０７】
ワイヤーグリッド型の偏光素子２０１を透過した直線偏光（Ｐ波）は、液晶パネル２１０に入射して画素電極１５Ｒで反射する。画素電極１５Ｒで反射して再び偏光素子２０１に入射する直線偏光は、偏光方向が９０度回転することからＳ波となる。偏光素子２０１に入射した直線偏光（Ｓ波）は偏光素子２０１を透過することができずに射出光として反射される。
【０１０８】
図１４に戻り、クロスダイクロイックプリズム１２０６に対して、液晶ライトバルブ１２６０にて変調された緑色光（Ｇ）は直進し、液晶ライトバルブ１２５０にて変調された赤色光（Ｒ）と、液晶ライトバルブ１２７０にて変調された青色光（Ｂ）とは誘電体多層膜によって画像の左右が反転して反射される。それゆえに、合成後の光において液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０ごとの視角特性に起因する着色が生じないように光学的な条件が色光に対応して設定されている。具体的には、緑色光（Ｇ）の液晶パネル１２６１における液晶分子のプレチルトの方向に対して、他の赤色光（Ｒ）の液晶パネル１２５１と青色光（Ｂ）の液晶パネル１２７１における液晶分子のプレチルトの方向が反転するように斜め蒸着の平面的な蒸着方向を１８０°反転させて無機配向膜を形成している。
【０１０９】
なお、前述した液晶装置１００と同様に、液晶層５０は、液晶分子ＬＣのプレチルトに伴う位相差を生ずるので、当該位相差を打ち消す方向に補償が可能な位相差補償板を、液晶パネル２１０と偏光素子２０１との間に配置してもよい。当該位相差補償板としては、例えば光軸に対して所定の角度で傾斜させた負のＣプレートを用いることができる。
【０１１０】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、色光ごとに設けられた反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０は、上記液晶装置２００が適用されており、液晶パネル２１０の色光の入射側に、上記各実施形態の偏光素子を適用可能な偏光素子２０１を備えている。したがって、優れた耐久品質を有すると共に、見栄えのよい表示状態が得られる反射型の液晶プロジェクター１５００を提供することができる。
【０１１１】
上記液晶プロジェクター１５００において、上記各実施形態の偏光素子を適用するのは、液晶ライトバルブ１２５０におけるワイヤーグリッド型の偏光素子１２５３（偏光素子２０１）に限定されず、例えば、偏光素子１２５３の偏光度を補う補助偏光素子１２５４，１２５５にも適用可能である。他の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同様である。
【０１１２】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う偏光素子及び該偏光素子の製造方法、並びに該偏光素子を適用する電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１１３】
（変形例１）基材７１の基材面に対して法線方向から無機材料を堆積させた誘電体層を有する偏光素子の構成は、上記第４実施形態に示した偏光素子７０Ｄの構成に限定されない。図１６は変形例の偏光素子の構造と封止層の光学的な構造とを示す概略図である。例えば、図１６に示すように、変形例１の偏光素子７０Ｅは、透光性の基材７１と、基材７１の一方の面に設けられ、複数のスリット７３を有する金属膜７２と、金属膜７２を封止する封止層７４Ｅとを有している。封止層７４Ｅは、金属膜７２側から順に積層された、第１誘電体層７５、誘電体層７９ｅ、第２誘電体層７６により構成されている。第１誘電体層７５は、スリット７３の延在方向と直交する３時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて形成されたものである。誘電体層７９ｅは、基材面に対して法線方向から無機材料を堆積させて形成されたものである。第２誘電体層７６は、９時方向から気相成膜法により無機材料を斜めに堆積させて形成されたものである。したがって、第１誘電体層７５の光学軸は３時方向に傾斜し、第２誘電体層７６の光学軸は、３時方向と反対の９時方向に傾斜している。誘電体層７９ｅの光学軸の方向は基材面の法線に沿った方向となる。各誘電体層の光学軸の方向は、成膜方向に係ることから、変形例１のように、成膜方向（成膜方位）が逆向きの第１誘電体層７５と第２誘電体層７６との間に、成膜方向が法線に沿った誘電体層７９ｅを挿入することで、第１誘電体層７５に第２誘電体層７６を直接積層する場合に比べて、第２誘電体層７６における成膜初期段階の堆積方向が乱れることを抑制することができる。すなわち、光学的に安定な第２誘電体層７６を実現あるいは形成することができる。
また、基材７１の基材面に対して法線方向から無機材料を堆積させた誘電体層７９ｅは、第１誘電体層７５よりも上方に配置すればよく、例えば、上記第２実施形態の偏光素子７０Ｂの封止層７４Ｂにおいて、第２誘電体層７６と第３誘電体層７７との間や、第３誘電体層７７と第４誘電体層７８との間に配置してもよい。
【０１１４】
（変形例２）金属膜７２を封止する封止層は、上記第１〜第４実施形態で説明したように誘電体層の位相差を低減あるいは解消できる複数層の構成であればよく、透光性が確保されれば、６層以上であってもよい。
【０１１５】
（変形例３）封止層を構成する複数の誘電体層は、それぞれ同じ無機材料で形成することに限定されない。同じ無機材料を用いて複数の誘電体層を形成することは製造工程を簡略化できる点で優れているが、例えば屈折率が異なる無機材料を用いて複数の誘電体層を形成すれば、複数の誘電体層からなる封止層の膜厚を抑えることが可能である。また、クラックが生じ難い無機材料を選択して第１誘電体層７５を形成するといった改善が可能となる。
【０１１６】
（変形例４）上記各実施形態の偏光素子を適用可能な電気光学装置は、上記液晶装置１００や上記液晶装置２００に限定されない。例えば、光学式センサーや撮像装置にも適用可能である。
【０１１７】
（変形例５）電気光学装置としての上記液晶装置１００または上記液晶装置２００を適用可能な電子機器は、透過型の液晶プロジェクター１０００や反射型の液晶プロジェクター１５００に限定されない。例えば、液晶装置において、液晶層５０を介して対向配置される一対の基板のうちの一方に、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するカラーフィルターを有し、液晶プロジェクター１０００を単板構成としてもよい。また、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として上記液晶装置１００あるいは上記液晶装置２００を用いることができる。
【符号の説明】
【０１１８】
７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ…偏光素子、７１…基材、７２…金属膜、７３…スリット、７４，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｄ，７４Ｅ…封止層、７５…第１誘電体層、７６…第２誘電体層、７７…第３誘電体層、７８…第４誘電体層、７９…第５誘電体層、１００，２００…電気光学装置としての液晶装置、１０００，１５００…電子機器としての液晶プロジェクター。
【図１】
2018092015.tif 000003
【図２】
2018092015.tif 000004
【図３】
2018092015.tif 000005
【図４】
2018092015.tif 000006
【図５】
2018092015.tif 000007
【図６】
2018092015.tif 000008
【図７】
2018092015.tif 000009
【図８】
2018092015.tif 000010
【図９】
2018092015.tif 000011
【図１０】
2018092015.tif 000012
【図１１】
2018092015.tif 000013
【図１２】
2018092015.tif 000014
【図１３】
2018092015.tif 000015
【図１４】
2018092015.tif 000016
【図１５】
2018092015.tif 000017
【図１６】
2018092015.tif 000018