(57)【要約】【課題】厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られ、ピックアップを抑制できる潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物とする。  Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ2−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５          （１）（式（１）中、Ｒ１はアリール基またはアラルキル基であり、Ｒ２は０または１つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ５はアリール基またはアラルキル基である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ2−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５          （１）
（式（１）中、Ｒ１はアリール基またはアラルキル基であり、Ｒ２は０または１つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ５はアリール基またはアラルキル基である。）
【請求項２】
前記式（１）のＲ２およびＲ４に含まれる極性基のうち、少なくとも１つの極性基が水酸基である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項３】
前記式（１）のＲ２およびＲ４に含まれる極性基が全て水酸基である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項４】
前記式（１）におけるＲ４が下記式（２）で表される請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化１】
2018002673.tif 000040
（式（２）中、ｔは２または３の整数を表し、ｒは１〜４の整数を表し、ｋは０〜３の整数を表す。）
【請求項５】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（３−１）、（３−２）または（３−３）のいずれかで表される請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化２】
2018002673.tif 000041
（式（３−１）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは０〜３０の整数を表す。）
【化３】
2018002673.tif 000042
（式（３−２）中、ｕは１〜３０の整数を表す。）
【化４】
2018002673.tif 000043
（式（３−３）中、ｖは１〜３０の整数を表す。）
【請求項６】
前記式（１）におけるＲ１が、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかである請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項７】
前記式（１）におけるＲ２が、−Ｏ−または下記式（４）で表される請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化５】
2018002673.tif 000044
【請求項８】
前記式（１）におけるＲ４が、Ｒ５側の末端に−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｚ−Ｏ−（式中のｚは１〜３の整数を表す）を有する請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項９】
前記式（１）におけるＲ５が、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかである請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項１０】
前記式（１）における化合物が、下記式（５）で表わされることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化６】
2018002673.tif 000045
（式（５）中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【請求項１１】
前記式（１）における化合物が、下記式（６）で表わされることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化７】
2018002673.tif 000046
（式（６）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【請求項１２】
前記式（１）における化合物が、下記式（７）で表わされることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化８】
2018002673.tif 000047
（式（７）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【請求項１３】
数平均分子量が５００〜１００００の範囲内である請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項１５】
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜２ｎｍである請求項１５に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、これを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。
【０００３】
磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。また、パーフルオロポリエーテル主鎖の両末端に置換ベンゼンを有した対称構造を持つ化合物が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６３６６７号公報
【特許文献２】特開２０１２−９０９０号公報
【特許文献３】国際公開第２０１５／０８７６１５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気記録再生装置においては、磁気ヘッドの浮上量をより一層小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
磁気記録媒体の潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑剤層中の成分が磁気ヘッドに付着するピックアップが抑制される。しかしながら、潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐摩耗性が不十分となり、磁気ヘッドによる摩擦、摩耗によって磁気記録媒体が劣化しやすくなる。
【０００６】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られ、ピックアップを抑制できる潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一端に、０または１つの極性基を有する２価の連結基を介してアリール基またはアラルキル基が配置され、パーフルオロポリエーテル鎖の他端に、２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基を介してアリール基またはアラルキル基が配置された含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
【０００８】
［１］  下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ2−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５          （１）
（式（１）中、Ｒ１はアリール基またはアラルキル基であり、Ｒ２は０または１つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ５はアリール基またはアラルキル基である。）
【０００９】
［２］  前記式（１）のＲ２およびＲ４に含まれる極性基のうち、少なくとも１つの極性基が水酸基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］  前記式（１）のＲ２およびＲ４に含まれる極性基が全て水酸基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【００１０】
［４］  前記式（１）におけるＲ４が、下記式（２）で表される［１］〜［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００１１】
【化１】
2018002673.tif 000002
（式（２）中、ｔは２または３の整数を表し、ｒは１〜４の整数を表し、ｋは０〜３の整数を表す。）
【００１２】
［５］  前記式（１）におけるＲ３が、下記式（３−１）、（３−２）または（３−３）のいずれかで表される［１］〜［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００１３】
【化２】
2018002673.tif 000003
（式（３−１）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは０〜３０の整数を表す。）
【００１４】
【化３】
2018002673.tif 000004
（式（３−２）中、ｕは１〜３０の整数を表す。）
【００１５】
【化４】
2018002673.tif 000005
（式（３−３）中、ｖは１〜３０の整数を表す。）
【００１６】
［６］  前記式（１）におけるＲ１が、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかである［１］〜［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［７］  前記式（１）におけるＲ２が、−Ｏ−または下記式（４）で表される［１］〜［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００１７】
【化５】
2018002673.tif 000006
【００１８】
［８］  前記式（１）におけるＲ４が、Ｒ５側の末端に−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｚ−Ｏ−（式中のｚは１〜３の整数を表す）を有する［１］〜［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００１９】
[９]  前記式（１）におけるＲ５が、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかである［１］〜［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００２０】
［１０］  前記式（１）における化合物が、下記式（５）で表わされる［１］〜［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００２１】
【化６】
2018002673.tif 000007
（式（５）中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００２２】
［１１］  前記式（１）における化合物が、下記式（６）で表わされる［１］〜［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００２３】
【化７】
2018002673.tif 000008
（式（６）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００２４】
［１２］  前記式（１）における化合物が、下記式（７）で表わされる［１］〜［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００２５】
【化８】
2018002673.tif 000009
（式（７）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００２６】
［１３］  数平均分子量が５００〜１００００の範囲内である［１］〜［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【００２７】
［１４］  ［１］〜［１３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤。
【００２８】
［１５］  基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］〜［１３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体。
【００２９】
［１６］  前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜２ｎｍである［１５］に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップを抑制できる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップを抑制できる潤滑層を有するため、耐久性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
【００３３】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５          （１）
（式（１）中、Ｒ１はアリール基またはアラルキル基であり、Ｒ２は０または１つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ５はアリール基またはアラルキル基である。）
【００３４】
ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤（以下「潤滑剤」と略記する場合がある。）を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップを抑制できる理由について説明する。
【００３５】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）の一端に、Ｒ２で表される０または１つの極性基を有する２価の連結基を介してＲ１で表されるアリール基またはアラルキル基が配置されている。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。また、Ｒ１で表されるアリール基またはアラルキル基は、芳香族環の分子間相互作用により、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層における耐摩耗性を向上させる。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、例えば、Ｒ１で表されるアリール基またはアラルキル基に代えて、水酸基が配置された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、優れた耐摩耗性が得られる。
【００３６】
また、式（１）のＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖のＲ２と反対側の端部（他端）には、Ｒ４で表される２つまたは３つの極性基を有する２価の連結基を介してＲ５で示されるアリール基またはアラルキル基が配置されている。Ｒ４で表される２価の連結基に含まれる２つまたは３つの極性基およびＲ５で示されるアリール基またはアラルキル基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させて、ピックアップを抑制する。
【００３７】
これは、ＰＦＰＥ鎖に連結されたＲ４の有する２つまたは３つの極性基と保護層との結合と、Ｒ５に含まれる芳香族環と保護膜との分子間相互作用とによるものであると考えられる。つまり、Ｒ４およびＲ５で表される基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、保護層に密着せずに存在している含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
【００３８】
式（１）におけるＲ４およびＲ５は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
Ｒ４に含まれる極性基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基などが挙げられる。保護層と含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層との密着性が良くなるという理由で、Ｒ４に含まれる極性基のうち、少なくとも１つの極性基が水酸基であることが好ましい。なお、エーテル結合（−Ｏ−）は、Ｒ４における極性基には含まれない。Ｒ４で表される２価の連結基に含まれる２つまたは３つの極性基は、全て異なっていてもよいし、全て同じであってもよいし、一部のみ同じであってもよい。本実施形態では、Ｒ４で表される２価の連結基に含まれる２つまたは３つの極性基は、全て水酸基であることが好ましい。上記の２つまたは３つの極性基が全て水酸基であると、特に、潤滑剤の塗布される保護層が、炭素または窒素を含む炭素で形成されている場合に、保護層との密着性がより良好な潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
【００３９】
また、式（１）におけるＲ４は、Ｒ５側の末端に−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｚ−Ｏ−（式中のｚは１〜３の整数を表す）で示されるエチレンオキシド構造を有することが好ましい。この場合、Ｒ４に含まれる２つまたは３つの極性基と、Ｒ５で示されるアリール基またはアラルキル基との距離が長くなりすぎることがない。したがって、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を塗布して形成した潤滑層と、保護層との密着性が良好となる。
【００４０】
式（１）におけるＲ５は、アリール基またはアラルキル基である。Ｒ５で示されるアリール基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレン環基、アントラセン環基または複素環基などが挙げられる。これらのアリール基は、ハロゲン、炭素数１〜５の置換基などの置換基で置換されていてもよい。炭素数１〜５の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、またはフルオロアルキル基などが挙げられる。
Ｒ５で示されるアラルキル基のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基が好ましい。
Ｒ５で示されるアリール基またはアラルキル基としては、基板との相互作用が適正となるため、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかであることが好ましい。具体的には、例えば、メトキシフェニル基、ナフチル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、チオフェン基、チオフェンメチル基、キノリン基または３，５−ビストリフルオロメチルフェニル基などが挙げられる。
【００４１】
式（１）におけるＲ４は、下記式（２）で表される連結基であることが好ましい。下記式（２）で表されるＲ４は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。
【００４２】
【化９】
2018002673.tif 000010
（式（２）中、ｔは２または３の整数を表し、ｒは１〜４の整数を表し、ｋは０〜３の整数を表す。）
【００４３】
式（２）において、ｔは２または３の整数である。ｔが２または３の整数である場合、Ｒ４で表される２価の連結基が２つまたは３つの水酸基を有する。式（２）におけるｔが２または３の整数であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との密着性がより一層良好となり、ピックアップを効果的に抑制できる。
【００４４】
式（２）において、ｋは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましい。ｋが０または１であると、Ｒ４に含まれる２つまたは３つの水酸基と、Ｒ５で示されるアリール基またはアラルキル基との距離が適正となる。したがって、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を塗布して形成した潤滑層と、保護層との密着性が良好となる。
式（２）において、ｒは１〜４の整数であり、２であることが好ましい。ｒが２であると、Ｒ４に含まれる２つまたは３つの水酸基と、Ｒ５で示されるアリール基またはアラルキル基との距離が適正となる。
【００４５】
式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。
Ｒ３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）においてＲ３は、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、下記式（３−１）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
【００４６】
【化１０】
2018002673.tif 000011
（式（３−１）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは０〜３０の整数を表す。）
【００４７】
式（３−１）において、繰り返し単位である（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）と（ＣＦ２−Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（３−１）において（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）の数ｍと（ＣＦ２−Ｏ）の数ｎは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（３−１）は、モノマー単位（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）と（ＣＦ２−Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。
【００４８】
式（１）におけるＲ３が式（３−１）である場合、ｍは１〜３０の整数であり、１〜２０の整数であることが好ましく、さらに１〜１５の整数であることが好ましい。式（１）においてＲ３が式（３−１）である場合、ｎは０〜３０の整数であり、０〜２０の整数であることが好ましく、さらに０〜１５の整数であることが好ましい。また、ｎが０の場合、ｍは１〜１７の整数であることが好ましい。
【００４９】
式（１）においてＲ３は、下記式（３−２）または下記式（３−３）であってもよい。
【００５０】
【化１１】
2018002673.tif 000012
（式（３−２）中、ｕは１〜３０の整数を表す。）
【００５１】
式（３−２）において、ｕが１〜３０の整数である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｕは３〜２０の整数であることが好ましく、４〜１０の整数であることがより好ましい。
【００５２】
【化１２】
2018002673.tif 000013
（式（３−３）中、ｖは１〜３０の整数を表す。）
【００５３】
式（３−３）において、ｖが１〜３０の整数である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｖは３〜２０の整数であることが好ましく、４〜１０の整数であることがより好ましい。
【００５４】
式（１）におけるＲ３が、式（３−１）〜式（３−３）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。また、式（１）におけるＲ３が、式（３−１）〜式（３−３）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、式（１）におけるＲ３が式（３−１）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
【００５５】
式（１）におけるＲ１は、アリール基またはアラルキル基である。Ｒ１で示されるアリール基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレン環基、アントラセン環基または複素環基などが挙げられる。これらのアリール基は、ハロゲン、炭素数１〜５の置換基などの置換基で置換されていてもよい。炭素数１〜５の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基などが挙げられる。
Ｒ１で示されるアラルキル基のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基が好ましい。
【００５６】
Ｒ１で示されるアリール基またはアラルキル基としては、分子間相互作用が生じるため、置換基を有してもよいベンゼン環基、置換基を有してもよいナフタレン環基、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいナフチルメチル基から選ばれるいずれかであることが好ましい。具体的には、Ｒ１で示されるアリール基として、例えば、メトキシフェニル基、ナフチル基、メトキシナフチル基、キノリン基またはチオフェン基などが挙げられる。Ｒ１で示されるアラルキル基として、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、チオフェンメチル基などが挙げられる。
Ｒ１で示されるアリール基またはアラルキル基が、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いナフチル基、アリールメチル基である場合、芳香族環の分子間相互作用が適正となるためより好ましい。
本実施形態の含フッ素エーテル化合物においては、式（１）におけるＲ１と式（１）におけるＲ５とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００５７】
式（１）におけるＲ２は０または１つの極性基を有する２価の連結基である。Ｒ２で表される２価の連結基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
【００５８】
Ｒ２で表される２価の連結基は、１つの極性基を有することが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物の分子間相互作用により、含フッ素エーテル化合物同士の距離が適正となり、潤滑層の耐摩耗性が良好となる。連結基に含まれる極性基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミノカルボキシル基などが挙げられ、水酸基であることが好ましい。Ｒ２で表される２価の連結基が１つの水酸基を含むものであると、特に、潤滑剤の塗布される保護層が、炭素または窒素を含む炭素で形成されている場合に、保護層上に塗布された潤滑剤中の含フッ素エーテル化合物同士の距離がより適正となり、潤滑層の耐摩耗性がより一層向上する。
【００５９】
式（１）において、Ｒ２で表される２価の連結基は、炭素原子数が１〜２０のものであることが好ましい。炭素原子数が２０以下であると、含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止できる。Ｒ２で表される２価の連結基の炭素原子数は、３〜１２であることがより好ましい。
【００６０】
式（１）におけるＲ２は、具体的には、−Ｏ−または下記式（４）で表されるものであることが好ましい。
式（１）におけるＲ２が−Ｏ−である場合、式（２）におけるＲ４のｔが３であると、保護層と潤滑層との密着性がより良好となり、好ましい。
【００６１】
式（１）におけるＲ２が式（４）で表されるものである場合、Ｒ２で表される２価の連結基は１つの水酸基を有するものとなる。この場合、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物の分子間相互作用により、含フッ素エーテル化合物同士の距離がより適正となり、潤滑層の耐摩耗性がより良好となる。
【００６２】
【化１３】
2018002673.tif 000014
【００６３】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（５）〜（７）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
【００６４】
【化１４】
2018002673.tif 000015
（式（５）中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００６５】
【化１５】
2018002673.tif 000016
（式（６）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００６６】
【化１６】
2018002673.tif 000017
（式（７）中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかを表し、１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ５はアリール基またはアラルキル基を表し、ｐは１〜３０の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｓは０〜３の整数を表す。）
【００６７】
式（５）におけるＸは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかである。Ｘが水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかである場合、芳香族環の分子間相互作用が適正となるためより好ましい。なお、Ｘは１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６８】
式（６）または式（７）におけるＹは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかである。Ｙが水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のフルオロアルキル基のいずれかである場合、芳香族環の分子間相互作用が適正となるためより好ましい。なお、Ｙは１つでも複数であってもよく、複数のときは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６９】
式（５）〜（７）におけるＲ５はアリール基またはアラルキル基である。式（５）〜（７）におけるＲ５は、式（１）におけるＲ５と同じである。
式（５）〜（７）におけるｐは１〜３０の整数であり、式（３−１）におけるｍと同じである。また、式（５）〜（７）におけるｑは１〜３０の整数であり、式（３−１）におけるｎと同じである。
式（５）〜（７）において、ｓは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましい。ｓが０または１であると、式（５）〜（７）中のＲ５と、Ｒ５に最も近い水酸基との距離が適正となる。
【００７０】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（８）〜（１１）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
【００７１】
【化１７】
2018002673.tif 000018
（式（８）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｚは０〜１５の整数を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
【００７２】
【化１８】
2018002673.tif 000019
（式（９）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｚは０〜１５の整数を表す。）
【００７３】
【化１９】
2018002673.tif 000020
（式（１０）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｚは０〜１５の整数を表す。）
【００７４】
【化２０】
2018002673.tif 000021
（式（１１）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｚは０〜１５の整数を表す。）
【００７５】
式（１）で表わされる化合物が上記式（８）〜（１１）で表されるいずれかの化合物である場合、原料が入手しやすく、好ましい。また、上記式（８）〜（１１）で表されるいずれかの化合物は、耐摩耗性に優れるとともに、ピックアップを抑制できる潤滑層を形成できるため好ましい。
【００７６】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量が５００〜１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１５００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。
【００７７】
数平均分子量は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ−アセトン（１／４ｖ／ｖ）溶媒へ希釈し、測定に使用した。１９Ｆ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを−１６４．７ｐｐｍとし、１Ｈ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。
【００７８】
「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（−ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
【００７９】
次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ１−Ｒ２−からなる末端基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における−Ｒ４−Ｒ５からなる末端基に置換する（第２反応）。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。
【００８０】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ１で表される基の有する芳香族環の分子間相互作用により、優れた耐摩耗性が得られる。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。
【００８１】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、ＰＦＰＥ鎖に連結されたＲ４の有する２つまたは３つの極性基と保護層との結合、およびＲ５に含まれる芳香族環と保護層との結合によって、ＰＦＰＥ鎖が保護層上に密着される。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、保護層に密着（吸着）せずに存在している潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
これらのことから本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
【００８２】
［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）  ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＺＤＯＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＡＭ−２００１（以上Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ  Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００〜１００００であることが好ましい。
【００８３】
本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
【００８４】
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄く、優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層への密着性が良好である。したがって、本実施形態の潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、保護層に密着（吸着）せずに存在している含フッ素エーテル化合物が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することが防止され、ピックアップが抑制される。
【００８５】
［磁気記録媒体］
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【００８６】
「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【００８７】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合における、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００８８】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性層１３がＡＦＣ結合した構造を有していると、外部からの磁界に対しての耐性、並びに、垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００８９】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなる膜であることが好ましい。第１軟磁性膜および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなる膜である場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
また、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００９０】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。第１下地層１４は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１６の磁化の方向をより強固に基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。
第１下地層１４は、ＮｉＷ合金からなる層であることが好ましい。第１下地層１４がＮｉＷ合金からなる層である場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００９１】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００９２】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【００９３】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【００９４】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を１種類以上含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００９５】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性が得られる。
【００９６】
磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
隣接する磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【００９７】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【００９８】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００９９】
磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
【０１００】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
【０１０１】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
【０１０２】
潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素で形成されている場合、潤滑層１８に含まれる含フッ素エーテル化合物と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【０１０３】
潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）〜１．５ｎｍ（１５Å）であることがより好ましい。
潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２ｎｍ以下にすることで、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１０の記録密度を高くできる。
【０１０４】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
【０１０５】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【０１０６】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。
【０１０７】
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて溶媒で希釈し、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【０１０８】
潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
【０１０９】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性が得られ、しかもピックアップを抑制できる。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、潤滑層１８の厚みを薄くすることにより、磁気ヘッドの浮上量をより小さくできる。また、磁気記録媒体１０では、潤滑層１８によって磁気ヘッドによる摩擦、摩耗による劣化が長期にわたって抑制されるため、良好な耐久性が得られる。
【実施例】
【０１１０】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１１１】
「合成例１」
窒素ガス雰囲気下３００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１３００、分子量分布１．１）（２０．０ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（ターシャリーブチルアルコール）（１００．０ｍＬ）と、グリシジル−４−メトキシフェニルエーテル（シグマ  アルドリッチ社製）（２．８ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ−ＢｕＯＫ（カリウムターシャリーブトキシド）（０．５ｇ）を加え、７０℃に加熱し、１８時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、塩酸で中和し、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ａ（９．０ｇ）を得た。
【０１１２】
得られた化合物Ａの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．７６（３Ｈ），３．８８〜４．２１（９Ｈ），６．５９〜６．６７（２Ｈ），６．７０〜６．８０（２Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９１．１５〜−８８．５１（２４Ｆ），−８３．３０（１Ｆ），−８１．２９（１Ｆ），−８０．６５（１Ｆ），−７８．６５（１Ｆ），−５５．６５〜−５１．５９（１２Ｆ）
【０１１３】
【化２１】
2018002673.tif 000022
（式（Ａ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０１１４】
窒素ガス雰囲気下１００ｍＬナスフラスコに、３，５−ビストリフルオロメチルフェノール（８．０ｇ）と、トルエン（４０．０ｍＬ）と、テトラブチルホスホニウムブロマイド（０．３５ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、アリルグリシジルエーテル（７．９４ｇ）を加え、１１０℃に加熱し、６時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、塩化メチレン（２０．０ｍＬ）を加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２０．０ｍＬ）を加えて洗浄と水洗を行った。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｂ（７．３ｇ）を得た。
【０１１５】
得られた化合物Ｂの１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］＝７．４８（１Ｈ），７．３５（２Ｈ），５．８８〜５．９５（１Ｈ），５．２１〜５．３２（２Ｈ），４．０６〜４．２２（４Ｈ），３．５９〜３．６７（２Ｈ），２．５１（１Ｈ）
【０１１６】
【化２２】
2018002673.tif 000023
【０１１７】
０℃の氷冷下で、３００ｍＬのナスフラスコに、化合物Ｂ（７．３ｇ）と、ジクロロメタン（６２．０ｍＬ）と、ｍ−クロロ過安息香酸（９．７ｇ）とを投入し、０．５時間撹拌した後、２５℃で２４時間撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、０℃の氷冷下で、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２０．０ｍＬ）および飽和亜硫酸ナトリウム水溶液（２０．０ｍＬ）を加え、０．５時間撹拌した後、２５℃で０．５時間撹拌して反応させた。反応生成物を水洗して回収した有機層に、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｃ（６．６ｇ）を得た。
【０１１８】
得られた化合物Ｃの１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］＝７．４８（１Ｈ），７．３５（２Ｈ），４．０９〜４．２３（３Ｈ），３．８８〜３．９２（１Ｈ），３．６４〜３．８０（２Ｈ），３．４３〜３．４９（１Ｈ），３．１６〜３．１９（１Ｈ），２．８２〜２．８４（１Ｈ），２．６３〜２．６６（２Ｈ）
【０１１９】
【化２３】
2018002673.tif 000024
【０１２０】
窒素ガス雰囲気下の２００ｍＬナスフラスコに、化合物Ａ（４．０ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（３２．１ｍＬ）と、ｔ−ＢｕＯＫ（０．０７ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、化合物Ｃ（１．２２ｇ）を加え、７０℃に加熱し、２４時間撹拌して反応させた。反応生成物を２５℃に冷却し、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｄ（２．４０ｇ）を得た。
【０１２１】
得られた化合物Ｄの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝７．４７（３Ｈ），６．７１〜６．７３（２Ｈ），６．６０〜６．６１（２Ｈ），４．０５〜４．１９（７Ｈ），３．９２〜３．９６（４Ｈ），３．６０〜３．８５（１１Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９０．８５〜−８８．４９（２４Ｆ），−８０．６５（２Ｆ），−７８．６４（２Ｆ），−６４．４１（６Ｆ），−５５．３６〜−５１．８０（１２Ｆ）
【０１２２】
【化２４】
2018002673.tif 000025
（式（Ｄ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０１２３】
「合成例２」
窒素ガス雰囲気下の１００ｍＬナスフラスコに、合成例１と同じフルオロポリエーテル（２５．２ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（１１．６ｍＬ）と、グリシジル−２−ナフチルエーテル（９．１ｇ）を投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ−ＢｕＯＫ（１．１ｇ）を加え、７０℃に加熱し、８時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、塩酸で中和後、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｅ（１１．１ｇ）を得た。
【０１２４】
得られた化合物Ｅの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．８６〜４．０６（５Ｈ），４．１４〜４．２５（４Ｈ），７．０９〜７．１１（２Ｈ），７．２６〜７．３０（１Ｈ），７．３６〜７．３９（１Ｈ），７．５８〜７．６２（３Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９０．９１〜−８８．６０（２４Ｆ），−８３．３１（１Ｆ），−８１．３０（１Ｆ），−８０．６４（１Ｆ），−７８．６５（１Ｆ），−５５．３８〜−５１．８０（１２Ｆ）
【０１２５】
【化２５】
2018002673.tif 000026
（式（Ｅ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１２６】
窒素ガス雰囲気下の２００ｍＬナスフラスコに、化合物Ｅ（９．３ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（７２．４ｍＬ）と、ｔ−ＢｕＯＫ（０．２２ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、化合物Ｃ（２．２ｇ）を加え、７０℃に加熱し、９時間撹拌して反応させた。反応生成物を２５℃に冷却し、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｆ（２．５０ｇ）を得た。
【０１２７】
得られた化合物Ｆの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝７．５９〜７．６３（３Ｈ），７．４８（３Ｈ），７．３７〜７．４０（１Ｈ），７．２７〜７．３１（１Ｈ），７．１０〜７．１３（２Ｈ），４．１６〜４．３１（８Ｈ），４．０３〜４．１２（３Ｈ），３．９３〜３．９７（２Ｈ），３．６８〜３．８５（５Ｈ），３．５９〜３．６３（１Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９１．１０〜−８８．９１（２４Ｆ），−８０．６５（２Ｆ），−７８．６４（２Ｆ），−６４．４１（６Ｆ），−５５．３６〜−５１．８１（１２Ｆ）
【０１２８】
【化２６】
2018002673.tif 000027
（式（Ｆ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１２９】
「合成例３」
窒素ガス雰囲気下の３００ｍＬナスフラスコに、化合物Ｅ（２１．９ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（１４６．５ｍＬ）と、ｔ−ＢｕＯＫ（０．３２ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、グリシドール（０．９３ｍＬ）を加え、７０℃に加熱し、８時間撹拌して反応させた。反応生成物を２５℃に冷却し、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｇ（９．５２ｇ）を得た。
【０１３０】
得られた化合物Ｇの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４４〜３．５１（１Ｈ），３．６５〜３．６７（１Ｈ），３．７１〜３．７３（３Ｈ），３．９５〜４．０８（３Ｈ），４．１５〜４．２６（５Ｈ），７．０９〜７．１１（２Ｈ），７．２６〜７．３０（１Ｈ），７．３６〜７．３９（１Ｈ），７．５８〜７．６２（３Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９０．９１〜−８８．６０（２４Ｆ），−８１．３０（２Ｆ），−７８．６５（２Ｆ），−５５．３８〜−５１．８０（１２Ｆ）
【０１３１】
【化２７】
2018002673.tif 000028
（式（Ｇ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１３２】
窒素ガス雰囲気下の２００ｍＬナスフラスコに、化合物Ｇ（９．５２ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（７０．８ｍＬ）と、グリシジル−２−ナフチルエーテル（１．７９ｇ）を投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、ｔ−ＢｕＯＫ（１．０９ｇ）を加え、７０℃に加熱し、２８時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、塩酸で中和後、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｈ（４．４７ｇ）を得た。
【０１３３】
得られた化合物Ｈの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝７．４２〜７．６３（１２Ｈ），７．３７〜７．４０（２Ｈ），７．２７〜７．３１（２Ｈ），７．１０〜７．１４（４Ｈ），４．１０〜４．３２（８Ｈ），４．００〜４．１１（３Ｈ），３．８９〜３．９２（２Ｈ），３．６１〜３．８６（５Ｈ），３．５９〜３．６２（１Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９０．９０〜−８８．５８（２４Ｆ），−８１．２８（２Ｆ），−７８．７１（２Ｆ），−５５．４１〜−５１．８２（１２Ｆ）
【０１３４】
【化２８】
2018002673.tif 000029
（式（Ｈ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１３５】
「合成例４」
窒素ガス雰囲気下の３００ｍＬナスフラスコに、合成例１と同じフルオロポリエーテル（３０．０ｇ）と、２−（ブロモメチル）ナフタレン（２５．６ｇ）と、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１５．０ｇ）とを加え、６０℃に加熱し、２４時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて振とう後、残存する白色固体をフィルター濾過により除去した。濾液を集めて水洗後、回収した有機層に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｉ（６．４ｇ）を得た。
【０１３６】
得られた化合物Ｉの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝３．９０（２Ｈ），４．１０（２Ｈ），４．９７（２Ｈ），７．４６〜７．５２（３Ｈ），７．７１〜７．７７（４Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９１．４３〜−８８．９２（２４Ｆ），−８３．３０（１Ｆ），−８１．２９（１Ｆ），−８０．１８（１Ｆ）,−７８．１８（１Ｆ），−５５．３７〜−５１．８３（１２Ｆ）
【０１３７】
【化２９】
2018002673.tif 000030
（式（Ｉ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１３８】
０℃の氷冷下で、５００ｍＬのナスフラスコに、グリセロールα，αジアリールエーテル（２０．０ｇ）と、ジクロロメタン（３４０ｍＬ）と、ｍ−クロロ過安息香酸（６３．４ｇ）とを投入し、０．５時間撹拌した後、２５℃で１２時間撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、０℃の氷冷下で、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００．０ｍＬ）および飽和亜硫酸ナトリウム水溶液（１００．０ｍＬ）を加え、０．５時間撹拌した後、２５℃で０．５時間撹拌して反応させた。反応生成物を水洗して回収した有機層に、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｊ（４．１ｇ）を得た。
【０１３９】
得られた化合物Ｊの１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］＝３．９６〜４．００（１Ｈ），３．７９〜３．８４（２Ｈ），３．５０〜３．６５（４Ｈ），３．４１〜３．４７（２Ｈ），３．１４〜３．１７（２Ｈ），２．８０〜２．８２（２Ｈ），２．６１〜２．６３（３Ｈ）
【０１４０】
【化３０】
2018002673.tif 000031
【０１４１】
窒素ガス雰囲気下２００ｍＬナスフラスコに、３，５−ビストリフルオロメチルフェノール（１．２ｇ）と、トルエン（５２．０ｍＬ）と、テトラブチルホスホニウムブロマイド（０．１７ｇ）を投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、化合物Ｊ（１．０ｇ）を加え、１１０℃に加熱し、８時間撹拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を２５℃に冷却し、塩化メチレン（２０．０ｍＬ）を加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２０．０ｍＬ）を加えて洗浄と水洗を行った。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｋ（０．５２ｇ）を得た。
【０１４２】
得られた化合物Ｋの１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］＝７．４８（１Ｈ），７．３４（２Ｈ），４．１０〜４．２３（４Ｈ），３．９９〜４．０３（１Ｈ），３．８４〜３．８８（１Ｈ），３．５０〜３．７２（７Ｈ），３．３９〜３．４３（１Ｈ），３．１４〜３．１７（１Ｈ），２．８０〜２．８２（１Ｈ），２．６２〜２．６４（１Ｈ）
【０１４３】
【化３１】
2018002673.tif 000032
【０１４４】
窒素ガス雰囲気下の２００ｍＬナスフラスコに、化合物Ｉ（１．８２ｇ）と、ｔ−ＢｕＯＨ（２９．２ｍＬ）と、ｔ−ＢｕＯＫ（０．０５ｇ）とを投入し、均一になるまで撹拌した。さらに、上記のナスフラスコに、化合物Ｋ（０．４７ｇ）を加え、７０℃に加熱し、９時間撹拌して反応させた。反応生成物を２５℃に冷却し、アサヒクリンＡＫ２２５を加えて水洗した。水洗後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。濾液中に含まれる溶媒を、エバポレーターで留去し、残渣をカラムクロマトグラフィによって分離し、無色透明な液体である化合物Ｌ（０．４２ｇ）を得た。
【０１４５】
得られた化合物Ｌの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝７．７２〜７．７７（４Ｈ），７．４７〜７．５３（６Ｈ），４．９８（２Ｈ），４．０６〜４．２７（６Ｈ），３．８３〜３．８８（２Ｈ），３．６７〜３．７８（５Ｈ），３．４８〜３．６５（７Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９０．８８〜−８８．９１（２４Ｆ），−８０．７１（１Ｆ），−８０．１８（１Ｆ），−７８．６８（１Ｆ），−７８．１８（１Ｆ），−５５．３７〜−５１．８２（１２Ｆ）
【０１４６】
【化３２】
2018002673.tif 000033
（式（Ｌ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表す。）
【０１４７】
「比較例１」
下記式（Ｘ）で表されるＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌ（分子量約２０００）を用いた。
【０１４８】
【化３３】
2018002673.tif 000034
（式（Ｘ）中、ｆは１〜２０の整数を表し、ｇは１〜２０の整数を表す。）
【０１４９】
「比較例２」
特許文献２に記載の方法により、化合物Ｙを合成した。
【０１５０】
得られた化合物Ｙの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝６．７０〜６．７３（２Ｈ），６．５９〜６．６１（２Ｈ），４．００〜４．１６（５Ｈ），３．９２〜３．９６（３Ｈ），３．８２〜３．８６（１Ｈ），３．７２〜３．７７（５Ｈ），３．４６〜３．５２（１Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝−９２．２５〜−９０．２９（２４Ｆ），−８２．０４（２Ｆ），−８０．０４（２Ｆ），−５６．７４〜−５３．１８（１２Ｆ）
【０１５１】
【化３４】
2018002673.tif 000035
（式（Ｙ）中、ｘは１〜１５の整数を表し、ｙは１〜１５の整数を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０１５２】
このようにして得られた合成例１〜４および比較例１，２の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ１〜Ｒ５の構造を表１に示す。また、合成例１〜４および比較例１，２の化合物の数平均分子量を、上述した１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。
【０１５３】
【表１】
2018002673.tif 000036
【０１５４】
次に、以下に示す方法により、合成例１〜４および比較例１，２で得られた化合物を用いて以下に示す潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１〜４および比較例１−１、１−２，比較例２の磁気記録媒体を得た。
【０１５５】
「潤滑層形成用溶液」
合成例１〜４および比較例１，２で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å〜１３ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、実施例１〜４および比較例１−１、１−２，比較例２の潤滑層形成用溶液とした。
【０１５６】
「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１〜４および比較例１−１、１−２，比較例２の各潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【０１５７】
このようにして得られた実施例１〜４および比較例１−１、１−２、比較例２の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ−ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ  ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２および表３に示す。
【０１５８】
【表２】
2018002673.tif 000037
【０１５９】
【表３】
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【０１６０】
また、実施例１〜４および比較例１−１、１−２、比較例２の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。その結果を表２に示す。
【０１６１】
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。
【０１６２】
表２に示すように、実施例１〜４および比較例２の磁気記録媒体は、比較例１の化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体（比較例１−１、１−２）と比較して、同じ膜厚（比較例１−１）の場合、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。また、比較例１の化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体が、実施例１〜４および比較例２の磁気記録媒体と同程度の耐摩耗性を有するためには、比較例１−２に示すように、膜厚を１３Åと厚くする必要があった。
これは、実施例１〜４の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ１が、芳香族環を含むことによるものであると推定される。また、比較例２の化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体の耐摩耗性が比較的良好なのは、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ１が、芳香族環を含むことによるものであると推定される。
【０１６３】
次に、実施例１〜４、比較例１−１および比較例２の磁気記録媒体に対して、以下に示すピックアップ抑制試験を行なった。
（ピックアップ抑制試験）
スピンスタンドに磁気記録媒体および磁気ヘッドを装着し、常温減圧下（約２５０ｔｏｒｒ）で１０分間磁気ヘッドを定点浮上させた。その後、磁気ヘッドの磁気記録媒体と相対する面（潤滑層の表面）を、ＥＳＣＡ（Electron  Spectroscopy  for  Chemical  Analysis）分析装置を用いて分析した。そして、ＥＳＣＡで測定したフッ素由来のピークの強度（信号強度（ａ．ｕ．））から、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着量を表４に示す基準により評価した。その結果を表３に示す。
【０１６４】
【表４】
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【０１６５】
表３に示すように、実施例１〜４および比較例１−１の磁気記録媒体では、比較例２の磁気記録媒体と比較して、ピックアップ抑制試験の結果が良好であった。
表３の結果から、実施例１〜４におけるピックアップ抑制効果は、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ４が２つまたは３つの極性基を有し、Ｒ５が芳香族環を含む末端基であることによるものであると推定される。
また、比較例１−１において、ピックアップ抑制試験の結果が良好であるのは、潤滑層を形成している比較例１の化合物が水酸基を４つ有しているために、保護層への相互作用が強いためと推定される。
しかしながら、上記の耐摩耗性試験とピックアップ抑制試験の両試験の結果が良好であるのは、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む実施例１〜４の磁気記録媒体だけであった。
【産業上の利用可能性】
【０１６６】
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有し、ピックアップを抑制できる潤滑層を形成できる。
【符号の説明】
【０１６７】
１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。
【図１】
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