(57)【要約】【課題】被加工物の全ての分割予定ラインに貫通溝を適切に形成することができるレーザー加工装置を提供すること。【解決手段】レーザー加工装置１は、パッケージウエーハ２０１を保持するチャックテーブル１０と、パッケージウエーハ２０１にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット２０と、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動手段３０と、パッケージウエーハ２０１を撮像する撮像ユニット５０と、制御ユニット６０を備える。チャックテーブル１０は透明又は半透明な保持部材１１と発光体とを有する。制御ユニット６０はパッケージウエーハ２０１にパルスレーザー光線を照射して貫通溝を形成しつつ撮像ユニット５０でパッケージウエーハ２０１を撮像させる撮像指示部６１と撮像指示部６１の指示により得た撮像画像から貫通溝の加工状態を判定する判定部６２とを備える。【選択図】図１
2018120913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、被加工物に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を該チャックテーブルに保持された被加工物に照射するレーザー光線照射ユニットと、該チャックテーブルと該レーザー光線照射ユニットとを加工送り方向に相対的に移動させる加工送りユニットと、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像ユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備えるレーザー加工装置であって、
該チャックテーブルは、
該保持面を形成する透明又は半透明な保持部材と、
該保持部材の該保持面と反対側の面側に設置された発光体と、を有し、
該制御ユニットは、
該被加工物に該パルスレーザー光線を照射して該被加工物の加工領域に貫通溝を形成しつつ、該撮像ユニットで該被加工物の該加工領域を撮像させる撮像指示部と、
該撮像指示部の指示により得た撮像画像に、該被加工物を介して該発光体からの光が撮像されているかを検出し、該貫通溝の加工状態を判定する判定部と、を備えることを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該制御ユニットは、該判定部で該貫通溝が適切に形成されていないと判定した該加工領域に、再度、該パルスレーザー光線を照射して該貫通溝の形成を実施することを特徴とする請求項１に記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法として、切削ブレードによる切削加工やパルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップは、側面の微細なクラックなどにより、長時間稼働すると、クラックが伸展し破損する虞がある。このようなデバイスチップの破損を抑制するために、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスチップに及ぼされなくするパッケージ手法が、開発された（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に示されたパッケージ手法は、まず、ウエーハの表面から分割予定ライン（ストリート）に沿って溝を形成し、溝とウエーハ表面にモールド樹脂を充填する。その後、特許文献１に示されたパッケージ手法は、ウエーハを裏面から溝のモールド樹脂が露出するまで薄化してウエーハのデバイスを分割する。特許文献１に示されたパッケージ手法は、最後に、ウエーハの表面から溝内のモールド樹脂を分割し個々のデバイスチップに分割する。前述したパッケージ手法において、デバイスチップに分割するために、切削加工ではなく、パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工を用いることが開発されている。アブレーション加工を用いることは、デバイスチップ同士の分割で用いられる切り代を非常に狭くして、分割予定ラインを非常に細く設計することができ、ウエーハ１枚当たりのデバイスチップの数を増やすことができるために有益である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、モールド樹脂に非常に狭い貫通溝を形成するため、複数回パルスレーザー光線を走査し、狭い溝を徐々に深くする加工方法である。パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、加工時間を短縮するため、パルスレーザー光線の最小の走査回数で加工するため、突発的にモールド樹脂が厚くなっている箇所などがあると、その部分だけモールド樹脂を除去しきれず、貫通溝を適切に形成できずに盲穴状態となってしまう。このために、従来の加工方法では、アブレーション加工後のウエーハを１枚ずつオペレーターが確認し、貫通溝が盲穴状態となった領域を不良チップとして、廃棄していた。このように、従来の加工方法では、加工時間が長時間化することを抑制しながらも、被加工物の全ての分割予定ラインに貫通溝を適切に形成することができなかった。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、被加工物の全ての分割予定ラインに貫通溝を適切に形成することができるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、被加工物に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を該チャックテーブルに保持された被加工物に照射するレーザー光線照射ユニットと、該チャックテーブルと該レーザー光線照射ユニットとを加工送り方向に相対的に移動させる加工送りユニットと、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像ユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備えるレーザー加工装置であって、該チャックテーブルは、該保持面を形成する透明又は半透明な保持部材と、該保持部材の該保持面と反対側の面側に設置された発光体と、を有し、該制御ユニットは、該被加工物に該パルスレーザー光線を照射して該被加工物の加工領域に貫通溝を形成しつつ、該撮像ユニットで該被加工物の該加工領域を撮像させる撮像指示部と、該撮像指示部の指示により得た撮像画像に、該被加工物を介して該発光体からの光が撮像されているかを検出し、該貫通溝の加工状態を判定する判定部と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
該制御ユニットは、該判定部で該貫通溝が適切に形成されていないと判定した該加工領域に、再度、該パルスレーザー光線を照射して該貫通溝の形成を実施しても良い。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明のレーザー加工装置は、被加工物の全ての分割予定ラインに貫通溝を適切に形成することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態１に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図４】図４は、図５に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【図５】図５は、図１に示すレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図６】図６（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図であり、図６（ｃ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
【図７】図７は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図８】図８は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の薄化ステップを示す側面図であり、図９（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の薄化ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
【図１０】図１０は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。
【図１１】図１１（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の外周除去ステップを示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の外周除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【図１２】図１２は、図１に示されたレーザー加工装置のチャックテーブル、レーザー光線照射ユニット及び撮像ユニットの構成を示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態１に係るレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工ステップを示す図である。
【図１５】図１５は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工判定ステップで得た撮像画像の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工判定ステップで形成された貫通溝の一例を示す断面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示された貫通溝が適切に形成されていない状態を示す断面図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係るレーザー加工装置の加工対象のウエーハの斜視図である。
【図１９】図１９は、実施形態２に係るレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るレーザー加工装置を説明する。図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図である。図２（ａ）は、実施形態１に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図３は、実施形態１に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図４は、図５に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
【００１３】
実施形態１に係る図１に示すレーザー加工装置１は、被加工物である図３に示すパッケージウエーハ２０１の分割予定ライン２０２にアブレーション加工を施して、図４に示すパッケージデバイスチップ２０３に分割する装置である。実施形態１に係るレーザー加工装置１の加工対象であるパッケージウエーハ２０１は、図２（ａ）に示すウエーハ２０４により構成される。図２（ａ）に示すウエーハ２０４は、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板２０５とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ２０４は、図２（ａ）に示すように、交差（実施形態１では、直交）する複数の分割予定ライン２０２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス２０６が形成されたデバイス領域２０７と、デバイス領域２０７を囲繞する外周余剰領域２０８とを表面２０９に備える。デバイス２０６の表面には、図２（ｂ）に示すように、複数の突起電極であるバンプ２１０が形成されている。
【００１４】
ウエーハ２０４は、図３に示すように、デバイス領域２０７の表面２０９、及び分割予定ライン２０２に沿って分割予定ライン２０２に形成された加工領域である溝２１１がモールド樹脂２１２で覆われてパッケージウエーハ２０１に構成される。即ち、パッケージウエーハ２０１は、基板２０５の表面２０９に設けられたデバイス２０６上とデバイス２０６間の溝２１１にモールド樹脂２１２が充填されている。パッケージウエーハ２０１は、分割予定ライン２０２に形成された溝２１１が分割されて、図４に示すパッケージデバイスチップ２０３に分割される。パッケージデバイスチップ２０３は、基板２０５の表面２０９上に設けられたデバイス２０６上と全ての側面２１３とがモールド樹脂２１２により被覆され、バンプ２１０がモールド樹脂２１２から突出して、バンプ２１０が露出している。
【００１５】
なお、実施形態１において、パッケージウエーハ２０１の溝２１１の幅は、分割予定ライン２０２の幅よりも狭く、例えば２０μｍである。実施形態１において、パッケージウエーハ２０１の厚さ（仕上がり厚さともいう）は、デバイスに分割される半導体ウエーハよりも厚く、例えば、３００μｍである。実施形態１において、パッケージデバイスチップ２０３の平面形状は、切削ブレードを用いて半導体ウエーハから分割されるデバイスよりも大きく、例えば、一辺が３ｍｍの四角形に形成されている。
【００１６】
次に、図２に示すウエーハ２０４を図３に示すパッケージウエーハ２０１に形成するパッケージウエーハ２０１の製造方法を図面を参照して説明する。図５は、図１に示すレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの製造方法の流れを示すフローチャートである。図６（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図６（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図６（ｃ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。図７は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図８は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。図９（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の薄化ステップを示す側面図である。図９（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の薄化ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。図１０は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。図１１（ａ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の外周除去ステップを示す斜視図である。図１１（ｂ）は、図５に示されたパッケージウエーハの製造方法の外周除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
【００１７】
実施形態１に係るパッケージウエーハ２０１の製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図５に示すように、溝形成ステップＳＴ１０と、モールド樹脂層形成ステップＳＴ２０と、薄化ステップＳＴ３０と、貼り替えステップＳＴ４０と、外周除去ステップＳＴ５０と、を備える。
【００１８】
溝形成ステップＳＴ１０は、ウエーハ２０４の各分割予定ライン２０２に表面２０９から溝２１１を形成するステップである。溝形成ステップＳＴ１０は、各分割予定ライン２０２に各分割予定ライン２０２の長手方向に沿った溝２１１を形成する。溝形成ステップＳＴ１０で形成される溝２１１の深さは、パッケージウエーハ２０１の仕上がり厚さ以上である。実施形態１において、溝形成ステップＳＴ１０は、切削装置１１０のチャックテーブルの保持面にウエーハ２０４の表面２０９の裏側の裏面２１４を吸引保持して、図６（ａ）に示すように、切削装置１１０の切削手段１１２の切削ブレード１１３を用いて、図６（ｂ）に示すように、ウエーハ２０４の表面２０９に溝２１１を形成する。
【００１９】
溝形成ステップＳＴ１０は、チャックテーブルを図示しないＸ軸移動手段により水平方向と平行なＸ軸方向に移動させ、切削手段１１２の切削ブレード１１３をＹ軸移動手段により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させ、切削手段１１２の切削ブレード１１３をＺ軸移動手段により鉛直方向と平行なＺ軸方向に移動させて、図６（ｃ）に示すように、ウエーハ２０４の各分割予定ライン２０２の表面２０９に溝２１１を形成する。なお、本発明では、溝形成ステップＳＴ１０は、パルスレーザー光線を用いたアブレーション加工で溝２１１を形成しても良い。
【００２０】
モールド樹脂層形成ステップＳＴ２０は、図７及び図８に示すように、ウエーハ２０４のデバイス領域２０７の表面２０９及び溝２１１をモールド樹脂２１２で覆うステップである。実施形態１において、モールド樹脂層形成ステップＳＴ２０は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハ２０４の裏面２１４を保持し、ウエーハ２０４の表面２０９を型枠で覆い、型枠中にモールド樹脂２１２を充填して、モールド樹脂２１２で表面２０９全体及び溝２１１を覆う。実施形態１において、モールド樹脂２１２として熱硬化性樹脂を用いる。モールド樹脂層形成ステップＳＴ２０は、ウエーハ２０４の表面２０９全体及び溝２１１を覆ったモールド樹脂２１２を加熱して、硬化させる。また、実施形態１は、モールド樹脂２１２で表面２０９全体及び溝２１１を覆った際に、バンプ２１０が露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂２１２に研磨加工を施して、バンプ２１０を確実に露出させるようにしても良い。
【００２１】
薄化ステップＳＴ３０は、ウエーハ２０４がモールド樹脂２１２で覆われて構成されたパッケージウエーハ２０１の基板２０５を仕上がり厚さまで薄化するステップである。薄化ステップＳＴ３０は、図９（ａ）に示すように、パッケージウエーハ２０１のモールド樹脂２１２側に保護部材２１５を貼着した後、保護部材２１５を研削装置１２０のチャックテーブル１２１の保持面１２１−１に吸引保持し、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４に研削砥石１２２を当接させて、チャックテーブル１２１及び研削砥石１２２を軸心回りに回転して、パッケージウエーハ２０１の裏面２１４に研削加工を施す。薄化ステップＳＴ３０は、図９（ｂ）に示すように、溝２１１に充填したモールド樹脂２１２が露出するまでパッケージウエーハ２０１を薄化する。
【００２２】
貼り替えステップＳＴ４０は、パッケージウエーハ２０１から保護部材２１５を剥がすとともに、ダイシングテープ２１６を貼着するステップである。貼り替えステップＳＴ４０は、図１０に示すように、外周に環状フレーム２１７が貼着されたダイシングテープ２１６にパッケージウエーハ２０１の裏面２１４を貼着し、保護部材２１５を表面２０９から剥がす。
【００２３】
外周除去ステップＳＴ５０は、パッケージウエーハ２０１の外周縁に沿ってモールド樹脂２１２を除去し、モールド樹脂２１２が充填された溝２１１を外周余剰領域２０８で露出させるステップである。実施形態１において、外周除去ステップＳＴ５０は、パッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８の外周縁の全周に亘ってモールド樹脂２１２を除去する。実施形態１において、外周除去ステップＳＴ５０は、溝形成ステップＳＴ１０と同様に、図１１（ａ）に示すように、切削装置１１０のチャックテーブル１１１の保持面１１１−１にパッケージウエーハ２０１の裏面２１４を吸引保持し、チャックテーブル１１１を回転駆動源１１４にＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード１１５を基板２０５に達するまで外周余剰領域２０８の外周縁上のモールド樹脂２１２に切り込ませて、外周余剰領域２０８の外周縁上にモールド樹脂２１２が充填された溝２１１を露出させる。外周除去ステップＳＴ５０は、図１１（ｂ）に示すように、パッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８の外周縁のモールド樹脂２１２を除去する。なお、図１０、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、バンプ２１０を省略している。
【００２４】
次に、実施形態１に係るレーザー加工装置１の構成を図面を参照して説明する。図１２は、図１に示されたレーザー加工装置のチャックテーブル、レーザー光線照射ユニット及び撮像ユニットの構成を示す図である。
【００２５】
レーザー加工装置１は、パッケージウエーハ２０１の溝２１１内のモールド樹脂２１２にパルスレーザー光線２１８（図１２に示す）を照射し、パッケージウエーハ２０１にアブレーション加工を施して、パッケージウエーハ２０１をパッケージデバイスチップ２０３に分割する装置である。レーザー加工装置１は、図１に示すように、パッケージウエーハ２０１を保持面１１−１で保持するチャックテーブル１０と、レーザー光線照射ユニット２０と、加工送りユニットであるＸ軸移動手段３０と、割り出し送りユニットであるＹ軸移動手段４０と、撮像ユニット５０と、制御ユニット６０とを備える。
【００２６】
Ｘ軸移動手段３０は、チャックテーブル１０を装置本体２の水平方向と平行な加工送り方向であるＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０とレーザー光線照射ユニット２０とをＸ軸方向に相対的に移動させるものである。Ｙ軸移動手段４０は、チャックテーブル１０を水平方向と平行でＸ軸方向と直交する割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０とレーザー光線照射ユニット２０とをＹ軸方向に相対的に移動させるものである。
【００２７】
Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１、ボールねじ３１，４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２及びチャックテーブル１０をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３を備える。また、Ｘ軸移動手段３０は、チャックテーブル１０のＸ軸方向の位置を検出するための図示しないＸ軸方向位置検出手段を備え、Ｙ軸移動手段４０は、チャックテーブル１０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出手段を備える。Ｘ軸方向位置検出手段及びＹ軸方向位置検出手段は、Ｘ軸方向又はＹ軸方向と平行なリニアスケールと、読み取りヘッドとにより構成することができる。Ｘ軸方向位置検出手段及びＹ軸方向位置検出手段は、チャックテーブル１０のＸ軸方向又はＹ軸方向の位置を制御ユニット６０に出力する。また、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向と平行な中心軸線回りに回転する回転駆動源１６を備える。回転駆動源１６は、Ｘ軸移動手段３０によりＸ軸方向に移動される移動テーブル１５上に配置されている。
【００２８】
レーザー光線照射ユニット２０は、チャックテーブル１０の保持面１１−１に保持されたパッケージウエーハ２０１の表面２０９に向けて上方からパルスレーザー光線２１８を照射して、パッケージウエーハ２０１をアブレーション加工するものである。パルスレーザー光線２１８は、パッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）でかつレーザーパワーが一定なパルス状のレーザー光線である。レーザー光線照射ユニット２０は、装置本体２から立設した壁部３に連なった支持柱４の先端に取り付けられている。パルスレーザー光線２１８の波長は、他にも５３２ｎｍなども使用でき、モールド樹脂２１２が吸収する２００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長を使用できる。
【００２９】
レーザー光線照射ユニット２０は、図１２に示すように、パッケージウエーハ２０１の表面に照射するパルスレーザー光線２１８を集光する集光レンズ２１と、パルスレーザー光線２１８の集光点をＺ軸方向に移動させる図示しない駆動機構と、パルスレーザー光線２１８を発振するレーザー光線発振ユニット２２と、レーザー光線発振ユニット２２が発振したパルスレーザー光線２１８を集光レンズ２１に向けて反射するダイクロイックミラー２３とを備える。レーザー光線発振ユニット２２は、波長が３５５ｎｍのパルスレーザー光線２１８を発振するパルスレーザー発振器２２−１と、パルスレーザー発振器２２−１が発振するパルスレーザー光線２１８の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段２２−２とを備える。実施形態１において、レーザー光線照射ユニット２０がパッケージウエーハ２０１の表面２０９に向けて照射するパルスレーザー光線２１８の光軸２１９は、Ｚ軸方向と平行である。ダイクロイックミラー２３は、パルスレーザー発振器２２−１から発振されたパルスレーザー光線２１８を反射するとともに、パルスレーザー光線２１８の波長以外の波長の光を透過する。
【００３０】
レーザー光線照射ユニット２０は、Ｘ軸移動手段３０とＹ軸移動手段４０とによりチャックテーブル１０に保持されたパッケージウエーハ２０１に対して相対的に移動されながら、各分割予定ライン２０２の溝２１１内のモールド樹脂２１２にパルスレーザー光線２１８を照射して、各分割予定ライン２０２に沿った貫通溝２２０（図１６に示す）を溝２１１内のモールド樹脂２１２に形成する。レーザー光線照射ユニット２０は、Ｘ軸方向に沿ってパッケージウエーハ２０１に対して相対的に複数回移動される間に、各分割予定ライン２０２の溝２１１内のモールド樹脂２１２にパルスレーザー光線２１８を照射する。なお、レーザー光線照射ユニット２０がＸ軸方向に沿って１回移動されることを「１パス」と呼び、実施形態１において、レーザー光線照射ユニット２０は、「３パス」から「４パス」パッケージウエーハ２０１に対して移動される間にパルスレーザー光線２１８を照射して、各分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成する。
【００３１】
撮像ユニット５０は、チャックテーブル１０に保持されたパッケージウエーハ２０１を撮像するものである。撮像ユニット５０は、ダイクロイックミラー２３の上方に配置され、ダイクロイックミラー２３とＺ軸方向に並ぶ位置に配設されている。撮像ユニット５０は、ダイクロイックミラー２３を透過した光を撮像することで、チャックテーブル１０に保持されたパッケージウエーハ２０１を撮像するＣＣＤカメラにより構成される。撮像ユニット５０は、ＣＣＤカメラが撮像した撮像画像２２１（図１５に示す）を制御ユニット６０に出力する。実施形態１において、撮像ユニット５０のＣＣＤカメラの光軸は、集光レンズ２１からパッケージウエーハ２０１の表面２０９に照射されるパルスレーザー光線２１８の光軸２１９と同軸に配置されている。
【００３２】
また、レーザー加工装置１は、ダイシングテープ２１６により環状フレーム２１７に支持されたパッケージウエーハ２０１を複数枚収容するカセット７１と、カセット７１が載置されかつカセット７１をＺ軸方向に移動させるカセットエレベータ７０とを備える。レーザー加工装置１は、カセット７１からアブレーション加工前のパッケージウエーハ２０１を取り出しカセット７１にアブレーション加工後のパッケージウエーハ２０１を収容する図示しない搬出入手段と、カセット７１から取り出されたアブレーション加工前のパッケージウエーハ２０１及びアブレーション加工後のカセット７１に収容前のパッケージウエーハ２０１を仮置きする一対のレール７２とを備える。レーザー加工装置１は、アブレーション加工後のパッケージウエーハ２０１を洗浄する洗浄ユニット９０と、一対のレール７２とチャックテーブル１０と洗浄ユニット９０との間でパッケージウエーハ２０１を搬送する搬送ユニット８０とを備える。
【００３３】
チャックテーブル１０は、図１２に示すように、保持面１１−１を形成する透明又は半透明な保持部材１１と、保持部材１１を囲繞して形成された環状フレーム部１２と、保持部材１１の保持面１１−１と反対側の面側に設置された発光体１３とを備える。保持部材１１は、厚さが２ｍｍ〜５ｍｍの円盤状に形成され、例えば石英により構成されている。保持部材１１は、その上面がパッケージウエーハ２０１を保持する保持面１１−１として機能する。
【００３４】
環状フレーム部１２は、保持部材１１の外周を囲繞して支持する外周部と、外周部が立設する基台部とから形成されている。環状フレーム部１２は、図１２に示すように、その表面が保持面１１−１と同一平面上に配置されている。環状フレーム部１２は、回転駆動源１６に取り付けられている。また、環状フレーム部１２は、保持部材１１の外縁に開口しかつ図示しない真空吸引源と接続された吸引路１２−１が設けられている。
【００３５】
発光体１３は、環状フレーム部１２の基台部に取り付けられ、かつ保持部材１１の下面と対向して配設されている。発光体１３は、複数のＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）１３−１により構成されている。各ＬＥＤ１３−１は、図示しない電源回路に接続されている。発光体１３は、各ＬＥＤ１３−１に電源回路から電力が供給されると、発光し、保持部材１１の下面側から光を上面側に向けて照射する。
【００３６】
チャックテーブル１０は、環状フレーム部１２が回転駆動源１６に取り付けられていることにより、Ｘ軸移動手段３０によりＸ軸方向に移動自在、Ｙ軸移動手段４０によりＹ軸方向に移動自在でかつ回転駆動源１６により軸心回りに回転自在に設けられている。また、チャックテーブル１０は、環状フレーム２１７に保持されたパッケージウエーハ２０１をダイシングテープ２１６を介して保持面１１−１に載置し、真空吸引源により吸引することで、パッケージウエーハ２０１を吸引保持する。また、チャックテーブル１０の外周には、環状フレーム２１７をクランプするクランプ部１４が設けられている。
【００３７】
制御ユニット６０は、レーザー加工装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、パッケージウエーハ２０１に対する加工動作をレーザー加工装置１に実施させるものである。なお、制御ユニット６０は、コンピュータである。制御ユニット６０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示装置及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力装置と接続されている。入力装置は、表示装置に設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３８】
制御ユニット６０は、パッケージウエーハ２０１のアブレーション加工前にパッケージウエーハ２０１のパルスレーザー光線２１８を照射すべき位置を検出するアライメントを遂行する。制御ユニット６０は、アライメントを遂行する際には、パッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８の外周縁で露出した溝２１１の各々を撮像ユニット５０に撮像させ、撮像して得た画像と、Ｘ軸方向位置検出手段及びＹ軸方向位置検出手段の検出結果とに基づいて、各分割予定ライン２０２に形成された溝２１１のパルスレーザー光線２１８を照射すべき位置を検出する。
【００３９】
制御ユニット６０は、図１に示すように、少なくとも撮像指示部６１と、判定部６２とを備える。撮像指示部６１は、パッケージウエーハ２０１にパルスレーザー光線２１８を照射して、パッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に貫通溝２２０を形成しつつ、撮像ユニット５０でパッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されかつパルスレーザー光線２１８が照射された直後のモールド樹脂２１２を撮像させる。実施形態１において、制御ユニット６０の撮像指示部６１は、パッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に貫通溝２２０を形成しつつ、パルスレーザー光線２１８を照射する照射タイミングと照射タイミングとの間に撮像ユニット５０にパッケージウエーハ２０１の表面２０９を撮像させる。
【００４０】
判定部６２は、撮像指示部６１の指示により撮像ユニット５０が撮像して得た撮像画像２２１に、パッケージウエーハ２０１を介して発光体１３からの光が撮像されているか否かを検出し、貫通溝２２０の加工状態を判定する。判定部６２は、アライメントを遂行して検出したパルスレーザー光線２１８を照射すべき位置などから撮像画像２２１のパルスレーザー光線２１８を照射すべき位置２２２（図１５に破線で示す）を検出する。判定部６２は、パルスレーザー光線２１８を照射すべき位置２２２の光量が貫通溝２２０が形成されている所定の光量以上であると、貫通溝２２０が良好に形成されていると判定する。また、判定部６２は、パルスレーザー光線２１８を照射すべき位置２２２の光量が所定の光量を下回ると、貫通溝２２０が適切に形成されていない（貫通溝２２０がパッケージウエーハ２０１を貫通していない）と判定する。判定部６２は、パルスレーザー光線２１８を照射すべき位置２２２の光量が所定の光量を下回ると、貫通溝２２０が適切に形成されていない位置を検出する。
【００４１】
次に、レーザー加工装置１を用いたレーザー加工方法を図面に基いて説明する。図１３は、実施形態１に係るレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。図１４は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工ステップを示す図である。図１５は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工判定ステップで得た撮像画像の一例を示す図である。図１６は、図１３に示されたレーザー加工方法の加工判定ステップで形成された貫通溝の一例を示す断面図である。図１７は、図１６に示された貫通溝が適切に形成されていない状態を示す断面図である。
【００４２】
レーザー加工装置１を用いたレーザー加工方法（以下、加工方法と呼ぶ）は、パルスレーザー光線２１８をパッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に照射して、溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２を分割して、パッケージデバイスチップ２０３を製造する製造方法である。加工方法は、図１３に示すように、保持ステップＳＴ１と、加工ステップＳＴ２と、加工判定ステップＳＴ４とを少なくとも備える。
【００４３】
加工方法は、まず、オペレータが加工内容情報をレーザー加工装置１の制御ユニット６０に登録し、オペレータが環状フレーム２１７に支持されたパッケージウエーハ２０１をカセット７１内に収容し、カセット７１をレーザー加工装置１のカセットエレベータ７０に載置する。加工方法は、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。
【００４４】
加工方法は、まず、保持ステップＳＴ１を実行する。保持ステップＳＴ１は、パッケージウエーハ２０１を保持部材１１の保持面１１−１上に保持するステップである。保持ステップＳＴ１では、制御ユニット６０が搬出入手段にカセット７１からアブレーション加工前のパッケージウエーハ２０１を１枚取り出させ、一対のレール７２上に載置させる。制御ユニット６０は、搬送ユニット８０に一対のレール７２上のパッケージウエーハ２０１をチャックテーブル１０の保持部材１１の保持面１１−１に載置させ、チャックテーブル１０の保持部材１１の保持面１１−１に吸引保持する。制御ユニット６０は、加工ステップＳＴ２に進む。
【００４５】
加工ステップＳＴ２では、制御ユニット６０が、Ｘ軸移動手段３０およびＹ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー光線照射ユニット２０の下方に向かって移動して、撮像ユニット５０即ちレーザー光線照射ユニット２０の下方にチャックテーブル１０に保持されたパッケージウエーハ２０１を位置付ける。加工ステップＳＴ２では、制御ユニット６０が、撮像ユニット５０にパッケージウエーハ２０１の外周余剰領域２０８で露出した各分割予定ライン２０２に形成された溝２１１を撮像させ、各分割予定ライン２０２のアライメントを遂行する。
【００４６】
そして、制御ユニット６０は、加工内容情報に基づいて、Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０に、パッケージウエーハ２０１の最初にパルスレーザー光線２１８を照射する分割予定ライン２０２の一端にレーザー光線照射ユニット２０を対向させ、回転駆動源１６によって最初にパルスレーザー光線２１８を照射する分割予定ライン２０２をＸ軸方向と平行にする。制御ユニット６０は、図１４に示すように、Ｘ軸移動手段３０にチャックテーブル１０をＸ軸方向に沿って１パス移動させつつ、レーザー光線照射ユニット２０からパルスレーザー光線２１８を照射する。
【００４７】
制御ユニット６０は、Ｘ軸移動手段３０にチャックテーブル１０をＸ軸方向に沿って１パス移動させた後、加工内容情報を参照して、次のパスが最後のパスか否かを判定する（ステップＳＴ３）。制御ユニット６０は、最後のパスではない（ステップＳＴ３：Ｎｏ）と判定すると、加工ステップＳＴ２に戻り、次のパスの加工ステップＳＴ２を実行する。
【００４８】
制御ユニット６０は、最後のパスである（ステップＳＴ３：Ｙｅｓ）と判定すると、加工判定ステップＳＴ４に進む。加工判定ステップＳＴ４は、発光体１３を発光させて、パッケージウエーハ２０１にパルスレーザー光線２１８を照射して溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に貫通溝２２０を形成しつつ、パッケージウエーハ２０１の溝２１１を撮像した図１５に一例を示す撮像画像２２１に、パッケージウエーハ２０１を介して発光体１３からの光が撮像されているかを検出し、貫通溝２２０の加工状態を判定するステップである。なお、図１５の撮像画像２２１は、所定の光量を下回る位置を平行斜線で示し、所定の光量以上である位置を白地で示す。
【００４９】
加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の撮像指示部６１が、Ｘ軸移動手段３０にチャックテーブル１０をＸ軸方向に沿って最後のパス移動させつつ、レーザー光線照射ユニット２０からパルスレーザー光線２１８を照射して、貫通溝２２０を形成するとともに、パルスレーザー光線２１８を照射するパルスとパルスの間に撮像ユニット５０にパッケージウエーハ２０１の表面２０９を撮像させる。実施形態１において、加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の撮像指示部６１がチャックテーブル１０が最後のパス移動をする間に、複数回パッケージウエーハ２０１の表面２０９を撮像させて、撮像画像２２１を複数得る。
【００５０】
加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の判定部６２が、全ての撮像画像２２１のうち少なくとも一つにパルスレーザー光線２１８を照射すべき位置２２２の光量が所定の光量を下回る位置２２２−１（図１５に密な平行斜線で示す）があるか否かを判定する。加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の判定部６２が所定の光量以上であると判定した図１５の白地で示す位置２２２−２では、図１６に示すように、貫通溝２２０がパッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２を貫通して、発光体１３からの光が保持部材１１及び貫通溝２２０を通して撮像ユニット５０に受光される。また、加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の判定部６２が所定の光量を下回ると判定した図１５の密な平行斜線で示す位置２２２−１では、図１７に示すように、貫通溝２２０がパッケージウエーハ２０１の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２を貫通せずに、貫通溝２２０の底にモールド樹脂２１２が残存して、発光体１３からの光が撮像ユニット５０に受光されない。なお、図１６及び図１７は、バンプ２１０を省略している。
【００５１】
加工判定ステップＳＴ４では、制御ユニット６０の判定部６２が、全ての撮像画像２２１のうち少なくとも一つに所定の光量を下回る位置２２２−１があると判定すると、所定の光量を下回る位置を検出し、検出した位置を貫通溝２２０が適切に形成されていない位置として一旦記憶する。そして、制御ユニット６０は、加工判定ステップＳＴ４で貫通溝２２０が適切に形成されていない位置を検出したか否かを判定する（ステップＳＴ５）。制御ユニット６０は、加工判定ステップＳＴ４で貫通溝２２０が適切に形成されていない位置を検出したと判定する（ステップＳＴ５：Ｙｅｓ）と、加工判定ステップＳＴ４に戻る。制御ユニット６０は、ステップＳＴ５から戻った加工判定ステップＳＴ４では、判定部６２で貫通溝２２０が適切に形成されていないと判定した位置の溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に、再度、パルスレーザー光線２１８を照射して、モールド樹脂２１２への貫通溝２２０の形成を実施するとともに、撮像画像２２１を得て、所定の光量を下回る位置２２２−１があるか否かを判定する。
【００５２】
制御ユニット６０は、加工判定ステップＳＴ４で貫通溝２２０が適切に形成されていない位置を検出していないと判定する（ステップＳＴ５：Ｎｏ）と、チャックテーブル１０に保持したパッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成したか否かを判定する（ステップＳＴ６）。制御ユニット６０は、チャックテーブル１０に保持したパッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成していないと判定する（ステップＳＴ６：Ｎｏ）と、加工ステップＳＴ２に戻り、加工ステップＳＴ２からステップＳＴ５を繰り返して、次の分割予定ライン２０２の溝２１１に充填されたモールド樹脂２１２にパルスレーザー光線２１８を照射する。
【００５３】
制御ユニット６０は、チャックテーブル１０に保持したパッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成したと判定する（ステップＳＴ６：Ｙｅｓ）と、チャックテーブル１０をレーザー光線照射ユニット２０の下方から退避させ、チャックテーブル１０の吸引保持を解除する。そして、制御ユニット６０が、搬送ユニット８０を用いてアブレーション加工済みのパッケージウエーハ２０１を洗浄ユニット９０に搬送し、洗浄ユニット９０で洗浄した後、洗浄済みのパッケージウエーハ２０１をカセット７１内に収容する。
【００５４】
制御ユニット６０は、カセット７１内の全てのパッケージウエーハ２０１にアブレーション加工を施したか否かを判定する（ステップＳＴ７）。制御ユニット６０は、カセット７１内の全てのパッケージウエーハ２０１にアブレーション加工を施していないと判定する（ステップＳＴ７：Ｎｏ）と、保持ステップＳＴ１に戻り、アブレーション加工前のパッケージウエーハ２０１を再度、チャックテーブル１０上に載置し、保持ステップＳＴ１からステップＳＴ６を繰り返して、カセット７１内の全てのパッケージウエーハ２０１を個々のパッケージデバイスチップ２０３に分割する。制御ユニット６０は、カセット７１内の全てのパッケージウエーハ２０１にアブレーション加工を施したと判定する（ステップＳＴ７：Ｙｅｓ）と、加工動作を終了する。
【００５５】
前述した制御ユニット６０は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット６０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット６０の撮像指示部６１と判定部６２の機能は、演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行し、必要な情報を記憶装置に記憶することにより実現される。
【００５６】
実施形態１に係るレーザー加工装置１は、撮像ユニット５０をパルスレーザー光線２１８の光軸２１９と同軸に配置し、撮像ユニット５０にパルスレーザー光線２１８の照射タイミング間でパッケージウエーハ２０１を撮像させる。このため、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０の発光体１３を発光させてアブレーション加工を施しながら撮像ユニット５０でパッケージウエーハ２０１を撮像できるため、撮像画像２２１のチャックテーブル１０からの光を検出したか否かで、アブレーション加工中に貫通溝２２０の加工状態を判定することができる。
【００５７】
また、レーザー加工装置１は、貫通溝２２０が適切に形成されていないと判定した溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に、再度、パルスレーザー光線２１８を照射する。その結果、レーザー加工装置１は、パッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を適切に形成することができる。これにより、レーザー加工装置１は、パッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２において貫通溝２２０を適切に形成できる、という効果を奏する。
【００５８】
また、レーザー加工装置１は、貫通溝２２０が適切に形成されていないと判定した溝２１１内に充填されたモールド樹脂２１２に、再度、パルスレーザー光線２１８を照射するので、パッケージウエーハ２０１をチャックテーブル１０から剥がすことなくそのまま適切に形成されていない溝２１１にアブレーション加工を施すことが出来る。通常、貫通溝２２０で分割されパッケージデバイスチップ２０３に分割されたパッケージウエーハ２０１をチャックテーブル１０から取り外すとパッケージデバイスチップ２０３が動いて分割予定ライン２０２が直線でなくなってしまうので、再度加工送りしつつパルスレーザー光線２１８を照射するのが困難になるが、レーザー加工装置１は、パッケージウエーハ２０１の全ての分割予定ライン２０２において貫通溝２２０を適切に形成できる、という効果を奏する。
【００５９】
また、レーザー加工装置１は、アブレーション加工中に貫通溝２２０の加工状態を判定することができるので、貫通溝２２０が形成されたか否かを確認しても、加工にかかる所要時間が長時間化することを抑制することができる。
【００６０】
〔実施形態２〕
実施形態２に係るレーザー加工装置を説明する。図１８は、実施形態２に係るレーザー加工装置の加工対象のウエーハの斜視図である。図１９は、実施形態２に係るレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。図１８及び図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００６１】
実施形態２に係るレーザー加工装置１は、加工対象が図１８に示す被加工物であるウエーハ２０４であり、レーザー加工方法が実施形態１と異なり、装置自体の構成は、実施形態１と同一である。実施形態２に係るレーザー加工装置１を用いたレーザー加工方法では、ウエーハ２０４は、表面２０９に低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたもの又はデバイス２０６がＣＭＯＳ（Complementary  ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor））などの撮像素子である。低誘電率絶縁体被膜は、ＳｉＯＦ又はＢＳＧ（ＳｉＯＢ）のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とから構成されている。ウエーハ２０４は、外周に環状フレーム２１７が貼着されたダイシングテープ２１６に表面２０９が貼着され、裏面２１４側から分割予定ライン２０２に沿って切削されて、表面２０９側に所定厚さの切代を残して切削溝が形成された状態でカセット７１に収容され、Ｘ軸移動手段３０により１パス移動される間にレーザー光線照射ユニット２０により切代を切断する貫通溝２２０が形成される。
【００６２】
実施形態２に係るレーザー加工装置１を用いたレーザー加工方法では、保持ステップＳＴ１の後に、加工判定ステップＳＴ４に進み、制御ユニット６０がチャックテーブル１０に保持されたウエーハ２０４の全ての分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成していないと判定する（ステップＳＴ６：Ｎｏ）と加工判定ステップＳＴ４に戻り、次の分割予定ライン２０２に貫通溝２２０を形成する以外、実施形態１と同じである。
【００６３】
実施形態２に係るレーザー加工装置１は、実施形態１と同様に、加工判定ステップＳＴ４において、アブレーション加工中に貫通溝２２０の加工状態を判定することができるので、ウエーハ２０４の全ての分割予定ライン２０２において貫通溝２２０を適切に形成できる、という効果を奏する。
【００６４】
なお、実施形態１及び実施形態２に係るレーザー加工装置によれば、以下のレーザー加工方法及びパッケージデバイスチップの製造方法が得られる。
（付記１）
被加工物を透明又は半透明な保持部材の保持面上に保持する保持ステップと、
該保持部材の該保持面と反対側の面側に設置された発光体を発光させて、該被加工物にパルスレーザー光線を照射して該被加工物の加工領域に貫通溝を形成しつつ、該被加工物の該加工領域を撮像した撮像画像に、該被加工物を介して該発光体からの光が撮像されているかを検出し、該貫通溝の加工状態を判定する加工判定ステップと、
を備えることを特徴とするレーザー加工方法。
（付記２）
該加工判定ステップでは、該貫通溝が適切に形成されていないと判定した該加工領域に、再度、該パルスレーザー光線を照射して該貫通溝の形成を実施することを特徴とする付記１に記載のレーザー加工方法。
（付記３）
表面に設けられたデバイス上とデバイス間の加工領域とにモールド樹脂が充填されたパッケージウエーハの該加工領域を分割して、デバイス上と全ての側面とが該モールド樹脂により被覆されたパッケージデバイスチップを製造するパッケージデバイスチップの製造方法であって、
該パッケージウエーハの裏面側を透明又は半透明な保持部材の保持面上に保持する保持ステップと、
該保持部材の該保持面と反対側の面側に設置された発光体を発光させて、該パッケージウエーハの表面側にパルスレーザー光線を照射して該加工領域に貫通溝を形成しつつ、該パッケージウエーハの該加工領域を撮像した撮像画像に、該パッケージウエーハを介して該発光体からの光が撮像されているかを検出し、該貫通溝の加工状態を判定する加工判定ステップと、
を備えることを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
（付記４）
該加工判定ステップでは、該貫通溝が適切に形成されていないと判定した該加工領域に、再度、該パルスレーザー光線を照射して該貫通溝の形成を実施することを特徴とする付記３に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【００６５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
１１  保持部材
１１−１  保持面
１３  発光体
２０  レーザー光線照射ユニット
３０  Ｘ軸移動手段（加工送りユニット）
５０  撮像ユニット
６０  制御ユニット
６１  撮像指示部
６２  判定部
２０１  パッケージウエーハ（被加工物）
２０２  分割予定ライン
２０３  パッケージデバイスチップ
２０４  ウエーハ（被加工物）
２０５  基板
２０６  デバイス
２０７  デバイス領域
２０８  外周余剰領域
２０９  表面
２１１  溝（加工領域）
２１２  モールド樹脂
２１３  側面
２１４  裏面
２１８  パルスレーザー光線
２２０  貫通溝
２２１  撮像画像
Ｘ  加工送り方向
ＳＴ１  保持ステップ
ＳＴ４  加工判定ステップ
【図１】
2018120913.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018120913.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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