(57)【要約】【課題】新規なアントラセン誘導体、及びこれを用いた、塗布法によって有機薄膜を形成できる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるアントラセン誘導体。2018123083.tif 000101【選択図】図１
2018123083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるアントラセン誘導体。
【化８８】
2018123083.tif 000092
（式（１）中、
＊１は、Ｘ１〜Ｘ１０のうちのいずれかと結合し、＊１と結合するＸ１〜Ｘ１０は炭素原子である。
Ｌ１は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族複素環基、又は前記芳香族炭化水素環基及び前記芳香族複素環基が２〜４個連結して構成される（ｐ＋１）価の連結基を示す。
ｐは、１又は２の整数である。
＊２は、Ｘ１１〜Ｘ１８のうちのｍ個と結合し、＊２と結合するＸ１１〜Ｘ１８は炭素原子である。
ｍは、１〜８の整数である。
＊１又は＊２と結合しない、Ｘ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８は、それぞれ独立に、ＣＨ又はＣ（Ｒａ）を示す。
Ｒａは、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、又は
無置換のアミノ基を示す。
隣接するＸ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８のＲａは、可能な場合には互いに結合して環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基であり、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに結合して、Ａｒ１及びＡｒ２と結合する窒素原子を含む環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。ｍが２〜８のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【請求項２】
下記式（２）で表される請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化８９】
2018123083.tif 000093
（式（２）中、＊２、ｍ、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１〜Ｘ１８、Ａｒ１及びＡｒ２は、前記式（１）で定義した通りである。
Ｒｂは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
Ｙは、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｂ−Ｒｃ、Ｎ−Ｒｃ、Ｃ−ＲｃＲｄ又はＳｉ−ＲｃＲｄを示す。
Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。）
【請求項３】
下記式（３）で表される請求項２に記載のアントラセン誘導体。
【化９０】
2018123083.tif 000094
（式（３）中、＊２、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１４〜Ｘ１８、Ｒｂ、Ａｒ１、Ａｒ２及びＹは、前記式（２）で定義した通りである。
ｍ１は、０〜７の整数である。ｍ１が２〜７のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【請求項４】
下記式（４）で表される請求項１〜３のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【化９１】
2018123083.tif 000095
（式（４）中、＊２、ｍ１、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１４〜Ｘ１８及びＲｂは、前記式（３）で定義した通りである。
Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子又はＲｅを示す。
Ｒｅは、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、又は
無置換のアミノ基を示す。
隣接するＲ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８のＲｅは、可能な場合には互いに結合して環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
ｍ１が２〜７のとき、それぞれ複数存在するＲ１１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【請求項５】
下記式（５）で表される請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化９２】
2018123083.tif 000096
（式（５）中、＊２、ｍ、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１〜Ｘ１８、Ａｒ１及びＡｒ２は、前記式（１）で定義した通りである。
Ｒｂは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
Ａｒ３は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
ｍが２〜８のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１〜Ａｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【請求項６】
ｐが１である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項７】
Ｌ１が、下記群より選択される請求項６に記載のアントラセン誘導体。
【化９３】
2018123083.tif 000097
（式中、Ｒは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。）
【請求項８】
Ｌ１が、下記群より選択される請求項７に記載のアントラセン誘導体。
【化９４】
2018123083.tif 000098
（式中、Ｒは、請求項７で定義した通りである。）
【請求項９】
Ｘ１〜Ｘ８が、ＣＨである請求項１〜８のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１０】
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１７及びＸ１８が、ＣＨである請求項１〜９のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１１】
Ｒａが、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基からなる群から選択される請求項１〜８のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１２】
Ｒｂが、置換もしくは無置換のフェニル基及び置換もしくは無置換のナフチル基からなる群から選択される請求項２〜１０のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１３】
前記式（２）又は（３）における下記部分構造
【化９５】
2018123083.tif 000099
が、
【化９６】
2018123083.tif 000100
からなる群から選択される請求項２又は３に記載のアントラセン誘導体。
【請求項１４】
Ｒｅが、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基からなる群から選択される請求項４〜１０のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１５】
前記「置換もしくは無置換の・・・」における置換基が、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、
無置換のアミノ基、
シアノ基、
ニトロ基、及び
フッ素原子からなる群から選択される請求項１〜１４のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１７】
溶媒と、前記溶媒中に溶解した請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液。
【請求項１８】
陰極と陽極との間に、少なくとも発光層を含む１層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１〜１５のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記発光層が、前記アントラセン誘導体を含有する請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記陽極と前記発光層との間に、さらに第１の電荷輸送層を有し、前記第１電荷輸送層が前記アントラセン誘導体を含有する請求項１８又は１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記陰極と前記発光層との間に、さらに第２の電荷輸送層を有し、前記第２の電荷輸送層が前記アントラセン誘導体を含有する請求項１８〜２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記発光層が、燐光発光材料を含有する請求項１８〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
前記発光層が、蛍光発光材料を含有する請求項１８〜２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
前記燐光発光材料が、イリジウム、オスミウム及び白金からなる群から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
請求項１８〜２４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記することがある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成ている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。この電子と正孔とが発光層において再結合することで励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、発光層に各種の発光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であり、ディスプレイ等への実用化研究が進められている。
また、有機ＥＬ素子を構成する各層を形成する方法として、真空蒸着法や分子線蒸着法等の蒸着法と、インクジェット法、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法及びロールコート法等の塗布法が知られている。近年のディスプレイの大画面化に対応すべく、塗布法によって有機薄膜を形成できる化合物の探索が進められている。
【０００４】
特許文献１には、フェニレン基を挟んで窒素原子の位置（カルバゾール環の９位）でアントラセン環に結合したカルバゾール環の３位に、フェニル基を介して９−カルバゾリル基又はジフェニルアミノ基が置換した化合物が発光材料として使用できることが開示されている。
【０００５】
特許文献２には、フェニレン基を挟んで窒素原子の位置（カルバゾール環の９位）でアントラセン環に結合したカルバゾール環の３位に、フェニル基を介して２−もしくは３−カルバゾリル基が置換した化合物が、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として使用できることが開示されている。
【０００６】
非特許文献１には、ｐ−フェニレン基を挟んで窒素原子の位置（カルバゾール環の９位）でアントラセン環の９位及び１０位に２つのカルバゾール環が置換し、さらに当該カルバゾール環の３位及び６位にＮ−カルバゾリル基が置換した化合物が、有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料として使用できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２６６３０９号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１４／０８８３４７
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＲＳＣ  Ａｄｖ．，２０１５，５，２９７０８−２９７１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、新規なアントラセン誘導体、及びこれを用いた、塗布法によって有機薄膜を形成できる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、以下のアントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器が提供される。
１．下記式（１）で表されるアントラセン誘導体。
【化１】
2018123083.tif 000003
（式（１）中、
＊１は、Ｘ１〜Ｘ１０のうちのいずれかと結合し、＊１と結合するＸ１〜Ｘ１０は炭素原子である。
Ｌ１は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族複素環基、又は前記芳香族炭化水素環基及び前記芳香族複素環基が２〜４個連結して構成される（ｐ＋１）価の連結基を示す。
ｐは、１又は２の整数である。
＊２は、Ｘ１１〜Ｘ１８のうちのｍ個と結合し、＊２と結合するＸ１１〜Ｘ１８は炭素原子である。
ｍは、１〜８の整数である。
＊１又は＊２と結合しない、Ｘ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８は、それぞれ独立に、ＣＨ又はＣ（Ｒａ）を示す。
Ｒａは、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、又は
無置換のアミノ基を示す。
隣接するＸ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８のＲａは、可能な場合には互いに結合して環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基であり、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに結合して、Ａｒ１及びＡｒ２と結合する窒素原子を含む環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。ｍが２〜８のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
２．上記１に記載のアントラセン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
３．溶媒と、前記溶媒中に溶解した上記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液。
４．陰極と陽極との間に、少なくとも発光層を含む１層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１〜１５のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．上記４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、新規なアントラセン誘導体、及びこれを用いてなる有機エレクトロルミネッセンス素子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［アントラセン誘導体］
本発明の一態様であるアントラセン誘導体は、下記式（１）で表される。
【化２】
2018123083.tif 000004
【００１４】
（式（１）中、
＊１は、Ｘ１〜Ｘ１０のうちのいずれかと結合し、＊１と結合するＸ１〜Ｘ１０は炭素原子である。
Ｌ１は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の（ｐ＋１）価の芳香族複素環基、又は前記芳香族炭化水素環基及び前記芳香族複素環基が２〜４個連結して構成される（ｐ＋１）価の連結基を示す。
ｐは、１又は２の整数である。
＊２は、Ｘ１１〜Ｘ１８のうちのｍ個と結合し、＊２と結合するＸ１１〜Ｘ１８は炭素原子である。
ｍは、１〜８の整数である。
＊１又は＊２と結合しない、Ｘ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８は、それぞれ独立に、ＣＨ又はＣ（Ｒａ）を示す。
Ｒａは、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、又は
無置換のアミノ基を示す。
隣接するＸ１〜Ｘ１０及びＸ１１〜Ｘ１８のＲａは、可能な場合には互いに結合して環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基であり、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに結合して、Ａｒ１及びＡｒ２と結合する窒素原子を含む環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。ｍが２〜８のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００１５】
上記式（１）で表されるアントラセン誘導体は、各種の有機溶媒への可溶性が高く、塗布法によって薄膜を形成することが可能である。
【００１６】
一実施形態では、ｍは、好ましくは１〜４、より好ましくは１又は２である。
【００１７】
一実施形態では、Ｒａは、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基からなる群から選択される。
【００１８】
一実施形態では、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
一実施形態では、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに結合して、Ａｒ１及びＡｒ２と結合する窒素原子を含む環を形成する。
また、他の実施形態では、Ａｒ１及びＡｒ２は環を形成しない。
【００１９】
上記式（１）で表されるアントラセン誘導体は、下記式（２）で表される化合物であってもよい。
【化３】
2018123083.tif 000005
【００２０】
（式（２）中、＊２、ｍ、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１〜Ｘ１８、Ａｒ１及びＡｒ２は、前記式（１）で定義した通りである。
Ｒｂは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
Ｙは、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｂ−Ｒｃ、Ｎ−Ｒｃ、Ｃ−ＲｃＲｄ又はＳｉ−ＲｃＲｄを示す。
Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。）
【００２１】
一実施形態では、Ｒｂは、置換もしくは無置換のフェニル基及び置換もしくは無置換のナフチル基からなる群から選択される。
【００２２】
前記式（２）で表されるアントラセン誘導体は、下記式（３）で表される化合物であってもよい。
【化４】
2018123083.tif 000006
【００２３】
（式（３）中、＊２、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１４〜Ｘ１８、Ｒｂ、Ａｒ１、Ａｒ２及びＹは、前記式（２）で定義した通りである。
ｍ１は、０〜７の整数である。ｍ１が２〜７のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００２４】
一実施形態では、式（２）又は（３）における下記部分構造
【化５】
2018123083.tif 000007
が、
【化６】
2018123083.tif 000008
からなる群から選択される。
【００２５】
前記式（１）で表されるアントラセン誘導体は、下記式（４）で表される化合物であってもよい。
【化７】
2018123083.tif 000009
【００２６】
（式（４）中、＊２、ｍ１、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１４〜Ｘ１８及びＲｂは、前記式（３）で定義した通りである。
Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子又はＲｅを示す。
Ｒｅは、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、
炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、又は
無置換のアミノ基を示す。
隣接するＲ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８のＲｅは、可能な場合には互いに結合して環を、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
ｍ１が２〜７のとき、それぞれ複数存在するＲ１１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００２７】
一実施形態では、Ｒｅは、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基からなる群から選択される。
【００２８】
前記式（１）で表されるアントラセン誘導体は、下記式（５）で表される化合物であってもよい。
【化８】
2018123083.tif 000010
【００２９】
（式（５）中、＊２、ｍ、ｐ、Ｌ１、Ｘ１〜Ｘ８、Ｘ１１〜Ｘ１８、Ａｒ１及びＡｒ２は、前記式（１）で定義した通りである。
Ｒｂは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
Ａｒ３は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を示す。
ｍが２〜８のとき、それぞれ複数存在するＡｒ１〜Ａｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００３０】
一実施形態では、Ａｒ３は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、及び置換もしくは無置換のトリアジニル基からなる群から選択される。
【００３１】
一実施形態において、前記式（１）〜（５）中のｐは１である。
【００３２】
一実施形態において、前記式（１）〜（５）中のＬ１は下記群より選択される。
【化９】
2018123083.tif 000011
（式中、Ｒは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。）
【００３３】
一実施形態において、前記式（１）〜（５）中のＬ１は下記群より選択される。
【化１０】
2018123083.tif 000012
（式中、Ｒは上記で定義した通りである。）
【００３４】
Ｌ１が、メタ位でアントラセン環及びカルバゾール環に結合する場合は、パラ位で結合する場合に比べて各種有機溶媒への溶解性が向上するため好ましい。
Ｌ１に共役系がつながらない構造を選択することで、蛍光発光への関与が大きく、かつ、電子の受容体として機能しやすいアントラセン骨格と、正孔輸送性を担うカルバゾール骨格との機能を分離することができるため、蛍光発光特性の向上と通電による劣化を抑制する効果が期待できる。
【００３５】
一実施形態において、前記式（１）〜（５）中のＸ１〜Ｘ８はＣＨである。
【００３６】
一実施形態において、前記式（１）〜（５）中のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１７及びＸ１８はＣＨである。
【００３７】
本明細書中の化学式において、各符号・記号は、化学式毎に定義されており、同一の符号・記号であっても、対応する化学式毎にその定義は異なる。
【００３８】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、Ｘ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、Ｘ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、隣接する置換基同士で環を形成する場合は、一方の置換基の炭素数がa〜bの範囲内で最小となる箇所で当該環を切り離して、他方の置換基の炭素数もa〜bの範囲内となる構造が含まれる。
【００３９】
「環形成炭素数」とは、原子又は分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。
【００４０】
「環形成原子数」とは、原子又は分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の未結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。
【００４１】
また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００４２】
前記式（１）〜（５）における各基について具体例を挙げて説明する。
【００４３】
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、フッ素原子が好ましい。
【００４４】
アルキル基は、炭素数１〜５０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１８、さらに好ましくは１〜８のアルキル基であり；例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、及びドデシル基（異性体を含む）、トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、テトラコサニル基、テトラコンタニル基等が挙げられる。
【００４５】
より好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、ドデシル基（異性体を含む）、トリデシル基、テトラデシル基、及びオクタデシル基が挙げられる。
【００４６】
さらに好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、及びオクチル基（異性体を含む）が挙げられる。
【００４７】
シクロアルキル基は、環形成炭素数３〜５０、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１０、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基であり；例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。
より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。
【００４８】
アルケニル基は、炭素−炭素二重結合（−ＨＣ＝ＣＨ−）を一個持ち、一般式ＣｎＨ２ｎで表されるアルケンの任意の炭素原子から一個の水素原子を除去した基であり；例えば、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。
【００４９】
アルキニル基は、炭素−炭素三重結合（ＲＣ≡ＣＲ）を一個持ち、一般式ＣｎＨ２ｎ−２で表されるアルキンの任意の炭素原子から一個の水素原子を除去した基であり；例えば、エチニル基等が挙げられる。
【００５０】
アルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙは、上記アルキル基を示し；例えば、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
【００５１】
アルキルチオ基は、−ＳＹで表される基であり、Ｙは、上記アルキル基を示し；例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
【００５２】
アリール基は、環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０の１価の芳香族炭化水素基であり；例えば、フェニル基、ナフチル基、ナフチルフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クアテルフェニリル基、キンクフェニリル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダニル基、ａｓ−インダニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、テトラセニル基、トリフェニレニル基、ベンゾトリフェニレニル基、ペリレニル基、コロニル基、ジベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基等が挙げられる。
【００５３】
より好ましくは、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダニル基、ａｓ−インダニル基、トリフェニレニル基、ベンゾトリフェニレニル基、アントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基が挙げられる。
【００５４】
さらに好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基が挙げられる。
【００５５】
アリールオキシ基は、−ＯＺで表される基であり、Ｚは、上記アリール基を示し；例えば、フェノキシ基等が挙げられる。
【００５６】
アリールチオ基は、−ＳＺで表される基であり、Ｚは、上記アリール基を示し；例えば、フェニルチオ基等が挙げられる。
【００５７】
複素環基は、少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個、さらに好ましくは１〜２個のヘテロ原子、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、リン原子を含む、環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２４の１価の芳香族複素環基（ヘテロアリール基）又は１価の脂肪族複素環基である。
【００５８】
芳香族複素環基の具体例としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ビカルバゾリル基フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、アザトリフェニレニル基、ジアザトリフェニレニル基、キサンテニル基、アザカルバゾリル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ベンゾフラノベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラノナフチル基、ジベンゾチエノナフチル基、及びジナフトチエノチオフェニル基、ジナフト−＜２’，３’：２，３：２’，３’：６，７＞−カルバゾリル基等が挙げられる。
【００５９】
より好ましくは、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ビカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、アザトリフェニレニル基、ジアザトリフェニレニル基、キサンテニル基、アザカルバゾリル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基が挙げられる。
【００６０】
さらに好ましくは、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ビカルバゾリル基、アザトリフェニレニル基、ジアザトリフェニレニル基、キサンテニル基、アザカルバゾリル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基が挙げられる。
【００６１】
脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、オキセタニル基、ピロリジニル基等が挙げられる。
【００６２】
置換シリル基は、上記のアルキル基及び上記のアリール基から選ばれる１つ、２つ又は３つの基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基であり；例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基等が挙げられる。
【００６３】
置換アミノ基は、上記のアルキル基及び上記のアリール基から選ばれる１つ又は２つの基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基である。
好ましくは、炭素数１〜１８の上記アルキル基及び環形成炭素数６〜２５の上記アリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基が挙げられる。
より好ましくは、炭素数１〜８の上記アルキル基及び環形成炭素数６〜１８の上記アリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基が挙げられる。
さらに好ましくは、ジ置換アミノ基が好ましく、上記アリール基から選ばれる２つの基を有するジ置換アミノ基が挙げられる。
【００６４】
「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基としては、上記のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環基、モノ置換、ジ置換もしくはトリ置換シリル基、無置換、モノ置換もしくはジ置換アミノ基、シアノ基、ニトロ基及びフッ素原子が挙げられる。
【００６５】
これらの置換基はさらに置換されていてもよい。
【００６６】
以下に本発明の一実施形態である化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【化１１】
2018123083.tif 000013
【００６７】
【化１２】
2018123083.tif 000014
【００６８】
【化１３】
2018123083.tif 000015
【００６９】
【化１４】
2018123083.tif 000016
【００７０】
【化１５】
2018123083.tif 000017
【００７１】
【化１６】
2018123083.tif 000018
【００７２】
［有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液］
本発明の一態様である、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、上記アントラセン誘導体を含有する。
また、本発明の一態様である、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液は、溶媒と、該溶媒中に溶解した上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料とを含む。
【００７３】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料は、上記アントラセン誘導体を含む。上記アントラセン誘導体の含有量は、例えば、１質量％以上であればよく、１０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。
【００７４】
上記アントラセン誘導体及び有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子における材料として有用であり、例えば、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料及びドーパント材料や、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料として用いることができる。この場合、発光層は本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料と蛍光発光材料又は燐光発光材料を含有する。また、蛍光発光ユニット及び燐光発光ユニットのいずれにおいても、有機ＥＬ素子の陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層や、有機ＥＬ素子の陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層の材料、すなわち、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、電子阻止層等の材料としても有用である。
ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
【００７５】
本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子用材料溶液は、前記アントラセン誘導体を必須成分とするが、塗布法における成膜性向上の観点で高分子化合物を添加してもよい。
溶媒、前記アントラセン誘導体及び高分子化合物を含む溶液を固体平面に塗布して乾燥させる成膜方法の場合、高分子化合物マトリクス中に前記アントラセン誘導体が均一に分散して、均一かつ平滑な薄膜が形成され得る。
この場合に使用可能な高分子化合物としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ゼオノア（ＺＥＯＮＯＲ［商標］）、ゼオネックス（ＺＥＯＮＥＸ［商標］）等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。
【００７６】
本発明の有機ＥＬ素子用材料を、発光層に使用する場合、ドーパントとして発光材料を含有することが好ましい。
発光材料の含有量は、上記アントラセン誘導体及び発光材料の合計量に対して、発光材料が０．１〜７０質量%が好ましい。発光材料が燐光発光材料の場合の含有量は、１〜７０質量％が好ましく、１〜３０質量％がさらに好ましい。
【００７７】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
本発明の一態様の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に、少なくとも発光層を含む１層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が上記アントラセン誘導体を含有することを特徴とする。
前述の有機ＥＬ素子用材料が含まれる有機薄膜層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層等）、発光層、陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層（電子輸送層、電子注入層等）、スペース層、障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前述の有機ＥＬ素子用材料は、上記いずれの層に含まれていてもよく、例えば、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料やドーパント材料、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料、発光ユニットの正孔輸送層、電子輸送層等として用いることができる。
【００７８】
一実施形態においては、発光層が、前記アントラセン誘導体を含有する。
【００７９】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
【００８０】
従って、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
（ａ）正孔輸送層／発光層（／電子輸送層）
（ｂ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層）
（ｃ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｅ）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇ）正孔輸送層／電子障壁層／発光層（／電子輸送層）
（ｈ）正孔輸送層／発光層／正孔障壁層（／電子輸送層）
（ｉ）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット障壁層（／電子輸送層）
【００８１】
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光層（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
尚、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【００８２】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。
【００８３】
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
【００８４】
図１に、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、蛍光ホスト材料と蛍光ドーパント（蛍光発光材料）を含む少なくとも１つの蛍光発光層を含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層（陽極側有機薄膜層）６等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層（陰極側有機薄膜層）７等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率を高めることができる。
【００８５】
尚、本明細書において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を構成する材料を意味し、蛍光発光層を構成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【００８６】
（基板）
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。
【００８７】
（陽極）
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００８８】
（陰極）
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。
【００８９】
（発光層）
発光機能を有する有機層であって、所望により、発光材料の他に、発光性ドーパント（燐光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパント）を含有してもよい。また、上記の化合物を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。
ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【００９０】
ここで、上記発光層は、例えば、電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせる等して、発光層内のキャリアバランスを調整するダブルホスト（ホスト・コホストともいう）を採用してもよい。
また、量子収率の高いドーパント材料を二種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光するダブルドーパントを採用してもよい。具体的には、ホスト、赤色ドーパント及び緑色ドーパントを共蒸着することによって、発光層を共通化して黄色発光を実現する態様が挙げられる。
【００９１】
上記発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。
【００９２】
発光層を形成する燐光ドーパント（燐光発光材料）は三重項励起状態から発光することのできる化合物であり、三重項励起状態から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕから選択される少なくとも一つの金属と配位子とを含む有機金属錯体であることが好ましい。前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ｉｒ，Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体、特にオルトメタル化錯体がより好ましく、イリジウム錯体及び白金錯体がさらに好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が特に好ましい。
【００９３】
燐光ドーパントの発光層における含有量は特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。
燐光ドーパントの含有量が０．１質量％以上であると十分な発光が得られ、７０質量％以下であると濃度消光を避けることができる。
【００９４】
燐光ドーパントとして好ましい有機金属錯体の具体例を、以下に示す。
【化１７】
2018123083.tif 000019
【００９５】
【化１８】
2018123083.tif 000020
【００９６】
【化１９】
2018123083.tif 000021
【００９７】
【化２０】
2018123083.tif 000022
【００９８】
さらに、本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子においては、燐光発光材料として、下記式（Ｘ）又は（Ｙ）で表される錯体が好ましい。
【化２１】
2018123083.tif 000023
【００９９】
式（Ｘ）、（Ｙ）において、Ｒ１０は、水素原子又は置換基であり、ｋは、１〜４の整数である。Ｍは、Ｉｒ、Ｏｓ、又はＰｔである。
Ｒ１０の示す置換基としては、上記式（１）のＲ０〜Ｒ８等で例示した置換基と同様のものが挙げられる。
【０１００】
燐光ホストは、燐光ドーパントの三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることにより、燐光ドーパントを効率的に発光させる機能を有する化合物である。本発明の一実施形態の化合物及び有機ＥＬ素子用材料は燐光ホストとして有用であるが、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物も、燐光ホストとして、上記目的に応じて適宜選択することができる。また、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料は、上記燐光ホストへの適用に限定されない。
本発明の一実施形態の化合物とそれ以外の化合物を同一の発光層内の燐光ホスト材料として併用してもよいし、複数の発光層がある場合には、そのうちの一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料を用い、別の一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。また、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料は発光層以外の有機層にも使用しうるものであり、その場合には発光層の燐光ホストとして、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。
【０１０１】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物で、燐光ホストとして好適な化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェ
ニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。燐光ホストは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
【０１０２】
【化２２】
2018123083.tif 000024
【０１０３】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子は、蛍光発光材料を含有する発光層、つまり蛍光発光層を有していてもよい。蛍光発光層としては、公知の蛍光発光材料を使用できる。
該蛍光発光材料としては、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体及びアリールアミン誘導体から選択される少なくとも１種が好ましく、アントラセン誘導体、アリールアミン誘導体がより好ましい。特に、ホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、ドーパントとしてはアリールアミン誘導体が好ましい。具体的には、国際公開第２０１０／１３４３５０号や国際公開第２０１０／１３４３５２号に記載する好適な材料が選択される。本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料は、蛍光発光層の蛍光発光材料として用いてもよく、蛍光発光層のホスト材料として用いてもよい。
【０１０４】
蛍光性ドーパントは一重項励起子から発光することのできる化合物である。蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
【０１０５】
縮合多環アミン誘導体としては、下記式（２０）で表されるものが好ましい。
【化２３】
2018123083.tif 000025
式（２０）中、Ｙは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素基を示す。
Ａｒ１０１、Ａｒ１０２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
Ｙの具体例としては、前述する縮合アリール基が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基である。
ｎは１〜４の整数である。ｎは１〜２の整数であることが好ましい。
前記式（２０）は、下記式（２１）〜（２４）で表されるものが好ましい。
【０１０６】
【化２４】
2018123083.tif 000026
【０１０７】
式（２１）〜（２４）中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇはそれぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基を示す。
Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇはそれぞれ、縮合多環骨格を構成するベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
【０１０８】
Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇの好ましい例としては置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基であり、より好ましくは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基等である。
【０１０９】
ｔは０〜１０の整数を示す。ｕは０〜８の整数を示す。ｍは０〜１０の整数を示す。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の好ましい例としては、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基等である。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の置換基の好ましい例としては、アルキル基、シアノ基、置換もしくは無置換のシリル基である。
【０１１０】
式（２１）〜（２４）においてアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基の例として上記で例示したものが挙げられる。
【０１１１】
炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０）のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられ、好ましくは、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基等が挙げられる。
【０１１２】
炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０）のアルキニル基としては、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。
【０１１３】
アルキルゲルマニウム基としては、メチルヒドロゲルミル基、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリプロピルゲルミル基、ジメチル−ｔ−ブチルゲルミル基等が挙げられる。
【０１１４】
アリールゲルマニウム基としては、フェニルジヒドロゲルミル基、ジフェニルヒドロゲルミル基、トリフェニルゲルミル基、トリトリルゲルミル基、トリナフチルゲルミル基等が挙げられる。
【０１１５】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（１７）及び（１８）で表されるものが好ましい。
【０１１６】
【化２５】
2018123083.tif 000027
【０１１７】
式（１７）中、Ａｒ３０１はｋ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、ジスチリルアリール基に対応するｋ価の基であり、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３はそれぞれ環形成炭素数が６〜２０のアリール基であり、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３は置換されていてもよい。
ｋは１〜４の整数であり、そのなかでもｋは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ３０１〜Ａｒ３０３のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ３０２又はＡｒ３０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。
ここで、環形成炭素数が６〜２０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【０１１８】
式（１８）中、Ａｒ３０４〜Ａｒ３０６は、ｖ価の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。ｖは１〜４の整数であり、そのなかでもｖは１〜２の整数であるのが好ましい。
ここで、式（１８）中の環形成炭素数が６〜４０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は式（２０）で示されるアリール基が好ましい。
【０１１９】
尚、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０のアリール基、環形成炭素数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環形成炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【０１２０】
（電子供与性ドーパント）
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子は、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパントを有することも好ましい。このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。ここで、電子供与性ドーパントとは、仕事関数３．８ｅＶ以下の金属を含有するものをいい、その具体例としては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【０１２１】
アルカリ金属としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。アルカリ土類金属としては、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０ｅＶ〜２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
【０１２２】
アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。希土類金属化合物としては、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【０１２３】
アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
電子供与性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物（発光材料や電子注入材料）を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機化合物：電子供与性ドーパント＝１００：１〜１：１００、好ましくは５：１〜１：５である。
【０１２５】
電子供与性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ〜１５ｎｍで形成する。電子供与性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ〜１ｎｍで形成する。
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子における、主成分と電子供与性ドーパントの割合は、モル比で主成分：電子供与性ドーパント＝５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとさらに好ましい。
【０１２６】
（電子輸送層）
電子輸送層は、発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。電子輸送層が複数層で構成される場合、陰極に近い有機層を電子注入層と定義することがある。電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。本発明の一実施形態の化合物及び有機ＥＬ素子用材料は、電子輸送層（第２の電荷輸送材料）に含有される電子輸送材料として用いることもできる。
【０１２７】
電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。
【０１２８】
【化２６】
2018123083.tif 000028
【０１２９】
式（Ａ）におけるＲ１０１〜Ｒ１０６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、オキシ基、アミノ基、炭素数１〜４０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５）の炭化水素基、炭素数１〜４０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５）のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）のアリールオキシ基、炭素数２〜４０（好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ましくは２〜５）のアルコキシカルボニル基又は環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０）の芳香族複素環基であり、これらは置換されていてもよい。
【０１３０】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。
アルキルアミノ基及びアラルキルアミノ基は−ＮＱ１Ｑ２と表される。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアラルキル基を表す。
Ｑ１及びＱ２の一方は水素原子であってもよい。
アリールアミノ基は−ＮＡｒ１’Ａｒ２’と表され、Ａｒ１’及びＡｒ２’は、それぞれ独立に、炭素数６〜５０の非縮合芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ１’及びＡｒ２’の一方は水素原子であってもよい。
【０１３１】
炭素数１〜４０の炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基を含む。
アルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹ’と表され、Ｙ’は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）であり、Ｉｎであると好ましい。
Ｌ１００は、下記式（Ａ’）又は（Ａ”）で表される基である。
【０１３２】
【化２７】
2018123083.tif 000029
【０１３３】
式（Ａ’）中、Ｒ１０７〜Ｒ１１１は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５）の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。また、前記式（Ａ”）中、Ｒ１１２〜Ｒ１２６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５）の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。
【０１３４】
式（Ａ’）及び式（Ａ”）のＲ１０７〜Ｒ１２６が示す炭素数１〜４０の炭化水素基は、前記式（Ａ）中のＲ１０１〜Ｒ１０６が示す炭化水素基と同様である。また、Ｒ１０７〜Ｒ１１１の互いに隣接する基が環状構造を形成した場合の２価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基等が挙げられる。
【０１３５】
電子輸送層に用いられる電子伝達性化合物としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。
【０１３６】
【化２８】
2018123083.tif 000030
【０１３７】
前記式中、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９、Ａｒ２１、Ａｒ２２及びＡｒ２５は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ１７とＡｒ１８、Ａｒ１９とＡｒ２１、Ａｒ２２とＡｒ２５は、たがいに同一でも異なっていてもよい。芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
【０１３８】
Ａｒ２０、Ａｒ２３及びＡｒ２４は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ２３とＡｒ２４は、互いに同一でも異なっていてもよい。２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
【０１３９】
これらの電子伝達性化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
【０１４０】
【化２９】
2018123083.tif 000031
【０１４１】
電子伝達性化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記式（Ｂ）に示す骨格を含有する５員環もしくは６員環や、下記式（Ｃ）に示す構造のものが挙げられる。
【０１４２】
【化３０】
2018123083.tif 000032
【０１４３】
前記式（Ｃ）中、Ｘ１は炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１ならびにＺ２は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。
【０１４４】
含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、５員環もしくは６員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式（Ｂ）と（Ｃ）もしくは上記式（Ｂ）と下記式（Ｄ）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物が好ましい。
【０１４５】
【化３１】
2018123083.tif 000033
【０１４６】
前記の含窒素芳香多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の式で表される含窒素複素環基から選択される。
【０１４７】
【化３２】
2018123083.tif 000034
【０１４８】
前記各式中、Ｒ’’’は、環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基又は環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）縮合芳香族複素環基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基、又は炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルコキシ基である。ｎ１は０〜５の整数であり、ｎ１が２以上の整数であるとき、複数のＲ’’’は互いに同一又は異なっていてもよい。
【０１４９】
さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式（Ｄ１）で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。
ＨＡｒ−Ｌ１０１−Ａｒ１０１−Ａｒ１０２      （Ｄ１）
前記式（Ｄ１）中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の含窒素複素環基であり、
Ｌ１０１は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族複素環基である。
Ａｒ１０１は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ１０２は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４）の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の縮合芳香族複素環基である。
【０１５０】
ＨＡｒは、例えば、下記の群から選択される。
【化３３】
2018123083.tif 000035
【０１５１】
Ｌ１０１は、例えば、下記の群から選択される。
【化３４】
2018123083.tif 000036
【０１５２】
Ａｒ１０１は、例えば、下記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）ので表される基から選択される。
【化３５】
2018123083.tif 000037
【０１５３】
前記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）中、Ｒ２０１〜Ｒ２１４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置
換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の縮合芳香族複素環基である。
Ａｒ１０３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の縮合芳香族複素環基である。
【０１５４】
Ａｒ１０２は、例えば、下記の群から選択される。
【化３６】
2018123083.tif 000038
【０１５５】
電子伝達性化合物としての含窒素芳香多環有機化合物には、この他、下記の化合物も好適に用いられる。
【０１５６】
【化３７】
2018123083.tif 000039
【０１５７】
前記式（Ｄ４）中、Ｒ２３１〜Ｒ２３４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０の脂肪族式環基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０の複素環基を表し、Ｘ２１、Ｘ２２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、又はジシアノメチレン基を表す。
【０１５８】
また、電子伝達性化合物として、下記の化合物も好適に用いられる。
【化３８】
2018123083.tif 000040
【０１５９】
前記式（Ｄ５）中、Ｒ２２１、Ｒ２２２、Ｒ２２３及びＲ２２４は互いに同一の又は異なる基であって、下記式（Ｄ６）で表される芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基である。
【化３９】
2018123083.tif 000041
【０１６０】
前記式（Ｄ６）中、Ｒ２２５、Ｒ２２６、Ｒ２２７、Ｒ２２８及びＲ２２９は互いに同一又は異なる基であって、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルコキシル基、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルキル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基である。Ｒ２２５、Ｒ２２６、Ｒ２２７、Ｒ２２８及びＲ２２９の少なくとも１つは水素原子以外の基である。
【０１６１】
さらに、電子伝達性化合物は、該含窒素複素環基又は含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。
【０１６２】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の電子輸送層は、下記式（Ｅ）〜（Ｇ）で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも１種含むことが特に好ましい。
【化４０】
2018123083.tif 000042
【０１６３】
式（Ｅ）〜式（Ｇ）中、Ｚ２０１、Ｚ２０２及びＺ２０３は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ３０１及びＲ３０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。
ｖは、０〜５の整数であり、ｖが２以上の整数であるとき、複数のＲ３０１は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する２つのＲ３０１同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ２０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）のヘテロアリール基である。
Ａｒ２０２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）のヘテロアリール基である。
但し、Ａｒ２０１、Ａｒ２０２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０）の縮合芳香族炭化水素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０（好ましくは９〜３０、より好ましくは９〜２０）の縮合芳香族複素環基である。
Ａｒ２０３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）のヘテロアリーレン基である。
Ｌ２０１、Ｌ２０２及びＬ２０３は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０（好ましくは９〜３０、より好ましくは９〜２０）の２価の縮合芳香族複素環基である。
【０１６４】
環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、べンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリミジニル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、前記アルキル基の１又は２以上の水素原子をフッ素、塩素、ヨウ素及び臭素から選ばれる少なくとも１のハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、前記アルキル基をアルキル部位としては有する基が挙げられる。
環形成炭素数６〜５０のアリーレン基としては、前記アリール基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
環形成原子数９〜５０の２価の縮合芳香族複素環基としては、前記ヘテロアリール基として記載した縮合芳香族複素環基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
【０１６５】
電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである。
また、電子輸送層に隣接して設けることができる電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
【０１６６】
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【０１６７】
また、半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化
物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【０１６８】
このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、０．１ｎｍ〜１５ｎｍ程度である。また、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子における電子注入層は、前述の電子供与性ドーパントを含有していても好ましい。
【０１６９】
［正孔注入層及び正孔輸送層］
正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい層である。
正孔注入・輸送層の材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の一実施形態の化合物及び有機ＥＬ素子用材料は、正孔輸送層（第１の電荷輸送層）に含有される正孔輸送材料として用いることもできる。
【０１７０】
正孔注入・輸送層の材料としては、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。
【０１７１】
本願発明の態様において、正孔注入・輸送層に用いられる正孔注入・輸送性化合物は、導電性ポリマーやオリゴマーから形成される。この導電性ポリマーやオリゴマーは、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物、あるいは、酸性化合物との混合物からなる。以下に本発明に用いることのできる導電性ポリマーやオリゴマーの例を示す。
混合物の形態は、固体、液体の種類は問わないが、溶液、分散液、コロイド、インク、ワニス等を、塗布法により成膜し、固体膜を得る方法が好適に用いられる。また、正孔注入・輸送性の向上のためや、成膜性を向上させることを目的に、添加剤を加えることや、成膜後に光照射をしたり、正孔注入・輸送材料と相互作用するような化合物を表層に結合、あるいは堆積させたり、溶剤でリンス（洗浄）処理する等の表面処理を施すこともできる。
正孔注入・輸送性化合物に含まれる電子供与性化合物の代表的な例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、アニリン誘導体、ピロール誘導体、フェニレンビニレン誘導体、チエニレンビニレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。これらの誘導体は分子量が１０００未満の低分子から、分子量が１０００から１００００のオリゴマー、あるいは、デンドリマー、分子量が１００００以上の高分子のいずれも該当する。中でも芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体が好適に用いられる。
【０１７２】
また、電子受容性化合物、あるいは、酸性化合物の代表的な例としては、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩；塩化鉄（ＩＩＩ）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
電子供与性化合物の場合と同様に、これらの誘導体は分子量が１０００未満の低分子から、分子量が１０００から１００００のオリゴマー、あるいは、デンドリマー、分子量が１００００以上のポリマーのいずれも該当する。
【０１７３】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
以下、本願発明の態様に用いることができる正孔注入・輸送性化合物の代表例（ｉ）〜（ｘｉ）を示す。尚、これらは単独、あるいは、混合して用いることもできるが、相対的に電子供与性のものと、相対的に電子受容性のものを混合することが望ましい。さらに、電子供与性化合物と電子受容性化合物との間での電荷移動を促進させたり、塗布成膜性を向上させるための添加剤等を第三の成分として添加することもできる。第三の成分は複数用いることもできる。
【０１７４】
【化４１】
2018123083.tif 000043
【０１７５】
（式中、Ｒ１及びＲ１’は、それぞれ独立に、水素原子及び１〜４個の炭素原子を有するアルキルから選択されるか、又はＲ１及びＲ１’は一緒になって、１〜４個の炭素原子を有するアルキレン鎖であって任意選択的に１〜１２個の炭素原子を有するアルキルもしくは芳香族基、又は１，２−シクロヘキシレン基で置換されてもよいアルキレン鎖を形成し、かつ、ｎは約６よりも大きい）
【０１７６】
（ｉｉ）及び／又は（ｉｉｉ）のモノマー単位を有するポリアニリン
【化４２】
2018123083.tif 000044
【０１７７】
（式中、ｎは、０〜４の整数であり、
ｍ−１は、１〜４の整数で、ｎ＋（ｍ−１）＝４であり、
Ｒ１は、独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、カルボン酸、ハロゲン、シアノ、又は１つ又は複数のスルホン酸、カルボン酸、ハロ、ニトロ、シアノもしくはエポキシ部分によって置換されたアルキルから選択されるか、あるいは任意の２つのＲ１基が一緒になって、１つ又は複数の二価の窒素、イオウ又は酸素原子を含んでもよい３、４、５、６又は７員の芳香族環もしくは脂環式環を完成するアルキレン又はアルケニレン鎖を形成してもよい）
【０１７８】
【化４３】
2018123083.tif 000045
【０１７９】
（式中、Ｒ１は、独立して、水素原子、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、及びウレタンから選択される基であるか；又は両方のＲ１基が一緒になって、３員環、４員環、５員環、６員環又は７員環の芳香族環又は脂環式環を完成するアルキレン鎖又はアルケニレン鎖を形成してもよく、この環は、１個又は複数の二価窒素、硫黄又は酸素原子を含んでもよい。
Ｒ２は、独立して、水素原子、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、エポキシ、シラン、シロキサン、アミドスルホネート、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、及びウレタンから選択される基である。）
【０１８０】
【化４４】
2018123083.tif 000046
【０１８１】
（式中、Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群から選択され、Ｒ１は、独立して、水素原子、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシアルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、及びウレタンから選択される基であるか；又は両方のＲ１基が一緒になってアルキレン鎖又はアルケニレン鎖を形成して、３、４、５、６、又は７員の芳香環又は脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により、１つ又は複数の二価の窒素原子、セレン原子、テルル原子、硫黄原子、又は酸素原子を含んでもよい。）
【０１８２】
【化４５】
2018123083.tif 000047
【０１８３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、ｔ−ブトキシカルボニル基、又はベンジルオキシカルボニル基を示し、Ｒ３〜Ｒ３４は、それぞれ独立して水素原子、水酸基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン基又はハロゲン原子を示し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）
【０１８４】
【化４６】
2018123083.tif 000048
【０１８５】
（式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮＨを表し、Ａは、Ｘ及びｎ個の（ＳＯ３Ｈ）基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環又はアントラセン環を表し、Ｂは、非置換もしくは置換の炭化水素基、１，３，５−トリアジン基、又は非置換もしくは置換の下記式（ｖｉｉ−１）もしくは（ｖｉｉ−２）
【化４７】
2018123083.tif 000049
【０１８６】
で示される基（式中、Ｗ１及びＷ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）基、Ｓ（Ｏ２）基、又は非置換もしくは置換基が結合したＮ、Ｓｉ、Ｐ、Ｐ（Ｏ）基を示す。）を表し、ｎは、Ａに結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｎ≦４を満たす整数であり、ｑは、ＢとＸとの結合数を示し、１≦ｑを満たす整数である。）
【０１８７】
Ｂとしては、耐久性向上及び電荷輸送性向上を図ることを考慮すると、一つ以上の芳香環を含んでいる２価以上の非置換もしくは置換の炭化水素基、２価もしくは３価の１，３，５−トリアジン基、置換もしくは非置換の２価のジフェニルスルホン基が好ましく、特に、２価もしくは３価の置換もしくは非置換ベンジル基、２価の置換もしくは非置換ｐ−キシリレン基、２価もしくは３価の置換もしくは非置換ナフチル基、２価もしくは３価の１，３，５−トリアジン基、２価の置換もしくは非置換ジフェニルスルホン基、２〜４価のパーフルオロビフェニル基、２価の置換もしくは非置換２，２−ビス（（ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロピル基、置換もしくは非置換ポリビニルベンジル基が好適である。
式（ｖｉｉ）の中でも、特に下記式（ｖｉｉ−３）で表される化合物が好ましい。
【０１８８】
【化４８】
2018123083.tif 000050
【０１８９】
【化４９】
2018123083.tif 000051
【０１９０】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基又はスルホン酸基を示し、Ａ及びＢは、それぞれ独立して、一般式（ｖｉｉｉ−１）又は（ｖｉｉｉ−２）で表される二価の基を示す。
【化５０】
2018123083.tif 000052
（式中、Ｒ４〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基又はスルホン酸基を示す。）ｍ及びｎは、それぞれ独立して、１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）
【０１９１】
（ｉｘ）下記成分の混合物
【化５１】
2018123083.tif 000053
（ｎは、３以上の整数。）
【０１９２】
（ｘ）下記成分の混合物
【化５２】
2018123083.tif 000054
【０１９３】
【化５３】
2018123083.tif 000055
（ｎは、３以上の整数。）
【０１９４】
正孔注入・輸送層の材料には架橋型材料を用いることができ、架橋型の正孔注入・輸送層としては、公知の架橋材を、熱、光等により不溶化した層が挙げられる。
【０１９５】
発光層と接する正孔注入・輸送層を湿式プロセスで形成する場合には、これらの間にインターレイヤー層を設けてもよい。
【０１９６】
インターレイヤー層は、電子ブロッキング層とも呼ばれる。インターレイヤー層を設けることにより、電子ブロッキング能力を高めることができ、また、正孔注入層に用いた材料による発光層への経時的なダメージを緩和することができる。また、インターレイヤーは正孔輸送層としての機能を有することが好ましい。インターレイヤーによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び耐久性改善が図れる。インターレイヤーは、通常、正孔注入層と発光層の間に発光層と隣接するように形成される。また、インターレイヤーは、好ましくは、正孔注入層とも隣接する。
【０１９７】
インターレイヤーを構成する材料としては、ＬＵＭＯが小さい低分子〜高分子材料を用いることができ、例えば、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）や、ポリピリジン、ポリアニリン等の側鎖や主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。インターレイヤーの厚みは、１０〜３０ｎｍ程度にすることができるが、これに限定されるものではない。
尚、この厚みは、インターレイヤーの材料のみで構成する層の厚みのことであり、発光層の材料が含まれない領域の厚みのことである。
【０１９８】
正孔輸送層を形成する他の材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記式（Ｈ）で表される芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。
【化５４】
2018123083.tif 000056
前記式（Ｈ）において、Ａｒ２１１〜Ａｒ２１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の縮合芳香族複素環基、又は、それら芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基と芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基が結合した基を表す。Ａｒ２１１とＡｒ２１２、Ａｒ２１３とＡｒ２１４は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環構造を形成してもよい。
また、前記式（Ｈ）において、Ｌ２１１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２）の縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の芳香族複素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）の縮合芳香族複素環基を表す。
【０１９９】
式（Ｈ）の化合物の具体例を以下に記す。
【０２００】
【化５５】
2018123083.tif 000057
【０２０１】
また、下記式（Ｊ）の芳香族アミンも正孔輸送層の形成に好適に用いられる。
【化５６】
2018123083.tif 000058
【０２０２】
前記式（Ｊ）において、Ａｒ２２１〜Ａｒ２２３の定義は前記式（Ｈ）のＡｒ２１１〜Ａｒ２１４の定義と同様である。以下に式（Ｊ）の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。
【０２０３】
【化５７】
2018123083.tif 000059
【０２０４】
【化５８】
2018123083.tif 000060
【０２０５】
【化５９】
2018123083.tif 000061
【０２０６】
【化６０】
2018123083.tif 000062
【０２０７】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。
正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、１０〜２００ｎｍであるのが好ましい。
【０２０８】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子では、正孔輸送層又は第１正孔輸送層の陽極側にアクセプター材料を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。
前記アクセプター材料としては下記式（Ｋ）で表される化合物が好ましい。
【０２０９】
【化６１】
2018123083.tif 000063
【０２１０】
上記式（Ｋ）中、Ｒ３１１〜Ｒ３１６は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ３１７（Ｒ３１７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。ただし、Ｒ３１１及びＲ３１２、Ｒ３１３及びＲ３１４、並びにＲ３１５及びＲ３１６の１又は２以上の対が一緒になって−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。
Ｒ３１７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アクセプター材料を含有する層の膜厚は特に限定されないが、５〜２０ｎｍであるのが好ましい。
前記アクセプター材料として下記の材料を用いてもよい。
【０２１１】
【化６２】
2018123083.tif 000064
【０２１２】
【化６３】
2018123083.tif 000065
【０２１３】
【化６４】
2018123083.tif 000066
【０２１４】
【化６５】
2018123083.tif 000067
【０２１５】
【化６６】
2018123083.tif 000068
【０２１６】
【化６７】
2018123083.tif 000069
【０２１７】
（ｎ／ｐドーピング）
上述の正孔輸送層や電子輸送層においては、特許第３６９５７１４号明細書に記載されているように、ドナー性材料のドーピング（ｎ）やアクセプター性材料のドーピング（ｐ）により、キャリア注入能を調整することができる。
ｎドーピングの代表例としては、電子輸送材料にＬｉやＣｓ等の金属をドーピングする方法が挙げられ、ｐドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にＦ４ＴＣＮＱ（２，３，５，６−Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−７，７，８，８−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）等のアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。
【０２１８】
（スペース層）
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。スペース層用の材料として、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料を用いることもできる。
【０２１９】
（障壁層）
本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層に隣接する部分に、電子障壁層、正孔障壁層、トリプレット障壁層といった障壁層を有することが好ましい。ここで、電子障壁層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔障壁層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。正孔障壁層用の材料として、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料を用いることもできる。
トリプレット障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の発光ドーパント以外の電子輸送層の分子上でのエネルギー失活を抑制する機能を有する。
トリプレット障壁層を設ける場合、燐光素子においては、発光層中の燐光発光性ドーパントの三重項エネルギーをＥＴｄ、トリプレット障壁層として用いる化合物の三重項エネルギーをＥＴＴＢとすると、ＥＴｄ＜ＥＴＴＢのエネルギー大小関係であれば、エネルギー関係上、燐光発光性ドーパントの三重項励起子が閉じ込められ（他分子へ移動できなくなり）、該ドーパント上で発光する以外のエネルギー失活経路が断たれ、高効率に発光することができると推測される。ただし、ＥＴｄ＜ＥＴＴＢの関係が成り立つ場合であってもこのエネルギー差ΔＥＴ＝ＥＴＴＢ−ＥＴｄが小さい場合には、実際の素子駆動環境である室温程度の環境下では、周辺の熱エネルギーにより吸熱的にこのエネルギー差ΔＥＴを乗り越えて三重項励起子が他分子へ移動することが可能であると考えられる。特に燐光発光の場合は蛍光発光に比べて励起子寿命が長いため、相対的に吸熱的励起子移動過程の影響が現れやすくなる。室温の熱エネルギーに対してこのエネルギー差ΔＥＴは大きい程好ましく、０．１ｅＶ以上であるとさらに好ましく、０．２ｅＶ以上であると特に好ましい。一方、蛍光素子においては、国際公開ＷＯ２０１０／１３４３５０Ａ１に記載するＴＴＦ素子構成のトリプレット障壁層用の材料として、本発明の一実施形態の有機ＥＬ素子用材料を用いることもできる。
【０２２０】
また、トリプレット障壁層を構成する材料の電子移動度は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。有機材料の電子移動度の測定方法としては、ＴｉｍｅｏｆＦｌｉｇｈｔ法等幾つかの方法が知られているが、ここではインピーダンス分光法で決定される電子移動度をいう。
電子注入層は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。これにより陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、ひいては隣接する障壁層、発光層への電子注入も促進し、より低電圧での駆動を可能にするためである。
【０２２１】
本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子に用いる、本発明の他の実施形態である化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、あるいは当該化合物を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０２２２】
本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。本発明の一実施形態である化合物を含有する層（特に発光層）を形成する方法としては、例えば、当該化合物及び必要に応じてドーパント等のその他の材料からなる溶液を成膜する方法が好ましい。
【０２２３】
塗布法としては、湿式成膜法が好適に用いられ、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。特に微細なパターニングを要する場合、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布等が好ましい。また、転写前駆基板へ本重合体を前記の湿式成膜法により成膜した後、レーザー光や熱プレス等で対象とする電極を有する配線基板上へ転写する方法を用いることもできる。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができ、その詳細は省略する。
成膜後は、真空下に加熱（上限２５０℃）乾燥して、溶媒を除去すればよく、光や２５０℃を超える高温加熱による重合反応は不要である。従って、光や２５０℃を超える高温加熱による素子の性能劣化の抑制が可能である。
【０２２４】
成膜用溶液は、少なくとも１種類の本発明の一実施形態である化合物を含有していればよく、また他の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、アクセプター材料、溶媒、安定剤等の添加剤を含んでいてもよい。
成膜用溶液は、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、例えば、増粘剤（高分子量化合物等）、粘度降下剤（低分子量化合物等）、界面活性剤等を含有していてもよい。また、保存安定性を改善するために、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等、有機ＥＬ素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有していてもよい。
上記成膜用溶液中の本発明の一実施形態である化合物の含有量は、成膜用溶液全体に対して０．１〜１５質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
【０２２５】
増粘剤として使用可能な高分子量化合物としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。
【０２２６】
塗布法に使用する塗布液（インク組成物）は、少なくとも１種類の本発明の重合体を含有していればよく、溶媒に溶解していても、分散していてもよい。上記塗布液（インク組成物）中の本発明の重合体の含有量は、成膜用溶液全体に対して、好ましくは０．１〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１０質量％である。
溶媒は好ましくは有機溶媒であり、当該有機溶媒としては、例えばクロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモアニソール等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン等のエーテル系溶媒、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、イソプロピルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、テトラデカン、デカリン、イソプロピルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２２７】
上記の溶媒のうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、少なくともトルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、アニソール、４−メトキシトルエン、２−メトキシトルエン、１，２−ジメトキシベンゼン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、シクロへキサノン、メチルシクロヘキサノンのいずれか１種以上を含むことが好ましい。
【０２２８】
上記の溶媒の中でも、前記化合物と、沸点が１１０℃以上、かつ２０℃での水への溶解度が１質量％以下である下記一般式（Ｓ１）に記載の溶媒を用いることが、より好ましい。
【０２２９】
【化６８】
2018123083.tif 000070
（一般式（Ｓ１）中、それぞれ独立に、Ｒは炭素数１〜２０の置換基であり、ｎは０〜６の整数を表す。）
【０２３０】
前記化合物と、沸点が１１０℃以上、かつ２０℃での水への溶解度が１質量％以下である上記一般式（Ｓ１）に記載の溶媒を含む成膜用の塗布液（インク組成物）であることが好ましい。また、成膜用の塗布液（インク組成物）には、必要に応じて粘度の調整剤、表面張力の調整剤、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒を添加することもできる。尚、粘度の調整剤、表面張力の調整剤、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒は、膜中に残留しても素子特性に影響を与えないものを選択するか、成膜工程で膜中から除去できるものが望ましい。
【０２３１】
［電子機器］
本発明の一態様である、電子機器は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする。
上記本発明の一態様の有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、若しくはパーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、若しくは車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【０２３２】
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【０２３３】
合成実施例１：化合物１の合成
（１）中間体Ａの合成
【化６９】
2018123083.tif 000071
【０２３４】
アルゴン雰囲気下、１，３−ジブロモベンゼン  ２００ｇ、１０−フェニル−９−アントラセンボロン酸  １２０ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ５ｇ、トルエン１０００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、５００ｍＬ）をフラスコに仕込み、８時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ａを１３９ｇ得た。中間体Ａの収率は、８５％であった。
【０２３５】
（２）化合物１の合成
【化７０】
2018123083.tif 000072
【０２３６】
アルゴン雰囲気下、中間体Ａ  ４．１ｇ、３，９’−ビカルバゾール  ３．６ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  １０ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  １２ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  ２．８８ｇ、及びトルエン  １００ｍＬをフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物１を３．５ｇ得た。化合物１の収率は、５３％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物１の分子量６６１に対し、ｍ／ｅ＝６６１であった。
【０２３７】
合成実施例２：化合物２の合成
【化７１】
2018123083.tif 000073
【０２３８】
アルゴン雰囲気下、中間体Ａ  ５．０ｇ、９，３’：６’，９’’−テルカルバゾール  ６．１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  ４０ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  ５１ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  ２．８８ｇ、及びトルエン  １００ｍＬをフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物２を４．８ｇ得た。化合物２の収率は、４８％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物２の分子量８２６に対し、ｍ／ｅ＝８２６であった。
【０２３９】
合成実施例３：化合物３の合成
（１）中間体Ｂの合成
【化７２】
2018123083.tif 000074
【０２４０】
アルゴン雰囲気下、ビス（４−ブロモフェニル）アミン  ３２．７ｇ、ジベンゾフラン−４−ボロン酸  ４４．５ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ２．３ｇ、トルエン２００ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン２００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、１５０ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｂを３７．６ｇ得た。中間体Ｂの収率は、７５％であった。
【０２４１】
（２）中間体Ｃの合成
【化７３】
2018123083.tif 000075
【０２４２】
アルゴン雰囲気下、中間体Ａ  １０．０ｇ、及びＴＨＦ  ３００ｍＬをフラスコに仕込み、−７０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液を１５．３ｍＬ滴下し−７０℃で１時間撹拌した。次にヨウ素３．４ｇを入れゆっくりと室温に戻した。反応溶液に水１００ｍＬを入れ有機層を抽出、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｃを１０．６ｇ得た。中間体Ｃの収率は、９５％であった。
【０２４３】
（３）中間体Ｄの合成
【化７４】
2018123083.tif 000076
【０２４４】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｃ  １０ｇ、３−ブロモカルバゾール５．４ｇ、  ヨウ化銅（Ｉ）５０ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド２．５２ｇ、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン  ０．６１ｇ及びトルエン  １００ｍＬをフラスコに仕込み、８時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｄを１１．１ｇ得た。中間体Ｄの収率は、８８％であった。
【０２４５】
（４）化合物３の合成
【化７５】
2018123083.tif 000077
【０２４６】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｂ  ５．０ｇ、中間体Ｄ  ５．７ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  １０ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  １１ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  １．１ｇ、及びトルエン  １００ｍＬをフラスコに仕込み、８時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物３を７．２ｇ得た。化合物３の収率は、７２％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物３の分子量９９５に対し、ｍ／ｅ＝９９５であった。
【０２４７】
合成実施例４：化合物４の合成
（１）中間体Ｅの合成
【化７６】
2018123083.tif 000078
【０２４８】
アルゴン雰囲気下、９，１０−ジブロモアントラセン  ３４ｇ、９，９−ジメチル−９−Ｈ−フルオレン−２イルボロン酸  １２ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ２ｇ、トルエン５００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、２５０ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｅを１０．１ｇ得た。中間体Ｅの収率は、４５％であった。
【０２４９】
（２）中間体Ｆの合成
【化７７】
2018123083.tif 000079
【０２５０】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｅ  １０ｇ、３−ブロモフェニルボロン酸  ３．６ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  １．０ｇ、トルエン２００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、１００ｍＬ）をフラスコに仕込み、８時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｆを２．２８ｇ得た。中間体Ｆの収率は、５２％であった。
【０２５１】
（３）化合物４の合成
【化７８】
2018123083.tif 000080
【０２５２】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｆ  ２．３ｇ、３，９’−ビカルバゾール  １．５ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  ５ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  ６ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  ０．８４ｇ、及びトルエン  ５０ｍＬをフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物４を３．０ｇ得た。化合物４の収率は、８８％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物４の分子量７７７に対し、ｍ／ｅ＝７７７であった。
【０２５３】
合成実施例５：化合物５の合成
（１）中間体Ｇの合成
【化７９】
2018123083.tif 000081
【０２５４】
アルゴン雰囲気下、１０−フェニル−９−アントラセンボロン酸  ９ｇ、２，８−ジブロモジベンゾフラン  ９．７５ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  １ｇ、トルエン５００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、２５０ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｇを１０．６ｇ得た。中間体Ｇの収率は、７０％であった。
【０２５５】
（２）化合物５の合成
【化８０】
2018123083.tif 000082
【０２５６】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｇ  ５．０ｇ、３，９’−ビカルバゾール  ３．３ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  ５ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  ６ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  １．４４ｇ、及びトルエン  ５０ｍＬをフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物５を５．２ｇ得た。化合物５の収率は、６９％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物５の分子量７５１に対し、ｍ／ｅ＝７５１であった。
【０２５７】
合成実施例６：化合物６の合成
（１）中間体Ｈの合成
【化８１】
2018123083.tif 000083
【０２５８】
アルゴン雰囲気下、２−ブロモアントラセン  ２６ｇ、２−ナフタレンボロン酸  １７ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ２ｇ、トルエン  １０００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、５００ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｈを２６ｇ得た。中間体Ｈの収率は、８５％であった。
【０２５９】
（２）中間体Ｉの合成
【化８２】
2018123083.tif 000084
【０２６０】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｈ  ２６ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド  ３３．４ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド  ２００ｍＬをフラスコに仕込み、６時間、室温にて撹拌した。反応溶液に水  ４００ｍＬを入れ得られた固体をろ過し、メタノールで洗浄し中間体Ｉを３９ｇ得た。中間体Ｉの収率は、９９％であった。
【０２６１】
（３）中間体Ｊの合成
【化８３】
2018123083.tif 000085
【０２６２】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｉ  ３９ｇ、フェニルボロン酸  １０ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ２ｇ、トルエン  １０００ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、５００ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｊを９．７ｇ得た。中間体Ｊの収率は、２５％であった。
【０２６３】
（４）中間体Ｋの合成
【化８４】
2018123083.tif 000086
【０２６４】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｊ  ９．５ｇ、３−クロロフェニルボロン酸  ３．２ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンジパラジウム（０）  ０．５ｇ、トルエン  ２５０ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、１２５ｍＬ）をフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体Ｋを９．３ｇ得た。中間体Ｋの収率は、９２％であった。
【０２６５】
（５）化合物６の合成
【化８５】
2018123083.tif 000087
【０２６６】
アルゴン雰囲気下、中間体Ｋ  ４．９ｇ、３，９’−ビカルバゾール  ３．３ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）  ５ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート  ６ｍｇ、ナトリウム−ｔ−ブトキシド  １．４４ｇ、及びトルエン  ５０ｍＬをフラスコに仕込み、１０時間、加熱還流した。加熱還流後、室温まで冷却し、反応溶液をトルエンで抽出した。得られた有機層を乾燥した後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し化合物６を４．３ｇ得た。化合物６の収率は、５５％であった。
マススペクトル分析の結果、化合物６の分子量７８７に対し、ｍ／ｅ＝７８７であった。
【０２６７】
以下の素子実施例で用いた化合物の構造式を下記に示す。
【化８６】
2018123083.tif 000088
【０２６８】
【化８７】
2018123083.tif 000089
【０２６９】
＜蒸着素子実施例＞
実施例１
（基板洗浄）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０２７０】
（正孔注入・輸送層の蒸着成膜）
洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡＴを５ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。ＨＡＴ膜の成膜に続けて、このＨＡＴ膜上に化合物ＨＴ１を８０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。ＨＴ１膜の成膜に続けて、このＨＴ１膜上に化合物ＨＴ２を１５ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。
【０２７１】
（発光層の蒸着成膜）
ＨＴ２膜上に合成実施例１で製造した化合物１と化合物ＢＤ１を共蒸着により１９：１の組成比で成膜し、膜厚２５ｎｍの発光層とした。
【０２７２】
（電子輸送層の蒸着成膜）
発光層の成膜に続けて、この発光層上に化合物ＥＴ１を２０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。ＥＴ１膜の成膜に続けて、このＥＴ１膜上に化合物ＥＴ２を５ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。
【０２７３】
（電子注入層、陰極の蒸着成膜）
ＥＴ２膜の成膜に続けて、このＥＴ２膜上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍで蒸着成膜した。このＬｉＦ膜上に金属アルミニウム（Ａｌ）を８０ｎｍの膜厚で蒸着成膜することで陰極とし、有機ＥＬ発光素子を形成した。
【０２７４】
（有機ＥＬ発光素子の性能評価）
以上のように作成した有機ＥＬ発光素子について、電圧及び外部量子効率（ＥＱＥ）を測定した。具体的な測定方法は以下の通りである。結果を表１に示す。
【０２７５】
（駆動電圧の評価）
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるようにＩＴＯ透明電極と金属Ａｌ陰極との間に通電したときの電圧（単位；Ｖ）を計測した。
（外部量子効率ＥＱＥの評価）
分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
【０２７６】
実施例２
実施例１の化合物１を合成実施例４で製造した化合物４とした以外は実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表１に示す。
【０２７７】
【表１】
2018123083.tif 000090
【０２７８】
＜塗布素子実施例＞
実施例３
（基板洗浄）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０２７９】
（正孔注入・輸送層の塗布成膜）
ＨＥＲＡＥＵＳ社製ＣＬＥＶＩＯＵＳ  ＡＩ４０８３（商品名）を３０ｎｍの膜厚でＩＴＯ基板上にスピンコート法により成膜した。成膜後、アセトンにより不要部分を除去し、次いで２００℃のホットプレートで１０分間焼成した。ＡＩ４０８３膜の成膜に続けて、ＡＩ４０８３膜上に化合物ＨＴ３の１重量パーセントのキシレン溶液を用い２５ｎｍの膜厚でスピンコート法により成膜した。成膜後、トルエンにより不要部分を除去し、ついで２００℃のホットプレートで３０分間焼成した。ＡＩ４０８３膜の成膜は大気中で行い、化合物ＨＴ３の成膜は窒素下のグローブボックス内で行った。
【０２８０】
（発光層の塗布成膜）
正孔注入・輸送層の成膜に続けて、合成実施例１で製造した化合物１と化合物ＢＤ１を１９：１の比率で含む１重量パーセントのキシレン溶液を用い２５ｎｍの膜厚でスピンコート法により成膜した。成膜後、トルエンにより不要部分を除去し、ついで１１０℃のホットプレートで３０分間焼成した。
【０２８１】
（電子輸送層の蒸着成膜）
発光層の成膜に続けて、この発光層上に化合物ＥＴ１を１０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。ＥＴ１膜の成膜に続けて、このＥＴ１膜上に化合物ＥＴ２を５ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。
【０２８２】
（電子注入層、陰極の蒸着成膜）
ＥＴ２膜の成膜に続けて、このＥＴ２膜上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。このＬｉＦ膜上に金属アルミニウム（Ａｌ）を８０ｎｍの膜厚で蒸着成膜することで陰極とし、有機ＥＬ発光素子を形成した。
【０２８３】
（有機ＥＬ発光素子の性能評価）
以上のように作成した有機ＥＬ発光素子について、実施例１と同様の方法で電圧及び外部量子効率（ＥＱＥ）を測定した。結果を表２に示す。
【０２８４】
実施例４
実施例３の化合物１を合成実施例２で製造した化合物２とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２８５】
実施例５
実施例３の化合物１を合成実施例３で製造した化合物３とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２８６】
実施例６
実施例３の化合物１を合成実施例４で製造した化合物４とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２８７】
実施例７
実施例３の化合物１を合成実施例５で製造した化合物５とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２８８】
実施例８
実施例３の化合物１を合成実施例６で製造した化合物６とし、化合物ＢＤ１の代わりに化合物ＧＤ１を用いた以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２８９】
比較例１
実施例３の化合物１を合成比較例１で製造した比較例化合物１とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２９０】
比較例２
実施例３の化合物１を合成比較例２で製造した比較例化合物２とした以外は実施例３と同様の方法で有機ＥＬ発光素子を形成した。また実施例１と同様の方法で有機ＥＬ発光素子の性能評価を行った。結果を表２に示す。
【０２９１】
【表２】
2018123083.tif 000091
【符号の説明】
【０２９２】
１  有機ＥＬ素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  陽極側有機薄膜層（第１の電荷輸送層）
７  陰極側有機薄膜層（第２の電荷輸送層）
１０  発光ユニット
【図１】
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