(57)【要約】【課題】複数のセンサチップによって構成されるセンサ部を備える放射線撮像装置において、狭額縁化に有利な技術を提供する。【解決手段】基台と、基台の表面の上に配され入射する放射線に応じた信号を生成するセンサ部と、センサ部の表面の上に配されたシンチレータパネルと、センサ部の表面および基台の側面に沿うように曲がった配線基板と、基台とシンチレータパネルとの間に配された封止部材と、を含む放射線撮像装置であって、センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、配線基板におけるセンサ部の表面を覆う部分と基台の側面を覆う部分との間の第１の部分に貫通口が配され、封止部材が、センサ部の側面と第１の部分との間に配された第１の封止部材を含む。【選択図】図２
2018100901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台の表面の上に配され入射する放射線に応じた信号を生成するセンサ部と、前記センサ部の表面の上に配されたシンチレータパネルと、前記センサ部の表面および前記基台の側面に沿うように曲がった配線基板と、前記基台と前記シンチレータパネルとの間に配された封止部材と、を含む放射線撮像装置であって、
前記センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、
前記配線基板における前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間の第１の部分に貫通口が配され、
前記封止部材が、前記センサ部の側面と前記第１の部分との間に配された第１の封止部材を含むことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記配線基板が、前記センサ部の表面および前記基台の側面にそれぞれ固定されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記封止部材は、第２の封止部材をさらに含み、
前記第２の封止部材は、
前記基台と前記シンチレータパネルとの間に前記配線基板が配される部分において、前記配線基板と前記シンチレータパネルとの間に配され、
前記基台と前記シンチレータパネルとの間に前記配線基板が配されない部分において、前記基台と前記シンチレータパネルとの間に配され、
前記第１の部分のうち前記配線基板が前記センサ部の表面から前記基台の側面に延びる方向と交差する方向の端部において、前記第１の封止部材と前記第２の封止部材とが互いに接し、
前記第１の封止部材および前記第２の封止部材によって前記放射線撮像装置の内部が封止されていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記基台の表面に対する正射影において、前記センサ部の外縁は、前記基台の外縁よりも内側に配され、
前記第１の封止部材が、前記センサ部の側面、前記基台の表面のうち前記センサ部が配されない部分および前記第１の部分によって囲まれる領域に配されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記複数のセンサチップのそれぞれに、少なくとも１つの前記配線基板が接続されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記複数のセンサチップのうち２つ以上のセンサチップによって、１つの前記配線基板が共有されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記第１の部分が、前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間を直線状に結ぶことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記第１の部分が、前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間を結ぶ線よりも前記基台の表面の側に配された部分を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記貫通口が、前記配線基板に配された導電線の間に配されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１１】
基台と、前記基台の表面の上に配され入射する放射線に応じた信号を生成するセンサ部と、前記センサ部の表面の上に配されたシンチレータパネルと、前記センサ部の表面および前記基台の側面に沿うように曲がった配線基板と、前記基台と前記シンチレータパネルとの間に配された封止部材と、を含む放射線撮像装置の製造方法であって、
前記センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、
前記封止部材は、前記センサ部の側面と前記配線基板との間に配された第１の封止部材を含み、
前記配線基板における前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間の部分に貫通口が配され、
前記貫通口を介して前記第１の封止部材の材料を注入する注入工程を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記注入工程の前に、
一端が前記センサ部の表面に固定された前記配線基板の他端の側を前記基台の側面に沿うように曲げる工程と、
前記配線基板の前記基台の側面を覆う部分を前記基台の側面に固定する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記注入工程において、前記貫通口の大きさが、前記第１の封止部材の材料を注入するためのニードルの直径よりも大きいことを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置、その製造方法および放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
医療画像診断や非破壊検査に放射線撮像装置が広く利用されている。特許文献１には、撮像領域を大面積化するために基台の表面の上に配された複数のセンサチップによって構成されるセンサ部と、センサ部の上に配されたシンチレータとを有する放射線撮像装置が示されている。また、放射線撮像装置の周囲には、外部から水分などが侵入しシンチレータが劣化することを抑制するための封止部材が配され、撮像素子から信号を出力させるための配線基板が、この封止部材を貫通して配されることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
放射線撮像装置において、有効画素端から筐体端部までの距離を短くする狭額縁化が求められている。狭額縁化するために、配線基板を複数のセンサチップによって構成されるセンサ部の端部で基台の側面に沿うように曲げる必要がある。放射線撮像装置の周囲に封止部材を配した後に配線基板を曲げる場合、封止部材が基台の側面と配線基板との間に入り込み、狭額縁化できない可能性がある。また、配線基板を曲げた後に封止部材を形成する場合、センサ部の側面が配線基板に覆われるため、センサ部と配線基板との間に封止部材の材料が十分に入り込まない可能性がある。封止部材の充填が不十分な場合、基台および複数のセンサチップの隙間を通り、外部から水分が侵入しシンチレータの防湿性が劣化する可能性がある。
【０００５】
本発明は、複数のセンサチップによって構成されるセンサ部を備える放射線撮像装置において、狭額縁化に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、基台と、基台の表面の上に配され入射する放射線に応じた信号を生成するセンサ部と、センサ部の表面の上に配されたシンチレータパネルと、センサ部の表面および基台の側面に沿うように曲がった配線基板と、基台とシンチレータパネルとの間に配された封止部材と、を含む放射線撮像装置であって、センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、配線基板におけるセンサ部の表面を覆う部分と基台の側面を覆う部分との間の第１の部分に貫通口が配され、封止部材が、センサ部の側面と第１の部分との間に配された第１の封止部材を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記手段によって、複数のセンサチップによって構成されるセンサ部を備える放射線撮像装置において、狭額縁化に有利な技術を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示す平面図および断面図。
【図２】図１の放射線撮像装置の配線基板の平面図および放射線撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図３】図１の放射線撮像装置の封止部材の材料の広がる幅の導出方法を示す図。
【図４】図２の配線基板の変形例を示す図。
【図５】図１の放射線撮像装置の変形例を示す図。
【図６】比較例の放射線撮像装置の構成例を示す断面図。
【図７】図１の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る放射線撮像装置および放射線撮像システムの具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
【００１０】
図１〜６を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置の構成および製造方法について説明する。図１は、本発明の実施形態による放射線撮像装置１００の構成を示す平面図および断面図である。図１（ａ）は、放射線撮像装置１００の構成を示す平面図である。図１（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）に示すＡ−Ａ’間およびＢ−Ｂ’間の断面図である。図１（ｄ）、（ｅ）は、図１（ａ）に示す四角形Ｃに囲まれた部分のそれぞれ異なる高さの断面図である。
【００１１】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態の放射線撮像装置１００は、センサパネル１１３とシンチレータパネル１０９とを含む。センサパネル１１３は、基台１０３の表面の上にセンサチップ固定部材１０４によって固定された複数のセンサチップ１０１が配列されたセンサ部１１４を有する。センサ部１１４が複数のセンサチップ１０１によって構成されることで、撮像領域を大面積化することができる。それぞれのセンサチップ１０１は、表面に複数のセンサが２次元アレイ状に配される。センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５は、センサチップ１０１（センサ部１１４）の２つの主面のうち放射線を入射させる側の主面といえる。センサチップ１０１（センサ部１１４）の上には、シンチレータパネル１０９が配される。シンチレータパネル１０９は、シンチレータ基台１０８とシンチレータ基台１０８の上に形成された放射線を光に変換するシンチレータ１０７とを含む。シンチレータ１０７とセンサチップ１０１とが向かい合うように、センサパネル１１３とシンチレータパネル１０９とは配される。センサチップ１０１に配されたそれぞれのセンサは、シンチレータ１０７によって放射線から変換された光に応じた電気信号を生成する光電変換素子を備える。それぞれのセンサで生成された電気信号は、それぞれのセンサチップ１０１に電気的に接続された配線基板１０２によって、センサ部１１４から出力される。配線基板１０２は、放射線撮像装置１００を狭額縁化するために、センサチップ１０１の表面１１５および基台１０３の側面１１８にそれぞれ沿うように曲がって配される。配線基板１０２は、センサチップ１０１の表面１１５において、それぞれのセンサチップ１０１と電気的に接続し、センサチップ１０１の表面１１５に固定されている。配線基板１０２は、センサ部１１４の表面に固定されているともいえる。また、配線基板１０２は、基台１０３の側面１１８に結合部材１０５によって固定されている。基台１０３の側面は、センサパネル１１３の側面１１８を構成している。このため、配線基板１０２は、センサパネル１１３の側面に固定されているともいえる。
【００１２】
センサチップ１０１には、例えばシリコン基板が用いられてもよく、この場合、センサチップ１０１に形成されるセンサは、シリコン基板上に形成されたＣＭＯＳセンサやＰＩＮセンサなどであってもよい。また、センサチップ１０１に、ガラス基板の上に配されたシリコンに、センサが形成されたチップを用いてもよい。また、シリコン以外の半導体材料にセンサを形成したチップが、センサチップ１０１に用いられてもよい。
【００１３】
シンチレータ１０７には、粒子状のシンチレータ材料や柱状結晶構造を有するシンチレータ材料が用いられてもよい。粒子状の材料として、例えば、テルビウム（Ｔｂ）が微量に添加された酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などが用いられてもよい。また、柱状結晶の材料として、例えば、タリウム（Ｔｌ）やナトリウム（Ｎａ）が添加されたヨウ化セシウム、臭化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｂｒ）が用いられてもよい。また、柱状結晶の材料として、Ｔｌが添加されたヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム（ＮａＩ：Ｔｌ、ＫＩ：Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が添加されたヨウ化リチウム（ＬｉＩ：Ｅｕ）などが用いられてもよい。シンチレータ１０７は、これらの材料をシンチレータ基台１０８の上に塗布や蒸着することによって形成されうる。図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、センサパネル１１３の表面１１５に対する正射影において、シンチレータ１０７の外縁は、シンチレータ基台１０８の外縁よりも内側に配されうる。シンチレータ基台１０８には、アルミなどの金属、ガラス、アモルファスカーボンや炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）などのカーボン系材料、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの樹脂材料などが用いられうる。
【００１４】
次に、配線基板１０２がセンサチップ１０１（センサ部１１４）に固定される接続部分の保護や、潮解性を有するシンチレータ１０７を大気中の水分などから保護するために、放射線撮像装置１００の外縁に沿って配される封止部材について説明する。本実施形態において、封止部材は、それぞれ別の工程で形成される封止部材１０６および封止部材１２６を含む。封止部材１２６は、センサパネル１１３の基台１０３とシンチレータパネル１０９との間に配される。具体的には、図１（ｂ）に示すように、基台１０３とシンチレータパネル１０９との間に配線基板１０２が配される部分において、封止部材１２６は、配線基板１０２とシンチレータパネル１０９のシンチレータ基台１０８との間に配される。また、図１（ｃ）に示すように、基台１０３とシンチレータパネル１０９との間に配線基板１０２が配されない部分において、封止部材１２６は、基台１０３とシンチレータパネル１０９のシンチレータ基台１０８との間に配される。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、基台１０３の表面１１５に対する正射影において、複数のセンサチップ１０１によって構成されるセンサ部１１４の外縁は、基台１０３の外縁よりも内側に配される。このため、センサパネル１１３の配線基板１０２に覆われる部分には空間が生じる。この空間に封止部材を配さない場合、センサパネル１１３およびシンチレータパネル１０９によって構成される放射線撮像装置１００の内部を封止する能力が低下する可能性がある。具体的には基台１０３およびセンサ部１１４を構成する複数のセンサチップ１０１の隙間を通り、外部から水分が侵入する可能性がある。そこで、センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５および基台１０３の側面１１８に沿うように曲がった配線基板１０２とセンサパネル１１３との間には、センサ部１１４の周囲を封止するための封止部材１０６が配される。封止部材１０６の形成方法については後述する。
【００１６】
図１（ｄ）は、図１（ａ）の四角形Ｃで囲まれた部分のセンサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５の高さでの断面図を示す。図１（ｄ）に示すように、配線基板１０２の配線基板１０２がセンサパネルから延在する方向と交差する方向の端部において、封止部材１０６と封止部材１２６とが互いに接する。換言すると、基台１０３とセンサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５との間は、封止部材１０６および封止部材１２６によって封止される。図１（ｅ）は、図１（ａ）の四角形Ｃで囲まれた部分のセンサパネル１１３の表面１１５とシンチレータ基台１０８との間の高さでの断面を示す。図１（ｅ）で示されるように、センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５とシンチレータ基台１０８との間は、封止部材１２６によって封止される。このように、封止部材１０６および封止部材１２６によって、センサパネル１１３の基台１０３とシンチレータパネル１０９のシンチレータ基台１０８との間の隙間が封止される。結果として、放射線撮像装置１００に配されたセンサパネル１１３およびシンチレータ１０７を大気中の塵埃や水分などから保護することが可能となる。封止部材１０６および封止部材１２６の材料として、シリコン系樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂材料が用いられうる。封止部材１０６と封止部材１２６とは、同じ材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。
【００１７】
次いで、図２を用いて本実施形態で用いる配線基板１０２および放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。図２（ａ）は、配線基板１０２の平面図である。また、図２（ｂ）〜（ｄ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ’間での、放射線撮像装置１００の製造方法を示す断面図である。配線基板１０２には、センサチップ１０１で生成された電気信号を出力するための導電線１１２が配され、導電線１１２の間に貫通口１１１が配される。この貫通口１１１は、図２（ｂ）の断面図に示される配線基板１０２の、配線基板１０２のセンサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５を覆う部分１２１と、基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３との間の部分１２２に配されている。配線基板１０２は、貫通口１１１を開口した基板となる樹脂の上に、導体箔を接着剤などの結合層によって貼り合わせ、その後、導電線１１２などの回路が残るように導体箔をエッチングすることによって形成されうる。配線基板１０２の樹脂材料には、柔軟性および絶縁性を有している材料が用いられる。配線基板１０２の樹脂材料には、例えば、ポリイミドやポリエステルなどの樹脂材料が用いられうる。また、導電線１１２を形成するための導体箔には、電気抵抗の低い金属材料などが用いられうる。価格などの観点から導体箔として、例えば、銅が用いられる。
【００１８】
次に、放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。まず、上述の配線基板１０２が、センサパネル１１３のセンサ部１１４を構成するセンサチップ１０１に電気的に接続され、固定される。次いで、一端がセンサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５に固定された配線基板１０２の他端の側を、放射線撮像装置１００を狭額縁化するために、基台１０３の側面１１８に沿うように曲げる。曲げられた配線基板１０２は、図２（ｂ）に示すように、センサパネル１１３の基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３において、基台１０３の側面１１８に、両面テープや接着剤などを用いた結合部材１０５によって固定される。
【００１９】
配線基板１０２を基台１０３の側面１１８に固定した後、センサパネル１１３の基台１０３とシンチレータパネル１０９のシンチレータ基台１０８との間の隙間を封止するための封止部材１０６および封止部材１２６を形成する。まず、封止部材１０６を形成する方法について説明する。センサパネル１１３の配線基板１０２の部分１２２で覆われた部分（基台１０３の表面のうちセンサ部１１４で覆われない部分１２０、センサ部１１４の側面１１９および配線基板１０２の部分１２２で囲まれる部分。）に封止部材１０６を形成するために、上述のように配線基板１０２の部分１２２に設けられた貫通口１１１に封止部材１０６の材料１１６を注入するためのニードル１１７を挿入する。次いで、図２（ｃ）に示すように、配線基板１０２の貫通口１１１を通してセンサパネル１１３の配線基板１０２の部分１２２に覆われた部分に封止部材１０６の材料１１６を塗布する。この工程によって、図２（ｄ）に示すように、センサパネル１１３のセンサ部１１４の側面１１９、基台１０３の表面のうちセンサ部１１４が配されない部分１２０および配線基板１０２の部分１２２によって囲まれる領域に封止部材１０６を形成することができる。次いで、封止部材１２６を形成することによって、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように放射線撮像装置１００の内部が封止される。封止部材１２６は、配線基板１０２によって覆われる部分ではないため、ニードル１１７などを用いて封止部材１２６の材料を、それぞれ封止部材１２６を形成する部分に直接塗布することによって、封止部材１２６を形成することができる。本実施形態において、封止部材１０６を形成した後、封止部材１２６を形成する説明をしたが、封止部材１０６と封止部材１２６とを形成する順番は、これに限られるものではない。封止部材１２６を形成した後に封止部材１０６を形成してもよい。また例えば、基台１０３とシンチレータ基台１０８との間の配線基板１０２の配される部分および隣接する配線基板１０２の配されない部分ごとに、封止部材１０６と封止部材１２６とを交互に形成してもよい。
【００２０】
ここで、本実施形態の効果について説明する。基台１０３とシンチレータ基台１０８との隙間を封止する封止部材１０６および封止部材１２６を形成する工程において、封止部材１３６を形成した後、配線基板１０２をセンサパネル１１３の側面１１８に沿うように曲げる工程順序が考えられる。この工程順序を採用した場合、例えば封止部材１３６の材料を多く塗布してしまうと、図６に示すように、基台１０３の側面１１８の結合部材１０５と配線基板１０２との間に封止部材１３６が入り込んでしまう可能性がある。封止部材１３６が入り込んだ場合、配線基板１０２を基台１０３の側面に固定できなくなることによって、放射線撮像装置の信頼性が低下する可能性がある。また、基台１０３の側面１１８の結合部材１０５と配線基板１０２との間に封止部材１３６が入り込むことによって、基台１０３の側面１１８と配線基板１０２との間にスペースが生じ、狭額縁化が難しくなる。一方、本実施形態において、封止部材１０６を形成する前に配線基板１０２を基台１０３の側面１１８に結合部材１０５によって固定する。このため、基台１０３の側面１１８の結合部材１０５と配線基板１０２との間に封止部材１０６が入り込んでしまう可能性を抑制することができる。また、本実施形態において、配線基板１０２に貫通口１１１が配される。このため、センサパネル１１３の配線基板１０２に覆われる部分（基台１０３の表面のうちセンサ部１１４で覆われない部分１２０、センサ部１１４の側面１１９および配線基板１０２の部分１２２で囲まれる部分。）にも封止部材１０６の材料１１６を塗布することが可能となる。貫通口１１１が配されない配線基板を用いた場合、センサパネル１１３の配線基板１０２に覆われる部分に十分に材料１１６が充填できず、封止部材１０６が十分に形成できない可能性がある。封止部材１０６が十分に形成されない場合、基台１０３およびセンサ部１１４を構成する複数のセンサチップ１０１の隙間から水分などが侵入する可能性がある。結果として、貫通口１１１のない配線基板を用いた放射線撮像装置に対して、信頼性の高い放射線撮像装置１００が実現されうる。
【００２１】
配線基板１０２の貫通口１１１から封止部材１０６の材料１１６を注入した場合、注入された材料１１６の広がる幅は、次の（１）式より求めることができる。
【００２２】
Ｗ＝παω４ｐｔ／２μＤＨ  ・・・  （１）
ここで、αは、センサパネル１１３（基台１０３のセンサ部１１４で覆われない部分１２０およびセンサ部１１４の側面１１９）の表面粗さ（Ｒａ）と関係する粗面係数、ω（ｃｍ）は、ニードル１１７の開口の直径、ｐ（ＭＰａ）は、材料１１６を注入する際の圧力、ｔ（ｓｅｃ）は、材料を注入する時間、μ（ｄＰａ・ｓｅｃ）は、材料１１６の粘度、Ｄ（ｃｍ）およびＨ（ｃｍ）は、図３に示すように、センサパネル１１３と配線基板１０２との間の材料１１６が注入、塗布される奥行きおよび高さである。（１）式において、ＤとＨとの積は、センサパネル１１３と配線基板１０２の部分１２２との間の断面の面積（断面積）を表す。このため、（１）式は、Ｗ＝παω４ｐｔ／２μＳ（ここで、Ｓ（ｃｍ２）は、センサパネル１１３と配線基板１０２の部分１２２との間の断面積）と書き換えてもよい。例えば、それぞれのパラメータを、α＝１．１１８×１０５、ω＝０．０３１（ｃｍ）、ｐ＝０．４（ＭＰａ）、ｔ＝１５（ｓｅｃ）、μ＝２００（ｄＰａ・ｓｅｃ）、Ｄ＝０．０７６（ｃｍ）、Ｈ＝０．０７（ｃｍ）とする。この場合、Ｗ＝１．８３（ｃｍ）となるため、１．８３ｃｍ以下の幅を有し、例えば中央部に貫通口１１１を備える配線基板１０２を用いると、配線基板１０２に覆われる部分に封止部材１０６を形成することが可能となる。
【００２３】
配線基板１０２に設けられる貫通口１１１の数は、図２（ａ）に示すように、配線基板１０２の中央部に１つ配されることに限られるものではない。配線基板１０２に設けられる貫通口１１１の数は、例えば図４に示すように２つであってもよいし、３つ以上であってもよい。１つの貫通口１１１だけでは、封止部材１０６の材料１１６を十分にセンサパネル１１３と配線基板１０２の部分１２２との間に注入できない場合、他の貫通口１１１から材料１１６を注入することが可能となる。配線基板１０２に配される貫通口１１１の数や配置は、配線基板１０２の幅、封止部材１０６の材料１１６の特性、封止部材１０６の塗布に用いるニードル１１７の大きさ、ニードル１１７を用いて材料１１６を注入する際の条件などによって、適宜選択すればよい。上述の（１）式を用いて、貫通口１１１の数や配置を見積もることが可能である。
【００２４】
また、本実施形態において、配線基板１０２を基台１０３の側面１１８に固定してから封止部材１０６が形成される。このため、配線基板１０２のセンサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５を覆う部分１２１と基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３との間の部分１２２の形状は、封止部材１０６の形状によらない。図１（ｂ）に示すように、配線基板１０２の部分１２２が、センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５を覆う部分１２１と基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３との間を結ぶ線よりも基台１０３の表面から離れた側に配された部分を有していてもよい。また例えば、図２（ｅ）に示すように、配線基板１０２の部分１２２が、センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５を覆う部分１２１と基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３との間を直線状に結んでもよい。また例えば、図２（ｆ）に示すように、配線基板１０２の部分１２２が、センサチップ１０１（センサ部１１４）の表面１１５を覆う部分１２１と基台１０３の側面１１８を覆う部分１２３との間を結ぶ線よりも基台１０３の表面の側に配された部分を有してもよい。換言すると、配線基板１０２の部分１２２が、図２（ｆ）に示すように下に垂れ下がるように配されていてもよい。配線基板１０２の樹脂材料、導電線１１２の材料の特性、貫通口１１１の数や配置、封止部材１０６の材料１１６の特性、ニードル１１７を用いて材料１１６を注入する際の条件などによって、配線基板１０２の部分１２２の形状を適宜選択すればよい。
【００２５】
また、貫通口１１１の大きさが、封止部材１０６の材料１１６を注入するニードル１１７の直径よりも大きくてもよい。配線基板１０２は、上述のように柔軟性を有するため、貫通口１１１の大きさが、ニードル１１７の直径と同じであっても、また多少小さくてもニードル１１７を貫通口１１１に挿入できる。しかしながら、貫通口１１１の大きさをニードル１１７の直径よりも大きくすることで、ニードル１１７をセンサパネル１１３と配線基板１０２との間で様々な方向に傾けることが可能となる。ニードル１１７の操作性が向上することによって、より確実に封止部材１０６の材料１１６をセンサパネル１１３と配線基板１０２との間に注入し、センサパネル１１３と配線基板１０２との間に封止部材１０６を形成することが可能となる。これによって、放射線撮像装置１００の信頼性をより高めることが可能となる。ここで、ニードル１１７の直径よりも貫通口１１１の大きさが大きいとは、例えば、貫通口１１１が円の場合、円の直径がニードル１１７の直径よりも大きくてもよい。また例えば、図２（ａ）に示すように貫通口１１１が楕円形の場合、貫通口１１１の長径方向の長さがニードル１１７の直径よりも大きく、短径方向の長さがニードル１１７の直径と同等以上であってもよい。ニードル１１７を貫通口１１１に挿入する際、ニードル１１７を傾けられる角度の自由度が増す形状であればよい。
【００２６】
図１（ａ）に示される放射線撮像装置１００において、配線基板１０２は、センサ部１１４のそれぞれのセンサチップ１０１ごとに１つずつ接続されているが、これに限られることはない。それぞれのセンサチップ１０１に複数の配線基板１０２が接続されていてもよい。また、図５に示すように、センサ部１１４に配された複数のセンサチップ１０１のうち２つ以上のセンサチップ１０１で、１つの配線基板１０２が共有されていてもよい。図５に示される幅広の配線基板１０２を用いる場合、配線基板１０２に貫通口１１１が配されないと、配線基板１０２を基台１０３の側面１１８に固定した後、センサパネル１１３と配線基板１０２との間に封止部材１０６を形成することは難しい。一方、本実施形態に示す貫通口１１１が配された配線基板１０２の場合、貫通口１１１を通して封止部材１０６の材料１１６を注入し、センサパネル１１３の配線基板１０２に覆われた部分に封止部材１０６を形成することが可能となる。これによって、信頼性の高い放射線撮像装置１００の製造が実現される。
【００２７】
以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。例えば、本実施形態のセンサパネル１１３は、複数のセンサチップ１０１がタイリングされたセンサ部１１４を備えるが、１つのセンサチップによってセンサ部１１４が構成されていてもよい。
【００２８】
以下、図７を参照しながら本実施形態の放射線撮像装置１００が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるＸ線チューブ２１０で発生したＸ線２１１は、患者又は被験者２２０の胸部２２１を透過し、本発明の放射線撮像装置１００に入射する。この入射したＸ線に患者又は被験者２２０の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置１００において、Ｘ線２１１の入射に対応してシンチレータ１０７が発光し、これがセンサ部１１４に配されたセンサチップ１０１のそれぞれのセンサで光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ２３０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ２４０で観察できる。
【００２９】
また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク２５０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ２４１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ２６０によって記録媒体となるフィルム２６１に記録することもできる。
【符号の説明】
【００３０】
１００：放射線撮像装置、１０１：センサチップ１０２：配線基板、１０６、１２６：封止部材、１０９：シンチレータパネル、１１１：貫通口、１１４：センサ部、１１５：センサ部の表面、１１８：基台の側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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