(57)【要約】【課題】Ｑ値の劣化が生じ難い、縦波型の漏洩弾性波を利用した弾性波装置を提供する。【解決手段】縦波型の漏洩弾性波を利用している弾性波装置１であって、第１の媒質層３上に、第１の酸化ケイ素膜からなる第２の媒質層４が設けられており、第２の媒質層４上に圧電膜５が積層されており、圧電膜５上にＩＤＴ電極６が設けられており、第１の媒質層３における密度ρ１（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１が、圧電膜５における密度ρ０（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも大きい、弾性波装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦波型の漏洩弾性波を利用している弾性波装置であって、
第１の媒質層と、
前記第１の媒質層上に積層されており、第１の酸化ケイ素膜からなる第２の媒質層と、
前記第２の媒質層上に積層されている圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極を備え、
前記第１の媒質層における密度ρ１（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１が、前記圧電膜における密度ρ０（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも大きい、弾性波装置。
【請求項２】
前記圧電膜の厚みと、前記第２の媒質層の厚みとの合計厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λとしたときに、１．０λ以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極を覆うように前記圧電膜上に設けられた第２の酸化ケイ素膜をさらに備える、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第２の酸化ケイ素膜の厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λとしたときに、０．０５λ以下である、請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記ＩＤＴ電極が、Ａｌ、Ｃｕ及びＭｏからなる群から選択された１種の金属または該１種の金属を主体とする合金からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１の媒質層の前記第２の媒質層が積層されている側とは反対側の面に直接または間接に積層された支持基板をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縦波型の漏洩弾性波を利用した弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、縦波型の漏洩弾性表面波を用いた弾性表面波装置が知られている。例えば下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、縦波型の漏洩弾性波が用いられている。特許文献１では、ＬｉＮｂＯ３基板上に、ＡｕからなるＩＤＴ電極が設けられている。ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角が特定の範囲とされており、それによって、縦波型の漏洩弾性波を効率よく励振することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３５２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
縦波型の漏洩弾性波は、高音速である。そのため、高周波化に対応することが容易となる。しかしながら、漏洩しながら伝搬するモードであるため、Ｑ値が劣化するという問題があった。
【０００５】
他方、ＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶を用いた弾性波装置では、温度特性を改善するために、ＩＤＴ電極を覆うように酸化ケイ素膜が設けられることが多い。ところが、縦波型の漏洩弾性表面波を利用した弾性波装置では、酸化ケイ素膜によりＩＤＴ電極を覆うと、それによっても、Ｑ値が劣化するおそれがあった。
【０００６】
本発明の目的は、Ｑ値の劣化が生じ難い、縦波型の漏洩弾性波を用いた弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、縦波型の漏洩弾性波を利用している弾性波装置であって、第１の媒質層と、前記第１の媒質層上に積層されており、第１の酸化ケイ素膜からなる第２の媒質層と、前記第２の媒質層上に積層されている圧電膜と、前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極を備え、前記第１の媒質層における密度ρ１（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１が、前記圧電膜における密度ρ０（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも大きい。
【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記圧電膜の厚みと、前記第２の媒質層の厚みとの合計厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λとしたときに、１．０λ以下である。この場合には、Ｑ値の劣化がより一層生じ難い。
【０００９】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極を覆うように前記圧電膜上に設けられた第２の酸化ケイ素膜がさらに備えられている。この場合には、周波数温度特性ＴＣＦの絶対値を小さくすることができ、温度特性を改善することができる。
【００１０】
また、本発明に係る弾性波装置では、好ましくは、前記第２の酸化ケイ素膜の厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λとしたときに、０．０５λ以下である。この場合には、温度特性を改善しつつ、Ｑ値の劣化をより一層効果的に抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、Ａｌ、Ｃｕ及びＭｏからなる群から選択された１種の金属または該１種の金属を主体とする合金からなる。この場合には、電極材料が比較的軽いため、高い音速を維持することができる。
【００１２】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１の媒質層の前記第２の媒質層が積層されている側とは反対側の面に直接または間接に積層された支持基板がさらに備えられている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る弾性波装置によれば、縦波型の漏洩弾性波を利用しており、しかもＱ値の劣化を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図２】第１の実施形態についての実施例１の弾性波装置の共振特性を示す図である。
【図３】第１の媒質層がＢＮからなる、実施例２の弾性波装置の共振特性を示す図である。
【図４】第１の媒質層がＳｉＡｌＯＮからなる、実施例３の弾性波装置の共振特性を示す図である。
【図５】ＬｉＮｂＯ３の厚みと、第２の媒質層としての第１の酸化ケイ素膜の厚みの合計厚みと、共振特性における規格化Ｑ値との関係を示す図である。
【図６】第１の実施形態についての実施例４において、第１の媒質層が、Ｒｕからなる場合に、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のψと、共振周波数における位相速度との関係を示す図である。
【図７】第１の実施形態についての実施例４において、第１の媒質層が、Ｒｕからなる場合に、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のψと、比帯域幅との関係を示す図である。
【図８】第２の実施形態の弾性波装置の正面断面図である。
【図９】第２の実施形態についての実施例５における、第２の酸化ケイ素膜の厚みλを変化させた場合の共振特性を示す図である
【図１０】第３の実施形態についての実施例６の係る弾性波装置の共振特性を示す図である。
【図１１】第１の媒質層がＺｒからなる比較例の弾性波装置の共振特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１６】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１７】
本願発明者らは、上記課題を達成すべく、鋭意検討した結果、第１の媒質層、第２の媒質層、圧電膜及びＩＤＴ電極が積層されている弾性波装置において、第２の媒質層が酸化ケイ素膜からなる場合に、第１の媒質層における密度ρ１（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１が、圧電膜における密度ρ０（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも大きければ、縦波型の漏洩弾性波を利用した場合に、Ｑ値の劣化を効果的に抑制し得ることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１８】
すなわち、本発明は、本願発明者らの実験による知見に基づきなされたものである。
【００１９】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明する。
【００２０】
図１は、第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００２１】
弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は特に必須ではないが、支持基板２を用いることにより、弾性波装置１の強度を高めることができる。支持基板２の材料は特に限定されないが、十分な強度を有するため、シリコンや酸化アルミニウムなどの無機材料などが好適に用いられる。
【００２２】
支持基板２上に、第１の媒質層３及び第２の媒質層４及び圧電膜５がこの順序で積層されている。圧電膜５上には、ＩＤＴ電極６と、反射器７，８とが設けられている。それによって、１ポート型の弾性波共振子が構成されている。
【００２３】
第１の媒質層３は、前述したように、密度ρ１（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１が、圧電膜５における密度ρ０（ｋｇ／ｍ３）と弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも大きい材料からなる。この関係を満たす限り、第１の媒質層３を構成する材料は特に限定されない。本実施形態では、第１の媒質層３はＲｕ（ルテニウム）からなる。
【００２４】
第２の媒質層４は、第１の酸化ケイ素膜からなる。
【００２５】
圧電膜５は、漏洩弾性波を利用し得る適宜の圧電単結晶からなり、本実施形態では、オイラー角（９０°，９０°，４０°）のＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）からなる。
【００２６】
ところで、下記の表１は、ＬｉＮｂＯ３と、様々な材料における弾性定数Ｃ１１、密度（ｋｇ／ｍ３）及び密度と弾性定数Ｃ１１との積とを示す。また、下記の表１においては、密度とＣ１１との積について、ＬｉＮｂＯ３の場合に１．０００とした場合の他の材料における密度×Ｃ１１の規格化された値を併せて示す。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１から明らかなように、本実施形態で用いられているＲｕでは、密度ρ１×Ｃ１１＝３．６８７Ｅ＋１５＝３．６８７×１０１５であり、ＬｉＮｂＯ３における密度ρ０×Ｃ１１である９．２８０Ｅ＋１４＝９．２８０×１０１４よりもかなり大きい。
【００２９】
弾性波装置１では、上記のように、密度とＣ１１との積が大きいＲｕを用いているため、Ｑ値の劣化が生じ難く、従って良好な共振特性を得ることができる。これを、具体的な実施例１に基づき説明する。
【００３０】
（実施例１）
実施例１の弾性波装置１の設計パラメータは、以下の通りとした。弾性波装置１において、支持基板２をＳｉ（シリコン）で構成した。ＩＤＴ電極６及び反射器７，８の電極指ピッチで定まる波長λは１．７μｍとした。第１の媒質層３は、厚み０．２λのＲｕとした。第２の媒質層４として、厚み０．３λの第１の酸化ケイ素膜を用いた。なお、本実施例で使用している酸化ケイ素膜は、ＳｉＯ２である。ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５の厚みは、０．２λとした。ＩＤＴ電極６は、Ａｌ（アルミニウム）からなり、その厚みは０．０５λとした。
【００３１】
ＩＤＴ電極６の電極指の対数は１００対、反射器７，８の電極指の本数は各２０本とした。ＩＤＴ電極６における電極指交差幅は１５λとした。
【００３２】
図２は、上記実施例１の共振特性を示す。図２より、共振周波数における位相速度は５９０５ｍ／秒であり、反共振周波数における位相速度は６５２５ｍ／秒である。共振周波数と共振周波数との帯域幅である比帯域幅は共振周波数の１０．５％であった。従って、図２に示されているように、良好な共振特性が得られている。なお、Ｒｕにおける密度ρ１と弾性定数Ｃ１１との積は、ＬｉＮｂＯ３の３．９７倍である。
【００３３】
前述したように、第１の媒質層が、圧電膜における密度ρ０と、弾性定数Ｃ１１との積であるρ０×Ｃ１１よりも、密度ρ１と弾性定数Ｃ１１との積であるρ１×Ｃ１１より大きい材料からなることにより、Ｑ値の劣化が生じ難く、良好な共振特性を得ることができる。実施例１では、Ｒｕが第１の媒質層の材料として用いられているため、上記積が圧電膜５を構成しているＬｉＮｂＯ３の３．９７倍であるため、上記の通り良好な共振特性が得られている。
【００３４】
（実施例２）
実施例２の弾性波装置では、第１の媒質層３の材料として、厚み０．１５λのＢＮ（窒化ホウ素）を用いた。その他の構造は、設計パラメータを除いて、実施例１と同様とした。設計パラメータは以下の通りである。
【００３５】
ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５のオイラー角は（９０°，９０°，４０°）とし、厚み０．１λとした。
【００３６】
第１の媒質層３については、上記の通り、その厚みは０．１５λのＢＮを用いた。
【００３７】
第２の媒質層４は第１の酸化ケイ素膜からなり、その厚みは０．１λとした。
【００３８】
ＩＤＴ電極６及び反射器７，８の材料はＡｌとし、その厚みは０．０８λとした。支持基板２はＳｉ基板を用いた。
【００３９】
ＩＤＴ電極６及び反射器７，８の波長λは１．７μｍとし、ＩＤＴ電極６の電極指の対数は１００対とし、反射器７，８の電極指の本数は各２０本とした。ＩＤＴ電極６における電極指交差幅は、１５λとした。
【００４０】
図３は、実施例２の弾性波装置の共振特性を示す。
【００４１】
図３から明らかなように、実施例２の弾性波装置の共振特性においても、良好な共振特性が得られている。共振周波数における位相速度は５８９０ｍ／秒であり、反共振周波数における位相速度は６３７５ｍ／秒であり、位相速度が十分に高いことがわかる。また、比帯域幅は８．１％と十分に大きかった。
【００４２】
（実施例３）
第１の媒質層を厚み０．１５λのＳｉＡｌＯＮ（サイアロン）を用い、その他の構成は実施例２と設計パラメータを含め同様として、実施例３の弾性波装置を作製した。この実施例３の弾性波装置の共振特性を図４に示す。
【００４３】
図４から明らかなように、共振周波数における位相速度は５９４０ｍ／秒であり、反共振周波数における位相速度は６２５５ｍ／秒である。従って、実施例３においても、位相速度が十分に高かった。また、比帯域幅は５．３％と大きかった。
【００４４】
（比較例）
第１の媒質層として、厚み０．１２λのＺｒ（ジルコニウム）を用いた。その他の構成は第２の媒質層である第１の酸化ケイ素膜の厚みを０．１５λとしたことを除いては、実施例１の弾性波装置と同様にして、比較例の弾性波装置を作製した。図１１は、比較例の弾性波装置の共振特性を示す図である。
【００４５】
図１１から明らかなように、共振周波数における位相速度は５４８０ｍ／秒であり、反共振周波数における位相速度は５６７２ｍ／秒であった。従って、共振周波数における位相速度が５４８０ｍ／秒と然程高くなかった。また、比帯域幅は、３．５％と小さかった。また、共振周波数における位相速度も５４８０ｍ／秒と然程高くなかった。
【００４６】
上記のように、第１の媒質層がＲｕからなる実施例１と同様に、第１の媒質層がＢＮやＳｉＡｌＯＮからなる実施例２，３において、縦波型の漏洩弾性波の音速が十分に高く、しかも比帯域が十分に大きくされていること、すなわちＱ値の劣化が生じ難いことがわかる。これに対して、比較例では、比帯域幅が３．５％と狭くＱ値の劣化が著しいことがわかる。
【００４７】
前述した表１から明らかなように、ＬｉＮｂＯ３における密度ρ０×弾性定数Ｃ１１の値に比べ、Ｒｕ、ＳｉＡｌＯＮ及びＢＮでは、密度と弾性定数Ｃ１１との積が、ＬｉＮｂＯ３の場合に比べて、３．９７倍、３．０３倍及び１．２８倍と大きく、従って、良好な共振特性が得られている。これに対して、比較例では、Ｚｒにおける密度と弾性定数との積が、ＬｉＮｂＯ３の場合の０．９９５と小さく、従って、上記のように十分な比帯域幅が得られていない。
【００４８】
（ＬｉＮｂＯ３の厚みと第１の酸化ケイ素膜の厚みの合計厚みの好ましい範囲）
次に、上記実施例１の弾性波装置１において、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５の厚みと、第２の媒質層４としての第１の酸化ケイ素膜の合計厚みを変化させ、種々の弾性波装置を構成した。上記合計厚みと、共振特性の規格化Ｑ値との関係を図５に示す。図５から明らかなように、合計厚みが１．０λ以下であれば、規格化Ｑ値が１以上である。合計厚みが１λを超えると、合計厚みが大きくなるにつれて、規格化Ｑ値が急激に小さくなっている。そして、上記合計厚みが１．０λを超えると、共振特性上に、所望でないスプリアスが大きく現れることが確かめられている。従って、Ｑ値の観点からは、圧電膜５の厚みと、第２の媒質層４との合計厚みが１．０λ以下であれば、より好ましい。
【００４９】
上記弾性波装置１において、周波数温度特性を改善するには、第２の媒質層４である第１の酸化ケイ素膜の厚みを０．０５λ以上、より好ましくは、０．１λ以上とすることが望ましい。
【００５０】
（実施例４）
次に、実施例４として、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５のオイラー角のψを変化させ、共振特性の変化を検討した。
【００５１】
上記実施例４において、設計パラメータは、以下の通りとした。
【００５２】
ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５のオイラー角は（９０°，９０°，ψ）とし、厚みは０．１λとした。
【００５３】
第１の媒質層３はＲｕからなり、その厚みは０．３λとした。
【００５４】
第２の媒質層４は第１の酸化ケイ素膜からなり、その厚みは０．１λとした。
【００５５】
ＩＤＴ電極６の材料はＡｌとし、その厚みは０．０８λとした。
【００５６】
支持基板２としてＳｉ基板を用いた。
【００５７】
ＩＤＴ電極６及び反射器７，８の波長λ、ＩＤＴ電極６の電極指の対数、反射器７，８の電極指の本数及び電極指交差幅は、上記実施例１と同様とした。
【００５８】
図６は、第１の媒質層が、Ｒｕからなる場合に、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のψと、共振周波数における位相速度との関係を示す図であり、図７は、第１の媒質層が、Ｒｕからなる場合に、ＬｉＮｂＯ３のオイラー角のψと、比帯域幅との関係を示す図である。
【００５９】
図６より、オイラー角のψを０°〜９０°の間で変化させたとしても、位相速度は６.０ｋｍ／秒以上となり、十分高い音速が得られていることがわかる。なお、特開２００４−１３５２６７号公報では、３６°〜４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板、４１°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板あるいは６４°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板を用い、基板を伝搬する表面波伝搬方向に水平な横波成分が主体である漏洩表面波の位相速度について、４０００ｍ／秒〜４５００ｍ／秒程度である旨が記載されている。また、位相速度が５０００ｍ／秒〜７０００ｍ／秒である縦波成分が主体の第２の漏洩表面波が注目されている旨が記載されている。実施例２で得られた弾性波装置では、上記の通り、位相速度が６．０ｋｍ／秒以上と十分高いことがわかる。
【００６０】
また、図７より、オイラー角のψが１０°以上、６０°以下の範囲では、比帯域幅が０．０３以上、すなわち３％以上とされている。従って、スマートフォンなどの移動体通信装置のＲＦ段のフィルタに必要な比帯域の値である３％以上を得ることができる。よって、好ましくは、オイラー角（９０°，９０°，ψ）において、ψが、１０°以上、６０°以下の範囲であることが望ましい。
【００６１】
（実施例５）
図８は、本発明の第２の実施形態の弾性波装置の正面断面図である。第２の実施形態に係る弾性波装置１１では、ＩＤＴ電極６を覆うように第２の酸化ケイ素膜１２が積層されている。弾性波装置１１のその他の構成は、弾性波装置１と同様である。このように、ＩＤＴ電極６を覆うように、第２の酸化ケイ素膜１２を積層してもよい。その場合には、温度特性をより一層効果的に改善することができる。もっとも、第２の酸化ケイ素膜１２の厚みが厚くなりすぎると、Ｑ値が劣化するおそれがある。なお、本実施形態で使用している第１の酸化ケイ素膜および第２の酸化ケイ素膜は、ＳｉＯ２である。
【００６２】
図９は、第２の実施形態についての実施例５における弾性波装置において、第２の酸化ケイ素膜１２の厚みλを、０％、２％、４％、５％、６％、１０％、１５％、２０％、または２５％とした場合の共振特性を示す図である。また、第２の酸化ケイ素膜１２が設けていないことを除いては、上記と同様の弾性波装置の共振特性を併せて示す。なお、上記第２の酸化ケイ素膜の厚み以外の設計パラメータは、実施例１と同様とした。
【００６３】
図９から明らかなように、第２の酸化ケイ素膜１２の厚みがλの６％以下であれば、比帯域幅や山谷比の劣化が生じ難い。すなわち、Ｑ値の劣化が生じ難いことがわかる。従って、好ましくは、第２の酸化ケイ素膜１２の厚みは、λの５％以下とすることが望ましい。
【００６４】
なお、ＩＤＴ電極６を構成する材料としては、好ましくは、Ａｌ、Ｃｕ（銅）及びＭｏ（モリブデン）からなる群から選択された１種の金属または該金属を主体とする合金が好適に用いられる。
【００６５】
従来、縦波型の漏洩弾性波を用いた場合には、漏洩成分を減らすために、Ａｕなどの重い金属を電極材料として用いていた。しかしながら、重い金属を電極材料として用いると、音速が低下する。これに対して、Ａｌ、ＣｕまたはＭｏなどの比較的軽い金属をＩＤＴ電極６の材料として用いることにより、漏洩弾性波の音速の低下を抑制することができ、高い音速が確保することができる。
【００６６】
（実施例６）
なお、第１の実施形態では、圧電膜５の下方において、支持基板２との間に、第１の媒質層３及び第１の酸化ケイ素膜からなる第２の媒質層４が積層されていたが、本発明においては、第１の媒質層と第２の媒質層とを、圧電膜５の下方において、交互に複数配置してもよい。図１０は、このような構造を有する実施例６の弾性波装置の共振特性を示す図である。ここでは、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電膜５のオイラー角は、（９０°，９０°，４０°）とし、その厚みは０．２λとした。第１の媒質層として厚み０．０９λのＲｕを用い、第２の媒質層として、厚み０．１４λの第１の酸化ケイ素膜を用いた。第１の媒質層と第２の媒質層とを、３層ずつ交互に積層し、最上部の第２の媒質層上に圧電膜を積層した。また、最下層の第１の媒質層の下側にＳｉからなる支持基板を設けた。ＩＤＴ電極６として、厚み０．０６λのＡｕを用い、ＩＤＴ電極及び反射器の波長λ、ＩＤＴ電極の電極指の対数、反射器の電極指の本数及び電極指交差幅は、実施例１と同様とした。
【００６７】
図１０より、共振周波数における位相速度は、６０９９ｍ／秒であり、反共振周波数における位相速度は６７０９ｍ／秒である。従って、実施例６においても、十分高い位相速度が得られている。また、比帯域幅も１０％と十分な大きさとされている。このように、第１の媒質層と第２の媒質層とが、複数層積層されていてもよい。
【００６８】
なお、本発明は、１ポート型の弾性波共振子に限らず、縦波型の漏洩弾性波を用いた様々な弾性波フィルタ等に広く用いることができる。
【符号の説明】
【００６９】
１，１１…弾性波装置
２…支持基板
３…第１の媒質層
４…第２の媒質層
５…圧電膜
６…ＩＤＴ電極
７，８…反射器
１２…第２の酸化ケイ素膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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