(57)【要約】      （修正有）【課題】レジストの解像限界以下のレジストパターンの最小ピッチで、生産効率よくマスクのマスクパターンをワークに露光転写可能なプロキシミティ露光方法を提供する。【解決手段】レジストＲの解像限界以下である最小ピッチＰを有するレジストパターン４３に対して、レジストＲの解像限界より大きいマスクパターン３１が形成されるマスクＭを準備し、第１露光工程でマスクパターン３１をワークＷに露光転写した後、マスクＭとワークＷとをレジストパターン４３のピッチＰ分だけ相対的にステップ移動させて、第２露光工程でマスクパターン３１をワークＷに再度露光転写する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクとワークとが所定のギャップを介して対向配置され、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記ワークに照射することにより、前記マスクのマスクパターンを前記ワーク上のレジストに露光転写するプロキシミティ露光方法であって、
前記レジストの解像限界以下である最小ピッチを有するレジストパターンに対して、前記レジストの解像限界より大きいピッチで前記マスクパターンが形成される前記マスクを準備するマスク準備工程と、
前記マスクパターンを前記ワークに露光転写する第１露光工程と、
前記マスクと前記ワークとを前記レジストパターンの最小ピッチ分だけ相対的にステップ移動させる移動工程と、
前記移動工程の後に、前記マスクパターンを前記ワークに再度露光転写する第２露光工程と、を備えることを特徴とするプロキシミティ露光方法。
【請求項２】
前記レジストパターンは、前記レジストの解像限界以下である均一ピッチを有し、
前記マスクパターンは、前記レジストパターンのピッチの２倍以上の整数倍の前記ピッチで形成されることを特徴とする請求項１に記載のプロキシミティ露光方法。
【請求項３】
前記マスクパターンのサイズが前記レジストパターンの最小ピッチより大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載のプロキシミティ露光方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記移動工程における前記マスクと前記ワークの相対移動方向に並ぶ第１及び第２のマスク側マークを備え、
前記ワークは、前記移動工程における前記マスクと前記ワークの相対移動方向に並ぶ第１及び第２のワーク側マークを備え、
前記第１及び第２のマスク側マークと、第１及び第２のワーク側マークとの一方は、前記相対移動方向において所定の距離だけ互いに離間して形成され、
前記第１及び第２のマスク側マークと、第１及び第２のワーク側マークとの他方は、前記相対移動方向において前記レジストパターンの最小ピッチと前記所定の距離との和だけ互いに離間して形成され、
前記第１露光工程では、前記第１のマスク側マークと前記第1のワーク側マークとにより前記ワークと前記マスクとのアライメントを調整して露光し、
前記第２露光工程では、前記第２のマスク側マークと前記第２のワーク側マークとにより前記ワークと前記マスクとのアライメントを調整して露光することを特徴とする請求項1〜３のいずれか１項に記載のプロキシミティ露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロキシミティ露光方法に関し、より詳細には、レジストの解像限界以下のピッチでワーク上にマスクパターンが露光転写されるプロキシミティ露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロキシミティ露光は、マスクとワークとを所定のギャップで対向配置し、パターン露光用の光をマスクに向けて照射して、フォトリソグラフィ法によりマスクのマスクパターンをワークのフォトレジストに露光転写する。近年、パターンの微細化・高集積化が進められ、レジストの解像限界（分解能）以下のレジストパターンピッチでのパターンニングが要求されている。
【０００３】
特許文献１には、レジストパターンのピッチｘに対して、距離２ｘのピッチで配列した開口を有する第１マスクと、距離２ｘのピッチで配列し且つ第１マスクの開口に対して１ピッチ分ずれた第２マスクとを準備し、第１マスクと第２マスクとを１枚ずつ順次レジストに施してそれぞれ露光を行うことで、レジストの解像限界以下のピッチで露光可能とした技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１３４３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１によると、露光の都度、第１マスクと第２マスクとを交換するため、マスク交換に要する時間分タクトタイムが長くなって、生産効率が低下する問題があり、改善の余地があった。
【０００６】
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レジストの解像限界以下のレジストパターンのピッチで、生産効率よく、マスクのマスクパターンをワークに露光転写可能なプロキシミティ露光方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）  マスクとワークとが所定のギャップを介して対向配置され、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記ワークに照射することにより、前記マスクのマスクパターンを前記ワーク上のレジストに露光転写するプロキシミティ露光方法であって、
前記レジストの解像限界以下である最小ピッチを有するレジストパターンに対して、前記レジストの解像限界より大きいピッチで前記マスクパターンが形成される前記マスクを準備するマスク準備工程と、
前記マスクパターンを前記ワークに露光転写する第１露光工程と、
前記マスクと前記ワークとを前記レジストパターンの最小ピッチ分だけ相対的にステップ移動させる移動工程と、
前記移動工程の後に、前記マスクパターンを前記ワークに再度露光転写する第２露光工程と、を備えることを特徴とするプロキシミティ露光方法。
（２）  前記レジストパターンは、前記レジストの解像限界以下である均一ピッチを有し、
前記マスクパターンは、前記レジストパターンの均一ピッチの２倍以上の整数倍の前記ピッチで形成されることを特徴とする（１）に記載のプロキシミティ露光方法。
（３）  前記マスクパターンのサイズが前記レジストパターンの最小ピッチより大きいことを特徴とする（１）又は（２）に記載のプロキシミティ露光方法。
（４）  前記マスクは、前記移動工程における前記マスクと前記ワークの相対移動方向に並ぶ第１及び第２のマスク側マークを備え、
前記ワークは、前記移動工程における前記マスクと前記ワークの相対移動方向に並ぶ第１及び第２のワーク側マークを備え、
前記第１及び第２のマスク側マークと、第１及び第２のワーク側マークとの一方は、前記相対移動方向において所定の距離だけ互いに離間して形成され、
前記第１及び第２のマスク側マークと、第１及び第２のワーク側マークとの他方は、前記相対移動方向において前記レジストパターンの最小ピッチと前記所定の距離との和だけ互いに離間して形成され、
前記第１露光工程では、前記第１のマスク側マークと前記第1のワーク側マークとにより前記ワークと前記マスクとのアライメントを調整して露光し、
前記第２露光工程では、前記第２のマスク側マークと前記第２のワーク側マークとにより前記ワークと前記マスクとのアライメントを調整して露光することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のプロキシミティ露光方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のプロキシミティ露光方法によれば、レジストの解像限界以下である最小ピッチを有するレジストパターンに対して、前記レジストの解像限界より大きいピッチでマスクパターンが形成されたマスクを準備し、第１露光工程でマスクパターンをワークに露光転写した後、マスクとワークとをレジストパターンの最小ピッチ分だけ相対的にステップ移動させ、さらに第２露光工程でマスクパターンをワークに再度露光転写する。これにより、マスクパターンを、レジストの解像限界以下のレジストパターンの最小ピッチでワークに露光転写することができる。また、マスクＭの交換作業が不要になり、タクトタイムが短縮されてワークを効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る露光方法が適用される露光装置の正面図である。
【図２】本発明に係る露光方法で用いられるマスク及びワークの平面図である。
【図３】図２に示すマスクにより露光されるワークの断面図である。
【図４】本発明に係る露光手順を示す概念図である。
【図５】４つの露光エリアを有するワークにマスクパターンを露光する手順を示す概念図である。
【図６】マスクパターンの大きさと露光強度との関係を示すグラフである。
【図７】マスクパターンのピッチと露光強度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態に係る露光方法を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態の露光方法が適用される近接露光装置ＰＥは、被露光材としてのワークＷより小さいマスクＭを用い、マスクＭをマスクステージ１で保持すると共に、ワークＷをワークステージ２で保持し、マスクＭとワークＷとを近接させて所定のギャップで対向配置した状態で、照明装置３からパターン露光用の光をマスクＭに向けて照射することにより、マスクＭのパターンをワークＷ上のフォトレジストＲに露光転写する。また、ワークステージ２をマスクＭに対してＸ軸方向とＹ軸方向の二軸方向にステップ移動させて、ステップ毎に露光転写が行われる。
【００１２】
ワークステージ２をＸ軸方向にステップ移動させるため、装置ベース４上には、Ｘ軸送り台５ａをＸ軸方向にステップ移動させるＸ軸ステージ送り機構５が設置されている。Ｘ軸ステージ送り機構５のＸ軸送り台５ａ上には、ワークステージ２をＹ軸方向にステップ移動させるため、Ｙ軸送り台６ａをＹ軸方向にステップ移動させるＹ軸ステージ送り機構６が設置されている。Ｙ軸ステージ送り機構６のＹ軸送り台６ａ上には、ワークステージ２が設置されている。ワークステージ２の上面には、ワークＷがワークチャック等で真空吸引された状態で保持される。また、ワークステージ２の側部には、マスクＭの下面高さを測定するための基板側変位センサ１５が配設されている。従って、基板側変位センサ１５は、ワークステージ２と共にＸ、Ｙ軸方向に移動可能である。
【００１３】
装置ベース４上には、複数（図に示す実施形態では４本）のＸ軸リニアガイドのガイドレール５１がＸ軸方向に配置され、それぞれのガイドレール５１には、Ｘ軸送り台５ａの下面に固定されたスライダ５２が跨架されている。これにより、Ｘ軸送り台５ａは、Ｘ軸ステージ送り機構５の第１リニアモータ２０で駆動され、ガイドレール５１に沿ってＸ軸方向に往復移動可能である。また、Ｘ軸送り台５ａ上には、複数のＹ軸リニアガイドのガイドレール５３がＹ軸方向に配置され、それぞれのガイドレール５３には、Ｙ軸送り台６ａの下面に固定されたスライダ５４が跨架されている。これにより、Ｙ軸送り台６ａは、Ｙ軸ステージ送り機構６の第２リニアモータ２１で駆動され、ガイドレール５３に沿ってＹ軸方向に往復移動可能である。
【００１４】
Ｙ軸ステージ送り機構６とワークステージ２の間には、ワークステージ２を上下方向に移動させるため、比較的位置決め分解能は粗いが移動ストローク及び移動速度が大きな上下粗動装置７と、上下粗動装置７と比べて高分解能での位置決めが可能でワークステージ２を上下に微動させてマスクＭとワークＷとの対向面間のギャップを所定量に微調整する上下微動装置８が設置されている。
【００１５】
上下粗動装置７は後述の微動ステージ６ｂに設けられた適宜の駆動機構によりワークステージ２を微動ステージ６ｂに対して上下動させる。ワークステージ２の底面の４箇所に固定されたステージ粗動軸１４は、微動ステージ６ｂに固定された直動ベアリング１４ａに係合し、微動ステージ６ｂに対し上下方向に案内される。なお、上下粗動装置７は、分解能が低くても、繰り返し位置決め精度が高いことが望ましい。
【００１６】
上下微動装置８は、Ｙ軸送り台６ａに固定された固定台９と、固定台９にその内端側を斜め下方に傾斜させた状態で取り付けられたリニアガイドの案内レール１０とを備えており、該案内レール１０に跨架されたスライダ１１を介して案内レール１０に沿って往復移動するスライド体１２にボールねじのナット（図示せず）が連結されると共に、スライド体１２の上端面は微動ステージ６ｂに固定されたフランジ１２ａに対して水平方向に摺動自在に接している。
【００１７】
そして、固定台９に取り付けられたモータ１７によってボールねじのねじ軸を回転駆動させると、ナット、スライダ１１及びスライド体１２が一体となって案内レール１０に沿って斜め方向に移動し、これにより、フランジ１２ａが上下微動する。
なお、上下微動装置８は、モータ１７とボールねじによってスライド体１２を駆動する代わりに、リニアモータによってスライド体１２を駆動するようにしてもよい。
【００１８】
この上下微動装置８は、Ｚ軸送り台６ａのＹ軸方向の一端側（図１の左端側）に１台、他端側に２台、合計３台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置８は、ギャップセンサ２７による複数箇所でのマスクＭとワークＷとのギャップ量の計測結果に基づき、３箇所のフランジ１２ａの高さを独立に微調整してワークステージ２の高さ及び傾きを微調整する。
なお、上下微動装置８によってワークステージ２の高さを十分に調整できる場合には、上下粗動装置７を省略してもよい。
【００１９】
また、Ｙ軸送り台６ａ上には、ワークステージ２のＹ方向の位置を検出するＹ軸レーザ干渉計１８に対向するバーミラー１９と、ワークステージ２のＸ軸方向の位置を検出するＸ軸レーザ干渉計に対向するバーミラー（共に図示せず）とが設置されている。Ｙ軸レーザ干渉計１８に対向するバーミラー１９は、Ｙ軸送り台６ａの一側でＸ軸方向に沿って配置されており、Ｘ軸レーザ干渉計に対向するバーミラーは、Ｙ軸送り台６ａの一端側でＹ軸方向に沿って配置されている。
【００２０】
Ｙ軸レーザ干渉計１８及びＸ軸レーザ干渉計は、それぞれ常に対応するバーミラーに対向するように配置されて装置ベース４に支持されている。なお、Ｙ軸レーザ干渉計１８は、Ｘ軸方向に離間して２台設置されている。２台のＹ軸レーザ干渉計１８により、バーミラー１９を介してＹ軸送り台６ａ、ひいてはワークステージ２のＹ軸方向の位置及びヨーイング誤差を検出する。また、Ｘ軸レーザ干渉計により、対向するバーミラーを介してＸ軸送り台５ａ、ひいてはワークステージ２のＸ軸方向の位置を検出する。
【００２１】
マスクステージ１は、略長方形状の枠体からなるマスク基枠２４と、該マスク基枠２４の中央部開口にギャップを介して挿入されてＸ，Ｙ，θ方向（Ｘ，Ｙ平面内）に移動可能に支持されたマスクフレーム２５とを備えており、マスク基枠２４は装置ベース４から突設された支柱４ａによってワークステージ２の上方の定位置に保持されている。
【００２２】
マスクフレーム２５の中央部開口の下面には、枠状のマスクホルダ２６が設けられている。即ち、マスクフレーム２５の下面には、図示しない真空式吸着装置に接続される複数のマスクホルダ吸着溝が設けられており、マスクホルダ２６が複数のマスクホルダ吸着溝を介してマスクフレーム２５に吸着保持される。
【００２３】
マスクホルダ２６の下面には、マスクＭのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数のマスク吸着溝（図示せず）が開設されており、マスクＭは、マスク吸着溝を介して図示しない真空式吸着装置によりマスクホルダ２６の下面に着脱自在に保持される。
【００２４】
次に、上記した近接露光装置ＰＥを用いて、ワークＷ上にレジストＲの解像限界以下の最小ピッチ（本実施形態では、均一ピッチで、例えば１８μｍ）で、且つ、４μｍのサイズのレジストパターンを露光する場合について、詳細に説明する。なお、以下、ワークＷのレジストは、ポジ型レジストとして説明するが、ネガ型レジストであってもよい。
なお、本明細書において、「レジストパターン」とは、露光・現像後の結果物を指し、ポジ型レジストであれば、現像後にレジストが除去された部分であり、ネガ型レジストであれば、現像後に残ったレジストの部分を指す。
また、「レジストＲの解像限界」とは、実現可能なレジストパターンの最小パターン幅を指す。
【００２５】
例えば、図６に示すように、□４μｍ（一辺の長さが４μｍ）の小さなマスクパターン（開口部）を用いて露光する場合、曲線Ａに示すように、レジストＲの露光に必要な露光強度が得られない。これに対して、□１２μｍ（一辺の長さが１２μｍ）のマスクパターンで露光すると、曲線Ｂに示すように、幅４μｍの範囲で露光閾値を超える露光強度が得られる。換言すれば、４μｍのレジストパターンを得るためには、マスクパターンのサイズを□１２μｍまで大きくする必要がある。
これは、プロキシミティ露光では、露光光の拡散によりマスクパターンに入射する光がレジストＲの被露光エリアに全て照射されないため、その分、マスクパターンのサイズを大きくしなければならないためである。したがって、４μｍの大きさのレジストパターンを露光するためには、マスクパターンのピッチも１２μｍ以上必要となる。
【００２６】
また、図７の曲線Ｃに示すように、マスクパターンのサイズが１２μｍ、マスクパターンのピッチが１８μｍのマスクＭを用いて露光する場合を考える。この場合、レジストパターンのピッチ（１８μｍ）がレジストＲの解像限界以下となるが、マスクパターン（開口部）から入射する光の拡散や回折などにより、隣接するマスクパターン間の遮光されている部分にも露光強度の強い領域Ｅが生じ、レジストパターンがプロファイル不良となる。つまり、ポジ型レジストであれば、現像によりレジストが除去された部分が大きくなり、ネガ型レジストであれば、現像後に残るレジストの寸法が大きくなる。
一方、図７の曲線Ｄに示すように、マスクＭのマスクパターンが、レジストパターンのピッチＰ（１８μｍ）の２倍のピッチ２Ｐ（３６μｍ）であれば、レジストＲの解像限界より大きくなり、マスクパターン３１からの入射光の拡散や回折による影響はなく、マスクパターン３１間の露光強度は低く維持されて、レジストパターンにはプロファイル不良が生じない。
【００２７】
そこで、本実施形態の露光方法では、図２及び図３に示すように、□１２μｍのマスクパターン３１が、レジストパターン４３のピッチＰ（１８μｍ）の２倍のピッチ２Ｐ（３６μｍ）で形成されるマスクＭを用い、途中でステップ移動して２回に分けて露光することで上記の解像限界の問題を解決する。
【００２８】
また、図２に示すように、マスクＭ及びワークＷは、それぞれアライメント調整のための一対のマスク側マーク３２とワーク側マーク４２とを備える。マスク側マーク３２は、第１のマスク側マーク３２Ａと、第１のマスク側マーク３２ＡからマスクＭとワークＷの相対移動方向に所定の距離ａだけ離間して形成された第２のマスク側マーク３２Ｂと、を備える。
【００２９】
ワーク側マーク４２は、第1のワーク側マーク４２Ａと、第1のワーク側マーク４２ＡからマスクＭとワークＷの相対移動方向に、所定の距離ａとレジストパターンのピッチＰ（１８μｍ）との和の距離だけ離間して形成された第２のワーク側マーク４２Ｂとを備える。即ち、一対のワーク側マーク４２(４２Ａ，４２Ｂ)間の距離（ａ＋Ｐ）は、一対のマスク側マーク３２（３２Ａ，３２Ｂ）間の距離（ａ）よりレジストパターンのピッチＰ分だけ長くなっている。
【００３０】
次に、ピッチ２Ｐ（３６μｍ）でマスクパターン３１が形成されたマスクＭにより、ワークＷにレジストＲの解像限界より小さなピッチＰ（１８μｍ）のレジストパターン４３を形成する手順について図４を参照して具体的に説明する。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、一辺が１２μｍのマスクパターン３１が、所望のピッチＰ（１８μｍ）の２倍のピッチ２Ｐ（３６μｍ）で形成されたマスクＭを準備して、マスクホルダ２６の下面に真空式吸着装置により保持する（マスク準備工程）。
【００３２】
次いで、マスクＭとワークＷとを所定のギャップＧで対向配置し、マスクＭまたはワークＷを移動し、図示しないアライメントカメラを用いて第１のマスク側マーク３２Ａと第1のワーク側マーク４２Ａとを一致させて、マスクＭとワークＷとのアライメントを調整する。そして、照明装置３からマスクＭを介してパターン露光用の光をワークＷに照射してマスクＭのマスクパターン３１をワークＷ上に露光転写する（第１露光工程）。
【００３３】
このとき、マスクパターン３１のピッチ２Ｐは、レジストＲの解像限界より大きい３６μｍであるので、図７の曲線Ｄに示すように、マスクパターン３１からの入射光の拡散や回折による影響はなく、ワークＷには、プロファイル不良のない□１２μｍの露光済エリア４１が形成される。
【００３４】
次いで、マスクＭに対してワークＷを１ピッチ（１８μｍ）だけ左方向に相対移動すると（移動工程）、図４（ｂ）に示すように、マスクＭのマスクパターン３１は、前回露光されたワークＷの露光済エリア４１の中央に位置する。同時に、第２のマスク側マーク３２Ｂと第２のワーク側マーク４２Ｂとがアライメントカメラの同一視野内に配置される。ここで、マスクＭまたはワークＷを移動させて第２のマスク側マーク３２Ｂと第２のワーク側マーク４２Ｂとを一致させてマスクＭとワークＷとのアライメントを再度調整する。そして、照明装置３からマスクＭを介してパターン露光用の光をワークＷに照射してマスクＭのマスクパターン３１をワークＷ上に露光転写する（第２露光工程）。
【００３５】
これにより、ワークＷ上には、レジストＲの解像限界以下のピッチＰ（１８μｍ）で配列された複数の露光済エリア４１が形成される。そして、マスクパターン３１が露光されたワークＷを現像処理することで、４μｍのレジストパターン４３が１８μｍのピッチで配列されたワークＷが得られる。即ち、レジストＲの解像限界以下のピッチＰ（１８μｍ）で、レジストパターン４３が形成されたワークＷの製作が可能となる。
【００３６】
また、従来の露光方法によると、露光の都度（第１及び第２露光工程）にマスクＭの交換作業が必要であったが、本実施形態の露光方法によれば、マスクＭを交換することなく、ステップ露光するだけでレジストＲの解像限界以下のピッチＰのレジストパターン４３を形成することができ、生産効率が大幅に向上する。
【００３７】
図５は、４つの製品エリアＷａ１〜Ｗａ４を有するワークＷに、マスクパターン３１を順次露光転写して、サイズの大きなワークＷを作成する手順を示す概念図である。各製品エリアＷａ１〜Ｗａ４の大きさは、マスクＭの大きさ（厳密には、マスクパターンの大きさ）より少なくとも１ピッチ（１８μｍ）分、ワークＷとマスクＭの相対移動方向に長く設定されている。
【００３８】
まず、図５（ａ）に示すように、第１の製品エリアＷａ１にマスクパターン３１のピッチが２ピッチ（３６μｍ）のマスクＭを配置し、図４で説明したように、第１のマスク側マーク３２Ａと第1のワーク側マーク４２Ａとでアライメントを調整した後、マスクＭのマスクパターン３１を第１の製品エリアＷａ１に露光転写する。
【００３９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ワークＷをマスクＭに対して１ピッチ（１８μｍ）だけ左方向に相対移動させ、第２のマスク側マーク３２Ｂと第２のワーク側マーク４２Ｂとでアライメントを調整し、再びマスクＭのマスクパターン３１を第１の製品エリアＷａ１に露光転写する。
【００４０】
第１の製品エリアＷａ１には、マスクＭのマスクパターン３１を１ピッチ（１８μｍ）ずらした状態で２回の露光することで、露光済エリア４１（レジストパターン４３）がレジストＲの解像限界以下のピッチＰ（１８μｍ）で形成される。
【００４１】
次いで、ワークＷを左方向に大きく移動させて、第２の製品エリアＷａ２上にマスクＭを配置し、第１の製品エリアＷａ１での露光と同様に、２回露光することで、第２の製品エリアＷａ２に露光済エリア４１（レジストパターン４３）をレジストＲの解像限界以下のピッチＰ（１８μｍ）で形成する。
【００４２】
そして、図５（ｃ）に示すように、第３、及び第４の製品エリアＷａ３，Ｗａ４においても、それぞれ２回露光を行い、レジストＲの解像限界以下のピッチＰ（１８μｍ）で露光済エリア４１（レジストパターン４３）を形成する。
【００４３】
このように、４つの製品エリアＷａ１〜Ｗａ４を有するワークＷに対して、８回の露光を施すことで、従来の方法よりも効率良く、レジストＲの解像限界以下のピッチＰでレジストパターン４３を形成することができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態のプロキシミティ露光方法によれば、レジストＲの解像限界以下である最小ピッチＰを有するレジストパターン４３に対して、レジストＲの解像限界より大きいピッチ２Ｐでマスクパターン３１が形成されるマスクＭを準備し、第１露光工程でマスクパターン３１をワークＷに露光転写した後、マスクＭとワークＷとをレジストパターン４３の最小ピッチＰ分だけ相対的にステップ移動させ、さらに第２露光工程でマスクパターン３１をワークＷに再度露光転写する。これにより、マスクパターン３１を、レジストＲの解像限界以下のレジストパターン４３の最小ピッチＰで露光転写することができる。また、マスクパターン３１のサイズが、所望のレジストパターン４３のピッチＰより大きく、そのままのピッチＰではマスクＭそのものの製作が不可能な場合であっても、所望のピッチＰでワークＷに露光転写することができる。さらに、従来の露光方法で必要であったマスクＭの交換作業が不要になり、タクトタイムを短縮してワークＷを効率的に形成することができる。
【００４５】
また、レジストパターン４３は、レジストＲの解像限界以下である均一ピッチを有し、マスクパターン３１は、レジストパターン４３のピッチＰの２倍以上の整数倍のピッチ２Ｐで形成されるので、マスクパターン３１を所望の均一なピッチＰでワークＷに露光転写することができる。
【００４６】
また、マスクＭは、上記ステップ移動方向に並ぶ第１及び第２のマスク側マーク３２Ａ，３２Ｂを備え、ワークＷは、上記ステップ移動方向に並ぶ第１及び第２のワーク側マーク４２Ａ，４２Ｂを備え、第１及び第２のマスク側マーク３２Ａ，３２Ｂは、相対移動方向において所定の距離ａだけ互いに離間して形成され、第１及び第２のワーク側マーク４２Ａ，４２Ｂは、相対移動方向においてレジストパターン４３のピッチＰと所定の距離ａとの和だけ互いに離間して形成される。そして、第１露光工程では、第１のマスク側マーク３２Ａと第1のワーク側マーク４２ＡとによりワークＷとマスクＭとのアライメントを調整して露光し、第２露光工程では、第２のマスク側マーク３２Ｂと第２のワーク側マーク４２ＢとによりワークＷとマスクＭとのアライメントを調整して露光するので、マスクパターン３１が複数回に亘って露光されてもピッチ精度よくワークＷに露光転写することができる。
【００４７】
なお、上記実施形態では、ワークＷをマスクＭに対してステップ移動することでマスクＭとワークＷの相対移動を行っているが、マスクＭをワークＷに対してステップ移動させてもよい。この場合、第１及び第２のワーク側マーク４２Ａ，４２Ｂは、相対移動方向において所定の距離ａだけ互いに離間して形成され、第１及び第２のマスク側マーク３２Ａ，３２Ｂは、相対移動方向においてレジストパターン４３のピッチＰと所定の距離ａとの和だけ互いに離間して形成される。
【００４８】
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
【００４９】
例えば、本発明のプロキシミティ露光方法は、マスクパターン３１のサイズが、所望のレジストパターン４３のピッチより大きくなる傾向がある、ＯＰＣ（Optical Proximity  Correction）処理されたマスクＭにも同様に適用することができる。この場合も、レジストパターン４３のピッチの２倍のピッチのマスクパターンを有するマスクＭを用いて露光が行われる。また、ＯＰＣ処理されたマスクＭは、半導体基板を形成する際に使用される、半導体基板が露出されたコンタクトホールの露光に好適に使用される。
また、上記実施形態では、1方向（例えば、Ｘ方向）のみのレジストパターンの解像限界について考慮しているが、Ｙ方向についても考慮する場合には、同様に、Ｙ方向にもステップ移動させて、複数回に分けてステップ露光すればよい。
【００５０】
さらに、上記実施形態では、レジストパターン４３のピッチを均一とし、マスクパターン３１のピッチを、レジストパターン４３のピッチＰの２倍の整数倍としているが、本発明はこれに限らない。つまり、レジストの解像限界以下である最小ピッチを有するレジストパターンに対して、レジストの解像限界より大きいピッチでマスクパターンが形成されるマスクを使用して、本発明のステップ露光を行うものであれば、レジストパターン４３のピッチは均一なものでなくてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
３１    マスクパターン
３２Ａ        第１のマスク側マーク
３２Ｂ        第２のマスク側マーク
４１    露光済エリア
４２Ａ        第１のワーク側マーク
４２Ｂ        第２のワーク側マーク
４３    レジストパターン
ａ       所定の距離
Ｇ      ギャップ
Ｍ      マスク
Ｐ      レジストパターンのピッチ
２Ｐ      マスクパターンのピッチ
Ｗ      ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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