(57)【要約】【課題】狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１絶縁基板と、第１端子部と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１端子部及び前記第２端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置。【選択図】図１
2018120123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１端子部及び前記第２端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置。
【請求項２】
前記第２端子部は、前記第２主面に接する酸化物電極である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、前記第２主面に位置し前記第２端子部に接続された検出電極を備え、
前記第２端子部の厚さは、前記検出電極の厚さ以上である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２端子部は、前記第２主面に接する金属層と、前記金属層に接する酸化物電極と、を備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２端子部を覆う保護部材を備える、請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、前記第１絶縁基板と前記第１端子部との間に位置する第１層間絶縁膜を備え、
前記第１端子部は、前記第１層間絶縁膜の上に位置する第１酸化物電極を備える、請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１端子部は、前記第１酸化物電極の上方に第２酸化物電極を備える、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１酸化物電極と前記第２酸化物電極との間に第２層間絶縁膜を備える、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２酸化物電極は、前記第１酸化物電極に接する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１層間絶縁膜の上に金属配線を備え、前記金属配線は、前記第１酸化物電極と接続されている、請求項７乃至９の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
第１絶縁基板と、第１端子部と、前記第１絶縁基板と前記第１端子部との間に位置する第１層間絶縁膜と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１端子部は、前記第１層間絶縁膜の上に位置する第１酸化物電極と、前記第１酸化物電極の上方に位置する第２酸化物電極と、前記第１酸化物電極と前記第２酸化物電極との間に位置する第２層間絶縁膜と、を備え、
前記第２端子部は、前記第２主面に接する金属層と、前記金属層に接する第３酸化物電極と、を備え、
前記第１酸化物電極、前記第２酸化物電極、前記第３酸化物電極は、前記接続材と接する、表示装置。
【請求項１２】
第１絶縁基板と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１端子部及び前記第２端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、基板間導通構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び基板間導通構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、第１ガラス基板と、第１端子部と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１端子部と前記第２ガラス基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１端子部及び前記第２端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、表示装置が提供される。
本実施絵形態によれば、第１絶縁基板と、第１端子部と、前記第１絶縁基板と前記第１端子部との間に位置する第１層間絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１端子部は、前記第１層間絶縁膜の上に位置する第１酸化物電極と、前記第１酸化物電極の上方に位置する第２酸化物電極と、前記第１酸化物電極と前記第２酸化物電極との間に位置する第２層間絶縁膜と、を備え、前記第２端子部は、前記第２主面に接する金属層と、前記金属層に接する第３酸化物電極と、を備え、前記第１酸化物電極、前記第２酸化物電極、前記第３酸化物電極は、前記接続材と接する、表示装置が提供される。
本実施絵形態によれば、第１絶縁基板と、第１端子部と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面側に位置する第２端子部と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記第１貫通孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第１端子部及び前記第２端子部のうち少なくとも一方は前記接続材に接する酸化物電極を含む、基板間導通構造が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した第２基板の実施例を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した第２基板の実施例を示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した第２基板の実施例を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した第２基板の実施例を示す断面図である。
【図６】図６は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図７】図７は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図８】図８は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図９】図９は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図１３】図１３は、図１１に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、センサの一構成例を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルを示す断面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態の表示装置の製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、本実施形態の表示装置の製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の表示装置の製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、本実施形態の表示装置の製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、本実施形態の表示装置の製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、本実施形態の表示装置の他の製造方法を示す図である。
【図２２】図２２は、本実施形態の表示装置の他の製造方法を示す図である。
【図２３】図２３は、本実施形態の表示装置の他の製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、本実施形態の表示装置の他の構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁膜ＯＩと、液晶層ＬＣと、配線基板ＳＵＢ３と、接続材Ｃと、充填部材ＦＩと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００１１】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０と、第１端子部ＴＭ１と、配線ＷＲと、パッド電極ＰＤと、を備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤは、主面１０Ａ側に位置している。配線ＷＲは、第１端子部ＴＭ１とパッド電極ＰＤとの間に配置されている。第１端子部ＴＭ１及びパッド電極ＰＤは、配線ＷＲを介して電気的に接続されている。なお、図示しないが、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤと、第１ガラス基板１０との間や、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。また、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤは、絶縁膜等を介して互いに別の層に形成されていても良い。なお、第１ガラス基板１０は、第１絶縁基板に相当し、第２ガラス基板２０は、第２絶縁基板に相当する。また、第１絶縁基板及び第２絶縁基板としては、樹脂基板を採用することも可能である。
【００１２】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０と、第２端子部ＴＭ２と、検出電極Ｒｘと、保護部材ＰＴと、を備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。主面２０Ａは、第１端子部ＴＭ１と対向し、且つ、第１端子部ＴＭ１から第３方向Ｚに離間している。上記したような第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば、無アルカリガラスによって形成されている。図示した例では、第２端子部ＴＭ２及び検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂ側に位置している。第２端子部ＴＭ２及び検出電極Ｒｘは電気的に接続されている。保護部材ＰＴは、検出電極Ｒｘの上に配置されている。なお、保護部材ＰＴは、第２端子部ＴＭ２の上にも配置されていても良い。また、図示しないが、第２端子部ＴＭ２、検出電極Ｒｘと、第２ガラス基板２０との間に、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
【００１３】
有機絶縁膜ＯＩは、第１端子部ＴＭ１と第２ガラス基板２０との間に位置している。図示した例では、有機絶縁膜ＯＩは、第１ガラス基板１０と配線ＷＲにも接している。ここで、有機絶縁膜ＯＩは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシールなどを含んでいる。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、有機絶縁膜ＯＩに囲まれた領域に位置している。
【００１４】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装され、パッド電極ＰＤと電気的に接続されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態に適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えている基板であれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
【００１５】
ここで、本実施形態における第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との接続構造について詳述する。
【００１６】
第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する貫通孔（第１貫通孔）ＶＡを有している。図示した例では、貫通孔ＶＡは、第２端子部ＴＭ２も貫通している。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間においては、有機絶縁膜ＯＩは、貫通孔ＶＡに繋がった貫通孔（第２貫通孔）ＶＢを有している。
【００１８】
一方、第１基板ＳＵＢ１においては、第１端子部ＴＭ１は、貫通孔ＶＢに繋がった貫通孔ＶＣを有している。また、第１ガラス基板１０は、貫通孔ＶＣと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していても良い。貫通孔ＶＣ及び凹部ＣＣは、いずれも貫通孔ＶＡの直下に位置している。貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿って同一直線上に並んでおり、接続用孔Ｖを形成している。
【００１９】
なお、図示した例では、貫通孔ＶＢは、貫通孔ＶＡ及びＶＣと比較して、第２方向Ｙに拡張されている。なお、貫通孔ＶＢは、第２方向Ｙのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って貫通孔ＶＡ及びＶＣよりも拡張されている。
【００２０】
接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ及びＶＢを通って第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続している。より具体的には、接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣにおいて途切れることなく設けられている。接続材Ｃは、銀などの金属材料を含み、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものであることが望ましい。
【００２１】
図示した例では、接続材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２端子部ＴＭ２の上面ＬＴ２、第２端子部ＴＭ２の内面ＬＳ２、及び、第２ガラス基板２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。これらの内面ＬＳ２及び２０Ｓは、貫通孔ＶＡの内面を形成している。接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間において、有機絶縁膜ＯＩの内面ＯＩＳに接している。内面ＯＩＳは、貫通孔ＶＢの内面を形成している。また、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１端子部ＴＭ１の内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。内面ＬＳ１は、貫通孔ＶＣの内面を形成している。
【００２２】
なお、図示した例では、接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣの内面に設けられているが、貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣを埋めるように充填されていても良い。この場合にも、接続材Ｃは、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。
【００２３】
充填部材ＦＩは、接続用孔Ｖの中空部分に充填されている。また、充填部材ＦＩは、第２端子部ＴＭ２の上方にも配置され、接続材Ｃ及び第２端子部ＴＭ２を覆っている。充填部材ＦＩは、例えば絶縁性を有し、有機絶縁材料によって形成されている。このように、充填部材ＦＩが配置されることにより、接続用孔Ｖに中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、接続材Ｃを保護することができる。また、充填部材ＦＩは、導電性を有していても良く、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものであっても良い。充填部材ＦＩが導電性を有している場合には、接続材Ｃが途切れたとしても、充填部材ＦＩが第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。
【００２４】
上記した構成により、第２端子部ＴＭ２は、接続材Ｃ及び第１端子部ＴＭ１などを介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。このため、検出電極Ｒｘに対して信号を書き込んだり、検出電極Ｒｘから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して検出電極Ｒｘと接続可能となる。つまり、検出電極Ｒｘと制御回路とを接続するために、図１中に点線で示した配線基板ＳＵＢ４を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。
【００２５】
また、本実施形態においては、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２のうち、少なくとも一方は、接続材Ｃに接する酸化物電極を含んでいる。後述するが、例えば、第１端子部ＴＭ１は、全体が酸化物電極で形成されていても良いし、内面ＬＳ１側に接続材Ｃと接する酸化物電極を有していても良い。このとき、例えば、第２端子部ＴＭ２は、全体が、金属材料等で形成されていても良いし、酸化物電極を含んでいても良い。また、例えば、第２端子部ＴＭ２は、全体が酸化物電極で形成されていても良いし、内面ＬＳ２側に接続材Ｃと接する酸化物電極を有していても良い。このとき、例えば、第１端子部ＴＭ１は、全体が、金属材料等で形成されていても良いし、酸化物電極を含んでいても良い。また、後述するが、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２は、多層構造であっても良く、この場合、最上層が酸化物電極で形成されていても良い。  
なお、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２が酸化物電極を含んでいる場合、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２の酸化物電極以外の部分は、例えば、金属材料等によって形成されている。
【００２６】
例えば、図示した例では、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成された酸化物電極である。
【００２７】
本実施形態によれば、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２のうち、少なくとも一方は、接続材Ｃに接する酸化物電極を含んでいる。そのため、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２が金属材料で形成されている場合と比較して、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２が酸化するのを抑制することができる。よって、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２の抵抗値が経時的に上昇するのを抑制することができる。
【００２８】
また、本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に実装される配線基板ＳＵＢ３の他に、第２基板ＳＵＢ２に配線基板ＳＵＢ４が実装される例と比較して、配線基板ＳＵＢ４を実装するための端子部や、第２端子部ＴＭ２と配線基板ＳＵＢ４とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる配線基板ＳＵＢ４のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００２９】
図２は、図１に示した第２基板ＳＵＢ２の実施例を示す断面図である。  
後述するが、表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡを有している。図示した例では、検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置している。また、第２端子部ＴＭ２及び接続用孔Ｖは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
【００３０】
第２端子部ＴＭ２は、主面２０Ｂに接する金属層ＭＴと、金属層ＭＴの上に配置された酸化物電極ＯＸと、を備えている。金属層ＭＴは、例えば、モリブデンやアルミニウムを含んだ金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。また、金属層ＭＴは、検出電極Ｒｘと同一材料で同一工程で形成されていてもよい。酸化物電極ＯＸは、金属層ＭＴに接している。また、酸化物電極ＯＸは、内面ＬＳ２において接続材Ｃと接している。保護部材ＰＴは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにおいて連続して形成されている。保護部材ＰＴは、表示領域ＤＡにおいては検出電極Ｒｘの上に配置され、非表示領域ＮＤＡにおいては第２端子部ＴＭ２の上に配置されている。すなわち、保護部材ＰＴは、酸化物電極ＯＸに接している。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００３１】
図３は、図１に示した第２基板ＳＵＢ２の実施例を示す断面図である。  
図３は、図２に示した構成と比較して、非表示領域ＮＤＡにおいて保護部材ＰＴが第２端子部ＴＭ２の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第２端子部ＴＭ２は、金属層ＭＴを覆う酸化物電極ＯＸを備えているため、第２端子部ＴＭ２が酸化されるのを抑制することができる。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００３２】
図４は、図１に示した第２基板ＳＵＢ２の実施例を示す断面図である。
図４は、図２に示した構成と比較して、第２端子部ＴＭ２の全体が酸化物電極ＯＸである点で相違している。酸化物電極ＯＸは、主面２０Ｂに接している。ここで、第２端子部ＴＭ２は、第３方向Ｚに沿った厚さＷ１を有し、検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚに沿った厚さＷ２を有している。厚さＷ１は、厚さＷ２以上である。厚さＷ１は、例えば、図２に示した第２端子部ＴＭ２の第３方向Ｚに沿った厚さと略同等である。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００３３】
図５は、図１に示した第２基板ＳＵＢ２の実施例を示す断面図である。
図５は、図４に示した構成と比較して、非表示領域ＮＤＡにおいて保護部材ＰＴが第２端子部ＴＭ２の上に配置されていない点で相違している。この場合にも、第２端子部ＴＭ２は、酸化物電極ＯＸであるため、酸化されるのを抑制することができる。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００３４】
図６は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、を備えている。
【００３５】
図示した例では、第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０と、第１層間絶縁膜ＩＴ１と、第２層間絶縁膜ＩＴ２と、第１端子部ＴＭ１と、を備えている。第１層間絶縁膜ＩＴ１は、第１ガラス基板１０と第１端子部ＴＭ１との間に位置している。第１端子部ＴＭ１は、第１層間絶縁膜ＩＴ１の上に位置する第１酸化物電極ＯＸ１と、第１酸化物電極ＯＸ１の上方に位置する第２酸化物電極ＯＸ２と、を備えている。第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２は、接続材Ｃに接している。第２層間絶縁膜ＩＴ２は、第１酸化物電極ＯＸ１と第２酸化物電極ＯＸ２との間に位置している。
【００３６】
なお、第１層間絶縁膜ＩＴ１は、例えば、有機材料によって形成された有機絶縁膜であり、第２層間絶縁膜ＩＴ２は、例えば、無機材料によって形成された無機絶縁膜である。また、第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２は、例えば、それぞれ後述する共通電極及び画素電極と同一材料で同一工程にて形成されている。このとき、第２層間絶縁膜ＩＴ２は、例えば、共通電極と画素電極との間の層間絶縁膜と同一工程で同一材料にて形成されている。
【００３７】
図示した例では、第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０と、遮光層ＢＭと、オーバーコート層ＯＣと、を備えている。遮光層ＢＭは、主面２０Ａに位置している。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。
【００３８】
シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせている。ここで、有機絶縁膜ＯＩは、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥに相当する。なお、図示した例では、接続用孔Ｖは、第１ガラス基板１０まで貫通している。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００３９】
図７は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図７は、図６に示した構成と比較して、第１酸化物電極ＯＸ１と第２酸化物電極ＯＸ２との間に第１層間絶縁膜ＩＴ１が配置されていない点で相違している。すなわち、第２酸化物電極ＯＸ２は、第１酸化物電極ＯＸ１に接している。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００４０】
図８は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図８は、図６に示した構成と比較して、第１基板ＳＵＢ１が第１端子部ＴＭ１に接続された金属配線ＭＷ１及びＭＷ２を備えている点で相違している。
【００４１】
第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２は、接続用孔Ｖの周辺に配置され、接続材Ｃに接している。金属配線ＭＷ１は、第１層間絶縁膜ＩＴ１の上に配置され、第１酸化物電極ＯＸ１と電気的に接続されている。また、金属配線ＭＷ２は、第２層間絶縁膜ＩＴ２の上に配置され、第２酸化物電極ＯＸ２と電気的に接続されている。なお、第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２の端部は、それぞれ金属配線ＭＷ１及びＭＷ２の端部上に位置している。すなわち、例えば、第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２は、金属配線ＭＷ１及びＭＷ２が形成された後に形成されている。
【００４２】
図８に示した構成によれば、第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２の周辺に酸化物電極よりも抵抗値の低い金属によって形成された金属配線ＭＷ１及びＭＷ２が配置されている。そのため、図６に示した構成と比較して、第１酸化物電極ＯＸ１及び金属配線ＭＷ１が配置された層の抵抗値、及び、第２酸化物電極ＯＸ２及び金属配線ＭＷ２が配置された層の抵抗値を下げることが可能である。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００４３】
図９は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図９は、図７に示した構成と比較して、第１基板ＳＵＢ１が第１端子部ＴＭ１に接続された金属配線ＭＷ１を備えている点で相違している。
【００４４】
第１端子部ＴＭ１は、接続用孔Ｖの周辺に配置され、接続材Ｃに接している。金属配線ＭＷ１は、第１層間絶縁膜ＩＴ１の上に配置され、第１端子部ＴＭ１と電気的に接続されている。このため、図７に示した構成と比較して、第１端子部ＴＭ１及び金属配線ＭＷ１が配置された層の抵抗値を下げることが可能である。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００４５】
図１０は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図１０は、図７に示した構成と比較して、接続用孔Ｖが第１ガラス基板１０まで貫通していない点で相違している。  
図示した例では、接続用孔Ｖは、第１端子部ＴＭ１まで貫通している。接続材Ｃは、第１端子部ＴＭ１の上面に接している。  
このような構成においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００４６】
なお、図６乃至図１０に示した構成は、図２乃至図５に示したいずれの構成と組み合わされても良い。また、酸化物電極ＯＸ、第１酸化物電極ＯＸ１、及び、第２酸化物電極ＯＸ２は、その抵抗値を下げるために、多結晶化などの処理を施されても良い。
【００４７】
図１１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面を示している。
【００４８】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層に相当する表示機能層と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせている。
【００４９】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置しており、表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００５０】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。
【００５１】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００５２】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。
【００５３】
図１１では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。なお、図１１において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側の領域に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側の領域に相当する。
【００５４】
検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、接続部ＣＮとを備えている。検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図１５を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。
【００５５】
検出電極Ｒｘ１は、第２端子部ＴＭ２１と接続されている。第２端子部ＴＭ２１は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。第２端子部ＴＭ２１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。
【００５６】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続された第１端子部ＴＭ１１及び配線Ｗ１を備えている。第１端子部ＴＭ１１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に配置され、平面視でシールＳＥと重なっている。第１端子部ＴＭ１１は、平面視で第２端子部ＴＭ２１と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００５７】
接続用孔Ｖ１は、第２端子部ＴＭ２１と第１端子部ＴＭ１１とが対向する位置に形成されている。接続用孔Ｖ１は、第２端子部ＴＭ２１を含む第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥを貫通している。また、接続用孔Ｖ１は、第１端子部ＴＭ１１を貫通していてもよい。後述するが、接続用孔Ｖ１には、導電性を有する接続材Ｃが設けられている。これにより、第２端子部ＴＭ２１と第１端子部ＴＭ１１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００５８】
なお、図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。
【００５９】
図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…に接続された第２端子部ＴＭ２１、ＴＭ２３…、第１端子部ＴＭ１１、ＴＭ１３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、及び、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…に接続された第２端子部ＴＭ２２、ＴＭ２４…、第１端子部ＴＭ１２、ＴＭ１４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、及び、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。また、配線Ｗは、第１端子部を介して検出電極Ｒｘに接続されており、検出電極Ｒｘに接続された配線Ｗが第1基板ＳＵＢ１側に形成されることで第２基板ＳＵＢ２に配線Ｗを形成するための領域が不要であり、他の部材を配置するための領域を拡大できるほか、第２基板ＳＵＢ２の形状のレイアウトの自由度を向上することができる。
【００６０】
図示したように、第１端子部ＴＭ１３が第１端子部ＴＭ１１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、第１端子部ＴＭ１３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、第１端子部ＴＭ１４の内側を迂回し、第１端子部ＴＭ１４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
【００６１】
図１２は、図１１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。
【００６２】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
【００６３】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００６４】
図１３は、図１１に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。  
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００６５】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
【００６６】
第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａに位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００６７】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００６８】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００６９】
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００７０】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。また、カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００７１】
検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
【００７２】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００７３】
走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。例えば、走査線Ｇはモリブデンやタングステンを有する金属材料によって形成され、信号線Ｓはアルミニウムやチタンを有する金属材料によって形成され、金属層Ｍはアルミニウムやモリブデンを有する金属材料によって形成される。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００７４】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
【００７５】
図１４は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００７６】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１端子部に接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００７７】
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを兼ねる。すなわち、センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００７８】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センサ駆動電極Ｔｘとの間で静電容量を発生させる。この静電容量は指等の被検出物の近接によって変化する。検出電極からは、かかる静電容量に基づく検出信号が出力される。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１１に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００７９】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００８０】
また、図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Ｔｘがそれぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００８１】
図１５は、図１１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示し、第１配向膜及び第２配向膜等の図示を省略している。また、図１６に示す構成は、図１に示した構成の具体例であり、図１と重複する部材の説明を省略する。
【００８２】
第１絶縁膜１１は、絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３を備えている。絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３は、この順に、第１ガラス基板１０上に積層されている。第１絶縁膜１１は、凹部ＧＲを有している。図示した例では、凹部ＧＲは、絶縁膜１１２及び１１３を絶縁膜１１１まで貫通している。また、詳述しないが、表示領域において、絶縁膜１１１と絶縁膜１１２との間には、スイッチング素子の半導体層が配置され、絶縁膜１１２と絶縁膜１１３との間には、図１２に示した走査線Ｇが配置されている。
【００８３】
図示した例では、配線Ｗ１は、凹部ＧＲの内部に配置されている。すなわち、配線Ｗ１は、絶縁膜１１１に接している。また、信号線Ｓは、絶縁膜１１３の上に配置されている。ここで、配線Ｗ１は、絶縁膜１１３の上に配置されていても良く、例えば、信号線Ｓと同一層に位置している。配線Ｗ１は、例えば、信号線Ｓと同一材料によって一括して形成されている。第２絶縁膜１２は、配線Ｗ１及び信号線Ｓを覆い、絶縁膜１１３の上にも配置されている。第１端子部ＴＭ１１は、第２絶縁膜１２とシールＳＥとの間に位置している。第１端子部ＴＭ１１は、第２絶縁膜１２を配線Ｗ１まで貫通するコンタクトホールＣＨを介して、配線Ｗ１と電気的に接続されている。本実施形態においては、第１端子部ＴＭ１は、図１３に示した共通電極ＣＥもしくは画素電極ＰＥと同一材料によって一括して形成されている。又は、第１端子部ＴＭ１は、共通電極ＣＥと同一材料によって一括して形成された層と、画素電極ＰＥと同一材料によって一括して形成された層とが積層されて形成されていても良い。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に配置されている。
【００８４】
なお、凹部ＧＲと重なる位置において、絶縁膜１１１が第１ガラス基板１０まで貫通していても良く、凹部ＧＲの内部に配置された配線Ｗ１が、第１ガラス基板１０に接していても良い。
【００８５】
遮光層ＢＭは、主面２０Ａに位置している。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、シールＳＥに囲まれた領域に位置している。
【００８６】
なお、図示しないが、第１基板ＳＵＢ１のシールＳＥ側に第１配向膜が配置されていても良い。また、第２基板ＳＵＢ２のシールＳＥ側に第２配向膜が配置されていても良い。
【００８７】
ここで、貫通孔ＶＡは、第２端子部ＴＭ２１及び第２ガラス基板２０を貫通している。貫通孔ＶＢは、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、及び、シールＳＥを貫通している。貫通孔ＶＣは、第１端子部ＴＭ１１、第２絶縁膜１２、配線Ｗ１、及び、第１絶縁膜１１を貫通している。また、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣを有している。接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられている。
【００８８】
充填部材ＦＩは、接続用孔Ｖ１の中空部分に充填されている。また、充填部材ＦＩは、第２端子部ＴＭ２の上にも配置されている。
【００８９】
なお、図示した例では、第１端子部ＴＭ１１は、接続用孔Ｖ１内に突出している。そのため、接続用孔Ｖ１内で、第１端子部ＴＭ１１と接続材Ｃとの間の接触面積を増やすことができる。したがって、第１端子部ＴＭ１１を介して接続材Ｃと配線Ｗ１との間の導通の信頼性を向上することができる。
【００９０】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１６乃至図２０を参照しながら説明する。
【００９１】
図１６乃至図２０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法を示す図である。  
まず、図１６及び図１７に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図１６は、検出電極Ｒｘ及び第２端子部ＴＭ２の平面図の一例を示している。図１６に示す例では、検出電極Ｒｘは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。検査パッドＴＰＤは、接続配線ＣＷ１を介して検出電極Ｒｘと接続されている。第２端子部ＴＭ２は、接続配線ＣＷ２を介して検出電極Ｒｘと接続されている。第２端子部ＴＭ２は、図２に示したように、金属層及び酸化物電極が積層されることによって形成されている。このとき、金属層は、例えば検出電極Ｒｘと同一材料によって形成されている。また、第２端子部ＴＭ２は、図４に示したように、全体が酸化物電極であっても良い。第２端子部ＴＭ２には、円形の孔部ＨＬが形成されている。  
なお、検出電極Ｒｘの形状は、図示した例に限らず、例えば、波状に形成されていても良く、鋸歯状や、正弦波状などの他の形状であっても良い。
【００９２】
図１７は、図１６に示した表示パネルＰＮＬの断面図を示している。図示した表示パネルＰＮＬにおいては、第１基板ＳＵＢ１は、主面１０Ａ側に配置された第１端子部ＴＭ１を備え、第２基板ＳＵＢ２は、主面２０Ｂ側に配置された第２端子部ＴＭ２を備えている。第１端子部ＴＭ１は、図６に示した例と同様に、第１酸化物電極ＯＸ１及び第２酸化物電極ＯＸ２を備えている。第２端子部ＴＭ２は、図２に示した例と同様に、金属層ＭＴと、酸化物電極ＯＸと、を備えている。また、第２端子部ＴＭ２は、孔部ＨＬを有している。保護部材ＰＴは、第２端子部ＴＭ２を覆い、孔部ＨＬ内において主面２０Ｂも接している。
【００９３】
続いて、図１８に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ１を照射する。レーザー光ＬＬ１が照射されることによって、孔部ＨＬ内の保護部材ＰＴが除去される。また、同時に、孔部ＨＬ周辺で第２端子部ＴＭ２の上に配置された保護部材ＰＴも除去される。すなわち、第２端子部ＴＭ２の上面の一部が露出する。
【００９４】
続いて、図１９に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ２を照射する。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであれば良く、エキシマレーザー装置なども適用可能である。このようなレーザー光ＬＬ２が照射されることにより、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２とを接続するための接続用孔Ｖが形成される。
【００９５】
なお、図１９に示した工程において、第２端子部ＴＭ２の上面の一部は露出してるが、第２端子部ＴＭ２は最上層に酸化物電極ＯＸを備えているため酸化されにくく、第２端子部ＴＭ２の抵抗値の増大を抑制することができる。
【００９６】
続いて、図２０に示すように、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。より具体的には、まず、チャンバー内に表示パネルＰＮＬを設置した後に、チャンバー内の空気を排出し、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で接続用孔Ｖに導電材料ＣＭを注入する。その後、チャンバー内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、導電材料ＣＭが貫通孔ＶＡから貫通孔ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣに流れ込み、導電材料ＣＭを第１端子部ＴＭ１に接触させる。その後、導電材料ＣＭに含まれる溶剤が気化することにより、導電材料ＣＭの体積が減少していく。この結果、導電部材ＣＭ中の金属材料からなる微粒子が接続用孔Ｖの内面に被膜状に残存すると共に、接続用孔Ｖ中に中空部分が形成される。このように形成された接続材Ｃは、貫通孔ＶＡにおいて第２端子部ＴＭ２及び第２ガラス基板２０にそれぞれ接触し、貫通孔ＶＢにおいて遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、及び、シールＳＥにそれぞれ接触し、貫通孔ＶＣにおいて第１端子部ＴＭ１、第１層間絶縁膜ＩＴ１、第２層間絶縁膜ＩＴ２にそれぞれ接触し、凹部ＣＣにおいて第１ガラス基板１０に接触している。
【００９７】
なお、図２０を参照して説明した接続材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で貫通孔ＶＡに接続材Ｃを注入した後に、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続材Ｃを形成することができる。
【００９８】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例について図２１乃至図２３を参照しながら説明する。
【００９９】
図２１乃至図２３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の製造方法を示す図である。  
まず、図２１に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図２１は、図１７に示した構成と比較して、保護部材ＰＴが非表示領域ＮＤＡに形成されていない点で相違している。
【０１００】
続いて、図２２に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ２を照射し、接続用孔Ｖを形成する。
【０１０１】
続いて、図２３に示すように、接続材Ｃを形成する。ここで、接続材Ｃは、図２０に示した製造方法と同様に形成される。  
なお、図２１乃至２３に示した工程において、非表示領域ＮＤＡにおける第２端子部ＴＭ２の上面は露出しているが、第２端子部ＴＭ２は最上層に酸化物電極ＯＸを備えているため酸化されにくく、第２端子部ＴＭ２の抵抗値の増大を抑制することができる。
【０１０２】
また、図２１乃至２３に示した工程においては、保護部材ＰＴが、非表示領域ＮＤＡに配置されていないため、図１８に示したような保護部材ＰＴをレーザー光によって除去する工程を削減することができる。
【０１０３】
図２４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。図２４に示した構成例は、図１１に示した構成例と比較して、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…がそれぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる点で相違している。
【０１０４】
図示した例では、検出部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。第２端子部ＴＭ２１、ＴＭ２２、ＴＭ２３…は、表示領域ＤＡと配線基板ＳＵＢ３との間で第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。接続用孔Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。なお、図示しないが、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに間隔をおいて並んだセンサ駆動電極を備えていても良い。  
図２４に示した構成例は、検出電極Ｒｘを利用した自己容量方式のセンサＳＳに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Ｒｘを利用した相互容量方式のセンサＳＳにも適用可能である。
【０１０５】
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
【０１０６】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０７】
ＤＳＰ…表示装置、１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、
ＴＭ１…第１端子部、ＴＭ２…第２端子部、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ…主面、ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ…貫通孔
ＯＩ…有機絶縁膜、Ｃ…接続材、Ｒｘ…検出電極、ＭＴ…金属層、ＯＸ…酸化物電極、ＰＴ…保護部材、ＩＴ１…第１層間絶縁膜、ＩＴ２…第２層間絶縁膜、
ＯＸ１…第１酸化物電極、ＯＸ２…第２酸化物電極、ＭＷ、ＭＷ１、ＭＷ２…金属配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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