(57)【要約】      （修正有）【課題】誘電体基板上の誘電体材料の選択的な縦方向成長の方法を提供する。【解決手段】第２の材料で充填された凹状フィーチャを有する第１の材料を含む平坦化された基板を提供するステップと、第１の材料よりも第２の材料上にグラフェン層を選択的に付着させるステップと、グラフェン層よりも第１の材料上にＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップと、グラフェン層を基板から除去するステップと、を含む。第１の材料は、第１の材料は誘電体材料を含み、第２の材料は金属層を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって、
第２の材料で充填された凹状フィーチャを有する第１の材料を含む、平坦化された基板を提供するステップと、
前記第１の材料よりも前記第２の材料上にグラフェン層を選択的に付着させるステップと、
前記グラフェン層よりも前記第１の材料上にＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップと、
前記グラフェン層を前記基板から除去するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記第２の材料を前記凹状フィーチャから除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップは、
前記第１の材料を金属含有触媒層で被覆するステップと、
いかなる酸化剤又は加水分解剤なしで、プラズマなしで、前記基板を約１５０℃以下の基板温度でシラノールガスを含むプロセスガスに暴露するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記被覆するステップ及び前記暴露するステップを少なくとも１回繰り返して、前記第１の材料上のＳｉＯ２膜の厚さを増加させるステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有触媒層は、アルミニウム、チタン、又はそれらの組み合わせを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記金属含有触媒層は、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ａｌ含有前駆体、Ａｌ合金、ＣｕＡｌ、ＴｉＡｌＮ、ＴａＡｌＮ、Ｔｉ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ含有前駆体、Ｔｉ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記被覆するステップは、前記基板をＡｌＭｅ３ガスに暴露するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール、及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の材料が誘電体材料を含み、前記第２の材料が金属層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属層は、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＲｕからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップは、前記第２の材料で充填された前記凹状フィーチャと整合する第２の凹状フィーチャを形成し、
当該方法は、前記第２の凹状フィーチャを第３の材料で充填するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第３の材料は、Ｎｉ、Ｃｕ及びＲｕから選択される金属層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＳｉＯ２膜よりも第３の材料上に追加グラフェン層を選択的に付着させるステップと、
前記追加グラフェン層よりも前記ＳｉＯ２膜上に追加ＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップと、
前記追加グラフェン層を前記第３の材料から除去するステップと、をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３の材料を前記基板から除去するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の材料及び第３の材料を除去するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加ＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップは、
前記ＳｉＯ２膜を金属含有触媒層で被覆するステップと、
いかなる酸化剤又は加水分解剤なしで、プラズマなしで、前記基板を約１５０℃以下の基板温度でシラノールガスを含むプロセスガスに暴露するステップと、を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記被覆するステップ及び前記暴露するステップを少なくとも１回繰り返して、前記ＳｉＯ２膜上の追加ＳｉＯ２膜の厚さを増加させるステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属含有触媒層は、アルミニウム、チタン、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記金属含有触媒層は、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ａｌ含有前駆体、Ａｌ合金、ＣｕＡｌ、ＴｉＡｌＮ、ＴａＡｌＮ、Ｔｉ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ含有前駆体、Ｔｉ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール、及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０１７年４月１２日付で出願された米国仮特許出願第６２／４８４，８１５号に関連し、それに対して優先権を主張し、そのすべての内容は参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、基板を処理するための方法に関連し、より詳細には、誘電体基板上の誘電体材料の選択的な縦方向成長のための方法に関連する。
【背景技術】
【０００３】
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のような金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタは、集積回路の製造において一般的に使用されている。ＭＯＳトランジスタは、ゲート電極、ゲート誘電体層、スペーサ、ソース及びドレイン拡散領域等のいくつかの構成要素を含む。層間誘電体（ＩＬＤ：interlayer  dielectric）が、典型的には、ＭＯＳトランジスタの上に形成され、拡散領域を被覆する。
【０００４】
タングステンのような金属で典型的には形成されたコンタクトプラグを介してＭＯＳトランジスタに電気的接続がなされる。コンタクトプラグは、最初にＩＬＤ層をパターニングし、拡散領域に至るまでビアを形成して、製造され得る。パターニングプロセスは、一般的にはフォトリソグラフィプロセスである。次に、ビア内に金属を付着させてコンタクトプラグを形成する。別個のコンタクトプラグが、同じ又は同様のプロセスを用いてゲート電極に至るまで形成される。
【０００５】
コンタクトプラグの製造中に起こり得る１つの問題は、コンタクト・ツー・ゲート（contact-to-gate）短絡の形成である。コンタクト・ツー・ゲート短絡は、コンタクトプラグがゲート電極と不整合し、電気的に接触するときに生じる短絡回路である。コンタクト・ツー・ゲート短絡を防止するための１つの従来のアプローチは、レジストレーション及び限界寸法（ＣＤ）を制御することによるものである。残念なことに、小さなゲートピッチを有するトランジスタの場合、ゲート及びコンタクト寸法に対する厳しいＣＤ制御により製造可能なプロセスウィンドウが制限される。したがって、ゲートへのコンタクトの短絡の可能性が非常に高い。限界寸法がはるかに小さくなるため、この問題は、トランジスタゲートピッチ寸法がさらに縮小されるにつれて、より見られるようになる。
【０００６】
自己整合パターニングは、ＥＵＶ導入後であってもコスト効率の高いスケーリングが継続できるように、オーバーレイ駆動パターニングを置き換える必要がある。薄膜の選択的付着が高度にスケーリングされた技術ノードをパターニングする際の重要なステップとなる。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の実施形態は、誘電体基板上の誘電体材料の選択的な縦方向成長のための方法を説明する。一実施形態によれば、この方法は、第２の材料で充填された凹状フィーチャを有する第１の材料を含む平坦化された基板を提供するステップと、第１の材料よりも第２の材料上にグラフェン層を選択的に付着させるステップと、グラフェン層よりも第１の材料上にＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップと、グラフェン層を基板から除去するステップと、を含む。ＳｉＯ２膜を選択的に付着させるステップは、第２の材料で充填された凹状フィーチャと整合した第２の凹状フィーチャを形成する。一実施形態によれば、第１の材料が誘電体材料を含み、第２の材料が金属層を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
この明細書に組み込まれ、その一部を構成する添付の図面は、本発明の実施形態を示し、上記に与えられた本発明の一般的な説明及び下記に与えられる詳細な説明と共に、本発明を説明する役割を果たす。
【０００９】
【図１】発明の実施形態による基板を処理するためのプロセスフロー図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｃ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｄ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｅ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｆ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｇ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図２Ｈ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図３Ａ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図３Ｃ】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【図４】本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施形態による基板を処理するためのプロセスフロー図であり、図２Ａ〜図２Ｈは、本発明の実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通じて概略的に示す。
【００１１】
図２Ａは凹状フィーチャ２０４を含む第１の材料２０２と、第１の材料２０２の下にあるベース材料２２０と、を含む基板２００を示す。第１の材料２０２はフィールド領域２１１を有し、凹状フィーチャ２０４は幅２０７及び底部２０３を有する。一例では、第１の材料２０２は誘電体材料を含み、第２の材料２０８は少なくとも１つの金属を含む。いくつかの例では、第１の材料２０２はＳｉＯ２を含み、第２の材料２０８は金属層、例えばＮｉ、Ｃｕ、又はＲｕを含むことができる。凹状フィーチャ２０４は、周知のリソグラフィ及びエッチングプロセスを用いて形成され得る。例えば、幅２０７は、２００ｎｍ未満、１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、２５ｎｍ未満、２０ｎｍ未満、又は１０ｎｍ未満とすることができる。他の例では、幅２０７は、５ｎｍと１０ｎｍの間、１０ｎｍと２０ｎｍの間、２０ｎｍと５０ｎｍの間、５０ｎｍと１００ｎｍの間、１００ｎｍと２００ｎｍの間、１０ｎｍと５０ｎｍの間、又は１０ｎｍと１００ｎｍの間とすることができる。
【００１２】
図２Ｂは、凹状フィーチャ２０４を第２の材料２０８で過剰充填した後の基板２００を示し、図２Ｃは、第２の材料２０８で充填された凹状フィーチャ２０４を有する第１の材料２０２を含む、平坦化された基板２００を形成する平坦化プロセスの後の平坦化された基板２００を示す。別の実施形態によれば、第２の材料２０８を、凹状フィーチャ２０４内において、ボトムアップ式で選択的に付着させることができる。
【００１３】
プロセスフロー図１は、１００において、第２の材料２０８で充填された凹状フィーチャを有する第１の材料２０２を含む平坦化された基板２００を提供するステップを含む。本方法は、１０２において、第１の材料２０２よりも第２の材料２０８上にグラフェン層２１０を選択的に付着させるステップをさらに含む。グラフェンを付着させるための方法は、本技術分野において周知であり、グラフェン付着は、図２Ｄに示すように、誘電体材料よりも金属上で選択的であり得る。一例では、グラフェン層２１０を、炭素ベース（例えば、Ｃ２Ｈ２）のプラズマプロセスを用いて付着させることができる。グラフェンは、六方格子で配置された炭素の形態であるが、例えば、グラファイト、ダイヤモンド、チャコール、カーボンナノチューブ、及びフラーレンのような他のタイプのカーボン層も用いることができる。
【００１４】
本方法は、１０４において、グラフェン層２１０よりも第１の材料２０２上にＳｉＯ２膜２１２を選択的に付着させるステップをさらに含む。これを図２Ｅで概略的に示す。一実施形態によれば、ＳｉＯ２膜２１２を選択的に付着させるステップは、第１の材料２０２を金属含有触媒層で被覆するステップと、いかなる酸化剤及び加水分解剤なしで、プラズマなしで、基板を約１５０℃以下の基板温度でシラノールガスを含むプロセスガスに暴露するステップと、を含む。
【００１５】
一実施形態によれば、第１の材料２０２を金属含有触媒層で被覆するステップは、基板２００を、金属を含むガスパルスに暴露することによって、第２の材料よりも第１の材料２０２上で金属含有触媒層を選択的に吸収することができる。金属は、反応して、単層の厚さ未満の化学吸着層を形成することができる。一例では、金属含有触媒層は、金属含有前駆体、例えばＡｌＭｅ３を含むことができる。各ガスパルスは、それぞれのパージ又は排気ステップを含み、未反応のガス又は副生成物をプロセスチャンバから除去することができる。グラフェン層２１０の低反応性は、グラフェン層２１０上の核生成の困難性の結果である。これにより、金属含有触媒層による第１の材料２０２の被覆ステップを選択的することができ、次いで、シラノールガスは、グラフェン層２１０とではなく、第１の材料２０２上の金属含有触媒層と選択的に反応する。
【００１６】
本発明のいくつかの実施形態によれば、金属含有触媒層は金属含有層を含むことができる。金属含有層の例は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、又はアルミニウムとチタンの両方を含む層を含む。一実施形態によれば、金属含有層は、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ａｌ含有前駆体、Ａｌ合金、ＣｕＡｌ、ＴｉＡｌＮ、ＴａＡｌＮ、Ｔｉ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ含有前駆体、Ｔｉ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００１７】
本発明の実施形態は、多種多様なＡｌ含有前駆体を利用することができる。例えば、多くのアルミニウム前駆体は、式：ＡｌＬ１Ｌ２Ｌ３Ｄｘを有し、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は個別のアニオン性配位子であり、Ｄは中性ドナー配位子であり、ｘは０、１、又は２とすることができる。各Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３配位子は、アルコキシド、ハロゲン化物、アリールオキシド、アミド、シクロペンタジエニル、アルキル、シリル、アミジナート、β−ジケトナート、ケトイミナート、シラノレート、及びカルボキシレートからなる群から個別に選択され得る。Ｄ配位子は、エーテル、フラン、ピリジン、ピロール、ピロリジン、アミン、クラウンエーテル、グライム、及びニトリルの群から選択され得る。
【００１８】
アルミニウム前駆体の他の例は、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＭｅ２Ｈ、［Ａｌ（ＯｓＢｕ）３］４、Ａｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３、Ａｌ（ＯｉＰｒ）３、［Ａｌ（ＮＭｅ２）３］２、Ａｌ（ｉＢｕ）２Ｃｌ、Ａｌ（ｉＢｕ）３、Ａｌ（ｉＢｕ）２Ｈ、ＡｌＥｔ２Ｃｌ、Ｅｔ３Ａｌ２（ＯｓＢｕ）３、及びＡｌ（ＴＨＤ）３を含む。
【００１９】
本発明の実施形態は、多種多様なＴｉ含有前駆体を利用することができる。例は、Ｔｉ（ＮＥｔ２）４（ＴＤＥＡＴ）、Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）４（ＴＥＭＡＴ）、Ｔｉ（ＮＭｅ２）４（ＴＤＭＡＴ）を含む「Ｔｉ−Ｎ」分子内結合を有するＴｉ含有前駆体を含む。他の例は、Ｔｉ（ＣＯＣＨ３）（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）Ｃｌ３、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）Ｃｌ３、Ｔｉ（ＣＨ３）（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ、Ｔｉ（η５−Ｃ９Ｈ７）２Ｃｌ２、Ｔｉ（（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２Ｃｌ、Ｔｉ（（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２（μ−Ｃｌ）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２（ＣＯ）２、Ｔｉ（ＣＨ３）３（η５−Ｃ５Ｈ５）、Ｔｉ（ＣＨ３）２（η５−Ｃ５Ｈ５）２、Ｔｉ（ＣＨ３）４、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）（η７−Ｃ７Ｈ７）、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）（η８−Ｃ８Ｈ８）、Ｔｉ（Ｃ５Ｈ５）２（η５−Ｃ５Ｈ５）２、Ｔｉ（（Ｃ５Ｈ５）２）２（η−Ｈ）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２（Ｈ）２、及びＴｉ（ＣＨ３）２（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２を含む「Ｔｉ−Ｃ」分子内結合を含むＴｉ含有前駆体を含む。ＴｉＣｌ４は、「Ｔｉ−ハロゲン」結合を含むチタンハロゲン化物前駆体の例である。
【００２０】
共形ＳｉＯ２膜２１２の厚さは、金属含有触媒層上へのシラノールガスの自己制限吸着によって制御される。この触媒作用は、ＳｉＯ２膜２１２が約３〜５ｎｍの厚さになるまで観測されることができ、その後にＳｉＯ２付着は停止する。いくつかの例では、シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール（ＴＰＳＯＬ）、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択され得る。
【００２１】
いくつかの例では、プロセスガスは、アルゴンのような不活性ガスをさらに含むことができる。一実施形態では、プロセスガスは、シラノールガス及び不活性ガスからなることができる。さらに、一実施形態によれば、基板温度は、露光中、約１５０℃以下とすることができる。別の実施形態では、基板温度は約１２０℃以下とすることができる。さらに別の実施形態では、基板温度は約１００℃以下とすることができる。
【００２２】
一実施形態では、本方法は、被覆するステップと暴露するステップを少なくとも１回繰り返し、ＳｉＯ２膜２１２上に追加ＳｉＯ２膜を付着させることによって、第１の材料２０２上のＳｉＯ２膜２１２の厚さを増加させるステップをさらに含む。これを図２Ｆに概略的に示し、ここでは、ＳｉＯ２膜２１２の厚さが増加している。
【００２３】
本方法は、１０６において、グラフェン層２１０を基板２００から除去し、それにより、選択的に付着したＳｉＯ２膜２１２内に第２の凹状フィーチャ２１８を形成するステップをさらに含む。これを図２Ｇに概略的に示す。一例では、グラフェン層２１０は、酸素含有プラズマを含むアッシングプロセスを用いて除去され得る。
【００２４】
一実施形態によれば、本方法は、第２の材料を凹状フィーチャ２０４から除去するステップをさらに含む。図２Ｈに概略的に示す、結果として生じる構造においては、ＳｉＯ２膜２１２内の第２の凹状フィーチャ２１８は、第１の材料２０２内の凹状フィーチャ２０４と整合する。
【００２５】
一実施形態によれば、図２Ｇにおいて、第２の材料２０８からのグラフェン層２１０の除去の後、本方法は、ＳｉＯ２膜２１２内の第２の凹状フィーチャ２１８を第３の材料２２２で充填するステップをさらに含むことができる。一例では、第３の材料２２２は、金属、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ又はＲｕを含むことができる。一実施形態では、第３の材料２２２は、第２の材料２０８と同じとすることができる。
【００２６】
その後、本方法は、図２Ｄ〜２Ｇで説明した処理ステップを繰り返すステップをさらに含むことができる。これは、ＳｉＯ２膜２１２よりも第３の材料２２２上に追加グラフェン層を選択的に付着させるステップと、追加グラフェン層よりもＳｉＯ２膜２１２上に追加ＳｉＯ２膜２２４を選択的に付着させるステップと、追加グラフェン層を第３の材料２２２から除去して追加ＳｉＯ２膜２２４内に第３の凹状フィーチャ２２６を形成するステップと、を含む。結果として生じる構造を図３Ｂに概略的に示す。
【００２７】
一実施形態によれば、本方法は、第３の材料２２２、又は第２の材料２０８と第３の材料２２２の両方を除去するステップをさらに含むことができる。図３Ｃに概略的に示す、結果として生じる構造においては、ＳｉＯ２膜２１２及び追加ＳｉＯ２膜２２４が、第１の材料２０２内の凹状フィーチャ２０４と整合する第２の凹状フィーチャ２１８及び第３の凹状フィーチャ２２６を形成する。
【００２８】
図４は、本発明の一実施形態による基板４００の断面図を概略的に示す。基板４００は、図２の基板２００と同様であるが、図２Ｂ〜２Ｈ及び図３Ａ〜３Ｃにおいて説明した処理に先立って、凹状フィーチャ２０４においてベース材料２２０上に選択的に付着されることができる金属層２１４をさらに含む。金属層２１４は、第２の材料２０８を付着するステップ及びその後に続く除去するステップ中、ベース材料２２０を保護することができる。
【００２９】
誘電体基板上の誘電体材料の選択的な縦方向成長のための方法が様々な実施形態において開示されている。本発明の実施形態の上記の説明は、図示及び説明を目的として提示されている。徹底的である、又は開示された厳密な形式に本発明を限定することを意図していない。この説明及び以下の特許請求の範囲は、説明することのみを目的として使用され、限定として解釈されるべきではない用語を含む。当業者であれば、上記の教示に照らして多くの変更及びバリエーションが可能であると理解することができる。当業者であれば、図に示す様々な構成要素に対して様々な等価の組合せ及び代用を理解するであろう。従って、本発明の範囲は、この詳細な説明によって限定されるのではなく、これに添付された特許請求の範囲によって限定されることを意図している。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2018182328.tif 000014
【図４】
2018182328.tif 000015
【外国語明細書】
2018182328000001.pdf