(57)【要約】      （修正有）【課題】微小異物の検査装置において、長時間での照射レーザパワーを安定化し、高精度な異物の検出が可能な検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】試料１表面にレーザを所定の時間照射して試料１表面の欠陥を検査する欠陥検査装置１００であって、試料１表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源２と、出射したレーザビームを変調する変調部３と、変調部３に印加する電圧を制御する制御部１２と、試料１表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出部９と、を備え、制御部１２は、反射光検出部９での検出結果に基づき、変調部３に印加する電圧を切替えるよう制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記出射したレーザビームを変調する変調部と、
前記変調部に印加する電圧を制御する制御部と、
前記試料表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出部と、
を備え、
前記制御部は、前記反射光検出部での検出結果に基づき、前記変調部に印加する電圧を切替えるよう制御する、欠陥検査装置。
【請求項２】
試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記出射したレーザビームを変調する変調部と、
前記変調部に印加する電圧を制御する制御部と、
前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出部と、
を備え、
前記制御部は、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出部で検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調部に印加する電圧を制御する、欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の欠陥検査装置であって、
前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出部と、
を備え、
前記制御部は、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出部で検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調部に印加する電圧を制御する、欠陥検査装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の欠陥検査装置であって、
前記制御部は、
前記レーザパワー検出部で検出した結果に基づき、前記変調部に印加する第一の電圧を生成する第一電圧生成部と、第二の電圧を生成する第二電圧生成部と、
前記生成した第一の電圧または第二の電圧を切り替えて前記変調部に印加する電圧切替部と、を有し、
前記制御部は、前記第一電圧生成部と前記第二電圧生成部で生成する電圧を可変制御する、
ことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の欠陥検査装置であって、
前記制御手段は、第一の電圧生成部と第二の電圧生成部とを有し、
前記第一電圧生成部と前記第二電圧生成部との電位差を前記変調手段に印加する、
ことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の欠陥検査装置であって、
前記制御部を複数個備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項７】
請求項２または３に記載の欠陥検査装置であって、
前記制御部は、前記レーザパワー検出部での検出結果に基づいてレーザ光源から出射するレーザパワーを制御することを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項８】
試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ出射ステップと、
電圧を印加して前記出射したレーザビームを変調する変調ステップと、
前記変調ステップで印加する電圧を制御する制御ステップと、
前記試料表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出ステップと、
を備え、
前記制御ステップでは、前記反射光検出ステップでの検出結果に基づき、前記変調ステップで印加する電圧を切替えるよう制御する、欠陥検査方法。
【請求項９】
請求項８に記載の欠陥検査方法であって、
前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出ステップと、
前記制御ステップでは、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出ステップで検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調ステップで印加する電圧を制御する、欠陥検査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥検査方法であって、
前記制御ステップは、
前記レーザパワー検出ステップで検出した結果に基づき、前記変調ステップで印加する第一の電圧を生成する第一電圧生成ステップと、第二の電圧を生成する第二電圧生成ステップと、
前記生成した第一の電圧または第二の電圧を切り替えて前記変調ステップで印加する電圧切替ステップと、
を有し、
前記制御ステップでは、前記第一電圧生成ステップと前記第二電圧生成ステップで生成する電圧を可変制御する、
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の欠陥検査方法であって、
前記制御手段は、第一電圧生成ステップと第二電圧生成ステップを有し、
前記第一電圧生成ステップと前記第二電圧生成ステップとの電位差を前記変調ステップで印加する、
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の欠陥検査方法であって、
前記制御ステップでは、前記レーザパワー検出ステップでの検出結果に基づいてレーザ出射ステップで出射するレーザパワーを制御することを特徴とする、欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小異物の検査方法、および検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本技術分野の背景技術として、特表２００９−５０１９０２号公報（特許文献１）がある。この公報には、「検査システムの測定検出範囲の制限要因として増幅器及びアナログ・デジタル回路の飽和レベルに対処することによって欠陥検出を強化するための検査システム、回路及び方法も提供される。加えて、表面検査の走査の間に試料に供給される入射レーザ・ビームパワー・レベルを動的に変更することによって大きな粒子に対する熱破損を削減することにより欠陥検出を強化するための検査システムや回路、方法が提供される。」と記載されている（要約参照）。
【０００３】
また、前記のポッケルスセルを駆動する手段としては、例えば、特開２００１−１４４３５７号公報（特許文献２）で述べられているように、ポッケルスセルに対して所定の電圧を切り替えて印加する手段が述べられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５０１９０２号公報
【特許文献２】特開２００１−１４４３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
微小異物の検査装置を長時間にわたって運用する場合、ポッケルスセルを通過するレーザパワーの影響で結晶の特性が変化する。この特性変化により、ポッケルスセルを通過するレーザの偏波面の回転角が変化し、試料であるウェハに照射するレーザパワーが変動する可能性がある。このため、ウェハ上の異物からの散乱光強度が変化し、高精度な異物径の検出が困難となるが、この点については先行技術文献では考慮されていなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、高精度な異物検出が可能な検査方法および検査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
【０００８】
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源と、前記出射したレーザビームを変調する変調部と、前記変調部に印加する電圧を制御する制御部と、前記試料表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出部と、を備え、前記制御部は、前記反射光検出部での検出結果に基づき、前記変調部に印加する電圧を切替えるよう制御する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、微小な異物を高精度に検出することが出来る。
【００１０】
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第一の実施の形態に係る異物検査装置の構成図の例である。
【図２】第一の実施の形態に係るドライバ回路の構成例である。
【図３】第一の実施の形態に係るドライバ回路の動作例である。
【図４】第二の実施の形態に係るドライバ回路の構成例である。
【図５】第三の実施の形態に係るドライバ回路の構成例である。
【図６】第四の実施の形態に係る異物検査装置の構成図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施例を図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１３】
本実施例では、検査中でのウェハに照射するレーザパワーを切り替えるとともに、長時間での照射レーザパワーを安定化する異物検査装置の例を説明する。
【００１４】
図１は、本実施例の異物検査装置の構成図の例である。
【００１５】
異物検査装置１００は、レーザ光源２、光学変調素子３、偏光板４、ビームスプリッタ５、ミラー６、レンズ７、８、センサ９、検出回路１０、データ処理部１１、ドライバ回路１２、光パワー検出手段１３、ステージ１４を有する。
【００１６】
異物検査装置１００では、ウェハ１をステージ１４上に設置して、レーザ光源２から出力されるレーザ光を光学変調素子３、偏光板４、ビームスプリッタ５、ミラー６、レンズ７を介してウェハ１上に照射する。このとき、異物検査装置１００では、ステージ１４でウェハ１を回転動作させるとともに、並進ステージ（図示せず）で直線動作させ、これにより、ウェハ１上に照射されるレーザ光は、ウェハ１の全面でらせん状の軌跡となり、ウェハ１の全表面を検査することができる。また、ウェハ１上の異物からの散乱光は、レンズ８、センサ９、検出回路１０を介して検出され、前記検出回路１０の検出結果を元にデータ処理部１１で異物判定が行われる。
【００１７】
本実施例による異物検査装置１００では、ドライバ回路１２は、データ処理部１１からの切替制御により光学変調素子３への印加電圧を切替える。データ処理部１１は、ウェハ上をらせん状に走査した前周での検出結果に基づいて大径異物の有無を予測し、ドライバ回路１２での電圧切替を制御する。具体的には、データ処理部１１で大径異物があると予測した場合、ウェハ１に照射するレーザパワーを小さくする。
【００１８】
ドライバ回路１２で切り替えられた所定の電圧により、光学変調素子３は、通過するレーザ光の偏波面を回転制御し、偏光板４を通過するレーザパワーを制御する。具体的には、データ処理部１１において大径異物があると予測した場合、ウェハ１に照射するレーザパワーを小さくする所定の電圧をドライバ回路１２が出力するようにするとともに、大径異物がないと予測する場合はレーザパワーを大きくする所定の電圧をドライバ回路１２が出力する。
【００１９】
またデータ処理部１１では、ビームスプリッタ５を介してウェハ１に照射されるレーザパワーを光パワー検出手段１３で検出し、前記検出結果に基づいて、前記ドライバ回路１２で切り替えて前記光学変調素子３に出力される電圧値を制御する。これは、光学変調素子３が温度等の環境条件によって、ドライバ回路１２から同一の制御電圧を印加しても、光学変調素子３を通過するレーザ光の偏波面の回転角が異なり、その結果としてウェハ１に照射するレーザパワーが変動するためである。レーザパワーが変動するとウェハ１上にある異物の検出精度が悪化するため、光パワー検出手段１３を介して所定のレーザパワーがウェハ１に照射されるよう、ドライバ回路１２で切り替える電圧を制御することで異物の検出精度を向上させる。
【００２０】
図２は、異物検査装置１００におけるドライバ回路１２の構成例である。
【００２１】
ドライバ回路１２は、入力回路５１、高圧発生回路５２、５３、レベルシフト回路５４、５５、ＭＯＳ駆動回路５６、５７、５８、５９、ＰＭＯＳトランジスタ６０、６２、ＮＭＯＳトランジスタ６１、６３で構成される。
【００２２】
ドライバ回路１２では、前記センサ９および検出回路１０を介して検出される大径異物の有無を契機として前記データ処理部１１からの切替信号（ＶＩＮ）が入力回路５１に入力され、前記入力回路５１からレベルシフト回路５４、５５とＭＯＳ駆動回路５６、５７、５８、５９を介して、ＰＭＯＳトランジスタ６０、６２、ＮＭＯＳトランジスタ６１、６３がＯＮ／ＯＦＦ制御される。さらに、前記データ処理部１１からの電圧制御信号（ＶＰ、ＶＮ）により、高圧発生回路５２、５３でＶＨ、ＶＬの電圧が生成される。ここでＶＰは高電圧発生回路５２でＶＨの電圧を生成するための電圧制御信号であり、ＶＮは高電圧発生回路５３でＶＬを生成するための電圧制御信号である。また、ＰＭＯＳトランジスタ６０、６２、ＮＭＯＳトランジスタ６１、６３に印加する電位関係から、高電位となる電圧をＶＨ、低電位となる電圧をＶＬとする。
【００２３】
図３は、ドライバ回路１２の動作例である。切替信号であるＶＩＮはＬｏｗ，Ｈｉｇｈの電位を有する２値信号であり、それぞれの状態をＬ，Ｈとして表す。ＶＩＮがＬのとき入力回路５１から、レベルシフト回路５４と、ＭＯＳ駆動回路５６を介してＰＭＯＳトランジスタ６０がＯＮ、ＭＯＳ駆動回路５７を介してＮＭＯＳトランジスタ６１がＯＦＦとなり、ＶＯＵＴＰはＶＨと同電位となる。
【００２４】
また同時に、レベルシフト回路５５と、ＭＯＳ駆動回路５８を介してＰＭＯＳトランジスタ６２がＯＦＦ、ＭＯＳ駆動回路５９を介してＮＭＯＳトランジスタ６３がＯＮとなり、ＶＯＵＴＮはＶＬと同電位となる。この結果、光学変調素子３にはＶＨ−ＶＬの電位差が印加される。
【００２５】
一方で、ＶＩＮがＨのときは、ＰＭＯＳトランジスタ６０がＯＦＦ、ＮＭＯＳトランジスタ６１がＯＮで、ＶＯＵＴＰはＶＬと同電位、また、ＰＭＯＳトランジスタ６２がＯＮ、ＮＭＯＳトランジスタ６３がＯＦＦとなり、ＶＯＵＴＮはＶＨと同電位で、光学変調素子３にはＶＬ−ＶＨの電位差が印加される。
【００２６】
前記データ処理部１１からの電圧制御信号（ＶＰ、ＶＮ）に基づいて、高圧発生回路５２、５３でそれぞれＶＨ＝Ｖ１、ＶＬ＝Ｖ３、またはＶＨ＝Ｖ２、ＶＬ＝Ｖ４を生成することにより、光学変調素子３には、切替振幅：｜ＶＨ−ＶＬ｜、オフセット電圧：（ＶＨ＋ＶＬ）／２の電圧が印加される。
【００２７】
光パワー検出手段１３の検出結果に基づいてデータ処理部１１から電圧制御信号（ＶＰ、ＶＮ）を介して光学変調素子３に印加する切替振幅とオフセット電圧を調整することで、光学変調素子３の特性変動を補正し、ウェハ１に照射する長時間でのレーザパワー変動を抑制することが実現できる。
【００２８】
本実施例の構成により、検査中でのウェハに照射するレーザパワーを切り替えるとともに、長時間での照射レーザパワーを安定化することにより微小な異物を正確に検出することが出来る。なお、この効果は、以下に説明する実施例においても同様である。
【実施例２】
【００２９】
図４は、本発明に係るドライバ回路について、第２の実施形態を示す構成図である。なお、説明が煩雑になることを避けるため、実施例１と同一の符号をつけた構成要素についての説明は省略する。
【００３０】
図４で示したドライバ回路１２は、入力回路５１、高圧発生回路６４、６５、レベルシフト回路５４、５５、ＭＯＳ駆動回路５６、５７、５８、５９、ＰＭＯＳトランジスタ６０、６２、ＮＭＯＳトランジスタ６１、６３で構成される。高圧発生回路６４は、データ処理部１１からの電圧制御信号（ＶＰ）による電圧を生成し、高圧発生回路６５で生成されたＶＬを基準電圧としてシフトされる。高圧発生回路６４で生成された電位差が光学変調素子３に対する切替振幅：｜ＶＨ−ＶＬ｜となる。本実施形態では、光学変調素子３に与える電位差は電圧制御信号ＶＰのみで制御するとともに、光学変調素子３へのオフセット電圧は電圧制御信号ＶＮのみで制御する。これにより、電位差もしくはオフセット電圧の一方のみを変化させることが可能となり、データ処理部１１から光学変調素子３に対する制御方法が簡便となる。
【実施例３】
【００３１】
図５は、本発明に係るドライバ回路について、第３の実施形態を示す構成図である。なお、説明が煩雑になることを避けるため、実施例１と同一の符号をつけた構成要素についての説明は省略する。
【００３２】
図５で示したドライバ回路１２は、複数のドライバ回路１２ａ、１２ｂで構成される。ドライバ回路１２ａ、１２ｂのそれぞれの構成については、実施例１で説明した構成要素と同一構成である。ドライバ回路１２ａの入力回路５１はデータ処理部１１からの制御信号ＶＩＮ、ＥＮ１が入力され、高圧発生回路５２ａ、５３ｂはそれぞれＶＰ１、ＶＮ１が入力される。
【００３３】
ドライバ回路１２ａでは、高圧発生回路５２ａ、５３ｂにより所定の電圧ＶＨ１、ＶＬ１が生成され、ＥＮ１でＶＯＵＴＰ１、ＶＯＵＴＮ１の出力可否が制御される。ＥＮ１で出力可となった場合、ＶＯＵＴＰ１、ＶＯＵＴＮ１はＶＩＮ１に応じてＶＨ１、ＶＬ１を選択出力する。
【００３４】
同様にドライバ回路１２ｂにおいても、データ処理部１１からの制御信号ＶＩＮ、ＥＮｎおよびＶＰｎ、ＶＮｎに応じて、ＶＯＵＴＰｎ、ＶＯＵＴＮｎの出力可否とＶＨｎ、ＶＬｎの選択出力を行う。光学変調素子３の一方の入力にはドライバ回路１２ａ、１２ｂからのＶＯＵＴＰ１、ＶＯＵＴＰｎが接続されるとともに、他方の入力にはＶＯＵＴＮ１、ＶＯＵＴＮｎが接続される。
【００３５】
図５で示したドライバ回路１２により、データ処理部１１からの制御でドライバ回路はあらかじめ設定した任意の電圧を選択して光学変調素子３に印加することが可能となる。一般的に、高圧生成回路５２ａ、５３ａ、５２ｂ、５３ｂで電圧を可変制御するよりも、ＭＯＳトランジスタ６０ａ〜６３ｂで電圧を切り替えるほうが、光学変調素子３に対して高速に印加電圧を切替制御でき、ウェハ検査期間中における複数レベルでの照射レーザパワー制御が可能となる。
【実施例４】
【００３６】
図６は、本発明に係る異物検査装置について、第４の実施形態を示す構成図である。上記の説明と同様に、説明が煩雑になることを避けるため、実施例１と同一の符号をつけた構成要素についての説明は省略する。
【００３７】
図６で示した異物検査装置１００は、データ処理部１１で大径異物の有無を予測し、ドライバ回路１２での電圧切替を制御する。ドライバ回路１２で切り替えられた所定の電圧により、光学変調素子３を通過するレーザ光の偏波面を回転制御し、偏光板４を通過するレーザパワーを制御する。またデータ処理部１１では、ビームスプリッタ５を介してウェハ１に照射されるレーザパワーを光パワー検出手段１３で検出し、前記検出結果に基づいて、レーザ光源２に対して出力するレーザパワーを制御する。
【００３８】
光学変調素子３と偏光板４のみを用いてレーザ光の偏波面を回転制御してレーザパワーを制御する場合、偏波面の回転角とレーザパワーとの関係は線形にならない。このため、所期のレーザパワーを高精度に得るためには、レーザ光の偏波面によっては、ドライバ回路１２から光学変調素子３に印加する電圧の高精度な制御が必要となり、装置コストが増大する。
【００３９】
これに対して、本実施形態に示すようにレーザ光源２を組合せることで、ドライバ回路１２において高コストな高精度な電圧生成・制御手段を配設する必要が無くなり、性能ウェハ１に照射するレーザパワーを高精度に制御することが可能となる。
【００４０】
なお、上記では説明のため電圧切替手段としてＭＯＳトランジスタを用いて説明したが、他の半導体スイッチング素子やリレー等を用いてもよく、これらの素子に対して切替制御と、接続元となる電源電圧を動的に制御することにより、検査中でのウェハに照射するレーザパワー切り替えと長時間での照射レーザパワー安定化が実現できることは言うまでもない。
【００４１】
また、上記では説明のためＶＨ、ＶＬなる２値の電圧を切り替えることで説明したが、実施例３で説明したように、複数のドライバ回路を配設することにより、複数の電圧を切り替えることで複数レベルでの照射レーザパワー制御が実現できることは言うまでもない。
【００４２】
また、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。
【００４３】
例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除。置換をすることが可能である。具体的な変形例としては、以下のとおりである。
【００４４】
変形例１として、試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源と、前記出射したレーザビームを変調する変調部と、前記変調部に印加する電圧を制御する制御部と、前記試料表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出部と、を備え、前記制御部は、前記反射光検出部での検出結果に基づき、前記変調部に印加する電圧を切替えるよう制御する、欠陥検査装置がある。
【００４５】
変形例２として、試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ光源と、前記出射したレーザビームを変調する変調部と、前記変調部に印加する電圧を制御する制御部と、前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出部と、を備え、前記制御部は、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出部で検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調部に印加する電圧を制御する、欠陥検査装置がある。
【００４６】
変形例３として変形例１に記載の欠陥検査装置であって、前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出部と、を備え、前記制御部は、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出部で検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調部に印加する電圧を制御する、欠陥検査装置がある。
【００４７】
変形例４として、変形例２または３に記載の欠陥検査装置であって、前記制御部は、前記レーザパワー検出部で検出した結果に基づき、前記変調部に印加する第一の電圧を生成する第一電圧生成部と、第二の電圧を生成する第二電圧生成部と、前記生成した第一の電圧または第二の電圧を切り替えて前記変調部に印加する電圧切替部と、を有し、前記制御部は、前記第一電圧生成部と前記第二電圧生成部で生成する電圧を可変制御する、ことを特徴とする欠陥検査方法がある。
【００４８】
変形例５として、変形例１ないし３のいずれか一項に記載の欠陥検査装置であって、前記制御手段は、第一の電圧生成部と第二の電圧生成部とを有し、前記第一電圧生成部と前記第二電圧生成部との電位差を前記変調手段に印加する、ことを特徴とする欠陥検査装置がある。
【００４９】
変形例６として、変形例１ないし３のいずれか一項に記載の欠陥検査装置であって、前記制御部を複数個備えることを特徴とする欠陥検査装置がある。
【００５０】
変形例７として変形例２または３に記載の欠陥検査装置であって、前記制御部は、前記レーザパワー検出部での検出結果に基づいてレーザ光源から出射するレーザパワーを制御することを特徴とする、欠陥検査装置がある。
【００５１】
変形例８として、試料表面にレーザを所定の時間照射して前記試料表面の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記試料表面に照射されるレーザビームを出射するレーザ出射ステップと、電圧を印加して前記出射したレーザビームを変調する変調ステップと、前記変調ステップで印加する電圧を制御する制御ステップと、前記試料表面から反射した散乱光を検出して検出信号を生成する反射光検出ステップと、を備え、前記制御ステップでは、前記反射光検出ステップでの検出結果に基づき、前記変調ステップで印加する電圧を切替えるよう制御する、欠陥検査方法がある。
【００５２】
変形例９として、変形例８に記載の欠陥検査方法であって、前記変調されて試料表面に照射されるレーザパワーを検出するレーザパワー検出ステップと、前記制御ステップでは、第一の時間と第二の時間に前記レーザパワー検出ステップで検出した結果、前記第一の時間のレーザパワーと前記第二の時間のレーザパワーが異なる場合に前記変調ステップで印加する電圧を制御する、欠陥検査方法がある。
【００５３】
変形例１０として、変形例９に記載の欠陥検査方法であって、前記制御ステップは、前記レーザパワー検出ステップで検出した結果に基づき、前記変調ステップで印加する第一の電圧を生成する第一電圧生成ステップと、第二の電圧を生成する第二電圧生成ステップと、前記生成した第一の電圧または第二の電圧を切り替えて前記変調ステップで印加する電圧切替ステップと、を有し、前記制御ステップでは、前記第一電圧生成ステップと前記第二電圧生成ステップで生成する電圧を可変制御する、ことを特徴とする欠陥検査方法がある。
【００５４】
変形例１１として、変形例８または９に記載の欠陥検査方法であって、前記制御手段は、第一電圧生成ステップと第二電圧生成ステップを有し、前記第一電圧生成ステップと前記第二電圧生成ステップとの電位差を前記変調ステップで印加する、ことを特徴とする欠陥検査方法がある。
【００５５】
変形例１２として、変形例９に記載の欠陥検査方法であって、前記制御ステップでは、前記レーザパワー検出ステップでの検出結果に基づいてレーザ出射ステップで出射するレーザパワーを制御することを特徴とする、欠陥検査方法がある。
【００５６】
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１  ウェハ
２  レーザ光源
３  光学変調素子
４  偏光板
５  ビームスプリッタ
６  ミラー
７、８  レンズ
９  センサ
１０  検出回路
１１  データ処理部
１２  ドライバ回路
１３  光パワー検出手段
１４  ステージ
５１  入力回路
５２、５３  高圧発生回路
５４、５５  レベルシフト回路
５６、５７、５８、５９  ＭＯＳ駆動回路
６０、６２  ＰＭＯＳトランジスタ
６１、６３  ＮＭＯＳトランジスタ
６４、６５  高圧発生回路
１００  異物検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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