(57)【要約】【課題】生産性の良い研磨方法を提供する。【解決手段】表面がグラファイト層４２で覆われるナノダイヤ２００を、水を含む液体１９９中に研磨材１７として準備する準備工程と、ナノダイヤのグラファイト層に紫外線ＵＶ１，ＵＶ２を照射してＯＨ基を前記ナノダイヤに付与する第１紫外線照射工程と、ＯＨ基を付与されたナノダイヤを用いて対象物９９を研磨する研磨工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面がグラファイト層で覆われるナノダイヤを、水を含む液体中に準備する準備工程と、
前記ナノダイヤの前記グラファイト層に紫外線を照射してＯＨ基を前記ナノダイヤに付与する第１紫外線照射工程と、
前記ＯＨ基を付与された前記ナノダイヤを研磨材として用いて対象物を研磨する研磨工程と、を含む研磨方法。
【請求項２】
前記研磨工程の実施中に、前記研磨工程で使用する研磨パッドに供給される前の前記研磨材に対して前記第１紫外線照射工程が同時に実施される、請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記研磨工程の実施中に同時に実施され、前記研磨工程で使用する研磨パッドに供給された後の前記研磨材の前記ナノダイヤの前記グラファイト層に紫外線を照射してＯＨ基を前記ナノダイヤに付与する第２紫外線照射工程をさらに備える、請求項１又は２に記載の研磨方法。
【請求項４】
前記第１紫外線照射工程前に、前記準備工程で準備された前記液体中の前記ナノダイヤに液中プラズマを照射するプラズマ照射工程を更に含み、
前記プラズマ照射工程の後に前記第１紫外線照射工程が実施される、請求項１〜３いずれか１つに記載の研磨方法。
【請求項５】
前記紫外線の波長が１８５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１〜４いずれか１つに記載の研磨方法。
【請求項６】
前記液体は２０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下の過酸化水素水を更に含む請求項１〜５いずれか１つに記載の研磨方法。
【請求項７】
前記対象物がＧａＮ基板である、請求項１〜６いずれか１つに記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板表面の精密仕上げ工程で活用されてきたメカノケミカルポリッシング（以降、「ＣＭＰ」と称する。）技術は、近年、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板表面を平滑及び平坦化する手法としても展開されており、実用化に向けて急速に進展している。
【０００３】
従来のＣＭＰ技術では、研磨材を研磨パッド上に供給して研磨する方式が主流であり、古くから、コロイダルシリカという砥粒を含む研磨材が使われてきた。が、高硬度でかつ化学的にも安定なＧａＮ基板表面でそのまま適用すると、非常に加工レートが低くなるという課題があった。
【０００４】
そこで、以下のような種々の方法が検討されている。例えば、どちらかというと化学反応を促進させる方法として、コロイダルシリカ砥粒の研磨材と、強度のｐＨを有するエッチング剤又は酸化剤とを混合したり、又は、それらを別々に研磨パッドに供給することで、研磨中の基板表面を脆弱にして除去することで加工レートを高める等の方法がある。又は、これらの方法に代えて、砥粒そのものを高硬度なダイヤモンド等にしたり、研磨パッドの材質又は形状を工夫して、砥粒を強固に保持する機能を付加して機械的な作用を促進させることで、基板表面を除去して加工レートを高める方法も検討されている。
【０００５】
しかしながら、中でも爆轟法という方法で製造されたナノダイヤモンド（以降、「ナノダイヤ」と称する。）を砥粒とする研磨材を用いると、ＧａＮ基板表面の加工レート向上に有効であることがわかってきた。
【０００６】
例えば、特許文献１では、水と、ナノダイヤと、基板表面を脆弱にするための添加剤とを加えた研磨材を用いる研磨方法が、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−５５３１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、生産性の更なる向上の実現が望まれていた。
【０００９】
本発明は、より生産性の良い研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の１つの態様にかかる研磨方法では、表面がグラファイト層で覆われるナノダイヤを、水を含む液体中に研磨材として準備する準備工程と、
前記ナノダイヤの前記グラファイト層に紫外線を照射してＯＨ基を前記ナノダイヤに付与する第１紫外線照射工程と、
前記ＯＨ基を付与された前記ナノダイヤを用いて対象物を研磨する研磨工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明の前記態様によれば、グラファイト層に対する紫外線照射によりＯＨ基がナノダイヤに付与され、ＯＨ基を付与されたナノダイヤを用いて対象物を研磨することにより、対象物から、ある特定の原子をＯＨ基で引き抜くことができる。その結果、表面の除去が促進されて生産性の良い研磨方法が提供できることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１における研磨方法の構成を示す模式図
【図２】本発明の実施の形態１における研磨方法の工程を示す図
【図３】本発明の実施の形態１で用いる研磨材に含まれるナノダイヤの構成を示す模式図
【図４】本発明の実施の形態２における研磨方法の工程を示す図
【図５】本発明の実施の形態３における研磨方法の液中プラズマ照射の構成を示す模式図
【図６】本発明の実施の形態３における研磨方法の工程を示す図
【図７】本発明の実施例と比較例１と比較例２とで加工した結果を比較したグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における研磨方法で用いる研磨装置を示す模式図である。
【００１５】
まず、図１を用いて本実施の形態１における研磨装置の構成について説明する。
【００１６】
本実施の形態１における研磨装置は、送液部１００と、貯留部照射装置１０１と、鏡面容器１０２と、滴下部照射装置１０３と、研磨定盤１６と、研磨ヘッド１３とで構成される。
【００１７】
送液部１００では、配管１５と供給ポンプ１８と配管先端部１９とを備えている。透明容器１１に貯留されている研磨材１７が、配管１５を介して供給ポンプ１８で送液される。供給ポンプ１８で送液された研磨材１７は、配管１５と連結された、例えば紫外線透過性の円筒形状の配管先端部１９から研磨パッド１２の表面に滴下する。
【００１８】
貯留部照射装置１０１は、透明容器１１の外から研磨材１７に向かって紫外線ＵＶ１を照射する紫外線ランプ等で構成されている。
【００１９】
鏡面容器１０２は、内面に鏡面が配置されて、透明容器１１の周囲を覆いつつ貯留部照射装置１０１と連結されている。
【００２０】
滴下部照射装置１０３は、研磨パッド１２の表面に滴下する直前の配管先端部１９に向かって紫外線ＵＶ２を照射する紫外線ランプ等で構成されている。
【００２１】
研磨定盤１６は、モータＭと連結している回転テーブル１４とネジで連結され、かつ上側の表面に研磨パッド１２が貼り付けられている。
【００２２】
研磨ヘッド１３は、対象物である基板９９を下端面に固着した貼付け盤２０を真空で吸着しつつ回転させ、基板９９を研磨パッド１２に押圧する。
【００２３】
次に、本実施の形態１の研磨方法について、その動作とともに説明する。本研磨方法は、図２に示すように、水を含む液体１９９中に配された、表面がグラファイト層４２で覆われるナノダイヤ２００を準備する準備工程（ステップＳ１）と、ナノダイヤ２００のグラファイト層４２に紫外線ＵＶ１，ＵＶ２を照射してＯＨ基を付与する第１紫外線照射工程（ステップＳ２）と、ＯＨ基を付与されたナノダイヤ２００を用いて対象物の例としての基板９９を研磨する研磨工程（ステップＳ３）と、を含む。
【００２４】
図１の研磨装置を用いて、本研磨方法を詳述する。
【００２５】
まず、準備工程の具体例として、透明容器１１に、ナノダイヤ２００と、媒質となる液体１９９とで構成される研磨材１７を投入する。
【００２６】
その後、第１紫外線照射工程の具体例として、透明容器１１で研磨材１７を攪拌しながら、貯留部照射装置１０１にて、透明容器１１内のナノダイヤ２００に紫外線ＵＶ１を照射する。照射された紫外線ＵＶ１は、透明容器１１を直接的に透過したり、鏡面容器１０２の内側の面で反射したりして透明容器１１を間接的に透過するなどして、透明容器１１内で攪拌されているナノダイヤ２００の表面に到達する。
【００２７】
すると、ナノダイヤ２００の表面のＣ−Ｏ結合又はＣ＝Ｃ結合が切断され、液体１９９中のＨ２Ｏと反応して、ナノダイヤ２００の表面にＣ−ＯＨ又はＣＯＯＨ結合ができる。この反応によって、ナノダイヤ２００の表面に、ＯＨ基が付与される。なお、Ｃ−Ｏ結合又はＣ＝Ｃ結合を切断するためには、４００ｎｍ以下の波長の紫外線が必要である。また、酸素と紫外線の反応によるオゾン発生の懸念があるため、１８５ｎｍ以上の波長の紫外線が必要である。一例として、本実施の形態１における紫外線の波長は１８５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。なぜなら、波長が１８５ｎｍより小さいと、空気中の酸素と紫外線とが反応し、オゾンが発生してしまい、オゾン排気装置等の設置が必要となる。また、紫外線の波長が３００ｎｍ以下の波長を用いることで、ナノダイヤ２００の表面のグラファイト層４２に最も沢山あるＣ−Ｃ結合をより確実に切断することが出来、切断した結合とＨ２Ｏとが反応することで、末端がＯＨ基である結合をより効率的に作ることが出来る。
【００２８】
その後、第１紫外線照射工程の前記具体例として、ＯＨ基に覆われたナノダイヤ２００を含む研磨材１７が、供給ポンプ１８によって透明容器１１から配管１５を介して送液され、配管先端部１９を通過する。配管先端部１９の中を移動中の研磨材１７にも、滴下部照射装置１０３によって紫外線ＵＶ２が照射される。ここでも、前述と同様のメカニズムにより、滴下直前のナノダイヤ２００の表面にも、ＯＨ基が付与される。
【００２９】
その後、研磨工程の具体例として、研磨パッド１２に滴下された研磨材１７は、研磨定盤１６の回転運動により研磨パッド１２の表面に濡れ広がり、研磨ヘッド１３によって自転しながら加圧されている基板９９と研磨パッド１２との隙間に進入する。研磨パッド１２には、遊離砥粒であるナノダイヤ２００を保持する空間が設けられており、その空間に滞留している高硬度なナノダイヤ２００と基板９９とが接触することによる機械的作用とナノダイヤ２００の表層に付与されているＯＨ基がＧａ原子を引き抜く化学的作用とによって、基板９９の研磨が進行する。研磨パッド１２への研磨材１７の滴下は、研磨工程中、常時実施してもよいし、所定時間間隔毎に実施してもよい。また、研磨工程の最中に、研磨工程で送液する研磨材１７に対する紫外線照射を研磨工程と同時に実施していてもよい。また、代わりに、透明容器１１内に第１紫外線照射工程が実施された研磨材１７を保持しておき、研磨工程で必要に応じて、透明容器１１から研磨材１７を供給できるようにしてもよい。
【００３０】
なお、透明容器１１と配管先端部１９とは、紫外線ＵＶ１，ＵＶ２の透過率が高い材料を選択することが望ましく、本実施の形態１では、一例として石英製の部材を使用する。なぜなら、紫外線ＵＶ１，ＵＶ２の透過率の低い材料を用いた場合、ナノダイヤ表面のＣ−Ｏ結合又はＣ＝Ｃ結合を切断する効果が著しく減少するためである。
【００３１】
さらに、鏡面容器１０２の鏡面の材料は、紫外線ＵＶ１の反射率が高い金属を選択することが望ましく、本実施の形態１では一例としてアルミニウムを使用する。それは、透明容器１１の中で浮遊しているナノダイヤ２００の表面に紫外線ＵＶ１をムラ無く照射し、大量のＯＨ基をナノダイヤ２００に付与するためである。
【００３２】
次に、本実施の形態１における研磨材１７について説明する。研磨材１７の組成は、９０〜９５ｗｔ％の水１９９と５〜１０ｗｔ％のナノダイヤ２００とで構成される。本実施の形態１で使用するナノダイヤ２００は、爆轟法で作製されたもので、直径が４〜５ｎｍの図３に概略断面図で示すように、ダイヤモンドコア４１の表面を、グラファイト層４２で覆った比表面積３００ｍ２／ｇ以上の微粒子が凝集した直径１０〜２０００ｎｍの黒色の粒子である。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態１の特徴について説明する。本実施の形態１の特徴は、ナノダイヤ２００に大量のＯＨ基を付与することである。なぜなら、ＯＨ基が被加工物（言い換えれば、対象物）であるＧａＮ基板９９の表面と接触すると、Ｇａ原子がＯ原子と結合して引き抜かれるという現象が発生するからである。それは、ナノダイヤ表面にあるＯＨ基のＯ原子が、ＧａＮ基板表面のＧａ原子に吸着され、ナノダイヤ表面でＣ−Ｏ−Ｇａ結合を作ることと、遊離砥粒であるナノダイヤ２００が移動することにより起こる現象であると考えられている。
【００３４】
ここで、本ナノダイヤ２００は、図３に示すように、直径数ｎｍで球形のダイヤモンドコア４１と、その表面を覆うグラファイト層４２とで構成される。このグラファイト層４２には、ＯＨ基と反応しやすいＣ−Ｏ結合又はＣ−Ｃ結合又はＣ＝Ｃ結合が多数存在している。よって、これらに紫外線ＵＶ１，ＵＶ２を照射することで、より多くのＯＨ基をグラファイト層４２に付与させ、より多くのＣ−Ｏ−Ｇａ結合をグラファイト層４２に形成することが可能である。
【００３５】
つまり、ナノダイヤ２００の表面に大量のＯＨ基を付与させることで、Ｇａ原子を引き抜く力が強くなるので、ＧａＮ基板９９の表面の除去が促進されて生産性が向上することになる。
【００３６】
一方、ナノダイヤ２００自身が研磨を促進する理由については、諸説あるが、第一原理計算による結果から、ナノダイヤ２００は、ＧａＮ基板９９から電子吸引する電荷が大きいので、Ｇａ原子の引き抜きに有利であると考えられる。このため、研磨材１７の砥粒をナノダイヤ２００にするだけでも、加工レートが向上すると推察される。
【００３７】
これらの化学的作用と高硬度なダイヤモンドコア４１との接触による機械的作用との相乗効果で、加工レートをより向上させることができる。
【００３８】
かかる実施の形態１にかかる構成によれば、グラファイト層４２に対する紫外線照射によりＯＨ基がナノダイヤ２００に付与され、ＯＨ基を付与されたナノダイヤ２００を用いてＧａＮ基板９９を研磨することにより、ＧａＮ基板９９から、Ｇａ原子をＯＨ基で引き抜くことができる。その結果、表面の除去が促進されて、より生産性を向上できる研磨方法を提供することができる。
【００３９】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。本実施の形態２の特徴は、研磨中の研磨材１７にもナノダイヤ２００に紫外線ＵＶ３を照射することである。すなわち、図４に示すように、研磨工程の実施中に同時に実施される、研磨工程で使用している研磨材１７のナノダイヤ２００のグラファイト層４２に紫外線ＵＶ３を照射してＯＨ基をナノダイヤ２００に付与する第２紫外線照射工程を備えている（ステップＳ４）。このように構成すれば、実施の形態１よりも、さらに大量のＯＨ基を研磨材使用直前に付与できるため、生産性の更なる向上を実現できる。
【００４０】
前述のように、貯留部照射装置１０１と滴下部照射装置１０３とを用いてナノダイヤ２００の表面に紫外線ＵＶ１，ＵＶ２を照射することでＯＨ基が付与されるが、媒質である水と紫外線ＵＶ１，ＵＶ２との反応が不可欠である。なぜなら、ＯＨ基は、水に紫外線ＵＶ１，ＵＶ２が照射されることによって発生したＯＨラジカルと、紫外線ＵＶ１，ＵＶ２とによって切断されたナノダイヤ表面のグラファイト層４２にあるＣ原子とが化学反応により結合することで定着すると考えられている。しかしながら、ＯＨラジカルは消滅しやすいため、より多くの反応を発生させるためには、研磨パッド１２に滴下された後の研磨中の研磨材１７にまで、水中のナノダイヤ２００に紫外線ＵＶ３を照射すると、より効果的である。一例として、研磨パッド１２の回転方向における研磨ヘッド１３の進行方向の上流側に、具体的には、図１では研磨ヘッド１３の手前側の研磨パッド１２の部分に、紫外線ＵＶ３を研磨パッド照射装置１１０から照射する。研磨パッド照射装置１１０は、研磨パッド１２の表面の研磨材１７に向かって紫外線ＵＶ３を照射する紫外線ランプ等で構成され、研磨パッド１２の表面の近傍に配置されている。
【００４１】
従って、本実施の形態１では、研磨パッド１２以外では、透明容器１１と配管先端部１９との２箇所に紫外線ＵＶ１，ＵＶ２を照射するように構成していたが、それに加えて可能なら配管１５のすべてを紫外線透過率の高い配管に変え、紫外線をそのような配管に照射することが望ましい。
【００４２】
また、本実施の形態２における紫外線ＵＶ３の波長は１８５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。なぜなら、波長が１８５ｎｍより小さいと、空気中の酸素と紫外線とが反応し、オゾンが発生してしまい、オゾン排気装置等の設置が必要となる。また、紫外線の波長が３００ｎｍ以下の波長を用いることで、ナノダイヤ２００の表面のグラファイト層４２に最も沢山あるＣ−Ｃ結合をより確実に切断することが出来、切断した結合とＨ２Ｏとが反応することで、末端がＯＨ基である結合をより効率的に作ることが出来る。
【００４３】
かかる構成によれば、研磨中でも、使用中の研磨材１７のナノダイヤ２００の表面のグラファイト層４２に対する紫外線照射により、ナノダイヤ２００の表面に大量にＯＨ基を付与することが可能になる。
【００４４】
なお、本実施の形態２における研磨材１７の媒質は水であるが、２０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下の過酸化水素を含んだ水の方がより望ましい。なぜなら、過酸化水素水は、活性酸素を多く含むので、より大量のＯＨラジカルが発生しやすくなるだけでなく、ＧａＮ基板表面を酸化させて脆弱にする効果もある。なお、このような２０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下の過酸化水素を含んだ水は、実施の形態１及び実施の形態３にも適用可能である。過酸化水素が２０ｗｔ％以下では、ＯＨラジカルを発生させる効果又はＧａＮ基板表面を酸化させる効果が低いからである。また、過酸化水素が４０ｗｔ％以上では、ｐＨが低くなり強酸性のスラリーとなるため、装置の金属部分を腐食させたり、人体に影響を及ぼすリスクがあり、実用面で好ましくないからである。
【００４５】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３の特徴について説明する。
【００４６】
図５は、本発明の実施の形態３における研磨方法の特徴を示す模式図である。図５を用いて本実施の形態３における液中プラズマＰの構成について説明する。本方法では、図６に示すように、液体１９９中のナノダイヤ２００に液中プラズマＰを照射するプラズマ照射工程（ステップＳ５）を第１紫外線照射工程（ステップＳ２）の前に更に含み、プラズマ照射工程（ステップＳ５）の後に前記の第１紫外線照射工程（ステップＳ２）が実施される。これにより、より多量のＯＨ基を付与でき、生産性の更なる向上が実現できる。
【００４７】
図５に示すように、研磨材１７が貯留されている透明容器１１の中にプラズマ電極２０１が挿入されており、プラズマ電極２０１に高電圧をかけることで、先端から液中プラズマＰを発生させる構成である。本実施の形態３の特徴は、透明容器１１で滞留中のナノダイヤ２００に、液中プラズマＰを照射することである。
【００４８】
このように液中プラズマＰを照射することで、紫外線と同様に、ナノダイヤ表面のＣ−Ｏ結合又はＣ＝Ｃ結合が切断され、水中のＨ２Ｏと反応して発生したＯＨラジカルと結合するので、ナノダイヤ２００の表面にＯＨ基が付与される。
【００４９】
さらに、液中プラズマＰは、ナノダイヤ２００の表面に付着している金属不純物を除去する効果も期待できる。このため、よりＯＨ基を付与できると考えられる。
【００５０】
ここで、本方法を図６に示す。本方法は、準備工程（ステップＳ１）と、第１紫外線照射工程（ステップＳ２）と、研磨工程（ステップＳ３）とを含む上に、ステップＳ２の前に、プラズマ照射工程（ステップＳ５）を更に含んでいる。本方法は、研磨工程（ステップＳ３）の実施中に第２紫外線照射工程が同時に実施されてもよい（図４のステップＳ４を参照）。
【００５１】
（実施例と比較例との比較）
次に、例えば、未処理のナノダイヤと、未処理のコロイダルシリカと、本実施の形態３におけるＯＨ基を付与したナノダイヤと、をそれぞれ研磨材として使用し、２インチのＧａＮ基板のＧａ面を研磨し、加工レートを比較例１，２及び実施例１で比較した結果について、以下に説明する。
【００５２】
研磨定盤直径を４６０ｍｍとし、研磨ヘッド直径を１８０ｍｍとし、最大荷重が５０ｋｇｆで２連ヘッド仕様の研磨装置を用い、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）で作製された２インチのＧａＮ基板を３枚を準備して、以下に示す条件で加工したときの、加工レートを加工前後の基板厚みの差を測定することで算出して比較した。
【００５３】
（比較例１）
研磨材は、未処理のコロイダルシリカである。研磨パッドとしてはニッタムーア社製の不織布パッドＳＵＢＡ８００を使用し、研磨材はｐＨ９．５のコロイダルシリカ溶液と純水とを重量比１：１で混合したものを５ｃｃ／ｍｉｎの流量で滴下しながら、研磨定盤回転数が６０ｒｐｍ、研磨ヘッド回転数が５０ｒｐｍ、加圧力が４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１８０ｍｉｎの条件で研磨した。
【００５４】
（比較例２）
研磨材は未処理のナノダイヤである。研磨パッドとしては、ニッタムーア社製の不織布パッドＳＵＢＡ８００を使用し、研磨材は平均粒径５０ｎｍのナノダイヤと純水とを重量比５：９５で混合したものを２ｃｃ／ｍｉｎの流量で滴下しながら、研磨定盤回転数が６０ｒｐｍ、研磨ヘッド回転数が５０ｒｐｍ、加圧力が４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１８０ｍｉｎの条件で研磨した。
【００５５】
（実施例）
研磨材は、ＯＨ基を付与したナノダイヤである。研磨パッドとしては、ニッタムーア社製の不織布パッドＳＵＢＡ８００を使用し、研磨材は平均粒径５０ｎｍのナノダイヤと純水とを重量比５：９５で混合したものを２ｃｃ／ｍｉｎの流量で滴下しながら、研磨定盤回転数が６０ｒｐｍ、研磨ヘッド回転数が５０ｒｐｍ、加圧力が４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１８０ｍｉｎの条件で研磨した。２００ｎｍ以下の波長をフィルターでカットした低圧水銀ランプを用いて、２５０ｎｍの波長が主成分となるように紫外線をナノダイヤに照射した。
【００５６】
これらの比較実験の結果、図７に示すように、実施例が最も高い加工レートを示した。実施例の生産性の向上が確認された。比較例１、比較例２、実施例の各平均加工レートは０．９ｎｍ／ｍｉｎ、７、３ｎｍ／ｍｉｎ、１３．３ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００５７】
なお、本研磨方法では、対象物をＧａＮとして説明したが、ＳｉＣを対象物としてもよい。ただし、ＧａＮを対象物とするのが上述のように好適である。
【００５８】
なお、前記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせ又は実施例同士の組み合わせ又は実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態又は実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の前記態様にかかる研磨方法は、生産性のよい研磨方法が提供できて、ＧａＮの加工又は、硬脆性基板であるＳｉＣ等の基板にも応用可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１１  透明容器
１２  研磨パッド
１３  研磨ヘッド
１４  回転テーブル
１５  配管
１６  研磨定盤
１７  研磨材
１８  供給ポンプ
１９  配管先端部
２０  貼付け盤
４１  ダイヤモンドコア
４２  グラファイト層
９９  基板
１００  送液部
１０１  貯留部照射装置
１０２  鏡面容器
１０３  滴下部照射装置
１１０  研磨パッド照射装置
２００  ナノダイヤ
２０１  プラズマ電極
Ｍ  モータ
Ｐ  液中プラズマ
ＵＶ１，ＵＶ２，ＵＶ３  紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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