(57)【要約】【課題】接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させると共に、割断後の接着剤層付き半導体チップについて良好なピックアップを実現することが可能なダイシングダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、前記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａである、ダイシングダイボンドフィルム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
前記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａである、ダイシングダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記粘着剤層は放射線硬化型粘着剤層であり、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の前記粘着剤層と前記接着剤層との間の剥離力が０．０６〜０．２５Ｎ／２０ｍｍである、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項３】
温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記接着剤層との間の剥離力が２Ｎ／２０ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記粘着剤層と前記接着剤層の接触面における、前記粘着剤層表面の表面粗さＲａと前記接着剤層表面の表面粗さＲａとの差が１００ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記粘着剤層が、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む第１アクリル系ポリマーを含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項６】
前記第１アクリル系ポリマーにおける、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率が、１〜４０である、請求項５に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記第１アクリル系ポリマーが、不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含み、前記第１アクリル系ポリマーにおける、不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率が、０．１〜２である、請求項５又は６に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項８】
前記接着剤層は、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分、角度１８０°の条件での、ＳＵＳに対する粘着力が０．１〜２０Ｎ／１０ｍｍである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項９】
前記接着剤層は、２３℃における貯蔵弾性率が１００〜４０００ＭＰａである、請求項１〜８のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項１０】
前記接着剤層の外周端は、フィルム面内方向において前記粘着剤層の外周端から１０００μｍ以内の距離にある、請求項１〜９のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳細には、本発明は、半導体装置の製造過程で使用することができるダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを有する半導体チップ、すなわち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得る過程で、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材及び粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。
【０００３】
ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断させるための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼り合わせる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。次に、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムを割断させるために、エキスパンド装置を使用してダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを半導体ウエハの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばす。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルム又はダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ダイシングテープ上の割断後の複数のダイボンドフィルム付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程を行う。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップをそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げてダイシングテープ上からピックアップする。このようにして、ダイボンドフィルムすなわち接着剤層付き半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１７３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７７４０１号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１５８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１４は、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹをその断面模式図で表すものである。ダイシングダイボンドフィルムＹは、ダイシングテープ６０及びダイボンドフィルム７０からなる。ダイシングテープ６０は、基材６１と、粘着力を発揮する粘着剤層６２との積層構造を有する。ダイボンドフィルム７０は、粘着剤層６２の粘着力によって粘着剤層６２に密着している。このようなダイシングダイボンドフィルムＹは、半導体装置の製造過程における加工対象あるいはワークである半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有し、上述のエキスパンド工程に使用され得る。例えば図１５に示すように、半導体ウエハ８１がダイボンドフィルム７０に貼り合わせられ、且つ、リングフレーム８２が粘着剤層６２に貼り付けられた状態で、上述のエキスパンド工程が実施される。半導体ウエハ８１は、例えば、複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。リングフレーム８２は、ダイシングダイボンドフィルムＹに貼り付けられた状態において、エキスパンド装置が備える搬送アーム等の搬送機構がワーク搬送時に機械的に当接するフレーム部材である。従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは、このようなリングフレーム８２がダイシングテープ６０の粘着剤層６２の粘着力によって当該フィルムに固定され得るように設計されている。すなわち、ダイシングテープ６０の粘着剤層６２においてダイボンドフィルム７０の周囲にリングフレーム貼着用領域が確保される設計を、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは有している。そのような設計において、粘着剤層６２の外周端６２ｅとダイボンドフィルム７０の外周端７０ｅとのフィルム面内方向の距離は１０〜３０ｍｍ程度である。
【０００６】
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させると共に、割断後の接着剤層付き半導体チップについて良好なピックアップを実現することが可能なダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、粘着剤層表面のナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が特定の範囲内であるダイシングダイボンドフィルムを用いると、エキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させると共に、割断後の接着剤層付き半導体チップについて良好なピックアップを実現することができることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、上記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａである、ダイシングダイボンドフィルムを提供する。
【０００９】
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープ及び接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。ダイシングテープの粘着剤層は、当該粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａである。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るために使用することができる。また、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、セパレータ上に形成された接着剤層の上に粘着剤層形成用の組成物を塗工して固化させて粘着剤層を形成する過程、又は、基材上に形成された粘着剤層の上に接着剤層形成用の組成物を塗工して固化させて接着剤層を形成する過程、を経る手法（積層塗工手法）によって製造することが可能である。
【００１０】
半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、すなわち、割断のためのエキスパンド工程を実施する場合がある。このエキスパンド工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ上の接着剤層に適切に割断力が作用することが必要である。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープの粘着剤層は、上述のように、当該粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａである。上記ナノインデンテーション法による弾性率は、圧子を粘着剤層表面に押し込んだときの、圧子への負荷荷重と押し込み深さとを、負荷時及び除荷時に渡り連続的に測定し、得られた負荷荷重−押し込み深さ曲線から求められる弾性率をいう。このように、上記ナノインデンテーション法による弾性率は、粘着剤層表面の物理的特性を表す指標であり、粘着剤層全体の物理的特性を表す指標である従来の粘弾性測定により得られる引張弾性率等の弾性率とは異なるものである。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層の、このような上記ナノインデンテーション法による弾性率が０．１ＭＰａ以上であることにより、エキスパンド時に生じる応力が接着剤層に伝わりやすくなるため接着剤層を良好に割断でき、且つ、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程における粘着剤層と接着剤層との間の剥離が生じるのを抑制することができる。また、上記ナノインデンテーション法による弾性率が２０ＭＰａ以下であることにより、エキスパンド工程における粘着剤層の割れを起こりにくくすることができ、且つ、ピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが可能である。なお、粘着剤層１２が後述の放射線硬化型粘着剤層である場合、放射線硬化後の粘着剤層１２の上記ナノインデンテーション法による弾性率が上記範囲内であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、その接着剤層にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープ若しくはその粘着剤層とその上の接着剤層とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの面内方向において、接着剤層の外周端がダイシングテープの基材や粘着剤層の各外周端から１０００μｍ以内の距離にある設計を採用することができる。このような本発明のダイシングダイボンドフィルムは、例えば上述の積層塗工手法による接着剤層と粘着剤層との積層形成の後に、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施することが可能である。
【００１２】
上述の従来型のダイシングダイボンドフィルムＹの製造過程においては、所定のサイズ及び形状のダイシングテープ６０を形成するための加工工程（第１の加工工程）と、所定のサイズ及び形状のダイボンドフィルム７０を形成するための加工工程（第２の加工工程）とが、別個の工程として必要である。第１の加工工程では、例えば、セパレータと、基材６１へと形成されることとなる基材層と、これらの間に位置して粘着剤層６２へと形成されることとなる粘着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、基材層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上の粘着剤層６２と基材６１との積層構造を有するダイシングテープ６０が、セパレータ上に形成される。第２の加工工程では、例えば、セパレータと、ダイボンドフィルム７０へと形成されることとなる接着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、接着剤層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上にダイボンドフィルム７０が形成される。このように別個の工程で形成されたダイシングテープ６０とダイボンドフィルム７０とは、その後、位置合わせされつつ貼り合わせられる。図１６に、ダイボンドフィルム７０表面及び粘着剤層６２表面を覆うセパレータ８３を伴う従来型のダイシングダイボンドフィルムＹを示す。
【００１３】
これに対し、ダイシングテープ又はその粘着剤層とその上の接着剤層とがフィルム面内方向において実質的に同一の設計寸法を有する場合の本発明のダイシングダイボンドフィルムは、例えば上述の積層塗工手法による接着剤層と粘着剤層との積層形成の後に、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施すること可能である。このような本発明のダイシングダイボンドフィルムは、エキスパンド工程にて接着剤層を良好に割断させるとともにピックアップ工程にて接着剤層付き半導体チップの良好なピックアップを実現するのに適する上に、製造工程数の削減の観点や製造コスト抑制の観点等において効率的に製造するのにも適する。
【００１４】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層は放射線硬化型粘着剤層であり、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力は０．０６〜０．２５Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。上記放射線硬化後の上記Ｔ型剥離試験における剥離力が０．０６Ｎ／２０ｍｍ以上であると、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制することができる。上記放射線硬化後の上記Ｔ型剥離試験における剥離力が０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ピックアップ工程においてより良好なピックアップを実現することができる。
【００１５】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力は２Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましい。上記放射線硬化前の上記Ｔ型剥離試験における剥離力が２Ｎ／２０ｍｍ以上であると、放射線硬化を行わない状態でエキスパンド工程を実施する場合に、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制しつつ、接着剤層をより良好に割断することができる。
【００１６】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層と上記接着剤層の接触面における、上記粘着剤層表面の表面粗さＲａと上記接着剤層表面の表面粗さＲａとの差は１００ｎｍ以下であることが好ましい。上記表面粗さＲａの差が１００ｎｍ以下であると、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性をより向上させることができ、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制することができる。
【００１７】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層は、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む第１アクリル系ポリマーを含有することが好ましい。上記粘着剤層が上記第１アクリル系ポリマーを含有することにより、ピックアップ工程においてダイシングテープの粘着剤層からの接着剤層付き半導体チップの剥離がより容易となり、より良好なピックアップを実現することができる。
【００１８】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記第１アクリル系ポリマーにおける、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率は、１〜４０であることが好ましい。上記モル比率が低下するほどダイシングテープにおける粘着剤層とその上の接着剤層との相互作用が強くなる傾向があるところ、上記モル比率が１以上であると、上記相互作用を比較的低く抑えることができ、ピックアップ工程においてダイシングテープの粘着剤層からの接着剤層付き半導体チップの剥離がより容易となり、より良好なピックアップを実現することができる。また、上記モル比率が４０以下であると、上記相互作用をある程度維持することができ、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制することができる。
【００１９】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記第１アクリル系ポリマーは、不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含み、上記第１アクリル系ポリマーにおける、不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率は、０．１〜２であることが好ましい。上記第１アクリル系ポリマーが不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含み、上記モル比率が０．１以上であると、放射線硬化後の粘着剤層の、上記ナノインデンテーション法による弾性率が向上する傾向があり、エキスパンド工程において接着剤層をより良好に割断することができる。上記モル比率が２以下であると、放射線硬化後の粘着剤層の、上記ナノインデンテーション法による弾性率が低下する傾向があり、エキスパンド工程における粘着剤層の割れをより起こりにくくすることができる。
【００２０】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記接着剤層は、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分、角度１８０°の条件での、ＳＵＳに対する粘着力が０．１〜２０Ｎ／１０ｍｍであることが好ましい。上記粘着力が０．１Ｎ／１０ｍｍ以上であると、エキスパンド工程においてリングフレームを上記接着剤層に貼付する場合、接着剤層とリングフレームの密着性を向上させ、エキスパンド工程ではリングフレームにより本発明のダイシングダイボンドフィルムを良好に保持することができる。上記粘着力が２０Ｎ／１０ｍｍ以下であると、エキスパンド工程においてリングフレームを上記接着剤層に貼付する場合、リングフレームからの本発明のダイシングダイボンドフィルムの剥離が容易となる。
【００２１】
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記接着剤層は、２３℃における貯蔵弾性率が１００〜４０００ＭＰａであることが好ましい。上記貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であると、エキスパンド工程においてリングフレームを上記接着剤層に貼付する場合、リングフレームからの本発明のダイシングダイボンドフィルムの剥離が容易となる。上記貯蔵弾性率が４０００ＭＰａ以下であると、エキスパンド工程においてリングフレームを上記接着剤層に貼付する場合、接着剤層とリングフレームの密着性を向上させ、エキスパンド工程ではリングフレームにより本発明のダイシングダイボンドフィルムを良好に保持することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させると共に、割断後の接着剤層付き半導体チップについて良好なピックアップを実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。
【図２】図１に示すダイシングダイボンドフィルムがセパレータを有する場合の一例を表す。
【図３】図１に示すダイシングダイボンドフィルムの製造方法の一例を表す。
【図４】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。
【図５】図４に示す工程の後に続く工程を表す。
【図６】図５に示す工程の後に続く工程を表す。
【図７】図６に示す工程の後に続く工程を表す。
【図８】図７に示す工程の後に続く工程を表す。
【図９】図８に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１０】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１１】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１２】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１３】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１４】従来のダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。
【図１５】図１４に示すダイシングダイボンドフィルムの使用態様を表す。
【図１６】図１４に示すダイシングダイボンドフィルムの一供給形態を表す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［ダイシングダイボンドフィルム］
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層と、を備える。本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。図１は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。
【００２５】
図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルムＸは、ダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０における粘着剤層１２上に積層された接着剤層２０とを備え、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程でのエキスパンド工程に使用することのできるものである。また、ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造過程における加工対象の半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルムＸの直径は、例えば、３４５〜３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５〜２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５〜２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、又は、４９５〜５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。
【００２６】
（基材）
ダイシングテープ１０における基材１１は、ダイシングテープ１０やダイシングダイボンドフィルムＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材１１は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。
【００２７】
上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。基材１１において良好な熱収縮性を確保して、後述の常温エキスパンド工程においてチップ離間距離をダイシングテープ１０又は基材１１の部分的熱収縮を利用して維持しやすい観点から、基材１１は、エチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分として含むことが好ましい。なお、基材１１の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層１２が後述のように放射線硬化型粘着剤層である場合、基材１１は放射線透過性を有することが好ましい。
【００２８】
基材１１がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向（一軸方向、二軸方向等）に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープ１０の、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化された接着剤層付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材１１及びダイシングテープ１０が等方的な熱収縮性を有するためには、基材１１は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸（一軸延伸、二軸延伸等）することにより得ることができる。基材１１及びダイシングテープ１０は、加熱温度１００℃及び加熱時間処理６０秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、１〜３０％であることが好ましく、より好ましくは２〜２５％、さらに好ましくは３〜２０％、特に好ましくは５〜２０％である。上記熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。
【００２９】
基材１１の粘着剤層１２側表面は、粘着剤層１２との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材１１表面に設けてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材１１における粘着剤層１２側の表面全体に施されていることが好ましい。
【００３０】
基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０及びダイシングダイボンドフィルムＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、４０μｍ以上が好ましく、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは５５μｍ以上、特に好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０及びダイシングダイボンドフィルムＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。
【００３１】
（粘着剤層）
ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２は、上述のように、粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による５００ｎｍ押し込み時の弾性率が０．１〜２０ＭＰａであり、好ましくは０．５〜１５ＭＰａ、より好ましくは１〜１０ＭＰａである。上記ナノインデンテーション法による弾性率が０．１ＭＰａ以上であることにより、エキスパンド時に生じる応力が接着剤層に伝わりやすくなるため接着剤層を良好に割断でき、且つ、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程における粘着剤層と接着剤層との間の剥離が生じるのを抑制することができる。また、上記ナノインデンテーション法による弾性率が２０ＭＰａ以下であることにより、エキスパンド工程における粘着剤層の割れを起こりにくくすることができ、且つ、ピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが可能である。
【００３２】
上記ナノインデンテーション法による弾性率は、圧子を粘着剤層表面に押し込んだときの、圧子への負荷荷重と押し込み深さとを、負荷時及び除荷時に渡り連続的に測定し、得られた負荷荷重−押し込み深さ曲線から求められる弾性率をいう。すなわち、上記ナノインデンテーション法による弾性率は、粘着剤層表面の物理的特性を表す指標であり、粘着剤層全体の物理的特性を表す指標である従来の粘弾性測定により得られる引張弾性率等の弾性率とは異なるものである。上記粘着剤層のナノインデンテーション法による弾性率は、荷重：１ｍＮ、負荷・除荷速度：０．１ｍＮ／ｓ、保持時間：１ｓの条件下でのナノインデンテーション試験により得られる弾性率である。
【００３３】
ダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。
【００３４】
上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等の炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（ラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、中でも、（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましく、より好ましくは炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレートである。すなわち、上記アクリル系ポリマーは、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
【００３５】
上記炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリル）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸エイコシル等の炭素数１０〜２５のアルキル基（Ｃ10-25アルキル基）を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸ラウリルが好ましい。
【００３６】
炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステル（特に、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート）の割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。
【００３７】
上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分としては、中でも、ヒドロキシ基含有モノマーが好ましく、より好ましくは（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル（２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート）である。すなわち、上記アクリル系ポリマーは、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
【００３８】
炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記他のモノマー成分（特に、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート）の割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。
【００３９】
上記アクリル系ポリマーは、特に、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を少なくとも含むアクリル系ポリマー（「第１アクリル系ポリマー」と称する場合がある）であることが好ましい。すなわち、粘着剤層１２は、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位及び２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を少なくとも含む第１アクリル系ポリマーを含有することが好ましい。粘着剤層１２が上記第１アクリル系ポリマーを含有すると、ピックアップ工程においてダイシングテープの粘着剤層からの接着剤層付き半導体チップの剥離がより容易となり、より良好なピックアップを実現することができる。
【００４０】
上記第１アクリル系ポリマーにおける、炭素数１０以上のアルキル基を有する（メタ）アクリレート由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率は、１以上であることが好ましく、より好ましくは３以上、より好ましくは５以上である。また、上記モル比率は、４０以下であることが好ましく、より好ましくは３５以下、より好ましくは３０以下である。上記モル比率が低下するほどダイシングテープにおける粘着剤層とその上の接着剤層との相互作用が強くなる傾向があるところ、上記モル比率が１以上であると、上記相互作用を比較的低く抑えることができ、ピックアップ工程においてダイシングテープの粘着剤層からの接着剤層付き半導体チップの剥離がより容易となり、より良好なピックアップを実現することができる。また、上記モル比率が４０以下であると、上記相互作用をある程度維持することができ、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制することができる。
【００４１】
第１アクリル系ポリマーを含む上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。
【００４２】
アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。
【００４３】
アクリル系ポリマーの数平均分子量は、１０万以上が好ましく、より好ましくは２０万〜３００万である。数平均分子量が１０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、接着剤層や半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。
【００４４】
粘着剤層１２あるいは粘着剤層１２を形成する粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層１２中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１〜５質量部である。
【００４５】
粘着剤層１２は、放射線照射や加熱等外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤層（粘着力低減型粘着剤層）であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤層（粘着力非低減型粘着剤層）であってもよく、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。
【００４６】
粘着剤層１２が粘着力低減型粘着剤層である場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程や使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程でダイシングテープ１０の粘着剤層１２に接着剤層２０を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルムＸがダイシング工程に使用される時には、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層１２から接着剤層２０等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層１２の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。
【００４７】
このような粘着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、例えば、放射線硬化型粘着剤、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。
【００４８】
上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化型粘着剤）を特に好ましく用いることができる。
【００４９】
上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。
【００５０】
上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００〜３００００程度のものが好ましい。粘着剤層１２を形成する放射線硬化型粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部、好ましくは４０〜１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。
【００５１】
上記放射線硬化型粘着剤としては、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化型粘着剤を用いると、形成された粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。
【００５２】
上記内在型の放射線硬化型粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマー（特に、上記第１アクリル系ポリマー）が好ましい。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００５３】
上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。この場合のイソシアネート基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物、すなわち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。
【００５４】
第１アクリル系ポリマーが不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を有する場合、第１アクリル系ポリマーにおける、不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位の、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位に対するモル比率は、０．１以上が好ましく、より好ましくは０．２以上、より好ましくは０．３以上である。また、上記モル比率は、２以下が好ましく、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１以下である。上記モル比率が０．１以上であると、放射線硬化後の粘着剤層の、上記ナノインデンテーション法による弾性率が向上する傾向があり、エキスパンド工程において接着剤層をより良好に割断することができる。上記モル比率が２以下であると、放射線硬化後の粘着剤層の、上記ナノインデンテーション法による弾性率が低下する傾向があり、エキスパンド工程における粘着剤層の割れをより起こりにくくすることができる。
【００５５】
上記放射線硬化型粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α−ケトール系化合物としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２−ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５〜２０質量部である。
【００５６】
上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球等）を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３’−ジスルホニルヒドラジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジニトロソテレフタルアミド等のＮ−ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。
【００５７】
上記粘着力非低減型粘着剤層としては、例えば、感圧型粘着剤層が挙げられる。なお、感圧型粘着剤層には、粘着力低減型粘着剤層に関して上述した放射線硬化型粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させつつも一定の粘着力を有する形態の粘着剤層が含まれる。粘着力非低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、粘着剤層１２における所定の部位（例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤層であり、他の部位（例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減型粘着剤層であってもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、積層構造中の一部の粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。
【００５８】
放射線硬化型粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤層（放射線照射済放射線硬化型粘着剤層）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤層を用いる場合、粘着剤層１２の面広がり方向において、粘着剤層１２の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であってもよく、粘着剤層１２の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であり且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤層であってもよい。
【００５９】
上記感圧型粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層１２が感圧型の粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマー（例えば、第１アクリル系ポリマー）を採用することができる。
【００６０】
粘着剤層１２又は粘着剤層１２を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。
【００６１】
粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤から形成された粘着剤層である場合に当該粘着剤層１２の放射線硬化の前後における接着剤層２０に対する接着力のバランスをとる観点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、さらに好ましくは５〜２５μｍである。
【００６２】
（接着剤層）
接着剤層２０は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能と、半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能とを併有する。接着剤層２０は、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断させて使用される。
【００６３】
接着剤層２０及び接着剤層２０を構成する接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。接着剤層２０を構成する接着剤が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該接着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含む必要はない。接着剤層２０は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
【００６４】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着剤層２０による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。
【００６５】
リングフレームに対する接着剤層２０の、室温及びその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立の観点からは、接着剤層２０は、熱可塑性樹脂の主成分として、ガラス転移温度が−１０〜１０℃のポリマーを含むことが好ましい。熱可塑性樹脂の主成分とは、熱可塑性樹脂成分中で最も大きな質量割合を占める樹脂成分とする。
【００６６】
ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの重量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫７  塗料用合成樹脂入門」（北岡協三  著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７−５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
Ｆｏｘの式    １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］
【００６７】
上記アクリル系樹脂は、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むことが好ましい。当該炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成する炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとして例示された炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。
【００６８】
上記アクリル樹脂は、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられ、具体的には、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを構成する他のモノマー成分として例示されたものを使用することができる。
【００６９】
上記アクリル系樹脂としては、中でも、ニトリル基を有するアクリル系ポリマー（「第２アクリル系ポリマー」と称する場合がある）であることが好ましい。特に、粘着剤層１２が第１アクリル系ポリマーを含み且つ接着剤層２０が第２アクリル系ポリマーを含むことが好ましい。粘着剤層１２が第１アクリル系ポリマーを含み且つ接着剤層２０が第２アクリル系ポリマーを含む構成によると、両層間において高いせん断接着力を確保しつつ、両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制できるため、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの浮きの発生をより抑制し、且つピックアップ工程においてより良好なピックアップを実現することができる。特に、上述の積層塗工手法を経て粘着剤層と接着剤層とを積層形成する場合には、一般的に当該両層間の積層方向に働く結合的な相互作用は過剰となりやすいため上記構成が好ましい。
【００７０】
ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーは、ニトリル基含有モノマー由来の構造単位を含むことが好ましい。ニトリル基含有モノマーとしては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、シアノスチレンが挙げられる。
【００７１】
ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおいて、カルボニル基由来の１７３０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ＝Ｏ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さに対する、ニトリル基由来の２２４０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ≡Ｎ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さの比の値は、０．０１以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１５以上、さらに好ましくは０．０２以上である。また、上記比の値は、０．１以下であることが好ましく、より好ましくは０．０９以下、さらに好ましくは０．０８以下である。すなわち、第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量は、このような範囲内に上記の比の値が収まる程度に設定されることが好ましい。上記比の値が０．０１以上であると、ピックアップ工程においてより良好なピックアップを実現することができる。上記比の値が０．１以下であると、エキスパンド工程において、割断を経た接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの浮きの発生をより抑制することができる。
【００７２】
接着剤層２０が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００７３】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００７４】
エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。
【００７５】
接着剤層２０において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０．５〜２．０当量、より好ましくは０．７〜１．５当量となる量で含まれる。
【００７６】
接着剤層２０が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤層２０の総質量に対して、５〜６０質量％が好ましく、より好ましくは１０〜５０質量％である。
【００７７】
接着剤層２０が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂（例えば、第２アクリル系ポリマー）を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含む。当該炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成する炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとして例示された炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、上述の粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。
【００７８】
接着剤層２０中に含まれ得る第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、０．０５ｅｑ／ｋｇ以上が好ましく、より好ましくは０．１ｅｑ／ｋｇ以上、さらに好ましくは０．２ｅｑ／ｋｇ以上である。また、当該第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、１ｅｑ／ｋｇ以下が好ましく、より好ましくは０．９ｅｑ／ｋｇ以下である。このようなエポキシ価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層２０における含有割合は、５〜９５質量％が好ましく、より好ましくは４０〜８０質量％である。
【００７９】
接着剤層２０に含まれ得る第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましく、より好ましくは３ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらに好ましくは５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である。また、当該第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、より好ましくは１８ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。このようなカルボン酸価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層２０における含有割合は、５〜９５質量％が好ましく、より好ましくは４０〜８０質量％である。
【００８０】
ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層２０に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分として接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層２０について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。接着剤層形成用樹脂組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着剤層２０の凝集力向上の観点からは０．０５質量部以上が好ましく、形成される接着剤層２０の接着力向上の観点からは７質量部以下が好ましい。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
【００８１】
接着剤層２０における高分子量成分の含有割合は、５０〜１００質量％が好ましく、より好ましくは５０〜８０質量％である。高分子量成分とは、重量平均分子量１００００以上の成分とする。上記高分子量成分の含有割合が上記範囲内であると、リングフレームに対する接着剤層２０の、室温及びその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図る観点で好ましい。また、接着剤層２０は、２３℃で液状である液状樹脂を含んでもよい。接着剤層２０が上記液状樹脂を含む場合、接着剤層２０における当該液状樹脂の含有割合は、１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは１〜５質量％である。上記液状樹脂の含有割合が上記範囲内であると、後述のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温及びその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図る観点で好ましい。
【００８２】
接着剤層２０は、フィラーを含有することが好ましい。接着剤層２０へのフィラーの配合により、接着剤層２０の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーとしては、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。後述のクールエキスパンド工程においてリングフレームに対する接着剤層２０の貼着性を確保する観点では、接着剤層２０におけるフィラー含有割合は、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２５質量％以下である。
【００８３】
上記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍが好ましく、より好ましくは０．００５〜１μｍである。上記平均粒径が０．００５μｍ以上であると、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が１０μｍ以下であると、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができると共に、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（例えば、商品名「ＬＡ−９１０」、株式会社堀場製作所製）を用いて求めることができる。
【００８４】
接着剤層２０は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ?３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ?１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、ケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）等が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−｛Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、６−（２−ベンゾトリアゾリル）−４−ｔ−オクチル−６’−ｔ−ブチル−４’−メチル−２，２’−メチレンビスフェノール、１−（２’，３’−ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシジエチル）ベンゾトリアゾール、１−（２−エチルヘキシルアミノメチル）ベンゾトリアゾール、２，４−ジ−ｔ−ペンチル−６−｛（Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル｝フェノール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、Ｃ７−Ｃ９−アルキル−３−［３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル］プロピオンエーテル、オクチル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネート、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、２−（２Ｈ−���ンゾトリアゾール−２−イル）−４−ｔ−ブチルフェノール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ジ（１，１−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、メチル−３?［３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオネート等が挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１，２−ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
【００８５】
接着剤層２０は、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分、角度１８０°の条件での、ＳＵＳに対する粘着力が、０．１〜２０Ｎ／１０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜１５Ｎ／１０ｍｍ、さらに好ましくは１〜１２Ｎ／１０ｍｍである。上記粘着力が０．１Ｎ／１０ｍｍ以上であると、エキスパンド工程においてリングフレームを接着剤層２０に貼付する場合、接着剤層２０とリングフレームの密着性を向上させ、エキスパンド工程ではリングフレームによりダイシングダイボンドフィルムＸを良好に保持することができる。上記粘着力が２０Ｎ／１０ｍｍ以下であると、エキスパンド工程においてリングフレームを接着剤層２０に貼付する場合、リングフレームからのダイシングダイボンドフィルムＸの剥離が容易となる。上記ＳＵＳに対する粘着力は、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。その試験に供される試料片は、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片であることが好ましい。
【００８６】
接着剤層２０は、２３℃における貯蔵弾性率が１００〜４０００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは３００〜３０００ＭＰａ、さらに好ましくは５００〜２０００ＭＰａである。上記貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であると、エキスパンド工程においてリングフレームを接着剤層２０に貼付する場合、リングフレームからのダイシングダイボンドフィルムＸの剥離が容易となる。上記貯蔵弾性率が４０００ＭＰａ以下であると、エキスパンド工程においてリングフレームを接着剤層２０に貼付する場合、接着剤層２０とリングフレームの密着性を向上させ、エキスパンド工程ではリングフレームによりダイシングダイボンドフィルムＸを良好に保持することができる。上記貯蔵弾性率は、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。その試験に供される試料片は、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片であることが好ましい。
【００８７】
接着剤層２０の厚さ（積層体の場合は、総厚み）は、特に限定されないが、例えば１〜２００μｍである。上限は、１００μｍが好ましく、より好ましくは８０μｍである。下限は、３μｍが好ましく、より好ましくは５μｍである。
【００８８】
本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向Ｄにおいて、ダイシングテープ１０における基材１１の外周端１１ｅ及び粘着剤層１２の外周端１２ｅから、接着剤層２０の外周端２０ｅが、１０００μｍ以内、好ましくは５００μｍ以内の、距離にある。すなわち、接着剤層２０の外周端２０ｅは、全周にわたり、フィルム面内方向Ｄにおいて、基材１１の外周端１１ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にあり、且つ、粘着剤層１２の外周端１２ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にある。ダイシングテープ１０あるいはその粘着剤層１２とその上の接着剤層２０とが面内方向Ｄにおいて実質的に同一の寸法を有する当該構成では、接着剤層２０は、ワーク貼着用の領域に加えてフレーム貼着用の領域を含むこととなる。
【００８９】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、０．０６〜０．２５Ｎ／２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜０．２Ｎ／２０ｍｍである。上記剥離力が０．０６Ｎ／２０ｍｍ以上であると、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの浮きの発生をより抑制することができる。上記剥離力が０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ピックアップ工程においてより良好なピックアップを実現することができる。なお、本明細書において、「放射線硬化型粘着剤層」とは、上記放射線硬化型粘着剤から形成された粘着剤層をいい、放射線硬化性を有する粘着剤層及び当該粘着剤層が放射線照射により硬化した後の粘着剤層（放射線照射済放射線硬化型粘着剤層）の両方を含む。
【００９０】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、２Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３Ｎ／２０ｍｍ以上である。上記剥離力が２Ｎ／２０ｍｍ以上であると、放射線硬化を行わない状態でエキスパンド工程を実施する場合に、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの浮きの発生をより抑制しつつ、接着剤層をより良好に割断することができる。また、上記剥離力は、例えば２０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは１０Ｎ／２０ｍｍ以下である。なお、上記「放射線硬化前」とは、放射線照射により粘着剤層が硬化していない状態をいい、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層でない場合も含む。
【００９１】
上記Ｔ型剥離試験については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して行われる。その試験に供される試料片は、次のようにして作製することができる。まず、粘着剤層が放射線硬化前であって放射線硬化後の粘着剤層１２を得る場合は、ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて基材１１の側から粘着剤層１２に対して３５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射して粘着剤層１２を硬化させる。次に、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ−３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出す。
【００９２】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、粘着剤層１２と接着剤層２０の接触面における、粘着剤層１２の表面粗さＲａと接着剤層２０の表面粗さＲａとの差、すなわち［（接着剤層２０との接触面における粘着剤層１２の表面粗さＲａ）−（粘着剤層１２との接触面における接着剤層２０の表面粗さＲａ）］の絶対値は、１００ｎｍ以下であることが好ましい。上記表面粗さＲａの差が１００ｎｍ以下であると、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の密着性をより向上させることができ、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生をより抑制することができる。なお、上記粘着剤層１２と接着剤層２０の接触面における粘着剤層１２の表面粗さＲａ及び接着剤層２０の表面粗さＲａは、例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２と接着剤層２０の界面で剥離し、粘着剤層１２の接着剤層２０が積層していた側の表面及び接着剤層２０の粘着剤層１２が積層していた側の表面についてそれぞれ表面粗さＲａを測定して得ることができる。
【００９３】
ダイシングダイボンドフィルムＸは、図２に示すようにセパレータＳを有していてもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムＸごとに、セパレータＳを有するシート状の形態であってもよいし、セパレータＳが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムＸが配され且つ当該セパレータＳが巻き回されてロールの形態とされていてもよい。セパレータＳは、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータＳとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。セパレータＳの厚さは、例えば５〜２００μｍである。
【００９４】
本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば、次の通りにして製造される。
【００９５】
まず、図３（ａ）に示すように、セパレータＳ上に接着剤フィルム２０’を作製する。接着剤フィルム２０’は、上述の接着剤層２０へと加工形成されることとなる長尺状のフィルムである。接着剤フィルム２０’の作製においては、まず、樹脂、フィラー、硬化触媒、溶媒等を含む、接着剤層２０を形成する組成物（接着剤組成物）を作製する。次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗工して接着剤組成物層を形成する。接着剤組成物の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、必要に応じて脱溶媒や硬化等により固化させる。脱溶媒は、例えば、温度７０〜１６０℃、時間１〜５分間の範囲内で行われる。以上のようにして、セパレータＳ上に接着剤フィルム２０’を作製することができる。
【００９６】
次に、図３（ｂ）に示すように、接着剤フィルム２０’上に粘着剤層１２’を積層形成する。粘着剤層１２’は、上述の粘着剤層１２へと加工形成されることとなるものである。粘着剤層１２’の形成においては、まず、粘着剤層１２を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層を形成する組成物（粘着剤組成物）を接着剤フィルム２０’上に塗工して粘着剤組成物層を形成する。粘着剤組成物の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。次に、この粘着剤組成物層において、必要に応じて脱溶媒や硬化等により固化させる。脱溶媒は、例えば、温度８０〜１５０℃、時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。接着剤層２０へと加工形成される接着剤フィルム２０’と、粘着剤層１２へと加工形成される粘着剤層１２’とは、このような積層塗工手法によって形成することができる。
【００９７】
次に、図３（ｃ）に示すように、粘着剤層１２’上に基材１１’を圧着して貼り合わせる。基材１１’は、上述の基材１１へと加工形成されるものである。樹脂製の基材１１’は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等の製膜手法により作製することができる。製膜後のフィルム及び基材１１’には、必要に応じて表面処理を施す。本工程において、貼り合わせ温度は、例えば３０〜５０℃であり、好ましくは３５〜４５℃である。貼り合わせ圧力（線圧）は、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍであり、好ましくは１〜１０ｋｇｆ／ｃｍである。これにより、セパレータＳと、接着剤フィルム２０’と、粘着剤層１２’と、基材１１’との積層構造を有する長尺状の積層シート体が得られる。また、粘着剤層１２が上述のような放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤フィルム２０’の貼り合わせより後に粘着剤層１２’に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材１１’の側から、粘着剤層１２’に対して紫外線等の放射線の照射を行う。その照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2である。その照射領域は、例えば、接着剤層２０と密着することとなる粘着剤層１２へと形成される領域の全体である。
【００９８】
次に、図３（ｄ）に示すように、上記の積層シート体に対し、基材１１’の側からセパレータＳに至るまで加工刃を突入させる加工を施す（図３（ｄ）では切断箇所を模式的に太線で表す）。例えば、積層シート体を一方向Ｆに一定速度で流しつつ、その方向Ｆに直交する軸心まわりに回転可能に配され且つ打抜き加工用の加工刃をロール表面に伴う加工刃付き回転ロール（図示略）の加工刃付き表面を、積層シート体の基材１１’側に所定の押圧力を伴って当接させる。これにより、ダイシングテープ１０（基材１１、粘着剤層１２）と接着剤層２０とが一括的に加工形成され、ダイシングダイボンドフィルムＸがセパレータＳ上に形成される。この後、図３（ｅ）に示すように、ダイシングダイボンドフィルムＸの周囲の材料積層部をセパレータＳ上から取り除く。
【００９９】
以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムＸを製造することができる。
【０１００】
［半導体装置の製造方法］
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記接着剤層側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程（「工程Ａ」と称する場合がある）と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記接着剤層を割断して接着剤層付き半導体チップを得る工程（「工程Ｂ」と称する場合がある）と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程（「工程Ｃ」と称する場合がある）と、上記接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程（「工程Ｄ」と称する場合がある）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。図４〜９に、本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置製造方法の一実施形態を示す。
【０１０１】
工程Ａで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａを形成する（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１を半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図４〜６では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。
【０１０２】
次に、図４（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とを行う。
【０１０３】
次に、図４（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化する（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、すなわち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。
【０１０４】
（工程Ａ）
工程Ａでは、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける接着剤層２０側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。
【０１０５】
工程Ａにおける一実施形態では、図５（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０ＡをダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０に対して貼り合わせる。この後、図５（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２を剥がす。ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
【０１０６】
（工程Ｂ）
工程Ｂでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０をエキスパンドして、少なくとも接着剤層２０を割断して接着剤層付き半導体チップを得る。
【０１０７】
工程Ｂにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２上にリングフレーム４１を貼り付けた後、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムＸをエキスパンド装置の保持具４２に固定する。
【０１０８】
次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を、図６（ｂ）に示すように行い、半導体ウエハ３０Ａを複数の半導体チップ３１へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して、接着剤層付き半導体チップ３１を得る。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ａの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において１５〜３２ＭＰａ、好ましくは２０〜３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは０．１〜１００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３〜１６ｍｍである。
【０１０９】
工程Ｂでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ３０Ａを用いた場合、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、工程Ｂでは、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図６（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。
【０１１０】
（工程Ｃ）
工程Ｃでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ１０をエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる。
【０１１１】
工程Ｃにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を、図７（ａ）に示すように行い、接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）を広げる。工程Ｃでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０をエキスパンドする。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５〜３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、例えば０．１〜１０ｍｍ／秒であり、好ましくは０．３〜１ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３〜１６ｍｍである。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、工程Ｃでは接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図７（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。
【０１１２】
工程Ｃの後、接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。
【０１１３】
（工程Ｄ）
工程Ｄ（ピックアップ工程）では、個片化された接着剤層付き半導体チップをピックアップする。工程Ｄにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図８に示すように、接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１〜１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０〜３０００μｍである。
【０１１４】
上記半導体装置の製造方法は、工程Ａ〜Ｄ以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図９（ａ）に示すように、ピックアップした接着剤層付き半導体チップ３１を、被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着する（仮固着工程）。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。接着剤層２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．２ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。接着剤層２１の上記剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層２１と半導体チップ３１又は被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、接着剤層２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．０１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。
【０１１５】
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０〜２５０℃であり、好ましくは８０〜２２０℃である。また、その加熱時間は数秒〜数分間である。
【０１１６】
次に、図９（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。封止工程では、接着剤層２１の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３を形成する。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。封止工程で封止樹脂５３の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程において接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０．５〜８時間である。
【０１１７】
上記の実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。
【０１１８】
上記半導体装置の製造方法においては、他の実施形態として、図４（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１０に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図４（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図１０に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する。上記ウエハ薄化工程では、分割溝３０ａが第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して上述したように形成する分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１０では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、又は、第２の手法を経た分割溝３０ａ及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図５から図９を参照して上述した各工程を行ってもよい。
【０１１９】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ分割体３０ＢをダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。当該実施形態における工程Ｂでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０を、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５〜２８ＭＰａ、好ましくは８〜２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１〜４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
【０１２０】
上記半導体装置の製造方法おいては、さらなる他の実施形態として、工程Ａにおいて用いる半導体ウエハ３０Ａ又は半導体ウエハ分割体３０Ｂに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを用いてもよい。
【０１２１】
当該実施形態では、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂを形成する。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３を半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂを形成する。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０-8ｃｍ2
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ以下
パルス幅                  １μｓ以下
出力                      １ｍＪ以下
レーザー光品質            ＴＥＭ００
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                １００倍以下
ＮＡ                                ０．５５
レーザー光波長に対する透過率        １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度  ２８０ｍｍ／秒以下
【０１２２】
次に、図１２（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃを形成する（ウエハ薄化工程）。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図５から図９を参照して上述した各工程を行ってもよい。
【０１２３】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ３０ＣをダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ｃの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５〜２８ＭＰａ、好ましくは８〜２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１〜４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックを形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
【０１２４】
また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のように接着剤層付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。
【実施例】
【０１２５】
以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【０１２６】
実施例１
（接着剤層）
アクリル系ポリマーＡ1（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体であって上述の第２アクリル系ポリマー，重量平均分子量は１２０万，ガラス転移温度は０℃，エポキシ価は０．４ｅｑ／ｋｇ）５４質量部と、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ−７８５１ＳＳ」，２３℃で固形，明和化成株式会社製）３質量部と、液状フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−８０００Ｈ」，２３℃で液状，明和化成株式会社製）３質量部と、シリカフィラー（商品名「ＳＯ−Ｃ２」，平均粒径は０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）４０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が７００ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、実施例１における厚さ１０μｍの接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。実施例１における接着剤層の組成を表１に示す（表１において、組成物の組成を表す各数値の単位は、後述のＭＯＩに関する数値を除き、当該組成物内での相対的な“質量部”である）。
【０１２７】
（粘着剤層）
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、ラウリルアクリレート（ＬＡ）１００モル部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０．２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ1について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４６万であり、ガラス転移温度は９．５℃であり、２ＨＥＡ由来の構成単位に対するＬＡ由来の構成単位のモル比率は５である。次に、このアクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液と、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記ラウリルアクリレート１００モル部に対して１６モル部であり、アクリル系ポリマーＰ1における２ＨＥＡ由来の構成単位あるいはその水酸基の総量に対する当該ＭＯＩ配合量のモル比率は０．８である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して０．０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ2（不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含む上述の第１アクリル系ポリマー）を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。次に、ＰＥＴセパレータ上に形成された上述の接着剤層の上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の脱溶媒を行い、接着剤層上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ−０１０４」，厚さ１３０μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。次に、ＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。これにより、ＥＶＡ基材／粘着剤層／接着剤層の積層構造を有する直径３７０ｍｍの円盤形状のダイシングダイボンドフィルムをセパレータ上に形成した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３５０ｍＪ／ｃｍ2とした。以上のようにして、ダイシングテープ（ＥＶＡ基材／粘着剤層）と接着剤層とを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１２８】
実施例２及び３
粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて１２モル部（実施例２）又は８モル部（実施例３）としたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２及び３の各ダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１２９】
実施例４
（粘着剤層）
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、２−エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）１００モル部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０．２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ3について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４０万であり、ガラス転移温度は９．５℃であり、２ＨＥＡ由来の構成単位に対する２ＥＨＡ由来の構成単位のモル比率は５である。次に、このアクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液と、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記２−エチルヘキシルアクリレート１００モル部に対して１６モル部であり、アクリル系ポリマーＰ3における２ＨＥＡ由来の構成単位あるいはその水酸基の総量に対する当該ＭＯＩ配合量のモル比率は０．８である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ3１００質量部に対して０．０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ4（不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー）を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ4１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。そして、粘着剤組成物として当該粘着剤組成物を使用したこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１３０】
実施例５
（粘着剤層）
シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上に、アプリケーターを使用して、実施例４で作製した粘着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の脱溶媒を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ−０１０４」，厚さ１３０μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにして、ＥＶＡ基材／粘着剤層の積層構造を有するダイシングテープを作製した。
【０１３１】
（接着剤層）
上記ダイシングテープからＰＥＴセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に、実施例１で作製した接着剤層付きＰＥＴセパレータの接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心と接着剤層の中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。これにより、ＥＶＡ基材／粘着剤層／接着剤層の積層構造を有する直径３７０ｍｍの円盤形状のダイシングダイボンドフィルムをセパレータ上に形成した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３５０ｍＪ／ｃｍ2とした。以上のようにして、ダイシングテープ（ＥＶＡ基材／粘着剤層）と接着剤層とを含む積層構造を有する実施例５のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１３２】
比較例１
粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて２０モル部としたこと以外は実施例４のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１３３】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１３４】
（ナノインデンテーション法による弾性率）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層上から接着剤層を剥離し、粘着剤層の剥離面について、ナノインデンター（商品名「ＴｒｉｂｏＩｎｄｅｎｔｅｒ」、ＨＹＳＩＴＲＯＮ  Ｉｎｃ．社製）を用い、以下の条件で、粘着剤層表面のナノインデンテーション測定を行った。そして、得られた弾性率を表１に示す。
使用圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：単一押し込み測定
測定温度：２３℃
周波数：１００Ｈｚ
押し込み深さ設定：５００ｎｍ
荷重：１ｍＮ、
負荷速度：０．１ｍＮ／ｓ
除荷速度：０．１ｍＮ／ｓ
保持時間：１ｓ
【０１３５】
（表面粗さ）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層上から接着剤層を剥離し、粘着剤層及び接着剤層の剥離面についてそれぞれの表面粗さＲａを測定した。なお、表面粗さの測定はコンフォーカルレーザー顕微鏡（商品名「ＯＰＴＥＬＩＣＳ  Ｈ３００」，レーザーテック株式会社製）を用いて行った。そして、得られたそれぞれの表面粗さＲａ及びその差を表１に示す。
【０１３６】
（紫外線硬化後のＴ型剥離試験）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムについて、次のようにして粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を調べた。まず、各ダイシングダイボンドフィルムから試験片を作製した。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ−３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせ、当該裏打ちテープを有するダイシングダイボンドフィルムから、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離力（Ｎ／２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ／分とした。測定結果を表１に示す。
【０１３７】
（エキスパンド工程とピックアップ工程の実施）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼り合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）、及びピックアップ工程を行った。
【０１３８】
貼り合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ−３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムの接着剤層に対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼り合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼り合わせ速度を１０ｍｍ／秒とし、温度条件を６０℃とし、圧力条件を０．１５ＭＰａとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ−Ｒ２−Ｐ」，日東電工株式会社製）にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工株式会社製）について、その一方の面の側から、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６２６０」，株式会社ディスコ製）を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝（幅２５μｍ，深さ５０μｍ，一区画６ｍｍ×１２ｍｍの格子状）を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ−３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ−Ｒ２−Ｐ」）をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置（商品名「ＤＧＰ８７６０」，株式会社ディスコ製）を使用して、ウエハの他方の面（分割溝の形成されていない面）の側からの研削によって当該ウエハを厚さ２０μｍに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体（ウエハ加工用テープに保持された状態にある）を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ（６ｍｍ×１２ｍｍ）が含まれている。
【０１３９】
クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ  ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層のフレーム貼着用領域（ワーク貼着用領域の周囲）に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム（株式会社ディスコ製）を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は−１５℃であり、エキスパンド速度は１００ｍｍ／秒であり、エキスパンド量は７ｍｍである。
【０１４０】
常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ  ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ／秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムについて加熱収縮処理を施した。その処理温度は２００℃であり、処理時間は２０秒である。
【０１４１】
ピックアップ工程では、ピックアップ機構を有する装置（商品名「ダイボンダー  ＳＰＡ−３００」，株式会社新川製）を使用して、ダイシングテープ上にて個片化された接着剤層付き半導体チップのピックアップを試みた。このピックアップにつき、ピン部材による突き上げ速度は１ｍｍ／秒であり、突き上げ量は２０００μｍであり、ピックアップ評価数は５である。
【０１４２】
実施例及び比較例で得られた各ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程において、クールエキスパンド工程に関しては、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きの面積が５％以下である場合に割断時の浮きについて良（○）であると評価し、浮きの面積が５％を超え４０％以下である場合に割断時の浮きについて可（△）であると評価した。ピックアップ工程に関しては、５つの接着剤層付き半導体チップすべてをダイシングテープからピックアップできた場合をピックアップ性が良（○）であると評価し、１〜４個がピックアップできた場合にピックアップ性が可（△）であると評価し、１個もピックアップできなかった場合にピックアップ性が不良（×）と評価した。これらの評価結果を表１に示す。
【０１４３】
【表１】
2018182276.tif 000003
【０１４４】
実施例１〜４のダイシングダイボンドフィルムによると、クールエキスパンド工程において、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きを生じることなく接着剤層の割断を良好に行うことができた上に、ピックアップ工程において、接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることができた。
【符号の説明】
【０１４５】
１                  ダイシングダイボンドフィルム
１０                ダイシングテープ
１１                基材
１１ｅ              外周端
１２                粘着剤層
１２ｅ              外周端
２０，２１          接着剤層
２０ｅ              外周端
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ  半導体ウエハ
３０Ｂ              半導体ウエハ分割体
３０ａ              分割溝
３０ｂ              改質領域
３１                半導体チップ
【図１】
2018182276.tif 000004
【図２】
2018182276.tif 000005
【図３】
2018182276.tif 000006
【図４】
2018182276.tif 000007
【図５】
2018182276.tif 000008
【図６】
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【図７】
2018182276.tif 000010
【図８】
2018182276.tif 000011
【図９】
2018182276.tif 000012
【図１０】
2018182276.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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