(57)【要約】【課題】基板と蓋との接合が破損しにくい圧電振動子を提供することである。【解決手段】本発明に係る圧電振動子は、第１主面を有し、かつ、第１主面にキャビティが設けられた基板と、キャビティ内に収容された圧電振動素子と、第２主面及び第３主面を有する板状の形状を有し、かつ、第２主面によりキャビティを密閉する蓋と、を備え、第１主面を法線方向から見たときに、キャビティの形状は第１長辺及び第２長辺を有する矩形状であり、蓋の第２主面又は第３主面に、第１溝が設けられ、第１溝の第１部分は、法線方向から第１主面を見たときにキャビティと重なる領域において、重複領域の中心よりも第１長辺の中点の近くに設けられ、かつ、第１長辺に沿う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面を有し、かつ、前記第１主面にキャビティが設けられた基板と、
前記キャビティ内に収容された圧電振動素子と、
第２主面及び第３主面を有する板状の形状を有し、かつ、前記第２主面により前記キャビティを密閉する蓋と、
を備えており、
前記第１主面の法線方向から見たときに、前記キャビティの形状は第１長辺及び第２長辺を有する矩形状であり、
前記蓋の前記第２主面又は前記第３主面に、第１溝が設けられ、
前記第１溝の第１部分は、前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記キャビティと重なる重複領域において、前記重複領域の中心よりも前記第１長辺の中点の近くに設けられ、かつ、前記第１長辺に沿う、
圧電振動子。
【請求項２】
前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記第１部分は、前記中心と前記第１長辺の中点とを結ぶ線分と交差する、
請求項１に記載の圧電振動子。
【請求項３】
前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記第１溝が前記重複領域に設けられ、
かつ前記第１溝の形状が前記キャビティの中心を囲む環状である、
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項４】
前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記キャビティは、第１短辺及び第２短辺を有し、
前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記第１溝は、前記第２長辺に沿う第２部分、前記第１短辺に沿っている第３部分、及び、前記第２短辺に沿う第４部分を更に含み、
前記第２部分、前記第３部分及び前記第４部分はそれぞれ、前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記重複領域において、前記重複領域の中心よりも前記第２長辺の中点、前記第１短辺の中点及び前記第２短辺の中点の近くに設けられる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項５】
前記第１部分は、前記第１長辺に平行であり、
前記第２部分は、前記第２長辺に平行であり、
前記第３部分は、前記第１短辺に平行であり、かつ
前記第４部分は、前記第２短辺に平行である、
請求項４に記載の圧電振動子。
【請求項６】
前記第１溝は、前記蓋の前記第２主面に設けられ、
前記蓋の前記第３主面には溝が設けられない、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項７】
前記第１溝は、前記蓋の前記第３主面に設けられ、
前記蓋の前記第２主面には溝が設けられない、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項８】
前記第１溝は、前記蓋の前記第２主面に設けられ、
前記蓋の前記第３主面に第２溝が設けられる、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項９】
前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記第２溝は、前記第１部分と重なる第５部分を含む、
請求項８に記載の圧電振動子。
【請求項１０】
前記第１長辺からの距離が前記重複領域の中心と前記第１長辺との距離の５０％である直線を第１仮想線と定義し、
前記第１長辺からの距離が前記重複領域の中心と前記第１長辺との距離の２７％である直線を第２仮想線と定義し、
前記第１仮想線と前記第２仮想線との間の領域に、前記第１部分の幅方向の中心線が位置する、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項１１】
回路基板と、
前記回路基板に実装された請求項１から請求項１０のいずれかに記載の圧電振動子と、
前記回路基板上で前記圧電振動子を封止するモールド部材と、
を備える、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧電振動子に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の電子デバイスが知られている。図１９は、特許文献１に記載の電子デバイス５００の断面図である。なお、電子デバイス５００の構造については、簡素化して表現した。図１９の紙面における上下方向を上下方向と定義する。図１９の紙面における左右方向を左右方向と定義する。図１９の紙面に対する法線方向を前後方向と定義する。
【０００３】
電子デバイス５００は、容器５０１及び圧電素子５０６を備える。容器５０１は、ベース基板５０２及び蓋体５０４を含む。ベース基板５０２は、板状部材である。ベース基板５０２の形状は、上方から見たときに、矩形状である。ただし、ベース基板５０２の上面には、キャビティ５１０が設けられる。キャビティ５１０の形状は、上方から見たときに、矩形状である。以下では、ベース基板５０２において前後方向及び左右方向からキャビティ５１０を囲む部分を側壁５０２ａと呼ぶ。また、キャビティ５１０内におけるベース基板５０２の上面上には、外部電極５１２が設けられる。
【０００４】
蓋体５０４は、板状部材である。蓋体５０４の形状は、上方から見たときに、矩形状である。蓋体５０４は、ベース基板５０２の上方に配置され、キャビティ５１０を塞ぐ。蓋体５０４の下面には、ロウ材層が設けられる。圧電素子５０６は、キャビティ５１０内に配置され、外部電極５１２上に実装される。
【０００５】
以上のような電子デバイス５００では、蓋体５０４は、エネルギービームにより側壁５０２ａの上面に接合される。より詳細には、側壁５０２ａの上面上に蓋体５０４を配置する。次に、蓋体５０４に対してエネルギービームを照射する。これにより、蓋体５０４のロウ材層が溶融した後に固化する。これにより、蓋体５０４が側壁５０２ａの上面に接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−６７８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１に記載の電子デバイス５００を回路基板上に実装した後、電子デバイス５００を封止材により封止する場合がある。このような場合に、電子デバイス５００では、蓋体５０４とベース基板５０２との接合が破損するおそれがある。より詳細には、封止材は、射出成形等により回路基板上に実装された電子デバイス５００を覆うように成形される。封止材としては硬化時に収縮する樹脂が用いられる。封止材が収縮すると、封止材により蓋体５０４の中央部が下方に押される。圧電素子５０６の右方の側壁５０２ａでは、側壁５０２ａの左上方の角が支点５２０ａとなって、蓋体５０４の右端（右辺）が上方に向かって力を受ける。すなわち、蓋体５０４の右端（右辺）が側壁５０２ａの上面から外れようとする。同様に、圧電素子５０６の左方の側壁５０２ａでは、側壁５０２ａの右上方の角が支点５２０ｂとなって、蓋体５０４の左端（左辺）が上方に向かって力を受ける。すなわち、蓋体５０４の左端（左辺）が側壁５０２ａの上面から外れようとする。同じ現象が蓋体５０４の前辺及び後辺においても生じる。その結果、蓋体５０４とベース基板５０２との接合が破損するおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、基板と蓋との接合の破損を抑制できる圧電振動子及び電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態である圧電振動子は、
第１主面を有し、かつ、前記第１主面にキャビティが設けられた基板と、
前記キャビティ内に収容された圧電振動素子と、
第２主面及び第３主面を有する板状の形状を有し、かつ、前記第２主面により前記キャビティを密閉する蓋と、
を備えており、
前記第１主面を法線方向から見たときに、前記キャビティの形状は第１長辺及び第２長辺を有する矩形状であり、
前記蓋の前記第２主面又は前記第３主面に、第１溝が設けられ、
前記第１溝の第１部分は、前記法線方向から前記第１主面を見たときに、前記キャビティと重なる重複領域において、前記重複領域の中心よりも前記第１長辺の中点の近くに設けられ、かつ、前記第１長辺に沿う。
【００１０】
本発明の一形態である電子部品は、
回路基板と、
前記回路基板に実装された上述の圧電振動子と、
前記回路基板上で前記圧電振動子を封止するモールド部材と
を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板と蓋との接合の破損を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る水晶振動子３０の分解斜視図である。
【図２】図２は、水晶振動子３０を上方から見た図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａにおける断面図である。
【図４】図４は、電子部品７０の断面図である。
【図５】図５は、比較例に係る水晶振動子２３０の断面図である。
【図６】図６は、水晶振動子２３０の蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力の分布を示したグラフである。
【図７】図７は、水晶振動子３０の蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力の分布を示したグラフである。
【図８】図８は、水晶振動子３０Ａを上方から見た図である。
【図９】図９は、水晶振動子３０Ｂを上方から見た図である。
【図１０】図１０は、水晶振動子３０Ｃを上方から見た図である。
【図１１】図１１は、水晶振動子３０Ｄを上方から見た図である。
【図１２】図１２は、水晶振動子３０Ｅの断面図である。
【図１３】図１３は、水晶振動子３０Ｆの断面図である。
【図１４】図１４は、第１のモデルの応力分布を示す断面図である。
【図１５】図１５は、第２のモデルの応力分布を示す断面図である。
【図１６】図１６は、第３モデルの応力分布を示す斜視図である。
【図１７】図１７は、実施例に係る水晶振動子３０Ｇを上方から見た図である。
【図１８】図１８は、溝５０，５６，５７の半径と最大応力との関係を示すグラフである。
【図１９】図１９は、特許文献１に記載の電子デバイス５００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（水晶振動子の構造）
以下に、本発明の一実施形態に係る水晶振動子について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る水晶振動子３０の分解斜視図である。水晶振動子３０の形状は、直方体状である。以下では、水晶振動子３０の主面である上面及び下面に対する法線方向を上下方向と定義する。上方から見たときに、水晶振動子３０の長辺が延びる方向を前後方向と定義し、水晶振動子３０の短辺が延びる方向を左右方向と定義する。なお、方向の定義は、一例であり、水晶振動子３０の実際の使用時の方向と一致しなくてもよい。
【００１４】
水晶振動子３０は、図１に示すように、パッケージ１１及び水晶振動素子１６を備える。パッケージ１１は、基板１２、蓋１４及び接合材１５を含む密封容器である。基板１２は、基板本体１２０、外部電極１２６Ａ，１２６Ｂ，１２８Ａ〜１２８Ｄ及びビアホール導体１３０Ａ，１３０Ｂを備える。
【００１５】
基板本体１２０は、上面（第１主面）及び下面を有する板状部材である。上面及び下面の法線方向は、上下方向と一致する。基板１２の上面及び下面の形状は、上方から見たときに、矩形状である。ただし、基板本体１２０の上面には、キャビティ１２２が設けられる。キャビティ１２２は、基板本体１２０の上面の一部が下方に窪むことにより形成される。キャビティ１２２の形状は、上方から見たときに、矩形状である。これにより、基板本体１２０は、側壁１２４Ａ〜１２４Ｄ及び底面１２４Ｅを含む。底面１２４Ｅの形状は、上方から見たときに、矩形状である。側壁１２４Ａは、底面１２４Ｅの前方の短辺（以下、前短辺と呼ぶ）上に設けられる。側壁１２４Ｂは、底面１２４Ｅの後方の短辺（以下、後短辺と呼ぶ）上に設けられる。側壁１２４Ｃは、底面１２４Ｅの左方の長辺（以下、左長辺と呼ぶ）上に設けられる。側壁１２４Ｄは、底面１２４Ｅの右方の長辺（以下、右長辺と呼ぶ）上に設けられる。側壁１２４Ａ〜１２４Ｄの厚みは実質的に等しい。また、基板本体１２０の上面は、側壁１２４Ａ〜１２４Ｄの上面及び底面１２４Ｅの上面である。以上のような基板本体１２０は、例えば、アルミナ等のセラミックスにより作製される。基板１２の変形例の１つとして、平板状の基体と、基体に接合される開口部を有する枠体とを有する、キャビティが設けられている基板１２であってもよい。
【００１６】
蓋１４は、下面１４Ａ（第２主面）及び上面１４Ｂ（第３主面）を有する板状部材である。蓋１４の形状は、上方から見たときに、矩形状である。蓋１４の長辺は、上側から見たときに、キャビティ１２２の長辺よりも長く、かつ、基板本体１２０の長辺よりも短い。蓋１４の短辺は、上側から見たときに、キャビティ１２２の短辺よりも長く、かつ、基板本体１２０の短辺よりも短い。これにより、蓋１４は、基板本体１２０の上方に配置されると、キャビティ１２２の外縁から前後方向及び左右方向にはみ出す。ただし、蓋１４は、基板本体１２０の上方に配置されると、基板本体１２０の外縁から前後方向及び左右方向にはみ出さない。これにより、上方から見たときに、蓋１４の外縁近傍は、側壁１２４Ａ〜１２４Ｄの上面の一部と重なる。蓋１４は、例えば、コバール等の金属により作製される。
【００１７】
また、蓋１４の上面１４Ｂには、上方から見たときに、第１溝である溝５０が設けられる。溝５０の形状は、上側から見たときに、矩形状である。溝５０の詳細については後述する。
【００１８】
接合材１５は、基板１２と蓋１４とを接合するロウ材である。接合材１５の形状は、上方から見たときに、矩形状の枠状である。接合材１５は、側壁１２４Ａ〜１２４Ｄの上面上に配置される。接合材１５の内周は、上方から見たときに、キャビティ１２２の外縁と実質的に一致する。接合材１５の外周は、上方から見たときに、蓋１４の外縁と実質的に一致する。接合材１５は、基板１２と蓋１４との間に配置された状態で、加熱により流動化させられた後に固化することによって、基板１２と蓋１４とを接合する。これにより、蓋１４は、下面１４Ａによりキャビティ１２２を密閉する。パッケージ１１は気密構造及び液密構造を有している。そのため、パッケージ１１外とパッケージ１１内との間で気体及び液体が行き来できない。ただし、パッケージ１１は、気密構造を有さず液密構造を有していてもよい。すなわち、パッケージ１１外とパッケージ１１内との間で液体が行き来できず、パッケージ１１外とパッケージ１１内との間で気体が行き来できてもよい。接合材１５の材料は、例えば、金−錫合金等である。
【００１９】
外部電極１２６Ａは、底面１２４Ｅの上面においてキャビティ１２２の左後方の角近傍に設けられる。外部電極１２６Ｂは、底面１２４Ｅの上面においてキャビティ１２２の右後方の角近傍に設けられる。外部電極１２６Ａ，１２６Ｂの形状は、上方から見たときに、矩形状である。外部電極１２６Ａ，１２６Ｂは、後述する水晶振動素子１６の実装に用いられる。
【００２０】
外部電極１２８Ａは、底面１２４Ｅの下面の左後方の角近傍に設けられる。外部電極１２８Ｂは、底面１２４Ｅの下面の右後方の角近傍に設けられる。外部電極１２８Ｃは、底面１２４Ｅの下面の左前方の角近傍に設けられる。外部電極１２８Ｄは、底面１２４Ｅの下面の右前方の角近傍に設けられる。外部電極１２８Ａ〜１２８Ｄの形状は、下方から見たときに、矩形状である。外部電極１２８Ａ〜１２８Ｄは、水晶振動子３０の回路基板への実装に用いられる。
【００２１】
ビアホール導体１３０Ａは、底面１２４Ｅを上下方向に貫通しており、外部電極１２６Ａと外部電極１２８Ａとを接続する。ビアホール導体１３０Ｂは、底面１２４Ｅを上下方向に貫通しており、外部電極１２６Ｂと外部電極１２８Ｂとを接続する。
【００２２】
外部電極１２６Ａ，１２６Ｂ，１２８Ａ〜１２８Ｄは、例えば、下層側から上層側へとモリブデン層、ニッケル層及び金層が積層されることにより作製される。ビアホール導体１３０Ａ，１３０Ｂは、底面１２４Ｅに形成されたビアホールに対してモリブデン等の導体が埋め込まれて作製される。
【００２３】
水晶振動素子１６は、キャビティ１２２内に収容される。水晶振動素子１６は、水晶片１６０、外部電極１６２Ａ，１６２Ｂ、励振電極１６４Ａ，１６４Ｂ及び引き出し導体１６６Ａ，１６６Ｂを含み、圧電振動素子の一例である。水晶片１６０は、板状の圧電片である。水晶片１６０の形状は、上方から見たときに、矩形状である。水晶片１６０は、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたＡＴカット型の水晶片である。なお、水晶片１６０は、圧電片の一例である。従って、水晶片１６０の代わりに、圧電片として、圧電セラミックス片が用いられてもよい。
【００２４】
外部電極１６２Ａは、水晶片１６０の左後方の角及びその近傍に設けられる導体層である。外部電極１６２Ａは、上面、下面、後面及び左面に跨って形成される。外部電極１６２Ｂは、水晶片１６０の右後方の角及びその近傍に設けられる導体層である。これにより、外部電極１６２Ａ，１６２Ｂは、上方から見たときに、水晶片１６０の短辺に沿って左方から右方へとこの順に並ぶ。
【００２５】
励振電極１６４Ａは、水晶片１６０の下面の中央に設けられる。励振電極１６４Ａの形状は、下方から見たときに、矩形状である。励振電極１６４Ｂは、水晶片１６０の上面の中央に設けられる。励振電極１６４Ｂの形状は、上方から見たときに、矩形状である。励振電極１６４Ａと励振電極１６４Ｂとは、上方から見たときに、一致した状態で重なる。
【００２６】
引き出し導体１６６Ａは、水晶片１６０の下面に設けられ、外部電極１６２Ａと励振電極１６４Ａとを接続する。引き出し導体１６６Ｂは、水晶片１６０の上面に設けられ、外部電極１６２Ｂと励振電極１６４Ｂとを接続する。外部電極１６２Ａ，１６２Ｂ、励振電極１６４Ａ，１６４Ｂ及び引き出し導体１６６Ａ，１６６Ｂは、下層側から上層側へとクロム層及び金層が積層されることにより作製される。
【００２７】
水晶振動素子１６は、基板本体１２０の底面１２４Ｅの上面に実装される。具体的には、外部電極１２６Ａと外部電極１６２Ａとが導電性接着剤２１０Ａにより電気的に接続された状態で固定される。外部電極１２６Ｂと外部電極１６２Ｂとが導電性接着剤２１０Ｂにより電気的に接続された状態で固定される。
【００２８】
（溝の構造）
次に、溝５０について主に図２を参照しながら説明する。図２は、水晶振動子３０を上方から見た図である。図３は、図２のＡ−Ａにおける断面図である。
【００２９】
キャビティ１２２は、上側から見たときに、長辺３１Ａ，３１Ｂ及び短辺３１Ｃ，３１Ｄを有する。長辺３１Ａ（第１長辺）は、右長辺である。長辺３１Ｂ（第２長辺）は、左長辺である。短辺３１Ｃ（第１短辺）は、前短辺である。短辺３１Ｄ（第２短辺）は、後短辺である。また、長辺３１Ａ，３１Ｂ及び短辺３１Ｃ，３１Ｄの中点をそれぞれ中点Ｍ１〜Ｍ４と呼ぶ。また、上方から見たときに、キャビティ１２２と重なる領域を重複領域Ａ１と呼ぶ。重複領域Ａ１の形状は、上方から見たときに、キャビティ１２２の形状と同じ矩形状である。従って、長辺３１Ａ，３１Ｂ及び短辺３１Ｃ，３１Ｄは、重複領域Ａ１の４辺でもある。また、上方から見たときに、重複領域Ａ１及びキャビティ１２２の対角線の交点を中心Ｃと呼ぶ。
【００３０】
第１溝である溝５０は、上方から見たときに、重複領域Ａ１において蓋１４の上面１４Ｂに設けられる。溝５０は、蓋１４の上面１４Ｂの一部が下方に窪むことにより設けられる。溝５０の断面形状は、図３に示すように、下方に向かって突出する半円状である。溝５０の断面とは、溝５０が延びる方向に直交する断面である。溝５０の形状は、上方から見たときに、中心Ｃを囲む環状（より正確には、矩形状）である。従って、溝５０は、長辺部分５０Ａ，５０Ｂ及び短辺部分５０Ｃ，５０Ｄを含む。
【００３１】
長辺部分５０Ａ（第１部分）は、上方から見たときに、中心Ｃよりも右方に位置し、長辺３１Ａに沿う直線である。本実施形態では、長辺部分５０Ａは、上方から見たときに、長辺３１Ａに実質的に平行である。また、長辺部分５０Ａは、上方から見たときに、重複領域Ａ１の中心Ｃより、長辺３１Ａの中点Ｍ１の近くに設けられる。従って、長辺部分５０Ａの全体は、上方から見たときに、直線Ｌ１よりも右方に位置する。直線Ｌ１は、中心Ｃと中点Ｍ１との垂直二等分線である。
【００３２】
また、長辺部分５０Ａの前端は、重複領域Ａ１の右前方の角近傍に位置する。また、長辺部分５０Ａの後端は、重複領域Ａ１の右後方の角近傍に位置する。長辺部分５０Ａは、前端と後端との間において途切れることなく連続する。従って、長辺部分５０Ａは、中心Ｃと長辺３１Ａの中点Ｍ１とを結ぶ線分Ｌ３と交差する。長辺部分５０Ａと線分Ｌ３との交点は、長辺部分５０Ａの中点である。
【００３３】
長辺部分５０Ｂ（第２部分）は、上方から見たときに、中心Ｃよりも左方に位置し、長辺３１Ｂに沿う直線である。ただし、長辺部分５０Ｂは、上方から見たときに、中心Ｃに関して長辺部分５０Ａと点対称な関係にある。すなわち、中心Ｃを中心として、長辺部分５０Ｂを１８０°回転させると、長辺部分５０Ａと一致する。故に、長辺部分５０Ｂのこれ以上の説明を省略する。
【００３４】
短辺部分５０Ｃ（第３部分）は、上方から見たときに、中心Ｃよりも前方に位置し、短辺３１Ｃに沿う直線である。本実施形態では、短辺部分５０Ｃは、上方から見たときに、短辺３１Ｃに実質的に平行である。また、短辺部分５０Ｃは、上方から見たときに、重複領域Ａ１の中心Ｃより、短辺３１Ｃの中点Ｍ３の近くに設けられる。従って、短辺部分５０Ｃの全体は、上方から見たときに、直線Ｌ２よりも前方に位置する。直線Ｌ２は、中心Ｃと中点Ｍ３との垂直二等分線である。
【００３５】
また、短辺部分５０Ｃの右端は、重複領域Ａ１の右前方の角近傍に位置する。また、短辺部分５０Ｃの左端は、重複領域Ａ１の左前方の角近傍に位置する。短辺部分５０Ｃは、右端と左端との間において途切れることなく連続する。従って、短辺部分５０Ｃは、中心Ｃと短辺３１Ｃの中点Ｍ３とを結ぶ線分Ｌ４と交差する。短辺部分５０Ｃと線分Ｌ４との交点は、短辺部分５０Ｃの中点である。
【００３６】
短辺部分５０Ｄ（第４部分）は、上方から見たときに、中心Ｃよりも後方に位置し、短辺３１Ｄに沿う直線である。ただし、短辺部分５０Ｄは、上方から見たときに、中心Ｃに関して短辺部分５０Ｃと点対称な関係にある。すなわち、中心Ｃを中心として、短辺部分５０Ｄを１８０°回転させると、短辺部分５０Ｃと一致する。故に、短辺部分５０Ｄのこれ以上の説明を省略する。
【００３７】
ここで、長辺部分が長辺に沿うとは、長辺部分と長辺とのなす角度が、±３°以下であることをいう。同様に、短辺部分が短辺に沿うとは、短辺部分と短辺とのなす角度が、±３°以下であることをいう。更に、これらの角度は、±１°以下であることがより好ましい。
【００３８】
（電子部品の構造）
次に、水晶振動子３０を備える電子部品７０について図４を参照しながら説明する。図４は、電子部品７０の断面図である。図４における方向については、図１における方向を援用する。
【００３９】
電子部品７０は、水晶振動子３０、回路基板７１、半導体装置７３及びモールド部材７４を備える。
【００４０】
回路基板７１は、基板本体７１ａ及び外部電極７１ｂ〜７１ｉを含む。基板本体７１ａは、板状部材である。基板本体７１ａの形状は、上方から見たときに、矩形状である。外部電極７１ｂ〜７１ｅは、基板本体７１ａの上面に設けられる。外部電極７１ｂ〜７１ｅは、後方から前方へとこの順に並ぶ。外部電極７１ｂ〜７１ｅは、水晶振動子３０及び半導体装置７３の回路基板７１への実装に用いられる。外部電極７１ｆ〜７１ｉは、基板本体７１ａの下面に設けられる。外部電極７１ｆ〜７１ｉは、後方から前方へとこの順に並ぶ。外部電極７１ｆ〜７１ｉは、回路基板７１のマザー基板（図示せず）への実装に用いられる。外部電極７１ｂ〜７１ｉは、基板本体７１ａ内に設けられる配線により電気的に接続される。
【００４１】
水晶振動子３０は、外部電極７１ｄ，７１ｅに実装される。具体的には、水晶振動子３０の外部電極１２８Ｂ，１２８Ｄはそれぞれ、はんだや導電性接着剤等により、外部電極７１ｄ，７１ｅに電気的に接続された状態で固定される。なお、外部電極１２８Ａ，１２８Ｃ（図４には図示せず）も、はんだや導電性接着剤等により、回路基板７１の図示しない外部電極に電気的に接続された状態で固定される。
【００４２】
半導体装置７３は、例えば、水晶振動子３０の制御用の半導体素子である。半導体装置７３は、素子本体７３ａ及び外部電極７３ｂ，７３ｃを含む。素子本体７３ａの形状は、直方体状である。外部電極７３ｂ，７３ｃは、素子本体７３ａの下面に設けられる。外部電極７３ｂ，７３ｃは、後方から前方へとこの順に並ぶ。
【００４３】
半導体装置７３は、外部電極７１ｂ，７１ｃに実装される。具体的には、外部電極７３ｂ，７３ｃはそれぞれ、はんだや導電性接着剤等により、外部電極７１ｂ，７１ｃに電気的に接続された状態で固定される。
【００４４】
モールド部材７４は、回路基板７１の上面の全面を覆う。モールド部材７４の外形は、直方体状である。これにより、水晶振動子３０及び半導体装置７３は、モールド部材７４内に埋没する。従って、水晶振動子３０及び半導体装置７３の周囲にはモールド部材７４が存在する。すなわち、モールド部材７４は、水晶振動子３０と回路基板７１との間隙、及び、半導体装置７３と回路基板７１との間隙にも存在する。モールド部材７４の材料は、例えば、エポキシ樹脂である。モールド部材７４は、例えば、射出成形技術により回路基板７１上に形成される。モールド部材７４は、硬化時に収縮する。
【００４５】
（効果）
以上のように構成された水晶振動子３０及び電子部品７０によれば、基板１２と蓋１４との接合が破損することを抑制できる。図５は、比較例に係る水晶振動子２３０の断面図である。なお、水晶振動子２３０において水晶振動子３０と同じ構成については同じ参照符号を付した。図５は、図２のＡ−Ａと同じ位置における断面図である。
【００４６】
水晶振動子２３０は、溝５０が蓋１４に設けられない点において、水晶振動子３０と相違する。水晶振動子２３０は、水晶振動子３０と同様に、回路基板に実装されて電子部品の一部として用いられる。水晶振動子２３０は、電子部品の製造時にモールド部材で封止される。モールド部材は、硬化時に収縮する性質を有する。モールド部材は、水晶振動子２３０の周囲に存在するので、水晶振動子２３０の表面を水晶振動子２３０の中心に向かって押す力を加える。そのため、蓋１４は、モールド部材から下方に力Ｆ１を受ける。
【００４７】
蓋１４の４つの辺はそれぞれ、上方から見たときに、側壁１２４Ａ〜１２４Ｄ（側壁１２４Ａ，１２４Ｂについては図示せず）により支持される。また、蓋１４の下方にはキャビティ１２２が存在する。従って、蓋１４における重複領域Ａ１は、基板１２に支持されない。そのため、蓋１４が力Ｆ１により下方に押されると、蓋１４の中央が下方に突出するように撓む。このとき、基板１２と蓋１４との接合が破損するおそれがある。以下に、蓋１４の右長辺近傍を例に挙げてより詳細に説明する。
【００４８】
蓋１４の右長辺近傍は、側壁１２４Ｄの上面により支持される。蓋１４において側壁１２４Ｄより左方の部分が下方に押されると、側壁１２４Ｄの上面の左端が支点Ｆとなる。その結果、蓋１４の右長辺近傍は、上方に力Ｆ２を受ける。すなわち、蓋１４の右長辺近傍は、側壁１２４Ｄの上面から離間する方向の力Ｆ２を受ける。蓋１４の左長辺近傍、蓋１４の前短辺近傍及び蓋１４の後短辺近傍も、同様の原理により、蓋１４の右長辺近傍と同様の力を受ける。その結果、水晶振動子２３０では、基板１２と蓋１４との接合が破損するおそれがある。
【００４９】
そこで、本願発明者は、蓋１４の右長辺近傍が受ける力Ｆ２の大きさについて検討した。図６は、水晶振動子２３０の蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力の分布を示したグラフである。縦軸は引張応力の大きさを示し、横軸は蓋１４の上面１４Ｂの左右方向の位置を示す。
【００５０】
蓋１４の右部（蓋１４の右半分の部分）は、支点Ｆにおいて側壁１２４Ｄに固定された片持ち梁構造を有する。従って、蓋１４の右部の変形については、片持ち梁の変形と等価と考えることができる。蓋１４の右部は、下方に力Ｆ１を受けると、支点Ｆから左方に離れるにしたがって下方に大きく変位するように撓む。このとき、蓋１４の上面１４Ｂは伸びるので、蓋１４の上面１４Ｂには引張応力が発生する。また、蓋１４の下面１４Ａは縮むので、蓋１４の下面１４Ａには圧縮応力が発生する。引張応力及び圧縮応力は、材料力学の観点より、図６に示すように、支点Ｆに近づくほどに大きくなる。これは、蓋１４の上面１４Ｂ及び下面１４Ａが連続的な形状を有するため、引張応力及び圧縮応力が上面１４Ｂ及び下面１４Ａを伝わることができるためである。このような引張応力及び圧縮応力は、蓋１４の右長辺近傍を側壁１２４Ｄの上面から離間させようとする力Ｆ２となる。
【００５１】
そこで、本願発明者は、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力又は蓋１４の下面１４Ａに発生する圧縮応力を軽減できれば、蓋１４の右長辺近傍が受ける力Ｆ２を軽減できると考えた。そこで、本願発明者は、水晶振動子３０において、図２に示すように、蓋１４の上面１４Ｂに溝５０を設けることに思い至った。これにより、蓋１４の右長辺近傍、蓋１４の左長辺近傍、蓋１４の前短辺近傍及び蓋１４の後短辺近傍がそれぞれ側壁１２４Ａ〜１２４Ｄから離間する方向の力が軽減される。以下に、蓋１４の右長辺近傍を例に挙げて説明する。図７は、水晶振動子３０の蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力の分布を示したグラフである。縦軸は引張応力の大きさを示し、横軸は蓋１４の上面１４Ｂの左右方向の位置を示す。
【００５２】
溝５０は、長辺部分５０Ａを含む。長辺部分５０Ａは、上方から見たときに、重複領域Ａ１の中心Ｃより、長辺３１Ａの中点Ｍ１の近くに設けられる。このような長辺部分５０Ａが設けられると、蓋１４の上面１４Ｂの形状が長辺部分５０Ａにおいて不連続となる。よって、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力は、長辺部分５０Ａを跨いで上面１４Ｂを伝わりにくい。これにより、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力の分布は以下に説明するようになる。
【００５３】
蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力は、図７に示すように、中心Ｃから長辺部分５０Ａに近づくにしたがって増加する。ただし、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力は、長辺部分５０Ａが存在するので、上面１４Ｂにおいて長辺部分５０Ａよりも右方に伝わりにくい。そのため、長辺部分５０Ａの右端における引張応力は、長辺部分５０Ａの左端における引張応力よりもはるかに小さくなる。そして、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力は、長辺部分５０Ａの右端から支点Ｆに近づくにしたがって増加する。ただし、図６及び図７より分かるように、水晶振動子３０の支点Ｆにおける引張応力は、水晶振動子２３０の支点Ｆにおける引張応力よりも小さくなる。すなわち、長辺部分５０Ａが設けられることにより、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力が軽減される。その結果、蓋１４の右長辺近傍が受ける力Ｆ２が軽減される。同じ原理により、蓋１４の左長辺近傍、蓋１４の前短辺近傍及び蓋１４の後短辺近傍が受ける力が軽減される。よって、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。
【００５４】
なお、本願発明者は、ＦＥＭ（有限要素法）により、水晶振動子２３０の蓋１４における応力分布をコンピュータに演算させた。演算結果によれば、引張応力は、長辺３１Ａの中点Ｍ１近傍、長辺３１Ｂの中点Ｍ２近傍、短辺３１Ｃの中点Ｍ３近傍及び短辺３１Ｄの中点Ｍ４近傍において大きくなることが分かった。更に、長辺３１Ａの中点Ｍ１近傍及び長辺３１Ｂの中点Ｍ２近傍における引張応力は、短辺３１Ｃの中点Ｍ３近傍及び短辺３１Ｄの中点Ｍ４近傍における引張応力よりも大きくなることが分かった。そこで、水晶振動子３０では、長辺部分５０Ａ又は長辺部分５０Ｂが少なくとも設けられることが好ましい。
【００５５】
ところで、図７より、長辺部分５０Ａを支点Ｆに近づけると、支点Ｆにおける引張応力を小さくできると考えられる。そのため、長辺部分５０Ａは、支点Ｆ近傍に位置することが好ましい。そこで、水晶振動子３０では、長辺部分５０Ａは、上方から見たときに、中心Ｃより中点Ｍ１の近くに設けられる。同じ理由により、長辺部分５０Ｂは、上方から見たときに、中心Ｃより中点Ｍ２の近くに設けられる。短辺部分５０Ｃは、上方から見たときに、中心Ｃより中点Ｍ３の近くに設けられる。短辺部分５０Ｄは、上方から見たときに、中心Ｃより中点Ｍ４の近くに設けられる。
【００５６】
また、以下の理由によっても、水晶振動子３０では、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。より詳細には、本願発明者による演算結果によれば、蓋１４の右長辺の中点Ｍ１近傍において、引張応力が大きくなることが分かった。よって、長辺部分５０Ａは、中点Ｍ１近傍に設けられることが好ましい。そこで、長辺部分５０Ａは、中心Ｃと中点Ｍ１とを結ぶ線分Ｌ３と交差する。これにより、長辺部分５０Ａは、中点Ｍ１近傍に存在するようになる。同じ理由により、長辺部分５０Ｂは、中心Ｃと中点Ｍ２とを結ぶ線分と交差する。短辺部分５０Ｃは、中心Ｃと中点Ｍ３とを結ぶ線分と交差する。短辺部分５０Ｄは、中心Ｃと中点Ｍ４とを結ぶ線分と交差する。
【００５７】
また、以下の理由によっても、水晶振動子３０では、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。蓋１４において溝５０が設けられている部分の厚みは、蓋１４において溝５０以外の部分の厚みよりも薄い。そのため、蓋１４において溝５０が設けられている部分は、蓋１４において溝５０以外の部分よりも変形しやすい。これにより、蓋１４の右長辺近傍、蓋１４の左長辺近傍、蓋１４の前短辺近傍及び蓋１４の後短辺近傍が側壁１２４Ａ〜１２４Ｄから離間する方向に受ける力が軽減される。よって、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。
【００５８】
また、蓋１４には、溝５０以外の溝が設けられてもよい。たとえば、溝５０に加えて、（ａ）〜（ｃ）の領域の少なくとも１つに溝が設けられてもよい。この場合、溝５０以外の溝はいずれの方向に延びてもよい。
（ａ）重複領域Ａ１であって、重複領域Ａ１の中心Ｃより中点Ｍ１〜Ｍ４のいずれかに近い領域。
（ｂ）重複領域Ａ１であって、中点Ｍ１〜Ｍ４のいずれよりも、重複領域Ａ１の中心Ｃに近い領域。
（ｃ）重複領域Ａ１以外の領域。
【００５９】
（第１変形例）
以下に、第１の変形例に係る水晶振動子３０Ａについて図面を参照しながら説明する。図８は、水晶振動子３０Ａを上方から見た図である。
【００６０】
水晶振動子３０Ａの溝５１の形状は、水晶振動子３０の溝５０の形状と異なる。より詳細には、溝５１は、長辺部分５１Ａ，５１Ｂ及び短辺部分５１Ｃ，５１Ｄを含む。長辺部分５１Ａは、右長辺である。長辺部分５１Ｂは、左長辺である。短辺部分５１Ｃは、前短辺である。短辺部分５１Ｄは、後短辺である。ただし、溝５１の形状は、上方から見たときに、環状ではない。従って、長辺部分５１Ａの前端と短辺部分５１Ｃの右端とは繋がっていない。長辺部分５１Ａの後端と短辺部分５１Ｄの右端とは繋がっていない。長辺部分５１Ｂの前端と短辺部分５１Ｃの左端とは繋がっていない。長辺部分５１Ｂの後端と短辺部分５１Ｄの左端とは繋がっていない。なお、水晶振動子３０Ａのその他の構成は、水晶振動子３０と同じであるので説明を省略する。
【００６１】
以上のように構成された水晶振動子３０Ａも、水晶振動子３０と同じ作用効果を奏することができる。
【００６２】
なお、水晶振動子３０Ａにおいて、短辺部分５１Ｃ又は短辺部分５１Ｄのいずれか一方が設けられなくてもよい。また、水晶振動子３０Ａにおいて、長辺部分５１Ａ又は長辺部分５１Ｂのいずれか一方が設けられなくてもよい。
【００６３】
（第２変形例）
以下に、第２の変形例に係る水晶振動子３０Ｂについて図面を参照しながら説明する。図９は、水晶振動子３０Ｂを上方から見た図である。
【００６４】
水晶振動子３０Ｂの溝５２の形状は、水晶振動子３０の溝５０と異なる。より詳細には、溝５２は、長辺部分５２Ａ，５２Ｂを含み、短辺部分を含まない。長辺部分５２Ａは、右長辺である。長辺部分５２Ｂは、左長辺である。
【００６５】
本願発明者による演算結果によれば、長辺３１Ａの中点Ｍ１近傍及び長辺３１Ｂの中点Ｍ２近傍における引張応力は、短辺３１Ｃの中点Ｍ３近傍及び短辺３１Ｄの中点Ｍ４近傍における引張応力よりも大きくなることが分かった。従って、水晶振動子３０Ｂのように、長辺部分５２Ａ及び長辺部分５２Ｂが設けられ、短辺部分が設けられなくてもよい。なお、水晶振動子３０Ｂのその他の構成は、水晶振動子３０と同じであるので説明を省略する。
【００６６】
以上のように構成された水晶振動子３０Ｂも、水晶振動子３０と同じ作用効果を奏することができる。
【００６７】
なお、水晶振動子３０Ｂにおいて、長辺部分５２Ａ又は長辺部分５２Ｂのいずれか一方が設けられなくてもよい。
【００６８】
（第３変形例）
以下に、第３の変形例に係る水晶振動子３０Ｃについて図面を参照しながら説明する。図１０は、水晶振動子３０Ｃを上方から見た図である。
【００６９】
水晶振動子３０Ｃの溝５３の形状は、水晶振動子３０Ｂの溝５２と異なる。より詳細には、溝５３は、長辺部分５３Ａ，５３Ｂを含む。長辺部分５３Ａは、右長辺である。長辺部分５３Ａは、中点において途切れている。これにより、長辺部分５３Ａは、中心Ｃと長辺３１Ａの中点Ｍ１とを結ぶ線分Ｌ３と交差しない。長辺部分５３Ｂは、左長辺である。長辺部分５３Ｂは、中点において途切れている。これにより、長辺部分５３Ｂは、中心Ｃと長辺３１Ｂの中点Ｍ２とを結ぶ線分Ｌ４と交差しない。なお、水晶振動子３０Ｃのその他の構成は、水晶振動子３０Ｂと同じであるので説明を省略する。
【００７０】
以上のように構成された水晶振動子３０Ｃも、水晶振動子３０Ｂと同じ作用効果を奏することができる。
【００７１】
なお、水晶振動子３０Ｃにおいて、長辺部分５３Ａ又は長辺部分５３Ｂのいずれか一方が設けられなくてもよい。
【００７２】
（第４変形例）
以下に、第４の変形例に係る水晶振動子３０Ｄについて図面を参照しながら説明する。図１１は、水晶振動子３０Ｄを上方から見た図である。
【００７３】
水晶振動子３０Ｄの溝５４の形状は、水晶振動子３０の溝５０と異なる。より詳細には、溝５４の形状は、上方から見たときに、前後方向に平行な長軸及び左右方向に平行な短軸を有する楕円形状である。長軸及び短軸の交点は、中心Ｃと一致する。このように、溝５４は、曲線であってもよい。なお、水晶振動子３０Ｄのその他の構成は、水晶振動子３０と同じであるので説明を省略する。
【００７４】
以上のように構成された水晶振動子３０Ｄも、水晶振動子３０と同じ作用効果を奏することができる。
【００７５】
（第５変形例）
以下に、第５の変形例に係る水晶振動子３０Ｅについて図面を参照しながら説明する。図１２は、水晶振動子３０Ｅの断面図である。図１２は、図２のＡ−Ａと同じ位置における断面図である。
【００７６】
水晶振動子３０Ｅの溝５５は、蓋１４の下面１４Ａに設けられる。溝５５の形状は、上側から見たときに、溝５０の形状と同じ矩形状である。なお、水晶振動子３０Ｅのその他の構成は、水晶振動子３０と同じであるので説明を省略する。
【００７７】
水晶振動子３０Ｅのように、蓋１４の下面１４Ａに溝５５が設けられた場合には、蓋１４の下面１４Ａに発生する圧縮応力が軽減される。これにより、水晶振動子３０Ｅにおいても、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。
【００７８】
なお、水晶振動子３０Ｅにおいて、溝５５の形状は、上側から見たときに、溝５１〜５４の形状と同じであってもよい。
【００７９】
（第６変形例）
以下に、第６の変形例に係る水晶振動子３０Ｆについて図面を参照しながら説明する。図１３は、水晶振動子３０Ｆの断面図である。図１３は、図２のＡ−Ａと同じ位置における断面図である。
【００８０】
水晶振動子３０Ｆの第１溝である溝５６は、蓋１４の上面１４Ｂに設けられる。水晶振動子３０Ｆの第２溝である溝５７は、蓋１４の下面１４Ａに設けられる。溝５６と溝５７の形状は、上側から見たときに、溝５０の形状と同じ矩形状である。また、溝５６と溝５７とは、上方から見たときに、全体において一致した状態で重なる。
【００８１】
水晶振動子３０Ｆのように、蓋１４の上面１４Ｂに溝５６が設けられると、蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力が軽減される。また、蓋１４の下面１４Ａに溝５７が設けられると、蓋１４の下面１４Ａに発生する圧縮応力が軽減される。これにより、水晶振動子３０Ｆにおいて、基板１２と蓋１４との接合が破損することが抑制される。
【００８２】
なお、水晶振動子３０Ｆにおいて、溝５６，５７の形状は、上方から見たときに、溝５１〜５４の形状と同じであってもよい。
【００８３】
なお、水晶振動子３０Ｆにおいて、溝５６と溝５７とは、上方から見たときに、全体において一致して重ならなくてもよく、一部において重なってもよい。例えば、溝５６の形状が溝５０と同じである場合には、溝５７は、溝５６の長辺部分５０Ａに相当する長辺部分と重なる長辺部分（第５部分）を含んでもよい。また、溝５６と溝５７とは、上方から見たときに、重ならなくてもよい。
【００８４】
（その他の実施形態）
本発明に係る圧電振動子は、水晶振動子３０，３０Ａ〜３０Ｆに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。本発明に係る電子部品は、電子部品７０に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００８５】
また、水晶振動子３０，３０Ａ〜３０Ｆの構成を任意に組み合わせてもよい。また、電子部品７０は、水晶振動子３０の代わりに水晶振動子３０Ａ〜３０Ｆを備えてもよい。
【実施例】
【００８６】
（実施例１）
本願発明者は、水晶振動子３０，３０Ａ〜３０Ｆが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。本願発明者は、図１３に示す水晶振動子３０Ｆの第１モデルを作成した。第１モデルの溝５６，５７の形状は、図２に示す溝５０の形状と同じである。更に、本願発明者は、図５に示す水晶振動子２３０の第２モデルを作成した。本願発明者は、ＦＥＭによる応力分布シミュレーションにより第１モデル及び第２モデルの応力分布を求めた。第１のモデル及び第２のモデルの全体に均等な荷重を与えた。荷重の大きさは、回路基板に実装された水晶振動子を、モールド樹脂により封止する際の荷重を想定し、３０ＭＰａとした。以下にシミュレーション条件を記載する。
【００８７】
蓋１４の厚さ：０．０６５ｍｍ
蓋１４の長辺の長さ：１．１６ｍｍ
蓋１４の短辺の長さ：０．９６ｍｍ
基板１２の長辺の長さ：１．２０ｍｍ
基板１２の短辺の長さ：１．００ｍｍ
基板１２の側壁の厚さ：０．１１ｍｍ
溝５６，５７の半径：３０μｍ
溝５６，５７の長辺部の長さ：０．５８ｍｍ
溝５６，５７の短辺部の長さ：０．４８ｍｍ
上方から見たときの溝５５，５６の中心と蓋１４の外縁との距離：０．２４ｍｍ
【００８８】
図１４は、第１のモデルの応力分布を示す断面図である。図１５は、第２のモデルの応力分布を示す断面図である。図１４及び図１５は、図２のＡ−Ａと同じ位置における断面図である。図１４及び図１５の応力分布では、圧縮応力を負の値とし、引張応力を正の値として示した。
【００８９】
図１４及び図１５によれば、第１モデルでは第２モデルよりも、支点Ｆ近傍において蓋１４の上面１４Ｂに発生する引張応力が軽減された。更に、第１モデルでは第２モデルよりも、支点Ｆ近傍において蓋１４の下面１４Ａに発生する圧縮応力が軽減された。これらの引張応力及び圧縮応力が軽減されることにより、蓋１４の右長辺近傍と側壁１２４Ｄとの境界に生じる引張応力も軽減されることが分かる。すなわち、基板１２と蓋１４との接合の破損が抑制されることが分かる。
【００９０】
次に、本願発明者は、図１及び図２に示す水晶振動子３０の第３モデルを作成した。本願発明者は、ＦＥＭによる応力分布シミュレーションにより第３モデルの応力分布を求めた。第３モデルのシミュレーション条件は、第１モデル及び第２モデルのシミュレーション条件と同じである。図１６は、第３モデルの応力分布を示す斜視図である。
【００９１】
蓋１４に溝が設けられない場合、引張応力は、長辺３１Ａの中点Ｍ１近傍、長辺３１Ｂの中点Ｍ２近傍、短辺３１Ｃの中点Ｍ３近傍及び短辺３１Ｄの中点Ｍ４近傍に集中した。一方、第３モデルでは、図１６に示すように、引張応力は、長辺３１Ａの全体、長辺３１Ｂの全体、短辺３１Ｃの全体及び短辺３１Ｄの全体にわたって、実質的に均等に分布した。すなわち、本シミュレーションによれば、溝５０が設けられることによって、長辺３１Ａの中点Ｍ１近傍、長辺３１Ｂの中点Ｍ２近傍、短辺３１Ｃの中点Ｍ３近傍及び短辺３１Ｄの中点Ｍ４近傍に引張応力が集中することが抑制されることが分かる。
【００９２】
次に、本願発明者は、長辺部分５０Ａの好ましい位置について検討した。図１７は、実施例に係る水晶振動子３０Ｇを上方から見た図である。
【００９３】
水晶振動子３０Ｇでは、長辺３１Ａと重複領域Ａ１の中心Ｃとの距離を距離Ｄ１と定義する。距離Ｄ１は０．３９ｍｍである。また、長辺３１Ａと長辺部分５０Ａの中心線（幅方向の中心線）との距離を距離Ｄ２と定義する。距離Ｄ２は０．１５ｍｍである。水晶振動子３０Ｇでは、距離Ｄ２の最適値は０．１５ｍｍである。そのため、距離Ｄ２が０．１５ｍｍよりも３０％小さな０．１０５ｍｍより大きく、０．１５ｍｍよりも３０％大きな０．１９５ｍｍより小ければ、基板１２と蓋１４との接合の破損が十分に抑制されると予測される。これらの数値を一般化するために、距離Ｄ１（０．３９ｍｍ）に対する距離Ｄ２（０．１５ｍｍ，０．１０５ｍｍ，０．１９５ｍｍ）の割合Ｘを以下に示す。
【００９４】
Ｄ２＝０．１５ｍｍ：Ｘ＝０．１５ｍｍ／０．３９ｍｍ×１００＝３８％
Ｄ２＝０．１０５ｍｍ：Ｘ＝０．１０５ｍｍ／０．３９ｍｍ×１００＝２７％
Ｄ２＝０．１９５ｍｍ：Ｘ＝０．１９５ｍｍ／０．３９ｍｍ×１００＝５０％
【００９５】
よって、割合Ｘは式（１）を満たせばよい。
３８％＜Ｘ＜５０％・・・（１）
【００９６】
長辺３１Ａからの距離が重複領域Ａ１の中心Ｃと長辺３１Ａとの距離Ｄ１の５０％である直線を仮想線Ｌ２１（第１仮想線）と定義する。また、長辺３１Ａからの距離が重複領域Ａ１の中心Ｃと長辺３１Ａとの距離Ｄ１の２７％である直線を仮想線Ｌ２２（第２仮想線）と定義する。式（１）を満足するためには、長辺部分５０Ａの中心線は、仮想線Ｌ２１と仮想線Ｌ２２との間の領域に位置すればよい。なお、長辺部分５０Ｂの位置も、長辺部分５０Ａの位置と同様である。
【００９７】
（実施例２）
次に、本願発明者は、好ましい溝の半径を検討するために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。本願発明者は、図１及び図２に示す水晶振動子３０の第４モデルを作成した。更に、本願発明者は、図１３に示す水晶振動子３０Ｆの第５モデルを作成した。第５モデルの溝５６，５７の形状は、図２に示す溝５０と同じである。本願発明者は、ＦＥＭによる応力分布シミュレーションにより第４モデル及び第５モデルの応力分布を求めた。この際、本願発明者は、第４モデル及び第５モデルにおいて、溝５０，５６，５７の半径を０μｍから３０μｍまで変化させた。そして、溝５０，５６，５７の半径毎に、第４モデル及び第５モデルの基板１２と蓋１４との間に生じる応力の最大値（以下、単に最大応力）を算出した。
【００９８】
図１８は、溝５０，５６，５７の半径と最大応力との関係を示すグラフである。溝の半径が０μｍであることは、溝５０，５６，５７を設けなかったことを意味する。図１８において、縦軸は最大応力を示し、横軸は溝５０，５６，５７の半径を示す。
【００９９】
第４モデル及び第５モデルのいずれにおいても、溝５０，５６，５７の半径が大きくなると、最大応力が小さくなった。溝５０，５６，５７の半径が２０μｍより小さな領域では、第４モデルの最大応力と第５モデルの最大応力とは略等しくなった。ただし、溝５０，５６，５７の半径が２０μｍ以上の領域では、第５モデルの最大応力が第４モデルの最大応力より小さくなった。すなわち、溝の半径が大きい領域では、蓋１４の上面１４Ｂ及び下面１４Ａの両方に溝５６，５７が設けられることにより、より効果的に最大応力が低減されることが分かる。
【符号の説明】
【０１００】
１１：パッケージ
１２：基板
１４：蓋
１４Ａ：下面
１４Ｂ：上面
１５：接合材
１６：水晶振動素子
３０，３０Ａ〜３０Ｇ：水晶振動子
５０〜５７：溝
５０Ａ，５０Ｂ，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂ：長辺部分
５０Ｃ，５０Ｄ，５１Ｃ，５１Ｄ：短辺部分
７０：電子部品
７１：回路基板
７１ａ，１２０：基板本体
７１ｂ〜７１ｉ：外部電極
７３：半導体装置
７４：モールド部材
１２０：基板本体
１２２：キャビティ
１２４Ａ〜１２４Ｄ：側壁
１２４Ｅ：底面
１６０：水晶片
Ａ１：重複領域
Ｃ：中心
Ｆ：支点
Ｍ１〜Ｍ４：中点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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