(57)【要約】【課題】ワークに高周波が供給されにくくなることを抑制できる高周波供給構造を提供する。【解決手段】高周波供給構造３０は、規定方向Ｘに延伸する中心導体３１と、中心導体３１と同軸配置されており、且つグランドに接地されている外側導体３２と、中心導体３１と外側導体３２との間に設けられている円筒形状の絶縁部材３５とを備える。そして、中心導体３１の先端がワークＷを支持する支持部３３となっている。外側導体３２よりも外側には、外側導体３２及び中心導体３１と同軸配置されている防着部材３４が配設され、防着部材３４の先端３４ｅは、外側導体３２の先端３２ｅよりも規定方向Ｘにおける支持部３３側に位置している。絶縁部材３５のうち外側導体３２の開口から支持部３３側に突出する部分である突出部分３６は、外側導体３２の先端３２ｅと規定方向Ｘにおいて対向している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークに金属膜を成膜する処理と、高周波を用いたワークに対する処理とを１つのチャンバ内で行う成膜装置に適用され、
規定方向に延伸するとともに高周波が入力される中心導体と、前記中心導体よりも外側に位置するとともに同中心導体と同軸配置されており、且つグランドに接地されている筒状の外側導体と、前記中心導体と前記外側導体との間に設けられている円筒形状の絶縁部材と、を備え、
前記中心導体は前記外側導体の開口から前記規定方向に突出しており、同開口から突出している同中心導体の先端が、前記ワークを支持する支持部となっている高周波供給構造において、
前記外側導体よりも外側には、同外側導体及び前記中心導体と同軸配置されている筒状の防着部材が配設され、同防着部材の前記規定方向における前記支持部側の端部である先端は、前記外側導体の前記規定方向における前記支持部側の端部である先端よりも前記規定方向で前記支持部側に位置しており、
前記絶縁部材には、前記外側導体の開口から前記規定方向における前記支持部側に突出する突出部分が設けられており、
前記突出部分及び前記防着部材の少なくとも一方は、前記外側導体の前記先端と前記規定方向において対向している
ことを特徴とする高周波供給構造。
【請求項２】
前記絶縁部材における前記突出部分の外周面は、基端面と、同基端面よりも前記規定方向における前記支持部側に位置する先端面と、を有しており、
前記先端面は、前記規定方向で前記支持部に近い部位ほど前記中心導体の近くに位置するように構成されている
請求項１に記載の高周波供給構造。
【請求項３】
前記絶縁部材における前記突出部分は、基端部位と、前記規定方向で同基端部位よりも前記支持部側に位置する先端部位と、を有しており、
前記基端部位は、前記規定方向の位置で外径が変わらないように構成されており、
前記先端部位は、前記規定方向で前記支持部側に近づくにつれて外径が小さくなるように構成されており、
前記基端部位の外周面が前記基端面になっており、前記先端部位の外周面が前記先端面となっている
請求項２に記載の高周波供給構造。
【請求項４】
前記規定方向において、前記防着部材の前記先端は、前記絶縁部材の前記突出部分における前記基端面と前記先端面との境界部分よりも前記支持部側に位置している
請求項２又は請求項３に記載の高周波供給構造。
【請求項５】
前記防着部材は、内径が前記外側導体の外径よりも大きくなるように構成されているとともに、グランドに接地されていない
請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の高周波供給構造。
【請求項６】
前記防着部材は、絶縁材料で構成されている
請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の高周波供給構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内に設置されたワークに対してマイクロ波などの高周波を供給する高周波供給構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、金属膜をワークに蒸着する第１の処理と、マイクロ波などの高周波をチャンバ内に供給することで同ワークに対して成膜を施す第２の処理とを１つのチャンバ内で行うことが可能な成膜装置の一例が記載されている。
【０００３】
また、特許文献２には、高周波の一例であるマイクロ波をチャンバ内のワークに供給する高周波供給構造の一例が記載されている。この特許文献２に記載の高周波供給構造は、図７に示すように、規定方向に延伸する中心導体１０１と、中心導体１０１よりも外側に位置し且つ中心導体１０１と同軸配置されている筒状の外側導体１０２と、外側導体１０２と中心導体１０１との間に配置されている円筒形状の絶縁部材１０３とを備えている。中心導体１０１は、チャンバ１１０内に位置する外側導体１０２の開口から突出しており、中心導体１０１の先端にワーク１５０を支持する支持部１０４が設けられている。
【０００４】
そして、高周波供給構造の中心導体１０１にマイクロ波が供給されると、図７に矢印で示すように、中心導体１０１と外側導体１０２との間、すなわち絶縁部材１０３内をマイクロ波が支持部１０４に向かって流れ、ワーク１５０にマイクロ波が供給される。すると、チャンバ１１０内におけるワーク１５０近傍では、当該マイクロ波によって、同チャンバ１１０内に供給されたプロセスガスがプラズマ化して分解される。そして、このように分解されたプロセスガスがワーク１５０に付着することにより、同ガスに基づいた膜がワーク１５０に生成されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−２４３０３５号公報
【特許文献２】特開２００６−８３４０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に記載の成膜装置のチャンバ内で第１の処理が行われると、金属が、ワークだけではなく、チャンバの壁面やチャンバ内に配置されている部品にも付着してしまう。すなわち、当該成膜装置において、ワークに高周波を供給する構造として特許文献２に記載の高周波供給構造を採用した場合、図７に示すように、高周波供給構造のうちチャンバ１１０内に位置する部分に金属１６０が付着し、同金属１６０によって中心導体１０１が外側導体１０２と繋がってしまうことがある。この場合、外側導体１０２がグランドに接地されていると、高周波供給構造によってワーク１５０に供給されるべき高周波が、当該金属１６０を介して外側導体１０２側に漏えいするようになり、ワーク１５０に高周波が供給されにくくなってしまう。
【０００７】
本発明の目的は、ワークに高周波が供給されにくくなることを抑制できる高周波供給構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための高周波供給構造は、ワークに金属膜を成膜する処理と、高周波を用いたワークに対する処理とを１つのチャンバ内で行う成膜装置に適用される。この高周波供給構造は、規定方向に延伸するとともに高周波が入力される中心導体と、中心導体よりも外側に位置するとともに同中心導体と同軸配置されており、且つグランドに接地されている筒状の外側導体と、中心導体と外側導体との間に設けられている円筒形状の絶縁部材と、を備えている。この高周波供給構造では、中心導体は外側導体の開口から規定方向に突出しており、同開口から突出している同中心導体の先端が、ワークを支持する支持部となっている。このような前提の高周波供給構造において、外側導体よりも外側には、同外側導体及び中心導体と同軸配置されている筒状の防着部材が配設され、同防着部材の規定方向における支持部側の端部である先端は、外側導体の規定方向における支持部側の端部である先端よりも規定方向で支持部側に位置している。また、絶縁部材には、外側導体の開口から規定方向における支持部側に突出する突出部分が設けられている。また、突出部分及び防着部材の少なくとも一方は、外側導体の先端と規定方向において対向している。
【０００９】
上記高周波供給構造を備える成膜装置では、支持部によって支持されているワークに金属膜を成膜する処理がチャンバ内で行われると、高周波供給構造のうち同チャンバ内に位置する部分にも金属が付着することがある。このとき、外側導体よりも外側に配置されている防着部材によって、外側導体の外周面への金属の付着が抑制される。また、上記構成では、突出部分及び防着部材の少なくとも一方が、外側導体の先端と規定方向において対向している。そのため、突出部分及び防着部材の少なくとも一方によって、外側導体の先端への金属の付着が抑制される。このように外側導体への金属の付着を抑制することにより、中心導体が外側導体と導通してしまうことが抑制される。すなわち、高周波供給構造に付着した金属及び外側導体を介して中心導体がグランドと電気的に接続されてしまうことが抑制される。その結果、中心導体と外側導体との間に位置する絶縁部材内を支持部側に向けて流れる高周波が外側導体側に漏えいしてしまうことを抑制できる。したがって、ワークに高周波が供給されにくくなることを抑制できるようになる。
【００１０】
ところで、絶縁部材のうち、同絶縁部材内部から外部に高周波を放出させる面を出口面とした場合、当該出口面が中心導体の延伸方向に対して直交していると、同出口面に生成されてしまった金属膜に対し、絶縁部材内を支持部側に向けて流れる高周波がほぼ垂直に入射することとなる。このように高周波の金属膜への入射角が垂直に近いほど、金属膜によって、規定方向における支持部の反対側に高周波が戻されやすい。
【００１１】
そこで、絶縁部材における突出部分の外周面が、基端面と、同基端面よりも規定方向における支持部側に位置する先端面と、を有している場合、当該先端面を、規定方向で支持部に近い部位ほど中心導体の近くに位置するように構成することが好ましい。この構成によれば、突出部分の先端面が上記出口面として機能することとなる。この場合、出口面である先端面に金属膜が生成されてしまったとしても、当該金属膜への高周波の入射角を垂直ではなくすることができる。そのため、当該金属膜によって、規定方向における支持部の反対側に高周波が戻されにくくなる。したがって、ワークに高周波が供給されにくくなることの抑制効果を高めることができる。
【００１２】
また、上記先端面を上記のような形状としたため、中心導体と外側導体との間の絶縁部材内を流れる高周波が、同先端面に形成された金属膜によって径方向中心側に反射されるようになる。その結果、同金属膜を通過した高周波を、チャンバ内におけるワークに供給しやすくなる。
【００１３】
また、上記高周波供給構造において、絶縁部材における突出部分は、基端部位と、規定方向で同基端部位よりも支持部側に位置する先端部位と、を有するようにしてもよい。この場合、基端部位を、規定方向の位置で外径が変わらないように構成し、先端部位を、規定方向で支持部側に近づくにつれて外径が小さくなるように構成することにより、基端部位の外周面を基端面とし、先端部位の外周面を先端面とすることができる。
【００１４】
ところで、防着部材の先端の上記規定方向における位置が絶縁部材の突出部分における基端面と先端面との境界部分の規定方向における位置とほぼ同じであると、高周波供給構造に付着した金属によって中心導体が防着部材に繋がってしまいやすい。そのため、上記規定方向において、防着部材の上記先端を上記境界部分よりも支持部側に配置することが好ましい。この構成によれば、防着部材の先端の規定方向における位置が当該境界部分の規定方向における位置とずれているため、絶縁部材の突出部分の先端面や防着部材の先端に金属が付着したとしても、当該金属によって中心導体が防着部材に繋がりにくい。
【００１５】
なお、防着部材の内径を、外側導体の外径よりも大きくなるようにしてもよい。この場合、防着部材は外側導体に接触しないようになる。しかし、金属膜をワークに成膜する処理が行われると、高周波供給構造に付着した金属によって、中心導体が防着部材と繋がってしまうことがある。このとき、防着部材が導電性材料で構成されており、且つ防着部材がグランドに接地されている場合、金属及び防着部材を介して中心導体がグランドに電気的に接続されてしまい、中心導体と外側導体との間に位置する絶縁部材内を支持部側に向けて流れる高周波が防着部材側に漏えいしてしまう。
【００１６】
そこで、防着部材を、グランドに接地しないようにすることが好ましい。この構成によれば、高周波供給構造に付着した金属によって中心導体が防着部材と繋がってしまっても、防着部材がグランドに接地されていないため、中心導体がグランドに電気的に接続されてしまうことが抑制される。したがって、防着部材が導電性材料で構成されていたとしても、中心導体と外側導体との間を支持部側に向けて流れる高周波が防着部材側に漏えいしてしまうことを抑制できる。
【００１７】
また、防着部材を、絶縁材料で構成するようにしてもよい。この構成によれば、高周波供給構造に付着した金属によって防着部材と絶縁部材とが繋がってしまっても、中心導体がグランドに電気的に接続されてしまうことが抑制される。そのため、中心導体と外側導体との間を支持部側に向けて流れる高周波が防着部材側に漏えいしてしまうことを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】高周波供給構造の一実施形態の断面と、同高周波供給構造を備える成膜装置の概略構成とを示す図。
【図２】同実施形態の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【図３】別の実施形態の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【図４】別の実施形態の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【図５】別の実施形態の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【図６】別の実施形態の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【図７】従来の高周波供給構造に金属が付着した様子を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、高周波供給構造の一実施形態を図１及び図２に従って説明する。
図１には、本実施形態の高周波供給構造３０を備える成膜装置１０が図示されている。この成膜装置１０は、内部が真空雰囲気となるチャンバ１１内に配置されているワークＷに対し、チタン膜などの金属膜を成膜する第１の処理と、金属膜が成膜されたワークＷに対し、マイクロ波を用いた更なる成膜を施す第２の処理とを行うようになっている。
【００２０】
図１に示すように、成膜装置１０は、高周波供給構造３０に加え、内部が真空雰囲気となるチャンバ１１と、チャンバ１１内でアーク放電を発生させるアーク放電発生装置２０と、高周波供給構造３０に高周波の一例であるマイクロ波を供給する高周波出力装置１２とを備えている。高周波供給構造３０は、チャンバ１１内でワークＷを支持するようになっており、この成膜装置１０には、高周波供給構造３０を介して負のバイアス電圧をワークＷに印加するバイアス電源１３が設けられている。
【００２１】
次に、アーク放電発生装置２０について説明する。
図１に示すように、アーク放電発生装置２０は、チタンなどの金属で構成される蒸発源２１と、アルミニウムなどの導電材料で構成される陽極部材２２とを備えている。本実施形態では、蒸発源２１及び陽極部材２２の双方は円筒形状をなしており、陽極部材２２は、蒸発源２１よりも内側であって且つ蒸発源２１に同軸配置されている。この蒸発源２１には電源装置２３から負の直流電圧が印加されるようになっており、陽極部材２２はグランドに接地されている。そのため、電源装置２３から負の直流電圧が蒸発源２１に印加されている場合、蒸発源２１が陰極として機能し、陽極部材２２が陽極として機能するようになっている。そして、図示しないストライカを蒸発源２１に接触させ、その後、同ストライカを蒸発源２１から離間させることにより、蒸発源２１の内周面２１１と陽極部材２２との間でアーク放電が発生する。このようにアーク放電の発生が継続している間、蒸発源２１の内周面２１１からは金属イオンが放出される。
【００２２】
次に、本実施形態の高周波供給構造３０について説明する。
図１に示すように、高周波供給構造３０は、蒸発源２１及び陽極部材２２の中心軸の延伸方向（図中上下方向）と同一方向である規定方向Ｘに延伸する中心導体３１と、中心導体３１よりも外側に位置するとともに中心導体３１と同軸配置されている筒状の外側導体３２とを備えている。この外側導体３２はグランドに接地されているとともに、外側導体３２の外周面３２２には絶縁処理が施されている。中心導体３１及び外側導体３２は、チャンバ１１外からチャンバ１１内に進入している。そして、中心導体３１は、外側導体３２の両開口のうちのチャンバ１１内に位置する開口３２１から規定方向Ｘに突出しており、中心導体３１のうち外側導体３２外に突出している部分の先端が、ワークＷを支持する支持部３３となっている。
【００２３】
また、高周波供給構造３０には、中心導体３１及び外側導体３２の双方と同軸配置されている筒状の防着部材３４が設けられている。この防着部材３４は外側導体３２よりも外側に配置されているとともに、防着部材３４の内周面３４１の直径は、外側導体３２の外周面３２２の直径よりも大きい。そのため、防着部材３４は、外側導体３２に接触していない。また、防着部材３４は、導電性材料で構成されているものの、グランドに接地されていない。そして、こうした防着部材３４は、絶縁材料で構成されている封止部材１４を介してチャンバ１１の側壁に支持されている。
【００２４】
また、防着部材３４の規定方向Ｘにおける支持部３３側の端部である先端３４ｅは、外側導体３２の規定方向Ｘにおける支持部３３側の端部である先端３２ｅよりも支持部３３側（すなわち、図中上側）に配置されている。
【００２５】
また、中心導体３１と外側導体３２との間には、円筒形状の絶縁部材３５が設けられている。絶縁部材３５は、マイクロ波を通過させることのできる絶縁材料で構成されている。この絶縁部材３５は、外側導体３２の開口３２１から規定方向Ｘにおける支持部３３側に突出する突出部分３６を有している。
【００２６】
図１に示すように、突出部分３６には、基端部位３７と、規定方向Ｘで基端部位３７よりも支持部３３側に位置する先端部位３８とが設けられている。基端部位３７の外径は外側導体３２の内径よりも大きく、基端部位３７の外周面は防着部材３４の内周面３４１に対して平行となる方向に延びている。すなわち、基端部位３７は、規定方向Ｘの位置で外径が変わらないように構成されている。そして、本実施形態では、この基端部位３７が、外側導体３２の先端３２ｅに規定方向Ｘにおいて対向している。また、基端部位３７の外周面が、基端面３７１になっている。
【００２７】
先端部位３８は、規定方向Ｘで支持部３３に近づくにつれて外径が小さくなるように構成されている。そのため、先端部位３８の外周面は、規定方向Ｘで支持部３３に近い部位ほど中心導体３１の近くに位置するように形成されている。そして、このような先端部位３８の外周面が、規定方向Ｘで基端面３７１よりも支持部３３側に位置する先端面３８１になっている。なお、先端部位３８の規定方向Ｘにおける支持部３３側の端部である先端、すなわち突出部分３６の先端３６ｅは、防着部材３４の先端３４ｅよりも規定方向Ｘで支持部３３から僅かに離れている、すなわち防着部材３４の先端３４ｅよりも僅かに図中下側に位置している。また、突出部分３６の外周面における基端面３７１と先端面３８１との境界を、「境界部分３９」というものとする。
【００２８】
次に、成膜装置１０で行われる第１の処理及び第２の処理について順に説明する。
まず、チャンバ１１内で支持部３３がワークＷを支持するようになると、ワークＷに金属膜を成膜するための第１の処理が開始される。すなわち、第１の処理では、バイアス電源１３から出力される負のバイアス電圧が中心導体３１を介してワークＷに印加される。また、電源装置２３から出力された負の直流電圧が蒸発源２１に印加される。この状態でストライカが蒸発源２１に接触して離間されると、蒸発源２１と陽極部材２２との間でアーク放電が発生し、アーク放電が継続している間、アーク放電に起因して蒸発源２１から放出された金属イオンがワークＷに付着される。その結果、ワークＷに金属膜が成膜される。
【００２９】
ワークＷへの金属膜の成膜が終了すると、蒸発源２１への負の直流電圧の印加が終了され、チャンバ１１内でアーク放電が消弧される。これにより、蒸発源２１から金属イオンが放出されなくなり、第１の処理が終了される。
【００３０】
このように第１の処理が終了されると、第２の処理が開始される。すなわち、第２の処理では、チャンバ１１内におけるワークＷの近傍に、プロセスガスがアルゴンなどの不活性ガスとともに供給されるようになる。ここで、プロセスガスとしては、例えば、アセチレンなどの炭化水素ガスを挙げることができる。
【００３１】
この状態でバイアス電源１３から出力される負のバイアス電圧が中心導体３１を介してワークＷに印加される。また、高周波出力装置１２から出力されたマイクロ波が中心導体３１に入力される。すると、高周波供給構造３０では、中心導体３１と外側導体３２との間を支持部３３に向かってマイクロ波が流れ、ワークＷにマイクロ波が供給される。これにより、チャンバ１１内におけるワークＷ近傍では、当該マイクロ波によって、チャンバ１１内に供給されたプロセスガスがプラズマ化して分解される。そして、このように分解されたプロセスガスがワークＷに付着することにより、同ガスに基づいた膜（例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜）がワークＷに生成される。
【００３２】
ところで、上記の第１の処理を行っていると、蒸発源２１から放出された金属イオンに起因する金属が、ワークＷだけではなく、高周波供給構造３０のうちのチャンバ１１内に位置する部分の表面、及び、チャンバ１１の側壁にも付着してしまう。
【００３３】
そこで次に、図２を参照し、高周波供給構造３０の作用を効果とともに説明する。
図２に示すように、外側導体３２よりも外側に配置されている防着部材３４によって、外側導体３２の外周面３２２への金属ＭＴの付着が抑制される。また、本実施形態では、突出部分３６の基端部位３７が、外側導体３２の先端３２ｅと規定方向Ｘにおいて対向している。そのため、基端部位３７のうちの外側導体３２の先端３２ｅに対向している部位によって、外側導体３２の先端３２ｅへの金属ＭＴの付着が抑制される。すなわち、外側導体３２への金属ＭＴの付着が抑制される。そのため、中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００３４】
また、本実施形態では、突出部分３６の先端面３８１と防着部材３４の内周面３４１との間の間隔は比較的広いため、先端面３８１には金属ＭＴが付着してしまうことがある。一方、突出部分３６の基端面３７１と防着部材３４の内周面３４１との間の間隔は非常に狭い。具体的には、中心導体３１の中心軸を中心とする径方向において、基端面３７１は外側導体３２の外周面３２２と同じ位置に配置されている。そのため、基端面３７１への金属の付着を、防着部材３４によって抑制することができる。これにより、突出部分３６の先端面３８１に金属ＭＴが付着したとしても、高周波供給構造３０に付着してしまった金属ＭＴによって、中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００３５】
なお、図２に示すように、高周波供給構造３０にあっては、防着部材３４の先端３４ｅの規定方向Ｘにおける位置が、突出部分３６における基端面３７１と先端面３８１との境界部分３９の規定方向Ｘにおける位置とずれている。これにより、突出部分３６の先端面３８１や防着部材３４の先端３４ｅに金属ＭＴが付着したとしても、当該金属ＭＴによって中心導体３１が防着部材３４に繋がりにくい。
【００３６】
さらに、防着部材３４は、導電性材料で構成されているものの、グランドに接地されていない。これにより、もし仮に高周波供給構造３０に付着した金属ＭＴによって中心導体３１が防着部材３４と繋がってしまっても、中心導体３１がグランドに電気的に接続されてしまうことが抑制される。
【００３７】
そのため、高周波供給構造３０に金属ＭＴが付着してしまった状況下で第２の処理によってマイクロ波をワークＷに供給する際、中心導体３１が外側導体３２及び防着部材３４と導通しないようにすることで、絶縁部材３５内を支持部３３側に向けて流れるマイクロ波が外側導体３２側や防着部材３４側に漏えいしてしまうことを抑制できる。したがって、ワークＷにマイクロ波が供給されにくくなることを抑制できる。
【００３８】
なお、第１の処理及び第２の処理の双方では、中心導体３１を介してワークＷにバイアス電圧が印加される。この際、中心導体３１が外側導体３２及び防着部材３４と導通しないようにすることで、ワークＷとグランドとの電位差が小さくなることが抑制される。その結果、第１の処理ではワークＷに対して金属膜を適切に成膜することができ、第２の処理ではダイヤモンドライクカーボン膜をワークＷに対して適切に成膜することができる。
【００３９】
ところで、絶縁部材３５内から外部にマイクロ波を放出する面である出口面が、中心導体３１の延伸方向である規定方向Ｘに対して直交している場合、出口面に金属膜が生成されてしまうと、当該金属膜に対し、絶縁部材３５内を支持部３３側に向けて流れるマイクロ波がほぼ垂直に入射することとなる。このようにマイクロ波の金属膜への入射角が垂直に近いほど、金属膜によって、規定方向Ｘにおける支持部３３の反対側（図２では下側）にマイクロ波が戻されやすい。
【００４０】
この点、本実施形態では、突出部分３６の先端面３８１が上記出口面として機能することとなるが、この先端面３８１は規定方向Ｘで支持部３３に近い部位ほど中心導体３１の近くに位置するように構成されている。そのため、先端面３８１に生成されてしまった金属膜へのマイクロ波の入射角が垂直ではなくなるため、当該金属膜によって、規定方向Ｘにおける支持部３３の反対側にマイクロ波が戻されにくくなる。したがって、ワークＷにマイクロ波が供給されにくくなることの抑制効果を高めることができる。
【００４１】
また、突出部分３６の先端面３８１を上記のような形状としたため、絶縁部材３５内を流れるマイクロ波が、先端面３８１に形成された金属膜によって径方向中心側に反射されるようになる。その結果、金属膜を通過したマイクロ波を、チャンバ１１内におけるワークＷに供給しやすくなる。
【００４２】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記実施形態では、防着部材３４の先端３４ｅは、突出部分３６の先端３６ｅよりも規定方向Ｘにおいて支持部３３の少しだけ近くに配置されている。しかし、防着部材３４によって外側導体３２の外周面３２２への金属の付着を抑制することができるのであれば、防着部材３４の先端３４ｅを、突出部分３６の先端３６ｅよりも規定方向Ｘにおいて支持部３３から離れて配置するようにしてもよい。例えば、防着部材３４の先端３４ｅを、規定方向Ｘにおいて境界部分３９と同一位置に配置してもよいし、規定方向Ｘにおいて境界部分３９と外側導体３２の先端３２ｅとの間に配置してもよい。
【００４３】
・防着部材３４は、絶縁材料で構成してもよい。この構成であっても、高周波供給構造３０に付着した金属によって中心導体３１が防着部材３４に繋がってしまっても、中心導体３１がグランドに電気的に繋がってしまうことを抑制できる。なお、この場合、防着部材３４の内周面３４１に対向する外側導体３２の外周面３２２には絶縁処理を施さなくてもよい。
【００４４】
また、このように防着部材３４が絶縁材料で構成されている場合、突出部分３６の基端部位３７の外径を防着部材３４の内径と等しくし、突出部分３６の基端面３７１を防着部材３４の内周面３４１に接触させるようにしてもよい。
【００４５】
・絶縁部材３５の突出部分は、上記実施形態における「先端部位３８」に相当する部位、すなわち、規定方向Ｘで支持部３３に近づくにつれて外径が小さくなる部位を備えない構成であってもよい。図３には、このような絶縁部材３５Ａを備える高周波供給構造３０の一例が図示されている。このような構成であっても、絶縁部材３５Ａの突出部分３６Ａ及び防着部材３４によって、外側導体３２への金属ＭＴの付着を抑制することができ、ひいては中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００４６】
・図４に示すように、防着部材３４の一部を外側導体３２よりも規定方向Ｘにおいて支持部３３側に位置させるようにしてもよい。例えば、防着部材３４のうち外側導体３２よりも規定方向Ｘにおいて支持部３３側に位置する部分を規定部分３４Ａとする。この場合、規定部分３４Ａの内径は、外側導体３２の外径よりも小さくなっている。図４に示すように、絶縁部材３５Ｂの突出部分３６Ｂは、外側導体３２の内径と等しい外径を有する基端部位３７Ｂと、基端部位３７Ｂよりも規定方向Ｘにおける支持部３３側に位置し、且つ規定方向Ｘで支持部３３側に近づくにつれて外径が小さくなる先端部位３８Ｂとを有している。この場合、基端部位３７Ｂの外周面が基端面３７１Ｂになり、先端部位３８Ｂの外周面が先端面３８１Ｂになる。この構成であっても、突出部分３６Ｂ及び防着部材３４によって、外側導体３２への金属ＭＴの付着を抑制することができ、ひいては中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００４７】
・図５に示す例は、上記実施形態における「先端部位３８」に相当する部位が突出部分に設けられない例、すなわち図３に示す例の変更例である。この場合であっても、図５に示すように、防着部材３４の規定部分３４Ａの内径を、外側導体３２の外径よりも小さくしてもよい。このような構成であっても、絶縁部材３５Ｃの突出部分３６Ｃ及び防着部材３４によって、外側導体３２への金属ＭＴの付着を抑制することができ、ひいては中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００４８】
また、規定部分３４Ａの内径を、外側導体３２の内径よりも小さくするのであれば、突出部分３６Ｃの外周面と防着部材３４の内周面３４１との間隔が広くならない範囲内で、突出部分３６Ｃの外径を外側導体３２の内径よりも小さくしてもよい。
【００４９】
・図６に示すように、規定部分３４Ａの内径が、外側導体３２の外径よりも小さく且つ外側導体３２の内径よりも大きいのであれば、絶縁部材３５Ｄの突出部分３６Ｄの外径を外側導体３２の内径よりも大きく且つ外側導体３２の外径よりも小さくしてもよい。この場合、突出部分３６Ｄ及び規定部分３４Ａの双方が、外側導体３２の先端３２ｅと規定方向Ｘにおいて対向することとなる。この構成であっても、突出部分３６Ｄ及び防着部材３４によって、外側導体３２への金属ＭＴの付着を抑制することができ、ひいては中心導体３１が外側導体３２と導通してしまうことを抑制できる。
【００５０】
・中心導体は、規定方向に延びる長尺状の延伸部材と、この延伸部材の先端に設けられるとともにワークＷを支持する支持部材とを備えた構成であってもよい。この場合、支持部材が、支持部３３として機能することとなる。
【００５１】
・高周波供給構造によってワークＷに供給される高周波は、ワークＷに対する何らかの処理を行うことができるのであれば、マイクロ波とは周波数の異なる他の高周波、例えばＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）であってもよい。なお、「ＲＦ」とは、「Radio Frequency」の略記である。
【００５２】
・マイクロ波などの高周波を用いた第２の処理は、ワークＷの表面に膜を成膜する処理ではなく、ワークＷの表面に対してエッチングを施す処理であってもよい。
・ワークＷに対して金属膜を成膜する装置としては、チャンバ１１内にアーク放電を発生させる装置以外の他の装置であってもよい。このような他の装置としては、例えば、蒸発源に熱を加えて同蒸発源の昇温させることで、同蒸発源の一部を蒸発させ、蒸発した金属をワークＷに付着させる装置を挙げることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０…成膜装置、１１…チャンバ、３０…高周波供給構造、３１…中心導体、３２…外側導体、３２１…開口、３２ｅ…先端、３３…支持部、３４…防着部材、３４ｅ…先端、３４１…内周面、３５，３５Ａ〜３５Ｄ…絶縁部材、３６，３６Ａ〜３６Ｄ…突出部分、３７，３７Ｂ…基端部位、３７１，３７１Ｂ…基端面、３８，３８Ｂ…先端部位、３８１，３８１Ｂ…先端面、３９…境界部分、Ｗ…ワーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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