(57)【要約】【課題】モース硬度が高い基板であっても、分割後のデバイスチップに傾斜面を形成すること。【解決手段】分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハ（Ｗ）を個々のデバイスチップ（Ｃ）に分割する光デバイスウェーハの加工方法であり、ウェーハ基板に対して吸収性波長のレーザー光線を照射して、光デバイスウェーハの裏面に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝（１２）を形成するステップと、Ｖブレード（３３）でレーザー加工溝に沿って裏面にＶ溝（１３）を形成して、レーザー加工溝からクラックを下方に伸展させて光デバイスウェーハをデバイスチップに分割するステップと、を備え、レーザー加工溝がＶブレードの切り込み深さよりも浅く形成される構成にした。【選択図】図３
2018120890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿ってウェーハ基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して、該光デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
該レーザー加工溝形成ステップを実施した後に、先端がＶ形状の切削ブレードで該レーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成すると共に、該切削ブレードにより該レーザー加工溝を除去しつつ切削動作で該レーザー加工溝から亀裂を伸展させて個々の光デバイスに分割するＶ溝分割ステップと、から構成され、
該レーザー加工溝は、該先端がＶ形状の切削ブレードで切り込む深さよりも浅い深さで形成されることを特徴とする光デバイスウェーハの加工方法。
【請求項２】
表面に形成された分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿ってウェーハ基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して、該光デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
該レーザー加工溝形成ステップを実施した後に、先端がＶ形状の切削ブレードで該レーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成すると共に、該切削ブレードにより該レーザー加工溝を除去するＶ溝形成ステップと、
該Ｖ溝形成ステップを実施した後に、該Ｖ溝に沿って外力を付与して個々の光デバイスに分割する分割ステップと、から構成され、
該レーザー加工溝は、該先端がＶ形状の切削ブレードで切り込む深さよりも浅い深さで形成されることを特徴とする光デバイスウェーハの加工方法。
【請求項３】
該レーザー加工溝形成ステップにおいて、該先端がＶ形状の切削ブレードで除去される領域内に、該分割予定ラインに沿って複数のレーザー加工溝を形成して該先端がＶ形状の切削ブレードで切削する際の除去量を減少すること、を特徴とする請求項１又は２に記載の光デバイスウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割する光デバイスウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイス又はＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）、ＬＤ（Laser  Diode）等の光デバイスは、ＳｉＣ、ＧａＮ等の六方晶単結晶を素材とした機能層をウェーハの表面に積層し、この機能層を格子状の分割予定ラインで区画して形成される。このような光デバイスウェーハを分割する方法として、ウェーハに対して吸収性波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することで破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝に沿って外力を付与することで光デバイスウェーハを分割する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、分割後の光デバイス（デバイスチップ）の更なる輝度向上を狙って、光デバイスの裏面側に傾斜面を形成して略台形のチップ形状にするという要望がある。この場合、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハの裏面側にＶブレードでＶ溝を形成するが、光デバイスウェーハの基板はモース硬度が高い材質が多く、Ｖブレードによる切削加工では分割後の光デバイスの側面にクラックが入って品質が悪化する。また、レーザー加工では光デバイスウェーハにＶ溝を形成することができず、分割後の光デバイスに傾斜面を形成することが困難になっていた。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、モース硬度が高い基板であっても、分割後の光デバイスに傾斜面を形成することができる光デバイスウェーハの加工方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の光デバイスウェーハの加工方法は、表面に形成された分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってウェーハ基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して、該光デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝形成ステップを実施した後に、先端がＶ形状の切削ブレードで該レーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成すると共に、該切削ブレードにより該レーザー加工溝を除去しつつ切削動作で該レーザー加工溝から亀裂を伸展させて個々の光デバイスに分割するＶ溝分割ステップと、から構成され、該レーザー加工溝は、該先端がＶ形状の切削ブレードで切り込む深さよりも浅い深さで形成されることを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の一態様の光デバイスウェーハの加工方法は、表面に形成された分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってウェーハ基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して、該光デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝形成ステップを実施した後に、先端がＶ形状の切削ブレードで該レーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成すると共に、該切削ブレードにより該レーザー加工溝を除去するＶ溝形成ステップと、該Ｖ溝形成ステップを実施した後に、該Ｖ溝に沿って外力を付与して個々の光デバイスに分割する分割ステップと、から構成され、該レーザー加工溝は、該先端がＶ形状の切削ブレードで切り込む深さよりも浅い深さで形成されることを特徴とする。
【０００８】
これらの構成によれば、レーザー加工溝で強度が低下した分割予定ラインに沿って、切削ブレードで光デバイスウェーハにＶ溝が形成される。このとき、切削ブレードによるＶ溝形成時の加工負荷がレーザー加工溝に沿って作用するため、Ｖ溝の側面に余分な負荷がかかり難くなり、分割後の光デバイスの側面の亀裂（クラック）の発生を抑えることができる。また、ウェーハ基板に形成されたＶ溝によって、分割後の光デバイスに傾斜面が形成され、光デバイスの光の取り出し量が増えて輝度が向上される。
【０００９】
本発明の一態様の光デバイスウェーハの加工方法において、該レーザー加工溝形成ステップにおいて、該先端がＶ形状の切削ブレードで除去される領域内に、該分割予定ラインに沿って複数のレーザー加工溝を形成して該先端がＶ形状の切削ブレードで切削する際の除去量を減少する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウェーハ基板に対して分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝に沿って切削ブレードでＶ溝を形成するようにしたので、モース硬度が高い基板であっても、分割後のデバイスチップに傾斜面を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】光デバイスウェーハの断面図である。
【図２】デバイスチップの断面図である。
【図３】第１の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法の説明図である。
【図４】第２の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法の説明図である。
【図５】レーザー加工溝形成ステップの変形例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法について説明する。図１は、光デバイスウェーハの断面図である。図２は、デバイスチップの断面図である。なお、以下の実施の形態はあくまでも一例を示すものであり、以下の内容に限定されるものではない。
【００１３】
図１に示すように、光デバイスウェーハＷは、例えばＧａＮウェーハであり、サファイア等のウェーハ基板１０にエピタキシャル成長によってＧａＮ系の発光層１１が形成されている。光デバイスウェーハＷの発光層１１は格子状の分割予定ラインによって区画されており、発光層１１が区画されることでＬＥＤ等の光デバイスが形成されている。また、光デバイスウェーハＷの表面１５には保持テープＴが貼着されており、保持テープＴの周囲にはリングフレームＦが貼着されている。このように、光デバイスウェーハＷは、保持テープＴを介してリングフレームＦに支持された状態で搬送される。
【００１４】
ところで、図２Ａに示すように、光デバイスウェーハＷの分割後のデバイスチップＣ（光デバイス）の裏面１６側に傾斜面１７を形成して、デバイスチップＣの輝度を向上させることが望まれている。発光層１１からの光線は、デバイスチップＣの外面に対して臨界角度θｃよりも大きな角度θ１で入射すると全反射し、臨界角度θｃよりも小さな角度θ２で入射すると透過される。このため、デバイスチップＣの裏面１６側に傾斜面１７を形成することで、デバイスチップＣ内での光線の全反射の繰返しが傾斜面１７によって阻害されて、デバイスチップＣから光線が出射されて光の取り出し効率が向上される。
【００１５】
一方で、図２Ｂに示すように、光デバイスウェーハＷの分割後のデバイスチップＣの裏面１６側に傾斜面が形成されていないと、発光層１１からの一部の光線がデバイスチップＣ内から外部に出射され難くなる。より詳細には、デバイスチップＣの側面１８及び裏面１６のそれぞれで、光線の入射角度θ３、θ４が臨界角度θｃよりも大きくなって、デバイスチップＣ内で全反射が繰り返される間に消光する場合がある。このように、デバイスチップＣが直方体状に形成されると、デバイスチップＣ内で一部の光線の反射角度が保存されて光の取り出し効率が低下する。
【００１６】
デバイスチップＣの裏面１６側に傾斜面１７を形成するためには、先端がＶ形状の切削ブレード（以下、Ｖブレード３３（図３Ｂ参照）と称する）を用いて、光デバイスウェーハＷの裏面１６側にＶ溝を形成する必要がある。しかしながら、ウェーハ基板１０はサファイア等のモース硬度の高い基板で形成されているため、Ｖブレード３３による切削時には加工負荷によってウェーハ基板１０に対して不規則にクラックが伸展するという問題がある。また、ウェーハ基板１０にＶ溝を形成する際に、Ｖブレード３３の消耗が激しく先端形状が崩れてしまっていた。
【００１７】
そこで、本実施の形態の光デバイスウェーハＷの加工方法では、光デバイスウェーハＷに対して分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝１２（図３Ａ参照）を形成し、レーザー加工溝１２に沿ってＶブレード３３でＶ溝１３（図３Ｂ参照）を形成するようにしている。これにより、レーザー加工溝１２で分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハＷの強度が低下すると共に加工負荷が作用する割れ目が形成される。Ｖブレード３３によるＶ溝形成時に加工負荷がレーザー加工溝１２に沿って作用するため分割後のデバイスチップＣにクラックが残らず、さらに光デバイスウェーハＷの被削性が向上してＶブレード３３の激しい消耗を抑えることが可能になっている。
【００１８】
以下、図３を参照して、第１の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法について説明する。図３は、第１の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法の説明図である。図３Ａはレーザー加工溝形成ステップ、図３Ｂ及び図３ＣはＶ溝分割ステップのそれぞれ一例を示す図である。
【００１９】
図３Ａに示すように、先ずレーザー加工溝形成ステップが実施される。レーザー加工溝形成ステップでは、レーザー加工装置（不図示）のチャックテーブル２１上に保持テープＴを介して光デバイスウェーハＷが保持され、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレームＦがクランプ部２２に保持される。また、加工ヘッド２３の出射口が光デバイスウェーハＷの分割予定ラインの真上に位置付けられ、加工ヘッド２３から光デバイスウェーハＷの裏面１６に向けてレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハ基板１０に対して吸収性を有する波長に調整されている。
【００２０】
そして、レーザー光線の集光点が調整されながら、光デバイスウェーハＷに対して加工ヘッド２３が相対移動されることで、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハＷの裏面１６にレーザー加工溝１２が形成される。この加工送りが繰り返されることで、全ての分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハＷにレーザー光線が照射されて、光デバイスウェーハＷの裏面１６にレーザー加工溝１２が格子状に形成される。これにより、レーザー加工溝１２の周辺の強度が低下すると共に、後段のＶ溝形成時にＶブレード３３（図３Ｂ参照）の加工負荷を集中させる割れ目が形成される。
【００２１】
この場合、レーザー光線の出力は、光デバイスウェーハＷに対してレーザー加工溝１２を形成するだけでなく、レーザー加工溝１２の周辺部分を改質するような強さに調整されている。すなわち、レーザー光線の出力はレーザー加工溝１２を形成するのに必要な出力よりも強く調整される。また、レーザー加工溝１２は、Ｖブレード３３で切り込み深さよりも浅い深さに形成されている（図３Ｃ参照）。なお、レーザー加工溝形成ステップでは、光デバイスウェーハＷの裏面１６へのデブリの付着を防止するために水溶性の保護膜（不図示）が形成されていてもよい。
【００２２】
なお、アブレーションとは、レーザー光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。また、保護膜は、アブレーション加工時に飛散したデブリから光デバイスウェーハＷを保護可能な水溶性樹脂であればよく、例えば、ＰＶＡ（Poly  Vinyl  Alcohol）、ＰＥＧ（Poly  Ethylene  Glycol）、ＰＥＯ（Poly  Ethylene  Oxide）等が使用される。
【００２３】
図３Ｂに示すように、レーザー加工溝形成ステップが実施された後にＶ溝分割ステップが実施される。Ｖ溝形成ステップでは、切削装置（不図示）のチャックテーブル３１上に保持テープＴを介して光デバイスウェーハＷが保持され、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレームＦがクランプ部３２に保持される。また、チャックテーブル３１の径方向外側においてＶブレード３３がレーザー加工溝１２（分割予定ライン）に対して位置合わせされている。Ｖブレード３３は、ダイヤモンド砥粒等を結合剤で固めて先端がＶ形状の円板状に成形されており、スピンドル（不図示）の先端に装着されている。
【００２４】
そして、光デバイスウェーハＷの径方向外側で光デバイスウェーハＷの裏面から厚み方向砥粒の深さまでＶブレード３３が降ろされ、このＶブレード３３に対して光デバイスウェーハＷが水平方向に切削送りされる。これにより、光デバイスウェーハＷがハーフカットされて、レーザー加工溝１２に沿って光デバイスウェーハＷの裏面１６にＶ溝１３が形成される。Ｖ溝１３によってレーザー加工溝１２が除去されると共に、Ｖブレード３３の加工負荷によってレーザー加工溝１２から下方に向けてクラック１４が伸展して光デバイスウェーハＷが個々のデバイスチップＣに分割される。
【００２５】
この場合、Ｖブレード３３の加工負荷がレーザー加工溝１２に集中し易くなるため、Ｖ溝１３の側面には余分な加工負荷が作用し難くなっている。よって、レーザー加工溝１２が起点となってクラック１４が下方に伸展して、Ｖ溝１３の側面にクラックが発生することが抑えられている。また、レーザー光線の出力が強く調整されているため、レーザー加工溝１２の周辺の強度が低下して被削性が向上されている。よって、サファイアのようなモース硬度が高いウェーハ基板１０であっても、Ｖブレード３３の消耗を抑えつつＶ溝１３を形成することが可能になっている。
【００２６】
このような切削動作が繰り返されることで、光デバイスウェーハＷがレーザー加工溝１２（分割予定ライン）に沿って個々のデバイスチップＣに分割される。これにより、光デバイスウェーハＷのＶ溝１３が分割後のデバイスチップＣの傾斜面１７になって光の取り出し効率が向上され、デバイスチップＣに対するクラック１４の発生が抑えられてデバイスチップＣの品質が向上される。さらに、Ｖブレード３３の加工負荷によって光デバイスウェーハＷを分割するため、Ｖ溝１３の形成加工と光デバイスウェーハＷの分割加工を同時に実施して作業効率を向上させることができる。
【００２７】
また、図３Ｃに示すように、レーザー加工溝１２がＶブレード３３の切り込み深さよりも浅く形成されている。レーザー加工溝１２の壁面にはアブレーション加工時の溶融物等が付着しているが、Ｖブレード３３によるＶ溝形成によってレーザー加工溝１２が完全に除去される。よって、デバイスチップＣの側面に溶融物が残ることがなく、溶融物によるデバイスチップＣ（図３Ｂ参照）の輝度の低下が抑えられている。なお、レーザー加工溝１２の溶融物がデバイスチップＣの輝度の低下に影響しない範囲で、レーザー加工溝１２がＶブレード３３の切り込み深さよりも深く形成されていてもよい。
【００２８】
以上のように、第１の実施の形態の光デバイスウェーハＷの加工方法によれば、レーザー加工溝１２で強度が低下した分割予定ラインに沿って、Ｖブレード３３で光デバイスウェーハＷにＶ溝１３が形成されると同時に光デバイスウェーハＷが分割される。このとき、Ｖブレード３３によるＶ溝形成時の加工負荷がレーザー加工溝１２に沿って作用するため、Ｖ溝１３の側面に余分な負荷がかかり難くなり、分割後のデバイスチップＣの側面のクラックの発生を抑えることができる。また、光デバイスウェーハＷに形成されたＶ溝１３によって、分割後のデバイスチップＣに傾斜面１７が形成され、デバイスチップＣの光の取り出し量が増えて輝度が向上される。
【００２９】
続いて、図４を参照して、第２の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法について説明する。図４は、第２の実施の形態の光デバイスウェーハの加工方法の説明図である。図４Ａはレーザー加工溝形成ステップ、図４ＢはＶ溝形成ステップ、図４Ｃは分割ステップのそれぞれ一例を示す図である。なお、第２の実施の形態は、光デバイスウェーハに対するＶ溝形成と光デバイスウェーハの分割を個別に行う点で第１の実施の形態と相違している。したがって、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様な構成については極力説明を省略する。
【００３０】
図４Ａに示すように、先ずレーザー加工溝形成ステップが実施される。レーザー加工溝形成ステップでは、チャックテーブル２１上の光デバイスウェーハＷに対して加工ヘッド２３からレーザー光線が照射され、光デバイスウェーハＷの裏面１６に分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝１２が形成される。これにより、レーザー加工溝１２の周辺の強度が低下すると共に、後段のＶ溝形成時にＶブレード３３（図４Ｂ参照）の加工負荷を集中させる割れ目が形成される。このとき、第１の実施の形態と同様に、レーザー光線の出力は、レーザー加工溝１２を形成するのに必要な出力よりも強く調整されている。
【００３１】
図４Ｂに示すように、レーザー加工溝形成ステップが実施された後にＶ溝形成ステップが実施される。Ｖ溝形成ステップでは、チャックテーブル３１上の光デバイスウェーハＷに対してＶブレード３３が切削送りされることで、光デバイスウェーハＷの裏面１６にレーザー加工溝１２（分割予定ライン）に沿ったＶ溝１３が形成される。これにより、Ｖブレード３３の加工負荷がレーザー加工溝１２に集中するため、Ｖ溝１３の側面に余分な加工負荷がかかり難くなってクラック１４が発生し難くなる。また、レーザー加工溝１２の周辺の強度が低下して光デバイスウェーハＷの被削性が向上してＶブレード３３の消耗が抑えられている。
【００３２】
また、レーザー加工溝１２がＶブレード３３の切り込み深さよりも浅く形成されているため、Ｖ溝１３によってレーザー加工溝１２が除去される。これにより、レーザー加工溝１２の壁面の溶融物がＶブレード３３によって完全に除去されるため、光デバイスウェーハＷの分割後のデバイスチップＣ（図２Ａ参照）に溶融物が残ることがなく輝度が向上される。なお、Ｖ溝形成ステップでは、第１の実施の形態と同様に、Ｖブレード３３の加工負荷によって一部のレーザー加工溝１２から下方にクラックが伸展してもよいし、クラックの伸展によって一部の分割予定ラインに沿って分割されてもよい。
【００３３】
図４Ｃに示すように、Ｖ溝形成ステップが実施された後に分割ステップが実施される。分割ステップでは、ブレーキング装置（不図示）の一対の支持台４１に、光デバイスウェーハＷがＶ溝１３を形成した裏面１６を下にして載置され、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレームＦが保持テーブル４２の四方のクランプ部４３に保持される。一対の支持台４１は、一方向（紙面に垂直方向）に延在しており、一対の支持台４１の間には撮像手段４４が配置されている。この撮像手段４４によって、一対の支持台４１の間から光デバイスウェーハＷの裏面１６のＶ溝１３が撮像される。
【００３４】
一対の支持台４１の上方には、支持台４１の延在方向に沿って押圧刃４５が設けられており、撮像手段４４の撮像結果に基づいて押圧刃４５が光デバイスウェーハＷのＶ溝１３に位置付けられる。そして、押圧刃４５が下降して保持テープＴを介して光デバイスウェーハＷに押し当てられることで、Ｖ溝１３に沿って外力が付与されて光デバイスウェーハＷが破断される。一本のＶ溝１３に沿って光デバイスウェーハＷが破断されると、隣接するＶ溝１３に押圧刃４５が位置合わせされて破断される。この破断動作が繰り返されることで、光デバイスウェーハＷが個々のデバイスチップＣ（図２Ａ参照）に分割される。
【００３５】
これにより、光デバイスウェーハＷのＶ溝１３が分割後のデバイスチップＣの傾斜面１７（図２Ａ参照）になって光の取り出し効率が向上される。また、Ｖ溝１３の形成時にクラックの発生が抑えられているため、デバイスチップＣの品質が向上される。なお、分割工程は、Ｖ溝１３に沿って外力を付与して光デバイスウェーハＷを個々のデバイスチップＣに分割することができればよく、例えば、テープエキスパンド等によって光デバイスウェーハＷを分割するようにしてもよい。また、分割専用の装置で光デバイスウェーハＷを分割するため、光デバイスウェーハＷを良好かつ確実に分割することができる。
【００３６】
以上のように、第２の実施の形態の光デバイスウェーハＷの加工方法によれば、第１の実施の形態と同様に、分割後のデバイスチップＣの側面のクラックを抑えて品質を向上させることができる。また、光デバイスウェーハＷに形成されたＶ溝１３によって、分割後のデバイスチップＣに傾斜面１７が形成されて、デバイスチップＣの光の取り出し量が増えて輝度が向上される。
【００３７】
なお、上記した第１、第２の実施の形態では、レーザー加工溝形成ステップにおいて、分割予定ラインに沿って１本のレーザー加工溝を形成する構成にしたが、この構成に限定されない。図５に示すように、レーザー加工溝形成ステップでは、Ｖブレード３３で除去される領域Ｒ内に、分割予定ラインに沿って複数のレーザー加工溝１２が形成されて、Ｖブレード３３で切削する際の光デバイスウェーハＷの除去量を減少するようにしてもよい。これにより、複数のレーザー加工溝１２によって光デバイスウェーハＷの被削性がさらに向上してＶブレード３３の形状維持の延命効果を得ることができる。
【００３８】
また、上記した第１、第２の実施の形態のレーザー加工溝形成ステップでは、光デバイスウェーハに対してレーザー加工溝が連続的に形成される構成にしたが、この構成に限定されない。レーザー加工溝形成ステップでは、光デバイスウェーハに対してレーザー加工溝が断続的に形成されていてもよい。
【００３９】
また、上記した第１、第２の実施の形態において、レーザー加工溝形成ステップで光デバイスウェーハの裏面にレーザー加工溝を形成し、Ｖ溝分割ステップで光デバイスウェーハの裏面にレーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成する構成にしたが、この構成に限定されない。レーザー加工溝形成ステップで光デバイスウェーハの表面（発光層側）にレーザー加工溝を形成し、Ｖ溝分割ステップで光デバイスウェーハの表面にレーザー加工溝に沿ってＶ溝を形成してもよい。
【００４０】
また、上記した第１、第２の実施の形態において、光デバイスウェーハとしてサファイア基板上にＧａＮ系の発光層が形成される構成にしたが、この構成に限定されない。光デバイスウェーハは、シリコンカーバイド基板やシリコン基板等の他の基板上に、発光色に応じた様々な素材が積層されていてもよい。
【００４１】
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４２】
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００４３】
また、本実施の形態では、本発明を光デバイスウェーハの分割方法に適用した構成について説明したが、分割後のチップに傾斜面を形成する他の基板の加工方法に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上説明したように、本発明は、モース硬度が高い基板であっても、分割後の光デバイスに傾斜面を形成することができるという効果を有し、特に、サファイア基板上にＧａＮ系の発光層を形成した光デバイスウェーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  ウェーハ基板
１２  レーザー加工溝
１３  Ｖ溝
１４  クラック（亀裂）
１５  光デバイスウェーハの表面
１６  光デバイスウェーハの裏面
３３  Ｖブレード（切削ブレード）
Ｃ  デバイスチップ（光デバイス）
Ｗ  光デバイスウェーハ
【図１】
2018120890.tif 000003
【図２】
2018120890.tif 000004
【図３】
2018120890.tif 000005
【図４】
2018120890.tif 000006
【図５】
2018120890.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
そして、光デバイスウェーハＷの径方向外側で光デバイスウェーハＷの裏面から厚み方向途中の深さまでＶブレード３３が降ろされ、このＶブレード３３に対して光デバイスウェーハＷが水平方向に切削送りされる。これにより、光デバイスウェーハＷがハーフカットされて、レーザー加工溝１２に沿って光デバイスウェーハＷの裏面１６にＶ溝１３が形成される。Ｖ溝１３によってレーザー加工溝１２が除去されると共に、Ｖブレード３３の加工負荷によってレーザー加工溝１２から下方に向けてクラック１４が伸展して光デバイスウェーハＷが個々のデバイスチップＣに分割される。