(57)【要約】【課題】本発明の目的は、優れた表面平滑性と高い光反射率を有するアルミニウム系めっき材を提供すること、さらにその製造方法として簡便な方法を提供することである。【解決手段】導電性基体と、該導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有するアルミニウム系めっき材であって、前記アルミニウム系めっき層の表面は、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、該導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有するアルミニウム系めっき材であって、
前記アルミニウム系めっき層の表面は、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材。
【請求項２】
前記導電性基体が、銅、銅合金、鉄または鉄合金である、請求項１に記載のアルミニウム系めっき材。
【請求項３】
前記アルミニウム系めっき層の厚さが０．０１〜２０μｍの範囲である、請求項１または２に記載のめっき材。
【請求項４】
前記アルミニウム系めっき層中に、モリブデン及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の金属元素が、０．００１〜３．０質量％含まれる請求項１乃至３のいずれか１項に記載のめっき材。
【請求項５】
アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき材の製造方法であって、
前記めっき液が、アルミニウムハロゲン化物と、ハロゲン化モリブデン塩とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中のハロゲン化モリブデン塩の含有量が、モリブデン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材の製造方法。
【請求項６】
アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき材の製造方法であって、
前記めっき液が、アルミニウムハロゲン化物と、ハロゲン化タングステン塩とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中のハロゲン化タングステン塩の含有量が、タングステン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム系めっき材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気接点等の各種電子部品の基材として用いられる導電性基体には、銅、銅合金、鉄、または鉄合金等が使用されてきた。これらの材料が広く利用されてきた主な理由としては、良好な導電性や加工性を有すること、素材が入手しやすく、安価であること等が挙げられる。また、これらの材料は、その表面に被覆処理を施すことが比較的容易で、特にめっき処理を施すことが容易であることから、現在も上記基材として用いるのが主流となっている。
【０００３】
しかしながら、銅や鉄は、比較的比重が大きい材料であることから、例えば車載向けのワイヤーハーネスや航空機の機体等に対しては、銅や鉄よりも比重が小さいアルミニウム等の材料の適用が増えてきている。
【０００４】
さらに近年は、アルミニウムで表面処理することにより、異種金属間接合によって生じる腐食を防止したい等のニーズが出現してきており、導電性基体をアルミニウム自体で被覆する手法についても検討が行われている。また、電気接点材料や光半導体用リードフレーム等においては、耐摩耗性や接触安定性、さらには光反射率等の特性が求められることが多く、表面に形成されためっきの表面粗さがある程度平滑であることが求められている。しかしながら、アルミニウムのようなイオン化傾向が卑な金属は、湿式でのめっき処理が難しい、という問題がある。
【０００５】
そこで近年、非水溶媒を用いてアルミニウムめっき皮膜を形成するめっき法が開発されている。たとえば、特許文献１には、比較的安全でかつ安価なめっき液として、ジメチルスルホンを溶媒として用いた電解アルミニウムめっき液が記載されており、特許文献２には、溶融塩電気アルミニウムめっき浴が記載されている。特に特許文献２には、添加剤としてハロゲン化亜鉛、ハロゲン化マンガン、ハロゲン化ジルコニウム等を添加することにより、半光沢や光沢をもつアルミニウム皮膜が得られることが記載されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１で開示されているめっき液では光沢が得られず、また特許文献２で開示されているめっき浴では、光を吸収し易いマンガンの共析量が多いため、例えば光半導体用リードフレームなどで使用されることを考慮すると、アルミニウム自体が本来有する光反射率を大幅に低下させてしまうという問題がある。また、このような特許文献１および２では、めっき皮膜の表面の表面粗さについては着目しておらず、まためっき皮膜の表面における光反射率の向上も課題とはしていない。
【０００７】
また特許文献３には、より光沢の高いアルミニウム材料に関する技術が記載されている。具体的には、２以上のアミノ基を有するアルキルポリアミンまたはハロゲン化ジルコニウムの存在下でアルミニウムハロゲン化物の有機溶媒溶液からアルミニウムを電析させることを特徴とする光沢アルミニウム材料の製造方法が記載されている。
【０００８】
特許文献３に記載の方法によれば、表面粗さＲａで０．０８μｍの表面平滑性に優れたアルミニウム材料が得られるが、その光反射率は、例えば４５０ｎｍの波長の光については全反射率が２０％程度と低い（特許文献３の実施例１）。また、特許文献３に記載の方法により得られるアルミニウム材料のうち光反射率が高いものでも、４５０ｎｍの波長における光反射率は全反射率が６０％未満であり（特許文献３の実施例２）、アルミニウム自体が本来有する光反射率の物理的上限値（４５０ｎｍの波長における全反射率で約９０％）からは未だ乖離しており、光半導体用リードフレームへの使用を考慮すると、未だ十分ではなく、光反射率の更なる向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−２９１４９０号公報
【特許文献２】特開２００８−１９５９８９号公報
【特許文献３】特開２０１３−２３７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで本発明は、優れた表面平滑性と高い光反射率を有するアルミニウム系めっき材を提供すること、さらにその製造方法として簡便な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を有するアルミニウム系めっき材について鋭意研究を重ねた結果、アルミニウムハロゲン化物と、モリブデン、タングステンから選択される少なくとも１種のハロゲン化物塩とを含有する非水溶媒めっき液を用いて、導体基板上に電析を行うことで、優れた表面平滑性と高い光反射率を有するアルミニウム系めっき層が得られることを見出し、かかる知見に基づき本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明の要旨構成は、以下のとおりである。
［１］  導電性基体と、該導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層とを有するアルミニウム系めっき材であって、前記アルミニウム系めっき層の表面は、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材。
［２］  前記導電性基体が、銅、銅合金、鉄または鉄合金である、上記［１］に記載のアルミニウム系めっき材。
［３］  前記アルミニウム系めっき層の厚さが０．０１〜２０μｍの範囲である、上記［１］または［２］に記載のめっき材。
［４］  前記アルミニウム系めっき層中に、モリブデン及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の金属元素が、０．００１〜３．０質量％含まれる上記［１］１乃至［３］のいずれか１に記載のめっき材。
［５］  アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき材の製造方法であって、
前記めっき液が、アルミニウムハロゲン化物と、ハロゲン化モリブデン塩とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中のハロゲン化モリブデン塩の含有量が、モリブデン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材の製造方法。
［６］  アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層を形成する工程を含む、アルミニウム系めっき材の製造方法であって、
前記めっき液が、アルミニウムハロゲン化物と、ハロゲン化タングステン塩とを含有する非水溶媒溶液であり、
前記めっき液中の前記ハロゲン化タングステン塩の含有量が、タングステン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする、アルミニウム系めっき材の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、加工なしのめっきのままの状態で優れた表面平滑性と高い光反射率を有するアルミニウム系めっき材を、比較的簡便な方法で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明にかかるアルミニウム系めっき材の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に従うアルミニウム系めっき材の実施形態について、以下で詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態に係るアルミニウム系めっき材（以下、略して「Ａｌ系めっき材」という。）は、導電性基体と、該導電性基体上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム系めっき層（以下、略して「Ａｌ系めっき層」という。）とを有し、該アルミニウム系めっき層の表面は、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満であることを特徴とする。
【００１７】
このような本発明のＡｌ系めっき材は、従来、めっき処理後のそのままの状態では実現することができなかった、高い光反射率を実現し得る。すなわち、本発明のＡｌ系めっき材は、加工なしのめっきのままの状態で、３００〜８００ｎｍの波長域の光、特に４５０ｎｍの波長の光に対して高い反射率を有し、この反射率は従来のＡｌめっき材に比べて、アルミニウム自体が本来有する光反射率の物理的上限値により近い。このような高い光反射率を有するＡｌ系めっき材は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）用のリードフレーム等の優れた反射特性が要求されるアプリケーションへの適用に好適であり、特に、４５０ｎｍ程度の波長を有する青色光を発する青色ＬＥＤ用のリードフレームとして用いた場合には、優れた光の取り出し効率を発揮し得る。
【００１８】
また、本発明のＡｌ系めっき材は、優れた表面平滑性を有し、表面の凹凸が極めて小さいため、例えば、電気接点等の基材として用いた場合には、特に摺動時に、高い接続信頼性を発揮し得る。
【００１９】
本発明のＡｌ系めっき材の一例として、図１に、本発明のＡｌ系めっき材の断面を模式的に示す概略断面図を示す。図１に示されるように、本発明のＡｌ系めっき材１は、導電性基体１１と、該導電性基体１１上に形成されたＡｌ系めっき層１２とを有する。
【００２０】
導電性基体１１は、特に限定されないが、電気的接続や導体として一般的に用いられている材料を広く用いることができるが、例えば銅、銅合金、鉄または鉄合金を好適に用いることができる。中でも、高い導電率の観点から、銅または銅合金であることがより好ましい。なお、銅合金としては、例えば、リン青銅合金、黄銅合金、コルソン合金等が挙げられ、鉄合金としては、例えば、４２アロイ、ステンレス等が挙げられる。
【００２１】
また、導電性基体１１の形状は、特に限定されないが、平板状や、線状、異形条などのものが挙げられ、中でも平板状のものが好ましい。また、導電性基体１１の表面１１Ａの表面状態は、特に限定されないが、その上に形成されるＡｌ系めっき層１２への影響を考慮し、その表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。なお、導電性基体１１の表面１１Ａの表面粗さの影響は、その上に形成するＡｌ系めっき層１２の厚さにより調整可能であるため、上記範囲は特にＡｌ系めっき層１２を薄く形成する場合に好適となる。
【００２２】
Ａｌ系めっき層１２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。ここで、アルミニウム合金としては、Ａｌ―Ｆｅ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｍｏ系合金、Ａｌ−Ｗ系合金、Ａｌ−Ｚｎ系合金等が挙げられる。なお、上記合金系における添加元素（アルミニウム以外の元素）の含有量は、多くなりすぎると添加元素による光の吸収が生じてしまうため、好ましくは１０モル％以下、さらに好ましくは５モル％以下とする。
【００２３】
また、Ａｌ系めっき層の表面１２Ａは、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａ（以下、単に「表面粗さＲａ」ということがある。）が０．０８０μｍ未満であり、好ましくは０．０５０μｍ以下である。Ａｌ系めっき層の表面１２Ａの表面粗さＲａを上記範囲とすることにより、従来のＡｌめっき材に比べて、アルミニウム自体が本来有する光反射率の物理的上限値により近い光反射率（例えば、４５０ｎｍの波長の光に対する全反射率が６０％超）を実現できる。また、Ａｌ系めっき層の表面１２Ａの表面粗さＲａが、０．０８０μｍ以上であると、Ａｌ系めっき層の表面１２Ａが粗くなりすぎて、凹凸により光の吸収が生じるため、反射率が低下する。また、Ａｌ系めっき層の表面１２Ａの表面粗さＲａの下限値は、特に限定されないが、製造上実現できる下限としては０．００１μｍである。
【００２４】
なお、本実施形態において、導電性基体１１の表面１１ＡおよびＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａの表面粗さは、算術平均粗さＲａを測定して評価した。具体的には、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３に基づき、表面粗さ計（例えば、小坂研究所株式会社製、サーフコーダＳＥ３５００）を用いて、それぞれの表面に対して圧延方向および圧延方向に対して垂直な方向の２方向でそれぞれ測定し、測定値を平均して評価した。なお、具体的な測定条件は、後述する実施例において説明する。
【００２５】
また、上記測定においてＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａについては、何らの機械的処理（研磨等）または化学的処理（エッチング等）を受けていない、めっき処理後のそのままの状態のＡｌ系めっき層１２の表面１２Ａを測定するものとする。Ａｌ系めっき層の表面１２Ａについて、このように測定した値に限定するのは、めっき処理で形成したＡｌ系めっき層１２に対し、機械的または化学的処理を行うことによりその表面状態を、上記表面粗さＲａの範囲に制御する場合と区別するためである。また、仮にめっき後に、Ａｌ系めっき層１２の表面を機械的工程により鏡面化し、その表面状態を上記表面粗さＲａの範囲に制御することができたとしても、製造工程の工程数が増加し、これに伴い製造コストも増加するため、生産性の観点で好ましくない。なお、表面状態に影響を及ぼさない範囲で行う洗浄等の処理は、上記機械的または化学的な処理に含まれないものとする。
【００２６】
Ａｌ系めっき層１２の厚さは、特に限定されないが、高い表面平滑性を実現する観点および実際に使用する際の特性を考慮して、０．０１〜２０μｍの範囲とすることが好ましく、より好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲、さらに好ましくは０．１〜５μｍの範囲とする。特に、実際に使用する際の特性の観点では、例えば、Ａｌ系めっき層１２は、その厚さが薄すぎると、導電性基体１から拡散してきた成分がＡｌめっき層１２の表面１２Ａ側に到達しやすく、該成分によりＡｌめっき層１２の表面１２Ａにおける光反射率が低下する恐れがある。また、Ａｌ系めっき層１２の厚さは厚すぎると、製造工程においてコストが増大する他、Ａｌ系めっき材１としての曲げ加工性やプレス特性が悪化する恐れがある。
【００２７】
また、本実施形態のＡｌ系めっき材は、従来のＡｌめっき材に比べて、アルミニウム自体が本来有する光反射率の物理的上限値により近い、優れた反射特性を発揮する。ここで、Ａｌ系めっき材１の表面は、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａである。すなわち、Ａｌ系めっき層１２の表面１２Ａは、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの、４５０ｎｍの波長の光に対する全反射率が６０％超であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。なお、本実施形態において、反射率の測定は、分光光度計（例えば、株式会社日立ハイテクノロジーズ製、Ｕ−４１００）を用いて、３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけての全反射率を連続測定して行った。このとき、全反射率は、硫酸バリウムを基準片とした時の相対的な値として測定した。なお、具体的な測定条件は、後述する実施例において説明する。
【００２８】
次に、本発明のＡｌ系めっき材の好ましい製造方法について説明する。
本実施形態に係るＡｌ系めっき材は、アルミニウムを含有するめっき液を用いた電解めっき法によって、導電性基体上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるＡｌ系めっき層を形成する工程を含む製造方法によって製造することができる。
【００２９】
特に、本実施形態に係る製造方法において、めっき液は、アルミニウムハロゲン化物と、添加剤成分であるハロゲン化モリブデン塩と、を含有する非水溶媒溶液であり、該めっき液中のハロゲン化物塩の含有量は、モリブデン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする。このようなめっき液を用いることで、複数の添加物を使用することなく、かつ容易に表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を得ることができる。
【００３０】
加えて、特に、本実施形態に係る製造方法において、めっき液は、アルミニウムハロゲン化物と、添加剤成分であるハロゲン化タングステン塩と、を含有する非水溶媒溶液であり、該めっき液中の前記ハロゲン化物塩の含有量は、タングステン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であることを特徴とする。このようなめっき液を用いることで、複数の添加物を使用することなく、かつ容易に表面平滑性に優れたＡｌ系めっき層を得ることができる。
【００３１】
ここで、アルミニウムハロゲン化物としては、例えばフッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム等が挙げられ、中でも、入手性や取扱い性等の観点から、塩化アルミニウムがより好ましい。また、めっき液中のアルミニウムハロゲン化物の含有量は、アルミニウム成分に換算して、好ましくは１０〜６０質量％の範囲であり、より好ましくは２０〜５０質量％の範囲である。上記範囲とすることにより、緻密で均一なＡｌ系めっき層を形成することができる。
【００３２】
ハロゲン化モリブデン塩としては、例えばフッ化モリブデン、塩化モリブデン、臭化モリブデン等が挙げられ、中でも、取扱い性の観点から塩化モリブデンがより好ましい。このようなハロゲン化モリブデン塩は、光沢化を助長する添加剤成分として特に重要である。また、めっき液中のハロゲン化モリブデン塩の含有量は、モリブデン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であり、好ましくは０．０１〜０．５質量％の範囲である。上記範囲とすることにより、緻密で均一なＡｌ系めっき層を形成することができる。なお、モリブデン成分の含有量が、０．００１質量％未満であると、光沢が出にくく、またピンホールが形成されやすくなる傾向にあり、また、１質量％超であると、表面平滑性の向上効果が低下し、かつ得られるＡｌ系めっき層中でモリブデン含有量が多くなりすぎ、光の吸収が発生しやすくなる傾向にある。
【００３３】
ハロゲン化タングステン塩としては、例えばフッ化タングステン、塩化タングステン、臭化タングステン等が挙げられ、中でも、取扱い性の観点から塩化タングステンがより好ましい。このようなハロゲン化タングステン塩は、光沢化を助長する添加剤成分として特に重要である。また、めっき液中のハロゲン化タングステン塩の含有量は、タングステン成分に換算して、０．００１〜１質量％の範囲であり、好ましくは０．０１〜０．５質量％の範囲である。上記範囲とすることにより、緻密で均一なＡｌ系めっき層を形成することができる。なお、タングステン成分の含有量が、０．００１質量％未満であると、光沢が出にくく、またピンホールが形成されやすくなる傾向にあり、また、１質量％超であると、表面平滑性の向上効果が低下し、かつ得られるＡｌ系めっき層中でタングステンの含有量が多くなりすぎ、光の吸収が発生しやすくなる傾向にある。
【００３４】
また、本実施形態で用いるめっき液は、必要に応じて上記以外の成分を含んでいてもよく、例えば、銅、鉄、亜鉛、ニッケルなどの成分が挙げられる。
【００３５】
また、非水溶媒としては、アルキルスルホンを好適に用いることができる。このようなアルキルスルホンとしては、例えばジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジプロピルスルホン、ジブチルスルホン等が挙げられ、中でも、電析性等の観点からジメチルスルホンがより好ましい。
【００３６】
また、Ａｌ系めっき層を形成するための導電性基体としては、上述のものを適宜選択して用いることができる。また、導電性基体は、その表面にＡｌ系めっき層を形成する前に、前処理として、表面洗浄を行っておくことが望ましい。導電性基体の表面を清浄化することにより、後工程において、導電性基体の表面にＡｌ系めっき層が均質に析出し、導電性基体とＡｌ系めっき層との密着性を向上できる。表面洗浄は、公知の方法で行うことができるが、浸漬脱脂またはカソード電解脱脂を行い、さらに酸洗浄（中和）することが望ましい。
【００３７】
本実施形態の製造方法は、上記所定の非溶媒めっき液を用いることが肝要であるが、必要に応じて電解条件を適宜制御することがより好ましく、効果的である。以下に好ましい条件の一例を挙げる。
電流密度・・・好ましくは１５〜２５Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・好ましくは６０〜１２０秒
液温・・・・・好ましくは１１０〜１５０℃
【００３８】
本実施形態の製造方法によれば、従来、加工なしのめっきのままのめっき皮膜表面において実現することが困難であった、優れた表面平滑性と高い光反射率を実現することが可能である。すなわち、本実施形態の製造方法により得られるＡｌ系めっき材は、Ａｌ系めっき層の表面において、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満となる。また、このようなＡｌ系めっき材は、高い光反射率を有し、例えば４５０ｎｍの波長の光に対する全反射率が６０％超となる。
【００３９】
また、本実施形態の製造方法により得られるＡｌ系めっき材は、めっき液に用いられたハロゲン化モリブデン塩、ハロゲン化タングステン塩の含有量が、モリブデン成分、タングステン成分として、Ａｌ系めっき層中に、合計０．００１質量％以上３．０質量％以下であることが好ましい。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の概念および特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【実施例】
【００４１】
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１〜７および比較例１）
まず、導電性基体として、表１に示す板材（３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）を準備した。なお、表１中、「Ｃ１４４１０」は、古河電気工業株式会社製の銅合金材（Ｃｕ−０．１５質量％Ｓｎ−０．０１質量％Ｐ）を用い、「Ｃ１９４００」は、株式会社神戸製鋼所製の銅合金材（Ｃｕ−２．３質量％Ｆｅ−０．１２質量％Ｚｎ−０．０３質量％Ｐ）を用い、「ＳＵＳ３０４」は、日新製鋼株式会社製のステンレス鋼材（Ｆｅ−１８質量％Ｃｒ−８質量％Ｎｉ）を用いた。
【００４３】
次に、上記導電性基体に対して前処理を行った。具体的は、脱脂液として水酸化ナトリウム６０ｇ／リットルの溶液を用いて、導電性基体をカソード電解脱脂し、水洗した後、酸洗液として１０質量％塩酸溶液を用い、室温（２５℃）、３０秒の条件で導電性基体を浸漬して酸洗中和し、さらに水洗した。
【００４４】
（実施例１〜７および比較例１）
次に、非水溶媒としてのジメチルスルホン（関東化学株式会社製）に、所定量の塩化アルミニウム（関東化学株式会社製）と、塩化モリブデン（関東化学株式会社製）とを溶解させためっき液を準備した。このとき、めっき液中の塩化アルミニウムおよび塩化モリブデンの含有量は、アルミニウム成分（Ａｌ）およびモリブデン成分（Ｍｏ）にそれぞれ換算して、表１に示す濃度となるように調整した。
その後、上記めっき液を用いた電解めっき法により、下記電解条件にて、上記それぞれの導電性基体上に表１に示すＡｌ系めっき層を形成し、Ａｌ系めっき材を作製した。
＜電解条件＞
電流密度・・・１５〜２５Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・６０〜１２０秒
液温・・・・・１２０℃
【００４５】
（実施例８〜１０）
次に、非水溶媒としてのジメチルスルホン（関東化学株式会社製）に、所定量の塩化アルミニウム（関東化学株式会社製）と、塩化タングステン（関東化学株式会社製）とを溶解させためっき液を準備した。このとき、めっき液中の塩化アルミニウムおよび塩化タングステンの含有量は、アルミニウム成分（Ａｌ）およびタングステン成分（Ｗ）にそれぞれ換算して、表１に示す濃度となるように調整した。
その後、上記めっき液を用いた電解めっき法により、下記電解条件にて、上記それぞれの導電性基体上に表１に示すＡｌ系めっき層を形成し、Ａｌ系めっき材を作製した。
＜電解条件＞
電流密度・・・１５〜２５Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・６０〜１２０秒
液温・・・・・１２０℃
【００４６】
（従来例１：特許文献３の実施例１に対応）
まず、導電性基体として、表１に示す板材（３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）を準備して、上述の条件で該導電性基体に対して前処理を行った。なお、表１中、「Ｃ１１０００」は、古河電気工業株式会社製の純銅材（≧９９．９０質量％Ｃｕ）を用いた。
【００４７】
次に、めっき液として、ジメチルスルホン（同上）に、ジメチルスルホン／塩化アルミニウムのモル比が１０／２となるように塩化アルミニウム（同上）を、また、ジメチルスルホン／テトラエチレンペンタミンのモル比が１０／０．００３となるようにテトラエチレンペンタミン（関東化学株式会社製）を、それぞれ溶解させためっき液を準備した。なお、表１には、めっき液中の塩化アルミニウムの含有量として、アルミニウム成分（Ａｌ）に換算した値を記載した。
【００４８】
上記めっき液を用いた電解めっき法により、下記電解条件にて、上記導電性基体上に表１に示すＡｌ系めっき層を形成し、Ａｌ系めっき材を作製した。
＜電解条件＞
電流密度・・・６０Ａ／ｄｍ２
電解時間・・・６００秒
液温・・・・・１１０℃
【００４９】
（従来例２：特許文献３の実施例２に対応）
従来例２は、テトラエチレンペンタミン０．００３モルに替えて、塩化ジルコニウム（関東化学株式会社製）０．０１モルを用いた以外は、従来例１と同様の方法にて、Ａｌ系めっき材を作製した。
【００５０】
［評価］
上記実施例、比較例および従来例にＡｌ系めっき材を用いて、下記に示す特性評価を行った。各特性の評価条件は下記の通りである。結果を表１に示す。
【００５１】
［１］算術平均粗さＲａ
算術平均粗さは、表面粗さ計（サーフコーダＳＥ３５００、小坂研究所株式会社製）を用い、触針先端半径２μｍ、測定力０．７５Ｎ以下の条件で、導電性基体の表面およびＡｌ系めっき層の表面（加工なしのめっきのままの状態）を測定対象とし、それぞれの圧延方向および圧延方向に対して垂直な方向（圧延垂直方向）の２方向で、測定した。測定は、各方向につきそれぞれ３回ずつ測定し（Ｎ＝６）、その平均値を、各測定対象の算術平均粗さＲａとした。
【００５２】
［２］めっき層の厚さ
めっき層の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚測定装置（セイコーインスツル株式会社製、ＳＦＴ９４００）を使用し、コリメータ径０．１ｍｍにて３回測定し（Ｎ＝３）、その平均値を算出して求めた。
【００５３】
［３］反射率
反射率は、分光光度計（Ｕ−４１００、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて、硫酸バリウムを基準片とし、Ａｌ系めっき層の表面（加工なしのめっきのままの状態）を測定対象として、基準片に対する相対的な値として、３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけての全反射率を連続測定し、このうち４５０ｎｍにおける全反射率（％）を求めた。本実施例では、４５０ｎｍの波長の光に対する全反射率が６０％超を合格レベルと評価した。
【００５４】
【表１】
2018123425.tif 000003
【００５５】
表１に示されるように、実施例１〜１０のＡｌ系めっき材は、Ａｌ系めっき層の表面において、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満に制御されており、４５０ｎｍの波長の光に対する全反射率で６２〜７７％の高い光反射率を実現しうることが確認された。すなわち、モリブデン（Ｍｏ）が０．０３０質量％添加された実施例１〜７、タングステン（Ｗ）が０．０３２〜０．３２０質量％添加された実施例８〜１０のＡｌ系めっき材は、いずれも、上記算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満に制御され、高い上記反射率を得ることができた。
【００５６】
これに対し、比較例１や、従来例１および２のＡｌ系めっき材は、Ａｌ系めっき層の表面において、加工なしのめっきのままの状態で測定したときの算術平均粗さＲａが０．０８０μｍ未満に制御されていないため、実施例１〜１０のＡｌ系めっき材に比べて、光反射率が劣っていることが確認された。
【００５７】
なお、実施例１〜１０のＡｌ系めっき材については、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長域の光に対しても６０％〜８０％程度の高い全反射率を有することが確認されている。そのため、本発明のＡｌ系めっき材は、特に４５０ｎｍの波長の光を発する青色ＬＥＤのリードフレームとしてより好適であるが、上記波長域に対応する他の波長の光を発するＬＥＤのリードフレームとしても適用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１  アルミニウム系めっき材
１１  導電性基体
１２  アルミニウム系めっき層
【図１】
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