(57)【要約】      （修正有）【課題】タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減する。【解決手段】複数のタッチ電極と、複数のタッチ電極の全体または一部と電気的に連結される複数のタッチラインＴＬが配置されたタッチパネルと、タッチパネルを駆動してタッチ有無またはタッチ位置をセンシングするタッチ回路と、複数のタッチ電極のうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極のうち、１つ以上の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの一部領域ＥＰと重畳する容量補償パターンＣＯＭＰを備える。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のタッチ電極と、前記複数のタッチ電極の全体または一部と電気的に連結される複数のタッチラインが配置されたタッチパネルと、
前記タッチパネルを駆動してタッチ有無またはタッチ位置をセンシングするタッチ回路とを含み、
前記タッチパネルは、
前記複数のタッチ電極のうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極のうち、１つ以上の最外郭タッチ電極の一部領域と重畳する容量補償パターンをさらに含む、タッチ表示装置。
【請求項２】
前記複数のタッチラインは、前記複数のタッチ電極が配置されるタッチ電極領域の外郭に存在し、
前記複数のタッチラインのうちの少なくとも１つは異なる長さを有する、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項３】
前記容量補償パターンは、
第１最外郭タッチ電極の一部領域及び第２最外郭タッチ電極の一部領域と重畳し、
前記第１最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズと、前記第２最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは互いに異なる、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項４】
前記第１最外郭タッチ電極と電気的に連結された第１タッチラインの長さが前記第２最外郭タッチ電極と電気的に連結された第２タッチラインの長さより長く、
前記第１最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは前記第２最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズより小さい、請求項３に記載のタッチ表示装置。
【請求項５】
前記第１最外郭タッチ電極で前記容量補償パターンと重畳する領域のサイズは、
前記第２最外郭タッチ電極で前記容量補償パターンと重畳する領域のサイズより小さい、請求項４に記載のタッチ表示装置。
【請求項６】
前記容量補償パターンで、
前記第１最外郭タッチ電極と重畳する部分の幅は前記第２最外郭タッチ電極と重畳する部分の幅より小さい、請求項４に記載のタッチ表示装置。
【請求項７】
前記容量補償パターンで、
前記第１最外郭タッチ電極と重畳する部分と、前記第２最外郭タッチ電極と重畳する部分は、一体化または分離されている、請求項６に記載のタッチ表示装置。
【請求項８】
前記容量補償パターンはグラウンド電圧が印加されるか、または前記タッチ電極に印加される電圧と異なるレベルの電圧が印加される、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項９】
前記タッチパネルは表示パネルに内蔵され、
前記タッチパネルが内蔵された表示パネルは、カソードと、前記カソード上に位置した封止層と、前記封止層上に位置する絶縁層とを含み、
前記複数のタッチ電極及び前記複数のタッチラインを含むタッチセンサーメタルが前記絶縁層上に位置し、
前記容量補償パターンは前記封止層と前記絶縁層との間に位置する、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項１０】
前記タッチパネルは映像が表示されるアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側領域であるノン−アクティブ領域を含む表示パネルに内蔵または外付けされ、
前記容量補償パターンは前記ノン−アクティブ領域に対応して位置し、
前記１つ以上の最外郭タッチ電極において、
前記容量補償パターンと重畳しない部分は前記アクティブ領域に対応して位置し、前記容量補償パターンと重畳する部分は前記ノン−アクティブ領域に対応して位置する、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項１１】
前記複数のタッチ電極の各々は網タイプにパターニングされて孔が存在する電極メタルであり、
前記孔の各々は１つ以上のサブピクセルの発光部と対応する、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項１２】
前記複数のタッチ電極の全体または一部の領域内には電極メタルと切れた１つ以上のダミーメタルが存在する、請求項１に記載のタッチ表示装置。
【請求項１３】
複数のタッチ電極と、
前記複数のタッチ電極の全体または一部と電気的に連結された複数のタッチラインと、
前記複数のタッチ電極のうちの最外郭に配置された最外郭タッチ電極のうち、１つ以上の最外郭タッチ電極の一部領域と重畳する容量補償パターンと、
を含む、タッチパネル。
【請求項１４】
前記タッチパネルは映像が表示されるアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側領域であるノン−アクティブ領域を含む表示パネルに内蔵または外付けされ、
前記容量補償パターンは前記ノン−アクティブ領域に対応して位置し、
前記１つ以上の最外郭タッチ電極において、
前記容量補償パターンと重畳しない部分は前記アクティブ領域に対応して位置し、
前記容量補償パターンと重畳する部分は前記ノン−アクティブ領域に対応して位置する、請求項１３に記載のタッチパネル。
【請求項１５】
前記容量補償パターンは、
第１最外郭タッチ電極の一部領域及び第２最外郭タッチ電極の一部領域と重畳し、
前記第１最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズと、前記第２最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは互いに異なる、請求項１３に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
前記第１最外郭タッチ電極と電気的に連結された第１タッチラインの長さが前記第２最外郭タッチ電極と電気的に連結された第２タッチラインの長さより長く、
前記第１最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは、前記第２最外郭タッチ電極と前記容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズより小さい、請求項１５に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、タッチ表示装置及びタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加しており、近来には液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光表示装置などのさまざまな表示装置が活用されている。
【０００３】
このような表示装置のうちには、ボタン、キーボード、マウスなどの通常的な入力方式から脱皮して、ユーザが容易に情報あるいは命令を直観的で、かつ便利に入力できるようにするタッチ基盤の入力方式を提供するタッチ表示装置がある。
【０００４】
このようなタッチ表示装置がタッチ基盤の入力方式を提供するためには、ユーザのタッチ有無を把握し、タッチ座標を正確に検出できなければならない。
【０００５】
このために、さまざまなタッチセンシング方式のうち、タッチパネルに形成された複数のタッチ電極を通じてタッチ電極に形成されるキャパシタンスの変化に基づいてタッチ有無及びタッチ座標などを検出するキャパシタンス基盤のタッチセンシング方式が大いに用いられている。
【０００６】
従来のタッチ表示装置のタッチパネルには複数個のタッチ電極が複雑な形態に配置されるため、タッチパネルまたはタッチパネルを内蔵する表示パネルなどの電極パターン構造によって不要な寄生キャパシタンスが発生する問題点が発生している。
【０００７】
また、タッチパネルでタッチ電極やタッチラインの配置形態によって、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差も大きく発生し、これによって、タッチ感度が格段に落ちる問題点が発生している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような背景で、実施形態の目的は、タッチパネルでタッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルの配置形態に関わらず、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することにある。
【０００９】
実施形態の他の目的は、タッチラインの長さ差があっても、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することにある。
【００１０】
実施形態の更に他の目的は、映像非表示領域に該当するノン−アクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することにある。
【００１１】
実施形態の更に他の目的は、映像表示領域に該当するアクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
実施形態は、複数のタッチ電極と、複数のタッチ電極の全体または一部と電気的に連結される複数のタッチラインが配置されたタッチパネルと、タッチパネルを駆動してタッチ有無またはタッチ位置をセンシングするタッチ回路を含むタッチ表示装置を提供することができる。
【００１３】
容量補償パターンは、第１最外郭タッチ電極の一部領域及び第２最外郭タッチ電極の一部領域と重畳し、第１最外郭タッチ電極と容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズと第２最外郭タッチ電極と容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは互いに異なることがある。
【００１４】
第１最外郭タッチ電極と電気的に連結された第１タッチラインの長さが第２最外郭タッチ電極と電気的に連結された第２タッチラインの長さより長く、第１最外郭タッチ電極と容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズは第２最外郭タッチ電極と容量補償パターンとの間の重畳領域のサイズより小さいことがある。
【００１５】
第１最外郭タッチ電極で容量補償パターンと重畳する領域のサイズは、第２最外郭タッチ電極で容量補償パターンと重畳する領域のサイズより小さいことがある。
【００１６】
容量補償パターンで、第１最外郭タッチ電極と重畳する部分の幅は第２最外郭タッチ電極と重畳する部分の幅より小さいことがある。
【００１７】
容量補償パターンはグラウンド電圧が印加されるか、またはタッチ電極（駆動タッチ電極、センシングタッチ電極）に印加される電圧（タッチ駆動信号の電圧、タッチセンシング信号の電圧）と異なるレベルの電圧が印加できる。
【００１８】
実施形態は、複数のタッチ電極と、複数のタッチ電極の全体または一部と電気的に連結された複数のタッチラインと、複数のタッチ電極のうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極のうちの１つ以上の最外郭タッチ電極の一部領域と重畳する容量補償パターンを含むタッチパネルを提供することができる。
【００１９】
タッチパネルは、映像が表示されるアクティブ領域と、アクティブ領域の外側領域であるノン−アクティブ領域を含む表示パネルに内蔵または外付けできる。
【００２０】
容量補償パターンは、ノン−アクティブ領域に対応して位置することができる。
【００２１】
１つ以上の最外郭タッチ電極で、容量補償パターンと重畳しない部分はアクティブ領域に対応して位置し、容量補償パターンと重畳する部分はノン−アクティブ領域に対応して位置することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上で説明した実施形態によれば、タッチパネルで、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルの配置形態に関わらず、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【００２３】
また、実施形態によれば、タッチラインの長さ差があっても、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【００２４】
また、実施形態によれば、映像非表示領域に該当するノン−アクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【００２５】
また、実施形態によれば、映像表示領域に該当するアクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係るタッチ表示装置のシステム構成図である。
【図２】実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【図３】実施形態に係る表示パネル及びタッチパネルの領域関係を示す図である。
【図４】実施形態に係るタッチ表示装置のサブピクセル構造の例示である。
【図５】実施形態に係るタッチ表示装置のサブピクセル構造の例示である。
【図６】実施形態に係るタッチ表示装置において、タッチセンサーメタルが封止層上に位置する構造下で発生する寄生キャパシタンスを示す図である。
【図７】実施形態に係るタッチ表示装置において、最外郭タッチ電極とその周辺領域を示す平面図と断面図である。
【図８】実施形態に係るタッチ表示装置において、最外郭タッチ電極とその周辺領域を示す平面図と断面図である。
【図９】実施形態に係るタッチ表示装置において、ノン−アクティブ領域での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明するための平面図と断面図である。
【図１０】実施形態に係るタッチ表示装置において、ノン−アクティブ領域での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明するための平面図と断面図である。
【図１１】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、ノン−アクティブ領域での構造変更時、最外郭タッチ電極が拡張された部分の変形を示す図である。
【図１２】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するためのノン−アクティブ領域での変更構造によって、最外郭タッチ電極の拡張部分と重畳する容量補償パターンがグラウンドパターンである場合を示す図である。
【図１３】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、最外郭タッチ電極の拡張部分のサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【図１４】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、最外郭タッチ電極の拡張部分のサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【図１５】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、容量補償パターンのサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【図１６】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、容量補償パターンのサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【図１７】実施形態に係るタッチ表示装置において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、ノン−アクティブ領域での構造変更がなされることができる領域を示す図である。
【図１８】実施形態に係るタッチ表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極を示す図である。
【図１９】実施形態に係るタッチ表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極の領域内のダミーメタルが存在する場合を示す図である。
【図２０】実施形態に係るタッチ表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極の領域内のダミーメタルが存在する場合、ダミーメタルを省略したタッチ電極を示す図である。
【図２１】実施形態に係るタッチ表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極の領域内のダミーメタルが存在する場合、ダミーメタルを省略したタッチ電極を示す図である。
【図２２】実施形態に係るタッチ表示装置において、アクティブ領域での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明するための図である。
【図２３】実施形態に係るタッチ表示装置において、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造の例示図である。
【図２４】実施形態に係るタッチ表示装置において、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造の例示図である。
【図２５】実施形態に係るタッチ表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極の領域とサブピクセル領域の対応関係を示す図である。
【図２６】実施形態に係るタッチ表示装置において、カラーフィルタ及びブラックマトリックスの位置を例示的に示す図である。
【図２７】実施形態に係るタッチ表示装置において、カラーフィルタ及びブラックマトリックスの位置を例示的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の一部の実施形態を例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されても、できる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略することができる。
【００２８】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質や回順序、順序、または個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結または接続できるが、各構成要素の間に更に他の構成要素が“介在”されるか、または各構成要素が他の構成要素を通じて“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解されるべきである。
【００２９】
図１は、実施形態に係るタッチ表示装置１００のシステム構成図である。
【００３０】
図１を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００は、映像を表示するための映像表示機能と、ユーザのタッチをセンシングするタッチセンシング機能を提供することができる。
【００３１】
実施形態に係るタッチ表示装置１００は、映像表示のために、データラインとゲートラインが配置される表示パネル１１０と、表示パネル１１０を駆動するためのディスプレイ駆動回路１２０などを含むことができる。
【００３２】
ディスプレイ駆動回路１２０は、機能的に見る時、データラインを駆動するためのデータ駆動回路と、ゲートラインを駆動するためのゲート駆動回路と、データ駆動回路及びゲート駆動回路を制御するためのコントローラなどを含むことができる。
【００３３】
ディスプレイ駆動回路１２０は、１つ以上の集積回路で具現できる。
【００３４】
実施形態に係るタッチ表示装置１００は、タッチセンシングのために、タッチセンサー（Touch Sensor）として複数のタッチ電極ＴＥが配置され、複数のタッチ電極ＴＥの全体または一部と電気的に連結される複数のタッチラインＴＬが配置されたタッチパネルＴＳＰと、タッチパネルＴＳＰを駆動してタッチ有無またはタッチ位置をセンシングするタッチ回路１３０などを含むことができる。
【００３５】
タッチ回路１３０は、タッチパネルＴＳＰを駆動するためにタッチパネルＴＳＰにタッチ駆動信号を供給し、タッチパネルＴＳＰからタッチセンシング信号を検出し、これに基づいて、タッチ有無及び／又はタッチ位置（タッチ座標）をセンシングする。
【００３６】
このようなタッチ回路１３０は、タッチ駆動信号を供給し、タッチセンシング信号を受信するタッチ駆動回路と、タッチ有無及び／又はタッチ位置（タッチ座標）を算出するタッチコントローラなどを含んで具現されることもできる。ここで、タッチ駆動信号は一定電圧値を有するＤＣ信号、または所定の振幅を有してハイレバルとローレベルの間でスイングされ、複数のパルスからなるＡＣタイプの信号でありうる。
【００３７】
タッチ回路１３０は、１つまたは２つ以上の部品（例：集積回路）で具現されることができ、ディスプレイ駆動回路１２０と別途に具現されることもできる。
【００３８】
また、タッチ回路１３０の全体または一部は、ディスプレイ駆動回路１２０またはその内部回路と統合されて具現できる。例えば、タッチ回路１３０のタッチ駆動回路はディスプレイ駆動回路１２０のデータ駆動回路と共に集積回路で具現できる。
【００３９】
一方、実施形態に係るタッチ表示装置１００はタッチ電極ＴＥに形成されるキャパシタンス（Capacitance）に基づいてタッチをセンシングすることができる。
【００４０】
実施形態に係るタッチ表示装置１００はキャパシタンス基盤のタッチセンシング方式であって、ミューチュアル−キャパシタンス（Mutual-capacitance）基盤のタッチセンシング方式によりタッチをセンシングすることもでき、セルフ−キャパシタンス（Self-capacitance）基盤のタッチセンシング方式によりタッチをセンシングすることもできる。
【００４１】
ミューチュアル−キャパシタンス（Mutual-capacitance）基盤のタッチセンシング方式の場合、複数のタッチ電極ＴＥはタッチ駆動信号が印加される駆動タッチ電極（駆動電極、送信電極、または駆動ラインともいう）と、タッチセンシング信号がセンシングされ、駆動電極とキャパシタンスを形成するセンシングタッチ電極（センシング電極、受信電極、またはセンシングラインともいう）に分類できる。
【００４２】
タッチ電極ＴＥで駆動タッチ電極のうち、同一な行（または、同一な列）に配置された駆動タッチ電極は電気的に互いに連結されて１つの駆動タッチ電極ラインを形成する。
【００４３】
タッチ電極ＴＥでセンシングタッチ電極のうち、同一な列（または、同一な行）に配置されたセンシングタッチ電極は、電気的に互いに連結されて１つのセンシングタッチ電極ラインを形成する。
【００４４】
このようなミューチュアル−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式の場合、指、ペンなどのポインタの有無に従う駆動タッチ電極（駆動タッチ電極ライン）とセンシングタッチ電極（センシングタッチ電極ライン）との間のキャパシタンス（ミューチュアル−キャパシタンス）の変化に基づいてタッチ有無及び／又はタッチ座標などを検出する。
【００４５】
セルフ−キャパシタンス（Self-capacitance）基盤のタッチセンシング方式の場合、各タッチ電極ＴＥは駆動タッチ電極の役割（タッチ駆動信号印加）とセンシングタッチ電極の役割（タッチセンシング信号検出）を全て有する。
【００４６】
即ち、各タッチ電極ＴＥにタッチ駆動信号が印加され、タッチ駆動信号が印加されたタッチ電極ＴＥを通じてタッチセンシング信号を受信する。したがって、セルフ−キャパシタンス（Self-capacitance）基盤のタッチセンシング方式では、駆動電極とセンシング電極の区分がない。
【００４７】
このようなセルフ−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式の場合、指、ペンなどのポインタとタッチ電極ＴＥとの間のキャパシタンスの変化に基づいてタッチ有無及び／又はタッチ座標などを検出する。
【００４８】
このように、実施形態に係るタッチ表示装置１００は、ミューチュアル−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式によりタッチをセンシングすることもでき、 セルフ−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式によりタッチをセンシングすることもできる。
【００４９】
但し、以下では、説明の便宜のために、ミューチュアル−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式が採択されたタッチ表示装置１００及びタッチパネルＴＳＰを中心にタッチ感度の向上のための改善構造などを説明するが、このようなタッチ感度の向上のための改善構造などはセルフ−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式が採択されたタッチ表示装置１００及びタッチパネルＴＳＰにも同一に適用できる。
【００５０】
また、実施形態に係るタッチ表示装置１００の表示パネル１１０は、有機発光ダイオードパネル（OLED Panel）、液晶表示パネル（LCD Panel）などの多様なタイプでありうる。以下では、説明の便宜のために、有機発光ダイオードパネル（OLED Panel）を主に例として説明する。
【００５１】
図２は、実施形態に係るタッチパネルＴＳＰを示す図である。図３は、実施形態に係る表示パネル１１０及びタッチパネルＴＳＰの領域関係を示す図である。
【００５２】
但し、図２に例示されたタッチパネルＴＳＰはミューチュアル−キャパシタンス基盤のタッチセンシングのためのタッチパネルＴＳＰである。
【００５３】
図２を参照すると、タッチパネルＴＳＰには複数のタッチ電極ＴＥが配置され、このようなタッチ電極ＴＥとタッチ回路１３０を電気的に連結するためのタッチラインＴＬが配置できる。
【００５４】
このようなタッチラインＴＬはタッチ電極ＴＥのうち、最外郭に配置されたタッチ電極ＴＥと電気的に連結できる。以下で、最外郭に配置されたタッチ電極ＴＥは最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥともいう。
【００５５】
また、タッチパネルＴＳＰには、タッチラインＴＬとタッチ回路１３０を電気的に連結するために、タッチ回路１３０が接触するタッチパッドが存在することもできる。
【００５６】
タッチ電極ＴＥ及びタッチラインＴＬは同一な層に存在することも、互いに異なる層に存在することもできる。
【００５７】
一方、前述したタッチ表示装置１００がミューチュアル−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式を採択している場合、同一な行（または、同一な列）に配置される２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されて１つの駆動タッチ電極ライン（Driving TE Line）を形成することができる。同一な列（または、同一な行）に配置される２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されて１つのセンシングタッチ電極ライン（Sensing TE Line）を形成することができる。
【００５８】
１つの駆動タッチ電極ライン（Driving TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極は電気的に連結されるが、２つ以上のタッチ電極が一体化されて電気的に連結されるか、またはブリッジにより電気的に連結されることもできる。
【００５９】
１つのセンシングタッチ電極ライン（Sensing TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されるが、２つ以上のタッチ電極が一体化されて電気的に連結されるか、またはブリッジにより電気的に連結されることもできる。
【００６０】
図２の例示では、１つの駆動タッチ電極ライン（Driving TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極は一体化されて電気的に連結されており、１つのセンシングタッチ電極ライン（Sensing TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥはブリッジＢＰにより電気的に連結されている。
【００６１】
ここで、１つの駆動タッチ電極ライン（Driving TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極は駆動タッチ電極（Driving TE）という。１つのセンシングタッチ電極ライン（Sensing TE Line）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥはセンシングタッチ電極（Sensing TE）という。
【００６２】
１つの駆動タッチ電極ライン毎に少なくとも１つのタッチラインＴＬが連結され、１つのセンシングタッチ電極ライン毎に少なくとも１つのタッチラインＴＬが連結できる。
【００６３】
１つの駆動タッチ電極ライン毎に連結される少なくとも１つのタッチラインＴＬを駆動タッチライン（Driving TL）という。１つのセンシングタッチ電極ライン毎に連結される少なくとも１つのタッチラインＴＬをセンシングタッチライン（Sensing TL）という。
【００６４】
１つのタッチラインＴＬ毎に１つのタッチパッドＴＰが連結できる。
【００６５】
図２を参照すると、複数のタッチ電極ＴＥの各々は、一例に、外郭の輪郭を見ると、菱形、場合によっては、矩形（正四角形を含むことができる）であるか、またはこれだけでなく、多様な形態になっていることもできる。
【００６６】
タッチ表示装置１００のディスプレイ性能及びタッチ性能を考慮して、タッチ電極ＴＥの形状を多様に設計することができる。
【００６７】
図２に例示されたタッチパネルＴＳＰは列方向に長く図示されているが、タッチ表示装置１００の種類（例：ＴＶ、モニター、モバイル端末など）、またはデザインなどによって、行方向に長く設計されることもできる。
【００６８】
実施形態に係るタッチパネルＴＳＰは、表示パネル１１０の外部に存在することもできるが（外付け型）、表示パネル１１０の内部に存在することもできる（内蔵型）。
【００６９】
タッチパネルＴＳＰが外付け型の場合、タッチパネルＴＳＰと表示パネル１１０は互いに異なるパネル製作工程を通じて別に作られた以後、ボンディングできる。
【００７０】
タッチパネルＴＳＰが内蔵型の場合、タッチパネルＴＳＰと表示パネル１１０は１回のパネル製作工程を通じて共に作られることができる。
【００７１】
タッチパネルＴＳＰが内蔵型の場合、タッチパネルＴＳＰは複数のタッチ電極ＴＥの集合体と見ることができる。ここで、複数のタッチ電極ＴＥが置かれる板（Plate）は専用基板、または表示パネル１１０に既に存在する層（例：封止層）でありうる。
【００７２】
図２及び図３を参照すると、表示パネル１１０は映像が表示されるアクティブ領域（Ａ／Ａ）と、アクティブ領域（Ａ／Ａ）の外側領域であるノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）を含むことができる。ここで、アクティブ領域（Ａ／Ａ）は表示領域ともいい、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）は非表示領域ともいう。
【００７３】
アクティブ領域（Ａ／Ａ）にはデータラインとゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列できる。
【００７４】
ノン−アクティブ領域（Ａ／Ａ）にはアクティブ領域（Ａ／Ａ）でのデータライン、ゲートライン、及び各種の信号配線をディスプレイ駆動回路１２０と連結させるための配線及びパッドが存在することができる。
【００７５】
タッチパネルＴＳＰには複数のタッチ電極ＴＥ及び複数のタッチラインＴＬが配置できる。
【００７６】
複数のタッチ電極ＴＥは表示パネル１１０のアクティブ領域（Ａ／Ａ）に対応して位置することができる。
【００７７】
複数のタッチラインＴＬは表示パネル１１０のノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に対応して位置することができる。
【００７８】
即ち、複数のタッチラインＴＬは複数のタッチ電極ＴＥが配置されるタッチ電極領域（アクティブ領域（Ａ／Ａ）またはその対応領域）の外郭に存在する。
【００７９】
タッチパネルＴＳＰは表示パネル１１０に内蔵または外付けできる。
【００８０】
前述したように、表示パネル１１０のアクティブ領域（Ａ／Ａ）にタッチ電極ＴＥが配置され、表示パネル１１０のノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）にタッチラインＴＬが配置されることによって、画面表示状態とマッチングされるタッチセンシングを提供することができる。
【００８１】
図２を参照すると、複数のタッチラインＴＬの各々はタッチ回路１３０と電気的に連結される。
【００８２】
複数のタッチラインＴＬのうち、各駆動タッチライン（Driving TL）は、一端がタッチ回路１３０の各駆動チャンネルと電気的に連結され、他端が該当駆動タッチ電極ライン（Driving TE Line）に含まれるタッチ電極ＴＥのうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極と電気的に連結される。
【００８３】
複数のタッチラインＴＬのうち、各センシングタッチライン（Sensing TL）は一端がタッチ回路１３０の各センシングチャンネルと電気的に連結され、他端が該当センシングタッチ電極ライン（Sensing TE Line）に含まれるタッチ電極ＴＥのうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極と電気的に連結される。
【００８４】
図２に図示したように、複数のタッチラインＴＬは長さが互いに異なることがある。即ち、複数のタッチラインＴＬのうち、少なくとも１つは異なる長さを有することができる。
【００８５】
これによって、各タッチラインＴＬは信号伝達特性または電気的特性などが異なることがある。
【００８６】
図４及び図５は、実施形態に係るタッチ表示装置１００のサブピクセル構造の例示である。
【００８７】
図４及び図５は、実施形態に係るタッチ表示装置１００の表示パネル１１０が有機発光表示パネルの場合、サブピクセル構造の例示である。
【００８８】
図４及び図５を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００が有機発光表示装置の場合、各サブピクセルは、基本的に、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタＤＲＴ（Driving Transistor）と、駆動トランジスタＤＲＴのゲートノードに該当する第１ノードＮ１にデータ電圧を伝達するための第１トランジスタＴ１と、映像信号電圧に該当するデータ電圧またはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持するストレージキャパシタＣｓｔ（Storage Capacitor）を含んで構成できる。
【００８９】
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電極（例：アノード電極またはカソード電極）、有機層、及び第２電極（例：カソード電極またはアノード電極）などからなることができる。
【００９０】
有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加できる。
【００９１】
駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給することによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動してくれる。
【００９２】
駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、及び第３ノードＮ３を有する。
【００９３】
駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１はゲートノードに該当するノードであって、第１トランジスタＴ１のソースノードまたはドレインノードと電気的に連結できる。
【００９４】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２は有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極と電気的に連結されることができ、ソースノードまたはドレインノードでありうる。
【００９５】
駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３は駆動電圧（ＥＶＤＤ）が印加されるノードであって、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ラインＤＶＬ（Driving Voltage Line）と電気的に連結されることができ、ドレインノードまたはソースノードでありうる。
【００９６】
第１トランジスタＴ１はデータラインＤＬと駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１との間に電気的に連結され、ゲートラインを通じてスキャン信号（ＳＣＡＮ）をゲートノードに印加されて制御できる。
【００９７】
このような第１トランジスタＴ１はスキャン信号（ＳＣＡＮ）によりターン−オンされてデータラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達することができる。
【００９８】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結できる。
【００９９】
このようなストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（External Capacitor）である。
【０１００】
一方、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧制御、またはサブピクセルの特性値（例：駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧または移動度、有機発光ダイオードＯＬＥＤのしきい電圧など）をセンシングするために、図１８に図示したように、各サブピクセルは第２トランジスタＴ２をさらに含むことができる。
【０１０１】
第２トランジスタＴ２は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧（Ｖｒｅｆ）を供給する基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結され、ゲートノードにスキャン信号の一種であるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）の印加を受けて制御できる。
【０１０２】
第２トランジスタＴ２はセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）によりターン−オンされて基準電圧ラインＲＶＬを通じて供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に印加してくれる。
【０１０３】
また、第２トランジスタＴ２は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に対する電圧センシング経路のうちの１つに活用できる。
【０１０４】
一方、スキャン信号（ＳＣＡＮ）及びセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は別個のゲート信号でありうる。この場合、スキャン信号（ＳＣＡＮ）及びセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は、互いに異なるゲートラインを通じて、第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに各々印加されることもできる。
【０１０５】
場合によっては、スキャン信号（ＳＣＡＮ）及びセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は同一なゲート信号でありうる。この場合、スキャン信号（ＳＣＡＮ）及びセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は同一なゲートラインを通じて第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに共通に印加されることもできる。
【０１０６】
駆動トランジスタＤＲＴ、第１トランジスタＴ１、及び第２トランジスタＴ２の各々はｎタイプトランジスタまたはｐタイプトランジスタでありうる。
【０１０７】
図６は実施形態に係るタッチ表示装置１００において、タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬが封止層ＥＮＣＡＰ上に位置する構造下で発生する寄生キャパシタンスを示す図である。
【０１０８】
図６を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００で、タッチ電極ＴＥ、タッチラインＴＬなどを含むタッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬは封止層ＥＮＣＡＰ上に形成できる。
【０１０９】
このように、タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬが封止層ＥＮＣＡＰ上に位置する構造をＴＯＥ（Touch On Encapsulation Layer）構造という。
【０１１０】
また、封止層ＥＮＣＡＰの下部には、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極に該当するカソードＣＡＴＨが存在することができる。
【０１１１】
このようなカソードＣＡＴＨには基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加できる。
【０１１２】
ＴＯＥ構造をまた説明すると、タッチパネルＴＳＰは表示パネル１１０に内蔵されることができ、タッチパネルＴＳＰが内蔵された表示パネル１１０はカソードＣＡＴＨと、カソードＣＡＴＨ上に位置した封止層ＥＮＣＡＰを含むことができ、複数のタッチ電極ＴＥ及び複数のタッチラインＴＬを含むタッチセンサーメタルが封止層ＥＮＣＡＰ上に位置することができる。
【０１１３】
このようなＴＯＥ構造によれば、タッチパネルＴＳＰを有機発光表示パネルに該当する表示パネル１１０に効果的に内蔵することができる。
【０１１４】
一方、封止層ＥＮＣＡＰは有機物、無機物などの複数の層が積層された複合層でありうる。
【０１１５】
また、封止層ＥＮＣＡＰは絶縁層でありうる。
【０１１６】
これによって、タッチ駆動信号などによる所定の電圧が印加されるタッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬと基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加されるカソードＣＡＴＨとの間に存在する封止層ＥＮＣＡＰは誘電体として作用して、タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬとカソードＣＡＴＨとの間にキャパシタンスＣｐが形成できる。
【０１１７】
タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬとカソードＣＡＴＨとの間に形成されるキャパシタンスＣｐは、タッチセンシングに必要なキャパシタンスでなく、不要な寄生キャパシタンスに該当する。
【０１１８】
したがって、タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬとカソードＣＡＴＨとの間にキャパシタンスＣｐが形成される場合、タッチ感度が格段に落ちることがある。
【０１１９】
一方、タッチラインＴＬ間の長さ差によって、タッチチャンネル（駆動チャンネル、センシングチャンネル）別に寄生キャパシタンスＣｐの偏差が大きく発生することがある。
【０１２０】
即ち、タッチラインＴＬ間の長さ差によって、タッチチャンネル（駆動チャンネル、センシングチャンネル）別に、タッチセンサーメタルＴＥ、ＴＬとカソードＣＡＴＨとの間の寄生キャパシタンスＣｐの偏差が大きく発生することがある。
【０１２１】
したがって、タッチチャンネル（駆動チャンネル、センシングチャンネル）別にタッチ感度の偏差が発生してタッチセンシング性能が格段に落ちることがある。
【０１２２】
このようなタッチラインＴＬの間の長さ差に従う問題点を図７及び図８を参照して説明する。
【０１２３】
図７及び図８は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥとその周辺領域を示す平面図と断面図である。
【０１２４】
図７を参照すると、複数のタッチ電極ＴＥのうちには最外郭に配置された最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが存在する。
【０１２５】
最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥは内部に存在するタッチ電極ＴＥのサイズより小さなサイズを有することができる。
【０１２６】
図７の例示の場合、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥのサイズは内部に存在する菱形のタッチ電極ＴＥのサイズの略半分に該当する。
【０１２７】
このような最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの全体または一部はタッチラインＴＬと電気的に連結される。
【０１２８】
１つの駆動タッチ電極ライン毎に１つまたは２つ以上のタッチラインＴＬが連結できる。１つのセンシングタッチ電極ライン毎に１つまたは２つ以上のタッチラインＴＬが連結できる。
【０１２９】
図７の例示では、１つの駆動タッチ電極ラインは行方向に形成され、同一な行に配置され、一体化されて電気的に連結された複数個のタッチ電極ＴＥを含み、１つのタッチラインＴＬと連結されている。
【０１３０】
１つの駆動タッチ電極ラインを形成する複数個のタッチ電極ＴＥのうち、一方の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが１つのタッチラインＴＬと連結されている。
【０１３１】
図７の例示では、１つのセンシングタッチ電極ラインは列方向に形成され、同一な列に配置され、ブリッジＢＰにより電気的に連結された複数個のタッチ電極ＴＥを含み、２つのタッチラインＴＬと連結されている。
【０１３２】
１つのセンシングタッチ電極ラインを形成する複数個のタッチ電極ＴＥのうち、両側の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの各々がタッチラインＴＬと連結されている。
【０１３３】
図７を参照すると、複数のタッチ電極ＴＥはアクティブ領域（Ａ／Ａ）に存在することができる。複数のタッチラインＴＬはノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在することができる。
【０１３４】
図７で１つの最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが存在する領域とその周辺領域を拡大した部分のＸＸ’断面を図８で示す。
【０１３５】
図８を参照すると、カソードＣＡＴＨ上に封止層ＥＮＣＡＰが位置する。
【０１３６】
封止層ＥＮＣＡＰ上に絶縁層ＩＬＤが位置する。
【０１３７】
絶縁層ＩＬＤ上に最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥとタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）が存在する。
【０１３８】
最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥはアクティブ領域（Ａ／Ａ）に存在し、タッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在する。
【０１３９】
一方、タッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と対応する補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）が絶縁層ＩＬＤ上に位置する。
【０１４０】
図８で、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）は５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）と絶縁層ＩＬＤにより分離されている。
【０１４１】
しかしながら、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）とタッチ回路１３０が連結される地点または５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが連結される地点では、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）は電気的に連結される。
【０１４２】
５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）を用いた二重配線構造を通じて、安定した信号伝達を可能にすることができる。
【０１４３】
図７を参照すると、タッチ回路１３０が下端部（タッチラインが集まった位置）に存在するという時、複数のタッチラインＴＬは対応して連結される最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの位置によって各々の長さが互いに異なることがある。
【０１４４】
例えば、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１は第１タッチラインＴＬ１と電気的に連結され、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２は第２タッチラインＴＬ２と電気的に連結される。
【０１４５】
第１タッチラインＴＬ１は第２タッチラインＴＬ２より長い。
【０１４６】
これによって、第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタルとカソードとの間に形成された寄生キャパシタンスＣｐは、第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタルとカソードとの間に形成された寄生キャパシタンスＣｐより大きい。
【０１４７】
第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタルは、第１タッチラインＴＬ１と、これと電気的に連結されたタッチ電極ライン（図７の場合、駆動タッチ電極ライン）を形成するタッチ電極（図７の場合、駆動タッチ電極）を含む。
【０１４８】
第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタルは、第２タッチラインＴＬ２と、これと電気的に連結されたタッチ電極ライン（図７の場合、駆動タッチ電極ライン）を形成するタッチ電極（図７の場合、駆動タッチ電極）を含む。
【０１４９】
前述したタッチラインの長さ偏差による寄生キャパシタンスＣｐの偏差はタッチセンシング結果の誤りを発生させることがある。
【０１５０】
ここに、実施形態は寄生キャパシタンス偏差低減構造を提供することができる。
【０１５１】
実施形態の寄生キャパシタンス偏差低減構造は、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在する場合と、アクティブ領域（Ａ／Ａ）に存在する場合を含む。
【０１５２】
以下では、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を先に説明し、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を次いで説明する。
【０１５３】
図９及び図１０は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明するための平面図と断面図である。図１１は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更時、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが拡張された部分の変形を示す図である。
【０１５４】
図９及び図１０を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更を通じて寄生キャパシタンス偏差を低減することができる。
【０１５５】
即ち、実施形態に係るタッチ表示装置１００はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有することができる。
【０１５６】
実施形態に係るタッチ表示装置１００で、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造として、図１０に図示したように、タッチパネルＴＳＰは複数のタッチ電極ＴＥのうち、最外郭に配置された最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥのうちの１つ以上の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの一部領域と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰをさらに含むことができる。
【０１５７】
また、実施形態に係るタッチ表示装置１００で、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造として、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥをノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）まで拡張させた部分（ＥＰ）をさらに含むことができる。
【０１５８】
最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥをノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）まで拡張させた部分（ＥＰ）はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）にある容量補償パターンＣＯＭＰと対応して位置することができる。
【０１５９】
即ち、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰは重畳する。
【０１６０】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰはキャパシタンスを形成することができる。
【０１６１】
以下で、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成されるキャパシタンスを補償キャパシタンスという。
【０１６２】
補償キャパシタンスのサイズは、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域（Overlapping Area）のサイズによって変わることがある。
【０１６３】
最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズが大きくなれば、補償キャパシタンスが大きくなることができる。最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズが小さくなれば、補償キャパシタンスが大きくなることができる。
【０１６４】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成される補償キャパシタンスは、人為的に作ってくれたキャパシタンスであって、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ別に異なることができ、タッチライン長さ偏差に従う寄生キャパシタンス偏差を補償してくれるキャパシタンスである。
【０１６５】
したがって、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ別に電気的に連結されたタッチラインＴＬの長さ偏差によって発生する寄生キャパシタンスＣｐの偏差を補償してくれるために、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域（Overlapping Area）のサイズが異なるように設計されており、これを通じて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に人為的な補償キャパシタンスを異なるようにして、寄生キャパシタンス偏差を補償してくれることができる。
【０１６６】
タッチラインＴＬの長さが短くて寄生キャパシタンスＣｐが大きい場合、短い長さのタッチラインＴＬと電気的に連結された最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズを小さく設計して、補償キャパシタンスを小さく形成してくれる。
【０１６７】
タッチラインＴＬの長さが長くて寄生キャパシタンスＣｐが小さな場合、長い長さのタッチラインＴＬと電気的に連結された最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズを大きく設計して、補償キャパシタンスを大きく形成してくれる。
【０１６８】
前述したことによれば、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に最外郭タッチ電極ＴＥを拡張させ、このように拡張された部分（ＥＰ）と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰを追加形成して置いて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズが異なるように設計することによって、タッチラインＴＬの長さ差によって発生する寄生キャパシタンス偏差を除去、または低減することができる。
【０１６９】
前述したように、容量補償パターンＣＯＭＰはアクティブ領域（Ａ／Ａ）の外側領域であるノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に対応して位置する。
【０１７０】
そして、１つ以上の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥで、容量補償パターンＣＯＭＰと重畳しない部分はアクティブ領域（Ａ／Ａ）に対応して位置し、容量補償パターンＣＯＭＰと重畳する部分はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に対応して位置する。
【０１７１】
タッチラインＴＬの長さ差によって発生する寄生キャパシタンス偏差をノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で補償してくれることができる。
【０１７２】
一方、図１０を参照すると、タッチパネルＴＳＰは表示パネル１１０に内蔵される場合、タッチパネルＴＳＰが内蔵された表示パネル１１０は、カソードＣＡＴＨと、カソードＣＡＴＨ上に位置した封止層ＥＮＣＡＰと、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置する絶縁層ＩＬＤを含むことができる。
【０１７３】
複数のタッチ電極ＴＥ及び複数のタッチラインＴＬを含むタッチセンサーメタルが絶縁層ＩＬＤ上に位置する。
【０１７４】
容量補償パターンＣＯＭＰは、封止層ＥＮＣＡＰと絶縁層ＩＬＤとの間に位置する。
【０１７５】
前述した断面構造によれば、ＴＯＥ構造下で、寄生キャパシタンス低減構造をノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に効果的に作ってくれることができる。
【０１７６】
図１０を参照すると、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）は５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）と絶縁層ＩＬＤにより分離されている。
【０１７７】
しかしながら、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）とタッチ回路１３０が連結される地点または５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥが連結される地点では、５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）は電気的に連結される。
【０１７８】
５個のタッチラインＴＬ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と５個の補助タッチラインＡ−ＴＬ（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’）を用いた二重配線構造を通じて、安定した信号伝達を可能にすることができる。
【０１７９】
図９を参照すると、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）はメッシュ形態でない電極メタルＥＭとなっていることができる。
【０１８０】
即ち、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）には孔ＯＡがないことがある。
【０１８１】
また、図９を参照すると、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥでノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に拡張された拡張部分（ＥＰ）はアクティブ領域（Ａ／Ａ）での部分と連結される時、狭く連結できる。
【０１８２】
即ち、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥで、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）への拡張部分（ＥＰ）と、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での部分は、一部のみで連結できる。
【０１８３】
これとは異なり、図１１に図示したように、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥで、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）への拡張部分（ＥＰ）と、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での部分は、全体的に連結できる。
【０１８４】
即ち、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥで、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での部分の全体がノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に拡張できる。
【０１８５】
図１２は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、寄生キャパシタンス偏差を低減するためのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での変更構造によって、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰがグラウンドパターンである場合を示す図である。
【０１８６】
図１２を参照すると、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰはグラウンド電圧（ＧＮＤ）が印加されるグラウンドパターンでありうる。または、容量補償パターンＣＯＭＰは最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ（駆動タッチ電極またはセンシングタッチ電極でありうる）に印加される電圧（タッチ駆動信号またはタッチセンシング信号の電圧）と異なるレベルの電圧でありうる。
【０１８７】
ここで、カソードＣＡＴＨに印加される基底電圧はグラウンド電圧（ＧＮＤ）でありうる。
【０１８８】
したがって、寄生キャパシタンス偏差を除去するための補償キャパシタンスを効果的に形成することができる。また、容量補償パターンＣＯＭＰがグラウンド電圧パターンである場合、容量補償パターンＣＯＭＰはタッチパネルＴＳＰまたは表示パネル１１０での静電気放電経路に活用されることもできる。
【０１８９】
一方、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在することができるが、アクティブ領域（Ａ／Ａ）に存在することもできる。
【０１９０】
したがって、容量補償パターンＣＯＭＰはノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在することができるが、アクティブ領域（Ａ／Ａ）に存在することもできる。
【０１９１】
一方、タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）はノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在する場合、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）はオープン領域に該当する孔ＯＡが存在しないことがある。即ち、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）はメッシュ形態にパターニングされていない電極メタルＥＭでありうる。
【０１９２】
以下では、以上で説明したノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造に対し、図７での第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１に電気的に連結された第１タッチラインＴＬ１と第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２に電気的に連結された第２タッチラインＴＬ２との間の長さ差によって発生する寄生キャパシタンス偏差を除去する場合として説明する。
【０１９３】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在する容量補償パターンＣＯＭＰは、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１の一部領域と重畳し、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２の一部領域と重畳する。
【０１９４】
そして、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間の重畳領域のサイズ（面積）と、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰとの間の重畳領域のサイズ（面積）は、互いに異なることがある。
【０１９５】
図７によれば、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と電気的に連結された第１タッチラインＴＬ１の長さが第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と電気的に連結された第２タッチラインＴＬ２の長さより長い。
【０１９６】
したがって、第１タッチラインＴＬ１の長さが第２タッチラインＴＬ２の長さより長い場合、第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタル（第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐが、第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタル（第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐより大きい。
【０１９７】
したがって、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間の重畳領域のサイズは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰとの間の重畳領域のサイズより小さく設計できる。
【０１９８】
第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に人為的に形成される補償キャパシタンスは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に人為的に形成される補償キャパシタンスより小さいことがある。
【０１９９】
第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に人為的に形成される補償キャパシタンスと、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に人為的に形成される補償キャパシタンスの差は、第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタル（第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐと、第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタル（第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐの間の差と対応できる。
【０２００】
したがって、第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタル（第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐと、第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタル（第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２含み）とカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐの間の偏差が除去できる。
【０２０１】
以下では、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳する重畳領域のサイズを制御する２つ方法（構造）を説明する。
【０２０２】
第１の方法に、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分のサイズ制御を通じて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳する重畳領域のサイズを制御することができる。
【０２０３】
第２の方法に、容量補償パターンＣＯＭＰのサイズ制御を通じて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳する重畳領域のサイズを制御することができる。
【０２０４】
まず、第１の方法を図１３及び図１４を参照して説明し、次に、第２の方法を図１５及び図１６を参照して説明する。
【０２０５】
図１３及び図１４は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）のサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【０２０６】
図１３及び図１４を参照すると、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１で容量補償パターンＣＯＭＰと重畳する領域のサイズは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２で容量補償パターンＣＯＭＰと重畳する領域のサイズより小さく設計できる。
【０２０７】
第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１でノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に拡張された拡張部分（ＥＰ１）のサイズは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２でノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に拡張された拡張部分（ＥＰ２）のサイズより小さく設計できる。
【０２０８】
したがって、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ１）は、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ２）より小さいことがある。
【０２０９】
即ち、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１の拡張部分（ＥＰ１）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ１）は、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２の拡張部分（ＥＰ２）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ２）より小さいことがある。
【０２１０】
これによって、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成される補償キャパシタンスは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成される補償キャパシタンスより小さいことがある。
【０２１１】
第１タッチラインＴＬ１と関連したタッチセンサーメタル（第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１含み）とカソードＣＡＴＨとの間の寄生キャパシタンスＣｐが、第２タッチラインＴＬ２と関連したタッチセンサーメタル（第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２含み）とカソードＣＡＴＨとの間の寄生キャパシタンスＣｐより大きく形成される寄生キャパシタンス偏差を低減、または除去することができる。
【０２１２】
前述したように、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分のサイズ制御を通じて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳する重畳領域のサイズを制御して、寄生キャパシタンス偏差を除去または低減することができる。
【０２１３】
第１の方法に従う構造の場合、容量補償パターンＣＯＭＰの幅は一定でありうる。
【０２１４】
図１５及び図１６は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、容量補償パターンＣＯＭＰのサイズ制御を通じてのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更方式を示す平面図と断面図である。
【０２１５】
容量補償パターンＣＯＭＰで、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と重畳する部分の幅は、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と重畳する部分の幅より小さく設計できる。
【０２１６】
したがって、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ１）は、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ２）より小さいことがある。
【０２１７】
即ち、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１の拡張部分（ＥＰ１）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ１）は、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２の拡張部分（ＥＰ２）と容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域のサイズ（Ｓ２）より小さいことがある。
【０２１８】
これによって、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成される補償キャパシタンスは、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と容量補償パターンＣＯＭＰとの間に形成される補償キャパシタンスより小さいことがある。
【０２１９】
前述したように、容量補償パターンＣＯＭＰのサイズ制御を通じて、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳する重畳領域のサイズを制御して、寄生キャパシタンス偏差を除去または低減することができる。
【０２２０】
第２の方法に従う構造の場合、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１で容量補償パターンＣＯＭＰと重畳する部分（ＥＰ１）のサイズと、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２で容量補償パターンＣＯＭＰと重畳する部分（ＥＰ２）のサイズは同一でありうる。
【０２２１】
即ち、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１の拡張部分（ＥＰ１）と、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２の拡張部分（ＥＰ２）は同一なサイズ（面積）を有することができる。
【０２２２】
図１６を参照すると、容量補償パターンＣＯＭＰで、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と重畳する部分と、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と重畳する部分は、一体化されているか、または分離されている。
【０２２３】
言い換えると、第１最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ１と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰと、第２最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥ２と重畳する容量補償パターンＣＯＭＰは同一な電極、または互いに異なる電極でありうる。
【０２２４】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での電極や配線などの配置形態または配置の密集状況などによって、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適応的に設計することができる。
【０２２５】
図１７は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更がなされることができる領域１７００を示す図である。
【０２２６】
図１７を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００で、寄生キャパシタンス偏差を低減するために、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での構造変更がなされることができる領域１７００は、最外郭タッチ電極Ｏ−ＴＥの拡張部分（ＥＰ）と容量補償パターンＣＯＭＰが重畳しながら存在することができる領域である。
【０２２７】
一例に、このような領域１７００の２面または３面または４面に沿って、容量補償パターンＣＯＭＰが存在することができる。
【０２２８】
このような容量補償パターンＣＯＭＰがグラウンド電圧パターンである場合、容量補償パターンＣＯＭＰはタッチパネルＴＳＰまたは表示パネル１１０での静電気放電経路に活用されることもできる。
【０２２９】
図１８は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥを示す図である。
【０２３０】
図１８を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００で、複数のタッチ電極ＴＥの各々は網タイプ（メッシュタイプ）でパターニングされて孔ＯＡが存在する電極メタルＥＭでありうる。ここで、孔ＯＡをオープン領域ともいう。
【０２３１】
電極メタルＥＭが網タイプ（メッシュタイプ）でパターニングされて形成されたタッチ電極ＴＥで、孔ＯＡの各々は１つ以上のサブピクセルの発光部と対応できる。
【０２３２】
図１９は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、メッシュタイプ（網タイプ）のタッチ電極ＴＥの領域内のダミーメタルＤＭが存在する場合を示す図である。図２０及び図２１は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥの領域内のダミーメタルＤＭが存在する場合、ダミーメタルＤＭを省略したタッチ電極ＴＥを示す図である。
【０２３３】
図１９を参照すると、複数のタッチ電極ＴＥの全体または一部は、自身の領域内の電極メタルＥＭと切れた１つ以上のダミーメタルＤＭが存在することができる。
【０２３４】
メッシュ形態に電極メタルＥＭがパターニングされ、以後、メッシュ形態にパターニングされた電極メタルＥＭがタッチ電極形成のためにカッティングされる（タッチ電極形成カッティング）。
【０２３５】
これによって、電極メタルＥＭがメッシュ形態にパターニングされて図１８のような個別的なタッチ電極ＴＥが作られる。ここで、図２のように１つのタッチ電極ラインで一体化されて電気的に連結されるタッチ電極ＴＥはカッティングされていない電極メタルＥＭが存在することがある。
【０２３６】
以後、１つのタッチ電極領域内のメッシュ形態にパターニングされている電極メタルＥＭを定まったパターンにカッティングして（ダミーメタル形成カッティング）、電極メタルＥＭと切れたダミーメタルＤＭを形成することができる。
【０２３７】
このようにダミーメタルＤＭを形成する場合、ダミーメタルＤＭは電極メタルＥＭで切れた電極メタルＥＭの一部分に該当する。
【０２３８】
したがって、電極メタルＥＭとダミーメタルＤＭは同一な物質であり、同一な層に存在することができる。
【０２３９】
前述したダミーメタルＤＭの形成方法によれば、ダミーメタルＤＭをより容易に形成することができ、単一層に電極メタルＥＭとダミーメタルＤＭを形成することができる利点がある。
【０２４０】
図１９で１つのタッチ電極領域内の複数個のダミーメタルＤＭを省略したタッチ電極ＴＥが図２０である。
【０２４１】
図２０を参照すると、ダミーメタルＤＭが省略された空間はダミーメタル領域（ＤＭＡ）という。
【０２４２】
図１９及び図２０で、１つのタッチ電極領域内のダミーメタルＤＭは例示されたものであり、１つのタッチ電極領域内のダミーメタルＤＭのサイズや模様は多様に変更できる。
【０２４３】
また、１つのタッチ電極領域内のダミーメタルＤＭがある位置も多様に変更できる。
【０２４４】
また、１つのタッチ電極領域のサイズに対してダミーメタルＤＭが占める領域の割合（ダミーメタル割合）も多様に変更できる。
【０２４５】
図２１は、図２０のタッチ電極ＴＥをより概略化したものである。
【０２４６】
一方、１つのタッチ電極ＴＥの領域内に１つ以上のダミーメタルＤＭが存在せず、電極メタルＥＭのみメッシュタイプで存在する場合、画面上に電極メタルＥＭの輪郭が見える視認性問題が発生することがある。
【０２４７】
しかしながら、タッチ電極領域内のダミーメタルＤＭを形成することによって、１つのタッチ電極ＴＥがメッシュ形態にパターニングされた場合に発生する視認性問題を防止することができる。
【０２４８】
また、各タッチ電極ＴＥ別に、ダミーメタルＤＭの存在有無または個数（ダミーメタル割合）を調節することによって、各タッチ電極ＴＥ別にキャパシタンスのサイズを調節してタッチ感度を向上させることもできる。
【０２４９】
以上では、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明したものであり、以下では、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明する。
【０２５０】
図２２は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造を説明するための図である。
【０２５１】
前述したように、複数のタッチ電極ＴＥの各々が網タイプにパターニングされて孔ＯＡが存在する電極メタルＥＭの時、複数のタッチ電極ＴＥの全体または一部の領域内には電極メタルＥＭと切れた１つ以上のダミーメタルＤＭが存在することがある。
【０２５２】
アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造は、各タッチ電極ＴＥのタッチ電極領域内に存在することができるダミーメタルＤＭを用いるものである。
【０２５３】
より具体的に、タッチラインＴＬの長さ偏差によって発生する寄生キャパシタンスＣｐの偏差を低減させるために、アクティブ領域（Ａ／Ａ）でメッシュ形態にパターニングされたタッチ電極ＴＥの各々のダミーメタル割合（ＤＭＲ）を調節して寄生キャパシタンス偏差を低減することができる。
【０２５４】
ここで、ダミーメタル割合（ＤＭＲ）は１つのタッチ電極領域で全てのダミーメタルＤＭが占める領域の割合である。
【０２５５】
一例に、複数のタッチラインＴＬが長さの異なる第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓを含むとする時、第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと電気的に連結された第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ダミーメタル割合ＤＭＲ）と、第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓと電気的に連結された第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ダミーメタル割合ＤＭＲ）が互いに異なることがある。
【０２５６】
他の例に、複数のタッチラインＴＬが長さの異なる第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓを含むとする時、第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと電気的に連結された第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの領域内のダミーメタルＤＭの存在有無と、第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓと電気的に連結された第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの領域内のダミーメタルＤＭの存在有無が互いに異なることがある。
【０２５７】
前述したように、タッチ電極領域内のダミーメタルＤＭの存在有無またはダミーメタル割合（ＤＭＲ）を異なるように調節することによって、互いに異なる長さのタッチラインＴＬと連結されたタッチ電極ＴＥの各々に対する寄生キャパシタンスの偏差を調節することができる。
【０２５８】
図２２の例示のように、第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓは第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓより長い場合に対して、より具体的に説明すると、次の通りである。
【０２５９】
一例に、長さの長い第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと電気的に連結された第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ＤＭＲ）は、長さの短い第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓと電気的に連結された第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ＤＭＲ）より高いことがある。
【０２６０】
他の例に、より長い第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓと電気的に連結された第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの領域内のダミーメタルＤＭが存在し、より短い第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓと電気的に連結された第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの領域内のダミーメタルＤＭが未存在することがある。
【０２６１】
図２２の例示を参照すると、第１タッチラインＴＬ１Ｄ、ＴＬ１Ｓは第２タッチラインＴＬ２Ｄ、ＴＬ２Ｓより長い。
【０２６２】
したがって、ダミーメタル割合またはダミーメタル存在有無を調節しない場合、即ち、タッチ電極ＴＥにダミーメタル割合またはダミーメタル存在有無が同一な場合、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄがカソードＣＡＴＨの間に形成する寄生キャパシタンスＣｐは、第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄがカソードＣＡＴＨの間に形成する寄生キャパシタンスＣｐより大きい。
【０２６３】
前述した寄生キャパシタンス偏差低減構造の適用によって、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ＤＭＲ）は、第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの領域内のダミーメタルＤＭが占める割合（ＤＭＲ）より高まる。
【０２６４】
寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄは第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄよりダミーメタル割合（ＤＭＲ）がより高いので、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄで実質的な電極役割をする電極メタル部分の割合（有効電極割合）は第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄで実質的な電極役割をする電極メタル部分の割合（有効電極割合）より低くなる。
【０２６５】
したがって、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄの場合、寄生キャパシタンス補償量がないか、小さくなるようになって、寄生キャパシタンス偏差低減構造の適用前に比べて、第１タッチ電極ＴＥ１ａ、ＴＥ１ｂ、ＴＥ１ｃ、ＴＥ１ｄとカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐは変化がないか、少し大きくなることがある。
【０２６６】
しかしながら、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄの場合、寄生キャパシタンス補償量が相対的に大きくなるようになって、寄生キャパシタンス偏差低減構造の適用前に比べて、第２タッチ電極ＴＥ２ａ、ＴＥ２ｂ、ＴＥ２ｃ、ＴＥ２ｄとカソードＣＡＴＨとの間に形成される寄生キャパシタンスＣｐは相対的により多く大きくなることができる。
【０２６７】
結果的に、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用する前に存在していた寄生キャパシタンス偏差が低減または除去できる。
【０２６８】
図２３及び図２４は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、アクティブ領域（Ａ／Ａ）での寄生キャパシタンス偏差低減構造の例示図である。
【０２６９】
図２３を参照すると、４個のタッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３、ＴＥ４は長さが互いに異なる４種類のタッチラインＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４を通じてタッチ回路１３０と電気的に連結される。ここで、４個のタッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３、ＴＥ４は駆動タッチ電極、またはセンシングタッチ電極でありうる。
【０２７０】
タッチラインＴＬ１の長さはＬ１で、タッチラインＴＬ２の長さはＬ２で、タッチラインＴＬ３の長さはＬ３で、タッチラインＴＬ４の長さはＬ４である。
【０２７１】
タッチラインＴＬ１、タッチラインＴＬ２、タッチラインＴＬ３、タッチラインＴＬ４の順に長さが長い（Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ４）。
【０２７２】
図２３に図示した４個のタッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３、ＴＥ４はダミーメタルＤＭの存在有無またはダミーメタル割合（ＤＭＲ）が調節されていない場合、即ち、寄生キャパシタンス偏差低減構造が適用されていない場合である。
【０２７３】
図２４を参照すると、寄生キャパシタンス偏差低減構造の適用前と後の４個のタッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３、ＴＥ４の構造を説明する。
【０２７４】
寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用する前、寄生キャパシタンス偏差は次の通り発生する。
【０２７５】
４種類のタッチラインＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４の長さ関係（Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ４）によって、タッチ電極ＴＥ１がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ１、タッチ電極ＴＥ２がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ２、タッチ電極ＴＥ３がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ３、タッチ電極ＴＥ４がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ４の順に大きい（Ｃｐ１＞Ｃｐ２＞Ｃｐ３＞Ｃｐ４）。
【０２７６】
寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、タッチ電極ＴＥ１領域でのダミーメタル割合、タッチ電極ＴＥ２領域でのダミーメタル割合、タッチ電極ＴＥ３領域でのダミーメタル割合、タッチ電極ＴＥ４領域でのダミーメタル割合の順に小さくなる。タッチ電極ＴＥ４領域にはダミーメタルＤＭが存在しないことがある。
【０２７７】
即ち、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、タッチ電極ＴＥ１領域での有効電極割合、タッチ電極ＴＥ２領域での有効電極割合、タッチ電極ＴＥ３領域での有効電極割合、タッチ電極ＴＥ４領域での有効電極割合の順に高まる。
【０２７８】
したがって、寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、タッチ電極ＴＥ１領域での寄生キャパシタンス補償量（ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ１）、タッチ電極ＴＥ２領域での寄生キャパシタンス補償量（ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ２）、タッチ電極ＴＥ３領域での寄生キャパシタンス補償量（ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ３）、タッチ電極ＴＥ４領域での寄生キャパシタンス補償量（ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ４）の順に大きい（ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ１＜ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ２＜ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ３＜ＣＯＭＰ＿ＣＡＰ４）。
【０２７９】
寄生キャパシタンス偏差低減構造を適用すれば、４種類のタッチラインＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４の長さ偏差（Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ４）が存在しても、タッチ電極ＴＥ１がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ１’、タッチ電極ＴＥ２がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ２’、タッチ電極ＴＥ３がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ３’、タッチ電極ＴＥ４がカソードＣＡＴＨと形成する寄生キャパシタンスＣｐ４’は同一または類似になる（Ｃｐ１’＝Ｃｐ２’＝Ｃｐ３’＝Ｃｐ４’）。
【０２８０】
図２４に図示したように、ダミーメタル割合が縮まる時、即ち、ダミーメタルＤＭがタッチ電極ＴＥに該当する電極メタルＥＭに変更される時、タッチ電極領域の中央領域から変更できる。
【０２８１】
図２５は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥの領域とサブピクセル領域の対応関係を示す図である。
【０２８２】
図２５を参照すると、実施形態に係るタッチ表示装置１００で、複数のタッチ電極ＴＥの各々は網タイプ（メッシュタイプ）にパターニングされて孔ＯＡが存在する電極メタルＥＭでありうる。ここで、孔ＯＡをオープン領域ともいう。
【０２８３】
電極メタルＥＭが網タイプ（メッシュタイプ）にパターニングされて形成されたタッチ電極ＴＥで、孔ＯＡの各々は１つ以上のサブピクセルの発光部と対応できる。
【０２８４】
例えば、表示パネル１１０がＬＣＤパネルである場合、サブピクセルの発光部はピクセル電極またはカラーフィルタなどを含むことができる。表示パネル１１０がＯＬＥＤパネルである場合、サブピクセルの発光部は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極、有機発光層などを含むことができ、場合によって、カラーフィルタなどを含むことができる。
【０２８５】
前述したように、平面から見ると、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するオープン領域ＯＡの各々の位置に１つ以上のサブピクセルの発光部が対応して存在するように、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭがパターニングされることによって、電極メタルＥＭが不透明物質となっていても、表示パネル１１０の発光効率を高めることができる。
【０２８６】
図２６及び図２７は、実施形態に係るタッチ表示装置１００において、カラーフィルタ及びブラックマトリックスの位置を例示的に示す図である。
【０２８７】
図２６及び図２７を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰの下に有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードＣＡＴＨが存在することができる。
【０２８８】
封止層ＥＮＣＡＰの厚さ（Ｔ）は、一例に、５マイクロメートル以上でありうる。
【０２８９】
前述したように、封止層ＥＮＣＡＰの厚さを５マイクロメートル以上に設計することによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードＣＡＴＨとタッチ電極ＴＥとの間に形成される寄生キャパシタンスを減らすことができる。これによって、寄生キャパシタンスによるタッチ感度低下を防止することができる。
【０２９０】
一方、複数のタッチ電極ＴＥの各々は電極メタルＥＭが複数のオープン領域ＯＡがあるメッシュ形態（網形態）にパターニングされており、複数のオープン領域ＯＡには、垂直方向から見ると、１つ以上のサブピクセルまたはその発光部が存在することができる。
【０２９１】
前述したように、平面から見ると、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するオープン領域ＯＡの各々の位置に１つ以上のサブピクセルの発光部が対応して存在するように、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭがパターニングされることによって、表示パネル１１０の開口率及び発光効率を高めることができる。
【０２９２】
したがって、図２６及び図２７に図示したように、ブラックマトリックスＢＭの位置はタッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭの位置と対応する。
【０２９３】
そして、複数のカラーフィルタＣＦの位置は複数のタッチ電極ＴＥの位置と対応する。
【０２９４】
前述したように、複数のオープン領域ＯＡの位置に対応する位置に複数のカラーフィルタＣＦが位置することによって、有機発光表示パネル（特に、ホワイトＯＬＥＤを用いる場合）、優れる発光性能を有するタッチ表示装置１００を提供することができる。
【０２９５】
カラーフィルタＣＦとタッチ電極ＴＥとの間の垂直位置関係を説明すると、次の通りである。
【０２９６】
図２６に図示したように、複数のカラーフィルタＣＦとブラックマトリックスＢＭは複数のタッチ電極ＴＥ上に位置することができる。
【０２９７】
即ち、カラーフィルタＣＦは封止層ＥＮＣＡＰ上に位置し、かつタッチ電極ＴＥ及びタッチラインＴＬなどのタッチセンサーメタル上に位置することができる。
【０２９８】
複数のカラーフィルタＣＦとブラックマトリックスＢＭは、複数のタッチ電極ＴＥ上のオーバーコート層ＯＣ上に位置することができる。
【０２９９】
図２７に図示したように、複数のカラーフィルタＣＦとブラックマトリックスＢＭは複数のタッチ電極ＴＥの下部に位置することができる。
【０３００】
複数のタッチ電極ＴＥは、複数のカラーフィルタＣＦとブラックマトリックスＢＭ上のオーバーコート層ＯＣ上に位置することができる。
【０３０１】
即ち、カラーフィルタＣＦは封止層ＥＮＣＡＰ上に位置し、かつタッチ電極ＴＥ及びタッチラインＴＬなどのタッチセンサーメタルと封止層ＥＮＣＡＰとの間に位置することができる。
【０３０２】
前述したことによれば、発光性能などのディスプレイ性能とタッチ性能を考慮して、カラーフィルタＣＦとタッチ電極ＴＥとの間の最適の位置関係を有するＯＬＥＤディスプレイタイプのタッチ表示装置１００を提供することができる。
【０３０３】
一方、タッチ表示装置１００の製作便利性の向上及びサイズ縮小などのために、タッチ電極ＴＥからなるタッチパネルＴＳＰを表示パネル１１０に内蔵するための試みが従来にもなされている。
【０３０４】
しかしながら、有機発光表示パネルである表示パネル１１０にタッチパネルＴＳＰを内蔵するためには相当な困難性や制約事項が多くある。
【０３０５】
仮に、有機発光表示パネルである表示パネル１１０の製作工程時、有機物によって、一般的に金属物質からなるタッチ電極ＴＥをパネルの内部に形成するための高温工程が自由でないという限界点がある。
【０３０６】
このような有機発光表示パネルの構造的特性及び工程などの制約要因によって、有機発光表示パネルである表示パネル１１０の内部にタッチセンサーとしてのタッチ電極ＴＥを配置させることが困難な実状であった。したがって、従来には、タッチパネルＴＳＰを有機発光表示パネルである表示パネル１１０に内蔵させるものでなく、有機発光表示パネルである表示パネル１１０上に付着する方式によりタッチ構造を具現してきた。
【０３０７】
しかしながら、図２６及び図２７に図示したように、タッチ電極ＴＥを封止層ＥＮＣＡＰ上に形成するなどのＴＯＥ（Touch On Encapsulation Layer）構造と、カラーフィルタＣＦを封止層ＥＮＣＡＰ上に形成するＣＯＥ（Color On Encapsulation Layer）構造を通じて、優れるディスプレイ性能及びタッチ性能を有することができるタッチパネルＴＳＰが内蔵された有機発光表示パネルである表示パネル１１０を提供することができる。
【０３０８】
以上で説明した２つ方式の寄生キャパシタンス偏差低減構造（１．タッチ電極ＴＥと容量補償パターンＣＯＭＰの重畳領域サイズ調節、２．タッチ電極領域内のダミーメタル割合調節）のうちの１つが適用されることもでき、２つ方式の寄生キャパシタンス偏差低減構造が全て適用されることもできる。
【０３０９】
以上で説明した実施形態によれば、タッチパネルでタッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルの配置形態に関わらず、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【０３１０】
また、実施形態によれば、タッチラインの長さ差があっても、タッチ電極、タッチラインなどのタッチセンサーメタルで発生する寄生キャパシタンスの偏差を低減することができる構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【０３１１】
また、実施形態によれば、映像非表示領域に該当するノン−アクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【０３１２】
また、実施形態によれば、映像表示領域に該当するアクティブ領域で寄生キャパシタンス偏差低減構造を有するタッチ表示装置及びタッチパネルを提供することができる。
【０３１３】
以上の説明及び添付の図面は、本発明の技術思想を例示的に説明したことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から外れない範囲で構成の結合、分離、置換、及び変更などの多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施形態により本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０３１４】
１００    タッチ表示装置
１１０    表示パネル
１２０    ディスプレイ駆動回路
１３０    タッチ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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