(57)【要約】【課題】信号線で発生するノイズの除去を可能にしつつ、画素アレイと周辺回路との間のコンタクト数を低減するための技術を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、放射線を電気信号に変換する複数の変換素子と、複数の変換素子で得られた電気信号を読み出すための信号線と、複数の変換素子と信号線との間に接続されている複数のスイッチ素子と、複数のスイッチ素子の制御端子に接続されている複数の駆動線と、を備える。第１変換素子と信号線との間は、第１駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態である。第２変換素子と信号線との間は、第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態である。第３変換素子と信号線との間は、第１駆動線に接続されたスイッチ素子及び第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を電気信号に変換する複数の変換素子と、
前記複数の変換素子で得られた電気信号を読み出すための信号線と、
前記複数の変換素子と前記信号線との間に接続されている複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子の制御端子に接続されている複数の駆動線と、
を備え、
前記複数の変換素子は、第１変換素子と第２変換素子と第３変換素子とを含み、
前記複数の駆動線は、第１駆動線と第２駆動線とを含み、
前記第１変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であり、
前記第２変換素子と前記信号線との間は、前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であり、
前記第３変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子及び前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態である
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記第３変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子と前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子との少なくとも一方がオフの場合に非導通状態であることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記複数のスイッチ素子は、前記第１変換素子と前記信号線との間に接続されている第１スイッチ素子と、前記第３変換素子と前記信号線との間に接続されている第２スイッチ素子とを含み、
前記第１スイッチ素子の制御端子は前記第１駆動線に接続されており、
前記第２スイッチ素子の制御端子は前記第２駆動線に接続されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記第２スイッチ素子は、前記第１スイッチ素子を介して前記信号線に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記複数のスイッチ素子は、第３スイッチ素子を更に含み、
前記第２スイッチ素子は、前記第３スイッチ素子を介して前記信号線に接続されており、
前記第３スイッチ素子の制御端子は前記第１駆動線に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記放射線撮像装置は、
前記第１駆動線にオン信号を供給し前記第２駆動線にオフ信号を供給することによって、前記第１変換素子で得られた第１電気信号を前記信号線に読み出し、
前記第１電気信号を読み出した後に、前記第１駆動線にオフ信号を供給し前記第２駆動線にオン信号を供給することによって、前記第２変換素子で得られた第３電気信号を前記信号線に読み出し、
前記第３電気信号を読み出した後に、前記第１駆動線と前記第２駆動線とにオン信号を供給することによって、前記第３変換素子で得られた第２電気信号を前記信号線に読み出すように構成される
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記放射線撮像装置は、
前記第１駆動線にオン信号を供給し前記第２駆動線にオフ信号を供給することによって、前記第１変換素子で得られた第１電気信号を前記信号線に読み出し、
前記第１電気信号を読み出した後に、前記第１駆動線にオフ信号を供給し前記第２駆動線にオン信号を供給することによって、前記第２変換素子で得られた第３電気信号を前記信号線に読み出し、
前記第３電気信号を読み出した後に、前記第１駆動線にオン信号を供給し前記第２駆動線にオフ信号を供給することによって、前記第３変換素子で得られた第２電気信号のうち、前記第１変換素子に転送された一部を前記信号線に読み出すように構成される
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記第１変換素子と前記第３変換素子とは、前記第１駆動線が延びる方向に沿って並んでおり、
前記第１変換素子と前記第２変換素子とは、前記信号線が延びる方向に沿って並んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記第１変換素子と前記第２変換素子と前記第３変換素子とは、前記信号線が延びる方向に沿って並んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記複数の変換素子は、第４変換素子と第５変換素子とを更に含み、
前記複数の駆動線は、第３駆動線を更に含み、
前記第４変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子及び前記第３駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であり、
前記第５変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子、前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子及び前記第３駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態である
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線によって形成される光学像を電気的に撮像する放射線撮像装置は、画素アレイの周囲に配される周辺回路として、画素アレイを駆動するための駆動回路と、画素アレイから電気信号を読み出すための読出し回路とを有する。特許文献１に記載された放射線撮像装置では、画素アレイと読出し回路との間にマルチプレクサが接続されており、複数の信号線を切り替えて読出し回路に信号が読み出される。これによって、読出し回路の構成が簡略化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２５６２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
信号線には、ゲート線やバイアス線、トランジスタとの間の寄生容量に起因するｋＴＣノイズが発生する。ＫＴＣノイズを除去するために、相関二重サンプリングが行われる。具体的に、信号線の電位をリセットした後に発生するｋＴＣノイズをサンプリングし、画素アレイから読み出された信号からこのノイズを減算することによりＫＴＣノイズが除去される。特許文献１に記載された構成では、読出し回路に接続する信号線をマルチプレクサで切り替えるので、選択していない信号線を読み出す際に、この信号線のｋＴＣノイズを除去できない。本発明は、信号線で発生するノイズの除去を可能にしつつ、画素アレイと周辺回路との間のコンタクト数を低減するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、放射線を電気信号に変換する複数の変換素子と、前記複数の変換素子で得られた電気信号を読み出すための信号線と、前記複数の変換素子と前記信号線との間に接続されている複数のスイッチ素子と、前記複数のスイッチ素子の制御端子に接続されている複数の駆動線と、を備え、前記複数の変換素子は、第１変換素子と第２変換素子と第３変換素子とを含み、前記複数の駆動線は、第１駆動線と第２駆動線とを含み、前記第１変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であり、前記第２変換素子と前記信号線との間は、前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であり、前記第３変換素子と前記信号線との間は、前記第１駆動線に接続されたスイッチ素子及び前記第２駆動線に接続されたスイッチ素子がオンの場合に導通状態であることを特徴とする放射線撮像装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、信号線で発生するノイズの除去を可能にしつつ、画素アレイと周辺回路との間のコンタクト数が低減される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態の放射線撮像システムの構成例を説明する図。
【図２】本発明の第１実施形態の放射線撮像装置の構成例を説明する図。
【図３】本発明の第１実施形態の画素の断面構造例を説明する図。
【図４】本発明の第１実施形態の放射線撮像システムの動作例を説明する図。
【図５】本発明の第２実施形態の放射線撮像装置の構成例を説明する図。
【図６】本発明の第２実施形態の放射線撮像システムの動作例を説明する図。
【図７】本発明の第３実施形態の放射線撮像装置の構成例を説明する図。
【図８】本発明の第３実施形態の放射線撮像システムの動作例を説明する図。
【図９】本発明の第４実施形態の放射線撮像装置の構成例を説明する図。
【図１０】本発明の第４実施形態の放射線撮像システムの動作例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の放射線撮像システム１００の構成例を示す。放射線撮像システム１００は、放射線で形成される光学像を電気的に撮像し、電気的な放射線画像を得るように構成されている。放射線は、典型的にはＸ線であるが、α線、β線、γ線などであってもよい。放射線撮像システム１００は、例えば、放射線撮像装置１１０、コンピュータ１２０、曝射制御装置１３０及び放射線源１４０を備える。
【００１０】
放射線源１４０は、曝射制御装置１３０からの曝射指令（放射指令）に従って放射線の照射を開始する。放射線源１４０から照射された放射線は、被写体１５０を通って放射線撮像装置１１０に入射する。放射線源１４０はまた、曝射制御装置１３０からの停止指令に従って放射線の照射を停止する。
【００１１】
放射線撮像装置１１０は、放射線検出パネル１１１と、制御回路１１２とを含む。放射線検出パネル１１１は、放射線撮像装置１１０に入射した放射線に応じた放射線画像データを生成し、コンピュータ１２０へ送信する。放射線画像データとは、放射線画像を表すデータである。制御回路１１２は、放射線検出パネル１１１の動作を制御する。例えば、制御回路１１２は、放射線検出パネル１１１から得られる信号に基づいて、放射線源１４０からの放射線の照射を停止させるための停止信号を生成する。停止信号は、曝射制御装置１３０に供給される。曝射制御装置１３０は、停止信号に応答して、放射線源１４０に対して停止指令を送る。制御回路１１２は、例えば、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などのＰＬＤ（Programmable Logic Device）又はＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）のような専用回路で構成されてもよい。これに代えて、制御回路１１２は、プロセッサのような汎用処理回路とメモリのような記憶回路との組み合わせによって構成されてもよい。この場合に、記憶回路に格納されたプログラムを汎用処理回路が実行することによって、制御回路１１２の機能が実現されてもよい。
【００１２】
コンピュータ１２０は、放射線撮像装置１１０および曝射制御装置１３０を制御する制御部と、放射線撮像装置１１０から放射線画像データを受信する受信部と、放射線撮像装置１１０によって得られた信号（放射線画像データ）を処理する信号処理部とを有する。制御部、受信部及び信号処理部はそれぞれ、制御回路１１２と同様に、専用回路によって構成されてもよいし、汎用処理回路と記憶回路との組み合わせによって構成されてもよい。一例において、曝射制御装置１３０は、曝射スイッチを有し、ユーザによって曝射スイッチがオンされると、曝射指令を放射線源１４０に送るとともに、放射線の照射開始を示す開始通知をコンピュータ１２０に送る。開始通知を受けたコンピュータ１２０は、開始通知に応答して、放射線の照射開始を放射線撮像装置１１０の制御回路１１２に通知する。
【００１３】
図２は、放射線検出パネル１１１の構成例を示す。放射線検出パネル１１１は、例えば、画素アレイ２００、駆動回路２１０、読出し回路２２０、バッファ回路２３０及びＡＤ変換器２４０を備える。駆動回路２１０及び読出し回路２２０は、画素アレイ２００の周辺回路として機能する。画素アレイ２００は、例えば、アレイ状に配された複数の画素２０１と、複数の駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ５と、複数の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ２と、バイアス線Ｂｓとによって構成される。図２では、説明のために、画素アレイ２００は、４行×４列の画素２０１で構成されている。しかし、実際には、より多くの画素２０１が配されうる。一例において、放射線検出パネル１１１は、１７インチの寸法を有し、約３０００行×約３０００列の画素２０１を有する。各画素２０１は、変換素子とスイッチ素子とによって構成される。
【００１４】
画素アレイ２００は、複数の変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４と、複数のスイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４とを含む。以下の説明において、変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４を総称して変換素子Ｃと表す。変換素子Ｃに関する説明は、変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４のそれぞれに当てはまる。同様に、スイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４、駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ５及び信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ２を総称して、それぞれスイッチ素子Ｓ、駆動線Ｖｇ及び信号線Ｓｉｇと表す。画素アレイ２００の各行を図面の上側から順に１行目から４行目と呼び、画素アレイ２００の各列を図面の左側から順に１列目から４列目と呼ぶ。各画素２０１は、１つの変換素子Ｃと１つのスイッチ素子Ｓとの組み合わせによって構成される。例えば、１行目かつ２列目にある画素２０１は、変換素子Ｃ１２とスイッチ素子Ｓ１２との組み合わせによって構成される。
【００１５】
各画素２０１において、変換素子Ｃは入射した放射線を電気信号（例えば、電荷）に変換し、スイッチ素子Ｓは、変換素子Ｃと、この変換素子Ｃに対応する信号線Ｓｉｇとの間に接続されている。例えば、複数の変換素子Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ２１、Ｓ２２が接続されている。スイッチ素子Ｓがオンになると、変換素子Ｃと信号線Ｓｉｇとの間が導通状態となり、変換素子Ｃで得られた電気信号（例えば、変換素子Ｃに蓄積された電荷）が信号線Ｓｉｇに転送される。変換素子Ｃは、例えば、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするＭＩＳ型フォトダイオードであってもよい。これに代えて、変換素子Ｃは、ＰＩＮ型フォトダイオードであってもよい。変換素子Ｃは、放射線を直接に電荷に変換する直接型として構成されてもよいし、放射線を光に変換した後に、この光を検出する間接型として構成されてもよい。間接型では、シンチレータが複数の画素２０１によって共有されてもよい。
【００１６】
スイッチ素子Ｓは、例えば、制御端子（ゲート）と２つの主端子（ソース、ドレイン）とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのトランジスタで構成される。変換素子Ｃは、２つの主電極を有し、変換素子Ｃの一方の主電極は、スイッチ素子Ｓの２つの主端子のうちの一方に接続され、変換素子の他方の主電極は、共通のバイアス線Ｂｓを介してバイアス電源Ｖｓに接続されている。バイアス電源Ｖｓは、バイアス電圧を生成する。
【００１７】
１行目かつ偶数列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続され、１行目かつ奇数列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続されている。２行目かつ偶数列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続され、２行目かつ奇数列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ３に接続されている。３行目、４行目についても同様である。また、１列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの一方の主端子は同じ画素２０１の変換素子Ｃに接続され、他方の主端子は２列目の画素２０１の変換素子Ｃに接続されている。すなわち、１列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓは、２列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓを介して信号線Ｓｉｇに接続されている。２列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの一方の主端子は同じ画素２０１の変換素子Ｃに接続され、他方の主端子は信号線Ｓｉｇに接続されている。すなわち、２列目の画素２０１のスイッチ素子Ｓは、同じ画素の変換素子Ｃと信号線Ｓｉｇとの間に接続されている。３列目、４列目についても同様である。
【００１８】
例えば、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１２が接続されている。変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１２が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ１１は、スイッチ素子Ｓ１２を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ２２が接続されている。変換素子Ｃ１２と変換素子Ｃ２２とは、信号線Ｓｉｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２とは、駆動線Ｖｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。
【００１９】
このような接続形態では、信号線Ｓｉｇの本数が画素アレイ２００の列数の半分で済む。また、駆動線Ｖｇの本数は、画素アレイ２００の行数よりも１本多いだけである。そのため、画素行ごとに駆動線を有し、画素列ごとに信号線を有する放射線検出パネルと比較して、画素アレイ２００と周辺回路（駆動回路２１０と読出し回路２２０）との間のコンタクト数（駆動線Ｖｇと信号線Ｓｉｇとの合計本数）が低減される。その結果、周辺回路の構成が簡略化される。
【００２０】
３つの変換素子Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２２に着目して、これらと信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるための条件を説明する。変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間は、駆動線Ｖｇ１に接続されたスイッチ素子Ｓ１２がオンの場合に導通状態であり、駆動線Ｖｇ１に接続されたスイッチ素子Ｓ１２がオフの場合に非導通状態である。変換素子Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間は、駆動線Ｖｇ２に接続されたスイッチ素子Ｓ２２がオンの場合に導通状態であり、駆動線Ｖｇ２に接続されたスイッチ素子Ｓ１２がオフの場合に非導通状態である。変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間は、駆動線Ｖｇ１に接続されたスイッチ素子Ｓ１２及び駆動線Ｖｇ２に接続されたスイッチ素子Ｓ１１がオンの場合に導通状態であり、これらの少なくとも一方がオフの場合に非導通状態である。
【００２１】
駆動回路２１０は、制御回路１１２から供給される制御信号に従って、駆動線Ｖｇを通じて各画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子に駆動信号を供給する。制御信号は、スイッチ素子Ｓをオンにするためのオン信号（以下の説明ではハイレベルの電圧）と、スイッチ素子Ｓをオフにするためのオフ信号（以下の説明ではローレベルの電圧）とを含む。駆動回路２１０は、例えばシフトレジスタを含み、このシフトレジスタは、制御回路１１２から供給される制御信号（例えば、クロック信号）に従ってシフト動作を行う。駆動回路２１０の動作例については後述する。
【００２２】
読出し回路２２０は、変換素子Ｃで得られ、信号線Ｓｉｇに現れた電気信号を増幅して読み出す。読出し回路２２０は、１本の信号線Ｓｉｇごとに１つの増幅回路２２１を含む。図２の例では画素アレイ２００が２本の信号線Ｓｉｇを有するので、読出し回路２２０は２つの増幅回路２２１を含む。各列増幅部ＣＡは、例えば、積分増幅器２２２、可変増幅器２２３、スイッチ素子２２４、容量２２５及びバッファ回路２２６を含む。スイッチ素子２２４及び容量２２５はサンプルホールド回路を構成する。積分増幅器２２２は、例えば、演算増幅器と、この演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続された積分容量及びリセットスイッチとを含む。演算増幅器の非反転入力端子には、基準電源Ｖｒｅｆから基準電圧が供給される。制御回路１１２から供給される制御信号ＲＣ（リセットパルス）に応じてリセットスイッチがオンになると、積分容量がリセットされるとともに信号線Ｓｉｇの電位が基準電位にリセットされる。
【００２３】
可変増幅器２２３は、積分増幅器２２２からの信号を、設定された増幅率で増幅する。サンプルホールド回路は、可変増幅器２２３からの信号をサンプルホールドする。サンプルホールド回路を構成するスイッチ素子２２４のオンオフは、制御回路１１２から供給される制御信号ＳＨによって制御される。バッファ回路２２６は、サンプルホールド回路からの信号をバッファリング（インピーダンス変換）して出力する。
【００２４】
読出し回路２２０はまた、複数の増幅回路２２１からの信号を所定の順序で選択して出力するマルチプレクサ２２７を含む。マルチプレクサ２２７は、例えば、シフトレジスタを含み、このシフトレジスタは、制御回路１１２から供給される制御信号（例えば、クロック信号）に従ってシフト動作を行う。このシフト動作によって、複数の増幅回路２２１からの１つの信号が選択される。
【００２５】
バッファ回路２３０は、マルチプレクサ２２７から出力される信号をバッファリング（インピーダンス変換）する。ＡＤ変換器２４０は、バッファ回路２３０から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。ＡＤ変換器２４０の出力、即ち、放射線画像データは、コンピュータ１２０に送信される。
【００２６】
図３は、１つの画素２０１の断面構造の一例を模式的に示す。画素２０１は、ガラス基板等の絶縁性基板３０１の上に形成される。画素２０１は、絶縁性基板３０１の上に、導電層３０２、絶縁層３０３、半導体層３０４、不純物半導体層３０５及び導電層３０６を有する。導電層３０２は、スイッチ素子Ｓを構成するトランジスタ（例えばＴＦＴ）のゲートを構成する。絶縁層３０３は、導電層３０２を覆うように配置される。半導体層３０４は、導電層３０２のうちゲートを構成する部分の上に絶縁層３０３を介して配置されている。不純物半導体層３０５は、スイッチ素子Ｓを構成するトランジスタの２つの主端子（ソース、ドレイン）を構成するように半導体層３０４の上に配置されている。導電層３０６は、スイッチ素子Ｓを構成するトランジスタの２つの主端子（ソース、ドレイン）にそれぞれ接続された配線パターンを構成している。導電層３０６の一部は信号線Ｓｉｇを構成し、他の一部は変換素子Ｃとのスイッチ素子Ｓとを接続するための配線パターンを構成している。
【００２７】
画素２０１は、絶縁層３０３及び導電層３０６を覆う層間絶縁膜３０７を更に有する。層間絶縁膜３０７には、導電層３０６（スイッチ素子Ｓ）と接続するためのコンタクトプラグ３０８が設けられている。画素２０１は、層間絶縁膜３０７の上に、導電層３０９、絶縁層３１０、半導体層３１１、不純物半導体層３１２、導電層３１３、保護層３１４、接着層３１５及びシンチレータ層３１６をこの順に更に有する。これらの層によって、間接型の変換素子Ｃが構成される。導電層３０９及び導電層３１３は、変換素子Ｃを構成する光電変換素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する。導電層３１３は、例えば、透明材料で構成される。導電層３０９、絶縁層３１０、半導体層３１１、不純物半導体層３１２及び導電層３１３は、光電変換素子としてのＭＩＳ型センサを構成している。不純物半導体層３１２は、例えば、ｎ型の不純物半導体層で形成される。シンチレータ層３１６は、例えば、ガドリニウム系の材料、または、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）の材料で構成され、放射線を光に変換する。
【００２８】
上述の例にかえて、変換素子Ｃは、入射した放射線を直接に電気信号（電荷）に変換する直接型の変換素子として構成されてもよい。直接型の変換素子Ｃとして、例えば、アモルファスセレン、ガリウム砒素、ガリウムリン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ等を主材料とする変換素子がある。変換素子Ｃは、ＭＩＳ型に限定されず、例えば、ｐｎ型やＰＩＮ型のフォトダイオードでもよい。
【００２９】
図３に示された例では、画素アレイ２００が形成された面に対する正投影（平面視）において、複数の信号線Ｓｉｇのそれぞれが変換素子Ｃの一部と重なっている。このような構成は、各画素２０１の変換素子Ｃの面積を大きく点で有利であるが、一方で、信号線Ｓｉｇと変換素子Ｃとの間の容量結合が大きくなるという点で不利である。変換素子Ｃに放射線が入射し、変換素子Ｃに電荷が蓄積されて導電層３０９（下部電極）の電位が変化した場合に、信号線Ｓｉｇと変換素子Ｃとの間の容量結合によって信号線Ｓｉｇの電位も変化する。
【００３０】
図４を参照しながら放射線撮像システム１００の動作例を説明する。放射線撮像システム１００の動作は、コンピュータ１２０によって制御される。放射線撮像装置１１０の動作は、コンピュータ１２０による制御の下で、制御回路１１２によって制御される。図４に示される動作は、例えば、放射線撮像システム１００のユーザが指示することによって開始される。
【００３１】
図４の「動作」は、放射線撮像システム１００の動作を示す。放射線撮像システム１００の動作は、待機シーケンス、放射線画像取得シーケンス及びオフセット画像取得シーケンスを含む。待機シーケンスは、放射線の照射開始を待機している間に行われる一連の動作である。放射線画像取得シーケンスは、放射線画像を取得するための一連の動作である。オフセット画像取得シーケンスは、オフセット画像を取得するための一連の動作である。オフセット画像とは、放射線撮像装置１１０に放射線が照射されていない状態で各画素２０１から得られた信号によって形成される画像のことである。図４の「放射線」は、放射線の照射の有無を示す。ローレベルは放射線が照射されていないことを示し、ハイレベルは放射線が照射されていることを示す。図４の「Ｖｇ１」〜「Ｖｇ５」は、駆動回路２１０から各駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ５に供給される駆動信号のレベルを示す。ローレベル（オフ信号）の駆動信号が供給された駆動線Ｖｇに接続されたスイッチ素子Ｓはオフであり、ハイレベル（オン信号）の駆動信号が供給された駆動線Ｖｇに接続されたスイッチ素子Ｓはオンである。図４の「Ｓｉｇ１」、「Ｓｉｇ２」は、各信号線Ｓｉｇ１、Ｓｉｇ２を通じて信号が読み出されているか否かと、読出し対象の変換素子Ｃとを示す。ローレベルは信号が読み出されていないことを示し、ハイレベルは信号が読み出されていることを示す。また、ハイレベルの場合に、読出し対象の変換素子Ｃの符号を示す。
【００３２】
待機シーケンス中に、放射線撮像装置１１０は、リセット動作を繰り返す。リセット動作とは、各画素２０１の変換素子Ｃに蓄積されている暗電荷をリセットする動作のことである。暗電荷とは、変換素子Ｃに放射線が入射していないのにもかかわらず発生する電荷のことである。１行目の画素２０１から最終行（４行目）の画素２０１まで順に変換素子Ｃのリセットを行うことを１回のリセット動作と呼ぶ。放射線撮像装置１１０は、このリセット動作を繰り返し行う。リセット動作の実行中に、制御回路１１２は、積分増幅器２２２のリセットスイッチにアクティブレベルのリセットパルスを供給する。これによって、信号線Ｓｉｇが基準電位にリセットされる。１回のリセット動作で、駆動回路２１０は、１行目の画素２０１をリセットするために、駆動線Ｖｇ１、Ｖｇ２にオン信号を供給する。これによって、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるととともに、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。変換素子Ｃ１３、Ｃ１４についても同様である。続いて、駆動回路２１０は、２行目の画素２０１をリセットするために、駆動線Ｖｇ２、Ｖｇ３にオン信号を供給する。以下同様にして、駆動回路２１０は、４行目の画素２０１までリセットする。
【００３３】
制御回路１１２は、例えば、曝射制御装置１３０からコンピュータ１２０を介して供給される開始通知に基づいて、放射線源１４０からの放射線の照射が開始されることを認識し、待機シーケンスから放射線画像取得シーケンスに移行する。これに代えて、放射線撮像装置１１０は、画素アレイ２００のバイアス線Ｂｓ又は信号線Ｓｉｇ等を流れる電流を検出する検出回路を有してもよく、この検出回路の出力に基づいて放射線源１４０からの放射線の照射の開始を認識してもよい。
【００３４】
放射線画像取得シーケンスは、蓄積動作と読出し動作とを含む。蓄積動作で、駆動回路２１０は、所定の時間、各駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ５にオフ信号を供給する。これによって、各変換素子Ｃに入射した放射線に応じた電荷が変換素子Ｃに蓄積される。続いて、読出し動作で、制御回路１１２は、各変換素子Ｃに蓄積された電荷（電気信号）を読み出す。本実施形態で、読出し動作は２回の部分読出し動作に分けて行われる。具体的に、制御回路１１２は、１回目の部分読出し動作で偶数列の画素２０１の変換素子Ｃから電荷を読み出し、２回目の部分読出し動作で奇数列の画素２０１の変換素子Ｃから電荷を読み出す。
【００３５】
以下、読出し動作について詳細に説明する。以下では、信号線Ｓｉｇ１を通じて読み出される電荷について主に説明するが信号線Ｓｉｇ２を通じて読み出される電荷についても同様である。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ１２がオンとなり、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ１２で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。一方、駆動線Ｖｇ２にオフ信号が供給されているで、スイッチ素子Ｓ１１はオフのままであり、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。したがって、変換素子Ｃ１１で得られた電荷はこの時点で信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００３６】
変換素子Ｃ１２で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ２のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ２２がオンとなり、変換素子Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ２２で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、スイッチ素子Ｓ１１もオンとなるので、変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２との間がスイッチ素子Ｓ１１を通じて導通状態になる。そのため、変換素子Ｃ１１で得られた電荷の一部が変換素子Ｃ１２に転送される。一方、駆動線Ｖｇ１にオフ信号が供給されているので、スイッチ素子Ｓ１２はオフであり、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。したがって、変換素子Ｃ１１で得られた電荷はこの時点で信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。変換素子Ｃ２２で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ３〜Ｖｇ５に順にオン信号を供給する。これによって、変換素子Ｃ３２、Ｃ４２で得られた電荷が同様に信号線Ｓｉｇ１に読み出される。以上で１回目の部分読出し動作が終了する。
【００３７】
続いて、制御回路１１２は、２回目の部分読出し動作を行う。２回目の部分読出し動作では、１回目の部分読出し動作とは逆に、最終行（４行目）の画素２０１から１行目の画素２０１への順に電荷が読み出される。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ４、Ｖｇ５にオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ４１、Ｓ４２がオンとなり、変換素子Ｃ４１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になり、変換素子Ｃ４１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。１回目の部分読出し動作において、変換素子Ｃ４１で得られた電荷の一部が変換素子Ｃ４２に転送されているが、変換素子Ｃ４２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態なので、この一部の電荷もあわせて、変換素子Ｃ４１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、変換素子Ｃ４２で得られた電荷は１回目の部分読出し動作によって既に読み出されているので、変換素子Ｃ４１で得られた電荷のみが読み出される。駆動線Ｖｇ４にオン信号が供給されているので、スイッチ素子Ｓ３１もオンになるが、スイッチ素子Ｓ３２がオフなので、変換素子Ｃ３１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出されることはない。
【００３８】
変換素子Ｃ４１で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ４〜Ｖｇ１に２本単位で順にオン信号を供給する。これによって、同様にして、変換素子Ｃ３１、Ｃ２１、Ｃ１１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。以上で２回目の部分読出し動作が終了する。
【００３９】
放射線撮像装置１１０は、放射線画像取得シーケンスによって得られた各変換素子Ｃの電荷をマルチプレクサ２２７、バッファ回路２３０及びＡＤ変換器２４０を通してデジタル信号としてコンピュータ１２０に送信する。各画素２０１のデータを合成することによって、放射線画像が得られる。
【００４０】
次にオフセット画像取得シーケンスについて説明する。放射線画像取得シーケンスは、リセット動作と、蓄積動作と読出し動作とを含む。制御回路１１２はまず待機シーケンスと同じリセット動作を１回行う。これによって、画素アレイ２００の状態が放射線画像取得シーケンスの開始前と同様の状態になる。その後、制御回路１１２は、放射線画像取得シーケンスと同じ蓄積動作及び読出し動作を行うことによって、オフセット画像を取得する。オフセット画像も放射線画像と同様に放射線撮像装置１１０からコンピュータ１２０へ送信される。放射線画像からオフセット画像を減算することによって、放射線の照射中に変換素子Ｃで発生した暗電荷によるオフセット成分が放射線画像から除去される。
【００４１】
上述の読出し動作において、各画素２０１の感度が変化する場合がある。例えば、駆動線Ｖｇ２にオン信号が供給されると、スイッチ素子Ｓ１１、Ｓ２２がオンになる。この場合に、変換素子Ｃ１１で得られた電荷の一部が変換素子Ｃ１２に転送されるので、スイッチ素子Ｓ１２のソース・ドレイン間容量により、信号線Ｓｉｇ１の電位が変化する。その結果として、信号線Ｓｉｇ１で読み出される信号量は、変換素子Ｃ２２で得られた信号量よりも多くなる。
【００４２】
また、２回目の部分読出し動作において、例えば変換素子Ｃ１１で得られた電荷は、２つのスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１２を通じて信号線Ｓｉｇ１に転送される。そのため、変換素子Ｃ１１で得られた電荷の一部が転送されずに残ってしまい、変換素子Ｃ１１を含む画素２０１の感度が低下する可能性がある。
【００４３】
上述のような画素２０１の感度の変化を低減するために、放射線撮像装置１１０は、被写体が無い状態で撮影した画像で、被写体がある状態で撮影した画像を除算し、ゲイン補正を掛けることで補正してもよい。これにかえて、放射線撮像装置１１０は、１回目の部分読出し動作と２回目の部分読出し動作との感度比を予め算出しておき、この感度比を用いて画素値を補正してもよい。さらに、奇数列の画素２０１の変換素子Ｃと偶数列の画素２０１の変換素子Ｃとが互いに異なる開口率を有してもよい。または、奇数列の画素２０１のスイッチ素子Ｓと偶数列の画素２０１のスイッチ素子とが互いに異なるオン抵抗を有してもよい。
【００４４】
１回目の部分読出し動作と２回目の部分読出し動作とのそれぞれを画素列単位で行うと、感度特性の違いやダーク特性の違いから画像上に縞模様が現れる可能性がある。そのため、１回目の部分読出し動作で信号が読み出される画素２０１を市松模様に配置する（この場合、２回目の部分読出し動作で信号が読み出される画素２０１も市松模様となる。）ことによって、画像上の縞模様を見えにくくしてもよい。
【００４５】
上述の読出し動作のように、画素アレイ２００の全体を時間的に２回に分けて読み出すことによって、放射線撮像装置１１０の外部から混入するノイズ成分が画像に現れにくくなる。また、１回目の部分読出し動作で取得した画像をプレビュー画像に使用すれば、放射線照射後、直ちに撮影画像を技師が確認できる。
【００４６】
読出し回路２２０を画素アレイ２００のどの位置に接続するかにより、画素アレイ２００内の信号線Ｓｉｇの長さが変わる。信号線Ｓｉｇは、配線長により熱雑音を発生するため、短いほど低ノイズとなる。関心領域となる画素アレイ２００の中央部の信号線Ｓｉｇの長さを短く配置することによって、関心領域のランダムノイズを低減してもよい。
【００４７】
上述した動作例では、２回目の部分読出し動作が１回目の部分読出し動作とは異なる動作である。これに代えて、２回目の部分読出し動作が１回目の部分読出し動作と同じ動作であってもよい。具体的に、２回目の部分読出し動作において、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ１２がオンとなり、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。２回目の部分読出し動作の開始時点で、変換素子Ｃ１２で得られた電荷は既に読み出されており、変換素子Ｃ１２には変換素子Ｃ１１で得られた電荷の一部が転送されている。したがって、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号が供給された場合に、変換素子Ｃ１２に転送された一部の電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。ここで読み出される電荷量は、変換素子Ｃ１１で得られた電荷量に、変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２との容量比を乗じた値である。例えば、変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２との容量が互いに等しい場合に、変換素子Ｃ１１で得られた電荷の半分が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。その後、放射線撮像装置１１０は、読み出された信号を倍にすることによって、変換素子Ｃ１１を含む画素２０１の信号値を算出してもよい。これにかえて、放射線撮像装置１１０は、読み出された信号をそのまま使用することによって、ダイナミックレンジを拡大した画像を生成してもよい。
【００４８】
＜第２実施形態＞
図５及び図６を参照して本発明の第２実施形態の放射線撮像システムについて説明する。第２実施形態の放射線撮像システムは、放射線撮像装置１１０が図２の画素アレイ２００のかわりに図５の画素アレイ５００を備える点で異なり、その他の点は第１実施形態の放射線撮像システム１００と同じであってもよい。そのため、以下では第１実施形態と同様であってもよい説明を省略する。
【００４９】
画素アレイ５００は、例えば、アレイ状に配された複数の画素５０１と、複数の駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ５と、複数の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ２と、バイアス線Ｂｓとによって構成される。画素アレイ５００は、複数の変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４と、複数のスイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４、Ｓ１１’〜Ｓ４４’とを含む。以下の説明において、変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４を総称して変換素子Ｃと表し、スイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４、Ｓ１１’〜Ｓ４４’を総称してスイッチ素子Ｓと表す。各画素５０１は、１つの変換素子Ｃと２つのスイッチ素子Ｓとの組み合わせによって構成される。例えば、１行目かつ２列目にある画素２０１は、変換素子Ｃ１２とスイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’との組み合わせによって構成される。
【００５０】
１行目かつ偶数列目の画素２０１の２つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続されている。１行目かつ奇数列目の画素２０１の２つのスイッチ素子Ｓのうち一方のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続され、他方のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続されている。２行目〜４行目についても同様である。また、各画素２０１の変換素子Ｃは、同じ画素２０１の直接に接続された２つのスイッチ素子Ｓを介して信号線Ｓｉｇに接続されている。
【００５１】
例えば、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１１’が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ１１は、スイッチ素子Ｓ１１’を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’が直列に接続されている。変換素子Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ２２、Ｓ２２’が直列に接続されている。変換素子Ｃ１２と変換素子Ｃ２２とは、信号線Ｓｉｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２とは、駆動線Ｖｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。
【００５２】
このような接続形態では、信号線Ｓｉｇの本数が画素アレイ２００の列数の半分で済む。また、駆動線Ｖｇの本数は、画素アレイ２００の行数よりも１本多いだけである。そのため、画素行ごとに駆動線を有し、画素列ごとに信号線を有する放射線検出パネルと比較して、画素アレイ２００と周辺回路（駆動回路２１０と読出し回路２２０）との間のコンタクト数（駆動線Ｖｇと信号線Ｓｉｇとの合計本数）が低減される。その結果、周辺回路の構成が簡略化される。
【００５３】
図６を参照して、第２実施形態における読出し動作について詳細に説明する。以下では、信号線Ｓｉｇ１を通じて読み出される電荷について主に説明するが信号線Ｓｉｇ２を通じて読み出される電荷についても同様である。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’がオンとなり、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ１２で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。一方、駆動線Ｖｇ２にオフ信号が供給されているので、スイッチ素子Ｓ１１はオフであり、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。したがって、変換素子Ｃ１１で得られた電荷はこの時点で信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００５４】
変換素子Ｃ１２で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ２のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ２２、Ｓ２２’がオンとなり、変換素子Ｃ２２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ２２で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、スイッチ素子Ｓ１１もオンとなるが、スイッチ素子Ｓ１１’がオフであるので、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。また、変換素子Ｃ１１は、スイッチ素子Ｓ１１を介して他の変換素子に接続されていないので、変換素子Ｃ１１の電荷はどこにも転送されない。変換素子Ｃ２２で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ３〜Ｖｇ５に順にオン信号を供給する。これによって、変換素子Ｃ３２、Ｃ４２で得られた電荷が同様に信号線Ｓｉｇ１に読み出される。以上で１回目の部分読出し動作が終了する。
【００５５】
続いて、制御回路１１２は、２回目の部分読出し動作を行う。２回目の部分読出し動作では、１回目の部分読出し動作と同じく、１行目の画素２０１から最終行（４行目）の画素２０１への順に電荷が読み出される。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１、Ｖｇ２にオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１１’、Ｓ１２，Ｓ１２’がオンとなるので、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になり、変換素子Ｃ１１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、変換素子Ｃ１２で得られた電荷は１回目の部分読出し動作によって既に読み出されているので、変換素子Ｃ１１で得られた電荷のみが読み出される。駆動線Ｖｇ２にオン信号が供給されるので、スイッチ素子Ｓ２１’もオンになるが、スイッチ素子Ｓ２１がオフなので、変換素子Ｃ２１で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００５６】
変換素子Ｃ１１で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ２〜Ｖｇ５に２本単位で順にオン信号を供給する。これによって、変換素子Ｃ２１、Ｃ３１、Ｃ４１で得られた電荷が同様に信号線Ｓｉｇ１に読み出される。以上で２回目の部分読出し動作が終了する。
【００５７】
第２実施形態では、１回目の部分読出し動作と２回目の部分読出し動作とで駆動線Ｖｇの走査方向が同じであるので、駆動回路２１０の制御を簡易化できる。
【００５８】
＜第３実施形態＞
図７及び図８を参照して本発明の第３実施形態の放射線撮像システムについて説明する。第３実施形態の放射線撮像システムは、放射線撮像装置１１０が図２の画素アレイ２００のかわりに図７の画素アレイ７００を備える点で異なり、その他の点は第１実施形態の放射線撮像システム１００と同じであってもよい。そのため、以下では第１実施形態と同様であってもよい説明を省略する。
【００５９】
画素アレイ７００は、例えば、アレイ状に配された複数の画素７０１と、複数の駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ３と、複数の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４と、バイアス線Ｂｓとによって構成される。画素アレイ７００は、複数の変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４と、複数のスイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４とを含む。以下の説明において、変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４を総称して変換素子Ｃと表し、スイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４を総称してスイッチ素子Ｓと表す。各画素７０１は、１つの変換素子Ｃと１つのスイッチ素子Ｓとの組み合わせによって構成される。例えば、１行目かつ２列目にある画素７０１は、変換素子Ｃ１２とスイッチ素子Ｓ１２との組み合わせによって構成される。
【００６０】
１行目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続されている。２行目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続されている。３行目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続されている。４行目の画素２０１のスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ３に接続されている。また、奇数行目の画素２０１の変換素子Ｃは、同じ画素に含まれるスイッチ素子Ｓを介して信号線Ｓｉｇに接続されている。偶数行目の画素２０１の変換素子Ｃは、同じ画素に含まれるスイッチ素子Ｓと、この画素に対して列方向（信号線Ｓｉｇが延びる方向）に隣接する画素のスイッチ素子Ｓとを介して信号線Ｓｉｇに接続されている。
【００６１】
例えば、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１が接続されている。変換素子Ｃ２１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ２１が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ２１は、スイッチ素子Ｓ１１を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ３１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ３１が接続されている。変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ２１と変換素子Ｃ３１とは、信号線Ｓｉｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。
【００６２】
このような接続形態では、駆動線Ｖｇの本数が画素アレイ２００の行数の半分よりも１本多いだけで済む。また、信号線Ｓｉｇの本数は、画素アレイ２００の列数と同じである。そのため、画素行ごとに駆動線を有し、画素列ごとに信号線を有する放射線検出パネルと比較して、画素アレイ２００と周辺回路（駆動回路２１０と読出し回路２２０）との間のコンタクト数（駆動線Ｖｇと信号線Ｓｉｇとの合計本数）が低減される。その結果、周辺回路の構成が簡略化される。
【００６３】
図８を参照して、第３実施形態における読出し動作について詳細に説明する。以下では、信号線Ｓｉｇ１を通じて読み出される電荷について主に説明するが信号線Ｓｉｇ２を通じて読み出される電荷についても同様である。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ１１がオンとなり、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ１１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。一方、駆動線Ｖｇ２にオフ信号が供給されているので、スイッチ素子Ｓ２１はオフであり、変換素子Ｃ２１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。したがって、変換素子Ｃ２１で得られた電荷はこの時点で信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００６４】
変換素子Ｃ１１で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ２のみにオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ３１がオンとなり、変換素子Ｃ３１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になるので、変換素子Ｃ３１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、スイッチ素子Ｓ２１もオンとなるので、変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ２１との間がスイッチ素子Ｓ２１を通じて導通状態になる。そのため、変換素子Ｃ２１で得られた電荷の一部が変換素子Ｃ１１に転送される。一方、駆動線Ｖｇ１にオフ信号が供給されているので、スイッチ素子Ｓ１１はオフであり、変換素子Ｃ２１と信号線Ｓｉｇ１との間は非導通状態である。したがって、変換素子Ｃ２１で得られた電荷はこの時点で信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。変換素子Ｃ３１で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ３にオン信号を供給する。以上で１回目の部分読出し動作が終了する。
【００６５】
続いて、制御回路１１２は、２回目の部分読出し動作を行う。２回目の部分読出し動作では、１回目の部分読出し動作とは逆に、最終行（４行目）の画素２０１から１行目の画素２０１への順に電荷が読み出される。まず、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ２、Ｖｇ３にオン信号を供給する。これにより、スイッチ素子Ｓ３１、Ｓ４１がオンとなり、変換素子Ｃ４１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になり、変換素子Ｃ４１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。１回目の部分読出し動作において、変換素子Ｃ４１で得られた電荷の一部が変換素子Ｃ３１に転送されているが、変換素子Ｃ３１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態なので、この一部の電荷もあわせて、変換素子Ｃ４１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。また、変換素子Ｃ３１で得られた電荷は１回目の部分読出し動作によって既に読み出されているので、変換素子Ｃ４１で得られた電荷のみが読み出される。駆動線Ｖｇ２にオン信号が供給されるので、スイッチ素子Ｓ２１もオンになるが、スイッチ素子Ｓ１１がオフなので、変換素子Ｃ２１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出されることはない。
【００６６】
変換素子Ｃ４１で得られた電荷が読み出された後に、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１、Ｖ２にオン信号を供給する。これによって、同様にして、変換素子Ｃ２１で得られた電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。以上で２回目の部分読出し動作が終了する。
【００６７】
第３実施形態では、画素列ごとに信号線Ｓｉｇが設けられているので、第１実施形態と比較して画像を高速に読み出すことができる。
【００６８】
＜第４実施形態＞
図９及び図１０を参照して本発明の第４実施形態の放射線撮像システムについて説明する。第４実施形態の放射線撮像システムは、放射線撮像装置１１０が図２の画素アレイ２００のかわりに図９の画素アレイ９００を備える点で異なり、その他の点は第１実施形態の放射線撮像システム１００と同じであってもよい。そのため、以下では第１実施形態と同様であってもよい説明を省略する。
【００６９】
画素アレイ９００は、例えば、アレイ状に配された複数の画素９０１と、複数の駆動線Ｖｇ１〜Ｖｇ６と、信号線Ｓｉｇ１と、バイアス線Ｂｓとによって構成される。画素アレイ９００は、複数の変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４と、複数のスイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４、Ｓ１１’〜Ｓ４４’、Ｓ１１”〜Ｓ４４”とを含む。以下の説明において、変換素子Ｃ１１〜Ｃ４４を総称して変換素子Ｃと表し、スイッチ素子Ｓ１１〜Ｓ４４、Ｓ１１’〜Ｓ４４’、Ｓ１１”〜Ｓ４４”を総称してスイッチ素子Ｓと表す。また、信号線Ｓｉｇ１を信号線Ｓｉｇと呼ぶこともある。各画素９０１は、１つの変換素子Ｃと３つのスイッチ素子Ｓとの組み合わせによって構成される。例えば、１行目かつ２列目にある画素２０１は、変換素子Ｃ１２とスイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’、Ｓ１２”との組み合わせによって構成される。
【００７０】
１行目かつ１列目の画素２０１の３つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続されている。１行目かつ２列目の画素２０１の３つのスイッチ素子Ｓのうち２つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続され、１つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続されている。１行目かつ３列目の画素２０１の３つのスイッチ素子Ｓのうち２つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続され、１つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ３に接続されている。１行目かつ４列目の画素２０１の３つのスイッチ素子Ｓのうち１つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ１に接続され、１つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ２に接続され、１つのスイッチ素子Ｓの制御端子は駆動線Ｖｇ３に接続されている。２行目〜４行目についても同様である。画素アレイ９００が５列以上の画素９０１を含む場合に、１列目〜４列目の構成が繰り返されてもよい。また、各画素２０１の変換素子Ｃは、直列に接続された３つのスイッチ素子Ｓを介して信号線Ｓｉｇに接続されている。
【００７１】
例えば、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１１’、Ｓ１１”が直列に接続されている。変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’、Ｓ１２”が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’は、スイッチ素子Ｓ１２”を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ１３と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１３、Ｓ１３’、Ｓ１３”が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ１３”、Ｓ１３’は、スイッチ素子Ｓ１３を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ１４と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ１４、Ｓ１４’、Ｓ１４”が直列に接続されている。スイッチ素子Ｓ１４”は、スイッチ素子Ｓ１４、Ｓ１４’を介して信号線Ｓｉｇ１に接続されている。変換素子Ｃ２１と信号線Ｓｉｇ１との間にスイッチ素子Ｓ２１、Ｓ２１’、Ｓ２１”が直列に接続されている。変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ２１とは、信号線Ｓｉｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。変換素子Ｃ１１と変換素子Ｃ１２と変換素子Ｃ１３と変換素子Ｃ１４とは、駆動線Ｖｇ１が延びる方向に沿って並んでいる。
【００７２】
このような接続形態では、信号線Ｓｉｇの本数が画素アレイ２００の列数の４分の１で済む。また、駆動線Ｖｇの本数は、画素アレイ２００の行数よりも２本多いだけである。そのため、第１実施形態と比較して、画素アレイ２００と周辺回路（駆動回路２１０と読出し回路２２０）との間のコンタクト数（駆動線Ｖｇと信号線Ｓｉｇとの合計本数）が低減される。その結果、周辺回路の構成がさらに簡略化される。
【００７３】
図１０を参照して、第４実施形態における読出し動作について詳細に説明する。第４実施形態では、４回の部分読出し動作が行われる。以下では１行目の画素２０１からの電気信号の読出しについて説明するが、他の行の画素２０１についても同様である。
【００７４】
１回目の部分読出し動作で、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１のみにオン信号を供給する。これによって、スイッチ素子Ｓ１１、Ｓ１１’、Ｓ１１”がオンになり、変換素子Ｃ１１と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。これにより、変換素子Ｃ１１から電荷が信号線Ｓｉｇ１に読み出される。この際、スイッチ素子Ｓ１２”、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１４’がオフであるので、変換素子Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。１回目の部分読出し動作のその後の処理では駆動線Ｖｇ１にオフ信号が供給されているので、変換素子Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００７５】
２回目の部分読出し動作で、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１、Ｖｇ２にオン信号を供給する。これによって、スイッチ素子Ｓ１２、Ｓ１２’、Ｓ１２”がオンになり、変換素子Ｃ１２と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。この際、スイッチ素子Ｓ１３、Ｓ１４”がオフであるので、変換素子Ｃ１３、Ｃ１４で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。また、変換素子Ｃ１１で得られた電荷は既に読み出されている。２回目の部分読出し動作のその後の処理では駆動線Ｖｇ１にオフ信号が供給されているので、変換素子Ｃ１３、Ｃ１４で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００７６】
３回目の部分読出し動作で、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１、Ｖｇ３にオン信号を供給する。これによって、スイッチ素子Ｓ１３、Ｓ１３’、Ｓ１３”がオンになり、変換素子Ｃ１３と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。この際、スイッチ素子Ｓ１４’がオフであるので、変換素子Ｃ１４で得られた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。また、変換素子Ｃ１１、Ｃ１２で得られえた電荷は既に読み出されている。３回目の部分読出し動作のその後の処理では駆動線Ｖｇ１にオフ信号が供給されているので、変換素子Ｃ１４で得られえた電荷は信号線Ｓｉｇ１に読み出されない。
【００７７】
４回目の部分読出し動作で、駆動回路２１０は、駆動線Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３にオン信号を供給する。これによって、スイッチ素子Ｓ１４、Ｓ１４’、Ｓ１４”がオンになり、変換素子Ｃ１４と信号線Ｓｉｇ１との間が導通状態になる。変換素子Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３の電荷は既に読み出されている。
【符号の説明】
【００７８】
１００  放射線撮像システム、１１０  放射線撮像装置、１１２  制御回路、２００  画素アレイ、２０１  画素、２１０  駆動回路、２２０  読出し回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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