(57)【要約】【課題】視認性が向上する有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】  Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかで発光する複数の副画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルは、複数の副画素に対応し、基板１００ｘの上方に行列状に配された複数の画素電極１１９と、基板１００ｘ上に、列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンク５２２Ｙと、隣接する列バンク５２２Ｙの複数の間隙のうち、Ｂの色で発光する副画素に対応する画素電極１１９を含む間隙内において、基板１００ｘ及び画素電極１１９上方に、画素電極１１９の行方向の二つの外縁部を覆う状態で、それぞれ列方向に延伸して行方向に並設された二つの補助列バンク５３２、５３３とを含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが規定数の発光色のいずれかで発光する副画素が複数、行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記複数の副画素に対応し、前記基板上に行列状に配された光反射材料からなる複数の画素電極と、
行方向に隣接する各画素電極間の間隙上に列方向に延伸して形成された複数の主列バンクと、
隣接する主列バンクの間に形成される複数の間隙のうち、一の発光色で発光する副画素用の画素電極が存在する間隙内において、当該画素電極の行方向両側の外縁上方に、それぞれの外縁部を覆う状態で、主列バンクと並走する状態で形成された二つの補助列バンクと、
前記二つの補助列バンクを挟む二つの主列バンクの間隙に配された有機発光材料を含む発光層と、
前記主列バンクの上方、前記補助列バンクの上方及び前記発光層の上方を覆って連続して配された透光性材料からなる共通電極層とを備え、
前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記主列バンクの前記基板面からの高さより低い
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
隣接する前記補助列バンクの間隔は、当該補助列バンクを挟んで隣接する前記主列バンクの間隔の半分以上である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記一の発光色は、青色である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
さらに、前記二つの補助列バンクを挟ことなく、二つの主列バンクの間隙に配され、他の発光色の有機発光材料を含む発光層を備え、
前記補助列バンクを挟んで隣接する前記主列バンクの間隔は、前記他の発光色で発光する副画素に対応する前記画素電極を挟んで隣接する前記主列バンクの間隔より、広い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記画素電極上方に、ホール注入層が配され、前記ホール注入層上方に前記発光層が配され、
前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記発光層及び前記ホール注入層の膜厚より高く、前記発光層及び前記ホール注入層の膜厚の２倍の厚さより、低い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
それぞれが規定数の発光色のいずれかで発光する複数の副画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備し、
前記複数の副画素に対応し、前記基板上に行列状に光反射材料からなる複数の画素電極を配設し、
行方向に隣接する各画素電極間の間隙上に列方向に延伸して複数の主列バンクを形成し、
隣接する主列バンクの間に形成される複数の間隙のうち、一の発光色で発光する副画素用の画素電極が存在する間隙内において、当該画素電極の行方向両側の外縁上方に、それぞれの外縁部を覆う状態で、主列バンクと並走する状態で二つの補助列バンクを形成し、前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記主列バンクの前記基板面からの高さより低く、
前記二つの補助列バンクを挟む二つの主列バンクの間隙に有機発光材料を含む発光層を配し、
前記主列バンクの上方、前記補助列バンクの上方及び前記発光層の上方を覆って連続して透光性材料からなる共通電極層を配する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子を行列状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された構造を有している。一つの有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。有機ＥＬ素子は、駆動時に、一対の電極対間に電圧が印加され、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、特に、発光層等の主要部の作製においては、例えば、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いてインク液を基板上に塗布する。インク液を塗布する領域の周囲には、隔壁（バンク）を設け、隔壁により囲まれた領域（以下、開口部という）にインク液を吐出する。このようにしてインク液を吐出すると、塗布されたインク液が隣りの領域のインク液と混ざり合うことを抑制して、微細なパターンの発光層を形成することが可能となる。
【０００４】
特許文献１には、開口部の開口形状が、長軸と短軸とを有してなる長円状又は楕円状に形成され、当該開口部の隔壁の、前記開口部における短軸方向に沿う第１隔壁部の高さが、前記開口部における長軸方向に沿う第２隔壁部の高さより高く形成する技術が開示されている。隔壁の高さを相対的に高くした場合には、発光膜の膜形状は、両側が外側に向かって厚くなり、中央部が凹む形状となり、一方、隔壁の高さを相対的に低くした場合には、発光膜の膜形状は、その中央部が盛り上がった形状となる。従って、特許文献１の技術では、高い隔壁の第１隔壁部と低い隔壁の第２隔壁部を有するので、結果的に、発光膜の膜形状を平坦化させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５９４５７号公報
【特許文献２】国際公開第２０１４／０３０３５４号
【特許文献３】特許３９２８４１７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、第２隔壁部の高さが第１隔壁部の高さより低いので、基板上にインク液を塗布する際に、インク液が第２隔壁部を越えて隣接する画素のインク液と混色するという問題がある。
本開示は、上記課題を解決するため、隣接する画素間でのインク液の混色を防止するとともに、有機ＥＬ素子の発光層の膜表面の形状の平坦性を向上させることにより、表示不良の発生を低減させることができる有機ＥＬ表示パネル及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、それぞれが規定数の発光色のいずれかで発光する副画素が複数、行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記複数の副画素に対応し、前記基板上に行列状に配された光反射材料からなる複数の画素電極と、行方向に隣接する各画素電極間の間隙上に列方向に延伸して形成された複数の主列バンクと、隣接する主列バンクの間に形成される複数の間隙のうち、一の発光色で発光する副画素用の画素電極が存在する間隙内において、当該画素電極の行方向両側の外縁上方に、それぞれの外縁部を覆う状態で、主列バンクと並走する状態で形成された二つの補助列バンクと、前記二つの補助列バンクを挟む二つの主列バンクの間隙に配された有機発光材料を含む発光層と、前記主列バンクの上方、前記補助列バンクの上方及び前記発光層の上方を覆って連続して配された透光性材料からなる共通電極層とを備え、前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記主列バンクの前記基板面からの高さより低い。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、補助列バンクの高さを主列バンクの高さより低くすることにより、補助列バンクを挟まない二つの主列バンクの間隙に形成される発光層の膜形状の平坦性と比較して、二つの補助列バンクの間隙に形成される発光層の膜形状の平坦性を向上することができるとともに、二つの補助列バンクを挟んで、補助列バンクより高い二つの主列バンクを設けることにより、隣接する画素間でインクが混色することを防ぐことができる。この結果、表示不良の発生を低減させることができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０における複数の副画素の配置を示す。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す回路図である。
【図４】有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
【図５】列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２、５３３及び行バンク１２２Ｘが形成された基板１００ｘの斜視図である。
【図６】図４におけるＡ１−Ａ１切断面の矢視断面図である。
【図７】図４におけるＡ２−Ａ２切断面の矢視断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１０】液滴吐出装置のインクジェットヘッド６５０によるインク液の吐出を示す。
【図１１】発光層１２３の乾燥工程におけるインク液面の変化を示す。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１５】共通電極層１２５の製造に用いるスパッタ装置６００の構造を示す模式図である。
【図１６】（ａ）有機ＥＬ素子における輝度の視野角特性の経時変化を示すグラフである。（ｂ）発光面と視野角の関係を示す。
【図１７】画素内の輝度分布の経時変化を示すグラフである。
【図１８】発光層の印刷膜の形状を示すグラフである。
【図１９】（ａ）列バンクの高さが１μｍの場合の発光層の印刷膜等の形状を示すグラフである。（ｂ）列バンクの高さが０．５μｍの場合の発光層の印刷膜等の形状を示すグラフである。
【図２０】列バンクの高さと平坦化率の関係を示すグラフである。
【図２１】列バンクの高さ及びインク液量を変化させて発光層の印刷膜を形成した場合に混色が発生した否かを示す表である。
【図２２】変形例としての有機ＥＬ表示パネルの、図４におけるＡ１−Ａ１切断面に相当する切断面の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
１  研究により得た知見
本開示の研究者は、鋭意、研究を重ねた結果、次の知見を得た。
（１）輝度の視野角特性の経時変化
本開示の研究者は、有機ＥＬ素子を長時間にわたって発光させ続けた場合、図１６（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子の発光面７１１に垂直をなす発光方向（正面方向）７１２を基準として、斜め方向７１３に対する発光の輝度が、有機ＥＬ素子の発光を開始した初期の輝度と比較して変動するという現象を発見した。図１６（ｂ）において、発光方向７１２と斜め方向７１３とがなす角度７１４が視野角である。
【００１１】
図１６（ａ）に、有機ＥＬ素子を長時間にわたって発光させ続けた場合における各視野角における輝度の変化の実測結果を示す。
図１６（ａ）に示すグラフ７０１において、横軸は、図１６（ｂ）に示す発光方向７１２を基準とする斜め方向７１３の角度７１４を示す。また、縦軸は、図１６（ｂ）の発光方向７１２の輝度に対する各角度における発光の輝度の割合を示す。
【００１２】
グラフ７０１における曲線７０２は、有機ＥＬ素子の発光を開始した初期の時点の各角度における輝度の割合を示す。また、グラフ７０１における曲線７０３、７０４及び７０５は、それぞれ、発光開始の初期の時点と比較して、正面輝度の平均値が７５％、６７％及び５０％にまで低下した場合の各角度における輝度の割合を示す。
グラフ７０１に示すように、図１６（ｂ）に示す斜め方向７１３に対する発光の輝度は、発光時間の経過に伴って、発光開始の初期の時点の輝度と比較して変動していることが分かる。このように、有機ＥＬ素子の輝度の視野角特性は、経時変化している。
【００１３】
（２）画素内の輝度分布の経時変化
図１７に、有機ＥＬ素子を長時間にわたって発光させ続けた場合における、画素内の輝度分布の経時変化の実測結果を示す。
図１７に示すグラフ７２１において、横軸は、有機ＥＬ素子の発光面方向の位置を示し、原点（横軸の「０．０」で示す位置）は、有機ＥＬ素子の発光面の中心点である。また、縦軸は、発光開始の初期の時点の輝度に対する発光の輝度の割合（％）を示す。
【００１４】
曲線７２２は、初期の時点の輝度の割合の分布を示す。また、曲線７２３、７２４、７２５、７２６は、有機ＥＬ素子の発光開始の初期から、正面輝度の平均値が、それぞれ、７５％、６７％、５６％及び５０％にまで低下した場合における、輝度の割合の分布を示す。
グラフ７２１に示すように、時間の経過に伴い、輝度が劣化するが、同じ劣化度の場合であっても、有機ＥＬ素子の画素内の輝度の分布は、不均一である。画素の中央部が先に劣化し、その後、画素の端部が劣化している。
【００１５】
また、図１８に、有機ＥＬ素子の発光層の印刷膜等の形状の実測結果を示す。曲線７３２は、有機ＥＬ素子に形成された発光層の印刷膜の表面の形状を示す。この図に示すように、有機ＥＬ素子の画素内の印刷膜の表面において、平坦性が低い。
有機ＥＬ素子の画素内の輝度分布が不均一であることと、有機ＥＬ素子の発光層の印刷膜の形状の平坦性が低いこととの間には、関連があると推定する。有機ＥＬ素子の発光層の印刷膜においては、その輝度は、印刷膜の薄膜部（中央部）において先に劣化し、印刷膜の厚膜部（端部）の劣化は遅れている。このため、輝度の劣化が進むと、薄膜部（中央部）よりも、厚膜部（端部）の発光が支配的になる。
【００１６】
２  本開示を実施するための形態の概要
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、それぞれが規定数の発光色のいずれかで発光する副画素が複数、行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記複数の副画素に対応し、前記基板上に行列状に配された光反射材料からなる複数の画素電極と、行方向に隣接する各画素電極間の間隙上に列方向に延伸して形成された複数の主列バンクと、隣接する主列バンクの間に形成される複数の間隙のうち、一の発光色で発光する副画素用の画素電極が存在する間隙内において、当該画素電極の行方向両側の外縁上方に、それぞれの外縁部を覆う状態で、主列バンクと並走する状態で形成された二つの補助列バンクと、前記二つの補助列バンクを挟む二つの主列バンクの間隙に配された有機発光材料を含む発光層と、前記主列バンクの上方、前記補助列バンクの上方及び前記発光層の上方を覆って連続して配された透光性材料からなる共通電極層とを備え、前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記主列バンクの前記基板面からの高さより低い。
【００１７】
ここで、隣接する前記補助列バンクの間隔は、当該補助列バンクを挟んで隣接する前記主列バンクの間隔の半分以上である、としてもよい。
ここで、前記一の発光色は、青色である、としてもよい。
ここで、さらに、前記二つの補助列バンクを挟ことなく、二つの主列バンクの間隙に配され、他の発光色の有機発光材料を含む発光層を備え、前記補助列バンクを挟んで隣接する前記主列バンクの間隔は、前記他の発光色で発光する副画素に対応する前記画素電極を挟んで隣接する前記主列バンクの間隔より、広い、としてもよい。
【００１８】
ここで、前記画素電極上方に、ホール注入層が配され、前記ホール注入層上方に前記発光層が配され、前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記発光層及び前記ホール注入層の膜厚より高く、前記発光層及び前記ホール注入層の膜厚の２倍の厚さより、低い、としてもよい。
また、本開示の一態様は、それぞれが規定数の発光色のいずれかで発光する複数の副画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記複数の副画素に対応し、前記基板上に行列状に光反射材料からなる複数の画素電極を配設し、行方向に隣接する各画素電極間の間隙上に列方向に延伸して複数の主列バンクを形成し、隣接する主列バンクの間に形成される複数の間隙のうち、一の発光色で発光する副画素用の画素電極が存在する間隙内において、当該画素電極の行方向両側の外縁上方に、それぞれの外縁部を覆う状態で、主列バンクと並走する状態で二つの補助列バンクを形成し、前記補助列バンクの前記基板面からの高さは、前記主列バンクの前記基板面からの高さより低く、前記二つの補助列バンクを挟む二つの主列バンクの間隙に有機発光材料を含む発光層を配し、前記主列バンクの上方、前記補助列バンクの上方及び前記発光層の上方を覆って連続して透光性材料からなる共通電極層を配する。
【００１９】
上記の態様によると、補助列バンクの高さを主列バンクの高さより低くすることにより、補助列バンクを挟まない二つの主列バンクの間隙に形成される発光層の膜形状の平坦性と比較して、二つの補助列バンクの間隙に形成される発光層の膜形状の平坦性を向上することができる。また、二つの補助列バンクを挟んで、補助列バンクより高い二つの主列バンクを設けることにより、隣接する画素間でインクが混色することを防ぐことができる。この結果、表示不良の発生を低減させることができるという優れた効果を奏する。
【００２０】
３  実施の形態
３．１  有機ＥＬ表示装置１の回路構成
本開示の一つの実施の形態としての有機ＥＬ表示装置１の回路構成について説明する。
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とから構成されている。
【００２１】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、行列状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、有機ＥＬ表示装置１において、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態には限定されない。
【００２２】
３．２  有機ＥＬ表示パネル１０の回路構成
有機ＥＬ表示パネル１０においては、図２に示すように、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。なお、各副画素が配される領域を画素領域と呼ぶ。
【００２３】
各副画素１００ｓｅの回路構成について、図３を用いて説明する。
図３は、有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図３に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅは、二つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ 、一つのキャパシタＣ及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬから構成されている。トランジスタＴｒ１ は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２ は、スイッチングトランジスタである。
【００２４】
スイッチングトランジスタＴｒ２ のゲートＧ２ は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ は、駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１ のドレインＤ１ は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【００２５】
キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ 及び駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
各副画素１００ｓｅのゲートＧ２ からゲートラインが各々引き出され、有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２ からソースラインが各々引き出され有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００２６】
また、各副画素ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、有機ＥＬ表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
３．３  有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００２７】
図４は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板（ＴＦＴ基板）１００ｘに行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図４におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ有機ＥＬ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００２８】
有機ＥＬ表示パネル１０の表示領域には、３個の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により、赤色に発光する自己発光領域１００ａＲ、緑色に発光する自己発光領域１００ａＧ、青色に発光する自己発光領域１００ａＢ（以後、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「自己発光領域１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、色毎に区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となり、カラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００２９】
有機ＥＬ表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行方向及び列方向に行列状に配されている。また、有機ＥＬ表示パネル１０には、複数の補助電極層２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。
また、画素電極１１９と、これに行方向に隣接する画素電極１１９との間には、列方向にライン状に延伸する、列バンク５２２Ｙ又は列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３２が設けられている。また、画素電極１１９と、これに行方向に隣接する補助電極層２００との間には、列方向に延伸する、列バンク５２２Ｙ又は列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３３が設けられている。
【００３０】
さらに、画素電極１１９と、これに列方向に隣接する画素電極１１９との間には、行方向にライン状に延伸する、行バンク１２２Ｘが設けられている。
このように、基板１００ｘ上には、複数の列バンク５２２Ｙ及び複数の組の補助列バンク５３２及び５３３が設けられ、また、複数の行バンク１２２Ｘが設けられている。
図５は、列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２、５３３及び行バンク１２２Ｘが形成された基板１００ｘの斜視図である。
【００３１】
図５に示すように、基板１００ｘ上には、複数の列バンク５２２Ｙ並びに複数の組の補助列バンク５３２及び５３３が、行方向に並設され、複数の行バンク１２２Ｘが、列方向に並設されている。複数の列バンク５２２Ｙ並びに複数の組の補助列バンク５３２及び５３３と、複数の行バンク１２２Ｘとは、直交している。
３．４  有機ＥＬ表示パネル１０の各部構成
有機ＥＬ表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図６及び図７を用いて説明する。図６は、図４におけるＡ１−Ａ１切断面における矢視断面図である。図７は、図４におけるＡ２−Ａ２切断面における矢視断面図である。
【００３２】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）１００ｘ及び層間絶縁層１１８が構成され、その上に有機ＥＬ層１０５が構成されている。
３．４．１  基板１００ｘ及び層間絶縁層１１８
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とから構成されている。
【００３３】
基材は、有機ＥＬ表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線１１０（図７）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、有機ＥＬ表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。配線１１０は、ＴＦＴのソースＳ１ に接続されている。
【００３４】
（２）層間絶縁層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には、層間絶縁層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、層間絶縁層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００３５】
層間絶縁層１１８には、図６に示すように、コンタクト孔１１８ｂが開設され、図７に示すように、配線１１０の上方の一部にコンタクト孔１１８ａが開設されている。
層間絶縁層１１８の膜厚が１０μｍ以上の場合には、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共に、ボトム線幅の制御が困難となる。タクト増大による生産性低下の観点から、層間絶縁層１１８の膜厚は、７μｍ以下が望ましい。また、層間絶縁層１１８の膜厚が薄くなるとともに、膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、層間絶縁層１１８の膜厚が１μｍ以下の場合には、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には、層間絶縁層１１８の膜厚の下限は、２μｍとなる。したがって、層間絶縁層１１８の膜厚は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。層間絶縁層１１８の膜厚は、より好ましくは、２μｍ以上７μｍ以下である。
【００３６】
３．４．２  有機ＥＬ層１０５
（１）画素電極１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図６、図７に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。つまり、層間絶縁層１１８上には、複数の画素電極１１９が行方向及び列方向に、それぞれ所定の距離だけ離れた状態で、行列状に配されている。画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば、陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は、光反射材料からなり、光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、平面視において、例えば、概矩形形状をした平板状である。
【００３７】
行方向に順に３つ並んだ画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。ここで、３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する画素電極１１９を、色毎に区別する場合には、画素電極１１９Ｒ、１１９Ｇ、１１９Ｂと呼ぶことにする。
画素電極１１９が配される領域は、行方向に外縁１１９ａ３及び外縁１１９ａ４により、列方向に外縁１１９ａ１及び外縁１１９ａ２により、規定されている。
【００３８】
画素電極１１９Ｒと、この画素電極１１９Ｒに行方向に隣接する画素電極１１９Ｇとは、所定の距離δＸ２だけ離れて、配されている。また、画素電極１１９Ｇと、この画素電極１１９Ｇに行方向に隣接する画素電極１１９Ｂとは、所定の距離δＸ１だけ離れて、配されている。さらに、画素電極１１９Ｂと、この画素電極１１９Ｂに行方向に隣接する補助電極層２００とは、所定の距離δＸ１だけ離れて、層間絶縁層１１８上に配されている。ここで、δＸ１＞δＸ２である。
【００３９】
また、図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて、画素電極１１９と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９とは、所定の距離δＹだけ離れて、層間絶縁層１１８上に配されている。
また、図７に示すように、層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ａ上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘの厚み方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部１１９ｃの底で画素電極１１９と配線１１０とが接続される。
【００４０】
（２）補助電極層２００
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図６に示すように、複数の補助電極層２００が、単位画素１００ｅ間に、列方向にわたって連続して配されている。
補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。補助電極層２００には、補助電極層２００と後述する共通電極層１２５とを接続する複数の接続凹部２００ｂが形成されている。
【００４１】
補助電極層２００が配される領域は、行方向に外縁２００ａ１及び外縁２００ａ２により規定されている。
補助電極層２００は、この補助電極層２００と行方向に隣接する画素電極１１９Ｒとは、所定の距離δｘ２だけ離れて、配されている。また、補助電極層２００は、この補助電極層２００と行方向に隣接する画素電極１１９Ｂとは、所定の距離δｘ１だけ離れて、配されている。
【００４２】
層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂに沿って、補助電極層２００の一部を基板１００ｘの厚み方向に凹入された接続凹部２００ｂが形成されている。接続凹部２００ｂの内部には、コンタクト面２００ｃが内壁として形成されている。接続凹部２００ｂは、上面から見ると略円形をしており、その径ｒは、２μｍから１０μｍの範囲で形成されていることが好ましい。接続凹部２００ｂの深さｈは、１μｍから７μｍの範囲で形成されていることが好ましい。コンタクト面２００ｃは、基板１００ｘ上面に対する傾斜角θが７５度から１２０度の範囲で形成されていることが好ましい。
【００４３】
（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９上には、図６、図７に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
【００４４】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、上部層１２０Ｂは、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成された下部層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（４）バンク１２２
（概要）
図６及び図７に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク（隔壁）が形成されている。バンクには、図４及び図５に示すように、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２、５３３と、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３２、５３３は、行バンク１２２Ｘと直交する状態で設けられている。列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３２、５３３と、行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている。以後、行バンク１２２Ｘ、補助列バンク５３２、５３３及び列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と呼ぶ。
【００４５】
自己発光領域１００ａは、列方向において、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間であって、行方向において、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間、又は、補助列バンク５３２とこれに隣接する補助列バンク５３３との間に位置する。こうして、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、また、行バンク１２２Ｘと補助列バンク５３２、５３３とにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００４６】
（列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３の配置）
補助電極層２００とこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｒとの間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク５２２Ｙが、層間絶縁層１１８の上、補助電極層２００の外縁２００ａ２の上方及び画素電極１１９Ｒの外縁１１９ａ３の上方に設けられている。補助電極層２００とこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｒとは、列バンク５２２Ｙにより、互いに絶縁されている。
【００４７】
また、画素電極１１９Ｒとこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｇとの間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク５２２Ｙが、層間絶縁層１１８の上、画素電極１１９Ｒの外縁１１９ａ４の上方及び画素電極１１９Ｇの外縁１１９ａ３の上方に設けられている。画素電極１１９Ｒとこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｇとは、列バンク５２２Ｙにより、互いに絶縁されている。
【００４８】
また、画素電極１１９Ｇとこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｂとの間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３２が、並設されている。列バンク５２２Ｙは、層間絶縁層１１８の上及び画素電極１１９Ｇの外縁１１９ａ４の上方に設けられ、補助列バンク５３２は、層間絶縁層１１８の上及び画素電極１１９Ｂの外縁１１９ａ３の上方に設けられている。画素電極１１９Ｇとこれに行方向に隣接する画素電極１１９Ｂとは、列バンク５２２Ｙ及び補助列バンク５３２により、互いに絶縁されている。
【００４９】
また、画素電極１１９Ｂとこれに行方向に隣接する補助電極層２００との間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の補助列バンク５３３及び列バンク５２２Ｙが、並設されている。補助列バンク５３３は、層間絶縁層１１８の上及び画素電極１１９Ｂの外縁１１９ａ４の上方に設けられ、列バンク５２２Ｙは、補助電極層２００の外縁２００ａ１の上方に設けられている。画素電極１１９Ｂとこれに行方向に隣接する補助電極層２００とは、補助列バンク５３３及び列バンク５２２Ｙにより、互いに絶縁されている。
【００５０】
列バンク５２２Ｙと、これに隣接する列バンク５２２Ｙとの間を間隙５２２ｚと定義する。また、補助列バンク５３２と、これに隣接する補助列バンク５３３との間を補助間隙５２３と定義する。
間隙５２２ｚには、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢ及び補助間隙５２２ｚＡが含まれる。赤色間隙５２２ｚＲには、自己発光領域１００ａＲが存在する。緑色間隙５２２ｚＧには、自己発光領域１００ａＧが存在する。青色間隙５２２ｚＢには、補助間隙５２３が含まれ、補助間隙５２３には、自己発光領域１００ａＢが存在する。補助間隙５２２ｚＡは、補助電極層２００の配される領域に対応する。
【００５１】
以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、補助間隙５２２ｚＡを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する。
このように、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとからなる組が、複数個、行方向に並んで配されている。また、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとからなる組が、複数個、列方向に並んで配されている。
【００５２】
（列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３の構造）
列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び５３３は、それぞれ、列方向に延伸する線状に形成されている。列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び５３３を行方向に平行に切った場合のそれぞれの断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。
列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び５３３のそれぞれが形成される領域の行方向の幅は、δＸ２より所定幅だけ大きく構成される。
【００５３】
インク液に対する親液性について、補助列バンク５３２及び５３３の材料特性は、列バンク５２２Ｙの材料特性と同じであるとしてもよい。
なお、列バンク５２２Ｙは、図６に示すように、上部層５２２ＹＵと下部層５２２ＹＬとから構成されている。上部層５２２ＹＵにおいては、インクに対する撥液性が所定の値以上であり、下部層５２２ＹＬ、補助列バンク５３２及び５３３においては、インクに対する親液性が所定の値以上であるとしてもよい。
【００５４】
補助列バンク５３２及び５３３の層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２は、下部層５２２ＹＬの層間絶縁層１１８の表面からの高さと等しい。補助列バンク５３２及び５３３の層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２は、列バンク５２２Ｙの層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ１より低い。つまり、Ｈ１＞Ｈ２である。
ここで、仮に、Ｈ１＝Ｈ２であるとするなら、つまり、補助列バンク５３２及び５３３の高さＨ２が、列バンク５２２Ｙの高さＨ１と一致しているなら、補助列バンク５３２及び５３３の間隙に形成される発光層の表面の平坦性は、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙとの間に形成される発光層の表面の平坦性と異ならない。このため、補助列バンク５３２及び５３３は、特有の機能を果たさない。
【００５５】
また、Ｈ１＞Ｈ２であるとしても、Ｈ２が極めてＨ１に等しいのであれば、つまり、Ｈ１とＨ２との差が極めて小さければ、Ｈ１＝Ｈ２の場合と同様に、補助列バンク５３２及び５３３の間隙に形成される発光層の表面の平坦性は、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙとの間に形成される発光層の表面の平坦性と異ならず、補助列バンク５３２及び５３３は、特有の機能を果たさない。
【００５６】
さらに、Ｈ１＞Ｈ２であるとしても、Ｈ１とＨ２との差が極めて大きければ、補助列バンク５３２及び５３３の間隙にインク液を塗布した場合に、補助列バンク５３２及び５３３がインク液により埋もれ、補助列バンク５３２及び５３３は、特有の機能を果たさない。
（列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３と自己発光領域との関係）
列バンク５２２Ｙは、赤色副画素１００ｓｅＲの自己発光領域１００ａＲの行方向における外縁を規定し、緑色副画素１００ｓｅＧの自己発光領域１００ａＢの行方向における外縁を規定する。また、補助列バンク５３２及び５３３は、青色副画素１００ｓｅＢの自己発光領域１００ａＢの行方向における外縁を規定する。
【００５７】
このように、列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３は、行方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。
（列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３の機能）
列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。
【００５８】
一方、補助列バンク５３２及び５３３は、それぞれ、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を制御するためのものである。補助列バンク５３２及び５３３を設けることにより、補助列バンク５３２と補助列バンク５３３との間において、塗布されるインクの厚さを平坦化している。そのため、補助列バンク５３２及び５３３においては、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。
【００５９】
列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３により画素電極１１９は、露出することはなく、列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３が存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。
画素電極１１９Ｒ及び画素電極１１９Ｇのそれぞれに隣接して設けられた列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９Ｒ及び画素電極１１９Ｇのそれぞれの行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆している。これにより、画素電極１１９Ｒ又は画素電極１１９Ｇと、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止している。
【００６０】
また、補助列バンク５３２及び５３３は、画素電極１１９Ｂの行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆している。これにより、画素電極１１９Ｂと、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止している。
（行バンク１２２Ｘの配置）
画素電極１１９（第１の画素電極）と、第１の画素電極に列方向に隣接する画素電極１１９（第２の画素電極）との間には、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１２２Ｘが、層間絶縁層１１８の上、層間絶縁層１１８内の画素電極１１９のコンタクト領域１１９ｂの上方、第１の画素電極の外縁１１９ａ２の上方及び第２の画素電極の外縁１１９ａ１の上方に設けられている。
【００６１】
（行バンク１２２Ｘの構造）
行バンク１２２Ｘは、行方向に延伸する線状に形成されている。行バンク１２２Ｘを列方向に平行に切った場合の断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙ、各補助列バンク５３２及び各補助列バンク５３３を貫通するようにして、列方向と直交する行方向に設けられている。
【００６２】
行バンク１２２Ｘは、列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面１２２Ｘｂを有する。つまり、行バンク１２２Ｘの層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２は、列バンク５２２Ｙの層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ１より低い。つまり、Ｈ１＞Ｈ２である。また、行バンク１２２Ｘの層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２は、補助列バンク５３２及び５３３の層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２に等しい。
【００６３】
（行バンク１２２Ｘと自己発光領域との関係）
行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
（行バンク１２２Ｘの機能）
画素電極１１９と、この画素電極１１９と列方向に隣接する画素電極１１９とは、行バンク１２２Ｘにより、互いに絶縁されている。
【００６４】
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘにおいては、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。
行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では、発光せず輝度には寄与しない。
【００６５】
行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の列方向の外縁１１９ａ２の間の距離δＹより、所定長だけ、長くなるように、構成されている。このように、行バンク１２２Ｘにより、画素電極１１９の列方向外縁１１９ａ１、２を被覆することにより、画素電極１１９と共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。
【００６６】
また、行バンク１２２Ｘは、列方向における各副画素１００ｓｅの自己発光領域１００ａの外縁を規定する。
（電気的接続）
行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂには、図７に示すように、層間絶縁層１１８において、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ１ とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【００６７】
（数値例）
ここで、列バンク５２２の層間絶縁層１１８の上面からの高さは、一例として、１μｍである。また、行バンク１２２Ｘの層間絶縁層１１８の上面からの高さは、一例として、０．５μｍである。さらに、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３の層間絶縁層１１８の上面からの高さは、一例として、０．５μｍである。また、列バンク５２２、行バンク１２２Ｘの基部における幅は、一例として、１５〜２０μｍである。また、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３の基部における幅は、一例として、２〜５μｍである。
【００６８】
また、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３との距離Ｂ１は、一例として、１０〜５０μｍであり、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の距離Ｂ２は、一例として、３０〜８０μｍである。また、距離Ｂ１と距離Ｂ２の間には、次のような関係がある（図５参照）。
Ｂ１＞１／２×Ｂ２
また、補助列バンク５３２及び５３３の層間絶縁層１１８の表面からの高さＨ２と、発光層１２３及びホール注入層の上部層１２０Ｂの厚さＨ３とは、次のような関係にある。      
【００６９】
Ｈ３＜Ｈ２＜２×Ｈ３
また、補助列バンク５３２及びこれに隣接する補助列バンク５３３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離は、赤色の発光層１２３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離よりも広いとしてもよい。また、補助列バンク５３２及びこれに隣接する補助列バンク５３３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離は、緑色の発光層１２３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離よりも広いとしてもよい。
【００７０】
また、補助列バンク５３２及びこれに隣接する補助列バンク５３３の間の距離は、赤色の発光層１２３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離よりも広いとしてもよい。また、補助列バンク５３２及びこれに隣接する補助列バンク５３３の間の距離は、緑色の発光層１２３を囲んで隣接する二つの列バンク５２２の間の距離よりも広いとしてもよい。
【００７１】
（補助列バンク５３２、５３３を設ける意義）
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、補助列バンク５３２、５３３の高さは、列バンク５２２Ｙの高さより低い。この構成により、補助列バンク５３２、５３３を挟まない二つの列バンク５２２Ｙの間隙に形成される発光層１２３の膜形状の平坦性と比較して、二つの補助列バンク５３２、５３３の間隙に形成される発光層１２３の膜形状の平坦性を向上することができる。また、二つの補助列バンク５３２、５３３を挟んで、補助列バンク５３２、５３３より高い二つの列バンク５２２Ｙを設けている。この構成により、隣接する副画素間でインクが混色することを防ぐことができる。この結果、表示不良の発生を低減させることができるという優れた効果を奏する。
【００７２】
（５）ホール輸送層１２１
図６、図７に示すように、行バンク１２２Ｘ及び間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
【００７３】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は上部層１２０Ｂ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
図６、図７に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する補助間隙５２３には、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００７４】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘ、補助列バンク５３２、５３３が存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘ、補助列バンク５３２、５３３がない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００７５】
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【００７６】
また、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａＢに塗布されたインクは、補助列バンク５３２及び補助列バンク５３３を越えて、間隙５２２ｚＢ内で、行方向に流動し、補助列バンク５３２と補助列バンク５３３との間の補助間隙５２３において、行方向にその膜厚が平準化する。
（７）電子輸送層１２４
図６、図７に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層形成されている。電子輸送層１２４については、有機ＥＬ表示パネル１０の表示領域の全体に連続した状態で形成されている。
【００７７】
電子輸送層１２４は、図６、図７に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
電子輸送層１２４は、図６に示すように、補助電極層２００の上にも形成される。電子輸送層１２４には、補助電極層２００の接続凹部２００ｂにおいて、欠落（図６の端部１２４ａ１、１２４ａ２間、または、端部１２４ａ３、１２４ａ４間）しており、欠落部分において補助電極層２００のコンタクト面２００ｃが露出している。
【００７８】
（８）共通電極層１２５
図６、図７に示すように、電子輸送層１２４上に共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。
共通電極層１２５は、図６、図７に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
【００７９】
共通電極層１２５は、図６に示すように、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１、１２４ａ２間、または端部１２４ａ３、１２４ａ４間）において露出しているコンタクト面２００ｃと、直接接触するように形成される。
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。
【００８０】
（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００８１】
（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、有機ＥＬ表示パネル１０の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００８２】
（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、補助間隙５２３内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。
【００８３】
（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の自己発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
【００８４】
３．４．３  各部の構成材料
図４〜図７に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
【００８５】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
【００８６】
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極１１９及び補助電極層２００
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００８７】
補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ材料により構成されている。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。
【００８８】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００８９】
または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００９０】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
なお、列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬ、補助列バンク５３２、補助列バンク５３３及び行バンク１２２Ｘにおいては、インクに対する親液性が所定の値以上である材料を用いる。一方、列バンク５２２Ｙの上部層５２２ＹＵにおいては、インクに対する撥液性が所定の値以上である材料を用いる。
【００９１】
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
【００９２】
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００９３】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。
【００９４】
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００９５】
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００９６】
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００９７】
（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
【００９８】
３．５  有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図８〜１５を用いて説明する。
（１）基板１００ｘの準備
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図８（ａ））。
【００９９】
（２）層間絶縁層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を形成する（図８（ｂ））。
層間絶縁層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図８（ｃ））。
【０１００】
その後、現像によって、コンタクト孔１１８ａ（図８（ｄ）には図示していない。図７を参照）及びコンタクト孔１１８ｂ（図６を参照）をパターニングした層間絶縁層１１８を形成する（図８（ｄ））。コンタクト孔１１８ａの底部において配線１１０が露出し（図８（ｄ）には図示していない）、コンタクト孔１１８ｂの底部において基板１００ｘが露出する。
【０１０１】
本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成してもよい。
（３）画素電極１１９及び補助電極層２００の形成
コンタクト孔１１８ａ、１１８ｂを開設した層間絶縁層１１８が形成された後、画素電極１１９及び補助電極層２００を形成する（図９（ａ））。
【０１０２】
画素電極１１９及び補助電極層２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極１１９の接続凹部１１９ｃを形成する（図７を参照）。また、コンタクト孔１１８ｂの内壁に沿って金属膜を形成することによりコンタクト孔１１８ｂの内壁に沿ったコンタクト面２００ｃを有する補助電極層２００の接続凹部２００ｂを形成する（図９（ａ））。
【０１０３】
画素電極１１９は、コンタクト孔１１８ａの底部において露出した配線１１０と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる（図７を参照）。
（４）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
画素電極１１９及び補助電極層２００を形成した後、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成する（図９（ｂ））。
【０１０４】
下部層１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い、それぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
（５）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成した後、下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。
【０１０５】
バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬ、補助列バンク５３２、補助列バンク５３３を形成する（図９（ｃ））。次に、列バンク５２２Ｙの上部層５２２ＹＵを形成する（図９（ｄ））。
バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬ、補助列バンク５３２、補助列バンク５３３、列バンク５２２Ｙの上部層５２２ＹＵを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬ、補助列バンク５３２、補助列バンク５３３、列バンク５２２Ｙの上部層５２２ＹＵのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【０１０６】
具体的には、バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
【０１０７】
列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙの下部層５２２ＹＬは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。補助列バンク５３２、補助列バンク５３３、列バンク５２２Ｙの上部層５２２ＹＵについても同様である。
【０１０８】
（６）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図１２（ａ））。
上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１０９】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１１０】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。
具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。
【０１１１】
発光層１２３を形成するための溶液の塗布について、以下に説明する。
発光層１２３のインクの塗布の工程では、液滴吐出装置（図示していない）を用いて、発光層１２３を形成するための溶液の塗布を行う。はじめに、基板１００ｘの列方向がＹ方向、基板１００ｘの行方向がＸ方向となるように、基板１００ｘを液滴吐出装置の作業テーブル上に載置する。図１０に示すように、液滴吐出装置のインクジェットヘッド６５０には、吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・がＹ方向に沿ってライン状に配置されている。最初に、赤色間隙５２２ｚＲの列方向の中心線６６１上に、インクが塗布されるべき複数の着弾目標６６２ａ、６６２ｂ、６６２ｃ、・・・を設定する。次に、インクジェットヘッド６５０を、Ｘ方向に移動させる。インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・が、着弾目標６６２ａ、６６２ｂ、６６２ｃ、・・・に到達したときに、インクジェットヘッド６５０は、インク材の吐出を行う。
【０１１２】
インク材の吐出が終了すると、次の赤色間隙５２２ｚＲの列方向の中心線６６３上に、インクが塗布されるべき複数の着弾目標６６４ａ、６６４ｂ、６６４ｃ、・・・を設定し、インクジェットヘッド６５０を、Ｘ方向に移動させる。インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・が、着弾目標６６４ａ、６６４ｂ、６６４ｃ、・・・に到達したときに、インクジェットヘッド６５０は、インク材の吐出を行う。以下、同様にして、後続する複数の赤色間隙５２２ｚＲに対して、インクジェットヘッド６５０は、インク材の吐出を行う。
【０１１３】
全ての赤色間隙５２２ｚＲに対するインク材の吐出が終了すると、同様にして、全ての緑色間隙５２２ｚＧに対して、インク材の吐出を行う。全ての緑色間隙５２２ｚＧに対して、インク材の吐出が終了すると、同様にして、全ての青色間隙５２２ｚＢに対して、インク材の吐出を行う。
このように、基板１００ｘに対して赤色発光層を形成するためのインクの塗布をし、次に、基板１００ｘに対して緑色発光層を形成するためのインクの塗布をし、次に、基板１００ｘに青色発光層を形成するためのインクの塗布をする。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図４に示すように、行方向に繰り返し並んで形成される。
【０１１４】
なお、上部層１２０Ｂ及びホール輸送層１２１におけるインクを塗布する方法の詳細は、発光層１２３における方法と同様である。
図１１は、発光層１２３の乾燥工程におけるインク液面の変化を示す。
インク材が吐出された直後は、この図に示すように、赤色液面、緑色液面及び青色液面は、それぞれ、液面６７１ａ、液面６７２ａ及び液面６７４ａのように、基板１００ｘの厚み方向、上方に突出している。乾燥が進むにつれて、各インク材の液滴の体積が減少してゆく。赤色発光層について、この図に示すように、赤色液面は、順に、液面６７１ａ、液面６７１ｂ、液面６７１ｃ、液面６７１ｄのように変化する。また、緑色液面は、順に、液面６７２ａ、液面６７２ｂ、液面６７２ｃ、液面６７２ｄのように変化する。さらに、青色液面は、順に、液面６７４ａ、液面６７４ｂ、液面６７４ｃ、液面６７４ｄのように変化する。液面６７４ｄは、平坦になっている。
【０１１５】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（７）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、有機ＥＬ表示パネル１０の表示領域の全体に連続した状態で、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図１２（ｂ））。電子輸送層１２４は、補助電極層２００の上にも形成される。
【０１１６】
（８）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を、スパッタリング法などにより形成する（図１２（ｃ））。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。
ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに説明する。
【０１１７】
まず、図１５を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。
【０１１８】
スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。
【０１１９】
成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１５では、電源６２４は、交流電源であるが、直流電源、または、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
【０１２０】
排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。
【０１２１】
なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
（９）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図１２（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【０１２２】
（１０）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１３（ａ））。
【０１２３】
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１３（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１３（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１３（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１３（ｅ））。
【０１２４】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化の材料１２８Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８Ｇが形成される（図１３（ｆ））。
この図１３（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｂを形成する（図１３（ｇ））。なお、カラーフィルタ材料を用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【０１２５】
以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１１）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１４（ａ））。
【０１２６】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する（図１４（ｂ））。
３．６  列バンクの高さと平坦化率の関係
本開示の研究者は、列バンクの高さを２種類に変えて、それぞれの有機ＥＬ素子の発光層の印刷膜等の形状を測定した。その実験結果を以下に示す。
【０１２７】
図１９（ａ）に列バンクの高さを１μｍとした場合の発光層の印刷膜等の形状の測定結果を示す（比較例）。また、図１９（ｂ）に列バンクの高さを０．５μｍとした場合の発光層の印刷膜等の形状の測定結果を示す（実施例）。
図１９（ａ）及び図１９（ｂ）において、それぞれ、横軸は、有機ＥＬ素子の発光面方向の位置を示し、横軸の原点（横軸の「０．０」で示す位置）は、有機ＥＬ素子の発光面の中心点である。また、縦軸は、発光面に垂直方向の位置を示し、横軸の原点（横軸の「０」で示す位置）は、有機ＥＬ素子の画素電極の表面である。
【０１２８】
図１９（ａ）において、曲線７４２は、発光層の表面の形状を示し、曲線７４３は、ホール注入層の表面の形状を示す。曲線７４４は、有機ＥＬ素子の画素電極の表面の形状及びバンクの側面の形状を示す。また、図１９（ｂ）において、曲線７５２は、発光層の表面の形状を示し、曲線７５３は、ホール注入層の表面の形状を示す。曲線７５４は、有機ＥＬ素子の画素電極の表面の形状及びバンクの側面の形状を示す。
【０１２９】
実施例である図１９（ｂ）における発光層の表面（７５２）は、比較例である図１９（ａ）における発光層（７４２）の表面と比較すると、より平坦化していることが分かる。
また、図２０にバンクの高さを変えた場合における発光層の印刷膜の平坦化率の実験結果を示す。図２０において、横軸は、バンクの高さを示す。また、縦軸は、発光層の印刷膜の平坦化率を示す。
【０１３０】
図２０から分かるように、列バンクの高さを低くすると、画素内の発光層の印刷膜の平坦化率が向上している。ここで、平坦化率は、次のように定義される。
平坦化率（％）＝幅Ｗ１／幅Ｗ２×１００
ここで、幅Ｗ２は、画素内の発光層の行方向の幅である。また、幅Ｗ１は、発光層の行方向の中央部から、発光層の行方向の中央部における厚みと比較して、厚みが厚み方向に１．９７ｎｍだけ変化する箇所までの距離の２倍である。
【０１３１】
平坦化率の目標値は、例えば、５０％である。
以上の通り、バンクの高さは、発光層の膜形状の平坦化率に影響する。つまり、バンクの高さが低い場合には、高い場合と比較すると、平坦化率が向上していることがわかる。
３．７  列バンクの高さ及びインク液量を変化させて印刷膜を形成した場合の混色
本開示の研究者は、列バンクの高さ及びインク液量を変化させて印刷膜を形成し、隣接する画素との混色を確認した。その実験結果を図２１の表７７１に示す。
【０１３２】
この図に示すように、列バンクの高さが０．３μｍで、インク液量（液滴数）が１５ｄ及び１３ｄの場合に、隣接する有機ＥＬ素子の発光層との間において、混色が発生した（７７２、７７３）。ここで、インク液量（液滴数）は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３副画素に対する液量であり、ｄ＝４ＰＬ（ピコリットル）である。また、列バンクの高さが０．９μｍで、インク液量が１５ｄの場合に、隣接する有機ＥＬ素子の発光層との間において、混色が発生した（７７４）。
【０１３３】
しかし、列バンクの高さが０．３μｍで、インク液量が５ｄ〜１１ｄの場合、列バンクの高さが０．９μｍで、インク液量が５ｄ〜１３ｄの場合、及び、列バンクの高さが２．９μｍで、インク液量が５ｄ〜１５ｄの場合、隣接する有機ＥＬ素子の発光層との間において、混色は、発生しなかった。
上記に説明したように、バンクの高さが低い場合には、高い場合と比較すると、平坦化率が向上するが、列バンクの高さを低くすると、隣接する有機ＥＬ素子の発光層との間において、混色が発生する場合がある。
【０１３４】
３．８  まとめ
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、補助列バンク５３２、５３３の高さを列バンク５２２Ｙの高さより低くすることにより、補助列バンク５３２、５３３を挟まない二つの列バンク５２２Ｙの間隙に形成される発光層１２３の膜形状の平坦性と比較して、二つの補助列バンク５３２、５３３の間隙に形成される発光層１２３の膜形状の平坦性を向上することができる。また、二つの補助列バンク５３２、５３３を挟んで、補助列バンク５３２、５３３より高い二つの列バンク５２２Ｙを設けることにより、隣接する画素間でインクが混色することを防ぐことができる。この結果、表示不良の発生を低減させることができるという優れた効果を奏する。
【０１３５】
３．９  補足説明及び変形例
実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機ＥＬ表示パネル１０の変形例を説明する。
【０１３６】
（１）有機ＥＬ表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
（２）有機ＥＬ表示パネル１０では、列バンク５２２Ｙの基部は、隣接する補助列バンク５３２（５３３）の基部に接触しないように、列バンク５２２Ｙ、補助列バンク５３２、５３３）が層間絶縁層１１８上に配されている。しかし、この構成には、限定されない。
【０１３７】
図２２に示すように、補助列バンク５３２ａの基部５３４が、隣接する列バンク５２２Ｙの基部に接触するように、補助列バンク５３２ａ及び列バンク５２２Ｙが層間絶縁層１１８上に配されている、としてもよい。また、補助列バンク５３３ａの基部５３５が、隣接する列バンク５２２Ｙの基部に接触するように、補助列バンク５３３ａ及び列バンク５２２Ｙが層間絶縁層１１８上に配されている、としてもよい。
【０１３８】
このように、補助列バンク５３２ａと隣接する列バンク５２２Ｙとの間に、凹部５３６が開設され、補助列バンク５３３ａと隣接する列バンク５２２Ｙとの間に、凹部５３７が開設されていればよい。
このように構成して、補助列バンク５３２ａと補助列バンク５３３ａとを囲む二つの列バンク５２２Ｙの間隙に、インク液を塗布する。乾燥が進むと、補助列バンク５３２ａと補助列バンク５３３ａとの間で、液面が平坦化する。
【０１３９】
（３）実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、副画素１００ｓｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本開示はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。なお、発光層が１種類の場合、その色は、青である。
（４）上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本開示はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１４０】
（５）上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本開示はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１４１】
（６）上記の形態では、有機ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、有機ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１４２】
（７）上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ が設けられてなる構成を採用したが、本開示はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
（８）上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本開示はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１４３】
（９）以上において説明した実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１４４】
また、上記の工程が実行される順序は、本開示を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、本開示の理解を容易にするため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本開示は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１４５】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本開示に係る有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置及びその他表示パネルを有する様々な電子機器において広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  層間絶縁層
１１９  画素電極
２００  補助電極層
１２０  ホール注入層
１２０Ａ  下部層
１２０Ｂ  上部層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ  行バンク
５２２Ｙ  列バンク
５３２、５３３  補助列バンク
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  共通電極層
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  カラーフィルタ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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