(57)【要約】【課題】加熱対象物の加熱処理を均等に効率良く行える技術の開発。【解決手段】水蒸気を含む６０℃以上の加熱用空気を噴射して加熱対象物Ｓに照射するノズル２４と、ノズル２４及び加熱対象物Ｓの一方を他方に対してノズル２４からの加熱用空気の噴射方向に垂直の方向に揺動させる揺動機構２５とを有する加熱処理装置、それを用いた加熱対象物の加熱処理方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水蒸気を含む６０℃以上の加熱用空気を噴射して加熱対象物に照射するノズルと、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方を他方に対して前記ノズルからの前記加熱用空気の噴射方向に垂直の方向に揺動させる揺動機構とを有する加熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の加熱処理装置を用い、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方を他方に対して往復動によって揺動しながら、前記ノズルから前記加熱用空気を前記加熱対象物に照射し、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方の他方に対する往復動は、前記往復動の方向における前記加熱対象物のその中央を含む部分の寸法に相当する往復動ストロークを確保して行なう加熱対象物の加熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱対象物を加熱処理に使用される加熱処理装置、加熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
加熱対象物を加熱処理に使用される加熱処理装置の一例として、例えば特許文献１のように、塗装板に熱風を接触させて乾燥塗装板を得る熱風乾燥機が知られている。
特許文献１の熱風乾燥機は、乾燥室内に、塗装板を回転させるターンテーブルと、ターンテーブル上に塗装板を支持する支持具と、熱風送気口及び排気口、とが設けられた構成である。この熱風乾燥機は、支持具によって複数の塗装板をターンテーブル回転軸上を中心とする放射状に支持してターンテーブルを回転させ、熱風送気口から複数の塗装板の放射中心に向かって流れるようにした熱風によって各塗装板を乾燥させる。
特許文献１の熱風乾燥機は、熱風送気口から熱風を送気しながらターンテーブルを回転させる動作（以下、乾燥動作）の完了後、乾燥室から塗装板を取り出し、次に乾燥処理する塗装板をセットして乾燥動作を実行させるバッチ式の構成である。
なお、ここでは、塗装板の熱風の接触による乾燥を、塗装板の加熱処理の一種として扱う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２１３３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の熱風乾燥機では、各塗装板の均等な乾燥が難しく、乾燥ムラが生じやすい。
上述の熱風乾燥機は、ターンテーブルの回転駆動によって塗装板を回転させることで乾燥室内に乱流が生じる。これが塗装板の塗装面に接触する熱風風量のバラツキや、塗装板面内の温度のバラツキを招き、乾燥ムラの原因となる。
また、上述の熱風乾燥機は、そもそもターンテーブル上に支持された塗装板のターンテーブル回転軸近くとターテーブル回転軸からその半径方向に離隔した端部とで回転速度が大きく異なり、乾燥室内の空気との接触による乾燥状態に差が出るため、このことも乾燥ムラの原因となる。
【０００５】
上述の熱風乾燥機は、例えば、回路基板用基材に塗布した回路パターン形成用インクの乾燥（加熱処理）等のように、面方向に所期の特性を安定に得ることが要求される加熱対象物の加熱処理への適用が困難である。
しかしながら、熱風等の高温気体の照射による加熱対象物の加熱処理を均等に効率良く行える好適な装置は提供されていないのが実情である。
【０００６】
本発明の幾つかの実施形態が解決しようとする課題は、加熱対象物に水蒸気を照射する構成を採用し、加熱対象物の加熱処理を均等に効率良く行える加熱処理装置、それを用いた加熱処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では以下の態様を提供する。
第１の態様は、水蒸気を含む６０℃以上の加熱用空気を噴射して加熱対象物に照射するノズルと、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方を他方に対して前記ノズルからの前記加熱用空気の噴射方向に垂直の方向に揺動させる揺動機構とを有する加熱処理装置である。
第２の態様は、第１の態様の加熱処理装置を用い、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方を他方に対して往復動によって揺動しながら、前記ノズルから前記加熱用空気を前記加熱対象物に照射し、前記ノズル及び前記加熱対象物の一方の他方に対する往復動は、前記往復動の方向における前記加熱対象物のその中央を含む部分の寸法に相当する往復動ストロークを確保して行なう加熱対象物の加熱処理方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の幾つかの実施形態によれば、ノズルからの水蒸気の照射方向に垂直の方向におけるノズル及び加熱対象物の相対位置を変動させるべくノズル及び前記加熱対象物の一方又は両方を揺動させることで、水蒸気の照射による加熱対象物の加熱処理を均等に効率良く行える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１実施形態に係る加熱処理装置を示す図あって、ノズル揺動機構を有するバッチ式の加熱処理装置の筐体内側の構造を示す正断面図である。
【図２】図１の加熱処理装置の、ノズルを４方向へ変位させるノズル揺動動作を説明する斜視図である。
【図３】図１の加熱処理装置の、ノズルを４方向へ変位させるノズル揺動動作の他の例を説明する平面図である。
【図４】図１の加熱処理装置の、ノズルを旋回させるノズル揺動動作を説明する斜視図である。
【図５】本発明の１実施形態に係る加熱処理装置のノズル近傍における、ノズルから噴射した加熱用空気の加熱対象物への照射、照射後の加熱用空気の加熱対象物おもて面に沿う移動を説明する図である。
【図６】加熱対象物上方に静止させたノズルからの加熱用空気の照射によって形成される加熱対象物おもて面の温度分布の一例を示す斜視図である。
【図７】図３の加熱処理装置のノズル揺動動作を伴う加熱用空気の照射によって加熱対象物おもて面に形成可能な温度分布の一例を示す斜視図である。
【図８】本発明の１実施形態に係る加熱処理装置を示す図あって、載置台揺動機構を有するバッチ式の加熱処理装置の筐体内側の構造を示す正断面図である。
【図９】図８の加熱処理装置の、載置台を４方向へ変位させる載置台揺動動作を説明する斜視図である。
【図１０】図８の加熱処理装置の、載置台の往復動のみである載置台揺動動作を説明する図であり、載置台上の加熱対象物とノズルとの関係を説明するモデル図である。
【図１１】筐体内にて加熱対象物を搬送する搬送コンベアによって搬送しながら、筐体内の複数箇所のノズルからの加熱用空気の照射によって加熱対象物を加熱処理する連続式の加熱処理装置の一例を説明する斜視図である。
【図１２】図１１の加熱処理装置の筐体内側の構造を説明する正断面図である。
【図１３】図１１の加熱処理装置の搬送コンベアによる加熱対象物の搬送方向とノズルの揺動方向との関係を説明するモデル図である。
【図１４】図１１の加熱処理装置の搬送コンベアによる加熱対象物の搬送方向とノズルの揺動方向との関係を説明する平面図である。
【図１５】図１１の加熱処理装置について、ノズルを揺動させず静止状態のノズルからの加熱用空気の噴射継続によって筐体内のノズル付近に高温雰囲気塊が形成された状態を説明する図である。
【図１６】図１１の加熱処理装置について、ノズルを揺動させながらノズルからの加熱用空気の噴射継続によって筐体内に高温雰囲気連続領域が形成された状態を説明する図である。
【図１７】図１１の加熱処理装置の複数のノズルの揺動動作の一例であって、ノズルを旋回させる揺動動作を説明する平断面図である。
【図１８】図１１の加熱処理装置の複数のノズルの揺動動作の一例であって、ノズルの往復動のみである揺動動作を説明する平断面図である。
【図１９】筐体軸線方向の複数箇所に設置されたノズル及びノズル揺動機構の列が筐体内に並列に複数設けられた構成の加熱処理装置の一例であって、その筐体内側の構造を示す正断面図である。
【図２０】（ａ）は、加熱処理装置にて加熱処理する中間構造体（加熱対象物）の一例を示す平面図、（ｂ）は図２０（ａ）の中間構造体の加熱処理によって得られる金属薄膜基材を示す平面図である。
【図２１】図２０（ｂ）の金属薄膜基材の構造を説明する断面図である。
【図２２】（ａ）は図２０（ａ）の中間構造体の構造を説明する断面図、（ｂ）は金属薄膜基材の製造方法における凝結工程にて、図２２（ａ）の中間構造体の乾燥薄膜表面に水を付着させた状態を示す断面図、（ｃ）は図２２（ｂ）の中間構造体の乾燥薄膜表面の水を加熱し蒸発させる工程を説明する断面図、（ｄ）は図２２（ｃ）の工程の結果、得られる金属薄膜基材の構造を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の幾つかの実施形態の加熱処理装置、加熱処理方法について、図面を参照して説明する。
【００１１】
図１は本発明に係る実施形態の加熱処理装置の一例を示す。
なお、図１、及び図２、図３において、上側を上、下側を下として説明する。
図１に示す加熱処理装置２０Ａは、筐体２１内に、加熱対象物Ｓが載置される載置台２２と、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を照射するためのノズル２４と、ノズル２４を載置台２２に対して揺動させる揺動機構２５とを収容した構成である。また、加熱処理装置２０Ａは、水蒸気を含む空気である６０℃以上の加熱用空気２３を生成する加熱用空気供給装置２６、及び加熱用空気供給装置２６が生成した加熱用空気２３をノズル２４に導く送気ホース２７も有している。
【００１２】
加熱用空気供給装置２６は筐体２１外側に配置されている。加熱用空気供給装置２６は、生成した６０℃以上の加熱用空気２３を送気ホース２７へ供給する。
ノズル２４は、筐体２１内に筐体２１外側から引き込まれた送気ホース２７の先端に設けられている。送気ホース２７のその長手方向におけるノズル２４とは反対側の端部（基端部）は加熱用空気供給装置２６に接続されている。
【００１３】
ノズル２４は、加熱用空気供給装置２６から送気ホース２７を介して供給された加熱用空気２３をその先端噴射口２４ａから噴射し、載置台２２上の加熱対象物Ｓに照射する。  ノズル２４はその先端噴射口２４ａから６０℃以上の加熱用空気２３を噴射する。
加熱処理装置２０Ａは、加熱対象物Ｓをノズル２４からの加熱用空気２３の照射によって所望温度に加熱する。
【００１４】
加熱用空気２３の水蒸気含有量は、加熱用空気２３の温度、気圧における飽和水蒸気量が上限である。加熱用空気２３の湿度（相対湿度）は５％以上である。なお、６０℃以上の空気において５％という相対湿度は、明らかに人為的に湿度が増大されたものであるといえる。
【００１５】
ノズル２４からの加熱用空気２３の噴射は、加熱用空気２３に含まれる水蒸気の噴射も生じている。また、加熱対象物Ｓへの加熱用空気２３の照射は加熱用空気２３に含まれる水蒸気の照射も生じている。
本明細書において、ノズルからの水蒸気の噴射はノズルからの加熱用空気２３の噴射を指す。また、加熱対象物Ｓへの水蒸気の照射は加熱対象物Ｓへの加熱用空気２３の照射を指す。
【００１６】
載置台２２は、筐体２１の底板２１ａ上の定位置に設置されている。
加熱対象物Ｓは、筐体２１に確保された搬入出口（図示略）を介して、筐体２１外側から載置台２２上への載置、及び載置台２２から筐体２１外側への取り出しが可能である。
加熱対象物Ｓは載置台２２上に静置される。また、加熱対象物Ｓは、必要に応じて保持具を用いて載置台２２に脱着可能に保持しても良い。
なお、筐体１１は搬入出口を開閉する開閉扉（図示略）を有している。筐体１１の搬入出口は開閉扉の開閉によって開閉される。
【００１７】
揺動機構２５はノズル２４をその先端噴射口２４ａが下方（図１において下方）を向く向きで支持する。図１において先端噴射口２４ａはノズル２４の下端に位置する。ノズル２４は、その先端噴射口２４ａから鉛直下方へ向けて加熱用空気２３を噴射する。
ノズル２４下方に加熱対象物Ｓが存在するとき、ノズル２４から噴射された加熱用空気２３は加熱対象物Ｓに照射される。
【００１８】
揺動機構２５は、ノズル２４を、その先端噴射口２４ａからの加熱用空気２３の噴射方向に垂直の方向、すなわち図１の加熱処理装置２０Ａにあっては水平方向に揺動し、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓに対するノズル２４の相対位置を変動させる。
図１に示す加熱処理装置２０Ａの揺動機構２５によるノズル２４の揺動は、筐体２１及び筐体２１内の定位置に設けられた載置台２２に対する揺動である。また、揺動機構２５は、ノズル２４を、その先端噴射口２４ａから鉛直下方へ向けて加熱用空気２３を噴射する姿勢（向き）を保ったまま揺動する。
以下、ノズル２４を筐体２１等に対して揺動させる揺動機構２５をノズル揺動機構２５Ａ、ノズル揺動機構２５Ａによるノズル２４の揺動動作をノズル揺動動作、とも言う。
【００１９】
なお、加熱用空気２３の噴射方向はより具体的にはノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌ方向においてノズル２４からその先端側へ離隔する方向を指す。
図１の加熱処理装置２０Ａの揺動機構２５（ノズル揺動機構２５Ａ）は、ノズル２４を、その先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌが上下方向となる向きで支持する。
【００２０】
加熱対象物Ｓは、載置台２２上に載置して、ノズル揺動機構２５Ａによるノズル２４の揺動範囲に対応させてノズル２４下方に位置するように配置する。
図１の加熱処理装置２０Ａは、ノズル揺動機構２５Ａの駆動によってノズル２４を揺動させながらノズル２４から載置台２２上の加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を所定時間照射し、加熱対象物Ｓを加熱処理する。
【００２１】
揺動機構によってノズル２４と加熱対象物Ｓとの間に加熱用空気２３の噴射方向に垂直の方向の相対変位を生じさせる揺動を行いながらノズル２４から加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を照射する動作を、以下、揺動照射動作、とも言う。
図１の加熱処理装置２０Ａは、揺動機構２５（ノズル揺動機構２５Ａ）によってノズル２４を水平方向に揺動（ノズル揺動動作）させながらノズル２４から加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を照射する。
【００２２】
揺動機構２５によってノズル２４を水平方向に揺動させながらノズル２４から加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を照射する動作を、以下、ノズル揺動照射動作、とも言う。ノズル揺動照射動作は揺動照射動作の一例である。
【００２３】
図２は、図１の加熱処理装置２０Ａのノズル揺動機構２５Ａによるノズル揺動動作を伴うノズル揺動照射動作の１例を説明する図である。
図２に示すノズル揺動照射動作は、載置台２２上の加熱対象物Ｓに対してノズル２４を基準位置２４０（図２に示すノズル２４位置）から＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向（図２中、＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙと記載）に順次変位させるものである。＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向は、いずれも水平方向における基準位置２４０に対する変位方向である。
【００２４】
ノズル揺動照射動作は、より具体的には、ノズル２４を、基準位置２４０に対して＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向のいずれか（ノズル第１変位方向）へ変位させた後に、この変位とは逆方向への変位によって基準位置２４０に戻し、次いで、基準位置２４０に対して＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向のうちノズル第１変位方向とは別の方向（ノズル第２変位方向）へ変位させるものである。
【００２５】
基準位置２４０に対するノズル２４の変位は＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向の順である必要はない。ノズル２４の変位方向の順番は適宜設定可能である。
ノズル揺動動作は、基準位置２４０からノズル第１変位方向に変位させたノズル２４を基準位置２４０を経由させてノズル第２変位方向に変位させる。
【００２６】
図２は、フィルム状あるいはシート状であり矩形に形成された加熱対象物Ｓ（具体的には後述の中間構造体１’）に、加熱処理装置２０Ａのノズル揺動照射動作によって加熱用空気を照射する場合を示す。
図２において、加熱対象物Ｓは、その外周の４辺のうち２辺をＸ軸方向（水平方向において＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に平行な方向）、他の２辺をＹ軸方向（水平方向において＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に平行な方向）に一致させて載置台上に設けられている。Ｘ軸方向とＹ軸方向とは互いに垂直である。
加熱対象物Ｓは、水平方向において、その面方向中央をノズル揺動動作におけるノズル２４の基準位置２４０に位置合わせして載置台上に設けられる。
【００２７】
加熱処理装置２０Ａは、ノズル揺動動作によって、加熱対象物Ｓに対する加熱用空気２３の照射範囲を広く確保できる。
加熱処理装置２０Ａは、図２に例示したノズル揺動動作を行なう構成に限定されず、図３に示すノズル揺動動作を行なう構成、図４に示すノズル揺動動作を行なう構成も採用可能である。図３に示すノズル揺動動作を行なう加熱処理装置、及び図３に示すノズル揺動動作を行なう加熱処理装置は、それぞれ、ノズル揺動動作を行ないつつノズル２４から加熱対象物Ｓへ加熱用空気を照射するノズル揺動照射動作が可能である。
【００２８】
図３に示すノズル揺動動作は、図２に例示したノズル揺動動作について、基準位置２４０に対するノズル変位方向を水平面内において４５度傾斜させたものである。
ノズル２４は、水平方向において、基準位置２４０から均等の４方向に設定した変位方向のそれぞれに基準位置２４０から変位される。このことは図２のノズル揺動動作と共通である。
【００２９】
図３に示す加熱対象物Ｓは概ね正方形のフィルム状あるいはシート状に形成されている。図３に示す加熱対象物Ｓの外周の４辺のＸ軸方向、Ｙ軸方向に対する向きは図２と同様である。また、水平方向において、加熱対象物Ｓを、その面方向中央をノズル揺動動作によるノズル２４の基準位置２４０に位置合わせして載置台上に配置することも図２と同様である。
図３に示すノズル揺動動作でのノズル２４の移動（変位）は、加熱対象物Ｓの対角線に沿った移動となる。
図３に示すノズル揺動動作を行なう加熱処理装置は、矩形に形成されたフィルム状あるいはシート状の加熱対象物Ｓの四隅の角部付近への加熱用空気の照射に有利である。
【００３０】
図２、図３に示すノズル揺動動作では、ノズル２４を基準位置２４０から４方向の変位方向のいずれか１つに変位させた後、この変位とは逆方向の変位によって基準位置２４０に戻すまでの往復動作を１分間に２０〜２００回程度行なう。
なお、ノズル揺動動作は、例えば、基準位置２４０から４方向の変位方向のそれぞれへのノズル２４の変位量を互いに同じに揃えた構成を採用できる。但し、ノズル揺動動作は、基準位置２４０から４方向の変位方向のそれぞれへのノズル２４の変位量が一様でなく、バラツキがある構成も採用可能である。
【００３１】
ノズル揺動動作における基準位置２４０から均等の４方向の変位方向（ノズル変位方向）のＸ軸方向、Ｙ軸方向に対する傾斜角度は適宜変更可能である。
ノズル揺動動作における、基準位置２４０から４方向の変位方向（ノズル変位方向）は、水平方向において基準位置２４０から均等の４方向に限定されない。ノズル揺動動作における基準位置２４０から４方向のノズル変位方向は、互いに隣り合うノズル変位方向（具体的には変位によるノズル移動経路）間の開き角にばらつきがある（不均一）ように設定することも可能である。
【００３２】
図４に示すノズル揺動動作は、ノズル２４を水平方向に設定した旋回半径を以て旋回させるものである。図４のノズル揺動動作を伴う加熱照射動作を行なう加熱処理装置では、加熱対象物Ｓを、その面方向中央がノズル２４の旋回中心の直下に位置するように位置合わせして載置台２２上に載置する。
ノズル２４の旋回は１方向のみで連続的に行なっても良いが、例えば、予め設定した旋回反転位置にて旋回方向を反転させる動作を繰り返す構成も採用可能である。
図４に示すノズル揺動動作では、ノズル２４を旋回周方向全周に旋回移動（変位）させる動作を１分間に２０〜２００回程度行なう。
【００３３】
加熱処理装置２０Ａは、バッチ式で複数の加熱対象物Ｓの加熱処理を順次実現できる。  加熱処理装置２０Ａは、筐体２１の開閉扉を操作して搬入出口を閉じた（開閉扉を閉じる）後、図示略の動作開始スイッチのオン操作、あるいは自動で、ノズル揺動照射動作を開始する。加熱処理装置２０Ａを用いる加熱対象物Ｓの加熱処理は、筐体２１の搬入出口を開いた状態で加熱対象物Ｓを筐体２１外側から載置台２２上に載置し、開閉扉の閉じ操作によって搬入出口を閉じた後、加熱処理装置２０Ａにノズル揺動照射動作を実行させる。加熱処理装置２０Ａのノズル揺動照射動作は、予め設定した動作時間が経過した時点で終了する。加熱処理装置２０Ａのノズル揺動照射動作が終了した後、筐体２１の開閉扉を開操作して搬入出口を開いて載置台２１上の加熱対象物Ｓを入れ替えれば、開閉扉を閉じ、加熱処理装置２０Ａにノズル揺動照射動作を実行させることで載置台２１上の加熱対象物Ｓを加熱処理できる。
【００３４】
なお、例えば、筐体内に静置した加熱対象物を筐体内に溜めた加熱用空気との接触（加熱用空気の加熱対象物への直接照射は行なわない）によって加熱処理する加熱処理方法では、筐体内への加熱対象物の搬入時に筐体の搬入出口の開放によって筐体内温度が低下する。このため、筐体の搬入出口を閉じた後の筐体内への水蒸気の供給等によって、筐体内温度が加熱対象物の加熱処理温度に達するまでには時間を要する。
これに対して、本発明の実施形態に係る加熱処理装置は、筐体３１内の加熱対象物Ｓを、ノズル２４からの加熱用空気２３の照射によって加熱処理する構成であるため、筐体内雰囲気温度が加熱対象物の加熱処理温度に比べて充分に昇温しなくても、加熱対象物に照射する加熱用空気によって加熱対象物を加熱処理できる利点がある。
【００３５】
図１の加熱対象物Ｓは、図２１に示す金属薄膜基材１（金属薄膜付き基材）を得るために好適に用いることができる中間構造体である。以下、加熱対象物Ｓが中間構造体を指す場合、加熱対象物を中間構造体とも言う。
図２１に示すように、金属薄膜基材１は、フィルム状あるいはシート状の基材１１と、基材１１片面に形成された金属薄膜１２と、を備える。すなわち、金属薄膜基材１は、基材１１及び金属薄膜１２が、これらの厚さ方向において積層されてなる。
図２２に示すように、中間構造体１’は、基材１１（加熱対象物基材）と、基材１１の片面に金属インク組成物を用いて形成された乾燥薄膜１２’とを有するものである。
【００３６】
金属薄膜基材１の金属薄膜１２は金属を主成分として含み、見かけ上金属だけからなるとみなし得る程度に、充分に高純度である。金属薄膜中の金属の比率は、好ましくは９７質量％以上、より好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。金属薄膜中の金属の比率の上限値は、例えば、１００質量％、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかとすることができるが、これらに限定されない。
【００３７】
図２１に示す金属薄膜基材１は、図２２に示す中間構造体１’の乾燥薄膜１２’表面上にて水蒸気を凝結させる凝結工程と、凝結工程にて生じた水を加熱蒸発させて金属薄膜１２（図２１参照）を形成する金属薄膜形成工程とを行なって製造できる（金属薄膜基材の製造方法）。金属薄膜基材１は、凝結工程及び金属薄膜形成工程を行ない、中間構造体１’の乾燥薄膜１２’から金属薄膜１２を形成することで得られる。
本発明者は、中間構造体１’を用いて凝結工程及び金属薄膜形成工程を行なうことで、金属比率が高い（９７質量％以上）の金属薄膜１２を有する金属薄膜基材１を得ることができることを見出した。
【００３８】
ここで、金属薄膜基材１、中間構造体１’、金属薄膜基材の製造方法について、より具体的に説明する。
【００３９】
[金属薄膜基材]
図２１に示すように、金属薄膜基材１において、その基材１１は、金属薄膜１２の構造を維持するためのものであり、フィルム状又はシート状であることが好ましい。
基材１１の一方の表面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａを見下ろすように金属薄膜基材１を平面視したときの基材１１の形状は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
金属薄膜基材は、基材が例えば厚さ１００〜５００μｍ程度のフィルム状である場合には、この基材の裏面、すなわち、金属薄膜１２が形成された第１面とは反対側の面（後述の第２面）に粘着剤層（以下、裏面側粘着剤層、とも言う）を備えたラベルであってもよい。
【００４０】
金属薄膜１２は、基材１１の第１面１１ａ上に設けられている。金属薄膜１２は、基材１１の第１面１１ａの全面に設けられていてもよいし、一部の領域のみに設けられていてもよい。金属薄膜１２が基材１１の第１面１１ａの一部の領域のみに設けられている場合、金属薄膜１２は、パターニングされていてもよいし、パターニングされていなくてもよい。
【００４１】
金属薄膜１２の基材１１が設けられている側とは反対側の表面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａを見下ろすように、金属薄膜基材１を平面視したときの金属薄膜１２の形状は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。金属薄膜１２の前記形状は、例えば、基材１１を同様に見下ろしたときの形状と同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、金属薄膜１２の第１面１２ａの面積は、基材１１の第１面１１ａの面積と同等以下であればよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
金属薄膜１２は、後述するように、厚さが薄い金属膜であればよく、その形状は特に限定されない。
【００４２】
本発明の製造方法で得られる金属薄膜基材は、図２１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、例えば、図２１に示すものに他の構成が追加されたり、一部構成が適宜省略又は変更されたものでもよい。
例えば、図２１では、金属薄膜基材として、基材及び金属薄膜のみを備えたものを示しているが、金属薄膜基材は、基材及び金属薄膜以外の他の積層物を備えていてもよい。
【００４３】
前記他の積層物としては、例えば、基材と金属薄膜との間に設けられた中間層が挙げられる。
前記中間層としては、例えば、互いに隣接する層同士の密着性を向上させる密着層や、互いに隣接する層同士を安定して固着させる粘着剤層又は接着剤層等が挙げられる。ただし、これらは一例であり、前記中間層は目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
【００４４】
また、前記他の積層物としては、例えば、金属薄膜の第１面（基材が設けられている側とは反対側の表面）に設けられた被覆層が挙げられる。
前記被覆層としては、金属薄膜又は基材を保護するための保護層；金属薄膜又は基材だけでは表現できない色味を金属薄膜基材において実現するための着色層；前記保護層及び着色層の両方として機能する層等が挙げられる。ただし、これらは一例であり、前記被覆層は目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
金属薄膜基材は、基材上の積層物をすべてコートする、樹脂からなるオーバーコート層を、前記被覆層上に備えていてもよい。そして、金属薄膜基材は、前記オーバーコート層上に、さらに粘着剤層（以下、表面側粘着剤層、とも言う）を備えていてもよい。
金属薄膜基材は、裏面側粘着剤層及び表面側粘着剤層の一方又は両方を有する構成を採用可能である。表面側粘着剤層を有する金属薄膜基材は被覆層及びオーバーコート層を有する構成である。
【００４５】
また、前記金属薄膜基材は、例えば、基材の金属薄膜が設けられている側とは反対側の表面（本明細書においては、「第２面」と称することがあり、図２１においては符号１１ｂを付して示している）に、何らかの層が設けられていてもよい。ここで、基材の前記第２面に設けられるものとしては、金属薄膜、被覆層、中間層等、基材の第１面に設けられるものと同様のものが挙げられる。
基材の第２面側の金属薄膜、被覆層、中間層等は、それぞれ基材の第１面側の金属薄膜、被覆層、中間層等と形態（例えば、構成材料、形状、厚さ等）が同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４６】
前記金属薄膜基材においては、金属薄膜が高純度であるため、例えば、金属薄膜のシート抵抗値等の各種抵抗値が小さい。高純度ではない通常の金属薄膜の抵抗値を小さくするためには、金属薄膜の厚さを厚くしたり、金属薄膜の表面積を大きくするなど、基材上での金属薄膜の形成量を増大させることが必要となる。これに対して、本発明の製造方法で得られる金属薄膜基材における金属薄膜は、充分に高純度であるため、上記のように基材上での金属薄膜の形成量を増大させることなく、抵抗値を小さくすることが可能である。
次に、前記金属薄膜基材の各構成について、より詳細に説明する。
【００４７】
＜基材＞
前記基材の形状は特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
前記基材は、例えば、フィルム状又はシート状であることが好ましい。
【００４８】
基材の構成材料は、前記金属薄膜を形成可能なものであれば、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂；ガラス、シリコン等のセラミックス；紙等が挙げられる。
【００４９】
基材の構成材料は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
例えば、基材の構成材料は、１種又は２種以上の前記合成樹脂のみであってもよいし、１種又は２種以上の前記セラミックスのみであってもよいし、１種又は２種以上の前記紙のみであってもよいし、前記合成樹脂、セラミックス及び紙からなる群から選択される任意の２種以上であってもよい。２種以上の構成材料を併用した材質としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリマーアロイ等が挙げられるが、これらは一例に過ぎない。
【００５０】
基材の構成材料に合成樹脂が含まれる場合、基材は合成樹脂の成形体であることが好ましい。
【００５１】
基材の厚さは、０．５〜５０００μｍであることが好ましく、１〜３０００μｍであることがより好ましい。基材の厚さが前記下限値以上であることで、金属薄膜の構造をより安定して維持でき、基材の厚さが前記上限値以下であることで、金属薄膜形成時の基材の取り扱い性がより良好となる。
【００５２】
基材は、単層からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
なお、本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
なお、基材が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材の厚さとなるようにするとよい。
【００５３】
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、合成樹脂を含有する基材は、合成樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
また、本発明においては、市販品の基材を用いてもよい。
【００５４】
＜金属薄膜＞
前記金属薄膜の金属種は特に限定されず、例えば、単体金属及び合金のいずれであってもよい。
なかでも、前記金属種は、銀又は銅であることが好ましく、銀であることがより好ましい。すなわち、金属薄膜は、銀薄膜又は銅薄膜であることが好ましく、銀薄膜であることがより好ましい。このような金属薄膜を形成する場合、本発明の効果がより顕著に得られる。
【００５５】
金属薄膜の厚さは、目的に応じて任意に設定できるが、３ｎｍ〜４０μｍであることが好ましく、４ｎｍ〜３０μｍであることがより好ましい。金属薄膜の厚さが前記下限値以上であることで、金属薄膜の構造をより安定して維持できる。また、金属薄膜の厚さが前記上限値以下であることで、本発明の効果がより顕著に得られ、さらに金属薄膜基材をより薄層化できる。
【００５６】
金属薄膜は、単層からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
金属薄膜が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい金属層の厚さとなるようにするとよい。
【００５７】
金属薄膜は高純度であり、後述する実施例に記載の方法で測定されたシート抵抗値Ｒｔが、好ましくは５０Ω／□以下、より好ましくは４７．５Ω／□以下、特に好ましくは４５Ω／□以下となる。
金属薄膜の前記シート抵抗値Ｒｔの下限値は、特に限定されず、例えば、２５Ω／□とすることが可能であるが、これは一例である。
【００５８】
後述する金属の形成材料として、本発明の製造方法で得られた金属薄膜の場合と同じ種類の形成材料を用い、かつ他の製造方法で得られた金属薄膜について、前記Ｒｔの場合と同じ方法で測定されたシート抵抗値をＲ０としたとき、本発明においては、このシート抵抗値Ｒ０を基準とした場合の、シート抵抗値の低下率（（Ｒ０−Ｒｔ）／Ｒ０×１００）は、好ましくは１５％以上、より好ましくは１７．５％以上、特に好ましくは２０％以上となる。一方、前記シート抵抗値の低下率の上限値は、特に限定されないが、例えば、５０％とすることができる。
【００５９】
金属薄膜は、後述する金属薄膜を形成するための金属インク組成物を用いて、基材１１上に乾燥薄膜１２’（図２２参照）を形成（中間構造体１’を形成）した後、この乾燥薄膜１２’に対して、凝結工程及び金属薄膜形成工程を行うことで、形成できる。
【００６０】
［中間構造体］
中間構造体１’の基材１１は、金属薄膜基材について上述した構成のものである。
中間構造体１’の乾燥薄膜は、金属インク組成物の乾燥物からなる薄膜（以下、「金属インク薄膜」と略記することがある）であるか、又は前記金属薄膜と同じ種類の金属を含有するが金属薄膜よりも不純物の含有量が多い（金属薄膜よりも低純度である）粗製金属薄膜である。乾燥薄膜は、例えば、金属薄膜よりも、シート抵抗値等の各種抵抗値が大きい。
【００６１】
金属インク薄膜は、金属薄膜と同じ種類の金属を含有しないか、又は金属の含有量が微量である点で上述の粗製金属薄膜と相違する。
乾燥薄膜が、前記金属インク薄膜及び粗製金属薄膜のいずれであるかは、金属インク組成物を用いて、乾燥薄膜を形成するときの条件によって決定される。
【００６２】
粗製金属薄膜中の金属の比率（含有量）は、好ましくは３０質量％以上であり、例えば、４０質量％以上、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上及び８０質量％以上のいずれかであってもよい。
なお、本明細書においては、特に断りのない限り、単なる「金属薄膜」との記載は、粗製金属薄膜ではなく、乾燥薄膜から形成されたより高純度の金属薄膜を意味する。
【００６３】
前記乾燥薄膜は、金属インク組成物を用いて、基材上に形成されたものであれば、特に限定されず、例えば、粗製金属薄膜は、金属インク組成物を用いて、金属を形成して得られたものであれば、特に限定されない。
例えば、粗製金属薄膜は、形成直後の粗製金属薄膜であってもよいし、粗製金属薄膜よりも高純度の前記金属薄膜に相当するものが、経時によって低純度化したものであってもよい。このような、高純度の金属薄膜が低純度化したものには、本発明の製造方法で得られた金属薄膜基材中の金属薄膜が、低純度化したものも含まれる。
【００６４】
乾燥薄膜の乾燥度は、後述する凝結工程及び金属薄膜形成工程において、乾燥薄膜の形状を安定して維持できる程度であればよく、特に限定されない。例えば、乾燥薄膜の有機溶媒及び水の合計含有量は、０〜２０質量％であることが好ましい。ここで「有機溶媒」とは、常温で液状の有機化合物を意味する。
なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２８℃の温度等が挙げられる。
【００６５】
乾燥薄膜の厚さは、金属薄膜の厚さと同様であり、目的に応じて任意に設定できるが、金属薄膜の場合と同様の理由で、３ｎｍ〜４０μｍであることが好ましく、４ｎｍ〜３０μｍであることがより好ましい。
【００６６】
＜金属インク組成物、乾燥薄膜の形成方法＞
次に、金属インク組成物、及び乾燥薄膜の形成方法について説明する。
乾燥薄膜は、例えば、基材上に前記金属インク組成物を付着させ、次いで付着させた金属インク組成物に対して、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理を適宜選択して行うことで形成できる。前記加熱処理は、乾燥処理を兼ねて行ってもよい。
【００６７】
前記金属インク組成物としては、例えば、金属の形成材料が配合されてなる組成物が挙げられる。
前記金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよい。このような金属の形成材料としては、例えば、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属−炭素結合を有する化合物）等が挙げられる。前記金属塩及び金属錯体は、有機基を有する金属化合物及び有機基を有しない金属化合物のいずれであってもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩であることが好ましく、銀塩又は銅塩であることがより好ましく、銀塩であることが特に好ましい。
【００６８】
金属インク組成物は、金属の形成材料以外に、金属（単体金属又は合金）が配合されてなる組成物であってもよい。
【００６９】
配合される前記金属の種類は、併用する金属の形成材料における金属種と同一であってもよいし、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
配合される前記金属は、銀又は銅であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
【００７０】
金属インク組成物は、バインダー等の樹脂成分の含有量が少ないほど好ましく、前記樹脂成分の含有量が１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、０質量％であること、すなわち、金属インク組成物が前記樹脂成分を含有しないことが、特に好ましい。
【００７１】
金属インク組成物は、前記金属の形成材料及びそれ以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま金属インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを金属インク組成物としてもよい。
【００７２】
金属インク組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材に付着させることができる。
前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。
前記塗布法としては、例えば、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が挙げられる。
【００７３】
乾燥薄膜の形成時においては、基材上に付着させる金属インク組成物の量、又は金属インク組成物における前記金属の形成材料等の配合量を調節することで、乾燥薄膜の厚さを調節できる。
【００７４】
基材上に付着させた金属インク組成物を乾燥処理する場合には、公知の方法で行えばよい。すなわち前記乾燥処理は、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれで行ってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の乾燥方法としては、例えば、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法等が挙げられる。
【００７５】
基材上に付着させた金属インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、金属インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。例えば、加熱温度は６０〜３７０℃とすることができ、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、例えば、１分〜２４時間とすることができる。
【００７６】
金属インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されない。前記加熱処理は、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、前記加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、前記加熱処理は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
【００７７】
本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。
【００７８】
金属インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、例えば、１０％以上、３０％以上、５０％以上、７０％以上及び９０％以上のいずれかであってもよく、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、乾燥薄膜として、短時間で金属含有量がより高い粗製金属薄膜を形成できる。
【００７９】
金属インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。この方法は、乾燥薄膜として粗製金属薄膜を形成するときに好適である。このような方法としては、例えば、一段階目の加熱処理では、金属の形成ではなく金属インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属の形成を最後まで行う方法が挙げられる。
【００８０】
一段階目の加熱処理において、加熱温度は、金属インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよく、例えば、６０〜１１０℃とすることができる。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、例えば、５秒〜１２時間とすることができる。
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、金属が良好に形成されるように、金属インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、例えば、６０〜２８０℃とすることができる。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、例えば、１分〜１２時間とすることができる。
【００８１】
ここまでで説明した金属インク組成物の加熱処理は、いずれも気相中で行うものであるが、金属インク組成物の加熱処理を二段階で行う場合、二段階目の加熱処理は、気相中ではなく液相中で行ってもよい。一段階目の加熱処理を経て、完全に又はある程度乾燥した金属インク組成物は、加熱した液体と接触させることで、その形状を損なうことなく、二段階目の加熱処理を行うことができる。そして、金属インク組成物の、一段階目の加熱処理を行った後の二段階目の液相中での加熱処理は、加熱した液体に金属インク組成物を浸漬することで行うことが好ましい。この液相中での加熱処理における加熱温度及び加熱時間は、先に説明した二段階目の加熱処理における加熱温度及び加熱時間と同じである。
【００８２】
上記の加熱した液体は湯（加熱した水）であることが好ましく、二段階目の加熱処理は、一段階目の加熱処理を行った金属インク組成物を湯中に浸漬すること、すなわち湯煎によって行うことが好ましい。
二段階目の加熱処理を液相中で行った場合には、この加熱処理によって形成された粗製金属薄膜を、さらに乾燥させればよい。
【００８３】
金属インク組成物の二段階目の加熱処理を液相中で行う場合、金属インク組成物の一段階目の加熱処理は、非加湿条件下で行うことが好ましい。
なお、本明細書において「非加湿」とは、上述の「加湿」を行わないこと、すなわち、湿度を人為的に増大させないことを意味し、好ましくは相対湿度を５％未満とすることである。
【００８４】
加湿条件下での加熱処理を採用する場合、金属インク組成物の加熱処理は、以下に示す二段階の方法で行うことが特に好ましい。すなわち、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように金属の形成ではなく金属インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように金属の形成を最後まで行うことにより、金属インク組成物の加熱処理を行うことが特に好ましい。
【００８５】
二段階目の加熱処理を加湿条件下で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、例えば、６０〜１１０℃とすることができる。また、加熱時間は、例えば、５秒〜１時間とすることができる。
一段階目の非加湿条件下での加熱処理に次いで行う、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、例えば、６０〜１４０℃とすることができる。また、加熱時間は、例えば、１分〜２時間とすることができる。
【００８６】
金属インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目の非加湿条件下での加熱処理及び二段階目の加湿条件下での加熱処理における加熱温度は、いずれも１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【００８７】
先に説明したように、前記金属薄膜は銀薄膜であることがより好ましい。以下、金属インク組成物として、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を用いた場合の、乾燥薄膜（銀インク薄膜、粗製銀薄膜）の形成方法について、さらに詳細に説明する。
前記金属銀の形成材料は、加熱等によって分解し、金属銀を形成するものである。
【００８８】
・銀インク組成物
［カルボン酸銀］
金属銀の形成材料としては、例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀等が挙げられる。
本発明において、カルボン酸銀は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、１分子中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００８９】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００９０】
【化１】
2018100816.tif 000003
【００９１】
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００９２】
【化２】
2018100816.tif 000004
【００９３】
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００９４】
前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【００９５】
［含窒素化合物］
銀インク組成物は、特に前記金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、前記金属銀の形成材料以外に、さらに含窒素化合物が配合されてなるものが好ましい。
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００９６】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が挙げられる。
【００９７】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに粗製銀薄膜の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【００９８】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩である。前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、例えば、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００９９】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩である。ここで酸としては、例えば、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じもの等が挙げられる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、例えば、塩化アンモニウム等が挙げられるが、これに限定されない。
【０１００】
前記含窒素化合物を用いる場合、銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、金属銀の形成材料の配合量１モルあたり、０．３〜１５モルであることが好ましく、０．３〜１２モルであることがより好ましく、０．３〜８モルであることが特に好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は安定性がより向上し、金属銀の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して金属銀を形成できる。
【０１０１】
［アルコール］
銀インク組成物は、特に前記金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、金属銀の形成材料以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。
【０１０２】
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
【０１０３】
【化３】
2018100816.tif 000005
【０１０４】
（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、２−プロピン−１−オール、４−エチル−１−オクチン−３−オール、３−エチル−１−ヘプチン−３−オール等が挙げられる。
【０１０５】
アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０１〜０．７モルであることが好ましく、０．０２〜０．５モルであることがより好ましく、０．０２〜０．３モルであることが特に好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【０１０６】
（他のアルコール）
前記アルコールとしては、アセチレンアルコール（２）以外の他のアルコールを用いてもよい。
前記アルコールとしては、例えば、エタノール、２−プロパノール等の飽和脂肪族アルコール等が挙げられる。
【０１０７】
［還元剤］
銀インク組成物は、特に前記金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、金属銀の形成材料以外に、さらに還元剤が配合されてなるものが好ましい。
前記還元剤は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上のものである。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
【０１０８】
前記還元剤としてのヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）であってもよい。
【０１０９】
前記還元剤で好ましいものとしては、例えば、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸等が挙げられる。
【０１１０】
還元剤を用いる場合、銀インク組成物において、還元剤の配合量は、金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して粗製銀薄膜（金属銀）を形成できる。
【０１１１】
［その他の成分］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、アルコール及び還元剤以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物における前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。前記その他の成分としては、例えば、アルコール以外の溶媒等が挙げられ、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
【０１１２】
（溶媒）
前記溶媒は、アルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。
【０１１３】
前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。
【０１１４】
前記その他の成分を用いる場合、銀インク組成物における前記その他の成分の配合量は、前記その他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、前記その他の成分がアルコール以外の溶媒である場合、前記溶媒の配合量は、銀インク組成物の粘度等、目的に応じて選択すればよい。ただし通常は、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記溶媒の配合量の割合は、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることが特に好ましい。
【０１１５】
また、前記その他の成分が前記溶媒以外の成分である場合、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合が０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は充分にその効果を発現する。
【０１１６】
銀インク組成物において、配合成分はすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１１７】
・銀インク組成物の製造方法
前記銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料及びそれ以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物としてもよい。本発明においては、特に金属銀の形成材料としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合、上記の各成分の配合時において、導電性を低下させる不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できる。したがって、精製操作を行っていない銀インク組成物を用いても、充分な導電性を有する金属銀が得られる。
【０１１８】
［二酸化炭素］
銀インク組成物は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。
【０１１９】
二酸化炭素は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に供給してもよい。
そして、本発明においては、例えば、前記金属銀の形成材料及び含窒素化合物が配合されてなる第１混合物に、二酸化炭素を供給して第２混合物とし、必要に応じて前記第２混合物に、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物を製造することが好ましい。また、前記アルコール又はその他の成分を配合する場合、これらは、第１混合物及び第２混合物のいずれか一方又は両方の製造時に配合でき、目的に応じて任意に選択できる。
【０１２０】
第１混合物に供給される二酸化炭素（ＣＯ２）は、ガス状及び固形状（ドライアイス）のいずれでもよく、ガス状及び固形状の両方でもよい。二酸化炭素が供給されることにより、この二酸化炭素が第１混合物に溶け込み、第１混合物中の成分に作用することで、得られる第２混合物の粘度が上昇すると推測される。
【０１２１】
二酸化炭素ガスの供給量は、供給先の第１混合物の量や、目的とする銀インク組成物又は第２混合物の粘度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、２０〜２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓ以上である銀インク組成物を１００〜１０００ｇ程度得るためには、二酸化炭素ガスを１００Ｌ以上供給することが好ましく、２００Ｌ以上供給することがより好ましい。なお、ここでは銀インク組成物の２０〜２５℃における粘度について説明したが、銀インク組成物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。また、本明細書において「粘度」とは、特に断りのない限り、超音波振動式粘度計を用いて測定したものを意味する。
【０１２２】
二酸化炭素ガスの流量は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量を考慮して適宜調節すればよいが、第１混合物１ｇあたり０．５ｍＬ／ｍｉｎ以上であることが好ましく、１ｍＬ／ｍｉｎ以上であることがより好ましい。前記流量の上限値は特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると、混合物１ｇあたり４０ｍＬ／ｍｉｎであることが好ましい。
そして、二酸化炭素ガスの供給時間は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量や、流量を考慮して適宜調節すればよい。
【０１２３】
二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物は、例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、２０〜２５℃における粘度が、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【０１２４】
・銀インク薄膜又は粗製銀薄膜の形成方法
銀インク薄膜又は粗製銀薄膜は、例えば、基材上に前記銀インク組成物を付着させ、次いで付着させた銀インク組成物に対して、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理を適宜選択して行うことで形成できる。前記加熱処理は、乾燥処理を兼ねて行ってもよい。
【０１２５】
銀インク組成物の基材への付着方法は、上述の金属インク組成物の基材への付着方法と同じである。
【０１２６】
銀インク薄膜又は粗製銀薄膜の形成時においては、基材上に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物における前記金属銀の形成材料等の配合量を調節することで、銀インク薄膜又は粗製銀薄膜の厚さを調節できる。
【０１２７】
基材上に付着させた銀インク組成物を乾燥処理する場合には、公知の方法で行えばよい。すなわち前記乾燥処理は、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれで行ってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、例えば、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法等が挙げられる。
【０１２８】
基材上に付着させた銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜３７０℃であることが好ましく、７０〜２８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜２４時間であることが好ましく、１分〜１２時間であることがより好ましい。前記金属銀の形成材料の中でも前記カルボン酸銀、特にβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で粗製銀薄膜を形成できる。
【０１２９】
銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されない。前記加熱処理は、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、前記加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、前記加熱処理は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
【０１３０】
銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であってもよいし、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、乾燥薄膜として、短時間で金属銀含有量がより高い粗製銀薄膜を形成できる。
【０１３１】
銀インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。この方法は、乾燥薄膜として粗製銀薄膜を形成するときに好適である。このような方法としては、例えば、一段階目の加熱処理では、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属銀の形成を最後まで行う方法が挙げられる。
一段階目の加熱処理において、加熱温度は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒〜１２時間であることが好ましく、３０秒〜２時間であることがより好ましい。
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、金属銀が良好に形成されるように、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜２８０℃であることが好ましく、７０〜２６０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜１２時間であることが好ましく、１分〜１０時間であることがより好ましい。
【０１３２】
ここまでで説明した銀インク組成物の加熱処理は、いずれも気相中で行うものであるが、銀インク組成物の加熱処理を二段階で行う場合、二段階目の加熱処理は、気相中ではなく液相中で行ってもよい。一段階目の加熱処理を経て、完全に又はある程度乾燥した銀インク組成物は、加熱した液体と接触させることで、その形状を損なうことなく、二段階目の加熱処理を行うことができる。そして、銀インク組成物の、一段階目の加熱処理を行った後の二段階目の液相中での加熱処理は、加熱した液体に銀インク組成物を浸漬することで行うことが好ましい。この液相中での加熱処理における加熱温度及び加熱時間は、先に説明した二段階目の加熱処理における加熱温度及び加熱時間と同じである。
【０１３３】
上記の加熱した液体は湯（加熱した水）であることが好ましく、二段階目の加熱処理は、一段階目の加熱処理を行った銀インク組成物を湯中に浸漬すること、すなわち湯煎によって行うことが好ましい。
二段階目の加熱処理を液相中で行った場合には、この加熱処理によって形成された粗製銀薄膜を、さらに乾燥させればよい。
【０１３４】
銀インク組成物の二段階目の加熱処理を液相中で行う場合、銀インク組成物の一段階目の加熱処理は、非加湿条件下で行うことが好ましい。
【０１３５】
加湿条件下での加熱処理を採用する場合、銀インク組成物の加熱処理は、以下に示す二段階の方法で行うことが特に好ましい。すなわち、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように金属銀の形成を最後まで行うことにより、銀インク組成物の加熱処理を行うことが特に好ましい。
【０１３６】
二段階目の加熱処理を加湿条件下で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、５秒〜１時間であることが好ましく、３０秒〜３０分であることがより好ましく、３０秒〜１０分であることが特に好ましい。
一段階目の非加湿条件下での加熱処理に次いで行う、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜１４０℃であることが好ましく、７０〜１３０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１分〜２時間であることが好ましく、１分〜１時間であることがより好ましく、１分〜３０分であることが特に好ましい。
【０１３７】
［金属薄膜基材の製造方法］
次に、図面を参照しながら、中間構造体１’を用いて金属薄膜基材を製造する方法（金属薄膜基材の製造方法）について、詳細に説明する。
図２２は、本発明の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図２１に示す金属薄膜基材を製造する場合について説明する。なお、図２２以降の図において、図２１に示すものと同じ構成要素には、図２１の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３８】
＜凝結工程＞
前記凝結工程においては、図２２（ａ）に示すような、基材１１と、基材１１上に形成された乾燥薄膜１２’と、を備えた中間構造体１’を用いる。
乾燥薄膜１２’は、金属薄膜基材の製造方法の凝結工程及び金属薄膜形成工程を行なうことで最終的には金属薄膜１２となる。
【０１３９】
凝結工程においては、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上で、水蒸気を凝結させる。乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’は、乾燥薄膜１２’の基材１１が設けられている側とは反対側の表面である。
水蒸気を凝結させることで、図２２（ｂ）に示すように、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上には、水９が付着する。本工程においては、典型的には、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上に、水９の膜が形成されるが、水の付着形態はこれに限定されない。
【０１４０】
凝結工程において生じた水９は、本工程においては、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’の全面を被覆していてもよいし、前記表面１２ａ’の一部の領域のみを被覆していてもよい。ただし、本発明の効果がより顕著に得られる点から、前記表面１２ａ’のうち、水９で被覆されている領域の割合が高いほど好ましく、前記割合は、７０面積％以上であることが好ましく、８０面積％以上であることがより好ましく、９０面積％以上であることがさらに好ましく、９５面積％以上であることが特に好ましく、例えば、９９面積％以上であってもよいし、１００面積％であってもよい。
【０１４１】
凝結工程においては、例えば、中間構造体１’（この場合、換言すると乾燥薄膜１２’。以下同様。）と、この中間構造体１’よりも高い温度の水蒸気と、を接触させることにより、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上で、水蒸気を凝結させることができる。
なお、本明細書においては、水蒸気との接触により水蒸気を凝結させることが可能なように温度調節された中間構造体のことを、単に「温度調節された中間構造体」と略記することがある。
【０１４２】
温度調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）と、水蒸気と、を接触させる方法としては、例えば、温度調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）を、水蒸気雰囲気下に配置する方法、温度調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）に水蒸気を吹き付ける方法等が挙げられる。
【０１４３】
凝結工程においては、温度調節された中間構造体１’と、水蒸気と、の接触を、常圧（大気圧）下で行ってもよいし、高圧下で行ってもよい。ここで、「高圧」とは、人為的に常圧よりも高くされた圧力を意味する。
【０１４４】
凝結工程において、温度調節された中間構造体１’と接触させる水蒸気の温度は、中間構造体１’の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、８０〜１３０℃であることが好ましく、９０〜１２５℃であることがより好ましい。水蒸気の前記温度が前記下限値以上であることで、より容易に水蒸気を凝結させることができる。また、水蒸気の前記温度が前記上限値以下であることで、凝結工程をより簡略化できる。
さらに、このような範囲の水蒸気の温度は、本工程終了後に、後述する金属薄膜形成工程を直ちに連続して行う場合にも好適である。
【０１４５】
凝結工程において、水蒸気と接触させるときの、温度調節された中間構造体１’の温度は、水蒸気の温度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。
例えば、常圧と同等以上の圧力下（換言すると常圧下又は高圧下）で、水蒸気と接触させるときの、温度調節された中間構造体１’の温度は、１００℃未満であることが好ましく、９０℃以下であることがより好ましく、７０℃以下であることがさらに好ましく、５０℃以下であることがさらに好ましく、３０℃以下であることがさらに好ましく、常温以下であることが特に好ましい。中間構造体１’の前記温度が前記上限値以下であることで、より容易に水蒸気を凝結させることができる。
上記と同様の圧力条件下で、水蒸気と接触させるときの、温度調節された中間構造体１’の温度の下限値は、特に限定されないが、より効率的に金属薄膜１２が得られる点においては、１０℃であることが好ましい。
【０１４６】
凝結工程において、中間構造体１’と水蒸気とを接触させる時間は、特に限定されず、上述の水蒸気の温度に応じて、水が充分に生じるように適宜調節すればよい。例えば、中間構造体１’及び水蒸気の温度が、いずれも上述の好ましい数値範囲内である場合、前記時間は１０〜１５０秒であることが好ましい。
【０１４７】
凝結工程において、中間構造体１’と水蒸気とを接触させるときの絶対湿度は、６０ｇ／ｍ３以上であることが好ましく、１２０ｇ／ｍ３以上であることがより好ましい。前記絶対湿度の上限値は、特に限定されない。
【０１４８】
乾燥薄膜１２’上の水９は、水以外の他の成分を含有していてもよい。水蒸気の凝結方法又は凝結環境によっては、水９中への前記他の成分の混入が避けられないことがある。後述する金属薄膜形成工程での水の蒸発が妨げられず、乾燥薄膜１２’が劣化しない限り、このような水９及び他の成分を含有する液体を、水９の代わりに用いてもよい。そして、前記液体は、水溶液であってもよいし、非溶解成分を含む液体であってもよい。
ただし、水９及び他の成分を含有する前記液体の、他の成分の含有量は、２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、１質量％以下であることが特に好ましい。前記他の成分の含有量の下限値は、特に限定されず、例えば、０．１質量％であってもよいが、これは一例である。
【０１４９】
金属薄膜基材の製造方法では、温度が常温以下に調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）に水蒸気を接触させて凝結工程を行なう。
凝結工程は、例えば、温度が常温以下に調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）を水蒸気の吹付け無しに水蒸気雰囲気下に静置することでも実現可能である。但し、本明細書にて説明する金属薄膜基材の製造方法の凝結工程は、本発明に係る実施形態の加熱処理装置（例えば図１の加熱処理装置２０Ａ）を用い、温度が常温以下に調節された中間構造体１’（乾燥薄膜１２’）に水蒸気を吹き付けることにより行う。
【０１５０】
＜金属薄膜形成工程＞
前記金属薄膜形成工程においては、図２２（ｃ）に示すように、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上の、水蒸気の凝結によって生じた水９を加熱して、蒸発させる。図２２（ｃ）においては、水９の蒸発が始まり、終了する前の、金属薄膜形成工程の途中の段階を示しており、水９から矢印が立ち昇っている様子は、水９が蒸発して水蒸気が生じていることを示している。
【０１５１】
金属薄膜形成工程において、水９を加熱するためには、例えば、熱源によって水９自体を直接加熱してもよいし、熱源によって水９が付着している乾燥薄膜１２’を加熱することで、水９を加熱してもよく、乾燥薄膜１２’を加熱するために中間構造体１’全体を加熱してもよい。
【０１５２】
金属薄膜形成工程は、凝結工程終了後に直ちに連続して行うことができる。本明細書において、「凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行う」とは、凝結工程を行った後、乾燥薄膜の表面上に、水蒸気の凝結によって水が付着した状態を維持したまま、前記水を冷却することなく加熱して、蒸発させることを意味する。
凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行う場合には、水の凝結時に発生する凝結熱によって、水を急速に加熱できるという利点を有する。
【０１５３】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行うことに利用可能である。
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、水蒸気を含む６０℃以上の加熱用空気２３を噴射して加熱対象物Ｓに照射するノズル２４と、ノズル２４及び加熱対象物Ｓの一方を他方に対して相対的に揺動させる揺動機構とを有する。揺動機構はノズル２４及び加熱対象物Ｓの一方を他方に対して、ノズル２４からの加熱用空気２３の噴射方向に垂直の方向に揺動させる。
【０１５４】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、加熱対象物Ｓに中間構造体１’を用いることで、金属薄膜基材の製造方法の凝結工程及び金属薄膜形成工程に利用できる。
加熱処理装置は、凝結工程段階では、ノズル２４から加熱対象物Ｓへ８０〜１３０℃の加熱用空気２３を照射して加熱対象物Ｓの加熱用空気２３を照射した表面（後述のおもて面）の乾燥薄膜を加熱する。加熱処理装置は、金属薄膜形成段階では、ノズル２４から加熱対象物Ｓへ６０℃以上の加熱用空気２３を照射して加熱対象物Ｓの加熱用空気２３を照射した表面（後述のおもて面）の乾燥薄膜を６０〜１４０℃に加熱する。乾燥薄膜には６０〜１４０℃の加熱用空気２３を照射接触させる。
【０１５５】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置を利用して、凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行うためには、まず、温度調節された中間構造体１’に、高温の水蒸気を吹き付け、乾燥薄膜１２’の表面１２ａ’上で、水蒸気を凝結させることで、凝結工程を行う。次いで、水蒸気の凝結によって前記表面１２ａ’上に水９が付着した状態の中間構造体１’（換言すると水９）に、そのまま引き続き、高温の水蒸気を吹き付ける。このようにすることで、凝結工程においては凝結の対象であった水蒸気を、今度は加熱手段として利用して水９を加熱し、蒸発させることで、金属薄膜形成工程を凝結工程終了後に直ちに連続して行うことができる。
金属薄膜形成工程では、ノズル２４から中間構造体１’に照射する加熱用空気２３に過熱水蒸気（飽和温度以上に加熱された水蒸気）を用いることが好ましい。
【０１５６】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、図１に例示した加熱処理装置２０Ａのように、加熱対象物Ｓの収容及び取り出しが可能な筐体２１を有し、この筐体２１内にノズル２４及び載置台２２を有する構成を好適に採用できる。また、加熱処理装置は、ノズル２４に送気ホース２７を介して接続された加熱用空気供給装置２６を含む構成を好適に採用できる。加熱用空気供給装置２６は、加熱用空気２３の温度調整手段を有することが好ましい。
【０１５７】
金属薄膜形成工程において、水９を蒸発させるときの加熱温度は、後述するように、乾燥薄膜１２’から金属薄膜を形成可能な温度であれば、特に限定されないが、６０〜１４０℃であることが好ましい。
金属薄膜形成工程において、水９を蒸発させるときの加熱時間は、前記加熱温度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されないが、１分〜２時間であることが好ましい。
【０１５８】
金属薄膜形成工程においては、水９を加熱し、蒸発させることで、図２２（ｄ）に示すように、金属薄膜１２を形成する。
乾燥薄膜１２’が金属インク薄膜である場合には、水９の加熱による蒸発時に、この金属インク薄膜において、主として金属の形成も進行し、高純度の金属薄膜１２が形成される。そして、上述のように、凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行ことにより、水の凝結時に発生する凝結熱によって、水９を急速に加熱でき、迅速に金属を形成できる。
一方、乾燥薄膜１２’が粗製金属薄膜である場合には、水９の加熱による蒸発時に、この粗製金属薄膜において、主として高純度化が進行し、高純度の金属薄膜１２が形成される。
【０１５９】
このように、水９の加熱による蒸発が完了し、金属薄膜形成工程が終了した段階では、乾燥薄膜１２’は金属薄膜１２となっており、目的とする金属薄膜基材１が得られる。
なお、金属薄膜形成工程においては、乾燥薄膜１２’の構成材料や大きさに応じて、水９の蒸発量が特定の一定量以上となると、金属薄膜１２の形成が完了すると考えられる。すなわち、本発明においては、金属薄膜形成工程での水９の蒸発が完了する前の段階で、すでに金属薄膜１２が形成されていることがあると考えられる。図２２（ｃ）では、説明の便宜上、水９の蒸発が完了していない段階での、乾燥薄膜１２’を備えた中間構造体１’を示しているが、この状態は、金属薄膜形成工程での一例である。
【０１６０】
ここでは、図２１に示す金属薄膜基材の製造方法について説明したが、これ以外の金属薄膜基材も、同様の方法で製造できる。
例えば、先に説明した、他の積層物を備えた金属薄膜基材は、ここで説明した製造方法において、適宜適したタイミングで、前記他の積層物を設ける工程を別途追加した製造方法を採用することで、製造できる。
また、先に説明した、基材の第２面に何らかの層が設けられている金属薄膜基材も、ここで説明した製造方法において、適宜適したタイミングで、この層を設ける工程を別途追加した製造方法を採用することで、製造できる。
【０１６１】
上述の凝結工程及び金属薄膜形成工程を含む金属薄膜基材の製造方法により、乾燥薄膜から高純度の金属薄膜が形成される理由は定かではないが、以下のように推測される。
すなわち、前記凝結工程及び金属薄膜形成工程においては、乾燥薄膜の表面上に水が付着した状態となっていることで、前記中間構造体の周辺領域に存在する共存物の乾燥薄膜との接触が抑制される。その結果、凝結工程及び金属薄膜形成工程を行っている過程で、乾燥薄膜への前記共存物の付着が抑制されるだけでなく、乾燥薄膜の表面又は内部における、前記共存物が原因の化学反応による副生物の発生も抑制される。前記共存物としては、例えば、酸素、硫黄原子含有化合物等が挙げられるが、これらは一例である。このように、凝結工程及び金属薄膜形成工程においては、乾燥薄膜での前記共存物や副生物等の不純物の含有量の増加が抑制され得ると推測される。
【０１６２】
また、前記凝結工程及び金属薄膜形成工程においては、乾燥薄膜の表面上に水が付着した状態となっていることで、乾燥薄膜中の不純物が、この水の中に抽出される。その結果、凝結工程及び金属薄膜形成工程において、乾燥薄膜の純度が向上し得ると推測される。
このような、乾燥薄膜の不純物含有量の増加抑制と、乾燥薄膜の純度向上と、のいずれか一方又は両方が生じることで、乾燥薄膜から高純度の金属薄膜が形成されると推測される。
【０１６３】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、凝結工程及び金属薄膜形成工程のそれぞれに利用でき、また、上述のように凝結工程終了後に直ちに連続して金属薄膜形成工程を行うことにも利用できる。
凝結工程は、加熱処理装置のノズルから中間構造体への加熱用空気の照射によって、中間構造体の乾燥薄膜に加熱用空気中の水蒸気を接触させることで実現できる。
また、金属薄膜形成工程は、加熱処理装置のノズルから中間構造体への加熱用空気の照射によって、凝結工程にて乾燥薄膜に生じた水９を加熱蒸発させることで実現できる。
なお、凝結工程は中間構造体の加熱を伴う。このため、本明細書では、凝結工程も中間構造体（加熱対象物）の加熱処理の一例として扱う。
【０１６４】
図１に示すように、中間構造体１’（加熱対象物）は、基材片面の乾燥薄膜とは反対側の面（裏面）を加熱処理装置の載置台２２上の平坦な載置面２２ａに重ね合わせて載置台２２上に載置される。中間構造体１’は、乾燥薄膜が設けられた側の面が載置台２２の載置面２２ａとは反対の側に位置する向きで載置台２２上に載置される。
【０１６５】
載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓについて載置台２２の載置面２２ａとは反対の側の面Ｓ１を、以下、おもて面、とも言う。上述の向きで載置台２２上に載置された中間構造体１’についてはその両面のうち乾燥薄膜が設けられている側の面がおもて面Ｓ１（以下、中間構造体おもて面、とも言う）である。中間構造体おもて面Ｓ１は、乾燥薄膜の表面を含む。
中間構造体１’の乾燥薄膜の表面は、載置台２２の載置面２２ａに載置された中間構造体１’の上面として機能する。
【０１６６】
なお、凝結工程においては、中間構造体１’は、加熱用空気２３中の水蒸気の凝結のために、水蒸気の凝結温度未満、すなわち１００℃よりも低温にした状態で加熱処理装置の筐体２１内に搬入し載置台２２上に載置する。載置台２２上に載置するときの中間構造体１’温度は、載置台２２上に載置してから加熱用空気２３の照射までの待機時間、加熱用空気２３温度等に鑑みて、水蒸気の凝結が可能な範囲に適宜調整する。
【０１６７】
中間構造体１’は様々なサイズのものを採用可能である。本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、揺動照射動作によって、中間構造体１’上方に静止状態のノズル２４から中間構造体１’に加熱用空気２３を照射する場合に比べて、中間構造体１’の広範囲に加熱用空気２３を照射できる。本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、揺動照射動作によって、中間構造体１’上方に静止状態のノズル２４から中間構造体１’に加熱用空気２３を照射する場合に比べて、中間構造体１’の広範囲を加熱処理できる。
また、本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、揺動照射動作によって、中間構造体１’上方に静止状態のノズル２４から中間構造体１’に加熱用空気２３を照射する場合に比べて、中間構造体１’面方向における加熱用空気２３の照射、乾燥薄膜の加熱処理の均等化を容易に実現できる。
【０１６８】
図５は、載置台２２上に載置された中間構造体１’に、その上方に位置するノズル２４から加熱用空気２３を照射したときの加熱用空気２３の流れを説明する図である。
図５において、中間構造体１’のおもて面Ｓ１サイズはノズル２４の先端噴射口２４ａの開口面積に比べて格段に大きい（例えば先端噴射口２４ａの開口面積の数十倍あるいはそれ以上）。このため、ノズル２４から噴射された加熱用空気２３は中間構造体おもて面Ｓ１の一部に照射される。
【０１６９】
図５に示すように、中間構造体１’のおもて面Ｓ１中央部に加熱用空気２３を照射したとき、加熱用空気２３は、中間構造体１’のおもて面Ｓ１中央部から中間構造体おもて面Ｓ１に沿って放射状に拡がっていく。
中間構造体１’のおもて面Ｓ１中央部は、ノズル２４から照射された加熱用空気２３によって加熱される。また、中間構造体１’は加熱用空気２３の照射によって加熱されたおもて面Ｓ１中央部からの熱伝播や、おもて面Ｓ１中央部からおもて面Ｓ１に沿って放射状に拡がっていく加熱用空気２３によって、おもて面Ｓ１中央部の加熱用空気２３が照射された領域Ｓ２（以下、照射領域、とも言う）の周囲も加熱される。
なお、照射領域Ｓ２は、中間構造体おもて面Ｓ１のうち、ノズル２４から噴射された加熱用空気２３が直接照射、接触される領域を指す。
【０１７０】
但し、中間構造体おもて面Ｓ１に照射された加熱用空気２３は、中間構造体おもて面Ｓ１における照射領域Ｓ２から中間構造体おもて面Ｓ１に沿って放射状に拡がっていく際に拡散を伴う。このため、中間構造体おもて面Ｓ１に照射された加熱用空気２３は、筐体２１内雰囲気が加熱用空気２３に比べて低温の場合には、照射領域Ｓ２から放射状に拡がっていく際の拡散に伴い温度低下が急速に進行しやすい。
【０１７１】
ここで、仮に、載置台２２上に載置された中間構造体１’に、その上方に静止させたノズル２４から加熱用空気２３を照射（以下、ノズル静止照射動作、とも言う）した場合について説明する。
ノズル静止照射動作によって中間構造体おもて面Ｓ１に加熱用空気２３を照射したときには、図６に示すように、中間構造体おもて面Ｓ１に、照射領域Ｓ２と概ね同じ範囲の第１温度領域Ｈ１と、第１温度領域Ｈ１よりも低温で第１温度領域Ｈ１の外周に沿って延在する第２温度領域Ｈ２と、第２温度領域Ｈ２よりも外側に位置し第２温度領域Ｈ２よりも低温の第３温度領域Ｈ３とが形成されることが多い。
【０１７２】
ノズル静止照射動作によって中間構造体おもて面Ｓ１に加熱用空気２３を照射した場合には、中間構造体おもて面Ｓ１に接触する加熱用空気２３風量のムラが大きく、図６の例のように、中間構造体おもて面Ｓ１における温度のムラも生じやすい。その結果、中間構造体１’の乾燥薄膜の加熱処理状態が不均一となり、乾燥薄膜の加熱処理によって得られる金属薄膜の特性のバラツキ（後述のシート抵抗値のバラツキ等）を招く。
【０１７３】
これに対して、本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、揺動照射動作を行なうことで、ノズル静止照射動作に比べて中間構造体おもて面Ｓ１の広範囲に加熱用空気２３を照射できる。
本発明に係る実施形態の加熱処理装置の揺動照射動作によって中間構造体１’を加熱処理を行なった場合は、中間構造体１’に対するノズル２４の相対移動（ノズル揺動動作による相対移動）に伴い中間構造体おもて面Ｓ１における加熱用空気２３の照射領域も移動する。その結果、例えば、図７に示すように、中間構造体おもて面Ｓ１に、ノズル２４の揺動に伴う加熱用空気２３照射領域の移動範囲に相当する高温領域Ｈ１１を形成できる。
【０１７４】
図７は、図３のノズル揺動動作を伴うノズル揺動照射動作によって形成される高温領域Ｈ１１の一例を示す。
図７は、中間構造体おもて面Ｓ１に、高温領域Ｈ１１と、高温領域Ｈ１１よりも低温で高温領域Ｈ１１の外周に沿って延在する中温領域Ｈ１１と、中温領域Ｈ１２よりも外側に位置し中温領域Ｈ１２よりも低温の低温領域Ｈ１３とが形成された状態を示す。
図７の高温領域Ｈ１１は、既述のように、加熱処理装置の揺動照射動作に伴い移動する加熱用空気２３照射領域が連続した構成である。
【０１７５】
揺動照射動作を行なう加熱処理装置は、中間構造体おもて面Ｓ１に、ノズル静止照射動作によって形成される第１温度領域に比べて格段にサイズ（中間構造体おもて面Ｓ１における形成範囲）が大きい高温領域Ｈ１１を形成できる。このため、揺動照射動作を行なう加熱処理装置は、例えば、中間構造体おもて面Ｓ１全体に高温領域Ｈ１１を形成することも容易である。
【０１７６】
中間構造体おもて面Ｓ１全体に高温領域Ｈ１１を形成した場合は、ノズル静止照射動作の場合に比べて、中間構造体おもて面Ｓ１に接触する加熱用空気２３風量のムラ、及び中間構造体おもて面Ｓ１における温度のムラの大幅縮小が可能である。その結果、中間構造体おもて面Ｓ１に接触する加熱用空気２３風量、及び中間構造体おもて面Ｓ１における温度を均等化できる。
【０１７７】
揺動照射動作を行なう加熱処理装置は、図１に例示した加熱処理装置２０Ａのように、ノズル揺動照射動作を行なう構成に限定されない。
揺動照射動作を行なう加熱処理装置は、例えば、図８に示すように、筐体１１に固定のノズル２４に対して載置台２２を水平方向に揺動させる揺動機構２５（以下、載置台揺動機構２５Ｂ、とも言う）を有する構成も採用可能である。
図８において、ノズル２４は、筐体２１に固定された支持材２８（以下、ノズル支持材）に固定され、ノズル支持材２８を介して筐体２１に固定されている。
【０１７８】
図８に示す加熱処理装置２０Ｂは、載置台２２をその上に載置された加熱対象物Ｓとともに載置台揺動機構２５Ｂ（揺動機構）によって揺動させながらノズル２４から加熱対象物Ｓに加熱用空気２３を照射する揺動照射動作（以下、載置台揺動照射動作、とも言う）を行なう。
加熱処理装置２０Ｂは、載置台揺動機構２５Ｂによってノズル２４に対して載置台２２を揺動させること（揺動動作。以下、載置台揺動動作、とも言う）で、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓをノズル２４に対して水平方向に相対移動（相対変位）させる。加熱処理装置２０Ｂは、載置台揺動照射動作によって、ノズル２４から噴射された加熱用空気２３の加熱対象物上面における照射領域を移動させ、加熱対象物上面に加熱用空気２３照射領域が連続した構成の高温領域を形成する。
【０１７９】
加熱処理装置２０Ｂの載置台揺動動作は、例えば図９に示すように、載置台２２を、ノズル２４に対する基準位置２２０（図９に示す載置台２２位置）から、水平方向において基準位置２２０の周囲の均等の４方向に設定した変位方向（＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向；図９中、＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙと記載）に順次変位させる。
＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向は、いずれも水平方向における基準位置２２０に対する変位方向である。
【０１８０】
図９は、フィルム状あるいはシート状であり矩形に形成された中間構造体１’（加熱対象物Ｓ）に、加熱処理装置２０Ａのノズル揺動照射動作によって加熱用空気を照射する場合を示す。
図９において、中間構造体１’は、その外周の４辺のうち２辺をＸ軸方向（水平方向において＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に垂直の方向）、他の２辺をＹ軸方向（水平方向において＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に垂直の方向）に一致させて載置台２２上に設けられている。
【０１８１】
載置台２２の基準位置２２０は、図８に示すように、載置台２２の載置面２２ａ中央が、ノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌの延長上に位置するときの載置台２２位置を指す。中間構造体１’（加熱対象物）は、そのおもて面Ｓ１中央を載置台２２の載置面２２ａ中央に位置合わせして載置面２２ａ上に設けられる。このため、図８、図９において、載置台２２がノズル２４に対する基準位置２２０にあるとき、中間構造体１’（加熱対象物）のおもて面Ｓ１中央はノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌの延長上に位置する。
【０１８２】
なお、載置台２２のノズル２４に対する基準位置は、載置台２２の載置面２２ａ中央が、ノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌの延長上に位置するときの載置台２２位置に限定されない。
載置台２２の載置面２２ａには、加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１中央を位置合わせする対象物載置基準位置が設定される。載置台２２のノズル２４に対する基準位置は、載置台２２の対象物載置基準位置が、ノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌの延長上に位置するときの載置台２２位置である。対象物載置基準位置は、載置台２２の載置面２２ａの中央に限定されず、載置面２２ａ中央以外に位置に設定しても良い。
【０１８３】
加熱対象物Ｓをそのおもて面Ｓ１中央を載置台２２に設定した対象物載置基準位置に位置合わせして載置台２２上に載置すること、載置台２２の対象物載置基準位置は載置面２２ａ中央に限定されないことは、図１の加熱処理装置２０Ａについても同様である。
図１の加熱処理装置２０Ａにおけるノズル２４の載置台２２に対する基準位置２２０は、ノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌが水平方向において載置台２２の対象物載置基準位置と一致するときのノズル２４位置である。
【０１８４】
載置台２２には、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓ１の載置台２２に対する固定と固定解除とを切り換える図示略の保持具が設けられている。
保持具は、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓ１の載置台２２に固定することで、載置台揺動動作時の加熱対象物Ｓ１の載置台２２に対する位置ずれを防止する役割を果たす。また、載置台２２は、載置面２２ａ上に載置された加熱対象物Ｓ１の保持具による載置台２２に対する固定を解除することで、載置面２２ａ上からの加熱対象物Ｓの撤去、載置面２２ａ上に載置する加熱対象物Ｓ１の交換等を行える。
【０１８５】
図９の載置台揺動動作は、より具体的には、載置台２２を、基準位置２２０に対して＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向のいずれか（載置台第１変位方向）へ変位させた後に、この変位とは逆方向への変位によって基準位置２２０に戻し、次いで、基準位置２２０に対して＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向のうち載置台第１変位方向とは別の方向（載置台第２変位方向）へ変位させるものである。
加熱対象物Ｓは、水平方向において、その面方向中央をノズル揺動動作におけるノズル２４の基準位置２４０に位置合わせして載置台上に設けられる。
【０１８６】
基準位置２２０に対する載置台２２の変位は＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向の順である必要はない。載置台２２の変位方向の順番は適宜設定可能である。
載置台揺動動作は、基準位置２２０から載置台第１変位方向に変位させた載置台２２を基準位置２２０を経由させて載置台第２変位方向に変位させる。
【０１８７】
図９に示す載置台揺動動作では、載置台２２を基準位置２２０から４方向の変位方向のいずれか１つに変位させた後、この変位とは逆方向の変位によって基準位置２２０に戻すまでの往復動作を１分間に２０〜２００回程度行なう。
なお、載置台揺動動作は、例えば、基準位置２２０から４方向の変位方向のそれぞれへの載置台２２の変位量を互いに同じに揃えた構成を採用できる。但し、載置台揺動動作は、基準位置２２０から４方向の変位方向のそれぞれへの載置台２２の変位量が一様でなく、バラツキがある構成も採用可能である。
【０１８８】
載置台揺動動作における基準位置２２０から均等の４方向の変位方向（載置台変位方向）は、Ｘ軸方向あるいはＹ軸方向に一致する構成に限定されない。載置台揺動動作における基準位置２２０から均等の４方向の変位方向（載置台変位方向）は、水平面内においてＸ軸方向あるいはＹ軸方向に対して傾斜する方向であっても良い。
【０１８９】
また、載置台揺動動作における基準位置２２０から４方向の変位方向（載置台変位方向）は、水平方向において基準位置２２０から均等の４方向に限定されない。載置台揺動動作における基準位置２２０から４方向の載置台変位方向は、互いに隣り合う載置台変位方向（具体的には変位によるノズル移動経路）間の開き角にばらつきがある（不均一）ように設定することも可能である。
【０１９０】
図２、図３、図９に示す揺動動作は、ノズル２４または載置台２２を、水平方向において、中間構造体１’（加熱対象物）のおもて面Ｓ１中央とノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌとが互いに一致する基準位置から４方向に設定された変位方向のそれぞれに順次移動（変位）させるものである。
【０１９１】
４方向の変位方向のそれぞれにおけるノズル２４または載置台２２の基準位置からの変位量は、加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１の一部あるいは全体に設定した加熱対象領域のノズル２４または載置台２２の変位方向における存在部分全体を揺動照射動作によって高温領域内とするべく、おもて面や加熱対象領域のサイズに応じて設定する。
ノズル２４または載置台２２を基準位置から４方向の変位方向に変位させる揺動動作を行なう加熱処理装置は、加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１（以下、加熱対象物おもて面、とも言う）における加熱用空気２３の照射領域のサイズと、各変位方向におけるノズル２４または載置台２２の基準位置からの変位量とを、揺動照射動作によって加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体を高温領域とするべく調整する。
【０１９２】
加熱処理装置は、ノズル２４から加熱用空気２３が照射される照射領域の面積が加熱対象物おもて面Ｓ１全体面積に比べて格段に小さくても、ノズル２４または載置台２２を揺動させる揺動動作によって、加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体を高温領域とすることを可能にするものである。
ノズル２４または載置台２２の揺動範囲、加熱用空気２３が照射される照射領域サイズ（面積）は、揺動照射動作によって加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体を高温領域とするべく調整される。
【０１９３】
ここで、加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域についてその一例を図２０（ａ）を参照して説明する。
図２０（ａ）は、中間構造体１’一例を示す平面図（金属薄膜１２が形成されているおもて面側から見た構成を示す図）である。
図２０（ａ）に示す中間構造体１’は、その片面側に、パターニングされた乾燥薄膜（乾燥薄膜パターン１３）が形成された領域（乾燥薄膜パターン形成領域）を複数有する。
【０１９４】
金属薄膜基材１の金属薄膜１２は、中間構造体１’の乾燥薄膜の加熱処理によって得られる。中間構造体１’の基材１１片面側における乾燥薄膜の形成位置は、金属薄膜基材１における基材１１片面側の金属薄膜１２の形成位置と一致している。
【０１９５】
図２０（ａ）に示すように、中間構造体１’の乾燥薄膜パターン１３は、基材１１の片面側にマトリックス状に配列形成されている。これら乾燥薄膜パターン１３は、基材１１の面方向外周部よりも内側の領域に形成されている。図２０（ａ）における複数の乾燥薄膜パターン１３が配列形成された領域を、以下、乾燥薄膜パターン配列領域１４、とも言う。
加熱処理装置を用いた中間構造体１’の加熱処理（具体的には乾燥薄膜の加熱処理）では、中間構造体おもて面Ｓ１（加熱対象物おもて面）全体、及び乾燥薄膜パターン配列領域１４の一方を選択的に加熱対象領域として扱う。
【０１９６】
図２、図３、図９に示す揺動動作では、４方向の変位方向のそれぞれにおけるノズル２４または載置台２２の基準位置からの変位量を、例えば、加熱対象物Ｓの加熱対象領域のノズル２４または載置台２２の変位方向における基準位置からの延在寸法と同じに設定する。この場合は、各変位方向におけるノズル２４または載置台２２が基準位置からの変位による移動経路末端に到達したとき、ノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌが、加熱対象物Ｓの加熱対象領域のノズル２４または載置台２２の変位方向における基準位置から最も離隔した箇所に位置合わせされる。
【０１９７】
但し、図２、図３、図９に示す揺動動作の各変位方向におけるノズル２４または載置台２２の基準位置からの変位量は、揺動照射動作によって加熱対象物Ｓの加熱対象領域全体を高温領域とすることが可能であれば良く、適宜設定可能である。揺動動作の各変位方向におけるノズル２４または載置台２２の基準位置からの変位量は、加熱対象物Ｓの加熱対象領域のノズル２４または載置台２２の変位方向における基準位置からの延在寸法と同じでも良く、また、この延在寸法よりも小さくても、大きくても良い。
【０１９８】
揺動動作におけるノズル２４または載置台２２の基準位置に対する変位方向は、水平方向において基準位置から延在する４方向に限定されず、３方向あるいは５以上の方向であっても良い。
また、ノズル２４または載置台２２を揺動させる揺動動作は、水平直線に沿う往復動のみによって実現されるもの（以下、往復揺動動作、とも言う）であっても良い。
【０１９９】
図１０は往復揺動動作の一例を示す。
図１０に示す往復揺動動作は、筐体に固定のノズル２４に対して載置台２２をその上に載置された加熱対象物Ｓ１とともに水平直線に沿って往復動させるものである。加熱対象物Ｓはそのおもて面Ｓ１中央を載置台２２の対象物載置基準位置に位置合わせして載置台２２上に載置される。
図１０に示す往復揺動動作では、載置台２２を、載置台２２のノズル２４に対する基準位置２２０が往復動ストロークの中央位置となるようにして往復動させる。載置台２２は、基準位置２２０を介して両側に互いに同じ変位量（移動量）を確保して往復動される。
【０２００】
また、この往復揺動動作では、図１０に示すように、載置台２２を、その往復動方向における加熱対象物おもて面Ｓ１のその中央を含む部分の寸法Ｗ（平面視寸法。以下、揺動方向寸法、とも言う）の２倍（２Ｗ）の往復動ストロークを以て往復動させることが好ましい。
なお、往復揺動動作による載置台２２及び載置台２２上の加熱対象物Ｓの往復動ストロークは、加熱対象物おもて面Ｓ１の揺動方向寸法Ｗの２倍よりも大きくすることも可能であるが、加熱処理装置の筐体の大型化を抑える点で、加熱対象物おもて面Ｓ１の揺動方向寸法Ｗの２〜３倍であることが好ましく、加熱対象物おもて面Ｓ１の揺動方向寸法Ｗの２倍であることが依り好ましい。
【０２０１】
図１０において、加熱対象物おもて面Ｓ１においてノズル２４から加熱用空気２３が照射される照射領域Ｓ２は、ノズル２４の真下に位置する部分に確保される。照射領域Ｓ２は加熱対象物おもて面Ｓ１に比べて面積が格段に小さい。
仮に、往復揺動動作を伴う揺動照射動作において、往復揺動動作による載置台２２の往復動ストロークが、加熱対象物おもて面Ｓ１の揺動方向寸法Ｗの１．５倍に満たない場合は、往復揺動動作によって往復動される載置台２２上の加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１の一部にノズル２４から加熱用空気２３が直接照射される状態を保ったまま加熱対象物Ｓの移動方向が反転される。この場合、加熱対象物Ｓの往復動範囲の両端付近では、加熱対象物Ｓの変位方向（移動方向）の反転によって、ノズル２４から加熱対象物Ｓへの加熱用空気２３の照射が加熱対象物Ｓの他の部分に比べて短時間で２回行われる。
【０２０２】
載置台２２をその往復動方向における加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１のその中央を含む部分の寸法Ｗ（平面視寸法）の２倍（２Ｗ）に相当する往復動ストロークを以て往復動させた場合は、載置台２２の往復動ストロークが加熱対象物おもて面Ｓ１の揺動方向寸法Ｗの１．５倍に満たない場合に比べて、加熱対象物おもて面Ｓ１全体の加熱用空気２３の照射タイミングを平準化できる。その結果、加熱対象物おもて面Ｓ１全体の加熱用空気２３の照射による加熱の均等化、加熱処理の均等化を図ることができる。
加熱対象物Ｓに中間構造体１’を用いた場合は、その乾燥薄膜の加熱処理の均等化を図ることができる。
【０２０３】
載置台揺動動作は、載置台２２を基準位置２２０から４方向の変位方向に順次変位させる構成や、水平直線に沿った往復動のみによって実現される構成に限定されない。
載置台揺動動作は、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓのノズル２４に対する水平方向の相対変位を生じさせるものであれば良い。載置台揺動動作は、例えば、載置台２２をノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌ回りの旋回によって、載置台２２上に載置された加熱対象物Ｓのノズル２４に対する水平方向の相対変位を図４と同様に生じさせるものであっても良い。この載置台揺動動作では、載置台２２を旋回周方向全周に旋回移動（変位）させる動作を１分間に２０〜２００回程度行なう。
【０２０４】
ここまで、加熱対象物Ｓ１の加熱処理をバッチ式で行なう構成の加熱処理装置を説明したが、加熱処理装置は、例えば、図１１に示すように、筐体３１内に、加熱対象物Ｓ１を搬送する搬送コンベア３２を有し、加熱対象物Ｓ１を搬送コンベア３２によって搬送しながら筐体３１内にて加熱処理する構成（加熱対象物Ｓ１の加熱処理を連続式で行なう加熱処理装置）も採用可能である。
【０２０５】
図１１に示す加熱処理装置２０Ｃは、筒状の筐体３１を有し、この筐体３１内に、筐体３１軸線方向に加熱対象物Ｓを搬送する搬送コンベア３２と、筐体３１軸線方向の複数箇所に互いに間隔を空けて設けられたノズル２４と、ノズル２４を水平方向に揺動させる揺動機構２５（ノズル揺動機構２５Ａ。図１２参照）とを有している。また、加熱処理装置２０Ｃは、図１２に示すように、加熱用空気２３を生成する加熱用空気供給装置２６、及び筐体３１内の各ノズル２４と加熱用空気供給装置２６との間を接続し加熱用空気供給装置２６からノズル２４へ加熱用空気２３を導く送気ホース２７も有している。なお、図１１等においては、加熱用空気供給装置及び送気ホースの図示を省略している。
【０２０６】
搬送コンベア３２は筐体３１内の定位置に設けられている。
図１１、図１２、図１３に示すように、搬送コンベア３２は、具体的には、無端の搬送ベルト３２ａの回転駆動によって加熱対象物Ｓを筐体３１軸線方向に搬送するものである。
搬送ベルト３２ａには、筐体３１軸線方向に延在する搬送部３２ｂと、搬送部３２ｂの下方に搬送部３２ｂと平行に延在配置された戻り部３２ｃとが確保されている。
搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂは水平方向に延在する上面を形成する。搬送コンベア３２は、搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ上面上に載置された加熱対象物Ｓを搬送ベルト３２ａの回転駆動によって筐体３１軸線方向に搬送する。
【０２０７】
図１１、図１２、図１３に例示した加熱対象物Ｓは具体的には中間構造体１’である。
中間構造体１’は、そのおもて面Ｓ１とは反対の裏面を搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ上面に重ね合わせて搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ上に載置される。
なお、本明細書では、搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ上面を搬送ベルト３２ａ上面として扱う。
【０２０８】
図１１、図１３、図１４に例示した加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、複数のノズル２４の個々に設けられている。
図１１、図１３、図１４に例示した加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、図２と同様のノズル揺動動作を行なう。ノズル揺動機構２５Ａのノズル揺動動作は、ノズル２４を、予め定められた基準位置２４０（図１１、図１３、図１４に示すノズル２４位置）から、水平方向において＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向（図中、＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙと記載）に順次変位させるものである。
【０２０９】
図１１、図１３、図１４において、＋Ｙ方向は、搬送コンベア３２による加熱対象物Ｓの搬送方向Ｃ（搬送ベルト３２ａの回転駆動による加熱対象物Ｓの搬送方向）と一致する。−Ｙ方向は、＋Ｙ方向に対して逆の方向である。
また、図１１〜図１４において、＋Ｘ方向、−Ｘ方向は、水平面内において＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に垂直の方向である。
【０２１０】
搬送コンベア３２の搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ（及びその上面）は、＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に平行なＸ軸方向（図１２左右方向）に一定幅寸法を以て筐体３１軸線方向に延在している。また、搬送ベルト３２ａの搬送部３２ｂ（及びその上面）は、その全長にわたって、筐体３１に対するＸ軸方向の位置が一定である。
一方、筐体３１軸線方向複数箇所のノズル２４は、それぞれノズル揺動機構２５Ａによって搬送コンベア３２の上方に支持されている。これらノズル２４は、筐体３１に対するＸ軸方向の位置を互いに揃えて設けられている。
【０２１１】
加熱対象物Ｓは、図２の例示と同様のフィルム状あるいはシート状で矩形に形成され、その外周の２辺をＸ軸方向、他の２辺をＹ軸方向（筐体３１軸線方向）に一致させて搬送コンベア３２の搬送ベルト３２ａ上面上に載置される。
また、加熱対象物Ｓは、そのおもて面Ｓ１中央が、Ｘ軸方向においてノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌと一致するようにして、搬送コンベア３２の搬送ベルト３２ａ上面上に載置する。搬送コンベア３２は、搬送ベルト３２ａを一定速度で回転駆動させ、搬送ベルト３２ａ上面上の加熱対象物Ｓを一定速度で搬送する。
【０２１２】
図１１〜図１４に例示した加熱処理装置２０Ｃは、搬送コンベア３２によって加熱対象物Ｓを搬送しながらノズル揺動照射動作を行なう。その結果、加熱処理装置２０Ｃは、搬送コンベア３２によって加熱対象物Ｓを搬送しながら、中間構造体１’の乾燥薄膜の加熱処理といった加熱対象物Ｓの加熱処理を行なうことができる。
【０２１３】
また、加熱処理装置２０Ｃは、搬送コンベア３２の筐体３１外側に位置する搬送方向上流端部から搬送ベルト３２ａ上面上に加熱対象物Ｓを載置するだけで、搬送ベルト３２ａの回転駆動によって加熱対象物Ｓを筐体３１内に移動でき、ノズル揺動照射動作によって加熱対象物Ｓの加熱処理を自動で行える。加熱処理装置２０Ｃは、複数の加熱対象物Ｓを搬送コンベア３２の筐体３１外側に位置する搬送方向上流端部の搬送ベルト３２ａ上面上に順次していくことで、複数の加熱対象物Ｓの加熱処理を効率良く連続的に行える。
【０２１４】
加熱処理装置２０Ｃは、ノズル揺動照射動作を、ノズル２４下方の加熱対象物Ｓの有無に関係無く連続的に行なう。
なお、本明細書において、揺動照射動作は、ノズル２４から噴射した加熱用空気２９を加熱対象物Ｓに照射する場合のみならず、ノズル２４または載置台２２を揺動した状態における加熱対象物Ｓが配置されていない場所へのノズル２４からの加熱用空気２９の照射も含むものとして扱う。
【０２１５】
仮に、ノズル２４の揺動動作を行なわず、筐体３１に対するノズル２４位置を変動させずにノズル２４からの加熱用空気２３の噴射を継続的に行なった場合には、図１５に示すように、筐体３１内の各ノズル２４下方に常温に比べて温度が高い高温雰囲気塊Ｈ２０が形成される。しかし、ノズル２４から加熱用空気２９の照射によって加熱対象物おもて面Ｓ１に形成される照射領域Ｓ２の面積が加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体の面積に比べて格段に小さければ、加熱対象領域における加熱用空気２３風量、温度のばらつきを抑えることは難しい。
【０２１６】
これに対して、ノズル揺動照射動作を行なった場合は、加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体を、ノズル２４の揺動に伴う照射領域の移動範囲（高温領域）とすることができ、加熱対象領域における加熱対象物Ｓに接触する加熱用空気２３流量、温度の均等化を容易に実現できる。
【０２１７】
また、ノズル揺動照射動作を継続的に行なった場合は、図１６に示すように、筐体３１内に、各ノズル２４に対応する高温雰囲気塊が図１５に比べて広範囲に形成され、しかも、各ノズル２４に対応する高温雰囲気塊が連続した構成の高温雰囲気連続領域Ｈ２１を筐体３１に形成することが可能である。図１６において、高温雰囲気連続領域Ｈ２１は筐体３１軸線方向に沿って筐体３１内の広範囲に形成されている。このため、加熱処理装置２０Ｃでは、搬送コンベア３２によって搬送された加熱対象物Ｓが、ノズル２４揺動範囲の下方に無くても、高温雰囲気連続領域Ｈ２１内に位置すれば、高温雰囲気連続領域Ｈ２１の水蒸気を含む高温の加熱用空気２３との接触によって加熱対象物Ｓの加熱処理が可能である。
【０２１８】
加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、図２と同様のノズル揺動動作を行なう構成に限定されない。加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、ノズル揺動機構２５Ａを有するバッチ式の加熱揺動装置２０Ａのノズル揺動機構２５Ａが採用可能なノズル揺動動作を採用できる。
【０２１９】
加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、例えば図１７に示すように、ノズル２４を水平方向に設定した旋回半径を以て旋回させるノズル揺動動作も採用可能である。
ノズル２４の旋回は１方向のみで連続的に行なっても良いが、例えば、予め設定した旋回反転位置にて旋回方向を反転させる動作を繰り返す構成も採用可能である。
図１７に示すノズル揺動動作では、ノズル２４を旋回周方向全周に旋回移動（変位）させる動作を１分間に２０〜２００回程度行なう。
【０２２０】
図１７に示すように、筐体３１内の複数のノズル２４がそれぞれノズル揺動機構２５Ａによって旋回される構成の加熱処理装置は、各ノズル２４の旋回中心をＸ軸方向において互いに同じに揃える。また、この加熱処理装置にあっては、搬送コンベア３２の搬送ベルト３２ａ上に載置された加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１の中心を、Ｘ軸方向においてノズル揺動機構２５Ａによるノズル２４の旋回中心と揃える。
【０２２１】
搬送ベルト３２ａ上の加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１の中心を、Ｘ軸方向においてノズル揺動機構２５Ａによるノズル２４の旋回中心と揃えることは、Ｘ軸方向における加熱対象物おもて面Ｓ１の中心を介して両側の高温雰囲気連続領域Ｈ２１の温度の均等化に有効に寄与する。このため、搬送ベルト３２ａ上の加熱対象物Ｓのおもて面Ｓ１の中心を、Ｘ軸方向においてノズル揺動機構２５Ａによるノズル２４の旋回中心と揃えることは、加熱対象物Ｓの加熱対象領域全体の加熱の均等化、中間構造体１’の乾燥薄膜全体の加熱処理の均等化、に有利である。
【０２２２】
また、加熱処理装置２０Ｃのノズル揺動機構２５Ａは、例えば、ノズル２４の揺動が、Ｘ軸方向の往復動のみ、あるいは図１８のようにＸ軸方向に対して１５〜６０度の傾斜角度θを以て傾斜する水平直線方向の往復動のみ、であるノズル揺動動作を行なう構成も採用可能である。
ノズル２４の揺動が、Ｘ軸方向の往復動のみ、あるいはＸ軸方向に対して１５〜６０度の傾斜角度θを以て傾斜する水平直線方向の往復動のみ、であるノズル揺動動作では、ノズル２４の往復動ストロークの中央位置を基準位置とする。
【０２２３】
また、このノズル揺動動作では、例えば図１８のように、往復動ストロークの両端をＸ軸方向において搬送ベルト３２ａ上の加熱対象物Ｓを介して両側の加熱対象物Ｓから離隔した位置に設定することが、加熱対象物おもて面Ｓ１の加熱対象領域全体の加熱の均等化、中間構造体１’の乾燥薄膜全体の加熱処理の均等化、の点で有利である。
但し、ノズル２４の揺動が、Ｘ軸方向の往復動のみ、あるいはＸ軸方向に対して１５〜６０度の傾斜角度θを以て傾斜する水平直線方向の往復動のみ、であるノズル揺動動作は、ノズル２４の揺動範囲全体が、搬送コンベア３２に搬送される加熱対象物Ｓの通過領域の上方に位置する構成も採用可能である。
【０２２４】
搬送コンベア３２を有し連続式で複数の加熱対象物Ｓの加熱処理を行える加熱処理装置は、例えば図１９のように、ノズル２４及びノズル揺動機構２５Ａが筐体３１軸線方向に複数配列された列２９（以下、揺動照射部列、とも言う）が筐体３１内のＸ軸方向に複数設けられた構成も採用可能である。
図１９の加熱処理装置２０Ｄは、筐体３１内のＸ軸方向３箇所に揺動照射部列２９を有している。但し、筐体３１内の揺動照射部列２９の設置数は３つに限定されず、２又は４以上であっても良い。
【０２２５】
図１９の加熱処理装置２０Ｄの搬送コンベア（図１９中に符号３２Ａを付記した）は、複数の揺動照射部列２９と同数の搬送ベルト３２ａを有する。搬送コンベア３２Ａの複数の搬送ベルト３２ａは、それぞれ、揺動照射部列２９の下方に揺動照射部列２９延在方向（筐体３１軸線方向と平行）に沿って設けられている。
【０２２６】
なお、筐体３１内に揺動照射部列２９を複数有する加熱処理装置は、揺動照射部列２９と同数の搬送ベルト３２ａを有する搬送コンベア３２Ａを筐体３１内に設けた構成に限定されない。筐体３１内に揺動照射部列２９を複数有する加熱処理装置は、例えば、図１１、図１３に例示したように搬送ベルト３２ａを１本のみ有する構成の搬送コンベア３２を各揺動照射部列２９の下方に配置した構成も採用可能である。
【０２２７】
以上、本発明を最良の形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の最良の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
例えば、中間構造体をバッチ式で加熱処理する加熱処理装置は、ノズル揺動機構を有する構成、載置台揺動機構を有する構成に限定されず、ノズル揺動機構及び載置台揺動機構の両方を有する構成も採用可能である。ノズル揺動機構及び載置台揺動機構の両方を有する加熱処理装置は、ノズル揺動機構及び載置台揺動機構の両方によって筐体内側空間を有効に利用して載置台上の加熱対象物に対するノズルの相対変位を行えるため、筐体サイズの小型化に寄与し得る。
【０２２８】
上述の実施形態では、加熱用空気供給装置及び加熱用空気供給装置からノズルへ加熱用空気を導く送気ホースを含む加熱処理装置を例示したが、加熱処理装置は、加熱用空気供給装置及び送気ホースを含まない構成も採用可能である。
【０２２９】
加熱処理装置を用いて加熱処理する加熱対象物は、金属薄膜基材を形成するための中間構造体に限定されない。
加熱対象物は、例えば、食品等であっても良い。加熱処理装置は、食品の加熱処理等にも適用可能である。
【０２３０】
本発明に係る実施形態の加熱処理装置は、凝結工程、及び金属薄膜形成工程に適用できる。また、この加熱処理装置は、凝結工程と金属薄膜形成工程とが連続した工程にも適用できる。
また、加熱処理装置は、基材上に付着させた金属インク組成物の乾燥処理、加熱（焼成）処理、乾燥処理を兼ねる加熱（焼成）処理等の固化処理（乾燥薄膜を形成するための金属インク組成物の固化処理）にも適用可能である。例えば、乾燥処理を兼ねる加熱（焼成）処理は、金属インク組成物を付着させた基材を、加熱処理装置の筐体内の載置台上に載置したまま、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行う一段階目の加熱処理と、金属銀の形成を最後まで行う二段階目の加熱処理とを加熱処理装置の揺動照射動作によって連続して行なう。加熱用空気の温度等の処理条件は、既述の金属インク組成物の加熱処理を気相中にて加湿条件下で行う場合にて述べたものに準拠する。
【実施例】
【０２３１】
以下、本発明に係る実施形態に準拠した実施例を説明する。
但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２３２】
［実施例］
ポリカーボネート基材上に、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）比＝５μｍ／１９５μｍにパターニングされた乾燥薄膜パターン１３を複数箇所に有する中間構造体を作製した。
乾燥薄膜パターンは、導電性インク（金属インク組成物。ＴＰ系インク、２−メチルアセト酢酸銀：２−エチルヘキシルアミン：ギ酸：４−エチル−１−オクチン−３−オール：３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（モル比）＝１：１．４５：０．５：０．００４：０．０３２）を用い、グラビアオフセット印刷により、ポリカーボネート基材上にパターニングした塗膜を形成し、その塗膜を１２０℃で熱風乾燥することによって形成した。導電性インクは銀インク組成物である。
なお、２−メチルアセト酢酸銀はカルボン酸銀、２−エチルヘキシルアミンは含窒素化合物、ギ酸は還元剤、４−エチル−１−オクチン−３−オールはアセチレンアルコール（２）、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オールは他のアセチレンアルコールである。
【０２３３】
基材は、縦１００ｍｍ×横１５０ｍｍのポリカーボネート基材を用いた。
作製した中間構造体は、図２０（ａ）に示すように、基材１１の片面（第１面１１ａ）の１２箇所に乾燥薄膜パターン１３を形成したものである。図２０（ａ）に示すように、乾燥薄膜パターン１３は、基材１１の片面の縦方向３箇所、横方向４箇所の計１２箇所にマトリクス状に配列形成した。
【０２３４】
次に、得られた中間構造体について、載置台揺動機構２５Ｂを有する図８に示すバッチ式の加熱処理装置２０Ｂを用いて、凝結工程と金属薄膜形成工程とが連続した工程（以下、乾燥薄膜処理工程、とも言う）を行って金属薄膜を形成し、金属薄膜基材を得た。
図２０（ｂ）に示すように、得られた金属薄膜基材１は、基材１１の第１面１１ａ上に、図２０（ａ）の中間構造体１’の乾燥薄膜パターン１３の加熱処理によって形成された金属薄膜のパターンＰ１〜Ｐ１２（金属薄膜パターン）を有する。金属薄膜基材１の金属薄膜パターンは、図２０（ａ）の中間構造体１’の１２箇所の乾燥薄膜パターン１３に対応する１２箇所に存在する。
【０２３５】
中間構造体は、そのおもて面が上面となる向きで図８の加熱処理装置２０Ｂの載置台２２上に載置し、ノズル２４から噴射させた加熱用空気を照射した。
加熱処理装置２０Ｂの載置台揺動機構２５Ｂの駆動による載置台揺動動作は、載置台２２をノズル２４に対して載置台２２上に載置した中間構造体のポリカーボネート基材の横方向に沿う水平直線方向の往復動のみによって変位（揺動）させる往復揺動動作である。
【０２３６】
載置台揺動動作では、載置台２２の往復動ストロークを、中間構造体のポリカーボネート基材の横方向寸法１５０ｍｍの２倍の３００ｍｍに設定した。つまり、載置台揺動動作では、図１０に準拠して、載置台２２を、ノズル２４に対する基準位置から載置台２２往復動方向両側に中間構造体のポリカーボネート基材の横方向寸法に相当する変位量を確保して往復動させた。
【０２３７】
なお、載置台２２のノズル２４に対する基準位置は、載置台２２に設定した対象物載置基準位置が水平方向においてノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌに一致するときの載置台２２位置である。中間構造体は、ポリカーボネート基材の第１面中央（中間構造体のおもて面中央と一致）を載置台２２の対象物設置基準位置に位置合わせして載置台２２上に載置する。
【０２３８】
乾燥薄膜処理工程は、加熱処理装置２０Ｂにて、ノズル２４から加熱用空気を噴射させながら、上述の載置台揺動動作によって載置台２２をその上に載置された中間構造体とともに揺動させる揺動照射動作を１０分間継続するものである。
この乾燥薄膜処理工程において、ノズル２４からは水蒸気量（水蒸気供給量）２０ｋｇ／ｈ（ｈは時間）の加熱用空気の噴射を継続した。また、乾燥薄膜処理工程では、ノズル２４から中間構造体おもて面への加熱用空気の照射によって中間構造体おもて面の表面温度を１２０℃に維持した。
載置台揺動動作による載置台２２の往復動は、２０回／ｍｉｎ（ｍｉｎは分）に設定して行なった。
【０２３９】
乾燥薄膜処理工程の終了後、加熱処理装置２０Ｂの筐体３１から取り出した金属薄膜基材について、デジタルマルチメーター（ＡＤＣＭＴ社製）を用い、二端子法により、各金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値を測定した。
【０２４０】
［比較例］
上述の実施例にて使用したものと同じ中間構造体を用意し、この中間構造体に図８の加熱処理装置２０Ｂを用いて載置台揺動動作無しでノズル２４から加熱用空気を１０分間照射し、金属薄膜基材を得た。得られた金属薄膜基材は図２０（ｂ）と同様に１２箇所の金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２を有する。
【０２４１】
中間構造体は、そのおもて面が上面となる向きで図８の加熱処理装置２０Ｂの載置台２２上に載置し、おもて面中央をノズル２４の先端噴射口２４ａの中心軸線２４Ｌに一致させて配置した。
加熱用空気の温度、水蒸気量は実施例と同じである。
ノズル２４から中間構造体への加熱用空気の照射完了後、加熱処理装置２０Ｂの筐体３１から取り出した金属薄膜基材について、デジタルマルチメーター（ＡＤＣＭＴ社製）を用い、二端子法により、各金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値を測定した。
【０２４２】
［実験結果］
実施例及び比較例のぞれぞれについて金属薄膜基材（試験片）を２つずつ作製した。
各金属薄膜基材の金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２について測定したシート抵抗値を表１に示す。
【０２４３】
【表１】
2018100816.tif 000006
【０２４４】
表１において、「比較例」欄及び「実施例」欄のそれぞれに記載の「ｎ１」、「ｎ２」、「Ｎ１」、「Ｎ２」は、比較例、実施例のそれぞれについて２つずつ作製した試験片の試験片番号を示す。以下、比較例欄のｎ１を比較例１、ｎ２を比較例２、実施例欄のＮ１を実施例１、Ｎ２を実施例２、として説明する。
【０２４５】
表１の「抵抗値測定位置」のＰ１〜Ｐ１２は、各金属薄膜基材の金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２に対応している。
表１の「ＡＶＥ」は、金属薄膜基材の金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２について測定したシート抵抗値の平均値、「ＭＡＸ」はシート抵抗値の最大値、「ＭＩＮ」はシート抵抗値の最小値、「ＭＡＸ−ＭＩＮ」は最大値と最小値との差、「標準偏差」は金属薄膜基材毎に金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値から算出した標準偏差である。
【０２４６】
表１に示す測定結果から、実施例１、２は比較例１、２に比べてシート抵抗値の標準偏差が格段に小さかった。
また、実施例１、２は比較例１、２に比べて、シート抵抗値の最大値と最小値との差（表１の「ＭＡＸ−ＭＩＮ」）も格段に小さい。
したがって、実施例１、２は比較例１、２に比べて、シート抵抗値のばらつきが格段に小さく、シート抵抗値の均等化が図られていることが確認できた。
【０２４７】
また、表１から、比較例２の金属薄膜基材については、金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値のうち、符号Ｐ４、Ｐ８、Ｐ１２の金属薄膜パターンのシート抵抗値が、他の金属薄膜パターンのシート抵抗値に比べて低い傾向を把握できる。図２０（ｂ）を参照して判るように、符号Ｐ４、Ｐ８、Ｐ１２の金属薄膜パターンは、図２０（ｂ）において金属薄膜基材の右端の３つの金属薄膜パターンである。
また、表１から、比較例１の金属薄膜基材の金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値については、金属薄膜基材の横方向両端（図２０（ｂ）において左右両端）の金属薄膜パターンのシート抵抗値が、横方向中央部の金属薄膜パターンのシート抵抗値に比べて低い傾向を把握できる。
これに対して、実施例１、２の金属薄膜基材では、金属薄膜パターンＰ１〜Ｐ１２のシート抵抗値のばらつきが小さく、シート抵抗値のばらつきに有意な傾向を把握できない。
実施例１、２は比較例１、２に比べて、シート抵抗値のばらつきが格段に小さく、シート抵抗値の均等化が図られていることを明瞭に把握できる。
【符号の説明】
【０２４８】
１…金属薄膜基材、１’…加熱対象物（中間構造体）、１１…基材、１２…金属薄膜、１３…乾燥薄膜パターン、１４…乾燥薄膜パターン配列領域、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ…加熱処理装置、２１…筐体、２２…載置台、２２０…（載置台の）基準位置、２３…加熱用空気、２４…ノズル、２４０…（ノズルの）基準位置、２５…揺動機構、２５Ａ…ノズル揺動機構、２５Ｂ…載置台揺動機構、２６…加熱用空気供給装置、２７…送気ホース、２８…ノズル支持材、２９…揺動照射部列、３１…筐体、３２、３２Ａ…搬送コンベア、３２ａ…搬送ベルト、Ｓ…加熱対象物、Ｓ１…（加熱対象物の）おもて面、Ｓ２…照射領域。
【図１】
2018100816.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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