(57)【要約】【課題】表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部のぎらつきを抑える。【解決手段】複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の発光部１５２のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含む積層構造からなっている。複数の透光部１５４のそれぞれは、互いに隣接する発光部１５２の間に位置している。基板１００の第１面１０２は、複数の第１領域１０２ａ及び複数の第２領域１０２ｂを有している。複数の第１領域１０２ａのそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっており、凹凸構造を有している。複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、複数の透光部１５４のそれぞれに位置している。複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記複数の第２領域のそれぞれは、前記基板の屈折率の９５％以上１０５％以下の屈折率を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記複数の領域は、前記基板の反対側を向いた面を有する複数の第１層であり、
前記第１層の前記面における表面粗さの最大高さは、前記第１領域における表面粗さの最大高さより小さい発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記複数の第１層は、前記基板の前記第１面に接している発光装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の発光装置において、
前記第１層は、固相及び液相からなる層である発光装置。
【請求項５】
請求項２から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１層は、前記第２領域の表面粗さの最大高さの１．２５倍以上の厚みを有する発光装置。
【請求項６】
請求項２から５までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板は、ガラス又は樹脂からなる群から選択される少なくとも一つを含み、
前記複数の第１層は、シリコン酸化物、シロキサン、ポリイミド、エポキシ及びアクリルからなる群から選択される少なくとも一つを含む発光装置。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記複数の発光部を画定する第１絶縁層を備え、
前記第１絶縁層は、前記複数の領域として機能する発光装置。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記複数の発光部をそれぞれ画定する複数の第１絶縁層と、
互いに隣り合う第１絶縁層の間にそれぞれ位置する複数の第２絶縁層と、
を備え、
前記複数の第２絶縁層のそれぞれは、前記複数の領域のそれぞれとして機能する発光装置。
【請求項９】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
封止基板と、
前記封止基板を前記基板の前記第１面に接着する樹脂層と、
を備え、
前記樹脂層は、前記複数の領域として機能する発光装置。
【請求項１０】
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記第２領域における表面粗さの最大高さは、前記第１領域における表面粗さの最大高さより小さい発光装置。
【請求項１１】
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記複数の第２領域のそれぞれは、厚さ１０００ｎｍ以下の層に接していない発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置において、
前記複数の第２領域のそれぞれは、気相の領域に接している発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光装置において、
前記複数の第２領域のそれぞれは、厚さ１０００ｎｍ超の層に接している発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有している。有機層は、有機エレクトロルミネッセンスによって光を発する発光層を含んでいる。発光層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって光を発する。
【０００３】
ＯＬＥＤでは、例えば特許文献１から３に記載されているように、表面プラズモンによって光の損失が生じることがある。具体的には、第２電極が金属からなる場合、発光層から光が発せられても、光の一部が第２電極の表面において表面プラズモンに変換されて消失することがある。このことは、ＯＬＥＤの輝度の低下の原因になり得る。
【０００４】
特許文献１には、表面プラズモンによる光の損失を抑える方法について記載されている。具体的には、特許文献１では、凹凸構造を有する基板を用いており、第１電極、有機層及び第２電極がこの基板上に積層されている。基板の凹凸構造は、第１電極、有機層及び第２電極のそれぞれの表面に転写され、特に、有機層と第２電極の間で第２電極の表面に転写される。この凹凸構造によって表面プラズモンを伝搬光に変換することができる。このため、表面プラズモンによる光の損失を抑えることができる。
【０００５】
特許文献２及び３にも、表面プラズモンによる光の損失を抑える方法について記載されている。具体的には、特許文献２及び３では、第２電極（金属電極）の表面に凹凸構造が形成されている。第２電極の凹凸構造上には、有機層及び第１電極が積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−１４７７７６号公報
【特許文献２】特開２０１６−１７３９８６号公報
【特許文献３】特開２０１２−２０４０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、透光性を有するＯＬＥＤが開発されている。このようなＯＬＥＤは、交互に並ぶ複数の発光部及び複数の透光部を有している。外部からの光は、透光部を透過することができ、これにより、ＯＬＥＤは透光性を有している。このようなＯＬＥＤについて、本発明者は、基板に凹凸構造を設けることで、表面プラズモンによる光の損失を抑えることを検討した。この検討において、本発明者は、基板に凹凸構造を設けると、透光部がぎらつくことがあることを見出した。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題としては、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部のぎらつきを抑えることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記複数の第２領域のそれぞれは、前記基板の屈折率の９５％以上１０５％以下の屈折率を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている発光装置である。
【００１０】
請求項１０に記載の発明は、
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記第２領域における表面粗さの最大高さは、前記第１領域における表面粗さの最大高さより小さい発光装置である。
【００１１】
請求項１１に記載の発明は、
基板の第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む積層構造からそれぞれがなる複数の発光部と、
互いに隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第１面は、
前記複数の発光部とそれぞれと重なり、凹凸構造を有する複数の第１領域と、
前記複数の透光部のそれぞれに位置する複数の第２領域と、
を有し、
前記複数の第２領域のそれぞれは、厚さ１０００ｎｍ以下の層に接していない発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】表面粗さの最大高さを説明するための図である。
【図４】図１及び図２に示した発光装置を製造する方法の一例を説明するための図である。
【図５】図４に示したモールドを製造する方法の第１例を説明するための図である。
【図６】図４に示したモールドを製造する方法の第１例を説明するための図である。
【図７】図４に示したモールドを製造する方法の第１例を説明するための図である。
【図８】図４に示したモールドを製造する方法の第２例を説明するための図である。
【図９】図４に示したモールドを製造する方法の第２例を説明するための図である。
【図１０】図４に示したモールドを製造する方法の第３例を説明するための図である。
【図１１】図４に示したモールドＭを製造する方法の第３例を説明するための図である。
【図１２】図２の第１の変形例を示す図である。
【図１３】図２の第２の変形例を示す図である。
【図１４】実施形態２に係る発光装置を示す断面図である。
【図１５】実施形態３に係る発光装置を示す断面図である。
【図１６】図１５の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。なお、説明のため、図１では、図２に示した有機層１２０及び絶縁層１４０を示していない。
【００１５】
図２を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、複数の発光部１５２、複数の透光部１５４を備えている。複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の発光部１５２のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含む積層構造からなっている。複数の透光部１５４のそれぞれは、互いに隣接する発光部１５２の間に位置している。基板１００の第１面１０２は、複数の第１領域１０２ａ及び複数の第２領域１０２ｂを有している。複数の第１領域１０２ａのそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっており、凹凸構造を有している。複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、複数の透光部１５４のそれぞれに位置しており、特に図２に示す例では、複数の第１領域１０２ａと同様にして、凹凸構造を有している。
【００１６】
複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率（例えば、基板１００の屈折率の９５％以上１０５％以下の屈折率）を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている。特に図２に示す例では、後述する絶縁層１４０（第１絶縁層）がこのような領域として機能している。言い換えると、絶縁層１４０は、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有している。
【００１７】
上述した構成によれば、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。具体的には、第１面１０２の第１領域１０２ａは、凹凸構造を有している。この凹凸構造は、有機層１２０と第２電極１３０の間で第２電極１３０の表面に転写されている。第２電極１３０のこの凹凸構造は、回折格子として機能し、これにより、第２電極１３０の上述した表面における表面プラズモンを伝搬光に変換することができる。このため、表面プラズモンによる光の損失を抑えることができる。一方、第２領域１０２ｂも、第１領域１０２ａと同様にして、凹凸構造を有している。仮に、このような凹凸構造が基板１００の屈折率と大きく異なる屈折率を有する領域に接していると、凹凸構造によって拡散反射が生じ、透光部１５４のぎらつきの原因になり得る。これに対して、上述した構成においては、第２領域１０２ｂの凹凸構造は、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有する領域（絶縁層１４０）によって覆われており、この領域（絶縁層１４０）の表面上では、凹凸が緩和されてほぼ平坦化されている。これにより、第２領域１０２ｂの凹凸構造での拡散反射が抑えられるとともに、上述した領域の表面での拡散反射も抑えられる。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００１８】
次に、図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２及び第２配線１３４を備えている。
【００１９】
基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、この例に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。
【００２０】
複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。
【００２１】
複数の第１接続部１１２のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに接続している。図１に示す例では、第１接続部１１２は、第１電極１１０と一体となっている。
【００２２】
第１配線１１４は、複数の第１接続部１１２に接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。
【００２３】
複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
【００２４】
複数の第２接続部１３２のそれぞれは、複数の第２電極１３０のそれぞれに接続している。
【００２５】
第２配線１３４は、複数の第２接続部１３２に接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。
【００２６】
発光装置１０は、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を備えている。複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４は、基板１００の長辺に沿って交互に並んでいる。図２を用いて後述するように、複数の発光部１５２のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含む積層構造からなっており、絶縁層１４０の開口１４２によって画定されている。特に図１に示す例では、各発光部１５２は、第１電極１１０の短辺方向に沿って延伸している。複数の透光部１５４のそれぞれは、遮光性部材、具体的には、第２電極１３０と重なっておらず、外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。
【００２７】
次に、図２を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１面１０２は、複数の第１領域１０２ａ及び複数の第２領域１０２ｂを有しており、複数の第１領域１０２ａ及び複数の第２領域１０２ｂに亘って凹凸構造を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０は、いずれも、基板１００の第１面１０２上にある。
【００２８】
基板１００は、透光性を有している。基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。
【００２９】
第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。
【００３０】
有機層１２０は、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。ＨＩＬ及びＨＴＬは、第１電極１１０に接続している。ＥＴＬ及びＥＩＬは、第２電極１３０に接続している。ＥＭＬは、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。
【００３１】
第２電極１３０は、遮光性、より具体的には光反射性を有し、さらに導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。
【００３２】
絶縁層１４０は、透光性を有している。絶縁層１４０は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シロキサン、ポリイミド、エポキシ及びアクリルからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。絶縁層１４０は、基板１００の材料と同じ材料からなっていてもよい。
【００３３】
基板１００の第１領域１０２ａの凹凸構造は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０のそれぞれの表面に転写され、特に、有機層１２０と第２電極１３０の間で第２電極１３０の表面に転写されている。このため、第２電極１３０の上述した表面における表面プラズモンを伝搬光に変換することができ、これにより、表面プラズモンによる光の損失を抑えることができる。
【００３４】
基板１００の第２領域１０２ｂの凹凸構造は、絶縁層１４０によって覆われており、より具体的には、絶縁層１４０は、基板１００の第１面１０２に接している。絶縁層１４０は、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有している。このため、基板１００から絶縁層１４０にかけての領域は、実質的に一様な屈折率を有する領域として機能する。このため、第２領域１０２ｂの凹凸構造での拡散反射が抑えられる。
【００３５】
絶縁層１４０は、開口１４２を有しており、開口１４２の内部では、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０が発光部１５２を形成するように積層されている。言い換えると、絶縁層１４０は、発光部１５２を画定している。なお、図２に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１５２に亘って広がっており、特に、第２領域１０２ｂ上では絶縁層１４０を覆っている。
【００３６】
絶縁層１４０は、第２領域１０２ｂの凹凸構造の表面粗さの最大高さに比してある程度厚く、一例において、絶縁層１４０は、第２領域１０２ｂの凹凸構造の表面粗さの最大高さ以上の厚み、好ましくは、第２領域１０２ｂの凹凸構造の表面粗さの最大高さの１．２５倍以上の厚み、より具体的には、２００ｎｍ以上の厚みを有している。絶縁層１４０の厚みが厚いことによって、絶縁層１４０の表面（基板１００の反対側を向いた面）においては凹凸が緩和されてほぼ平坦化される。言い換えると、絶縁層１４０の表面における表面粗さの最大高さは、第１領域１０２ａにおける表面粗さの最大高さよりも小さくなっている。このため、絶縁層１４０の上記表面での拡散反射が抑えられる。
【００３７】
なお、発光部１５２の光線透過率を高く維持する観点からすると、絶縁層１４０の厚みは厚すぎないことが好ましく、一例において、絶縁層１４０は、第２領域１０２ｂの凹凸構造の表面粗さの最大高さの５０倍以下の厚み、好ましくは、第２領域１０２ｂの凹凸構造の表面粗さの最大高さの２０倍以下の厚み、より具体的には、２０００ｎｍ以下の厚みを有している。また屈折率も基板１００の屈折率の９５％以上１０５％以下の屈折率が好ましい。
【００３８】
発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。
【００３９】
一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。
【００４０】
図３は、表面粗さの最大高さを説明するための図である。図３に示す例では、最大高さＲｙを以下のようにして算出している。
【００４１】
まず、基準長さｌの領域を選択する。基準長さｌの領域は、他の領域の凹凸と比較して著しく高い凸部及び著しく深い凹部が基準長さｌの領域に含まれないように選択する。
【００４２】
次いで、基準長さｌの領域における平均高さｍを算出する。
【００４３】
次いで、基準長さｌの領域の中で平均高さｍから最も高い位置にある部分の高さＲｐを算出する。さらに、基準長さｌの領域の中で平均高さｍから最も深い位置にある部分の深さＲｖを算出する。最大高さＲｙは、この２つの部分の高さの差であり、ＲｐとＲｖの和（Ｒｖ＝Ｒｐ＋Ｒｙ）となる。
【００４４】
このようにして、表面粗さの最大高さ（例えば、図２に示した第２領域１０２ｂにおける表面粗さの最大高さ）を算出することができる。
【００４５】
図４は、図１及び図２に示した発光装置１０を製造する方法の一例を説明するための図である。
【００４６】
図４に示すように、熱インプリントによって、基板１００の第１面１０２に凹凸構造（例えば、図２）を形成する。具体的には、図４に示すように、基板１００を加熱しながら、モールドＭの凹凸構造を基板１００の第１面１０２に押し付ける。モールドＭは、例えば、石英からなる。これによって、モールドＭの凹凸構造が基板１００の第１面１０２に転写される。このようにして、基板１００の第１面１０２に凹凸構造が形成される。
【００４７】
次いで、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０の表面には、第１面１０２の凹凸構造が転写される。
【００４８】
次いで、絶縁層１４０を形成する。絶縁層１４０は、発光部１５２（図１及び図２）を画定するとともに、発光部１５２のぎらつきを抑えるために設けられている。本実施形態においては、このような２つの機能を果たす絶縁層（すなわち、絶縁層１４０）を一度の工程で形成することができる。このため、発光装置１０の製造プロセスを簡易にすることができる。
【００４９】
次いで、有機層１２０を形成する。有機層１２０の表面には、第１面１０２の凹凸構造が転写される。次いで、第２電極１３０を形成する。第２電極１３０の表面には、第１面１０２の凹凸構造が転写される。
【００５０】
このようにして、図１及び図２に示した発光装置１０が製造される。
【００５１】
図５から図７までの各図は、図４に示したモールドＭを製造する方法の第１例を説明するための図である。
【００５２】
図５（ａ）に示すように、基板３００上に金属層３１２及び絶縁層３１４を順に形成する。この例において、基板３００は、石英基板であり、金属層３１２は、クロム層であり、絶縁層３１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層である。
【００５３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、絶縁層３１４上に樹脂層３２０を形成する。樹脂層３２０は、スピンコートによって形成される。この例において、樹脂層３２０は、ジブロックコポリマー、より具体的には、ＰＳ−ＰＭＭＡ（ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート）を含んでいる。
【００５４】
次いで、図５（ｃ）に示すように、樹脂層３２０を複数のスフィア３２２及び層３２４に分離する。特に図５（ｃ）に示す例では、樹脂層３２０を加熱することによって、相分離によって、複数のスフィア３２２（ＰＳ：ポリスチレン）及び層３２４（ＰＭＭＡ：ポリメチルメタクリレート）に分離されている。
【００５５】
次いで、図６（ａ）に示すように、層３２４（ＰＭＭＡ）を除去する。特に図６（ａ）に示す例では、Ｏ２  ＲＩＥ（酸素反応性イオンエッチング）によって層３２４が除去されている。
【００５６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、複数のスフィア３２２をマスクとして用いて、絶縁層３１４をエッチングする。特に図６（ｂ）に示す例では、ＣＨＦ３  ＲＩＥ（フルオロホルム反応性イオンエッチング）によって絶縁層３１４（シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層）がエッチングされている。
【００５７】
次いで、図６（ｃ）に示すように、複数のスフィア３２２を除去する。特に図６（ｃ）に示す例では、Ｏ２−ＲＩＥ（酸素反応性イオンエッチング）によって複数のスフィア３２２（ＰＳ）が除去されている。
【００５８】
次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁層３１４をマスクとして用いて、金属層３１２をエッチングする。特に図７（ａ）に示す例では、Ａｒ−Ｏ２−Ｃｌ２  ＲＩＥ（アルゴン−酸素−塩素反応性イオンエッチング）によって金属層３１２（クロム層）がエッチングされている。
【００５９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、金属層３１２及び絶縁層３１４をマスクとして用いて、基板３００をエッチングする。さらに、図７（ｂ）に示す例では、基板３００のエッチングにともなって絶縁層３１４（シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層）が除去されている。特に図７（ｂ）に示す例では、ＣＨＦ３  ＲＩＥ（フルオロホルム反応性イオンエッチング）によって基板１００（石英基板）がエッチングされている。
【００６０】
次いで、図７（ｃ）に示すように、金属層３１２（図７（ｂ））を除去する。特に図７（ｃ）に示す例では、Ａｒ−Ｏ２−Ｃｌ２  ＲＩＥ（アルゴン−酸素−塩素反応性イオンエッチング）によって金属層３１２（クロム層）が除去されている。
【００６１】
このように加工された基板３００がモールドＭ（図４）となる。
【００６２】
図８及び図９の各図は、図４に示したモールドＭを製造する方法の第２例を説明するための図である。
【００６３】
図８（ａ）に示すように、基板３００上に金属層３１２を形成する。この例において、基板３００は、石英基板であり、金属層３１２は、クロム層である。
【００６４】
次いで、図８（ｂ）に示すように、金属層３１２上にレジスト３３０を形成する。レジスト３３０は、スピンコートによって形成される。
【００６５】
次いで、図８（ｃ）に示すように、レジスト３３０上に複数の粒子３４０を堆積する。この例において、各粒子３４０は、シリカ粒子である。次いで、複数の粒子３４０をベークする。ベークによって、レジスト３３０に接している粒子３４０は、より強い力で粒子３４０に接着するようになる。
【００６６】
次いで、図９（ａ）に示すように、レジスト３３０に直接接している粒子３４０をレジスト３３０上に残す。具体的には、図９（ａ）に示す例では、レジスト３３０の表面を純水で洗浄する。レジスト３３０に直接接している粒子３４０は、上述したように、強い力でレジスト３３０に接着しているのに対して、レジスト３３０に接していない粒子３４０は、レジスト３３０から除去されやすい。したがって、レジスト３３０の表面を純水で洗浄することで、レジスト３３０に直接接している粒子３４０をレジスト３３０上に残すことができる。
【００６７】
次いで、図９（ｂ）に示すように、複数の粒子３４０をマスクとして用いて、レジスト３３０及び金属層３１２をエッチングする。特に図９（ｂ）に示す例では、Ａｒ−Ｏ２−Ｃｌ２  ＲＩＥ（アルゴン−酸素−塩素反応性イオンエッチング）によってレジスト３３０及び金属層３１２（クロム層）がエッチングされている。次いで、レジスト３３０及び複数の粒子３４０を除去する。
【００６８】
次いで、図９（ｃ）に示すように、金属層３１２をマスクとして用いて、基板３００をエッチングする。特に図９（ｃ）に示す例では、ＣＨＦ３  ＲＩＥ（フルオロホルム反応性イオンエッチング）によって基板１００（石英基板）がエッチングされている。
【００６９】
次いで、図７（ｃ）を用いて説明した例と同様にして、金属層３１２を除去する。
【００７０】
このように加工された基板３００がモールドＭ（図４）となる。
【００７１】
図１０及び図１１の各図は、図４に示したモールドＭを製造する方法の第３例を説明するための図である。
【００７２】
図１０（ａ）に示すように、基板３００上に絶縁層３０２、金属層３１２及びレジスト３５０を順に形成する。この例において、基板３００は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）基板であり、絶縁層３０２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層であり、金属層３１２は、クロム層である。
【００７３】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、レジスト３５０をパターニングする。特に図１０（ｂ）に示す例では、電子線リソグラフィによってレジスト３５０がパターニングされている。
【００７４】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、レジスト３５０をマスクとして用いて、金属層３１２をエッチングする。特に図１０（ｃ）に示す例では、塩素系ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって金属層３１２（クロム層）がエッチングされている。次いで、レジスト３５０を除去する。
【００７５】
次いで、図１１（ａ）に示すように、金属層３１２をマスクとして用いて、絶縁層３０２をエッチングする。特に図１１（ａ）に示す例では、フッ素系ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって金属層３１２がエッチングされている。
【００７６】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、金属層３１２（図１１（ａ））を除去する。特に図１１（ｂ）に示す例では、塩素系ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって金属層３１２（クロム層）が除去されている。
【００７７】
このようにして加工された基板３００及び絶縁層３０２がモールドＭ（図４）となる。
【００７８】
以上、本実施形態によれば、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００７９】
図１２は、図２の第１の変形例を示す図である。図１２に示す例においても、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている。特に図１２に示す例では、後述する絶縁層１６０（第２絶縁層）がこのような領域として機能している。
【００８０】
図１２に示す例では、複数の絶縁層１４０のそれぞれが複数の発光部１５２のそれぞれを画定している。言い換えると、絶縁層１４０は、互いに隣り合う発光部１５２に亘って広がっておらず、基板１００の第２領域１０２ｂは、絶縁層１４０によって覆われていない領域を有している。
【００８１】
絶縁層１６０は、互いに隣り合う絶縁層１４０の間において基板１００の第１面１０２に接しており、図２に示した絶縁層１４０と同様にして、透光部１５４のぎらつきを抑えるように機能している。
【００８２】
絶縁層１６０は、透光性を有している。絶縁層１６０は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シロキサン、ポリイミド、エポキシ及びアクリルからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。絶縁層１４０は、基板１００の材料と同じ材料からなっていてもよい。
【００８３】
上述した構成によれば、基板１００の屈折率に依らず、絶縁層１４０の材料を決定することができる。具体的には、基板１００の第２領域１０２ｂのほぼすべてを絶縁層１６０によって覆うことができる。このため、絶縁層１４０の屈折率は、基板１００の屈折率と同一である必要はなくなる。このため、基板１００の屈折率によらず、絶縁層１４０の材料を決定することができる。
【００８４】
さらに、上述した構成によれば、絶縁層１４０の厚さに依らず、絶縁層１６０の厚さを決定することができる。具体的には、絶縁層１６０は、絶縁層１４０とは異なる層である。このため、絶縁層１６０は、絶縁層１４０に依らず、絶縁層１４０より厚くすることもでき、絶縁層１４０より薄くすることもできる。このため、絶縁層１４０の厚さに依らず、絶縁層１６０の厚さを決定することができる。
【００８５】
本変形例においても、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００８６】
なお、図１２に示す例では、絶縁層１６０、すなわち、固相からなる層が基板１００の第２領域１０２ｂを覆っているが、液相からなる層が基板１００の第２領域１０２ｂを覆ってもよい。
【００８７】
図１３は、図２の第２の変形例を示す図である。図１３に示す例においても、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、基板１００の屈折率と実質的に等しい屈折率を有する複数の領域のそれぞれによって覆われている。特に図１３に示す例では、後述する樹脂層２２０がこのような領域として機能している。
【００８８】
発光装置１０は、封止基板２１０及び樹脂層２２０を備えている。封止基板２１０は、樹脂層２２０を介して基板１００の第１面１０２に接着している。封止基板２１０及び樹脂層２２０は、複数の発光部１５２を封止している。
【００８９】
樹脂層２２０は、互いに隣り合う絶縁層１４０の間において基板１００の第１面１０２に接しており、図２に示した絶縁層１４０と同様にして、透光部１５４のぎらつきを抑えるように機能している。
【００９０】
樹脂層２２０は、透光性を有している。樹脂層２２０は、例えば、シロキサン、ポリイミド、エポキシ及びアクリルからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。
【００９１】
本変形例においても、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００９２】
（実施形態２）
図１４は、実施形態２に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図２に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。
【００９３】
図２に示した例と同様にして、基板１００の第１面１０２は、複数の第１領域１０２ａ及び複数の第２領域１０２ｂを有している。複数の第１領域１０２ａのそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっており、凹凸構造を有している。複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、複数の透光部１５４のそれぞれと重なっている。一方、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、実質的に平坦になっており、第１領域１０２ａの凹凸構造に相当する凹凸構造を有していない。言い換えると、第２領域１０２ｂにおける表面粗さの最大高さは、第１領域１０２ａにおける表面粗さの最大高さより小さくなっており、より具体的に実質的にゼロになっている。
【００９４】
上述した構成によれば、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。具体的には、図２に示した例と同様にして、第１面１０２の第１領域１０２ａの凹凸構造によって、表面プラズモンによる光の損失が抑えられる。一方、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、実質的に平坦になっている。このため、第２領域１０２ｂでの拡散反射が抑えられる。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００９５】
なお、図１４に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１５２に亘って広がっており、特に第２領域１０２ｂ上では第２領域１０２ｂを覆っている。仮に、有機層１２０の屈折率が基板１００の屈折率と異なっていたとしても、第２領域１０２ｂは、上述したように実質的に平坦になっている。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００９６】
なお、図８に示した基板１００の第１面１０２（第１領域１０２ａ及び第２領域１０２ｂ）の形状は、図４を用いて説明した例と同様にして、熱インプリントによって形成することができる。
【００９７】
本実施形態においても、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【００９８】
（実施形態３）
図１５は、実施形態３に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図２に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。
【００９９】
複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、複数の第１領域１０２ａと同様にして、凹凸構造を有している。隣り合う絶縁層１４０の間において、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、薄膜（例えば、厚さ１０００ｎｍ以下の層）に接しておらず、特に図１５に示す例では、気相の領域に接している。気相の領域には、例えば、空気が存在している。
【０１００】
上述した構成によれば、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。具体的には、図２に示した例と同様にして、第１面１０２の第１領域１０２ａの凹凸構造によって、表面プラズモンによる光の損失が抑えられる。一方、隣り合う絶縁層１４０の間において、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、薄膜に接していない。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。具体的には、本発明者は、第２領域１０２ｂの凹凸構造と当該凹凸構造に接する薄膜によって生じる薄膜干渉によって光のぎらつきが生じ得ることを見出した。対照的に上述した構成では、隣り合う絶縁層１４０の間で凹凸構造がこのような薄膜に接しておらず、薄膜干渉による光のぎらつきを抑えることができる。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【０１０１】
図１６は、図１５の変形例を示す図である。
【０１０２】
図１６に示す例においても、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、複数の第１領域１０２ａと同様にして、凹凸構造を有している。隣り合う絶縁層１４０の間において、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、薄膜（例えば、厚さ１０００ｎｍ以下の層）に接していない。特に図１６に示す例では、隣り合う絶縁層１４０の間において、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、厚さ１０００ｎｍ超の層、つまり、厚さＴ（例えば、Ｔ＞１０００ｎｍ）の樹脂層２２０に接している。
【０１０３】
上述した構成によれば、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。具体的には、図２に示した例と同様にして、第１面１０２の第１領域１０２ａの凹凸構造によって、表面プラズモンによる光の損失が抑えられる。一方、隣り合う絶縁層１４０の間において、複数の第２領域１０２ｂのそれぞれは、薄膜に接していない。このため、図１５を用いて説明した例と同様にして、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【０１０４】
図１６に示す例では、図１３に示した例と同様にして、複数の発光部１５２は、封止基板２１０及び樹脂層２２０によって封止されている。
【０１０５】
樹脂層２２０の屈折率は、基板１００の屈折率と実質的に等しくてもよいし、又は基板１００の屈折率と異なっていてもよい。図１６に示す例では、樹脂層２２０の屈折率が基板１００の屈折率と異なっていても、樹脂層２２０の厚さＴ（例えば、Ｔ＞１０００ｎｍ）によって、薄膜干渉を抑えることができる。このため、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【０１０６】
本実施形態においても、表面プラズモンによる光の損失を抑えつつ、透光部１５４のぎらつきを抑えることができる。
【０１０７】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１０８】
１０  発光装置
１００  基板
１０２  第１面
１０２ａ  第１領域
１０２ｂ  第２領域
１０４  第２面
１１０  第１電極
１１２  第１接続部
１１４  第１配線
１２０  有機層
１３０  第２電極
１３２  第２接続部
１３４  第２配線
１４０  絶縁層
１４２  開口
１５２  発光部
１５４  透光部
１６０  絶縁層
２１０  封止基板
２２０  樹脂層
【図１】
2018120700.tif 000003
【図２】
2018120700.tif 000004
【図３】
2018120700.tif 000005
【図４】
2018120700.tif 000006
【図５】
2018120700.tif 000007
【図６】
2018120700.tif 000008
【図７】
2018120700.tif 000009
【図８】
2018120700.tif 000010
【図９】
2018120700.tif 000011
【図１０】
2018120700.tif 000012
【図１１】
2018120700.tif 000013
【図１２】
2018120700.tif 000014
【図１３】
2018120700.tif 000015
【図１４】
2018120700.tif 000016
【図１５】
2018120700.tif 000017
【図１６】
2018120700.tif 000018