(57)【要約】【課題】構成および動作の複雑化を抑制しつつ基板の周縁領域の処理を適切に行うことが可能な周縁処理装置および周縁処理方法を提供する。【解決手段】外周端部検出部１５０による検出結果に基づいて、水平面に対する基板Ｗの傾きを特定するための傾斜特定情報が検出される。検出された傾斜特定情報に基づいて、基板Ｗの回転時に除去液の到達位置と基板Ｗの中心との間の距離が一定となるように、基板Ｗの傾きが維持されたまま基板回転機構１１０による基板Ｗの保持位置が補正される。その状態で、基板回転機構１１０によって基板Ｗが回転されながら除去ノズル１３０から除去液が吐出されることによって基板Ｗの周縁領域に処理が行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁領域に処理を行う周縁処理装置であって、
基板を保持するとともに第１の方向と平行な回転軸の周りで基板を回転させる回転保持部と、
前記第１の方向と垂直な基準面に対して第１の角度で傾斜する指向性を有する処理を前記保持された基板の周縁領域の部分に行う周縁領域処理部と、
前記基準面に対する前記保持された基板の傾きを特定するための情報を傾斜特定情報として検出する情報検出部と、
前記情報検出部により検出された傾斜特定情報および前記第１の角度に基づいて、前記回転保持部による基板の回転時に前記周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、前記回転保持部による基板の保持位置を前記基準面に平行な方向において補正する位置補正部とを備える、周縁処理装置。
【請求項２】
前記情報検出部は、前記保持された基板の複数の検出部分について前記第１の方向における位置を前記傾斜特定情報として検出する、請求項１記載の周縁処理装置。
【請求項３】
前記情報検出部は、
前記第１の方向に対して傾斜する第２の方向における前記複数の検出部分の位置を検出する第１の検出器と、
前記基準面に平行な第３の方向における前記複数の検出部分の位置を検出する第２の検出器と、
前記第１および第２の検出器により検出された前記第２および第３の方向における前記複数の検出部分の位置に基づいて前記複数の検出部分についての前記第１の方向における位置を算出する算出部とを含む、請求項２記載の周縁処理装置。
【請求項４】
前記第１および第２の検出器は、それぞれラインセンサである、請求項３記載の周縁処理装置。
【請求項５】
前記第１および第２の検出器を一体的に保持する保持部をさらに備え、
前記回転保持部によって基板が回転されることにより前記複数の検出部分の位置が前記第１および第２の検出器により順次検出される、請求項３または４記載の周縁処理装置。
【請求項６】
前記位置補正部は、
前記回転保持部に対して基板を移動させる移動機構と、
前記検出された傾斜特定情報および前記第１の角度に基づいて、前記移動機構を制御する移動制御部とを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の周縁処理装置。
【請求項７】
前記移動機構は、基板を前記基準面に平行な第４の方向に移動させるように構成され、
前記移動制御部は、前記検出された傾斜特定情報および前記第１の角度に基づいて、基板が回転されることによって前記保持位置の補正方向が前記第４の方向に一致するように前記回転保持部を制御し、基板が回転された後に基板が前記第４の方向に移動するように前記移動機構を制御する、請求項６記載の周縁処理装置。
【請求項８】
前記周縁領域処理部は、前記基準面に対して前記第１の角度で傾斜する方向に処理液を吐出するノズルを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の周縁処理装置。
【請求項９】
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁領域に処理を行う周縁処理方法であって、
回転保持部により基板を保持するステップと、
第１の方向と垂直な基準面に対する前記保持された基板の傾きを特定するための情報を傾斜特定情報として検出するステップと、
前記回転保持部による基板の保持位置を前記基準面に平行な方向において補正するステップと、
前記回転保持部により前記第１の方向に平行な回転軸の周りで基板を回転させつつ周縁領域処理部により前記基準面に対して前記第１の角度で傾斜する指向性を有する処理を前記保持された基板の周縁領域の部分に行うステップとを含み、
前記補正するステップは、前記情報検出部により検出された傾斜特定情報および前記第１の角度に基づいて、前記回転保持部による基板の回転時に周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、前記保持位置を補正することを含む、周縁処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面の周縁領域を処理する周縁処理装置および周縁処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の表面の略中央部にノズルから処理液が吐出されることにより、基板の表面全体に処理液が供給される。その後、所定の熱処理が行われることにより、基板の表面に処理液からなる薄膜が形成される。ここで、基板の周縁部に薄膜が形成されると、基板を搬送する搬送装置が基板の周縁部を把持した際に、膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の表面全体への処理液の供給後に基板の周縁部の処理液を除去する処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１の塗布膜除去装置においては、スピンチャックに保持された基板の周縁部の位置が検出機構により検出される。この状態で、スピンチャックが３６０°回転することにより、スピンチャックの回転位相とそれに対応する基板の周縁部の位置とが取得される。回転する基板の周縁部にリンス液吐出ノズルからリンス液が吐出されることにより、基板の周縁部のレジスト液が除去される。リンス液の吐出時には、スピンチャックの回転に伴う基板の周縁部の位置変動分が補償されるように、スピンチャックの位置がアライメント機構により調整される。この場合、アライメント機構が動作することによりスピンチャックが一方向およびその逆方向に往復動され、スピンチャックが基板の回転とともに位置決めされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１０７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板の周縁部の位置変動分が補償されるようにスピンチャックを正確に位置決めするためには、複雑な構成および動作が必要になる。また、基板の回転速度によっては、基板の周縁部の位置変動に追従するようにスピンチャックを位置決めすることは実際には難しい。
【０００６】
本発明の目的は、構成および動作の複雑化を抑制しつつ基板の周縁領域の処理を適切に行うことが可能な周縁処理装置および周縁処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る周縁処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁領域に処理を行う周縁処理装置であって、基板を保持するとともに第１の方向と平行な回転軸の周りで基板を回転させる回転保持部と、第１の方向と垂直な基準面に対して第１の角度で傾斜する指向性を有する処理を保持された基板の周縁領域の部分に行う周縁領域処理部と、基準面に対する保持された基板の傾きを特定するための情報を傾斜特定情報として検出する情報検出部と、情報検出部により検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、回転保持部による基板の回転時に周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、回転保持部による基板の保持位置を基準面に平行な方向において補正する位置補正部とを備える。
【０００８】
この周縁処理装置においては、基準面に対する基板の傾きを特定するための傾斜特定情報が検出され、検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、回転保持部による基板の保持位置が基準面に平行な方向において補正される。その状態で、回転保持部により基板が回転されつつ、周縁領域処理部により基準面に対して第１の角度で傾斜する指向性を有する処理が基板の周縁領域に行われる。この場合、基板の傾きが維持されたまま基板の全周において基板の中心から一定距離の部分に処理を施すことが可能となる。したがって、装置の構成および動作の複雑化を抑制しつつ、基板の周縁領域に適切に処理を行うことができる。
【０００９】
（２）情報検出部は、保持された基板の複数の検出部分について第１の方向における位置を傾斜特定情報として検出してもよい。この場合、簡単な構成で傾斜特定情報を検出することができる。
【００１０】
（３）情報検出部は、第１の方向に対して傾斜する第２の方向における複数の検出部分の位置を検出する第１の検出器と、基準面に平行な第３の方向における複数の検出部分の位置を検出する第２の検出器と、第１および第２の検出器により検出された第２および第３の方向における複数の検出部分の位置に基づいて複数の検出部分についての第１の方向における位置を算出する算出部とを含んでもよい。この場合、装置の構成および動作の複雑化を抑制しつつ複数の検出部分についての第１の方向における位置を取得することができる。
【００１１】
（４）第１および第２の検出器は、それぞれラインセンサであってもよい。この場合、汎用のラインセンサを用いることによって装置コストの増大を抑制しつつ複数の検出部分についての第１の方向における位置を取得することができる。
【００１２】
（５）周縁処理装置は、第１および第２の検出器を一体的に保持する保持部をさらに備え、回転保持部によって基板が回転されることにより複数の検出部分の位置が第１および第２の検出器により順次検出されてもよい。この場合、一体的に保持される第１および第２の検出器により複数の検出部分についての第２および第３の方向における位置を検出することができる。それにより、装置の構成の複雑化が抑制される。
【００１３】
（６）位置補正部は、回転保持部に対して基板を移動させる移動機構と、検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、移動機構を制御する移動制御部とを含んでもよい。この場合、回転保持部による基板の保持位置を容易に補正することができる。
【００１４】
（７）移動機構は、基板を基準面に平行な第４の方向に移動させるように構成され、移動制御部は、検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、基板が回転されることによって保持位置の補正方向が第４の方向に一致するように回転保持部を制御し、基板が回転された後に基板が第４の方向に移動するように移動機構を制御してもよい。この場合、基板の移動方向が第４の方向に限定されるので、基板を複数方向に移動させる場合に比べて、移動機構の構成が単純化され、装置コストが低減される。
【００１５】
（８）周縁領域処理部は、基準面に対して第１の角度で傾斜する方向に処理液を吐出するノズルを含んでもよい。この場合、指向性を有する処理は、基準面に対して第１の角度で傾斜する方向に処理液を吐出する処理である。この構成により、基板の全周において基板の中心から一定距離の部分に処理液を供給することが可能となる。したがって、基板の周縁領域に適切に処理を行うことができる。
【００１６】
（９）本発明に係る周縁処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁領域に処理を行う周縁処理方法であって、回転保持部により基板を保持するステップと、第１の方向と垂直な基準面に対する保持された基板の傾きを特定するための情報を傾斜特定情報として検出するステップと、回転保持部による基板の保持位置を基準面に平行な方向において補正するステップと、回転保持部により第１の方向に平行な回転軸の周りで基板を回転させつつ周縁領域処理部により基準面に対して第１の角度で傾斜する指向性を有する処理を保持された基板の周縁領域の部分に行うステップとを含み、補正するステップは、情報検出部により検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、回転保持部による基板の回転時に周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、保持位置を補正することを含む。
【００１７】
この周縁処理方法によれば、基準面に対する基板の傾きを特定するための傾斜特定情報が検出され、検出された傾斜特定情報および第１の角度に基づいて、周縁領域処理部により処理される基板の部分と基板の中心との間の距離が一定に維持されるように、回転保持部による基板の保持位置が基準面に平行な方向において補正される。その状態で、回転保持部により基板が回転されつつ、周縁領域処理部により基準面に対して第１の角度で傾斜する指向性を有する処理が基板の周縁領域に行われる。この場合、基板の傾きが維持されたまま基板の全周において基板の中心から一定距離の部分に処理を施すことが可能となる。したがって、装置の構成および動作の複雑化を抑制しつつ、基板の周縁領域に適切に処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、構成および動作の複雑化を抑制しつつ、基板の周縁領域に適切に処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る周縁処理装置の基本構成を示す模式的側面図である。
【図２】周縁領域除去処理の精度が低下する理由の一例を示す図である。
【図３】外周端部検出部の構成例を示す外観斜視図である。
【図４】垂直検出器、傾斜検出器、除去ノズルおよび回転軸の位置関係について説明するための模式的平面図である。
【図５】垂直検出器による基板の外周端部の検出について説明するための図である。
【図６】傾斜検出器による基板の外周端部の検出について説明するための図である。
【図７】到達ずれ量の算出について説明するための図である。
【図８】到達ずれ量の算出について説明するための図である。
【図９】Ｘ補正量およびＹ補正量の算出について説明するための模式的平面図である。
【図１０】基板の位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図１１】基板の位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図１２】基板の位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図１３】基板の位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図１４】基板の位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図１５】周縁処理制御部の機能的な構成を示すブロック図である。
【図１６】周縁処理装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施の形態に係る周縁処理装置および周縁処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
【００２１】
また、以下の説明においては、基板の表面とは感光性膜、反射防止膜、保護膜等の種々の膜が形成される面（主面）をいい、基板の裏面とはその反対側の面をいう。基板の周縁領域とは、基板Ｗの円形の外周部とその外周部から所定距離内側の円との間の環状領域をいう。
【００２２】
さらに、以下の説明において、基板の周縁処理とは、基板の周縁領域に任意の処理が施されることを意味する。周縁処理には、例えば周縁領域除去処理およびエッジ露光処理が含まれる。周縁領域除去処理は、基板の表面上に形成された膜のうち周縁領域上の膜を除去する処理である。エッジ露光処理は、基板の表面上に形成された感光性膜のうち周縁領域上の感光性膜を露光する処理である。
【００２３】
［１］周縁処理装置の基本構成
図１は、第１の実施の形態に係る周縁処理装置の基本構成を示す模式的側面図である。図１の周縁処理装置１００に搬入される基板Ｗの表面（上面）には膜が形成されている。図１の周縁処理装置１００においては、周縁処理として上記周縁領域除去処理が行われる。
【００２４】
この周縁処理装置１００においては、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が定義されている。Ｘ軸およびＹ軸は、水平面上で互いに直交し、Ｚ軸は水平面に対して垂直である。以下、Ｘ軸に平行な方向をＸ方向と呼び、Ｙ軸に平行な方向をＹ方向と呼び、Ｚ軸に平行な方向をＺ方向と呼ぶ。図１および後述の図３〜７，９〜１５においては、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印ｘ，ｙ，ｚが付される。矢印ｘの方向およびその逆の方向を総称してＸ方向といい、矢印ｙの方向およびその逆の方向を総称してＹ方向といい、矢印ｚの方向およびその逆の方向を総称してＺ方向という。
【００２５】
周縁処理装置１００は、基板回転機構１１０、除去ノズル１３０、基板移動機構１４０、外周端部検出部１５０および周縁処理制御部１６０を含む。基板回転機構１１０は、回転駆動部１１１、回転軸１１２および基板保持部１１３を含む。回転駆動部１１１は、例えば電動モータである。回転軸１１２は、Ｚ方向に延びるように回転駆動部１１１に接続される。Ｚ方向は、第１の方向の例である。回転軸１１２の上端部に基板保持部１１３が接続されている。
【００２６】
基板保持部１１３は、基板保持部１１３上に載置された基板Ｗを吸着保持する吸着状態と、基板保持部１１３上に載置された基板Ｗを吸着することなく支持する支持状態とに切り替え可能に構成される。回転駆動部１１１によって回転軸１１２および基板保持部１１３が一体的に回転される。それにより、基板保持部１１３によって保持された基板Ｗが回転される。本例では、回転軸１１２のある状態が基準角度（０°）と定義される。以下の説明において、回転軸１１２の回転角度とは、基準角度からの回転角度を意味する。
【００２７】
基板保持部１１３により吸着保持される基板Ｗの上方に除去ノズル１３０が設けられる。除去ノズル１３０には、図示しない除去液供給源から延びる供給管１３０ａが接続されている。供給管１３０ａには、バルブＶＬが介挿されている。除去ノズル１３０は、水平面に対して一定角度で傾斜する指向性を有する処理を基板Ｗの周縁領域に行う。具体的には、バルブＶＬが開かれることにより、供給管１３０ａを通して除去ノズル１３０に除去液が供給される。それにより、除去ノズル１３０から水平面に対して一定角度で傾斜する方向に除去液が吐出される。これにより、基板回転機構１１０により回転される基板Ｗの周縁領域に除去液が供給される。これにより、基板Ｗの周縁領域上の膜が除去される。
【００２８】
基板移動機構１４０は、移動駆動部１４１、リニアガイド１４２、昇降駆動部１４３、連結部材１４４、および複数（本例では３つ）の支持ピン１４５を含む。移動駆動部１４１は、リニアガイド１４２上に設けられる。リニアガイド１４２は、周縁処理装置１００の設置面上でＸ方向に延びるように設けられる。移動駆動部１４１は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド１４２上でＸ方向に移動可能に構成される。
【００２９】
昇降駆動部１４３は、移動駆動部１４１上に設けられており、移動駆動部１４１と一体的にＸ方向に移動する。連結部材１４４は、基板保持部１１３によって保持される基板Ｗの下方で水平方向に延びるように昇降駆動部１４３に接続される。複数の支持ピン１４５は、回転軸１１２の周囲で連結部材１４４から上方に延びる。昇降駆動部１４３は、例えばエアシリンダにより構成され、連結部材１４４をＺ方向に昇降可能に支持する。これにより、複数の支持ピン１４５の上端部が基板保持部１１３よりも上方に位置する上方位置と、複数の支持ピン１４５の上端部が基板保持部１１３よりも下方に位置する下方位置との間で複数の支持ピン１４５が昇降する。基板保持部１１３が支持状態である場合、複数の支持ピン１４５が上方位置に上昇されることにより、基板Ｗが複数の支持ピン１４５によって支持される。その状態で、移動駆動部１４１がＸ方向に移動することにより、昇降駆動部１４３、連結部材１４４および複数の支持ピン１４５がＸ方向に移動する。それにより、複数の支持ピン１４５によって支持される基板ＷがＸ方向に移動する。
【００３０】
外周端部検出部１５０は、基板Ｗの外周端部の位置を検出する。外周端部検出部１５０の詳細については後述する。周縁処理制御部１６０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）および記憶装置等を含む。周縁処理制御部１６０は、基板保持部１１３の吸着状態と支持状態との切り替えを行い、回転駆動部１１１を制御することによって基板Ｗの回転を制御し、バルブＶＬを制御することによって除去ノズル１３０による除去液の吐出を制御する。また、周縁処理制御部１６０は、移動駆動部１４１および昇降駆動部１４３を制御することによって基板ＷのＸ方向の移動および昇降を制御する。また、周縁処理制御部１６０は、外周端部検出部１５０による検出結果に基づいて、基準面に対する基板Ｗの傾きを特定するための情報を傾斜特定情報として検出する。本例において、基準面は水平面である。
【００３１】
［２］周縁処理の精度低下の理由
基板Ｗの周縁処理においては、処理が施されるべき基板Ｗの周縁領域の半径方向の幅が予め一定の大きさに定められている。しかしながら、実際に処理される基板Ｗの周縁領域の半径方向の幅は、以下の理由により基板Ｗの周方向で均一にならない場合がある。
【００３２】
図２は、周縁領域除去処理の精度が低下する理由の一例を示す図である。図２（ａ）に示すように、基板回転機構１１０の各構成部品の寸法精度および組み立て精度によっては、基板保持部１１３が回転軸１１２に対して傾斜して取り付けられる場合がある。この場合、基板Ｗが基板保持部１１３により吸着保持された状態で、基板Ｗは、回転軸１１２の軸心に直交する面（水平面）に対して傾斜する。
【００３３】
この状態で基板Ｗが回転されると、図２（ｂ）に示すように、基板Ｗの外周端部ＷＥが上下に振動する。この場合、除去ノズル１３０から吐出される除去液の進行方向と基板Ｗの周縁領域の振動方向とは異なる。そのため、除去液が到達する基板Ｗの表面上の位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が、回転軸１１２の回転角度に応じて変動する。
【００３４】
図２（ｂ）に示すように、除去ノズル１３０は、基板Ｗの周縁領域に向けて斜め下方に除去液を吐出する。基板Ｗ上に到達した除去液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により外方に導かれるため、除去液の到達位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の領域が除去液により処理される。この場合、基板Ｗの周縁領域が除去ノズル１３０に近づくほど、除去液の到達位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が大きくなる。それにより、基板Ｗの半径方向において本来処理されるべき領域よりも広い領域が除去液によって処理される。一方、基板Ｗの周縁領域が除去ノズル１３０から遠ざかるほど除去液の到達位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が小さくなる。それにより、基板Ｗの半径方向において本来処理されるべき領域よりも狭い領域が除去液によって処理される。その結果、図２（ｃ）にハッチングで示すように、処理される基板Ｗの周縁領域の全周領域は、基板Ｗの中心ＷＣに関して偏心する。
【００３５】
上記の例では基板保持部１１３が回転軸１１２の軸心に対して傾斜して取り付けられる場合について説明したが、回転軸１１２が湾曲している場合にも上記の例と同じ理由で処理精度が低下する。
【００３６】
本実施の形態では、図１の外周端部検出部１５０による検出結果に基づいて、水平面に対する基板Ｗの傾きを特定するための傾斜特定情報が検出される。検出された傾斜特定情報に基づいて、除去液の到達位置と基板Ｗの中心ＷＣとの間の距離が、基板Ｗの周方向で均一となるように、基板Ｗの傾きが維持されたまま基板Ｗの位置補正が行われる。
【００３７】
以下の説明において、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸１１２の軸心と一致し、かつ基板Ｗが水平面に対して傾いていない状態（基板Ｗの表面が回転軸１１２の軸心に対して垂直な状態）を基準状態と呼ぶ。また、基板Ｗが基準状態にあると仮定された場合に除去ノズル１３０からの除去液が到達する基板Ｗ上の位置を基準到達位置と呼び、現時点での実際の基板Ｗの状態で除去液が到達する基板Ｗ上の位置を実到達位置と呼ぶ。基板Ｗの周方向において、基準到達位置と基板Ｗの中心ＷＣとの距離は均一である。
【００３８】
［３］外周端部検出部
図３は、図１の外周端部検出部１５０の構成例を示す外観斜視図である。図３に示すように、外周端部検出部１５０は、垂直検出器１５１、傾斜検出器１５２および支持部材１５４，１５５を含む。
【００３９】
支持部材１５４はＺ方向に延びるように板状に設けられる。支持部材１５４の一面に支持部材１５５が固定される。支持部材１５５は、上下に並びかつ互いに異なる厚みを有する固定部１５５ａ，１５５ｂを含む。固定部１５５ｂの厚みは、固定部１５５ａの厚みよりも大きい。垂直検出器１５１は、支持部材１５５の固定部１５５ａ上に固定され、傾斜検出器１５２は、支持部材１５５の固定部１５５ｂ上に固定される。
【００４０】
垂直検出器１５１は、出射部１５１ａ、受光部１５１ｂおよび保持部１５１ｃを含む。保持部１５１ｃは、受光部１５１ｂが出射部１５１ａの上方に位置するように出射部１５１ａおよび受光部１５１ｂを保持する。出射部１５１ａは、Ｘ方向に平行な出射面ＬＡ１を有し、受光部１５１ｂは、Ｘ方向に平行な受光面ＬＢ１を有する。本例において、受光部１５１ｂはラインセンサであり、受光面ＬＢ１上に、複数の画素がＸ方向に一列に並ぶように配置される。出射部１５１ａの出射面ＬＡ１と受光部１５１ｂの受光面ＬＢ１とはＺ方向において互いに対向する。出射部１５１ａの出射面ＬＡ１と受光部１５１ｂの受光面ＬＢ１と間に、基板保持部１１３（図１）により保持される基板Ｗの周縁領域が位置する。
【００４１】
傾斜検出器１５２は、出射部１５２ａ、受光部１５２ｂおよび保持部１５２ｃを含む。保持部１５２ｃは、受光部１５２ｂが出射部１５２ａの内方かつ斜め上方に位置するように出射部１５２ａおよび受光部１５２ｂを保持する。出射部１５２ａは、Ｘ方向に対して傾斜する出射面ＬＡ２を有し、受光部１５２ｂは、Ｘ方向に対して傾斜する受光面ＬＢ２を有する。本例において、受光部１５２ｂはラインセンサであり、受光面ＬＢ２上に、複数の画素が一列に並ぶように配置される。出射部１５２ａの出射面ＬＡ２と受光部１５２ｂの受光面ＬＢ２とは、Ｚ方向に対して傾斜する方向において互いに対向する。出射部１５２ａの出射面ＬＡ２と受光部１５２ｂの受光面ＬＢ２との間に、基板保持部１１３（図１）により保持される基板Ｗの周縁領域が位置する。
【００４２】
図１の周縁処理制御部１６０は、出射部１５１ａ，１５２ａによる光の出射を制御する。受光部１５１ｂ，１５２ｂによる検出結果は、周縁処理制御部１６０に与えられる。
【００４３】
本例では、垂直検出器１５１の受光部１５１ｂおよび傾斜検出器１５２の受光部１５２ｂとして汎用のラインセンサを用いることができるので、装置コストの増大を抑制することができる。一方、１つのラインセンサによってＺ方向における基板Ｗの外周端部の位置を検出することは困難である。そこで、垂直検出器１５１と傾斜検出器１５２とを組み合わせて用いることにより、後述のように、Ｚ方向における基板Ｗの外周端部の位置を検出することができる。
【００４４】
図４は、垂直検出器１５１、傾斜検出器１５２、図１の除去ノズル１３０および回転軸１１２の位置関係について説明するための模式的平面図である。図４においては、基準状態の基板Ｗが一点鎖線で示される。図４に示すように、垂直検出器１５１は、Ｘ方向およびＺ方向に平行な仮想平面ＰＬ１内に配置され、傾斜検出器１５２は、仮想平面ＰＬ１と平行でかつ仮想平面ＰＬ１に近接する仮想平面ＰＬ２内に配置される。図１の回転軸１１２の軸心１１２Ａは、仮想平面ＰＬ１と仮想平面ＰＬ２との間、または仮想平面ＰＬ１および仮想平面ＰＬ２のいずれかと一致する位置にある。
【００４５】
実際には、図４の仮想平面ＰＬ１と仮想平面ＰＬ２との間の距離は、基板Ｗの大きさに比べて極めて小さい。そのため、本例では、仮想平面ＰＬ１と仮想平面ＰＬ２とが同じ平面（以下、検出平面ＰＬと呼ぶ。）とみなされる。また、回転軸１１２の軸心１１２Ａは、検出平面ＰＬ内に位置するとみなされる。
【００４６】
垂直検出器１５１の受光部１５１ｂ（図３）の複数の画素は、検出平面ＰＬ内でＸ方向に一列に並ぶように配置され、傾斜検出器１５２の受光部１５２ｂ（図３）の複数の画素は、検出平面ＰＬ内でＸ方向に対して傾斜する方向に一列に並ぶように配置される。
【００４７】
除去ノズル１３０は、Ｚ方向に平行でかつ回転軸１１２の軸心１１２Ａを通るノズル平面ＰＬｎ内に配置される。本例では、ノズル平面ＰＬｎは、検出平面ＰＬと交差する。ノズル平面ＰＬｎは、検出平面ＰＬと一致していてもよい。除去ノズル１３０から吐出される除去液は、ノズル平面ＰＬｎ内で進行し、基板Ｗの周縁領域に到達する。
【００４８】
図５は、垂直検出器１５１による基板Ｗの外周端部の検出について説明するための図である。図５に示すように、出射部１５１ａの出射面ＬＡ１から受光部１５１ｂの受光面ＬＢ１に向けて、鉛直上方（Ｚ方向）に帯状の光が出射される。出射された光は、図４の検出平面ＰＬ内で進行し、その一部は、基板Ｗの周縁領域により遮られ、他の部分は受光面ＬＢ１上の一部の画素に入射する。受光部１５１ｂの複数の画素のうち、出射部１５１ａからの光を受光した画素の位置に基づいて、検出平面ＰＬ内のＸ方向における基板Ｗの外周端部の位置が検出される。
【００４９】
図６は、傾斜検出器１５２による基板Ｗの外周端部の検出について説明するための図である。以下、受光部１５２ｂの複数の画素が並ぶ方向を傾斜検出方向ＤＤと呼ぶ。また、傾斜検出方向ＤＤがＸ方向に対してなす角度を傾斜検出角度θ１と呼ぶ。図６に示すように、出射部１５２ａの出射面ＬＡ２から受光部１５２ｂの受光面ＬＢ２に向けて斜め上方に帯状の光が出射される。出射された光は、図４の検出平面ＰＬ内で進行し、その一部は、基板Ｗの周縁領域により遮られ、他の部分は受光面ＬＢ２上の一部の画素に入射する。受光部１５２ｂの複数の画素のうち、出射部１５２ａからの光を受光した画素の位置に基づいて、検出平面ＰＬ内の傾斜検出方向ＤＤにおける基板Ｗの外周端部の位置が検出される。
【００５０】
本例では、基板Ｗが基準状態にある場合の基板Ｗの外周端部の位置を表す基準位置情報が、図１の周縁処理制御部１６０により予め記憶される。垂直検出器１５１による検出結果と基準位置情報とに基づいて、検出平面ＰＬ内でのＸシフト量が取得され、傾斜検出器１５２による検出結果と基準位置情報とに基づいて、検出平面ＰＬ内での傾斜シフト量が検出される。Ｘシフト量とは、Ｘ方向における実際の基板Ｗの外周端部と基準状態の基板Ｗの外周端部との位置ずれ量を意味し、傾斜シフト量とは、傾斜検出方向ＤＤにおける実際の基板Ｗの外周端部と基準状態の基板Ｗの外周端部との位置ずれ量を意味する。
【００５１】
［４］到達ずれ量
本実施の形態では、上記の周縁領域除去処理の前に、基板Ｗが回転されながら検出平面ＰＬ内で基板Ｗの外周端部の位置が順次検出され、その検出結果に基づいて、検出平面ＰＬ内における実到達位置と基準到達位置との間の距離（以下、到達ずれ量と呼ぶ。）が順次算出される。
【００５２】
図７〜図８は、到達ずれ量の算出について説明するための図である。図７には、図４の検出平面ＰＬにおける基板Ｗの一部および傾斜検出器１５２の出射部１５２ａおよび受光部１５２ｂが模式的に示される。図７において、実際の基板Ｗが実線で示され、基準状態の基板Ｗが一点鎖線で示される。図７の例では、基板ＷのＸシフト量はｄ１であり、傾斜シフト量はｄ２である。上記のように、Ｘシフト量ｄ１は、図５の垂直検出器１５１の検出結果から得られ、傾斜シフト量ｄ２は、図６の傾斜検出器１５２の検出結果から得られる。
【００５３】
また、水平面に対して基板Ｗが傾いていると、Ｚ方向における基板Ｗの外周端部の位置が基準状態からずれる。以下、Ｚ方向における実際の基板Ｗの外周端部と基準状態の基板Ｗの外周端部との位置ずれ量をＺシフト量と呼ぶ。図７の例において、検出平面ＰＬ内でのＺシフト量はｄ３である。
【００５４】
Ｘシフト量ｄ１、傾斜シフト量ｄ２およびＺシフト量ｄ３の関係は、下記の式（１）で表される。
【００５５】
ｄ２＝ｄ１・ｓｉｎθ１＋ｄ３／ｃｏｓθ１    ・・・（１）
式（１）において、θ１は検出傾斜角度であり、既知である。そのため、垂直検出器１５１の検出結果から得られるＸシフト量ｄ１および傾斜検出器１５２の検出結果から得られる傾斜シフト量ｄ２を用いて、式（１）からＺシフト量ｄ３を算出することができる。
【００５６】
図８には、図４のノズル平面ＰＬｎにおける基板Ｗの一部および除去ノズル１３０が模式的に示される。図７と同様に、実際の基板Ｗが実線で示され、基準状態の基板Ｗが一点鎖線で示される。図８に示される基板Ｗの部分は、図７に示される基板Ｗの部分と同じである。すなわち、図７に示される基板Ｗの状態から、図４の検出平面ＰＬとノズル平面ＰＮとの間の角度分だけ回転軸１１２が回転された場合の基板Ｗの状態が図８に示される。
【００５７】
図８には、除去ノズル１３０による処理の指向性を示す処理線ＬＥが示される。除去ノズル１３０から吐出される除去液の経路は処理線ＬＥと一致する。処理線ＬＥは、図４のノズル平面ＰＮ内に位置する。処理線ＬＥと実際の基板Ｗの表面との交差位置ＰＩｔが実到達位置に相当し、処理線ＬＥと基準状態の基板Ｗの表面との交差位置ＰＩｓが基準到達位置に相当する。実際の基板Ｗにおける基準到達位置ＰＩｓと実到達位置ＰＩｔとの間の距離ｄ４が、到達ずれ量に相当する。到達ずれ量ｄ４は、下式（２）で表される。
【００５８】
ｄ４＝ｄ１＋ｄ３／ｔａｎθ２    ・・・（２）
式（２）において、θ２は、水平面に対する処理線ＬＥの傾斜角度（以下、ノズル角度と呼ぶ。）であり、既知である。実際の基板Ｗの傾斜角度は極めて小さいので、本例では、実際の基板Ｗにおける基準到達位置ＰＩｓのＺ方向の位置（高さ）と実際の基板Ｗにおける実到達位置ＰＩｔのＺ方向の位置（高さ）とは同じであるとみなされる。
【００５９】
垂直検出器１５１の検出結果から得られたＸシフト量ｄ１、傾斜検出器１５２の検出結果から得られた傾斜シフト量ｄ２、および上式（１）から得られたＺシフト量ｄ３を用いて、式（２）から到達ずれ量ｄ４を算出することができる。本例では、実到達位置ＰＩｔが基準到達位置ＰＩｓの外方に位置する場合、到達ずれ量ｄ４は正の値となり、実到達位置ＰＩｔが基準到達位置ＰＩｓの内方に位置する場合、到達ずれ量ｄ４は負の値となる。
【００６０】
このような到達ずれ量が、基板Ｗが回転されながら順次算出される。具体的には、基板Ｗが予め定められた規定角度（例えば１°）だけ回転される毎に、検出平面ＰＬ内で垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２による検出が行われ、基板Ｗの外周における複数の部分（以下、検出部分と呼ぶ。）について、Ｘシフト量および傾斜シフト量が取得される。取得されたＸシフト量および傾斜シフト量に基づいて、複数の検出部分のＺシフト量が算出される。本例において、複数の検出部分のＺシフト量が、傾斜特定情報に相当する。算出された複数の検出部分のＺシフト量およびノズル角度に基づいて、複数の検出部分に対応する到達ずれ量が算出される。複数の検出部分は、基板Ｗの外周において一定の角度間隔で並ぶ。そのため、基板Ｗの全周において、一定角度間隔で到達ずれ量が算出される。
【００６１】
［５］Ｘ補正量およびＹ補正量
算出された基板Ｗの全周における到達ずれ量に基づいて、基板ＷのＸ補正量およびＹ補正量が算出される。Ｘ補正量は、基板Ｗを予め定められた初期位置からＸ方向に移動させるべき距離であり、Ｙ補正量は、基板Ｗを予め定められた初期位置からＹ方向に移動させるべき距離である。初期位置は、例えば、回転軸１１２の回転角度が基準角度（０°）であるときの基板Ｗの位置である。
【００６２】
図９は、Ｘ補正量およびＹ補正量の算出について説明するための模式的平面図である。図９において、実到達位置ＰＩｔは一点鎖線で示され、基準到達位置ＰＩｓは破線で示される。また、複数の検出部分のうち、２つの検出部分Ｐ１，Ｐ２が示される。検出部分Ｐ１，Ｐ２は、回転軸１１２の軸心１１２Ａを挟んで互いに対角に位置する。すなわち、検出部分Ｐ１の検出時点における回転軸１１２の回転角度と、検出部分Ｐ２の検出時点における回転軸１１２の回転角度とは、１８０度異なる。検出部分Ｐ１のＸシフト量および傾斜シフト量から算出される到達ずれ量はｄ４１であり、検出部分Ｐ２のＸシフト量および傾斜シフト量から算出される到達ずれ量はｄ４２である。
【００６３】
図９に示される基板Ｗは、初期位置にある。そのため、図９の状態では、回転軸１１２の回転角度は０°である。検出部分Ｐ１の検出時点における回転軸１１２の回転角度は、θ３であり、検出部分Ｐ２の検出時点における回転軸１１２の回転角度は、θ４である。
【００６４】
到達位置ずれ量ｄ４１，ｄ４２および角度θ３から、下式（３）により、Ｘ補正量を算出するための値として、Ｘ補正成分値Ｘｐｓが算出される。また、到達位置ずれ量ｄ４１，ｄ４２および角度θ３から、下式（４）により、Ｙ補正量を算出するための値として、Ｙ補正成分値Ｙｐｓが算出される。
【００６５】
Ｘｐｓ＝ｃｏｓθ３・（ｄ４１−ｄ４２）    ・・・（３）
Ｙｐｓ＝ｓｉｎθ３・（ｄ４１−ｄ４２）    ・・・（４）
あるいは、到達位置ずれ量ｄ４１，ｄ４２および角度θ４から、下式（３）’および下式（４）’により、Ｘ補正成分値ＸｐｓおよびＹ補正成分値Ｙｐｓが算出されてもよい。
【００６６】
Ｘｐｓ＝ｃｏｓθ４・（ｄ１２−ｄ１１）    ・・・（３）’
Ｙｐｓ＝ｓｉｎθ４・（ｄ１２−ｄ１１）    ・・・（４）’
式（３）から得られるＸ補正成分値Ｘｐｓと、式（３）’から得られるＸ補正成分値Ｘｐｓとは互いに等しく、式（４）から得られるＹ補正成分値Ｙｐｓと、式（４）’から得られるＹ補正成分値Ｙｐｓとは互いに等しい。
【００６７】
このように、対角に位置する一対の検出部分に対して、１組のＸ補正成分値およびＹ補正成分値が算出される。同様にして、対角に位置する他の全ての対の検出部分に対して、Ｘ補正成分値およびＹ補正成分値が算出される。例えば、基板Ｗの外周に１°間隔で検出部分がある場合には、１８０対の検出部分に対応する１８０組のＸ補正成分値およびＹ補正成分値が算出される。
【００６８】
算出された全てのＸ補正成分値の平均値が、Ｘ補正量ｃｘとして算出される。また、算出された全てのＹ補正成分値の平均値が、Ｙ補正量ｃｙとして算出される。図９に示すように、初期位置にある基板Ｗにおいて、基準到達位置ＰＩｓと実到達位置ＰＩｔとのＸ方向の位置ずれ量がＸ補正量ｃｘに相当し、基準到達位置ＰＩｓと実到達位置ＰＩｔとのＹ方向における位置ずれ量がＹ補正量ｃｙに相当する。
【００６９】
［６］位置補正
算出されたＸ補正量ｃｘおよびＹ補正量ｃｙに基づいて、実到達位置ＰＩｔと基準到達位置ＰＩｓとが一致するように基板移動機構１４０によって基板Ｗが移動されることにより、図１の基板保持部１１３による基板Ｗの保持位置が補正される。上記のように、基板移動機構１４０は、Ｘ方向において基板Ｗを移動させる。そのため、本例では、Ｘ方向のみの移動によって実到達位置ＰＩｓと基準到達位置ＰＩｔとを一致させることができるように、回転軸１１２の回転角度が調整される。
【００７０】
図１０〜図１４は、基板Ｗの位置補正について説明するための模式的平面図および模式的側面図である。まず、算出されたＸ補正量ｃｘおよびＹ補正量ｃｙを用いて、下式（５）および下式（６）により、角度θｔおよび距離ｄＴが算出される。
【００７１】
θｔ＝ａｒｃｔａｎ（ｃｙ／ｃｘ）    ・・・（５）
ｄＴ＝√（ｃｘ２＋ｃｙ２）    ・・・（６）
図１０においては、基板Ｗが初期位置にある。この場合、角度θｔは、実到達位置ＰＩｔと基準到達位置ＰＩｓとのずれの方向ＶＴがＸ方向に対してなす角度に相当する。方向ＶＴは、実到達位置ＰＩｔの中心および基準到達位置ＰＩｓの中心を通る直線に平行である。距離ｄＴは、方向ＶＴにおける実到達位置ＰＩｓと基準到達位置ＰＩｔとのずれ量に相当する。方向ＶＴおよび距離ｄＴは、Ｘ補正量ｃｘおよびＹ補正量ｃｙをそれぞれＸ方向の成分およびＹ方向の成分とするベクトルによって表される。
【００７２】
次に、図１の基板保持部１１３によって基板Ｗが吸着保持された状態で、回転軸１１２の回転角度が、算出された角度θｔに−１を乗じた角度に調整される。例えば、基板Ｗが初期位置にある状態（図１０の状態）から回転軸１１２が角度−θｔだけ回転される。これにより、図１１に示すように、方向ＶＴが、Ｘ方向と平行になる。
【００７３】
次に、図１２に示すように、基板保持部１１３が支持状態に切り替えられるとともに、昇降駆動部１４３により支持ピン１４５が上方位置に上昇される。その状態で、移動駆動部１４１により基板Ｗが算出された距離ｄＴだけＸ方向に移動される。その後、図１３に示すように、支持ピン１４５が下方位置に戻されるとともに、基板保持部１１３が吸着状態に切り替えられる。これにより、図１４に示すように、基板Ｗの傾きが維持された状態で、実到達位置ＰＩｔと基準到達位置ＰＩｓとが一致する。
【００７４】
その後、図２の例と同様に基板Ｗの周縁領域除去処理が行われる。これにより、基板Ｗの全周において、除去ノズル１３０からの除去液が基準到達位置ＰＩｓに到達する。したがって、除去液によって処理される基板Ｗの周縁領域の幅が、基板Ｗの全周において均一になる。したがって、基板Ｗの周縁領域上の膜を適切に除去することができる。
【００７５】
［７］周縁処理制御部の機能的な構成
図１５は、周縁処理制御部１６０の機能的な構成を示すブロック図である。図１５に示すように、周縁処理制御部１６０は、検出制御部１６１、算出部１６２、移動制御部１６４および処理制御部１６５を含む。これらの機能は、ＣＰＵがＲＯＭまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。
【００７６】
検出制御部１６１は、図１の基板回転機構１１０および外周端部検出部１５０を制御することにより、基板Ｗの外周端部の検出動作を制御する。算出部１６２は、外周端部検出部１５０の垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２による検出結果に基づいて、複数の検出部分についてのＺ方向における位置を算出する。算出部１６２、垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２により情報検出部２１０が構成される。移動制御部１６４は、基板移動機構１４０を制御することによって基板Ｗの位置補正を行う。移動制御部１６４および基板移動機構１４０により位置補正部２２０が構成される。処理制御部１６５は、図１の基板回転機構１１０およびバルブＶＬを制御することによって、基板Ｗの周縁処理を制御する。
【００７７】
［８］周縁処理装置の動作
図１６は、周縁処理装置１００の動作を示すフローチャートである。周縁処理装置１００に搬入された基板Ｗは、基板保持部１１３上に載置される。本例では、周縁処理装置１００の動作開始時に、基板保持部１１３は支持状態であり、回転軸１１２の回転角度は、基準角度（０°）である。
【００７８】
まず、検出制御部１６１は、基板保持部１１３を吸着状態に切り替えることにより基板Ｗを吸着保持する（ステップＳ１）。次に、検出制御部１６１は、回転駆動部１１１による基板Ｗの回転を開始する（ステップＳ２）。次に、検出制御部１６１は、基板Ｗが予め定められた規定角度だけ回転される毎に垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２によりＸ方向および傾斜検出方向における基板Ｗの外周端部（検出部分）の位置を検出する（ステップＳ３）。次に、算出部１６２は、取得された位置に基づいて、各検出部分のＸシフト量および傾斜シフト量を取得し、取得されたＸシフト量および傾斜シフト量に基づいて各検出部分のＺシフト量を算出する（ステップＳ４）。次に、算出部１６２は、取得および算出された各シフト量に基づいて、各検出部分に対応する到達ずれ量を算出する（ステップＳ５）。基板Ｗが３６０度回転されると、全ての検出部分の位置が検出される。そこで、検出制御部１６１は、回転駆動部１１１による基板Ｗの回転を停止する（ステップＳ６）。
【００７９】
次に、移動制御部１６４は、ステップＳ５で算出された各検出部分に対応する到達ずれ量に基づいて、Ｘ補正量およびＹ補正量を算出する（ステップＳ７）。次に、移動制御部１６４は、算出されたＸ補正量およびＹ補正量に基づいて、到達位置ＰＩｔと基準到達位置ＰＩｓとのずれの方向をＸ方向に一致させるための回転軸１１２の回転角度を算出するとともに、基板Ｗを移動させるべき距離を算出する（ステップＳ８）。次に、移動制御部１６４は、算出された回転角度と一致するように回転駆動部１１１により回転軸１１２の回転角度を調整する（ステップＳ９）。さらに、移動制御部１６４は、基板保持部１１３を支持状態に切り替えることにより基板Ｗの吸着保持を解除する（ステップＳ１０）。
【００８０】
次に、移動制御部１６４は、算出された距離だけ基板移動機構１４０によって基板ＷをＸ方向に移動させる（ステップＳ１１）。次に、処理制御部１６５は、基板保持部１１３を吸着状態に切り替えることによって基板Ｗを吸着保持し（ステップＳ１２）、回転駆動部１１１による基板Ｗの回転を開始する（ステップＳ１３）。その状態で、処理制御部１６５は、バルブＶＬを開くことによって除去ノズル１３０から除去液を吐出し、基板Ｗの周縁処理を行う（ステップＳ１４）。この場合、基板Ｗの全周において、除去ノズル１３０からの除去液が基準到達位置ＰＩｓに到達するため、除去液によって処理される基板Ｗの周縁領域の幅が、基板Ｗの全周において均一になる。周縁処理が終了すると、処理制御部１６５は、図１のバルブＶＬを閉じるとともに、回転駆動部１１１による基板Ｗの回転を停止する（ステップＳ１５）。次に、処理制御部１６５は、基板保持部１１３を支持状態に切り替えることにより、基板Ｗの吸着保持を解除する（ステップＳ１６）。その後、処理済の基板Ｗが周縁処理装置１００から搬出される。
【００８１】
［９］実施の形態の効果
本実施の形態に係る周縁処理装置１００においては、水平面に対する基板Ｗの傾きを特定するための傾斜特定情報が検出され、検出された傾斜特定情報および予め定められたノズル角度に基づいて、除去ノズル１３０により処理される基板Ｗの部分と基板Ｗの中心との間の距離が一定に維持されるように、基板保持部１１３による基板Ｗの保持位置が水平方向において補正される。その状態で、回転駆動部１１１により基板Ｗが回転されつつ、除去ノズル１３０により基板Ｗの周縁領域に除去液が供給される。この場合、基板Ｗの傾きが維持されたまま基板Ｗの全周において基板Ｗの中心から一定距離の部分に処理を施すことが可能となる。したがって、装置の構成および動作の複雑化を抑制しつつ、基板Ｗの周縁領域に適切に処理を行うことができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２により複数の検出部分のＸシフト量および傾斜シフト量が取得され、取得されたＸシフト量および傾斜シフト量に基づいて、複数の検出部分のＺシフト量が傾斜特定情報として算出される。これにより、装置の構成および動作の複雑化を抑制しつつ複数の検出部分のＺシフト量を取得することができる。
【００８３】
さらに、本実施の形態では、基板Ｗを移動すべき方向がＸ方向と一致するように回転軸１１２の回転角度が調整された後、基板移動機構１４０によって基板ＷがＸ方向に移動されることにより基板Ｗの保持位置が補正される。これにより、基板移動機構１４０の構成が単純化され、装置コストを増大させることなく基板Ｗの位置補正を行うことができる。
【００８４】
［１０］他の実施の形態
上記実施の形態では、垂直検出器１５１と傾斜検出器１５２とが一体的に設けられるが、垂直検出器１５１と傾斜検出器１５２とが基板Ｗの周方向において互いに離れた位置に設けられていてもよい。その場合、１つの検出部分について、垂直検出器１５１により検出されるときの回転軸１１２の回転角度と、傾斜検出器１５２により検出されるときの回転軸１１２の回転角度とが異なる。そのため、垂直検出器１５１と傾斜検出器１５２との間の角度間隔に基づいて、１つの検出部分について、垂直検出器１５１による検出結果と傾斜検出器１５２による検出結果とが互いに対応付けられる。
【００８５】
上記実施の形態では、垂直検出器１５１および傾斜検出器１５２にそれぞれ含まれる２つのラインセンサによってＺ方向における基板Ｗの外周端部の位置が検出されるが、他のセンサが用いられてもよい。例えば、三角測距方式等によって基板Ｗの外周端部の変位を検出する変位センサが用いられてもよい。その場合、１つの変位センサによってＺ方向における基板Ｗの外周端部の位置（変位）が検出されてもよい。
【００８６】
上記実施の形態では、水平面上でＸ方向にのみ基板Ｗを移動可能な基板移動機構１４０が用いられるが、水平面上で複数方向（例えばＸ方向およびＹ方向）に基板Ｗを移動可能な移動機構が用いられてもよい。その場合、基板Ｗの位置補正を行う際に、基板Ｗの移動方向とＸ方向とを一致させるために回転軸１１２の回転角度を調整することなく、基板Ｗを所望の位置に移動させることができる。
【００８７】
上記実施の形態では、基板の周縁処理として、基板Ｗの周縁領域上に形成された膜を除去する周縁領域除去処理が行われるが、他の周縁処理が行われてもよい。例えば、周縁領域処理部として基板Ｗの周縁領域に光を照射する照射部が設けられ、周縁処理として、基板Ｗの周縁領域を露光するエッジ露光処理が行われてもよい。
【００８８】
また、基板Ｗの周縁領域上に形成された膜を除去する周縁領域除去処理として、成膜処理後に基板Ｗの周縁領域上に残ったＡｌ（アルミニウム）膜またはＴｉＮ（チタンナイトライド）膜をエッチング液（例えばＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）等）を使用して除去するベベルエッチング処理等を適用することも可能である。
【００８９】
［１１］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９０】
上記の実施の形態では、周縁処理装置１００が周縁処理装置の例であり、基板回転機構１１０が回転保持部の例であり、除去ノズル１３０が周縁領域処理部およびノズルの例であり、Ｚ方向が第１の方向の例であり、ノズル角度が第１の角度の例であり、情報検出部２１０が情報検出部の例であり、位置補正部２２０が位置補正部の例であり、傾斜検出器１５２が第１の検出器の例であり、傾斜検出方向が第２の方向の例であり、垂直検出器１５１が第２の検出器の例であり、Ｘ方向が第３および第４の方向の例であり、算出部１６２が算出部の例であり、支持部材１５４，１５５が保持部の例であり、基板移動機構１４０が移動機構の例であり、移動制御部１６４が移動制御部の例である。
【００９１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【符号の説明】
【００９２】
１００…周縁処理装置，１１０…基板回転機構，１１１…回転駆動部，１１２…回転軸，１１３…基板保持部，１３０…除去ノズル，１４０…基板移動機構，１４１…移動駆動部，１４２…リニアガイド，１４３…昇降駆動部，１４４…連結部材，１４５…支持ピン，１５０…外周端部検出部，１５１…垂直検出器，１５２…傾斜検出器，１５４，１５５…支持部材，１５１ａ，１５２ａ…出射部，１５１ｂ，１５２ｂ…受光部，１６０…周縁処理制御部
【図１】
2018182076.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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