(57)【要約】【課題】狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１絶縁基板と、第１端子部と、を備える第１基板と、第２絶縁基板と、第２端子部と、を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置する有機絶縁膜と、前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通する第１貫通孔と、前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の少なくとも一方を貫通し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の少なくとも一方を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備える表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１端子部と、を備える第１基板と、
第２絶縁基板と、第２端子部と、を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する有機絶縁膜と、
前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通する第１貫通孔と、
前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の少なくとも一方を貫通し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の少なくとも一方を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備える表示装置。
【請求項２】
前記第２貫通孔の中心軸は、前記第１貫通孔の中心軸に対して傾斜している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１貫通孔は、前記第２絶縁基板を貫通する第１孔部を有し、
前記第２貫通孔は、前記第２絶縁基板の上面と前記第１孔部の間を貫通する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２貫通孔は、前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜を貫通する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１貫通孔は、前記第２絶縁基板を貫通する第１孔部と、前記有機絶縁膜を貫通する第２孔部と、を有し、
前記第２貫通孔は、前記第２絶縁基板を貫通する第３孔部と、前記有機絶縁膜を貫通する第４孔部と、を有し、
前記第１孔部及び前記第３孔部は互いに離間し、前記第２孔部及び前記第４孔部は繋がっている請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、前記第２端子部に接続され、第１方向に延出した検出電極を備え、
前記第１貫通孔は、前記第２基板の上方へ開口した第１開口部を有し、
前記第２貫通孔は、前記第２基板の上方へ開口した第２開口部を有し、
前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ、請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１開口部及び前記第２開口部は、平面視で離間している、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１開口部及び前記第２開口部は、一部が平面視でつながっている、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２貫通孔は、前記有機絶縁膜の外端部と前記第１貫通孔との間で前記有機絶縁膜を貫通する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１絶縁基板と、第１端子部と、を備える第１基板と、
第２絶縁基板と、第２端子部と、を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する有機絶縁膜と、
前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通する第１貫通孔と、
前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の少なくとも一方を貫通し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の少なくとも一方を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備える基板間導通構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び基板間導通構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、第１絶縁基板と、第１端子部と、を備える第１基板と、第２絶縁基板と、第２端子部と、を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１端子部と前記第２絶縁基板との間に位置する有機絶縁膜と、前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通する第１貫通孔と、前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の少なくとも一方を貫通し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の少なくとも一方を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備える表示装置が提供される。
本実施形態によれば、第１絶縁基板と、第１端子部と、を備える第１基板と、第２絶縁基板と、第２端子部と、を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する有機絶縁膜と、前記第２絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通する第１貫通孔と、前記第２絶縁基板及び前記有機絶縁膜の少なくとも一方を貫通し、前記第１貫通孔に繋がった第２貫通孔と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の少なくとも一方を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、を備える基板間導通構造が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した表示装置の実施例を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図８】図８は、図６に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図９】図９は、センサの一構成例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、図６に示した第１貫通孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルを示す断面図である。
【図１１】図１１は、図６に示した検出電極及び第２端子部の構成の一例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図６に示した検出電極及び第２端子部の構成の他の例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図６に示した検出電極及び第２端子部の構成の他の例を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図３に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、図３に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、図３に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、図１に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、図１に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、図１に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、図５に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、図５に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図２２】図２２は、図５に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図２３】図２３は、図５に示した表示装置の製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、図３に示した表示装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図２５】図２５は、図３に示した表示装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図２６】図２６は、図３に示した表示装置の製造方法の変形例を示す図である。
【図２７】図２７は、図３に示した表示装置の製造方法の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁膜ＯＩと、配線基板ＳＵＢ３と、接続材Ｃと、充填部材ＦＩと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００１１】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０と、第１端子部ＴＭ１と、配線ＷＲと、パッド電極ＰＤと、を備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤは、主面１０Ａ側に位置している。配線ＷＲは、第１端子部ＴＭ１とパッド電極ＰＤとの間に配置されている。第１端子部ＴＭ１及びパッド電極ＰＤは、配線ＷＲを介して電気的に接続されている。なお、図示しないが、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤと、第１ガラス基板１０との間や、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。また、第１端子部ＴＭ１、配線ＷＲ、パッド電極ＰＤは、絶縁膜等を介して互いに別の層に形成されていても良い。なお、第１ガラス基板１０は、第１絶縁基板に相当し、第２ガラス基板２０は、第２絶縁基板に相当する。また、第１絶縁基板及び第２絶縁基板としては、樹脂基板を採用することが可能である。
【００１２】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０と、第２端子部ＴＭ２と、検出電極Ｒｘと、保護部材ＰＴと、を備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。主面２０Ａは、第１端子部ＴＭ１と対向し、且つ、第１端子部ＴＭ１から第３方向Ｚに離間している。上記したような第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば、無アルカリガラスによって形成されている。図示した例では、第２端子部ＴＭ２及び検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂ側に位置している。第２端子部ＴＭ２及び検出電極Ｒｘは、互いに電気的に接続されている。保護部材ＰＴは、検出電極Ｒｘ及び第２端子部ＴＭ２の上に配置されている。また、図示しないが、第２端子部ＴＭ２及び検出電極Ｒｘと、第２ガラス基板２０との間に、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
【００１３】
有機絶縁膜ＯＩは、第１ガラス基板１０と第２ガラス基板２０との間に位置している。また、有機絶縁膜ＯＩは、第１端子部ＴＭ１及び配線ＷＲの上にも位置している。ここで、有機絶縁膜ＯＩは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシールなどを含んでいる。
【００１４】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装され、パッド電極ＰＤと電気的に接続されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態に適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えている基板であれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
【００１５】
ここで、本実施形態における第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との接続構造について詳述する。表示装置ＤＳＰは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２を有している。
【００１６】
第１貫通孔Ｖ１は、第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０を貫通する孔部（第１孔部）ＶＡ１を有している。孔部ＶＡ１は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通している。図示した例では、孔部ＶＡ１は、第２端子部ＴＭ２も貫通している。  
第１貫通孔Ｖ１は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間において、有機絶縁膜ＯＩを貫通する孔部（第２孔部）ＶＢ１を有している。孔部ＶＢ１は、孔部ＶＡ１に繋がっている。  
第１貫通孔Ｖ１は、第１基板ＳＵＢ１において、第１端子部ＴＭ１を貫通する孔部ＶＣ１を有している。孔部ＶＣ１は、孔部ＶＢ１に繋がっている。また、第１貫通孔Ｖ１は、第１ガラス基板１０に形成された凹部ＣＣ１を有している。凹部ＣＣ１は、孔部ＶＣ１と第３方向Ｚで対向している。凹部ＣＣ１は、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣ１の第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣ１の代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していても良い。孔部ＶＢ１、孔部ＶＣ１、及び、凹部ＣＣ１は、いずれも孔部ＶＡ１の直下に位置している。孔部ＶＡ１、ＶＢ１、ＶＣ１、及び、凹部ＣＣ１は、第３方向Ｚに沿って同一直線上に並んでいる。  
なお、図示した例では、孔部ＶＢ１は、孔部ＶＡ１及びＶＣ１と比較して、第２方向Ｙに拡張されている。孔部ＶＢ１は、第２方向Ｙのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って孔部ＶＡ１及びＶＣ１よりも拡張されている。
【００１７】
第２貫通孔Ｖ２は、第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０を貫通する孔部（第３孔部）ＶＡ２を有している。孔部ＶＡ２は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通している。図示した例では、孔部ＶＡ２は、第２端子部ＴＭ２も貫通している。  
第２貫通孔Ｖ２は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間において、有機絶縁膜ＯＩを貫通する孔部（第４孔部）ＶＢ２を有している。孔部ＶＢ２は、孔部ＶＡ２に繋がっている。また、孔部ＶＢ２は、第２方向Ｙにおいて孔部ＶＢ１に繋がっており、孔部ＶＢ１と共に１つの孔部を形成している。
なお、第１貫通孔Ｖ１においては、例えば、孔部ＶＡ１は、略円柱状に形成されているが、孔部ＶＡ１は、上から下に向かって先細る形状に形成されていても良い。また、第２貫通孔Ｖ２においては、例えば、孔部ＶＡ２は、略円柱状に形成されているが、孔部ＶＢ１は、上から下に向かって先細る形状に形成されていても良い。
ここで、第１貫通孔Ｖ１は、第１貫通孔Ｖ１の延出方向に沿った中心軸ＡＸ１を有している。第２貫通孔Ｖ２は、第２貫通孔Ｖ２の延出方向に沿った中心軸ＡＸ２を有している。図示した例では、中心軸ＡＸ２は、中心軸ＡＸ１に対して傾斜している。すなわち、中心軸ＡＸ１は、第３方向Ｚに対して平行であり、中心軸ＡＸ２は、第３方向Ｚに対して傾斜している。第２貫通孔Ｖ２は、第１貫通孔Ｖ１に繋がっている。図示した例では、第２貫通孔Ｖ２は、孔部ＶＡ１及びＶＢ１に繋がっている。
【００１８】
上記したように、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は、それぞれ第２ガラス基板２０と有機絶縁膜ＯＩとを貫通している。なお、第２貫通孔Ｖ２は、第２ガラス基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの少なくとも一方を貫通し、第１貫通孔Ｖ１に繋がっていれば良い。具体的には、後述するが、第２貫通孔Ｖ２は、主面２０Ｂと孔部ＶＡ１との間で第２ガラス基板２０を貫通していても良いし、有機絶縁膜ＯＩの外端部と孔部ＶＢ１との間で有機絶縁膜ＯＩを貫通していても良い。また、第２貫通孔Ｖ２は、第１貫通孔Ｖ１に対して平行に形成されていても良い。
【００１９】
第１貫通孔Ｖ１は、第２基板ＳＵＢ２の上方へ開口した開口部ＯＰ１を有している。第２貫通孔Ｖ２は、第２基板ＳＵＢ２の上方へ開口した開口部ＯＰ２を有している。図示した例では、開口部ＯＰ１及びＯＰ２は、第２端子部ＴＭ２の上面ＬＴ２に位置し、互いに離間している。すなわち、孔部ＶＡ１と孔部ＶＡ２との間には第２ガラス基板２０が介在している。
【００２０】
接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２を通って第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続している。接続材Ｃは、銀などの金属材料を含み、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものであることが望ましい。接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１において、孔部ＶＡ１、ＶＢ１、ＶＣ１、及び、凹部ＣＣ１のそれぞれの内面に設けられ、第２貫通孔Ｖ２において、孔部ＶＡ２、ＶＢ２のそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、上面ＬＴ２、第２端子部ＴＭ２の内面ＬＳ２１及びＬＳ２２、第２ガラス基板２０の内面２０１Ｓ及び２０２Ｓにそれぞれ接触している。内面ＬＳ２１及び２０１Ｓは、孔部ＶＡ１の内面を形成している。内面ＬＳ２２及び２０２Ｓは、孔部ＶＡ２の内面を形成している。
【００２１】
接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間において、有機絶縁膜ＯＩの内面ＯＩＳに接している。内面ＯＩＳは、孔部ＶＢ１及びＶＢ２が繋がって形成された孔部の内面を形成している。また、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１端子部ＴＭ１の内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣ１にもそれぞれ接触している。内面ＬＳ１は、孔部ＶＣ１の内面を形成している。
【００２２】
図示した例では、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２において途切れることなく設けられている。なお、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の少なくとも一方を通って第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続していれば良い。
【００２３】
また、図示した例では、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の内面に設けられているが、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の少なくとも一方を埋めるように充填されていても良い。この場合にも、接続材Ｃは、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。
【００２４】
充填部材ＦＩは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の中空部分に充填されている。また、充填部材ＦＩは、第２端子部ＴＭ２の上方にも配置され、接続材Ｃを覆っている。充填部材ＦＩは、例えば絶縁性を有し、有機絶縁材料によって形成されている。このように、充填部材ＦＩが配置されることにより、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２に中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、接続材Ｃを保護することができる。また、充填部材ＦＩは、導電性を有していても良く、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものであっても良い。充填部材ＦＩが導電性を有している場合には、接続材Ｃが途切れたとしても、充填部材ＦＩが第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。
【００２５】
上記した構成により、第２端子部ＴＭ２は、接続材Ｃ及び第１端子部ＴＭ１などを介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。このため、検出電極Ｒｘに対して信号を書き込んだり、検出電極Ｒｘから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して検出電極Ｒｘと接続可能となる。つまり、検出電極Ｒｘと制御回路とを接続するために、図１中に点線で示した配線基板ＳＵＢ４を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。
【００２６】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。図２は、図１に示した構成と比較して、第２貫通孔Ｖ２が有機絶縁膜ＯＩを貫通していない点で相違している。  
すなわち、第２貫通孔Ｖ２は、主面２０Ｂと孔部ＶＡ１との間で第２ガラス基板２０を貫通している。このとき、開口部ＯＰ１及びＯＰ２は離間している。なお、図２に示すように、開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２との間の第２端子部ＴＭ２の上方には、保護部材ＰＴは配置されていなくても良く、充填部材ＦＩが配置されていても良い。
【００２７】
図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図３は、図１に示した構成と比較して、第２貫通孔Ｖ２が第１貫通孔Ｖ１に対して平行である点で相違している。
【００２８】
第２貫通孔Ｖ２は、孔部ＶＡ２及びＶＢ２に加えて、第１基板ＳＵＢ１において、第１端子部ＴＭ１を貫通する孔部ＶＣ２と、第１ガラス基板１０に形成された凹部ＣＣ２と、を有している。孔部ＶＣ２は、孔部ＶＢ２に繋がっている。凹部ＣＣ２は、孔部ＶＣ２と第３方向Ｚで対向している。図示した例では、孔部ＶＡ１及びＶＡ２は、第２方向Ｙに互いに離間している。すなわち、孔部ＶＡ１と孔部ＶＡ２との間に第２ガラス基板２０及び第２端子部ＴＭ２が介在している。このとき、開口部ＯＰ１及びＯＰ２は離間している。孔部ＶＢ２は、孔部ＶＡ２及びＶＣ２と比較して、第２方向Ｙに拡張されている。孔部ＶＢ１は、第２方向Ｙのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って孔部ＶＡ２及びＶＣ２よりも拡張されている。これにより、孔部ＶＢ１及びＶＢ２は、第２方向Ｙに繋がっている。また、孔部ＶＣ１及びＶＣ２は、第２方向Ｙに互いに離間している。すなわち、孔部ＶＣ１と孔部ＶＣ２との間に第１端子部ＴＭ１が介在している。また、凹部ＣＣ１及びＣＣ２は、第２方向Ｙに互いに離間している。すなわち、凹部ＣＣ１と凹部ＣＣ２との間に第１ガラス基板１０が介在している。
【００２９】
図４は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図４は、図３に示した構成と比較して、孔部ＶＡ１及びＶＡ２が第２方向Ｙに繋がっている点で主に相違している。  
このとき、開口部ＯＰ１及びＯＰ２は、繋がっている。孔部ＶＢ１及びＶＢ２は第２方向Ｙに繋がっている。孔部ＶＣ１及びＶＣ２は第２方向Ｙに繋がっている。凹部ＣＣ１及びＣＣ２は第２方向Ｙに繋がっている。すなわち、第２貫通孔Ｖ２は、孔部ＶＡ２から凹部ＣＣ２まで連続して第２方向Ｙに第１貫通孔Ｖ１と繋がっている。
【００３０】
図５は、図１に示した表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面における断面を示している。図５は、図１に示した構成と比較して、第２貫通孔Ｖ２の位置が相違している。  
図示した例では、第２貫通孔Ｖ２は、第２ガラス基板２０を貫通しておらず、有機絶縁膜ＯＩを貫通している。第２貫通孔Ｖ２は、有機絶縁膜ＯＩの外端部ＯＩＥと第１貫通孔Ｖ１との間で有機絶縁膜ＯＩを貫通している。図示した例では、第２貫通孔Ｖ２は、外端部ＯＩＥと孔部ＶＢ１との間を貫通している。このとき、開口部ＯＰ２は、外端部ＯＩＥに位置している。また、接続材Ｃは、第２貫通孔Ｖ２の内面には配置されない。
【００３１】
図６は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面を示している。
【００３２】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層に相当する表示機能層と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図６において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせている。
【００３３】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置しており、表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００３４】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。
【００３５】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００３６】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、検出電極Ｒｘを備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられ、第１方向Ｘに延出している。なお、センサＳＳは、図示しない複数の検出電極Ｒｘを備えており、複数の検出電極Ｒｘは、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。ここで、図６において、表示領域ＤＡよりも左側の領域を一端側とし、表示領域ＤＡよりも右側の領域を他端側とする。
【００３７】
検出電極Ｒｘは、検出部ＲＳと、接続部ＣＮとを備えている。検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘにおいては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図１１を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘは、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。
【００３８】
検出電極Ｒｘは、第２端子部ＴＭ２と接続されている。第２端子部ＴＭ２は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。第２端子部ＴＭ２は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。
【００３９】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続された第１端子部ＴＭ１及び配線Ｗ１を備えている。第１端子部ＴＭ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に配置され、平面視でシールＳＥと重なっている。第１端子部ＴＭ１は、平面視で第２端子部ＴＭ２と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００４０】
第１貫通孔Ｖ１は、第２端子部ＴＭ２と第１端子部ＴＭ１とが対向する位置に形成されている。第２貫通孔Ｖ２は、第１貫通孔Ｖ１の第２方向Ｙに並んでいる。上述したように、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の少なくとも一方には、導電性を有する接続材Ｃが設けられている。これにより、第２端子部ＴＭ２と第１端子部ＴＭ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００４１】
なお、図示した例では、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。
【００４２】
配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１を介して検出電極Ｒｘに接続されており、検出電極Ｒｘに接続された配線Ｗ１が第1基板ＳＵＢ１側に形成されることで第２基板ＳＵＢ２に配線Ｗ１を形成するための領域が不要であり、他の部材を配置するための領域を拡大できるほか、第２基板ＳＵＢ２の形状のレイアウトの自由度を向上することができる。
【００４３】
図７は、図６に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図６に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。
【００４４】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
【００４５】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００４６】
図８は、図６に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。  
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００４７】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
【００４８】
第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａに位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００４９】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００５０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００５１】
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００５２】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。また、カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００５３】
検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
【００５４】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００５５】
走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。例えば、走査線Ｇはモリブデンやタングステンを有する金属材料によって形成され、信号線Ｓはアルミニウムやチタンを有する金属材料によって形成され、金属層Ｍはアルミニウムやモリブデンを有する金属材料によって形成される。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００５６】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
【００５７】
図９は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００５８】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図６を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１端子部に接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００５９】
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを兼ねる。すなわち、センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００６０】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センサ駆動電極Ｔｘとの間で静電容量を発生させる。この静電容量は指等の被検出物の近接によって変化する。検出電極Ｒｘからは、係る静電容量に基づく検出信号が出力される。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図６に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００６１】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００６２】
また、図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Ｔｘがそれぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００６３】
図１０は、図６に示した第１貫通孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示し、第１配向膜及び第２配向膜等の図示を省略している。また、図１０に示す構成は、図１に示した構成の具体例であり、図１と重複する部材の説明を省略する。なお、図１は、Ｙ−Ｚ平面における断面図を示していたが、図１０は、Ｘ−Ｚ平面における断面図を示している。
【００６４】
図示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層ＬＣと、接続材Ｃと、充填部材ＦＩと、を備えている。
【００６５】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、第１端子部ＴＭ１、配線Ｗ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第３端子部ＴＭ３などを備えている。
【００６６】
第１絶縁膜１１は、絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３を備えている。絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３は、この順に、第１ガラス基板１０上に積層されている。第１絶縁膜１１は、凹部ＧＲを有している。図示した例では、凹部ＧＲは、絶縁膜１１２及び１１３を絶縁膜１１１まで貫通している。また、詳述しないが、表示領域において、絶縁膜１１１と絶縁膜１１２との間には、スイッチング素子の半導体層が配置され、絶縁膜１１２と絶縁膜１１３との間には、図７に示した走査線Ｇが配置されている。
【００６７】
図示した例では、第１端子部ＴＭ１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａ側に位置し、凹部ＧＲの内部に配置されている。すなわち、第１端子部ＴＭ１は、絶縁膜１１１に接している。また、配線Ｗは、絶縁膜１１３の上に配置されている。ここで、配線Ｗは、例えば、表示領域において形成された信号線と同一層に位置している。本実施形態においては、第１端子部ＴＭ１は、例えば、図７に示した信号線Ｓと同一材料によって一括して形成されている。第２絶縁膜１２は、第１端子部ＴＭ１及び配線Ｗを覆い、絶縁膜１１３の上にも配置されている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に配置されている。
【００６８】
なお、凹部ＧＲと重なる位置において、絶縁膜１１１が第１ガラス基板１０まで貫通していても良く、凹部ＧＲの内部に配置された第１端子部ＴＭ１が、第１ガラス基板１０に接していても良い。
【００６９】
第３端子部ＴＭ３は、第２絶縁膜１２とシールＳＥとの間に位置している。第３端子部ＴＭ３は、第２絶縁膜１２を第１端子部ＴＭ１まで貫通するコンタクトホールＣＨを介して、第１端子部ＴＭ１と電気的に接続されている。このような第３端子部ＴＭ３は、図８を参照して説明した金属層Ｍと同一層に位置している。第３端子部ＴＭ３は、例えば、図８に示した金属層Ｍと同一材料によって一括して形成されている。
【００７０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、第２端子部ＴＭ２、検出電極Ｒｘ、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。
【００７１】
遮光層ＢＭは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。
【００７２】
シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、シールＳＥに囲まれた領域に位置している。図示した例では、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥは、有機絶縁膜ＯＩに相当する。
【００７３】
なお、図示しないが、第１基板ＳＵＢ１のシールＳＥ側に第１配向膜が配置されていても良い。また、第２基板ＳＵＢ２のシールＳＥ側に第２配向膜が配置されていても良い。
【００７４】
第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。第１端子部ＴＭ１は、例えば、アルミニウムを有する金属材料によって形成され、モリブデンやタングステンのようにアルミニウムと比べて高融点である材料を有する金属材料を用いない方が製造工程上好ましい。
【００７５】
図示した例では、孔部ＶＡ１は、第２端子部ＴＭ２及び第２ガラス基板２０を貫通し、孔部ＶＢ１は、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥを貫通し、孔部ＶＣ１は、第３端子部ＴＭ３、第２絶縁膜１２、第１端子部ＴＭ１、絶縁膜１１１を貫通している。
【００７６】
なお、図示した例では、第３端子部ＴＭ３は、第１貫通孔Ｖ１内に突出している。そのため、第１貫通孔Ｖ１内で、第３端子部ＴＭ３と接続材Ｃとの間の接触面積を増やすことができる。したがって、第３端子部ＴＭ３を介して接続材Ｃと第１端子部ＴＭ１との間の導通の信頼性を向上することができる。
【００７７】
図１１は、図６に示した検出電極Ｒｘ及び第２端子部ＴＭ２の構成の一例を示す平面図である。  
図１１（Ａ）に示す例では、表示装置ＤＳＰは、第２端子部ＴＭ２１及びＴＭ２２と、接続配線ＣＷ１及びＣＷ２と、検出電極Ｒｘと、を備えている。第２端子部ＴＭ２１及びＴＭ２２は、それぞれ円環状に形成されている。第２端子部ＴＭ２１は、接続配線ＣＷ１を介して検出電極Ｒｘと接続されている。第２端子部ＴＭ２２は、接続配線ＣＷ２を介して検出電極Ｒｘと接続されている。検出電極Ｒｘは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。開口部ＯＰ１は、第２端子部ＴＭ２１の内側に位置している。開口部ＯＰ２は、第２端子部ＴＭ２２の内側に位置している。開口部ＯＰ１及びＯＰ２は、第２方向Ｙに沿って並び、平面視で離間している。すなわち、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は、開口部ＯＰ１及びＯＰ２においては離間しており、孔内部において繋がっている。
【００７８】
後述するように、接続材Ｃが形成される際に、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２のうちどちらか一方から接続材Ｃが注入され、もう一方から気泡が放出される。図示した例では、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の両方が第１端子部及び第２端子部ＴＭ２１、ＴＭ２２を接続するための貫通孔として形成されている。このような場合、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は、例えば、同時に形成される。
【００７９】
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示した構成と比較して、第２貫通孔Ｖ２の周辺に検出電極Ｒｘと接続された第２端子部ＴＭ２２が配置されていない点で相違している。  
図示した例では、第１貫通孔Ｖ１が第１端子部及び第２端子部ＴＭ２１を接続するための貫通孔として形成されている。このような構成においては、例えば、第１貫通孔Ｖ１において接続材Ｃの導通不良が生じた場合に、第２貫通孔Ｖ２から接続材Ｃが注入されることによって、第１貫通孔Ｖ１の内部で接続材Ｃが連続して形成され、導通不良を改善することができる。つまり、第１貫通孔Ｖ１及び接続材Ｃを一度形成した後に、第１貫通孔Ｖ１内の接続材Ｃの導通状態を検査し、導通不良が生じている場合に第２貫通孔Ｖ２が形成される。
【００８０】
なお、検出電極Ｒｘの形状は、図示した例に限らず、例えば、波状に形成されていても良く、鋸歯状や、正弦波状などの他の形状であっても良い。  
また、図１１は、図１乃至図３に示したように、開口部ＯＰ１及びＯＰ２が離間した構成に対応している。
【００８１】
図１２は、図６に示した検出電極Ｒｘ及び第２端子部ＴＭ２の他の例を示す平面図である。図１２は、図１１（Ｂ）に示した構成と比較して、第２貫通孔Ｖ２の位置が異なっている。  
図１２は、図５に示したように、第２貫通孔Ｖ２が有機絶縁膜ＯＩの外端部ＯＩＥと第１貫通孔Ｖ１との間で貫通している場合を示している。このとき、開口部ＯＰ２は、外端部ＯＩＥに位置している。
【００８２】
図１３は、図６に示した検出電極Ｒｘ及び第２端子部ＴＭ２の他の例を示す平面図である。図１３は、図１１（Ｂ）に示した構成と比較して、開口部ＯＰ２が開口部ＯＰ１に繋がっている点で相違している。  
図１３は、図４に示したように第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２が繋がっている場合を示している。すなわち、開口部ＯＰ１及びＯＰ２は、平面視で、つながっており互いに一部が重なっている。なお、第２端子部ＴＭ２１は、例えば、開口部ＯＰ２と重なる位置において途切れている。
【００８３】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１４乃至図１６を参照しながら説明する。  
図１４乃至図１６は、図３に示した表示装置ＤＳＰの製造方法を示す図である。なお、図１４は、第２端子部ＴＭ２の上に配置された保護部材ＰＴの一部をレーザー光によって除去した後の工程を示している。
【００８４】
図１４に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ１を照射する。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであれば良く、エキシマレーザー装置なども適用可能である。このようなレーザー光ＬＬ１を照射することにより、第１貫通孔Ｖ１が形成される。続いて、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ２を照射することにより、第２貫通孔Ｖ２を形成する。レーザー光ＬＬ１及びＬＬ２は同一のレーザー光である。レーザー光ＬＬ１の照射により、有機絶縁膜ＯＩの層に形成された孔部ＶＢ１は、孔部ＶＡ１及びＶＣ１に対して、Ｘ−Ｙ方向に広がっている。また、レーザー光ＬＬ２の照射により、有機絶縁膜ＯＩの層に形成された孔部ＶＢ２は、孔部ＶＡ２及びＶＣ２に対して、Ｘ−Ｙ方向に広がっている。このため、孔部ＶＢ１及びＶＢ２は、互いに繋がっている。すなわち、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２を有機絶縁膜ＯＩの層において繋げることができる。
【００８５】
続いて、図１５に示すように、第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。まず、第２貫通孔Ｖ２に導通材料ＣＭを注入する。このとき、導通材料ＣＭは、方向ａに沿って第２貫通孔Ｖ２に注入され、気泡ＢＢは方向ｂに沿って第１貫通孔Ｖ１の外部へ放出される。つまり、導通材料ＣＭは、第２貫通孔Ｖ２から注入され、気泡ＢＢは第１貫通孔Ｖ１から放出される。
【００８６】
その後、図１６に示すように、導通材料ＣＭに含まれる溶剤が気化することにより、導通材料ＣＭの体積が減少していく。この結果、導通材料ＣＭ中の金属材料からなる微粒子が第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の内面に被膜状に残存すると共に、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２に中空部分が形成される。このように形成された接続材Ｃは、図示した例では、第２貫通孔Ｖ２の内面に接し、第１貫通孔Ｖ１において、凹部ＣＣ１の内面、孔部ＶＣ１の内面、孔部ＶＢ１の内面に接している。
【００８７】
なお、図１５に示した工程において、導通材料ＣＭは、第１貫通孔Ｖ１から注入され、気泡ＢＢは第２貫通孔Ｖ２から放出されても良い。また、図１６に示した工程において、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２のどちらか一方で第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を接続していれば良く、第１貫通孔Ｖ１の内面において連続して形成されていても良い。また、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の両方で連続して形成されていても良い。この場合、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は、両者とも第１端子部ＴＭ１及び第２端子部ＴＭ２を接続するための貫通孔として機能する。
【００８８】
なお、図１４に示した例では、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２は同一工程にて形成されているが、後述するように、第１貫通孔Ｖ１内に接続材Ｃを形成した後、接続材Ｃの導通状態の検査を行い、導通不良を確認した上で、第２貫通孔Ｖ２を形成しても良い。
【００８９】
本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、第１貫通孔Ｖ１に加えて第２貫通孔Ｖ２を有している。第２貫通孔Ｖ２は、第２ガラス基板２０及び有機絶縁膜ＯＩの少なくとも一方を貫通し、第１貫通孔Ｖ１に繋がっている。そのため、接続材Ｃを形成する際に、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２のどちらか一方から接続材Ｃが注入され、もう一方から気泡ＢＢが放出されることで、気泡ＢＢの残留による接続材Ｃの製造歩留まりの低下を抑制することができる。したがって、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２と間の導通不良の発生を抑制することができる。
【００９０】
また、例えば、第１貫通孔Ｖ１において、接続材Ｃの充填不足や硬化不足による導通不良が生じた場合にも、第２貫通孔Ｖ２を形成し、接続材Ｃを再度形成することにより、導通不良を改善することができる。よって、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２と間の接続信頼性を向上することができる。
【００９１】
また、本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に実装される配線基板ＳＵＢ３の他に、第２基板ＳＵＢ２に配線基板ＳＵＢ４が実装される例と比較して、配線基板ＳＵＢ４を実装するための端子部や、第２端子部ＴＭ２と配線基板ＳＵＢ４とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる配線基板ＳＵＢ４のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００９２】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例について図１７乃至図１９を参照しながら説明する。  
図１７乃至図１９は、図１に示した表示装置ＤＳＰの製造方法を示す図である。
【００９３】
図１７に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ１を照射することにより、第１貫通孔Ｖ１を形成する。続いて、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ２を照射することにより、第２貫通孔Ｖ２を形成する。レーザー光ＬＬ２は、第３方向Ｚに対して傾斜した方向に照射される。これによって、第２貫通孔Ｖ２は、孔部ＶＡ１及びＶＢ１と接続される。
【００９４】
続いて、図１８に示すように、接続材Ｃを形成する。まず、第２貫通孔Ｖ２に導通材料ＣＭを注入する。このとき、導通材料ＣＭは、方向ａに沿って第２貫通孔Ｖ２に注入され、気泡ＢＢは方向ｂに沿って第１貫通孔Ｖ１の外部へ放出される。つまり、導通材料ＣＭは、第２貫通孔Ｖ２から注入され、気泡ＢＢは第１貫通孔Ｖ１から放出される。なお、導通材料ＣＭは、第１貫通孔Ｖ１から注入され、気泡ＢＢは第２貫通孔Ｖ２から放出されても良い。
【００９５】
その後、図１９に示すように、導通材料ＣＭに含まれる溶剤を除去することにより、導通材料ＣＭの体積が減少し、中空部分が形成される。このように形成された接続材Ｃは、図示した例では、第２貫通孔Ｖ２の内面に接し、第１貫通孔Ｖ１において、凹部ＣＣ１の内面、孔部ＶＣ１の内面、孔部ＶＢ１の内面に接している。なお、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１の内面において連続して形成されていても良いし、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２の両方で連続して形成されていても良い。また、第１貫通孔Ｖ１内の接続材Ｃの導通不良を確認した後に、第２貫通孔Ｖ２が形成されても良い。
【００９６】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例について図２０乃至図２３を参照しながら説明する。  
図２０乃至図２３は、図５に示した表示装置ＤＳＰの製造方法を示す図である。
【００９７】
図２０に示すように、外端部ＯＩＥ側から有機絶縁膜ＯＩに向けてレーザー光ＬＬ３を照射することにより、第２貫通孔Ｖ２を形成する。レーザー光ＬＬ３は、例えば、レーザー光ＬＬ１及びＬＬ２と同一のレーザー光である。
【００９８】
続いて、図２１に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ１を照射することにより、第１貫通孔Ｖ１を形成する。レーザー光ＬＬ１は、第２貫通孔Ｖ２と第３方向Ｚに重なる位置に照射される。これにより、第２貫通孔Ｖ２は、第１貫通孔Ｖ１に接続される。
【００９９】
続いて、図２２に示すように、接続材Ｃを形成する。まず、第１貫通孔Ｖ１に導通材料ＣＭを注入する。このとき、導通材料ＣＭは、方向ａに沿って第１貫通孔Ｖ１に注入され、気泡ＢＢは方向ｂに沿って第２貫通孔Ｖ２の外部へ放出される。つまり、導通材料ＣＭは、第１貫通孔Ｖ１から注入され、気泡ＢＢは第２貫通孔Ｖ２から放出される。
【０１００】
その後、図２３に示すように、導通材料ＣＭに含まれる溶剤を除去することにより、導通材料ＣＭの体積が減少し、中空部分が形成される。このように形成された接続材Ｃは、図示した例では、第１貫通孔Ｖ１の内面に接している。なお、第２貫通孔Ｖ２は、例えば、円錐状に形成されている。このとき、第２貫通孔Ｖ２の先端部ＴＰの径は、接続材Ｃが漏れ出ない程度に小さく形成されている。
【０１０１】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例について図２４乃至図２７を参照しながら説明する。  
図２４乃至図２７は、図３に示した表示装置ＤＳＰの製造方法の変形例を示す図である。
【０１０２】
図２４は、第１貫通孔Ｖ１を形成し、接続材Ｃを第１貫通孔Ｖ１内に形成した後の工程を示している。図示した例では、接続材Ｃは、孔部ＶＡ１の内面に形成されている。すなわち、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１において、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との間で連続して形成されていない。まず、第１貫通孔Ｖ１に接続材Ｃが形成された状態で、第１端子部ＴＭ１と第２端子部ＴＭ２との間の導通状態を検査する。図示したような場合には、導通不良が確認される。
【０１０３】
続いて、図２５に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光ＬＬ２を照射することにより、第２貫通孔Ｖ２を形成する。これにより、第１貫通孔Ｖ１及び第２貫通孔Ｖ２を有機絶縁膜ＯＩの層において繋げることができる。このとき、第２貫通孔Ｖ２は、第１貫通孔Ｖ１から距離ＤＴだけ離れたところに形成される。本実施形態においては、距離ＤＴは、例えば、１００μｍ程度である。
【０１０４】
続いて、図２６に示すように、接続材Ｃを形成する。まず、第２貫通孔Ｖ２に相通材料ＣＭを注入する。このとき、導通材料ＣＭは、方向ａに沿って第２貫通孔Ｖ２に注入され、気泡ＢＢは方向ｂに沿って第１貫通孔Ｖ１の外部へ放出される。つまり、導通材料ＣＭは、第２貫通孔Ｖ２から注入され、気泡ＢＢは第１貫通孔Ｖ１から放出される。なお、導通材料ＣＭは、第１貫通孔Ｖ１から注入され、気泡ＢＢは第２貫通孔Ｖ２から放出されても良い。
【０１０５】
その後、図２７に示すように、導通材料ＣＭに含まれる溶剤を除去することにより、導通材料ＣＭの体積が減少し、中空部分が形成される。このように形成された接続材Ｃは、図示した例では、第２貫通孔Ｖ２の内面に接し、第１貫通孔Ｖ１において、凹部ＣＣ１の内面、孔部ＶＣ１の内面、孔部ＶＢ１の内面に接している。なお、接続材Ｃは、第１貫通孔Ｖ１において先に形成されていた接続材Ｃと連続して形成されていても良いし、第１貫通孔Ｖ１のみに形成されていても良い。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
【０１０７】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０８】
ＤＳＰ…表示装置、１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、
ＴＭ１…第１端子部、ＴＭ２…第２端子部、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
ＯＩ…有機絶縁膜、Ｖ１…第１貫通孔、Ｖ２…第２貫通孔、Ｃ…接続材、
ＶＡ１、ＶＡ２、ＶＢ１、ＶＢ２、ＶＣ１、ＶＣ２…孔部、
ＯＰ１、ＯＰ２…開口部、ＯＩＥ…外端部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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