(57)【要約】      （修正有）【課題】３Ｄメモリアレイ及びその他の電子部品の形成に有用な、インプリントリソグラフィ用テンプレートを提供する。【解決手段】テンプレート４００は、ベース面４１０と、ベース平面に沿って位置するベース面から延在するリセッション４２０とを含み、リセッションは、テーパーの側壁を有する。テーパーの側壁４３２は、所定の角度でベース平面に交差する直線に沿って位置する。角度は、デバイス層の厚さ、接触に必要な空間及びそれに関連するミスアライメントトレランスの関数であってもよい。【選択図】図４
2018101782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィのためのテンプレートであって、
ベース面を含む本体を備え、前記本体は、ベース平面に沿って位置する前記ベース面から延在するリセッションを有し、前記リセッションは、テーパーの側壁を有する主要部分を含むことを特徴とするテンプレート。
【請求項２】
前記リセッションは、
遠位面と、
中間側壁を有する中間部分と、を更に含み、
前記ベース面は、前記主要部分よりも前記遠位面に遠く、
前記主要部分は、前記ベース面と前記遠位面との間に配置され、
前記テーパーの側壁は、前記ベース平面に対して平均テーパー角度を有し、
前記中間側壁は、丸い、又は、前記中間側壁の少なくとも一部は、前記平均テーパー角度と比較して、異なる角度で前記ベース平面に交差する線に沿って位置することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記ベース平面に対して、前記主要部分の前記テーパーの側壁は、平均テーパー角度を有し、前記中間側壁は、前記平均テーパー角度よりも大きい角度で前記ベース平面に交差する線に沿って位置することを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記中間部分は、湾曲した側壁を有することを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記主要部分及び前記中間部分のそれぞれは、湾曲した側壁を有し、前記主要部分の曲率半径は、前記中間部分の曲率半径よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項６】
前記遠位面は、非平面であることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項７】
前記主要部分に沿って、前記テーパーの側壁は、線に沿って位置することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項８】
前記線は、最大４５°の角度で前記ベース平面に交差することを特徴とする請求項７に記載のテンプレート。
【請求項９】
前記テンプレートは、アパーチャを更に備え、前記リセッションは、前記アパーチャを介して、前記テンプレートの外側の領域と流体連通していることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項１０】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
テンプレートを備え、
前記テンプレートは、ベース面を含む本体を含み、前記本体は、ベース平面に沿って位置する前記ベース面から延在するリセッションを有し、前記リセッションは、テーパーの側壁を有する主要部分を含む、
ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記リセッションは、
遠位面と、
中間側壁を有する中間部分と、
を更に含み、
前記ベース面は、前記主要部分よりも前記遠位面に遠く、
前記主要部分は、前記ベース面と前記遠位面との間に配置され、
前記テーパーの側壁は、前記ベース平面に対して平均テーパー角度を有し、
前記中間側壁は、丸い、又は、前記中間側壁の少なくとも一部は、前記平均テーパー角度と比較して、異なる角度で前記ベース平面に対して位置することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記テンプレートは、アパーチャを更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
半導体デバイスを製造する方法であって、
デバイス層を含む基板を提供することと、
テーパーの側壁を有するパターンレジスト層を形成することと、
前記パターンレジスト層を使用して前記デバイス層をパターニングすることであって、前記デバイス層は、前記パターンレジスト層の前記テーパーの側壁に対応するテーパーの側壁を有することと、
少なくとも一部のデバイス層の横方向部分を露出するために、前記デバイス層の少なくとも一部の部分をエッチングすることと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記少なくとも一部のデバイス層の部分をエッチングした後、前記少なくとも一部のデバイス層は、実質的に、垂直側壁を有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも一部のデバイス層の部分をエッチングした後、その他のデバイス層は、前記テーパーの側壁を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
その他のデバイス層の横方向部分を露出するために、前記その他のデバイス層の部分をエッチングすることを更に備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記その他のデバイス層の部分をエッチングした後、前記デバイス層は、実質的に、垂直側壁を有することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも一部のデバイス層は、導電性デバイス層であり、その他のデバイス層は、絶縁性デバイス層である、又は、
前記少なくとも一部のデバイス層は、絶縁性デバイス層であり、その他のデバイス層は、導電性デバイス層であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記導電性デバイス層は、トランジスタのゲート電極を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記導電性デバイス層の横方向部分に加える導電性プラグを形成することを更に備えることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、リセッションを有する、インプリントリソグラフィに使用されるテンプレート、そのテンプレートを使用する装置及び物品を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の密度は、電子部品が平面（２次元又は２Ｄ）配置でレイアウトされるときに制限される。電子部品の密度は、３次元又は３Ｄ配置を可能にするために、部品を垂直方向に向けることによって、更に増加させることができる。メモリデバイスは、電子デバイスのうちの最も高い電子部品密度の幾つかを有する。メモリセル密度ができるだけ高くなるように、多数のメモリセルが配置されている。
【０００３】
電子部品が３Ｄ配置を有する場合、そのような電子部品を備えた電子デバイスの形成は、多数の工程を必要とする。幾つかの３Ｄメモリ配置において、一組のデバイス層は、個々に、又は、一対の導電層及び絶縁層として形成され、パターン化されてもよい。３２のゲート電極層を有するメモリアレイの３Ｄ配置に対して、３２のマスク及びエッチングオペレーションは、ゲート電極層のパターニングに使用してもよい。ゲート電極層の数が増加するにつれて、複雑さが増加する。
【０００４】
３Ｄ配置においてパターン層を形成するプロセスは、垂直側壁を有する非常に厚いパターンレジスト層を形成することを含むことができる。プロセスは、一対のデバイス層をパターニングする個々の工程と、レジスト浸食工程との間で交互に行うことができる。デバイス層のパターニングの間に横方向寸法を制御することは困難であり、再現性のある方法で行うようにすることは尚更困難である。プロセスフローを単純化し、更に、大量生産で要求される良好な再現性を実現する必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一側面において、テンプレートは、インプリントリソグラフィプロセスに使用される。テンプレートは、ベース面を含む本体を備え、本体は、ベース平面に沿って位置するベース面から延在するリセッションを有し、リセッションは、テーパーの側壁を有する主要部分を含む。
【０００６】
実施形態において、リセッションは、遠位面と、中間側壁を有する中間部分とを更に含み、ベース面は、主要部分よりも遠位面に遠く、主要部分は、ベース面と遠位面との間に配置され、テーパーの側壁は、ベース平面に対して平均テーパー角度を有し、中間側壁は、丸い、又は、中間側壁の少なくとも一部は、平均テーパー角度と比較して、異なる角度でベース平面と交差する線に沿って位置する。
【０００７】
特定の実施形態において、ベース平面に対して、主要部分のテーパーの側壁は、平均テーパー角度を有し、中間側壁は、平均テーパー角度よりも大きい角度でベース平面と交差する線に沿って位置する。
【０００８】
別の特定の実施形態において、中間部分は、湾曲した側壁を有する。
【０００９】
更に別の特定の実施形態において、主要部分及び中間部分のそれぞれは、湾曲した側壁を有し、主要部分の曲率半径は、中間部分の曲率半径よりも大きい。
【００１０】
更なる特定の実施形態において、遠位面は、非平面である。
【００１１】
更なる別の実施形態において、主要部分に沿って、テーパーの側壁は、線に沿って位置する。
【００１２】
特定の実施形態において、線は、最大４５°の角度でベース平面に交差する。
【００１３】
更なる実施形態において、テンプレートは、アパーチャを更に備え、リセッションは、アパーチャを介して、テンプレートの外側の領域と流体連通している。
【００１４】
別の側面において、装置は、インプリントリソグラフィに使用される。
装置は、ベース面を含む本体を含むテンプレートを備え、本体は、ベース平面に沿って位置するベース面から延在するリセッションを有し、リセッションは、テーパーの側壁を有する主要部分を含む。
【００１５】
実施形態において、リセッションは、遠位面と、中間側壁を有する中間部分とを更に含み、ベース面は、主要部分よりも遠位面に遠く、主要部分は、ベース面と遠位面との間に配置され、テーパーの側壁は、ベース平面に対して平均テーパー角度を有し、中間側壁は、丸い、又は、中間側壁の少なくとも一部は、平均テーパー角度と比較して、異なる角度でベース平面に対して位置する。
【００１６】
別の実施形態において、テンプレートは、アパーチャを更に備える。
【００１７】
更なる側面において、方法は、半導体デバイスを製造するために使用され、方法は、デバイス層を含む基板を提供することと、テーパーの側壁を有するパターンレジスト層を形成することと、パターンレジスト層を使用してデバイス層をパターニングすることであって、デバイス層は、テーパーの側壁に対応するテーパーの側壁を有することと、少なくとも一部のデバイス層の横方向部分を露出するために、デバイス層の少なくとも一部の部分をエッチングすることと、を備える。
【００１８】
実施形態において、少なくとも一部のデバイス層の部分をエッチングした後、少なくとも一部のデバイス層は、実質的に、垂直側壁を有する。
【００１９】
特定の実施形態において、少なくとも一部のデバイス層をエッチングした後、その他のデバイス層は、テーパーの側壁を有する。
【００２０】
別の実施形態において、方法は、その他のデバイス層の横方向部分を露出するために、その他のデバイス層の部分をエッチングすることを更に備える。
【００２１】
特定の実施形態において、その他のデバイス層をエッチングした後、デバイス層は、実質的に、垂直側壁を有する。
【００２２】
更なる実施形態において、少なくとも一部のデバイス層は、導電性デバイス層であり、その他のデバイス層は、絶縁性デバイス層である、又は、少なくとも一部のデバイス層は、絶縁性デバイス層であり、その他のデバイス層は、導電性デバイス層である。
【００２３】
特定の実施形態において、導電性デバイス層は、トランジスタのゲート電極を含む。
【００２４】
別の特定の実施形態において、方法は、導電性デバイス層の横方向部分に加える（ｌａｎｄ  ｏｎ）導電性プラグを形成することを更に備える。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
実施形態は、例として示され、添付図面に限定されるものではない。
【図１】図１は、例示的なインプリントリソグラフィシステムの簡略化した側面図を含む。
【図２】図２は、ベース材料と、ドープ領域と、デバイス層とを含む基板の部分の断面図の説明図を含む。
【図３】図３は、デバイス層をパターニングして絶縁層及びチャネルコアを形成した後の図２の基板の断面図の説明図を含む。
【図４】図４は、本実施形態におけるインプリントリソグラフィのためのテンプレートの一部分の断面図の説明図を含む。
【図５】図５は、別の実施形態におけるインプリントリソグラフィのためのテンプレートの一部分の断面図の説明図を含む。
【図６】図６は、更に別の実施形態におけるインプリントリソグラフィのためのテンプレートの一部分の断面図の説明図を含む。
【図７】図７は、更に別の実施形態におけるインプリントリソグラフィのためのテンプレートの一部分の断面図の説明図を含む。
【図８】図８は、更なる実施形態におけるインプリントリソグラフィのためのテンプレートの一部分の断面図の説明図を含む。
【図９】図９は、圧力源、図４のテンプレートのアパーチャ及びプロセッサと関連付けられるガスフローコントローラの描写を含む。
【図１０】図１０は、成形可能な材料をインプリントしている間の図３の基板及び図４のテンプレートの断面図の説明図を含む。
【図１１】図１１は、成形可能な材料からパターンレジスト層を形成してテンプレートを除去した後の図１０の基板の断面図の説明図を含む。
【図１２】図１２は、パターンレジスト層の残膜層を除去してデバイス層を初期パターニングした後の図１１の基板の断面図の説明図を含む。
【図１３】図１３は、デバイス層の一部をエッチングした後の図１２の基板の断面図の説明図を含む。
【図１４】図１４は、図１３の部分の拡大した部分の説明図を含む。
【図１５】図１５は、その他のデバイス層をエッチングした後の図１３の基板の断面図の説明図を含む。
【図１６】図１６は、実質的に完成した物品を形成した後の図１４の基板の断面図の説明図を含む。  当業者は、図面における要素は、簡潔、且つ、明瞭にするために示されており、必ずしも一定のスケールで描かれていないことを理解する。例えば、図面における要素の一部の寸法は、発明の実施形態の理解を向上させることを助けるために、その他の要素に対して誇張されているかもしれない。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図面と組み合わせた以下の説明は、ここに開示される教示の理解を支援するために提供される。以下の議論は、教示の特定の実施及び実施形態に焦点を当てる。この焦点は、教示の説明を支援するために提供され、教示の範囲又は適用性の限定として解釈されるべきではない。
【００２７】
ここで使用されるように、速度と動作とは、相対的な基準で説明される。例えば、物体Ａと物体Ｂとは、互いに相対的に移動する。このような用語は、物体Ａが移動し、物体Ｂが移動していないこと、物体Ａが移動せず、物体Ｂが移動すること、物体Ａ及びＢの両方が移動すること、をカバーすることを意図する。
【００２８】
ここで使用されるように、用語「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、又は、それらの他のバリエーションは、非排他的な包含をカバーすることを意図する。例えば、フィーチャのリストを備えるプロセス、方法、物品又は装置は、必ずしもそれらのフィーチャだけに限定されるものではなく、明示的にリストされていない、又は、そのようなプロセス、方法、物品又は装置に特有のその他のフィーチャを含んでもよい。更に、反対のことが明示的に提示されていない限り、「又は」は、排他的又は包括的でないことを意味する。例えば、条件Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真（又は存在する）でＢが偽（又は存在しない）、Ａが偽（又は存在しない）でＢが真（又は存在する）、及び、Ａ及びＢの両方が真（又は存在する）。
【００２９】
「ａ」又は「ａｎ」の使用は、ここに記載される要素及び部品を説明するために用いられる。これは、便宜のためだけであり、発明の範囲の一般的な意義を与えるためである。この記載は、１つ又は少なくとも１つを含むように読まれるべきであり、単数形も、それが他の意味であることが明確でない限り、複数形又は逆を含む。
【００３０】
他に定義されない限り、ここで使用される全ての技術的及び科学的用語は、この発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法及び例は、例示的なだけであり、限定することを意図しない。ここに記載されていない限り、特定の材料及びプロセス技術に関する多くの詳細は、従来であり、インプリント、リソグラフィ及び半導体プロセス技術の範囲内の教科書及びその他の情報源に見出すことができる。
【００３１】
インプリントリソグラフィに使用するためのテンプレートは、テーパーの側壁を有するパターンレジスト層を形成するために使用される。テンプレートは、ベース面を含む本体を有することができる。本体は、ベース平面に沿って位置するベース面から延在するリセッションを有することができ、リセッションは、テーパーの側壁を有する主要部分を含むことができる。ベース平面に対して、主要部分のテーパーの側壁は、平均テーパー角度を有する。別の実施形態において、テーパーの側壁は、線に沿って位置し、特定の実施形態において、線は、最大４５°、最大３０°又は最大２０°の角度でベース平面に交差する。特定の実施形態において、デバイス層の厚さは、接触開口に関するデザインルールよりも著しく大きくなり、従って、線は、最大１０°の角度でベース平面に交差する。更なる実施形態において、テーパーの側壁は、非常に小さい湾曲を有してもよい。
【００３２】
テンプレートは、必要又は要望に応じて、更なるフィーチャを含んでもよい。テンプレートは、遠位面と、主要部分と遠位面との間の中間部分とを有してもよい。中間部分は、中間側壁を有する。実施形態において、中間側壁の側壁は、丸くてもよい。別の実施形態において、中間側壁は、平均テーパー角度と比較して、異なる角度でベース平面に交差する線に沿って位置する。更なる実施形態において、主要部分及び中間部分は、湾曲した側壁を有し、主要部分に沿った曲率半径は、中間部分に沿った曲率半径よりも大きい。
【００３３】
テンプレート、テンプレートを使用する装置及び方法に関する詳細は、図面とともに本明細書を読んだ後でより理解される。以下の説明は、実施形態を例示することを意図しており、添付の特許請求の範囲で規定される本発明の範囲を限定するものではない。
【００３４】
図１を参照するに、ここで説明される実施形態におけるインプリントリソグラフィシステム１０は、基板１２の上にレリーフパターンを形成するために使用することができる。基板１２は、基板チャック１４に結合されてもよい。図示するように、基板チャック１４は、真空チャックであり、しかしながら、その他の実施形態において、基板チャック１４は、真空、ピン型、溝型、静電、電磁などを含むいかなるチャックであってもよい。例示的なチャックは、参照により全体がここに組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。
【００３５】
基板１２及び基板チャック１４は、ステージ１６によって更に支持されてもよい。ステージ１６は、ｘ、ｙ又はｚ方向に沿った並進又は回転運動を提供する。ステージ１６、基板１２及び基板チャック１４は、ベース（不図示）の上に配置されてもよい。
【００３６】
基板１２から離間しているのは、テンプレート１８である。テンプレート１８は、第１面及び第２面を有する本体を含み、一方の面は、そこから基板１２に向かって延在するメサ２０を有する。メサ２０は、モールド２０とも称される。実施形態において、テンプレート１８は、メサ２０なしで形成されてもよい。
【００３７】
テンプレート１８又はモールド２０は、石英ガラス、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア、その他の同様な材料又はそれらの組み合わせを含む、そのような材料から形成されてもよい。テンプレート１８及びモールド２０は、一体構造を含むことができる。また、テンプレート１８及びモールド２０は、互いに結合された個別の構成要素を含むことができる。図示するように、パターニング面２２は、離間した凹部２４及び凸部２６によって定義されたフィーチャを含む。開示は、このような構成（例えば、平面）に限定することを意図していない。パターニング面２２は、基板１２の上に形成すべきパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを定義してもよい。
【００３８】
テンプレート１８は、チャック２８に結合されてもよい。チャック２８は、真空、ピン型、溝型、静電、電磁又はその他の同様なチャックタイプとして構成されてもよい。例示的なチャックは、米国特許第６，８７３，０８７号に更に記載されている。実施形態において、チャック２８は、チャック２８又はインプリントヘッド３０がテンプレート１８の移動を容易にするように、インプリントヘッド３０に結合されてもよい。
【００３９】
リソグラフィシステム１０は、基板１２の上に成形可能な材料３４を吐出するのに使用される液体吐出（ｆｌｕｉｄ  ｄｉｓｐｅｎｓｅ）システム３２を更に含むことができる。例えば、成形可能な材料は、樹脂などの重合性材料を含むことができる。成形可能な材料３４は、ドロップディスペンス、スピンコーティング、ディップコーティング、化学気層蒸着（ＣＶＤ）、物理気層蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着又はそれらの組み合わせなどの技術を用いて、１つ以上の層で基板１２の上に配置される。成形可能な材料３４は、デザイン考慮に応じて、所望の体積がモールド２２と基板１２との間にディスペンスされる前又は後に、基板１２の上にディスペンスされる。例えば、成形可能な材料３４は、参照によりここに組み込まれる米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許第８，０７６，３８６号の両方に記載されているようなモノマー混合物を含むことができる。
【００４０】
リソグラフィシステム１０は、パス４２に沿ってエネルギー４０を導くエネルギー源３８を更に含むことができる。インプリントヘッド３０及びステージ１６は、パス４２に重ね合わせて、テンプレート１８及び基板１２を位置決めすることができる。リソグラフィシステム１０は、ステージ１６、インプリントヘッド３０、液体吐出システム３２又はエネルギー源３８と通信する論理要素５４によって調整され、メモリ５６に随意的に記憶されたコンピュータ読み取り可能なプログラムで動作してもよい。
【００４１】
実施形態において、インプリントヘッド３０、ステージ１６、或いは、インプリントヘッド３０及びステージ１６の両方は、成形可能な材料３４によって充填されるそれらの間に所望の体積を実現するために、モールド２０と基板１２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド３０は、モールド２０が基板１２の上の成形可能な材料３４に接触するように、テンプレート１８に力を与えることができる。所望の体積が成形可能な材料３４で充填された後、エネルギー源３８は、エネルギー４０、例えば、紫外線を生成して、成形可能な材料３４を基板１２の表面４４の形状及び基板１２の上にパターン層を定義するパターニング面２２に一致させて凝固又はクロスリンクさせる。本明細書において、階段状構成を有するテンプレート及びリセッションのデザインに注意が向けられている。
【００４２】
テンプレートの詳細及び物品を形成することが提供される。実施形態において、物品は、ウエハ上に製造された電子デバイスであり、特定の実施形態において、電子デバイスは、３Ｄ  ＮＡＮＤ不揮発性メモリを含む。本明細書を読んだ後、当業者は、ここに記載されたコンセプトがメモリデバイスであってもなくてもよい、その他の電子デバイスに使用することができることを理解するであろう。コンセプトは、３Ｄ配置において、直列又は並列に接続された電子部品に好適である。
【００４３】
図２は、メモリアレイ内の基板２００の一部分の断面図を含む。図示されてないが、メモリアレイの外側の基板２００の別の部分は、行又は列デコーダ、行又は列アレイストローブ、センス増幅器又は同様のものなどの回路の一部である電子部品を含むことができる。回路は、メモリセルの前又は後に形成されてもよい。基板２００は、半導体ウエハなどのベース材料２０１、ドープ領域２０２及びドープ領域２０２を覆うデバイス層２２１乃至２２６を含む。ＮＡＮＤ不揮発性メモリにおいて、ドープ領域２０２は、図２に形成されるメモリセルから横方向（ｘ方向、ｙ方向又は両方）に離間された異なるメモリセル間で共有されるソース領域とすることができる。図示された実施形態において、デバイス層２２２、２２４及び２２６は、導電性であって、メモリセルに対するゲート電極となり、デバイス層２２１、２２３及び２２５は、絶縁体であって、デバイス層２２２、２２４及び２２６を、互いに及びドープ領域２０２から電気的に絶縁する。デバイス層２２２、２２４及び２２６は、ドープされた半導体材料、金属含有材料（例えば、金属、金属合金、金属シリサイド又は同様のもの）又はゲート電極に好適なその他の材料を含むことができる。デバイス層２２１、２２３及び２２５は、酸化物、窒化物、酸窒化物又は同様のものを含む。
【００４４】
実施形態において、デバイス層２２１は、その他のデバイス層２２２乃至２２６及びその後形成されるパターンレジスト層と比較して、異なる材料を含んでもよい。例えば、デバイス層２２１は、窒化物を含むことができ、その他のデバイス層２２２及び２２６のいずれも含まず、パターンレジスト層は、窒化物を含む。特定の実施形態において、デバイス層２２１は、窒化膜を含んでもよく、酸化膜を含んでも含まなくてもよい。例えば、デバイス層２２１は、ドープ領域２０２に近い酸化膜と、デバイス層２２２に近い窒化膜とを含むことができる。別の実施形態において、デバイス層２２１、２２３及び２２５は、酸化膜を含むことができ、更なる層（不図示）は、ドープ領域２０２とデバイス層２２１との間に配置されたエッチングストップ層であってもよい。
【００４５】
デバイス層２２１乃至２２６は、開口を定義するようにパターニングされる。絶縁層３１０及びチャネルコア３２０は、図３に示すように、開口内に形成される。絶縁層３２０は、酸化膜、窒化膜及び別の酸化膜を含むことができる。ＮＡＮＤ不揮発性メモリセルにおいて、電子などの電荷キャリアは、窒化膜内の電荷トラップから蓄積又は除去することができる。従って、絶縁層３１０は、酸化膜間に配置された窒化膜を含むことができる。蒸着後、側壁スペーサを得るために、デバイス層２２６及び開口の底部を覆う絶縁層２１０の一部分が除去される。特定の実施形態において、側壁スペーサの形状は、図２に示すように、膜を等方的に蒸着し、膜を異方的にエッチングすることによって得られる。
【００４６】
チャネルコア３２０は、形成されるメモリセルのチャネル領域を含む半導体材料を含むことができる。チャネルコア３２０は、半導体層と、メモリセルに対して所望の閾値電圧を得るための濃度を有するドーパントとを含むことができる。チャネルコア３２０は、ドープ領域２０２からエピタキシャル成長させることができる、或いは、半導体材料は、アモルファス材料として蒸着させ、ドープ領域２０２から結晶化させてもよい。別の実施形態において、チャネルコア３２０は、多結晶材料として蒸着させることができる。チャネルコア３０２を形成するときに、半導体材料がデバイス層２２６の上に蒸着されると、それは、デバイス層２２１乃至２２６のパターニングを継続する前に除去される。図示されてないが、絶縁層３１０及びチャネルコア３２０を含む、側壁スペーサを備えた多数のその他の開口が形成される。
【００４７】
テンプレートは、デバイス層２２１乃至２２６をパターニングするために選択される。テンプレートは、成形可能な材料をインプリントするために使用され、成形可能な材料は、テーパーの側壁を有するパターンレジスト層に変換される。完成した物品において、パターンレジスト層は、デバイス層２２２乃至２２６の階段状構成を得るために続いて処理されるデバイス層２２２乃至２２６のパターンに使用される。図４乃至図８は、テーパーの側壁を有するパターンレジスト層を得るためのテンプレートに対する例示的で非限定的なデザインを示す。
【００４８】
図４は、実施形態におけるテンプレート４００を含む。テンプレート４００は、ベース平面に沿って位置するベース面４１０を有する。テンプレート４００は、テーパーの側壁４３２及び遠位面４５０を有する主要部分４３０を含むリセッション４２０を有する。図示された実施形態において、テーパーの側壁４３２は、角度でベース平面に交差する直線に沿って位置する。角度は、デバイス層の厚さ、接触に必要な空間及びそれに関連するミスアライメントトレランスの関数であってもよい。例えば、一対の導電性及び絶縁性デバイス層（例えば、２２５と２２６、２２３と２２４、又は、２２１と２２２）の総厚さは、約５０ｎｍであり、接触及びそのミスアライメントに対する横方向寸法は、５００ｎｍである。角度は、ｓｉｎ−１（５０°ｎｍ／５００ｎｍ）又は約５．７°である。本明細書を読んだ後、当業者は、特定のセットの厚さ（垂直寸法）及び接触デザインルール（横方向寸法）に使用される適切な角度を決定することができる。
【００４９】
図５は、別の実施形態におけるテンプレート５００を含む。テンプレート５００は、ベース平面に沿って位置するベース面４１０を有する。テンプレート５００は、テーパーの側壁５３２及び遠位面５５０を有する主要部分５３０を含むリセッション５２０を有する。主要部分５３０は、ベース面４１０と遠位面５５０との間に配置される。図示された実施形態において、テーパーの側壁５３２は、非常に小さい湾曲を有する。
【００５０】
破線５６０の下のリセッション５２０の一部は、デバイス層２２１乃至２２６をパターニングするのに使用するパターンレジストの所望の量に対応する。しかしながら、インプリトしている間に気体がトラップされた場合にトラップされたボイドが形成されることがあり、パターンレジスト層を形成するためにそれが硬化される場合に成形可能な材料が収縮することがあり、パターンレジスト層の形状に影響を及ぼすかもしれない別の処理考慮又はそれらの組み合わせを形成することがある。リセッション５２０は、主要部分５３０と遠位面５５０との間に配置された中間部分５４０を更に含んでもよい。中間部分５４０は、トラップされたボイド、材料収縮、別の処理考慮又はそれらの組み合わせを補償することができる。破線５６０と、中間部分５４０の深さに対応する、破線５６０から最も遠い遠位面５５０に沿った点との間の距離は、互いに直接接触する一対の下にあるデバイス層の総厚さの少なくとも１１％である。距離における論理的上限はないが、距離は、最大限で、続いて形成されるパターンレジスト層を使用してパターニングされるデバイス層の総厚さであってもよい。特定の実施形態において、破線５６０と破線５６０から最も遠い遠位面５５０に沿った点との間の距離は、互いに直接接触する一対の下にあるデバイス層の総厚さの２０％から１５０％又は５０％から１１０％の範囲であってもよい。
【００５１】
中間部分５４０は、中間側壁５４２を有する。図示された実施形態において、中間側壁５４２は、丸い。主要部分５３０と同様に、中間部分５４０は、主要部分５０と中間部分５４０との間の転移点５３５に隣接する曲率半径を有する。主要部分５３０の曲率半径は、中間部分５４０の曲率半径よりも大きい。
【００５２】
図４に一時的に戻って、テンプレート５００と同様に、テンプレート４００のリセッション４２０は、トラップされたボイド、材料収縮、別の処理考慮又はそれらの組み合わせを捕らえるための追加スペースを有しても有していなくてもよい。従って、リセッション４２０は、主要部分４２０のテーパーの側壁４３２と同じ線に沿って位置する中間側壁を有する中間部分を有してもよい。
【００５３】
図６は、実施形態におけるテンプレート６００を含む。テンプレート６００は、ベース平面に沿って位置するベース面４１０を有する。テンプレート６００は、テーパーの側壁４３２及び遠位面６５０を有する主要部分６３０を含むリセッション６２０を有する。破線６６０の下のリセッション６２０の一部は、デバイス層２２１乃至２２６をパターニングするのに使用するパターンレジストの所望の量に対応する。
【００５４】
リセッション６２０は、主要部分６３０と遠位面６５０との間に配置された中間部分６４０を更に有する。テンプレート５００と同様に、テンプレート６００の中間部分６４０は、トラップされたボイド、パターンレジスト層を形成するためにそれが硬化されるときの成形可能な材料の材料収縮を補償することができる。破線６６０と、中間部分６４０の深さに対応する、破線６６０から最も遠い遠位面６５０に沿った点との間の距離に関する考慮は、中間部分５４０に関して上述した。従って、破線６６０と破線６６０から最も遠い遠位面６５０に沿った点との間の距離は、図５に関して前述したような値のいずれかを有してもよい。
【００５５】
図示された実施形態において、テーパーの側壁４３２は、角度でベース平面に交差する直線に沿って位置する。角度に関する考慮は、図４に関して説明した。中間部分６４０は、転移点６３５において主要部分６３０のテーパーの側壁４３２と接する中間側壁６４２を有する。中間側壁６４２は、テーパーの側壁４３２に対応する線とベース平面との交点における角度とは異なる角度でベース平面に交差する線に沿って位置する。特定の実施形態において、中間側壁６４２は、実質的に垂直である。ここで使用されるように、実質的に垂直は、側壁がベース平面に対する垂直の１０°以内であることを意味する。ベース平面に関して、中間側壁６４２に対応する角度は、テーパーの側壁４３２に対応する平均テーパー角度よりも大きい。
【００５６】
図７は、別の実施形態におけるテンプレート７００を含む。リセッション４２０がテンプレート７００の外側の領域と流体連通することを可能とする、リセッション４２０から延在するアパーチャ７７０をテンプレート７００が有すること以外、テンプレート４００と同様である。図８は、更なる実施形態におけるテンプレート８００を含む。テンプレート８００は、テンプレート８００のリセッション８２０が破線８６０と遠位面８５０との間の中間領域８４０を有すること以外、テンプレート７００と同様である。実施形態において、遠位面８５０は、中間部分８４０の中間側壁である。図示された実施形態において、遠位面８５０は、主要部分４３０と中間部分８４０との間の転移点８３５からアパーチャ８７０まで延在する。
【００５７】
テンプレートの多くの異なる実施形態が説明されたが、本明細書を読んだ後、当業者は、その他の実施形態がここで説明されたコンセプトと一致して使用されることを理解するであろう。例えば、図示された異なる実施形態のフィーチャを組み合わせることができる。例えば、図４及び図６乃至図８における主要部分４３０は、主要部分５３０と同様に、非常に小さい湾曲を有してもよい。テンプレート５００及び６００は、リセッション５２０及び６２０をテンプレートの反対側の領域に接続するアパーチャを含むことができる。更に、テンプレートのいずれかは、成形可能な材料を流すのに役立つために、又は、別の理由で、ベース面４１０に直接隣接する丸い角を有してもよい。従って、主要部分４２０又は５２０は、（図示されるように）ベース面４１０に延在してもよいし、又は、ベース面４１０に隣接しているが離間していてもよい。特定の実施形態において、主要部分４２０又は５２０は、（垂直方向に計測された）その最深場所でリセッション４２０、５２０、６２０又は８２０の深さの１０％を超えずに、ベース面４１０から垂直に（ベース平面に垂直な方向に）離間して配置されてもよい。実施形態において、アパーチャ７７０及び８７０は、それぞれ、リセッション４２０及び８２０の一部ではない。当業者は、特定のアプリケーションに対するニーズ又は要望のためのテンプレートの特定のデザインを決定することができる。
【００５８】
テンプレートがアパーチャを含む場合、成形可能な材料をテンプレートでインプリントする間、テンプレートからパターンレジスト層を引き離す間又は両方の間、リセッション内の圧力が制御される。図９は、圧力源、テンプレート７００及びプロセッサと関連付けられるガスフローコントローラ９３６の描写を含む。別の実施形態において、以下に説明するガスフローコントローラ９３６の構成及び動作は、テンプレート８００とともに使用される。簡単にするために、構成及び動作は、テンプレート７００に関して説明される。
【００５９】
図１、図７及び図９を参照するに、リセッション４２０は、アパーチャ７７０を介して、ガスコントローラ９３６と流体連通する。ガスコントローラ９３６は、真空（負圧）源９０２及び（正）圧力源９０４と流体連通する。図示されてないが、ガスコントローラ９３６は、リセッション４２０を周囲圧力にあることを可能にすることもできる。ガスコントローラ９３６は、圧力源セレクタ９７２と、バルブ又はその他の圧力制御機構９７４と、圧力センサ９７６とを含む制御ユニット９７０を含む。ガスコントローラ９３６は、プロセッサ５４（図１）に結合される。ガスコントローラ９３６を動作させるロジックは、ガスコントローラ９３６、プロセッサ５４又は両方にあってもよい。特定の実施形態において、リセッション４２０は、真空設定点又は圧力設定点に設定してもよい。圧力源セレクタ９７２は、所望の源９０２又は９０４を選択することができ、バルブ９７４は、圧力センサ９７６によって感知される圧力が設定点と同一又は設定点の所定のトレランス内になるように、調整される。
【００６０】
インプリント動作の間、真空は、テンプレート７００のアパーチャ７７０に向かって空気を導くのに役立つ。別の実施形態において、リセッション４２０に対向するテンプレート７００の側面は、インプリントする間に周囲圧力にあってもよい。アパーチャ７７０は、アパーチャを有していないテンプレート４００のリセッション４２０と比較して、トラップされた空気がリセッション４２０をより容易に離れることを可能にする。パターンレジスト層を形成するために成形可能な材料を硬化させた後、成形可能な材料から形成されたパターンレジスト層からテンプレート７００を引き離すことを助けるために、圧力源９０４を介して、圧力が与えられてもよい。
【００６１】
物品を製造する方法は、継続し、図４におけるテンプレート４００を使用して処理される。図１、図３及び図１０を参照するに、図３に図示されるような基板は、基板チャック１４の上に載置され、その位置に保持される。液体吐出システム３２及び基板は、互いに相対的に位置決めされる。プロセッサ５４は、モールド内のリセッションを充填するために、デバイス層２２６、絶縁層３１０及びチャネルコア３２０の上に形成可能な材料を適切な面積密度でディスペンスする、又は、別に形成する指示を液体吐出システム３２に送る。特定の実施形態において、リセッション４２０を備えたテンプレート４００は、成形可能な材料１０００をインプリントするために使用される。基板とテンプレートとは、互いに近接して移動し、テンプレートは、成形可能な材料に接触する。図１０を参照するに、移動は継続し、成形可能な材料１０００は、テンプレート４００におけるリセッション４２０及びその他のリセッション（不図示）を充填する。
【００６２】
方法は、テンプレート４００のパターン面に対応する、図１１におけるパターンレジスト層１１００を形成するために、成形可能な材料１０００を硬化することを含む。硬化は、電磁放射線の照射によって行うことができる。実施形態において、電磁放射線は、紫外線である。別の実施形態において、成形可能な材料は、熱を使用して硬化させることができる。基板とテンプレート４００のベース面４１０との間に形成されたパターンレジスト層１１００の一部分は、残膜層１１１０を形成する。硬化の後、テンプレート４００は、図１１に図示されるようなテーパーの側壁１１３２を有するパターンレジスト層１１００から引き離される。
【００６３】
パターンレジスト層１１００は、図１２に図示されるように、下にあるデバイス層２２２乃至２２６を初期パターニングするために使用することができる。図示された実施形態において、デバイス層２２１は、その他のデバイス層２２２乃至２２６及びパターンレジスト層１１００とは異なる組成を有する。従って、デバイス層２２１は、デバイス層２２２乃至２２６の初期パターニングの間のエッチングのためのエッチングストップ層とすることができる。パターニングの後、デバイス層２２２乃至２２６は、パターンレジスト層１１００のテーパーの側壁１１３２に対応するテーパーの側壁を有する。
【００６４】
パターニングシーケンスの第１部分の間、残膜層１１１０は、Ｏ２プラズマを使用してアッシングされる。アッシングは、時限エッチング、終点検出又は終点検出及び時限オーバーエッチングとして行うことができる。
【００６５】
パターニングシーケンスの第２部分の間、デバイス層２２２乃至２２６の部分は、パターンレジスト層１１００が浸食されるにつれて、パターニングされる。パターンレジスト層１１００は、Ｏ２プラズマを使用してエッチングされ、絶縁性デバイス層２２３及び２２５が酸化シリコンを含む場合、化学エッチングは、ＣＨＦ３を含むことができ、デバイス層２２６が多結晶又はアモルファスシリコンを含む場合、化学エッチングは、Ｏ２を含む、又は、含まないＨＢｒを含むことができる。必要又は要望に応じて、その他のエッチングガス又はその他のガス（例えば、ＣＯ、Ａｒなど）が使用されてもよい。エッチングは、反応性イオンエッチングを使用して異方的に行うことができる。
【００６６】
化学エッチングは、全ての層が同時にエッチングされるように、パターンレジスト層１１００とデバイス層２２２乃至２２６との間の所望の選択性を得るように選択される。特定の実施形態において、酸化シリコンを含む絶縁性デバイス層２２３及び２２５に対する、アモルファス又は多結晶シリコンを含む導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６に対する、パターンレジスト層１１００のエッチング選択性は、Ｘ：Ｙ：Ｚに近くてもよく、Ｘは、パターンレジスト層１１００の相対的なエッチング選択性であり、Ｙは、絶縁性デバイス層２２３及び２２５の相対的なエッチング選択性であり、Ｚは、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６の相対的なエッチング選択性である。
【００６７】
Ｘ、Ｙ及びＺに関する値は、特定のタイプの層（例えば、絶縁性デバイス層２２３及び２２５）に対するエッチングレートを、エッチングされる異なるタイプの層に対する平均エッチングレートで割ることによって決定することができる。例えば、特定の化学エッチングを使用する場合、パターンレジスト層１１００のエッチングレートは、４５０ｎｍ／ｍｉｎであり、絶縁性デバイス層２２３及び２２５のエッチングレートは、５５０ｎｍ／ｍｉｎであり、導電性デバイス層のエッチングレートは、５００ｎｍ／ｍｉｎである。従って、３つの異なるタイプの層に対する平均エッチングレートは、５００ｎｍ／ｍｉｎである。その結果、この特定の例において、Ｘ：Ｙ：Ｚは、（４５０ｎｍ／ｍｉｎ÷５００ｎｍ／ｍｉｎ）：（５５０ｎｍ／ｍｉｎ÷５００ｎｍ／ｍｉｎ）：（５００ｎｍ／ｍｉｎ÷５００ｎｍ／ｍｉｎ）、又は、より単純に、０．９：１．１：１．０である。実施形態において、Ｘ、Ｙ及びＺのそれぞれは、０．８から１．２の範囲にあり、特定の実施形態では、０．９から１．１の範囲にある。別の実施形態において、相対的なエッチング選択性に対する比率は、説明した範囲外であってもよい。
【００６８】
化学エッチングが選択された後、パターンレジスト層１１００及びデバイス層２２２乃至２２６は、図１２に図示されるような構造を提供するために、エッチングされる。エッチングは、パターンレジスト層１１００のテーパーの側壁１１３２がデバイス層２２２乃至２２６に複製され、デバイス層２２２乃至２２６のそれぞれがテーパーの側壁を有するように行われる。エッチングは、時限エッチング、終点検出又は時限オーバーエッチングを備える終点検出として行われる。デバイス層２２１の窒化物に基づく信号は、終点検出に使用されてもよい。エッチングは、異方的又は等方的に行われる。特定の実施形態において、エッチングは、反応性イオンエッチングを使用して行われる。
【００６９】
別の実施形態において、デバイス層２２２乃至２２６のエッチングは、低選択性によって特徴づけられるイオンミーリング又はスパッタエッチングを使用して行われ、異なる材料のエッチングレートは、プラズマエッチング又は反応性イオンエッチングと比較して、互いに近いことを意味する。従って、エッチングは、反応性イオンエッチングとして行われるエッチングと比較して、デバイス層２２１で停止することがより困難になる。終点検出は、その他のデバイス層２２１乃至２２６と比較して、デバイス層２２１が異なる組成を揺する場合に使用される。
【００７０】
別の実施形態（不図示）において、デバイス層２２１は、テーパーの側壁を得るために、その他のデバイス層とともにパターニングされてもよい。例えば、絶縁性デバイス層２２１、２２３及び２２５は、アンドープ酸化シリコンなどの同一の組成を有してもよい。本実施形態において、ドープ領域２０２がデバイス層２２１乃至２２６及びパターンレジスト層１１００とは異なる材料を含むならば、終点検出が使用される。例えば、ドープ領域２０２は、ヒ素ドープ多結晶シリコンを含み、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６は、ホウ素又はリンドープ多結晶シリコンを含む。終点検出は、ヒ素に対応する信号に基づいていてもよい。多結晶シリコンのドライエッチングレートは、ドーパントにかかわらず、単結晶シリコンと同様であるため、幾つかのケアが発動される。実施形態において、エッチング条件は、ヒ素が検出され、終点検出に続くオーバーエッチングが使用された後、エッチングレートを低減するように変更される。本明細書を読んだ後、当業者は、エッチング技術（プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミーリング又はスパッタエッチング）でデバイス層２２１がエッチングされるべきかどうか、及び、エッチングが時限エッチング、終点検出又は時限オーバーエッチングを備えた終点検出として行われるべきかを決定することができる。
【００７１】
エッチングシーケンスの付加的な部分は、層２２２乃至２２６の階段状構成を得るために、絶縁性デバイス層２２３及び２２５から独立して、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６をエッチングすることができる。特に、図１３及び図１４に図示されるように、デバイス層２２２乃至２２６に対するテーパーの側壁を得るために使用される化学エッチングが終了され、パターンレジスト層１１００及びデバイス層２２３及び２２５と比較して、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６を選択的にエッチングすることができる化学エッチングは、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６の露出部分を除去するために使用される。エッチングは、良好なパターン忠実性を維持するために、異方性エッチングを使用して行われる。実施形態において、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６が多結晶又はアモルファスシリコンを含む場合、化学エッチングは、Ｏ２を含む、又は、含まないＨＢｒを含むことができる。エッチングは、良好なパターン忠実性を維持するために、異方性エッチングを使用して行われる。図１４は、絶縁性デバイス層２２１、２２３及び２２５の横方向（水平）表面を露出させるために導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６をエッチングした後の基板を良好に図示するために、図１３の拡大部分を含む。導電性層２２２、２２４及び２２６は、実質的に、垂直側壁を有する。プロセスにおける現段階では、デバイス層２２３及び２２５は、まだテーパーの側壁を有する。実施形態において、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６のいずれも、基板の上面から見ることができない。
【００７２】
図１５に示されるように、エッチングシーケンスの更なる部分は、導電性層２２２、２２４及び２２６の部分を露出させるために使用される。パターンレジスト層１１００及び導電性デバイス層２２２及び２２４と比較して、絶縁性デバイス層２２３及び２２５を選択的にエッチングすることができる化学エッチングは、導電性デバイス層２２２及び２２４の露出部分を除去するために使用される。エッチングは、良好なパターン忠実性を維持するために、異方性エッチングを使用して行われる。実施形態において、絶縁性デバイス層２２３及び２２５が酸化物を含む場合、化学エッチングは、ＣＨＦ３を含むことができる。エッチングは、良好なパターン忠実性を維持するために、異方性エッチングを使用して行われる。導電性デバイス層２２２及び２２４の横方向（水平）表面を露出させるために絶縁性デバイス層２２３及び２２５をエッチングした後である。パターンレジスト層１１００の残りの部分は、導電性デバイス層２２６を露出させるために、アッシングによって除去される。絶縁性層２２３及び２２５は、実質的に、垂直側壁を有する。実施形態において、絶縁性デバイス層２２３及び２２５のいずれも、基板の上面から見ることができない。図１５に示すように、デバイス層２２５及び２２６は、ステップを形成し、デバイス層２２３及び２２４は、別のステップを形成し、デバイス層２２３は、更なるステップを形成する。デバイス層２２１がパターンニングされる別の実施形態（不図示）において、デバイス層２２１及び２２２は、同一のステップの一部である。従って、デバイス層２２２乃至２２６においてテーパーの側壁を最初に形成するパターニングは、階段状構成に変換される。
【００７３】
導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６が同一の組成及び実質的に同一の厚さを有し、絶縁性デバイス層２２３及び２２５が同一の組成及び実質的に同一の厚さを有する場合、デバイス層２２２乃至２２６をパターニングする処理は単純化される。ここで使用されるように、「実質的に同一の厚さ」は、厚さが互いに１０％以内であることを意味する。
【００７４】
図１６に図示されるように、実質的に完成された物品を形成するために、更なる処理が行われる。中間誘電体（ＩＬＤ）層１６００は、パターンデバイス層２２１乃至２２６を含む基板の上に形成される。実施形態において、ＩＬＤ層１６００は、複数の膜を含んでもよい。例えば、ＩＬＤ層１６００は、アンドープ酸化膜１６０２と、エッチングストップ膜１６０４と、ドープ酸化膜１６０６とを含むことができる。層は、連続的に蒸着及び研磨される。図１６に示されるように、ドープ酸化膜１６０６の厚さは、場所間で十分に異なる厚さを有する。エッチングストップ層１６０４は、導電性デバイス層２２２、２２４及び２２６及び物品のその他の部分に接触するためのドープ酸化膜１６０６のより制御されたエッチングを提供するのに役立つ。エッチングストップ層１６０４は、窒化物層を含むことができる。エッチングは、終点検出又は終点検出と時限オーバーエッチングとの組み合わせを使用して行うことができる。ドープ酸化膜１６０６と比較して、膜１６０２及び１６０４は、相対的に薄く、より均一な厚さを有し、従って、それらは、重大な面倒な事態がなく、順次エッチングされる。パターンＩＬＤ層１６００は、コンタクト開口１６２０を有する。別の実施形態において、より多く又はより少ない膜がパターンＩＬＤ層１６００に使用され、膜１６０２、１６０４及び１６０６の組成は、前述したそれらとは異なってもよい。本明細書を読んだ後、当業者は、ＩＬＤ１６００の膜の数及びそれらの組成は特定のアプリケーションに対するニーズ及び要望に合わせることができることを理解するであろう。
【００７５】
導電性プラグ１６２２は、コンタクト開口１６２０内に形成される。絶縁層１６４０は、相互接続トレンチ１６４２を形成するために、形成及びパターニングされ、相互接続１６４４及び１６４６は、相互接続トレンチ内に形成される。相互接続１６４４は、導電性プラグ１６２２を介して、デバイス層２２２、２２４及び２２６に電気的に接続される。相互接続１６４４は、図１６に図示される実施形態におけるメモリアレイのゲート電極に信号を供給する。相互接続１６４６は、チャネルコア３２０に電気的に接続される。従って、相互接続１６４６は、メモリアレイに対するビット線の一部である。
【００７６】
別の実施形態において、メモリアレイは、より多くのデバイス層と、デバイス層に結合されたより多くのチャネルコアとを含む。チャネルコアは、より高密度メモリアレイを可能にするために、隣接する行に沿ったねじれ形配列で配置されてもよい。更なる実施形態において、チャネルコア３２０に対してデバイス層２２１乃至２２６をパターニングする順序と、導電性プラグ１６２２に対するランディング領域を形成する順序とは、逆にすることができる。デバイス層２２１乃至２２６は、絶縁層３１０及びチャネルコア３２０に対してデバイス層２２１乃至２２６をパターニングする前、階段状構成を得るようにパターニングされてもよい。
【００７７】
その他のタイプの電子部品は、ここで説明したような技術を使用して形成されてもよい。特に、デバイス層２２２、２２４及び２２６、及び、チャネルコア３２０の機能は、変更されてもよい。例えば、デバイス層２２２、２２４及び２２６は、トランジスタのチャネル領域の形式であり、チャネルコア３２０は、ゲート電極によって置換してもよい。特定の例において、トランジスタは、デプレションモードトランジスタでもよく、ゲート電極は、トランジスタに対する共通ゲート電極でもよい。このような構成は、トランジスタのチャネル領域が、異なる構成要素に電気的に接続されて一緒にオン又はオフされるデバイス層２２２、２２４及び２２６に対応する場合に有用である。このような構成は、信号（共通ゲート電極上）が異なる回路によって同時に使用される場合に有用である。
【００７８】
ここで説明したようなテンプレートは、インプリントリソグラフィを使用して形成された同一のパターンレジスト層を使用して物品のデバイス又はその他の層をパターニングするのに有用である。テンプレートは、トラップされたボイド、成形可能な材料の材料収縮、パターンレジスト層の厚さに影響を与える別の処理結果又はそれらの組み合わせが意図的でない場所において上部デバイス層のパターニングを生じさせないように設計される。従って、テンプレートは、単一のパターンレジスト層を使用して幾つかのデバイス層をパターニングする場合に、製造に使用されるよりロバストなパターニングシーケンスを可能にする。テンプレートは、３Ｄメモリアレイ及びその他の電子部品の形成に有用である。
【００７９】
なお、一般的な説明又は例において上述のアクティビティの全てが必要であるのではなく、特定のアクティビティの一部が必要でないことがあり、１つ以上の更なるアクティビティが説明されたそれらに加えて行われてもよい。更に、アクティビティがリストされる順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
【００８０】
利益、その他の利点及び問題に対する解決法は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利益、利点、問題に対する解決法、及び、更なるプロナウンスを起こす又はであるために利益、利点又は解決法をもたらすフィーチャは、請求項のいずれか又は全てのクリティカルな、必須な又は不可欠なフィーチャと解釈されるべきではない。
【００８１】
ここで説明された実施形態の明細書及び説明図は、様々な実施形態の構成の一般的な理解を提供することを目的としている。明細書及び説明図は、ここで説明された構成又は方法を使用する装置及びシステムの要素及びフィーチャの全ての包括的及び総合的な説明として提供されることを目的としていない。個々の実施形態は、単一の実施形態の組み合わせで提供されてもよく、反対に、略して、単一の実施形態のコンテキストで説明した様々な特徴は、個々に、又は、幾つかのサブコンビネーションで提供されてもよい。更に、範囲に提示された値に対する参照は、その範囲内の各値及び全ての値を含む。多くのその他の実施形他は、本明細書を読んだ後、当業者に明かとなる。その他の実施形態は、開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換又はその他の変更が行われるように、使用され、開示から導き出される。従って、開示は、限定的ではなく、例示的なものとみなされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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