(57)【要約】【課題】放射された光を無駄に消費することなく、基板上の照度分布の面内均一性を向上させることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】複数の凹状の球面を形設した石英の光拡散板９０を半導体ウェハーＷの中央部と対向するように上側チャンバー窓６３上に載置する。フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板９０の側方を通過した光はそのまま半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板９０に入射した光は凹状の球面によって発散され、入射光の一部は半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散される。その結果、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少し、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。【選択図】図１０
2018182153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの一方側に設けられ、前記保持部に保持された前記基板に光を照射する光照射部と、
前記保持部と前記光照射部との間に設けられ、前記基板よりも小さな平面サイズを有する光拡散板と、
を備え、
前記光拡散板は、前記光拡散板の中心軸と前記保持部に保持された前記基板の中心軸とが一致するように設けられ、
前記光拡散板には、複数の凹状の曲面が形設されることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記曲面は球面であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の熱処理装置において、
前記球面の曲率半径は、前記光拡散板の中心から周縁部に向けて大きくなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、
前記チャンバーの一方側に設けられ、前記保持部に保持された前記基板に光を照射する光照射部と、
前記保持部と前記光照射部との間に設けられ、前記基板よりも小さな平面サイズを有する光拡散板と、
を備え、
前記光拡散板は、前記光拡散板の中心軸と前記保持部に保持された前記基板の中心軸とが一致するように設けられ、
前記光拡散板には、複数の凸状の曲面が形設されることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の熱処理装置において、
前記曲面は球面であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、平面状に配列した複数のフラッシュランプを有することを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。
【０００３】
そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
【０００４】
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
【０００５】
このようなフラッシュランプを使用した熱処理装置においては、半導体ウェハーの面積よりも相当に大きな領域に複数のフラッシュランプを配置しているのであるが、それにもかかわらず、半導体ウェハーの周縁部の照度が中央部の照度よりも低くなる傾向が認められる。その結果、照度の面内分布が不均一となって温度分布にもバラツキが生じることとなる。
【０００６】
このような照度分布の不均一を解消するために、複数のフラッシュランプのパワーバランス、個々のランプの発光密度、ランプレイアウト、リフレクタ等を工夫することによって、半導体ウェハーの面内における照度分布を可能な限り均一になるように調整していた。しかし、これらの工夫は多くの部品や設定値を調整する必要があり、要求水準を満たす照度分布の面内均一性を得る作業は極めて困難であった。また、近年、照度分布の均一性に対する要求水準はますます高くなってきており、上述のような工夫による調整はさらに困難なものとなってきている。
【０００７】
比較的に簡易に照度分布の面内均一性を向上させる手法として、特許文献１には、フラッシュランプと半導体ウェハーとの間に半導体ウェハーよりも小さな照度調整板を設置することが開示されている。照度調整板によって半導体ウェハーの中央部に到達する光の光量を低下させることにより、照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２７８８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示される技術では、照度調整板によって半導体ウェハーの中央部に到達する光の光量を低下させているため、フラッシュランプから放射されたフラッシュ光の一部が無駄に消費されることとなっていた。そのため、フラッシュ光のエネルギー効率が低下するという問題が生じていた。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、放射された光を無駄に消費することなく、基板上の照度分布の面内均一性を向上させることができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、前記チャンバーの一方側に設けられ、前記保持部に保持された前記基板に光を照射する光照射部と、前記保持部と前記光照射部との間に設けられ、前記基板よりも小さな平面サイズを有する光拡散板と、を備え、前記光拡散板は、前記光拡散板の中心軸と前記保持部に保持された前記基板の中心軸とが一致するように設けられ、前記光拡散板には、複数の凹状の曲面が形設されることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記曲面は球面であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記球面の曲率半径は、前記光拡散板の中心から周縁部に向けて大きくなることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、前記チャンバーの一方側に設けられ、前記保持部に保持された前記基板に光を照射する光照射部と、前記保持部と前記光照射部との間に設けられ、前記基板よりも小さな平面サイズを有する光拡散板と、を備え、前記光拡散板は、前記光拡散板の中心軸と前記保持部に保持された前記基板の中心軸とが一致するように設けられ、前記光拡散板には、複数の凸状の曲面が形設されることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る熱処理装置において、前記曲面は球面であることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記光照射部は、平面状に配列した複数のフラッシュランプを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１から請求項６の発明によれば、複数の凹状または凸状の曲面が形設された基板よりも小さな光拡散板を中心軸が基板の中心軸と一致するように保持部と光照射部との間に設けるため、光拡散板に入射した光の一部は基板の周縁部に向けて拡散され、光照射部から放射された光を無駄に消費することなく、基板上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】保持部の全体外観を示す斜視図である。
【図３】サセプタの平面図である。
【図４】サセプタの断面図である。
【図５】移載機構の平面図である。
【図６】移載機構の側面図である。
【図７】複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
【図８】第１実施形態の光拡散板の全体外観を示す斜視図である。
【図９】図８の光拡散板の部分断面図である。
【図１０】フラッシュランプから放射された光の光路を模式的に示す図である。
【図１１】第２実施形態の光拡散板の全体外観を示す斜視図である。
【図１２】第３実施形態の光拡散板の全体外観を示す斜視図である。
【図１３】第４実施形態の光拡散板の全体外観を示す斜視図である。
【図１４】図１３の光拡散板の部分断面図である。
【図１５】第５実施形態の光拡散板の全体外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２１】
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
【００２２】
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
【００２３】
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
【００２４】
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
【００２５】
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
【００２６】
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
【００２７】
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。
【００２８】
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。
【００２９】
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。
【００３０】
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
【００３１】
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
【００３２】
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
【００３３】
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
【００３４】
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
【００３５】
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
【００３６】
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
【００３７】
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
【００３８】
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
【００３９】
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
【００４０】
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
【００４１】
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
【００４２】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。
【００４３】
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
【００４４】
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
【００４５】
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。
【００４６】
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
【００４７】
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
【００４８】
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【００４９】
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
【００５０】
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
【００５１】
図１に示すように、上側チャンバー窓６３の上面には光拡散板９０が設置されている。図８は、第１実施形態の光拡散板９０の全体外観を示す斜視図である。また、図９は、光拡散板９０の部分断面図である。第１実施形態の光拡散板９０は、六角形の石英板の上面に多数の凹面９１を形設して構成される。すなわち、光拡散板９０は全体が石英にて形成されている。光拡散板９０の全長（対向する六角形の頂点間の距離）は処理対象となる半導体ウェハーＷの径よりも短い（本実施形態では１７２ｍｍ）。従って、光拡散板９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。
【００５２】
光拡散板９０の上面には均等な密度にて複数の凹面９１が形設されている。光拡散板９０に形設される複数の凹面９１のそれぞれは凹状の球面である。第１実施形態の各凹面９１の直径は例えば１２ｍｍであり、曲率半径は例えば１３ｍｍである。また、隣り合う凹面９１の中心間の距離（つまり、複数の凹面９１の配設ピッチ）は例えば１３ｍｍである。石英の光拡散板９０に凹状の曲面である複数の凹面９１を形設することによって、各凹面９１は凹レンズとして機能することとなる。
【００５３】
光拡散板９０は、その中心軸が保持部７に保持された半導体ウェハーＷの中心軸と一致するように上側チャンバー窓６３上に載置される。光拡散板９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さいため、光拡散板９０は半導体ウェハーＷの中央部と対向するように設置されることとなる。
【００５４】
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
【００５５】
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
【００５６】
次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【００５７】
まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
【００５８】
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
【００５９】
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介してイオン注入後の半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
【００６０】
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
【００６１】
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
【００６２】
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。
【００６３】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
【００６４】
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、基板Ｗの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
【００６５】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
【００６６】
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
【００６７】
図１０は、フラッシュランプＦＬから放射された光の光路を模式的に示す図である。上側チャンバー窓６３の上面には、その中心軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの中心軸ＣＸと一致するように光拡散板９０が載置されている。光拡散板９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。光拡散板９０には複数の凹面９１が形設されている。
【００６８】
フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板９０の側方を通過した光は、そのまま上側チャンバー窓６３を透過して半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板９０に入射した光は、凹レンズとして機能する凹面９１によって発散される。図８に示したように、光拡散板９０には複数の凹面９１が形設されており、それぞれの凹面９１によって入射したフラッシュ光が個別に発散される。その結果、光拡散板９０の全体としては入射したフラッシュ光の一部を光拡散板９０よりも外側に向けて、すなわち半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散させることとなる。そして、光拡散板９０よりも外側に向けて拡散したフラッシュ光の光量分だけ半導体ウェハーＷの中央部に向かうフラッシュ光の光量が低下する。このため、光拡散板９０を設けずにフラッシュ光を照射したときには相対的に照度が高くなる傾向が認められる半導体ウェハーＷの中央部に照射される光の光量が減少するとともに、逆に照度が低くなる半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加し、半導体ウェハーＷの面内全体に均一にフラッシュ光が照射されることとなる。よって、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性が向上し、表面の面内温度分布も均一にすることができる。
【００６９】
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。
【００７０】
第１実施形態においては、複数の凹面９１を形設した光拡散板９０をフラッシュランプＦＬと半導体ウェハーＷとの間に配置している。半導体ウェハーＷよりも小さい光拡散板９０は半導体ウェハーＷの中央部と対向するように設置される。フラッシュランプＦＬから放射されて光拡散板９０に入射したフラッシュ光の一部は半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散されるため、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少する。その結果、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００７１】
また、複数の凹面９１を形設した光拡散板９０によって半導体ウェハーＷの中央部に向かう光を周縁部に拡散させているため、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光が無駄に消費されることはなく、半導体ウェハーＷの全面に有効に照射されることとなる。
【００７２】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第２実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、光拡散板の形態である。
【００７３】
図１１は、第２実施形態の光拡散板２９０の全体外観を示す斜視図である。第２実施形態の光拡散板２９０は、円形の石英板の上面に複数の凹面２９１を形設して構成される。円板形状の光拡散板２９０の径は半導体ウェハーＷの径よりも短い。従って、光拡散板２９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。また、光拡散板２９０は、その中心軸が保持部７に保持された半導体ウェハーＷの中心軸と一致するように上側チャンバー窓６３の上面に載置される。
【００７４】
光拡散板２９０に形設される複数の凹面２９１のそれぞれは第１実施形態と同様の凹状の球面である。第２実施形態においては、複数の凹面２９１が複数の同心円上に周方向に沿って均等に形設されている。
【００７５】
第２実施形態においても、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板２９０の側方を通過した光は、そのまま上側チャンバー窓６３を透過して半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板２９０に入射した光は凹面２９１によって発散され、入射光の一部は半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散される。その結果、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少し、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００７６】
また、光拡散板２９０によって半導体ウェハーＷの中央部に向かう光を周縁部に拡散させて照度分布の面内均一性を向上させているため、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光が無駄に消費されることは防止される。
【００７７】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第３実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、光拡散板の形態である。
【００７８】
図１２は、第３実施形態の光拡散板３９０の全体外観を示す斜視図である。第３実施形態の光拡散板３９０は、円形の石英板の上面に複数の凹面３９１を形設して構成される。円板形状の光拡散板３９０の径は半導体ウェハーＷの径よりも短い。従って、光拡散板３９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。また、光拡散板３９０は、その中心軸が保持部７に保持された半導体ウェハーＷの中心軸と一致するように上側チャンバー窓６３の上面に載置される。
【００７９】
光拡散板３９０に形設される複数の凹面３９１のそれぞれは凹状の球面である。第３実施形態においては、円板形状の光拡散板３９０の中心に形設された凹面３９１から周縁部に形設された凹面３９１に向けて曲率半径が順次少しずつ大きくなっている。すなわち、光拡散板３９０の中心から周縁部に向けて凹面３９１の曲率が徐々になだらかになっているのである。
【００８０】
第３実施形態においても、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板３９０の側方を通過した光は、そのまま上側チャンバー窓６３を透過して半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板３９０に入射した光は凹面３９１によって発散され、入射光の一部は半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散される。その結果、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少し、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００８１】
また、第３実施形態においては、光拡散板３９０の中心から周縁部に向けて凹面３９１の曲率半径が徐々に大きくなるため、半導体ウェハーＷの中心に向かう光がより強く拡散されて照度分布の面内均一性をさらに向上させることができる。
【００８２】
また、光拡散板３９０によって半導体ウェハーＷの中央部に向かう光を周縁部に拡散させて照度分布の面内均一性を向上させているため、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光が無駄に消費されることは防止される。
【００８３】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第４実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第４実施形態が第１実施形態と相違するのは、光拡散板の形態である。
【００８４】
図１３は、第４実施形態の光拡散板４９０の全体外観を示す斜視図である。図１４は、光拡散板４９０の部分断面図である。第４実施形態の光拡散板４９０は、六角形の石英板の上面に複数の凸面４９１を形設して構成される。光拡散板４９０の全長は半導体ウェハーＷの径よりも短い。従って、光拡散板４９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。また、光拡散板４９０は、その中心軸が保持部７に保持された半導体ウェハーＷの中心軸と一致するように上側チャンバー窓６３の上面に載置される。
【００８５】
光拡散板４９０に形設される複数の凸面４９１のそれぞれは凸状の球面である。第４実施形態の各凸面４９１の直径は例えば１２ｍｍであり、曲率半径は例えば１３ｍｍである。石英の光拡散板４９０に凸状の曲面である複数の凸面４９１を形設することによって、各凸面４９１は凸レンズとして機能することとなる。
【００８６】
第４実施形態においても、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板４９０の側方を通過した光は、そのまま上側チャンバー窓６３を透過して半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板４９０に入射した光は凸面４９１によって発散される。凸レンズとして機能する凸面４９１に入射した光は、一旦は集束するのであるが、焦点より遠方では逆に発散することとなる。このため、第１実施形態と同様に、光拡散板４９０の全体としては入射した光の一部を半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散させる。その結果、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少し、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００８７】
また、光拡散板４９０によって半導体ウェハーＷの中央部に向かう光を周縁部に拡散させて照度分布の面内均一性を向上させているため、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光が無駄に消費されることは防止される。
【００８８】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について説明する。第５実施形態の熱処理装置１の全体構成は第１実施形態と概ね同じである。また、第５実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と同様である。第５実施形態が第１実施形態と相違するのは、光拡散板の形態である。
【００８９】
図１５は、第５実施形態の光拡散板５９０の全体外観を示す斜視図である。第５実施形態の光拡散板５９０は、八角形の石英板の上面に複数の凸面５９１を形設して構成される。光拡散板５９０の全長は半導体ウェハーＷの径よりも短い。従って、光拡散板５９０の平面サイズは半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。また、光拡散板５９０は、その中心軸が保持部７に保持された半導体ウェハーＷの中心軸と一致するように上側チャンバー窓６３の上面に載置される。
【００９０】
光拡散板５９０に形設される複数の凸面５９１のそれぞれは凸状の曲面である。第５実施形態においては、複数の円弧形状の切り欠き部を列設した切削工具を用いて石英板に対して垂直な２方向から切削加工を行うことによって、複数の凸面５９１を形設している。従って、隣り合う凸面５９１の間の隙間は格子状となるものの、それぞの凸面５９１自体は凸状の曲面となる。
【００９１】
第５実施形態においても、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板５９０の側方を通過した光は、そのまま上側チャンバー窓６３を透過して半導体ウェハーＷの周縁部に照射される。一方、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光のうち光拡散板５９０に入射した光は凸面５９１によって発散され、入射光の一部は半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散される。その結果、半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光の光量が増加する一方で中央部に照射される光の光量は減少し、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００９２】
また、光拡散板５９０によって半導体ウェハーＷの中央部に向かう光を周縁部に拡散させて照度分布の面内均一性を向上させているため、フラッシュランプＦＬから放射されたフラッシュ光が無駄に消費されることは防止される。
【００９３】
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、光拡散板に形設する凹状または凸状の曲面の個数は、特に限定されるものではなく、適宜の数とすることができる。但し、曲面が１個のみであると、上記各実施形態のような光拡散効果を得るためには、光拡散板自体の板厚を相当に厚くする必要があり、光拡散板によって光が吸収されてエネルギー効率が低下するおそれがある。このため、光拡散板には複数の凹状または凸状の曲面を設けるようにする。
【００９４】
また、第１実施形態から第３実施形態では光拡散板に凹状の球面を形設し、第４実施形態では凸状の球面を形設していたが、球面に限定されるものではなく、例えば楕円体面等の凹状または凸状の曲面を光拡散板に形設するようにすれば良い。凹状または凸状の複数の曲面を形設した光拡散板であれば、当該光拡散板に入射した光の一部を半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散させることができ、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９５】
また、上記各実施形態においては、光拡散板の上面に凹状または凸状の複数の曲面を形設していたが、これに限定されるものではなく、光拡散板の下面に複数の曲面を形設するようにしても良いし、光拡散板の上下両面に複数の曲面を形設するようにしても良い。
【００９６】
また、上記各実施形態においては、上側チャンバー窓６３の上面に光拡散板を載置するようにしていたが、チャンバー６内の保持部７の上方に光拡散板を設置するようにしても良い。さらには、上側チャンバー窓６３の上面およびチャンバー６内の双方に光拡散板を設けるようにしても良い。要するに、保持部７とフラッシュランプＦＬとの間のいずれかの位置に光拡散板を設けるようにすれば良い。
【００９７】
また、上側チャンバー窓６３またはフラッシュ加熱部５のランプ光放射窓５３に凹状または凸状の複数の曲面を形設するようにしても良い。この場合、複数の曲面を設ける面積は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さく、上記各実施形態の光拡散板の平面サイズと同じである。すなわち、上記各実施形態の光拡散板を上側チャンバー窓６３またはランプ光放射窓５３に埋め込んだ形態となる。
【００９８】
また、保持部７とハロゲンランプＨＬとの間（例えば、下側チャンバー窓６４の上面）に上記各実施形態と同様の光拡散板を設置するようにしても良い。このようにすれば、ハロゲンランプＨＬから放射された光の一部を半導体ウェハーＷの周縁部に向けて拡散させ、予備加熱時における半導体ウェハーＷの照度分布の面内均一性を向上させることができる。
【００９９】
また、上記各実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
【０１００】
また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の熱処理、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。
【０１０１】
また、本発明に係る熱処理技術は、フラッシュランプアニール装置に限定されるものではなく、ハロゲンランプを使用した枚葉式のランプアニール装置やＣＶＤ装置などのフラッシュランプ以外の熱源の装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１  熱処理装置
３  制御部
４  ハロゲン加熱部
５  フラッシュ加熱部
６  チャンバー
７  保持部
１０  移載機構
６５  熱処理空間
７４  サセプタ
７５  保持プレート
７７  基板支持ピン
９０，２９０，３９０，４９０，５９０  光拡散板
９１，２９１，３９１  凹面
４９１，５９１  凸面
ＦＬ  フラッシュランプ
ＨＬ  ハロゲンランプ
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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