(57)【要約】【課題】基板の面内における膜厚の均一性を高めることを可能とする成膜装置を提供する。【解決手段】矩形板状を有した基板を矩形枠内に各々保持する２つのトレイ装置と、２つの基板における間隙に位置する複数の触媒線と、間隙に成膜ガスを供給するガス供給部と、間隙を減圧して成膜ガスを中間流とする減圧部とを備え、矩形枠が有する四辺のなかの少なくとも一辺が対象辺であり、対象辺の延在方向と直交する方向において、対象辺の端辺部と対向する第２供給口群と対象辺との間の距離が、対象辺の中間辺部と対向する第１供給口群と対象辺との間の距離よりも大きい。【選択図】図３
2018059172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状を有した基板を矩形枠内に各々保持する２つのトレイ装置であって、各々が相互に対向する２つの前記基板を立てた状態で保持する前記２つのトレイ装置と、
前記２つの基板における間隙に位置する複数の触媒線と、
前記間隙に成膜ガスを供給するガス供給部と、
前記間隙を減圧して前記成膜ガスを中間流とする減圧部とを備え、
前記矩形枠が有する四辺のなかの少なくとも一辺が対象辺であり、
前記対象辺は、一対の端辺部と、前記一対の端辺部に挟まれた中間辺部とを備え、
前記ガス供給部は、前記矩形枠の周方向に等間隔を空けて並び、かつ、前記対象辺と対向する複数のガス供給口を備え、
前記中間辺部と対向する複数の前記ガス供給口が第１供給口群であり、
前記各端辺部と対向する複数の前記ガス供給口が第２供給口群であり、
前記対象辺の延在方向と直交する方向において、前記対象辺と前記第２供給口群との間の距離が、前記対象辺と前記第１供給口群との間の距離よりも大きい
成膜装置。
【請求項２】
前記対象辺と前記第１供給口群との間の距離が第１距離Ｌ１であり、
前記対象辺と前記第２供給口群との間の距離が第２距離Ｌ２であり、
前記対象辺の延在方向において前記第２供給口群の有する距離が端部距離Ｌ３であり、
前記矩形枠の中心と前記対象辺との間の距離が対象距離Ｄであり、
Ｄ／２０≦Ｌ１≦Ｄ／５、かつ、
Ｄ／５≦Ｌ２≦Ｄ、かつ、
Ｄ／４≦Ｌ３≦２Ｄ／３を満たす
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記ガス供給部は、所定の流量に制御された前記成膜ガスが流れるガスラインであって、前記第１供給口群と前記各第２供給口群とに共通する単一の前記ガスラインをさらに備える
請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記矩形枠を構成する各辺が前記対象辺である
請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜ガスは、相互に異なる２種類以上のガスであり、
前記ガス供給部は、前記対象辺ごとに、１種類のガスに１つずつの前記第１供給口群を備え、かつ、１種類のガスに１組ずつの前記一対の第２供給口群を備える
請求項１から４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒線を備えた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
触媒線に成膜ガスを接触させることによって成膜ガスを成膜種に分解する触媒ＣＶＤ法が知られている。成膜種の生成を触媒線に担わせる触媒ＣＶＤ法は、基板における電気的な損傷や熱的な損傷を抑えることが可能であり、また、触媒線の本数を増やすことによる反応系の拡張が可能ともなる。他方、触媒ＣＶＤ法において基板に到達する成膜種の量は、触媒線と基板との距離の大きさによって変わる。そのため、触媒線と基板との間の距離が基板の面内でばらつきを生じると、基板の面内における膜厚の均一性が損なわれてしまう。そこで、触媒ＣＶＤ法を用いる成膜装置には、触媒線と基板との間の距離の大きさを均一にするために、ほぼ鉛直方向に沿って基板を立てると共に、ほぼ鉛直方向に沿って触媒線を吊り下げる構成が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３０３１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板に到達する成膜種の量は、触媒線と基板との距離の大きさのみならず、触媒線と基板との間に滞在する成膜種の量によっても変わる。そして、触媒線と基板との間に滞在する成膜種の量が基板の面内でばらつきを生じると、基板の面内における膜厚の均一性が損なわれてしまう。特に、基板の面内に滞在する成膜種の偏りは、基板のサイズが大きいほど大きいため、上述した膜厚の均一性に関わる課題が顕著なものとなる。
本発明は、基板の面内における膜厚の均一性を高めることを可能とする成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための成膜装置は、矩形板状を有した基板を矩形枠内に各々保持する２つのトレイ装置であって、各々が相互に対向する２つの前記基板を立てた状態で保持する前記２つのトレイ装置と、前記２つの基板における間隙に位置する複数の触媒線と、前記間隙に成膜ガスを供給するガス供給部と、前記間隙を減圧して前記成膜ガスを中間流とする減圧部とを備える。前記矩形枠が有する四辺のなかの少なくとも一辺が対象辺であり、前記対象辺は、一対の端辺部と、前記一対の端辺部に挟まれた中間辺部とを備え、前記ガス供給部は、前記矩形枠の周方向に等間隔を空けて並び、かつ、前記対象辺と対向する複数のガス供給口を備え、前記中間辺部と対向する複数の前記ガス供給口が第１供給口群であり、前記各端辺部と対向する複数の前記ガス供給口が第２供給口群である。そして、前記対象辺の延在方向と直交する方向において、前記対象辺と前記第２供給口群との間の距離が、前記対象辺と前記第１供給口群との間の距離よりも大きい。
【０００６】
矩形枠の周方向においてガス供給口が等間隔を空けて並ぶ構成において、基板の面内のうち中間辺部と対向する領域は、その領域に滞在する成膜ガスの多くを、中間辺部と対向する複数のガス供給口から供給を受ける。他方、基板の面内のうち端辺部と対向する領域は、その領域に滞在する成膜ガスを、端辺部と対向する複数のガス供給口のみならず、対象辺と交差する他の辺と対向するガス供給口からも受ける。結果として、基板の面内のうち端辺部と対向する領域、特に、矩形枠の対角線付近においては、成膜ガスが溜まりやすく、そこに滞在する成膜種の量は、それ以外の他の領域と比べて多くなりやすい。この点、上記成膜装置によれば、端辺部と対向する複数のガス供給口である第２供給口群が、中間辺部と対向する複数のガス供給口である第１供給口群よりも、対象辺から離れている。それゆえに、基板の面内における成膜種が、矩形枠の対角線付近から流れ出ることを促され、基板の面内における一部分で成膜種が溜まることを抑えることができる。結果として、基板の面内における膜厚の均一性を高めることが可能となる。
【０００７】
上記成膜装置において、前記対象辺と前記第１供給口群との間の距離が第１距離Ｌ１であり、前記対象辺と前記第２供給口群との間の距離が第２距離Ｌ２であり、前記対象辺の延在方向において前記第２供給口群の有する距離が端部距離Ｌ３であり、前記矩形枠の中心と前記対象辺との間の距離が対象距離Ｄである。そして、Ｄ／２０≦Ｌ１≦Ｄ／５、Ｄ／５≦Ｌ２≦Ｄ、および、Ｄ／４≦Ｌ３≦２Ｄ／３が満たされてもよい。
【０００８】
上記成膜装置によれば、基板の面内に滞在する成膜種の量について、矩形枠内の中心付近での量、中間辺部と対向する領域での量、および、端辺部と対向する領域での量の均一化が図られる。それゆえに、基板の面内における膜厚の均一性を高められる効果が、より得られやすくなる。
【０００９】
上記成膜装置において、前記ガス供給部は、所定の流量に制御された前記成膜ガスが流れるガスラインであって、前記第１供給口群と前記各第２供給口群とに共通する単一の前記ガスラインをさらに備えてもよい。
【００１０】
上記成膜装置によれば、第１供給口群から流れる成膜ガスの流量と、各第２供給口群から流れる成膜ガスの流量との合計が、単一のガスラインに流れる成膜ガスの流量として規定される。第１供給口群と第２供給口群とが単一のガスラインに接続される構成においては、第１供給口群のガス供給口から流れる成膜ガスの流量と、第２供給口群のガス供給口から流れる成膜ガスの流量とを別々に制御することが困難である。そして、成膜ガスが流れ続ける定常状態においては、第１供給口群のガス供給口から流れる成膜ガスの流量と、第２供給口群のガス供給口から流れる成膜ガスの流量とが、相互にほぼ等しくなる。この点、上述したように、第２供給口群と対象辺との距離が、第１供給口群と対象辺との距離よりも予め大きく定められた構成であれば、各ガス供給口から流れる成膜ガスの流量が相互に等しい場合であっても、矩形枠の対角線付近で成膜種が過剰に滞在することを抑えることができる。それゆえに、第１供給口群と第２供給口群とに成膜ガスを流す供給系の簡素化を図ることが可能ともなる。
上記成膜装置において、前記矩形枠を構成する各辺が前記対象辺であってもよい。
上記成膜装置によれば、基板の面内における成膜種が、矩形枠内の一部分で溜まることを、矩形枠の周方向における全範囲において抑えることが可能ともなる。
【００１１】
上記成膜装置において、前記成膜ガスは、相互に異なる２種類以上のガスであり、前記ガス供給部は、前記対象辺ごとに、１種類のガスに１つずつの前記第１供給口群を備え、かつ、１種類のガスに１組ずつの前記一対の第２供給口群を備えてもよい。
【００１２】
上記成膜装置によれば、基板の面内における成膜種が、矩形枠内の一部分で溜まることを、各種類のガスの供給によって抑えることができる。それゆえに、基板の面内における膜厚の均一性に加え、基板の面内における膜組成の均一性を高めることが可能ともなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】成膜装置の一実施の形態における装置構成を示す構成図であって、成膜装置が備える天面の一部を切り欠いて示す図。
【図２】成膜装置が備える成膜部の構成を示す構成図であって、（ａ）は基板の主面と対向する方向から見た図であり、（ｂ）は図２の１−１線から見た断面図。
【図３】成膜装置が備えるトレイ本体とガス供給部との位置の関係を示す側面図。
【図４】基板の面内における膜厚の分布を示す分布図であって、（ａ）は参考例における膜厚の分布を示す図であり、（ｂ）は一実施例における膜厚の分布を示す図である。
【図５】膜厚の均一性と、第１距離Ｌ１と第２距離Ｌ２との合計との関係を示すグラフ。
【図６】変形例におけるガス供給部の構成を示す側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、成膜装置の一実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
［触媒ＣＶＤ装置］
図１において、成膜装置の一例である触媒ＣＶＤ装置１０は、搬入部１１と、２つの成膜部１２，１３と、搬出部１４とを備える。触媒ＣＶＤ装置１０は、インライン式の成膜装置である。搬入部１１、２つの成膜部１２，１３、および、搬出部１４は、ゲートバルブＧＶを介して、この順に接続されている。
【００１６】
搬入部１１は、排気ラインＰに接続された真空槽を備える。搬入部１１は、触媒ＣＶＤ装置１０の外部から触媒ＣＶＤ装置１０の内部に基板Ｓを搬入する。基板Ｓは、矩形板状を有する。搬入部１１の内部には、基板Ｓを支持するための一対のトレイ本体１１Ｓが位置する。各トレイ本体１１Ｓは、基板Ｓの外周縁を囲う矩形枠状を有する。各トレイ本体１１Ｓは、搬入部１１に搬入された基板Ｓを保持する。搬入部１１が備えるトレイ装置は、トレイ本体１１Ｓに保持された基板Ｓの主面がほぼ鉛直方向に沿うように、トレイ本体１１Ｓを立てる。２つのトレイ本体１１Ｓは、トレイ本体１１Ｓに保持された２つの基板Ｓを相互に対向させる。搬入部１１が備えるトレイ装置は、立てられた状態の基板Ｓをトレイ本体１１Ｓと共に、成膜部１２の真空槽に搬入する。
【００１７】
各成膜部１２，１３は、排気ラインＰに接続された真空槽を備える。各成膜部１２，１３は、ゲートバルブＧＶを介して他の真空槽に接続されている。各成膜部１２，１３は、ゲートバルブＧＶが開くことによって、他の真空槽と連通する。各成膜部１２，１３には、ガス供給系が接続されている。ガス供給系は、所定流量の成膜ガスを成膜部１２，１３に供給する。成膜部１２の内部には、基板Ｓを保持するための２つのトレイ本体１２Ｓが位置する。成膜部１３の内部には、基板Ｓを保持するための２つのトレイ本体１３Ｓが位置する。各トレイ本体１２Ｓ，１３Ｓは、それが保持する基板Ｓと共に、搬入部１１から搬入される。
【００１８】
トレイ本体１２Ｓを含むトレイ装置は、立てられた状態の２つの基板Ｓを相互に対向させる。トレイ本体１３Ｓを含むトレイ装置もまた、立てられた状態の２つの基板Ｓを相互に対向させる。成膜部１２，１３は、基板Ｓを所定温度に加熱する。成膜部１２，１３の真空槽は、相互に対向する２つの基板Ｓの間隙において、成膜ガスを中間流とするように、排気ラインＰとの接続によって減圧される。２つの基板Ｓの間隙が成膜ガスの平均自由行程よりも十分に大きいとき、その流れの状態は粘性流である。２つの基板Ｓの間隙が成膜ガスの平均自由行程以上であるとき、その流れの状態は分子流である。中間流は、これら粘性流と分子流との間の流れの状態である。すなわち、２つの基板Ｓの間隙において、成膜ガスの流れは、成膜ガス同士の衝突と、成膜ガスと触媒線１５との衝突と、成膜ガスと基板Ｓとの衝突との各々の影響を受ける。また、２つの基板Ｓの間隙において、２つの基板Ｓの間隙に位置する触媒線１５と成膜ガスとの衝突が確保される。
【００１９】
成膜部１２が備えるトレイ装置は、立てられた状態の基板Ｓをトレイ本体１２Ｓと共に、成膜部１３の真空槽に搬入する。成膜部１３が備えるトレイ装置は、立てられた状態の基板Ｓをトレイ本体１３Ｓと共に、搬出部１４の真空槽に搬入する。
【００２０】
搬出部１４は、排気ラインＰに接続された真空槽を備える。搬出部１４は、ゲートバルブＧＶを介して成膜部１３の真空槽に接続されている。搬出部１４は、ゲートバルブＧＶが開くことによって、成膜部１３と連通する。搬出部１４の内部には、基板Ｓを保持するための２つのトレイ本体１４Ｓが位置する。各トレイ本体１４Ｓは、それが保持する基板Ｓと共に、成膜部１２，１３から搬入される。搬出部１４が備えるトレイ装置は、トレイ本体１４Ｓに保持された基板Ｓの主面が水平方向に沿うように、トレイ本体１４Ｓを倒す。搬出部１４が備えるトレイ装置は、倒された状態の基板Ｓをトレイ本体１４Ｓと共に、触媒ＣＶＤ装置１０の外部に搬出する。
【００２１】
［成膜部］
成膜部１２の内部において、２つのトレイ本体１２Ｓの間隙には、ほぼ鉛直方向の下側に向けて延在する複数の触媒線１５が吊下げられている。成膜部１３の内部にもまた、２つのトレイ本体１３Ｓの間隙には、ほぼ鉛直方向の下側に向けて延在する複数の触媒線１５が吊下げられている。各触媒線１５は、搬入部１１から成膜部１３に向けた方向に沿って、すなわち、基板Ｓの搬送される方向に沿って、基板Ｓのほぼ全体にわたり、ほぼ等間隔を空けて並んでいる。各触媒線１５は、鉛直方向における基板Ｓのほぼ全体と重なる大きさを有する。
触媒線１５と各基板Ｓとの間隙には、ガス供給部２０が位置している。成膜部１２が備えるガス供給部２０と、成膜部１３が備えるガス供給部２０とは、それが搭載される真空槽が相互に異なる一方で、その他の構成においては、相互に等しい。以下では、成膜部１２が備えるガス供給部２０の構成について説明する。
【００２２】
図２（ａ）が示すように、成膜部１２における各ガス供給部２０は、基板Ｓの外周を囲う矩形枠状に位置し、基板Ｓの各辺と対向する。ガス供給部２０は、基板Ｓが有する４辺の各々に対して、１辺に対して１つずつの供給ブロック２１を備える。各供給ブロック２１は、トレイ本体１２Ｓの１辺であって、供給ブロック２１と対向する１辺に沿って延在している。各供給ブロック２１は、ガスラインＧＬに並列接続されている。ガス供給部２０は、所定の流量に制御された成膜ガスが流れるガスラインＧＬを備える。各供給ブロック２１は、相互に共通する単一のガスラインＧＬに接続されている。
【００２３】
各供給ブロック２１は、ガスラインＧＬから導入される成膜ガスを基板Ｓに向けて別々に供給する。なお、触媒ＣＶＤ装置１０がシリコン膜を成膜する場合、例えば、シランと水素とが成膜ガスとして用いられる。触媒ＣＶＤ装置１０が成膜処理としてシリコン窒化膜を成膜する場合、シランとアンモニアとが成膜ガスとして用いられる。触媒ＣＶＤ装置１０が成膜処理としてシリコン酸化窒化膜を成膜する場合、シランと亜酸化窒素とが成膜ガスとして用いられる。
【００２４】
図２（ｂ）が示すように、各供給ブロック２１は、２つの基板Ｓの間隙に向けて延びる複数のガス供給口Ｎを備える。供給ブロック２１の延在方向において、各ガス供給口Ｎは等間隔を空けて並んでいる。すなわち、トレイ本体１２Ｓの外形である矩形枠の周方向において、ガス供給口Ｎは等間隔を空けて並ぶ。また、矩形枠が備える四辺の各々が対象辺であり、複数のガス供給口Ｎは対象辺と対向する。各ガス供給口Ｎは、例えば、１ｍｍの孔径を有した円形孔である。また、例えば、供給ブロック２１の延在方向において、各ガス供給口Ｎは、１０ｍｍの間隔を空けて並んでいる。各供給ブロック２１は、供給ブロック２１の内部に導入された成膜ガスを供給ブロック２１の延在方向に沿って分散させた後に、各ガス供給口Ｎから外部に向けて成膜ガスを導出する。触媒線１５に到達した成膜ガスは、成膜ガスと触媒線１５との接触を通じて成膜種を生成する。
【００２５】
次に、各供給ブロック２１が備えるガス供給口Ｎの位置について図３を参照して詳細に説明する。
図３が示すように、各対象辺は、一対の端辺部１２Ｅと、一対の端辺部１２Ｅに挟まれた中間辺部１２Ｃとを備える。各ガス供給部２０における複数のガス供給口Ｎは、第１供給口群２１ａと、２つの第２供給口群２１ｂとから構成されている。第１供給口群２１ａは、中間辺部１２Ｃと対向する複数のガス供給口Ｎから構成される。各第２供給口群２１ｂは、端辺部１２Ｅと対向する複数のガス供給口Ｎから構成される。
【００２６】
対象辺の延在方向と直交する方向において、中間辺部１２Ｃと第１供給口群２１ａとの間の距離が、第１距離Ｌ１である。対象辺の延在方向と直交する方向において、第１供給口群２１ａと第２供給口群２１ｂとの間の距離が、第２距離Ｌ２である。対象辺の延在方向において、第２供給口群２１ｂの有する距離が、端部距離Ｌ３である。対象辺の延在方向と直交する方向において、矩形枠の中心Ｃと中間辺部１２Ｃとの間の距離が、対象距離Ｄである。
【００２７】
第１距離Ｌ１と第２距離Ｌ２とは、下記第１条件を満たす。
第１条件：    Ｌ１，Ｌ２＞０
矩形枠の周方向においてガス供給口Ｎが等間隔を空けて並ぶ構成において、対象辺の中間辺部１２Ｃと対向する領域は、その領域に滞在する成膜ガスの多くの供給を、中間辺部１２Ｃと対向する第１供給口群２１ａから受ける。他方、対象辺の端辺部１２Ｅと対向する領域は、その領域に滞在する成膜ガスの供給を、端辺部１２Ｅと対向する第２供給口群２１ｂのみならず、対象辺と交差する他の辺と対向する第２供給口群２１ｂからも受ける。結果として、基板Ｓの面内で生成された成膜種は、端辺部１２Ｅと対向する領域、特に、矩形枠における対角線の近傍からは流れ出にくい。そして、端辺部１２Ｅと対向する領域、特に、矩形枠における対角線の近傍では、それ以外の他の領域と比べて、成膜種が溜まりやすい。
【００２８】
この点、上記第１条件を満たす構成によれば、端辺部１２Ｅと対向する第２供給口群２１ｂが、中間辺部１２Ｃと対向する第１供給口群２１ａよりも、対象辺から離れている。それゆえに、基板Ｓの面内における成膜種が、矩形枠の対角線付近から流れ出る頻度を高めて、矩形枠内の一部分で溜まることを抑えることができる。
【００２９】
また、第１供給口群２１ａから流れる成膜ガスの流量と、各第２供給口群２１ｂから流れる成膜ガスの流量との合計が、単一のガスラインＧＬに流れる成膜ガスの流量として規定される。第１供給口群２１ａと第２供給口群２１ｂとが単一のガスラインＧＬに接続される構成においては、第１供給口群２１ａのガス供給口Ｎから流れる成膜ガスの流量と、第２供給口群２１ｂのガス供給口Ｎから流れる成膜ガスの流量とを別々に制御することが困難である。そして、成膜ガスが流れ続ける定常状態においては、第１供給口群２１ａのガス供給口Ｎから流れる成膜ガスの流量と、第２供給口群２１ｂのガス供給口Ｎから流れる成膜ガスの流量とが、相互にほぼ等しくなる。この点、上記第１条件を満たす構成であれば、各ガス供給口Ｎから流れる成膜ガスの流量が相互に等しい場合であっても、基板Ｓの面内における成膜種は、矩形枠の対角線上のような一部分で溜まりにくい。それゆえに、第１供給口群２１ａと第２供給口群２１ｂとに成膜ガスを流す供給系の簡素化を図ることが可能ともなる。
【００３０】
特に、矩形枠を構成する各辺が対象辺である上記構成であれば、基板Ｓの面内に滞在する成膜種が矩形枠内の一部分で多くなることを、矩形枠の周方向における全範囲において抑えることが可能ともなる。
【００３１】
また、第１距離Ｌ１、第２距離Ｌ２、端部距離Ｌ３、および、対象距離Ｄは、下記第２条件から第５条件の各々を満たすことが好ましい。第２条件を満たす構成であれば、基板Ｓの面内のうち、中間辺部１２Ｃと対向する領域での膜厚と、基板Ｓの中心における膜厚との差異を抑えやすい。第３条件を満たす構成であれば、基板Ｓの縁のうち、端辺部１２Ｅと対向する領域での膜厚と、中間辺部１２Ｃと対向する領域での膜厚との差異を抑えやすい。そして、第４条件を満たす構成であれば、第２条件を満たすことによる効果と、第３条件を満たすことによる効果との双方を得られやすい。
第２条件：    Ｄ／２０≦Ｌ１≦Ｄ／５
第３条件：    Ｄ／５≦Ｌ１＋Ｌ２≦Ｄ
第４条件：    Ｄ／４≦Ｌ３≦２Ｄ／３
第５条件：    Ｌ１  ＜Ｌ２
【００３２】
ここで、上記第１条件〜第４条件を満たすことによる作用、および、効果を、図４を参照して説明し、上記第５条件を満たすことによる作用、および、効果を、図５を参照して説明する。なお、図４（ａ）（ｂ）の各々は、約１０ｎｍのシリコン膜を形成する際に得られたシリコン膜の膜厚の分布を示す図であり、基板Ｓの面内に分布する５５０点での膜厚を測定した結果を示す。図４（ａ）（ｂ）の各々において、黒色に近い部位ほど、膜厚は１０ｎｍよりも厚く、また、白色に近い部位ほど、膜厚は１０ｎｍよりも薄い。図４（ａ）は、第２距離Ｌ２が０ｍｍである参考例での膜厚の均一性を示す。図４（ｂ）は、第２距離Ｌ２が１００ｍｍ（＝第１距離Ｌ１）である実施例での膜厚の均一性を示す。参考例と実施例とにおける成膜条件は、第２距離Ｌ２の大きさ以外において相互に共通し、各例において以下に示される通りである。
・基板Ｓ      ：  ガラス基板（１７００ｍｍ×１５６０ｍｍ）
・対象距離Ｄ  ：  ７８０ｍｍ≦Ｄ≦８５０ｍｍ
・成膜ガス    ：  シラン（１００ｓｃｃｍ）
・成膜ガス    ：  水素  （１００ｓｓｃｃｍ）
・第１距離Ｌ１：  １００ｍｍ（８５０／２０≦Ｌ１≦７８０／５）
・Ｌ１＋Ｌ２  ：  ２００ｍｍ（８５０／５≦Ｌ１＋Ｌ２≦７８０）
・第３距離Ｌ３：  ５００ｍｍ（８５０／４≦Ｌ３≦１５６０／３）
・成膜圧力    ：  １Ｐａ
・触媒線１５の温度：  １７００℃
【００３３】
図４（ａ）が示すように、参考例における膜厚の分布として、矩形枠の中心Ｃ、および、基板Ｓの四隅において薄く、反対に、各第２供給口群２１ｂからのガスの供給による溜まりによって、矩形枠の対角線付近においては厚いことが認められた。参考例における平均の膜厚は１０．４ｎｍであり、最大膜厚と最小膜厚との差分を平均膜厚で除算することによって得られた均一性は２４．４％であった。これに対して、実施例における膜厚の分布は、矩形枠の中心Ｃ、基板Ｓの四隅、および、矩形枠の対角線付近において、ほぼ等しい厚さが認められた。実施例における平均の膜厚は１０．７ｎｍであり、最大膜厚と最小膜厚との差分を平均膜厚で除算することによって得られた均一性は１０．９％であった。
【００３４】
図５は、図４（ｂ）で説明された実施例における第２距離Ｌ２を１００ｍｍから１０００ｍｍまでの範囲で変更した場合における、膜厚の均一性を示すグラフである。
図５が示すように、第２距離Ｌ２が第１距離Ｌ１と等しい条件、すなわち、（Ｌ１＋Ｌ２）が２００ｍｍである条件では、均一性が１０％を越えることが認められた。また、（Ｌ１＋Ｌ２）が１０００ｍｍを越える条件においても、均一性が３％を越えると共に、（Ｌ１＋Ｌ２）が大きいほど、均一性が高い値を示すことが認められた。これに対して、上記第１条件から上記第４条件を満たし、かつ、第２距離Ｌ２が第１距離Ｌ１よりも大きい第５条件を満たす範囲では、３％以下の良好な均一性が認められた。
【００３５】
以上、上記実施の形態によれば、以下に列挙する効果が得られる。
（１）第１条件が満たされる構成によれば、端辺部１２Ｅと対向する第２供給口群２１ｂが、中間辺部１２Ｃと対向する第１供給口群２１ａよりも、対象辺から離れている。それゆえに、矩形枠の対角線付近のような一部分で成膜種が溜まることを抑えることができる。
【００３６】
（２）さらに、第２条件から第４条件が満たされる構成によれば、中心Ｃの付近での成膜種の量、中間辺部１２Ｃと対向する領域での成膜種の量、および、端辺部１２Ｅと対向する領域での成膜種の量の均一化が図られる。それゆえに、基板Ｓの面内における膜厚の均一性を高められる効果が、より得られやすくなる。
【００３７】
（３）第１供給口群２１ａと各第２供給口群２１ｂとが、単一のガスラインＧＬに接続される。結果として、第１供給口群２１ａと第２供給口群２１ｂとに成膜ガスを流す供給系の簡素化を図ることが可能ともなる。
（４）また、第５条件が満たされる構成によれば、基板Ｓの面内における膜厚の均一性を高められる効果が、より顕著に得られる。
【００３８】
（５）矩形枠を構成する各辺が対象辺であるため、矩形枠内の一部分で成膜種が溜まることを、矩形枠の周方向における全範囲において抑えることが可能ともなる。
【００３９】
なお、上記実施の形態は、以下のように変更して実施することもできる。
［成膜ガス］
・成膜ガスは、相互に異なる２種類以上のガスが混合されたガスに限らず、単一種類のガスであってもよい。
・成膜ガスが、相互に異なる２種類以上のガスであるとき、ガス供給部２０は、１種類のガスに１つずつの第１供給口群２１ａを備え、かつ、１種類のガスに１組ずつの一対の第２供給口群２１ｂを備えることも可能である。こうしたガス供給部２０の構成によれば、基板Ｓの面内における成膜種が、矩形枠内の一部分で溜まることを、各種類のガスの供給によって抑えることができる。それゆえに、基板Ｓの面内における膜厚の均一性に加え、基板Ｓの面内における膜組成の均一性を高めることが可能ともなる。
［対象辺］
【００４０】
・対象辺の数量は、矩形枠の１辺以上３辺以下に具体化することも可能である。また、対象辺は、矩形枠の短軸方向に沿った２辺に具体化することも可能であり、また、矩形枠の長軸方向に沿った２辺に具体化することも可能である。こうした対象辺の数量や位置であっても、上記（１）から（４）の各々に準じた効果を得ることは可能である。
【００４１】
［第２供給口群２１ｂ］
・図６が示すように、相互に隣接する２つの第２供給口群２１ｂは、単一の配管２１Ｇに形成されたガス供給口の集合として具体化することも可能である。例えば、ガス供給部２０は、それが備える４つの第１供給口群２１ａと、８つの第２供給口群２１ｂとを、単一の配管２１Ｇに形成された複数のガス供給口の集合として具体化することも可能である。
【００４２】
［ガスラインＧＬ］
・第１供給口群２１ａに成膜ガスを導入するガスラインと、第２供給口群２１ｂに成膜ガスを導入するガスラインとは、それに流れる成膜ガスの流量が所定量に制御された別々ガスラインであってもよい。第１供給口群２１ａに導入される成膜ガスの流量と、第２供給口群２１ｂに導入される成膜ガスの流量とが別々に制御される構成であれば、基板Ｓの面内における膜厚の均一性をさらに高めることが可能ともなる。
【００４３】
［成膜装置］
・触媒ＣＶＤ装置１０は、搬入部１１、および、搬出部１４の少なくとも一方が割愛された構成に具体化することも可能であり、また、２つの成膜部１２，１３の一方が割愛された構成に具体化することも可能である。
【符号の説明】
【００４４】
Ｃ…中心、Ｄ…対象距離、Ｎ…ガス供給口、Ｐ…排気ライン、Ｓ…基板、ＧＬ…ガスライン、ＧＶ…ゲートバルブ、Ｌ１…第１距離、Ｌ２…第２距離、Ｌ３…端部距離、１０…触媒ＣＶＤ装置、１１…搬入部、１１Ｓ，１２Ｓ，１３Ｓ，１４Ｓ…トレイ本体、１２，１３…成膜部、１２Ｃ…中間辺部、１２Ｅ…端辺部、１４…搬出部、１５…触媒線、２０…ガス供給部、２１…供給ブロック、２１ａ…第１供給口群、２１ｂ…第２供給口群、２１Ｇ…配管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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