(57)【要約】【課題】本発明は、誘電体磁器組成物、それを含む積層セラミックキャパシター、及び積層セラミックキャパシターの製造方法に関する。【解決手段】本発明は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす、誘電体磁器組成物に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、
Ｎａを含む第１副成分と、
Ｂａを含む第２副成分と、
Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、
前記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、
Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす、誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記第１副成分は、Ｎａ２ＯまたはＮａ２ＣＯ３である、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第２副成分は、Ｂａの酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される１つ以上であり、
前記第２副成分の含量は、前記主成分１００モル当たり０．２〜１．８０モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記第３副成分は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの炭酸塩、及びＳｉを含むガラスからなる群から選択される１つ以上であり、
前記第３副成分の含量は、前記主成分１００モル当たり０．５〜４．００モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、またはＥｒを含む希土類元素の酸化物または炭酸塩からなる群から選択される１つ以上の第４副成分をさらに含み、
前記第４副成分の含量は、前記主成分１００モル当たり０．１５〜１．５０モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎを含む原子価可変アクセプター元素の酸化物または炭酸塩からなる群から選択される１つ以上の第５副成分をさらに含み、
前記第５副成分は、前記第５副成分に含まれる原子価可変アクセプター元素の総和が、主成分１００モル当たり原子価可変アクセプター元素を基準に０．１モル〜２．０モルとなるように含む、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
ＣａまたはＺｒを含む第６副成分をさらに含み、
前記第６副成分の含量は、前記主成分１００モル当たり０超過、１０モル以下である、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項８】
誘電層が積層された本体と、
前記誘電層を挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極と、を含み、
前記誘電層は、請求項１から７の何れか一項に記載の誘電体磁器組成物を含む、積層セラミックキャパシター。
【請求項９】
前記誘電層の微細構造において、
前記誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が平均５個以上である、請求項８に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１０】
前記誘電層の微細構造において、
前記誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が平均８個以上である、請求項８に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１１】
前記誘電層の微細構造において、
前記誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が平均１１個以上である、請求項８に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１２】
前記誘電層の結晶粒サイズが２５０ｎｍ以下である、請求項８に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１３】
誘電体磁器組成物を用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、
前記セラミックグリーンシートに第１及び第２内部電極をそれぞれ印刷する段階と、
前記第１及び第２内部電極が印刷された前記セラミックグリーンシートを積層・圧着・切断することで本体を製造する段階と、
前記本体を焼結する段階と、
前記本体に１０００℃で再酸化熱処理を２時間以上行う段階と、を含む、積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１４】
前記再酸化熱処理を行う段階は、１０００℃で２時間以上再酸化熱処理した後、徐冷または急冷するサイクルを３回繰り返す、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１５】
加圧熱処理装置に前記本体を配置する段階と、
前記加圧熱処理装置において２００℃以上で１０ＭＰａ以上の圧力を３０分以上維持する段階と、
前記本体を常温まで冷却する段階と、をさらに含む、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１６】
前記本体を１００〜２００℃で１〜１０ＭＰａの圧力を加圧する段階と、
前記加圧した本体を常温まで冷却する段階と、をさらに含む、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１７】
前記誘電体磁器組成物は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、前記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物、それを含む積層セラミックキャパシター、及び積層セラミックキャパシターの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、キャパシター、インダクター、圧電素子、バリスター、またはサーミスターなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設けられた外部電極と、を備える。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシターは、積層された複数の誘電層と、一誘電層を挟んで対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極と、を含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシターは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点を有するため、コンピューター、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００５】
近年、携帯電話、ノート型パソコンなどの電子製品の小型化及び高機能化が加速しており、それに用いられる積層セラミックキャパシターにも小型化及び高容量化が求められつつある。
【０００６】
それを達成するために、積層セラミックキャパシターの誘電層の薄層化技術が継続して開発されており、現在、１．０μｍ以下の厚さを有する誘電層が商用化されている。
【０００７】
しかしながら、誘電層の厚さが薄くなると、絶縁抵抗、信頼性、ＢＶ（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）の低下などの様々な問題が生じるため、誘電層の厚さを一層薄く実現することが益々困難となっている状況である。
【０００８】
したがって、積層セラミックキャパシターの高容量化を達成することのできる更なる方法が必要な状況である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国特許登録第１０−１１２９１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一目的は、還元雰囲気及び１１００℃以下で焼成可能な、ＥＩＡ規格で規定するＸ５ＲあるいはＸ７Ｒ特性を満たす誘電体磁器組成物及びその積層セラミックキャパシターを提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能な積層セラミックキャパシターを提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、上記のような目標特性を満たす積層セラミックキャパシターを効率的に得ることができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の課題を解決するための方法として、本発明は一例による誘電体磁器組成物を提案し、具体的に、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす。
【００１４】
上述の課題を解決するための方法として、本発明は他の例による積層セラミックキャパシターを提案し、具体的に、誘電層が積層された本体と、上記誘電層を挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極と、を含み、上記誘電層は誘電体磁器組成物を含み、上記誘電体磁器組成物は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす。
【００１５】
また、上述の課題を解決するための方法として、本発明はさらに他の例による積層セラミックキャパシターの製造方法を提案し、具体的に、誘電体磁器組成物を用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、上記セラミックグリーンシートに第１及び第２内部電極を印刷する段階と、上記第１及び第２内部電極が印刷された上記セラミックグリーンシートを積層・圧着・切断することで本体を製造する段階と、上記本体を焼結する段階と、を含み、上記誘電体磁器組成物は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量が、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲であり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たすことにより、本発明の積層セラミックキャパシターの目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターを概略的に示した斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'に沿って概略的に示した断面図である。
【図３】比較例の積層セラミックキャパシターの誘電層の結晶粒を撮影したものである。
【図４】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターの誘電層の結晶粒を撮影したものであり、矢印はドメインウォールを示す。
【図５】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターを再酸化熱処理した後の誘電層の結晶粒を撮影したものであり、矢印はドメインウォールを示す。
【図６】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターを加圧熱処理した後の誘電層の結晶粒を撮影したものであり、矢印はドメインウォールを示す。
【図７】本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターを加圧熱処理することを概略的に示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１９】
本発明は、誘電体磁器組成物に関するものであって、誘電体磁器組成物を含む電子部品としては、キャパシター、インダクター、圧電体素子、バリスター、またはサーミスターなどが挙げられ、以下では、誘電体磁器組成物及び電子部品の一例として積層セラミックキャパシターについて説明する。
【００２０】
本発明において、誘電体磁器組成物の各副成分の含量は、母材粉末１００モル当たりの各副成分のモル数で表現することができ、またはａｔ％で表現することができる。
【００２１】
本発明の副成分の含量を説明するにあたり、ａｔ％は、主成分１モルに含まれるＢａ原子数に対する、各副成分の目標原子数の百分率値を意味する。
【００２２】
目標原子とは、原子価可変アクセプター（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｖａｌｅｎｃｅ  Ａｃｃｅｐｔｏｒ）原子、原子価固定アクセプター（Ｆｉｘｅｄ  Ｖａｌｅｎｃｅ  Ａｃｃｅｐｔｏｒ）及び希土類金属（Ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ）原子などを意味する。
【００２３】
誘電体磁器組成物
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、主成分として含まれるチタン酸バリウム系粉末と、Ｎａを含む第１副成分と、Ｂａを含む第２副成分と、Ｓｉを含む第３副成分と、を含み、上記第１副成分の含量は、主成分１００モルに対してＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルであり、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす。
【００２４】
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、ＥＩＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格で規定するＸ５Ｒ（−５５℃〜８５℃、△Ｃ／Ｃ０±１５％）またはＸ７Ｒ（−５５℃〜１２５℃、△Ｃ／Ｃ０±１５％）特性を満たすことができる。
【００２５】
また、それを用いた積層セラミックキャパシターは、目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【００２６】
以下、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物の各成分をより具体的に説明する。
【００２７】
ａ）主成分（母材粉末）
チタン酸バリウム系粉末は、ＢａＴｉＯ３、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＣａｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０≦ｘ≦０．３、ｙは０≦ｙ≦０．１）、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０≦ｘ≦０．３、ｙは０≦ｙ≦０．５）、及びＢａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、０＜ｙ≦０．５）からなる群から選択される１種以上であることができる。
【００２８】
上記主成分は、出発原料の粒子サイズが１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
本発明に記載の方法による誘電率上昇効果は、純粋ＢａＴｉＯ３（ＢＴ）母材だけでなく、上記ＢＴにＣａ、Ｚｒなどが一部固溶されて修正された（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＣａｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０≦ｘ≦０．３、ｙは０≦ｙ≦０．１）、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、ｘは０≦ｘ≦０．３、ｙは０≦ｙ≦０．５）、及びＢａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ここで、０＜ｙ≦０．５）などの母材のように、ＢａＴｉＯ３から変形された固溶体の母材においても、その原理が同様に適用されることができる。
【００３０】
ｂ）第１副成分
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、Ｎａを含む第１副成分を含む。
【００３１】
例えば、第１副成分は、Ｎａ２ＯまたはＮａ２ＣＯ３であることができる。
【００３２】
第１副成分の含量は、主成分１００モル当たりＮａ元素のモル数を基準に０．３〜４．０モルの範囲である。
【００３３】
または、第１副成分は、Ｎａが０．３〜４．０ａｔ％となるように含まれる。
【００３４】
第１副成分は、誘電体磁器組成物が適用された積層セラミックキャパシターの焼成温度を下げ、高温耐電圧特性を向上させる役割を果たす。
【００３５】
第１副成分のＮａの含量が０．３ａｔ％未満である場合には、適正焼成温度が１１３０℃であり、焼成温度を１１００℃以下に下げることができないという問題がある。また、第１副成分のＮａの含量が４．０ａｔ％を超える場合には、高温耐電圧特性が低下するという問題が発生する。
【００３６】
すなわち、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、Ｎａを含む第１副成分を含み、Ｎａが０．３〜４．０ａｔ％となるように第１副成分が含まれることで、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【００３７】
この時、このような誘電体磁器組成物から製造された積層セラミックキャパシターの誘電層は、結晶粒当たりのドメインウォール（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ）の数が５個以上であることができる。
【００３８】
ｃ）第２副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Ｂａの酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される１つ以上を含む第２副成分を含むことができる。例えば、第２副成分は、ＢａＯまたはＢａＣＯ３であることができる。
【００３９】
第２副成分は、主成分１００モル当たり０．２モル〜１．８モルで含まれることができる。
【００４０】
第２副成分が添加されていないか、過量に添加される場合には、誘電率が３５００未満に下がるという問題が発生する。
【００４１】
すなわち、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、Ｂａを含む第２副成分を含み、この時、第２副成分が母材粉末１００モル当たり０．２モル〜１．８モルで含まれることで、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【００４２】
この時、このような誘電体磁器組成物から製造された積層セラミックキャパシターの誘電層は、結晶粒当たりのドメインウォール（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ）の数が５個以上であることができる。
【００４３】
ｄ）第３副成分
本発明の一実施形態によると、誘電体磁器組成物は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの炭酸塩、及びＳｉを含むガラスからなる群から選択される１つ以上を含む第３副成分を含むことができる。例えば、第３副成分はＳｉＯ２であることができる。
【００４４】
第３副成分は、上記主成分１００モルに対して０．５〜４．０モルで含まれることができる。または、第３副成分は、Ｓｉを基準に０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％含むことができる。
【００４５】
上記第３副成分の含量が誘電体母材粉末１００モルに対して０．４モル未満である場合には、焼成温度が１１００℃を超えるという問題があり、４．０モルを超える場合には、高温耐電圧が低下するという問題がある。
【００４６】
すなわち、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、Ｓｉを含む第３副成分を含み、この時、第３副成分が母材粉末１００モル当たり０．４モル〜４．０モルで含まれることで、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【００４７】
この時、このような誘電体磁器組成物から製造された積層セラミックキャパシターの誘電層は、結晶粒当たりのドメインウォール（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ）の数が５個以上であることができる。
【００４８】
ｅ）第４副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＥｒの少なくとも１つを含む酸化物または炭酸塩を第４副成分としてさらに含むことができる。例えば、第４副成分はＤｙ２Ｏ３であることができる。
【００４９】
第４副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．１５モル〜１．５０モルであることができる。
【００５０】
第４副成分は、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物が適用された積層セラミックキャパシターの信頼性が低下することを防止する役割を果たすものである。第４副成分が母材粉末１００モルに対して０．１５〜１．５モル以下で含まれる場合、高い誘電率が実現され、且つ高温耐電圧特性が良好な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００５１】
第４副成分の含量が少なすぎるか、または多すぎる場合、その誘電体磁器組成物から製造された積層セラミックキャパシターの誘電層は、結晶粒当たりのドメインウォール（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ）の数が５個未満となる。
【００５２】
ｆ）第５成分
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、第５副成分として、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、及びＺｎの少なくとも１つ以上を含む酸化物あるいは炭酸塩をさらに含むことができる。例えば、第５副成分は、ＭｎＯ２またはＶ２Ｏ５であることができる。
【００５３】
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、及びＺｎは、原子価可変アクセプター（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｖａｌｅｎｃｅ  Ａｃｃｅｐｔｏｒ）である。
【００５４】
第５副成分は、母材粉末１００モルに対して０．０７５モル〜１．５モル含むことができる。または、第５副成分は、上記第５副成分に含まれる原子価可変アクセプター元素の総和が０．１ａｔ％〜２．０ａｔ％となるように含むことができる。
【００５５】
第５副成分は、誘電体磁器組成物が適用された積層セラミックキャパシターの誘電率を上昇させ、高温耐電圧特性を向上させる役割を果たす。
【００５６】
第５副成分の含量が主成分１００モルに対して０．０７５モル未満である場合には、高温耐電圧特性が低下する恐れがあり、第５副成分の含量が母材粉末１００モルに対して１．５モルを超える場合には、誘電率が３５００未満になるという問題が発生する。
【００５７】
または、上記第５副成分に含まれる原子価可変アクセプター元素の総和が０．１ａｔ％未満である場合には、高温耐電圧特性が低下する恐れがあり、２．０ａｔ％を超える場合には、誘電率が３５００未満になるという問題が発生する。
【００５８】
ｇ）第６副成分
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、第６副成分として、ＣａまたはＺｒの酸化物または炭酸塩をさらに含むことができる。例えば、第６副成分は、ＣａＯ、ＺｒＯ２、ＣａＣＯ３、またはＺｒ（ＣＯ３）２であることができる。
【００５９】
第６副成分の含量は、主成分１００モル当たり０超過、１０モル以下であることができる。
【００６０】
第６副成分が添加されると、ＲＣ値が増加するという利点があるが、含量がやや過量である場合には、誘電率が減少するという問題がある。
【００６１】
すなわち、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、ＣａまたはＺｒの酸化物または炭酸塩を第６副成分としてさらに含み、この時、第６副成分が主成分１００モル当たり０超過、１０モル以下で含まれることで、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能であるという優れた効果がある。
【００６２】
積層セラミックキャパシター
図１は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシターを概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ'に沿って概略的に示した断面図である。
【００６３】
図１及び図２を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシター１００は、誘電層１１１と第１及び第２内部電極１２１、１２２とが交互に積層されたセラミック本体１１０を有する。セラミック本体１１０の両端部には、セラミック本体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ導通する第１及び第２外部電極１３１、１３２が形成されている。
【００６４】
セラミック本体１１０の形状は特に制限されないが、通常、六面体形状であることができる。また、その寸法も特に制限されず、用途に応じて適切な寸法とすることができ、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）であることができる。
【００６５】
誘電層１１１の厚さは、キャパシターの容量設計に応じて任意に変更することができるが、本発明の一実施形態において、焼成後の誘電層の厚さは１層当たり０．１μｍ以上であることが好ましい。
【００６６】
薄すぎる厚さの誘電層は、一層内に存在する結晶粒の数が少なくて信頼性に悪影響を与えるため、誘電層の厚さは０．１μｍ以上であることができる。
【００６７】
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、それぞれの端面がセラミック本体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出するように積層されている。
【００６８】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２は、セラミック本体１１０の両端部に形成されており、交互に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２の露出端面に電気的に連結されてキャパシター回路を構成する。
【００６９】
第１及び第２内部電極１２１、１２２に含有される導電性材料は特に限定されないが、本発明の一実施形態による誘電層１１１は、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物を用いて形成される。
【００７０】
第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、０．１〜５μｍまたは０．１〜２．５μｍであることができる。
【００７１】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２に含有される導電性材料としては、特に限定されないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、またはこれらの合金を用いることができる。
【００７２】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、１０〜５０μｍであることができる。
【００７３】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解のためのものであって、本発明の範囲が実施例により限定されるものではない。
【００７４】
下記表１、表３、表５、及び表７に記載の組成の主成分及び副成分が含まれた原料粉末を、ジルコニアボールを混合・分散媒として用いてエタノール及びトルエンと分散剤、バインダーと混合した後、２０時間ボールミルした。
【００７５】
主成分として、平均粒子サイズが１００ｎｍのＢａＴｉＯ３粉末を使用した。
【００７６】
製造されたスラリーを用いて、ドクターブレード方式のコーターにより厚さ３．０μｍ及び１０〜１３μｍのセラミックシートを製造した。
【００７７】
セラミックシートにニッケル（Ｎｉ）内部電極を印刷した。
【００７８】
上・下部カバーは、カバー用シート（厚さ１０〜１３μｍ）を２５層積層及び圧着することで製作した。
【００７９】
内部電極が印刷された２０層の活性シートを積層及び加圧することで、圧着バーを製作した。
【００８０】
その後、圧着バーを切断機を用いて３．２ｍｍ×１．６ｍｍのサイズのチップに切断した。製作完了した３２１６サイズのＭＬＣＣチップは、か焼した後、還元雰囲気（０．１％のＨ２／９９．９％のＮ２（（Ｈ２Ｏ／Ｈ２／Ｎ２雰囲気）で１０８０〜１１３０℃の温度で２時間焼成してから、１０００℃でＮ２雰囲気で再酸化熱処理を３時間行った。
【００８１】
焼成されたチップに対して銅（Ｃｕ）ペーストを用いたターミネート工程及び電極焼成工程を行うことで、外部電極を完成した。これにより、焼成後の結晶粒のサイズが１５０ｎｍ、誘電体の厚さが約２．０μｍ、誘電層の層数が２０層である、３．２ｍｍ×１．６ｍｍサイズのＭＬＣＣチップが製作された。
【００８２】
上記のように完成されたプロトタイプ積層セラミックキャパシター（Ｐｒｏｔｏ−ｔｙｐｅ  ＭＬＣＣ）試験片の常温静電容量及び誘電損失を、ＬＣＲ−ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの条件で測定した。
【００８３】
静電容量と積層セラミックキャパシターの誘電層の厚さ、内部電極の面積、積層数から、ＭＬＣＣチップの誘電体の誘電率を計算した。
【００８４】
常温絶縁抵抗は、サンプルを１０個ずつ取って、ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で６０秒経過後に測定した。
【００８５】
温度による静電容量の変化は、−５５℃〜１４５℃の温度範囲で測定した。
【００８６】
高温ＩＲ昇圧実験では、１５０℃で電圧ステップを１０Ｖ／μｍずつ増加させながら抵抗劣化挙動を測定した。この時、各ステップの時間は１０分であり、５秒間隔で抵抗値を測定した。
【００８７】
高温ＩＲ昇圧実験から高温耐電圧を導出した。これは、焼成後に厚さ２μｍの２０層の誘電体を有する３２１６サイズのチップに、１５０℃でＤＣ５Ｖ／μｍの電圧ステップ（ｖｏｌｔａｇｅ  ｓｔｅｐ）を１０分間印加し、この電圧ステップを継続的に増加させながら測定したときに、ＩＲが１０５Ω以上に耐える電圧を意味する。
【００８８】
ＲＣ値は、ＡＣ０．５Ｖ／μｍ、１ｋＨｚで測定した常温容量値と、ＤＣ１０Ｖ／μｍで測定した絶縁抵抗値とを乗じた値である。
【００８９】
表２、表４、表６、及び表８は、それぞれ表１、表３、表５、及び表７に記載の組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【００９０】
【表１】
2018016538.tif 000003
【００９１】
【表２】
2018016538.tif 000004
【００９２】
表１のサンプル１−１〜１−３５は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３及び第２副成分ＢａＣＯ３の含量変化及びＢａ／Ｓｉの比率変化による実施例を示す。
【００９３】
表２のサンプル１−１〜１−３５は、それに該当するＮｉ内部電極を適用し、還元雰囲気で焼成したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【００９４】
Ｎａ２ＣＯ３が添加されていない場合（サンプル１−１〜１−７）には、何れも適正焼成温度が１１３０℃程度であり、本発明の目標である１１００℃以下の焼成温度を達成することができなかった。
【００９５】
Ｎａ２ＣＯ３の含量が主成分１００モルに対して０．１５モルであるサンプル１−８〜１−１４の場合、１１００℃で焼成が可能であり、第２副成分の含量が主成分１００モルに対して０．２〜１．８モルである場合（サンプル１−９〜１−１３）、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に該当し、この時、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能である。
【００９６】
しかし、Ｂａの含量が少なすぎる場合（サンプル１−８）や、多すぎる場合（サンプル１−１４）には、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲を外れることになり、誘電率が３５００未満に下がるという問題が発生する。
【００９７】
Ｎａ２ＣＯ３の含量が主成分１００モルに対して０．５モルである場合（サンプル１−１５〜１−２１）にも、１１００℃以下で焼成が可能であり、Ｂａの含量が主成分１００モルに対して０．２〜１．８モルである場合（サンプル１−１６〜１−２０）、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に該当し、この時、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能である。Ｂａの含量が少なすぎる場合（サンプル１−１５）や、多すぎる場合（サンプル１−２１）にも、誘電率が３５００未満に下がるという問題が発生する。
【００９８】
Ｎａ２ＣＯ３の含量が主成分１００モルに対して２．０モルである場合（サンプル１−２２〜１−２８）にも、同様の挙動を確認することができる。すなわち、Ｂａの含量が主成分１００モルに対して０．２〜１．８モルである場合（サンプル１−２３〜１−２７）、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に該当し、この時、本発明の目標特性である焼成温度１１００℃以下、誘電率３５００以上、高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の複数の特性が同時に実現可能である。
【００９９】
Ｎａ２ＣＯ３の含量が主成分１００モルに対して３．０モルである場合（サンプル１−２９〜１−３５）には、何れも高温耐電圧が５０Ｖ／μｍ未満になるという問題が発生することを確認することができる。
【０１００】
したがって、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、Ｎａの含量がａｔ％基準で０．３〜４．０ａｔ％であり、且つＢａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に該当すると、３５００以上の誘電率が実現されるとともに、焼成温度１１００℃以下及び高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の本発明の全ての目標特性が同時に実現可能である。
【０１０１】
また、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、Ｎａの含量がａｔ％基準で０．３〜４．０ａｔ％であり、且つＢａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に該当すると、後述のように、誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が５個以上である微細構造が生成され、３５００以上の誘電率が実現されるとともに、焼成温度１１００℃以下及び高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の本発明の全ての目標特性が同時に実現可能である。
【０１０２】
【表３】
2018016538.tif 000005
【０１０３】
【表４】
2018016538.tif 000006
【０１０４】
表３のサンプル３−１〜３−７は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３が０．５モル、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、第２副成分（ＢａＣＯ３）の含量変化及びＢａ／Ｓｉの比率変化による実施例を示す。表４のサンプル３−１〜３−７は、表３のサンプル３−１〜３−７の誘電体磁器組成物を用いて製作したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１０５】
表３及び表４を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターは、Ｂａを含む第２副成分が、主成分１００モル当たり０．２未満、１．８０モルを超えて含まれる場合、誘電率が３５００未満に低下するという問題がある。
【０１０６】
本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターは、Ｂａを含む第２副成分を主成分１００モル当たり０．２〜１．８０モル含む場合に、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４を満たす。
【０１０７】
したがって、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６未満であるか、１．４４を超える場合にも、誘電率が３５００未満に低下するという問題がある。
【０１０８】
本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターは、Ｂａを含む第２副成分を主成分１００モル当たり０．２〜１．８０モル含むか、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４である場合に、３５００以上の誘電率を確保することができる。
【０１０９】
この時、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターは、誘電層の微細構造において、結晶粒当たり５個以上のドメインウォールが含まれることができる。
【０１１０】
図３はサンプル３−１（比較例）の積層セラミックキャパシターの誘電層の結晶粒を撮影したものであり、図４は本発明のサンプル３−３の積層セラミックキャパシターの誘電層の結晶粒を撮影したものであり、矢印はドメインウォールを示す。
【０１１１】
誘電層の微細構造はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて観察した。図４の矢印で示したように、結晶粒内に表れる平行な帯状の境界がドメインウォールに該当する。
【０１１２】
１つのサンプルにおけるドメインウォールの数は、任意の２０個の結晶粒のうち、最も多いドメインウォールを有する結晶粒のドメインウォールの数と定義した。
【０１１３】
ＢａＴｉＯ３などの強誘電体材料（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）において、誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎ：εｒ）は、印加される電場によるＴｉイオンの変位に起因した分極によるもの（εｒ［ｖｏｌｕｍｅ］）と、ドメインウォールの振動及びスイッチングによるもの（εｒ［ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ］）とにより決定され、このような関係は、式１のように表される。
【０１１４】
【数１】
2018016538.tif 000007
【０１１５】
ここで、ｄはドメイン幅の厚さを示す。したがって、同一サイズの結晶粒で高い誘電率を実現するためには、ドメインウォールの数を増加させてｄを小さくしなければならない。
【０１１６】
図３及び図４を参照すると、結晶粒のサイズが約１５０ｎｍ程度であることが分かる。
【０１１７】
図３を参照すると、サンプル３−１（比較例）の場合、ドメインウォールが観察されないことが分かる。この時、比較例の積層セラミックキャパシターの誘電率は３３０６であり、３５００未満であることが分かる。
【０１１８】
これに対し、図４を参照すると、サンプル３−３の場合、比較例と類似の結晶粒サイズを有するが、６個のドメインウォールが観察される。この時、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターの誘電率は４３４２であり、目標特性である３５００よりも非常に高いことが分かる。
【０１１９】
すなわち、誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が５個以上である場合、本発明の目標特性の１つである３５００以上の誘電率を達成することができる。
【０１２０】
また、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシターは、結晶粒サイズを約２５０ｎｍ以下とする場合にも、結晶粒当たりのドメインウォールの数が５個以上である場合、本発明の目標特性の１つである３５００以上の誘電率を達成することができる。
【０１２１】
表３のサンプル３−８〜３−１２は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３が０．５モル、第２副成分ＢａＣＯ３が０．６０モル、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３の含量変化による実施例を示す。表４のサンプル３−８〜３−１２は、それに該当するＮｉ内部電極を適用し、還元雰囲気で焼成したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１２２】
Ｄｙ２Ｏ３の含量が少なすぎる場合（サンプル３−８）や、多すぎる場合（サンプル３−１２）には、1つの結晶粒内のドメインウォールの数が５個未満である微細構造が形成され、誘電率が３５００未満になるという問題が発生する。Ｄｙ２Ｏ３の含量が主成分１００モルに対して０．１５〜１．５０モルである場合（サンプル３−９〜３−１１）には、１つの結晶粒内のドメインウォールの数が５個以上の微細構造が形成され、誘電率が３５００以上であり、焼成温度１１００℃以下及び高温耐電圧５０Ｖ／μｍ以上の本発明の複数の特性が同時に実現可能である。
【０１２３】
【表５】
2018016538.tif 000008
【０１２４】
【表６】
2018016538.tif 000009
【０１２５】
表５のサンプル５−１〜５−４は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３が０．５モル、第２副成分ＢａＣＯ３が０．６０モル、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３０モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、第５副成分ＭｎＯ２及びＶ２Ｏ５の含量変化による実施例を示す。表６のサンプル５−１〜５−４は、それに該当するＮｉ内部電極を適用し、還元雰囲気で焼成したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１２６】
第５副成分の含量が少なすぎる場合（サンプル５−１）には高温耐電圧特性が悪くなり、多すぎる場合（サンプル５−４）には誘電率が３５００未満になる問題が発生する。
【０１２７】
したがって、本発明の全ての目標特性が同時に実現可能な第５副成分の含量は、第５副成分に含まれる原子価可変アクセプター元素の総和が０．１ａｔ％〜２．０ａｔ％（サンプル５−２〜５−３）となるように含まれることができる。
【０１２８】
表５のサンプル５−５及び５−６は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３が０．５モル、第２副成分ＢａＣＯ３が０．６０モル、第３副成分ＳｉＯ２が１．２５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３０モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モルであるときに、第６副成分の含量がそれぞれ少ない場合（ＣａＣＯ３が０モル、ＺｒＯ２が０モル）と過量である場合（ＣａＣＯ３が１０モル、ＺｒＯ２が１０モル）のサンプルを示す。表６のサンプル５−５及び５−６は、それに該当するＮｉ内部電極を適用し、還元雰囲気で焼成したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１２９】
第６副成分が添加されるとＲＣ値が増加する利点があるが、含量がやや過量であるサンプル５−６の場合、誘電率が３５２４程度と低くなる。したがって、本発明の全ての目標特性が同時に実現可能な第６副成分の含量は、主成分１００モルに対して１０モル以下であることができる。
【０１３０】
【表７】
2018016538.tif 000010
【０１３１】
【表８】
2018016538.tif 000011
【０１３２】
表７のサンプル７−１〜７−８は、主成分ＢａＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分Ｎａ２ＣＯ３が０．５モル、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３が０．３０モル、第５副成分ＭｎＯ２が０．２モル及びＶ２Ｏ５が０．１モル、第６副成分ＣａＣＯ３が１．０モル及びＺｒＯ２が１．０モルであるときに、第２副成分ＢａＣＯ３及び第３副成分ＳｉＯ２の含量変化及びそれによるＢａ／Ｓｉの比率変化の実施例を示す。表８のサンプル７−１〜７−８は、それに該当するＮｉ内部電極を適用し、還元雰囲気で焼成したプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１３３】
ＳｉＯ２の含量が少なすぎる場合（サンプル７−１）にはＢａ／Ｓｉの比率が０．１６〜  １．４４範囲内であっても、焼成温度が１１００℃以上であるという問題が発生する。
【０１３４】
また、ＳｉＯ２の含量が主成分１００モルに対して６モルと多すぎる場合（サンプル７−８）にも、高温耐電圧が５０Ｖ／μｍ未満になるという問題が発生する。
【０１３５】
したがって、Ｂａ／Ｓｉの比率が０．１６〜１．４４の範囲に属し、第６副成分ＳｉＯ２の含量が０．５〜４．０ａｔ％の範囲である場合に、本発明の全ての目標特性が同時に実現可能である。
【０１３６】
積層セラミックキャパシターの製造方法
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシターの製造方法は、誘電体磁器組成物を用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、上記セラミックグリーンシートに第１及び第２内部電極を印刷する段階と、上記第１及び第２内部電極が印刷された上記セラミックグリーンシートを積層・圧着・切断することで本体を製造する段階と、上記本体を焼結する段階と、を含む。
【０１３７】
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシターの製造方法において、誘電体磁器組成物としては、上述の本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物が用いられる。
【０１３８】
この時、本体を焼結する段階を行う温度は１１００℃以下であることができる。
【０１３９】
【表９】
2018016538.tif 000012
【０１４０】
【表１０】
2018016538.tif 000013
【０１４１】
表９は、サンプル９−１の追加熱処理前後の組成及び条件を示し、表１０は、これらの実施例に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシターの特性を示す。
【０１４２】
図５を参照すると、実施例９−２のように、サンプル９−１を１０００℃、Ｎ２雰囲気で２時間再酸化熱処理した後、徐冷または急冷するサイクルを３回繰り返した後、結晶粒当たりのドメインウォールの数が６個から８個に増加し、誘電率が４３４２から４８５６に増加することを確認することができる。
【０１４３】
また、図７の加圧熱処理装置にサンプル９−２の積層セラミックキャパシター１００を配置し、さらに２００℃で１０Ｍｐａの圧力を３０分間維持した後、そのまま常温まで冷却してからチップを加圧熱処理装置から取り出す場合（サンプル９−３）、図６に示すように、１つの結晶粒内のドメインウォールの数が平均８個から１１個にさらに増加し、誘電率も４８５６から５５２３に増加することが分かる。
【０１４４】
したがって、上述の結果は、適正な後熱処理条件により、１つの結晶粒内のドメインウォールの数が増加することができ、それに伴って誘電率が上昇することを示す。
【０１４５】
すなわち、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシターの製造方法は、本体を焼結する段階を行った後、本体を再酸化させる段階をさらに含むことで、誘電層の微細構造において、誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が８個以上となるようにすることができる。
【０１４６】
また、本体を再酸化させる段階を行った後、本体を１００〜２００℃の条件で１〜１０ＭＰａの範囲で加圧する段階と、加圧したチップを常温まで冷却させる段階と、をさらに含むことで、誘電層の微細構造において、誘電層の結晶粒当たりのドメインウォールの数が１１個以上となるようにすることができる。
【０１４７】
本発明における全ての実施例をまとめてみれば、１つの結晶粒内のドメインウォールの数が多い微細構造が実現されると、誘電層の平均結晶粒サイズが２５０ｎｍ以下である場合にも高い誘電率が得られることを確認することができる。
【０１４８】
また、本発明の目標特性を満たす実施例は、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの高いＡＣ電界が印加される測定条件で８５℃のＴＣＣが±１５％未満であるため、Ｘ５Ｒ規格を満たすことを確認することができる。
【０１４９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１５０】
１００  積層セラミックキャパシター
１１０  セラミック本体
１１１  誘電層
１２１、１２２  第１及び第２内部電極
１３１、１３２  第１及び第２外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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