(57)【要約】【課題】解像度の低下および／または混色の発生を抑えるために有利な構造を有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板の上に配置された第１電極および前記第１電極の上に配置された部材を含む電極構造と、前記電極構造における周辺部を覆う絶縁体と、前記第１電極および前記絶縁体を覆う有機膜と、前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、前記部材は、前記第１電極の上面における周辺部を覆うように前記電極構造における周辺部に配置された第１部分を含み、前記電極構造の前記周辺部における反射率は、前記電極構造の前記周辺部より内側の部分である中央部における反射率より低い。【選択図】図１
2018092912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配置された第１電極および前記第１電極の上に配置された部材を含む電極構造と、
前記電極構造における周辺部を覆う絶縁体と、
前記第１電極および前記絶縁体を覆う有機膜と、
前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、
前記部材は、前記第１電極の上面における周辺部を覆うように前記電極構造における周辺部に配置された第１部分を含み、
前記電極構造の前記周辺部における反射率は、前記電極構造の前記周辺部より内側の部分である中央部における反射率より低い、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は、アルミニウム、銀、アルミニウム合金および銀合金の少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記部材は、チタンおよび窒化チタンの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記部材は、前記第１電極の前記上面における中央部を覆うように前記電極構造における前記中央部に配置された第２部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２部分の膜厚は、前記第１部分の膜厚よりも小さい、
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板の上に配置された第１電極と、前記第１電極の上に配置され、周辺部である第１部分より中央部である第２部分の膜厚が小さい部材と、を含む電極構造と、
前記部材の周辺部を覆う絶縁体と、
前記電極構造および前記絶縁体を覆う有機膜と、
前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、
前記第１電極はアルミニウムを含み、
前記部材はチタンを含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記有機膜は、前記第１部分の側面および前記第２部分の上面に接するように配置されている、
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差が５ｎｍ以上である、
ことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２部分の厚さは、８ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板と前記第１電極との間に配置され、前記電極構造を駆動する駆動回路と、
前記駆動回路と前記電極構造とを接続する接続プラグと、を更に備え、
前記接続プラグは、前記基板の表面に対する正射影において、前記第１部分の領域内に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記絶縁体は、前記電極構造の前記中央部を露出させる開口を有し、前記有機膜は、前記開口の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記正射影において、前記開口と前記接続プラグとの最短距離が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記正射影において、前記第１電極の外側端と前記接続プラグとの最短距離が０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内である、
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１部分は、第１開口を有し、
前記絶縁体は前記第１開口と平面視において重なる位置に開口を有し、
前記有機膜は、前記第１部分のうち前記第１開口に面する側面に接するように前記第１開口および前記開口の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１部分と前記絶縁体との境界において、前記絶縁体の前記開口の側面と前記第１部分の前記第１開口の側面とが連続した面を構成している、
ことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記基板の表面に平行な方向における前記第１部分の前記第１開口の最大寸法が、前記方向における前記絶縁体の前記開口の最大寸法以下である、
ことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１電極の前記上面における中央部が前記有機膜と接している、
ことを特徴とする請求項１５または１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁体は、前記電極構造とそれに隣り合う電極構造との間に配置された溝を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記電極構造に入射する可視光の強度を１００パーセントとしたときに、前記中央部で反射される可視光の強度が前記周辺部で反射される可視光の強度より５パーセントポイント以上大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の表示装置と、
前記表示装置を駆動する駆動部と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２１】
基板の上に第１電極および前記第１電極の上の部材層を形成し、
前記部材層の上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜において、マスクを用い、前記第１電極と平面視において重なる部分の一部を除去して開口を形成することで、絶縁層を形成し、
前記絶縁層の前記開口の中で、前記マスクを用い、前記部材層の一部を除去して前記部材層に開口を形成することで、部材を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記部材層の一部を除去する際、前記絶縁層に対する前記部材層のエッチング選択比が５以上である
ことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が注目されている。特許文献１には、第１電極と、第１電極の周辺部を覆う絶縁膜と、第１電極および絶縁膜を覆う有機層と、有機層を覆う第２電極とを有する表示装置が記載されている。特許文献１には、第１電極が、２０ｎｍのチタン、タングステン、銅、タンタルまたはモリブデンに１５ｎｍのアルミニウムを積層させた構造を有しうることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１６４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された表示装置において、第１電極のうち絶縁膜によって覆われた周辺部は、有機層に対して電荷を注入しないので、発光には寄与しない。一方で、ある画素の第１電極の周辺部は、当該第１電極の上方位置において有機層が発生した光を反射して、隣接する画素に進入させうる。このような光は、迷光と呼ばれ、解像度を低下させたり、カラーの場合には混色を発生させたりしうる。特に、特許文献１に記載された表示装置のように、第１電極の反射率を高めるために第１電極の上面を高反射率の金属材料で構成する場合には、このような解像度の低下や混色の発生がより顕著になりうる。
【０００５】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、解像度の低下および／または混色の発生を抑えるために有利な構造を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、表示装置に係り、前記表示装置は、基板の上に配置された第１電極および前記第１電極の上に配置された部材を含む電極構造と、前記電極構造における周辺部を覆う絶縁体と、前記第１電極および前記絶縁体を覆う有機膜と、前記有機膜を覆う第２電極と、を含み、前記部材は、前記第１電極の上面における周辺部を覆うように前記電極構造における周辺部に配置された第１部分を含み、前記電極構造の前記周辺部における反射率は、前記電極構造の前記周辺部より内側の部分である中央部における反射率より低い。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、解像度の低下および／または混色の発生を抑えるために有利な構造を有する表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態の表示装置（有機発ＥＬ示装置）の断面構図を模式的に示す図。
【図２】図１の表示装置における有機膜の構成を例示する図。
【図３】基板の表面に対する接続プラグおよび電極構造の正射影を例示する図。
【図４】比較例の表示装置の構成を示す図。
【図５】本発明の第１実施形態の表示装置における迷光の抑制を説明する模式図。
【図６】本発明の第２実施形態の表示装置の断面構造を示す図。
【図７】本発明の第３実施形態の表示装置の断面構造を示す図。
【図８】本発明の第４実施形態の表示装置の断面構造を示す図。
【図９】本発明の第５実施形態の表示装置の断面構造を示す図。
【図１０】本発明の第５実施形態の表示装置の構成を示す図。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を示す図。
【図１２】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を示す図。
【図１３】本発明の第１実施形態の表示装置の平面図。
【図１４】本発明の第６実施形態の表示装置の平面図。
【図１５】本発明の第６実施形態の表示装置の断面構造を模式的に示す図。
【図１６】本発明の表示装置を有する電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１０】
図１には、本発明の第１実施形態の表示装置（有機ＥＬ表示装置）１００の断面構図が模式的に示されている。図１３には、第１実施形態の表示装置１００の平面図（レイアウト図）が示されている。図１は、図１３におけるＡ−Ａ’の断面図に相当する。図１では２つの画素、図１３では３つの画素しか示されていないが、表示装置１００は、より多くの画素を含みうる。各画素は、有機ＥＬ素子を有する。表示装置１００は、基板１０と、基板１０の上に配置された駆動回路層１１と、駆動回路層１１を覆う第１平坦化層１２と、第１平坦化層１２の上に配置された複数の電極構造３０を含みうる。駆動回路層１１は、複数の駆動回路を含み、各駆動回路は、対応する画素の電極構造３０を駆動する。各電極構造３０は、基板１０（第１平坦化層１２）の上に配置された第１電極１４と、第１電極１４の上に配置された部材１５とを含みうる。複数の電極構造３０の各々において、部材１５は、第１電極１４の上面における周辺部を覆うように電極構造３０における周辺部３１に配置された第１部分１５１を含む。また、複数の電極構造３０の各々において、部材１５は、第１電極１４の上面における中央部を覆うように電極構造３０における中央部３２に配置された第２部分１５２を含みうる。電極構造３０の周辺部３１における反射率は、電極構造３０の周辺部３１より内側の部分である中央部３２における反射率より低い。
【００１１】
基板１０は、ガラス基板等の絶縁性基板であってもよいし、金属基板等の導電性基板であってもよいし、シリコン基板等の半導体基板であってもよい。駆動回路層１１の複数の駆動回路は、ＴＦＴまたはＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタを含みうる。基板１０がガラス基板等の絶縁性基板である場合には、トランジスタは、基板１０の上に配置されうる。基板１０が半導体基板である場合には、トランジスタの活性領域は、半導体基板の中に形成されうる。第１平坦化層１２は、含水率が低いという点で、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコン等の無機材料で構成されうるが、有機材料で構成されてもよい。
【００１２】
表示装置１００は、複数の電極構造３０のそれぞれにおける周辺部３１を覆う絶縁体１６と、複数の電極構造３０のそれぞれの第１電極１４および絶縁体１６を覆う有機膜１７と、有機膜１７を覆うように配置された第２電極１８とを含みうる。第１平坦化層１２には、駆動回路層１１の駆動回路とそれに対応する電極構造３０（第１電極１４）とを接続する接続プラグ１３が配置されうる。絶縁体１６は、複数の電極構造３０を相互に分離するように配置されうる。１つの画素は、１つの電極構造３０を含み、有機層１７および第２電極１８は、複数の画素によって共有されうる。表示装置１００は、例えば、複数のＲ画素（赤画素）、複数のＧ画素（緑画素）および複数のＢ画素（青画素）を含みうる。
【００１３】
図２には、有機膜１７の構成例が示されている。有機膜１７は、例えば、電極構造３０の上に正孔注入層１７ａ、正孔輸送層１７ｂ、発光層１７ｃ、電子輸送層１７ｄ、電子注入層１７ｅが順に積層された構成を有しうる。発光層１７ｃで発生した光は、第２電極１８を通して外部に取り出されうる。正孔注入層１７ａは、部材１５および絶縁体１６を被覆するように配置されうる。正孔注入層１７ａは、第１部分１５１の側面および第２部分１５２の表面を被覆しうる。
【００１４】
表示装置１００は、第２電極１８を覆う第１保護層１９、第１保護層１９を覆う第２平坦化層２０、第２平坦化層２０の上に配置されたカラーフィルタ層２１、カラーフィルタ層２１の上に配置された第２保護層２２を含みうる。
【００１５】
各画素は、例えば、１〜５μｍ程度の寸法を有し、隣り合う電極構造３０の間隔は、例えば、０．１〜１μｍ程度でありうる。例えば、有機層１７の厚さが０．０５〜０．２μｍ程度である場合には、発光層１７ｃで発生した光が隣り合う画素間で混ざり合わないように留意する必要がある。
【００１６】
図４には、比較例の表示装置１０１の構成が示されている。比較例の表示装置１０１は、第１電極１４の上に部材１５を有しない点で、図１に示された第１実施形態の表示装置１００と異なる。比較例の表示装置１０１では、ある画素の第１電極１４の上方位置２００において有機膜１７が発生した光が第１電極１４および第２電極１８で反射されて迷光となり、隣接する画素に進入しうる。これにより、解像度の低下や混色が起こりうる。
【００１７】
これに対して、第１実施形態の表示装置１００では、第１電極１４の上に部材１５が設けられ、これにより、電極構造３０の周辺部３１における反射率が電極構造３０の中央部３２における反射率より低くされている。したがって、第１実施形態の表示装置１００では、図５に模式的に示されるように、ある画素の電極構造３０（第１電極１４）の上方位置２００における有機膜１７で発生した光が電極構造３０で反射して迷光となることが抑えられる。よって、第１実施形態の表示装置１００は、解像度の低下や混色を抑えるために有利である。
【００１８】
第１電極１４は、高反射率材料、例えば、アルミニウム、銀、アルミニウム合金、銀合金の少なくとも１つを含みうる。第１電極１４は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。例えば、アルミニウム層の下に、Ｔｉ層、または、Ｔｉ層／ＴｉＮ層を設けることによってアルミニウム層の配向性を強くして、アルミニウム層の平坦性を向上させることができる。また、アルミニウム層の表面上に反射性能を大きく妨げない層、例えば、ＩＴＯ層、ＩＺＯ層などの透明層を形成してもよい。
【００１９】
電極構造３０における部材１５は、第１電極１４より反射率が低い材料、例えば、チタン（Ｔｉ）および窒化チタン（ＴｉＮ）の少なくとも１つを含みうる。他の観点において、電極構造３０における部材１５は、金属または金属化合物などの導電材料であって第１電極１４より反射率が低い材料で構成されうる。
【００２０】
電極構造３０における部材１５において、第１部分１５１は、第２部分１５２よりも厚く（第２部分１５２は、第１部分１５１よりも薄く）、例えば、第１部分１５１の膜厚ｔ１と第２部分１５２の膜厚ｔ２との差が５ｎｍ以上である（ｔ１＞ｔ２）。第１部分１５１の厚さｔ１を第２部分１５２の厚さｔ２よりも厚くすることは、電極構造３０の周辺部３１における反射率を電極構造３０の中央部３２における反射率より低くするために有利である。第１部分１５１の厚さと第２部分１５２の厚さとの差の上限は、有機層１７の厚さ等に応じて決定されうる。
【００２１】
電極構造３０に入射する可視光のエネルギーを１００パーセントとしたときに、電極構造３０の中央部３２で反射される可視光の強度が電極構造３０の周辺部３１で反射される可視光のエネルギーより５パーセントポイント以上大きいことが好ましい。ここで、可視光は、波長が４００〜７００ｎｍの範囲内の光である。一例において、部材１５はチタンで構成され、第１部分１５１の厚さｔ１と第２部分１５２の厚さｔ２との差を５ｎｍ以上（ｔ１＞ｔ２）とされる。
【００２２】
電極構造３０の中央部３２における反射率は、高い方が好ましい。中央部３２の反射率を高くするために、第２部分１５２の厚さは、８ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
図３には、基板１０の表面に対する接続プラグ１３および電極構造３０（部材１５）の正射影が例示されている。図３に例示されるように、接続プラグ１３は、基板１０の表面に対する正射影において、部材１５の第１部分１５１の領域内に配置されうる。このような構成は、接続プラグ１３の存在によってその電極構造３０の表面に形成されうる凹凸を、中央部３２よりも反射率が低い周辺部３１の中に収めるために有利である。ここで、電極構造３０の表面に凹凸が存在すると、当該電極構造３０を有する画素に隣接する画素に対する迷光を発生する原因になりうる。電極構造３０の表面に形成されうる凹凸を反射率が低い周辺部３１の中に収めることによって、このような迷光を抑えることができる。
【００２４】
絶縁体１６は、第１開口ＯＰ１と平面視において重なる位置に、電極構造３０の中央部３２を露出させる開口ＯＰを有しうる。有機膜１７は、開口ＯＰの中に配置された部分を含みうる。基板１０の表面に対する正射影において、開口ＯＰと接続プラグ１３との最短距離ｄ１は、０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内であることが好ましい。また、基板１０の表面に対する正射影において、第１電極１４の外側端と接続プラグ１３との最短距離ｄ２は、０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以内であることが好ましい。部材１５の第１部分１５１は、第１開口ＯＰ１を有し、有機膜１７は、第１部分１５１のうち第１開口ＯＰ１に面する側面ＳＳに接するように第１開口ＯＰ１の中に配置された部分を含みうる。有機膜１７は、第１部分１５１の側面ＳＳおよび第２部分１５２の上面に接するように第１部分１５１の側面ＳＳおよび第２部分１５２の上面を覆っている。有機膜１７は、好ましくは、第１部分１５１の側面ＳＳの全域に接し、第２部分１５２の上面の全域に接触する。このような構成は、画素間における有機膜１７の厚さおよび面積のばらつきを低減し、発光特性を均一化するために有利である。
【００２５】
電極構造３０を構成する部材１５は、上記のような金属または金属化合物のような導電材料以外の材料（無機材料、有機材料）で構成されてもよく、有機膜１７への電荷の注入効率を考慮して選定されうる。
【００２６】
絶縁体１６は、例えば、酸窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機材料により構成されてもよいし、アクリル、ポリイミド等の有機材料によって構成されていてもよいし、他の材料によって構成されてもよい。
【００２７】
第２電極１８は、透明電極であり、有機膜１７（電子注入層１７ｅ）を覆うように構成されうる。第２電極１８は、金属または金属合金で構成されうる。第２電極１８は、例えば、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとナトリウムとカルシウムとの合金で構成されうる。あるいは、第２電極１８は、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成されうる。
【００２８】
有機膜１７は、電極構造３０の部材１５における第１部分１５１のうち第１開口ＯＰ１に面する側面ＳＳ１に接するように第１開口ＯＰ１の中に配置された部分を含みうる。
【００２９】
第１部分１５１と絶縁体１６との境界において、絶縁体１６の開口ＯＰの側面ＳＳと第１部分１５１の第１開口ＯＰ１の側面ＳＳ１とは、連続した面を構成しうる。他の観点において、基板１０の表面に平行な方向における第１部分１５１の第１開口ＯＰ１の最大寸法は、該方向における絶縁体１６の開口ＯＰの最大寸法以下でありうる。
【００３０】
図１１、図１２を参照しながら表示装置１００の製造方法を説明する。まず、図１１（ａ）を参照して説明する。基板１０を準備し、基板１０の上に駆動回路を含む駆動回路層１１を形成する。次いで、駆動回路層１１の上にＣＶＤ法またはスパッタリング法等の成膜方法によって第１平坦化層１２を形成する。次いで、第１平坦化層１２の上に感光性樹脂を塗布し、該感光性樹脂を露光、現像することによって第１エッチングマスクを形成する。そして、第１エッチングマスクの開口を通して第１平坦化層１２をエッチングしてスルーホールを形成し、これに導電材料を充填することによって接続プラグ１３を形成する。次いで、第１平坦化層１２および接続プラグ１３の上に蒸着法またはスパッタリング法等の成膜方法によって第１電極１４を形成するために第１材料膜１４ａを形成する。次いで、第１材料膜１４ａの上にスパッタリング法等の成膜方法によって部材１５を形成するための第２材料膜１５ａを形成する。
【００３１】
次いで、図１１（ｂ）を参照して説明する。第２材料膜１５ａの上に感光性樹脂を塗布し、該感光性樹脂を露光、現像することによって第２エッチングマスクＰＲ２を形成し、第２エッチングマスクＰＲ２を使って第１材料膜１４ａおよび第２材料膜１５ａをパターニング（エッチング）する。これにより、第１電極１４と、第１電極１４の上の部材１５ｂ（部材層）とからなる電極構造３０ａが形成される。ここで、第１電極１４は、第１材料膜１４ａをパターニングして得られる膜であり、部材１５ｂは、第２材料膜１５ａをパターニングして得られる膜である。
【００３２】
次いで、図１２（ａ）を参照して説明する。第２エッチングマスクＰＲ２を除去し、電極構造３０ａを覆うように、絶縁体１６を形成するための第３材料膜１６ａ（絶縁膜）をＣＶＤ法等の成膜方法によって形成する。次いで、第３材料膜１６ａの上に感光性樹脂を塗布し、該感光性樹脂を露光、現像することによって第３エッチングマスクＰＲ３を形成する。
【００３３】
次いで、図１２（ｂ）を参照して説明する。第３エッチングマスクＰＲ３を使って第３材料膜１６ａ（絶縁膜）をパターンニング（エッチング）することによって絶縁体１６（絶縁層）を形成する。このパターニングは、第３材料膜１６ａ（絶縁膜）のうち第１電極１４と平面視において重なる部分の一部を除去するようになされる。これにより、絶縁体１６には、第３エッチングマスクＰＲ３の開口に従う開口ＯＰが形成される。第３材料膜１６ａをパターニングすることによって開口ＯＰが形成されると、その開口ＯＰに部材１５ｂが露出する。
【００３４】
その後、開口ＯＰを通して部材１５ｂの中央部をエッチングして開口を形成することによって部材１５が形成される。このエッチングは、絶縁体１６（第３材料膜１６ａ）に対する部材１５ｂのエッチング選択比が５以上のエッチング条件の下で行われてもよい。ここで、部材１５ｂが露出した後に、エッチング装置におけるＲＦパワーを変更することによってエッチング選択比を調整してもよい。
【００３５】
また、第３材料膜１６ａに開口ＯＰを形成するエッチングに続けて部材１５ｂの一部がエッチングにより除去されてもよい。絶縁体１６の開口ＯＰを形成する工程と、部材１５の第１開口ＯＰ１を形成する工程を１つのエッチング工程とすることで、製造工程の効率化を図ることができる。
【００３６】
部材１５は、第３エッチングマスクＰＲ３を使ってエッチングされた表面を有する第２部分１５２と、第２部分１５２の外側に配置され、第２部分１５２よりも厚い厚さを有する第１部分１５１とを有する。第１部分１５１は、第１開口ＯＰ１を有する。
【００３７】
一例において、第１部分１５１の厚さを７ｎｍ、第２部分１５２の厚さを５ｎｍとした場合、波長が４５０ｎｍの光が入射した場合の第１部分１５１の反射率は、第２部分１５２の反射率よりも５パーセントポイント程度高い。なお、この例では、部材１５が存在しない場合の第１電極１４の反射率が９０パーセントである。
【００３８】
以下は、図１を参照して説明する。第３エッチングマスクＰＲ３を除去し、真空蒸着法、スパッタリング法、またはスピンコート法等の成膜方法によって、有機膜１７（正孔注入層１７ａ、正孔輸送層１７ｂ、発光層１７ｃ、電子輸送層１７ｄ、電子注入層１７ｅ）を形成する。次いで、有機膜１７の上に蒸着法またはスパッタリング法等の成膜方法によって第２電極１８を形成する。
【００３９】
次いで、第２電極１８の上にＣＶＤ法またはスパッタリング法等の成膜方法によって第１保護層１９を形成する。第１保護層１９は、例えば、窒化シリコン等の透過性が低い材料で構成されうる。第１保護層１９を形成する際の温度は、２００℃以下とすることが好ましく、１２０℃以下とすることがより好ましい。次いで、第１保護層１９の上にスピンコート法等の成膜方法によって第２平坦化層２０を形成する。第２平坦化層２０は、例えば、有機材料で構成されうる。
【００４０】
次いで、第２平坦化層２０の上に、複数のカラーのカラーフィルタを含むフィルタ層２１を形成する。各カラーのカラーフィルタは、フィルタ材料をスピンコート法等によって塗布し、フォトリソグラフィによってパターニングし、焼成することによって形成されうる。次いで、カラーフィルタ層２１の上にＣＶＤ法またはスピンコート等の成膜方法によって第２保護層２２を形成する。
【００４１】
図６を参照しながら本発明の第２実施形態の表示装置１００について説明する。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第２実施形態では、第１電極１４の上に配置された部材１５は、第２部分１５２の外側に第１部分１５１ａを有する。また、電極構造３０は、第１部分１５１ａの上に第３部分１５１ｂを有する。これにより、電極構造３０における周辺部３１は、第１電極１４の上に、第１部分１５１ａおよび第３部分１５１ｂからなる２層構造の反射防止部を有する。一例において、第１部分１５１ａはＴｉで構成され、第３部分１５１ｂはＴｉＮで構成されうる。第２実施形態においても、電極構造３０の周辺部３１における反射率は、電極構造３０の中央部３２における反射率より低い。
【００４２】
一例において、中央部３２に配置された第２部分１５２は、５〜１０ｎｍの厚さを有し、周辺部３１に配置された第１部分１５１ａは、第２部分１５２より０．１ｎｍ以上厚い厚さを有しうる。また、第３部分１５１ｂは、１ｎｍ以上の厚さを有しうる。
【００４３】
図７を参照しながら本発明の第３実施形態の表示装置１００について説明する。第３実施形態として言及しない事項は、第１又は第２実施形態に従いうる。第３実施形態では、部材１５は、電極構造３０の中央部３２には配置されていない。即ち、中央部３２では、第１電極１４が有機膜１７に接している。第３実施形態においても、電極構造３０の周辺部３１における反射率は、電極構造３０の中央部３２における反射率より低い。一例において、周辺部３１に配置された第１部材１５は、５〜１０ｎｍの厚さを有しうる。
【００４４】
図８を参照しながら本発明の第４実施形態の表示装置１００について説明する。第４実施形態として言及しない事項は、第１乃至第３実施形態に従いうる。第４実施形態では、第３実施形態と同様に、部材１５は、電極構造３０の中央部３２には配置されていない。
【００４５】
また、第４実施形態では、中央部３２における第１電極１４の厚さは、周辺部３１における第１電極１４の厚さよりも薄い。第４実施形態においても、電極構造３０の周辺部３１における反射率は、電極構造３０の周辺部３１より内側の部分である中央部３２（第１電極１４）における反射率より低い。
【００４６】
図９、図１０を参照しながら本発明の第５実施形態の表示装置１００について説明する。第５実施形態として言及しない事項は、第１乃至第４実施形態に従いうる。第５実施形態の表示装置１００では、絶縁体１６が、複数の電極構造３０における互いに隣り合う電極構造３０の間に配置された溝４０を有する。溝４０を設けることによって、画素間における迷光を低減することができる。図１０は、第１電極１４（電極構造３０）および溝４０の平面図（基板１０の表面に対する正射影）である。図１０に例示されるように、第１電極１４（電極構造３０）および溝４０は、種々の構造を有しうる。
【００４７】
図１４、図１５には、本発明の第６実施形態の表示装置１００が示されている。図１４には、本発明の第６実施形態の表示装置１００の平面図（レイアウト図）が示されている。図１５には、第６実施形態の表示装置１００の断面構図が模式的に示されている。図１４は、図１５におけるＡ−Ａ’の断面図に相当する。第６実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第６実施形態では、接続プラグ１３の位置が第１実施形態と異なる。第２乃至第５実施形態の表示装置１００も、第６実施形態のような接続プラグ１３の配置を有するように変更されうる。プラグ１３の配置は、駆動回路層１１の駆動回路とそれに対応する電極構造３０（第１電極１４）とのレイアウト上の重なりや配線の引き回し効率が良くなるレイアウトとすることができる。例えば、電極構造３０が六角形であり、駆動回路に含まれる素子がＸＹ方向に配置されている場合には、図１４のように配置した方が、電極構造３０と駆動回路に含まれる素子との接続に要する領域が小さくなる。
【００４８】
以上のような表示装置１００は、種々の電子機器に組み込まれうる。そのような電子機器としては、例えば、カメラ、コンピュータ、携帯端末、車載表示装置等を挙げることができる。電子機器は、例えば、表示装置１００と、表示装置１００を駆動する駆動回路とを含みうる。
【００４９】
上述した表示装置をデジタルカメラに適用した実施形態について図１６を用いて説明する。レンズ部９０１は被写体の光学像を撮像素子９０５に結像させる撮像光学系であり、フォーカスレンズや変倍レンズ、絞りなどを有している。レンズ部９０１におけるフォーカスレンズ位置、変倍レンズ位置、絞りの開口径などの駆動はレンズ駆動装置９０２を通じて制御部９０９によって制御される。
【００５０】
メカニカルシャッタ９０３はレンズ部９０１と撮像素子９０５の間に配置され、駆動はシャッタ駆動装置９０４を通じて制御部９０９によって制御される。撮像素子９０５は、レンズからの光が入射するように配され、複数の画素によってレンズ部９０１で結像された光学像を画像信号に変換する。
【００５１】
信号処理部９０６は撮像素子９０５から出力される画像信号が入力され、画像信号にＡ／Ｄ変換、デモザイク処理、ホワイトバランス調整処理、符号化処理などを行う。信号処理部９０６はまた、撮像素子９０５の出力する画像信号から得られる信号に基づいて位相差検出方式でデフォーカス量および方向を検出する焦点検出処理も実施する。
【００５２】
タイミング発生部９０７は撮像素子９０５および信号処理部９０６に、各種タイミング信号を出力する。制御部９０９は、例えばメモリ（ＲＯＭ，ＲＡＭ）とマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）を有し、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭにロードしてＣＰＵが実行して各部を制御することにより、デジタルカメラの各種機能を実現する。制御部９０９が実現する機能には、自動焦点検出（ＡＦ）や自動露出制御（ＡＥ）が含まれる。制御部９０９は、撮像素子９０５から出力された信号に基づいた信号が入力され、また、表示部９１２に電子ビューファインダー用の信号を入力する。
【００５３】
メモリ部９０８は制御部９０９や信号処理部９０６が画像データを一時的に記憶したり、作業領域として用いたりする。媒体Ｉ／Ｆ部９１０は例えば着脱可能なメモリカードである記録媒体９１１を読み書きするためのインターフェースである。表示部９１２は、撮影した画像やデジタルカメラの各種情報を表示するために用いられる。操作部９１３は電源スイッチ、レリーズボタン、メニューボタンなど、ユーザがデジタルカメラに指示や設定を行うためのユーザインタフェースである。
【００５４】
表示部９１２に、上述の実施の形態のいずれかに記載の表示装置を用いることで、撮影しようとしている像をより精度よく表示することができる。表示装置を駆動する駆動部には、例えば、制御部９０９が含まれる。
【００５５】
撮影時のデジタルカメラの動作について説明する。電源がオンされると、撮影スタンバイ状態となる。制御部９０９は、表示部９１２を電子ビューファインダーとして動作させるための動画撮影処理および表示処理を開始する。撮影スタンバイ状態において撮影準備指示（例えば操作部９１３のレリーズボタンの半押し）が入力されると、制御部９０９は焦点検出処理を開始する。例えば、制御部９０９は、位相差検出方式により焦点検出処理を行うことができる。具体的には、複数の画素から得られるＡ像信号とＢ像信号の同種の信号をつなぎ合わせた信号波形の位相差に基づいて像ずれ量を求め、デフォーカス量と方向を得る。
【００５６】
そして、制御部９０９は得られたデフォーカス量と方向とから、レンズ部９０１のフォーカスレンズの移動量および移動方向を求め、レンズ駆動装置９０２を通じてフォーカスレンズを駆動し、撮像光学系の焦点を調節する。駆動後、必要に応じてコントラスト評価値に基づく焦点検出をさらに行ってフォーカスレンズ位置を微調整しても良い。
【００５７】
その後、撮影開始指示（例えばレリーズボタンの全押し）が入力されると、制御部９０９は記録用の撮影動作を実行し、得られた画像データを信号処理部９０６で処理し、メモリ部９０８に記憶する。そして、制御部９０９はメモリ部９０８に記憶した画像データを、媒体制御Ｉ／Ｆ部９１０を通じて記録媒体９１１に記録する。なお、図示しない外部Ｉ／Ｆ部から画像データをコンピュータ等の外部装置に出力してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１０：基板、１１：駆動回路層、１２：第１平坦化層、１３：接続プラグ、１４：第１電極、１５：部材、１５１：第１部分、１５２：第２部分、１６：絶縁体、１７：有機膜、１８：第２電極、３０：電極構造、３１：周辺部、３２：中央部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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