(57)【要約】【課題】  消費電力が小さい発光装置とすること。【解決手段】  発光装置は、スイッチ素子43bは、そのオン、オフを制御する第２のｐチャネル型ＴＦＴ３に接続されており、発光素子44bに電源電流を入力する場合、スイッチ素子43bは、オン状態となるとともに、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極に負電位の光量制御信号を入力して、正電位のソース電極と負電位のゲート電極によって容量素子45bを充電状態とし、発光素子33bに電源電流を入力しない場合、スイッチ素子43bは、オフ状態となるとともに、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極を負電位に維持することによって容量素子45bの充電状態を維持する。【選択図】  図１
2018036448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
ソース電極とドレイン電極間の正電位の電流を電源電流として前記発光素子に入力する第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極とを接続する第１の接続線上に配置された容量素子と、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極に接続されて、前記ゲート電極に負電位の光量制御信号を入力するスイッチ素子と、を有している発光装置であって、
前記スイッチ素子は、そのオン、オフを制御する第２のｐチャネル型薄膜トランジスタに接続されており、
前記発光素子に前記電源電流を入力する場合、前記スイッチ素子は、オン状態となるとともに、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極に負電位の前記光量制御信号を入力して、正電位の前記ソース電極と負電位の前記ゲート電極によって前記容量素子を充電状態とし、
前記発光素子に前記電源電流を入力しない場合、前記スイッチ素子は、オフ状態となるとともに、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極を負電位に維持することによって前記容量素子の充電状態を維持する発光装置。
【請求項２】
前記光量制御信号を伝達する信号線を有しており、
前記スイッチ素子と前記第２のｐチャネル型薄膜トランジスタは、前記信号線に並列接続されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと前記発光素子とを接続する第２の接続線上に、前記電源電流の前記発光素子への入力、非入力を制御する第３のｐチャネル型薄膜トランジスタが配置されている請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Organic  Electro  Luminescence：ＯＥＬ）素子あるいは有機ＬＥＤ（Organic  Light  Emitting  diode：ＯＬＥＤ)素子等の発光素子を備えた発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置の１例を図２に示す。図２（ａ）は発光装置の全体の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部及びＩＣ，ＬＳＩ等から成る駆動素子３４を拡大して示す回路図である。この発光装置は、有機ＬＥＤプリンタヘッド（ＯＬＥＤＰＨ）に適用されるものであり、ガラス基板等から成る長板状の基板３１の一面に、複数の発光素子３３の発光（点灯）をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック３２と、基板３１の長手方向に沿って２列（２行または２段）に並べられて配置された複数の発光素子３３と、駆動回路ブロック３２を構成する配線及び駆動回路ブロック３２と発光素子３３を接続する配線とが、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等の薄膜形成法によって形成されている。複数の駆動回路ブロック３２は、複数の発光素子３３の列に沿って列状に並べられており、例えば１つの駆動回路ブロック３２が４００個の発光素子３３を駆動するものであり、その駆動回路ブロック３２が２０個並べられている。従って、発光素子３３は合計で８０００個ある。また、基板３１の一面の一端部には駆動回路ブロック３２及び発光素子３３を駆動し発光素子３３の発光を制御する駆動素子３４が、チップオングラス（Chip  On  Glass：ＣＯＧ）方式等の実装方法によって、設置されている。また、基板３１の一面における駆動素子３４設置部の近傍の縁部に、フレキシブル回路基板（Flexible  Printed  Circuit：ＦＰＣ）３５が設置されている。このＦＰＣ３５は、駆動素子３４との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。なお、図２、図３において、符号３７で示す部位は、駆動素子３４と駆動回路ブロック３２を接続するデータ配線等の配線である。
【０００３】
図２（ｂ）に示すように、２列を成す２個の発光素子33a,33bに対して１組の駆動回路が形成されており、１組の駆動回路は、シフトレジスタ４０、論理和否定（ＮＯＲ）回路４１、インバータ４２、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43a,43b、薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：ＴＦＴ）44a,44bを有している。ＴＦＴ44a,44bの各ドレイン電極に有機ＬＥＤ素子等から成る発光素子33a,33bがそれぞれ接続されている。
【０００４】
１組の駆動回路は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ４０は、クロック端子（ＣＬＫ）にハイ（「１」）のクロック信号（ＣＬＫ）が入力されるとともに入力端子（ｉｎ）にハイの同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が入力されたときに、出力端子（Ｑ）からハイ（Ｈ：「１」）の信号が出力されるとともに反転出力端子（ＸＱ）からロー（Ｌ：「０」）の信号が出力される。次に、ＮＯＲ回路４１は、反転出力端子（ＸＱ）からローの信号が入力されるとともに反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ）であるローの信号が入力されて、ハイの信号を出力する。次に、インバータ４２はローの信号を出力する。次に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43aは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１１）がＴＦＴ44aのゲート電極に入力されてＴＦＴ44aがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33aに供給される。同時に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43bは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１２）がＴＦＴ44bのゲート電極に入力されてＴＦＴ44bがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33bに供給される。以上の一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子３３が順次発光していく。
【０００５】
また図３は、他の従来例を示す図であり、基板３１の長手方向に沿って４列（４行または４段）に並べられて配置された複数の発光素子３３を有する構成を示す。この場合、上側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する上側の駆動回路ブロック３２群と、下側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する下側の駆動回路ブロック３２群と、を有している。
【０００６】
また、図２、図３に示すように、基板３１の発光素子搭載面の周縁部と、封止基板３６の基板３１に対向する面の周縁部とが、シール部材３８によって接着され封止されている。そして、シール部材３８の内側の空間には、アクリル樹脂等から成る絶縁層（図４の絶縁層５９に相当する）が、駆動回路ブロック３２、発光素子３３、配線３７等のほとんどを覆うように配置されている。
【０００７】
図４は、図３のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図、図５は、図４のＣ１−Ｃ２線における断面図である。これらの図に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板５１上に形成されたＴＦＴ６２と、ＴＦＴ６２上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る絶縁層５７を挟んで積層された有機発光体部７１、及び有機発光体部７１とＴＦＴ６２のドレイン電極56bとを導電接続するコンタクトホール７２を含んでいる。有機発光体部７１は、ＴＦＴ６２の側からコンタクトホール７２に電気的に接続された第１電極層５８、有機発光層６０、第２電極層６１が積層されており、絶縁層５７及び第１電極層５８上に有機発光層６０を囲むようにアクリル樹脂等から成る他の絶縁層５９が形成されている。
【０００８】
また、図４、図５において、符号33Lで示す部位は第１電極層５８及び第２電極層６１によって有機発光層６０に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。発光素子３３は、平面視で、発光部33L、その周囲の第１電極層５８及び有機発光層６０を含む部位である。また、第１電極層５８が陽極であってインジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成り、第２電極層６１が陰極であってＡｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数が約４．０Ｖ以下と低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層６０で発光した光は基板５１側から出射される。即ち、発光方向（図５の白抜き矢印で示す方向）が下方（底部方向）であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第１電極層５８が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第２電極層６１が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方（頂部方向）であるトップエミッション型の発光装置となる。
【０００９】
ＴＦＴ６２は、基板５１側から、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、チャネル部としてのポリシリコン膜５４及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域54aから成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等から成る絶縁膜５５、ソース電極56a及びドレイン電極56bが、順次積層された構成を有している。なお、図４において、符号56aLで示す部位はソース電極56aにソース信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源配線）であり、符号52Lで示す部位はゲート電極５２にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線52Lに入力するゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層６０の発光強度を制御することができる。すなわち、ソース信号線56aLは電源配線として機能する。
【００１０】
また、図６は図２（ｂ）のＤ部を拡大して示す回路図であり、駆動用のＴＦＴ44bと発光素子33bとの間の接続線上に発光制御用のＴＦＴ46bが配置されている構成を示すものである。この構成において、シフトレジスタ（ＳＲ）４０からの信号（Ｌ信号）および反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ：Ｌ信号）が入力されたＮＯＲ回路４１の出力信号（Ｈ信号）と、その出力信号を反転させるインバータ４２の出力信号（Ｌ信号）とによって、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43bがオンし、駆動素子３４からのデータ信号（ＤＡＴＡ１２：Ｌ信号）がＣＭＯＳトランスファゲート素子43bを通ってＴＦＴ44bに入力される。このとき、ＴＦＴ44bのゲート電極とソース電極との間の接続線上に配置された容量素子45bは、ソース電極側のＶDDの電位（Ｈ信号の電位に相当する電位）とゲート電極側のＬ信号の電位によって充電される。またこのとき、発光制御用のＴＦＴ46bはオン状態であり、発光素子33bは発光する。引き続き発光素子33bの光量が所定の光量に達したら、発光制御用のＴＦＴ46bはオフ状態となり、発光素子33bの発光を止める。
【００１１】
次のデータ信号（ＤＡＴＡ１２）の書き込みになると、同様にしてシフトレジスタ（ＳＲ）４０がオンし、例えば発光素子33bを発光させない場合、データ信号（ＤＡＴＡ１２）はＨ信号となる。このとき、容量素子45bは、ソース電極側のＶDDの電位（Ｈ信号の電位に相当する電位）とゲート電極側のＨ信号の電位によって放電される。このように容量素子45bは、発光素子33bの発光、非発光に伴って充放電を繰り返すこととなる。
【００１２】
また他の従来例として、容量素子と、それを充電する第１のスイッチング素子と、容量素子を充電する第１のモードと、充電された電位に基づいて発光素子を駆動する第２のモードを切り替える第２のスイッチング素子と、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子を独立して制御する制御部と、を備えることによって、正確な発光駆動制御を行う発光素子駆動装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−１３９５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、図６に示す上記従来の発光装置においては、以下の問題点があった。すなわち、発光素子33bの発光、非発光に伴って容量素子45bが充放電を繰り返すので、発光装置の消費電力が増大するという問題点があった。また、特許文献１に開示された発光素子駆動装置においても、容量素子は充放電を行うので、同じく消費電力が増大するという問題点があった。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、消費電力が小さい発光装置とすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の発光装置は、発光素子と、ソース電極とドレイン電極間の正電位の電流を電源電流として前記発光素子に入力する第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極とを接続する第１の接続線上に配置された容量素子と、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極に接続されて、前記ゲート電極に負電位の光量制御信号を入力するスイッチ素子と、を有している発光装置であって、前記スイッチ素子は、そのオン、オフを制御する第２のｐチャネル型薄膜トランジスタに接続されており、前記発光素子に前記電源電流を入力する場合、前記スイッチ素子は、オン状態となるとともに、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極に負電位の前記光量制御信号を入力して、正電位の前記ソース電極と負電位の前記ゲート電極によって前記容量素子を充電状態とし、前記発光素子に前記電源電流を入力しない場合、前記スイッチ素子は、オフ状態となるとともに、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極を負電位に維持することによって前記容量素子の充電状態を維持する構成である。
【００１７】
本発明の発光装置は、好ましくは、前記光量制御信号を伝達する信号線を有しており、前記スイッチ素子と前記第２のｐチャネル型薄膜トランジスタは、前記信号線に並列接続されている。
【００１８】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと前記発光素子とを接続する第２の接続線上に、前記電源電流の前記発光素子への入力、非入力を制御する第３のｐチャネル型薄膜トランジスタが配置されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の発光装置は、発光素子と、ソース電極とドレイン電極間の正電位の電流を電源電流として発光素子に入力する第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと、第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極とを接続する第１の接続線上に配置された容量素子と、第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に接続されて、ゲート電極に負電位の光量制御信号を入力するスイッチ素子と、を有している発光装置であって、スイッチ素子は、そのオン、オフを制御する第２のｐチャネル型薄膜トランジスタに接続されており、発光素子に電源電流を入力する場合、スイッチ素子は、オン状態となるとともに、第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に負電位の光量制御信号を入力して、正電位のソース電極と負電位のゲート電極によって容量素子を充電状態とし、発光素子に電源電流を入力しない場合、スイッチ素子は、オフ状態となるとともに、第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極を負電位に維持することによって容量素子の充電状態を維持する構成であることから、以下の効果を奏する。すなわち、容量素子は、発光素子が発光するときには充電状態とされ、発光素子が発光しないときには充電状態が維持されるので、容量素子の充放電による消費電力の増大を解消することができる。その結果、発光装置の消費電力を小さくすることができる。
【００２０】
本発明の発光装置は、光量制御信号を伝達する信号線を有しており、スイッチ素子と第２のｐチャネル型薄膜トランジスタは、信号線に並列接続されている場合、スイッチ素子と第２のｐチャネル型薄膜トランジスタのそれぞれに光量制御信号を伝達する信号線を設ける必要がない。その結果、配線構造および駆動素子の構造が簡易になるとともに駆動素子の消費電力も抑えることができ、延いては発光装置の消費電力をより小さくすることができる。
【００２１】
また本発明の発光装置は、第１のｐチャネル型薄膜トランジスタと発光素子とを接続する第２の接続線上に、電源電流の発光素子への入力、非入力を制御する第３のｐチャネル型薄膜トランジスタが配置されている場合、発光素子の発光、非発光を精度良く制御できるので、余分な消費電力の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の駆動素子、発光素子およびその周辺の回路図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、従来の発光装置の１例を示すものであり、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部および駆動素子を拡大して示す回路図である。
【図３】図３は、従来の発光装置の他例を示すものであり、発光装置の平面図である。
【図４】図４は、図３のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図５】図５は、図４のＣ１−Ｃ２線における断面図である。
【図６】図６は、図２のＤ部を拡大して示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の発光装置を説明するための主要な構成部材を示している。従って、本発明の発光装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。なお、本発明の発光装置を示す図１において、従来例を示す図２〜図６と同じ部位には同じ符号を付しており、それらの詳細な説明は省く。
【００２４】
図１は本発明の発光装置を示すものであり、図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の駆動素子、発光素子およびその周辺の回路図である。図１に示すように、本発明の発光装置は、発光素子33bと、ソース電極とドレイン電極間の正電位（ハイ電位）の電流を電源電流として発光素子33bに入力する第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bと、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極とソース電極とを接続する第１の接続線１０上に配置された容量素子45bと、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極に接続されて、そのゲート電極に負電位（ロー電位）の光量制御信号（図１においてはＤＡＴＡ１２であり、データ信号ともいう）を入力するスイッチ素子43bと、を有している発光装置であって、スイッチ素子43bは、そのオン、オフを制御する第２のｐチャネル型ＴＦＴ３に接続されており、発光素子44bに電源電流を入力する場合、スイッチ素子43bは、オン状態となるとともに、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極に負電位の光量制御信号を入力して、正電位のソース電極と負電位のゲート電極によって容量素子45bを充電状態とし、発光素子33bに電源電流を入力しない場合、スイッチ素子43bは、オフ状態となるとともに、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極を負電位に維持することによって容量素子45bの充電状態を維持する構成である。この構成により、以下の効果を奏する。すなわち、容量素子45bは、発光素子33bが発光するときには充電状態とされ、発光素子33bが発光しないときには充電状態が維持されるので、容量素子45bの充放電による消費電力の増大を解消することができる。その結果、発光装置の消費電力を小さくすることができる。
【００２５】
本発明の発光装置におけるスイッチ素子43bは、例えば４端子型のＣＭＯＳトランスファゲート素子であり、ｐ型ＭＯＳトランジスタとｎ型ＭＯＳトランジスタとから構成されている。発光素子33bが発光する場合、ＣＭＯＳトランスファゲート素子は、そのｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に以下の信号が入力される。すなわち、ＮＯＲ回路４１（図２（ｂ）記載）からのハイ電位の信号（SR（シフトレジスタ）  &  XENB  output）がインバータ１に入力され、そのハイ電位の信号はインバータ１で反転されてロー電位の信号として出力される。次に、そのロー電位の信号がｐチャネル型ＴＦＴ２のゲート電極に入力されてソース電極−ドレイン電極間電流である正電位（ハイ電位）の電源電流が生じる。そして、第２のｐチャネル型ＴＦＴ３のゲート電極に光量制御信号（ＤＡＴＡ１２）が入力されてソース電極−ドレイン電極間電流である上記の正電位（ハイ電位）の電源電流が、上記のｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に入力される。また、ＣＭＯＳトランスファゲート素子のｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極には、上記の正電位（ハイ電位）の電源電流がインバータ４２によって反転された負電位（ロー電位）の信号が入力される。
【００２６】
以上より、ＣＭＯＳトランスファゲート素子はオン状態となり、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極に負電位の光量制御信号（ＤＡＴＡ１２）が入力されて、そのソース電極−ドレイン電極間電流である正電位（ハイ電位）の電源電流が生じる。またこのとき、ｎチャネル型ＴＦＴ４はオン状態であり、ｐチャネル型ＴＦＴ５はオフ状態とされているので、ＶSSの電位（ロー電位）が第３のｐチャネル型ＴＦＴ46bのゲート電極に入力されて、そのソース電極−ドレイン電極間電流である正電位（ハイ電位）の電源電流が発光素子33bに入力され発光する。なお、電源電流は電源線37gによって供給される。
【００２７】
以上より、発光素子33bの発光時には、スイッチ素子43bは、オン状態となるとともに、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極に負電位の光量制御信号が入力されて、その正電位のソース電極と負電位のゲート電極によって容量素子45bは充電状態となる。
【００２８】
一方、発光素子33bが発光しない場合、ＮＯＲ回路４１（図２（ｂ）記載）からのハイ電位の信号（SR  &  XENB  output）と、そのハイ電位の信号をインバータ１で反転させたロー電位の信号と、そのロー電位の信号がｐチャネル型ＴＦＴ２のゲート電極に入力されて生じるソース電極−ドレイン電極間電流である正電位（ハイ電位）の電源電流と、が発生するが、第２のｐチャネル型ＴＦＴ３のゲート電極に光量制御信号（ＤＡＴＡ１２）が入力されないので、そのソース電極−ドレイン電極間は非動通状態となる。すなわち、第２のｐチャネル型ＴＦＴ３はオフ状態となる。そうすると、ＶSSの電位（ロー電位）がＣＭＯＳトランスファゲート素子のｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に入力されるとともに、ＶSSの電位（ロー電位）をインバータ４２によって反転させたハイ電位の信号がＣＭＯＳトランスファゲート素子のｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に入力されるので、ＣＭＯＳトランスファゲート素子はオフ状態となる。その結果、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bのゲート電極は、直前の発光状態の負電位となり、容量素子45bの充電状態が維持される。
【００２９】
またこのとき、ｎチャネル型ＴＦＴ４はオフ状態であり、ｐチャネル型ＴＦＴ５はオン状態とされているので、ＶDDの電位（ハイ電位）が第３のｐチャネル型ＴＦＴ46bのゲート電極に入力されて、そのソース電極−ドレイン電極間電流は発生しない。すなわち、第３のｐチャネル型ＴＦＴ46bはオフ状態となり、発光素子33bは発光しない。
【００３０】
本発明の発光装置と従来の発光装置について、消費電力の比較を行ったところ、例えば、容量素子45bの容量を0.5ｐＦ、一つの発光装置における容量素子45bの数を15000個とした場合、図６に示す従来の発光装置の消費電力は693Ｗ、図１に示す本発明の発光装置の消費電力は231Ｗであった。
【００３１】
本発明の発光装置は、光量制御信号を伝達する信号線37sを有しており、スイッチ素子43bと第２のｐチャネル型ＴＦＴ３は、信号線37sに並列接続されていることが好ましい。この場合、スイッチ素子43bと第２のｐチャネル型ＴＦＴ３のそれぞれに光量制御信号を伝達する信号線を設ける必要がない。その結果、配線構造および駆動素子３４の構造が簡易になるとともに駆動素子３４の消費電力も抑えることができ、延いては発光装置の消費電力をより小さくすることができる。
【００３２】
また本発明の発光装置は、第１のｐチャネル型ＴＦＴ44bと発光素子33bとを接続する第２の接続線１１上に、電源電流の発光素子33bへの入力、非入力を制御する第３のｐチャネル型ＴＦＴ46bが配置されていることが好ましい。この場合、発光素子33bの発光、非発光を精度良く制御できるので、余分な消費電力の発生を抑えることができる。
【００３３】
信号線37s、電源線37gは、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ネオジウム（Ｎｄ）等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料などを用いて形成される。また信号線37s、電源線37gは、これらの材料から成る単層構造の導電層、または複数層を積層した積層構造の導電層とすることができる。積層構造とすることにより、低抵抗化を実現することもできる。また信号線37s、電源線37gは、透光性が必要な場合、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性材料であって、透光性を有する材料を用いて形成することができる。また、信号線37sの幅は５μｍ〜１０μｍ程度、電源線37gの幅は１００μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３４】
本発明の発光装置は、例えばその発光素子33bの発光部が有機発光層を有するものであるが、発光部は、第１の電極層、有機発光層、第２の電極層が積層されて構成される。陽極である第１の電極層に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インイジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン，ボロンを含むシリコン（Ｓｉ）等の導電性材料であって透光性を有する材料から成る。陰極である第２の電極層は、Ａｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数が約４．０Ｖ以下と低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る。
【００３５】
有機発光層は、バックライトが不要な自発光型の有機電界発光性を有するものである。例えば有機発光層は数１００ｎｍ程度の厚みを有する積層構造体であり、陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を積層したものである。電極層間の各層の厚みは数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度である。電極層を含む厚みは１μｍ程度である。有機発光層の発光層の発光材料としては、低分子蛍光色素材料、蛍光性の高分子材料、金属錯体材料等が採用し得る。
【００３６】
発光層に正孔を注入しやすくするためには発光層のイオン化エネルギーが６．０ｅＶ以下であることがよく、発光層に電子を注入しやすくするためには発光層の電子親和力が２．５ｅＶ以上であることがよい。発光層の発光材料としては、トリス（8-キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ（p−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス（4-ジ-p-アミノフェニル）シクロヘキサン、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。
【００３７】
第１の電極層、有機発光層、第２の電極層は、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法等によって形成され得る。例えば、第１の電極層はスパッタリング法等によって形成でき、有機発光層は真空蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等によって形成でき、第２の電極層は電子ビーム（Electron  Beam：ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。
【００３８】
発光素子33bを駆動制御等する各ＴＦＴは、基板側から、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル部としてのポリシリコン膜及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域から成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等から成る絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極が、順次積層された構成を有している。ＴＦＴを構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-Temperature  Poly  Silicon：ＬＴＰＳ）、アモルファスシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium  Gallium  Zinc  Oxide：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体などから成っていてもよい。またＴＦＴは、ゲート電極がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のＴＦＴであるか、またはゲート電極がチャネル部の上方にあるトップゲート型のＴＦＴであってもよく、さらにゲート電極がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のＴＦＴであってもよい。トップゲート型のＴＦＴ、ダブルゲート型のＴＦＴは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。
【００３９】
なお、本発明の発光装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良が施されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の発光装置は、例えば、長板状の基板の長手方向に複数の発光素子33bを列状に並ぶように形成することによって、有機ＬＥＤプリンタヘッド（ＯＬＥＤＰＨ）として構成し得る。また、基板が、複数の発光素子33bを２次元的（平面的）に並ぶように形成することによって有機ＥＬ表示装置として構成し得る。さらに本発明の発光装置を用いた有機ＥＬ表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
【符号の説明】
【００４１】
１  インバータ
２  ｐチャネル型ＴＦＴ
３  第２のｐチャネル型ＴＦＴ
４  ｎチャネル型ＴＦＴ
５  ｐチャネル型ＴＦＴ
１０  第１の接続線
１１  第２の接続線
３３ｂ  発光素子
３７ｓ  信号線
３７ｇ  電源線
４３ｂ  スイッチ素子
４４ｂ  第１のｐチャネル型ＴＦＴ
４５ｂ  容量素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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