(57)【要約】【課題】基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能な基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法を提供する。【解決手段】回転保持部２５２により基板Ｗが回転可能に保持される。第１の撮像時に、回転保持部２５２により保持された基板Ｗが撮像部１により撮像されることにより、基板Ｗの画像を示す第１の画像データが生成される。第１の撮像後に、回転保持部２５２により予め定められた角度だけ基板Ｗが回転される。基板Ｗの回転後の第２の撮像時に、回転保持部２５２により保持された基板Ｗが撮像部１により撮像されることにより、基板Ｗの画像を示す第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板Ｗの表面状態の欠陥の有無が判定される。【選択図】図２
2018036235.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転可能に保持する回転保持部と、
前記回転保持部により保持された基板を撮像するように設けられた撮像部と、
第１の撮像時に、基板の画像を示す第１の画像データを生成するように前記撮像部を制御する第１の撮像制御部と、
前記第１の撮像後に、予め定められた角度だけ基板を回転させるように前記回転保持部を制御する第１の回転制御部と、
前記第１の回転制御部による基板の回転後の第２の撮像時に、基板の画像を示す第２の画像データを生成するように前記撮像部を制御する第２の撮像制御部と、
前記第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無を判定する判定部とを備える、基板検査装置。
【請求項２】
前記撮像部は、
第１の方向において基板の直径よりも長く延びる光を出射する投光部と、
基板からの反射光を受光し、受光量に基づいて前記第１または第２の画像データを生成する受光部とを含み、
前記基板検査装置は、
前記投光部からの光が基板の一面の全体に照射されるように、前記第１の方向に交差する第２の方向、または前記第２の方向とは逆の第３の方向に前記撮像部と前記回転保持部とを相対的に移動可能に設けられた相対移動部と、
前記第１の撮像時に、前記撮像部と前記回転保持部とを前記第２の方向に相対的に移動させるように前記相対移動部を制御する第１の移動制御部と、
前記第２の撮像時に、前記撮像部と前記回転保持部とを前記第３の方向に相対的に移動させるように前記相対移動部を制御する第２の移動制御部とをさらに備える、請求項１記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記相対移動部は、前記回転保持部を保持しかつ前記撮像部に対して前記回転保持部を前記第２または第３の方向に移動させる移動保持部を含む、請求項２記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記投光部と前記受光部とは別体として配置される、請求項２または３記載の基板検査装置。
【請求項５】
前記回転保持部により保持された基板の向きを判定する方向判定部と、
前記方向判定部により判定された基板の向きに基づいて、前記第１の撮像前に基板が特定の方向を向くように前記回転保持部を制御する第２の回転制御部とをさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板検査装置。
【請求項６】
前記第２の回転制御部による基板の回転の前に、基板が少なくとも１回転するように前記回転保持部を制御する第３の回転制御部と、
前記第３の回転制御部により回転される基板のノッチを検出するノッチ検出部とをさらに備え、
前記方向判定部は、前記ノッチ検出部により基板のノッチが検出されたときの基板の回転角度に基づいて基板の向きを判定する、請求項５記載の基板検査装置。
【請求項７】
前記第１の回転制御部は、前記第１の撮像時における基板の向きと前記第２の撮像時における基板の向きとが非平行となるように前記回転保持部を制御する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板検査装置。
【請求項８】
前記予め定められた角度は９０度の奇数倍の角度である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板検査装置。
【請求項９】
塗布液を基板の表面に供給することにより表面に塗布膜を形成する膜形成部と、
前記膜形成部により塗布膜が形成された基板の表面状態を検査する請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板検査装置と、
前記膜形成部と前記基板検査装置との間で基板を搬送する搬送機構とを備える、基板処理装置。
【請求項１０】
回転保持部により基板を回転可能に保持するステップと、
第１の撮像時に、前記回転保持部により保持された基板を撮像することにより基板の画像を示す第１の画像データを生成するステップと、
前記第１の撮像後に、前記回転保持部により予め定められた角度だけ基板を回転させるステップと、
基板の回転後の第２の撮像時に、前記回転保持部により保持された基板を撮像することにより基板の画像を示す第２の画像データを生成するステップと、
前記第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無を判定するステップとを含む、基板検査方法。
【請求項１１】
膜形成部により塗布液を基板の表面に供給することにより表面に塗布膜を形成するステップと、
前記膜形成部により表面に塗布膜が形成された基板を搬送機構により搬送するステップと、
前記搬送機構により搬送された基板の表面状態を検査する請求項１０記載のステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の検査を行う基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の上面の中央部にレジスト液等の塗布液が吐出されることにより、基板の表面全体に塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、現像されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される。ここで、基板の表面が不均一な状態であると、基板の部分ごとに露光後の状態にばらつきが生じ、基板の処理不良が発生する。そこで、基板の表面状態の検査が行われることがある。
【０００３】
特許文献１には、表面検査処理ユニットを有する基板処理装置が記載されている。表面検査処理ユニットにおいては、基板上の半径領域に継続的に照明光が照射され、基板からの反射光がＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサにより受光される。この状態で、基板が１回転することにより、基板の表面の全体に照明光が照射され、ＣＣＤラインセンサの受光量分布に基づいて、基板の表面全体での反射光の明るさの分布が表面画像データとして得られる。表面画像データに基づいて、基板の表面状態が正常であるか否かが判定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−６６０４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
検査においては、基板の表面状態の欠陥が高い精度で検出されることが好ましい。そこで、基板の表面状態の欠陥を従来よりも高い精度で検出することが可能な検査装置および方法の実現が望まれる。
【０００６】
本発明の目的は、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能な基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る基板検査装置は、基板を回転可能に保持する回転保持部と、回転保持部により保持された基板を撮像するように設けられた撮像部と、第１の撮像時に、基板の画像を示す第１の画像データを生成するように撮像部を制御する第１の撮像制御部と、第１の撮像後に、予め定められた角度だけ基板を回転させるように回転保持部を制御する第１の回転制御部と、第１の回転制御部による基板の回転後の第２の撮像時に、基板の画像を示す第２の画像データを生成するように撮像部を制御する第２の撮像制御部と、第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無を判定する判定部とを備える。
【０００８】
この基板検査装置においては、回転保持部により基板が回転可能に保持される。第１の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第１の画像データが生成される。第１の撮像後に、回転保持部により予め定められた角度だけ基板が回転される。基板の回転後の第２の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無が判定される。
【０００９】
この構成によれば、第１の画像データにより示される基板の表面と、第２の画像データにより示される基板の表面とでは、光沢等の態様が異なる。そのため、基板の表面に欠陥が存在する場合には、第１および第２の画像データの少なくとも一方により示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性が向上する。これにより、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。
【００１０】
（２）撮像部は、第１の方向において基板の直径よりも長く延びる光を出射する投光部と、基板からの反射光を受光し、受光量に基づいて第１または第２の画像データを生成する受光部とを含み、基板検査装置は、投光部からの光が基板の一面の全体に照射されるように、第１の方向に交差する第２の方向、または第２の方向とは逆の第３の方向に撮像部と回転保持部とを相対的に移動可能に設けられた相対移動部と、第１の撮像時に、撮像部と回転保持部とを第２の方向に相対的に移動させるように相対移動部を制御する第１の移動制御部と、第２の撮像時に、撮像部と回転保持部とを第３の方向に相対的に移動させるように相対移動部を制御する第２の移動制御部とをさらに備えてもよい。
【００１１】
この場合、相対移動部により基板と撮像部とが相対的に往復移動することにより第１および第２の撮像データが生成される。また、小型の撮像部を用いて基板の一面の全体を撮像することができる。これにより、第１および第２の撮像データを短時間で得ることができるとともに、基板検査装置をコンパクトにすることができる。
【００１２】
（３）相対移動部は、回転保持部を保持しかつ撮像部に対して回転保持部を第２または第３の方向に移動させる移動保持部を含んでもよい。この場合、簡単な構成で基板の一面の全体を撮像することができる。
【００１３】
（４）投光部と受光部とは別体として配置されてもよい。この場合、撮像部の配置の自由度を向上させることができる。
【００１４】
（５）基板検査装置は、回転保持部により保持された基板の向きを判定する方向判定部と、方向判定部により判定された基板の向きに基づいて、第１の撮像前に基板が特定の方向を向くように回転保持部を制御する第２の回転制御部とをさらに備えてもよい。この場合、複数の基板の向きが揃った状態で基板が検査される。これにより、複数の基板を画一的に検査することができる。
【００１５】
（６）基板検査装置は、第２の回転制御部による基板の回転の前に、基板が少なくとも１回転するように回転保持部を制御する第３の回転制御部と、第３の回転制御部により回転される基板のノッチを検出するノッチ検出部とをさらに備え、方向判定部は、ノッチ検出部により基板のノッチが検出されたときの基板の回転角度に基づいて基板の向きを判定してもよい。この場合、簡単な構成で基板の向きを正確に判定することができる。
【００１６】
（７）第１の回転制御部は、第１の撮像時における基板の向きと第２の撮像時における基板の向きとが非平行となるように回転保持部を制御してもよい。この場合、第１の画像データにより示される基板の表面の態様と、第２の画像データにより示される基板の表面の態様とが大きく異なる。これにより、基板の表面に欠陥が存在する場合に、第１または第２の画像データにより示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性をより向上させることができる。
【００１７】
（８）予め定められた角度は９０度の奇数倍の角度であってもよい。この場合、第１の画像データにより示される基板の表面の態様と、第２の画像データにより示される基板の表面の態様とがさらに大きく異なる。これにより、基板の表面に欠陥が存在する場合に、第１または第２の画像データにより示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性をさらに向上させることができる。
【００１８】
（９）第２の発明に係る基板処理装置は、塗布液を基板の表面に供給することにより表面に塗布膜を形成する膜形成部と、膜形成部により塗布膜が形成された基板の表面状態を検査する第１の発明に係る基板検査装置と、膜形成部と基板検査装置との間で基板を搬送する搬送機構とを備える。
【００１９】
この基板処理装置においては、膜形成部により塗布液が基板の表面に供給されることにより、表面に塗布膜が形成される。膜形成部により表面に塗布膜が形成された基板が搬送機構により搬送される。搬送機構により搬送された基板の表面状態が上記の検査装置により検査される。
【００２０】
基板検査装置においては、回転保持部により基板が回転可能に保持される。第１の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第１の画像データが生成される。第１の撮像後に、回転保持部により予め定められた角度だけ基板が回転される。基板の回転後の第２の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無が判定される。
【００２１】
この構成によれば、第１の画像データにより示される基板の表面と、第２の画像データにより示される基板の表面とでは、光沢等の態様が異なる。そのため、基板の表面に欠陥が存在する場合には、第１および第２の画像データの少なくとも一方により示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性が向上する。これにより、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。
【００２２】
（１０）第３の発明に係る基板検査方法は、回転保持部により基板を回転可能に保持するステップと、第１の撮像時に、回転保持部により保持された基板を撮像することにより基板の画像を示す第１の画像データを生成するステップと、第１の撮像後に、回転保持部により予め定められた角度だけ基板を回転させるステップと、基板の回転後の第２の撮像時に、回転保持部により保持された基板を撮像することにより基板の画像を示す第２の画像データを生成するステップと、第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無を判定するステップとを含む。
【００２３】
この基板検査方法によれば、回転保持部により基板が回転可能に保持される。第１の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第１の画像データが生成される。第１の撮像後に、回転保持部により予め定められた角度だけ基板が回転される。基板の回転後の第２の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無が判定される。
【００２４】
この方法によれば、第１の画像データにより示される基板の表面と、第２の画像データにより示される基板の表面とでは、光沢等の態様が異なる。そのため、基板の表面に欠陥が存在する場合には、第１および第２の画像データの少なくとも一方により示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性が向上する。これにより、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。
【００２５】
（１１）第４の発明に係る基板処理方法は、膜形成部により塗布液を基板の表面に供給することにより表面に塗布膜を形成するステップと、膜形成部により表面に塗布膜が形成された基板を搬送機構により搬送するステップと、搬送機構により搬送された基板の表面状態を検査する第３の発明に係る基板検査方法におけるステップとを含む。
【００２６】
この基板処理方法によれば、膜形成部により塗布液が基板の表面に供給されることにより、表面に塗布膜が形成される。膜形成部により表面に塗布膜が形成された基板が搬送機構により搬送される。搬送機構により搬送された基板の表面状態が上記の基板検査方法により検査される。
【００２７】
上記の基板検査方法によれば、回転保持部により基板が回転可能に保持される。第１の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第１の画像データが生成される。第１の撮像後に、回転保持部により予め定められた角度だけ基板が回転される。基板の回転後の第２の撮像時に、回転保持部により保持された基板が撮像されることにより、基板の画像を示す第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板の表面状態の欠陥の有無が判定される。
【００２８】
この方法によれば、第１の画像データにより示される基板の表面と、第２の画像データにより示される基板の表面とでは、光沢等の態様が異なる。そのため、基板の表面に欠陥が存在する場合には、第１および第２の画像データの少なくとも一方により示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性が向上する。これにより、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板の表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板検査装置の外観を示す斜視図である。
【図２】基板検査装置の内部の構成を示す模式的側面図である。
【図３】基板検査装置の内部の構成を示す模式的平面図である。
【図４】基板検査装置を制御するためのローカルコントローラの構成を示すブロック図である。
【図５】基板検査装置の動作を説明するための図である。
【図６】基板検査装置の動作を説明するための図である。
【図７】検査処理における図４のローカルコントローラの主制御部の動作を示すフローチャートである。
【図８】検査処理における図４のローカルコントローラの主制御部の動作を示すフローチャートである。
【図９】図１の基板検査装置を備えた基板処理装置の模式的平面図である。
【図１０】図９の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１１】塗布処理ユニットの構成を示す平面図である。
【図１２】図９の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１３】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
（１）基板検査装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
【００３２】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板検査装置２００の外観を示す斜視図である。図２は、基板検査装置２００の内部の構成を示す模式的側面図である。図３は、基板検査装置２００の内部の構成を示す模式的平面図である。図１および図２に示すように、基板検査装置２００は、筐体部２１０、投光部２２０、反射部２３０、受光部２４０、回転駆動部２５０、移動部２６０およびノッチ検出部２７０を含む。投光部２２０、反射部２３０および受光部２４０により撮像部１が構成される。撮像部１、回転駆動部２５０、移動部２６０およびノッチ検出部２７０は、筐体部２１０内に収容される。
【００３３】
図１に示すように、筐体部２１０は、略矩形状の底面部２１１および略矩形状の４つの側面部２１２〜２１５を含む。側面部２１２，２１４は底面部２１１の長手方向における両端部にそれぞれ位置し、側面部２１３，２１５は底面部２１１の幅方向における両端部にそれぞれ位置する。これにより、筐体部２１０は、略矩形状の上部開口を有する。筐体部２１０は、上部開口を閉塞する上面部をさらに含んでもよい。
【００３４】
以下、底面部２１１の幅方向を単に幅方向と呼び、底面部２１１の長手方向を前後方向と呼ぶ。また、前後方向において、側面部２１４から側面部２１２に向かう方向を前方と定義し、その逆方向を後方と定義する。側面部２１２から側面部２１３の前部に至る部分には、筐体部２１０の外部と内部との間で基板Ｗを搬送するためのスリット状の開口部２１６が形成される。
【００３５】
投光部２２０は、例えば１または複数の光源を含み、幅方向に延びるように筐体部２１０の側面部２１３，２１５の内面に取り付けられる。後述するように、開口部２１６から筐体部２１０内に検査対象の基板Ｗが搬入され、投光部２２０の下方を通過する。投光部２２０は、基板Ｗの直径よりも大きい帯状の光を斜め下後方に出射する。
【００３６】
反射部２３０は、例えばミラーを含み、投光部２２０よりも後方でかつ幅方向に延びるように筐体部２１０の側面部２１３，２１５の内面に取り付けられる。図２に示すように、投光部２２０により斜め下後方に出射された帯状光は、基板Ｗにより斜め上後方に反射される。反射部２３０は、基板Ｗにより反射された帯状の光を後方から略水平方向に反射する。
【００３７】
受光部２４０は、反射部２３０よりも後方で筐体部２１０の底面部２１１上に取り付けられる。受光部２４０は、例えばカメラであり、複数のレンズおよびカラーＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサを含む。受光部２４０は、反射部２３０により反射された帯状の光を受光し、各画素の受光量に対応する画素データに基づいて画像データを生成する。画像データは、複数の画素に対応する複数の画素データにより構成される。
【００３８】
図２に示すように、回転駆動部２５０は、例えばスピンチャックであり、駆動装置２５１および回転保持部２５２を含む。駆動装置２５１は、例えば電動モータであり、回転軸２５１ａを有する。駆動装置２５１には、図示しないエンコーダが設けられる。回転保持部２５２は、駆動装置２５１の回転軸２５１ａの先端に取り付けられ、検査対象の基板Ｗを保持した状態で鉛直軸の周りで回転駆動される。
【００３９】
図３に示すように、移動部２６０は、複数（本例では２個）のガイド部材２６１および移動保持部２６２を含む。複数のガイド部材２６１は、幅方向に離間した状態で、平行にかつ前後方向に延びるように筐体部２１０の底面部２１１に取り付けられる。移動保持部２６２は、回転駆動部２５０を保持した状態で、複数のガイド部材２６１に沿って前後方向に移動する。
【００４０】
ノッチ検出部２７０は、例えば投光素子および受光素子を含む反射型光電センサであり、筐体部２１０の側面部２１５における内面の前上部に取り付けられる。検査対象の基板Ｗの周縁部がノッチ検出部２７０の下方に位置するときに、ノッチ検出部２７０は、下方に光を出射するとともに基板Ｗからの反射光を受光する。ここで、ノッチ検出部２７０の下方に位置する基板Ｗの部分にノッチが形成されている場合には、ノッチ検出部２７０の受光量が低減する。ノッチ検出部２７０は、回転駆動部２５０により回転される基板Ｗからの受光量に基づいて基板Ｗのノッチの有無を検出する。なお、ノッチ検出部２７０として透過型光電センサが用いられてもよい。
【００４１】
（２）基板検査装置の動作
図４は、基板検査装置２００を制御するためのローカルコントローラ４００の構成を示すブロック図である。図４に示すように、ローカルコントローラ４００は、主制御部４０１、記憶部４０２、撮像制御部４１０、回転制御部４２０、移動制御部４３０、方向判定部４４０および欠陥判定部４５０を含む。
【００４２】
主制御部４０１は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）を含む。記憶部４０２は、例えば不揮発性メモリまたはハードディスクを含み、検査処理を実行するための検査プログラムを記憶する。主制御部４０１が記憶部４０２に記憶された検査プログラムを実行することにより、撮像制御部４１０、回転制御部４２０、移動制御部４３０、方向判定部４４０および欠陥判定部４５０の機能が実現される。
【００４３】
撮像制御部４１０は、撮像部１の動作を制御する。回転制御部４２０は、回転駆動部２５０の駆動装置２５１（図２）のエンコーダから出力信号を取得して駆動装置２５１の回転角度（基板Ｗの回転角度）を検出するとともに、方向判定部４４０から基板Ｗの向きの判定結果を取得する。また、回転制御部４２０は、駆動装置２５１の回転角度または基板Ｗの向きに基づいて回転駆動部２５０の動作を制御する。移動制御部４３０は、移動部２６０の動作を制御する。
【００４４】
方向判定部４４０は、ノッチ検出部２７０の動作を制御する。また、方向判定部４４０は、ノッチ検出部２７０によるノッチの検出結果を取得するとともに、回転制御部４２０により検出された駆動装置２５１の回転角度を取得し、基板Ｗのノッチが検出されたときの駆動装置２５１の回転角度に基づいて基板Ｗの向きを判定する。欠陥判定部４５０は、撮像部１から画像データを取得し、画像データに基づいて基板Ｗの表面状態の欠陥の有無を判定する。欠陥判定部４５０による判定結果は、記憶部４０２に記憶される。
【００４５】
図５および図６は、基板検査装置２００の動作を説明するための図である。図５（ａ），（ｂ）および図６（ａ），（ｂ）においては、左に基板検査装置２００の平面図が示され、右に検査対象の基板Ｗの模式図が示される。本実施の形態においては、現像処理後の基板Ｗが検査される。そのため、図５（ａ）〜図６（ｂ）の右に示すように、基板Ｗの表面には、製品となる複数のチップＣＨが形成されている。
【００４６】
初期状態においては、図５（ａ）に示すように、回転駆動部２５０が筐体部２１０内における前部に位置する。この状態で、基板Ｗの搬送機構（例えば後述する図１３の搬送機構１３７または搬送機構１３８）により検査対象の基板Ｗが開口部２１６を通して筐体部２１０内に搬入され、回転駆動部２５０により保持される。
【００４７】
ここで、回転駆動部２５０により基板Ｗが１回転されつつノッチ検出部２７０により基板Ｗの周縁部に光が出射され、その反射光がノッチ検出部２７０により受光される。これにより、基板ＷのノッチＮＴが検出される。また、図４の方向判定部４４０により基板Ｗの向きが判定される。その後、基板Ｗが特定の方向を向くように、回転駆動部２５０により基板Ｗが回転される。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に白抜きの矢印で示すように、移動部２６０により基板Ｗが後方に移動される。この際に、基板Ｗが投光部２２０の下方を通過することにより、投光部２２０により出射される帯状の光が基板Ｗ上で前後方向に相対的に走査される。これにより、基板Ｗの全体に帯状の光が照射される。基板Ｗから順次反射される帯状の光は、反射部２３０により反射されて受光部２４０に導かれる。これにより、基板Ｗの表面全体の画像を示す第１の画像データが生成される。
【００４９】
続いて、図６（ａ）に太い矢印で示すように、回転駆動部２５０により基板Ｗが９０度回転される。その後、図６（ｂ）に白抜きの矢印で示すように、移動部２６０により基板Ｗが前方の初期位置に移動される。この際に、基板Ｗが投光部２２０の下方を再度通過することにより、図５（ｂ）の動作と同様に、基板Ｗの表面全体の画像を示す第２の画像データが生成される。生成された第１および第２のデータに基づいて、図４の欠陥判定部４５０により基板Ｗの欠陥の有無が判定される。欠陥判定部４５０による基板Ｗの欠陥の有無の判定は、任意の時点で行われてもよい。
【００５０】
（３）検査処理
図７および図８は、検査処理における図４のローカルコントローラ４００の主制御部４０１の動作を示すフローチャートである。図１および図２の基板検査装置２００、図４のローカルコントローラ４００ならびに図７のフローチャートを参照しながら主制御部４０１による検査処理を説明する。
【００５１】
まず、主制御部４０１は、移動部２６０により回転駆動部２５０を筐体部２１０内の前部における初期位置に移動させる（ステップＳ１）。なお、初期状態において回転駆動部２５０が初期位置にある場合には、ステップＳ１の処理は省略される。ここで、現像処理後の検査対象の基板Ｗが開口部２１６を通して搬送機構により筐体部２１０内に搬入される。主制御部４０１は、搬入された基板Ｗを回転駆動部２５０により保持する（ステップＳ２）。
【００５２】
主制御部４０１は、回転駆動部２５０により、基板Ｗを回転させる（ステップＳ３）とともに、基板Ｗの回転角度を検出する（ステップＳ４）。また、主制御部４０１は、ノッチ検出部２７０により、基板Ｗの周縁部に光を照射するとともに（ステップＳ５）、基板Ｗからの光を受光する（ステップＳ６）。ステップＳ３〜Ｓ６の処理はほぼ同時に行われる。
【００５３】
主制御部４０１は、ステップＳ３〜Ｓ６の処理の結果に基づいて、ノッチ検出部２７０により基板ＷのノッチＮＴが検出されたか否かを判定する（ステップＳ７）。基板ＷのノッチＮＴが検出された場合には、主制御部４０１は、ノッチＮＴが検出されたときの基板Ｗの回転角度に基づいて基板Ｗの向きを判定する（ステップＳ８）。ステップＳ７において、基板ＷのノッチＮＴが検出されない場合には、ステップＳ９に進む。
【００５４】
ステップＳ９において、主制御部４０１は、基板Ｗが３６０度回転したか否かを判定する（ステップＳ９）。基板Ｗが３６０度回転していない場合には、ステップＳ３に戻り、ステップＳ３〜Ｓ８の処理を繰り返す。基板Ｗが３６０度回転した場合には、主制御部４０１は、基板Ｗが特定の方向を向くように回転駆動部２５０により基板Ｗを回転させる（ステップＳ１０）。
【００５５】
次に、主制御部４０１は、移動部２６０により回転駆動部２５０とともに基板Ｗを後方に移動させる（ステップＳ１１）。ここで、基板Ｗは投光部２２０の下方を通過する。主制御部４０１は、撮像部１により、基板Ｗに帯状の光を照射するとともに（ステップＳ１２）、基板Ｗからの帯状の光を受光する（ステップＳ１３）。ステップＳ１１〜Ｓ１３の処理はほぼ同時に行われる。主制御部４０１は、ステップＳ１１〜Ｓ１３の処理の結果に基づいて、撮像部１により第１の画像データを生成する（ステップＳ１４）。続いて、主制御部４０１は、回転駆動部２５０により基板Ｗを９０度回転させる（ステップＳ１５）。
【００５６】
その後、移動部２６０により回転駆動部２５０とともに基板Ｗを前方（初期位置）に移動させる（ステップＳ１６）。ここで、基板Ｗは投光部２２０の下方を再度通過する。主制御部４０１は、撮像部１により、基板Ｗに帯状の光を照射するとともに（ステップＳ１７）、基板Ｗからの帯状の光を受光する（ステップＳ１８）。ステップＳ１６〜Ｓ１８の処理はほぼ同時に行われる。主制御部４０１は、ステップＳ１６〜Ｓ１８の処理の結果に基づいて、撮像部１により第２の画像データを生成する（ステップＳ１８）。
【００５７】
主制御部４０１は、生成した第１および第２の画像データに基づいて基板Ｗの表面状態の欠陥の有無を判定する（ステップＳ２０）。最後に、主制御部４０１は、基板Ｗの表面状態の欠陥の有無についての判定結果を図４の記憶部４０２に記憶し（ステップＳ２１）、検査処理を終了する。
【００５８】
（４）基板処理装置
図９は、図１の基板検査装置２００を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図９および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００５９】
図９に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。
【００６０】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００６１】
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１３参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１３参照）が設けられる。
【００６２】
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１３参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１３参照）が設けられる。
【００６３】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００６４】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１３参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００６５】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４３が設けられる。搬送機構１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００６６】
（５）塗布処理部および現像処理部
図１０は、図９の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図１０に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００６７】
図１１は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す平面図である。図１０および図１１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル３０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
【００６８】
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して種々の処理液が供給される。基板Ｗに処理液が供給されない待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２０に挿入される。基板Ｗへの処理液の供給時には、待機部２０のいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により保持され、基板Ｗの上方に搬送される。
【００６９】
スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。本実施の形態においては、図１０の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（以下、反射防止液と呼ぶ。）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（以下、レジスト液と呼ぶ。）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００７０】
エッジリンスノズル３０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。
【００７１】
図１０に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図９に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。スリットノズル３８が移動しつつ回転する各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００７２】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００７３】
（６）熱処理部
図１２は、図９の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１２に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部１０１および下方に設けられる下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００７４】
熱処理部１２３の最上部には、ローカルコントローラ３００が設けられる。ローカルコントローラ３００は、図９のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
【００７５】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００７６】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部１０３および下方に設けられる下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび基板検査装置２００が設けられる。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００７７】
熱処理部１３３の最上部には、図４のローカルコントローラ４００が設けられる。ローカルコントローラ４００は、図９のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、基板検査装置２００の動作を制御するとともに、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
【００７８】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。基板検査装置２００においては、現像処理後の基板Ｗの表面状態が検査される。
【００７９】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００８０】
（７）搬送部
図１３は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１３に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００８１】
塗布処理室２１，２２（図１０）と上段熱処理部１０１（図１２）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図１０）と下段熱処理部１０２（図１２）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１，３２（図１０）と上段熱処理部１０３（図１２）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図１０）と下段熱処理部１０４（図１２）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
【００８２】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００８３】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００８４】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１（図９）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１（図９）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図９）および搬送機構１４３による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８７】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、現像ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８８】
搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図１０）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６および上段熱処理部１０１（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、塗布処理室２３，２４（図１０）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８および下段熱処理部１０２（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００８９】
搬送機構１３７は、現像処理室３１，３２（図１０）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および上段熱処理部１０３（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３，３４（図１０）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２および下段熱処理部１０４（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００９０】
（８）基板処理
図９、図１０、図１２および図１３を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図９）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１３）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１３）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００９１】
塗布ブロック１２において、搬送機構１２７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２２（図１０）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）、塗布処理室２１（図１０）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１３）に順に搬送する。
【００９２】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図１０）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図１０）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００９３】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に載置された現像処理および検査処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１３）に搬送する。
【００９４】
搬送機構１２８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２４（図１０）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）、塗布処理室２３（図１０）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１３）に順に搬送する。
【００９５】
また、搬送機構１２８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に載置された現像処理および検査処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１３）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図１０）および下段熱処理部１０２（図１２）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図１０）および上段熱処理部１０１（図１２）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【００９６】
現像ブロック１３において、搬送機構１３７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１２）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１３）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【００９７】
また、搬送機構１３７（図１３）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３１，３２（図１０）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、基板検査装置２００（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に順に搬送する。
【００９８】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われる。また、基板検査装置２００において、基板の検査処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００９９】
搬送機構１３８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１２）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１３）に順に搬送する。
【０１００】
また、搬送機構１３８（図１３）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３３，３４（図１０）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、基板検査装置２００（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部１０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１０１】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図９）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１３）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図１０）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図９）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１０２】
搬送機構１４２（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１２）および上段熱処理部１０３または下段熱処理部１０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１０３】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４３（図９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５に搬送する。また、搬送機構１４３（図９）は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に搬送する。
【０１０４】
（９）効果
本実施の形態に係る基板検査装置２００においては、回転保持部２５２により保持された基板Ｗが撮像部１により撮像されることにより第１の画像データが生成される。その後に、回転保持部２５２により予め定められた角度だけ基板Ｗが回転される。基板Ｗの回転後、回転保持部２５２により保持された基板Ｗが撮像部１により撮像されることにより第２の画像データが生成される。第１および第２の画像データに基づいて、基板Ｗの表面状態の欠陥の有無が判定される。
【０１０５】
この構成によれば、第１の画像データにより示される基板Ｗの表面と、第２の画像データにより示される基板Ｗの表面とでは、光沢等の態様が異なる。そのため、基板Ｗの表面に欠陥が存在する場合には、第１および第２の画像データの少なくとも一方により示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性が向上する。これにより、基板Ｗの表面状態の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。また、検査は複数の基板Ｗの向きが揃った状態で行われるので、複数の基板Ｗを画一的に検査することができる。
【０１０６】
また、本実施の形態においては、移動部２６０により基板Ｗと撮像部１とが前後方向に相対的に往復移動することにより第１および第２の撮像データが生成される。さらに、小型の撮像部１を用いて基板Ｗの一面の全体を撮像することができる。これにより、第１および第２の撮像データを短時間で得ることができるとともに、基板検査装置２００をコンパクトにすることができる。
【０１０７】
（１０）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、検査処理は現像処理後に行われるが、本発明はこれに限定されない。検査処理は、例えばエッジ露光処理の前または後に行われてもよいし、他の時点で行われてもよい。
【０１０８】
（ｂ）上記実施の形態において、ステップＳ１５の処理における基板Ｗの回転角度は９０度であるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの回転角度は、所望の角度であってもよい。この場合において、基板Ｗの回転角度は、１８０度の整数倍の角度以外の角度であることが好ましく、９０度の奇数倍の角度であることがより好ましい。
【０１０９】
この場合、第１の画像データにより示される基板Ｗの表面の態様と、第２の画像データにより示される基板Ｗの表面の態様とが大きく異なる。これにより、基板Ｗの表面に欠陥が存在する場合に、第１または第２の画像データにより示される画像に当該欠陥が鮮明に現れる可能性をより向上させることができる。
【０１１０】
（ｃ）上記実施の形態において、ステップＳ１０で基板Ｗが特定の方向を向くように基板Ｗが回転されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗが特定の方向を向いた状態で基板検査装置２００に搬入されるように基板処理装置１００が構成される場合には、ステップＳ３〜Ｓ１０の処理が省略されてもよく、基板検査装置２００にノッチ検出部２７０が設けられなくてもよい。同様に、基板Ｗが任意の方向を向いた状態で検査処理が行われてもよい場合には、ステップＳ３〜Ｓ１０の処理が省略されてもよく、基板検査装置２００にノッチ検出部２７０が設けられなくてもよい。
【０１１１】
（ｄ）上記実施の形態において、撮像部１の投光部２２０および受光部２４０は別体として構成されるが、本発明はこれに限定されない。撮像部１の投光部２２０および受光部２４０は一体的に構成されてもよい。
【０１１２】
（ｅ）上記実施の形態において、撮像部１に反射部２３０が設けられるが、本発明はこれに限定されない。受光部２４０が基板Ｗからの帯状の光を直接受光するように構成される場合には、撮像部１に反射部２３０が設けられなくてもよい。
【０１１３】
（ｆ）上記実施の形態において、移動部２６０は、撮像部１に対して回転駆動部２５０（基板Ｗ）を前後方向に移動させるように構成されるが、本発明はこれに限定されない。移動部２６０は、撮像部１と回転駆動部２５０とを相対的に前後方向に移動させるように構成されてもよい。したがって、移動部２６０は、回転駆動部２５０に対して撮像部１を前後方向に移動させるように構成されてもよい。
【０１１４】
（ｇ）上記実施の形態において、撮像部１と回転駆動部２５０とが相対的に移動されるが、本発明はこれに限定されない。撮像部１の撮像領域が基板Ｗの表面全体よりも大きい場合には、撮像部１と回転駆動部２５０とが相対的に移動されなくてもよく、基板検査装置２００に移動部２６０が設けられなくてもよい。
【０１１５】
（ｈ）上記実施の形態において、基板検査装置２００は基板処理装置１００の熱処理部１３３に設けられるが、本発明はこれに限定されない。基板検査装置２００は、基板処理装置１００の塗布ブロック１２等の他の部位に設けられてもよい。あるいは、基板検査装置２００は、基板処理装置１００に設けられず、基板に検査処理を行うために単体で設けられてもよい。
【０１１６】
（１１）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１７】
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、回転保持部２５２が回転保持部の例であり、撮像部１が撮像部の例であり、撮像制御部４１０が第１および第２の撮像制御部の例である。回転制御部４２０が第１〜第３の回転制御部の例であり、欠陥判定部４５０が判定部の例であり、基板検査装置２００が基板検査装置の例であり、投光部２２０が投光部の例であり、受光部２４０が受光部の例である。
【０１１８】
移動部２６０が相対移動部の例であり、移動制御部４３０が第１および第２の移動制御部の例であり、移動保持部２６２が移動保持部の例であり、方向判定部４４０が方向判定部の例である。ノッチ検出部２７０がノッチ検出部の例であり、塗布処理ユニット１２９が膜形成部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が搬送機構の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。
【０１１９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、種々の基板の表面の検査に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１  撮像部
１１  インデクサブロック
１２  塗布ブロック
１３  現像ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
２０  待機部
２１〜２４  塗布処理室
２５，３５  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３０  エッジリンスノズル
３１〜３４  現像処理室
３８  スリットノズル
３９  移動機構
１００  基板処理装置
１０１，１０３  上段熱処理部
１０２，１０４  下段熱処理部
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４  メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３  搬送機構
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
２００  基板検査装置
２１０  筐体部
２１１  底面部
２１２〜２１５  側面部
２１６  搬送開口
２２０  投光部
２３０  反射部
２４０  受光部
２５０  回転駆動部
２５１  駆動装置
２５１ａ  回転軸
２５２  回転保持部
２６０  移動部
２６１  ガイド部材
２６２  移動保持部
２７０  ノッチ検出部
３００，４００  ローカルコントローラ
４０１  主制御部
４０２  記憶部
４１０  撮像制御部
４２０  回転制御部
４３０  移動制御部
４４０  方向判定部
４５０  欠陥判定部
ＣＨ  チップ
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＮＴ  ノッチ
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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