(57)【要約】【課題】部品に付着したパーティクルを除去することができるクリーニング装置およびクリーニング方法を提供する。【解決手段】本実施形態によるクリーニング装置は、クリーニング対象を載置可能なステージを備える。磁場生成部は、ステージに対向するように設けられている。駆動部は、磁場生成部に対してステージを移動させる。コントローラは、磁場生成部および駆動部を制御する。コントローラは、ステージが磁場生成部に接近するに従って磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を大きくし、ステージが磁場生成部から離れるに従って磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を小さくする。【選択図】図１
2018017990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーニング対象を載置可能なステージと、
前記ステージに対向するように設けられた磁場生成部と、
前記磁場生成部に対して前記ステージを移動させる駆動部と、
前記磁場生成部および前記駆動部を制御するコントローラを備え、
前記コントローラは、前記ステージが前記磁場生成部に接近するに従って前記磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を大きくし、前記ステージが前記磁場生成部から離れるに従って前記磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を小さくする、クリーニング装置。
【請求項２】
前記ステージと前記磁場生成部との間に設けられた捕捉部をさらに備えた、請求項１に記載のクリーニング装置。
【請求項３】
前記駆動部は、前記ステージと前記磁場生成部との対向方向に対して交差方向に前記ステージを往復運動させる第1駆動部を備える、請求項１または請求項２に記載のクリーニング装置。
【請求項４】
前記駆動部は、前記ステージと前記磁場生成部との対向方向に前記ステージを移動させる第２駆動部を備える、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のクリーニング装置。
【請求項５】
クリーニング対象に磁場を与える磁場生成部を制御することによって前記クリーニング対象をクリーニングするクリーニング方法であって、
前記クリーニング対象が前記磁場生成部に接近するに従って前記磁場生成部で生成される磁場を大きくし、
前記クリーニング対象が前記磁場生成部から離れるに従って前記磁場生成部で生成される磁場を小さくする、クリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明による実施形態は、クリーニング装置およびクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置のチャンバ内の部品を工具で交換する際に、その部品や工具が削れることによって、パーティクルが発生することがある。パーティクルは、部品や工具と同じ材料からなり、磁性体または導電体の場合もある。このようなパーティクルが付着した部品を、特に真空中でマスク描画等の処理が行われる荷電粒子描画装置等において、真空の磁場環境内に置くと、パーティクルが飛散して汚染の原因となり、歩留りを低下させる可能性がある。従来、このようなパーティクルを部品から除去するために、部品をふき取り、超音波洗浄したり、あるいは、エアブローを用いて吹き飛ばしていた。
【０００３】
しかし、パーティクルが部品に埋まっていたり、部品に強力に吸着されていた場合は、これらの手法では除去することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０９７０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
部品に付着したパーティクルを除去することができるクリーニング装置およびクリーニング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によるクリーニング装置は、クリーニング対象を載置可能なステージを備える。磁場生成部は、ステージに対向するように設けられている。駆動部は、磁場生成部に対してステージを移動させる。コントローラは、磁場生成部および駆動部を制御する。コントローラは、ステージが磁場生成部に接近するに従って磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を大きくし、ステージが磁場生成部から離れるに従って磁場生成部でクリーニング対象に生成される磁場を小さくする。
【０００７】
クリーニング装置は、ステージと磁場生成部との間に設けられた捕捉部をさらに備えてもよい。
【０００８】
駆動部は、ステージと磁場生成部との対向方向に対して交差方向にステージを往復運動させる第１駆動部を備えてもよい。
【０００９】
駆動部は、ステージと磁場生成部との対向方向にステージを移動させる第２駆動部を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に従ったクリーニング装置１の構成の一例を示す断面図。
【図２】第１実施形態によるクリーニング装置１の動作の一例を示す図。
【図３】磁場生成部２０から出力される磁場、部品Ｐと磁場生成部２０との距離、および、パーティクルに印加される磁場を示すグラフ。
【図４】第２実施形態によるクリーニング装置１の動作の一例を示す図。
【図５】第３実施形態によるクリーニング装置１の動作の一例を示す図。
【図６】変形例１による装置１の構成の一例を示す断面図。
【図７】変形例２による装置１の構成の一例を示す断面図。
【図８】変形例３による装置１の構成の一例を示す断面図。
【図９】変形例４による装置１の構成の一例を示す断面図。
【図１０】撮像部１３０を用いてクリーニングの終点を決定する方法の一例を示すフロー図。
【図１１】変形例５による装置１の構成の一例を示す断面図。
【図１２】パーティクルカウンタ１５０を用いてクリーニングの終点を決定する方法の一例を示すフロー図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に従ったクリーニング装置１の構成の一例を示す断面図である。クリーニング装置１（以下、単に装置１ともいう）は、電子ビーム描画装置などの荷電粒子ビーム描画装置の部品をクリーニングする装置であり、描画装置とは分離して設けられている。勿論、装置１は、描画装置以外の部品のクリーニングを行ってもよい。また、装置１は、描画装置の一部として設けられていてもよい。
【００１３】
クリーニング対象となる部品は、描画装置内の構成部品やその一部であり、その材質は任意でよい。例えば、部品の材質は、金属でもよく、セラミックでもよい。部品を取り外す際には、例えば、ドライバやレンチ等の工具が用いられる。工具を用いて部品を取り外すとき、工具と部品とが擦れてパーティクルが発生することがある。パーティクルは、工具が削れて発生し、あるいは、部品が削れて発生する。工具または部品が磁性体や導電体である場合には、部品に付着するパーティクルも磁性体または導電体となる。部品および工具の一方が金属であり他方が磁性体であるような場合、パーティクルが磁力によって部品に吸着する場合もある。また、このようなパーティクルは、部品に単に付着しているだけでなく、部品にめり込んでいたり、埋め込まれたりする。例えば、工具を部品に擦り合わせた場合には、パーティクルは、部品内にめり込んだり埋め込まれてしまうことがある。このような場合、超音波洗浄やエアブロー洗浄では、パーティクルは充分に除去されず、部品に付着したままとなる。このような部品が、例えば、描画装置に戻されて磁場に晒された場合、パーティクルが飛散して、描画装置が汚染されるおそれがある。パーティクルで描画装置内が汚染されると、歩留まり低下等の不具合が生じる可能性がある。
【００１４】
そこで、本実施形態によるクリーニング装置１は、部品を磁場環境内におき、磁場の大きさを変化させ、さらに部品を磁場環境内で移動させることによって部品に対する磁場（磁束密度）を大きく変動させる。部品への磁場が大きく変動すると、部品に付着するパーティクルに力が付与されて、パーティクルを除去することができる。
【００１５】
このように機能するために装置１は、チャンバ１０と、磁場生成部２０と、ステージ３０と、駆動部４０と、基板ホルダ５０と、コントローラ６０とを備えている。
【００１６】
容器としてのチャンバ１０は、クリーニング対象としての部品Ｐおよびステージ３０等を収容可能であり、その内部は大気圧状態にあるか、あるいは、大気圧未満に減圧されている。チャンバ１０内を減圧するために真空ポンプ８０が設けられていてもよい。チャンバ１０内を減圧することによって、空気や対流の影響を除去することができ、また、パーティクルを乾燥させ除去しやすくすることができる。
【００１７】
磁場生成部２０は、チャンバ１０に固定されており、ステージ３０に対向するように設けられている。磁場生成部２０は、例えば、コイル等に電力を供給することによって磁場を生成し、チャンバ１０内において基板ホルダ５０に載置された基板７０を介して部品Ｐにその磁場を印加する。例えば、図１に示すように、シュノーケル型対物レンズに用いられるコイル２１を磁場生成部２０に設ければよい。シュノーケル型対物レンズは、コイル２１の外部のサンプル面で磁場が強くなるように作用する。これにより、クリーニング対象にかかる磁場をより大きくすることができる。
【００１８】
ステージ３０は、その上に部品Ｐを載置することができ、部品Ｐを保持する。ステージ３０は、駆動部４０に固定されており、駆動部４０とともに動作する。
【００１９】
駆動部４０は、第１駆動部４１と、第２駆動部４２とを含む。第１駆動部４１は、ステージ３０と磁場生成部２０との対向方向に対して交差する方向（例えば、略直交方向）Ｄ１にステージ３０を移動させる。Ｄ１方向は、例えば、略水平方向である。第１駆動部４１は、軌道４３上をリニアに往復運動可能な移動体であり、例えばモータまたはエアーベアリング等を用いることができる。第２駆動部４２は、ステージ３０と磁場生成部２０との対向方向Ｄ２へステージ３０を移動させる。Ｄ２方向は、例えば、略鉛直方向である。第２駆動部４２は、ステージ３０を昇降可能な移動体であり、例えば、ギア、スプリング、エアー等を用いることができる。これにより、駆動部４０は、ステージ３０をＤ１および／またはＤ２方向へ移動させることができる。尚、第２駆動部４２の動作例については、第２実施形態において説明する。
【００２０】
基板ホルダ５０は、その上に基板７０を載置することができ、基板７０を保持する。基板ホルダ５０は、チャンバ１０の内壁に固定されている。基板ホルダ５０上に載置された基板７０は、ステージ３０と磁場生成部２０との間に設けられ、チャンバ１０および磁場生成部２０に対して固定されている。基板７０は、部品Ｐからのパーティクルを捕捉する捕捉部として設けられている。基板７０は、例えば、半導体ウェハであってもよく、部品Ｐまたは工具と同じ材質（例えば、導電体、磁性体）であってもよい。さらに、基板７０は、他の任意の材料であってもよい。本実施形態において、基板７０は、電気的に浮遊状態でよい。基板７０は、パーティクルを捕捉した後、他の基板と交換可能である。これにより、パーティクルが磁場生成部２０に直接付着することを抑制することができる。
【００２１】
コントローラ６０は、磁場生成部２０に電力を供給し、磁場の大きさを制御する。また、コントローラ６０は、駆動部４０の動作を制御する。さらに、コントローラ６０は、チャンバ１０内の気圧や温度等、装置１の各構成を制御してもよい。
【００２２】
図２は、第１実施形態によるクリーニング装置１の動作（クリーニング方法）の一例を示す図である。本実施形態では、コントローラ６０が第１駆動部４１を制御し、第１駆動部４１がステージ３０および部品ＰをＤ１方向に往復運動させる。図２では、ステージ３０および部品Ｐが軌道４３の左端に位置する場合を示している。さらに、図２では、ステージ３０および部品Ｐが軌道４３の右端にも移動可能であることを破線で示している。
【００２３】
ステージ３０および部品ＰがＤ１方向に往復運動することによって、部品Ｐは、磁場生成部２０および基板７０の直下の位置から磁場生成部２０および基板７０の直下から外れた位置（軌道４３の左端および右端）に周期的に移動する。
【００２４】
ステージ３０および部品Ｐの往復運動に伴って、コントローラ６０は、磁場生成部２０から生成される磁場の大きさを制御する。磁場生成部２０は、ステージ３０および部品Ｐが磁場生成部２０に接近するに従って磁場を大きくし、ステージ３０および部品Ｐが磁場生成部２０から離れるに従って磁場を小さくする。即ち、図１に示すように、ステージ３０が磁場生成部２０の直下に位置し、磁場生成部２０と部品Ｐとの間の距離が比較的小さいときに、磁場生成部２０は、比較的大きな磁場を生成する。一方、図２に示すように、ステージ３０が軌道４３の左端または右端に位置し、磁場生成部２０と部品Ｐとの間の距離が比較的大きいときに、磁場生成部２０は、比較的小さな磁場を生成し、あるいは、磁場を生成しない。これにより、部品Ｐに印加される磁場（磁束密度）は、ステージ３０が磁場生成部２０の直下に位置するときに非常に大きくなり、ステージ３０が軌道４３の左端または右端に位置するときに非常に小さくなる。即ち、装置１は、ステージ３０が磁場生成部２０の直下に位置するときと、ステージ３０が軌道４３の左端または右端に位置するときとの間で、部品Ｐに印加される磁場（磁束密度）の差を非常に大きくする。その結果、ステージ３０および部品Ｐが往復する度に、部品Ｐに印加される磁場が大きく変化する。部品Ｐに付着するパーティクルは、磁性体または導電体であるので、ステージ３０および部品Ｐを往復運動させることによって、パーティクルに対して大きな力を印加することができる。
【００２５】
図３は、磁場生成部２０から出力される磁場（または磁束密度）、部品Ｐと磁場生成部２０との距離、および、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）を示すグラフである。ラインＬ１は、磁場生成部２０から出力される磁場（Ｈ）（または磁束密度（Ｂ））を示す。ラインＬ２は、部品Ｐと磁場生成部２０との距離を示す。ラインＬ３は、部品Ｐに付着するパーティクルに印加される磁場（Ｈ）（磁束密度（Ｂ））を示す。尚、磁場生成部２０から出力される磁場（磁束密度）は、磁場生成部２０に供給する電流に対応する（比例する）ので、ラインＬ１は、磁場生成部２０に供給する電流を示していると言ってもよい。
【００２６】
ラインＬ１に示すように、磁場生成部２０から出力される磁場（磁束密度）は、周期的に増減し、例えば、正弦波となっている。図３において、磁場生成部２０は、期間ｔ０〜ｔ２において、例えば略鉛直方向の磁場を生成し、期間ｔ２〜ｔ４において逆方向の磁場を生成する。磁場生成部２０からの磁場の絶対値は、ｔ１およびｔ３において最大値となり、ｔ０、ｔ２およびｔ４において最小値（ほぼ０）となる。本実施形態において、磁場生成部２０から出力される磁場の増減の周期は、ステージ３０および部品Ｐの往復運動の周期とほぼ等しい。その周期は、例えば、１秒〜数秒であってよい。コントローラ６０は、このように、磁場生成部２０から出力される磁場の増減をステージ３０の往復運動に同期させる。
【００２７】
部品Ｐは、ステージ３０とともに往復運動するので、部品Ｐと磁場生成部２０との距離は、ラインＬ２に示すように、０に近付いたり、０から離れたりする。上述の通り、部品Ｐおよびステージ３０は、磁場生成部２０から出力される磁場の増減と同期して移動する。コントローラ６０は、ステージ３０および部品Ｐが磁場生成部２０に接近するに従って磁場生成部２０からの磁場の絶対値を大きくし、ステージ３０および部品Ｐが磁場生成部２０から離れるに従って磁場生成部２０からの磁場の絶対値を小さくする。従って、部品Ｐと磁場生成部２０との距離が０に最も近いときに、磁場生成部２０からの磁場の絶対値が最大となっており、部品Ｐと磁場生成部２０との距離が０に最も遠いときに、磁場生成部２０からの磁場の絶対値が最小（ほぼ０）となっている。
【００２８】
磁場（磁束密度）の大きさは、距離に反比例する。よって、磁場生成部２０が磁場自体の大きさを変化させるだけでなく、駆動部４０が部品Ｐと磁場生成部２０との間の距離を変化させることによって、部品Ｐへの磁場（磁束密度）は、大きく変化する。例えば、ラインＬ３に示すように、部品Ｐに付着するパーティクルに印加される磁場の絶対値は、ｔ０〜ｔ１において急激に大きくなり、ｔ１〜ｔ２において急激に低下する。さらに、部品Ｐに付着するパーティクルに印加される磁場の絶対値は、ｔ２〜ｔ３において急激に大きくなり、ｔ３〜ｔ４において急激に低下する。このように、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値は、磁場生成部２０からの磁場の増減とステージ３０および部品Ｐの動作との両方を利用することによって大きく変動させることができる。
【００２９】
もし、磁場生成部２０からの磁場の増減とステージ３０および部品Ｐの動作とのいずれか一方のみを利用した場合、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）は、さほど大きく変動しない。
【００３０】
これに対し、本実施形態によれば、ステージ３０が磁場生成部２０に接近するに従って磁場生成部２０からの磁場を大きくし、ステージ３０が磁場生成部２０から離れるに従って磁場生成部２０からの磁場を小さくする。これにより、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値の変動を大きくすることができる。
【００３１】
パーティクルが磁性体である場合、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値の変動が大きいと、パーティクルに磁場生成部２０へ向かう大きな力が印加される。これにより、パーティクルは磁場生成部２０へ向かって移動し、基板７０に付着する。
【００３２】
また、パーティクルが導電体である場合、パーティクルは、レンツの法則により磁場の等しい位置に留まろうとする。従って、部品Ｐがステージ３０とともに移動する際に、パーティクルは、部品Ｐおよびステージ３０の動作に追従せずに、磁場生成部２０の直下に留まろうとする。これにより、パーティクルは、部品Ｐから取り除かれ、磁場生成部２０の直下で浮遊状態となるか、落下するか、あるいは、基板７０に付着する。このように、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値の変動を大きくすることによって、磁性体または導電体のパーティクルは、大きな力を受け、部品Ｐから効果的に取り除かれ得る。
【００３３】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態によるクリーニング装置１の動作の一例を示す図である。第２実施形態において、第１駆動部４１がステージ３０および部品ＰをＤ１方向に往復運動させるだけでなく、第２駆動部４２がステージ３０および部品ＰをＤ２方向に上下運動させる。第２駆動部４２は、第１駆動部４１と協働して部品Ｐと磁場生成部２０との距離を大きく変化させる。第２駆動部４２は、第１駆動部４１と同期して動作し、ステージ３０が磁場生成部２０の直下に位置するときにステージ３０を磁場生成部２０へ向かって上昇させる。ステージ３０が軌道４３の端部に位置するときには、第２駆動部４２は、ステージ３０を磁場生成部２０から離れる方向へ下降させる。このように駆動部４０が動作すると、部品Ｐは、図４の矢印Ａ１に示すように、Ｄ１方向（例えば、略水平方向）に往復運動を繰り返すとともに、Ｄ２方向（例えば、略鉛直方向）に上下運動も繰り返す。第２実施形態による装置１のその他の動作は、第１実施形態における対応する動作と同様でよい。
【００３４】
例えば、第１駆動部４１がステージ３０を磁場生成部２０の直下に移動させ磁場生成部２０に接近させたとき、第２駆動部４２は、ステージ３０を磁場生成部２０へさらに接近させるようにステージ３０を上昇させる。このとき、磁場生成部２０は、磁場を大きくする。これにより、部品Ｐは、磁場生成部２０に近付し、部品Ｐに印加される磁場が大きくなる。一方、第１駆動部４１がステージ３０を軌道４３の左端または右端に移動させ磁場生成部２０から遠ざけたとき、第２駆動部４２は、ステージ３０を磁場生成部２０からさらに遠ざけるようにステージ３０を降下させる。このとき、磁場生成部２０は、磁場を小さくする。これにより、部品Ｐは、磁場生成部２０から大きく離れ、部品Ｐに印加される磁場が小さくなる。
【００３５】
このように、装置１は、部品Ｐと磁場生成部２０との距離を大きく変化させることによって、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値をさらに大きく変動させることができる。これにより、装置１は、パーティクルに大きな力を印加することができ、該パーティクルを部品Ｐからより効果的に取り除くことができる。
【００３６】
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態によるクリーニング装置１の動作の一例を示す図である。第３実施形態において、第１駆動部４１は、Ｏを中心としてステージ３０および部品Ｐを揺動させる。第１駆動部４１がステージ３０を揺動させると、部品Ｐは、図５の矢印Ａ２に示すように、磁場生成部２０に接近したり、磁場生成部２０から離れたりする。これにより、駆動部４０は、部品Ｐと磁場生成部２０との距離を大きく変化させることができる。ステージ３０を揺動させたときに駆動部４０がチャンバ１０の底面に接触しないように駆動部４０の下端部は、テーパーを有している。第３実施形態による装置１のその他の構成および動作は、それぞれ第１実施形態における対応する構成および動作と同様でよい。
【００３７】
例えば、ステージ３０が磁場生成部２０の直下にあるときに、磁場生成部２０は、磁場を大きくする。これにより、部品Ｐに印加される磁場が大きくなる。一方、ステージ３０が揺動して磁場生成部２０の直下から離れたときに、磁場生成部２０は、磁場を小さくする。これにより、部品Ｐに印加される磁場が小さくなる。
【００３８】
このように、第３実施形態による装置１も、部品Ｐと磁場生成部２０との距離を大きく変化させることによって、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値を大きく変動させることができる。これにより、装置１は、パーティクルに大きな力を印加することができ、該パーティクルを部品Ｐからより効果的に取り除くことができる。
【００３９】
第３実施形態において、第１駆動部４１がステージ３０および部品Ｐを揺動させるだけでなく、第２駆動部４２がステージ３０および部品Ｐを上下運動させてもよい。即ち、第３実施形態は、第２実施形態と組み合わせてもよい。これにより、装置１は、部品Ｐと磁場生成部２０との距離をさらに大きく変化させることができ、パーティクルに印加される磁場（磁束密度）の絶対値をさらに大きく変動させることができる。このようにしても、装置１は、パーティクルに大きな力を印加することができ、該パーティクルを部品Ｐからより効果的に取り除くことができる。
【００４０】
（変形例１）
図６は、変形例１による装置１の構成の一例を示す断面図である。変形例１による装置１は、ヒータ９０と、除電部９５とをさらに備えている。
【００４１】
ヒータ９０は、ステージ３０および部品Ｐに対向するチャンバ１０の内壁の上面に設けられており、部品Ｐを加熱する。これにより、部品Ｐに付着する水分を除去することができる。水分は、例えば、真空ポンプ８０を介してチャンバ１０の外部へ排出される。部品Ｐの表面から水分を除去することによって、部品Ｐに付着するパーティクルが部品Ｐの表面から除去され易くなる。
【００４２】
除電部９５も、ステージ３０および部品Ｐに対向するチャンバ１０の内壁の上面に設けられている。除電部９５は、例えば、部品Ｐを除電するイオナイザでよい。部品Ｐを除電することによって、静電気によって部品Ｐに付着するパーティクルを容易に除去することができる。尚、装置１は、ヒータ９０および除電部９５のいずれか一方を備えていてもよい。
【００４３】
変形例１のその他の構成は、第１〜第３実施形態のいずれかの構成と同様でよい。従って、変形例１は、上記第１〜第３実施形態のいずれかの効果も得ることができる。
【００４４】
（変形例２）
図７は、変形例２による装置１の構成の一例を示す断面図である。変形例２による装置１は、電力供給部１００をさらに備えている。電力供給部１００は、基板ホルダ５０およびステージ３０に電気的に接続され、基板７０と部品Ｐとの間に電力を供給する。これにより、基板７０と部品Ｐとの間に発生する電界によって、部品Ｐ上のパーティクルを除去することができる。
【００４５】
変形例２のその他の構成は、第１〜第３実施形態のいずれかの構成と同様でよい。従って、変形例２は、上記第１〜第３実施形態のいずれかの効果も得ることができる。特に、第1実施形態で述べたように、チャンバ１０内を減圧するために真空ポンプ８０を設け、チャンバ１０内を減圧することによって、さらに、パーティクルが除電されにくくなる効果が得られ、パーティクルをより効果的に除去することが可能となる。
【００４６】
（変形例３）
図８は、変形例３による装置１の構成の一例を示す断面図である。変形例３による装置１は、振動部１１０をさらに備えている。振動部１１０は、ステージ３０に設けられ、部品Ｐを振動させる。振動部１１０は、第１および第２駆動部４１、４２の動作周期よりも高い周波数（例えば、１００Ｈｚ）で部品Ｐを振動させる。これにより、部品Ｐからパーティクルがさらに除去されやすくなる。
【００４７】
変形例３のその他の構成は、第１〜第３実施形態のいずれかの構成と同様でよい。従って、変形例３は、上記第１〜第３実施形態のいずれかの効果も得ることができる。
【００４８】
（変形例４）
図９は、変形例４による装置１の構成の一例を示す断面図である。変形例４による装置１は、照明１２０と、撮像部１３０とをさらに備えている。
【００４９】
照明１２０および撮像部１３０は、ステージ３０の側面に設けられている。照明１２０は上方へ向かって（基板７０へ向かって）光を照射可能であり、撮像部１３０は照明１２０によって照射された基板７０を撮像する。これにより、撮像部１３０は、基板７０に付着したパーティクルを撮像することができる。コントローラ６０は、撮像部１３０で撮像された基板７０の画像に基づいて、パーティクル数をカウントする。パーティクル数のカウントは、画像のコントラストや輝度等に基づいて光学的に判断可能である。このようにしてカウントされたパーティクル数は、コントローラ６０内のメモリ（図示せず）に格納される。
【００５０】
基板７０の撮像およびパーティクル数のカウントは、クリーニング中において周期的に実行される。これにより、コントローラ６０は、基板７０に付着するパーティクル数の変化を監視する。基板７０の撮像およびパーティクル数のカウントの周期は、例えば、駆動部４０の往復運動の周期と同じであってもよいが、これに限定されず、任意でよい。
【００５１】
図１０は、撮像部１３０を用いてクリーニングの終点を決定する方法の一例を示すフロー図である。
【００５２】
まず、クリーニングを開始し、撮像部１３０が周期的に基板７０の表面（部品Ｐとの対向面）を撮像する（Ｓ１０）。コントローラ６０が、基板７０の画像に基づいて基板７０に付着しているパーティクル数をカウントする（Ｓ２０）。
【００５３】
コントローラ６０は、或る時点（或る周期）において計測されたパーティクル数とそれ以前の時点（それ以前の周期）において計測されたパーティクル数との差をパーティクルの増加数として算出する。基板７０に付着しているパーティクルの増加数が閾値よりも大きい場合（Ｓ３０のＮＯ）、コントローラ６０は、多くのパーティクルが依然として部品Ｐに付着していると判断し、クリーニングを継続する（Ｓ４０）。一方、基板７０に付着するパーティクルの増加数が閾値以下になった場合（Ｓ３０のＹＥＳ）、コントローラ６０は、部品Ｐに付着しているパーティクルが少なくなったと判断し、クリーニングを終了する（Ｓ５０）。尚、閾値は、コントローラ６０内のメモリに予め格納しておけばよい。このように、装置１は、基板７０に付着するパーティクル数をカウントすることによって、クリーニングの終点を決定することができる。
【００５４】
変形例４のその他の構成は、第１〜第３実施形態のいずれかの構成と同様でよい。従って、変形例４は、上記第１〜第３実施形態のいずれかの効果も得ることができる。
【００５５】
（変形例５）
図１１は、変形例５による装置１の構成の一例を示す断面図である。変形例５による装置１は、パーティクルカウンタ１５０をさらに備えている。パーティクルカウンタ１５０は、磁場生成部２０に設けられた排気口１４０に設けられており、チャンバ１０内から排気される気体中に含まれるパーティクル数を測定する。真空ポンプ８０は、パーティクルカウンタ１５０を介して排気口１４０に接続されており、排気口１４０からチャンバ１０内の気体を排気している。尚、排気口１４０からの排気を容易にするために、気体をチャンバ１０内へ供給する通気口（図示せず）がチャンバ１０に設けられていてもよい。この場合、チャンバ１０へ供給される気体は、パーティクルを含まないようにフィルタリングされていることが好ましい。
【００５６】
コントローラ６０は、パーティクルカウンタ１５０で計測されたパーティクル数を監視し、単位時間当たりに検出されたパーティクル数を算出する。コントローラ６０は、例えば、図１２に示すように、単位時間当たりに検出されたパーティクル数に基づいてクリーニングの終点を決定する。
【００５７】
図１２は、パーティクルカウンタ１５０を用いてクリーニングの終点を決定する方法の一例を示すフロー図である。
【００５８】
まず、クリーニングを開始し、真空ポンプ８０がチャンバ１０内の気体を排気する（Ｓ１１）。パーティクルカウンタ１５０が、チャンバ１０から排気される気体に含まれるパーティクル数をカウントする（Ｓ２１）。
【００５９】
単位時間に検出されたパーティクル数が閾値よりも大きい場合（Ｓ３１のＮＯ）、コントローラ６０は、多くのパーティクルが依然としてチャンバ１０内にある（部品Ｐに付着している）と判断し、クリーニングを継続する（Ｓ４１）。一方、単位時間に検出されたパーティクル数が閾値以下になった場合（Ｓ３１のＹＥＳ）、コントローラ６０は、チャンバ１０内にある（部品Ｐに付着している）パーティクルが少なくなったと判断し、クリーニングを終了する（Ｓ５１）。尚、閾値は、コントローラ６０内のメモリに予め格納しておけばよい。このように、装置１は、チャンバ１０から排気される気体に含まれるパーティクル数をカウントすることによって、クリーニングの終点を決定してもよい。
【００６０】
変形例５のその他の構成は、第１〜第３実施形態のいずれかの構成と同様でよい。従って、変形例５は、上記第１〜第３実施形態のいずれかの効果も得ることができる。
【００６１】
上記変形例１〜変形例５は、上記第１〜第３実施形態のいずれにも適用することができる。また、変形例１〜変形例５のうち複数の変形例を任意に組み合わせてもよい。
【００６２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６３】
１・・・クリーニング装置、１０・・・チャンバ、２０・・・磁場生成部、３０・・・ステージ、４０・・・駆動部、４１・・・第１駆動部、４２・・・第２駆動部、４３・・・軌道、５０・・・基板ホルダ、６０・・・コントローラ、７０・・・基板、８０・・・真空ポンプ、９０・・・ヒータ、９５・・・除電部、１００・・・電力供給部、１１０・・・振動部、１２０・・・照明、１３０・・・撮像部、１４０・・・排気口、１５０・・・パーティクルカウンタ、Ｐ・・・部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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