(57)【要約】【課題】生育障害を抑制しつつ、茎部を抽苔させるキク科植物の栽培方法、及び作業負荷や環境負荷を低減させ、量や質を向上させたラテックスを効率よく採取する方法を提供する。【解決手段】日長時間が１５時間以上、葉の位置での照度が１６，０００〜２８，０００ｌｘでキク科植物を栽培することによって茎部を抽苔させる栽培工程を含むキク科植物の栽培方法に関する。また、上記キク科植物の栽培方法により得られるキク科植物からのラテックス採取方法であって、抽苔させた前記茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収する回収工程と、前記乳液を洗浄処理する洗浄工程とを含むキク科植物からのラテックス採取方法に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
日長時間が１５時間以上、葉の位置での照度が１６，０００〜２８，０００ｌｘでキク科植物を栽培することによって茎部を抽苔させる栽培工程を含むキク科植物の栽培方法。
【請求項２】
前記栽培工程の栽培温度が２１〜２５℃である請求項１記載のキク科植物の栽培方法。
【請求項３】
前記栽培工程の栽培期間が７週間〜１６週間である請求項１又は２記載のキク科植物の栽培方法。
【請求項４】
前記栽培工程の栽培湿度が４０％以上であり、
前記茎部の根側端部から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へ３５％の位置との間の茎部領域に、１枚以上の葉を残して栽培する請求項１〜３のいずれかに記載のキク科植物の栽培方法。
【請求項５】
前記栽培工程において、生長点付近の葉を傷つけずに栽培する請求項１〜４のいずれかに記載のキク科植物の栽培方法。
【請求項６】
前記キク科植物がレタスである請求項１〜５のいずれかに記載のキク科植物の栽培方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のキク科植物の栽培方法により得られるキク科植物からのラテックス採取方法であって、
抽苔させた前記茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収する回収工程と、
前記乳液を洗浄処理する洗浄工程とを含むキク科植物からのラテックス採取方法。
【請求項８】
前記洗浄工程において、ポリイソプレンを溶解しない溶媒で洗浄する請求項７記載のキク科植物からのラテックス採取方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載のキク科植物からのラテックス採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び前記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は８記載のキク科植物からのラテックス採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び前記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キク科植物の栽培方法、該栽培方法により得られるキク科植物からのラテックス採取方法、該採取方法により得られるラテックスを用いた空気入りタイヤの製造方法及びゴム製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、工業用ゴム製品に用いられている天然ゴムは、パラゴムノキを唯一の採取源としている。しかしながら、パラゴムノキは東南アジアや南米などの限られた地域でのみ生育可能な植物である。更に、パラゴムノキは、植樹からゴムの採取が可能な成木になるまでに７年程度を要し、また、天然ゴムを採取できる期間は２０〜３０年である。今後、開発途上国を中心に天然ゴムの需要の増大が見込まれているが、上述の理由によりパラゴムノキによる天然ゴムの大幅な増産は困難である。そのため、天然ゴム資源の枯渇が懸念されており、パラゴムノキの成木以外の安定的な天然ゴムの供給源が望まれており、レタスやタンポポ等のキク科植物等からのゴム採取が研究されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
キク科植物等からのゴム抽出方法は、ソックスレー抽出法等の有機溶媒による抽出方法が一般的であるが、複数の前処理（植物組織の乾燥、破砕、低分子成分や色素の除去）を必要とするため、組織を破砕することで生体由来の不純成分が多く含まれること、不純成分を取り除くための前処理に時間を要すること、破砕作業は作業負荷が多いこと（液体窒素で組織を凍らせた上で、乳鉢・乳棒ですり潰す作業の為）、一度に多検体の処理ができないこと、等の問題がある。また、上記方法は、加熱抽出や有機溶媒による抽出のため、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）による分子量測定の結果、低分子成分のピークが大きく、高分子成分（ゴム）のピークトップがはっきりしないこと、環境負荷が大きいこと、等の問題がある。
【０００４】
そこで、本発明者らが鋭意検討したところ、乳液が豊富に含まれる上位部の茎部を物理的に傷つけ、切り口からにじみ出る乳液を直接回収することにより、生体由来の不純成分の混入を軽減できる等、上記問題が解決できることを見出した。
【０００５】
しかし、通常の方法で栽培されたキク科植物の上位部の茎部から回収できる乳液は少量であり、特に、レタスでは、食用向けの栽培方法によって結球させたものからは乳液が回収しづらいという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明者らは、茎部を抽苔（気温等により花茎が伸びだすこと）させて、乳液を回収できるようにしたり、回収できる乳液の量を増やすことを考えたが、茎部を抽苔させる栽培方法は確立されておらず、生育障害と茎部の抽苔をバランスさせる照度・日長時間等の栽培条件を検討する必要があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決し、生育障害を抑制しつつ、茎部を抽苔させるキク科植物の栽培方法、及び作業負荷や環境負荷を低減させ、量や質を向上させたラテックスを効率よく採取する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討することにより、特定の日長時間及び照度でキク科植物を栽培することによって、生育障害にならずに茎部を抽苔できることを見出し、また、抽苔させた茎部を物理的に傷つけて乳液を直接回収することによって、作業負荷や環境負荷を低減し、量や質を向上させたラテックスを効率よく採取できることを見出し、本願発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明は、日長時間が１５時間以上、葉の位置での照度が１６，０００〜２８，０００ｌｘでキク科植物を栽培することによって茎部を抽苔させる栽培工程を含むキク科植物の栽培方法に関する。
【００１０】
上記栽培工程の栽培温度が２１〜２５℃であることが好ましい。
【００１１】
前記栽培工程の栽培期間が７週間〜１６週間であることが好ましい。
【００１２】
前記栽培工程の栽培湿度が４０％以上であり、
前記茎部の根側端部から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へ３５％の位置との間の茎部領域に、１枚以上の葉を残して栽培することが好ましい。
【００１３】
前記栽培工程において、生長点付近の葉を傷つけずに栽培することが好ましい。
【００１４】
前記キク科植物がレタスであることが好ましい。
【００１５】
本発明はまた、上記キク科植物の栽培方法により得られるキク科植物からのラテックス採取方法であって、抽苔させた前記茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収する回収工程と、前記乳液を洗浄処理する洗浄工程とを含むキク科植物からのラテックス採取方法に関する。
【００１６】
上記洗浄工程において、ポリイソプレンを溶解しない溶媒で洗浄することが好ましい。
【００１７】
本発明はまた、上記キク科植物からのラテックス採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び前記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法に関する。
【００１８】
本発明はまた、上記キク科植物からのラテックス採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び前記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、特定の日長時間及び照度でキク科植物を栽培することによって茎部を抽苔させるキク科植物の栽培方法であるので、生育障害を抑制しつつ、茎部を抽苔させることができる。また、上記栽培方法によって抽苔させた茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収する工程及び洗浄処理工程を有するラテックス採取方法であるので、作業負荷や環境負荷を低減し、量や質を向上させたラテックスを効率よく採取できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】抽苔したレタスの一例を示す写真である。
【図２】抽苔したレタスの生長点付近の一例を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜栽培方法＞
本発明は、日長時間が１５時間以上、葉の位置での照度が１６，０００〜２８，０００ｌｘでキク科植物を栽培することによって茎部を抽苔させる栽培工程を含むキク科植物の栽培方法である。
【００２２】
特定の日長時間及び照度でキク科植物を栽培することによって、生育障害を抑制しつつ、茎部を抽苔させることができ、後の回収工程で、抽苔させた茎部から乳液を回収できるようにすることができる。
【００２３】
キク科植物としては、特に限定されないが、ノゲシ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ｏｌｅｒａｃｅｕｓ）、オニノゲシ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ａｓｐｅｒ）、ハチジョウナ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ｂｒａｃｈｙｏｔｕｓ）、タイワンハチジョウナ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ａｒｖｅｎｓｉｓ）等のＳｏｎｃｈｕｓ属；セイタカアワダチソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ａｌｔｉｓｓｉｍａ）、アキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ａｓｉａｔｉｃａ）、ミヤマアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｌｅｉｐｃａｒｐａ）、キリガミネアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｌｅｉｐｃａｒｐａ  ｆ．  ｐａｌｕｄｏｓａ）、オオアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｇｉｇａｎｔｅａ）、オオアワダチソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｇｉｇａｎｔｅａ  Ａｉｔ．  ｖａｒ．  ｌｅｉｏｐｈｙｌｌａ  Ｆｅｒｎａｌｄ）等のＳｏｌｉｄａｇｏ属；ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ）、シロタエヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｒｇｏｐｈｙｌｌｕｓ）、ヘリアンサス・アトロルベンス（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｔｒｏｒｕｂｅｎｓ）、ヒメヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｄｅｂｉｌｉｓ）、コヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｄｅｃａｐｅｔａｌｕｓ）、ジャイアントサンフラワー（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｇｉｇａｎｔｅｕｓ）等のＨｅｌｉａｎｔｈｕｓ属；タンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）、エゾタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｖｅｎｕｓｔｕｍ  Ｈ．Ｋｏｉｄｚ）、シナノタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｈｏｎｄｏｅｎｓｅ  Ｎａｋａｉ）、カントウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｐｌａｔｙｃａｒｐｕｍ  Ｄａｈｌｓｔ）、カンサイタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｊａｐｏｎｉｃｕｍ）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ）、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）等のＴａｒａｘａｃｕｍ属；レタス（Ｌａｃｔｕｃａ  ｓａｔｉｖａ）、アキノノゲシ（Ｌａｃｔｕｃａ  ｉｎｄｉｃａ）等のＬａｃｔｕｃａ属；グアユール（Ｐａｒｈｅｎｉｕｍ  ａｒｇｅｎｔａｔｕｍ）、等が挙げられる。なかでも、グアユール（Ｐａｒｈｅｎｉｕｍ  ａｒｇｅｎｔａｔｕｍ）、レタス（Ｌａｃｔｕｃａ  ｓｅｒｒｉｏｌａ）、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）、ノゲシ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ｏｌｅｒａｃｅｕｓ）であることが好ましく、レタス（Ｌａｃｔｕｃａ  ｓｅｒｒｉｏｌａ）であることがより好ましい。
【００２４】
なお、栽培工程において、これらのキク科植物を種子から栽培する場合、種子は遺伝子組換え種子でもよいし、非遺伝子組換え種子でもよい。
【００２５】
本発明の栽培工程では、閉鎖的あるいは半閉鎖的な空間（例えば、植物培養器などの装置内や、ビニールハウス、ガラスハウス、温室、水耕栽培施設、地下室などの施設）において、光や温度等の環境が制御された条件下で栽培することが好ましく、植物培養器で栽培することがより好ましい。これにより、適切な栽培条件を容易に維持管理することができ、自然条件で育てる場合よりも、天候・季節によって収量が異なったり、個体間で大きさ等にバラツキが生じることを防ぐことができる。
【００２６】
本発明の栽培工程における栽培方法は、特に限定されず、水耕栽培、土耕栽培のいずれでも良いが、適切な栽培条件を維持管理できるという点で、水耕栽培で栽培することが好ましい。
栽培工程において、キク科植物を栽培するための支持体（栽培担体）としては、従来慣用の支持体を用いればよく、特に限定されないが、例えば、ロックウール、ウレタンスポンジ、発泡フェノール樹脂等の多孔性成形品；砂、赤玉土等の自然土壌；籾殻燻炭、ココナッツ繊維、バーミキュライト、パーライト、ピートモス、ガラスビーズ等の人工土壌等が挙げられる。
【００２７】
栽培工程における葉の位置での照度は、１６，０００ｌｘ以上であり、１７，０００ｌｘ以上が好ましく、１８，０００ｌｘ以上がより好ましい。１６，０００ｌｘ未満であると、軟弱徒長等の生育遅延が生じるおそれがある。また、葉の位置での照度は、２８，０００ｌｘ以下であり、２３，０００ｌｘ以下が好ましく、２０，０００ｌｘ以下がより好ましい。２８，０００ｌｘを超えると、光障害が生じるおそれがある。
なお、本発明において、葉の位置での照度は、ＪＩＳ  Ｃ  ７６１２に準拠して測定した。
【００２８】
上記照度を得るための光源としては、特に限定されず、自然光を利用しても、人工光を利用しても、これらを組み合わせて利用してもよい。人工光を用いる場合、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ハロゲンランプ、白熱電球、蛍光灯、アーク灯、無電極放電灯、低圧放電灯、冷陰極型蛍光管、外部電極型蛍光管、エレクトロルミネセンスライト及びＨＩＤランプ等を使用することができる。ＨＩＤランプとしては、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、及び高圧ナトリウムランプ等が挙げられる。これらの光源は１種類のみ使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００２９】
栽培工程における日長時間は、１５時間以上であり、１６時間以上が好ましい。１５時間未満であると、光合成の頻度が少なくなり、生育遅延が生じたり、十分に抽苔しないおそれがある。また、日長時間の上限は特に限定されないが、２２時間以下が好ましく、２０時間以下がより好ましい。２２時間を超えると、葉先き枯れ等の生育障害が生じるおそれがある。
【００３０】
栽培工程における栽培温度は、２１℃以上が好ましく、２２℃以上がより好ましい。２１℃未満であると、抽苔が遅くなり、十分に抽苔しないおそれがある。また、栽培温度は、２５℃以下が好ましく、２３℃以下がより好ましい。２５℃を超えると、葉先き枯れ等の生育障害が生じるおそれがある。
【００３１】
栽培工程における栽培期間は、７週間以上が好ましく、８週間以上がより好ましい。７週間未満であると、茎が十分に抽苔しないおそれがある。また、栽培期間は１６週間以下が好ましく、１３週間以下がより好ましく、１１週間以下が更に好ましい。１６週間を超えると、葉が枯れるおそれがある。
【００３２】
本発明の栽培方法において、栽培工程の栽培湿度は４０％以上が好ましく、栽培工程において、上記茎部の根側端部（根と茎の境界部分）から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へ３５％の位置との間の茎部領域に、１枚以上の葉を残して栽培することが好ましい。
なお、本発明において、上記茎部の根側端部とは、支持体に植えられた植物体において、支持体中の植物体部分（根）と支持体から伸びた植物体部分（茎等）との境界部分をいう。
【００３３】
栽培工程において、茎部をより効率的に抽苔させるために、下位部の茎部の葉が丸くならないように開くか、下位部の葉を除去することが好ましい。
しかし、後者の場合、葉を除去しすぎると、光合成能力の低下によりゴム生産量が減少すること、植物体内の膨圧の低下により組織を傷つけた際ににじみ出る勢いが減少すること、等の原因により、後の回収工程においてにじみ出る乳液の量が少なくなり、回収が困難になるおそれがある。
そこで、比較的高い栽培湿度で栽培して膨圧の低下を防ぐとともに、下位部の茎部の葉をある程度残しつつ除去することで、茎部をより効率的に抽苔させることができ、にじみ出る乳液の量をより多くすることができる。
【００３４】
栽培工程において、上記茎部の根側端部から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へ３５％の位置との間の茎部領域Ａに、１枚以上の葉を残して栽培することが好ましい。上記茎部領域Ａの葉をすべて除去してしまうと、後の採取工程においてにじみ出る乳液の量が少なくなり、回収が困難になるおそれがある。
【００３５】
また、栽培工程において、上記茎部の根側端部（根と茎の境界部分）から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へｘ％の位置との間の茎部領域Ｂ（図１の茎部領域）の葉をすべて除去することが好ましく、ｘは、３５％未満であることが好ましく、２５％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましい。また、ｘは、１％以上であることが好ましく、５％以上であることがより好ましい。
なお、上記茎部領域Ｂ以外の葉は除去しないことが特に好ましい。
上記茎部領域Ｂにおいてのみ葉が除去されていると、下位部の茎部の葉をある程度残しつつ除去することになり、結球することを防ぎ、茎部をより効率的に抽苔させることができ、にじみ出る乳液の量をより多くすることができる。
【００３６】
栽培工程における栽培湿度は、４０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましく、６０％以上が更に好ましい。また、栽培湿度は、７０％以下が好ましい。上記範囲内であると、本発明の効果がより良好に得られる。
なお、本明細書において、栽培湿度とは、栽培環境下（例えば、植物培養器を用いる場合は、植物培養器内の）の相対湿度を意味する。
【００３７】
栽培工程においては、生長点付近の葉を傷つけずに栽培することが好ましい。生長点付近の葉を傷つける（枯れる、ナイフ等で切断、等の場合）と、生育が阻害される等の理由により充分に茎を伸長させることができず、後の採取工程における乳液の採取量が低下するおそれがある。なお、本発明において、生長点付近の葉とは、生長点から１０枚目までの葉を指す。
【００３８】
その他の栽培条件としては特に限定されない。また、栽培工程において用いる肥料は、各キク科植物の生育に適した肥料であれば特に限定されず、従来公知のものを使用できる。
【００３９】
＜ラテックス採取方法＞
また、本発明は、上記栽培方法により得られるキク科植物からのラテックス採取方法であって、抽苔させた茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収する回収工程と、上記乳液を洗浄処理する洗浄工程とを含むキク科植物からのラテックス採取方法である。
【００４０】
上記採取方法では、茎部を物理的に傷つけ、にじみ出る乳液を回収しているので、有機溶媒による抽出方法に比べて、作業負荷や環境負荷を低減でき、不純成分が少ないラテックスを効率よく採取できる。また、上記栽培方法により得られる茎部が抽苔したキク科植物から乳液を回収しているので、採取できるラテックスの量や質を向上させることができる。
【００４１】
回収工程において、抽苔させた茎部を物理的に傷つける方法としては、特に限定されず、例えば、ハサミで茎部を切断したり、ナイフで茎部を切る方法等が挙げられる。
【００４２】
回収工程においては、生長点付近の茎部を物理的に傷つけてゴムを採取することが好ましい。生長点付近の茎部には乳液が豊富に含まれているため、上記茎部を物理的に傷つけることで、ラテックスの量を確保できる。なお、本発明において、生長点付近の茎部とは、生長点と、生長点から５枚目までの葉が生えている茎部との間の茎部を指す。
【００４３】
回収工程において、乳液を回収する方法としては、特に限定されず、例えば、スパチュラ等の器具で適宜回収すればよい。
【００４４】
洗浄工程において、回収した乳液を洗浄処理する方法としては、特に限定されず、冷却条件下で水、エタノール、メタノール、アセトン等のポリイソプレンを溶解しない溶媒で洗浄する方法が挙げられる。これにより、低分子成分等の不純成分をより除去できる。また、冷却条件下の溶媒で洗浄処理を行うため、ゴム成分の分解をより軽減できる。
【００４５】
（ゴム製品の製造方法）
本発明のゴム製品の製造方法は、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び上記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法である。
なお、本発明のゴム製品の製造方法及び空気入りタイヤの製造方法において、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスとしては、上記回収工程によって得られるラテックスでも良いし、上記洗浄工程によって得られるラテックスでも良い。
【００４６】
ゴム製品としては、ゴム（好ましくは天然ゴム）を使用して製造できるゴム製品であれば特に限定されず、例えば、空気入りタイヤ、ゴムクローラ、ゴム防舷材等が挙げられる。
【００４７】
ゴム製品が空気入りタイヤの場合、すなわち、本発明のゴム製品の製造方法が本発明の空気入りタイヤの製造方法の場合、上記生ゴム製品成形工程は、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程に、上記加硫工程は、上記生タイヤを加硫する加硫工程に相当する。すなわち、本発明の空気入りタイヤの製造方法は、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び上記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法である。
【００４８】
＜混練工程＞
混練工程では、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る。
【００４９】
上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムは、上記ラテックスの採取方法により採取したラテックスを以下の固化工程に供することにより得られる。
【００５０】
＜固化工程＞
上記ラテックスの採取方法により採取したラテックスは、固化工程に供される。固化する方法としては、特に限定されず、エタノール、メタノール、アセトン等のポリイソプレノイド（天然ゴム）を溶解しない溶媒にラテックスを添加する方法やラテックスに酸を添加する方法等が挙げられる。固化工程を行うことにより、ラテックスからゴム（天然ゴム）を固形分として回収できる。得られたゴム（天然ゴム）は、必要に応じて乾燥してから使用すればよい。
【００５１】
添加剤としては特に限定されず、ゴム製品の製造に用いられる添加剤を使用できる。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、例えば、上記ラテックスから得られたゴム以外のゴム成分、カーボンブラック、シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、クレー、タルクなどの補強用充填剤、シランカップリング剤、酸化亜鉛、ステアリン酸、加工助剤、各種老化防止剤、オイルなどの軟化剤、ワックス、硫黄などの加硫剤、加硫促進剤等が挙げられる。
【００５２】
混練工程における混練は、オープンロール、バンバリーミキサー、密閉式混練機などのゴム混練装置を用いて行えばよい。
【００５３】
＜生ゴム製品成形工程（タイヤの場合は生タイヤ成形工程）＞
生ゴム製品成形工程では、混練工程により得られた混練物から生ゴム製品（タイヤの場合は生タイヤ）を成形する。
生ゴム製品の成形方法としては特に限定されず、生ゴム製品の成形に用いられる方法を適宜適用すればよい。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、混練工程により得られた混練物を、各タイヤ部材の形状に合わせて押し出し加工し、タイヤ成型機上にて通常の方法にて成形し、各タイヤ部材を貼り合わせ、生タイヤ（未加硫タイヤ）を成形すればよい。
【００５４】
＜加硫工程＞
加硫工程では、生ゴム製品成形工程により得られた生ゴム製品を加硫することにより、ゴム製品が得られる。
生ゴム製品を加硫する方法としては特に限定されず、生ゴム製品の加硫に用いられる方法を適宜適用すればよい。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、生ゴム製品成形工程により得られた生タイヤ（未加硫タイヤ）を加硫機中で加熱加圧して加硫することにより空気入りタイヤが得られる。
【実施例】
【００５５】
実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【００５６】
＜表１の実験方法＞
［実施例１］
（栽培条件）
レタス品種：カイザー（タキイ種苗（株）製）
葉の位置での照度：１８，０００ｌｘ
光源：蛍光灯
日長時間：１６時間
栽培温度：２２℃（終日）
培養液：ハイポニカ液肥（５００倍希釈）（協和（株）製）
栽培方法：水耕栽培（ロックウールにて植物体保持）
栽培期間：播種後９週間
【００５７】
（栽培方法）
ロックウール（支持体）に光が当たるように２粒の種（カイザー）を蒔いた。これを３セット用意し、等間隔になるように水切りザルにセットした（ザルを３鉢分準備、計９個体）。水切りザルにハイポニカ液肥（５００倍希釈）を２００ｍｌ注ぎ、ロックウールを浸らせた。上記栽培条件の植物培養器にロックウールを静置し、この条件を維持した。発根が確認され、形態に異常が無い方を残し、もう片方を間引きした。
培養液の交換は週２回実施した。根が発達していない期間はこまめに脱イオン水を添加した。根が発達してからは水分を与え過ぎないように調整した。光が各個体に均等に当たるように植物培養器内で毎日ローテーションを実施した。
【００５８】
（ラテックス採取方法及び採取量の測定）
播種から９週目におけるカイザーの茎（抽苔した茎）の生長点から下部へ向けてナイフで傷をつけ、切り口からにじみ出る乳液を氷冷したガラス容器に回収した。切り方は上位葉３−５枚目まで徐々に切り出した。植物体あたり５分以内で作業を終了した。氷冷したエタノールを５ｍｌ加え、終夜静置した。エタノールを取り除き、蒸発乾固させ、乾燥質量を測定した（採取量）。
【００５９】
（高分子量成分測定可否）
上記で蒸発乾固させたものをＴＨＦに溶解し終夜静置した。ろ過後、ＧＰＣ（ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ（ＴＳＫｇｅｌ  ＳＭ  ＨＺ−Ｈ  排除限界４０００万、高分子用））で分析して、高分子量成分（ゴム）のピークトップを確認し、高分子量成分の重量平均分子量を測定した。
【００６０】
［比較例１］
（栽培方法）
表１の栽培条件で、食品向けに結球させる従来公知の栽培方法（土耕栽培、光源：自然光）で栽培を行った。
【００６１】
（ラテックス採取方法及び分析方法）
比較例１のレタスは結球し、茎部が抽苔しなかったため、ラテックスの採取はできず、ＧＰＣによる分析は行わなかった。
【００６２】
［比較例２及び３］
（栽培方法）
表１の栽培条件で、その他は実施例１と同様の方法で栽培を行った。
【００６３】
（ラテックス採取方法及び分析方法）
比較例２のレタスの茎部は十分抽苔しなかったため、ラテックスの採取が難しく、ＧＰＣによる分析は行わなかった。
比較例３のレタスは生育障害（軟弱徒長）が起きたため、ラテックスの採取はできず、ＧＰＣによる分析は行わなかった。
【００６４】
【表１】
2018042498.tif 000002
【００６５】
表１の結果から、特定の日長時間及び照度による栽培方法であると、生育障害を抑制しつつ、茎部を抽苔させることができ、十分量のラテックスを確保できることがわかった。
【００６６】
＜表２の実験方法＞
［実施例２〜４］
レタス品種：カイザー（タキイ種苗（株）製）
栽培方法：水耕栽培（ロックウールにて植物体保持）
栽培期間：播種後９週間
栽培温度：２２℃（終日）
葉の位置での照度：１８，０００ｌｘ
光源：蛍光灯
日長時間：１６時間
湿度：表２に記載
肥料：ハイポニカ液肥（５００倍希釈）（協和（株）製）。
【００６７】
（栽培方法）
ロックウール（支持体）に光が当たるように２粒の種（カイザー）を蒔いた。これを３セット用意し、等間隔になるように水切りザルにセットした（計３個体）。水切りザルにハイポニカ液肥（５００倍希釈）を２００ｍｌ注ぎ、ロックウールを浸らせた。上記栽培条件の植物培養器にロックウールを静置し、この条件を維持した。発根が確認され、形態に異常が無い方を残し、もう片方を間引きした。
培養液の交換は週２回実施した。根が発達していない期間はこまめに脱イオン水を添加した。根が発達してからは水分を与え過ぎないように調整した。光が各個体に均等に当たるように植物培養器内で毎日ローテーションを実施した。なお、各例において、適宜、表２に記載の葉が存在しない根側の茎部領域の葉をすべて除去し、その他の領域では葉の除去を行わなかった。
表２中、葉が存在しない根側の茎部領域が１０％とは、上記茎部の根側端部から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向へ１０％の位置との間の茎部領域の葉がすべて除去されていることを意味する。
【００６８】
（ラテックス採取方法及び採取量の測定）
栽培したレタスの茎を先端（生長点）から切断し、切り口からにじみ出る乳液をスパチュラで氷冷したガラス容器に回収した。切り方はハサミ（医療用）にて上位葉３−５枚目のところまで徐々に切り出した。植物体あたり５分以内で作業を終了した。冷却した１００％エタノールを５ｍＬ加え、一晩室温・遮光し静置した。エタノールを取り除き蒸発乾固させ、乾燥質量を測定した（採取量）。１ｍｇ以上採取できた場合を○、１ｍｇ未満しか採取できなかった場合を△、採取不可能だった場合を×とした。
【００６９】
【表２】
2018042498.tif 000003
【００７０】
表２の結果から、栽培湿度が４０％以上であり、かつ、茎部の根側端部から生長点までの長さを１００％とした場合に、該根側端部と、該根側端部から生長点方向３５％の位置との間の茎部領域に、１枚以上の葉を残して栽培すると、にじみ出る乳液の量をより多くできることがわかった。
【００７１】
＜表３の実験方法＞
（栽培方法）
［実施例５及び比較例４〜６］
表１の実施例１と同様にしてレタスを栽培した。
【００７２】
（ラテックス採取方法）
［実施例５：物理的採取方法］
栽培したレタスの茎を先端（生長点）から切断し、切り口からにじみ出る乳液を氷冷したガラス容器に回収した。切り方はハサミ（医療用）にて上位葉３−５枚目のところまで徐々に切り出した。植物体あたり５分以内で作業を終了した。冷却した１００％エタノールを５ｍＬ加え、一晩室温で静置した。エタノールを取り除き蒸発乾固させた。
【００７３】
［比較例４：抽出法］
生長点付近の茎部の組織を液体窒素で凍結し、乳鉢乳棒を用いて破砕した。凍結乾燥機で乾燥させた。乾燥サンプルを金属メッシュ筒に入れた。メタノールで３時間攪拌し（２回繰り返す）、脱色した。アセトンに置換し攪拌後、室温で一晩静置した。トルエンを用いてソックスレー抽出した（４時間）。抽出後のトルエンを遠心エバポレーターで蒸発乾固させた。
【００７４】
［比較例５：抽出法］
生長点付近の茎部の組織を液体窒素で凍結し、乳鉢乳棒を用いて破砕した。トルエンを用いてソックスレー抽出した（４時間）。抽出後のトルエンを遠心エバポレーターで蒸発乾固させた。
【００７５】
［比較例６：抽出法］
乳鉢乳棒を用いて破砕する人力的手法に代えて、ブレンダーを用いて破砕する機械的手法を使用した以外は、比較例１と同様にして実験を行った。
【００７６】
＜評価方法＞
以下の方法で、評価を行った。
【００７７】
（サンプルのハンドリング数）
一度の実験で処理できる数とした。
【００７８】
（環境負荷）
採取方法において、有機溶媒を使用する場合を「高」、使用しない場合を「低」と評価した。「低」であると環境負荷が小さいことを示す。
【００７９】
（作業負荷レベル）
作業における肘や肩等の各動作の頻度や強さを総合評価して定量化し、作業の人体への負荷度合いを算出するエルゴノミクス（人間工学）的観点から評価した。すり潰す（破砕）作業は負荷度合いが高いため、破砕作業を含む場合を「高」、含まない場合を「低」と評価した。「低」であると作業負荷が小さいことを示す。
【００８０】
（Ｓ／Ｎ比）
実施例５及び比較例４〜６をＧＰＣ（ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ（ＴＳＫｇｅｌ  ＳＭ  ＨＺ−Ｈ  排除限界４０００万、高分子用））で分析し、高分子量成分（ゴム）と低分子量成分のピークの高さから、試料に含まれているそれぞれの量の割合を、Ｓ／Ｎ比として表３に示した。Ｓ／Ｎ比が大きいほど、精度が高く、ラテックスの質が良いことを示す。
【００８１】
【表３】
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【００８２】
表３の結果から、上記栽培方法によって抽苔させた茎部を物理的に傷つけ、乳液を回収し洗浄処理するラテックス採取方法であると、作業負荷や環境負荷を低減し、質を向上させたラテックスを効率よく採取できることがわかった。
【図１】
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【図２】
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