(57)【要約】      （修正有）【課題】狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１絶縁基板１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えた第１基板ＳＵＢ１と、第１導電層Ｌ１と対向し且つ第１導電層Ｌ１から離間した第１主面及び第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板２０と、第２主面に位置する第２導電層Ｌ２と、を備え、第１主面と第２主面との間を貫通する第１貫通孔ＶＡを有する第２基板ＳＵＢ２と、第１絶縁基板１０と第２絶縁基板２０との間に位置する第１遮光層ＢＭ１と、第１貫通孔ＶＡを通って第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続する接続部材Ｃと、を備え、接続部材Ｃ及び第１遮光層ＢＭ１は、互いに離間している、表示装置。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する第１遮光層と、
前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、
前記接続部材及び前記第１遮光層は、互いに離間している、表示装置。
【請求項２】
さらに、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１遮光層から離間した第２遮光層を備え、
前記第２遮光層は、前記接続部材に接している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記接続部材と前記第１遮光層との間に間隙を有し、
さらに、前記間隙に配置された絶縁膜を備える、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記第１遮光層を覆うオーバーコート層である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、第１カラーフィルタである、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、前記第１カラーフィルタの第１ガラス基板側に積層された前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタを備える、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、前記第１貫通孔と対向する位置に第２貫通孔を有する、請求項３乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記接続部材は、前記第１貫通孔において中空部分を有し、
さらに、前記中空部分に充填され、着色された樹脂によって形成された充填部材を備える、請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記充填部材は、導電性を有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記接続部材と前記第１遮光層との間に間隙を有し、
前記充填部材は、前記第２導電層の上にも配置され、平面視で、前記間隙と重なる、請求項８又は９に記載の表示装置。
【請求項１１】
さらに、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間にスペーサを備え、
前記スペーサは、前記第１貫通孔と対向する位置に第３貫通孔を有する、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記スペーサは、柱状、又は、壁状に形成される請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記スペーサは、第２基板上に形成される、請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１導電層は、平面視で、台形状、又は、八角形状である請求項１乃至１３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
さらに、画像を表示する表示領域に配置された信号線を備え、
前記第１導電層は、前記表示領域を囲む非表示領域に配置され、前記信号線と同一材料で形成される、請求項１乃至１４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１導電層は、透明導電層で覆われている、請求項１乃至１５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
さらに、第１基板上に配置された画素電極及び共通電極を備え、
前記透明導電層は、前記画素電極、又は、前記共通電極と同一材料によって形成される、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１導電層は、前記第１貫通孔と対向する第４貫通孔を有し、
前記接続部材は、前記第１導電層の上面及び前記第４貫通孔における内面に接触している、請求項１乃至１７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１絶縁基板は、前記第４貫通孔と対向する凹部を有し、前記接続部材は、前記凹部に接触している、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
さらに、前記第１基板に配置された有機絶縁膜と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシールと、
前記有機絶縁膜と前記シールとの間に位置し、前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層と、を備え、
前記シールは、前記第１貫通孔と対向する第５貫通孔を有し、前記第３導電層は、前記第５貫通孔に繋がった第６貫通孔を有する、請求項１乃至１９の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する第１遮光層と、前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、前記接続部材及び前記第１遮光層は、互いに離間している、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、センサの一構成例を示す平面図である。
【図５】図５は、図１に示した検出電極の検出部の構成例を示す図である。
【図６】図６は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルを示す断面図である。
【図７】図７は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図８】図８は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図９】図９は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの他の例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図６に示した遮光層と貫通孔との位置関係を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図８に示した遮光層と貫通孔との位置関係を示す平面図である。
【図１５】図１５は、パッドの形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。  
また、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面を示している。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせている。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置しており、表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００１２】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
【００１３】
ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。
【００１４】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００１５】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。ここで、本実施形態においては、検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に配置された第２導電層Ｌ２であるとする。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。
【００１６】
図１では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。
【００１７】
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図５を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。
【００１８】
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。
【００１９】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続されたパッドＰ１及び配線Ｗ１を備えている。ここで、本実施形態においては、パッドＰ１及び配線Ｗ１は、第１基板ＳＵＢ１に配置された第１導電層Ｌ１であるとする。パッドＰ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に配置され、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、パッドＰ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００２０】
接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが対向する位置に形成されている。接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥを貫通している。また、接続用孔Ｖ１は、パッドＰ１を貫通していてもよい。後述するが、接続用孔Ｖ１には、導電性を有する接続部材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００２１】
なお、図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。
【００２２】
図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…、パッドＰ１、Ｐ３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…、パッドＰ２、Ｐ４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。また、配線Ｗは、パッドＰを介して検出電極Ｒｘに接続されており、検出電極Ｒｘに接続された配線Ｗが第1基板ＳＵＢ１側に形成されることで第２基板ＳＵＢ２に配線Ｗを形成するための領域が不要であり、他の部材を配置するための領域を拡大できるほか、第２基板ＳＵＢ２の形状のレイアウトの自由度を向上することができる。
【００２３】
図示したように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
【００２４】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。
【００２５】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
【００２６】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００２７】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。
【００２８】
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００２９】
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００３０】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板としての第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
【００３１】
第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａに位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００３２】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００３３】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板としての第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３４】
第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３５】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００３６】
検出電極Ｒｘは、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、上記の通り、第２導電層Ｌ２に相当し、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
【００３７】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００３８】
第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば無アルカリガラスなどの絶縁性の材料によって形成されている。走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。例えば、走査線Ｇはモリブデンやタングステンを有する金属材料によって形成され、信号線Ｓはアルミニウムやチタンを有する金属材料によって形成され、金属層Ｍはアルミニウムやモリブデンを有する金属材料によって形成される。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００３９】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
【００４０】
図４は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００４１】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００４２】
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００４３】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００４４】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００４５】
また、図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Ｔｘがそれぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００４６】
図５は、図１に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。  
図５（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図５（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であっても良い。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。  
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。
【００４７】
図６は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示し、第１配向膜及び第２配向膜等の図示を省略している。
【００４８】
図示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層ＬＣと、接続部材Ｃと、充填部材ＦＩと、を備えている。
【００４９】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１、配線Ｗ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３などを備えている。以下、パッドＰ１を第１導電層Ｌ１として説明する。
【００５０】
第１絶縁膜１１は、絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３を備えている。絶縁膜１１１、絶縁膜１１２、及び、絶縁膜１１３は、この順に、第１ガラス基板１０上に積層されている。第１絶縁膜１１は、凹部ＧＲを有している。図示した例では、凹部ＧＲは、絶縁膜１１２及び１１３を絶縁膜１１１まで貫通している。また、詳述しないが、表示領域において、絶縁膜１１１と絶縁膜１１２との間には、スイッチング素子の半導体層が配置され、絶縁膜１１２と絶縁膜１１３との間には、図２に示した走査線Ｇが配置されている。
【００５１】
図示した例では、第１導電層Ｌ１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａ側に位置し、凹部ＧＲの内部に配置されている。すなわち、第１導電層Ｌ１は、絶縁膜１１１に接している。また、配線Ｗは、絶縁膜１１３の上に配置されている。ここで、配線Ｗは、例えば、表示領域において形成された信号線と同一層に位置している。本実施形態においては、第１導電層Ｌ１は、例えば、図３に示した信号線Ｓと同一材料によって一括して形成されている。第１導電層Ｌ１は、シールＳＥと第３方向Ｚに対向する複数のスリットＳＬを有している。第２絶縁膜１２は、配線Ｗを覆い、絶縁膜１１３の上にも配置されている。図示した例では、第２絶縁膜１２は、第１導電層Ｌ１の上には配置されていない。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に配置されている。
【００５２】
なお、凹部ＧＲと重なる位置において、絶縁膜１１１が第１ガラス基板１０まで貫通していても良く、凹部ＧＲの内部に配置された第１導電層Ｌ１が、第１ガラス基板１０に接していても良い。
【００５３】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、遮光層ＢＭ１及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。以下、検出電極Ｒｘ１を第２導電層Ｌ２として説明する。
【００５４】
第２ガラス基板２０の主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し且つ第１導電層Ｌ１から離間している。第２導電層Ｌ２は、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。なお、図示しないが、第２ガラス基板２０と第２導電層Ｌ２との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。遮光層ＢＭ１は、第１ガラス基板１０と第２ガラス基板２０との間に位置し、本実施形態においては、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭ１は、第２ガラス基板２０まで貫通した開口部ＯＰを有している。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。開口部ＯＰにおいては、オーバーコート層ＯＣは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａと接している。
【００５５】
シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。なお、上述したように、第１導電層Ｌ１がシールＳＥと重なる位置にスリットＳＬを有することにより、シールＳＥを硬化するために紫外線を表示装置ＤＳＰの下方から照射した際に、紫外線をシールＳＥに到達させることが可能である。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、シールＳＥに囲まれた領域に位置している。
【００５６】
なお、図示しないが、第１基板ＳＵＢ１のシールＳＥ側に第１配向膜が配置されていても良い。また、第２基板ＳＵＢ２のシールＳＥ側に第２配向膜が配置されていても良い。
【００５７】
ここで、本実施形態における第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続構造について詳述する。第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する貫通孔（第１貫通孔）ＶＡを有している。図示した例では、貫通孔ＶＡは、第２導電層Ｌ２も貫通している。また、第２基板ＳＵＢ２において、オーバーコート層ＯＣは、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する位置に貫通孔（第２貫通孔）ＶＢを有している。
【００５８】
一方、第１基板ＳＵＢ１においては、第１導電層Ｌ１は、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する貫通孔（第４貫通孔）ＶＤを有している。絶縁膜１１１は、貫通孔ＶＤにつながる貫通孔ＶＧを有している。また、シールＳＥは、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する貫通孔（第５貫通孔）ＶＥを有している。
【００５９】
また、第１ガラス基板１０は、貫通孔ＶＤ及び貫通孔ＶＧと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。凹部ＣＣ、貫通孔ＶＧ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＢ、及び、貫通孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していても良い。第１基板ＳＵＢ１に形成された貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣは、いずれも貫通孔ＶＡの直下に位置している。貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖ１を形成している。
【００６０】
接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１を通って、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。すなわち、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続部材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２、貫通孔ＶＡにおける第２導電層Ｌ２の内面ＬＳ２、及び、貫通孔ＶＡにおける第２ガラス基板２０の内面２０Ｓ、貫通孔ＶＢにおけるオーバーコート層ＯＣの内面ＯＣＳにそれぞれ接触している。内面ＬＳ２及び２０Ｓは、貫通孔ＶＡの内面を形成している。
【００６１】
また、接続部材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１、貫通孔ＶＤにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１、貫通孔ＶＧにおける絶縁膜１１１の内面１１１Ｓ、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣにおいて中空部分ＨＰを有している。
【００６２】
なお、図示した例では、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられているが、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＥ、貫通孔ＶＤ、貫通孔ＶＧ、及び、凹部ＣＣの内部を埋めるように充填されていても良い。このような接続部材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。
【００６３】
図示した例では、貫通孔ＶＢに設けられた接続部材Ｃと、遮光層ＢＭ１とは、互いに離間している。すなわち、貫通孔ＶＢに設けられた接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間には間隙ＧＰ１が形成されている。図示した例では、間隙ＧＰ１には、オーバーコート層ＯＣが配置されている。ここで、オーバーコート層ＯＣは、間隙ＧＰ１において、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間を電気的に絶縁する絶縁膜に相当する。
なお、間隙ＧＰ１は、パッドＰ１と第３方向Ｚにおいて重畳し、パッドＰ１のスリットＳＬとは重畳しないことが望ましい。これにより、間隙ＧＰ１からの光漏れを抑制することができる。
【００６４】
第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。第1導電層Ｌ１は、例えば、アルミニウムを有する金属材料によって形成され、モリブデンやタングステンのようにアルミニウムと比べて高融点である材料を有する金属材料を用いない方が製造工程上好ましい。接続部材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。
【００６５】
充填部材ＦＩは、接続部材Ｃの中空部分ＨＰに充填されている。また、充填部材ＦＩは、第２導電層Ｌ２の上にも配置されている。充填部材ＦＩは、例えば絶縁性を有し、有機絶縁材料によって形成されている。このように、充填部材ＦＩが配置されることにより、接続部材Ｃに中空部分ＨＰが形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、接続部材Ｃを保護することができる。また、充填部材ＦＩは、導電性を有していても良く、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものであっても良い。充填部材ＦＩが導電性を有している場合には、接続部材Ｃが途切れたとしても、充填部材ＦＩが第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。本実施形態においては、充填部材ＦＩは、例えば、着色された樹脂によって形成され、導電性を有している。充填部材ＦＩは、例えば、黒色に着色された樹脂によって形成されている。
【００６６】
本実施形態によれば、貫通孔ＶＢに設けられた接続部材Ｃと、遮光層ＢＭ１との間には間隙ＧＰ１が形成され、両者は互いに離間している。また、絶縁膜としてのオーバーコート層ＯＣが間隙ＧＰ１に配置されている。このため、たとえ遮光層ＢＭ１が導電性を有していたとしても、接続部材Ｃ及び遮光層ＢＭ１が電気的に接続されるのを抑制することができる。したがって、遮光層ＢＭ１が導通することによる表示ムラなどの表示装置の不具合の発生を抑制することができる。
【００６７】
また、上述したセンサＳＳを備える表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた第２導電層Ｌ２（検出電極Ｒｘ）は、接続用孔Ｖに設けられた接続部材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１導電層Ｌ１（パッドＰ）と接続されている。このため、第２導電層Ｌ２と検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。
【００６８】
図７は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図７は、図６に示した構成と比較して、第２基板ＳＵＢ２が、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間隙ＧＰ１にカラーフィルタＣＦ１を備えている点で相違している。カラーフィルタＣＦ１は、図３を参照して説明したように、例えば、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタのいずれかである。このようなカラーフィルタＣＦ１は、間隙ＧＰ１において、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間を電気的に絶縁する絶縁膜に相当する。そのため、貫通孔ＶＢに設けられた接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１とは、間隙ＧＰ１に配置されたカラーフィルタＣＦ１によって電気的に絶縁されている。  
【００６９】
図示した例では、第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタＣＦ１の第１ガラス基板１０側に積層されたカラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ２の第１ガラス基板１０側に積層されたカラーフィルタＣＦ３を備えている。ここで、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３は、互いに異なる色のカラーフィルタである。このように、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が間隙ＧＰ１と重なる位置で積層されることにより、間隙ＧＰ１からの光漏れを抑制することができる。
【００７０】
なお、図示した例では、３つのカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が積層されているが、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間を電気的に絶縁する観点では、少なくとも１つのカラーフィルタＣＦ１が間隙ＧＰ１に配置されていれば良い。また、間隙ＧＰ１からの光漏れを抑制する観点では、複数のカラーフィルタが積層されることが好ましく、積層されるカラーフィルタとしては、より透過率の低い色のカラーフィルタを選択することが好ましい。
【００７１】
図８は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図８は、図６に示した構成と比較して、第２基板ＳＵＢ２が、遮光層ＢＭ１から離間し且つ接続部材Ｃに接触した遮光層ＢＭ２を備えている点で相違している。
【００７２】
遮光層ＢＭ２は、第１ガラス基板１０と第２ガラス基板２０との間に位置し、本実施形態においては、遮光層ＢＭ１と同一層に相当する第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭ２は、遮光層ＢＭ１から離間して配置されている。すなわち、遮光層ＢＭ１と遮光層ＢＭ２との間には、間隙ＧＰ２が形成されている。本実施形態においては、間隙ＧＰ２の第１方向Ｘに沿った幅は、約１０μｍである。遮光層ＢＭ２は、接続部材Ｃに接している。図示した例では、間隙ＧＰ２には、オーバーコート層ＯＣが配置されており、オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭ１と遮光層ＢＭ２との間を電気的に絶縁する絶縁膜に相当する。つまり、遮光層ＢＭ１及びＢＭ２が導電性を有していたとしても、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１は、間隙ＧＰ２に配置されたオーバーコート層ＯＣによって電気的に絶縁されている。
なお、間隙ＧＰ２は、パッドＰ１と第３方向Ｚにおいて重畳し、パッドＰ１のスリットＳＬとは重畳しないことが望ましい。これにより、間隙ＧＰ２からの光漏れを抑制することができる。
【００７３】
図９は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図９は、図８に示した構成と比較して、第２基板ＳＵＢ２が、遮光層ＢＭ１と遮光層ＢＭ２との間隙ＧＰ２にカラーフィルタＣＦ１を備えている点で相違している。このようなカラーフィルタＣＦ１は、間隙ＧＰ２において、遮光層ＢＭ１と遮光層ＢＭ２との間を電気的に絶縁する絶縁膜に相当する。そのため、貫通孔ＶＢに設けられた接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１とは、間隙ＧＰ２に配置されたカラーフィルタＣＦ１によって電気的に絶縁されている。
【００７４】
図示した例では、第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタＣＦ１の第１ガラス基板１０側に積層されたカラーフィルタＣＦ２を備えている。このように、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が間隙ＧＰ２と重なる位置で積層されることにより、間隙ＧＰ２からの光漏れを抑制することができる。
【００７５】
なお、図示した例では、２つのカラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が積層されているが、接続部材Ｃと遮光層ＢＭ１との間を電気的に絶縁する観点では、少なくとも１つのカラーフィルタＣＦ１が間隙ＧＰ２に配置されていれば良い。また、間隙ＧＰ２からの光漏れを抑制する観点では、複数のカラーフィルタが積層されることが好ましく、積層されるカラーフィルタとしては、より透過率の低い色のカラーフィルタを選択することが好ましい。
【００７６】
図１０は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図１０は、図６に示した構成と比較して、第１基板ＳＵＢ１が第３導電層Ｌ３を備えている点で相違している。
【００７７】
図示した例では、第２絶縁膜１２は、第１導電層Ｌ１の上にも配置されている。ここで、第２絶縁膜１２は、第１基板ＳＵＢ１に配置された有機絶縁膜に相当する。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２とシールＳＥとの間に位置している。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２を第１導電層Ｌ１まで貫通するコンタクトホールＣＨを介して、第１導電層Ｌ１と電気的に接続されている。第３導電層Ｌ３は、シールＳＥの貫通孔ＶＥに繋がった貫通孔（第６貫通孔）ＶＦを有している。このような第３導電層Ｌ３は、図３を参照して説明した金属層Ｍと同一層に位置している。本実施形態においては、第３導電層Ｌ３は、図３に示した金属層Ｍと同一材料によって一括して形成されている。
図示した例では、第３導電層Ｌ３は、接続用孔Ｖ１内に突出している。そのため、接続用孔Ｖ１内で、第３導電層Ｌ３と接続部材Ｃとの間の接触面積を増やすことができる。したがって、第３導電層Ｌ３を介して接続部材Ｃと第１導電層Ｌ１との間の導通の信頼性を向上することができる。
【００７８】
図１１は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図１１は、図１０に示した構成と比較して、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間にスペーサＳＰを備えている点で相違している。
【００７９】
スペーサＳＰは、貫通孔ＶＡと対向する位置に貫通孔（第３貫通孔）ＶＣを有している。スペーサＳＰは、例えば、有機絶縁材料を用いて形成されている。なお、スペーサＳＰは、柱状に形成されていても良いし、第２方向Ｙに沿って延出した壁状に形成されていても良い。また、スペーサＳＰは、オーバーコート層ＯＣと一体的に形成されていても良いし、オーバーコート層ＯＣとは別々に形成されていても良い。
【００８０】
また、図示した例では、スペーサＳＰは、第２基板ＳＵＢ２上に配置されているが、第１基板ＳＵＢ１上に配置されていても良い。また、図示した例では、スペーサＳＰは、第２ガラス基板２０側から第１ガラス基板１０側へ向かって先細るテーパー状に形成されているが、第１ガラス基板１０側から第２ガラス基板２０側へ向かって先細るテーパー状に形成されていても良い。
【００８１】
図１２は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの他の例を示す断面図である。図１２は、図６に示した構成と比較して、第１基板ＳＵＢ１が第１導電層Ｌ１を覆う透明導電層ＴＣを備えている点で相違している。
【００８２】
図示した例では、透明導電層ＴＣは、スリットＳＬの内部にも配置されている。透明導電層ＴＣは、例えば、図３に示した画素電極ＰＥ、又は、共通電極ＣＥと同一材料によって形成され、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。このような透明導電層ＴＣは、第１導電層Ｌ１を水分から保護する保護膜として機能する。このため、第１導電層Ｌ１の腐食を抑制することができる。
【００８３】
図１３は、図６に示した遮光層ＢＭ１と貫通孔ＶＡとの位置関係を示す平面図である。  
図１３（Ａ）は、貫通孔ＶＡが形成される前の遮光層ＢＭ１を示している。図示した例では、遮光層ＢＭ１は、八角形状の開口部ＯＰを有している。なお、開口部ＯＰの形状は図示した例に限らず、円や他の多角形など種々の形状を採用することができる。図１３（Ｂ）は、貫通孔ＶＡが形成された後の遮光層ＢＭ１を示している。貫通孔ＶＡは、平面視で、開口部ＯＰの中に配置されている。また、充填部材ＦＩは、平面視で間隙ＧＰ１と重なっている。
【００８４】
図１４は、図８に示した遮光層ＢＭ１及びＢＭ２と貫通孔ＶＡとの位置関係を示す平面図である。  
図１４（Ａ）は、貫通孔ＶＡが形成される前の遮光層ＢＭ１及びＢＭ２を示している。遮光層ＢＭ２は、八角形状に形成され、図１３（Ａ）に示した開口部ＯＰ内に配置されている。遮光層ＢＭ１と遮光層ＢＭ２との間には間隙ＧＰ２が形成されている。図１４（Ｂ）は、貫通孔ＶＡが形成された後の遮光層ＢＭ１及びＢＭ２を示している。貫通孔ＶＡは、平面視で、間隙ＧＰ２の内側に配置されている。また、充填部材ＦＩは、平面視で間隙ＧＰ２と重なっている。
【００８５】
図１５は、第１導電層Ｌ１の形状を示す平面図である。  
図１５（Ａ）に示した例では、第１導電層Ｌ１は、平面視で、八角形状に形成されている。図１５（Ｂ）に示した例では、第１導電層Ｌ１は、平面視で、台形状に形成されている。図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示したように、配線Ｗは、第１導電層Ｌ１の形状に沿って第１導電層Ｌ１の片側を通っている。
なお、第１導電層Ｌ１の形状は図示した例に限らず、円や他の多角形など種々の形状を採用することができる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
【００８７】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８８】
ＤＳＰ…表示装置、１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、
Ｌ１…第１導電層、Ｌ２…第２導電層、Ｌ３…第３導電層、Ｃ…接続部材、
ＧＰ１、ＧＰ２…間隙、ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、ＶＤ、ＶＥ、ＶＦ、ＶＧ…貫通孔、
ＯＣ…オーバーコート層、ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３…カラーフィルタ、
ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＢＭ１、ＢＭ２…遮光層、
２０Ａ、２０Ｂ…主面、ＨＰ…中空部分、ＦＩ…充填部材、ＳＰ…スペーサ、
ＤＡ…表示領域、Ｓ…信号線、ＮＤＡ…非表示領域、ＴＣ…透明導電層、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＬＴ１…上面、ＬＳ１…内面、ＣＣ…凹部、１２…第２絶縁膜、
ＳＥ…シール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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