(57)【要約】【課題】小型化および／または低背化すること。【解決手段】実装基板１０と、第１接合領域１６と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域１５と、を有し、前記実装基板の上面に設けられた第１配線層１４と、前記実装基板上に実装された素子基板２０と、前記素子基板の下面に設けられた弾性波素子２２と、前記第１配線層の前記第１接合領域と直接接合する第２接合領域２６と、前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域２５と、を有し、前記素子基板の下面に設けられた第２配線層２４と、を具備する弾性波デバイス。【選択図】図１
2018042072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有し、前記実装基板の上面に設けられた第１配線層と、
前記実装基板上に実装された素子基板と、
前記素子基板の下面に設けられた弾性波素子と、
前記第１配線層の前記第１接合領域と直接接合する第２接合領域と、前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有し、前記素子基板の下面に設けられた第２配線層と、
を具備する弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第１配線層と前記第２配線層は前記第１接合領域と前記第２接合領域とが接触する領域において延伸方向が交差する請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板と前記実装基板との線熱膨張係数の差が最も大きい方向を長辺とする略長方形状である請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記素子基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、
前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板の結晶方位のＸ軸方向を長辺とする略長方形状である請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記弾性波素子は、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを供え、
前記第２接合領域は、平面視において前記バスバーに重なる請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１接合領域は複数設けられ、前記第１接続領域は前記複数の第１接合領域を接続し、
前記弾性波素子は複数設けられ、前記第２接続領域は前記複数の弾性波素子を接続する請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１接合領域と前記第２接合領域とは複数の箇所で接合し、
前記複数の箇所における前記第１接合領域と前記第２接合領域との接合面積は、略同じである請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
複数の前記弾性波素子を接続し、平面視において前記第１配線層と重なる領域で前記第１配線層とは接触せず、前記素子基板の下面に設けられた第３配線層を具備する請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第１接合領域と前記第２接合領域との界面に接する前記第１配線層の部分および前記第２配線層の部分は銅または金を主成分とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有する第１配線層を上面に備えた実装基板に、
弾性波素子と、
第２接合領域と前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有する第１配線層と、
を下面に有する素子基板を、
前記第１接合領域と前記第２接合領域とが直接接合するように、実装する工程を
含む弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば実装基板上に素子基板が実装された弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスのパッケージング方法として、実装基板上に素子基板をバンプを用いフェースダウン実装する方法が知られている（例えば特許文献１および２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−７９６３８号公報
【特許文献２】特開２０１０−７４４１８号公報
【特許文献３】特開２００５−２６６３０号公報
【特許文献４】特開２００６−３１９２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波デバイスの小型化および／または低背化のため、バンプを小さくすると、バンプの接合性が犠牲となる。このため、弾性波デバイスの小型化および／または低背化が難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化および／または低背化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、実装基板と、第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有し、前記実装基板の上面に設けられた第１配線層と、前記実装基板上に実装された素子基板と、前記素子基板の下面に設けられた弾性波素子と、前記第１配線層の前記第１接合領域と直接接合する第２接合領域と、前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有し、前記素子基板の下面に設けられた第２配線層と、を具備する弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第１配線層と前記第２配線層は前記第１接合領域と前記第２接合領域とが接触する領域において延伸方向が交差する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板と前記実装基板との線熱膨張係数の差が最も大きい方向を長辺とする略長方形状である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記素子基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板の結晶方位のＸ軸方向を長辺とする略長方形状である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記弾性波素子は、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを備え、前記第２接合領域は、平面視において前記バスバーに重なる構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１接合領域は複数設けられ、前記第１接続領域は前記複数の第１接合領域を接続し、前記弾性波素子は複数設けられ、前記第２接続領域は前記複数の弾性波素子を接続する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１接合領域と前記第２接合領域とは複数の箇所で接合し、前記複数の箇所における前記第１接合領域と前記第２接合領域との接合面積は、略同じである構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、複数の前記弾性波素子を接続し、平面視において前記第１配線層と重なる領域で前記第１配線層とは接触せず、前記素子基板の下面に設けられた第３配線層を具備する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第３配線層は前記第２配線層より薄い構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有する第１配線層を上面に備えた実装基板に、弾性波素子と、第２接合領域と前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有する第１配線層と、を下面に有する素子基板を、前記第１接合領域と前記第２接合領域とが直接接合するように、実装する工程を含む弾性波デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、小型化および／または低背化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図２】図２は、実施例１における実装基板の上面を示す平面図である。
【図３】図３は、実施例１における素子基板の下面を示す平面図である。
【図４】図４は、実施例１における実装基板の上面と素子基板の下面を重ねた平面図である。
【図５】図５は、実施例１における金属層の斜視図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１における弾性波素子の例を示す図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施例２における実装基板の上面を示す平面図である。
【図１２】図１２は、実施例２における素子基板の下面を示す平面図である。
【図１３】図１３は、実施例２における実装基板の上面と素子基板の下面を重ねた平面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、シミュレーションを行なった実装基板の平面図、図１４（ｂ）は実装基板の断面図、図１４（ｃ）は、素子基板の平面図、図１４（ｄ）は、素子基板の断面図である。
【図１５】図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、シミュレーションに用いた各寸法を示す図である。
【図１６】図１６（ａ）は、サンプルＡからＣの配線層の平面形状を示す図、図１６（ｂ）はサンプルＡからＣの応力を示す図である。
【図１７】図１７（ａ）は、サンプルＤからＦの配線層の平面形状を示す図、図１７（ｂ）はサンプルＤからＦの応力を示す図である。
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図１に示すように、実装基板１０上に素子基板２０がフェースダウン実装されている。実装基板１０上に素子基板２０を囲むように封止部材３０が設けられている。実装基板１０の上面に設けられた配線層１４と素子基板２０の下面に設けられた配線層２４とが直接接合されている。
【００２０】
実装基板１０は、複数の絶縁層１０ａおよび１０ｂを有している。実装基板１０は、多層基板でなく単層の基板でもよい。実装基板１０の下面に端子１１が設けられている。端子１１は、弾性波素子２２と外部の回路とを接続する端子であり、例えばフットパッドである。絶縁層１０ａおよび１０ｂを貫通するようにビア配線１２が設けられている。絶縁層１０ａと１０ｂとの間に内部配線１３が設けられている。実装基板１０の上面に配線層１４および環状電極１８が設けられている。環状電極１８は基板１０の周縁に設けられている。ビア配線１２および内部配線１３は、端子１１と配線層１４とを電気的に接続する。絶縁層１０ａおよび１０ｂは、例えば樹脂層またはセラミック層である。端子１１、ビア配線１２、内部配線１３、配線層１４および環状電極１８は、例えば銅層、金層、アルミニウム層等の金属層である。
【００２１】
素子基板２０の下面には弾性波素子２２、配線層２４が設けられている。配線層１４と２４とは接合している。配線層２４は、例えば銅層、金層、アルミニウム層等の金属層である。配線層１４と２４とを接合させるため、配線層１４の上面および配線層２４の下面は同じ材料層であることが好ましい。配線層２４のうち配線層１４と接合している領域は接合領域２６である。弾性波素子２２と接合領域２６とを接続する領域は接続領域２５である。
【００２２】
実装基板１０上に素子基板２０を囲むように封止部材３０が設けられている。封止部材３０は、例えば半田等の金属材料または樹脂等の絶縁材料である。封止部材３０は、環状電極１８に接合されている。素子基板２０の上面および封止部材３０の上面に平板状のリッド３２が設けられている。リッド３２は例えば金属板または絶縁板である。リッド３２および封止部材３０を覆うように保護膜３４が設けられている。保護膜３４は金属膜または絶縁膜である。弾性波素子２２は空隙２８を介し基板１０の上面に対向している。空隙２８は、封止部材３０、実装基板１０、素子基板２０およびリッド３２により封止される。
【００２３】
図２は、実施例１における実装基板の上面を示す平面図である。図２に示すように、実装基板１０の上面に配線層１４が設けられている。配線層１４は、接合領域１６と接合領域１６に接続された接続領域１５を有する。接続領域１５は、複数の接合領域１６を接続する。実装基板１０の周縁部に配線層１４を囲うように環状電極１８が設けられている。接合領域１６と接続領域１５とは例えば同時に形成されており、接合領域１６と接続領域１５における配線層１４の膜厚は製造誤差程度に略同一である。接合領域１６は、第１端子Ｔ１１、第２端子Ｔ２１およびグランド端子Ｔｇ１を含む。
【００２４】
図３は、実施例１における素子基板の下面を示す平面図である。図２との対応をわかり易くするため、素子基板２０の上から透視した平面図である。素子基板２０の下面に弾性波素子２２、配線層２４および配線層２７が設けられている。弾性波素子２２は例えば弾性表面は素子であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）６０と反射器６２とを有する。配線層２４は、接合領域２６と接続領域２５を有する。接合領域２６は配線層１４の接合領域１６と直接接合する領域である。接続領域２５は、接合領域２６と弾性波素子２２とを、および／または複数の弾性波素子２２同士を接続する。接合領域２６と接続領域２５とは例えば同時に形成されており、接合領域２６と接続領域２５における配線層２４の膜厚は製造誤差程度に略同一である。配線層２７は、接合領域２６と弾性波素子２２とを、または弾性波素子２２同士を接続する。図２では、配線層２７は反射器６２とグランド端子Ｔｇ１とを接続している。接合領域２６は、第１端子Ｔ１２、第２端子Ｔ２２およびグランド端子Ｔｇ２を含む。
【００２５】
第１端子Ｔ１１と第２端子Ｔ２１との間に複数の直列共振器Ｓ１からＳ５が接続領域２５を介し直列に接続されている。直列共振器Ｓ１、Ｓ２およびＳ５は、それぞれ直列に共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂ、Ｓ２ａおよびＳ２ｂ、並びにＳ５ａおよびＳ５ｂに分割されている。第１端子Ｔ１１と第２端子Ｔ２１との間に複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が接続領域２５を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端は接続領域２５を介しグランド端子Ｔｇ１に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ５および並列共振器Ｐ１からＰ３はラダー型フィルタを構成する。
【００２６】
図４は、実施例１における実装基板の上面と素子基板の下面を重ねた平面図である。図４において、配線層１４を破線で示し、配線層２４を実線で示す。図５は、実施例１における金属層の斜視図である。図５では、配線層１４および２４が交差する領域近傍を図示している。図４および図５に示すように、接合領域１６と２６とは接合しており、同じ平面形状となる。配線層１４および２４のうち接合領域１６および２６以外の領域は接続領域１５および２５である。
【００２７】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１における弾性波素子の例を示す図である。図６（ａ）は、弾性表面波共振器の平面図であり、図６（ｂ）は、圧電薄膜共振器の断面図である。図６（ａ）に示すように、素子基板２０上に弾性波素子２２として弾性表面波共振器が設けられている。弾性波素子２２は、ＩＤＴ６０と反射器６２を備えている。ＩＤＴ６０は、互いに対向する１対の櫛型電極６０ａを有する。櫛型電極６０ａは、複数の電極指６０ｂと複数の電極指６０ｂを接続するバスバー６０ｃとを有する。反射器６２は、ＩＤＴ６０の両側に設けられている。ＩＤＴ６０が素子基板２０に弾性表面波を励振する。素子基板２０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。圧電基板は、サファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板またはシリコン基板等の支持基板上に接合されていてもよい。ＩＤＴ６０および反射器６２は銅層または金層等の金属層により形成される。ＩＤＴ６０および反射器６２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００２８】
図６（ｂ）に示すように、素子基板２０上に弾性波素子２２として圧電薄膜共振器が形成されている。素子基板２０上に圧電膜６６が設けられている。圧電膜６６を挟むように下部電極６４および上部電極６８が設けられている。下部電極６４と素子基板２０との間に空隙６５が形成されている。空隙６５の代わりに圧電膜内の弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。下部電極６４および上部電極６８は圧電膜６６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極６４および上部電極６８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜６６は例えば窒化アルミニウム膜である。図６（ａ）および図６（ｂ）のように、弾性波素子２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を規制しないように、弾性波素子２２は空隙２８に覆われている。
【００２９】
図７（ａ）から図９（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、素子基板２０上に金属膜４０を形成する。金属膜４０により、弾性波素子２２および下地層４１が形成される。金属膜４０は、例えば銅膜またはアルミニウム膜である。図７（ｂ）に示すように、素子基板２０上に開口５１を有するマスク層５０を形成する。マスク層５０は例えばフォトレジストである。開口５１は、配線層２４を形成する領域に設ける。開口５１内およびマスク層５０上にシード層４２を形成する。シード層４２は、例えば金層等の金属層である。シード層４２と下地層４１との間に密着層を設けてもよい。図７（ｃ）に示すように、シード層４２上に開口５３を有するマスク層５２を形成する。マスク層５２は例えばフォトレジストである。開口５３は、開口５１に重なる。
【００３０】
図８（ａ）に示すように、シード層４２に電流を供給することにより、開口５１および５３内にめっき層４４を形成する。めっき層４４は、例えば膜厚が１０μｍの金層である。図８（ｂ）に示すように、マスク層５２を剥離する。めっき層４４をマスクにシード層４２を除去する。図８（ｃ）に示すように、マスク層５０を剥離する。これにより、シード層４１、めっき層４４により配線層２４が形成される。配線層２４としては、銅層またはニッケル層を用いることができる。また、配線層２４は、異なる材料からなる複数の金属層を有する複合層でもよい。配線層２４の膜厚は例えば１μｍから１０μｍである。その後、素子基板２０を個片化する。
【００３１】
図９（ａ）に示すように、個片化した素子基板２０を、弾性波素子２２および配線層２４が下面となるように実装基板１０上に配置する。配線層２４は、膜厚が１０μｍの金層である。図９（ｂ）に示すように、素子基板２０および２０を例えば３００℃に加熱する。配線層１４と２４とが接合するように、素子基板２０を実装基板１０に押圧する。押圧荷重は例えば接合領域１６および２６の単位面積あたり０．０３ｇｆ／μｍ２である。これにより、素子基板２０が実装基板１０上に実装される。
【００３２】
その後、図１に示すように、素子基板２０上にＡｇＳｕ等の半田または樹脂からなる封止用板を配置する。封止用板上にリッド３２を配置する。封止用板の融点以上の温度でリッド３２を素子基板２０に押圧する。封止用板が溶融した封止部材３０が素子基板２０を囲むように設けられる。封止部材３０と環状電極１８との濡れ性がよいため、封止部材３０は環状電極１８と接合する。リッド３２、封止部材３０および実装基板１０を切断する。封止部材３０およびリッド３２を覆うように保護膜３４を、例えばバレル電解めっき法を用い形成する。
【００３３】
比較例との比較により実施例１の効果について説明する。図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、配線層１４および２４は、実施例１より薄い。配線層２４の接合領域２６にバンプ３６が設けられている。バンプ３６は例えば金バンブである。図１０（ｂ）に示すように、配線層１４にバンプ３６を接合させる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３４】
比較例１において、弾性波デバイスの小型化のため、バンプ３６を小さくすると、バンプ３６と配線層１４との接合性が悪化する。このため、バンプ３６を小さくすることができない。また、配線層２４下にバンプ３６を形成するときの製造マージンを考慮すると、素子基板２０のチップサイズが大きくなってしまう。
【００３５】
実施例１によれば、実装基板１０の上面に、略同じ厚さの接合領域１６（第１接合領域）と接続領域１５（第１接続領域）とを有する配線層１４（第１配線層）が設けられている。素子基板２０の下面に、略同じ厚さの接合領域２６（第２接合領域）と接続領域２５（第２接続領域）とを有する配線層２４（第２配線層）が設けられている。図９（ｂ）のように、接合領域２６と１６とを直接接合する。これにより、図１のように、接合領域２６と１６とは直接接触する。これにより、配線層２４とバンプ３６のマージンが不要となり、弾性波デバイスを小型化できる。
【００３６】
配線層１４と２４を直接接合するため、配線層１４および２４の接合面に接する部分は銅または金を主成分とすることが好ましい。
【００３７】
図２のように、接合領域２６と１６とが接触する複数の箇所において、接合領域２６と１６との接触面積は、略同じであることが好ましい。例えば個々の接触面積は複数の接触箇所の接触面積の平均の±２０％の範囲内であることが好ましい。これにより、接合領域２６および１６における接合強度をほぼ同じすることができる。
【００３８】
図２から図４のように、配線層２７（第３配線層）は、弾性波素子２２間を接続し、平面視において配線層１４と重なる領域で配線層１４とは接触しない。これにより、配線層２７は実装基板１０に接触することなく、弾性波素子２２間を電気的に接続できる。
【実施例２】
【００３９】
図１１は、実施例２における実装基板の上面を示す平面図、図１２は、実施例２における素子基板の下面を示す平面図、図１３は、実施例２における実装基板の上面と素子基板の下面を重ねた平面図である。素子基板２０における弾性波の伝搬方向をＸ方向とし、平面内においてＸ方向に直交する方向をＹ方向とする。なお、Ｘ方向およびＹ方向は素子基板２０の結晶方位とは必ずしも一致しない。素子基板２０がＹカットＸ伝搬基板の場合には、Ｘ方向は結晶方位のＸ軸方向である。図１１から図１３に示すように、接合領域２６および１６の平面形状はＸ方向を長辺とする長方形である。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。
【００４０】
実施例２によれば、Ｘ方向に延伸する配線層２４はＹ方向に延伸する配線層１４に接合領域２６と１６との接触する領域において交差する。これにより、接合領域２６と１６との接触面積を小さくできる。配線層２４と１４の延伸方向は交差していればよい。
【００４１】
図１２に示すように、接合領域２６は、平面視において弾性波素子２２のバスバーに重なる。これにより、素子基板２０の面積を小さくできる。
【実施例３】
【００４２】
接合領域２６および１６の形状を変え、配線層２４および１４に加わる応力をシミュレーションした。図１４（ａ）は、シミュレーションを行なった実装基板の平面図、図１４（ｂ）は実装基板の断面図、図１４（ｃ）は、素子基板の平面図、図１４（ｄ）は、素子基板の断面図である。Ｘ方向は素子基板２０の結晶方位でＸ軸方向である。図１４（ａ）から図１４（ｄ）に示すように、実装基板１０のＸ方向およびＹ方向の長さをそれぞれＰｘ１およびＰｙ１とした。配線層１４のＸ方向およびＹ方向の幅をそれぞれＰｘ２およびＰｙ２とした。配線層１４の素子基板２０の端からのＸ方向およびＹ方向の距離をそれぞれＰｘ３およびＰｙ３とした。実装基板１０の端から素子基板２０の端までのＸ方向およびＹ方向の距離をそれぞれＰｘ４およびＰｙ４とした。実装基板１０および配線層１４の厚さをそれぞれＰｚ１およびＰｚ２とした。
【００４３】
素子基板２０のＸ方向およびＹ方向の長さをそれぞれＣｘ１およびＣｙ１とした。配線層２４のＸ方向およびＹ方向の幅をそれぞれＣｘ２およびＣｙ２とした。配線層２４の素子基板２０の端からのＸ方向およびＹ方向の距離をそれぞれＣｘ３およびＣｙ３とした。素子基板２０および配線層２４の厚さをそれぞれＣｚ１およびＣｚ２とした。
【００４４】
図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、シミュレーションに用いた各寸法を示す図である。図１５（ａ）に示すように、Ｐｘ１、Ｐｙ１、Ｐｚ１、Ｐｘ４、Ｐｙ４、Ｐｚ２、Ｃｘ１、Ｃｙ１、Ｃｚ１およびＣｚ２は、各サンプルで同じとした。図１５（ｂ）に示すように、配線層１４および２４の形状を変えてシミュレーションを行なった。
【００４５】
その他のシミュレーション条件は以下である。
素子基板２０：４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
線熱膨張係数：Ｘ方向  １６．１ｐｐｍ／℃、Ｙ方向  ９．５ｐｐｍ／℃
実装基板１０：アルミナ基板  ７．１ｐｐｍ／℃
配線層１４、２４：金層
室温から１５０℃に昇温した際の、接合部におけるＺ方向の応力の大きさをシミュレーションした。
【００４６】
図１６（ａ）は、サンプルＡからＣの配線層の平面形状を示す図、図１６（ｂ）はサンプルＡからＣの応力を示す図である。図１６（ａ）に示すように、サンプルＡからＣでは、配線層１４はＹ方向が長辺であり、配線層２４はＸ方向が長辺である。配線層１４および２４の接合領域の形状は、サンプルＡでは４０×４０μｍの正方形、サンプルＢでは５０×３２μｍのＸ方向が長辺の長方形、サンプルＣでは３２×５０μｍのＹ方向が長辺の長方形である。
【００４７】
図１６（ｂ）において、「接合領域」は、配線層１４と２４との接合面におけるＺ方向の応力の大きさの最大値を示す。「素子基板２０」は、素子基板２０と配線層２４との界面におけるＺ方向の応力の大きさの最大値を示す。「実装基板１０」は、実装基板１０と配線層１４との界面におけるＺ方向の応力の大きさの最大値を示す。応力の大きさはサンプルＡの接合領域の応力の大きさを１として規格化している。図１６（ｂ）に示すように、素子基板２０および実装基板１０の応力の大きさは接合領域に比べ約半分である。接合領域における応力の大きさはサンプルＢが最も小さい。
【００４８】
図１７（ａ）は、サンプルＤからＦの配線層の平面形状を示す図、図１７（ｂ）はサンプルＤからＦの応力を示す図である。図１７（ａ）に示すように、サンプルＤからＦでは、配線層１４はＸ方向が長辺であり、配線層２４はＹ方向が長辺である。配線層１４および２４の接合領域の形状は、サンプルＤでは４０×４０μｍの正方形、サンプルＥでは５０×３２μｍのＸ方向が長辺の長方形、サンプルＦでは３２×５０μｍのＹ方向が長辺の長方形である。
【００４９】
図１７（ｂ）において、応力の大きさはサンプルＡの接合領域の応力の大きさを１として規格化している。図１７（ｂ）に示すように、素子基板２０および実装基板１０の応力の大きさは接合領域に比べ約半分である。接合領域における応力の大きさはサンプルＥが最も小さい。
【００５０】
図１６（ａ）から図１７（ｂ）のように、配線層１４および配線層２４の形状によらず、接合領域の形状がＸ方向が長辺の長方形の場合、応力が最も小さくなる。これは、素子基板２０と実装基板１０との線熱膨張係数の差がＸ方向が最も大きいためと考えられる。
【００５１】
このように、接合領域１６および２６の形状は、素子基板２０と実装基板１０との線熱膨張係数の差が最も大きい方向を長辺とする略長方形状であることが好ましい。これにより、接合領域に加わる応力を小さくできる。
【００５２】
素子基板２０が回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板のとき、接合領域１６および２６の形状は、素子基板２０の結晶方位のＸ軸方向を長辺とする略長方形状であることが好ましい。これにより接合領域に加わる応力を小さくできる。
【００５３】
実施例１から３においては、実装基板１０上設けられ素子基板２０を囲む封止部材を有する弾性波デバイスを例に説明したが、封止部材３０は設けられてなくてもよく、実装基板１０と素子基板２０が配線層１４および２４を介し接合されていればよい。
【００５４】
実装基板１０には複数の素子基板２０が搭載されていてもよい。例えば、デュプレクサの送信フィルタが設けられた素子基板２０と受信フィルタが設けられた素子基板２０が実装基板１０上に搭載されていてもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  実装基板
１４、２４  配線層
１５、２５  接続領域
１６、２６  接合領域
２０  素子基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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