(57)【要約】【課題】電圧検出処理に要する時間を短縮することのできる電源監視装置を提供する。【解決手段】電源監視装置は、キャパシタと、非絶縁型のスイッチング素子と、絶縁型のスイッチング素子とを備える。キャパシタは、電源によって充電され、少なくとも電源の電圧監視に用いられる。非絶縁型のスイッチング素子は、充電されたキャパシタを放電する放電経路に設けられる。絶縁型のスイッチング素子は、非絶縁型のスイッチング素子のゲート端子に接続される。【選択図】図６Ａ
2018017683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源によって充電され、少なくとも前記電源の電圧監視に用いられるキャパシタと、
充電された前記キャパシタを放電する放電経路に設けられる非絶縁型のスイッチング素子と、
前記非絶縁型のスイッチング素子のゲート端子に接続される絶縁型のスイッチング素子と
を備えることを特徴とする電源監視装置。
【請求項２】
前記非絶縁型のスイッチング素子は、
充電された前記キャパシタの電圧が前記絶縁型のスイッチング素子を介して入力されて駆動することで、前記放電経路を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の電源監視装置。
【請求項３】
前記非絶縁型のスイッチング素子は２個あり、
２個の前記非絶縁型のスイッチング素子は、
双方向に導通可能となるように直列に接続されること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の電源監視装置。
【請求項４】
前記絶縁型のスイッチング素子はさらに、
直列に接続された２個の前記非絶縁型のスイッチング素子の間に接続されること
を特徴とする請求項３に記載の電源監視装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源監視装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばハイブリッド自動車や電気自動車などの車両においては、動力源たるモータに対して電力を供給する電源を備えている。また、かかる電源の状態を監視する装置が種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記した電源監視装置にあっては、フライングキャパシタ方式を用いて電源の状態の一つである電源電圧を検出している。具体的には、電源監視装置においては、電源からキャパシタへ通電して充電し、充電されたキャパシタの電圧に基づいて電源電圧を検出している。
【０００４】
また、電源監視装置においては、電源電圧の検出が終わった後、次回の電圧検出等の処理に備え、キャパシタをスイッチング素子を介して放電経路に接続し、充電されたキャパシタの放電を行って、一連の電圧検出処理が完了する。なお、上記した電源監視装置では、電源の車体に対する絶縁性を確保するため、放電経路のスイッチング素子として、フォトＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor  field-effect  transistor）などの絶縁型のスイッチング素子が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１７５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、絶縁型のスイッチング素子は、流し得る電流（定格電流）が比較的低いことから、上記した電源監視装置では、例えばスイッチング素子に流れる電流を低減させるための放電抵抗を放電経路に設けるようにしていた。そのため、従来技術においては、キャパシタの放電に時間を要することとなり、電圧検出処理の時間の短縮という点で改善の余地があった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電圧検出処理に要する時間を短縮することのできる電源監視装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電源監視装置において、キャパシタと、非絶縁型のスイッチング素子と、絶縁型のスイッチング素子とを備える。キャパシタは、電源によって充電され、少なくとも前記電源の電圧監視に用いられる。非絶縁型のスイッチング素子は、充電された前記キャパシタを放電する放電経路に設けられる。絶縁型のスイッチング素子は、前記非絶縁型のスイッチング素子のゲート端子に接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電源監視装置において、電圧検出処理に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る電源監視装置を含む充放電システムの構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、電源監視装置の構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、電圧検出回路部の構成例を示す図である。
【図４】図４は、第１スタックの電圧でキャパシタの充電を行う充電経路を示す図である。
【図５】図５は、充電されたキャパシタの電圧を検出するための放電経路を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、キャパシタの放電のみが行われる放電経路を示す図（その１）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、キャパシタの放電のみが行われる放電経路を示す図（その２）である。
【図７】図７は、第２スタックの電圧でキャパシタの充電を行う充電経路を示す図である。
【図８】図８は、組電池の正極側の絶縁抵抗Ｒｐの劣化を検出する際の充電経路を示す図である。
【図９】図９は、組電池の負極側の絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出する際の充電経路を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、負電圧が充電されたキャパシタの放電のみが行われる放電経路を示す図（その１）である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、負電圧が充電されたキャパシタの放電のみが行われる放電経路を示す図（その２）である。
【図１１】図１１は、電源監視システムが実行する処理の処理手順の一部を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、電源監視システムが実行する処理の一部を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する電源監視装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
＜１．充放電システムの構成＞
図１は、実施形態に係る電源監視装置を含む充放電システムの構成例を示すブロック図である。充放電システム１は、例えば、図示しないハイブリッド自動車（ＨＥＶ：Hybrid  Electric  Vehicle）、電気自動車（ＥＶ：Electric  Vehicle）、および、燃料電池自動車（ＦＣＶ：Fuel  Cell  Vehicle）等の車両に搭載される。充放電システム１は、車両の動力源たるモータに対して電力を供給する電源の充放電等を行うシステムである。
【００１３】
詳しくは、充放電システム１は、組電池１０と、電源監視システム２０と、車両制御装置３０と、モータ４０と、電圧変換器５０と、フェールセーフ用リレー６０とを備える。また、電源監視システム２０は、モニタＩＣ（Integrated  Circuit）２１等を有する複数のサテライト基板２２と、電源監視装置２３とを備える。
【００１４】
組電池１０は、図示しない車体と絶縁された電源（バッテリ）であり、複数のブロック１１により構成される。１つのブロック１１は、直列に接続された複数、例えば２個の電池スタック１２を備える。また、１つの電池スタック１２は、例えば直列に接続された複数の電池セル１３を備える。
【００１５】
なお、ブロック１１、電池スタック１２および電池セル１３の個数は、上記あるいは図示のものに限定されない。また、上記した組電池１０としては、例えばリチウムイオン二次電池やニッケル水素二次電池などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００１６】
複数の電池セル１３はそれぞれ、サテライト基板２２に設けられたモニタＩＣ２１に電気的に接続される。そして、各電池セル１３の電圧は、モニタＩＣ２１によって検出される。なお、モニタＩＣ２１は、第１モニタＩＣ２１ａおよび第２モニタＩＣ２１ｂの複数あり、第１、第２モニタＩＣ２１ａ，２１ｂがそれぞれ、１つの電池スタック１２分の電池セル１３の電圧を検出する。
【００１７】
電源監視装置２３は、複数の電池セル１３のそれぞれの個別電圧を監視するとともに、各電池スタック１２の電圧を監視する機能を有する。すなわち、電源監視装置２３は、組電池１０の充電状態を監視する。
【００１８】
具体的には、電源監視装置２３は、モニタＩＣ２１に対して電圧検出要求を送信して複数の電池セル１３のそれぞれの個別電圧を検出させ、通信ラインＬ１を介して検出結果を受信することで、電池セル１３の電圧を監視する。また、電源監視装置２３は、通信ラインＬ２を介して後述するキャパシタに電池スタック１２の電圧（以下、「スタック電圧」と記載する場合がある）を充電することによりスタック電圧を直接測定して、組電池１０の充電状態を監視する。
【００１９】
なお、電源監視装置２３は、モニタＩＣ２１が正常に動作しているか否かを判定する機能も有していることが好ましい。具体的には、例えば、電源監視装置２３は、モニタＩＣ２１から受信した各電池セル１３の個別電圧を加算して得たスタック電圧と、直接検出したスタック電圧とを比較し、両者の差が許容値より大きい場合にモニタＩＣ２１が異常であると判定する。そして、電源監視装置２３は、モニタＩＣ２１が異常であると判定された場合、例えばフェールセーフ用リレー６０を切り離して、電池セル１３に対する充放電が行われないようにしてもよい。
【００２０】
また、電源監視装置２３は、電源監視システム２０が有する絶縁抵抗（後述）の劣化を検出するが、これについては後に説明する。なお、ここで絶縁抵抗の劣化とは、例えば絶縁抵抗の抵抗値が低下して組電池１０の漏電が生じていることを意味する。
【００２１】
車両制御装置３０は、組電池１０の充電状態に応じて組電池１０に対する充放電を行って車両制御する。具体的には、車両制御装置３０は、電圧変換器５０を用いて組電池１０に充電された電圧を直流から交流の電圧に変換し、変換した電圧をモータ４０へ供給してモータ４０を駆動させる。これにより、組電池１０は放電されることとなる。
【００２２】
また、車両制御装置３０は、モータ４０の回生制動によって発電した電圧を電圧変換器５０で交流から直流の電圧に変換し、組電池１０へ供給する。これにより、組電池１０は充電されることとなる。このように、車両制御装置３０は、電源監視装置２３から取得した組電池１０の充電状態に基づいて組電池１０の電圧を監視し、監視結果に応じた制御を実行する。
【００２３】
＜２．電源監視装置の構成＞
次に、電源監視装置２３の構成について説明する。図２は、電源監視装置２３の構成例を示すブロック図である。なお、図２では、サテライト基板２２や通信ラインＬ１などを省略している。また、図２では、理解の便宜のため、複数のブロック１１のうちの１つを示すとともに、以下では、ブロック１１における２個の電池スタック１２のうちの一方を「第１スタック１２ａ」、他方を「第２スタック１２ｂ」と記載する場合がある。
【００２４】
電源監視装置２３は、例えば電子制御装置（ＥＣＵ：Electronic  Control  Unit）であり、図２に示すように、電圧検出回路部２４と、Ａ／Ｄ変換部２５と、電圧検出回路部２４やＡ／Ｄ変換部２５などを含む電源監視装置２３全体を制御する制御部２６とを備える。
【００２５】
電圧検出回路部２４は、各スタック電圧の検出や、絶縁抵抗の劣化による漏電検出などを行うための回路を備える。ここで、電圧検出回路部２４について図３を参照して詳しく説明する。
【００２６】
図３は、電圧検出回路部２４の構成例を示す図である。図３に示すように、電圧検出回路部２４は、キャパシタＣと、第１スイッチＳ１〜第６スイッチＳ６と、第１抵抗Ｒ１〜第７抵抗Ｒ７と、非絶縁型のスイッチング素子Ｍ１，Ｍ２と、絶縁型のスイッチング素子ＳＷと、第１、第２ダイオードＤ１，Ｄ２とを備える。また、組電池１０は、正極側に絶縁抵抗Ｒｐを備え、負極側に絶縁抵抗Ｒｎを備える。
【００２７】
かかる電圧検出回路部２４では、フライングキャパシタ方式が適用され、後述するように、キャパシタＣを各スタック１２ａ，１２ｂの電圧で充電した後、キャパシタＣの電圧を各スタック１２ａ，１２ｂの電圧として検出している。
【００２８】
具体的には、電圧検出回路部２４は、キャパシタＣを介して充電側回路と放電側回路とに分かれている。充電側回路は、組電池１０の各スタック１２ａ，１２ｂとキャパシタＣとが接続され、各スタック１２ａ，１２ｂの電圧をキャパシタＣに充電する経路を含む部分である。また、放電側回路は、キャパシタＣに充電された電圧を放電する経路を含む部分である。
【００２９】
そして、各スイッチＳ１〜Ｓ６、非絶縁型のスイッチング素子Ｍ１，Ｍ２および絶縁型のスイッチング素子ＳＷのオン／オフが制御部２６によって制御されることで、キャパシタＣへの充電および放電が制御される。
【００３０】
なお、以下では、非絶縁型のスイッチング素子Ｍ１を「第１非絶縁型素子Ｍ１」、非絶縁型のスイッチング素子Ｍ２を「第２非絶縁型素子Ｍ２」という場合がある。また、絶縁型のスイッチング素子ＳＷを「絶縁型素子ＳＷ」という場合がある。
【００３１】
なお、上記した各スイッチＳ１〜Ｓ６としては、例えばソリッドステートリレー（ＳＳＲ：Solid  State  Relay）を用いることができるが、これに限定されるものではない。また、第１抵抗Ｒ１〜第６抵抗Ｒ６は、キャパシタＣの電圧を検出するための電圧検出用抵抗である。
【００３２】
電圧検出回路部２４の充電側回路は、キャパシタＣに対して、第１スタック１２ａおよび第２スタック１２ｂの各々が並列に接続されている。すなわち、キャパシタＣの両端は、第１スタック１２ａの正極および負極に接続されるとともに、第２スタック１２ｂの正極および負極とも接続されている。
【００３３】
また、第１スタック１２ａの正極側とキャパシタＣとの間には、第１抵抗Ｒ１および第１スイッチＳ１が直列に設けられ、第１スタック１２ａの負極側とキャパシタＣとの間には、第２抵抗Ｒ２および第２スイッチＳ２が直列に設けられている。
【００３４】
また、第２スタック１２ｂの正極側とキャパシタＣとの間には、第３抵抗Ｒ３および第３スイッチＳ３が直列に設けられ、第２スタック１２ｂの負極側とキャパシタＣとの間には、第４抵抗Ｒ４および第４スイッチＳ４が直列に設けられている。
【００３５】
電圧検出回路部２４の放電側回路には、第１スタック１２ａおよび第２スタック１２ｂの正極側の経路に第５スイッチＳ５が設けられ、第５スイッチＳ５の一端とキャパシタＣとの間に第１非絶縁型素子Ｍ１のドレイン端子が接続される。
【００３６】
また、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの負極側の経路には、第６スイッチＳ６が設けられ、第６スイッチＳ６の一端とキャパシタＣとの間に第２非絶縁型素子Ｍ２のドレイン端子が接続される。
【００３７】
第１非絶縁型素子Ｍ１のソース端子は、第２非絶縁型素子Ｍ２のソース端子と接続される。このように、第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２は、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの正極側の経路と負極側の経路との間において直列に接続される。
【００３８】
また、第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２はそれぞれ、アノードがソース端子に接続され、カソードがドレイン端子に接続された寄生ダイオードＭ１ａ，Ｍ２ａを含む。
【００３９】
第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、上記のように接続されるため、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの正極側の経路から負極側の経路、および、負極側の経路から正極側の経路の双方向に導通可能とされる。なお、この双方向に導通可能とされる点については、図６Ａ，１０Ａを用いて後述する。
【００４０】
なお、上記した第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２としては、例えばＭＯＳＦＥＴを用いることができるが、これに限定されるものではない。なお、ＭＯＳＦＥＴ等である第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、流し得る電流を示す定格電流が、フォトＭＯＳＦＥＴ等の非絶縁型のスイッチング素子に比較して高くなるように設定される。
【００４１】
上記した第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子には、キャパシタＣが絶縁型素子ＳＷ等を介して接続され、これによって第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、充電されたキャパシタＣの電圧が供給されて駆動することが可能となる。
【００４２】
具体的に説明すると、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子はともに、絶縁型素子ＳＷに接続される。かかる絶縁型素子ＳＷとしては、例えばフォトカプラを用いることができるが、これに限られず、フォトＭＯＳＦＥＴなどであってもよい。
【００４３】
フォトカプラである絶縁型素子ＳＷは、バイポーラトランジスタを含み、かかるバイポーラトランジスタのエミッタに、上記した第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子が接続される。
【００４４】
また、絶縁型素子ＳＷにおいて、バイポーラトランジスタのコレクタは、第１ダイオードＤ１のカソードおよび第２ダイオードＤ２のカソードに接続される。第１ダイオードＤ１のアノードは、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの正極側の経路に接続される一方、第２ダイオードＤ２のアノードは、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの負極側の経路に接続される。
【００４５】
換言すれば、第１ダイオードＤ１のアノードは、第５スイッチＳ５の一端とキャパシタＣとの間に接続される。一方、第２ダイオードＤ２のアノードは、第６スイッチＳ６の一端とキャパシタＣとの間に接続される。第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、上記のように接続されることで、充電されたキャパシタＣの電圧が供給されて駆動することとなるが、これについては図６Ａ，１０Ａを用いて後述する。
【００４６】
上記のように、電圧検出回路部２４にあっては、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２を駆動させる素子として絶縁型素子ＳＷを用いたことから、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂやキャパシタＣの車体（図示せず）に対する絶縁性を確保することができる。
【００４７】
また、絶縁型素子ＳＷはさらに、直列に接続された第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２の間に接続される。具体的には、絶縁型素子ＳＷにおいて、バイポーラトランジスタのエミッタは、第７抵抗Ｒ７を介して、第１非絶縁型素子Ｍ１のソース端子と第２非絶縁型素子Ｍ２のソース端子との間に接続される。
【００４８】
これにより、例えば放電時にキャパシタＣの電圧が低下して、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２がオフされた場合であっても、キャパシタＣの放電を継続することが可能となるが、これについては図６Ｂ，１０Ｂを用いて後述する。
【００４９】
なお、第７抵抗Ｒ７は、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子にキャパシタＣの電圧が供給されなくなってオフされたとき、第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２を同電位にするための抵抗である。
【００５０】
電圧検出回路部２４の説明を続けると、第５スイッチＳ５の他端は、Ａ／Ｄ変換部２５に接続されるとともに、途中で分岐して第５抵抗Ｒ５を介して車体ＧＮＤに接続される。また、第６スイッチＳ６の他端は、第６抵抗Ｒ６を介して車体ＧＮＤに接続される。
【００５１】
Ａ／Ｄ変換部２５は、電圧検出回路部２４の接続点Ａにおける電圧を示すアナログ値をデジタル値へ変換し、変換されたデジタル値を制御部２６へ出力する。
【００５２】
ここで、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの電圧を検出するために行われる、キャパシタＣの充電および放電について説明する。
【００５３】
本実施形態に係る電源監視装置２３にあっては、電圧検出処理として、先ず第１スタック１２ａまたは第２スタック１２ｂの電圧でキャパシタＣの充電を行い、次に、充電されたキャパシタＣを電圧を検出するための放電経路に接続して電圧の検出を行う。続いて、電源監視装置２３にあっては、次回の電圧検出等の処理に備え、キャパシタＣを放電のみが行われる放電経路に接続して放電を継続し、その後キャパシタＣの放電の完了によって一連の電圧検出処理が終わる。
【００５４】
上記した電源監視装置２３におけるキャパシタＣの充電および放電について図４〜図７を参照して説明する。図４は、第１スタック１２ａの電圧でキャパシタＣの充電を行う充電経路を示す図である。図５は、充電されたキャパシタＣの電圧を検出するための放電経路を示す図であり、図６Ａ，６Ｂは、キャパシタＣの放電のみが行われる放電経路を示す図である。また、図７は、第２スタック１２ｂの電圧でキャパシタＣの充電を行う充電経路を示す図である。
【００５５】
電源監視装置２３では、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂ毎にキャパシタＣが充電される。先ず、第１スタック１２ａの電圧（以下「第１スタック電圧」と記載する場合がある）でキャパシタＣを充電する例を説明すると、図４に示すように、第１スイッチＳ１および第２スイッチＳ２がオンされ、他のスイッチＳ３〜Ｓ６や絶縁型素子ＳＷ等がオフされる。
【００５６】
これにより、第１スタック１２ａの正極側は、第１抵抗Ｒ１、第１スイッチＳ１、キャパシタＣ、第２スイッチＳ２および第２抵抗Ｒ２を介して第１スタック１２ａの負極側と接続される。すなわち、第１スタック１２ａとキャパシタＣとを結ぶ第１経路Ｐ１が形成され、キャパシタＣに第１スタック電圧が充電される。
【００５７】
そして、第１経路Ｐ１が形成されてから所定時間が経過した後、キャパシタＣの電圧を放電させて、第１スタック電圧の検出が行われる。すなわち、充電されたキャパシタＣは、電圧を検出するための放電経路に接続される。具体的には、図５に示すように、第１スイッチＳ１および第２スイッチＳ２がオフされるとともに、第５スイッチＳ５および第６スイッチＳ６がオンされる。
【００５８】
これにより、電圧検出回路部２４には、放電経路たる第２経路Ｐ２が形成される。第５スイッチＳ５の他端にはＡ／Ｄ変換部２５が接続されているため、第２経路Ｐ２が形成されると、キャパシタＣの電圧（すなわち第１スタック電圧）がＡ／Ｄ変換部２５に入力される。なお、Ａ／Ｄ変換部２５は、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６がオンした瞬間に入力されたアナログ値をデジタル値に変換して制御部２６へ出力する。これにより、第１スタック電圧が検出されることとなる。
【００５９】
次に、次回の電圧検出等の処理に備えるべく、キャパシタＣの放電を完了させる。具体的には、充電されたキャパシタＣは、放電のみが行われる放電経路に接続される。より具体的には、図６Ａに示すように、第５スイッチＳ５および第６スイッチＳ６がオフされるとともに、絶縁型素子ＳＷに駆動信号が入力されてオンされる。
【００６０】
これにより、電圧検出回路部２４には、放電経路Ｐ１０が形成される。具体的には、絶縁型素子ＳＷがオンされることで、先ず図６Ａに放電経路Ｐ１１として示すように、キャパシタＣの電圧が、第１ダイオードＤ１、絶縁型素子ＳＷを介して第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子に供給される。
【００６１】
これにより、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２はオンされ、キャパシタＣと第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２とが導通し、放電経路Ｐ１０が形成される。従って、キャパシタＣにおいては、電流が第１非絶縁型素子Ｍ１、第２非絶縁型素子Ｍ２を流れて放電が行われる。
【００６２】
このように、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、放電経路Ｐ１０に設けられており、また定格電流が、従来技術で用いられていたフォトＭＯＳＦＥＴに比較して高い。そのため、放電経路Ｐ１０において、キャパシタＣからの電流が比較的多く流れ、よって放電時間を短縮することができる。
【００６３】
また、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、充電されたキャパシタＣの電圧が絶縁型素子ＳＷを介して入力されて駆動することで、放電経路Ｐ１０を形成している。これにより、電源監視装置２３にあっては、キャパシタＣの電圧が第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２の駆動にも利用されることとなるため、キャパシタＣの放電を促進させることができ、放電時間を一層短縮することができる。
【００６４】
また、上記のように構成することで、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２を駆動させるための専用の電源を不要にでき、電源監視装置２３の構成を簡素化することもできる。
【００６５】
続いて、キャパシタＣの放電が進むと、キャパシタＣの電圧が低下し、それに伴って第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子へ供給される電圧も低下する。そして、ゲート端子への供給電圧が、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２を駆動させることのできるしきい値Ｖref以下に低下すると、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２はオフされ、よって放電経路Ｐ１０によるキャパシタＣの放電が終わる。
【００６６】
そこで、本実施形態においては、絶縁型素子ＳＷが、直列に接続された第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２の間に接続されることから、キャパシタＣの放電を継続することができる。
【００６７】
具体的には、図６Ｂに放電経路Ｐ１２として示すように、キャパシタＣにおいては、電流が第１ダイオードＤ１、絶縁型素子ＳＷ、第７抵抗Ｒ７および第２非絶縁型素子Ｍ２の寄生ダイオードＭ２ａを流れて放電が行われる。
【００６８】
このように、本実施形態にあっては、絶縁型素子ＳＷが第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２の間に接続され、第２非絶縁型素子Ｍ２の寄生ダイオードＭ２ａを利用することで、キャパシタＣの放電を継続でき、放電時間をより一層短縮することができる。
【００６９】
次に、第２スタック１２ｂの電圧（以下「第２スタック電圧」と記載する場合がある）でキャパシタＣを充電する例を説明する。図７に示すように、第３スイッチＳ３および第４スイッチＳ４がオンされ、他のスイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６や絶縁型素子ＳＷ等がオフされる。
【００７０】
これにより、第２スタック１２ｂの正極側は、第３抵抗Ｒ３、第３スイッチＳ３、キャパシタＣ、第４スイッチＳ４および第４抵抗Ｒ４を介して第２スタック１２ｂの負極側と接続される。すなわち、第２スタック１２ｂとキャパシタＣとを結ぶ第３経路Ｐ３が形成され、キャパシタＣに第２スタック電圧が充電される。
【００７１】
そして、第３経路Ｐ３が形成されてから所定時間が経過した後、第３、第４スイッチＳ３，Ｓ４がオフされるとともに、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６がオンされて、キャパシタＣの電圧を放電させる（図５参照）。
【００７２】
これにより、電圧検出回路部２４には第２経路Ｐ２が形成され、キャパシタＣの電圧（すなわち第２スタック電圧）がＡ／Ｄ変換部２５に入力される。そして、Ａ／Ｄ変換部２５は、上記と同様に、入力された電圧のアナログ値をデジタル値に変換して制御部２６へ出力する。これにより、第２スタック電圧が検出されることとなる。
【００７３】
続いて、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６がオフされるとともに、絶縁型素子ＳＷがオンされ、キャパシタＣの放電を完了させる（図６Ａ，６Ｂ参照）。
【００７４】
このように、放電側の経路と充電側の経路とを切り替えてキャパシタＣへの充電および放電が行われることで、第１スタック電圧および第２スタック電圧を検出することができる。
【００７５】
なお、第１、第２スタック電圧の検出処理において、キャパシタＣは満充電されることを要しない。すなわち、例えば、第１、第２スタック電圧の検出処理では、満充電に要するであろう時間よりも短い所定時間だけ充電を行い、その充電電圧に基づいて第１、第２スタック電圧を推定してもよい。これにより、第１、第２スタック電圧の検出処理時間を短縮することができる。
【００７６】
また、電圧検出回路部２４の回路には、図３に示すように、上記した組電池１０の正極側の絶縁抵抗Ｒｐと負極側の絶縁抵抗Ｒｎとが設けられている。なお、これら各絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎは、実装された抵抗と、車体ＧＮＤに対する絶縁を仮想的に表した抵抗との合成抵抗を示しているが、ここでは、実装した抵抗、仮想的な抵抗のいずれであるかを問わない。
【００７７】
各絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの抵抗値は、正常時にはほとんど通電することが無い程度に十分に大きい値、例えば数ＭΩとされる。但し、絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎが劣化した異常時には、例えば組電池１０が車体ＧＮＤなどと短絡して、あるいは短絡に近い状態となって通電してしまう程度の抵抗値に低下する。
【００７８】
ここで、組電池１０の絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化を検出するために行われる、キャパシタＣの充電および放電について図８，９を参照して説明する。図８は、組電池１０の正極側の絶縁抵抗Ｒｐの劣化を検出する際の充電経路を示す図である。また、図９は、組電池１０の負極側の絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出する際の充電経路を示す図である。
【００７９】
先ず、正極側の絶縁抵抗Ｒｐの劣化を検出する場合は、図８に示すように、第４スイッチＳ４および第５スイッチＳ５がオンされ、他のスイッチＳ１〜Ｓ３，Ｓ６や絶縁型素子ＳＷ等がオフされる。これにより、第１スタック１２ａの正極側は、絶縁抵抗Ｒｐ、第５抵抗Ｒ５、第５スイッチＳ５、キャパシタＣ、第４スイッチＳ４、第４抵抗Ｒ４および第２スタック１２ｂを介して第１スタック１２ａの負極側と接続される。
【００８０】
すなわち、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂとキャパシタＣとを正極側の絶縁抵抗Ｒｐを介して結ぶ第４経路Ｐ４が形成される。この際、絶縁抵抗Ｒｐの抵抗値が正常である場合には、第４経路Ｐ４はほとんど導通せず、絶縁抵抗Ｒｐが劣化して抵抗値が低下していた場合には、第４経路Ｐ４は導通することとなる。
【００８１】
そして、第４経路Ｐ４が形成されてから所定時間が経過した後、第４スイッチＳ４がオフされるとともに、第６スイッチＳ６がオンされてキャパシタＣの電圧を放電させる（図５参照）。このときに検出されるキャパシタＣの電圧を「電圧ＶＲｐ」とし、電圧ＶＲｐに基づいて絶縁抵抗Ｒｐの劣化を検出するが、これについては後述する。
【００８２】
続いて、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６がオフされるとともに、絶縁型素子ＳＷがオンされ、キャパシタＣの放電を完了させる（図６Ａ，６Ｂ参照）。
【００８３】
負極側の絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出する場合は、図９に示すように、第１スイッチＳ１および第６スイッチＳ６がオンされ、他のスイッチＳ２〜Ｓ５や絶縁型素子ＳＷ等がオフされる。これにより、第１スタック１２ａの正極側は、第１抵抗Ｒ１、第１スイッチＳ１、キャパシタＣ、第６スイッチＳ６、第６抵抗Ｒ６、絶縁抵抗Ｒｎおよび第２スタック１２ｂを介して第１スタック１２ａの負極側と接続される。
【００８４】
すなわち、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂとキャパシタＣとを負極側の絶縁抵抗Ｒｎを介して結ぶ第５経路Ｐ５が形成される。この際、絶縁抵抗Ｒｎの抵抗値が正常である場合には、第５経路Ｐ５はほとんど導通せず、絶縁抵抗Ｒｎが劣化して抵抗値が低下していた場合には、第５経路Ｐ５は導通することとなる。
【００８５】
そして、第５経路Ｐ５が形成されてから所定時間が経過した後、図５に示すように、キャパシタＣの電圧を放電させる。このときに検出されるキャパシタＣの電圧を「電圧ＶＲｎ」とし、電圧ＶＲｎに基づいて絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出するが、これについては後述する。
【００８６】
なお、絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化検出処理では、満充電に要するであろう時間よりも短い所定時間だけ充電を行い、その充電電圧を電圧ＶＲｐ，ＶＲｎとして用いて絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化検出を行う。
【００８７】
続いて、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６がオフされるとともに、絶縁型素子ＳＷがオンされ、キャパシタＣの放電を完了させる点は、上記と同じである（図６Ａ，６Ｂ参照）。
【００８８】
ここで、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２が双方向に導通可能とされる点について詳しく説明する。上記した充放電システム１においては、例えば絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出するための充電経路（第５経路Ｐ５）が形成されている状態で、昇圧コンバータ７０（図９参照）が動作する場合がある。かかる場合、例えば絶縁抵抗Ｒｎの状態や昇圧コンバータ７０の動作タイミング等によっては、ボディ電圧が変動して電源の電圧を上回ることがある。
【００８９】
ボディ電圧が電源の電圧を上回ると、キャパシタＣに負電圧が充電される。詳しくは、図９に示すように、想像線で示す昇圧コンバータ７０によって充電経路Ｐ５ａのように電流が流れ、充電経路Ｐ５ａの電流が第５経路Ｐ５の電流より大きくなると、キャパシタＣに負電圧が充電されることとなる。
【００９０】
このように、負電圧が充電されたキャパシタＣであっても、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２が双方向に導通可能とされるため、キャパシタＣの放電を行うことができる。これについて図１０Ａ，１０Ｂを参照して説明する。
【００９１】
図１０Ａ，１０Ｂは、負電圧が充電されたキャパシタＣの放電のみが行われる放電経路を示す図である。
【００９２】
電源監視装置２３にあっては、負電圧が充電されたキャパシタＣの電圧が検出された後、次回の電圧検出等の処理に備えるべく、図１０Ａに示すように、第５スイッチＳ５および第６スイッチＳ６がオフされるとともに、絶縁型素子ＳＷに駆動信号が入力されてオンされる。
【００９３】
これにより、電圧検出回路部２４には、放電経路Ｐ１０ａが形成される。具体的には、絶縁型素子ＳＷがオンされることで、先ず図１０Ａに放電経路Ｐ１１ａとして示すように、キャパシタＣの電圧が、第２ダイオードＤ２、絶縁型素子ＳＷを介して第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子に供給される。
【００９４】
これにより、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２はオンされ、キャパシタＣと第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２とが導通し、放電経路Ｐ１０ａが形成される。従って、キャパシタＣにおいては、電流が第２非絶縁型素子Ｍ２、第１非絶縁型素子Ｍ１を流れて放電が行われる。
【００９５】
また、キャパシタＣの放電が進み、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子へ供給される電圧が低下し、ゲート端子への供給電圧が上記したしきい値Ｖref以下に低下すると、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２はオフされる。
【００９６】
しかしながら、本実施形態においては、上記したように、絶縁型素子ＳＷが、直列に接続された第１非絶縁型素子Ｍ１および第２非絶縁型素子Ｍ２の間に接続される。従って、図１０Ｂに放電経路Ｐ１２ａとして示すように、キャパシタＣにおいては、電流が第２ダイオードＤ２、絶縁型素子ＳＷ、第７抵抗Ｒ７および第１非絶縁型素子Ｍ１の寄生ダイオードＭ１ａを流れて放電が継続して行われることとなる。
【００９７】
このように、本実施形態にあっては、キャパシタＣに正電圧が充電された場合であっても、負電圧が充電された場合であっても、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２が双方向に導通可能とされることから、キャパシタＣの放電を確実に行うことができる。
【００９８】
図２の説明に戻ると、電源監視装置２３の制御部２６は、ＣＰＵ、ＲＡＭおよびＲＯＭなどを備えたマイクロコンピュータである。具体的には、制御部２６は、スイッチ制御部２６ａと、電圧検出部２６ｂと、電源監視部２６ｃとを備える。
【００９９】
スイッチ制御部２６ａは、第１スイッチＳ１〜第６スイッチＳ６、非絶縁型のスイッチング素子Ｍ１，Ｍ２や絶縁型のスイッチング素子ＳＷの動作を制御し、充電経路である第１、第３、第４、第６経路Ｐ１，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５、放電経路である第２経路Ｐ２および放電経路Ｐ１０〜Ｐ１２，Ｐ１０ａ〜Ｐ１２ａを形成する。
【０１００】
なお、第１〜第６スイッチＳ１〜Ｓ６や絶縁型素子ＳＷのスイッチングパターンは、ＲＡＭおよびＲＯＭなどの記憶部に予め記憶させておくものとする。そして、スイッチ制御部２６ａは、適宜なタイミングで記憶部からスイッチングパターンを読み出すことによって、充電経路または放電経路を形成する。
【０１０１】
電圧検出部２６ｂは、スイッチ制御部２６ａによって放電経路である第２経路Ｐ２が形成されると、充電されたキャパシタＣの電圧をＡ／Ｄ変換部２５を介して検出する。電圧検出部２６ｂは、上記した第１、第２スタック電圧および電圧ＶＲｐ，ＶＲｎを検出するものとする。そして、電圧検出部２６ｂは、検出した第１、第２スタック電圧等を示す信号を電源監視部２６ｃへ出力する。
【０１０２】
電源監視部２６ｃは、第１、第２スタック電圧に基づいて、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂの充電状態を監視する。そして、電源監視部２６ｃは、第１、第２スタック１２ａ，１２ｂを含む組電池１０の充電状態の監視結果を示す情報を車両制御装置３０（図１参照）へ出力する。なお、車両制御装置３０は、上述したように、組電池１０の充電状態の監視結果に応じて車両制御を行う。
【０１０３】
電源監視部２６ｃはさらに、キャパシタＣの電圧ＶＲｐ，ＶＲｎに基づいて、絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化を検出する。
【０１０４】
具体的には、絶縁抵抗Ｒｐや絶縁抵抗Ｒｎが劣化しておらず抵抗値が低下していない場合は、キャパシタＣはほとんど充電されないか、あるいは充電されたとしても十分に小さい電圧が充電される。したがって、電源監視部２６ｃは、電圧ＶＲｐや電圧ＶＲｎを、比較的低い値に予め設定された所定値Ｖａと比較する。
【０１０５】
そして、電源監視部２６ｃは、キャパシタＣの電圧ＶＲｐが所定値Ｖａ以上となった場合、絶縁抵抗Ｒｐの劣化を検出する、言い換えれば、絶縁抵抗Ｒｐに異常が生じて漏電していると判定する。他方、電源監視部２６ｃは、電圧ＶＲｐが所定値Ｖａ未満の場合、絶縁抵抗Ｒｐに劣化はない、言い換えれば、絶縁抵抗Ｒｐは正常であり、漏電していないと判定する。
【０１０６】
同様に、電源監視部２６ｃは、電圧ＶＲｎが所定値Ｖａ以上となった場合、絶縁抵抗Ｒｎの劣化を検出する一方、電圧ＶＲｎが所定値Ｖａ未満の場合、絶縁抵抗Ｒｎに劣化はないと判定する。なお、上記では、電圧ＶＲｎ，ＶＲｐと比較する値を同じ所定値Ｖａとしたが、これに限られず、互いに異なる値に設定されたしきい値を用いてもよい。
【０１０７】
そして、電源監視部２６ｃは、上記した絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化状態の結果を示す情報を車両制御装置３０等へ出力する。そして、車両制御装置３０は、劣化状態に応じた車両制御やユーザへの報知動作などを行う。
【０１０８】
＜３．充電状態監視処理および劣化検出処理の具体的動作＞
次に、以上のように構成された電源監視システム２０で行われる、充電状態監視処理および劣化検出処理の具体的な動作について図１１，１２を参照して説明する。
【０１０９】
図１１は、電源監視システム２０が実行する処理の処理手順の一部を示すフローチャートである。図１２は、図１１に示す処理の一部であるステップＳ１０〜Ｓ１２を説明する図である。なお、図１１に示す各種の処理は、電源監視装置２３の制御部２６による制御に基づいて実行される。
【０１１０】
図１１に示すように、先ず制御部２６は、第１経路Ｐ１を形成してキャパシタＣの充電を行う（ステップＳ１０）。次いで、制御部２６は、第２経路Ｐ２を形成して第１スタック電圧を検出する（ステップＳ１１）。そして、制御部２６は、絶縁型素子ＳＷを制御して放電経路Ｐ１０，Ｐ１１を形成した後、放電経路Ｐ１２を形成し、キャパシタＣの放電を完了させる（ステップＳ１２）。
【０１１１】
上記したステップＳ１０〜Ｓ１２の処理について、図１２を用いて詳説すると、制御部２６は、時刻ａ１において第１、第２スイッチＳ１，Ｓ２をオンして第１経路Ｐ１を形成する。これにより、キャパシタＣは第１スタック電圧が供給されて充電を開始する。
【０１１２】
制御部２６は、所定時間が経過してキャパシタＣの電圧が例えば満充電の値Ｖ１に到達すると（時刻ａ２）、第１、第２スイッチＳ１，Ｓ２をオフし、第５、第６スイッチＳ５，Ｓ６をオンして第２経路Ｐ２を形成する。これにより、第１スタック電圧が検出される。
【０１１３】
制御部２６は、時刻ａ３において、第１スタック電圧の検出が終わると、絶縁型素子ＳＷをオンして放電経路Ｐ１１を形成することで、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２をオンし、放電経路Ｐ１０を形成する。このようにして、キャパシタＣの放電が行われる。
【０１１４】
放電経路Ｐ１０には、上記したように、定格電流が比較的高い第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２が設けられているため、キャパシタＣの放電は急速に進み、キャパシタＣの電圧は、時刻ａ４において、しきい値Ｖrefまで低下する。
【０１１５】
しきい値Ｖrefは、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２を駆動させることのできる電圧値であることから、時刻ａ４でキャパシタＣの電圧がしきい値Ｖref以下になると、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２はオフされる。
【０１１６】
第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２がオフされても、上記した放電経路Ｐ１２が形成され、キャパシタＣの放電は継続される。そして、時刻ａ５においてキャパシタＣの放電が完了する。
【０１１７】
その後、制御部２６は、時刻ａ６において、絶縁型素子ＳＷをオフし、次の電圧検出処理に移行する。なお、図示の例では、キャパシタＣの放電が終了した後に絶縁型素子ＳＷをオフしたが、これに限られず、キャパシタＣの放電が完了したと同時、すなわち、時刻ａ５で絶縁型素子ＳＷをオフしてもよい。
【０１１８】
ここで、図１２においては、従来のフォトＭＯＳＦＥＴを放電経路のスイッチング素子として用いた場合のキャパシタＣの放電状態を想像線で示した。フォトＭＯＳＦＥＴは、定格電流が第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２と比べて低いため、放電に時間を要し、図１２に想像線で示すように、キャパシタＣの放電が終わるのに時刻ａ７までかかり、結果として一連の電圧検出処理が完了するまでに時間Ｔｘがかかる。
【０１１９】
これに対し、本実施形態に係る電源監視装置２３においては、放電経路Ｐ１０に第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２（ＭＯＳＦＥＴ）を設けることで、放電の時間を短縮することができ、一連の電圧検出処理を時間Ｔａで完了させることができる。従って、本実施形態にあっては、時間Ｔｘと時間Ｔａの差である時間Ｔｂの分だけ電圧検出処理の時間を短縮することができる。
【０１２０】
なお、上記した電圧処理時間の短縮は、放電時間の短縮に起因するものであるため、同じようにキャパシタＣの放電を行う絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化検出の処理時間についても、同様に短縮することができる。
【０１２１】
図１１の説明に戻ると、続いて制御部２６は、第３経路Ｐ３を形成して第２スタック電圧によるキャパシタＣの充電を行う（ステップＳ１３）。次いで、制御部２６は、第２経路Ｐ２を形成して第２スタック電圧を検出し（ステップＳ１４）、続いて放電経路Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２を形成して、キャパシタＣの放電を完了させる（ステップＳ１５）。
【０１２２】
次いで、制御部２６は、第４経路Ｐ４を形成し（ステップＳ１６）、所定時間経過後、第２経路Ｐ２を形成してキャパシタＣの電圧ＶＲｐを検出する（ステップＳ１７）。次いで、制御部２６は、放電経路Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２を形成して、キャパシタＣの放電を完了させる（ステップＳ１８）。
【０１２３】
次いで、制御部２６は、第５経路Ｐ５を形成し（ステップＳ１９）、所定時間経過後、第２経路Ｐ２を形成してキャパシタＣの電圧ＶＲｎを検出する（ステップＳ２０）。続いて、制御部２６は、放電経路Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２を形成して、キャパシタＣの放電を完了させる（ステップＳ２１）。
【０１２４】
そして、制御部２６は、ステップＳ１７，Ｓ２０で検出されたキャパシタＣの電圧ＶＲｐ，ＶＲｎに基づいて絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化を検出する（ステップＳ２２）。次いで、制御部２６は、劣化検出結果として絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化状態を示す情報と、組電池１０の充電状態の監視結果として第１、第２スタック電圧を示す情報とを車両制御装置３０へ出力する（ステップＳ２３）。
【０１２５】
なお、上記では、第１スタック電圧、第２スタック電圧、電圧ＶＲｐ、電圧ＶＲｎの順で検出するようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、検出の順番は任意に設定することができる。
【０１２６】
上述してきたように、実施形態に係る電源監視装置２３は、キャパシタＣと、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２と、絶縁型素子ＳＷとを備える。キャパシタＣは、組電池１０（電源の一例）によって充電され、少なくとも組電池１０の電圧監視に用いられる。第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２は、充電されたキャパシタＣを放電する放電経路Ｐ１０に設けられる。絶縁型素子ＳＷは、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２のゲート端子に接続される。これにより、電源監視装置２３において、電圧検出処理に要する時間を短縮することができる。
【０１２７】
また、本実施形態に係る放電経路Ｐ１０においては、定格電流が比較的高い第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２が設けられているため、例えば電流を低減させるための放電抵抗を不要にすることができ、回路構成の簡素化を図ることができる。
【０１２８】
また、例えば、車両の仕様変更によって電池スタック１２や電池セル１３が増加する場合であっても、本実施形態にあっては、電圧検出処理の時間を短縮したことから、規定された検出時間内で、増加した電池スタック１２の分の電圧検出も行うことが可能となる。換言すれば、本実施形態に係る電源監視装置２３にあっては、電池スタック１２や電池セル１３の増加に容易に対応することができる。
【０１２９】
なお、上記した実施形態において、第１、第２非絶縁型素子Ｍ１，Ｍ２や絶縁型素子ＳＷ、キャパシタＣなどの位置や個数は、例示であって限定されるものではない。
【０１３０】
また、上記した絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化検出では、キャパシタＣの電圧ＶＲｐ、電圧ＶＲｎをそれぞれ所定値Ｖａと比較するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば電圧ＶＲｐと電圧ＶＲｎとを加算し、加算された電圧を予め設定された別のしきい値と比較して、絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化を検出するようにしてもよい。
【０１３１】
また、絶縁抵抗Ｒｐ，Ｒｎの劣化検出処理を実行するタイミングは、上記に限定されるものではない。すなわち、例えば車両始動時や車両停止時、所定時間間隔や所定走行距離ごとなど、劣化検出処理を実行するタイミングを変更してもよい。
【０１３２】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３３】
１    充放電システム
１０    組電池
１２ａ  第１スタック
１２ｂ  第２スタック
２０    電源監視システム
２３    電源監視装置
２４    電圧検出回路部
２６    制御部
Ｃ    キャパシタ
Ｍ１    第１非絶縁型素子
Ｍ２    第２非絶縁型素子
Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２  放電経路
Ｒｎ    絶縁抵抗
Ｒｐ    絶縁抵抗
ＳＷ    絶縁型素子
【図１】
2018017683.tif 000003
【図２】
2018017683.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
2018017683.tif 000011
【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
2018017683.tif 000015
【図１２】
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