(57)【要約】【課題】貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに作業性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージの提供。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び（Ｄ）無機充填材、を含有する樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び
（Ｄ）無機充填材、を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｂ）成分が、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選ばれる少なくとも１種の構造を含有する高分子化合物である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）成分の平均粒子径が、０．５μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）成分が、シリカ又はアルミナである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２質量％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上２５質量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、３０以上２５０以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９０質量％以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
さらに、（Ｅ）硬化剤を含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ｅ）成分が、フェノール系硬化剤である、請求項９に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
チキソトロピー指数が、１以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた際の３０℃〜１５０℃における線熱膨張係数が、３ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１４】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
【請求項１５】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１４に記載の樹脂シート。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
【請求項１８】
封止層及び半導体チップを含む半導体チップパッケージであって、封止層が請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である、半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン、タブレット型ＰＣといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体パッケージ用絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。
【０００３】
例えば、ウエハレベルチップサイズパッケージ、又は埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層は、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制及び導体層との高密着が求められる。
【０００４】
特許文献１には、低弾性率の熱硬化性樹脂組成物として、特定の線状変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３７０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載されている材料は、他の樹脂との相溶性の観点から樹脂組成物の設計が限定された。また、樹脂組成物の設計によっては、作業性において必ずしも十分な性能を示しきれない場合があった。ここで作業性とは、樹脂組成物が時間の経過により均一な形状となることから、樹脂組成物を均一な形状に整える必要がなくなり、その後の作業が簡便になることを示す性質である。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに作業性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び（Ｄ）無機充填材を含有させることで、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに、作業性に優れる樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び
（Ｄ）無機充填材、を含有する樹脂組成物。
［２］  （Ｂ）成分が、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選ばれる少なくとも１種の構造を含有する高分子化合物である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （Ｄ）成分の平均粒子径が、０．５μｍ以上２０μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （Ｄ）成分が、シリカ又はアルミナである、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２質量％以下である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］  （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上２５質量％以下である、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、３０以上２５０以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］  （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９０質量％以下である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  さらに、（Ｅ）硬化剤を含有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  （Ｅ）成分が、フェノール系硬化剤である、［９］に記載の樹脂組成物。
［１１］  チキソトロピー指数が、１以下である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］  樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた際の３０℃〜１５０℃における線熱膨張係数が、３ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１５］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１４］に記載の樹脂シート。
［１６］  ［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１７］  ［１６］に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１８］  封止層及び半導体チップを含む半導体チップパッケージであって、封止層が［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物である、半導体チップパッケージ。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに、作業性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。
【００１３】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び（Ｄ）無機充填材を含有する。
【００１４】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、作業性に優れた樹脂組成物を得ることができる。また、その樹脂組成物から、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）硬化剤、（Ｆ）硬化促進剤、及び（Ｇ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１５】
＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。
【００１６】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
【００１７】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱化学社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【００２０】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。
【００２１】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００２２】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００２３】
エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは５０００未満、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは１００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２４】
エポキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは２５℃を超え、より好ましくは３０℃以上、さらに好ましくは３５℃以上である。上限は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。
【００２５】
＜（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物＞
樹脂組成物は、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物を含有する。このような構造を有する高分子化合物を樹脂組成物に含有させることで樹脂組成物の作業性が向上し、さらには、当該樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥが低くなる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。
【００２６】
より具体的には、（Ｂ）成分は、ポリブタジエン及び水添ポリブタジエン等のポリブタジエン構造、シリコーンゴム等のポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造（炭素原子数２〜１５のポリアルキレン構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレン構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレン構造がさらに好ましい）、ポリアルキレンオキシ構造（炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。）、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、またはポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。
【００２７】
（Ｂ）成分は柔軟性を示すために高分子量であることが好ましく、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１,０００,０００、より好ましくは５,０００〜９００,０００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２８】
（Ｂ）成分は柔軟性を示すために、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。
【００２９】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常−１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。
【００３０】
（Ｂ）成分としては、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、（Ａ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ａ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００３１】
好適な一実施形態において、（Ａ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。
【００３２】
（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましく、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂がさらに好ましい。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。
【００３３】
ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ポリブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。
【００３４】
ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１００，０００、より好ましくは５,０００〜５０，０００、より好ましくは７,５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００３５】
ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ  Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。
【００３６】
ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【００３７】
（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、イソプレン樹脂である。イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。ここで、「イソプレン樹脂」とは、ポリイソプレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソプレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３８】
また、（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、ポリカーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３９】
カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００４０】
カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。
【００４１】
またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００４２】
（Ｂ）成分の他の好適な一実施形態として、イミド構造を有する樹脂を使用することもできる。このような（Ｂ）成分として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００４３】
（Ｂ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリ（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００４４】
アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００４５】
アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００４６】
アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ/ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ-３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。
【００４７】
また、さらなる（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、シロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソブチレン樹脂である。
【００４８】
シロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。ここで、「シロキサン樹脂」とは、ポリシロキサン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリシロキサン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００４９】
アルキレン樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）等が挙げられる。ここで、「アルキレン樹脂」とは、ポリアルキレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリアルキレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００５０】
アルキレンオキシ樹脂の具体例としてはＤＩＣ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製「ＥＸＡ−４８５０−１５０」、「ＥＸＡ−４８１６」、「ＥＸＡ−４８２２」、ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−４０００」、「ＥＰ−４００３」、「ＥＰ−４０１０」、及び「ＥＰ−４０１１」、新日本理化社製「ＢＥＯ−６０Ｅ」、「ＢＰＯ−２０Ｅ」ならびに三菱化学社製「ＹＬ７１７５」、及び「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。ここで、「アルキレンオキシ樹脂」とは、ポリアルキレンオキシ構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリアルキレンオキシ構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００５１】
イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。ここで、「イソブチレン樹脂」とは、ポリイソブチレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソブチレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００５２】
またさらなる（Ｂ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ  ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。
【００５３】
樹脂組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは７質量％以上である。下限は、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２３質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【００５４】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、好ましくは３０以上、より好ましくは４５以上、さらに好ましくは６０以上である。上限は、好ましくは２５０以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは８０以下である。（Ａ１／Ｂ１）×１００を斯かる範囲とすることにより、十分な架橋密度が形成され耐薬品性が得られるという効果を奏するようになる。
【００５５】
＜（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物＞
樹脂組成物は、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物を含有する。本発明者らの鋭意研究の結果、（Ｃ）成分を含有させることにより、作業性に優れる樹脂組成物が得られ、その樹脂組成物を用いることにより、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥが低い硬化物が得られることを見出した。（Ｃ）成分は化学的に安定であることから、樹脂組成物のチキソトロピー指数が低下し、これにより、作業性に優れるようになると考えられる。また、チキソトロピー指数が低下することから、後述する（Ｄ）無機充填材をより多く含有させることができる。その結果、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥを低い硬化物を得ることができると考えられる。
【００５６】
（Ｃ）成分は、チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｃ）成分１分子中のフッ素原子数が１〜１０が好ましく、フッ素原子数が１〜５がより好ましく、フッ素原子数が１〜３がさらに好ましい。
【００５７】
（Ｃ）成分は、チキソトロピー指数を低くする観点からフッ化アルキル基を有することが好ましく、フッ化アルキル基は、末端にフッ素原子を有することが好ましい。フッ化アルキル基は、炭素原子数１〜２０のフッ化アルキル基が好ましく、炭素原子数１〜１０のフッ化アルキル基がより好ましく、炭素原子数１〜６のフッ化アルキル基がさらに好ましい。このようなフッ化アルキル基としては、例えば−ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＨ（ＣＦ３）２、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）２、−Ｃ（ＣＦ３）３等が挙げられ、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３が好ましい。
【００５８】
また、（Ｃ）成分は、反応性向上の観点から、（Ｃ）成分１分子中のアルコキシ基の数が１〜５が好ましく、アルコキシ基の数が１〜３がより好ましく、アルコキシ基の数が２〜３がさらに好ましい。
【００５９】
（Ｃ）成分におけるアルコキシ基としては、反応性向上の観点から、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、炭素原子数１〜６のアルコキシ基がさらに好ましい。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、及びデシルオキシ基が挙げられ、メトキシ基が好ましい。
【００６０】
アルコキシ基は置換基を有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えば、ハロゲン原子、−ＯＨ、−Ｏ−Ｃ１−６アルキル基、−Ｎ（Ｃ１−６アルキル基）２、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ６−１０アリール基、−ＮＨ２、−ＣＮ、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ１−６アルキル基、−ＣＯＯＨ、−Ｃ（Ｏ）Ｈ、−ＮＯ２等が挙げられる。
【００６１】
ここで、「Ｃｐ−ｑ」（ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ〜ｑであることを表す。例えば、「Ｃ１−６アルキル基」という表現は、炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。
【００６２】
上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。
【００６３】
（Ｃ）成分の分子量としては、相溶性向上という観点から、５０〜２０００が好ましく、７５〜１０００がより好ましく、１００〜５００がさらに好ましい。
【００６４】
これらの中でも、（Ｃ）成分としては、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有アルコキシシラン化合物等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ｃ）成分としては、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランが好ましい。（Ｃ）成分は市販品を用いてもよく、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ−７１０３」、「オプツールＤＳＸ」等が挙げられる。
【００６５】
樹脂組成物中に含まれる（Ｃ）成分の態様は特に限定されないが、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することが好ましく、（ｉ）又は（ｉｉｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することがより好ましく、（ｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することがさらに好ましい。即ち、（Ｃ）成分は、（Ｄ）成分の表面処理剤として樹脂組成物中に含有することが好ましい。
（ｉ）（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有
（ｉｉ）（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有
（ｉｉｉ）（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有しているとともに、（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有
「（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有」とは、（Ｄ）成分が（Ｃ）成分で表面処理されていることを表す。この場合、（Ｃ）成分は通常、（Ｄ）成分の表面にある。また、「（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有」とは、（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有していないことを表す。なお、（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有していない場合は、（Ｃ）成分は樹脂組成物中に遊離しており、絶縁層表面の低粗度化に有効である。
【００６６】
（Ｃ）成分の含有量は、（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有する場合、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上が好ましく、０．０１５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されないが、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましい。斯かる範囲内とすることでチキソトロピー指数を低くすることが可能となる。
【００６７】
（Ｃ）成分を（Ｄ）成分の表面処理剤として含有させる場合、（Ｃ）成分による表面処理の程度は、チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｄ）成分１００質量部に対して、０．２質量部〜５質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部〜３質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることがより好ましく、０．５質量部〜２．５質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることがさらに好ましい。
【００６８】
＜（Ｄ）無機充填材＞
樹脂組成物は、（Ｄ）無機充填材を含有する。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカ、アルミナが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６９】
無機充填材の平均粒径は特に限定されないが、表面粗さの小さい絶縁層を得る観点や微細配線形成性向上の観点から、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、デンカ社製、「ＦＢ−３ＳＤＸ」、「ＦＢ−５ＳＤＸ」、「ＦＢ−７ＳＤＸ」、新日鐵住金マテリアルズ社製「ＳＰ６０−０５」、「ＳＰ６０−１０」、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ５」等が挙げられる。
【００７０】
無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。
【００７１】
無機充填材は、表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、（Ｃ）成分、及び（Ｃ）成分以外の表面処理剤（以下、「他の表面処理剤」ということがある。）が挙げられる。無機充填材は、（Ｃ）成分で表面処理されていてもよく、他の表面処理剤で表面処理されていてもよい。チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｃ）成分で表面処理されていることが好ましい。
【００７２】
他の表面処理剤としては、例えばアミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。このような他の表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ−９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。
【００７３】
他の表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）成分による表面処理の程度と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００７４】
表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０５ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【００７５】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥを低くする観点から、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは６５質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下である。（Ｄ）成分が（Ｃ）成分で表面処理されている場合、無機充填材の含有量は（Ｃ）成分を含めた含有量である。
【００７６】
＜（Ｅ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｅ）硬化剤を含有し得る。硬化剤としては、（Ａ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｅ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤であることが好ましい。
【００７７】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【００７８】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００７９】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００８０】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００８１】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。
【００８２】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００８３】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００８４】
樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。また、下限は特に制限はないが１質量％以上が好ましい。
【００８５】
＜（Ｆ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８６】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００８７】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００８８】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００８９】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００９０】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００９１】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００９２】
樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の不揮発成分合計量を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。上限は、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【００９３】
＜（Ｇ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（Ｇ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００９４】
難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」等が挙げられる。
【００９５】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。
【００９６】
＜（Ｈ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００９７】
＜樹脂組成物の物性＞
樹脂組成物は、（Ｃ）成分を含有することから、チキソトロピー指数が低いという特性を示す。チキソトロピー指数としては、好ましくは１以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下である。下限値は特に限定されないが、０．０１以上等とし得る。上記チキソトロピー指数は、後述する［チキソトロピー指数の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【００９８】
樹脂組成物は、チキソトロピー指数が低いことから、時間の経過により均一な形状となり、その結果、厚みムラ等が解消され、均一な形状に整える必要がない、即ち作業性に優れるという特性を示す。例えば、カートリッジから樹脂組成物を吐出させても、樹脂組成物表面の凹凸が少ない状況となる。そのため、コンプレッションモールディング法による樹脂組成物層の形成を容易に行うことができる。作業性は、後述する［作業性の評価］に記載の方法に従って測定することができる。
【００９９】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、比誘電率が低いという特性を示す。比誘電率としては、好ましくは６以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは４以下、３．５以下である。下限値は特に限定されないが、０．１以上等とし得る。上記比誘電率は、後述する［比誘電率、誘電正接の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【０１００】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、誘電正接が低いという特性を示す。誘電正接としては、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．００９以下、さらに好ましくは０．００８以下である。下限値は特に限定されないが、０．００１以上等とし得る。上記誘電正接は、後述する［比誘電率、誘電正接の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０１】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を含有することから、貯蔵弾性率が低いという特性を示す。即ち、反りが抑制された絶縁層をもたらす。貯蔵弾性率としては、好ましくは１０ＧＰａ以下、より好ましくは８ＧＰａ以下、さらに好ましくは５ＧＰａ以下である。下限値は特に限定されないが、０．１ＧＰａ以上等とし得る。上記貯蔵弾性率は、後述する［貯蔵弾性率の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０２】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、３０℃〜１５０℃での線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低いという特性を示す。上記線熱膨張係数としては、好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以下である。下限値は特に限定されないが、３ｐｐｍ以上等とし得る。上記線熱膨張係数は、後述する［線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０３】
本発明の樹脂組成物は、作業性に優れるという特性を示すことから、例えば、インク等液状の態様で好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は、低弾性であることから反りの発生が抑制され、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い絶縁層をもたらすことができる。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。
【０１０４】
［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【０１０５】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。
【０１０６】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【０１０７】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【０１０８】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【０１０９】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【０１１０】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【０１１１】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１１２】
樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター、コンプレッションモールド法等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【０１１３】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１１４】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１１５】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１１６】
樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。
【０１１７】
また樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。また、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。
【０１１８】
樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。
【０１１９】
プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。
【０１２０】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【０１２１】
プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。
【０１２２】
［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。
【０１２３】
工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。
【０１２４】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層の順でそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層が形成されている。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第１金属層、第２金属層は有していなくてもよい。
【０１２５】
基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。
【０１２６】
ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。
【０１２７】
基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１２８】
ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。
【０１２９】
配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。
【０１３０】
ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。
【０１３１】
配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【０１３２】
配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５〜２０μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。
【０１３３】
配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。
【０１３４】
＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。
【０１３５】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１３６】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【０１３７】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１３８】
樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
【０１３９】
樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。
【０１４０】
樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。
【０１４１】
＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。導体層は配線層ということがある。
【０１４２】
絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、樹脂シートの支持体の面側からレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して配線層を露出させるビアホールを形成する。
【０１４３】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１４４】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。
【０１４５】
ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。
【０１４６】
導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１４７】
粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【０１４８】
ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。このうち、セミアディティブ法が好ましい。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。
【０１４９】
めっきにより形成する場合、詳細には絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。
【０１５０】
導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。
【０１５１】
また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。
【０１５２】
絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。
【０１５３】
＜工程（４）＞
工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。
【０１５４】
他の実施形態において、回路基板は、上述のプリプレグを用いて製造することができる。製造方法は基本的に樹脂シートを用いる場合と同様である。
【０１５５】
［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。
【０１５６】
半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。
【０１５７】
好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。
【０１５８】
また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。
【０１５９】
半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。
【０１６０】
本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。
【０１６１】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１６２】
基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等のガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板などが挙げられる。
【０１６３】
仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。
【０１６４】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。
【０１６５】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。
【０１６６】
半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１６７】
また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１６８】
樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。
【０１６９】
樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１７０】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。
【０１７１】
仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１７２】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。
【０１７３】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１７４】
再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。
【０１７５】
ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。
【０１７６】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。
【０１７７】
次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。
【０１７８】
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。
【０１７９】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。
【０１８０】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１８１】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。
【０１８２】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
【０１８３】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。
【０１８４】
ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１８５】
また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。
【０１８６】
＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。
【０１８７】
半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【０１８８】
本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。
【０１８９】
［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０１９０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１９１】
［合成例１：合成例１の（Ｂ）成分の合成］
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（Ｇ−３０００、日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ−１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例１の（Ｂ）成分（不揮発分５０質量％）を得た。数平均分子量は５５００であった。
【０１９２】
［合成例２：合成例２の（Ｂ）成分の合成］
撹拌装置、温度計及びコンデンサーをつけたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを２９２．０９ｇ、ソルベッソ１５０（芳香族系溶剤、エクソンモービル社製）を２９２．０９ｇ仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを１００．１ｇ（０．４モル）とポリイソプレンジオール（水酸基価４６．６ＫＯＨ−ｍｇ／ｇ、分子量２５００）５００．０ｇ（０．２モル）を仕込んで７０℃で４時間反応を行った。ついでノニルフェノールノボラック樹脂（水酸基当量２２９．４ｇ／ｅｑ、平均４．２７官能、平均計算分子量９７９．５ｇ／モル）１９５．９ｇ（０．２モル）とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート４１．０ｇ（０．１モル）とを仕込んで、２時間かけて１５０℃に昇温し、１２時間反応させることで、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例２の（Ｂ）成分（不揮発分５５．２質量％）を得た。
【０１９３】
［合成例３：合成例３の（Ｂ）成分の合成］
反応容器にポリカーボネートジオール（数平均分子量：約１，０００、水酸基当量：５００、不揮発分：１００％、クラレ社製「Ｃ−１０１５Ｎ」）８０ｇ、及びジブチル錫ジラウレート０．０１ｇを、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）３７．６ｇ中に均一に溶解させた。次いで、該混合物を５０℃に昇温し、さらに撹拌しながら、トルエン−２，４−ジイソシアネート（イソシアネート基当量：８７．０８）２７．８ｇを添加し、約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量：１６１．１）１４．３ｇ、トリエチレンジアミン０．１２ｇ、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）８４．０ｇを添加し、撹拌しながら１３０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから目開きが１００μｍである濾布で濾過して、イミド構造、並びにウレタン骨格及びカーボネート構造を有する合成例３の（Ｂ）成分（不揮発分５０質量％）を得た。
【０１９４】
［実施例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）６部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）０．１部、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を混合し、プラネタリーミキサーで均一に分散して、樹脂組成物１を作製した。
【０１９５】
［実施例２］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部を、合成例２で合成した（Ｂ）成分２７．２部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物２を作製した。
【０１９６】
［実施例３］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部を、合成例３で合成した（Ｂ）成分３０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物３を作製した。
【０１９７】
［実施例４］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物４を作製した。
【０１９８】
［実施例５］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物５を作製した。
【０１９９】
［実施例６］
実施例３において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例３と同様にして樹脂組成物６を作製した。
【０２００】
［実施例７］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＣ（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３部）、及びフッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積４．２ｍ２／ｇ、平均粒径３．７μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物７を作製した。
【０２０１】
［実施例８］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分の量を３０部から６０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物８を作製した。
【０２０２】
［実施例９］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）８部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ）６部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）０．１部、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）１２部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を混合し、プラネタリーミキサーで均一に分散して、樹脂組成物９を作製した。
【０２０３】
［実施例１０］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＦ（比表面積２．１ｍ２／ｇ、平均粒径１４μｍ）１２０部に変え、さらにフッ素原子含有アルコキシシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．２４質量部を混合させた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１０を作製した。
【０２０４】
［実施例１１］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ）１２０部を、アルミナＡ（比表面積０．８ｍ２／ｇ、平均粒径３μｍ））１５０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１１を作製した。
【０２０５】
［比較例１］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＤ（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．６ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物１２を作製した。
【０２０６】
［比較例２］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＥ（フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」）で表面処理された球形シリカＥ（比表面積５．６ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物１３を作製した。
【０２０７】
［チキソトロピー指数の測定］
Ｅ型粘度計を用いて、実施例、比較例で作製した樹脂組成物の２５℃の粘度（Ｐａ・ｓ）をロータ回転数５ｒｐｍで測定した。チキソトロピー指数はロータ回転数５ｒｐｍで測定した粘度と１ｒｐｍで測定した粘度の比（１ｒｐｍでの粘度／５ｒｐｍでの粘度）で表した。
【０２０８】
［作業性の評価］
実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、１２Ｏｚカートリッジ（サンエイテック社製、５１９４Ｃ）に充填し、カートリッジから樹脂組成物４０ｇを吐出させ１２インチシリコンウエハ上の中心へ半径が約４ｃｍの円状に供した。１分後外観を観察し、以下の評価基準で評価した。作業性とは、樹脂組成物が時間の経過により均一な形状となることから、均一な形状に整える必要がなくなり、その後の作業が簡便になることを示す性質である。
○：シリコンウエハ上の樹脂組成物に吐出痕がなく樹脂組成物表面の凹凸が少ない。
△：吐出痕があり樹脂組成物表面の凹凸が少しある。
×：吐出痕があり凹凸が大きい。
【０２０９】
［比誘電率、誘電正接の測定］
離形処理したＳＵＳ板上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置で１２０℃の条件で厚み２００μｍとなるよう圧縮成型し、その後ＳＵＳ板から樹脂組成物を剥がし１８０℃９０分の条件で熱硬化させた。硬化物の長さが１５ｃｍ、幅１５ｃｍとなるように切り出し、評価サンプルを作製した。この評価サンプルを、キーサイト社製のベクトルネットワークアナライザＮ５２２７Ａを用いてファブリペロー法により、測定温度２４℃にて、周波数８０ＧＨｚでの比誘電率、誘電正接を測定した。
【０２１０】
［貯蔵弾性率の測定］
実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、厚み２ｍｍのシート状に１８０℃９０分の条件で加熱成型し、このシートを６０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍのサイズに切り出し、評価サンプルを作製した。この評価サンプルを、ＤＭＡ（Ｄｙｎａｍｉｃ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ａｎａｌｙｓｉｓ（動的粘弾性測定器））にて三点曲げモード、周波数１Ｈｚの条件で測定した際の２５℃での貯蔵弾性率を求めた。
【０２１１】
［線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］
離形処理したＳＵＳ板上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置で１２０℃の条件で厚み２００μｍとなるよう圧縮成型し、その後ＳＵＳ板から樹脂組成物を剥がし１８０℃９０分の条件で熱硬化させた。
硬化物を幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、リガク社製熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ＴＭＡ８３１０）を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。２回目の測定における２５℃から１５０℃における平均の線熱膨張係数を求めた。
【０２１２】
実施例、比較例の樹脂組成物の調製に用いた成分とその配合量（質量部）を下記表に示した。なお、下記表中の略語等は以下のとおりである。
ＺＸ１０５９：２５℃で液状エポキシ樹脂、新日鉄住金化学社製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ
ＥＰ−３９８０Ｓ：グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ社製、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ
合成例１：合成例１で合成した（Ｂ）成分
合成例２：合成例２で合成した（Ｂ）成分
合成例３：合成例３で合成した（Ｂ）成分
ＫＢＭ−７１０３：フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、信越化学工業社製
ＫＡ−１１６０：クレゾールノボラック樹脂、ＤＩＣ社製、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ
１Ｂ２ＰＺ：硬化促進剤、四国化成社製、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール
（Ｃ）成分の含有量：樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量
（Ｂ）成分の含有量：樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量
【０２１３】
【表１】
2018150440.tif 000002
【０２１４】
実施例において、（Ｅ）〜（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。
【符号の説明】
【０２１５】
１００  半導体チップパッケージ
１１０  半導体チップ
１２０  封止層
１３０  再配線形成層（絶縁層）
１４０  導体層（再配線層）
１５０  ソルダーレジスト層
１６０  バンプ
【図１】
2018150440.tif 000003