(57)【要約】【課題】  製品歩留まりの高い表示装置を提供する。【解決手段】  表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１接続用孔と、接続部材と、を備える。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板と、駆動電極と、第１導電層と、第１リード配線Ｗ１と、第１検査回路ＩＮＳ１と、を有する。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板と、第１検出電極Ｒｘ１と、を有する。第１接続用孔は、第２絶縁基板を貫通する。接続部材は、第１接続用孔を通って第１導電層と第１検出電極Ｒｘ１とを電気的に接続している。【選択図】図１０
2018017976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、表示領域に位置した駆動電極と、前記表示領域の外側の非表示領域に位置した第１導電層と、前記非表示領域に位置し前記第１導電層に接続された第１リード配線と、前記非表示領域に位置し前記第１リード配線に接続された第１検査回路と、を有する第１基板と、
前記第１絶縁基板及び前記駆動電極と対向した第２絶縁基板と、前記第１導電層と対向し前記駆動電極と交差した第１検出電極と、を有する第２基板と、
前記第２絶縁基板を貫通する第１接続用孔と、
前記第１接続用孔を通って前記第１導電層と前記第１検出電極とを電気的に接続した接続部材と、を備える、
表示装置。
【請求項２】
前記第１基板に接続された配線基板をさらに備え、
前記第１基板は、検査配線と、前記非表示領域に位置し前記配線基板と対向し前記配線基板と接続された第１パッド群と、前記非表示領域に位置し前記第１パッド群に間隔を置いて並び前記配線基板と接続されていない第２パッド群と、をさらに有し、
前記第１リード配線は、前記第１パッド群のパッドに接続され、
前記検査配線は、前記第１検査回路と前記第２パッド群のパッドとを接続している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
平面視にて、前記検査配線が接続されている前記第２パッド群のパッドのサイズは、前記第１リード配線が接続されている前記第１パッド群のパッドのサイズより大きい、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、
第１絶縁膜と、
前記表示領域に位置し前記第１絶縁膜の上に形成された信号線と、
前記第１絶縁膜及び前記信号線の上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上に形成され前記非表示領域に位置し前記第１パッド群のパッドに接続され前記信号線に電気的に接続される接続配線と、をさらに有し、
前記第１リード配線は、
前記第１絶縁膜の上に形成され前記信号線と実質的に並行して延在した延在配線と、
前記第２絶縁膜の上に形成され、前記延在配線に接続された一端部と、前記第１パッド群の前記パッドに接続された他端部と、を含む引回し配線と、を有し、
互いに隣合う前記引回し配線と前記接続配線とは、実質的に並行して延在している、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記引回し配線及び前記接続配線は、金属を利用して形成されている、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、
前記第２絶縁膜、前記接続配線、前記引回し配線の上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に位置し透明導電材料で形成された第１ダミー配線及び第２ダミー配線と、をさらに有し、
前記第２基板と対向していない領域において、前記第１ダミー配線は前記引回し配線と対向し前記引回し配線に沿って延在し、前記第２ダミー配線は前記接続配線と対向し前記接続配線に沿って延在している、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線は、それぞれ電気的フローティング状態にある、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２絶縁基板を貫通する第２接続用孔と、
他の接続部材と、を備え、
前記第１基板は、前記非表示領域に位置した第２導電層と、前記非表示領域に位置し前記第２導電層に接続された第２リード配線と、前記非表示領域に位置し前記第２リード配線に接続された第２検査回路と、をさらに有し、
前記第２基板は、前記第２導電層と対向し前記駆動電極と交差し前記第１検出電極と並行して延在した第２検出電極を有し、
前記他の接続部材は、前記第２接続用孔を通って前記第２導電層と前記第２検出電極とを電気的に接続し、
前記第１導電層と前記第１接続用孔との組と、前記第２導電層と前記第２接続用孔との組とは、前記第１及び第２検出電極が延在した方向に前記表示領域を跨いで位置し、前記方向に平行な同一直線上に位置している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１リード配線と電気的に接続され前記第１検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、
請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、製品歩留まりの高い表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る表示装置は、
第１絶縁基板と、表示領域に位置した駆動電極と、前記表示領域の外側の非表示領域に位置した第１導電層と、前記非表示領域に位置し前記第１導電層に接続された第１リード配線と、前記非表示領域に位置し前記第１リード配線に接続された第１検査回路と、を有する第１基板と、
前記第１ガラス基板及び前記駆動電極と対向した第２絶縁基板と、前記第１導電層と対向し前記駆動電極と交差した第１検出電極と、を有する第２基板と、
前記第２絶縁基板を貫通する第１接続用孔と、
前記第１接続用孔を通って前記第１導電層と前記第１検出電極とを電気的に接続した接続部材と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。
【図３】図３は、上記実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図５】図５は、図３に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図６】図６は、センサの一構成例を示す平面図である。
【図７】図７は、上記実施形態の表示装置の他の構成例を示す平面図である。
【図８】図８は、図３及び図７に示した検出電極の検出部の構成例を示す図である。
【図９】図９は、図３に示した接続用孔を含む表示パネルを線ＩＸ−ＩＸで切断した断面図である。
【図１０】図１０は、上記実施形態の表示パネルを示す平面図であり、上記表示パネルの検査装置を併せて示す図である。
【図１１】図１１は、上記実施形態の第１基板の一部を示す平面図である。
【図１２】図１２は、上記実施形態の第１基板の一部を示す他の平面図である。
【図１３】図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った第１基板を示す断面図である。
【図１４】図１４は、上記実施形態の表示パネルの変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示素子を用いた表示パネルを備える表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。液晶表示素子以外の表示素子としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示パネル、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示パネルなどが想定される。
【０００９】
図１は、一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。本実施形態では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。ここで言う方向は、図中矢印の指す方向であり、矢印に対して１８０度反転した方向については逆方向とする。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、９０°以外の角度で交差していてもよい。
【００１０】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリックス型の表示パネルＰＮＬ、配線基板１，２、ＩＣチップＩ１，Ｉ２などを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２とを備えている。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１は矩形状に形成され、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１より外形の小さい矩形状に形成されている。図に示した例では、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、３辺が重なっている。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。  
ここで、非表示領域ＮＤＡのうち、表示領域ＤＡより左側の領域であり第２方向Ｙに延在した帯状の領域を第１領域Ａ１、表示領域ＤＡより右側の領域であり第２方向Ｙに延在した帯状の領域を第２領域Ａ２、表示領域ＤＡより下側の領域であり第１方向Ｘに延在した帯状の領域を第３領域Ａ３、表示領域ＤＡより上側の領域であり第１方向Ｘに延在した帯状の領域を第４領域Ａ４とする。第３領域Ａ３には、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２と対向していない非対向領域Ａ５が含まれている。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、回路群ＣＩＲ、検査回路ＩＮＳ１，ＩＮＳ２、第１パッド群ＰＧ１、第２パッド群ＰＧ２、第３パッド群ＰＧ３、を備えている。走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２は後述する走査線を駆動するように構成され、走査線駆動回路ＧＤ１は第１領域Ａ１に配置され、走査線駆動回路ＧＤ２は第２領域Ａ２に配置されている。  
複数のリード配線Ｗは、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡに設けられている。第１領域Ａ１において、リード配線Ｗは、走査線駆動回路ＧＤ１より第１基板ＳＵＢ１の外側に位置している。第２領域Ａ２において、リード配線Ｗは、走査線駆動回路ＧＤ２より第１基板ＳＵＢ１の外側に位置している。言い換えると、走査線駆動回路ＧＤ１は第１領域Ａ１のリード配線Ｗより表示領域ＤＡ側に位置し、走査線駆動回路ＧＤ２は第２領域Ａ２のリード配線Ｗより表示領域ＤＡ側に位置している。なお、リード配線Ｗの詳細に関しては後述する。
【００１３】
回路群ＣＩＲは、第３領域Ａ３に配置されている。後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路などの複数の回路が含まれている。なお、本実施形態において、共通電極はセンサ駆動電極と称される場合がある。  
検査回路ＩＮＳ１，ＩＮＳ２は、後述する検出電極を検査するために用いることができる。検査回路ＩＮＳ１は第１領域Ａ１に配置され、検査回路ＩＮＳ２は第２領域Ａ２に配置されている。但し、検査回路ＩＮＳ１，ＩＮＳ２は、非表示領域ＮＤＡに配置されていればよく、第３領域Ａ３に配置されていたり、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに跨いで配置されていたり、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３とに跨いで配置されていたり、してもよい。
【００１４】
第１パッド群ＰＧ１、第２パッド群ＰＧ２、及び第３パッド群ＰＧ３は、アウターリードボンディングのパッド群であり、非対向領域Ａ５に配置されている。本実施形態において、第２パッド群ＰＧ２、第１パッド群ＰＧ１、及び第３パッド群ＰＧ３は、この順で、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。  
本実施形態において、第１パッド群ＰＧ１に含まれるパッドは、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、回路群ＣＩＲ、及び検査回路ＩＮＳ１，ＩＮＳ２に電気的に接続されている。第２パッド群ＰＧ２に含まれるパッドは検査回路ＩＮＳ１に電気的に接続され、第３パッド群ＰＧ３に含まれるパッドは検査回路ＩＮＳ２に電気的に接続されている。
【００１５】
配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の非対向領域Ａ５に物理的に接続され、第１パッド群ＰＧ１の複数のパッドに電気的に接続されている。ＩＣチップＩ１は、配線基板１に実装されている。ＩＣチップＩ１は、配線基板１、第１パッド群ＰＧ１などを介し、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、回路群ＣＩＲ、及び検査回路ＩＮＳ１，ＩＮＳ２に信号を与えることができる。  
配線基板２は、配線基板１に接続されている。なお、配線基板２は、図示しない制御モジュールに接続されていてもよい。ＩＣチップＩ２は、配線基板２に実装されている。ＩＣチップＩ２は、配線基板２、配線基板１、第１パッド群ＰＧ１などを介し、検出電極から信号を受取ることができる。
【００１６】
このような配線基板１，２は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。例えば、本実施形態の配線基板１，２は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。
【００１７】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。又は、表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の液晶表示パネルであってもよい。又は、表示パネルＰＮＬは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。表示パネルＰＮＬが透過型の液晶表示パネル又は半透過型の液晶表示パネルである場合、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の背面に配置された照明装置を備えている。
【００１８】
次に、第１基板ＳＵＢ１側の導電層と、第２基板ＳＵＢ２側の電極との接続に関する構成について例示的に説明する。図２は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。  
図２に示すように、第３方向Ｚは、図１に示した第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとそれぞれ直交している。第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００１９】
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、接続部材Ｃと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。  
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板としての第１ガラス基板１０と、第１ガラス基板１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に位置する導電層ＣＬと、を備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、導電層ＣＬは、主面１０Ａに位置している。なお、図示しないが、第１ガラス基板１０と導電層ＣＬとの間や、導電層ＣＬの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていてもよい。
【００２０】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板としての第２ガラス基板２０と、検出電極Ｒｘとを備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。第２ガラス基板２０は、その主面２０Ａが導電層ＣＬと対向し、且つ、導電層ＣＬから第３方向Ｚに離れている。図示した例では、検出電極Ｒｘは、主面２０Ｂに位置している。第１ガラス基板１０、導電層ＣＬ、第２ガラス基板２０、及び検出電極Ｒｘは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。導電層ＣＬと第２ガラス基板２０との間には、有機絶縁膜ＯＩが位置している。ここでの有機絶縁膜ＯＩとは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシール材などが含まれる。なお、図示しないが、第２ガラス基板２０と検出電極Ｒｘとの間や、検出電極Ｒｘの上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていてもよい。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間にも、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていてもよい。
【００２１】
第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば無アルカリガラスなどの絶縁性の材料によって形成されている。導電層ＣＬ及び検出電極Ｒｘは、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。接続部材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。
【００２２】
ここで、本実施形態における導電層ＣＬ及び検出電極Ｒｘとの接続構造について詳述する。第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する貫通孔（第１貫通孔）ＶＡを有している。図示した例では、貫通孔ＶＡは、検出電極Ｒｘも貫通している。一方、第１基板ＳＵＢ１においては、導電層ＣＬは、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する貫通孔（第２貫通孔）ＶＢを有している。また、第１ガラス基板１０は、貫通孔ＶＢと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。
【００２３】
有機絶縁膜ＯＩは、貫通孔ＶＡ及びＶＢに繋がった貫通孔（第３貫通孔）ＶＣを有している。図示した例では、貫通孔ＶＣは、貫通孔ＶＡ及びＶＢと比較して、第１方向Ｘに拡張されている。なお、貫通孔ＶＣは、第１方向Ｘのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って貫通孔ＶＡ及びＶＢよりも拡張されている。凹部ＣＣ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び貫通孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。
【００２４】
凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していてもよい。貫通孔ＶＢ及び凹部ＣＣは、いずれも貫通孔ＶＡ及びＶＣの直下に位置している。貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＣ、貫通孔ＶＢ、及び凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖを形成している。
【００２５】
接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ，ＶＢ，及びＶＣを通って導電層ＣＬと検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。図示した例では、接続部材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、検出電極Ｒｘの上面ＴＲｘ、貫通孔ＶＡにおける検出電極Ｒｘの内面ＳＲｘ、及び貫通孔ＶＡにおける第２ガラス基板２０の内面Ｓ２０にそれぞれ接触している。また、接続部材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、貫通孔ＶＢにおける導電層ＣＬの内面ＳＣＬ、導電層ＣＬの上面ＴＣＬ、及び凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。
【００２６】
接続部材Ｃは、貫通孔ＶＣにおける有機絶縁膜ＯＩの内面ＳＯＩに接触している。なお、図示した例では、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ、及び凹部ＣＣを埋めるように充填されているが、少なくともそれらの内面に設けられていればよい。このような接続部材Ｃは、導電層ＣＬと検出電極Ｒｘとの間において途切れることなく連続的に形成されている。
【００２７】
これにより、検出電極Ｒｘは、接続部材Ｃ、導電層ＣＬなどを介して上述した配線基板２と電気的に接続される。このため、検出電極Ｒｘに対して信号を書き込んだり、検出電極Ｒｘから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板２を介して検出電極Ｒｘと接続可能となる。つまり、配線基板１，２とは別の配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。
【００２８】
上記のように、第１基板ＳＵＢ１側の導電層ＣＬと、第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘとを接続する構成によれば、上記別の配線基板を実装するための端子部や、検出電極Ｒｘと上記別の配線基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができる。又は、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。  
加えて、接続部材Ｃが貫通孔ＶＢにおける導電層ＣＬの内面ＳＣＬのみならず、導電層ＣＬの上面ＴＣＬにも接触しているため、接続部材Ｃの導電層ＣＬとの接触面積を拡大することができ、接続部材Ｃと導電層ＣＬとの接続不良を抑制することができる。
【００２９】
図３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。  
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１，Ｉ２、配線基板１，２などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図３において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００３０】
ＩＣチップＩ１は配線基板１に実装され、ＩＣチップＩ２は配線基板２に実装されているが、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１，Ｉ２は外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ２は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。ＩＣチップＩ２は、配線基板２及び配線基板１を介して第１パッド群ＰＧ１のパッドに接続されている。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。
【００３１】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。図３では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極（第１検出電極）Ｒｘ１に注目してその構造例について説明する。
【００３２】
すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。  
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図８を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。  
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第２領域Ａ２に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシール材ＳＥと重なる位置に形成されている。
【００３３】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、上記の導電層ＣＬに対応する複数の導電層ＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，…）と、上記のリード配線Ｗに対応する複数のリード配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，…）と、を備えている。導電層（第１導電層）ＣＬ１及びリード配線（第１リード配線）Ｗ１は、第１領域Ａ１に位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。導電層ＣＬ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。リード配線Ｗ１は、導電層ＣＬ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、第１パッド群ＰＧ１、配線基板１，２を介してＩＣチップＩ２の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００３４】
表示パネルＰＮＬには複数の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，…）が形成されている。接続用孔（第１接続用孔）Ｖ１は、端子部ＲＴ１と導電層ＣＬ１とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２及びシール材ＳＥを貫通するとともに、導電層ＣＬ１を貫通する場合もあり得る。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であってもよい。図１などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１には、接続部材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１と導電層ＣＬ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板１，２を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００３５】
図示した例では、検出電極Ｒｘ１、検出電極（第３検出電極）Ｒｘ３などの奇数番目の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ３の端子部ＲＴ１，ＲＴ３、導電層ＣＬ１、導電層（第３導電層）ＣＬ３、リード配線Ｗ１、リード配線（第３リード配線）Ｗ３、接続用孔Ｖ１、接続用孔（第３接続用孔）Ｖ３は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第１領域Ａ１に位置している。また、検出電極（第２検出電極）Ｒｘ２、検出電極（第４検出電極）Ｒｘ４などの偶数番目の検出電極Ｒｘ２，Ｒｘ４の端子部ＲＴ２，ＲＴ４、導電層（第２導電層）ＣＬ２、導電層（第４導電層）ＣＬ４、リード配線（第２リード配線）Ｗ２、リード配線（第４リード配線）Ｗ４、接続用孔（第２接続用孔）Ｖ２、接続用孔（第４接続用孔）Ｖ４は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第２領域Ａ２に位置している。このようなレイアウトによれば、第１領域Ａ１の幅と第２領域Ａ２の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
【００３６】
図示したように、導電層ＣＬ３が導電層ＣＬ１よりも第１パッド群ＰＧ１に近接するレイアウトでは、リード配線Ｗ１は、導電層ＣＬ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、導電層ＣＬ３と第１パッド群ＰＧ１との間でリード配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、リード配線Ｗ２は、導電層ＣＬ４の内側を迂回し、導電層ＣＬ４と第１パッド群ＰＧ１との間でリード配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
【００３７】
図４は、図３に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
図４に示すように、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２に接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。
【００３８】
各走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２の両方に接続されているが、これに限定されるものではなく、走査線駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２の何れか一方に接続されていてもよい。例えば、奇数番目の走査線Ｇが走査線駆動回路ＧＤ１に接続され、偶数番目の走査線Ｇが走査線駆動回路ＧＤ２に接続されていてもよい。また、信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図３に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。
【００３９】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。  
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００４０】
図５は、図３に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。  
図５に示すように、図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００４１】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。  
第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１ガラス基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していてもよい。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００４２】
走査線、信号線Ｓ、及び金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であってもよい。一例では走査線はモリブデンとタングステンを有する金属材料から形成され、信号線Ｓはチタンとアルミニウムを有する金属材料から形成され、金属層Ｍはモリブデンとアルミニウムから成る金属材料から形成され、走査線、信号線Ｓ及び金属層Ｍはそれぞれ異なる材料から成る。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００４３】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。
【００４４】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含んでいる。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００４５】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置してもよい。
【００４６】
検出電極Ｒｘは、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、上記の通り、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていてもよいし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていてもよいし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていてもよい。
【００４７】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。
【００４８】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。  
図６は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図６に示すように、図示した構成例では、センサＳＳは、駆動電極としてのセンサ駆動電極Ｔｘ、及び検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００４９】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図３を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられた導電層ＣＬに接続され、リード配線Ｗを介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、引出し配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００５０】
本実施形態において、センサ駆動電極Ｔｘに上記の共通電極ＣＥを利用している。センサ駆動電極Ｔｘは、共通電極ＣＥである。センサ駆動電極Ｔｘ（共通電極ＣＥ）は、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００５１】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図３に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００５２】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であってもよい。
【００５３】
図７は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。図７に示した構成例は、図３に示した構成例と比較して、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，…がそれぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる点で相違している。図示した例では、検出部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，…は、表示領域ＤＡと第１パッド群ＰＧ１との間で第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，…は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、図示しないが、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに間隔をおいて並んだセンサ駆動電極を備えていてもよい。  
図７に示した構成例は、検出電極Ｒｘを利用した自己容量方式のセンサＳＳに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Ｒｘを利用した相互容量方式のセンサＳＳにも適用可能である。
【００５４】
図８は、図３及び図７に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。  
図８（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図８（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であってもよい。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。  
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。
【００５５】
図９は、図３に示した接続用孔Ｖ１を含む表示パネルＰＮＬを、線ＩＸ−ＩＸで切断した表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。  
図９に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、導電層ＣＬ１、有機絶縁膜に相当する第２絶縁膜１２などを備えている。第１導電層ＣＬ１は、例えば、図５に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。第１ガラス基板１０と導電層ＣＬ１との間、及び第１ガラス基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図５に示した第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。
【００５６】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、検出電極Ｒｘ１、有機絶縁膜に相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。  
シール材ＳＥは、有機絶縁膜に相当し、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に位置している。なお、図示しないが、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間には、図５に示した金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、及び第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図５に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
【００５７】
接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０及び検出電極Ｒｘの端子部ＲＴを貫通する貫通孔ＶＡ、導電層ＣＬ１を貫通する貫通孔ＶＢ、各種有機絶縁膜を貫通する貫通孔ＶＣ、及び第１ガラス基板１０に形成された凹部ＣＣを含んでいる。貫通孔ＶＣは、第２絶縁膜１２を貫通する第１部分ＶＣ１、シール材ＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、及び遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３を有している。接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、導電層ＣＬ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。
【００５８】
図１０は、上記実施形態の表示パネルＰＮＬを示す平面図であり、表示パネルＰＮＬの検査装置を併せて示す図である。  
図１０に示すように、各リード配線Ｗは、延在配線ＥＷと、引回し配線ＬＷと、を有している。延在配線ＥＷは、上記第１絶縁膜１１の上に形成され、上記第２絶縁膜１２で覆われ、信号線Ｓと実質的に並行して延在している。本明細書において、「第１配線が第２配線と実質的に並行している」という場合、第１配線が第２配線と平行に延在している場合だけではなく、第１配線が第２配線に対して０°を超え２０°以下となる角度、傾斜している場合も含んでいる。本実施形態において、延在配線ＥＷは、信号線Ｓと同様に第２方向Ｙに延在している。
【００５９】
引回し配線ＬＷは、上記第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３で覆われている。引回し配線ＬＷは、延在配線ＥＷに接続された一端部と、第１パッド群ＰＧ１のパッドに接続された他端部と、を含んでいる。例えば、引回し配線ＬＷの一端部は、延在配線ＥＷと対向し、第２絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを通って延在配線ＥＷにコンタクトしている。
【００６０】
第１検査回路としての検査回路ＩＮＳ１は、非表示領域ＮＤＡに位置し、延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）に接続されている。第２検査回路としての検査回路ＩＮＳ２は、非表示領域ＮＤＡに位置し、延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）に接続されている。例えば、検査回路ＩＮＳ１は上記第１領域Ａ１側に位置し、検査回路ＩＮＳ２は、上記第２領域Ａ２側に位置している。
【００６１】
第１基板ＳＵＢ１は、複数本の検査配線ＷＩを有している。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１は、４本の検査配線ＷＩ１，ＷＩ２，ＷＩ３，ＷＩ４を有している。検査配線ＷＩ１及びＷＩ２は、検査回路ＩＮＳ１と第２パッド群ＰＧ２のパッドとを接続している。検査配線ＷＩ３及びＷＩ４は、検査回路ＩＮＳ２と第３パッド群ＰＧ３のパッドとを接続している。  
平面視にて、検査配線ＷＩが接続されている第２及び第３パッド群ＰＧ２及びＰＧ３のパッドのサイズは、第１パッド群ＰＧ１のパッドのうち引回し配線ＬＷ（リード配線Ｗ）が接続されているパッドのサイズより大きい。上記パッド間におけるサイズの比率は、特に限定されるものではないが、本実施形態において、第２及び第３パッド群ＰＧ２及びＰＧ３のパッドのサイズは、引回し配線ＬＷが接続されているパッドのサイズの４倍程度である。
【００６２】
第１基板ＳＵＢ１は、制御配線ＣＷを備えている。制御配線ＣＷは、検査回路ＩＮＳ１及びＩＮＳ２と、第１パッド群ＰＧ１のパッドと、に接続されている。制御配線ＣＷが接続されているパッドのサイズは、第２及び第３パッド群ＰＧ２及びＰＧ３のパッドのサイズと、実質的に同一である。ここで言う、「一方のパッドサイズが他方のパッドのサイズと実質的に同一」とは、一方のパッドサイズが他方のパッドのサイズと完全に同じ場合だけではなく、一方のパッドのサイズに対して他方のパッドのサイズが０．９倍から１．１倍程度の関係にあるような小さな差異がある場合も含んでいる。  
上記のように、第１パッド群ＰＧ１のうち制御配線ＣＷに接続されるパッドや、第２及び第３パッド群ＰＧ２及びＰＧ３のパッドのサイズを大きくすることにより、これらのパッドを検査パッドとして利用することができ、プロービングを行う際に必要となるパッドの面積を得ることができる。
【００６３】
各検査回路ＩＮＳ１及びＩＮＳ２は、複数のスイッチを備えている。検査回路ＩＮＳのスイッチは、画素ＰＸのスイッチング素子ＳＷと同様に、ＴＦＴによって構成されている。本実施形態において、検査回路ＩＮＳのスイッチは、同一の導電型のＴＦＴによって構成されている。このため、検査回路ＩＮＳのスイッチは、第１パッド群ＰＧ１のパッド、制御配線ＣＷなどを介して与えられる制御信号Ｓｃｏｎに基づき、同時に導通状態（オン）又は非導通状態（オフ）に切替えられる。又は、制御信号Ｓｃｏｎの替わりに、検査用の映像信号を書き込むスイッチング素子に与える制御信号と同じ信号を利用してもよい。
【００６４】
また、第２基板ＳＵＢ２には、ｊ個の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，…，Ｒｘｊ−１，Ｒｘｊ，が設けられているものとする。上記ｊは２以上の整数である。  
図中、検出電極Ｒｘ１、検出電極Ｒｘ５、及び検出電極Ｒｘｊ−３は、対応するリード配線Ｗ、検査回路ＩＮＳ１の対応するスイッチを介して検査配線ＷＩ１に接続されている。検出電極Ｒｘ３、検出電極Ｒｘ７、及び検出電極Ｒｘｊ−１は、対応するリード配線Ｗ、検査回路ＩＮＳ１の対応するスイッチを介して検査配線ＷＩ２に接続されている。  
検出電極Ｒｘ２、検出電極Ｒｘ６、及び検出電極Ｒｘｊ−２は、対応するリード配線Ｗ、検査回路ＩＮＳ２の対応するスイッチを介して検査配線ＷＩ３に接続されている。検出電極Ｒｘ４、検出電極Ｒｘ８、及び検出電極Ｒｘｊは、対応するリード配線Ｗ、検査回路ＩＮＳ２の対応するスイッチを介して検査配線ＷＩ２に接続されている。
【００６５】
上記のように構成された検出電極Ｒｘ及び延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）は、検査回路ＩＮＳ１及びＩＮＳ２と非接触式の検査装置１００を利用して検査することができる。このような検査を製造工程の一工程で行うことにより、製品歩留まりの高い表示パネルＰＮＬの形成に寄与することができる。
【００６６】
検査装置１００は、複数の検知部と、複数の検出器とを備えている。検知部は、非接触式にて検出電極Ｒｘの電位を検知できるように構成されていればよい。例えば、検知部は、検出電極Ｒｘとの間に形成される静電容量を検知するように構成されている。又は、検知部は、検出電極Ｒｘに電子ビームを照射し、検出電極Ｒｘから放出される２次電子の情報を検知するように構成されていてもよい。
【００６７】
本実施形態において、検査装置１００の検知部１１１ａは、検出電極Ｒｘ１及び検出電極Ｒｘ３の第２領域Ａ２側の端部と対向している。検査装置１００の検知部１１１ｂは、検出電極Ｒｘ２及び検出電極Ｒｘ４の第１領域Ａ１側の端部と対向している。同様に、検査装置１００の検知部１１２ａ，１１２ｂ，１１８ａ，１１８ｂも検出電極Ｒｘの端部と対向している。
【００６８】
本実施形態において、検査装置１００は、８個の検出器１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６，１２７，１２８を有している。言い換えると、検査装置１００は、８個の物理チャネル（８ｃｈ）を利用して、検査することができる。検査装置１００の検出器１２１には、検知部１１１ａ及び１１１ｂで検知された情報が入力される。検査装置１００の検出器１２２には、検知部１１２ａ及び１１２ｂで検知された情報が入力される。検査装置１００の検出器１２８には、検知部１１８ａ及び１１８ｂで検知された情報が入力される。
【００６９】
次に、検査装置１００を用いた検査の方法について説明する。  
検査を開始すると、まず、検出器１２１乃至１２８を検出電極Ｒｘに対向配置する。そして、第１基板ＳＵＢ１に上記配線基板１を接続する前の状態にて、第１パッド群ＰＧ１のうち制御配線ＣＷに接続されたパッド、第２パッド群ＰＧ２のパッド、及び第３パッド群ＰＧ３のパッド、にプロービングを行う。上記のようにプロービングを行うことにより、制御配線ＣＷに制御信号Ｓｃｏｎを与えたり、検査配線ＷＩに検査信号Ｓｉｎｓを与えたり、することが可能となる。その後、制御配線ＣＷなどを介して各検査回路ＩＮＳ１及びＩＮＳ２に制御信号Ｓｃｏｎを与え、各検査回路ＩＮＳ１及びＩＮＳ２の全てのスイッチを導通状態に切替える。
【００７０】
次いで、検査配線ＷＩ１に検査信号Ｓｉｎｓを与え、検査配線ＷＩ１につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させる。この際、検査配線ＷＩ２，ＷＩ３，ＷＩ４を接地電位に固定するなどし、検査配線ＷＩ２，ＷＩ３，ＷＩ４につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させずに固定する。これにより、リード配線Ｗ１及び検出電極Ｒｘ１の情報を、検知部１１１ａ及び検出器１２１で検知することができる。リード配線Ｗ５及び検出電極Ｒｘ５の情報を、検知部１１２ａ及び検出器１２２で検知することができる。リード配線Ｗｊ−３及び検出電極Ｒｘｊ−３の情報を、検知部１１８ａ及び検出器１２８で検知することができる。  
上記の情報には、延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘにおける断線や電気抵抗値などの情報が含まれている。
【００７１】
又は、検査配線ＷＩ２に検査信号Ｓｉｎｓを与え、検査配線ＷＩ２につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させる。この際、検査配線ＷＩ１，ＷＩ３，ＷＩ４につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させずに固定する。これにより、リード配線Ｗ３及び検出電極Ｒｘ３の情報を、検知部１１１ａ及び検出器１２１で検知することができる。リード配線Ｗ７及び検出電極Ｒｘ７の情報を、検知部１１２ａ及び検出器１２２で検知することができる。リード配線Ｗｊ−１及び検出電極Ｒｘｊ−１の情報を、検知部１１８ａ及び検出器１２８で検知することができる。
【００７２】
又は、検査配線ＷＩ３に検査信号Ｓｉｎｓを与え、検査配線ＷＩ３につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させる。この際、検査配線ＷＩ１，ＷＩ２，ＷＩ４につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させずに固定する。これにより、リード配線Ｗ２及び検出電極Ｒｘ２の情報を、検知部１１１ｂ及び検出器１２１で検知することができる。リード配線Ｗ６及び検出電極Ｒｘ６の情報を、検知部１１２ｂ及び検出器１２２で検知することができる。リード配線Ｗｊ−２及び検出電極Ｒｘｊ−２の情報を、検知部１１８ｂ及び検出器１２８で検知することができる。
【００７３】
又は、検査配線ＷＩ４に検査信号Ｓｉｎｓを与え、検査配線ＷＩ４につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させる。この際、検査配線ＷＩ１，ＷＩ２，ＷＩ３につながった延在配線ＥＷ（リード配線Ｗ）と検出電極Ｒｘとの電位を変動させずに固定する。これにより、リード配線Ｗ４及び検出電極Ｒｘ４の情報を、検知部１１１ｂ及び検出器１２１で検知することができる。リード配線Ｗ８及び検出電極Ｒｘ８の情報を、検知部１１２ｂ及び検出器１２２で検知することができる。リード配線Ｗｊ及び検出電極Ｒｘｊの情報を、検知部１１８ｂ及び検出器１２８で検知することができる。  
上述したように検査を行うことができる。
【００７４】
なお、上述した実施形態において、各検査回路ＩＮＳには２本の検査配線ＷＩが接続されているが、これに限定されるものではない。検出電極Ｒｘの個数（ｊ個）に応じて検査配線ＷＩの本数を調整すればよい。各検査回路ＩＮＳに、１本の検査配線ＷＩが接続されていてもよい。この場合、検査装置１００の検知部は、１個の検出電極Ｒｘの端部と対向している。又は、各検査回路ＩＮＳに、３本以上の検査配線ＷＩが接続されていてもよい。例えば、各検査回路ＩＮＳに３本の検査配線ＷＩが接続されている場合、検査装置１００の検知部は、３個の検出電極Ｒｘの端部と対向している。  
上記のように検査回路ＩＮＳ及び検査配線ＷＩなどの構成を調整することにより、検査装置１００の物理チャネルを８個を超える個数に変更すること無しに対応することが可能となる。
【００７５】
図１１は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の一部を示す平面図である。  
図１１に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、複数の接続配線Ｋ、及び複数の引出し配線ＷＲを備えている。複数の接続配線Ｋは、上記の第２絶縁膜１２の上に形成され、非表示領域ＮＤＡの第３領域Ａ３に位置し、第１パッド群ＰＧ１のパッドに接続されている。一方で、接続配線Ｋは、回路群ＣＩＲの上記信号線駆動回路ＳＤを介して上記の信号線Ｓに電気的に接続されている。複数の引出し配線ＷＲは、上記の第２絶縁膜１２の上に形成され、非表示領域ＮＤＡの第３領域Ａ３に位置し、センサ駆動電極Ｔｘに接続されている。一方で、引出し配線ＷＲは、回路群ＣＩＲの上記共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。
【００７６】
図中、引回し配線ＬＷ、接続配線Ｋ、及び引出し配線ＷＲは、全て第２絶縁膜１２の上に形成されている。本実施形態において、引回し配線ＬＷ、接続配線Ｋ、及び引出し配線ＷＲは、上記金属層Ｍと同じ金属を利用して形成されている。
【００７７】
互いに隣合う引回し配線ＬＷと接続配線Ｋとは、実質的に並行して延在している。例えば、左端の接続配線Ｋ及びリード配線Ｗ１の引回し配線ＬＷは、実質的に並行して延在している。また、右端の接続配線Ｋ及びリード配線Ｗ２の引回し配線ＬＷは、実質的に並行して延在している。引回し配線ＬＷと接続配線Ｋとは、同一層に形成され、同一の第１パッド群ＰＧ１に接続されているためのである。そして、第３領域Ａ３を有効に利用して、引回し配線ＬＷ及び接続配線Ｋを配線するためである。
【００７８】
図１２は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の一部を示す他の平面図である。図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。  
図１２及び図１３に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２と、を有している。第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、第３絶縁膜１３の上に位置し、透明導電材料で形成されている。本実施形態において、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、画素電極ＰＥと同一層に位置し、画素電極ＰＥに利用する材料と同じ材料を利用して形成されている。
【００７９】
第１ダミー配線ＤＵ１は、引回し配線ＬＷと対向し、引回し配線ＬＷに沿って延在している。第２ダミー配線ＤＵ２は、接続配線Ｋと対向し、接続配線Ｋに沿って延在している。なお、第１ダミー配線ＤＵ１は、少なくとも非対向領域Ａ５（第１基板ＳＵＢ１のうち第２基板ＳＵＢ２と対向していない領域）において、引回し配線ＬＷと対向し、引回し配線ＬＷに沿って延在していればよい。同様に、第２ダミー配線ＤＵ２は、少なくとも非対向領域Ａ５において、接続配線Ｋと対向し、接続配線Ｋに沿って延在していればよい。
【００８０】
本実施形態において、第１ダミー配線ＤＵ１の幅は、引回し配線ＬＷの幅と同一である。第１ダミー配線ＤＵ１と引回し配線ＬＷとで、側縁の位置は第３方向Ｚに揃っている。同様に、第２ダミー配線ＤＵ２の幅は、接続配線Ｋの幅と同一である。第２ダミー配線ＤＵ２と接続配線Ｋとで、側縁の位置は第３方向Ｚに揃っている。  
但し、第１ダミー配線ＤＵ１と引回し配線ＬＷとの関係や、第２ダミー配線ＤＵ２と接続配線Ｋとの関係は、上記の例に限定されるものではない。例えば、第１ダミー配線ＤＵ１は、引回し配線ＬＷと第３方向Ｚに完全に対向していなくともよく、引回し配線ＬＷの少なくとも一部と第３方向Ｚに対向していればよい。また、第１ダミー配線ＤＵ１の幅は、引回し配線ＬＷの幅より狭くともよく、又は引回し配線ＬＷの幅より広くともよい。
【００８１】
第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、第３絶縁膜１３の上にそれぞれ距離を置いて設けられている。第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、他の導電部材に電気的に接続されていない。このため、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、それぞれ電気的フローティング状態にある。
【００８２】
上記のように、非対向領域Ａ５において、引回し配線ＬＷの上方に第１ダミー配線ＤＵ１を設け、接続配線Ｋの上方に第２ダミー配線ＤＵ２を設けている。このため、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２を設けない場合と比較して、引回し配線ＬＷ及び接続配線Ｋに生じ得る腐食を抑制することができる。  
また、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、それぞれ電気的フローティング状態にある。このため、第１ダミー配線ＤＵ１及び第２ダミー配線ＤＵ２は、引回し配線ＬＷ及び接続配線Ｋを電気的にシールドすることができる。
【００８３】
上記のように構成された実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、接続用孔Ｖ１と、接続部材Ｃと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０と、表示領域ＤＡに位置したセンサ駆動電極Ｔｘと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した導電層ＣＬ１と、非表示領域ＮＤＡに位置し導電層ＣＬ１に接続されたリード配線Ｗ１と、非表示領域ＮＤＡに位置しリード配線Ｗ１に接続された検査回路ＩＮＳ１と、を有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１ガラス基板１０及びセンサ駆動電極Ｔｘと対向した第２ガラス基板２０と、導電層ＣＬ１と対向しセンサ駆動電極Ｔｘと交差した検出電極Ｒｘ１と、を有している。接続用孔Ｖ１は、少なくとも第２ガラス基板２０を貫通している。接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１を通って導電層ＣＬ１と検出電極Ｒｘ１とを電気的に接続している。  
表示装置ＤＳＰの製造時に、検査回路ＩＮＳ１を利用して、リード配線Ｗ１及び検出電極Ｒｘ１を検査することができる。このため、製品歩留まりの高い表示装置ＤＳＰを得ることができる。
【００８４】
本発明の実施形態を説明したが、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記の新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記の実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００８５】
例えば、導電層ＣＬ及び接続用孔Ｖの位置関係は、上述した実施形態に限定されるものではばく、種々変形可能である。  
図１４に示すように、導電層ＣＬ１と接続用孔Ｖ１との組と、導電層ＣＬ２と接続用孔Ｖ２との組とは、検出電極Ｒｘ１及びＲｘ２が延在した第１方向Ｘに表示領域ＤＡを跨いで位置し、上記第１方向Ｘに平行な同一直線上に位置していてもよい。この場合、検出電極Ｒｘ１の端子部ＲＴ１と検出電極Ｒｘ２の端子部ＲＴ２とに関しても、第１方向Ｘに平行な同一直線上に位置している。  
その他にも、導電層ＣＬ３と接続用孔Ｖ３との組と、導電層ＣＬ４と接続用孔Ｖ４との組とは、検出電極Ｒｘ３及びＲｘ４が延在した第１方向Ｘに表示領域ＤＡを跨いで位置し、上記第１方向Ｘに平行な同一直線上に位置している。この場合、検出電極Ｒｘ３の端子部ＲＴ３と検出電極Ｒｘ４の端子部ＲＴ４とに関しても、第１方向Ｘに平行な同一直線上に位置している。  
これにより、第１領域Ａ１のレイアウトと、第２領域Ａ２のレイアウトとを、表示領域ＤＡに対して対称とすることができる。例えば、走査線駆動回路ＧＤ１と走査線駆動回路ＧＤ２とを左右対称に構成することができる。
【符号の説明】
【００８６】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＳ…センサ、
ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、１，２…配線基板、
１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、
ＣＬ，ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４…導電層、Ｃ…接続部材、
Ｖ，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…接続用孔、
Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…検出電極、ＲＳ…検出部、ＲＴ…端子部、
Ｔｘ…センサ駆動電極
ＰＧ１…第１パッド群、ＰＧ２…第２パッド群、ＰＧ３…第３パッド群、
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…リード配線、ＥＷ…延在配線、ＬＷ…引回し配線、
Ｋ…接続配線、Ｇ…走査線、Ｓ…信号線
ＷＩ，ＷＩ１，ＷＩ２，ＷＩ３，ＷＩ４…検査配線ＷＩ、ＤＵ１，ＤＵ２…ダミー配線
ＢＭ…遮光層、ＯＣ…オーバーコート層、
ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、
ＲＣ…検出回路、ＩＮＳ１，ＩＮＳ２…検査回路、１００…検査装置。
【図１】
2018017976.tif 000003
【図２】
2018017976.tif 000004
【図３】
2018017976.tif 000005
【図４】
2018017976.tif 000006
【図５】
2018017976.tif 000007
【図６】
2018017976.tif 000008
【図７】
2018017976.tif 000009
【図８】
2018017976.tif 000010
【図９】
2018017976.tif 000011
【図１０】
2018017976.tif 000012
【図１１】
2018017976.tif 000013
【図１２】
2018017976.tif 000014
【図１３】
2018017976.tif 000015
【図１４】
2018017976.tif 000016