(57)【要約】      （修正有）【課題】高さ測定ユニットを利用して被加工物の反射率を算出可能なレーザー加工装置を提供する。【解決手段】検査光を第１の検査光と第２の検査光とに分岐するビームスプリッタと、該第１の検査光を集光する集光レンズと、該第２の検査光を反射する参照ミラーと、被加工物の表面で反射した該第１の検査光と該参照ミラーで反射した該第２の検査光を受光して、反射光量及び干渉光の強度を検出する受光素子と、該第２の検査光の該参照ミラーから該受光素子までの光路長を調整する光路長調整ユニットと、該受光素子が受光した該干渉光の強度と該光路長から被加工物の高さを測定する高さ測定部と、該受光素子が受光した該干渉光の光量から該第１の検査光の反射率を算出する反射率算出部と、を含み、制御ユニットは、該第１の検査光の該反射率に基づいて加工用レーザービームの照射条件を調整又は照射を中止する。【選択図】図２
2018130728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物に対して透過性を有する波長の加工用レーザービームを該チャックテーブルに保持された被加工物に照射して、被加工物の内部に改質層を形成するレーザー加工ユニットと、該チャックテーブルに保持された被加工物に該加工用レーザービームと同一の波長の検査光を照射し、該検査光の反射光から被加工物の高さを測定する測定ユニットと、該レーザー加工ユニットを制御する制御ユニットと、を備えたレーザー加工装置であって、
該測定ユニットは、
該検査光を第１の検査光と第２の検査光とに分岐するビームスプリッタと、
該第１の検査光を集光する集光レンズと、
該第２の検査光を反射する参照ミラーと、
被加工物の上面又は下面で反射した該第１の検査光と該参照ミラーで反射した該第２の検査光を受光して、反射光量及び干渉光の強度を検出する受光素子と、
該第２の検査光の該参照ミラーから該受光素子までの光路長を調整する光路長調整ユニットと、
該受光素子が受光した該干渉光の強度と該光路長から被加工物の高さを測定する高さ測定部と、
該受光素子が受光した該干渉光の光量から該第１の検査光の第１反射率を算出する反射率算出部と、を含み、
該制御ユニットは、該第１の検査光の該第１反射率に基づいて該加工用レーザービームの照射条件を調整又は照射を中止することを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該制御ユニットは、被加工物の裏面に被覆される膜の種類または厚さに応じた第２反射率を登録する登録部を備え、該第１反射率を該第２反射率と比較することにより被加工物の裏面に被覆された膜の種類又は厚さを判定し、被加工物の裏面に被覆された膜の種類又は厚さに応じた照射条件でレーザービームを被加工物に照射することを特徴とする請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の裏面に酸化膜、窒化膜等の膜を有する被加工物を加工するのに適したレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハやサファイア基板、ＳｉＣ基板の表面に発光層を積層してなる光デバイスウェーハにレーザービームを照射して、ウェーハ内部にストリート（分割予定ライン）に沿った改質層を形成し、改質層を破断起点としてウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法が特許第３４０８８０５号公報に開示されている。
【０００３】
この加工方法では、照射されるレーザービームは被加工物に対して透過性を有し、ウェーハを透過してウェーハ内部の所定の位置に集光され改質層を形成する。しかし、ウェーハの裏面にレーザービームを透過しにくい酸化膜や窒化膜等の膜が被覆されていると、所望の領域に改質層を形成できないといった不具合がある。
【０００４】
そこで検査光の反射光量から被加工物裏面の反射率を算出し、予めコントローラのメモリに格納された膜種類ごとの反射率と適切なパルスエネルギーとの相関関係から反射率に対する適切なパルスエネルギーを決定し、適切なパルスエネルギーに基づいて、レーザー発振器から発振するレーザーの平均出力と繰り返し周波数とを調整してレーザー加工を施すレーザー加工装置が特開２０１３−２３０４７７号公報に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２０１３−２３０４７７号公報
【特許文献３】特開２０１０−０６９５１７号公報
【特許文献４】特開平７−２４３８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
然しながら、被加工物内部の適切な位置に改質層を形成するためには、被加工物の厚み及び被加工物の上面の高さ位置を検出する必要があり、別途高さ測定装置を設けなければならず、レーザー加工装置の大型化やコスト増につながるといった課題が残されていた。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物の高さ測定に用いる高さ測定ユニットを利用して被加工物の反射率を算出可能なレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によると、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物に対して透過性を有する波長の加工用レーザービームを該チャックテーブルに保持された被加工物に照射して、被加工物の内部に改質層を形成するレーザー加工ユニットと、該チャックテーブルに保持された被加工物に該加工用レーザービームと同一の波長の検査光を照射し、該検査光の反射光から被加工物の高さを測定する測定ユニットと、該レーザー加工ユニットを制御する制御ユニットと、を備えたレーザー加工装置であって、該測定ユニットは、該検査光を第１の検査光と第２の検査光とに分岐するビームスプリッタと、該第１の検査光を集光する集光レンズと、該第２の検査光を反射する参照ミラーと、被加工物の上面又は下面で反射した該第１の検査光と該参照ミラーで反射した該第２の検査光を受光して、反射光量及び干渉光の強度を検出する受光素子と、該第２の検査光の該参照ミラーから該受光素子までの光路長を調整する光路長調整ユニットと、該受光素子が受光した該干渉光の強度と該光路長から被加工物の高さを測定する高さ測定部と、該受光素子が受光した該干渉光の光量から該第１の検査光の第１反射率を算出する反射率算出部と、を含み、該制御ユニットは、該第１の検査光の該第１反射率に基づいて該加工用レーザービームの照射条件を調整又は照射を中止することを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【０００９】
好ましくは、該制御ユニットは、被加工物の表面に被覆される膜の種類または厚さに応じた第２反射率を登録する登録部を備え、該第１反射率を該第２反射率と比較することにより被加工物の表面に被覆された膜の種類又は厚さを判定し、被加工物の表面に被覆された膜の種類又は厚さに応じた照射条件でレーザービームを被加工物に照射する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のレーザー加工装置によると、被加工物の高さ測定に用いる高さ測定ユニットを利用して被加工物の反射率を測定する構成であるため、１つの測定ユニットで２つの測定結果を得ることができ、装置の大型化やコスト増を防止できるという効果を奏する。
【００１１】
また、高さ測定ユニットは、被加工物の内部の所定の高さ位置に改質層を形成するためになくてはならないユニットであるため、装置に新たなユニットを別途追加する必要がなく、ソフト的な追加仕様で実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】レーザービーム照射ユニット及び測定ユニットの概略構成図である。
【図３】半導体ウェーハの表面側斜視図である。
【図４】半導体ウェーハの表面側を外周部が環状フレームに装着された粘着テープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図５】保持ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】検査光照射ステップを示す一部断面側面図である。
【図７】膜の種類に応じた反射率及び反射率閾値との関係を示す図である。
【図８】膜の反射率に応じたレーザービームのエネルギーの変更量を示す図である。
【図９】膜の反射率と適切なパルスエネルギーとの相関関係を示す図である。
【図１０】被加工物の裏面に被覆された膜の種類又は厚さに応じたレーザー加工工程を示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態に係るレーザー加工装置の外観斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。
【００１４】
第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段（加工送りユニット）１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、即ちＸ軸方向に移動される。
【００１５】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段（割り出し送りユニット）２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００１６】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウェーハをクランプするクランプ３０が設けられている。
【００１７】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にレーザービーム照射ユニット（レーザー加工ユニット）３４が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット３４は、ケーシング３５中に収容された図２に示すレーザー発振ユニット６２と、ケーシング３５の先端に取り付けられた加工ヘッド３６とを含んでいる。
【００１８】
レーザー発振ユニット６２は、図２に示すように、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器６４と、繰り返し周波数設定ユニット６６とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器６４はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器６４から出射するレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
【００１９】
ケーシング３５の先端部には、加工ヘッド３６とＸ軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３８が配設されている。撮像ユニット３８は、可視光によって半導体ウェーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００２０】
撮像ユニット３８は更に、半導体ウェーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２１】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２２】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２３】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００２４】
撮像ユニット３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザービーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００２５】
図２を参照すると、本発明実施形態にかかるレーザービーム照射ユニット（レーザー加工ユニット）３４及び測定ユニット７５の光学系が示されている。レーザー発振ユニット６２から発振されたレーザービームは出力調整ユニット６８で所望の出力に調整され、加工ヘッド３６に入力される。
【００２６】
加工ヘッド３６のケーシング７０内には反射ミラー７２と集光レンズ７４が収容されている。更に、反射ミラー７２と集光レンズ７４との間にはビームスプリッタ（ハーフミラー）７６が配設されている。
【００２７】
ケーシング７０の突出部７０ａには、ビームスプリッタ７６で反射されたレーザービームを反射する参照ミラー７８が配設されている。参照ミラー７８は光路長調整ユニット８０により矢印Ａ方向に移動可能なように配設されている。
【００２８】
レーザービーム発振ユニット６２から発振され、更に出力調整ユニットと６８で所定パワーに調整されたレーザービーム６９は、加工ヘッド３６の反射ミラー７２で反射され、その後７１で示されるようにその一部（半分）はビームスプリッタ（ハーフミラー）７６を透過して集光レンズ７４によりチャックテーブル２８に保持されたウェーハ１１に照射される。
【００２９】
ウェーハ１１上面で反射された反射光７１ａは集光レンズ７４で集光され、その一部（半分）はビームスプリッタ７６で反射されてフォトダイオード等の受光素子８２に入力される。
【００３０】
レーザービーム６９の内、ビームスプリッタ７６で反射されたレーザービーム７３は参照ミラー７８で反射されて、その反射光７３ａの内の一部（半分）はビームスプリッタ７６を透過して受光素子８２に入力される。
【００３１】
受光素子８２に入力されたウェーハ１１からの反射光７１ａ及び参照ミラー７８からの反射光７３ａは受光素子８２で干渉して干渉縞を形成し、受光素子８２では干渉光の干渉強度及び光量が検出される。受光素子８２で検出された干渉光の干渉強度及び光量は高さ測定部８６及び反射率算出部８８を有する測定部８４に入力される。
【００３２】
図３を参照すると、本発明実施形態のレーザー加工装置で加工される被加工物の一種である半導体ウェーハ１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ１１は、例えばシリコンウェーハから成っており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されていると共に、複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にそれぞれＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。半導体ウェーハ１１の裏面１１ｂには、図４に示すように、ＳｉＯ２からなる酸化膜等の膜１７が形成されている。
【００３３】
本発明実施形態のレーザー加工装置で加工するのに適した被加工物は、半導体ウェーハ１１に限定されるものではなく、裏面に酸化膜、窒化膜、金属膜等の膜を有する光デバイスウェーハ等の被加工物を含むものである。
【００３４】
レーザー加工装置２で半導体ウェーハ１１にレーザー加工を実施するのにあたり、半導体ウェーハ１１の表面１１ａ側が、図４に示すように、外周部が環状フレームＦに装着された粘着テープＴに貼着され、その裏面１１ｂが上側となる。
【００３５】
そして、図５に示すように、レーザー加工装置２のチャックテーブル２８で半導体ウェーハ１１が粘着テープＴを介して吸引保持され、環状フレームＦはクランプ３０によりクランプされて固定される。
【００３６】
次いで、図６に示すように、チャックテーブル２８に保持されたウェーハ１１にレーザービーム照射ユニット３４の加工ヘッド３６から第１の条件でレーザービーム６９を照射し、チャックテーブル２８に保持されたウェーハ１１の上面高さを測定すると共に、半導体ウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆された膜１７の反射率を算出する測定ステップを実施する。
【００３７】
この測定ステップを実施する前に、レーザー加工すべき分割予定ライン１３を検出するアライメントを実施する。即ち、撮像ユニット３８の赤外線カメラでウェーハ１１を裏面１１ｂ側から撮像し、よく知られたパターンマッチング等の画像処理を用いて第１の方向に伸長する分割予定ライン１３及び第１の方向と直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３を検出する。
【００３８】
更に、ウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆された膜１７の反射光量を検出する前に、予め既知の反射率を有する１つ或いは複数の基準ワークを用意し、基準ワークで反射光量を検出し、その時の反射光量を基準データとしてコントローラ４０のＲＡＭ４６に記憶しておく。
【００３９】
更に、被加工物となるミラーＳｉウェーハ、Ａ膜、Ｂ膜の実際の反射率及び検出した反射率から被加工物がなんであるかを判定する反射率閾値ａをコントローラ４０のＲＡＭ４６に記憶しておく。
【００４０】
ウェーハ１１の上面高さ及び裏面１１ｂに被覆された膜１７の反射率算出ステップでは、図６に示すように、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りしながら、加工ヘッド３６から膜１７の形成されたウェーハ１１の裏面１１ｂに加工用レーザービームと同一波長の測定用レーザービーム６９を照射し、ウェーハ１１からの反射光を７１ａ及び参照ミラー７８からの反射光７３ａから受光素子８２で反射光の干渉強度及び反射光量を検出する。
【００４１】
例えば、ウェーハ１１の任意の分割予定ライン１３、複数の分割予定ライン１３、又は全ての分割予定ライン１３に測定用レーザービームを照射して反射光の干渉強度及び反射光量を検出する。
【００４２】
測定ステップを実施する際の、レーザービーム照射条件は例えば以下の通りである。
【００４３】
光源                      ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                      ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数            ：１０００ｋＨｚ
平均出力                  ：０．１Ｗ
加工送り速度              ：４００ｍｍ／ｓ
【００４４】
測定ステップでは、上述した条件でレーザー発振ユニット６２からレーザービームを発振し、出力調整ユニット６８で所定出力（例えば０．１Ｗ）に調整されたレーザービーム６９を加工ヘッド３６に入射し、ビームスプリッタ７６でウェーハ１１に照射される第１の検査光７１と参照ミラー７８に照射される第２の検査光７３に分岐する。
【００４５】
ウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆された膜１７からの第１の検査光７１の反射光７１ａの半分と参照ミラー７８で反射された第２の検査光７３の反射光７３ａの半分は受光素子８２で受光されて干渉し、受光素子８２で干渉光の強度が検出される。
【００４６】
光路長調整ユニット８０で参照ミラー７８を矢印Ａ方向に微動すると、反射干渉光の強度は正弦波として示され、反射干渉光強度の極大点及び極小点は、第１の検査光７１の反射光７１ａと第２の検査光７３の反射光７３ａとの間の光路長差が使用波長の整数倍の位置に存在する。
【００４７】
本実施形態では、ビームスプリッタ７６からウェーハ１１までの距離とビームスプリッタ７６から参照ミラー７８までの距離が等しくなった時に反射干渉光の強度が極大となるように調整する。
【００４８】
反射干渉光の強度が極大となった時のビームスプリッタ７６から参照ミラー７８までの距離を光路長調整ユニット８０で読み取ると、その値がビームスプリッタ７６からウェーハ１１の上面までの距離として算出される。
【００４９】
一方、ビームスプリッタ７６を透過したレーザービーム７１はウェーハ１１の下面でも反射され、この反射光と第２の検査光７３の反射光７３ａも受光素子８２に入射されて、受光素子８２で反射干渉光強度が検出される。
【００５０】
ウェーハ１１の下面で反射された反射光と参照ミラー７８で反射された第２の検査光７３の反射光７３ａとは受光素子８２で干渉し、検出される反射干渉光強度が極大となるように光路長調整ユニット８０で参照ミラー７８を矢印Ａ方向に微調整すると、ビームスプリッタ７６からウェーハ１１の下面までの距離が検出される。
【００５１】
従って、ビームスプリッタ７６からウェーハ１１の下面までの距離からウェーハ１１の上面までの距離を減算することにより、ウェーハ１１の厚みが検出される。チャックテーブル２８の上面高さは予め既知であるため、高さ測定部８６でチャックテーブル２８の上面高さにウェーハ１１の厚みを足すことにより、ウェーハ１１の上面高さを求めることができる。
【００５２】
一方、ウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆された膜１７の反射率は次のようにして求める。まず、測定ステップで照射されるレーザービーム６９の光量を測定しておく。ビームスプリッタ７６でレーザービーム６９が二分されて参照ミラー７８に入射し、参照ミラー７８では第２の検査光７３の１００％が反射光７３ａとして反射されるため、受光素子８２に入射される参照ミラー７８からの反射光７３ａはレーザービーム６９の光量の１／４となる。
【００５３】
従って、受光素子８２が検出した反射干渉光の光量からレーザービーム６９の光量の１／４を減算することにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆された膜１７からの反射光量を算出することができる。
【００５４】
算出された反射光量とＲＯＭ４４に格納されている反射率が既知の被加工物の反射光量からウェーハ１１の裏面１１ｂの反射率を算出する。図７に示すように、コントローラ４０のＲＯＭ４４にはミラーＳｉウェーハ、Ａ膜及びＢ膜の反射率と反射率閾値ａが格納されているため、この反射率閾値ａを用いてウェーハ１１の裏面１１ｂに被覆されている膜がどのような膜であるかを判定することができる。
【００５５】
コントローラ（制御ユニット）４０のＲＯＭ４４には、図８に示すような、反射率とレーザービームのパルスエネルギーとの関係が格納されており、図７に示した材料では、反射率の小さいＢ膜の場合はウェーハ１１に照射されたレーザービームがほとんど透過し、反射率の大きいミラーＳｉウェーハの場合には照射されたレーザービームの３０％が反射されるため、照射されるレーザービームのパルスエネルギーをＢ膜、Ａ膜、ミラーＳｉウェーハと順々に高くなるように設定する。
【００５６】
また、コントローラ４０のＲＯＭ４４には、図９に示すように、被加工物の種類毎や膜種類毎に反射率と適切なパルスエネルギーとの相関関係７７を示す相関図を複数個格納しておく。これらの相関図から反射率に対する適切なパルスエネルギーを得ることができる。
【００５７】
更に、コントローラ４０のＲＯＭ４４には、被加工物の裏面に被覆される膜の厚さに応じた反射率を登録する登録部を備え、算出された反射率から被加工物の裏面に被覆された膜の厚さを判定するように設定することもできる。
【００５８】
即ち、コントローラ（制御ユニット）４０は、被加工物の裏面に被覆される膜の種類または厚さに応じた反射率を登録する登録部を備え、算出された反射率から被加工物の裏面に被覆された膜の種類又は厚さを判定し、被加工物の裏面に被覆された膜の種類又は厚さに応じた照射条件でレーザービームを被加工物であるウェーハ１１に照射することができる。
【００５９】
測定ステップを実施した後、測定ステップで検出された反射光量に基づいてレーザービーム照射ユニット３４で照射するレーザービームの出力を設定し、チャックテーブル２８に保持されたウェーハ１１にレーザービーム照射ユニット３４の加工ヘッド３６から第２の条件でレーザービームを照射して、ウェーハ１１の内部に改質層を形成するレーザー加工ステップを実施する。
【００６０】
尚、受光素子８２で検出した反射光量が許容値より多い場合には、レーザービームが膜１７により相当量反射されてしまい、ウェーハ１１の中に十分進入できないので、レーザー加工ステップでのレーザービームの照射を中止する。
【００６１】
このレーザー加工ステップでは、図１０に示すように、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りしながら、レーザービーム照射ユニット３４の加工ヘッド３６から第２の条件でレーザービーム６９を照射してウェーハ１１内部に改質層１９を形成する。
【００６２】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１の内部に同様な改質層１９を次々と形成する。次いで、チャックテーブル２８を９０°回転してから、第２の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿って同様な改質層１９を形成する。
【００６３】
レーザー加工ステップを実施する際には、加工ヘッド３６のミラー７２で反射されたレーザービーム６９の光路から図示しない手段によりビームスプリッタ７６を待避させる。従って、レーザービーム６９は加工ヘッド３６のミラー７２で反射されて直接集光レンズ７４に入射し、集光レンズ７４によりウェーハ１１の内部の所定位置に集光される。
【００６４】
レーザー加工ステップのレーザー加工条件は、例えば以下のように設定される。
【００６５】
光源                      ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                      ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数            ：１００ｋＨｚ
平均出力                  ：２．０Ｗ
加工送り速度              ：４００ｍｍ／ｓ
【００６６】
以上詳述したように、本発明実施形態に係るレーザー加工装置では、測定部８４に高さ測定部８６と反射率算出部８８を設け、ウェーハ１１の高さ測定に用いる測定ユニット７５を利用してウェーハ１１の裏面の反射率を測定する構成のため、１つの測定ユニット７５で２つの測定結果を得ることができ、装置の大型化やコスト増を防ぐことができる。
【００６７】
また、測定ユニット７５は、ウェーハ１１の内部の所定の高さに改質層を形成するためになくてはならないユニットであるため、装置に新たなユニットを別途追加する必要がなく、ソフト的な追加仕様で実現可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１１    半導体ウェーハ
１３    分割予定ライン
１５    デバイス
１７    膜
１９    改質層
２８    チャックテーブル
３４    レーザービーム照射ユニット（レーザー加工ユニット）
３６    加工ヘッド
３８    撮像ユニット
６２    レーザー発振ユニット
６４    レーザー発振器
６６    繰り返し周波数設定ユニット
６８    出力調整ユニット
６９    レーザービーム
７１    第１の検査光
７３    第２の検査光
７４    集光レンズ
７５    測定ユニット
７６    ビームスプリッタ（ハーフミラー）
７８    参照ミラー
８０    光路調整ユニット
８２    受光素子
８６    高さ測定部
８８    反射率算出部
【図１】
2018130728.tif 000003
【図２】
2018130728.tif 000004
【図３】
2018130728.tif 000005
【図４】
2018130728.tif 000006
【図５】
2018130728.tif 000007
【図６】
2018130728.tif 000008
【図７】
2018130728.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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