(57)【要約】【課題】狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器の製造方法を提供する。【解決手段】第１ガラス基板及び第１導電層を備えた第１基板と、第２ガラス基板及び第２導電層を備え、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、前記第２基板の上に保護部材を設け、前記保護部材と重なる位置に、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基板を貫通する第１貫通孔を形成し、前記保護部材を除去し、前記保護部材を除去後、前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材を形成する、電子機器の製造方法。【選択図】      図９
2018017975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ガラス基板及び第１導電層を備えた第１基板と、
第２ガラス基板及び第２導電層を備え、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、
を用意し、
前記第２基板の上に保護部材を設け、
前記保護部材と重なる位置に、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基板を貫通する第１貫通孔を形成し、
前記保護部材を除去し、
前記保護部材を除去後、前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材を形成する、
電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記保護部材は、フィルムである、請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３】
前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを含む、請求項２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項４】
前記保護部材は、有機絶縁材料である、請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項５】
前記有機絶縁材料は、アクリル系樹脂を含む、請求項４に記載の電子機器の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光を照射して、前記第１貫通孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２貫通孔を形成する、請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項７】
前記レーザー光を照射して、前記第２貫通孔と対向する位置の前記第１ガラス基板に凹部を形成する、請求項６に記載の電子機器の製造方法。
【請求項８】
前記接続部材は、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルの金属微粒子を含む、請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、第１ガラス基板及び第１導電層を備えた第１基板と、第２ガラス基板及び第２導電層を備え、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、前記第２基板の上に保護部材を設け、前記保護部材と重なる位置に、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基板を貫通する第１貫通孔を形成し、前記保護部材を除去し、前記保護部材を除去後、前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材を形成する、電子機器の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、センサの一構成例を示す平面図である。
【図５】図５は、図１に示した検出電極の検出部の構成例を示す図である。
【図６】図６は、図１に示した接続用孔を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの断面図である。
【図７】図７は、表示パネルを用意する工程を説明するための断面図である。
【図８】図８は、保護部材を設け、レーザー光を照射する工程を説明するための断面図である。
【図９】図９は、レーザー光を照射した後の表示パネルを示す断面図である。
【図１０】図１０は、保護部材を除去する工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１１は、貫通孔に接続部材を注入する工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、接続部材を貫通孔から貫通孔及び凹部に充填させる工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１３は、接続部材に含まれる溶剤を気化させる工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１４は、充填部材を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１５は、第２光学素子を接着する工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１６は、保護部材を設け、レーザー光を照射する工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１７は、レーザー光を照射した後の表示パネルを示す断面図である。
【図１８】図１８は、保護部材を除去する工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１９は、充填部材及び保護部材を形成する工程を説明するための断面図である。
【図２０】図２０は、第２光学素子を接着する工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。  
また、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面を示している。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置しており、表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００１２】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
【００１３】
ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。
【００１４】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００１５】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。ここで、本実施形態においては、検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に配置された第２導電層Ｌ２であるとする。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。
【００１６】
図１では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。
【００１７】
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図５を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。
【００１８】
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。
【００１９】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続されたパッドＰ１及び配線Ｗ１を備えている。ここで、本実施形態においては、パッドＰ１及び配線Ｗ１は、第１基板ＳＵＢ１に配置された第１導電層Ｌ１であるとする。パッドＰ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、パッドＰ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００２０】
接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが対向する位置に形成されている。接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥを貫通している。また、接続用孔Ｖ１は、パッドＰ１を貫通していてもよい。後述するが、接続用孔Ｖ１には、導電性を有する接続部材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００２１】
なお、図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。
【００２２】
図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…、パッドＰ１、Ｐ３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…、パッドＰ２、Ｐ４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
【００２３】
図示したように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
【００２４】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。
【００２５】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
【００２６】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００２７】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。
【００２８】
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００２９】
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００３０】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
【００３１】
第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の主面１０Ａに位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１ガラス基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００３２】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００３３】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３４】
第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２ガラス基板２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３５】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００３６】
検出電極Ｒｘは、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、上記の通り、第２導電層Ｌ２に相当し、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
【００３７】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１ガラス基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００３８】
第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０は、例えば無アルカリガラスによって形成されている。走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００３９】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
【００４０】
図４は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００４１】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００４２】
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００４３】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００４４】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００４５】
また、図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Ｔｘがそれぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００４６】
図５は、図１に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。  
図５（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図５（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であっても良い。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。  
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。
【００４７】
図６は、図１に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００４８】
図示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層ＬＣと、接続部材Ｃと、充填部材ＦＩと、第２光学素子ＯＤ２と、を備えている。
【００４９】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１、第２絶縁膜１２などを備えている。以下、パッドＰ１を第１導電層Ｌ１として説明する。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、主面１０Ａに位置している。第１導電層Ｌ１は、例えば、図３に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。また、図示した例では、第２絶縁膜１２は、第１ガラス基板１０、及び、第１導電層Ｌ１の上に配置されている。
【００５０】
なお、第１ガラス基板１０とパッドＰ１との間、及び、第１ガラス基板１０と第２絶縁膜１２との間には、図３に示した第１絶縁膜１１や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていても良い。
【００５１】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、保護部材ＰＦ１、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。以下、検出電極Ｒｘ１を第２導電層Ｌ２として説明する。第２導電層Ｌ２は、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに位置している。保護部材ＰＦ１は、検出電極Ｒｘ１を覆っている。また、保護部材ＰＦ１は、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂにも接している。保護部材ＰＦ１は、例えばアクリル系樹脂などの有機絶縁材料である。なお、図示しないが、第２ガラス基板２０と第２導電層Ｌ２との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
【００５２】
シールＳＥは、第２絶縁膜１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に位置している。
【００５３】
なお、図示しないが、第２絶縁膜１２とシールＳＥとの間には、図３に示した金属層Ｍ、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していても良い。また、オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図３に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していても良い。
【００５４】
ここで、本実施形態における第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続構造について詳述する。第２基板ＳＵＢ２において、第２ガラス基板２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する貫通孔（第１貫通孔）ＶＡを有している。図示した例では、貫通孔ＶＡは、第２導電層Ｌ２も貫通している。
【００５５】
一方、第１基板ＳＵＢ１においては、第１導電層Ｌ１は、貫通孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する貫通孔（第２貫通孔）ＶＢを有している。また、第２絶縁膜１２、シールＳＥ、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣの各種有機絶縁膜は、貫通孔ＶＣを有している。具体的には、貫通孔ＶＣは、第２絶縁膜１２を貫通する第１部分ＶＣ１、シールＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、及び、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３を有している。
【００５６】
また、第１ガラス基板１０は、貫通孔ＶＢと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。凹部ＣＣ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び、貫通孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有していても良い。貫通孔ＶＢ及び凹部ＣＣは、いずれも貫通孔ＶＡの直下に位置している。貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖ１を形成している。
【００５７】
接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。すなわち、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続部材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２、貫通孔ＶＡにおける第２導電層Ｌ２の内面ＬＳ２、及び、貫通孔ＶＡにおける第２ガラス基板２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。これらの内面ＬＳ２及び２０Ｓは、貫通孔ＶＡの内面を形成している。また、接続部材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１、貫通孔ＶＢにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１、貫通孔ＶＣにおける各種有機絶縁膜の内面ＬＳ３、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。内面ＬＳ１は、貫通孔ＶＢの内面を形成し、内面ＬＳ３は、貫通孔ＶＣの内面を形成している。
【００５８】
なお、図示した例では、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられているが、貫通孔ＶＡ、貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣの内部を埋めるように充填されていても良い。このような接続部材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。
【００５９】
第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。接続部材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの金属微粒子を含むものであることが望ましい。
【００６０】
充填部材ＦＩは、接続部材Ｃの中空部分に充填されている。充填部材ＦＩは、例えば導電性を有しており、銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものである。充填部材ＦＩが導電性を有している場合には、接続部材Ｃが途切れたとしても、充填部材ＦＩが第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。また、充填部材ＦＩは、例えば絶縁性を有していても良く、有機絶縁材料によって形成されていても良い。このように、充填部材ＦＩが配置されることにより、接続部材Ｃに中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、接続部材Ｃを保護することができる。
【００６１】
上述したセンサＳＳを備える表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた第１導電層Ｌ１（検出電極Ｒｘ）は、接続用孔Ｖに設けられた接続部材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第２導電層Ｌ２（パッドＰ）と接続されている。このため、第１導電層Ｌ１と検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができ、コストを削減することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００６２】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図７乃至図１５を参照しながら説明する。
【００６３】
図７は、表示パネルＰＮＬを用意する工程を説明するための断面図である。  
まず、図７に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図示した表示パネルＰＮＬは、少なくとも第１ガラス基板１０及び第１導電層Ｌ１を備えた第１基板ＳＵＢ１と、少なくとも第２ガラス基板２０及び第２導電層Ｌ２を備えた第２基板ＳＵＢ２とを備えている。この表示パネルＰＮＬにおいては、第２基板ＳＵＢ２が第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第２基板ＳＵＢ２第１導電層Ｌ１から離間した状態で、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とがシールＳＥによって接着されている。なお、上述したように、ここでの第１導電層Ｌ１とは、例えば図６に示したパッドＰ１などに相当し、第２導電層Ｌ２とは、例えば図６に示した検出電極Ｒｘ１などに相当する。
【００６４】
このような表示パネルＰＮＬの製造方法の一例について説明する。すなわち、第１ガラス基板１０の主面１０Ａ上に第１導電層Ｌ１や第２絶縁膜１２などを形成した第１基板ＳＵＢ１を用意する。一方で、第２ガラス基板２０の主面２０Ａ上に遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣなどを形成した第２基板ＳＵＢ２を用意する。この時点で、第２基板ＳＵＢ２の主面２０Ｂには、第２導電層は形成されていない。これらの第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に、基板の端辺に沿ってシールＳＥを形成し、シールＳＥの内側に液晶材料を滴下する。その後、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合せ、シールＳＥを硬化させて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着する。その後、フッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液により第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０をそれぞれエッチングし、第１ガラス基板１０及び第２ガラス基板２０を薄板化する。その後、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに第２導電層Ｌ２を形成し、第２基板ＳＵＢ２の上に第２導電層Ｌ２を覆う保護部材ＰＦ１を形成する。これにより、図７に示す表示パネルＰＮＬが製造される。
【００６５】
また、表示パネルＰＮＬの製造方法の他の例について説明する。すなわち、上記の例と同様に第１基板ＳＵＢ１を用意する一方で、第２ガラス基板２０の主面２０Ａ上に遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣなどを形成し、且つ、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂ上に第２導電層Ｌ２と、さらに、第２基板ＳＵＢ２の上に第２導電層Ｌ２を覆う保護部材ＰＦ１と、を形成した第２基板ＳＵＢ２を用意する。その後、シールＳＥを形成し、液晶材料を滴下した後に、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着する。これにより、図７に示す表示パネルＰＮＬが製造される。
【００６６】
図８は、保護部材ＰＦ２を設け、レーザー光Ｌを照射する工程を説明するための断面図である。  
続いて、図８に示すように、保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２の上に設ける。  
ここで、保護部材ＰＦ２は、例えばフィルムである。このとき、保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２の上に設ける工程は、フィルムを第２基板ＳＵＢ２の上に貼合する工程に相当する。このような保護部材ＰＦ２は、例えば、ポリエチレンテレフタレートを含んでいる。
【００６７】
また、保護部材は、有機絶縁材料によって形成されていても良い。このとき、保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２の上に設ける工程は、有機絶縁材料を第２基板ＳＵＢ２の上に塗布する工程に相当する。このような保護部材ＰＦ２は、例えば、アクリル系樹脂を含んでいる。
【００６８】
次に、保護部材ＰＦ２と重なる位置において、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光Ｌを照射する。図示した例では、レーザー光Ｌは、第２導電層Ｌ２の上方から照射される。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであれば良く、エキシマレーザー装置なども適用可能である。
【００６９】
なお、図７及び図８に示した例では、保護部材ＰＦ２を設ける前に、第１保護部材ＰＦ１を形成しているが、この例によらず、図７及び図８に示した工程において第１保護部材ＰＦ１を形成せずに、第２保護部材ＰＦ２を第２導電層Ｌ２の上に設けても良い。詳細な工程については、後程詳述する。
【００７０】
図９は、レーザー光Ｌを照射した後の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。  
レーザー光Ｌが照射されることにより、図９に示すように、第２ガラス基板２０及び第２導電層Ｌ２を貫通する貫通孔ＶＡが形成される。また、図示した例では、レーザー光Ｌが照射された際に、貫通孔ＶＡの直下に位置する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する貫通孔の第３部分ＶＣ３、第３部分ＶＣ３の直下に位置するシールＳＥを貫通する貫通孔の第２部分ＶＣ２、第２部分ＶＣ２の直下に位置する第２絶縁膜１２を貫通する第１部分ＶＣ１、第１部分ＶＣ１の直下に位置する第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＢ、貫通孔ＶＢの直下に位置する第１ガラス基板１０の凹部ＣＣも同時に形成される。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続するための接続用孔Ｖ１が形成される。
【００７１】
また、レーザー光Ｌが照射されることにより、保護部材ＰＦ１の内面ＰＦＳ１及び保護部材ＰＦ２の内面ＰＦＳ２は、第２導電層Ｌ２の内面ＬＳ２及び第２ガラス基板２０の内面２０Ｓに対して後退している。換言すると、保護部材ＰＦ１及びＰＦ２をそれぞれ貫通する貫通孔の径は、貫通孔ＶＡの径より大きく形成され、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２が露出している。
【００７２】
レーザー光Ｌを照射した後、ガラス片や導電材料などを含んだ残渣ＲＥが保護部材ＰＦ２の上に付着する。残渣ＲＥは、保護部材ＰＦ２を貫通する貫通孔の周辺に付着し、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２や第２ガラス基板２０の主面２０Ｂにはほとんど付着しない。
【００７３】
図１０は、保護部材ＰＦ２を除去する工程を説明するための断面図である。  
次に、残渣ＲＥが付着した保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２から除去する。このとき、保護部材ＰＦ１と保護部材ＰＦ２との間の密着力は、保護部材ＰＦ１と第２導電層Ｌ２との間の密着力より小さいことが好ましい。このため、保護部材ＰＦ２を除去する際に、保護部材ＰＦ１が一緒に剥離されるのを抑制することができる。
【００７４】
図１１は、貫通孔ＶＡに接続部材Ｃを注入する工程を説明するための断面図である。  
保護部材ＰＦ２を除去した後に、図１１に示すように、貫通孔ＶＡを通って第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続する接続部材Ｃを形成する。より具体的には、まず、図１１に示すように、チャンバーＣＢ内に表示パネルＰＮＬを設置した後に、チャンバーＣＢ内の空気を排出し、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で貫通孔ＶＡに接続部材Ｃを注入する。このとき、接続部材Ｃが第１導電層Ｌ１まで流れ込まずに、接続部材Ｃと第１導電層Ｌ１との間に空間ＳＰが形成される場合がある。但し、空間ＳＰは、真空である。
【００７５】
図１２は、接続部材Ｃを貫通孔ＶＡから貫通孔ＶＣ、ＶＢ、及び、凹部ＣＣに充填させる工程を説明するための断面図である。
図１２に示すように、チャンバーＣＢ内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、空間ＳＰと表示パネルＰＮＬの周囲との気圧差により、接続部材Ｃが貫通孔ＶＡから貫通孔ＶＣ、ＶＢ、及び、凹部ＣＣに流れ込み、接続部材Ｃを第１導電層Ｌ１に接触させる。
【００７６】
図１３は、接続部材Ｃに含まれる溶剤を気化させる工程を説明するための断面図である。  
図１３に示すように、接続部材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続部材Ｃの体積が減少し、中空部分ＨＬが形成される。このように形成された接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡにおいて第２導電層Ｌ２及び第２ガラス基板２０にそれぞれ接触し、貫通孔ＶＣにおいて遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥ、及び、第２絶縁膜１２にそれぞれ接触し、貫通孔ＶＢにおいて第１導電層Ｌ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１ガラス基板１０に接触している。
【００７７】
なお、図１３を参照して説明した接続部材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で貫通孔ＶＡに接続部材Ｃを注入した後に、接続部材Ｃに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続部材Ｃを形成することができる。
【００７８】
図１４は、充填部材ＦＩを形成する工程を説明するための断面図である。  
続いて、図１４に示すように、充填部材ＦＩを形成する。図示した例では、充填部材ＦＩは、接続部材Ｃの中空部分ＨＬに充填されている。また、充填部材ＦＩは、接続部材Ｃを覆い、第２導電層Ｌ２にも接している。これにより、第２基板ＳＵＢ２の表面ＳＵＢ２Ａは、ほぼ平坦化され、接続用孔Ｖ１と重なる部分の段差を緩和することができる。
【００７９】
図１５は、第２光学素子ＯＤ２を接着する工程を説明するための断面図である。  
続いて、図１５に示すように、第２光学素子ＯＤ２を保護部材ＰＦ１に接着する。図示した例では、第２光学素子ＯＤ２は、接続用孔Ｖ１と重なる部分にも延在し、充填部材ＦＩにも接している。接続用孔Ｖ１に起因した段差が充填部材ＦＩによって緩和されているため、第２光学素子ＯＤ２を接着した際、第２光学素子ＯＤ２の下地の段差による第２光学素子ＯＤ２の剥離を抑制することができる。
【００８０】
本実施形態によれば、レーザー光Ｌを照射して貫通孔ＶＡを形成する工程の前に、保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２の上に設ける。そのため、レーザー光Ｌを照射した後、ガラス片などを含んだ残渣ＲＥが保護部材ＰＦ２の上に付着したとしても、保護部材ＰＦ２を除去することにより、残渣ＲＥが表示パネルＰＮＬに残存しない。したがって、残渣ＲＥが残存することによる表示装置の不具合、例えば貫通孔ＶＡ周辺の段差に起因した第２導電層Ｌ２と接続部材Ｃとの接続不良を抑制することができる。
【００８１】
また、本実施形態によれば、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とは、接続部材Ｃを介して電気的に接続されている。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能となる。つまり、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２にもう１つの配線基板を配置する必要がない。このため、本実施形態では、もう１つの配線基板を実装するための端子部や、第２導電層Ｌ２ともう１つの配線基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる配線基板のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００８２】
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例について図１６乃至図２０を参照しながら説明する。図７乃至図１５に示した製造方法では、保護部材ＰＦ２を設ける前に、保護部材ＰＦ１を形成しているが、図１６乃至図２０に示す製造方法では、保護部材ＰＦ１を設ける前に保護部材ＰＦ２を設け、その後保護部材ＰＦ２を除去する点で相違している。なお、図１６乃至図２０に示す製造方法のうち、図７乃至図１５に示した製造方法と重複する部分の説明は省略する。
【００８３】
図１６は、保護部材ＰＦ２を設け、レーザー光Ｌを照射する工程を説明するための断面図である。図１６に示した構成は、図８に示した構成と比較して、保護部材ＰＦ２が第２導電層Ｌ２上に直接設けられている点で相違している。
【００８４】
ここで、保護部材ＰＦ２は、例えば、有機絶縁材料である。このとき、保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２の上に設ける工程は、有機絶縁材料を第２基板ＳＵＢ２の上に塗布する工程に相当し、そのため、保護部材ＰＦ２は、第２ガラス基板２０の主面２０Ｂに接している。なお、保護部材ＰＦ２は、例えばフィルムであっても良く、フィルムを第２基板ＳＵＢ２の上に貼合しても良い。
次に、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とが重なる位置において、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光Ｌを照射する。
【００８５】
図１７は、レーザー光Ｌを照射した後の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。  
レーザー光Ｌが照射されることにより、図１７に示すように、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続するための接続用孔Ｖ１が形成される。レーザー光Ｌを照射した後、ガラス片や導電材料などを含んだ残渣ＲＥが保護部材ＰＦ２の上に付着する。残渣ＲＥは、保護部材ＰＦ２を貫通する貫通孔の周辺に付着し、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２や第２ガラス基板２０の主面２０Ｂにはほとんど付着しない。
【００８６】
図１８は、保護部材ＰＦ２を除去する工程を説明するための断面図である。  
次に、残渣ＲＥが付着した保護部材ＰＦ２を第２基板ＳＵＢ２から除去する。続いて、接続部材Ｃを形成する工程は、図１１乃至図１３を参照して説明した通りなので、その説明を省略するが、接続部材Ｃは、第２導電層Ｌ２、第２ガラス基板２０、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥ、第２絶縁膜１２、第１導電層Ｌ１、及び、第１ガラス基板１０にそれぞれ接触している。
【００８７】
図１９は、充填部材ＦＩ及び保護部材ＰＦ１を形成する工程を説明するための断面図である。  
続いて、図１９に示すように、充填部材ＦＩを形成する。図示した例では、充填部材ＦＩは、接続部材Ｃの中空部分ＨＬに充填されている。次に、第２基板ＳＵＢ２の上に第２導電層Ｌ２を覆う保護部材ＰＦ１を形成する。保護部材ＰＦ１は、充填部材ＦＩも覆っている。
【００８８】
図２０は、第２光学素子ＯＤ２を接着する工程を説明するための断面図である。  
続いて、図２０に示すように、第２光学素子ＯＤ２を保護部材ＰＦ１に接着する。図１５に示した例では、第２光学素子ＯＤ２は充填部材ＦＩに接していたが、図２０に示した例では、第２光学素子ＯＤ２は保護部材ＰＦ１に接していない。また、図１５に示した例では、保護部材ＰＦ１は貫通孔を有していたが、図２０に示した例では、保護部材ＰＦ１は貫通孔を有していない。
【００８９】
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な表示装の製造方法を提供することができる。
【００９０】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００９１】
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）第１ガラス基板及び第１導電層を備えた第１基板と、
第２ガラス基板及び第２導電層を備え、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、
を用意し、
前記第２基板の上に保護部材を設け、
前記保護部材と重なる位置に、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基板を貫通する第１貫通孔を形成し、
前記保護部材を除去し、
前記保護部材を除去後、前記第１貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材を形成する、
電子機器の製造方法。
（２）前記保護部材は、フィルムである、（１）に記載の電子機器の製造方法。
（３）前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを含む、請求項２に記載の電子機器の製造方法。
（４）前記第１保護部材は、有機絶縁材料である、（１）に記載の電子機器の製造方法。
（５）前記有機絶縁材料は、アクリル系樹脂を含む、（４）に記載の電子機器の製造方法。
（６）前記レーザー光を照射して、前記第１貫通孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２貫通孔を形成する、（１）乃至（５）の何れか１項に記載の電子機器の製造方法。
（７）前記レーザー光を照射して、前記第２貫通孔と対向する位置の前記第１ガラス基板に凹部を形成する、（６）に記載の電子機器の製造方法。
（８）前記接続部材は、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルの金属微粒子を含む、（１）に記載の電子機器の製造方法。
【符号の説明】
【００９２】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、
１０…第１ガラス基板、２０…第２ガラス基板、
ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
Ｌ１…第１導電層、Ｌ２…第２導電層、
ＰＦ１、ＰＦ２…保護部材、Ｌ…レーザー光、
ＶＡ、ＶＢ…貫通孔、Ｃ…接続部材、ＣＣ…凹部。
【図１】
2018017975.tif 000003
【図２】
2018017975.tif 000004
【図３】
2018017975.tif 000005
【図４】
2018017975.tif 000006
【図５】
2018017975.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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