(57)【要約】【課題】共通電極の低抵抗化を実現し、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】基板１００ｘの上方に、第一の金属（例えば、タングステン）を主成分とする第一補助電極層１３５を形成し、第一補助電極層１３５の上層に第二の金属（例えば、アルミニウム合金）を主成分とする第二補助電極層２００を形成する。第一補助電極層１３５の表面積は、第二補助電極層２００の表面積より大きい。また、第二補助電極層２００の表層の抵抗は、第一補助電極層１３５の表層の抵抗より大きい。共通電極層１２５は、第一補助電極層１３５（その上に第二補助電極層２００が形成された部分を除く）及び第二補助電極層２００に接触する。【選択図】図５
2018181460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、
前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、
前記第１給電補助電極層上の一部領域に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して配された第２給電補助電極層と、
前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、
前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層の前記一部領域を除いた上面及び前記第２給電補助電極層上の上面を覆って連続して配された共通電極層とを備え、
前記第１給電補助電極層は、第１の金属を主成分として含み、前記第２給電補助電極層は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を主成分として含み、
前記第２給電補助電極層の表層の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層の抵抗より高い
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第２給電補助電極層の表層には、金属酸化膜が形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記第１給電補助電極層のシート抵抗は、前記第２給電補助電極層のシート抵抗より高い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記第１給電補助電極層の表面積は、前記第２給電補助電極層の表面積より大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記第１の金属は、タングステン又はモリブデンであり、
前記第２の金属は、アルミニウムである
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極を気相成長法により形成する工程と、
前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層を気相成長法により形成する工程と、
前記第１給電補助電極層上の一部領域に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して配された第２給電補助電極層を気相成長法により形成する工程と、
前記複数の画素電極上に複数の発光層を湿式成膜法により形成する工程と、
前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層の前記一部領域を除いた上面及び前記第２給電補助電極層上の上面を覆って連続して共通電極層をスパッタリング法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する工程と
を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組み合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）及び共通電極層が順に設けられた素子構造をしている。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極層から上方に出射される。
【０００４】
上記の共通電極層は、基板全面にわたって成膜することが多く、共通電極層の電気抵抗が大きい場合、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生してしまう可能性がある。
そこで、共通電極層の低抵抗化のために補助電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１によると、補助電極層を画素電極と同層に形成し、補助電極層を、画素電極とは電気的に絶縁しつつ、共通電極層とは電気的に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開平５−１６３４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、補助電極層にアルミニウム、銅、銀等の金属を用いた場合、補助電極層の表面に酸化膜が形成され、形成された酸化膜により、補助電極層と共通電極層と間の電気抵抗が高くなるという課題がある。
本開示は、上記課題を解決し、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネル及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層上の一部領域に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して配された第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層の前記一部領域を除いた上面及び前記第２給電補助電極層上の上面を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層は、第１の金属を主成分として含み、前記第２給電補助電極層は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を主成分として含み、前記第２給電補助電極層の表層の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層の抵抗より高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
【図４】図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図５】図４に示す第二補助電極層２００周辺の拡大図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。（ｃ）、（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図１１】共通電極層１２５の製造に用いるスパッタ装置６００を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層上の一部領域に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して配された第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層の前記一部領域を除いた上面及び前記第２給電補助電極層上の上面を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層は、第１の金属を主成分として含み、前記第２給電補助電極層は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を主成分として含み、前記第２給電補助電極層の表層の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層の抵抗より高い。
【００１１】
この構成により、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
ここで、前記第２給電補助電極層の表層には、金属酸化膜が形成されている、としてもよい。
また、前記第１給電補助電極層のシート抵抗は、前記第２給電補助電極層のシート抵抗より高い、としてもよい。
【００１２】
また、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い、としてもよい。
また、前記第１給電補助電極層の表面積は、前記第２給電補助電極層の表面積より大きい、としてもよい。
また、前記第１の金属は、タングステン又はモリブデンであり、前記第２の金属は、アルミニウムである、としてもよい。
【００１３】
また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極を気相成長法により形成する工程と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層を気相成長法により形成する工程と、前記第１給電補助電極層上の一部領域に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して配された第２給電補助電極層を気相成長法により形成する工程と、前記複数の画素電極上に複数の発光層を湿式成膜法により形成する工程と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層の前記一部領域を除いた上面及び前記第２給電補助電極層上の上面を覆って連続して共通電極層をスパッタリング法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する工程とを含む。
【００１４】
この方法により、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる有機ＥＬ表示パネルを製造できる。
≪実施の形態１≫
１．１  表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。
【００１５】
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【００１６】
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
１．２  表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
【００１７】
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１ は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２ は、スイッチングトランジスタである。
【００１８】
スイッチングトランジスタＴｒ２ のゲートＧ２ は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ は、駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１ のドレインＤ１ は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。また、後述する第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００も、接地ラインＶｃａｔに接続され、共通電極層、第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００は、相互に接続されている。
【００１９】
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ 及び駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２ からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２ からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００２０】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
１．３  表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００２１】
図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００２２】
表示パネル１０の表示領域には、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００２３】
表示パネル１０には、複数の補助画素電極１５０（図４）及び複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。複数の補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行方向に順に３つ並んだ補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。
【００２４】
また、図３及び図４に示すように、表示パネル１０には、複数の第一補助電極層１３５が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第一補助電極層１３５は、画素電極１１９とは異なる光反射材料からなる。また、それぞれの第一補助電極層１３５の上には、第二補助電極層２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第二補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。第一補助電極層１３５の行方向の幅は、第二補助電極層２００の行方向の幅よりも広い。
【００２５】
隣接する画素電極１１９間には、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。また、隣接する画素電極１１９と第一補助電極層１３５との間にも、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。
画素電極１１９とこれに隣接する画素電極１１９とは、互いに絶縁されている。また、画素電極１１９とこれに隣接する第二補助電極層２００又は第一補助電極層１３５とは、互いに絶縁されている。
【００２６】
１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する画素電極１１９との間（つまり、１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４との間）、及び、１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する第一補助電極層１３５との間（つまり、１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第一補助電極層１３５の行方向の外縁２００ａ２との間、及び、１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第一補助電極層１３５の行方向の外縁２００ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。
【００２７】
一方、１つの画素電極１１９と、これに列方向に隣接する画素電極１１９との間（つまり、１つの画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ２と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数行並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００２８】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ、第一補助電極層１３５の配される領域に対応する補助間隙５２２ｚＡ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＡを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【００２９】
表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ１ とを接続する接続凹部（コンタクトホール、図示していない）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域（コンタクトウインドウ、図示していない）が設けられている。
【００３０】
１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１２２Ｘと、この行バンク１２２Ｘに隣接する行バンク１２２Ｘの間に位置している。
１．４  表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図５は、図４に示す第二補助電極層２００周辺の拡大図である。
【００３１】
本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１  基板
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。
【００３２】
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ１ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
【００３３】
（２）層間絶縁層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には層間絶縁層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、層間絶縁層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００３４】
層間絶縁層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（図示していない）が開設されている。
層間絶縁層１１８の上限膜厚が１０μｍ以上の場合、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共に、ボトム線幅の制御が困難となる。タクト増大による生産性低下の観点から、層間絶縁層１１８の上限膜厚は、７μｍ以下が望ましい。また、層間絶縁層１１８の膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、層間絶縁層１１８の膜厚が薄くなると、特に、層間絶縁層１１８の下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には層間絶縁層１１８の下限膜厚は、２μｍが限界となる。したがって、層間絶縁層１１８の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
１．４．２  有機ＥＬ素子部
（１）補助画素電極１５０及び画素電極１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４及び図５に示すように、副画素１００ｓｅ単位で補助画素電極１５０が設けられている。さらに、補助画素電極１５０上には、画素電極１１９が積層されている。
【００３６】
補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は、光反射性を有する。補助画素電極１５０及び画素電極１１９の形状は、矩形形状をした平板状である。補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する第一補助電極層１３５との間で、間隔δＸ１をあけて、配されている。また、補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する補助画素電極１５０及び画素電極１１９との間で、間隔δＸ２をあけて、配されている。層間絶縁層１１８のコンタクト孔（図示していない）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；図示していない）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とが接続される。
【００３７】
層間絶縁層１１８上に、補助画素電極１５０を形成することにより、密着性が高まり、層間絶縁層１１８より下層に水素が入ることを防ぐことができる。
なお、層間絶縁層１１８上には、補助画素電極１５０を形成しないとしてもよい。
（２）第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４及び図５に示すように、第一補助電極層１３５が設けられている。第一補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接する画素電極１１９との間に行方向に間隔δＸ１をあけて配されている。また、第一補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接するバンク５２２の基部１４０との間に行方向に間隔Ｗ３をあけて配されている。
【００３８】
なお、間隔Ｗ３をあけることなく、第一補助電極層１３５は、隣接するバンク５２２の基部１４０と接触しているとしてもよい。
ここで、第一補助電極層１３５の厚みは、例えば、５０ｎｍである。
また、第一補助電極層１３５上には、図４及び図５に示すように、第二補助電極層２００が積層されている。第二補助電極層２００の行方向の幅Ｗ１は、第一補助電極層１３５の行方向の幅Ｗ２より狭い。つまり、第二補助電極層２００の表面積は、第一補助電極層１３５の表面積より小さい。
【００３９】
（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９上には、図４に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
【００４０】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、上部層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成された下部層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（４）バンク１２２
図４、図５に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０、第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図３に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。
【００４１】
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００４２】
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘは、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。
【００４３】
行バンク１２２Ｘは、画素電極１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２の上方に存在する。
行バンク１２２Ｘは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。
【００４４】
列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方及び第一補助電極層１３５の行方向における外縁２００ａ１、ａ２により、行方向の基部が規定されている。列バンク５２２Ｙは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
【００４５】
（５）ホール輸送層１２１
図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（非図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
【００４６】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、上部層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
図４に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００４７】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００４８】
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域においては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（非図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域まで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域では、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【００４９】
（７）電子輸送層１２４
図３、図４及び図５に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成されている。
電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
【００５０】
電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、第一補助電極層１３５（第一補助電極層１３５上において、第二補助電極層２００が形成された部分を除く）及び第二補助電極層２００の上にも形成される。電子輸送層１２４は、第一補助電極層１３５の端部及び第二補助電極層２００の端部において、欠落（段切れ）している。欠落部分１３６、１３９において、第一補助電極層１３５と共通電極層１２５とが直接接触している。また、欠落部分１３７、１３８において、第一補助電極層１３５と共通電極層１２５とが直接接触し、第二補助電極層２００と共通電極層１２５とが直接接触している。
【００５１】
（８）共通電極層１２５
図４及び図５に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、表示パネル１０の全面にわたって形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
共通電極層１２５は、図４に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
【００５２】
共通電極層１２５は、図４及び図５に示すように、第一補助電極層１３５（第一補助電極層１３５上において、第二補助電極層２００が形成された部分を除く）及び第二補助電極層２００上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９において、第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００と、直接接触するように形成される。
【００５３】
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。
【００５４】
（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００５５】
（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００５６】
（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。
【００５７】
（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
【００５８】
１．４．３  各部の構成材料
図３、図４及び図５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
【００５９】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
【００６０】
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極１１９、補助画素電極１５０、第二補助電極層２００及び第一補助電極層１３５
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００６１】
第二補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ材料により形成されている。
第一補助電極層１３５は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、インジウム（Ｉｎ）などの金属材料から形成されている。
補助画素電極１５０は、第一補助電極層１３５と同じ材料により形成されている。
【００６２】
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。
【００６３】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００６４】
又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００６５】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
【００６６】
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００６７】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。
【００６８】
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００６９】
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００７０】
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００７１】
（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
【００７２】
１．５  表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図６〜１１を用いて説明する。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図６（ａ））。
【００７３】
（２）層間絶縁層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を形成する（図６（ｂ））。
層間絶縁層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ｃ））。
【００７４】
その後、現像によって、コンタクト孔１１８ａをパターニングした層間絶縁層１１８を形成する（図６（ｄ））。コンタクト孔１１８ａの底部において、基板１００ｘ上の配線が露出する。
本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成してもよい。
【００７５】
（３）補助画素電極１５０及び第一補助電極層１３５の形成
コンタクト孔１１８ａを開設した層間絶縁層１１８が形成された後、補助画素電極１５０及び第一補助電極層１３５を形成する（図７（ａ））。
補助画素電極１５０及び第一補助電極層１３５の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより補助画素電極１５０の接続凹部を形成する。
【００７６】
補助画素電極１５０は、コンタクト孔１１８ａの底部において露出した基板１００ｘ上の配線と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
（４）画素電極１１９及び第二補助電極層２００の形成
補助画素電極１５０及び第一補助電極層１３５が形成された後、補助画素電極１５０及び第一補助電極層１３５上に、それぞれ、画素電極１１９及び第二補助電極層２００を形成する（図７（ａ））。
【００７７】
画素電極１１９及び第二補助電極層２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
（５）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
画素電極１１９及び第二補助電極層２００を形成した後、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成する（図７（ｂ））。
【００７８】
下部層１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いそれぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
（６）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成した後、下部層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する（図７（ｃ））。
【００７９】
バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２Ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する。
バンク１２２の形成は、先ず、下部層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【００８０】
具体的には、行バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によって行バンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
【００８１】
列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
【００８２】
（７）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図７（ｄ）、図８（ａ））。
【００８３】
上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【００８４】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【００８５】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。
【００８６】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（８）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図８（ｂ））。電子輸送層１２４は、第二補助電極層２００及び第一補助電極層１３５（第一補助電極層１３５上において、第二補助電極層２００が形成された部分を除く）の上にも形成される。その際、第二補助電極層２００の端部及び第一補助電極層１３５の端部において、意図的に欠落（段切れ）を発生させ、その欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９（図５）において、第二補助電極層２００の端部及び第一補助電極層１３５の端部が露出するように成膜する。
【００８７】
（９）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などにより形成する（図８（ｃ））。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４上の第二補助電極層２００及び第一補助電極層１３５（第一補助電極層１３５上において、第二補助電極層２００が形成された部分を除く）の上方の領域にも形成される。その際、共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９（図５）に回り込み、電子輸送層１２４の欠落部分において露出している第二補助電極層２００の端部及び第一補助電極層１３５の端部に直接接触するように成膜する。
【００８８】
ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに説明する。
まず、図１１を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。
【００８９】
スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。
【００９０】
成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１１では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、又は、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
【００９１】
排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。
【００９２】
なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
（１０）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図８（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【００９３】
（１１）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図９（ａ））。
【００９４】
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図９（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図９（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図９（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図９（ｅ））。
【００９５】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図９（ｆ））。
この図９（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図９（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【００９６】
以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１２）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。
【００９７】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
１．６  まとめ
補助電極層の材料として、例えば、アルミニウム、銅、銀等の金属を用いた場合、補助電極層の表面（表層）に、酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層との接触抵抗が高くなる。
【００９８】
この問題を解決するため、表示パネル１０は、基板１００ｘ上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されて形成されている。表示パネル１０は、基板１００ｘと、基板１００ｘの上方に行列状に配された複数の画素電極１１９と、基板１００ｘの上方において、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第一補助電極層１３５と、第一補助電極層１３５上の一部領域に第一補助電極層１３５と同じ方向に延伸して配された第二補助電極層２００と、複数の画素電極１１９上に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３の上方、第一補助電極層１３５の一部領域を除いた上面及び第二補助電極層２００上の上面を覆って連続して配された共通電極層１２５とを備える。ここで、第一補助電極層１３５は、第一の金属を主成分として含み、第二補助電極層２００は、第一の金属とは異なる第二の金属を主成分として含む。第二補助電極層２００の表層の抵抗は、第一補助電極層１３５の表層の抵抗より高い。
【００９９】
この構成によると、共通電極層１２５は、第一補助電極層１３５（上記の一部領域を除く）と接触し、第一補助電極層１３５は、第二補助電極層２００と接触する。つまり、共通電極層１２５は、第一補助電極層１３５を介して、第二補助電極層２００と接触する。このため、第二補助電極層２００の表層に酸化膜が形成される場合であっても、第一補助電極層１３５を介することにより、共通電極層と第二補助電極層との間の電気的接続における電気抵抗の低減を図ることができる。この結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
【０１００】
ここで、タングステン又はモリブデンを第一補助電極層１３５の材料とする場合、これらの金属は、室温では、化学的に安定しているので、第一補助電極層１３５の表面に酸化膜は、形成されない。
第二補助電極層２００と共通電極層１２５との間の接触抵抗は、第１の所定値より高く、第一補助電極層１３５と共通電極層１２５との間の抵抗は、第１の所定値より低い。
【０１０１】
また、第二補助電極層２００のシート抵抗は、第２の所定値より低く、第一補助電極層１３５のシート抵抗は、第二補助電極層２００のシート抵抗より高く、共通電極層１２５のシート抵抗は、第２の所定値より高い。
共通電極層１２５と第一補助電極層１３５（その上に第二補助電極層２００が形成された部分を除く）とを接触させることにより、共通電極層１２５と第二補助電極層２００との間の接触抵抗よりも、抵抗の低減が可能となる。
【０１０２】
また、第二補助電極層２００のシート抵抗は、第一補助電極層１３５のシート抵抗より小さいので、第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００の全体として、第一の金属（例えば、タングステン）を用いる場合と比較して、第一補助電極層１３５及び第二補助電極層２００の全体のシート抵抗を低減することができる。
また、図５に示すように、電子輸送層１２４において、第二補助電極層２００の端部及び第一補助電極層１３５の端部において、欠落（段切れ）が発生し、その欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９において、共通電極層１２５と第一補助電極層１３５とが直接接触し、共通電極層１２５と第二補助電極層２００とが直接接触しているので、抵抗の低減が可能となる。
【０１０３】
１．７  変形例
実施の形態１に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
【０１０４】
（１）図５に示す欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９において、欠落（段切れ）が発生せず、電子輸送層１２４の薄膜が形成されているとしてもよい。
電子輸送層１２４において、図５に示す欠落部分１３６、１３７、１３８、１３９の少なくとも一部分が欠落するには至らないものの、その一部分が１ｎｍ以下の膜厚に薄層化された薄層化部（不図示）が形成される構成としてもよい。係る構成により、電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの、共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の薄層化部において、薄層化部以外の部分よりも低い電気抵抗にて第二補助電極層２００又は第一補助電極層１３５に電気的に接続される構造を実現することができる。その結果、共通電極層１２５と第二補助電極層２００又は共通電極層１２５と第一補助電極層１３５との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制することができる。
【０１０５】
（２）表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
（３）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１０６】
（４）実施の形態に係る表示パネル１０では、副画素１００ｓｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
（５）上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１０７】
（６）上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１０８】
（７）上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１０９】
（８）上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１１０】
（９）上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
（１０）上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１１１】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１１２】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１１３】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１１５】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  層間絶縁層
１１９  画素電極
１３５  第二補助電極層
１５０  補助画素電極
２００  第一補助電極層
１２０  ホール注入層
１２０Ａ  下部層
１２０Ｂ  上部層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ  行バンク
５２２Ｙ  列バンク
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  共通電極層
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  カラーフィルタ基板
【図１】
2018181460.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018181460.tif 000009
【図８】
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【図９】
2018181460.tif 000011
【図１０】
2018181460.tif 000012
【図１１】
2018181460.tif 000013