(57)【要約】      （修正有）【課題】視認性が高い表示装置、およびその作製方法を提供する。【解決手段】第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有する表示装置である。第１の領域は、反射電極と、反射電極上の液晶層１７４を有する。第２の領域は、透光性電極と、透光性電極上の液晶層１７４を有する。反射電極は、基板の表面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する。特定の方向は、基板の法線方向でもよい。【選択図】図５
2018017896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有し、
前記第１の領域は、
反射電極と、
前記反射電極上の液晶層を有し、
前記第２の領域は、
透光性電極と、
前記透光性電極上の前記液晶層を有し、
前記反射電極は、前記基板の表面に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する表示装置。
【請求項２】
前記方向は、前記基板の法線方向である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記反射電極の下に、前記反射電極に接する絶縁膜をさらに有し、
前記絶縁膜は、前記反射電極の前記パターンと同じパターンを有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記パターンは、連続する複数の突起部を有し、
前記複数の突起部はそれぞれ、前記基板に対して傾いた平坦な第１の表面を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の表面は、前記基板に対し、３０°以上６０°以下の角度で傾く、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の突起部はそれぞれ、平坦な第２の表面を有し、
前記第２の表面は、前記第１の表面よりも前記基板に対して傾く、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有し、
前記第１の領域は、
反射膜と、
前記反射膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の液晶層を有し、
前記第２の領域は、
前記第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の透光性電極と、
前記透光性電極上の前記液晶層を有し、
前記反射膜は、前記基板の表面に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する表示装置。
【請求項８】
前記方向は、前記基板の法線方向である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記反射膜の下に、前記反射膜に接する第２の絶縁膜をさらに有し、
前記第２の絶縁膜は、前記反射膜の前記パターンと同じパターンを有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記パターンは、連続する複数の突起部を有し、
前記複数の突起部はそれぞれ、前記基板に対して傾いた平坦な第１の表面を有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の表面は、前記基板に対し、３０°以上６０°以下の角度で傾く、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数の突起部はそれぞれ、平坦な第２の表面を有し、
前記第２の表面は、前記第１の表面よりも前記基板に対して傾く、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記透光性電極は櫛歯形状を有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１４】
第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有し、
前記第１の領域は、
第１の透光性電極と、
前記第１の透光性電極上の、前記第１の透光性電極と電気的に接続される反射電極と、
前記反射電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の透光性電極と、
前記第２の透光性電極上の液晶層を有し、
前記第２の領域は、
前記第１の透光性電極と、
前記第１の透光性電極上の前記第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記第２の透光性電極と、
前記第２の透光性電極上の前記液晶層を有し、
前記反射電極は、前記基板の表面に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する表示装置。
【請求項１５】
前記方向は、前記基板の法線方向である、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記反射電極の下に、前記反射電極に接する第２の絶縁膜をさらに有し、
前記第２の絶縁膜は、前記反射電極の前記パターンと同じパターンを有する、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記パターンは、連続する複数の突起部を有し、
前記複数の突起部はそれぞれ、前記基板に対して傾いた平坦な第１の表面を有する、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１の表面は、前記基板に対し、３０°以上６０°以下の角度で傾く、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記複数の突起部はそれぞれ、平坦な第２の表面を有し、
前記第２の表面は、前記第１の表面よりも前記基板に対して傾く、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２の透光性電極は櫛歯形状を有する、請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置などの表示装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は複数の液晶素子を有しており、液晶素子は、一対の電極（画素電極、対向電極）と、これらに挟まれる液晶性を有する化合物（液晶分子）の層（液晶層）を基本構成として有している。液晶素子を挟むように配置される一対の偏光板の一方を通して液晶層に入射される偏光は、液晶層によってその偏光面が回転され、もう一方の偏光板を通して出射される。偏光面の回転は液晶層内の液晶分子の配向によって決まる。一対の電極を用いて液晶層に電場を形成することにより、液晶分子は初期における配向状態から、電場によって決まる配向状態へ変化する。この配向状態の変化に伴って液晶素子の光透過率が変化し、諧調表示が実現される。
【０００３】
液晶素子は大別すると透過型液晶素子、反射型液晶素子、および反射半透過液晶素子に分類される。透過型液晶素子では可視光を透過する一対の電極が用いられ、液晶素子の一方の面にバックライトが設けられる。バックライトの光が液晶層を通過して液晶素子の他方の面から取り出され、この光が表示に利用される。反射型液晶素子では、液晶層に入射した外光を反射させるための反射膜、あるいは反射電極が用いられ、この反射膜や反射電極で反射した外光が再度液晶層を透過したのちに取り出され、表示に利用される。
【０００４】
反射半透過液晶素子は透過型液晶素子と反射型液晶素子の両方の特性を併せ持つ液晶素子であり、半透過液晶素子、半反射液晶素子、半透過半反射液晶素子とも呼ばれる。反射半透過液晶素子では、一つの画素内に透過領域と反射領域が設けられ、前者に透過型液晶素子と同様の構造が、後者には反射型液晶素子と同様の構造が適用される。透過領域ではバックライトの光が透過し、反射領域では外光が反射される。このため、バックライトの光と外光の両者を表示に利用することができ、利用する光を切り替えることで、透過モードと反射モードの二つの表示方式を実現することができる。
【０００５】
反射型液晶や反射半透過液晶素子では、視野角依存性を解消するため、反射膜にパターンが設けられる。特許文献１や２では、液晶素子に入射する外光を乱反射して拡散させるため、表面に凹凸が設けられた反射膜や反射電極が開示されている。この凹凸により、表示装置の視野角依存性が改善、解消される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２３７７１６号公報
【特許文献２】特開２０１６−３３６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本出願は、視認性が高い表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の一つとする。あるいは、視認性が高く、鮮明な画像を表示可能な反射半透過型の液晶表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有する表示装置である。第１の領域は、反射電極と、反射電極上の液晶層を有する。第２の領域は、透光性電極と、透光性電極上の液晶層を有する。反射電極は、基板の表面に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは、第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有する表示装置である。第１の領域は、反射膜と、反射膜上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上の液晶層を有する。第２の領域は、第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上の透光性電極と、透光性電極上の液晶層を有する。反射膜は、基板の表面に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する。
【００１０】
本発明の実施形態の一つは、第１の領域と第２の領域を有する画素を基板上に有する表示装置である。第１の領域は、第１の透光性電極と、第１の透光性電極上の、第１の透光性電極と電気的に接続される反射電極と、反射電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上の第２の透光性電極と、第２の透光性電極上の液晶層を有する。第２の領域は、第１の透光性電極と、第１の透光性電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上の第２の透光性電極と、第２の透光性電極上の液晶層を有する。反射電極は、基板に対して斜めの角度で液晶層に入射した光を特定の方向へ反射するように構成されたパターンを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態の表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図３】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図４】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図５】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【図６】本発明の一実施形態の表示装置の反射電極の模式的斜視図と断面図。
【図７】本発明の一実施形態の表示装置の利用形態を示す図。
【図８】本発明の一実施形態の表示装置の反射電極の模式的断面図。
【図９】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１０】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１１】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１２】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１３】本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１４】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図１５】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【図１６】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図１７】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【図１８】本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。
【図１９】本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１３】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１４】
ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって本明細書および請求項においては、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１５】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置１００の構造に関し、図１乃至図６を用いて説明する。
【００１６】
［１．全体構成］
図１の表示装置の上面図を示す。表示装置１００は、基板１０２上に画素領域１０４を有しており、画素領域１０４には複数の画素１０６が設けられる。画素１０６には表示素子として液晶素子が備えられる。例えば隣接する画素１０６が赤色、緑色、あるいは青色を与えるように液晶素子やその周辺構造を構築することで、フルカラー表示を行うことができる。画素１０６の配列に制限はなく、ストライプ配列やデルタ配列などを採用することができる。
【００１７】
表示装置１００はさらに、画素１０６に種々の信号を与えるための駆動回路を有しており、例えば図１に示すように、ゲート側駆動回路１０８、１１０、ソース側駆動回路１１２などを基板１０２上に有することができる。図１では二つのゲート側駆動回路１０８、１１０が画素領域１０４の両側に設けられる例が示されているが、ゲート側駆動回路は一つでもよい。これらの駆動回路１０８、１１０、１１２の一部、あるいはすべてを基板１０２上に設置する必要はなく、例えば半導体基板上に形成された集積回路（ＩＣ）で構成される駆動回路を基板１０２上、あるいはコネクタ１１４上に設置してもよい。図１では、駆動回路の一部としてＩＣ１１６がコネクタ１１４上に設けられる例が示されている。
【００１８】
コネクタ１１４は図示しない外部回路から電源や信号を駆動回路１０８、１１０、１１２へ供給する機能を有する。コネクタ１１４として、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）基板などを用いることができる。外部回路からの信号が駆動回路１０８、１１０、１１２を経由して各画素１０６へ供給され、映像が画素領域１０４上に再現される。
【００１９】
［２．画素］
図２、３に、画素１０６の上面模式図を示す。図２と図３は同一であるが、理解を容易にするため、図２では液晶層１７４へ電場を与えるための電極（画素電極１５０、対向電極１９０など）は図示していない。表示装置１００は複数の画素１０６と電気的に接続される複数の走査線１２０、複数の信号線１２２、複数の容量線１２４を有している。複数の走査線１２０、容量線１２４は、図１に示すゲート側駆動回路１０８、１１０へ接続され、複数の信号線１２２はソース側駆動回路１１２、および／あるいはＩＣ１１６へ接続される。各走査線１２０と各容量線１２４は、走査線１２０、容量線１２４が伸びる方向に配置される複数の画素１０６と接続され、一方、一つの信号線１２２は、信号線１２２が伸びる方向に配置される複数の画素１０６と接続される。
【００２０】
各画素１０６には少なくとも一つのトランジスタ１３０と容量１４０を設けることができる（図２）。トランジスタ１３０は、走査線１２０の一部（図中、下側に突き出た部分）、信号線１２２の一部（図中、右側に突き出た部分）、半導体膜１３４、ソース電極１３６などから構成される。走査線１２０の一部は後述するゲート電極１３２として、信号線１２２の一部はソース電極１３６と対を形成してドレイン電極１３８として機能する。本明細書と請求項において、ソース電極１３６とドレイン電極１３８は、電流の向きなどによって互いに入れ替わることがある。このような場合、ソース電極は１３８となり、１３６がドレイン電極として働く。
【００２１】
ソース電極１３６の一部は容量１４０の一方の電極（容量電極）１４２としても機能する。容量１４０は、この容量電極１４２と容量線１２４、およびこれらの間に設けられるゲート絶縁膜（後述）１６２によって形成される。容量１４０は、トランジスタ１３０を介して信号線１２２から画素電極１５０に与えられる電位を一定時間保持する機能を有する。
【００２２】
図３に示すように、画素１０６には画素電極１５０、および反射膜１５２が設けられる。画素電極１５０は可視光を透過できる電極であり、後述する液晶層１７４に対して電圧を印加する機能を有する。したがって、透光性電極とも呼ばれる。一方、反射膜１５２は可視光を反射することができ、液晶層１７４を通過して入射される光を反射し、再度液晶層１７４を通過して外部へ出射する機能を有する。反射膜１５２によって液晶層１７４に対して電圧を印加できるようにした場合、反射膜１５２は反射電極として機能する。この場合、反射膜１５２を画素電極１５０と電気的に接続してもよい。
【００２３】
図３では、一つの画素１０６内に一つの反射膜１５２が設けられる画素１０６が例示されているが、図４に示すように、一つの画素１０６内に複数の反射膜１５２が設けられてもよい。
【００２４】
図３の鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図を図５に示す。図５に示すように、トランジスタ１３０は、任意の構成である下地膜１６０を介して基板１０２上に設けられる。ゲート電極１３２上にはゲート絶縁膜１６２が設けられ、この上に半導体膜１３４、ドレイン電極１３８、ソース電極１３６が設けられる。図５で示すトランジスタ１３０はボトムゲート型のトランジスタであるが、トランジスタ１３０の構造に制限はなく、トランジスタ１３０はトップゲート型でもよく、半導体膜１３４の上下にゲート電極を備える構造を有してもよい。また、半導体膜１３４とソース電極１３６、ドレイン電極１３８の上下関係にも制約はない。図５に示すトランジスタ１３０はチャネルエッチ型のトランジスタであり、半導体膜１３４は、ソース電極１３６、ドレイン電極１３８と重なる部分と比較し、ソース電極１３６、ドレイン電極１３８に挟まれる部分（チャネル領域）が薄い。トランジスタ１３０はこのような構造に限られず、例えばチャネルとソース電極１３６、ドレイン電極１３８の間に保護膜を有するチャネル保護型の構造を有してもよい。
【００２５】
容量１４０も下地膜１６０上に設けることができ、容量線１２４の一部、ゲート絶縁膜１６２、容量電極１４２を含む。なお、容量電極１４２と反射膜１５２、およびその間に設けられる絶縁膜１７０によって容量が形成されてもよい。
【００２６】
画素１０６はさらに絶縁膜１７０を有している。絶縁膜１７０は、トランジスタ１３０や容量１４０のすべて、あるいは一部を覆うように設けられる。図５に示すように、絶縁膜１７０の上面はパターニングされている。このパターンは、その上に形成される反射膜１５２に反映される。すなわち、反射膜１５２も絶縁膜１７０と同様のパターンを有している。後述するように、反射膜１５２のパターンは、基板１０２の上面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射する光を等方的に、かつ特定の方向へ反射させるように設計、構成される。表示装置１００では、反射膜１５２は、絶縁膜１７０に設けられる開口部１６６においてソース電極１３６と電気的に接続される。画素電極１５０は主に絶縁膜１７０が設けられない領域に形成され、反射膜１５２と電気的に接続される。したがって、反射膜１５２はトランジスタ１３０を介して画素電極１５０に与えられる電位と同じ電位を有することができ、反射電極として機能することができる。
【００２７】
画素１０６にはさらに、反射膜１５２、画素電極１５０を覆う第１の配向膜１７２が設けられる。第１の配向膜１７２は液晶層１７４内の液晶分子を一定の方向に配向させる機能を有する絶縁膜であり、液晶分子の初期（画素電極１５０と対向電極１９０間に電位差が与えられていないとき）の配向状態を決める。絶縁膜１７０の上では、第１の配向膜１７２の上面は反射膜１５２のパターンと同様のパターンを有してもよく、あるいは図５に示すように、平坦でもよい。
【００２８】
第１の配向膜１７２上には、液晶層１７４を介して対向基板１１８が設けられる。対向基板１１８には、遮光膜（ブラックマトリクス）１７６やカラーフィルタ１７８、遮光膜１７６やカラーフィルタ１７８を覆うオーバーコート１８０などが設けられてもよい。
【００２９】
遮光膜１７６は可視光を遮る機能を有しており、走査線１２０や信号線１２２と重なるように設けることができる。遮光膜１７６は、トランジスタ１３０と重なるように設けてもよい。図２、３から理解されるように、走査線１２０や信号線１２２に重なるように遮光膜１７６を設けた場合、遮光膜１７６は開口部を有する一つの膜と認識することができる。したがって、遮光膜１７６の開口部は、各画素１０６の表示領域１９４に相当する（図５参照）。
【００３０】
カラーフィルタ１７８は、各画素１０６から取り出される光に色を与えるために設けられ、遮光膜１７６の開口部と重なる。したがって、カラーフィルタ１７８は画素電極１５０や反射膜１５２と重なるように設ければよい。
【００３１】
対向基板１１８はさらに、対向電極１９０とそれを覆う第２の配向膜１９２を有する。第１の配向膜１７２と同様、第２の配向膜１９２も液晶分子を配向させる機能を有する。対向電極１９０は、画素電極１５０および反射膜１５２と連携して液晶層１７４に電圧を印加する機能を有する。対向電極１９０と第２の配向膜１９２が基板１０２と対向基板１１８に挟持されるように、対向基板１１８が基板１０２上に設置される。図示しないが、基板１０２と対向基板１１８の間に、画素電極１５０と対向電極１９０間の間隔を一定に保つためのスペーサを添加あるいは形成してもよい。
【００３２】
表示装置１００はさらに、基板１０２の下にバックライト１８２を有する。バックライト１８２は、基板１０２側に光を照射できるように配置される。上述したように、画素電極１５０と反射膜１５２は、それぞれ可視光を透過、反射することができる。したがってバックライト１８２からの光は、表示領域１９４のうち、反射膜１５２が設けられる領域は透過せず、反射膜１５２が設けられていない領域を透過する。一方、対向基板１１８と液晶層１７４を透過して画素１０６に入射する外光は、反射膜１５２が設けられる領域で反射し、反射膜１５２が設けられない領域を透過する。本明細書と請求項では、表示領域１９４のうち、反射膜１５２が設けられる領域を反射領域１９６、反射膜１５２が設けられない領域を透過領域１９８と定義する。前者には絶縁膜１７０や反射膜１５２、液晶層１７４が含まれ、後者には画素電極１５０や液晶層１７４が含まれる。
【００３３】
図示しないが、基板１０２の下、および対向基板１１８の上には偏光板が設けられる。偏光板は互いにクロスニコルの関係になるように配置することができる。
【００３４】
［３．反射膜］
図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に絶縁膜１７０と反射膜１５２の一部を模式的に示した斜視図と断面図を示す。図６（Ｃ）は図６（Ｂ）の拡大図である。反射膜１５２は絶縁膜１７０の上に、絶縁膜１７０を覆うように設けられる。したがって、絶縁膜１７０の上面のパターンが反射膜１５２に反映される。上述したように、反射膜１５２のパターンは、基板１０２の上面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射する光を基板１０２に対して特定の方向へ反射させるように設計、構成される（図６（Ａ）、（Ｂ）参照）。特定の方向とは、基板１０２上面の法線方向でもよく、法線に対して±５°以内、±１５°以内、あるいは±３０°以内の範囲でもよい。
【００３５】
具体的には図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、反射膜１５２は、絶縁膜１７０の形状に由来する複数の突起部１５４を有する。突起部１５４は図６（Ａ）に示すように帯状に配置されていてもよい。この場合、突起部１５４は、走査線１２０、あるいは信号線１２２のいずれかに平行な方向に伸びるよう、配置されてもよい。すなわち、各突起部１５４はリッジ１５６（図６（Ａ）における太線）を有し、リッジ１５６は走査線１２０、あるいは信号線１２２のいずれかに平行であってもよい。ここでリッジ１５６とは、各突起部１５４において、突起部１５４の長手方向に垂直な断面における反射膜１５２上の最も高い点の集合であり、図６（Ａ）の例では直線となる。
【００３６】
各突起部１５４の表面は、平坦、あるいは実質的に平坦な面１５８を少なくとも一つ有してもよい（図６（Ａ）、（Ｃ））。平坦な面１５８は一つの突起部１５４の幅ｗのほぼ全体を占めてもよい（図６（Ｃ）参照）。ここで幅ｗは、隣接する二つの突起部１５４との境界線（図６（Ｃ）では境界線ｂ1、ｂ2）の間隔であり、０．１μｍ以上１０μｍ以下、０．５μｍ以上５μｍ以下、あるいは１μｍ以上３μｍ以下とすることができる。ここで境界線とは、突起部１５４の長手方向に垂直な、隣接する二つの突起部１５４を含む断面における反射膜１５２上の最も低い点の集合である。
【００３７】
平坦な面１５８は、基板１０２の上面に対して斜めに傾くように、絶縁膜１７０の形状を調整することができる。この時の平坦な面１５８と基板１０２の上面との角度θ（図６（Ｃ））は、０°よりも大きく９０°未満、２０°以上７０°以下、３０°以上６０°以下、あるいは４０°以上５０°以下とすることができる。この角度θは、反射膜１５２内で一定でもよく、あるいは、両端の突起部１５４を除く複数の突起部１５４において一定でもよい。この構造により、斜めに入射した外光２００を反射し、特定の方向に出射することができる。
【００３８】
各突起部１５４の表面はさらに、基板１０２の法線に平行な平坦な面１５９を有することができる（図６（Ｃ））。平坦な面１５９はリッジ１５６を含むことができる。この場合、各突起部１５４の表面は、主に二つの平坦な面１５８、１５９で構成することができ、巨視的には二つの平坦な面１５８、１５９はリッジ１５６を介して接する。また各突起部１５４において、リッジ１５６が伸びる方向に対して垂直な突起部１５４の断面は、基板１０２の法線に対して非対称にすることができ、この場合、リッジ１５６は幅ｗの中心、すなわち境界線ｂ1とｂ2の中心を結ぶ線とずれ、重ならない。
【００３９】
絶縁膜１７０、および反射膜１５２の厚さは、液晶層１７４を通過する光の光路長を考慮して決定することができる。具体的には、反射領域１９６における液晶層１７４の平均厚さｌ2が、透過領域１９８における液晶層１７４の厚さｌ1の半分となるように、絶縁膜１７０、および反射膜１５２の厚さを設定すればよい（図５参照）。これにより、反射領域１９６から得られる光と透過領域１９８から得られる光の色の差を小さくすることができる。
【００４０】
表示装置１００は、反射半透過液晶素子を有する表示装置であり、反射モードと透過モードの二つのモードで映像を与えることができる。透過モードではバックライト１８２からの光が映像に寄与する。すなわち、バックライト１８２の光は基板１０２下に設けられる偏光板を透過したのち透過領域の液晶層１７４を透過する。この際、走査線１２０の信号に従ってトランジスタ１３０が駆動され、信号線１２２からの信号に従い、画素電極１５０の電位が制御される。対向電極１９０に印加される固定電位と画素電極１５０の電位の差によって液晶分子の配向が決定され、この配向に応じて光の偏光面が回転する。その後、光はカラーフィルタ１７８によって着色され、対向基板１１８とその上に設けられる偏光板を通して表示装置１００の外部へ出力される。
【００４１】
一方反射モードではバックライト１８２は消灯され、反射膜１５２で反射された外光が映像に寄与する。すなわち、対向基板１１８とその上に配置される偏光板、ならびに液晶層１７４を透過して入射された外光は、反射膜１５２によって反射し、特定の方向に射出される。この光は再度液晶層１７４、対向基板１１８、および偏光板を透過し、視聴者に観測される。
【００４２】
携帯型の表示装置を除き、通常表示装置の設置場所は視聴者にとって見やすい位置に固定されるため、表示装置と視聴者の目線の高さ関係も固定され、変動がない。多くの場合表示装置は、視聴者の目線と同程度、あるいはそれよりも高い位置に、表示面を視聴者に対して平行になるよう、すなわち、基板１０２が水平面に対して垂直になるように配置される。反射モードで表示装置を駆動する場合、太陽光、あるいは天井に設置される照明器具から出力される光が映像の形成に利用される。したがって、外光のほとんどは表示装置よりも高い位置から表示装置１００へ入射され、この入射光は表示装置の基板の上面に対して傾いている。このため、反射モードで表示を行う場合、本実施形態を適用し、表示装置よりも高い位置の光源から入射される光が表示装置の正面へ反射されるように反射膜１５２のパターンを形成することで、より明るく鮮明な映像が得られ、表示装置の視認性を改善することができる。
【００４３】
例えば表示装置１００と目線の高さがほぼ同じ状況で表示装置１００を用いる場合には、図７（Ａ）に示すように、外光２００が基板１０２の法線方向に反射され、基板１０２の法線方向に進む反射光２０２として出力されるよう、角度θを調節すればよい。一方、表示装置１００が目線よりも高い位置で使用する場合、角度θを小さくし、表示装置１００よりも下の方向に外光２００が反射されるようにすればよい。
【００４４】
このように、反射モードにおいて外光２００をランダムな方向に拡散させて利用するのではなく、ある特定の方向へ反射させて映像を構成することで、視野角依存性は増大するものの、反射光を観察できる位置においては明るく、鮮明な映像を享受することができ、その結果、表示装置の視認性を向上させることができる。このような設計は、サイネージなど、設置する際の高さが固定され、視聴者との角度が一定の範囲に固定される表示装置において非常に効果的であり、反射モードでも高い視認性が実現でき、かつ、消費電力が抑制された表示装置を提供することが可能となる。
【００４５】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた絶縁膜１７０および反射膜１５２とは構造が異なる絶縁膜１７０および反射膜１５２に関し、図８を用いて説明する。図８は反射膜１５２と絶縁膜１７０の断面の拡大図である。第１実施形態と同一の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００４６】
図８（Ａ）に示す突起部１５４の各々は、第１実施形態の突起部１５４と同様、反射膜１５２に二つの平坦な面１５８、１５９を有している。図８（Ａ）に示す突起部１５４は、平坦な面１５８と基板１０２の上面との角度θが、隣接する突起部１５４間で異なる点で、第１実施形態の表示装置１００の突起部１５４と異なる。図８（Ａ）に示すように、角度θは、連続する複数の突起部１５４間で異なり、かつ段階的に増大、もしくは減少してもよい。図８（Ａ）の例では、θ1＜θ2＜θ3＜θ4となっている。この特徴に伴い、連続する複数の突起部１５４間において、その幅ｗも段階的に増大、もしくは減少してもよい。図８（Ａ）の例では、ｗ1＜ｗ2＜ｗ3となっている。
【００４７】
このような形状を有する突起部１５４を用いた場合、外光２００の反射は等方的には生じず、第１実施形態の表示装置１００と比較すると、外光２００の反射方向は広がる。したがって、表示装置１００上の映像を鮮明に鑑賞可能な範囲を広げることができ、高い位置に据え付けられ、より大勢の観衆が利用するサイネージなどへの応用に有利である。
【００４８】
図８（Ｂ）に示す突起部１５４の各々は、第１実施形態の突起部１５４と同様、二つの平坦な面１５８、１５９を有している。図８（Ｂ）に示す突起部１５４の各々は、二つの平坦な面１５８、１５９がともに基板１０２の上面に対して傾いている点で、第１実施形態の表示装置１００の突起部１５４と異なる。この特徴に伴い、二つの平坦な面１５８、１５９の間に存在するリッジ１５６は、隣接する突起部１５４間の境界線と重ならず、境界線の間に位置する。例えば図８（Ｂ）に示すように、リッジ１５６は境界線と重ならず、ｂ1よりもｂ2に近い位置に存在する。
【００４９】
このような形状を有する突起部１５４を用いても、第１実施形態の表示装置１００の突起部１５４と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
図８（Ｃ）に示す突起部１５４の各々は、第１実施形態の突起部１５４と同様、二つの平坦な面１５８、１５９を有している。図８（Ｃ）に示す突起部１５４の各々は、平坦な面１５８、１５９が、湾曲部２０４を介して互いに接続されている点で、第１実施形態の表示装置１００の突起部１５４と異なる。この場合、平坦な面１５８、１５９の両者が基板１０２の表面から傾いていてもよく、あるいは一方（例えば平坦な面１５９）は基板１０２の上面に対して垂直でもよい。あるいは、突起部１５４は一つの平坦な面１５８と湾曲部２０４によって構成されていてもよい。この場合、湾曲部２０４は、隣接する二つの突起部１５４の平坦な面１５８と接する。
【００５１】
このような形状を有する突起部１５４を用いた場合、その上に設けられる第１の配向膜１７２の切断を効果的に防ぐことができ、液晶分子の配向乱れを抑制することができる。
【００５２】
図８（Ｄ）に示す突起部１５４の各々は、平坦な面を持たず、湾曲した表面で構成される点で、第１実施形態の表示装置１００の突起部１５４と異なる。この場合、各突起部１５４の境界線に垂直な断面では、二つの境界線のそれぞれから湾曲した表面へ引かれる接線の基板１０２の上面に対する角度が異なるよう、絶縁膜１７０および反射膜１５２の形状が調整される。例えば図８（Ｄ）には、境界線ｂ1とｂ2に垂直な、絶縁膜１７０および反射膜１５２の断面が示されているが、境界線ｂ1、ｂ2から湾曲した表面へ引かれる接線Ｔ1、Ｔ2の基板１０２の上面に対する角度θ1、θ2は互いに異なる。したがって、各突起部１５４において、リッジ１５６から二つの境界線境界線ｂ1、ｂ2への距離は等価ではなく、いずれか一方により近い。また、絶縁膜１７０および反射膜１５２の断面の各々も、基板１０２の法線に関して非対称である。
【００５３】
このように絶縁膜１７０および反射膜１５２を調整することにより、基板１０２の表面に対して斜めに入射した光を特定の方向へ反射させることが可能となり、視認性に優れた表示装置を提供することができる。
【００５４】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００の作製方法に関し、図４、図９乃至図１３を用いて説明する。第１、第２実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。
【００５５】
［１．トランジスタ、容量］
まず、基板１０２上に下地膜１６０を形成する（図９（Ａ））。基板１０２は、トランジスタ１３０やゲート側駆動回路１０８、１１０、ソース側駆動回路１１２に含まれる半導体素子などを支持する機能を有する。したがって基板１０２には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板１０２はガラスや石英、プラスチックなどを含むことができる。
【００５６】
下地膜１６０は基板１０２からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１３０や液晶層１７４などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜１６０は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なお、下地膜１６０は任意の構成であり、のちに形成するゲート絶縁膜１６２が下地膜１６０の機能を兼ねてもよい。
【００５７】
次に、一部がゲート電極１３２として機能する走査線１２０、ならびに一部が容量１４０の一方の電極として機能する容量線１２４を形成する（図９（Ａ））。走査線１２０、容量線１２４は、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成する。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。走査線１２０、容量線１２４はスパッタリング法やＣＶＤ法などを用いて形成することができる。走査線１２０、容量線１２４は同一の工程で形成することができ、したがって、同一の層に存在することができる。
【００５８】
次にゲート電極１３２、容量線１２４を覆うようにゲート絶縁膜１６２を形成する（図９（Ａ））。ゲート絶縁膜１６２は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。ゲート絶縁膜１６２は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。
【００５９】
引き続き、ゲート絶縁膜１６２上に、ゲート電極１３２と重なるように半導体膜１３４を形成する（図９（Ｂ））。具体的には、ゲート絶縁膜１６２上にケイ素などの１４族元素、あるいはインジウム―ガリウム酸化物やインジウム―ガリウム―亜鉛酸化物などの半導体特性を示す酸化物半導体を含む半導体層を形成し、その後エッチングしてパターニングすることで、半導体膜１３４を形成する位置に半導体層を残す。
【００６０】
半導体膜１３４がケイ素を含む場合、半導体層は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。一方、半導体膜１３４が酸化物半導体を有する場合、対応する酸化物半導体を含むターゲットに対してスパッタリング法を適用して半導体膜１３４を形成すればよい。得られる半導体膜１３４の結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスのいずれでもよく、あるいはこれらのモルフォロジーが混在していてもよい。半導体層の結晶性がアモルファスの場合、加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。
【００６１】
次に、ゲート絶縁膜１６２と半導体膜１３４、容量１４０を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を加工することで、ソース電極１３６、容量電極１４２、ドレイン電極１３８を形成する（図９（Ｃ））。ソース電極１３６、ドレイン電極１３８は半導体膜１３４と電気的に接続される。金属膜は、上述したゲート電極１３２が取りうる構造から選択される構造を有することができ、ゲート電極１３２と同様の手法を用いて形成することができる。上述したように、ドレイン電極１３８は信号線１２２の一部である。したがってこの段階で、信号線１２２も形成される。また、一つの金属膜がソース電極１３６と容量電極１４２の両方として機能する。
【００６２】
図示しないが、ソース電極１３６、ドレイン電極１３８の形成前にチャネル保護膜を半導体膜１３４上に形成してもよい。チャネル保護膜は、ゲート絶縁膜１６２と同様の材料や構造を含むことができ、同様の方法で形成することができる。チャネル保護膜を形成することにより、ソース電極１３６やドレイン電極１３８の形成時に半導体膜１３４を保護することができる。以上の工程により、トランジスタ１３０と容量１４０が形成される。
【００６３】
［２．反射膜］
【００６４】
次に、絶縁膜１７０を形成する。具体的には、トランジスタ１３０や容量１４０を覆うように感光性樹脂組成物層１６８を形成し、引き続く露光、現像、硬化によって絶縁膜１７０を形成する（図１１（Ａ））。絶縁膜１７０には精密なパターンを形成するため、感光性樹脂組成物層１６８は、解像性が高く、露光、現像後のパターン形状が、その後の熱処理工程おいても変化しにくい材料が好ましい。このような材料としては、耐熱性の高い樹脂を含む組成物であることが好ましく、例えば環状脂肪族基や芳香族基を含む樹脂、高いガラス転移温度を与えることができる単量体成分を含む樹脂等があげられる。樹脂としては、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、ポリエーテル系樹脂から選ばれることが好ましい。このような感光性樹脂組成物としては、特許３２４１３９９号公報、特許４２０７６０４号公報、特許４７８４２８３号公報、特許４７８４２８３号公報、特許４６３７２０９号公報、特許４６３７２２１号公報、特許４２３２５２７号公報、特許５１７６７６８号公報等に記載の感光性樹脂組成物を適用することができる。このような材料を用いることで、感光性樹脂層１６８の硬化時に、現像時に残存するパターンが維持され、精密なパターンを有する絶縁膜１７０を得ることができる。
【００６５】
具体的には、感光性樹脂組成物層１６８を湿式成膜法を用いて形成したのち、フォトマスク２１０を介して感光性樹脂組成物層１６８に対して露光を行う（図１０（Ａ））。以下、感光性樹組成物１６８はポジ型であるとして説明を行う。フォトマスク２１０として、いわゆるハーフトーンマスクやグレートーンマスクと呼ばれる多諧調マスクを使用することが好ましい。図１０（Ａ）に示すように、フォトマスク２１０は露光部２１２と半露光部２１４を有する。露光部２１２は光を透過するように構成され、開口部１６６や透過領域１９８が形成される領域を覆うように設けられる。一方、半露光部２１４は反射領域１９６を覆うように設けられる。
【００６６】
図１０（Ｂ）に示すように、半露光部２１４は複数回繰り返されるパターン２２４を有する。パターン２２４は互いに同一でもよく、異なる構造でもよいが、第１実施形態の表示装置１００を形成する場合には、パターン２２４には互いに同一の構造が採用される。パターン２２４の数が絶縁膜１７０と反射膜１５２によって形成される突起部１５４の数に相当する。
【００６７】
各パターン２２４には、互いに交互する複数の透光部２１６と複数の遮光部２１８が形成される。各パターン２２４において、透光部２１６の幅は段階的に増大、あるいは減少する。例えば、一つのパターン２２４にｎ個（ｎは２以上の自然数）の透光部２１６が設けられ、その幅を順にＷ1、Ｗ2、Ｗnとすると、各パターンにおいて以下の関係が成立するように透光部２１６が配置される。
【００６８】
【数１】
2018017896.tif 000003
【００６９】
感光性樹脂組成物層１６８は、露光部２１２を透過する光が照射される部分の溶解性が向上し、引き続く現像によって除去される。一方、光が照射されない部分は溶解性が低く、現像後も残存する。その結果、図１１（Ａ）に示すように、露光部２１２で覆われた領域の感光性樹脂組成物層１６８は除去される。一方、半露光部２１４に覆われた領域では、透光部２１６のみならず、光の回り込みに起因して遮光部２１８下の感光性樹脂組成物層１６８も一部露光されるために現像時に溶解する。その結果、厚さが周期的に変化し、突起部１５４を与えるための構造が表面に形成される。
【００７０】
この後加熱処理（硬化）を行って架橋を進行させる。加熱処理は２００℃、あるいはそれ以上の温度で行うことができる。上述した特性を有する感光性樹脂組成物を使用することで、現像時に形成される表面の形状を実質的に維持したまま速やかに架橋を進行するため、精密なパターンを有する絶縁膜１７０を得ることができる。その結果、絶縁膜１７０上に形成される反射膜１５２にも精密なパターンを構築することができる。なお、感光性樹脂組成物層１６８の露光、現像後にさらに露光を行い、感光性樹脂組成物層１６８中の感光剤を分解させ、その後１００℃程度で１０分程度加熱してもよい。この加熱プロセスを硬化前に行うことで、硬化時の熱による形状変化をさらに低減させることができる。
【００７１】
感光性樹脂組成物としてネガ型を用いる場合には、図１０（Ｂ）に示したパターンとは逆のパターンを有するフォトマスク２１０を使用すればよい。すなわち、露光部２１２は完全に遮光し、半露光部２１４では、透光部２１６と遮光部２１８を互いに入れ替えればよい。
【００７２】
絶縁膜１７０の形成後、絶縁膜１７０を覆うように反射膜１５２を形成する（図１１（Ｂ））。この時、反射膜１５２はソース電極１３６と電気的に接続される。反射膜１５２には、可視光を効率よく反射できる材料を用いることが好ましく、例えばアルミニウムや銀、マグネシウムなどを用いることができる。反射膜１５２は蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法を用いて形成すればよい。反射膜１５２は単層構造、積層構造いずれの構造を有してもよい。積層構造を採用する場合、上述した金属を含む膜と可視光を透過可能な導電性酸化物を含む膜を積層してもよい。以上の工程により、絶縁膜１７０と反射膜１５２にパターンを形成することができる。
【００７３】
この後、反射膜１５２の一部を覆うように、画素電極１５０を形成する（図１１（Ｂ））。画素電極１５０は可視光を透過する導電性材料を含むことができる。導電性材料としては、例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物が挙げられる。画素電極１５０は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、原子堆積（ＡＬＤ）法などを用いて形成することができる。
【００７４】
引き続き、画素電極１５０と反射膜１５２上に第１の配向膜１７２を形成する（図１２）。第１の配向膜１７２はポリイミドやその前駆体、ポリアミド、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステルなどの高分子を含むことができ、湿式成膜法、あるいはラミネート法を用いて形成することができる。第１の配向膜１７２に対し、ラビング処理を行ってもよい。
【００７５】
［３．対向基板］
対向基板１１８上に、遮光膜１７６を形成する（図１３（Ａ））。対向基板１１８は基板１０２と同様の材料を含むことができる。遮光膜１７６は、クロムやモリブデンなど比較的反射率の低い金属、あるいは黒色又はそれに近い色の顔料を含有する樹脂材料を用い、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法、あるいは湿式成膜法を用いて形成することができる。
【００７６】
次に、カラーフィルタ１７８を遮光膜１７６の開口部に形成する（図１３（Ａ））。カラーフィルタ１７８は、遮光膜１７６の一部を覆うように形成してもよい。逆に、カラーフィルタ１７８を形成したのちに遮光膜１７６を形成してもよい。カラーフィルタ１７８の光学特性は隣接する画素１０６ごとに変えることができ、これにより、例えば画素ごとに赤色、緑色、青色の発光を取り出すことができる。遮光膜１７６とカラーフィルタ１７８は下地膜を介して対向基板１１８上に設けても良い。
【００７７】
その後、遮光膜１７６とカラーフィルタ１７８を覆うようにオーバーコート１８０を形成する。オーバーコート１８０は遮光膜１７６とカラーフィルタ１７８を保護するとともに、これらから不純物が液晶層１７４へ拡散することを防止する膜である。オーバーコート１８０はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリエステルなどの高分子材料を含むことができ、湿式成膜法やラミネート法を適用して形成することができる。
【００７８】
次に、カラーフィルタ１７８と遮光膜１７６を覆うように、対向電極１９０を形成する（図１３（Ｂ））。対向電極１９０は画素電極１５０と同様の方法で形成することができる。
【００７９】
引き続き、対向電極１９０上には第２の配向膜１９２が形成される（図１３（Ｂ））。第２の配向膜１９２は、第１の配向膜１７２と同様の材料を含むことができ、同様の方法で形成することができる。第２の配向膜１９２に対してラビング処理を行ってもよい。
【００８０】
［４．セル組工程］
その後、トランジスタ１３０や容量１４０、カラーフィルタ１７８などを挟むように、基板１０２と対向基板１１８を接着剤を用いて張り合わせる。引き続き、基板１０２と対向基板１１８の間に液晶分子を注入し、液晶層１７４を形成する。あるいは、基板１０２と対向基板１１８のいずれかの上に液晶分子を滴下し、その上に他方を設置し、基板１０２と対向基板１１８の間の空間に液晶分子が広がるように基板１０２と対向基板１１８を貼り合わせてもよい。液晶層１７４には、画素電極１５０と対向電極１９０間の距離を維持するためのスペーサを添加してもよい。スペーサの添加の替わりに、基板１０２、あるいは対向基板１１８上に、絶縁体を含むスペーサを設けてもよい。
【００８１】
その後、図示しない一対の偏光板を基板１０２、対向基板１１８を挟むように設ける。さらにバックライト１８２を設置することで、図４に示す表示装置１００が作製される。
【００８２】
上述したように、グレートーンマスクを用いる露光により、絶縁膜１７０とその上に形成される反射膜１５２に特異的なパターンを形成することができる。このパターンにより、第１実施形態で述べたように、基板１０２の上面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射する外光を特定の方向へ反射させることができる。このため、視認性に優れ、かつ消費電力が抑制された反射半透過液晶表示装置を提供することができる。
【００８３】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態の表示装置１００とは構造の異なる表示装置２２０に関し、図１４、１５を用いて説明する。図１４は表示装置２２０の画素１０６の上面模式図であり、図１５は図１４の鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図に相当する。第１、第２実施形態と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００８４】
表示装置２２０の画素１０６では、外光２００を反射させるための反射膜１５２、およびそのパターン形成を補助する絶縁膜１７０が画素電極１５０の下に設けられている点で、表示装置１００と異なる。具体的には、図１５に示すように、絶縁膜１７０がゲート絶縁膜１６２上に設けられ、その上に反射膜１５２が備えられる。したがって、絶縁膜１７０と反射膜１５２は容量１４０と重ならない（図１４、１５）。この場合、反射膜１５２はトランジスタ１３０のソース電極１３６やドレイン電極１３８と同時に形成してもよい。
【００８５】
表示装置２２０にはさらに、反射領域１９６と透過領域１９８において液晶層１７４を透過する光の光路長を同じにするための調整層２２２が設けられる（図１５）。図１５では調整層２２２は対向電極１９０と第２の配向膜１９２の間に位置するように設けられるが、調整層２２２は画素電極１５０と第１の配向膜１７２の間に設けられてもよい。調整層２２２は、平坦化膜１６４で使用可能な、可視光を透過する有機絶縁体を用い、湿式成膜法によって形成すればよい。
【００８６】
表示装置２２０も反射領域１９６に、基板１０２の上面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射する光を特定の方向へ反射するための反射膜１５２が設けられている。このため、視認性に優れ、消費電力の小さい表示装置を与えることができる。
【００８７】
（第５実施形態）
本実施形態では、第１、第３、第４実施形態で述べた表示装置１００、２２０とは構造の異なる表示装置２３０に関し、図１６、１７を用いて説明する。図１６は表示装置２３０の画素１０６の上面模式図であり、図１７は図１６の鎖線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図に相当する。図１６、１７では容量１４０は省略している。第１乃至第４実施形態と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００８８】
表示装置２３０は、表示装置２２０と同様、反射膜１５２、およびそのパターン形成を補助する絶縁膜１７０が画素電極１５０の下に設ける。しかしながら表示装置２３０では、液晶層１７４に印加される電圧が櫛歯状の形状を有する画素電極１５０と対向電極１９０によって与えられる。また、画素電極１５０と対向電極１９０は同一の層内に存在し、基板１０２の上面に対してほぼ平行な方向で液晶層１７４に電界が生じる。すなわち、表示装置２３０はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置として機能する。
【００８９】
表示装置２３０も反射領域１９６に、基板１０２の上面に対して斜めの角度で液晶層１７４に入射する光を特定の方向へ反射するための反射膜１５２が設けられている。このため、視認性に優れ、消費電力の小さい表示装置を与えることができる。さらに、表示装置２３０はＩＰＳ液晶表示装置であることから、視野角依存性、特に表示装置の左右に対する視野角依存性を低減することが可能である。
【００９０】
（第６実施形態）
本実施形態では、第１、第３乃至第５実施形態で述べた表示装置１００、２２０、２３０とは構造の異なる表示装置２４０に関し、図１８、１９を用いて説明する。図１８は表示装置２４０の画素１０６の上面模式図であり、図１９は図１８の鎖線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図に相当する。図１８、１９では容量１４０は省略している。第１乃至第５実施形態と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００９１】
表示装置２４０は、表示装置２３０と同様、反射膜１５２、およびそのパターン形成を補助する絶縁膜１７０がゲート絶縁膜１６２の上、画素電極１５０の下に設けられている。表示装置２４０では、一定電位が印加される対向電極１９０が画素電極１５０の下に位置している点で表示装置２３０と異なる。液晶層１７４に印加される電圧は、対向電極１９０と櫛歯状の形状を有する画素電極１５０によって、基板１０２の上面に対してほぼ平行な方向で与えられる。したがって表示装置２４０は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置として機能する。
【００９２】
表示装置２４０も反射領域１９６に、基板１０２の上面に対して斜めに入射する光を特定の方向へ反射するための反射膜１５２が設けられている。このため、視認性に優れ、消費電力の小さい表示装置を与えることができる。さらに、表示装置２４０はＦＦＳ液晶表示装置であることから、視野角依存性、特に表示装置の左右に対する視野角依存性を低減することが可能である。
【００９３】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９４】
上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと理解される。
【符号の説明】
【００９５】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素領域、１０６：画素、１０８：ゲート側駆動回路、１１０：ゲート側駆動回路、１１２：ソース側駆動回路、１１４：コネクタ、１１６：ＩＣ、１１８：対向基板、１２０：走査線、１２２：信号線、１２４：容量線、１３０：トランジスタ、１３２：ゲート電極、１３４：半導体膜、１３６：ソース電極、１３８：ドレイン電極、１４０：容量、１４２：容量電極、１５０：画素電極、１５２：反射膜、１５４：突起部、１５６：リッジ、１５８：平坦な面、１５９：平坦な面、１６０：下地膜、１６２：ゲート絶縁膜、１６４：平坦化膜、１６６：開口部、１６８：感光性樹脂組成物層、１７０：絶縁膜、１７２：第１の配向膜、１７４：液晶層、１７６：遮光膜、１７８：カラーフィルタ、１８０：オーバーコート、１８２：バックライト、１９０：対向電極、１９２：第２の配向膜、１９４：表示領域、１９６：反射領域、１９８：透過領域、２００：外光、２０４：湾曲部、２１０：フォトマスク、２１２：露光部、２１４：半露光部、２１６：透光部、２１８：遮光部、２２０：表示装置、２２２：調整層、２２４：パターン、２３０：表示装置、２４０：表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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