(57)【要約】【課題】特別な調整を行わずともオフセット電圧が小さい値となる歪検出器を構成する。【解決手段】一対の歪検出素子Ｓａを並列接続して構成される４つの歪検出部Ｓをブリッジ接続して検出回路１０を構成する。正極側の入力端子１５を挟む位置の２つの歪検出部Ｓに対して、同一の第１抵抗値ｂＲの２つの歪検出素子Ｓａを振り分け、且つ、同一の第２抵抗値ｃＲの２つの歪検出素子Ｓａを振り分ける。負極側の入力端子１５を挟む位置の２つの歪検出部Ｓに対して、同一の第３抵抗値ａＲの２つの歪検出素子Ｓａを振り分け、且つ、同一の第４抵抗値ｄＲの２つの歪検出素子Ｓａを振り分ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の歪検出素子を並列接続した４つの歪検出部を起歪体に備え、４つの前記歪検出部をブリッジ接続して検出回路が構成され、
４つの前記歪検出部のうち、正極側の入力端子を挟む位置に配置される２つの前記歪検出部に対して、同一の第１抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分け、且つ、同一の第２抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分けると共に、振り分けられた２つの前記歪検出素子をそれぞれ並列接続して前記歪検出部が構成され、
４つの前記歪検出部のうち、負極側の入力端子を挟む位置に配置される２つの前記歪検出部に対して、同一の第３抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分け、且つ、同一の第４抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分けると共に、振り分けられた２つの前記歪検出素子をそれぞれ並列接続して前記歪検出部が構成されている歪検出器。
【請求項２】
前記起歪体が、荷重の作用方向に直交する姿勢で、荷重が作用する荷重中心を中心とする円形の検知面を備え、
同一の抵抗値となる前記歪検出素子の２つを１組として４組の歪検出素子群が構成され、当該歪検出素子群が、前記荷重中心から等しい距離に配置されると共に、前記歪検出素子群を構成する２つの前記歪検出素子が径方向に並ぶ位置関係で前記検知面に備えられている請求項１に記載の歪検出器。
【請求項３】
前記起歪体が、荷重の作用方向に直交する姿勢で、荷重が作用する荷重中心が長辺方向と短辺方向との中央となる矩形の検知面を備え、
同一の抵抗値となる前記歪検出素子の２つを１組として４組の歪検出素子群が構成され、当該歪検出素子群が、前記荷重中心を通り前記短辺方向または前記長辺方向に沿う姿勢のラインを挟んで線対称となる位置に配置されると共に、前記歪検出素子群を構成する２つの前記歪検出素子が前記検知面の長手方向に並ぶ位置関係で前記検知面に備えられている請求項１に記載の歪検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、４つの歪検出部をブリッジ接続して構成された歪検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、筒状の周壁部と、この内周の円盤状部とが一体形成され、円盤状部の中央に貫通孔が形成され、円盤状部の底面には貫通孔を取り囲む位置に８つのセンサを設け、貫通孔の部位に載置するようにボール状の荷重入力部を備えた歪検出器の技術が記載されている。
【０００３】
この技術では、円盤状部が起歪体として機能するものであり、８つのセンサは歪検出素子で構成され、これらを２つずつ直列に接続し、更に、これらを接続することでホイートストンブリッジを構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３‐２５０１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
４つの歪検出素子をブリッジ接続して構成された歪検出器では、無荷重状態において一対の出力端子間に電圧が発生しないことが理想である。
【０００６】
しかしながら、４つの歪検出素子の抵抗値が許容誤差の範囲に含まれるものであっても、４つの歪検出素子の抵抗値のバラツキから無荷重状態でも出力端子間にオフセット電圧が発生することも多くあった。
【０００７】
このような不都合を解消するためには、歪検出器に使用する歪検出素子の抵抗値を計測して選別することや、４つの歪検出素子の他に調整のための可変抵抗器をブリッジ回路に接続する構成が考えられる。
【０００８】
しかしながら、個々の歪検出素子の抵抗値を計測して選別を行う場合には、抵抗値の計測の精度を高くする必要があるため、選別に手間が掛かるものとなる。また、回路に可変抵抗器を備えるものでは部品点数が増大するだけでなく、オフセット電圧を計測しつつ、可変抵抗器を微調整する作業形態となるため、調整にも手間が掛かることになり改善の余地がある。
【０００９】
即ち、特別な調整を行わずともオフセット電圧が小さい値となる歪検出器を構成することが求められる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の特徴は、一対の歪検出素子を並列接続した４つの歪検出部を起歪体に備え、４つの前記歪検出部をブリッジ接続して検出回路が構成され、
４つの前記歪検出部のうち、正極側の入力端子を挟む位置に配置される２つの前記歪検出部に対して、同一の第１抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分け、且つ、同一の第２抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分けると共に、振り分けられた２つの前記歪検出素子をそれぞれ並列接続して前記歪検出部が構成され、
４つの前記歪検出部のうち、負極側の入力端子を挟む位置に配置される２つの前記歪検出部に対して、同一の第３抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分け、且つ、同一の第４抵抗値の２つの前記歪検出素子を振り分けると共に、振り分けられた２つの前記歪検出素子をそれぞれ並列接続して前記歪検出部が構成されている点にある。
【００１１】
この構成では、検出回路のブリッジ回路の出力端子を挟む位置の２つの歪検出部を構成する一対の歪検出素子の一方に、例えば、同一の製造ロットの歪検出素子を振り分け、一対の歪検出素子の他方に、先のロットと異なる同一の製造ロットの歪検出素子を振り分け、これらを並列接続することにより、歪検出部を構成することが可能となる。
【００１２】
本発明の作用効果について、その詳細を図３（実施形態）に基づいて説明する。入力端子１５に印加される電圧値をＶとし、４つの歪検出部Ｓを区別するため、これらを歪検出部１１〜１４とする。また、各々の歪検出部Ｓを構成する歪検出素子Ｓａの固有の抵抗値を、目標抵抗値Ｒを基準にバラツキを示す係数としてａ，ｂ，ｃ，ｄを用いることで、８つの歪検出素子Ｓａの抵抗値をａＲ，ｂＲ，ｃＲ，ｄＲの４種の値として表している。
【００１３】
この抵抗値となる８つの歪検出素子Ｓａを、前述したように振り分けた場合の一例として、第２歪検出部１２と第３歪検出部１３との２つの歪検出部Ｓが抵抗値ｂＲ，ｃＲとを並列接続して構成される。これと同様に第１歪検出部１１と第４歪検出部１４との２つの歪検出部Ｓが抵抗値ａＲ，ｄＲとを並列接続して構成される。この構成では、抵抗値ｂＲと抵抗値ｃＲとが、第１抵抗値と第２抵抗値とに対応し、抵抗値ａＲと抵抗値ｄＲとが、第３抵抗値と第４抵抗値とに対応する。
【００１４】
これに基づいて一対の出力端子１６の各々に作用するオフセット電圧Ｖoff を求める式を同図の下段のように表すことが可能であり、式の演算部分Ｘ（分圧の演算）と式の演算部分Ｙ（分圧の演算）とが等しい値となり、結果として、出力端子１６ｘ，１６ｙに作用する電圧を理論上で「０」にできる。
従って、特別な調整を行わずともオフセット電圧を極めて小さい値とすることが可能な歪検出器が構成された。これにより、歪検出器の製造時に、歪検出素子の個々の抵抗値を計測することや、製造時に特別な調整を行わずに済む。
【００１５】
他の構成として、前記起歪体が、荷重の作用方向に直交する姿勢で、荷重が作用する荷重中心を中心とする円形の検知面を備え、
同一の抵抗値となる前記歪検出素子の２つを１組として４組の歪検出素子群が構成され、当該歪検出素子群が、前記荷重中心から等しい距離に配置されると共に、前記歪検出素子群を構成する２つの前記歪検出素子が径方向に並ぶ位置関係で前記検知面に備えられても良い。
【００１６】
これによると、荷重中心に作用する荷重を、荷重中心から等しい距離に配置した４つの歪検出素子群に等しく偏りなく作用させることが可能となる。また、起歪体に荷重が作用した場合には、荷重中心からの距離が異なる位置では、起歪体の歪の形態が異なることもある。これに対して、歪検出素子群を構成する２つの歪検出素子が検知面において半径方向に並ぶ構成では、２つの歪検出素子において異なる形態の歪も捉えることが可能となり検出感度の向上が可能となる。
【００１７】
他の構成として、前記起歪体が、荷重の作用方向に直交する姿勢で、荷重が作用する荷重中心が長辺方向と短辺方向との中央となる矩形の検知面を備え、
同一の抵抗値となる前記歪検出素子の２つを１組として４組の歪検出素子群が構成され、当該歪検出素子群が、前記荷重中心を通り前記短辺方向または前記長辺方向に沿う姿勢のラインを挟んで線対称となる位置に配置されると共に、前記歪検出素子群を構成する２つの前記歪検出素子が前記検知面の長手方向に並ぶ位置関係で前記検知面に備えられても良い。
【００１８】
これによると、荷重中心に荷重が作用した場合には検知面が長手方向において撓むように歪むことになる。また、荷重中心からの距離が異なる位置では、起歪体の歪の形態が異なることもある。これに対し、この構成のように、歪検出素子群を構成する２つの歪検出素子が検知面において長さ方向に並ぶ構成では、２つの歪検出素子において異なる形態の歪も捉えることが可能となり検出感度の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】歪検出器の断面図である。
【図２】歪検出素子の配置を示す底面図である。
【図３】検出回路とオフセット電圧を求める式とを示す図である。
【図４】別実施形態（ａ）の歪検出素子の配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１、図２に示すように、円筒状のフレーム１の内周に円盤状の起歪体２を一体形成し、起歪体２に接当する荷重入力部材３を備え、起歪体２の検知面２Ｓに８つの歪検出素子Ｓａを貼着して歪検出器１００が構成されている。
【００２１】
この歪検出器１００では、フレーム１と起歪体２との材料としてアルミニウムやステンレス等の金属材、あるいはセラミックス材が用いられている。起歪体２の中央位置には貫通孔２ａが形成されている。
【００２２】
起歪体２は底面（同図で下側）に検知面２Ｓが形成され、上面（同図では上側）には貫通孔２ａを中心とする漏斗状の傾斜面２Ｔが形成されている。荷重入力部材３は、金属材やセラミックス材で形成され、下側に滑らかに突出する半球状の当接面３Ｔが形成され、この当接面３Ｔが起歪体２の傾斜面２Ｔに当接する位置関係となる。
【００２３】
この歪検出器１００では、荷重入力部材３から起歪体２に対する荷重の作用方向を、検知面２Ｓに直交する方向を想定しているが、この直交方向から多少傾斜する場合でも適正な検知を実現するために傾斜面２Ｔと当接面３Ｔとの関係が設定されている。また、荷重を検知する際の中心（起歪体２の中心と一致する）を荷重中心Ｐとしている。
【００２４】
この歪検出器１００では、図３に示すように、一対の歪検出素子Ｓａを並列接続して歪検出部Ｓを構成しており、更に、４つの歪検出部Ｓをブリッジ接続してホイートストンブリッジ型の検出回路１０が構成されている。
【００２５】
検出回路１０は一対の入力端子１５に直流電圧を印加した状態で、荷重入力部材３から起歪体２に荷重が作用した場合に一対の出力端子１６ｘ，１６ｙに生ずる電位差から起歪体２の歪を検出する一般的な検出形態が採用されている。図面には示していないが、この歪検出器１００では、出力端子１６ｘ，１６ｙに生ずる電位差を増幅器によって増幅し、荷重の大きさを求めるように構成される。
【００２６】
歪検出素子Ｓａは、ピエゾ抵抗素子のように半導体を用いた素子で構成されるものを想定しているが、歪により電気抵抗が変化する金属箔で構成されるものであっても良い。
【００２７】
前述したように、検出回路１０による歪の検出形態は従来からのホイートストンブリッジ型の回路と基本的に変わるものではないが、この検出回路１０では、製造時に同じ抵抗値の歪検出素子Ｓａを組み合わせることにより、荷重が作用しない状況において、検出回路１０が平衡状態となり一対の出力端子１６ｘ，１６ｙのオフセット電圧Ｖoff を理論的には「０」にする構成が採用されている。
【００２８】
〔検出回路〕
図３の上段に示すように、検出回路１０は、電圧が印加される正極側の入力端子１５を挟む位置に配置される２つの歪検出部Ｓ，Ｓと、負極側の入力端子１５を挟む位置に配置される２つの歪検出部Ｓ，Ｓとを備えた構成となる。
【００２９】
図３には４つの歪検出部Ｓを区別するために、第１歪検出部１１、第２歪検出部１２、第３歪検出部１３、第４歪検出部１４として説明する。また、４つの歪検出部Ｓの各々を構成する一対の歪検出素子Ｓａについては、これらを区別するために１１Ａ，１１Ｂ〜１４Ａ，１４Ｂの符号を付している。
【００３０】
この検出回路１０では、正極側の入力端子１５を挟む位置の２つの歪検出部Ｓに第２歪検出部１２と第３歪検出部１３とが該当し、負極側の入力端子１５を挟む位置の２つの歪検出部Ｓに、第１歪検出部１１と第４歪検出部１４とが該当する。
【００３１】
ここで、製造目標とする抵抗値Ｒを基準にバラツキを示す係数（例えば０．９〜１．１の数値）としてａ，ｂ，ｃ，ｄを用いると、同一の製造ロットから取得される歪検出素子Ｓａの抵抗値をａＲと表し、これと異なる同一の製造ロットから取得される歪検出素子Ｓａの抵抗値をｂＲと表すことができる。これと同様に、他の２種の同一製造ロットから取得される歪検出素子Ｓａの抵抗値をｃＲと表し、これらと異なる同一製造ロットから取得される歪検出素子Ｓａの抵抗値をｄＲと表すことができる。
【００３２】
同一の製造ロットとは、同じ工程で同時に製造されたものであり、抵抗値が同一、あるいは、抵抗値が極めて近い値のものを指す。
【００３３】
４つの歪検出部Ｓのうち、正極側の入力端子１５を挟む位置に配置される２つの歪検出部Ｓ（第２歪検出部１２と第３歪検出部１３）については、同一の抵抗値ｂＲの２つの歪検出素子Ｓａ（１２Ａ，１３Ｂ）が振り分けられると共に、この抵抗値ｂＲと異なるが同一の抵抗値ｃＲの歪検出素子Ｓａ（１２Ｂ，１３Ａ）が振り分けられている。そして、このように振り分けられた一対の歪検出素子Ｓａ（抵抗値ｂＲの歪検出素子Ｓａと、抵抗値ｃＲの歪検出素子Ｓａ）は、それぞれ並列接続されている。
【００３４】
この構成では、抵抗値ｂＲと抵抗値ｃＲが、第１抵抗値と第２抵抗値とに対応するものであるが、抵抗値ｂＲと抵抗値ｃＲが、第２抵抗値と第１抵抗値とに対応すると捉えても良い。
【００３５】
これと同様に、４つの歪検出部Ｓのうち、負極側の入力端子１５を挟む位置に配置される２つの歪検出部Ｓ（第１歪検出部１１と第４歪検出部１４）については、同一の抵抗値ａＲの２つの歪検出素子Ｓａ（１１Ａ，１４Ｂ）が振り分けられると共に、この抵抗値ａＲと異なるが同一となる抵抗値ｄＲの歪検出素子Ｓａ（１１Ｂ，１４Ａ）が振り分けられている。そして、このように振り分けられた一対の歪検出素子Ｓａ（抵抗値ａＲの歪検出素子Ｓａと、抵抗値ｄＲの歪検出素子Ｓａ）は、それぞれ並列接続されている。
【００３６】
この構成では、抵抗値ａＲと抵抗値ｄＲが、第３抵抗値と第４抵抗値とに対応するものであるが、抵抗値ａＲと抵抗値ｄＲが、第４抵抗値と第３抵抗値とに対応すると捉えても良い。
【００３７】
つまり、正極側の入力端子１５を挟む位置に配置された２つの歪検出部Ｓ，Ｓを構成する一対の歪検出素子Ｓａ，Ｓａの一方には同一の抵抗値（例えば、第１抵抗値）となる同一の製造ロットのものが振り分けられ、一対の歪検出素子Ｓａの他方には、同一の抵抗値（例えば、第２抵抗値）となる同一の製造ロットのものが振り分けられる。このような組み合わせは、負極側の入力端子１５を挟む位置に配置された２つの歪検出部Ｓを構成する一対の歪検出素子Ｓａについても行われる。
【００３８】
このように４種の抵抗値ａＲ，ｂＲ，ｃＲ，ｄＲの歪検出素子Ｓａを、一対ずつ用いて構成される検出回路１０では、入力端子１５に電圧Ｖが印加する状態において一対の出力端子１６ｘ，１６ｙの間のオフセット電圧Ｖoff を図３の下段の式のように表すことが可能である。
【００３９】
この式では、正極側の入力端子１５と負極側の入力端子１５との間に電圧Ｖを印加した場合に、第２歪検出部１２から第１歪検出部１１に流れる電流から同図の左側の出力端子１６ｘに現れる電圧を、式の演算部分Ｘ（分圧の演算）で求められる。これと同様に、第３歪検出部１３から第４歪検出部１４に流れる電流から右側の出力端子１６ｙに現れる電圧を、式の演算部分Ｙ（分圧の演算）で求められる。
【００４０】
この式から理解できるように、演算部分Ｘの値と、演算部分Ｙの値とが等しいため、この検出回路１０が平衡状態となり、一対の出力端子１６ｘ，１６ｙの間のオフセット電圧Ｖoff は「０」となる。尚、同一の製造ロットの歪検出素子Ｓａでも抵抗値の僅かなバラツキがあることを考えると、オフセット電圧Ｖoff が「０」でないことも考えられるが、オフセット電圧Ｖoff を極めて小さい値にすることが可能であり、検出回路１０の製造時にオフセット電圧Ｖoff を調整する必要がない。
【００４１】
〔歪検出部の配置〕
図２に示すように、荷重中心Ｐから等しい距離で荷重中心Ｐを挟んで対向する位置に、同一の抵抗値となる歪検出素子Ｓａの２つを１組として４組の歪検出素子群Ｇが構成され、これらの歪検出素子群Ｇが、荷重中心Ｐから等しい距離に配置されている。また、歪検出素子群Ｇを構成する２つの歪検出素子Ｓａ，Ｓａが径方向に並ぶ位置関係で検知面２Ｓに備えられている。図面には示していないが、各々の歪検出素子Ｓａは検出回路１０を構成するため導線で成るワイヤにより結線されている。
【００４２】
これにより、荷重中心Ｐに作用する荷重を、荷重中心Ｐから等しい距離に配置した４つの歪検出素子群Ｇに等しく偏りなく作用させることが可能となる。更に、起歪体２に荷重が作用した場合には、荷重中心Ｐからの距離が異なる位置では、起歪体２の歪の形態が異なることもある。これに対して、歪検出素子群Ｇを構成する２つの歪検出素子Ｓａ，Ｓａが検知面２Ｓにおいて半径方向に並ぶ構成では、２つの歪検出素子Ｓａにおいて異なる形態の歪も捉えることが可能となり検出感度の向上が可能となる。
【００４３】
具体的には、荷重中心Ｐを挟んで対向する位置に歪検出素子１１Ａと歪検出素子１１Ｂとを配置しており、これらより荷重中心Ｐから離間する位置に歪検出素子１４Ｂと、歪検出素子１４Ａとが配置されている。また、これらの並び方向に直交する直線上に、荷重中心Ｐを挟んで対向する位置に歪検出素子１３Ａと歪検出素子１３Ｂとを配置しており、これらより荷重中心Ｐから離間する位置に歪検出素子１２Ｂと、歪検出素子１２Ａとが配置されている。
【００４４】
つまり、歪検出素子１１Ａと歪検出素子１４Ｂとで歪検出素子群Ｇが構成され、歪検出素子１１Ｂと歪検出素子１４Ａとで歪検出素子群Ｇが構成され、歪検出素子１３Ａと歪検出素子１２Ｂとで歪検出素子群Ｇが構成され、歪検出素子１３Ｂと歪検出素子１２Ａとで歪検出素子群Ｇが構成されている。
【００４５】
起歪体２の外周がフレーム１に固定された構造では、荷重中心Ｐに荷重が作用した際に、起歪体２に対し、荷重中心Ｐに近い位置では、周方向に沿って伸長する引張荷重が作用し、荷重中心Ｐから遠い位置では、径方向に沿って圧縮する圧縮荷重が作用する。
【００４６】
この理由から、歪検出素子１１Ａ，１１Ｂ，１３Ａ．１３Ｂは圧縮荷重に対して良好な感度を得る姿勢に設定しており、歪検出素子１４Ｂ，１４Ａ，１２Ｂ，１２ａは引張荷重に対して良好な感動を得る姿勢に設定している。これにより、荷重中心Ｐに荷重が作用した場合には、一相の高感度での検出を実現している。
【００４７】
〔実施形態の作用・効果〕
歪検出素子Ｓａの製造時において、同一の製造ロットから取得した歪検出素子Ｓａの抵抗値は同一の値を取り、異なる製造ロットの歪検出素子Ｓａの各々の抵抗値とは異なっていることが想定される。検出回路１０を構成する際に、例えば、同じ抵抗値の４つの歪検出素子Ｓａをブリッジ接続することも考えられるが、複数の製造ロットから同じ抵抗値の４つの歪検出素子Ｓａを抽出することは困難であり、オフセット電圧Ｖoff を小さくするために歪検出素子Ｓａの抵抗値を計測する等手間が掛かるものとなる。
【００４８】
これに対して、４種の同一の製造ロットの各々から同じ抵抗値となる２つの歪検出素子Ｓａを取得することは比較的容易である。従って、入力端子１５を基準に対称となる歪検出部Ｓに対して同じ抵抗値となる歪検出素子Ｓａを振り分けて配置し、一対の歪検出素子Ｓａの他方に対して、前述した抵抗値と異なる値の同じ抵抗値の歪検出素子Ｓａを振り分け配置している。このような抵抗値の設定と、配置との設定だけでオフセット電圧Ｖoff を理論上「０」にすることができる。
【００４９】
また、この構成では、８つの歪検出素子Ｓａの抵抗値を計測する手間が不要となることから、製造工程を簡素化し低廉化が可能になる。しかも、歪検出素子Ｓａの製造段階で、１つの製造ロットの歪検出素子Ｓａの抵抗値が目標とする値から多少外れたものであっても使用可能であるため、歪検出素子Ｓａの無駄を抑制して歩留まりを高めることも可能となる。
【００５０】
特に、歪検出器１００の構成として、８つの歪検出素子Ｓａを起歪体２の検知面２Ｓに対して、図２に示すように配置することにより、高精度での歪検出を可能にする。
【００５１】
〔別実施形態〕
本発明は、上記した実施形態以外に以下のように構成しても良い（実施形態と同じ機能を有するものには、実施形態と共通の番号、符号を付している）。
【００５２】
（ａ）図４に示すように、検知面２Ｓが、荷重の作用方向に直交する姿勢で、荷重が作用する荷重中心Ｐが、長辺方向と短辺方向のそれぞれ中央となる矩形に形成されている。また、同一の抵抗値となる歪検出素子Ｓａの２つを１組として４組の歪検出素子群Ｇが構成されている。この歪検出素子群Ｇが、荷重中心Ｐを通り短辺方向に沿う姿勢の基準ライン（同図の上下方向に沿う姿勢の破線のライン）を挟んで線対称となる位置に配置されると共に、歪検出素子群Ｇを構成する２つの歪検出素子Ｓａが検知面２Ｓの長手方向に並ぶ位置関係で検知面２Ｓに備えられている。
【００５３】
具体的には、矩形の起歪体２を幅方向（同図では上下方向）と長さ方向（同図では横方向）とに等分することで、検知面２Ｓに４つの領域を設定すると共に、１つの領域に歪検出素子１１Ａと歪検出素子１４Ｂとを配置し、これらと基準ラインを挟んで線対称となる位置に歪検出素子１３Ａと歪検出素子１２Ｂとを配置している。
【００５４】
これと同様に、他の１つの領域に歪検出素子１３Ｂと、歪検出素子１２Ａとを配置し、これらと基準ラインを挟んで線対称となる位置に歪検出素子１１Ｂと、歪検出素子１４Ａとを配置している。この別実施形態においても、各々の歪検出素子Ｓａは検出回路１０を構成するため導線で成るワイヤにより結線されている。
【００５５】
この別実施形態（ａ）では、荷重中心Ｐに荷重が作用した場合には検知面２Ｓが長手方向において撓むように歪むことになる。また、荷重中心Ｐからの距離が異なる位置では、起歪体２の歪の形態が異なることもある。これに対して、歪検出素子群Ｇを構成する２つの歪検出素子Ｓａが検知面２Ｓにおいて長さ方向に並ぶ構成では、２つの歪検出素子において異なる形態の歪も捉えることが可能となり検出感度が向上する。
【００５６】
尚、この別実施形態（ａ）では、荷重中心Ｐを通り長辺方向に沿う姿勢の基準ライン（同図では横方向に沿う姿勢の破線のライン）を考えた場合にも、この基準ラインを挟んで線対称となる位置に歪検出素子群Ｇが配置される構成となっている。
【００５７】
（ｂ）８つの歪検出素子Ｓａを検知面２Ｓに配置する際に、１つの歪検出部Ｓを構成する一対の歪検出素子Ｓａを近接する領域に配置しても良い。このように配置する構成では、ワイヤでの結線を容易に行える。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、４つの歪検出部をブリッジ接続して構成された歪検出器に利用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
２          起歪体
２Ｓ        検知面
１０        検出回路
１５        入力端子
Ｇ          歪検出素子群
Ｐ          荷重中心
Ｓ          歪検出部
Ｓａ        歪検出素子
ｂＲ        第１抵抗値
ｃＲ        第２抵抗値
ａＲ        第３抵抗値
ｄＲ        第４抵抗値
【図１】
2018036072.tif 000003
【図２】
2018036072.tif 000004
【図３】
2018036072.tif 000005
【図４】
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