(57)【要約】【課題】外部に漏れる電磁波の出力の低い光モジュールを提供する。【解決手段】基板に設けられた光電変換素子と、前記基板と接続され、前記光電変換素子に入射する光、または、前記光電変換素子より出射された光が伝播する光導波路と、前記光導波路と接続されている光コネクタと、前記光コネクタと接続される光ケーブルと、筐体と、前記光導波路と前記筐体との間に設けられ、前記筐体と接触する、弾性を有する導電性材料あるいは電波吸収材料により形成された導電部と、を有することを特徴とする光モジュールを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図６
2018017861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた光電変換素子と、
前記基板と接続され、前記光電変換素子に入射する光、または、前記光電変換素子より出射された光が伝播する光導波路と、
前記光導波路と接続されている光コネクタと、
前記光コネクタと接続される光ケーブルと、
筐体と、
前記光導波路と前記筐体との間に設けられ、前記筐体と接触する、弾性を有する導電性材料あるいは電波吸収材料により形成された導電部と、
を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記導電部は、前記光導波路の一方の面と前記筐体との間、および前記光導波路の他方の面と前記筐体との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記筐体の前記導電部と接する面には、複数の突起が設けられており、
前記突起のピッチは、前記筐体の外に放射される電磁波の波長をλとした場合、λ／４以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
基板に設けられた光電変換素子と、
前記基板と接続され、前記光電変換素子に入射する光、または、前記光電変換素子より出射された光が伝播する光導波路と、
前記光導波路と接続されている光コネクタと、
前記光コネクタと接続されている光ケーブルと、
筐体と、
前記筐体と接続されており、前記光ケーブルを覆うケーブルブーツと、
前記ケーブルブーツと前記光ケーブルとの間に設けられた、導電性材料または電波吸収材料により形成された導電部と、
を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
前記導電部には、前記光ケーブルの側に出っ張った複数の突起が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記導電部は、前記筐体と電気的に接続されていることを特徴とする請求項４または５に記載の光モジュール。
【請求項７】
基板に設けられた光電変換素子と、
前記基板と接続され、前記光電変換素子に入射する光、または、前記光電変換素子より出射された光が伝播する光導波路と、
前記光導波路と接続される光コネクタと、
前記光コネクタと接続される光ケーブルと、
筐体と、
前記筐体と接続され、前記光ケーブルを覆う導電性材料または電波吸収材料により形成されたケーブルブーツと、
前記ケーブルブーツの内側に設けられた複数の突起と
を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
隣り合う前記突起のピッチは、前記筐体の外に放射される電磁波の波長をλとした場合、λ／４以下であることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記複数の突起には、ピッチの異なるものが設けられていることを特徴とする請求項８に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパーコンピュータ、ハイエンドサーバの高速インターフェースにおける通信では銅等の電線ケーブルが用いられていたが、信号の高速伝送化に対応し、かつ、伝送距離を長くすることが可能な光通信が普及しつつある。
【０００３】
伝送距離が数十ｍと長い次世代インターフェースでは光通信が用いられており、光ケーブルとサーバ等とを接続して電気信号を光信号に変換する光モジュールが用いられている。光モジュールは、光ケーブルからの光信号を電気信号に変換してサーバに出力し、サーバからの電気信号を光信号に変換して光ケーブルへと出力する。
【０００４】
光モジュールは、筐体内に、電気信号を光信号に変換する発光素子、光信号を電気信号に変換する受光素子、発光素子を駆動する駆動ＩＣ（Integrated Circuit）、電流を電圧に変換するＴＩＡ（Trans Impedance Amplifier）が設けられている。発光素子、受光素子、駆動ＩＣ、ＴＩＡは基板に搭載されており、発光素子及び受光素子とレンズ付きフェルール等のフェルールとの間は光導波路により接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−６９８８３号公報
【特許文献２】特開２０１３−２９６３９号公報
【特許文献３】特開２００９−２５８４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高周波の電気信号が用いられる光モジュールでは、光モジュールを動作させた際にノイズとなる電磁波が発生する場合がある。このような電磁波により光モジュールの近くに置かれた電子機器等に悪影響を及ぼす場合があり、好ましくない。
【０００７】
このため、光モジュールを動作させた際に発生する電磁波の影響を低くできる光モジュールが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施の形態の一観点によれば、基板に設けられた光電変換素子と、前記基板と接続され、前記光電変換素子に入射する光、または、前記光電変換素子より出射された光が伝播する光導波路と、前記光導波路と接続されている光コネクタと、前記光コネクタと接続される光ケーブルと、筐体と、前記光導波路と前記筐体との間に設けられ、前記筐体と接触する、弾性を有する導電性材料あるいは電波吸収材料により形成された導電部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の光モジュールによれば、外部に漏れる電磁波の出力を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】光モジュールの分解斜視図
【図２】光モジュールの構造図
【図３】光モジュールの電源がオフの状態の周波数特性図
【図４】光モジュールの電源がオンの状態の周波数特性図
【図５】光モジュールからの電磁波放射の説明図
【図６】第１の実施の形態による光モジュールの構造図
【図７】第１の実施の形態による光モジュールの電源がオンの状態の周波数特性図
【図８】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（１）
【図９】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（２）
【図１０】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（３）
【図１１】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（４）
【図１２】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（５）
【図１３】第１の実施の形態による他の光モジュールの構造図（６）
【図１４】第２の実施の形態による光モジュールの構造図
【図１５】第２の実施の形態による他の光モジュールの構造図（１）
【図１６】第２の実施の形態による他の光モジュールの構造図（２）
【図１７】第２の実施の形態による他の光モジュールの構造図（３）
【図１８】第３の実施の形態による光モジュールの構造図
【図１９】第３の実施の形態による他の光モジュールの構造図
【図２０】第４の実施の形態による光モジュールの構造図
【図２１】導電部のない光モジュールの電源がオンの状態の周波数特性図
【図２２】第４の実施の形態による光モジュールの電源がオンの状態の周波数特性図
【図２３】第４の実施の形態による他の光モジュールの構造図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
最初に、光モジュールにおいて発生する電磁波について、図１に基づき説明する。図１は、光モジュールの分解斜視図である。
【００１３】
図１の光モジュールは、回路基板（基板）１０、光導波路２０、光コネクタ３０、クリップ４０が下部筺体５１と上部筐体５２とにより形成される筐体内に入れられており、光ケーブル６０が接続されている。光ケーブル６０の一部は筐体に覆われている。
【００１４】
基板１０には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１２が接続されるＦＰＣコネクタ１１が設けられている。ＦＰＣ１２には、電気信号を光信号に変換し出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）等の発光素子１３、及び光信号を電気信号に変換するフォトダイオード等の受光素子１４が搭載されている。また、基板１０には発光素子１３を駆動する駆動ＩＣ１５、受光素子１４から出力される電流を電圧に変換するＴＩＡ１６、外部との接続のための端子１７が設けられている。発光素子１３及び受光素子１４は、光電変換素子とも称する。
【００１５】
光導波路２０はフレキシブルなシート状の光導波路であり、複数のコアの周囲にクラッドが形成されており、光導波路に入射した光はコア内を伝播する。
【００１６】
光コネクタ３０は、互いに接続された状態でクリップ４０により挟まれ固定されるレンズ付きフェルール３１とＭＴフェルール３２とを有する。
【００１７】
レンズ付きフェルール３１には光導波路２０が接続され、光導波路２０との接続部分はフェルールブーツ３３により保護されている。クリップ４０にはねじ穴４０ａが設けられており、下部筺体５１のねじ穴５１ａとねじ穴４０ａとを位置合わせした状態で、ねじ５３によりねじどめされている。クリップ４０を下部筺体５１にねじどめすることにより、光コネクタ３０は下部筺体５１に固定される。
【００１８】
光ケーブル６０には、スリーブ６１ａ、６１ｂがカシメリング６２により固定されている。スリーブ６１ａ、６１ｂが固定されている光ケーブル６０の上下より、ケーブルブーツ７１、７２が被せられ、プルタブ／ラッチ部７３が取り付けられる。
【００１９】
光コネクタ３０がクリップ４０により固定され、基板１０が載置された下部筺体５１に上部筐体５２を被せ、上部筐体５２のねじ穴５２ａと下部筺体５１のねじ穴５１ｂとにねじ５４をねじどめすることで、下部筺体５１と上部筐体５２が固定される。
【００２０】
光モジュールは、図２に示されるように、基板８１のコネクタ８２に、基板１０の端子１７を挿入して接続する。また、コネクタ８２に接続されている光モジュールを覆うケージ８３が設けられている。尚、下部筺体５１、上部筐体５２、ケージ８３は金属材料により形成されている。
【００２１】
光モジュールを動作させた際には電磁波が発生するため、ケージ８３により電磁波をシールドしている。しかしながら、ケージ８３が設けられていても電磁波が光モジュールの外部に漏れてしまう。
【００２２】
ノイズとなる電磁波について調べたところ、電磁波は光モジュールの筐体内の基板１０やＦＰＣ１２に形成されている不図示の配線、発光素子１３、駆動ＩＣ１５等において発生していることの知見を得ることができた。また、発生した電磁波は、矢印Ａに示されるように上部筐体５２とケージ８３との間を通って漏れる電磁波と、矢印Ｂに示されるようにケーブルブーツ７１、７２及び光ケーブル６０が接続されている部分を通って漏れる電磁波とが存在していることの知見を得ることができた。また、上部筐体５２とケージ８３との間を通って漏れる電磁波は、上部筐体５２とケージ８３との間をガスケット等の金属材料で接続することにより抑制できること、等の知見を得ることができた。
【００２３】
更に、ケーブルブーツ７１、７２及び光ケーブル６０が接続されている部分を通って矢印Ｂの方向に漏れる電磁波は強度も強いため、この電磁波を抑制することにより、光モジュールで発生する電磁波の影響の抑制を効果的に行うことができること等の知見を得た。
【００２４】
光モジュールの光ケーブル６０側にアンテナを設置して光モジュールから漏れる電磁波を測定したときの周波数特性を図３及び図４に示す。図３は、光モジュールの電源をオフにした状態の周波数特性を示し、図４は、光モジュールの電源をオンにした状態の周波数特性を示す。図３及び図４を比較すれば分かるように、光モジュールの電源をオンにすることにより、周波数が約２５．８ＧＨｚにおいてノイズが発生する。このときの周波数が約２５．８ＧＨｚの電磁波の強度は−７３．５ｂＢｍであった。尚、光モジュールで用いられている周波数は約１２．５ＧＨｚである。
【００２５】
図５は、光モジュールの電源をオンにした場合に発生する垂直偏波電磁波が放射される様子を示している。破線矢印は、垂直偏波電磁波の電界の方向を示している。本発明は、発明者が行った以上の検討結果により得られた知見に基づくものである。
【００２６】
（光モジュール）
次に、第１の実施の形態による光モジュールについて説明する。図６（ａ）は本実施の形態による光モジュールの断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の一点鎖線６Ａで囲まれた領域を示す。
【００２７】
本実施の形態による光モジュールは、図６に示されるように、下部筺体５１と光導波路２０との間に第１の導電部１１１が、上部筐体５２と光導波路２０との間に第２の導電部１１２が設けられており、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とにより光導波路２０を挟んだ構造のものである。また、ケーブルブーツ７１、７２の内部の光ケーブル６０の周囲には、導電部１２０が設けられている。尚、図６に示されるように、導電部１２０は、ケーブルブーツ７１、７２の外側の光コネクタ３０を覆うように形成してもよい。
【００２８】
第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２は、弾性と導電性とを有する弾性導電性材料により形成されている。また、導電部１２０は、導電性を有する材料、より好ましくは、弾性と導電性とを有する弾性導電性材料により形成されている。具体的には、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２を形成する材料としては、導電スポンジや導電性ゴム等が挙げられる。導電部１２０を形成する材料としては、導電性メッシュ、導電スポンジ等が挙げられる。第１の導電部１１１、第２の導電部１１２及び導電部１２０は、弾性を有しており変形するため、光導波路２０や光ケーブル６０と、隙間なく密着させることができる。
【００２９】
本実施の形態による光モジュールでは、下部筺体５１と第１の導電部１１１とは接触しており、上部筐体５２と第２の導電部１１２とは接触している。
【００３０】
電磁波は、光モジュール内部の基板１０、ＦＰＣ１２等に形成されている不図示の配線、発光素子１３、駆動ＩＣ１５等において発生しているため、光導波路２０が設けられている領域の下部筺体５１と上部筐体５２との間に、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２を設けることにより、下部筺体５１と上部筐体５２との間を伝播する電磁波の多くを吸収することにより遮断し、光モジュールの外に漏れるのを防ぐことができる。尚、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間には光導波路２０が存在しているため、光導波路２０が存在している部分より漏れ出る電磁波は遮断することができないが、光導波路２０は極めて薄いため、光導波路２０が存在している部分より漏れ出るノイズとなる電磁波は極めて少ない。光導波路２０が薄いと、光導波路２０が存在している部分のノイズ発生源から放射方向に垂直な面積が狭くなるため、それ以外の部分の電磁波は、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２により吸収されるからである。
【００３１】
また、本実施の形態による光モジュールは、ケーブルブーツ７１、７２内部の光ケーブル６０の周囲に、導電部１２０が設けられている。これにより、光導波路２０が存在している部分より漏れ出る電磁波の多くを導電部１２０により吸収し遮断することができる。尚、ケーブルブーツ７１、７２の内部には光ケーブル６０が設けられているため、光ケーブル６０が存在している部分より漏れ出る電磁波は遮断することができないが、光ケーブル６０は比較的細いため、光ケーブル６０が存在している部分より漏れ出るノイズとなる電磁波は極めて少ない。光ケーブル６０が細いと、光ケーブル６０が存在している部分のノイズ発生源から放射方向に垂直な面積が狭くなり、それ以外の部分の電磁波は、導電部１２０により吸収されるからである。
【００３２】
次に、本実施の形態による光モジュールの効果について説明する。図７は、図６に示される第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２、導電部１２０が設けられている光モジュールの電源がオンの状態で光モジュールから放射される電磁波の周波数特性を示す。図７に示されるように、本実施の形態による光モジュールにおいては、周波数が２５．８ＧＨｚの電磁波の出力は−８２．０ｄＢｍであった。これに対し、図４における周波数特性に示されるように、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２、導電部１２０が設けられていない光モジュールの電源がオンの状態で光モジュールから放射される周波数が２５．８ＧＨｚの電磁波の出力は−７３．５ｄＢｍである。よって、ノイズとなる電磁波を約８．５ｄＢ抑制することができる。
【００３３】
上記においては、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２と、導電部１２０の双方を設けた光モジュールについて説明したが、本実施の形態における光モジュールは、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２、または、導電部１２０のいずれか一方を設けたものであってもよい。
【００３４】
本実施の形態による光モジュールは、図８に示されるように、導電部１２０を設けることなく、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２を設けた構造の光モジュールであってもよい。また、図９に示されるように、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２を設けることなく、導電部１２０のみを設けた構造の光モジュールであってもよい。導電部１２０は、ケーブルブーツ７１、７２の内部のみならず、下部筺体５１及び上部筐体５２の内部に至るまで形成されており、導電部１２０が下部筺体５１及び上部筐体５２と接触しているものであってもよい。尚、図８（ａ）は第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２を有する光モジュールの断面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の一点鎖線８Ａで囲まれた領域を示す。また、図９（ａ）は導電部１２０を有する光モジュールの断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の一点鎖線９Ａで囲まれた領域を示す。
【００３５】
また、導電部は、図６や図８に示される第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２以外のものであってもよい。具体的には、図１０に示されるように、上部筐体５２と光導波路２０との間に導電部１１３を設けた光モジュールであってもよい。尚、図１０（ａ）は導電部１１３を有する光モジュールの断面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の一点鎖線１０Ａで囲まれた領域を示す。この場合、導電部１１３は上部筐体５２と接触しており、光導波路２０は、導電部１１３と下部筺体５１との間に挟まれる。ノイズとなる電磁波の放射を抑制する効果は、図８に示されるものと同様である。
【００３６】
また、図１１及び図１２に示されるように、下部筺体５１の内側に複数の突起を設け、上部筐体５２の内側に複数の突起を設けたものであってもよい。図１１（ａ）は突起を有する光モジュールの断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の一点鎖線１１Ａで囲まれた領域を示す。また、図１２（ａ）は突起を有する他の光モジュールの断面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の一点鎖線１２Ａで囲まれた領域を示す。
【００３７】
図１１に示す光モジュールは、下部筺体５１の内側に突起１５１ａを複数設け、上部筐体５２の内側に突起１５２ａを複数設けたものである。設けられる突起１５１ａ同士及び突起１５２ａ同士のピッチＰ１は、ノイズとなる電磁波の波長をλとした場合、λ／４以下となるように形成されている。尚、光導波路２０の両側の各々に、第１の導電部１４１及び第２の導電部１４２が設けられている。下部筺体５１及び上部筐体５２は金属材料により形成されており、第１の導電部１４１及び第２の導電部１４２よりも導電性が高いため、下部筺体５１の内側に、ピッチＰ１がλ／４以下の突起１５１ａを複数設け、同様に、上部筐体５２の内側に、ピッチＰ１がλ／４以下の突起１５２ａを複数設けることにより、ノイズとなる電磁波の光モジュールからの放射を効果的に抑制することができる。例えば、電磁波が２５．８ＧＨｚの場合ではλ／４は２．９ｍｍであるため、ピッチＰ１は２．９ｍｍ以下となるように形成されている。尚、突起１５１ａ及び突起１５２ａの高さは例えば２ｍｍ程度である。
【００３８】
また、図１２に示されるように、設けられる突起１５１ａ同士の頂点のピッチＰ１をλ／２以下となるように形成し、隣り合う突起１５１ａと突起１５１ａとの間の中央に、突起１５２ａの頂点が位置するように形成されている光モジュールであってもよい。尚、光導波路２０の両側の各々に、第１の導電部１３１及び第２の導電部１３２が設けられている。この場合、突起１５１ａの頂点と突起１５２ａの頂点とのピッチＰ２がλ／４以下となるため、図１０に示される場合と同様に、周波数２５．８ＧＨｚの電磁波の光モジュールからの放射を抑制することができる。
【００３９】
また、図１３に示されるように、ケーブルブーツ１７１、１７２を導電性ゴム等の導電性弾性材料により形成し、ケーブルブーツ１７１、１７２の内部の光ケーブル６０の周囲に、導電スポンジ等の導電部１２１を設けた構造のものであってもよい。尚、図１３（ａ）は導電性のケーブルブーツを有する光モジュールの断面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の一点鎖線１３Ａで囲まれた領域を示す。
【００４０】
本実施の形態による光モジュールでは、導電性材料や弾性導電性材料に代えて、電波吸収材料を用いてもよい。電波吸収材料としては、導電性繊維を布状に織り上げた布、酸化インジウムすずを蒸着した誘電体シート等の導電性電波吸収材料、発泡ポリエチレンやゴムにカーボン粒子等を含有した誘電性電波吸収材料、鉄、ニッケル、フェライト等の磁性電波吸収材料等が挙げられる。
【００４１】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。図１４（ａ）は本実施の形態による光モジュールの断面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の一点鎖線１４Ａで囲まれた領域を示す。本実施の形態による光モジュールは、ケーブルブーツの内側に複数の突起を設けた構造のものである。
【００４２】
図１４に示す光モジュールは、導電性材料または電波吸収材料によりケーブルブーツ２７１、２７２を形成し、ケーブルブーツ２７１の内側に光ケーブル６０が設置される側に出っ張った複数の突起２７１ａを設け、ケーブルブーツ２７２の内側に光ケーブル６０が設置される側に出っ張った複数の突起２７２ａを設けた構造のものである。
【００４３】
突起２７１ａ及び２７２ａのピッチＰ３は、ノイズとなる電磁波の波長をλとした場合、λ／４以下となるように形成されている。尚、ケーブルブーツ２７１、２７２は、例えば導電性ゴムにより形成されており、筐体と接触している。このように突起のピッチＰ３をλ／４以下とすることにより、第１の実施の形態と同様、ノイズとなる電磁波の漏れを抑制することができる。
【００４４】
また、本実施の形態による光モジュールは、図１５に示されるように、ケーブルブーツ２７１、２７２の内側に導電部１２２を埋め込んだ光モジュールであってもよい。図１５（ａ）はケーブルブーツ内部に導電部を埋め込んだ光モジュールの断面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）の一点鎖線１５Ａで囲まれた領域を示す。
【００４５】
また、図１６に示されるように、複数の突起２７１ａ及び２７２ａのピッチを異ならせるようにしてもよい。図１６（ａ）はピッチの異なる突起が形成された光モジュールの断面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の一点鎖線１６Ａで囲まれた領域を示す。放射を抑制すべき電磁波の周波数に応じたピッチで複数の突起２７１ａ及び２７２ａを設けることにより、複数の周波数の電磁波の漏れを抑制することができる。
【００４６】
また、本実施の形態による光モジュールは、図１７に示されるように、ケーブルブーツ７１の内側に、導電性材料により形成され表面に複数の突起１８１ａを有する導電部１８１を設け、ケーブルブーツ７２の内側に、導電性材料により形成され表面に複数の突起１８２ａを有する導電部１８２を設けてもよい。図１７（ａ）は光モジュールの断面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）の一点鎖線１７Ａで囲まれた領域を示す。図１７の導電部１８１は下部筺体５１と接触して電気的に接続されており、導電部１８２は上部筐体５２と接触して電気的に接続されている。突起１８１ａ及び１８２ａのピッチＰ４は、ノイズとなる電磁波の波長をλとした場合、λ／４以下となるように形成されている。尚、導電部１８１及び導電部１８２は金属箔、導電シート、導電ジェル等により形成されており、ケーブルブーツ７１の内側、ケーブルブーツ７２の内側にこれらの材料を塗布、または貼り付けることにより形成されている。このように突起のピッチＰ４をλ／４以下とすることにより、第１の実施の形態と同様、ノイズとなる電磁波の漏れを抑制することができる。
【００４７】
尚、本実施の形態による光モジュールは、導電性材料に代えて、電波吸収材料を用いてもよい。電波吸収材料は、第１の実施の形態と同様にすればよい。
【００４８】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００４９】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態による光モジュールについて説明する。図１８（ａ）は第３の実施形態による光モジュールの断面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）の一点鎖線１８Ａで囲まれた領域を示す。本実施の形態による光モジュールは、図１８に示されるように、下部筺体５１に曲面により形成された凸部２５１ａを設けた構造のものである。凸部２５１ａは、ノイズの発生源からのノイズが、下部筺体５１と上部筐体５２との間で遮られるように形成されていることが好ましい。上部筐体５２の内側は、下部筺体５１の凸部２５１ａの形状に対応して凹状に形成されている。このような高さの凸部２５１ａを形成することにより、凸部２５１ａにより放射される電磁波を遮ることができるとともに、垂直偏波を抑圧することができる。また、ピッチがλ／４以下となるように複数の突起２５２ａを設けてもよい。
【００５０】
図１９（ａ）はクランクを有する光モジュールの断面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）の一点鎖線１９Ａで囲まれた領域を示す。本実施の形態は、図１９に示すように、下部筺体５１の内側と上部筐体５２の内側により形成される隙間がクランク形状となるように、下部筺体５１の内側にクランク２５１ｂを形成し、上部筐体５２の内側にクランク２５２ｂを形成した構造のものであってもよい。下部筺体５１のクランク２５１ｂ及び上部筐体５２のクランク２５２ｂは、ノイズの発生源からのノイズが、下部筺体５１と上部筐体５２との間で遮られるように形成されていることが好ましい。このようなクランク２５１ｂとクランク２５２ｂによりクランク形状を形成することにより、放射される電磁波を遮ることができるとともに、垂直偏波を抑圧することができる。また、下部筺体５１に突起２５１ｃを形成し、上部筐体５２に突起２５２ｃを形成してもよい。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、第１の導電部１１１及び第２の導電部１１２が設けられている。
【００５１】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００５２】
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態による光モジュールについて説明する。図２０（ａ）は第４の実施の形態による光モジュールの断面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）の一点鎖線２０Ａで囲まれた領域を示し、図２０（ｃ）は図２０（ａ）の一点鎖線２０Ｂ−２０Ｃで切断した断面図である。本実施の形態による光モジュールは、図２０に示すように、下部筺体５１と上部筐体５２との間の、基板１０に近い側の隙間の広い領域に、導電部３１０を設けた構造のものである。導電部３１０は導電スポンジや銅テープにより形成され、光導波路２０を入れて挟み込むことができるように、切れ込み３１０ａがあらかじめ設けられている。下部筺体５１と上部筐体５２との間に、導電部３１０を入れる場合、狭い領域よりも広い領域の方が、導電部３１０が入れやすい。
【００５３】
図２１は、電源がオン状態の、導電部３１０のない光モジュールから放射される電磁波の周波数特性を示し、図２２は、電源がオンの状態の、導電部３１０が入れられている本実施の形態による光モジュールから放射される電磁波の周波数特性を示す。図２１に示されるように、導電部３１０のない光モジュールから放射される、周波数が２５．１ＧＨｚの電磁波の出力は−８３．５ｄＢｍであった。これに対し、図２２に示されるように、導電部３１０が入れられている本実施の形態による光モジュールから放射される、周波数が２５．１ＧＨｚの電磁波の出力は、−９１．２ｄＢｍであった。よって、光モジュールから放射される電磁波を約７．７ｄＢ抑制することができる。
【００５４】
また、本実施の形態による光モジュールは、図２３に示すように、下部筺体５１と上部筐体５２との間の隙間を広げて、導電部３１０を入れた構造のものであってもよい。尚、図２３（ａ）は光モジュールの断面図であり、図２３（ｂ）は図２３（ａ）の一点鎖線２３Ａで囲まれた領域を示し、図２３（ｃ）は図２３（ａ）の一点鎖線２３Ｂ−２３Ｃで切断した断面図である。
【００５５】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００５７】
１０・・・基板、１１・・・ＦＰＣコネクタ、１２・・・ＦＰＣ、１３・・・発光素子、１４・・・受光素子、１５・・・駆動ＩＣ、１６・・・ＴＩＡ、２０・・・光導波路、３０・・・光コネクタ、５１・・・下部筺体、５２・・・上部筐体、６０・・・光ケーブル、８１・・・基板、８３・・・ケージ、１１１・・・第１の導電部、１１２・・・第２の導電部、１２０・・・導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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