(57)【要約】【課題】周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップが得られる新たな表面弾性波デバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、研削ステップを実施する前又は実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの裏面側に照射して表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側に集光させることで、表面弾性波デバイスが形成された各領域に対応するウェーハの内部を改質して弾性波を拡散させるための改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、研削ステップとレーザービーム照射ステップとを実施した後に、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、を含む。【選択図】図３
2018042208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施する前又は実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの裏面側に照射して表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側に集光させることで、該表面弾性波デバイスが形成された該各領域に対応するウェーハの内部を改質して弾性波を拡散させるための改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、
該研削ステップと該レーザービーム照射ステップとを実施した後に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする表面弾性波デバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該研削ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研磨する研磨ステップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波デバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面弾性波デバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機をはじめとする無線通信機器では、所望の周波数帯域の電気信号のみを通過させるバンドパスフィルタが重要な役割を担っている。このバンドパスフィルタの一つとして、物質の表面を伝播する表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用した表面弾性波デバイス（表面弾性波フィルタ）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
表面弾性波デバイスは、例えば、水晶（ＳｉＯ２）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料でなる結晶性のウェーハと、ウェーハの表面に形成された櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）とを備え、圧電材料の種類や電極の間隔等に応じて決まる周波数帯域の電気信号のみを通過させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−５６８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のような表面弾性波デバイスでは、入力側の電極近傍で発生する弾性波の一部がウェーハの内部を伝播して裏面側で反射されることがある。反射された弾性波が出力側の電極に到達すると、表面弾性波デバイスの周波数特性は劣化してしまう。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップが得られる新たな表面弾性波デバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、該研削ステップを実施する前又は実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの裏面側に照射して表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側に集光させることで、該表面弾性波デバイスが形成された該各領域に対応するウェーハの内部を改質して弾性波を拡散させるための改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、該研削ステップと該レーザービーム照射ステップとを実施した後に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、を備える表面弾性波デバイスチップの製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の一態様において、該研削ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研磨する研磨ステップを更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、ウェーハの内部に弾性波を拡散させるための改質層を形成するので、表面弾性波デバイスチップの裏面側での弾性波の反射は抑制される。よって、本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法によれば、周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの表面側の一部（領域Ａ）を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ウェーハの一部を拡大した断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、研削ステップについて説明するための側面図であり、図２（Ｂ）は、研磨ステップについて説明するための側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、レーザービーム照射ステップについて説明するための一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、分割ステップについて説明するための一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）は、表面弾性波デバイスチップの表面側を模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、表面弾性波デバイスチップの裏面側を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法は、研削ステップ（図２（Ａ）参照）、研磨ステップ（図２（Ｂ）参照）、レーザービーム照射ステップ（図３（Ａ）参照）、及び分割ステップ（図３（Ｂ）参照）を含む。
【００１２】
研削ステップでは、表面側に表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する。研磨ステップでは、研削後のウェーハの裏面を研磨する。レーザービーム照射ステップでは、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを集光させてウェーハの内部を改質し、弾性波を拡散させるための改質層を形成する。
【００１３】
分割ステップでは、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する。このように製造される表面弾性波デバイスチップでは、ウェーハの内部に弾性波を拡散させるための改質層が設けられているので、裏面側での弾性波の反射は抑制される。以下、本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法について詳述する。
【００１４】
図１（Ａ）は、本実施形態で使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの表面側の一部（領域Ａ）を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ウェーハの一部を拡大した断面図である。本実施形態に係るウェーハ１１は、水晶（ＳｉＯ２）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料を用いて円盤状に形成されている。
【００１５】
ウェーハ１１の表面１１ａは、格子状に設定された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されている。各領域には、互いに噛み合う形状の一対の櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）１５を有する表面弾性波デバイスが形成されている。
【００１６】
また、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、被覆層１７が設けられている。被覆層１７は、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂等の樹脂を用いて、表面１１ａの全体を被覆するように形成される。この被覆層１７の表面（上面）には、例えば、電極１５に接続された電極パッド（不図示）が配置されている。なお、被覆層１７の表面や内部には、他の構造や空間（隙間）等が形成されても良い。
【００１７】
このように構成されるウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って分割することで、複数の表面弾性波デバイスチップ４１（図４（Ａ）、図４（Ｂ）等参照）を製造できる。本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。図２（Ａ）は、研削ステップについて説明するための側面図である。
【００１８】
研削ステップは、例えば、図２（Ａ）に示す研削装置２を用いて行われる。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００１９】
チャックテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）を吸引、保持する保持面４ａとなっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。
【００２０】
チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル８が収容されており、スピンドル８の下端部には、円盤状のマウント１０が固定されている。
【００２１】
マウント１０の下面には、マウント１０と概ね同径の研削ホイール１２が装着されている。研削ホイール１２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台１４を備えている。ホイール基台１４の下面には、複数の研削砥石１６が環状に配列されている。
【００２２】
スピンドル８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール１２は、この回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研削ユニット６の内部又は近傍には、純水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００２３】
研削ステップでは、まず、ウェーハ１１をチャックテーブル４に吸引、保持させる。なお、本実施形態では、研削ステップを行う前に、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）に樹脂等でなる保護部材２１を貼付しておく。これにより、研削ステップの際に加わる衝撃等からウェーハ１１を保護できる。
【００２４】
ウェーハ１１をチャックテーブル４に吸引、保持させる際には、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。
【００２５】
次に、チャックテーブル４を研削ユニット６の下方に移動させる。そして、図２（Ａ）に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル８、研削ホイール１２）を下降させる。
【００２６】
スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１６の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。ウェーハ１１が所定の厚み（仕上がり厚み）まで薄くなると、研削ステップは終了する。
【００２７】
なお、本実施形態では、１組の研削ユニット６（研削砥石１６）を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削しているが、２組以上の研削ユニット（研削砥石）を用いてウェーハ１１を研削することもできる。例えば、径が大きい砥粒で構成された研削砥石を用いて粗い研削を行い、径が小さい砥粒で構成された研削砥石を用いて仕上げの研削を行うことで、研削に要する時間を大幅に長くすることなく裏面１１ｂの平坦性を高められる。
【００２８】
研削ステップの後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研磨する研磨ステップを行う。図２（Ｂ）は、研磨ステップについて説明するための側面図である。研磨ステップは、例えば、図２（Ｂ）に示す研磨装置２２を用いて行われる。
【００２９】
研磨装置２２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル２４を備えている。チャックテーブル２４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００３０】
チャックテーブル２４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。保持面２４ａは、チャックテーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル２４に吸引、保持される。
【００３１】
チャックテーブル２４の上方には、研磨ユニット２６が配置されている。研磨ユニット２６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル２８が収容されており、スピンドル２８の下端部には、円盤状のマウント３０が固定されている。マウント３０の下面には、マウント３０と概ね同径の研磨パッド３２が装着されている。この研磨パッド３２は、例えば、不織布や発泡ウレタン等でなる研磨布を含んでいる。
【００３２】
スピンドル２８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研磨パッド３２は、この回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研磨ユニット２６の内部又は近傍には、砥粒が分散された研磨液（スラリー）をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００３３】
研磨ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１をチャックテーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル２４に保持される。
【００３４】
次に、チャックテーブル２４を研磨ユニット２６の下方に移動させる。そして、図２（Ｂ）に示すように、チャックテーブル２４と研磨パッド３２とをそれぞれ回転させて、研磨液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル２８、研磨パッド３２）を下降させる。スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研磨パッド３２の下面が押し当てられる程度に調整される。
【００３５】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂが更に平坦化され、表面弾性波デバイスチップの抗折強度を高められる。なお、この研磨ステップでは、研磨液を用いない乾式研磨が採用されても良い。また、上述した研削ステップによって必要な抗折強度（裏面１１ｂの平坦性）が得られる場合には、研磨ステップを省略することもできる。
【００３６】
研磨ステップの後には、レーザービームを照射してウェーハの内部を改質し、弾性波を拡散させるための改質層を形成するレーザービーム照射ステップを行う。図３（Ａ）は、レーザービーム照射ステップについて説明するための一部断面側面図である。レーザービーム照射ステップは、例えば、図３（Ａ）に示すレーザー加工装置４２を用いて行われる。
【００３７】
レーザー加工装置４２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４４を備えている。チャックテーブル４４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００３８】
チャックテーブル４４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。保持面４４ａは、チャックテーブル４４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４４に吸引、保持される。
【００３９】
チャックテーブル４４の上方には、レーザー照射ユニット４６が配置されている。レーザー照射ユニット４６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービームＬを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に対して透過性を有する波長（吸収され難い波長）のレーザービームＬをパルス発振できるように構成されている。
【００４０】
レーザービーム照射ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１をチャックテーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４４に保持される。
【００４１】
次に、チャックテーブル４４を移動、回転させて、改質層の形成開始位置にレーザー加工ユニット４６を合わせる。そして、図３（Ａ）に示すように、ウェーハ１１に対して透過性を有する波長（吸収され難い波長）のレーザービームＬをレーザー加工ユニット４６からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けて照射しながら、チャックテーブル４４を水平方向に移動させる。
【００４２】
ここで、レーザービームＬは、ウェーハ１１の内部に集光させる。すなわち、表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側にレーザービームＬを集光させる。このように、ウェーハ１１に吸収され難い波長のレーザービームＬをウェーハ１１の内部に集光させることで、ウェーハ１１の内部を改質して弾性波を拡散させるための改質層１９を形成できる。
【００４３】
なお、形成される改質層１９の態様に制限はない。連続的、一体的な改質層１９を形成しても良いし、非連続的、離散的な改質層１９を形成しても良い。非連続的、離散的な改質層１９を形成する場合の改質層１９のピッチや大きさに制限はないが、例えば、５μｍ〜１０μｍの大きさ（幅、直径）の複数の改質層１９を５μｍ〜２０μｍのピッチで形成すると良い。
【００４４】
また、表面弾性波デバイスチップとして使用されない領域（余剰領域）にまで改質層１９を形成する必要はない。つまり、改質層１９は、分割予定ライン１３によって区画され、表面弾性波デバイス（電極１５等）が形成された各領域に対応するウェーハ１１の内部に形成されれば良く、ウェーハ１１の端部等にまで形成されなくても良い。
【００４５】
例えば、タンタル酸リチウムでなるウェーハ１１に改質層１９を形成する場合の条件は、次のように設定される。
波長：５３２ｎｍ（ＹＶＯ４パルスレーザー）
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
出力：０．１Ｗ〜２Ｗ
【００４６】
このような条件で、ウェーハ１１の表面弾性波デバイスチップとして使用される領域に改質層１９が形成されると、レーザービーム照射ステップは終了する。なお、レーザービームＬの照射条件に制限はない。レーザービームＬの照射条件は、改質層１９の大きさやピッチ等に合わせて任意に設定、変更できる。
【００４７】
レーザービーム照射ステップの後には、ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップを行う。図３（Ｂ）は、分割ステップについて説明するための一部断面側面図である。分割ステップは、例えば、図３（Ｂ）に示す切削装置５２で行われる。
【００４８】
なお、レーザービーム照射ステップの後には、図３（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ３１をウェーハ１１の裏面１１ｂに貼付する。また、ダイシングテープ３１の外周部分には、環状のフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレーム３３に支持される。ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されている保護部材２１は、この段階で剥離、除去される。
【００４９】
切削装置５２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル５４を備えている。チャックテーブル５４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル５４の下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル５４は、この加工送り機構によって加工送り方向（水平方向）に移動する。
【００５０】
チャックテーブル５４の上面の一部は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面５４ａとなっている。保持面５４ａは、チャックテーブル５４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面５４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル５４に吸引、保持される。チャックテーブル５４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するための複数のクランプ５６が設けられている。
【００５１】
チャックテーブル５４の上方には、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット５８が配置されている。切削ユニット５８は、水平方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル６０を備えている。スピンドル６０の一端側には、環状の切削ブレード６２が装着されている。スピンドル６０の他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル６０に装着された切削ブレード６２は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。
【００５２】
切削ユニット５８は、昇降機構（不図示）に支持されており、この昇降機構は、割り出し送り機構（不図示）に支持されている。よって、切削ユニット５８は、昇降機構によって鉛直方向に移動（昇降）し，割り出し送り機構によって加工送り方向に垂直な割り出し送り方向に移動する。
【００５３】
分割ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付されているダイシングテープ３１をチャックテーブル５４の保持面５４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、環状のフレーム３３を複数のクランプ５６で固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル５４に保持される。
【００５４】
次に、チャックテーブル５４を回転させて、任意の分割予定ライン１３を加工送り方向に対して平行にする。更に、チャックテーブル５４と切削ユニット５８とを相対的に移動させて、切削ブレード６２を、任意の分割予定ライン１３の延長線上に合わせる。その後、回転させた切削ブレード６２の下端をウェーハ１１の裏面１１ｂよりも低い位置まで下降させて、チャックテーブル５４を加工送り方向に移動させる。
【００５５】
これにより、切削ブレード６２をウェーハ１１に切り込ませて、対象の分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を完全に切断できる（フルカット）。上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１が切断され、複数の表面弾性波デバイスチップ４１に分割されると、分割ステップは終了する。
【００５６】
図４（Ａ）は、表面弾性波デバイスチップ４１の表面側を模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側を模式的に示す斜視図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、本実施形態によって製造される表面弾性波デバイスチップ４１（ウェーハ１１）の内部には、弾性波の伝播特性を変化させる改質層１９が設けられている。
【００５７】
そのため、表面弾性波デバイスチップ４１（ウェーハ１１）の内部を伝播する弾性波は、この改質層１９によって拡散（散乱）され、裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）で反射され難くなる。これにより、反射された弾性波が電極１５に再入射するのを防いで周波数特性の劣化を抑制できる。
【００５８】
なお、この改質層１９は、表面側で発生して内部を伝播する弾性波を拡散させるだけでなく、他の要因で発生する弾性波を拡散させることもできる。そのため、本実施形態で得られる表面弾性波デバイスチップ４１では、従来の表面弾性波デバイスチップより優れた周波数特性を実現できる。
【００５９】
以上のように、本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、ウェーハ１１の内部に弾性波を拡散させるための改質層１９を形成するので、表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側での弾性波の反射は抑制される。よって、周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップ４１が得られる。
【００６０】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の分割ステップでは、ウェーハ１１を切削ブレード６２で切断して複数の表面弾性波デバイスチップ４１へと分割する方法を示しているが、ウェーハ１１をレーザービームで加工して複数の表面弾性波デバイスチップへと分割することもできる。
【００６１】
また、上記実施形態では、研削ステップ（及び研磨ステップ）の後にレーザービーム照射ステップを行っているが、レーザービーム照射ステップの後に研削ステップ（及び研磨ステップ）を行っても良い。この場合には、研削ステップ（及び研磨ステップ）の後のウェーハ１１の裏面１１ｂより表面側（表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側）にレーザービームＬを集光させることになる。
【００６２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６３】
２  研削装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
６  研削ユニット
８  スピンドル
１０  マウント
１２  研削ホイール
１４  ホイール基台
１６  研削砥石
２２  研磨装置
２４  チャックテーブル
２４ａ  保持面
２６  研磨ユニット
２８  スピンドル
３０  マウント
３２  研磨パッド
４２  レーザー加工装置
４４  チャックテーブル
４４ａ  保持面
４６  レーザー照射ユニット
５２  切削装置
５４  チャックテーブル
５４ａ  保持面
５６  クランプ
５８  切削ユニット
６０  スピンドル
６２  切削ブレード
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  電極
１７  被覆層
１９  改質層
２１  保護部材
３１  ダイシングテープ
３３  フレーム
４１  表面弾性波デバイスチップ
【図１】
2018042208.tif 000003
【図２】
2018042208.tif 000004
【図３】
2018042208.tif 000005
【図４】
2018042208.tif 000006