(57)【要約】【課題】本明細書は、正極バスバと負極バスバのインダクタンスを低減することと、バスバに接続される半導体モジュールの端子に生じる内部応力を低減することの両立を図る。【解決手段】正極バスバ３０は、平滑コンデンサ６から半導体モジュール８の側面８０ａに沿って、正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間まで延びている第１平板部３１と、正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間で第１平板部３１の縁から屈曲しており、正極端子２５ａの延設方向へ延びている第２平板部３２と、第２平板部３２から各正極端子２５ａの先端へと延びている複数の枝部３３を備えている。負極バスバ４０も同様の形状を有している。正極バスバ３０の第１平板部３１と第２平板部３２は、夫々、負極バスバ４０の第１平板部４１、第２平板部４２と近接対向している。枝部３１は正極端子２５ａの先端に接続されており、枝部４１は負極端子２５ｂの先端に接続されている。【選択図】図２
2018042311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の冷却器が並んで配置されており、隣り合う前記冷却器の間に、スイッチング素子を収容している半導体モジュールが挟まれている積層ユニットと、
前記積層ユニットの隣りに配置されているコンデンサと、
複数の前記半導体モジュールの夫々の側面から延びている正極端子と接合しているとともに、前記コンデンサの一方の電極と接続している板状の正極バスバと、
前記正極バスバと対向配置されており、夫々の前記半導体モジュールの前記側面から延びている負極端子と接合しているとともに、前記コンデンサの他方の電極と接続している板状の負極バスバと、
を備えており、
前記正極バスバは、前記コンデンサから前記半導体モジュールの前記側面に沿って、前記正極端子と前記負極端子の間まで延びている正極バスバ第１平板部と、前記正極端子と前記負極端子の間で前記正極バスバ第１平板部の縁から屈曲しており、前記正極端子の延設方向へ延びている正極バスバ第２平板部と、前記正極バスバ第２平板部から各正極端子の先端へと延びている複数の正極バスバ枝部と、を備えているとともに、夫々の前記正極バスバ枝部が夫々の前記正極端子の先端と接合されており、
前記負極バスバは、前記コンデンサから、前記正極バスバ第１平板部と平行に前記正極端子と前記負極端子の間まで延びている負極バスバ第１平板部と、前記正極端子と前記負極端子の間で前記負極バスバ第１平板部の縁から屈曲しており、前記正極バスバ第２平板部と平行に、前記正極端子の延設方向へ延びている負極バスバ第２平板部と、前記負極バスバ第２平板部から各負極端子の先端へと延びている複数の負極バスバ枝部と、を備えているとともに、夫々の前記負極バスバ枝部が夫々の前記負極端子の先端と接続されている、
電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、電力変換装置に関する。特に、複数の冷却器が平行に配置されており、隣り合う冷却器の間に半導体モジュールが挟まれている積層ユニットを有する電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した積層ユニットを備えた電力変換装置が例えば特許文献１−３に開示されている。各半導体モジュールは、１個乃至数個のスイッチング素子を収容している。半導体モジュールの本体からは、内部でスイッチング素子と導通している複数の端子（正極端子と負極端子）が延びている。複数の半導体モジュールの夫々の端子は、半導体モジュールと冷却器の積層方向に一例に並ぶことになる。正極端子群と負極端子群が２列に並ぶことになる。積層ユニットの隣には、コンデンサが配置されている。夫々の半導体モジュールの正極端子とコンデンサの一方の電極が正極バスバで接続されており、夫々の半導体モジュールの負極端子とコンデンサの他方の電極が負極バスバで接続されている。正極バスバと負極バスバは、夫々、板状の基部（平板部）を有しており、その平板部から、夫々の端子と接合される複数の枝部が延びている。通常、端子と枝部は溶接で接合される。正極バスバの平板部と負極バスバの平板部は近接して対向配置される。２枚の平板部を近接して対向配置することで、バスバのインダクタンスが低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０９０４０８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１１０４００号公報
【特許文献３】特開２０１５−０３５８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１−３の電力変換装置では、夫々のバスバは、一枚の平板部から複数の枝部が延びており、各枝部が各半導体モジュールの端子と接続されている。各枝部とそれに対応する各端子との間には相対位置誤差があるが、接合されることで相対位置誤差は強制的に解消される。相対位置誤差が強制的に解消されるとは、端子が変形することを意味する。変形した端子には内部応力が発生する。一枚の平板部から延びている多くの枝部の夫々が対応する端子との間に相対位置誤差を伴っており、夫々の端子が夫々の枝部と接合されることで、各端子に内部応力が発生する。バスバのインダクタンスを小さくするには、枝部をできるだけ短くし、端子の近くまで２つのバスバの平板部を対向させるのがよい。枝部を短くすると、枝部の剛性が増すため、端子に生じる内部応力が大きくなる。本明細書は、２個のバスバの対向する範囲をできるだけ大きくしてインダクタンスを低減することと、各端子に生じる内部応力をできるだけ小さくする技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する電力変換装置は、積層ユニットと、コンデンサと、板状の正極バスバと、板状の負極バスバを備えている。積層ユニットでは、複数の冷却器が並んで配置されており、隣り合う冷却器の間に、スイッチング素子を収容している半導体モジュールが挟まれている。コンデンサは、積層ユニットの隣りに配置されている。正極バスバは、板状であり、複数の半導体モジュールの夫々の側面から延びている正極端子と接合しているとともに、コンデンサの一方の電極と接続している。負極バスバは、板状であり、正極バスバと対向配置されており、夫々の半導体モジュールの側面から延びている負極端子と接合しているとともに、コンデンサの他方の電極と接続している。正極バスバは、正極バスバ第１平板部と、正極バスバ第２平板部と、複数の正極バスバ枝部を有している。正極バスバ第１平板部は、コンデンサから半導体モジュールの側面に沿って、正極端子と負極端子の間まで延びている。正極バスバ第２平板部は、正極端子と負極端子の間で正極バスバ第１平板部の縁から屈曲しており、正極端子の延設方向へ延びている。複数の正極バスバ枝部は、正極バスバ第２平板部から各正極端子の先端へと延びている。夫々の正極バスバ枝部が夫々の正極端子の先端と接合されている。負極バスバは、負極バスバ第１平板部と、負極バスバ第２平板部と、複数の負極バスバ枝部を有している。負極バスバ第１平板部は、コンデンサから、正極バスバ第１平板部と平行に正極端子と負極端子の間まで延びている。負極バスバ第２平板部は、正極端子と負極端子の間で負極バスバ第１平板部の縁から屈曲しており、正極バスバ第２平板部と平行に正極端子の延設方向へ延びている。複数の負極バスバ枝部の夫々は、負極バスバ第２平板部から各負極端子の先端へと延びている。夫々の負極バスバ枝部が夫々の負極端子の先端と接続されている。
【０００６】
本明細書が開示する電力変換装置では、コンデンサから半導体モジュールの正極端子と負極端子の間まで、正極バスバ第１平板部と負極バスバ第１平板部が対向している。正極端子と負極端子の間では、正極バスバ第２平板部と負極バスバ第２平板部が対向している。第１平板部同士、及び、第２平板部同士が対向することで、バスバのインダクタンスが小さくなる。正極バスバ第２平板部から延びている複数の正極バスバ枝部の夫々は、半導体モジュールの端子の先端と接続されている。各負極バスバ枝部も、夫々対応する負極端子の先端と接続されている。バスバの枝部が端子の先端と接続しているので、端子の根本から接続箇所までの距離を確保することができる。端子の根本、即ち、端子の固定箇所から枝部との接続箇所までの距離を確保することで、端子に生じる内部応力を小さくする。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施例の電力変換装置を含む電気自動車の電力系のブロック図である。
【図２】積層ユニットとバスバとコンデンサのアセンブリの斜視図である。
【図３】積層ユニットとバスバとコンデンサの分解斜視図である。
【図４】正極バスバの展開図である。
【図５】積層ユニットとバスバとコンデンサのアセンブリの正面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図面を参照して実施例の電力変換装置を説明する。実施例の電力変換装置は電気自動車に搭載され、バッテリの電力を走行用モータの駆動電力に変換するデバイスである。図１に、電力変換装置２を含む電気自動車１００の電力系のブロック図を示す。電気自動車１００は、２個の走行用モータ８３ａ、８３ｂを備える。それゆえ、電力変換装置２は、２セットのインバータ回路１３ａ、１３ｂを備える。なお、２個のモータ８３ａ、８３ｂの出力は、ギアボックス８５で合成／分配されて車軸８６（即ち駆動輪）へと伝達される。
【０００９】
電力変換装置２は、システムメインリレー８２を介してバッテリ８１と接続されている。電力変換装置２は、バッテリ８１の電圧を昇圧する電圧コンバータ回路１２と、昇圧後の直流電力を交流に変換する２セットのインバータ回路１３ａ、１３ｂを備えている。
【００１０】
電圧コンバータ回路１２は、バッテリ側の端子に印加された電圧を昇圧してインバータ側の端子に出力する昇圧動作と、インバータ側の端子に印加された電圧を降圧してバッテリ側の端子に出力する降圧動作の双方を行うことが可能な双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである。説明の便宜上、以下では、バッテリ側（低電圧側）の端子を入力端１８と称し、インバータ側（高電圧側）の端子を出力端１９と称する。また、入力端１８の正極と負極を夫々、入力正極端１８ａと入力負極端１８ｂと称する。出力端１９の正極と負極を夫々、出力正極端１９ａと出力負極端１９ｂと称する。「入力端１８」、「出力端１９」との表記は説明の便宜を図るためのものであり、先に述べたように、電圧コンバータ回路１２は双方向ＤＣ−ＤＣコンバータであるので、出力端１９から入力端１８へ電力が流れる場合がある。
【００１１】
電圧コンバータ回路１２は、２個のスイッチング素子９ａ、９ｂの直列回路、リアクトル７、フィルタコンデンサ５、各スイッチング素子に逆並列に接続されているダイオードで構成されている。リアクトル７は、一端が入力正極端１８ａに接続されており、他端は直列回路の中点に接続されている。フィルタコンデンサ５は、入力正極端１８ａと入力負極端１８ｂの間に接続されている。入力負極端１８ｂは、出力負極端１９ｂと直接に接続されている。スイッチング素子９ｂが主に昇圧動作に関与し、スイッチング素子９ａが主に降圧動作に関与する。図１の電圧コンバータ回路１２はよく知られているので詳細な説明は省略する。なお、符号８ａが示す破線矩形の範囲の回路が、後述する半導体モジュール８ａに対応する。符号２５ａ、２５ｂは、半導体モジュール８ａから延出している端子を示している。符号２５ａは、スイッチング素子９ａ、９ｂの直列回路の高電位側と導通している端子（正極端子２５ａ）を示している。符号２５ｂは、スイッチング素子９ａ、９ｂの直列回路の低電位側と導通している端子（負極端子２５ｂ）を表している。次に説明するように、正極端子２５ａ、負極端子２５ｂという表記は、他の半導体モジュールでも用いる。
【００１２】
インバータ回路１３ａは、２個のスイッチング素子の直列回路が３セット並列に接続された構成を有している。スイッチング素子９ｃと９ｄ、スイッチング素子９ｅと９ｆ、スイッチング素子９ｇと９ｈがそれぞれ直列回路を構成している。各スイッチング素子にはダイオードが逆並列に接続されている。３セットの直列回路の高電位側の端子（正極端子２５ａ）が電圧コンバータ回路１２の出力正極端１９ａに接続されており、３セットの直列回路の低電位側の端子（負極端子２５ｂ）が電圧コンバータ回路１２の出力負極端１９ｂに接続されている。３セットの直列回路の中点から３相交流（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）が出力される。３セットの直列回路の夫々が、後述する半導体モジュール８ｂ、８ｃ、８ｄに対応する。
【００１３】
インバータ回路１３ｂの構成はインバータ回路１３ａと同じであるため、図１では具体的な回路の図示を省略している。インバータ回路１３ｂもインバータ回路１３ａと同様に、２個のスイッチング素子の直列回路が３セット並列に接続された構成を有している。３セットの直列回路の高電位側の端子が電圧コンバータ回路１２の出力正極端１９ａに接続されており、３セットの直列回路の低電位側の端子が電圧コンバータ回路１２の出力負極端１９ｂに接続されている。各直列回路に対応するハードウエアを半導体モジュール８ｅ、８ｆ、８ｇと称する。
【００１４】
インバータ回路１３ａ、１３ｂの入力端に平滑コンデンサ６が並列に接続されている。平滑コンデンサ６は、別言すれば、電圧コンバータ回路１２の出力端１９に並列に接続されている。平滑コンデンサ６は、電圧コンバータ回路１２の出力電流の脈動を除去する。
【００１５】
スイッチング素子９ａ−９ｈは、トランジスタであり、典型的にはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であるが、他のトランジスタ、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であってもよい。また、ここでいうスイッチング素子は、電力変換に用いられるものであり、パワー半導体素子と呼ばれることもある。
【００１６】
図１において、破線８ａ−８ｇの夫々が半導体モジュールに相当する。電力変換装置２は、２個のスイッチング素子の直列回路を７セット備えている。ハードウエアとしては、直列回路を構成する２個のスイッチング素子、および各スイッチング素子に逆並列に接続されているダイオードが一つのパッケージに収容されている。以下では、半導体モジュール８ａ−８ｇのいずれか一つを区別なく示すときには半導体モジュール８と表記する。
【００１７】
７個の半導体モジュール（７セットの直列回路）の高電位側の端子（後の正極端子２５ａ）が平滑コンデンサ６の一方の電極に接続され、低電位側の端子（後の負極端子２５ｂ）が平滑コンデンサ６の他方の電極に接続される。図１において、符号３０が示す破線内の導電経路は、複数の半導体モジュール８の正極端子２５ａと平滑コンデンサ６を相互に接続するバスバ（正極バスバ）に対応する。符号４０が示す破線内の導電経路は、複数の負極端子２５ｂと平滑コンデンサ６を相互に接続するバスバ（負極バスバ）に対応する。次に、複数の半導体モジュール８と正極バスバ３０、負極バスバ４０の構造的関係について説明する。
【００１８】
図２に電力変換装置２のハードウエアの斜視図を示す。なお、図２では、電力変換装置２のハウジングと一部の部品の図示を省略している。複数の半導体モジュール８（８ａ−８ｇ）は、複数の冷却器２２とともに積層ユニット２０を構成している。半導体モジュール８ａ−８ｇは全て同じ形状であるので、図２と後述する図３では、代表して左端の半導体モジュールにのみ、符号８を付し、他の半導体モジュールには符号を省略した。また、図２と後述する図３では、左端の２個の冷却器にのみ、符号２２を付し、他の冷却器には符号を省略した。
【００１９】
図２は、電力変換装置２の斜視図であるが、積層ユニット２０、正極バスバ３０、負極バスバ４０、及び、平滑コンデンサ６のアセンブリのみを描いてあり、他の部品は図示を省略した。積層ユニット２０は、複数のカードタイプの冷却器２２が平行に配置されているとともに、隣り合う冷却器２２の間にカードタイプの半導体モジュール８（８ａ−８ｇ）が挟まれているデバイスである。カードタイプの半導体モジュール８は、その幅広面を冷却器２２に対向させて積層されている。各半導体モジュール８の一つの側面８０ａから３個の端子（正極端子２５ａ、負極端子２５ｂ、中点端子２５ｃ）が延びている。図２と後述する図３では、積層ユニット２０の左端に位置する半導体モジュール８の端子にのみ符号２５ａ、２５ｂ、２５ｃを付し、残りの半導体モジュール８には端子を示す符号を省略した。
【００２０】
正極端子２５ａと負極端子２５ｂは、先に述べたように、半導体モジュール８に収容されている直列回路の高電位側の端子と低電位側の端子である。中点端子２５ｃは、直列回路の中点と導通している端子である。別言すれば、３個の端子２５ａ−２５ｃは、いずれも、半導体モジュール８の内部でスイッチング素子と導通している。３個の端子２５ａ−２５ｃは、半導体モジュール８の幅広面と交差する一側面８０ａから図中のＺ軸正方向に延びている。一側面８０ａの反対側の側面から複数の制御端子が図中のＺ軸負方向に延びている。制御端子は、半導体モジュール８に内蔵されているスイッチング素子のゲート電極と導通しているゲート端子、及び、半導体モジュール８に内蔵されている温度センサや電流センサと導通している信号端子などである。
【００２１】
以下、説明の便宜上、積層ユニット２０における冷却器２２と半導体モジュール８の積層方向を単純に「積層方向」と称する。図中のＸ方向が積層方向に相当する。
【００２２】
図中の右端の冷却器２２には、冷媒供給口２８と冷媒排出口２９が設けられている。隣接する冷却器２２同士は、２個の連結管で接続されている。一方の連結管は、積層方向からみて冷媒供給口２８と重なるように位置している。他方の連結管は、積層方向からみて冷媒排出口２９と重なるように位置している。冷媒供給口２８と冷媒排出口２９には、不図示の冷媒循環装置が接続される。冷媒供給口２８から供給される冷媒は、一方の連結管を通じて全ての冷却器２２に分配される。冷媒は冷却器２２を通る間に隣接する半導体モジュール８から熱を吸収する。熱を吸収した冷媒は、他方の連結管と冷媒排出口２９を通じて積層ユニット２０から排出される。各半導体モジュール８は、その両側から冷却されるので、積層ユニット２０は冷却性能が高い。
【００２３】
各半導体モジュール８の３個の端子２５ａ−２５ｃはいずれも平板状である。複数の半導体モジュール８の正極端子２５ａは、隣接する半導体モジュール８の正極端子２５ａの平坦面と対向するように、積層方向に一列に並んでいる。複数の半導体モジュール８の負極端子２５ｂも、隣接する半導体モジュール８の負極端子２５ｂの平坦面と対向するように、積層方向に一列に並んでいる。複数の半導体モジュール８の中点端子２５ｃも同様である。
【００２４】
複数の半導体モジュール８の正極端子２５ａと平滑コンデンサ６の一方の電極６ａが正極バスバ３０で接続され、複数の負極端子２５ｂと平滑コンデンサ６の他方の電極が負極バスバ４０で接続される。なお、平滑コンデンサ６の他方の電極は、平滑コンデンサ６の下面に露出しており、図では見えない。中点端子２５ｃの接続先については説明を省略する。図３に、正極バスバ３０と負極バスバ４０と積層ユニット２０と平滑コンデンサ６のアセンブリの分解斜視図を示す。
【００２５】
正極バスバ３０は一枚の金属板で作られているが、説明の便宜上、電極部３９、第１平板部４１、第２平板部３２、複数の枝部３３に分けて説明する。正極バスバ３０の展開図を図４に示す。破線Ｌ２より上の部分が電極部３９に相当する。破線Ｌ２とＬ３の間の部分が、第１平板部３１に相当する。破線Ｌ３から下の部分であって、枝部３３ａ、３３ｂを除く部分が第２平板部３２（３２ａ、３２ｂ）に相当する。なお、図４では、複数の孔３４について、右端の孔にのみ符号３４を付し、他の孔には符号を省略した。また、複数の枝部３３について、左端の上下２個の枝部にのみ、符号３３ａ、３３ｂを付し、他の枝部には符号を省略した。符号３３ａは、破線Ｌ３と破線Ｌ４の間の枝部を示しており、符号３３ｂは、破線Ｌ４より下の枝部を示している。
【００２６】
図４の折り曲げ前の正極バスバ３０ａを、次の順で折り曲げると、図２、図３に示す形状の正極バスバ３０が得られる。破線Ｌ３と破線Ｌ４の間の複数の第１枝部４３ａを、紙面上側に直角に折り曲げる。破線Ｌ４より下の第２枝部４３ｂを紙面下側に直角に折り曲げる。破線Ｌ１を直角に山折りし、破線Ｌ２−Ｌ４を直角に谷折りする。符号４２ａの板部分と符号４２ｂの板部分が合わさり、第２平板部４２を形成する。
【００２７】
図２に戻り、正極バスバ３０の形状の特徴について説明する。先に述べたように、正極バスバ３０は、電極部３９、第１平板部３１、第２平板部３２、複数の枝部３３を備えている。第１平板部３１は、平滑コンデンサ６から半導体モジュール８の側面８０ａに沿って、正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間まで延びている。第２平板部３２は、正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間で第１平板部３１の縁から屈曲しており、正極端子２５ａの延設方向（図中のＺ方向）へ延びている。第２平板部３２は、半導体モジュール８の本体から離れる方向に延びている。複数の枝部３３の夫々は、第２平板部３２から、対応する各正極端子２５ａの先端へと延びている。夫々の枝部３３が、対応する夫々の正極端子２５ａの先端と接合されている。
【００２８】
第１平板部３１には、複数の孔３４が設けられており、夫々の孔３４に、対応する正極端子２５ａが通っている。
【００２９】
正極バスバ３０の電極部３９は、平滑コンデンサ６の一方の電極６ａと接続されている。正極バスバ３０の全体は、全ての半導体モジュール８の正極端子２５ａを、平滑コンデンサ６の一方の電極６ａと接続する。
【００３０】
負極バスバ４０も、正極バスバ３０と類似の形状を有している。負極バスバ４０も一枚の金属板から作られる。図４において、破線Ｌ１と破線Ｌ２の間の幅を長くすれば、負極バスバ４０の展開図が得られる。図４の符号を用いて、展開図から負極バスバ４０の折り曲げ方を説明する。破線Ｌ３と破線Ｌ４の間の複数の第１枝部３３ａを、紙面下側に直角に折り曲げる。破線Ｌ４より下の第２枝部３３ｂを紙面上側に直角に折り曲げる。破線Ｌ１と破線Ｌ３を直角に谷折りし、破線Ｌ２と破線Ｌ４を直角に山折りすると、負極バスバ４０が完成する。
【００３１】
図２に戻り、負極バスバ４０の形状を説明する。負極バスバ４０は、電極部４９、第１平板部４１、第２平板部４２、複数の枝部４３を備えている。第１平板部４１は、平滑コンデンサ６から、正極バスバ３０の第１平板部３１と平行に正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間まで延びている。第２平板部４２は、正極端子２５ａと負極端子２５ｂの間で第１平板部４１の縁から屈曲している。第２平板部４２は、正極バスバ３０の第２平板部３２と平行に、正極端子２５ａの延設方向（図中のＺ方向）へ延びている。第２平板部４２は、半導体モジュール８の本体から離れる方向に延びている。複数の枝部４３の夫々は、第２平板部４２から各負極端子２５ｂの先端へと延びている。複数の枝部４３の夫々が、対応する夫々の負極端子２５ｂの先端と接続されている。
【００３２】
負極バスバ４０の第１平板部４１には、複数の孔４４が設けられており、夫々の孔４４に、対応する正極端子２５ａが通っている。負極バスバ４０は、正極バスバ３０と接触しておらず、また、正極端子２５ａとも接触していない。
【００３３】
負極バスバ４０の電極部４９は、平滑コンデンサ６の他方の電極と接続されている。負極バスバ４０の全体は、全ての半導体モジュール８の負極端子２５ｂを、平滑コンデンサ６の他方の電極と接続する。
【００３４】
上記した形状の正極バスバ３０と負極バスバ４０の利点を述べる。図５に、電力変換装置２（積層ユニット２０と平滑コンデンサ６とバスバ３０、４０のアセンブリ）の正面図を示す。正極バスバ３０の第１平板部３１は、負極バスバ４０の第１平板部４１と近接して対向している。正極バスバ３０の第２平板部３２は、負極バスバ４０の第２平板部４２と近接して対向している。正極バスバ３０と負極バスバ４０が近接対向していることによって、一方のバスバが発する磁界が他方のバスバに渦電流を発生させ、一方のバスバのインダクタンスを低減する。正極バスバ３０と負極バスバ４０は、広い面積で対向するので、インダクタンス低減効果が大きい。
【００３５】
また、正極バスバ３０の枝部３３は、正極端子２５ａの先端で正極端子２５ａと接続されている。夫々の枝部３３と、それに対応する正極端子２５ａには、接続前には位置誤差があり、接合によってその位置誤差が強制的に解消される。そのため、正極端子２５ａには内部応力が生じる。枝部３３が正極端子２５ａの先端で接合されることで、正極端子２５ａの根本と接合部までの間には、図５の符号Ｈが示す距離が確保される。距離Ｈの区間で端子２５ａは撓むことができ、端子に生じる内部応力が小さくなる。負極バスバ４０についても同様である。負極バスバ４０の枝部４３は、負極端子２５ｂの先端と接合されている。負極端子２５ｂの根本と接合箇所までの間に距離Ｈが確保される。負極端子２５ｂの根本から接合箇所まで相応の距離が確保されるので、負極端子２５ｂに生じる内部応力は、根本から接合箇所まで距離が短い場合と比較して小さい。
【００３６】
電力変換装置２は、正極バスバ３０と負極バスバ４０が上記した構造を有することで、インダクタンスを低減できるとともに、接続される正極端子２５ａ、負極端子２５ｂに生じる内部応力を小さくすることができる。
【００３７】
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例の正極バスバ３０の第１平板部３１と第２平板部３２と枝部３３が、夫々、請求項の「正極バスバ第１平板部」、「正極バスバ第２平板部」、「正極バスバ枝部」の一例に相当する。実施例の負極バスバ４０の第１平板部４１と第２平板部４２と枝部４３が、夫々、請求項の「負極バスバ第１平板部」、「負極バスバ第２平板部」、「負極バスバ枝部」の一例に相当する。
【００３８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３９】
２：電力変換装置
２ｂ：負極端子
５：フィルタコンデンサ
６：平滑コンデンサ
７：リアクトル
８、８ａ−８ｇ：半導体モジュール
９ａ−９ｈ：スイッチング素子
１２：電圧コンバータ回路
１３ａ、１３ｂ：インバータ回路
１８：入力端
１９：出力端
２０：積層ユニット
２２：冷却器
２５ａ：正極端子
２５ｂ：負極端子
２５ｃ：中点端子
２８：冷媒供給口
２９：冷媒排出口
３０：正極バスバ
３１：第１平板部
３２：第２平板部
３３：枝部
３４：孔
３９：電極部
４０：負極バスバ
４１：第１平板部
４２：第２平板部
４３：枝部
４４：孔
４９：電極部
８１：バッテリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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