(57)【要約】【課題】  本発明は、従来の時間差法とは異なる方式で部分放電の発生位置を特定することを可能とする部分放電発生位置特定システム等の提供を目的とする。【解決手段】  検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システムであって、部分放電に起因する電磁波を検出する第１センサと、前記第１センサの移動を制御する制御部と、前記第１センサが第１−１地点で検出した電磁波の波形である第１−１波形と、前記第１センサが前記第１地点とは異なる第１−２地点で検出した電磁波の波形である第１−２波形とを比較する波形比較部と、前記波形比較部の比較結果に基づいて前記発生位置を特定する位置特定部とを備える、部分放電発生位置特定装置である。【選択図】図１
2018119853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システムであって、
部分放電に起因する電磁波を検出する第１センサと、
前記第１センサの移動を制御する制御部と、
前記第１センサが第１−１地点で検出した電磁波の波形である第１−１波形と、前記第１センサが前記第１−１地点とは異なる第１−２地点で検出した電磁波の波形である第１−２波形とを比較する波形比較部と、
前記波形比較部の比較結果に基づいて前記発生位置を特定する位置特定部とを備える、部分放電発生位置特定装置。
【請求項２】
前記第１センサは、ループセンサであって、
前記第１−１波形と前記第１−２波形の極性が互いに反転しているか否かを判定する極性判定部をさらに備える、請求項１記載の部分放電発生位置特定システム。
【請求項３】
部分放電に起因する電磁波を検出するループセンサである第２センサをさらに備え、
前記制御部は、前記第１センサ及び前記第２センサを連動させて移動させるものであり、
前記第１センサが前記第１−１地点にあるときに、前記第２センサは、第２−１地点にあり、
前記第１センサが前記第１−２地点にあるときに、前記第２センサは、第２−２地点にあり、
前記波形比較部は、前記第１センサが検出した電磁波の波形と前記第２センサが検出した電磁波の波形をも比較するものであり、
前記極性判定部が、前記第１−１波形と前記第１−２波形の極性が互いに反転していると判定し、かつ、前記第１−２波形と前記第２−２波形の極性が互いに反転していると判定した場合に、前記位置特定部は、前記第１−１地点、前記第１−２地点、前記第２−１地点、前記第２−２地点の４地点で囲まれる領域に対応する前記検査対象モジュール上の領域に前記発生位置を特定する、請求項２記載の部分放電発生位置特定システム。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１センサ及び前記第２センサを、前記第１センサ及び前記第２センサを通る直線方向とは異なる方向に移動させる、請求項３記載の部分放電発生位置特定システム。
【請求項５】
前記第１センサは、検出した電磁波の波形の極性に関する情報又は極性の変化に関する情報を表示するセンサ表示部を有する、請求項１から４のいずれかに記載の部分放電発生位置特定システム。
【請求項６】
検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システムを用いた部分放電発生位置特定方法であって、
第１センサが、部分放電に起因する電磁波を検出する検出ステップと、
制御部が、前記第１センサを移動させるセンサ移動ステップと、
波形比較部が、前記第１センサが第１−１地点で検出した電磁波の波形である第１−１波形と、前記第１センサが前記第１−１地点とは異なる第１−２地点で検出した電磁波の波形である第１−２波形とを比較する波形比較ステップと、
位置特定部が、前記波形比較部の比較結果に基づいて前記発生位置を特定する位置特定ステップとを含む、部分放電発生位置特定方法。
【請求項７】
コンピュータに、請求項６記載の前記センサ移動ステップ、前記波形比較ステップ及び前記位置特定ステップを実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部分放電発生位置特定システム、部分放電発生位置特定方法及びプログラムに関し、特に、検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システム等に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁破壊の前駆現象である部分放電（Partial  Discharge：PD）の発生位置を特定することは、パワーモジュールの高耐圧化に繋がる。
【０００３】
従来の部分放電発生位置の特定方法の一つとして、X線を照射して部分放電発生位置を特定する方法（特許文献１）や時間差法（Time  of  Flight法）を利用する方法（非特許文献１）がある。時間差法は、放電された電磁波又は音波を複数のセンサで検出し、各センサ間の電磁波到達時間差から部分放電発生位置を算出する方法である。
【０００４】
図８は、時間差法を利用して部分放電発生位置を特定する際の、部分放電検出システム１０１におけるセンサアレイ１０５と、被測定物であるSi-IGBTモジュール１０３の配置を示す図である。モジュール内の×印が部分放電発生位置１３０である。センサアレイ１０５は、15mm×45mmの長方形の各頂点対応するよう4個のループセンサを同一平面上に配置した構造であり、モジュール上面のカバーから15mmの高さに配置した。
【０００５】
図９は、図８のセンサアレイ１０５で検出した１発の部分放電信号から時間差法により算出した位置標定結果である。a−1及びa−2は、サンプリング周波数を10GS/s、b−1及びb−2は、サンプリング周波数を80GS/sとした場合の結果である。ループセンサの位置を白抜きの四角、部分放電発生位置を×印で示している。
【０００６】
図９に示す通り、10GS/sよりも80GS/sの方が領域を狭く絞り込めた。具体的には、サンプリング周波数を10GS/sとすれば、空間分解能が約30mm、サンプリング周波数を80GS/sとすれば、空間分解能が約3.8mmの精度で部分放電発生位置を標定することが可能であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２８１７８５号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】小柳佳祐ほか４名，“パワーモジュールにおける部分放電位置標定に向けた基礎的検討”，平成26年電気学会産業応用部門大会講演論文集，Y-54，2014
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、被測定物であるパワーモジュール及びチップの小型化に伴い、更なる標定精度の向上が求められている。例えば、チップの大きさが10mm程度であれば、少なくとも空間分解能1.0mmの精度で部分放電発生位置を標定することが望まれる。
【００１０】
時間差法を用いる従来法では、空間分解能はサンプリング周波数に反比例する。なお、現時点でサンプリング周波数が80GS/sと最高級のオシロスコープは、数千万円と高価である。時間差法を用いて1.0mmの空間分解能を実現するためには、理論上、サンプリング周波数を約300GS/sにしなくてはならず、現実的ではない。
【００１１】
そこで、本発明は、従来の時間差法とは異なる方式で部分放電の発生位置を特定することを可能とする部分放電発生位置特定システム等の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点は、検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システムであって、部分放電に起因する電磁波を検出する第１センサと、前記第１センサの移動を制御する制御部と、前記第１センサが第１−１地点で検出した電磁波の波形である第１−１波形と、前記第１センサが前記第１−１地点とは異なる第１−２地点で検出した電磁波の波形である第１−２波形とを比較する波形比較部と、前記波形比較部の比較結果に基づいて前記発生位置を特定する位置特定部とを備える、部分放電発生位置特定装置である。
【００１３】
本発明の第２の観点は、第１の観点の部分放電発生位置特定システムであって、前記第１センサは、ループセンサであって、前記第１−１波形と前記第１−２波形の極性が互いに反転しているか否かを判定する極性判定部をさらに備える。
【００１４】
本発明の第３の観点は、第２の観点の部分放電発生位置特定システムであって、部分放電に起因する電磁波を検出するループセンサである第２センサをさらに備え、前記制御部は、前記第１センサ及び前記第２センサを連動させて移動させるものであり、前記第１センサが前記第１−１地点にあるときに、前記第２センサは、第２−１地点にあり、前記第１センサが前記第１−２地点にあるときに、前記第２センサは、第２−２地点にあり、前記波形比較部は、前記第１センサが検出した電磁波の波形と前記第２センサが検出した電磁波の波形をも比較するものであり、前記極性判定部が、前記第１−１波形と前記第１−２波形の極性が互いに反転していると判定し、かつ、前記第１−２波形と前記第２−２波形の極性が互いに反転していると判定した場合に、前記位置特定部は、前記第１−１地点、前記第１−２地点、前記第２−１地点、前記第２−２地点の４地点で囲まれる領域に対応する前記検査対象モジュール上の領域に前記発生位置を特定する。
【００１５】
本発明の第４の観点は、第３の観点の部分放電発生位置特定システムであって、前記制御部は、前記第１センサ及び前記第２センサを、前記第１センサ及び前記第２センサを通る直線方向とは異なる方向に移動させる。
【００１６】
本発明の第５の観点は、第１から第４のいずれかの観点の部分放電発生位置特定システムであって、前記第１センサは、検出した電磁波の波形の極性に関する情報又は極性の変化に関する情報を表示するセンサ表示部を有する。
【００１７】
本発明の第６の観点は、検査対象モジュールにおける部分放電の発生位置を特定する部分放電発生位置特定システムを用いた部分放電発生位置特定方法であって、第１センサが、部分放電に起因する電磁波を検出する検出ステップと、制御部が、前記第１センサを移動させるセンサ移動ステップと、波形比較部が、前記第１センサが第１−１地点で検出した電磁波の波形である第１−１波形と、前記第１センサが前記第１−１地点とは異なる第１−２地点で検出した電磁波の波形である第１−２波形とを比較する波形比較ステップと、位置特定部が、前記波形比較部の比較結果に基づいて前記発生位置を特定する位置特定ステップとを含む、部分放電発生位置特定方法である。
【００１８】
本発明の第７の観点は、コンピュータに、第６の観点の前記センサ移動ステップ、前記波形比較ステップ及び前記位置特定ステップを実行させるためのプログラムである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の各観点によれば、センサが検出した波形の立ち上がりのタイミングではなく、別の地点で検出された電磁波の波形同士を比較する。そのため、波形の立ち上がりのわずかな時間差を厳密に測定する高価なオシロスコープは不要となる。また、多数のセンサが検出した波形を比較する手法に比べて、処理速度が速い利点もある。
【００２０】
さらに、本発明の第２の観点によれば、波形の極性の変化は、立ち上がりのタイミングの差に比べて検出しやすい変化であるため、従来の方法よりも高精度な検出が安価に可能となる。本発明に係る方式により、1.0mmの空間分解能も可能であった。
【００２１】
さらに、本発明の第３及び第４の観点によれば、センサの移動を繰り返すことにより、２次元的に又は３次元的に、部分放電の発生位置を特定することが容易となる。
【００２２】
さらに、本発明の第５の観点によれば、波形のピークの極性に関する情報や極性の変化に関する情報を把握することが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る部分放電発生位置特定システムの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る部分放電発生位置特定方法の実施手順を示すフローチャートである。
【図３】センサアレイを検査対象モジュール上でループセンサが配列されている方向に動かしているところを示す斜視図である。
【図４】（ａ）センサアレイを検査対象モジュールの上で動かす前を示す図、（ｂ）センサアレイを検査対象モジュールの上で15mmだけ動かした後を示す図である。
【図５】実施例１に係る部分放電発生位置特定方法で得られた波形を示す図であり、（ａ）図４（ａ）に対応する波形、（ｂ）図４（ｂ）に対応する波形である。
【図６】Ｓ３センサの真下に検査対象モジュールの故障があるときの波形の一例を示す図である。
【図７】センサアレイを検査対象モジュール上でループセンサが配列されている方向とは異なる方向に動かしているところを示す図であり、（ａ）センサアレイ及び検査対象モジュールの斜視図と、（ｂ）センサアレイ側からセンサアレイ及び検査対象モジュールを見た図である。
【図８】時間差法を利用して部分放電発生位置を特定する際の、センサアレイと、被測定物であるSi-IGBTモジュールの配置の一例を示す模式図である。
【図９】図８のセンサアレイで検出した１発の部分放電信号から時間差法により算出した位置標定結果である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明の部分放電発生位置特定システム１（本願請求項における「部分放電発生位置特定システム」の一例）の構成の一例を示す図である。部分放電発生位置特定システム１は、検査対象モジュール３（本願請求項における「検査対象モジュール」の一例）における部分放電の発生位置を特定する。部分放電発生位置特定システム１は、検査対象モジュール３の上面に配置するセンサアレイ５と、電圧印加部６と、波形表示部７と、波形比較部９（本願請求項における「波形比較部」の一例）と、位置特定部１１（本願請求項における「位置特定部」の一例）と、制御部１３（本願請求項における「制御部」の一例）と、記憶部１５とを備える。センサアレイ５は、ループセンサとしてＳ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ（ｎは２以上の自然数）を有する。本実施例では、ｎ＝４の場合を例に挙げる。波形比較部９は、極性判定部１７（本願請求項における「極性判定部」の一例）を有する。記憶部１３は、ループセンサＳｋが検出した信号の波形を記憶する波形記憶部１９１、１９２、・・・１９ｎを有する。以下、個々のループセンサや波形記憶部について述べる際に、「ループセンサＳ」や「波形記憶部１９」のように、添え字を略して表記することがある。
【００２５】
ループセンサＳは、リング状の形状をしている。また、ループセンサＳは、部分放電に起因するリング内の磁束の変化を通じて誘導電流を生じる。結果として、ループセンサＳは、部分放電を検出する。電圧印加部６は、検査対象モジュール３に対して、試験電圧を印加する。波形表示部７は、ループセンサＳが検出した電磁波の波形を表示する。波形比較部９は、各ループセンサＳが検出した電磁波の波形を比較する。極性判定部１７は、比較した波形の極性が反転しているか否かを判定する。位置特定部１１は、波形比較部の比較結果に基づいて、部分放電の発生位置を特定する。制御部１３は、センサアレイ５、波形表示部７、波形比較部９、位置特定部１１、記憶部１５を制御する。波形記憶部１９は、対応するループセンサＳが検出した電磁波の波形を記憶する。
【００２６】
図２は、本実施例に係る部分放電発生位置特定方法（本願請求項における「部分放電発生位置特定方法」の一例）の実施手順を示すフローチャートである。ステップＳＴ００１において、制御部１３は、センサアレイ５を制御して、センサアレイ５を検査対象モジュール３の上に配置する。このとき、ループセンサＳ１（本願請求項における「第１センサ」の一例）が第１−１地点（本願請求項における「第１−１地点」の一例）に、ループセンサＳ２（本願請求項における「第２センサ」の一例）が第２−１地点（本願請求項における「第２−１地点」の一例）にあるものとする。ステップＳＴ００２において、制御部１３は、電圧印加部６を制御して、検査対象モジュール３に対して試験電圧を印加させる。ステップＳＴ００３において、各ループセンサＳは、部分放電に起因する電磁波を検出する（本願請求項における「検出ステップ」の一例）。ステップＳＴ００４において、制御部１３は、記憶部１５を制御して、各ループセンサＳが検出した電磁波の波形を対応する波形記憶部１９に記憶させる。
【００２７】
続いて、ステップＳＴ００５において、制御部１３は、センサアレイ５を制御して、センサアレイ５を移動させる（本願請求項における「センサ移動ステップ」の一例）。このとき、ループセンサＳ１が第１−２地点（本願請求項における「第１−２地点」の一例）に、ループセンサＳ２が第２−２地点（本願請求項における「第２−２地点」の一例）にあるものとする。ステップＳＴ００６において、制御部１３は、電圧印加部６を制御して、検査対象モジュール３に対して試験電圧を印加させる。ステップＳＴ００７において、各ループセンサＳは、部分放電に起因する電磁波を検出する。ステップＳＴ００８において、制御部１３は、記憶部１５を制御して、各ループセンサＳが検出した電磁波の波形を対応する波形記憶部１９に記憶させる。
【００２８】
さらに、ステップＳＴ００９において、制御部１３は、波形比較部９を制御して、ステップＳＴ００３でループセンサＳ１が検出してステップＳＴ００４で波形記憶部１９１が記録した第１−１波形（本願請求項における「第１−１波形」の一例）と、ステップＳＴ００７でセンサＳ１が検出してステップＳＴ００８で波形記憶部１９１が記録した第１−２波形（本願請求項における「第１−２波形」の一例）とを比較させる（本願請求項における「波形比較ステップ」の一例）。同様に、他のループセンサＳについても移動の前後で検出された電磁波の波形をそれぞれ比較させる。ステップＳＴ０１０において、制御部１３は、極性判定部１７を制御して、第１−１波形と第１−２波形の極性が反転しているか否かを判定させる。同様に、他のループセンサＳについても移動の前後で波形の極性が反転しているか否かを判定させる。どのループセンサＳについても移動の前後で極性が反転していないと判定されれば、ステップＳＴ００５に戻る。
【００２９】
ステップＳＴ０１０において、例えば、ループセンサＳ１において移動の前後で極性が反転していると判定されれば、ステップＳＴ０１１において、制御部１３は、波形比較部９を制御して、第１−２波形と移動後における他のループセンサＳが検出した波形とを比較させる。また、ステップＳＴ０１２において、制御部１３は、極性判定部１７を制御して、第１−２波形と移動後における他のループセンサＳが検出した波形との間で極性が反転しているか否かを判定させる。どのループセンサＳとの間でも極性が反転していないと判定されれば、ステップＳＴ００５に戻る。
【００３０】
ステップＳＴ０１２において、例えば、第１−２波形とループセンサＳ２が移動後に検出した第２−２波形（本願請求項における「第２−２波形」の一例）との間で極性が反転していると判定されれば、ステップＳＴ０１３において、制御部１３は、位置特定部１１を制御して、第１−１地点、第１−２地点、第２−１地点、及び、第２−２地点に囲まれる領域（本願請求項における「４地点で囲まれる領域」の一例）に対応する検査対象モジュール３上の領域（本願請求項における「対応する前記検査対象モジュール上の領域」の一例）内に部分放電の発生位置が存在すると特定させる（本願請求項における「位置特定ステップ」の一例）。続いて、ステップＳＴ０１４において、制御部は、処理を続行させるか否かを判定する。処理を続行すると判定されれば、ステップＳＴ００５に戻る。処理を続行しないと判定されれば、フローを終了する。
【００３１】
続いて、本実施例に係る部分放電発生位置特定方法についてより詳細を述べる。
【００３２】
図３及び図４に、部分放電源とセンサアレイ移動前後の配置を示す。図３に示すように、Si-IGBTモジュール（検査対象モジュール３）上面から15mmの高さにセンサアレイ５を配置し、センサアレイ５を1 mmずつ移動させ、15 mm移動させた。4つのループセンサをＳ１〜Ｓ４として区別した。図４に示すように、センサアレイを15mm移動させることにより、部分放電源３０がセンサアレイ５の外部からＳ１直下を通過し、Ｓ１とＳ２の間に移動するように設定した。なお、移動距離が10mmのとき、ループセンサＳ１の中心直下に部分放電源３０が存在するように設定した。
【００３３】
検査対象モジュール３の上面に4つのループセンサＳ１〜Ｓ４（以下、センサアレイ５）が一列に配置された。また、検査対象モジュール３で発生する部分放電を検出する部分放電検出器（図示せず）をセンサアレイ５に接続した。部分放電検出器の検出信号と同時に放電放射電磁波が検出され、記録される。センサアレイ５を移動させることで、センサアレイ５に検出される放電放射電磁波の波形がどのように変化するかを確認した。
【００３４】
図５に、各ループセンサで検出した部分放電放射電磁波形を示す。図５（ａ）は、移動距離が0mmの地点においてループセンサＳ１〜Ｓ４が検出した電磁波の波形である。図５（ｂ）は、移動距離が15mmの地点においてループセンサＳ１〜Ｓ４が検出した電磁波の波形である。
【００３５】
図５（ａ）では、波形の第１周期の立ち上がり部分の極性は、ループセンサＳ１が検出した電磁波の波形も含めて全て正極性（波形が上に凸）である。他方、図５（ｂ）では、ループセンサＳ１が検出した電磁波の波形の第１周期の立ち上がり部分の極性が負極性（波形が下に凸）となっている。これは、図５（ｂ）でのループセンサＳ１の部分放電源３０に対する相対的な位置が、図５（ａ）での位置とは異なることを示している。すなわち、ループセンサＳ１が移動した15mmの間に、部分放電源３０が存在することを示している。
【００３６】
また、図５（ｂ）では、ループセンサＳ１とその他のセンサＳ２〜Ｓ４で検出した部分放電放射電磁波形の第１周期の立ち上がり部分の極性が反転していることが分かる。これは、図５（ｂ）でのループセンサＳ１の部分放電源３０に対する相対的な位置が、他のループセンサＳ２〜Ｓ４とは異なることを示している。すなわち、ループセンサＳ１とループセンサＳ２との間に、部分放電源３０が存在することを示している。
【００３７】
上記より、センサアレイ５をループセンサＳが配列されている方向に動かし、かつ、部分放電源がセンサアレイ５の移動範囲の真下に存在する場合、部分放電源を基準に右側に位置するセンサ（移動後のＳ１）と左側に位置するセンサ（移動前のＳ１、又は、移動後のＳ２〜Ｓ４）で検出する部分放電放射電磁波形の第１周期の立ち上がり部分の極性が反転することが分かる。したがって、ループセンサにて検出した電磁波の波形から部分放電源の位置を特定することができる。
【００３８】
また、ループセンサＳが、部分放電源の真上にきたときに検出する電磁波の波形について述べる。図６のＳ２に示すように、各センサで検出した部分放電放射電磁波形の第１周期の立ち上がり部分の大きさをVppと定めると、Ｓ２のVppはその他のセンサ（Ｓ１，Ｓ３及びＳ４）のVppに比べて、非常に小さくなる。このように、ループセンサＳの中心直下に部分放電源が存在する場合、波形の低周波成分が小さくなり、高周波成分が目立つようになる。このことは、特定のループセンサＳの直下に部分放電源が存在することを発見する目安とすることができる。
【実施例２】
【００３９】
本実施例では、ループセンサＳ５〜Ｓ７を有するセンサアレイ３５を、ループセンサＳ５〜Ｓ７が配列されている方向（本願請求項における「前記第１センサ及び前記第２センサを通る直線方向」の一例）と直角をなす方向（本願請求項における「異なる方向」の一例）に動かした場合に、検査対象モジュール３３における部分放電源の発生位置５０を特定する手法について説明する。
【００４０】
図７を参照して、センサアレイ３５の移動前には、ループセンサＳ５が第５−１地点に、ループセンサＳ６が第６−１地点にあるものとする。また、センサアレイ３５の移動後には、ループセンサＳ５が第５−２地点に、ループセンサＳ６が第６−２地点にあるものとする。
【００４１】
このとき、極性判定部１７が、第５−１波形と第５−２波形の極性が互いに反転していると判定し、かつ、第５−２波形と第６−２波形の極性が互いに反転していると判定したとすると、位置特定部１１は、部分放電源５０は、第５−１地点、第５−２地点、第６−１地点、及び、第６−２地点で囲まれる領域３７（本願請求項における「４地点で囲まれる領域」の一例）に対応する検査対象モジュール３３上の領域（本願請求項における「対応する前記検査対象モジュール上の領域」の一例）内に存在すると特定する。
【００４２】
なお、センサアレイ５が有するループセンサＳは、一列ではなく二列以上に配置してもよいし、三次元的に配置してもよい。この場合、部分放電の発生位置を二次元的に又は三次元的に特定することが容易となる。
【００４３】
また、センサアレイを動かす代わりに、ループセンサを多数有するセンサアレイを用いることにより、センサアレイを動かさずとも高精度に部分放電の位置を検出する部分放電発生位置特定システムを構成してもよい。ただし、多数のループセンサが検出した波形を比較・分析するために時間を要する。
【００４４】
さらに、各ループアレイＳは、検出した電磁波の波形の極性に関する情報又は極性の変化に関する情報を表示するセンサ表示部（本願請求項に記載の「センサ表示部」の一例）を有してもよい。例えば、検出した電磁波の波形が有する最初のピークが立ち上がりピークか立ち下がりピークかを色で示すセンサ表示部であってもよい。この場合、隣接するループアレイＳが異なる極性であることを一目で見てとることが可能である。また、１つのセンサでピークの極性が変化したときにのみ光るセンサ表示部であってもよい。この場合、ピークの極性が変化したものであることを容易に把握することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明が提供する部分放電発生位置特定システム等は、サンプリング周波数が従来技術よりも低くても、IGBTモジュール等に存在する放電源の位置を高精度に特定する新たな方式として提案できる。
【符号の説明】
【００４６】
１・・・部分放電発生位置特定システム、３・・・検査対象モジュール、５・・・センサアレイ、６・・・電圧印加部、７・・・波形表示部、９・・・波形比較部、１１・・・位置特定部、１３・・・制御部、１５・・・記憶部、１７・・・極性判定部、１９・・・波形記憶部、３０・・・部分放電発生位置、３１・・・部分放電発生位置特定システム、３３・・・検査対象モジュール、３５・・・センサアレイ、３７・・・領域、５０・・・部分放電発生位置
【図１】
2018119853.tif 000003
【図２】
2018119853.tif 000004
【図３】
2018119853.tif 000005
【図４】
2018119853.tif 000006
【図５】
2018119853.tif 000007
【図６】
2018119853.tif 000008
【図７】
2018119853.tif 000009
【図８】
2018119853.tif 000010
【図９】
2018119853.tif 000011