(57)【要約】【課題】位置決め精度を向上させることができる磁気センサ装置を提供する。【解決手段】磁気センサ装置１の磁気センサＩＣ２は、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石４が生成する磁場４０の変化を検出する磁気センサ３０とを含んで形成された電子回路部３、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部３を封止する封止体２０、及び封止体２０から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体２０が磁石４の挿入孔４５に挿入される際、磁石４の後面４２に接触することで磁石４との相対的な位置を決める第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１を備えて概略構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、
複数のリードフレームと前記複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて前記磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、前記複数のリードフレームの端部が露出するように前記電子回路部を封止する封止体、及び前記封止体から露出する前記複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、前記封止体が前記挿入孔に挿入される際、前記磁石の前記後面に接触することで前記磁石との相対的な位置を決める第１の突出部及び第２の突出部を有する磁気センサ素子と、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記磁石は、前記後面側の前記挿入孔の対向する側面に設けられた第１の被挿入部及び第２の被挿入部を有し、
前記第１の突出部及び前記第２の突出部は、前記第１の被挿入部及び前記第２の被挿入部に挿入されて前記磁石との相対的な位置を決める、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
前記第１の突出部及び前記第２の突出部は、二次成形時に使用される金型のピンが挿入されるピン挿入孔を有する、
請求項２に記載の磁気センサ装置。
【請求項４】
前記第１の突出部及び前記第２の突出部は、タイバーである、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、筒形状を有する磁石の中空部内に、磁気抵抗素子が形成されたセンサチップが収容された磁気センサが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この磁石の端面には、磁石の外周形状とほぼ相似な形状に凹部が形成されている。またセンサチップは、ケース本体の舌部導出面から突出する舌部に配置されている。この舌部導出面には、凹部と対応する形で凸部が形成されている。磁気センサは、磁石の凹部とケース本体の凸部の嵌め合いによって磁石とセンサチップが位置決めされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４７４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来の磁気センサは、舌部の成形の精度、舌部に対するセンサチップの位置の精度、ケース本体の凸部と磁石の凹部の成形の精度などが高くないと、センサチップと磁石の相対的な位置決めを高い精度で行うことが難しい問題がある。
【０００６】
従って本発明の目的は、位置決め精度を向上させることができる磁気センサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部を封止する封止体、及び封止体から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体が挿入孔に挿入される際、磁石の後面に接触することで磁石との相対的な位置を決める第１の突出部及び第２の突出部を有する磁気センサ素子と、を備えた磁気センサ装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、位置決め精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図１（ｃ）は、磁気センサの一例を示す正面図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の一例を示す側面図であり、図２（ｂ）は、磁石の一例を示す正面図であり、図２（ｃ）は、変形例に係る磁石の一例を示す正面図である。
【図３】図３（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の電子回路部の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、第１の磁気センサ及び第２の磁気センサの一例を示す概略図である。
【図４】図４（ａ）は、第２の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図４（ｂ）は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図４（ｃ）は、磁気センサの一例を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態の要約）
実施の形態に係る磁気センサ装置は、後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部を封止する封止体、及び封止体から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体が挿入孔に挿入される際、磁石の後面に接触することで磁石との相対的な位置を決める第１の突出部及び第２の突出部を有する磁気センサ素子と、を備えて概略構成されている。
【００１１】
この磁気センサ装置は、２つのリードフレームの第１の突出部及び第２の突出部によって２つのリードフレームと磁石との相対的な位置が決まると共に、複数のリードフレームのいずれかに配置された磁気センサと磁石との相対的な位置が決まるので、封止体と磁石の位置決めによって磁気センサと磁石の位置決めを行う場合と比べて、複数のリードフレームと封止体の位置決めの公差を考慮する必要がなく、位置決め精度を向上させることができる。
【００１２】
[第１の実施の形態]
（磁気センサ装置１の概要）
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図１（ｃ）は、磁気センサの一例を示す正面図である。図２（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の一例を示す側面図であり、図２（ｂ）は、磁石の一例を示す正面図であり、図２（ｃ）は、変形例に係る磁石の一例を示す正面図である。図３（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサ装置の電子回路部の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、第１の磁気センサ及び第２の磁気センサの一例を示す概略図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
【００１３】
磁気センサ装置１は、一例として、検出対象が接近したり、離れたりするのを検出する非接触スイッチとして構成されている。
【００１４】
磁気センサ装置１は、図１（ａ）に示すように、磁気センサ素子としての磁気センサＩＣ（Integrated circuit）２と、磁石４と、を備えて概略構成されている。この磁気センサ装置１は、例えば、磁気センサＩＣ２と磁石４とを組み付けた後、端子群２８が露出するように二次モールドされる。
【００１５】
磁気センサＩＣ２は、図１（ａ）〜図３（ｂ）に示すように、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石４が生成する磁場４０の変化を検出する磁気センサ３０とを含んで形成された電子回路部３、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部３を封止する封止体２０、及び封止体２０から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体２０が後述する磁石４の挿入孔４５に挿入される際、磁石４の後面４２に接触することで磁石４との相対的な位置を決める第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１を備えて概略構成されている。
【００１６】
本実施の形態では、電子回路部３は、複数のリードフレームとしてリードフレーム２５〜リードフレーム２７を有しているがこれに限定されず、磁気センサ装置１の仕様によって変更可能である。
【００１７】
磁気センサ３０は、例えば、図３（ａ）に示すように、リードフレーム２５の搭載部２５０に配置されている。また複数のリードフレームの最も外側に位置する２つのリードフレームは、例えば、図１（ａ）に示すように、リードフレーム２５及びリードフレーム２７である。そして最も外側の側面は、リードフレーム２５の側面２５ａとリードフレーム２７の側面２７ａである。
【００１８】
また磁石４は、後面４２から検出対象５側となる前面４１に向かって形成された挿入孔４５、及び後面２１側の挿入孔４５の対向する側面４５０及び側面４５１に設けられた第１の被挿入部４３０及び第２の被挿入部４４０を備えて概略構成されている。
【００１９】
なお変形例として磁気センサ装置１は、この第１の被挿入部４３０及び第２の被挿入部４４０が形成されず、第１の突出部２５１及び第２の突出部が磁石４の後面４２に接触することで磁気センサ３０と磁石４との位置決めがなされる構成であっても良い。
【００２０】
（磁気センサＩＣ２の構成）
磁気センサＩＣ２の封止体２０は、封止樹脂を用いて形成される。この封止樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材などを加えた熱硬化性成形材料である。封止体２０は、挿入孔４５の形状に応じた角柱であると共に、第１の側面２３及び第２の側面２４の上下が面取りされたような形状を有している。
【００２１】
電子回路部３は、一例として、図３（ａ）に示すように、磁気センサ３０と、ツェナーダイオード３３及びツェナーダイオード３４と、制御ＩＣ３５と、を備え、リードフレーム２５〜リードフレーム２７を配線としている。
【００２２】
リードフレーム２５〜リードフレーム２７は、例えば、細長い板形状に形成されている。またリードフレーム２５〜リードフレーム２７は、例えば、アルミニウム、銅などの導電性を有する金属材料、又は真鍮などの合金材料を用いて、プレスやエッチングなどによって形成されている。磁気センサＩＣ２は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、リードフレーム２５〜リードフレーム２７の順に並んで配置されている。
【００２３】
リードフレーム２５の先端には、図３（ａ）に示すように、リードフレーム２６側の側面２５ｂから突出する搭載部２５０が設けられている。またリードフレーム２６の先端には、それまでよりも幅が広くされたパッド２６０が設けられている。さらにリードフレーム２７の先端には、リードフレーム２６と同様に、幅が広くされたパッド２７０が設けられている。
【００２４】
リードフレーム２５〜リードフレーム２７は、磁石４から突出する端部が端子群２８となる。この端子群２８は、接続先のコネクタと接続される。リードフレーム２５は、接続先の回路と接続されてＧＮＤ端子となる。リードフレーム２６は、接続先の回路に後述する出力電圧Ｖｏｕｔを出力する端子となる。リードフレーム２７は、接続先の回路から基準電圧Ｖｃｃが供給される端子となる。
【００２５】
リードフレーム２５は、図３（ａ）に示すように、磁石４の挿入孔４５の側面４５０に対向する側面２５ａから突出するように第１の突出部２５１が形成されている。またリードフレーム２７は、挿入孔４５の側面４５１に対向する側面２７ａから突出するように第２の突出部２７１が形成されている。
【００２６】
ここで磁気センサＩＣ２は、リードフレームの材料となる一枚の板に複数形成される。磁気センサＩＣ２は、１つの枠の中に形成され、この枠から切り出される前、リードフレームの一部を繋ぐタイバーによって枠と繋がっている。磁気センサＩＣ２は、このタイバーが切断されることで切り出される。第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１は、一例として、このタイバーである。つまり第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１は、タイバーを切断して磁気センサＩＣ２を切り離す際、リードフレーム２５の側面２５ａ、及びリードフレーム２７の側面２７ａのタイバーの枠側を切り離すことで形成される。
【００２７】
第１の突出部２５１は、図３（ａ）に示すように、封止体２０側の側面が接触面２５１ａとなり、磁石４の第１の被挿入部４３０の端面４３０ａと接触する。また第２の突出部２７１は、封止体２０側の側面が接触面２７１ａとなり、磁石４の第２の被挿入部４４０の端面４４０ａと接触する。
【００２８】
磁気センサ３０は、例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１の磁気センサ３１及び第２の磁気センサ３２を備えている。第１の磁気センサ３１は、例えば、図３（ｂ）に示すように、第１の磁気抵抗素子３１０及び第２の磁気抵抗素子３１１を有し、それぞれが電気的に接続されてハーフブリッジ回路が形成されている。第２の磁気センサ３２は、例えば、第１の磁気抵抗素子３２０及び第２の磁気抵抗素子３２１を有し、それぞれが電気的に接続されてハーフブリッジ回路が形成されている。なお第１の磁気センサ３１及び第２の磁気センサ３２は、ハーフブリッジ回路に限定されず、それぞれがフルブリッジ回路であっても良い。
【００２９】
第１の磁気抵抗素子３１０及び第２の磁気抵抗素子３１１は、図３（ｂ）に示すように、角度が９０°となるように配置されている。そして第１の磁気抵抗素子３１０の端部には、基準電圧Ｖｃｃが印加される。そして第２の磁気抵抗素子３１１の端部は、ＧＮＤと電気的に接続される。第１の磁気抵抗素子３１０と第２の磁気抵抗素子３１１は、互いが電気的に接続されたノードにおける電位である中点電位Ｖ１を、ワイヤ３６を介して制御ＩＣ３５に出力するように構成されている。
【００３０】
第１の磁気抵抗素子３２０及び第２の磁気抵抗素子３２１は、図３（ｂ）に示すように、角度が９０°となるように配置されている。そして第１の磁気抵抗素子３２０の端部には、基準電圧Ｖｃｃが印加される。そして第２の磁気抵抗素子３２１の端部は、ＧＮＤと電気的に接続される。第１の磁気抵抗素子３２０と第２の磁気抵抗素子３２１は、互いが電気的に接続されたノードにおける電位である中点電位Ｖ２を、ワイヤ３６を介して制御ＩＣ３５に出力するように構成されている。
【００３１】
第１の磁気センサ３１と第２の磁気センサ３２は、図３（ｂ）に示すように、互いの中心を通る線を対称軸３０５として線対称となるように配置されている。第１の磁気センサ３１及び第２の磁気センサ３２は、例えば、ベース３００を介してリードフレーム２５の搭載部２５０に配置されている。ハーフブリッジ回路のＧＮＤ側は、ベース３００を介してリードフレーム２５と電気的に接続されている。
【００３２】
ツェナーダイオード３３は、例えば、図３（ａ）に示すように、リードフレーム２５の搭載部２５０、及びリードフレーム２６のパッド２６０に跨って配置されると共に、電気的に接続されている。またツェナーダイオード３４は、例えば、リードフレーム２５の搭載部２５０、及びリードフレーム２７のパッド２７０に跨って配置されると共に、電気的に接続されている。
【００３３】
制御ＩＣ３５は、図３（ａ）に示すように、リードフレーム２５の搭載部２５０に配置されている。この制御ＩＣ３５は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、半導体メモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成されるマイクロコンピュータである。このＲＯＭには、例えば、制御ＩＣ３５が動作するためのプログラムが格納されている。ＲＡＭは、例えば、一時的に演算結果などを格納する記憶領域として用いられる。
【００３４】
制御ＩＣ３５は、例えば、ワイヤ３７を介してリードフレーム２６のパッド２６０に電気的に接続され、またリードフレーム２７のパッド２７０に電気的に接続され、リードフレーム２５の搭載部２５０に電気的に接続される。
【００３５】
制御ＩＣ３５は、第１の磁気センサ３１の中点電位Ｖ１と第２の磁気センサ３２の中点電位Ｖ２の差分を算出し、この差分に基づいて検出対象５の接近を検出する。制御ＩＣ３５は、例えば、検出対象５を検出したと判定した場合、Ｈｉとなる出力電圧Ｖｏｕｔを、リードフレーム２６を介して接続先の回路に出力する。また制御ＩＣ３５は、例えば、検出対象５を検出するまでは、Ｌｏとなる出力電圧Ｖｏｕｔを、リードフレーム２６を介して接続先の回路に出力する。
【００３６】
（磁石４の構成）
磁石４は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又はフェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン（ＡＢＳ）などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。本実施の形態の磁石４は、一例として、プラスチックマグネットである。
【００３７】
磁石４は、図１（ａ）、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、挿入孔４５を備えた細長い角柱形状を有している。この磁石４は、前面４１側がＮ極、後面４２側がＳ極となるように着磁されている。そして磁石４は、図２（ａ）に示すように、Ｎ極からＳ極に向かう磁場４０を生成する。なお着磁の方向は、これに限定されず、逆方向に着磁されても良い。
【００３８】
挿入孔４５は、図２（ｂ）に示すように、開口部の形が長方形状である。この挿入孔４５の対向する短手方向の側面４５０及び側面４５１には、上述のように、第１の被挿入部４３０及び第２の被挿入部４４０が形成されている。この挿入孔４５は、第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１が後面４２に接触可能であれば、貫通孔でなくても良い。本実施の形態の挿入孔４５は、貫通孔である。
【００３９】
第１の被挿入部４３０は、磁石４の後面４２から前面４１に向かって第１の側面４３を細く切り欠いたようなスリットとなっている。同様に、第２の被挿入部４４０は、磁石４の後面４２から前面４１に向かって第２の側面４４を細く切り欠いたようなスリットとなっている。
【００４０】
なお変形例として第１の被挿入部４３０は、図２（ｃ）に示すように、第１の側面４３側には突き抜けず、挿入孔４５の側面４５０に溝として形成されても良い。同様に、第２の被挿入部４４０は、挿入孔４５の側面４５１に溝として形成されても良い。
【００４１】
（磁気センサＩＣ２と磁石４の組み付けについて）
磁気センサＩＣ２は、封止体２０が磁石４の挿入孔４５の後面４２側から挿入される。この際、第１の突出部２５１が磁石４の第１の被挿入部４３０に挿入されると共に、第２の突出部２７１が磁石４の第２の被挿入部４４０に挿入される。
【００４２】
そして第１の突出部２５１の接触面２５１ａが第１の被挿入部４３０の端面４３０ａと接触すると共に、第２の突出部２７１の接触面２７１ａが第２の被挿入部４４０の端面４４０ａと接触する。この接触によって磁気センサＩＣ２と磁石４との相対的な位置が決まる。
【００４３】
図１（ｂ）に示すように、磁気センサ３０のセンサ中心線３０１から第１の突出部２５１の接触面２５１ａまでの距離Ｄ１は、主にリードフレーム２５の加工の精度、及び磁気センサ３０の配置の精度に依存している。なおセンサ中心線３０１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、２つのハーフブリッジ回路の中心を通る直線である。
【００４４】
またセンサ中心線３０１から磁石４の前面４１までの距離Ｄ２は、図３（ａ）に示すように、接触面２５１ａと端面４３０ａの接触、及び接触面２７１ａと端面４４０ａの接触によって定まる距離である。従って距離Ｄ２は、主に第１の被挿入部４３０及び第２の被挿入部４４０の成形の精度に依存している。
【００４５】
つまり挿入方向に対する磁気センサ３０と磁石４の位置決めの精度は、主に距離Ｄ１と距離Ｄ２に依存しており、封止体２０の成形によって生じる誤差に依存しない。
【００４６】
封止体に設けられた部位によって磁石との位置決めが行われる場合、磁気センサが封止体に覆われているので、磁気センサと磁石の位置を目視しながら組み付けることができない。従って封止体と磁石の相対的な位置によって磁気センサと磁石の位置決めがなされるので、位置決めの精度は、リードフレームに対する磁気センサの配置の精度、封止体とリードフレームの位置の精度、封止体の成形の精度、及び磁石の成形の精度に依存する。
【００４７】
本実施の形態の磁気センサ装置１は、上述のように、封止体２０に依存せずに磁気センサＩＣ２と磁石４の位置決めができるので、高い精度で位置決めを行うことができる。
【００４８】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る磁気センサ装置１は、位置決め精度を向上させることができる。具体的には、この磁気センサ装置１は、リードフレーム２５及びリードフレーム２７の第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１によってリードフレーム２５及びリードフレーム２７と磁石４との相対的な位置が決まると共に、リードフレーム２５に配置された磁気センサ３０と磁石４との相対的な位置が決まるので、封止体と磁石の位置決めによって磁気センサと磁石の位置決めを行う場合と比べて、リードフレーム２５〜リードフレーム２７と封止体２０の位置決めの公差を考慮する必要がなく、位置決め精度を向上させることができる。そして磁気センサ装置１は、位置決め精度が高いので、検出対象５の検出精度が高くなる。
【００４９】
磁気センサ装置１は、磁気センサＩＣ２を磁石４に接触するまで挿入することで組み付けが終了するので、交差経路を短縮することができて精度の高い位置決めを行うことができる。
【００５０】
磁気センサ装置１は、挿入方向の位置決め精度が高いので、位置がずれることによって必要となる磁気センサ３０の調整を行う工程を削減することができ、製造コストを抑制することができる。
【００５１】
磁気センサ装置１は、第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１をタイバーを流用して形成するので、この構成を採用しない場合と比べて、タイバーと別に第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１を形成する必要がなく、製造コストが抑制される。
【００５２】
磁気センサ装置１は、相手側コネクタの形状に応じてリードフレーム２５〜リードフレーム２７が曲げられ、挿入孔４５の幅より広い場合であっても封止体２０側から挿入孔４５に挿入して組み付けることができる。
【００５３】
[第２の実施の形態]
第２の実施の形態は、第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１に金型のピンが挿入されるピン挿入孔が形成されている点で上述の実施の形態と異なっている。
【００５４】
図４（ａ）は、第２の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図４（ｂ）は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図４（ｃ）は、磁気センサの一例を示す正面図である。なお以下に記載する実施の形態において、第１の実施の形態と同じ機能及び構成を有する部分は、第１の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００５５】
本実施の形態の磁気センサ装置１の第１の突出部２５１及び第２の突出部２７１は、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、二次成形時に使用される金型のピン９０及びピン９１が挿入されるピン挿入孔２５１ｂ及びピン挿入孔２７１ｂを備えている。
【００５６】
このピン挿入孔２５１ｂは、例えば、図４（ｂ）に示すように、接触面２５１ａ側が挿入されることから第１の突出部２５１の端子群２８側に形成されている。またピン挿入孔２７１ｂは、例えば、図４（ｂ）に示すように、接触面２７１ａ側が挿入されることから第２の突出部２７１の端子群２８側に形成されている。
【００５７】
磁気センサ装置１は、磁気センサ装置１を覆う本体などを形成するための二次成形が行われる際、金型にセットされる。磁気センサＩＣ２と磁石４との位置合わせのように、封止体２０で磁気センサ３０が覆われると共に、封止体２０が磁石４の挿入孔４５に挿入されているので、金型と磁気センサ３０の位置合わせが困難となる。この位置合わせがずれた場合、形成された本体と磁気センサ３０との相対的な位置がずれるので、検出精度が低下すると共に、端子群２８が露出するコネクタ部分の精度が低下して相手側コネクタが挿入できない可能性もある。
【００５８】
しかし本実施の形態の磁気センサ装置１は、ピン挿入孔２５１ｂ及びピン挿入孔２７１ｂに金型のピン９０及びピン９１が挿入されるので、金型とリードフレーム２５及びリードフレーム２７の位置精度が高い。そして磁気センサ３０は、高い精度でリードフレーム２５に配置されているので、金型との位置精度が高くなる。従って磁気センサ装置１は、二次成形を行っても位置合わせの精度が高く、検出精度が向上すると共に、端子群２８が露出するコネクタ部分の精度が向上して相手側コネクタが挿入できない不具合を抑制することができる。
【００５９】
なお変形例として磁気センサ装置１は、磁石４に第１の被挿入部４３０及び第２の被挿入部４４０が形成されず、第１の突出部２５１の接触面２５１ａ、及び第２の突出部２７１の接触面２７１ａが磁石４の後面４２に接触して位置決めされる構成であっても良い。
【００６０】
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１…磁気センサ装置、３…電子回路部、４…磁石、５…検出対象、２０…封止体、２１…後面、２３…第１の側面、２４…第２の側面、２５…リードフレーム、２５ａ…側面、２５ｂ…側面、２６…リードフレーム、２７…リードフレーム、２７ａ…側面、２８…端子群、３０…磁気センサ、３１…第１の磁気センサ、３２…第２の磁気センサ、３３，３４…ツェナーダイオード、３６，３７…ワイヤ、４０…磁場、４１…前面、４２…後面、４３…第１の側面、４４…第２の側面、４５…挿入孔、９０，９１…ピン、２５０…搭載部、２５１…第１の突出部、２５１ａ…接触面、２５１ｂ…ピン挿入孔、２６０，２７０…パッド、２７１…第２の突出部、２７１ａ…接触面、２７１ｂ…ピン挿入孔、３００…ベース、３０１…センサ中心線、３０５…対称軸、３１０…第１の磁気抵抗素子、３１１…第２の磁気抵抗素子、３２０…第１の磁気抵抗素子、３２１…第２の磁気抵抗素子、４３０…第１の被挿入部、４３０ａ…端面、４４０…第２の被挿入部、４４０ａ…端面、４５０…側面、４５１…側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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