(57)【要約】【課題】レジストの現像液・除去のための有機溶剤や設備を必要とせず、より効率よくメッキを施すことが可能な装飾品のパターン形成方法、装飾品の製造方法、腕時計用ベルトの製造方法、配線実装構造の製造方法、半導体装置の製造方法、および、プリント配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂層（１５）をマスクとして用いて基材（１５）に選択的にメッキ層（１８）を形成する装飾品の製造方法であって、樹脂層を基材に形成する樹脂層形成工程（Ｓ２）と、樹脂層を選択的に除去するパターニング工程（Ｓ４）と、を有し、パターニング工程において、加熱により樹脂層の一部を昇華させて除去することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層をマスクとして用いて基材に選択的にメッキ層を形成するパターン形成方法であって、
前記樹脂層を前記基材に形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層を選択的に除去するパターニング工程と、を有し、
前記パターニング工程において、加熱により前記樹脂層の一部を昇華させて除去することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記パターニングにおいて、赤外線を照射することにより前記樹脂層を部分的に加熱することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記赤外線がレーザー光であることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記樹脂層が、蛍光発光性を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記樹脂層が、分子量１５０以上、３００以下のアセン類であることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記樹脂層形成工程の前に、前記基材と前記樹脂層との密着性を向上させるπ結合を有する密着層を前記基材に形成する密着層形成工程を有することを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記パターニング工程の後に、前記基材において前記樹脂が除去された部分にメッキ層を形成するメッキ工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記樹脂層形成工程の前に、前記基材にメッキ層を形成するメッキ工程を有し、
前記パターニング工程の後に、前記樹脂層の一部が除去された部分の前記メッキ層にエッチング処理を施すエッチング工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載のパターン形成方法が適用されたことを特徴とする装飾品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載のパターン形成方法が適用されたことを特徴とする腕時計用ベルトの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載のパターン形成方法が適用されたことを特徴とする配線実装構造の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載のパターン形成方法が適用されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載のパターン形成方法が適用されたことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の表面にメッキが選択的に施された装飾品のパターン形成方法、装飾品の製造方法、腕時計用ベルトの製造方法、配線実装構造の製造方法、半導体装置の製造方法、および、プリント配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、腕時計の外装やベルト（バンド）等の装飾品には、金属等の基材の表面にメッキが施されることで美的外観の向上が図られたものがある。また、プリント配線基板や半導体装置等の電子部品においては、電極や配線を形成するためにメッキが施されている。通常、対象物である基材において部分的にメッキを形成したり、異なる位置に異なる色のメッキを施したりする場合、パターニングされた有機系レジストが用いられて選択的にメッキが施される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０５−０４０１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来、メッキに使用されるレジストは透明なため、パターンの形状やピンホール等の検査が困難であるという問題があった。また、レジストの塗布や除去等のために有機溶剤や設備が必要であり、この点で制約を伴う場合があり、効率的な製造が困難である問題もあった。また、レジストを熱により分解除去することでパターニングする方法も考えられるが、フォトレジストや手塗のレジストには一般的には比較的高分子（例えば、３２０以上）の感光性樹脂等が使われており、熱による分解除去する方法では、熱により溶融してレジストのパターン形状がダレたり（形状の崩れ）、カーボンデポジットが発生したりすることにより、パターニング精度が低下するという問題があった。また、上記の装飾品に限られず、配線実装構造、半導体装置、あるいはプリント配線基板の配線等を同様な方法で形成する場合においても同様な課題が存在する。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機溶剤や設備を必要とせず、より効率よくメッキを施すことが可能な装飾品のパターン形成方法、装飾品の製造方法、腕時計用ベルトの製造方法、配線実装構造の製造方法、半導体装置の製造方法、および、プリント配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパターン形成方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、樹脂層をマスクとして用いて基材に選択的にメッキ層を形成するパターン形成方法であって、
前記樹脂層を前記基材に形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層を選択的に除去するパターニング工程と、を有し、
前記パターニング工程において、加熱により前記樹脂層の一部を昇華させて除去することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、樹脂層のパターニングや除去を加熱による昇華により行うことができるので、樹脂層のパターニングや除去のための専用の溶剤（有機溶剤）や設備が不要となる。これにより、設備上の制約が低減され、装飾品の基材により効率よく選択的にメッキを施すことが可能となる。
【０００８】
また、上記方法では、前記パターニングにおいて、赤外線を照射することにより前記樹脂層を部分的に加熱することが望ましい。
【０００９】
これによれば、赤外線の照射により樹脂層を部分的に加熱することで当該部分の樹脂層を昇華・除去することができるので、より簡易な設備でパターニングを行うことが可能となる。
【００１０】
また、上記方法において、前記赤外線がレーザー光であることが望ましい。
【００１１】
これによれば、熱によるダレ（パターニング形状の崩れ）やカーボンデポジットの発生が抑制されるので、より高い精度で樹脂層のパターニングが可能となる。
【００１２】
また、上記方法において、前記樹脂層が、蛍光発光性を有することが望ましい。
【００１３】
この方法によれば、樹脂層の蛍光発光により、当該樹脂層における形状の崩れやピンホール等の不良の発見が容易となり、ひいては、歩留まりが向上する。
【００１４】
また、上記方法において、前記樹脂層が、分子量１５０以上、３００以下のアセン類であることが望ましい。
【００１５】
これによれば、分子量１５０以上、３００以下のアセン類は、赤外線照射による昇華除去が可能であり、また、蛍光発光性を有するため、本発明により好適である。
【００１６】
また、前記樹脂層形成工程の前に、前記基材と前記樹脂層との密着性を向上させるπ結合を有する密着層を前記基材に形成する密着層形成工程を有するであることが望ましい。
【００１７】
これによれば、樹脂層と密着層との結合力が向上し、また、樹脂層の蛍光発光性を高めることができる。
【００１８】
また、前記パターニング工程の後に、前記基材において前記樹脂が除去された部分にメッキ層を形成するメッキ工程を有する方法を採用することができる。
【００１９】
これによれば、パターニング後の樹脂層をマスクとして、基材上により高い精度で選択的にメッキ層を形成することができる。
【００２０】
あるいは、前記樹脂層形成工程の前に、前記基材にメッキ層を形成するメッキ工程を有し、
前記パターニング工程の後に、前記樹脂層の一部が除去された部分の前記メッキ層にエッチング処理を施すエッチング工程を有する方法を採用することができる。
【００２１】
これによれば、パターニング後の樹脂層をマスクとして、基材上のメッキ層をより高い精度でエッチングすることができる。
【００２２】
本発明の装飾品の製造方法は、上記何れかのパターン形成方法が適用されたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の腕時計用ベルトの製造方法は、上記何れかのパターン形成方法が適用されたことを特徴とする。
【００２４】
さらに、本発明の配線実装構造の製造方法は、上記何れかのパターン形成方法が適用されたことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記何れかのパターン形成方法が適用されたことを特徴とする。
【００２６】
そして、本発明のプリント配線基板の製造方法は、上記何れかのパターン形成方法が適用されたことを特徴とする。
【００２７】
これらの製造方法によれば、樹脂層のパターニングや除去を加熱による昇華により行うことができるので、樹脂層のパターニングや除去のための専用の溶剤（有機溶剤）や設備が不要となる。これにより、設備上の制約が低減され、基材により効率よく選択的にメッキを施すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】腕時計の構成を説明する平面図である。
【図２】ベルト駒の製造方法について説明するフローチャートである。
【図３】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図４】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図５】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図６】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図７】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図８】ベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図９】アセン類についての沸点、分子量、昇華温度、レジスト層の材料としての適否を示した表である。
【図１０】アセン類について、分子量と、沸点および昇華温度との関係を示したグラフである。
【図１１】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明するフローチャートである。
【図１２】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図１３】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図１４】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図１５】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図１６】第２の実施形態におけるベルト駒の製造方法について説明する工程図である。
【図１７】第３の実施形態における記録ヘッド（配線実装構造、半導体装置、プリント配線基板）の構成を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、本実施形態では、本発明に係る装飾品の一例として、また、本発明に係る腕時計用ベルトとして、腕時計１のベルト３を例示し、ベルト３におけるメッキのパターン形成例を説明する。
【００３０】
図１は、腕時計１の構成を示す平面図である。本実施形態における腕時計１は、時計本体の外装部品であるケース２と、本発明における装飾品の一種であるベルト（バンド）３と、を備えている。ケース２は、「側（がわ）」ともよばれており、針４および文字盤５や図示しないムーブメント等を内部に収容するとともに、側面には時刻調整等に係るリューズ６や操作ボタン７等を備えている。ベルト３は、ケース２の６時側と１２時側にそれぞれ一体的に設けられたラグ（接続部）８ａ，８ｂにそれぞれ連結された第１ベルト３ａと第２ベルト３ｂとからなる。各ベルト３ａ，３ｂは、それぞれ複数のベルト駒９が連結されて構成されている。以下においては、ベルト３ａ，３ｂを区別することなく、単にベルト３と称する。ベルト３を構成する各ベルト駒９は、図示しないピンによって連結されている。これらのベルト駒９のうちの最もケース２側のベルト駒９ｅは、ラグ８ａ，８ｂにそれぞれ連結されるエンド駒となっている。また、各ベルト３ａ，３ｂのベルト駒９ｅとは反対側の端同士は、図示しないバックル（留金）によって締結可能に構成されている。以下においては、ベルト駒９，９ｅを区別することなく、単にベルト駒９と称する。
【００３１】
本実施形態におけるベルト駒９は、例えば、チタンやステンレス鋼等の金属から作製されている。各ベルト駒９は、金属の素地の色からなる第１の部分１１と、この第１の部分１１の色とは異なる色、例えば金メッキが施された第２の部分１２（図中、ハッチングで示す部分）とを有している。このようにベルト駒９に部分的にメッキが施される（メッキのパターンが形成される）ことにより、ベルト３に外観上の特徴および美観が付与されている。
【００３２】
図２は、ベルト駒９の製造工程（主にベルト駒９の基材１４にメッキパターンを形成する工程）について説明するフローチャートである。また、図３から図８は、ベルト駒９の製造工程に係る工程図である。まず、図３に示されるようにベルト駒９の基材１４におけるメッキを施す面（第１面）にプライマー層１６（本発明における密着層に相当）が成膜される（プライマー工程Ｓ１／本発明における密着層形成工程に相当）。プライマーとしては、レジスト層１５と基材１４との密着性を高めることに加えて、レジスト層１５との結合により当該レジスト層１５の蛍光発光を強めることが可能なシランカップリング剤が用いられる。このプライマーの詳細については後述する。基材１４にプライマー層１６が形成されたならば、続いて、図４に示されるように、基材１４のプライマー層１６が形成された第１面にレジスト層１５（本発明における樹脂層に相当）が、蒸着により成膜される（レジスト成膜工程Ｓ２／本発明における樹脂層形成工程に相当）。このレジスト層１５の材料としては、後述するパターニング工程において真空中または大気圧（１気圧中）における加熱によって昇華するものであって、蛍光発光性を有する合成樹脂が用いられる。
【００３３】
図９は、レジスト層１５の材料の候補であるアセン類についての１気圧中における沸点〔℃〕、分子量、真空中における昇華温度〔℃〕、レジスト層１５の材料としての適否を示した表である。同図においてレジスト層１５の材料として適合する場合を○、レジスト層１５の材料として不適合である場合を×として示している。また、図１０は、上記アセン類について、分子量と、沸点〔℃〕および昇華温度〔℃〕との関係を示したグラフである。本発明に係る製造方法においては、レジスト層１５を部分的に加熱することにより当該部分のレジスト層を分解除去することでパターニング（フォトリソグラフィー法を使用することなくパターニング）する点、および、光（紫外線）の照射によりレジスト層１５を蛍光発光させることで成膜の検査を行う点に特徴を有している。このうち、レジスト層１５の材料として前者の要件を満たすには、比較的低分子で加熱により昇華することが条件となる。比較的低分子（分子量３００以下）のレジスト材料としては、アントラセン、ナフタセン（テトラセン）、ピレン、ペンタセン、アダマンタン、ビアダマンタン、ジアマンタン等の化合物が挙げられる。このうち、レジスト層１５の材料として後者の要件である蛍光発光性を有するものは、アントラセン、ナフタセン、ピレン、ペンタセンのアセン類である。
【００３４】
図９に示されるように、ナフタレンはアセン類であるが、常温で昇華してしまうため、レジスト層１５の材料として不適合である（×）。また、ペンタセンは、１気圧中で分解してしまうため、同様にレジスト層１５の材料として不適合である（×）。図９におけるアセン類の中で、アントラセンおよびナフタセンについては、例えば、赤外線照射による加熱によって昇華させることができ、また、蛍光発光性を有するという点で、レジスト層１５の材料として適合する（○）。これらのアセン類の分子量と、沸点および昇華温度との関係に関し、図１０に示されるように、分子量と沸点および昇華温度とは概ね比例関係にある。赤外線吸収による発熱より昇華させることを鑑みると、レジスト層１５の材料として適するアセン類の分子量は、１５０以上、３００以下である。なお、温度が３００℃以上では、本実施形態における基材１４の材料であるチタンやステンレス鋼が共に変色してしまうため、３００〔℃〕未満で昇華することが望ましい。この点を踏まえると、レジスト層１５の材料として適するアセン類の分子量は、１５０以上、２２５以下であることがより望ましい。
【００３５】
次に、上記アセン類をレジスト層１５の材料とした場合、プライマー層１６としては、π結合を含むものが望ましい。レジスト層１５の材料との間でπ電子をより多く共有することにより、レジスト層１５の材料とプライマー層１６との結合力が向上し、また、光の照射により電子がより遷移されやすくなるため、蛍光発光性を高めることが可能となる。この点に鑑みると、上記アセン類をレジスト層１５の材料とした場合に適したプライマー層１６の材料としては、フェニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランが挙げられる。なお、蛍光発光による検査を行わず、アダマンタン、ビアダマンタン、またはジアマンタンをレジスト層１５の材料として使用する場合には、プライマー層１６の材料としては、アルキルトリメトキシシラン、シクロへキシルトリメトキシシランが挙げられる。
【００３６】
レジスト成膜工程においてレジスト層１５が成膜されたならば、続いて、レジスト層１５に紫外線が照射されて当該レジスト層１５が蛍光発光させられることにより当該レジスト層１５の検査が行われる（蛍光検査工程Ｓ３）。具体的には、紫外線照射手段としてのブラックライトの光がレジスト層１５の表面に照射されて当該レジスト層１５が蛍光発光させられ、当該発光した部分の形状や輝度に基づいて、レジスト層１５の形状やピンホールの有無等の検査が行われる。このように、紫外線が照射されることにより励起されるレジスト層１５の蛍光発光により、従来の透明なレジストでは困難であったレジストにおける形状の崩れやピンホール等の不良の発見が容易となり、ひいては、歩留まりが向上する。本実施形態においては、プライマー層１６がπ結合を含むことにより蛍光検査工程においてレジスト層１５がより発光しやすいので、不良の検出精度がより向上する。なお、紫外線照射手段としては、レジスト層１５を発光させ得る特定波長の光を照射するＬＥＤを採用することもできる。要は、レジスト層１５を発光させ得るものであればよい。
【００３７】
蛍光検査工程Ｓ３において、レジスト層１５が正常に形成されている（不良が発見されなかった）と判定された場合、続いて、図５および図６に示されるように、レジスト層１５のパターニングが行われる（パターニング工程Ｓ４）。このパターニング工程では、レジスト層１５が部分的に加熱され、当該加熱された部分のレジスト層１５を選択的に昇華させて除去することで所定の形状にパターニングされる。より具体的には、レジスト層１５の吸収波長の赤外線を当該レジスト層１５における上記第２の部分１２に対応する部分に向けて照射することにより、当該部分のレジスト層１５が加熱されて、昇華・除去される。赤外線を照射する手段としては、図５に示されるように、レーザー光Ｌが用いられる。このようにレーザー光Ｌの照射によりレジスト層１５を局所的に加熱して当該部分のレジスト層１５を昇華させて除去することにより、熱によるダレ（パターニング形状の崩れ）やアブレーション（意図しない部分でのレジスト層１５の破壊）やカーボンデポジットの発生が抑制されるので、より高い精度でレジスト層１５のパターニングが可能となる。また、赤外線の照射によりレジスト層１５を部分的に加熱することで当該部分の樹脂層を昇華・除去することができるので、より簡易な設備でパターニングを行うことが可能となる。なお、以下では、パターニング工程においてレジスト層１５が除去された部分（上記の第２の部分１２に対応する部分）を除去部１７と称する。
【００３８】
レジスト層１５がパターニングされたならば、レジスト層１５を再度蛍光発光させることによりパターニング後のレジスト層１５の検査が行われる（蛍光検査工程Ｓ５）。すなわち、上記蛍光検査工程Ｓ３と同様に、紫外線照射手段としてのブラックライトの光がレジスト層１５の表面に照射されて当該レジスト層１５が蛍光発光させられ、当該発光した部分の形状や輝度に基づいて、パターニング後のレジスト層１５の形状やピンホールの有無等の検査が行われる。蛍光検査工程Ｓ５において、パターニング後のレジスト層１５が正常であると判定された場合、続いて、当該レジスト層１５をマスクとして、例えば電解メッキ法により基材１４にメッキ層１８が形成される（メッキ工程Ｓ６／本発明におけるメッキ工程に相当）。本実施形態においては、図７に示されるように、基材１４における除去部１７に金（Ａｕ）からなるメッキ層１８が形成される。メッキ層１８が形成されたならば、続いて、図８に示されるように、パターニング後のレジスト層１５が加熱されることで、当該レジスト層１５が昇華・除去される（レジスト除去工程Ｓ７）。この際、例えば、基材１４全体が２００℃で加熱されてレジスト層１５が除去される。
【００３９】
以上のようにして第２の部分１２に選択的にメッキ（メッキ層１８）が施されたベルト駒９が製造される。本発明によれば、レジスト層１５のパターニングや除去を加熱による昇華により行うことができるので、レジストのパターニングのための現像液やレジスト除去のための専用の溶剤が不要となることで設備上の制約が低減され、本実施形態におけるベルト３のような装飾品等により効率よくメッキを施すことが可能となる。また、蛍光発光を利用してレジストにおける形状の崩れやピンホール等の不良の発見が可能となり、より効率的により高い精度で選択的なメッキが可能となる。その結果、歩留まりが向上する。
【００４０】
図１１は、本発明の第２の実施形態におけるベルト駒２５の製造工程について説明するフローチャートである。また、図１２から図１６は、第２の実施形態におけるベルト駒２５の製造工程についての工程図である。上記第１の実施形態においては、レジスト層１５をマスクとして基材１４に対してメッキを選択的に施す製造方法を例示したが、これには限られない。本実施形態においては、まず、図１２に示されるように、基材１９の表面全体にメッキ層２０が成膜される（メッキ工程Ｓ１１／本発明におけるメッキ工程に相当）。メッキ層２０の成膜方法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、あるいはイオンプレーティング法等を採用することができる。続いて、図１３に示されるように、メッキ層２０の上にレジスト層２１（本発明における樹脂層に相当）が成膜される（レジスト成膜工程Ｓ１２／本発明における樹脂層形成工程に相当）。なお、本実施形態においては省略したが、メッキ工程Ｓ１１とレジスト成膜工程Ｓ１２との間に上記第１の実施形態と同様に、プライマー工程を行うようにしてもよい。レジスト層２１が成膜されたならば、次に、成膜後のレジスト層２１に対して紫外線が照射されて蛍光発光させられることによりレジスト層２１の形状等の検査が行われる（蛍光検査工程Ｓ１３）。蛍光検査工程Ｓ１３で問題が無ければ、図１４に示されるように、レーザー光の照射により部分的に昇華・除去されてレジスト層２１がパターニングされる（パターニング工程Ｓ１４）。本実施形態においては、基材１９の素地の色からなる第１の部分２３に対応する部分にレーザー光Ｌが照射されることで、当該部分のレジスト層２１が昇華・除去される。続いて、パターニング後のレジスト層２１に紫外線が照射されることにより励起される蛍光発光により当該パターニング後のレジスト層２１の形状等の検査が行われる（蛍光検査工程Ｓ１５）。蛍光検査工程Ｓ１５で問題が無ければ、図１５に示されるように、パターニング後のレジスト層２１をマスクとして、第１の部分２３に対応する部分におけるメッキ層２０がエッチングにより除去される（エッチング工程Ｓ１６／本発明におけるエッチング工程に相当）。そして、図１６に示されるように、パターニング後のレジスト層１５が加熱されることで、当該レジスト層１５が昇華・除去される（レジスト除去工程Ｓ１７）。
【００４１】
以上のようにして第２の部分２４に選択的にメッキ（メッキ層２０）が施されたベルト駒２５が製造される。本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、レジスト層２１のパターニングや除去を加熱による昇華により行うことができるので、パターニングのための現像液やレジスト除去のための専用の溶剤が不要となることで設備上の制約が低減され、より効率よくメッキを施すことが可能となる。また、蛍光発光を利用してレジストにおける形状の崩れやピンホール等の不良の発見が可能となり、より効率的により高い精度で選択的なメッキが可能となる。その結果、歩留まりが向上する。そして、第１の実施形態における製造方法と第２の実施形態における製造方法を組み合わせることにより、例えば、基材に対して異なる位置に異なる色のメッキを施すことも可能となる。
【００４２】
なお、以上では、本発明に係るパターン形成方法、装飾品の製造方法あるいは腕時計用ベルトの製造方法の一例として腕時計１におけるベルト３のベルト駒９に選択的にメッキを施す場合を例示したが、これには限られず、本発明は、種々の装飾品にも適用可能である。また、ステンレス鋼等の金属の表面におけるメッキに限られず、例えば、樹脂製品へのメッキにも適用することが可能である。さらに、装飾品に限られず、以下で例示するインクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッドの一種）等のような、シリコン基板上に圧電素子等の駆動素子や駆動ＩＣや電極・配線等が実装された配線実装構造あるいは半導体装置の製造方法や、その他、電子デバイスや配線等が実装されたプリント配線基板の製造方法、特にメッキにより配線を形成する用途にも応用することが可能である。
【００４３】
図１７は、本発明の第３の実施形態として、配線実装構造あるいは半導体装置の一形態であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）２８について説明する断面図である。本実施形態における記録ヘッド２８は、複数の基板等が積層されてヘッドケース２９に取り付けられて構成されている。各基板は、ノズルプレート３０、流路形成基板３１、および振動板３２が、この順で積層されて互いに接着剤等により接合されてユニット化されている。さらに、振動板３２の上面（流路形成基板３１側とは反対側の面）には、圧電素子３３（駆動素子の一種）、封止板３４、および駆動ＩＣ３５が積層されている。これらの積層体は、ホルダー３６に固定されて、ヘッドケース２９の収容空部３７に収容・固定されている。また、ヘッドケース２９の収容空部３７とは反対側の上面には、回路基板３８（プリント配線基板の一形態）が配置されている。流路形成基板３１は、ノズルプレート３０に連通する圧力室３９等の液体流路が形成された基板であり、例えば、シリコン基板から作製されている。圧力室３９には、図示しないインクカートリッジ等のインク貯留部材からのインクが供給される。圧力室３９のノズルプレート３０とは反対側の開口面は、可撓性を有する振動板３２により封止されており、さらに当該部分には、下電極層、圧電体層及び上電極層が順次積層されてなる圧電素子３３が形成されている。この圧電素子３３は、下電極層と上電極層との間に両電極の電位差に応じた電界が付与されると、ノズル４０から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形する。これにより、圧力室３９内のインクに圧力変動が生じ、当該圧力変動が制御されることにより、ノズル４０からインクが噴射されるように構成されている。
【００４４】
ヘッドケース２９の上面に配置された回路基板３８は、プリンター本体側からの駆動信号や噴射データ等を圧電素子３３へ供給するための配線パターン等が形成されたプリント配線基板である。この回路基板３８の上面には、複数の回路基板端子４３が並設されており、また、プリンター本体側からのＦＦＣ５が接続される図示しないコネクターやその他の電子部品や配線等が実装されている。ヘッドケース２９には、収容空部３７に連通する配線挿通口４１が形成されている。この配線挿通口４１には、一端側端子４５が回路基板３８の回路基板端子４３に電気的に接続されたフレキシブル基板４４が挿通されている。このフレキシブル基板４４の他端側端子４６は、封止板３４の上面（実装面）に形成された基板電極端子４７に電気的に接続されている。
【００４５】
本実施形態における封止板３４は、圧電素子３３を保護する保護基板として機能するとともに所謂インターポーザーとしても機能する板材である。この封止板３４は、振動板３２との間に圧電素子３３を収容する空間４８を形成する状態で配置されている。この封止板３４の上面側には、圧電素子３３の駆動に係る駆動信号を出力する駆動ＩＣ３５が配置されている。この封止板３４には、厚さ方向を貫通する図示しない貫通電極を有しており、この貫通電極を介して駆動ＩＣ３５の出力端子５０と各圧電素子３３の図示しない素子電極端子とが導通されている。駆動ＩＣ３５は、フレキシブル基板４４を通じて制御回路からの駆動信号や噴射データ（ラスターデータ）等が入力され、当該噴射データに基づいて駆動信号の中から各圧電素子３３にそれぞれ出力する駆動パルスの選択制御を行う。この駆動ＩＣ３５の下面（封止板３４側の面）には、フレキシブル基板４４からの駆動信号等が入力される入力端子４９と、各圧電素子３３に対応して設けられた出力端子５０と、が設けられている。
【００４６】
また、封止板３４の上面（実装面）には、上記駆動ＩＣ３５の入力端子４９に接続されると共にフレキシブル基板４４の一端側端子４５に接続される基板電極端子４７が形成されている。それぞれの基板電極端子４７は、封止板３４の上面における駆動ＩＣ３５の入力端子４９に対向する位置からフレキシブル基板４４の一端側端子４５が接続される領域に至るまで封止板３４の長手方向に延在している。本実施形態においては、回路基板３８からフレキシブル基板４４を通じて駆動ＩＣ３５に入力された駆動信号や噴射データに応じて当該駆動ＩＣ３５から圧電素子３３に選択的に駆動信号が印加される。これにより、圧電素子３３が駆動されて圧力室３９に圧力変動が生じ、この圧力変動が制御されることにより、ノズル４０からインク滴が噴射される。このような構成において、回路基板３８に実装されている配線や回路基板端子４３、封止板３４における基板電極端子４７や貫通電極、あるいは、当該基板電極端子４７から駆動ＩＣ３５、封止板３４、および圧電素子３３に至る配線等を形成する場合に、本発明を適用することが可能である。すなわち、上記の第１の実施形態および第２の実施形態におけるメッキ層が配線や電極としてパターニングされる構成に適用することができる。この場合においても、これらの配線等を形成する際のレジスト層のパターニングや除去を加熱による昇華により行うことができるので、パターニングのための現像液やレジスト除去のための専用の溶剤が不要となることで設備上の制約が低減され、より効率よく配線等を形成することが可能となる。また、蛍光発光を利用してレジストにおける形状の崩れやピンホール等の不良の発見が可能となり、より効率的により高い精度で配線等を形成することが可能となる。
【００４７】
そして、上記実施形態では、配線実装構造あるいは半導体装置の一形態としてインクジェットプリンターに搭載されるインクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）を例示したが、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１...腕時計，２...ケース，３...ベルト，４...針，５...文字盤，６...リューズ，７...操作ボタン，８...ラグ，９...ベルト駒，１１...第１の部分，１２...第２の部分，１４...基材，１５...レジスト層，１６...プライマー層，１７...除去部，１８...メッキ層，１９...基材，２０...メッキ層，２１...レジスト層，２３...第１の部分，２４...第２の部分，２５...ベルト駒，２８...記録ヘッド，２９...ヘッドケース，３０...ノズルプレート，３１...流路形成基板，３２...振動板，３３...圧電素子，３４...封止板，３５...駆動ＩＣ，３６...ホルダー，３７...収容空部，３８...回路基板，３９...圧力室，４０...ノズル，４１...配線挿通口，４３...回路基板端子，４４...フレキシブル基板，４５...一端側端子，４６...他端側端子，４７...基板電極端子，４８...空間，４９...入力端子，５０...出力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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