(57)【要約】【課題】スキャンの時間及び消費電力を低減することを目的とする。【解決手段】タッチセンシングは、１回ごとに、グループセンシング及び個別センシングを含む。グループセンシングでは、２つ以上の第１タッチ電極５０を一方側電極として一括して第１選択回路６２で選択し、物理量を測定器６８で測定し、物理量に対応してタッチの有無を判別回路７０で判別する。個別センシングでは、グループセンシングでタッチを検出したときに使用された２つ以上の第１タッチ電極５０のそれぞれを、一方側電極として個別に第１選択回路６２で選択し、物理量を測定器６８で測定し、物理量に対応してタッチの有無を判別回路７０で判別する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に画像を表示するための表示機能層と、
前記表示機能層に重なって、静電容量方式でタッチセンシングを行うために、キャパシタの一方側電極として使用される複数のタッチ電極を含むタッチセンシング層と、
前記複数のタッチ電極の１つ又はいくつかを選択する選択回路と、
前記キャパシタに電荷を蓄えるための電圧を出力する電圧発生器と、
前記キャパシタの静電容量に対応する物理量を測定する測定器と、
前記物理量に対応してタッチの有無を判別する判別回路と、
を有し、
前記タッチセンシングは、１回ごとに、グループセンシング及び個別センシングを含み、
前記グループセンシングでは、２つ以上の前記タッチ電極を前記一方側電極として一括して前記選択回路で選択し、前記物理量を前記測定器で測定し、前記物理量に対応して前記タッチの有無を前記判別回路で判別し、
前記個別センシングでは、前記グループセンシングで前記タッチを検出したときに使用された前記２つ以上の前記タッチ電極のそれぞれを、前記一方側電極として個別に前記選択回路で選択し、前記物理量を前記測定器で測定し、前記物理量に対応して前記タッチの有無を前記判別回路で判別することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数のタッチ電極は、複数のグループに分けられ、
前記複数のグループのそれぞれは、２つ以上の前記タッチ電極を含み、
前記複数のグループのそれぞれごとに、前記グループセンシングを行うことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置において、
メモリをさらに有し、
前記複数のグループの全てに対して前記グループセンシングを行い、
前記個別センシングで前記タッチが検出されることで特定された１つ以上の前記タッチ電極の情報を、前記タッチによる接触領域の面積情報として、前記メモリに記憶することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
比較器をさらに有し、
強度が異なる前記タッチによる第１接触領域及び第２接触領域の少なくとも一方の面積に対応する初期設定値を前記メモリに記録し、
前記比較器で、前記初期設定値と前記面積情報を比較し、前記面積情報が前記初期設定値よりも大きいときに、前記タッチが押圧であることを判別することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置において、
前記初期設定値を、前記タッチセンシングによって得ることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
第２選択回路をさらに有し、
前記タッチセンシング層は、前記キャパシタの他方側電極として使用される複数の第２タッチ電極を含み、
前記グループセンシングでは、前記複数の第２タッチ電極の全てを一括して前記第２選択回路で選択し、
前記個別センシングでは、前記複数の第２タッチ電極のそれぞれを個別に前記第２選択回路で選択することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートホンなどのモバイルディスプレイのタッチパネルには、静電容量方式が広く採用されている。タッチパネルは、従来ディスプレイとは別に形成することが多かったが、最近は、薄さ、低コスト、光学特性の優位性から内蔵化の傾向が見られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１１−５０１３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
センシングの方式として、位置の検出だけでなく、指で押したときの押圧を検出する感圧センサを搭載することが知られている（特許文献１）。感圧センサを追加すると、タッチパネル用のフレキシブル基板と感圧センサ用のフレキシブル基板を接続する必要があり、従来の製品に比べて部品が増える。
【０００５】
最近、電極を微細化し、タッチと押圧とで異なる指の接触面積をそれぞれ検出することが検討されている。その場合、微細化されることで電極の本数が増加するので、スキャンに長い時間が必要になり、消費電力も大きくなる。
【０００６】
本発明は、スキャンの時間及び消費電力を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、表示領域に画像を表示するための表示機能層と、前記表示機能層に重なって、静電容量方式でタッチセンシングを行うために、キャパシタの一方側電極として使用される複数のタッチ電極を含むタッチセンシング層と、前記複数のタッチ電極の１つ又はいくつかを選択する選択回路と、前記キャパシタに電荷を蓄えるための電圧を出力する電圧発生器と、前記キャパシタの静電容量に対応する物理量を測定する測定器と、前記物理量に対応してタッチの有無を判別する判別回路と、を有し、前記タッチセンシングは、１回ごとに、グループセンシング及び個別センシングを含み、前記グループセンシングでは、２つ以上の前記タッチ電極を前記一方側電極として一括して前記選択回路で選択し、前記物理量を前記測定器で測定し、前記物理量に対応して前記タッチの有無を前記判別回路で判別し、前記個別センシングでは、前記グループセンシングで前記タッチを検出したときに使用された前記２つ以上の前記タッチ電極のそれぞれを、前記一方側電極として個別に前記選択回路で選択し、前記物理量を前記測定器で測定し、前記物理量に対応して前記タッチの有無を前記判別回路で判別することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、グループセンシングでタッチを検出したときに個別センシングを行う。したがって、グループセンシングでタッチが検出されないときに、個別センシングは不要になるため、スキャンの回数を減らすことができ、その時間及び消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面の一部拡大図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。
【図４】一般的なタッチセンシングを説明するフローを示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを説明する図である。
【図６】押圧センシングを説明する図である。
【図７】本発明の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを説明する図である。
【図８】強度が異なるタッチによる第１接触領域及び第２接触領域を示す図である。
【図９】第１接触領域についてのグループセンシングを説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】第１接触領域についての個別センシングを説明するためのタイミングチャートである。
【図１１】本実施形態に係る第１タッチ電極及び第２タッチ電極の変形例１を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す第１タッチ電極及び第２タッチ電極のXII−XII線断面である。
【図１３】本実施形態に係る第１タッチ電極及び第２タッチ電極の変形例２を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す第１タッチ電極及び第２タッチ電極のXIV−XIV線断面である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。
【００１４】
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面の一部拡大図である。第１基板１０は、樹脂又はガラスからなり、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムなどを用いることもできる。第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１２が形成される。アンダーコート層１２は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。アンダーコート層１２の上には半導体層１４が形成されている。半導体層１４にソース電極１６及びドレイン電極１８が電気的に接続し、半導体層１４を覆ってゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲート絶縁膜２０の上にはゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２を覆って層間絶縁膜２４が形成されている。ソース電極１６及びドレイン電極１８は、ゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２４を貫通している。半導体層１４、ソース電極１６、ドレイン電極１８及びゲート電極２２によって薄膜トランジスタ２６が構成される。薄膜トランジスタ２６を覆うようにパッシベーション膜２８が設けられている。
【００１５】
パッシベーション膜２８の上には、平坦化層３０が設けられている。平坦化層３０としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。平坦化層３０の上には、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３２（例えば陽極）が設けられている。平坦化層３０は、少なくとも画素電極３２が設けられる面が平坦になるように形成される。画素電極３２は、平坦化層３０及びパッシベーション膜２８を貫通するコンタクトホール３４によって、半導体層１４上のソース電極１６及びドレイン電極１８の一方に電気的に接続している。平坦化層３０及び画素電極３２上に、絶縁バンク３６が形成されている。絶縁バンク３６は、画素電極３２の周縁部に載り、画素電極３２の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。
【００１６】
画素電極３２の上に発光層３８が設けられている。発光層３８は、画素電極３２ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁バンク３６にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して、青、赤又は緑で発光層３８が発光する。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等でもよい。発光層３８は、例えば、蒸着により形成される。また、発光層３８は、表示領域を覆う全面に又は複数の画素に亘って形成されてもよい。つまり、図２において、発光層３８が絶縁バンク３６上で連続する構成にしてもよい。この場合、発光層３８は溶媒分散による塗布により形成される。発光層３８を表示領域に全面形成する場合には、全サブピクセルにおいて白色光を得て、図示しないカラーフィルタにより所望の色波長部分を取り出すように構成する。
【００１７】
発光層３８の上には、共通電極４０（例えば陰極）が設けられている。共通電極４０は、絶縁バンク３６の上方に載るように形成する。発光層３８並びに発光層３８を挟む画素電極３２及び共通電極４０を含む発光素子層４２が構成される。発光層３８は、画素電極３２及び共通電極４０に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層３８と画素電極３２との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層３８と共通電極４０との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００１８】
表示装置は、表示領域に画像を表示するための表示機能層４４を有する。表示機能層４４は、薄膜トランジスタ２６を含む層と発光素子層４２を含む。発光素子層４２は、共通電極４０に積層する封止層４６によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層４６は、ＳｉＮ、ＳｉＯｘなどの無機膜を含み、単一層でも良く、また、積層構造であってもよい。例えば、一対の無機層の間にアクリル等の樹脂などの有機膜を挟む構造であってもよい。封止膜は、共通電極４０の側である下面に凹凸又は段差を有するが、十分な厚みを有することで、反対側の上面は平坦になっている。
【００１９】
表示装置は、タッチセンシング層４８を有する。タッチセンシング層４８は、表示機能層４４に重なる。タッチセンシング層４８は、複数の第１タッチ電極５０を含む。封止層４６の上に、複数の第１タッチ電極５０が形成されている。図１に示すように、複数の第１タッチ電極５０は、第１方向Ｄ１にそれぞれが延びて第１方向Ｄ１に交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２に隣り合う。複数の第１タッチ電極５０は、静電容量方式でタッチセンシングを行うために、キャパシタの一方側電極として使用される。
【００２０】
タッチセンシング層４８は、複数の第２タッチ電極５２を含む。複数の第１タッチ電極５０の上方で、複数の第２タッチ電極５２が、第２方向Ｄ２にそれぞれが延びて第１方向Ｄ１に隣り合う。複数の第１タッチ電極５０と、複数の第２タッチ電極５２とは、両者間に介在する絶縁層５４によって電気的に絶縁されている。絶縁層５４は、光透過性及び絶縁性を併せ持つ材料（例えば、有機膜やＳｉＮなどの無機膜）からなる。複数の第２タッチ電極５２は、キャパシタの他方側電極として使用される。第１タッチ電極５０及び第２タッチ電極５２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、銀ナノワイヤ、金属薄膜などの透明導電膜から形成する。
【００２１】
封止層４６には、粘着層５６を介して、第２基板５８が貼り付けられている。第２基板５８は、樹脂又はガラスからなる。第２基板５８は、第１基板１０と同様に可撓性を有するフィルムであってもよい。粘着層５６は、複数の第２タッチ電極５２及び絶縁層５４の上に設けられる。本実施形態に係る表示装置は、タッチパネルを内蔵する。つまり、指などの導電体の接近によるタッチを検出するようになっている。本実施形態では、相互容量方式が採用されているが、変形例として、自己容量方式を採用してもよい。
【００２２】
図３は、本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。表示装置は、センシング回路６０を有する。センシング回路６０は、第１選択回路６２を含む。第１選択回路６２は、複数の第１タッチ電極５０の１つ又はいくつかを選択する。センシング回路６０は、第２選択回路６４を含む。第２選択回路６４は、複数の第２タッチ電極５２の１つ又はいくつかを選択する。
【００２３】
複数の第１タッチ電極５０及び複数の第２タッチ電極５２からなる電極群のそれぞれに静電容量が寄生するようになっている。第１タッチ電極５０と第２タッチ電極５２の間（両者の交点）にキャパシタが形成され、キャパシタの静電容量の変化によってタッチセンシングを行う。例えば、選択された１つの第１タッチ電極５０及び選択された１つの第２タッチ電極５２の間には、キャパシタが形成される。
【００２４】
センシング回路６０は、キャパシタに電荷を蓄えるための電圧を出力する電圧発生器６６を含む。電圧発生器６６から出力された電圧（例えばパルス電圧）は、選択された１つ又はいくつかの第１タッチ電極５０及び選択された１つ又はいくつかの第２タッチ電極５２の一方（この例では、下側にある第１タッチ電極５０）に印加される。
【００２５】
相互容量方式が採用される図３の例では、指などの導電体のタッチがあると、第１タッチ電極５０及び第２タッチ電極５２の間の電界が減少するので、静電容量は減少する。パルス電圧が印加される電極とは別の電極（この例では上側にある第２タッチ電極５２）は、測定器６８（例えば電流計）に接続されている。測定器６８は、キャパシタの静電容量に対応する物理量（例えば電流値）を測定する。物理量は、複数の第１タッチ電極５０のそれぞれと複数の第２タッチ電極５２のそれぞれとの間の静電容量に対応する。
【００２６】
図４は、一般的なタッチセンシングを説明するフローを示す図である。図３に示す測定器６８で物理量（電流値）が測定される（Ｓ１）と、その測定によって得られた測定値は、判別回路７０に入力される。判別回路７０では、測定値が所定範囲から外れるか否かを判定する。所定範囲は、指などの導電体のタッチがないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。測定値が所定範囲内にあればタッチがないことになる。測定値が所定範囲から外れると、指などの導電体の接近に起因して静電容量の有意な変化があったこと（すなわちタッチがあったこと）を検知する。判別回路７０では、物理量に対応してタッチの有無を判別する。
【００２７】
本実施形態では、タッチがあれば測定値が下がる相互容量方式が採用されているため、測定値が所定範囲から外れるか否かの判定として、測定値が所定値よりも小さいか否かを判別回路７０で判別する（Ｓ２）。判別の結果がＮＯであれば、タッチはなかったことを検知する（Ｓ３）。ＹＥＳであれば、タッチがあったことを検知する（Ｓ４）。
【００２８】
図４に示すタッチセンシングでは、個々の第１タッチ電極５０と個々の第２タッチ電極５２の全てについて行う必要がある。そのため、微細化によって電極の本数が増えると、タッチセンシングに時間がかかり、消費電力も増加する。以下、その対策について説明する。
【００２９】
図５は、本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを説明する図である。本実施形態では、タッチセンシングは、１回ごとに、グループセンシング及び個別センシングを含む。準備として、複数の第１タッチ電極５０を複数のグループ（例えばｊ（２≦ｊ）個のグループ）に分ける。複数のグループのそれぞれは、ｉ（２≦ｉ）個の第１タッチ電極５０を含む（Ｓ１１）。
【００３０】
複数のグループのそれぞれごとに、グループセンシングを行う。複数のグループの全てに対してグループセンシングを行う。具体的には、最初にｋを１として（Ｓ１２）、ｋ番目のグループのグループセンシングを行う（Ｓ１３）。
【００３１】
グループセンシングでは、図３に示す２つ以上の第１タッチ電極５０を、キャパシタの一方側電極として、一括して第１選択回路６２で選択する。また、複数の第２タッチ電極５２の全てを他方側電極として一括して第２選択回路６４で選択する。そして、物理量を測定器６８で測定し、物理量に対応してタッチの有無を判別回路７０で判別する（Ｓ１４）。その詳細は、図４を参照して上述した通りである。
【００３２】
グループセンシングでタッチを検出したときには、そのグループ番号ｋを記憶する（Ｓ１５）。タッチの検出がなければ、そのグループが最終のものであるかどうか、すなわち、ｋ＝ｊであるかどうかを判断する（Ｓ１６）。ＮＯであれば、ｋの数に１を足して（Ｓ１７）、次のグループのグループセンシングを行う（Ｓ１３）。ＹＥＳであれば、個別センシングを行う（Ｓ１８）。
【００３３】
個別センシングでは、グループセンシングでタッチを検出したときに使用された２つ以上の第１タッチ電極５０のそれぞれを、個別に、キャパシタの一方側電極として、第１選択回路６２で選択する。個別センシングでは、複数の第２タッチ電極５２のそれぞれを、個別に、他方側電極として、第２選択回路６４で選択する。そして、物理量を測定器６８で測定し、物理量に対応してタッチの有無を判別回路７０で判別する（Ｓ１９）。その詳細は、図４を参照して上述した通りである。
【００３４】
本実施形態によれば、グループセンシングでタッチを検出したときに個別センシングを行う。したがって、グループセンシングでタッチが検出されないときに、個別センシングは不要になるため、スキャンの回数を減らすことができ、その時間及び消費電力を低減することができる。
【００３５】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、押圧センシングを説明する図である。図６（Ａ）には、指Ｆで軽くタッチして操作入力をする様子が示されている。その場合、タッチ強度が弱いので、画面Ｄに対する第１接触領域Ａ１の面積が小さい。図６（Ｂ）には、指Ｆで強くタッチして操作入力をする様子が示されている。その場合、タッチ強度が強いので、画面Ｄに対する第２接触領域Ａ２の面積が大きい。したがって、接触面積の違いから、押圧の有無を検出することができる。
【００３６】
図７は、本発明の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを説明する図である。押圧センシングを可能にするために初期設定を行う（Ｓ１００）。初期設定では、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、強度が異なるタッチによる第１接触領域Ａ１及び第２接触領域Ａ２の少なくとも一方の面積に対応する初期設定値をメモリ７２に記録する。初期設定値は、図５を参照して上述したタッチセンシング（グループセンシング及び個別センシング）によって得ることができ、その情報を記憶する（図５のＳ２０）
【００３７】
押圧センシングでは、初期設定がなされるとタッチセンシングを行う（図７のＳ１１０）。このタッチセンシングも、図５を参照して上述したグループセンシング及び個別センシングを含む。タッチがされた位置が特定されると、その情報は、図３に示すメモリ７２に記憶される（図５のＳ２０）。なお、その情報は、押圧センシングでは、タッチによる接触領域の面積情報である。続いて、図３に示す比較器７４で、初期設定値と面積情報を比較し、面積情報が初期設定値よりも大きいときに、タッチが押圧であることを判別する（図７のＳ１２０）。
【００３８】
次に、押圧センシングの初期設定を例に挙げて、グループセンシング及び個別センシングの詳細を具体的に説明する。
【００３９】
図８は、強度が異なるタッチによる第１接触領域及び第２接触領域を示す図である。弱くタッチしたときの第１接触領域Ａ１を実線で示し、強くタッチしたときの第２接触領域Ａ２を破線で示す。図８には、第１タッチ電極ＴＸ１，ＴＸ２，…，ＴＸｍと、第２タッチ電極ＲＸ１，ＲＸ２，…，ＲＸｎが示されている。
【００４０】
第１接触領域Ａ１の面積に対応する初期設定値は、第１接触領域Ａ１に含まれる第１タッチ電極５０及び第２タッチ電極５２の交点の数で表すことができる。図８の例では、第１接触領域Ａ１には、９個の交点が含まれる。第２接触領域Ａ２の面積に対応する初期設定値も、第２接触領域Ａ２に含まれる第１タッチ電極５０及び第２タッチ電極５２の交点の数で表すことができる。図８の例では、第２接触領域Ａ２には、３７個の交点が含まれる。
【００４１】
グループセンシングでは、複数の第１タッチ電極５０を複数のグループＧ１，Ｇ２，…，Ｇｊに分ける。複数のグループのそれぞれは、３つの第１タッチ電極５０からなる。一方、複数の第２タッチ電極５２の全てが、一括して１つの第２タッチ電極ＲＸとして使用される。
【００４２】
図９は、第１接触領域Ａ１についてのグループセンシングを説明するためのタイミングチャートである。図３に示す第１選択回路６２でグループＧ１の第１タッチ電極５０（ＴＸ１，ＴＸ２，Ｔｘ３）を選択し、電圧発生器６６から電圧（パルス電圧）を印加する。これに対応して、第２タッチ電極５２（ＲＸ）に接続された測定器６８で、物理量（電流）が測定される。同様のセンシングを全てのグループの第１タッチ電極５０について行う。図９に示す例では、グループＧ２，Ｇ３の第１タッチ電極５０を選択したときに、第２タッチ電極ＲＸを流れる電流値が低くなっており、このときにタッチがあったことが検出される。
【００４３】
図１０は、第１接触領域Ａ１についての個別センシングを説明するためのタイミングチャートである。図９においてタッチが検出されたグループＧ２，Ｇ３に属する第１タッチ電極ＴＸ４〜Ｔｘ９について個別センシングを行う。個別センシングを行うときには、第１選択回路６２で個々の第１タッチ電極５０を選択し、第２選択回路６４で個々の第２タッチ電極５２を選択する。図１０において、例えば、Ｔｘ４−Ｒｘ１は、第１選択回路Ｔｘ４及び第２選択回路Ｒｘを選択したことを示しており、図８に示す実線で示す第１接触領域Ａ１に含まれる交点で電流値が低くなっており、タッチがあったことが検出されている。
【００４４】
以上のステップで、第１接触領域Ａ１の面積に対応する初期設定値が得られる。同様のステップで、図８に破線で示す第２接触領域Ａ２の面積に対応する初期設定値を得る。初期設定値をメモリ７２に記録して初期設定が終わる。その後、通常の使用状態で、図７に示すように、タッチセンシングが行われ、押圧判別が行われる。その詳細は図７を参照して上述した。
【００４５】
図１１は、本実施形態に係る第１タッチ電極及び第２タッチ電極の変形例１を示す平面図である。図１２は、図１１に示す第１タッチ電極及び第２タッチ電極のXII−XII線断面である。この例ではダイヤモンドパターンが採用されている。第１タッチ電極１５０は、それが延びる第１方向Ｄ１に交互に並ぶダイヤ部１５０ａ（菱形の部分）及び接続部１５０ｂを有する。詳しくは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて複数のダイヤ部１５０ａが配列され、隣同士のダイヤ部１５０ａが接続部１５０ｂ（ジャンパー線）によって接続されている。ダイヤ部１５０ａ及び接続部１５０ｂの間に絶縁層１５４が介在し、ダイヤ部１５０ａの一部が絶縁層１５４を貫通して接続部１５０ｂに接続している。第２タッチ電極１５２は、それが延びる第２方向Ｄ２に交互に並ぶダイヤ部１５２ａ及び接続部１５２ｂを有し、これらは絶縁層１５４の同じ側にある。また、第２タッチ電極１５２は、絶縁層１５４を挟む両側のうち、第１タッチ電極１５０のダイヤ部１５０ａと同じ側にある。第１タッチ電極１５０の接続部１５０ｂと第２タッチ電極１５２の接続部１５２ｂが、絶縁層１５４を介して、立体的に交差する。この例では、絶縁層１５４の下に第１タッチ電極１５０の接続部１５０ｂがあり、絶縁層１５４の上に第２タッチ電極１５２の接続部１５２ｂがある。
【００４６】
図１３は、本実施形態に係る第１タッチ電極及び第２タッチ電極の変形例２を示す平面図である。図１４は、図１３に示す第１タッチ電極及び第２タッチ電極のXIV−XIV線断面である。この例でもダイヤモンドパターンが採用されている。ただし、第１タッチ電極２５０の１つの接続部２５０ｂ及び第２タッチ電極２５２の１つの接続部２５２ｂの間に、絶縁層２５４が局所的に介在している。絶縁層２５４は、第２タッチ電極２５２のダイヤ部２５２ａとの重畳を避けている。また、絶縁層２５４の下に第２タッチ電極２５２の接続部２５２ｂがあり、絶縁層２５４の上に第１タッチ電極２５０の接続部２５０ｂがある。
【００４７】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００４８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０  第１基板、１２  アンダーコート層、１４  半導体層、１６  ソース電極、１８  ドレイン電極、２０  ゲート絶縁膜、２２  ゲート電極、２４  層間絶縁膜、２６  薄膜トランジスタ、２８  パッシベーション膜、３０  平坦化層、３２  画素電極、３４  コンタクトホール、３６  絶縁バンク、３８  発光層、４０  共通電極、４２  発光素子層、４４  表示機能層、４６  封止層、４８  タッチセンシング層、５０  第１タッチ電極、５２  第２タッチ電極、５４  絶縁層、５６  粘着層、５８  第２基板、６０  センシング回路、６２  第１選択回路、６４  第２選択回路、６６  電圧発生器、６８  測定器、７０  判別回路、７２  メモリ、７４  比較器、１５０  第１タッチ電極、１５０ａ  ダイヤ部、１５０ｂ  接続部、１５２  第２タッチ電極、１５２ａ  ダイヤ部、１５２ｂ  接続部、１５４  絶縁層、２５０  第１タッチ電極、２５０ｂ  接続部、２５２  第２タッチ電極、２５２ｂ  接続部、２５２ａ  ダイヤ部、２５４  絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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