(57)【要約】【課題】半導体素子表面傷の抑制と、半導体素子と接触している加圧・冷却板との溶着抑制により、安定した炭化珪素半導体装置等の通電検査装置および通電検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子１５を中央部の穴１９ａで位置決めする位置決めガイド１９と、位置決めされた半導体素子１５の表面に対応する位置で、通電加圧プローブ６と表面で接触する第１の間材１８と、第１の間材１８の裏面と表面で接触し、穴１９ａの周縁部および位置決めされた半導体素子１５の表面と裏面で接触する、第１の間材１８より板厚が薄い第２の間材１７と、穴１９ａで位置決めされ、位置決めされた半導体素子１５の裏面と表面で接触する第３の間材１６と、位置決めガイド１９の裏面側から穴１９ａに嵌合する凸部５ａを有し、位置決めガイド１９の裏面に接触し、凸部５ａが第３の間材１６の裏面に接触する冷却板５とを備える。【選択図】図２
2018017643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を位置決めする穴を中央部に有する位置決めガイドと、
前記位置決めされた半導体素子の表面に対応する位置で、通電加圧プローブと表面で接触する第１の間材と、
前記第１の間材の裏面と表面で接触し、前記位置決めガイドの中央部の穴の周縁部および前記位置決めされた半導体素子の表面と裏面で接触する、前記第１の間材より板厚が薄い第２の間材と、
前記位置決めガイドの中央部の穴で位置決めされ、前記位置決めされた半導体素子の裏面と表面で接触する第３の間材と、
前記位置決めガイドの裏面側から前記位置決めガイドの中央部の穴に嵌合する凸部を有し、前記位置決めガイドの裏面に接触し、前記凸部が前記第３の間材の裏面に接触する冷却板と
を備えることを特徴とする通電検査装置。
【請求項２】
前記第１の間材、前記第２の間材、および前記第３の間材を供給ボビンから供給するとともに使用後には回収ボビンで回収する供給機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の通電検査装置。
【請求項３】
前記供給機構は、前記供給ボビンと前記回収ボビンとの間に中間ボビンが設けられ、前記通電加圧プローブの接触および離反の動作に伴い、前記第１の間材および前記第２の間材の間の中間ボビンが、前記第１の間材および前記第２の間材が前記位置決めガイドの中央部の穴の周縁部および前記位置決めされた半導体素子と接触および離反の動作をするように、摺動可能に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の通電検査装置。
【請求項４】
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の通電検査装置。
【請求項５】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料または、ダイアモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項４に記載の通電検査装置。
【請求項６】
冷却板の上に、位置決めガイドを前記位置決めガイドの中央部に設けられた穴に前記冷却板の中央部に設けられた凸部が嵌るように載せ、前記穴に沿って前記凸部の上に第３の間材を挿入する工程と、
前記位置決めガイドの穴に沿って、前記第３の間材の上に半導体素子を挿入する工程と、
前記位置決めガイドの穴の周縁部と前記半導体素子の上面部を覆うように、第２の間材を載せる工程と、
前記半導体素子の上面部に対応する前記第２の間材の上面部の一部または全部を覆うように、前記第２の間材よりも板厚の厚い第１の間材を載せる工程と、
通電加圧プローブを前記第１の間材の上面に所定の加圧力で接触させる工程と
を含むことを特徴とする通電検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素半導体装置等の通電検査装置および検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素等の半導体よりなる半導体装置においてＰＮダイオードに順方向電流を流すことによって、電子と正孔との再結合により核生成を促進し、半導体基板に存在する基底面転位から積層欠陥が成長する。これによって当該領域が高抵抗領域となってしまう問題がある。
【０００３】
このように発生する積層欠陥の有無を検査する方法としては、ＰＮダイオードの順方向に電流密度１００[Ａ／ｃｍ２]で１時間通電し、順方向電圧の劣化（電圧の増大）が発生することを検出する方法がある（特許文献１参照）。しかし、チップ毎に長い時間順方向電流を流す必要があったため、検査に長い時間を必要とし、結果として製造コストを増大させるという問題があった。
【０００４】
これに対し、表裏に電極を有するバイポーラ半導体素子の表面電極および裏面電極の聞に順方向電流を流す通電検査装置と、バイポーラ半導体素子の裏面電極に接触しバイポーラ半導体素子を冷却する冷却板（Ｃｕ等）と、バイポーラ半導体素子の表面電極に接触しバイポーラ半導体素子に圧力を加える加圧板（Ｃｕ等）を用い、比較的短時間でバイポーラ半導体素子の積層欠陥の有無を検査する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公報ＷＯ２０１４／１４８２９４号（段落００８３、図１５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような通電検査装置にあっては、通電・加圧時に、半導体素子表面を加圧板で傷つけてしまうという問題があった。また、通電・加圧時に、半導体素子が接触している加圧・冷却板が、半導体素子と溶着してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、半導体素子表面傷の抑制（半導体面の保護）と、半導体素子と接触している加圧・冷却板との溶着抑制（溶着防止の間材）により、安定した炭化珪素半導体装置等の通電検査装置および通電検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる通電検査装置は、半導体素子を位置決めする穴を中央部に有する位置決めガイドと、前記位置決めされた半導体素子の表面に対応する位置で、通電加圧プローブと表面で接触する第１の間材と、前記第１の間材の裏面と表面で接触し、前記位置決めガイドの中央部の穴の周縁部および前記位置決めされた半導体素子の表面と裏面で接触する、前記第１の間材より板厚が薄い第２の間材と、前記位置決めガイドの中央部の穴で位置決めされ、前記位置決めされた半導体素子の裏面と表面で接触する第３の間材と、前記位置決めガイドの裏面側から前記位置決めガイドの中央部の穴に嵌合すると凸部を有し、前記位置決めガイドの裏面に接触し、前記凸部が前記第３の間材の裏面に接触する冷却板とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明にかかる通電検査方法は、冷却板の上に、位置決めガイドを前記位置決めガイドの中央部に設けられた穴に前記冷却板の中央部に設けられた凸部が嵌るように載せ、前記穴に沿って前記凸部の上に第３の間材を挿入する工程と、前記位置決めガイドの穴に沿って、前記第３の間材の上に半導体素子を挿入する工程と、前記位置決めガイドの穴の周縁部と前記半導体素子の上面部を覆うように、第２の間材を載せる工程と、前記半導体素子の上面部に対応する前記第２の間材の上面部の一部または全部を覆うように、前記第２の間材よりも板厚の厚い第１の間材を載せる工程と、通電加圧プローブを前記第１の間材の上面に所定の加圧力で接触させる工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体素子を、通電加圧プローブと接触する第１の間材より板厚が薄い第２の間材と第３の間材との間で通電加圧することにより、半導体素子が直接加圧板や冷却板と接触することが無くなり、間材が緩衝材としての役割を果たすことで、半導体素子表面を傷つけることを抑制することができる上に、半導体素子と加圧板および冷却板との溶着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の通電検査装置の構成を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の通電検査装置の要部の構成を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の通電検査方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の通電検査方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２における炭化珪素半導体装置の通電検査装置の要部の構成を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による炭化珪素半導体装置の通電検査装置５００の外観を示す斜視図である。図２は、通電検査装置５００の要部を示す断面図である。図1に示すように、炭化珪素半導体装置の通電検査装置５００は、搬送台３上に、通電加圧対象群４を搭載する。
【００１３】
通電加圧対象群４は、図２に示すように、半導体素子１５を位置決めする位置決めガイド１９と、位置決めガイド１９の裏面に配置された冷却板５と、半導体素子１５と冷却板５との間に配置された第３の間材１６と、位置決めガイド１９に跨って半導体素子１５を覆うように配置された第２の間材１７と、第２の間材１７の上に重ねて半導体素子１５を覆うように配置された第１の間材１８とを備えている。
【００１４】
半導体素子１５としては、例えば、炭化珪素を用いたショットキーバリアダイオード（Schottky barrier diode（ＳＢＤ）)、または、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等を用いる。半導体素子１５の外形寸法は、縦１１ｍｍ×横１１ｍｍ×厚さ３０μｍのものを用いた。半導体素子１５は検査の対象物であり、少なくとも表面と裏面とに電極を有している。
【００１５】
第２の間材１７は、外形寸法が縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ３０μｍのアルミニウム板を用いた。縦横の寸法は、半導体素子１５を覆える大きさであればよいが、厚さは、好ましくは、２０μｍ〜２００μｍであり、より好ましくは、４０μｍ〜８０μｍである。２０μｍより薄くなると、数μｍある電極パターン等の段差を吸収することができずアルミニウム板に変形を生じてしまう。２００μｍより厚くなると、通電加圧時の発熱により圧延方向に熱膨張が大きくなり半導体素子１５の熱膨張との差により半導体素子１５に傷が付きやすくなる。
【００１６】
第１の間材１８は、外形寸法が縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ２ｍｍの銅板を用いた。縦横の寸法は、半導体素子１５と同等以上の大きさであればよいが、厚さは、１ｍｍ以上が好ましい。第１の間材１８は、通電加圧プローブ６と接触する部分であるが、特に、複数本の通電加圧プローブ６を用いた場合に、通電加圧プローブ６の長さにバラつきがあり、加圧力を均一化するために一定の厚さが必要となる。１ｍｍよりも薄いと、加圧力の均一化に劣り、素子破損が生じやすくなる。このように、本件発明のポイントは、第１の間材１８と、第１の間材１８より厚さの薄い第２の間材１７を組み合わせた二つの間材を通電加圧プローブ６側に用いたことにある。
【００１７】
第３の間材１６は、外形寸法が縦１１ｍｍ×横１１ｍｍ×厚さ０．２ｍｍのアルミニウム板を用いた。第３の間材１６は、半導体素子１５の裏面電極に接触しており、半導体素子１５の裏面電極と通電用電源との接続を行っている。また、第３の間材１６は、冷却板５を介して、通電用電源の正極または負極と接続されている。
【００１８】
第２の間材１７は、通電用電源のうちの、第３の間材１６と接続された極とは反対側の極に第１の間材１８を介して接続されており、半導体素子１５への通電のため、半導体素子１５の表面電極に接触する。
【００１９】
第３の間材１６、第２の間材１７、および第１の間材１８の材質としては、電気伝導度が高く、耐熱性を有し、耐摩耗性を有する物質であればよく、例えば、銅やアルミニウム等が用いられる。
【００２０】
本件発明では、第１の間材１８、第２の間材１７、および第３の間材１６を用いることにより、半導体素子が直接加圧板や冷却板と接触することが無くなり、間材が緩衝材としての役割を果たすことで、通電加圧を行う際、半導体素子表面を傷つけることを抑制することができる上に、半導体素子と加圧板および冷却板との溶着を抑制することができる。
【００２１】
冷却板５は、位置決めガイド１９により位置決めされた半導体素子１５に生じる通電時の発熱を第３の間材１６を介して、冷却板５の中央部に設けられた凸部５ａから伝えて冷却を行う。冷却板５の材質としては、電気的な接続も必要であることから、電気伝導度および熱伝導度が高く、耐熱性を有し、耐摩耗性を有する物質であればよく、例えば、銅やアルミニウム等が用いられる。
【００２２】
位置決めガイド１９は、中央部に穴１９ａが設けられ、穴１９ａにより半導体素子１５および第３の間材１６の位置決めをする。位置決めガイド１９の材質としては、半導体素子１５への通電を分流させないようにするため、絶縁性、耐熱性、および耐摩耗性を有する物質であればよく、例えば、銅やアルミニウム等が用いられる。
【００２３】
なお、位置決めガイド１９は、セラミック系の高分子材料に限るわけではなく、金属材料の表面を絶縁コーティングしたものを用いてもよい。例えば、金属材料に絶縁テープや、セラミックコーティング、ガラスコーティング等をしたものが挙げられる。これにより、安価に、電流の分流等、通電検査のプロセスに悪影響を及ぼす可能性を低減することができる。
【００２４】
通電検査装置５００は、図１に示すように、搬送台３上に通電加圧対象群４を搭載した状態で、アクチュエータ等で構成された移送機構２により、精密サーボプレス８の直下、つまり加圧板７と通電加圧プローブ６の真下まで、搬送台の移動をＡ方向に可能とする。搬送台３の移動は、操作画面１２、例えば、三菱電機製のグラフィックオペレーションターミナル（ＧＯＴ）を用いて操作する。
【００２５】
また、通電検査装置５００は、ＰＬＣ（programmable logic controller）１１からの指示により、プレスコントローラ１３にて予め設定している条件を読み込むことで、支柱９に支えられた精密サーボプレス８が先端の加圧板７を搬送台３上の通電加圧対象群４に向けてＢ方向に下降し、通電加圧プローブ６を通電加圧対象群４と接触させる。
【００２６】
その後、ＰＬＣ１１からの指示により、通電加圧プローブ６の加圧力を任意に設定した規定の荷重値（２５ｋｇ〜５０ｋｇ）まで上昇させた後、電源コントローラ１４にて予め設定している条件を読み込むことで、電源１０から任意で設定した電流（電流密度が１２０[Ａ／ｃｍ２]以上４００[Ａ／ｃｍ２]以下）を通電加圧対象群４に対して順方向へ継続して流す。その際、半導体素子１５の温度を１５０℃以上２３０℃以下としているものとする。
【００２７】
なお、加圧板７の材質としては、通電加圧プローブ６への電気的な接続と、発熱した通電加圧プローブ６を冷却するために、電気伝導度が高く、耐熱性を有し、耐摩耗性を有する物質であればよく、例えば、銅やアルミニウム等が用いられる。また、通電加圧プローブ６の材質も同様に、電気伝導度が高く、耐熱性および耐摩耗性を有し、且つ加圧するために一定の耐荷重を有する物質であればよく、例えば、ジェラコン、真鍮、ＳＵＳ等が用いられる。通電加圧プローブ６は、一本あたりの荷重と電流密度に耐えることができれば、一本で通電加圧してもよく、また複数本で実施することも可能である。
【００２８】
通電検査装置５００は、ＰＬＣ１１により、通電加圧中の半導体素子１５の温度を冷却板５の凸部５ａに取り付けた熱電対（図示せず）を用いて常時監視を行い、規定の温度（１５０℃以上２３０℃以下）から外れた場合には、ＰＬＣ１１により、通電加圧を停止する信号を、プレスコントローラ１３と電源コントローラ１４へ送信し、通電加圧を停止させる機能を有する。
【００２９】
また、通電検査装置５００は、電流密度が１２０[Ａ／ｃｍ２]以上４００[Ａ／ｃｍ２]以下から外れた場合には、通電加圧中の半導体素子１５を不良品として、電源コントローラ１４で判定し、その結果をＰＬＣ１１に送信して、ＰＬＣ１１により、通電加圧を停止する信号を、プレスコントローラ１３と電源コントローラ１４へ送信し、通電加圧を停止させる機能を有する。この通電加圧を、異常発生時に停止させる機能により、周辺機構部へのダメージを抑制することができる。
【００３０】
次に、この発明の実施の形態１による炭化珪素半導体装置の通電検査装置５００を用いた通電検査方法を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、通電検査のための通電加圧対象群４をセッティングする方法を示す断面図である。図４（ａ）〜（ｂ）は、通電加圧対象群４に通電加圧する方法を示す断面図である。
【００３１】
まず、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて、搬送台３上に、通電検査のための通電加圧対象群４をセッティングする方法を説明する。最初に、搬送台３上に冷却板５を載せる。そして、図３（ａ）に示すように、冷却板５の上に、位置決めガイド１９を位置決めガイド１９の穴１９ａに冷却板５の凸部５ａが嵌るように載せ、穴１９ａに沿って凸部５ａの上に第３の間材１６を挿入する。第３の間材１６の挿入には、例えば、吸着パッド等を備えた搬送系を用い、第３の間材１６を吸着して穴１９ａまで搬送し、挿入する。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、位置決めガイド１９の穴１９ａに沿って、第３の間材１６の上に、半導体素子１５を挿入する。このとき、位置決めガイド１９と半導体素子１５の上面が同じ高さになるように、冷却板５の凸部５ａの高さ、位置決めガイド１９の高さ、または第３の間材１６の厚さを調整している。半導体素子１５の挿入には、例えば、吸着パッド等を備えた搬送系を用い、半導体素子１５を吸着して穴１９ａまで搬送し、挿入する。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、位置決めガイド１９の穴１９ａの周縁部と半導体素子１５の上面部を覆うように、第２の間材１７を載せる。第２の間材１７を載せるには、例えば、吸着パッド等を備えた搬送系を用い、第２の間材１７を吸着して位置決めガイド１９の穴１９ａの周縁部と半導体素子１５の上面部を覆う位置まで搬送し、載せる。
【００３４】
続いて、図３（ｄ）に示すように、半導体素子１５の上面部に対応する第２の間材１７の上面部を覆うように、第１の間材１８を載せる。第１の間材１８を載せるには、例えば、吸着パッド等を備えた搬送系を用い、第１の間材１８を吸着して半導体素子１５の上面部に対応する第２の間材１７の上面部を覆う位置まで搬送し、載せる。
【００３５】
次に、図４（ａ）〜（ｂ）を用いて、通電加圧対象群４に通電加圧する方法を説明する。まず、上述のように搬送台３上にセッティングした通電加圧対象群４を、図４（ａ）に示すように、移送機構２により通電加圧プローブ６の真下まで移動する。移動後、精密サーボプレス８を用いて通電加圧プローブ６を通電加圧対象群４の第１の間材１８の上面に下降させる。
【００３６】
通電加圧プローブ６を下降させて、図４（ｂ）に示すように、通電加圧対象群４の第１の間材１８の上面に接触させた後、所定の加圧力に到達したたならば、通電を開始する。
【００３７】
なお、通電を行うことで、半導体素子１５が発熱するため、自己発熱による熱膨張が生じる。そのため、加圧位置を一定にした場合、熱膨張した半導体素子１５に、規定の加圧力以上の加圧力がかかり、破損する可能性がる。精密サーボプレス８に内蔵しているロードセル（図示せず）により、加圧力を常時監視しておく必要がある。規定の加圧力以上の加圧がかかってしまった場合には、精密サーボプレス８を退避（上昇）させる等で、規定の加圧力以上を加圧しないようにするか、または規定の加圧力を維持する。
【００３８】
また、第２の間材１７と第１の間材１８は、一定回数以上使用した場合、塑性変形する可能性がある。その場合、第２の間材１７と第１の間材１８が半導体素子１５を傷つける原因となってしまうため、使用する回数をカウントし、一定回数以上使用した後は、交換する必要がある。
【００３９】
また、第３の間材１６と半導体素子１５、第２の間材１７と半導体素子１５が溶着する可能性がある。そのため、第３の間材１６と第２の間材１７は、半導体素子１５との溶着リスクの観点から、一定回数以上を使用した場合の塑性変形により、抵抗値が局所的に上昇し、電流密度が規定値を超えてしまうため、使用する回数をカウントし、一定回数以上使用した後は、交換する必要がある。
【００４０】
加圧板７と半導体素子１５、冷却板５と半導体素子１５が溶着した場合、加圧板７と冷却板５に溶着痕が生じてしまうことで、半導体素子１５との間に空乏ができてしまい局所的に抵抗値が上昇し、電流密度が不均一となり、通電加圧時の必要なプロセス条件を満たすことができず、半導体素子１５の不良品を作り続ける装置に繋がる。そのため、溶着発生時に加圧板７と冷却板５を交換する必要性があり、段取り替えによる稼動率低下と部材自体を消耗品として使用することによるランニングコストアップの原因となってしまう。
【００４１】
しかし、短冊状の間材を使用することで、半導体素子１５との溶着発生時は、間材を半導体素子１５から剥がすのみで対応可能なため、加圧板７と冷却板５の交換をする必要がなくなり、段取り替え時間の抑制につながる。また、短冊状の間材を使用するため、ランニングコスト的にも、加圧板７と冷却板５を毎回交換するのに比べれば、コスト低減にもつながることから、間材を使用する本通電検査方法のメリットとして挙げられる。
【００４２】
さらに、半導体素子１５が熱膨張した際の規定以上の加圧力がかかってしまった場合、半導体素子１５の破損リスクが上昇してしまうが、精密サーボプレス８を使用することで、加圧力を一定に維持することができ、半導体素子１５の破損を抑制することができ、良品率を向上することができる。
【００４３】
以上のように、本発明の実施の形態１にかかる通電検査装置５００によれば、半導体素子１５を位置決めする穴１９ａを中央部に有する位置決めガイド１９と、位置決めされた半導体素子１５の表面に対応する位置で、通電加圧プローブ６と表面で接触する第１の間材１８と、第１の間材１８の裏面と表面で接触し、位置決めガイド１９の中央部の穴１９ａの周縁部および位置決めされた半導体素子１５の表面と裏面で接触する、第１の間材１８より板厚が薄い第２の間材１７と、位置決めガイド１９の中央部の穴１９ａで位置決めされ、位置決めされた半導体素子１５の裏面と表面で接触する第３の間材１６と、位置決めガイド１９の裏面側から位置決めガイド１９の穴１９ａに嵌合する凸部５ａを有し、位置決めガイド１９の裏面に接触し、凸部５ａが第３の間材１６の裏面に接触する冷却板５とを備えるようにしたので、半導体素子が直接加圧板や冷却板と接触することが無くなり、間材が緩衝材としての役割を果たすことで、通電加圧を行う際、半導体素子表面を傷つけることを抑制することができる上に、半導体素子と加圧板および冷却板との溶着を抑制することができる。また、半導体素子と間材との溶着が発生した時は、間材を半導体素子から剥がすのみで対応可能なため、加圧板と冷却板の交換をする必要がなくなり、段取り替え時間の抑制につながる。さらに、ランニングコスト的にも、加圧板と冷却板を毎回交換するのに比べれば、コスト低減にもつながる。
【００４４】
実施の形態２．
実施の形態１では、短冊状の間材を使用した場合について示したが、実施の形態２では、間材の自動供給機構を用いた場合について説明する。
【００４５】
図５は、この発明の実施の形態２による通電検査装置５１０の要部を示す断面図である。図５に示すように、通電検査装置５１０の通電加圧対象群４１は、第１の間材１８０の第１の供給ボビン２６と、第２の間材１７０の第１の供給ボビン２５と、第３の間材１６０の第２の供給ボビン２４が設置されている。第１の供給ボビン２６から供給される第１の間材１８０と第１の供給ボビン２５から供給される第２の間材１７０の先端は、第１の中間ボビン３０、２９を介して、使用済みの第１の間材１８０と第２の間材１７０を回収する第１の回収ボビン２８に取り付けられている。第２の供給ボビン２４から供給される第３の間材１６０の先端は、第２の中間ボビン３２、３１を介して、使用済みの第３の間材１６０を回収する第２の回収ボビン２７に取り付けられている。間材をボビンに取り付ける方法は、物理的に把持する、もしくは副資材等で固定する等の方法がとられる。
【００４６】
なお、第１の間材１８０と第２の間材１７０の通電する際に必要な面積は同等であるが、第３の間材１６０の通電する際に必要な面積は異なるため、回収ボビンを分けている。ただし、使用済みの第１の間材１８０、第２の間材１７０、および第３の間材１６０を、一つの回収ボビンで回収してもよい。また、全て回収ボビンを分けてもよい。
【００４７】
通電加圧プローブ６で通電加圧する際、通電加圧対象群４１は、通電加圧プローブ６を下降にともない、第１の間材１８０と第２の間材１７０が加圧方向に追従するように、第１の中間ボビン３０、２９がＥ方向に摺動可能な動作機構３４、３３を備えている。通電終了時には、動作機構３４、３３により第１の中間ボビン３０、２９が上昇し、半導体素子１５に接触する第１の間材１８０と第２の間材１７０を上方へ退避させることで、半導体素子１５を容易に取り出すことができる。
【００４８】
未使用の間材を供給する際、通電加圧対象群４１は、使用済みの第１の間材１８０と第２の間材１７０をＣ方向に移動するように第１の回収ボビン２８を巻き取り方向に回転させる機構（図示せず）を備えている。また、使用済みの第３の間材１６０をＤ方向に移動するように第２の回収ボビン２７を巻き取り方向に回転させる機構（図示せず）を備えている。供給ボビン２６、２５、２４と回収ボビン２８、２７の回転する速度と停止するタイミングを、それぞれＰＬＣ１１からの指示により同期させることにより、供給機構を構成している。
【００４９】
供給機構は、第１の間材１８０、第２の間材１７０、および第３の間材１６０が、たわむことを防ぐために、巻き取り完了後に、第１の間材１８０、第２の間材１７０、および第２の間材１６０を移動するＣ、Ｄ方向とは逆方向に、供給ボビン２６、２５、２４を回転させることで、ブレーキングを行い、間材のたわみを抑制する。なお、すべての間材を供給機構で供給する必要はなく、一部を供給機構で、残りを短冊状の間材で供給する等で、使用することも可能である。
【００５０】
実施の形態１のように、第１の間材１８、第２の間材１７、および第３の間材１６を短冊状の固片で購入する場合、予め長尺状態の間材を短冊状に切断する必要がある。そして、トレイ等の箱に第１の間材１８、第２の間材１７、および第３の間材１６を各々梱包してもらう必要がある。短冊状の固片の場合には、上記二工程分、購入コストが高くなっているため、工程レスによるコスト削減を狙うための方法として、切断せずに、長尺状態の第１の間材１８０、第２の間材１７０、および第２の間材１６０を購入することで、ランニングコストを低減することができる。
【００５１】
以上のように、本発明の実施の形態２にかかる通電検査装置５１０によれば、第１の間材１８０、第２の間材１７０、および第２の間材１６０は、未使用の前記間材を供給ボビン２６、２５、２４から供給するとともに使用後には回収ボビン２８、２７で回収する供給機構を備えるようにしたので、間材の自動供給化を図ることができる。また、供給機構は、供給ボビン２６、２５、２４と回収ボビン２８、２７との間に中間ボビンが設けられ、前記通電加圧プローブの接触および離反の動作に伴い、第１の間材１８０および第２の間材１７０の間の第１の中間ボビン３０、２９が、第１の間材１８０および第２の間材１７０が位置決めガイド１９の中央部の穴１９ａの周縁部および位置決めされた半導体素子１５と接触および離反の動作をするように、摺動可能に設けるようにしたので、通電終了時には、半導体素子に接触する第１の間材と第２の間材を上方へ退避させることで、半導体素子を容易に取り出すことができる。さらに、間材を短冊状に切断せずに使用することで、ランニングコストを低減することができる。
【００５２】
なお、上述した実施の形態１および実施の形態２では、半導体素子１５として、炭化珪素を用いたＳＢＤ、または、ＭＯＳＦＥＴ等を用いたが、これに限定するものではない。バンドギャップが大きい他のワイドバンドギャップ半導体によって形成してもよい。ワイドバンドギャップ半導体としては、例えば、ＧａＮ、ダイヤモンドなどが挙げられる。高温で通電検査をするこれらのワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体素子においても、同様の効果が得られる。
【００５３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
５  冷却板、５ａ  凸部、６  通電加圧プローブ、１５  半導体、１６  第３の間材、１７  第２の間材、１８  第１の間材、１９  位置決めガイド、１９ａ  穴、２４  第２の供給ボビン、２５、２６  第１の供給ボビン、２７  第２の回収ボビン、２８  第１の回収ボビン、２９、３０  第１の中間ボビン、３１、３２  第２の中間ボビン、１６０  第３の間材、１７０  第２の間材、１８０  第１の間材、５００、５１０  通電検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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