(57)【要約】【課題】周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップを歩留まり良く得られる新たな表面弾性波デバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、研削ステップを実施した後に、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、分割ステップで分割された複数の表面弾性波デバイスチップから不良の表面弾性波デバイスチップを選別する選別ステップと、選別ステップで選別された表面弾性波デバイスチップの裏面に表面弾性波デバイスチップに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、弾性波の反射を抑制するための凹凸を裏面に形成するレーザービーム照射ステップと、を含む。【選択図】図３
2018042209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップで分割された複数の該表面弾性波デバイスチップから不良の該表面弾性波デバイスチップを選別する選別ステップと、
該選別ステップで選別された該表面弾性波デバイスチップの裏面に該表面弾性波デバイスチップに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、弾性波の反射を抑制するための凹凸を該裏面に形成するレーザービーム照射ステップと、を備えることを特徴とする表面弾性波デバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該研削ステップを実施した後、該選別ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研磨する研磨ステップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波デバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面弾性波デバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機をはじめとする無線通信機器では、所望の周波数帯域の電気信号のみを通過させるバンドパスフィルタが重要な役割を担っている。このバンドパスフィルタの一つとして、物質の表面を伝播する表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用した表面弾性波デバイス（表面弾性波フィルタ）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
表面弾性波デバイスは、例えば、水晶（ＳｉＯ２）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料でなる結晶性のウェーハと、ウェーハの表面に形成された櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）とを備え、圧電材料の種類や電極の間隔等に応じて決まる周波数帯域の電気信号のみを通過させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−５６８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のような表面弾性波デバイスでは、入力側の電極近傍で発生する弾性波の一部がウェーハの内部を伝播して裏面側で反射されることがある。反射された弾性波が出力側の電極に到達すると、表面弾性波デバイスの周波数特性は劣化してしまう。
【０００６】
この問題に対し、サンドブラストや研削等の方法でウェーハの裏面にある程度の凹凸を形成することで、裏面での弾性波の反射を抑制することも考えられる。しかしながら、このような方法では、必ずしも周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップを歩留まり良く得られなかった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップを歩留まり良く得られる新たな表面弾性波デバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、該研削ステップを実施した後に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップで分割された複数の該表面弾性波デバイスチップから不良の該表面弾性波デバイスチップを選別する選別ステップと、該選別ステップで選別された該表面弾性波デバイスチップの裏面に該表面弾性波デバイスチップに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、弾性波の反射を抑制するための凹凸を該裏面に形成するレーザービーム照射ステップと、を備える表面弾性波デバイスチップの製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の一態様において、該研削ステップを実施した後、該選別ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研磨する研磨ステップを更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、ウェーハを分割して得られる複数の表面弾性波デバイスチップから不良の表面弾性波デバイスチップを選別し、その後、選別された表面弾性波デバイスチップの裏面にレーザービームを照射して弾性波の反射を抑制するための凹凸を形成するので、裏面での弾性波の反射に起因して不良となった表面弾性波デバイスチップを再生できる。つまり、本発明の一態様に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法によれば、特性の良い表面弾性波デバイスチップを歩留まり良く得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの表面側の一部（領域Ａ）を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ウェーハの一部を拡大した断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、研削ステップについて説明するための側面図であり、図２（Ｂ）は、研磨ステップについて説明するための側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、分割ステップについて説明するための一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、選別ステップについて説明するための一部断面側面図であり、図３（Ｃ）は、レーザービーム照射ステップについて説明するための一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）は、表面弾性波デバイスチップの表面側を模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、表面弾性波デバイスチップの裏面側を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法は、研削ステップ（図２（Ａ）参照）、研磨ステップ（図２（Ｂ）参照）、分割ステップ（図３（Ａ）参照）、選別ステップ（図３（Ｂ）参照）、及びレーザービーム照射ステップ（図３（Ｃ）参照）を含む。
【００１３】
研削ステップでは、表面側に表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する。研磨ステップでは、研削後のウェーハの裏面を研磨する。分割ステップでは、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する。選別ステップでは、分割ステップで得られた複数の表面弾性波デバイスチップから不良の表面弾性波デバイスチップを選別する。
【００１４】
レーザービーム照射ステップでは、表面弾性波デバイスチップに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、選別された不良の表面弾性波デバイスチップの裏面に弾性波の反射を抑制するための凹凸を形成する。以下、本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法について詳述する。
【００１５】
図１（Ａ）は、本実施形態で使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの表面側の一部（領域Ａ）を拡大した斜視図であり、図１（Ｃ）は、ウェーハの一部を拡大した断面図である。本実施形態に係るウェーハ１１は、水晶（ＳｉＯ２）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等の圧電材料を用いて円盤状に形成されている。
【００１６】
ウェーハ１１の表面１１ａは、格子状に設定された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されている。各領域には、互いに噛み合う形状の一対の櫛歯状の電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）１５を有する表面弾性波デバイスが形成されている。
【００１７】
また、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、被覆層１７が設けられている。被覆層１７は、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂等の樹脂を用いて、表面１１ａの全体を被覆するように形成される。この被覆層１７の表面（上面）には、例えば、電極１５に接続された電極パッド（不図示）が配置されている。なお、被覆層１７の表面や内部には、他の構造や空間（隙間）等が形成されても良い。
【００１８】
このように構成されるウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って分割することで、複数の表面弾性波デバイスチップを製造できる。本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。図２（Ａ）は、研削ステップについて説明するための側面図である。
【００１９】
研削ステップは、例えば、図２（Ａ）に示す研削装置２を用いて行われる。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００２０】
チャックテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）を吸引、保持する保持面４ａとなっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。
【００２１】
チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル８が収容されており、スピンドル８の下端部には、円盤状のマウント１０が固定されている。
【００２２】
マウント１０の下面には、マウント１０と概ね同径の研削ホイール１２が装着されている。研削ホイール１２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台１４を備えている。ホイール基台１４の下面には、複数の研削砥石１６が環状に配列されている。
【００２３】
スピンドル８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール１２は、この回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研削ユニット６の内部又は近傍には、純水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００２４】
研削ステップでは、まず、ウェーハ１１をチャックテーブル４に吸引、保持させる。なお、本実施形態では、研削ステップを行う前に、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）に樹脂等でなる保護部材２１を貼付しておく。これにより、研削ステップの際に加わる衝撃等からウェーハ１１を保護できる。
【００２５】
ウェーハ１１をチャックテーブル４に吸引、保持させる際には、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。
【００２６】
次に、チャックテーブル４を研削ユニット６の下方に移動させる。そして、図２（Ａ）に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル８、研削ホイール１２）を下降させる。
【００２７】
スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１６の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。ウェーハ１１が所定の厚み（仕上がり厚み）まで薄くなると、研削ステップは終了する。
【００２８】
なお、本実施形態では、１組の研削ユニット６（研削砥石１６）を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削しているが、２組以上の研削ユニット（研削砥石）を用いてウェーハ１１を研削することもできる。例えば、径が大きい砥粒で構成された研削砥石を用いて粗い研削を行い、径が小さい砥粒で構成された研削砥石を用いて仕上げの研削を行うことで、研削に要する時間を大幅に長くすることなく裏面１１ｂの平坦性を高められる。
【００２９】
研削ステップの後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研磨する研磨ステップを行う。図２（Ｂ）は、研磨ステップについて説明するための側面図である。研磨ステップは、例えば、図２（Ｂ）に示す研磨装置２２を用いて行われる。
【００３０】
研磨装置２２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル２４を備えている。チャックテーブル２４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００３１】
チャックテーブル２４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（被覆層１７側）を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。保持面２４ａは、チャックテーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル２４に吸引、保持される。
【００３２】
チャックテーブル２４の上方には、研磨ユニット２６が配置されている。研磨ユニット２６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル２８が収容されており、スピンドル２８の下端部には、円盤状のマウント３０が固定されている。マウント３０の下面には、マウント３０と概ね同径の研磨パッド３２が装着されている。この研磨パッド３２は、例えば、不織布や発泡ウレタン等でなる研磨布を含んでいる。
【００３３】
スピンドル２８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研磨パッド３２は、この回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研磨ユニット２６の内部又は近傍には、砥粒が分散された研磨液（スラリー）をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００３４】
研磨ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１をチャックテーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル２４に保持される。
【００３５】
次に、チャックテーブル２４を研磨ユニット２６の下方に移動させる。そして、図２（Ｂ）に示すように、チャックテーブル２４と研磨パッド３２とをそれぞれ回転させて、研磨液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル２８、研磨パッド３２）を下降させる。スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研磨パッド３２の下面が押し当てられる程度に調整される。
【００３６】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂを更に平坦化できる。ただし、この研磨ステップは、上述した研削ステップの際に裏面１１ｂに形成される微細な凹凸が完全に除去されない範囲で行われることが望ましい。裏面１１ｂの凹凸が完全に除去されてしまうと、ウェーハ１１の内部を伝播する弾性波が裏面１１ｂで反射され、高い周波数特性を持つ表面弾性波デバイスを得難くなるからである。
【００３７】
なお、この研磨ステップでは、研磨液を用いない乾式研磨が採用されても良い。また、上述した研削ステップによって必要な平坦性が得られる場合には、研磨ステップを省略することもできる。
【００３８】
研磨ステップの後には、ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップを行う。図３（Ａ）は、分割ステップについて説明するための一部断面側面図である。分割ステップは、例えば、図３（Ａ）に示す切削装置４２で行われる。
【００３９】
なお、研磨ステップ（研磨ステップを行わない場合には、研削ステップ）の後には、図３（Ａ）に示すように、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ３１をウェーハ１１の裏面１１ｂに貼付する。また、ダイシングテープ３１の外周部分には、環状のフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレーム３３に支持される。ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されている保護部材２１は、この段階で剥離、除去される。
【００４０】
切削装置４２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４４を備えている。チャックテーブル４４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４４の下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４４は、この加工送り機構によって加工送り方向（水平方向）に移動する。
【００４１】
チャックテーブル４４の上面の一部は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。保持面４４ａは、チャックテーブル４４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４４に吸引、保持される。チャックテーブル４４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するための複数のクランプ４６が設けられている。
【００４２】
チャックテーブル４４の上方には、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット４８が配置されている。切削ユニット４８は、水平方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル５０を備えている。スピンドル５０の一端側には、環状の切削ブレード５２が装着されている。スピンドル５０の他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル５０に装着された切削ブレード５２は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。
【００４３】
切削ユニット４８は、昇降機構（不図示）に支持されており、この昇降機構は、割り出し送り機構（不図示）に支持されている。よって、切削ユニット４８は、昇降機構によって鉛直方向に移動（昇降）し，割り出し送り機構によって加工送り方向に垂直な割り出し送り方向に移動する。
【００４４】
分割ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付されているダイシングテープ３１をチャックテーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、環状のフレーム３３を複数のクランプ４６で固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側（被覆層１７側）が上方に露出した状態でチャックテーブル４４に保持される。
【００４５】
次に、チャックテーブル４４を回転させて、任意の分割予定ライン１３を加工送り方向に対して平行にする。更に、チャックテーブル４４と切削ユニット４８とを相対的に移動させて、切削ブレード５２を、任意の分割予定ライン１３の延長線上に合わせる。その後、回転させた切削ブレード５２の下端をウェーハ１１の裏面１１ｂよりも低い位置まで下降させて、チャックテーブル４４を加工送り方向に移動させる。
【００４６】
これにより、切削ブレード５２をウェーハ１１に切り込ませて、対象の分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を完全に切断できる（フルカット）。上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１が切断され、複数の表面弾性波デバイスチップ４１に分割されると、分割ステップは終了する。
【００４７】
分割ステップの後には、分割ステップで得られた複数の表面弾性波デバイスチップ４１から不良の表面弾性波デバイスチップ４１を選別する選別ステップを行う。図３（Ｂ）は、選別ステップについて説明するための一部断面側面図である。選別ステップは、例えば、図３（Ｂ）に示す検査装置６２で行われる。検査装置６２は、複数の表面弾性波デバイスチップ４１（ウェーハ１１）を吸引、保持するためのチャックテーブル６４を備えている。
【００４８】
チャックテーブル６４の上面の一部は、複数の表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側（ウェーハ１１の裏面１１ｂ側）を吸引、保持する保持面６４ａとなっている。保持面６４ａは、チャックテーブル６４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面６４ａに作用させることで、複数の表面弾性波デバイスチップ４１は、チャックテーブル６４に吸引、保持される。チャックテーブル６４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するための複数のクランプ６６が設けられている。
【００４９】
チャックテーブル６４の上方には、表面弾性波デバイスチップ４１の特性を検査するための検査用プローブ６８が配置されている。例えば、被覆層１７の表面に形成された電極パッドに検査用プローブ６８を接触させて所定の電気信号を入力することで、表面弾性波デバイスチップ４１の特性を電気的に検査できる。
【００５０】
選別ステップでは、まず、複数の表面弾性波デバイスチップ４１が貼付されているダイシングテープ３１をチャックテーブル６４の保持面６４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、環状のフレーム３３を複数のクランプ６６で固定する。これにより、複数の表面弾性波デバイスチップ４１は、表面側（ウェーハ１１の表面１１ａ側、被覆層１７側）が上方に露出した状態でチャックテーブル６４に保持される。
【００５１】
次に、チャックテーブル６４と検査用プローブ６８とを相対的に移動させて、検査用プローブ６８を任意の表面弾性波デバイスチップ４１の電極パッドに接触させる。この状態で、例えば、検査用プローブ６８から電極パッドに所定の電気信号を入力することで、対象の表面弾性波デバイスチップ４１の電気的な特性を調べられる。
【００５２】
上述の動作を繰り返し、全ての表面弾性波デバイスチップ４１の特性を調べた後には、十分な特性が得られていない不良の表面弾性波デバイスチップ４１をダイシングテープ３１から別のダイシングテープ５１（図３（Ｃ）参照）へと移し替える。具体的には、例えば、不良の表面弾性波デバイスチップ４１をダイシングテープ３１からピックアップし、その表面側（ウェーハ１１の表面１１ｂ側）を別のダイシングテープ５１に密着させる。
【００５３】
これにより、不良の表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側（ウェーハ１１の裏面１１ｂ側）を上方に露出させることができる。この移し替えは、例えば、ピックアップ用のコレット（不図示）等を用いて行われる。不良の表面弾性波デバイスチップ４１が全て移し替えられると、選別ステップは終了する。なお、ダイシングテープ５１の外周部分には、環状のフレーム５３（図３（Ｃ）参照）が固定されている。また、十分な特性が得られている表面弾性波デバイスチップ４１は、そのまま完成品となる。
【００５４】
選別ステップの後には、不良の表面弾性波デバイスチップ４１の裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）に弾性波の反射を抑制するための凹凸を形成するレーザービーム照射ステップを行う。図３（Ｃ）は、レーザービーム照射ステップについて説明するための一部断面側面図である。レーザービーム照射ステップは、例えば、図３（Ｃ）に示すレーザー加工装置７２を用いて行われる。
【００５５】
レーザー加工装置７２は、複数の表面弾性波デバイスチップ４１（ウェーハ１１）を吸引、保持するためのチャックテーブル７４を備えている。チャックテーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル７４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル７４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００５６】
チャックテーブル７４の上面の一部は、複数の表面弾性波デバイスチップ４１の表面側（ウェーハ１１の表面１１ａ側、被覆層１７側）を吸引、保持する保持面７４ａとなっている。保持面７４ａは、チャックテーブル７４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面７４ａに作用させることで、複数の表面弾性波デバイスチップ４１は、チャックテーブル７４に吸引、保持される。チャックテーブル７４の周囲には、環状のフレーム５３を固定するための複数のクランプ７６が設けられている。
【００５７】
チャックテーブル７４の上方には、レーザー照射ユニット７８が配置されている。レーザー照射ユニット７８は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービームＬを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、表面弾性波デバイスチップ４１（特に、ウェーハ１１）に対して吸収性を有する波長（透過し難い波長）のレーザービームＬをパルス発振できるように構成されている。
【００５８】
レーザービーム照射ステップでは、まず、複数の表面弾性波デバイスチップ４１が貼付されているダイシングテープ５１をチャックテーブル７４の保持面７４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、環状のフレーム５３を複数のクランプ７６で固定する。これにより、複数の表面弾性波デバイスチップ４１は、裏面側（ウェーハ１１の裏面１１ｂ側）が上方に露出した状態でチャックテーブル７４に保持される。
【００５９】
次に、チャックテーブル７４を移動、回転させて、任意の加工開始位置にレーザー加工ユニット４６を合わせる。そして、図３（Ｃ）に示すように、表面弾性波デバイスチップ４１に対して吸収性を有する波長（透過し難い波長）のレーザービームＬをレーザー加工ユニット７８から表面弾性波デバイスチップ４１の裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）に向けて照射しながら、チャックテーブル７４を水平方向に移動させる。
【００６０】
ここで、レーザービームＬは、表面弾性波デバイスチップ４１の裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）の近傍に集光させる。このように、表面弾性波デバイスチップ４１に吸収され易い波長のレーザービームＬを裏面の近傍に集光させることで、表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側（ウェーハ１１の裏面１１ｂ側）を部分的に溶融、除去して、弾性波を拡散させるための凹部（凹凸）１９（図４（Ｂ）参照）を形成できる。
【００６１】
このような方法（アブレーション加工）で形成された凹部１９の近傍の領域は、溶融、再固化を経て改質（例えば、非晶質化）されている。そのため、表面弾性波デバイスチップ４１のウェーハ１１内を伝播する弾性波の伝播特性は、凹部１９の近傍の領域で変化する。つまり、弾性波の進行方向も、凹部１９の近傍の領域で変わる。このように、弾性波は、凹部１９及びその近傍の領域で適切に拡散（散乱）される。
【００６２】
なお、形成される凹部１９の態様に制限はない。連続的、一体的な凹部１９を形成しても良いし、非連続的、離散的な凹部１９を形成しても良い。非連続的、離散的な凹部１９を形成する場合の凹部１９のピッチや大きさに制限はないが、例えば、５μｍ〜１０μｍの大きさ（幅、直径）の複数の凹部１９を５μｍ〜２０μｍのピッチで形成すると良い。
【００６３】
例えば、タンタル酸リチウムでなるウェーハ１１に凹部１９を形成する場合の条件は、次のように設定される。
波長：３５５ｎｍ（ＹＡＧパルスレーザー）
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
出力：１〜２Ｗ
【００６４】
このような条件で表面弾性波デバイスチップ４１の裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）に凹部１９が形成されると、レーザービーム照射ステップは終了する。なお、レーザービームＬの照射条件に制限はない。レーザービームＬの照射条件は、凹部１９の大きさやピッチ等に合わせて任意に設定、変更できる。
【００６５】
図４（Ａ）は、レーザービーム照射ステップ後の表面弾性波デバイスチップ４１の表面側を模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、レーザービーム照射ステップ後の表面弾性波デバイスチップ４１の裏面側を模式的に示す斜視図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、レーザービーム照射ステップを経て完成する表面弾性波デバイスチップ４１の裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）には、弾性波の伝播特性を変化させる凹部１９が設けられている。
【００６６】
そのため、表面弾性波デバイスチップ４１（ウェーハ１１）の内部を伝播する弾性波は、この凹部１９及びその近傍の領域で拡散され、裏面（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）で反射され難くなる。これにより、反射された弾性波が電極１５に再入射するのを防いで周波数特性の劣化を抑制できる。なお、この凹部１９は、表面側で発生して内部を伝播する弾性波を拡散させるだけでなく、他の要因で発生する弾性波を拡散させることもできる。
【００６７】
以上のように、本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法では、ウェーハ１１を分割して得られる複数の表面弾性波デバイスチップ４１から不良の表面弾性波デバイスチップ４１を選別し、その後、選別された表面弾性波デバイスチップ４１の裏面にレーザービームＬを照射して弾性波の反射を抑制するための凹部（凹凸）１９を形成するので、裏面での弾性波の反射に起因して不良となった表面弾性波デバイスチップ４１を再生できる。つまり、本実施形態に係る表面弾性波デバイスチップの製造方法によれば、特性の良い表面弾性波デバイスチップ４１を歩留まり良く得られる。
【００６８】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の分割ステップでは、ウェーハ１１を切削ブレード６２で切断して複数の表面弾性波デバイスチップ４１へと分割する方法を示しているが、ウェーハ１１をレーザービームで加工して複数の表面弾性波デバイスチップへと分割することもできる。
【００６９】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７０】
２  研削装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
６  研削ユニット
８  スピンドル
１０  マウント
１２  研削ホイール
１４  ホイール基台
１６  研削砥石
２２  研磨装置
２４  チャックテーブル
２４ａ  保持面
２６  研磨ユニット
２８  スピンドル
３０  マウント
３２  研磨パッド
４２  切削装置
４４  チャックテーブル
４４ａ  保持面
４６  クランプ
４８  切削ユニット
５０  スピンドル
５２  切削ブレード
６２  検査装置
６４  チャックテーブル
６４ａ  保持面
６６  クランプ
６８  検査用プローブ
７２  レーザー加工装置
７４  チャックテーブル
７４ａ  保持面
７６  クランプ
７８  レーザー照射ユニット
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  電極
１７  被覆層
１９  凹部（凹凸）
２１  保護部材
３１  ダイシングテープ
３３  フレーム
４１  表面弾性波デバイスチップ
５１  ダイシングテープ
５３  フレーム
【図１】
2018042209.tif 000003
【図２】
2018042209.tif 000004
【図３】
2018042209.tif 000005
【図４】
2018042209.tif 000006