(57)【要約】【課題】外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板、タッチパネルシステム及びタッチパネルを提供する。【解決手段】タッチパネル用センサ基板（２０Ａ）は、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用のセンスパターン（２２）及びドライブパターン（２１）を備える。外周パターン（２５）とセンスパターン（２２）及びドライブパターン（２１）との間に生じる容量を低下させる容量低下部としての外周拡大エッチング（２７）が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極及び列電極を備えたタッチパネル用センサ基板において、
外周部に残存する薄膜と上記行電極及び列電極との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられていることを特徴とするタッチパネル用センサ基板。
【請求項２】
前記外周部に残存する薄膜と前記行電極及び列電極との間に初期幅ｄ０の空隙溝が形成されている場合に、
前記容量低下部は、
ｄ１＞ｄ０
となる拡張幅ｄ１の空隙溝からなっていることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル用センサ基板。
【請求項３】
前記容量低下部は、
前記外周部に残存する薄膜における外側への突出長さＤ２が、上記薄膜の外側への初期突出長さＤ０に対して、
Ｄ２＜Ｄ０
となっていることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル用センサ基板。
【請求項４】
前記容量低下部は、
前記外周部に残存する薄膜が、互いに隙間を有して複数に分割されたものからなっていることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル用センサ基板。
【請求項５】
前記容量低下部は、
隅部のみが分割されたものからなっていることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル用センサ基板。
【請求項６】
前記外周部に残存する薄膜のうち、最外周部に残存する薄膜が接地されていると共に、
前記容量低下部は、前記外周部に残存する薄膜のうち、最外周部に残存する薄膜以外の部分が互いに隙間を有して複数に分割されたものからなっていることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル用センサ基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のタッチパネル用センサ基板と、該タッチパネル用センサ基板を駆動制御する制御部とを備えていることを特徴とするタッチパネルシステム。
【請求項８】
表示装置と、請求項７に記載のタッチパネルシステムとを備えていることを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極及び列電極を備えたタッチパネル用センサ基板、タッチパネルシステム及びタッチパネルに関するものであり、特にタッチパネル用センサ基板の電極パターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の表示装置を備えた情報端末等のタッチパネルでは、指やペンにより入力が可能なタッチパネルシステムが備えられている。パネルシステムは、タッチパネル用センサ基板において隙間を有して格子状に配置された行電極と列電極との間の静電容量がタッチにより変化することを読み取り、タッチ位置を検出する。行電極及び列電極は、電気的に信号を読み出すため導電性が必要であるが、表示装置の画面に配置するため光の透過性を合わせ持つ必要がある。このため、行電極及び列電極は、ＩＴＯ等の透明電極で構成されている。
【０００３】
近年、タッチパネルの大型化や高精細化に伴い信号の読み出しを高速に行う必要があるため、抵抗が高いＩＴＯでは対応できない場合が発生している。このため、例えば特許文献１のように、金属細線で細かな編み目（メッシュ）を作成し、この金属細線を所望の電極形状に切り抜くことが行われている。このように、金属細線で電極を構成することにより、抵抗の小さい金属で光透過性を合わせ持つタッチパネル用センサ基板のセンサ用電極を作成することができる。また、例えば特許文献２のように、金属メッシュを不規則な多角形で構成することも行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１４／１１９２３０号（２０１４年８月７日公開）
【特許文献２】特開２０１４−２１９９６４号公報（２０１４年１１月２０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の特許文献１及び特許文献２に開示されたタッチパネル用センサ基板では、以下の問題点を有している。
【０００６】
ずなわち、図１２に示すように、タッチパネル用センサ基板１００において、全面に形成している金属メッシュからなる電極形状をレーザ等でエッチングして内部エッチング１０３を形成する。これにより、センスパターン１０１及びドライブパターン１０２が形成されると共に、周辺の額縁領域に外周パターン１０４として金属メッシュが残ってしまう。
【０００７】
ここで、タッチパネル用センサ基板１００においては、格子状の電極であるセンスパターン１０１及びドライブパターン１０２の一方を駆動し、センスパターン１０１とドライブパターン１０２との各電極間の容量により現われる他方の電極の信号を読み取ることにより、タッチパネル用センサ基板１００上の容量分布を取得してタッチ位置を検出している。
【０００８】
一般に、額縁領域の金属メッシュである外周パターン１０４は、フローティング又は高抵抗で接地されているので、図１２に示すように、例えば、一方の電極であるドライブパターン１０２を駆動したときに、額縁領域の外周パターン１０４を通じて、他方の電極であるセンスパターン１０１へノイズが混入し悪影響を与える課題が発生する。具体的には、図１３に示すように、一番奥隅、一番手前隅、及び右奥隅等に、タッチが無いときにはあるべきではない容量が検知される。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板、タッチパネルシステム及びタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様におけるタッチパネル用センサ基板は、上記の課題を解決するために、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極及び列電極を備えたタッチパネル用センサ基板において、外周部に残存する薄膜と上記行電極及び列電極との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の一態様におけるタッチパネルシステムは、上記の課題を解決するために、前記タッチパネル用センサ基板と、該タッチパネル用センサ基板を駆動制御する制御部とを備えていることを特徴としている。
【００１２】
本発明の一態様におけるタッチパネルは、上記の課題を解決するために、表示装置と、前記記載のタッチパネルシステムとを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板、タッチパネルシステム及びタッチパネルを提供するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態１におけるタッチパネル用センサ基板の全体構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記タッチパネル用センサ基板の隅部の構成を拡大して示す平面図である。
【図２】上記タッチパネル用センサ基板を備えたタッチパネルシステムの構成を示すブロック図である。
【図３】上記タッチパネル用センサ基板の行電極及び列電極を示す配線図である。
【図４】上記タッチパネル用センサ基板に接続された行電極及び列電極とドライバに接続されたドライブライン及びセンスアンプに接続されたセンスラインとの接続を切り替えるためのマルチプレクサの構成を示す回路図である。
【図５】（ａ）は上記タッチパネル用センサ基板の行電極及び列電極の製造工程を示すものであって、金属薄膜の構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の金属薄膜をエッチングして内部エッチング及び外周エッチングを形成した状態のタッチパネル用センサ基板の構成を示す平面図であり、（ｃ）はドライブライン間を連結部材で連結することにより、ドライブパターンとセンスパターンとを形成した状態のタッチパネル用センサ基板の構成を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態２におけるタッチパネル用センサ基板の全体構成を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態３におけるタッチパネル用センサ基板の全体構成を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態３におけるタッチパネル用センサ基板の変形例の全体構成を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態３におけるタッチパネル用センサ基板の他の変形例の構成の要部を拡大して示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態３におけるタッチパネル用センサ基板のさらに他の変形例の全体構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態４におけるタッチパネル用センサ基板の隅部の構成を拡大して示す平面図である。
【図１２】従来のタッチパネル用センサ基板の隅部の構成を拡大して示す平面図である。
【図１３】従来のタッチパネル用センサ基板において、タッチが無いときに現れる容量分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図１〜図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板は、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極及び列電極を備えている。また、上記タッチパネル用センサ基板と、該タッチパネル用センサ基板を駆動制御する制御部としてのタッチパネルコントローラとによって、タッチパネルシステムが構成されている。さらに、本実施の形態のタッチパネルシステム１と図示しない液晶表示装置等の表示装置とが一体となってタッチパネルが構成されている。タッチパネルとしては、タッチ操作可能なパーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット、又はＡＴＭ等がある。
【００１７】
（タッチパネルシステムの構成）
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａを備えたタッチパネルシステム１の構成について、図２及び図３に基づいて説明する。図２は、本実施の形態のタッチパネルシステム１の構成を示すブロック図である。図３は、タッチパネルシステム１に設けられたタッチパネル用センサ基板２０Ａの構成を示す配線図である。
【００１８】
本実施の形態のタッチパネルシステム１は、図２に示すように、タッチパネル用センサ基板２０Ａと、被検出体としての指３と、これらタッチパネル用センサ基板２０Ａ及び指３を駆動するタッチパネルコントローラ１０とを備えている。尚、本実施の形態では、図２及び図３に示すように、被検出体としての指３を使用する場合について説明する。しかし、本発明の一態様においては、被検出体は、指３に限らず、例えばタッチペン又は電子ペン等のスタイラスペンあってもよい。
【００１９】
上記タッチパネル用センサ基板２０Ａは、図３に示すように、水平方向に沿って互いに平行に配置された複数本であるＫ本（Ｋは正の整数）の行電極としての水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫと、垂直方向に沿って互いに平行に配置された複数本であるＬ本（Ｌは正の整数）の列電極としての垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬとを備えている。上記水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫと垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬとの各交差点には、静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬが発生するものとなっている。尚、ＫとＬとは互いに同じか又は異なるかのいずれであってもよいが、本実施の形態では、Ｌ≧Ｋとして説明を行う。また、本実施の形態では、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫと垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬとは互いに垂直に交差しているが、本発明の一態様においては、必ずしもこれに限らず、両者が互いに交差していれば足りる。
【００２０】
タッチパネル用センサ基板２０Ａは、スマートフォンに使用される比較的小さい基板であるが、必ずしもこれに限らず、例えば、スタイラスペンを把持した手を着くことができる広さを有する大きさの基板、又はタブレット、ＰＣモニタ若しくはテレビの表示パネル等の広い基板であってもよい。
【００２１】
上記タッチパネルコントローラ１０は、図２に示すように、マルチプレクサ１１とドライバ１２とセンスアンプ１３とタイミングジェネレータ１４とＡＤ変換器１５と容量分布計算部１６とタッチ認識部１７と指位置検出部１８とを備えている。
【００２２】
上記ドライバ１２は、タッチパネル用センサ基板２０Ａにおける前述した水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの又は垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬの駆動に対応してドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫ又はドライブラインＤＬ１〜ＤＬＬに電圧を印加するようになっている。
【００２３】
上記センスアンプ１３は、第１信号線駆動期間における水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの駆動時において、タッチパネル用センサ基板２０Ａの各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに対応する当初電荷の信号と、タッチ時における指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量に対応するタッチ時電荷である指第１電荷信号とに対応する線形和信号を、センスラインＳＬ１〜ＳＬＫを通して読み出して、ＡＤ変換器１５に供給する。すなわち、第１信号線駆動期間において、各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに対応する電荷を検出しているときに、指３をタッチパネル用センサ基板２０Ａの或る位置に近づけると該位置の静電容量に蓄積される電荷が変化するので、その変化した静電容量に蓄積される電荷に基づく信号を線形和信号として検出することができる。通常、指３をタッチパネル用センサ基板２０Ａに近づけると、近づけた位置の各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬは、減少することになる。すなわち、本実施の形態のタッチパネルシステム１は、相互容量方式を採用している。相互容量方式のタッチパネルシステム１では、タッチ面をタッチすると人体を通じてタッチ部分の静電容量がＧＮＤへ流れる。つまり、タッチ位置の静電容量は減少する。この減少分を読み取ることにより、タッチ位置を検出する。
【００２４】
また、センスアンプ１３は、第２信号線駆動期間における垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬの駆動時において、タッチパネル用センサ基板２０Ａの各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに対応する当初電荷の信号と、タッチ時における指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量に対応するタッチ時電荷の信号である指第２電荷信号とに対応する線形和信号を、センスラインＳＬ１〜ＳＬＫを通して読み出して、ＡＤ変換器１５に供給するようになっている。
【００２５】
次に、上記マルチプレクサ１１について、図４に基づいて説明する。図４は、タッチパネル用センサ基板２０Ａに設けられた水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫ、又は垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＫ〜ＶＬＬと、ドライバに接続されたドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫ〜ＤＬＬ又はセンスアンプ１３に接続されたセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫ〜ＳＬＬとの接続を切り替えるマルチプレクサの構成を示す回路図である。
【００２６】
マルチプレクサ１１は、複数の入力と複数の出力との接続を互いに切り替える接続切替回路である。本実施の形態では、マルチプレクサ１１は、第１接続状態と第２接続状態とに切替える。第１接続状態は、図４に示すように、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫをドライバ１２のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫに接続し、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＫ〜ＶＬＬをセンスアンプ１３のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫ〜ＳＬＬに接続する接続状態である。また、第２接続状態は、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫをセンスアンプ１３のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫに接続し、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＫ〜ＶＬＬをドライバ１２のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫ〜ＤＬＬに接続する接続状態である。
【００２７】
上記マルチプレクサ１１においては、図４に示す制御線ＣＬの信号をＬｏｗにすると、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫはドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫに接続されると共に、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬはセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬに接続される。一方、制御線ＣＬの信号をＨｉｇｈにすると、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫはセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫに接続されると共に、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬはドライブラインＤＬ１〜ＤＬＬに接続されるようになっている。
【００２８】
次に、図２に示す上記タイミングジェネレータ１４は、ドライバ１２の動作を規定する信号と、センスアンプ１３の動作を規定する信号と、ＡＤ変換器１５の動作を規定する信号とを生成して、ドライバ１２、センスアンプ１３及びＡＤ変換器１５にそれぞれ供給する。また、タイミングジェネレータ１４は、同期信号を生成する。そして、タッチパネルコントローラ１０は、タイミングジェネレータ１４にて生成した同期信号を同期専用信号として用いて水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫ及び垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬを駆動するようになっている。
【００２９】
次に、ＡＤ変換器１５は、第１信号線駆動期間において、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬとセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬとを通して読み出される各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに対応する電荷と、指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量に対応する電荷である指第１電荷信号とに対応する線形和信号をＡＤ変換して容量分布計算部１６に供給する。
【００３０】
また、ＡＤ変換器１５は、第２信号線駆動期間において、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫとセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫとを通して読み出される各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに対応する電荷と、指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量に対応する電荷である指第２電荷信号とに対応する線形和信号をＡＤ変換して容量分布計算部１６に供給する。
【００３１】
次に、容量分布計算部１６は、上記指第１電荷信号及び指第２電荷信号を含む線形和信号と、駆動に基づいた符号系列とに基づいて、タッチパネル用センサ基板２０Ａ上の静電容量分布、及び指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量の分布、並びに指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量の分布を計算して、タッチパネル用センサ基板２０Ａ上の静電容量分布をタッチ認識部１７に供給する。また、容量分布計算部１６は、指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量の分布、及び指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量の分布を位置検出手段である指位置検出部１８に供給する。タッチ認識部１７は、容量分布計算部１６から供給された静電容量分布に基づいて、タッチパネル用センサ基板２０Ａ上の指３がタッチされた位置を認識する。
【００３２】
上記指位置検出部１８は、指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量の分布に基づいて、指３の水平信号線に沿った位置を検出する。また、指位置検出部１８は、指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量の分布に基づいて、指３の垂直信号線に沿った位置を検出する。
【００３３】
（指のタッチ位置の検出動作）
上記構成のタッチパネルシステム１における指３のタッチ位置の検出動作について、以下に経時的に説明する。
【００３４】
まず、第１信号線駆動期間においては、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫをドライバ１２のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫに接続し、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬをセンスアンプ１３のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬに接続する第１接続状態になる。この第１接続状態では、ドライバ１２が、ドライブラインＤＬ１〜ＤＬＫに電圧を印加して水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫを駆動する。
【００３５】
そして、第１信号線駆動期間においては、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの駆動により各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに蓄積された電荷と、指３をタッチパネル用センサ基板２０Ａに近づけたときの該指３とＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれとの間の静電容量に対応する電荷の信号である指第１電荷信号とに基づくＬ個の第１線形和信号がＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬのそれぞれから出力される。
【００３６】
センスアンプ１３は、指第１電荷信号を含む上記Ｌ個の第１線形和信号を、マルチプレクサ１１及びセンスラインＳＬ１〜ＳＬＬを介して読み出し、ＡＤ変換器１５に供給する。ＡＤ変換器１５は、指第１電荷信号を含む上記Ｌ個の第１線形和信号をＡＤ変換して容量分布計算部１６に出力する。
【００３７】
次に、上記第１接続状態から、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫと垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬとのドライブ信号とセンス信号とを互いに入れ替えるべく、第２接続状態に切り替える。すなわち、第２接続状態では、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫをセンスアンプ１３のセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫに接続し、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬをドライバ１２のドライブラインＤＬ１〜ＤＬＬに接続する。
【００３８】
その後、ドライバ１２が、ドライブラインＤＬ１〜ＤＬＬに電圧を印加して垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬを駆動する。
【００３９】
そして、第２信号線駆動期間においては、垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬの駆動により各静電容量Ｃ１１〜ＣＫＬに蓄積された電荷と、指３とＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれとの間の静電容量に対応する電荷の信号である指第２電荷信号とに基づくＫ個の第２線形和信号がＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫのそれぞれから出力される。このとき、センスアンプ１３は、指第２電荷信号を含む上記Ｋ個の第２線形和信号を、マルチプレクサ１１及びセンスラインＳＬ１〜ＳＬＫを介して読み出し、ＡＤ変換器１５に供給する。ＡＤ変換器１５は、指第２電荷信号を含む上記Ｋ個の第２線形和信号をＡＤ変換して容量分布計算部１６に出力する。
【００４０】
次に、位置検出工程においては、容量分布計算部１６は、指第１電荷信号を含む上記第１線形和信号、指第２電荷信号を含む上記第２線形和信号、Ｒ上の静電容量分布を算出してタッチ認識部１７に供給すると共に、指３の水平信号線に沿った位置、及び指３の垂直信号線に沿った位置を算出して指位置検出部１８に供給する。
【００４１】
その後、タッチ認識部１７は、容量分布計算部１６から供給された静電容量分布に基づいて、タッチパネル用センサ基板２０Ａ上の指３がタッチされた位置を認識する。
【００４２】
また、指位置検出部１８は、容量分布計算部１６により算出された指３の水平信号線に沿った位置、及び指３の垂直信号線に沿った位置に基づいて、指３のタッチパネル用センサ基板２０Ａ上の位置を検出する。
【００４３】
尚、上記の説明において、本実施の形態では、水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫ及び垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬはいずれも並列に同時に駆動を行っている。つまり、並列駆動を行っている。ただし、必ずしもこれに限らず、タッチパネル用センサ基板２０ＡにおけるＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの駆動及びＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬの駆動は、並列駆動又は逐次駆動のいずれであってもよい。並列駆動とは、Ｋ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの駆動又はＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬを並列に同時に駆動することであり、逐次駆動とはＫ本の水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫの駆動又はＬ本の垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬを水平信号線ＨＬ１又は垂直信号線ＶＬ１から順に逐次、駆動することである。速さの点からは、並列駆動が好ましく、本実施の形態では、並列駆動を採用している。
【００４４】
上述した動作により、タッチパネル用センサ基板２０Ａの指３のタッチ位置の座標を検出することができる。
【００４５】
（タッチパネル用センサ基板の電極の形成方法）
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａにおいて、金属メッシュから行電極及び列電極を形成する方法について、図５の（ａ）（ｂ）（ｃ）に基づいて説明する。尚、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａは、本発明の一態様における容量低下部が設けられた構成となっている一方、図５の（ａ）（ｂ）（ｃ）に基づいて製造したタッチパネル用センサ基板２０は、本発明の一態様における容量低下部が設けられていない構成となっている。図５の（ａ）は、タッチパネル用センサ基板２０の行電極及び列電極の形成したタッチパネル用センサ基板２０の製造工程を示すものであって、金属薄膜の構成を示す平面図である。図５の（ｂ）は、図５の（ａ）の金属薄膜をエッチングして内部エッチング及び外周エッチングを形成した状態のタッチパネル用センサ基板２０の構成を示す平面図である。図５の（ｃ）は、ドライブライン間を連結部材２６で連結することにより、ドライブパターン２１とセンスパターン２２とを形成した状態のタッチパネル用センサ基板２０の構成を示す平面図である。尚、ドライブパターン２１は前述した垂直信号線ＶＬ１〜ＶＬＬ及び列電極に対応すると共に、センスパターン２２は前述した水平信号線ＨＬ１〜ＨＬＫ及び行電極に対応する。
【００４６】
図５の（ａ）に示すように、タッチパネル用センサ基板２０は、最初に、上面の全面に光透過性及び導電性の薄膜が形成される。灰色の部分が薄膜を示している。薄膜は、導電性の物質を利用して、タッチパネル用センサ基板２０の全面に導電性の中実の膜、又は均一若しくは不均一を問わないメッシュ状の中空の膜で構成されている。中実の膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムすず酸化物）や金属箔で構成された膜である。また、中空の膜は、銅細線で均一の編み目を構成したものや、ナノパーティクルと呼ばれる導電性物質を塗布し、乾燥の際に不均一の細かなメッシュを構成したものである。この結果、薄膜は、例えば、金属製の導電性ワイヤを用いてメタルメッシュとして構成されたものとすることができる。
【００４７】
この状態から、図５の（ｂ）に示すように、金属細線をレーザ等でエッチングして不要部分を取り除く。図５の（ｂ）に示すように、白く記載した部分がエッチングで取り除かれた空隙溝としての内部エッチング２３及び外周エッチング２４である。取り除く部分の幅を初期幅ｄ０とする。ここで、図５の（ｂ）においては、縦方向に繋がった電極であるドライブパターン２１が構成されるが、横方向の電極は繋がっていない。そこで、図５（ｃ）に示すように、縦方向の電極であるドライブパターン２１を跨いで、横方向に電極を繋ぐ連結部材２６を取り付ける。これによって、縦方向及び横方向の格子状のドライブパターン２１及びセンスパターン２２が構成される。また、タッチパネル用センサ基板２０の外周部には、外周パターン２５が形成されている。すなわち、薄膜は、タッチパネル用センサ基板２０面の位置座標に対して選択的に構成できる場合がある。つまり、パターンが必要な箇所にのみＩＴＯ等で導体を構成する場合である。しかしながら、通常は、製造コストを下げるために、まずは、ドライブパターン２１及びセンスパターン２２に関係なく、タッチパネル用センサ基板２０の全面に対して薄膜を構成する。そして、必要なパターンを構成すると同時に不必要なパターンを電気的に非接続の状態にするために、レーザー等を用いて接続を断ち切って両者を分断することが行われる。この結果、外周パターン２５が形成される。
【００４８】
（タッチパネル用センサ基板の問題点）
前述のようにして製造したタッチパネル用センサ基板２０においては、格子状の電極であるドライブパターン２１及びセンスパターン２２の一方を駆動し、ドライブパターン２１とセンスパターン２２との各電極間の容量により現われる他方の電極の信号を読み取ることにより、タッチパネル用センサ基板２０上の容量分布を取得してタッチ位置を検出している。
【００４９】
一般に、額縁領域の金属メッシュ等からなる外周パターン２５は、フローティング又は高抵抗で接地されているので、図１２に示したと同様に、例えば、一方の電極であるドライブパターン２１を駆動したときに、額縁領域の外周パターン２５を通じて、他方の電極であるセンスパターン２２へノイズが混入し悪影響を与える課題が発生する。換言すれば、座標を検出可能な領域以外である外周パターン２５によって、不要な容量結合が発生してしまうと、正しくタッチされた位置を検出できなくなってしまうという問題点を有している。特に、この問題は、最外周がフローティング状態又は十分に低抵抗でＧＮＤ接続されていない場合（例えば３００Ω程度以上）に顕著に生じる。
【００５０】
（外周部に発生する容量に基づくノイズを低減するための構成）
そこで、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａでは、外周部に残存する薄膜である外周パターン２５とドライブパターン２１及びセンスパターン２２との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられている。換言すれば、容量低下部は、外周パターン２５が、ドライブパターン２１と容量結合してセンスパターン２２に影響を与えないようにするものである。詳細には、センスパターン２２から得られる伝搬したノイズが、タッチしたときの信号よりも十分に小さくなるようにする。これにより、例えば、タッチされていないにもかかわらずタッチを認識してしまうといった誤認識を回避することが可能になる。
【００５１】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａの構成について、図１の（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図１の（ａ）は、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ａの全体構成を示す平面図である。図１の（ｂ）は、上記タッチパネル用センサ基板２０Ａの隅部の構成を拡大して示す平面図である。
【００５２】
図１の（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａでは、容量低下部の一例として、タッチパネル用センサ基板２０に対して、外周部に残存する薄膜である外周パターン２５とドライブパターン２１及びセンスパターン２２との間に形成された初期幅ｄ０の空隙溝よりも長さを大きくした拡張幅ｄ１の空隙溝からなる外周拡大エッチング２７を形成している。
【００５３】
すなわち、本実施の形態の容量低下部は、外周拡大エッチング２７が、ｄ１＞ｄ０となる拡張幅ｄ１の空隙溝からなっており、外周エッチング２４のエッチ幅である初期幅ｄ０を拡張幅ｄ１に拡大している。
【００５４】
これにより、タッチパネル用センサ基板２０の外周エッチング２４の初期幅ｄ０よりも幅の大きい拡張幅ｄ１の空隙溝である外周拡大エッチング２７が形成される。このため、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との距離が大きくなる。この結果、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間における電荷の移動が起こり難くなる。したがって、ドライブパターン２１及びセンスパターン２２の容量と額縁領域の外周パターン２５との間の容量を実質的に小さくできる。このため、外周パターン２５を通じての、ドライブパターン２１からセンスパターン２２への影響が少なくなり、外周パターン２５を通じて発生するノイズが少なくなる。
【００５５】
それゆえ、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ａを提供することができる。
【００５６】
このように、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａは、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極としてのセンスパターン２２及び列電極としてのドライブパターン２１を備えている、そして、外周部に残存する薄膜としての外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられている。
【００５７】
この結果、容量低下部によって、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間に生じる容量が低下する。したがって、外周パターン２５に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ａを提供することができる。
【００５８】
特に、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ａは、容量低下部は、タッチパネル用センサ基板２０の外周エッチング２４における空隙溝の初期幅ｄ０に対して、外周エッチング２４における空隙溝の拡張幅ｄ１が、ｄ１＞ｄ０となっている。
【００５９】
これにより、外周エッチング２４は、初期幅ｄ０よりも幅の大きい拡張幅ｄ１の空隙溝が形成される。このため、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との距離が大きくなる。この結果、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間における電荷の移動が起こり難くなる。
【００６０】
したがって、外周パターン２５に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ａを提供することができる。
【００６１】
また、本実施の形態におけるタッチパネルシステム１は、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ａと、該タッチパネル用センサ基板２０Ａを駆動制御する制御部としてのタッチパネルコントローラ１０とを備えている。
【００６２】
さらに、本実施の形態におけるスマートフォン等のタッチパネルは、例えば液晶表示装置等の表示装置と、本実施の形態のタッチパネルシステム１とを備えている。
【００６３】
したがって、外周パターン２５に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ａを備えたタッチパネルシステム１及びタッチパネルを提供することができる。
【００６４】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｂは、容量低下部が、外周パターン２５における外側への突出長さＤ２が、タッチパネル用センサ基板２０の外周パターン２５における外側への初期突出長さＤ０に対して、Ｄ２＜Ｄ０となっている点が異なっている。
【００６６】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｂの構成について、図６に基づいて説明する。図６は、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｂの全体構成を示す平面図である。
【００６７】
本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｂは、図６に示すように、容量低下部は、前記タッチパネル用センサ基板２０の外周パターン２５における外側への初期突出長さＤ０が長かったのに対して、外周側を削り落として、外周パターン２５の突出長さＤ２としている。この結果、
タッチパネル用センサ基板２０Ｂの外周パターン２５の突出長さＤ２＜タッチパネル用センサ基板２０の外周パターン２５の初期突出長さＤ０
の関係となっている。
【００６８】
これにより、外周パターン２５の面積が小さくなるので、外周パターン２５に蓄積する電荷量が少なくなる。この結果、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間における電荷の移動量が小さくなる。
【００６９】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ｂを提供することができる。
【００７０】
ここで、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｂにおいて、突出長さＤ２＜初期突出長さＤ０の関係を有するように形成する方法として、前述したように、例えば、タッチパネル用センサ基板２０の状態から額縁を切り落として、外周パターン２５の突出長さＤ２にすることができる。
【００７１】
しかし、必ずしもこれに限らず、例えば、センスパターン２２及びドライブパターン２１の電極形状、又はタッチパネル用センサ基板２０Ｂの大きさを設定することによって、実現することも可能である。
【００７２】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図７〜図１０に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１及び実施の形態２と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７３】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｃでは、外周パターン２５が互いに隙間を有して複数に分割された容量低下部を有している点が異なっている。
【００７４】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｃの構成について、図７に基づいて説明する。図７は、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｃの全体構成を示す平面図である。
【００７５】
本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｃでは、図７に示すように、容量低下部は、外周パターン２５が、互いに隙間を有して複数に分割されたものからなっている。本実施の形態では、例えば、内部エッチング２３と外周パターン２５との交点から、外周縁に垂直に延びる分割用エッチング２８を形成している。
【００７６】
すなわち、外周パターン２５の面積が大きいと、蓄積される電荷の容量も大きくなる。そこで、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｃでは、外周パターン２５が、互いに隙間を有して複数に分割されたものからなっている。このため、外周パターン２５は細切れに分断されるので、個々に分断された外周パターン２５に蓄積される電荷の容量も小さくなる。この結果、個々の外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間で移動する容量も小さい。
【００７７】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ｃを提供することができる。
【００７８】
尚、本発明の一態様においては、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上記実施の形態では、分割用エッチング２８を、内部エッチング２３と外周パターン２５との交点から外周縁に垂直に延びるように形成している。しかし、特にこれに限定するものではなく、例えば、図８に示す分割用エッチング２８を形成することが可能である。図８は、本実施の形態における変形例のタッチパネル用センサ基板２０Ｃ’の全体構成を示す平面図である。
【００７９】
図８に示すように、容量低下部として、例えば、外周パターン２５の隅部のみが分割されたものからなっているとすることができる。
【００８０】
すなわち、図１３に示すように、外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間で移動する容量は、外周パターン２５の隅部において大きいことが確認されている。
【００８１】
そこで、容量低下部として、例えば、図８に示すように、外周パターン２５の隅部のみが分割用エッチング２８により分割されたものとすることができる。具体的には、図８に示すように、分割用エッチング２８は、外周パターン２５において、外周エッチング２４の延長線上に形成されている。
【００８２】
この結果、分割数を増加しなくても、電荷の移動量の多い隅部を分割用エッチング２８にて分割することにより、効率的に、外周パターン２５に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ｃ’を提供することができる。
【００８３】
尚、この形態において、例えば、隅部の外周パターン２５を取り除くことが可能である。これにより、隅部の外周パターン２５がなくなるので、ドライブパターン２１から隅部の外周パターン２５を経てセンスパターン２２に電荷が移動するのを極力抑制することができる。したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを大きく低減することができる。
【００８４】
或いは、図９に示すように、容量低下部として、例えば、外周パターン２５を細切れに多数分割したタッチパネル用センサ基板２０Ｃ”とすることが可能である。図９は、他の変形例のタッチパネル用センサ基板２０Ｃ”の構成の要部を拡大して示す平面図である。
【００８５】
図９に示すように、タッチパネル用センサ基板２０Ｃ”では、個々のドライブパターン２１及びセンスパターン２２に対向する外周パターン２５に、複数の分割用エッチング２８を形成している。
【００８６】
この結果、各分割された外周パターン２５に蓄積される電荷は極めて少なくなる。このため、個々の外周パターン２５とセンスパターン２２及びドライブパターン２１との間で移動する容量も極めて小さい。
【００８７】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ｃ”を提供することができる。
【００８８】
特に、前述した外周パターン２５を細切れに多数分割する容量低下部とする場合には、図１０に示すように、分割用エッチング２８の外側にさらに外周パターン２５が形成される場合が好ましい。図１０は、さらに他の変形例のタッチパネル用センサ基板Ｃ”’の全体構成を示す平面図である。
【００８９】
図１０に示すように、タッチパネル用センサ基板Ｃ”’では、額縁の外周パターン２５残すが、残した外周パターン２５とセンスパターン２２及びセンスパターン２２との間の金属メッシュを分割用エッチング２８により分割して、隣接間の影響を少なくしている。
【００９０】
このことにより、ＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電放電）等の外部からのノイズからセンスパターン２２及びドライブパターン２１を保護できると共に、外周パターン２５を通じてのドライブパターン２１からセンスパターン２２への影響が少なくなり、外周パターン２５を通じて発生するノイズが少なくすることができる。
【００９１】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１〜実施の形態３と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１〜実施の形態３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００９２】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｄは、前記実施の形態２のタッチパネル用センサ基板２０Ｃ”’の構成に加えて、外周パターン２５を接地している点が異なっている。
【００９３】
本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｄの構成について、図１１に基づいて説明する。図１１は、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｄの要部の構成を示す平面図である。
【００９４】
図１１に示すように、本実施の形態のタッチパネル用センサ基板２０Ｄは、前記タッチパネル用センサ基板２０Ｃ”’と同様に、額縁の外周パターン２５残すが、残した外周パターン２５とセンスパターン２２及びセンスパターン２２との間の金属メッシュを分割用エッチング２８により分割して、隣接間の影響を少なくしている。さらに、最外周部に残存する外周パターン２５を接地している。この結果、外周パターン２５が見かけ上、二重になっている。
【００９５】
すなわち、タッチパネル用センサ基板においては、ＥＳＤ対策としてタッチパネル用センサ基板に溜まっている電荷を除去するために接地することが多い。このことは、逆に、最外周部に残存する外周パターン２５が接地されている場合には、特に、センスパターン２２及びドライブパターン２１から外周部に残存する外周パターン２５に電荷が移動し易くなり、ノイズが発生し易くなる。
【００９６】
そこで、本実施の形態におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｄでは、最外周部に残存する外周パターン２５が接地されている場合において、外周パターン２５のうち、最外周部に残存する薄膜以外の部分が互いに隙間を有して分割用エッチング２８にて複数に分割されている。この結果、分割部分に蓄積される電荷量は小さいので、最外周部の外周パターン２５に移動する電荷量も小さいものとなる。
【００９７】
したがって、最外周部の外周パターン２５が接地されている場合においても、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板２０Ｄを提供することができる。
【００９８】
〔まとめ〕
本発明の態様１におけるタッチパネル用センサ基板２０Ａ・２０Ｂ・２０Ｃ〜２０Ｃ”’・２０Ｄは、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極（センスパターン２２）及び列電極（ドライブパターン２１）を備えたタッチパネル用センサ基板において、外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）と上記行電極（センスパターン２２）及び列電極（ドライブパターン２１）との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられていることを特徴としている。
【００９９】
上記の構成によれば、タッチパネル用センサ基板は、導電性及び光透過性を有する薄膜を分割して形成した容量検出用の行電極及び列電極を備えている。
【０１００】
この種のタッチパネル用センサ基板では、タッチパネル用センサ基板を形成したときに、周辺の額縁領域に薄膜が残ってしまう。この結果、行電極及び列電極との一方の電極を駆動したときに、額縁領域の薄膜を通じて、他方の電極へノイズが混入し悪影響を与える。
【０１０１】
そこで、本発明の一態様におけるタッチパネル用センサ基板では、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間に生じる容量を低下させる容量低下部が設けられている。この結果、容量低下部によって、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間に生じる容量が低下する。
【０１０２】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１０３】
本発明の態様２におけるタッチパネル用センサ基板２０Ａは、前記外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）と前記行電極（センスパターン２２）及び列電極（ドライブパターン２１）との間に初期幅ｄ０の空隙溝が形成されている場合に、前記容量低下部は、ｄ１＞ｄ０となる拡張幅ｄ１の空隙溝からなっていることが好ましい。
【０１０４】
これにより、初期幅ｄ０よりも幅の大きい拡張幅ｄ１の空隙溝が形成される。このため、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との距離が大きくなる。この結果、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間における電荷の移動が起こり難くなる。
【０１０５】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１０６】
本発明の態様３におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｂでは、前記容量低下部は、前記外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）における外側への突出長さＤ２が、上記薄膜（外周パターン２５）の外側への初期突出長さＤ０に対して、Ｄ２＜Ｄ０となっていることが好ましい。
【０１０７】
これにより、外周部に残存する薄膜の面積が小さくなるので、外周部に蓄積する電荷量が少なくなる。この結果、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間における電荷の移動量が小さくなる。
【０１０８】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１０９】
本発明の態様４におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｃ〜〜２０Ｃ”’では、前記容量低下部は、前記外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）が、互いに隙間（分割用エッチング２８）を有して複数に分割されたものからなっていることが好ましい。
【０１１０】
外周部に残存する薄膜の面積が大きいと、蓄積される電荷の容量も大きくなる。そこで、本発明の一態様におけるタッチパネル用センサ基板では、外周部に残存する薄膜が、互いに隙間を有して複数に分割されたものからなっている。このため、外周部に残存する薄膜は細切れに分断されるので、個々に分断された薄膜に蓄積される電荷の容量も小さくなる。この結果、外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間で移動する容量も小さい。
【０１１１】
したがって、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１１２】
本発明の態様５におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｃ’では、前記容量低下部は、隅部のみが分割されたものからなっていることが好ましい。
【０１１３】
外周部に残存する薄膜と行電極及び列電極との間で移動する容量は、外周部の隅部において大きいことが経験的に確認されている。
【０１１４】
そこで、本発明の一態様におけるタッチパネル用センサ基板では、外周部の隅部のみが分割されたものとなっている。この結果、分割数を増加しなくても、移動量の多い隅部を分割することにより、効率的に、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１１５】
本発明の態様６におけるタッチパネル用センサ基板２０Ｄでは、前記外周部に残存する薄膜のうち、最外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）が接地されていると共に、前記容量低下部は、前記外周部に残存する薄膜のうち、最外周部に残存する薄膜（外周パターン２５）以外の部分が互いに隙間（分割用エッチング２８）を有して複数に分割されたものからなっていることが好ましい。
【０１１６】
タッチパネル用センサ基板においては、該タッチパネル用センサ基板に溜まっている電荷を除去するために接地することが多い。このことは、逆に、最外周部に残存する薄膜が接地されている場合には、特に、行電極及び列電極から外周部に残存する薄膜に電荷が移動し易くなり、ノイズが発生し易くなる。
【０１１７】
そこで、本発明の一態様におけるタッチパネル用センサ基板では、最外周部に残存する薄膜が接地されている場合において、外周部に残存する薄膜のうち、最外周部に残存する薄膜以外の部分が互いに隙間を有して複数に分割されている。この結果、分割部分に蓄積される電荷量は小さいので、最外周部に移動する電荷量も小さいものとなる。
【０１１８】
したがって、最外周部に残存する薄膜が接地されている場合においても、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を提供することができる。
【０１１９】
本発明の態様７におけるタッチパネルシステム１は、前記記載のタッチパネル用センサ基板２０Ａ・２０Ｂ・２０Ｃ〜２０Ｃ”’・２０Ｄと、該タッチパネル用センサ基板を駆動制御する制御部（タッチパネルコントローラ１０）とを備えていることを特徴としている。
【０１２０】
上記の構成によれば、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を備えたタッチパネルシステムを提供することができる。
【０１２１】
本発明の態様８におけるタッチパネルは、表示装置と、前記記載のタッチパネルシステム１とを備えていることを特徴としている。
【０１２２】
上記の構成によれば、外周部に発生する容量に基づくノイズを低減し得るタッチパネル用センサ基板を備えたタッチパネルシステムを備えたタッチパネルを提供することができる。
【０１２３】
尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１                タッチパネルシステム
１０                タッチパネルコントローラ（制御部）
２０                タッチパネル用センサ基板
２０Ａ              タッチパネル用センサ基板
２０Ｂ              タッチパネル用センサ基板
２０Ｃ〜２０Ｃ”’  タッチパネル用センサ基板
２０Ｄ              タッチパネル用センサ基板
２１                ドライブパターン（列電極）
２２                センスパターン（行電極）
２３                内部エッチング
２４                外周エッチング
２５                外周パターン（外周部に残存する薄膜）
２６                連結部材
２７                外周拡大エッチング
２８                分割用エッチング（隙間）
Ｄ０                初期突出長さ
Ｄ２                突出長さ
ｄ０                初期幅
ｄ１                拡張幅
【図１】
2018181066.tif 000003
【図２】
2018181066.tif 000004
【図３】
2018181066.tif 000005
【図４】
2018181066.tif 000006
【図５】
2018181066.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018181066.tif 000009
【図８】
2018181066.tif 000010
【図９】
2018181066.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2018181066.tif 000013
【図１２】
2018181066.tif 000014
【図１３】
2018181066.tif 000015