(57)【要約】【課題】セラミックス基板の一方の面に形成された銅又は銅合金からなる回路層をエッチングして回路パターンを形成する際において、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造することができる絶縁回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅又は銅合金からなる回路層とセラミックス基板との界面にＴｉを含有するＴｉ含有層が形成されており、第１エッチング液を用いて前記回路層を前記回路パターン状にエッチングする第１エッチング工程Ｓ２２と、第１エッチング工程後に、過酸化水素を含む第２エッチング液を用いて前記Ｔｉ含有層をエッチングする第２エッチング工程Ｓ２４と、を有し、第２エッチング工程Ｓ２４においては、前記第２エッチング液のｐＨを７超え１３以下の範囲内とするともに、前記第２エッチング液における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内とする。【選択図】図３
2018121014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成され、回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、
前記回路層は銅又は銅合金からなり、前記回路層と前記セラミックス基板との界面には、Ｔｉを含有するＴｉ含有層が形成されており、
第１エッチング液を用いて前記回路層を前記回路パターン状にエッチングする第１エッチング工程と、
第１エッチング工程後に、過酸化水素を含む第２エッチング液を用いて前記Ｔｉ含有層をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、
前記第２エッチング工程においては、前記第２エッチング液のｐＨを７超え１３以下の範囲内とするともに、前記第２エッチング液における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内とすることを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１エッチング工程の前に、前記回路層にレジスト膜を形成するレジスト形成工程を行い、前記第１エッチング工程の後に、前記レジスト膜を除去するレジスト剥離工程を行い、このレジスト剥離工程の後に、前記第２エッチング工程を実施することを特徴とする請求項１に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２エッチング液が錯化剤を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成され、回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、ＬＥＤ素子及び熱電素子が接合された構造とされている。
また、上述の絶縁回路基板においては、絶縁層の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して回路層とし、また、他方の面に放熱性に優れた金属板を接合して金属層を形成した構造のものも提供されている。
【０００３】
例えば、特許文献１，２には、セラミックス基板と回路層となる銅板とを、Ｃｕ−Ｐ系ろう材及びＴｉ材を用いて接合した絶縁回路基板が提案されている。
これら特許文献１，２に記載された絶縁回路基板においては、セラミックス基板と銅板との間にＴｉを含むＴｉ含有層が形成されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０４３３９２号公報
【特許文献２】特開２０１５−０６５４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１，２に示す絶縁回路基板においては、回路層に回路パターンを形成するためにエッチング処理を行うことがある。エッチング処理を行う際に、回路層となる銅板のエッチングに適したエッチング剤を用いた場合には、Ｔｉ含有層を十分にエッチングすることができず、回路パターンの端面（エッチング端面）においてＴｉ含有層が残存して、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出し、絶縁回路基板の耐電圧特性が悪化するおそれがあった。
【０００６】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、セラミックス基板の一方の面に形成された銅又は銅合金からなる回路層をエッチングして回路パターンを形成する際において、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造することができる絶縁回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の課題を解決するために、本発明の絶縁回路基板の製造方法は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成され、回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、前記回路層は銅又は銅合金からなり、前記回路層と前記セラミックス基板との界面には、Ｔｉを含有するＴｉ含有層が形成されており、第１エッチング液を用いて前記回路層を前記回路パターン状にエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程後に、過酸化水素を含む第２エッチング液を用いて前記Ｔｉ含有層をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第２エッチング工程においては、前記第２エッチング液のｐＨを７超え１３以下の範囲内とするともに、前記第２エッチング液における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内とすることを特徴としている。
【０００８】
本発明の絶縁回路基板の製造方法によれば、前記回路層が銅又は銅合金からなり、この回路層と前記セラミックス基板の界面にＴｉ含有層が形成されており、第１エッチング液を用いて前記回路層を前記回路パターン状にエッチングする第１エッチング工程と、過酸化水素を含む第２エッチング液を用いて前記Ｔｉ含有層をエッチングする第２エッチング工程と、を有しているので、第１エッチング工程によって銅又は銅合金からなる回路層を回路パターン状にエッチングすることができ、第２エッチング工程によってＴｉ含有層をエッチングすることができる。
そして、第２エッチング工程において使用される第２エッチング液のｐＨを７超え１３以下の範囲内とするともに、前記第２エッチング液における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内としていることから、Ｔｉ含有層を良好にエッチングすることができる。
よって、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造することができる。
【０００９】
ここで、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記第１エッチング工程の前に、前記回路層にレジスト膜を形成するレジスト形成工程を行い、前記第１エッチング工程の後に、前記レジスト膜を除去するレジスト剥離工程を行い、このレジスト剥離工程の後に、前記第２エッチング工程を実施することが好ましい。
第１エッチング工程の前に、回路層の表面にレジスト膜を形成するレジスト形成工程を有する場合には、第１エッチング後に、レジスト膜を除去するレジスト剥離工程を行った後で、第２エッチング工程を実施することにより、第２エッチング液によってＴｉ含有層を安定してエッチングすることが可能となる。
【００１０】
また、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記第２エッチング液が錯化剤を含むことが好ましい。
この場合、第２エッチング液が錯化剤を含んでいるので、第２エッチング液に溶出した金属イオン（ＴｉイオンやＣｕイオン）を錯体としてトラップすることができる。これにより、過酸化水素の過剰な分解反応を抑制することができ、安定してＴｉ含有層をエッチングすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、セラミックス基板の一方の面に形成された銅又は銅合金からなる回路層をエッチングして回路パターンを形成する際において、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造することができる絶縁回路基板の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板を用いたパワーモジュールの概略説明図である。
【図２】図１に示す絶縁回路基板の回路層とセラミックス基板との接合界面における断面の概略説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法のフロー図である。
【図４】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。
図１に、本実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板１０を用いたパワーモジュール１を示す。
このパワーモジュール１は、回路層１２及び金属層１３が配設された絶縁回路基板１０と、回路層１２の一方の面（図１において上面）に接合層２を介して接合された半導体素子３と、絶縁回路基板１０の他方側（図１において下側）に接合層３３を介して接合されたヒートシンク３１と、を備えている。
【００１４】
絶縁回路基板１０は、図１に示すように、絶縁層となるセラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３と、を備えている。
【００１５】
セラミックス基板１１は、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセラミックスで構成されている。本実施形態では、放熱性の優れたＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００１６】
回路層１２は、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面に、導電性を有する銅又は銅合金からなる銅板２２が接合されることにより形成されている。
本実施形態において、回路層１２は、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面にＣｕ−Ｐ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、無酸素銅からなる銅板２２を積層して加熱処理し、セラミックス基板１１に銅板２２を接合することで形成されている。なお、本実施形態では、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４として、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ−Ｎｉろう材を用いている。
ここで、回路層１２の厚さは０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３ｍｍに設定されている。
【００１７】
金属層１３は、図４に示すように、セラミックス基板１１の他方の面に、銅又は銅合金からなる銅板２３が、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４を介して接合されることにより形成されている。本実施形態においては、図４に示すように、金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面にＣｕ−Ｐ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、無酸素銅からなる銅板２３を積層して加熱処理し、セラミックス基板１１に銅板２３を接合することで形成されている。なお、本実施形態では、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４として、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ−Ｎｉろう材を用いている。
ここで、金属層１３の厚さは０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３ｍｍに設定されている。
【００１８】
図２に、セラミックス基板１１と回路層１２（金属層１３）との接合界面の概略説明図を示す。セラミックス基板１１と回路層１２（金属層１３）との接合界面には、セラミックス基板１１側に位置するＣｕ−Ｓｎ層１４と、Ｔｉを含有するＴｉ含有層１５とが積層された構造とされている。
【００１９】
半導体素子３は、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。この半導体素子３と回路層１２は、接合層２を介して接合されている。
接合層２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材とされている。
【００２０】
ヒートシンク３１は、前述の絶縁回路基板１０からの熱を放散するためのものである。このヒートシンク３１は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態ではりん脱酸銅で構成されている。このヒートシンク３１には、冷却用の流体が流れるための流路３２が設けられている。なお、本実施形態においては、ヒートシンク３１と金属層１３とが、はんだ材からなる接合層３３を介して接合されている。なお、接合層３３を構成するはんだ材としては、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材（いわゆる鉛フリーはんだ材）を用いることができる。
【００２１】
そして、本実施形態である絶縁回路基板１０の回路層１２には、エッチング処理することによって回路パターンが形成されている。ここで、本実施形態においては、回路層１２の回路パターンの配線間距離の最小値が１．０ｍｍとされている。
【００２２】
次に、本実施形態である絶縁回路基板１０の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。
【００２３】
（銅板接合工程Ｓ０１）
まず、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図４において上面）に、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び回路層１２となる銅板２２を順に積層するとともに、セラミックス基板１１の他方の面（図４において下面）に、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び金属層１３となる銅板２３を順に積層する。すなわち、セラミックス基板１１と銅板２２及び銅板２３の間において、セラミックス基板１１側にＣｕ−Ｐ系ろう材２４を配置し、銅板２２，２３側にＴｉ材２５を配置している。なお、Ｔｉ材２５と銅板２２、２３との接合面は、予め平滑な面とされている。
【００２４】
本実施形態においては、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４の組成は、Ｃｕ−６．３ｍａｓｓ％Ｐ−９．３ｍａｓｓ％Ｓｎ−７ｍａｓｓ％Ｎｉとされており、その固相線温度（溶融開始温度）は６００℃とされている。また、本実施形態では、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４として箔材を用い、その厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内とされている。
【００２５】
また、Ｔｉ材２５の厚さは、０．４μｍ以上５μｍ以下の範囲内とされている。ここで、Ｔｉ材２５は、厚さが０．４μｍ以上１μｍ未満の場合には蒸着やスパッタによって成膜することが好ましく、厚さが１μｍ以上５μｍ以下の場合には箔材を用いることが好ましい。なお、Ｔｉ材２５の厚さの下限は０．４μｍ以上とすることが好ましく０．５μｍ以上とすることがさらに好ましい。Ｔｉ材２５の厚さの上限は１.５μｍ以下とすることが好ましく、０．７μｍ以下とすることがさらに好ましい。本実施形態においては、Ｔｉ材２５として、厚さ１μｍ、純度９９．８ｍａｓｓ％のＴｉ箔を用いた。
【００２６】
積層された銅板２２、Ｔｉ材２５、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４、セラミックス基板１１、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び銅板２３を、積層方向に加圧（圧力１ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下）した状態で、真空加熱炉内に装入して加熱する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の範囲内に、加熱温度は５６０℃以上６５０℃以下の範囲内に、加熱時間は３０分以上３６０分以下の範囲に設定している。
【００２７】
これにより、Ｔｉ材２５と銅板２２、２３とが固相拡散接合によって接合されるとともに、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４が溶融して液相を形成し、この液相が凝固することにより、Ｃｕ−Ｐ系ろう材２４を介して、セラミックス基板１１とＴｉ材２５とが接合されることになる。このとき、回路層１２及び金属層１３とセラミックス基板１１との接合界面に、Ｃｕ−Ｓｎ層１４及びＴｉ含有層１５が形成されることになる。
これにより、セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が形成されるとともに、他方の面に金属層１３が形成される。
【００２８】
（回路パターン形成工程Ｓ０２）
次に、回路層１２に対してエッチング処理を行い、回路パターンを形成する。
【００２９】
本実施形態では、まず、回路層１２の上に回路パターン状にレジスト膜を成膜する（レジスト形成工程Ｓ２１）。
【００３０】
次に、回路層１２の上にレジスト膜を形成した状態で、第１エッチング液５１を用いて銅又は銅合金からなる回路層１２をエッチングする（第１エッチング工程Ｓ２２）。ここで、第１エッチング液５１としては、銅の溶解速度に優れたものを使用することが好ましく、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅、硫酸等を含む溶液を用いることができる。なお、本実施形態では、第１エッチング液５１として、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）の水溶液を用いている。
【００３１】
次に、水洗を行った後、回路層１２上に形成したレジスト膜を除去する（レジスト剥離工程Ｓ２３）。
【００３２】
そして、レジスト膜を除去した後に、第２エッチング液５２を用いてＴｉ含有層１５をエッチングする（第２エッチング工程Ｓ２４）。
この第２エッチング工程Ｓ２４においては、第２エッチング液５２として過酸化水素を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内で含有する過酸化水素水溶液を使用する。さらに、第２エッチング液５２のｐＨを７超え１３以下（アルカリ性）の範囲内に調整するために、第２エッチング液５２に対してアンモニアや水酸化ナトリウム等のアルカリを添加している。
【００３３】
ここで、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量が１．５質量％未満では、Ｔｉ含有層１５の溶解速度が遅く、Ｔｉ含有層１５のはみ出しを十分に抑制できなくなる。一方、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量が２０質量％を超えると、過酸化水素の分解反応が激しくなり、第２エッチング液５２中の過酸化水素の濃度が急激に低下することにより、Ｔｉ含有層１５の溶解速度を保つことができず、Ｔｉ含有層１５のはみ出しを十分に抑制できなくなる。
以上のことから、本実施形態においては、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内に規定している。
なお、Ｔｉ含有層１５の溶解速度を十分に確保するためには、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量の下限を５質量％以上とすることが好ましく、７質量％以上とすることがさらに好ましい。また、過酸化水素水の激しい分解反応をさらに抑制するためには、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量の上限を１５質量％以下とすることが好ましく、１２質量％以下とすることがさらに好ましい。
【００３４】
また、第２エッチング液５２のｐＨが７以下（すなわち中性〜酸性）では、Ｔｉ含有層１５の溶解速度が遅く、Ｔｉ含有層１５のはみ出しを十分に抑制できなくなるおそれがある。一方、第２エッチング液５２のｐＨが１３を超えると、過酸化水素の分解反応が激しくなり、第２エッチング液５２中の過酸化水素の濃度が急激に低下することにより、Ｔｉ含有層１５の溶解速度を保つことができず、Ｔｉ含有層１５のはみ出しを十分に抑制できなくなる。
以上のことから、本実施形態においては、第２エッチング液５２のｐＨを７超え１３以下の範囲内に規定している。
なお、Ｔｉ含有層１５の溶解速度を十分に確保するためには、第２エッチング液５２のｐＨの下限を７．５以上とすることが好ましく、８以上とすることがさらに好ましい。また、過酸化水素水の激しい分解反応をさらに抑制するためには、第２エッチング液５２のｐＨの上限を１２以下とすることが好ましく、１０以下とすることがさらに好ましい。
【００３５】
また、本実施形態においては、第２エッチング液５２に錯化剤が含まれていることが好ましい。錯化剤を含有することにより、第２エッチング液５２に溶出した金属イオン（ＴｉイオンやＣｕイオン）を錯体としてトラップすることができ、過酸化水素の反応を安定させることが可能となる。ここで、錯化剤としては、例えばリンゴ酸、シュウ酸、酒石酸、クエン酸、コハク酸、ＥＤＴＡ、ＤＴＰＡ、ＰＤＴＡ、ＮＴＡ等を用いることができる。
なお、第２エッチング液５２において錯化剤を含有する場合には、錯化剤の含有量は１質量％以上１０質量％以下の範囲内とすることが好ましい。
【００３６】
以上のような工程により、回路パターンが形成された回路層１２を有する絶縁回路基板１０が製造される。
【００３７】
（ヒートシンク接合工程Ｓ０３）
次に、絶縁回路基板１０の金属層１３の下面に、はんだ材を介してヒートシンク３１を接合する。
【００３８】
（半導体素子接合工程Ｓ０４）
次に、絶縁回路基板１０の回路層１２の上面に、はんだ材を介して半導体素子３を接合する。
これにより、図１に示すパワーモジュール１が製造される。
【００３９】
以上のような構成とされた本実施形態である絶縁回路基板の製造方法によれば、第１エッチング液５１を用いて銅又は銅合金からなる回路層１２を回路パターン状にエッチングする第１エッチング工程Ｓ２２と、過酸化水素を含む第２エッチング液５２を用いてＴｉ含有層１５をエッチングする第２エッチング工程Ｓ２４と、を備えているので、第１エッチング工程Ｓ２２において形成された回路パターンの端部に残存したＴｉ含有層１５を第２エッチング工程Ｓ２４で除去することができる。
【００４０】
そして、第２エッチング液５２のｐＨが７超え１３以下の範囲内とされており、さらに、第２エッチング液５２における過酸化水素の含有量が１．５質量％以上２０質量以下の範囲内とされているので、Ｔｉ含有層１５を安定して速やかに溶解することができる。
よって、Ｔｉ含有層１５の回路パターンからのはみ出しを抑制することができ、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板１０を製造することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態である絶縁回路基板の製造方法においては、第２エッチング工程Ｓ２４の前に、回路層１２上に形成されたレジスト膜を除去するレジスト剥離工程Ｓ２３を実施しているので、第２エッチング液５２にレジスト膜の成分が混入することが抑制され、第２エッチング液５２における過酸化水素の過剰な分解反応を抑制することができる。よって、第２エッチング工程Ｓ２４において、Ｔｉ含有層１５を安定してエッチングすることが可能となる。
【００４２】
さらに、本実施形態である絶縁回路基板の製造方法においては、第２エッチング液５２が錯化剤を含んでいることから、第２エッチング液５２に溶出した金属イオン（ＴｉイオンやＣｕイオン）を錯体としてトラップすることができ、これらの金属イオンによって過酸化水素の過剰な分解反応が起こることを抑制でき、第２エッチング液５２によってＴｉ含有層１５を安定してエッチングすることができる。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
本実施形態では、セラミックス基板の他方の面に、銅又は銅合金からなる金属層を形成したもので説明したが、これに限定されることはなく、金属層を形成しなくてもよいし、アルミニウム又はアルミニウム合金等の他の金属からなる金属層を形成してもよい。
【００４４】
また、上記実施形態では、銅板とセラミックス基板との接合に、Ｃｕ−Ｐ系ろう材の箔材を用いたものを例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、粉末やペーストを用いることもできる。
さらに、上記実施形態ではＣｕ−Ｐ系ろう材として、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ−Ｎｉろう材を用いるものとして説明したが、その他のＣｕ−Ｐ系ろう材を用いてもよい。
【００４５】
また、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層にパワー半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
【実施例】
【００４６】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
上述の実施形態で説明した手順により、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板（５０ｍｍ×６０ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍ）の一方の面及び他方の面に、無酸素銅の圧延板（４６ｍｍ×５６ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ）を上記実施形態に記載した方法で接合し、回路層及び金属層を形成した。
【００４７】
そして、本発明例及び比較例においては、上記実施形態に記載したように、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）水溶液（濃度４２％）からなる第１エッチング液を用いて回路層のエッチング（第１エッチング工程）を行い、その後、表１に示す第２エッチング液を用いてＴｉ含有層のエッチング（第２エッチング工程）を行った。これにより、回路層に、配線間距離が１ｍｍの回路パターンを形成した。
なお、第２エッチング液のｐＨは東亜ディーケーケー社製ＨＭ−２５Ｒを用いて測定した。
従来例においては、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）水溶液（濃度４２％）からなるエッチング液によって回路層及びＴｉ含有層のエッチングを行い、回路層に、配線間距離が１ｍｍの回路パターンを形成した。
【００４８】
そして、得られた絶縁回路基板について、以下のようにして耐電特性を評価した。
耐電圧試験機（菊水電子工業株式会社製ＴＯＳ５０５０）を用いて、カットオフ値を０．５ｍＡに設定した。配線間距離が１ｍｍの回路パターンに電極を当て電圧を印加した。印加電圧を徐々に上げていき、カットオフ値以上の電流が流れた電圧を耐電圧値とした。この耐電圧値が１ｋＶ以上のものを「○」、１ｋＶ未満のものを「×」と評価した。評価結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2018121014.tif 000003
【００５０】
第２エッチング液のｐＨが７未満とされた比較例１、第２エッチング液の過酸化水素の含有量が１．５質量％未満とされた比較例２、第２エッチング液のｐＨが１３を超えた比較例３、第２エッチング液の過酸化水素の含有量が２０質量％を超えた比較例４、第２エッチング液によるエッチングを実施しなかった従来例においては、耐電圧評価が「×」となった。回路パターンの端部に残存するＴｉ含有層を除去できず、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出し、耐電圧が低下したと推測される。
【００５１】
これに対して、第２エッチング液のｐＨを７超え１３以下の範囲内、第２エッチング液における過酸化水素の含有量を１．５質量％以上２０質量％以下の範囲内とした本発明例１−６においては、耐電圧評価が「○」となった。回路パターンの端部に残存するＴｉ含有層を除去でき、Ｔｉ含有層の回路パターンからのはみ出しを抑制できたためと推測される。
【００５２】
以上のことから、本発明例によれば、セラミックス基板の一方の面に形成された銅又は銅合金からなる回路層をエッチングして回路パターンを形成する際において、Ｔｉ含有層が回路パターンからはみ出すことを抑制でき、耐電圧特性に優れた絶縁回路基板を製造できることが確認された。
【符号の説明】
【００５３】
１０  絶縁回路基板
１１  セラミックス基板
１２  回路層
１５  Ｔｉ含有層
５１  第１エッチング液
５２  第２エッチング液
【図１】
2018121014.tif 000004
【図２】
2018121014.tif 000005
【図３】
2018121014.tif 000006
【図４】
2018121014.tif 000007