(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチング法によるパターンの形成に好適に用いられ、下層膜とナノインプリント用硬化性樹脂層とのエッチング選択比と、下層膜と金属膜とのエッチング選択比をそれぞれ最適な範囲に制御でき、さらに基板への塗布性が良好なインプリント用下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）光重合性化合物と、（Ｃ）光重合性開始剤と、（Ｄ）溶剤と、を含有し、前記（Ａ）シリカ粒子及び前記（Ｂ）光重合性化合物の総量１００質量部における、前記（Ａ）シリカ粒子の含有量が、２０質量部を超え、９０質量部未満であることを特徴とする、インプリント用下層膜形成用組成物。【選択図】図１
2018121030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）光重合性化合物と、（Ｃ）光重合性開始剤と、（Ｄ）溶剤と、を含有し、
前記（Ａ）シリカ粒子及び前記（Ｂ）光重合性化合物の総量１００質量部における、前記（Ａ）シリカ粒子の含有量が、２０質量部を超え、９０質量部未満であることを特徴とする、インプリント用下層膜形成用組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）シリカ粒子及び前記（Ｂ）光重合性化合物の総量１００質量部における、前記（Ａ）シリカ粒子の含有量が、３０質量部以上、８０質量部以下である、請求項１に記載のインプリント用下層膜形成用組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）光重合性化合物が光重合性シロキサン化合物である、請求項１又は２に記載のインプリント用下層膜形成用組成物。
【請求項４】
基板表面に、請求項１〜３のいずれか１項に記載のインプリント用下層膜形成用組成物を塗布して下層膜を形成する工程と、
前記下層膜表面に、インプリント用硬化性組成物を塗布する工程と、
前記インプリント用硬化性組成物を、下層膜と、微細パターンを有するモールドとの間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する工程と、
前記微細パターンを有するモールドを剥離する工程と、
を有するパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用下層膜形成用組成物及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所定のパターンが形成されたモールドを、表面に樹脂層（パターン形成層）が形成された被転写基板に対して押し付けて押圧し、モールドのパターンを樹脂層に転写する、ナノインプリント法が提案されている。
ナノインプリント法は、予め表面にナノメートルサイズの凹凸パターンが形成されたモールドを、半導体ウエハなどの被転写基板表面に塗布形成された樹脂層に押し付けて押圧し、前記樹脂層を力学的に変形させて前記凹凸パターンを転写し、このパターン転写された樹脂層を犠牲膜として被転写基板を加工する技術である。
このようなナノインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱インプリント法や、光硬化性樹脂を用いて紫外線により凹凸パターンを転写する光インプリント法などが知られている。
【０００３】
ナノインプリントによるパターン形成方法は、熱可塑性や光硬化性を有するナノインプリント用硬化性樹脂組成物を基板上に塗布する工程を有する。
ナノインプリント用硬化性樹脂組成物と基板との密着性を向上させるため、基板上に下層膜を形成する方法がある。特許文献１〜２には、下層膜を形成するためのインプリント用下層膜組成物が記載されている。
【０００４】
特許文献１には、硬化性主剤及び尿素系架橋剤を含有するインプリント用下層膜組成物が記載されている。
特許文献２には、エチレン性不飽和基と、オキシラニル基及びオキセタニル基から選択される環状エーテル基とを有する重量平均分子量１０００以上の樹脂を含むインプリント用下層膜形成組成物が記載されている。
【０００５】
インプリント用下層膜形成用組成物は、半導体集積回路、フラットスクリーン、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）、センサ素子、光ディスク、高密度メモリーディスク等の磁気記録媒体、回折格子やレリーフホログラム等の光学部品、ナノデバイス、光学デバイス、フラットパネルディスプレイ製作のための光学フィルムやワイヤーグリッド偏光子等の偏光素子、液晶ディスプレイの薄膜トランジタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、オーバーコート層、柱材、液晶配向用のリブ材、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、ＤＮＡ分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック液晶の作製に用いられる光照射を利用したパターン形成等のナノインプリント法が用いられる様々な用途に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２０２９８２号公報
【特許文献２】特開２０１４−１９２１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
基板上にナノインプリントにより犠牲膜を形成し、エッチング法によりパターンを形成する場合、下層膜にはナノインプリント用硬化性樹脂層とのエッチング選択比と、下層膜と金属膜とのエッチング選択比をそれぞれ最適な範囲に制御することが求められる。さらに、インプリント用下層膜形成用組成物には基板上に塗布した場合の塗布性が良好であることが求められる。
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、エッチング法によるパターンの形成に好適に用いられ、下層膜とナノインプリント用硬化性樹脂層とのエッチング選択比と、下層膜と金属膜とのエッチング選択比をそれぞれ最適な範囲に制御でき、さらに基板への塗布性が良好なインプリント用下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）光重合性化合物と、（Ｃ）光重合性開始剤と、（Ｄ）溶剤と、を含有し、前記（Ａ）シリカ粒子及び前記（Ｂ）光重合性樹脂の総量１００質量部における、前記（Ａ）シリカ粒子の含有量が、２０質量部を超え、９０質量部未満であることを特徴とする、インプリント用下層膜形成用組成物である。
本発明の第２の態様は、基板表面に、本発明の第１の態様のインプリント用下層膜形成用組成物を塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜表面に、インプリント用硬化性組成物を塗布する工程と、前記インプリント用硬化性組成物を、下層膜と、微細パターンを有するモールドとの間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する工程と、前記微細パターンを有するモールドを剥離する工程と、を有するパターン形成方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、エッチング法によるパターンの形成に好適に用いられ、下層膜とナノインプリント用硬化性樹脂層とのエッチング選択比と、下層膜と金属膜とのエッチング選択比をそれぞれ最適な範囲に制御でき、さらに基板への塗布性が良好なインプリント用下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のパターン形成方法の工程を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜インプリント用下層膜形成用樹脂組成物＞
本発明のインプリント用下層膜形成用樹脂組成物は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）光重合性化合物と、（Ｃ）光重合性開始剤と、（Ｄ）溶剤と、を含有する。
本発明のインプリント用下層膜形成用樹脂組成物は、（Ａ）シリカ粒子の含有量を特定の範囲としたことにより、基板上に塗布した場合に塗布性を良好なものとすることができ、さらに所望のエッチング選択比を達成できる。
【００１２】
インプリント法により、基板上にパターン（たとえば金属パターン）を製造する場合、まず基板上に形成された金属薄膜上にインプリント用下層膜形成用樹脂組成物を用いて下層膜（以下、「ボトムレイヤー」と記載する場合がある）を形成し、次にボトムレイヤー上にインプリント用硬化性組成物を用いてパターン（以下、「トップレイヤー」と記載する場合がある）を形成する。その後、第１のエッチング工程によりトップレイヤーをとボトムレイヤーとをエッチングする。さらにその後、第２のエッチング工程によりボトムレイヤーと金属薄膜とをエッチングする。
本発明のインプリント用下層膜形成用樹脂組成物は、（Ａ）シリカ粒子の含有量が特定の範囲であることにより、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程とのエッチング選択比をともに上記所望の範囲に制御することができる。
以下、本発明を構成する各成分について説明する。
【００１３】
≪シリカ粒子≫
本発明に用いられるシリカ粒子（以下、「（Ａ）成分」と記載する場合がある）について説明する。
シリカ粒子は酸化ケイ素（シリカ）からなるシリカ粒子が好ましく、平均粒径が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。
シリカ粒子は、乾燥された粉末状の酸化ケイ素粒子を用いてもよく、有機溶媒に分散させたコロイダルシリカを用いてもよい。
シリカ粒子は、表面修飾されていてもよく、無修飾でもよい。インプリント用下層膜形成用樹脂組成物中での分散性が向上し、均一な下層膜を形成できる観点から、表面修飾されたシリカ粒子が好ましい。
【００１４】
本発明においては、前記（Ａ）成分の含有量は、前記（Ａ）成分及び後述する（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、２０質量部を超え９０質量部未満であり、２５質量部以上８０質量部以下であることが好ましく、３０質量部以上６０質量部以下が特に好ましい。
（Ａ）成分の含有量が上記下限値以上であると、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程とのエッチング選択比をともに所望の範囲に制御することができる。また、（Ａ）成分の含有量が上記上限値以下であると、下層膜上にインプリント硬化性樹脂組成物を塗布した場合の塗布性を良好とし、基板上に十分な量のインプリント硬化性樹脂組成物を供給でき、インプリント転写時のモールドへの液充填を充分なものとすることができる。
【００１５】
≪光重合性化合物≫
本発明に用いられる光重合性化合物（以下、「（Ｂ）成分」と記載する場合がある）としては、光重合性シルセスキオキサン化合物、光重合性シロキサン化合物、光重合性エポキシ化合物、光重合性メタクリル系化合物、光重合性アルカリ可溶性ノボラック樹脂等が挙げられる。
【００１６】
・光重合性シルセスキオキサン化合物
光重合性シルセスキオキサン化合物として、主鎖骨格がＳｉ−Ｏ結合からなる下記式（１）で表される化合物分を用いることが好ましい。
［（ＲＳｉＯ３／２）ｎ］    （１）
（式中、Ｒは有機基を表し、ｎは自然数を表す。）
【００１７】
Ｒは、１価の有機基を示し、１価の有機基としては、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基が挙げられる。
炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基が挙げられ、脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基が挙げられ、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基等の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
１価の炭化水素基が有してもよい置換基としては、（メタ）アクリロイル基、ヒドロキシ基、スルファニル基、カルボキシ基、イソシアナト基、アミノ基、ウレイド基等の１価の置換基が挙げられる。また、１価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、カルボニル基等に置き換わっていてもよい。
【００１８】
Ｒで表される１価の有機基は、少なくとも１つの反応性基を含んでいることが好ましい。反応性基とは、化学反応によって他の部位と反応することができる基を意味する。
反応性基としては、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チアシクロプロピル基、スルファニル基、イソシアナト基、アミノ基及びウレイド基が挙げられ、（メタ）アクリロイル基、スルファニル基及びオキシラニル基であることが好ましい。
【００１９】
式（１）で表される化合物は、カゴ型、ハシゴ型又はランダム型が挙げられる。
カゴ型のシルセスキオキサン化合物は、完全なカゴ型であってもよいし、カゴの一部が開いているような不完全なカゴ型のシルセスキオキサン化合物であってもよい。
式（１）で表される化合物としては、ＭＡＣ−ＳＱ  ＬＰ−３５、ＭＡＣ−ＳＱ  ＴＭ−１００、ＭＡＣ−ＳＱＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ  ＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ  ＨＤＭ、（東亜合成（株）製）、コンポラセン（登録商標）ＳＱ１０７、コンポラセン（登録商標）ＳＱ１０９、コンポラセン（登録商標）ＳＱ５０６、コンポラセン（登録商標）ＳＱ５０２−６（荒川化学工業（株）製）等が挙げられる。
【００２０】
・光重合性シロキサン化合物
分子内にアルコキシシリル基を有するエポキシ基含有化合物として、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランを挙げることができる。
市販品としては、例えば、コンポセランＥ１０２、Ｅ１０２Ｂ、Ｅ１０３、Ｅ１０３Ａ、Ｅ２０１、Ｅ２０２、Ｐ５０１（荒川化学工業株式会社製）、ナガセケムテックス株式会社製のＳＫ−４０１Ｍ、ＳＫ−６０２Ｍ、ＳＴ−Ｂ８６（新日鉄住金株式会社製）で等を挙げることができる。
【００２１】
・光重合性エポキシ化合物
エポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物としては、例えば、クリシジル（メタ） アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（ メタ） アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル等、及びこれらの混合物を挙げることができる。
本発明に使用可能な好ましい市販のエポキシ化合物の例としては、ナガセケムテックス社製ＥＸ１１１、ＥＸ２０１、ＥＸ４１１、ＥＸ６１１、ＥＸ９０１、ＥＸ２１２Ｌ、ＤＡ−１１１、ＤＡ−１４１、デナコールＦＣＡ−６３５、デナコールＦＣＡ−６６７、日本化薬社製ＥＰＰＮ５０１Ｈ、ジャパンエポキシレジン社製ＪＥＲ１５２、ダイセル化学社製ＥＨＰＥ３１５０等が挙げられる。
【００２２】
・光重合性メタクリル系化合物
また、ビスフェノールＡをアルキレンオキシド変性し、両末端に（メタ）アクリロイル基を有する化合物を用いてもよい。アルキレンオキシド変性にはエチレンオキシド変性、プロピレンオキシド変性、ブチレンオキシド変性、ペンチレンオキシド変性、へキシレンオキシド変性等がある。
【００２３】
このような化合物としては、例えば、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシジエトキシ）フェニル）プロパン（例えば新中村化学工業（株）製ＮＫエステルＢＰＥ−２００）、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシトリエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシテトラエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシペンタエトキシ）フェニル）プロパン（例えば新中村化学工業（株）製ＮＫエステルＢＰＥ−５００）、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシヘキサエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシヘプタエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシオクタエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシノナエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシウンデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシドデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシトリデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシテトラデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシペンタデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシヘキサデカエトキシ）フェニル）プロパン等の２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル）プロパン等が挙げられる。
【００２４】
・光重合性アルカリ可溶性ノボラック樹脂
アルカリ可溶性ノボラック樹脂の具体例としては、下記に例示するフェノール類と、アルデヒド類とを酸触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂が挙げられる。前記フェノール類としては、例えばフェノール；ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３  ，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−  ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−  メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４  ’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノールが好ましい。
市販のアルカリ可用性ノボラック樹脂としては、ＴＯ−５４７（住友ベークライト株式会社製）が挙げられる。
【００２５】
（Ｂ）成分としては、上記の中でも光重合性シルセスキオキサン化合物又は光重合性シロキサン化合物が好ましく、光重合性シロキサン化合物がより好ましい。（Ｂ）成分としてこれらの化合物を用いると、パターン形成工程における、エッチング選択比を良好な範囲に制御できる。
【００２６】
（Ｂ）成分の質量平均分子量は、特に限定されず、５００〜１００００が好ましく、より好ましくは１０００〜５０００であり、さらに好ましくは１０００〜３０００である。（Ｂ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
本発明においては、前記（Ｂ）成分の含有量は、前記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、２０質量部を超え９０質量部未満が好ましく、２５質量部以上８０質量部以下であることがより好ましく、３０質量部以上７５質量部以下が特に好ましい。
【００２８】
≪光重合性開始剤≫
本発明に用いられる光重合性開始剤（以下、「（Ｃ）成分」と記載する場合がある）は、光照射時に前記（Ｂ）成分の重合を開始、促進させる化合物であれば、特に限定されないが、たとえば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾル−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ−２−エチルヘキシル安息香酸、４−ジメチルアミノ−２−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、２−クロロチオキサンテン、２，４−ジエチルチオキサンテン、２−メチルチオキサンテン、２−イソプロピルチオキサンテン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、２−メルカプトベンゾイミダール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）−イミダゾリル二量体、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾイル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロア���トフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス−（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス−（９−アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス−（９−アクリジニル）プロパン、ｐ−メトキシトリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン；メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイドなどのケトンパーオキサイド類；イソブチリルパーオキサイド、ビス（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイドなどのジアシルパーオキサイド類；ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイドなどのハイドロパーオキサイド類；２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンなどのジアルキルパーオキサイド類；１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンなどのパーオキシケタール類；ｔ−ブチルパ−オキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルパーオキシネオデカノエートなどのパーオキシエステル類；ジｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートなどのパーオキシジカーボネート類；アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビスイソブチレートなどのアゾ化合物類等が挙げられる。
【００２９】
上記のなかでも、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、ヨードニウム，（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］−ヘキサフルオロフォスフェート、２−［２−オキソ−２−フェニルアセトキシエトキシ］エチルエステルと２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルエステルとの混合物、フェニルグリコシレート、ベンゾフェノン等が好ましい。
【００３０】
これらの重合開始剤は市販のものを用いることができ、たとえばＩＲＧＡＣＵＲＥ  ９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ６５１（いずれも、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）等が市販されている。これらの重合開始剤は、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３１】
インプリント用下層膜形成用組成物中、（Ｃ）成分の含有量は、インプリント用下層膜形成用組成物中に含まれる前記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．１〜２０質量部であることが好ましく、１〜１５質量部であることがより好ましく、５〜１５質量部であることがさらに好ましい。上記の範囲内とすることで、光硬化性が良好となる。
【００３２】
≪溶剤≫
本発明に用いられる溶剤（以下、「（Ｄ）成分」と記載する場合がある）は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、ガンマブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルから選ばれる単独あるいは混合溶剤であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含有する溶剤が、塗布均一性の観点で特に好ましい。
（Ｄ）成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはナノインプリント用下層膜形成用組成物の固形分濃度が１〜２０質量％、好ましくは２〜１５質量％の範囲内となるように用いられる。
【００３３】
＜パターン形成方法＞
本発明のパターン形成方法は、基板表面に、前記本発明のインプリント用下層膜形成用組成物を塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜表面に、インプリント用硬化性組成物を塗布する工程と、前記インプリント用硬化性組成物を、下層膜と、微細パターンを有するモールドとの間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する工程と、前記微細パターンを有するモールドを剥離する工程とを有する。
【００３４】
［下層膜形成工程］
本発明のパターン形成方法について、図１を参照して説明する。
まず、図１（Ａ）に示すように、まず金属薄膜２を備える基板１の金属薄膜２上に、下層膜３を形成する。基板１は、ガラス、シリコン等が挙げられる。金属薄膜２は、アルミニウム、銀、クロム等が挙げられる。下層膜３は、前記本発明のインプリント用下層膜形成用樹脂組成物を用いて形成する。下層膜の形成方法は特に限定されないが、例えばスパッタ法やスピンコート法、スリットコート法等が挙げられる。
【００３５】
［インプリント用硬化性組成物塗布工程］
図１（Ｂ）に示すように、下層膜３の上に、インプリント用硬化性組成物を塗布し、インプリント用硬化性組成物層４を形成する。本発明に用いることができるインプリント用硬化性組成物については後述する。下層膜を形成するために、前記本発明のインプリント用下層膜形成用組成物を用いると、インプリント用硬化性組成物の塗布性が良好となり好ましい。
【００３６】
［硬化工程］
図１（Ｃ）に示すように、インプリント用硬化性組成物層４を、下層膜３と、微細パターンを有するモールド１０との間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する。
図１（Ｃ）に示すように、インプリント用硬化性組成物層４および下層膜３が積層された基板１に、凹凸構造の所定パターンが形成されたモールド１０を、インプリント用硬化性組成物層４に対向して押し付け、インプリント用硬化性組成物層４をモールド１０の凹凸構造のパターンに合わせて変形させる。
モールド１０の押圧時の圧力は、１０ＭＰａ以下が好ましく、５ＭＰａ以下がより好ましく、１ＭＰａ以下が特に好ましい。
モールド１０をインプリント用硬化性組成物層４に対向して押圧することにより、モールド１０の凸部に位置するナノインプリント用組成物がモールド１０の凹部の側に容易に押しのけられ、モールド１０の凹凸構造がインプリント用硬化性組成物層４に転写される。
次に、図１（Ｃ）に示すように、モールド１０を押圧した状態で、インプリント用硬化性組成物層４に露光（矢印で図示）を行う。具体的には、紫外線（ＵＶ）などの電磁波がインプリント用硬化性組成物層４に照射される。露光により、モールド１０が押圧された状態でインプリント用硬化性組成物層４が硬化し、モールド１０の凹凸構造が転写されたインプリント用硬化性組成物層４からなるレジスト膜が下層膜３の上に形成される。なお、モールド１０は、照射される電磁波に対して透過性を有する。
【００３７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、基板１及びインプリント用硬化性組成物層４からモールド１０を剥離する。これにより、硬化した状態のインプリント用硬化性組成物層４が下層膜２の上にパターニングされる。
【００３８】
次に、図１（Ｅ）に示すように、パターニングされたインプリント用硬化性組成物層４が形成された基板１に対して、Ｏ２系のプラズマおよび／または反応性イオンを照射することにより、インプリント用硬化性組成物層４の開口部分（モールド１０の凸部が接触して形成された部分）に露出したインプリント用硬化性組成物層４をエッチングにより除去する。これにより、所定のパターンが形成されたインプリント用硬化性組成物層４が基板１の上にパターニングされる。
【００３９】
次に、図１（Ｆ）に示すように、開口部分のインプリント用硬化性組成物層４を除去した後、パターニングされたインプリント用硬化性組成物層４が形成された基板１に対して、ハロゲン系のプラズマおよび／または反応性イオンを照射することにより、インプリント用硬化性組成物層４の開口部分（モールド１０の凸部に対応する部分）に露出した下層膜３を所定深さまでエッチングにより除去する。
次に、図１（Ｇ）に示すように、下層膜３のパターニングにより露出した金属薄膜２を所定深さまで、ハロゲン系のプラズマおよび／または反応性イオンを照射することにより、エッチングにより除去する。これにより、図１（Ｈ）に示すように、基板１の上に金属パターン２が形成される。
【００４０】
≪インプリント用硬化性組成物≫
本発明に用いるインプリント用硬化性組成物は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、溶剤とを含有する。
【００４１】
［光重合性化合物］
光重合性化合物としては、ラジカル重合性化合物が挙げられる。ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物が好ましい。カチオン重合性化合物としては、ビニルエーテル基、エポキシ基又はオキセタニル基を１つ以上有する化合物が好ましい。
【００４２】
具体的には、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２ーフェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４３】
上記単官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、アロニックスＭ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ−１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２−ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ−Ａ、ＥＣ−Ａ、ＤＭＰ−Ａ、ＴＨＦ−Ａ、ＨＯＰ−Ａ、ＨＯＡ−ＭＰＥ、ＨＯＡ−ＭＰＬ、ＰＯ−Ａ、Ｐ−２００Ａ、ＮＰ−４ＥＡ、ＮＰ−８ＥＡ、エポキシエステルＭ−６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ−１０Ｇ、ＡＭＰ−２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ−５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ−２、ＰＨＥ−４、ＢＲ−３１、ＢＲ−３１Ｍ、ＢＲ−３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４４】
アクリロイル基又はメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４５】
上記多官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、ユピマーＵＶ  ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート４ＥＧ−Ａ、９ＥＧ−Ａ、ＮＰ−Ａ、ＤＣＰ−Ａ、ＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＴＭＰ−Ａ、ＰＥ−３Ａ、ＰＥ−４Ａ、ＤＰＥ−６Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＰＥＴ−３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ−６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ−２０、−３０、−６０、−１２０、ＨＸ−６２０、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０（以上、日本化薬製）、アロニックスＭ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシＶＲ−７７、ＶＲ−６０、ＶＲ−９０（以上、昭和高分子製）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
以上列挙したラジカル重合性化合物は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を組み合わせて用いてもよい。尚、上述した化合物群において、（メタ）アクリレートとは、アクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基及びそれに対応するメタクリロイル基を意味する。ＥＯは、エチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物とは、エチレンオキサイド基のブロック構造を有する化合物をいう。また、ＰＯは、プロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性された化合物とは、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有する化合物をいう。
【００４７】
［光重合開始剤］
本発明に用いられる光重合開始剤は、光照射により上述の光重合性化合物を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、光照射によりラジカルを発生するラジカル重合開始剤、光照射により酸を発生するカチオン重合開始剤が好ましく、より好ましくはラジカル重合開始剤であるが、前記重合性化合物の重合性基の種類に応じて適宜決定される。即ち、本発明における光重合開始剤は、使用する光源の波長に対して活性を有するものが配合され、反応形式の違い（例えばラジカル重合やカチオン重合など）に応じて適切な活性種を発生させるものを用いる必要がある。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
【００４８】
［溶剤］
インプリント用硬化性組成物の溶剤としては、塗布性が良好であることからアルコール類が好ましい。
【００４９】
［その他の成分］
インプリント用硬化性組成物は、上記の成分の他に、界面活性剤、増感剤、酸化防止剤、モールド離型剤等を含有していてもよい。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【００５１】
＜インプリント用下層膜形成用組成物の調製＞
下記表に示す（Ａ）成分のシリカ粒子、（Ｂ）成分の光重合性化合物、（Ｃ）成分の光重合性開始剤、及び（Ｄ）成分の溶剤を、下記表に示す配合比で混合し、実施例１〜６９、比較例１〜６５の各インプリント用下層膜形成用組成物を得た。（Ｃ）成分は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、表１１に示す配合とした。（Ｄ）成分は、固形分濃度が３質量％となるように配合した。
【００５２】
＜エッチング試験＞
［下層膜形成工程］
基板として、透明ガラス基板上にアルミニウムを蒸着させた金属基板を用いた。基板のアルミニウム層の上に、実施例１〜６９、比較例１〜６５の各インプリント用下層膜形成用組成物をスピンコートし、ホットプレート上で１００℃で１分間溶剤を乾燥させた。その後、２００℃で３分間加熱して硬化させ、基板表面に下層膜（ボトムレイヤー）を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は、１５０ｎｍであった。
【００５３】
［エッチング工程１］
上記で形成した下層膜に対して、以下の処理条件でフルオロ系カーボン（ＣｘＦｙ）/アルゴン混合（１：６）ガスエッチング処理を行った。エッチング工程１により、トップレイヤーとボトムレイヤーとがエッチングされた。
・プラズマエッチング装置：アルバック社製、装置名  ＮＥ−５５０
・混合ガスによるプラズマエッチング（圧力：０．５３Ｐａ、９０秒間）
・パワー：２００
・バイアス：７５Ｗ
・基板温度：２０℃
【００５４】
［エッチング工程２］
同様に上記で形成した下層膜に対して、以下の処理条件でＣｌ２プラズマエッチング処理を行った。
・プラズマエッチング装置：アルバック社製、装置名  ＮＥ−５５０
・Ｃｌ２ガスによるプラズマエッチング（圧力：０．４３Ｐａ、９０秒間）
・パワー：１００
・バイアス：１００Ｗ
・基板温度：２０℃
【００５５】
＜評価＞
≪エッチング評価１≫
上記［エッチング工程１］において、ボトムレイヤーの膜減り量を計測して、１分間当たりの膜減り量に換算したエッチレート（単位時間当たりにエッチングされた膜の厚さ；単位  ｎｍ／分）として算出した。
その値を「Ｆ  ｅｔｃｈ  ｒａｔｅ  （ｎｍ／ｓ）」として下記表に記載した。
下記表において、「Ｆ  ｅｔｃｈ  ｒａｔｅ  （ｎｍ／ｓ）」が２．５ｎｍ／ｓ以上であると、既知のトップレイヤーに対するボトムレイヤーのエッチング選択比が十分であるとして、「良好」として評価した。
【００５６】
≪エッチング評価２≫
上記［エッチング工程２］において、ボトムレイヤーの膜減り量を計測して、１分間当たりの膜減り量に換算したエッチレート（単位時間当たりにエッチングされた膜の厚さ；単位  ｎｍ／分）として算出した。
その値を「Ｃｌ２  ｅｔｃｈ  ｒａｔｅ  （ｎｍ／ｓ）」として下記表に記載した。
下記表において、「Ｃｌ２  ｅｔｃｈ  ｒａｔｅ  （ｎｍ／ｓ）」が２．０ｎｍ／ｓ以下であると、ボトムレイヤーに対する金属層のエッチング選択比が十分であるとして、「良好」として評価した。
【００５７】
≪Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ≫
［塗布工程］
上記［下層膜形成工程］で形成した下層膜上に、インクジェットヘッドとしてコニカミノルタ製のＫＭ−５１２を用いて、ノズル当たり１４ｐＬの液滴量で、パターンの中心間距離（ピッチ）が３００μｍの正方配列となるように、吐出タイミングを制御してインプリントのモデルレジストを吐出し、下層膜上の全面にモデルレジストを塗布した。インプリント用モデルレジストとして、イソボルニルアクリレートモノマー（共栄社化学製ライトアクリレートＩＢ‐ＸＡ）を用いた。
［塗布工程］において、ボトムレイヤーに対するインプリント用モデルレジストの液の広がり（Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）を評価した。具体的には、インクジェット塗布後、９０秒後に液の広がりを評価し、液滴の中心間距離を１００％としたとき、液滴の直径が７５％以上のものを「良好」とした。つまり、本実施例においては液滴の中心間距離が３００μｍとしたため、液滴の直径が２２５μｍ以上に広がったものを「良好」と判断した。
【００５８】
下記表１〜８に、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分、エッチング評価１及び２、Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ評価結果を記載する。
【００５９】
【表１】
2018121030.tif 000003
【００６０】
【表２】
2018121030.tif 000004
【００６１】
【表３】
2018121030.tif 000005
【００６２】
【表４】
2018121030.tif 000006
【００６３】
【表５】
2018121030.tif 000007
【００６４】
【表６】
2018121030.tif 000008
【００６５】
【表７】
2018121030.tif 000009
【００６６】
【表８】
2018121030.tif 000010
【００６７】
上記表１〜８中、記号で記載した各成分の詳細を下記表９〜１１に記載する。
【００６８】
【表９】
2018121030.tif 000011
【００６９】
【表１０】
2018121030.tif 000012
【００７０】
【表１１】
2018121030.tif 000013
【００７１】
上記結果に示したとおり、実施例１〜６９は、エッチング評価１、２及びＳｐｒｅａｄｉｎｇ評価がすべて良好であった。
【図１】
2018121030.tif 000014