(57)【要約】【課題】イオン系不純物の付着による不具合を可及的に抑制し、且つ十分な耐環境特性、放熱性、および高速応答性を併有する配線基板を提供する。【解決手段】複数の樹脂層ｊ１〜ｊ４を積層してなり、対向する表面３および裏面４を有する樹脂絶縁部２と、該樹脂絶縁部２の表面３および裏面４に接着された表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２とを備え、樹脂絶縁部２における複数の樹脂層ｊ１〜ｊ４の層間には、所定パターンの内層配線８が形成され、樹脂絶縁部２の表面３および裏面４と内層配線８との間には、最上層または最下層の樹脂層ｊ１，ｊ４を貫通する第１・第２ビア導体５．６が形成されていると共に、第１・第２ビア導体５，６の一端面が露出する樹脂絶縁部２の表面３および裏面４には、表面側のセラミック層ｃ１，ｃ４を貫通し且つ第１・第２ビア導体５，６の一端面を底面とする貫通孔１１，１２が形成されている、配線基板１ａ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂層を積層してなり、対向する表面および裏面を有する樹脂絶縁部と、
上記樹脂絶縁部における少なくとも表面に接着された表面側のセラミック層と、を備えた配線基板であって、
上記樹脂絶縁部における複数の樹脂層の層間には、所定パターンの内層配線が形成され、
上記樹脂絶縁部の表面と上記内層配線との間には、何れか１つの上記樹脂層を貫通する第１ビア導体が形成されていると共に、
上記第１ビア導体の一端面が露出する上記樹脂絶縁部の表面上には、上記表面側のセラミック層を貫通し且つ上記第１ビア導体の一端面を底面とする貫通孔が形成されているか、
あるいは、上記樹脂絶縁部の表面に、上記第１ビア導体の一端面に接続する表面パッドが形成され、且つ上記セラミック層を貫通する貫通孔内に前記表面パッドの表面が露出している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記樹脂絶縁部の裏面に裏面側のセラミック層が接合され、前記樹脂絶縁部の裏面と前記内層配線との間には、何れか１つの前記樹脂層を貫通する第２ビア導体が形成されていると共に、
上記第２ビア導体の一端面が露出する上記樹脂絶縁部の裏面上には、上記裏面側のセラミック層を貫通し、且つ上記第２ビア導体の一端面を底面とする貫通孔が形成されているか、
あるいは、上記樹脂絶縁部の裏面に、上記第２ビア導体の一端面に接続する裏面パッドが形成され、且つ上記裏面側のセラミック層を貫通する貫通孔内に前記裏面パッドの表面が露出している、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方の前記貫通孔には、接続導体が配設されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方において、前記樹脂絶縁部側とは反対側の表面における周辺側に沿って、平面視が矩形枠状のセラミック枠が積層されており、該セラミック枠の内側には、上記セラミック層の表面を底面とするキャビティが形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記キャビティの底面には、接続パッドが形成されていると共に、該接続パッドと前記内層配線とは電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記樹脂絶縁部と、前記表面側および裏面側のセラミック層の少なくとも一方との間は、前記樹脂層を構成する樹脂と同種の接着剤からなる接着層を介して接着されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記樹脂絶縁部に形成された少なくとも前記内層配線および第１ビア導体を形成する導体の全体積は、前記表面側のセラミック層に形成された少なくとも前記接続導体を形成する導体の全体積よりも大である、
ことを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂層を積層し且つこれらの間に内層配線を設けた樹脂絶縁部の少なくとも表面側にセラミック層を接着してなる配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、比較的安価で且つデザインの自由度が高い樹脂を絶縁材とした配線基板は、複数の樹脂層の層間に内層配線を形成し、前記樹脂層を厚み方向に貫通するビア導体を介して、前記内層配線同士の間や、該内層配線と上記基板本体の表面や裏面に形成した表面パッドや裏面パッドとの間を導通可能にしている。かかる表面パッドや裏面パッドごとの位置を除いた上記基板本体の表面や裏面には、ソルダーレジスト層が形成されている。該ソルダーレジスト層には、樹脂や無機フィラーの主成分のほかに、光開始剤、離型剤、発泡防止剤、ワックス、カップリング剤、および顔料などの副成分が含まれている。
そのため、経年変化によって上記パッドやその表面に形成されたハンダバンプなどの金属、あるいは搭載された半導体素子にイオン系不純物が付着して、汚れや故障などの不具合を生じたり、水分や温度変化などの耐環境特性が不十分なったり、前記内層配線などから発生する熱の放熱性が不十分となる場合があった。
【０００３】
一方、セラミックを絶縁材とした配線基板の場合、前述した問題点が少なくなるが、比較的高価となりがちで、且つデザインの自由度に欠ける難点があった。
更に、互いに異種であるセラミック基板同士を積層するに際し、該セラミック基板同士の界面における剥離や変形を防いで、接続信頼性に優れた複合基板を提供するため、上記セラミック基板同士の接合部に、熱可塑性樹脂を含む絶縁層を配置してなる複合基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、上記複合基板では、上記各セラミック基板が基板本体部としての役割を果たす一方、上記熱可塑性樹脂を含む絶縁層は、前記セラミック基板同士を接合するための接着層としての役割のみを果たすに留まっている。そのため、前述した問題に加え、特に、信号の応答速度を向上させる場合において、低抵抗の内層配線を数多く使用できないことから、上記応答速度の点においても不十分となる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３３５５８５号公報（第１〜９頁、図１〜３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した前記問題点を解決し、イオン系不純物などの付着による様々な不具合を可及的に抑制できると共に、十分な耐環境特性および放熱性を併有し、且つ高速応答性を備える配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、複数の樹脂層からなる樹脂絶縁部における前記樹脂層同士の間のみに内層配線を形成し、前記樹脂絶縁部の少なくとも表面側に接着したセラミック層に、上記内層配線と導通するビア導体の表面が底面に露出する貫通孔を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、複数の樹脂層を積層してなり、対向する表面および裏面を有する樹脂絶縁部と、該樹脂絶縁部における少なくとも表面に接着された表面側のセラミック層と、を備えた配線基板であって、上記樹脂絶縁部における複数の樹脂層の層間には、所定パターンの内層配線が形成され、上記樹脂絶縁部の表面と上記内層配線との間には、何れか１つの上記樹脂層を貫通する第１ビア導体が形成されていると共に、前記第１ビア導体の一端面が露出する上記樹脂絶縁部の表面上には、上記表面側のセラミック層を貫通し且つ上記第１ビア導体の一端面を底面とする貫通孔が形成されているか、あるいは、上記樹脂絶縁部の表面に、上記第１ビア導体の一端面に接続する表面パッドが形成され、且つ上記セラミック層を貫通する貫通孔内に前記表面パッドの表面が露出している、ことを特徴とする。
【０００７】
前記の配線基板によれば、以下の効果（１）〜（４）を得ることができる。
（１）前記樹脂絶縁部の少なくとも表面には、表面側のセラミック層が接着され、該セラミック層には、上記樹脂絶縁部を形成する樹脂層間に形成された内層配線と接続された第１ビア導体の一端面を底面とする貫通孔、あるいは前記第１ビア導体の一端面に接続する表面パッドの表面が露出する貫通孔が形成されている。そのため、上記樹脂絶縁部の少なくとも表面側は、前記貫通孔を除いて表面側のセラミック層によって保護されているので、前述したイオン系不純物の付着による汚れや故障などの不具合を可及的に抑制することができる。
（２）前記樹脂絶縁部の表面側が、前記貫通孔を除いて表面側のセラミック層により保護されているので、水分や温度変化などの耐環境特性を十分に発揮できる。
（３）前記樹脂絶縁部の少なくとも表面側が、前記貫通孔を除いて表面側のセラミック層により保護されているので、前記内層配線から発生する熱を、前記セラミック層を介して外部へ効果的に放熱したり、外部からの熱的影響を抑制する耐熱性を奏することが可能となる。
（４）前記複数の樹脂層を積層し、且つ該樹脂層同士の層間に内層配線を形成した前記樹脂絶縁部が、前記内層配線の回路構成を有する基板本体部となるため、前記内層配線に対して低抵抗の配線を使用することが可能となることによって、本配線基板自体における信号の高速応答性を高めることが可能となる。
【０００８】
尚、前記樹脂層は、例えば、エポキシ系樹脂からなる。この場合、前記樹脂絶縁部の表面と前記セラミック層との接着には、エポキシ系樹脂の接着剤を用いることが推奨される。
また、前記樹脂絶縁部は、少なくとも２層以上の樹脂層を積層したものである。
更に、前記樹脂絶縁部の内層配線、第１ビア導体、表面パッド、および後述する裏面パッドには、主に銅、銅基合金、あるいは銀からなる低抵抗な金属材料が使用される。
また、前記セラミック層を構成するセラミックは、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム（以下、単にＡｌＮと記載する）などの高温焼成セラミックからなり、特に放熱性の観点から、前記ＡｌＮが推奨される。
更に、前記セラミック層側に形成される第１ビア導体および後述する第２ビア導体、素子搭載用パッド、および接続導体は、主にタングステン（以下、単にＷと記載する）や主にモリブデン（以下、単にＭｏと記載する）からなる。
加えて、前記配線基板には、平面視で複数個の本配線基板を縦横に隣接して併有する多数個取りの形態も含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記樹脂絶縁部の裏面に裏面側のセラミック層が接合され、前記樹脂絶縁部の裏面と前記内層配線との間には、何れか１つの前記樹脂層を貫通する第２ビア導体が形成されていると共に、前記第２ビア導体の一端面が露出する上記樹脂絶縁部の裏面上には、上記裏面側のセラミック層を貫通し、且つ上記第２ビア導体の一端面を底面とする貫通孔が形成されているか、あるいは、上記樹脂絶縁部の裏面に、上記第２ビア導体の一端面に接続する裏面パッドが形成され、且つ上記裏面側のセラミック層を貫通する貫通孔内に前記裏面パッドの表面が露出している、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記樹脂絶縁部の裏面にも、前記同様の貫通孔が形成された裏面側のセラミック層が接着され、且つ前記第１ビア導体と同様の第２ビア導体が形成されているので、前記効果（１）〜（４）をより確実に得ることができる。
【００１０】
更に、本発明には、前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方の前記貫通孔には、接続導体が配設されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記貫通孔に接続導体が配設されているので、例えば、表面側のセラミック層の貫通孔内に形成された上記接続導体を介して、前記表面側のセラミック層の上方に追って搭載される電子部品の電極と容易に導通可能とすることができる。あるいは、裏面側のセラミック層の貫通孔に形成された上記接続導体を介して、前記裏面側のセラミック層の下方に対向するプリント基板などのマザーボードの電極と容易に導通可能にできる。従って、前記効果（１）〜（４）を有し、且つ外部との電気的な接続を容易且つ確実に行うことが可能となる。
尚、前記接続導体には、前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方の貫通孔の内部に形成され、且つ前記セラミック層の表面とほぼ面一となる平坦な一端面を有する形態、あるいは、前記セラミック層の表面よりも外側に突出する突出部を含むバンプ状の形態が含まれる。
【００１１】
また、本発明には、前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方において、前記樹脂絶縁部側とは反対側の表面における周辺側に沿って、平面視が矩形枠状のセラミック枠が積層されており、該セラミック枠の内側には、上記セラミック層の表面を底面とするキャビティが形成されている、配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記効果（１）〜（４）に加え、前記表面側のセラミック層および裏面側のセラミック層の少なくとも一方に、該セラミック層の表面を底面とするキャビティを有する形態の配線基板になるので、追って搭載される電子部品の気密性や実装性を向上させることができる（効果（５））。
【００１２】
更に、本発明には、前記キャビティの底面には、接続パッドが形成されていると共に、該接続パッドと前記内層配線とは電気的に接続されている、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記効果（１）〜（５）に加えて、上記キャビティ内に追って搭載される電子部品を、上記接続パッドを介して、上記内層配線と電気的に容易に接続し、且つ該電子部品を確実に稼働させることが可能となる（効果（６））。
また、本発明には、前記樹脂絶縁部と、前記表面側および裏面側のセラミック層の少なくとも一方との間は、前記樹脂層を構成する樹脂と同種の接着剤からなる接着層を介して接着されている、配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、前記樹脂絶縁部と、前記表面側および裏面側のセラミック層の少なくとも一方とを強固に且つ安定して接着できるので、前記（１）〜（４）を一層確実に奏することが可能となる。
【００１３】
加えて、本発明には、前記樹脂絶縁部に形成された少なくとも前記内層配線および第１ビア導体を形成する導体の全体積は、前記表面側のセラミック層に形成された少なくとも前記接続導体を形成する導体の全体積よりも大である、配線基板（請求項７）も含まれる。
これによれば、本配線基板内における信号の高速応答性を一層高められるので、前記効果（４）を確実に得ることが可能となる（効果（７））。
例えば、前記樹脂絶縁部内に形成された少なくとも内層配線および第１ビア導体を形成する導体を低抵抗な材料（例えば、銅製）とし、かかる低抵抗な導体の全体積を、前記表面側のセラミック層に形成した接続導体の全体積よりも大とすることによって、樹脂絶縁部内の内層配線や第１ビア導体からなる回路構造の特性が、本配線基板内における信号応答性の特性を支配可能となる。一方、前記セラミック層は、高温での焼成を必要とするため、前記接続導体を形成する導体はＷあるいはＭｏ製とされるが、該ＷやＭｏは、高温域での焼成に耐えられる反面、抵抗値が比較的高い。従って、該Ｗなどの高抵抗な導体材料が、本配線基板に用いられる低抵抗な導体材料よりも少なくなるので、電気信号などの高速による伝達を一層確実に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図２】上記配線基板の製造方法を示す概略図。
【図３】上記配線基板の変形形態である配線基板を示す垂直断面図。
【図４】（Ａ）は上記配線基板の応用形態である配線基板を示す垂直断面図、（Ｂ）は異なる形態の接続導体の形成過程を示す部分断面図。
【図５】上記配線基板の応用形態である配線基板を示す垂直断面図。
【図６】前記とは異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図７】前記とは更に異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す垂直断面図である。
かかる配線基板１ａは、図１に示すように、複数の樹脂層ｊ１〜ｊ４を積層してなり、且つ対向する表面３および裏面４を有する樹脂絶縁部２と、該樹脂絶縁部２の表面３および裏面４に個別に接着された表面側のセラミック層ｃ１および裏面側のセラミック層ｃ２と、を備えている。
上記樹脂絶縁部２を構成する樹脂層ｊ１〜ｊ４は、例えば、エポキシ系樹脂からなり、前記樹脂層ｊ１〜ｊ４間ごとには、例えば、銅からなり且つ所定パターンを有する比較的抵抗値の低い複数の内層配線８が形成されている。
【００１６】
図１に示すように、前記樹脂絶縁部２の表面３と、上層側の前記樹脂層ｊ１，ｊ２間に形成された内層配線８との間には、最上層の樹脂層ｊ１を貫通し且つ銅からなる第１ビア導体５が形成されていると共に、前記樹脂絶縁部２の裏面４と、下層側の前記樹脂層ｊ３，ｊ４間に形成された内層配線８との間には、最下層の樹脂層ｊ４を貫通し且つ銅からなる第２ビア導体６が形成されている。また、前記樹脂層ｊ１〜ｊ４間ごとに形成された複数の内層配線８同士の間には、銅からなり且つ中層の樹脂層ｊ２，ｊ３間を貫通する中層ビア導体７が形成されている。
また、前記樹脂絶縁部２の表面３および裏面４と、表面側のセラミック層ｃ１および裏面側のセラミック層ｃ２との間には、前記同様のエポキシ系樹脂の接着剤からなる接着層ｂ１，ｂ２が個別に配設されている。
【００１７】
更に、前記表面側のセラミック層ｃ１および裏面側のセラミック層ｃ２は、例えば、ＡｌＮを主成分とし、複数の貫通孔１１，１２が個別に形成されている。
図１に示すように、前記樹脂絶縁部２の表面３には、前記第１ビア導体５ごとの上端面（一端面）に接続された銅からなる表面パッド９が形成され、該表面パッド９の表面は、上記表面側のセラミック層ｃ１の貫通孔１１の底面側に露出している。一方、前記樹脂絶縁部２の裏面４には、前記第２ビア導体６ごとの下端面（一端面）に接続された銅からなる裏面パッド１０が形成され、該裏面パッド１０の表面は、上記裏面側のセラミック層ｃ２の貫通孔１２の底面側に露出している。
尚、前記樹脂絶縁部２の表面３および裏面４や、前記表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２の表面１６，１７は、平面視でほぼ矩形（正方形または長方形）状を呈している。
【００１８】
前記のような配線基板１ａは、図２中の白抜き矢印で示すように、前記樹脂絶縁部２の表面３および裏面４に配設した接着剤層ｂ１，ｂ２に対し、所定の位置ごとに打ち抜き加工またはドリル加工を施して、予め、貫通孔１１，１２を穿孔した前記表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２を接着して形成される。
上記接着工程に先立って、前記樹脂絶縁部２を得るため、図示しない定盤の表面に離型剤を介して前記樹脂層ｊ４を塗布し且つ加熱処理を施した後、該樹脂層ｊ４に対しフォトリソグラフィ技術を施してスルーホールを形成し、該スルーホール内に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施して第２ビア（フィルドビア）導体６を形成した。上記樹脂層ｊ４の両面ごとに対し、上記同様のフォトリソグラフィ技術および銅メッキを施して、上面側に所定パターンの内層配線８を、下面側に裏面パッド１０を形成した。これ以降は、該樹脂層ｊ４の上面に樹脂層ｊ３〜ｊ１を順次塗布して形成し、その都度、前記同様のフォトリソグラフィ技術および銅メッキを施すことによって、複数の樹脂層ｊ１〜ｊ４、複数層の内層配線８、前記ビア導体５〜７、および前記パッド９，１０を備えた前記樹脂絶縁部２を得ることができた。
【００１９】
前記のような配線基板１ａによれば、前記樹脂絶縁部２の表面３および裏面４には、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２が個別に接着され、該セラミック層ｃ１，ｃ２には、上記樹脂絶縁部２を形成する樹脂層ｊ１〜ｊ４間に形成された内層配線８と接続された前記第１ビア導体５および第２ビア導体６の一端面に接続する表面パッド９および裏面パッド１０の表面が、個別に露出する貫通孔１１，１２が形成されている。
そのため、上記樹脂絶縁部２の表面３側および裏面４側の双方が、前記貫通孔１１，１２を除いて、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２によって保護されている。その結果、前記樹脂絶縁部２（樹脂製の基板本体部）の表面３側や裏面４側には、従来のようなソルダーレジスト層がないので、イオン系不純物の付着による汚れや故障などの不具合を可及的に抑制できる。
【００２０】
更に、水分や温度変化などの耐環境特性を十分に備えていると共に、前記内層配線８から発生する熱を、前記ＡｌＬからなるセラミック層ｃ１，ｃ２を介して外部へ効果的に放熱することもできる。併せて、外部から熱的影響を遮断する耐熱性を発揮することもできる。
しかも、前記樹脂絶縁部２が本配線基板１ａの基板本体部であり、且つ該樹脂絶縁部２に形成された内層配線８、第１および第２ビア導体５，６、中層ビア導体７を構成する銅（導体）の全体積は、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２における導体の全体積よりも明らかに大であるため、前記高速応答性も備えている。
従って、前記配線基板１ａによれば、前記効果（１）〜（４），（７）を確実に奏することができる。
【００２１】
図３は、前記配線基板１ａの変形形態である配線基板１ｂを示す垂直断面図である。該配線基板１ｂは、図３に示すように、前記同様の樹脂絶縁部２と、その表面３および裏面４に個別に接着された表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２と、を備えている。かかる配線基板１ｂでは、前記セラミック層ｃ１，ｃ２に形成された貫通孔１１，１２の底面に、上記樹脂絶縁部２の表面３側および裏面４側に位置する第１ビア導体５の上端面（一端面）、あるいは第２ビア導体６の下端面（一端面）が露出している。換言すれば、当該配線基板１ｂは、前記配線基板１ａのうち、表面パッド９および裏面パッド１０を省略したものである。
即ち、前記樹脂絶縁部２が本配線基板１ｂの基板本体部であり、更に、前記樹脂絶縁部２ａに形成された内層配線８、第１および第２ビア導体５，６、中層ビア導体７を構成する銅（導体）の全体積は、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２における導体の全体積よりも明らかに大であるため、前記高速応答性も備えている。
以上のような配線基板１ｂによっても、前記効果（１）〜（４），（７）を奏することが可能である。
【００２２】
図４（Ａ）は、前記配線基板１ａの応用形態である配線基板１ｃを示す垂直断面図、（Ｂ）は異なる形態の接続導体１５の形成過程を示す部分断面図である。
上記配線基板１ｃは、図４（Ａ）に示すように、前記同様の樹脂層ｊ１〜ｊ３を積層し、且つこれらの層間に内層配線８を個別に有する樹脂絶縁部２ａと、該樹脂絶縁部２ａの表面３および裏面４に個別に接着された前記表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２と、を備えている。
上記表面側のセラミック層ｃ１に形成された複数の貫通孔１１のうち、図示で左側の貫通孔１１内で、その底面に露出する表面パッド９の表面上には、ＷあるいはＭｏを主成分とする円柱形状の接続導体１３が形成されている。
【００２３】
また、前記裏面側のセラミック層ｃ２に形成された複数の貫通孔１２内で、その底面に露出する表面パッド１０の表面上にも、上記同様の接続導体１４が形成されている。
前記接続導体１３，１４は、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ベーストを前記貫通孔１１，１２内に充填した後、加熱して脱脂および焼成してものである。
一方、上記表面側のセラミック層ｃ１に形成された複数の貫通孔１１のうち、図４（Ａ）で右側の貫通孔１１ａ内で、その底面に露出する第１ビア導体５の上端面（一端面）上には、該第１ビア導体５の上端面側に比較的大径の円環状部を有し、且つ全体側が円柱形状を呈する接続導体１５が形成されている。
尚、表面側のセラミック層ｃ１を貫通する全ての貫通孔１１には、前記接続導体１４，１５の何れか一方のみが形成される。
【００２４】
前記接続導体１５は、図４（Ｂ）中の左側に示すように、前記樹脂絶縁部２ａの表面３に接着層ｂ１を介して表面側のセラミック層ｃ１を接着した状態で、該セラミック層ｃ１に対して、ほぼ垂直（厚み）方向に沿ってレーザーＬを照射した。該レーザーＬの照射によって、セラミック層ｃ１には、前記同様の円筒形状の貫通孔１１が形成されると共に、上記レーザーＬが第１ビア導体５の上端面（一端面）で反射することによって、隣接する上記接着層ｂ１が平面視で円環状に溶損された。その結果、図４（Ｂ）の中央に示すように、上記第１ビア導体５側に、前記貫通孔１１よりも大径の円環状部を有する貫通孔１１ａが形成された。
【００２５】
そして、図４（Ｂ）中の右側に示すように、前記貫通孔１１ａ内にハンダを前記貫通孔１１ａ内に充填した後、加熱して溶融することによって、前記接続導体１５が得られた。該接続導体１５によれば、前記セラミック層ｃ１から一層抜け出しにくくなっている。その結果、追ってセラミック層ｃ１の表面１６上に搭載される電子部品（図示せず）との接合性を高めることができる。
更に、前記樹脂絶縁部２ａに形成された内層配線８、第１および第２ビア導体５，６、中層ビア導体７、表面および裏面パッド９，１０を構成する銅（導体）の全体積は、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２に形成されたＷやハンダ（導体）などの接続導体１３，１４，１５（導体）の全体積よりも明らかに大であるため、前記高速応答性も備えている。
従って、以上のような配線基板１ｃによっても、前記効果（１）〜（４），（７）を奏することが可能である。
【００２６】
図５は、前記配線基板１ｂ，１ｃの応用形態である配線基板１ｄを示す垂直断面図である。該配線基板１ｄは、図５に示すように、前記同様の樹脂絶縁部２ａと、その表面３および裏面４に個別に接着された表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２と、を備えている。かかる配線基板１ｄでは、前記表面側のセラミック層ｃ１に形成された貫通孔１１に、その底面側に表面パッド９が位置していると共に、該表面パッド９の上方には、上記セラミック層ｃ１の表面１６よりも外側（上方）に突出するバンプ状の接続導体１３ａが形成されている。
一方、裏面側のセラミック層ｃ２に形成された貫通孔１２の底面には、第２ビア導体６の一端面（下端面）に接続している裏面パッド１０の表面が露出している。尚、上記貫通孔１２内にも、上記セラミック層ｃ２の表面１６よりも外側（下方）に突出する形態であるバンプ状の接続導体を設けても良い。
更に、前記樹脂絶縁部２ａに形成された内層配線８、第１および第２ビア導体５，６、中層ビア導体７、表面および裏面パッド９，１０を構成する銅（導体）の全体積は、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１に形成されたＷやハンダ（導体）などの接続導体１３ａ（導体）の全体積よりも明らかに大である。
従って、以上のような配線基板１ｄによっても、前記効果（１）〜（４），（７）を奏することが可能である。
【００２７】
図６は、前記とは異なる形態の配線基板１ｅを示す垂直断面図である。
上記配線基板１ｅは、図６に示すように、前記同様の樹脂絶縁部２と、その表面３および裏面４に個別に接着された表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２とを備えていると共に、表面側のセラミック層ｃ１の表面１６における周辺に沿って平面視が矩形枠状である上下２層のセラミック枠ｃ３，ｃ４が積層されている。かかるセラミック枠ｃ３，ｃ４の内側には、表面側のセラミック層ｃ１の表面１６の中央側を底面（１６）とし、且つ四辺の内壁面２１を有するキャビティ２０が形成されている。
上記セラミック枠ｃ３，ｃ４と表面側のセラミック層ｃ１とは、予め、該セラミック層ｃ１となる平板状のグリーンシートにＷあるいはＭｏからなる未焼成性の第３ビア導体（接続導体）１８および接続パッド１９を形成し、該平板状のグリーンシートと、上記セラミック枠ｃ３，ｃ４となる平面視が矩形状の貫通孔が中央側に形成された矩形枠状のグリーンシートとを積層および加圧した後、得られたグリーンシート積層体を加熱して、脱脂および同時焼成することによって得られたものである。
【００２８】
図６に示すように、前記表面側のセラミック層ｃ１には、これを適所ごとで貫通する複数の第３ビア導体１８が形成されている。かかる第３ビア導体１８は、前記樹脂絶縁部２の表面３側で表面パッド９と接続され、且つ上記セラミック層ｃ１の表面（底面）１６で、該表面（底面）１６に形成された複数の接続パッド１９と個別に接続されている。かかる複数の接続パッド１９の上方には、追って、図示しないロウ材などを介して、半導体素子などの電子部品２２が搭載される。
以上のような配線基板１ｅによれば、前記効果（１）〜（７）が得られる。
【００２９】
尚、前記セラミック枠ｃ３，ｃ４に、これらを個別に貫通する図示しないビア導体を形成し、該ビア導体を介して前記樹脂絶縁部２側の表面パッド９と、最上層のセラミック枠ｃ４の表面２３に形成された平面視が矩形枠状のメタライズ層（図示せず）との間を電気的に接続可能としても良い。この形態では、前記メタライズ層の上面に、平板状の金属蓋をシーム溶接などにより接合することで、前記電子部品２２が搭載されたキャビティ２０を外部から封止することができる。
また、前記裏面側のセラミック層ｃ２に形成された複数の貫通孔１２内ごとには、前記接続導体１４，１５の何れかを形成しても良い。
更に、前記セラミック枠ｃ３，ｃ４を、前記裏面側のセラミック層ｃ２の表面１７における周辺側に沿って積層することによって、前記樹脂絶縁部２の裏面４側にも、前記同様のキャビティを上下対称に一対形成した形態としても良い。
【００３０】
図７は、前記とは更に異なる形態の配線基板１ｆを示す垂直断面図である。
上記配線基板１ｆも、図７に示すように、前記同様の樹脂絶縁部２と、その表面３および裏面４に個別に接着された表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２と、を備えていると共に、表面側のセラミック層ｃ１の表面１６には、前記同様のセラミック枠ｃ３，ｃ４が積層され、これらの内側には、前記同様のキャビティ２０が形成されている。
また、図７に示すように、前記表面側のセラミック層ｃ１には、これを適所ごとの位置で貫通する複数の第３ビア導体１８が形成され、該第３ビア導体１８に個別に接続するセラミック層ｃ１の表面（底面）１６側に形成された複数組の接続パッド１９の上方には、追って複数の電子部品２２が前記組ごとの上に搭載される。
【００３１】
更に、前記セラミック枠ｃ３，ｃ４およびセラミック層ｃ１には、これらを個別に貫通するビア導体２４と、該ビア導体２４同士の間に挟持されたビアカバー２５とが形成されている。最上層のセラミック枠ｃ４の表面２３には、上記ビア導体２４と個別に接続された複数の接続端子２６が形成されている。上記ビア導体２４、ビアカバー２５、および接続端子２６も、主にＷまたはＭｏからなり、前記同様の方法によって形成されたものである。
図７に示すように、上記セラミック枠ｃ４の表面２３には、追って、前記キャビティ２０の開口部を跨ぐように、比較的大型の電気部品２８が図示しないロウ材または接着剤を介して実装される。前記電気部品２８は、上記複数の接続端子２６とボンディングワイヤ２７を介して、個別に導通可能とされる。
以上のような配線基板１ｆによっても、前記効果（１）〜（７）が得られる。
尚、前記裏面側のセラミック層ｃ２に形成された複数の貫通孔１２内ごとには、前記接続導体１４，１５の何れか一方を形成しても良い。
【００３２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記樹脂絶縁部は、少なくとも２層の樹脂層を積層し、且つ該樹脂層間に内層配線を形成した形態、あるいは、３層または５層以上の樹脂層を積層し、且つこれらの樹脂層間に内層配線を形成した形態としても良い。
また、前記樹脂絶縁部に用いる樹脂層の一部には、例えば、ビスマレイミド・トリジアン（ＢＴ）樹脂からなるコア基板を用いても良いし、前記の各形態のようにコアレスの形態としても良い。あるいは、金属板またはセラミック板の表面と裏面との間を貫通するスルーホールの内面を含め、全表面に樹脂を被覆したメタルコア基板や、セラミックコア基板を一部の樹脂層に用いた形態としても良い。
更に、前記表面側および裏面側のセラミック層は、例えば、アルミナやムライトを主成分とするものとしても良い。
また、前記樹脂絶縁部２，２ａの内層配線８、第１および第２ビア導体５，６、中層ビア導体７、表面および裏面パッド９，１０などの材料は、銀としても良い。
【００３３】
更に、前記接着層ｂ１，ｂ２の接着剤は、前記樹脂絶縁部２，２ａを構成する前記樹脂層ｊ１〜ｊ４の樹脂とは、異種で且つ接着性を有する樹脂からなるものとしても良い。
また、前記セラミック層は、前記樹脂絶縁部の表面側（電子部品が搭載される側）のみに配設し、且つ裏面側には配設しない形態としても良い。
更に、前記樹脂絶縁部２，２ａ内に形成する導体（内層配線８、第１・第２ビア導体５，６、中層ビア導体７、表面・裏面パッド９，１０など）の電気的特性は、表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２に形成される導体の電気的特性よりも、大きい構成とすることが望ましい。
加えて、前記表面側および裏面側のセラミック層ｃ１，ｃ２を貫通する貫通孔１１，１２内は、これらの底面に位置する前記第１および第２ビア導体５，６の一端面、あるいは前記表面パッド９および裏面パッド１０の表面に対し、ロウ材を介してリードピンのフランジ側を接合し、該リードピンの先端側を上記セラミック層ｃ１，ｃ２の表面１６，１７よりも外側に突出させた形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明によれば、イオン系不純物などの付着による様々な不具合を可及的に抑制できると共に、十分な耐環境特性、放熱性、および高速応答性を併有する配線基板を確実に提供できる。特に、本配線基板は、近年の小型化、高密度化、高速化する電子部品を搭載し、且つプリント基板上に実装するための、前記電子部品とプリント基板との間に配置する配線基板として、より好適に用いられ得る。
【符号の説明】
【００３５】
１ａ〜１ｆ…………配線基板
２，２ａ……………樹脂絶縁部
３……………………樹脂絶縁部の表面
４……………………樹脂絶縁部の裏面
５……………………第１ビア導体
６……………………第２ビア導体
８……………………内層配線（パターン配線）
９……………………表面パッド
１０…………………裏面パッド
１１，１２…………貫通孔
１３〜１５，１８…接続導体
１６…………………表面側のセラミック層の表面／キャビティの底面
１９…………………接続パッド
２０…………………キャビティ
ｂ１，ｂ２…………接着層
ｃ１…………………表面側のセラミック層
ｃ２…………………裏面側のセラミック層
ｊ１〜ｊ４…………樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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