(57)【要約】【課題】  駆動電圧の上昇を抑制しながら、光の出射量の低下が抑制された有機発光装置を提供する。【解決手段】  本発明の一様態は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間の、発光層を含む有機層と、を有し、  前記第１電極は、第１金属を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間の混在層と、を有し、  前記混在層は、前記第１金属と、前記第１金属より反射率の低い第２金属を含む、有機発光装置に関する。【選択図】  図６
2018181675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間の、発光層を含む有機層と、
を有し、
前記第１電極は、第１金属を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間の混在層と、を有し、
前記混在層は、前記第１金属と、前記第１金属より反射率の低い第２金属を含む、
有機発光装置。
【請求項２】
前記第１金属は、アルミニウムまたは銀である請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記第２金属は、チタン、モリブデン、及びタングステンのすくなくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間の、発光層を含む有機層と、
を有し、
前記第１電極は、
第１金属を有する金属層と、
前記金属層と前記有機層との間に配され、前記第１金属及び第２金属を有する混在層と、
を有し、
第１金属はアルミニウムまたは銀であり、
第２金属は、チタン、モリブデン、タングステンの少なくとも１つである有機発光装置。
【請求項５】
前記第１電極の端部は、バンク絶縁層に覆われ、
前記バンク絶縁層は、前記第１電極上に第１開口を有し、
前記有機層は、前記第１開口において、前記第１電極と前記第２電極との間に配されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第１電極は、前記第１開口において第１の膜厚を有し、前記バンク絶縁層に覆われる領域において第２の膜厚を有し、前記第１の膜厚は前記第２の膜厚より小さいことを特徴とする請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第１電極は、前記混在層と前記バンク絶縁層の間に配され、前記第２金属を有する導電層を有する請求項５または６に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記導電層は、前記第１開口において、前記混在層と前記有機層の間に配される請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記導電層は第２開口を有し、前記有機層は、前記第１開口及び前記第２開口において、前記混在層と接する請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記混在層は酸素を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記混在層の前記第１電極の膜厚方向における長さは１０ｎｍ以上である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記混在層の前記第１電極の膜厚方向における長さは、５ｎｍ以上である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記バンク絶縁層は無機絶縁層である請求項５乃至１２のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記バンク絶縁層は酸化シリコンを有する請求項５乃至１３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記混在層において、前記第１金属に対する前記第２金属の割合は、前記有機層側から前記金属層側に向かって減少している請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記混在層に占める前記第２金属の割合は、前記有機層側から前記金属層側に向かって減少している請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１７】
前記第１電極は、多層配線構造の上に配され、
前記多層配線構造の表面の絶縁層は、前記第１電極に覆われていない部分に凹部を有する請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記第１電極は、シリコン基板に配された多層配線構造の上に配され、前記第１電極は反射電極であり、前記第２電極は透明電極である請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１９】
レンズと、
前記レンズからの光が入射する撮像素子と、
前記撮像素子からの出力が入力される制御部と、
前記制御部から信号が入力される、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の有機発光装置と、
を有する撮像装置。
【請求項２０】
第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程を含み、
前記第１電極を形成する工程は、
第１金属を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属層に前記第１金属と、前記第１金属より反射率の低い第２金属とを含む混在層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２１】
前記混在層を形成する工程は、
前記第１金属を含む金属膜の上に、前記第２金属を含む導電膜を形成する工程と、
前記第１金属を含む金属膜及び前記第２金属を含む導電膜の一部を除去して、前記第１金属を含む金属層と、前記第２金属を含む導電層を形成する工程と、
前記第１金属を含む金属層と前記第２金属を含む導電層を形成した後、加熱処理を行う工程と、
を有することを特徴とする請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記加熱処理によって、前記金属膜に前記第２金属が拡散することで、前記混合層が形成される請求項２１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記加熱処理を行う工程は、
前記第２金属を含む導電層の上に、絶縁膜を形成する工程である請求項２１または２２に記載の有機発光装置。
【請求項２４】
前記加熱処理の温度は３００℃以上である請求項２０乃至２３のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２５】
前記絶縁膜を形成後、前記絶縁膜の一部をエッチングにより除去して開口を形成する工程と、
前記開口において、前記導電層の一部を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項２０乃至２４のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光装置、有機発光装置の製造方法、及び撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（有機電界発光素子：有機ＥＬ素子）は、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが有機発光層で再結合して光を発生する。発生した光は、陰極側、陽極側、あるいはその両側から出射される。
【０００３】
例えば、有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、基板上に配され、駆動用トランジスタ及び多層配線構造を含む画素駆動回路、画素駆動回路上に配された有機発光素子を有する。このような有機発光表示装置において、一方の電極に透光性を有する導電材料を用い、有機発光層で発生した光を他方の電極で反射させ、該一方の電極側から光を取り出す反射型の有機ＥＬ表示装置が知られている。
【０００４】
このような反射型の有機ＥＬ表示装置においては、一般に、一方の電極に高い反射率を有する導電層が用いられ、発光層を有する有機層と両電極とで、キャビティ構造を形成している。キャビティ構造では、有機層の膜厚が、発光波長に基づいて、多重干渉条件を満たすよう設定される。これにより外部への光取り出し効率が改善され、また、発光スペクトルの制御をすることが可能である。
【０００５】
反射型の有機発光装置において、性能向上のため、反射電極と有機層の間に、他の導電層を配することがある。例えば、特許文献１では、反射電極であるアルミニウムなどの反射金属層上に高融点金属材料からなる導電膜を形成する方法が記載されている。アルミニウムは、酸化されると酸化後は絶縁特性に近づくため、接触抵抗が高くなってしまう。その結果、電流を充分に供給することができず、駆動電圧が高くなり、電極として用いることが難しい。そこで、高融点金属材料からなる導電膜を反射電極上に形成することにより、反射金属層表面の酸化を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３０３４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のように、反射電極の酸化防止するためには、高融点金属材料から成る導電膜の膜厚を十分大きくする必要がある。この結果、高融点金属から成る導電膜の膜厚が増加するほど、該導電膜の光透過率が低下してしまうため、反射電極により反射されて出射される光の量が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の一様態は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間の、発光層を含む有機層と、を有し、
前記第１電極は、第１金属を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間の混在層と、を有し、前記混在層は、前記第１金属と、前記第１金属より反射率の低い第２金属を含む有機発光装置に関する。
【０００９】
また、本願発明の一様態は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間の、発光層を含む有機層と、を有し、
前記第１電極は、アルミニウムまたは銀を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間に配され、チタン、モリブデン、タングステンの少なくとも１つと、前記金属層が有する金属と、を有する混在層と、を有する有機発光装置に関する。
【００１０】
また、第１金属を含む金属膜を形成する工程と、前記金属層上に前記第１金属と、前記第１金属より反射率の低い第２金属とを含む混在層を形成する工程と、前記混在層を形成した後、有機層を形成する工程と、前記有機層上に第二の電極を形成する工程と、を有する有機発光装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
有機発光装置の駆動電圧の上昇を抑制しながら、光の出射量の低減が抑制された有機発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る有機発光装置の画素の一例の断面図
【図２】実施の形態１に係る有機発光装置の一例の等価回路図
【図３】実施の形態１に係る有機発光装置の有機発光素子の一例の断面図
【図４】実施の形態１に係る有機発光装置の有機発光素子の一例の断面図
【図５】実施の形態１に係る有機発光装置の第一電極の一例の組成分析結果を示すグラフ
【図６】実施の形態２に係る有機発光装置の画素部の一例の断面図
【図７】実施の形態２に係る有機発光装置の製造工程の一例を説明する断面図
【図８】実施の形態２に係る有機発光装置の製造工程の一例を説明する断面図
【図９】実施の形態３に係る電子機器の一例を説明する断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本実施の形態にかかる有機発光装置の詳細を説明する。なお以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すのであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、本発明を限定するものではない。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態にかかる有機発光装置を構成する画素の一例を示す断面図である。図１に示した画素は、基板１００、トランジスタＴｒ２、多層配線構造１０２、プラグ１０３、第一電極１１０、有機層１２０、第二電極１３０、防湿層１４０、平坦化層１５０、及びカラーフィルタ１６０を備えている。基板１００としては、例えばシリコン基板を用いることができる。図１において、有機発光素子ＥＬは、第１電極１２０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有する。
【００１５】
図２は、画素２００の一例の等価回路図である。本実施形態の有機発光装置は、マトリクス状に配列された複数の画素２００を有する表示領域と、表示領域の周辺に配される周辺領域と、を有する。周辺領域には、複数の走査線２３１に走査信号を出力する走査線駆動回路２２１、及び複数の信号線２３２に映像信号を出力する信号線駆動回路２２２が設けられている。
【００１６】
各画素２００は、それぞれ対応する走査線及び信号線に接続され、スイッチング用トランジスタＴｒ１、駆動用トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓ、および有機発光素子ＥＬを有する。ここでは、スイッチング用トランジスタＴｒ１としてＮ型ＭＯＳトランジスタを、駆動用トランジスタＴｒ２としてＰ型ＭＯＳトランジスタを用いる例を示すが、トランジスタＴｒ１及びＴｒ２は、これに限定されない。
【００１７】
スイッチング用トランジスタＴｒ１のゲートは、走査線２３１に接続され、ソース及びドレインの一方、信号線２３２に接続される。また、スイッチング用トランジスタＴｒ１のソース及びドレインの他方は、駆動用トランジスタＴｒ２のゲート及び保持容量Ｃｓの一方の電極に接続される。保持容量Ｃｓの他方の電極及び駆動用トランジスタＴｒ２のソース及びドレインの一方は、電源線Ｖｃｃに接続される。駆動用トランジスタＴｒ２のソース及びドレインの他方は、有機発光素子ＥＬに接続される。
【００１８】
図２に示す有機発光装置において、走査信号線駆動回路２２１によりスイッチング用トランジスタＴｒ１がオン状態となることで、信号線２３２から映像信号が画素２００に書き込まれ、書き込まれた映像信号は保持容量Ｃｓに保持される。保持された映像信号に応じた電流が、駆動用トランジスタＴｒ２から有機発光素子ＥＬに供給され、この電流に応じた輝度で有機発光素子ＥＬが発光する。なお、ここでは、複数の画素２００の駆動用トランジスタＴｒ２及び保持容量Ｃｓが、共通の電源線Ｖｃｃに接続されている例を示す。
【００１９】
上記の画素回路の構成は一例であり、画素２００は、必要に応じて、容量素子やトランジスタをさらに有していてもよい。また周辺回路も、画素の構成に応じて必要となる駆動回路を適宜有することができる。
【００２０】
図２において、トランジスタＴｒ２上に、複数の配線及び複数の層間絶縁層を有する多層配線構造１０２が形成されている。多層配線構造１０２の上には、有機発光素子ＥＬの第１電極１１０が配されている。第１電極１１０は、多層配線構造１０２中の配線１０２及びプラグ１０３を介して、駆動用トランジスタＴｒ２に接続されている。また、多層配線構造１０２にＭＩＭ容量が容量素子Ｃａとして配されている。
【００２１】
なお有機発光素子ＥＬ等からの光がトランジスタ特性に影響を及ぼさないようにするため、多層配線構造１０２が遮光層（不図示）を備えていても良い。配線層１０１の材料として、例えばアルミニウム合金を用いることができ、配線層１０１を接続するプラグ１０３の材料として、例えばタングステンを用いることができる。また、層間絶縁膜には、例えば酸化シリコンから成る膜を用いることができる。遮光層の材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることができる。なお、多層配線構造１０２において、第１電極１１０の下地となる絶縁層としては、第１電極１１０の膜厚のバラツキを低減するため、表面が平坦化された無機絶縁膜を用いることが好ましい。
【００２２】
基板１００、トランジスタ、及び多層配線構造１０２を回路基板と称する。回路基板上には、有機発光素子ＥＬが配されている。反射型の有機発光装置の有機発光素子ＥＬは、有機層の両側に配される電極のうち一方が反射電極であり、他方が透光性電極であり、有機層で発光した光が一方の電極で反射されて、他方の電極から出射するよう構成されている。ここでは、第１電極１１０が反射電極であり、第２電極１３０が透光性電極である有機発光装置について説明する。
【００２３】
ここで、反射電極とは、有機発光層が発光する光に対する反射率が５０％を超える電極であり、電極が複数の膜が積層された構成を有する場合は、複数の膜を１つの電極としたときの電極の反射率が５０％を超えるものとする。また、透光性電極とは、有機発光層が発光する光の透過率が５０％を超える電極であり、電極が複数の膜が積層された構成を有する場合は、複数の膜を１つの電極としたときの電極の透光率が５０％を超えるものとする。
【００２４】
有機層１２０は、発光層を有し、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層された構造を有する。有機層１２０は、この構成に限定されず、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、素子の設計に応じて、適宜設ければよい。有機層の各層は、公知の有機材料を適宜用いて形成することができる。
【００２５】
第２電極１３０は、透光性電極であり、導電膜を形成、パターニングすることで形成できる。導電膜としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極材料を用いて形成することができる。また特に有機発光素子がキャビティ構造として構成される場合には、光の干渉を利用するため、第２電極１３０は、発光層からの光に対する透光性だけでなく、反射性も必要となる。よって、第２電極１３０として、例えは５〜２０ｎｍ程度の薄膜のＭｇＡｇ等の半透過性を有する導電層を用いることができる。なお、キャビティ構造とは、発光層からの光を第１電極１１０及び第２電極１３０の間で共振させて、第２電極１３０側から光を取り出す構造を指す。
【００２６】
本実施形態において、第１電極は反射電極であり、少なくとも、金属層と、該金属層の金属より反射率が低い金属を有する混在層と、の積層を有する。物体の反射率は、物体の厚みや波長によって異なる。金属層は、金属光沢を有する。
【００２７】
本明細書において、金属層（導電層）が金属Ａを含み、混合層が金属Ａと金属Ｂの混合層のとき、例えばＴＥＭ−ＥＤＸ分析おいて、金属Ｂの成分が検出限界（ノイズを含む）以下の部分を金属層（導電層）とする。また、金属Ａと金属Ｂの成分が共に検出限界より大きい値である部分を混合層とする。
【００２８】
また、本明細書において、金属や部材の反射率とは、該金属から成る膜や部材の反射率がほぼ一定となるだけの、十分な膜厚の膜（部材）における反射率を指す。金属Ａの反射率が金属Ｂの反射率より大きいとは、金属Ａ単体と金属Ｂ単体の膜を、どちらの反射率もほぼ一定となるのに十分な厚さとしたとき、同じ波長に対する金属Ａの反射率が金属Ｂの反射率より大きいことを示す。反射率を検討、比較するときの光の波長としては、各画素の出射光の色に合わせて設定することができる。反射率もほぼ一定となるのに十分な厚さは、例えば０．１ｍｍとすることができる。
【００２９】
金属層は、反射性の高い金属で形成することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）またはこれらの金属の合金を用いることができる。好ましくは、ＡｌやＡｇ、及びその合金を用いることができる。金属層とは、金属単体によって構成される導電層たけでなく、その金属の合金によって構成される導電層を含み、製造上、意図せず不純物として入ってしまった他の元素を含んでいてもよい。上記金属より反射率の低い金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属を用いることができる。
【００３０】
金属層の金属より反射率が低い金属を有する混在層は、高融点金属と反射性の高い金属の混在層だけでなく、高融点金属の化合物と反射性の高い金属の混在層であってもよい。すなわち、混在層は、金属層の金属中に導電層の金属を含んでいても、導電層の金属中に金属層の金属を含んでいてもよく、また、それらが合金化していても良いし、そうでなくても良い。
【００３１】
金属層の材料として、アルミニウムや銀といった反射率の高い材料を用いた場合、これらの金属は酸化されやすい。有機発光装置においては、例えば有機層などの第１電極上に配置される酸素を含む材料からの酸素の内方拡散や、は製造工程内での酸素を含む雰囲気での加熱工程による酸素の内方拡散により、金属層が酸化されることがある。
【００３２】
そこで、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金属層を上記金属層上に設けることにより、これらの金属層の酸化を防止することができる。しかし、高融点金属は、アルミニウムや銀等の金属より反射率が低いため、第１電極の反射率は低下してしまう。しかし、単純に高融点金属層の膜厚を薄くすると、高融点金属層内を酸素が拡散し金属層に到達してしまうため、金属層の金属の酸化を抑制することができない。
【００３３】
また、金属層と有機層との間の仕事関数を調整するため、第１電極として、金属層と導電層との積層を用いる場合がある。この場合にも、導電層が有する金属の反射率が金属層の金属の反射率より低い場合、第１電極の反射率が低下してしまう。
【００３４】
そこで、金属層が有する金属より反射率が低い金属と、該金属層の金属と、の混在層を、該金属層と有機層の間に配することで、反射率の低下を抑制しながら、金属層の酸化抑制を行うことができる。また、第１電極の反射率の低下を抑制しながら、反射性の高い金属と導電層の金属との混合比を調整すること等により、仕事関数の調整を行うことができる。よって、導電層の設計パラメータ（材料の種類、比率、膜厚等）の自由度を大きくすることができる。
【００３５】
また、混在層が含む金属は、金属層の金属でなくてもよい。混在層が、金属層の酸化防止のため設けられる場合には、混在層は、酸化防止のための金属と、その金属より反射率の高い金属と、を含む構成であればよい。また、混在層が、仕事関数の調整のために設けられる場合には、混在層は、仕事関数を調整するための金属と、その金属より反射率が高く仕事関数の調整に適した金属と、を含む構成であればよい。
【００３６】
以下、本実施形態の有機発光素子の具体的な構成例について説明する。
【００３７】
図３を用いて、第１電極の構成について説明する。図３において、第１電極１１０は、金属層１１２、混在層１１３ａ、導電層１１３ｂを有する。金属層１１２の金属としては、可視光の波長域において反射率の高い材料を用いることができ、例えばＡｌ、Ａｇおよびそれらを含む合金を用いることが出来る。あるいはその他の金属として、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、及びそれらを含む合金を用いることもできる。ここでは、金属層１１２が、Ａｌで形成される例を示す。また金属層１１２の膜厚は、所望の反射率を得られ、かつ有機層の膜厚よりも薄くなることが好ましい。金属層１１２の膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍの範囲で設定することができる。なお反射率としては、少なくとも対応する画素の色に対応する波長の光に対し、６０％以上であることが好ましい。
【００３８】
金属層１１２とその下地となる絶縁層（例えば酸化シリコン膜）との間に、バリアメタル層１１１を有する構成としてもよい。バリアメタル層１１１としては、公知の材料を適用することが出来る。ここでは、バリアメタル層１１１が、Ｔｉから成る第１バリアメタル層１１１ａとＴｉＮから成る第２バリアメタル層１１１ｂを有する例を示す。
【００３９】
金属層１１２をＡｌまたはＡｌ合金を含む層で形成する場合、特にバリアメタル層１１１を設けることが好ましい。特に、バリアメタル層１１１としてＴｉ膜を適用することで、属層１１２のＡｌ膜の配向性が高くなり、表面が平滑な金属層１１２を形成しやすくなる。よって、金属層１１２の膜厚の均一性を向上することができ、混在層１１２ａや導電層１１３ｂの膜厚を小さくしたい場合にも、金属層１１２の表面の凹凸に起因する成膜不良を抑制することができる。
【００４０】
導電層１１３ｂの材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗおよびこれらを有する化合物（窒素化合物、酸素化合物）を用いることが出来る。化合物としては、例えばＴｉＮを用いることができる。
【００４１】
混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂの膜厚は、例えば有機層側からの酸素拡散を考慮し、混在層１１３ａと導電層１１３ｂの膜厚の和が、酸素が拡散する深さ以上となる膜厚とすることが好ましい。また、金属層１１２上に混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂを積層した状態での第１電極の反射率が、十分所望の反射率となる膜厚とすることが好ましい。よって、混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂの膜厚は、酸素拡散と反射率とを考慮した膜厚とすることが好ましく、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることができる。なお、第１電極１１０の反射率としては、少なくとも５０％以上であることが好ましい。
【００４２】
本実施の形態において、混在層１１３ａとは、金属層１１２の金属と導電層１１２ｂの金属とを含む領域であり、例えば、図３に示すように、金属層１１２と導電層１１３ｂの間に存在する。混在層１１３ａに含まれる高融点金属としては、高融点金属の酸化物の導電率が、金属層１１２の金属の酸化物の導電率より大きい金属を用いる。また、第１電極１１０の表層（有機層が形成される側の面）から拡散する酸素の深さに応じて、金属層１１２の金属が膜厚方向に沿って導電層１１３ｂ内に分散した混在層１１３ａを、膜厚を調整して形成する。
【００４３】
金属層１１２の金属酸化物の絶縁性が大きいと、第１電極１１０に対する有機層１２０側表面からの酸素の拡散によって金属層１１２の導電層１１３ｂ側の界面一面が酸化されると、第１電極１１０の導電性が著しく低下する。これより、有機発光装置の駆動電圧が大きくなる。一方、混在層１１３ａに含まれる高融点金属の酸化物の導電率は、金属層１１２の金属の酸化物の導電率より大きい。本実施の形態の有機発光装置では、第１電極１１０の表層から拡散する酸素の深さに応じて、金属層１１２の金属が膜厚方向に沿って導電層１１３ｂ内に分散した混在層１１３ａを形成する。よって、金属層の表面が一様に酸化されてしまうことを抑制することができる。すなわち、金属層１１２表面の酸化による第１電極１１０の導電率の低下を抑制することができる。
【００４４】
また、導電層１１３ｂ単層でなく、導電層１１３ｂの高融点金属に金属層１１２の金属が分散されていることで、導電層１１３ｂのみで金属層１１２表面の酸化を抑制する場合に比べ、第１電極１１０の反射率の低下を抑制することができる。
【００４５】
混在層１１３ａは、金属層１１２において、導電層１１３ｂとの界面全体または有機層１２０との界面全体を覆う連続膜として存在してもよいし、不連続な膜として存在してもよい。すなわち、混在層１１３ａが金属層１１３の導電層１１３ｂとの界面または有機層１２０との界面の一部に配され、金属層１１２の該界面の一部が混在層１１３ａに覆われていなくてもよい。金属層１１２の界面の少なくとも一部が混在層１１３ｂに覆われていることで、その部分における第１電極１１０の高抵抗化を抑制することができる。
【００４６】
混在層１１３ａは、金属層１１２の金属及び導電層１１３ｂの金属以外の元素を含んでいてもよい。混在層１１３ａが、金属層１１２の金属及び導電層１１３ｂの金属以外の元素を含むことで、酸素の拡散をより抑制することができる場合がある。例えば、金属層１１２の金属がＡｌであり、導電層の金属がＴｉの場合に、混在層１１３ａが窒素有する構成とすることで、金属層１１２の酸化をより抑制することが可能となる。
【００４７】
なお、混在層１１３ａにおいて、導電層１１３ｂの金属以外に含まれる金属を、金属層１１２と異なる金属としてもよい。この時の金属は、導電層１１３ｂの金属より反射性の高い金属であればよい。また混在層１１３ａは、導電層１１３ｂの金属の代わりに、他の金属を含む構成であってもよい。混在層１１２ａに含まれる金属は、金属層１１２の金属との、導電性、反射率、及び透過率の関係を考慮して決定することができる。
【００４８】
また混在層１１２ａにおいて、膜厚方向に沿って導電層１１２ｂの金属の濃度が変化していてもよい。その場合には、第１電極１１０の有機層１２０が配される側の濃度を高くすることが好ましい。これにより混在層１１３ａに含まれる金属層１１２の金属が酸化される割合を低減することができる。
【００４９】
また図４で示すように、第１電極１１０は、金属層１１２及び混在層１１３ａを有し、導電層１１３ｂを有していなくてもよい。つまり第１電極１１０において有機層１２０と接する面が混在層１１３ａの表面であってもよい。この場合でも、製造工程等における第１電極１１０への酸素の拡散や第１電極１１０の反射率を考慮した混在層１１２ｂの膜厚とすることで、低消費電極で第１電極１１０の十分な反射率を確保した有機発光装置を実現することができる。
【００５０】
表１を用いて、本実施の形態に係る有機発光素子の効果について説明する。
【００５１】
表１に、金属層１１２にＡｌ合金膜を用い、導電層１１３ｂにＴｉ膜を用いた第１電極１１０を有する有機発光素子における下記項目の関係を示す。項目は、導電層１１３ｂの膜厚、混在層１１３ａ（ＡｌとＴｉが混在する領域）の膜厚方向（金属層１１２と導電層１１３ｂの積層報告）の長さである。また、他の項目は、観察波長４５０ｎｍにおける第１電極１１０の反射率、及び有機発光素子に電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２が流れるときの駆動電圧である。なお、有機発光素子の混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂには、酸素が拡散している。
【００５２】
表１において、条件Ａ〜Ｄは、実施の形態１及び２に記載の有機発光素子の例であり、条件Ｅは、比較例であり、混在層１１２ｂを有さない有機発光素子の場合を示す。反射率及び駆動電圧は、第１電極のみの状態（有機層、第２電極を形成していない状態）で測定した値を示す。
【００５３】
【表１】
2018181675.tif 000003
【００５４】
表１に示す条件Ａ〜Ｄの第１電極１１０の構成においては、導電層１１３ｂの膜厚を薄くするほど反射率が高くなった。ただし、混在層１１３ａの膜厚を一定としたまま導電層１１３ｂの膜厚を小さくすると、金属層１１２の酸化により有機発光素子の駆動電圧が上昇する。よって、表１の条件Ａ〜Ｄでは、導電層１１３ｂの膜厚を薄くする場合には、混在層１１３ａの膜厚方向の長さを大きくしている。これにより、条件Ａ〜Ｄにおける有機発光素子では、有機発光素子に一定の電流を流すために必要な駆動電圧はほぼ同等となった。
【００５５】
一方、比較例である条件Ｅでは、混在層１１３ａ及び導電層１１２ｂがないため、第１電極１１０は高い反射率を示しているが、有機発光素子の駆動電圧は上昇してしまった。
【００５６】
表１より、混在層１１３ａと導電層１１３ｂの膜厚の組み合わせを調整することにより、有機発光素子の駆動電圧を上昇させることなく反射率の低下を抑制することができることがわかる。具体的には、第１電極１１０に対する、有機層１２０が配される側からの酸素の拡散と、反射率を考慮して、混在層１１３ａ、または混在層１１３ａと導電層１１３ｂの膜厚の和を調整する。これにより、有機発光素子の駆動電圧を上昇させることなく反射率の低下を抑制することができる。
【００５７】
また図５に、表１の条件Ｂの第１電極１１０の構造における各元素（Ａｌ，Ｔｉ，Ｏ）の第１電極１１０の深さ方向（膜厚方向）のプロファイルを示す。なおこのプロファイルはＴＥＭ−ＥＤＸ法により測定された結果である。例えば金属層１１２にＡｌ合金を用い、導電層１１３ｂにＴｉを用いる場合、混在層１１３ａには。ＡｌとＴｉが含まれる。
【００５８】
図５に示すように、第１電極１１０の表面から１０ｎｍ付近から導電層１１３ｂに含まれるＴｉが検出されるため、条件Ｂでは、金属層１１２の膜厚は１０ｎｍである。また、第１電極１１０の表面から２０ｎｍ付近でＡｌが検出限界以下となることから、混合層１１３ａの膜厚方向の長さは、１０ｎｍである。
【００５９】
次に本実施の形態に係る有機発光装置の一部の製造方法について説明する。
【００６０】
シリコン基板１００の上に、公知の方法により駆動用トランジスタＴｒ２を形成する。駆動用トランジスタＴｒ２上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜内に開口を形成してプラグを形成し、配線層を形成する。層間絶縁膜、プラグ、配線層の形成を繰り返して、多層配線構造１０２を形成する。多層配線構造１０２において、最上層の配線層の上に平坦化された絶縁膜を形成し、該平坦化された絶縁膜にプラグ１０３を形成する。
【００６１】
該平坦化された絶縁膜上に、それぞれ、バリアメタル層１１１、金属層１１２、導電層１１３となるバリアメタル膜、金属膜、導電膜をスパッタ等の成膜方法により形成する。バリアメタル層１１１としては、例えばＴｉとＴｉＮの積層膜とすることができる。金属層としては、膜厚５０ｎｍのＡｌ合金膜を形成し、その上に導電膜として膜厚１０ｎｍのＴｉ膜を形成することができる。
【００６２】
なお金属層１１２であるＡｌ合金層の形成後の金属層１１２の表面の反射率は、９０％以上である。また、金属層１１２上の導電層１１３となる導電膜（Ｔｉ膜）を、形成後の導電層１１３の表面の反射率が８０％以上となるように、Ａｌ合金膜およびＴｉ膜の膜厚を調整する。その後３５０℃の窒素雰囲気で３０分間加熱し、混在層１１３ａを形成する。
【００６３】
導電層となる導電膜の形成後に加熱処理を行うことで、導電膜に含まれる金属（Ｔｉ）が金属層内に拡散し、ＡｌとＴｉの混在膜が形成される。加熱温度が低いと、混在層は実質的には形成されない。よって、加熱処理の温度は、３００℃以上とすることが好ましい。
【００６４】
この後、金属膜、混在層、及び導電膜をパターニングすることで、金属層１１２、混在層１１３ａ、及び導電層１１３ｂを形成することができる。この加熱処理により、導電層１１３ｂであるＴｉ膜の膜厚が５ｎｍ、混在層１１３ａとなるＴｉとＡｌの混在層の膜厚方向の長さが１０ｎｍ、金属層１１２であるＡｌ膜の膜厚が４５ｎｍとなる。金属層１１２の酸化抑制のため、混在層の膜厚方向の長さは、１０ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００６５】
ここでは、導電層１１３ｂとなる導電膜の形成後、加熱処理を行う例を示すが、実施の形態２のように、バンク絶縁層を有する場合は、バンク絶縁層となる絶縁膜の形成と加熱処理を兼ねてもよい。この場合、金属膜及び導電膜をパターニングし、好ましくは３００℃以上でバンク絶縁層となる絶縁膜の成膜を行う。この時、混在層１１３ｂが形成される。
【００６６】
なお、混在層１１３ａは、金属層１１２を形成するのに用いることのできる金属と導電層１１３ｂを形成するのに用いることのできる金属を含む層をスパッタ法により形成しても良い。合金ターゲットによるスパッタでも良いし、２元系スパッタ法で形成しても良い。また金属層１１２を形成するのに用いることのできる金属と導電層１１３ｂを形成するのに用いることのできる金属の割合を膜厚方向に沿って異ならせるように、複数の層を重ねて形成しても良い。
【００６７】
金属層１１２と導電層１１３ａの形成過程においては、その間に大気に暴露することなく積層することで、金属層１１２の表面が酸化されるのを防止する。その後、フォトリソグラフィー及びウェットエッチングにより、画素毎に分離された第１電極１１０を形成する。ウェットエッチングにより第１電極１１０の側面は順テーパーを有する傾斜をもたせ、その上に形成する有機層１２０や第２電極１３０の段切れを防止することや、局所的な薄膜化を緩和することができる。したがって、有機層１２０や第２電極１３０の段切れを防止することや、局所的な薄膜化を緩和するために第１電極１１０の膜厚を大きくする必要がない。よって、混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂの膜厚調整の範囲を広げることが可能となる。
【００６８】
次に、例えば真空蒸着法により有機層１２０を、第１電極１１０及び多層配線構造１０２上に形成する。有機層１２０は、発光層を有し、その他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の少なくとも１つを有していてもよい。なお有機層１２０を形成したくない領域、たとえば電極パッド部、スクライブ領域（不図示）などはメタルマスク等のマスクを用いて覆っておくことができる。
【００６９】
有機層１２０形成後、例えば蒸着法により、薄膜（例えば、膜厚が約１０ｎｍ）のＡｇＭｇからなる第２電極１３０を形成する。本実施の形態の有機発光装置では、第１電極１１０は画素毎に個別に形成されているが、第２電極１２０は複数の画素間で共通に（連続して）形成されている。
【００７０】
次に、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法などにより、防湿層１４０を形成する。防湿層１４０は同一材料からなる単層構造でもよく、より高い防湿性能を備えるために、異なる材料、あるいは膜質の層の積層でも良い。防湿層１４０は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて形成することができる。
【００７１】
次に、例えば、防湿層１４０上に、平坦化層１５０として機能する絶縁膜を形成し、防湿層１４０の表面の起伏を平坦化した後に、カラーフィルタ層１６０を形成することができる。次にフォトリソグラフィーとドライエッチング法により防湿層１４０を除去して電極パッド部（不図示）を露出させる。このようにして、有機発光装置を形成することができる。
【００７２】
以上に説明した本実施の形態に係る有機発光装置は、第１電極において、金属層と混在層が積層されているため、第１電極の反射率の低下が抑制された有機発光装置である。また、混在層が金属層の金属と、該金属層の金属の酸化物より酸化物の導電率が高い金属を有することで、駆動電圧の上昇が抑制された有機発光装置である。また、第１電極の反射率の低減を抑制しながら、金属層の酸化による第１電極の抵抗の上昇を抑制することが可能である。
【００７３】
本実施の形態では、具体例として、第１電極１１０の金属層１１２の酸化を抑制するために混在層１１３ａを配する例について説明しているが、本実施の形態の有機発光装置はこの場合に限定されない。第１電極１１０の仕事関数を調整するために混在層１１３ａを配する場合であっても、同様の効果が得られる。具体的には、金属層１１２上に配される仕事関数調整用の層の金属の反射率が、金属層１１２の金属より低い場合、調整用の金属の単層を金属層１１２上に設けた場合、第１電極１１０の反射率が低下する。
【００７４】
そこで、第１電極１１０を、金属層１１２と、仕事関数調整用の金属及び該調整用の金属より反射率が高い金属との混在層１１３ｂと、の積層とすることで、第１電極１１０の反射率の低下を抑制することができる。例えば、混在層１１３ａは、仕事関数調整用の金属であるチタン（Ｔｉ）と、金属層１１２の金属であって、チタンより反射率が高い金属であるアルミニウム（Ａｌ）を含む層とすることができる。これによっても、第１電極１１０の仕事関数を調整することで、有機発光装置の駆動電圧を下げながら、第１電極１１０の反射率の低下を抑制することができる。
【００７５】
（実施の形態２）
本実施の形態における有機発光装置、及びその製造方法について、図６乃至図９を用いて説明する。本実施の形態と実施の形態１との違いは、第一電極の構造が異なる点、及び本実施の形態ではバンク絶縁層を有する点である。なお、実施の形態１と同様の構成、機能、方法、効果については、説明を省略する。
【００７６】
図６は本実施の形態にかかる有機発光装置を構成する画素の一部の構造を示す断面図である。図６に示した有機発光装置は、基板１１０、トランジスタＴｒ２、配線１０１を有する多層配線構造１０２、第１電極１１０、バンク絶縁層１１７、有機層１２０、第２電極１３０、防湿層１４０、平坦化層１５０、及びカラーフィルタ１６０を有する。第１電極１１０は、画素ごとにパターニングされ、アイランド形状を有している。
【００７７】
バンク絶縁層１１７は、画素ごとに第１電極１１０の端部（上面における外縁部及びその側面）を覆う絶縁部材である。これにより第１電極１１０の端部と平面視で重なる領域において、有機層１２０が薄くなっていたとしても第１電極１１０や第２電極１３０とのリークや短絡を低減、防止することができる。ここで、平面視とは、第１電極１１０の有機層１２０が配される面に対する平面視を指す。
【００７８】
具体的には、バンク絶縁層１１７は、第１の電極１１０上に開口Ｗを有する。このバンク絶縁層１１７における第１電極１１０上の開口領域が、有機発光素子ＥＬの発光領域に相当する。このようなバンク絶縁層１１７は、有機層１２０と接するため、含水率や透湿性の低い材料を用いて形成されることが好ましい。例えば、バンク絶縁層１１７は、無機絶縁層とすることができ、具体的には、酸化シリコン、窒化シリコン、及び窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を用いて形成することができる。
【００７９】
第１電電極１１０は、バンク絶縁層１１７の開口内において第１の膜厚を有し、バンク絶縁層１１７に覆われる領域において第１の膜厚より大きい第２の膜厚を有する。
【００８０】
図６に示すように、例えば、導電層１１３において、バンク絶縁層１１７の開口Ｗ内での膜厚をＤ１、バンク絶縁層１１７に覆われる部分の厚さをＤ２とする。本実施の形態において、第１電極１１０は、膜厚Ｄ１及びＤ２が、Ｄ１＜Ｄ２の関係を満たすように構成されている。図６では、導電層１１３が混在層１１３ａのみの場合を示しているが、導電層１１３は、混在層１１３ａと導電層１１３ｂの両方を含んでいてもよく、混在層１１３ａのみであっても良い。
【００８１】
具体的には、導電層１１３が混在層１１３ａのみから構成される場合、混在層１１３ａが、バンク絶縁層１１７の開口内において、バンク絶縁層１１７に覆われる領域よりも小さな膜厚を有する。導電層１１３が混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂから構成される場合、導電層１１３ｂがバンク絶縁層１１７の開口内において、バンク絶縁層１１７に覆われる領域よりも小さな膜厚を有していてもよい。また、導電層１１３が混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂを有する一方、開口Ｗ内では導電層１１３ｂが除去され、混在層１１４ａ第１電極１１０の表面となっていてもよい。すなわち、導電層１１３が、混在層１１３ａと、バンク絶縁層１１７の開口と重なる位置に開口を有する導電層１１３ｂを有していてもよい。この場合、混在層１１３ａが、バンク絶縁層１１７の開口内において、バンク絶縁層１１７に覆われる領域よりも小さな膜厚を有する。
【００８２】
例えば、導電層１１３のバンク絶縁層１１７の開口内において第１の膜厚Ｄ１は、バンク絶縁層１１７に覆われる領域の膜厚Ｄ２の半分程度とすることができる。図６の有機発光装置において、例えば、開口Ｗ内の光電層１１３の膜厚が５ｎｍ、バンク絶縁層１１７に覆われる部分の膜厚が１５ｎｍとすることができる。この時、第１電極１１０は、開口Ｗにおいて高い反射率を有する。混在層１１３ａへ酸素が拡散した場合でも金属層１１２の表面全面の酸化を抑制できるよう、混在層１１３ａの膜厚は１０ｎｍ以上、より好ましくは、５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００８３】
バンク絶縁層１１７を、例えば酸化シリコンで形成する場合、この酸化シリコンが第１電極１１０への酸素の供給源となり、第１電極１１０へ拡散する。このため、第１電極１１０の、バンク絶縁層１１７と接する領域においては、バンク絶縁層１１７から拡散する酸素によって金属層１１２が酸化されないような構成とする。すなわち、混在層１１３ａの膜厚、または混在層１１３ａと導電層１１３ｂの膜厚を、酸素が金属層１１２の表面全体まで到達しない膜厚とすることが好ましい。
【００８４】
ここで、バンク絶縁層１１７は、絶縁膜がパターニングされることで形成され、開口Ｗを有し、開口Ｗの周辺において、第１電極１１０を覆うよう形成されている。例えば、絶縁層の一部をエッチングにより除去されることで、開口Ｗが形成される。よって、バンク絶縁層１１７形成用の絶縁膜に開口Ｗが形成された後、第１電極１１０の、開口Ｗ内の部分には、酸素の供給源となる絶縁膜（酸化シリコン）がない。よって、金属層１１２の酸化を防止するための導電層１１３（混在層１１３ａまたは混在層１１３ａ及び導電層１１３ｂ）を、開口Ｗがない場合に比べ膜厚を小さくすることができる。開口Ｗ内の導電層１１３の膜厚を小さくいため、発光領域における第１電極１１０の反射率を高めることができる。
【００８５】
また有機発光装置の製造工程において、導電層１１３内に酸素が多く拡散した状態の場合、導電層１１３形成の後の製造工程において、導電層１１３に含まれる酸素が金属層１１２に拡散し、金属層１１２を酸化する可能性がある。このため酸素を含む導電層１１３（混在層１１３ａの膜厚、または混在層１１３ａと導電層１１３ｂ）を一部除去する。すなわち、混在層１１３ｂの膜厚、または混在層１１３ａと導電層１１３ｂの膜厚の和が、バンク絶縁層１１７の開口内において、バンク絶縁層１１７と平面視において重なる領域より小さい構成とする。これにより、第１電極１１０の酸化による有機発光装置の駆動電圧の上昇を抑制でき、有機発光装置の信頼性を向上させることができる。また開口Ｗ内の混在層１１３ａ、または導電層１１３ｂの膜厚を実施の形態１の有機発光装置より小さいため、発光領域において、第１電極１１０の反射率をより高めることもできる。
【００８６】
図６に示した有機発光装置の製造方法を、図７を用いて以下に説明する。なお実施の形態１と重複する工程については省略する。
【００８７】
図７（ａ）に示すように、トランジスタ、及び多層配線構造１２０が形成された基板１００上に、バリアメタル層１１１となる金属膜、金属層１１２となる金属膜、導電層１１３となる導電膜（金属膜）をスパッタ等の成膜方法により形成する。バリアメタル層１１１としては、例えばＴｉ膜とＴｉＮ膜の積層膜を用いることができる。また金属層１１２としては、例えばＡｌ合金からなる膜を用い、その上にＴｉからなる薄膜を形成することができる。なおＡｌ合金膜形成後の表面の反射率が９０％以上、その上のＴｉ膜を形成後の反射率が８０％以上となるように、Ａｌ合金膜およびＴｉ膜の膜厚を調整することが好ましい。
【００８８】
その後、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、バリアメタル層１１１、金属層１１２、及び導電層が形成される。これによって、画素毎に分離された、アイランド状の第１電極１１０が形成される。ドライエッチングでパターニングすることにより、微細な加工が可能である。
【００８９】
この時、多層配線層１２０の最上層の絶縁膜において、第１電極１１０に上面を覆われていない部分は、ドライエッチング工程におけるオーバーエッチにより、数１０ｎｍ程度掘り込まれた形状となる。よって、多層配線層１２０の上面は、第１電極１１０に覆われた部分と、第１電極１１０に覆われておらず、凹部となっている部分と、を有する。
【００９０】
次に図８（ａ）に示すように、第１電極１１０を含む基板上に、バンク絶縁層１１７となる絶縁膜（例えば酸化シリコン膜）をＣＶＤ法により形成する。ＣＶＤ法での成膜温度は、３００℃以上が好ましく、例えば３００℃〜４００℃に設定して英膜することができる。この過程で、第１電極１１０が加熱され、金属層１１２と導電層１１３ｂの間に混在層１１３ａが形成される。よって、混在層１１３ａにおいて、導電層１１３ｂの金属の金属層１１２の金属に対する割合（導電層１１３ｂの金属の、混在層１１３ｂにおける割合）は、有機層側から金属層側に向かって減少する構成となっていてもよい。
【００９１】
なお、バンク絶縁層１１７となる絶縁膜の膜厚は、第１電極１１０上に形成される有機層１２０の膜厚よりも薄くすることが好ましい。ただし、絶縁バンク１１７が第１電極１１０の端部を被覆できない部分があると、その部分で第１電極１１０と第２電極１３０の間にリーク電流の発生や短絡が起こる可能性がある。よって、絶縁バンク１１７の膜厚は、第１電極１１０の端部を連続した膜として被覆できる膜厚以上とすることが好ましい。例えば有機層１２０の膜厚を約２００ｎｍとする場合、バンク絶縁層１１７の膜厚は約７０ｎｍとすることができる。
【００９２】
次に図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィーとドライエッチングにより、絶縁バンク１１７となる絶縁膜に開口Ｗを形成し、絶縁バンク１１７とする。本実施の形態では、開口Ｗを形成する際、絶縁バンク１１７となる絶縁膜だけでなく、導電層１１３の一部も除去される。これにより、第１電電極１１０は、バンク絶縁層１１７の開口内において第１の膜厚を有し、バンク絶縁層１１７に覆われる領域において第１の膜厚より大きい第２の膜厚を有する構造となる。ここで、混在層１１３ａの膜厚が小さいと、拡散した酸素が金属層１１２表面に達し、金属層１１２表面の全面を酸化してしまう可能性がある。よって、混在層１１３ａの膜厚方向の長さは、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００９３】
有機層１２０を形成する工程以降は、実施の形態１と同様にして有機発光装置を製造することができる。
【００９４】
本実施の形態の有機発光装置も、駆動電圧の上昇を抑制、防止しながら、第１電極１１０の反射率の低下が抑制されている。
【００９５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１または２に記載の有機発光装置を電子機器に適用する例について図９を用いて説明する。
【００９６】
上述した撮像素子をデジタルカメラに適用した実施形態について図９を用いて説明する。レンズ部９０１は被写体の光学像を撮像素子９０５に結像させる撮像光学系であり、フォーカスレンズや変倍レンズ、絞りなどを有している。レンズ部９０１におけるフォーカスレンズ位置、変倍レンズ位置、絞りの開口径などの駆動はレンズ駆動装置９０２を通じて制御部９０９によって制御される。
【００９７】
メカニカルシャッタ９０３はレンズ部９０１と撮像素子９０５の間に配置され、駆動はシャッタ駆動装置９０４を通じて制御部９０９によって制御される。撮像素子９０５は、レンズからの光が入射するように配され、複数の画素によってレンズ部９０１で結像された光学像を画像信号に変換する。
【００９８】
信号処理部９０６は撮像素子９０５から出力される画像信号が入力され、画像信号にＡ／Ｄ変換、デモザイク処理、ホワイトバランス調整処理、符号化処理などを行う。信号処理部９０６はまた、撮像素子９０５の出力する画像信号から得られる信号に基づいて位相差検出方式でデフォーカス量および方向を検出する焦点検出処理も実施する。
【００９９】
タイミング発生部９０７は撮像素子９０５および信号処理部９０６に、各種タイミング信号を出力する。制御部９０９は、例えばメモリ（ＲＯＭ，ＲＡＭ）とマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）を有し、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭにロードしてＣＰＵが実行して各部を制御することにより、デジタルカメラの各種機能を実現する。制御部９０９が実現する機能には、自動焦点検出（ＡＦ）や自動露出制御（ＡＥ）が含まれる。制御部９０９は、撮像素子９０５から出力された信号に基づいた信号が入力され、また、表示部９１２に電子ビューファインダー用の信号を入力する。
【０１００】
メモリ部９０８は制御部９０９や信号処理部９０６が画像データを一時的に記憶したり、作業領域として用いたりする。媒体Ｉ／Ｆ部９１０は例えば着脱可能なメモリカードである記録媒体９１１を読み書きするためのインターフェースである。表示部９１２は、撮影した画像やデジタルカメラの各種情報を表示するために用いられる。操作部９１３は電源スイッチ、レリーズボタン、メニューボタンなど、ユーザがデジタルカメラに指示や設定を行うためのユーザインタフェースである。
【０１０１】
表示部９１２に、実施の形態１または２に記載の有機発光装置を用いることで、消費電力の増加を抑制して、表示部の出射率を向上することができる。よって、明るい場所でも、表示部９１２に表示された画像の視認性を向上させることができる。
【０１０２】
撮影時のデジタルカメラの動作について説明する。電源がオンされると、撮影スタンバイ状態となる。制御部９０９は、表示部９１２を電子ビューファインダーとして動作させるための動画撮影処理および表示処理を開始する。撮影スタンバイ状態において撮影準備指示（例えば操作部９１３のレリーズボタンの半押し）が入力されると、制御部９０９は焦点検出処理を開始する。例えば、制御部９０９は、位相差検出方式により焦点検出処理を行うことができる。具体的には、複数の画素から得られるＡ像信号とＢ像信号の同種の信号をつなぎ合わせた信号波形の位相差に基づいて像ずれ量を求め、デフォーカス量と方向を得る。
【０１０３】
そして、制御部９０９は得られたデフォーカス量と方向とから、レンズ部９０１のフォーカスレンズの移動量および移動方向を求め、レンズ駆動装置９０２を通じてフォーカスレンズを駆動し、撮像光学系の焦点を調節する。駆動後、必要に応じてコントラスト評価値に基づく焦点検出をさらに行ってフォーカスレンズ位置を微調整しても良い。
【０１０４】
その後、撮影開始指示（例えばレリーズボタンの全押し）が入力されると、制御部９０９は記録用の撮影動作を実行し、得られた画像データを信号処理部９０６で処理し、メモリ部９０８に記憶する。そして、制御部９０９はメモリ部９０８に記憶した画像データを、媒体制御Ｉ／Ｆ部９１０を通じて記録媒体９１１に記録する。なお、図示しない外部Ｉ／Ｆ部から画像データをコンピュータ等の外部装置に出力してもよい。
【符号の説明】
【０１０５】
１１２  金属層
１１３ａ  混在層
１２０  有機層
１３０  第二電極
【図１】
2018181675.tif 000004
【図２】
2018181675.tif 000005
【図３】
2018181675.tif 000006
【図４】
2018181675.tif 000007
【図５】
2018181675.tif 000008
【図６】
2018181675.tif 000009
【図７】
2018181675.tif 000010
【図８】
2018181675.tif 000011
【図９】
2018181675.tif 000012