(57)【要約】【課題】コーナー部における異物の付着の確認が容易で、かつコーナー部における異物の付着を抑制できるセラミックパッケージを提供する。【解決手段】本開示は、表面及び裏面を有するセラミックを主成分とする基板本体と、基板本体に配置されるメタライズ層と、を備えるセラミックパッケージである。基板本体は、第１絶縁層と、第１絶縁層の表面側に配置される第２絶縁層と、を有する。メタライズ層は、第１絶縁層と第２絶縁層との間、第１絶縁層の側面及び第１絶縁層の裏面に跨って配置される。第２絶縁層は、平面視で、メタライズ層のうち、第１絶縁層の側面に配置された部分よりも第１絶縁層の外側に突出する突出部を有する。突出部の端面は、基板本体の表面から裏面に向かう方向において、第１絶縁層からの突出距離が大きくなるように、第２絶縁層の厚み方向に対して傾斜している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有するセラミックを主成分とする基板本体と、
前記基板本体に配置されるメタライズ層と、
を備え、
前記基板本体は、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面側に配置される第２絶縁層と、
を有し、
前記メタライズ層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間、前記第１絶縁層の側面及び前記第１絶縁層の裏面に跨って配置され、
前記第２絶縁層は、平面視で、前記メタライズ層のうち、前記第１絶縁層の側面に配置された部分よりも前記第１絶縁層の外側に突出する突出部を有し、
前記突出部の端面は、前記基板本体の表面から裏面に向かう方向において、前記第１絶縁層からの突出距離が大きくなるように、前記第２絶縁層の厚み方向に対して傾斜している、セラミックパッケージ。
【請求項２】
前記第２絶縁層の厚み方向に対する、前記突出部における前記第２絶縁層の端面の傾斜角度は、４５°以上である、請求項１に記載のセラミックパッケージ。
【請求項３】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、それぞれ平面視で四角形状であり、
前記メタライズ層は、前記第１絶縁層の平面視における４つのコーナー部に配置される、請求項１又は請求項２に記載のセラミックパッケージ。
【請求項４】
表面及び裏面を有するセラミックを主成分とする基板本体と、
前記基板本体に配置されるメタライズ層と、
を備え、
前記基板本体は、
第１貫通孔が設けられた第１絶縁層と、
第２貫通孔が設けられると共に、前記第１絶縁層の表面側に配置される第２絶縁層と、
を有し、
前記メタライズ層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間、前記第１貫通孔の内周面及び前記第１絶縁層の裏面に跨って配置され、
前記第２貫通孔は、平面視で前記第１貫通孔と重なる位置に設けられ、
前記第２貫通孔の内周面は、平面視で、前記メタライズ層のうち、前記第１貫通孔の内周面に配置された部分よりも内側に位置し、
前記第２貫通孔は、前記基板本体の表面から裏面に向かう方向において縮径している、多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、セラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を実装するためのセラミックパッケージにおいて、表面側の絶縁層及び裏面側の絶縁層の間と、セラミックパッケージのコーナー部と、セラミックパッケージの裏面とに跨るようにメタライズ層が設けられるものが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２１４９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の形状のセラミックパッケージでは、表面側の絶縁層のコーナー部側面に異物が付着すると、短絡等の不具合が発生するおそれがある。しかし、製造過程において、セラミックパッケージの側方からコーナー部側面を確認することは容易ではない。
【０００５】
また、セラミックパッケージの実装の際に、裏面側の絶縁層のコーナー部に設けられたメタライズ層から、表面側の絶縁層のコーナー部側面に半田が上昇し、異物として付着するおそれがある。
【０００６】
本開示の一局面は、コーナー部における異物の付着の確認が容易で、かつコーナー部における異物の付着を抑制できるセラミックパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、表面及び裏面を有するセラミックを主成分とする基板本体と、基板本体に配置されるメタライズ層と、を備えるセラミックパッケージである。基板本体は、第１絶縁層と、第１絶縁層の表面側に配置される第２絶縁層と、を有する。メタライズ層は、第１絶縁層と第２絶縁層との間、第１絶縁層の側面及び第１絶縁層の裏面に跨って配置される。第２絶縁層は、平面視で、メタライズ層のうち、第１絶縁層の側面に配置された部分よりも第１絶縁層の外側に突出する突出部を有する。突出部の端面は、基板本体の表面から裏面に向かう方向において、第１絶縁層からの突出距離が大きくなるように、第２絶縁層の厚み方向に対して傾斜している。
【０００８】
このような構成によれば、第２絶縁層がコーナー部に第１絶縁層の側面よりも第１絶縁層の外側に突出する突出部を有するので、突出部によりパッケージの実装時等に第１絶縁層のメタライズ層から第２絶縁層に半田が上昇することが防止される。そのため、コーナー部における異物の付着を抑制できる。
【０００９】
また、突出部の端面が、基板本体の表面から裏面に向かう方向において、第１絶縁層からの突出距離が大きくなるように傾斜しているので、基板本体の表面側から突出部の端面の状態を確認することができる。つまり、コーナー部における異物の付着の確認が容易である。
【００１０】
さらに、突出部の端面が傾斜していることによって、傾斜していない場合に比べ端面の面積が増える。そのため、異物が端面に付着した際にもメタライズ層との導通のリスクが低減される。
【００１１】
本開示の一態様では、第２絶縁層の厚み方向に対する、突出部における第２絶縁層の端面の傾斜角度は、４５°以上であってもよい。このような構成によれば、コーナー部における異物の付着の確認がより容易になると共に、異物の付着をより確実に抑制できる。
【００１２】
本開示の一態様では、第１絶縁層及び第２絶縁層は、それぞれ平面視で四角形状であってもよい。また、メタライズ層は、第１絶縁層の平面視における４つのコーナー部に配置されてもよい。このような構成によれば、水晶振動子、水晶発振器等の電子部品の実装に好適に使用できる。
【００１３】
本開示の別の態様は、表面及び裏面を有するセラミックを主成分とする基板本体と、基板本体に配置されるメタライズ層と、を備える多数個取り配線基板である。基板本体は、第１貫通孔が設けられた第１絶縁層と、第２貫通孔が設けられると共に、第１絶縁層の表面側に配置される第２絶縁層と、を有する。メタライズ層は、第１絶縁層と第２絶縁層との間、第１貫通孔の内周面及び第１絶縁層の裏面に跨って配置される。第２貫通孔は、平面視で第１貫通孔と重なる位置に設けられる。第２貫通孔の内周面は、平面視で、メタライズ層のうち、第１貫通孔の内周面に配置された部分よりも内側に位置する。第２貫通孔は、基板本体の表面から裏面に向かう方向において縮径している。
【００１４】
このような構成によれば、第２絶縁層が第１貫通孔の内周面よりも内側に位置する第２貫通孔を有するので、個片化後にセラミックパッケージのコーナー部となる第２貫通孔の内周面に第１絶縁層のメタライズ層から半田が上昇することが防止される。そのため、セラミックパッケージのコーナー部における異物の付着を抑制できる。
【００１５】
また、第２貫通孔が基板本体の表面から裏面に向かう方向において縮径しているので、基板本体の表面側から第２貫通孔の内周面の状態を確認することができる。つまり、セラミックパッケージのコーナー部における異物の付着の確認が容易である。
【００１６】
さらに、第２貫通孔が第１貫通孔の内側に位置することで、多数個取り配線基板の個片化時の切断位置がずれても、第１貫通孔の内周面に配置したメタライズ層が切断されるリスクを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態のセラミックパッケージの模式的な斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線での模式的な断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線での模式的な断面図である。
【図４】実施形態の多数個取り配線基板の模式的な平面図である。
【図５】図４の配線基板における厚み方向と平行な端面での模式的な断面図である。
【図６】図４の配線基板を裏面側から視た模式的な部分拡大平面図である。
【図７】図４の配線基板の製造工程を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１及び図２に示すセラミックパッケージ１は、セラミックを主成分とする基板本体２と、第１メタライズ層３と、第２メタライズ層４とを備える。ここで、「主成分」とは、９０質量％以上含まれる成分である。
【００１９】
セラミックパッケージ１は、電子部品が実装可能に構成されている。セラミックパッケージ１に実装される電子部品としては、半導体素子、水晶振動子、水晶発振器、圧電振動子、表面弾性波フィルタ等の素子、各種センサ、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、集積回路（ＩＣ）などが挙げられる。本実施形態のセラミックパッケージ１は、これらの中でも水晶振動子及び水晶発振器の実装用パッケージとして好適に使用できる。
【００２０】
＜基板本体＞
基板本体２は、表面及び裏面を有する絶縁性の基板である。基板本体２は、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１の表面側に配置される第２絶縁層２２とを有する。
【００２１】
（第１絶縁層）
第１絶縁層２１は、セラミックを主成分とする基材である。第１絶縁層２１を構成するセラミックとしては、例えばアルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、ガラス等が挙げられる。これらのセラミックは単体で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２２】
第１絶縁層２１は、図１に示すように、平面視で四角形状である。また、第１絶縁層２１の平面視における４つのコーナー部２１Ａは、内側に向かって切り欠かれている。具体的には、４つのコーナー部２１Ａは、それぞれ、平面視における円弧状に切り欠かれている。また、第１絶縁層２１には、中空部５が形成されており、この中空部５に電子部品が配置される。
【００２３】
図２に示すように、第１絶縁層２１のコーナー部２１Ａにおける側面２１Ｄには、第１メタライズ層３が配置されている。また、第１絶縁層２１の表面２１Ｂ及び裏面２１Ｃにも第１メタライズ層３が配置されている。
【００２４】
（第２絶縁層）
第２絶縁層２２は、セラミックを主成分とする基材である。第２絶縁層２２の材質は、第１絶縁層２１と同じである。
【００２５】
第２絶縁層２２は、図１に示すように、平面視で四角形状であり、第１絶縁層２１と同様の平面形状を有する。第２絶縁層２２は、平面視で、第１メタライズ層３のうち、第１絶縁層２１の側面２１Ｄ（つまりコーナー部２１Ａ）に配置された部分よりも第１絶縁層２１の外側に突出する突出部２３を有する。突出部２３は、第２絶縁層２２の４つのコーナーにそれぞれ設けられている。
【００２６】
突出部２３の端面２３Ａは、図２に示すように、基板本体２の表面から裏面に向かう方向において、第１絶縁層２１からの突出距離Ｌが大きくなるように、第２絶縁層２２の厚み方向に対して傾斜している。本実施形態では、端面２３Ａは、平坦面であるが、湾曲していてもよい。
【００２７】
したがって、端面２３Ａは、基板本体２の表面側からの平面視において、その全体が視認される。一方、基板本体２の裏面側からの平面視では、端面２３Ａは、全く視認されない。
【００２８】
第２絶縁層２２の厚み方向に対する、突出部２３における第２絶縁層２２の端面２３Ａの傾斜角度θは、４５°以上が好ましい。傾斜角度θが４５°未満であると、異物の視認性が不十分となるおそれがある。なお、端面２３Ａが湾曲している場合、傾斜角度θは、端面２３Ａにおいて第２絶縁層２２の厚み方向に対する傾きが最も小さい部分の傾きを表す直線の傾斜角度とする。
【００２９】
なお、傾斜角度θを大きくする際には、第２絶縁層２２の裏面２２Ｂにおける突出部２３の突出距離Ｌは一定としたまま、第２絶縁層２２の表面２２Ａにおける突出部２３との接点（つまり端面２３Ａの開始点）を第２絶縁層２２の内側にずらすとよい。
【００３０】
第２絶縁層２２の表面２２Ａには、第２メタライズ層４が配置されている。また、図１に示す第２絶縁層２２の４つの突出部２３のうち、対向する２つの突出部２３の端面２３Ａでは、図２に示すように、第２メタライズ層４は配置されず、第２絶縁層２２が露出している。
【００３１】
一方、図１に示す第２絶縁層２２の４つの突出部２３のうち、残りの対向する２つの突出部２３の端面２３Ａには、図３に示すように、第２メタライズ層４の一部である通電部４Ａが配置されている。
【００３２】
第２絶縁層２２の裏面２２Ｂには、第１メタライズ層３が配置されている。なお、第２絶縁層２２は、第１絶縁層２１の表面２１Ｂのうち、第１メタライズ層３が配置されていない部分と、第１メタライズ層３の第１部分３１の表面とに重ね合わされている。
【００３３】
＜第１メタライズ層＞
第１メタライズ層３は、基板本体２に配置される導電性の層である。第１メタライズ層３は、図２及び図３に示すように、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間、第１絶縁層２１の側面２１Ｄ及び第１絶縁層２１の裏面２１Ｃに跨って配置されている。
【００３４】
つまり、第１メタライズ層３は、第１絶縁層２１と第２絶縁層２２との間に配置された第１部分３１と、第１絶縁層２１の側面２１Ｄに配置された第２部分３２と、第１絶縁層２１の裏面２１Ｃに配置された第３部分３３とを含む。
【００３５】
第１部分３１は、第１絶縁層２１の表面２１Ｂと、第２絶縁層２２の裏面２２Ｂとに挟まれた部分である。第３部分３３は、セラミックパッケージ１の外部電極を構成する。第２部分３２は、第１部分３１と、第３部分３３とを接続する。
【００３６】
なお、図２に示す突出部２３の端面２３Ａに第２メタライズ層４が配置されていないコーナーに設けられた第１部分３１は、中空部５内に配置された電子部品が電気的に接続される電極を含む。
【００３７】
第１メタライズ層３は、主成分として金属を含む。この金属としては、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、これらの合金等が挙げられる。なお、「主成分」とは、最も多く含まれる成分を意味し、例えば８０質量％以上含まれる成分を意味する。
【００３８】
＜第２メタライズ層＞
第２メタライズ層４は、基板本体２に配置される導電性の層である。第２メタライズ層４は、図２及び図３に示すように、第２絶縁層２２の表面２２Ａに配置される。第２メタライズ層４の材質は、第１メタライズ層３と同じである。
【００３９】
第２メタライズ層４には、図１に示すように金属製の蓋板６が接続される。蓋板６は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の磁性体で構成される。蓋板６は、銀ロウなどを介して固着される。
【００４０】
図３に示すように、突出部２３の端面２３Ａに第２メタライズ層４（つまり通電部４Ａ）が配置されたコーナーでは、通電部４Ａは第２メタライズ層４の裏面２２Ｂまで延伸している。つまり、第２メタライズ層４は、第２絶縁層２２の表面２２Ａ、突出部２３の端面２３Ａ、及び第２メタライズ層４の裏面２２Ｂに跨って配置される。
【００４１】
［１−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）第２絶縁層２２がコーナーに第１絶縁層２１の側面２１Ｄよりも第１絶縁層２１の外側に突出する突出部２３を有するので、突出部２３によりパッケージの実装時等に第１メタライズ層３から第２絶縁層２２に半田が上昇することが防止される。そのため、コーナー部における異物の付着を抑制できる。
【００４２】
（１ｂ）突出部２３の端面２３Ａが、基板本体２の表面から裏面に向かう方向において、第１絶縁層２１からの突出距離Ｌが大きくなるように傾斜しているので、基板本体２の表面側から突出部２３の端面２３Ａの状態を確認することができる。つまり、例えば第２メタライズ層４のダレ等に起因するコーナー部における異物の付着の確認が容易である。
【００４３】
（１ｃ）突出部２３の端面２３Ａが傾斜していることによって、傾斜していない場合に比べ端面の面積が増える。そのため、異物が端面２３Ａに付着した際にも第２メタライズ層４との導通のリスクが低減される。
【００４４】
［２．第２実施形態］
［２−１．構成］
図４、図５及び図６に示す多数個取り配線基板１０１は、複数のセラミックパッケージ１を含む。多数個取り配線基板１０１は、基板本体１０２と、第１メタライズ層１０３と、第２メタライズ層１０４とを備える。
【００４５】
＜基板本体＞
基板本体１０２は、複数の第１貫通孔１２４が設けられた第１絶縁層１２１と、複数の第２貫通孔１２５が設けられると共に、第１絶縁層１２１の表面側に配置される第２絶縁層１２２とを含有する。
【００４６】
第１絶縁層１２１及び第２絶縁層１２２は、第１貫通孔１２４及び第２貫通孔１２５を通る厚み方向の切断により、複数のセラミックパッケージ１の第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２をそれぞれ形成するように構成されている。
【００４７】
第１貫通孔１２４は、多数個取り配線基板１０１からセラミックパッケージ１を取り出す切断により、セラミックパッケージ１の第１絶縁層２１のコーナー部２１Ａを形成する部分である。つまり、第１貫通孔１２４の内周面は、セラミックパッケージ１の第１絶縁層２１の側面２１Ｄを構成する。
【００４８】
第２貫通孔１２５は、平面視で第１貫通孔１２４と重なる位置に設けられている。第２貫通孔１２５の内周面は、平面視で、第１メタライズ層１０３のうち、第１貫通孔１２４の内周面に配置された第２部分３２よりも内側に位置する。また、第１貫通孔１２４の中心軸と第２貫通孔１２５の中心軸とは平面視で一致する。
【００４９】
さらに、第２貫通孔１２５は、基板本体１０２の表面から裏面に向かう方向において縮径している。したがって、第２貫通孔１２５は、第２絶縁層１２２の表面側の径Ｄ３よりも裏面側の径（つまり、第１貫通孔１２４と連通する部分の径）Ｄ２が小さい。また、第１貫通孔１２４の径Ｄ１は、第２貫通孔１２５の表面側の径（つまり最大径）Ｄ３よりも大きい。
【００５０】
第２貫通孔１２５の内周面は、セラミックパッケージ１の突出部２３の端面２３Ａを構成する。そのため、第２貫通孔１２５のテーパ角θは、セラミックパッケージ１における突出部２３における第２絶縁層２２の端面２３Ａの傾斜角度θに対応する。したがって、第２貫通孔１２５のテーパ角θは、４５°以上が好ましい。
【００５１】
＜メタライズ層＞
第１メタライズ層１０３及び第２メタライズ層１０４は、複数のセラミックパッケージ１の第１メタライズ層３及び第２メタライズ層４の集合体である。したがって、第１メタライズ層１０３及び第２メタライズ層１０４は、第１絶縁層１２１及び第２絶縁層１２２の厚み方向の切断により、複数のセラミックパッケージ１の第１メタライズ層３及び第２メタライズ層４をそれぞれ形成するように構成されている。
【００５２】
［２−２．製造方法］
多数個取り配線基板１０１は、例えば以下の手順で得られる。
まず、複数の第１貫通孔１２４を設けたセラミックグリーンシートと、複数の第２貫通孔１２５を設けたセラミックグリーンとを用意する。Ｄ２＜Ｄ３の関係を満たす傾斜面を有する第２貫通孔１２５は、例えば図７に示すような金型Ｍを用いて形成することができる。具体的には、セラミックグリーンシートＳの一方の面に開口を有する金型Ｍを配置し、セラミックグリーンシートＳを金型Ｍとは反対側からピンＰで打ち抜くことで形成できる。ここで、金型Ｍの開口径Ｄ３は、ピンＰの径Ｄ２よりも大きくされる。
【００５３】
次に、メタライズ層となる未焼結導体を配置する。具体的には、例えば導電性ペーストをスクリーン印刷によってセラミックグリーンシートに印刷することで未焼結導体層を形成する。
【００５４】
最後に、未焼結導体層を形成したセラミックグリーンシートを重ね合わせた後、焼成する。この焼成は、セラミックグリーンシートが焼結する温度に加熱することで行われる。これにより、セラミックグリーンシートが焼結され、セラミックを主成分とする基板本体１０２が形成される。また、未焼結導体が焼結し、第１メタライズ層１０３及び第２メタライズ層１０４が形成される。
【００５５】
［２−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（２ａ）第２絶縁層１２２が第１貫通孔１２４の内周面よりも内側に位置する第２貫通孔１２５を有するので、個片化後にセラミックパッケージ１のコーナー部となる第２貫通孔１２５の内周面に第１メタライズ層１０３から半田が上昇することが防止される。そのため、セラミックパッケージ１のコーナー部における異物の付着を抑制できる。
【００５６】
（２ｂ）第２貫通孔１２５が基板本体１０２の表面から裏面に向かう方向において縮径しているので、基板本体１０２の表面側から第２貫通孔１２５の内周面の状態を確認することができる。つまり、例えば第２メタライズ層１０４のダレ等に起因するセラミックパッケージ１のコーナー部における異物の付着の確認が容易である。
【００５７】
（２ｃ）第２貫通孔１２５が第１貫通孔１２４の内側に位置することで、多数個取り配線基板１０１の個片化時の切断位置がずれても、第２絶縁層２２の突出部２３が切断されるにとどまり、第１貫通孔１２４の内周面に配置した第１メタライズ層１０３の第２部分３２が切断されるリスクを低減することができる。
【００５８】
［３．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００５９】
（３ａ）上記実施形態のセラミックパッケージ１及び多数個取り配線基板１０１において、基板本体２，１０２は、３層以上の絶縁層を備えてもよい。３層以上の絶縁層を備える場合は、例えば絶縁層を厚み方向に貫通するビア導体により、メタライズ層間の導通を図ってもよい。
【００６０】
（３ｂ）上記実施形態のセラミックパッケージ１において、第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２は、平面視での形状が四角形状以外であってもよい。また、第１絶縁層２１の全てのコーナー部２１Ａに必ずしも第１メタライズ層３が配置されなくてもよい。
【００６１】
（３ｃ）上記実施形態のセラミックパッケージ１及び多数個取り配線基板１０１において、第２メタライズ層４，１０４は、必須の構成要件ではない。つまり、セラミックパッケージ１及び多数個取り配線基板１０１は、第２メタライズ層４，１０４を備えなくてもよい。
【００６２】
（３ｄ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００６３】
１…セラミックパッケージ、２…基板本体、３…第１メタライズ層、
４…第２メタライズ層、４Ａ…通電部、５…中空部、６…蓋板、２１…第１絶縁層、
２１Ａ…コーナー部、２１Ｂ…表面、２１Ｃ…裏面、２１Ｄ…側面、
２２…第２絶縁層、２２Ａ…表面、２２Ｂ…裏面、２３…突出部、２３Ａ…端面、
３１…第１部分、３２…第２部分、３３…第３部分、１０１…多数個取り配線基板、
１０２…基板本体、１０３…第１メタライズ層、１０４…第２メタライズ層、
１２１…第１絶縁層、１２２…第２絶縁層、１２４…第１貫通孔、
１２５…第２貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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