(57)【要約】【課題】セラミックからなる基板本体の平坦な表面の周辺に沿って、幅広のメタライズ層と、その上面における実装領域側に沿って帯状メタライズ部とが所要の位置に精度良く形成され、これらの上方に金属枠が強固に接合されたセラミック基板を提供する。【解決手段】セラミックｃ１からなり、平面視の外形が矩形状で且つ対向する表・裏面３，４と、これらの間に位置する側面５とを有する基板本体２ａと、前記表面３の中央側に位置する電子部品の実装領域９と、該実装領域９の外側に位置する上記表面３の外周部に沿って形成された平面視が矩形枠状のメタライズ層１２とを備え、メタライズ層１２の上面において、側面５側よりも実装領域９側に沿って凹部１３が形成され、メタライズ層１２の上面には、該メタライズ層１２の各辺に沿って形成された帯状メタライズ部１６を有し、該帯状メタライズ部１６は、メタライズ層１２の上面において、側面視で少なくとも一部が凹部１３と重複している、セラミック基板１ａ。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で且つ対向する表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置する側面とを有する基板本体と、
平面視で少なくとも上記基板本体の表面の中央側に位置する電子部品の実装領域と、
平面視で上記実装領域の外側に位置する上記基板本体の表面の外周部に沿って形成された平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を備えたセラミック基板であって、
上記メタライズ層の上面において、上記側面側よりも上記実装領域側に沿って凹部が形成されており、
上記メタライズ層の上面には、該メタライズ層の各辺に沿って形成された帯状メタライズ部を有し、
上記帯状メタライズ部は、上記メタライズ層の上面において、側面視で少なくとも一部が上記凹部と重複しているか、あるいは、該凹部と上記基板本体の側面との間に形成されている、
ことを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
前記メタライズ層の上面は、前記基板本体の側面側から前記凹部に向かって高さが徐々に低くなる上向きに凸の第１曲面と、前記凹部と前記実装領域との間に位置し、且つ平面視の幅が第１曲面よりも狭い上向きに凸の第２曲面とからなる、
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記メタライズ層の上面の上方には、前記帯状メタライズ部の前記実装領域側および前記基板本体の側面側に配設される接合部を介して、平面視が矩形枠状の金属枠が接合されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
追って前記基板本体となる複数の基板領域を平面視で縦横に隣接して併有するセラミックグリーンシートにおいて、隣接する２つの基板領域を区分する切断予定面に跨り、該２つの基板領域ごとの表面における電子部品の実装領域の外周側で、且つ上記切断予定面に沿って、平面視が矩形枠状で且つ上向きに凸である未焼成のメタライズ層を形成する工程と、
平面視で上記未焼成のメタライズ層の上面において、上記基板領域ごとの上記切断予定面側よりも実装領域側に沿って、凹部を形成する工程と、
上記メタライズ層の上面において、側面視で少なくとも一部が上記凹部と重複する位置ごと、あるいは、該凹部と上記切断予定面との間ごとの位置に、未焼成の帯状メタライズ部を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記凹部を形成する工程は、前記メタライズ層の上面における前記基板領域ごとの前記切断予定面側よりも実装領域側に沿って、押圧枠型を押し込むことよって行われる、
ことを特徴とする請求項４に記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックからなる基板本体の少なくとも表面側に金属枠により形成されたキャビティを有するセラミック基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミックからなる箱形状のパッケージ本体において、キャビティが開口する矩形枠状の表面に沿って垂直断面が幅広な枠形状の第１メタライズ層を形成し、該第１メタライズ層の上面における内外方向の中間位置に沿って垂直断面が幅狭（帯状）な枠形状の第２メタライズ層を形成すると共に、該第２メタライズ層の内周側および外周側である上記第１メタライズ層の上面に配設したロウ材を介して、該ロウ材および上記第２メタライズ層の上方に矩形枠状の金属枠を接合したセラミックパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記セラミックパッケージにおける第１メタライズ層は、その上面が平坦状であるため、該第１メタライズ層の内外方向における所定の位置に沿って、前記第２メタライズ層を精度良く形成することができる。
【０００３】
しかし、近年のセラミックパッケージに対する小型化および薄肉化の要求に対応すべく、キャビティの開口部を囲む矩形枠状の前記表面に沿って、あるいは平坦な表面の周辺部に沿って、内外方向の幅が比較的狭い第１メタライズ層を形成した場合、該第１メタライズの表面は、外周側から上記キャビティ側に向かって緩く湾曲して下がる曲面となり易い。そのため、かかる曲面のうち、内周側であるキャビティ側の勾配が外周側の勾配よりも大きくなることに起因して、前記セラミックパッケージの製造時において、第１メタライズ層の上面におけるキャビティ側に幅狭である帯状の第２メタライズ層を、導電性ペーストにより形成した場合、該導電性ペーストがキャビティ側にずれたり、垂れ落ちる場合があった。従って、前記第１および第２メタライズ層の上方に金属枠をロウ付けで強固に接合させた小型のセラミックパッケージを得ることは、著しく困難とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１３８０７０号公報（第１〜１６頁、図１〜１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の表面（即ち、平坦な表面の周辺あるいはキャビティが開口する矩形枠状の表面）に沿って、幅広のメタライズ層と、該メタライズ層の上面における上記キャビティ側ないし実装領域側に沿って幅の狭い帯状メタライズ部とが所要の位置に精度良く形成され、これらの上方に金属枠が強固に接合されたセラミック基板、およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、前記基板本体の平坦な表面の周辺に沿って形成された幅広のメタライズ層における湾曲した上面において、該上面の実装領域側に沿って凹部を形成し、該凹部の少なくとも一部と幅の狭い帯状メタライズ層とが側面視で重複するか、前記凹部の外周側に帯状メタライズ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明のセラミック基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で且つ対向する表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置する側面とを有する基板本体と、平面視で少なくとも上記基板本体の表面の中央側に位置する電子部品の実装領域と、平面視で上記実装領域の外側に位置する上記基板本体の表面の外周部に沿って形成された平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を備えたセラミック基板であって、上記メタライズ層の上面において、上記側面側よりも上記実装領域側に沿って凹部が形成されており、上記メタライズ層の上面には、該メタライズ層の各辺に沿って形成された帯状メタライズ部を有し、該帯状メタライズ部は、上記メタライズ層の上面において、側面視で少なくとも一部が上記凹部と重複しているか、あるいは、該凹部と上記基板本体の側面との間に形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、以下の効果（１）〜（３）を奏することが可能となる。
（１）前記メタライズ層の上面において、前記側面側よりも前記実装領域側の位置に沿って前記凹部が形成され、上記メタライズ層の上面には、該メタライズ層の各辺に沿って形成された帯状メタライズ部を有すると共に、該帯状メタライズ部は、上記メタライズ層の上面において、側面視で少なくとも一部が上記凹部と重複しているか、あるいは、該凹部と前記基板本体の側面との間に形成されている。その結果、製造時において導電性ペーストからなる未焼成の帯状メタライズ部は、上記凹部によって、極端ないし過度に上記実装領域側にずれて形成されたり、該実装領域側に垂れ落ちて形成されておらず、上記凹部のほぼ真上か該凹部よりも前記側面側の位置に平面視で矩形状で、且つ側面視で全周がほぼ同じレベルに形成されている。
（２）上記効果（１）に起因して、帯状メタライズ部とその内周側と外周側の前記メタライズ層の上方に接合材（例えば、ロウ材）を介して、後述する金属枠をその全周に沿って精度良く強固に接合することが可能となる。
（３）上記効果（１）に起因して、前記帯状メタライズ部が実装領域側にずれることに基づく該実装領域の狭小化を抑制することができる。
（４）上記効果（２）に起因して、追って前記実装領域に所要の電子部品を実装した後、前記金属枠の上面に沿って金属製の蓋板をシーム溶接により容易に溶接できるため、上記金属枠に囲まれたキャビティ内を確実に封止可能にできる。
【０００８】
尚、前記基板本体を構成する前記セラミックは、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどの高温焼成セラミック、あるいは、例えば、カラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。
また、前記基板本体の少なくとも表面は、平面視が矩形状の平面であるか、あるいは、該表面の中央側に開口するキャビティの開口部を囲む平面視が矩形枠状の形態である。該基板本体は、表面が平面の場合、少なくとも１層のセラミック層からなり、上記キャビティを有する形態では、２層以上のセラミック層が積層されている。
更に、前記実装領域は、前記基板本体の平坦面からなる表面の平面視における中央側に位置しているか、あるいは、平面視が矩形枠状である前記基板本体の表面に開口する前記キャビティの底面のほぼ全域である。かかる実装領域には、複数の実装用パッドが形成されている。
また、前記メタライズ層および帯状メタライズ部は、前記基板本体のセラミックが前記高温焼成セラミックの場合には、タングステンあるいはモリブデンが用いられ、前記低温焼成セラミックの場合には、銅あるいは銀が用いられる。
加えて、前記凹部には、例えば、側面視の断面がＶ字形状の形態であるか、あるいは、隣接する傾斜面と水平状面とからなる段部の形態などが含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記メタライズ層の上面は、前記基板本体の側面側から前記凹部に向かって高さが徐々に低くなる上向きに凸の第１曲面と、前記凹部と前記実装領域との間に位置し、且つ平面視の幅が第１曲面よりも狭い上向きに凸の第２曲面とからなる、セラミック基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記メタライズ層の上面に形成された帯状メタライズ部は、少なくとも前記凹部によって、前記実装領域側にずれたり、垂れ落ちたりして形成されていないため、前記効果（１）〜（４）を確実に得るが可能となる。
尚、前記第１曲面は、側面視で前記基板本体の側面側が最高部で且つ前記凹部側が最低部となる連続形状の曲線を呈し、前記第２曲面は、側面視で前記凹部側に最高部を有し且つ前記実装領域側が最低部となる連続形状の曲線を呈する。
【００１０】
更に、本発明には、前記メタライズ層の上面の上方には、前記帯状メタライズ部の前記実装領域側および前記基板本体の側面側に配設される接合部を介して、平面視が矩形枠状の金属枠が接合されている、セラミック基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記帯状メタライズ部の上方および前記メタライズ層の前記実装領域側および前記基板本体の側面側の上方に、前記接合部を介して、前記金属枠がその全周を同じレベルにして確実に接合されているので、前記効果（４）を確実に奏することができる。
尚、前記金属枠は、例えば、コバール（Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ）、４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）、あるいは、１９４合金（Ｃｕ−２．３％Ｆｅ−０．０３％Ｐ）などからなる。
また、前記接合部は、例えば、ロウ付けにより形成され、該ロウ付けに用いるロウ材には、例えば、銀ロウ（Ａｇ−１５％Ｃｕ）が適用される。
【００１１】
一方、本発明によるセラミック基板の製造方法（請求項４）は、前記セラミック基板の製造方法であって、追って前記基板本体となる複数の基板領域を平面視で縦横に隣接して併有するセラミックグリーンシートにおいて、隣接する２つの基板領域を区分する切断予定面に跨り、該２つの基板領域ごとの表面における電子部品の実装領域の外周側で、且つ上記切断予定面に沿って、平面視が矩形枠状で且つ上向きに凸である未焼成のメタライズ層を形成する工程と、平面視で上記未焼成のメタライズ層の上面において、上記基板領域ごとの上記切断予定面側よりも実装領域側に沿って、凹部を形成する工程と、上記メタライズ層の上面において、側面視で少なくとも一部が上記凹部と重複する位置ごと、あるいは、該凹部と上記切断予定面との間ごとの位置に、未焼成の帯状メタライズ部を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
前記のような製造方法によれば、前記効果（１）〜（４）を奏する前記セラミック基板を確実に製造することが可能となる（効果（５））。
【００１２】
尚、前記切断予定面は、前記多数個取り用のセラミックグリーンシートに設定された仮想の断面であり、該グリーンシートを焼成し、且つ前記基板領域ごとに個片化した際に、前記セラミック基板ごとの基板本体における側面となる。
また、前記未焼成のメタライズ層の上面は、側面視で前記切断予定面側が最高部で且つ隣接する前記基板領域ごとの実装領域側が最低部となる連続形状の曲線を呈する。
更に、前記未焼成の帯状メタライズ部を形成する工程の後には、前記メタライズ層および帯状メタライズ部を有する前記グリーンシートを焼成する工程と、焼成後の上記メタライズ層の上面と焼成後の上記帯状メタライズ部の露出面に対し金属膜（例えば、ニッケルおよび金）を被覆するメッキ工程と、前記基板領域ごとに個片化する工程と、個々の基板本体における上記メタライズ層の上面の上方に、焼成済みの上記帯状メタライズ部の前記実装領域側および前記基板本体の側面側に配設する接合部（例えば、ロウ付け部）を介して、平面視が矩形枠状で且つ側面視が矩形状の金属枠を接合する工程と、が施される。
【００１３】
また、本発明には、前記凹部を形成する工程は、前記メタライズ層の上面における前記基板領域ごとの前記切断予定面側よりも実装領域側に沿って、押圧枠型を押し込むことよって行われる、セラミック基板の製造方法（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記凹部を前記メタライズ層における前記の位置に確実に形成できるので、前記効果（５）を確実に奏することが可能となる。
尚、上記押圧枠型は、下端（先端）側の断面が鋭角のＶ字形状、あるいは先端に幅の狭い水平面を有し、平面視で全体が格子枠形状を呈する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による一形態のセラミック基板を示すと共に、一部に水平断面を含む平面図。
【図２】（Ａ）は図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図、（Ｂ）は異なる形態の帯状メタライズ部を有する（Ａ）と同様な部分垂直断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は上記セラミック基板を得るための各製造工程を示す概略図。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は図３（Ｅ）に続く各製造工程を示す概略図。
【図５】（Ａ）は異なる形態の凹部の付近を示す部分垂直断面図、（Ｂ）は前記凹部と一部が重複して形成された帯状メタライズ部を示す部分垂直断面図。
【図６】（Ａ）は前記とは異なる形態のセラミック基板を示す垂直断面図、（Ｂ）は（Ａ）中の一点鎖線部分Ｂの拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態のセラミック基板１ａに関して一部に水平断面を含む平面図を示し、図２（Ａ）は、は図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図である。
上記セラミック基板１ａは、図１，図２（Ａ）に示すように、セラミック層ｃ１からなり、平面視の外形が長方形（矩形）状で且つ対向する表面３および図示しない裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置する四辺の側面５とを有する平板形状の基板本体２ａと、該基板本体２ａの表面３の中央側に位置する電子部品（図示せず）用である仮想の実装領域９と、平面視で該実装領域９の外側に位置する上記表面３の外周部に沿って形成され、且つ平面視が矩形枠状のメタライズ層１２と、を備えている。
【００１６】
前記基板本体２ａは、例えば、アルミナなどの単層のセラミック層ｃ１からなる。また、平面視で前記実装領域９の内側における基板本体２ａの表面３の中央側には、追って実装される図示しない電子部品と電気的に接続するための一対（複数）の実装用パッド１０が形成されている。尚、前記基板本体２ａの表面３または裏面４には、図示しない電解金属メッキ用の配線が形成されている。
更に、図２（Ａ）に示すように、前記メタライズ層１２の上面は、前記基板本体２ａの側面５側から前記実装領域９側に向かって、高さが徐々に低くなり且つ上向きに凸の第１曲面ｒ１と、該第１曲面ｒ１と上記実装領域９側との間に位置し、且つ平面視の幅が第１曲面ｒ１よりも狭く且つ上向きに凸の第２曲面ｒ２と、からなっている。かかる第１曲面ｒ１と第２曲面ｒ２との間で且つ平面視のメタライズ層１２における実装領域９側には、垂直断面がほぼＶ字形状を呈する凹部１３が、該メタライズ層１２の全周に沿って形成されている。
尚、メタライズ層１２の外側面は、前記基板本体２ａの側面５と面一状である。
【００１７】
図１，図２（Ａ）に示すように、前記凹部１３のほぼ真上には、平面視が矩形枠状を呈し、且つ前記メタライズ層１２よりも幅が狭いと共に、垂直断面がほぼ半円形状の帯状メタライズ層１６が、該凹部１３の全周に沿って形成されている。
尚、前記実装用パッド１０、メタライズ層１２、および帯状メタライズ層１６などの導体は、主にタングステン（以下、単にＷと記載する）あるいはモリブデン（以下、単にＭｏと記載する）からなる。
また、前記帯状メタライズ部１６は、図２（Ｂ）に示すように、前記メタライズ層１２の上面における第１曲面ｒ１のうち、前記凹部１３と前記基板本体２ａの側面５側との間に形成されている形態であっても良い。
【００１８】
更に、図１，図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記メタライズ層１２の上面（第１曲面ｒ１、凹部１３、および第２曲面ｒ２）の上方には、前記帯状メタライズ部１６の実装領域９側に配設されたロウ付けによる接合部１８と、前記基板本体２ａの前記側面５側に配設されたロウ付けによる接合部１９とを介して、垂直断面が長方形（矩形）状で且つ平面視が矩形枠状を呈する金属枠２２が接合されている。該金属枠２２は、例えば、４２アロイあるいは１９４合金などからなる。かかる金属枠２２、前記メタライズ層１２、および上記ロウ付け部１８に囲まれた基板本体２ａの表面３上には、前記実装領域９を含むキャビティが形成されている。
尚、上記金属枠２２の上面には、追って前記実装領域９に図示しない電子部品が実装された後、例えば、金属製の平板からなる蓋板３０がシーム溶接などで接合される。その結果、上記電子部品を外部から確実に封止することができる。
【００１９】
以上のようなセラミック基板１ａによれば、前記メタライズ層１２の上面において、前記基板本体２ａの側面５側よりも実装領域９側に沿って前記凹部１３が形成され、上記メタライズ層１２の上面には、その各辺に沿って形成された帯状メタライズ部１６を有すると共に、該帯状メタライズ部１６は、上記メタライズ層１２の上面において、側面視で一部が凹部１３と重複しているか、あるいは、該凹部１３と前記側面５側との間に形成されている。その結果、製造時において導電性ペーストからなる未焼成の帯状メタライズ部１６は、上記凹部１３によって該凹部１３よりも上記実装領域９側にずれて形成されたり、垂れ落ちて形成されず、上記凹部１３のほぼ真上か該凹部１３よりも前記側面５側における所要の位置に、平面視が矩形状で且つ側面視で全周がほぼ同じレベルに形成されている。
【００２０】
そのため、前記帯状メタライズ部１６とその内周側と外周側の前記メタライズ層１２の上方に前記接合部１８，１９を介して、前記金属枠２２をその全周に沿って精度良く強固に接合できる。更に、該金属枠２２に起因して、追って前記実装領域９に所要の電子部品を実装した後、上記金属枠２２の上面に沿って金属製の蓋板３０をシーム溶接により容易に溶接できるため、上記金属枠２２に囲まれたキャビティ内を確実に封止することができる。
従って、前記セラミック基板１ａによれば、前記効果（１）〜（４）を奏することが可能である。尚、前記基板本体２ａは、複数のセラミック層を積層し、且つ該セラミック層同士間にメッキ用を含む内層配線層を有する形態としても良い。
【００２１】
以下において、前記セラミック基板１ａの製造方法を説明する。
予め、アルミナ粉末、バインダー樹脂、可塑剤、および溶剤などを適量ずつ配合して、セラミックスラリーを作成し、該セラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形することにより、図３（Ａ）に示すように、追って前記基板本体２ａごとのセラミック層ｃ１となる複数の基板領域２４を平面視で縦横に隣接して併有し、且つ対向する表面３および裏面４を有する多数個取り用のサイズであるセラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートと称する）ｇ１を用意した。互いに隣接する上記基板領域２４同士の境界、および外周側に位置する基板領域２４と平面視でその外側に位置する耳部（図示せず）との境界は、仮想の切断予定面２５により区分されている。
【００２２】
次いで、前記グリーンシートｇ１の前記基板領域２４ごとにおける所定の位置に打ち抜き加工を行って、前記表面３と裏面４との間を貫通するビアホール（図示せず）を形成し、該ビアホール内ごとにＷ粉末あるいはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填した。その結果、図３（Ｂ）に示すように、上記所定の位置ごとに未焼成のビア導体２１が形成された。
次に、前記基板領域２４ごとの表面３および裏面４における所定の位置ごとに対し、前記同様の導電性ペーストを所要のパターンごとにスクリーン印刷した。
その結果、図３（Ｂ）に示すように、基板領域２４ごとの表面３には、未焼成である一対の実装用パッド１０が形成され、且つ上記基板領域２４ごとの裏面４には、未焼成である複数の外部接続端子２０が形成された。該外部接続端子２０と上記実装用パッド１０とは、上記ビア導体２１を介して個別に接続されている。
【００２３】
更に、前記グリーンシートｇ１の表面３側で、且つ前記製品領域２４同士の境界を区分する前記切断予定面２５ごとに沿って、前記同様の導電性ペーストを所定の幅でスクリーン印刷した。その結果、図３（Ｂ），（Ｃ）に示すように、上記切断予定面２５ごとに沿った上記表面３側に、垂直断面が上方に凸である円弧状の曲面（上面）ｒを有する弓形状で且つ未焼成のメタライズ層１１が形成された。該メタライズ層１１は、上記切断予定面２５ごとに沿って、平面視で縦横に互いに直角に交差する格子形状に形成されていた。
尚、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）中の一点鎖線部分Ｃの拡大図であり、前記切断予定面２５は、メタライズ層１１の内部にも延びている。
次に、図３（Ｃ）の上方に示すように、垂直断面で下端（先端）側がＶ字形状（鋭い鋭角）であり、且つ平面視が格子枠形状を呈する押圧枠型２６を、上記メタライズ層１１ごとにおいて、互いに隣接する製品領域２４ごとの前記実装用パッド１０を含む前記実装領域９側ごとの位置に対して、下向きに押し込んだ。
【００２４】
その結果、図３（Ｄ）に示すように、前記メタライズ層１１ごとの上面において、隣接する一対の製品領域２４ごとの前記実装領域９側ごとに沿って、断面がＶ字形状である左右一対の凹部１３が形成された。
同時に、図示のように、前記切断予定面２５と該凹部１３との間に位置する上記メタライズ層１１の上面は、上記切断予定面２５から凹部１３側に向かって徐々に低くなる上向きに凸の第１曲面ｒ１となり、上記凹部１３と前記実装領域９側との間に位置する上記メタライズ層１１の上面は、平面視の幅が上記第１曲面ｒ１よりも狭く、且つ凹部１３から実装領域９側に向かって緩やかに低くなる上向きに凸の第２曲面ｒ２となっていた。
【００２５】
次いで、前記メタライズ層１１の上面における左右一対の凹部１３の長手方向（図示の前後方向）に沿って、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷した。その結果、図３（Ｅ）に示すように、上記凹部１３ごとのほぼ真上に沿って、垂直断面が半円形状の帯状メタライズ部１６が、前記メタライズ層１１の全周に沿って平面視で矩形枠状に形成された。尚、かかる帯状メタライズ部１６は、前記導電性ペーストを図示しないディッピングなどを用いて形成しても良い。
尚、この間において、前記グリーンシートｇ１の周辺側に位置する図示しない耳部の外側辺には、複数のメッキ用電極が形成されている。該メッキ用電極は、例えば、前記裏面４に沿って形成された図示しないメッキ用の配線を介して、前記基板領域２４ごとの外部接続端子２０と個別に電気的に接続されている。
【００２６】
更に、前記実装用パッド１０、前記凹部１３を有するメタライズ層１１、外部接続端子２０、およびビア導体２１が形成された前記グリーンシートｇ１を加熱して、脱脂および焼成を行った。その結果、該グリーンシートｇ１は、多数個取り用である大版のセラミック層ｃ１に焼成されると共に、上記実装用パッド１０やメタライズ層１１などの導体も同時に焼成された。
次に、前記実装用パッド１０やメタライズ層１１などの焼成済みの導体を有する前記セラミック層ｃ１を、図示しない電解ニッケルメッキ浴および電解金メッキ浴に順次浸漬して、電解ニッケルメッキと電解金メッキとを順次施した。その結果、上記実装用パッド１０、メタライズ層１１、帯状メタライズ部１６、および外部接続端子２０の外部に露出する表面ごとに、所要の厚みであるニッケル膜および金膜（何れも図示せず）が順次被覆された。
【００２７】
更に、前記セラミック層ｃ１およびメタライズ層１１の前記切断予定面２５ごとに沿って、高速回転する円形刃物（図示せず）を順次挿入するダイシング加工を行って、上記セラミック層ｃ１を前記基板領域２４ごとに分割した。
その結果、図４（Ａ）に示すように、前記製品領域２４は、対向する表面３および裏面４と、これらの四辺間に位置する側面５とを有する前記基板本体２ａになった。同時に、前記メタライズ層１１は、断面形状が該メタライズ層１１の約半分であり、左右対称である一対のメタライズ層１２になっていた。この際、前記切断予定面２５は、隣接していた基板本体２ａごとの側面５、および該側面５と面一状である前記メタライズ層１２の外側面となっていた。
そして、図４（Ｂ）の左側で例示するように、前記メタライズ層１２および帯状メタライズ部１６の上方に、平面視が矩形枠状で且つ垂直断面が長方形状の金属枠２２を用意し、且つこれを帯状メタライズ部１６の上面に載置した。該金属枠２２の底面の全体には、予め、ロウ材層１７が接合されている。
尚、上記金属枠２２は、例えば、４２アロイからなり、上記ロウ材層１７は、例えば、銀ロウ（Ａｇ−１５％Ｃｕの合金）からなる。
【００２８】
前記ロウ材層１７を底面に有する金属枠２２が、前記帯状メタライズ部１６の上面に載置された状態で、前記メタライズ層１２などを有する前記基板本体２ａを加熱して、上記ロウ材層１７の銀ロウを溶融した後、常温付近まで冷却した。
その結果、図４（Ｂ）の右側に例示するように、前記ロウ材層１７は、前記メタライズ層１２の第２曲面ｒ２と金属枠２２の底面との間に位置する接合部１８となると共に、上記メタライズ層１２の第１曲面ｒ１と金属枠２２の底面との間に位置する接合部１９となって凝固した。そのため、上記金属枠２２は、前記基板本体２ａの表面３の周辺部およびメタライズ層１２の上方において、その全周に沿ってほぼ同じレベルを保って強固にロウ付け（接合）されていた。
以上のような各工程を経た結果、複数の前記セラミック基板１ａが得られた。
【００２９】
加えて、前記セラミック基板１ａは、追って、その実装領域９内に位置する一対の前記実装用パッド１０の上方に跨り、所要の電子部品（例えば、ＩＣチップ）が実装されると共に、前記金属枠２２の上面には、金属製の前記蓋板３０がシーム溶接により接合される。
前記述したセラミック基板１ａの製造方法によれば、前記効果（１）〜（４）を奏する複数のセラミック基板１ａを確実に製造できる（効果（５））。
尚、前記グリーンシートｇ１を予め上下２層のグリーンシートにて用意し、両者の間にメッキ用配線を含む内層配線を形成した後、積層した形態としても良い。
また、前記帯状メタライズ部１６は、前記図２（Ｂ）で示したように、前記メタライズ層１２の上面における前記凹部１３と前記基板本体２ａの側面５側との間に位置する前記第１曲面ｒ１の上における任意の位置に形成しても良い。
【００３０】
図５（Ａ）は、前記凹部１３とは、異なる形態の凹部１４を形成した前記メタライズ層１２の付近を示す部分垂直断面図である。かかる凹部１４は、図示のように、前記第２曲面ｒ２側がほぼ水平な平面状であり、且つ第１曲面ｒ１側が小さな曲面または傾斜面であって、全体として段部の断面形状を呈している。かかる段部形状の凹部１４は、前記未焼成のメタライズ層１１の上面（曲面ｒ）に対し、下端（先端）に水平面を有する押圧枠型を押し込むことによって形成される。
図５（Ｂ）は、上記凹部１４のほぼ真上に沿って前記帯状メタライズ層１６を形成した前記同様の部分垂直断面図である。前記製造方法において、該帯状メタライズ部１６を形成するための導電性ペーストを、図示のように凹部１４のほぼ直上、あるいは該凹部１４よりも外周側の前記第１曲面ｒ１の上に、前記同様に形成しても、上記導電性ペーストは、上記凹部１４によって前記第２曲面ｒ２側にずれたり、垂れ落ちる事態を確実に阻止される。
従って、上記凹部１４を含むメタライズ層１２および帯状メタライズ部１６を有する形態のセラミック基板１ａであっても、前記効果（１）〜（４）が得られ、且つ前述した製造方法により確実に前記効果（５）を奏することが可能である。
【００３１】
図６（Ａ）は、前記とは異なる形態のセラミック基板１ｂを示す垂直断面図、図６（Ｂ）は、上記（Ａ）中の一点鎖線部分Ｂの拡大図である。
上記セラミック基板１ｂは、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、上下のセラミック層ｃ１，ｃ２を積層してなり、平面視の外形が長方形（矩形）状で且つ対向する表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置する四辺の側面５とを有する全体が箱形状の基板本体２ｂと、該基板本体２ｂの表面３の中央側に開口するキャビティ６と、平面視が矩形枠状である上記表面３の全周に沿って前記同様に形成されたメタライズ層１２および帯状メタライズ部１６とを備えている。
上記基板本体２ｂは、平板形状である下層側のセラミック層ｃ１の上面における周辺に沿って、矩形枠状のセラミック層ｃ２を一体に積層した箱形状体である。
【００３２】
また、前記キャビティ６は、表面３に開口する四辺の側面７と、該側面７の底辺に囲まれ且つ平面視が長方形状の底面８とからなる。該底面８は、実質的に前記実装領域９でもあり、且つかかる底面８には、一対（複数）の実装用パッドが形成されている。
更に、前記基板本体２ｂの表面３上には、前記同様のメタライズ層１２、凹部１３、該凹部１３のほぼ直上に沿って形成された帯状メタライズ部１６、およびこれらの上方に前記同様の接合部１８，１９を介して接合された金属枠２２が形成されている。そのため、該金属枠２２は、前記キャビティ６の開口部に沿って前記メタライズ層１２の上方に殆んど同じレベルで強固に接合されている。
【００３３】
そのため、図６（Ａ）に示すように、一対の実装パッド１０の上方に跨ってＩＣチップなどの電子部品２８を実装し、更に、上記金属枠２２の上面に前記蓋板３０をシーム溶接することで、上記電子部品２８を外部から確実に封止できる。
従って、前記セラミック基板１ｂによっても、前記効果（１）〜（４）を奏することが可能である。
また、前記セラミック基板１ｂは、前述した製造方法に準じて確実に製造できる。そのため、該製造方法も、前記効果（５）を奏することが可能である。
尚、前記セラミック基板１ｂでも、前記図２（Ｂ）で示したように、帯状メタライズ部１６を、前記メタライズ層１２の上面における前記凹部１３と前記基板本体２ａの側面５側との間に位置する前記第１曲面ｒ１の上に形成しても良い。
【００３４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体を構成するセラミック層のセラミックは、ムライトや窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良い。後者の場合、前記メタライズ層１２などの導体の素材には、銅あるいは銀が適用される。
また、前記キャビティは、前記基板本体２ｂの裏面４側にも、ほぼ上下対称にして更に形成されていても良い。
【００３５】
更に、前記帯状メタライズ部１６は、前記メタライズ層１１の凹部１３，１４のほぼ真上付近と、該メタライズ層１１の上面における前記第１曲面ｒ１の上との２箇所以上において、内外２重以上にして平行に形成しても良い。
また、前記接合部１８，１９は、隅肉溶接と同様な溝埋め溶接、レーザー溶接、あるいは工業用接着剤による接着によって形成することも可能である。
加えて、前記凹部１３，１４は、前記メタライズ層１１の上面に、内外方向における２箇所以上に対し、互いに平行にして形成した形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明によれば、セラミックからなる基板本体の平坦な表面の周辺またはキャビティが開口する矩形枠状の表面に沿って、幅広のメタライズ層と、該メタライズ層の上面における上記キャビティ側ないし実装領域側に沿って帯状メタライズ部とが所要の位置に精度良く形成され、これらの上方に金属枠が強固に接合されたセラミック基板、およびその製造方法を確実に提供できる。
【符号の説明】
【００３７】
１ａ，１ｂ…セラミック基板
２ａ，２ｂ…基板本体
３……………表面
４……………裏面
５……………側面
８……………キャビティの底面（実装領域）
９……………実装領域
１１，１２…メタライズ層
１３，１４…凹部
１６…………帯状メタライズ部
１８，１９…ロウ付け部
２２…………金属枠
２４…………基板領域
２５…………切断予定面
ｃ１，ｃ２…セラミック層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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