(57)【要約】【課題】反りを低減しつつ、表面電極上のはんだにボイドが生じるのを効果的に抑制できる半導体装置を提供すること【解決手段】半導体チップ１２は、半導体基板の表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極１２１、吸湿性材料を用いて表面上に設けられた保護膜１２５、及び裏面上に設けられた裏面電極を備えている。保護膜は、表面上において表面電極を取り囲むように設けられた周囲部１２６、周囲部により囲まれる領域内においてＸ方向に延設され、Ｙ方向において表面電極を区切る第１分離部１２７、及び、上記領域内においてＹ方向に延設され、Ｘ方向において表面電極を区切る第２分離部１２８を有している。そして、第１分離部及び第２分離部が、交差しないように互いに離れて設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（１２０ａ）及び該表面と板厚方向に反対の裏面（１２０ｂ）を有し、素子が形成された半導体基板（１２０）と、
前記表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１２１）と、
前記表面上において前記表面電極を取り囲むように設けられた周囲部（１２６）と、前記周囲部により囲まれる領域内において前記板厚方向に直交する行方向に延設され、前記板厚方向及び前記行方向に直交する列方向において前記表面電極を区切る第１分離部（１２７）と、前記領域内において前記列方向に延設され、前記行方向において前記表面電極を区切る第２分離部（１２８）と、を有し、吸湿性材料を用いて形成された保護膜（１２５）と、
前記裏面に設けられた裏面電極（１３０）と、を備え、
前記第１分離部及び前記第２分離部が、交差しないように互いに離れて設けられている半導体装置。
【請求項２】
前記第１分離部と前記第２分離部が交差しないように、前記第１分離部及び前記第２分離部の少なくとも一方が、延設方向において複数に分割されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１分離部及び前記第２分離部のうち、両端間の長さが長いほうが複数に分割されている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１分離部及び前記第２分離部の両方が、それぞれの延設方向において複数に分割されるとともに、同じ位置で分割されている請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記行方向において、前記第１分離部の両端が前記周囲部に連なり、
前記列方向において、前記第２分離部の両端が前記周囲部に連なっている請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１分離部及び前記第２分離部が、前記周囲部に連ならないように前記周囲部に対して離れて設けられている請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
表面（１２０ａ）及び該表面と板厚方向に反対の裏面（１２０ｂ）を有し、素子が形成された半導体基板（１２０）と、
前記表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１２１）と、
前記表面上において前記表面電極の周囲に設けられた周囲部（１２６）と、前記周囲部により囲まれる領域内において前記板厚方向に直交する行方向に延設され、前記板厚方向及び前記行方向に直交する列方向において前記表面電極を区切る第１分離部（１２７）と、前記領域内において前記列方向に延設され、前記行方向において前記表面電極を区切る第２分離部（１２８）と、前記第１分離部と前記第２分離部との交差部分である交差部（１３１）と、を有し、吸湿性材料を用いて形成された保護膜（１２５）と、
前記裏面に設けられた裏面電極（１３０）と、を備え、
前記第１分離部及び前記第２分離部が、前記周囲部に連ならないように前記周囲部に対して離れて設けられている半導体装置。
【請求項８】
前記表面電極は、複数の薄膜を積層して形成され、
前記保護膜により、前記薄膜のうちの最も剛性の大きい膜（１２３）が区切られている請求項１〜７いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記表面電極側に凹の反りが生じている請求項１〜８いずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書における開示は、半導体基板の表面に形成された表面電極と、裏面に形成された裏面電極を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板の表面に形成された表面電極と、裏面に形成された裏面電極を有する半導体装置が知られている。このような半導体装置では、近年、低損失化のために、半導体基板の厚みが薄くなってきている。また、表面電極裏面電極とで、膜厚などの構成が異なる。このように、薄板化や表裏でのバイメタル効果の違いから、半導体装置に反りが生じるという問題がある。
【０００３】
特許文献１に開示された半導体装置では、反りを低減するために、はんだ付けされる表面電極が、保護膜により、板厚方向に直交する行方向及び列方向の両方向において複数に分割されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２４１３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
保護膜は、ポリイミドなどの吸湿性材料を用いて形成されている。本発明者が鋭意検討したところ、はんだのリフロー時に保護膜中の水分が気化（水蒸気化）して、保護膜における行方向に延設された部分と列方向に延設された部分との交差部に滞留し、これにより表面電極上においてはんだにボイドが生じることが明らかとなった。
【０００６】
本開示の目的のひとつは、反りを低減しつつ、表面電極上のはんだにボイドが生じるのを効果的に抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【０００８】
本開示のひとつである半導体装置は、表面（１２０ａ）及び該表面と板厚方向に反対の裏面（１２０ｂ）を有し、素子が形成された半導体基板（１２０）と、
表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１２１）と、
表面上において表面電極を取り囲むように設けられた周囲部（１２６）と、周囲部により囲まれる領域内において板厚方向に直交する行方向に延設され、板厚方向及び行方向に直交する列方向において表面電極を区切る第１分離部（１２７）と、領域内において列方向に延設され、行方向において表面電極を区切る第２分離部（１２８）と、を有し、吸湿性材料を用いて形成された保護膜（１２５）と、
裏面に設けられた裏面電極（１３０）と、を備え、
第１分離部及び第２分離部が、交差しないように互いに離れて設けられている。
【０００９】
この半導体装置によれば、保護膜が、行方向に延びる第１分離部と列方向に延びる第２分離部を有しており、これにより表面電極が区切られているため、半導体装置の反りを低減することができる。
【００１０】
また、保護膜に、第１分離部と第２分離部との交差部がないため、保護膜の吸湿により生じた水蒸気の滞留を抑制し、ひいては表面電極上のはんだにボイドが生じるのを抑制することができる。
【００１１】
本開示の他のひとつである半導体装置は、表面（１２０ａ）及び該表面と板厚方向に反対の裏面（１２０ｂ）を有し、素子が形成された半導体基板（１２０）と、
表面上に設けられ、はんだ付けされる表面電極（１２１）と、
表面上において表面電極の周囲に設けられた周囲部（１２６）と、周囲部により囲まれる領域内において板厚方向に直交する行方向に延設され、板厚方向及び行方向に直交する列方向において表面電極を区切る第１分離部（１２７）と、領域内において列方向に延設され、行方向において表面電極を区切る第２分離部（１２８）と、第１分離部と第２分離部との交差部分である交差部（１３１）と、を有し、吸湿性材料を用いて形成された保護膜（１２５）と、
裏面に設けられた裏面電極（１３０）と、を備え、
第１分離部及び第２分離部が、周囲部に連ならないように周囲部に対して離れて設けられている。
【００１２】
この半導体装置によれば、保護膜が、行方向に延びる第１分離部と列方向に延びる第２分離部を有しており、これにより表面電極が区切られているため、半導体装置の反りを低減することができる。
【００１３】
また、保護膜が交差部を有するものの、第１分離部及び第２分離部が周囲部に対して離れて設けられている。これにより、周囲部の水分（水蒸気）が、第１分離部又は第２分離部を通じて交差部に集まるのを抑制することができる。また、第１分離部及び第２分離部が周囲部に連なる構成に較べて、交差部に連なる保護膜の長さが短い。したがって、水蒸気が交差部に滞留するのを抑制し、ひいては表面電極上のはんだにボイドが生じるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る半導体チップが適用された半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図２】半導体チップの概略構成を示す平面図である。
【図３】図２のIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図２のIV-IV線に沿う断面図である。
【図５】比較例を示す平面図である。
【図６】比較例において、はんだに生じるボイドを示す平面図である。
【図７】比較例において、図６のVII-VII線に沿う断面図である。
【図８】比較例において、図６のVIII-VIII線に沿う断面図である。
【図９】比較例においてボイド発生を説明するための平面図である。
【図１０】比較例においてボイド発生を説明するための図５のＸ-Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】ボイド抑制を説明するための平面図であり、図９に対応している。
【図１２】ボイド抑制を説明するための断面図であり、図１０に対応している。
【図１３】図２のXIII-XIII線に対応する断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る半導体チップの概略構成を示す平面図である。
【図１５】図１４のXV-XV線に沿う断面図である。
【図１６】ボイド抑制を説明するための平面図であり、図９に対応している。
【図１７】第３実施形態に係る半導体チップの概略構成を示す平面図である。
【図１８】ボイド抑制を説明するための断面図であり、図１０に対応している。
【図１９】変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、半導体基板の板厚方向をＺ方向と示す。Ｚ方向に直交し、且つ、第１分離部の延設方向をＸ方向と示す。Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向、すなわち第２分離部の延設方向をＹ方向と示す。特に断りのない限り、ＸＹ平面に沿う形状を平面形状とする。
【００１６】
（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、本実施形態に係る半導体チップが適用された半導体モジュールについて説明する。
【００１７】
図１に示すように、半導体モジュール１０は、半導体チップ１２、封止樹脂体１４、信号端子１８、ターミナル２２、ヒートシンク２６、主端子２８、ヒートシンク３２、及び主端子３４を備えている。このような半導体モジュール１０は、たとえばハイブリッド車や電気自動車の主機インバータに用いられる。
【００１８】
半導体モジュール１０は、半導体チップ１２をひとつ備えている。半導体モジュール１０は、三相インバータを構成する６つのアームのうちのひとつを構成する。このような半導体モジュール１０は、パッケージ内にひとつのアームを備えるため、１ｉｎ１パッケージとも称される。
【００１９】
半導体チップ１２には、板厚方向であるＺ方向に電流が流れる素子、所謂縦型素子が形成されている。半導体チップ１２が、半導体装置に相当する。縦型素子としては、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴなどを採用することができる。半導体チップ１２は、Ｚ方向における両面に電極を有している。また、一方の面に、信号端子１８用のパッドを有している。
【００２０】
封止樹脂体１４は、たとえばエポキシ系樹脂からなる。封止樹脂体１４は、トランスファ成形により形成されている。封止樹脂体１４は、平面略矩形状をなしている。封止樹脂体１４は、Ｚ方向に直交する一面１４ａ、一面１４ａと反対の裏面１４ｂ、及び側面を有している。一面１４ａ及び裏面１４ｂは、たとえば平坦面となっている。封止樹脂体１４は、半導体チップ１２を封止している。
【００２１】
半導体チップ１２のパッド（後述するパッド１２９）には、ボンディングワイヤ１６を介して、信号端子１８が接続されている。信号端子１８は、Ｙ方向に延設されており、封止樹脂体１４の一の側面１４ｃから外部に突出している。これにより、信号端子１８は、外部機器との電気的な接続が可能となっている。信号端子１８は、リードフレームの一部として、ヒートシンク３２と一体的に形成されてもよいし、別部材の信号端子１８がヒートシンク３２に接続されてもよい。
【００２２】
半導体チップ１２の一方の電極（後述する表面電極１２１）には、はんだ２０を介してターミナル２２が接続されている。ターミナル２２は、半導体チップ１２とヒートシンク２６との間に介在している。ターミナル２２は、半導体チップ１２の生じた熱をヒートシンク２６に伝達する。ターミナル２２は、半導体チップ１２とヒートシンク２６とを電気的に中継する。このため、ターミナル２２は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、金属材料（たとえばＣｕ）を用いて形成されている。ターミナル２２は、略直方体状をなしている。
【００２３】
ターミナル２２における半導体チップ１２と反対側の面には、はんだ２４を介してヒートシンク２６が接続されている。ヒートシンク２６は、半導体チップ１２の生じた熱を、半導体モジュール１０の外部に放熱する。ヒートシンク２６は、半導体チップ１２と主端子２８とを電気的に中継する。ヒートシンク２６は、ターミナル２２同様、熱伝導性及び電気伝導性に優れる金属材料（たとえばＣｕ）を用いて形成されている。
【００２４】
ヒートシンク２６におけるターミナル２２と反対の面は、封止樹脂体１４の一面１４ａから露出された放熱面２６ａとなっている。本実施形態では、一面１４ａ及び放熱面２６ａが略面一となっている。ヒートシンク２６において、ターミナル２２との対向面、及び、該対向面と放熱面２６ａをつなぐ側面は、封止樹脂体１４によって被覆されている。
【００２５】
ヒートシンク２６には、主端子２８が連なっている。この主端子２８は、ターミナル２２及びヒートシンク２６を介して、半導体チップ１２と電気的に接続されている。主端子２８は、ヒートシンク２６から、Ｙ方向であって信号端子１８とは反対側に延設されている。主端子２８は、信号端子１８が突出する側面１４ｃと反対の側面１４ｄから外部に突出している。これにより、主端子２８は、外部機器との電気的な接続が可能となっている。主端子２８は、リードフレームの一部として、ヒートシンク２６と一体的に形成されてもよいし、別部材の主端子２８がヒートシンク２６に接続されてもよい。
【００２６】
半導体チップ１２の他方の電極（後述する裏面電極１３０）には、はんだ３０を介してヒートシンク３２が接続されている。ヒートシンク３２は、ヒートシンク２６同様、半導体チップ１２の生じた熱を、半導体モジュール１０の外部に放熱する。ヒートシンク３２は、半導体チップ１２と主端子３４とを電気的に中継する。ヒートシンク３２も、熱伝導性及び電気伝導性に優れる金属材料（たとえばＣｕ）を用いて形成されている。
【００２７】
ヒートシンク３２における半導体チップ１２と反対の面は、封止樹脂体１４の裏面１４ｂから露出された放熱面３２ａとなっている。本実施形態では、裏面１４ｂ及び放熱面３２ａが略面一となっている。ヒートシンク３２において、半導体チップ１２との対向面、及び、該対向面と放熱面３２ａをつなぐ側面は、封止樹脂体１４によって被覆されている。
【００２８】
ヒートシンク３２には、主端子３４が連なっている。この主端子３４は、ヒートシンク３２を介して、半導体チップ１２と電気的に接続されている。主端子３４は、ヒートシンク３２から、Ｙ方向であって主端子２８と同じ側に延設されている。主端子３４は、主端子２８と同じ側面１４ｄから外部に突出している。これにより、主端子３４は、外部機器との電気的な接続が可能となっている。主端子３４は、リードフレームの一部として、ヒートシンク３２と一体的に形成されてもよいし、別部材の主端子３４がヒートシンク３２に接続されてもよい。Ｚ方向からの平面視において、主端子２８，３４は、Ｘ方向に並んで配置されている。
【００２９】
このように構成される半導体モジュール１０では、半導体チップ１２、ボンディングワイヤ１６、信号端子１８の一部、はんだ２０，２４，３０、ターミナル２２、ヒートシンク２６の一部、主端子２８の一部、ヒートシンク３２の一部、及び主端子３４の一部が、封止樹脂体１４にて封止されている。そして、Ｚ方向において、半導体チップ１２の両側にヒートシンク２６，３２が配置され、放熱面２６ａ，３２ａにより外部に放熱可能とされている。
【００３０】
次に、図２〜図４に基づき、半導体チップ１２（半導体装置）について説明する。
【００３１】
図２、図３、及び図４に示すように、半導体チップ１２は、半導体基板１２０、表面電極１２１、保護膜１２５、パッド１２９、及び裏面電極１３０を備えている。表面電極１２１及び裏面電極１３０が、上記した両面の電極に相当する。
【００３２】
半導体基板１２０は、Ｓｉ（シリコン）やＳｉＣ（シリコンカーバイド）など、周知の半導体材料からなる。半導体基板１２０には、上記した縦型素子が形成されている。本実施形態では、Ｓｉを構成材料とする半導体基板１２０に、ｎチャネル型のＩＧＢＴと、ＩＧＢＴに逆並列に接続されたＦＷＤ（転流ダイオード）が形成されている。すなわち、半導体基板１２０に、ＲＣ−ＩＧＢＴが形成されている。なお、ＩＧＢＴとＦＷＤを互いに異なる半導体基板に形成することもできる。
【００３３】
半導体基板１２０は、平面略矩形状をなしている。半導体基板１２０は、Ｚ方向において、表面１２０ａ及び表面１２０ａと反対の裏面１２０ｂを有している。表面１２０ａ側の表層において、アクティブ領域（メイン領域）には、ＩＧＢＴのエミッタ領域、トレンチゲート、ＦＷＤのアノード領域などが形成されている。アクティブ領域は、平面略矩形状をなしている。アクティブ領域を取り囲む外周領域には、ガードリングなどの耐圧構造部が形成されている。一方、裏面１２０ｂ側の表層には、ＩＧＢＴのコレクタ領域及びＦＷＤのカソード領域が形成されている。
【００３４】
半導体基板１２０の表面１２０ａには、表面電極１２１、保護膜１２５、及びパッド１２９が形成されている。表面電極１２１は、アクティブ領域に対応して形成されている。表面電極１２１は、エミッタ領域及びアノード領域と電気的に接続された電極である。このため、表面電極１２１は、エミッタ電極とも称される。表面電極１２１は、エミッタ電極として機能するだけでなく、ＦＷＤのアノード電極としても機能する。表面電極１２１は、裏面電極１３０との間に電流が流れるため、主電極とも称される。表面電極１２１は、平面略矩形状の半導体基板１２０において、Ｙ方向における一端側に形成されている。
【００３５】
表面電極１２１は、下地膜１２２及び金属薄膜を有している。下地膜１２２は、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とする材料を用いて形成されている。本実施形態では、下地膜１２２が、ＡｌＳｉを材料とし、スパッタにより形成されている。下地膜１２２の厚みは、たとえば５μｍとなっている。
【００３６】
下地膜１２２上には、はんだ２０との接合強度向上、はんだ２０に対する濡れ性向上などを目的として、金属薄膜が形成されている。本実施形態では、金属薄膜として、Ｎｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４を有している。Ｎｉ膜１２３は、Ｎｉ（ニッケル）を主成分とする材料を用いて形成されている。Ｎｉを用いると、たとえば、はんだ２０との接合強度を向上することができる。
【００３７】
本実施形態では、Ｎｉ膜１２３がめっき膜とされている。詳しくは、主成分であるＮｉに加えて、Ｐ（リン）を含む無電解Ｎｉめっき膜とされている。Ｎｉ膜１２３の厚みは、たとえば５μｍとなっている。
【００３８】
Ａｕ膜１２４は、Ａｕ（金）を主成分とする材料を用いて形成されている。Ａｕを用いると、たとえば、はんだ２０との濡れ性を向上することができる。本実施形態では、Ａｕ膜１２４がめっき膜とされている。Ａｕ膜１２４の厚みは、たとえば１μｍ未満（ｎｍオーダ）とされている。このように、表面電極１２１は、多層膜構造をなしている。
【００３９】
保護膜１２５は、ポリイミドなどの吸湿性を有する材料を用いて形成されている。保護膜１２５は、周囲部１２６、第１分離部１２７、及び第２分離部１２８を有している。周囲部１２６は、表面１２０ａ上において、表面電極１２１を取り囲むように設けられている。周囲部１２６は、アクティブ領域を取り囲むように、外周領域上に設けられている。周囲部１２６は矩形環状をなしている。保護膜１２５において下地膜１２２の無い部分の厚み、たとえば周囲部１２６の厚みは、表面電極１２１における下地膜１２２、Ｎｉ膜１２３、及びＡｕ膜１２４の積層部分の厚みとほぼ等しくされている。
【００４０】
第１分離部１２７及び第２分離部１２８は、周囲部１２６により囲まれる領域、すなわちアクティブ領域内に設けられている。第１分離部１２７は、Ｚ方向に直交する第１方向であるＸ方向に沿って延設されている。Ｘ方向が行方向に相当する。保護膜１２５は、複数の第１分離部１２７を有している。
【００４１】
周囲部１２６の内周面は、平面略矩形状をなしている。周囲部１２６は、内周面として、Ｘ方向に直交する一組の面（以下、第１面と示す）と、Ｙ方向に直交する一組の面（以下、第２面と示す）を有している。第１面間の長さ（対向距離）は、第２面間の長さ（対向距離）よりも長くされている。すなわち、内周面は、Ｘ方向を長手方向、Ｙ方向を短手方向としている。
【００４２】
第１分離部１２７は、周囲部１２６の内周面に連なっている。第１分離部１２７は、第１面のそれぞれから延設されている。詳しくは、第１面のそれぞれから、２つの第１分離部１２７が延設されている。複数の第１分離部１２７において、第１面からの延設長さは互いにほぼ等しくされている。延設長さは、一組の第１面間の長さ（対向距離）の１／２よりも短くされている。
【００４３】
第１分離部１２７は、Ｚ方向に直交する第２方向であるＹ方向において、表面電極１２１を区切っている。Ｙ方向が列方向に相当する。本実施形態では、表面電極１２１が、同じ第１面に連なる２つの第１分離部１２７により、Ｙ方向において互いに略等しい長さに区切られている。すなわち、表面電極１２１は、第１分離部１２７により三等分されている。第１分離部１２７は、Ｘ方向において２つに分離されている。第１分離部１２７は下地膜１２２上に設けられており、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が第１分離部１２７により区切られている。
【００４４】
第２分離部１２８は、Ｙ方向に沿って延設されている。保護膜１２５は、第２分離部１２８をひとつ有している。第２分離部１２８も、周囲部１２６の内周面に連なっている。第２分離部１２８は、第２面から延設されている。第２分離部１２８は、第２面間を跨ぐように設けられている。第２分離部１２８の延設長さは、一組の第２面間の長さ（対向距離）とほぼ等しくされている。
【００４５】
第２分離部１２８は、Ｘ方向において、表面電極１２１を区切っている。本実施形態では、表面電極１２１が、第２分離部１２８により、Ｘ方向において互いに略等しい長さに区切られている。すなわち、表面電極１２１は、第２分離部１２８により二等分されている。第２分離部１２８も下地膜１２２上に設けられており、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が第２分離部１２８により区切られている。第２分離部１２８は、Ｘ方向において、アクティブ領域の中央に設けられている。各第１分離部１２７は、第２分離部１２８と交差しないように、すなわち第２分離部１２８に連ならないように、第２分離部１２８に対して離れて設けられている。
【００４６】
このような保護膜１２５により、表面電極１２１（金属薄膜）は、その中心１２１ａ周りに２回対称性を有している。保護膜１２５は、Ｘ方向において、第２分離部１２８と各第１分離部１２７との間に、所定のギャップを有している。本実施形態では、上記ギャップ、すなわち第１分離部１２７と第２分離部１２８との対向領域にも、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置されている。この対向領域は、表面電極１２１において第１分離部１２７により区切られた部分を連結する第１連結部１２１ｂとされている。表面電極１２１は、４つの第１連結部１２１ｂを有している。
【００４７】
パッド１２９は、信号端子１８が電気的に接続される電極である。パッド１２９も、表面電極１２１と同様の多層膜構造をなしている。パッド１２９は、表面１２０ａにおいて、表面電極１２１とは別の位置に形成されている。パッド１２９は、表面電極１２１と電気的に分離されている。パッド１２９は、Ｙ方向において、表面電極１２１の形成領域とは反対側の端部に形成されている。
【００４８】
本実施形態では、半導体チップ１２が、５つのパッド１２９を有している。詳しくは、パッド１２９として、半導体基板１２０の温度を検出する温度センサ（感温ダイオード）のアノード電位用、同じくカソード電位用、ゲート電極用、電流センス用、表面電極１２１（エミッタ電極）の電位を検出するケルビンエミッタ用を有している。本実施形態では、Ｘ方向において、一端側から、カソード電位用、アノード電位用、ゲート電極用、電流センス用、ケルビンエミッタ用の順に形成されている。５つのパッド１２９は、平面略矩形状の半導体基板１２０において、Ｙ方向の一端側にまとめって形成されるとともに、Ｘ方向に並んで形成されている。各パッド１２９は、周囲部１２６によって取り囲まれている。
【００４９】
半導体基板１２０の裏面１２０ｂには、裏面電極１３０が形成されている。裏面電極１３０は、コレクタ領域及びカソード領域と電気的に接続された電極である。このため、裏面電極１３０は、コレクタ電極とも称される。裏面電極１３０は、コレクタ電極として機能するだけでなく、ＦＷＤのカソード電極も兼ねている。また、表面電極１２１との間に電流が流れるため、主電極とも称される。
【００５０】
裏面電極１３０は、裏面１２０ｂのほぼ全面に形成されている。裏面電極１３０も多層膜構造をなしている。図示を省略するが、裏面電極１３０も下地膜及び金属薄膜を有している。下地膜は、ＡｌＳｉを材料とし、スパッタにより形成されている。本実施形態では、金属薄膜として、Ｎｉ膜及びＡｕ膜を有している。Ｎｉ膜は、スパッタにより形成されている。Ａｕ膜は、めっき膜とされている。裏面電極１３０におけるＮｉ膜の厚みは、表面電極１２１におけるＮｉ膜１２３の厚みよりも薄くされている。これにより、裏面電極１３０の厚みは、表面電極１２１の厚み（積層部分の厚み）よりも薄くされている。
【００５１】
次に、半導体モジュール１０の製造方法の一例について説明する。
【００５２】
先ず、半導体モジュール１０を構成する各要素を準備する。すなわち、半導体チップ１２、信号端子１８、ターミナル２２、主端子２８が連なるヒートシンク２６、及び主端子３４が連なるヒートシンク３２をそれぞれ準備する。上記した表面電極１２１及び保護膜１２５を有する半導体チップ１２を準備する。
【００５３】
次いで、ヒートシンク３２の対向面上に、はんだ３０を介して、半導体チップ１２を配置する。裏面電極１３０がヒートシンク３２と対向するように、半導体チップ１２を配置する。次に、たとえば予め両面にはんだ２０，２４が迎えはんだとして配置されたターミナル２２を、はんだ２０が半導体チップ１２側となるように配置する。はんだ２４については、半導体モジュール１０における高さばらつきを吸収可能な量を配置しておく。
【００５４】
そして、この積層状態で、はんだ２０，２４，３０をリフロー（１ｓｔリフロー）させることにより、はんだ３０を介して、半導体チップ１２の裏面電極１３０とヒートシンク３２を接続する。また、はんだ２０を介して、半導体チップ１２の表面電極１２１とターミナル２２を接続する。はんだ２４については、接続対象であるヒートシンク２６がまだないので、表面張力により、ヒートシンク２６との対向面の中心を頂点として盛り上がった形状となる。
【００５５】
次いで、半導体チップ１２のパッド１２９と信号端子１８を、ボンディングワイヤ１６により接続する。以上により、半導体チップ１２、信号端子１８、ターミナル２２、及びヒートシンク３２が一体化された接続体を得る。
【００５６】
次いで、はんだ２４を介して、上記した接続体とヒートシンク２６を接続する。詳しくは、ターミナル２２との対向面が上になるようにしてヒートシンク２６を図示しない台座上に配置する。そして、ターミナル２２がヒートシンク２６に対向するように、接続体をヒートシンク２６上に配置し、はんだ２０，２４，３０をリフロー（２ｎｄリフロー）させる。この２ｎｄリフローでは、ヒートシンク２６側から荷重を加えることで、半導体モジュール１０の高さが所定の高さとなるようにする。詳しくは、図示しないスペーサを、ヒートシンク２６と台座との間に配置し、スペーサを、ヒートシンク２６と台座の両方に接触させる。このようにして、半導体モジュール１０の高さが所定の高さとなるようにする。
【００５７】
次いで、トランスファモールド法により封止樹脂体１４の成形を行う。本実施形態では、ヒートシンク２６，３２が完全に被覆されるように、封止樹脂体１４を成形する。そして、成形した封止樹脂体１４をヒートシンク２６，３２の一部ごと切削することにより、ヒートシンク２６，３２の放熱面２６ａ，３２ａを露出させる。
【００５８】
なお、ヒートシンク２６，３２の放熱面２６ａ，３２ａを成形金型のキャビティ壁面に押し当て、密着させた状態で、封止樹脂体１４を成形してもよい。この場合、封止樹脂体１４を成形した時点で、放熱面２６ａ，３２ａが封止樹脂体１４から露出される。このため、成形後の切削が不要となる。
【００５９】
そして、リードフレームの不要部分を除去することで、半導体モジュール１０を得ることができる。
【００６０】
次に、図５〜図１３に基づき、上記した半導体チップ１２及び該半導体チップ１２を備える半導体モジュール１０の効果について説明する。図５〜図１０は、比較例を示している。図６は、はんだ付けした状態、すなわち半導体モジュールの状態で、Ｚ方向から超音波探傷装置（SAT：Scanning Acoustic Tomograph）により、はんだのボイドを検査した結果を示している。図１０では、半導体チップ１２の構造を簡素化して図示している。比較例における各要素の符号については、本実施形態の関連する要素の符号末尾にｒを追加したものとしている。図９〜図１２では、リフロー時の水蒸気の流れを矢印で示している。
【００６１】
本発明者は、図５に示す構成の半導体チップ１２ｒを試作した。半導体チップ１２ｒにおいて、第１分離部１２７ｒは、周囲部１２６ｒの第１面間を跨ぐようにＸ方向に沿って延設されており、Ｘ方向の中央付近で、第２分離部１２８ｒと交差している。すなわち、保護膜１２５ｒが、第１分離部１２７ｒと第２分離部１２８ｒとが交差してなる交差部１３１ｒを有している。それ以外の点は、本実施形態（図２参照）と同じとされている。
【００６２】
そして、本発明者は、半導体チップ１２ｒを用いて、上記した製造方法により半導体モジュールを形成し、得られた半導体モジュールについてＳＡＴにより検査を行った。
【００６３】
周囲部１２６ｒ内に設けられた第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒは、はんだ２０ｒに対する濡れ性が表面電極１２１ｒに対して低い。このため、リフロー時において、はんだ２０ｒが第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒ上に濡れ拡がらず、図６及び図７に示すように、不濡れ部３６ｒが形成される。不濡れ部３６ｒは、はんだ２０ｒと、第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒとはんだ２０ｒとの界面に形成される。不濡れ部３６ｒは、はんだ２０ｒが濡れずに引けた部分である。ＳＡＴにより、この不濡れ部３６ｒが確認された。不濡れ部３６ｒは、保護膜１２５ｒによる表面電極１２１ｒを区切る構成において確認されるものである。
【００６４】
さらに、図６及び図８に示すように、はんだ２０ｒにボイド３８ｒが生じることがあることが明らかとなった。ボイド３８ｒは、はんだ２０ｒにおいて交差部１３１及びその周辺の直上部分に生じた。ボイド３８ｒは、保護膜１２５（第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒ）上の不濡れ部３６ｒを含んで形成される。ボイド３８ｒは、少なくとも、はんだ２０ｒにおける半導体チップ１２側の面に開口している。この試験では、ボイド３８ｒが、はんだ２０ｒを貫通していた。また、１ｓｔリフロー終了後から２ｎｄリフロー開始までの時間が長いほど、ボイド３８ｒが発生しやすいことも明らかとなった。
【００６５】
このように、保護膜１２５ｒが交差部１３１ｒを有し、第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒにより、表面電極１２１（金属薄膜）が複数に分割される構成では、はんだ２０ｒにおいて表面電極１２１上の部分にボイド３８ｒが生じうることが明らかとなった。
【００６６】
保護膜１２５ｒは吸湿性を有しており、リフロー時に、保護膜１２５ｒ中の水分が気化する。水蒸気は保護膜１２５ｒ内、又は、はんだ２０ｒとの界面である不濡れ部３６ｒ内を移動する。たとえば第１分離部１２７ｒにおいて、水蒸気の一部は交差部１３１ｒに近づく方向に移動する。図９に示すように、交差部１３１ｒ又はその直上の不濡れ部３６ｒには、交差部１３１ｒに連なる第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒ（又は不濡れ部３６ｒ）から水蒸気が集まり滞留する。これが、交差部１３１ｒの周辺にボイド３８ｒが生じる第１の推定原因である。
【００６７】
また、半導体基板１２０ｒの薄板化や表裏でのバイメタル効果の違いから、表面電極１２１ｒを保護膜１２５ｒによって分割しても、図１０に示すように、半導体チップ１２ｒに少なからず反りが生じる。具体的には、表面電極１２１ｒ側に凹の反りが生じる。図１０では、便宜上、裏面電極１３０ｒを省略している。２ｎｄリフロー時に、凸側である裏面電極１３０ｒが上方、凹側である表面電極１２１ｒが下方の配置となるため、第１分離部１２７ｒ及び第２分離部１２８ｒ（又は不濡れ部３６ｒ）を通じて交差部１３１ｒに水蒸気が集まり滞留する。特に周囲部１２６ｒの水蒸気も、交差部１３１ｒ側に移動する。これが、交差部１３１ｒの周辺にボイド３８ｒが生じる第２の推定原因である。
【００６８】
本実施形態では、保護膜１２５が、Ｘ方向に延びる第１分離部１２７とＹ方向に延びる第２分離部１２８を有しており、これにより表面電極１２１がＸ方向及びＹ方向の両方向において区切られている。したがって、半導体チップ１２の反りを低減することができる。
【００６９】
また、保護膜１２５に、第１分離部１２７と第２分離部１２８との交差部がない。したがって、リフロー時に保護膜１２５中の水分が気化してなる水蒸気の一部が、第１分離部１２７及び第２分離部１２８のそれぞれから交差部１３１ｒに相当する部分に向かって移動しても、図１１に示すように、一箇所に集まることはない。第１分離部１２７と第２分離部１２８との対向領域には、表面電極１２１の第１連結部１２１ｂが存在しており、第１分離部１２７中の水蒸気と第２分離部１２８中の水蒸気が交わらない。したがって、はんだ２０における表面電極１２１上の部分にボイドが生じるのを抑制することができる。
【００７０】
また、図１２に示すように、半導体チップ１２が、表面電極１２１側を凹として反っていても、第１分離部１２７と第２分離部１２８とが連なっておらず、間に第１連結部１２１ｂが存在しているため、第１分離部１２７中の水蒸気と第２分離部１２８中の水蒸気が交わらない。これによっても、水蒸気が局所的に集まるのを抑制し、ひいては、はんだ２０における表面電極１２１上の部分にボイドが生じるのを抑制することができる。
【００７１】
以上により、本実施形態の半導体チップ１２及び該半導体チップ１２を備える半導体モジュール１０によれば、保護膜１２５によって半導体チップ１２の反りを低減しつつ、はんだ２０における表面電極１２１上の部分にボイドが生じるのを抑制することができる。図１３は、図２のXIII-XIII線に沿う断面図であり、図８（比較例）に対応している。図１３に示すように、比較例においてボイド３８ｒが生じる部分においても、ボイドが生じず、保護膜１２５（図１３では第２分離部１２８）上に不濡れ部３６が形成されるに留まる。
【００７２】
さらに本実施形態では、第１分離部１２７及び第２分離部１２８のうち、第１分離部１２７が、その延設方向であるＸ方向において複数の分割されている。したがって、半導体チップ１２の反りを効果的に低減しつつ、表面電極１２１上にボイドが生じるのを抑制することができる。特に本実施形態では、長手方向において複数に分割されている。換言すれば、両端間の長さの長い第１分離部１２７が複数に分割されている。したがって、長手方向の中央付近に水蒸気が集まるのを効果的に抑制することができる。
【００７３】
また、第１分離部１２７及び第２分離部１２８のそれぞれが、周囲部１２６に連なっている。しかしながら、第１分離部１２７と第２分離部１２８とが連なっておらず、間に第１連結部１２１ｂが存在しているため、周囲部１２６の水蒸気（水分）が、第１分離部１２７を通じて、第２分離部１２８中の水蒸気と交わらない。したがって、第１分離部１２７及び第２分離部１２８が周囲部１２６に連なる構成でありながら、ボイドが生じるのを抑制することができる。
【００７４】
また、多層膜構造の表面電極１２１において、複数の薄膜のうち、最も剛性の大きい膜であるＮｉ膜１２３が、保護膜１２５の第１分離部１２７及び第２分離部１２８によって区切られている。これにより、半導体チップ１２の反りを低減することができる。なお、剛性が大きいとは、温度差による膜自体の膨張、収縮する力が大きいことを言う。剛性の大きいＮｉ膜１２３を区切ることで、表裏でのバイメタル効果の差を小さくし、反りを低減することができる。
【００７５】
ところで、半導体チップ１２の温度は、素子の駆動によりアクティブ領域の中心付近、すなわち表面電極１２１の中心１２１ａ付近で最も高くなる。本実施形態では、第１分離部１２７と第２分離部１２８との対向領域には、第１連結部１２１ｂ、すなわちＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置されており、はんだ２０が接続（接合）される。したがって、半導体チップ１２の熱を、ターミナル２２側に効果的に放熱させることができる。
【００７６】
なお、第１分離部１２７を分割せず、第２分離部１２８のみを複数に分割してもよい。しかしながら、表面電極１２１（下地膜１２２）上に配置される保護膜１２５の長さが長いほど、水蒸気が表面電極１２１上に滞留する可能性が高まるため、上記したように、長手側の第１分離部１２７を分割したほうが良い。
【００７７】
周囲部１２６の同一面に連なる第１分離部１２７及び第２分離部１２８それぞれの数は上記例に限定されない。たとえば第２面間を繋ぐ第２分離部１２８を２つ有してもよい。この場合、第１分離部１２７は、Ｘ方向においてたとえば３つに分割される。
【００７８】
（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体モジュール１０及び半導体チップ１２と共通する部分についての説明は省略する。
【００７９】
図１４及び図１５に示すように、本実施形態の半導体チップ１２では、第１分離部１２７だけでなく、第２分離部１２８も複数に分割されている。そして、第１分離部１２７と第２分離部１２８が交差しないように、第２分離部１２８は、その延設方向であるＹ方向において３つに分割されている。３つの第２分離部１２８のうち、両端に位置する第２分離部１２８はそれぞれ周囲部１２６に連なっている。残りの第２分離部１２８は、周囲部１２６から離れて設けられ、保護膜１２５における他の部分に対して独立している。
【００８０】
第１分離部１２７間の対向領域と、第２分離部１２８間の対向領域とが一体的に連なっている。すなわち、同じ位置で、第１分離部１２７と第２分離部１２８が分割されている。本実施形態では、対向領域に金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置され、これにより、はんだ２０が接続される第２連結部１２１ｃが形成されている。第２連結部１２１ｃは、平面略十字状をなしている。表面電極１２１は、２つの第２連結部１２１ｃを有している。第２連結部１２１ｃは、表面電極１２１において、第２分離部１２８によりＸ方向において区切られた部分同士を連結するとともに、第１分離部１２７によりＹ方向において区切られた部分同士を連結している。
【００８１】
次に、上記した半導体チップ１２及び該半導体チップ１２を備える半導体モジュール１０の効果について説明する。
【００８２】
本実施形態では、第１分離部１２７及び第２分離部１２８がそれぞれ複数に分割され、これにより交差部を有さない。図１６に示すように、第１分離部１２７中の水蒸気と第２分離部１２８中の水蒸気が交わらない。また、分割された第１分離部１２７中の水蒸気が交わらず、分割された第２分離部１２８中の水蒸気が交わらない。したがって、半導体チップ１２の反りを低減しつつ、はんだ２０における表面電極１２１上の部分にボイドが生じるのを効果的に抑制することができる。
【００８３】
また、周囲部１２６の水蒸気（水分）が、第１分離部１２７を通じて、分割された他の第１分離部１２７や第２分離部１２８中の水蒸気と交わらない。同じく、周囲部１２６の水蒸気が、第２分離部１２８を通じて、分割された他の第２分離部１２８や第１分離部１２７中の水蒸気と交わらない。これによっても、ボイドが生じるのを抑制することができる。
【００８４】
また、第２連結部１２１ｃは、平面略十字状をなしており、第１連結部１２１ｂよりもＸＹ平面に沿う面積が大きい。このため、第１連結部１２１ｂよりも第２連結部１２１ｃのほうが、はんだ２０との接続面積が大きい。高温となる中心１２１ａの近傍に、第２連結部１２１ｃを設けているため、半導体チップ１２の熱を、さらに効果的に放熱させることができる。
【００８５】
なお、第１分離部１２７がＸ方向において２つに分割され、第２分離部１２８がＹ方向において３つに分割される例を示したが、分割数は上記例に限定されない。また、周囲部１２６の同一面に連なる第１分離部１２７及び第２分離部１２８それぞれの数も、上記例に限定されない。
【００８６】
（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した半導体モジュール１０及び半導体チップ１２と共通する部分についての説明は省略する。
【００８７】
図１７に示すように、本実施形態の半導体チップ１２において、保護膜１２５は、第１分離部１２７と第２分離部１２８とが交差する交差部１３１を有している。保護膜１２５は、ひとつの第２分離部１２８と２つの第１分離部１２７を有している。２つの第１分離部１２７は互いに同じ長さを有しており、この第１分離部１２７により、表面電極１２１がＹ方向において三等分されている。第２分離部１２８はＸ方向における中央に設けられており、この第２分離部１２８により、表面電極１２１がＸ方向において二等分されている。保護膜１２５は、２つの交差部１３１を有している。
【００８８】
第１分離部１２７は、周囲部１２６に連ならないように周囲部１２６に対して離れて設けられている。第１分離部１２７の両端のそれぞれと周囲部１２６の内周面との対向領域には、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置され、これにより、はんだ２０が接続される外周連結部１２１ｄが形成されている。同じく、第２分離部１２８は、周囲部１２６に連ならないように周囲部１２６に対して離れて設けられている。第２分離部１２８の両端のそれぞれと周囲部１２６の内周面との対向領域には、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置され、これにより、はんだ２０が接続される外周連結部１２１ｅが形成されている。
【００８９】
表面電極１２１は、６つの外周連結部１２１ｄ，１２１ｅを有している。外周連結部１２１ｄは、表面電極１２１において、第１分離部１２７によりＹ方向において区切られた部分同士を、表面電極１２１の外周端付近で連結している。外周連結部１２１ｅは、表面電極１２１において、第２分離部１２８によりＸ方向において区切られた部分同士を、表面電極１２１の外周端付近で連結している。
【００９０】
次に、上記した半導体チップ１２及び該半導体チップ１２を備える半導体モジュール１０の効果について説明する。
【００９１】
本実施形態では、保護膜１２５が交差部１３１を有している。しかしながら、第１分離部１２７及び第２分離部１２８が、周囲部１２６に対して離れている。これにより、周囲部１２６の水蒸気（水分）が、第１分離部１２７や第２分離部１２８の水蒸気と交わらない。すなわち、交差部１３１まで周囲部の水蒸気が到達しない。これにより、交差部１３１に集まる水蒸気を低減することができる。また、外周連結部１２１ｄ，１２１ｅの分、第１分離部１２７及び第２分離部１２８の長さが短くされており、これにより、交差部１３１に集まる水蒸気を低減することができる。
【００９２】
特に、図１８に示すように、半導体チップ１２が、表面電極１２１側を凹として反っていても、外周連結部１２１ｄ，１２１ｅを有することで、周囲部１２６中の水蒸気が交差部１３１まで到達しない。
【００９３】
以上により、本実施形態の半導体チップ１２及び該半導体チップ１２を備える半導体モジュール１０によれば、保護膜１２５によって半導体チップ１２の反りを低減しつつ、はんだ２０における表面電極１２１上の部分にボイドが生じるのを抑制することができる。
【００９４】
また、本実施形態では、第１分離部１２７及び第２分離部１２８が周囲部１２６に対して離れて設けられており、第１分離部１２７及び第２分離部１２８と周囲部１２６との間に外周連結部１２１ｄ，１２１ｅが設けられている。これにより、熱応力が集中しやすい表面電極１２１の外周端付近において、はんだ２０との接続面積を稼ぐことができる。すなわち、表面電極１２１に対するはんだ２０の接続信頼性を向上することもできる。
【００９５】
なお、第１分離部１２７及び第２分離部１２８の数は上記例に限定されない。たとえば、１つの第１分離部１２７と２つの第２分離部１２８を有する構成としてもよい。
【００９６】
この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。
【００９７】
先行実施形態を組み合わせた構成としてもよい。たとえば図１９に示す半導体チップ１２は、第２実施形態と第３実施形態を組み合わせた構成とされている。第１分離部１２７及び第２分離部１２８は、交差部を有さず、且つ、周囲部１２６に連ならないように設けられている。表面電極１２１は、第２連結部１２１ｃと外周連結部１２１ｄ，１２１ｅを有している。なお、第１実施形態と第３実施形態を組み合わせ、表面電極１２１が、第１連結部１２１ｂと外周連結部１２１ｄ，１２１ｅを有する構成としてもよい。
【００９８】
第１実施形態及び第２実施形態において、第１分離部１２７と第２分離部１２８との交差部が無い例を示した。しかしながら、中心１２１ａに近いほど、周りから水蒸気が集まりやすい。そこで、中心１２１ａ近傍のみ交差しないようにし、中心１２１ａから離れた位置では交差するようにしてもよい。
【００９９】
第１分離部１２７と第２分離部１２８との対向領域に、金属薄膜であるＮｉ膜１２３及びＡｕ膜１２４が配置されて第１連結部１２１ｂが形成される例を示した。同じく、第１分離部１２７間の対向領域及び第２分離部１２８間の対向領域に、第２連結部１２１ｃが形成される例を示した。また、第１分離部１２７と第２分離部１２８と周囲部１２６との対向領域に、外周連結部１２１ｄ，１２１ｅが形成される例を示した。しかしながら、上記した対向領域に、金属薄膜が配置されず、下地膜１２２が露出する構成としてもよい。
【０１００】
半導体モジュール１０として、半導体チップ１２をひとつ備える１ｉｎ１パッケージの例を示したが、これに限定されるものではない。半導体チップ１２を２つ備え、一相分の上下アームを構成する２ｉｎ１パッケージ、６つの半導体チップ１２を備え、三相分の上下アームを構成する６ｉｎ１パッケージなどにも適用できる。
【０１０１】
半導体モジュール１０が封止樹脂体１４を備える例を示したが、封止樹脂体１４を備えない構成にも適用できる。
【０１０２】
各ヒートシンク２６，３２の放熱面２６ａ，３２ａが、封止樹脂体１４から露出される例を示したが、封止樹脂体１４から露出されない構成にも適用できる。
【０１０３】
半導体モジュール１０が、ターミナル２２を備える例を示したがこれに限定されない。ターミナル２２を備えず、ヒートシンク２６が、はんだを介して半導体チップ１２の表面電極１２１に接続される構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…半導体モジュール、１２…半導体チップ、１２０…半導体基板、１２０ａ…表面、１２０ｂ…裏面、１２１…表面電極、１２１ａ…中心、１２１ｂ…第１連結部、１２１ｃ…第２連結部、１２１ｄ，１２１ｅ…外周連結部、１２２…下地膜、１２３…Ｎｉ膜、１２４…Ａｕ膜、１２５…保護膜、１２６…周囲部、１２７…第１分離部、１２８…第２分離部、１２９…パッド、１３０…裏面電極、１３１…交差部、１４…封止樹脂体、１４ａ…一面、１４ｂ…裏面、１４ｃ，１４ｄ…側面、１６…ボンディングワイヤ、１８…信号端子、２０…はんだ、２２…ターミナル、２４…はんだ、２６…ヒートシンク、２６ａ…放熱面、２８…主端子、３０…はんだ、３２…ヒートシンク、３２ａ…放熱面、３４…主端子、３６…不濡れ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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