(57)【要約】      （修正有）【課題】輝度の低下を抑制することを目的とする。【解決手段】表示装置１００において、アノード電極１４ａと、アノード電極１４ａ上に設けられる発光層１４ｄと、発光層１４ｄ上に設けられるカソード電極１４ｅと、を有する発光素子層１４と、アノード電極１４ａ上に設けられ、アノード電極１４ａの一部を露出する開口を有するバンク１３と、を有し、発光素子層１４は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層１４ｂを有し、ｐドープ正孔輸送層１４ｂは、バンクの開口の端部付近の領域において他の領域よりもｐドープ材料を多く含有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、前記下部電極上に設けられる発光層と、前記発光層上に設けられる上部電極と、を有する発光素子層と、
前記下部電極上に設けられ、前記下部電極の一部を露出する開口を有する絶縁層と、
を有し、
前記発光層は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層を有し、
前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層の前記開口の端部付近の領域において他の領域よりも前記ｐドープ材料を多く含有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層の前記開口の端部付近の領域に他の領域よりも厚さの厚い膜厚領域を有し、前記膜厚領域において、前記他の領域よりも前記ｐドープ材料を多く含有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁層の前記開口の端部は傾斜面であり、
前記膜厚領域は前記傾斜面上に形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
複数の画素を有し、
前記膜厚領域は、前記複数の画素の端部に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項２又は３に記載の表示装置。
【請求項５】
下部電極を設ける工程と、
前記下部電極上に、前記下部電極の一部を露出する開口を有する絶縁層を設ける工程と、
前記絶縁層上、及び前記開口から露出した前記下部電極上に、正孔輸送層を設ける工程と、
前記正孔輸送層にｐドープ材料を添加し、ｐドープ正孔輸送層を形成する工程と、
前記ｐドープ正孔輸送層に熱処理を行う工程と、
前記ｐドープ正孔輸送層における前記絶縁層の前記開口の端部付近にｐドープ材料をさらに添加する工程と、
前記ｐドープ正孔輸送層上に、発光層を設ける工程と、
前記発光層上に、上部電極を設ける工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ｐドープ材料をさらに添加する工程を、前記下部電極のうち前記絶縁層の前記開口から露出する領域上にマスクを配置した状態で行うことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ｐドープ材料をさらに添加する工程を、前記マスクを隣接する画素を跨って配置した状態で行うことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ｐドープ材料をさらに添加する工程を、前記マスクを隣接する画素間に配置した状態で行うことを特徴とする請求項６又は７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置としては、アノード電極（下部電極）と、アノード電極上に設けられる発光層と、発光層上に設けられるカソード電極（上部電極）とを有する発光素子層を備えるものがある。アノード電極上には、アノード電極の一部を露出する開口を有するバンクが設けられる。このような表示装置においては、バンクの開口からアノード電極が露出する領域において画素が構成され、その画素において発光が行われる。また、発光層としては、正孔輸送層にｐドープを添加して成るｐドープ正孔輸送層を有するものが知られている（例えば、特許文献１）。ｐドープ正孔輸送層は、正孔を発生させ、発光層へと輸送する機能を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００４−５３７１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、アノード電極とカソード電極間の短絡の発生を抑制するために、加熱により膜を溶解させてアノード電極上の異物を被覆する、所謂リフローを行う場合がある。アノード電極上にｐドープ正孔輸送層を成膜した後にリフローを行うと、リフロー材料がバンクの開口端部付近で凝集し、バンクの開口端部付近において、ｐドープ正孔輸送層が膜厚化してしまう。膜厚化した領域においては、正孔輸送能力が低下し、その領域において電流が流れにくくなってしまう。バンクの開口端部付近において電流が流れにくくなると、実効的な画素の開口幅が減少し、輝度が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、輝度の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、下部電極と、前記下部電極上に設けられる発光層と、前記発光層上に設けられる上部電極と、を有する発光素子層と、前記下部電極上に設けられ、前記下部電極の一部を露出する開口を有する絶縁層と、を有し、前記発光層は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層を有し、前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層の前記開口の端部付近の領域において他の領域よりも前記ｐドープ材料を多く含有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の一態様の表示装置の製造方法は、下部電極を設ける工程と、前記下部電極上に、前記下部電極の一部を露出する開口を有する絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層上、及び前記開口から露出した前記下部電極上に、正孔輸送層を設ける工程と、前記正孔輸送層にｐドープ材料を添加し、ｐドープ正孔輸送層を形成する工程と、前記ｐドープ正孔輸送層に熱処理を行う工程と、前記ｐドープ正孔輸送層における前記絶縁層の前記開口の端部付近にｐドープ材料をさらに添加する工程と、前記ｐドープ正孔輸送層上に、発光層を設ける工程と、前記発光層上に、上部電極を設ける工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る表示装置の全体構成の概略を示す斜視図である。
【図２】本実施形態の表示装置の概略を示す概略断面図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す模式図である。
【図４】正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。
【図５】本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図６】本実施形態におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図８】第１変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１０】第２変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【図１１】第３変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【図１２】第４変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【図１３】第５変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態（以下、本実施形態という）について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概略を示す斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置１００は、例えば、赤色、緑色、青色からなる複数色の画素Ｐを組み合わせて、フルカラー画像を表示するようになっている。なお、以下の説明において、画素を示す記号Ｐに各色に対応した記号Ｒ、Ｇ、Ｂを付して示すが（例えば、赤色の画素Ｐを赤色画素ＰＲ）、特に区別して説明する必要のない場合は、Ｒ、Ｇ、Ｂは省略して、単に画素Ｐとする。
【００１３】
図１に示すように、表示装置１００は、回路基板１０と、対向基板２０とを有する。対向基板２０は、充填層３０（図２、図３参照）を介して、回路基板１０に対向して配置される。
【００１４】
回路基板１０は、表示領域Ｍと、表示領域Ｍ周辺の額縁領域Ｎと、端子領域Ｔとを有する。表示領域Ｍには、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置される。なお、図１においては、１の画素Ｐのみを図示するが、画素Ｐは表示領域Ｍの略全域に設けられる。端子領域Ｔには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップが搭載される。なお、図示しないが、端子領域Ｔには外部との電気的接続のためにフレキシブル配線基板等を接続してもよい。
【００１５】
図２は、本実施形態の表示装置の概略を示す概略断面図である。回路基板１０は、基板１１と、絶縁性の平坦化層１２と、絶縁性のバンク（絶縁層）１３と、発光素子層１４と、封止層１５とを含む。発光素子層１４は、少なくとも、アノード電極（下部電極）１４ａと、ｐドープ正孔輸送層（ｐドープＨＴＬ（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ））１４ｂと、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４ｃと、発光層（ＥＭＬ、ＥＭｉｓｓｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ）１４ｄと、カソード電極（上部電極）１４ｅとを含む。
【００１６】
詳細な構成の図示は省略するが、基板１１としては、薄膜トランジスタを備え、その下層にガラス基板や樹脂基板を含むものを用いるとよい。平坦化層１２は、基板１１上に設けられ、アノード電極１４ａ及びアノード電極１４ａの下層に設けられる反射メタル１４ｆを平坦に形成する役割を担う。平坦化層１２としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料を用いるとよい。バンク１３は、各画素Ｐを区画するように設けられる。バンク１３は、アノード電極１４ａと発光素子層１４（ｐドープ正孔輸送層１４ｂ）の一部を隔離させるように設けられる。また、バンク１３には、アノード電極１４ａの一部を露出するよう開口が設けられている。アノード電極１４ａは、バンク１３の開口から露出する領域において、発光素子層１４と接する。アノード電極１４ａと発光素子層１４とが接する領域が、画素Ｐに対応する領域であり、その画素Ｐにおいて発光が行われる。すなわち、アノード電極１４ａと発光素子層１４（ｐドープ正孔輸送層１４ｂ）とが接する領域の幅が、画素Ｐの開口幅に対応することとなる。
【００１７】
発光層１４ｄは、例えば、蒸着により形成される。封止層１５は、水分が外部から発光層１４ｄに侵入するのを防ぐために設けられる層であり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などからなる少なくとも一層の無機絶縁層を含み、複数の絶縁層による積層構造であってもよい。なお、カソード電極１４ｅ、及び封止層１５等は、複数の画素Ｐを跨って、表示領域Ｍの略全面に成膜される。アノード電極１４ａは、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように設けられる。また、アノード電極１４ａは、平坦化層１２を貫通して設けられるコンタクトホールを通じて、配線層と導通する構造となっている。
【００１８】
アノード電極１４ａとしては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な材料を用いるとよい。また、アノード電極１４ａの下層には、銀やアルミニウムなどの光を反射する反射メタル１４ｆを配置するとよい。カソード電極１４ｅとしては、アノード電極１４ｅと同様に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な材料を用いるとよい。
【００１９】
図３は、本実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す模式図である。発光素子層１４は、上述したアノード電極１４ａ、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃ、発光層１４ｄ、カソード電極１４ｅ、反射メタル１４ｆに加えて、さらに、図３に示すように、電子障壁層（ＥＢＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）と、正孔障壁層（ＨＢＬ、Ｈｏｌｅ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）と、電子輸送層（ＥＴＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）と、電子注入層（ＥＩＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）とを含んでもよい。これら各層は、図３に示すように、反射メタル１４ｆ、アノード電極１４ａ、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃ、電子障壁層、発光層１４ｄ、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層、カソード電極１４ｅの順に下層から積層されるとよい。
【００２０】
ここで、表示装置１００における発光原理について説明する。発光層１４ｄの両端に設けられるアノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｅに電圧を印加すると、正の電荷を持った正孔（ホール）が、アノード電極１４ａからｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃを通って発光層１４ｄに流れ込み、負の電荷を持った電子が、カソード電極１４ｅから電子注入層、電子輸送層を通って発光層１４ｄに流れ込む。なお、発光層１４ｄの上層に、正孔障壁層が設けられるため、アノード電極１４ａから発光層１４ｄに流れ込んできた正孔は、発光層１４ｄよりもカソード電極１４ｅ側へは移動しない。また、発光層１４ｄの下層に、電子障壁層が設けられるため、カソード電極１４ｅから発光層１４ｄに流れ込んできた電子は、発光層１４ｄよりもアノード電極１４ａ側へは移動しない。
【００２１】
発光層１４ｄにおいて、電子と正孔が結合し、結合によって生じたエネルギーで周りの分子が励起される。そして、励起状態から再び基底状態に戻る。その際に、放出されるエネルギーによって光を発する。すなわち、発光層１４ｄにおいて電子と正孔が再結合し、発光層１４ｄを形成する有機材料が励起され、高エネルギー準位から低エネルギー準位に遷移することにより発光する。
【００２２】
図３に示すように、発光層１４ｄから発せられた光の一部は、表示面側（対向基板２０側）に進む。表示面側に進む光Ｌ１は、表示面側から表示装置１００の外部に取り出される。一方、発光層１４ｄから発せられた光の他の一部は、表示面側の反対側に進む。表示面の反対側に進む光Ｌ２は、反射メタル１４ｆで反射された後、表示面側から表示装置１００の外部に取り出される。なお、反射メタル１４ｆを省略して、アノード電極１４ａを光を反射する材料で形成し、光Ｌ２をアノード電極１４ａの表面で反射させる構成としても構わない。
【００２３】
発光層１４ｄとしては、白色発光する材料を用いるとよい。そして、例えば、対向基板２０に各画素Ｐに対応するようにカラーフィルタを配置するとよい。カラーフィルタとしては、赤色の光を透過するカラーフィルタ、緑色の光を透過するカラーフィルタ、青色の光を透過するカラーフィルタを用いることにより、フルカラー画像を表示できるようにするとよい。または、カラーフィルタを用いることなく、発光層１４ｄとして赤色、緑色、青色の発光をする材料を用い、それら発光層１４ｄを各画素Ｐにそれぞれ塗り分けて設ける構成であってもよい。
【００２４】
次に、図４を参照して、従来例と比較しつつ、本実施形態における正孔輸送のメカニズムについて説明する。図４（ａ）は、従来例における正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。図４（ｂ）は、本実施形態における正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。図４（ａ）、図４（ｂ）において、Ｃ方向はエネルギー（ｅＶ）の大きさを示すものであり、各層のＣ方向の正方向側がＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）であり、Ｃ方向の負方向側がＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）である。また、図４（ａ）、図４（ｂ）において、Ｄ方向の正方向がカソード電極１４ｅ側であり、Ｄ方向の負方向がアノード電極１４ａ側である。
【００２５】
従来例においては、正孔輸送層１４ｃの下層には、正孔注入層（ＨＩＬ、Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）が設けられている。正孔注入層は、隣接する正孔輸送層との界面において、電荷分離により正孔及び電子を発生させる機能を有する。正孔注入層は、正孔注入材料である２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ（Hexacyano）−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（hexaazatriphenylene）（ＨＡＴ−ＣＮ）、ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）等により構成される。これら正孔注入材料のＬＵＭＯは、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料のＨＯＭＯと比較的近い値である。
【００２６】
一方、本実施形態においては、上記正孔注入材料からなる正孔注入層の代わりに、正孔輸送層１４ｃの下層には、正孔輸送層に有機物質を含むｐドープ材料が添加されてなるｐドープ正孔輸送層１４ｂが設けられている。正孔輸送層１４ｃは、発光層１４ｄへ正孔を輸送する機能を有する。一方、ｐドープ材料が添加されてなるｐドープ正孔輸送層１４ｂは、正孔輸送層とｐドープ材料のバルクにおいて、電荷分離により正孔及び電子を発生させ、発光層１４ｄへ正孔を輸送する機能を有する。
【００２７】
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、例えば、１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）、ビス（Ｎ−（（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Triphenylamine−tetramer（ＴＰＴＥ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン（ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）などを用いるとよい。ｐドープ材料としては、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化レニウム（Ｒｅ２０７）、フッ素化テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）などを用いるとよい。正孔輸送材料のＨＯＭＯのエネルギー準位の値はおよそ５．０〜５．５（ｅＶ）であり、ｐドープ材料のＬＵＭＯと比較的近い値である。
【００２８】
アノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｅに電圧を印加すると、電荷分離により、正（＋）の電荷を持つ正孔と、負（−）の電荷を持つ電子が発生する。図４（ａ）に示すように、従来例においては、正孔輸送層１４ｃと正孔注入層との界面において、電荷分離が生じることにより正孔と電子が発生し、正孔はカソード電極１４ｅ側（Ｄ方向の正方向）に移動する。一方、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにおける、正孔輸送層と、正孔輸送層に添加されたｐドープ材料とのバルクにおいて、電荷分離が生じることにより正孔と電子が発生し、正孔はカソード電極１４ｅ側（Ｄ方向の正方向）に移動する。
【００２９】
従来例の構成においては、正孔輸送層１４ｃと正孔注入層との界面のみにおいて電荷分離が生じるのに対して、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにおける、正孔輸送層と、その正孔輸送層に添加されたｐドープ材料とのバルクにおいて電荷分離が生じるため、電荷分離の発生箇所が多くなる。そのため、本実施形態の構成においては、従来例の構成よりも、正孔の発生数が多く、正孔輸送性能（正孔注入性能）が高い。したがって、本実施形態においては、より低電圧で、正孔を発光層１４ｄへ移動させることができる。なお、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに含有されるｐドープ材料の量が多いほど、正孔輸送性能は高くなる。また、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに含有されるｐドープ材料の量が多いほど、アノード電極１４ａとカソード電極１４ｅ間に電流が流れやすくなる。すなわち、ｐドープ正孔輸送層１４ｂを採用する本実施形態の表示装置１００においては、ｐドープ材料の含有量を調整することにより、アノード電極１４ａとカソード電極１４ｅ間に流れる電流量を調整することができる。
【００３０】
また、正孔注入層としては、フッ素を含む有機材料が用いられることがあるが、フッ素系分子は表面張力が低く、十分な密着性が得られなかった。すなわち、正孔注入層とアノード電極１４ａとが剥がれやすいという問題があった。また、正孔注入層として、金属や酸化物を使用した場合においては、十分な透過率が得られず発光効率が低下するという問題があった。本実施形態のように、正孔注入層の代わりに、フッ素を含まないｐドープ正孔輸送層１４ｂを用いることで、密着性や透過率の問題点を解消することができる。
【００３１】
ここで、アノード電極１４ａとカソード電極１４ｅ間の短絡の発生が抑制するために、加熱により膜を溶解させる所謂リフローが製造工程において行われることがある。リフローを行うことにより、アノード電極１４ａ上の異物が被覆されるため、アノード電極１４ａとカソード電極１４ｅ間の短絡の発生が抑制される。その結果、画素Ｐの非点灯を減少させることができ、表示装置１００の歩留まりが向上する。なお、アノード電極１４ａとカソード電極１４ｅ間の短絡の発生を抑制するためにアノード電極１４ａ上の異物を被覆する方法は、リフローに限らず、他の熱処理を行っても構わない。
【００３２】
ｐドープ正孔輸送層１４ｂをアノード電極１４ａ上に設けた後、リフローを行った場合、図２に示すように、リフロー材料がバンク１３の開口端部付近の領域で凝集し、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにおける開口端部付近の領域が膜厚化してしまう。以下、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚化した領域を膜厚領域ｒという。なお、膜厚領域ｒは、ｐドープ輸送層１４ｂ自体が溶解して凝集したもの、リフロー材料が凝集したもの、又はその両方を含むもののいずれにより形成されたものでも構わない。本実施形態においては、図２に示すように、バンク１３の開口端部、及びｐドープ正孔輸送層１４ｂの膜厚領域ｒは、傾斜面となっている。また、膜厚領域ｒは、画素Ｐの端部に対応する領域に形成され、画素Ｐの両端で互いに対向するように設けられる。
【００３３】
リフロー材料等が凝集した膜厚領域ｒにおいては、正孔輸送能力が低下し、電流が流れにくくなってしまう。バンクの開口端部付近の領域において電流が流れにくくなると、実効的な画素Ｐの開口幅が減少し、輝度が低下するおそれがある。画素Ｐの実効的な開口幅が減少してしまうと、画像表示に十分な輝度を得るために、アノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｂに印加する電圧を高くする必要があり、その結果、表示装置１００の寿命が低下してしまう。
【００３４】
そこで、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに含有されるｐドープ材料の量を、画素Ｐを構成する領域のうち、互いに対向する膜厚領域ｒ間の領域よりも、膜厚領域ｒにおいて多くした。そのため、本実施形態の構成においては、リフロー後に形成されるｐドープ正孔輸送層１４ｂの膜厚領域ｒにおいて電流が流れにくくなることが抑制でき、画素Ｐの実効的な開口幅が減少することを抑制できる。すなわち、画素Ｐにおける輝度の低下を抑制できる。その結果、アノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｂに印加する電圧を必要以上に高くする必要がなくなり、表示装置１００の寿命の低下を抑制することができる。
【００３５】
なお、画素Ｐは、平面視において略矩形の形状であり、４つの端部いずれにおいてもリフロー材料等が凝集することにより膜厚化した領域を有する。すなわち、互いに対向する膜厚領域ｒの他に、互いに対向する膜厚領域Ｓ（図２においては不図示、図１０等参照）を有する。上記においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに含有されるｐドープ材料の量を、画素Ｐを構成する領域のうち互いに対向する膜厚領域ｒ間の領域よりも、膜厚領域ｒにおいて多くした例について説明したが、これに限られるものではない。すなわち、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに含有されるｐドープ材料の量を、画素Ｐを構成する領域のうち膜厚領域（膜厚領域ｒ、Ｓ）に囲まれる領域よりも、膜厚領域ｒ、膜厚領域Ｓのうち少なくともいずれかにおいて、多くする構成とするとよい。
【００３６】
次に、図５〜図７を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。
【００３７】
図５は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。まず、基板１１を用意する（ステップＳ１）。基板１１上に平坦化層１２を設け（ステップＳ２）、平坦化層１２上にアノード電極１４ａを設ける（ステップＳ３）。平坦化層１２及びアノード電極１４ａ上に、複数の画素Ｐのうち互いに隣接する画素Ｐを区画し、アノード電極１４ａの一部を露出する開口を有するバンク１３を設ける（ステップＳ４）。複数の画素Ｐを跨って正孔輸送層を設ける（ステップＳ５）。
【００３８】
正孔輸送層にｐドープ材料を添加することにより、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層１４ｂを複数の画素Ｐを跨って形成する（ステップＳ６）。そして、アノード電極１４ａ上に設けられたｐドープ正孔輸送層１４ｂに対して、リフロー（熱処理）を行う（ステップＳ７）。この際、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうちバンク１３の開口端部付近において、リフロー材料等が凝集することにより、膜厚領域ｒが形成される。なお、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂを形成した直後にリフローを行ったが、これに限られるものではなく、リフローは、ｐドープ正孔輸送層１４ｂが形成された後であれば、他のタイミングで行っても構わない。
【００３９】
次に、画素Ｐ上にマスクを配置して（ステップＳ８）、マスクを介して、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対してｐドープ材料を添加する（ステップＳ９）。マスクとしては、例えば、金属からなるメタルマスクを用いるとよい。
【００４０】
ここで、図６、図７を参照して、図５のステップＳ８、Ｓ９における、マスクを介してｐドープ材料を添加する工程の詳細について説明する。図６は、本実施形態におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。図６に示す画素Ｐ（ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）は、アノード電極１４ａのうちバンク１３の開口から露出した領域に対応する。なお、ｐドープ正孔輸送層１４ｂは複数の画素Ｐを跨って設けられるが、図６においては膜厚領域ｒについてのみ示し、他の領域についての図示は省略する。後述する図８、図１０〜図１３においても、膜厚領域ｒ又は膜厚領域Ｓについてのみ示し、他の領域についての図示は省略する。なお、画素Ｐの並ぶ一の方向をＹ方向とし、画素Ｐが並ぶＹ方向に直交する方向をＸ方向とし、画素ＰはＸ方向を長手とする略矩形の形状とする。なお、各画素Ｐ（ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）の形状や配置などは、図６、及び後述する図８、図１０〜１３に示すものに限られない。
【００４１】
本実施形態の製造方法においては、図６、図７に示すように、隣接する画素Ｐを跨って、且つ、膜厚領域ｒ（バンク１３の開口端部付近）に重ならないように、マスクｍ１を配置する（ステップＳ８）。図６においては、赤色画素ＰＲのうち互いに対向する膜厚領域ｒの間の領域上に、マスクｍ１を配置した状態を示す。すなわち、アノード電極１４ａのうちバンク１３の開口から露出する領域上に、マスクｍ１を配置した状態を示す。このように、マスクｍ１を配置した状態で、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対して、ｐドープ材料を添加する工程を行う（ステップＳ９）。図７中の矢印は、添加されるｐドープ材料の移動を示すものである。赤色画素ＰＲのうちマスクｍ１が重なる領域においては、追加でｐドープ材料は添加されず、マスクｍ１が重ならない領域のみにおいて、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにｐドープ材料が追加で添加される。マスクｍ１を介してｐドープ材料を添加することにより、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち、膜厚領域ｒ及びバンク１３上の領域において、ｐドープ材料が追加で添加され、それら領域におけるｐドープ濃度が高くなる。
【００４２】
その後、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ上に、複数の画素Ｐを跨って正孔輸送層１４ｃを設ける（ステップＳ１０）。さらに、下層から順に、電子障壁層、発光層１４ｄ、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層を積層し（ステップＳ１１）、その上に、カソード電極１４ｅ、封止層１５を順に設ける（ステップＳ１２、Ｓ１３）。その後、充填層３０を介して、封止層１５上に対向基板２０を設ける（ステップＳ１４）。
【００４３】
図６、図７を参照して説明した製造方法により製造された表示装置１００においては、膜厚領域ｒにおいて電流が流れにくくなることを抑制でき、画素Ｐの実効的な開口幅が減少することを抑制できる。
【００４４】
なお、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対してｐドープ材料を添加する工程において用いるマスクとしては種々の構成のマスクを用いることができる。以下、図８〜図１３を参照して、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対してｐドープ材料を添加する工程において用いることができるマスクの変形例の構成、及びそれらマスクを用いることにより形成されるｐドープ正孔輸送層について説明する。
【００４５】
図８は、第１変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【００４６】
ｐドープ正孔輸送層１４ｂは、ｐドープ材料の含有量が多いほど、正孔輸送能力が高くなる。そのため、隣接する画素Ｐ間に存在するｐドープ正孔輸送層１４ｂのｐドープ材料の含有量が多いと、正孔がｐドープ正孔輸送層１４ｂを通じて隣接画素Ｐへ移動し、意図せず隣接する画素Ｐが発光してしまうおそれがある。それにより、混色が生じ、色純度、コントラストが低下するおそれがある。その結果、表示品質が低下するおそれがある
【００４７】
そこで、第１変形例においては、図６、図７で示したマスクｍ１に加えて、マスクｍ２をｐドープ正孔輸送層１４ｂ上に配置した状態で（図５のステップＳ８）、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対してｐドープ材料を添加する（図５のステップＳ９）。具体的には、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうちバンク１３上の領域にマスクｍ２を配置した。言い換えると、隣接する画素Ｐ間にマスクｍ２を配置した。このように、マスクｍ２を配置することにより、ｐドープ材料は、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域ｒにのみ添加されることとなり、バンク１３上には添加されない。そのため、マスクｍ１、ｍ２を用いた工程を経て製造された表示装置１００においては、バンク１３上のｐドープ正孔輸送層１４ｂにおけるｐドープ材料の含有量が多くなることにより生じ得る隣接画素への正孔漏れを抑制できる。そのため、混色を抑制し、表示品質の向上を図ることができる。
【００４８】
図１０は、第２変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。図６、図８においては、画素Ｐの端部のうち、図中Ｘ方向における端部上にｐドープ材料が追加で添加されるようにマスクを配置したが、第２変形例においては、画素Ｐの端部のうち、図中Ｙ方向における端部上にｐドープ材料が追加で添加されるようにマスクｍ３を配置する。すなわち、ｐドープ正孔輸送層１４ｂの膜厚領域Ｓに追加でｐドープ材料が添加されるようマスクｍ３を配置する（図５中のステップＳ８、Ｓ９）。また、図１０に示すように、マスクｍ３はＸ方向に隣接する画素Ｐを跨って配置するとよい。マスクｍ３を用いた工程を経て製造された表示装置１００においては、画素Ｐの長手方向に直交する方向（図中Ｙ方向）における実効的な開口幅の減少が抑制される。なお、断面の図示については省略するが、膜厚領域Ｓは、リフロー材料等の凝集により形成されるものであり、図２等で示した膜厚領域ｒと同様に、バンク１３の開口端部の傾斜面に沿うように、傾斜面になっている。
【００４９】
図１１は、第３変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。第３変形例においては、図１０で示したマスクｍ３に加えて、マスクｍ４をｐドープ正孔輸送層１４ｂ上に配置した状態で（図５のステップＳ８）、ｐドープ正孔輸送層１４ｂに対してｐドープ材料を添加する（図５のステップＳ９）。具体的には、図中Ｙ方向で隣接する画素Ｐ間に、マスクｍ４を配置した。マスクｍ４を用いた工程を経て製造された表示装置１００においては、バンク１３上のｐドープ正孔輸送層１４ｂにおけるｐドープ材料の含有量が多くなることにより生じ得る隣接画素への正孔漏れを抑制できる。そのため、混色を抑制し、表示品質の向上を図ることができる。具体的には、マスクｍ４を用いることで、図中Ｙ方向において、互いに隣接する赤色画素Ｐと緑色画素ＰＧ間、互いに隣接する緑色画素ＰＧと青色画素ＰＢ間、互いに隣接する青色画素ＰＢと赤色画素ＰＲ間における混色を抑制できる。特に、隣接する画素の色が互いに異なる場合、表示品質の低下が顕著となってしまうところ、マスクｍ４を用いた第３変形例においては、表示品質の低下をより抑制できる。
【００５０】
図１２は、第４変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。第４変形例においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域ｒ上以外の領域上に配置されるマスクｍ５を用いた。図１２に示すように、マスクｍ５は、膜厚領域ｒに対応する領域のみに形成される開口を有する構成である。ｐドープ正孔輸送層１４ｂ上にマスクｍ５を配置した状態で（図５のステップＳ８）、ｐドープ材料を追加で添加する工程を行うことにより（図５のステップＳ９）、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域ｒにのみｐドープ材料が追加で添加される。すなわち、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域ｒのみが他の領域よりもｐドープ材料を多く含有することとなる。マスクｍ５を用いた工程を経て製造された表示装置１００においては、画素Ｐの実効的な開口幅が低減することを抑制でき、かつＹ方向及びＸ方向で隣接する画素Ｐ間において正孔が漏れることを抑制できる。
【００５１】
図１３は、第５変形例におけるｐドープ正孔輸送層に対してｐドープ材料を添加する工程について説明するための平面図である。第５変形例においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域Ｓ上以外の領域上に配置されるマスクｍ６を用いた。図１３に示すように、マスクｍ６は、膜厚領域Ｓに対応する領域のみに形成される開口を有する構成である。ｐドープ正孔輸送層１４ｂ上にマスクｍ６を配置した状態で（ステップＳ８）、ｐドープ材料を追加で添加する工程を行うことにより（ステップＳ９）、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域Ｓにのみｐドープ材料が追加で添加される。すなわち、ｐドープ正孔輸送層１４ｂのうち膜厚領域Ｓのみが他の領域よりもｐドープ材料を多く含有することとなる。マスクｍ６を用いた工程を経て製造された表示装置１００においては、画素Ｐの実効的な開口幅が低減することを抑制でき、かつＹ方向及びＸ方向で隣接する画素Ｐ間において正孔が漏れることを抑制できる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  回路基板、１１  基板、１２  平坦化層、１３  バンク、１４  発光素子層、１４ａ  アノード電極、１４ｂ  ｐドープ正孔輸送層、１４ｃ  正孔輸送層、１４ｄ  発光層、１４ｅ  カソード電極、１４ｆ  反射メタル、１５  封止層、２０  対向基板、３０  充填層、１００  表示装置、Ｐ  画素、ＰＲ  赤色画素、ＰＧ  緑色画素、ＰＢ  青色画素、Ｍ  表示領域、Ｎ  額縁領域、Ｔ  端子領域、ｒ、Ｓ  膜厚領域、ｍ１〜ｍ６  マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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