(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の製造過程において使用される基板及びウエハ等の被着体に対する十分な密着性及び剥離性を有する接着層を備えた半導体加工用テープを提供する。【解決手段】基材層１と、基材層１の表面上に設けられた粘着層２と、粘着層２の表面上に設けられた熱硬化性を有する接着層３と、接着層３の表面上に設けられた剥離フィルム４とをこの順序で備え、接着層３は１３０℃１時間の硬化処理がされた後において、負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下である接着面を有する、半導体加工用テープ１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層と、
前記基材層の表面上に設けられた粘着層と、
前記粘着層の表面上に設けられた熱硬化性を有する接着層と、
前記接着層の表面上に設けられた剥離フィルムと、
をこの順序で備える半導体加工用テープであって、
前記接着層は、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下である接着面を有する、半導体加工用テープ。
【請求項２】
半導体装置の製造過程において前記接着層の第１の面に基板を仮固定するとともに、前記接着層の第２の面にウエハを仮固定するために使用される、請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
前記接着面は、前記ウエハが仮固定される前記第２の面である、請求項２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記接着層の前記第１の面に対して前記基板が貼り合わされた状態で、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、
前記基板に対する前記接着層のピール剥離力が５０Ｎ／ｍ以下である、請求項２又は３に記載の半導体加工用テープ。
【請求項５】
１３０℃で１時間の硬化処理がされた後の前記接着層の前記第２の面に対して前記ウエハを貼り合わせて測定される、前記ウエハに対する前記接着層のピール剥離力が５〜１５０Ｎ／ｍである、請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【請求項６】
前記剥離フィルムは、前記接着層側の面に剥離処理が施されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【請求項７】
前記粘着層は感圧型である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【請求項８】
前記基材層、前記粘着層、前記接着層及び前記剥離フィルムはいずれも、最終的に製造される半導体装置に残存しないものである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【請求項９】
前記接着層は、少なくとも、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とを含み、
前記接着層における前記熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、前記接着層における前記熱硬化性樹脂の含有量が１〜４０質量部である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【請求項１０】
前記接着層は、フィラーをさらに含み、
前記接着層における前記熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、前記接着層における前記フィラーの含有量が１〜３３０質量部である、請求項９に記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は半導体加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】  近年、電子機器の小型化、軽量化及び高機能化の要求が高まっている。これらの要求に応じて、電子機器を構成する半導体装置については、小型化、薄型化及び高密度実装化が求められている。
半導体装置は、基板、ガラス又は仮止め材に固定された半導体チップを樹脂で封止する封止工程、封止された半導体チップを必要に応じて個片化するダイシング工程等を経て製造される。上記製造過程において、ウエハを研磨する工程が実施される場合もある。
これらの工程はチップ又は基板等を保護用テープで覆った状態で実施されることが多い。保護用テープは、通常、特定の加工工程の前に保護すべき面に貼り付けられ、該加工工程後に剥離される。【０００３】  特許文献１は、金属製リードフレームを用いない基板レス半導体パッケージの製造に使用される半導体製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１２９６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  ところで、半導体装置の製造過程において、部材同士の仮固定に使用される従来の半導体加工用テープは、以下の課題があった。すなわち、加工用テープが有する接着層を介して支持体（例えば、ガラス基板）にウエハを貼り付けた場合、接着層の剥離性が不十分であると支持体から接着層を剥離する工程において糊残りが発生し工程不良が発生するという課題と、接着層のウエハに対する密着性が不十分であるとウエハの搬送時にウエハが剥離するという課題があった。【０００６】  本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造過程において使用される基板及びウエハ等の被着体に対する十分な密着性及び剥離性を有する接着層を備えた半導体加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、基材層の表面上に設けられた粘着層と、粘着層の表面上に設けられた熱硬化性を有する接着層と、接着層の表面上に設けられた剥離フィルムとをこの順序で備え、上記接着層は、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下である接着面を有する。【０００８】  上記接着層の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下ということは、接着層が１３０℃で１時間程度の熱履歴を受けた後においても、当該接着層の接着面は凹凸が少ないことを意味する。接着面に凹凸が少ないことで、被着体に対する優れた密着性及び剥離性を実現できる。かかる接着層を備える半導体加工用テープは、半導体装置の製造過程の種々の工程に対応することができる。なお、ここでいう「負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）」は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３の「４．５．１輪郭曲線の負荷長さ率」に記載された「粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）」を意味し、「負荷長さ率Ｔｐ」と称されることもある。【０００９】  本発明に係る半導体加工用テープの用途として、基板及びウエハの仮固定が挙げられる。すなわち、本発明に係る半導体加工用テープは、半導体装置の製造過程において、剥離フィルムを剥離した後に接着層の第１の面に基板を仮固定するとともに、基材層及び接着層を剥離した後に接着層の第２の面にウエハを仮固定するために使用することができる。上述のように、半導体加工用テープを仮固定の用途で使用する場合、基材層、粘着層、接着層及び剥離フィルムはいずれも最終的に製造される半導体装置に残存しない。【００１０】  負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が上記範囲である接着面は、ウエハが仮固定される上記第２の面であることが好ましい。上述のとおり、接着面（ここでは第２の面）は被着体であるウエハに対する優れた密着性及び剥離性を有しているため、搬送工程及び接着層の剥離工程等においてウエハが破損することをより一層高度に抑制できる。【００１１】  本発明に係る半導体加工用テープの接着層の第１の面に対して基板が貼り合わされた状態で、１３０℃１時間の硬化処理がされた後において、基板に対する接着層のピール剥離力が５０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。接着層がこの要件を満たすことにより、基板に対する剥離性を十分に確保することができる。なお、本明細書でいう「ピール剥離力」は剥離速度５０ｍｍ／分、剥離角度９０°で測定されるピール剥離力を意味する。【００１２】  ウエハに対する接着層の密着性及び剥離性の両方をより一層高水準に達成する観点から、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後の接着層の第２の面に対してウエハを貼り合わせて測定される、ウエハに対する接着層のピール剥離力は５〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましい。【００１３】  上記接着層は、少なくとも、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とを含むことが好ましい。この場合、接着層における熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、接着層における熱硬化性樹脂の含有量は、１〜４０質量部であることが好ましい。上記接着層は、フィラーをさらに含むことが好ましく、この場合、接着層における熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、接着層におけるフィラーの含有量は、１〜３３０質量部であることが好ましい。
これらの要件を満たす接着層は半導体装置の製造過程における種々の加工工程において求められる耐熱性及び剥離性をより一層安定的に向上することができる。【００１４】  上記粘着層として、感圧型及び光硬化型のいずれも採用可能であるが、感圧型の方が光硬化型よりも被着体の表面が荒れることを抑制しやすい点で、感圧型を採用することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】  本発明によれば、半導体装置の製造過程において使用される基板及びウエハ等の被着体に対する十分な密着性及び剥離性を有する接着層を備えた半導体加工用テープが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明の半導体加工用テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｆ）は、図１に示す半導体加工用テープを仮固定用テープとして使用して半導体装置を製造する工程を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は図２（ａ）〜（ｆ）に示す工程を経て製造された半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】  以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。
【００１８】＜半導体加工用テープ＞
図１は本実施形態に係る半導体加工用テープを模式的に示す断面図である。同図に示す半導体加工用テープ１０は、基材層１と、粘着層２と、熱硬化性を有する接着層３と、剥離フィルム４とがこの順序で積層されている。半導体加工用テープ１０の接着層３は、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下である接着面を有する。接着層３は、上記のような熱履歴を受けた後において、被着体に対する優れた密着性及び剥離性を有する。かかる接着層３を備える半導体加工用テープ１０は、半導体装置の製造過程の種々の工程に適用可能であり、特に部材同士の仮固定に好適に適用可能である。半導体加工用テープ１０の幅は、例えば、３００〜５００ｍｍであり、２００〜３００ｍｍ又は１０〜１００ｍｍであってもよい。
【００１９】  上述のとおり、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、接着層３の接着面の粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）は、３４以下であり、１０〜３４であることが好ましく、１５〜３０であることがより好ましく、２０〜２５であることがさらに好ましい。この値が３４以下であることで、被着体に対する優れた密着性及び剥離性を実現できる。
【００２０】  負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が上記範囲である接着面は、後述の図２（ｃ）に示すとおり、ウエハＷが仮固定される、接着層３の第２の面Ｆ２であることが好ましい。接着面は被着体に対する優れた密着性及び剥離性を有しているため、搬送工程及び接着層の剥離工程等においてウエハＷが破損することをより一層高度に抑制できる。
【００２１】  接着層３の接着面（本実施形態では、第２の面Ｆ２）の粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）は以下のようにして求めることができる。すなわち、半導体加工用テープ１０から基材層１及び粘着層２を剥離することによって接着面を露出させ、この状態の接着層３に対して１３０℃で１時間の熱履歴を加える。その後、接着層３の接着面の表面粗さをレーザー顕微鏡で測定する。この測定結果から「粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）（ＪＩＳＢ０６０１：２０１３）を算出する。
【００２２】  接着層３の第１の面Ｆ１に対して基板が貼り合わされた状態で、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、基板に対する接着層３のピール剥離力は、５０Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、１０〜２５Ｎ／ｍであることがより好ましい。このピール剥離力が５０Ｎ／ｍ以下であることで基板から接着層３を剥離させる際に糊残りが生じることを十分に抑制できる。
【００２３】  １３０℃で１時間の硬化処理がされた後の接着層３の第２の面Ｆ２にウエハを貼り合わせて測定される、ウエハに対する接着層３のピール剥離力は、５〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましく、５〜１３０Ｎ／ｍであることがより好ましく、１５〜６０Ｎ／ｍであることがさらに好ましく、２０〜４０Ｎ／ｍであることが特に好ましい。このピール剥離力が５Ｎ／ｍ以上であることで接着層３にウエハを貼り付けた状態で搬送中において、ウエハの質量でウエハが剥離することを十分に抑制でき、他方、１５０Ｎ／ｍ以下であることで接着層３をウエハから剥離する際にウエハが破損することを十分に抑制できる。なお、このウエハに対する接着層３の当該ピール剥離力（好ましい範囲：５〜１５０Ｎ／ｍ）は、作業性の観点から、１３０℃で１時間の硬化処理がされた後における接着層３の基板に対する上記ピール剥離力（好ましい範囲：５０Ｎ／ｍ以下）よりも高いことが好ましい。
【００２４】  １３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、接着層３の収縮率は、２％未満が好ましく、１．８％以下がより好ましく、１．６％以下がさらに好ましい。この値が２％未満であることで、半導体装置の製造過程において、接着層３に対してウエハ又は基板が仮固定された状態で接着層３に熱が加わっても位置ずれを十分に抑制できる。
【００２５】  接着層３の収縮率は以下のようにして求めることができる。半導体加工用テープ１０を所定のサイズ（例えば、１００ｍｍ×１００ｍｍ）に裁断し、これから基材層１及び粘着層２を剥がすことによって接着層３と剥離フィルム４との積層体からなる試料を準備する。これを１３０℃、１時間加熱して硬化させ、硬化処理後の接着層３のサイズを計測する。熱硬化前の試料面積と熱硬化後の試料面積を以下の式に代入して収縮率が算出される。
収縮率（％）＝（硬化後の試料面積）／（硬化前の試料面積）×１００
【００２６】  １３０℃で１時間の硬化処理がされた後において、接着層３の熱時弾性率は、５ＭＰａ未満が好ましく、４．５ＭＰａ以下がより好ましく、４ＭＰａ以下がさらに好ましい。この値が５ＭＰａ未満であることで、半導体装置の製造過程において、接着層３に対してウエハ又は基板が仮固定された状態で接着層３に熱が加わっても接着層３が適度な柔軟性を有し、これにより、優れた密着性及び剥離性を実現できる。なお、接着層３の上記熱時弾性率の下限値は、例えば、１ＭＰａである。
【００２７】  接着層３の熱時弾性率は以下のようにして求めることができる。半導体加工用テープ１０を所定のサイズに裁断し、これから基材層１及び粘着層２を剥がすことによって接着層３のみからなる試料を準備する。これを１３０℃、１時間加熱して硬化させる。このようにして得られた硬化処理後の接着層３を所定のサイズ（例えば、４ｍｍ×３０ｍｍ）に裁断することによって試料を得る。この試料の弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定する。すなわち、試料に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで弾性率を測定する。温度１００℃の弾性率を熱時弾性率とする。
【００２８】  接着層３は、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化促進剤と、フィラーとを含むことが好ましい。接着層３における熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、これらの成分の含有量の好ましい範囲は以下のとおりである。すなわち、接着層３における熱硬化性樹脂の含有量は１〜４０質量部であることが好ましく、５〜３９質量部であることがより好ましく、１０〜３８質量部であることがさらに好ましい。接着層３における硬化促進剤の含有量は、０．０１〜３質量部であることが好ましく、０．０２〜２質量部であることがより好ましく、０．０３〜１質量部であることがさらに好ましい。接着層３におけるフィラーの含有量は１〜３３０質量部であることが好ましく、１〜３００質量部であることがより好ましく、５〜２００質量部であることがさらに好ましく、１０〜１００質量部であることが特に好ましい。これらの要件を満たす接着層３は半導体装置の製造過程における種々の加工工程において求められる密着性、耐熱性及び剥離性をより一層安定的に向上することができる。
【００２９】  接着層３と粘着層２は、加工工程の際に剥離が生じないように十分に密着していることが好ましい。接着層３と粘着層２の密着力は、両者のＴ字剥離強度で評価することができる。接着層３と粘着層２のＴ字剥離強度（剥離速度：５０ｍｍ／分）は、１５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１６〜１００Ｎ／ｍがより好ましい。Ｔ字剥離強度は、以下の方法で行う。接着層３と粘着層２とをラミネータで貼り合せた後に２５ｍｍ幅の切込みを入れることによって測定用試料を準備する。このときに、ＵＶ照射型の粘着剤を用いる場合は、適宜ＵＶ照射を行う。剥離速度は５０ｍｍ／分で測定する。
【００３０】  以下、半導体加工用テープ１０を構成する接着層３、粘着層２、基材層１及び剥離フィルム４について説明する。
【００３１】［接着層］
上述のとおり、接着層３は、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化促進剤と、フィラーとを含むことが好ましい。
【００３２】（熱可塑性樹脂）
熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、半導体加工用テープとして、収縮性、耐熱性及び剥離性に優れる観点から、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。
熱可塑性樹脂として、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着層３は、熱硬化性樹脂を含まない態様でもよい。すなわち、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む態様でもよい。
熱可塑性樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】  （メタ）アクリル共重合体としては、アクリルガラス、アクリルゴム等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられ、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。
【００３４】  （メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、共重合成分としてブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体、共重合成分としてエチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体が好ましい。
【００３５】  反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。
【００３６】  反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、エピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点から、エポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。
【００３７】  本実施形態において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、グリシジルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等が挙げられる。反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーは、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましい。
【００３８】  熱可塑性樹脂のＴｇは、−５０℃〜５０℃であることが好ましい。熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着層３の柔軟性を確保しやすい。また、被着体に貼り付ける際に凹凸が存在する場合、追随しやすくなり、適度な接着性を有するようになる。一方、熱可塑性樹脂のＴｇが−５０℃以上であると、接着層３の柔軟性が高くなりすぎることを抑制しやすく、優れた取扱性及び接着性、剥離性を達成できる。
【００３９】  熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００４０】  熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定の用途で使用する場合、耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が２００万以下であると、仮固定の用途で使用する場合、フローの低下及び貼付性の低下を抑制しやすい。上述した観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、５０万以上２００万以下であることがより好ましく、１００万以上２００万以下であることがさらに好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００４１】  反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの含有量は合計で、共重合成分全量を基準として、０．１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜１５質量％であることがより好ましく、１．０〜１０質量％であることがさらに好ましい。含有量が上記範囲内であると、接着層３の柔軟性と接着性、剥離性をより高水準で両立することができる。
【００４２】  上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよい。または、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ（商品名、ナガセケムテックス（株）製）等の市販品を用いてもよい。
【００４３】（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】  エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを用いることができる。エポキシ樹脂は、また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、従来公知のものを用いることができる。
【００４５】  ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９（いずれも三菱ケミカル（株）製）、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１（いずれもダウケミカル社製）、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０（いずれも東都化成（株）製）等が挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート１５２、エピコート１５４（いずれも三菱ケミカル（株）製）、ＥＰＰＮ−２０１（日本化薬（株）製）、ＤＥＮ−４３８（ダウケミカル社製）等が挙げられる。
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＹＤＣＮ−７００−１０（新日鉄住金化学（株）製）、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（いずれも日本化薬（株）製）、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４（いずれも東都化成（株）製）等が挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ（三菱ケミカル（株）製）、アラルダイト０１６３（ＢＡＳＦジャパン社製）、デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１（いずれもナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
アミン型エポキシ樹脂としては、エピコート６０４（三菱ケミカル（株）製）、ＹＨ−４３４（東都化成（株）製）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（いずれも三菱ガス化学（株）製）、ＥＬＭ−１２０（住友化学（株）製）等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、アラルダイトＰＴ８１０（ＢＡＳＦジャパン社製）、ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６（いずれもユニオンカーバイド社製）等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】  熱硬化樹脂成分の一部であるエポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の樹脂を使用することができる。具体的には、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に二個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に、吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
なお、エポキシ硬化剤は、エポキシ樹脂と同時に用いてもよいし、単独で用いてもよい。
【００４７】  上記フェノール樹脂硬化剤の中でも、フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０（いずれもＤＩＣ（株）製、商品名）、Ｈ−１（明和化成（株）製、商品名）、エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５、ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ（いずれも三菱ケミカル（株）製、商品名）を用いることが好ましい。
【００４８】（硬化促進剤）
硬化促進剤としては、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】  接着層３がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】  接着層３における硬化促進剤の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０２〜２０質量部であることが好ましく、０．０２５〜１０質量部であることがより好ましく、０．０２５〜３質量部であることがさらに好ましく、０．０２５〜０．０５であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、接着層３の硬化性を向上させながら保存安定性の低下を十分抑制できる傾向にある。
【００５１】（無機フィラー）
接着層３には、無機フィラーを配合することができる。無機フィラーとしては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。
【００５２】  上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、接着層３を形成するためのワニスを調製するときの有機溶剤への分散性、並びに接着層３の収縮性を抑えられ、弾性率を向上させ、剥離性を向上させることが容易となる。
【００５３】  表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ測定、ＩＲ測定、ＸＰＳ測定等で確認することが可能である。
【００５４】
【化１】
2018203973.tif 000003
【００５５】  式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。
炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。
炭素数１〜１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００５６】  シランカップリング剤としては、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン等が挙げられる。
これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５７】  上記カップリング剤の含有量は、耐熱性と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部であることが好ましく、０．０５〜２０質量部であることがより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部であることがさらに好ましい。
【００５８】  接着層３における無機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３３０質量部以下であることが好ましく、１８０質量部以下であることがより好ましく、１００質量部以下であることがさらに好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１質量部以上であることが好ましく、５質量部以上であることがより好ましく、８質量部以上であることがさらに好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、接着層３の収縮性を抑えられ、弾性率を向上させ、剥離性を向上させることが容易となる。
【００５９】（有機フィラー）
接着層３には、有機フィラーを配合することができる。有機フィラーとしては、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下であることが好ましく、２００質量部以下であることがより好ましく、１００質量部以下であることがさらにより好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００６０】（有機溶剤）
接着層３は、必要に応じて、さらに有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は特に限定されないが、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が、製膜時にフィルムの硬化が進みにくいという観点から好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい、これらの溶剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６１】［粘着層］
粘着層２としては、室温で粘着力があり、接着層３に対し密着力を有するものが好ましい。粘着層２として、感圧型及びＵＶ型（紫外線又は放射線等の高エネルギー線によって硬化するものであって「光硬化型」とも称される）のいずれも採用可能であるが、感圧型の方がＵＶ型よりも被着体の表面が荒れることを抑制しやすい点で、感圧型を採用することが好ましい。粘着層２は非ＵＶ型（例えば、熱によって硬化するもの）であってもよい。
【００６２】  ＵＶ型粘着剤を使用する場合、粘着層２を形成する粘着剤としては、アクリル系共重合体と、架橋剤と、光重合開始剤とを含有することが好ましい。
非ＵＶ型粘着剤を使用する場合、粘着力の調整のため、ベース樹脂と、架橋反応によりベース樹脂の官能基と反応させる架橋剤として、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基及びメラニン基から選ばれた少なくとも一種の官能基を有することが好ましい。これらの架橋剤は、単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
ベース樹脂としては、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂等が挙げられる。粘着剤が糊残りしにくい観点で、ベース樹脂は他の添加剤と反応しうる官能基、例えば、水酸基、カルボキシル基等を有しているのが好ましい。
また、反応速度が遅い場合は、適宜にアミン又はスズ等の触媒を用いることができる。粘着特性を調整するために、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等の任意成分を本発明の効果に影響しない程度に適宜含有してもよい。
【００６３】  粘着層２の厚さは、１〜１００μｍであることが好ましく、２〜５０μｍであることがより好ましく、５〜４０μｍであることがさらに好ましい。粘着層２の厚さが１μｍよりも薄いと接着層との十分な粘着力を確保するのが困難になり、加工がしにくい恐れがあり、一方、１００μｍよりも厚いと不経済で特性上の利点もない。
【００６４】［基材層］
基材層１としては、既知のポリマーシート又はテープを用いることができる。具体例として、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂が挙げられる。これらに、可塑剤、シリカ、アンチブロッキング材、スリップ剤、帯電防止剤等を混合した混合物を用いることもできる。
【００６５】  上記の中でも、ポリプロピレン、ポリエチレン−ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン−ポリプロピレンブロック共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体から選ばれる少なくとも１種が主成分である層が、粘着層と接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、並びに価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点からも好ましく、紫外線による表面改質効果が得られやすい観点からも好ましい。
【００６６】  基材層１は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有してもよい。このような基材の製造法としては、多層押し出し法で異なる層を有する基材層を一度で作ってもよいし、インフレーション法、単層押し出し法で作られたテープを接着剤を用いて張り合わせる、又は熱溶着によって張り合わせる等の手法により得てもよい。また基材層１には粘着層２との密着性を制御するため、必要に応じて、マット処理、コロナ処理などの表面粗化処理を施してもよい。
【００６７】［剥離フィルム］
剥離フィルム４は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン等によって形成されている。剥離フィルム４には、任意の充填剤を含有させてもよい。また、剥離フィルム４の表面には、離型処理又はプラズマ処理等が施されていてもよい。
【００６８】  なお、離型処理に離型剤を使用した場合、離型剤に含まれる成分（例えば、シリコーン成分）が接着層３の剥離性に影響を与えると推察される。剥離フィルム４の表面に付着している剥離剤の一部は、接着層３から剥離フィルム４を剥離する際、接着層３に転写される。接着層３の表面に被着体を貼り合わせた後、半導体装置の製造過程における熱履歴を受けると、例えば、剥離剤に含まれる成分の結晶が接着層３と被着体との間に析出するという現象が生じることがある。接着層３と被着体との間の結晶は接着層３の剥離性の向上に寄与し得る。
【００６９】＜半導体加工用テープの作製方法＞
半導体加工用テープ１０は、例えば、以下に述べる方法により作製できる。すなわち、まず、剥離フィルム４上に、接着層３の原料樹脂組成物を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化したものを、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等により塗工し、溶媒を除去して接着層３を形成する。その後、別途作製した、基材層１と粘着層２とからなる積層体を常温〜６０℃で積層する。これにより、基材層１上に、粘着層２、接着層３及び剥離フィルム４が、この順に積層された半導体加工用テープ１０を得ることができる。
【００７０】＜半導体加工用テープの仮固定用テープとしての使用＞
半導体加工用テープ１０は、半導体装置の製造過程において、剥離フィルム４を剥離した後、接着層３の第１の面Ｆ１に基板を仮固定するとともに、基材層１及び粘着層２を剥離した後、接着層３の第２の面Ｆ２にウエハを仮固定するために使用することができる。基板としては、接着層３を支持でき且つ上記温度に耐え得る耐熱性を有するものであれば、特に制限はなく、シリコン基板、ガラス基板、石英基板等が挙げられる。ウエハとしては、半導体ウエハ等が挙げられる。
【００７１】  図２（ａ）〜（ｆ）は、半導体加工用テープ１０を仮固定用テープとして使用して半導体装置を製造する工程を示す断面図である。半導体加工用テープ１０を仮固定用テープとして使用する場合、基材層１、粘着層２、接着層３及び剥離フィルム４はいずれも、最終的に製造される半導体装置に残存しない（図２（ｆ）及び図３参照）。
【００７２】  まず、半導体加工用テープ１０の剥離フィルム４を剥がす。これによって露出した接着層３の第１の面Ｆ１と基板Ｓの表面が接するように、半導体加工用テープ１０Ａ（剥離フィルム４を剥離後のもの）を基板Ｓに貼り付ける（図２（ａ））。この際の温度は５０〜９０℃程度とすればよい。この温度条件で両者を貼り合わせることで、接着層３と基板Ｓとの間の接着力を、接着層３と粘着層２との間の接着力よりも大きい状態とすることができる。
つまり、基板Ｓは、接着層３が貼り合わされた状態で接着層３の接着性をコントロールするためのものである。基板Ｓに貼り合わされた状態の接着層３は、熱が加えられることによって接着性がコントロールされるとともに、所定の耐熱性を有する層となる。基板Ｓは、ウエハＷを加工するための支持体としての役割も果たす。
【００７３】  図２（ａ）に示される状態から基材層１及び粘着層２を剥離することにより、図２（ｂ）に示されるとおり、基板Ｓと接着層３とからなる積層体２０が得られる。この積層体２０に対して熱を加えることにより、具体的には、例えば、１３０℃で１時間程度の硬化処理を接着層３に対して施すことにより、接着層３の接着力をさらにコントロールすることができる。このような硬化処理がされた後において、第２の面Ｆ２の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下であることで、接着層３はウエハＷに対する優れた密着性を有する。
【００７４】  続いて、上記のような硬化処理後の接着層３の第２の面Ｆ２に半導体ウエハＷの面Ｗｓが接するように接着層３に半導体ウエハＷを貼り付ける。なお、半導体ウエハＷの面Ｗｓの反対側の面が回路面Ｗｃである。これにより、図２（ｃ）に示されるとおり、接着層３の第１の面Ｆ１に基板Ｓが貼り合わされ、接着層３の第２の面Ｆ２に半導体ウエハＷが貼り合わされた積層体３０が得られる。接着層３と半導体ウエハＷとを貼り合わせる際の温度は５０〜９０℃程度とすればよい。この温度条件で接着層３と半導体ウエハＷとを貼り合わせることで、接着層３と半導体ウエハＷとの間の接着力を、接着層３と基板Ｓとの間の接着力よりも大きい状態とすることができる。
【００７５】  図２（ｃ）に示された積層体３０における半導体ウエハＷに対して必要な加工（例えば、ダイシング）を施した後、ピックアップによって基板Ｓを剥離する。これにより、図２（ｄ）に示される接着層３ａと半導体素子Ｗａとからなる積層体４０が得られる。続いて、半導体素子Ｗａの回路面Ｗｃが支持基板６０に向いた状態で支持基板６０に半導体素子Ｗａを搭載する（図２（ｅ）参照）。半導体素子Ｗａと支持基板６０との間には接着剤（不図示）を介在させればよい。その後、接着層３ａを剥離する（図２（ｆ）参照）。
【００７６】  図２（ｆ）に示された状態から、必要に応じて半導体素子Ｗａと支持基板６０とを例えばワイヤーボンドにより電気的に接続することによって半導体装置が製造される（図３参照）。ワイヤーボンディングの際、半導体素子Ｗａ、接着層３ａ及び支持基板６０は、例えば、１７０℃で１５〜６０分程度加熱される。さらに、ワイヤーボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Ｗａを樹脂封止してもよい。図３に示すように、樹脂封止材８０を支持基板６０の表面６０ａに形成し、他方、支持基板６０の表面６０ａとは反対側の面に外部基板（マザーボード）との電気的な接続用として、はんだボール９０を形成してもよい。
【００７７】  以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、接着層３の第２の面Ｆ２が所定の硬化処理後において負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３４以下である接着面を構成する場合を例示したが、接着層３の第１の面Ｆ１が上記接着面を構成してもよいし、第１の面Ｆ１及び第２の面Ｆ２の両方が上記接着面を構成してもよい。
【実施例】
【００７８】  本発明について実施例に基づいて説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【００７９】（粘着フィルムの作製）
粘着剤として、以下の主モノマーと官能基モノマーとを用い、溶液重合法によってアクリル共重合体を得た。すなわち、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸とを用いた。上記アクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱ケミカル（株）製、商品名マイテックＮＹ７３０Ａ−Ｔ）を１０質量部配合した粘着剤溶液を調製した。表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（厚さ２５μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう粘着剤溶液を塗工乾燥した。さらに、ポリプロピレン／酢酸ビニル／ポリプロピレンからなるポリオレフィン基材（厚さ１００μｍ）を粘着剤面にラミネートした。これにより、粘着層と、ポリオレフィン基材（基材層）とからなる粘着フィルムを得た。この粘着フィルムを室温で２週間放置し十分にエージングを行った。【００８０】＜実施例１＞
（接着剤ワニスの調製）
以下の材料を混合するとともに真空脱気することによって接着剤ワニスを得た。
・熱可塑性樹脂：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名、ナガセケムテックス（株）製、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量８０万、Ｔｇ１５℃、ブチルアクリレート／エチルアクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレートの質量比：３９．４／２９．３／３０．３／３）１００質量部
・熱硬化成分：ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名、三井化学（株）製、フェノールアラルキル樹脂、水酸基当量１７４）１６．６質量部
・熱硬化成分：ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名、新日鉄住金化学（株）製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）１８質量部
・無機フィラー：アエロジルＲ９７２（商品名、日本アエロジル（株）製、酸化ケイ素、真球状シリカ、平均粒径約０．１６μｍ）１１．７質量部
・添加材（シランカップリング剤）：適量
・溶剤（シクロヘキサノン）：適量【００８１】（半導体加工用テープの作製）
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離フィルム）を準備した。このフィルムは、表面離型処理が施されたものである。このフィルム上に、上記接着剤ワニスを塗布した後、９０℃で５分間および１３０℃で５分間加熱乾燥させた。これにより、Ｂステージ状態の接着層（厚さ２０μｍ）が剥離フィルム上に形成された接着シートを得た。この接着シートと、上記粘着フィルムとを貼り合わせる工程を経て半導体加工用テープを得た。なお、接着シートの接着層と、粘着フィルムの粘着層が直接接するように、接着シートと粘着フィルムとを貼り合わせた。粘着層に対して接着層が粘着していることで、上記ポリエチレンテレフタレートに形成された接着層を粘着層側に確実に反転させることができる。【００８２】  実施例１に係る半導体加工用テープを以下の方法により評価した。表１に結果を示す。【００８３】（１）基板に対する接着層の９０°ピール剥離力（基板に対する密着力の評価）
実施例１に係る半導体加工用テープから剥離フィルムを剥がした。接着層の一方の面（第１の面Ｆ１）が露出した積層テープ（基材層、粘着層及び接着層）の当該一方の面がガラス基板の表面に接するように、積層シートをガラス基板に７０℃の温度条件で貼り付けた。ガラス基板上の積層シートを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。ガラス基板及びこれに貼り付けられている積層シートの試料をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、ガラス基板から上記試料を５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、基板に対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価には９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００８４】（２）ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力（ウエハに対する密着力の評価）
実施例１に係る半導体加工用テープから粘着フィルム（粘着層及び基材層）を剥がした。接着層３の一方の面（第２の面Ｆ２）が露出した接着シート（接着層及び剥離フィルム）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。オーブンから取り出した接着シートを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。その後、接着層の上記一方の面が半導体ウエハの表面に接するように、上記サイズの接着シートを半導体ウエハに７０℃の温度条件でラミネートした。半導体ウエハから接着シートを５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価にも９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００８５】（３）接着層の接着面の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）
実施例１に係る半導体加工用テープから粘着フィルム（粘着層及び基材層）を剥がした。接着層３の一方の面（第２の面Ｆ２）が露出した接着シート（接着層及び剥離フィルム）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、接着層の上記一方の面をレーザー顕微鏡（（株）キーエンス製）を用いて測定した。この測定結果から「粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３）を算出した。【００８６】（実施例２）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の実施例２に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た。【００８７】  実施例２に係る半導体加工用テープを以下の方法により評価した。表１に結果を示す。【００８８】（１）基板に対する接着層の９０°ピール剥離力（基板に対する密着力の評価）
実施例２に係る半導体加工用テープから粘着フィルム（粘着層及び基材層）を剥がした。接着層の一方の面（第２の面Ｆ２）が露出した接着シート（接着層及び剥離フィルム）の当該一方の面がガラス基板の表面に接するように、接着シートをガラス基板に７０℃の温度条件で貼り付けた。ガラス基板上の接着シートを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。ガラス基板及びこれに貼り付けられている接着シートの試料をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、ガラス基板から上記試料を５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、基板に対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価には９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００８９】（２）ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力（ウエハに対する密着力の評価）
実施例２に係る半導体加工用テープから剥離フィルムを剥がした。接着層３の一方の面（第１の面Ｆ１）が露出した積層テープ（基材層、粘着層及び接着層）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。オーブンから取り出した積層テープを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。その後、接着層の上記一方の面が半導体ウエハの表面に接するように、上記サイズの積層テープを半導体ウェハに７０℃の温度条件でラミネートした。半導体ウエハから積層テープを５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価にも９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００９０】（３）接着層の接着面の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）
実施例２に係る半導体加工用テープから剥離フィルムを剥がした。接着層３の一方の面（第１の面Ｆ１）が露出した積層テープ（基材層、粘着層及び接着層）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、接着層の上記一方の面をレーザー顕微鏡（（株）キーエンス製）を用いて測定した。この測定結果から「粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３）を算出した。【００９１】（比較例１）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の比較例１に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た後、実施例１と同様にして各種の評価を行った。また、実施例１で使用した材料に加えて下記の材料を使用した。
・熱硬化成分：ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名、東都化成（株）製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５９）
・熱硬化成分：レジトップＰＳＭ−４３２６（商品名、群栄化学（株）製、ｏ−クレゾールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量１０５）
・無機フィラー：ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（商品名、アドマテックス（株）製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５０μｍ）【００９２】（参考例１）
粘着フィルムと接着シートとを貼り合わせる代わりに、ポリエチレン製フィルムと接着シートを貼り合わせたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを作製した。【００９３】  参考例１に係る半導体加工用テープを以下の方法により評価した。表１に結果を示す。【００９４】（１）基板に対する接着層の９０°ピール剥離力（基板に対する密着力の評価）
参考例１に係る半導体加工用テープからポリエチレン製フィルムを剥がした。接着層の一方の面（ポリエチレン製フィルム側の面）が露出した接着シート（接着層及び剥離フィルム）の当該一方の面がガラス基板の表面に接するように、接着シートをガラス基板に７０℃の温度条件で貼り付けた。ガラス基板上の接着シートを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。ガラス基板及びこれに貼り付けられている接着シートの試料をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、ガラス基板から上記試料を５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、基板に対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価には９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００９５】（２）ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力（ウエハに対する密着力の評価）
参考例１に係る半導体加工用テープから剥離フィルムを剥がした。接着層３の一方の面（剥離フィルム側の面）が露出した積層テープ（接着層及びポリエチレン製フィルム）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。オーブンから取り出した積層テープを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断した。その後、接着層の上記一方の面が半導体ウエハの表面に接するように、上記サイズの積層テープを半導体ウエハに７０℃の温度条件でラミネートした。半導体ウエハから積層テープを５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がし、ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力を測定した。なお、この評価にも９０°ピール試験機（テスター産業（株）製）を使用した。【００９６】（３）接着層の接着面の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）
参考例１に係る半導体加工用テープから剥離フィルムを剥がした。接着層３の一方の面が露出した積層テープ（基材層、粘着層及び接着層）をオーブンに入れ、１３０℃で１時間の熱履歴を加えた。その後、接着層の上記一方の面をレーザー顕微鏡（（株）キーエンス製）を用いて測定した。この測定結果から「粗さ曲線の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３）を算出した。【００９７】
【表１】
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【００９８】  比較例１に係る接着層は１３０℃で１時間の熱履歴により硬化が過度に進行してしまい、仮固定の用途に適用できなかったため、ガラス基板及び半導体ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力の評価は行わなかった。比較例１に係る接着層において上記熱履歴で硬化が過度に進行した主因は、熱硬化成分の量が実施例と比較して多かったことにあると推察される。比較例２に係る接着層において剥離フィルム側の面の負荷長さ率Ｒｍｒ（ｃ）が３５．３と高かった主因は、接着層に転写した離型剤の一部が結晶化したことにあると推察される。
【符号の説明】
【００９９】１…基材層、２…粘着層、３…接着層、４…剥離フィルム、１０…半導体加工用テープ、Ｆ１…接着層の第１の面、Ｆ２…接着層の第２の面（接着面）、Ｓ…基板、Ｗ…半導体ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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