(57)【要約】【課題】タッチセンサユニットによる高い検出精度と滑らかな入力とを両立した表示装置を提供する。【解決手段】複数の画素と、ゲートドライバと、タッチセンサユニットと、を有する表示装置の動作方法において、第１の期間と、第２の期間と、を有する。第１の期間において、タッチセンサユニットがタッチを検出し、第２の期間において、タッチセンサユニットがタッチの検出を停止する。ゲートドライバは、第２の期間において、複数の画素のうち、一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しない。【選択図】図１３
2018072822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
ゲートドライバと、
タッチセンサユニットと、を有する表示装置の動作方法において、
第１の期間と、
第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチを検出し、
前記第２の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチの検出を停止し、
前記ゲートドライバは、前記第２の期間において、前記複数の画素のうち、一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しないことを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の期間および前記第２の期間は、１フレームに含まれることを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記複数の画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項４】
複数の画素と、
ゲートドライバと、
タッチセンサユニットと、を有する表示装置の動作方法において、
第１の期間と、
第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチを検出し、
前記第２の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチの検出を停止し、
前記画素は、反射素子と、発光素子と、を有し、
前記ゲートドライバは、前記第２の期間において、前記複数の画素のうち、一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しないことを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の期間および前記第２の期間は、１フレームに含まれることを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記複数の画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことを特徴とする表示装置の動作方法。
【請求項７】
アプリケーションプロセッサと、
表示ユニットと、
タッチセンサユニットと、を有し、
前記アプリケーションプロセッサは、第１の期間と、第２の期間とに分けて、前記表示ユニットおよび前記タッチセンサユニットを制御する機能を有し、
前記第１の期間は、前記表示ユニットが画像を書き換える期間であり、
前記第２の期間は、前記タッチセンサユニットが検出を行う期間であり、
前記表示ユニットは、表示領域の全領域を書き換える第１のモードと、表示領域の一部領域を書き換える第２のモードと、表示領域の全領域を書き換えない第３のモードと、を有し、
前記第２のモードおよび前記第３のモードにおいて、前記第１のモードと比べて、前記第２の期間が長いことを特徴とする、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一形態は、表示装置およびその動作方法に関する。また、本発明の一形態は半導体装置に関する。
【０００２】
なお本発明の一形態は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一形態は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【０００３】
そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一形態の技術分野としては、表示装置、半導体装置、電子機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例としてあげることができる。なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップや、パッケージにチップを収納した電子部品、集積回路を備えた電子機器は、半導体装置の一例である。
【背景技術】
【０００４】
表示ユニットと、タッチセンサユニットを組み合わせた表示装置が、使用されている。表示ユニットの表示領域に、タッチセンサユニットの検出領域を重ねることで、表示領域において画像の表示を行うとともに、使用者が、表示領域のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。使用者は、指やスタイラス等を用いて入力を行う。
【０００５】
一方、表示ユニットの画素に、酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することができる。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が非常に小さいため、表示ユニットが静止画を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくすることができる。本明細書等において、上述のリフレッシュ頻度を少なくする技術を、「アイドリングストップ」または「ＩＤＳ駆動」と呼称する（特許文献１、特許文献２）。ＩＤＳ駆動は、表示ユニットの消費電力を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１‐１４１５２２号公報
【特許文献２】特開２０１１‐１４１５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
表示ユニットが画像を書き換える頻度は、１秒間に約６０回（「フレーム周波数が６０Ｈｚ」ともいう）のものが多い一方で、タッチセンサユニットには手書き入力等滑らかな入力が求められており、タッチセンサユニットの検出動作は、１秒間に８０回、より好ましくは１００回以上が必要とされている。
【０００８】
また、表示ユニットが画像を書き換えるタイミングで、タッチセンサユニットが検出動作を行うと、ノイズの影響を受けて、タッチセンサユニットの検出精度が悪化する問題がある。本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、表示装置を提供することを課題の一つとする。
【０００９】
本発明の一形態は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、新規な駆動方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、新規な表示装置を使用した、電子機器を提供することを課題の一つとする。
【００１０】
なお、本発明の一形態は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一つの課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態は、複数の画素と、ゲートドライバと、タッチセンサユニットとを有する表示装置の動作方法である。第１の期間と、第２の期間とを有し、第１の期間においてタッチセンサユニットがタッチを検出し、第２の期間においてタッチセンサユニットがタッチの検出を停止する。ゲートドライバは、第２の期間において、複数の画素のうち一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しないことを特徴とする。
【００１２】
また、上記形態において、第１の期間および第２の期間は、１フレームに含まれることを特徴とする。
【００１３】
また、上記形態において、複数の画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の一形態は、複数の画素と、ゲートドライバと、タッチセンサユニットとを有する表示装置の動作方法である。第１の期間と、第２の期間とを有し、第１の期間においてタッチセンサユニットがタッチを検出し、第２の期間においてタッチセンサユニットがタッチの検出を停止する。画素は、反射素子と発光素子とを有し、ゲートドライバは、第２の期間において、複数の画素のうち一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しないことを特徴とする。
【００１５】
また、上記形態において、第１の期間および第２の期間は、１フレームに含まれることを特徴とする。
【００１６】
また、上記形態において、複数の画素は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことが好ましい。
【００１７】
また、本発明の一形態は、アプリケーションプロセッサと、表示ユニットと、タッチセンサユニットとを有する表示装置である。アプリケーションプロセッサは、第１の期間と第２の期間とに分けて、表示ユニットおよびタッチセンサユニットを制御する機能を有し、第１の期間は、表示ユニットが画像を書き換える期間であり、第２の期間は、タッチセンサユニットが検出を行う期間である。表示ユニットは、表示領域の全領域を書き換える第１のモードと、表示領域の一部領域を書き換える第２のモードと、表示領域の全領域を書き換えない第３のモードとを有する。第２のモードおよび第３のモードにおいて、第１のモードと比べて、第２の期間が長いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一形態は、新規な表示装置を提供することができる。または、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、表示装置を提供することができる。
【００１９】
または、本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、新規な駆動方法を提供することができる。または、本発明の一形態は、新規な表示装置を使用した、電子機器を提供することができる。
【００２０】
なお本発明の一形態の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一形態は、上記列挙した効果、および他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一形態は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】表示装置の構成例を示すブロック図。
【図２】タッチセンサユニットの構成例を示すブロック図。
【図３】表示ユニットの構成例を示すブロック図。
【図４】ゲートドライバの構成例を示す回路図。
【図５】シフトレジスタの構成例を示す回路図。
【図６】ゲートドライバの動作例を示すタイミングチャート。
【図７】通常表示の動作例を示すタイミングチャート。
【図８】タブレット型情報端末の形態および使用例を示す外観図。
【図９】部分ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。
【図１０】部分ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。
【図１１】ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。
【図１２】電子機器の動作例を示すフローチャート。
【図１３】情報端末の使用例とゲートドライバに入力される信号の様子。
【図１４】情報端末の動作例を示すフローチャート。
【図１５】情報端末の使用例とゲートドライバに入力される信号の様子（発光型素子の場合）。
【図１６】タッチセンサユニットの構成例を示す上面図と投影図。
【図１７】タッチセンサユニットの構成例を示す上面図と投影図。
【図１８】表示装置の構成例を示すブロック図。
【図１９】画素の構成例を示す回路図。
【図２０】画素の構成例を示す回路図。
【図２１】画素の構成例を示す回路図とタイミングチャート。
【図２２】表示装置の構成例を示す断面模式図。
【図２３】表示装置の構成例を示す断面模式図。
【図２４】表示装置の構成例を示す断面模式図。
【図２５】表示装置の構成例を示す断面模式図。
【図２６】表示装置の構成例を示す断面模式図。
【図２７】表示装置の構成例を示す断面図。
【図２８】表示装置の構成例を示す断面図。
【図２９】ソースドライバの構成例を示すブロック図。
【図３０】表示ユニットの画素の構成を説明する模式図。
【図３１】表示ユニットの画素の構成を説明する断面図。
【図３２】表示ユニットの構成を説明する上面図および断面図。
【図３３】表示ユニットの構成を説明する断面図。
【図３４】表示ユニットの構成を説明する断面図。
【図３５】表示ユニットの画素の構成を説明する下面図。
【図３６】表示ユニットの画素回路を説明する回路図。
【図３７】表示ユニットの反射膜の構成を説明する上面図。
【図３８】表示ユニットの画素と副画素を説明する上面図と導電膜の外観図。
【図３９】表示ユニットの画素の構成を説明する断面図。
【図４０】情報処理装置の構成を説明する図。
【図４１】情報処理装置の構成を説明する図。
【図４２】表示ユニットの例を示す模式図。
【図４３】試作した表示ユニットの外観写真。
【図４４】試作した表示ユニットの消費電力を示すグラフ。
【図４５】試作した表示ユニットの外観写真。
【図４６】試作した表示ユニットの消費電力を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に示される複数の実施の形態は、適宜組み合わせることが可能である。
【００２３】
なお、実施の形態において説明する表示装置は、表示ユニット、タッチセンサユニット等によって構成される。したがって、表示装置を半導体装置、電子機器などと言い換える場合がある。
【００２４】
また、図面等において、大きさ、層の厚さ、領域等は、明瞭化のため誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。
【００２５】
また、図面等において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００２６】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００２７】
また、本明細書等において、「上」や「下」などの配置を示す用語は、構成要素の位置関係が、「直上」または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。
【００２８】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００２９】
また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。
【００３０】
また、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、容量素子、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
【００３１】
また、本明細書等において、「電圧」とは、ある電位と基準の電位（例えば、グラウンド電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えることが可能である。
【００３２】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む、少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、チャネル領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００３３】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３４】
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。つまり、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流、という場合がある。
【００３５】
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合がある。
【００３６】
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインの間に流れる電流を指す場合がある。
【００３７】
また、本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳトランジスタ、またはＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００３８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、表示ユニットと、タッチセンサユニットと、を有する表示装置について説明する。特に、表示ユニットが画像を書き換える動作と、タッチセンサユニットの検出動作との関係について説明する。
【００３９】
＜＜表示装置＞＞
図１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置５０は、表示ユニット６０、タッチセンサユニット７０、アプリケーションプロセッサ８０、を有する。
【００４０】
＜表示ユニット＞
表示ユニット６０は、画素アレイ６１、ゲートドライバ６２、ゲートドライバ６３、およびソースドライバＩＣ６４を有する。
【００４１】
画素アレイ６１は、複数の画素１０を有し、それぞれの画素１０はトランジスタを用いて駆動されるアクティブ型の素子である。また、画素アレイ６１は、表示ユニット６０の表示領域を形成し、画像を表示する機能を有する。画素アレイ６１のより具体的な構成例については、後述する。
【００４２】
ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、画素１０を選択するためのゲート線を駆動する機能を有する。ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、どちらか一方のみでもよい。なお、図１の例では、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、画素アレイ６１と共に同一基板上に設けられている例を示しているが、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３を専用ＩＣとすることもできる。
【００４３】
ソースドライバＩＣ６４は、画素１０に、データ信号を供給するソース線を駆動する機能を有する。ここでは、ソースドライバＩＣ６４の実装方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式としているが、実装方式に特段の制約はなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）方式、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式などでもよい。後述する、タッチセンサユニット７０のＩＣの実装方式についても同様である。
【００４４】
なお、画素１０に使用されるトランジスタはＯＳトランジスタである。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタに比べてオフ電流が低い特徴を有する。
【００４５】
ＯＳトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することが好ましい。また、ＯＳトランジスタに適用される金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一方を含む酸化物であることが好ましい。
【００４６】
このような酸化物としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ酸化物、Ｚｎ−Ｍ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、スズ（Ｓｎ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、バナジウム（Ｖ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）など）が代表的である。
【００４７】
ＯＳトランジスタは、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流を１ｙＡ／μｍ（ｙ；ヨクト、１０−２４）以上１ｚＡ／μｍ（ｚ；ゼプト、１０−２１）以下程度に低くすることができる。
【００４８】
また、ＯＳトランジスタには、ＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳを用いることが好ましい。ＣＡＣ−ＯＳの詳細については、実施の形態８で説明する。
【００４９】
もしくは、画素１０に使用されるトランジスタとして、オフ電流が低ければＯＳトランジスタを適用しないことができる。例えば、バンドギャップが大きい半導体を用いたトランジスタを適用してもよい。バンドギャップが大きい半導体とは、バンドギャップが２．２ｅＶ以上の半導体を指す場合がある。例えば、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。
【００５０】
画素１０に、オフ電流が低いトランジスタを用いることで、表示ユニット６０が画像を書き換える必要がない場合（すなわち静止画を表示している場合）、一時的にゲートドライバ６２、ゲートドライバ６３、およびソースドライバＩＣ６４を、停止することができる（上述した、「アイドリングストップ」または「ＩＤＳ駆動」）。
【００５１】
＜タッチセンサユニット＞
図１に示す、タッチセンサユニット７０は、センサアレイ７１、およびタッチセンサＩＣ７２を有する。
【００５２】
センサアレイ７１は、タッチセンサユニット７０が検出できる領域を形成し、表示装置５０の使用者は、この領域に指やスタイラス等を用いて入力を行う。センサアレイ７１は、画素アレイ６１と重なる領域に配置され、表示装置５０は、表示ユニット６０の表示領域において画像の表示を行うとともに、使用者が、表示領域のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。
【００５３】
図２は、タッチセンサユニット７０の構成例を示すブロック図である。ここでは、タッチセンサユニット７０が投影型静電容量方式（相互容量方式）のタッチセンサユニットである例を示す。
【００５４】
センサアレイ７１は、配線ＣＬおよび配線ＭＬを有し、配線ＣＬおよび配線ＭＬが重畳すること、または、配線ＣＬおよび配線ＭＬが近接して配置されること、で形成される複数の容量４０４を有する。
【００５５】
図２は、一例として、配線ＣＬをＣＬ（１）乃至ＣＬ（６）の６本の配線、配線ＭＬをＭＬ（１）乃至ＭＬ（６）の６本の配線として示しているが、配線の数はこれに限定されない。なお、配線ＣＬはパルス電圧が与えられる配線であり、配線ＭＬは電流の変化を検知する配線である。
【００５６】
センサアレイ７１に、被検知体（指やスタイラス等）の近接または接触を検知すると、容量４０４の容量値が変化し、タッチセンサユニット７０はタッチを検出する。
【００５７】
センサアレイ７１は、配線ＣＬおよび配線ＭＬを介して、タッチセンサＩＣ７２に電気的に接続されている。タッチセンサＩＣ７２は、駆動回路４０２と検出回路４０３を有する。
【００５８】
駆動回路４０２は、配線ＣＬを介して、センサアレイ７１に電気的に接続される。駆動回路４０２は、信号Ｔｘを出力する機能を有する。駆動回路４０２としては、例えばシフトレジスタ回路とバッファ回路を組み合わせた構成を用いることができる。
【００５９】
検出回路４０３は、配線ＭＬを介して、センサアレイ７１に電気的に接続される。検出回路４０３は、信号Ｒｘを検出し、タッチセンサユニット７０でタッチが行われたことを検知する。例えば、検出回路４０３として、増幅回路と、アナログデジタル変換回路（ＡＤＣ：Ａｎａｌｏｇ−Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）を有する構成を用いることができる。検出回路４０３は、センサアレイ７１から出力されるアナログ信号を、デジタル信号に変換して、アプリケーションプロセッサ８０に出力する機能を有する。
【００６０】
なお、タッチセンサユニット７０のより具体的な構成例については、実施の形態２にて説明する。
【００６１】
＜アプリケーションプロセッサ＞
アプリケーションプロセッサ８０は、ソースドライバＩＣ６４、およびタッチセンサＩＣ７２に、電気的に接続されている。
【００６２】
アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０に表示する画像データを、ソースドライバＩＣ６４に供給する機能を有する。また、アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０に現在表示している画像データと、次に表示する画像データの差分を計算する機能を有する。
【００６３】
また、アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０が画像を書き換えるタイミング、およびタッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングを指示する機能を有する。表示ユニット６０が画像を書き換えるタイミングは、アプリケーションプロセッサ８０からソースドライバＩＣ６４に伝えられ、ソースドライバＩＣ６４は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３の動作を制御する機能を有する。タッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングは、アプリケーションプロセッサ８０からタッチセンサＩＣ７２に伝えられる。
【００６４】
なお、図１に示すブロック図において、ゲートドライバ６２、６３を駆動するための信号は、ソースドライバＩＣ６４を経由しなくてもよい。その場合のブロック図を図１８に示す。
【００６５】
図１８において、アプリケーションプロセッサ８０はタイミングコントローラ８１０を経由して、ソースドライバＩＣ６４ａ乃至ソースドライバＩＣ６４ｄ、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３へ信号を供給している。なお、タイミングコントローラ８１０は、アプリケーションプロセッサ８０に含まれていてもよい。
【００６６】
図１８に示す構成は、複数のソースドライバＩＣを有する。ソースドライバＩＣの数は画素アレイ６１の画素数に応じて設ければよい。
【００６７】
図１８に示す構成は、例えば、４Ｋ（３８４０×２１６０）や８Ｋ（７６８０×４３２０）など、画素アレイ６１の画素数が大きくなるほど好ましい。ソースドライバＩＣの数を複数にし、且つ、ゲートドライバを制御する機能をソースドライバＩＣの外に設けられた回路が有することで、ソースドライバＩＣは端子の数を少なくすることができる。ソースドライバＩＣの端子の数が多いと、ソースドライバＩＣを基板に圧着する際に、ソースドライバＩＣに加える力が大きくなり、ソースドライバＩＣが破損してしまうという問題がある。そのため、図１８に示す構成にすることで、ソースドライバＩＣの破損を防ぐことができる。
【００６８】
＜画素アレイ＞
図３は、表示ユニット６０の構成例を示すブロック図である。
【００６９】
画素アレイ６１は、複数の画素１０（１，１）乃至画素１０（ｍ，ｎ）と、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）と、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）を有する。ここで、ｍおよびｎは１以上の整数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数である。なお、図３において、電源線や容量を形成するための定電位線等は省略している。
【００７０】
ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）を介して画素アレイ６１と電気的に接続され、ソースドライバＩＣ６４は、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）を介して画素アレイ６１と電気的に接続される。
【００７１】
また、矢印Ｃ１で示す方向に配設される一群の画素１０（ｉ，１）乃至画素１０（ｉ，ｎ）は、ソース線ＳＬ（ｉ）と電気的に接続され、矢印Ｒ１で示す方向に配設される一群の画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）は、ゲート線ＧＬ（ｊ）と電気的に接続される。
【００７２】
ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（ｊ）を駆動し、画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）を選択する。ソースドライバＩＣ６４は、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）を介して、アプリケーションプロセッサ８０から供給された画像データのデータ信号を、画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）に供給する。この動作を、ゲート線ＧＬ（１）からゲート線ＧＬ（ｎ）まで繰り返すことで、表示ユニット６０は、画素アレイ６１に画像を表示することができる。
【００７３】
なお、画素１０には、液晶、電子ペーパー、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等、様々な表示素子を適用することができる。また、例えば、反射型素子として適用することができる液晶素子と、発光型素子として適用することができる有機ＥＬ素子を組み合わせた、ハイブリッド型素子を画素１０に適用することができる。
【００７４】
また、例えば、反射型素子として適用することができる液晶素子と、光源（例えばＬＥＤ）と液晶を組みあわせた透過型液晶を組み合わせた、ハイブリッド型素子を画素１０に適用してもよい。
【００７５】
＜ゲートドライバ＞
図４は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に適用可能な、ゲートドライバの構成例を示す回路図である。
【００７６】
図４（Ａ）に示すゲートドライバは、シフトレジスタＳＲをｎ個と、シフトレジスタＳＲＤＵＭを２個有し、外部からスタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４、リセット信号ＲＥＳが入力される。また、図４（Ａ）に示すゲートドライバは、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎ＋２を有し、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎは、上述したゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）に、それぞれ電気的に接続されている。
【００７７】
図４（Ｂ）に示すシフトレジスタＳＲは、入力端子ＣＬＩＮ１乃至ＣＬＩＮ３、ＰＷＩＮ、ＬＩＮ、ＲＩＮ、ＲＥＳＩＮを有し、出力端子ＳＲＯＵＴ、ＯＵＴを有する。入力端子ＣＬＩＮ１乃至ＣＬＩＮ３には、図４（Ａ）に示すように、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４のいずれかが入力され、入力端子ＰＷＩＮには、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４のいずれかが入力され、入力端子ＲＥＳＩＮには、リセット信号ＲＥＳが入力される。
【００７８】
シフトレジスタＳＲの出力端子ＯＵＴは、ゲートドライバの出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎにそれぞれ電気的に接続されている。また、ｊを１以上ｎ以下の整数とし、ゲートドライバの出力端子ＯＵＴ＿ｊに電気的に接続されるシフトレジスタＳＲを、ｊ番目のシフトレジスタＳＲと呼ぶと、ｊ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＬＩＮは、ｊ−１番目のシフトレジスタＳＲの出力端子ＳＲＯＵＴに、ｊ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＲＩＮは、ｊ＋２番目のシフトレジスタＳＲの出力端子ＳＲＯＵＴに、それぞれ電気的に接続される。ただし、１番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＬＩＮにはスタートパルスＳＰが入力され、ｎ−１番目とｎ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＲＩＮは、ｎ＋１番目とｎ＋２番目のシフトレジスタＳＲＤＵＭの出力端子ＳＲＯＵＴに、それぞれ電気的に接続される。
【００７９】
図４（Ｃ）に示すシフトレジスタＳＲＤＵＭは、入力端子ＲＩＮがない以外はシフトレジスタＳＲと同様のため、説明を援用する。
【００８０】
図５（Ａ）は、シフトレジスタＳＲの構成例を示す回路図である。図５（Ａ）において、回路１００はトランジスタ１０１乃至１０９を有し、回路１１０はトランジスタ１１１乃至１１３を有し、回路１２０はトランジスタ１２１乃至１２３を有する。
【００８１】
トランジスタ１０１乃至１０９、トランジスタ１１１乃至１１３、およびトランジスタ１２１乃至１２３は、ＯＳトランジスタであり、図５（Ａ）ではシングルゲートトランジスタとして図示したが、バックゲートを有するデュアルゲートトランジスタでもよい。また、トランジスタ１０１乃至１０９、トランジスタ１１１乃至１１３、およびトランジスタ１２１乃至１２３がＯＳトランジスタであることで、トランジスタのオフ電流が低いため、ゲートドライバの消費電流を低減することができる。
【００８２】
同様に、シフトレジスタＳＲＤＵＭの構成例を示す回路図を、図５（Ｂ）に示す。
【００８３】
図６は、スタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４、および出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎの波形を示すタイミングチャートである。
【００８４】
期間Ｐ１では、スタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４に応じて、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎからは、順にパルスが出力される。
【００８５】
一方、期間Ｐ２では、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を、一定期間Ｌレベルに固定している。図６の例では、出力端子ＯＵＴ＿１、ＯＵＴ＿２、ＯＵＴ＿ｎ−１、およびＯＵＴ＿ｎからパルスが出力され、出力端子ＯＵＴ＿ｊ、ＯＵＴ＿ｊ＋１からはパルスが出力されない。
【００８６】
期間Ｐａ、期間Ｐｃでは、期間Ｐ１と同様に、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４によるトグル動作を行い、期間Ｐｂでは、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４をＬレベルとすることで、所定の出力端子にのみパルスを出力することができる（後述する、部分ＩＤＳ駆動）。
【００８７】
このように、図４（Ａ）に示すゲートドライバは、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎに、順にパルスを出力すること、および、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を制御することで、所定の出力端子にのみパルスを出力することができる。
【００８８】
＜＜タイミングチャート＞＞
次に、表示ユニット６０が画像を書き換える動作と、タッチセンサユニット７０の検出動作との関係について説明する。表示ユニット６０が画像を書き換える動作については、表示領域の全領域を書き換える第１のモード（以下、「通常表示」と呼ぶ）と、表示領域の一部領域を書き換える第２のモード（以下、「部分ＩＤＳ駆動」と呼ぶ）と、表示領域の全領域を書き換えない第３のモード（以下、「ＩＤＳ駆動」と呼ぶ）とに分けて、説明する。
【００８９】
＜通常表示＞
通常表示は、全表示領域を使った動画表示など、表示領域の全領域を書き換える必要がある場合に適用される。ここでは、説明をわかりやすくするため、表示ユニット６０が画像を書き換える頻度は、１秒間に約６０回（フレーム周波数が６０Ｈｚ）であるとする。また、画素アレイ６１が有する画素１０（１，１）乃至画素１０（ｍ，ｎ）について、ｎ＝１８の場合を説明する。
【００９０】
表示ユニット６０が画像を書き換える期間を、期間Ｐｄとすると、図７に示すように、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）を駆動し、順にパルスを出力する。期間Ｐｄは、画像の書き換えを行っているため、例えば、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）が駆動されることによるノイズ、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）にデータ信号が供給されることによるノイズ、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３が動作することによるノイズ等があり、タッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングとしては好適ではない。
【００９１】
そこで、期間Ｐｄとは別の期間Ｐｔを設け、期間Ｐｔにおいて、タッチセンサユニット７０は検出動作を行う。また、期間Ｐｏは、表示ユニット６０による画像の書き換え、および、タッチセンサユニット７０による検出動作、のどちらも行っていない期間である。期間Ｐｏは、アプリケーションプロセッサ８０や、表示装置５０以外の機器とのタイミングを合わせるため等に必要となる場合があるが、必要ない場合は設けなくてもよい。
【００９２】
表示装置５０は、期間Ｐｄ、期間Ｐｔ、期間Ｐｏ合わせて、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）となるように設計を行う。
【００９３】
＜部分ＩＤＳ駆動＞
部分ＩＤＳ駆動は、表示領域の一部で動画を表示する場合など、表示領域の一部領域を書き換える必要がある場合に適用される。例えば、図８は、表示装置５０を、タブレット型情報端末９０に適用した例である。
【００９４】
図８は、タブレット型情報端末９０の形態例および使用例を示す外観図である。タブレット型情報端末９０は、入力領域を兼ねる表示領域９１を有し、指やスタイラス等を使って、文字や絵などを入力することができる。表示領域９１には、本発明の一形態である表示装置５０が適用されている。
【００９５】
図８は、タブレット型情報端末９０の使用者が文字を学習する例を示している。タブレット型情報端末９０に、イラスト９２、枠９３および枠９４が表示されている。枠９３には手本となる文字が表示されている。使用者は、スタイラス９５を使って、枠９３で表示されている文字を枠９４の中に書き込む。タブレット型情報端末９０には、枠９３の中の文字と関連したイラスト９２が表示される。
【００９６】
この場合、画像を書き換える必要があるのは、枠９４の中のみである。ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、枠９４にかかわる領域のみ、ゲート線ＧＬを駆動すればよい（図８では、点線で示した領域Ａ１１）。図７で示したタイミングチャートは、例えば、図９のようになる。
【００９７】
図９では、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を制御することで、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）、および、ゲート線ＧＬ（１６）乃至ゲート線ＧＬ（１８）に、パルスが出力されていない。ゲート線ＧＬ（１０）乃至ゲート線ＧＬ（１５）にのみ、通常表示と同様のパルスが出力されている。このような駆動方法を、部分ＩＤＳ駆動と呼ぶ。
【００９８】
図９において、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）にパルスが出力されていないため、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間Ｐｔを、増やすことができる。図１０に、期間Ｐｔと同じ長さの期間Ｐｔ２を確保した例を示す。この場合、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）の時間の中に、タッチセンサユニット７０が２回検出動作を行うことができるため、１秒間に１２０回の検出動作が可能である。したがって、滑らかな入力が可能であり、手書き入力等に好適である。
【００９９】
また、図９において、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）と同様、ゲート線ＧＬ（１６）乃至ゲート線ＧＬ（１８）にもパルスが出力されていない。そのため、期間Ｐｔ２は、分割して確保することもできる。
【０１００】
期間Ｐｔ２では、画像を書き換える必要がないため、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）が駆動されることによるノイズ、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）にデータ信号が供給されることによるノイズがなく、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間として好適である。
【０１０１】
期間Ｐｔ２においても、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４が供給されているので、さらに検出精度をあげたい場合は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３のシフトレジスタＳＲおよびＳＲＤＵＭを、クロック信号を使用しないデコーダ回路とすることもできる。
【０１０２】
＜ＩＤＳ駆動＞
ＩＤＳ駆動は、全表示領域で静止画を表示している場合など、表示領域の全領域を書き換える必要がない場合に適用される。図７で示されるタイミングチャートから、表示ユニット６０が画像を書き換える期間Ｐｄが必要なくなるため、タイミングチャートは、例えば、図１１のように示される。
【０１０３】
図１１では、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は停止しており、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）にパルスは出力されていない。この場合、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）の時間の中に、期間Ｐｏを除いて、自由に期間Ｐｔおよび期間Ｐｔ２を設定でき、滑らかな入力が可能である。必要であれば、さらに、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間を増やすこともできる。
【０１０４】
ＩＤＳ駆動は、静止画を表示している限り画像を書き換える必要はないが、実際には、オフ電流が低いトランジスタを用いた画素１０が電荷を保持できる時間、画素１０の表示素子が液晶素子である場合の反転駆動等を考慮する必要がある。
【０１０５】
ＩＤＳ駆動および部分ＩＤＳ駆動は、さらに、表示ユニットの消費電力を低減することができるため、携帯型情報端末に好適である。
【０１０６】
＜＜フローチャート＞＞
次に、表示装置５０を適用した電子機器が、電源をＯＮされてから、３つの動作モード（通常表示、部分ＩＤＳ駆動、ＩＤＳ駆動）を切り替える様子を、図１２のフローチャートを用いて説明する。
【０１０７】
表示装置５０を適用した電子機器が、電源をＯＮされる（ステップＳ１）と、まずはフレーム周波数が６０Ｈｚの通常表示を行う（ステップＳ２）。しばらくして起動動作が終わると、全表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ３）。全表示領域の書き換えが不要か否かの判断は、アプリケーションプロセッサ８０が、現在表示している画像データと、次に表示する画像データの差分を計算することで行うことができる。
【０１０８】
全表示領域の書き換えが不要の場合、ＩＤＳ駆動に移行し（ステップＳ４）、全表示領域の書き換えが不要ではない場合、一部表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ５）。一部表示領域の書き換えが不要か否かの判断は、ステップＳ３と同様、アプリケーションプロセッサ８０が行う。一部表示領域の書き換えが不要の場合、部分ＩＤＳ駆動に移行する（ステップＳ６）。ＩＤＳ駆動、または部分ＩＤＳ駆動の場合、タッチを検出すると（ステップＳ７）、もう一度、全表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ３）。
【０１０９】
また、ステップＳ３において全表示領域の書き換えが不要ではない、かつ、ステップＳ５において一部表示領域の書き換えが不要ではない、と判断されると、通常表示を行う（ステップＳ２）。
【０１１０】
次に、表示装置５０を適用した電子機器が情報端末であり、情報端末に静止画のテキスト（文字）が表示され、使用者が気になった部分にマークを残す動作を、図１３と図１４を用いて説明する。
【０１１１】
図１３は、表示装置５０を適用した情報端末の使用例と、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に入力される信号の様子を示している。信号は、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４のいずれか一つを代表してＣＬＫと、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２を示している。図１４は、図１３で示した情報端末の動作を説明するフローチャートである。
【０１１２】
図１３（Ａ）は、アプリケーションを起動した直後である（図１４、ステップＳ１１）。通常表示であり、クロック信号ＣＬＫ、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２は、トグル動作を行っている。
【０１１３】
図１３（Ｂ）では、静止画のテキストが表示されているため、ＩＤＳ駆動に変更される（図１４、ステップＳ１２）。ＩＤＳ駆動では、クロック信号ＣＬＫ、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２は、Ｌレベルに固定され、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は停止している。
【０１１４】
図１３（Ｃ）では、スタイラスでのタッチが検出される（図１４、ステップＳ１３）。部分ＩＤＳ駆動に変更され（図１４、ステップＳ１４）、クロック信号ＣＬＫがトグル動作を行う（図１３（Ｄ））。スタートパルスＳＰも入力され、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は動作を開始するが、しばらくは、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２はＬレベルである（図１４、ステップＳ１６、Ｓ１７）。入力されたスタートパルスＳＰが、シフトレジスタをシフトし、書き換えが必要な領域のＫ行前まで来ると、タッチセンサユニット７０は動作を停止する（図１４、ステップＳ１７、Ｓ１８）。Ｋは回路構成にもよるが、少なくとも１以上の整数である。
【０１１５】
スタートパルスＳＰが、書き換えが必要な領域までシフトすると、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２もトグル動作を行い、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬにパルスを出力する。そして、画素１０に画像データのデータ信号が書き込まれる（図１４、ステップＳ１９、Ｓ２０）。
【０１１６】
書き換えが必要な領域の書き換え動作が終了すると、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２はＬレベルとなり、タッチセンサユニット７０は動作を再開する。スタートパルスＳＰがシフトレジスタの最終段までシフトすると、ＲＥＳ信号により、シフトレジスタはリセットされる（図１４、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３）。
【０１１７】
次のタッチが検出されると（図１４、ステップＳ１５）、図１４のステップＳ１４から同じ動作を繰り返し、次のタッチが検出されなければ、再び、ＩＤＳ駆動に変更される（図１４、ステップＳ１２）。
【０１１８】
以上のように、表示装置５０を適用した電子機器は、３つの動作モード（通常表示、部分ＩＤＳ駆動、ＩＤＳ駆動）を、適宜切り替えることができる。表示装置５０は、ノイズの影響が少ないタイミングで、タッチセンサユニット７０による精度の高い検出動作を行い、部分ＩＤＳ駆動およびＩＤＳ駆動時は、滑らかな入力を可能とする。また、部分ＩＤＳ駆動およびＩＤＳ駆動時は、書き換え動作による消費電力を低減することができる。
【０１１９】
なお、図１３の使用例において、表示装置５０の表示例は、例えば、画素１０に透過型もしくは反射型の液晶素子を適用した場合である。
【０１２０】
また、図１３の使用例は、画素１０に、反射型素子と発光型素子を組み合わせたハイブリッド型素子を適用してもよい。その場合、静止画のテキストを反射型素子を用いて、マークを発光型素子を用いて、表示してもよい。静止画のテキストを表示している反射型素子を、ＩＤＳ駆動とすることができる。
【０１２１】
また、画素１０に有機ＥＬ等の発光型素子を適用した場合も同様の動作を行うことができ、上述した、精度の高い検出、滑らかな入力、書き換え動作による消費電力の低減が可能である。この場合、発光に要する消費電力は、発光型素子の発光している面積が影響する。したがって、図１３の使用例は、図１５のように背景を黒（発光しない）とし、必要な部分のみを光らせる構成が好ましい。
【０１２２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載のタッチセンサユニット７０の構成例について、図１６および図１７を用いて説明を行う。
【０１２４】
タッチセンサユニット７０のより具体的な構成例について、図１６および図１７を用いて説明を行う。
【０１２５】
図１６（Ａ）はタッチセンサユニット７０の上面図である。図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）の一部を説明する投影図である。
【０１２６】
図１７（Ａ）は、制御線および検知信号線の隣接部の上面図である。図１７（Ｂ）は、隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。
【０１２７】
タッチセンサユニット７０はセンサアレイ７１を有する。センサアレイ７１は、配線ＣＬ（ｇ）、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜を備える。（図１６（Ａ）参照）。なお、ｇ及びｈは２以上の整数である。
【０１２８】
例えば、複数の領域に分割された導電膜をセンサアレイ７１に用いることができる（図１６（Ａ）参照）。これにより、同一の電位または異なる電位を、複数の領域のそれぞれに供給することができる。
【０１２９】
具体的には、配線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜をセンサアレイ７１に用いることができる。また、複数の領域に分割された導電膜のそれぞれに、例えば、櫛歯状の形状を備える導電膜を用いることができる（図１７、電極ＣＥ（１）、電極ＭＥ（１）および電極ＭＥ（２）参照）。これにより、分割された導電膜を検知素子の電極に用いることができる。
【０１３０】
例えば、配線ＣＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（２）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜は、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図１６（Ａ）、図１６（Ｃ）、または図１７参照）。
【０１３１】
検知素子４７５（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）および配線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される（図１６（Ａ）参照）。
【０１３２】
配線ＣＬ（ｇ）は信号Ｔｘを供給する機能を備え、配線ＭＬ（ｈ）は、信号Ｒｘを供給される機能を備える。
【０１３３】
配線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１６（Ｂ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。
【０１３４】
なお、検知素子４７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。
【０１３５】
電極ＣＥ（１）は、配線ＣＬ（１）に電気的に接続され、電極ＭＥ（１）は、配線ＭＬ（１）に電気的に接続される（図１７参照）。
【０１３６】
同様に、電極ＣＥ（ｇ）は、配線ＣＬ（ｇ）に電気的に接続され、電極ＭＥ（ｈ）は、配線ＭＬ（ｈ）に電気的に接続される。
【０１３７】
検知素子４７５（１、１）は、電極ＣＥ（１）と電極ＭＥ（１）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する（図１７参照）。
【０１３８】
同様に、検知素子４７５（ｇ、ｈ）は、電極ＣＥ（ｇ）と電極ＭＥ（ｈ）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する。
【０１３９】
同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（１）および電極ＣＥ（１）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（１）および電極ＭＥ（１）に用いることができる（図１７参照）。
【０１４０】
同様に、同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（ｇ）および電極ＣＥ（ｇ）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（ｈ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。
【０１４１】
例えば、透光性を備える導電膜を、電極ＣＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。または、画素と重なる領域に開口部や櫛歯状の形状を備える導電膜を、電極ＣＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。
【０１４２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１４３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の画素１０の回路構成例について図１９乃至図２１を用いて説明を行う。
【０１４４】
〈画素１０ａ〉
図１９に、液晶素子を有するパネルに用いることができる画素回路の一例を示す。図１９に示す画素１０ａは、トランジスタ３０１と、容量素子３０３と、表示素子として機能する液晶素子３０４と、を有する。
【０１４５】
トランジスタ３０１のゲート（第１ゲート）はゲート線ＧＬに電気的に接続され、トランジスタ３０１のバックゲート（第２ゲート）はトップゲートに電気的に接続され、トランジスタ３０１の第１端子はソース線ＳＬに電気的に接続され、トランジスタ３０１の第２端子は容量素子３０３の第１端子及び液晶素子３０４の第１端子に電気的に接続される。なお、トランジスタ３０１の第２端子、容量素子３０３の第１端子及び液晶素子３０４の第１端子の結節点をノード３０２と呼称する。トランジスタ３０１は、ノード３０２へのデータ信号の書き込みを制御する機能を有する。
【０１４６】
容量素子３０３の第２端子は、特定の電位が供給される配線（以下、「容量線ＣＬ」ともいう）に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位の値は、画素１０ａの仕様に応じて適宜設定される。容量素子３０３は、ノード３０２に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０１４７】
液晶素子３０４の第２端子の電位は、画素１０ａの仕様に応じて適宜設定される。液晶素子３０４に含まれる液晶は、ノード３０２に書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素１０ａのそれぞれが有する液晶素子３０４の第２端子に、共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。
【０１４８】
液晶素子３０４として、例えば、ＩＰＳモード、ＴＮモード、ＦＦＳモード、ＡＳＭモード、ＯＣＢモード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＶＡモード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０１４９】
液晶素子３０４として、例えば、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を用いることが好ましい。これにより、液晶素子３０４の透過率の変動を抑制することができる。または、液晶素子３０４のチラツキを抑制することができる。または、液晶素子３０４の書き換える頻度を低減することができる。
【０１５０】
液晶素子３０４として、例えば、ネマチック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶等を含む液晶材料を用いることができる。または、コレステリック相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０１５１】
また、液晶素子３０４として、例えば、二色性色素を含む液晶材料を用いることができる。なお、二色性色素を含む液晶材料をゲスト・ホスト液晶という。
【０１５２】
具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。
【０１５３】
例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。
【０１５４】
また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶材料を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。
【０１５５】
また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を液晶素子３０４として用いることができる。
【０１５６】
次に、画素１０ａの動作例について説明を行う。
【０１５７】
まず、ゲートドライバ６２、６３により各行の画素１０ａが順次選択され、トランジスタ３０１がオン状態になり、ノード３０２にデータが書き込まれる。
【０１５８】
次に、トランジスタ３０１をオフ状態にし、ノード３０２に書き込まれたデータを保持する。ノード３０２に書き込まれたデータに応じて、液晶素子３０４の透過光量が決定される。これを行毎に順次行うことにより、表示領域に画像が表示される。
【０１５９】
トランジスタ３０１は、バックゲートを設けることで電流駆動能力を向上させることができる。なお、トランジスタ３０１のバックゲートは、場合によっては設けなくてもよい。バックゲートを省略することで、トランジスタ３０１の製造工程を簡略化することができる。
【０１６０】
トランジスタ３０１として、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。トランジスタ３０１としてＯＳトランジスタを用いることで、画素１０ａはノード３０２に書き込まれたデータを長期間保持することが可能になり、静止画像を表示している間、画像データのリフレッシュ頻度を少なくすることができる。すなわち、画素１０ａはＩＤＳ駆動が可能になる。その結果、表示装置５０の消費電力を低減することが可能になる。
【０１６１】
〈画素１０ｂ〉
図２０は発光素子を有するパネルに用いることができる画素１０ｂの一例を示す。
【０１６２】
画素１０ｂは、ゲート線ＧＬ、ソース線ＳＬ、配線ＣＴＬおよび配線ＡＮＬと電気的に接続されている。また、画素１０ｂは、トランジスタ３１１、トランジスタ３１２、容量素子３１０、および発光素子３１４を有する。
【０１６３】
発光素子３１４は一対の端子（アノードおよびカソード）を有する。発光素子３１４としては、電流または電圧によって輝度を制御することが可能な素子を用いることができる。例えば、発光素子３１４として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（「ＥＬ素子」ともいう）を適用することができる。ＥＬ素子は、一対の電極の間に発光層（「ＥＬ層」ともいう）を有する。
【０１６４】
図２０ではトランジスタ３１１、３１２はｎ型トランジスタであるが、これらの１つ以上または全てをｐ型トランジスタとしてもよい。また、トランジスタ３１１、３１２はゲート（第１ゲート）に電気的に接続されているバックゲート（第２ゲート）を有する。このようなデバイス構造とすることで、トランジスタ３１１、３１２の電流駆動能力を向上させることができる。
【０１６５】
トランジスタ３１１は、トランジスタ３１２のゲート（ノード３１５）とソース線ＳＬとの間を接続するパストランジスタである。トランジスタ３１２は駆動トランジスタであり、発光素子３１４に供給される電流源として機能する。トランジスタ３１２のドレイン電流の大きさによって、発光素子３１４の輝度が調節される。容量素子３１０は、ノード３１５と配線ＡＮＬ間の電圧を保持する保持容量である。
【０１６６】
ゲートドライバ６２、６３により各行の画素１０ｂが順次選択され、トランジスタ３１１がオン状態になり、ノード３１５にデータが書き込まれる。
【０１６７】
次に、トランジスタ３１１をオフ状態としてノード３１５に書き込まれたデータを保持する。ノード３１５に書き込まれたデータに応じて、発光素子３１４の輝度が決定される。これを行毎に順次行うことにより、表示領域に画像が表示される。
【０１６８】
トランジスタ３１１として、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタ３１１としてＯＳトランジスタを用いることで、画素１０ｂはノード３１５に書き込まれたデータを長期間保持することが可能になり、静止画像を表示している間、画像データのリフレッシュ頻度を少なくすることができる。すなわち、画素１０ｂはＩＤＳ駆動が可能になる。その結果、表示装置５０の消費電力を低減することが可能になる。
【０１６９】
〈画素１０ｃ〉
図２１（Ａ）は発光素子を有するパネルに用いることができる画素１０ｃの一例を示す。
【０１７０】
画素１０ｃは、図２０の画素１０ｂに、配線ＭＬおよびトランジスタ３１３を追加したものである。トランジスタ３１３は、配線ＭＬと発光素子３１４のアノードとの間を接続するパストランジスタである。
【０１７１】
トランジスタ３１２の駆動能力にばらつきが発生すると、発光素子３１４の輝度にばらつきが発生し表示品位を低下させてしまう。画素１０ｃは、トランジスタ３１２のドレイン電流をモニターすることで、発光素子３１４の輝度ばらつきを補正する機能を有する。
【０１７２】
図２１（Ｂ）に、図２１（Ａ）に示すゲート線ＧＬの電位と、ソース線ＳＬに供給される画像信号のタイミングチャートを例示する。なお、図２１（Ｂ）に示すタイミングチャートは、画素１０ｃに含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである。
【０１７３】
期間Ｔ１は書き込み動作期間であり、発光素子３１４は発光させない。ゲート線ＧＬにハイレベルの電位が与えられ、トランジスタ３１１及びトランジスタ３１３がオンとなる。ソース線ＳＬには、画像信号として電位Ｖｄａｔａが与えられる。電位Ｖｄａｔａは、トランジスタ３１１を介してトランジスタ３１２のゲートに与えられる。
【０１７４】
期間Ｔ１では、配線ＭＬの電位が、配線ＣＴＬの電位に発光素子３１４の閾値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも低く、配線ＡＮＬの電位が、配線ＭＬの電位よりも高いことが望ましい。上記構成により、トランジスタ３１２のドレイン電流を、発光素子３１４ではなく配線ＭＬの方に優先的に流すことができる。
【０１７５】
期間Ｔ２は発光期間であり、発光素子３１４は発光する。ゲート線ＧＬにローレベルの電位が与えられ、トランジスタ３１１及びトランジスタ３１３がオフとなる。トランジスタ３１１がオフになることで、トランジスタ３１２のゲートにおいて、電位Ｖｄａｔａが保持される。また、配線ＡＮＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＴＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子３１４の閾値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも高くすることが望ましい。配線ＡＮＬと配線ＣＴＬとの間に上記電位差が設けられることにより、トランジスタ３１２のドレイン電流が発光素子３１４に供給され、発光素子３１４が発光する。
【０１７６】
次いで、期間Ｔ３は、トランジスタ３１２のドレイン電流を取得するモニター期間である。ゲート線ＧＬにハイレベルの電位が与えられ、トランジスタ３１１及びトランジスタ３１３がオンとなる。ソース線ＳＬには、トランジスタ３１２のゲート電圧が閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなるような電位が与えられる。配線ＭＬの電位は、配線ＣＴＬの電位に発光素子３１４の閾値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも低くし、配線ＡＮＬの電位は、配線ＭＬの電位よりも高くすることが望ましい。上記構成により、トランジスタ３１２のドレイン電流を、発光素子３１４ではなく配線ＭＬの方に優先的に流すことができる。
【０１７７】
期間Ｔ３で画素１０ｃから配線ＭＬに出力される電流ＩＭＯＮは、発光期間にトランジスタ３１２に流れるドレイン電流に相当する。電流ＩＭＯＮはモニター回路に供給される。モニター回路は、電流ＩＭＯＮを解析し、解析結果に基づいて、補正信号を生成する。以上の動作によって、画素１０ｃは輝度のずれを補正することができる。
【０１７８】
上記モニター動作を発光動作の後に常に行う必要はない。例えば、画素１０ｃにおいて、データの書き込み動作と発光動作のサイクルを複数回繰り返した後に、モニター動作を行うようにすることができる。また、モニター動作させた後、最小の階調値［０］に対応するデータ信号を画素１０ｃに書き込むことで、発光素子３１４を非発光状態にするようにしてもよい。
【０１７９】
画素１０ｂと同様に、画素１０ｃにおいても、トランジスタ３１１としてＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタ３１１にＯＳトランジスタを用いることで、画素１０ｃはＩＤＳ駆動が可能になる。その結果、表示装置５０の消費電力を低減することが可能になる。
【０１８０】
図２０及び図２１（Ａ）に示す、トランジスタ３１１、３１２、３１３は、場合によっては、バックゲートを設けなくてもよい。バックゲートを省略することで、トランジスタの製造工程を容易にすることができる。
【０１８１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１８２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示装置５０の構成例について図２２乃至図２８を用いて説明を行う。
【０１８３】
図２２乃至図２４に、表示装置５０の断面模式図を示す。なお、図２２乃至図２４に示す断面模式図は、タッチセンサの動作を説明する上で必要な構成要素のみが描かれている。例えば、基板４１１上にトランジスタなどの素子が設けられる場合もあるが、ここでは省略することにする。
【０１８４】
＜図２２＞
図２２（Ａ）に示す表示装置５０は、基板４１１、基板４１２、ＦＰＣ４１３、配線４１４、液晶素子４２０、着色膜４３１、電極４４１等を有する。
【０１８５】
液晶素子４２０は、電極４２１、電極４２２及び液晶４２３により構成される。電極４２１上には絶縁膜４２４を介して電極４２２が配置されている。電極４２１は液晶素子４２０のコモン電極として機能し、電極４２２は画素電極として機能する。
【０１８６】
電極４２１および電極４２２は、液晶４２３の厚さ方向（図中Ａ１‐Ａ２方向）と交差する電界を形成するように配置される。液晶４２３としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、またはＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する液晶材料を用いることができる。
【０１８７】
タッチセンサは、基板４１２側に設けられた電極４４１と、液晶素子４２０の一対の電極の一方として機能する電極４２１との間に形成される容量を利用して検出することができる。
【０１８８】
電極４４１は基板４１２の表示面側（基板４１１と反対側）の面に設けられる。また、電極４４１は、基板４１２側に設けられたＦＰＣ４４３と電気的に接続される。電極４２１は、配線４１４を介して基板４１１側に取り付けられたＦＰＣ４１３と電気的に接続する。
【０１８９】
図２２（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４２１を画素電極、電極４２２をコモン電極とし、電極４４１と電極４２２との間に形成される容量を利用して、タッチ検出を行ってもよい。その場合の模式図を図２２（Ｂ）に示す。
【０１９０】
図２２（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図２２（Ｃ）に示す。
【０１９１】
図２２（Ｂ）に示す表示装置５０は、電極４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図２２（Ｄ）に示す。
【０１９２】
図２２（Ａ）乃至図２２（Ｄ）に示す構成とすることで、液晶素子４２０の一方の電極を、タッチセンサの一対の電極の一方と兼ねることができる。よって、工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。
【０１９３】
＜図２３＞
図２２（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１およびＦＰＣ４４３を設けない構成でもよい。その場合の模式図を図２３（Ａ）に示す。
【０１９４】
図２３（Ａ）において、液晶素子４２０のコモン電極として機能する電極４２１ａ及び電極４２１ｂが、タッチセンサの一対の電極としても機能する。
【０１９５】
図２３（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４２２をコモン電極としてもよい。その場合の模式断面図を図２３（Ｂ）に示す。図２３（Ｂ）において、電極４２２ａ及び電極４２２ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。
【０１９６】
図２３（Ａ）または図２３（Ｂ）に示す構成とすることで、タッチセンサの一対の電極の両方を、液晶素子４２０の一方の電極で兼ねることができる。よって、図２２（Ａ）、（Ｂ）の場合よりも、より工程を簡略化することができる。
【０１９７】
＜図２４＞
図２２（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１だけでタッチセンサの一対の電極を形成してもよい。その場合の模式断図を図２４（Ａ）に示す。
【０１９８】
図２４（Ａ）において、基板４１２上に設けられた電極４４１ａ及び電極４４１ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。
【０１９９】
図２４（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１ａおよび電極４４１ｂを基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の断面模式図を図２４（Ｂ）に示す。
【０２００】
図２４（Ａ）または図２４（Ｂ）の場合、電極４４１ａ及び電極４４１ｂは、液晶素子４２０の電極（電極４２１、電極４２２）から遠ざけられている。そのため、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。また、電極４４１ａ及び電極４４１ｂは、基板４１１上に形成された配線やトランジスタなど、ノイズの発生源となり得るものから遠ざけられている。そのため、図２４（Ａ）または図２４（Ｂ）に示す表示装置５０は、タッチ検出の感度を高めることができる。
【０２０１】
＜図２５＞
図２４（Ａ）または図２４（Ｂ）のようにタッチセンサの電極を設けた場合、液晶４２３として、基板４１１に対して垂直方向に電界を印加することで表示を行う液晶を用いることができる。その場合の断面模式図を図２５（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【０２０２】
図２５（Ａ）、（Ｂ）において、液晶４２３を上下に挟むように、電極４２１および電極４２２が設けられている。この場合も、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。液晶４２３として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードなどを用いることができる。
【０２０３】
＜図２６＞
図２４（Ａ）または図２４（Ｂ）のようにタッチセンサの電極を設けた場合、表示素子としてＥＬ素子を用いることができる。その場合の断面模式図を図２６（Ａ）乃至（Ｃ）に示す。
【０２０４】
図２６（Ａ）に示す表示装置５０は、図２４（Ａ）に示す液晶素子４２０を、ＥＬ素子４６３に置き替えたものである。同様に、図２６（Ｂ）に示す表示装置５０は、図２４（Ｂ）に示す液晶素子４２０を、ＥＬ素子４６３に置き替えたものである。
【０２０５】
図２６（Ａ）、（Ｂ）において、ＥＬ素子４６３は、電極４６４、ＥＬ層４６５、電極４６６を有する。電極４６４は、ＥＬ素子４６３の陽極または陰極の一方としての機能を有し、電極４６６は、ＥＬ素子４６３の陽極または陰極の他方としての機能を有する。また、電極４６６は反射膜としての機能を有し、電極４６４は可視光を透過する機能を有する。ＥＬ層４６５は発光層を有し、電極４６４と電極４６６の間に電圧を印加すると、ＥＬ層４６５に電流が流れ、ＥＬ層４６５が発光する。ＥＬ層４６５が呈する光は、着色膜４３１及び基板４１２を介して、外部に取り出される。
【０２０６】
図２６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置５０は、電極４４１ａおよび電極４４１ｂを基板４１１に設けてもよい。その場合の断面模式図を図２６（Ｃ）に示す。この場合、電極４６４は反射膜としての機能を有し、電極４６６は可視光を透過する機能を有する。ＥＬ層４６５が呈する光は、着色膜４３１及び基板４１１を介して、外部に取り出される。なお、図２６（Ｃ）において、電極４４１ａおよび電極４４１ｂは、基板４１１とＥＬ素子４６３の間に設けてもよい。
【０２０７】
図２６（Ａ）乃至（Ｃ）において、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界は、ＥＬ素子４６３によって遮られることはない。そのため、タッチセンサは、感度の高いタッチ検出を行うことができる。
【０２０８】
次に、図２７および図２８を用いて表示装置５０のより具体的な構成例について説明を行う。
【０２０９】
＜図２７＞
図２７に示す断面図は、図２３（Ａ）に示す表示装置５０の断面模式図をより詳細に説明した図である。
【０２１０】
図２７に示す表示装置は電極６２５を有しており、電極６２５はＦＰＣ４１３が有する端子と、異方性導電層６２６を介して、電気的に接続されている。また、電極６２５は、絶縁層６２４に形成された開口部において配線４１４と電気的に接続されている。電極６２５は、第１の電極４２２と同じ導電層から形成されている。
【０２１１】
また、第１の基板４１１上に設けられた画素１０とゲートドライバ６２は、トランジスタを複数有しており、図２７では、画素１０に含まれるトランジスタ６０１と、ゲートドライバ６２に含まれるトランジスタ６０２とを例示している。図２７では、トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２上に、絶縁層６２４が設けられている。
【０２１２】
《トランジスタ６０１、６０２》
トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２は、基板４１１上に設けられた電極６１６を有し、電極６１６上に絶縁層６２１が設けられ、絶縁層６２１上に半導体層６１２が設けられ、半導体層６１２上に絶縁層６２２が設けられ、絶縁層６２２上に電極６１７が設けられている。また、半導体層６１２と接するように電極６１０および電極６１１が設けられている。電極６１０及び電極６１１は、配線４１４と同じ導電層で形成されている。
【０２１３】
トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２において、電極６１７は第１のゲート電極（トップゲートともいう）としての機能を有し、電極６１６は第２のゲート電極（バックゲートともいう）としての機能を有し、電極６１０はソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有し、電極６１１はソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有する。
【０２１４】
トランジスタ６０１及びトランジスタ６０２はトップゲート及びバックゲートを有することで、オン電流を増大させることができる。また、トランジスタの閾値を制御することができる。
【０２１５】
トランジスタ６０１及びトランジスタ６０２において、半導体層６１２はチャネル形成領域としての機能を有する。半導体層６１２として、金属酸化物などを用いればよい。
【０２１６】
半導体層６１２として金属酸化物を用いた場合、半導体層６１２はインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一方を含むことが好ましい。このような酸化物としては、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ酸化物、Ｚｎ−Ｍ酸化物（元素Ｍは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、スズ（Ｓｎ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、バナジウム（Ｖ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）またはタングステン（Ｗ）など）が代表的である。
【０２１７】
トランジスタ６０１、６０２としてＯＳトランジスタを用いることで、トランジスタ６０１、６０２は、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０２１８】
《液晶素子４２０》
図２７は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示パネルの一例である。図２７において、表示素子である液晶素子４２０は、第１の電極４２２、第２の電極４２１、及び液晶４２３を含む。なお、液晶４２３を挟持するように配向膜６３１、配向膜６３２が設けられている。第２の電極４２１は、液晶材料を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極４２２との間に形成するように配置される。
【０２１９】
例えば、液晶４２３として、ＦＦＳモード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ＩＰＳモード、で動作する液晶材料を用いることができる。
【０２２０】
《基板４１１》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板４１１等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板４１１等に用いることができる。
【０２２１】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板４１１等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板４１１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板４１１等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板４１１等に用いることができる。
【０２２２】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板４１１等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板４１１等に形成することができる。
【０２２３】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板４１１等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板４１１等に用いることができる。
【０２２４】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板４１１等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板４１１等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板４１１等に用いることができる。
【０２２５】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一つまたは複数の膜が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。
【０２２６】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板４１１等に用いることができる。
【０２２７】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板４１１等に用いることができる。
【０２２８】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板４１１等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０２２９】
また、紙または木材などを基板４１１等に用いることができる。
【０２３０】
例えば、可撓性を有する基板を基板４１１等に用いることができる。
【０２３１】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板４１１等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０２３２】
《基板４１２》
例えば、基板４１１に用いることができる材料を基板４１２に用いることができる。例えば、基板４１１に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板４１２に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板４１２に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した材料を基板４１２に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板４１１に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板４１２に用いることができる。
【０２３３】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板４１２に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０２３４】
例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板４１２に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０２３５】
《着色膜４３１、遮光膜６３０、絶縁層６２９》
基板４１２の基板４１１側の面には、着色膜４３１、遮光膜６３０、絶縁層６２９等が設けられている。
【０２３６】
着色膜４３１は、所定の色の光を透過する機能を有する。すなわち、着色膜４３１はカラーフィルタとしての機能を有する。
【０２３７】
遮光膜６３０は光の透過を抑制する機能を有する。すなわち、遮光膜６３０はブラックマトリクスとしての機能を有する。具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜６３０に用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜６３０に用いることができる。または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜６３０に用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜６３０に用いることができる。
【０２３８】
絶縁層６２９は、着色膜４３１、遮光膜６３０等に含まれる不純物が液晶４２３に拡散することを防ぐオーバーコートとしての機能を有する。また、着色膜４３１および遮光膜６３０に基づく凹凸を平坦にする機能を有する。
【０２３９】
《その他の構成要素》
スペーサ６３３は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、絶縁層６２９と絶縁層６２４との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いても良い。
【０２４０】
シール材６２７には、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。また、シール材６２７に乾燥剤が含まれていてもよい。
【０２４１】
必要に応じて、基板４１２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０２４２】
＜図２８＞
図２８に示す断面図は、図２６（Ｂ）に示す表示装置５０の断面模式図をより詳細に説明した図である。なお、図２７と図２８で重複する部分は符号を同じくし、説明を省略する。
【０２４３】
図２８は、表示素子としてＥＬ素子などの発光素子を用いた表示パネルの一例である。以下、ＥＬ素子４６３は有機ＥＬ素子として説明を行う。
【０２４４】
《ＥＬ素子４６３》
図２８において、ＥＬ素子４６３は、画素１０に設けられたトランジスタ６０１と電気的に接続している。なおＥＬ素子４６３の構成は、第１の電極４６６、ＥＬ層４６５、第２の電極４６４の積層構造であるが、この構成に限定されない。ＥＬ素子４６３から取り出す光の方向などに合わせて、ＥＬ素子４６３の構成は適宜変えることができる。
【０２４５】
隔壁６６１は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極４６６上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０２４６】
ＥＬ層４６５は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
【０２４７】
また、ＥＬ素子４６３をマイクロキャビティ構造とすることで、色純度の高い光を取り出すことができる。また、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタを組み合わせることで、映り込みが低減し、表示画像の視認性を高めることができる。
【０２４８】
第１の電極４６６、第２の電極４６４は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０２４９】
また、第１の電極４６６、第２の電極４６４はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）などの金属、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる。
【０２５０】
また、第１の電極４６６、第２の電極４６４として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、もしくは、アニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体またはその誘導体等が挙げられる。
【０２５１】
ＥＬ素子４６３が光を外部に取り出すため、少なくとも第１の電極４６６または第２の電極４６４の一方が透明であればよい。図２８は、基板４１２から光を取り出すため、第２の電極４６４が透明であることが好ましい。
【０２５２】
ＥＬ素子４６３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極４６４および隔壁６６１上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）などを形成することができる。また、第１の基板４１１、第２の基板４１２、及びシール材６２７によって封止された空間には充填材６２８が設けられ密封されている。このように、外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【０２５３】
充填材６２８としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）などを用いることができる。また、充填材６２８に乾燥剤が含まれていてもよい。
【０２５４】
《その他の構成要素》
基板４１２の基板４１１側の面には、着色膜４３１、遮光膜６３０、配線６３４、配線６６２、電極４４１ａ、電極４４１ｂ、絶縁層６６３、等が設けられている。また、配線６３４はＦＰＣ４４３が有する端子と、異方性導電層６５４を介して、電気的に接続されている。
【０２５５】
配線６３４と電極４４１ａ、４４１ｂは、同じ導電性材料を用いて同時に形成される。
【０２５６】
図２７と同様に、必要に応じて、基板４１２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０２５７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２５８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載のソースドライバＩＣ６４の構成例について、図２９を用いて説明を行う。
【０２５９】
図２９（Ａ）及び図２９（Ｂ）は、ソースドライバＩＣ６４の構成例を示すブロック図である。図２９（Ａ）及び図２９（Ｂ）に示すソースドライバＩＣ６４は、反射型素子と発光素子を有するハイブリッド型素子を画素１０に用いた場合のブロック図である。
【０２６０】
図２９（Ａ）に示すソースドライバＩＣ６４は、制御回路８０１と、ドライバ８０２と、フレームメモリ８０３と、フレームメモリ８０４と、ゲートドライバ信号生成回路８０６と、ゲートドライバ信号生成回路８０７と、を有する。
【０２６１】
制御回路８０１は、アプリケーションプロセッサ８０から信号を受け取り、ソースドライバＩＣ６４に含まれる各種回路へ信号を供給する機能を有する。なお、制御回路８０１が、アプリケーションプロセッサ８０から受け取る信号のインターフェース規格として、ＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）などが挙げられる。
【０２６２】
ドライバ８０２は、画素アレイ６１へ画像信号を供給する機能を有する。
【０２６３】
フレームメモリ８０３は、画像信号を一時的に保存する機能を有する。
【０２６４】
ゲートドライバ信号生成回路８０６はゲートドライバ６２へ信号を供給し、ゲートドライバ信号生成回路８０７はゲートドライバ６３へ信号を供給する機能を有する。
【０２６５】
ゲートドライバ信号生成回路８０６またはゲートドライバ信号生成回路８０７の一方は、画素１０が有する反射型素子を駆動するための信号を生成し、ゲートドライバ信号生成回路８０６またはゲートドライバ信号生成回路８０７の他方は、画素１０が有する発光素子を駆動するための信号を生成する機能を有する。
【０２６６】
ソースドライバＩＣ６４は、図１に示すタッチセンサＩＣ７２としての機能を含んでいてもよい。その場合のブロック図を図２９（Ｂ）に示す。
【０２６７】
図２９（Ｂ）に示すソースドライバＩＣ６４は、図２９（Ａ）のブロック図に、図２に示す駆動回路４０２と検出回路４０３を加えている。このようにタッチセンサＩＣ７２をソースドライバＩＣ６４に含めることで、表示装置の製造コストを低減することができる。
【０２６８】
駆動回路４０２と検出回路４０３を１つのＩＣに含めた場合、これら２つの回路は、互いに離れた位置に配置されることが好ましい。駆動回路４０２が検出回路４０３の近くに配置されると、駆動回路４０２から発生するノイズによって、検出回路４０３の検出感度が低下し、タッチ検出が困難になる場合がある。そのため、駆動回路４０２と検出回路４０３は、ゲートドライバ信号生成回路８０６、ゲートドライバ信号生成回路８０７およびドライバ８０２等の回路を間に介して、配置されることが好ましい。
【０２６９】
ここで、ゲートドライバ６２は液晶素子を駆動し、ゲートドライバ６３は発光素子を駆動すると仮定する。すなわち、ゲートドライバ信号生成回路８０６は液晶素子を駆動するための信号を生成し、ゲートドライバ信号生成回路８０７は発光素子を駆動するための信号を生成すると仮定する。このとき、駆動回路４０２はゲートドライバ信号生成回路８０６の近くに配置し、検出回路４０３はゲートドライバ信号生成回路８０７の近くに配置することが好ましい。
【０２７０】
一般的に、発光素子の駆動電圧は液晶素子の駆動電圧よりも低い。そのため、ゲートドライバ信号生成回路８０７が出力する電圧の振幅は、ゲートドライバ信号生成回路８０６が出力する電圧の振幅よりも低い。ゲートドライバ信号生成回路８０７から発生するノイズは、ゲートドライバ信号生成回路８０６から発生するノイズよりも小さいと言える。そのため、検出回路４０３は、ゲートドライバ信号生成回路８０６よりも、ゲートドライバ信号生成回路８０７の近くに配置することが好ましい。
【０２７１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２７２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示ユニット６０に適用することが可能な、表示ユニット７００について図３０乃至図３８を用いて説明を行う。
【０２７３】
図３０は、表示ユニット７００の構成を説明する図である。図３０（Ａ）は画素の投影図であり、図３０（Ｂ）は図３０（Ａ）に示す画素の構成の一部を説明する分解立体図である。また、図３０（Ｃ）は画素の構成の一部を説明する、図３０（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。図３０（Ｄ）は図３０（Ａ）に示す画素を説明する上面図である。
【０２７４】
図３１は、表示ユニット７００の構成を説明する図である。図３１（Ａ）は図３０（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２における画素の断面図であり、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）に示す画素の一部の構成を説明する断面図である。
【０２７５】
図３２は表示ユニット７００の構成を説明する図である。図３２（Ａ）は表示ユニット７００の上面図であり、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）に示す表示ユニット７００の画素の一部を説明する上面図である。図３２（Ｃ）は図３２（Ａ）に示す表示ユニット７００の断面の構成を説明する模式図である。
【０２７６】
図３３および図３４は表示ユニット７００の構成を説明する断面図である。図３３（Ａ）は図３２（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図３２（Ｂ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図３３（Ｂ）および図３３（Ｃ）はいずれも図３３（Ａ）の一部を説明する図である。
【０２７７】
図３４は図３２（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図３２（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【０２７８】
図３５は図３２（Ａ）に示す表示ユニット７００に用いることができる画素の一部を説明する下面図である。
【０２７９】
図３６は表示ユニット７００が備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０２８０】
図３７は表示ユニット７００の反射膜の構成を説明する上面図である。
【０２８１】
＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図３２（Ａ）参照）。
【０２８２】
《画素の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図３２（Ｃ）参照）。
【０２８３】
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含み、機能層５２０は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０２８４】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０２８５】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２、液晶材料を含む層７５３および反射膜７５１Ｂを備える（図３０（Ｂ）および図３１（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、反射膜７５１Ｂが反射する光を制御する機能を備える。
【０２８６】
第２の電極７５２は、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配置される（図３０（Ｂ）および図３１（Ａ）参照）。例えば、櫛歯状の形状を第２の電極７５２に用いることができる。これにより、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成することができる。または、例えば、ＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する表示素子を第１の表示素子に用いることができる。
【０２８７】
なお、櫛歯状の形状を備える第２の電極７５２が行列状に配設された導電膜の外観を図３８（Ｂ）に示す。
【０２８８】
反射膜７５１Ｂは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない形状を備える（図３１（Ａ）参照）。例えば、光を遮らない領域７５１Ｈを備える形状を反射膜７５１Ｂに用いることができる。なお、反射膜７５１Ｂは、厚さ方向に凹凸を備える。例えば、第２の電極７５２の形状に沿って生じる凹凸を、厚さ方向の凹凸に用いることができる。これにより、反射膜７５１Ｂは入射した光をさまざまな方向に反射することができる。または、入射した光を乱反射することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の視野角を広げることができる。
【０２８９】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は光を射出する機能を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される（図３１（Ａ）参照）。
【０２９０】
これにより、第１の表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いた表示を補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０２９１】
《画素の構成例２．》
また、本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）が光学素子５６０および被覆膜５６５を備える。
【０２９２】
《光学素子の構成例１．》
光学素子５６０は透光性を備え、光学素子５６０は第１の領域５６０Ａ、第２の領域５６０Ｂおよび第３の領域５６０Ｃを備える（図３０（Ｂ）、図３０（Ｃ）および図３１（Ｂ）参照）。
【０２９３】
第１の領域５６０Ａは光を供給される領域を含む。例えば、第１の領域５６０Ａは第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から光を供給される。
【０２９４】
第２の領域５６０Ｂは被覆膜５６５と接する領域を含む。
【０２９５】
第３の領域５６０Ｃは光の一部を射出する機能を備え、第３の領域は第１の領域５６０Ａの光を供給される領域の面積以下の面積を備える。
【０２９６】
《被覆膜の構成例》
被覆膜５６５は光に対する反射性を備え、被覆膜５６５は光の一部を反射して第３の領域５６０Ｃに供給する機能を備える。例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を第３の領域５６０Ｃに向けて反射することができる。具体的には、実線の矢印で図示するように、第１の領域５６０Ａから光学素子５６０に入射した光の一部は、第２の領域５６０Ｂに接する被覆膜５６５によって反射され、第３の領域５６０Ｃから射出することができる（図３１（Ｂ）参照）。
【０２９７】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
反射膜７５１Ｂは、第３の領域５６０Ｃが射出する光を遮らない形状を備える。
【０２９８】
これにより、第１の表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いた表示を補うことができる。または、第１の領域に供給した光を、効率よく第３の領域から射出することができる。または、第１の領域に供給される光を集光して、第３の領域から射出することができる。例えば、第２の表示素子に発光素子を用いる場合、発光素子の面積を第３の領域の面積より広くすることができる。または、第３の領域より広い面積の発光素子が供給する光を第３の領域に集光することができる。または、第３の領域が射出する光の強度を保ちながら、発光素子に流す電流の密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。例えば、有機ＥＬ素子または発光ダイオードを発光素子に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０２９９】
《画素の構成例３．》
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図３２（Ｃ）参照）。
【０３００】
《機能層５２０》
機能層５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜５０１Ｃおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。また、機能層５２０は、光学素子５６０および被覆膜５６５を含む（図３３（Ａ）参照）。なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、例えばトランジスタＭを含む。
【０３０１】
機能層５２０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図３３（Ｃ）参照）。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域は３０μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満の厚さを備える。
【０３０２】
これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけることができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いる表示と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示との間に生じる視差を少なくすることができる。または、隣接する画素、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いる表示が、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示によって乱されにくくすることができる。または、隣接する画素、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いる表示色と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示色の混合が起こりにくくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の減衰を抑制することができる。または、表示パネルの重量を軽くすることができる。または、表示パネルの厚さを薄くすることができる。または、表示パネルを曲げやすくすることができる。
【０３０３】
また、機能層５２０は、絶縁膜５２８、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【０３０４】
《画素回路》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図３６参照）。
【０３０５】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０３０６】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３０７】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０３０８】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図３６参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図３４および図３６参照）。
【０３０９】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図３６参照）。
【０３１０】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０３１１】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０３１２】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３１３】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０３１４】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０３１５】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０３１６】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３１７】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極７５２を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。
【０３１８】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３１９】
《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図３４参照）。
【０３２０】
《第１の導電膜》
第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。
【０３２１】
《第２の導電膜》
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。
【０３２２】
ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０３２３】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０３２４】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３３（Ａ）および図３６参照）。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、機能層５２０に向けて光を射出する機能を備える。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える。
【０３２５】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す（図３４参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す（図３３（Ａ）参照）。
【０３２６】
これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、第１の表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２の表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０３２７】
例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図３３（Ａ）参照）。
【０３２８】
電極５５２は、電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３２９】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０３３０】
電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極５５２は、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図３６参照）。
【０３３１】
《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等》
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図３３（Ａ）参照）。
【０３３２】
例えば、積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂおよび絶縁膜５２１Ｃの積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。
【０３３３】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。
【０３３４】
なお、単層の膜または積層膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、絶縁膜５１８Ａおよび絶縁膜５１８Ｂを絶縁膜５１８に用いることができる。または、例えば、絶縁膜５１８Ａ１および絶縁膜５１８Ａ２を絶縁膜５１８に用いることができる。
【０３３５】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３３６】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３３７】
また、表示ユニット７００は、絶縁膜５０１Ｂを有することができる。絶縁膜５０１Ｂは、開口部５９２Ｂを備える（図３３（Ａ）参照）。
【０３３８】
開口部５９２Ｂは、導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０３３９】
＜表示パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、色相が異なる色を表示する機能を備える複数の画素を備えることができる。または、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を用いて、それぞれの画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【０３４０】
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。具体的には、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図３８（Ａ）参照）。
【０３４１】
例えば、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【０３４２】
また、例えば、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【０３４３】
また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。
【０３４４】
また、例えば、シアンを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と青色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える副画素、イエローを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）と緑色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を備える副画素およびマゼンタを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）と赤色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を備える副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）乃至第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、明るくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）乃至第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、鮮やかにすることができる。
【０３４５】
＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、機能層７２０、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１、機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等を備える（図３３（Ａ）または図３４参照）。
【０３４６】
《機能層７２０》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能層７２０を有する。機能層７２０は、基板７７０および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。機能層７２０は、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する（図３３（Ａ）または図３４参照）。
【０３４７】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０３４８】
着色膜ＣＦ１は、基板７７０および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。なお、機能層７２０および基板７７０の間に接合層７７０Ｂを用いることができる。接合層７７０Ｂは、機能層７２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０３４９】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３５０】
単層または積層膜を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、絶縁膜７７１Ａおよび絶縁膜７７１Ｂを絶縁膜７７１に用いることができる。
【０３５１】
《端子５１９Ｂ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂを有する（図３３（Ａ）参照）。
【０３５２】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０３５３】
《基板５７０、基板７７０》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０３５４】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０３５５】
基板７７０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。
【０３５６】
《接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０３５７】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０３５８】
封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０３５９】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０３６０】
《機能膜７７０ＰＡ、機能膜７７０ＰＢ、機能膜７７０Ｄ等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜７７０ＰＡと、機能膜７７０ＰＢと、機能膜７７０Ｄと、を有する。
【０３６１】
機能膜７７０ＰＡおよび機能膜７７０ＰＢは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３６２】
機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０３６３】
＜構成要素の例＞
以下、表示ユニット７００の各構成要素について説明を行う。
【０３６４】
《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０３６５】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０３６６】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。
【０３６７】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。
【０３６８】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。
【０３６９】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。
【０３７０】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０３７１】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一つまたは複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０３７２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。
【０３７３】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。
【０３７４】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０３７５】
また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。
【０３７６】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。
【０３７７】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０３７８】
《基板７７０》
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した材料を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板７７０に用いることができる。
【０３７９】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０３８０】
例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０３８１】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【０３８２】
《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０３８３】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０３８４】
《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０３８５】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０３８６】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０３８７】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０３８８】
《接合層５０５、接合層７７０Ｂ》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５または接合層７７０Ｂに用いることができる。
【０３８９】
《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０３９０】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０３９１】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸湿性などの特性において優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
【０３９２】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０３９３】
《光学素子５６０》
光学素子５６０は光軸Ｚを備える（図３０（Ｃ）参照）。光軸Ｚは第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の中心および第３の領域５６０Ｃの中心を通る。また、第２の領域５６０Ｂは、光軸Ｚと直交する平面に対し４５°以上の傾きθ、好ましくは７５°以上８５°以下の傾きθを有する傾斜部を備える。例えば、図示されている第２の領域５６０Ｂは光軸Ｚと直交する平面に対し約６０°の傾きを全体に備える。
【０３９４】
また、第２の領域５６０Ｂは、当該傾斜部を第１の領域５６０Ａの可視光を供給される領域の端から０．０５μｍ以上０．２μｍ以下の範囲に備える。なお、第１の領域５６０Ａに第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が接する場合、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の可視光を供給することができる領域の面積と等しい。例えば、図示されている第２の領域５６０Ｂの傾斜部は、第１の領域の可視光を供給される領域の端から距離ｄにある。
【０３９５】
また、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域は、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の１０％より大きい面積を備える（図３０（Ｄ）参照）。
【０３９６】
第３の領域５６０Ｃは、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の１０％以下の面積を備える。
【０３９７】
反射膜７５１Ｂは、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の７０％以上の面積を備える。
【０３９８】
第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積および反射膜７５１Ｂの面積の和は、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積より大きい。
【０３９９】
例えば、横２７μｍ縦８１μｍの矩形の画素は、２１８７μｍ２の面積を備える。第１の領域５６０Ａの３２４μｍ２の面積に可視光を供給する。また、第３の領域５６０Ｃは８１μｍ２の面積を備え、反射膜７５１Ｂは１８９４μｍ２の面積を備える。
【０４００】
この構成において、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積は、画素の面積の約１４．８％に相当する。
【０４０１】
反射膜７５１Ｂの面積は、画素の面積の約８６．６％に相当する。
【０４０２】
第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積および反射膜７５１Ｂの面積の和は、２２１８μｍ２である。
【０４０３】
これにより、第２の領域は、第１の領域にさまざまな角度で入射する光を集光することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０４０４】
なお、複数の材料を光学素子５６０に用いることができる。例えば、屈折率の差が０．２以下の範囲になるように選択された複数の材料を光学素子５６０に用いることができる。これにより、光学素子の内部における反射または散乱を抑制することができる。または、光の損失を抑制することができる。
【０４０５】
また、さまざまな形状を光学素子５６０に用いることができる。例えば、円または多角形を光学素子５６０の光軸と直交する切断面の形状に用いることができる。または、平面または曲面を光学素子５６０の第２の領域５６０Ｂに用いることができる。
【０４０６】
《被覆膜５６５》
単層の膜または積層膜を被覆膜５６５に用いることができる。例えば、透光性を備える膜および反射性を備える膜を積層した材料を被覆膜５６５に用いることができる。
【０４０７】
例えば、酸化物膜、フッ化物膜、硫化物膜等の無機材料を、上記透光性を備える膜に用いることができる。
【０４０８】
例えば、金属を、上記反射性を備える膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を被覆膜５６５に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。また、誘電体の多層膜を、上記反射性を備える膜に用いることができる。
【０４０９】
《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０４１０】
《絶縁膜５０１Ｂ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４１１】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４１２】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４１３】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４１４】
《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４１５】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０４１６】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。
【０４１７】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０４１８】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０４１９】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０４２０】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０４２１】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０４２２】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４２３】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０４２４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０４２５】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０４２６】
《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０４２７】
また、電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０４２８】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０４２９】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４３０】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４３１】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４３２】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０４３３】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４３４】
例えば、ネガ型の液晶材料を、液晶材料を含む層に用いることができる。
【０４３５】
例えば、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材料を含む層７５３に用いることが好ましい。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の書き換える頻度を低減することができる。
【０４３６】
《電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４３７】
《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を上記反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０４３８】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０４３９】
反射膜は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈが形成される形状を備える（図３７（Ａ）乃至図３７（Ｃ）参照）。
【０４４０】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。具体的には、多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。
【０４４１】
反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４４２】
また、反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性が損なわれてしまう場合がある。
【０４４３】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図３７（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図３７（Ｂ）参照）。
【０４４４】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向に延びる直線上に配設される（図３７（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４４５】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図３７（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４４６】
このように配置された光を遮らない領域に重なるように第２の表示素子を配設することにより、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子を、一の画素の第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する際に生じる難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０４４７】
または、領域７５１Ｈが形成されるように、端部が短く切除されたような形状を反射膜に用いることができる（図３７（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された形状を用いることができる。
【０４４８】
《電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。
【０４４９】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を電極７５２に用いることができる。
【０４５０】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。
【０４５１】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。
【０４５２】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０４５３】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０４５４】
《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。
【０４５５】
例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を透過する光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。
【０４５６】
また、例えば、青色の光を吸収する材料、緑色の光を吸収する材料または赤色の光を吸収する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１に吸収される光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を明るくすることができる。
【０４５７】
《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０４５８】
具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。
【０４５９】
または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０４６０】
《絶縁膜７７１》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。または、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７７１に用いることができる。
【０４６１】
《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４６２】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０４６３】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０４６４】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４６５】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４６６】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４６７】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０４６８】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４６９】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４７０】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４７１】
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４７２】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４７３】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の波長の光より効率よく取り出すことができる。
【０４７４】
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。
【０４７５】
《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０４７６】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。
【０４７７】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０４７８】
《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０４７９】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０４８０】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０４８１】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０４８２】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０４８３】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０４８４】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図３３（Ａ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０４８５】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０４８６】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０４８７】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図３３（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０４８８】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０４８９】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０４９０】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０４９１】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０４９２】
＜表示パネルの構成例４＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図３９を参照しながら説明する。
【０４９３】
図３９は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３９（Ａ）は図３０（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２に相当する位置における画素の断面図であり、図３９（Ｂ）は図３９（Ａ）に示す画素の一部の構成を説明する断面図である。
【０４９４】
本構成例で説明する表示パネルの構成は、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動することができる液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる点およびボトムゲート型のトランジスタを用いる点が異なる他は、図３１を参照しながら説明する表示パネルと同様の構成を備える。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０４９５】
本実施の形態で説明する表示パネルは、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動することができる液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる。これにより、偏光板を用いることなく反射型の表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの表示を明るくすることができる。
【０４９６】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、ネマチック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４９７】
また、例えば、二色性色素を液晶材料を含む層７５３に用いることができる。なお、二色性色素を含む液晶材料をゲスト・ホスト液晶という。
【０４９８】
具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。
【０４９９】
例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。
【０５００】
また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶材料を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。
【０５０１】
また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。
【０５０２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５０３】
（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示装置を適用することが可能な情報処理装置について、図４０および図４１を参照しながら説明する。
【０５０４】
図４０および図４１は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図４０（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図４０（Ｂ）乃至図４０（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図４１（Ａ）乃至図４１（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０５０５】
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図４０（Ａ）参照）。
【０５０６】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０５０７】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０５０８】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０５０９】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０５１０】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、上記実施の形態に記載の表示装置５０を表示部５２３０に用いることができる。
【０５１１】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０５１２】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０５１３】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０５１４】
《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図４０（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０５１５】
《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図４０（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０５１６】
《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４０（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０５１７】
《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図４０（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０５１８】
《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４１（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０５１９】
《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４１（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０５２０】
《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４１（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０５２１】
《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４１（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０５２２】
《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図４１（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０５２３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５２４】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０５２５】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５２６】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０５２７】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０５２８】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０５２９】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０５３０】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０５３１】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５３２】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５３３】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５３４】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【０５３５】
（実施の形態８）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ−ＯＳの構成について説明する。
【０５３６】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０５３７】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０５３８】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう）である。
【０５３９】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０５４０】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０５４１】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ａｎｄ  Ａ−Ｂ−ｐｌａｎｅ  Ａｎｃｈｏｒｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０５４２】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０５４３】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０５４４】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０５４５】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０５４６】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０５４７】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０５４８】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０５４９】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０５５０】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０５５１】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０５５２】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０５５３】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０５５４】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０５５５】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例】
【０５５６】
本実施例では、実施の形態１に示す表示ユニット６０を試作し、その消費電力を測定した。
【０５５７】
本実施例は、反射型素子と発光素子を画素１０に有する表示ユニット６０を試作した。図４２に、試作した表示ユニットの模式図を示す。
【０５５８】
図４２に示す表示ユニット６０は、基板２５１と、画素アレイ６１と、ゲートドライバ６２と、ゲートドライバ６３と、ソースドライバＩＣ６４と、配線２５８と、ＦＰＣ２５２と、を有する。
【０５５９】
図４２には、画素アレイ６１の一部の拡大図を示している。画素アレイ６１には、電極２１６Ｒがマトリクス状に配置されている。電極２１６Ｒは、可視光２４１を反射する機能を有し、反射型素子の反射電極として機能する。
【０５６０】
また、図４２に示すように、電極２１６Ｒは開口部２４０を有する。さらに表示ユニット６０は、電極２１６Ｒよりも基板２５１側に、発光素子２１７を有する。発光素子２１７が発する光２４２は、開口部２４０を通って外に取り出される。
【０５６１】
表示ユニット６０は、反射型素子のみで表示を行う場合（反射モード）、発光素子のみで表示を行う場合（発光モード）、反射型素子と発光素子を併用して表示を行う場合（ハイブリッドモード）、の３つの表示モードを有する。
【０５６２】
ハイブリッドモードとは、１つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字または画像を表示する方法である。または、ハイブリッドモードとは、同一画素または同一副画素において反射型素子と発光素子から、それぞれの光を用いて、文字及び／または画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみると、反射型素子と発光素子のいずれか一方を用いて表示される画素または副画素と、反射型素子と発光素子の双方を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。
【０５６３】
なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つまたは複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。
【０５６４】
また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方または双方を用いて、文字及び／または画像を表示する機能を有する。
【０５６５】
本実施例では、反射型素子として反射型の液晶素子（以下、液晶素子）を、発光素子２１７として有機ＥＬ素子（以下、ＥＬ素子）を用いた。
【０５６６】
図４３（Ａ）乃至（Ｆ）に試作した表示ユニットの外観写真を示す。
【０５６７】
図４３（Ａ）は、画素アレイに含まれる全ての液晶素子と全てのＥＬ素子に、黒を表示させた場合である。すなわち、全てのＥＬ素子は発光を停止している。
【０５６８】
図４３（Ｂ）乃至（Ｆ）は、全てのＥＬ素子に白色を表示させ、全ての液晶素子に黒色を表示させた場合である。（Ｂ）から（Ｆ）へと、ＥＬ素子の発光強度を段階的に変えている。
【０５６９】
図４３（Ｂ）は輝度が１．３ｃｄ／ｍ２の場合、図４３（Ｃ）は輝度が１０．５ｃｄ／ｍ２の場合、図４３（Ｄ）は輝度が２８．２ｃｄ／ｍ２の場合、図４３（Ｅ）は輝度が５６．３ｃｄ／ｍ２の場合、図４３（Ｆ）は輝度が９２．４ｃｄ／ｍ２の場合、の写真をそれぞれ表している。
【０５７０】
図４３（Ａ）乃至（Ｆ）それぞれにおける、表示ユニットの消費電力を測定した結果を図４４（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【０５７１】
図４４（Ａ）、（Ｂ）のグラフにおいて、Ａ乃至Ｆは、図４３（Ａ）乃至（Ｆ）のそれぞれにおける消費電力に対応する。図中の棒グラフは、それぞれ、ＥＬ素子が消費する電力（ＥＬ）、ソースドライバが消費する電力（ＳＤ）、液晶素子を駆動しているゲートドライバが消費する電力（ＧＤ（ＬＣ））、ＥＬ素子を駆動しているゲートドライバが消費する電力（ＧＤ（ＥＬ））をそれぞれ示している。
【０５７２】
図４４（Ａ）は、表示ユニットを６０Ｈｚで駆動させた場合の消費電力、図４４（Ｂ）は液晶素子とＥＬ素子の両方に対してＩＤＳ駆動を行った場合の消費電力を示している。
【０５７３】
図４４（Ａ）、（Ｂ）ともに、表示ユニットの輝度が高くなるほど（ＥＬ素子の発光強度が強くなるほど）、消費電力も増加することが確認された。
【０５７４】
図４４（Ａ）と（Ｂ）を比較した場合、ＩＤＳ駆動を行うことで、ソースドライバ、ゲートドライバ（液晶素子）およびゲートドライバ（ＥＬ素子）の消費電力を大幅に削減できることが確認された。
【０５７５】
次に、図４５（Ａ）乃至（Ｅ）に、試作した表示ユニットの外観写真を示す。
【０５７６】
図４５（Ａ）は上述のハイブリッドモードで蝶のカラー画像を表示している場合である。
【０５７７】
図４５（Ｂ）は上述のハイブリッドモードで花のカラー画像を表示している場合である。
【０５７８】
図４５（Ｃ）は上述の反射モードでテキスト（文字）と絵を表示している場合である。なお、図４５（Ｃ）の画像は白と黒の２色で表示されている。
【０５７９】
図４５（Ｄ）は、図４５（Ｃ）の画像に、テキストを強調するハイライトを付した場合の画像を表示している。液晶素子で表示されている画像（白黒）に、ＥＬ素子で表示されたハイライト（カラー）を付している。
【０５８０】
図４５（Ｅ）は、図４５（Ｃ）の画像に、テキストを強調するハイライトを付した場合の画像を表示している。液晶素子で表示されている画像（白黒）に、ＥＬ素子で表示されたハイライト（カラー）を付している。図４５（Ｅ）が図４５（Ｄ）と異なる点は、図４５（Ｄ）よりもハイライトの箇所が多い点である。すなわち、図４５（Ｄ）よりも多くのＥＬ素子が発光している点である。
【０５８１】
図４５（Ａ）乃至（Ｅ）のそれぞれにおける、表示ユニットの消費電力を測定した結果を図４６（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【０５８２】
図４６（Ａ）、（Ｂ）のグラフにおいて、Ａ乃至Ｅは、図４５（Ａ）乃至（Ｅ）のそれぞれにおける消費電力に対応する。図４４（Ａ）、（Ｂ）と同様に、図中の棒グラフは、それぞれ、ＥＬ素子が消費する電力（ＥＬ）、ソースドライバが消費する電力（ＳＤ）、液晶素子を駆動しているゲートドライバが消費する電力（ＧＤ（ＬＣ））、ＥＬ素子を駆動しているゲートドライバが消費する電力（ＧＤ（ＥＬ））をそれぞれ示している。
【０５８３】
図４６（Ａ）は、表示ユニットを６０Ｈｚで駆動させた場合の消費電力、図４６（Ｂ）は液晶素子とＥＬ素子の両方に対してＩＤＳ駆動を行った場合の消費電力を示している。
【０５８４】
図４６（Ａ）と（Ｂ）を比較した場合、ＩＤＳ駆動を行うことで、ソースドライバ、ゲートドライバ（液晶素子）およびゲートドライバ（ＥＬ素子）の消費電力を大幅に削減できることが確認された。特に、液晶素子でテキスト表示を行った場合（Ｃ、Ｄ、Ｅ）については、ＩＤＳ駆動を行うことで、全体の消費電力を５０ｍＷ以下に下げることができる。
【０５８５】
以上、本実施例より、ＥＬ素子と液晶素子の両方に対してＩＤＳ駆動を行うことで、表示ユニット全体の消費電力を大幅に下げられることが確認された。
【符号の説明】
【０５８６】
１０    画素
１０ａ    画素
１０ｂ    画素
１０ｃ    画素
５０    表示装置
６０    表示ユニット
６１    画素アレイ
６２    ゲートドライバ
６３    ゲートドライバ
６４    ソースドライバＩＣ
６４ａ    ソースドライバＩＣ
６４ｄ    ソースドライバＩＣ
７０    タッチセンサユニット
７１    センサアレイ
７２    タッチセンサＩＣ
８０    アプリケーションプロセッサ
９０    タブレット型情報端末
９１    表示領域
９２    イラスト
９３    枠
９４    枠
９５    スタイラス
１００    回路
１０１    トランジスタ
１０９    トランジスタ
１１０    回路
１１１    トランジスタ
１１３    トランジスタ
１２０    回路
１２１    トランジスタ
１２３    トランジスタ
２１６Ｒ    電極
２１７    発光素子
２４０    開口部
２４１    可視光
２４２    光
２５１    基板
２５２    ＦＰＣ
２５８    配線
３０１    トランジスタ
３０２    ノード
３０３    容量素子
３０４    液晶素子
３１０    容量素子
３１１    トランジスタ
３１２    トランジスタ
３１３    トランジスタ
３１４    発光素子
３１５    ノード
４０２    駆動回路
４０３    検出回路
４０４    容量
４１１    基板
４１２    基板
４１３    ＦＰＣ
４１４    配線
４２０    液晶素子
４２１    電極
４２１ａ    電極
４２１ｂ    電極
４２２    電極
４２２ａ    電極
４２２ｂ    電極
４２３    液晶
４２４    絶縁膜
４３１    着色膜
４４１    電極
４４１ａ    電極
４４１ｂ    電極
４４３    ＦＰＣ
４６３    ＥＬ素子
４６４    電極
４６５    ＥＬ層
４６６    電極
４７５    検知素子
５０１Ｂ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５１１Ｂ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１８Ａ    絶縁膜
５１８Ａ１    絶縁膜
５１８Ａ２    絶縁膜
５１８Ｂ    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２１Ａ    絶縁膜
５２１Ｂ    絶縁膜
５２１Ｃ    絶縁膜
５２２    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５５０    表示素子
５５１    電極
５５２    電極
５５３    層
５６０    光学素子
５６０Ａ    領域
５６０Ｂ    領域
５６０Ｃ    領域
５６５    被覆膜
５７０    基板
５９１Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
６０１    トランジスタ
６０２    トランジスタ
６１０    電極
６１１    電極
６１２    半導体層
６１６    電極
６１７    電極
６２１    絶縁層
６２２    絶縁層
６２４    絶縁層
６２５    電極
６２６    異方性導電層
６２７    シール材
６２８    充填材
６２９    絶縁層
６３０    遮光膜
６３１    配向膜
６３２    配向膜
６３３    スペーサ
６３４    配線
６５４    異方性導電層
６６１    隔壁
６６２    配線
６６３    絶縁層
７００    表示ユニット
７０２    画素
７０３    画素
７０５    封止材
７２０    機能層
７５０    表示素子
７５１    電極
７５１Ｂ    反射膜
７５１Ｈ    領域
７５２    電極
７５３    層
７７０    基板
７７０Ｂ    接合層
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７０ＰＡ    機能膜
７７０ＰＢ    機能膜
７７１    絶縁膜
７７１Ａ    絶縁膜
７７１Ｂ    絶縁膜
８０１    制御回路
８０２    ドライバ
８０３    フレームメモリ
８０４    フレームメモリ
８０６    ゲートドライバ信号生成回路
８０７    ゲートドライバ信号生成回路
８１０    タイミングコントローラ
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    表示部
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2018072822.tif 000003
【図２】
2018072822.tif 000004
【図３】
2018072822.tif 000005
【図４】
2018072822.tif 000006
【図５】
2018072822.tif 000007
【図６】
2018072822.tif 000008
【図７】
2018072822.tif 000009
【図８】
2018072822.tif 000010
【図９】
2018072822.tif 000011
【図１０】
2018072822.tif 000012
【図１１】
2018072822.tif 000013
【図１２】
2018072822.tif 000014
【図１３】
2018072822.tif 000015
【図１４】
2018072822.tif 000016
【図１５】
2018072822.tif 000017
【図１６】
2018072822.tif 000018
【図１７】
2018072822.tif 000019
【図１８】
2018072822.tif 000020
【図１９】
2018072822.tif 000021
【図２０】
2018072822.tif 000022
【図２１】
2018072822.tif 000023
【図２２】
2018072822.tif 000024
【図２３】
2018072822.tif 000025
【図２４】
2018072822.tif 000026
【図２５】
2018072822.tif 000027
【図２６】
2018072822.tif 000028
【図２７】
2018072822.tif 000029
【図２８】
2018072822.tif 000030
【図２９】
2018072822.tif 000031
【図３０】
2018072822.tif 000032
【図３１】
2018072822.tif 000033
【図３２】
2018072822.tif 000034
【図３３】
2018072822.tif 000035
【図３４】
2018072822.tif 000036
【図３５】
2018072822.tif 000037
【図３６】
2018072822.tif 000038
【図３７】
2018072822.tif 000039
【図３８】
2018072822.tif 000040
【図３９】
2018072822.tif 000041
【図４０】
2018072822.tif 000042
【図４１】
2018072822.tif 000043
【図４２】
2018072822.tif 000044
【図４３】
2018072822.tif 000045
【図４４】
2018072822.tif 000046
【図４５】
2018072822.tif 000047
【図４６】
2018072822.tif 000048