(57)【要約】【課題】ＧａＮ被加工材１０１作製時のＣＭＰ法による研磨レートが遅く、著しく時間を要する。【解決手段】ＧａＮ被加工材１０１内部に予め研磨面と逆側の面からレーザ光を入射し、前工程の研削或いは粗研磨によるダメージ層に接触した被加工材１０１内部に脆弱層を形成した後にＣＭＰすることにより、脆弱層の研磨レートはＧａＮ結晶と比較して速いため、研磨時間を著しく短縮できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａ面側表面に研削又は研磨による加工変質層を有するチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法であって、
Ｎ面に鏡面加工が施された前記被加工材のＮ面側から前記被加工材の内部にレーザ光を照射して前記加工変質層よりも内層側に脆弱層を形成し、
ＣＭＰ法により前記脆弱層と共に前記加工変質層を除去する
チッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項２】
前記脆弱層の厚みは、２μｍ以上かつ４０μｍ以下であることを特徴とする
請求項１記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項３】
前記脆弱層は前記加工変質層の表面からの距離が１μｍ以上かつ６０μｍ以下の位置に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項４】
前記レーザ光は対物レンズにより集光され、
前記レーザ光を前記被加工材に照射する間は、前記対物レンズのフォーカス点は、前記加工変質層の表面からの距離が１μｍ以上かつ６０μｍ以下の位置に維持される
請求項１〜３のいずれかに記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項５】
前記レーザ光は、
波長が４００ｎｍ以上かつ２μｍ以下であり、
パルス幅が１ｆｓｅｃ以上１ｎｓｅｃ以下であり、
発振を繰り返す周波数が１００Ｈｚ以上１ＭＨｚ以下である
請求項１〜４のいずれかに記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項６】
前記対物レンズは、
ＮＡが０．４以上０．９５以下である
請求項４又は５記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【請求項７】
前記レーザ光を前記被加工材に照射する間は、前記レーザ光以外の光を用い前記Ｎ面と前記対物レンズとの距離が一定になるように、前記対物レンズにフォーカスサーボをかけ、前記脆弱層を形成する深さを規定することを特徴とする
請求項３〜６のいずれかに記載のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はＧａＮ（チッ化ガリウム）からなる被加工材１０１のＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年ＧａＮ単結晶は、高輝度発光ダイオード、青色レーザ、パワー半導体等の基板材料として注目されている。
【０００３】
ここでＧａＮからなる基板の作製において、被加工材１０１から基板を作製するための一般的な加工方法について説明する。図８は、被加工材１０１の製造加工プロセスを説明する図である。
【０００４】
まず、図８の（ａ）に示すようなＧａＮ単結晶のインゴット３０１から所定の厚みになるようにワイヤーソー等を用いてスライスし、板状の被加工材１０１を得る。このとき被加工材１０１の一方の表面（以下、Ｇａ面１０６と記載する）、及び逆の表面（以下、Ｎ面１０７と記載する）共に、スライスに伴う加工変質層１０５が生成される。この加工変質層１０５の厚みは数十〜百μｍと非常に厚いため、図８の（ｃ）に示す粗研磨を実施することが一般的である。粗研磨工程では砥石３０６による研削が実施される。また、ダイヤモンドによる研磨、および、テープの少なくとも一方による研磨等が実施されてもよい。一般的には図８の（ｃ）に示される粗研磨により、加工変質層１０５の厚みが数μｍ以下になるまで実施される。
【０００５】
次に加工変質層１０５を完全に除去するために、ＣＭＰ工程が実施される。まず図８の（ｄ）に示すようにＮ面１０７に対して、ＣＭＰ定磐１１０上で研磨剤スラリー１１１を用いてＣＭＰを行う。次いで図８の（ｅ）に示すように、Ｇａ面１０６に対しても同様にＣＭＰを行う。尚、Ｎ面１０７のＣＭＰによるレートはＧａ面１０６と比較して１００倍以上と非常に大きい。
【０００６】
その後図８の（ｆ）に示すように、スピンナー３１０を用い梨地処理用の薬液３１１によりＮ面１０７の梨地層３１２を形成する。最後に図８の（ｇ）に示すように、洗浄工程にて洗浄液３１３を用い洗浄を実施し、図８の（ｈ）に示すＧａ面１０６にＣＭＰが施され、かつＮ面１０７に梨地層３１２が施された基板が作製される。
【０００７】
ところで、ＧａＮからなる基板をデバイスとして使用するには、前述の通りその表面に化学的な処理を施して加工変質層１０５を完全に除去する必要がある。従来のＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、の最終研磨工程には、加工変質層を残留させない研磨方法であるＳｉＯ２コロイダルシリカを含む研磨液を用いたＣＭＰが使用されている。（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１０９７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、被加工物がＧａＮのような硬質材である場合、ＳｉＯ２コロイダルシリカ砥粒を使用したＣＭＰではほとんど加工できず、加工研磨レートが非常に遅い。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記従来の課題を解決するために、開示のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法は、Ｇａ面側表面に研削又は研磨による加工変質層を有するチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法であって、Ｎ面に鏡面加工が施された前記被加工材のＮ面側から前記被加工材の内部にレーザ光を照射して前記加工変質層よりも内層側に脆弱層を形成し、ＣＭＰ法により前記脆弱層と共に前記加工変質層を除去する。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように開示の加工方法を用いることより、研磨レートを良くすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】開示の実施の形態１における被加工材１０１にレーザ光を照射する状態を示す模式図である。
【図２】開示の実施の形態１における研磨プロセスに含まれるＣＭＰを示す模式図である。
【図３】実施の形態１におけるＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態である。
【図４】開示の実施の形態２におけるレーザによる脆弱層形成プロセスの模式図である。
【図５】実施の形態２におけるＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態である。
【図６】従来例におけるＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態である。
【図７】実施の形態１、２及び比較例における被加工材の研磨量である。
【図８】ＧａＮ基板の製造加工プロセス説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、開示に係るチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施の形態は、チッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法の一例を示したものに過ぎない。従ってチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法は、以下の実施の形態を参考に請求の範囲の文言によって範囲が画定されるものであり、以下の実施の形態のみに限定されるものではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、チッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
【００１４】
また、図面は、チッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法を示すために適宜強調や省略、比率の調整を行った模式的な図となっており、実際の形状や位置関係、比率とは異なる場合がある。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、レーザ光による脆弱層の形成工程を示す模式図である。図２は、脆弱層を含んだ変質層のＣＭＰ工法を示す模式図である。
【００１６】
図１に示す被加工材１０１は、硬脆性材料であるＧａＮからなる被加工材１０１である。本実施の形態では、被加工材１０１として直径２インチ、厚み４００μｍのＧａＮウエハを例示している。なお、被加工材１０１は、特に直径や厚みによって限定されるものではなく、厚みの大きいバルク材を用いてもよい。被加工材１０１は、少なくともレーザ光１０２を照射させる面、即ちＮ面１０７には予めＣＭＰにより鏡面加工が施されたものである。被加工材１０１は可視光に対して少なくとも８０％以上の透過率を有する。レーザ光１０２を照射するに際して、被加工材１０１の表面に加工変質層が存在すると、レーザ光１０２が均一に被加工材１０１を透過せず均一な加工が不可能となるため、ＣＭＰ後の被加工材１０１の板厚分布が不安定になるという課題を有する。そこでＧａ面１０６よりも加工レートの高いＮ面１０７に対して先にＣＭＰによる鏡面加工まで施し、鏡面加工後のＮ面１０７側からレーザ光１０２を照射し、被加工材１０１内部に変質層を形成する。
【００１７】
尚、鏡面とは表面粗さＲａが０ｎｍ以上０．５ｎｍ以下の状態を示す。また加工変質層とはＧａＮで構成される被加工材１０１の結晶歪が１０％超である状態を示す。尚、本開示においてＧａＮからなる被加工材１０１の表面粗さＲａは１００μｍ２の範囲において、ＢＲＵＫＥＲ社のＤｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｉｃｏｎで、ＩＳＯ１３５６５−１に準拠して測定される。また結晶歪はリガク社Ｘ線構造解析装置ＸｔａＬＡＢ  ＰＲＯ  ＭＭ００７を用いて測定される。
【００１８】
レーザ光１０２は、被加工材１０１であるＧａＮに対して８０％以上透過する波長を有するものが用いられる。本実施の形態の場合、波長５３２ｎｍのレーザ光１０２を用いている。レーザ光１０２の発振装置の能力としては、最大繰返し周波数１ＭＨｚのパルス発振をすることができ、最大出力５０Ｗ、パルス幅２５ｐｓ以下のレーザ光を発振することができる。また、レーザ光１０２のＯＮ／ＯＦＦ制御は駆動ステージ１０８の動作と同期している。レーザ光１０２は、直径約５ｍｍのレーザ光で直線偏光である。対物レンズ１０３は、レーザ光１０２を透過する材質でできており、加工深さに応じて最適な収差量に補正することが可能で、レーザ光１０２を透過させることで集光することができるレンズが選定される。対物レンズ１０３によるレーザ光１０２のフォーカス点は、被加工面、即ちＧａ面１０６の近傍である。具体的には、Ｇａ面１０６の表面には、前工程である研削および粗研磨の少なくとも一方による形成された加工変質層１０５が存在しているため、フォーカス点は加工変質層１０５のＮ面１０７側の近傍であり、図１に示すように被加工材１０１のレーザ光１０２が入射するＮ面１０７から距離Ｌの位置に調整されている。即ちフォーカス点は被加工材１０１の内部に設定されている。尚、本実施の形態では、対物レンズ１０３は、波長５３２ｎｍを透過する顕微鏡用の収差補正環付で、ＮＡ＝０．８５、ｆ＝２ｍｍ、１００倍のレンズを用いている。
【００１９】
脆弱層１０４はレーザ光１０２のフォーカス点近傍においてＧａＮの改質成分で形成される。具体的に例えば脆弱層１０４は、窒素が欠乏したＧａで構成される。対物レンズ１０３の焦点深度１０μｍ以下になるように集光性を調整した場合、駆動ステージ１０８の精度およびウエハの面精度等により脆弱層１０４は厚さが５〜３０μｍの凹凸した形状となる。
【００２０】
図１においてＧａＮからなる被加工材１０１内部に脆弱層１０４を形成した後に、図２におけるＣＭＰを行う。図２に示すように、Ｇａ面１０６の表面に形成された加工変質層１０５及び脆弱層１０４が形成された被加工材１０１をＣＭＰ保持ホイール１０９に保持する。次に、所定の圧力でＣＭＰ定磐１１０へ被加工材１０１を押し付け回転させる。前記ＣＭＰ定磐１１０も同時に回転させる。また、スラリー状研磨剤１１１を吐出しながらＣＭＰを行う。このとき保持ホイール１０９を揺動させても良い。スラリー状研磨剤１１１はＣＯＭＰＯＬＥ（富士ケミカル社製）に摩擦力調整用の界面活性剤及びエッチング作用調整用のＨ２Ｏ２を付加したものを使用し、ＣＭＰ定磐１１０上の研磨パットはＳＵＢＡ４００（ニッタハース社製）を使用している。
【００２１】
図３は、開示の実施の形態１におけるＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態を観察した結果を示した図である。尚、図３におけるＣＭＰを行う前の粗研磨工程による加工変質層の厚みは、前工程である粗研磨工程の条件により異なり、一般的には１μｍ〜１０μｍ程度であるが、本実施の形態では５〜６μｍである。
【００２２】
図３の（ａ）はＣＭＰを行う前、即ち粗研磨工程を行った直後の表面状態である。図３の（ｂ）、図３の（ｃ）、図３の（ｄ）及び図３の（ｅ）は各々ＣＭＰ実施後１時間、２時間、４時間及び８時間経過後の表面状態である。図３の（ａ）で示す表面は変質層１０５に覆われているが、図３の（ｂ）では微少な変質層１０５と、レーザ光１０２による脆弱層１０４が混在している。図３の（ｃ）においては、脆弱層１０４は既に消失しているが、脆弱層１０４厚みばらつきに伴う微少な変質層１０５がキズ状にみられる。図３の（ｄ）及び図３の（ｅ）においては全ての変質層１０５が消失している。
【００２３】
尚、脆弱層１０４の厚さが２μｍ以上、かつ４０μｍ以下であることが好ましい。脆弱層１０４の厚さが２μｍ未満の場合は、加工変質層１０５の厚み変動に伴い脆弱層１０４が形成されない領域が発生するため、研磨レートの低下を招く。一方、脆弱層１０４の厚さが４０μｍ超の場合は、脆弱層１０４の厚み分布が大きくなるため、被加工材１０１の板厚分布の悪化を招く。
【００２４】
脆弱層１０４は、加工変質層１０５の表面からの距離が１μｍ以上かつ６０μｍ以下の範囲内で形成されることが望ましい。脆弱層１０４が、加工変質層１０５の表面からの距離１μｍ未満の位置に形成されると、加工変質層１０５の厚さが１μｍ以上の場合、即ち加工変質層１０５内に脆弱層１０４が入り込むことになる。この場合、レーザ光１０２が均一に加工変質層内１０２を透過しないため、脆弱層１０４が均一に形成されず、脆弱層１０４が十分に形成されない領域が生じ、研磨レートの低下を招く。一方脆弱層１０４が、加工変質層１０５の表面からの距離６０μｍ超の位置に形成されると、加工変質層１０５の厚みが６０μｍ以下の場合に、加工変質層１０５と脆弱層１０４の間に加工変質層１０５でも脆弱層１０４でもない領域が生じるため、研磨レートの低下を招く。
【００２５】
またレーザ光１０２の波長が４００ｎｍ以上かつ２μｍ以下であり、レーザ光１０２のパルス幅が１ｆｓｅｃ以上１ｎｓｅｃ以下であり、レーザ光１０２の繰り返しの周波数が１００Ｈｚ以上１ＭＨｚ以下であり、かつレーザ光１０２を集光する対物レンズ１０３のＮａが０．４以上０．９５以下であることが望ましい。なぜならば波長が４００ｎｍ未満のレーザ光１０２をＧａＮからなる被加工材１０１に透過させた場合、ＧａＮ結晶の特性により被加工材１０１内でレーザ光１０２の吸収が起こり、レンズ集光部以外においても脆弱層１０４が発生するためである。これにより、脆弱層１０４の厚みが大きくなり、被加工材１０１の板厚分布の悪化を招く。一方２μｍを超える場合にも同様に、ＧａＮ結晶の特性による被加工材１０１内でレーザ光１０２の吸収が起こり、板厚分布の悪化を招く。
【００２６】
レーザ光１０２のパルス幅が１ｆｓｅｃ未満の場合はレーザ光１０２のエネルギー密度が大きくなり、ＧａＮからなる被加工材１０１の表面にクラックが発生する問題を招く。一方、パルス幅が１ｎｓｅｃ超の場合にはレーザエネルギーの熱的な影響により、ＧａＮからなる被加工材１０１の変形或いはクラックの発生を招く。
【００２７】
レーザ光１０２の繰り返し周波数が１００Ｈｚ未満の場合も、レーザエネルギーの熱的な影響により、ＧａＮからなる被加工材１０１の変形或いはクラック発生の問題を招く。一方、周波数が１ＭＨｚ超の場合も、レーザ光１０２のエネルギー密度が大きくなり、ＧａＮからなる被加工材１０１の表面にクラックが発生する問題を招く。
【００２８】
レーザを集光する対物レンズ１０３のＮａが０．４未満の場合、レーザ光１０２の集光性能が悪くなるため、脆弱層１０４が十分に形成されない領域が発生し、脆弱層１０４の厚み分布が大きくなり、被加工材１０１の板厚分布の悪化を招く。一方、対物レンズ１０３のＮａが０．９５超の場合、対物レンズ１０３の焦点深度が著しく浅くなるため集光状態が安定せず、脆弱層１０４の厚み分布が大きくなり、被加工材１０１の板厚分布の悪化を招く。
【００２９】
（実施の形態２）
図４は、開示の実施の形態２におけるレーザ光による脆弱層形成プロセスの模式図である。
【００３０】
図４おいて、静圧軸受けアクチュエータ２０７に対物レンズ１０３が取り付けられており、補助ビームを用いたスキュービーム光学系により構成されたサーボ機構を備えている。即ち、横偏向に調整されたフォーカスサーボレーザ発振器２０１から出射されたフォーカスサーボレーザビーム２０２は反射ミラー２０３を介し、ポーラービームスプリッター２０４で反射し、λ／４波長板２０５を透過し、ダイクロイックミラー２０６で反射し対物レンズ１０３に入射する。尚、対物レンズ１０３に入射するフォーカスサーボレーザビーム２０２は、予め反射ミラー２０３により斜めに入射するように調整されている。これにより、予めＣＭＰにより鏡面加工されたＧａＮからなる被加工材１０１のレーザ入射面、即ちＮ面１０７の表面で反射したフォーカスサーボレーザビーム２０２は、往路とは異なる経路で対物レンズ１０３を透過し、ダイクロイックミラー２０６で反射され、λ／４波長版２０５を透過することにより縦偏向となる。従って、ポーラービームスプリッター２０４を透過し、集光レンズ２０８によりフォーカスサーボディテクタ２０９に入射する。
【００３１】
前記実施の形態１と同様に対物レンズ１０３を透過したレーザ光１０２は、予めフォーカス点がＮ面１０７からＧａ面１０６に向かう距離Ｌの位置に調整されている。距離Ｌは、フォーカス点が被加工材１０１内部に位置し、Ｇａ面１０６に形成された加工変質層１０５の近傍である。この加工変質層１０５は、前工程の研削および粗研磨の少なくとも一方により発生している。
【００３２】
ここで、フォーカスサーボディテクタ２０９のディテクタ面２９１の上には、被加工材１０１のＮ面１０７で反射したフォーカスサーボレーザビーム２０２が照射されている。駆動ステージの精度およびウエハの面精度等の少なくとも１つの影響により、対物レンズ１０３と被加工材１０１のＮ面１０７との距離Ｍが変化した場合、フォーカスサーボディテクタ面２９１上のフォーカスサーボレーザビーム２０２の照射位置が動く。フォーカスサーボレーザビーム２０２の照射位置が所定の位置からずれるとフォーカスサーボディテクタ２０９に接続される差動アンプ２１２においてずれに対応する電圧が発生する。なお、差動アンプ２１２にはプリアンプ２１１を介した増幅された信号が入力されている。差動アンプ２１２により発生した電圧は、パワーアンプ２１３により増幅され、フォーカスアクチュエータ２０７のボイスコイルにフィードバックされる。以上の様なフィードバック回路により対物レンズ１０３が被加工材１０１のＮ面１０７の位置に対応して稼動し、対物レンズ１０３とＮ面１０７との距離Ｍが正確に一定に保たれる。従ってレーザ光１０２により形成される脆弱層１０４の位置、つまり、加工変質層１０５の近傍であるＮ面１０７と脆弱層１０４までの距離Ｌも一定に保たれる。尚、本実施の形態ではフォーカスサーボレーザビーム２０２を用いたスキュービーム光学系を用いるが、これに限定されることは無い。例えば、加工ビームを用いた非点収差光学系で構成されたサーボ機構を用いても良い。
【００３３】
その後は前記実施の形態１と同様のＣＭＰを行う。図５は開示の実施の形態２におけるＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態を観察した結果である。尚、実施の形態１同様に図５におけるＣＭＰを行う前の粗研磨工程による加工変質層１０５の厚みは、実施の形態１と同様に約５〜６μｍである。図５の（ａ）はＣＭＰを行う前、即ち粗研磨工程を行った直後の表面状態である。図５の（ｂ）、図５の（ｃ）、図５の（ｄ）及び図５の（ｅ）は各々ＣＭＰ実施後１時間、２時間、４時間及び８時間経過後の表面状態である。図５の（ａ）の表面は変質層に覆われているが、図５の（ｂ）ではレーザによる脆弱層は既に消失しており、極微少変質層がキズ状に見られるのみである。また図５の（ｃ）、図５の（ｄ）及び図５の（ｅ）においては全ての変質層が消失している。尚、図７に開示の実施の形態１、２及び比較例における研磨時間と研磨量の関係を示す。実施の形態２のＣＭＰによる初期１時間の研磨レートは約９８ｎｍ／分、全ての変質層が消失するまでの研磨時間は２時間で研磨レートは約５２ｎｍ／分である。
【００３４】
（比較例）
図６は前述の種々の実施の形態との比較として、開示を使用せず、図３に示す従来の工法を用いてＣＭＰを行う前後の被加工材の表面状態を観察した結果である。尚、ＣＭＰ条件は実施の形態１及び２と同様である。またＣＭＰを行う前の粗研磨工程による加工変質層１０５の厚みは、実施の形態１及び２と同様に５〜６μｍである。図６の（ａ）はＣＭＰを行う前、即ち粗研磨工程を行った直後の表面状態である。図６の（ｂ）、図６の（ｃ）、図６の（ｄ）及び図６の（ｅ）は各々ＣＭＰ実施後１時間、８時間、１５時間及び２０時間経過後の表面状態である。図６の（ａ）及び図６の（ｂ）の表面は加工変質層１０５に覆われている。また図６の（ｃ）においても、かなりの加工変質層１０５が傷状に観察される。図６の（ｄ）においても未だ傷状の加工変質層１０５が残っている。図６の（ｅ）においてようやく全ての加工変質層１０５が消失している。尚、図７に開示の実施の形態１、２及び比較例における研磨時間と研磨量の関係を示す。従来工法のＣＭＰによる初期１時間の研磨レートは約６ｎｍ／分、全ての変質層が消失するまでの研磨時間は２０時間で研磨レートは約４．９ｎｍ／分である。
【００３５】
表１に実施の形態１、２及び従来工法における各々初期１時間の研磨レート、加工変質層１０５が消失するまでの研磨時間及び研磨レートを示す。実施の形態１及び２においては、従来工法と比較して初期１時間の研磨レートは各々４倍及び５倍、加工変質層１０５が消失するまでの研磨時間及び研磨レートは各々５倍及び１０倍である。
【００３６】
尚、図７に開示の実施の形態１、２及び比較例における研磨時間と研磨量の関係を示す。実施の形態１のＣＭＰによる初期１時間の研磨レートは約８３ｎｍ／分、全ての変質層が消失するまでの研磨時間は４時間で研磨レートは約２５ｎｍ／分である。
【００３７】
【表１】
2018198294.tif 000003
【００３８】
なお、チッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本明細書において記載した構成要素を任意に組み合わせて、また、構成要素のいくつかを除外して実現される別の実施の形態を他の実施の形態としてもよい。また、上記のチッ化ガリウムからなる被加工材の研磨方法の主旨、すなわち、請求の範囲に記載される文言が示す意味を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も開示したものとなる。
【符号の説明】
【００３９】
１０１    被加工材
１０２    レーザ光
１０３    対物レンズ
１０４    脆弱層
１０５    加工変質層
１０６    Ｇａ面
１０７    Ｎ面
１０８    レーザ走査方向
１０９    ＣＭＰ保持ホイール
１１０    ＣＭＰ定磐
１１１    ＣＭＰスラリー
１１２    研磨ホイール揺動方向
２０１    フォーカスレーザ発振器
２０２    フォーカスサーボレーザビーム
２０３    反射ミラー
２０４    ポーラービームスプリッター
２０５    λ／４波長版
２０６    ダイクロイックミラー
２０７    アクチュエータボイスコイル
２０８    フォーカスディテクタ集光レンズ
２０９    フォーカスディテクタ
２９１    フォーカスディテクタ集光面
２１１    プリアンプ
２１２    差動アンプ
２１３    パワーアンプ
３０１    インゴット
３０６    砥石
３１０    スピンナー
３１１    薬液
３１２    梨地層
３１３    洗浄液
７０１    実施の形態１における研磨時間と研磨量の関係
７０２    実施の形態２における研磨時間と研磨量の関係
７０３    従来工法における研磨時間と研磨量の関係
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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