(57)【要約】【課題】高密度実装された高周波基板の放熱性を高め、長期にわたって電子機器を発熱から保護し、安定した信頼性を保持することができるという、放熱性に優れた高周波基板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の高周波基板は、高周波信号の高速伝送用高周波基板であって、基材となる樹脂フィルムと、銅層と、グラファイト層とセラミックス層からなる積層体と、を備える高周波基板であって、前記セラミックス層は窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の高速伝送用高周波基板であって、基材となる樹脂フィルムの一方の表面に銅層を備え、もう一方の表面にグラファイト層とセラミックス層からなる積層体を備える高周波基板であり、前記樹脂フィルムと前記積層体は接着層を介して接合され、かつ前記セラミックス層は窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種であることを特徴とする高周波基板。
【請求項２】
前記樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド樹脂、シクロオレフィンポリマー、フッ素樹脂、液晶ポリマー、の群から選択される一種である、請求項１に記載の高周波基板。
【請求項３】
前記銅層は、厚さが１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の高周波基板。
【請求項４】
前記グラファイト層は、熱伝導率は７００Ｗ／ｍＫ以上２０００Ｗ／ｍＫ以下であり、厚さが３０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１から請求項３のいずれかに記載の高周波基板。
【請求項５】
前記セラミックス層は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲である、請求項１から請求項４のいずれかに記載の高周波基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波基板の放熱性を改善し、長期信頼性を向上させた高周波信号の高速伝送用高周波基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体等の電子部品の高密度化、高機能化が要求されている。特に高周波帯域を使用する通信機器の小型化に加え、通信速度の高速化によって、単位体積あたりの発熱量が増加している。
【０００３】
このような高周波信号の高速伝送デバイスの実用化には、種々の課題が指摘されているが、最も大きな課題の一つに発熱問題がある。高出力・高密度で作動させるため高温になり、その信頼性が大きく低下してしまう。従って、この発熱を早く効率的に放熱することにより、信頼性の低下を防止し、長期信頼性を向上することが重要な課題となっている。
【０００４】
高周波信号の高速伝送を実現するために、種々の配線基板の改善が検討されている。通常、高周波回路に採用されるプリント基板は、使用する周波数・許容されるサイズ・コストなどを総合的に判断して最適なプリント基板の材質を選択するが、フレキシブル性を備えたポリイミド樹脂に電解銅箔を貼り付けた基板などが用いられてきた。
【０００５】
例えば、特許文献１には、プリント基材に貼り付ける銅箔との密着性を高めるために、電解液中にモリブデン、鉄、コバルト、ニッケル、タングステンなどの金属塩を添加し、これらの金属を含む銅めっき層を形成し、めっき層中の銅の結晶粒径の一部を粗大化させ、銅めっき層の表面に凹凸を形成し、基材との密着性を改善するプリント基板の製造方法が開示されている。しかしながら、高周波信号の高速伝送にはこの粗大化した銅結晶により形成された粗大粒の界面や、表面の凹凸の存在により、回路ボトムラインの直線性が損なわれ、信号が反射して高周波信号の伝送損失が増加するという問題があった。
【０００６】
また、特許文献２には、回路用銅箔と樹脂基板との接着強度を高めるためにＧｅを含有する多数の銅電着物からなる粗化処理層を形成する技術が開示されている。Ｇｅイオンを電解液中に含有させることにより銅析出物のデンドライト化を抑制し、球状化させ、後のエッチング処理時に銅微粉の発生による粉落ちを防止し、基板とのを密着性の改善はみられるが、高周波信号の伝送損失は避けられないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２５６３８９号公報
【特許文献２】特許３２０１８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高密度実装された高周波基板の放熱性を高め、長期にわたって電子機器を発熱から保護し、放熱性に優れた高周波信号の高速伝送用高周波基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、高周波信号の高速伝送用高周波基板の構成として、基材の樹脂フィルムの一方の表面に、所定の膜厚の平滑性に優れ且つ緻密な膜質であり基材との高い密着性を有する銅層を備え、もう一方の表面に極めて高い熱伝導率を有するグラファイトシートからなるグラファイト層と、さらにグラファイト層の表面に窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種のセラミックス層を形成した積層体が接着層を介して基材の樹脂フィルムと接合している構成とすることで、優れた放熱性を備えることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の高周波基板は、高周波信号の高速伝送用高周波基板であって、基材となる樹脂フィルムの一方の表面に銅層を備え、もう一方の表面にグラファイト層とセラミックス層からなる積層体を備える高周波基板であり、前記樹脂フィルムと前記積層体は接着層を介して接合され、かつ前記セラミックス層は窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の高周波基板は、基材の樹脂フィルムの一方の表面に、所定の膜厚の平滑性に優れ且つ緻密な膜質の銅層を備え、もう一方の表面に極めて高い熱伝導率を有するグラファイトシートからなるグラファイト層と、窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種のセラミックス層からなる積層体を備え、該積層体は前記樹脂フィルムと接着層を介して接合している構成としている。このような構成とすることで、高周波信号の伝送損失が少なく、且つ優れた放熱性を備え、また長期間使用しても、基板が高温にさらされることを防止し、信頼性を向上することができる。以上のことから本発明の高周波基板は、高速伝送デバイスの実用化に貢献できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の高周波基板は、高周波信号の高速伝送用高周波基板であって、基材となる樹脂フィルムの一方の表面に銅層を備え、もう一方の表面にグラファイト層とセラミックス層からなる積層体を備える高周波基板であり、前記樹脂フィルムと前記積層体は接着層を介して接合され、かつ前記セラミックス層は窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種であることを特徴としている。
【００１３】
本発明の高周波基板は、高密度実装された基板の放熱性を高めており、長期間使用による発熱を効率的に放熱することで、実装された電子機器の信頼性の低下を防止し、高周波基板として放熱性に優れている。本発明の高周波基板は、優れた放熱性を有している限り、その形状に特に制限はなく、例えば基材の樹脂フィルムや配線層としての銅層の厚さは、使用目的など必要に応じて調整することができる。
【００１４】
以下に、本発明について、（１）基材、（２）銅層、（３）グラファイト層、（４）セラミックス層、（５）接着層、（６）高周波基板の製造方法の順に説明する。
【００１５】
（１）基材
本発明の高周波基板において、基板として用いる基材は、高周波基板の用途に適した材料を選択することができる。例えば、安価で汎用的に使用されるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、耐熱性・耐薬品性・寸法安定性に優れた液晶ポリマー（ＬＣＰ）、透明性・低誘電率を有し耐熱性も優れたシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、機械強度・低誘電率を有し耐熱性も優れたポリイミド樹脂（ＰＩ）などの樹脂を挙げることができる。
【００１６】
基材の形態としては、高密度実装し、高速伝送用配線基板として使用することから、表面の平滑性が高い樹脂フィルムを高周波基板の基材として選択する。
【００１７】
本発明の高周波基板の用途、使用目的により、形状だけでなく、配線層としての銅層及び放熱層としてのグラファイト層とその保護層としてのセラミックス層からなる積層体を支持し、その機能を損なわない範囲で樹脂フィルムの厚さを任意に選択することができる。
【００１８】
樹脂フィルムの厚さとしては、１０μｍ以上４００μｍ以下の範囲が好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下の範囲がより好ましい。樹脂フィルムの厚さが、１０μｍ未満では、銅層、グラファイト層、保護層を支持する基板としての強度が不足するため好ましくない。樹脂フィルムの厚さが、４００μｍを超えると、配線層としての銅層側で発生した熱が効率よく放熱層としてのグラファイト層に伝わりにくくなるため好ましくない。また、加工性やハンドリング性が悪くなるため好ましくない。
【００１９】
（２）銅層
本発明の高周波基板の配線層には、電気抵抗が少なく電気配線回路に汎用的に使われている銅を用いる。銅は、コスト的にも比較的安価で、配線加工しやすいので好ましい。配線層としての銅層の厚さは任意に設定できるが、高密度に実装した高周波基板として使用する場合の銅層の厚さとしては、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることが好ましい。さらに高密度化するには、１μｍ以上４μｍ以下の厚さの銅層とすることがより好ましい。厚さが１μｍ未満では、配線層が薄すぎて、断線のおそれが生じ、厚さが２０μｍを超えると、配線の断面が台形状になり、配線上部と下部の配線幅に差が生じ、高密度に配線した際に配線間でショート不良のおそれが生じ好ましくない。
【００２０】
本発明の銅層は、下地層にスパッタリング法により成膜した銅層を形成することが望ましい。スパッタリング法で成膜した銅層と基材の樹脂フィルムとの密着性は、化学結合により極めて高い。表面が平滑な基材を選択することで、表面を粗面化処理せずに、平滑な基材の表面上に直接成膜するため、得られるスパッタリング法による銅層も、平滑な膜となり、さらにめっき法で成膜された銅層も平滑な膜が得られる。従って、本発明の高周波基板を使用して高周波信号を高速伝送した時に、信号の反射や乱れが生じにくく、信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００２１】
本発明の銅層は、高周波信号の高速伝送用の配線として用いるため、基材との密着性が高く、後で配線加工する際にエッチング性の良い膜質であることが要求される。これらの要求特性を満足させるため配線層の銅層は、化学蒸着法、物理蒸着法、スパッタリング法などの乾式法により成膜することで実現することができる。特にスパッタリング法は、膜が緻密になり、且つ平滑な膜や、より密着性の高い膜を得るのに適している。但し、成膜時間が長くなり、コスト的には不利な面がある。
【００２２】
そこで、スパッタリング法の特徴を生かし、且つ生産性の低下を補うために、配線用銅層は、まず基材表面に下地層として銅層をスパッタリング法で成膜した後に、電気めっき法で銅層を所定の膜厚に成膜する方法を選択することができ、得られる配線層の銅層は高周波信号の高速伝送用基板の配線に要求される種々の品質を満足することができる。
【００２３】
（３）グラファイト層
本発明のグラファイト層は、配線上に設置したデバイスから発生した熱を効率的に放熱するための放熱層であり、グラファイト層とその上に成膜されたセラミックス層とで積層体を構成する。本発明のグラファイト層は、熱伝導率は７００Ｗ／ｍＫ以上２０００Ｗ／ｍＫ以下であり、銅と比べても数倍大きな熱伝導率を有し、極めて高い熱伝導性を有する材料である。
【００２４】
本発明の高周波基板は、基材を挟んで一方の面に配線層の銅層が配置され、もう一方の面に放熱層のグラファイト層が配置される。グラファイト層の厚さは、厚いほど放熱性は向上するが、必要な放熱量に応じて厚さを設定することができる。高周波基板として使用する場合、グラファイト層の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下とすることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下とすることがさらに好ましい。５μｍ未満では、放熱効果が小さく、効率よい放熱効果を得ることが困難であり、２００μｍを超えて厚くすると、基板の耐折り曲げ性が低下するため好ましくない。また、これ以上厚くしても放熱効果の向上は見られず、コスト高になるだけであり好ましくない。
【００２５】
本発明のグラファイト層は、厚さが１０μｍから１００μｍのグラファイトシートが市販されており、これを入手しそのまま使用することができる。例えば、パナソニック株式会社製グラファイトシート（品名：ＰＧＳグラファイトシート。厚さ：１０μｍ、２５μｍ、５０μｍ、７０μｍ、１００μｍなど。熱伝導率：７００Ｗ／ｍＫ、１０００Ｗ／ｍＫ、１３００Ｗ／ｍＫ、１６００Ｗ／ｍＫ、１９５０Ｗ／ｍＫなど））が挙げられる。
【００２６】
また、グラファイト層は、金属と比較して低密度で、高い熱伝導性を有するので、基板の軽量化、薄層化も期待できる。さらに、電磁波シールド機能も備えており、遮蔽性も期待できる。
【００２７】
（４）セラミックス層
本発明の高周波基板は、放熱層のグラファイト層の表面に、セラミックス層が形成されており、積層体を構成する。
【００２８】
セラミックス層は、強度の弱いグラファイト層の傷つきを防止する保護層としての機能を有し、かつ、回路基板としての絶縁性を付与する機能を有する。
【００２９】
上記機能を有するセラミックス層としては、窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種のセラミックスであることが重要である。上記材料を選択することにより、高周波基板に要求される強度、絶縁性が同時に付与される。
【００３０】
本発明の高い放熱性は、主にグラファイト層により確保できる。グラファイトは非常に優れた熱伝導性を有する材料であるが、強度的にもろいという欠点を有する材料であり、これを防止し、長期使用しても安定した放熱性を確保するためには、グラファイト層を保護するセラミックス層をグラファイト層の表面に配置する必要がある。そこで、十分な放熱性を確保する観点からセラミックス層についても、熱伝導率の高い材料が好ましい。窒化アルミ二ウムの熱伝導率は２８５Ｗ／ｍＫと、高い熱伝導率を有するため窒化アルミ二ウムが特に好ましい。その他、酸化ケイ素や酸化アルミニウムも比較的高い熱伝導率を有し、かつ高強度で、絶縁体であるセラミックス材料であり、保護層として好適に適用することができる。
【００３１】
セラミックス層の厚さは、傷つきや長期使用による経時劣化などによる絶縁性の低下を防止する効果を奏するためには、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。膜厚が０．５μｍ未満であると硬度が不足し所定の傷つき防止効果が得られなくなり、一方膜厚が５μｍを超えても所定の効果の向上は見られず、コストが高くなるため好ましくない。
【００３２】
（５）接着層
本発明の高周波基板は、基材の樹脂フィルムの一方の表面にグラファイト層及びセラミックス層の積層体を備えており、基材の樹脂フィルムと積層体は、接着層を介して貼り合わされ接合している。
【００３３】
接着層は、基材の樹脂フィルムに対し、接着できるものであれば特に制限はなく接着剤やプリプレグを使用することができるが、使用する基板に適する熱硬化型の接着剤や、熱硬化型樹脂のプリプレグが市販されておりこれを使用することが好ましい。
【００３４】
（６）高周波基板の製造方法
本発明の高周波基板の製造方法について以下に説明する。本発明の高周波基板は、以下の（Ａ）から（Ｄ）の工程により得られる。
（Ａ）基材の樹脂フィルムおよびグラファイトシートを準備する工程
（Ｂ）樹脂フィルムの一方の面に配線層の銅層を成膜する工程
（Ｃ）（Ｂ）で得られた基板にグラファイトシートを接着層を介して貼り合せる工程。
（Ｄ）（Ｃ）で得られた基板にセラミックス層を成膜する工程
【００３５】
以下、それぞれの工程について説明する。
（Ａ）基材の樹脂フィルムおよびグラファイトシートを準備する工程
前述したように、本発明の高周波基板の基材としては、安価で汎用的に使用されるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、耐熱性・耐薬品性・寸法安定性に優れた液晶ポリマー（ＬＣＰ）、透明性・低誘電率を有し耐熱性も優れたシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、機械強度・低誘電率を有し耐熱性も優れたポリイミド樹脂（ＰＩ）などの樹脂製の基材のなかから、用途に適した材料を選択する。本発明では、高周波信号の高速伝送用に使用することから、伝送損失を抑制するために表面の平滑性が高い樹脂フィルムを基材として選択する。
【００３６】
また、グラファイト層とセラミックス層からなる積層体を構成するグラファイト層には、適用する基板の放熱量に対応可能な熱伝導率のグラファイトシートを選定することができる。
【００３７】
市販のグラファイトシートとしては、パナソニック株式会社製グラファイトシート（品名：ＰＧＳグラファイトシート、厚さ：１０μｍ、２５μｍ、５０μｍ、７０μｍ、１００μｍなど、熱伝導率：７００Ｗ／ｍＫ、１０００Ｗ／ｍＫ、１３００Ｗ／ｍＫ、１６００Ｗ／ｍＫ、１９５０Ｗ／ｍＫなど）が挙げられる。
【００３８】
（Ｂ）樹脂フィルムの一方の面に配線層の銅層を成膜する工程
本発明の銅層は、高周波信号の高速伝送用の配線として用いるため、基材との密着性が高く、後で配線加工する際にエッチング性の良い膜質であることが要求される。これらの要求特性を満足させるため配線層の銅層は、化学蒸着法、物理蒸着法、スパッタリング法などの乾式法により成膜することで実現することができる。特にスパッタリング法は、膜が緻密になり、且つ平滑な膜や、より密着性の高い膜を得るのに適している。但し、成膜時間が長くなり、コスト的には不利な面がある。
【００３９】
そこで、スパッタリング法の特徴を生かし、且つ生産性の低下を補うために、配線用銅層は、まず基材表面に下地層として銅層をスパッタリング法で成膜した後に、電気めっき法で銅層を所定の膜厚に成膜する方法を選択することができる。
【００４０】
すなわち、本発明において銅層は、下地層の銅層をスパッタリング法で５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さで成膜し、その後、電気めっき法で最終的に厚さが１μｍ以上２０μｍ以下となるように成膜することにより形成することができる。
【００４１】
下地層の銅層は、銅ターゲットを用いて、スッパッタリング装置に基材をセットして、アルゴンガスを導入しながらスパッタリングして、所定の膜厚の銅層を成膜することにより得られる。なお、基材と銅層との密着性をより高めるためには、銅層を成膜する前に、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金の群から選ばれる下地層を２０ｎｍ以上１００ｎｍの厚さで成膜することが好ましい。その他、アルゴンイオンにより基材表面を洗浄したり、酸素プラズマを発生させて基材表面を活性化させる処理を施すことも密着性を高めるのに有効である。
【００４２】
次に、下地層の銅層を形成した基材を、めっき装置により銅めっきを施し、最終的に厚さが１μｍ以上２０μｍ以下になるように配線用銅層を形成する。銅めっきには、毒性が少なく、操作性に優れる硫酸銅を用いた酸化浴のメッキ装置を使用することが望ましい。
【００４３】
（Ｃ）（Ｂ）で得られた基板にグラファイトシートを接着層を介して貼り合せる工程。
（Ｃ）工程は、（Ｂ）で得られた配線層の銅層を成膜した樹脂フィルムに対し、（Ａ）で準備したグラファイトシートを接着層を介して貼り合せ、熱圧着して接合する工程である。
【００４４】
接着層には、基板に使用される基材に対して、接着できるものであれば、特に制限はなく、接着剤やプリプレグを使用することができるが、使用する基板に適する熱硬化型樹脂のプリプレグが市販されておりこれを使用することが好ましい。例えば、ポリイミド系接着剤としては、東レ株式会社製接着剤、三井東圧化学株式会社製接着剤（品名：ＬＡＲＣ−ＴＰＩ）などが挙げられる。
【００４５】
（Ｄ）（Ｃ）で得られた基板にセラミックス層を成膜する工程
本発明の高周波基板のセラミックス層は、放熱層としてのグラファイトシートの表面に、スパッタリング法により成膜する。
【００４６】
セラミックス層は、窒化アルミ二ウム、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウムの群から選択される一種のセラミック層からなるが、本発明の銅層と同様に化学蒸着法、物理蒸着法、スパッタリング法などの乾式法により成膜することができる。特にスパッタリング法は、膜が緻密になり、且つ平滑な膜やより密着性の高い膜を得るのに適している。
【００４７】
放熱性を高めたい場合は、セラミックス層の材料は窒化アルミニウムを選択することが好ましい。窒化アルミ二ウム層をスッパッタリング法により成膜するには、アルミニウムターゲットを用いて、反応ガスとして窒素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで窒化アルミニウム膜が得られる。
【００４８】
酸化ケイ素を選択する場合は、シリコンターゲットを用いて、反応ガスとして酸素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで酸化ケイ素膜が得られる。酸化アルミ二ウムを選択する場合も、アルミニウムターゲットを用いて、反応ガスとして酸素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで酸化アルミニウム膜が得られる。いずれも安価なターゲットで膜硬度が高く、絶縁性の高いセラミックス膜が形成できる。
【実施例】
【００４９】
以下に、実施例を示して本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されることはない。なお、下記に示す実施例及び比較例の高周波基板において、以下の評価方法により評価した。
【００５０】
（ａ）放熱性の評価
得られた基板に合計１０ＷのＬＥＤライトを取付け、毎秒１００回点滅させながら１  時間動作させ、基板の裏面にサーモテープを貼り付けて、動作後の基板温度を測定して  基板の放熱性能を評価した。
【００５１】
（ｂ）硬度の評価
ＪＩＳ  Ｋ  ５６００塗料一般試験方法に準拠した鉛筆硬度試験（鉛筆引っかき試験  法）により、三菱ユニ鉛筆を用いてセラミックス層の硬度を評価した。
【００５２】
（実施例１）
基材として厚さが１００μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルム（東レ・デュポン株式会社製、サイズ２０ｃｍ角）を用いた。
【００５３】
まず、基材のポリイミドフィルムを、スパッタリング装置（芝浦メカトロニクス株式会社製、ＣＦＳ−４ＥＳ）にセットし、このポリイミドフィルムの片面に下地層としてＮｉ−２５質量％Ｃｒを２０ｎｍ、続いて銅を１００ｎｍ成膜した。
【００５４】
具体的には、ターゲットに、Ｎｉ−２５質量％Ｃｒ合金（純度９９．９％）と銅（純度９９．９％）の３インチ径の円板状ターゲットを用いて、到達真空度を６.５×１０-3Ｐａとし、ＤＣ出力を２００Ｗとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス（流量１５ｓｃｃｍ）導入することにより、フィルムの片面に先に膜厚２０ｎｍのＮｉ−２０質量％Ｃｒ下地層を成膜した。続いて、ＤＣ出力を３００Ｗとし、到達真空度を６.５×１０-3Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス（流量１５ｓｃｃｍ）を導入することにより膜厚１００ｎｍの銅の下地層を成膜して積層した。
【００５５】
得られたフィルムに電解銅めっきを施すために、硫酸銅を用いためっき装置に下地層を成膜したフィルムをセットした。
【００５６】
めっき条件は、浴温度は４５℃で、電圧５Ｖとし、電流密度を３Ａ/ｄｍ2として１５分間めっきして、配線層の銅層を作製した。得られた銅層の厚さは４μｍであった。
【００５７】
次に、得られた銅層を成膜したフィルムに、グラファイトシート（パナソニック株式会社製、ＰＧＳグラファイトシートＴｙｐｅＥＹＧ、厚さ：４０μｍ、熱伝導率：１２００        Ｗ／ｍＫ）を、ポリイミド系接着剤（三井東圧株式会社製、品番：ＬＡＲＣ−ＴＰＩ）を用いて、１ｋｇ加圧しながら３００℃で１時間加熱硬化させた。
【００５８】
さらに、得られたグラファイトシートを貼り付けたフィルムを先ほど下地層の銅層の成膜に用いたスパッタリング装置（芝浦メカトロニクス株式会社製、ＣＦＳ−４ＥＳ）にセットし、固定治具を用いてグラファイトシート上に３インチ径の円板状金属アルミ二ウムターゲット（純度９９．９％）を用いて、窒化アルミ二ウムを成膜した。成膜条件は、ＲＦ出力を２５０Ｗとし、到達真空度を５.５×１０-3Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス（流量１５ｓｃｃｍ）、窒素ガス（流量１５ｓｃｃｍ）を導入して１５分間スパッタリングすることにより厚さが０．５μｍの窒化アルミ二ウム層を成膜して高周波基板を得た。
【００５９】
前記した評価方法により得られた高周波基板の放熱性能を評価したところ、一時間動作後の基板の温度は４２℃であった。
【００６０】
また、窒化アルミ二ウム層の硬度は、鉛筆硬度で３Ｈであり、十分な硬度を有していた。
【００６１】
（実施例２）
基材の樹脂フィルムを厚さが１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ株式会社製、サイズ２０ｃｍ角）を用いた以外は、実施例１と同様にして、配線用の銅層を４μｍ成膜し、グラファイトシートを接着剤で貼り付けた。その後、グラファイトシート上に３インチ径の円板状金属シリコンターゲット（純度９９．９％）を用いて、酸化ケイ素を成膜した。成膜条件は、ＲＦ出力を２５０Ｗとし、到達真空度を５.５×１０-3Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス（流量１５ｓｃｃｍ）、酸素ガス（流量１５ｓｃｃｍ）を導入して１５分間スパッタリングすることにより厚さが０．３μｍの酸化ケイ素層を成膜した。
【００６２】
得られた高周波基板の放熱性能を評価したところ、一時間動作後の基板の温度は４４℃であった。
【００６３】
また、酸化ケイ素層の硬度は、鉛筆硬度で４Ｈであり、十分な硬度を有していた。
【００６４】
（比較例１）
グラファイトシートを基材のポリイミドフィルムに貼り付けず、放熱層を備えずに、それ以外は実施例１と同様にして高周波基板を得た。
【００６５】
得られた高周波基板を実施例１と同様にして放熱性能を評価した。一時間動作後の基板の５６℃まで温度上昇してしまい、放熱できていないことが分かった。
【００６６】
以上のように、本発明の高周波基板は、放熱性能は良好であり、保護層の硬さも優れているため、放熱性に優れる基板であることが分かり、高周波信号の高速伝送用配線基板として好適に使用することができる基板である。