(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品を基板に内蔵するための収容溝を精密に形成し、薄型パッケージを製造できる電子部品内蔵プリント回路基板を提供する。【解決手段】第１絶縁層１１０と、第１絶縁層の一面に形成される収容溝１２０と、第１絶縁層に埋め込まれ、一面が第１絶縁層の一面から露出する内部導体パターン３１０と、収容溝に配置される電子部品５００と、電子部品及び内部導体パターンをカバーするように第１絶縁層上に形成される第２絶縁層２１０と、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに形成される外部導体パターン４１０と、外部導体パターンと内部導体パターンとを互いに接続するために第１絶縁層及び／または第２絶縁層に形成され、外部導体パターンに接続する一端から内部導体パターンに接続する他端に行くほど直径が減少する第１ビアＶ１と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一面に形成される収容溝と、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、一面が前記第１絶縁層の一面から露出する内部導体パターンと、
前記収容溝に配置される電子部品と、
前記電子部品及び前記内部導体パターンをカバーするように前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のそれぞれに形成される外部導体パターンと、
前記外部導体パターンと前記内部導体パターンとを互いに接続するために前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうちの少なくとも一方に形成され、前記外部導体パターンに接続する一端から前記内部導体パターンに接続する他端に行くほど直径が減少する第１ビアと、
を含む、電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項２】
前記内部導体パターンの一面は、前記第１絶縁層の一面よりも下部に配置される請求項１に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項３】
前記収容溝の底面と前記電子部品との間に介在される接着層をさらに含む請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項４】
前記電子部品は、キャパシタである請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項５】
前記第２絶縁層は、前記収容溝の内壁と前記電子部品との間を充填する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項６】
前記外部導体パターンは、
前記第１絶縁層及び／または前記第２絶縁層から突出して形成される請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項７】
前記外部導体パターンと前記電子部品とを互いに接続するために前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうちの少なくとも一方に形成される第２ビアをさらに含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項８】
前記内部導体パターンは、銅で形成された単一層構造である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【請求項９】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に介在される中間絶縁層と、
前記中間絶縁層と接触する前記第２絶縁層の一面に形成される対応溝と、をさらに含み、
前記電子部品は、前記収容溝及び前記対応溝に収容され、
前記中間絶縁層は、前記収容溝及び前記対応溝のそれぞれの内壁と前記電子部品との間を充填する請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電子部品内蔵プリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵プリント回路基板（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年半導体パッケージ技術の発達により、パッケージ用プリント回路基板においての高密度化及び小型化の必要性が増大している。
【０００３】
パッケージの薄型化のために、超薄板型プリント回路基板、受動素子を内蔵したプリント回路基板、コアレスプリント回路基板等様々な形態の技術が提案されている。
【０００４】
最近には薄板型プリント回路基板に受動素子を内蔵するためのキャビティを加工する技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−００６６０４４号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施例によれば、電子部品を基板に内蔵するための収容溝をより精密に形成することができる。
【０００７】
本発明の実施例によれば、薄型パッケージを製造するためのプリント回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板の製造工程の一工程を示す図である。
【図４】図３の工程の次の工程を示す図である。
【図５】図４の工程の次の工程を示す図である。
【図６】図５の工程の次の工程を示す図である。
【図７】図６の工程の次の工程を示す図である。
【図８】図７の工程の次の工程を示す図である。
【図９】図８の工程の次の工程を示す図である。
【図１０】図９の工程の次の工程を示す図である。
【図１１】図１０の工程の次の工程を示す図である。
【図１２】図１１の工程の次の工程を示す図である。
【図１３】図１２の工程の次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。
【００１０】
本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。
【００１１】
また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【００１２】
また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１３】
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。
【００１４】
以下、本発明に係る電子部品内蔵プリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１５】
（電子部品内蔵プリント回路基板）
【００１６】
（一実施例）
【００１７】
図１は、本発明の一実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板を示す図である。
【００１８】
図１を参照すると、本発明の一実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板１０００は、第１絶縁層１１０と、収容溝１２０と、内部導体パターン３１０と、電子部品５００と、第２絶縁層２１０とを含み、接着層６００と、外部導体パターン４１０と、第１ビアＶ１と、第２ビアＶ２とをさらに含むことができる。
【００１９】
第１絶縁層１１０は、熱可塑性絶縁樹脂、熱硬化性絶縁樹脂及び光硬化性絶縁樹脂のうちのいずれか１種で形成することができる。または、第１絶縁層１１０としては、上述の絶縁樹脂のうちのいずれか１種にガラス繊維等の補強材が含浸されたものを用いることができる。または、第１絶縁層１１０としては、上述の絶縁樹脂のうちのいずれか１種に有機フィラー及び／または無機フィラーが分散されたものを用いることもできる。
【００２０】
第１絶縁層１１０は、一面及び一面に対向する他面を含む。第１絶縁層１１０の一面及び他面は、第１絶縁層１１０の厚さ方向において互いに対向する第１絶縁層１１０の上面及び下面となる。
【００２１】
収容溝１２０は、第１絶縁層１１０の一面に形成される。収容溝１２０は、第１絶縁層１１０の一面に形成され、第１絶縁層１１０を厚さ方向に貫通しない形態を有する。収容溝１２０の底面は、第１絶縁層１１０の一面よりも第１絶縁層１１０の厚さ方向の中心に近く形成される。収容溝１２０の深さは、後述する内部導体パターン３１０の厚さ及び電子部品５００の厚さ等を考慮して変更可能である。
【００２２】
本実施例においての収容溝１２０は通常の場合と異なって、第１絶縁層１１０の一面に埋め込まれるように形成されたダミーパターン３２０を除去することにより形成される。絶縁層の一部を除去して収容溝またはキャビティを形成する通常の方法の場合は、絶縁層を除去する過程で発生した残留樹脂（スミア）及び残留樹脂を除去するための工程（デスミア）により収容溝またはキャビティの内壁が不均一となる。しかし、本実施例によれば、収容溝１２０の形成の際に上述した残留樹脂が発生しないので、収容溝１２０の内側面をより均一に形成することができる。このため、より精密な寸法の収容溝１２０を形成することができる。
【００２３】
内部導体パターン３１０は、第１絶縁層１１０に埋め込まれ、一面が第１絶縁層１１０の一面から露出される。すなわち、内部導体パターン３１０は、厚さ方向のすべてが第１絶縁層１１０に埋め込まれ、一面が第１絶縁層１１０の一面よりも第１絶縁層１１０の厚さ方向の中心に近く形成することができる。この場合、内部導体パターン３１０の一面が第１絶縁層１１０の一面から露出するように、第１絶縁層１１０には内部導体パターン３１０の一面を底面とする溝を形成することができる。または、内部導体パターン３１０は、厚さ方向のすべてが第１絶縁層１１０に埋め込まれ、一面が第１絶縁層１１０の一面と同じ平面上に配置されるように形成することができる。または、内部導体パターン３１０は、厚さ方向の一部が第１絶縁層１１０に埋め込まれ、厚さ方向の他の一部が第１絶縁層１１０の一面から突出するように形成することができる。
【００２４】
内部導体パターン３１０が第１絶縁層１１０に埋め込まれることは、コアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）工法と称する方法を用いて内部導体パターン３１０及び第１絶縁層１１０を形成するからである。コアレス工法により製造されたプリント回路基板は、コアド（ｃｏｒｅｄ）プリント回路基板に比べて、剛性のためにビルドアップ絶縁層よりも大きい厚さを有するコアを必要としない。これにより、本実施例によれば、相対的に薄板化された電子部品内蔵プリント回路基板を提供することができる。
【００２５】
内部導体パターン３１０は、銅（Ｃｕ）を含む材質で形成できるが、本実施例の範囲はこれに限定されない。例として、内部導体パターン３１０は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも１種以上を含む材質で形成可能である。
【００２６】
内部導体パターン３１０は、シグナルパターン、ビアパッド、パワーパターン及びグラウンドパターンのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【００２７】
電子部品５００は、収容溝１２０に配置される。電子部品５００の厚さは、収容溝１２０の深さよりも大きい値を有することができる。この場合に電子部品５００は、収容溝１２０に配置され、厚さ方向の一部が第１絶縁層１１０の一面から突出することができる。
【００２８】
電子部品５００は、キャパシタ、インダクタ、及びレジスタ等の受動素子であり、これに限定されることはない。電子部品５００がキャパシタである場合は、電子部品５００は、薄膜キャパシタ、フィルムキャパシタ及びＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）のうちのいずれか１種であることができる。
【００２９】
第２絶縁層２１０は、電子部品５００及び第１絶縁層１１０上に形成される。本実施例の場合、第２絶縁層２１０は、第１絶縁層１１０及び電子部品５００上に形成され、第１絶縁層１１０の一面から突出した電子部品５００をカバーし、第１絶縁層１１０の一面と接触する。
【００３０】
第２絶縁層２１０は、熱可塑性絶縁樹脂、熱硬化性絶縁樹脂及び光硬化性絶縁樹脂のうちのいずれか１種で形成されることができる。または、第２絶縁層２１０は、上述した絶縁樹脂のうちのいずれか１種にガラス繊維等の補強材が含浸されたものであってもよい。または、第２絶縁層２１０は、上述した絶縁樹脂のうちのいずれか１種に有機フィラー及び／または無機フィラーが分散されたものであってもよい。
【００３１】
第２絶縁層２１０は、収容溝１２０の内壁と電子部品５００との間を充填することができる。収容溝１２０の横断面積と電子部品５００の横断面積とは互いに一致しないこともあるので、収容溝１２０の内壁と電子部品５００の側面との間には空き空間が生じ得る。第２絶縁層２１０により上述した空き空間を充填することにより、電子部品５００の移動を制限できる。電子部品５００は、下面が収容溝１２０の底面である第１絶縁層１１０と接触し、上面及び側面が第２絶縁層２１０と接触する。
【００３２】
内部導体パターン３１０の一面は、第１絶縁層１１０の一面よりも下部に配置され得る。すなわち、図１に示すように、内部導体パターン３１０は、厚さ方向のすべてが第１絶縁層１１０に埋め込まれ、一面が第１絶縁層１１０の一面よりも第１絶縁層１１０の厚さ方向の中心に近く形成されることができる。内部導体パターン３１０の一面は、第１絶縁層１１０の一面から露出するので、第１絶縁層１１０の一面には内部導体パターン３１０の一面を底面とする溝が形成される。この場合、第２絶縁層２１０は、上述した溝を充填し、内部導体パターン３１０の一面と接触できる。
【００３３】
接着層６００は、収容溝１２０の底面と電子部品５００との間に介在され得る。接着層６００は、収容溝１２０に配置された電子部品５００の移動を制限することができる。接着層６００は、エポキシ樹脂を含むことができ、これに限定されず、電気絶縁特性及び接着特性を有する任意の物質を含むことができる。
【００３４】
外部導体パターン４１０は、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層２１０上にそれぞれ形成されることができる。すなわち、外部導体パターン４１０は、第１絶縁層１１０の他面に形成され、第２絶縁層２１０の他面に形成されることができる。
【００３５】
図１を参照すると、外部導体パターン４１０は、第１絶縁層１１０の下面及び第２絶縁層２１０の上面にそれぞれ形成されることができる。
【００３６】
外部導体パターン４１０は、銅（Ｃｕ）を含む材質で形成可能であるが、本実施例の範囲がこれに限定されることはない。例として、外部導体パターン４１０は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも１種以上を含む材質で形成可能である。
【００３７】
外部導体パターン４１０は、接続パッド、シグナルパターン、ビアパッド、パワーパターン及びグラウンドパターンのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【００３８】
第１ビアＶ１は、外部導体パターン４１０と内部導体パターン３１０とを互いに接続するために第１絶縁層１１０及び／または第２絶縁層２１０に形成される。図１を基準にして、図１の上部に示された第１ビアＶ１は、第２絶縁層２１０を貫通し、内部導体パターン３１０と第２絶縁層２１０の上面に形成された外部導体パターン４１０とを電気的に互いに接続させる。図１の下部に示された第１ビアＶ１は、第１絶縁層１１０を貫通し、内部導体パターン３１０と第１絶縁層１１０の下面に形成された外部導体パターン４１０とを電気的に互いに接続させる。
【００３９】
第１ビアＶ１は、外部導体パターン４１０に接続する一端から内部導体パターン３１０に接続する他端に行くほど直径が減少する。すなわち、第１ビアＶ１は、内部導体パターン側に行くほど直径が減少する。各第１ビアＶ１の直径が最小となる部分は内部導体パターンと接触する各第１ビアＶ１の他端である。
【００４０】
第１ビアＶ１は、銅（Ｃｕ）を含む材質で形成できるが、本実施例の範囲がこれに限定されることはない。例として、第１ビアＶ１は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも１種以上を含む材質で形成することができる。
【００４１】
第２ビアＶ２は、外部導体パターン４１０と電子部品５００とを互いに接続するために第１絶縁層１１０または第２絶縁層２１０に形成される。図１を基準にして、図１の上部に示された第２ビアＶ２は、第２絶縁層２１０を貫通し、電子部品５００の外部電極と第２絶縁層２１０の上面に形成された外部導体パターン４１０とを電気的に互いに接続させる。図１の下部に示された第２ビアＶ２は、第１絶縁層１１０を貫通し、電子部品５００の外部電極と第１絶縁層１１０の下面に形成された外部導体パターン４１０とを電気的に互いに接続させる。
【００４２】
第２ビアＶ２は、銅（Ｃｕ）を含む材質で形成できるが、本実施例の範囲がこれに限定されることはない。例として、第２ビアＶ２は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも１種以上を含む材質で形成されることができる。
【００４３】
一方、図１には第２ビアＶ２の横断面積が電子部品５００に近いほど小さくなることを示しているが、これは例示に過ぎない。すなわち、第２ビアＶ２は、第２ビアＶ２を形成するためのビアホールの加工方法により、図１とは異なって、実質的に同一の横断面積を有する柱状に形成されることができる。
【００４４】
また、図１に示されている第２ビアＶ２の数は例示に過ぎず、本発明の範囲がこれに限定されることはない。すなわち、図１とは異なって、第２ビアＶ２は、電子部品５００の上部または下部のうちのいずれかに対に形成されることができる。または、第２ビアＶ２は、外部電極のうちのある１つに接続されるもの及び外部電極のうちの他の１つに接続されるものがそれぞれ電子部品５００の上部及び下部に形成されることもできる。または、図１とは異なって、半導体チップを電子部品５００として用いる場合、第２ビアＶ２は、半導体チップの活性面に接続するように電子部品５００の上部または下部のうちのいずれかに２つ以上複数に形成されることもできる。
【００４５】
また、本実施例の場合、外部導体パターン４１０の少なくとも一部を露出する開口を含み、外部導体パターン４１０をカバーするように、外部導体パターン４１０、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層２１０上に形成されたソルダーレジストＳＲをさらに含むことができる。
【００４６】
（他の実施例）
【００４７】
図２は、本発明の他の実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板を示す図である。
【００４８】
図２を参照すると、本発明の他の実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板２０００は、第１絶縁層１１０と、収容溝１２０と、内部導体パターン３１０と、電子部品５００と、中間絶縁層７００と、対応溝２２０と、第２絶縁層２１０と、を含む。
【００４９】
本実施例に適用する第１絶縁層１１０、収容溝１２０、内部導体パターン３１０、電子部品５００及び第２絶縁層２１０については、本発明の一実施例で説明したので、以下ではそれらに関する詳細な説明を省略し、一実施例と差のある部分のみを説明する。
【００５０】
対応溝２２０は、後述する中間絶縁層７００と接触する第２絶縁層２１０の一面に形成される。対応溝２２０は、上述した収容溝１２０とともに本実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板に電子部品５００を内蔵するための空間を提供する。上述したように、収容溝１２０の深さよりも電子部品５００の厚さが大きい値を有する場合があるので、対応溝２２０は、第１絶縁層１１０の一面から突出した電子部品５００の厚さ方向の一部を収容する。
【００５１】
対応溝２２０は、上述した収容溝１２０の製造方法と同じ方法により形成することができる。すなわち、対応溝２２０は、第２絶縁層２１０の一面に形成されたダミーパターン３２０を除去することにより、第２絶縁層２１０の一面に形成することができる。
【００５２】
中間絶縁層７００は、第１絶縁層１１０と第２絶縁層２１０との間に介在される。上述した本発明の一実施例では第１絶縁層１１０と第２絶縁層２１０とが互いに接触したが、本実施例の場合は、第１絶縁層１１０と第２絶縁層２１０とが互いに接触せず、両者の間に中間絶縁層７００が介在される。すなわち、中間絶縁層７００の一面は第１絶縁層１１０の一面と接触し、中間絶縁層７００の一面と対向する中間絶縁層７００の他面は第２絶縁層２１０の一面と接触する。これにより、第１絶縁層１１０と第２絶縁層２１０とは中間絶縁層７００を媒介にして互いに結合する。
【００５３】
中間絶縁層７００は、熱可塑性絶縁樹脂、熱硬化性絶縁樹脂及び光硬化性絶縁樹脂のうちのいずれか１種で形成することができる。または、中間絶縁層７００は、上述の絶縁樹脂のうちのいずれか１種にガラス繊維等の補強材が含浸されたもので形成されることができる。または中間絶縁層７００は、上述の絶縁樹脂のうちのいずれか１種に有機フィラー及び／または無機フィラーが分散されたもので形成されることができる。
【００５４】
中間絶縁層７００は、収容溝１２０及び対応溝２２０のそれぞれの内壁と電子部品５００との間を充填する。中間絶縁層７００により、電子部品５００が収容溝１２０及び／または対応溝２２０内で移動することが制限される。
【００５５】
（電子部品内蔵プリント回路基板の製造方法）
【００５６】
図３から図１３は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造工程を順次に示す図である。
【００５７】
先ず、図３を参照すると、キャリアＣに内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０を形成する。
【００５８】
キャリアＣは、支持部材Ｓと、支持部材Ｓの両面に形成された第１金属箔ＣＦ１と、上部及び下部の第１金属箔ＣＦ１にそれぞれ形成された第２金属箔ＣＦ２と、を含むことができる。キャリアＣは、第１金属箔ＣＦ１と第２金属箔ＣＦ２との間に介在された離型層をさらに含むことができる。
【００５９】
本実施例の場合、第１金属箔ＣＦ１及び第２金属箔ＣＦ２はすべて銅（Ｃｕ）で形成されるので、以下では第１金属箔ＣＦ１及び第２金属箔ＣＦ２をそれぞれ第１銅箔ＣＦ１及び第２銅箔ＣＦ２と称する。
【００６０】
内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０は、キャリアＣの第２銅箔ＣＦ２にそれぞれ形成される。内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０は、第２銅箔ＣＦ２に、内部導体パターン３１０の形成領域及びダミーパターン３２０の形成領域に対応する領域を開放したメッキレジストパターンを形成した後に、第２銅箔ＣＦ２を給電層として電解メッキを行い、メッキレジストパターンを除去することにより形成することができる。
【００６１】
ダミーパターン３２０は、後述する工程により除去され、第１絶縁層１１０に収容溝１２０を形成する構成である。したがって、ダミーパターン３２０の厚さは電子部品５００の厚さ及び第１絶縁層１１０の厚さを考慮して様々に変更可能である。すなわち、図３とは異なって、ダミーパターン３２０は、内部導体パターン３１０よりも厚くまたは薄く形成されることができる。
【００６２】
次に、図４を参照すると、内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０をカバーするようにキャリアＣの両面に第１絶縁層１１０を形成する。
【００６３】
第１絶縁層１１０は、半硬化（Ｂ−ｓｔａｇｅ）絶縁フィルムが金属箔の一面に形成されたＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ）をキャリアＣの両面にラミネーションすることにより形成することができる。半硬化絶縁フィルムは、キャリアＣの両面に積層された後に加熱及び加圧されることで完全硬化（Ｃ−ｓｔａｇｅ）することができる。
【００６４】
一方、ＲＣＣを用いて第１絶縁層１１０を形成する方法とは異なって、第１絶縁層１１０及び第３金属箔ＣＦ３は、キャリアＣにそれぞれ形成されることができる。図４には、第１絶縁層１１０に第３金属箔ＣＦ３が形成されていることを示しているが、本発明の範囲がこれに限定されることはない。
【００６５】
本実施例の場合、第３金属箔ＣＦ３を銅（Ｃｕ）で形成するので、以下では第３金属箔ＣＦ３を第３銅箔ＣＦ３と称する。
【００６６】
次に、図５を参照すると、キャリアＣから第１絶縁層１１０を分離する。
【００６７】
上述したように、キャリアＣの第１銅箔ＣＦ１と第２銅箔ＣＦ２との間には離型層を形成でき、または、両者の界面に低粗度面を形成できる。このため、キャリアＣと第１絶縁層１１０との分離は、キャリアＣの第１銅箔ＣＦ１と第２銅箔ＣＦ２との間で生じる。その結果、キャリアＣから分離された第１絶縁層１１０の一面には第１銅箔ＣＦ１が付着されている。
【００６８】
第１絶縁層１１０の一面に付着された第１銅箔ＣＦ１は、銅エッチング液により除去でき、または物理的研磨等の方法により除去できる。銅エッチング液により第１銅箔ＣＦ１を除去する場合は、第１絶縁層１１０の他面に形成された第３銅箔ＣＦ３が第１銅箔ＣＦ１とともに除去されることを防止するために、第３銅箔ＣＦ３にエッチングレジストを形成することができる。第３銅箔ＣＦ３に形成されたエッチングレジストは、第１銅箔ＣＦ１をエッチングにより除去した後に、第３銅箔ＣＦ３から剥離されることができる。
【００６９】
内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０が銅（Ｃｕ）で形成された場合は、第１銅箔ＣＦ１を銅エッチング液により除去すると、内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０のそれぞれの一部も除去される。この場合、内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０のそれぞれの一面は、第１絶縁層１１０の一面よりも第１絶縁層１１０の厚さ中心に近く配置されることになる。すなわち、第１絶縁層１１０の一面には、内部導体パターン３１０及びダミーパターン３２０のそれぞれの一面を底面とする溝が形成され得る。
【００７０】
次に、図６及び図７を参照すると、ダミーパターン３２０を除去する。
【００７１】
先ず、図５に示すように、第１絶縁層１１０の一面及び他面にそれぞれドライフィルム等を塗布し、ドライフィルムを選択的露光及び現像してダミーパターン３２０に対応する領域のみに開口部が形成されたエッチングレジストパターンＥＲを形成する。
【００７２】
その後に、図６に示すように、エッチングレジストパターンＥＲの開口部から露出したダミーパターン３２０を銅エッチング液により除去した後に、エッチングレジストパターンＥＲを第１絶縁層１１０から剥離する。
【００７３】
次に、図８を参照すると、ダミーパターン３２０が除去されて形成された第１絶縁層１１０の収容溝１２０の底面に接着層６００を形成する。
【００７４】
接着層６００は、接着フィルムを収容溝１２０の底面に積層するか、または液状の接着物質を収容溝１２０の底面に塗布することにより形成することができる。
【００７５】
次に、図９を参照すると、収容溝１２０に電子部品５００を配置する。電子部品５００は、接着層６００により第１絶縁層１１０に固定できる。電子部品５００の厚さは、収容溝１２０の深さよりも大きい値を有することができるので、電子部品５００の一部が第１絶縁層１１０の一面から突出する。
【００７６】
次に、図１０を参照すると、電子部品５００及び第１絶縁層１１０上に第２絶縁層２１０を形成する。
【００７７】
第２絶縁層２１０は、半硬化（Ｂ−ｓｔａｇｅ）絶縁フィルムが金属箔の一面に形成されているＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ）を第１絶縁層１１０の一面にラミネーションすることにより形成することができる。半硬化絶縁フィルムは、第１絶縁層１１０の一面に積層された後に加熱及び加圧されることにより完全硬化（Ｃ−ｓｔａｇｅ）することができる。
【００７８】
一方、ＲＣＣを用いて第２絶縁層２１０を形成する方法とは異なって、第２絶縁層２１０及び第４金属箔ＣＦ４は、第１絶縁層１１０にそれぞれ形成されることができる。図１０には、第２絶縁層２１０に第４金属箔ＣＦ４が形成されていることを示しているが、本発明の範囲がこれに限定されることはない。
【００７９】
本実施例の場合は、第４金属箔ＣＦ４が銅（Ｃｕ）で形成されるため、以下では第４金属箔ＣＦ４を第４銅箔ＣＦ４と称する。
【００８０】
次に、図１１を参照すると、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層２１０に第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を形成し、その後にシード層ＳＬを形成する。
【００８１】
先ず、第１及び第２絶縁層１１０、２１０に第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を形成する。第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２は、メカニカルドリリングまたはレーザドリリングにより形成することができる。第１及び第２絶縁層１１０、２１０が光硬化性絶縁樹脂を含む場合は、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホール（ＶＨ１）は、フォトリソグラフィ工程を経て第１及び第２絶縁層１１０、２１０に形成されることができる。または、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２は、第３及び第４銅箔ＣＦ３、ＣＦ４の一部を選択的に除去した後に、第１及び第２絶縁層１１０、２１０をエッチングすることで形成することができる。
【００８２】
以後、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２の形成された第１絶縁層１１０及び第２絶縁層２１０の表面にシード層ＳＬを形成する。シード層ＳＬは、無電解銅メッキにより形成できるが、これに限定されず、スパッタリングまたは蒸着等の方法を用いて形成することもできる。また、シード層は、銅ではなく、異なる導電性物質を含むことができる。
【００８３】
次に、図１２を参照すると、第１ビアＶ１、第２ビアＶ２及び外部導体パターン４１０を形成する。
【００８４】
第１ビアＶ１、第２ビアＶ２及び外部導体パターン４１０は、第１絶縁層１１０の他面及び第２絶縁層２１０の他面に、外部導体パターン４１０の形成領域に対応する領域にのみ開口部を形成したメッキレジストパターンを形成した後に、シード層ＳＬを給電層とする電解銅メッキを行うことにより形成することができる。メッキレジストパターンは、電解銅メッキ工程の後に剥離される。また、電解メッキ層が形成された領域を除いた領域に対応する第３銅箔ＣＦ３、第４銅箔ＣＦ４及びシード層ＳＬは除去される。
【００８５】
次に、図１３を参照すると、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層２１０にソルダーレジストＳＲを形成することができる。
【００８６】
ソルダーレジストＳＲは、フィルム形態で積層するか、液状の絶縁物質を第１及び第２絶縁層２１０に塗布した後に硬化することで形成することができる。ソルダーレジストＳＲは光硬化性物質を含むことができ、これに限定されることはない。
【００８７】
本発明の一実施例に係る電子部品内蔵プリント回路基板の製造方法によれば、収容溝１２０を精密な寸法で形成することができる。また、コアレス工法により基板を製造するので、基板の薄板化を実現することができる。
【００８８】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【００８９】
１１０    第１絶縁層
１２０    収容溝
２１０    第２絶縁層
２２０    対応溝
３１０    内部導体パターン
３２０    ダミーパターン
４１０    外部導体パターン
５００    電子部品
６００    接着層
７００    中間絶縁層
Ｖ１      第１ビア
Ｖ２      第２ビア
ＶＨ１    第１ビアホール
ＶＨ２    第２ビアホール
ＥＲ      エッチングレジストパターン
Ｃ        キャリア
Ｓ        支持部材
ＣＦ      銅箔、金属箔
ＳＲ      ソルダーレジスト
１０００、２０００      電子部品内蔵プリント回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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