(57)【要約】【課題】冷却水供給装置が長時間停止してもレーザ加工に影響が及ばない、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システムを提供する。【解決手段】純水(W1)を用いて生成した冷却水(W3)を貯留する冷却水タンク(T3)と、前記冷却水タンク(T3)に貯留された冷却水(W3)をレーザ加工ヘッド(52a)に供給する冷却水供給路(7)と、レーザ加工ヘッド(52a)に供給する冷却水(W3)の導電率(σａ)を測定する導電率計(8)と、電磁弁(B2)を有して冷却水タンク(T3)から冷却水(W3)を外部に排出可能な排出路(9)と、電磁弁(B2)の開閉動作を制御する制御部(CT)と、を備える。制御部(CT)は、導電率計(8)の測定結果が予め設定された上限値(σh)を超えた場合に、電磁弁(B2)を閉状態から開状態にして冷却水タンク(T3)に貯留された冷却水(W3)を、排出路(9)から排出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水を用いて生成した冷却水を貯留する冷却水タンクと、
前記冷却水タンクに貯留された前記冷却水をレーザ加工ヘッドに供給する冷却水供給経路と、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率を測定する導電率計と、
電磁弁を有して前記冷却水タンクから前記冷却水を外部に排出可能な排出路と、
前記電磁弁の開閉動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記導電率計の測定結果が予め設定された上限値を超えた場合に、前記電磁弁を閉状態から開状態にして前記冷却水タンクに貯留された前記冷却水を、前記排出路から排出させることを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム。
【請求項２】
前記純水を前記冷却水タンクに向けて送出する純水供給路を備え、
前記制御部は、前記電磁弁を開状態にしたまま前記純水供給路により前記純水を前記冷却水タンクに向けて送出することを特徴とする請求項１記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム。
【請求項３】
前記純水を貯留し前記冷却水タンクに対し前記純水供給路で接続された純水タンクと、
流路を開閉する他の電磁弁を有し前記純水タンクに貯留された純水を外部に排出可能な他の排出路と、
をさらに備えていることを特徴とする請求項２記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム。
【請求項４】
純水を用いて生成して冷却水タンクに貯留した冷却水をレーザ加工ヘッドに供給する、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法であって、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が予め設定した上限値を超えた場合に、前記冷却水の前記レーザ加工ヘッドへの供給を停止すると共に、前記冷却水タンクに貯留されている前記冷却水を外部に排出することを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法。
【請求項５】
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が予め設定した上限値を超えた場合に、
前記純水を前記冷却水タンクに向けて所定時間送出動作させて、前記所定時間の間、送出された前記純水を前記冷却水タンクを経て外部に排出させることを特徴とする請求項４記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法。
【請求項６】
純水タンクからの純水を用いて生成した冷却水を冷却水タンクに貯留し、前記冷却水タンクからの冷却水を配管を通してレーザ加工ヘッドに供給する、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法であって、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が、予め設定した上限値を超えた場合に、
前記冷却水の前記レーザ加工ヘッドへの供給を停止すると共に前記冷却水タンクに貯留されている前記冷却水を排出し、
その後、前記冷却水タンク及び前記配管に前記純水タンクからの前記純水を所定時間だけ流通させ、
前記所定時間の経過後、前記純水タンクの前記純水を排出することを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム及び冷却水供給方法
に係り、特に、冷却水を貯留するタンクを備えたレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム及び冷却水供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ加工時のワーク冷却のために、レーザ加工ヘッドに冷却水を供給する冷却水供給装置などが特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２１５７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の冷却水供給装置には、冷却水を貯留する貯水タンクを備えたものがある。
この冷却水は、純水と防錆剤とを所定割合で混合して生成するものである。
ところで、純水及び防錆剤は、貯水タンクに貯留された場合、放置時間に対し、純水の導電率は例えば二次関数的に増加し、防錆剤の導電率は原則一定値のままとなる。
純水と防錆剤とを混合した冷却水を貯水タンクに貯留した場合の時間経過に伴う導電率上昇は顕著である。
【０００５】
一方、貯水タンクから冷却水が供給されるレーザ加工ヘッドには、倣い制御のために、ワークとの距離を測定する静電容量型の距離センサを搭載しているものがある。
レーザ加工ヘッドからワークに噴射する冷却水の導電率が設定した許容範囲上限値を超えると、静電容量型の距離センサの測定精度が低下して倣い制御に不具合が生じる虞がある。
【０００６】
そのため、冷却水供給装置の停止時間が長くなると、貯水タンクに貯留されている冷却水の導電率が許容範囲上限値よりも高くなって、冷却水を必要とする次のレーザ加工において倣い制御に不具合が生じる虞があった。
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、冷却水供給装置が長時間停止してもレーザ加工に影響が及ばない、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システム及び冷却水供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は次の構成、手順を有する。
１）  純水を用いて生成した冷却水を貯留する冷却水タンクと、
前記冷却水タンクに貯留された前記冷却水をレーザ加工ヘッドに供給する冷却水供給経路と、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率を測定する導電率計と、
電磁弁を有して前記冷却水タンクから前記冷却水を外部に排出可能な排出路と、
前記電磁弁の開閉動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記導電率計の測定結果が予め設定された上限値を超えた場合に、前記電磁弁を閉状態から開状態にして前記冷却水タンクに貯留された前記冷却水を、前記排出路から排出させることを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システムである。
２）  前記純水を前記冷却水タンクに向けて送出する純水供給路を備え、
前記制御部は、前記電磁弁を開状態にしたまま前記純水供給路により前記純水を前記冷却水タンクに向けて送出することを特徴とする１）に記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システムである。
３）  前記純水を貯留し前記冷却水タンクに対し前記純水供給路で接続された純水タンクと、
流路を開閉する他の電磁弁を有し前記純水タンクに貯留された純水を外部に排出可能な他の排出路と、
をさらに備えていることを特徴とする２）に記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給システムである。
４）  純水を用いて生成して冷却水タンクに貯留した冷却水をレーザ加工ヘッドに供給する、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法であって、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が予め設定した上限値を超えた場合に、前記冷却水の前記レーザ加工ヘッドへの供給を停止すると共に、前記冷却水タンクに貯留されている前記冷却水を外部に排出することを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法である。
５）  前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が予め設定した上限値を超えた場合に、
前記純水を前記冷却水タンクに向けて所定時間送出動作させて、前記所定時間の間、送出された前記純水を前記冷却水タンクを経て外部に排出させることを特徴とする請求項４記載のレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法である。
６）  純水タンクからの純水を用いて生成した冷却水を冷却水タンクに貯留し、前記冷却水タンクからの冷却水を配管を通してレーザ加工ヘッドに供給する、レーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法であって、
前記レーザ加工ヘッドに供給する前記冷却水の導電率が、予め設定した上限値を超えた場合に、
前記冷却水の前記レーザ加工ヘッドへの供給を停止すると共に前記冷却水タンクに貯留されている前記冷却水を排出し、
その後、前記冷却水タンク及び前記配管に前記純水タンクからの前記純水を所定時間だけ流通させ、
前記所定時間の経過後、前記純水タンクの前記純水を排出することを特徴とするレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、冷却水供給装置が長時間停止してもレーザ加工に不具合が生じない、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る冷却水供給システムの実施例である冷却水供給システムＳＴを説明するための構成図である。
【図２】図２は、冷却水供給システムＳＴの制御系を説明するためのブロック図である。
【図３】図３は、冷却水供給システムＳＴの動作における手順Ａを説明するためのフロー図である。
【図４】図４は、手順Ａの判定結果に応じて移行する手順Ｂを説明するためのフロー図である。
【図５】図５は、手順Ａの判定結果に応じて移行する手順Ｃを説明するためのフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係るレーザ加工ヘッドに対する冷却水供給装置及び冷却水供給システムの構成を、実施例である冷却水供給装置５１及び冷却水供給システムＳＴにより図１及び図２を参照して説明する。
図１及び図２は、それぞれ冷却水供給システムＳＴの構成を示す構成図、及び制御系を示すブロック図である。
【００１２】
冷却水供給システムＳＴは、冷却水供給装置５１及びレーザ加工機５２を含んで構成されている。
冷却水供給装置５１は、液体を貯留するタンクとしての、純水タンクＴ１，防錆剤タンクＴ２，及び冷却水タンクＴ３と、純水Ｗ１と防錆剤Ｗ２とを混合するミキシングバルブＢＭと、を有する。
【００１３】
純水タンクＴ１には、純水生成路１により純水Ｗ１が供給され貯留される。
純水生成路１は、水道水源からの水道水が、混合固形物を濾しとるフィルタ１ａを通り、イオン交換樹脂等を用いた純水器１ｂで純水化され、フロート弁１ｃを通り純水タンクＴ１に純水Ｗ１として供給される経路である。フロート弁１ｃは、純水タンクＴ１に貯留された純水Ｗ１の液面高さをフロートで検出し、液面高さが所定位置に達したら弁を閉じて純水Ｗ１の供給を停止する。
純水タンクＴ１は、貯留した純水Ｗ１の液面高さを検出する液面センサ１ｓと導電率σを測定する導電率計１０とを有し、底部に流路を開閉する電磁弁Ｂ３を有する排出路２が設けられている。
【００１４】
防錆剤タンクＴ２には、作業者又は自動供給機（不図示）によって供給された液体の防錆剤Ｗ２が貯留される。防錆剤タンクＴ２は、貯留した防錆剤Ｗ２の液面高さを検出する液面センサ２ｓを有する。
【００１５】
純水タンクＴ１とミキシングバルブＢＭとは、純水タンクＴ１側からポンプＰ１と逆止弁３ａとを有する純水供給路３により接続されている。
防錆剤タンクＴ２とミキシングバルブＢＭとは、防錆剤タンクＴ２側からポンプＰ２と逆止弁４ａとを有する防錆剤供給路４により接続されている。
【００１６】
ポンプＰ１が動作することで、純水タンクＴ１に貯留された純水Ｗ１は、純水供給路３を通してミキシングバルブＢＭに供給される。また、ポンプＰ２が動作することで、防錆剤タンクＴ２に貯留された防錆剤Ｗ２は、防錆剤供給路４を通してミキシングバルブＢＭに供給される。
そして、ミキシングバルブＢＭにおいて、供給された純水Ｗ１と防錆剤Ｗ２とは所定の比率で混合され、冷却水Ｗ３として混合供給路５を通して冷却水タンクＴ３に供給される。
【００１７】
冷却水タンクＴ３は、貯留した冷却水Ｗ３の液面高さを検出する液面センサ３ｓを有し、底部には流路を開閉する電磁弁Ｂ４を有する排出路６が設けられている。また、冷却水タンクＴ３は、内圧を所定値で維持するためのエアを供給するレギュレータ（不図示）を備える。所定値は、大気圧よりも高く（例えば０．３Ｍｐａ）設定されている。
【００１８】
冷却水供給装置５１は、冷却水Ｗ３の出力ポートＰａを有し、出力ポートＰａと冷却水タンクＴ３とは、冷却水供給経路７ａで接続されている。
一方、レーザ加工機５２には、冷却水を受け入れる入力ポートＰｂが設けられており、入力ポートＰｂとレーザ加工ヘッド５２ａとの間は、流路を開閉する電磁弁Ｂ１を有する内部経路７ｃで接続されている。
出力ポートＰａと入力ポートＰｂとの間は、ホースなどによって中継経路７ｂとして接続されている。
冷却水供給経路７ａ，中継経路７ｂ，及び内部経路７ｃにより、冷却水供給路７が構成される。
これにより、冷却水タンクＴ３に貯留された冷却水Ｗ３は、電磁弁Ｂ１が開くと、冷却水タンクＴ３の大気圧より高く維持されている内圧によって冷却水供給路７を通りレーザ加工ヘッド５２ａに供給され、ワーク（不図示）に向け噴射される。
【００１９】
冷却水供給装置５１における冷却水供給経路７ａは、冷却水タンクＴ３側からフィルタ７ｄと導電率計８とを有する。そして、冷却水供給経路７ａにおける導電率計８と出力ポートＰａとの間に分岐部Ｐｃが設けられ、流路を開閉する電磁弁Ｂ２を有する排出路９が分岐している。
【００２０】
レーザ加工機５２は、レーザ加工機５２の動作を制御する制御部ＣＴを有する。
図２に示されるように、制御部ＣＴは、中央処理装置（ＣＰＵ）ＣＴａ，タイマＣＴｂ，清掃実行判定部ＣＴｃ，及び記憶部ＣＴｍを含む。
【００２１】
導電率計８は、冷却水供給経路７ａを流れる冷却水Ｗ３の導電率σを測定し、導電率情報Ｊ８として制御部ＣＴに向け出力する。
導電率計１０は、純水タンクＴ１に貯留された純水Ｗ１の導電率σを測定し、導電率情報Ｊ１０として制御部ＣＴに向け出力する。
液面センサ１ｓ，２ｓ，３ｓは、それぞれが測定した純水タンクＴ１に貯留された純水Ｗ１，防錆剤タンクＴ２に貯留された防錆剤Ｗ２，冷却水タンクＴ３に貯留された冷却水Ｗ３の液面高さを、液面高さ情報Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３として制御部ＣＴに向け出力する。
【００２２】
このような冷却水供給システムＳＴにおいて、制御部ＣＴは、導電率情報Ｊ８などに基づいて、ポンプＰ１，Ｐ２及び電磁弁Ｂ１〜Ｂ３の動作を、次に説明する手順Ａに従って制御する。手順Ａは、冷却水の導電率をチェックする手順である。
【００２３】
＜手順Ａ＞
冷却水供給システムＳＴが実行する動作の手順Ａを、図３を参照して説明する。手順Ａにおいて、清掃実行判定部ＣＴｃは、導電率情報Ｊ８に基づいて清掃動作を実行するか否かを判定する。
また、記憶部ＣＴｍには、レーザ加工ヘッドの倣い制御に不具合を生じさせない冷却水Ｗ３における導電率σの上限値σｈを、予め記憶させておく。
【００２４】
まず、レーザ加工前の停止状態の冷却水供給システムＳＴは、電磁弁Ｂ１〜Ｂ４が閉状態であり、ポンプＰ１及びポンプＰ２は停止状態となっている。
制御部ＣＴは、次のレーザ加工において、冷却水Ｗ３でのワーク冷却が必要か否かを、予め外部から供給された加工情報により判定する（Ｓ１）。
【００２５】
制御部ＣＴは、（Ｓ１）で不要（Ｎｏ）と判定した場合、冷却水供給システムＳＴは停止状態を維持し、手順実行は終了する。
制御部ＣＴが（Ｓ１）で必要（Ｙｅｓ）と判定した場合、清掃実行判定部ＣＴｃは、入来している導電率情報Ｊ８からその時点での冷却水Ｗ３の初期の導電率σである導電率σａを把握し、導電率σａが記憶部ＣＴｍに記憶させてある導電率σの上限値σｈ以下であるか（適正値であるか）否かを判定する（Ｓ２）。
【００２６】
清掃実行判定部ＣＴｃが（Ｓ２）において、導電率σａが上限値σｈ以下である（適正値である）と判定した場合、制御部ＣＴは、レーザ加工を開始することを決定し、冷却水Ｗ３を噴射すべく電磁弁Ｂ１を開ける（Ｓ３）。冷却水タンクＴ３の内部は、レギュレータ（不図示）により大気圧以上の内圧がかかっているため、冷却水Ｗ３は、レーザ加工機５２に供給されレーザ加工ヘッド５２ａからワークに向け噴射される。
【００２７】
清掃実行判定部ＣＴｃが（Ｓ２）において否と判定した場合、制御部ＣＴは、後述する、加工前の清掃実行手順としての手順Ｂ（図４参照）を実行する。
【００２８】
（Ｓ３）により開始した冷却水Ｗ３の供給中も、清掃実行判定部ＣＴｃは、導電率情報Ｊ８から得られる供給中の冷却水Ｗ３の導電率σｂを監視する。
すなわち、導電率σｂが上限値σｈ以下で維持されているか否かを判定する（Ｓ４）。
【００２９】
清掃実行判定部ＣＴｃが（Ｓ４）において否と判定した場合、制御部ＣＴは、後述する、加工途中の清掃実行手順としての手順Ｃ（図５参照）を実行する。
【００３０】
制御部ＣＴは、清掃実行判定部ＣＴｃが（Ｓ４）において是（Ｙｅｓ）と判定した場合、加工情報に基づいてレーザ加工を終了させるか否かを判定する（Ｓ５）。
レーザ加工を継続する場合は、制御部ＣＴは、液面高さ情報Ｊ１〜Ｊ３により純水タンクＴ１，防錆剤タンクＴ２，及び冷却水タンクＴ３の液面高さを監視しつつ冷却水Ｗ３の供給を継続する。
制御部ＣＴは、液面高さ情報Ｊ３により、タンクＴ３内の冷却水Ｗ３の液面が設定された下限高さ未満になったと把握したら、ポンプ１及びポンプ２を作動させ防錆剤が所定濃度で混合している冷却水Ｗ３をタンクＴ３内に供給する。その後、液面高さ情報Ｊ３により、冷却水Ｗ３の液面が設定された上限高さに達したと把握したら、ポンプＰ１及びポンプＰ２を停止する。制御部ＣＴは、この液面高さ情報Ｊ３に基づくポンプＰ１及びポンプＰ２の動作制御を、手順Ｂ及び手順Ｃの実行時を除き、電磁弁Ｂ１の開閉に関係なく実行する。
（Ｓ５）の是判定により加工を終了させる場合、制御部ＣＴは、電磁弁Ｂ１を閉じて（Ｓ６）、手順Ａを終了する。
【００３１】
＜手順Ｂ＞
次に、手順Ａの（Ｓ２）における否（Ｎｏ）判定の場合に実行する手順Ｂについて、図４を参照して説明する。
手順Ｂは、冷却水Ｗ３の入れ替えと、純水Ｗ１及び冷却水Ｗ３の流路の清掃と、を実行する手順である。
手順Ｂの動作で清掃する流路は、純水生成路１，純水タンクＴ１，純水供給路３，冷却水タンクＴ３，及び冷却水供給経路７ａにおける分岐部Ｐｃまでの上流側経路７ａ１の清掃対象経路ＣＲである。もちろん、排出路９も清掃される。
【００３２】
手順Ａにおいて、手順Ｂを実行するか否かの（Ｓ２）による判定時点では、電磁弁Ｂ１〜Ｂ４は閉状態、ポンプＰ１，Ｐ２は停止状態である。
手順Ｂにおいて、制御部ＣＴは、まず電磁弁Ｂ２を開ける（ＳＢ１）。
冷却水タンクＴ３は、既述のように、大気圧以上の内圧がかかっているので、冷却水タンクＴ３に貯留されている冷却水Ｗ３は、排出路９を通り外部に排出される。
【００３３】
制御部ＣＴは、この電磁弁Ｂ２が開いた状態で、所定時間ｔ１が経過したか否かを、タイマＣＴｂの計測に基づいて判定する（ＳＢ２）。所定時間ｔ１は、冷却水タンクＴ３から、貯留された冷却水Ｗ３が、内圧によって概ね排出される時間として、予め計測設定し記憶部ＣＴｍに記憶しておく。
【００３４】
制御部ＣＴは、所定時間ｔ１が経過したと判定したら、ポンプＰ１を動作させ純水Ｗ１をミキシングバルブＢＭに向け流動させる（ＳＢ３）。
これにより、清掃対象経路ＣＲには純水Ｗ１が流れ続け排出路９から排出されるので、清掃対象経路ＣＲの各タンクの内部及び配管の内部が清掃される。
【００３５】
制御部ＣＴは、ポンプＰ１の動作開始から所定時間ｔ２が経過したか否かを、タイマＣＴｂの計測に基づいて判定する（ＳＢ４）。所定時間ｔ２は、純水Ｗ１の流量や流速などと、タンク容量や配管長などと、に基づいて、清掃が良好に実行される時間として予め設定し、記憶部ＣＴｍに記憶しておく。
【００３６】
制御部ＣＴは、所定時間ｔ２が経過したと判定したら、ポンプＰ１を停止し、電磁弁Ｂ２を閉じる。次いで、電磁弁Ｂ３を開ける（ＳＢ６）。
これにより、純水タンクＴ１に貯留されている純水Ｗ１が全て排水される。
【００３７】
所定時間ｔ２が、ポンプＰ１の動作により純水タンクＴ１に貯留されていた純水Ｗ１の一部のみを利用する時間として設定されている場合、純水タンクＴ１には、長時間貯留された純水Ｗ１が残されている。従って、この残留分を排出するために（ＳＢ６）の動作を実行する。
そのため、所定時間ｔ２が、ポンプＰ１の動作により純水タンクＴ１に長時間貯留されていた純水Ｗ１を全て清掃に使いきった場合は、（ＳＢ６）とそれに関連する（ＳＢ７）の動作は省略してもよい。
【００３８】
制御部ＣＴは、電磁弁Ｂ３開けてから所定時間ｔ３が経過したか否かを、タイマＣＴｂの計測に基づいて判定する（ＳＢ７）。所定時間ｔ３は、ポンプＰ１の能力，所定時間ｔ２，及び純水タンクＴ１の容量などに基づき、純水タンクＴ１に貯留された純水Ｗ１が全て排出される時間として予め設定し、記憶部ＣＴｍに記憶しておく。
【００３９】
制御部ＣＴは、所定時間ｔ３が経過したと判定したら、電磁弁Ｂ３を閉じる（ＳＢ８）。これにより、純水タンクＴ１には所定量の純水Ｗ１が貯留される。そして、導電率情報Ｊ１０から得られる純水Ｗ１の導電率σｃが、上限値σｈ以下であるか否かを判定する（ＳＢ９）。
【００４０】
導電率σｃが上限値σｈ以下であると判定したら、手順Ａの（Ｓ３）へ移行する。
（Ｓ３）への移行後、ポンプＰ１，Ｐ２が動作して冷却水タンクＴ３に冷却水Ｗ３が所定量貯まり、冷却水タンクＴ３の内圧は所定の値で維持される。
一方、導電率σｃが上限値σｈを超えている、と判定したら、異常発生のアラームを出力し（ＳＢ１０）、手順Ｂを終了する。
【００４１】
＜手順Ｃ＞
次に、手順Ａの（Ｓ４）における否（Ｎｏ）判定の場合に実行する手順Ｃについて、図５を参照して説明する。
手順Ｃは、レーザ加工で供給中の冷却水Ｗ３の導電率σｂが適正値から外れた場合に、レーザ加工を停止し、手順Ｂで実行した清掃動作を行う手順である。
手順Ｃの動作で清掃する流路は、手順Ｂと同じ清掃対象経路ＣＲである。
【００４２】
手順Ａにおいて、手順Ｃを実行するか否かの（Ｓ４）による判定時点で、電磁弁Ｂ１は開状態、電磁弁Ｂ２〜Ｂ４は閉状態、ポンプＰ１，Ｐ２は動作状態である。
手順Ｃにおいて、制御部ＣＴは、まずレーザ加工を停止し、電磁弁Ｂ１を閉じ、電磁弁Ｂ２を開ける（ＳＣ１）。
これにより、冷却水Ｗ３のレーザ加工機５２への供給が遮断され、冷却水タンクＴ３に貯留された冷却水Ｗ３は、冷却水タンクＴ３における大気圧より高い内圧によって、排出路９を通り外部に排出される。
【００４３】
以降、制御部ＣＴは、手順Ｂの（ＳＢ２）〜（ＳＢ９）と同じ動作を（ＳＣ２）〜（ＳＣ９）として実行する。
そして、制御部ＣＴは、（ＳＣ９）において、導電率σｃが上限値σｈ以下であると判定したら、レーザ加工を再開し、電磁弁Ｂ１を開け、ポンプＰ１，Ｐ２を動作させる（ＳＣ１１）。このポンプＰ１，Ｐ２の動作により、冷却水タンクＴ３に冷却水Ｗ３が所定量貯まり、冷却水タンクＴ３の内圧は所定の値で維持される。これにより、新しい冷却水Ｗ３がレーザ加工機５２に供給される。
一方、導電率σｃが上限値σｈを超えている、と判定したら、異常発生のアラームを出力し（ＳＣ１０）、手順Ｃを終了する。
【００４４】
以上のように、実施例の冷却水供給システムＳＴによれば、レーザ加工に供する冷却水Ｗ３の導電率σを監視し、導電率σが基準値を超えた場合に、その時点で配管及びタンクの内部に貯留されている冷却水Ｗ３を排出して新しい冷却水Ｗ３に入れ替える。また、その入れ替えの際に配管及びタンクの内部を純水Ｗ１を所定時間ｔ２だけ流し続けて清掃する。
これにより、冷却水供給装置５１が長時間停止しても、適正な導電率σの冷却水Ｗ３をレーザ加工機５２に供給でき。そのため、静電容量型のセンサを用いて行う倣い加工動作に、不具合は生じない。
また、冷却水Ｗ３の入れ替えに伴い清掃対象経路ＣＲの内部を清掃するので、冷却水Ｗ３の流れが常に良好であり、配管が詰まるなどの不具合が生じる虞がない。
また、冷却水供給システムＳＴは、清掃対象経路ＣＲに、冷却水タンクＴ３よりも下流の冷却水供給経路７ａの一部である上流側経路７ａ１が含まれている。これにより、冷却水の経路上のレーザ加工機５２により近い位置まで清掃がなさあれるので、配管詰まりなどの不具合をより良好に防止できる。
【００４５】
本発明の実施例は、上述した構成、手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形してもよい。
【００４６】
実施例では、冷却水供給装置５１の動作をレーザ加工機５２が備えた制御部ＣＴで制御する例を説明したが、これに限定されない。
冷却水供給装置５１が制御部ＣＴＡ（図１に破線で記載）を備えて、レーザ加工機５２の制御部ＣＴと協働で冷却水供給システムＳＴの動作を制御するように構成してもよい。
【００４７】
手順Ｂの（ＳＢ３）及び手順Ｃの（ＳＣ３）において、ポンプＰ２もポンプＰ１と共に動作させてもよい。
ポンプＰ２を動作させることで、防錆剤タンクＴ２及び防錆剤供給路４の内部を清掃し、その内部に長時間貯留された防錆剤Ｗ２を、新しい防錆剤Ｗ２に入れ替えることができる。
これにより、入れ替えた冷却水Ｗ３の導電率σｃを入れ替え前より低くでき、防錆剤供給路４の流れが常に良好に維持され詰まりが生じなくなるので好ましい。
【００４８】
清掃実行判定部ＣＴｃは、同一のレーザ加工において、手順Ａの（Ｓ４）で否と判定した回数をカウントし、カウントした回数が予め設定した回数（例えば３回）以上になったら、異常発生のアラームを出力してレーザ加工及び冷却水Ｗ３の供給を停止するように制御するとよい。
これにより、純水タンクＴ１より下流側において、適正範囲の導電率σが得られない故障が生じた場合に、清掃動作を繰り返し実行することを防止できる。
【００４９】
また、手順Ｂにおいて、冷却水タンクＴ３に貯留されている冷却水Ｗ３については、電磁弁Ｂ２を開けて排出路９を通して外部に排出することに代えて、冷却水タンクＴ３の底部に備えられた電磁弁Ｂ４を開け排出路９を通して外部に排出することも可能である。
また、実施例では純水タンクＴ１を備える構成を説明したが、純水タンクＴ１を備えずに、純水生成路１と純水供給路３とを直接接続して純水をタンクＴ３に供給する構成にすることも可能である。
【００５０】
導電率計８の計測値が予め設定した上限値を超える原因として、冷却水Ｗ３中の純水Ｗ１の導電率の導電率が上昇したことの他、純水Ｗ１に対する防錆剤Ｗ２の混合比率が所定値よりも高まり、その濃度が高くなったことも考えられる。この場合、冷却水Ｗ３の導電率の増分は防錆剤Ｗ２の濃度の増分に比例する。
冷却水Ｗ３における防錆剤Ｗ２の濃度増加は、ポンプＰ１，ポンプＰ２，及びミキシングバルブＢＭなどの純水或いは防錆剤の供給側のいずれかの故障で起こり得るものであり、この故障を原因とする場合には、冷却水タンクＴ３及び純水タンクＴ１内のそれぞれ冷却水Ｗ３及び純水Ｗ１を新しく入れ替えても冷却水Ｗ３の導電率は改善しない。
そこで、制御部ＣＴは、導電率計８の計測値が上限値を超えたことで冷却水Ｗ３及び純水Ｗ１を入れ替えた後も、なお導電率計８の計測値が上限値を超えている場合には、ポンプＰ１，ポンプＰ２，及びミキシングバルブＢＭなどの部材の故障と判断し、異常発生のアラームを出力してレーザ加工及び冷却水Ｗ３の供給を停止してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１  純水生成路
１ａ  フィルタ、    １ｂ  純水器、    １ｃ  フロート弁
１ｓ  液面センサ
２  排出路、    ２ｓ  液面センサ
３  純水供給路、    ３ａ  逆止弁、    ３ｓ  液面センサ
４  防錆剤供給路、    ４ａ  逆止弁
５  混合供給路
６  排出路
７  冷却水供給路
７ａ  冷却水供給経路、    ７ａ１  上流側経路、    ７ｂ  中継経路
７ｃ  内部経路、    ７ｄ  フィルタ
８，１０  導電率計
９  排出路
５１  冷却水供給装置
５２  レーザ加工機、    ５２ａ  レーザ加工ヘッド
Ｂ１〜Ｂ４  電磁弁、    ＢＭ  ミキシングバルブ
ＣＲ  清掃対象経路
ＣＴ  制御部
ＣＴａ  中央処理装置（ＣＰＵ）、    ＣＴｂ  タイマ
ＣＴｃ  清掃実行判定部、    ＣＴｍ  記憶部
Ｊ１〜Ｊ３  液面高さ情報、    Ｊ８，Ｊ１０  導電率情報
Ｐａ  出力ポート、    Ｐｂ  入力ポート、    Ｐｃ  分岐部
Ｐ１，Ｐ２  ポンプ
ＳＴ  冷却水供給システム
Ｔ１  純水タンク、    Ｔ２  防錆剤タンク、    Ｔ３  冷却水タンク
Ｗ１  純水、    Ｗ２  防錆剤、    Ｗ３  冷却水
σ，σａ〜σｃ  導電率、    σｈ  （導電率の）上限値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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