(57)【要約】      （修正有）【課題】積層グラファイトシート以上の熱輸送量を有する板形状のグラファイトを含み、高い熱輸送量と、実装基板への追随性を兼ね備えた熱伝導体を提供する。【解決手段】熱伝導体２は、熱伝導率が１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、板形状のグラファイトの主面に、少なくとも１つの溝を有する。前記溝が、前記板形状のグラファイトの主面の一方の端部から他方の端部まで連続して形成されており、溝の開口部から底部までの最大距離をｄ（ｍｍ）、溝の最大幅をｈ（ｍｍ）、板形状のグラファイトの最大厚みをｔ（ｍｍ）とした場合、ｄ、ｈ及びｔが、式（１）、（２）を満たし、前記グラファイトの体積をＶ（ｍｍ３）、前記溝の総体積をＶｄ（ｍｍ３）とした場合、Ｖ及びＶｄが、式（３）満たす。０．２ｔ（ｍｍ）≦ｄ≦（ｔ−０．００２）（ｍｍ）（１）、ｈ≦２０ｔ（ｍｍ）（２）、１００×Ｖｄ／（Ｖ＋Ｖｄ）≦１０．８（％）（３）【選択図】図３
2018198279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導率が１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、板形状のグラファイトの主面に少なくとも１つの溝を有し、
前記溝が、前記板形状のグラファイトの主面の一方の端部から他方の端部まで連続して形成されており、
前記溝の開口部から前記溝の底部までの最大距離をｄ（ｍｍ）、前記溝の最大幅をｈ（ｍｍ）、前記板形状のグラファイトの最大厚みをｔ（ｍｍ）とした場合、ｄ、ｈ、およびｔが、以下の式（１）および式（２）を満たし、
前記グラファイトの体積をＶ（ｍｍ３）、前記溝の総体積をＶｄ（ｍｍ３）とした場合、ＶおよびＶｄが、以下の式（３）を満たす、熱伝導体。
【数１】
2018198279.tif 000011
【数２】
2018198279.tif 000012
【数３】
2018198279.tif 000013
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＩＣＴ分野の電子機器の熱対策部材等に使用可能な熱伝導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣＴ（Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）分野での、電子機器の小型化・高機能化が進んでいる。それに伴い、電子機器用の熱対策部材には、主に２つの特性が必要となる。１つ目は、電子機器のＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の局所的な発熱を抑制するために必要な熱輸送量を有することである。熱輸送量は、熱対策部材の熱伝導率および厚みで決まる。２つ目は、限られた空間内での発熱の抑制が可能であること、すなわち、ＣＰＵに搭載される凹凸のある実装基板に接触可能な追随性である。これら特性の両立が、熱対策部材の課題となっている。
【０００３】
このような特性が求められる中、ダイヤモンドに次ぐ高い熱伝導率を有するグラファイトが、近年注目されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルムを高温で焼成することで得られる積層グラファイトシートが示されている。当該積層グラファイトシートによれば、８００Ｗ／ｍ・Ｋと銅の２倍の熱伝導率を有する熱伝導体を得ることも可能である。当該積層グラファイトシートは、高い熱伝導率と柔軟性とを兼ね備えている。そして、熱輸送量が多く、かつ実装基板への追随性が優れることから、当該積層グラファイトシートは、従来の電子機器における熱対策部材として有用であった。また、特許文献２には、高分子フィルムの焼成時に加圧を行うことで結晶性を高めた、平板状のグラファイトブロックを含む熱伝導体が記載されている。当該グラファイトブロックは、その熱伝導率を１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることが可能であり、積層グラファイトシートより高い熱輸送量を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６０９７０号公報
【特許文献２】特開平７−１０９１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら近年、電子機器の高機能化がさらに進み、ＣＰＵ部分の発熱量が益々増大している。そのため、現在以上に熱対策部材の熱輸送量を向上させることが求められている。そして、特許文献１に示す積層グラファイトシートでは、このような熱輸送量の向上への対応が難しいと考えられる。一方、特許文献２に示される、積層グラファイトシートより多くの熱輸送量を有する平板状のグラファイト（グラファイトブロック）であれば、電子機器の増大する発熱量に対応可能であると考えられる。しかしながら、平板状のグラファイトは、積層グラファイトシートのような柔軟性がなく、高い熱輸送量を維持したまま、実装基板に追随させることは困難であった。
【０００６】
以上のように、特許文献１および２に記載の熱伝導体では、今後想定される、電子機器のＣＰＵ部分の発熱量に対応可能な熱輸送量と、電子機器の実装基板への追随性と、を兼ね備えることが難しかった。
【０００７】
本開示は、前記課題を解決するものであり、積層グラファイトシート以上の熱輸送量を有する板形状のグラファイトを含み、高い熱輸送量と、実装基板への追随性とを兼ね備えた熱伝導体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本開示は、熱伝導率が１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である板形状のグラファイトの主面に少なくとも１つの溝を有し、前記溝が、前記板形状のグラファイトの主面の一方の端部から他方の端部まで連続して形成されており、前記溝の開口部から前記溝の底部までの最大距離をｄ（ｍｍ）、前記溝の最大幅をｈ（ｍｍ）、前記板形状のグラファイトの最大厚みをｔ（ｍｍ）とした場合、ｄ、ｈ、およびｔが、以下の式（１）および式（２）を満たし、前記グラファイトの体積をＶ（ｍｍ３）、前記溝の総体積をＶｄ（ｍｍ３）とした場合、ＶおよびＶｄが、以下の式（３）を満たす熱伝導体とすることを特徴とする。
【数１】
2018198279.tif 000003
【数２】
2018198279.tif 000004
【数３】
2018198279.tif 000005
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本開示によれば、積層グラファイトシート以上の熱輸送量を有し、さらに当該熱輸送量を維持したまま実装基板へ追随することが可能な熱伝導体とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の平板状のグラファイトの斜視図
【図２】本開示の一実施形態における、熱伝導体の斜視図
【図３】本開示の一実施形態における、熱伝導体の正面図
【図４】本開示の熱伝導体の屈曲時の正面図
【図５】溝の形成方法を示した立体図
【図６】追随性試験方法を示した正面図
【図７】熱輸送量評価試験方法を示した正面図
【図８】熱輸送量評価試験結果に基づき、溝の深さと熱輸送量との関係を示した図
【図９】熱輸送する断面積を同一にし、サンプルの体積を変化させた場合の熱輸送量とサンプルの体積との関係を示した図
【図１０】熱輸送量評価試験結果に基づき、溝の幅と熱輸送量との関係を示した図
【図１１】サンプルの厚みが異なる場合の熱輸送量評価試験結果に基づき、溝の幅と熱輸送量との関係を示した図
【図１２】熱輸送量評価試験結果に基づき、溝の体積率と熱伝導体の厚みとの関係を示した図
【図１３】サンプルの厚みが異なる場合の熱輸送量評価試験結果に基づき、体積率と熱伝導体の厚みとの関係を示した図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、本開示の熱伝導体は、グラファイトのみから構成されていてもよいが、本開示の目的および効果を損なわない範囲で、グラファイト以外の部材が一部に含まれていてもよい。例えば、グラファイトの一部もしくは全部が樹脂もしくは金属等で覆われていてもよい。
【００１２】
図１は、従来の平板状のグラファイト１（熱伝導体）の斜視図である。一方、図２〜４は、本開示の一実施形態に係る熱伝導体２を示す図である。図２は、本開示の一実施形態に係る熱伝導体２の斜視図であり、図３は、当該熱伝導体２の正面図である。さらに、図４は当該熱伝導体２の屈曲時の正面図である。図２〜４に示すように、本実施形態の熱伝導体２は、板形状のグラファイトを含む。本明細書において、「板形状」とは、略平行な対向する２つの主面と、当該主面を囲む側面とを有する形状をいう。また、「主面」は、当該部材のうち、広い面積を有する面であり、厚さより広い幅を有する面とする。
【００１３】
本実施形態の熱伝導体２では、図２に示すように、板形状のグラファイトの少なくとも一方の主面に、１つの溝３が形成されている。なお、板形状のグラファイトの主面において、溝以外の領域は、平滑であってもよく、湾曲していてもよい。また、主面を平面視したときの形状は矩形状が一般的であるが、円形状や、楕円形状、多角形状等、いずれの形状とすることもできる。
以下、本実施形態の熱伝導体２を構成するグラファイト、溝３の形状、溝の数、ならびに溝の形成方法について詳細に述べる。
【００１４】
＜グラファイト＞
本開示の熱伝導体２が含むグラファイトは、熱伝導率が１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつ板形状を有するものであればよい。このように熱伝導率が高い（積層グラファイトシートより熱輸送量が高い）板形状のグラファイトは、例えば以下のように作製することができる。
【００１５】
まず、ポリオキサジアゾール、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリチアゾール、ポリパラフェニレンビニレンの中から選択される、少なくとも１種類の高分子フィルムを準備する。そして、当該高分子フィルムを原料フィルムとし、これらを積層した状態で、不活性ガス中で、室温から１０００℃〜１６００℃の温度範囲まで昇温させて焼成する。その後、さらにフィルムの温度を２５００℃以上に上昇させ、機械的に加圧した状態で、焼成する。このようにして得られる板形状のグラファイトの熱伝導率は、１２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、積層グラファイトシートより熱輸送量が多くなる。
【００１６】
ここで、本実施形態の熱伝導体２は、上記のようにして得られる板形状のグラファイトに直接溝を形成したものであってもよく、上記グラファイトを所望の形状（板形状）に切り出してから溝を形成したものであってもよい。
【００１７】
＜溝の形状および溝の数＞
本実施形態の熱伝導体２では、上述のように、板形状のグラファイトの主面に溝３を１つのみ有するが、熱伝導体は、溝３を複数有してもよい。また、溝３を複数有する場合、グラファイトの一方の主面にのみ複数の溝を有していてもよく、両方の主面に溝を有していてもよい。また、図２における熱伝導体２では、熱伝導体２を平面視した際の溝３の形状が直線状であるが、当該形状に限定されず、熱伝導体の用途に応じて、例えば曲線状であってもよく、ジグザグ状等であってもよい。また、複数の溝３が交差するように形成されていてもよい。なお、溝３は、通常、板形状のグラファイトの主面の一方の端部から他方の端部まで連続して形成される。溝３が連続して形成されることで、熱伝導体２の各種部材に対する追従性が発現されやすくなる。
【００１８】
ここで、本実施形態の熱伝導体２では、図２に示すように、溝３が、平板状のグラファイトの一部を直方体状に切り出すことで形成されている。当該溝３は、図３に示すように、開口部４、側面５、および底部６から構成される。なお、熱伝導体２において、溝３を挟んで隣接するグラファイトブロックは、結合部７によって結合されている。
【００１９】
ただし、溝３の形状は本実施形態の形状に制限されず、例えば、一つの溝内で、幅や深さが異なる領域があってもよい。また、本実施形態では、溝３の幅が、開口部側から底部側まで一定であるが、当該形状に限定されず、例えば正面視したときにテーパー状になるように側面５が形成されていてもよい。また、底部６の形状も平面でなくてもよく、曲面であってもよい。
【００２０】
ここで、本実施形態の熱伝導体２は、板形状のグラファイト１の最大厚みをｔ（ｍｍ）とし、溝３の最大幅をｈ（ｍｍ）、溝３の開口部４から底部６までの最大距離（深さ）をｄ（ｍｍ）とすると、ｄ、ｈ、およびｔは、以下の式（１）および式（２）を満たす。
【数４】
2018198279.tif 000006
【数５】
2018198279.tif 000007
【００２１】
上記最大深さｄ、最大幅ｈ、および最大厚みｔが上記式（１）および式（２）を満たすと、結合部７でクラックや割れを生じさせることなく、熱伝導体２を屈曲させることが可能となり、例えば熱伝導体２を、実装基板の形状に追随させることが可能となる。図４は、熱伝導体２を屈曲させた時の正面図である。
【００２２】
なお、実際の溝の形成過程で、溝３の側面５や底部６が凹凸を有する場合、側面５が湾曲している場合、その他溝３が特殊な形状を有している場合等もあるが、このような場合にも、上記最大深さｄ、最大幅ｈ、および最大厚みｔが上記関係式を満たすことが好ましい。
【００２３】
また、本実施形態の熱伝導体２は、グラファイトの体積をＶ（ｍｍ３）、溝の総体積をＶｄ（ｍｍ３）とすると、ＶおよびＶｄが以下の式（３）を満たす。
【数６】
2018198279.tif 000008
上記式（３）が満たされると、熱伝導体２の高い熱輸送量が維持されやすくなる。通常、上記式（３）に基づき、熱伝導体に形成される溝の数が決定される。
【００２４】
一方、本実施形態の熱伝導体２における板形状のグラファイトの主面の面積や厚み、主面の形状等は、熱伝導体の用途に応じて適宜選択されるが、通常、その厚み（上記ｔに相当）は０．００３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることがより好ましい。厚みが０．００３ｍｍ以上であると、高い熱輸送量が実現され、さらに熱伝導体の強度が高くなる。一方で、熱伝導体の厚さが０．５ｍｍ以下であると、熱伝導体２を各種電子機器に適用しやすくなる。
【００２５】
＜溝の形成方法＞
溝３の作製方法は、所望の形状に溝３を形成可能な方法であれば、特に制限されない。例えば、切削加工や放電加工、レーザ加工等、所望の幅および深さでグラファイトを削り取ることが可能な手段とすることができる。また、後述の実施例のように、板形状のグラファイトの主面を、押込治具等により押し込む方法等とすることもできる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例に基づいて実施の形態をより具体的に説明する。ただし、以下の実施例は実施の形態を限定するものではない。
本開示の実施例に用いた板形状のグラファイト１、溝３の形状、溝３の形成方法は以下の通りである。
【００２７】
（実施例１）
図５は、溝の形成の様子を示した立体図である。溝の形成に際し、グラファイトブロック１２、マイクロメータのヘッド８、押込治具９、固定治具１０、シクネスゲージ１１、および平板１３を準備した。グラファイトブロック１２は、熱伝導率１２００Ｗ／ｍ・Ｋであり、サイズがｘ軸方向１０ｍｍ、ｙ軸方向１１０ｍｍ、ｚ軸方向０．２ｍｍである平板状（直方体状）のものを準備した。マイクロメータのヘッド８は、押込治具９と接する面の直径（ｘｙ平面方向）が１０ｍｍであり、高さ（ｚ軸方向）が１００ｍｍである円柱状の部材を有するものを準備した。また、押込治具９としては、サイズがｘ軸方向５０ｍｍ、ｙ軸方向５０ｍｍ、ｚ軸方向１０ｍｍであるものを準備し、固定治具１０としては、サイズがｘ軸方向５０ｍｍ、ｙ軸方向２０ｍｍ、ｚ軸方向２０ｍｍであるものを準備した。さらに、シクネスゲージ１１は、サイズがｘ軸方向５０ｍｍ、ｙ軸方向０．０３８ｍｍ、ｚ軸方向４０ｍｍであるものを準備した。平板１３としては、サイズがｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向１００ｍｍ、ｚ軸方向５ｍｍであるものを準備した。
【００２８】
溝の形成は、以下の手順で行った。グラファイトブロック１２を平板１３上に載置した。そして、グラファイトブロック１２の直上に、押込治具９および固定治具１０にて囲まれたシクネスゲージ１１を設置し、シクネスゲージ１１のグラファイトブロック１２側の端部と、グラファイトブロック１２表面との距離が、ｚ軸方向に１０ｍｍ程度となるように固定した。また、ｚ軸方向から見た際に、シクネスゲージ１１の長手方向と、グラファイトブロック１２の長手方向とが直角を成すように、かつグラファイトブロック１２の一端からｙ軸方向に５５ｍｍの位置（図５において、１２ａで表される位置）にシクネスゲージ１１のｙ軸方向の中心線が位置するよう、各部材の位置を調整した。そして、押込治具９の直上にあるマイクロメータヘッド８を押込んだ。そして、シクネスゲージ１１のグラファイトブロック１２側端部が、グラファイトブロック１２の表面に接してから、さらに０．１９８ｍｍ押込んだ。これにより、グラファイトブロック１２の主面の一端から他端まで連続的に、幅０．０３８ｍｍ、深さ０．１９８ｍｍの直方体状の溝を形成した。
【００２９】
さらに、グラファイトブロック１２の、溝を形成した面とは反対側の主面（裏面）側、かつグラファイトブロック１２のｙ軸方向の中心から５ｍｍ離れた位置にもう１つ同様の溝を形成した。つまり、グラファイトブロック１２に合計２つの溝を形成した。
また、上記と同様の方法で、グラファイトブロック１２に２つの溝を形成した熱伝導体をもう１つ用意した。
【００３０】
（実施例２〜４）
実施例１における、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を、実施例２では０．１ｍｍ、実施例３では０．０８ｍｍ、実施例４では０．０４ｍｍにそれぞれ変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００３１】
（実施例５）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．０５ｍｍに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００３２】
（実施例６）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．１５ｍｍに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００３３】
（実施例７）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を４ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００３４】
（実施例８）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．０９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を２ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００３５】
（実施例９）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．２９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を６ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を形成した。
【００３６】
（実施例１０）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を０．４ｍｍのものに変え、形成する溝の数を３０個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸と垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、１ｍｍ間隔で形成した。
【００３７】
（実施例１１）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．０９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さ（幅）を０．２７ｍｍのものに変え、形成する溝の数を４５個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸と垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、０．５ｍｍ間隔で形成した。
【００３８】
（実施例１２）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．２９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さ（幅）を０．４ｍｍのものに変え、形成する溝の数を３０個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸方向と垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、１ｍｍ間隔で形成した。
【００３９】
（比較例１）
実施例１と同様のグラファイトブロック１２を準備し、溝の形成を行わなかった。
【００４０】
（比較例２、６）
実施例１における、マイクロメータのヘッド８の押し込み距離を、比較例２では０．０３９ｍｍ、比較例６では、０．１９９ｍｍにそれぞれ変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４１】
（比較例３）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍに変更し、マイクロメータのヘッド８の押し込み距離を０．０１９ｍｍにそれぞれ変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４２】
（比較例４）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍに変え、マイクロメータのヘッド８の押し込み距離を０．０５９ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さを０．０３８ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４３】
（比較例５）
実施例１における、熱伝導率１２００Ｗ／ｍ・Ｋのグラファイトブロック１２を熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋの積層グラファイトシートに変え、溝の形成は行わなかった。
【００４４】
（比較例７）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍに変え、溝の形成を行わなかった。
【００４５】
（比較例８）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を４．２ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４６】
（比較例９）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を５ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４７】
（比較例１０）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍに変え、マイクロメータのヘッド８の押し込み距離を０．０９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を２．１ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４８】
（比較例１１）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍに変え、マイクロメータのヘッド８の押し込み距離を０．２９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向の長さ（幅）を６．３ｍｍのものに変えた以外は、実施例１と同様に熱伝導体を作製した。
【００４９】
（比較例１２）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さ（幅）を０．４ｍｍのものに変え、形成する溝の数を３１個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸に垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、１ｍｍ間隔で形成した。
【００５０】
（比較例１３）
実施例１における、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さを０．４ｍｍのものに変え、形成する溝の数を３３個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸に垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、１ｍｍ間隔で形成した。
【００５１】
（比較例１４）
実施例１における、熱伝導率１２００Ｗ／ｍ・Ｋのグラファイトブロック１２を熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋの積層グラファイトシートに変え、厚みを０．１ｍｍに変え、溝の形成は行わなかった。
【００５２】
（比較例１５）
実施例１における、熱伝導率１２００Ｗ／ｍ・Ｋのグラファイトブロック１２を熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋの積層グラファイトシートに変え、厚みを０．３ｍｍに変え、溝の形成は行わなかった。
【００５３】
（比較例１６）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．１ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．０９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さ（幅）を０．２７ｍｍのものに変え、形成する溝の数を４６個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸に垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、０．５ｍｍ間隔で形成した。
【００５４】
（比較例１７）
実施例１における、グラファイトブロック１２の厚みを０．３ｍｍのものに変え、マイクロメータのヘッド８を用いた押し込み距離を０．２９８ｍｍに変え、シクネスゲージ１１のｙ軸方向長さを０．４ｍｍのものに変え、形成する溝の数を３１個に変えて熱伝導体を作製した。３つ目以降の溝を形成する際には、２つ目の溝と同じ面に、ｙ軸に垂直に、２つ目の溝から、１つ目の溝が形成されている方向とは反対側に、１ｍｍ間隔で形成した。
【００５５】
＜評価方法＞
実施例及び比較例で作製したそれぞれ２つの熱伝導体（以下、「サンプル」とも称する）のうち、一方については追随性試験を行い、他方については熱輸送量評価試験を行った。以下、追随性試験方法および熱輸送量評価試験方法について図を用いて具体的に説明する。
【００５６】
（追随性試験）
実施例及び比較例で作製した熱伝導体が屈曲するかを判定した。図６は、追随性試験時の様子を示した正面図である。追随性試験の際には、サンプル２４、固定治具１４を用意した。固定治具１４は、ｘ軸方向５０ｍｍ、ｙ軸方向３０ｍｍ、ｚ軸方向２０ｍｍの直方体形状とした。
溝を形成した実施例１〜１２、ならびに比較例２〜４、６、８〜１３、１６、および１７については、先に溝を形成した主面（一端から５５ｍの箇所に溝が形成されている面）を下にして、サンプル２４を平面上に設置した。そして、サンプル２４の一端から５５ｍｍの位置にある溝の直上に、固定治具１４の端部が配置されるように置いた。
一方、溝を形成していない比較例１、５、７、１４、および１５については、サンプル２４の上に、固定治具１４を、サンプル２４の中心位置に、ｘ軸と平行な向きで置いた。
【００５７】
固定治具１４をサンプル２４の上に乗せた後、サンプル２４を、固定治具１４に沿って屈曲させ、固定治具１４に押し当てた。その後、元に戻した。この追随性試験で破断が起こらなければ、そのサンプル２４は、実装基板の高低差のあるそれぞれの部品に沿わせて実装することが可能であるとする。評価は、後述の基準とした。
【００５８】
（熱輸送量評価試験）
実施例及び比較例で作製したサンプルの熱輸送量評価試験を行った。図７は、熱輸送量評価試験時の様子を示した正面図である。
熱輸送量評価試験には、押し治具１７、押さえ治具１８、下部支持治具１９、支持治具２０、発熱体２１、冷却治具２２、錘２３、サンプル２４、熱電対２５、熱電対２６、電源２７を準備した。
押し治具１７は、ｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向１１０ｍｍ、ｚ軸方向５０ｍｍの直方体状とした。押さえ治具１８は、ｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向５５ｍｍ、ｚ軸方向５ｍｍの直方体状とした。下部支持治具１９は、ｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向１１０ｍｍ、ｚ軸方向５０ｍｍの直方体状とした。支持治具２０は、ｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向５５ｍｍ、ｚ軸方向５ｍｍの直方体状とした。発熱体２１は、ｘ軸方向１０ｍｍ、ｙ軸方向１０ｍｍ、ｚ軸方向２ｍｍの直方体状とし、その直方体から、２本、φ０．５ｍｍの導線が１００ｍｍ伸びているものとした。冷却治具２２は、ｘ軸方向１０ｍｍ、ｙ軸方向１０ｍｍ、ｚ軸方向２ｍｍの直方体状とした。錘２３は、ｘ軸方向１００ｍｍ、ｙ軸方向１１０ｍｍ、ｚ軸方向５ｍｍの直方体状とした。サンプル２４は、実施例１〜１２、および比較例１〜１７の熱伝導体とした。熱電対２５、熱電対２６は、どちらも、線径０．１ｍｍの素線とした。電源２７は、ｘ軸方向３００ｍｍ、ｙ軸方向５０ｍｍ、ｚ軸方向５０ｍｍの直方体状とした。
【００５９】
まず、サンプル２４の両端に発熱体２１と冷却治具２２とを、サンプル２４の表裏に設置した。サンプル２４の溝の数が３個以上の場合、冷却治具２２側に多く溝が配置されるように設置した。また、発熱体２１の導線は、下部支持治具１９に隣接して設置してある電源２７と接続した。冷却治具２２は下部支持治具１９と、発熱体２１は押し治具１７と、それぞれ一体化されており、押さえ治具１８と支持治具２０にて５ｍｍの段差を作るようにした。サンプルは、中央と、中央から５ｍｍ離れた位置に形成してある二つの溝１５、１６に沿ってそれぞれ９０°に折り曲げ、５ｍｍの段差に追随させた。この状態で、錘２３にて、サンプル２４に、発熱体２１および冷却治具２２を押し付けた。
【００６０】
なお、サンプル２４が、比較例７の場合のみ、押し治具１８と支持治具２０を取り除き、段差がない状態にした。
【００６１】
発熱体２１とサンプル２４との界面には、熱電対２５を設置し、発熱体２１に接する部分のサンプル２４の温度を測定した。また、冷却治具２２とサンプル２１の界面に熱電対２６を設置し、冷却治具２２と接する部分のサンプル２４の温度を測定した。
【００６２】
今回の評価では、冷却治具２２は、２５℃の水を用いて毎分３Ｌの流量で水冷され、２５℃に一定に保たれているようにした。また、電源２７から発熱体２１へ電力が投入され、投入された電力だけ、発熱体２１を発熱させた。発熱体２１で発生した熱は、サンプル２４へ伝わり、冷却治具２２まで運ばれ、冷却される。電源２７から発熱体２１へ投入される電力は、発熱体２１から離れた位置となる熱電対２５の位置での温度が、６０℃になるように制御した。その際、必要な投入電力を読み取り、サンプルの熱輸送量の多さを判断した。すなわち、熱輸送量が多いサンプル２４であるほど、発熱体２１で発生する熱を多く運べるために、熱電対２５の温度が６０℃になるために必要な投入電力が大きくなる。
【００６３】
そして、熱輸送量と投入電力Ｑとが、比例関係にあること、０．２ｍｍの平板状のグラファイトブロックの熱輸送量が２４０ｍＷ／Ｋであること、０．２ｍｍの平板状の積層グラファイトシートが１６０ｍＷ／Ｋであること、から相対的に各実施例、比較例の熱輸送量を換算した。なお、上記グラファイトブロック（比較例１）および積層グラファイトシート（比較例５）の熱輸送量は、以下の式に基づき算出した。
熱輸送量（ｍＷ／Ｋ）＝サンプル厚み（ｍｍ）×熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）
グラファイトブロック  ０．２（ｍｍ）×１２００（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝２４０ｍＷ／Ｋ
積層グラファイトシート  ０．２（ｍｍ）×８００（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝１６０ｍＷ／Ｋ
また、他のサンプルの熱輸送量は、一次元の熱伝導方程式（Ｑ＝ＡｄλΔＴ  Ｑ：投入電力、Ａ：形状に関する定数、ｄ：厚み、ΔＴ：温度差、λ：熱伝導率）に基づき、各サンプルの見かけの熱伝導率を算出し、この値と厚みとを積算することで、算出した。
【００６４】
＜評価＞
下記表１および表２に、実施例１〜１２および比較例１〜１７で作製した熱伝導体の厚み（板形状のグラファイトの厚み）ｔ、溝の深さｄ、溝の幅ｈ、溝の体積率、サンプル作製の可否、追随性試験結果、熱輸送量評価試験結果、および総合判定結果を示す。サンプル作製の可否については、溝が形成出来た場合の評価を〇、溝が形成出来なかった場合の評価を×としている。なお、実施例および比較例で作製した板形状のグラファイトの厚みｔは一定であり、さらに溝の深さｄや溝の幅ｈも全て一定であった。
【００６５】
また、体積率は、以下のように算出した。溝を作製する前のグラファイトブロックの幅１０（ｍｍ）、長さ１１０（ｍｍ）、厚みｔ（ｍｍ）、および形成した溝の深さ：ｄ（ｍｍ）、溝の幅：ｈ（ｍｍ）、溝の数：ｎ（個）から、以下の式に基づき算出した。
溝の体積率（％）＝１００×（溝の総体積）／（溝形成前のグラファイトブロックの体積）
＝１００×（ｎ×１０×ｈ×ｄ）／（１０×１１０×ｔ）
＝１０×（ｎ×ｈ×ｄ）／（１１×ｔ）
なお、上記体積率は、溝の総体積をＶｄ、溝形成後のグラファイトの体積をＶとしたときに、１００×Ｖｄ／（Ｖ＋Ｖｄ）で導かれる値と同一である。
【００６６】
（追随性試験の評価方法）
追随性試験を行った後、サンプルの断面観察を行い、以下のように評価した。
×：完全に破断し結合部がなくなった場合、またはサンプル作製が出来なかった場合
△：完全に破断はしないが、形成した溝が一部破断している場合
〇：形成した溝の結合部に、まったく破断が無かった場合
なお、△の場合は、一部結合部が破断しているが結合部は残った状態である。したがって、同様の追随性試験を行ったとしても、破断は進展せず、固定治具１４に沿って屈曲させることができる。そのため、一部破断が起こった場合でも、熱輸送量評価試験での判定が〇であれば、後述の総合判定は〇とみなした。
【００６７】
（熱輸送量評価試験の評価方法）
熱輸送量評価試験の結果は、以下のように評価した。
〇：サンプルの熱輸送量が、同じ厚みの積層グラファイトシートの熱輸送量＋２０ｍＷ／Ｋ以上である場合
×：サンプルの熱輸送量が、同じ厚みの積層グラファイトシートの熱輸送量＋２０ｍＷ／Ｋより少ない場合
【００６８】
例えば、厚み０．２ｍｍのグラファイトブロックを用いた実施例１〜４、７、および１０は、厚み０．２ｍｍの積層グラファイトシートを用いた比較例５の熱輸送量を基準に評価した。また、厚み０．１ｍｍのグラファイトブロックを用いた実施例５、８、および１１は、厚み０．１ｍｍの積層グラファイトシート用いている比較例１４の熱輸送量を基準に評価した。さらに、厚み０．３ｍｍのグラファイトブロックを用いた実施例６、９、および１２は、厚み０．１ｍｍの積層グラファイトシート用いている比較例１４の熱輸送量を基準に判定した。ただし、以下において、実施例２と比較例７とを比較する際には、比較例７の熱輸送量と実施例２の熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋ以上であるかどうかを評価した。
【００６９】
熱伝導体の熱輸送量が、積層グラファイトシートの熱輸送量より２０ｍＷ／Ｋ以上高い場合、当該熱伝導体を電子機器の熱対策部材として用いた際に、ＣＰＵの発熱を積層グラファイトシートより抑えることが可能となり、熱対策部材としてより有用であると考えられる。
【００７０】
（総合判定）
総合判定は、以下の基準で行った。
〇：追随性試験の判定が△または〇、かつ熱輸送量評価試験の判定が〇の場合
×：それ以外の場合
【００７１】
【表１】
2018198279.tif 000009
【００７２】
【表２】
2018198279.tif 000010
【００７３】
＜判定結果＞
（追随性試験―溝の効果）
溝の効果を調べるために、実施例１および比較例１の結果を比較した。これらを比較すると、溝のある実施例１が、追随性を有するのに対し、比較例１は、破断し、追随性を有していなかった。つまり、溝を形成することで、追随性が良好になるといえる。
【００７４】
（追随性試験―溝の深さの関係）
溝の深さと追随性の関係を調べるために、実施例１〜４、比較例２、および６を比較した。これらの板形状のグラファイトの厚みｔはいずれも０．２ｍｍであり、溝の幅ｈは、いずれも０．０３８ｍｍであり、溝の数はいずれも２個である。つまり、これらは、溝の深さｄのみが異なる。それぞれの溝の深さは、実施例１が０．１９８ｍｍであり、実施例２が０．１ｍｍであり、実施例３が０．０８ｍｍであり、実施例４が０．０４ｍｍであり、比較例２が０．０３９ｍｍであり、比較例６が０．１９９ｍｍである。溝の深さが０．０４ｍｍ未満である場合、追随性試験によってサンプルに破断が生じた。一方、溝の深さが０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ未満である場合には、クラックは出来るが、破断が生じなかった。さらに溝の深さが０．１ｍｍ以上である場合には、クラックも生じなかった。また、溝の深さが、０．１９９ｍｍである場合（比較例６）は、溝形成時にグラファイトブロックが破断し、サンプル作製が不可能であった。つまり、追随性を有する、溝の深さの上限としては、ｄ≦（ｔ−０．０００２）の関係を満たす必要がある。
【００７５】
また、サンプル厚みが異なる場合の溝の深さと追随性との関係を調べるために、実施例５および６、ならびに比較例３および４を比較した。これらは、いずれも２個ずつ溝を有する。実施例５は、板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍであり、溝の幅は、０．０３８ｍｍであり、溝の深さは０．０５ｍｍである。実施例６は、板形状のグラファイトの厚みが０．３ｍｍであり、溝の幅は、０．０３８ｍｍであり、溝の深さは０．１５ｍｍである。比較例３は、板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍであり、溝の幅が０．０３８ｍｍであり、溝の深さは０．０１９ｍｍである。比較例４は、板形状のグラファイトの厚みが０．３ｍｍであり、溝の幅が、０．０３８ｍｍであり、溝の深さが０．０５９ｍｍである。
【００７６】
これらを比較すると、板形状のグラファイトの厚みが、０．１ｍｍで溝の深さが、０．０５ｍｍである場合（実施例５）、追随性試験において、クラックは入ったが破断しなかった。これに対し、溝の深さが０．０１９ｍｍである場合（比較例３）、追随性試験によって破断した。また、板形状のグラファイトの厚みが０．３ｍｍで溝の深さが、０．１５ｍｍである場合（実施例６）、追随性試験においてクラックが入ったが、破断しなかったのに対し、溝の深さが０．０５９ｍｍである場合（比較例４）、破断した。これらの結果から、実装基板への追随性を有する溝の深さの下限は、板形状のグラファイトの厚みｔと関係しており、溝の深さｄが板形状のグラファイトの厚みｔの２割以上あれば、熱伝導体が実装基板への追随性を有するといえる。つまり、実装基板への追随性を確実に有するための溝の深さの下限として、０．２ｔ≦ｄを満たす必要がある。
【００７７】
以上のことから、０．２ｔ≦ｄ≦（ｔ―０．００２）という式を満たすことで、実装基板への追随性を有する熱伝導体とすることができるといえる。
【００７８】
なお、上述の実施例では、２つ以上の溝を形成することで、複数の凹凸のある実装基板に対応可能としているが、実装基板の形状に応じて、溝の数は１つであってもよく、この場合も、実装基板に十分に追随可能である。
【００７９】
（熱輸送量評価試験−溝の関係）
溝の深さと熱輸送量の関係を調べるために、板形状のグラファイトの厚みが０．２ｍｍであり、溝の幅が０．０３８ｍｍであり、溝の数が２個であり、溝の深さのみが異なる実施例１〜４と、同様の厚みを有する積層グラファイトシート（比較例５）を比較した。図８は実施例１〜４、および比較例５の熱輸送量を示すグラフである。溝の深さはそれぞれ、実施例１が０．１９８ｍｍ、実施例２が０．１ｍｍ、実施例３が０．０８ｍｍ、実施例４が０．０４ｍｍである。これらを比較すると、溝が０．０４ｍｍである場合（実施例４）から溝が最も深い０．１９８ｍｍである場合（実施例１）にかけて、熱輸送量の変化は僅かであった。そして、溝の深さが最も深い０．１９８ｍｍである場合にも、熱輸送量が２３０ｍＷ／Ｋであり、比較例５よりも熱輸送量が７０ｍＷ／Ｋ多かった。
【００８０】
また、熱輸送する断面積が同一であり、熱伝導体の体積のみが異なる場合の熱輸送量の比較のため、実施例２と比較例７とを比較した。実施例２は、板形状のグラファイトの厚みが０．２ｍｍであり、溝の深さが０．１ｍｍであり、溝の幅が０．０３８ｍｍであり、溝の数２個である。一方、比較例７は、板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍであり、溝を形成していない。つまり、実施例２の連結部では、グラファイトの厚みが０．１ｍｍとなっており、実施例２において最も狭い断面の断面積が、比較例７の断面積と同一である。一方で、実施例２のほうが、２倍近い体積を有している。図９は、実施例２および比較例７の熱輸送量を示すグラフである。比較例７に比べて実施例２は、１００ｍＷ／Ｋ以上熱輸送量が多い。このように、板形状のグラファイトの熱輸送量は、板形状のグラファイトの体積に依存しており、最も狭い断面積の部分に寄らないことが見出された。この現象に基づけば、溝を形成した場合であっても、熱輸送量は大きく減少せず、熱輸送量が多い状態を維持できると考えられる。
【００８１】
次に、溝の幅と熱輸送量との関係を調べるために、板形状のグラファイトの厚みが０．２ｍｍであり、溝の深さが０．１９８ｍｍであり、溝の幅のみが異なる実施例１および７、ならびに比較例５、８および９と、厚みが０．２ｍｍである積層グラファイト（比較例５）とを比較した。図１０は、実施例１、７、比較例５、８、９の熱輸送量を示すグラフである。それぞれの熱伝導体における溝の幅は、実施例１が０．０３８ｍｍであり、実施例７が４ｍｍであり、比較例８が４．２ｍｍであり、比較例９が５ｍｍである。溝の幅が４ｍｍまで（実施例１および７）は、熱輸送量が２１０ｍＷ／ｍＫ以上あり、比較例５より５０ｍＷ／Ｋ以上多かった。これに対し、溝が４．２ｍｍである場合（比較例８）、熱輸送量が１７５ｍＷ／Ｋであり、溝が５ｍｍの場合（比較例９）、熱輸送量が１７０ｍＷ／Ｋであった。つまり、比較例５の熱輸送量との差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。
【００８２】
さらに、板形状のグラファイトの厚みが異なる場合の、溝の幅と熱輸送量の関係を調べるために実施例８および９、ならびに比較例１０および１１と、積層グラファイトからなる熱伝導体（比較例１４および１５）とを比較した。図１１は実施例８および９、ならびに比較例１０、１１、１４、および１５の熱輸送量を示すグラフである。実施例８は、板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍであり、溝の深さが０．０９８ｍｍであり、溝の幅が２ｍｍ、溝の数が２個である。比較例１０は、実施例８の溝の幅が２ｍｍから２．１ｍｍに変わっている。実施例９は、板形状のグラファイトの厚みが０．３ｍｍであり、溝の深さが０．２９８ｍｍであり、溝の幅が６ｍｍであり、溝の数２個である。比較例１１は、実施例９の溝の幅が６ｍｍから６．３ｍｍになっている。板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍである場合、溝の幅が２ｍｍであると（実施例８）熱輸送量が１００ｍＷ／Ｋであり、比較例１４よりも２０ｍＷ／Ｋ高かった。これに対し、溝の幅が２．１ｍｍである場合（比較例１０）、熱輸送量が９０ｍＷ／Ｋであり、比較例１４との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。また、サンプル厚みが０．３ｍｍである場合にも、溝の幅が６ｍｍであると（実施例９）、熱輸送量が２９０ｍＷ／Ｋであり、比較例１５よりも５０ｍＷ／Ｋ高かった。これに対し、溝の幅が６．３ｍｍであると、熱輸送量が２５０ｍＷ／Ｋであり、比較例１５との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。つまり、熱伝導体の厚みが、０．１ｍｍの場合でも、０．３ｍｍの場合でも、溝の幅が、板形状のグラファイトの厚みの２０倍以下であると、十分な熱輸送量が維持されやすい。したがって、熱伝導体の熱輸送量が維持される溝の幅は、熱伝導体の厚みの２０倍までとする必要がある。つまり、ｈ≦２０ｔという関係を満たすことで、積層グラファイトシートより非常に多い熱輸送量を、維持することができる。
【００８３】
また、体積率と熱輸送量の関係を調べるために、板形状のグラファイトの厚みが０．２ｍｍであり、溝の深さが０．１９８ｍｍであり、溝の幅および溝の数が異なる実施例１および１０、ならびに比較例１２および１３と、厚みが０．２ｍｍである積層グラファイトシート（比較例５）とを比較した。図１２は実施例１および１０ならびに比較例５、１２、および１３の熱輸送量を示すグラフである。それぞれの溝の数と溝の体積率は、実施例１では、溝の幅が０．０３８ｍｍであり、溝の数が２個であり、溝の体積率が０．０６８４％である。実施例１０では、溝の幅が０．４ｍｍであり、溝の数が３０個であり、溝の体積率が１０．８％である。比較例１２では、溝の幅が０．４ｍｍであり、溝の数が３１個であり、溝の体積率が１１．２％である。さらに、比較例１３では、溝の幅が０．４ｍｍであり、溝の数が３３個であり、溝の体積率が１１．９％である。図１２に示されるように、溝の体積率が増えると熱輸送量が少なくなる傾向にある。例えば、実施例１０では、熱輸送量が２２３ｍＷ／Ｋであり、比較例５との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより大きくなった。これに対し、比較例１２では、熱輸送量が１７３ｍＷ／Ｋとなり、比較例５との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。また比較例１３では、熱輸送量がさらに低い１５０ｍＷ／Ｋとなった。
【００８４】
また、熱輸送量を維持できる体積率を調べるために、厚みの異なる実施例１１および１２、ならびに比較例１６および１７と、溝を形成していない積層グラファイトシート（比較例１４および１５）とを比較した。図１３は、実施例１１、１２、比較例１４、１５、１６、１７の熱輸送量を示すグラフである。実施例１１は、板形状のグラファイトの厚みが０．１ｍｍであり、溝の深さが０．０９８ｍｍであり、溝の幅が０．２７ｍｍであり、溝の数が４５個であり、溝の体積率１０．８％である。比較例１６は、実施例１１の溝の数が４５個から４６個になり、溝の体積率が１１．１％になっている。実施例１２は、板形状のグラファイトの厚みが０．３ｍｍであり、溝の深さが０．２９８ｍｍであり、溝の幅が０．４ｍｍであり、溝の数が３０個であり、溝の体積率が１０．８％である。比較例１７は、実施例１１の溝の数が３０個から３１個になり、溝の体積率が１１．２％になっている。実施例１１の熱輸送量は１０５ｍＷ／Ｋであり、比較例１４との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより大きくなったのに対し、比較例１６の熱輸送量は、７５ｍＷ／Ｋとなり、比較例１４との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。同様に、実施例１２の熱輸送量は３２２ｍＷ／Ｋであり、比較例１５との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより大きくなったのに対し、比較例１７の熱輸送量は、２２０ｍＷ／Ｋとなり、比較例１５との熱輸送量の差が２０ｍＷ／Ｋより小さくなった。以上から、熱伝導体の厚みが、０．１ｍｍの場合でも、０．３ｍｍの場合でも、溝の体積率が１０．８％までは、熱輸送量が維持されやすいといえる。したがって、熱伝導体の熱輸送量が十分に維持するとの観点から、溝の体積率は、１０．８％以下とする必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の熱伝導体は、半導体や産業機器等における放熱用途に適用できる。
【符号の説明】
【００８６】
１  板形状のグラファイト
２  熱伝導体
３  溝
４  開口部
５  側面
６  底部
７  結合部
８  マイクロメータのヘッド
９  押込治具
１０  固定治具
１１  シクネスゲージ
１２  グラファイトブロック
１３  平板
１４  固定治具
１５  溝
１６  溝
１７  押し治具
１８  押さえ治具
１９  下部支持治具
２０  支持治具
２１  発熱体
２２  冷却治具
２３  錘
２４  サンプル
２５  熱電対
２６  熱電対
２７  電源
【図１】
2018198279.tif 000014
【図２】
2018198279.tif 000015
【図３】
2018198279.tif 000016
【図４】
2018198279.tif 000017
【図５】
2018198279.tif 000018
【図６】
2018198279.tif 000019
【図７】
2018198279.tif 000020
【図８】
2018198279.tif 000021
【図９】
2018198279.tif 000022
【図１０】
2018198279.tif 000023
【図１１】
2018198279.tif 000024
【図１２】
2018198279.tif 000025
【図１３】
2018198279.tif 000026