(57)【要約】【課題】非発光領域を小さく（開口率を大きく）することを目的とする。【解決手段】表示装置は、複数の開口４８を有し、複数の開口４８をそれぞれ囲む複数の開口縁部５０を有する絶縁層４６と、複数の開口４８から複数の開口縁部５０の上にそれぞれが至る複数の画素電極５２と、複数の画素電極５２に連続的に載り、複数層からなり、少なくとも最下層を除く位置で複数の画素電極５２のそれぞれに重なる発光層５８を含むエレクトロルミネッセンス層５４と、エレクトロルミネッセンス層５４に載る対向電極６２と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口を有し、前記複数の開口をそれぞれ囲む複数の開口縁部を有する絶縁層と、
前記複数の開口から前記複数の開口縁部の上にそれぞれが至る複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に連続的に載り、複数層からなり、少なくとも最下層を除く位置で前記複数の画素電極のそれぞれに重なる発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、
前記エレクトロルミネッセンス層に載る対向電極と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極及び前記絶縁層の下に複数の下地電極をさらに有し、
前記複数の下地電極は、それぞれ、前記複数の開口で前記複数の画素電極に接合し、
前記複数の下地電極のそれぞれの周縁部と、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部との間に、前記絶縁層の前記複数の開口縁部の対応する１つが介在することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置において、
前記複数の下地電極は、前記複数の画素電極よりも厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれ及び前記複数の下地電極のそれぞれの少なくとも一方は、光反射層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置において、
前記複数の下地電極は、前記光反射層を含み、
前記複数の画素電極は、前記光反射層を含まないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４に記載された表示装置において、
前記複数の下地電極は、前記光反射層を含み、
前記複数の画素電極は、前記複数の開口と重なる領域を避けて、前記光反射層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記周縁部において先端になるほど薄くなっていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネッセンス層の前記最下層は、前記複数の画素電極に連続的に載るキャリア注入輸送層であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記発光層は、前記複数の画素電極の対応する１つの周縁からはみ出すことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記発光層は、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して、分離して配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載された表示装置において、
隣り合う一対の前記発光層は、端部同士が重なることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネッセンス層は、前記複数の画素電極のうち隣同士の一対の画素電極の間に、他の部分よりも導電率の低い低導電部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された表示装置において、
前記発光層は、隣同士の一対の画素電極の間に、前記低導電部に含まれる部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載された表示装置において、
前記低導電部は、前記複数の画素電極のそれぞれの少なくとも中央部を途切れなく囲むことを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極は、複数色にそれぞれ対応する複数グループに分けられ、
前記発光層は、前記複数グループのいずれかに対応した色の光を出射するよう構成され、
前記低導電部は、異なるグループに属して隣り合う一対の前記画素電極の間に位置することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、発光層を含む有機膜を、画素電極（例えば陽極）と対向電極（例えば陰極）で挟み込んだ構造を有している。通常、有機膜が薄いため、隣同士の画素電極の間には、それぞれの画素電極の周縁に載るように、バンクと呼ばれる絶縁層が設けられている。これにより、有機膜の段切れを防止し、画素電極と対向電極との導通を防止している。ただし、発光層は、バンクと重なる領域では、発光層とも絶縁されるので発光しない。この領域は、非発光領域となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−５３２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、画素数の増加により、隣同士の画素が接近するようになってきた。そのため、連続する有機膜を伝わって電流がリークし、隣の画素が発光してしまうことがある。そこで、特許文献１には、隣同士の画素電極の間の領域の上方で、有機膜の導電率を低くすることで電流リークを防止することが開示されている。
【０００５】
一方で、高画質化のためには、非発光領域を小さくする（開口率を大きくする）ことが好ましいが、特許文献１には、そのための手段が開示されていない。非発光領域が大きい（開口率が小さい）と、輝度が低くなるか、あるいは、高電流で駆動しなければならないので寿命が短くなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、非発光領域を小さく（開口率を大きく）することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、複数の開口を有し、前記複数の開口をそれぞれ囲む複数の開口縁部を有する絶縁層と、前記複数の開口から前記複数の開口縁部の上にそれぞれが至る複数の画素電極と、前記複数の画素電極に連続的に載り、複数層からなり、少なくとも最下層を除く位置で前記複数の画素電極のそれぞれに重なる発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、前記エレクトロルミネッセンス層に載る対向電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、画素電極が絶縁層に載ることで非発光領域を小さく（開口率を大きく）することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のIIで指す部分の一部を拡大した図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面を拡大して示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。
【図５】図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面を拡大して示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図８】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図９】本発明の第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。
【図１１】本発明の第８の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。
【図１２】本発明の第９の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１３】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置である。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、基板１４上に設けられた表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの外側にある。基板１４の周辺領域ＰＡには、フレキシブルプリント基板１０が接続されている。フレキシブルプリント基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載される。集積回路チップ１２は、基板１４上に搭載されても良い。
【００１４】
図２は、図１に示す表示装置のIIで指す部分の一部を拡大した図である。この例では、フルカラーの画素は、赤のサブピクセルＲ、緑のサブピクセルＧ及び青のサブピクセルＢから構成される。青のサブピクセルＢは、比視感度が低いため、赤及び緑のサブピクセルＲ，Ｇよりも発光面積が大きくなっている。詳しくは、第１方向Ｄ１（図２の縦方向）に赤及び緑のサブピクセルＲ，Ｇが並び、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２（図２の横方向）に、赤及び緑のサブピクセルＲ，Ｇに並ぶように、青のサブピクセルＢが配置されている。
【００１５】
図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面を拡大して示す図である。基板１４は、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタラート等からなり、可撓性を有する。基板１４には、基板１４自体が含有する不純物に対するバリアとなる下地絶縁膜１６が形成されている。下地絶縁膜１６は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などであり、それらの積層構造であってもよい。
【００１６】
下地絶縁膜１６の上には半導体層１８が形成されている。半導体層１８にソース電極２０及びドレイン電極２２が電気的に接続し、半導体層１８を覆ってゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４の上にはゲート電極２６が形成され、ゲート電極２６を覆って層間絶縁層２８が形成されている。ソース電極２０及びドレイン電極２２は、ゲート絶縁膜２４及び層間絶縁膜２６を貫通している。半導体層１８、ソース電極２０、ドレイン電極２２及びゲート電極２６並びにゲート絶縁膜２４から、薄膜トランジスタ３０の少なくとも一部が構成される。薄膜トランジスタ３０は、表示領域ＤＡに設けられる。薄膜トランジスタ３０を覆うように平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２は、ポリイミド樹脂や感光性アクリル樹脂等の有機材料によって形成する。
【００１７】
平坦化層３２の上には、複数の単位画素（サブピクセル）にそれぞれ対応するように、複数の接続電極３４が設けられている。接続電極３４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電膜から形成されており、平坦化層３２を貫通するコンタクトホール３６によって、層間絶縁層２８の上でソース電極２０及びドレイン電極２２の一方に電気的に接続している。
【００１８】
図２に示すように、第１方向Ｄ１に並ぶ赤及び緑のサブピクセルＲ，Ｇの接続電極３４は、第２方向Ｄ２に並び、それぞれ、対応するコンタクトホール３６から反対方向に延びるようになっている。平坦化層３２及び接続電極３４を、ＳｉＮなどからなる無機絶縁膜３８が覆っている。
【００１９】
無機絶縁膜３８には、複数の下地電極４０が載る。下地電極４０は、複数層からなり、例えば、最上層及び最下層に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などからなる透明導電層４２を含み、中間層に光反射層４４を含む。最下層の透明導電層４２が、無機絶縁膜３８の貫通穴を介して接続電極３４に接続している。
【００２０】
なお、ここではドレイン電極２２と下地電極４０との接続に、接続電極３４を介しているが、平坦化層３２及び無機絶縁膜３８をドレイン電極２２上の同じ位置で開口し、ドレイン電極２２と下地電極４４とを直接接続しても良い。
【００２１】
下地電極４０の上に、ポリイミド樹脂やアクリル系樹脂などで絶縁層４６が形成されている。絶縁層４６は複数の開口４８を有する。絶縁層４６は、複数の下地電極４０のそれぞれの周縁部に載り、開口４８において、下地電極４０の一部（例えば中央部）を露出させる。図２に示すように、輝度の低い青のサブピクセルＢに対応する開口４８は、赤及び緑のサブピクセルＲ，Ｇに対応する開口４８よりも大きい。絶縁層４６は、複数の開口４８をそれぞれ囲む複数の開口縁部５０を有する。絶縁層４６によって、下地電極４０の一部を囲むバンクが形成される。
【００２２】
複数の画素電極５２が、それぞれ、複数の下地電極４０に積層されている。画素電極５２（例えば陽極）は、絶縁層４６の開口４８から開口縁部５０の上に至るようになっている。すなわち、画素電極５２は、平面視で絶縁層４６の開口４８よりも大きい。下地電極４０の周縁部と画素電極５２の周縁部との間に、絶縁層４６の開口縁部５０が介在する。画素電極５２は、開口４８で下地電極４０に接合する。画素電極５２は、開口４８で下地電極４０に導通し、絶縁層４６に載るようになっている。画素電極５２は、その表面が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電膜となるように構成される。
【００２３】
本実施形態によれば、画素電極５２が絶縁層４６に載ることで発光領域を大きく、言い換えると、非発光領域を小さく（開口率を大きく）することができる。下地電極４０は、画素電極５２よりも厚い。そのため、画素電極５２とその下にある絶縁層４６との間に形成される段差は、下地電極４０とその下にある無機絶縁膜３８との間に形成される段差よりも小さい。画素電極５２は、周縁部において先端になるほど薄くなっているので、さらに段差が小さい。この例では、画素電極５２は、光反射層を含まない。
【００２４】
複数の画素電極５２の上に有機エレクトロルミネッセンス層５４が設けられている。有機エレクトロルミネッセンス層５４は、複数の画素電極５２に連続的に載っていても良い。上述したように、画素電極５２とその下にある絶縁層４６との間に形成される段差が比較的小さい。そのため、有機エレクトロルミネッセンス層５４を蒸着又はスパッタリングで形成しても途切れることなく連続して形成することができる。
【００２５】
有機エレクトロルミネッセンス層５４は、発光層５８を含む複数層からなる。有機エレクトロルミネッセンス層５４は、発光層５８と画素電極５２との間に、複数の画素電極５２に連続的に載る第１キャリア注入輸送層５６を含む。画素電極５２が陽極であれば、第１キャリア注入輸送層５６は、例えば正孔注入層あるいは正孔注入層及び正孔輸送層である。
【００２６】
有機エレクトロルミネッセンス層５４は、少なくとも最下層を除く位置に、複数の画素電極５２のそれぞれに重なる発光層５８を含む。複数の発光層５８は、複数の画素電極５２それぞれに対応して分離して配置される。発光層５８は、画素電極５２ごとに別々に設けられ、各画素に対応して赤、緑又は青で発光する。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等でもよい。
【００２７】
発光層５８は、複数の画素電極５２の対応する１つの周縁からはみ出す。つまり、発光層５８は、対応する画素電極５２の上面全体を覆い、画素電極５２の側端面も覆う。したがって、画素電極５２の少なくとも上面全体が発光領域となる。なお、隣り合う一対の発光層５８は、端部同士が重なっている。例えば、赤、緑及び青のサブピクセルＢに対応する発光層５８の隣同士が端部において重なっている。あるいは、隣り合う一対の発光層５８は、端部同士が重ならずに接触していてもよいし、端部同士の間に間隔があいていてもよい。
【００２８】
有機エレクトロルミネッセンス層５４は、発光層５８と対向電極５８との間に、第２キャリア注入輸送層６０を有する。対向電極６２が陰極であれば、第２キャリア注入輸送層６０は、電子注入層あるいは電子注入層及び電子輸送層である。有機エレクトロルミネッセンス層５４を構成する層のうち発光層５８を除く層（第１キャリア注入輸送層５６及び第２キャリア注入輸送層６０）は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成される。有機エレクトロルミネッセンス層５４は絶縁層４６上でも連続する。
【００２９】
有機エレクトロルミネッセンス層５４の上には、対向電極６２（例えば陰極）が設けられている。複数の画素電極５２に対向して、１つの連続する対向電極６２が設けられている。対向電極６２は、バンクとなる絶縁層４６の上方にも配置される。有機エレクトロルミネッセンス層５４並びにこれを挟む複数の画素電極５２及び対向電極６２が、複数の発光素子６４を構成する。有機エレクトロルミネッセンス層５４は、画素電極５２及び対向電極６２に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。
【００３０】
対向電極６２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電膜から形成されている。発光素子６４で生じた光は、対向電極６２を通過する一方で、下地電極４０が有する光反射層４４で反射される。光反射層４４の端部が絶縁層４６の下にあるので、絶縁層４６を透過した光も下地電極４０（光反射層４４）で反射される。これにより、光の利用効率を向上させることができる。
【００３１】
対向電極６２上には、封止膜６６が設けられる。複数の発光素子６４は、封止膜６６によって封止され、水分から遮断されている。封止膜６６は、窒化ケイ素などからなる一対の無機層の間に、樹脂などからなる少なくとも一層の有機層を挟む構造であってもよい。封止膜６６は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う。封止膜６６には、粘着層６８を介して、例えばガラスからなる対向基板７０が積層されている。
【００３２】
［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。図５は、図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面を拡大して示す図である。本実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス層２５４は、他の部分よりも導電率の低い低導電部２７２を有する。低導電部２７２は、複数の画素電極２５２のうち隣同士の一対の画素電極２５２の間にある。低導電部２７２は、複数の画素電極２５２のそれぞれの少なくとも中央部を途切れなく囲む。
【００３３】
複数の画素電極２５２は、複数色にそれぞれ対応する複数グループに分けられる。発光層２５８は、複数グループのいずれかに対応した色の光を出射するよう構成されている。詳しくは、第１の実施形態で説明したとおりである。低導電部２７２は、異なるグループに属して隣り合う一対の画素電極２５２の間に位置する。発光層２５８は、隣同士の一対の画素電極２５２の間に、低導電部２７２に含まれる部分を有する。
【００３４】
低導電部２７２があることで、有機エレクトロルミネッセンス層２５４の拡がり方向にキャリア（電子又は正孔）が流れにくくなる。低導電部２７２は、絶縁層２４６の上にあるので、絶縁層２４６の上方で有機エレクトロルミネッセンス層２５４の拡がり方向へのキャリアの流れが妨げられる。
【００３５】
本実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス層２５４の有機エレクトロルミネッセンス層２５４は、隣同士の画素電極２５２の間の領域の上方で、導電率が低くなっているので、隣同士の画素間での電流リークを防止することができる。したがって、電流を流した画素の隣の画素が発光しないようになっている。
【００３６】
有機エレクトロルミネッセンス層２５４は、蒸着又はスパッタリングによって形成する。そして、有機エレクトロルミネッセンス層２５４にエネルギー線（紫外線、電子線、赤外線など）を照射する。エネルギー線は、隣同士の画素電極２５２の間の領域に照射する。エネルギー線の照射によって、有機エレクトロルミネッセンス層２５４の導電率を低下させる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス層２５４に低導電部２７２を形成する。
【００３７】
続いて、有機エレクトロルミネッセンス層２５４の上に対向電極２６２を形成する。対向電極２６２は、有機エレクトロルミネッセンス層２５４にエネルギー線を照射した後に形成する。対向電極２６２の形成前にエネルギー線を照射するので、その照射エネルギーの損失が少ない。本実施形態のその他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００３８】
［第３の実施形態］
図６は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態は、画素電極３５２が光反射層３４４Ａを含む点で、図５に示す第２の実施形態と異なる。
【００３９】
光反射層３４４Ａは、絶縁層３４６の開口３４８と重なる領域を避けて開口縁部３５０に載る。画素電極３５２は、さらに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などからなる透明導電層３４２を含む。光反射層３４４Ａは、透明導電層３４２の下にあり、発光素子３６４で生じた光は透明導電層３４２を通過し、絶縁層３４６の上では光反射層３４４Ａで反射する。つまり、光は、絶縁層３４６を透過せずに反射するので減衰が少なくなる。開口３４８で、透明導電層３４２が下地電極３４０に接合している。下地電極３４０も光反射層３４４Ｂを含む。本実施形態のその他の内容は、第２の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４０】
［第４の実施形態］
図７は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態は、下地電極４４０が、最上層に光反射層４４４を含む点で、図６に示す第３の実施形態と異なる。画素電極４５２の透明導電層４４２が、絶縁層４４６の開口４４８で下地電極４４０の光反射層４４４に接合している。本実施形態のその他の内容は、第３の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４１】
［第５の実施形態］
図８は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、画素電極５５２が光反射層を有しない点で、図７に示す第４の実施形態と異なる。本実施形態のその他の内容は、第４の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４２】
［第６の実施形態］
図９は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、下地電極６４０が光反射層を有しない。下地電極６４０は、全体が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電膜からなる。また、画素電極６５２は、有機エレクトロルミネッセンス層６５４に接触する最上層に透明導電層６４２を有し、最上層を除く層に光反射層６４４を有する。光反射層６４４は、絶縁層６４６の開口６４８から開口縁部６５０に至るように設けられており、発光素子６６４で生じた光が画素電極６５２（光反射層６４４）で反射するようになっている。本実施形態のその他の内容は、第２の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４３】
［第７の実施形態］
図１０は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。本実施形態は、単位画素（サブピクセル）の配列が、図２に示す第１の実施形態と異なる。本実施形態では、赤のサブピクセルＲ、緑のサブピクセルＧ及び青のサブピクセルＢが同等の大きさになっている。同じ色のサブピクセルが第１方向Ｄ１（図１０の縦方向）に並び、異なる色のサブピクセルが第２方向Ｄ２（図２の横方向）に並ぶ。本実施形態のその他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４４】
［第８の実施形態］
図１１は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。本実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス層が低導電部８７２を有する点で、図１０に示す第７の実施形態と異なる。低導電部８７２は、第２の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４５】
複数の画素電極８５２は、複数色にそれぞれ対応する複数グループに分けられる。発光層は、複数グループのいずれかに対応した色の光を出射するよう構成されている。低導電部８７２は、異なるグループに属して隣り合う一対の画素電極８５２の間に位置する。本実施形態のその他の内容は、第７の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４６】
［第９の実施形態］
図１２は、本発明の第９の実施形態に係る表示装置の平面の一部を拡大した図である。本実施形態は、低導電部９７２が複数の画素電極９５２のそれぞれの少なくとも中央部を途切れなく囲む点で、図１１に示す第８の実施形態と異なる。本実施形態のその他の内容は、第８の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４７】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００４８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０  フレキシブルプリント基板、１２  集積回路チップ、１４  基板、１６  下地絶縁膜、１８  半導体層、２０  ソース電極、２２  ドレイン電極、２４  ゲート絶縁膜、２６  ゲート電極、２８  層間絶縁層、３０  薄膜トランジスタ、３２  平坦化層、３４  接続電極、３６  コンタクトホール、３８  無機絶縁膜、４０  下地電極、４２  透明導電層、４４  光反射層、４６  絶縁層、４８  開口、５０  開口縁部、５２  画素電極、５４  有機エレクトロルミネッセンス層、５６  第１キャリア注入輸送層、５８  発光層、６０  第２キャリア注入輸送層、６２  対向電極、６４  発光素子、６６  封止膜、６８  粘着層、７０  対向基板、２４６  絶縁層、２５２  画素電極、２５４  有機エレクトロルミネッセンス層、２５８  発光層、２６２  対向電極、２７２  低導電部、３４０  下地電極、３４２  透明導電層、３４４Ａ  光反射層、３４４Ｂ  光反射層、３４６  絶縁層、３４８  開口、３５０  開口縁部、３５２  画素電極、３６４  発光素子、４４０  下地電極、４４２  透明導電層、４４４  光反射層、４４６  絶縁層、４４８  開口、４５２  画素電極、５５２  画素電極、６４０  下地電極、６４２  透明導電層、６４４  光反射層、６４６  絶縁層、６４８  開口、６５０  開口縁部、６５２  画素電極、６５４  有機エレクトロルミネッセンス層、６６４  発光素子、８５２  画素電極、８７２  低導電部、９５２  画素電極、９７２  低導電部、Ｂ  青のサブピクセル、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、ＤＡ  表示領域、Ｇ  緑のサブピクセル、ＰＡ  周辺領域、Ｒ  赤のサブピクセル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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