(57)【要約】【課題】発光層の長寿命化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、陽極と、前記陽極上に形成された有機発光ユニットと、前記有機発光ユニット上に形成されたＩｎを含む陰極と、を備え、前記有機発光ユニットは、発光層と、前記陰極と前記発光層との間に形成された電子注入層と、を含み、前記有機発光ユニットの前記電子注入層以外の層のＩｎ濃度が前記陰極の２０分の１以下である。【選択図】図３Ａ
2018181954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
前記陽極上に形成された有機発光ユニットと、
前記有機発光ユニット上に形成されたＩｎを含む陰極と、
を備え、
前記有機発光ユニットは、
発光層と、
前記陰極と前記発光層との間に形成された電子注入層と、
を含み、
前記有機発光ユニットの前記電子注入層以外の層のＩｎ濃度が前記陰極の２０分の１以下である、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記発光層のＩｎ濃度が前記陰極の２０分の１以下である、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機発光ユニットは、前記電子注入層と前記発光層との間に形成された電子輸送層をさらに含み、
前記電子輸送層のＩｎ濃度が前記陰極の２０分の１以下である、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記陰極と前記有機発光ユニットとの間に形成されたアルカリ金属又はアルカリ土類金属を主成分とする陰極バッファ層をさらに備える、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記陰極バッファ層はＣａを主成分とする、
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記電子注入層のＩｎ濃度も前記陰極の２０分の１以下である、
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記電子注入層にはアルカリ金属がドープされ、
前記電子注入層の厚さは前記電子輸送層の２倍以上である、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
陽極と、
前記陽極上に形成された有機発光ユニットと、
前記有機発光ユニット上に形成されたＩｎを含む陰極と、
前記陰極と前記有機発光ユニットとの間に形成されたアルカリ金属又はアルカリ土類金属を主成分とする陰極バッファ層と、
を備える有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、発光層を含む発光ユニット上にＩＺＯ（indium zinc oxide）等からなる透明導電膜が陰極として形成される（特許文献１を参照）。こうした透明導電膜は、一般にスパッタ法によって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２９５８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、透明導電膜が形成された発光ユニットでは抵抗率が高くなる場合や発光層の寿命が短くなる場合があり、本願の発明者らは、その原因が、透明導電膜の形成時に透明導電膜の材料が発光ユニットの内部に拡散するためであることを見出した。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、発光ユニットの低抵抗化及び発光層の長寿命化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ表示装置は、陽極と、前記陽極上に形成された有機発光ユニットと、前記有機発光ユニット上に形成されたＩｎを含む陰極と、を備え、前記有機発光ユニットは、発光層と、前記陰極と前記発光層との間に形成された電子注入層と、を含み、前記有機発光ユニットの前記電子注入層以外の層のＩｎ濃度が前記陰極の２０分の１以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】有機ＥＬ表示装置の断面構造例を模式的に示す図である。
【図２】有機膜の積層構造例を模式的に示す図である。
【図３Ａ】第１の実施形態の積層構造例を模式的に示す図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態のＩｎ濃度の解析結果を示す図である。
【図４Ａ】第２の実施形態の積層構造例を模式的に示す図である。
【図４Ｂ】第２の実施形態のＩｎ濃度の解析結果を示す図である。
【図５】参考例のＩｎ濃度の解析結果を示す図である。
【図６】発光ユニットの初期電圧を相対値で表すグラフである。
【図７Ａ】発光ユニットの発光寿命を相対値で表すグラフである。
【図７Ｂ】Ｉｎ濃度と発光寿命との関係を表すグラフである。
【図８Ａ】発光ユニットの通電電圧上昇を相対値で表すグラフである。
【図８Ｂ】Ｉｎ濃度と通電電圧上昇との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の断面構造例を模式的に示す図である。同図では、断面構造を見易くするため、絶縁膜２３，２５等のハッチングを省略している。図２は、有機ＥＬ表示装置１が備える有機膜７（有機ＥＬ素子）の積層構造例を模式的に示す図である。
【００１０】
有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板２と、アレイ基板２と対向する対向基板３とを備えている。アレイ基板２と対向基板３は、充填材４を介して貼り合わされている。有機ＥＬ表示装置１では、アレイ基板２に対して対応基板３の方向に光を出射するトップエミッション方式が採用されている。以下の説明では、アレイ基板２に対して対向基板３の方向を上方向とする。
【００１１】
アレイ基板２は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる透明基板２１上に絶縁膜と導体層が積層された積層体である。下層電極５１は、例えば画素を駆動するための不図示のＴＦＴに接続された電極である。下層電極５１は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの導電性金属で形成されている。
【００１２】
下層電極５は、絶縁膜２３によって覆われている。絶縁膜２３上には、各画素に対応する陽極６が配置されている。絶縁膜２３には、陽極６を下層電極５に接続するための開口が形成されている。絶縁膜２３は、例えばアクリル樹脂などの有機絶縁材料で形成され、表面が平坦化されている。陽極６は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの導電性金属で形成されており、反射面を有している。
【００１３】
絶縁膜２３と陽極６は、絶縁膜２５によって覆われている。絶縁膜２５には、陽極６が底に露出する開口が形成されている。絶縁膜２５は、画素分離膜、バンク又はリブとも呼ばれる。絶縁膜２５は、例えばアクリル樹脂などの透明な有機材料で形成されている。絶縁膜２５の開口の底に露出した陽極６は、発光層を含む有機膜７によって覆われている。有機膜７の詳細については後述する。
【００１４】
有機膜７は、陰極８によって覆われている。陰極８は、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料で形成される透明導電膜である。陰極８は、封止膜２７によって覆われている。封止膜２７は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンなどの無機絶縁材料で形成されている。
【００１５】
対向基板３では、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる透明基板３１に、各画素に対応する開口が形成されたブラックマトリクス３３と、当該開口に充填されたカラーフィルタ３５とが設けられている。なお、対向基板３は設けられなくてもよい。
【００１６】
図２に示されるように、有機膜７は、第１の発光ユニット７１と、第２の発光ユニット７２とを備えている。第１の発光ユニット７１が陽極６に近い側に配置されており、第２の発光ユニット７２が陰極８に近い側に配置されている。陽極６と第１の発光ユニット７１の間にはバッファ層７４が配置されている。第１の発光ユニット７１と第２の発光ユニット７２の間には分離層７６が配置されている。
【００１７】
第１の発光ユニット７１は、陽極６に近い側から順に、第１の正孔注入層１１（１ｓｔ−ＨＩＬ）、第１の正孔輸送層１２（１ｓｔ−ＨＴＬ）、第１の発光層１３（１ｓｔ−ＥＭＬ）、第１の電子輸送層１４（１ｓｔ−ＥＴＬ）、及び第１の電子注入層１５（１ｓｔ−ＥＩＬ）を備えている。
【００１８】
第２の発光ユニット７２は、陽極６に近い側から順に、第２の正孔注入層１６（２ｎｄ−ＨＩＬ）、第２の正孔輸送層１７（２ｎｄ−ＨＴＬ）、第２の発光層１８（２ｎｄ−ＥＭＬ）、第２の電子輸送層１９（２ｎｄ−ＥＴＬ）、及び第２の電子注入層２０（２ｎｄ−ＥＩＬ）を備えている。
【００１９】
本実施形態では、有機膜７に２つの発光ユニット７１，７２が設けられているが、発光ユニットは１つであってもよい。また、本実施形態では、例えば第１の発光層１３の発光色が黄色、第２の発光層１８の発光色が青色とされ、全体として白色の光を発するように構成されているが、発光色はこれに限られない。例えば赤色や緑色や青色の光を発するものであっても良い。
【００２０】
第１の発光層１３及び第２の発光層１８の材料としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス(8-キノリノラト)アルミニウム）などの蛍光発光材料、或いは、「トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）」（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）や、「トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）」（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、「ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート」（ＦＩｒｐｉｃ）などの燐光発光材料など、種々の発光材料を用いることができる。
【００２１】
第１の正孔輸送層１２及び第２の正孔輸送層１７の材料としては、例えば、ＮＰＢ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）や、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）などの材料を用いることができる。
【００２２】
第１の電子輸送層１４及び第２の電子輸送層１９の材料としては、例えば、Ａｌｑ３やＢＣＰ（バソクプロイン）などの材料を用いることができる。
【００２３】
第１の電子注入層１５及び第２の電子注入層２０の材料としては、例えば、アルカリ金属がドープされた電子注入材料を用いることができる。電子注入材料としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス（8-キノリノラト)アルミニウム）やＢＣＰ（バソクプロイン）などの有機材料を用いることができる。アルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｆｒが例示される。
【００２４】
有機膜７に含まれる各層は、例えば真空蒸着法や塗布法、印刷法などの方法によって形成される。さらに、有機膜７の第２の発光ユニット７２上、すなわち第２の電子注入層２０上には、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料からなる陰極８がスパッタ法によって形成される。
【００２５】
以下、本実施形態のより具体的な内容について説明する。
【００２６】
一般に、発光ユニット上にＩＺＯ等の透明導電膜をスパッタ法により形成すると、発光ユニットの抵抗率が高くなったり、発光層の寿命が短くなる傾向がある。本願の発明者らは、高抵抗化や寿命低下の原因が、発光ユニット上にＩＺＯ等の透明導電膜をスパッタ法により形成する際に、透明導電膜の材料であるインジウム（Ｉｎ）が発光ユニットの内部に拡散するためであることを見出した。
【００２７】
例えば、発光ユニット中にＩｎが存在すると、Ｉｎにキャリアがトラップされてしまい、電圧をかけても電流が流れにくくなることがある。すなわち、高抵抗化の原因になり得る。また、発光層中にＩｎが存在すると、キャリアがトラップされるだけでなく、Ｉｎにより励起子のエネルギーがクエンチされてしまうことがある。すなわち、寿命低下の原因になり得る。
【００２８】
そこで、本願の発明者らは、以下に説明する第１及び第２の実施形態によって、インジウム（Ｉｎ）の拡散による高抵抗化及び寿命低下を抑制することを実現した。
【００２９】
［第１の実施形態］
図３Ａは、第１の実施形態の積層構造例を模式的に示す図である。上記図２と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。図３Ｂは、第１の実施形態のＩｎ濃度の解析結果を示すグラフである（詳細は後述する）。
【００３０】
第１の実施形態では、陰極８と第２の発光ユニット７２との間に陰極バッファ層４１を形成している。陰極バッファ層４１は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を主成分としている。アルカリ金属としては、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋなどがある。アルカリ土類金属としては、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａなどがある。これらの原子は、第２の発光ユニット７２へのインジウム（Ｉｎ）の侵入を抑制するバリアとして機能するとともに、電子供給源としても機能すると考えられる。
【００３１】
代表的には、陰極バッファ層４１はＣａを主成分とする。陰極バッファ層４１は、例えばＣａの結晶からなるＣａ結晶層である。Ｃａ結晶層は、例えば真空蒸着法又はスパッタ法によって第２の発光ユニット７２上に形成される。Ｃａ結晶層は、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度であることが好ましい。１ｎｍ未満であると、アイランド状になる等、膜としての安定性が乏しくなる。１０ｎｍ超過であると、光学的な吸収により素子の発光効率が低下するおそれがある。
【００３２】
［第２の実施形態］
図４Ａは、第２の実施形態の積層構造例を模式的に示す図である。上記図２と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。図４Ｂは、第２の実施形態のＩｎ濃度の解析結果を示すグラフである（詳細は後述する）。
【００３３】
本願の発明者らは、インジウム（Ｉｎ）の拡散による発光層のダメージを抑制するための他の手段として、透明導電膜と発光層との距離を従来よりも大きくすることに思い至った。
【００３４】
例えば図２の積層構造において、陰極８と第２の発光層１８の距離を大きくしようとした場合、第２の電子輸送層１９のみを厚くすること、第２の電子注入層２０のみを厚くすること、第２の電子輸送層１９と第２の電子注入層２０の両方を厚くすること、の３通りが考えられる。
【００３５】
しかしながら、層を厚くすることは電気抵抗の増加に繋がり、ひいては消費電力の増大に繋がることから、第２の発光層１８のダメージを抑制するために陰極８と第２の発光層１８の距離を大きくする一方で、電気抵抗の増加はなるべく抑制したいという課題も生じる。
【００３６】
そこで、本実施形態では、第２の電子輸送層１９の厚さに対する第２の電子注入層２０の厚さの比を比較的大きくしている。このように構成することで、第２の発光層１８のダメージを抑制しつつ、電気抵抗の増加も抑制することが可能であるという効果が得られることが分かった。これは、第２の電子注入層２０にはＬｉ等のアルカリ金属がドープされており、第２の電子注入層２０の電気抵抗が第２の電子輸送層１９よりも小さいためであると考えられる。
【００３７】
具体的には、第２の電子注入層２０の厚さは第２の電子輸送層１９の２倍以上であることが好ましく、また２．５倍以上であることがより好ましく、さらには３倍以上であることがより好ましい。このように構成することで、上記効果を得ることが可能である。一方で、第２の電子注入層２０が厚すぎても上記効果は飽和するので、第２の電子注入層２０の厚さは第２の電子輸送層１９の６倍以下であることが好ましく、また５倍以下であることがより好ましい。
【００３８】
また、第２の電子注入層２０の厚さは３５ｎｍ以上であることが好ましく、また４５ｎｍ以上であることがより好ましく、さらには５５ｎｍ以上であることがより好ましい。このように構成することで、上記効果を得ることが可能である。一方で、第２の電子注入層２０が厚すぎても上記効果は飽和するので、第２の電子注入層２０の厚さは１２０ｎｍ以下であることが好ましく、また１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３９】
また、第２の電子輸送層１９の厚さは２０ｎｍ以下であることが好ましく、また１５ｎｍ以下であることがより好ましく、さらには１０ｎｍ以下であることがより好ましい。このように構成することで、上記効果を得ることが可能である。一方で、第２の電子輸送層１９の機能を発揮するためには、第２の電子輸送層１９の厚さは５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００４０】
なお、第２の電子輸送層１９、第２の電子注入層２０及び陰極８の厚さは光学距離に基づいて定められるため、第２の電子注入層２０を厚くする場合には、これに応じて陰極８の厚さを薄くすることが好ましい。このため、本実施形態では、陰極８の厚さに対する第２の電子注入層２０の厚さの比と比較的大きくしている。
【００４１】
具体的には、第２の電子注入層２０の厚さは陰極８の８分の１以上であることが好ましく、また６分の１以上であることがより好ましく、さらには４分の１以上であることがより好ましい。このように構成することで、第２の電子注入層２０と陰極８の合計の厚さを抑えつつ上記効果を得ることが可能である。一方で、第２の電子注入層２０が厚すぎても上記効果は飽和するので、第２の電子注入層２０の厚さは陰極８の２分の１以下であることが好ましく、また３分の１以下であることがより好ましい。
【００４２】
また、陰極８の厚さは２６０ｎｍ以下であることが好ましく、また２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、さらには２４０ｎｍ以下であることがより好ましい。このように構成することで、上記効果を得ることが可能である。また、陰極８を比較的薄くすることで、陰極８の形成時間を短縮することが可能である。一方で、陰極８の機能を発揮するためには、陰極８の厚さは１８０ｎｍ以上であることが好ましく、また２００ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００４３】
以上、第１の実施形態と第２の実施形態とについて個別に説明したが、これらが組み合わされてもよい。すなわち、陰極８と第２の発光ユニット７２との間に陰極バッファ層４１を形成するとともに、第２の電子輸送層１９の厚さを第２の電子注入層２０に対して大きくしてもよい。
【００４４】
以下、図３Ｂ、図４Ｂ及び図５に示したＩｎ濃度の解析結果について説明する。Ｉｎ濃度の解析は、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ)により行った。これらの図において、横軸は層厚方向の位置を表しており、縦軸はＩｎ濃度をログスケールで表している。
【００４５】
図３Ｂに係る第１の実施形態では、例えば、陰極８の厚さが２８０ｎｍ、陰極バッファ層４１の厚さが５ｎｍ、第２の電子注入層２０の厚さが２０ｎｍ、第２の電子輸送層１９の厚さが２０ｎｍであるとする。
【００４６】
図４Ｂに係る第２の実施形態では、例えば、陰極８の厚さが２４０ｎｍ、第２の電子注入層２０の厚さが６０ｎｍ、第２の電子輸送層１９の厚さが２０ｎｍであるとする。なお、第２の電子注入層２０による電子注入機能を発揮するには厚さが２０ｎｍもあれば十分であるが、第２の実施形態では厚さをそれ以上にしている。
【００４７】
図５に係る参考例では、例えば、陰極８の厚さが２８０ｎｍ、第２の電子注入層２０の厚さが２０ｎｍ、第２の電子輸送層１９の厚さが２０ｎｍであるとする。すなわち、参考例では、第１の実施形態のような陰極バッファ層４１が設けられておらず、第２の実施形態のような厚い第２の電子注入層２０も設けられていない。
【００４８】
その他の層の厚さは互いに同じであるとする。また、各層の材料及び形成条件は互いに同じであるとする。
【００４９】
図３Ｂ及び図４Ｂに示した第１及び第２の実施形態では、第２の発光ユニット７２の第２の電子注入層２０以外の層のＩｎ濃度が、陰極８の２０分の１以下である（図中の破線で囲んだ部分）。すなわち、第２の電子輸送層１９及び第２の発光層１８のＩｎ濃度が、陰極８の２０分の１以下になっている。なお、第１の実施形態では、第２の電子注入層２０のＩｎ濃度も陰極８の２０分の１以下になっている。Ｉｎ濃度は陰極８の２５分の１以下であることがより好ましく、さらには３０分の１以下であることがより好ましい。
【００５０】
これに対し、図５に示した参考例では、第２の発光ユニット７２のＩｎ濃度が陰極８の２０分の１を超えている。
【００５１】
これによると、陰極バッファ層４１が設けられた第１の実施形態では、陰極バッファ層４１によってＩｎの侵入が抑制されていることが分かる。すなわち、陰極バッファ層４１によりＩｎの侵入が抑制された結果、第２の電子注入層２０を含む第２の発光ユニット７２全体のＩｎ濃度が低く抑えられている。
【００５２】
また、厚い第２の電子注入層２０が設けられた第２の実施形態では、第２の電子注入層２０によってＩｎの侵入が抑制されていることが分かる。すなわち、厚い第２の電子注入層２０によりＩｎの侵入が抑制された結果、第２の発光ユニット７２のうちの第２の電子注入層２０以外の層のＩｎ濃度が低く抑えられている。
【００５３】
図６は、発光ユニットに所定の電流を流すために必要な初期電圧を相対値で表すグラフである。同図では、第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態における初期電圧を、参考例における初期電圧を０としたときの相対値として示している。所定の電流は、例えば１５ｍＡ／ｃｍ２とした。電圧は、発光ユニット７１，７２を含む有機膜７を挟むように配置された陽極６と陰極８との間に印加される電圧である。
【００５４】
ここで、第３の実施形態は、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせたものである。すなわち、陰極バッファ層４１と厚い第２の電子注入層２０との両方を備えている。第３の実施形態では、例えば、陰極８の厚さが２４０ｎｍ、陰極バッファ層４１の厚さが５ｎｍ、第２の電子注入層２０の厚さが６０ｎｍ、第２の電子輸送層１９の厚さが２０ｎｍであるとする。
【００５５】
これによると、陰極バッファ層４１が設けられた第１の実施形態と第３の実施形態とでは、初期電圧が参考例と比べて低下している。これは、陰極バッファ層４１が電子供給源として機能するために抵抗率が減少したものと考えられる。また、厚い第２の電子注入層２０が設けられた第２の実施形態では、初期電圧が参考例と比べて若干増加している。これは、第２の発光ユニット７２の厚さが増加したためと考えられる。
【００５６】
図７Ａは、発光ユニットの発光寿命を相対値で表すグラフである。同図では、第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態における発光寿命を、参考例における発光寿命を１としたときの相対値として示している。図７Ｂは、Ｉｎ濃度と発光寿命との関係を表すグラフである。同図では、各実施形態の第２の発光層１８のＩｎ濃度と発光寿命との関係をプロットしている。
【００５７】
発光寿命は、例えば輝度が９５％まで劣化するまでの時間とした。ここでは、第２の発光ユニット７２に含まれる第２の発光層１８が発する光の輝度を測定している。第２の発光層１８が発する光の輝度は、例えば分光により第２の発光層１８の発光色（例えば青色）の成分を取り出すことで測定される。
【００５８】
これによると、陰極バッファ層４１が設けられた第１の実施形態では、発光寿命が参考例と比べて増加している。これは、陰極バッファ層４１によって第２の発光層１８まで到達するＩｎの量が低減したためと考えられる。また、厚い第２の電子注入層２０が設けられた第２の実施形態でも、発光寿命が参考例と比べて増加している。これは、厚い第２の電子注入層２０によって第２の発光層１８まで到達するＩｎの量が低減したためと考えられる。
【００５９】
また、第２の実施形態の発光寿命が第１の実施形態よりも長いが、これは、第２の実施形態のＩｎ濃度が第１の実施形態よりも低いためであると考えられる（図３Ｂ及び図４Ｂを参照）。
【００６０】
図８Ａは、発光ユニットの通電電圧上昇を相対値で表すグラフである。同図では、第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態における通電電圧上昇を、参考例における通電電圧上昇を０としたときの相対値として示している。図８Ｂは、Ｉｎ濃度と通電電圧上昇との関係を表すグラフである。
【００６１】
通電電圧上昇は、所定の電流を流すために必要な電圧の、所定の時間が経過したときの初期電圧からの変化である。所定の電流は、例えば１５ｍＡ／ｃｍ２とした。所定の時間は、例えば１００時間とした。
【００６２】
これによると、陰極バッファ層４１が設けられた第１の実施形態では、通電電圧上昇が参考例と比べて低い。これは、陰極バッファ層４１によって第２の発光ユニット７２に侵入するＩｎの量が低減したためと考えられる。また、厚い第２の電子注入層２０が設けられた第２の実施形態でも、通電電圧上昇が参考例と比べて低い。これは、第２の電子注入層２０が厚いため、Ｉｎが侵入しても抵抗率が変化し難いためと考えられる。
【００６３】
以上に説明した本発明の実施形態によると、発光寿命が向上し、通電電圧上昇が抑制されるので、パネル化したときに有機ＥＬ表示装置の信頼性向上及び低消費電力化を図ることが可能である。
【００６４】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１  有機ＥＬ表示装置、２  アレイ基板、３  対向基板、４  充填材、５  下層電極、６  陽極、７  有機膜、８  陰極、１１  第１の正孔注入層、１２  第１の正孔輸送層、１３  第１の発光層、１４  第１の電子輸送層、１５  第１の電子注入層、１６  第２の正孔注入層、１７  第２の正孔輸送層、１８  第２の発光層、１９  第２の電子輸送層、２０  第２の電子注入層、２１  透明基板、２３  絶縁膜、２５  絶縁膜、２７  封止膜、３１  透明基板、３３  ブラックマトリクス、３５  カラーフィルタ、７１  第１の発光ユニット、７２  第２の発光ユニット、７４  バッファ層、７６  分離層。
【図１】
2018181954.tif 000003
【図２】
2018181954.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2018181954.tif 000006
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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