(57)【要約】【課題】  温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法であって、温度応答性の性能を高度に発現する方法を提供すること。【解決手段】  水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）を有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法において、表面処理剤を温度応答性重合体ブロック共重合体のＬＣＳＴよりも高温に加温した状態でコートすることにより前記課題を解決する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）を有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法であって、表面処理剤を温度応答性重合体ブロック共重合体のＬＣＳＴよりも高温に加温した状態でコートする工程を含む、方法。
【請求項２】
下記（１）および（２）の工程を含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
（１）ＬＣＳＴを有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をＬＣＳＴよりも高温に加温する工程。
（２）（１）記載の表面処理剤を、ＬＣＳＴよりも高温に加温した基材へ塗布する工程。
【請求項３】
水に対するＬＣＳＴを有する２種類の温度応答性繰返し単位（Ａ）および（Ｂ）を含む温度応答性ブロック共重合体を含む、表面処理剤をコートする方法であって、表面処理剤を温度応答性繰返し単位（Ｂ）が温度応答性繰返し単位（Ａ）よりも高温の、水に対するＬＣＳＴを有する場合、表面処理剤を、繰返し単位（Ａ）の水に対するＬＣＳＴ以上、かつ、繰返し単位（Ｂ）の水に対するＬＣＳＴ以下の範囲で加熱する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
水に対するＬＣＳＴを有する温度応答性繰返し単位を１０ｍｏｌ％以上含む温度応答性ブロック共重合体を用いることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
表面処理剤を基材へ塗布する工程がドロップキャスト法であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法を用いた、膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法を用いた、基材の調製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤のコートする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二種類以上の繰返し単位Ａ、Ｂ、…を含む高分子であって、Ａ、Ｂ、…がそれぞれ幾つか連続して現れるものをブロック共重合体という。ブロック共重合体溶液である表面処理剤から構成された膜はブロック共重合体の自己組織化で微細パターンを形成することが知られている。例えば、繰返し単位Ａと繰返し単位Ｂが互いに混じり合わない（非相溶な）場合、繰返し単位同士でミクロ相分離することにより、連続相中に球状や柱状、層状といった、規則的に配列した構造を形成する。
【０００３】
この微細パターンを応用した例として、例えば特許文献１によれば、ポリメチルアクリレートとポリスチレンからなるブロック共重合体が挙げられている。本ブロック共重合体からなる膜の任意の部位に電子線を照射し、熱アニールを行うことで、未照射部位に選択的にミクロ相分離構造を形成させ、電子部品で用いることができる微細パターンを形成することができる。
【０００４】
尚、一般的にミクロ相分離する方法として上記のように熱アニールが必要とされる。基本的に処理を施さない場合のブロック共重合体溶液からなる膜はミクロ相分離構造を示さない。これは成膜時に溶媒が急速に蒸発するため、ブロック共重合体のミクロ相分離過程が凍結されるためである。そこで、成膜後にミクロ相分離過程を形成するため、成膜後にブロック共重合体の高分子鎖が自由に運動できるように熱アニールを施す。
【０００５】
一方、（メタ）アクリルアミド系ポリマーなどの一部は下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ；Ｌｏｗｅｒ  Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を有することが知られており、ＬＣＳＴ以下の温度ではゲル状態からゾル状態に転位する。これらの特長は医療デバイスへの応用をはじめ、広い分野で注目が寄せられている。
【０００６】
このＬＣＳＴを用いた例として、例えば特許文献２によれば、親水性セグメントを含む温度応答性ブロック共重合体からなる表面処理剤をコートした細胞培養基材が開示されている。ＬＣＳＴ以下の温度まで冷却することで温度応答性ブロックがゾル転移し、基材表面の細胞の接着力を弱め、細胞にダメージを与えるタンパク質分解酵素を使用せずに細胞を回収することができる。また親水性セグメントの導入でゾル転位の変化が大きくなり、冷却時間の短縮を可能にしている。
【０００７】
一方、温度応答性ブロック共重合体からなる膜でも、熱アニールによってミクロ相分離し微細パターンを形成しうるが、熱アニールの温度によっては、温度応答性の繰返し単位がもう一方の繰返し単位と非相溶でないことで、ミクロ相分離が不十分となり、温度応答性の性能が満足に発現できない問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３７９８６４１号公報
【特許文献２】特開２０１６−１９２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法であって、温度応答性の性能を高度に発現する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、以上の点を鑑み、鋭意研究を重ねた結果、水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）を有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法において、特定のコート方法を行うことで、温度応答性の性能を高度に発現できることを見出し、本発明を完成した。すなわち本発明は以下の態様を包含する。
【００１１】
＜１＞  水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）を有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法であって、表面処理剤を温度応答性重合体ブロック共重合体のＬＣＳＴよりも高温に加温した状態でコートする工程を含む、方法。
＜２＞  下記（１）および（２）の工程を含むことを特徴とする、＜１＞記載の方法。（１）ＬＣＳＴを有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をＬＣＳＴよりも高温に加温する工程。（２）（１）記載の表面処理剤を、ＬＣＳＴよりも高温に加温した基材へ塗布する工程。
＜３＞  水に対するＬＣＳＴを有する２種類の温度応答性繰返し単位（Ａ）および（Ｂ）を含む温度応答性ブロック共重合体を含む、表面処理剤をコートする方法であって、表面処理剤を温度応答性繰返し単位（Ｂ）が温度応答性繰返し単位（Ａ）よりも高温の、水に対するＬＣＳＴを有する場合、表面処理剤を、繰返し単位（Ａ）の水に対するＬＣＳＴ以上、かつ、繰返し単位（Ｂ）の水に対するＬＣＳＴ以下の範囲で加熱する工程を含むことを特徴とする方法。
＜４＞  水に対するＬＣＳＴを有する温度応答性繰返し単位を１０ｍｏｌ％以上含む温度応答性ブロック共重合体を用いることを特徴とする、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の方法。
【００１２】
＜５＞  表面処理剤を基材へ塗布する工程がドロップキャスト法であることを特徴とする、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の方法。
＜６＞  ＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の方法を用いた、膜の製造方法。
＜７＞  ＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の方法を用いた、基材の調製方法。
【発明の効果】
【００１３】
水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）を有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法において、表面処理剤を温度応答性重合体ブロック共重合体のＬＣＳＴよりも高温に加温した状態でコートすることで、温度応答性の性能を高度に発現できる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】
本発明においては、水に対するＬＣＳＴを有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法において、表面処理剤を温度応答性重合体ブロック共重合体のＬＣＳＴよりも高温に加温した状態でコートすることで、温度応答性の性能を高度に発現できる。
【００１６】
高温に加温する状態でコートする方法として特に限定はないが、例えば、下記工程を含むコート方法を例示できる。
（１）ＬＣＳＴを有する温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をＬＣＳＴよりも高温に加温する工程。
（２）（１）記載の表面処理剤を、ＬＣＳＴよりも高温に加温した基材へ塗布する工程。
【００１７】
温度応答性ブロック共重合体に含まれる温度応答性繰返し単位とその水に対するＬＣＳＴは、例えば、Ｎ−エチルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝７２℃）、Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝４６℃）、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝３２℃）、Ｎ−ｎ−プロピルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝２２℃）、Ｎ−テトラヒドロフルフリルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝２８℃）、Ｎ−エトキシエチルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝３５℃）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝３２℃）、Ｎ−シクロプロピルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝５９℃）、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝４４℃）、Ｎ−ｎ−プロピルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝２８℃）、Ｎ−テトラヒドロフルフリルメタクリルアミド（ＬＣＳＴ＝３５℃）、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝５６℃）、Ｎ−メチル−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝２３℃）、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−プロピルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝２０℃）、またはＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート（ＬＣＳＴ＝４７℃）等が例示できる。本発明における温度応答性ブロック共重合体は、前記繰り返し単位を１種類のみ用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。尚、構造にｐＨでイオン化する部位がある高分子のＬＣＳＴは測定時のｐＨに影響され、値が前後する。例えば、２−ジメチルアミノエチルメタクリレートを重合して生成する繰返し単位のＬＣＳＴは、ｐＨ７では４７℃、ｐＨ１０では３５℃である。本明細書において、特に説明がない限り、「ＬＣＳＴ」はｐＨ７．０で測定したＬＣＳＴを意味し、かつ、「水に対するＬＣＳＴ」を意味する。
【００１８】
温度応答性ブロック共重合体には、温度応答性繰返し単位の他に、異なる繰返し単位を含んでも良い。異なる繰り返し単位としては特に限定はないが、親水性や疎水性の繰返し単位を含むことができる。例えば、特許文献２記載の温度応答性ブロック共重合体が挙げられ、Ｎ−イソプロピルアクリルアミドと２−メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとｎ−ブチルメタクリレートからなるブロック共重合体を例示できる。温度応答性ブロック共重合体の合成法は特に限定はなく、例えば、ＮＭＰ法、ＡＴＲＰ法、ＲＡＦＴ法、ＧＴＰ法などが挙げられる。
【００１９】
本発明における加温する温度は、温度応答性繰返し単位のＬＣＳＴ以上が好ましい。ただし、水に対するＬＣＳＴを有する温度応答性繰返し単位を２種類（例えば、温度応答性繰返し単位（Ａ）及び温度応答性繰返し単位（Ｂ））含む温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤をコートする方法において、表面処理剤を温度応答性繰返し単位（Ｂ）が温度応答性繰返し単位（Ａ）よりも高温でＬＣＳＴを有する場合は、繰返し単位（Ａ）のＬＣＳＴ以上かつ繰返し単位（Ｂ）のＬＣＳＴ以下の範囲の温度で加熱することで温度応答性の性能を高度に発現できる。水に対するＬＣＳＴを有する温度応答性繰返し単位を２種類含む温度応答性ブロック共重合体としては特に限定はないが、例えば特許文献２記載のイソプロピルアクリルアミド（ＬＣＳＴ＝３２℃）とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート（ＬＣＳＴ＝４７℃）とブチルメタクリレートからなるブロック共重合体を例示できる。
【００２０】
温度応答性ブロック共重合体に含まれる温度応答性繰返し単位の組成比は、温度応答性を発現させるために、好ましくは１０ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは４０ｍｏｌ％以上である。
【００２１】
本発明における表面処理剤は、温度応答性ブロック共重合体以外に、該ブロック共重合体を溶解することができる溶媒を含んでいてもよい。温度応答性ブロック共重合体を溶解することができる溶媒としては特に限定されないが、コートする基板を侵食しない溶媒が好ましい。例えば、プラスチック基板であれば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノールなどが挙げられ、さらに好ましくは、沸点が高いため高温に加温できるエタノール、１−プロパノール、２−プロパノールが挙げられる。また表面処理剤の濃度は、特に限定はないが、塗りムラの発生を低減できることから好ましくは０．０１ｗｔ％から１０ｗｔ％、より好ましくは０．０５ｗｔ％から１ｗｔ％である。
【００２２】
本発明の表面処理剤を基材にコートすることによって得られる膜の厚さは、特に限定されないが、例えば細胞培養に用いる場合、膜の厚さは１ｎｍ以上１０μｍ以下であってよく、好ましくは１０ｎｍ以上５μｍ以下であってよく、より好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってよく、さらに好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってよい。
【００２３】
本発明に用いる基材の材質は特に限定はないが、例えば、ガラス、セラミック、金属、プラスチック、木材を例示できる。また、基材の形状も特に限定はなく、板状、球状を始め、あらゆる複雑形状のものに対応できる。
【００２４】
本発明における表面処理剤を基材にコートする方法としては、特に限定はないが、例えば、ドロップキャスト、はけ塗り、ディップコーティング、スピンコーティング、バーコーティング、流し塗り、スプレー塗装、ロール塗装、エアーナイフコーティング、ブレードコーティングなど通常知られている各種の方法を用いることが可能である。
【００２５】
本発明における表面処理剤を加温する方法としては、特に限定はないが、コート操作時の温度変化がない恒温室や恒温装置で行うことが好ましい。
【００２６】
本発明に用いる基材は、コート操作時の温度変化を低減するために、上記と同じく恒温室や恒温装置で予め加温することが好ましい。
【００２７】
本発明で行うブロック共重合体コート基材の乾燥は、ブロック共重合体の自己組織化によるミクロ相分離構造を安定に形成するために、上記と同じく恒温室や恒温装置で行うことが好ましい。また、減圧下で乾燥を行ってもよい。
【００２８】
本発明における温度応答性の性能とは、温度応答性ブロック共重合体を含む表面処理剤から調製された膜の表面濡れ性の変化であり、変化量が大きいほど性能が高い。表面濡れ性は、例えば、接触角で数値化することができる。
【実施例】
【００２９】
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら制限されるものではない。なお、断りのない限り、試薬は市販品を用いた。
【００３０】
＜基材表面の対水接触角＞
水中、４０℃および１５℃での気泡接触角（θ）（°）を測定し、４０℃および１５℃の対水接触角（１８０−θ）（°）を算出した。θは協和界面科学（株）製接触角計ＤＭ３００を用いて、水中、３μＬの気泡の接触角を測定した。
【００３１】
実施例１
［表面処理剤の調製］
Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）５０ｍｏｌ％とｎ−ブチルメタクリレート重合体５０ｍｏｌ％からなるブロック共重合体２０ｍｇにエタノールを２０ｇになるまで添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００３２】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。６０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に６０℃に加温した表面処理剤を１．０ｍＬ加え、６０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに６０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、６０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを６０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００３３】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は９°であり、コート方法のみが異なる比較例１および比較例２の結果と比べ、大きな値を示した。なお、表１において「表面処理剤の温度」とは、基材に添加する前に表面処理剤を加熱する温度を意味し、「コート後の熱アニール」とは、基材に表面処理剤をコートした後のアニーリング温度を意味する。
【００３４】
実施例２
［表面処理剤の調製］
Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）５０ｍｏｌ％とｎ−ブチルメタクリレート重合体３０ｍｏｌ％と２−メタクリロイルオキシエチルホスフォリルコリン重合体２０ｍｏｌ％からなるブロック共重合体２０ｍｇにエタノールを２０ｇになるまで添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体と２−メタクリロイルオキシエチルホスフォリルコリン重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００３５】
［基材の調製］
上記で合成した表面処理剤を用いたこと以外は、実施例１［基材の調製］と同様の方法で調製を行い、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体と２−メタクリロイルオキシエチルホスフォリルコリンからなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００３６】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は２８°であり、コート方法のみが異なる比較例３の結果と比べ、大きな値を示した。
【００３７】
実施例３
［表面処理剤の調製］
Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）５０ｍｏｌ％とｎ−ブチルメタクリレート重合体３１ｍｏｌ％とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ＬＣＳＴ＝４７℃）１９ｍｏｌ％からなるブロック共重合体２０ｍｇにエタノールを２０ｇになるまで添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００３８】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。４０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に４０℃に加温した表面処理剤を１．０ｍＬ加え、４０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに４０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、４０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを４０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００３９】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は２３°であり、コート方法のみが異なる比較例４および比較例５の結果と比べ、大きな値を示した。
【００４０】
実施例４
［表面処理剤の調製］
Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）４８ｍｏｌ％とｎ−ブチルアクリレート重合体３２ｍｏｌ％と２−メトキシエチルアクリレート重合体２０ｍｏｌ％からなるブロック共重合体２０ｍｇに２−メトキシエタノールを２０ｇになるまで添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルアクリレート重合体と２−メトキシエチルアクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００４１】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。６０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に６０℃に加温した表面処理剤を１．０ｍＬ加え、６０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに６０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、６０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを６０℃で９０分間静置することで乾燥し、さらに減圧乾燥することで、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルアクリレート重合体と２−メトキシエチルアクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００４２】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表４に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は１３°であり、コート方法のみが異なる比較例６の結果と比べ、大きな値を示した。
【００４３】
比較例１
［表面処理剤の調製］
実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００４４】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。２０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に加温していない２０℃の表面処理剤を１．０ｍＬ加え、２０℃で５分間静置した。加えた表面処理剤をパスツールピペットで回収し、２０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、２０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを２０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００４５】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は４°であった。
【００４６】
比較例２
［表面処理剤の調製］
実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００４７】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。２０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に加温していない２０℃の表面処理剤を１．０ｍＬ加え、２０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに２０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、２０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを６０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００４８】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は５°であった。
【００４９】
比較例３
［表面処理剤の調製］
実施例２［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体と２−メタクリロイルオキシエチルホスフォリルコリン重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００５０】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。６０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に加温していない２０℃の表面処理剤を１．０ｍＬ加え、２０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに２０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、２０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを２０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体と２−メタクリロイルオキシエチルホスフォリルコリン重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００５１】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は１９°であった。
【００５２】
比較例４
［表面処理剤の調製］
実施例３［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００５３】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。２０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に加温していない２０℃の表面処理剤を１．０ｍＬ加え、２０℃で５分間静置した。加えた表面処理剤をパスツールピペットで回収し、２０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、２０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを２０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００５４】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は１２°であった。
【００５５】
比較例５
［表面処理剤の調製］
実施例３［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００５６】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。６０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に６０℃に加温した表面処理剤を１．０ｍＬ加え、６０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに６０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、６０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを６０℃で９０分間静置することで乾燥し、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルメタクリレート重合体とＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００５７】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は１１°であった。
【００５８】
比較例６
［表面処理剤の調製］
実施例４［表面処理剤の合成］と同様の方法で、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルアクリレート重合体と２−メトキシエタノール重合体からなるブロック共重合体の０．１ｗｔ％表面処理剤を調製した。
【００５９】
［基材の調製］
ポリスチレン基材として、ＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）を使用。２０℃に加温したＩＷＡＫＩ組織培養用ディッシュ（φ６ｃｍ）に２０℃に加温した表面処理剤を１．０ｍＬ加え、２０℃で５分間静置した。乾いていない余分な表面処理剤をパスツールピペットで回収し、さらに２０℃で３０分間静置しディッシュ表面を乾燥させた後、２０℃の水で洗浄した。その後、上記ディッシュを２０℃で９０分間静置することで乾燥し、さらに減圧乾燥することで、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド重合体とｎ−ブチルアクリレート重合体と２−メトキシエチルアクリレート重合体からなるブロック共重合体をコートした基材を調製した。
【００６０】
［温度応答性の性能評価］
上記で調製した基材の４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表４に示す。４０℃と１５℃の対水接触角の変化量は５°であった。
【００６１】
【表１】
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【００６２】
【表２】
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【００６３】
【表３】
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【００６４】
【表４】
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