(57)【要約】      （修正有）【課題】バックコンタクト型の太陽電池セルを用いた、セル割れの発生を抑制する太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】太陽電池モジュール１は、太陽電池セル１１と、第１保護部材１２と、第２保護部材１３と、第１封止材１４Ａと、第２封止材１４Ｂとを備える。太陽電池セル１１は、半導体基板と、当該基板の裏面側に形成された電極（ｎ側電極およびｐ側電極）とを有するバックコンタクト型セルである。第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は、１５ＭＰａ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池セルと、
前記太陽電池セルの受光面側に設けられた第１保護部材と、
前記太陽電池セルと前記第１保護部材との間に設けられた第１封止材と、
を備え、
前記太陽電池セルは、半導体基板と、当該基板の裏面側に形成されたｎ側電極およびｐ側電極とを有するバックコンタクト型セルであり、
前記第１封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は１５ＭＰａ以下である、太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記太陽電池セルの裏面側に設けられた第２保護部材と、
前記太陽電池セルと前記第２保護部材との間に設けられた第２封止材と、
を備え、
前記第１封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は、前記第２封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ２）より低い、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第１封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）と前記第２封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ２）との比率（Ｇ１／Ｇ２）が０．７以下である、請求項２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記太陽電池セルは、
前記半導体基板の裏面上に、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記ｎ型半導体層はｎ型非晶質半導体層であり、
前記ｐ型半導体層はｐ型非晶質半導体層である、
請求項４に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記半導体基板は、その裏面に、
前記ｎ型半導体層と前記半導体基板との接合面に対応する第１領域と、
前記ｐ型半導体層と前記半導体基板との接合面に対応する第２領域と、
を有し、
前記ｎ側電極は、前記第１型領域上に形成され、
前記ｐ側電極は、前記第２型領域上に形成され、
前記ｎ側電極の幅は、前記第１領域の幅の８０％未満であり、
前記ｐ側電極の幅は、前記第２領域の幅の８０％未満である、
請求項４または５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記第１封止材は、架橋剤を含有するポリオレフィンである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記太陽電池セル、前記第１保護部材、前記第２保護部材、前記第１封止材、および前記第２封止材で構成される太陽電池パネルと、
前記太陽電池パネルの周縁が嵌め込まれる内溝を有するフレームと、
を備え、
前記内溝の高さが６ｍｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記第１保護部材は、３．２ｍｍ以上の厚みを有するガラス基板である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルとしては、シリコンウェーハ等の半導体基板の両面に電極が形成された構造が一般的であるが、半導体基板の裏面側のみに電極が形成された所謂バックコンタクト型セルも知られている。例えば、特許文献１には、ｎ側電極とｐ側電極とを分離する溝が、半導体基板の主面の内側領域よりも外周領域において各電極が離間する方向に広く形成されたバックコンタクト型セル、および当該セルを用いた太陽電池モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０４０７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、バックコンタクト型セルは、受光面側と裏面側とで形状が大きく異なり表裏非対称な構造を有するため、低荷重でセル割れが発生し易いという課題がある。バックコンタクト型セルを用いた太陽電池モジュールにおいて、例えば積雪等によりセルに荷重が作用すると、裏面の電極が起点となってセル割れが発生し易い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様である太陽電池モジュールは、太陽電池セルと、前記太陽電池セルの受光面側に設けられた第１保護部材と、前記太陽電池セルと前記第１保護部材との間に設けられた第１封止材とを備え、前記太陽電池セルは、半導体基板と、当該基板の裏面側に形成されたｎ側電極およびｐ側電極とを有するバックコンタクト型セルであり、前記第１封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は１５ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、バックコンタクト型の太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールにおいて、セル割れの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態の一例である太陽電池モジュールを構成する太陽電池パネルの断面図である。
【図２】実施形態の一例である太陽電池モジュールを構成するフレームおよびその近傍の断面図である。
【図３】実施形態の一例である太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルを裏面側から見た図である。
【図４】図３中のＡＡ線断面図である。
【図５】第１封止材の２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）と太陽電池パネルの耐荷重性との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、本開示の太陽電池モジュールの実施形態について詳細に説明する。実施形態の説明で参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【０００９】
図１および図２は、実施形態の一例である太陽電池モジュール１の断面図である。図１および図２に例示するように、太陽電池モジュール１は、太陽電池セル１１と、太陽電池セル１１の受光面側に設けられた第１保護部材１２と、太陽電池セル１１の裏面側に設けられた第２保護部材１３と、各保護部材の間に充填された封止材１４とを備える。封止材１４は、太陽電池セル１１と第１保護部材１２との間に設けられた第１封止材１４Ａと、太陽電池セル１１と第２保護部材１３との間に設けられた第２封止材１４Ｂとで構成される。詳しくは後述するが、太陽電池セル１１はバックコンタクト型セルであり、また第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は１５ＭＰａ以下である。
【００１０】
ここで、太陽電池セル１１の受光面とは、太陽光が主に入射（５０％超過〜１００％）する面を意味し、「裏面」とは受光面と反対側の面を意味する。本明細書では、太陽電池セル１１を構成する半導体基板３０等についても、受光面および裏面の用語を使用する。
【００１１】
太陽電池モジュール１は、太陽電池パネル１０のみで構成されてもよいが、本実施形態では、太陽電池パネル１０と、太陽電池パネル１０の周縁が嵌め込まれる内溝２３を有するフレーム２０とを備える。太陽電池パネル１０は、太陽電池セル１１、第１保護部材１２、第２保護部材１３、および封止材１４で構成される略平坦なパネルである。太陽電池パネル１０の厚みは、例えば６ｍｍ未満である。
【００１２】
フレーム２０は、中空の略角柱形状を有するフレーム本体２１と、フレーム本体２１の上面に立設した第１鉤部２２とを有する。フレーム本体２１の上面と第１鉤部２２との間には、太陽電池パネル１０の周縁を挿入可能な隙間である内溝２３が形成される。第１鉤部２２は、フレーム本体２１の外側から上方に真っ直ぐ延び、途中で内側に折れ曲がって断面略Ｌ字状に形成されている。
【００１３】
フレーム２０は、フレーム本体２１の下面に立設した第２鉤部２４を有していてもよく、フレーム本体２１の下面と第２鉤部２４との間に外溝２５が形成されていてもよい。外溝２５には、例えば屋根に設置される架台フレーム等に太陽電池モジュール１を固定するための金具が挿入される。第２鉤部２４は、フレーム本体２１の内側から下方に真っ直ぐ延び、途中で外側に折れ曲がって断面略Ｌ字状に形成されている。また、フレーム２０の下部には、太陽電池モジュール１の内側に張り出した内鍔２６が形成されていてもよい。
【００１４】
フレーム２０の内溝２３の高さｈ、すなわち太陽電池パネル１０の厚み方向に沿った長さは、６ｍｍ以下であることが好ましい。内溝２３の高さｈを６ｍｍ以下とすることで、太陽電池パネル１０とフレーム２０との隙間が小さくなってパネルが撓み難くなり、太陽電池セル１１に作用する荷重を低減できる。なお、太陽電池パネル１０と内溝２３との隙間には、シリコーン樹脂等が充填される。
【００１５】
太陽電池モジュール１は、一般的に複数の太陽電池セル１１を備える。複数の太陽電池セル１１は、例えば同一平面上に配置され、隣り合う太陽電池セル１１同士が配線材によって直列に接続されて太陽電池セル１１のストリングが形成される。太陽電池セル１１は、バックコンタクト型セルであるから、裏面側に配線材が取り付けられる。
【００１６】
図３は太陽電池セル１１を裏面側から見た図、図４は図３中のＡＡ線断面図である。図３および図４に例示するように、太陽電池セル１１は、半導体基板３０と、当該基板の裏面側に形成されたｎ側電極４０およびｐ側電極４５とを有する。ｎ側電極４０は、後述のｎ型半導体層３４からキャリアを収集する集電極である。ｐ側電極４５は、後述のｐ型半導体層３５からキャリアを収集する集電極である。
【００１７】
半導体基板３０には、ｎ型単結晶シリコンウェーハを用いることが好適である。半導体基板３０の厚みは、例えば５０〜３００μｍである。半導体基板３０の表面には、テクスチャ構造（図示せず）が形成されていることが好ましい。テクスチャ構造とは、表面反射を抑制して半導体基板３０の光吸収量を増大させるための表面凹凸構造であって、少なくとも受光面に形成されることが好ましく、受光面および裏面の両方に形成されてもよい。半導体基板はｎ型の導電性を有してもよく、ｐ型の導電性を有してもよい。
【００１８】
太陽電池セル１１は、半導体基板３０の受光面側に形成された保護層３１を有する。保護層３１は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等で構成される絶縁層であって、入射光の反射を抑制する反射防止層としても機能する。また、半導体基板３０と保護層３１との間には、基板の受光面側におけるキャリアの再結合を抑制するパッシベーション層３２が介在している。パッシベーション層３２は、例えば実質的に真性な非晶質シリコン（以下、「ｉ型非晶質シリコン」という場合がある）か、またはｉ型非晶質シリコンとｎ型非晶質シリコンとを、半導体基板３０の受光面からこの順に積層した積層構造として構成される。
【００１９】
太陽電池セル１１は、半導体基板３０の裏面側にそれぞれ形成されたｎ型半導体層３４と、ｐ型半導体層３５とを有する。ｎ型半導体層３４とｐ型半導体層３５とのそれぞれは、半導体基板３０の裏面に、櫛歯状に設けられる。ｎ型半導体層３４およびｐ型半導体層３５のそれぞれの櫛歯部は互いに間挿し合うように設けられ、それぞれの櫛歯部がα方向に交互に配列される構造を有する。
【００２０】
本実施形態では、ｎ型半導体層３４としてｎ型非晶質半導体層を使用する。ｎ型非晶質半導体層は、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉとｎ型非晶質シリコン層３４ｎとを、半導体基板３０の裏面から、この順番に積層した積層構造を有する。ｉ型非晶質シリコン層３４ｉは、半導体基板３０の裏面上に、裏面と接して設けられる。ｎ型非晶質シリコン層３４ｎは、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉ上に、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉと接して設けられる。一方、ｐ型半導体層３５としてｐ型非晶質半導体層を使用する。ｐ型非晶質半導体層は、ｉ型非晶質シリコン層３５ｉとｐ型非晶質シリコン層３５ｐとを、半導体基板の裏面から、この順番に積層した積層構造を有する。ｉ型非晶質シリコン層３５ｉは、半導体基板３０の裏面上に、裏面と接して設けられる。ｐ型非晶質シリコン層３５ｐは、ｉ型非晶質シリコン層３５ｉ上に、ｉ型非晶質シリコン層３５ｉと接して設けられる。
【００２１】
ｎ型半導体層３４およびｐ型半導体層３５は、上述のみに限定されるものではない。ｎ型半導体層３４およびｐ型半導体層３５のいずれか一方は、半導体基板３０との接合界面近傍において、少数キャリア密度を減少させ、それにより半導体基板３０との接合界面近傍における光キャリアの再結合を抑制するものである。また、ｎ型半導体層３４およびｐ型半導体層３５の前記一方とは異なる他方は、半導体基板３０との接合界面近傍に、ｐｎ接合を形成するものである。例えば、ｎ型半導体層３４としてｎ型結晶性シリコン層を使用することもでき、ｐ型半導体層３５としてｐ型結晶性シリコン層を使用することもできる。
【００２２】
本実施形態では、太陽電池セル１１は、半導体基板３０の裏面側に、絶縁層３７を有する。半導体基板３０は、裏面側に、ｎ型半導体層３４の上にｐ型半導体層３５がγ方向に重なる領域を有する。この重なる領域において、ｎ型半導体層３４とｐ型半導体層３５との間に、絶縁層３７が設けられる。絶縁層３７は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等で構成される絶縁層である。
【００２３】
半導体基板３０は、その裏面に、半導体基板３０とｎ型半導体層３４との接合面に対応する第１領域を有する。また、半導体基板３０は、その裏面に、半導体基板３０とｐ型半導体層３５との接合面に対応する第２領域を有する。第２領域は、半導体基板３０の裏面の、第１領域とは異なる領域である。第１領域および第２領域は、半導体基板の裏面の略全域に設けられる。第１領域と第２領域とのそれぞれは、半導体基板３０の裏面に、櫛歯状に設けられる。第１領域および第２領域のそれぞれの櫛歯部は互いに間挿し合うように設けられ、それぞれの櫛歯部がα方向に交互に配列される構造を有する。図４に示すとおり、第１領域の櫛歯部のα方向の幅をＷ１として、第２領域の櫛歯部のα方向の幅をＷ２とする。
【００２４】
図３および図４に例示するように、ｎ側電極４０は、ｎ型半導体層３４上に形成され、互いに略平行に延びる複数のフィンガー４１と、各フィンガー４１と略直交するバスバー４２とを有する。ｐ側電極４５は、ｐ型半導体層３５上に形成される。ｐ側電極４５は、ｎ側電極４０と同様に、複数のフィンガー４６と、バスバー４７とを有する。半導体基板３０の裏面上において、フィンガー４１，４６はβ方向に延び、バスバー４２，４７はα方向に延びている。
【００２５】
フィンガー４１，４６は、ストライプ状に形成された第１領域および第２領域に対応してα方向に交互に形成される。フィンガー４６は、フィンガー４１より幅広に形成されている。そして、ｎ側電極４０およびｐ側電極４５は、互いに接触することなく噛み合った平面視櫛歯形状を有し、それぞれストライプ状に形成される。バスバー４２，４７には、太陽電池セル１１同士を直列接続してモジュール化する際に配線材が取り付けられる。
【００２６】
本実施形態では、太陽電池セル１１は、さらに、ｎ型半導体層３４とｎ側電極４０の間に形成された透明導電層３８Ａと、ｐ型半導体層３５とｐ側電極４５の間に形成された透明導電層３８Ｂとを有する。透明導電層３８Ａ，３８Ｂは、絶縁層３７と基板の厚み方向（γ方向）に重なる位置に形成された溝３９によって互いに分離されている。透明導電層３８Ａ，３８Ｂは、例えば酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物に、タングステン（Ｗ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）等がドーピングされた透明導電性酸化物（ＩＷＯ、ＩＴＯ等）から構成される。
【００２７】
ｎ側電極４０およびｐ側電極４５は、導電性ペーストを用いて形成されてもよいが、好ましくは電解めっきにより形成される。ｎ側電極４０およびｐ側電極４５は、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属から構成され、Ｎｉ層とＣｕ層との積層構造であってもよく、耐食性を向上させるために最表面に錫（Ｓｎ）層を有していてもよい。ｎ側電極４０およびｐ側電極４５の厚みは、例えば１０μｍ〜６０μｍである。
【００２８】
ｎ側電極４０のフィンガー４１は、半導体基板３０の裏面の第１領域上に形成される。ｎ側電極４０のフィンガー４１の幅Ｗ３は、第１領域の幅Ｗ１の８０％未満であることが好ましく、より好ましくは６０％未満である。同様に、ｐ側電極４５のフィンガー４６は、半導体基板３０の裏面の第２領域上に形成される。ｐ側電極４５のフィンガー４６の幅Ｗ４は、第２領域の幅Ｗ２の８０％未満であることが好ましく、より好ましくは６０％未満である。ｎ側電極４０およびｐ側電極４５のフィンガー４１，４６の幅Ｗ３，Ｗ４は、各フィンガーの厚みの中間におけるα方向の幅である。この場合、フィンガー４１，４６のエッジが絶縁層３７と重ならない位置に形成され、当該エッジに沿った太陽電池セル１１の割れが発生し難くなる。なお、バスバー４２，４７についても、第１および第２領域の幅の８０％未満の幅でそれぞれ形成されることが好ましく、より好ましくは６０％未満である。
【００２９】
太陽電池セル１１は、上述のように、第１保護部材１２および第２保護部材１３に挟持され、各保護部材の間に充填された封止材１４によって封止されている。
【００３０】
第１保護部材１２には、例えばガラス基板、樹脂基板等の透光性を有する部材を用いることができる。これらのうち、耐火性、耐荷重性等の観点から、ガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板の厚みは、太陽電池セル１１に作用する荷重を低減してセル割れを抑制すべく、好ましくは３．２ｍｍ以上であり、より好ましくは４．０ｍｍ以上である。好適な厚み範囲の一例は、３．２ｍｍ〜５．５ｍｍである。
【００３１】
第２保護部材１３には、第１保護部材１２と同じ透明な部材を用いてもよいし、不透明な部材を用いてもよい。第２保護部材１３には、例えば第１保護部材１２に適用されるガラス基板よりも厚みが薄い樹脂シートを用いることができる。樹脂シートの材質は特に限定されないが、好ましくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。樹脂シートの厚みは特に限定されないが、好ましくは５０μｍ〜３００μｍである。
【００３２】
封止材１４は、上述の通り、太陽電池セル１１と第１保護部材１２との間に設けられた第１封止材１４Ａと、太陽電池セル１１と第２保護部材１３との間に設けられた第２封止材１４Ｂとで構成される。第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は、１５ＭＰａ以下である。第１封止材１４Ａおよび第２封止材１４Ｂは貯蔵弾性率が異なる樹脂で構成され、第１封止材１４Ａの貯蔵弾性率（Ｇ１）は第２封止材１４Ｂの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ２）より低いことが好ましい。Ｇ１≦１５ＭＰａとし、好ましくはＧ１＜Ｇ２とすることで、積雪等により太陽電池パネル１０が撓んだときに太陽電池セル１１に作用する荷重を低減でき、太陽電池セル１１の割れを抑制することができる。
【００３３】
貯蔵弾性率とは、歪みと同位相の弾性応力の比であって、複素弾性率の実数部で表される。貯蔵弾性率の数値が低いほど、樹脂は低弾性である。第１封止材１４Ａおよび第２封止材１４Ｂの貯蔵弾性率は、２５℃の温度条件下、動的粘弾性測定装置を用いて測定できる。
【００３４】
図５は、第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）が異なる太陽電池パネル１０の荷重耐性を示す。図５の縦軸である荷重耐性とは、第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）が１８．２ＭＰａの太陽電池パネル１０に荷重を徐々に加えて、当該太陽電池パネル１０の太陽電池セル１１に割れが発生したときの荷重（Ｚ０）を１として、２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）が１０．６ＭＰａの太陽電池パネル１０に荷重を徐々に加えて、当該太陽電池パネル１０の太陽電池セル１１が割れたときの荷重（Ｚ１）との荷重比（Ｚ１／Ｚ０）を示す。図５の通り、第１封止材１４Ａの貯蔵弾性率（Ｇ１）を低くすることで荷重耐性が向上する。第１封止材１４Ａの貯蔵弾性率（Ｇ１）が１８．２ＭＰａの場合よりも１０．６ＭＰａの場合の方が荷重耐性が高い。例えば、第１封止材１４Ａの２５℃の貯蔵弾性率（Ｇ１）は１５ＭＰａ以下であり、好ましくは１１ＭＰａ以下であり、更に好ましくは１０ＭＰａ以下である。
【００３５】
第１封止材１４Ａの貯蔵弾性率（Ｇ１）と第２封止材１４Ｂの貯蔵弾性率（Ｇ２）との比率（Ｇ１／Ｇ２）は、０．７以下であることが好ましい。上述の通り、第１封止材１４Ａの貯蔵弾性率（Ｇ１）は１５ＭＰａ以下であり、第２封止材１４Ｂの貯蔵弾性率（Ｇ２）は、例えばＧ１／Ｇ２≦０．７となるように設定される。この場合、太陽電池セル１１の割れをさらに抑制し易くなる。
【００３６】
第１封止材１４Ａを構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリオレフィン等が例示できる。中でも、架橋剤を含有するポリオレフィンが好適である。第２封止材１４Ｂを構成する樹脂は、Ｇ１＜Ｇ２の条件を満たすことができれば特に限定されない。第２封止材１４Ｂを構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が例示できる。
【００３７】
第１封止材１４Ａおよび第２封止材１４Ｂは、例えば厚みが１００μｍ〜１０００μｍの樹脂シートでそれぞれ構成される。太陽電池モジュール１は、配線材により接続された太陽電池セル１１のストリングを、第１保護部材１２、第２保護部材１３、第１封止材１４Ａを構成する樹脂シート、および第２封止材１４Ｂを構成する樹脂シートを用いてラミネートすることにより製造できる。
【００３８】
上記構成を備えた太陽電池モジュール１によれば、積雪等により太陽電池パネル１０が撓んだときに太陽電池セル１１に作用する荷重を低減でき、太陽電池セル１１の割れを抑制することができる。また、ｎ側電極４０およびｐ側電極４５を、それぞれｎ型およびｐ型領域の幅の８０％未満の幅で形成することにより、太陽電池セル１１に荷重が作用した場合でも電極を起点とするセル割れが発生し難くなる。
【符号の説明】
【００３９】
１  太陽電池モジュール、１０  太陽電池パネル、１１  太陽電池セル、１２  第１保護部材、１３  第２保護部材、１４  封止材、１４Ａ  第１封止材、１４Ｂ  第２封止材、２０  フレーム、２１  フレーム本体、２２  第１鉤部、２３  内溝、２４  第２鉤部、２５  外溝、２６  内鍔、３０  半導体基板、３１  保護層、３２  パッシベーション層、３４  ｎ型半導体層、３４ｉ  ｉ型非晶質シリコン層、３４ｎ  ｎ型非晶質シリコン層、３５  ｐ型半導体層、３５ｉ  ｉ型非晶質シリコン層、３５ｐ  ｐ型非晶質シリコン層、３７  絶縁層、３８Ａ，３８Ｂ  透明導電層、３９  溝、４０  ｎ側電極、４１，４６  フィンガー、４２，４７  バスバー、４５  ｐ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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