(57)【要約】【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、可撓性を有する基板と、基板上に設けられた窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む第１無機絶縁膜と、第１無機絶縁膜を分断するように設けられた第１溝部と、第１溝部に充填された第１シリコン含有膜と、を有し、第１溝部で囲まれた領域と重畳するように設けられた画素電極と、を有し、第１シリコン含有膜は、ポリシロキサン又はポリシラザンを含む。【選択図】図１
2018198166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板と、
前記基板上に設けられた窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む第１無機絶縁膜と、
前記第１無機絶縁膜を分断するように設けられた第１溝部と、
前記第１溝部に充填された第１シリコン含有膜と、
前記第１溝部で囲まれた領域と重畳するように設けられた画素電極と、を有し、
前記第１シリコン含有膜は、ポリシロキサン又はポリシラザンを含む、表示装置。
【請求項２】
前記画素電極の端部を覆うとともに、前記画素電極の上面の一部を露出する開口部を有するバンクと、
前記開口部を覆うように設けられた発光層を含む有機層と、
前記有機層及び前記バンクの一部を覆うように設けられた対向電極と、をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記第１溝部と平面的に見て重畳しない、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１シリコン含有膜と前記第１無機絶縁膜の境界では、互いの端部が重なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素電極と電気的に接続された画素回路と、
前記画素回路に映像信号を入力する信号線と、
前記映像信号が入力される前記画素回路を選択する走査線と、をさらに有し、
前記信号線と前記走査線とは、互いに交差する方向に延在し、
前記第１溝部は、前記信号線と重畳する領域と、前記走査線と重畳する領域と、に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１無機絶縁膜、及び前記第１シリコン含有膜の一部を覆うように設けられた窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む第２無機絶縁膜と、
前記第１シリコン含有膜と重畳する領域に設けられた第２無機絶縁膜を分断する第２溝部と、
前記第２溝部に充填された第２シリコン含有膜と、をさらに有し、
前記第２シリコン含有膜は、ポリシロキサン又はポリシラザンを含む、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２シリコン含有膜と前記第２無機絶縁膜との境界では、互いの端部が重なる、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１溝部と前記第２溝部とが平面的にみて重畳する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１シリコン含有膜の酸素の量は、前記第２シリコン含有膜に含まれる酸素の量と異なる、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１シリコン含有膜に含まれる酸素の量は、前記第２シリコン含有膜に含まれる酸素の量よりも多い、請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、折り曲げ可能な表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescence Display）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
近年、このような有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ表示装置では、プラスチック等のフレキシブルな樹脂基板に有機ＥＬ素子を設けた折り曲げ可能な表示装置が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８３６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような折り曲げ可能な表示装置を製造する際には、誘電体層やパッシベーション膜として、無機絶縁膜が用いられている。しかしながら、表示装置を折り曲げる際の曲げ半径が小さい場合、表示装置を構成する無機絶縁膜に、クラックや剥離が生じるおそれがある。無機絶縁膜にクラックや剥離が生じると、外部から侵入した水分や酸素により、有機ＥＬ素子が劣化し、表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
【０００６】
上記問題に鑑み、信頼性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、可撓性を有する基板と、基板上に設けられた窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む第１無機絶縁膜と、第１無機絶縁膜を分断するように設けられた第１溝部と、第１溝部に充填された第１シリコン含有膜と、を有し、第１溝部で囲まれた領域と重畳するように設けられた画素電極と、を有し、第１シリコン含有膜は、ポリシロキサン又はポリシラザンを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｈ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｉ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｊ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｋ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｌ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図４Ｍ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の平面図である。
【図４Ｎ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１１】
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面から封止膜に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明に係る表示装置について、図１乃至図４Ｎを参照して説明する。
【００１３】
［表示装置の構成］
図１に、本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域１０３における画素レイアウトの一例を示す。本明細書では、表示装置を画面（表示領域１０３）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。第１実施形態では、トップゲート型のトランジスタの構成について示す。
【００１４】
図１に、２行×３列の画素１０９を示す。図１には、画素１０９を構成する導電層及び半導体層を示しており、絶縁膜については図示を省略している。
【００１５】
図１において、表示領域１０３の一方向（ｘ方向）に対して、配線層２１３及び配線層２１５が配置されており、表示領域１０３の一方向と交差する方向（ｙ方向）に、配線層２１６及び配線層２１７が配置されている。また、配線層２１３及び配線層２１５と重なるように、半導体層２１１及び半導体層２１２が設けられている。半導体層２１１と配線層２１３とが重なる領域は、トランジスタ２１０のチャネル領域として機能し、半導体層２１２と配線層２１３とが重なる領域は、トランジスタ２２０のチャネル領域として機能する。また、トランジスタ２１０は、スイッチングトランジスタとして機能し、トランジスタ２２０は、駆動トランジスタとして機能する。配線層２１３は、トランジスタのゲート及び走査線として機能し、配線層２１５は、トランジスタのソース電極若しくはドレイン電極、信号線、又は電源線として機能する。また、配線層２１６及び配線層２１７は、トランジスタのソース電極若しくはドレイン電極、信号線、又は電源線として機能する。
【００１６】
半導体層２１１のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層２１７と接続されており、ソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層２１８が接続されている。また、半導体層２１２のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層２１５が接続されており、半導体層２１２のソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層２１９が接続されている。また、半導体層２１１は、導電層２１８を介して、導電層２１４と接続されている。
【００１７】
図２に、図１に示す画素レイアウト図のＡ１−Ａ２線に沿った断面図を示す。図２には、導電層及び半導体層だけでなく、絶縁膜についても示している。
【００１８】
基板１０１上には、半導体層２１２が設けられており、基板１０１及び半導体層２１２上には、ゲート絶縁膜２２１が設けられている。半導体層２１２は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化物半導体、又は有機半導体を用いることができる。また、ゲート絶縁膜２２１は、窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む無機絶縁膜で形成されており、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。
【００１９】
例えば、ゲート絶縁膜２２１などに用いられる無機絶縁膜は、水分や酸素を通しにくいという性質が有しているものの、硬い性質を有している。そのため、表示装置を折り曲げる際の曲げ半径が小さい場合、無機絶縁膜にクラックや剥離が生じる可能性がある。無機絶縁膜にクラックや剥離が生じると、外部から侵入した水分や酸素により、発光素子が劣化し、表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
【００２０】
よって、本実施形態では、表示装置に用いられる無機絶縁膜を、画素ごと、又は複数の画素ごとに分断する。そして、無機絶縁膜が分断された領域に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有し、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制できる、シリコン含有膜を充填する構成とする。
【００２１】
図２においては、ゲート絶縁膜２２１を、各画素１０９を分断するように、溝部２３０を設ける構成とする。また、溝部２３０において、シリコン含有膜２４１を充填する構成とする。
【００２２】
シリコン含有膜２４１としては、ポリシロキサン又はポリシラザンを用いることができる。ポリシロキサンとしては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＴＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＡＴＳ）を用いることができる。また、ポリシラザンとしては、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ又はＨＭＤＳＮ）、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、又はヘプタメチルジシラザンを用いることができる。
【００２３】
ゲート絶縁膜２２１に、各画素１０９を分断するように、溝部２３０を設けることにより、表示装置を折り曲げる際の曲げ半径が小さい場合であっても、ゲート絶縁膜２２１にクラックが生じることを抑制することができる。また、溝部２３０に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有するシリコン含有膜を充填することにより、表示装置を曲げる際の応力が集中することを緩和することができる。また、シリコン含有膜は、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
また、図２に示すように、シリコン含有膜２４１とゲート絶縁膜２２１との境界では、互いの端部が重なることが好ましい。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、シリコン含有膜２４１とゲート絶縁膜２２１との境界において、シリコン含有膜２４１が剥がれてしまうことを防止することができる。
【００２５】
半導体層２１２上には、ゲート絶縁膜２２１を介して導電層２１４が設けられている。半導体層２１２と、ゲート絶縁膜２２１と、導電層２１４により、容量が構成される。また、導電層２１４、ゲート絶縁膜２２１、及びシリコン含有膜の一部を覆うように、層間絶縁膜２２２が設けられている。層間絶縁膜２２２は、ゲート絶縁膜２２１と同様に、窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む無機絶縁膜で形成されており、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。
【００２６】
層間絶縁膜２２２においても、各画素１０９を分断するように、溝部２４０を設ける構成とすることが好ましい。また、図２に示すように、溝部２３０と溝部２４０とは重畳するように設けられている。また、溝部２４０において、シリコン含有膜２４２を充填する構成とする。シリコン含有膜２４２は、シリコン含有膜２４１と同様に、ポリシロキサン又はポリシラザンを使用することができる。
【００２７】
層間絶縁膜２２２に、各画素１０９を分断するように、溝部２４０を設けることにより、表示装置を折り曲げる際の曲げ半径が小さい場合であっても、層間絶縁膜２２２にクラックが生じることを抑制することができる。また、溝部２４０に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有し、シリコン含有膜を充填することにより、表示装置を曲げる際の応力が集中することを緩和することができる。また、シリコン含有膜は、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００２８】
本発明において、表示装置を構成する無機絶縁膜に対して、画素毎又は複数の画素毎に分断するように、溝部を設けることにより、無機絶縁膜にクラックが生じることを抑制することができる。よって、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２以外にも、下地膜やパッシベーション膜などにも、画素毎又は複数の画素毎に分断する溝部を設けることが可能である。また、溝部を充填するように、シリコン含有膜を設けることが好ましい。なお、本実施形態においては、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２の双方に、溝部を設ける構成を示したが、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２の少なくとも一方に溝部を設ける構成としてもよい。
【００２９】
また、図２に示すように、シリコン含有膜２４２と層間絶縁膜２２２との境界では、互いの端部が重なることが好ましい。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、シリコン含有膜２４２と層間絶縁膜２２２との境界において、シリコン含有膜２４２が剥がれてしまうことを防止することができる。
【００３０】
ここでは、シリコン含有膜２４１とシリコン含有膜２４２とがそれぞれ形成されているが、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２に設けられた溝部２３０に、一度にシリコン含有膜を充填する構成としても良い。その場合、ゲート絶縁膜２２１の端部及び層間絶縁膜２２２の端部と、シリコン含有膜の端部とが重なることが好ましい。
【００３１】
また、本実施形態では、溝部２３０と溝部２４０とが重畳する場合について示したが、本発明はこれに限定されない。溝部２３０と溝部２４０とは、重ならない領域を有していてもよい。例えば、島状のゲート絶縁膜２２１と重なる複数の画素と、島状の層間絶縁膜２２２と重なる複数の画素とは、同じ画素でなくてもよい。
【００３２】
また、シリコン含有膜２４１及びシリコン含有膜２４２は、成膜する際の酸素の流量によって、硬さを調節することができる。よって、シリコン含有膜２４１と、シリコン含有膜２４２とで、酸素の量が異なっていてもよい。例えば、シリコン含有膜２４１に含まれる酸素の量が、シリコン含有膜２４２に含まれる酸素の量よりも多くすることができる。
【００３３】
シリコン含有膜２４２上には、配線層２１６及び配線層２１７が設けられている。また、層間絶縁膜２２２、配線層２１６及び配線層２１７上には、平坦化膜２２３が設けられる。平坦化膜２２３は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。平坦化膜２２３は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁膜との積層構造を有してもよい。
【００３４】
平坦化膜２２３上には、絶縁膜２２４が設けられる。絶縁膜２２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましく、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることが好ましい。
【００３５】
絶縁膜２２４上には、画素電極２３１が設けられる。画素電極２３１は、溝部２３０又は溝部２４０によって囲まれた領域に設けられる。本実施形態の表示装置において、画素電極２３１は、発光素子を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極２３１は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、トップエミッション型である場合、画素電極２３１として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電膜（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、画素電極２３１として上述した透明導電膜を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００３６】
次に、図３に、図２に示す構成に加えて、絶縁膜、有機層、及び対向電極が設けられる場合の断面図を示す。
【００３７】
画素電極２３１の端部は、絶縁膜２２５によって覆われている。絶縁膜２２５は、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系などの樹脂材料を用いることができる。絶縁膜２２５は、画素電極２３１上の一部を露出するように開口部を有する。絶縁膜２２５は、互いに隣接する画素電極２３１の間に設けられると共に、画素電極２３１の端部（エッジ部）を覆い、隣接する画素電極２３１を隔離する部材として機能する。このため、絶縁膜２２５は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この絶縁膜２２５から露出された画素電極２３１の一部によって、発光素子２５０の発光領域が規定される。絶縁膜２２５の開口部は、内壁がテーパー形状となるように設けることが好ましい。これにより、後述する発光層の形成時に、画素電極２３１の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。また、平面視したときに、絶縁膜２２５の開口部は、溝部２３０又は溝部２４０と重畳しないように設けられている。
【００３８】
画素電極２３１上には、絶縁膜２２５の開口部を覆うように設けられた有機材料で構成された有機層２３２が設けられる。有機層２３２は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子の発光部として機能する。有機層２３２には、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種の電荷輸送層も含まれ得る。有機層２３２は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における絶縁膜２２５の開口部を覆うように設けられる。
【００３９】
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を有機層２３２に設け、各画素電極２３１上に異なる発光層を有する有機層２３２を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。つまり、本実施形態において、有機層２３２は、隣接する画素電極２３１の間では不連続である。なお、各種の電荷輸送層は隣接する画素電極２３１の間で不連続であっても良いし、連続であっても良い。有機層２３２には、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。また、有機層２３２は、白色光を発する発光層を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。この場合、有機層２３２は、絶縁膜２２５上にも設けられてもよい。
【００４０】
有機層２３２上及び絶縁膜２２５の一部を覆うように設けられた対向電極２３３が設けられる。対向電極２３３は、発光素子２５０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極２３３としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電膜（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。対向電極２３３は、各画素１０９間を跨いで絶縁膜２２５上にも設けられる。対向電極２３３は、表示領域１０３の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態では、絶縁膜２２５から露出した画素電極２３１の一部（アノード）、有機層２３２（発光部）及び対向電極２３３（カソード）によって発光素子２５０が構成される。
【００４１】
以上説明した通り、表示装置を構成する無機絶縁膜に対して、画素毎又は複数の画素毎に分断するように、溝部を設けることにより、無機絶縁膜にクラックが生じることを抑制することができる。また、溝部に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有するシリコン含有膜を充填することにより、表示装置を曲げる際の応力が集中することを緩和することができる。また、シリコン含有膜は、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
［表示装置の製造方法］
本実施形態に係る表示装置の製造方法について、図４Ａ乃至図４Ｎを参照して説明する。具体的には、画素回路の形成から発光素子までを形成する工程について説明する。図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅ、図４Ｇ、図４Ｉ、図４Ｋ、及び図４Ｍは、表示装置の平面図であり、図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆ、図４Ｈ、図４Ｊ、図４Ｌ、及び図４Ｎは、表示装置の平面図におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。
【００４３】
まず、基板１０１上に、半導体層２１１及び半導体層２１２を形成する。基板１０１として、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。可撓性を有する樹脂基板を用いることにより、表示装置を曲げ、又は折り曲げることが可能となる。また、基板１０１として、光を透過する材料であることが好ましい。また、半導体層２１１及び半導体層２１２として、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。
【００４４】
次に、半導体層２１１及び半導体層２１２上に、ゲート絶縁膜を成膜する。ゲート絶縁膜は、窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む無機絶縁膜であることが好ましい。ゲート絶縁膜として、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、酸化シリコン（ＳｉxＯy）、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz）、窒化酸化アルミニウム （ＡｌxＮyＯz）等の無機絶縁膜を用いて形成することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。
【００４５】
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ゲート絶縁膜を分断するように溝部２３０を形成する。溝部２３０は、表示領域１０３において、格子状になるように形成する。言い換えると、ゲート絶縁膜２２１を、島状にパターニングする。本実施形態では、画素ごとに、ゲート絶縁膜を島状にパターニングする場合について説明するが、本発明はこれに限定されない。例えば、複数の画素ごとに、ゲート絶縁膜を島状にパターニングしてもよい。
【００４６】
次に、図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、溝部２３０に、シリコン含有膜２４１を形成する。シリコン含有膜２４１は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＴＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＡＴＳ）などのポリシロキサンを用いることができる。また、シリコン含有膜２４１として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ又はＨＭＤＳＮ）、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、又はヘプタメチルジシラザンなどのポリシラザンを用いることができる。シリコン含有膜２４１をパターニングすることにより、シリコン含有膜２４１の端部は、ゲート絶縁膜２２１の端部と重なるように設けられる。
【００４７】
シリコン含有膜２４１は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。このとき、酸素ガスの流量によって、シリコン含有膜２４１の硬さを調節することができる。例えば、シリコンを含有するガスの流量に対して、酸素ガスの流量を少なくすることで、シリコン含有膜２４１は、硬い膜となり、シリコンを含有するガスの流量に対して、酸素ガスの流量を多くすることで、シリコン含有膜２４１は、柔らかい膜となる。
【００４８】
次に、シリコン含有膜２４１及びゲート絶縁膜２２１上に導電膜を成膜し、導電膜をパターニングする。これにより、図４Ｅ及び図４Ｆに示すように、シリコン含有膜２４１上に、配線層２１３を形成し、ゲート絶縁膜２２１上に導電層２１４を形成することができる。配線層２１３及び導電層２１４は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料、又は合金材料で形成することができる。
【００４９】
次に、配線層２１３及びゲート絶縁膜２２１上に、層間絶縁膜を成膜する。層間絶縁膜は、窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む無機絶縁膜であることが好ましい。層間絶縁膜として、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz）、窒化酸化アルミニウム （ＡｌxＮyＯz）等の無機絶縁膜などを用いて形成することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。ここで用いられる層間絶縁膜は、ガスバリア性を考慮して、少なくとも窒素を含むことが好ましい。
【００５０】
次に、図４Ｇ及び図４Ｈに示すように、層間絶縁膜を分断するように溝部２４０を形成する。溝部２４０は、表示領域１０３において、格子状になるように形成する。言い換えると、層間絶縁膜を、島状にパターニングする。これにより、島状の層間絶縁膜２２２が形成される。本実施形態では、画素ごとに、層間絶縁膜を島状にパターニングする場合について説明するが、本発明はこれに限定されない。例えば、複数の画素ごとに、層間絶縁膜を島状にパターニングしてもよい。
【００５１】
本実施形態では、島状の層間絶縁膜２２２が形成される領域と、ゲート絶縁膜２２１が形成される領域とが略同じ面積となる例を示したが、本発明はこれに限定されない。島状のゲート絶縁膜２２１が形成される領域と、島状の層間絶縁膜２２２が形成される領域とが、異なる面積であってもよい。
【００５２】
次に、図４Ｉ及び図４Ｊに示すように、溝部２４０に、シリコン含有膜２４２を形成する。シリコン含有膜２４２は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＴＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＡＴＳ）などのポリシロキサンを用いることができる。また、シリコン含有膜２４１として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ又はＨＭＤＳＮ）、１,１,３,３−テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、又はヘプタメチルジシラザンなどのポリシラザンを用いることができる。
【００５３】
次に、層間絶縁膜２２２及びゲート絶縁膜２２１に、半導体層２１２及び半導体層２１２に達するコンタクトホールを形成する。その後、シリコン含有膜２４２及び層間絶縁膜２２２上に、導電膜を成膜し、導電膜をパターニングする。これにより、図４Ｋ及び図４Ｌに示すように、シリコン含有膜２４２上に、配線層２１６及び配線層２１７を形成し、層間絶縁膜２２２上に導電層２１８及び導電層２１９を形成することができる。
【００５４】
また、配線層２１７は、半導体層２１１のソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、導電層２１８は、半導体層２１１のソース領域又はドレイン領域の他方と接続される。また、導電層２１８は、半導体層２１２のソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、導電層２１９は、半導体層２１２のソース領域又はドレイン領域の他方と接続される。また、配線層２１６、配線層２１７、導電層２１８、及び導電層２１９は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料又は合金材料で形成することができる。
【００５５】
次に、シリコン含有膜２４２、配線層２１６、及び配線層２１７上に、平坦化膜２２３を形成する。平坦化膜２２３は、平坦化膜２２３は、有機樹脂材料を用いて形成する。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。
【００５６】
次に、平坦化膜２２３上に、絶縁膜２２４を形成する。絶縁膜２２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましく、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁膜２２４を、画素１０９を分断するように、溝部を形成する。これにより、後に形成される絶縁膜２２５形成後の熱処理を通じて、平坦化膜２２３から脱離する水分や脱ガスを、絶縁膜２２５に設けられた溝部を通じて放出することができる。
【００５７】
次に、絶縁膜２２４及び平坦化膜２２３に、導電層２１９まで達するコンタクトホールを形成する。次に、図４Ｍ及び図４Ｎに示すように、絶縁膜２２４上に、画素電極２３１を形成する。画素電極２３１は、溝部２３０又は溝部２４０に囲まれた領域と重畳するように形成する。なお、図４Ｍには、溝部２４０と画素電極２３１との位置関係を示すため、溝部２４０を図示している。また、本実施形態の表示装置は、トップエミッション型であるため、画素電極２３１として反射率の高い金属膜と、酸化インジウム系透明導電膜（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電膜（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電膜との積層構造を用いる。
【００５８】
次に、画素電極２３１上に、絶縁膜を成膜し、パターニングすることで、バンクとして機能する絶縁膜２２５を形成する。絶縁膜２２５には、画素電極２３１上の一部を露出するように開口部を形成する。絶縁膜２２５としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系などの樹脂材料を用いることができる。
【００５９】
次に、画素電極２３１上に、絶縁膜２２５の開口部を覆うように有機層２３２を形成する。有機層２３２は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子２５０の発光部として機能する。有機層２３２には、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種の電荷輸送層も含まれ得る。有機層２３２は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における絶縁膜２２５の開口部を覆うように形成する。
【００６０】
次に、有機層２３２上及び絶縁膜２２５の一部を覆うように対向電極２３３を形成する。対向電極２３３は、発光素子２５０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置は、トップエミッション型であるため、対向電極２３３としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電膜（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。対向電極２３３は、各画素１０９間を跨いで絶縁膜２２５上にも設けられる。対向電極２３３は、表示領域１０３の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態では、絶縁膜２２５から露出した画素電極２３１の一部（アノード）、有機層２３２（発光部）及び対向電極２３３（カソード）によって発光素子２５０が構成される。
【００６１】
以上の工程により、本実施形態に係る表示装置を製造することができる。
【００６２】
以上説明した通り、本実施形態に係る表示装置を構成する無機絶縁膜に対して、画素毎又は複数の画素毎に分断するように、溝部を設けることにより、無機絶縁膜にクラックが生じることを抑制することができる。また、溝部に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有し、シリコン含有膜を充填することにより、表示装置を曲げる際の応力が集中することを緩和することができる。また、シリコン含有膜は、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００６３】
なお、上述した表示装置の製造方法において、シリコン含有膜２４１と、シリコン含有膜２４２とを成膜する際に、酸素の流量を異ならせてもよい。つまり、シリコン含有膜２４１を成膜する際には、シリコンを含有するガスの流量に対して、酸素ガスの流量を多くし、シリコン含有膜２４１を成膜する際には、シリコンを含有するガスの流量に対して、酸素ガスの流量を少なくしてもよい。これにより、シリコン含有膜２４１に含まれる酸素の量は、シリコン含有膜２４２に含まれる酸素の量よりも多くなる。また、シリコン含有膜２４１は、シリコン含有膜２４２よりも柔らかい膜となる。
【００６４】
（第２実施形態）
図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。なお、第１実施形態と同様の構成については、その説明を省略する。
【００６５】
図５に示すように、表示装置１００は、絶縁表面上に形成された、表示領域１０３と、周辺領域１１０に設けられた走査線駆動回路１０４と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。表示領域１０３には、有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置されている。また、表示領域１０３の周囲を周辺領域１１０が取り囲んでいる。なお、周辺領域１１０とは、基板１０１の、表示領域１０３を除く領域をいう。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４に信号を与える制御部として機能する。そして、ドライバＩＣ１０６内には、データ線駆動回路が組み込まれている。また、ドライバＩＣ１０６は、フレキシブルプリント基板１０８上に設けて外付けされているが、基板１０１上に配置されてもよい。フレキシブルプリント基板１０８は、周辺領域１１０に設けられた端子１０７と接続される。
【００６６】
ここで、絶縁表面は、基板１０１の表面である。基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層などの各層を支持する。基板１０１として、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。可撓性を有する樹脂基板を用いることにより、表示装置を折り曲げることが可能となる。また、基板１０１として、光を透過する材料であることが好ましい。また、対向基板１０２も、基板１０１と同様の基板を使用することができる。
【００６７】
図５に示す表示領域１０３には、複数の画素１０９が、互いに交差するに方向（例えば、互いに直交するｘ方向及びｙ方向）に沿うようにマトリクス状に配置される。各画素１０９は、画素電極と、該画素電極の一部（アノード）、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）及び陰極（カソード）からなる発光素子と、画素電極と電気的に接続された画素回路と、を含む。各画素回路には、データ線駆動回路から信号線を介して画像データに応じた映像信号が与えられる。また、各画素回路には、走査線駆動回路から走査線を介して、各画素回路を選択する信号が与えられる。これらの信号により、トランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。信号線と、走査線とは、互いに交差する方向に延在する。なお、先の実施形態で説明した溝部２３０又は溝部２４０は、信号線と重畳する領域と、走査線と重畳する領域と、に設けられることが好ましい。
【００６８】
図６に、図５に示す表示装置において、表示領域１０３、周辺領域１１０、及び端子１０７それぞれの断面図を示す。
【００６９】
図６において、表示領域１０３として、画素１０９の一部を示している。画素１０９は、トランジスタ２２０と、トランジスタ２２０と電気的に接続された、発光素子２５０と、を有している。トランジスタ２２０としては、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を示している。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。また、トランジスタ２２０は、ｎチャネル型トランジスタであってもよいし、ｐチャネル型トランジスタであってもよい。
【００７０】
また、図６に示すように、トランジスタ２２０は、導電層１８１Ａを介して、画素電極２３１と接続されていてもよい。また、平坦化膜２２３上に導電層１８２と、導電層１８２上に絶縁膜２２４と、絶縁膜２２４上に画素電極２３１を設けることにより、付加容量を構成することができる。導電層１８２は、配線層２１５と同じ工程で形成することができる。なお、平坦化膜２２３に開口部を設け、開口部に導電層１８１Ａ、１８１Ｂを設けることにより、導電層１８２及び配線層２１５の形成時に、導電層２１９を保護することができる。
【００７１】
周辺領域１１０に、走査線駆動回路１０４が有するトランジスタ２６０と、いわゆる陰極コンタクトと、を示している。トランジスタ２６０は、トランジスタ２２０と同様に、薄膜トランジスタを用いることができる。また、トランジスタ２６０は、ｎチャネル型トランジスタであってもよいし、ｐチャネル型トランジスタであってもよい。また、陰極コンタクトとは、対向電極２３３と、導電層１８５と、が接続された領域をいう。導電層１８５は、導電層１８１Ａ、１８１Ｂと同じ工程で形成することができる。導電層１８５は、さらに下層の導電層と接続されていてもよい。
【００７２】
表示領域１０３及び周辺領域１１０において、対向電極２３３上に、封止膜が設けられている。
【００７３】
表示領域１０３及び周辺領域１１０上には、封止膜１４０を設けることが好ましい。封止膜１４０は、水や酸素が侵入することを防止するために設ける。封止膜１４０は、無機絶縁材料と有機絶縁材料とを、組み合わせて設けることができる。図５では、封止膜１４０として、無機絶縁膜１３１、有機絶縁膜１３２、及び無機絶縁膜１３３を設ける例を示している。表示領域１０３上に封止膜を設けることにより、発光素子２５０に水や酸素が侵入することを防止することができる。
【００７４】
無機絶縁膜１３１及び無機絶縁膜１３３として、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz）、窒化酸化アルミニウム （ＡｌxＮyＯz）等の膜などを用いて形成することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。無機絶縁膜１３１の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましく、無機絶縁膜１３３の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。無機絶縁膜１３１及び無機絶縁膜１３３の膜厚を、上記の膜厚で設けることにより、発光素子２５０に、水や酸素が侵入することを防止することができる。また、有機絶縁膜１３２として、有機絶縁膜１３２として、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。有機絶縁膜１３２の膜厚は、５μｍ以上１５μｍ以下とすることが好ましい。
【００７５】
なお、無機絶縁膜１３１及び無機絶縁膜１３３は、先の実施形態で説明した膜厚が薄い領域がそれぞれ設けられているが、図５においては、図示を省略している。
【００７６】
無機絶縁膜１３３上には、充填材１３５が設けられている。充填材１３５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、充填材１３５には、基板１０１と対向基板１０２との間の間隙を確保するためにスペーサを設けてもよい。このようなスペーサは、充填材１３５に混ぜてもよいし、基板１０１上に樹脂等により形成してもよい。
【００７７】
対向基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。有機層２３２が白色光を出射する場合、対向基板１０２には、主面（基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色にそれぞれ対応するカラーフィルタ、及びカラーフィルタ間に設けられたブラックマトリクスが設けられていてもよい。対向基板１０２側にカラーフィルタを形成しない場合は、例えば、無機絶縁膜１３３上などに直接カラーフィルタを形成し、その上から充填材１３５を形成すればよい。なお、有機絶縁膜１３２は平坦化作用があり、有機絶縁膜１３２よりも上層の各層は平らに形成される。そのため、有機絶縁膜１３２は発光素子２５０上では厚く、絶縁膜２２５上では薄くなる。
【００７８】
図６において、導電層２３４と、導電層１８６と、によって、端子１０７が構成される。半導体層１８７は、半導体層２１１及び半導体層２１２と同じ工程で形成される膜である。導電層２３４は、導電層２１９と、同じ工程で形成される膜である。また、導電層１８６は、導電層１８１と、同じ工程で形成される膜である。また、端子１０７の下層には、半導体層１８７が残っていても良い。
【００７９】
図６に示す表示装置では、基板１０１上に、下地膜として絶縁膜１８８が設けられている。絶縁膜１８８として、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２と同様に、窒素及び酸素の少なくとも一つと、シリコンと、を含む無機絶縁膜で形成されており、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。絶縁膜１８８は、基板１０１との密着性向上、外部からの水分及び不純物をブロックする機能などを有している。絶縁膜１８８も無機絶縁膜が用いられているため、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２と同様に、画素毎又は複数の画素ごとに、溝部を設け、溝部をシリコン含有膜で充填する構成とすることが好ましい。
【００８０】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態に示す画素レイアウトとは、異なる画素レイアウトについて、図７乃至図９を参照して説明する。第３実施形態では、ボトムゲート型のトランジスタの構成について示す。なお、第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成については、同じ符号で説明するとして、詳細な説明は省略する。
【００８１】
図７に、２行×３列の画素１０９を示す。図７には、画素１０９を構成する導電層及び半導体層を示しており、絶縁膜については図示を省略している。
【００８２】
図７において、表示領域１０３の一方向（ｘ方向）に対して、配線層２１３が配置されており、表示領域１０３の一方向（ｙ方向）と交差する方向（ｙ方向）に、配線層２１７が配置されている。配線層２１３上には、半導体層２１１が設けられている。一方、配線層２１３と同層に導電層２１４が設けられており、導電層２１４上には、半導体層２１２が設けられている。配線層２１５２１３と半導体層２１１とが重なる領域は、トランジスタ２１０のチャネル領域として機能する。導電層２１４と半導体層２１２とが重なる領域は、トランジスタ２２０のチャネル領域として機能する。また、配線層２１３は、トランジスタ２１０のゲート電極及びゲート線として機能し、配線層２１７は、トランジスタ２１０のソース電極又はドレイン電極、及び信号線として機能する。導電層２１４は、トランジスタ２２０のゲート電極として機能し、配線層２５１は、配線層２１５に接続されると共に、トランジスタ２２０のソース電極又はドレイン電極として機能する。
【００８３】
半導体層２１１のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層２１７と接続されており、ソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層２１９が接続されている。半導体層２１２のソース領域又はドレイン領域の一方は、配線層２５１と接続されており、ソース領域又はドレイン領域の他方は、導電層２１９が接続されている。また、導電層２１９は、画素電極２３１と接続されている。
【００８４】
図８に、図７に示す画素レイアウト図のＢ１−Ｂ２線に沿った断面図を示す。図８には、導電層及び半導体層だけでなく、絶縁膜についても示している。
【００８５】
基板１０１には、ゲート絶縁膜２２１が設けられている。ゲート絶縁膜２２１において、各画素１０９に分断するように、溝部２３０が設けられている。また、溝部２３０において、シリコン含有膜２４１が充填されている。
【００８６】
シリコン含有膜２４１上には、配線層２１７が設けられている。また、シリコン含有膜２４１の一部、ゲート絶縁膜２２１、及び配線層２１７を覆うように、層間絶縁膜２２２が設けられている。層間絶縁膜２２２において、各画素１０９に分断するように、溝部２４０が設けられている。また、溝部２４０において、シリコン含有膜２４２が充填されている。層間絶縁膜２２２上には、画素電極２３１が設けられている。また、溝部２３０と溝部２４０とは重畳するように設けられている。
【００８７】
図９に、図７に示す画素レイアウト図において、層間絶縁膜２２２及びシリコン含有膜２４２を付加した図を示す。
【００８８】
層間絶縁膜２２２上には、画素電極２３１が設けられている。また、画素電極２３１は、層間絶縁膜２２２のコンタクトホールを介して、導電層２１９と接続されている。また、画素電極２３１は、溝部２４０によって囲まれた領域に設けられる。また、図示しないが、画素電極２３１は、溝部２３０によって囲まれた領域に設けられていてもよい。
【００８９】
図７乃至図９に示すように、ゲート絶縁膜２２１に、各画素１０９を分断するように、溝部２３０を設け、層間絶縁膜２２２に、各画素１０９を分断するように、溝部２４０を設ける。これにより、表示装置を折り曲げる際の曲げ半径が小さい場合であっても、ゲート絶縁膜２２１及び層間絶縁膜２２２にクラックが生じることを抑制することができる。また、溝部２３０及び溝部２４０に、無機絶縁膜よりも柔らかい性質を有し、シリコン含有膜を充填することにより、表示装置を曲げる際の応力が集中することを緩和することができる。また、シリコン含有膜は、有機絶縁膜よりも水分や酸素の透過を抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００９０】
本発明に係る実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
【００９１】
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書等の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９２】
１００：表示装置、１０１：基板、１０２：対向基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント基板、１０９：画素、１１０：周辺領域、１３１：無機絶縁膜、１３２：有機絶縁膜、１３３：無機絶縁膜、１３５：充填材、１４０：封止膜、１８１Ａ：導電層、１８１Ｂ：導電層、１８２：導電層、１８５：導電層、１８６：導電層、１８７：半導体層、１８８：絶縁膜、２１０：トランジスタ、２１１：半導体層、２１２：半導体層、２１３：配線層、２１４：導電層、２１５：配線層、２１６：配線層、２１７：配線層、２１８：導電層、２１９：導電層、２２０：トランジスタ、２２１：ゲート絶縁膜、２２２：層間絶縁膜、２２３：平坦化膜、２２４：絶縁膜、２２５：絶縁膜、２３０：溝部、２３１：画素電極、２３２：有機層、２３３：対向電極、２３４：導電層、２４０：溝部、２４１：シリコン含有膜、２４２：シリコン含有膜、２５０：発光素子、２５１：配線層、２６０：トランジスタ
【図１】
2018198166.tif 000003
【図２】
2018198166.tif 000004
【図３】
2018198166.tif 000005
【図４Ａ】
2018198166.tif 000006
【図４Ｂ】
2018198166.tif 000007
【図４Ｃ】
2018198166.tif 000008
【図４Ｄ】
2018198166.tif 000009
【図４Ｅ】
2018198166.tif 000010
【図４Ｆ】
2018198166.tif 000011
【図４Ｇ】
2018198166.tif 000012
【図４Ｈ】
2018198166.tif 000013
【図４Ｉ】
2018198166.tif 000014
【図４Ｊ】
2018198166.tif 000015
【図４Ｋ】
2018198166.tif 000016
【図４Ｌ】
2018198166.tif 000017
【図４Ｍ】
2018198166.tif 000018
【図４Ｎ】
2018198166.tif 000019
【図５】
2018198166.tif 000020
【図６】
2018198166.tif 000021
【図７】
2018198166.tif 000022
【図８】
2018198166.tif 000023
【図９】
2018198166.tif 000024