(57)【要約】      （修正有）【課題】溶接中のローラ電極が別のパッケージに接触してしまう可能性を低減する。【解決手段】駆動機構制御部は、パッケージと蓋とからなるワークに対して、溶接開始時に蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの２辺の第１の位置にローラ電極１０ａ，１０ｂを接触させ、第１の停止時間維持した後に、ローラ電極１０ａ，１０ｂを２辺に接触させながら移動させ、２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの２辺の第２の位置にローラ電極１０ａ，１０ｂが到達した時点でローラ電極１０ａ，１０ｂを停止させ、第２の停止時間の後にローラ電極１０ａ，１０ｂを上昇させる。電源制御部は、第１の停止時間、ローラ電極１０ａ，１０ｂが移動している期間、第２の停止時間のそれぞれについて個別に定められた溶接電流を電源からローラ電極１０ａ，１０ｂに供給させる。【選択図】図２
2018144087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対のローラ電極と、
パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して前記１対のローラ電極を移動させる駆動機構と、
前記１対のローラ電極に溶接電流を供給する電源と、
前記駆動機構を制御する第１の制御部と、
前記電源を制御する第２の制御部とを備え、
前記第１の制御部は、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に前記１対のローラ電極を接触させ、この接触の状態を第１の停止時間維持した後に、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら移動させ、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を停止させ、第２の停止時間の後に前記１対のローラ電極を上昇させ、
前記第２の制御部は、前記第１の停止時間、前記１対のローラ電極が移動している期間、前記第２の停止時間のそれぞれについて個別に定められた溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給させることを特徴とするシーム溶接装置。
【請求項２】
１対のローラ電極と、
パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して前記１対のローラ電極を移動させる駆動機構と、
前記１対のローラ電極に溶接電流を供給する電源と、
前記駆動機構を制御する第１の制御部と、
前記電源を制御する第２の制御部とを備え、
前記第１の制御部は、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に前記１対のローラ電極を接触させ、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら第１の速度、この第１の速度よりも早い第２の速度、この第２の速度よりも遅い第３の速度で順次移動させ、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を上昇させ、
前記第２の制御部は、前記第１の速度の期間、前記第２の速度の期間、前記第３の速度の期間のそれぞれについて個別に定められた溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給させることを特徴とするシーム溶接装置。
【請求項３】
パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に１対のローラ電極を接触させる第１のステップと、
第１の停止時間の間、第１の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第２のステップと、
前記第１の停止時間の後に、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら移動させる第３のステップと、
前記１対のローラ電極の移動中に第２の溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給する第４のステップと、
前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を停止させる第５のステップと、
第２の停止時間の間、第３の溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給する第６のステップと、
前記第２の停止時間の後に前記１対のローラ電極を上昇させる第７のステップとを含むことを特徴とするシーム溶接方法。
【請求項４】
パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に１対のローラ電極を接触させる第１のステップと、
前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら第１の速度で移動させる第２のステップと、
前記第１の速度の期間中に第１の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第３のステップと、
前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら、前記第１の速度よりも早い第２の速度で移動させる第４のステップと、
前記第２の速度の期間中に第２の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第５のステップと、
前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら、前記第２の速度よりも遅い第３の速度で移動させる第６のステップと、
前記第３の速度の期間中に第３の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第７のステップと、
前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を上昇させる第８のステップとを含むことを特徴とするシーム溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ、水晶振動子等の回路素子の容器に蓋を溶接するシーム溶接装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、水晶振動子等の回路素子の封止作業は、パッケージにこれらの回路素子を収納して、配線や試験調整作業を行った後の最終製造工程として行われる。封止方法としては、樹脂封止、気密封止などがある。
気密封止法は、金属又はセラミックスのパッケージの中に素子を収納固定し、乾燥した不活性ガス雰囲気中でリッド（蓋）をかぶせて素子を完全に密封する方法である。この気密封止法によれば、水分などの不純物の侵入がなく、また局所加熱による封止なので、熱応力の影響も少なく樹脂封止に比べて高い封止信頼性を得ることができる。
【０００３】
この気密封止法のひとつであるシーム溶接法を用いて、パッケージにリッドを溶接するシーム溶接装置がある。このシーム溶接装置は、円板状のローラ電極によってワークに圧力を加えながら電流を流すことにより、発生するジュール熱によってワークを溶融させて接合を得るものである。
図５はシーム溶接装置によるシーリング作業を説明する図である。シーム溶接装置は、円板状のローラ電極１０ａ，１０ｂと、ローラ電極１０ａ，１０ｂに給電する導電シャフト１１ａ，１１ｂと、導電シャフト１１ａ，１１ｂに給電する電極ホルダ１２ａ，１２ｂと、電極ホルダ１２ａ，１２ｂを保持する電極保持アーム１３ａ，１３ｂとを備えている。図５における１４はＩＣや水晶振動子等のチップ、１５はチップ１４を収納する例えばセラミック製のパッケージ、１６は金属製のリッド（蓋）である。
【０００４】
このシーム溶接装置は、リッド１６にローラ電極１０ａ，１０ｂを所定の圧力下で接触させる。そして、パッケージ１５を載置した図示しないトレイあるいは電極保持アーム１３ａ，１３ｂを移動させながら、給電ブロック１２ａ、導電シャフト１１ａ、ローラ電極１０ａ、リッド１６、ローラ電極１０ｂ、導電シャフト１１ｂ、給電ブロック１２ｂという経路で電流を流すことにより、リッド１６がパッケージ１５に溶接される。
【０００５】
そして、図６（Ａ）に示す状態でリッド１６の２辺の溶接が終了すると、ローラ電極１０ａ，１０ｂを一旦上昇移動させて電極間隔を調整すると共にパッケージ１５を図５（Ｂ）に示すように水平面内にて９０°回転させた後、再びローラ電極１０ａ，１０ｂを下降させてリッド１６の他の２辺を溶接する。
【０００６】
以上のようなシーム溶接装置では、所要の気密性を確保するために、平面視略四角形のリッド１６の４つの角部の溶接を強くし、安定したものにする必要がある。このため、図７に示すように溶接の始めと終わりをリッド１６の実際の長さより伸ばした長い範囲でローラ電極１０ａ，１０ｂを移動させて溶接を行っている。つまり、リッド１６の角部からはみ出した位置で溶接を開始し、ローラ電極１０ａ，１０ｂの進行方向にある別の角部からはみ出した位置で溶接を終了しなければならない。通常、このはみ出し部分をオーバラップと呼んでいる。
【０００７】
近年、図８に示すように、多数のパッケージ１５をトレイ１７上にマトリクス状に載置して、個々のパッケージ１５のシーム溶接を行う製造方法が時代の要請と共に出現してきた。このような方法では、パッケージ間の距離が短いために、上記のようなオーバラップが存在すると、１個のパッケージ１５を溶接中のローラ電極が、隣接する別のパッケージ１５に接触してしまうという問題点があった。
【０００８】
そこで、出願人は、オーバラップを０にしたシーム溶接装置を実現し、溶接中のローラ電極が別のパッケージに接触してしまう可能性を低減することを提案した（特許文献１参照）。しかしながら、近年のパッケージの小型化（例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度）に伴って、パッケージ間の距離が狭まり、オーバラップを０にした場合でも、溶接中のローラ電極が別のパッケージに接触してしまう可能性が増大した。接触を避けるためには、パッケージ間の距離を離す必要があるので、パッケージをトレイ上に高密度に配置できないという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１７５７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、溶接対象のパッケージが高密度配置されている場合でも、溶接中のローラ電極が別のパッケージに接触してしまう可能性を低減することができるシーム溶接装置およびシーム溶接方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のシーム溶接装置は、１対のローラ電極と、パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して前記１対のローラ電極を移動させる駆動機構と、前記１対のローラ電極に溶接電流を供給する電源と、前記駆動機構を制御する第１の制御部と、前記電源を制御する第２の制御部とを備え、前記第１の制御部は、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に前記１対のローラ電極を接触させ、この接触の状態を第１の停止時間維持した後に、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら移動させ、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を停止させ、第２の停止時間の後に前記１対のローラ電極を上昇させ、前記第２の制御部は、前記第１の停止時間、前記１対のローラ電極が移動している期間、前記第２の停止時間のそれぞれについて個別に定められた溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給させることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明のシーム溶接装置は、１対のローラ電極と、パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して前記１対のローラ電極を移動させる駆動機構と、前記１対のローラ電極に溶接電流を供給する電源と、前記駆動機構を制御する第１の制御部と、前記電源を制御する第２の制御部とを備え、前記第１の制御部は、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に前記１対のローラ電極を接触させ、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら第１の速度、この第１の速度よりも早い第２の速度、この第２の速度よりも遅い第３の速度で順次移動させ、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を上昇させ、前記第２の制御部は、前記第１の速度の期間、前記第２の速度の期間、前記第３の速度の期間のそれぞれについて個別に定められた溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給させることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明のシーム溶接方法は、パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に１対のローラ電極を接触させる第１のステップと、第１の停止時間の間、第１の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第２のステップと、前記第１の停止時間の後に、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら移動させる第３のステップと、前記１対のローラ電極の移動中に第２の溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給する第４のステップと、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を停止させる第５のステップと、第２の停止時間の間、第３の溶接電流を前記電源から前記１対のローラ電極に供給する第６のステップと、前記第２の停止時間の後に前記１対のローラ電極を上昇させる第７のステップとを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明のシーム溶接方法は、パッケージとこのパッケージ上に載置される蓋とからなる溶接対象のワークに対して、溶接開始時に前記蓋の対向する２辺の一端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第１の位置に１対のローラ電極を接触させる第１のステップと、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら第１の速度で移動させる第２のステップと、前記第１の速度の期間中に第１の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第３のステップと、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら、前記第１の速度よりも早い第２の速度で移動させる第４のステップと、前記第２の速度の期間中に第２の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第５のステップと、前記１対のローラ電極を前記２辺に接触させながら、前記第２の速度よりも遅い第３の速度で移動させる第６のステップと、前記第３の速度の期間中に第３の溶接電流を電源から前記１対のローラ電極に供給する第７のステップと、前記２辺の他端にある２つの角部よりも中央寄りの前記２辺の第２の位置に前記１対のローラ電極が到達した時点で前記１対のローラ電極を上昇させる第８のステップとを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、蓋の角部に近い位置で所定の時間、ローラ電極を停止させて溶接電流を流すか、あるいは蓋の角部に近い位置で、他の位置と異なる遅い速度でローラ電極を移動させながら溶接電流を流すので、強く溶接しなければならない蓋の角部の溶接が確実にできる。さらに、本発明では、溶接開始時の第１の位置と溶接終了時の第２の位置を、蓋の角部よりも中央寄りの位置に設定することにより、溶接対象のパッケージがトレイ上に高密度配置されている場合でも、１個のパッケージを溶接中のローラ電極が隣接する別のパッケージに接触してしまう可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施例に係るシーム溶接装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施例のシーム溶接時の溶接プロファイルと、パッケージとリッドとローラ電極の位置関係を示す側面図および平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係るシーム溶接装置の動作を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施例に係るシーム溶接装置の動作を説明するフローチャートである。
【図５】従来のシーム溶接装置によるシーリング作業を説明する図である。
【図６】従来のシーム溶接装置によるシーリング作業を説明する平面図である。
【図７】従来のシーム溶接装置における溶接のオーバラップについて説明する図である。
【図８】溶接対象のパッケージをトレイ上に高密度配置した様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例に係るシーム溶接装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。本実施例においても、シーム溶接装置の電極部分の構成は従来と同様であるので、図５の符号を用いて説明する。
【００１８】
シーム溶接装置は、電極部を駆動する駆動機構１と、ローラ電極１０ａ，１０ｂに電流を供給する電源２と、シーム溶接装置全体を制御する制御部３と、制御部３のプログラムとシーム溶接装置の動作の情報などを予め記憶する記憶部４と、ユーザがシーム溶接装置に指示を与えるための操作部５とを備えている。制御部３は、駆動機構１を制御する駆動機構制御部３０と、電源２を制御する電源制御部３０とから構成される。
【００１９】
図２（Ａ）は本実施例のシーム溶接時の溶接プロファイルを示す図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に対応するパッケージとリッド（蓋）とローラ電極の位置関係を示す側面図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）に対応するパッケージとリッドとローラ電極の位置関係を示す平面図である。
【００２０】
シーム溶接はローラ電極１０ａ，１０ｂがリッド１６上を回転移動している間（溶接中）、溶接電流を断続的に流す必要がある。図２（Ａ）はこの様子を示している。図２（Ａ）において、横軸は溶接時間を表し、縦軸はローラ電極１０ａ，１０ｂに流す溶接電流を表している。図２（Ａ）において、ＷＴは１パルスの通電波形で溶接電流を流す時間、ＣＴは１パルスの通電波形で溶接電流を流さない時間である。
【００２１】
ＭＨＣは、溶けの量に応じて設定するシーム溶接時の溶接電流の大きさを設定するパラメータである。ＵＨＣ，ＤＨＣ１，ＤＨＣ２，ＵＰＬ，ＤＷＬ１，ＤＷＬ２は、リッド１６の角部の溶接品質を考慮した溶接電流のパラメータである。ＵＨＣは、シーム溶接開始時の溶接電流を設定するパラメータである。ＤＨＣ１とＤＨＣ２とは、シーム溶接終了時の溶接電流を設定するパラメータである。ＵＰＬは、ＵＨＣからＭＨＣまで溶接電流を増加させる間のローラ電極１０ａ，１０ｂの移動距離を設定するパラメータである。ＤＷＬ１は、ＭＨＣからＤＨＣ１まで溶接電流を低減させる間のローラ電極１０ａ，１０ｂの移動距離を設定するパラメータである。ＤＷＬ２は、ＤＨＣ１からＤＨＣ２まで溶接電流を低減させる間のローラ電極１０ａ，１０ｂの移動距離を設定するパラメータである。
【００２２】
図２（Ｂ）は本実施例におけるオーバラップが負、すなわち溶接開始時点と溶接終了時点のローラ電極１０ａ，１０ｂの位置がリッド１６の角部よりも内側であることを示している。
【００２３】
本実施例では、この他のパラメータとして以下のパラメータがある。具体的には、ローラ電極１０ａ，１０ｂの溶接開始時の位置における停止時間ＳＳＴと、溶接終了時の位置におけるローラ電極１０ａ，１０ｂの停止時間ＥＳＴと、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度ＷＳとがある。さらに、別のパラメータとして、溶接開始時のローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度ＳＳＰと、この移動速度ＳＳＰでシーム溶接する距離ＳＳＬと、溶接終了時のローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度ＥＳＰと、この移動速度ＥＳＰでシーム溶接する距離ＥＳＬとがある。なお、ＳＳＰ，ＥＳＰはＷＳよりも遅い速度である（ＳＳＰ，ＥＳＰ＜ＷＳ）。
以上のような各パラメータは、ユーザによって予め設定され、記憶部４に記憶されている。
【００２４】
次に、本実施例のシーム溶接装置の動作を図３を参照して説明する。溶接に先立って、制御部３の駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、上記の各種パラメータを記憶部４から読み出す（図３ステップＳ１）。そして、駆動機構制御部３０は、図示しない搬送機構を制御して、リッド１６をパッケージ１５の上に載せ、リッド１６がパッケージ１５の上に正確に載るように、リッド１６の位置および角度を調整する（図３ステップＳ２）なお、このようなリッド１６の搬送および位置決めは周知の技術であるので、詳細な説明は省略する。
【００２５】
次に、駆動機構制御部３０は、駆動機構１を制御して、ローラ電極１０ａ，１０ｂを溶接開始時の所定の位置、具体的にはリッド１６の角部よりも中央寄りの縁の位置（図２（Ｂ）、図２（Ｃ）のａの位置）の上まで移動させて、ローラ電極１０ａ，１０ｂを下降させ、リッド１６にローラ電極１０ａ，１０ｂを所定の圧力下で接触させる（図３ステップＳ３）。
【００２６】
そして、電源制御部３０は、リッド１６にローラ電極１０ａ，１０ｂを接触させた状態で、電源２から電極ホルダ１２ａ、導電シャフト１１ａ、ローラ電極１０ａ、リッド１６、ローラ電極１０ｂ、導電シャフト１１ｂ、電極ホルダ１２ｂという経路で電流を流す。周知のとおり、円柱状の導電シャフト１１ａ，１１ｂは、それぞれ電極ホルダ１２ａ，１２ｂの貫通穴に挿入されて支えられており、滑り摩擦で回転するようになっている。ローラ電極１０ａ，１０ｂは、導電シャフト１１ａ，１１ｂの一端に取付けられている。電極ホルダ１２ａ，１２ｂは、導電シャフト１１ａ，１１ｂの軸受として機能すると同時に、導電シャフト１１ａ，１１ｂに電流を供給する役目を果たす。
【００２７】
電源制御部３０は、停止時間ＳＳＴの間、ローラ電極１０ａ，１０ｃを溶接開始時の位置に停止させ、パラメータＵＨＣで設定された溶接電流を流す（図３ステップＳ４）。つまり、溶接開始時の位置で一定の溶接電流が流れることになる。
【００２８】
停止時間ＳＳＴの経過後、駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、駆動機構１を制御して、ローラ電極１０ａ，１０ｂを図２（Ｃ）のＸ方向に沿って速度ＷＳで移動させながら、電源２から上記の経路でパルス状の溶接電流を流す。電源制御部３０は、パラメータＵＰＬで設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動する間、ＵＨＣからＭＨＣまでパルス状の溶接電流を増加させる（図３ステップＳ５）。
【００２９】
電源制御部３０は、パラメータＵＰＬで設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動した後、パラメータＭＨＣで設定されたパルス状の溶接電流を流す（図３ステップＳ６）。そして、電源制御部３０は、溶接開始時の位置と溶接終了時の位置との距離Ｌと、パラメータＵＰＬ，ＤＷＬ１，ＤＷＬ２とで決まる移動距離Ｄだけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動した後、パラメータＤＷＬ１で設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動する間、ＭＨＣからＤＨＣ１までパルス状の溶接電流を減少させる（図３ステップＳ７）。なお、移動距離Ｄは、Ｄ＝Ｌ−ＵＰＬ−ＤＷＬ１−ＤＷＬ２である。
【００３０】
電源制御部３０は、パラメータＤＷＬ１で設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動した後、パラメータＤＷＬ２で設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動する間、ＤＨＣ１からＤＨＣ２までパルス状の溶接電流を減少させる（図３ステップＳ８）。こうして、図２（Ｃ）に示すように、ローラ電極１０ａ，１０ｂがリッド１６上を回転しながら移動することにより、リッド１６のＸ方向の２辺がパッケージ１５に溶接される。
【００３１】
駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、パラメータＤＷＬ２で設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動し、ローラ電極１０ａ，１０ｂが溶接終了時の所定の位置に到達すると、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動を停止させ、停止時間ＥＳＴの間、パラメータＤＨＣ２で設定された溶接電流を流す（図３ステップＳ９）。つまり、溶接終了時の位置で一定の溶接電流が流れることになる。
【００３２】
停止時間ＥＳＴの経過後、電源制御部３０は、電源２からの電力供給を停止させ、溶接電流の流れを停止させる（図３ステップＳ１０）。
続いて、駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、駆動機構１を制御してローラ電極１０ａ，１０ｂを上昇させ（図３ステップＳ１１）、パッケージ１５の載置台（不図示）を９０度回転させた上で（図３ステップＳ１２）、ステップＳ１３〜Ｓ２１の処理を行う。
【００３３】
ステップＳ１３〜Ｓ２１の処理は、溶接の対象がリッド１６のＹ方向の２辺になる点以外は、ステップＳ３〜Ｓ１１の処理と同様なので、説明は省略する。こうして、リッド１６のＹ方向の２辺がパッケージ１５に溶接される。
【００３４】
なお、パッケージ１５およびリッド１６のサイズは様々なので、溶接開始時の位置と、溶接終了時の位置と、溶接開始時の位置と溶接終了時の位置との距離Ｌと、パラメータＳＳＴ，ＥＳＴ，ＭＨＣ，ＵＨＣ，ＤＨＣ１，ＤＨＣ２，ＵＰＬ，ＤＷＬ１，ＤＷＬ２の値は、リッド１６のＸ方向、Ｙ方向のそれぞれについて個別に設定されていてもよいことは言うまでもない。
【００３５】
こうして、１つのワーク（パッケージ１５とリッド１６）のシーム溶接が完了し、気密封止が実現できる。この後、気密封止されたパッケージ１５は別途設けた搬送手段により、所定の場所に搬送される。そして、上記と同じ手順で次のパッケージ１５をシーム溶接する。このようにして、次々とパッケージ１５のシーム溶接を実行する。
【００３６】
本実施例では、リッド１６の角部に近い位置で所定の時間、ローラ電極１０ａ，１０ｂを停止させて溶接電流を流すので、強く溶接しなければならないリッド１６の角部の溶接が確実にできる。さらに、本実施例では、オーバラップの値を負に設定することにより、溶接対象のパッケージ１５がトレイ上に高密度配置されている場合でも、１個のパッケージ１５を溶接中のローラ電極１０ａ，１０ｂが隣接する別のパッケージ１５に接触してしまう可能性を低減することができる。したがって、本実施例では、パッケージ１５をトレイ上に高密度に配置することができる。
【００３７】
［第２の実施例］
次に、本発明の第２の実施例について説明する。本実施例では、ローラ電極１０ａ，１０ｂをシーム溶接開始時とシーム溶接終了時、それぞれの時に所定の距離を所定の移動速度で移動させながら溶接するシーム溶接方法の場合について説明する。第１の実施例では、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度ＷＳを一定に設定していたが、本実施例では、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度をシーム溶接時間中一定にしておくのではなく、シーム溶接開始時とシーム溶接終了時に、他の時より遅い移動速度でシーム溶接を行う。本実施例においても、シーム溶接装置の構成は第１の実施例と同様であるので、図１、図５の符号を用いて説明する。
【００３８】
本実施例のシーム溶接装置の動作を図４を参照して説明する。溶接に先立って、駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、各種パラメータを記憶部４から読み出す（図４ステップＳ１）。本実施例では、パラメータＳＳＴ，ＥＳＴの代わりに、パラメータＳＳＰ，ＳＳＬ，ＥＳＰ，ＥＳＬを用いる。図４のステップＳ２，Ｓ３の処理は第１の実施例で説明したとおりである。
【００３９】
駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、リッド１６にローラ電極１０ａ，１０ｂを接触させた状態で、駆動機構１を制御してローラ電極１０ａ，１０ｂを移動させながら、電源２から電極ホルダ１２ａ、導電シャフト１１ａ、ローラ電極１０ａ、リッド１６、ローラ電極１０ｂ、導電シャフト１１ｂ、電極ホルダ１２ｂという経路で溶接電流を流す。このとき、駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、パラメータＳＳＰで設定された移動速度でローラ電極１０ａ，１０ｂを移動させながら、パラメータＵＨＣで設定された溶接電流を流す（図４ステップＳ４ａ）。
【００４０】
駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、パラメータＳＳＬで設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動した後、ローラ電極１０ａ，１０ｂをリッド１６のＸ方向に沿って速度ＷＳで移動させながら、電源２から上記の経路でパルス状の溶接電流を流す。電源制御部３０は、パラメータＵＰＬで設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動する間、ＵＨＣからＭＨＣまでパルス状の溶接電流を増加させる（図４ステップＳ５）。
【００４１】
ステップＳ５〜Ｓ８の処理は第１の実施例と同様である。ただし、本実施例では、パラメータＭＨＣで設定されたパルス状の溶接電流を流す期間の移動距離Ｄは、Ｄ＝Ｌ−ＳＳＬ−ＵＰＬ−ＤＷＬ１−ＤＷＬ２−ＥＳＬとなる。
【００４２】
駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、パラメータＤＷＬ２で設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動した後、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動速度をＷＳからＥＳＰに変更し、速度ＥＳＰでローラ電極１０ａ，１０ｂを移動させながら、パラメータＤＨＣ２で設定された溶接電流を流す（図４ステップＳ９ａ）。
【００４３】
駆動機構制御部３０と電源制御部３０とは、パラメータＥＳＬで設定された移動距離だけローラ電極１０ａ，１０ｂが移動し、ローラ電極１０ａ，１０ｂが溶接終了時の所定の位置に到達すると、ローラ電極１０ａ，１０ｂの移動を停止させ、電源２からの電力供給を停止させる（図４ステップＳ１０ａ）。
【００４４】
図４のステップＳ１１，Ｓ１２の処理は第１の実施例で説明したとおりである。図４のステップＳ１３，Ｓ１４ａ，Ｓ１５〜Ｓ１８，Ｓ１９ａ，Ｓ２０ａ，Ｓ２１の処理は、溶接の対象がリッド１６のＹ方向の２辺になる点以外は、ステップＳ３，Ｓ４ａ，Ｓ５〜Ｓ８，Ｓ９ａ，Ｓ１０ａ，Ｓ１１の処理と同様なので、説明は省略する。こうして、リッド１６のＹ方向の２辺がパッケージ１５に溶接される。
【００４５】
第１の実施例と同様に、溶接開始時の位置と、溶接終了時の位置と、溶接開始時の位置と溶接終了時の位置との距離Ｌと、パラメータＳＳＰ，ＳＳＬ，ＥＳＰ，ＥＳＬ，ＭＨＣ，ＵＨＣ，ＤＨＣ１，ＤＨＣ２，ＵＰＬ，ＤＷＬ１，ＤＷＬ２の値は、リッド１６のＸ方向、Ｙ方向のそれぞれについて個別に設定されていてもよいことは言うまでもない。
【００４６】
本実施例では、リッド１６の角部に近い位置で、他の位置と異なる遅い速度でローラ電極１０ａ，１０ｂを移動させながら溶接電流を流すので、強く溶接しなければならないリッド１６の角部の溶接が確実にできる。さらに、本実施例では、オーバラップの値を負に設定することにより、溶接対象のパッケージ１５がトレイ上に高密度配置されている場合でも、１個のパッケージ１５を溶接中のローラ電極１０ａ，１０ｂが隣接する別のパッケージ１５に接触してしまう可能性を低減することができる。
【００４７】
なお、第１、第２の実施例において、ステップＳ３以降の処理を行う前に、リッド１６にローラ電極１０ａ，１０ｂを接触させて溶接電流を極短時間印加し、仮付けを行うようにしてもよい。
【００４８】
第１、第２の実施例で説明した制御部３と記憶部４とは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶装置及びインタフェースを備えたコンピュータと、これらのハードウェア資源を制御するプログラムによって実現することができる。ＣＰＵは、記憶装置に格納されたプログラムに従って第１、第２の実施例で説明した処理を実行する。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、シーム溶接に適用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１…駆動機構、２…電源、３…制御部、４…記憶部、５…操作部、１０ａ，１０ｂ…ローラ電極、１５…パッケージ、１６…リッド、３０…駆動機構制御部、３１…電源制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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