(57)【要約】【課題】段差のない配向膜を配置することによって、光漏れおよび残像を効果的に改善できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】配向膜が形成される電極層をＩＧＺＯで構成し、電極層に別途のパターンを形成することなく、部分的に導体化して構成することによって、電極層上に段差のない配向膜を備えることができる。それによって、配向膜の段差による光漏れおよび残像を効果的に改善することができる。また、従来の技術による製造方法に比べ、製造工程数が大きく増加することなく、残像を改善した液晶表示装置を具現化することができる。【選択図】図４Ｆ
2018072794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に配置される第１保護層と、
前記第１保護層上に配置される第１電極と、
前記第１電極上に配置される第２保護層と、
前記第２保護層上に配置され、酸化物半導体からなる第２電極と、
前記第２電極上に配置される配向膜と、
を含み、
前記第２電極は、第１領域と第２領域に区分され、前記第２領域は導体化された、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなり、板状である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１領域は、複数のバー状であり、離間して配置される、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は、インジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）からなり、板状である、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は、インジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）からなり、複数のバー状パターンを含む、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数のバー状パターンの間の開口は、前記第２領域に対応して配置される、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板上に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に配置される保護層と、
前記保護層上に配置され、酸化物半導体からなる電極層と、
前記電極層上に配置される配向膜と、
を含み、
前記電極層は、互いに交互に配置される第１領域と第２領域、および前記第１領域と前記第２領域との間に配置される第３領域を含み、
前記第１領域および前記第２領域は導体化された、液晶表示装置。
【請求項８】
前記電極層は、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなり、板状である、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１領域と前記第２領域と前記第３領域は、それぞれ複数のバー状である、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
互いに対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板の内面に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に配置される保護層と、
前記保護層上に配置され、酸化物半導体からなる第１電極と、
前記第１電極上に配置される第１配向膜と、
前記第２基板の内面に形成され、酸化物半導体からなる第２電極と、
前記第２電極の下部に配置される第２配向膜と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に介在された液晶層と、
を含み、
前記第１電極および前記第２電極は、それぞれ第１領域と第２領域に区分され、
前記第１電極および前記第２電極の前記第２領域は導体化された、液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１電極および前記第２電極は、それぞれインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなり、板状である、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極および前記第２電極の前記第１領域は、それぞれ複数のバー状であり、離間して配置される、請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１電極の前記第１領域は、前記第２電極の前記第２領域に対応し、
前記第１電極の前記第２領域は、前記第２電極の前記第１領域に対応する、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極の前記第１領域は、前記第２電極の前記第１領域に対応し、
前記第１電極の前記第２領域は、前記第２電極の前記第２領域に対応する、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものであり、さらに詳細には、光漏れおよび残像を効果的に改善できる液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一般的に液晶の光学的異方性と分極性質によって駆動される。液晶分子は細長い構造をしているため、その配列に方向性があり、液晶に電界を人為的に印加することで分子の配列方向を制御することができる。
【０００３】
したがって、液晶分子の配列を任意に調節することでその配列が変わり、液晶の光学的異方性によって光が液晶分子の配列方向に屈折して、画像を表示することができる。
【０００４】
現在は、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタに接続された画素電極がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ：Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＬＣＤ、以下、液晶表示装置）が、解像度および動映像の具現能力から最も注目を浴びている。
【０００５】
前記液晶表示装置は、共通電極が形成されたカラーフィルタ基板と、画素電極が形成されたアレイ基板と、前記両基板の間に介在される液晶とからなるが、かかる液晶表示装置は、共通電極と画素電極が上下にかかる電界によって液晶を駆動する方式であり、透過率や開口率といった特性に優れる。
【０００６】
また、最近は、上下基板のうちの一方に電極が交互に配置され、基板の間に液晶が配置されて映像を表示する横電界方式の液晶表示装置が開発されている。
【０００７】
通常、横電界方式の液晶表示装置は、電界を利用して誘電異方性を有する液晶の光透過率を調節することによって画像を表示し、主にカラーフィルタアレイが形成されたカラーフィルタ基板と、薄膜トランジスタアレイが形成された薄膜トランジスタ基板とを、液晶を介して貼り合わせてなる。
【０００８】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板上にゲートラインとデータラインが交差して定義され、セル領域毎に形成された薄膜トランジスタと、画素電極と、共通電極を備える。薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴ）は、ゲートラインからのゲート信号に応じ、データラインからのデータ信号を画素電極へ供給する。画素電極は、ＴＦＴからのデータ信号の供給を受けて液晶が駆動するようにして、共通電極は、液晶が駆動される基準となる共通電圧の供給を受ける。液晶は、画素電極のデータ信号と共通電極の共通電圧によって形成された電界によって回転し、光透過率を調節することで階調が具現される。
【０００９】
最近は、横電界方式の液晶表示装置より視野角に優れるフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置が提案された。
【００１０】
図１は、従来のフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置を概略的に示す図面である。
【００１１】
図１に示すように、フリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置１００は、一方向に直線状のゲート配線４３が構成されており、かかるゲート配線４３と交差して画素領域Ｐを定義する直線状のデータ配線５１が構成されている。
【００１２】
また、画素領域Ｐには、前記データ配線５１およびゲート配線４３に接続され、ゲート電極４５、ゲート絶縁膜（不図示）、半導体層（不図示）、ソース電極５５およびドレイン電極５８を含むスイッチング素子である薄膜トランジスタＴｒが形成されている。
【００１３】
また、画素領域Ｐには、板状の共通電極６０が形成されている。
【００１４】
さらに、画素領域Ｐを含む表示領域の全面には、画素領域Ｐに対応して、前記板状の共通電極６０と重なり、画素領域Ｐ内にバー状の複数の開口ｏｐを有する画素電極７０が形成されている。そのとき、前記共通電極６０は、表示領域の全面に形成されるが、１つの画素領域Ｐに対応する部分を点線で示している。
【００１５】
このような構成を有するフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置１００は、画素領域Ｐ毎に複数のバー状の開口ｏｐを有する画素電極７０、および共通電極６０に電圧が印加されることによってフリンジ電界（Ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を形成する。
【００１６】
図２Ａ〜図２Ｆは、切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の形成過程を概略的に示す断面図である。
【００１７】
図２Ａに示すように、基板１１の上部に共通電極６０が配置され、共通電極６０の上部に保護層８０が配置され、保護層８０の上部に画素電極７０が配置される。
【００１８】
ここで、共通電極６０と画素電極７０は、透明導電性物質、例えばインジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）を蒸着することによって形成する。
【００１９】
図２Ｂ〜図２Ｅに示すように、画素電極７０の上部にフォト工程を行って、一定領域を露出するフォトレジストパターン３０を形成し、フォトレジストパターン３０が形成されていない領域を湿式エッチングで取り除いて、開口ｏｐを有する画素電極７０のパターンを形成する。
【００２０】
図２Ｆに示すように、液晶９８を介在し、第１基板１１と第２基板１２を貼り合わせてフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置１００を形成することができる。
【００２１】
一方、フリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置１００において、第１基板上にパターニングされている画素電極７０上に配向膜９０が形成されるが、開口ｏｐを有する画素電極７０のパターンによって配向膜９０に段差ｄが形成される。
【００２２】
また、湿式エッチング工程で、画素電極７０の下部に位置する保護層８０の一部がエッチングされて保護層８０に段差ｄ１が形成され、画素電極７０による段差ｄ２が加えられて配向膜９０の段差ｄはさらに大きくなる。
【００２３】
このように、画素電極７０が形成された領域と、画素電極７０が形成されていない領域（開口領域）とにおける配向膜の段差ｄは、液晶９８が駆動する際に問題を発生させる。
【００２４】
まず、前記液晶９８がノーマリーブラックモードの場合、電圧を印加していない状態はブラックで表示される。
【００２５】
すなわち、電圧が印加されていない場合、液晶９８は、配向膜９０のラビング方向と平行に配列されなければならない。
【００２６】
しかしながら、配向膜９０の段差ｄによって、一部の液晶９８がラビング方向と一致せず歪んでしまう。
【００２７】
したがって、配向膜９０の段差ｄが形成された領域において不均一に形成されている液晶９８によって、光の位相遅れ（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）が発生し、その位相遅れによって、透過される線編光は楕円偏光へ変化する。また、その楕円偏光は、カラーフィルタ側に近く形成されている均一な液晶９８層においても位相遅れを発生させる。
【００２８】
その結果、ノーマリーブラックモードで電圧が印加されていないとき、バックライトの光が通過して光漏れが発生するという問題がある。
【００２９】
また、配向膜９０の段差ｄが形成された領域において不均一に形成されている液晶９８の応答不良によって、新しい画面とその直前の画面が重なって見えてしまう残像が発生するという問題がある。
【００３０】
このような問題は、フリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＦＦＳ）１００のみならず、横電界モードの液晶表示装置（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）と垂直電界モードの液晶表示装置（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：ＶＡ）においても発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
本発明は、かかる従来の問題を解決するために案出されたものであり、段差のない配向膜を配置することによって、光漏れおよび残像を効果的に改善できる液晶表示装置を提供することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
前記の課題を達成するため、本発明は、第１基板と、前記第１基板上に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置される第１保護層と、前記第１保護層上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される第２保護層と、前記第２保護層上に配置され、酸化物半導体からなる第２電極と、前記第２電極上に配置される配向膜とを含み、前記第２電極は、第１領域と第２領域に区分され、前記第２領域は導体化された液晶表示装置を提供する。前記第２電極の前記第２領域の表面は、前記第２電極の前記第１領域の表面と同じ平面上にある。
【００３３】
また、前記第２電極は、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなる板状であってもよい。
【００３４】
また、前記第１領域はバー状であり、離間して配置することができる。
【００３５】
また、前記第１電極は、インジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）からなる板状であってもよい。
【００３６】
また、前記第１電極は、インジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）からなり、複数のバー状パターンを有することができる。
【００３７】
ここで、前記複数のバー状パターンの間の開口は、前記第２領域に対応して配置することができる。
【００３８】
一方、本発明は、第１基板と、前記第１基板上に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置される保護層と、前記保護層上に配置され、酸化物半導体からなる電極層と、前記電極層上に配置される配向膜とを含み、前記電極層は、互いに交互に配置される第１領域と第２領域、および前記第１領域と前記第２領域との間に配置される第３領域を含み、前記第１領域および前記第２領域は導体化された液晶表示装置を提供する。
【００３９】
ここで、前記電極層は、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなる板状であってもよい。
【００４０】
また、前記第１領域と前記第２領域と前記第３領域は、それぞれ複数のバー状であってもよい。
【００４１】
一方、本発明は、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板の内面に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置される保護層と、前記保護層上に配置され、酸化物半導体からなる第１電極と、前記第１電極上に配置される第１配向膜と、前記第２基板の内面に形成され、酸化物半導体からなる第２電極と、前記第２電極の下部に配置される第２配向膜と、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に介在された液晶層とを含み、前記第１電極および前記第２電極は、それぞれ第１領域と第２領域に区分され、前記第１電極および前記第２電極の前記第２領域は導体化された液晶表示装置を提供する。前記第１電極および前記第２電極の前記第２領域の表面は、前記第１電極および前記第２電極の前記第１領域の表面と同じ平面上にある。
【００４２】
ここで、前記第１電極および前記第２電極は、それぞれインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（ＩＧＺＯ）からなる板状であってもよい。
【００４３】
また、前記第１電極および前記第２電極の前記第１領域は、それぞれバー状であり、離間して配置することができる。
【００４４】
ここで、前記第１電極の前記第１領域は、前記第２電極の前記第２領域に対応し、前記第１電極の前記第２領域は、前記第２電極の前記第１領域に対応することができる。
【００４５】
また、前記第１電極の前記第１領域は、前記第２電極の前記第１領域に対応し、前記第１電極の前記第２領域は、前記第２電極の前記第２領域に対応することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明に係る液晶表示装置は、配向膜が形成される電極層を部分的に導体化することによって、電極層上に段差のない配向膜を形成することができる。
【００４７】
その結果、配向膜の段差による光漏れおよび残像を効果的に改善することができる。さらに、従来の技術による製造方法に比べ、製造工程数が大きく増加することなく、残像を改善した液晶表示装置を具現化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来のフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置を概略的に示す図面である。
【図２Ａ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｃ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｄ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｅ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２Ｆ】切断線ＩＩ−ＩＩに沿って切断した部分の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置のアレイ基板を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
【００５０】
第１実施例
【００５１】
図３は、本発明の第１実施例に係る液晶表示装置のアレイ基板を概略的に示す断面図であり、図４Ａ〜図４Ｆは、本発明の第１実施例に係る液晶表示装置の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００５２】
図３に示すように、第１基板１１０上の各画素領域Ｐ内における薄膜トランジスタが形成される素子領域ＴｒＡには、半導体層１１５と、前記半導体層１１５上に、前記基板１１０の全面に亘ってゲート絶縁膜１１８が形成されており、前記ゲート絶縁膜１１８上に、前記半導体層１１５の中央部に対応してゲート電極１２０が形成されている。
【００５３】
また、前記ゲート電極１２０上には、前記ゲート電極１２０の外側へ露出された半導体層１１５のうち、高濃度でドープされたソース領域１１５ｂおよびドレイン領域１１５ｃをそれぞれ露出する半導体層コンタクトホール１２５を備えた層間絶縁膜１２３が、第１基板１１０の全面に亘って形成されている。
【００５４】
前述では、コプラナー構造の薄膜トランジスタＴｒを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタを用いることもできる。
【００５５】
また、前記半導体層コンタクトホール１２５を介して前記ソース領域１１５ｂおよび前記ドレイン領域１１５ｃとそれぞれ接触し、互いに離間したソース電極１５５とドレイン電極１５８が、前記層間絶縁膜１２３上に形成されており、前記ドレイン電極１５８を露出するドレインコンタクトホール１５３を有する第１保護層１５０および第２保護層１８０を、前記ソース電極１５５および前記ドレイン電極１５８上に形成することができる。前記第１保護層１５０と前記第２保護層１８０との間には、第１電極１６０を配置し、前記第２保護層１８０の上部には第２電極１７０を配置することができる。
【００５６】
また、第１実施例では、ドレインコンタクトホール１５３を介してドレイン電極１５５と第２電極１７０が接触しているが、他の実施例では、ドレインコンタクトホール１５３を介してドレイン電極１５５と第１電極１６０が接触してもよい。
【００５７】
一方、第２電極１７０上には、第１配向膜１９０を形成することができる。
【００５８】
第１電極１６０と第２電極１７０の間に第２保護層１８０を形成することによって、電圧が印加されるとフリンジ電界を形成する構造をなすことができる。
【００５９】
このように、第１実施例に係る液晶表示装置は、フリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置（ＦＦＳ）２００に構成することができる。
【００６０】
ここで、第１電極１６０と第２電極１７０のうち、一方は画素電極であり、他方は共通電極であり得る。
【００６１】
一方、第１基板１１０に対向する第２基板１２０の下部には、光漏れを防止するブラックマトリクス（不図示）を形成することができ、前記ブラックマトリクス間に、赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、および青色（Ｂｌｕｅ）のカラーフィルタパターンからなるカラーフィルタ層（不図示）を形成することができる。
【００６２】
また、前記カラーフィルタ層の下部には、表面を平坦化してカラーフィルタ層を保護するオーバーコート層（不図示）を形成することができ、前記オーバーコート層の上部に第２配向膜１９１を形成することができる。
【００６３】
このような第１基板１１０と第２基板１２０は、液晶１９８を介在して貼り合わせて、フリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置２００を形成することができる。
【００６４】
前述したフリンジ電界スイッチングモードの液晶表示装置２００の構成は、一例であり、これに限定されるものではない。
【００６５】
ここで、本発明の第１実施例に係る液晶表示装置２００における第１電極１６０、および第１配向膜１９０の下部の第２電極１７０は、特定パターンを持たない板状に構成されている。
【００６６】
すなわち、第２電極１７０を、パターンのない平坦な板状に形成することによって、別途の工程がなくても、その上部に配置される第１配向膜１９０を段差（図２Ｅのｄ）のないものに形成することができる。
【００６７】
したがって、第２電極１７０のパターンに起因する第１配向膜１９０の段差（図２Ｅのｄ）による光漏れおよび残像問題を効果的に改善することができる。
【００６８】
これについて、図４Ａ〜図４Ｆを参照すると、板状の第１電極１６０は第１基板１１０の上部に配置され、その上部に第２保護層１８０が形成される。
【００６９】
また、第２保護層１８０の上部には、板状の第２電極１７０が配置される。
【００７０】
それについてさらに詳細に説明すると、第１電極１６０は、透明導電性物質、例えばインジウム・チン・オキサイド（以下、ＩＴＯ）から構成することができる。
【００７１】
また、第１電極１６０上に配置される第２保護層１８０は、無機絶縁物質、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）若しくは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を蒸着したり、または有機絶縁物質、例えばフォトアクリルを塗布したりすることによって形成することができる。
【００７２】
一方、第２電極１７０は、透明なインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（以下、ＩＧＺＯ）から構成することができる。
【００７３】
ここで、ＩＧＺＯは酸化物半導体であり、インジウム：ガリウム：亜鉛：酸素を１：１：１：３に混合して構成することができるが、これに限定されるものではない。
【００７４】
まず、図４Ａに示すように、ＩＧＺＯからなる第２電極１７０を第２保護層１８０の上部に蒸着する。例えば、高周波・直流マグネトロンスパッタ法（ＲＦ・ＤＣ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、分子線エピタキシー法（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｉ：ＭＢＥ）、化学気相蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｌａｓｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＬＤ）などを用いることができる。
【００７５】
ここで、スパッタ法は、他の方法に比べて容易に膜を蒸着することができる上に、相対的な低温でも高品質の薄膜を蒸着することができ、大面積の蒸着が容易いというメリットがある。
【００７６】
次に、図４Ｂに示すように、フォトレジスト層を第２電極１７０上に形成し、マスクパターンを用いるフォト工程で第２電極１７０上にフォトレジストパターン１３０を形成する。
【００７７】
ここで、第２電極１７０上に形成されるフォトレジストパターン１３０はバー状であり、第２電極１７０の一部領域を覆い、他の領域は露出する状態に形成することができる。
【００７８】
次に、図４Ｃに示すように、フォトレジストパターン１３０が形成された第２電極１７０をプラズマ処理し、露出された領域を導体化することができる。
【００７９】
ここで、第２電極１７０はＩＧＺＯからなるため、プラズマ処理を行った場合、イオンの衝突によってドーパントとして働く酸素空孔（Ｏｘｙｇｅｎ  Ｖａｃａｎｃｙ）が生成されて抵抗が減少し、導体の性質が現れる。
【００８０】
すなわち、プラズマ処理工程で酸素空孔が発生して自由電子が増加し、電気伝導度が増加する。
【００８１】
プラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、水素（Ｈ２）を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００８２】
ここで、第２電極１７０は、第１領域１７０ａと第２領域１７０ｂを有することができる。
【００８３】
第１領域１７０ａと第２領域１７０ｂはバー状であり、交互に位置することができるが、これに限定されるものではない。
【００８４】
第２電極１７０上に形成されるフォトレジストパターン１３０は、第１領域１７０ａと第２領域１７０ｂのうち、一方を覆い、他方は露出する状態に形成することができる。
【００８５】
例えば、フォトレジストパターン１３０は、第１領域１７０ａを覆う場合は第２領域１７０ｂを露出し、第２領域１７０ｂを覆う場合は第１領域１７０ａを露出する状態に形成することができる。
【００８６】
以下、フォトレジストパターン１３０が第１領域１７０ａを覆い、第２領域１７０ｂは露出する状態に形成された場合を例に挙げて説明する。
【００８７】
図４Ｄに示すように、ストリップ工程でフォトレジストパターン１３０を取り除く。
【００８８】
このような工程を経て、フォトレジストパターン１３０に覆われた第２電極１７０の第１領域１７０ａは酸化物半導体の性質を維持し、フォトレジストパターン１３０に覆われず、露出された第２領域１７０ｂは導体の性質を有するので、第２電極１７０の第２領域１７０ｂと第１電極１６０はフリンジ電界を形成し、この電界によって液晶層を駆動することができる。
【００８９】
特に、パターンのない平坦な板状の第２電極１７０を形成することができる。第２電極１７０の第２領域１７０ａの表面は、第２電極１７０の第１領域１７０ｂの表面と同じ平面上にある。
【００９０】
次に、図４Ｅに示すように、第２電極１７０上に第１配向膜１９０が形成される。
【００９１】
ここで、第１配向膜１９０は、高分子薄膜を塗布し、その表面を一定方向に配列させる工程で形成することができる。
【００９２】
また、第１配向膜１９０には、ポリイミド系列の有機物質を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００９３】
また、前記第１配向膜１９０を配列させる方法に、ラビング法またはＵＶ照射法を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００９４】
第１配向膜１９０を配列させる一例に、ラビング法は、まず、基板上にポリイミド系列の有機物質を塗布し、６０℃〜８０℃程度の温度で溶剤を飛ばして整列させた後、８０℃〜２００℃程度の温度で硬化させてポリイミドの第１配向膜１９０を形成した後、ベルベットなどを巻いたラビング布を用いて前記第１配向膜１９０を一定方向にラビングすることによって配向方向を形成する。
【００９５】
かかるラビングによる方法は、配向処理が容易いため、大量生産に適し、安定した配向ができるというメリットがある。
【００９６】
特に、平坦な第２電極１７０上に第１配向膜１９０を形成することで均一配向をすることができ、段差（図２Ｅのｄ）領域における配向不良を防止すると共に、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜１９０を形成することができる。
【００９７】
したがって、第１および第２配向膜１９０、１９１上に配置される液晶１９８分子を一定方向に均一配向することができる。
【００９８】
前述した通り、本発明の第１実施例に係る液晶表示装置２００では、第１電極１６０は板状のＩＴＯからなり、第１配向膜１９０の直下部の第２電極１７０は板状のＩＧＺＯからなり、第２電極１７０の第２領域１７０ｂのみを導体化して、第１電極１６０と第２電極１７０の第２領域１７０ｂはフリンジ電界を形成する。
【００９９】
第２電極１７０の上部に、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜１９０を形成することができ、それによって液晶１９８分子を一定方向に均一配向することができる。その結果、液晶表示装置２００の残像を効果的に改善することができる。
【０１００】
第２実施例
本発明の第２実施例に係る液晶表示装置は、第１実施例に係る液晶表示装置で第１電極の形態が異なるように構成されたものである。以下、これについてさらに詳細に説明する。しかしながら、説明の都合上、以下では第１実施例と同一・類似の構成に対する具体的な説明を省略することもある。
【０１０１】
図５は、本発明の第２実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【０１０２】
本発明の第２実施例に係る液晶表示装置３００の第１電極２６０は、複数のバー状パターンで構成され、第１配向膜２９０の直下部に形成される第２電極２７０は、特定パターンを持たない板状に構成されている。
【０１０３】
すなわち、第２電極２７０を、パターンのない平坦な板状に形成することによって、別途の工程がなくても、その上部に配置される第１配向膜２９０を段差（図２Ｅのｄ）のないものに形成することができる。
【０１０４】
したがって、第２電極２７０のパターンに起因する第１配向膜２９０の段差（図２Ｅのｄ）による光漏れおよび残像問題を効果的に改善することができる。
【０１０５】
ここで、第１電極２６０は複数のバー状パターンを含み、その上部に第２保護層２８０が形成される。
【０１０６】
また、第２保護層２８０の上部には、板状の第２電極２７０が配置される。
【０１０７】
これについてさらに詳細に説明すると、第１電極２６０は、透明導電性物質、例えばインジウム・チン・オキサイド（以下、ＩＴＯ）から構成することができる。
【０１０８】
すなわち、第１保護層２５０の全面に透明導電性物質であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて透明導電膜を蒸着し、パターニングして複数のバー状の第１電極２６０を形成する。
【０１０９】
また、第１電極２６０上に配置される第２保護層２８０は、無機絶縁物質、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）若しくは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を蒸着したり、または有機絶縁物質、例えばフォトアクリルを塗布することによって形成することができる。
【０１１０】
一方、第２保護層２８０上に配置される第２電極２７０は、透明なインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（以下、ＩＧＺＯ）から構成することができる。
【０１１１】
ＩＧＺＯは酸化物半導体であり、インジウム：ガリウム：亜鉛：酸素を１：１：１：３に混合して構成することができる。
【０１１２】
ＩＧＺＯからなる第２電極２７０を第２保護層２８０の上部に蒸着する。例えば、高周波・直流マグネトロンスパッタ法（ＲＦ・ＤＣ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、分子線エピタキシー法（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｉ：ＭＢＥ）、化学気相蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｌａｓｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＬＤ）などを用いることができる。
【０１１３】
ここで、スパッタ法は、他の方法に比べて容易に膜を蒸着することができる上に、相対的な低温でも高品質の薄膜を蒸着することができ、大面積の蒸着が容易いというメリットがある。
【０１１４】
次に、フォトレジストを第２電極２７０上に形成し、マスクパターンを用いるフォト工程で第２電極２７０上にフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）を形成する。
【０１１５】
ここで、第２電極２７０上に形成されるフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）はバー状であり、第２電極２７０の一部領域を覆い、他の領域は露出する状態に形成することができる。
【０１１６】
次に、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）が形成された第２電極２７０をプラズマ処理し、露出された領域を導体化することができる。
【０１１７】
ここで、第２電極２７０はＩＧＺＯからなるため、プラズマ処理を行った場合、イオンの衝突によってドーパントとして働く酸素空孔（Ｏｘｙｇｅｎ  Ｖａｃａｎｃｙ）が生成されて抵抗が減少し、導体の性質が現れる。
【０１１８】
すなわち、プラズマ処理工程で酸素空孔が発生して自由電子が増加し、電気伝導度が増加する。
【０１１９】
プラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、水素（Ｈ２）を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１２０】
ここで、第２電極２７０は、第１領域２７０ａと第２領域２７０ｂを有することができる。
【０１２１】
第１領域２７０ａと第２領域２７０ｂは複数のバー状であり、交互に位置することができるが、これに限定されるものではない。
【０１２２】
また、第１電極２６０の複数のバー状パターンの間の開口に対応して、第２電極２７０の第２領域２６０ｂを配置することができる。
【０１２３】
ここで、第２電極２７０上に形成されるフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）は、第１領域２７０ａを覆い、第２領域２７０ｂは露出する状態に形成することができる。
【０１２４】
次に、ストリップ工程でフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）を取り除く。
【０１２５】
このような工程を経て、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）に覆われた第２電極２７０の第１領域２７０ａは酸化物半導体の性質を維持し、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）に覆われない第２領域２７０ｂは、第１電極２６０の複数のバー状パターンの間の開口に対応し、導体の性質を有するので、第２電極２７０の第２領域２７０ｂと第１電極２６０は横電界を形成し、この電界によって液晶層を駆動することができる。
【０１２６】
特に、複数のバー状パターンの間の開口を有する第１電極２６０と、パターンのない平坦な板状の第２電極２７０を形成することができる。
【０１２７】
前述したように、第２電極２７０上に第１配向膜２９０が形成される。第１電極２６０および第２電極２７０の第１領域２７０ａの表面と同じ平面上にある。
【０１２８】
ここで、第１配向膜２９０は、高分子薄膜を塗布し、その表面を一定方向に配列させる工程で形成することができる。
【０１２９】
また、第１配向膜２９０には、ポリイミド系列の有機物質を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１３０】
また、前記第１配向膜２９０を配列させる方法に、ラビング法を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
第１配向膜２９０を配列させる一例に、ラビング法は、まず、基板上にポリイミド系列の有機物質を塗布し、６０℃〜８０℃程度の温度で溶剤を飛ばして整列させた後、８０℃〜２００℃程度の温度で硬化させてポリイミドの第１配向膜２９０を形成した後、ベルベットなどを巻いたラビング布を用いて前記第１配向膜２９０を一定方向にラビングすることによって配向方向を形成する。
【０１３２】
かかるラビングによる方法は、配向処理が容易いため、大量生産に適し、安定した配向ができるというメリットがある。
【０１３３】
特に、平坦な第２電極２７０上に第１配向膜２９０を形成することで均一配向をすることができ、段差（図２Ｅのｄ）領域における配向不良を防止すると共に、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜２９０を形成することができる。
【０１３４】
ここで、第１基板２１０と、第１基板２１０に対向する第２基板２２０は、液晶２９８を介在して貼り合わせて横電界モードの液晶表示装置３００を形成することができる。
【０１３５】
したがって、第１および第２配向膜２９０、２９１上に配置される液晶２９８分子を一定方向に均一配向することができる。
【０１３６】
前述した通り、本発明の第２実施例に係る液晶表示装置３００では、第１電極２６０は複数のバー状パターンで構成され、第１配向膜２９０の形成される第２電極２７０は板状のＩＧＺＯからなる。第１電極２６０に対応して第２領域２７０ｂのみを導体化することで、第１電極２６０と第２電極２７０の導体化領域が交互に配置されて横電界を発生させることができ、その電界によって液晶層を駆動することができる。
【０１３７】
ここで、第２電極２７０の上部に、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜２９０を形成することができ、それによって液晶２９８分子を一定方向に均一配向することができる。その結果、液晶表示装置３００における光漏れおよび残像を効果的に改善することができる。
【０１３８】
第３実施例
本発明の第３実施例に係る液晶表示装置は、第１実施例に係る液晶表示装置で第１電極および第２電極が同一層に構成されたものである。以下、これについてさらに詳細に説明する。しかしながら、説明の都合上、以下では第１実施例と同一・類似の構成に対する具体的な説明を省略することもある。
【０１３９】
図６は、本発明の第３実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【０１４０】
本発明の第３実施例に係る液晶表示装置４００は、第１電極（第１領域、３７０ａ）および第２電極（第２領域、３７０ｂ）を含む板状の電極層で構成されている。
【０１４１】
すなわち、１つの電極層３７０に、第１電極である第１領域３７０ａおよび第２電極である第２領域３７０ｂが交互に配置されることによって、別途の工程がなくても、その上部に配置される第１配向膜３９０を段差（図２Ｅのｄ）のないものに形成することができる。
【０１４２】
したがって、配向膜２９０の段差（図２Ｅのｄ）による光漏れおよび残像問題を効果的に改善することができる。
【０１４３】
ここで、第１基板３１０上に保護層３５０が形成され、保護層３５０上には、板状の電極層３７０が配置される。
【０１４４】
これについてさらに詳細に説明すると、保護層３５０は無機絶縁物質、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）若しくは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を蒸着したり、または有機絶縁物質、例えばフォトアクリルを塗布することによって形成することができる。
【０１４５】
一方、保護層３５０上に配置される電極層３７０は、透明なインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（以下、ＩＧＺＯ）から構成することができる。
【０１４６】
ＩＧＺＯは酸化物半導体であり、インジウム：ガリウム：亜鉛：酸素を１：１：１：３に混合して構成することができる。
【０１４７】
ＩＧＺＯからなる電極層３７０を保護層３５０の上部に蒸着する。例えば、高周波・直流マグネトロンスパッタ法（ＲＦ・ＤＣ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、分子線エピタキシー法（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｉ：ＭＢＥ）、化学気相蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）、パルスレーザー蒸着法（ｐｕｌｓｅｌａｓｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＬＤ）などを用いることができる。
【０１４８】
ここで、スパッタ法は、他の方法に比べて容易に膜を蒸着することができる上に、相対的な低温でも高品質の薄膜を蒸着することができ、大面積の蒸着が容易いというメリットがある。
【０１４９】
次に、フォトレジストを電極層３７０上に形成し、マスクパターンを用いるフォト工程で電極層３７０上にフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）を形成する。
【０１５０】
これについてさらに詳細に説明すると、電極層３７０上に形成されるフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）は、バー状であり、離間して一定領域を覆い、他の領域は露出する状態に形成することができる。
【０１５１】
次に、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）が形成された電極層３７０をプラズマ処理し、露出された領域を導体化することができる。
【０１５２】
ここで、電極層３７０はＩＧＺＯからなるため、プラズマ処理を行った場合、イオンの衝突によってドーパントとして働く酸素空孔（Ｏｘｙｇｅｎ  Ｖａｃａｎｃｙ）が生成されて抵抗が減少し、導体の性質が現れる。
【０１５３】
すなわち、プラズマ処理工程で酸素空孔が発生して自由電子が増加し、電気伝導度が増加する。
【０１５４】
プラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、水素（Ｈ２）を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１５５】
ここで、電極層３７０は、第１領域３７０ａと第２領域３７０ｂ、および第３領域３７０ｃを有することができる。
【０１５６】
第１領域３７０ａと第２領域３７０ｂは複数のバー状であり、交互に位置することができるが、これに限定されるものではない。
【０１５７】
また、第３領域３７０ｃは、第１領域３７０ａと第２領域３７０ｂとの間に配置することができる。
【０１５８】
すなわち、第１領域３７０ａと第２領域３７０ｂは、第３領域３７０ｃを介在して交互に配置される。例えば、第１領域３７０ａ、第３領域３７０ｃ、第２領域３７０ｂ、第３領域３７０ｃ、第１領域３７０ａ、第３領域３７０ｃ…の順に配置することができるが、これに限定されるものではない。
【０１５９】
ここで、電極層３７０の第１領域３７０ａおよび第２領域３７０ｂは導体の性質を有し、第３領域３７０ｃは酸化物半導体の性質を有することができる。
【０１６０】
すなわち、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）が電極層３７０の第３領域３７０ｃを覆い、第１領域３７０ａおよび第２領域３７０ｂは露出する状態に形成することができる。
【０１６１】
次に、ストリップ工程でフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）を取り除く。
【０１６２】
このような工程を経て、電極層３７０の第３領域３７０ｃは酸化物半導体の性質を維持し、第１領域３７０ａおよび第２領域３７０ｂは導体の性質を有し、第１領域３７０ａおよび第２領域３７０ｂは、第１電極および第２電極として機能することができる。
【０１６３】
すなわち、第１領域３７０ａと第２領域３７０ｂのうち、いずれかの一方は薄膜トランジスタに接続されて画素電極になり、他方は共通配線に接続されて共通電極になり得る。
【０１６４】
したがって、電極層３７０の第１領域３７０ａに該当する第１電極と、第２領域３７０ｂに該当する第２電極は横電界を形成し、この電界によって液晶層を駆動することができる。
【０１６５】
また、第１電極および第２電極を含む平坦な板状の電極層３７０上に第１配向膜３９０が形成される。
【０１６６】
次に、電極層３７０が形成された第１基板３１０と、第１基板３１０に対向する第２基板３２０は、液晶３９８を介在して貼り合わせて横電界モードの液晶表示装置４００を形成することができる。
【０１６７】
前述した通り、本発明の第３実施例に係る液晶表示装置４００では、第１配向膜３９０の直下部の電極層３７０は板状のＩＧＺＯからなり、電極層３７０の第１電極である第１領域３７０ａと第２電極である第２領域３７０ｂのみを導体化することで、第３領域３７０ｃを介在して導体化領域が交互に配置され、横電界を発生させることができる。
【０１６８】
ここで、電極層３７０の上部に、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜３９０を形成することができ、それによって液晶３９８分子を一定方向に均一配向することができる。その結果、液晶表示装置４００における光漏れおよび残像を効果的に改善することができる。
【０１６９】
第４実施例
本発明の第４実施例に係る液晶表示装置は、第１実施例に係る液晶表示装置で第２電極が第２基板に構成されたものである。以下、これについてさらに詳細に説明する。しかしながら、説明の都合上、以下では第１実施例と同一・類似の構成に対する具体的な説明を省略することもある。
【０１７０】
図７は、本発明の第４実施例に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【０１７１】
図７に示すように、液晶表示装置５００は、互いに対向する第１基板４１０および第２基板４２０と、第１基板４１０および第２基板４２０の内面に配置された第１電極４６０および第２電極４７０と、第１電極４６０と第２電極４７０との間に形成された液晶４９８からなる液晶層とを含み、第１電極４６０と第１基板４１０との間には保護層４５０が配置される。
【０１７２】
また、第１電極４６０および第２電極４７０は、特定パターンを持たない板状に構成されている。
【０１７３】
すなわち、第１電極４６０と第２電極４７０は、それぞれパターンのない平坦な上面と下面を有するので、別途の工程がなくても、第１電極４６０および第２電極４７０上に配置される第１および第２配向膜４９０、４９１は段差（図２Ｅのｄ）を持たない。
【０１７４】
したがって、第１および第２配向膜４９０、４９１の段差（図２Ｅのｄ）による光漏れおよび残像問題を効果的に改善することができる。
【０１７５】
それについてさらに詳細に説明すると、第１電極４６０および第２電極４７０は、透明なインジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド（以下、ＩＧＺＯ）から構成することができる。
【０１７６】
ＩＧＺＯは酸化物半導体であり、インジウム：ガリウム：亜鉛：酸素を１：１：１：３に混合して構成することができる。
【０１７７】
ここで、第１電極４６０および第２電極４７０は、それぞれ第１領域４６０ａ、４７０ａおよび第２領域４６０ｂ、４７０ｂからなり、広視野角のため、第１電極４６０の第１領域４６０ａは、第２電極４７０の第２領域４７０ｂに対応し、第１電極４６０の第２領域４６０ｂは、第２電極４７０の第１領域４７０ａに対応して配置することができる。
【０１７８】
しかしながら、これに限定されるものではなく、第１電極４６０の第１領域４６０ａは第２電極４７０の第１領域４７０ａに対応し、第１電極４６０の第２領域４６０ｂは第２電極４７０の第２領域４７０ｂに対応して配置することもできる。
【０１７９】
また、それぞれの第１領域４６０ａ、４７０ａと第２領域４６０ｂ、４７０ｂは、複数のバー状であり、交互に位置することができるが、これに限定されるものではない。
【０１８０】
ここで、第１電極４６０および第２電極４７０上に形成されるフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）は、第１領域４６０ａ、４７０ａを覆い、第２領域４６０ｂ、４７０ｂは露出する状態に形成することができる。
【０１８１】
例えば、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）は、第１領域４６０ａ、４７０ａを覆う場合は第２領域４６０ｂ、４７０ｂを露出し、第２領域４６０ｂ、４７０ｂを覆う場合は第１領域４６０ａ、４７０ａを露出する状態に形成することができる。
【０１８２】
以下、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）が第１領域４６０ａ、４７０ａを覆い、第２領域４６０ｂ、４７０ｂは露出する状態に形成された場合を例に挙げて説明する。
【０１８３】
次に、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）が形成された第１電極４６０および第２電極４７０をプラズマ処理し、露出された第２領域４６０ｂ、４７０ｂを導体化することができる。
【０１８４】
ここで、第１電極４６０および第２電極４７０はＩＧＺＯからなるため、プラズマ処理を行った場合、イオンの衝突によってドーパントとして働く酸素空孔（Ｏｘｙｇｅｎ  Ｖａｃａｎｃｙ）が生成されて抵抗が減少し、導体の性質が現れる。
【０１８５】
すなわち、プラズマ処理工程で酸素空孔が発生して自由電子が増加し、電気伝導度が増加する。
【０１８６】
プラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、水素（Ｈ２）を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１８７】
次に、ストリップ工程でフォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）を取り除く。
【０１８８】
このような工程を経て、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）に覆われた第１電極４６０および第２電極４７０の第１領域４６０ａ、４７０ａは酸化物半導体の性質を維持し、フォトレジストパターン（図４Ｃの１３０）に覆われない第２領域４６０ｂ、４７０ｂは、導体の性質を有するので、第１電極４６０の第２領域４６０ｂと第２電極４７０の第２領域４７０ｂは垂直電界を形成し、この電界によって液晶層を駆動することができる。
【０１８９】
特に、第１電極４６０および第２電極４７０を、パターンのない平坦な板状に形成することができる。
【０１９０】
前述したように、第１電極４６０および第２電極４７０をそれぞれ覆う第１配向膜４９０および第２配向膜４９１が形成される。
【０１９１】
特に、平坦な第１電極４６０および第２電極４７０にそれぞれ第１配向膜４９０および第２配向膜４９１を形成することで均一配向をすることができ、段差（図２Ｅのｄ）領域における配向不良を防止すると共に、それぞれ段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜４９０および第２配向膜４９１を形成することができる。
【０１９２】
したがって、第１配向膜４９０および第２配向膜４９１上に配置される液晶４９８分子を一定方向に均一配向することができる。
【０１９３】
前述した通り、本発明の第４実施例に係る液晶表示装置５００では、第１電極４６０および第２電極４７０は板状のＩＧＺＯからなり、第１電極４６０および第２電極４７０の第２領域４６０ｂ、４７０ｂのみを導体化することで、第１電極４６０および第２電極４７０の導体化領域が交互に配置されて垂直電界を発生させることができる。
【０１９４】
ここで、段差（図２Ｅのｄ）のない第１配向膜４９０および第２配向膜４９１を、第１電極４６０および第２電極４７０に形成することができ、それによって液晶４９８分子を一定方向に均一配向することができる。その結果、液晶表示装置５００における光漏れおよび残像を効果的に改善することができる。
【０１９５】
以上、前述した本発明の実施例は本発明の一例であり、本発明の精神に含まれる範囲内で本発明を自由に変形することができる。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびそれと等価範囲内における本発明の変形を含む。
【符号の説明】
【０１９６】
１１０  第１基板、１２０  第２基板、１５０  第１保護層、１６０  第１電極、１７０  第２電極、１７０ａ  第１領域、１７０ｂ  第２領域、１８０  第２保護層、１９０  第１配向膜、１９１  第２配向膜、１９８  液晶、２００  液晶表示装置
【図１】
2018072794.tif 000003
【図２Ａ】
2018072794.tif 000004
【図２Ｂ】
2018072794.tif 000005
【図２Ｃ】
2018072794.tif 000006
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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