(57)【要約】【課題】耐圧が低下するのを抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに配置された電極と、を備えている。半導体基板１０には、縦型の半導体素子が形成されたセル領域１２と、半導体基板１０の厚さ方向と直交する平面でセル領域１２を囲んでいる外周領域１４と、が形成されている。半導体基板１０は、表側半導体層と、ガードリング４０と、裏面側半導体層と、ドリフト層３６と、を有している。外周領域１４では、セル領域１２に対して、ドリフト層３６が裏面１０ｂ側に突出している。裏側半導体層とドリフト層３６との境界面では、ドリフト層３６の突出により形成された段差部分３６ａが曲面形状をなしている。【選択図】図３
2018014417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１０）と、前記半導体基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に配置された電極と、を備え、縦型の半導体素子が形成されたセル領域（１２）と、前記半導体基板の厚さ方向と直交する平面で前記セル領域を囲んでいる外周領域（１４）と、が形成された半導体装置であって、
前記半導体基板は、
前記セル領域の前記表面における表層に形成された表側半導体層（２６，２８，３０）と、
前記外周領域の前記表面における表層に形成され、耐圧を向上するための耐圧向上部（４０）と、
前記セル領域及び前記外周領域の前記裏面における表層に形成された裏側半導体層（３２，３４，３８）と、
前記セル領域における前記表側半導体層と前記裏側半導体層との間、及び、前記外周領域における前記耐圧向上部と前記裏側半導体層との間に形成されたドリフト層（３６）と、を有し、
前記外周領域では、前記セル領域に対して、前記ドリフト層が前記裏面側に突出しており、
前記裏側半導体層と前記ドリフト層との境界面では、前記外周領域における前記ドリフト層の突出により形成された段差部分（３６ａ）が曲面形状をなしている半導体装置。
【請求項２】
前記セル領域は、前記厚さ方向と直交する平面において、前記外周領域と隣接して環状に形成されたセル外側領域（１２ａ）と、前記セル外側領域に囲まれているセル内側領域（１２ｂ）と、を有し、
前記セル内側領域の前記表側半導体層は、前記半導体素子として機能し、
前記セル外側領域の前記表側半導体層は、前記半導体素子として機能しない請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、ＩＧＢＴ素子であり、
前記セル内側領域の前記表側半導体層には、エミッタ領域が形成されていることにより前記ＩＧＢＴ素子として機能し、
前記セル外側領域の前記表側半導体層には、前記エミッタ領域が形成されておらず、前記ＩＧＢＴ素子として機能しない請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記段差部分は、前記セル領域及び前記外周領域のうちの前記セル領域にのみ形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は、ＩＧＢＴ素子であり、
前記裏側半導体層は、前記裏面に露出するコレクタ層と、前記コレクタ層と前記ドリフト層との間に形成されたフィールドストップ層と、を有し、
前記フィールドストップ層と前記ドリフト層側との境界面では、前記段差部分が曲面形状をなしている請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が形成されたセル領域と、セル領域を囲む外周領域と、が形成された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、内周部と外周部とを備えるＩＧＢＴが知られている。ＩＧＢＴにおける基板の表面側には、ソース領域及びベース層を含む表面構造が形成されている。ＩＧＢＴにおける基板の裏面側には、ドレイン層及びバッファ層を含む裏面構造が形成されている。表面構造と裏面構造との間には、ｎ−型高抵抗層が形成されている。
【０００３】
外周部では、耐圧を向上するために、内周部に対してｎ−型高抵抗層が裏面側に突出している。すなわち、外周部は、内周部に対して裏面側で凸部を形成している。裏面構造は、内周部及び外周部にわたって厚さが均一に形成され、外周部の凸部によって屈曲した形状をなしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２８１５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記構成において、裏面構造とｎ−型高抵抗層との境界には、外周部の凸部に形成された段差によって、尖った角部が形成されている。これによれば、ＩＧＢＴを動作させた場合に、角部付近で電位が大きく変化し易い。したがってＩＧＢＴでは、基板における特定の箇所で電界強度が高くなり易く、耐圧が低下する虞がある。
【０００６】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、耐圧が低下するのを抑制する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態における具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【０００８】
本発明のひとつは、
半導体基板（１０）と、半導体基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に配置された電極と、を備え、縦型の半導体素子が形成されたセル領域（１２）と、半導体基板の厚さ方向と直交する平面でセル領域を囲んでいる外周領域（１４）と、が形成された半導体装置であって、
半導体基板は、
セル領域の表面に形成された表側半導体層（２６，２８，３０）と、
外周領域の表面に形成され、耐圧を向上するための耐圧向上部（４０）と、
セル領域及び外周領域の裏面に形成された裏側半導体層（３２，３４，３８）と、
セル領域における表側半導体層と裏側半導体層との間、及び、外周領域における耐圧向上部と裏側半導体層との間に形成されたドリフト層（３６）と、を有し、
外周領域では、セル領域に対して、ドリフト層が裏面側に突出しており、
裏側半導体層とドリフト層との境界面では、外周領域におけるドリフト層の突出により形成された段差部分（３６ａ）が曲面形状をなしている。
【０００９】
上記構成において、裏側半導体層とドリフト層との境界面では、ドリフト層の突出により形成された段差部分が曲面形状をなしている。これによれば、外周領域におけるドリフト層がセル領域に対して裏面側に突出している場合であっても、裏側半導体層とドリフト層との境界面に角部が形成されるのを抑制できる。したがって、裏面側に形成された段差部分で電界強度が高くなるのを抑制できる。よって、セル領域と外周領域との境界付近で耐圧が低下するのを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】トレンチ間隔が広くされた半導体装置の断面図である。
【図６】トレンチ間隔が狭くされた半導体装置の断面図である。
【図７】トレンチ間隔と耐圧との関係を示す図である。
【図８】外周領域及びセル領域の耐圧差とスイッチグ耐量との関係を示す図である。
【図９】第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】第１変形例に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１２】第２変形例に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図面を参照して説明する。なお、複数の実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、半導体基板の厚さ方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する特定の方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向と示す。
【００１２】
（第１実施形態）
先ず、図１〜図３に基づき、半導体装置１００の概略構成について説明する。
【００１３】
半導体装置１００としては、例えば、インバータやＤＣＤＣコンバータに用いられるパワースイッチング素子を採用できる。本実施形態では、半導体装置１００として、ＩＧＢＴ素子とＦＷＤ素子とが同一の半導体基板１０に形成されたＲＣ−ＩＧＢＴを採用している。言い換えると本実施形態では、半導体装置１００に形成された縦型の半導体素子として、ＩＧＢＴ素子とＦＷＤ素子とを採用している。ＩＧＢＴは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略称である。ＦＷＤは、Free Wheel Diodeの略称である。ＲＣは、Reverse Conductingの略称である。半導体装置１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０に配置された電極及び配線と、を備えている。半導体基板１０は、はんだ等を介して、回路基板に実装される。
【００１４】
図１に示すように、半導体基板１０には、半導体素子が形成されたセル領域１２と、ＸＹ平面においてセル領域１２を囲む外周領域１４と、が形成されている。外周領域１４は、半導体装置１００の耐圧を確保するための領域である。図１及び図３では、セル領域１２と外周領域１４との境界を破線で示している。
【００１５】
セル領域１２には、半導体素子が形成されているセル内側領域１２ａと、セル内側領域１２ａと外周領域１４との間に形成されたセル外側領域１２ｂと、が形成されている。図１では、セル内側領域１２ａの平面形状を明確にするために、セル内側領域１２ａにハッチングを施している。セル外側領域１２ｂは、ＸＹ平面において、セル内側領域１２ａを囲むとともに、外周領域１４に囲まれている。すなわちセル外側領域１２ｂは、セル内側領域１２ａ及び外周領域１４と隣接している。
【００１６】
本実施形態においてセル内側領域１２ａは、ＩＧＢＴ素子が形成されたＩＧＢＴ領域１６、及び、ＦＷＤ素子が形成されたダイオード領域１８を有している。図１では、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８に対して、互いに異なるハッチングを施している。ＸＹ平面において、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８は、Ｙ方向に延びて形成されている。本実施形態のセル内側領域１２ａには、複数のＩＧＢＴ領域１６、及び、複数のダイオード領域１８が形成されている。Ｘ方向において、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８が交互に並んで形成されている。セル外側領域１２ｂの表面１０ａには、電極として、複数のパッド２０が形成されている。パッド２０は、図示しないゲート配線等と接続されている。
【００１７】
図２に示すように、半導体基板１０のセル領域１２には、トレンチ２２、ゲート電極２４、ベース層２６、エミッタ領域２８、ボディ領域３０、コレクタ層３２、フィールドストップ層３４、ドリフト層３６、及び、カソード層３８が形成されている。半導体基板１０は、シリコンを主成分とした基板である。
【００１８】
トレンチ２２は、表面１０ａから所定深さを有して形成されている。トレンチ２２は、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の両方に形成されている。半導体基板１０では、複数のトレンチ２２がＸ方向において等間隔に並んで形成されている。以下、Ｘ方向におけるトレンチ２２同士の間隔をトレンチ間隔Ｗと示す。トレンチ２２は、Ｙ方向に延びて形成されている。
【００１９】
ゲート電極２４は、各トレンチ２２内にポリシリコンが埋め込まれて形成されたトレンチゲートである。トレンチ２２の内壁には図示しないゲート絶縁膜が形成され、ゲート電極２４はゲート絶縁膜を介してトレンチ２２の内壁に配置されている。ゲート絶縁膜は、半導体基板１０とゲート電極２４との間に介在して両者を互いに絶縁している。ゲート電極２４には、図示しないゲート配線が接続され、ゲート電圧が印加される。
【００２０】
ベース層２６は、表面１０ａの表層に形成されたｐ導電型の半導体層である。ベース層２６は、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の両方に形成されている。トレンチ２２は、ベース層２６を貫通している。ダイオード領域１８のベース層２６は、表面１０ａに配置されたアノード電極、すなわち表面電極と電気的に接続されている。ＩＧＢＴ領域１６のベース層２６には、エミッタ領域２８及びボディ領域３０が形成されている。なお、ダイオード領域１８のベース層２６には、エミッタ領域２８及びボディ領域３０が形成されていない。
【００２１】
エミッタ領域２８は、ｎ導電型の半導体層である。エミッタ領域２８は、表面１０ａに露出し、Ｘ方向においてトレンチ２２と隣接している。ボディ領域３０は、ｐ導電型の半導体層である。ボディ領域３０は、表面１０ａに露出し、Ｘ方向においてエミッタ領域２８に挟まれている。エミッタ領域２８及びボディ領域３０は、表面１０ａに配置されたエミッタ電極、すなわち表面電極と電気的に接続されている。なお、表面１０ａには、表面電極及び配線に加えて、ポリイミド（ＰＩＱ）を用いて形成された保護膜が配置されている。ベース層２６、エミッタ領域２８、及び、ボディ領域３０は、特許請求の範囲に記載の表側半導体層に相当する。
【００２２】
コレクタ層３２は、ｐ導電型の半導体層である。コレクタ層３２は、ＩＧＢＴ領域１６に形成されている。また図３に示すように、コレクタ層３２は、外周領域１４にも形成されている。コレクタ層３２は、裏面１０ｂに露出している。これにより、コレクタ層３２は、裏面１０ｂに配置された裏面電極と電気的に接続されている。ＩＧＢＴ領域１６において裏面電極は、コレクタ電極に相当する。コレクタ層３２のＺ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。
【００２３】
カソード層３８は、ｎ導電型の半導体層である。カソード層３８は、ダイオード領域１８にのみ形成されている。カソード層３８は、裏面１０ｂに露出している。これにより、カソード層３８は、裏面１０ｂに配置された裏面電極と電気的に接続されている。ダイオード領域１８において裏面電極は、カソード電極に相当する。カソード層３８のＺ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。また、裏面電極のＺ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。裏面電極は、はんだ等を介して、回路基板に接合される。
【００２４】
ＸＹ平面において、コレクタ層３２及びカソード層３８の境界は、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の境界をなしている。図２では、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の境界を破線で示している。
【００２５】
フィールドストップ層３４は、ｎ導電型の半導体層である。フィールドストップ層３４は、空乏層の広がりを抑制するものである。フィールドストップ層３４は、ＸＹ平面におけるセル領域１２の全体に形成されている。すなわちフィールドストップ層３４は、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の両方に形成されている。またフィールドストップ層３４は、外周領域１４にも形成されている。フィールドストップ層３４は、コレクタ層３２及びカソード層３８における裏面１０ｂと反対の面に形成されている。本実施形態においてフィールドストップ層３４のＺ方向における厚さはほぼ均一とされている。
【００２６】
ドリフト層３６は、ｎ導電型の半導体層である。ドリフト層３６は、ＸＹ平面におけるセル領域１２の全体に形成されている。すなわちドリフト層３６は、ＩＧＢＴ領域１６及びダイオード領域１８の両方に形成されている。またドリフト層３６は、外周領域１４にも形成されている。外周領域１４では、セル領域１２に対して、ドリフト層３６が裏面１０ｂ側に突出している。ドリフト層３６の突出については、下記で詳細に説明する。
【００２７】
図３に示すように、半導体基板１０の外周領域１４には、コレクタ層３２、フィールドストップ層３４、及び、ドリフト層３６に加えて、ガードリング４０が形成されている。ガードリング４０は、ｐ導電型の半導体層である。ガードリング４０は、半導体装置１００の耐圧を向上するために形成された耐圧向上部である。
【００２８】
ガードリング４０は、表面１０ａに露出しており、ＸＹ平面においてベース層２６を囲むように環状をなしている。ガードリング４０が形成されていることで空乏層がセル領域１２から外周領域１４へ広がるため、セル領域１２おける電界集中を抑制できる。
【００２９】
本実施形態において外周領域１４には、複数のガードリング４０が形成されている。複数のガードリング４０は、互いに中心がほぼ一致するように、表面１０ａの外周端から中心に向かって並んでいる。
【００３０】
ＸＹ平面において、ベース層２６、及び、最も内側に形成されたガードリング４０の境界は、セル領域１２及び外周領域１４の境界をなしている。セル領域１２において、最も内側に形成されたガードリング４０とＸ方向に隣接するトレンチ２２と、最も内側に形成されたガードリング４０と、によって挟まれた部分には、エミッタ領域２８が形成されていない。そのため、この部分は、ＩＧＢＴ素子として機能しない。
【００３１】
セル領域１２において、最も内側に形成されたガードリング４０とＸ方向に隣接するトレンチ２２と、最も内側に形成されたガードリング４０と、によって挟まれた部分は、セル外側領域１２ｂである。すなわちセル外側領域１２ｂには、エミッタ領域２８が形成されていない。
【００３２】
最も内側に形成されたガードリング４０とＸ方向に隣接するトレンチ２２が、Ｘ方向におけるセル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界をなしている。言い換えると、複数のトレンチ２２のうち、Ｘ方向において外周領域１４に最も近いトレンチ２２が、セル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界をなしている。図３では、セル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界を一点鎖線で示している。
【００３３】
以下、トレンチ２２、ゲート絶縁層、ゲート電極２４、ベース層２６、エミッタ領域２８、ボディ領域３０、及び、ガードリング４０を纏めて、表側構造と示す。また、コレクタ層３２、フィールドストップ層３４、及び、カソード層３８を纏めて、裏側半導体層と示す。
【００３４】
次に、ＩＧＢＴ素子の動作について説明する。ＩＧＢＴ素子を動作させるために、エミッタ電極及びコレクタ電極間にコレクタ電圧を印加するとともに、ゲート電極２４にゲート電圧を印加する。ゲート電圧の印加により、ベース層２６にチャネルを生じてエミッタ領域２８とドリフト層３６の間で電荷が移動できるようになる。
【００３５】
ゲート電圧を０Ｖ又は逆バイアスにすると、ｎ導電型に反転していたベース層２６がｐ導電型の領域に戻り、エミッタ電極からの電子の注入が止まる。この注入停止により、コレクタ層３２からのホールの注入も止まる。その後、ドリフト層３６に蓄積されていたキャリアが、コレクタ電極及びエミッタ電極から排出されるか、又は、互いに再結合して消滅する。
【００３６】
ダイオード領域１８では、ベース層２６をアノードとし、ドリフト層３６、フィールドストップ層３４、及び、カソード層３８をカソードとしてＰＮ接合されたダイオードが構成される。
【００３７】
次に、ドリフト層３６の突出について説明する。ドリフト層３６におけるフィールドストップ層３４側の面には、段差部分３６ａが形成されている。言い換えると、フィールドストップ層３４とドリフト層３６との境界面には、段差部分３６ａが形成されている。コレクタ層３２、フィールドストップ層３４、及び、カソード層３８のＺ方向における厚さは均一とされているため、ドリフト層３６の突出により裏面１０ｂにも段差部分１０ｃが形成されている。
【００３８】
表面１０ａは、セル領域１２及び外周領域１４にわたって、ほぼ平坦な面とされている。よって本実施形態では、裏面１０ｂに段差部分１０ｃが形成されていることで、セル領域１２に較べて外周領域１４における半導体基板１０の厚さが厚くされている。
【００３９】
本実施形態において段差部分３６ａは、セル領域１２にのみ形成され、外周領域１４に形成されていない。段差部分３６ａは、セル内側領域１２ａ及びセル外側領域１２ｂの両方にわたって形成されている。なお、段差部分１０ｃは、Ｚ方向の投影視において段差部分３６ａとほぼ同じ位置に形成されている。
【００４０】
以下、セル領域１２において段差部分１０ｃが形成されていない領域の半導体基板１０の厚さを厚さｄ１と示す。また、外周領域１４における半導体基板１０の厚さを厚さｄ２と示す。厚さｄ２は、厚さｄ１よりも厚くされている。半導体基板１０の段差部分１０ｃが形成された部分の厚さは、厚さｄ１よりも厚くされるとともに、厚さｄ２よりも薄くされている。半導体基板１０において段差部分１０ｃの厚さは、セル領域１２の中心から遠ざかるほど、半導体基板１０の厚さが厚くされている。
【００４１】
ドリフト層３６の突出により、裏側半導体層は滑らかに湾曲している。つまり、裏側半導体層に角部が形成されていない。これにより、フィールドストップ層３４とドリフト層３６との境界面では、段差部分３６ａが曲面形状をなしている。言い換えると、ドリフト層３６におけるフィールドストップ層３４側の面は、段差部分３６ａが曲面形状をなしている。裏面１０ｂにおいて段差部分１０ｃは、段差部分３６ａに沿う曲面形状をなしている。
【００４２】
ＸＹ平面に投影した段差部分３６ａは、セル領域１２を囲むように環状をなしている。ＸＹ平面において段差部分３６ａの内周端及び外周端は、矩形状をなしている。ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端は、セル領域１２と外周領域１４との境界とほぼ一致している。ＸＹ平面における段差部分３６ａの内周端は、セル領域１２と外周領域１４との境界からセル領域１２の中心部分に向かって所定距離進んだ位置に形成されている。図３では、段差部分３６ａの内周端を二点鎖線で示している。ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端は、段差部分３６ａの開始位置と称することもできる。また、段差部分３６ａの内周端は、段差部分３６ａの終了位置と称することもできる。
【００４３】
段差部分３６ａのＺ方向における高さｄ３は、例えば数μｍ〜数十μｍ程度とされている。ＸＹ平面において、段差部分３６ａの内周端及び外周端の離間距離ｄ４は、ほぼ均一となっており、例えば数十μｍ程度とされている。なお、段差部分１０ｃでは、Ｚ方向における高さ、及び、ＸＹ平面における内周端及び外周端の離間距離が、段差部分３６ａとほぼ同じ長さとなっている。
【００４４】
なお、裏面電極のＺ方向における厚さが均一とされているため、段差部分１０ｃによって、裏面電極の半導体基板１０と反対側の面にも段差部分が形成されている。この段差部分のＺ方向における高さは、段差部分３６ａのＺ方向における高さｄ３と同様に、数μｍ〜数十μｍ程度とされている。はんだを介して半導体装置１００を回路基板に実装する場合、裏面電極の段差部分により凹んだ部分をはんだで埋める。詳述すると、セル領域１２及び回路基板の間のはんだの厚さを、外周領域１４及び回路基板の間のはんだの厚さに較べて厚くする。これにより、回路基板に対して半導体装置が傾いて配置されるのを抑制できる。
【００４５】
次に、図４に基づき、半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００４６】
先ず、ｎ導電型の半導体基板１０を準備する。このとき、準備する半導体基板１０には、表側構造及び裏側半導体層が形成されていない。また、準備する半導体基板１０には、電極及び配線が配置されていない。
【００４７】
次に、半導体基板１０に対して、表側構造を形成する。表側構造の形成方法としては、一般的に知られた方法を採用すればよい。そして、図４に示すように表面１０ａにレジスト５０を配置する。レジスト５０は、段差部分１０ｃを形成するためのものである。この工程では、表面１０ａのうちのセル領域１２にのみレジスト５０を配置し、外周領域１４にはレジスト５０を配置しない。本実施形態では、レジスト５０がセル領域１２の全体と接触するようにレジスト５０を配置する。なお、レジスト５０に代えて、ポリイミド（ＰＩＱ）を用いてもよい。
【００４８】
次に、半導体基板１０を裏面１０ｂ側から研削する。この工程では、先ず、半導体基板１０の表面１０ａ側にＢＧ（バックグラインド）用テープを貼る。ＢＧ用テープは、半導体基板１０の研削時に表面１０ａを保護するものである。セル領域１２ではレジスト５０がＢＧ用テープと接触し、外周領域１４では表面１０ａがＢＧ用テープと接触する。
【００４９】
そして、ＢＧ用テープを貼った状態で半導体基板１０を研削装置によって研削する。研削装置は、半導体基板１０を表面１０ａ側で保持する保持部と、半導体基板１０を裏面１０ｂから研削する研削部と、を有している。この工程では、ＢＧ用テープと保持部とが接触するように、半導体基板１０を研削装置に配置する。そして、Ｚ方向において保持部及び研削部により半導体基板１０を挟んで、研削部によって裏面１０ｂを研削する。
【００５０】
保持部は、半導体基板１０を保持するとともに、半導体基板１０を研削部に押しつける。セル領域１２は、レジスト５０が配置されていることで、外周領域１４に較べて保持部から研削部へ強く押しつけられる。すなわち、セル領域１２は、外周領域１４に較べて、保持部から研削部へ押しつけられる力が大きい。これによれば、セル領域１２は、外周領域１４に較べて、多くの部分が研削される。したがって、半導体基板１０を研削した後、外周領域１４に較べてセル領域１２は薄くなる。すなわち、半導体基板１０を研削した後、裏面１０ｂに段差部分１０ｃが形成される。このとき形成される段差部分１０ｃのＺ方向における高さは、レジスト５０の厚みに応じて決まり、例えば数μｍ〜数十μｍ程度である。
【００５１】
なお、セル領域１２において外周領域１４との境界付近では、レジスト５０が配置されていない外周領域１４と近いため、セル領域１２の中心付近に較べて保持部から研削部へ押しつけられる力が小さい。そのため、セル領域１２において外周領域１４との境界付近では、セル領域１２の中心から遠ざかるほど、半導体基板１０の厚さが厚くなる。以上により、裏面１０ｂの段差部分１０ｃは曲面形状となる。
【００５２】
次に、半導体基板１０を裏面１０ｂ側からウエットエッチングする。ウエットエッチングは、裏面１０ｂの研削キズ等を無くすために行われ、裏面１０ｂの全体に対して均一に行われる。したがって、ウエットエッチングの後において、半導体基板１０は段差部分１０ｃが形成された状態を保っている。
【００５３】
次に、裏面１０ｂに裏側半導体層を形成する。裏側半導体層の形成方法としては、例えばイオン注入を採用する。イオン注入により、コレクタ層３２、フィールドストップ層３４、及び、カソード層３８の夫々のＺ方向における厚さが均一に、裏側半導体層が形成される。これにより、ドリフト層３６におけるフィールドストップ層３４側の面に段差部分３６ａが形成される。
【００５４】
次に、レジスト５０を除去し、表面電極及び配線を表面１０ａに配置する。そして、裏面電極を裏面１０ｂに配置する。次に、表面１０ａに保護膜を配置する。以上により、半導体装置１００を製造できる。
【００５５】
次に、図５〜図８に基づき、セル領域１２と外周領域１４の耐圧差について説明する。
【００５６】
図５及び図６は、トレンチ間隔Ｗが互いに異なる２つの半導体装置１００について示している。図６の半導体装置１００では、図５の半導体装置１００に較べて、トレンチ間隔Ｗが狭い。以下、図５の半導体装置１００のトレンチ間隔Ｗを間隔Ｗ１と示す。また、図６の半導体装置１００のトレンチ間隔Ｗを間隔Ｗ２と示す。半導体装置１００において、トレンチ間隔Ｗが狭いほどオン電圧が低下することが知られている。
【００５７】
ところで、図５及び図６では、逆バイアス印加時の等電位線を破線で示している。図５の半導体装置１００では、等電位線がトレンチ２２を避けるように湾曲している。これによれば、Ｚ方向においてトレンチ２２における表面１０ａと反対側の端部付近で、電位が変化し易い。これに対して、図６の半導体装置１００では、図５の半導体装置１００に較べて、等電位線が平坦となっている。よって、トレンチ間隔Ｗを狭くすることで、特定の箇所で電位が大きく変化するのを抑制できる。
【００５８】
以上によれば、図７に示すように、トレンチ間隔Ｗを狭くすることで、セル領域１２の耐圧を向上する。一方、外周領域１４ではトレンチ２２が形成されていないため、トレンチ間隔Ｗを狭くした場合であっても外周領域１４の耐圧は変化し難い。
【００５９】
図７では、本実施形態における外周領域１４の耐圧を一点鎖線で示している。また、段差部分１０ｃ及び段差部分３６ａが形成されず、且つ、裏側半導体層が均一の厚さとされた従来構成の半導体装置における外周領域の耐圧を比較例として二点鎖線で示している。本実施形態では、半導体基板１０が厚くされているため、比較例に較べて外周領域１４の耐圧が高い。よって、本実施形態では、トレンチ間隔Ｗを狭くした場合であっても、外周領域１４の耐圧をセル領域１２の耐圧よりも高くし易い。これに対し、比較例では、トレンチ間隔Ｗを狭くした場合、セル領域１２の耐圧が外周領域１４の耐圧よりも高くなり易い。
【００６０】
図８に示すように、セル領域１２と外周領域１４との耐圧差に応じて、半導体装置１００のスイッチング耐量が変化する。スイッチング耐量とは、半導体装置１００が壊れるまでに流すことができる電流量である。なお、図８の横軸は、外周領域１４の耐圧からセル領域の耐圧を減じた値である。
【００６１】
トレンチ間隔Ｗを狭くした場合、比較例では、セル領域１２の耐圧が外周領域１４の耐圧よりも高くなり易く、セル領域１２よりも先に外周領域１４がブレークダウンし易い。一般的に、外周領域１４は、セル領域１２に較べて、ＸＹ平面における面積が小さい。そのため、外周領域１４では、セル領域１２に較べて電流密度が高くなり易い。したがって、セル領域１２よりも先に外周領域１４がブレークダウンして外周領域１４に大電流が流れると、半導体装置１００のスイッチング耐量が低くなる。
【００６２】
本実施形態では、トレンチ間隔Ｗを狭くした場合であっても、セル領域１２の耐圧が外周領域１４の耐圧よりも高い状態を保ち易いため、外周領域１４よりも先にセル領域１２がブレークダウンし易い。セル領域１２は外周領域１４に較べて、ＸＹ平面における面積が大きいため、電流密度が高くなるのを抑制できる。したがって、外周領域１４が先にブレークダウンする場合に較べてスイッチング耐量を高くできる。
【００６３】
次に、上記した半導体装置１００の効果について説明する。
【００６４】
本実施形態において、外周領域１４では、セル領域１２に対して、ドリフト層３６が突出している。これによれば、外周領域１４の耐圧を向上でき、セル領域１２よりも外周領域１４の耐圧を大きくし易い。したがって、トレンチ間隔Ｗを狭くしてオン電圧を小さくした場合であっても、半導体装置１００のスイッチング耐量の低下を抑制できる。
【００６５】
また、本実施形態において、フィールドストップ層３４とドリフト層３６との境界面では、ドリフト層３６の突出により形成された段差部分３６ａが曲面形状をなしている。これによれば、外周領域１４に形成されたドリフト層３６がセル領域１２に対して裏面１０ｂ側に突出している場合であっても、フィールドストップ層３４とドリフト層３６との境界面に角部が形成されるのを抑制できる。したがって、裏面１０ｂ側に形成された段差部分３６ａで電界強度が高くなるのを抑制できる。よって、セル領域１２と外周領域１４との境界付近で耐圧が低下するのを抑制できる。
【００６６】
（第２実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した半導体装置１００と共通する部分についての説明は割愛する。
【００６７】
本実施形態では、図９に示すように、複数のトレンチ２２のうち、Ｘ方向において外周領域１４から５番目に近いトレンチ２２が、セル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界をなしている。すなわち、Ｘ方向において外周領域１４から５番目に近いトレンチ２２よりも外周領域１４側には、エミッタ領域２８が形成されていない。そのため、第１実施形態でエミッタ領域２８が形成された部分が、第２実施形態ではベース層２６となっている。以上によれば、第１実施形態に較べてセル外側領域１２ｂの幅が広くされている。図９では、セル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界を一点鎖線で示している。
【００６８】
ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端は、セル領域１２と外周領域１４との境界からセル領域１２の中心部分に向かって所定距離進んだ位置に形成されている。すなわち本実施形態では、第１実施形態に較べて、ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端がセル領域１２及び外周領域１４の境界から離れた位置に形成されている。言い換えると、段差部分３６ａの開始位置が、第１実施形態に較べて、セル領域１２及び外周領域１４の境界から離れた位置に形成されている。詳述すると、ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端は、セル外側領域１２ｂに形成されている。
【００６９】
図９では、段差部分３６ａの外周端を二点鎖線で示している。なお、ＸＹ平面における段差部分３６ａの内周端は、セル内側領域１２ａとセル外側領域１２ｂとの境界とほぼ一致している。
【００７０】
本実施形態では、表側構造を形成する際、Ｘ方向において外周領域１４から５番目に近いトレンチ２２よりも外周領域１４側には、エミッタ領域２８を形成しない。そして、図１０に示すように、表面１０ａのうちのセル内側領域１２ａの全体及びセル外側領域１２ｂの一部に、レジスト５０を配置する。詳述すると、表面１０ａにおいて、セル内側領域１２ａ及びセル外側領域１２ｂの境界と、セル領域１２及び外周領域１４の境界と、の間にレジスト５０の外周端が位置するように、レジスト５０を表面１０ａに配置する。これによれば、半導体基板１０を研削することで、Ｚ方向の投影視において、裏面１０ｂのうちのレジスト５０の外周端と重なる部分が、段差部分１０ｃの外周端となる。
【００７１】
ところで、半導体装置１００の製造工程では、公差により、ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端が想定していた位置からずれることが考えられる。この場合、ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端がセル領域１２と外周領域１４との境界と一致する構成では、外周領域１４に段差部分３６ａが形成されることとなる。
【００７２】
これに対して本実施形態では、ＸＹ平面における段差部分３６ａの外周端が、セル領域１２及び外周領域１４の境界から離れた位置に形成されている。これによれば、段差部分３６ａの外周端が想定していた位置からずれた場合であっても、外周領域１４に段差部分３６ａが形成され難い。したがって、外周領域１４の耐圧が低下するのを効果的に抑制できる。
【００７３】
セル内側領域１２ａに形成された半導体素子を動作させると、セル外側領域１２ｂを介して、セル内側領域１２ａに形成された表側構造と外周領域１４の裏側半導体層との間で電流が流れる。すなわち、半導体素子を動作させた場合に、セル領域１２に加えて、外周領域１４にも電流が流れる。
【００７４】
これに対して本実施形態では、セル外側領域１２ｂの幅が厚くされている。これによれば、半導体素子を動作させた場合に外周領域１４に電流が流れるのを抑制できる。したがって、外周領域１４の耐圧が低下するのを効果的に抑制できる。
【００７５】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００７６】
上記実施形態において、外周領域１４では、セル領域１２に較べて半導体基板１０が厚くされた例を示したが、これに限定するものではない。半導体基板１０は、少なくとも、ドリフト層３６が裏面１０ｂ側に突出し、この突出により段差部分３６ａが形成された構成であればよい。図１１の第１変形例に示すように、セル領域１２及び外周領域１４で半導体基板１０の厚さが均一とされていてもよい。この例では、裏面１０ｂに段差部分１０ｃが形成されていない。
【００７７】
第１変形例において、フィールドストップ層３４は、外周領域１４で薄く、セル領域１２で厚くされている。厚さの異なるフィールドストップ層３４を形成する方法としては、例えば、セル領域１２と外周領域１４とでイオン注入の深さを変えることを採用できる。なお、第１変形例では、コレクタ層３２の厚さはセル領域１２と外周領域１４とで均一とされている。
【００７８】
また上記実施形態では、半導体装置１００としてＲＣ−ＩＧＢＴを採用する例を示したが、これに限定するものではない。図１２の第２変形例に示すように、半導体素子としてＩＧＢＴ素子のみが形成された例も採用できる。すなわち、半導体装置１００としてＩＧＢＴを作用することもできる。第２変形例の半導体基板１０には、ダイオード領域１８が形成されておらず、ＩＧＢＴ領域１６のみが形成されている。また、半導体素子としてＭＯＳＦＥＴ素子やダイオード素子のみが形成された例も採用できる。
【００７９】
また上記実施形態では、半導体基板１０にフィールドストップ層３４が形成さた例を示したが、これに限定するものではない。半導体基板１０にフィールドストップ層３４が形成されない例を採用することもできる。
【００８０】
また上記実施形態では、耐圧向上部としてガードリング４０が形成された例を示したが、これに限定するものではない。耐圧向上部としてフィールドプレート、トレンチ、又は、リサーフ（ＲＥＳＵＲＦ）が形成された例を採用できる。
【符号の説明】
【００８１】
１０…半導体基板、１０ａ…表面、１０ｂ…裏面、１０ｃ…段差部分、１２…セル領域、１２ａ…セル内側領域、１２ｂ…セル外側領域、１４…外周領域、１６…ＩＧＢＴ領域、１８…ダイオード領域、２０…パッド、２２…トレンチ、２４…ゲート電極、２６…ベース層、２８…エミッタ領域、３０…ボディ領域、３２…コレクタ層、３４…フィールドストップ層、３６…ドリフト層、３６ａ…段差部分、３８…カソード層、４０…ガードリング、５０…レジスト、１００…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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