(57)【要約】【課題】積層体から支持体を分離するときに、基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離する。【解決手段】本発明の一形態に係る支持体分離装置（１０）は、クランプ（２３）によりサポートプレート（２）の面取り部位（２ａ）を把持して隙間（７）を形成し、隙間（７）を吸着パッド（２２）で維持した状態で、クランプ（２３）と一体となった気体噴出部（２４）から気体を噴出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、
上記積層体を基板側から固定する載置台と、
上記支持体を保持する保持部と、
上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、
上記保持部は、
上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、
上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、を備え、
上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えていることを特徴とする支持体分離装置。
【請求項２】
上記把持部は、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項１に記載の支持体分離装置。
【請求項３】
上記保持部は、上記把持部および吸着部を夫々複数備え、
上記複数の把持部は、夫々上記噴出部を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持体分離装置。
【請求項４】
上記支持体の外周端部には、面取り部位が設けられており、
上記把持部は、上記支持体の面取り部位を係止する係止面を有しており、
上記係止面に隣接するようにして、流体を噴出する開口部が上記噴出部に配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の支持体分離装置。
【請求項５】
上記係止面内に上記開口部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の支持体分離装置。
【請求項６】
上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射部をさらに備え、
上記把持部は、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持して持ち上げるようになっていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の支持体分離装置。
【請求項７】
上記保持部は、上記昇降部に連結されたプレート部を備えており、
当該プレート部は、上記支持体に対向する側の面の周縁部分に上記吸着部が配置されており、上記支持体に対向する面の裏面には、上記把持部を、上記プレート部の周縁部分よりも外側から上記吸着部に近づくように、上記支持体の平面方向に平行に移動させる駆動部を備えていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の支持体分離装置。
【請求項８】
上記プレート部における、上記支持体に対向する側の面の周縁部分よりも内側には、上記支持体の平面部に当接する当接面を有する当接部が設けられており、当該当接部は樹脂製であることを特徴とする請求項７に記載の支持体分離装置。
【請求項９】
基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、
上記基板を固定し、少なくとも一つの把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する隙間形成工程と、
上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する隙間維持工程と、
上記隙間維持工程後、上記隙間から上記積層体の内部に向かって、上記把持部が備えている噴出部から流体を噴出することによって、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴とする支持体分離方法。
【請求項１０】
上記隙間形成工程では、上記把持部が上記支持体の外周端部を把持して持ち上げることによって上記隙間を形成することを特徴とする請求項９に記載の支持体分離方法。
【請求項１１】
上記隙間形成工程では、複数の上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に複数の上記隙間を形成し、
上記隙間維持工程では、上記支持体における、複数の上記把持部が上記支持体を把持することによって上記隙間が形成された複数の面の裏面の夫々を、個別に吸着保持して持ち上げ、
上記分離工程では、複数の上記隙間のうちの一部の隙間から上記積層体の内側に向かって、上記把持部が備えている噴出部よって流体を噴出することを特徴とする請求項９又は１０に記載の支持体分離方法。
【請求項１２】
上記隙間形成工程後、上記隙間維持工程前において、上記支持体の外周端部と上記把持部とを離間することを特徴とする請求項９〜１１の何れか１項に記載の支持体分離方法。
【請求項１３】
上記隙間形成工程では、上記把持部によって上記支持体の外周端部を把持するときに、上記支持体における、上記把持部が接触する部分の周縁部分を吸着保持して持ち上げることを特徴とする請求項９〜１２の何れか１項に記載の支持体分離方法。
【請求項１４】
上記支持体は、光を透過する材料からなり、上記積層体には、上記基板と上記支持体との間に、光を照射することにより変質する分離層が設けられており、
上記隙間形成工程前に、上記支持体を介して、上記分離層の周縁部分の少なくとも一部の領域に光を照射する光照射工程を包含し、
上記隙間形成工程では、上記把持部が、上記領域を介して積層されている上記支持体と上記基板との間に隙間を形成するように、上記支持体の外周端部を把持することを特徴とする請求項９〜１３の何れか１項に記載の支持体分離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持体分離装置および支持体分離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカード、携帯電話等の電子機器の薄型化、小型化、軽量化等が要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないといわれている。従って、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。
【０００３】
ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板とサポートプレートとを分離する。そこで、これまでに、ウエハから支持体を剥離する様々な方法が用いられている。
【０００４】
特許文献１には、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有する剥離装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２１９３２８号公報（２０１３年１０月２４日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置のように、流体供給機構により供給する溶剤によって接着層を溶解しながら、切り込み機構によって積層体から支持体を分離する方法では、基板を分離するために長時間を要するという問題がある。
【０００７】
また、特許文献１に記載の剥離装置では、切り込み機構によって積層体から支持体を分離するときに、支持体が破損するおそれがある。
【０００８】
本願発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、積層体から支持体を分離するときに、基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置およびその関連技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体分離装置は、基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離装置であって、上記積層体を基板側から固定する載置台と、上記支持体を保持する保持部と、上記保持部を上記載置台に対して昇降させる昇降部と、を備え、上記保持部は、上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する、少なくとも一つの把持部と、上記支持体における上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する吸着部と、を備え、上記把持部は、上記吸着部により維持されている上記隙間から上記積層体の内部に向かって、流体を噴出する噴出部を備えていることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明に係る支持体分離方法は、基板と、上記基板を支持する支持体とを接着層を介して貼り付けてなる積層体から、上記支持体を分離する支持体分離方法であって、上記基板を固定し、少なくとも一つの把持部によって上記支持体の外周端部を把持して、上記基板と上記支持体との間に隙間を形成する隙間形成工程と、上記隙間が形成された面の裏面から上記支持体を吸着保持して持ち上げることによって、上記隙間を維持する隙間維持工程と、上記隙間維持工程後、上記隙間から上記積層体の内部に向かって、上記把持部が備えている噴出部から流体を噴出することによって、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、積層体から支持体を分離するときに基板および支持体を破損することなく短時間で首尾よく分離することができる支持体分離装置およびその関連技術を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る支持体分離装置の概略の構成を説明する図である。
【図２】図１に示す支持体分離装置によって分離される支持体を有する積層体の分離層に関し、光照射後の状態を示す上面図である。
【図３】図１に示す支持体分離層に具備される、支持体を把持するクランプとクランプに隣接して配設された気体噴出部の構成を示す図である。
【図４】図１に示す支持体分離層に具備される気体噴出部の構成を示す図である。
【図５】図１に示す支持体分離層の支持体分離動作を説明する図である。
【図６】図１に示す支持体分離層の支持体分離動作において気体噴出部から気体を噴出した状態を示す図である。
【図７】本発明の別形態を説明する図である。
【図８】本発明の別形態を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明に係る支持体分離装置および支持体分離方法の一形態について、以下に説明する。
【００１４】
＜１．支持体分離装置の構成＞
図１は、本実施形態１の支持体分離装置の要部の構成について示す図であり、図１（ａ）は部分上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面である。なお、図１（ａ）および図１（ｂ）には、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ座標系も併せて示す。
【００１５】
本実施形態１の支持体分離装置１０は、従来技術と同様に、回路等の構造物を実装したウエハ基板が、サポートプレートとともに積層体を構成している状態において、当該積層体からサポートプレートを剥離するために用いる装置である。しかしながら、ウエハ基板を積層した積層体に限らず、最表層にプレートを積層したあらゆるタイプの積層体について当該プレートを剥離するために用いることができる。なお、以下では、ウエハ基板を単に基板と記載する。
【００１６】
ここで、詳細は後述するが、本実施形態１の支持体分離装置１０によってサポートプレートが分離される積層体１００は、図１（ｂ）に示すように、基板１と、光透過性のサポートプレート２（支持体）とが、接着層３を介して貼り付けられており、更に、接着層３とサポートプレート２との間には、光を照射することにより変質する分離層４が設けられた積層体である。なお、図１（ｂ）において、積層体１００は、その基板１側がダイシングフレーム６を備えたダイシングテープ５に貼着されている。
【００１７】
このような積層体１００を対象とする本実施形態１の支持体分離装置１０は、図１（ｂ）に示すように、ステージ５０（載置台）と、光照射部４０と、昇降部３０と、保持部２０とを備えている。
【００１８】
（１．１）ステージ５０
ステージ５０は、積層体１００を載置する台である。ステージ５０の上面には、多孔性部分であるポーラス部５１が設けられており、ポーラス部５１には図示しない減圧部が連通している。これにより、ステージ５０上に載置された積層体１００は、その基板１側の平面においてポーラス部５１により吸着固定される。
【００１９】
（１．２）光照射部４０
光照射部４０は、積層体１００における分離層４に対して、光透過性のサポートプレート２を介して光を照射する。
【００２０】
具体的には、光照射部４０は、積層体１００の上を走査しつつ、サポートプレート２を介して上面視における形状が円形である積層体１００に構成される分離層４の周縁部分（領域４ａ）に光を照射して当該部分を変質させる。
【００２１】
ここで、図２は、上面視において円形である分離層４と、光照射部４０による光照射で変質した領域４ａとを示す図である。図２に示すように、領域４ａの幅Ｗ１は、分離層４の外周端部から内側に向かって、０．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、１．５ｍｍ以上、８ｍｍ以下の範囲内であることがより好ましい。幅Ｗ１が６ｍｍ以上であれば、領域４ａにおける分離層４に積層された基板１と、サポートプレート２との間に、隙間を形成し、当該隙間から積層体１００の内部に向かって流体を噴射することにより、首尾よく積層体１００からサポートプレート２を分離することができる。また、幅Ｗ１が２ｍｍ以下であれば、分離層４において光を照射される領域４ａの面積を小さくすることができるため、基板１に対して光が照射される面積を小さくすることができる。
【００２２】
なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。
【００２３】
よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板およびサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド（保持手段）等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離する、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ（ツメ部）等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を溶解させることにより、当該接着層が溶解したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。
【００２４】
なお、積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、面積が４００００〜７００００ｍｍ２程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。
【００２５】
光照射部４０の光照射によって分離層４の領域４ａが変質すると、サポートプレート２の周縁部分端部にある面取り部位２ａ（図３（ｂ））をクランプ２３によって把持することにより、面取り部位２ａと領域４ａとの間に隙間を形成することができる。より好ましくは、面取り部位２ａ（図３（ｂ））をクランプ２３によって把持して持ち上げることにより面取り部位２ａと領域４ａとの間に隙間を形成する。そして、詳細は後述するが、この隙間をきっかけとして、基板１とサポートプレート２とを分離することができる。
【００２６】
光照射部４０が分離層４に照射する光は、分離層４が吸収する波長に応じて適宜選択するとよい。分離層４に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層４に照射する光を発射するレーザは、分離層４を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。
【００２７】
ここで、基板１において、領域４ａにおける分離層４に対向するように配置される領域は、集積回路等の構造物が形成されていない非回路形成領域として設定されている。また、基板１において、領域４ａに対向するように配置される領域以外の領域には、集積回路等の構造物が形成されている（回路形成領域）。従って、領域４ａにおける分離層４のみを変質させることで、領域４ａに対向するように配置される領域以外の領域、つまり、基板１における回路形成領域に光を照射することを回避することができる。従って、領域４ａにおける分離層４を変質させつつ、基板１における回路形成領域に対して光照射部４０から光が照射され、当該光により基板１における回路形成領域がダメージを受けることを回避することができる。
【００２８】
（１．３）昇降部３０
昇降部３０は、図１（ｂ）に示すように、保持部２０の上面視における形状が円形であるプレート部２１の上面側の中心部に連結固定されており、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すＺ軸に沿って保持部２０を昇降させる。
【００２９】
なお、本実施形態１では、昇降部３０はプレート部２１に連結固定されているが、本発明はこの態様に限定されるものではなく、例えば、昇降部３０にフローティングジョイントおよびストッパーが設けられていてもよい。例えば、フローティングジョイントが、保持部２０の上面視における形状が円形であるプレート部２１の上面側の中心部に配設されていてもよい。この場合、プレート部２１は、フローティングジョイントを介して昇降部３０に連結されることにより、回動可能であり、かつ、プレート部２１における吸着パッド２２が設けられた面が、ステージ５０に固定された積層体１００の平面に対して傾くように可動する。そして、ストッパーは、プレート部２１が必要以上に傾かないようにする係止手段として設けられている。プレート部２１が必要以上に傾斜しようとすると、ストッパーがプレート部２１の上面部に接触してプレート部２１がそれ以上傾斜しない。
これらフローティングジョイントとストッパーとによって、プレート部２１の傾きを調整することも可能であり、吸着パッド２２によりサポートプレート２を吸着保持するように配置することができる。
【００３０】
（１．４）保持部２０
保持部２０は、プレート部２１と、吸着パッド２２（吸着部）と、クランプ２３（把持部）と、気体噴出部２４（噴出部）と、スライド駆動部２５（駆動部）と、レベルブロック２６（当接部）とを有している。
【００３１】
（１．４．１）プレート部２１
プレート部２１は、昇降部３０に連結されている。プレート部２１は、ステージ５０に対向配置している上面視において概ね円形の構造体である。なお、説明の便宜上、図１（ａ）には、プレート部２１の中心点Ｃを示している。
【００３２】
（１．４．２）吸着パッド２２
吸着パッド２２は、プレート部２１におけるステージ５０との対向側の面に配設されている。より具体的には、吸着パッド２２は、図１（ａ）に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部２１の中心点Ｃを挟んで対向する２箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Ｃにおいて直交する線に沿って、中心点Ｃを挟んで対向する２箇所の計４箇所において、プレート部２１の外周端部よりも内側（中心点Ｃ寄り）にそれぞれ設けられている。
【００３３】
吸着パッド２２は、ちょうど、ステージ５０に載置された積層体１００のサポートプレート２側の表面（積層体１００の上面と記載することもある）の、領域４ａの反対側の領域に当接することができる。
【００３４】
吸着パッド２２は、サポートプレート２を真空吸着することにより保持することができ、例えば、ベローズパッド等を挙げることができる。吸着パッド２２が、上述の位置においてサポートプレート２に当接した状態において真空吸着することにより、例えば吸着パッド２２が昇降部３０によってＺ軸に沿ってステージ５０から離間する方向に移動すればサポートプレート２を持ち上げることができる。
【００３５】
（１．４．３）クランプ２３
クランプ２３は、各吸着パッド２２の近傍において、スライド駆動部２５を介してプレート部２１と連結しており、ステージ５０に載置された積層体１００を把持（保持）することができる構成となっている。
【００３６】
より具体的には、クランプ２３は、図１（ａ）に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部２１の中心点Ｃを挟んで対向する２箇所と、当該２箇所を結ぶ仮想線に対して中心点Ｃにおいて直交する線に沿って、中心点Ｃを挟んで対向する２箇所の計４箇所において、プレート部２１の外周端部よりも外側（中心点Ｃから離れる側）にそれぞれ設けられている。
【００３７】
ここで、図１（ａ）には、先述の仮想線に相当するＸ軸方向に沿った線と、Ｙ軸方向に沿った線とを示しており、同一箇所において、一つの吸着パッド２２と、一つのクランプ２３とは同一線上に位置している。そして、４箇所のクランプ２３は、プレート部２１の外周に沿って等間隔に配設されていることから、ステージ５０に載置された積層体１００を把持（保持）する際に積層体１００に力を均等に加えることができる。これは、特に積層体１００のサポートプレート２が薄層（例えば０．４ｍｍ程度）のガラス層である場合に、サポートプレート２を破損させることなく分離することに寄与する。
【００３８】
クランプ２３は、図１（ｂ）に示す断面図において、プレート部２１を挟んで両側にある。各クランプ２３は、プレート部２１の上面に設けられたスライド駆動部２５に上端部が連結しており、下端部は、プレート部２１の下面（吸着パッド２２配設面）よりも下方に位置している。なお、スライド駆動部２５には、各クランプ２３の高さを調整する機構が具備されており、Ｚ軸方向に沿って各クランプ２３の位置を調整することができる。図１（ｂ）に示すようにステージ５０上の積層体１００が載置された状態において、保持部２０が降りてくると、クランプ２３の下端部が積層体１００の外周領域近傍に位置することになる。なお、図１（ｂ）は、説明の便宜上、光照射部４０が、ステージ５０上の積層体１００と、保持部２０との間に位置しているが、保持部２０が積層体１００を保持する際には、光照射部４０はこの位置から外れた位置にある。
【００３９】
クランプ２３を形成するための材料は、把持すべきサポートプレート２の材質に応じて適宜選択すればよい。従って、クランプ２３を形成するための材料には、ステンレスやアルミニウム等の金属、および、エンジニアリングプラスチック等を用いることができる。また、サポートプレート２の材質がガラスである場合、エンジニアリングプラスチックである、芳香族ポリエーテルケトンを用いて形成することがより好ましく、芳香族ポリエーテルケトンの中でも、芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、芳香族基を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）および芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）が好ましく、ＰＥＥＫが最も好ましい。これにより、ガラスからなるサポートプレート２の外周端部をクランプ２３により把持したときに、当該サポートプレート２が破損することを防止することができる。
【００４０】
以下、図３を用いて、クランプ２３について詳述する。図３（ａ）〜図３（ｃ）は、図１（ｂ）において破線の丸囲みを付した箇所の拡大断面図である。図３（ａ）は、クランプ２３の断面図であり、図３（ｂ）は、クランプ２３における傾斜面２３ｂが、積層体１００におけるサポートプレート２の面取り部位２ａに当接されている状態を説明する図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線矢視断面において、傾斜面２３ｂが、積層体１００におけるサポートプレート２の外周端部を係止して捕捉する前の状態を示す図である。
【００４１】
図３（ａ）に示すように、クランプ２３は、対峙面２３ａおよび傾斜面２３ｂ（係止面）を有している。
【００４２】
対峙面２３ａは、サポートプレート２の外周端部に対峙する。ここで、対峙面２３ａは、ステージ５０に固定した積層体１００におけるサポートプレート２の平面部に対して垂直な面であり、サポートプレート２の外周端部が有する弧と同じ大きさの弧を有するか、又は、外周端部が有する弧の大きさより大きな弧を描くように湾曲している面である。
【００４３】
傾斜面２３ｂは、クランプ２３の下端部において対峙面２３ａの下端辺（底辺）に沿って設けられており、プレート部２１の中心点Ｃに向いて構成される面である。すなわち、傾斜面２３ｂは、ＹＺ平面に対して傾斜している。換言すれば、図１（ｂ）においてプレート部２１を挟んで両側に位置するクランプ２３の傾斜面２３ｂ同士は、下方に向かうに連れて、互いの距離が近くなる方向に傾斜している。これにより、傾斜面２３ｂは、サポートプレート２の外周端部において、プレート部２１に対向する面の裏面側に位置する面取り部位２ａに当接し、面取り部位２ａを係止することができる。
【００４４】
より具体的には、傾斜面２３ｂは、ＸＺ平面に対して、３０°以上、９０°未満の範囲内の傾斜を有している。これにより、サポートプレート２の面取り部位２ａに対して、傾斜面２３ｂから過度な力が加えられることを防止することができる。また、プレート部２１の下に配設されたレベルブロック２６の下面にサポートプレート２の上面を当接した状態において、傾斜面２３ｂの傾斜は、サポートプレート２の面取り部位２ａの傾斜に対して平行になるように設けられていることが、当接時に面取り部位２ａの端部に過度な力を集中させないために最も好ましい。
【００４５】
また、傾斜面２３ｂは、複数のクランプ２３の対峙面２３ａの下端辺に沿って設けられている。複数のクランプ２３は、プレート部２１の下に配設されたレベルブロック２６の下面がサポートプレート２の上面に当接した状態において、サポートプレート２の外周端部を包囲し、複数のクランプ２３に夫々設けられた傾斜面２３ｂは、スライド駆動部２５によって、同時に、同じ速度にて、サポートプレート２の外周端部に近づけられる。このため、これら傾斜面２３ｂによって、積層体１００におけるサポートプレート２の中心点と、プレート部２１の中心点Ｃとが重なるように、当該積層体１００を誘導しつつ、サポートプレート２の外周端部を係止し把持することができる。従って、支持体分離装置１０は、プレート部２１を囲うように等間隔に配置された複数のクランプ２３の傾斜面２３ｂによって、サポートプレート２の外周端部を略点接触に近い状態で把持することができる。このため、複数のクランプ２３の傾斜面２３ｂからサポートプレート２を把持するための力を均等に加えることができ、プレート部２１が持ち上げられたとき、複数のクランプ２３の傾斜面２３ｂに当接したサポートプレート２の外周端部が、傾斜面２３ｂから脱離することを好適に防止することができる。
【００４６】
ここで、各クランプ２３には、傾斜面２３ｂが二つ設けられており、それらが図３（ｃ）に示すように、対峙面２３ａに沿って並んで配設されている。並んで配設されている傾斜面２３ｂのそれぞれは、幅Ｌを５〜１０ｍｍ程度とすることができる。なお、各傾斜面２３ｂにおけるサポートプレート２に近接する端辺は、対峙面２３ａと平行に弧を描いている。
【００４７】
そして、並んで配設されている傾斜面２３ｂと傾斜面２３ｂとは離間しており、その離間部分が、気体噴出部２４から噴出される気体の噴出口２７（開口部）として構成されている。具体的には、クランプ２３には、その下端部（底部）において、内側（プレート部２１側）から反対側まで延設された溝が形成されており、その溝におけるプレート部２１側の端が、上述の離間部分に相当する。溝の反対側の端、すなわち、クランプ２３における内側（プレート部２１側）とは反対側には、気体噴出部２４が配設されており、そのノズル端が溝に気体を供給するべく連通している。
【００４８】
このように、各クランプ２３において噴出口２７を傾斜面２３ｂと傾斜面２３ｂとの間に設けることにより、噴出口２７から噴出する気体を、面取り部位２ａに傾斜面２３ｂが当接することによって持ち上がったサポートプレート２の外周端部の下面に効果的に吹き付けることができる。なお、各クランプ２３に設けられた二つの傾斜面２３ｂを一つの傾斜面と捉えることもでき、この場合、噴出口２７は、その一つの係止面内に設けられていると換言することもできる。
【００４９】
（１．４．４）気体噴出部２４
気体噴出部２４は、各クランプ２３と一体的に構成されている。具体的には、図１（ａ）に示すように、上面視における形状が円形であるプレート部２１の中心点Ｃを挟んで対向する２箇所と、それらを結ぶ仮想線に対して中心点Ｃにおいて直交する線に沿って、中心点Ｃを挟んで対向する２箇所の計４箇所において、クランプ２３よりも外側（中心点Ｃから離れる側）にそれぞれ設けられている。すなわち、図１（ａ）に図示した先述の仮想線に相当するＸ軸方向に沿った線と、Ｙ軸方向に沿った線とに関して、同一箇所において、一つの吸着パッド２２と、一つのクランプ２３と、一つの気体噴出部２４とは、同一線上において、中心点Ｃから離れる方向に沿ってこの順で配置している。
【００５０】
気体噴出部２４は、気体噴出ノズルによって構成され、一方の端部はクランプ２３の下端部に配設されており、他方の端部は図示しない気体供給装置に接続されている。
【００５１】
気体噴出部２４は、噴出させる気体の噴出方向が、斜め下を向いている。具体的には、図４に示すとおり、噴出させる気体の噴出方向が、分離層４の平面部（ＸＹ平面）に対して０〜４５°の傾斜角（図４中のＴ°）を有するように気体噴出ノズルが配設されている。この傾斜角を有して噴出された気体は、サポートプレート２の外周端部が傾斜面２３ｂによって把持されて形成される隙間において、分離層４のサポートプレート２側の平面に吹き付けられる。これにより、サポートプレート２を分離層４から分離しやすくなる。
【００５２】
プレート部２１の外周端部に沿って等間隔に配設された気体噴出部２４は、夫々、独立して噴出を制御することができる。すなわち、或る気体噴出部２４からは気体を噴出させず、特定の気体噴出部２４のみから気体を噴出させることが可能である。なお、分離層４のサポートプレート２側の平面に吹き付けられる気体の噴出量としては、０．３〜０．５ＭＰａで、１００〜３００Ｌ／分とすることができる。
【００５３】
気体噴出部２４から噴出される気体は、サポートプレート２および分離層４に影響を与えず、サポートプレート２の分離に支障がない種類の気体であればよく、例えば、空気、ドライエアー、窒素およびアルゴンからなる群から選択される少なくとも一つを挙げることができる。
【００５４】
図３（ｂ）に示すように、傾斜面２３ｂの下端および気体噴出部２４の下端は、サポートプレート２における基板１に対向する側の面と、同一平面上に配置されている。これにより、基板１および接着層３等に傾斜面２３ｂおよび気体噴出部２４の下端が引っ掛かることを防止することができる。従って、傾斜面２３ｂをサポートプレート２のみに当接させ、サポートプレート２をクランプ２３によって首尾よく把持することができる。
【００５５】
なお、気体噴出部２４は、図示していないが、上述のようにクランプ２３とともにＺ軸方向に沿って上下に移動可能に移動する機構となっていてもよい。これにより、気体噴出部２４から、積層体１００の内部に向かって気体を噴出する位置を好適に調整することができる。
【００５６】
（１．４．５）スライド駆動部２５
スライド駆動部２５は、プレート部２１の上面における各クランプ２３の近傍に配設されている。スライド駆動部２５の夫々は、近傍に位置するクランプ２３を、ＸＹ平面方向に沿って、プレート部２１の外周端部に向かって近づけるか、又は離すようにスライド移動させる（図３（ｂ）および（ｃ））。また、スライド駆動部２５は、同時に同じ速度にて、サポートプレート２の外周端部に向かってクランプ２３の夫々をスライド移動させる。これにより、サポートプレート２の外周端部をクランプ２３によって囲いつつ、把持することができる。
【００５７】
スライド駆動部２５としては、エアシリンダーによるスライド機構を採用することができる。スライド駆動部２５には、図示しないレギュレーターが配設されており、レギュレーターがエアシリンダーの駆動圧を調節することによって、クランプ２３によるサポートプレート２の保持力を変えることができる。
【００５８】
また、上述のようにスライド駆動部２５は、クランプ２３および気体噴出部２４をＺ軸方向に沿って上下に移動可能に移動する機構を有している。
【００５９】
（１．４．６）レベルブロック２６
レベルブロック２６は、プレート部２１における下面（ステージ５０対向側の面）における各吸着パッド２２よりも内側（中心点Ｃ寄り）に配設され、下方に向かって突出した構造を有している。後述するように、レベルブロック２６の突出端部（下端）には、サポートプレート２の上面（平面部）に当接する当接面２６ａが設けられており、サポートプレート２を分離する際に吸着パッド２２に吸着されたサポートプレート２が不都合に歪むことを防ぐことができる。そのため、レベルブロック２６のＺ方向の長さ（突出長）は、吸着パッド２２のＺ方向の長さよりも僅かに短く構成されている。また、レベルブロック２６の突出端部（下端）と、クランプ２３の下端部との高さの差は、分離するサポートプレート２の厚さに応じて予め一定になるように設計されているが、高さ調整機構を具備しているため、高さを調整することが可能である。
【００６０】
レベルブロック２６を形成するための材料は、接触するサポートプレート２の材質に応じて適宜選択すればよいが、例えば樹脂（エンジニアリングプラスチック等）を用いることができる。レベルブロック２６は、エンジニアリングプラスチックである、芳香族ポリエーテルケトンを用いて形成することがより好ましく、芳香族ポリエーテルケトンの中でも、芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、芳香族基を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）および芳香族基を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）が好ましく、ＰＥＥＫが最も好ましい。これにより、例えば、ガラスからなるサポートプレート２の上面と接触したときに、当該サポートプレート２が破損することを防止することができる。また、レベルブロック２６を軽量化することかでき、昇降部３０に掛かる負荷を低減することができる。
【００６１】
（１．５）その他の構成
本実施形態１の支持体分離装置１０には、上述した各構成以外に構成を具備する。例えば、スライド駆動部２５が移動させるクランプ２３の夫々の位置を検知する位置センサ（不図示）を具備する。
【００６２】
位置センサは、磁気センサによって構成され、クランプ２３に固定したマグネットと、クランプ２３のスライド移動とともに移動する当該マグネットの変位を検知する二つのセンサヘッドとを有して構成されている。例えば、二つのセンサヘッドは、各々の位置を基準とし、二つのセンサヘッドの間の距離を、例えば、０〜１００の値でスケーリングする。例えば、二つのセンサヘッドの間の距離を数ｍｍ程度に設定すると、クランプ２３の位置をμｍオーダーで判定することができる。このスケーリング値に基づき、二つのセンサヘッドは、マグネットの位置を判定する。これにより、マグネットと同時に等しい距離を移動するクランプ２３の位置を正確に判定することができる。より具体的には、スケーリング値の範囲別に、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持する前の位置に配置されているか、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持しているか、又は、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持し損ねているかを判定する。例えば、０〜１００の範囲でスケーリングされた値の６０よりも大きい値を示すとき、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持する前の位置に配置され、１０よりも大きく６０以下の値を示すとき、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持することができる位置に配置され、０以上、１０以下の値を示すとき、クランプ２３がサポートプレート２の外周端部を把持することができる位置よりも内側に配置されていることを判定することができる。
【００６３】
本実施形態１の支持体分離装置１０には、他にも、気体噴出部２４の気体の噴出を制御したり、昇降部３０やスライド駆動部２５を制御したりする制御部を具備する。
【００６４】
なお、本実施形態１では、クランプ２３および気体噴出部２４の配設数がプレート部２１の外周に沿って４箇所となっている。しかしながら、本発明はこの配設数に限定されるものではない。積層体１００のサポートプレート２を把持して持ち上げることができればよく、クランプ２３がプレート部２１の外周に１箇所のみ配設されていてもよい。なお、複数個所に配設されている場合には、それらはプレート部２１の外周に沿って等間隔に配設されていることが好ましい。
【００６５】
また、本実施形態１では、各クランプに二つの傾斜面２３ｂが設けられているが、一方の傾斜面２３ｂのみが設けられている場合であってもサポートプレート２の外周部分を持ち上げることは可能である。
【００６６】
＜２．支持体分離方法＞
以上の構成を具備する支持体分離装置１０によって積層体１００からサポートプレート２を分離する方法（支持体分離方法）を説明する。
【００６７】
本実施形態１における支持体分離方法は、基板を固定し、少なくとも一つの把持部によってサポートプレート２の外周端部を把持して持ち上げることで、基板１とサポートプレート２との間に隙間を形成する隙間形成工程と、隙間７が形成された面の裏面からサポートプレート２を吸着保持して持ち上げることで、隙間７を維持する隙間維持工程と、隙間維持工程後、隙間７から積層体１００の内部に向かって、クランプ２３が備えている気体噴出部２４から気体を噴出することで、積層体１００からサポートプレート２を分離する分離工程と、を包含している。
【００６８】
図５（ａ）〜図５（ｅ）は、本実施形態１の支持体分離方法を説明する図である。なお、図５（ａ）〜図５（ｅ）は、図１（ｂ）と同じ方向からみた断面図である。なお、図５（ａ）〜図５（ｅ）では、昇降部３０の図示を省略している。
【００６９】
図５（ａ）には、光照射工程として図１（ｂ）に示す光照射部４０によって分離層４の外周端部が変質して領域４ａが形成されている積層体１００が、ポーラス部５１によってステージ５０に吸着している状態を示している。この状態において、クランプ２３および気体噴出部２４が、積層体１００の外周端部の外側に位置するように保持部２０の位置が調節されている。なお、この状態において、レベルブロック２６もサポートプレート２の上面に当接しており、吸着パッド２２は、サポートプレート２の上面を吸着保持している。
【００７０】
次に、図５（ｂ）に示すように、クランプ２３および気体噴出部２４が、スライド駆動部２５によってスライド移動して積層体１００に近づき、クランプ２３の傾斜面２３ｂが、サポートプレート２の外周端部における面取り部位２ａの下側（領域４ａ側）に接触する。
【００７１】
そして、図５（ｂ）の状態からクランプ２３および気体噴出部２４が更にスライド移動することにより、図５（ｃ）に示すように、サポートプレート２の面取り部位２ａが傾斜面２３ｂによって領域４ａから離れる方向に持ち上がる。この状態において、サポートプレート２における領域４ａに対向している領域（面取り部位２ａも含む）と、領域４ａとの間には隙間７が形成される（隙間形成工程）。なお、図５（ｃ）に示す状態において、クランプ２３が、スライド移動するだけでなく、僅かに上昇することによって、隙間７を形成してもよい。
【００７２】
続いて、図５（ｄ）に示すように、クランプ２３および気体噴出部２４がスライド駆動部２５による駆動を受けて積層体１００から離れる方向にスライド移動する。この状態では、クランプ２３の傾斜面２３ｂと、サポートプレート２の面取り部位２ａとが離間しても、吸着パッド２２が吸着し続けているためサポートプレート２の面取り部位２ａは持ち上がった状態を維持しており、隙間７が維持される（隙間維持工程）。
【００７３】
続いて、図５（ｅ）に示すように、プレート部２１が上昇して、吸着パッド２２、クランプ２３および気体噴出部２４の位置が上昇する。これにより、吸着パッド２２が吸着しているサポートプレート２の外周端部が更に持ち上がる。この位置に調整されると、気体噴出部２４から気体を噴射する（分離工程）。先述のように気体噴出部２４（噴出口２７）から噴出される気体は、斜め下方向に噴出される。これにより、気体噴出前は分離層４と接していたサポートプレート２の領域近傍に気体が噴出され、サポートプレート２を分離層４から剥離させて分離することができる。分離できたら、ポーラス部５１による積層体１００のステージ５０への吸着を停止し、一連の支持体分離方法を終了する。
【００７４】
図６は、気体噴出部２４から気体が噴出された状態を、積層体１００の上面視において示す図である。説明の便宜上、プレート部２１等の構成は図示を省略している。
【００７５】
図６では、４箇所に設けられた気体噴出部２４の夫々から気体が噴出されることにより隙間７が積層体１００の内側に向かって広がっている様子を示す。図６に示すように、積層体１００の外周端部に沿った４箇所において夫々の隙間７が広がることにより、吸着パッド２２のみでサポートプレート２を分離する場合に比べて、サポートプレート２に過度の応力が及ぶことなく、サポートプレート２を分離層４から分離することができる。これは、サポートプレート２が薄く構造的に脆い場合に、そのサポートプレート２を破損することなく短時間で首尾よく分離することができるために非常に有利である。
【００７６】
以上の一連の動作は、昇降部３０、スライド駆動部２５および気体噴出部２４が図示しない制御部による制御をうけて実現するものである。
【００７７】
例えば、制御部は、まず、昇降部３０を制御することによって、吸着パッド２２およびクランプ２３を所定の高さまで下降させるとともに、ステージ５０のポーラス部５１の吸引をＯＮにする。次に、制御部は、スライド駆動部２５を制御することによって、クランプ２３を内側に向けてスライド移動させて（更にクランプ２３を上昇させてもよい）隙間を形成する。次に、吸着パッド２２による吸着を開始させる。次に、スライド駆動部２５を制御することによって、サポートプレート２の面取り部位２ａと離間する位置までクランプ２３を外側に向けてスライド移動させる。次いで、制御部は、吸着パッド２２による吸着を継続させた状態で、気体噴出部２４を制御して気体噴出を開始させ、それと略同時に、昇降部３０を制御して吸着パッド２２を所定の高さまで上昇させる。
【００７８】
このような処理は、予め設定されたタイミングチャートに基づいて行ってもよく、あるいはプレート部２１の高さや、クランプ２３の位置、吸着パッド２２の位置をセンシングして、位置を検知しながら制御してもよい。その際には、先述した位置センサを用いることも可能である。
【００７９】
＜３．積層体＞
図１の（ａ）に示す、本実施形態に係る支持体分離装置１０によりサポートプレート２を分離する積層体１００について、詳細に説明する。積層体１００は、基板１と、接着層３と、光を吸収することにより変質する分離層４と、光を透過する材料からなるサポートプレート２とをこの順に積層してなる。
【００８０】
（３．１）基板１
基板１は、接着層３を介して分離層４を設けられたサポートプレート２に貼り付けられる。そして、基板１は、サポートプレート２に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供され得る。基板１としては、シリコンウエハ基板に限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。
【００８１】
なお、当該基板の表面には、構造物、例えば、集積回路、金属バンプ等が実装されていてもよい。
【００８２】
（３．２）サポートプレート２
サポートプレート２は、基板１を支持する支持体であり、接着層３を介して、基板１に貼り付けられる。そのため、サポートプレート２としては、基板１の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板１の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、分離層を変質させるための光を透過させるものであればよい。以上の観点から、サポートプレート２としては、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるもの等が挙げられる。
【００８３】
なお、サポートプレート２は、３００〜１０００μｍの厚さのものを用いることができる。本実施形態に係る支持体分離方法によれば、このように、厚さが薄いサポートプレート２（支持体）であっても、当該サポートプレート２が破損することを防止しつつ、積層体から好適に分離することができる。
【００８４】
（３．３）接着層３
接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる。
【００８５】
接着層３を形成するための接着剤には、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の、当該分野において公知の種々の接着剤を用いることができ、ポリサルホン系樹脂、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等をより好ましく用いることができる。
【００８６】
接着層３の厚さは、貼り付けの対象となる基板１およびサポートプレート２の種類、貼り付け後の基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、１０〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８７】
接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる。接着層３は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により接着剤を塗布することによって形成することができる。また、接着層３は、例えば、接着剤を直接、基板１に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、ドライフィルム）を、基板１に貼付することで形成してもよい。
【００８８】
接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。
【００８９】
接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。
【００９０】
以下、接着層３が含有する樹脂の組成について説明する。
【００９１】
接着層３が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。
【００９２】
（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。
【００９３】
樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。
【００９４】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００９５】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。
【００９６】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【００９７】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。
【００９８】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
【００９９】
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【０１００】
樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」および「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。
【０１０１】
樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３の軟化をさらに抑制することができる。
【０１０２】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。
【０１０３】
樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。
【０１０４】
樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【０１０５】
なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、および柔軟性に優れるので好ましい。
【０１０６】
（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【０１０７】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。
【０１０８】
炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【０１０９】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【０１１０】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【０１１１】
（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【０１１２】
例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位および下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。
【化１】
2018014361.tif 000003
（化学式（２）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、およびＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。
【０１１３】
（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
【０１１４】
スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量および重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。
【０１１５】
なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。
【０１１６】
また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。
【０１１７】
重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。
【０１１８】
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、および、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量および重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。
【０１１９】
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【０１２０】
また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。
【０１２１】
より具体的には、エラストマーは、スチレンおよび共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【０１２２】
接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。
【０１２３】
接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。
【０１２４】
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
【０１２５】
なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３の剥離又は除去の後に、基板１の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板１に物理的な力を加えることなく、接着層３を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３の除去に際して、強度が低下した基板１からでさえ、基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３を除去することができる。
【０１２６】
（ポリサルホン系樹脂）
接着層３を形成するための接着剤は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層３をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、高温において積層体を処理しても、その後の工程において接着層を溶解し、基板からサポートプレートを剥離することが可能な積層体を製造することができる。接着層３がポリサルホン樹脂を含んでいれば、例えば、アニーリング等により積層体を３００℃以上という高温で処理する高温プロセスにおいても、積層体を好適に用いることができる。
【０１２７】
ポリサルホン系樹脂は、下記一般式（３）で表される構成単位、および、下記一般式（４）で表される構成単位のうちの少なくとも１種の構成単位からなる構造を有している。
【化２】
2018014361.tif 000004
（ここで、一般式（３）のＲ１、Ｒ２およびＲ３、並びに一般式（４）中のＲ１およびＲ２は、それぞれ独立してフェニレン基、ナフチレン基およびアントリレン基からなる群より選択され、Ｘ’は、炭素数が１以上、３以下のアルキレン基である。）
ポリサルホン系樹脂は、式（３）で表されるポリサルホン構成単位および式（４）で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも一つを備えていることによって、基板１とサポートプレート２とを貼り付けた後、高い温度条件において基板１を処理しても、分解および重合等により接着層３が不溶化することを防止することができる積層体を形成することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式（３）で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。このため、洗浄後の基板１に接着層に起因する残渣が発生することを防止することができる。
【０１２８】
ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０，０００以上、７０，０００以下の範囲内であることが好ましく、３０，０００以上、５０，０００以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０，０００以上の範囲内であれば、例えば、３００℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、７０，０００以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。
【０１２９】
（希釈溶剤）
接着層３を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
【０１３０】
（その他の成分）
接着層３を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【０１３１】
（３．４）分離層４
次に、分離層４とは、サポートプレート２を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。また、図５（ｅ）に示すように、基板１とサポートプレート２との間に設けられた隙間から積層体１００の内部に向かって流体を噴射したとき、領域４ａ以外の領域における分離層４も破壊される。
【０１３２】
分離層４の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層４の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射によって、分離層４に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層４の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。
【０１３３】
なお、積層体１００において、分離層４とサポートプレート２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層４への光の入射を妨げることなく、積層体１００に好ましい性質等を付与する層を、適宜追加することができる。分離層４を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。
【０１３４】
また、分離層４は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層４を形成してもよい。また、分離層４における接着層３に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層４の形成が容易に行なえ、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。
【０１３５】
（フルオロカーボン）
分離層４は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層４は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。分離層４を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
【０１３６】
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層４における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。
【０１３７】
分離層４に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。
【０１３８】
（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層４は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層４は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。
【０１３９】
光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。
【０１４０】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。
【化３】
2018014361.tif 000005
（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ４）（Ｒ５）であり（ここで、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。
【化４】
2018014361.tif 000006
（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化３”に示す式のいずれかであり、（ｆ）において上記の“化３”に示す式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ１およびＹ２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化３”に示されるベンゼン環、縮合環および複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレンおよび置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノおよびアリールアミノから選択される。
【０１４１】
上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ２−である場合の例としては、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、およびビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。
【０１４２】
上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチルフェニル）−スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。
【０１４３】
上記の“化３”に示される置換基のうち、フェニル基を二つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−アミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジエチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、および４−ジメチルアミノ−３’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【０１４４】
上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層４の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層４が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体１００からのサポートプレート２の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。
【０１４５】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。
【０１４６】
上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。
【０１４７】
上述した分離層４は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層４はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、および重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【０１４８】
（無機物）
分離層４は、無機物からなっていてもよい。分離層４は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。
【０１４９】
上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物およびカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、およびカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。
【０１５０】
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。
【０１５１】
無機物からなる分離層４に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。
【０１５２】
無機物からなる分離層４は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート２上に形成され得る。無機物からなる分離層４の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層４を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート２および基板１に貼り付けてもよい。
【０１５３】
なお、分離層４として金属膜を使用する場合には、分離層４の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層４の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。
【０１５４】
（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層４は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。
【０１５５】
赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコールおよびフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタンおよびチオフェノールおよびチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ１結合（Ａ１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ２結合（Ａ２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。
【０１５６】
上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨ２Ｂｒ、−ＣＨ２Ｉ、−ＣＦ２−、−ＣＦ３、−ＣＨ＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＦ２、フッ化アリール、および塩化アリール等が挙げられる。
【０１５７】
上記Ｓｉ−Ａ１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ２、ＳｉＨ３、Ｓｉ−ＣＨ３、Ｓｉ−ＣＨ２−、Ｓｉ−Ｃ６Ｈ５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣ６Ｈ５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ２、およびＳｉＦ３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格およびシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
【０１５８】
上記Ｐ−Ａ２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ２、Ｐ−ＣＨ３、Ｐ−ＣＨ２−、Ｐ−Ｃ６Ｈ５、Ａ３３−Ｐ−Ｏ（Ａ３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ４Ｏ）３−Ｐ−Ｏ（Ａ４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ３、Ｐ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｐ−ＯＣ６Ｈ５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、およびＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。
【０１５９】
上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。
【０１６０】
分離層４の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層４における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート２と基板１との分離を容易にするには、分離層４における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層４に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層４における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。
【０１６１】
一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（５）で表される繰り返し単位および下記化学式（６）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（５）で表される繰り返し単位およびアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【化５】
2018014361.tif 000007
（化学式（６）中、Ｒ６は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（５）で表される繰り返し単位および下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式（５）で表される繰り返し単位および下記化学式（７）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
【化６】
2018014361.tif 000008
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（８）で表される繰り返し単位および下記化学式（９）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
【化７】
2018014361.tif 000009
（化学式（８）中、Ｒ７は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（９）中、Ｒ８は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）、および特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
【０１６２】
中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（１０）で表される繰り返し単位および下記化学式（１１）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（１０）で表される繰り返し単位および下記化学式（１１）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。
【化８】
2018014361.tif 000010
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、および籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。
【０１６３】
また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、およびチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、およびプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ３Ｈ７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）２−Ｏ−］ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７、およびｎ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９）２−Ｏ−］ｎ−ｎ−Ｃ４Ｈ９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、および（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
【０１６４】
中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）２［ＯＣ２Ｈ４Ｎ（Ｃ２Ｈ４ＯＨ）２］２）が好ましい。
【０１６５】
上述した分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層４はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、および化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。
【０１６６】
（赤外線吸収物質）
分離層４は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層４は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。
【０１６７】
赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層４に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
【０１６８】
（反応性ポリシルセスキオキサン）
分離層４は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができ、これにより、分離層４は高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
【０１６９】
本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えたものを採用することができる。
【０１７０】
また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記式（１２）に示す構造を有していることがより好ましい。
【化９】
2018014361.tif 000011
式（１２）中、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素および炭素数１以上、１０以下のアルキル基からなる群より選択され、水素および炭素数１以上、５以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。Ｒ”が、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、式（１２）によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。
【０１７１】
式（１２）中、ｐは、１以上、１００以下の整数であることが好ましく、１以上、５０以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、式（１２）で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもＳｉ−Ｏ結合の含有量が高く、赤外線（０．７８μｍ以上、１０００μｍ以下）、好ましくは遠赤外線（３μｍ以上、１０００μｍ以下）、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下における吸光度の高い分離層４を形成することができる。
【０１７２】
また、式（１２）中、Ｒ’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Ｒは、例えば、アリール基、アルキル基、および、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。
【０１７３】
Ｒ’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数１〜５のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。
【０１７４】
Ｒ’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Ｒがアルキル基である場合、炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルキル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルキル基であってもよい。
【０１７５】
Ｒ’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が２〜１５であることが好ましく、２〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は二〜四環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、およびアリル基等を挙げることができる。
【０１７６】
また、Ｒ’が有し得る置換基としては、水酸基およびアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【０１７７】
また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０モル％以上、９９モル％以下であることが好ましく、８０モル％以上、９９モル％以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が７０モル％以上、９９モル％以下であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下の光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。
【０１７８】
また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００以上、５０，０００以下であることが好ましく、１，０００以上、１０，０００以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が５００以上、５０，０００以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、支持体上に好適に塗布することができる。
【０１７９】
反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３およびＳＲ−３３等を挙げることができる。
【０１８０】
＜４．積層体の変形例＞
上記実施形態１では、サポートプレート２と接着層３との間に分離層４がある積層体１００を用いている。しかしながら、機械的な力を加えることにより、剥離することかできる程度の接着力を有している接着層の採用している場合には、分離層が無く、接着層が基板とサポートプレートとに直接接着している積層体であっても、実施形態１において説明した支持体分離装置を用いてサポートプレートを分離することも可能である。
【０１８１】
そのような、機械的な力を加えることで剥離することができる程度の接着力を有している接着層を形成することかできる接着剤としては、例えば、感圧性接着剤、可剥離性接着剤等を挙げることができる。感圧性接着剤（粘着剤）としては、例えば、ラテックスゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム等の合成ゴムやタッキファイア樹脂等を含んでいるような、公知の感圧性接着剤を挙げることができる。また、可剥離性接着剤としては、可剥離性を有していればよく、例えば、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、又は熱硬化性樹脂等に、ワックスやシリコーン等の離型剤を配合することにより接着力を調整した接着剤であってもよい。また、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂等を含み、これらの樹脂を硬化させることにより可剥離性を発現するような、硬化型の接着剤であってもよい。また、このような、剥離可能な接着剤は、蜜蝋やワックス等の接着力の低い熱可塑性樹脂を主たる成分として含んでなる接着剤であり得る。
【０１８２】
〔実施形態２〕
上記実施形態１では、図６に示すように４箇所に設けた気体噴出部２４の全てから同時に気体を噴出させる構成を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施形態２では、気体噴出に関する別の態様について図７を用いて説明する。
【０１８３】
図７は、本実施形態２の構成を示しており、気体噴出部２４から気体を噴出したときの模式図を、積層体１００を上面視した状態において示す図である。なお、図７は、上記実施形態１の図６に対応する図である。
【０１８４】
本実施形態２では、気体噴出部２４から気体を噴出する工程において、まず図７（ａ）に示すように、位置（ｉ）にある気体噴出部２４から気体を噴出し、このとき位置（ｉｉ）〜（ｉｖ）にある気体噴出部２４からは気体を噴出しない。ここでは、位置（ｉ）にある気体噴出部２４から例えば３秒間、０．５Ｌ／分の気体を隙間７に吹き付ける。
【０１８５】
続いて、気体の噴出箇所を切り替えて、図７（ｂ）に示すように、位置（ｉｖ）にある気体噴出部２４からの気体の噴出を開始し、位置（ｉ）にある気体噴出部２４からの気体噴出を停止する。このとき、位置（ｉｉ）および（ｉｉｉ）にある気体噴出部２４からは気体を噴出しない。ここでは、位置（ｉｖ）にある気体噴出部２４から例えば３秒間、０．５Ｌ／分の気体を隙間７に吹き付ける。
【０１８６】
続いて、気体の噴出箇所を切り替えて、図７（ｃ）に示すように、位置（ｉ）および（ｉｖ）にある気体噴出部２４からの気体の噴出を開始する。このとき、位置（ｉｉ）および（ｉｉｉ）にある気体噴出部２４からは気体を噴出しない。ここでは、位置（ｉ）および（ｉｖ）にある気体噴出部２４から例えば５秒間、０．５Ｌ／分の気体を隙間７に吹き付ける。
【０１８７】
以上の工程を経ることにより、サポートプレート２を積層体１００から分離してもよい。
【０１８８】
以上の気体噴出箇所の切り換えは、上記実施形態１の支持体分離装置１０の図示しない制御装置において制御して行えばよい。
【０１８９】
〔実施形態３〕
上記実施形態１では、図３（ｃ）に示すように、各クランプ２３において傾斜面２３ｂが二つあってその間に噴出口２７を配設した構成を説明した。しかしながら、本発明において噴出口２７の配設位置はこれに限定されるものではない。噴出口２７は、傾斜面２３ｂの近傍に配設されていればよい。これについて、図８を用いて説明する。
【０１９０】
図８は、本実施形態３の構成を示す図である。本実施形態３では、傾斜面２３ｂおよび噴出口２７の配設形態が、実施形態１のそれと異なる点以外は、実施形態１と同じ構成を有している。
【０１９１】
具体的には、図８に示すように、本実施形態３においては、対峙面２３ａの下端辺（底辺）に沿って、その中間部分に一つの傾斜面２３ｂが形成されており、この傾斜面２３ｂを挟むようにして、噴出口２７が配設されている。
【０１９２】
このように、噴出口２７の配設位置を傾斜面２３ｂの近傍とすることにより、サポートプレート２の外周端部において、プレート部２１に対向する面の裏面側に位置する面取り部位２ａに傾斜面２３ｂを当接させたときに、サポートプレート２の外周部分に形成される隙間に効果的に気体を噴出することができ、サポートプレート２の外周部分を好適に把持することができる。
【０１９３】
〔実施形態４〕
上記実施形態１では、各クランプ２３に設けられた噴出口２７に気体噴出部２４が接続された態様であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、吸着パッド２２がサポートプレート２の上面の外周部分に吸着して隙間７が維持されている状態において、気体を噴出する一つのノズルが積層体１００の周縁部分を周方向に沿って移動して、隙間７に気体を噴出する態様であってもよい。
【０１９４】
〔実施形態５〕
上記実施形態１では、クランプ２３および気体噴出部２４が、一体的に昇降し、且つ一体的にスライド移動する構成となっている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、クランプ２３および気体噴出部２４の夫々が、駆動機構を備え、図５（ａ）〜図５（ｅ）に示す各工程を実施することも可能である。
【０１９５】
なお、夫々が駆動機構を備えている場合、図５（ｅ）では、気体噴出部２４を気体噴出に好ましい位置に移動させてから、気体噴出部２４から気体を噴射することも可能である。これにより、より効果的に隙間を広げることができる。
【０１９６】
〔その他の実施形態〕
上述の実施形態において、積層体の上面視における形状は、円形状であるが、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法により分離する積層体の上面視における形状（つまり、基板および支持体の上面視における形状）は、長方形、直方形等の多角形状であってもよい。本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、基板と支持体との間に流体を噴出することにより、基板と支持体とを分離することができればよく、積層体の上面視における形状は限定されない。よって、本発明に係る支持体分離装置、および支持体分離方法は、半導体素子（電子部品）を含む半導体パッケージ（半導体装置）して知られる、ＷＬＰ（Wafer Level Package）に限定されず、ＰＬＰ（Panel Level Package）にも好適に応用することができる。
【０１９７】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１９８】
１  基板
２  サポートプレート（支持体）
２ａ  面取り部位
３  接着層
４  分離層
４ａ  領域
５  ダイシングテープ
６  ダイシングフレーム
７  隙間
１０  支持体分離装置
２０  保持部
２１  プレート部
２２  吸着パッド（吸着部）
２３  クランプ（把持部）
２３ａ  対峙面
２３ｂ  傾斜面（係止面）
２４  気体噴出部（噴出部）
２５  スライド駆動部
２６  レベルブロック
２６ａ  当接面
２７  噴出口（開口部）
３０  昇降部
４０  光照射部
５０  ステージ
５１  ポーラス部
１００  積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018014361.tif 000016
【図６】
2018014361.tif 000017
【図７】
2018014361.tif 000018
【図８】
2018014361.tif 000019