(57)【要約】【課題】可撓性絶縁基板上に順次設けられた電極層および接続用金属部材を備え、全体としての強度がより高められた接合構造体を提供する。【解決手段】可撓性絶縁基板１２と、前記可撓性絶縁基板１２上に形成された電極層１４と、前記電極層１４に溶接された接続用金属部材１６とを備え、前記接続用金属部材１６の表面から前記可撓性絶縁基板１２の表面に達する溶融スポット２０が設けられた接合構造体１０であって、前記可撓性絶縁基板１２と前記電極層１４との界面は、前記溶融スポット２０の周囲に、前記可撓性絶縁基板１２と前記電極層１４とがかみ合った接合強化部１８を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性絶縁基板と、前記可撓性絶縁基板上に形成された電極層と、前記電極層に溶接された接続用金属部材とを備え、前記接続用金属部材の表面から前記可撓性絶縁基板の表面に達する溶融スポットが設けられた接合構造体であって、
前記可撓性絶縁基板と前記電極層との界面は、前記溶融スポットの周囲に、前記可撓性絶縁基板と前記電極層とがかみ合った接合強化部を有することを特徴とする接合構造体。
【請求項２】
前記可撓性絶縁基板は、ポリイミド樹脂シートであることを特徴とする請求項１記載の接合構造体。
【請求項３】
前記電極層は、前記可撓性絶縁基板の表面に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜を保護する金属厚膜とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の接合構造体。
【請求項４】
前記接続用金属部材は、前記金属厚膜より融点の高い金属からなることを特徴とする請求項３記載の接合構造体。
【請求項５】
前記接合強化部は複数の凸部を含み、前記凸部の高さは０．１〜０．５μｍであり、隣接する凸部間の距離は０．１〜１．５μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の接合構造体。
【請求項６】
前記接合強化部は、３〜３０μｍの幅で前記溶融スポットの周囲に存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の接合構造体。
【請求項７】
前記接合強化部は、前記溶融スポットの中心から５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の接合構造体。
【請求項８】
前記溶融スポットは複数設けられ、中心間の距離が５００μｍ以上離れて隣接していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の接合構造体。
【請求項９】
前記溶融スポットは、１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度で設けられていることを特徴とする請求項８記載の接合構造体。
【請求項１０】
前記金属薄膜は、温度センサの薄膜サーミスタに接して設けられたパターン電極であることを特徴とする請求項３〜９のいずれか１項記載の接合構造体。
【請求項１１】
前記金属厚膜は、前記金属薄膜の表面に部分的に設けられていることを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１項記載の接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミナ等のセラミックス材料からなる基板上に、薄膜サーミスタを形成した温度センサが知られている。係る温度センサは、超小型で応答性が高いものの、基板を０．１ｍｍ程度に薄くすると非常に脆くなって壊れやすい。これに対し、基板として樹脂フィルムを用いたフィルム型サーミスタセンサは、非常に薄いうえにフレキシブルである。
【０００３】
フィルム型サーミスタセンサでは、樹脂フィルム上のサーミスタ材料層とリードフレームとが接続される。従来は、樹脂フィルム上にサーミスタ材料層と接続されたパターン電極を形成し、このパターン電極とリードフレームとがはんだ接合されていた。
【０００４】
従来のフィルム型サーミスタセンサは、はんだの融点（２００℃程度）を超える高温環境下では接合部が溶融してしまい、パターン電極とリードフレームとの接合を維持するのが困難となる。高温用途の電子部品を製造するために、抵抗溶接やレーザー溶接が普及している。抵抗溶接では、リードフレームに電極を押しつけ、加圧しつつ電極間に通電して発熱させてパターン電極とリードフレームとを接合する。レーザー溶接では、レーザー光のエネルギーを利用してパターン電極とリードフレームとを接合する。
【０００５】
パターン電極とリードフレームとを接合するために、種々の手法が提案されている（特許文献１〜４参照）。
【０００６】
特許文献１には、パターン電極の反対側に配された絶縁性フィルムにビアホールを形成し、このビアホールに埋め込まれた金属材料とリードフレームとを溶接することが開示されている。
【０００７】
特許文献２には、絶縁性フィルムの表面に形成されたパターン電極の基端部に端子部を設け、この端子部に導電性樹脂接着剤等によりリードフレームを接続することが開示されている。
【０００８】
特許文献３には、品質に悪影響を与えることなく、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を介して構成部品とは反対側からレーザー光を照射して、構成部品をＦＰＣに実装するために、発振波長が５３２ｎｍのレーザー光を照射する方法が開示されている。
【０００９】
特許文献４には、絶縁層または絶縁基板上にパターン形成された電極に溝部を設け、この溝部内にリードを埋め込んだ状態で側面と溝部との接触部分でレーザー溶接する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１４−１１６５５０号公報（請求項１）
【特許文献２】特開２０１４−５２２２８号公報（段落００２５）
【特許文献３】特開２００９−９４３４９号公報（請求項１）
【特許文献４】特許第５５６０４６８号公報（請求項１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記特許文献に係る方法は、可撓性絶縁基板の表面に設けられたパターン電極等の電極層に、リードフレーム等の接続用金属部材を接合する方法としては、満足のいくものではなかった。
【００１２】
すなわち、特許文献１に記載されている方法では、パターン電極への悪影響を避けるためにはビアホールに所定の大きさが必要とされる。このため、構造が複雑となるのに加え製造コストが高い。特許文献２の記載されている導電性接着剤等の接着剤を用いる方法では、リードフレームとパターン電極との接合強度を十分に高めることができない。
【００１３】
ＦＰＣを介して構成部品とは反対側から発振波長が１０６４ｎｍのレーザー光が照射されると導体とフィルムとの接着層に悪影響が及ぶことから、特許文献３では発振波長が５３２ｎｍのレーザー光が用いられている。発振波長が５３２ｎｍのレーザー光の吸収率が高いのは銅や金などである。このため、構成部品とＦＰＣとの接合部には、銅や金を用いる必要がある。
【００１４】
電極に形成された溝部内にリードを埋め込む特許文献４の方法では、リードを埋め込むための溝部を有する電極が形成される。そのような電極を形成するには、溝部となる部分にめっき用レジストを施して保護して、めっき層を形成した後、めっき用レジスト除去する必要がある。このため、製造プロセスが煩雑になる。
【００１５】
パターン電極が非常に薄い場合には、レーザー溶接時の熱でパターン電極が蒸発してしまう。蒸発するのがパターン電極の一部であっても、パターン電極が非常に薄い場合には、リードフレームが深く溶け込めずに十分な接合強度が得られない。
【００１６】
樹脂フィルム上のパターン電極とリードフレームを抵抗溶接する場合、電極が当接するのはリードフレーム側のみの片側スポット溶接になる。最低でも電極２本分のスペースが必要とされるため、小型化が困難である。さらに、パターン電極中を流れる電流による発熱で、溶接スポット間の電極と樹脂フィルムがダメージを受ける。
【００１７】
そこで本発明は、可撓性絶縁基板上に順次設けられた電極層および接続用金属部材を備え、接続用金属部材の表面から可撓性絶縁基板の表面に達する溶融スポットが設けられた接合構造体において、電極層と接続用金属部材の接合強度とは別に、可撓性絶縁基板と電極層との界面の強度を向上させることで、素子全体としての強度がより高められた接合構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の第１の観点は、可撓性絶縁基板と、前記可撓性絶縁基板上に形成された電極層と、前記電極層に溶接された接続用金属部材とを備え、前記接続用金属部材の表面から前記可撓性絶縁基板の表面に達する溶融スポットが設けられた接合構造体であって、前記可撓性絶縁基板と前記電極層との界面は、前記溶融スポットの周囲に、前記可撓性絶縁基板と前記電極層とがかみ合った接合強化部を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、前記可撓性絶縁基板は、ポリイミド樹脂シートであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第３の観点は、第１または第２の観点に基づく発明であって、前記電極層は、前記可撓性絶縁基板の表面に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜を保護する金属厚膜とを含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第４の観点は、第３の観点に基づく発明であって、前記接続用金属部材は、前記金属厚膜より融点の高い金属からなることを特徴とする。
【００２２】
本発明の第５の観点は、第１〜第４の観点のいずれかに基づく発明であって、前記接合強化部は複数の凸部を含み、前記凸部の高さは０．１〜０．５μｍであり、隣接する凸部間の距離は０．１〜１．５μｍであることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第６の観点は、第１〜第５の観点のいずれかに基づく発明であって、前記接合強化部は、３〜３０μｍの幅で前記溶融スポットの周囲に存在することを特徴とする。
【００２４】
本発明の第７の観点は、第１〜第６の観点のいずれかに基づく発明であって、前記接合強化部は、前記溶融スポットの中心から５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設けられていることを特徴とする。
【００２５】
本発明の第８の観点は、第１〜第７の観点のいずれかに基づく発明であって、前記溶融スポットは複数設けられ、中心間の距離が５００μｍ以上離れて隣接していることを特徴とする。
【００２６】
本発明の第９の観点は、第８の観点に基づく発明であって、前記溶融スポットは、１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度で設けられていることを特徴とする。
【００２７】
本発明の第１０の観点は、第３〜第９の観点のいずれかに基づく発明であって、前記金属薄膜は、温度センサの薄膜サーミスタに接して設けられたパターン電極であることを特徴とする。
【００２８】
本発明の第１１の観点は、第３〜第１０の観点のいずれかに基づく発明であって、前記金属厚膜は、前記金属薄膜の表面に部分的に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の第１〜第１１の観点の接合構造体では、可撓性絶縁基板と電極層との界面が、溶融スポットの周囲に、可撓性絶縁基板と電極層とがかみ合った接合強化部を有することにより、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度が高くなり、接合構造体全体としての強度を高めることができる。
【００３０】
本発明の第１〜第１１の観点の接合構造体は、可撓性絶縁基板上に順次設けられた電極層および接続用金属部材を備えている。溶接スポット数を増やした場合には、電極層と接続用金属部材との間の強度が増加する。接合強化部を形成することによって、可撓性絶縁基板と電極層との間の強度が高められる。その結果、可撓性絶縁基板と電極層との間の強度が電極層と接続用金属部材間の強度を下回った場合でも、接合構造体全体としての強度を高めることができる。
【００３１】
本発明の第２の観点の接合構造体では、可撓性絶縁基板がポリイミド樹脂シートであることにより、接合構造体全体の厚さを小さくできるとともに、耐熱性を高めることができる。
【００３２】
本発明の第３の観点の接合構造体では、電極層が可撓性絶縁基板の表面に形成された金属薄膜と、金属薄膜を保護する金属厚膜とを含むことにより、金属薄膜を保護しつつ電極層と接続用金属部材とを強固に接合することができる。
【００３３】
本発明の第４の観点の接合構造体では、接続用金属部材が金属厚膜より融点の高い金属からなるので、金属厚膜を溶融させて電極層と接続用金属部材とを強固に接合することができる。
【００３４】
本発明の第５の観点の接合構造体では、接合強化部が複数の凸部を含み、凸部の高さは０．１〜０．５μｍであり、隣接する凸部間の距離は０．１〜１．５μｍであるので、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度をより高めることができる。
【００３５】
本発明の第６の観点の接合構造体では、接合強化部が１〜３０μｍの幅で溶融スポットの周囲に存在することにより、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度をさらに高めることができる。
【００３６】
本発明の第７の観点の接合構造体では、接合強化部が溶融スポットの中心から５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設けられていることにより、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度をよりいっそう高めることができる。
【００３７】
本発明の第８の観点の接合構造体では、溶融スポットが複数設けられ、中心間の距離が５００μｍ以上離れて隣接していることにより、隣接する溶融スポットの接合強化部が干渉するのを避けることができる。
【００３８】
本発明の第９の観点の接合構造体では、溶融スポットは、１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度で設けられていることにより、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度をより確実に高めることができる。
【００３９】
本発明の第１０の観点の接合構造体では、金属薄膜が温度センサの薄膜サーミスタに接して設けられたパターン電極であることにより、温度センサにおける接合部を強化することができる。
【００４０】
本発明の第１１の観点の接合構造体では、金属厚膜が金属薄膜の表面に部分的に設けられているので、接続用金属部材が溶接された後に、パターン電極に相当する領域全体の厚さが増大するのを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態に係る接合構造体の縦断面図である。
【図２】接合強化部を説明する模式図である。
【図３】接合強化部の幅を説明する平面図である。
【図４】接合強化部が形成可能な領域を説明する模式図である。
【図５】隣接する溶融スポットの距離を説明する模式図である。
【図６】実施形態に係る接合構造体の製造方法を説明する縦断面図である。
【図７】溶融スポット近傍の断面の顕微鏡写真であり、図７Ａは全体像、図７Ｂは図７Ａにおける領域Ｘの拡大像である。
【図８】溶融スポットの中心からの距離を説明する図である。
【図９】実施例１の接合構造体を示す平面図である。
【図１０】実施例２の接合構造体を示す平面図である。
【図１１】従来例の接合構造体を示す模式図であり、図１１Ａは平面図、図１１Ｂは側面図である。
【図１２】実施例の接合構造体と従来例の接合構造体の破断強度を示す図である。
【図１３】実施形態の接合構造体を適用した温度センサを説明する図であり、図１３Ａは平面図、図１３Ｂは側面図である。
【図１４】温度センサの製造工程を説明する図であり、図１４Ａは平面図、図１４Ｂは図１４ＡにおけるＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１４に続く状態を示す図であり、図１５Ａは平面図、図１５Ｂは図１５ＡにおけるＡ−Ａ断面図である。
【図１６】図１５に続く状態を示す図であり、図１６Ａは平面図、図１６Ｂは図１６ＡにおけるＡ−Ａ断面図である。
【図１７】図１６ＡにおけるＢ−Ｂ断面の部分拡大図であり、図１７Ａは端子部の表面に金属厚膜を設けた状態の断面図、図１７Ｂはリードフレームをレーザー溶接する状態を説明する断面図である。
【図１８】図１６に続く状態を示す図であり、図１８Ａは平面図、図１８Ｂは側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００４３】
１．全体構成
図１に示す接合構造体１０は、可撓性絶縁基板１２と、可撓性絶縁基板１２上に設けられた電極層１４と、電極層１４に溶接された接続用金属部材１６とを備えている。電極層１４は、追って説明するように、可撓性絶縁基板１２の表面に形成された金属薄膜１３と、金属薄膜１３を保護する金属厚膜１５とを含む。金属薄膜とは、厚さが１０００ｎｍ以下の金属膜をさし、金属厚膜とは、厚さが３μｍ以上の金属膜をさす。
【００４４】
本実施形態においては、可撓性絶縁基板１２として、７．５〜１２５μｍ程度の厚さのポリイミド樹脂シートを用いる。金属薄膜１３は、５０〜１０００ｎｍ程度の厚さのＡｕ層とする。金属厚膜１５は、５〜１５μｍ程度の厚さのＮｉめっき層とする。接続用金属部材１６としては、ステンレススチール（以下、ＳＵＳと称する）製のリードフレームを用いる。ＳＵＳ製リードフレームの厚さは、一般的には５０〜１５０μｍ程度である。
【００４５】
接続用金属部材１６の表面から可撓性絶縁基板１２の表面に達して、溶融スポット２０が設けられている。追って説明するように、溶融スポット２０は、レーザー光の照射痕である。本実施形態においては、接続用金属部材１６が変質した領域２２と、電極層１４が変質した領域２４と、これらの領域の間の一体化層２６とによって溶融スポット２０が構成される。一体化層２６はＳＵＳとＮｉとを含む合金からなる。一体化層２６には、Ａｕが含まれる場合もある。
【００４６】
接続用金属部材１６としてのＳＵＳ製リードフレームより体積の小さい電極層１４が変質した領域２４は、存在しない場合もある。接続用金属部材１６が変質した領域２２と一体化層２６とが溶接スパッタとなって、蒸発する場合もある。この領域には、空隙が生じる。図１中に参照符号２６ａとして示されるように、一体化層２６は、溶融スポット２０の周囲の電極層１４と接続用金属部材１６との界面にも形成される。
【００４７】
可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面は、溶融スポット２０の周囲に接合強化部１８を有している。溶融スポット２０の直下には、可撓性絶縁基板１２が変質して一部溶融した領域２８が存在する。
【００４８】
図２に示すように、溶融スポット２０の周囲における可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面１９では、可撓性絶縁基板１２と電極層１４とがかみ合って、接合強化部１８が形成されている。接合強化部１８は複数の凸部を含む。凸部の高さｈは、０．１〜０．５μｍ程度であり、隣接する凸部間の距離ｄは、０．１〜１．５μｍ程度である。図２においては、可撓性絶縁基板１２側を凸部として見ているが、これとは逆に、電極層１４側を凸部として見た場合も、凸部の高さｈおよび隣接する凸部間の距離ｄは同様である。
【００４９】
例えば可撓性絶縁基板１２の表面で観察すると、接合強化部１８は、図３に示すように溶融スポット２０の周囲に環状に存在する。前述の複数の凹部は、環状の接合強化部１８内に半径方向に含まれている。溶融スポット２０はレーザー光の照射痕であるので、可撓性絶縁基板１２の表面で観察される溶融スポット２０の形状は、略円形となる。溶融スポット２０の周囲に形成される接合強化部１８の幅ｗは、３〜３０μｍ程度である。接合強化部１８の幅ｗは、金属薄膜１３の表面で観察した場合も同様に、３〜３０μｍ程度となる。
【００５０】
上述したとおり、接合強化部１８は、溶融スポット２０の周囲に形成される。溶融スポット２０はレーザー光の照射痕であるので、接合強化部１８の形成される範囲は、レーザー光の照射条件によって決定される。接合強化部１８を形成可能な領域を、図４に領域３０として示す。本実施形態においては、溶融スポットの中心ｐからＤ１（５０μｍ）以上Ｄ２（２００μｍ）以下の領域が、接合強化部を形成可能な領域３０となる。
【００５１】
２以上の溶融スポット２０が存在する場合には、図５に示すように、隣接する溶融スポット２０の中心ｐ間の距離Ｄ３は、５００μｍ以上とすることができる。溶融スポット２０は、金属厚膜１５について１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度で設けることが好ましい。隣接する溶融スポット２０の中心ｐ間の距離Ｄ３は、溶融スポット２０の密度を考慮して、金属厚膜１５の接続用金属部材１６に接する部分の面積に応じて適宜決定することができる。
【００５２】
２．製造方法
本実施形態の接合構造体１０は、可撓性絶縁基板１２表面に形成された電極層１４の上に接続用金属部材１６を配置し、接続用金属部材１６側からレーザー光を照射して、電極層１４と接続用金属部材１６とを溶融させて接合することによって製造することができる。
【００５３】
可撓性絶縁基板１２は、７．５〜１２５μｍ程度の厚さを有していれば、接合構造体１０に要求される適切な強度と可撓性を両立することができる。ポリイミド樹脂シートは、可撓性に加えて高い耐熱性を備えていることから、可撓性絶縁基板１２として特に好ましい。
【００５４】
可撓性絶縁基板１２上には、スパッタリング法によりＡｕを所定の厚さで成膜して金属薄膜１３を得る。金属薄膜１３は、例えば、温度センサの薄膜サーミスタのような所定の対象と導通を確保する目的で設けられる。このため、金属薄膜１３の厚さは１０００ｎｍ以下程度で十分である。
【００５５】
金属薄膜１３上には、Ｎｉめっき層を所定の厚さで成膜して、金属厚膜１５を形成する。金属厚膜１５は、レーザー光照射の際に金属薄膜１３を保護する。金属厚膜１５が薄すぎる場合には、金属薄膜１３を保護することが困難になる。一方、金属厚膜１５が厚すぎる場合には、金属厚膜１５が剥離しやすくなる。金属厚膜１５の厚さが３〜２０μｍ程度であれば、こうした不都合を回避することができる。金属厚膜１５の厚さは、５〜１５μｍ程度がより好ましい。
【００５６】
接続用金属部材１６としてのＳＵＳ製のリードフレームを金属厚膜１５上に配置して、図６に示すような積層体１１を得る。積層体１１に対し、図６に示すように、接続用金属部材１６側からレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌのビーム径は、０．０８〜０．３ｍｍ程度とすることができる。
【００５７】
ビーム径が大きすぎる場合には、接続用金属部材１６および金属厚膜１５が広い範囲で融解するため、溶接のダメージを受ける領域が増大する。またビーム径が大きすぎる場合には、レーザー光Ｌが分散してしまう。
【００５８】
レーザー光Ｌのビーム径が０．３ｍｍ以下であれば、レーザー光のエネルギーが集中する。このようなレーザー光を照射することによって、接続用金属部材１６および金属厚膜１５の所望の領域のみを融解させて接合することができる。
【００５９】
レーザー光Ｌのビーム径が０．３ｍｍ以下の場合には、溶接に必要な出力も低下する。その結果、製造における、生産工程の均等なタイミングを図るための工程作業時間、いわゆるタクトタイムの短縮も可能となる。
【００６０】
レーザー溶接では、レーザー発振器で増幅されたレーザーをフォーカスレンズで収束させることにより、大きなエネルギーを得ることができる。一般的には、集光地点のビーム径ｄは、レンズに入射するビーム径Ｄとレンズの焦点距離ｆを用いて、下記数式（１）で表される。
【００６１】
ｄ＝Ａ・λｆ／Ｄ          数式（１）
上記数式（１）中、Ａは定数であり、λはレーザーの波長である。本実施形態で要求されるエネルギーのレーザー光を発生する装置の場合、一般的なレーザー光の最小ビーム径は０．０８ｍｍとされている。上記レーザー光のビーム径の下限（０．０８ｍｍ）は、これに基づく。
【００６２】
ビーム径が０．０８〜０．３ｍｍ程度のレーザー光Ｌを照射する場合、出力は０．２〜０．４ｋＷ程度、照射時間は０．５〜１．５ｍｓ程度とすることができる。１．５ｍｓ以内の照射時間であれば、熱の散逸は避けられる。
【００６３】
上述の条件でレーザー光Ｌを照射することによって、レーザー光Ｌが照射された領域では、図１に示したように、接続用金属部材１６および電極層１４が変質し、これらの界面には一体化層２６が生じる。一体化層２６が生じることによって、接続用金属部材１６が電極層１４に溶接される。接続用金属部材１６が変質した領域２２、電極層１４が変質した領域２４、および一体化層２６は、レーザー光Ｌの照射痕に相当する。領域２２，２４および一体化層２６によって、溶融スポット２０が構成される。
【００６４】
溶融スポット２０の直下では、可撓性絶縁基板１２が変質して一部溶融し、領域２８となる。溶融スポット２０の周囲では、レーザー光Ｌのエネルギーにより、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面１９に凹凸が生じて、可撓性絶縁基板１２と電極層１４とがかみ合う。
【００６５】
以上のようにして、溶融スポット２０の周囲のうち、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面には、可撓性絶縁基板１２と電極層１４とがかみ合うことによって接合強化部１８が形成される。
【００６６】
接合強化部１８の幅ｗ（図３参照）は、レーザー光Ｌの照射条件に応じて適宜設定することができる。接合強化部１８が形成される領域３０（図４参照）も同様に、レーザー光Ｌの照射条件に応じて適宜設定することができる。
【００６７】
複数の溶融スポット２０を形成する場合には、隣接する溶融スポット２０の周囲の接合強化部１８同士が干渉しないことが好ましい。図５を参照して説明したように、隣接する溶融スポット２０の中心ｐ間の距離Ｄ３が５００μｍ以上となるように、レーザー光Ｌを照射することが望まれる。
【００６８】
また、複数の溶融スポット２０を形成する場合には、金属厚膜１５について、１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度となるように、レーザー光Ｌを照射することが好ましい。例えば、金属厚膜１５の面積が４．８ｍｍ2の場合には、溶融スポット２０は６点以上となるようにレーザー光を照射する。１ｍｍ2当たり１．２５点以上の密度で溶融スポット２０が存在することによって、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との接合強度をより高めることができる。
【００６９】
３．作用および効果
本実施形態に係る接合構造体１０においては、接続用金属部材１６の表面から電極層１４を貫通して、可撓性絶縁基板１２の表面に達する溶融スポット２０が形成されている。溶融スポット２０は、レーザー光の照射痕である。レーザー光の照射により発生する熱で溶融スポット２０周囲の可撓性絶縁基板１２の一部が融解し、可撓性絶縁基板１２と電極層１４とがかみ合って接合強化部１８が形成される。
【００７０】
可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面は、もともと化学的結合により接合されている。上記のような接合強化部１８が存在することによって、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面では、いわゆるアンカー構造が形成される。アンカー構造により機械的接合の効果が得られて、滑り方向の抵抗が増す。その結果、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との接合強度が高められた。レーザー光の照射により接合されるので、接合構造体１０は、金属材料を埋め込む場合よりも容易に製造することができる。
【００７１】
しかも、接合構造体１０における電極層１４は、金属薄膜１３を保護する金属厚膜１５を備えている。レーザー光の照射により金属厚膜１５と接続用金属部材１６とが一体化することで、接続用金属部材１６と電極層１４とはより強固に接合される。接続用金属部材１６が金属厚膜１５より融点の高い金属からなる場合には、レーザー光の照射によって金属厚膜１５が十分に溶融するので、接続用金属部材１６と電極層１４との接合はより確実になる。
【００７２】
接合構造体１０は、接続用金属部材１６と電極層１４とが強固に接合されているのに加えて、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との接合強度が高いので、全体としての強度が向上した。
【００７３】
接合構造体１０は、レーザー光を照射することにより接合されているので、抵抗溶接により接合する場合とは異なって、接合に必要な面積を小さくすることができる。溶融スポット間の電極層１４や可撓性絶縁基板１２がダメージを受けることもない。さらに、接合構造体１０は、高温環境下で使用しても、電極層１４と接続用金属部材１６との接合には、何ら問題が生じることはない。
【００７４】
４．変形例
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。
【００７５】
上記実施形態では、可撓性絶縁基板１２としてポリイミド樹脂シートを用いたが、ポリイミド樹脂シートの他、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂等を用いることもできる。
【００７６】
電極層１４を構成する金属薄膜１３の厚さ、用いる金属は、適宜変更することができる。Ａｕ層の厚さは、５０〜１０００ｎｍの範囲で適宜選択することができる。Ａｕ層の下層に５〜１００ｎｍのＣｒ層またはＮｉＣｒ層を設けてもよい。所定の厚さの金属薄膜１３が得られれば、スパッタリング法以外の方法により、可撓性絶縁基板１２の表面に金属薄膜１３を成膜することもできる。
【００７７】
金属薄膜１３を保護する金属厚膜１５は、Ｎｉの他、Ｃｒ，Ａｕ，またはＰｔ等を用いてもよい。金属厚膜１５は、金属薄膜１３上に存在していれば、金属薄膜１３を保護することができる。金属厚膜１５の厚さは、接続用金属部材１６の厚さ等に応じて適宜選択することができる。所定の厚さの金属厚膜１５が得られれば、めっき以外の方法により金属厚膜１５を成膜してもよい。
【００７８】
上述の実施形態では、接続用金属部材１６としてリードフレームを用いたが、リードフレームの他、導線などの接続用金属部材１６を用いることもできる。また、接続用金属部材１６を形成するための金属としてＳＵＳを用いたが、照射されるレーザー光Ｌを吸収して溶融し、金属厚膜１５と一体化層２６を形成できる任意の金属を用いることができる。ＳＵＳ以外で使用可能な接続用金属部材１６の材質としては、例えば、ＣｕおよびＮｉが挙げられる。
【００７９】
接続用金属部材１６と金属厚膜１５とは、接続用金属部材１６の融点が、金属厚膜１５の融点よりも高くなるように、金属の組み合わせを選択することが望まれる。
【００８０】
溶融スポット２０は、接続用金属部材１６や電極層１４を完全に埋めて設けられることが、必ずしも必須ではない。レーザー光Ｌの照射により、接続用金属部材１６および電極層１４の一部が蒸発して、溶融スポット２０の一部に空隙が生じていてもよい。接続用金属部材１６と電極層１４との界面では、溶融スポット２０の周囲に一体化層の一部２６ａが存在する（図１参照）。このように溶融スポット２０の一部に空隙が生じている場合であっても、溶融スポット２０の周囲の接続用金属部材１６と電極層１４との界面に、一体化層の一部２６ａが存在することによって、接続用金属部材１６と電極層１４とが接合される。
【００８１】
５．実施例
まず、可撓性絶縁基板上の電極層に接続用金属部材を溶接して、可撓性絶縁基板と電極層との間の接合強化部を観察した。
【００８２】
可撓性絶縁基板としては、厚さ５０μｍのポリイミド樹脂シートを用いた。このポリイミド樹脂シートの上に、スパッタリング法によりＡｕ層を２００ｎｍの厚さで成膜して金属薄膜を形成した。金属薄膜上には、Ｎｉめっき層を１０μｍの厚さで成膜して金属厚膜を形成した。金属薄膜と金属厚膜とによって、電極層が構成される。
【００８３】
電極層の上には、接続用金属部材としてのＳＵＳ製リードフレーム（厚さ８０μｍ）を配置し、ビーム径０．２ｍｍ、出力０．３ｋＷのレーザー光を照射時間１ｍｓで照射した。これにより、接続用金属部材と金属厚膜とを接合して、接合構造体を作製した。
【００８４】
図７Ａには、得られた接合構造体の溶融スポット近傍の断面顕微鏡写真を示す。可撓性絶縁基板１２上に電極層１４が形成され、電極層１４上には接続用金属部材１６が設けられている。溶融スポット２０においては、接続用金属部材１６と電極層１４とは共に溶融し、一部が蒸発して空隙が生じている。
【００８５】
溶融スポット２０の周囲の可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面（領域Ｘ）の拡大像を、図７Ｂに示す。電極層１４は、金属薄膜１３と、金属薄膜１３上の金属厚膜１５とを含んでいる。可撓性絶縁基板１２と電極層１４との界面１９には、可撓性絶縁基板１２と電極層１４とがかみ合った接合強化部１８が確認される。
【００８６】
図８には、ここで作製された接合構造体における溶融スポット２０の中心と、ビーム径ＢＤとを示す。ビーム径ＢＤは０．２ｍｍである。図８においては、溶融スポット２０の中心からＤ１（５０μｍ）の位置をＡとし、Ｄ２（２００μｍ）の位置をＢとしている。図７Ａと図８とを合わせて観察すると、接合強化部１８は、Ｄ１以上Ｄ２以下の領域に存在していることがわかる。
【００８７】
次に、溶融スポットの数を変更して接合構造体のサンプルを作製し、可撓性絶縁基板と電極層との接合強度を調べた。
【００８８】
（実施例１）
実施例１においては、図９に示すようなサンプル４０Ａを作製した。
【００８９】
サンプル４０Ａの作製にあたっては、まず、可撓性絶縁基板１２としてのポリイミド樹脂シート（厚さ５０μｍ）上の２か所に、金属薄膜１３としてのＡｕ層（厚さ２００ｎｍ）をスパッタリング法により成膜した。それぞれの金属薄膜１３の上には、金属厚膜１５としてのＮｉめっき層（厚さ１０μｍ）を、４．５ｍｍ2の面積で形成した。
【００９０】
金属厚膜１５と重なるように、接続用金属部材１６としてのＳＵＳ製リードフレーム（厚さ８０μｍ）を配置し、レーザー光を照射して金属厚膜１５と接続用金属部材１６とを接合してサンプル４０Ａが得られた。
【００９１】
レーザー光の照射条件は、ビーム径０．２ｍｍ、出力０．３ｋＷ、照射時間１ｍｓとした。溶融スポット２０の数は、それぞれの接続用金属部材１６について１２個とした。この場合、溶融スポット２０の密度は、２．６７点／ｍｍ2となる。
【００９２】
図９に示すように、実施例１のサンプル４０Ａには、合計で２４個の溶融スポット２０が設けられた。可撓性絶縁基板１２と金属薄膜１３との界面では、溶融スポット２０の周囲に接合強化部（図示せず）が確認された。
【００９３】
さらに、以下の点を変更する以外は実施例１と同様の手法により、実施例２および従来例の試料を作製した。
【００９４】
（実施例２）
それぞれの接続用金属部材１６上に形成する溶融スポット２０の数を１５個に変更する以外は、実施例１と同様にして実施例２のサンプルを作製した。実施例２のサンプルの平面図を図１０に示す。図１０に示すように、実施例２のサンプル４０Ｂには、合計で３０個の溶融スポット２０が設けられた。この場合、溶融スポット２０の密度は、３．３３点／ｍｍ2となる。
【００９５】
実施例１のサンプル４０Ａの場合と同様、実施例２のサンプル４０Ｂにおいても、可撓性絶縁基板１２と金属薄膜１３との界面では、溶融スポット２０の周囲に接合強化部（図示せず）が確認された。
【００９６】
（従来例）
抵抗溶接により接続用金属部材１６と金属厚膜１５とを接合する以外は、実施例１と同様にして従来例のサンプルを作製した。従来例のサンプルの平面図を図１１Ａに示し、側面図を図１１Ｂに示す。図１１Ａ，１１Ｂに示すように、従来例のサンプル１４０は、接続用金属部材１６と金属厚膜１５との界面に２つの溶融スポット１２０が形成されている。溶融スポット１２０の直径は、１５０μｍ程度であった。従来例のサンプル１４０は、可撓性絶縁基板１２と金属薄膜１３との界面に接合強化部が存在しない。
【００９７】
＜物性値の測定＞
実施例１，２、従来例のサンプルについて、可撓性絶縁基板１２を接続用金属部材１６からピールさせる方向で引き剥がして破断強度を測定した。破断強度の測定には、株式会社イマダ製のデジタルフォースゲージＺＴＡ−５Ｎを用いた。実施例および比較例のサンプルは、いずれも可撓性絶縁基板１２と金属薄膜１３との界面で剥離するまでの最大強度を破断強度として、図１２に示す。
【００９８】
なお、従来例の抵抗溶接は片側スポット溶接のため、溶接スポット数の変更が実質不可能である。溶接部の形態は、実施例１，２（レーザー溶接）が金属化合物形成であるのに対し、従来例（抵抗溶接）では固相拡散による接合となる。実施例１，２、従来例はいずれも可撓性絶縁基板１２と電極層１４間で破断するが、それ以外の部分で破断する可能性もある。こうした点から、実施例１，２、従来例のサンプルについては、破断強度で比較した。いずれも、電極面積は４．５ｍｍ２である。
【００９９】
実施例１のサンプルは、抵抗溶接により接続用金属部材１６を金属厚膜１５に接合した従来例を超える破断強度を有している。実施例２の結果に示されるように、溶融スポット数２０が多くなると、さらに高い破断強度を得ることができる。
【０１００】
一般に、溶接による接合面の接合強度は、溶接スポット数に比例する。例えばスポットあたりの強度が３００ｍＮの場合、スポットを３つにすれば、接合面の接合強度は９００ｍＮとなる。実際には、電極層１４と接続用金属部材１６との間の強度を向上させると、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との間の強度が、電極層１４と接続用金属部材１６との間の強度を下回る。このため、破断強度は、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との間の界面強度と一致する。
【０１０１】
従来例のサンプルを強度測定のため破断させた場合、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との間の界面で破断する。この場合、強度は６００ｍＮにとどまっている。従来実施している抵抗溶接で向上できるのは、溶接による接合面の強度、すなわち、電極層１４と接続用金属部材１６との間の強度である。抵抗溶接では、サンプルの破断強度を向上させることはできない。
【０１０２】
一方、実施例１，２のサンプルの破断強度はそれぞれ、８５０ｍＮと１０００ｍＮである。実施例のサンプルでは、元々の可撓性絶縁基板１２と電極層１４間の界面の強度である６００ｍＮより高くなり、可撓性絶縁基板１２と電極層１４との間の界面強度が上昇したことが分かる。
【０１０３】
実施例のサンプルでは、溶接前後において、可撓性絶縁基板１２と電極層１４間の界面で変化する部分が、接合強化部のみである。破断強度は、溶接スポット数に比例して向上している。こうしたことから、接合強化部が可撓性絶縁基板１２と電極層１４との間の界面強度を向上させ、サンプル全体の破断強度を向上させたことが分かる。
【０１０４】
６．温度センサへの応用
本実施形態の接合構造体は、図１３Ａ，図１３Ｂに示すような温度センサにおけるパターン電極とリードフレームとの接合に応用することができる。
【０１０５】
図示する温度センサ５０は、一対のリードフレーム１６Ａと、一対のリードフレーム１６Ａに接続されたセンサ部５３と、一対のリードフレーム１６Ａに固定されて一対のリードフレーム１６Ａを保持する絶縁性の保持部５４とを備えている。保持部５４は、取り付け用の開孔５４ａを有している。一対のリードフレーム１６Ａは、図１に示した接合構造体１０における接続用金属部材１６に相当する。
【０１０６】
一対のリードフレーム１６Ａは、銅系合金、鉄系合金またはステンレス等の合金で形成され、樹脂製の保持部５４によって一定間隔を保持した状態で支持されている。一対のリードフレーム１６Ａは、保持部５４内で一対のリード線５５に接続されている。
【０１０７】
センサ部５３は、絶縁性フィルム１２Ａを備えたフィルム型サーミスタセンサである。絶縁性フィルム１２Ａとしては、厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートが用いられる。絶縁性フィルム１２Ａは、接合構造体１０における可撓性絶縁基板１２に相当する。
【０１０８】
絶縁性フィルム１２Ａの表面には、サーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部５７が設けられている。薄膜サーミスタ部５７の上には、パターン化された一対の櫛形電極５８が形成されている。一対の櫛形電極５８に接続するように、一対のパターン電極１３Ａが絶縁性フィルム１２Ａの表面に形成されている。薄膜サーミスタ部５７および櫛形電極５８は、絶縁性の保護膜６０で覆われている。
【０１０９】
薄膜サーミスタ部５７を形成するサーミスタ材料は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物である。この金属窒化物は、六方晶系のウルツ鉱型の単相の結晶構造を有する。薄膜サーミスタ部５７の厚さは、一般的には１０〜１０００ｎｍ程度である。
【０１１０】
一対の櫛形電極５８は、薄膜サーミスタ部５７上で互いに対向状態に配されて交互に櫛部（図示せず）が並んだ櫛形パターンに形成されている。櫛形電極５８は、膜厚５〜１００ｎｍのＣｒまたはＮｉＣｒからなる下地層と、膜厚５０〜１０００ｎｍのＡｕ層との積層構造である。
【０１１１】
一対のパターン電極１３Ａは、先端が櫛形電極５８に接続される。一対のパターン電極１３Ａの基端は、リードフレーム１６Ａに接合される端子部となる。パターン電極１３Ａは、櫛形電極５８と同様に、膜厚５〜１００ｎｍのＣｒまたはＮｉＣｒからなる下地層と、膜厚５０〜１０００ｎｍのＡｕ層との積層構造である。パターン電極１３Ａは、接合構造体１０における金属薄膜１３に相当する。
【０１１２】
一対のパターン電極１３Ａのそれぞれの端子部には、５〜１５μｍの厚さのＮｉめっき層（図示せず）を介してリードフレーム１６Ａが接合されている。パターン電極１３Ａの端子部とリードフレーム１６Ａとの間に介在するＮｉめっき層は、接合構造体１０における金属厚膜１５に相当する。
【０１１３】
パターン電極１３Ａの端子部に接合された一対のリードフレーム１６Ａは、薄膜サーミスタ部５７を間に挟んで絶縁性フィルム１２Ａの表面上に延び、絶縁性フィルム１２Ａに接着されている。薄膜サーミスタ部５７、パターン電極１３Ａおよびリードフレーム１６Ａが設けられた絶縁性フィルム１２Ａの表面は、全体が絶縁性の保護シート６１で覆われている。
【０１１４】
温度センサ５０は、絶縁性フィルム１２Ａ上にパターン電極１３Ａ等を形成してセンサ部５３を得、パターン電極１３Ａの端子部に、金属厚膜（図示せず）を介してリードフレーム１６Ａを接合することにより製造することができる。以下に、温度センサ５０の製造方法を具体的に説明する。センサ部５３における絶縁性フィルム１２Ａとしては、厚さ５０μｍのポリイミド樹脂シートを用いる。
【０１１５】
センサ部５３の作製にあたっては、まず、絶縁性フィルム１２Ａの上に、図１４Ａ、図１４Ｂに示すような薄膜サーミスタ部５７を形成する。薄膜サーミスタ部５７は、絶縁性フィルム１２Ａの全面にＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝０．０９、ｙ＝０．４３、ｚ＝０．４８）合金膜を成膜し、成膜されたＴｉｘＡｌｙＮｚ合金膜をパターニングすることによって得られる。
【０１１６】
ＴｉｘＡｌｙＮｚ合金膜は、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下、窒素ガス分率を２０％の条件でスパッタリングを行なうことで、２００ｎｍの厚さのＴｉｘＡｌｙＮｚ合金膜が成膜される。
【０１１７】
成膜されたＴｉｘＡｌｙＮｚ合金膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布し、１１０℃で９０秒間のプリベークを行なってレジスト膜を形成する。レジスト膜の所定の領域に露光を施し、レジスト膜の不要部分を現像液で除去する。さらに、１５０℃で５分間のポストベークを行なってレジストパターンを得る。
【０１１８】
レジストパターンをマスクとして用い、市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行なって、ＴｉｘＡｌｙＮｚ合金膜の不要部分を除去する。レジストパターンを剥離して、絶縁性フィルム１２Ａの所定の位置に、所定の形状の薄膜サーミスタ部５７が得られる（図１４Ａ，図１４Ｂ）。
【０１１９】
薄膜サーミスタ部５７が設けられた絶縁性フィルム１２Ａの上には、図１５Ａに示すように、一対の櫛形電極５８およびパターン電極１３Ａといった導電性膜を形成する。図１５Ｂに示すように、一対の櫛形電極５８は、薄膜サーミスタ部５７に接続して薄膜サーミスタ部５７を覆うように設けられる。導電性膜を形成するには、まず、Ｃｒ層（厚さ２０ｎｍ）およびＡｕ層（厚さ２００ｎｍ）をスパッタリング法により順次成膜して、金属積層膜を得る。
【０１２０】
金属積層膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布し、１１０℃で９０秒間のプリベークを行なってレジスト膜を形成する。レジスト膜の所定の領域に露光を施し、レジスト膜の不要部分を現像液で除去する。さらに、１５０℃で５分間のポストベークを行なって、レジストパターンを得る。
【０１２１】
レジストパターンをマスクとして用い、市販のＡｕエッチャントおよびＣｒエッチャントにより順次ウェットエッチングを行なって、金属積層膜の不要部分を除去する。レジストパターンを剥離して、複数の櫛部５８ａを有する一対の櫛形電極５８、およびそれぞれの櫛形電極５８に接続したパターン電極１３Ａが得られる。一対の櫛形電極５８は、櫛部５８ａ同士が互い違いになるように対向して形成されている。パターン電極１３Ａの基端は、リードフレーム（図示せず）に接続される端子部１３Ｂとなる。
【０１２２】
一対の櫛形電極５８およびパターン電極１３Ａは、絶縁性フィルム１２Ａと薄膜サーミスタ部５７との間に設けることもできる。この場合には、薄膜サーミスタ部５７を形成する前の絶縁性フィルム１２Ａ上に、上述したような金属積層膜を形成してウェットエッチングを行なえばよい。
【０１２３】
薄膜サーミスタ部５７に接続された櫛形電極５８を覆って、図１６Ａ，図１６Ｂに示すように絶縁性の保護膜６０を形成する。絶縁性の保護膜６０としては、例えば２０μｍの厚さのポリイミド膜を用いることができる。ポリイミド膜は、ポリイミドワニスを印刷法により塗布し、２５０℃で３０分間キュアして得られる。こうして、絶縁性フィルム１２Ａ上に薄膜サーミスタ部５７、櫛形電極５８およびパターン電極１３Ａが設けられたセンサ部５３が作製される。
【０１２４】
センサ部５３上のパターン電極１３Ａの端子部１３Ｂには、図１７Ａに示すようにＮｉめっき層１５Ａからなる金属厚膜を、１０μｍの厚さで形成する。図１７Ａに示すように、絶縁性フィルム１２Ａの表面に設けられたパターン電極１３Ａ（金属薄膜）の端子部１３Ｂと、Ｎｉめっき層１５Ａ（金属厚膜）との積層構造によって電極層１４Ａが構成される。
【０１２５】
Ｎｉめっき層１５Ａの上には、図１７Ｂに示すようにリードフレーム１６Ａ（厚さ８０μｍ）を配置し、リードフレーム１６Ａ側からレーザー光Ｌを照射する。レーザー光の照射によって、図１８Ａ，図１８Ｂに示すように、保持部５４に保持された一対のリードフレーム１６Ａが絶縁性フィルム１２Ａ上に設けられて、センサ部５３に接続される。リードフレーム１６Ａは、溶接によりセンサ部５３における電極層（図示せず）に接合される。
【０１２６】
リードフレーム１６Ａとパターン電極１３Ａとの接合部においては、リードフレーム１６Ａの表面から絶縁性フィルム１２Ａの表面に達して、図示しない溶融スポットが形成されている。図１を参照して説明したように、絶縁性フィルム１２Ａとパターン電極１３Ａとの界面は、溶融スポットの周囲に、絶縁性フィルム１２Ａとパターン電極１３Ａとがかみ合った接合強化部（図示せず）を有する。
【０１２７】
センサ部５３においては、一対のリードフレーム１６Ａが設けられた絶縁性フィルム１２Ａの表面に保護シート６１を貼り付ける。保護シート６１としては、接着剤付きのポリイミドフィルムを用いることができる。こうして、図１３Ａ，図１３Ｂに示した温度センサ５０が得られる。
【０１２８】
上述したとおり、温度センサ５０は、一対のパターン電極１３Ａ（金属薄膜）のそれぞれの端子部１３Ｂに、Ｎｉめっき層１５Ａ（金属厚膜）を介したレーザー溶接によってリードフレーム１６Ａが接合されている。Ｎｉめっき層１５Ａが介在することで接合部の強度をより高めることができ、高温環境下でも良好に使用することが可能である。
【０１２９】
金属厚膜としてのＮｉめっき層１５Ａは、パターン電極１３Ａの全表面ではなく、端子部１３Ｂに５〜１５μｍの厚さで部分的に設けられているので、パターン電極１３Ａ全体の厚さが増大して熱容量が増加することはない。したがって、センサ部５３の応答性が低下するといった問題は避けることができる。
【０１３０】
なお、温度センサの他にも、サーミスタを用いた湿度センサ等においても、金属厚膜を介して接続用金属部材としてのリードフレームと、金属薄膜としてのパターン電極とをレーザー溶接により接合することによって、同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【０１３１】
１０  接合構造体
１２  可撓性絶縁基板
１４  電極層
１６  接続用金属部材
１８  接合強化部
２０  溶融スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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