(57)【要約】【課題】ＵＶ−ＬＥＤを基板に実装する時の放熱性を向上させ、これにより更なる高出力を得ることができるＵＶ−ＬＥＤ装置を提供する。【解決手段】ＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に実装する際に、＋電極及び−電極の配線パターン１４の下には絶縁層１６を介在させ、それ以外の配線パターンの下には絶縁層１６を介在させず直接Ｃｕ基板１８を当接させる。これにより、ＵＶ−ＬＥＤチップ１０の熱を直接Ｃｕ基板１８に放熱させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ−ＬＥＤデバイスと、
ＵＶ−ＬＥＤデバイスが実装される銅基板と、
を備え、
ＵＶ−ＬＥＤデバイスの配線パターンのうちプラス電極及びマイナス電極と銅基板との間には絶縁層が介在し、それ以外の配線パターンと銅基板との間には絶縁層が介在せず直接当接する
ことを特徴とするＵＶ−ＬＥＤ装置。
【請求項２】
銅基板とヒートシンクの間にインジウム接着層が介在する
ことを特徴とする請求項１に記載のＵＶ−ＬＥＤ装置。
【請求項３】
複数のＵＶ−ＬＥＤデバイスをＣｕ基板に実装する際のＵＶ−ＬＥＤデバイスのセンタ間距離が２０ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１，２のいずれかに記載のＵＶ−ＬＥＤ装置。
【請求項４】
ＵＶ−ＬＥＤチップと、
ＵＶ−ＬＥＤチップが実装される基板と、
基板にインジウム接着層を介して接着されるヒートシンクと、
を備えることを特徴とするＵＶ−ＬＥＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＵＶ−ＬＥＤ装置に関し、特にその放熱性に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＵＶ−ＬＥＤの高効率・高出力化に伴い、紫外線ランプからＵＶ−ＬＥＤへの置き換えが進みつつあり、ＵＶ−ＬＥＤ照明やディスプレイ等の蛍光体励起光源、顕微鏡や露光機等の高分解能光源、光樹脂硬化や医療バイオ等の化学励起用光源、紙幣識別やＤＮＡチップ、環境計測等の分光励起用光源、殺菌・消毒の衛生用光源として種々の分野での採用が期待されている。
【０００３】
ＵＶ−ＬＥＤの１素子の出力を向上させるためにはチップサイズの拡大が有効であり、チップサイズの拡大により投入電流を稼ぐことができるが、その分チップからの発熱量が増大し、発光効率低下や寿命の低下を招いてしまう。
【０００４】
特許文献１には、ＵＶ−ＬＥＤ素子を、第１絶縁層／接着剤／放熱用部材の積層構造に搭載することが記載されている。第１絶縁層として酸化アルミニウム質焼結体、セラミックス、エポキシ樹脂、液晶ポリマー等が例示され、接着剤としてシリコン樹脂やエポキシ樹脂が例示され、放熱用部材として銅（Ｃｕ）が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−５０２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の構成では必ずしも放熱性が十分ではなく、更なる放熱性の向上が要求されている。
【０００７】
本発明の目的は、ＵＶ−ＬＥＤを基板に実装する時の放熱性を向上させ、これにより更なる高出力を得ることができるＵＶ−ＬＥＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＵＶ−ＬＥＤデバイスと、ＵＶ−ＬＥＤデバイスが実装される銅基板とを備え、ＵＶ−ＬＥＤデバイスの配線パターンのうちプラス電極及びマイナス電極と銅基板との間には絶縁層が介在し、それ以外の配線パターンと銅基板との間には絶縁層が介在せず直接当接することを特徴とするＵＶ−ＬＥＤ装置である。
【０００９】
本発明の１つの実施形態では、銅基板とヒートシンクの間にインジウム接着層が介在する。
【００１０】
本発明の他の実施形態では、複数のＵＶ−ＬＥＤデバイスをＣｕ基板に実装する際のＵＶ−ＬＥＤデバイスのセンタ間距離が２０ｍｍ以下である。
【００１１】
また、本発明は、ＵＶ−ＬＥＤチップと、ＵＶ−ＬＥＤチップが実装される基板と、基板にインジウム接着層を介して接着されるヒートシンクとを備えることを特徴とするＵＶ−ＬＥＤ装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＵＶ−ＬＥＤを基板に実装する場合の放熱特性を向上させることができる。これにより、出力特性及び寿命特性を向上させることができる。さらに、実装密度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態の前提となるＵＶ−ＬＥＤ装置の断面図である。
【図２】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の断面図である。
【図３】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の製造方法を示す全体フローチャートである。
【図４】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の製造方法を示す詳細フローチャートである。
【図５】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の製造方法を示す詳細フローチャートである。
【図６】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の製造方法を示す詳細フローチャートである。
【図７】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の製造方法を示す詳細フローチャートである。
【図８】実施形態のＵＶ−ＬＥＤ装置の実装時の平面図である。
【図９Ａ】図１の構成の初期特性（定格電流時）を示す図である。
【図９Ｂ】図２の構成の初期特性（定格電流時）を示す図である。
【図１０Ａ】図１の構成の初期特性（最大定格電流時）を示す図である。
【図１０Ｂ】図２の構成の初期特性（最大定格電流時）を示す図である。
【図１１】実施形態の経時劣化特性を示す図である。
【図１２】変形例１のＵＶ−ＬＥＤ装置の断面図である。
【図１３】変形例１の経時劣化特性を示す図である。
【図１４】変形例２のＵＶ−ＬＥＤ装置の断面図である。
【図１５】変形例３のＵＶ−ＬＥＤ装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
＜前提構成＞
図１は、本実施形態の前提となるＵＶ−ＬＥＤ装置１の断面図を示す。
【００１６】
ＵＶ−ＬＥＤ装置１は、相対的に大面積のＵＶ−ＬＥＤチップ１０を窒化アルミニウムＡｌＮ１２に搭載したＵＶ−ＬＥＤデバイス２を熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）基板１８に実装して構成される。ＵＶ−ＬＥＤチップ１０は、窒化ガリウムＧａＮ系（ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等）のＬＥＤチップであり、２５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外領域の発光波長を有する。銅（Ｃｕ）は導体であることから、Ｃｕ基板１８上に直接配線するとＵＶ−ＬＥＤがショートしてしまうため、絶縁層１６を介して配線パターン１４を形成する。絶縁層１６は、セラミックスやエポキシ樹脂等で構成される。図１では、Ｃｕ基板１８上の全面に絶縁層１６を形成し、その上に＋電極、−電極、及び放熱目的にＣｕの配線パターン１４が形成されている。図において、左右に＋電極及び−電極が配置され、中央に放熱目的の配線パターンが形成されている。
各層の熱伝導率は、以下の通りである。
ＡｌＮ１２：２００Ｗ／ｍＫ
絶縁層１６：＜２Ｗ／ｍＫ
Ｃｕ基板１８：４００Ｗ／ｍＫ
【００１７】
このような構成により、ＵＶ−ＬＥＤデバイス２を熱伝導率の高いＣｕ基板１８に実装して放熱性を向上させることができるものの、他方で、ＡｌＮ１２に接しているＣｕ配線パターン１４とＣｕ基板１８との間に放熱性の低い絶縁層１６が介在するため、その分だけ放熱性が低下してしまう。
【００１８】
＜実施形態の構成＞
これに対し、図２は、本実施形態におけるＵＶ−ＬＥＤ装置１の断面図を示す。
図１と異なる点は、Ｃｕ配線パターン１４のうち、＋電極及び−電極の下に位置する絶縁層１６はそのまま維持しつつ、放熱目的のＣｕ配線の下に位置する絶縁層１６を取り除き、放熱目的のＣｕ配線とＣｕ基板１８とを直接当接させた点である。言い換えれば、Ｃｕ基板１８は、Ｃｕ配線の部分でＣｕ配線まで延在してＣｕ配線と一体化し、この部分においてＡｌＮ１２とＣｕ基板１８とが直接当接する構成となっている。
【００１９】
このように、Ｃｕ配線とＣｕ基板１８との間に存在する絶縁層１６を取り除くことで、ＵＶ−ＬＥＤのショートを防止しつつ、ＵＶ−ＬＥＤの熱を直接Ｃｕ基板１８に放熱することが可能となり、放熱性を大幅に向上させることができる。なお、＋電極、−電極下の絶縁層１６の厚さは、２ｍｍ以下とするのが望ましい。
【００２０】
＜製造方法＞
図３は、本実施形態におけるＵＶ−ＬＥＤ装置１の製造方法フローチャートを示す。ＵＶ−ＬＥＤ装置１は、裁断工程（Ｓ１０１）、コア基板エッチング工程（Ｓ１０２）、積層工程（Ｓ１０３）、電気回路エッチング工程（Ｓ１０４）、ＰＳＲ工程（Ｓ１０５）、表面処理工程（Ｓ１０６）、及びＬＥＤ実装工程（Ｓ１０７）を経て製造される。次に、各工程について説明する。
【００２１】
＜裁断工程＞
裁断工程は、原材料であるＣｕをプロセスに合わせたパネルサイズに切断する工程である。製品仕様に合わせて以下の３つの原材料を切断する。
（１）コア：基板コア原材料（Ｃｕ）
（２）絶縁層の材料
（３）電気配線のための銅箔
【００２２】
＜コア基板エッチング工程＞
コア基板のうち、ＵＶ−ＬＥＤチップ（またはパッケージ）が実装される箇所以外の残り部分を選択エッチングする工程である。図４は、コア基板エッチング工程の詳細フローチャートを示す。
【００２３】
まず、プレトリートメント工程を実行する（Ｓ２０１）。この工程は、コア基板の表面処理であり、コア基板（Ｃｕ）上に発生した酸化膜や指紋等を除去してドライフィルムの接着性を向上させる処理である。
【００２４】
次に、ラミネーティング工程を実行する（Ｓ２０２）。この工程は、基板表面にパターンを形成するための準備工程であり、基板に感光性ドライフィルムをローラで圧搾して密着させる。
【００２５】
次に、露光工程を実行する（Ｓ２０３）。この工程では、ドライフィルムが形成された基板の上にマスクフィルムを重ねて、ＵＶ露光にてパターンのイメージを形成する。
【００２６】
次に、現像工程を実行する（Ｓ２０４）。この工程では、ＵＶ露光の際に紫外線を受けていない部分のドライフィルムを感光液（例えばＮａ２Ｃｏ３等）で除去する。
【００２７】
次に、エッチング工程を実行する（Ｓ２０５）。この工程では、ＵＶ−ＬＥＤチップ（またはパッケージ）が実装される箇所以外の部分を化学的方法（例えばＦｅＣｌ３等を用いる）で選択エッチングする。
【００２８】
次に、剥離工程を実行する（Ｓ２０６）。この工程では、パターン形成後、基板の上に残っているドライフィルムを化学的方法（例えばＮａＯＨを用いる）で除去する。
【００２９】
以上の工程により、コア基板（Ｃｕ）のうち、ＬＥＤチップが実装される箇所以外の残りの部分が選択的にエッチングされて除去され、コア基板について図２の断面図に示すような断面凸形状が得られる。
【００３０】
＜積層工程＞
コア基板と絶縁層材料と電気配線用銅箔を熱及び圧力を印加して接合する工程である。図５は、積層工程の詳細フローチャートを示す。
【００３１】
まず、酸化工程を実行する（Ｓ３０１）。この工程では、ホットプレス工程の際に、コア基板と絶縁層、絶縁層と銅箔の接着力を増大させるべく、Ｃｕの部分を化学的に処理して粗くする。すなわち、ラフネス及び酸化皮膜の作成工程である。
【００３２】
次に、１次レイヤーアップ工程を実行する（Ｓ３０２）。この工程では、コア基板のパターンに合わせて絶縁層を積む。
【００３３】
次に、２次レイヤーアップ工程を実行する（Ｓ３０３）。この工程では、ホットプレスのための準備工程で１次レイヤーアップした絶縁層／コア基板の構成にさらに銅箔を積む。
【００３４】
次に、ホットプレス工程を実行する（Ｓ３０４）。この工程では、加熱加圧により絶縁層を溶解・硬化させて銅箔とコア基板を付着させ、多層基板を作成する。
【００３５】
＜電気回路エッチング工程＞
電気回路を作るために銅箔を選択エッチングする工程である。図６は、電気回路エッチング工程の詳細フローチャートを示す。
【００３６】
まず、プレトリートメント工程を実行する（Ｓ４０１）。この工程は、表面処理の工程であり、銅箔上に発生した酸化膜や指紋等を除去してドライフィルムの接着性を向上させる。
【００３７】
次に、ラミネーティング工程を実行する（Ｓ４０２）。この工程は、基板表面にパターンを形成するための準備工程であり、基板に感光性ドライフィルムをローラで圧搾して密着させる。
【００３８】
次に、露光工程を実行する（Ｓ４０３）。この工程では、ドライフィルムが形成された基板の上にマスクフィルムを重ねて、ＵＶ露光にてパターンのイメージを形成する。
【００３９】
次に、現像工程を実行する（Ｓ４０４）。この工程では、露光の際に、紫外線を受けていない部分のドライフィルムを感光液（例えばＮａ２ＣＯ３等）で除去する。
【００４０】
次に、エッチング工程を実行する（Ｓ４０５）。この工程では、電気回路を作成するために化学的方法（例えばＦｅＣｌ３等を用いる）で選択エッチングする。  
【００４１】
次に、剥離工程を実行する（Ｓ４０６）。この工程では、パターン形成後、基板の上に残っているドライフィルムを化学的方法（ＮａＯＨ）で除去する。
【００４２】
＜ＰＳＲ工程＞
このＰＳＲ（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ：フォトソルダーレジスト）工程では、不変性インク（パーマネントインク）をパターン上にコーティングすることで回路を保護し、ショート等の発生を防ぐための工程である。図７は、ＰＳＲ工程の詳細フローチャートを示す。
【００４３】
まず、プレトリートメント工程を実行する（Ｓ５０１）。この工程では、基板表面とインクとの密着性を向上させるべく、酸化膜、油気等を除去するとともに表面を粗くする。
【００４４】
次に、印刷工程を実行する（Ｓ５０２）。この工程では、回路形成された基板の表面にインクを塗布する工程であり、回路基板（ＰＣＢ）の表面回路を外部から保護するための工程である。コーティングする方法により、スクリーンコーティング、スプレーコーティング等を用いることができる。
【００４５】
次に、ＰＳＲ露光を実行する（Ｓ５０３）。この工程では、印刷されたインクをパターニングする工程である。露出させる部分を露光用フィルムを通してＵＶ露光し、選択パターニング処理する。
【００４６】
次に、ＰＳＲ現像を実行する（Ｓ５０４）。この工程では、露光後ＵＶ光を受けない、硬化されていない部分を現像液で除去してＣｕ回路部分を露出させる。
【００４７】
次に、乾燥工程を実行する（Ｓ５０５）。この工程では、ＰＳＲ現像後の製品に対して高温熱風を印加してＰＳＲインクを完全に硬化させる。
【００４８】
＜表面処理工程＞
酸化防止及びＬＥＤチップ実装の容易化のために、インクが塗布されていないＣｕ表面をコーティングする工程である。回路基板（ＰＣＢ）の表面を金（Ａｕ）メッキまたはコーティングして耐摩耗性、耐熱性、電気伝導性、ソルダリング性等の機能を向上させる。
【００４９】
＜ＬＥＤ実装工程＞
表面処理工程を経た基板にＬＥＤチップを実装する工程である。この工程により、図２に示されるＵＶ−ＬＥＤ装置１が製造される。
【００５０】
図８は、本実施形態の方法によってＵＶ−ＬＥＤチップ１０をＡｌＮ１２に搭載したＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に合計２５個実装した場合の平面図を示す。ＵＶ−ＬＥＤデバイス２は、縦５列横５列に実装される。実装間隔、すなわちＵＶ−ＬＥＤデバイス２のセンタ間の距離は２０ｍｍ以下である。実装密度としては、例えば３６個／ｃｍ２以上とし得る。
【００５１】
＜出力特性＞
図９Ａは、図１に示される前提構成でＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に合計２５個実装して得られた３つのサンプル１，２，３について、初期時の定格電流での電圧、全放射束、及びピーク波長の測定結果（積分球測定結果）を示す。また、図９Ｂは、図２に示される本実施形態の方法で実装した３つのサンプル１，２，３について、同様に初期時の定格電流での電圧、全放射束、及びピーク波長の測定結果（積分球測定結果）を示す。
【００５２】
いずれの場合も定格電流は５Ａ（５０００ｍＡ）であり、図１の構成では全放射束は
サンプル１：２５１６９．３ｍＷ
サンプル２：２５０２２．８ｍＷ
サンプル３：２４９９４．０ｍＷ
であるのに対し、図２の構成では全放射束は
サンプル１：３０３８１．３ｍＷ
サンプル２：２９９５２．４ｍＷ
サンプル３：２９６４７．７ｍＷ
であり、約１．２倍の出力増大が得られている。
【００５３】
また、図１０Ａは、図１に示される前提構成でＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に合計２５個実装して得られた３つのサンプル１，２，３について、初期時の最大定格電流での電圧、全放射束、及びピーク波長の測定結果を示す。また、図１０Ｂは、本実施形態の方法で実装した３つのサンプル１，２，３について、同様に初期時の最大定格電流での電圧、全放射束、及びピーク波長の測定結果を示す。
【００５４】
いずれの場合も最大定格電流は７Ａ（７０００ｍＡ）であり、図１の構成では全放射束は
サンプル１：２９４１０．５ｍＷ
サンプル２：２９４６４．３ｍＷ
サンプル３：２９３６４．８ｍＷ
であるのに対し、図２の構成では全放射束は
サンプル１：３９７１２．１ｍＷ
サンプル２：３９２０４．４ｍＷ
サンプル３：３８８４４．１ｍＷ
であり、約１．３４倍の大幅な出力増大が得られている。
【００５５】
＜寿命特性＞
図１１は、図１に示される前提構成のサンプルと、図２に示される本実施形態によるサンプルの、水冷２５度で冷却し最大定格電流で駆動した場合の経時劣化試験の結果を示す。横軸は通電時間（ｓｅｃ）であり、縦軸は初期時を１００％とした相対出力である。
【００５６】
図において、符号１００は図１の前提構成の出力特性であり、符号２００は図２の構成の出力特性である。図１の構成では、通電時間が２０ｓｅｃ経過後で相対出力が１００％から５０％程度まで低下しているのに対し、図２に示す本実施形態の構成では、通電時間が２０ｓｅｃ経過後でも８０％以上を確保しており、出力低下率の大幅な向上が得られている。なお、通電時のデバイス温度は、図１の構成では１４０度程度であるが、図２の構成では４２度程度が得られている。図２の構成では、ＡｌＮ１２が直接的にＣｕ基板１８と当接しているため、デバイスからの熱を直接Ｃｕ基板１８に放熱でき、熱による出力低下を低減できる。
【００５７】
また、放熱性を向上させることで、ＵＶ−ＬＥＤデバイス２の密な実装も可能となり、従来よりも高い照度を得ることが可能である。具体的には、従来においては、十分な放熱特性が得られないため複数のＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に実装する際にＵＶ−ＬＥＤデバイス２間の距離を２０ｍｍ以上確保する必要があったが、本実施形態ではＵＶ−ＬＥＤデバイス２のセンタ間の距離を２０ｍｍ以下に設定し得る。
【００５８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。以下に、これらの変形例について説明する。
【００５９】
＜変形例１＞
上記の実施形態では、ＬＥＤデバイス２とＣｕ基板１８とを絶縁層１６を介することなく当接させているが、Ｃｕ基板１８をさらにヒートシンクに貼り付ける際の材料を選択することで、放熱特性を更に向上させ得る。具体的には、従来においては放熱テープや放熱グリスを用いてヒートシンクに貼り付けているところ、インジウム（Ｉｎ）を用いてＣｕ基板１８をヒートシンクに接着することで放熱特性を向上させることができる。
【００６０】
図１２は、変形例１の断面図を示す。Ｃｕ基板１８は、インジウム接着層２０を用いてアルミニウム（Ａｌ）のヒートシンク２２に接着される。インジウム（Ｉｎ）は熱伝導率が８２Ｗ／ｍＫであり、放熱テープ（０．５Ｗ／ｍＫ）や放熱グリス（４．５Ｗ／ｍＫ）に比べて放熱性に優れている。
【００６１】
図１３は、放熱テープを用いてヒートシンクに貼り付けたサンプルと、インジウム（Ｉｎ）を用いてヒートシンクに貼り付けたサンプルの、水冷２５度で冷却し最大定格電流で駆動した場合の経時劣化試験の結果を示す。横軸は通電時間（ｓｅｃ）であり、縦軸は初期時を１００％とした相対出力である。
【００６２】
図において、符号３００は放熱テープを用いた場合の出力特性であり、符号４００はインジウム（Ｉｎ）接着層２０を用いた場合の出力特性である。インジウム（Ｉｎ）層２０を用いることで、約１７％出力低下率を改善することが可能である。
【００６３】
なお、Ｃｕ基板１８をヒートシンク２２に接着するための材料としてのインジウム（Ｉｎ）は例示であり、他の高熱伝導率の材料を用いてもよい。
【００６４】
＜変形例２＞
上記の実施形態において、配線パターン１４としてＣｕ配線を用いているが、これに限らず他の材料の配線を用いてもよい。
【００６５】
図１４は、変形例２の断面図を示す。ＵＶ−ＬＥＤチップ１０は、ＡｕＳｎ層１１を介してＡｕＮｉＣｕ配線パターン１３に接続され、ＡｌＮ１２上に搭載される。ＡｌＮ１２は、ＳｎＡｇＣｕ１７、ＡｕＮｉＣｕ配線パターン１３、絶縁層１６を介してＣｕ基板１８に積層される。Ｃｕ基板１８はインジウム（Ｉｎ）層２０でアルミニウム（Ａｌ）のヒートシンク２２に貼り付けられる。
【００６６】
＋電極及び−電極の下に位置する絶縁層１６はそのまま維持しつつ、放熱目的のＳｎＡｇＣｕ配線の下に位置する絶縁層１６を取り除き、放熱目的のＳｎＡｇＣｕ配線とＣｕ基板１８とが直接当接される。
【００６７】
この変形例２においても、ＬＥＤデバイス２からの熱は、絶縁層１６で妨げられることなく銅（Ｃｕ）基板１８に放熱されるので、高出力化及び長寿命化が得られる。
【００６８】
＜変形例３＞
上記の実施形態、変形例１及び変形例２では、ＵＶ−ＬＥＤデバイス２をＣｕ基板１８に実装しているが、ＵＶ−ＬＥＤチップ状態で基板に実装（ＣＯＢ：チップオンボード）してもよい。この場合においても、ヒートシンクに貼り付けるための材料として、例えばインジウム（Ｉｎ）を用いることができる。
【００６９】
図１５は、変形例３の断面図を示す。ＵＶ−ＬＥＤチップ１０をＡｕＳｎ層１１を介してＡｕＮｉＣｕ配線パターン１３が形成されたＡｌＮ１２に接続し、さらにインジウム層２０でアルミニウム（Ａｌ）のヒートシンク２２に貼り付けられる構成である。
【００７０】
なお、この構成において、チップを実装した基板を直接水冷により冷却する構成としてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１  ＵＶ−ＬＥＤ装置、２  ＵＶ−ＬＥＤデバイス、１０  ＵＶ−ＬＥＤチップ、１２  ＡｌＮ、１４  銅（Ｃｕ）配線、１６  絶縁層、１８  銅（Ｃｕ）基板、２０  インジウム（Ｉｎ）層、２２  ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
2018014369.tif 000012
【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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