(57)【要約】【課題】固体電解質層の表面積を大きくし、容量を増加させることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】固体電解コンデンサの製造方法は、複数の凹部を有する陽極体１１の表面に誘電体層１２を形成する工程と、誘電体層１２上に第１導電性高分子層を形成する工程と、を備え、誘電体層１２上に第１導電性高分子層を形成する工程は、第１極性を帯びた第１導電性高分子１２１が分散された第１分散液１２０に誘電体層１２が形成された陽極体１１を浸漬させ、誘電体層１２が形成された陽極体１１の表面を第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程を含む。【選択図】図５
2018014386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凹部を有する陽極体の表面に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に第１導電性高分子層を形成する工程と、を備え、
前記誘電体層上に前記第１導電性高分子層を形成する工程は、
外表面が第１極性を帯びた第１導電性高分子が分散された第１分散液に、前記誘電体層が形成された前記陽極体を浸漬させ、前記誘電体層が形成された前記陽極体の表面を前記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程を含む、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記誘電体層上に前記第１導電性高分子層を形成する工程は、前記誘電体層が形成された前記陽極体の表面を前記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程にて前記誘電体層上に付着した前記第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程をさらに含み、
前記第１導電性高分子層を形成する工程にて、前記誘電体層が形成された前記陽極体の表面を前記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程と、前記第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程を繰り返し実施する、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記第１導電性高分子層上に第２導電性高分子層を形成する工程をさらに備え、
前記第２導電性高分子層を形成する工程は、前記第１導電性高分子層が形成された前記陽極体の表面を帯電させることなく、第２導電性高分子が分散された第２分散液に前記第１導電性高分子層が形成された前記陽極体を浸漬させる工程を含む、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記第２導電性高分子として、前記第１導電性高分子と同じものを用いる、請求項３に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体電解コンデンサが開示された文献として、特開２００９−６４８０８号公報（特許文献１）が挙げられる。
【０００３】
特許文献１に開示の固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を製造するに際して、弁作用金属に対して化成処理を行ない、弁作用金属の表面に誘電体被膜を形成した後に、誘電体被膜が形成されたアルミ箔を導電性高分子が分散された分散液に浸漬させ、固体電解質層を形成する。その後、固体電解質層上にカーボン層および銀ペースト層を順に形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−６４８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、弁作用金属の外表面を多孔質状に構成し、誘電体被膜上に固体電解質層を形成する場合において、誘電体被膜が形成された弁作用金属を分散液に浸漬させるのみでは、多孔質状の表面に含まれる複数の凹部内に導電性高分子が十分充填されず、固体電解質層と誘電体被膜との接触面積を十分に確保することができない場合があった。このような場合には、固体電解コンデンサの容量が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、固体電解質層の表面積を大きくし、容量を増加させることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく固体電解コンデンサの製造方法は、複数の凹部を有する陽極体の表面に誘電体層を形成する工程と、上記誘電体層上に第１導電性高分子層を形成する工程と、を備え、上記誘電体層上に上記第１導電性高分子層を形成する工程は、外表面が第１極性を帯びた第１導電性高分子が分散された第１分散液に、上記誘電体層が形成された上記陽極体を浸漬させ、上記誘電体層が形成された上記陽極体の表面を上記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程を含む。
【０００８】
上記本発明に基づく固体電解コンデンサの製造方法にあっては、上記誘電体層上に上記第１導電性高分子層を形成する工程は、上記誘電体層が形成された上記陽極体の表面を上記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程にて上記誘電体層上に付着した上記第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、上記第１導電性高分子層を形成する工程にて、上記誘電体層が形成された上記陽極体の表面を上記第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程と、上記第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程を繰り返し実施することが好ましい。
【０００９】
上記本発明に基づく固体電解コンデンサの製造方法は、上記第１導電性高分子層上に第２導電性高分子層を形成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合には、上記第２導電性高分子層を形成する工程は、上記第１導電性高分子層が形成された上記陽極体の表面を帯電させることなく、第２導電性高分子が分散された第２分散液に上記第１導電性高分子層が形成された上記陽極体を浸漬させる工程を含むことが好ましい。
【００１０】
上記本発明に基づく固体電解コンデンサの製造方法にあっては、上記第２導電性高分子として、上記第１導電性高分子と同じものを用いてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、固体電解質層の表面積を大きくし、容量を増加させることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係る固体電解コンデンサの概略断面図である。
【図２】図１に示すＩＩ部を拡大して示す断面図である。
【図３】実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローを示す図である。
【図４】実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程を示す図である。
【図５】実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程での導電性高分子の様子を示す図である。
【図６】比較例に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程での導電性高分子の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１４】
図１は、実施の形態に係る固体電解コンデンサの概略断面図である。図２は、図１に示すＩＩ部を拡大して示す断面図である。図１および図２を参照して、実施の形態に係る固体電解コンデンサについて説明する。
【００１５】
図１に示すように、実施の形態に係る固体電解コンデンサ１は、複数のコンデンサ素子１０と、陽極端子を構成する第１リードフレーム２０と、負極端子を構成する第２リードフレーム３０と、絶縁性樹脂体４０と、導電性接着材５０とを備える。
【００１６】
複数のコンデンサ素子１０は、たとえば４つのコンデンサ素子１０を含む。４つのコンデンサ素子は、中央部に位置する２つのコンデンサ素子１０の間に第１リードフレーム２０の一端２０ａ側および第２リードフレーム３０の一端３０ａ側が挟み込まれるように、積層されている。
【００１７】
コンデンサ素子１０は、陽極体としての金属層１１と、陰極部１５とを含む。金属層１１は、たとえば、アルミニウム、タンタルおよびニオブなどの弁作用金属によって構成されている。
【００１８】
複数のコンデンサ素子１０の金属層１１の一端１１ａ側は、第１リードフレーム２０の一端２０ａ側に溶接等によって電気的に接続されている。
【００１９】
金属層１１の一端１１ａ側には、第１マスキング部１６および第２マスキング部１７が設けられている。第１マスキング部１６は、第２マスキング部１７よりも金属層１１の一端１１ａ側に位置する。
【００２０】
第１マスキング部１６および第２マスキング部１７は、たとえば、絶縁樹脂、無機質微粉とセルロース系樹脂からなる組成物などのマスキング剤を塗布して形成する。絶縁性の材料には制限されないが、具体例としては、例えば、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体など）、低分子量ポリイミドおよびそれらの誘導体、さらにその前駆体、可溶性ポリイミドシロキサンとエポキシ樹脂からなる組成物などが列挙される。
【００２１】
第１マスキング部１６は、後述する金属層１１に誘電体層１２（図２）を形成する際に、第１マスキング部１６よりも金属層１１の一端１１ａ側に位置する部分に誘電体層１２が形成されることを防止する。
【００２２】
第２マスキング部１７は、後述する固体電解質層１３を形成する際に、第２マスキング部１７よりも金属層１１の一端１１ａ側に位置する部分に固体電解質層１３が形成されることを防止する。
【００２３】
陰極部１５は、金属層１１の他端１１ｂ側を覆うように設けられている。複数のコンデンサ素子１０の各々の陰極部１５は、第２リードフレーム３０の一端３０ａ側に導電性接着材５０によって電気的に接続されている。
【００２４】
陰極部１５は、固体電解質層１３および集電体層１４を含む。固体電解質層１３は、誘電体層１２を覆うように設けられている。集電体層１４は、固体電解質層１３を覆うように設けられている。
【００２５】
絶縁性樹脂体４０は、複数のコンデンサ素子１０、第１リードフレーム２０の一端２０ａ側および第２リードフレーム３０の一端３０ａ側を覆う。絶縁性樹脂体４０は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で構成される。当該絶縁性樹脂には、フィラーとしてガラスまたはＳｉの酸化物が分散混合されていてもよい。絶縁性樹脂体４０は、モールド成形およびディップ成形などの方法により形成することができる。
【００２６】
絶縁性樹脂体４０から引き出された第１リードフレーム２０は、絶縁性樹脂体４０の側面および下面４０ａに沿って折り曲げられている。絶縁性樹脂体４０から引き出された部分の第１リードフレーム２０は、陽極端子として機能する。
【００２７】
絶縁性樹脂体４０から引き出された第２リードフレーム３０は、絶縁性樹脂体４０の側面および下面４０ａに沿って折り曲げられている。絶縁性樹脂体４０から引き出された部分の第２リードフレーム３０は、陰極端子として機能する。
【００２８】
図２に示すように、金属層１１は、複数の凹部１１ｃを有する。金属層１１は、多孔質状の外表面を有する。複数の凹部１１ｃは、多孔質の部分によって構成されている。
【００２９】
誘電体層１２は、金属層１１の表面の一部を覆うように設けられている。誘電体層１２は、他端１１ｂ側に位置する金属層１１の表面を覆う。誘電体層１２は、弁作用金属の酸化被膜によって構成される。上述した第１マスキング部１６よりも一端１１ａ側に位置する部分の金属層１１の外表面には、誘電体層１２は設けられていない。
【００３０】
固体電解質層１３は、金属層１１の複数の凹部１１ｃを埋めるように設けられている。固体電解質層１３は、第１導電性高分子層１３１および第２導電性高分子層１３２を含む。
【００３１】
第１導電性高分子層１３１は、複数の凹部１１ｃ内に充填されるように、誘電体層１２上に設けられている。第１導電性高分子層１３１は、たとえば、ポリ(３，４−エチレンジオキシチオフェン)などの導電性高分子を含むポリマーで構成されている。
【００３２】
第２導電性高分子層１３２は、第１導電性高分子層１３１上に設けられている。第２導電性高分子層１３２は、たとえば、ポリ(３，４−エチレンジオキシチオフェン)などの導電性高分子を含むポリマーで構成されている。
【００３３】
集電体層１４は、固体電解質層１３の外表面に設けられている。集電体層１４は、第１集電体層１４１と第２集電体層１４２とを含む。
【００３４】
第１集電体層１４１は、第２導電性高分子層１３２の外表面に設けられている。第１集電体層１４１は、カーボン（Ｃ）を含む導電性膜によって構成されている。第１集電体層１４１は、カーボンペーストを塗布して乾燥させることにより形成される。
【００３５】
第２集電体層１４２は、第１集電体層１４１の外表面に設けられている。第２集電体層１４２は、銀（Ａｇ）を含む導電成膜によって構成されている。第２集電体層１４２は、銀ペーストを塗布して乾燥させることにより形成される。
【００３６】
なお、本実施の形態においては、集電体層１４が２層構造である場合を例示して、説明したが、これに限定されず、単層構造であってもよいし、３層以上の多層構造であってもよい。
【００３７】
（固体電解コンデンサの製造方法）
図３は、実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローを示す図である。図３を参照して、実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
【００３８】
図３に示すように、固体電解コンデンサ１を製造するに際して、まず、工程（Ｓ１）にて、複数の金属層１１を準備する。具体的には、短冊状の複数の金属層１１を支持体１１０（図４参照）に所定のピッチで取り付けたワークを準備する。なお、複数の金属層１１として、予めエッチング等によって粗面化処理を施されたものを用いる。
【００３９】
次に、工程（Ｓ２）にて、金属層１１の一部をマスキングする。このマスキングは、次工程で行われる誘電体層１２の形成領域を規定するために行なわれる。具体的には、金属層１１の一端側の表面に、絶縁樹脂、無機質微粉とセルロース系樹脂からなる組成物などのマスキング剤を塗布する。この工程により形成されたマスキング部が、第１マスキング部１６となる。
【００４０】
次に、工程（Ｓ３）にて、金属層１１の外表面の一部に誘電体層１２を形成する。具体的には、金属層１１の外表面の一部を酸化させる。金属層１１としてアルミニウムを用いる場合には、たとえば、第１マスキング部１６によって規定される誘電体層１２の形成領域をアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬して酸化処理する。これにより、金属層１１の表面が酸化され、誘電体層１２となる酸化物が形成される。
【００４１】
次に、工程（Ｓ４）にて、金属層１１の一部をマスキングする。このマスキングは、次工程で行われる固体電解質層１３の形成領域を規定するために行なわれる。具体的には、第１マスキング部１６よりも他端側に位置する金属層１１の表面に、絶縁樹脂、無機質微粉とセルロース系樹脂からなる組成物などのマスキング剤を塗布する。この工程により形成されたマスキング部が、第２マスキング部１７となる。
【００４２】
次に、工程（Ｓ５）にて、誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成する。誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成する工程（Ｓ５）は、外表面が第１極性を帯びた第１導電性高分子が分散された第１分散液１２０（図４参照）に誘電体層１２が形成された金属層１１を浸漬させ、誘電体層１２が形成された金属層１１の表面を第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程と、誘電体層１２上に付着した第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程とを含む。
【００４３】
図４は、実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程を示す図である。図４を参照して、誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成する工程の詳細について説明する。
【００４４】
図４に示すように、誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成するに際して、第１導電性高分子が分散された第１分散液１２０が貯留された貯留槽１３０を準備する。貯留槽１３０は、ＳＵＳ等の導電性を有する金属によって構成されており、電極体として機能する。
【００４５】
第１導電性高分子としては、チオフェン骨格を有する化合物、多環状スルフィド骨格を有する化合物、ピロール骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物、アニリン骨格を有する化合物等で示される構造を繰り返し単位として含む導電性重合体が挙げられるが、導電性重合体はこれに限られるものではない。
【００４６】
導電性重合体にはドーパントが使用され、ドーパントとしてはドーピング能がある化合物なら如何なるものでもよく、例えば、有機スルホン酸、無機スルホン酸、有機カルボン酸及びこれらの塩を使用できる。アリールスルホン酸塩系ドーパントが好適に用いられ、たとえば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸またはそれらの置換誘導体などの塩を用いることができる。
【００４７】
第１分散液１２０としては、たとえば、高分子電解質であるポリスチレンスルホン酸（ＰＰＳ）をポリ(３，４−エチレンジオキシチオフェン)（ＰＥＤＯＴ）に添加した混合溶液を用いることができる。第１分散液１２０は、導電性高分子と溶媒を含む溶液である。
【００４８】
続いて、支持体１１０に支持された複数の金属層１１の一部を浸漬させる。具体的には、誘電体層１２が形成された複数の金属層１１のうち、第２マスキング部１７によって規定される固体電解質層１３の形成領域を第１分散液１２０に浸漬させる。
【００４９】
この状態において、誘電体層１２が形成された複数の金属層１１と、電極体としての貯留槽１３０との間に、第１分散液１２０が介在することなる。ここで、支持体１１０は、電源１４０の正極側に接続されている。一方で、貯留槽１３０は、電源１４０の負極側に接続されている。
【００５０】
電源１４０を駆動させ、誘電体層１２が形成された金属層１１を分散液に浸漬させながら金属層１１と電極体としての貯留槽１３０の間に電圧を印加する。たとえば、１Ｖの電圧を１分間印加する。なお、電圧は２Ｖとしてもよく、１Ｖ〜２Ｖ程度の値としてもよい。
【００５１】
図５は、実施の形態に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程での導電性高分子の様子を示す図である。
【００５２】
図５に示すように、第１導電性高分子１２１は、外側が負極となり、内側が正極となるように分極している。すなわち第１導電性高分子１２１の表面は、第１極性としての負極を帯びている。
【００５３】
上述のように、金属層１１側を正極として、電圧を印加する場合には、誘電体層１２が形成された金属層１１の外表面が、第１極性と反対の第２極性としての正極に帯電する。このため、第１導電性高分子１２１は、金属層１１の表面側に引き寄せられて、金属層１１の凹部１１ｃの深部まで第１導電性高分子１２１が入り込む。これにより、金属層１１が有する複数の凹部１１ｃ内に、第１導電性高分子１２１を密に充填することができる。
【００５４】
続いて、電圧の印加を停止し、第１分散液１２０から複数の金属層１１を引き上げる。次に、誘電体層１２上に付着した第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程において、所定の温度で、所定の時間加熱する。たとえば、１３０℃の温度で数分から１０分程度加熱する。
【００５５】
第１導電性高分子層１３１を形成する際には、第１極性を帯びた第１導電性高分子１２１が分散された第１分散液１２０に誘電体層１２が形成された金属層１１を浸漬させ、誘電体層１２が形成された金属層１１の表面を第１極性と反対の第２極性に帯電させる工程と、誘電体層１２上に付着した第１分散液を加熱し、溶媒を除去する工程とを複数回繰り返して行なうことが好ましい。上記帯電させる工程と上記加熱し、除去する工程とを１サイクルとした場合に、５〜１５サイクル程度行なうことが好ましい。これにより、複数の凹部１１ｃに第１導電性高分子１２１が密に充填された状態を維持しつつ、第１導電性高分子層の膜厚を十分に確保することができる。
【００５６】
次に、再び図３に示すように、工程（Ｓ６）にて、第１導電性高分子層１３１上に第２導電性高分子層１３２を形成する。具体的には、工程Ｓ３にて形成された第２マスキング部１７によって規定される固体電解質層１３の形成領域に位置する第１導電性高分子層１３１の外表面に、ポリ(３，４−エチレンジオキシチオフェン)などの第２導電性高分子を分散させた第２分散液を付着させ、所定の温度で加熱し、溶媒を除去する。付着、および加熱のサイクルは、たとえば１〜３回程度行なわれるが、行われなくてもよい。
【００５７】
なお、第２分散液の付着は、第２分散液が貯留された槽に、第１導電性高分子層１３１が形成された金属層１１を浸漬させることにより行なう。この場合においては、第１導電性高分子層１３１が形成された金属層１１を帯電させることなく、金属層１１の固体電解質層１３の形成領域を第２導電性高分子が分散された第２分散液に浸漬させる。
【００５８】
第２導電性高分子としては、第１導電性高分子と同様に、チオフェン骨格を有する化合物、多環状スルフィド骨格を有する化合物、ピロール骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物、アニリン骨格を有する化合物等で示される構造を繰り返し単位として含む導電性重合体が挙げられるが、導電性重合体はこれに限られるものではない。
【００５９】
導電性重合体にはドーパントが使用され、ドーパントとしてはドーピング能がある化合物なら如何なるものでもよく、例えば、有機スルホン酸、無機スルホン酸、有機カルボン酸及びこれらの塩を使用できる。アリールスルホン酸塩系ドーパントが好適に用いられ、たとえば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸またはそれらの置換誘導体などの塩を用いることができる。
【００６０】
第２導電性高分子として、第１導電性高分子と同じものを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。第２導電性高分子として、第１導電性高分子と同じものを用いる場合には、製造工程において、準備する材料を共通化することができるため、製造コストを低減することができる。なお、第２導電性高分子の粒径は、第１導電性高分子の粒径よりも大きくてもよい。第１導電性高分子の粒径を第２導電性高分子の粒径よりも小さくすることにより、第１導電性高分子が金属層１１の複数の凹部１１ｃ内に侵入しやすくなる。
【００６１】
同様に、第２分散液は、第１分散液と同じものを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。なお、第２分散液が貯留される貯留槽と、第１分散液が貯留される貯留槽とは異なることが好ましい。
【００６２】
次に、工程（Ｓ７）にて、固体電解質層１３の外表面に集電体層１４を形成する。具体的には、第２導電性高分子層１３２の外表面に、カーボンペーストを塗布してこれを乾燥させることにより、第１集電体層１４１を形成する。続いて、第１集電体層１４１の外表面に銀ペーストを塗布してこれを乾燥させることにより、第２集電体層１４２を形成する。
【００６３】
第２集電体層１４２が形成された複数の金属層１１の各々を、切断して、支持体から分離することにより、複数のコンデンサ素子１０が形成される。
【００６４】
次に、工程（Ｓ８）にて、第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０上に複数のコンデンサ素子１０を積層する。この際、複数のコンデンサ素子１０のうち中央部に位置する２つのコンデンサ素子１０の間に、第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０が位置するように、複数のコンデンサ素子１０を積層する。
【００６５】
また、複数のコンデンサ素子１０を積層するにあたり、陰極部１５側では、互いに隣り合うコンデンサ素子１０の間に導電性接着剤７０を介在させる。同様に、第２リードフレームと、これに隣り合うコンデンサ素子１０との間にも導電性接着剤７０を介在させる。これにより、複数のコンデンサ素子１０の陰極部１５と、第２リードフレーム３０とが電気的に接続される。
【００６６】
複数のコンデンサ素子１０を積層した後に、溶接等を用いて、複数のコンデンサ素子１０の金属層１１の一端１１ａ側と第１リードフレーム２０の一端側等を電気的に接続する。
【００６７】
次に、工程（Ｓ９）にて、積層された複数のコンデンサ素子１０と、第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０の一部とを、絶縁性樹脂でモールドする。これにより、絶縁性樹脂体４０が形成される。絶縁性樹脂体４０からはみ出す部分の第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０を絶縁性樹脂体４０の側面および下面４０ａに沿って折り曲げることにより、固体電解コンデンサ１が製造される。
【００６８】
（比較例）
図６は、比較例に係る固体電解コンデンサの製造フローにおける第１導電性高分子層を形成する工程での導電性高分子の様子を示す図である。
【００６９】
比較例に係る固体電解コンデンサの製造方法は、基本的に実施の形態に係る固体コンデンサの製造方法に準じたものであるが、誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成する工程において、電圧を印加しない点において相違する。
【００７０】
図６に示すように、第１導電性高分子層１３１を形成する工程において、金属層１１と電極体としての貯留槽１３０との間に電圧を印加しない場合においては、金属層１１の外表面（より特定的には、誘電体層１２の外表面）が正に帯電することがない。このため、第１分散液１２０中の第１導電性高分子１２１が、金属層１１の複数の凹部１１ｃの深部にまで入り込まないことが起こり得る。このような場合には、第１導電性高分子層１３１と誘電体層１２との接触面積を十分に確保することができず、固体電解コンデンサの容量が低くなってしまう。
【００７１】
（比較例と比較した実施の形態の効果）
実施の形態に係る固体電解コンデンサ１の製造方法にあっては、誘電体層１２上に第１導電性高分子層１３１を形成する工程において、第１極性を帯びた第１導電性高分子１２１が分散された第１分散液１２０に誘電体層１２が形成された金属層１１を浸漬させ、誘電体層１２が形成された金属層１１の表面を第１極性と反対の第２極性に帯電させる。
【００７２】
これにより、表面が第１極性を帯びた第１導電性高分子１２１が、第１極性と異なる第２極性に帯電した金属層１１の表面に引き寄せられて、金属層１１の凹部１１ｃの深部まで第１導電性高分子１２１が入り込む。この結果、第１導電性高分子層１３１と誘電体層１２との接触面積を大きくすることができ、固体電解コンデンサ１の容量を増加させることができ、ひいては、固体電解コンデンサ１のＥＳＲ（等価直列抵抗）を低減させることができる。
【００７３】
なお、上述した実施の形態においては、第１分散液１２０が貯留された貯留槽１３０がＳＵＳ等の導電性の金属で構成されることにより、貯留槽１３０が電極体として機能する場合を例示して説明したが、これに限定されず、電極体が、貯留槽１３０内にて複数の金属層１１に対向するように配置されたプレート状の金属片等によって構成されていてもよい。
【００７４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００７５】
１  固体電解コンデンサ、１０  コンデンサ素子、１１  金属層、１２  誘電体層、１３  固体電解質層、１４  集電体層、１５  陰極部、１６  第１マスキング部、１７  第２マスキング部、２０  第１リードフレーム、３０  第２リードフレーム、４０  絶縁性樹脂体、５０  導電性接着材、７０  導電性接着剤、１１０  支持体、１２０  第１分散液、１２１  第１導電性高分子、１３０  貯留槽、１３１  第１導電性高分子層、１３２  第２導電性高分子層、１４０  電源、１４１  第１集電体層、１４２  第２集電体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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