(57)【要約】    【課題】  ソルダーレジスト層とアンダーフィルとの密着性の改善    【解決手段】  実施形態のプリント配線板１０のソルダーレジスト層７０は、無機粒子を含有する下層７０Ｄと、無機粒子を含有しない上層７０Ｕで形成される。ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに無機粒子が露出し難いので、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕの表面状態が均一になりやすい。従って、アンダーフィル９４がソルダーレジスト層７０層から剥がれがたい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機粒子に属する１種の粒子と第１樹脂とを含む下層と、
第２樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層、とからなるソルダーレジストであって、
前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
【請求項２】
請求項１のソルダーレジストであって、前記上層の上面は粗面を有する。
【請求項３】
請求項２のソルダーレジストであって、さらに、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し前記第３面が前記上層と接するように前記上層上に形成されている保護フィルムを有し、前記第３面は凹凸を有し、前記凹凸は前記粗面に沿って形成されている。
【請求項４】
請求項１のソルダーレジストであって、前記上層の厚みは、前記下層に含まれる前記粒子の平均粒子径より大きい。
【請求項５】
請求項２のソルダーレジストであって、前記粗面の粗さ（Ｒa）は０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である。
【請求項６】
請求項１のソルダーレジストであって、前記第１樹脂の成分と前記第２樹脂の成分は同じである。
【請求項７】
最外の樹脂絶縁層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成されている最外の導体層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成され、前記最外の導体層を露出するための開口を有するソルダーレジスト層、とからなるプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層は、請求項１のソルダーレジストで形成されている。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、前記ソルダーレジスト層の前記上層の上面は粗面を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソルダーレジスト、及びそのソルダーレジストで形成されているソルダーレジスト層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は多層配線基板の製造方法を開示している。そして、特許文献１の図１４に、特許文献１は無機フィラーを含むソルダーレジスト層を示し、その図では無機フィラーがソルダーレジスト層の表面から露出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５-７０８１号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１に示されるように、多くのソルダーレジスト層は樹脂からなる成分と無機粒子を含む。特許文献１の図１４に示されるように、無機粒子がソルダーレジスト層の表面から露出すると、ソルダーレジスト層の表面は樹脂系の部分と無機系の部分で形成されると考えられる。その場合、樹脂系の部分と無機系の部分で、ソルダーレジスト層の表面状態は異なると考えられる。ソルダーレジスト層の表面状態は不均一と考えられる。その不均一は不具合の原因になると予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るソルダーレジストは、無機粒子に属する１種の粒子と第１樹脂とを含む下層と、第２樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層、とからなる。そして、前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
【０００６】
本発明のプリント配線板は、最外の樹脂絶縁層と、前記最外の樹脂絶縁層上に形成されている最外の導体層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成され、前記最外の導体層を露出するための開口を有するソルダーレジスト層、とからなる。そして、前記ソルダーレジスト層は、無機粒子に属する１種の粒子と第１樹脂とを含む下層と、第２樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層で形成されていて、前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、ソルダーレジストは、無機粒子を含有しない上層を有する。そのため、無機粒子が露出しない。あるいは、無機粒子の露出が実質的に発生しない。従って、実施形態のソルダーレジストによれば、ソルダーレジスト層の表面は樹脂で形成される。ソルダーレジスト層の上面は樹脂で形成される。ソルダーレジスト層の露出面は樹脂で形成される。そのため、ソルダーレジスト層の表面や上面や露出面の表面状態は均一になりやすい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板と製造工程図、応用例を示す。
【図２】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図３】ソルダーレジスト層の拡大図。
【図４】実施形態の別例に係るソルダーレジストの製造工程図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１（Ｄ）は第１実施形態に係るプリント配線板１０を示す。
図１（Ｄ）のプリント配線板１０は樹脂絶縁層（最外の樹脂絶縁層）３０と、樹脂絶縁層３０上に形成されている導体層（最外の導体層）３４と、樹脂絶縁層３０上に形成されていて導体層３４を露出するための開口７１を有するソルダーレジスト層７０で形成されている。
ソルダーレジスト層７０は上面７０ｕと上面７０ｕと反対側の下面７０ｄを有し、下面７０ｄは樹脂絶縁層３０と対向している。上面７０ｕは外を向いていて、下面７０ｄは樹脂絶縁層３０に接している。
ソルダーレジスト層７０は樹脂絶縁層３０の上に形成されている下層７０Ｄと下層７０Ｄ上に形成されている上層７０Ｕで形成されている。下層７０Ｄは樹脂絶縁層３０の直上に形成されていて、上層７０Ｕは下層７０Ｄの直上に形成されている。
下層７０Ｄは無機粒子に属する１種の粒子と第１樹脂とを含む。上層７０Ｕは第２樹脂を含むが、無機粒子を含まない。上層７０Ｕは無機粒子を全く含まない。上層７０Ｕは無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。下層７０Ｄに含まれる第１樹脂の成分と上層７０Ｕに含まれる第２樹脂の成分は同じであることが好ましい。第１樹脂と第２樹脂は同じであることが好ましい。
【００１０】
開口７１により露出される導体層３４はパッド３４Ｐである。そして、図１（Ｅ）に示されるように、パッド３４Ｐ上に半田バンプ７６を形成することができる。半田バンプ７６を介して、ＩＣチップ等の電子部品９０がプリント配線板１０に実装される。プリント配線板１０のソルダーレジスト層７０と電子部品９０との間にアンダーフィル９４が充填されている。プリント配線板１０とプリント配線板１０に実装されている電子部品９０とプリント配線板１０と電子部品９０との間のアンダーフィル９４で形成される応用例１００が得られる。応用例１００は図１（Ｆ）に示される。
【００１１】
図１（Ｆ）に示されるように、アンダーフィル９４は無機粒子を有しない上層７０Ｕ上に形成されている。上層７０Ｕに無機粒子が存在しないので、上層７０Ｕの上面（ソルダーレジスト層７０Ｆの上面）７０ｕから無機粒子が露出しない。そのため、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕの表面状態は均一と考えられる。上面７０ｕの濡れ性は均一と考えられる。アンダーフィル９４が上面７０ｕ上で均一に拡がると予想される。電子部品９０とプリント配線板１０との間の隙間が小さくなっても、隙間をアンダーフィル９４で充填することが容易となる。アンダーフィル９４とソルダーレジスト層７０との間の接着強度のバラツキを小さくすることができる。従って、アンダーフィル９４がソルダーレジスト層７０から剥がれ難い。
【００１２】
図３（Ｃ）は、第１実施形態のソルダーレジスト層７０の拡大図である。
下層７０Ｄは、主成分として、エポキシ系樹脂と無機粒子Ｆｉを含む。下層７０Ｄ中の無機粒子の含有量は、例えば４０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以下である。無機粒子の例は、シリカ粒子やアルミナ粒子、窒化アルミニウム粒子、酸化マグネシウム粒子である。無機粒子の径は０．０５μｍ以上、５．０μｍ以下である。例えば、平均粒子径ｄ４は０．５μｍである。無機粒子Ｆｉの形状は、球形であることが好ましい。無機粒子Ｆｉの最大の粒子径ｄ３は５μｍである。
上層７０Ｕは、主成分として、エポキシ系樹脂を含む。
【００１３】
下層７０Ｄと上層７０Ｕを形成する樹脂の成分は、同一であっても、異なっていても良い。同一が好ましい。
【００１４】
上層７０Ｕは厚みｄ１を有し、下層７０Ｄは厚みｄ２を有する。厚みｄ２は上層７０Ｕと導体層３４との間の距離である。厚みｄ１は厚みｄ２より小さい。厚みｄ１と厚みｄ２との比（ｄ１／ｄ２）は０．０５以上、０．３以下である。厚みｄ１は、下層７０Ｄ中の無機粒子Ｆｉの平均粒子径ｄ４より大きいことが好ましい。さらに、厚みｄ１は最大の無機粒子Ｆｉの径ｄ３の半分以下であることが好ましい。このため、無機粒子Ｆｉがソルダーレジスト層７０の上面７０ｕから露出し難い。
【００１５】
図３（Ａ）に第１実施形態の別例のソルダーレジスト層が示される。
図３（Ａ）に示されるように、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕは、粗面Ｒを有することができる。上面７０ｕに凹凸が形成されている。粗面Ｒは上面７０ｕのほぼ全面に形成される。例えば、粗面Ｒの大きさはＲａ（算術平均粗さ）で表される。Ｒａは０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である。例えば、Ｒａは０．２μｍである。上面７０ｕが凹凸を有すると、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕの表面積が大きくなる。そのため、ソルダーレジスト層７０とアンダーフィル９４との間の接触面積が大きくなる。アンダーフィル９４がソルダーレジスト層７０から剥がれがたい。実施形態のプリント配線板は、無機粒子Ｆｉを有していない上層７０Ｕを有する。そのため、上面７０ｕに凹凸が形成されても、無機粒子Ｆｉが外部に露出し難い。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに無機粒子が露出し難い。アンダーフィル９４とソルダーレジスト層７０中の無機粒子Ｆｉが接しない。あるいは、接する箇所が大幅に減少する。このため、ソルダーレジスト層７０とアンダーフィル９４が強く接着される。応用例１００の信頼性が高くなる。
【００１７】
図１にプリント配線板１０と応用例１００の製造方法が示される。
図１（Ａ）に示されるように、第１実施形態のソルダーレジスト７０αが準備される。ソルダーレジスト７０αは、下層７０Ｄを形成するための無機フィラーを含有する未硬化の第１層７０Ｄαと、上層７０Ｕを形成するための未硬化の第２層７０Ｕαとで形成される。製造の観点から、ソルダーレジスト７０αを２枚のフィルム７０Ａ、７０Ｂで挟むことが好ましい。図１（Ａ）では、第１フィルム７０Ｂ上に未硬化な第１層７０Ｄαが形成され、未硬化な第１層７０Ｄα上に未硬化な第２層７０Ｕαが形成されている。さらに、未硬化な第２層７０Ｕα上に第２フィルム（保護フィルム）７０Ａが形成されている。第２フィルム７０Ａは第３面７０Ａ３と第３面７０Ａ３と反対側の第４面７０Ａ４とを有し、第３面７０Ａ３が未硬化な第２層７０Ｕαと接する。図１（Ａ）では、第３面７０Ａ３は平坦である。
【００１８】
図１（Ｂ）に示されるように、途中のプリント配線板２０が準備される。途中のプリント配線板２０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する樹脂絶縁層３０と樹脂絶縁層３０の第１面上に形成されている導体層３４で形成されている。図１（Ｂ）では、樹脂絶縁層３０は最外の樹脂絶縁層３０であり、導体層３４は最外の導体層３４である。
【００１９】
ソルダーレジスト７０αから第１フィルム７０Ｂが除去される。続いて、図１（Ｂ）の途中のプリント配線板２０の第１面Ｆと導体層３４上にソルダーレジスト７０αが積層される（図１（Ｃ））。この時、未硬化な第１層７０Ｄαと第１面Ｆが対向している。また、第２フィルム７０Ａはソルダーレジスト７０αと一緒に途中のプリント配線板２０上に積層される。そして、第２フィルム７０Ａを介してソルダーレジスト７０αが露光される。パッド３４Ｐ上のソルダーレジスト７０α以外のソルダーレジスト７０αが硬化する。第２フィルム７０Ｂが除去される。パッド３４Ｐ上のソルダーレジスト７０αが現像により除去される。開口７１を有するソルダーレジスト層７０が樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ上に形成される（図１（Ｄ））。図１（Ｄ）では、ソルダーレジスト層７０は導体層３４上にも形成されている。プリント配線板１０が完成する。
【００２０】
開口７１内のパッド３４Ｐ上に半田バンプ７６を形成することができる。半田バンプ７６を有するプリント配線板１０が完成する（図１（Ｅ））。半田バンプ７６を介してプリント配線板１０に電子部品９０が実装される。ソルダーレジスト層７０と電子部品９０との間にアンダーフィル９４が充填される（図１（Ｆ））。アンダーフィル９４は電子部品９０とソルダーレジスト層７０との間の狭いギャップを充填しなければならない。第１実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに無機フィラーが露出していない。ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕの表面状態が均一になり易い。そのため、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに対するアンダーフィル９４の濡れ性がほぼ均一である。ギャップが狭くても、容易にギャップをアンダーフィル９４で充填することができる。
【００２１】
図１の例では、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕは平坦である。次に、上面７０ｕを粗化する方法の例が示される。
図１（Ｄ）に示されるプリント配線板１０が中間基板４０として準備される。その後、物理的な方法や化学的な方法でソルダーレジスト層７０の上面７０ｕが粗化される。物理的な方法の例は、Ｏ２プラズマやブラストである。Ｏ２プラズマや粒子がソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに照射される。化学的な方法の例は、薬液を用いることである。例えば、図１（Ｄ）の中間基板４０を過マンガン酸溶液に浸漬することで上面７０ｕが粗化される。図３（Ａ）に示されるソルダーレジスト層７０を有するプリント配線板１０が完成する。図３（Ａ）のソルダーレジスト層７０の上面７０ｕは粗面Ｒを有している。
【００２２】
粗面Ｒを有する上面７０ｕを形成するための別例が以下に示される。別例では、図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αが準備される。図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αは、図１（Ａ）のソルダーレジスト７０αと異なっている。図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αは、未硬化な第２層７０Ｕαと第２フィルム７０Ａとの間の界面に未硬化な第２層７０Ｕαは粗面ＲＴを有する。粗面ＲＴ以外、図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αと図１（Ａ）のソルダーレジスト７０αは同様である。図１（Ｃ）と同様な方法で、図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αが図１（Ｂ）に示される途中のプリント配線板２０上に積層される。図１（Ｄ）と同様な方法でソルダーレジスト層７０に開口７１が形成される。この時点で、ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕは粗面ＲＴを有している。図４（Ａ）のソルダーレジスト７０αを用いることで、製造方法が簡単になる。
【００２３】
未硬化な第２層７０Ｕαの粗面ＲＴの形成方法が以下に示される。
凹凸ＲＳを有する第２フィルム７０Ａが準備される（図４（Ｂ））。第２フィルム７０Ａの凹凸ＲＳ上に未硬化な第２層７０Ｕαを形成することで、粗面ＲＴを形成することができる。例えば、塗布により、第２フィルム７０Ａの凹凸ＲＳ上に第２層７０Ｕαが形成される。その後、第２層７０Ｕα上に第１層７０Ｄαと第１フィルム７０Ｂが順に形成される。図４（Ａ）に示されるソルダーレジスト７０αが形成される。
【００２４】
粗面ＲＴの別の形成方法が以下に示される。
第１フィルム７０Ｂ上に第１層７０Ｄαと第２層７０Ｕαが順に形成される。その後、凹凸ＲＳを有する第２フィルム７０Ａを第２層７０Ｕαにプレスすることで、粗面ＲＴを形成することができる。
粗面ＲＴは第２フィルム７０Ａの凹凸ＲＳに沿って形成される。第２フィルム７０Ａの凹凸ＲＳは粗面ＲＴの形状に沿っている。
【００２５】
ソルダーレジスト層７０の開口７１をレーザで形成することができる。その場合、レーザは第２フィルム７０Ａに照射される。そして、レーザは第２フィルム７０Ａとソルダーレジスト層７０を貫通し、パッド３４Ｐに至る。
【００２６】
[第２実施形態]
図２（Ｂ）は第２実施形態のプリント配線板１１０を示す。図２（Ｂ）のプリント配線板１１０のソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの上面７０ｕは粗面ＲＴを有していない。
第２実施形態のプリント配線板１１０は、トップ面Ｆ１とトップ面Ｆ１と反対側のボトム面Ｓ１とを有するコア基板３０と、コア基板３０のトップ面Ｆ１上に形成されている第１ビルドアップ層Ｂｕ１と、コア基板３０のボトム面Ｓ１上に形成されている第２ビルドアップ層Ｂｕ２と、第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている第１ソルダーレジスト層７０Ｆと、第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている第２ソルダーレジスト層７０Ｓとを有する。第１ソルダーレジスト層７０Ｆは第１実施形態のプリント配線板１０のソルダーレジスト層７０と同様である。第２ソルダーレジスト層７０Ｓは第１実施形態のプリント配線板１０のソルダーレジスト層７０と同様である。
コア基板３０はトップ面Ｆ１とトップ面Ｆ１と反対側のボトム面Ｓ１とを有する基板２０ｚと基板２０ｚのトップ面Ｆ１上に形成されている第１導体層３４Ｆと基板２０ｚのボトム面Ｓ１上に形成されている第２導体層３４Ｓと、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続しているスルーホール導体３６で形成されている。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１はコア基板３０のトップ面Ｆ１上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと第１樹脂絶縁層上の第１の最外の導体層５８Ｆと第１の最外の導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆを接続する第１のビア導体６０Ｆで形成される。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２はコア基板３０のボトム面Ｓ１上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｓと第２樹脂絶縁層５０Ｓ上の第２の最外の導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓと第２の最外の導体層５８Ｓを接続する第２のビア導体６０Ｓで形成される。第１実施形態に用いられるソルダーレジスト層７０と第２実施形態に用いられるソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓは、同様である。第１と第２のソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓは無機粒子を含有する下層７０Ｄと無機粒子を含有しない上層７０Ｕで形成される。第１と第２のソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの上面は粗面Ｒを有することができる。
第１ソルダーレジスト層７０Ｆは第１の最外の導体層５８Ｆを露出する開口７１Ｆを有する。第２ソルダーレジスト層７０Ｓは第２の最外の導体層５８Ｓを露出する開口７１Ｓを有する。
【００２７】
図２（Ｃ）は第２実施形態のプリント配線板１１０の応用例１１００を示す。図２（Ｃ）に示されているプリント配線板１１０では、ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの上面７０ｕは粗面Ｒを有している。開口７１Ｆから露出する第１の最外の導体層５８Ｆ上に半田バンプ７６Ｆが形成される。半田バンプ７６Ｆを介し電子部品９０がプリント配線板１１０に実装される。開口７１Ｓから露出する第２の最外の導体層５８Ｓ上に半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプ７６Ｓを介し、プリント配線板１１０がマザーボード９８に搭載される。プリント配線板１１０のソルダーレジスト層７０Ｆと電子部品９０との間にアンダーフィル９４が充填される。ソルダーレジスト層７０Ｓとマザーボード９８との間にアンダーフィル８８が充填されている。
【００２８】
図３（Ｂ）は、各実施形態のソルダーレジスト層７０の１例を示す。
図３（Ｂ）のソルダーレジスト層を有するプリント配線板の製造方法が以下に示される。
無機粒子と樹脂と硬化剤とからなる混合物が準備される。無機粒子の例はシリカである。樹脂の例はエポキシ系樹脂である。樹脂は、さらに、ポリマー系樹脂を含むことが出来る。
【００２９】
図４（Ｄ）に示されるように、平坦な面ＦＳを有する第２フィルム７０Ａが準備される。
混合物が第２フィルム７０Ａの平坦な面ＦＳ上に塗布される。あるいは、図２（Ｂ）に示されるように、凹凸ＲＳを有する第２フィルム７０Ａが準備される。そして、混合物は第２フィルム７０Ａの凹凸ＲＳ上に塗布される。図４（Ｅ）に示されるように、第２フィルム７０Ａ上に混合物からなる膜７００が形成される。塗布後、膜７００中の無機粒子はほぼ均一に分散している。さらに、混合物からなる膜７００上に第１フィルム７０Ｂが形成される（図４（Ｅ））。混合物からなる膜７００は第１フィルム７０Ｂと第２フィルム７０Ａで挟まれる。その後、混合物からなる膜７００に熱が加えられる。熱により、樹脂の硬化が始まる。その時、未硬化な樹脂の一部が分離する。それらは、混合物からなる膜の表層に集まる。未硬化な樹脂で所定の厚みを有する層が形成される。その層は、例えば、樹脂層と称される。分離の際、樹脂層から無機粒子が排除される。また、樹脂層は第２フィルム７０Ａの直上に形成される。このように、第１フィルム７０Ｂと第２フィルム７０Ａの間に無機粒子を含む層と無機粒子を含まない層が形成される。無機粒子を含む層は下層７０Ｄであり、無機粒子を含まない層は上層７０Ｕである（図３（Ｂ）参照）。上層７０Ｕは第２フィルム７０Ａ上に形成され、下層７０Ｄは第１フィルム７０Ｂ上に形成される。
例えば、第２フィルム７０Ａ上に形成される混合物中の樹脂がエポキシ系樹脂Ａとエポキシ系樹脂Ｂ、ポリマー系樹脂Ａ、ポリマー系樹脂Ｂで形成される。混合物に熱が加えられると、ある温度ＴＡで、エポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａの硬化の速度が速くなる。しかしながら、エポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂの硬化は開始しない。あるいは、硬化の速度が遅い。そのため、温度ＴＡで、エポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂは未硬化状態である。この時、エポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂが混合物の表層に集まり、それらで無機粒子を含まない上層７０Ｕが形成される。同時に、エポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａの硬化が進む。硬化により無機粒子はエポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａからなる樹脂中に固定される。さらに混合物に熱が加えられる。混合物の温度は温度ＴＢ（温度ＴＡ＜温度ＴＢ）に達する。エポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂの硬化も進む。これにより、第１層７０Ｄαと第２層７０Ｕαとからなるソルダーレジスト７０αが形成される。続いて、図１（Ｃ）に示されるように、最外の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト７０αが形成される。それから、例えば、レーザで開口７１を有するソルダーレジスト層７０が形成される。図１（Ｄ）のプリント配線板１０が完成する。その後、プリント配線板１０は過マンガン酸溶液に浸漬される。上層７０Ｕを形成するエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂのうち、ポリマー系樹脂Ｂが選択的に過マンガン酸溶液に溶解する。ソルダーレジスト層７０の上面７０ｕに粗面Ｒが形成される。粗面Ｒを有するソルダーレジスト層７０Ｇα形成される。
【符号の説明】
【００３０】
１０、１１０  プリント配線板
７０α  ソルダーレジスト
７０、７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
７０Ａ  第２フィルム
７０Ｂ  第１フィルム
７０Ｄ  下層
７０Ｄα  第１層
７０Ｕ  上層
７０Ｕα  第２層
９４  アンダーフィル
Ｆｉ  無機粒子
Ｒ  粗面
【図１】
2018014446.tif 000003
【図２】
2018014446.tif 000004
【図３】
2018014446.tif 000005
【図４】
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