(57)【要約】【課題】フレキシブル性に優れるとともに回路パターンとしての導電膜の剥離強度に優れ、さらに、ウェアラブルセンサ（バイタルデータ取得用ウェア）等への適用が好ましいナノファイバー回路基板を提供する。【解決手段】ナノファイバー回路基板は、ナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に、ナノファイバー回路基板についての透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）＝［（−５．７８Ｓ＋５１３）−５０］〜［（−５．７８Ｓ＋５１３）＋５０］（０＜Ｓ＜１００、ただしＭ≧０）を満足する範囲、または、Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）＝［（−５．０６Ｓ＋５０３）×０．９］〜［（−５．０６Ｓ＋５０３）×１．１］（０＜Ｓ≦６０）を満足する範囲を、回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性として備える。【選択図】図１
2018014429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、
前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、
前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率１〜９０％に対して、前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度５００〜５ｇ／ｍ2／ｈであることを特徴とするナノファイバー回路基板。
【請求項２】
前記面積比率１０〜８０％に対して、前記透湿度４５０〜１０ｇ／ｍ2／ｈであることを特徴とする、請求項１に記載のナノファイバー回路基板。
【請求項３】
前記面積比率３０〜６０％に対して、前記透湿度３５０〜２００ｇ／ｍ2／ｈであることを特徴とする、請求項１に記載のナノファイバー回路基板。
【請求項４】
直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、
前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、
前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ＜１００）、
前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）が、
［（−５．７８Ｓ＋５１３）−５０］〜［（−５．７８Ｓ＋５１３）＋５０］（ただしＭ≧０）
を満足することを特徴とするナノファイバー回路基板。
【請求項５】
直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、
前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、
前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ≦６０）、
前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）が、
［（−５．０６Ｓ＋５０３）×０．９］〜［（−５．０６Ｓ＋５０３）×１．１］
を満足することを特徴とするナノファイバー回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有するシート（ナノファイバー不織布）に導電性の回路パターンを形成してなるナノファイバー回路基板であって、特に、ウェアラブルセンサ（バイタルデータ取得用ウェア）等への適用が好ましいナノファイバー回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器を構成する一般的な回路基板は、樹脂基板に回路電極として機能する金属層を形成した構成となっている。携帯端末機器など小型の電子機器においては、高実装密度の実装基板を、制約されたサイズの筐体内の狭いスペース内の形状に合わせた形態で配設することが求められる。上述した一般的な回路基板では、必要とされるフレキシブル性および回路パターンとして機能する金属層の剥離強度の面で要求性能を満たすことが困難という課題がある。特開２０１５−０８８５３６号公報（特許文献１）は、この課題を解決したフレキシブル回路基板を開示する。
【０００３】
このフレキシブル回路基板は、可撓性を有する基板に導電性の回路パターンを形成してなるフレキシブル回路基板であって、前記基板は高分子有機化合物より形成されたナノファイバを不織布状に堆積して成るナノファイバ膜であり、前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバ膜の表層を構成するナノファイバの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成されていることを特徴とする。
【０００４】
このフレキシブル回路基板によると、基板として高分子有機化合物より形成されたナノファイバを不織布状に堆積して成るナノファイバ膜を用いることにより、回路パターンを構成する導電膜をナノファイバ膜の表層を構成するナノファイバの繊維周面を包み込んで表層に接合された形態で形成することができ、フレキシブル性に優れるとともに回路パターンとしての導電膜の剥離強度に優れたフレキシブル回路基板を実現することができる。したがって、小型の電子機器である携帯端末機器またはペーパ型端末装置などに適用して、その筐体内部の狭隘スペースへフレキシブル回路基板を曲げたり捻ったりして配置する場合にあっても、高い信頼性を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−０８８５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この特許文献１に開示されたフレキシブル回路基板により、携帯端末機器など小型の電子機器では、制約されたサイズの筐体内に高実装密度の実装基板を配設することができる点で好ましい。
しかしながら、上述したように、この特許文献１に開示されたフレキシブル回路基板の適用は、主として小型の電子機器である携帯端末機器またはペーパ型端末装置に過ぎず、たとえば、脈拍数、心拍数、体温、血圧、呼吸数等の生体情報を取得するウェアラブルセンサ（バイタルデータ取得用ウェア）等への適用が考慮されていない。すなわち、この特許文献１に開示されたフレキシブル回路基板をこのようなウェアラブルセンサに適用すると、蒸れたりベトベトになったりしてこの影響が生体情報に加味されて、特にトレーニング施設等において運動しながら生体情報を取得するウェアラブルセンサとして機能させることが困難である。
【０００７】
そこで本発明は、フレキシブル性に優れるとともに回路パターンとしての導電膜の剥離強度に優れるとともに、ウェアラブルセンサ等への適用が好ましい特性を備えたナノファイバー回路基板を提供することを目的とする。なお、本発明の目的は、ウェアラブルセンサへの適用に限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係るナノファイバー回路基板は以下の技術的手段を講じている。
すなわち、本発明に係るナノファイバー回路基板は、直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率１〜９０％に対して、前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度５００〜５ｇ／ｍ2／ｈであることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記面積比率１０〜８０％に対して、前記透湿度４５０〜１０ｇ／ｍ2／ｈであるように構成することができる。
さらに好ましくは、前記面積比率３０〜６０％に対して、前記透湿度３５０〜２００ｇ／ｍ2／ｈであるように構成することができる。
本発明の別の局面に係るナノファイバー回路基板は、直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ＜１００）、前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）が、［（−５．７８Ｓ＋５１３）−５０］〜［（−５．７８Ｓ＋５１３）＋５０］（ただしＭ≧０）を満足することを特徴とする。
【００１０】
本発明のさらに別の局面に係るナノファイバー回路基板は、直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、前記回路パターンを構成する導電膜は、前記ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで前記表層に接合された形態で形成され、前記ナノファイバー回路基板に対する前記回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ≦６０）、前記ナノファイバー回路基板についてのＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）が、［（−５．０６Ｓ＋５０３）×０．９］〜［（−５．０６Ｓ＋５０３）×１．１］を満足することを特徴とする。
【００１１】
なお、本発明に係るナノファイバー回路基板における「回路基板」とは、一般的な回路基板である電極、電気回路（配線）および電気素子等を含んで形成される基板のみならず、単純な電極のみにより形成される基板も、単純な配線のみにより形成される基板も、単純な電極および配線のみにより形成される基板も含む概念である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、フレキシブル性に優れるとともに回路パターンとしての導電膜の剥離強度に優れるとともに、ウェアラブルセンサ等への適用が好ましい特性を備えたナノファイバー回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係るナノファイバー回路基板の回路パターン面積Ｓに対する透湿度Ｍの特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、本発明の実施の形態に係るナノファイバー回路基板について、図面を参照して説明する。なお、このナノファイバー回路基板の構成については特許文献１に開示された構造であって、このナノファイバー回路基板は、可撓性を有する基板の回路形成面に導電性の回路パターンである導電膜を形成した構成となっており、基板の可撓性を極力向上させるために、この基板は高分子有機化合物より形成されたナノファイバーを不織布状に堆積してなるナノファイバー不織布を材質としており、基板にはナノファイバー相互の間に形成された微細空隙が含まれている。基板の内部において微細空隙は、厚み方向、幅・長さ方向のいずれの方向についても、少なくともある割合において連通しており、これらの微細空隙は気体の流動を許容する（後述する透湿度に関連する）通気空隙部を形成
している。
【００１５】
そして、この基板として用いられるナノファイバー不織布の製造方法についても特許文献１に開示されている一般的なエレクトロスピニング法によってナノファイバー不織布を製造する。
ここで、ナノファイバー不織布を構成する高分子有機化合物の種類は、たとえば、以下のような３群の中から適宜選択される。なお、ナノファイバー不織布を構成する高分子有機化合物は、以下に列挙する高分子有機化合物の単体でも共重合体でも構わない。
【００１６】
第一候補群（最も好ましい高分子有機化合物）
ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリサルフォン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、 ポリエチレンテレフタレート、 ポリアミド、 ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド
第二候補群（やや好ましい高分子有機化合物）
ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ−ｍ−フェニレンテレフタレート、ポリ−ｐ−フェニレンイソフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン−アクリレート共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル−メタクリレート共重合体、ポリアリレート、ポリエステルカーボネート
第三候補群（好ましい高分子有機化合物）
セルロース、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、コラーゲン、ポリヒドロキシ酪酸、ポリ酢酸ビニル、ポリペプチド
さらに、エレクトロスピニング法において、ナノファイバーを射出する場合に用いられる原料液（溶剤、溶媒）としては、揮発性のある有機溶剤などを例示することができる。具体的には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジベンジルアルコール、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセトン、ヘキサフルオロアセトン、フェノール、ギ酸、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプロピル、塩化メチル、塩化エチル、塩化メチレン、クロロホルム、ｏ−クロロトルエン、ｐ−クロロトルエン、クロロホルム、四塩化炭素、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジクロロプロパン、ジブロモエタン、ジブロモプロパン、臭化メチル、臭化エチル、臭化プロピル、酢酸、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシド、ピリジン、水等である。なお、上述した中から一種類を選択して用いても、また、複数種類を選択して混在させて用いても構わない。
【００１７】
次に、このようにして形成された基板の回路形成面に、回路パターンを構成する導電膜を形成する。この場合において、特許文献１に開示されたように、導電膜を形成するようにしても構わない。すなわち、この導電膜は、メッキまたはスパッタリングにより形成された金属薄膜、もしくは、印刷またはインクジェットにより導電粒子を含む導電ペーストを塗布して形成された樹脂膜である。
【００１８】
いずれの導電膜形成方法であっても、基板の回路形成面には、回路電極として機能するのに必要な厚み（たとえば１０μｍ程度）の導電膜が形成される。この導電膜の形成において、基板の内部には微細空隙が存在することから、導電膜の下部は基板の表面から幾分入り込んだ表層まで浸入した状態となる。
なお、印刷またはインクジェットにより導電粒子を含む導電ペーストを塗布して導電膜としての樹脂膜を形成する場合には、導電ペーストがスクリーン印刷またはインクジェッ
トによって塗布される。ここで、導電ペーストはエポキシ樹脂などの樹脂成分（バインダー）に、銅または銀などの導電粒子を含有させたものであって、伸縮性を備えたバインダーを用いることにより、ストレッチ性を実現することができ、たとえば、ナノファイバー不織布を構成する高分子有機化合物にポリウレタンを採用することにより、ストレッチ性を備えた基板（ナノファイバー不織布）にストレッチ性を備えたインクで導電膜（回路パターン）を形成できるので、ナノファイバー回路基板自体がストレッチ性を備えることができ、ウェアラブルセンサへ適用する場合に好適である。
【００１９】
さらに、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板をウェアラブルセンサに適用してナノファイバー回路基板を身体に密着するように形成した場合、身体の動きに連動して曲げや捻りを伴う形態でナノファイバー回路基板が変形して回路形成面と導電膜との接合界面を分離させるような剥離力が作用しても導電膜はナノファイバーの繊維表面を包み込んで表層に接合された形態となっていることから、導電膜は基板に追従して変形し、回路形成面からの剥離が生じない。したがって、適用例の一例でしかないが、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板をウェアラブルセンサに適用すると、すなわち、ナノファイバー回路基板を曲げや捻りを伴って配置する場合であっても、高い信頼性を確保することができる。
【００２０】
以下においては、このように本実施の形態に係るナノファイバー回路基板をウェアラブルセンサに適用する場合において、さらに詳しく説明する。ただし、本発明に係るナノファイバー回路基板がウェアラブルセンサへの適用に限定されるものではない。
ウェアラブルセンサに適用する場合において重要な特性として、上述したようにナノファイバー回路基板を曲げたり捻ったりした場合であっても高い信頼性を備えるという特性に加えて、蒸れたりベトベトになったりしてこの影響が生体情報に加味されない特性が必要となる。すなわち、このような特性がないまたはこのような特性が低い場合には、トレーニング施設等において運動しながら生体情報を取得するウェアラブルセンサとして機能させることが困難となる。このような特性として、本出願人は鋭意研究の結果、ナノファイバー回路基板において、回路形成面に形成された導電膜の部分の面積比率とナノファイバー回路基板の透湿度との関係に着目して、ウェアラブルセンサとして好適に機能させるために必要な特性を見出した。
【００２１】
なお、本発明における透湿度とは、ＪＩＳ  Ｌ−１０９９  Ａ−１法（塩化ナトリウム法）による透湿度を意味する。ここで、この透湿度は、ナノファイバー不織布を材質とした基板に含まれているナノファイバー相互の間に形成された微細空隙（厚み方向、幅・長さ方向のいずれの方向についても、少なくともある割合において連通）により形成された気体の流動を許容する通気空隙部に関連する機能であると考えられる。
【００２２】
本実施の形態に係るナノファイバー回路基板は、直径が５０ｎｍ以上２μｍ未満の繊維から構成されるナノファイバー不織布に導電性の回路パターンを形成したナノファイバー回路基板であって、回路パターンを構成する導電膜は、ナノファイバー不織布の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで表層に接合された形態で形成されていることに加えて、以下の透湿度特性を備える。この透湿度特性は、ナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率１〜９０％に対してナノファイバー回路基板についての透湿度５００〜５ｇ／ｍ2／ｈ（第１の範囲特性）、好ましくは面積比率１０〜８０％に対して透湿度４５０〜１０ｇ／ｍ2／ｈ（第２の範囲特性）、さらに好ましくは面積比率３０〜６０％に対して透湿度３５０〜２００ｇ／ｍ2／ｈ（第３の範囲特性）である。
【００２３】
さらに、面積比率に対する透湿度を一般化して、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板は以下の特性（回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性）を備えるようにしても構わない。
本実施の形態に係るナノファイバー回路基板は、ナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ＜１００）、ナノファイバー回路基板についての透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）＝［（−５．７８Ｓ＋５１３）−５０］〜［（−５．７８Ｓ＋５１３）＋５０］（ただしＭ≧０）を満足する範囲を、回路パターンの面積比率に対する透湿度の第４の範囲特性として備える。この第４の範囲特性においては、限定
されるものではないが、透湿度の絶対値（±５０）により、面積比率Ｓに対する透湿度Ｍの（誤差）範囲を定めている。第５の範囲特性のように、透湿度の比率（相対値）を用いても構わない。
【００２４】
さらに、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板は、ナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率Ｓ（％）とした場合に（０＜Ｓ≦６０）、ナノファイバー回路基板についての透湿度Ｍ（ｇ／ｍ2／ｈ）＝［（−５．０６Ｓ＋５０３）×０．９］〜［（−５．０６Ｓ＋５０３）×１．１］を満足する範囲を、回路パターンの面積比率に対する透湿度の第５の範囲特性として備える。この第５の範囲特性においては、限定されるものではないが、透湿度の比率（相対値）（±１０％）により、面積比率Ｓに対する透湿度Ｍの（誤差）範囲を定めている。第４の範囲特性のように、透湿度の絶対値を用いても構わない。
【００２５】
図１（Ａ）に回路パターンの面積比率に対する透湿度の第４の範囲特性（６点近似）を斜線部分で、図１（Ｂ）に回路パターンの面積比率に対する透湿度の第５の範囲特性（４点近似）を斜線部分で、それぞれ示す。黒丸印は、第１の範囲特性、第２の範囲特性、第３の範囲特性における上限値および下限値に対応する計測データである。
図１（Ａ）に示すように、透湿度の第４の範囲特性は０＜Ｓ＜１００であって限定していないが、透湿度の第５の範囲特性は０＜Ｓ≦６０と図１（Ｂ）に示すように限定している。この透湿度の第５の範囲特性におけるＳ≦６０の限定は、（回帰式の精度を悪化させている２点を排除するとともに）トレーニング施設等において激しいスポーツをしながら生体情報を取得するウェアラブルセンサとして採用される場合には、スポーツ衣料として求められる蒸れにくさが透湿度２００ｇ／ｍ2／ｈ以上であることに基づく。さらに、ベトベトになりにくさが透湿度４２０ｇ／ｍ2／ｈ以上であることに基づくと、さらにナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率Ｓは低くなる。
【００２６】
このようなナノファイバー回路基板において、回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性（上述した第１の範囲特性〜第５の範囲特性）については、ナノファイバー回路基板において回路パターンを構成する導電膜の部分は透湿性に好ましくない影響を与えることは容易に想像できても、その回路パターンの面積比率がどの程度まで上昇するとどの程度まで透湿度が低下するのかが特許文献１では全く不明であって、特許文献１に開示されたフレキシブル回路基板をウェアラブルセンサに適用しても、フレキシブル回路基板の透湿性が悪くて蒸れたりベトベトになったりして、この影響が生体情報に加味されて誤差を含めた生体情報を取得してしまう可能性が高い。
【００２７】
本実施の形態に係るナノファイバー回路基板では、上述したように、回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性（上述した第１の範囲特性〜第５の範囲特性）に基づいて、たとえば、回路パターンが定まると（回路パターンそのものの面積であって通気空隙部に起因する透湿度が見込めない面積が定まると）、必要な透湿度に基づき（必要な透湿度を少なくとも満足するように）ナノファイバー回路基板の全体面積を算出して、ナノファイバー回路基板を製作することができるので、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板をウェアラブルセンサに適用しても蒸れたりベトベトになったりすることがなく正確な生体情報を取得することができる。
【００２８】
このように、本発明についてのナノファイバー回路基板に対する回路パターンの面積比率におけるＳ（％）の回路パターンの面積とは、回路パターンにおける金属薄膜部分、その金属薄膜部分に付随する部分（周辺部分）、導電粒子を含む導電ペーストが塗布された樹脂膜部分、または、その樹脂膜部分に付随する部分（周辺部分）のいずれも含み得て、通気空隙部に起因する透湿度が見込めない領域に対応する面積を意味する。
【００２９】
ここで、導電ペーストに含まれる導電粒子の粒径については、１μｍ未満の粒径の導電粒子を用いると回路パターンが回路基板の屈曲時や擦過時にも脱落しにくい点で好ましく、１μｍ以上の粒径の導電粒子を用いると回路基板の透湿度を高く保つことができる点で好ましい。そして、導電ペーストに含まれる導電粒子の粒径についての好ましい下限としては０．３μｍが例示でき、好ましい上限としては１０μｍが例示できる。
【００３０】
以下においては、このような回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性範囲特
性（上述した第１の範囲特性〜第５の範囲特性）を実現するために、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板を形成する基板であるナノファイバー不織布が備える構成について説明する。
ここで、本実施の形態に係るナノファイバー回路基板に好適なナノファイバー不織布の目付は、１００ｇ／ｍ2未満であることが好ましい。目付が１００ｇ／ｍ2以上であると、衣服内の湿気を逃がすはたらきが低下することがある。目付は１〜５０ｇ／ｍ2であることがより好ましく、５〜３０ｇ／ｍ2であることが更に好ましい。なお、目付とは、所定面積のサンプルの重量を測定し、単位面積あたりの重量を算出した値である。
【００３１】
さらに、このナノファイバー不織布の厚みは、１０〜３００μｍであることが好ましい。厚みがこのような範囲を外れると、外部からの空気の侵入を防いで通気性を抑えつつ、衣服内の湿気を逃がして適度な透湿性を確保するはたらきが低下することがある。厚みは５０〜２００μｍであることがより好ましい。
さらに、このナノファイバー不織布を構成するナノファイバーの繊維径（直径）は、５０ｎｍ以上２μｍ未満、好ましくは（５０ｎｍ以上）約１μｍ未満である。ここで、ナノファイバーの直径は、１００００〜５００００倍の倍率でＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、無作為に選んだ繊維の太さ（繊維軸に直交方向の長さ）を３０点測定し、その平均値によって表される。
【００３２】
以上のようにして、本実施の形態に係るナノファイバー不織布によると、可撓性を有する基板に導電性の回路パターンを形成してなるナノファイバー回路基板において、基板として高分子有機化合物より形成されたナノファイバを不織布状に堆積して成るナノファイバ膜を用いるようにしたことにより、回路パターンを構成する導電膜をナノファイバ膜の表層を構成するナノファイバーの繊維周面を包み込んで表層に接合された形態で形成することができ、フレキシブル性に優れるとともに回路パターンとしての導電膜の剥離強度に優れたナノファイバー回路基板を実現することができる。
【００３３】
これに加えて、本実施の形態に係るナノファイバー不織布によると、回路パターンの面積比率に対する透湿度の範囲特性に基づいて、必要な回路パターン（回路パターンの面積比率）と必要な透湿度とからナノファイバー回路基板の全体面積を算出してナノファイバー回路基板を製作することができるので、必要な回路パターンおよび透湿度が確保できて、ウェアラブルセンサに適用しても蒸れたりベトベトになったりすることなく正確に生体情報を取得することができる。
【００３４】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係るナノファイバー回路基板は、可撓性を有するシート（ナノファイバー不織布）に導電性の回路パターンを形成してなるナノファイバー回路基板に好ましく、ウェアラブルセンサ（バイタルデータ取得用ウェア）等への適用が特に好ましい。
【図１】
2018014429.tif 000003