(57)【要約】【課題】  ＲｕＯ２を含んだ導電性中間層の低抵抗化及び薄膜化が可能であると共に、電極の剥離に伴う抵抗値の増大を抑制することができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体２と、サーミスタ素体上に形成された導電性中間層４と、導電性中間層上に形成された電極層５とを備え、導電性中間層が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒による凝集構造を有し、前記凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体と、
前記サーミスタ素体上に形成された導電性中間層と、
前記導電性中間層上に形成された電極層とを備え、
前記導電性中間層が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒による凝集構造を有し、前記凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍであることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項２】
請求項１に記載のサーミスタ素子において、
−５５℃で３０ｍｉｎと、２００℃で３０ｍｉｎとを１サイクルとし、これを５０サイクル繰り返したヒートサイクル試験前後で、２５℃での抵抗値の変化率が２．５％未満であることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項３】
サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体上に導電性中間層を形成する中間層形成工程と、
前記導電性中間層上に電極層を形成する電極形成工程とを有し、
前記中間層形成工程が、ＲｕＯ２粒と有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液を前記サーミスタ素体上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層を形成する工程と、
前記ＲｕＯ２層上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、前記ＲｕＯ２層中に前記シリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ前記導電性中間層を形成する工程とを有していることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のサーミスタ素子の製造方法において、
前記電極形成工程が、貴金属を含む貴金属ペーストを前記導電性中間層に塗布する工程と、
塗布した前記貴金属ペーストを加熱して焼き付けて前記貴金属の前記電極層を形成する工程とを有していることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のサーミスタ素子の製造方法において、
前記ＲｕＯ２層の厚さを、１００〜１０００ｎｍとすることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートサイクル試験等においても抵抗値の変化が少なく信頼性の高いサーミスタ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、自動車関連技術、情報機器、通信機器、医療用機器、住宅設備機器等の温度センサとして、サーミスタ温度センサが採用されている。このサーミスタ温度センサに用いられるサーミスタ素子は、特に温度が繰り返し大きく変化する厳しい環境で使用される場合も多い。
また、このようなサーミスタ素子では、従来、サーミスタ素体上にＡｕ等の貴金属ペーストを用いて電極を形成しているものが採用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、電極がサーミスタ素体上の素子電極と該素子電極上のカバー電極との２層構造を有し、素子電極がガラスフリットとＲｕＯ２（二酸化ルテニウム）とを含んだ膜であり、カバー電極が貴金属とガラスフリットとを含むペーストで形成された膜であるサーミスタが記載されている。このサーミスタでは、ガラスフリットとＲｕＯ２とを含んだペーストをサーミスタ素体の表面に塗布し、これを焼き付け処理することで、膜状に素子電極を形成している。この素子電極によって電極面積を確保してサーミスタの電気的特性を維持させ、ハンダ付けによる配線と素子電極との電気的接続を貴金属ペーストのカバー電極により確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６６１１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記従来のサーミスタでは、ガラスフリットとＲｕＯ２粒とを含んだペーストをサーミスタ素体の表面に塗布し、これを焼き付け処理することで、電極の中間層を形成しているため、ＲｕＯ２粒同士の間にガラスフリットが入り込み、ＲｕＯ２粒同士の電気的導通を阻害している部分が多く発生することで、中間層の抵抗値が増加してしまう不都合があった。このように抵抗値の高い中間層であるために、長時間使用によるヒートサイクルによって電極の剥離が進行することで、抵抗値が顕著に増大してしまう問題があった。さらに、ＲｕＯ２粒を含んだ粘度の高いペーストをサーミスタ素体の表面に塗布するため、厚膜の中間層しか形成できず、希少金属のＲｕを含むＲｕＯ２粒の使用量が多くなってしまう問題もあった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ＲｕＯ２を含んだ導電性中間層の低抵抗化及び薄膜化が可能であると共に、電極の剥離に伴う抵抗値の増大を抑制することができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係るサーミスタ素子では、サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体上に形成された導電性中間層と、前記導電性中間層上に形成された電極層とを備え、前記導電性中間層が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒による凝集構造を有し、前記凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍであることを特徴とする。
【０００８】
このサーミスタ素子では、導電性中間層が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒による凝集構造を有し、凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍであるので、互いに接触したＲｕＯ２粒の凝集構造により十分な導電性が確保されていると共に、ポーラスな構造中の隙間に介在したＳｉＯ２が凝集構造のバインダーとして機能している。したがって、薄い導電性中間層でも低抵抗が得られ、ヒートサイクル試験等において導電性中間層と電極層と間の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能である。
【０００９】
第２の発明に係るサーミスタ素子は、第１の発明において、−５５℃で３０ｍｉｎと、２００℃で３０ｍｉｎとを１サイクルとし、これを５０サイクル繰り返したヒートサイクル試験前後で、２５℃での抵抗値の変化率が２．５％未満であることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ素子では、上記ヒートサイクル試験前後で、２５℃での抵抗値の変化率が２．５％未満であるので、温度変化の大きい環境でも安定した温度測定が可能であり、高い信頼性を有している。
【００１０】
第３の発明に係るサーミスタ素子の製造方法では、サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体上に導電性中間層を形成する中間層形成工程と、前記導電性中間層上に電極層を形成する電極形成工程とを有し、前記中間層形成工程が、ＲｕＯ２粒と有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液を前記サーミスタ素体上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層を形成する工程と、前記ＲｕＯ２層上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、前記ＲｕＯ２層中に前記シリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ前記導電性中間層を形成する工程とを有していることを特徴とする。
【００１１】
このサーミスタ素子の製造方法では、中間層形成工程において、ＲｕＯ２粒と有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液をサーミスタ素体上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層を形成するので、この時点で多くのＲｕＯ２粒同士が互いに密着した状態のＲｕＯ２層が形成される。さらに、ＲｕＯ２層上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、ＲｕＯ２層中にシリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ導電性中間層を形成するので、互いに密着したＲｕＯ２粒同士による凝集構造を有し、その隙間にシリカゾルゲル液が浸入し、乾燥後に前記隙間にＳｉＯ２が介在する状態となる。シリカゾルゲル液は乾燥させることで純度の高いＳｉＯ２となって硬化し、導電性中間層の強度を担保するとともに、サーミスタ素体と導電性中間層とを強固に密着させる働きをする。したがって、ガラスフリットを含むＲｕＯ２ペーストで形成した従来の中間層では、ガラスフリットが邪魔してＲｕＯ２粒同士が十分に密着できないのに対し、本願発明では、ガラスフリットを含まないＲｕＯ２分散液で予めＲｕＯ２粒同士が互いに密着したＲｕＯ２層を形成した後に、バインダーとしてＳｉＯ２をＲｕＯ２粒の隙間に介在させることで、ＲｕＯ２粒同士の接触面積を多く確保し、かつ、融けたガラスフリットがＲｕＯ２粒同士の接触面に入り込んで接触を阻害して高抵抗化することがないので、導電性中間層の低抵抗化を図ることができる。また、ペーストよりも粘度が低いＲｕＯ２分散液を塗布するため、ペーストで形成するよりも薄い導電性中間層を形成することができる。さらに、サーミスタ素体に直接多くのＲｕＯ２粒が密着したＲｕＯ２層を予め形成するので、低抵抗の導電性中間層が得られ、ヒートサイクル試験において電極の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能である。
【００１２】
第４の発明に係るサーミスタ素子の製造方法は、第３の発明において、前記電極形成工程が、貴金属を含む貴金属ペーストを前記導電性中間層に塗布する工程と、塗布した前記貴金属ペーストを加熱して焼き付けて前記貴金属の前記電極層を形成する工程とを有していることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ素子の製造方法では、貴金属を含む貴金属ペーストを導電性中間層に塗布する工程と、塗布した貴金属ペーストを加熱して焼き付けて貴金属の電極層を形成する工程とを有しているので、貴金属ペーストを焼き付ける際に、ＲｕＯ２粒同士の密着がより強くなる。また、シリカゾルゲル液で埋めきれなかったＲｕＯ２粒同士の隙間にガラスフリットが溶けて浸透することで、バインダーとしてより強固にＲｕＯ２粒同士を固定し、安定した導電性中間層を得ることができる。なお、ＲｕＯ２粒同士はシリカゾルゲル液由来のＳｉＯ２によって強固に密着しているため、貴金属ペースト中のガラスフリットが融けてＲｕＯ２粒間隙に浸透しても、ＲｕＯ２粒同士の接触が阻害されることはない。
【００１３】
第５の発明に係るサーミスタ素子の製造方法は、第３又は第４の発明において、前記ＲｕＯ２層の厚さを、１００〜１０００ｎｍとすることを特徴とする。
すなわち、このサーミスタ素子の製造方法では、ＲｕＯ２層の厚さを、１００〜１０００ｎｍとするので、薄膜で十分な抵抗値の導電性中間層が得られる。なお、ＲｕＯ２層の厚さが１００ｎｍ未満であると、サーミスタ素体との密着性や抵抗値が不十分になる場合がある。また、ＲｕＯ２層の厚さは１０００ｎｍまでで十分な低抵抗と密着性が得られ、それを超える厚さを得るには必要以上にＲｕＯ２粒を使用することになり、高コストになってしまう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタ素子によれば、導電性中間層が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒による凝集構造を有し、凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍであるので、薄い導電性中間層でも低抵抗が得られ、ヒートサイクル試験等において電極の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能である。
また、本発明に係るサーミスタ素子の製造方法によれば、ＲｕＯ２粒と有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液をサーミスタ素体上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層を形成し、さらにＲｕＯ２層上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、ＲｕＯ２層中にシリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ導電性中間層を形成するので、ＲｕＯ２分散液で予めＲｕＯ２粒同士が密着したＲｕＯ２層が形成されると共に、シリカゾルゲル液のＳｉＯ２がＲｕＯ２粒の隙間に介在することで、導電性中間層の低抵抗化を図ることができる。
したがって、ガラスフリットを含むペーストで形成するよりも薄く低抵抗な導電性中間層を形成することができ、低コスト化が可能であると共に、ヒートサイクル試験等において電極の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能な高い信頼性を有した素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の一実施形態において、工程順に示す断面図である。
【図２】本実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図３】本実施形態において、サーミスタ素子を示す模式的な拡大断面図である。
【図４】本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の実施例において、サーミスタ素子の断面を示すＳＥＭ写真である。
【図５】本発明に係る実施例において、電極層形成前の断面状態を示すＳＥＭ写真である。
【図６】本発明に係る実施例において、電極層形成前の表面状態を示す導電性中間層のＳＥＭ写真である。
【図７】本発明に係る実施例において、ヒートサイクル試験結果を示すヒートサイクル数に対する抵抗値変化（△Ｒ２５）を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の一実施形態を、図１から図３を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１７】
本実施形態のサーミスタ素子１は、図１から図３に示すように、サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２上に形成された導電性中間層４、導電性中間層４上に形成された電極層５とを備えている。
上記導電性中間層４は、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒３ａによる凝集構造を有し、凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍである。すなわち、上記凝集構造は、互いに接触して電気的に導通したＲｕＯ２粒で構成され、凝集構造中に部分的に生じている隙間にＳｉＯ２が入り込んでいる。
このサーミスタ素子１は、−５５℃で３０ｍｉｎと、２００℃で３０ｍｉｎとを１サイクルとし、これを５０サイクル繰り返したヒートサイクル試験前後で、２５℃での抵抗値の変化率が２．５％未満である。
【００１８】
本実施形態のサーミスタ素子１の製造方法は、図１に示すように、サーミスタ材料で形成されたサーミスタ素体２上に導電性中間層４を形成する中間層形成工程と、導電性中間層４上に電極層５を形成する電極形成工程とを有している。
上記中間層形成工程は、図１の（ａ）に示すように、ＲｕＯ２粒３ａと有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液をサーミスタ素体２上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層３を形成する工程と、図１の（ｂ）に示すように、ＲｕＯ２層３上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、ＲｕＯ２層３中にシリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ導電性中間層４を形成する工程とを有している。
【００１９】
上記電極形成工程では、貴金属を含む貴金属ペーストを導電性中間層４に塗布する工程と、図１の（ｃ）に示すように、塗布した貴金属ペーストを加熱して焼き付けて貴金属の電極層５を形成する工程とを有している。
なお、上記ＲｕＯ２層３の厚さは、１００〜１０００ｎｍとされる。
【００２０】
上記サーミスタ素体２としては、例えばＭｎ−Ｃｏ−Ｆｅ，Ｍｎ−Ｃｏ−Ｆｅ−Ａｌ，Ｍｎ−Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｕ等が採用可能である。このサーミスタ素体２の厚さは、例えば２００μｍである。
上記ＲｕＯ２分散液は、例えばＲｕＯ２粒３ａと、有機溶媒としてアセチルアセトンとエタノールとを混合したＲｕＯ２インクである。
上記ＲｕＯ２粒３ａは、その平均粒径が１０〜１００ｎｍのものが使用されるが、特に５０ｎｍ程度のものが好ましい。
有機溶媒には分散剤を含んでもよく、分散剤としては吸着基を複数持つポリマー型のものが好ましい。
【００２１】
上記シリカゾルゲル液は、例えばＳｉＯ２とエタノールと水と硝酸との混合液である。なお、このシリカゾルゲル液に用いる有機溶媒としては、上記エタノール以外の他の有機溶媒を採用しても構わない。また、シリカゾルゲル液に用いる酸は、加水分解反応を促進する触媒として機能し、上記硝酸以外の酸を採用しても構わない。
上記貴金属ペーストは、例えばガラスフリットを含有したＡｕペーストである。
【００２２】
上記中間層形成工程では、ＲｕＯ２粒３ａと有機溶媒とを含有したＲｕＯ２分散液をサーミスタ素体２上に塗布し、乾燥させてＲｕＯ２層３を形成するので、この時点で多くのＲｕＯ２粒３ａ同士が互いに密着した状態のＲｕＯ２層３が形成される。
具体的には、ＲｕＯ２粒３ａを含有したＲｕＯ２分散液をサーミスタ素体２上にスピンコート等で塗布し、例えば１５０℃，１０ｍｉｎで乾燥させると、ＲｕＯ２分散液中のアセチルアセトンとエタノールとは蒸発してＲｕＯ２粒３ａ同士が互いに接触した状態のＲｕＯ２層３が形成される。このとき、ＲｕＯ２粒３ａ同士の接触部分以外には、微細な隙間が生じている。
【００２３】
次に、ＲｕＯ２層３上にＳｉＯ２と有機溶媒と水と酸とを含有したシリカゾルゲル液を塗布し、ＲｕＯ２層３中にシリカゾルゲル液を浸透させた状態で乾燥させ導電性中間層４を形成すると、互いに密着したＲｕＯ２粒３ａ同士による凝集構造を有し、その隙間にシリカゾルゲル液が浸入し、乾燥後に前記隙間にＳｉＯ２が介在する状態となる。シリカゾルゲル液は乾燥させることで純度の高いＳｉＯ２となって硬化し、導電性中間層４の強度を担保するとともに、サーミスタ素体２と導電性中間層４とを強固に密着させる働きをする。
具体的には、ＲｕＯ２層３上にシリカゾルゲル液をスピンコート等で塗布すると、ＲｕＯ２層３中にシリカゾルゲル液がＲｕＯ２粒３ａ間の微細な隙間に浸透し、例えば１５０℃，１０ｍｉｎで乾燥させることでエタノールと水と硝酸とが蒸発し、隙間内にＳｉＯ２だけが残存する。このとき、ＳｉＯ２がＲｕＯ２粒３ａのバインダーとして機能する。このように、互いに接触しているＲｕＯ２粒３ａ間の微細な隙間にＳｉＯ２が介在した導電性中間層４が形成される。
【００２４】
この後、導電性中間層４上に貴金属ペーストを塗布し、例えば８５０℃，１０ｍｉｎで焼き付け処理を行うと、加熱によって接触しているＲｕＯ２粒３ａ同士の密着性が高くなる。また、シリカゾルゲル液で埋めきれなかったＲｕＯ２粒３ａ同士の隙間にもガラスフリットが溶けて浸透する。
このようにして、図２及び図４に示すように、Ａｕの電極層５が導電性中間層４上に形成されたサーミスタ素子１が作製される。
【００２５】
このように本実施形態のサーミスタ素子１では、導電性中間層４が、電気的に互いに接触したＲｕＯ２粒３ａによる凝集構造を有し、凝集構造の隙間にＳｉＯ２が介在しており、厚さが１００〜１０００ｎｍであるので、互いに接触したＲｕＯ２粒３ａの凝集構造により十分な導電性が確保されていると共に、ポーラスな構造中の隙間に介在したＳｉＯ２が凝集構造のバインダーとして機能している。したがって、薄い導電性中間層４でも低抵抗が得られ、ヒートサイクル試験等において導電性中間層４と電極層５と間の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能である。
【００２６】
さらに、本実施形態のサーミスタ素子１は、上記ヒートサイクル試験前後で、２５℃での抵抗値の変化率が２．５％未満であるので、温度変化の大きい環境でも安定した温度測定が可能であり、高い信頼性を有している。
【００２７】
また、本実施形態のサーミスタ素子の製造方法では、ガラスフリットを含まないＲｕＯ２分散液で予めＲｕＯ２粒３ａ同士が互いに密着したＲｕＯ２層３を形成した後に、バインダーとしてＳｉＯ２をＲｕＯ２粒３ａの隙間に介在させることで、ＲｕＯ２粒３ａ同士の接触面積を多く確保し、かつ、融けたガラスフリットがＲｕＯ２粒３ａ同士の接触面に入り込んで接触を阻害して高抵抗化することがないので、導電性中間層４の低抵抗化を図ることができる。なお、ガラスフリットを含むＲｕＯ２ペーストで形成した従来の中間層では、ガラスフリットが邪魔してＲｕＯ２粒３ａ同士が十分に密着できない。
【００２８】
また、本実施形態のサーミスタ素子の製造方法では、ペーストよりも粘度が低いＲｕＯ２分散液を塗布するため、ペーストで形成するよりも薄い導電性中間層４を形成することができる。さらに、サーミスタ素体２に直接多くのＲｕＯ２粒３ａが密着したＲｕＯ２層３を予め形成するので、低抵抗の導電性中間層４が得られ、ヒートサイクル試験等において電極の剥離が進行しても、抵抗値の増大を抑制可能である。
【００２９】
また、貴金属を含む貴金属ペーストを導電性中間層４に塗布する工程と、塗布した貴金属ペーストを加熱して焼き付けて貴金属の電極層５を形成する工程とを有しているので、貴金属ペーストを焼き付ける際に、ＲｕＯ２粒３ａ同士の密着がより強くなる。また、シリカゾルゲル液で埋めきれなかったＲｕＯ２粒３ａ同士の隙間にＳｉＯ２が溶けて浸透することで、バインダーとしてより強固にＲｕＯ２粒３ａ同士を固定し、安定した導電性中間層４を得ることができる。
【００３０】
さらに、ＲｕＯ２層３の厚さを、１００〜１０００ｎｍとするので、薄膜で十分な抵抗値の導電性中間層４が得られる。なお、ＲｕＯ２層３の厚さが１００ｎｍ未満であると、サーミスタ素体２との密着性が不十分になる場合がある。また、ＲｕＯ２層３の厚さは１０００ｎｍまでで十分な低抵抗と密着性が得られ、それを超える厚さを得るには必要以上にＲｕＯ２粒３ａを使用することになり、高コストになってしまう。
【実施例１】
【００３１】
上記実施形態に基づいて作製したサーミスタ素子１について、断面のＳＥＭ写真を図４に示すと共に、電極層形成前の断面状態及び導電性中間層の表面状態を示すＳＥＭ写真を図５及び図６に示す。
これらの写真からわかるように、ＲｕＯ２粒同士が接触及び密着した状態で導電性中間層を形成している。
【００３２】
また、作製したサーミスタ素子１の実施例は、寸法を１．０×１．０×０．２ｍｍとしたチップ状、すなわち全体のサイズが、平面視で１．０×１．０ｍｍであると共に、厚さが０．２ｍｍのチップサーミスタとした。
このサーミスタ素子１について、金メタライズされたＡｌＮ基板に箔状のＡｕ−Ｓｎはんだを用いてＮ２フロー中、３２５℃の条件で実装した。このサーミスタ素子を実装したＡｌＮ基板を配線がなされたプリント基板上に接着剤で固定し、Ａｕワイヤーボンディングによって評価回路を形成し、評価用のサンプルとした。
ヒートサイクル試験は、−５５℃で３０ｍｉｎと、２００℃で３０ｍｉｎとを１サイクルとし、これを２５サイクル及び５０サイクル繰り返したヒートサイクル試験前後で測定した、２５℃における抵抗値の変化率の結果を、表１及び図７に示す。このヒートサイクル試験では、−５５℃で３０ｍｉｎと２００℃で３０ｍｉｎとの間に、常温（２５℃）で３ｍｉｎを挟んで行っている。
なお、比較例として、本発明の導電性中間層を採用せず、サーミスタ素体上にＡｕペーストを直接塗布し、焼き付け処理したものを同様に、試験を行った結果も、表１及び図７に示す。なお、実施例、比較例のいずれも素子２０個について測定し、その平均値である。
【００３３】
これらのヒートサイクル試験の結果からわかるように、比較例では、いずれも抵抗値が著しく増大しているのに対し、上記製法による導電性中間層を採用した本発明の実施例では、いずれも抵抗率の変化が僅かであった。これはヒートサイクル試験によって電極の剥離が拡がって電極の剥離率が高くなるのに伴って、比較例では、抵抗値が高い中間層を有しているために、抵抗値が顕著に増大しているのに対し、本発明の実施例では、電極の剥離が生じても、導電性中間層が低抵抗であるために抵抗値の増大が抑制されているものと考えられる。これらの試験結果は、電極の剥離率の変化に伴う抵抗率変化のシミュレーション結果とも合致している。
【００３４】
【表１】
2018014413.tif 000003
【００３５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１…サーミスタ素子、２…サーミスタ素体、３…ＲｕＯ２層、３ａ…ＲｕＯ２粒、４…導電性中間層、５…電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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