(57)【要約】      （修正有）【課題】電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、窒化物半導体層１６と、窒化物半導体層１６の上の絶縁層２２と、窒化物半導体層１６内に位置する第１の領域１６ａと、窒化物半導体層１６内の第１の領域１６ａと絶縁層２２との間に位置し、第１の領域１６ａよりも電気抵抗率の大きい第２の領域１６ｂと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の絶縁層と、
前記窒化物半導体層内に位置する第１の領域と、
前記窒化物半導体層内の前記第１の領域と前記絶縁層との間に位置し、前記第１の領域よりも電気抵抗率の大きい第２の領域と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記窒化物半導体層が、第１の半導体領域と前記第１の半導体領域よりもバンドギャップの大きい第２の半導体領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域が前記２の半導体領域内に位置する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体領域が窒化ガリウムであり、前記第２の半導体領域が窒化アルミニウムガリウムである請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の領域に、窒素原子の格子位置に存在する２個の酸素原子を有する請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層が酸化シリコンを含む請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記窒化物半導体層がガリウム（Ｇａ）を含む請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記窒化物半導体層に接する第１の電極と、
前記窒化物半導体層に接する第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、前記窒化物半導体層との間に前記絶縁層を挟むゲート電極と、を更に備える請求項１乃至請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の絶縁層と、
前記窒化物半導体層内の前記絶縁層の側に位置し、窒素原子の格子位置に存在する２個の酸素原子を有する領域と、
を備える半導体装置。
【請求項９】
前記窒化物半導体層の結晶構造を構成する窒素原子以外の原子を原子Ｘとした場合に、前記領域中に、酸素原子と結合するボンドと、ダングリングボンドとを有する原子Ｘが存在する請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記窒化物半導体層を構成する窒素原子以外の原子を原子Ｘとした場合に、前記領域中に、酸素原子と結合する２つのボンドを有する原子Ｘが存在する請求項８又は請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記原子Ｘと結合する酸素原子が、前記２個の酸素原子のいずれか一方である請求項９又は請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記原子Ｘがガリウム（Ｇａ）原子又はアルミニウム（Ａｌ）原子である請求項９乃至請求項１１いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記２個の酸素原子のいずれか一方と結合するシリコン（Ｓｉ）原子、ゲルマニウム（Ｇｅ）原子、チタン（Ｔｉ）原子、ジルコニウム（Ｚｒ）原子、ハフニウム（Ｈｆ）原子、又は、鉄（Ｆｅ）原子を有する請求項８記載の半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３いずれか一項記載の半導体装置を備える電源回路。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３いずれか一項記載の半導体装置を備えるコンピュータ。
【請求項１６】
窒化物半導体層の上に第１の絶縁層を形成し、
酸素を含有する雰囲気中、前記窒化物半導体層の酸化量が１ｎｍ以下となる条件で熱処理を行い、
前記窒化物半導体層に酸素を含む領域を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記熱処理の温度は、４００℃以上１０５０℃以下である請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記熱処理の後、前記第１の絶縁層を剥離し、
前記窒化物半導体層の上に第２の絶縁層を形成する請求項１６又は請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記熱処理により、前記窒化物半導体層の窒素原子の格子位置に２個の酸素原子を導入する請求項１６乃至請求項１８いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記雰囲気中に酸素分子が含まれる請求項１６乃至請求項１９いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置、電源回路、コンピュータ、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング電源やインバータなどの回路には、スイッチング素子やダイオードなどの半導体素子が用いられる。これらの半導体素子には高耐圧・低オン抵抗が求められる。そして、耐圧とオン抵抗の関係は、素子材料で決まるトレードオフ関係がある。
【０００３】
これまでの技術開発の進歩により、半導体素子は、主な素子材料であるシリコンの限界近くまで低オン抵抗が実現されている。耐圧を更に向上させたり、オン抵抗を更に低減させたりするには、素子材料の変更が必要である。
【０００４】
窒化ガリウム（ＧａＮ）や窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）などのＧａＮ系半導体は、シリコンよりもバンドギャップが大きい。ＧａＮ系半導体をスイッチング素子材料として用いることで、材料で決まるトレードオフ関係を改善でき、飛躍的な高耐圧化や低オン抵抗化が可能である。
【０００５】
しかし、例えば、ＧａＮ系半導体を用いたスイッチング素子では、高いドレイン電圧を印加した際に、オン抵抗が増大する「電流コラプス」という問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｙ．Ｓａｋａｉｄａ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｏｌｌａｐｓｅ  ｉｎ  ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴｓ  ｂｙ  Ｏ２  ｐｌａｓｍａ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ”，ＣＳ  ＭＡＮＴＥＣＨ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．１９７−２００．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、電流コラプスの抑制が可能な半導体装置、電源回路、コンピュータ、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の半導体装置は、窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の上の絶縁層と、前記窒化物半導体層内に位置する第１の領域と、前記窒化物半導体層内の前記第１の領域と前記絶縁層との間に位置し、前記第１の領域よりも電気抵抗率の大きい第２の領域と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図２】第１の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図３】第１の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図４】第１の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図５】第１の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図６】第１の実施形態の半導体装置及びその製造方法の作用及び効果の説明図。
【図７】第１の実施形態の半導体装置及びその製造方法の作用及び効果の説明図。
【図８】第１の実施形態の半導体装置及びその製造方法の作用及び効果の説明図。
【図９】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の作用を示す図。
【図１０】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の作用を示す図。
【図１１】第２の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図１２】第２の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図１３】第２の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図１４】第２の実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図。
【図１５】第３の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図１６】第４の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図１７】第５の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図１８】第６の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図１９】第７の実施形態のコンピュータの模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【００１１】
本明細書中、「ＧａＮ系半導体」とは、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）及びそれらの中間組成を備える半導体の総称である。
【００１２】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【００１３】
（第１の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上の絶縁層と、窒化物半導体層内に位置する第１の領域と、窒化物半導体層内の第１の領域と絶縁層との間に位置し、第１の領域よりも電気抵抗率の大きい第２の領域と、を備える。
【００１４】
また、本実施形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上の絶縁層と、窒化物半導体層内の絶縁層側に位置し、窒素原子の格子位置に存在する２個の酸素原子を有する領域と、を備える。
【００１５】
本実施形態の半導体装置は、上記構成により、窒化物半導体層と絶縁層との界面近傍に存在し、電子トラップとなる準位を低減できる。したがって、電子トラップに起因する電流コラプスの抑制が可能となる。
【００１６】
以下、窒化物半導体層の結晶構造を構成する窒素原子以外の原子を原子Ｘとした場合に、原子Ｘがガリウム（Ｇａ）又は、原子Ｘがガリウム（Ｇａ）及びアルミニウム（Ａｌ）である場合を例に説明する。すなわち、窒化物半導体層が窒化ガリウム、又は、窒化アルミニウムガリウムである場合を例に説明する。
【００１７】
図１は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＧａＮ系半導体を用いたＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００１８】
図１に示すように、ＨＥＭＴ（半導体装置）１００は、基板１０、バッファ層１２、チャネル層（第１の半導体領域）１４、バリア層（第２の半導体領域）１６、ソース電極（第１の電極）１８、ドレイン電極（第２の電極）２０、絶縁層２２、ｐ型層２４、ゲート電極２８を備える。
【００１９】
チャネル層（第１の半導体領域）１４と、バリア層（第２の半導体領域）１６と、窒化物半導体層である。バリア層１６は、低抵抗領域（第１の領域）１６ａ、高抵抗領域（第２の領域）１６ｂを備える。
【００２０】
基板１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）で形成される。基板１０には、シリコン以外にも、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）や炭化珪素（ＳｉＣ）を適用することも可能である。
【００２１】
基板１０上に、バッファ層１２が設けられる。バッファ層１２は、基板１０とチャネル層１４との間の格子不整合を緩和する機能を備える。バッファ層１２は、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＷＧａ１−ＷＮ（０＜Ｗ＜１））の多層構造で形成される。
【００２２】
バッファ層１２上に、チャネル層１４が設けられる。チャネル層１４は電子走行層とも称される。チャネル層１４は、例えば、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）である。より具体的には、例えば、ＧａＮである。チャネル層１４の厚さは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２３】
チャネル層１４上に、バリア層１６が設けられる。バリア層１６は電子供給層とも称される。バリア層１６のバンドギャップは、チャネル層１４のバンドギャップよりも大きい。バリア層１６は、例えば、ＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）である。より具体的には、例えば、Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎである。バリア層１６の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００２４】
チャネル層１４とバリア層１６との間は、ヘテロ接合界面となる。ＨＥＭＴ１００のヘテロ接合界面に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されキャリアとなる。
【００２５】
バリア層１６は、低抵抗領域１６ａと高抵抗領域１６ｂを備える。高抵抗領域１６ｂは、バリア層１６の絶縁層２２側に位置する。
【００２６】
高抵抗領域１６ｂの電気抵抗率は、低抵抗領域１６ａの電気抵抗率よりも大きい。電気抵抗率の大小関係は、例えば、拡がり抵抗測定（Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：ＳＲＡ）、又は、走査型拡がり抵抗顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＳＲＭ）により判定することが可能である。
【００２７】
低抵抗領域１６ａの電気抵抗率の低下は、キャリア濃度が高抵抗領域１６ｂよりも高いことに起因する。したがって、電気抵抗率の大小関係は、例えば、キャリア濃度の大小を判定できる走査型キャパシタンス顕微鏡（Ｓｃａｎｎｎｉｎｇ  Ｃａｐａｃｉｔａｍｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＣＭ）により判定することが可能である。
【００２８】
低抵抗領域１６ａには、例えば、窒化アルミニウムガリウム中の窒素欠陥（以下ＶＮとも表記）が存在する。窒素欠陥はドナーとして機能する。したがって、窒素欠陥の存在により、窒化アルミニウムガリウムがｎ型化する。よって、低抵抗領域１６ａの電気抵抗率が小さくなる。
【００２９】
高抵抗領域１６ｂは、窒素原子の格子位置に存在する２個の酸素原子（以下、ＶＮＯＯとも表記）を有する。例えば、窒化アルミニウムガリウム中の窒素原子の格子位置に２個の酸素原子が入っている。窒素原子の格子位置に入った２個の酸素原子はアクセプタとして機能する。
【００３０】
高抵抗領域１６ｂでは、ドナーとして機能するＶＮと、アクセプタとして機能するＶＮＯＯが相互作用により、低抵抗領域１６ａよりもキャリア濃度が低下する。したがって、高抵抗領域１６ｂの電気抵抗率が、低抵抗領域１６ａよりも大きくなる。
【００３１】
高抵抗領域１６ｂでは、ＶＮとＶＮＯＯとが近接して存在する。高抵抗領域１６ｂでは、ＶＮとＶＮＯＯとが、電気的に相互作用が生じる程度に近接する。
【００３２】
バリア層１６を構成する窒素原子以外の原子を原子Ｘとする。この場合、ＨＥＭＴ１００では、高抵抗領域１６ｂ中に、酸素原子と結合するボンドと、ダングリングボンドとを有する上記原子Ｘが存在する。原子Ｘと結合する酸素原子は、ＶＮＯＯを形成する２個の酸素原子のいずれか一方である。原子Ｘが、酸素原子と結合するボンドとダングリングボンドとを有することにより、ＶＮＯＯとＶＮが最も近接した構造となる。言い換えれば、ＶＮＯＯ、原子Ｘ、及び、ＶＮが複合体を形成している。
【００３３】
高抵抗領域１６ｂ中の原子Ｘと酸素原子との結合、原子Ｘのダングリングボンドの存在、ＶＮＯＯ、原子Ｘ、及び、ＶＮの複合体の存在は、例えば、Ｘ線電子分光（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）、赤外分光法（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、又は、ラマン分光法により測定することが可能である。
【００３４】
高抵抗領域１６ｂ中の酸素の濃度は、例えば、１×１０１９ｃｍ−３以上である。高抵抗領域１６ｂ中の酸素の濃度は、例えば、二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＩＭＳ）により測定することが可能である。
【００３５】
例えば、原子Ｘがガリウム（Ｇａ）原子である場合、１個のガリウム原子がＶＮＯＯのいずれか一方の酸素原子と結合し、且つ、ダングリングボンドを有する。また、原子Ｘがアルミニウム（Ａｌ）原子である場合、１個のアルミニウム原子がＶＮＯＯの１個の酸素原子と結合し、且つ、ダングリングボンドを有する。
【００３６】
高抵抗領域１６ｂの厚さは、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００３７】
高抵抗領域１６ｂ上に絶縁層２２が設けられる。絶縁層２２は、ＨＥＭＴ１００のゲート絶縁層として機能する。
【００３８】
絶縁層２２は、例えば、酸化シリコンである。絶縁層２２は、例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンであっても構わない。また、絶縁層２２は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び、酸窒化シリコンから選ばれる材料の積層構造であっても構わない。
【００３９】
絶縁層２２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００４０】
バリア層１６上には、ソース電極１８とドレイン電極２０が形成される。ソース電極１８とドレイン電極２０は、低抵抗領域１６ａに接する。
【００４１】
ソース電極１８とドレイン電極２０は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造である。
【００４２】
ソース電極１８及びドレイン電極２０と、バリア層１６との間は、オーミックコンタクトであることが望ましい。ソース電極１８とドレイン電極２０との距離は、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００４３】
ソース電極１８とドレイン電極２０の間の絶縁層２２上に、ｐ型層２４が設けられる。ｐ型層２４は、ＨＥＭＴ１００の閾値を上昇させる機能を有する。ｐ型層２４を設けることにより、ＨＥＭＴ１００をノーマリーオフトランジスタとすることが可能となる。
【００４４】
ｐ型層２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）がｐ型不純物として添加されたｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）である。ｐ型層２４は、例えば、多結晶質である。
【００４５】
ｐ型層２４上には、ゲート電極２８が設けられる。ゲート電極２８は、例えば、金属電極である。ゲート電極２８は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）である。
【００４６】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。図２〜図５は、本実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図である。
【００４７】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体層の上に第１の絶縁層を形成し、酸素を含有する雰囲気中、窒化物半導体層の酸化量が１ｎｍ以下となる条件で熱処理を行い、窒化物半導体層に酸素を含む領域を形成する。
【００４８】
まず、基板１０、例えば、Ｓｉ基板を準備する。次に、例えば、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長により、バッファ層１２を成長させる。
【００４９】
バッファ層１２は、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＷＧａ１−ＷＮ（０＜Ｗ＜１））の多層構造である。例えば、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりバッファ層１２を成長させる。
【００５０】
次に、バッファ層１２上に、チャネル層１４となる窒化ガリウム、バリア層１６となる窒化アルミニウムガリウムをエピタキシャル成長により形成する（図２）。窒化アルミニウムガリウムは、例えば、Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎの組成を有する。例えば、ＭＯＣＶＤ法により、チャネル層１４、バリア層１６を成長させる。
【００５１】
次に、バリア層１６上に、絶縁層（第１の絶縁層）２２を形成する（図３）。絶縁層２２は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される酸化シリコンである。
【００５２】
次に、酸素を含有する雰囲気中、バリア層１６の酸化量が１ｎｍ以下となる条件で熱処理を行う。雰囲気中には、例えば、酸素は酸素分子の状態で含まれる。バリア層１６の酸化量が１ｎｍ以下であるか否かは、熱処理の前後で、絶縁層２２の厚さを測定することで判断できる。
【００５３】
熱処理の雰囲気は、例えば、ドライ酸素雰囲気である。熱処理の温度は、例えば、４００℃以上１０５０℃以下である。
【００５４】
熱処理により、バリア層１６の絶縁層２２側に、高抵抗領域１６ｂが形成される（図４）。高抵抗領域１６ｂの下のバリア層１６は、高抵抗領域１６ｂよりも電気抵抗率の小さい低抵抗領域１６ａとなる。
【００５５】
高抵抗領域１６ｂは、バリア層１６の窒素原子の格子位置に２個の酸素原子を導入することにより形成される。例えば、バリア層１６の窒素欠陥（ＶＮ）に２個の酸素原子が導入される。
【００５６】
次に、絶縁層２２上に、ｐ型層２４及びゲート電極２８を形成する（図５）。
【００５７】
次に、バリア層１６上に、ソース電極１８及びドレイン電極２０を形成する。ソース電極１８及びドレイン電極２０を形成する際、高抵抗領域１６ｂをエッチングにより除去する。
【００５８】
ソース電極１８及びドレイン電極２０は、低抵抗領域１６ａに接するよう形成する。ソース電極１８及びドレイン電極２０は、ゲート電極２８を間に挟んで形成される。
【００５９】
以上の製造方法により、図１に示すＨＥＭＴ１００が形成される。
【００６０】
以下、本実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法の作用及び効果について説明する。図６〜図８は、本実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法の作用の説明図である。以下、窒化物半導体として、窒化ガリウムを例に説明する。
【００６１】
図６は、窒素欠陥（ＶＮ）の説明図である。図６（ａ）は窒化ガリウム中のＶＮの模式図である。図６（ｂ）は、第１原理計算により求めたＶＮにより形成される準位の説明図である。
【００６２】
窒化ガリウム中のＶＮは、図６（ａ）に示されるように、窒化ガリウムから窒素原子が離脱することにより形成される。ＶＮに隣接するガリウム原子はダングリングボンドを有することになる。ＶＮは窒化ガリウム中でドナーとして機能する。
【００６３】
第１原理計算によって、図６（ｂ）に示すようにＶＮは、窒化ガリウムのバンドギャップ中に準位を形成することが明らかになった。図６（ｂ）中、黒丸は準位に電子が埋まった状態、白丸は準位に電子が埋まっていない状態を示す。
【００６４】
ＨＥＭＴにおいて電流コラプスが生じる一つの要因は、バンドギャップ中の準位に電子がトラップされることで、２ＤＥＧの密度が変化することにあると考えられる。一般に、窒化ガリウム内には、ＶＮが存在する。ＶＮの密度は、特に、バリア層１６と絶縁層２２の界面近傍で高いと考えられる。また、バリア層１６と絶縁層２２の界面には、ガリウム原子のダングリングボンドが存在する。
【００６５】
例えば、ＶＮで形成された準位に電子がトラップされると、ＶＮが負に帯電することになる。したがって、例えば、ＶＮ直下の２ＤＥＧ密度が減少する。したがって、電流コラプスが生じる。
【００６６】
また、ゲート電極２８の直下のＶＮに電子がトラップされると、ＨＥＭＴ１００の閾値電圧が変動する。
【００６７】
なお、バリア層１６と絶縁層２２の界面に存在するガリウム原子のダングリングボンドはＶＮと同様の準位を形成する。したがって、バリア層１６と絶縁層２２の界面に存在するガリウム原子のダングリングボンドによっても、ＶＮと同様の作用が生ずる。
【００６８】
図７は、窒素原子の格子位置に存在する２個の酸素原子（ＶＮＯＯ）の説明図である。図７（ａ）は窒化ガリウム中のＶＮＯＯの模式図である。図７（ｂ）は、第１原理計算により求めたＶＮＯＯにより形成される準位の説明図である。
【００６９】
窒化ガリウム中のＶＮＯＯは、図７（ａ）に示されるように、窒化ガリウム中のＶＮに２個の酸素原子が導入されることにより形成される。２個の酸素原子のそれぞれが隣接する２個のガリウム原子と結合することになる。ＶＮＯＯは窒化ガリウム中でアクセプタとして機能する。
【００７０】
第１原理計算によれば、図７（ｂ）に示すようにＶＮＯＯは、窒化ガリウムのバンドギャップ中に準位を形成することが明らかになった。図７（ｂ）中、黒丸は準位が電子で埋まった状態、白丸は準位が電子で埋まっていない状態を示す。
【００７１】
図８は、ＶＮとＶＮＯＯが共存する場合の説明図である。図８（ａ）は窒化ガリウム中のＶＮとＶＮＯＯの模式図である。図８（ｂ）は、第１原理計算により求めたＶＮとＶＮＯＯが共存する場合の準位の説明図である。
【００７２】
図８（ａ）は、窒化ガリウム中にＶＮとＶＮＯＯが共存する場合の、ＶＮとＶＮＯＯが最も近接した状態を示す。言い換えれば、１個のガリウム原子がダングリングボンドを有し、且つ、ＶＮＯＯのいずれか一方の酸素原子と結合する状態を示す。
【００７３】
第１原理計算によれば、図８（ｂ）に示すように、ＶＮとＶＮＯＯが共存する場合、ＶＮの準位から電子がＶＮＯＯの準位に移動した構造が安定となることが明らかとなった。この際、ＶＮにより形成されていた準位は伝導帯内に移動し、ＶＮＯＯにより形成されていた準位は価電子帯内に移動する。したがって、窒化ガリウムのバンドギャップ内の準位が消滅する。
【００７４】
本実施形態では、窒化ガリウム中にＶＮＯＯを設ける。ＶＮＯＯとＶＮとの相互作用、ＶＮＯＯとバリア層１６と絶縁層２２の界面のダングリングボンドとの相互作用により、窒化ガリウムのバンドギャップ内の準位が消滅する。したがって、電子のトラップが抑制される。よって、電流コラプスの抑制が可能となる。
【００７５】
また、ＶＮとＶＮＯＯが共存する場合、ドナー準位とアクセプタ準位が消滅することで、キャリアが相殺され、キャリア濃度が低下する。したがって、窒化ガリウムの電気抵抗率が大きくなる。
【００７６】
窒化ガリウム中のＶＮの量は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下程度であると考えられる。ＶＮＯＯと複合体を形成しない余剰のＶＮが存在すると、残存したＶＮのバンドギャップ中の準位により、電流コラプス、閾値電圧の変動が生じる恐れがある。
【００７７】
余剰のＶＮ生じないようにする観点から、高抵抗領域１６ｂ中の酸素の濃度は２×１０１９ｃｍ−３以上であることが望ましく、２×１０２０ｃｍ−３以上であることがより望ましい。
【００７８】
また、ゲート電極２８直下での電子のトラップが抑制されることにより、閾値電圧の変動が抑制される。
【００７９】
図９は、本実施形態の半導体装置の製造方法の作用を示す図である。
【００８０】
窒化ガリウム中に、図９（ａ）に示すようなＶＮが存在すると仮定する。図９（ｂ）に示すように、酸素雰囲気中での熱処理により窒化ガリウムに２個の酸素を酸素分子の状態で供給する。
【００８１】
図９（ｃ）に示すように、酸素分子はＶＮに導入されＶＮＯＯを形成する。言い換えれば、窒化ガリウムの窒素原子の格子位置に２個の酸素原子が導入される。２個の酸素原子のそれぞれが、２個のガリウムと結合する。
【００８２】
第１原理計算によれば、ＶＮＯＯとＶＮとが近接することで系のエネルギーが小さくなり、安定な構造となる。したがって、図９（ｄ）に示すように、熱処理によりＶＮＯＯとＶＮが近接した構造が形成される。具体的には、例えば、１個のガリウム原子がダングリングボンドを有し、且つ、ＶＮＯＯのいずれか一方の酸素原子と結合する構造が形成される。
【００８３】
以上、図６〜図９では、窒化物半導体層を構成する窒素原子以外の原子である原子Ｘがガリウムである場合を例に説明した。すなわち、窒化物半導体層が窒化ガリウムである場合を例に説明した。しかし、窒化ガリウムのガリウム原子の一部或いは全部がアルミニウム又はインジウムで置換されたその他のＧａＮ系半導体であっても、窒化ガリウムと同様の作用が生じる。すなわち、原子Ｘがアルミニウム又はインジウムであっても原子Ｘがガリウムである場合と同様の作用が生じる。
【００８４】
本実施形態において、ＶＮＯＯを形成する際の、酸素雰囲気中の熱処理は、実質的に窒化アルミニウムガリウムが酸化されない条件で行われることが望ましい。具体的には、バリア層１６上に絶縁層２２を形成した後、酸素を含有する雰囲気中、バリア層１６の酸化量が１ｎｍ以下となる条件で熱処理を行う。
【００８５】
熱処理により窒化アルミニウムガリウムの酸化が進行しないように、バリア層１６上に絶縁層２２を形成した後に熱処理を行う。バリア層１６を直接、酸素雰囲気中に晒すと、バリア層１６の表面が酸化されるからである。
【００８６】
また、熱処理の雰囲気中には酸素分子が含まれることが望ましい。バリア層１６に酸素が、２個の酸素原子がペアとなる酸素分子として供給されることにより、ＶＮＯＯ構造が容易に形成されるからである。
【００８７】
例えば、プラズマ状態の酸素がバリア層１６に供給される場合、酸素原子が単体で供給される。このため、同一の窒素原子の格子位置に２個の酸素原子を導入することが困難である。
【００８８】
窒素原子の格子位置に１個の酸素原子が存在する構造（以下、ＶＮＯとも表記）は、窒化物半導体中でドナーとして機能する。したがって、ＶＮと共存した場合でもドナー同士の共存となり、窒化物半導体の電気抵抗率が大きくなることはない。また、ＶＮとの相互作用によるバンドギャップ内の準位の低減も生じない。
【００８９】
熱処理の温度は、４００℃以上１０５０℃以下であることが望ましい。上記範囲を上回ると、バリア層１６上に絶縁層２２を設けてもバリア層１６の窒化アルミニウムガリウムが酸化される恐れがある。また、上記範囲を上回ると、酸素分子が酸素原子に乖離してバリア層１６に供給され、ＶＮＯＯの形成が困難となる。窒化アルミニウムガリウムが酸化されたり、酸素分子が酸素原子に乖離してバリア層１６に供給されたりする場合、ＶＮＯＯに代えてＶＮＯが形成されやすくなる。
【００９０】
熱処理の温度が、上記範囲を下回ると、酸素が絶縁層２２を拡散しない恐れがある。熱処理の温度は、５５０℃以上９００℃以下であることがより望ましい。
【００９１】
酸素雰囲気中の熱処理の後に、１００℃未満の低温にて酸素プラズマを含む処理、例えば、室温（２０℃）でのオゾン（Ｏ３）処理を行うことで、より安定なＶＮＯＯ構造を形成することが可能である。これは、ＶＮＯ構造が残留していた場合に、ＶＮＯＯ構造へと進めることが出来るためである。それに伴い、一部の窒素を放出して、高抵抗化に必要なＶＮ構造が生成されることになる。よって、酸素雰囲気中の熱処理の後に低温のオゾン処理を行うことが望ましい。
【００９２】
図１０は、本実施形態の変形例の説明図である。図１０（ａ）は、ＶＮＯＯとＶＮＯとが共存する場合の模式図、図１０（ｂ）は、ＶＮＯＯと窒化ガリウムのガリウム位置にシリコン原子が存在する構造が共存する場合の模式図である。
【００９３】
ＶＮＯは、窒化物半導体中でドナーとして機能する。第１原理計算によれば、図１０（ａ）のように、ＶＮＯＯとＶＮＯとが共存する場合も、ＶＮＯＯとＶＮが共存する場合と同様、相互作用によりバンドギャップ内の準位が消滅する。
【００９４】
また、窒素原子の格子位置に、酸素原子と同様、２価のイオウ（Ｓ）原子、セレン（Ｓｅ）原子、及び、テルル（Ｔｅ）原子から選ばれる原子のいずれか１個が存在する構造も、ＶＮＯＯと共存することでＶＮと同様の作用及び効果を発現する。
【００９５】
窒化ガリウムのガリウム位置にシリコン原子が存在する構造は、窒化物半導体中でドナーとして機能する。また、第１原理計算によれば、図１０（ｂ）のように、ＶＮＯＯと窒化ガリウムのガリウム位置にシリコン原子が存在する構造とが共存する場合も、ＶＮＯＯとＶＮが共存する場合と同様、相互作用によりバンドギャップ内の準位が消滅する。
【００９６】
また、窒化ガリウムのガリウム位置に、シリコン原子と同様、ゲルマニウム（Ｇｅ）原子、チタン（Ｔｉ）原子、ジルコニウム（Ｚｒ）原子、ハフニウム（Ｈｆ）原子、及び、鉄（Ｆｅ）原子のいずれ１個が存在する構造も、ＶＮＯＯと共存することでＶＮと同様の作用・効果を発現する。
【００９７】
イオウ（Ｓ）原子、セレン（Ｓｅ）原子、テルル（Ｔｅ）原子、シリコン（Ｓｉ）原子、ゲルマニウム（Ｇｅ）原子、チタン（Ｔｉ）原子、ジルコニウム（Ｚｒ）原子、ハフニウム（Ｈｆ）原子、鉄（Ｆｅ）原子等は、例えば、イオン注入や堆積膜からの固相拡散によりバリア層１６に導入することが可能である。
【００９８】
本実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。
【００９９】
（第２の実施形態）
本実施形態の半導体装置の製造方法は、熱処理の後、第１の絶縁層を剥離し、窒化物半導体層上に第２の絶縁層を形成する点以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
【０１００】
図１１〜図１４は、本実施形態の製造途中の半導体装置の模式断面図である。
【０１０１】
まず、基板１０上に、バッファ層１２、チャネル層１４、バリア層１６を成長させるまでは、第１の実施形態と同様である。
【０１０２】
次に、バリア層１６上に、絶縁層（第１の絶縁層）２１を形成する（図１１）。絶縁層２１は、例えば、ＣＶＤ法により形成される酸化シリコンである。
【０１０３】
次に、酸素を含有する雰囲気中、バリア層１６の酸化量が１ｎｍ以下となる条件で熱処理を行う。バリア層１６の酸化量が１ｎｍ以下であるか否かは、熱処理の前後で、絶縁層２１の厚さを測定することで判断できる。
【０１０４】
熱処理の雰囲気は、例えば、ドライ酸素雰囲気である。熱処理の温度は、例えば、４００℃以上１０５０℃以下である。
【０１０５】
熱処理により、バリア層１６の絶縁層２１側に、高抵抗領域１６ｂが形成される（図１２）。高抵抗領域１６ｂの下のバリア層１６は、高抵抗領域１６ｂよりも電気抵抗率の小さい低抵抗領域１６ａとなる。
【０１０６】
高抵抗領域１６ｂは、バリア層１６の窒素原子の格子位置に２個の酸素原子を導入することにより形成される。例えば、バリア層１６の窒素欠陥に２個の酸素原子を導入する。絶縁層２１内に、例えば、バリア層１６中のガリウム又はアルミニウムが拡散する。
【０１０７】
次に、絶縁層２１をウェットエッチングにより剥離する（図１３）。絶縁層２１は、高抵抗領域１６ｂが残存する条件で剥離する。
【０１０８】
次に、高抵抗領域１６ｂ上に絶縁層（第２の絶縁層）２２を形成する（図１４）。絶縁層２２は、例えば、ＣＶＤ法により形成される酸化シリコンである。
【０１０９】
次に、絶縁層２２上に、ｐ型層２４及びゲート電極２８を形成する。次に、バリア層１６上に、ソース電極１８及びドレイン電極２０を形成する。
【０１１０】
以上の製造方法により、図１に示すＨＥＭＴ１００が形成される。
【０１１１】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、高抵抗領域１６ｂの形成の際に絶縁層２１中に取り込まれる不純物を、絶縁層２１の剥離により除去する。不純物は、例えば、ガリウムやアルミニウムである。ガリウムやアルミニウム等の不純物は、絶縁層中に準位を形成して電子をトラップし、デバイス特性の変動の要因となり得る。
【０１１２】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。また、絶縁層中からガリウムやアルミニウム等の不純物を除去することが可能となり、デバイス特性の変動を抑制することが可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。
【０１１３】
（第３の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、ｐ型層が窒化物半導体層に接すること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
【０１１４】
図１５は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＧａＮ系半導体を用いたＨＥＭＴである。
【０１１５】
ＨＥＭＴ（半導体装置）２００は、ｐ型層２４がバリア層１６に接して設けられる。ｐ型層２４は、低抵抗領域１６ａに接する。ｐ型層２４は、例えば、単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）である。
【０１１６】
本実施形態の半導体装置によれば、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。また、ゲート絶縁層を備えないため、閾値電圧の変動が生じにくい。
【０１１７】
（第４の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、ゲート電極が窒化物半導体層に接すること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
【０１１８】
図１６は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＧａＮ系半導体を用いたＨＥＭＴである。
【０１１９】
ＨＥＭＴ（半導体装置）３００は、ゲート電極２８がバリア層１６に接して設けられる。ゲート電極２８は、低抵抗領域１６ａに接する。
【０１２０】
ゲート電極２８は、例えば、金属電極である。ゲート電極２８は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）である。
【０１２１】
ゲート電極２８とバリア層１６との間の接合は、ショットキー接合である。ＨＥＭＴ３００はノーマリーオントランジスタである。
【０１２２】
本実施形態の半導体装置によれば、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。また、ゲート絶縁層を備えないため、閾値電圧の変動が生じにくい。また、構造が簡易なため、製造が容易である。
【０１２３】
（第５の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、バリア層に形成された溝（リセス）内にゲート電極が埋め込まれる、いわゆるゲート・リセス構造を備えること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については記述を省略する。  
【０１２４】
図１７は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【０１２５】
ＨＥＭＴ（半導体装置）４００は、ソース電極１８とドレイン電極２０の間のバリア層１６に設けられた溝（リセス）３０の内面に、高抵抗領域１４ｂ、高抵抗領域１６ｂ及び絶縁層２２とが形成される。
【０１２６】
溝３０の底部はチャネル層１４内に位置する。溝３０の底部の高抵抗領域１４ｂはチャネル層１４内に形成される。低抵抗領域１４ａと高抵抗領域１４ｂがチャネル層１４を形成する。
【０１２７】
本実施形態の半導体装置によれば、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。
また、ゲート・リセス構造を備えることにより、ノーマリーオフトランジスタの実現が容易となる。
【０１２８】
（第６の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、溝（リセス）下にバリア層が存在する点で、第５の実施形態と異なっている。以下、第５の実施形態と重複する内容については記述を省略する。  
【０１２９】
図１８は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。
【０１３０】
ＨＥＭＴ（半導体装置）５００は、溝３０の底部にバリア層１６が設けられる。バリア層１６は、チャネル層１４上に設けられる。溝３０の両側には、窒化物半導体の保護層１７が設けられる。保護層１７は、例えば、バリア層１６上に選択エピタキシャル成長により形成される。
【０１３１】
チャネル層１４は、例えば、ＧａＮである。バリア層１６は、例えば、膜厚が１０ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎである。保護層１７は、例えば、膜厚が２０ｎｍのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎである。
【０１３２】
ＨＥＭＴ５００は、溝（リセス）３０の内面に、高抵抗領域１６ｂ、及び、絶縁層２２が形成される。低抵抗領域１６ａと高抵抗領域１６ｂがバリア層１６を形成する。
【０１３３】
ソース電極１８とドレイン電極２０の間にも、絶縁層２２が形成される。また、バリア層１６と絶縁層２２との間に、低抵抗領域１７ａと高抵抗領域１７ｂが設けられる。
【０１３４】
ＨＥＭＴ５００は、ノーマリーオフトランジスタである。ＨＥＭＴ５００の閾値を上げるため、バッファ層１２とチャネル層１４との間の少なくとも一部に、チャネル層１４よりもバンドギャップが大きいＧａＮ系半導体のバックバリア層（図示せず）を設けることも可能である。バックバリア層は、例えば、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎである。バックバリア層はＭｇなどをドープすることで、ｐ型にしても良い。
【０１３５】
また、ＨＥＭＴ５００の閾値を上げるため、溝３０の底部にｐ型のＧａＮ系半導体のｐ型層（図示せず）を設けることも可能である。ｐ型層は、例えば、ｐ型のＧａＮである。
【０１３６】
本実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態同様、バンドギャップ中の準位を低減することにより、電流コラプスの抑制が可能となる。また、バンドギャップ中の準位を低減することにより、閾値電圧の変動の抑制が可能となる。よって、信頼性の向上した半導体装置が実現できる。
【０１３７】
（第７の実施形態）
本実施形態の電源回路及びコンピュータは、ＨＥＭＴを有する。
【０１３８】
図１９は、本実施形態のコンピュータの模式図である。本実施形態のコンピュータは、サーバ６００である。
【０１３９】
サーバ６００は筐体４０内に電源回路４２を有する。サーバ６００は、サーバソフトウェアを稼働させるコンピュータである。
【０１４０】
電源回路４２は、第１の実施形態のＨＥＭＴ１００を有する。ＨＥＭＴ１００に代えて、第３乃至第６の実施形態のＨＥＭＴ２００、ＨＥＭＴ３００、ＨＥＭＴ４００、ＨＥＭＴ５００を適用しても構わない。
【０１４１】
電源回路４２は、電流コラプスが抑制されたＨＥＭＴ１００を有することにより、高い信頼性を備える。また、サーバ６００は、電源回路４２を有することにより、高い信頼性を備える。
【０１４２】
本実施形態によれば、高い信頼性を備える電源回路及びコンピュータが実現できる。
【０１４３】
実施形態では、ＧａＮ系半導体層の材料としてＧａＮやＡｌＧａＮを例に説明したが、例えば、インジウム（Ｉｎ）を含有するＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮを適用することも可能である。また、ＧａＮ系半導体層の材料としてＡｌＮを適用することも可能である。
【０１４４】
また、実施形態では、ＨＥＭＴへの適用を例に説明したが、本発明はＨＥＭＴに限らず、その他のトランジスタ又はダイオード等のデバイスに適用することも可能である。
【０１４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４６】
１４      チャネル層（窒化物半導体層、第１の半導体領域）
１６      バリア層（窒化物半導体層、第２の半導体領域）
１６ａ    低抵抗領域（第１の領域）
１６ｂ    高抵抗領域（第２の領域、領域）
２１      絶縁層（第１の絶縁層）
２２      絶縁層（第１の絶縁層、第２の絶縁層）
４２      電源回路
１００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
２００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
３００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
４００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
５００    ＨＥＭＴ（半導体装置）
６００    コンピュータ
【図１】
2018014456.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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