(57)【要約】【課題】分解能の低下を抑制しつつ装置の小型化を図ることができる質量分析装置を提供する。【解決手段】仮想的な円筒上に互いに平行に配置された４本の棒状電極４１ａ〜４１ｄから構成された四重極電極系４１と、四重極電極系４１の端部に四重極電極系４１を構成する棒状電極４１ａ〜４１ｄのそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極４２ａ〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄから構成された第１及び第２の補助電極系４２，４３とを備え、補助電極系４２，４３の仮想内接円筒の半径に対する補助電極系４２，４３に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比よりも四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径に対する四重極電極系４１に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比が大きくなるように構成する。【選択図】  図１
2018014242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想円筒上に互いに平行に配置された２ｎ（ｎは２以上の整数）本の棒状電極から構成された多重極電極系と、
前記多重極電極系の少なくとも一端に配置され、前記多重極電極系を構成する複数の棒状電極のそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極から構成された補助電極系と、
前記多重極電極系および補助電極系にそれぞれ直流電圧および高周波電圧を印加する電圧制御部とを備え、
前記補助電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比よりも前記多重極電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記多重極電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比が大きくなるように構成されたことを特徴とする質量分析装置。
【請求項２】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系は、その内接円筒の半径が前記多重極電極系の内接円筒の半径以下になるように形成され、
前記電圧制御部は、前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさが前記多重極電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさよりも大きくなるように制御することを特徴とする質量分析装置。
【請求項３】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系は、その内接円筒の半径が前記多重極電極系の内接円筒の半径よりも小さくなるように形成され、
前記電圧制御部は、前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさと前記多重極電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさが同じになるように制御することを特徴とする質量分析装置。
【請求項４】
請求項３記載の質量分析装置において、
前記補助電極系と前記多重極電極系が動電位となるよう一体的に形成されたことを特徴とする質量分析装置。
【請求項５】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系は、前記多重極電極系において質量分析の対象となるイオン化された試料が入射される側の端部に配置されたことを特徴とする質量分析装置。
【請求項６】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系は、前記多重極電極系において質量分析の対象となるイオン化された試料が入射される側と反対側の端部に配置されたことを特徴とする質量分析装置。
【請求項７】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系は、前記多重極電極系の両端に配置されたことを特徴とする質量分析装置。
【請求項８】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記電圧制御部は、前記多重極電極系に印加される高周波電圧の角振動周波数を増加させるように制御することを特徴とする質量分析装置。
【請求項９】
請求項８記載の質量分析装置において、
前記電圧制御部は、さらに、質量分析の対象となるイオン化された試料の前記多重極電極系への入射エネルギーを低下させるように制御することを特徴とする質量分析装置。
【請求項１０】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系の長さは、前記多重極電極系と前記補助電極系とからなる電極全体の２０％以下であることを特徴とする質量分析装置。
【請求項１１】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比と前記多重極電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記多重極電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比の差が、前記補助電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比の２０％以下であることを特徴とする質量分析装置。
【請求項１２】
請求項１記載の質量分析装置において、
前記補助電極系に印加される直流電圧の大きさは、前記多重極電極系に印加される直流電圧の大きさ以下であることを特徴とする質量分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多重極電界を用いる質量分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多重極電界を用いた質量分析装置に関する技術として、例えば、特許文献１（特開平３−２３６１４９号公報）には、互いに平行支持された４本の電極棒からなる四重極電極系と、電極棒の少なくとも一方の端部に設けられた補助電極棒からなる補助電極系とを備え、電極棒に直流電圧Ｕと高周波交流電圧（ＶｃｏｓΩｔ）とを重畳してなる電圧（±（Ｕ＋ＶｃｏｓΩｔ））を印加するとともに補助電極棒に高周波電圧Ｖ’ｃｏｓΩｔのみを印加することによって四重極電極系の内部に電界を形成し、かつ、Ｕ／Ｖの被を一定に保ちながらＶを変化させることにより、四重極の軸心方向に沿って電界内に導入したイオンの質量分離を行う四重極質量分析装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−２３６１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、質量分析装置においては様々な使用環境に対応するための方策の一つとして小型化が望まれている。質量分析装置の小型化には装置の一定の割合を占める電極の小型化も必要となるが、単に電極棒を短くした場合にはイオンの分離において対象のイオンに作用する電界の長さも短くなってしまうため、質量分析装置における分解能が低下してしまうという課題があった。
【０００５】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、分解能の低下を抑制しつつ装置の小型化を図ることができる質量分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、仮想円筒上に互いに平行に配置された２ｎ（ｎは２以上の整数）本の棒状電極から構成された多重極電極系と、前記多重極電極系の少なくとも一端に配置され、前記多重極電極系を構成する複数の棒状電極のそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極から構成された補助電極系と、前記多重極電極系および補助電極系にそれぞれ直流電圧および高周波電圧を印加する電圧制御部とを備え、前記補助電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記補助電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比よりも前記多重極電極系の仮想内接円筒の半径に対する前記多重極電極系に印加される高周波電圧の振幅の大きさの比が大きくなるように構成されたものとする。
【発明の効果】
【０００７】
質量分析装置の分解能の低下を抑制しつつ装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態に係る質量分析装置の全体構成を模式的に示す図である。
【図２】第１の実施の形態における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。
【図３】図１の棒状電極の長手方向に対して垂直な面での位置Ａにおける断面図である。
【図４】図１の棒状電極の長手方向に対して垂直な面での位置Ｂにおける断面図である。
【図５】図１の棒状電極の長手方向に対して垂直な面での位置Ｃにおける断面図である。
【図６】ｘ軸方向及びｙ軸方向における試薬イオンの飛行軌道の安定性をａ−ｑ平面上に示した図である。
【図７】図６における要部を拡大して示す図である。
【図８】質量スペクトルデータの一例を示す図である。
【図９】四重極電極系を通過する試料イオンの振動回数と分解能の関係を示すシミュレーション結果である。
【図１０】四重極電極系単体における電位ポテンシャルのシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】電位ポテンシャルの実行長について説明する図である。
【図１２】第１の実施の形態における質量分析部における電位ポテンシャルのシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。
【図１４】第２の実施の形態における質量分析部の他の例を拡大して模式的に示す図である。
【図１５】第１の実施の形態の変形例における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。
【図１６】第２の実施の形態の変形例における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。
【図１７】第２の実施の形態の変形例における質量分析部の他の例を拡大して模式的に示す図である。
【図１８】第３の実施の形態における質量分析部を拡大するとともに、電極系に印加するオフセット電圧を模式的に示す図である。
【図１９】印加電圧調整処理を示すフローチャートである。
【図２０】その他の形態の変形例における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。
【図２１】その他の変形例における質量分析部の他の例を拡大して模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
＜第１の実施の形態＞
本発明の第１の形態を図１〜図１１を参照しつつ説明する。
【００１１】
図１は、本実施の形態に係る質量分析装置の全体構成を概略的に示す図である。
【００１２】
図１において、質量分析装置１１は、前処理部１、イオン化部２、イオン輸送部３、質量分析部４、イオン検出部５、データ処理部（ＣＰＵ）６、制御部７、電圧制御部８、ユーザ入力部９、表示部１０、及び記憶部１３から概略構成されている。
【００１３】
前処理部１は、質量分析の対象となる試料に対して前処理を実施し、時間的に分離・分画するものであり、例えば、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ：Gas Chromatography）や液体クロマトグラフィー（ＬＣ：Liquid Chromatography）が用いられる。イオン化部２では、前処理部１で前処理を施された試料が順次イオン化され、イオン化された試料（試料イオン）はイオン輸送部３によって搬送され、質量分析部４に入射される。
【００１４】
質量分析部４は、多重極電極系に直流電圧や高周波電圧を印加することにより生じる電界の作用によって試料イオンをイオン種毎に分離する原理のものであり、質量分析部４の上流側（入口側）から入射された試料イオン（試料イオンビーム）は、イオン種毎の質量電荷比（ｍ／Ｚ）に応じて分離され、特定の範囲の質量電荷比のイオン種が質量分析部４を通過して下流側（出口側）からイオン検出部５に射出される。ここで、質量電荷比のｍはイオン質量を、Ｚはイオンの帯電荷数をそれぞれ示している。
【００１５】
イオン検出部５では、質量分析部４を通過したイオン種の試料イオンが検出され、検出結果がデータ処理部（ＣＰＵ）６に送られて、例えば、質量電荷比（ｍ／Ｚ）毎の検出強度をあらわすデータとして処理され、制御部７に送られる。
【００１６】
制御部７は、質量分析装置１１全体の動作を制御する。例えば、制御部７は、ユーザ入力部９への入力内容や、データ処理部６から送られてきたデータ等に基づいて電圧制御部８の動作を制御する。また、制御部７は、データ処理部６から送られてきたデータを表示部１０に表示する。ユーザ入力部９等を介して入力される各種設定、データ処理部６からのデータ、各種プログラムや数式など、質量分析装置１１の制御に関する情報は記憶部１３に記憶される。
【００１７】
電圧制御部８は、制御部７からの指示に基づいて、質量分析部４を構成する複数の棒状電極（後述）に印加する直流電圧および高周波電圧を制御するものであり、制御部７からの指示に基づいて電圧を生成する電圧源１２を有している。
【００１８】
ここで、質量分析部４の構成および試料イオンの分離について詳細に説明する。
【００１９】
図２は、図１における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。また、図３は図１の棒状電極の長手方向に対して垂直な面での位置Ａにおける断面図、図４は位置Ｂにおける断面図、図５は位置Ｃにおける断面図である。図１〜図５において、棒状電極で囲まれた空間の中心に棒状電極に沿って下流側方向にｚ軸、図１中上方向にｙ軸、図１中紙面手前方向にｘ軸を有する座標系を設定する。
【００２０】
本発明に係る質量分析部４は、仮想的な円筒上に互いに平行に配置された２ｎ（ｎは２以上の整数）本の棒状電極から構成された多重極電極系と、多重極電極系の試料イオンが入射される側（上流側）の端部に多重極電極系を構成する棒状電極のそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極から構成された補助電極系と、多重極電極系の試料イオンが射出される側（下流側）の端部に多重極電極系を構成する棒状電極のそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極から構成された補助電極系とから構成されている。
【００２１】
本実施の形態においては、多重極電極系の一例として４本の棒状電極から構成された多重極電極系を例示して説明する。このように４つの棒状電極で構成された多重極電極系を用いる装置は、特に、四重極型質量分析計（ＱＭＳ：quadrupole mass spectrometer）と称される。
【００２２】
すなわち、本実施の形態における質量分析部４は、仮想的な円筒上に互いに平行に配置された４本の棒状電極４１ａ〜４１ｄから構成された四重極電極系４１と、四重極電極系４１の試料イオンが入射される側（上流側）の端部に四重極電極系４１を構成する棒状電極４１ａ〜４１ｄのそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極４２ａ〜４２ｄから構成された第１の補助電極系４２と、四重極電極系４１の試料イオンが射出される側（下流側）の端部に四重極電極系４１を構成する棒状電極４１ａ〜４１ｄのそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極４３ａ〜４３ｄから構成された第２の補助電極系４３とから構成されている。なお、第１の補助電極系４２の上流側には入口電極４０ａが、第２の補助電極系４３の下流側には出口電極４０ｂがそれぞれ設けられている。
【００２３】
四重極電極系４１の棒状電極４１ａ〜４１ｄは同じ長さに形成されており、その長手方向がｚ軸に沿うように、かつｚ軸方向の位置が同じになるよう配置されている。同様に、第１の補助電極系４２の棒状電極４２ａ〜４２ｄは同じ長さに形成されており、その長手方向がｚ軸に沿うように、かつｚ軸方向の位置が同じになるよう配置されている。また、第２の補助電極系４３の棒状電極４３ａ〜４３ｄは同じ長さに形成されており、その長手方向がｚ軸に沿うように、かつｚ軸方向の位置が同じになるよう配置されている。
【００２４】
なお、本実施の形態では、円柱形状の棒状電極を用いて四重極電極系４１や第１及び第２の補助電極系４２，４３を構成しているが、例えば、棒状電極により囲まれる空間側（試料イオンが通過する側）において棒状電極の表面に沿うような双曲面形状を有する電極を棒状電極に代えて用いることもできる。
【００２５】
四重極電極系４１を構成する棒状電極４１ａ〜４１ｄにおいては、棒状電極４１ａ〜４１ｄで囲まれる空間を挟んで対向する位置に配置された棒状電極を組とした場合、すなわち、棒状電極４１ａ，４１ｃ及び棒状電極４１ｂ，４１ｄをそれぞれ組とした場合、棒状電極４１ａ，４１ｃには下記（式１）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧Φｍａｉｎを印加し、棒状電極４１ｂ，４１ｄには下記（式２）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧（−Φｍａｉｎ）を印加する。棒状電極４１ａ，４１ｃに印加される電圧（式１）と、棒状電極４１ｂ，４１ｄに印加される電圧（式２）とは、互いに逆位相となっている。
【００２６】
【数１】
2018014242.tif 000003
【００２７】
【数２】
2018014242.tif 000004
【００２８】
上記（式１）及び（式２）において、Ｕは直流電圧、ＶＲＦは高周波電圧の振幅、ΩＲＦ（＝２πｆＲＦ）は高周波電圧の角振動周波数をそれぞれ示している。
【００２９】
上記（式１）及び（式２）のように電圧印加された場合、四重極電極系４１の棒状電極４１ａ〜４１ｄ間には、以下の（式３）及び（式４）で表される高周波電界Ｅｘ，Ｅｙ（四重極電界）が形成される。
【００３０】
【数３】
2018014242.tif 000005
【００３１】
【数４】
2018014242.tif 000006
【００３２】
上記（式３）及び（式４）において、ｒ０は対向する１組の棒状電極間の距離の半値、すなわち、四重極電極系４１の棒状電極４１ａ〜４１ｄの仮想内接円筒の半径である。図２においては、棒状電極４１ａ〜４１ｄの仮想内接円筒を線４０ｃで示している。
【００３３】
イオン輸送部３によって搬送された試料イオンは、ｚ軸に沿って四重極電極系４１の中心に入射され、上記（式３）及び（式４）によって形成される電界Ｅｘ，Ｅｙ中を通過することになる。
【００３４】
このとき、試料イオンの飛行起動のｘ軸方向及びｙ軸方向の安定性は、棒状電極間でのイオン（試料イオン）の運動状態を表す運動方程式（Mathieu方程式）から導かれ無次元パラメータａ，ｑ（下記（式５）及び（式６）参照）によって求められる。
【００３５】
【数５】
2018014242.tif 000007
【００３６】
【数６】
2018014242.tif 000008
【００３７】
上記（式５）及び（式６）に示した無次元パラメータ（ａ，ｑ）は、四重極型質量分析計（ＱＭＳ）における安定性パラメータであり、ｒ０は対向する１組の棒状電極間の距離の半値、ｅは素電荷、ｍ／Ｚはイオンの質量電荷比、Ｕは棒状電極４１ａ〜４１ｄに印加する直流電圧、ＶＲＦは棒状電極４１ａ〜４１ｄに印加する高周波電圧の振幅、ΩＲＦは棒状電極４１ａ〜４１ｄに印加する高周波電圧の角振動周波数である。
【００３８】
図６は、ｘ軸方向及びｙ軸方向における試薬イオンの飛行軌道の安定性をａ−ｑ平面上に示した図である。また、図７は、図６における要部を拡大して示す図である。
【００３９】
四重極電極系４１に入射された試料イオンにおける安定性パラメータ（ａ，ｑ）は、イオン種（質量電荷比ｍ／Ｚ）、半径ｒ０、直流電圧Ｕ、振幅ＶＲＦ、角振動周波数ΩＲＦなどの値に応じて図５で示されたａ−ｑ平面上の点をとる。また、上記（式５）及び（式６）において、半径ｒ０、直流電圧Ｕ、振幅ＶＲＦ、角振動周波数ΩＲＦの値が決まると、安定性パラメータ（ａ，ｑ）は下記（式７）で表される直線（走査線１４）上の何れかの点の値をとる。このとき、安定性パラメータ（ａ，ｑ）は、各イオン種の質量電荷比ｍ／Ｚに応じてそれぞれ走査線１４上の異なる点をとる。
【００４０】
【数７】
2018014242.tif 000009
【００４１】
安定化パラメータ（ａ，ｑ）が「ｘ，ｙ：安定」の領域（安定透過領域）の値をとる条件下では、その条件に該当するイオン種（試料イオン）は四重極電極系４１を振動しながらｚ軸方向に安定して透過しイオン検出部５に到達する。また、安定化パラメータ（ａ，ｑ）が「ｘ，ｙ：不安定」、「ｘ：安定、ｙ：不安定」、又は「ｘ：不安定、ｙ：安定」の領域の値をとる条件下では、その条件に該当するイオン種（試料イオン）は四重極電極系４１でｘ−ｙ平面方向の振動が発散するため安定して透過することができず、四重極電極系４１の側方（ｘ−ｙ平面に沿う方向）に射出（不安定出射）される。
【００４２】
そこで、この特性を利用し、特定の質量電荷比ｍ／Ｚを有するイオン種（試料イオン）をのみを通過させてイオン検出部５で検出するとともに、その他の質量電荷比ｍ／Ｚを有するイオン種（試料イオン）を四重極電極系４１の外に射出（不安定出射）させることにより、試料イオンにおける特定のイオン種を分離・検出することができる。
【００４３】
すなわち、図６の要部１５の拡大図である図７に示すように、走査線１４の傾き及び走査線１４上において安定性パラメータ（ａ，ｑ）が点Ｍで示されるイオン種のみが安定化領域の値をとり、かつ、他のイオン種（例えば、走査線１４上において点Ｍと隣り合う点（Ｍ＋１）及び点（Ｍ−１）の安定性パラメータ（ａ，ｑ）をとるイオン種）が安定化領域外の値をとるように、上記（式５）及び（式６）を構成する各パラメータ（半径ｒ０、直流電圧Ｕ、振幅ＶＲＦ、角振動周波数ΩＲＦ）を調整することにより、試料イオンにおける特定のイオン種を分離・検出することができ、図８に示すような質量スペクトルデータを得ることができる。図８では、横軸に質量電荷比ｍ／Ｚ、縦軸にイオンの検出数（検出強度）を示している。
【００４４】
第１の補助電極系４２においても四重極電極系４１と同様に、棒状電極４２ａ〜４２ｄで囲まれる空間を挟んで対向する位置に配置された棒状電極を組とした場合、すなわち、棒状電極４２ａ，４２ｃ及び棒状電極４２ｂ，４２ｄをそれぞれ組とした場合、棒状電極４２ａ，４２ｃには下記（式８）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧Φｅを印加し、棒状電極４２ｂ，４２ｄには下記（式９）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧（−Φｅ）を印加する。棒状電極４２ａ，４２ｃに印加される電圧（式８）と、棒状電極４２ｂ，４２ｄに印加される電圧（式９）とは、互いに逆位相となっている。
【００４５】
【数８】
2018014242.tif 000010
【００４６】
【数９】
2018014242.tif 000011
【００４７】
上記（式８）及び（式９）において、Ｕｅは直流電圧、Ｖｅは高周波電圧の振幅、Ωｅは高周波電圧の角振動周波数をそれぞれ示している。
【００４８】
第２の補助電極系４３においても第１の補助電極系４２及び四重極電極系４１と同様に、棒状電極４３ａ〜４３ｄで囲まれる空間を挟んで対向する位置に配置された棒状電極を組とした場合、すなわち、棒状電極４３ａ，４３ｃ及び棒状電極４３ｂ，４３ｄをそれぞれ組とした場合、棒状電極４３ａ，４３ｃには（式８）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧Φｅを印加し、棒状電極４３ｂ，４３ｄには（式９）で表されるような直流電圧と高周波電圧を重畳した電圧（−Φｅ）を印加する。
【００４９】
以上のように構成した本実施の形態の四重極電極系４１では、前述のように、多重極電極系の内部に形成された電界の内部を試料イオンが通過する際のイオン種毎（つまり質量電荷比ｍ／Ｚ毎）の固有振動数が異なり、安定振幅で振動して多重極電極系の下流側端部まで飛行する質量電荷比ｍ／Ｚのイオン種と振幅が増幅して多重極電極系の外部に射出される質量電荷比ｍ／Ｚのイオン種とがあるとう原理を利用して質量分離を行う。
【００５０】
ここで、本願発明の創出に際し発明者らは、四重極電極系４１の内部を通過する際の試料イオンの振動回数が分解能に影響する可能性に着目し、四重極電極系４１を通過する際の振動回数が少ないと、イオン種毎の質量電荷比ｍ／Ｚの観点から隣接するイオン種間での振動周波数（固有振動数）の相違が質量分離に十分に作用せず、目的とするイオン種と隣接するイオン種との分離が不十分となってマスピークが広がる、言い換えると分解能が低下すると考えた。
【００５１】
図９は、四重極電極系を通過する試料イオンの振動回数と分解能の関係を示すシミュレーション結果である。図９では、縦軸にマススペクトルの半値幅（ΔＭ）を、横軸に四重極電極系を試料イオンが通過する際の振動回数（回）をそれぞれ示している。
【００５２】
図９において、縦軸に示したマススペクトルの半値幅は分解能（Ｍ／ΔＭ）に直接関係する指標として見ることができる。すなわち、図９からは、四重極電極系４１内を通過する際の試料イオンの振動回数が分解能に大きく影響し、振動回数が増加するほど分解能（Ｍ／ΔＭ）が高くなることがわかる。
【００５３】
図１０は、四重極電極系単体における電位ポテンシャルのシミュレーション結果を示す図である。
【００５４】
図１０に示すように、四重極電極系４１の内部では棒状電極４１ａ〜４１ｄに印加される電圧（直流電圧、高周波電圧）に応じて電位ポテンシャルが形成されている。図１０からは、四重極電極系４１の中央部分では一定の電位ポテンシャルが形成されており、四重極電極系４１の両端部では端部に向かって出にポテンシャルが減少していることがわかる。そして、このように形成された電位ポテンシャルがある一定以上である場合に四重極電極系４１内を通過する試料イオンの運動状態に実効的な影響を及ぼすと考えることができる。
【００５５】
そこで、分解能（Ｍ／ΔＭ）がΔＭ／Ｍ＝２（Δｒ／ｒ０）から導出されることを考え、分析に必要な分解能（Ｍ／ΔＭ）を満足する誤差（Δｒ／ｒ０）となる範囲を実効長Ｌｐとして定義する。図１１は、電位ポテンシャルの実行長についての説明図である。誤差（Δｒ／ｒ０）は、四重極電極系の組立誤差を表す場合もあるが、本実施の形態では、実際の四重極電極系の組立誤差ではなく、四重極電極系（組立誤差も含む）の内部に形成される電界の誤差（歪み）を四重極電極系の組立誤差に換算したものとする。つまり、四重極電極系の端部では電界の歪み（端部歪みＬｄ）が大きいので、実際の組立誤差よりも誤差（Δｒ／ｒ０）は大きくなる。
【００５６】
なお、実効長の定義については上記に限定されるものではなく、他の根拠から四重極電極系４１を通過する試料イオンの運動状態に実効的に作用すると想定される範囲を算出して実効長と定めても良い。すなわち、四重極電極系４１内部において電界（四重極電界）が形成される領域のｚ軸方向の長さとして、特に、試料イオンの分離に実効的に作用する（すなわち分解能に寄与する）と考えられる高精度な電界の長さを指して実効長と定めれば良い。
【００５７】
四重極電極系を含む多重極電極系においては、電位ポテンシャルの実効長が長いほど、つまり、試料イオンに実効的に作用する距離が長いほど振動回数が増えるので、分解能が高くなるということが言える。言い換えれば、実効長の低下を抑制することができれば、分解能の低下も抑制することができると言える。
【００５８】
本願発明は、多重極電極系を用いる質量分析装置の分解能は試料イオンが通過する電位ポテンシャルの実効長に影響されるという発明者の新たな知見に基づくものである。四重極電極系４１と補助電極系４２，４３の電極系の物理的な長さを延長することなく実効長を延長するためには、下記（式１０）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成し、補助電極系４２，４３を含む四重極電極系４１の端部の電位ポテンシャルの減少を抑制する必要がある。
【００５９】
【数１０】
2018014242.tif 000012
【００６０】
すなわち、補助電極系４２，４３の仮想内接円筒の半径ｒｅに対する補助電極系４２，４３に印加される高周波電圧の振幅Ｖｅの大きさの比よりも四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０に対する四重極電極系４１に印加される高周波電圧の振幅ＶＲＦの大きさの比が大きくなるように構成する必要がある。
【００６１】
本実施の形態では下記（式１１）〜（式１４）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより上記（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成している。
【００６２】
【数１１】
2018014242.tif 000013
【００６３】
【数１２】
2018014242.tif 000014
【００６４】
【数１３】
2018014242.tif 000015
【００６５】
【数１４】
2018014242.tif 000016
【００６６】
上記（式１１）に示すように、四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０と補助電極系４２，４３の仮想内接円筒の半径ｒｅとが同じとなるように質量分析部４を構成し、（式１２）〜（式１４）を満たすように四重極電極系４１及び補助電極系４２，４３に電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加する。
【００６７】
図１２は、本実施の形態における質量分析部における電位ポテンシャルのシミュレーション結果を示す図である。
【００６８】
図１２に示したシミュレーション結果では、図１０に示した四重極電極系単体におけるシミュレーション結果と比較して、補助電極系４２，４３を含む四重極電極系４１の端部の電位ポテンシャルの減少が抑制されており、実効長Ｌｐが延長されていることがわかる。
【００６９】
以上のように構成した本実施の形態の効果を説明する。
【００７０】
質量分析装置においては様々な使用環境に対応するための方策の一つとして小型化が望まれている。質量分析装置の小型化には装置の一定の割合を占める電極の小型化も必要となるが、単に電極棒（棒状電極）を短くした場合にはイオンの分離において対象のイオンに作用する電界の長さも短くなってしまうため、質量分析装置における分解能が低下してしまうという課題があった。
【００７１】
これに対して本実施の形態においては、仮想円筒上に互いに平行に配置された４本の棒状電極４１ａ〜４１ｄから構成された四重極電極系４１と、四重極電極系４１の少なくとも一端に配置され、四重極電極系４１を構成する複数の棒状電極４１ａ〜４１ｄのそれぞれに対応するよう配置された複数の棒状電極４２ａ〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄから構成された補助電極系４２，４３と、四重極電極系４１および補助電極系４２，４３にそれぞれ直流電圧および高周波電圧を印加する電圧制御部８とを備え、補助電極系４２，４３の仮想内接円筒の半径ｒｅに対する補助電極系４２，４３に印加される高周波電圧の振幅Ｖｅの大きさの比よりも四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０に対する四重極電極系４１に印加される高周波電圧の振幅ＶＲＦの大きさの比が大きくなるように構成したので、補助電極系４２，４３を含む四重極電極系４１の端部の電位ポテンシャルの減少を抑制することができ、四重極電極系４１と補助電極系４２，４３の電極系の物理的な長さを延長することなく実効長を延長することができる。すなわち、質量分析装置の小型化に際して棒状電極の小型化（短縮）を行う場合にも、電位ポテンシャルの実効長を延長することができるので、分解能の低下を抑制しつつ質量分析装置の小型化を図ることができる。
【００７２】
また、質量分析装置の小型化を行わない場合にも、電位ポテンシャルの実効長を延長することができるので、電極系の物理的な長さを延長することなく分解能の向上を図ることができる。
【００７３】
＜第１の実施の形態の変形例＞
第１の実施の形態の変形例について説明する。
【００７４】
本変形例は、第１の実施の形態における第１及び第２の補助電極系４２，４３の電位を第１の補助電極系４２と第２の補助電極系４３とで異ならせるものである。
【００７５】
具体的には、第１の実施の形態において第１及び第２の補助電極系４２，４３について示した（式８）〜（式１４）の各変数の下付文字ｅをｅ１と読み替えて本変形例の第１の補助電極系４２に適用するとともに、（式８）〜（式１４）の各変数の下付文字ｅをｅ２と読み替えて本変形例の第２の補助電極系４３に適用する。ただし、｜Ｖｅ１｜≠｜Ｖｅ２｜、｜Ｕｅ１｜≠｜Ｕｅ２｜である。
【００７６】
その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００７７】
以上のように構成した本変形例においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
また、四重極電極系４１の前後（上流側端部と下流側端部）で組み立て誤差が異なる場合であっても微調整することができ、より高精度に端部の電界歪みを抑制することができる。
【００７９】
＜第２の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態を図１３及び図１４を参照しつつ説明する。
【００８０】
本実施の形態は、第１の実施の形態において（式１０）を達成するために（式１１）に代えて（式１５）を用いる場合のものである。
【００８１】
図１３は、本実施の形態における質量分析部を拡大して模式的に示す図である。図中、第１の実施の形態と同様の部材には同じ符号を付し説明を省略する。
【００８２】
本実施の形態では下記（式１５）〜（式１８）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより上記（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成している。
【００８３】
【数１５】
2018014242.tif 000017
【００８４】
【数１６】
2018014242.tif 000018
【００８５】
【数１７】
2018014242.tif 000019
【００８６】
【数１８】
2018014242.tif 000020
【００８７】
上記（式１５）に示すように、四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０よりも補助電極系４２Ａ，４３Ａの仮想内接円筒の半径ｒｅが小さくなるように質量分析部４を構成し、（式１６）〜（式１８）を満たすように四重極電極系４１及び補助電極系４２Ａ，４３Ａに電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加する。
【００８８】
特に、上記（式１７）において｜Ｕｅ｜＝｜Ｕ｜とする場合には、図１４に示すように、四重極電極系４１と第１及び第２の補助電極系４２Ａ，４３Ａとを一体的に構成して四重極電極系４１Ａとすることができる。このとき、補助電極系部４２１Ａ，４３１Ａが補助電極系４２Ａ，４３Ａとして機能する。
【００８９】
その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００９０】
以上のように構成した本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
また、四重極電極系４１と第１及び第２の補助電極系４２Ａ，４３Ａとを一体的に構成して四重極電極系４１Ａとした場合には、電極系に印加する電圧の種類を削減することができるため、電源数も削減することができ、電圧の制御がより容易になるとともに、コスト低減を行うことができる。
【００９２】
さらに、電極系を一体構成することによって電極系の製造精度を向上することができる。
【００９３】
＜第１及び第２の実施の形態の変形例＞
本発明の第１及び第２の実施の形態の変形例を図１５〜図１７を参照しつつ説明する。
【００９４】
本変形例は、第１及び第２の実施の形態において、四重極電極系の射出側（下流側）にのみ補助電極系を用いる場合を示すものである。
【００９５】
図１５〜図１７は、本変形例における質量分析部を拡大して模式的に示す図であり、それぞれ、図１５は第１及実施の形態に、図１６及び図１７は第２の実施の形態に対応する。図中、第１及び第２の実施の形態と同様の部材には同じ符号を付し説明を省略する。
【００９６】
図１５に示すように、本変形例では、第２の補助電極系４３のみを設置し、（式１１）〜（式１４）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成している。つまり、（式１１）に示すように、四重極電極系４１Ｂの仮想内接円筒の半径ｒ０と補助電極系４３の仮想内接円筒の半径ｒｅとが同じとなるように質量分析部４を構成し、（式１２）〜（式１４）を満たすように四重極電極系４１及び補助電極系４３に電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加する。その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００９７】
また、図１６に示すように、本変形例では、第２の補助電極系４３のみを設置し、（式１５）〜（式１８）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成している。つまり、（式１５）に示すように、四重極電極系４１Ｂの仮想内接円筒の半径ｒ０よりも補助電極系４３Ａの仮想内接円筒の半径ｒｅが小さくなるように質量分析部４を構成し、（式１６）〜（式１８）を満たすように四重極電極系４１Ｂ及び補助電極系４３Ａに電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加する。特に、（式１７）において｜Ｕｅ｜＝｜Ｕ｜とする場合には、図１７に示すように、四重極電極系４１と第１及び第２の補助電極系４３Ａとを一体的に構成して四重極電極系４１Ｃとすることができる。このとき、補助電極系部４３１Ａが補助電極系４３Ａとして機能する。その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００９８】
以上のように構成した本実施の形態においても第１及び第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
また、質量分析部４における試料イオンの入射側（上流側）端部に補助電極系（すなわち補助電界）が印加されていないため、イオン入射率への影響がなく、高い入射率を確保することができる。また、質量分析部４の射出側（下流側）端部には補助電極系４３Ａを設置しているため、電位ポテンシャルの実効長のを延長することができる。
【０１００】
なお、本変形例では、第１及び第２の実施の形態において、四重極電極系の射出側（下流側）にのみ補助電極系を用いる場合を説明したが、四重極電極系の射出側（上流側）にのみ補助電極系を用いる場合についても同様に考えることができる。
【０１０１】
すなわち、第２の補助電極系４２のみを設置し、（式１１）〜（式１４）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成しても良い。つまり、（式１１）に示すように、四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０と補助電極系４２の仮想内接円筒の半径ｒｅとが同じとなるように質量分析部４を構成し、（式１２）〜（式１４）を満たすように四重極電極系４１及び補助電極系４２に電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加するように構成しても良い。
【０１０２】
また、第２の補助電極系４２のみを設置し、（式１５）〜（式１８）を満たすように質量分析部４及び電圧制御部８（制御部７）を構成・制御することにより（式１０）を満たすように質量分析装置１１を構成しても良い。つまり、（式１５）に示すように、四重極電極系４１の仮想内接円筒の半径ｒ０よりも補助電極系４３Ａの仮想内接円筒の半径ｒｅが小さくなるように質量分析部４を構成し、（式１６）〜（式１８）を満たすように四重極電極系４１及び補助電極系４３Ａに電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加するように構成しても良い。特に、（式１７）において｜Ｕｅ｜＝｜Ｕ｜とする場合には、四重極電極系４１と第１及び第２の補助電極系４３Ａとを一体的に構成した四重極電極系とすることができる。
【０１０３】
＜第３の実施の形態＞
本発明の第３の実施の形態を図１８及び図１９を参照しつつ説明する。
【０１０４】
本実施の形態は、第１及び第２の実施の形態において、四重極電極系への入射エネルギーや電極系に印加する高周波電圧の角振動周波数を調整する機能（印加電圧調整処理機能）を持たせたものである。
【０１０５】
図１８は、本実施の形態における質量分析部を拡大するとともに、電極系に印加するオフセット電圧（−Ｖｏｆｆ）を模式的に示す図である。また、図１９は、印加電圧調整処理を示すフローチャートである。図中、第１及び第２の実施の形態と同様の部材には同じ符号を付し説明を省略する。
【０１０６】
図１９において、制御部７（電圧制御部８）は、まず、ユーザの入力に基づいて、ターゲットイオン種の質量電荷比（ｍ／Ｚ）を設定する（ステップＳ１０）。続いて、ΔＭ＝０．５として必要な目標分解能（Ｍ／ΔＭ）を算出する（ステップＳ２０）。続いて補助電極系に印加する電圧Ｕｅ,Ｖｅを算出し（ステップＳ３０）、算出結果に基づいて補助電極系に電圧（直流電圧と高周波電圧）を印加する（ステップＳ４０）。続いて、入射エネルギー（オフセット電圧Ｖｏｆｆ：図１８参照）を調整し（ステップＳ５０）、四重極電極系に印加する電圧の角振動周波数（ΩＲＦ）を調整する（ステップＳ６０）。続いて、基準分解能（実測データ、あるいは、定式から算出される分解能）と分解能とを比較し（ステップＳ７０）、分解能の比較結果から目標値を満たしているかどうか（分可能（Ｍ／ΔＭ）は規定の目標値以下であるかどうか、あるいは、目標値の±２０％以内で一致しているかどうか）を判定する（ステップＳ８０）。ステップＳ８０での判定結果がＮＯの場合には、判定結果がＹＥＳになるまでステップＳ３０〜Ｓ７０の処理を繰り返し、ステップＳ８０での判定結果がＹＥＳの場合には、処理を終了する。
【０１０７】
その他の構成は第１及び第２の実施の形態と同様である。
【０１０８】
以上のように構成した本実施の形態においても第１及び第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０９】
また、ターゲットイオン種の質量電荷比（ｍ／Ｚ）に応じた条件最適化を実施することができるので、高分解能分析の確度を向上することができる。
【０１１０】
＜その他の変形例＞
なお、補助電極系４２，４３のｚ軸方向の長さをｌｅ、四重極電極系４１と補助電極系４２，４３とを合わせた全体長をｌ０とした場合、補助電極系４２，４３の長さ（２×ｌｅ）が占める割合が全体長ｌ０の２０％以下となるように構成する。例えば、図２０に示すように、第１の実施の形態（図２等参照）における補助電極系４２，４３の長さ（２×ｌｅ）が占める割合が全体長ｌ０の２０％以下となるように構成する。または、図２１に示すように、第２の実施の形態（図１４等参照）における補助電極系部４２１Ａ，４３１Ａの長さ（２×ｌｅ）が占める割合が全体長ｌ０の２０％以下となるように構成する。以上のように構成することにより、より効果的に端部の電位ポテンシャルの減少を軽減することができる。
【０１１１】
また、四重極電極系と補助電極系が分離している場合（すなわち別体として形成している場合）においては、下記（式１９）を満足するように補助電極系に印加する電圧を制御することにより、より効果的に端部の電位ポテンシャルの減少を軽減することができる。
【０１１２】
【数１９】
2018014242.tif 000021
【０１１３】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、上記の各構成、機能等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等により実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。
【符号の説明】
【０１１４】
１  前処理部
２  イオン化部
３  イオン輸送部
４  質量分析部
５  イオン検出部
６  データ処理部（ＣＰＵ）
７  制御部
８  電圧制御部
９  ユーザ入力部
１０  表示部
１１  質量分析装置
１２  電圧源
１３  記憶部
１４  走査線
１５  要部
４０ａ  入口電極
４０ｂ  出口電極
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ  四重極電極系
４１ａ〜４１ｄ，４２ａ〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄ  棒状電極
４２，４２Ａ，４３，４３Ａ  補助電極系
４２１Ａ，４３１Ａ  補助電極系部
【図１】
2018014242.tif 000022
【図２】
2018014242.tif 000023
【図３】
2018014242.tif 000024
【図４】
2018014242.tif 000025
【図５】
2018014242.tif 000026
【図６】
2018014242.tif 000027
【図７】
2018014242.tif 000028
【図８】
2018014242.tif 000029
【図９】
2018014242.tif 000030
【図１０】
2018014242.tif 000031
【図１１】
2018014242.tif 000032
【図１２】
2018014242.tif 000033
【図１３】
2018014242.tif 000034
【図１４】
2018014242.tif 000035
【図１５】
2018014242.tif 000036
【図１６】
2018014242.tif 000037
【図１７】
2018014242.tif 000038
【図１８】
2018014242.tif 000039
【図１９】
2018014242.tif 000040
【図２０】
2018014242.tif 000041
【図２１】
2018014242.tif 000042