(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供する。【解決手段】光透過性の基材部１０の主面の上にメサ構造２０を有し、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２と、を有するインプリント用テンプレートにおいて、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、及び、前記メサ構造の外周の前記基材部の主面１１の上に、前記基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜３２を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、
前記メサ構造の上面に、
転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、
アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、
を有し、
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、及び、前記メサ構造の外周の前記基材部の主面の上に、
前記基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜が形成されていることを特徴とする、インプリント用テンプレート。
【請求項２】
前記基材部の主面の上の第２の材料膜が、
前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材部の主面の外縁までの領域を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項３】
前記基材部の主面の上の第２の材料膜が、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項４】
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第２の材料膜と、前記主面の上に形成されている前記第２の材料膜が、同じ膜厚であることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項５】
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第２の材料膜の膜厚が、前記主面の上に形成されている前記第２の材料膜の膜厚より薄いことを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項６】
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上面までの距離をＤ2とした場合に、
Ｄ1≦Ｄ2
の関係を満たすものであることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項７】
光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有し、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、を有する第１のインプリント用テンプレートを準備する工程と、
前記メサ構造の最上面の上、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜を形成する工程と、
前記第２の材料膜の上に樹脂層を形成する工程と、
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の最上面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層を除去する工程と、
前記メサ構造の最上面の上に形成した前記第２の材料膜、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜を除去する工程と、
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、および、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に残存させた前記樹脂層を除去する工程と、
を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項８】
前記第２の材料膜の上に樹脂層を形成する工程が、
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上を覆う第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上を覆う第２の樹脂層を形成する工程と、
前記基材部の主面の上に形成した前記第２の材料膜の上に第３の樹脂層を形成する工程と、を含み、
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成される第２の樹脂層の厚み、および、前記第３の樹脂層の厚みが、
前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成される第１の樹脂層の厚みよりも厚いことを特徴とする、請求項７に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項９】
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を形成する工程が、
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上に、前記第１の樹脂層を構成する第１の樹脂を滴下し、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層を構成する第２の樹脂を滴下し、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする、請求項８に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項１０】
前記第３の樹脂層を形成する工程が、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に、前記第３の樹脂層を構成する第３の樹脂を滴下する工程を含むことを特徴とする、請求項８または請求項９に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項１１】
前記第１のインプリント用テンプレートにおける、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離よりも大きいことを特徴とする、請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項１２】
光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、
前記メサ構造の上面に、
転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、
アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、
を有し、
前記メサ構造の外周の前記主面の上に、遮光膜が形成されており、
前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に、高コントラスト膜が形成されており、
前記高コントラスト膜が、
前記基材を構成する材料と異なる第２の材料膜から構成され、
前記遮光膜が、
前記基材を構成する材料と異なる第１の材料膜と前記第２の材料膜が順次積層された積層構造を有することを特徴とする、インプリント用テンプレート。
【請求項１３】
前記主面の上の遮光膜が、
前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材の外縁までの領域を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項１２に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１４】
前記第１の材料膜が、
前記基材を構成する材料とはエッチング特性が異なる第１の材料から構成され、
前記第２の材料膜が、
前記基材を構成する材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成されていることを特徴とする、請求項１２または請求項１３に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１５】
前記遮光膜が、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることを特徴とする、請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１６】
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記高コントラスト膜の上面までの距離をＤ2とした場合に、
Ｄ1≦Ｄ2
の関係を満たすことを特徴とする、請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１７】
光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するテンプレート用基板を準備する工程と、
前記基材の主面の上、及び、前記メサ構造の上面の上に、前記基材を構成する材料と異なる第１の材料膜を形成する工程と、
前記第１の材料膜の上に第１の樹脂層を形成し、前記メサ構造の上面の上に形成した前記第１の樹脂層を加工して、第１の樹脂パターンを形成する工程と、
前記第１の樹脂パターンにエッチングを施して、前記第１の材料膜から第１の材料パターンを形成し、前記第１の材料パターンをエッチングマスクに用いて第１の凹凸構造体及び第２の凹凸構造体を形成する工程と、
前記第１の材料パターンの上、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材の主面の上の前記第１の材料膜の上に、第２の材料膜を形成する工程と、
前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層を形成する工程と、
前記基材の主面の上の前記第２の材料膜の上、および、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、に形成された前記第２の樹脂層を残存させつつ、
前記メサ構造の上の前記第１の材料パターンの上に形成された第２の材料膜の上、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、に形成された前記第２の樹脂層を除去する工程と、
前記メサ構造の上の前記第１の材料パターンの上、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、に形成された前記第２の材料膜を除去する工程と、
前記第１の材料パターンを除去する工程と、
前記残存させた第２の樹脂層を除去する工程と、
を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項１８】
前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層を形成する工程が、
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ａ）を形成する工程と、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ｂ）を形成する工程と、
前記基材の主面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ｃ）を形成する工程と、
を含み、
前記第２の樹脂層（Ｂ）の厚み、および、前記第２の樹脂層（Ｃ）の厚みが、
前記第２の樹脂層（Ａ）の厚みよりも厚いことを特徴とする、請求項１７に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項１９】
前記第２の樹脂層（Ａ）及び前記第２の樹脂層（Ｂ）を形成する工程が、
前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ａ）を構成する樹脂を滴下し、
前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ｂ）を構成する樹脂を滴下し、
前記第２の樹脂層（Ａ）及び前記第２の樹脂層（Ｂ）の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする、請求項１８に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項２０】
前記第２の樹脂層（Ｃ）を形成する工程が、前記基材の主面の上の前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ｃ）を構成する樹脂を滴下する工程を含むことを特徴とする、請求項１８または請求項１９に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な転写パターンを被転写基板上に形成された樹脂に転写するナノインプリントリソグラフィに用いられるインプリント用テンプレート、及び、該インプリント用テンプレートの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体用デバイス製造等において、微細なパターンを転写形成する技術として、ナノインプリントリソグラフィが知られている。
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したインプリント用のテンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に接触させた後に前記樹脂を硬化させて、前記樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写させる技術である。
このナノインプリントリソグラフィの手法として、加熱により樹脂を硬化させる熱インプリント法と、露光により樹脂を硬化させる光インプリント法がある。高い位置合わせ精度が要求される用途には、加熱による膨張や収縮の影響を受けない光インプリント法が、主に用いられる（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
上述のようなナノインプリントリソグラフィにより、テンプレートの転写パターンを被転写基板の樹脂に位置精度良く転写するには、テンプレートと被転写基板との位置合わせを精密に行う必要がある。
一般的には、テンプレートに設けられている凹凸構造のアライメントマークと、被転写基板に設けられているアライメントマークとを、インプリント用テンプレート側から光学的に検出することにより位置合わせを行う。
そして、この位置合わせに際し、アライメントマークのコントラストを向上させるために、アライメントマークの凹部内に、高コントラスト材料を形成することが提案されている（例えば、特許文献３）。
【０００４】
また、上記の光インプリント法においては、インプリントに際し、非転写領域の樹脂を、意図せずに硬化させてしまうことを低減、あるいは抑制するために、テンプレートの非パターン部に遮光部材を設けることが提案されている（例えば、特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特表２０１３−５１９２３６号公報
【特許文献４】特開２００７−１０３９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の両方の要求を満たすインプリント用テンプレートは提案されておらず、また、このような２つの要求を満たすテンプレートを製造する方法も提案されていない。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明は、光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、を有し、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、及び、前記メサ構造の外周の前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜が形成されていることを特徴とする、インプリント用テンプレートを提供する。
【０００９】
また、上記発明においては、前記基材部の主面の上の第２の材料膜が、前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材部の主面の外縁までの領域を覆うように形成されていることが好ましい。
【００１０】
また、上記発明においては、前記基材部の主面の上の第２の材料膜が、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることが好ましい。
【００１１】
また、上記発明においては、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第２の材料膜と、前記主面の上に形成されている前記第２の材料膜が、同じ膜厚であることが好ましい。
【００１２】
また、上記発明においては、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第２の材料膜の膜厚が、前記主面の上に形成されている前記第２の材料膜の膜厚より薄いことが好ましい。
【００１３】
また、上記発明においては、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上面までの距離をＤ2とした場合に、
Ｄ1≦Ｄ2
の関係を満たすものであることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有し、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、を有する第１のインプリント用テンプレートを準備する工程と、前記メサ構造の最上面の上、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜を形成する工程と、前記第２の材料膜の上に樹脂層を形成する工程と、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の最上面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成した前記樹脂層を除去する工程と、前記メサ構造の最上面の上に形成した前記第２の材料膜、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜を除去する工程と、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、および、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に残存させた前記樹脂層を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法を提供する。
【００１５】
また、上記発明においては、前記第２の材料膜の上に樹脂層を形成する工程が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上を覆う第１の樹脂層を形成する工程と、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上を覆う第２の樹脂層を形成する工程と、前記基材部の主面の上に形成した前記第２の材料膜の上に第３の樹脂層を形成する工程と、を含み、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成される第２の樹脂層の厚み、および、前記第３の樹脂層の厚みが、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上に形成される第１の樹脂層の厚みよりも厚いことが好ましい。
【００１６】
また、上記発明においては、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を形成する工程が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上に、前記第１の樹脂層を構成する第１の樹脂を滴下し、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層を構成する第２の樹脂を滴下し、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂を硬化させる工程を含むことが好ましい。
【００１７】
また、上記発明においては、前記第３の樹脂層を形成する工程が、前記基材部の主面の上の前記第２の材料膜の上に、前記第３の樹脂層を構成する第３の樹脂を滴下する工程を含むことが好ましい。
【００１８】
また、上記発明においては、前記第１のインプリント用テンプレートにおける、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離よりも大きいことが好ましい。
【００１９】
また、本発明は、光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体と、を有し、前記メサ構造の外周の前記主面の上に、遮光膜が形成されており、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上に、高コントラスト膜が形成されており、前記高コントラスト膜が、前記基材を構成する材料と異なる第２の材料膜から構成され、前記遮光膜が、前記基材を構成する材料と異なる第１の材料膜と前記第２の材料膜が順次積層された積層構造を有することを特徴とする、インプリント用テンプレートを提供する。
【００２０】
また、上記発明においては、前記主面の上の遮光膜が、前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材の外縁までの領域を覆うように形成されていることが好ましい。
【００２１】
また、上記発明においては、前記第１の材料膜が、前記基材を構成する材料とはエッチング特性が異なる第１の材料から構成され、前記第２の材料膜が、前記基材を構成する材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成されていることが好ましい。
【００２２】
また、上記発明においては、前記遮光膜が、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることが好ましい。
【００２３】
また、上記発明においては、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記高コントラスト膜の上面までの距離をＤ2とした場合に、Ｄ1≦Ｄ2の関係を満たすことが好ましい。
【００２４】
また、本発明は、光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するテンプレート用基板を準備する工程と、前記基材の主面の上、及び、前記メサ構造の上面の上に、前記基材を構成する材料と異なる第１の材料膜を形成する工程と、前記第１の材料膜の上に第１の樹脂層を形成し、前記メサ構造の上面の上に形成した前記第１の樹脂層を加工して、第１の樹脂パターンを形成する工程と、前記第１の樹脂パターンにエッチングを施して、前記第１の材料膜から第１の材料パターンを形成し、前記第１の材料パターンをエッチングマスクに用いて第１の凹凸構造体及び第２の凹凸構造体を形成する工程と、前記第１の材料パターンの上、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材の主面の上の前記第１の材料膜の上に、第２の材料膜を形成する工程と、前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層を形成する工程と、前記基材の主面の上の前記第２の材料膜の上、および、前記第２の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、に形成された前記第２の樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の上の前記第１の材料パターンの上に形成された第２の材料膜の上、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第２の材料膜の上、に形成された前記第２の樹脂層を除去する工程と、前記メサ構造の上の前記第１の材料パターンの上、および、前記第１の凹凸構造体の凹部の底面の上、に形成された前記第２の材料膜を除去する工程と、前記第１の材料パターンを除去する工程と、前記残存させた第２の樹脂層を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法を提供する。
【００２５】
また、上記発明においては、前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層を形成する工程が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ａ）を形成する工程と、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ｂ）を形成する工程と、前記基材の主面の上に形成された前記第２の材料膜の上に第２の樹脂層（Ｃ）を形成する工程と、を含み、前記第２の樹脂層（Ｂ）の厚み、および、前記第２の樹脂層（Ｃ）の厚みが、前記第２の樹脂層（Ａ）の厚みよりも厚いことが好ましい。
【００２６】
また、上記発明においては、前記第２の樹脂層（Ａ）及び前記第２の樹脂層（Ｂ）を形成する工程が、前記第１の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ａ）を構成する樹脂を滴下し、前記第２の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ｂ）を構成する樹脂を滴下し、前記第２の樹脂層（Ａ）及び前記第２の樹脂層（Ｂ）の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記樹脂を硬化させる工程を含むことが好ましい。
【００２７】
また、上記発明においては、前記第２の樹脂層（Ｃ）を形成する工程が、前記基材の主面の上の前記第２の材料膜の上に、前記第２の樹脂層（Ｃ）を構成する樹脂を滴下する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のインプリント用テンプレートにおいては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能である。
【００２９】
また、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のためにアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体に設ける膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。
【００３０】
また、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のために第２の凹凸構造体に設ける高コントラスト膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける積層構造の遮光膜を構成する上層の膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。
【００３１】
さらに、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体を形成するためのエッチングマスクを構成する第１の材料膜を、積層構造の遮光膜の下層の膜として利用するため、工程を増やすことなく、遮光膜の透過率を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図
【図２】第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図
【図３】第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図
【図４】第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャート
【図５】第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図
【図６】図５に続く、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図
【図７】図５（ｃ）に示す態様の樹脂層を形成する方法の一例を説明する図
【図８】第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図
【図９】第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図
【図１０】第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図
【図１１】第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャート
【図１２】第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図
【図１３】図１２に続く、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図
【図１４】図１３（ｇ）に示す態様の樹脂層を形成する方法の一例を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明に係る第１実施形態及び第２実施形態について説明する。
【００３４】
Ａ．第１実施形態
以下、第１実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳しく説明する。
【００３５】
＜インプリント用テンプレート＞
まず、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートについて説明する。
図１は、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、異なる態様の第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの構成を説明するための概略断面図である。
【００３６】
例えば、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、インプリント用テンプレート１、２は、光透過性の基材部１０の主面１１の上にメサ構造２０を有するインプリント用テンプレートであって、メサ構造２０の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２と、を有し、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上、及び、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上に、基材部１０を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜３１、３２が形成されている。
第２の材料膜３１の膜厚と第２の材料膜３２の膜厚は同一であることが好ましい。第２の材料膜３１と第２の材料膜３２を同一工程で製膜することができるからである。ここで、第２の材料膜３１の膜厚と第２の材料膜３２の膜厚が同一であるとは、第２の材料膜３１の膜厚と第２の材料膜３２の膜厚の製造誤差が±５％以内である場合を意味する。
【００３７】
このような構成、即ち、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上、及び、メサ構造２０の外周の主面１１の上に、第２の材料膜３１、３２が形成されている構成を有するため、インプリント用テンプレート１、２においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能となる。
【００３８】
なお、図１（ａ）、（ｂ）に示すインプリント用テンプレート１、２の相違点は、基材部１０の主面１１の上の第２の材料膜３２が形成されている領域が異なる点である。
より具体的には、図１（ｂ）に示すインプリント用テンプレート２においては、第２の材料膜３２は、メサ構造２０と主面１１が接する箇所（即ち、メサ構造２０の底部外縁）から、基材部１０の主面１１の外縁までの領域を覆うように形成されている。
一方、図１（ａ）に示すインプリント用テンプレート１においては、第２の材料膜３２は、メサ構造２０と主面１１が接する箇所（即ち、メサ構造２０の底部外縁）から、基材部１０の主面１１の外縁までの領域の間の、所定の領域に形成されている。この「所定の領域」について、図２を用いて以下に説明する。
【００３９】
図２は、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図である。
図２に示すように、インプリント用テンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板５０の上に形成された光硬化性樹脂６０の転写領域６１にパターン転写する場合、光硬化性樹脂６０の非転写領域６２には露光光（例えば、波長３６５ｎｍの紫外光）が照射されないようにする必要がある。非転写領域６２の光硬化性樹脂６０を意図せずに硬化させてしまうことを防ぐためである。
【００４０】
ここで、通常、インプリント用テンプレート１を搭載するインプリント装置には、露光光が意図しない領域に照射されることを抑制する目的で、露光領域が開口部になっている平面視枠状の遮光板が設けられている。
例えば、図２に示す例においては、遮光板７０が設けられていることにより、露光光が照射される領域は、遮光板７０の開口部に応じた照射領域９０に規定されている。換言すれば、照射領域９０よりも外側の露光光８３は、遮光板７０によって遮られ、光硬化性樹脂６０に照射されない。
【００４１】
ただし、この遮光板７０だけでは、被転写基板５０の上の光硬化性樹脂６０から距離が離れている（例えば、途中にインプリント用テンプレート１が介在する）こともあって、高い位置精度で、光硬化性樹脂６０の非転写領域６２に露光光が照射されないようにすることは困難である。
それゆえ、遮光板７０の形状精度や取り付け精度も含め、遮光板７０で規定される照射領域９０は、通常、光硬化性樹脂６０の転写領域６１よりも大きくなるように設計されている。すなわち、図２に示すように、照射領域９０は、光硬化性樹脂６０の転写領域６１に応じた大きさの照射領域９１に加えて、本来不要な照射領域９２も含む。
【００４２】
そこで、インプリント用テンプレート１においては、図２に示すように、上記の照射領域９２の露光光８２を、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上に形成した第２の材料膜３２で遮るようにする。これにより、被転写基板５０の上の光硬化性樹脂６０には、転写領域６１に応じた大きさの照射領域９１の露光光８１のみが照射されることになる。
【００４３】
上記のように、露光光の照射領域９０を規制する遮光板７０を備えるインプリント装置に搭載されるインプリント用テンプレート１においては、基材部１０の主面１１に形成される第２の材料膜３２は、メサ構造２０と主面１１が接する箇所（即ち、メサ構造２０の底部外縁）から、基材部１０の主面１１の外縁までの領域全てを覆うように形成されている必要は無く、所定の領域に形成されていればよい。
より具体的には、インプリント用テンプレート１において、基材部１０の主面１１に形成される第２の材料膜３２は、少なくとも、メサ構造２０と主面１１が接する箇所（即ち、メサ構造２０の底部外縁）から、図２に示す照射領域９０に相当する領域の基材部１０の主面１１の領域の外縁までを覆うように形成されていればよい。
【００４４】
なお、第１実施形態においては、図１（ｂ）に示すインプリント用テンプレート２のように、第２の材料膜３２は、メサ構造２０と主面１１が接する箇所（即ち、メサ構造２０の底部外縁）から、基材部１０の主面１１の外縁までの領域を覆うように形成されていてもよい。
このような構成であれば、インプリント用テンプレート２を搭載するインプリント装置の構成（例えば、図２に示す照射領域９０のサイズ）によらずに、光硬化性樹脂６０の非転写領域６２には露光光が照射されないようにすることができる。
【００４５】
次に、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上の第２の材料膜３１の膜厚と、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上の第２の材料膜３２の膜厚の関係、および、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１の深さと、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２の深さの関係について、図３を用いて説明する。
【００４６】
図３は、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図である。
この図３は、第２の材料膜３１と第２の材料膜３２の膜厚の関係、および、第１の凹凸構造体２１と第２の凹凸構造体２２の深さの関係について説明するための図であり、インプリント用テンプレート１を構成する他の要素については、図示を省略している。
また、図３においては、一例として、インプリント用テンプレート１を用いて説明しているが、インプリント用テンプレート２においても、同様に説明できるものである。
【００４７】
まず、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上の第２の材料膜３１の膜厚と、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上の第２の材料膜３２の膜厚の関係について、説明する。
【００４８】
第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの好ましい態様の一例は、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上に形成されている第２の材料膜３１と、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上の第２の材料膜３２が、同じ膜厚である態様である。例えば、図３に示す例において、第２の材料膜３１の膜厚（Ｔ1）と第２の材料膜３２の膜厚（Ｔ2）が、同じ膜厚（Ｔ1＝Ｔ2）となる態様である。
このような態様であれば、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、同一の成膜工程により、第２の材料膜３１と第２の材料膜３２を容易に形成することができ、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、両膜を形成することができるからである。詳しくは、後述する、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、図４〜６を用いて説明する。
【００４９】
また、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上に形成されている第２の材料膜３１の膜厚（Ｔ1）が、メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上に形成されている第２の材料膜３２の膜厚（Ｔ2）より薄い（Ｔ1＜Ｔ2）ものとなる態様であってもよい。
メサ構造２０の外周の基材部１０の主面１１の上の第２の材料膜３２には、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止することが求められるが、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上に形成されている第２の材料膜３１は、位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができればよく、第２の材料膜３２よりも薄い膜厚であっても構わないからである。
【００５０】
このような膜厚の差異は、例えば、第２の凹凸構造体２２の凹部に、位置合わせに影響しない微細なパターンを設けることで、生じさせることができる。
例えば、第２の凹凸構造体２２の凹部に、位置合わせに影響しない微細なパターンを設けることで、第２の凹凸構造体２２の凹部を空間的に狭くして、同一の成膜工程であっても、空間的に広い、即ち、解放された平面状の基材部１０の主面１１の上に形成される第２の材料膜３２よりも、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上に形成される第２の材料膜３１を形成され難くすることにより、第２の材料膜３１の膜厚（Ｔ1）を第２の材料膜３２の膜厚（Ｔ2）より薄くすることができる。
【００５１】
次に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１とアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２の深さの関係について説明する。
第１実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、図３に示すように、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２の凸部の上面から凹部の底面の上の第２の材料膜３１の上面までの距離をＤ2とした場合に、Ｄ1≦Ｄ2の関係を満たすものであることが好ましい。
このような構成であれば、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、第２の材料膜３１の上に残存するエッチングマスクとしての樹脂層（図６に示す第２の樹脂層１０２）の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第２の材料膜３１が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。詳しくは、後述する第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、図４〜６を用いて説明する。
【００５２】
次に、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する材料について、説明する。
第１実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する光透過性の基材部１０は、光インプリント法に用いることが可能なものであって、インプリント時における露光光、及び、位置合わせ時のアライメント光を透過できるものである。
【００５３】
この露光光には、一般に、波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲（特に３００ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲）の紫外光が用いられる。
一方、アライメント光は、被転写基板の上の光硬化性樹脂を硬化させないように、露光光とは異なる波長の光が用いられる。一般的には、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲（特に６３３ｎｍ近傍）の可視光が用いられる。
【００５４】
光透過性の基材部１０を構成する材料（第１の材料）としては、例えば、石英ガラス、耐熱ガラス、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、及びアクリルガラス等の透明材料や、これら透明材料の積層構造物を挙げることができる。特に、合成石英は、剛性が高く、熱膨張係数が低く、かつ一般に使用される波長である３００ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲での透過率が良いため、基材部１０に用いる材料として適している。
なお、通常、インプリント用テンプレートは、基材部を構成する主たる材料と、転写パターンを有するメサ構造を構成する主たる材料は、同一材料であり、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいても、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１とアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２を有するメサ構造２０は、基材部１０と同じ材料から構成されている。
【００５５】
第１実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第２の材料膜３１、３２は、基材部１０を構成する材料（第１の材料）とは屈折率が異なる材料（第２の材料）から構成される。屈折率が異なる材料とすることで、アライメント光を用いた位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができる。また、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の効果を奏することができる。
【００５６】
第２の材料膜３１、３２を構成する材料（第２の材料）としては、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を１種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）等を挙げることができる。
【００５７】
ここで、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止するため、基材部１０の主面１１の上に形成される第２の材料膜３２は、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることが好ましい。
例えば、第２の材料膜３２を構成する材料（第２の材料）としてクロム（Ｃｒ）を用いる場合、この第２の材料膜３２の膜厚（Ｔ2）は、１５ｎｍ以上あればよい。
【００５８】
なお、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートは、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有していても良い。
例えば、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、インプリント用テンプレート１、２は、平面視においてメサ構造２０を包含する位置関係となる窪み部４０を、裏面１２側に有している。
【００５９】
このような構成であれば、窪み部４０が形成されている部分のインプリント用テンプレート１、２の肉厚を薄くでき、メサ構造２０を湾曲させ易くなる。
それゆえ、例えば、インプリント用テンプレート１、２の転写パターン（第１の凹凸構造体２１）を被転写基板５０の上の光硬化性樹脂６０と接触させる際に、メサ構造２０を、その中央部が周囲よりも光硬化性樹脂６０に近づく形に湾曲させることで、中央部から外周部に向かって徐々に、気体の混入を排除しつつ、転写パターン（第１の凹凸構造体２１）を光硬化性樹脂６０と接触させることができる。
また、離型時においても、メサ構造２０を湾曲させることで、その外周部から中央部に向かって、徐々に転写パターン（第１の凹凸構造体２１）を光硬化性樹脂６０から離脱させることができる。
【００６０】
なお、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンは、ラインアンドスペースパターンであってもよく、また、ピラー形状であってもよい。一例として、その大きさは、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅が３０ｎｍ程度であり、その高さは６０ｎｍ程度である。また、ピラー形状の場合、直径が５０ｎｍ程度であり、その高さは６０ｎｍ程度である。
【００６１】
＜インプリント用テンプレートの製造方法＞
次に、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
図４は、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図５、６は、第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。なお、この図４〜６は、主に第１実施形態に係るインプリント用テンプレートの第２の材料膜３１と第２の材料膜３２の形成方法について説明するものであり、他の構成要素の形成方法については、省略している。
【００６２】
例えば、本製造方法により、インプリント用テンプレート１を製造するには、まず、光透過性の基材部の主面１１の上にメサ構造２０を有し、メサ構造２０の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２１と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２と、を有する第１のインプリント用テンプレート１００を準備する（図４のＳ１、図５（ａ））。
【００６３】
この第１のインプリント用テンプレート１００は、第２の材料膜３１や第２の材料膜３２を有していないものであり、例えば、従来の光インプリント法に用いられるインプリント用テンプレートと同じものを用いることができる。
例えば、第１のインプリント用テンプレート１００は合成石英から構成されており、図１（ａ）に示すインプリント用テンプレート１のように、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有するものである。
【００６４】
ここで、第１のインプリント用テンプレート１００における、第２の凹凸構造体２２の凸部の上面から凹部の底面までの距離（Ｄ3）は、第１の凹凸構造体２１の凸部の上面から凹部の底面までの距離（Ｄ1）よりも大きいものであることが好ましい。
このような構成であれば、後述するエッチング工程（図６（ｅ））において、第２の材料膜３１の上に残存する第２の樹脂層１０２の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第２の材料膜３１が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。
【００６５】
上記のような態様は、例えば、特願２０１４−１９３６９４号に記載した方法により得ることができる。
すなわち、第１の凹凸構造体２１と第２の凹凸構造体２２を形成する際のエッチングマスクとなるハードマスクパターンを形成後、第１の凹凸構造体２１を形成するためのハードマスクパターン領域を樹脂層で覆った状態で、第２の凹凸構造体２２をハーフエッチングし、その後、上記樹脂層を除去して、第１の凹凸構造体２１及び第２の凹凸構造体２２をエッチング形成することにより、得ることができる。
【００６６】
次に、メサ構造２０の最上面２０ａの上、第１の凹凸構造体２１の凹部の底面の上、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上、および、基材部の主面１１の上に、基材部を構成する第１の材料とは屈折率が異なる第２の材料から構成される第２の材料膜３０ａ、３０ｂ、３１、３２を形成する（図４のＳ２、図５（ｂ））。
【００６７】
この第２の材料膜３０ａ、３０ｂ、３１、３２を形成する方法には、スパッタ法やＣＶＤ法等の真空成膜の技術を用いることができる。
例えば、第２の材料膜３０ａ、３０ｂ、３１、３２を構成する材料（第２の材料）としてクロム（Ｃｒ）を用い、スパッタ法による真空成膜を施して、第２の材料膜３２の膜厚が１５ｎｍ以上となる膜を形成することができる。
【００６８】
なお、第１実施形態においては、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上、及び、基材部の主面１１の上に、第２の材料膜３１、３２が形成されさえすればよく、その他の箇所である、メサ構造２０の最上面２０ａの上、及び、第１の凹凸構造体２１の凹部の底面の上には、必ずしも、第２の材料膜３０ａ、３０ｂを形成する必要は無い。
【００６９】
次に、図５（ｂ）に示す工程で形成した第２の材料膜３０ａ、３０ｂ、３１、３２の上に、各領域に応じて、第１の樹脂層１０１、第２の樹脂層１０２、第３の樹脂層１０３を形成する（図４のＳ３、図５（ｃ））。
より詳しくは、第１の凹凸構造体２１の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜の上を覆うように第１の樹脂層１０１を形成し、第２の凹凸構造体２２の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜の上を覆うように第２の樹脂層１０２を形成し、基材部の主面１１の上に形成された第２の材料膜の上に第３の樹脂層１０３を形成する。
【００７０】
この際、図５（ｃ）に示すように、第２の凹凸構造体２２の凹部の底面の上の第２の材料膜３１の上に形成される第２の樹脂層１０２の厚み（Ｒ2）、および、第３の樹脂層１０３の厚み（Ｒ3）が、第１の凹凸構造体２１の凹部の底面の上の第２の材料膜３０ｂの上に形成される第１の樹脂層１０１の厚み（Ｒ1）よりも厚くなるように、それぞれの樹脂層を形成する。
次の工程、すなわち、図６（ｄ）に示す、樹脂層の部分的除去工程において、第２の材料膜３１の上に形成された第２の樹脂層１０２、および、第２の材料膜３２の上に形成された第３の樹脂層１０３が、残存できるようにするためである。
【００７１】
上記のように、第２の材料膜３１の上に形成される第２の樹脂層１０２の厚み（Ｒ2）を、第２の材料膜３０ｂの上に形成される第１の樹脂層１０１の厚み（Ｒ1）よりも厚くなるようにするには、例えば、図７に示すような、段差テンプレート１１０を用いる方法を挙げることができる。
より詳しくは、第１の凹凸構造体２１の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜の上に、第１の樹脂層１０１を構成する第１の樹脂を滴下し、第２の凹凸構造体２２の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜の上に、第２の樹脂層１０２を構成する第２の樹脂を滴下し、図７に示すように、第１の樹脂層１０１及び第２の樹脂層１０２の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレート１１０を押し当て、第１の樹脂及び第２の樹脂を硬化させる。
【００７２】
第１の樹脂層１０１を構成する第１の樹脂、及び、第２の樹脂層１０２を構成する第２の樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第１の樹脂及び第２の樹脂は、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
第１の樹脂及び第２の樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、合成石英から構成される段差テンプレート１１０を用いて、図７に示すように紫外光１１１を照射して、第１の樹脂及び第２の樹脂を硬化させることで、所望の厚みの第１の樹脂層１０１、及び、第２の樹脂層１０２を形成することができる。
【００７３】
上記のような方法を用いることで、図５（ｃ）に示す例において、第２の材料膜３０ｂの上に形成される第１の樹脂層１０１の厚み（Ｒ1）が５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲となる第１の樹脂層１０１、および、第２の材料膜３１の上に形成される第２の樹脂層１０２の厚み（Ｒ2）が１６０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲となる第２の樹脂層１０２を形成することができる。
【００７４】
一方、第３の樹脂層１０３は、第２の材料膜３２の上に、第３の樹脂層１０３を構成する第３の樹脂を滴下することで形成できる。
この第３の樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第３の樹脂は、上記の第１の樹脂や第２の樹脂と、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
例えば、第３の樹脂として光硬化性樹脂を用い、第２の材料膜３２の必要な領域の上を覆うような態様となるように第３の樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第３の樹脂層１０３を形成することができる。
【００７５】
なお、上記のような方法で形成される第３の樹脂層１０３においては、段差テンプレート１１０を押し当てて膜厚規定する第１の樹脂層１０１及び第２の樹脂層１０２に比べて、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第１実施形態においては、第３の樹脂層１０３が必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第１の凹凸構造体２１の凹部の底面の上の第２の材料膜３０ｂの上に形成される第１の樹脂層１０１の厚み（Ｒ1）よりも厚くなるように、第３の樹脂層１０３を形成すればよい。
例えば、図５（ｃ）に示す例において、第３の樹脂層１０３の膜厚（Ｒ3）は、１μｍ以上とすることができる。
【００７６】
次に、第２の材料膜３１の上に形成した第２の樹脂層１０２、および、第２の材料膜３２の上に形成した第３の樹脂層１０３を残存させつつ、第２の材料膜３０ａの上に形成した第１の樹脂層１０１、第２の樹脂層１０２、および、第２の材料膜３０ｂの上に形成した第２の樹脂層１０２を除去する（図４のＳ４、図６（ｄ））。
上記の図５（ｃ）に示す膜厚の差（Ｒ2＞Ｒ1、Ｒ3＞Ｒ1）があるため、図６（ｄ）に示すように、第２の材料膜３１の上に形成された第２の樹脂層１０２、および、第２の材料膜３２の上に形成された第３の樹脂層１０３を残すことができる。
【００７７】
この部分的除去、より詳しくは、第２の材料膜３０ａの上に形成した第１の樹脂層１０１、第２の樹脂層１０２、および、第２の材料膜３０ｂの上に形成した第２の樹脂層１０２の除去には、酸素ガスを用いたエッチバックの手法を用いることができる。
【００７８】
次に、上記の図６（ｄ）に示す工程により、樹脂層が除去されて露出することになった第２の材料膜３０ａ、３０ｂを除去する（図４のＳ５、図６（ｅ））。
より詳しくは、図６（ｅ）に示すように、メサ構造の最上面２０ａの上に形成された第２の材料膜３０ａ、および、第１の凹凸構造体２１の凹部の底面の上に形成された第２の材料膜３０ｂを除去する。
【００７９】
例えば、第２の材料膜３０ａ、３０ｂを構成する第２の材料にクロム（Ｃｒ）を用いた場合、酸素と塩素を含む混合ガスを用いたエッチングを施すことにより、この第２の材料膜３０ａ、３０ｂを除去することができる。
【００８０】
次に、上記の図６（ｄ）に示す工程において残存させた第１の樹脂層１０１及び第２の樹脂層１０２を除去して（図４のＳ６、図６（ｆ））、インプリント用テンプレート１を得る。
上記の第１の樹脂層１０１及び第２の樹脂層１０２の除去には、例えば、酸素ガスを用いたアッシングの手法を用いることができる。
【００８１】
上記のように、第１実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のためにアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体に設ける膜（第２の材料膜３１）と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける膜（第２の材料膜３２）を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。
【００８２】
以上、第１実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について説明したが、第１実施形態は、上記実施態様に限定されるものではない。上記実施態様は例示であり、第１実施形態の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても第１実施形態の技術的範囲に包含される。
【００８３】
Ｂ．第２実施形態
以下、第２実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳しく説明する。
【００８４】
＜インプリント用テンプレート＞
まず、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートについて説明する。
図８は、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、異なる態様の第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの構成を説明するための概略断面図である。
【００８５】
例えば、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、インプリント用テンプレート２０１、２０２は、光透過性の基材２１０の主面２１１の上にメサ構造２２０を有するインプリント用テンプレートであって、メサ構造２２０の上面に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２２１と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２と、を有し、メサ構造２２０の外周の主面２１１の上に、第１の材料膜２３１と第２の材料膜２３２が順次積層された積層構造を有する遮光膜２３３が形成されており、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上に、第２の材料膜２３２から構成される高コントラスト膜が形成されている。
【００８６】
このような構成、即ち、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上に、第２の材料膜２３２から構成される高コントラスト膜が形成されており、メサ構造２２０の外周の主面２１１の上に、第１の材料膜２３１と第２の材料膜２３２が順次積層された積層構造を有する遮光膜２３３が形成されている構成を有するため、インプリント用テンプレート２０１、２０２においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能となる。
【００８７】
なお、図８（ａ）、（ｂ）に示すインプリント用テンプレート２０１、２０２の相違点は、基材２１０の主面２１１の上の遮光膜２３３が形成されている領域が異なる点である。
より具体的には、図８（ｂ）に示すインプリント用テンプレート２０２においては、遮光膜２３３は、メサ構造２２０と主面２１１が接する箇所（即ち、メサ構造２２０の底部外縁）から、基材２１０の主面２１１の外縁までの領域を覆うように形成されている。
一方、図８（ａ）に示すインプリント用テンプレート２０１においては、遮光膜２３３は、メサ構造２２０と主面２１１が接する箇所（即ち、メサ構造２２０の底部外縁）から、基材２１０の主面２１１の外縁までの領域の間の、所定の領域に形成されている。この「所定の領域」について、図９を用いて以下に説明する。
【００８８】
図９は、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図である。
図９に示すように、インプリント用テンプレート２０１を用いて、光インプリント法により被転写基板２５０の上に形成された光硬化性樹脂２６０の転写領域２６１にパターン転写する場合、光硬化性樹脂２６０の非転写領域２６２には露光光（例えば、波長３６５ｎｍの紫外光）が照射されないようにする必要がある。非転写領域２６２の光硬化性樹脂２６０を意図せずに硬化させてしまうことを防ぐためである。
【００８９】
ここで、通常、インプリント用テンプレート２０１を搭載するインプリント装置には、露光光が意図しない領域に照射されることを抑制する目的で、露光領域が開口部になっている平面視枠状の遮光板が設けられている。
例えば、図９に示す例においては、遮光板２７０が設けられていることにより、露光光が照射される領域は、遮光板２７０の開口部に応じた照射領域２９０に規定されている。換言すれば、照射領域２９０よりも外側の露光光２８３は、遮光板２７０によって遮られ、光硬化性樹脂２６０に照射されない。
【００９０】
ただし、この遮光板２７０だけでは、被転写基板２５０の上の光硬化性樹脂２６０から距離が離れている（例えば、途中にインプリント用テンプレート２０１が介在する）こともあって、高い位置精度で、光硬化性樹脂２６０の非転写領域２６２に露光光が照射されないようにすることは困難である。
それゆえ、遮光板２７０の形状精度や取り付け精度も含め、遮光板２７０で規定される照射領域２９０は、通常、光硬化性樹脂２６０の転写領域２６１よりも大きくなるように設計されている。すなわち、図９に示すように、照射領域２９０は、光硬化性樹脂２６０の転写領域２６１に応じた大きさの照射領域２９１に加えて、本来不要な照射領域２９２も含む。
【００９１】
そこで、インプリント用テンプレート２０１においては、図９に示すように、上記の照射領域２９２の露光光２８２を、メサ構造２２０の外周の基材２１０の主面２１１の上に形成した遮光膜２３３で遮るようにする。これにより、被転写基板２５０の上の光硬化性樹脂２６０には、転写領域２６１に応じた大きさの照射領域２９１の露光光２８１のみが照射されることになる。
【００９２】
上記のように、露光光の照射領域２９０を規制する遮光板２７０を備えるインプリント装置に搭載されるインプリント用テンプレート２０１においては、基材２１０の主面２１１に形成される遮光膜２３３は、メサ構造２２０と主面２１１が接する箇所（即ち、メサ構造２２０の底部外縁）から、基材２１０の主面２１１の外縁までの領域全てを覆うように形成されている必要は無く、所定の領域に形成されていればよい。
より具体的には、インプリント用テンプレート２０１において、基材２１０の主面２１１に形成される遮光膜２３３は、少なくとも、メサ構造２２０と主面２１１が接する箇所（即ち、メサ構造２２０の底部外縁）から、図９に示す照射領域２９０に相当する領域の基材２１０の主面２１１の領域の外縁までを覆うように形成されていればよい。
【００９３】
なお、第２実施形態においては、図８（ｂ）に示すインプリント用テンプレート２０２のように、遮光膜２３３は、メサ構造２２０と主面２１１が接する箇所（即ち、メサ構造２２０の底部外縁）から、基材２１０の主面２１１の外縁までの領域を覆うように形成されていてもよい。
このような構成であれば、インプリント用テンプレート２０２を搭載するインプリント装置の構成（例えば、図９に示す照射領域２９０のサイズ）によらずに、光硬化性樹脂２６０の非転写領域２６２には露光光が照射されないようにすることができるからである。
【００９４】
次に、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上の高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）の膜厚と、メサ構造２２０の外周の基材２１０の主面２１１の上の遮光膜２３３（第１の材料膜２３１と第２の材料膜２３２が順次積層された積層構造）の膜厚の関係、および、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２２１の深さと、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２の深さの関係について、図１０を用いて説明する。
【００９５】
図１０は、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図である。
この図１０は、高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）と遮光膜２３３の膜厚の関係、および、第１の凹凸構造体２２１と第２の凹凸構造体２２２の深さの関係について説明するための図であり、インプリント用テンプレート２０１を構成する他の要素については、図示を省略している。
また、図１０においては、一例として、インプリント用テンプレート２０１を用いて説明しているが、インプリント用テンプレート２０２においても、同様に説明できるものである。
【００９６】
まず、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上の高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）の膜厚と、メサ構造２２０の外周の基材２１０の主面２１１の上の遮光膜２３３の膜厚の関係について、説明する。
【００９７】
第２実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいて、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上に形成されている高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）は、位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができればよいが、メサ構造２２０の外周の基材２１０の主面２１１の上の遮光膜２３３には、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止することが求められる。
それゆえ、例えば、遮光膜２３３を構成する材料と、高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）を構成する材料が、同じ光学特性を有する材料である場合、遮光膜２３３の膜厚（Ｔ2）は、高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）の膜厚（Ｔ1）よりも厚い（Ｔ1＜Ｔ2）ものであることが好ましい。より遮光性が向上するからである。
ここで、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、遮光膜２３３は、高コントラスト膜を構成する第２の材料膜２３２に加えて、第１の材料膜２３１を有する構成になっている。
それゆえ、遮光膜２３３の膜厚（Ｔ2）は、高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）の膜厚（Ｔ1）よりも厚い（Ｔ1＜Ｔ2）ものとなる。
【００９８】
次に、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２２１とアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２の深さの関係について説明する。
第２実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、図１０に示すように、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２２１の凸部の上面から凹部の底面までの距離をＤ1とし、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２の凸部の上面から凹部の底面の上の高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）の上面までの距離をＤ2とした場合に、Ｄ1≦Ｄ2の関係を満たすものであることが好ましい。
このような構成であれば、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、第２の材料膜２３２の上に残存するエッチングマスクとしての樹脂層（図１３（ｈ）に示す第２の樹脂層３０２ａ）の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第２の材料膜２３２が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。
【００９９】
上記のような態様は、例えば、特願２０１４−１９３６９４号に記載した方法により得ることができる。
すなわち、後述する第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、第１の凹凸構造体２２１と第２の凹凸構造体２２２を形成する際のエッチングマスクとなるハードマスクパターン（図１２（ｄ）に示す第１の材料パターン２３１Ｐ）を形成後、第１の凹凸構造体２２１を形成するためのハードマスクパターン領域を樹脂層で覆った状態で、第２の凹凸構造体２２２をハーフエッチングし、その後、上記樹脂層を除去して、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２をエッチング形成することにより、得ることができる。
【０１００】
次に、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する材料について、説明する。
第２実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する光透過性の基材２１０は、光インプリント法に用いることが可能なものであって、インプリント時における露光光、及び、位置合わせ時のアライメント光を透過できるものである。
【０１０１】
この露光光には、一般に、波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲（特に３００ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲）の紫外光が用いられる。
一方、アライメント光は、被転写基板の上の光硬化性樹脂を硬化させないように、露光光とは異なる波長の光が用いられる。一般的には、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲（特に６３３ｎｍ近傍）の可視光が用いられる。
【０１０２】
光透過性の基材２１０を構成する材料としては、例えば、石英ガラス、耐熱ガラス、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、及びアクリルガラス等の透明材料や、これら透明材料の積層構造物を挙げることができる。特に、合成石英は、剛性が高く、熱膨張係数が低く、かつ一般に使用される波長である３００ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲での透過率が良いため、基材２１０に用いる材料として適している。
なお、通常、インプリント用テンプレートにおいては、基材を構成する主たる材料と、転写パターンを有するメサ構造を構成する主たる材料は、同一材料であり、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいても、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体２２１とアライメントマークを構成する第２の凹凸構造体２２２を有するメサ構造２２０は、基材２１０と同じ材料から構成されている。
【０１０３】
第２実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第１の材料膜２３１は、基材２１０を構成する材料とはエッチング特性が異なる材料から構成されるものである。
より詳しくは、第１の材料膜２３１は、後述するインプリント用テンプレートの製造方法において、図１２（ｅ）に示すように、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２を形成する工程に際して、エッチングマスクとして機能するエッチング耐性を有する材料から構成される。
このように、第１の凹凸構造体２２１と第２の凹凸構造体２２２を形成するためのエッチングマスクを構成する第１の材料膜２３１を、遮光膜２３３の下層の膜として利用するため、第２実施形態においては、工程を増やすことなく、遮光膜２３３の透過率を小さくすることができる。
【０１０４】
第１の材料膜２３１を構成する材料としては、基材２１０に用いる材料をエッチングする際にエッチングマスクとして機能する物であれば、用いることができる。
ここで、上記のように基材２１０に用いる材料は主に合成石英であることから、第１の材料膜２３１を構成する材料としては、フッ素系のガスを用いたドライエッチングに耐性を有する物であることが好ましい。
第１の材料膜２３１を構成する材料として、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を１種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）等を挙げることができる。
この第１の材料膜２３１を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）を用いる場合、その膜厚は、形成する第１の凹凸構造体２２１のサイズにもよるが、例えば、３ｎｍ〜５ｎｍ程度の厚みがあればよい。
【０１０５】
第２実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第２の材料膜２３２は、基材２１０を構成する材料とは屈折率が異なる材料から構成されるものである。
屈折率が異なる材料とすることで、アライメント光を用いた位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができる。
【０１０６】
第２の材料膜２３２を構成する材料としては、アライメント光に対して、基材２１０を構成する材料とは屈折率が異なる物であれば用いることができる。
上記のように基材２１０に用いる材料は主に合成石英であることから、第２の材料膜２３２を構成する材料としては、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を１種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）等を挙げることができる。
【０１０７】
ここで、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止するため、基材２１０の主面２１１の上に形成される遮光膜３３は、波長３６５ｎｍでの透過率が１０％以下であることが好ましい。
例えば、第１の材料膜２３１を構成する材料、及び、第２の材料膜２３２を構成する材料としてクロム（Ｃｒ）を用いる場合、遮光膜３３の膜厚（Ｔ2）は、１５ｎｍ以上あればよい。
【０１０８】
なお、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートは、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有していても良い。
例えば、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、インプリント用テンプレート２０１、２０２は、平面視においてメサ構造２２０を包含する位置関係となる窪み部２４０を、裏面２１２側に有している。
【０１０９】
このような構成であれば、窪み部２４０が形成されている部分のインプリント用テンプレート２０１、２０２の肉厚を薄くでき、メサ構造２２０を湾曲させ易くなる。
それゆえ、例えば、インプリント用テンプレート２０１、２０２の転写パターン（第１の凹凸構造体２２１）を被転写基板２５０の上の光硬化性樹脂２６０と接触させる際に、メサ構造２２０を、その中央部が周囲よりも光硬化性樹脂２６０に近づく形に湾曲させることで、中央部から外周部に向かって徐々に、気体の混入を排除しつつ、転写パターン（第１の凹凸構造体２２１）を光硬化性樹脂２６０と接触させることができる。
また、離型時においても、メサ構造２２０を湾曲させることで、その外周部から中央部に向かって、徐々に転写パターン（第１の凹凸構造体２２１）を光硬化性樹脂２６０から離脱させることができる。
【０１１０】
なお、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンは、ラインアンドスペースパターンであってもよく、また、ピラー形状であってもよい。一例として、その大きさは、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅が３０ｎｍ程度であり、その高さは６０ｎｍ程度である。また、ピラー形状の場合、直径が５０ｎｍ程度であり、その高さは６０ｎｍ程度である。
【０１１１】
＜インプリント用テンプレートの製造方法＞
次に、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
図１１は、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図１２、１３は、第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。なお、この図１１〜１３は、主に第２実施形態に係るインプリント用テンプレートの第１の凹凸構造体２２１、第２の凹凸構造体２２２、高コントラスト膜（第２の材料膜２３２）、および、遮光膜２３３（第１の材料膜２３１と第２の材料膜２３２が順次積層された積層構造）の形成方法について説明するものであり、他の構成要素の形成方法については、省略している。
【０１１２】
例えば、本製造方法により、インプリント用テンプレート２０１を製造するには、まず、光透過性の基材２１０の主面２１１の上にメサ構造２２０を有するテンプレート用基板３００を準備し（図１１のＳ１、図１２（ａ））、基材２１０の主面２１１の上、及び、メサ構造２２０の上面２２０ａの上に第１の材料膜２３１を形成する（図１１のＳ２、図１２（ｂ））。
第１の材料膜２３１を形成する方法としては、例えば、スパッタ成膜法を用いることができる。
【０１１３】
次に、第１の材料膜２３１の上に第１の樹脂層３０１ａ、３０１ｂを形成し、メサ構造２２０の上面の上に形成した第１の樹脂層３０１ａを加工して、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａを形成する（図１１のＳ３、図１２（ｃ））。
【０１１４】
第１の樹脂層３０１ａ、３０１ｂを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。なお、第１の樹脂層３０１ａを構成する樹脂と、第１の樹脂層３０１ｂを構成する樹脂は、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
第１の樹脂層３０１ａを構成する樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａに相当する凹凸パターンを有するマスターテンプレートを用いた光インプリント法により、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａを形成することができる。
【０１１５】
一方、第１の樹脂層３０１ｂは、第１の材料膜２３１の上に、第１の樹脂層３０１ｂを構成する樹脂を滴下することで形成できる。
例えば、光硬化性樹脂を用い、第１の材料膜２３１の必要な領域の上を覆うような態様となるように、この樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第１の樹脂層３０１ｂを形成することができる。
【０１１６】
なお、上記のような方法で形成される第１の樹脂層３０１ｂにおいては、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第２実施形態においては、第１の樹脂層３０１ｂが必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａの凹部の膜厚（第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａの凹部の底面から第１の材料膜２３１の上面までの樹脂の厚み）よりも厚くなるように、第１の樹脂層３０１ｂを形成すればよい。
【０１１７】
次に、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａにエッチングを施して、第１の材料膜２３１から第１の材料パターン２３１Ｐを形成し（図１１のＳ４、図１２（ｄ））、第１の材料パターン２３１Ｐをエッチングマスクに用いて、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２を形成する（図１１のＳ５、図１２（ｅ））。
【０１１８】
上記の第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａにエッチングを施して、第１の材料膜２３１から第１の材料パターン２３１Ｐを形成する工程（図１１のＳ４、図１２（ｄ））には、従来のインプリント法と同様の方法を用いることができる。
【０１１９】
例えば、まず酸素ガスを用いたドライエッチングにより、第１の樹脂パターン２２１ａ、２２２ａの凹部の下の樹脂を除去して、第１の材料膜２３１を露出させ、その後、露出した第１の材料膜２３１の部分をエッチング除去することにより、第１の材料パターン２３１Ｐを形成することができる（図１１のＳ４、図１２（ｄ））。
例えば、第１の材料膜２３１を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）を用いた場合、塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより、第１の材料パターン２３１Ｐを形成することができる。
【０１２０】
また、基材２１０の材料に合成石英を用いた場合、フッ素系のガスを用いたドライエッチングにより、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２を形成することができる（図１１のＳ５、図１２（ｅ））。
【０１２１】
なお、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２を形成する工程（図１１のＳ５、図１２（ｅ））の後に残存する第１の樹脂層３０１ａ、３０１ｂは、例えば、酸素ガスを用いたアッシングで除去される。
【０１２２】
次に、第１の材料パターン２３１Ｐの上、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上、および、基材２１０の主面の上の第１の材料膜２３１の上に、第２の材料膜２３２を形成する（図１１のＳ６、図１３（ｆ））。
【０１２３】
この第２の材料膜２３２を形成する方法には、スパッタ法やＣＶＤ法等の真空成膜の技術を用いることができる。
例えば、第２の材料膜２３２を構成する材料としてクロム（Ｃｒ）を用いる場合、スパッタ法による真空成膜を施して、第２の材料膜２３２を形成することができる。
【０１２４】
次に、第２の材料膜２３２の上に、第２の樹脂層３０２ａ、３０２ｂを形成する（図１１のＳ７、図１３（ｇ））。
より詳しくは、第１の凹凸構造体２２１の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））を形成し、第２の凹凸構造体２２２の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））を形成し、基材２１０の主面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））を形成する。
【０１２５】
この際、図１３（ｇ）に示すように、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上に形成される第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））の厚み、および、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））の厚みが、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上に形成される第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））よりも厚くなるように、それぞれの樹脂層を形成する。
次の工程、すなわち、図１３（ｈ）に示す、第２の樹脂層の部分的除去工程において、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））及び第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））を残存させつつ、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））を除去するためである。
【０１２６】
上記のように、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））の厚み（Ｒ2）を、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））の厚み（Ｒ1）よりも厚くなるようにするには、例えば、図１４に示すような、段差テンプレート３１０を用いる方法を挙げることができる。
より詳しくは、第１の凹凸構造体２２１の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））を構成する樹脂を滴下し、第２の凹凸構造体２２２の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））を構成する樹脂を滴下し、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））及び第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレート３１０を押し当て、樹脂を硬化させる。
【０１２７】
第２の樹脂層３０２ａを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。
第２の樹脂層３０２ａを構成する樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、合成石英から構成される段差テンプレート３１０を用いて、図１４に示すように紫外光３１１を照射して、第２の樹脂層３０２ａを構成する樹脂を硬化させることで、所望の厚みの第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））及び第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））を形成することができる。
【０１２８】
上記のような方法を用いることで、図１３（ｇ）、図１４に示す例において、厚み（Ｒ1）が５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲となる第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））、および、厚み（Ｒ2）が１６０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲となる第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））を形成することができる。
【０１２９】
一方、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））は、基材２１０の主面の上に形成された第２の材料膜２３２の上に、第２の樹脂層３０２ｂを構成する樹脂を滴下することで形成できる。
この第２の樹脂層３０２ｂを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第２の樹脂層３０２ｂを構成する樹脂は、上記の第２の樹脂層３０２ａを構成する樹脂と、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
例えば、第２の樹脂層３０２ｂを構成する樹脂として光硬化性樹脂を用い、基材２１０の主面の上に形成された第２の材料膜２３２の必要な領域の上を覆うような態様となるようにこの樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））を形成することができる。
【０１３０】
なお、上記のような方法で形成される第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））においては、段差テンプレート３１０を押し当てて膜厚規定する第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））及び第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））に比べて、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第２実施形態においては、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））が必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上に形成される第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ａ））の厚み（Ｒ1）よりも厚くなるように、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））を形成すればよい。
例えば、図１３（ｇ）に示す例において、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））の膜厚は、１μｍ以上とすることができる。
【０１３１】
次に、基材２１０の主面の上の第２の材料膜２３２の上に形成された第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））、および、第２の凹凸構造体２２２の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上、に形成された第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））を残存させつつ、メサ構造２２０の上の第１の材料パターン２３１Ｐの上に形成された第２の材料膜２３２の上、および、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上、に形成された第２の樹脂層３０２ａを除去する（図１１のＳ８、図１３（ｈ））。
上記の図１３（ｇ）に示す膜厚の差があるため、図１３（ｈ）に示すように、第２の樹脂層３０２ａ（第２の樹脂層（Ｂ））、および、第２の樹脂層３０２ｂ（第２の樹脂層（Ｃ））を残すことができる。
【０１３２】
この部分的除去、より詳しくは、第１の材料パターン２３１Ｐの上に形成された第２の材料膜２３２の上に形成された第２の樹脂層３０２ａ、および、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上の第２の材料膜２３２の上、に形成された第２の樹脂層３０２ａの除去には、酸素ガスを用いたエッチバックの手法を用いることができる。
【０１３３】
次に、上記の図１３（ｈ）に示す工程により、第２の樹脂層３０２ａが部分的に除去されて露出することになった第２の材料膜２３２を除去し、次いで、第１の材料パターン２３１Ｐを除去し、その後、残存させた第２の樹脂層３０２ａ、３０２ｂを除去して（図１１のＳ９〜１０、図１３（ｉ））、インプリント用テンプレート２０１を得る。
より詳しくは、まず、メサ構造２２０の上の第１の材料パターン２３１Ｐの上、および、第１の凹凸構造体２２１の凹部の底面の上、に形成された第２の材料膜２３２を除去し、これにより露出する第１の材料パターン３１Ｐを除去し、その後、第２の凹凸構造体２２２の凹部に形成した第２の材料膜２３２の上に残存する第２の樹脂層３０２ａ、及び、基材２１０の主面の上の第２の材料膜２３２の上に残存する第２の樹脂層３０２ｂを除去して、図１３（ｉ）に示すインプリント用テンプレート２０１を得る。
【０１３４】
例えば、第２の材料膜２３２及び第１の材料パターン２３１Ｐを構成する材料にクロム（Ｃｒ）を用いた場合、塩素と酸素を含む混合ガスを用いたドライエッチングを施すことにより、この第２の材料膜２３２及び第１の材料パターン２３１Ｐを除去することができる。
また、上記の第２の樹脂層３０２ａ、３０２ｂの除去には、例えば、酸素ガスを用いたアッシングの手法を用いることができる。
なお、第２の材料膜２３２を構成する材料と、第１の材料パターン２３１Ｐを構成する材料が、同じ材料である場合、上記の第２の材料膜２３２を除去する工程と、第１の材料パターン２３１Ｐを除去する工程は、一の工程で行うことができる。
【０１３５】
上記のように、第２実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のために第２の凹凸構造体に設ける高コントラスト膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける積層構造の遮光膜を構成する上層の膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。
【０１３６】
さらに、転写パターンを構成する第１の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第２の凹凸構造体を形成するためのエッチングマスクを構成する第１の材料膜を、積層構造の遮光膜の下層の膜として利用するため、工程を増やすことなく、遮光膜の透過率を小さくすることができる。
【０１３７】
また、インプリント用テンプレートを製造するための基板（テンプレート用基板）の非パターン部に遮光部材を形成し、その後、パターン部に凹凸構造体を形成する場合には、凹凸構造体の形成工程で遮光膜に損傷が生じやすいという問題もあるが、第２実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、第１の凹凸構造体２２１及び第２の凹凸構造体２２２の形成後に、積層構造の遮光膜を構成する上層の膜（第２の材料膜２３２）を形成するため、上記のような問題も防止できる。
【０１３８】
以上、第２実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について説明したが、第２実施形態は、上記実施態様に限定されるものではない。上記実施態様は例示であり、第２実施形態の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても第２実施形態の技術的範囲に包含される。
【０１３９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１４０】
１、２  インプリント用テンプレート
１０  基材部
１１  主面
１２  裏面
２０  メサ構造
２０ａ  メサ構造の最上面
２１  第１の凹凸構造体
２２  第２の凹凸構造体
３０ａ、３０ｂ、３１、３２  第２の材料膜
４０  窪み部
５０  被転写基板
６０  光硬化性樹脂
６１  転写領域
６２  非転写領域
７０  遮光板
８１、８２、８３  露光光
９０、９１、９２  照射領域
１００  第１のインプリント用テンプレート
１０１  第１の樹脂層
１０２  第２の樹脂層
１０３  第３の樹脂層
１１０  段差テンプレート
１１１  紫外光
２０１、２０２  インプリント用テンプレート
２１０  基材
２１１  主面
２１２  裏面
２２０  メサ構造
２２０ａ  メサ構造の上面
２２１  第１の凹凸構造体
２２１ａ  第１の樹脂パターン
２２２  第２の凹凸構造体
２２２ａ  第１の樹脂パターン
２３１  第１の材料膜
２３１Ｐ  第１の材料パターン
２３２  第２の材料膜
２３３  遮光膜
２４０  窪み部
２５０  被転写基板
２６０  光硬化性樹脂
２６１  転写領域
２６２  非転写領域
２７０  遮光板
２８１、２８２、２８３  露光光
２９０、２９１、２９２  照射領域
３００  テンプレート用基板
３０１ａ、３０１ｂ  第１の樹脂層
３０２ａ、３０２ｂ  第２の樹脂層
３１０  段差テンプレート
３１１  紫外光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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