(57)【要約】      （修正有）【課題】量産性に優れ、一般的に使用されているシリコン酸化膜を温度補償膜として使用することができるバルク弾性波共振器の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板となるシリコン基板のキャビティ部形成予定領域にシリコン窒化膜を形成する。別の絶縁膜を積層して表面を平坦化し、シリコン窒化膜表面を露出させる。平坦化された表面に下部電極膜４、圧電膜５および上部電極膜６を積層形成し、その一部に開口部７を形成し、開口内に露出しているシリコン窒化膜をエッチング除去し、キャビティ部８を形成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク弾性波共振器の製造方法であって、
支持基板を用意する工程と、
前記バルク弾性波共振器のキャビティ部形成予定領域の前記支持基板表面を被覆するように、シリコン窒化膜をパターニングする工程と、
全面を前記シリコン窒化膜と選択除去可能な絶縁膜で被覆した後、平坦化し、前記シリコン窒化膜表面を露出させる工程と、
該平坦化されたシリコン窒化膜および前記絶縁膜表面に、下部電極膜、圧電膜および上部電極膜を積層形成する工程と、
前記キャビティ部形成予定領域の前記上部電極膜、前記圧電膜および前記下部電極膜の一部を除去して開口部を形成し、該開口部の底面に前記シリコン窒化膜表面の一部を露出させる工程と、
前記開口部を通して、前記シリコン窒化膜をエッチング除去し、前記キャビティ部を形成する工程と、を含むことを特徴とするバルク弾性波共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バルク弾性波共振器の製造方法に関し、特に量産に適した製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンの世界的な普及や、ウェアラブルやＩｏＴ（Internet of Things）と通称されるマイクロ波を用いた無線通信サービスの留まることのない旺盛な需要の拡大に伴い、限られた資源である電波（マイクロ波）を有効に利用するため、空間にあふれるマイクロ波の中から必要な周波数の電波を選択的に抽出することが求められている。例えば、現在、２．５ＧＨｚ帯以下の周波数帯だけでなく、３ＧＨｚ以上の高周波帯を利用するサービスも拡大しており、所定の周波数帯域の電波を選択的に抽出するため高周波フィルタが使用されている。この種の高周波フィルタでは、温度ドリフトがなく、急峻なスカート特性を有する等、高性能化が要求されている。
【０００３】
また、世界各地で使用されている周波数帯域に対応できるようにするため、１台のスマートフォンに１０個を超える高周波フィルタが搭載されるようになり、小型でフィルタ特性に優れていることから、高周波フィルタとしてＳＡＷ（表面弾性波）共振器が多用されている。
【０００４】
一方、ＳＡＷ共振器では３ＧＨｚ以上の高周波帯域や広い通過帯域を実現するには限界があり、高性能を要求されるフィルタにはバルク弾性波（ＢＡＷ）共振器が使われるようになってきている。今後、３ＧＨｚ帯以上の高周波帯でも、使用される周波数帯域が込み合ってくるとの予測を踏まえると、バルク弾性波共振器の需要はさらに拡大することが期待される。
【０００５】
従来のバルク弾性波共振器は次のように形成される。まず、支持基板となるシリコン基板１を用意し、シリコン基板１表面の一部をエッチング除去して凹部２を形成する。その後、凹部２内に犠牲層３を充填する。この凹部２への犠牲層３の充填は、例えば犠牲層３としてリン酸シリケートガラス（ＰＳＧ）を使用する場合には、凹部２内にＰＳＧが十分に充填され、表面を平坦化した状態でエッチバックすることで、図５に示すように表面が平坦化された犠牲層３が形成できる。ここで、後述する圧電膜５を形成する際、圧電膜が所望の結晶構造となるように成長させるため、表面を平坦化することが重要となる。
【０００６】
次に、シリコン基板１表面に下部電極膜４、圧電膜５および上部電極膜６を積層し、それぞれ所望のパターニングを行う。その後、後述するキャビティ部を形成するため上部電極膜６、圧電膜５および下部電極膜４の一部をエッチング除去し、開口部７を形成し、開口部７の底面に犠牲層３の表面の一部を露出させる（図６）。この開口部７の数、配置位置等は、次の工程で犠牲層３を除去できるように適宜設定されている。
【０００７】
開口部７を通してエッチング液を供給し犠牲層３を選択的に除去する。犠牲層３が除去された空間がキャビティ部８となり、バルク弾性波共振器が完成する（図７）。（特許文献１、２）
【０００８】
ところで従来の製造方法では、犠牲層３を除去する際ウエットエッチング法が採用されており、量産には適していなかった。また、温度補償型のバルク弾性波共振器を形成する場合には、図８に示すように温度補償膜９を付加することが必要である。この温度補償膜９は、犠牲層３を除去する工程の前に積層形成されるため、犠牲層３をエッチング除去する際にエッチングされない材料を使用しなければならない。例えば、犠牲層３のエッチング除去の際、フッ酸系のエッチング液を使用する場合、温度補償膜として汎用的に使用されているシリコン酸化膜を使用することができず、特殊は材料を用意しなければならないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３８７８０３２号公報
【特許文献２】特許第５０４７５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のバルク弾性波共振器の製造方法は、犠牲層を除去する際、量産に適さないウエットエッチング法が採用されていた。また犠牲層のエッチングの際、温度補償膜がエッチングされてしまうことがないように犠牲層と温度補償膜の材料を選定する必要があり、制約の多い製造方法であった。本発明はこれらの問題点を解消し、量産性に優れ、一般的に使用されているシリコン酸化膜を温度補償膜として使用することができるバルク弾性波共振器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本願発明は、バルク弾性波共振器の製造方法であって、支持基板を用意する工程と、前記バルク弾性波共振器のキャビティ部形成予定領域の前記支持基板表面を被覆するように、シリコン窒化膜をパターニングする工程と、全面を前記シリコン窒化膜と選択除去可能な絶縁膜で被覆した後、平坦化し、前記シリコン窒化膜表面を露出させる工程と、該平坦化されたシリコン窒化膜および前記絶縁膜表面に、下部電極膜、圧電膜および上部電極膜を積層形成する工程と、前記キャビティ部形成予定領域の前記上部電極膜、前記圧電膜および前記下部電極膜の一部を除去して開口部を形成し、該開口部の底面に前記シリコン窒化膜表面の一部を露出させる工程と、前記開口部を通して、前記シリコン窒化膜をエッチング除去し、前記キャビティ部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、キャビティ部を形成する際に使用する犠牲層としてシリコン窒化膜を選択することで、量産性に優れたドライエッチング方法により簡便に除去することが可能となる。特にシリコン窒化膜は、温度補償膜として汎用的に使用されているシリコン酸化膜に対して選択除去可能であり、温度補償型バルク弾性波共振器の製造方法として利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図２】本発明の実施例のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図３】本発明の実施例のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図４】本発明の実施例のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図５】従来のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図６】従来のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図７】従来のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【図８】従来のバルク弾性波共振器の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、バルク弾性波共振器を簡便に形成することができる製造方法であり、特に、ギャビティ部を簡便に形成することができる製造方法である。以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
本発明の第１の実施例について、その製造工程に従い詳細に説明する。まず、支持基板となるシリコン基板１上のキャビティ部形成予定領域にシリコン窒化膜１０を堆積させる。シリコン窒化膜１０の厚さは１ミクロン程度とする。その後全面にポリシリコン膜１１を形成する。（図１）。ポリシリコン膜１１は、先に形成したシリコン窒化膜１０の段差を被覆し、表面が平坦化する厚さまで堆積させる。シリコン窒化膜１０を選択的にエッチング除去可能であれば、ポリシリコン膜１１の代わりにシリコン酸化膜等であっても良い。
【００１６】
次に、ドライエッチングによるエッチンバック法や化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により表面を平坦化するとともに、先に形成したシリコン窒化膜１０表面を露出させる（図２）。ＣＭＰ法により平坦化する場合、シリコン窒化膜１０が研磨停止膜となり、高い精度で平坦化することができる。
【００１７】
次に、バルク弾性波共振器を構成する多層膜を形成する。この多層膜は、キャビティ部形成予定領域となるシリコン窒化膜１０上を覆い、ポリシリコン膜１１に達するように形成する。多層膜は一例として、モリブデン（Ｍｏ）からなる下部電極膜４、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる圧電膜５、シリコン酸化膜からなる温度補償層９、最後にモリブデンなどからなる上部電極膜６をそれぞれ、例えばスパッタ堆積法とドライエッチング工程を組み合わせて積層形成する。シリコン酸化膜は温度補償が必要な場合に形成すれば良く、必須な構成要素ではない。また、温度補償膜９は図３に示すように圧電膜５の直上で上層電極膜６の直下に限らず、例えば、上部電極膜６上に形成してもよい。
【００１８】
これら多層膜を構成する各膜の厚さは、バルク弾性波共振器として所望の特性が得られるように適宜設定される。
【００１９】
その後、ドライエッチング法により多層膜の一部をエッチング除去し、シリコン窒化膜１０表面の一部を露出する開口部７を形成する（図３）。開口部７の数、配置位置は適宜設定すればよい。
【００２０】
その後、フッ素系のガスを用いた等方的なドライエッチング法であるプラズマエッチング法により、開口部７を介してシリコン窒化膜１０をエッチング除去する。その結果、キャビティ部８が形成される（図４）。このエッチング工程で、先に形成したポリシリコン膜１１やシリコン酸化膜からなる温度補償膜９がエッチングされることはない。
【００２１】
以上説明したように本発明によれば、ドライエッチング法により犠牲層であるシリコン窒化膜１０を選択除去する構成とすることで、量産性に優れた製造方法となる。
【００２２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。具体的には、圧電膜として窒化アルミニウムに限定されるものでなく、窒化スカンジウムアルミニウム（Ａｌ1-xＳｃxＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）も利用することが可能である。また、上部電極膜あるいは下部電極膜は、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。同様に、温度補償膜として使用する金属膜についても、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、プラチナ（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属薄膜で形成することができる。
【符号の説明】
【００２３】
１：シリコン基板、２：凹部、３：犠牲層、４：下部電極膜、５：圧電膜、６：上部電極膜、７：開口部、８：キャビティ部、９：温度補償膜、１０：シリコン窒化膜、１１：ポリシリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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