(57)【要約】【課題】誘電体薄膜の前駆体溶液を結晶化する熱処理工程において、高速昇温により結晶化温度以上の温度で熱処理を行うことで、誘電体薄膜中に炭素化合物が生成されず、特性低下を防止する。【解決手段】誘電体薄膜５の製造方法は、誘電体前駆体溶液を基板の主面に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で、溶液中の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、誘電体前駆体の熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体の結晶化温度よりも高い温度で熱処理を施し、誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第２の熱処理工程とを備え、第２の熱処理工程における結晶化温度までの昇温速度は５０℃／秒以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体の原料である誘電体前駆体の溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、
前記誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で前記溶液中の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、
前記熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体結晶化温度よりも高い温度に昇温し、前記誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第２の熱処理工程とを備え、
前記第２の熱処理工程は、前記熱分解温度から前記誘電体結晶化温度までの昇温速度が５０℃／秒以上であることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記第２の熱処理工程は、ホットプレート上に前記基板を載置して行うものであり、
前記ホットプレートには、載置面に複数の支持体が突設され、
前記基板が前記複数の支持体に当接して支持されることにより、前記基板と前記載置面との間にギャップが形成されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記第２の熱処理工程の後に、前記結晶化温度よりも高い温度で、前記第２の熱処理工程で形成された誘電体の結晶を成長させる第３の熱処理工程をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体薄膜の製造方法。
【請求項４】
誘電体の前記原料は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＰｂからなるＡ群元素のうちの少なくとも１つを含有する第１の有機金属化合物と、Ｔｉ、ＺｒからなるＢ群元素のうち少なくとも１つを含む第２の有機金属化合物とを含み、
誘電体の前記結晶は、ペロブスカイト構造をなすことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の誘電体薄膜の製造方法。
【請求項５】
一方側電極と他方側電極に挟まれた誘電体を有する薄膜キャパシタの製造方法において、
前記一方側電極上に誘電体の原料である誘電体前駆体の溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、
前記誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で前記溶液中の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、
前記熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体結晶化温度よりも高い温度に昇温し、前記誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第２の熱処理工程と、
誘電体上に前記他方側電極を成膜する工程とを備え、
前記第２の熱処理工程は、前記熱分解温度から前記誘電体結晶化温度までの昇温速度が５０℃／秒以上であることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体薄膜の製造方法およびその誘電体薄膜を備える薄膜キャパシタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に誘電体薄膜を形成して、薄膜キャパシタなどの薄膜デバイスを構成する技術が知られている。この種の誘電体薄膜は、まず、誘電体の原料となる材料を含有する溶液（前駆体溶液）を基板に塗布したあと、所定の温度に昇温して、誘電体の結晶薄膜（誘電体薄膜）を形成することにより得られる。このとき、誘電体の結晶薄膜を形成するときの昇温条件が、誘電体薄膜の特性に影響することが知られており、良好な特性が得られる昇温条件の研究が広く行われている。例えば、図６に示すように、特許文献１に記載の誘電体薄膜は、乾燥工程、熱分解工程、および結晶化工程の３種類の加熱工程を経て形成される。このとき、乾燥工程では、１０℃／秒以下の比較的遅い昇温速度で前駆体溶液の溶媒の揮発温度まで昇温して突沸を防止している。また、熱分解工程は２段階に分けられており、第１の熱分解工程では、誘電体薄膜の特性に影響を与えない所定の温度まで、２０℃／秒以下の昇温速度で昇温して前駆体溶液中に残留した溶媒を揮発させるとともに、有機成分の急激な燃焼と分解によるガスの発生を回避している。第２の熱分解工程では、第１の熱分解工程に続いて、誘電体の原料の熱分解温度（例えば、４００℃〜５００℃）まで、５０℃／秒以上の早い昇温速度で昇温して誘電体薄膜に悪影響を与えるパイロクロア相が出現するのを抑えている。最後に誘電体の結晶化温度以上に昇温して結晶成長を行う。このように熱分解工程において、設定温度および昇温速度の異なる工程に分けて加熱処理を行うことにより、前駆体溶液中に含まれる有機溶媒の突沸や有機物成分の急速な燃焼によるガスの発生を回避することができ、誘電体薄膜の特性の向上が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５４８６３号公報（段落００３０〜００４３、図４など参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の熱分解工程の昇温条件を用いても、結晶化工程の後には、リーク電流密度や誘電率等の誘電体薄膜の特性が低下する場合があるため、良好な特性を確保する技術が要求されている。
【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、誘電体薄膜の良好な特性を確保する誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明の誘電体薄膜の製造方法は、誘電体の原料である誘電体前駆体の溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、前記誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で前記溶液中の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、前記熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体結晶化温度よりも高い温度に昇温し、前記誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第２の熱処理工程とを備え、前記第２の熱処理工程は、前記熱分解温度から前記誘電体結晶化温度までの昇温速度が５０℃／秒以上であることを特徴としている。
【０００７】
発明者らの実験によると、誘電体を結晶化させる工程（結晶化工程）で、誘電体薄膜内にボイドが発生していることが分かった。そこで、誘電体の原料が熱分解してから結晶化するまでの間は、誘電体の構成元素（金属）が大気中の他の元素と結合しやすい状態になっており、当該元素が熱分解工程の後に炭酸化合物を形成し、この炭酸化合物が誘電体薄膜の特性劣化の原因になっていると推定して検証実験を行った。この結果、誘電体の熱分解温度から誘電体結晶化温度までを５０℃／秒以上の早い昇温速度とすると、炭酸化合物の形成が抑えられて、誘電体薄膜内にボイドが発生するのを防止できるとともに、リーク電流密度や誘電率等の誘電体薄膜の特性が低下するのを防止できることが分かった。
【０００８】
また、前記第２の熱処理工程は、ホットプレート上に前記基板を載置して行うものであり、前記ホットプレートには、載置面に複数の支持体が突設され、前記基板が前記複数の支持体に当接して支持されることにより、前記基板と前記載置面との間にギャップが形成されていてもよい。この場合、ホットプレートの熱板と基板との間にギャップが形成されることにより、加熱時に発生する基板の反りによる基板の温度ばらつきを低減できるため、特性のばらつきが少ない誘電体薄膜を製造することができる。
【０００９】
また、前記第２の熱処理工程の後に、前記結晶化温度よりも高い温度で、前記第２の熱処理工程で形成された誘電体の結晶を成長させる第３の熱処理工程をさらに備えていてもよい。この場合、第２の熱処理工程において結晶化させた誘電体薄膜の結晶粒を成長させることができるため、誘電体薄膜の特性を向上させることができる。
【００１０】
また、誘電体の前記原料は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＰｂからなるＡ群元素のうちの少なくとも１つを含有する第１の有機金属化合物と、Ｔｉ、ＺｒからなるＢ群元素のうち少なくとも１つを含む第２の有機金属化合物とを含み、誘電体の前記結晶は、ペロブスカイト構造をなしていてもよい。この場合、誘電体の原料の熱分解および結晶化を行う第２の熱処理工程において、熱分解後に誘電体を構成する元素が炭酸化合物を形成しないため、ペロブスカイト型誘電体薄膜の特性低下を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の薄膜キャパシタの製造方法は、一方側電極と他方側電極に挟まれた誘電体を有する薄膜キャパシタの製造方法において、前記一方側電極上に誘電体の原料である誘電体前駆体の溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、前記誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で前記溶液中の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、前記熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体結晶化温度よりも高い温度に昇温し、前記誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第２の熱処理工程と、誘電体上に前記他方側電極を成膜する工程とを備え、前記第２の熱処理工程は、前記熱分解温度から前記誘電体結晶化温度までの昇温速度が５０℃／秒以上であることを特徴としている。
【００１２】
この構成によると、誘電体前駆体の原料の熱分解および結晶化を行う第２の熱処理工程において、誘電体の結晶化温度まで５０℃／秒以上の高速で昇温させることにより、誘電体の原料を構成する元素が炭酸化合物を生成しないため、薄膜キャパシタの特性低下を防止することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、誘電体前駆体の原料の熱分解および結晶化を行う第２の熱処理工程において、誘電体の結晶化温度まで高速で昇温させることにより、誘電体の原料を構成する元素により炭酸化合物が生成されないため、誘電体薄膜の特性低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜デバイスの断面図である。
【図２】第１実施形態の薄膜デバイス１の誘電体薄膜であるＢＳＴ薄膜のＸ線回折装置の分析結果を示す図である。
【図３】本発明の各実施形態および各比較例により製造した薄膜キャパシタの初期特性の比較表である。
【図４】検証実験時のＢＳＴ誘電体薄膜のＳＥＭ画像である。
【図５】検証実験時のＢＳＴ前駆体溶液のＴＧ−ＤＴＡ分析を行った結果を表すグラフである。
【図６】従来の誘電体薄膜の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る薄膜デバイス１について、図１、２を参照して説明する。なお、図１は薄膜デバイス１の断面図、図２は本実施形態の薄膜デバイス１の誘電体薄膜であるＢＳＴ薄膜のＸ線回折装置の分析結果を示す図である。
【００１６】
この実施形態に係る薄膜デバイス１は、図１に示すように、絶縁基板２と、該絶縁基板２の一方主面上に積層された密着層３と、該密着層３上に設けられた薄膜キャパシタ４と、絶縁基板２の一方主面に薄膜キャパシタ４を被覆するように積層された絶縁保護層６と、薄膜キャパシタ４からの引出電極７ａ，７ｂと、引出電極７ａ，７ｂに接続された外部電極８ａ，８ｂと、外部電極８ａ，８ｂが露出した状態で絶縁保護層６の表面を覆う表面被覆層９とを備える。
【００１７】
絶縁基板２は、例えばＳｉ基板であり、表面（一方主面）にＳｉＯ２酸化膜が形成されている。
【００１８】
密着層３は、薄膜キャパシタ４の下部電極４ａと、絶縁基板２との密着強度を高めるためのもので、この実施形態では、チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３；以下、「ＢＳＴ」という）の結晶で形成される。
【００１９】
薄膜キャパシタ４は、誘電体薄膜５と、これを挟む下部電極４ａおよび上部電極４ｂとを備え、薄膜デバイス１に形成された容量部として機能する。この場合、上部電極４ｂおよび下部電極４ａはいずれもＰｔ膜で形成され、誘電体薄膜５はＢＳＴの結晶で形成されており、下部電極４ａ、誘電体薄膜５、上部電極４ｂの順に密着層３上に積層される。ここで、下部電極４ａは本発明の「一方側電極」に相当し、上部電極４ｂが、本発明の「他方側電極」に相当する。なお、誘電体薄膜５を形成する材料はＢＳＴに限らず、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３等であってもよい。すなわち、誘電体薄膜５の原材料としては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＰｂからなるＡ群元素のうち少なくとも１つを含有する第１の有機化合物と、Ｔｉ、ＺｒからなるＢ群元素のうち少なくとも１つを含有する第２の有機化合物とを含む材料を用いることができる。また、これらの材料で形成された誘電体薄膜５の結晶は、組成式ＡＢＯ３のペロブスカイト構造となる。ここで、ＡはＡ群元素、ＢはＢ群元素で構成される。なお、上部電極４ｂおよび下部電極４ａも、誘電体材料の種類に応じて、例えば、Ｃｕ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜を使用してもよい。
【００２０】
絶縁保護層６は、絶縁基板２側に配置された無機保護層６ａと、該無機保護層６ａに積層された有機保護層６ｂの２層構造で形成される。このとき、無機保護層６ａは、例えばＳｉＯ２で形成することができ、有機保護層６ｂは、例えば、感光性ポリイミド系樹脂で形成することができる。
【００２１】
絶縁保護層６の上面には、下部電極４ａの上面の一部が露出する深さの貫通孔１０ａが設けられており、この貫通孔１０ａに外部電極８ａと下部電極４ａとを接続する引出電極７ａが形成される。また、絶縁保護層６の上面には、上部電極４ｂの上面の一部が露出する深さの貫通孔１０ｂがさらに設けられ、この貫通孔１０ｂに外部電極８ｂと上部電極４ｂとを接続する引出電極７ｂが形成される。なお、引出電極７ａ，７ｂは、いずれも、例えばスパッタ法によるＣｕ／Ｔｉ膜で形成することができる。また、絶縁保護層６の上面に露出した引出電極７ａ，７ｂそれぞれの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されることにより、外部電極８ａ，８ｂが形成される。
【００２２】
また、引出電極７ａ，７ｂおよび外部電極８ａ，８ｂの周縁部を被覆するように、絶縁保護層６の一方主面に表面被覆層９が設けられている。表面被覆層９は、例えば、ソルダーレジスト等のエポキシ樹脂で形成することができる。
【００２３】
（薄膜デバイスの製造方法）
次に、本発明の薄膜デバイス１の製造方法の一例について説明する。まず、絶縁基板２の一方主面に、ＢＳＴ溶液をスピンコート法により塗布し、密着層３を成膜する。密着層３を形成した後、スパッタ法により密着層３にＰｔ膜を成膜して下部電極４ａを形成する。
【００２４】
続いて、誘電体薄膜５を形成するために、誘電体前駆体溶液であるＢＳＴ溶液（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３）をスピンコート法によりＰｔ膜上に塗布し、誘電体薄膜の前駆体膜を成膜する（本発明の「塗布工程」に相当する）。そして、ホットプレートによりＢＳＴ溶液中の溶媒成分を除去するために２００℃で約３分間のベークを実施する（本発明の「第１の熱処理工程」に相当する）。このときの温度は、ＢＳＴ溶液中の溶媒の揮発温度以上であって、ＢＳＴ溶液中の有機金属化合物の分解温度（この実施形態では、３６５℃：図６参照）以下であれば、適宜変更することができる。また、誘電体薄膜の原料としては、ＢＳＴ溶液に限らず、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＰｂからなるＡ群元素のうち少なくとも１つを含有する第１の有機金属化合物と、Ｔｉ、ＺｒからなるＢ群元素のうち少なくとも１つを含有する第２の有機金属化合物とを含む溶液であればよい。また、ＢＳＴ溶液の塗布には、例えばゾルゲル法などを用いても構わない。
【００２５】
続いて、ＢＳＴ溶液中の有機金属化合物の熱分解およびＢＳＴの結晶化を行うために、ホットプレートにより６６０℃で３分間の仮焼を実施し（本発明の「第２の熱処理工程」に相当する）、誘電体薄膜５を形成する。このとき、６６０℃に至るまでの昇温速度は、例えば、７５℃／秒とする。なお、本実施形態では熱処理装置としてホットプレートを使用しているが、例えば、ＲＴＡ装置（高速熱処理装置）等の仮焼温度と昇温速度を制御できる設備を用いることもできる。
【００２６】
次に、誘電体薄膜５の一方主面にスパッタ法によりＰｔ膜を成膜して上部電極４ｂを形成する。次に、絶縁基板２の一方主面の全体に形成された下部電極４ａ、誘電体薄膜５および上部電極４ｂを、それぞれ所定の形状にするためにドライエッチングにより成形加工し薄膜キャパシタ４を形成する。その後、管状炉により８６０℃で３０分間の本焼を実施し（本発明の「第３の熱処理工程」に相当する）、誘電体薄膜５の結晶成長を行って誘電体薄膜５の特性を向上させる。
【００２７】
次に、絶縁基板２の一方主面に、薄膜キャパシタ４を被覆するように、絶縁保護層６を形成する。この場合、無機保護層６ａ、有機保護層６ｂの順に積層する。
【００２８】
次に、絶縁保護層６の所定の位置に各引出電極を形成するためのビア（貫通孔１０ａ，１０ｂ）加工を行う。ビアが形成されたら、スパッタ法によりＣｕ／Ｔｉ膜を成膜し、該Ｃｕ／Ｔｉ膜をエッチングにより所定のパターンに形成して、引出電極７ａおよび７ｂを形成する。さらに、引出電極７ａおよび７ｂのそれぞれの表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきにより、外部電極８ａおよび８ｂを形成する。
【００２９】
最後に、各引出電極７ａ，７ｂおよび各外部電極８ａ，８ｂの周縁部を被覆するように、絶縁保護層６の一方主面にエポキシ樹脂等の表面被覆層９を形成し、グラインドおよびダイシングにより個片化して、薄膜デバイス１が完成する。
【００３０】
なお、図２は、仮焼後の誘電体薄膜５のＸ線回折装置を用いた構造分析結果を示す図であり、この図は、組成式（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３のペロブスカイト構造を有する結晶が形成されていることを示す。つまり、仮焼工程が終了したときには、すでに（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３のぺロブスカイト構造を有する結晶が形成されていることが分かる。また、図３は、後述する第２実施形態と比較例１〜３の温度条件とその特性値を示す表であり、これによると、本実施形態の仮焼条件の場合は、比較例１〜３のいずれの場合よりも、誘電体薄膜５の誘電率が高く、かつ、リーク電流が低くなっており、特性が向上していることが分かる。また、図４に示すように、比較例２の製造方法では、誘電体薄膜５の内部にボイドが発生しているのに対して（図４（ａ））、本実施形態の製造方法では、誘電体薄膜５の内部にボイドが発生していない（図４（ｂ））。
【００３１】
ここで、比較例１〜３の仮焼温度の条件を示すとともに、本実施形態で誘電体薄膜５の特性向上と、ボイドが発生するのを防止することができた要因を、図２、図３および図５を参照して考察する。なお、図５は、ＢＳＴ溶液のＴＧ−ＤＴＡ分析（熱重量−示唆熱分析）結果を示す図であり、これによると、ＢＳＴの原料の有機金属化合物の熱分解温度が３６５．６℃、ＢＳＴの結晶化温度が５８１．１℃（図５参照）であることが分かった。
【００３２】
＜比較例１＞
比較例１では、仮焼工程において、仮焼温度６６０℃、昇温速度２０℃／秒で３分間の熱処理を施した。その他の工程は上記した本実施形態の製造方法と同様である。
【００３３】
この場合、本実施形態と比べて昇温速度が遅いため、仮焼工程においてＢＳＴの結晶化温度（５８１．１℃）に至るまでに熱分解後の誘電体構成元素であるＢａ、Ｓｒ、Ｔｉが大気中や設備内の気体分子と反応し、誘電体薄膜５の特性劣化の原因となるＢａＣＯ３などの炭酸化合物が生成されたものと考えらえる。その結果、誘電体薄膜５中の炭酸化合物の影響により薄膜キャパシタ４の容量や絶縁抵抗が本実施形態よりも低下している（図３参照）。
【００３４】
＜比較例２＞
比較例２では、仮焼工程において、仮焼温度６６０℃、昇温速度２０℃／秒で３分間の熱処理を施した。また、本焼工程において、管理炉により９００℃の熱処理を３０分間施した。その他の工程は上記した実施形態と同様である。
【００３５】
この場合、本実施形態と比べて昇温速度が依然不足しているため、本焼工程の温度を高くしても、比較例１と同じ理由により誘電体薄膜５中に炭酸化合物が発生したものと考えられる。また、本例では、誘電体薄膜５中にボイドが確認された。これは、本焼工程の熱処理温度が比較例１よりも高い９００℃で行われた結果、仮焼工程後に発生した炭酸化合物が分解してガスが生成されたと考えられる。したがって、比較例２においても、薄膜キャパシタ４の容量や絶縁抵抗が本実施形態よりも低下している（図３参照）。
【００３６】
＜比較例３＞
比較例３では、仮焼工程において、熱処理温度５６０℃、昇温速度７５℃／秒で３分間の熱処理を施した。その他の工程は上記した実施形態と同様である。
【００３７】
この場合、仮焼工程において、熱処理温度がＢＳＴの結晶化温度である５８１．１℃よりも低い５６０℃であり、第２の熱処理工程後に得られた誘電体薄膜５は非晶質となっている。このため、誘電体構成元素であるＢａ、Ｓｒ、Ｔｉが大気中や設備内の気体分子と反応することで誘電体薄膜５の特性劣化の原因となるＢａＣＯ３などの炭酸化合物が生成されたものと考えられる。その結果、誘電体薄膜５中の炭酸化合物の影響により薄膜キャパシタ４の容量や絶縁抵抗が本実施形態よりも低下している（図３参照）。したがって、炭酸化合物の発生を防止するためには、仮焼工程でＢＳＴを結晶化させることも必要であると考えられる。
【００３８】
以上のことから、炭酸化合物の発生を抑制するための仮焼工程の温度条件は、少なくともＢＳＴ溶液中に含まれる有機金属化合物の熱分解温度（３６５．６℃）からＢＳＴの結晶化温度（５８１．１℃）までの昇温速度が５０℃／秒以上とすることが必要であると考えられる。
【００３９】
したがって、上記した実施形態によれば、仮焼工程において、有機金属化合物の熱分解温度（３６５．６℃）からＢＳＴの結晶化温度（５８０℃）まで高速（５０℃／秒以上）で昇温し、ＢＳＴの結晶化温度よりも高い６６０℃の熱処理を施すことで、誘電体薄膜５の構成元素であるＢａ、Ｓｒ、Ｔｉの炭酸化合物が生成することなくＢＳＴを結晶化させることができる。このため、誘電体薄膜５および薄膜キャパシタ４の特性低下を防止することができる。
【００４０】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について説明する。この実施形態にかかる薄膜デバイス１の製造方法が、図１、図２を参照して説明した第１実施形態と異なるところは、第２の熱処理工程の構成が異なることである。その他の工程は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４１】
この場合、仮焼工程（第２の熱処理工程）において、ホットプレートの載置面に径が約１５０μｍの複数の支持体（プロキシミティボール）を設置する。このようにすると、絶縁基板２は、支持体に当接して支持されるため、ホットプレートの載置面と絶縁基板２との間には、所定量のギャップが形成される。そして、この状態で、仮焼温度は６６０℃、昇温速度は５０℃／秒、加熱３分間の温度条件で熱処理を実施する。なお、このときの温度条件は、ＢＳＴ溶液に含有する有機金属化合物の熱分解温度（３６５．６℃）からＢＳＴの結晶化温度（５８１．１℃）までの昇温速度が５０℃以上であれば、適宜変更可能である。
【００４２】
この実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる（図３参照）。また、仮焼工程において、ホットプレートに支持体（プロキシミティボール）を設置せずに絶縁基板２に対して熱処理を施す場合、熱処理時に発生する絶縁基板２の反りの影響で、ホットプレートに接する部分と接しない部分が生じるため、加熱時の絶縁基板２の温度分布が不均一となるが、この実施形態のようにホットプレートの表面と絶縁基板２との間に予めギャップを設けた状態で熱処理を施すことにより、熱処理を施す際に絶縁基板２内の昇温速度のばらつきを低減することができるため、第１実施形態の製造方法よりも誘電体薄膜５の容量ばらつきを低減することができる（図３参照）。
【００４３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、上記した実施形態では、仮焼工程でホットプレートを用いる場合について説明したが、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置などの各種加熱装置を用いることができる。
【００４４】
また、本発明は、誘電体薄膜を備える種々の薄膜キャパシタに適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
２        絶縁基板（基板）
４        薄膜キャパシタ
５        誘電体薄膜
【図１】
2018011028.tif 000003
【図２】
2018011028.tif 000004
【図３】
2018011028.tif 000005
【図４】
2018011028.tif 000006
【図５】
2018011028.tif 000007
【図６】
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