(57)【要約】      （修正有）【課題】特性と性能を向上させることができる音響共振器及びその製造方法を提供する。【解決手段】音響共振器１００は、基板１１０と、基板１１０上に第１電極１２１、圧電層１２３及び第２電極１２５が順に積層される中央部Ｓと、中央部Ｓから外側に延びる領域であって、圧電層１２３の下部に挿入層１７０が配置される拡張部Ｅと、を含む。圧電層１２３は、中央部Ｓ内に配置される圧電部１２３ａと、拡張部Ｅ内に配置され、挿入層１７０の形状に応じて圧電部１２３ａから傾斜して延びる屈曲部１２３ｂと、に区分される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に第１電極、圧電層、及び第２電極が順に積層される中央部と、
前記中央部から外側に延びる領域であって、前記圧電層の下部に挿入層が配置される拡張部と、
を含み、
前記圧電層は、
前記中央部内に配置される圧電部と、
前記拡張部内に配置され、前記挿入層の形状に応じて前記圧電部から傾斜して延びる屈曲部と、
を含む、音響共振器。
【請求項２】
前記挿入層は、前記中央部から離れるほど厚さが厚くなる傾斜面を備え、
前記屈曲部は、前記挿入層の傾斜面上に配置される傾斜部を含む、請求項１に記載の音響共振器。
【請求項３】
前記挿入層は、少なくとも一部が第１電極の下部、または前記第１電極と前記圧電層との間に配置される、請求項１または２に記載の音響共振器。
【請求項４】
前記第２電極は、少なくとも一部が前記拡張部内に配置される、請求項２に記載の音響共振器。
【請求項５】
前記拡張部内に配置される前記第２電極は、前記傾斜部の傾斜面上に形成され、前記傾斜部の傾斜面よりも小さい面積で形成される、請求項４に記載の音響共振器。
【請求項６】
前記拡張部内に配置される前記第２電極は、前記傾斜部の傾斜面全体に形成される、請求項４に記載の音響共振器。
【請求項７】
前記圧電層の前記屈曲部は、前記傾斜部から外側に延びる延長部を含み、
前記第２電極は、前記傾斜部及び前記延長部上に配置される、請求項４に記載の音響共振器。
【請求項８】
前記基板と前記中央部との間に配置されるキャビティをさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項９】
前記キャビティの境界に沿って配置されて前記キャビティの水平面積を規定するエッチング防止部をさらに含む、請求項８に記載の音響共振器。
【請求項１０】
前記第２電極は、前記中央部の境界に沿って形成されるトレンチをさらに備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１１】
前記第２電極上に形成される保護層をさらに含み、
前記保護層は、前記中央部の境界に沿って形成されるトレンチを備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１２】
前記挿入層は、前記圧電層とは異なる材料で形成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１３】
前記挿入層は、誘電体で形成される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項１４】
基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に積層される圧電部、及び前記圧電部の境界から傾斜して延びる屈曲部を含む圧電層を形成する段階と、
前記圧電層上に第２電極を形成する段階と、
を含む、音響共振器の製造方法。
【請求項１５】
前記圧電層を形成する段階の前に、前記屈曲部の下部に挿入層を形成する段階をさらに含み、
前記屈曲部は、前記挿入層の形状に応じて傾斜面を有する、請求項１４に記載の音響共振器の製造方法。
【請求項１６】
前記第２電極を形成する段階は、前記圧電部の上部面全体、及び前記屈曲部の傾斜面のうち少なくとも一部に前記第２電極を形成する段階である、請求項１５に記載の音響共振器の製造方法。
【請求項１７】
中央部と、
前記中央部から外側に拡張される拡張部と、
前記中央部内において基板上に順に積層される第１電極、圧電層、及び第２電極と、
前記拡張部内において前記圧電層の下部に配置される挿入層と、
を含み、
前記拡張部内に配置された圧電層の一部が前記挿入層により形成される傾斜部を形成する、音響共振器。
【請求項１８】
前記傾斜部は、前記挿入層の傾斜面上に配置される、請求項１７に記載の音響共振器。
【請求項１９】
前記傾斜部及び前記傾斜面は同一の傾斜角を有する、請求項１８に記載の音響共振器。
【請求項２０】
前記傾斜面の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成される、請求項１８または１９に記載の音響共振器。
【請求項２１】
前記中央部及び前記拡張部は、前記音響共振器の共振部内に配置される、請求項１７から２０のいずれか一項に記載の音響共振器。
【請求項２２】
基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に挿入層を形成する段階と、
前記第１電極及び前記挿入層上に圧電層を形成する段階と、
前記圧電層上に第２電極を形成する段階と、
を含み、
共振部内に配置される前記圧電層の外周部は、前記圧電層の中央部に対して傾斜されるように形成される、音響共振器。
【請求項２３】
前記圧電層の外周部は、前記挿入層の傾斜面上に配置される、請求項２２に記載の音響共振器。
【請求項２４】
前記傾斜面の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成される、請求項２３に記載の音響共振器。
【請求項２５】
前記外周部の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成される、請求項２４に記載の音響共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響共振器及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器の小型化の傾向に伴い、高周波部品技術を小型化して実装する技術が積極的に要求されており、一例として、半導体薄膜ウェハの製造技術を用いるバルク音響共振器（ＢＡＷ、Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）形態のフィルターを挙げることができる。
【０００３】
バルク音響共振器（ＢＡＷ）とは、半導体基板であるシリコンウェハ上に圧電誘電体物質を蒸着してその圧電特性を用いることで共振を誘発させる薄膜形態の素子をフィルターとして実現したものを意味する。
【０００４】
バルク音響共振器の利用分野としては、移動通信機器、化学及びバイオ機器などの小型軽量フィルター、オシレータ、共振素子、音響共振質量センサーなどがある。
【０００５】
一方、バルク音響共振器の特性と性能を高めるための様々な構造的形状及び機能に対する研究が行われており、そのような構造と機能を有するバルク音響共振器を製造する方法に対しても様々な研究が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国公開特許第２０１４−０１１８０８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、特性と性能を向上させることができる音響共振器及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態による音響共振器は、基板と、上記基板上に第１電極、圧電層、及び第２電極が順に積層される中央部と、上記中央部から外側に延びる領域であって、上記圧電層の下部に挿入層が配置される拡張部と、を含み、上記圧電層は、上記中央部内に配置される圧電部と、上記拡張部内に配置され、上記挿入層の形状に応じて上記圧電部から傾斜して延びる屈曲部と、を含むことができる。
【０００９】
本発明の実施形態において、上記挿入層は、上記中央部から離れるほど厚さが厚くなる傾斜面を備え、上記屈曲部は、上記挿入層の傾斜面上に配置される傾斜部を含むことができる。
【００１０】
本発明の実施形態において、上記挿入層は、少なくとも一部が第１電極の下部、または上記第１電極と上記圧電層との間に配置されることができる。
【００１１】
本発明の実施形態において、上記第２電極は、少なくとも一部が上記拡張部内に配置されることができる。
【００１２】
本発明の実施形態において、上記拡張部内に配置される上記第２電極は、上記傾斜部の傾斜面上に形成され、上記傾斜部の傾斜面よりも小さい面積で形成されることができる。
【００１３】
本発明の実施形態において、上記拡張部内に配置される上記第２電極は、上記傾斜部の傾斜面全体に形成されることができる。
【００１４】
本発明の実施形態において、上記圧電層の上記屈曲部は、上記傾斜部から外側に延びる延長部を含み、上記第２電極は、上記傾斜部及び上記延長部上に配置されることができる。
【００１５】
本発明の実施形態において、上記基板と上記中央部との間に配置されるキャビティをさらに含むことができる。
【００１６】
本発明の実施形態において、上記キャビティの境界に沿って配置されて上記キャビティの水平面積を規定するエッチング防止部をさらに含むことができる。
【００１７】
本発明の実施形態において、上記第２電極は、上記中央部の境界に沿って形成されるトレンチをさらに備えることができる。
【００１８】
本発明の実施形態において、上記第２電極上に形成される保護層をさらに含み、上記保護層は、上記中央部の境界に沿って形成されるトレンチを備えることができる。
【００１９】
本発明の実施形態において、上記挿入層は、上記圧電層とは異なる材料で形成されることができる。
【００２０】
本発明の実施形態において、上記挿入層は、誘電体で形成されることができる。
【００２１】
また、本発明の実施形態による音響共振器の製造方法は、基板上に第１電極を形成する段階と、上記第１電極上に積層される圧電部、及び上記圧電部の境界から傾斜して延びる屈曲部を含む圧電層を形成する段階と、上記圧電層上に第２電極を形成する段階と、を含むことができる。
【００２２】
本発明の実施形態において、上記圧電層を形成する段階の前に、上記屈曲部の下部に挿入層を形成する段階をさらに含み、上記屈曲部は、上記挿入層の形状に応じて傾斜面を有することができる。
【００２３】
本発明の実施形態において、上記第２電極を形成する段階は、上記圧電部の上部面全体、及び上記屈曲部の傾斜面のうち少なくとも一部に上記第２電極を形成する段階であることができる。
【００２４】
また、本発明の他の実施形態による音響共振器は、中央部と、上記中央部から外側に拡張される拡張部と、上記中央部内において基板上に順に積層される第１電極、圧電層、及び第２電極と、上記拡張部内において上記圧電層の下部に配置される挿入層と、を含み、上記拡張部内に配置された圧電層の一部が上記挿入層により形成される傾斜部を形成することができる。
【００２５】
本発明の他の実施形態において、上記傾斜部は、上記挿入層の傾斜面上に配置されることができる。
【００２６】
本発明の他の実施形態において、上記傾斜部及び上記傾斜面は同一の傾斜角を有することができる。
【００２７】
本発明の他の実施形態において、上記傾斜面の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成されることができる。
【００２８】
本発明の他の実施形態において、上記中央部及び上記拡張部は、上記音響共振器の共振部内に配置されることができる。
【００２９】
また、本発明の他の実施形態による音響共振器の製造方法は、基板上に第１電極を形成する段階と、上記第１電極上に挿入層を形成する段階と、上記第１電極及び上記挿入層上に圧電層を形成する段階と、上記圧電層上に第２電極を形成する段階と、を含み、共振部内に配置される上記圧電層の外周部は、上記圧電層の中央部に対して傾斜されるように形成されることができる。
【００３０】
本発明の他の実施形態において、上記圧電層の外周部は、上記挿入層の傾斜面上に配置されることができる。
【００３１】
本発明の他の実施形態において、上記傾斜面の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成されることができる。
【００３２】
本発明の他の実施形態において、上記外周部の傾斜角は、５°以上７０°以下の範囲で形成されることができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明による音響共振器は、圧電層の下部に配置される挿入層により、圧電層及び第２電極に傾斜された領域が形成されて横方向の振動が外側に抜け出ることを抑制するため、音響共振器の特性と性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態による音響共振器の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'による断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ'による断面図である。
【図４】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ'による断面図である。
【図５】本発明の実施形態による音響共振器の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態による音響共振器の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態による音響共振器の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態による音響共振器の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１５】本発明のさらに他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明のさらに他の実施形態による音響共振器を概略的に示す断面図である。
【図１８】本発明の実施形態による音響共振器の第２電極構造による音響共振器の共振性能を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【００３６】
なお、明細書全体において、ある構成が他の構成と「接続される」というのは、これら構成が「直接的に接続」される場合だけでなく、他の構成を介して「間接的に接続」される場合も含むことを意味する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対である記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００３７】
図１は本発明の実施形態による音響共振器の平面図であり、図２は図１のＩ−Ｉ'による断面図であり、図３は図１のＩＩ−ＩＩ'による断面図であり、図４は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ'による断面図である。
【００３８】
図１〜図４を参照すると、本発明の実施形態による音響共振器１００は、バルク音響共振器（ＢＡＷ、Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）であることができ、基板１１０、犠牲層１４０、共振部１２０、及び挿入層１７０を含むことができる。
【００３９】
基板１１０は、シリコン基板であることができる。例えば、基板１１０としては、シリコンウェハを用いてもよく、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型の基板を用いてもよい。
【００４０】
基板１１０の上面には、絶縁層１１５が設けられて基板１１０と共振部１２０を電気的に絶縁させることができる。また、絶縁層１１５は、音響共振器の製造過程においてキャビティＣを形成する際に、エッチングガスによって基板１１０がエッチングされることを防止する。
【００４１】
この場合、絶縁層１１５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のうち少なくとも１つで形成することができ、化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＲＦマグネトロンスパッタリング（ＲＦ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、及び蒸発（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のいずれかの工程を経て、基板１１０に形成することができる。
【００４２】
犠牲層１４０は絶縁層１１５上に形成され、犠牲層１４０の内部にはキャビティＣ及びエッチング防止部１４５が配置される。
【００４３】
キャビティＣは、空き空間であり、犠牲層１４０の一部を除去することにより形成することができる。
【００４４】
キャビティＣが犠牲層１４０内に形成されることにより、犠牲層１４０の上部に形成される共振部１２０は全体的に平らに形成されることができる。
【００４５】
エッチング防止部１４５は、キャビティＣの境界に沿って配置される。エッチング防止部１４５は、キャビティＣの形成過程においてキャビティ領域を超えてエッチングされることを防止するために備えられる。したがって、キャビティＣの水平面積はエッチング防止部１４５によって規定され、垂直面積は犠牲層１４０の厚さによって規定される。
【００４６】
膜層（ｍｅｍｂｒａｎｅ  ｌａｙｅｒ）１５０は、犠牲層１４０上に形成されて基板１１０とともにキャビティＣの厚さ（または高さ）を規定する。これにより、膜層１５０もキャビティＣを形成する過程で容易に除去されない材料で形成される。
【００４７】
例えば、犠牲層１４０の一部（例えば、キャビティ領域）を除去するために、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン系エッチングガスを用いる場合、膜層１５０は、上記エッチングガスとの反応性が低い材料からなることができる。この場合、膜層１５０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００４８】
また、膜層１５０は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうち少なくとも一つの材料を含有する誘電体層（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｌａｙｅｒ）からなるか、またはアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、ガリウム（Ｇａ）、及びハフニウム（Ｈｆ）のうち少なくとも一つの材料を含有する金属層からなることができる。しかし、本発明の構成がこれに限定されるものではない。
【００４９】
膜層１５０上には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で製造されるシード層（図示せず）が形成されることができる。具体的に、シード層は、膜層１５０と第１電極１２１との間に配置されることができる。シード層は、ＡｌＮ以外にも、ＨＣＰ構造を有する誘電体または金属を用いて形成することができる。金属の場合、例えば、シード層は、チタン（Ｔｉ）で形成することができる。
【００５０】
共振部１２０は、第１電極１２１、圧電層１２３、及び第２電極１２５を含む。共振部１２０は、下部から第１電極１２１、圧電層１２３、及び第２電極１２５が順に積層される。つまり、共振部１２０において、圧電層１２３は、第１電極１２１と第２電極１２５との間に配置される。
【００５１】
共振部１２０が膜層１５０上に形成されるため、結果的に基板１１０の上部に、膜層１５０、第１電極１２１、圧電層１２３、及び第２電極１２５が順に積層されて共振部１２０を形成する。
【００５２】
共振部１２０は、第１電極１２１及び第２電極１２５に印加される信号に応じて圧電層１２３を共振させて共振周波数及び反共振周波数を発生させることができる。
【００５３】
共振部１２０は、第１電極１２１、圧電層１２３、及び第２電極１２５が略平らに積層された中央部Ｓと、第１電極１２１と圧電層１２３との間に挿入層１７０が介在される拡張部Ｅと、に区分されることができる。
【００５４】
中央部Ｓは、共振部１２０の中心に配置される領域であり、拡張部Ｅは、中央部Ｓの周りに沿って配置される領域である。つまり、拡張部Ｅとは、中央部Ｓから外側に延びる領域を意味する。
【００５５】
挿入層１７０は、中央部Ｓから離れるほど厚さが厚くなる傾斜面Ｌを備える。
【００５６】
拡張部Ｅにおいて、圧電層１２３及び第２電極１２５は、挿入層１７０上に配置される。これにより、拡張部Ｅに位置する圧電層１２３及び第２電極１２５は、挿入層１７０の形状に応じて傾斜面を備える。
【００５７】
一方、本実施形態では、拡張部Ｅが共振部１２０に含まれるものと定義しており、それに応じて拡張部Ｅでも共振が行われることができる。しかし、これに限定されるものではなく、拡張部Ｅの構造に応じて拡張部Ｅでは共振が行われず、中央部Ｓのみで共振が行われることもできる。
【００５８】
第１電極１２１及び第２電極１２５は、導電体で形成することができ、例えば、金、モリブデン、ルテニウム、イリジウム、アルミニウム、白金、チタン、タングステン、パラジウム、タンタル、クロム、ニッケル、またはこれらのうち少なくとも一つを含む金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
第１電極１２１は、第２電極１２５よりも広い面積で形成し、第１電極１２１上に第１電極１２１の外側に沿って第１金属層１８０を配置する。これにより、第１金属層１８０は、第２電極１２５を囲む形で配置されることができる。
【００６０】
第１電極１２１は、膜層１５０上に配置されるため、全体的に平らに形成される。これに対し、第２電極１２５は、圧電層１２３上に配置されるため、圧電層１２３の形状に対応して屈曲が形成されることができる。
【００６１】
第２電極１２５は、中央部Ｓ内に全体的に配置され、拡張部Ｅに部分的に配置される。これにより、第２電極１２５は、後述の圧電層１２３の圧電部１２３ａ上に配置される部分と、圧電層１２３の屈曲部１２３ｂ上に配置される部分と、に区分されることができる。
【００６２】
より具体的には、本実施形態において、第２電極１２５は、圧電部１２３ａの全体と、圧電層１２３の傾斜部１２３１の一部と、を覆う形で配置される。これにより、拡張部Ｅ内に配置される第２電極１２５は、傾斜部１２３１の傾斜面よりも小さい面積で形成され、共振部１２０内において、第２電極１２５は、圧電層１２３よりも小さい面積で形成される。
【００６３】
圧電層１２３は、第１電極１２１及び後述の挿入層１７０上に形成される。
【００６４】
圧電層１２３の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ジルコンチタン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）、クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）などを選択的に用いることができる。ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）の場合、希土類金属（Ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ）または遷移金属をさらに含むことができる。一例として、上記希土類金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも一つを含むことができる。上記遷移金属は、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００６５】
本実施形態による圧電層１２３は、中央部Ｓに配置される圧電部１２３ａと、拡張部Ｅに配置される屈曲部１２３ｂと、を含む。
【００６６】
圧電部１２３ａは、第１電極１２１の上部面に直接積層される部分である。これにより、圧電部１２３ａは、第１電極１２１と第２電極１２５との間に介在され、第１電極１２１及び第２電極１２５とともに平らな形で形成される。
【００６７】
屈曲部１２３ｂは、圧電部１２３ａから外側に延び、拡張部Ｅ内に位置する領域として定義することができる。
【００６８】
屈曲部１２３ｂは、後述の挿入層１７０上に配置され、挿入層１７０の形状に応じて隆起する形で形成される。これにより、圧電層１２３は、圧電部１２３ａと屈曲部１２３ｂとの境界で屈曲され、屈曲部１２３ｂは、挿入層１７０の厚さと形状に対応して隆起する。
【００６９】
屈曲部１２３ｂは、傾斜部１２３１と延長部１２３２とに区分されることができる。
【００７０】
傾斜部１２３１とは、後述の挿入層１７０の傾斜面Ｌに沿って傾斜するように形成される部分を意味する。また、延長部１２３２とは、傾斜部１２３１から外側に延びる部分を意味する。
【００７１】
傾斜部１２３１は、挿入層１７０の傾斜面Ｌと平行に形成され、傾斜部１２３１の傾斜角は、挿入層１７０の傾斜面Ｌの傾斜角（図４のθ）と同一に形成されることができる。
【００７２】
挿入層１７０は、膜層１５０、第１電極１２１、及びエッチング防止部１４５によって形成される表面に沿って配置される。
【００７３】
挿入層１７０は、中央部Ｓの周りに配置されて圧電層１２３の屈曲部１２３ｂを支持する。これにより、圧電層１２３の屈曲部１２３ｂは、挿入層１７０の形状に応じて傾斜部１２３１と延長部１２３２とに区分されることができる。
【００７４】
挿入層１７０は、中央部Ｓを除いた領域に配置される。例えば、挿入層１７０は、中央部Ｓを除いた領域全体に配置されるか、または一部領域に配置されることができる。
【００７５】
また、挿入層１７０は、少なくとも一部が圧電層１２３と第１電極１２１との間に配置される。
【００７６】
中央部Ｓの境界に沿って配置される挿入層１７０の側面は、中央部Ｓから離れるほど厚さが厚くなる形状に形成される。これにより、挿入層１７０は、中央部Ｓと隣接して配置される側面が一定の傾斜角θを有する傾斜面Ｌに形成される。
【００７７】
挿入層１７０の側面の傾斜角θが５°よりも小さく形成されると、このように製造するために、挿入層１７０の厚さを非常に薄く形成するか、または傾斜面Ｌの面積を大きすぎるように形成する必要があるため、実質的に実現することが難しい。
【００７８】
また、挿入層１７０の側面の傾斜角θが７０°よりも大きく形成されると、挿入層１７０上に積層される圧電層１２３の傾斜部１２３１の傾斜角も７０°よりも大きく形成されるようになる。この場合、圧電層１２３が屈曲しすぎるため、圧電層１２３の屈曲部分においてクラック（ｃｒａｃｋ）が発生する可能性がある。
【００７９】
したがって、本実施形態では、上記傾斜面Ｌの傾斜角θは、５°以上７０°以下の範囲で形成される。
【００８０】
挿入層１７０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの誘電体で形成することができるが、圧電層１２３とは異なる材料で形成する。また、必要に応じて、挿入層１７０が備えられる領域を空き空間（ａｉｒ）で形成することも可能である。これは、製造過程において共振部１２０のすべてを形成した後、挿入層１７０を除去することにより実現することができる。
【００８１】
本実施形態において、挿入層１７０の厚さは、第１電極１２１の厚さと同一または類似に形成することができる。また、圧電層１２３と類似に形成するか、または圧電層１２３よりも薄く形成することができる。例えば、挿入層１７０は、１００Å以上の厚さに形成し、且つ圧電層１２３の厚さよりは薄く形成することができる。しかし、本発明の構成がこれに限定されるものではない。
【００８２】
このように構成される本実施形態による共振部１２０は、空き空間として形成されるキャビティＣにより基板１１０と離れて配置される。
【００８３】
キャビティＣは、音響共振器の製造過程においてエッチングガス（またはエッチング溶液）を流入孔（図１及び図３のＨ）に供給して犠牲層１４０の一部を除去することによって形成することができる。
【００８４】
保護層１２７は、音響共振器１００の表面に沿って配置されて音響共振器１００を外部から保護する。保護層１２７は、第２電極１２５、圧電層１２３の屈曲部１２３ｂ、及び挿入層１７０が形成される表面に沿って配置されることができる。
【００８５】
保護層１２７は、二酸化ケイ素系、窒化ケイ素系、酸化アルミニウム系、及び窒化アルミニウム系のうちいずれかの絶縁材料で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００８６】
第１電極１２１及び第２電極１２５は、共振部１２０の外側に延びて形成され、延びて形成される部分の上部面には、それぞれ第１金属層１８０及び第２金属層１９０が配置される。
【００８７】
第１金属層１８０及び第２金属層１９０は、金（Ａｕ）、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金、銅（Ｃｕ）、銅−スズ（Ｃｕ−Ｓｎ）合金などの材料からなることができる。
【００８８】
第１金属層１８０及び第２金属層１９０は、本実施形態による音響共振器の第１電極１２１及び第２電極１２５と隣接して配置された他の音響共振器の電極と電気的に接続されるようにする接続配線として機能するか、または外部接続端子として機能することができる。しかし、これに限定されるものではない。
【００８９】
一方、図２には、第２金属層１９０の下部に挿入層１７０が配置される場合が示されているが、本発明の構成はこれに限定されず、必要に応じて、第２金属層１９０の下部の挿入層１７０が除去された構造としても実現することが可能である。
【００９０】
第１金属層１８０は、挿入層１７０と保護層１２７を貫通して第１電極１２１に接合される。
【００９１】
また、図３に示すように、第１電極１２１は、第２電極１２５よりも広い面積で形成され、第１電極１２１の周りの部分には、第１金属層１８０が形成される。
【００９２】
これにより、第１金属層１８０は、共振部１２０の周りに沿って配置され、第２電極１２５を囲む形で配置される。しかし、これに限定されるものではない。
【００９３】
一方、上述のとおり、本実施形態による第２電極１２５は、圧電層１２３の圧電部１２３ａ及び傾斜部１２３１上に積層配置される。また、第２電極１２５において圧電層１２３の傾斜部１２３１上に配置される部分（図４の１２５ａ）、すなわち、拡張部Ｅに配置される第２電極１２５ａは、傾斜部１２３１の傾斜面の全体ではなく、傾斜面の一部のみに配置される。
【００９４】
図１８は、本発明の実施形態による音響共振器の第２電極構造による音響共振器の減衰（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ）を示すグラフである。
【００９５】
図１８は、図２及び図３に示す音響共振器による減衰を測定して示すグラフである。ここで、挿入層１７０の厚さは３０００Åであり、挿入層１７０の傾斜面Ｌの傾斜角θが２０°であり、傾斜面Ｌの長さ（または幅）ｌｓが０．８７μｍである音響共振器において拡張部Ｅに配置される第２電極１２５ａの大きさを変化させ、音響共振器の減衰（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ）を測定したものである。また、下記表１は、図１８に示すグラフの値をまとめたものである。
【００９６】
【表１】
2018148548.tif 000003
※傾斜面の長さ：０．８７μｍ
【００９７】
一方、本実施形態において、圧電層１２３の傾斜面は、挿入層１７０の傾斜面に沿って同一の形状に形成されるため、圧電層１２３の傾斜面の長さは、挿入層の傾斜面Ｌの長さｌｓと同一であると見なすことができる。
【００９８】
図１８及び表１を参照すると、拡張部Ｅにおける圧電層１２３の傾斜面の長さｌｓが０．８７μｍである音響共振器において、圧電層１２３の傾斜面に０．５μｍの幅を有するように第２電極１２５ａを積層する場合、最も小さく減衰すると測定された。また、拡張部Ｅにおける第２電極１２５ａの幅が上記幅よりも大きくなるか、または小さくなる場合、減衰が増加して共振性能が低下すると測定された。
【００９９】
一方、拡張部Ｅにおける第２電極１２５ａの幅Ｗｅと傾斜面の長さｌｓの比（Ｗｅ／ｌｓ）を考慮すると、表１に示すように、減衰（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ）は、上記比（Ｗｅ／ｌｓ）が０．４６〜０．６９である場合に３７ｄＢ以上に維持されることが分かる。
【０１００】
したがって、共振性能を確保するために、本実施形態による音響共振器１００は、拡張部Ｅにおける第２電極１２５ａの幅Ｗｅと傾斜面の長さｌｓの比（Ｗｅ／ｌｓ）を０．４６〜０．６９の範囲に限定することができる。しかし、本発明の全体構成がすべて上記範囲に限定されるのではなく、上記範囲は、傾斜角θの大きさや挿入層１７０の厚さの変化に応じて変更されることができる。
【０１０１】
次に、本実施形態による音響共振器の製造方法を説明する。
【０１０２】
図５〜図８は、本発明の実施形態による音響共振器の製造方法を説明するための図である。
【０１０３】
まず、図５を参照すると、本発明の実施形態による音響共振器の製造方法は、基板１１０上に絶縁層１１５及び犠牲層１４０を形成し、犠牲層１４０を貫通するパターンＰを形成する。これにより、絶縁層１１５は、パターンＰを介して外部に露出する。
【０１０４】
絶縁層１１５は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１０５】
犠牲層１４０に形成されるパターンＰは、上面の幅が下面の幅よりも広い台形状の断面を有するように形成することができる。
【０１０６】
犠牲層１４０は、後のエッチング工程を経て一部が除去されてキャビティ（図２のＣ）を形成する。そのため、犠牲層１４０としては、エッチングが容易なポリシリコンまたはポリマーなどの材料を用いることができる。しかし、これに限定されるものではない。
【０１０７】
次に、犠牲層１４０上に膜層１５０を形成する。膜層１５０は、犠牲層１４０の表面に沿って一定の厚さに形成される。膜層１５０の厚さは、犠牲層１４０の厚さよりも薄ければよい。
【０１０８】
膜層１５０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のうち少なくとも一つを含むことができる。また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうち少なくとも一つの材料を含有する誘電体層（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｌａｙｅｒ）からなるか、またはアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、ガリウム（Ｇａ）、ハフニウム（Ｈｆ）のうち少なくともいずれかの材料を含有する金属層からなることができる。しかし、本発明の構成がこれに限定されるものではない。
【０１０９】
一方、図示されていないが、膜層１５０上にシード層を形成することができる。
【０１１０】
シード層は、膜層１５０と後述の第１電極１２１との間に配置することができる。シード層は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で製造することができるが、これに限定されず、ＨＣＰ構造を有する誘電体または金属を用いて形成することもできる。例えば、金属を用いてシード層を形成する場合、シード層は、チタン（Ｔｉ）で形成することができる。
【０１１１】
続いて、図６に示すように、膜層１５０上にエッチング防止層１４５ａを形成する。エッチング防止層１４５ａは、パターンＰの内部にも充填する。
【０１１２】
エッチング防止層１４５ａは、パターンＰを完全に充填する厚さで形成する。これにより、エッチング防止層１４５ａは、犠牲層１４０よりも厚く形成することができる。
【０１１３】
エッチング防止層１４５ａは、絶縁層１１５と同一の材料で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１１４】
次いで、膜層１５０が外部に露出するようにエッチング防止層１４５ａを除去する。
【０１１５】
この際、パターンＰの内部に充填された部分は残るようになり、残っているエッチング防止層１４５ａは、エッチング防止部１４５として機能する。
【０１１６】
続いて、図７に示すように、膜層１５０の上面に第１電極１２１を形成する。
【０１１７】
本実施形態において、第１電極１２１は、導電体で形成することができ、例えば、金、モリブデン、ルテニウム、イリジウム、アルミニウム、白金、チタン、タングステン、パラジウム、タンタル、クロム、ニッケル、またはこれらのうち少なくとも一つを含む金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１１８】
第１電極１２１は、キャビティ（図３のＣ）が形成される領域の上部に形成する。
【０１１９】
第１電極１２１は、膜層１５０の全体を覆う形で導電体層を形成した後、不要な部分を除去することによって形成することができる。
【０１２０】
次いで、挿入層１７０を形成する。挿入層１７０は、第１電極１２１上に形成し、必要に応じて、膜層１５０の上部に拡張することができる。
【０１２１】
挿入層１７０は、膜層１５０、第１電極１２１、及びエッチング防止部１４５が形成される表面全体を覆うように形成した後、中央部Ｓに対応する領域に配置された部分を除去することにより完成させることができる。
【０１２２】
これにより、中央部Ｓを構成する第１電極１２１の中心部は、挿入層１７０の外部に露出する。また、挿入層１７０は、第１電極１２１の周りに沿って第１電極１２１の一部を覆う形で形成される。その結果、拡張部Ｅに配置される第１電極１２１の縁部分は挿入層１７０の下部に配置されるようになる。
【０１２３】
中央部Ｓと隣接して配置される挿入層１７０の側面は、傾斜面Ｌに形成される。挿入層１７０は、中央部Ｓ側に行くほど厚さが薄くなる形状に形成され、挿入層１７０の下部面は、挿入層１７０の上部面よりも中央部Ｓ側にさらに拡張した形で形成される。この際、挿入層１７０の傾斜面Ｌの傾斜角は、上述のとおり、５°〜７０°の範囲で形成されることができる。
【０１２４】
挿入層１７０は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの誘電体で形成することができるが、圧電層１２３とは異なる材料で形成する。
【０１２５】
続いて、第１電極１２１と挿入層１７０上に圧電層１２３を形成する。
【０１２６】
本実施形態において、圧電層１２３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成することができる。しかし、これに限定されるものではなく、圧電層１２３の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ジルコンチタン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）、クォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）などを選択的に用いることができる。また、ドープされた窒化アルミニウム（Ｄｏｐｅｄ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）の場合、希土類金属（Ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ）または遷移金属をさらに含むことができる。一例として、上記希土類金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも一つを含むことができる。上記遷移金属は、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【０１２７】
また、圧電層１２３は、挿入層１７０とは異なる材料で形成する。
【０１２８】
圧電層１２３は、第１電極１２１及び挿入層１７０が形成される表面全体に圧電材料を形成した後、不要な部分を部分的に除去することによって形成することができる。本実施形態では、第２電極１２５を形成した後、圧電材料の不要な部分を除去して圧電層１２３を完成させる。しかし、これに限定されるものではなく、第２電極１２５を形成する前に圧電層１２３を完成させることも可能である。
【０１２９】
圧電層１２３は、第１電極１２１及び挿入層１７０の一部を覆う形で形成する。これにより、圧電層１２３は、第１電極１２１及び挿入層１７０がなす表面形状に応じて形成される。
【０１３０】
上述のとおり、第１電極１２１は、中央部Ｓに対応する部分のみが挿入層１７０の外部に露出する。これにより、第１電極１２１上に形成される圧電層１２３は、中央部Ｓ内に位置するようになる。また、挿入層１７０上に形成される屈曲部１２３ｂは、拡張部Ｅ内に位置するようになる。
【０１３１】
次いで、圧電層１２３の上部に第２電極１２５を形成する。本実施形態において、第２電極１２５は、導電体で形成することができ、例えば、金、モリブデン、ルテニウム、イリジウム、アルミニウム、白金、チタン、タングステン、パラジウム、タンタル、クロム、ニッケル、またはこれらのうち少なくとも一つを含む金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１３２】
第２電極１２５は、基本的に圧電層１２３の圧電部１２３ａ上に形成する。上述のとおり、圧電層１２３の圧電部１２３ａは中央部Ｓ内に位置する。これにより、圧電層１２３上に配置される第２電極１２５も中央部Ｓ内に配置される。
【０１３３】
また、本実施形態において、第２電極１２５は、圧電層１２３の傾斜部１２３１上にも形成される。上述のとおり、第２電極１２５は、中央部Ｓの全体及び拡張部Ｅ内に部分的に配置される。
【０１３４】
続いて、図８に示すように、保護層１２７を形成する。
【０１３５】
保護層１２７は、第２電極１２５及び圧電層１２３が形成される表面に沿って形成される。また、図示されていないが、保護層１２７は、外部に露出する挿入層１７０上にも形成することができる。
【０１３６】
保護層１２７は、二酸化ケイ素系、窒化ケイ素系、及び窒化アルミニウム系のうち一つの絶縁材料で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１３７】
その後、保護層１２７及び圧電層１２３を部分的に除去して第１電極１２１及び第２電極１２５を部分的に露出させ、露出している部分にそれぞれ第１金属層１８０及び第２金属層１９０を形成する。
【０１３８】
第１金属層１８０及び第２金属層１９０は、金（Ａｕ）、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金、銅（Ｃｕ）、銅−スズ（Ｃｕ−Ｓｎ）合金などの材料からなることができ、第１電極１２１または第２電極１２５上に蒸着して形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１３９】
次いで、キャビティＣを形成する。
【０１４０】
キャビティＣは、犠牲層１４０のエッチング防止部１４５の内部に位置する部分を除去することによって形成する。これにより、図２及び図３に示す音響共振器１００が完成する。この過程で除去される犠牲層１４０は、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）方式により除去することができる。
【０１４１】
犠牲層１４０をポリシリコンまたはポリマーなどの材料で形成する場合、犠牲層１４０は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン系エッチングガス（例えば、ＸｅＦ２）を用いるドライエッチング（ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）方法によって除去することができる。
【０１４２】
このように構成される本実施形態による音響共振器は、挿入層１７０によって共振部１２０の拡張部Ｅが中央部Ｓよりも厚い厚さで形成されるため、中央部Ｓで発生した振動が外側に抜け出ることを抑制して音響共振器のＱ−ｆａｃｔｏｒを増加させることができる。
【０１４３】
また、第２電極１２５を拡張部Ｅに部分的に配置することにより、飛躍的に改善した共振性能を提供することができる。
【０１４４】
一方、本発明による音響共振器は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。
【０１４５】
図９及び図１０は、本発明の他の実施形態による音響共振器２００を概略的に示す断面図である。図９は図１のＩ−Ｉ'に対応する断面図であり、図１０は図１のＩＩ−ＩＩ'に対応する断面図である。
【０１４６】
図９及び図１０を参照すると、本実施形態による音響共振器の挿入層２７０は、圧電層２２３を支持する一部だけを残して、残りの部分はすべて除去する。このように、挿入層２７０は、必要に応じて部分的に配置することができる。これにより、挿入層２７０は、圧電層２２３と第１電極１２１との間に埋め込まれる。
【０１４７】
圧電層２２３は、挿入層２７０の配置形態により、図２〜図４に示す音響共振器１００の圧電層１２３とは異なる形状を有する。圧電層２２３は、圧電部２２３ａと、傾斜部２２３１及び延長部２２３２を含む屈曲部２２３ｂと、を含む。
【０１４８】
音響共振器がこのように構成される場合、挿入層２７０は、第１金属層１８０またはエッチング防止部１４５と接触しないように配置されることができる。また、挿入層２７０は、共振部１２０の外側に配置されず、キャビティＣの上部領域内に配置される。しかし、挿入層２７０が配置される領域は、図９及び図１０に示す領域にのみ限定されず、必要に応じて様々な場所に拡張することができる。
【０１４９】
図１１〜図１３はそれぞれ本発明の他の実施形態による音響共振器３００、４００、及び５００を概略的に示す断面図である。
【０１５０】
まず、図１１を参照すると、本実施形態による音響共振器３００は、拡張部Ｅ内に配置される第２電極２２５が圧電層１２３の傾斜部１２３１の傾斜面の全体に配置される。
【０１５１】
また、図１２を参照すると、本実施形態による音響共振器４００は、第２電極３２５が圧電層１２３の上面全体に配置される。これにより、第２電極３２５は、圧電層１２３の傾斜部１２３１だけでなく延長部１２３２上にも形成される。さらに、保護層２２７は、第２電極３２５、及び圧電層１２３の屈曲部１２３ｂによって形成される表面に沿って配置される。
【０１５２】
また、図１３を参照すると、本実施形態による音響共振器５００は、第２電極４２５が圧電層１２３の圧電部１２３ａの上面のみに形成され、屈曲部１２３ｂ上には形成されない。さらに、保護層３２７は、第２電極４２５、及び圧電層１２３の屈曲部１２３ｂによって形成される表面に沿って配置される。
【０１５３】
このように、本発明による音響共振器２００、３００、４００、及び５００は、必要に応じて、拡張部Ｅの構造を様々な形に変形することができる。
【０１５４】
図１４は本発明のさらに他の実施形態による音響共振器６００を概略的に示す断面図である。
【０１５５】
図１４を参照すると、本実施形態による音響共振器６００は、第２電極５２５上に少なくとも一つのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）５２５ｂを備える。
【０１５６】
トレンチ５２５ｂは、中央部Ｓ内に配置された第２電極５２５に形成し、第２電極５２５の厚さが減少した形を有するように溝として形成する。また、中央部Ｓの境界に沿って形成するか、またはエッジに隣接して配置されるように形成する。
【０１５７】
トレンチ５２５ｂは、連続的なリング（ｒｉｎｇ）状に形成するか、または一部の領域が切断された構造で形成することができるが、これに限定されず、部分的または不連続的な複数の弧状の溝を有するように形成することもできる。
【０１５８】
また、トレンチ５２５ｂは、深さよりも幅が大きい溝に形成することができる。
【０１５９】
図１５は本発明のさらに他の実施形態による音響共振器７００を概略的に示す断面図であり、図１４に示す音響共振器６００の変形例である。
【０１６０】
図１５を参照すると、本実施形態による音響共振器７００は、トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）５２７ａが保護層５２７に形成される。
【０１６１】
トレンチ５２７ａは、中央部Ｓ内に配置された保護層５２７に形成し、保護層５２７の厚さが減少した形を有するように溝として形成する。また、中央部Ｓの境界に沿って形成するか、またはエッジに隣接して配置されるように形成する。
【０１６２】
上記図１４に示す実施形態と同様に、トレンチ５２７ａは、連続的なリング（ｒｉｎｇ）状に形成するか、または一部の領域が切断された構造で形成することができる。また、深さよりも幅が大きい溝に形成することができる。しかし、これに限定されるものではない。
【０１６３】
図１６は本発明のさらに他の実施形態による音響共振器８００を概略的に示す断面図であり、図２のＩ−Ｉ'に対応する断面を示すものである。
【０１６４】
図１６を参照すると、本実施形態による音響共振器８００は、図３に示す音響共振器１００と類似に形成されるが、共振部８２０の周りに第１金属層（図３の１８０）が備えられていない。
【０１６５】
この場合、第１金属層１８０は、他の音響共振器の電極と接続される接続配線上のみに形成されて共振部８２０の周りには形成されない。
【０１６６】
これにより、挿入層３７０、及び挿入層３７０上に積層される保護層６２７は、共振部８２０の周り領域の全体に配置されることができる。しかし、これに限定されるものではなく、必要に応じて、共振部８２０の周り領域に部分的に配置されることも可能である。
【０１６７】
図１７は本発明のさらに他の実施形態による音響共振器９００を概略的に示す断面図である。
【０１６８】
図１７を参照すると、本実施形態による音響共振器９００は、図２及び図３に示す音響共振器１００と類似に形成されるが、挿入層４７０において少なくとも一部が膜層１５０と第１電極２２１との間に挿入配置されるという点で異なる。
【０１６９】
この場合、挿入層４７０は、製造過程において第１電極２２１よりも先に膜層１５０上に形成され、第１電極２２１は、挿入層４７０の上部に形成されて挿入層４７０の一部を覆うように配置される。これにより、本実施形態による音響共振器９００は、第１電極２２１及び圧電層１２３の両方に傾斜面が形成される。
【０１７０】
以上のように構成される本実施形態による音響共振器は、拡張部の領域において圧電層及び第２電極に傾斜部が形成されて横方向の振動が外側に抜け出ることを抑制するため、音響共振器の特性と性能を向上させることができる。
【０１７１】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１７２】
１００  音響共振器
１１０  基板
１２０  共振部
１２１  第１電極
１２３  圧電層
１２５  第２電極
１２７  保護層
１４０  犠牲層
１５０  膜層
１７０  挿入層
【図１】
2018148548.tif 000004
【図２】
2018148548.tif 000005
【図３】
2018148548.tif 000006
【図４】
2018148548.tif 000007
【図５】
2018148548.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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