(57)【要約】【課題】発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光パネルおよび発光装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルは、各画素において、各副画素を区画する複数のバンクを有している。各副画素において、有機電界発光素子は、複数のバンクのうち、互いに隣接する２つのバンクの間隙に設けられている。有機材料層の表面とバンクとの接点であるピニング位置の、間隙の底面からの高さｙと、間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たしている。【数１】2018133144.tif 000015【選択図】図７
2018133144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記副画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機材料層とを有し、
前記有機電界発光パネルは、各前記画素において、各前記副画素を区画する複数のバンクを有し、
各前記副画素において、前記有機電界発光素子は、複数の前記バンクのうち、互いに隣接する２つの前記バンクの間隙に設けられ、
前記有機材料層の表面と前記バンクとの接点であるピニング位置の、前記間隙の底面からの高さｙと、前記間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たす
有機電界発光パネル。
【数１】
2018133144.tif 000011
【請求項２】
前記高さｙと、前記幅ｘとは、以下の関係式を満たす
請求項１に記載の有機電界発光パネル。
【数２】
2018133144.tif 000012
【請求項３】
前記高さｙと、前記幅ｘとは、以下の関係式を満たす
請求項１に記載の有機電界発光パネル。
【数３】
2018133144.tif 000013
【請求項４】
前記幅ｘは、１００μｍ以下の値である
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
【請求項５】
前記幅ｘは、５０μｍ以下の値である
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
【請求項６】
前記幅ｘは、１０μｍ以上の値である
請求項４または請求項５に記載の有機電界発光パネル。
【請求項７】
前記底面には、前記第１電極が露出している
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
【請求項８】
複数の画素を有する有機電界発光パネルと、
複数の前記画素を駆動する駆動部と
を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記副画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機材料層とを有し、
前記有機電界発光パネルは、各前記画素において、各前記副画素を区画する複数のバンクを有し、
各前記副画素において、前記有機電界発光素子は、複数の前記バンクのうち、互いに隣接する２つの前記バンクの間隙に設けられ、
前記有機材料層の表面と前記バンクとの接点であるピニング位置の、前記間隙の底面からの高さｙと、前記間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たす
発光装置。
【数４】
2018133144.tif 000014
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光パネルおよび発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。近年の高精細化に伴い、画素サイズが小さくなり、単位面積当たりの保液量が少なくなってきている。しかし、溶解性や、印刷可能な物性（粘度など）の観点から、インク濃度を過度に高くすることは難しい。そのため、例えば、各画素を区画するバンクの側面を親液性にすることで、少ない保液量でもインクの濡れ広がり性を確保することが考えられる。なお、各画素を区画するバンクについては、例えば、特許文献１，２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９１８４１号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、バンクの側面を親液性にした場合には、インクを乾燥させる過程でインクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の表面にもメニスカスが形成される。そのため、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、画素の中心部分が強く光る現象が起きてしまう。その結果、発光部として利用できる部分が減少してしまう。従って、発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光パネルおよび発光装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルは、複数の画素を備えている。各画素は、複数の副画素を有しており、各副画素は、有機電界発光素子を有している。有機電界発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた有機材料層とを有している。有機電界発光パネルは、各画素において、各副画素を区画する複数のバンクを有している。各副画素において、有機電界発光素子は、複数のバンクのうち、互いに隣接する２つのバンクの間隙に設けられている。有機材料層の表面とバンクとの接点であるピニング位置の、間隙の底面からの高さｙと、間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たしている。
【数１】
2018133144.tif 000003
【０００６】
本開示の一実施の形態の発光装置は、複数の画素を有する有機電界発光パネルと、複数の画素を駆動する駆動部とを備えている。発光装置に設けられた有機電界発光パネルは、上記の有機電界発光パネルと同一の構成要素を備えている。
【０００７】
本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルおよび発光装置では、有機材料層の表面とバンクとの接点であるピニング位置の、間隙の底面からの高さｙと、間隙の底面の幅ｘとは、上記の関係式を満たしている。これにより、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルおよび発光装置によれば、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が少なくなるようにしたので、発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成例を表す図である。
【図２】図１の各画素に含まれる副画素の回路構成例を表す図である。
【図３】図１の有機電界発光パネルの概略構成例を表す図である。
【図４】図３の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図５】図３の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。
【図６】図４の有機電界発光素子の断面構成例を拡大して表す図である。
【図７】種々の開口率での開口幅とピニング高さとの関係を表す図である。
【図８】種々の開口幅での有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図９】図４の有機電界発光パネルの製造過程の一例を表す図である。
【図１０】図９に続く製造過程の一例を表す図である。
【図１１】図１０に続く製造過程の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１１】
＜実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置１の概略構成例を表したものである。図２は、有機電界発光装置１に設けられた各画素１１に含まれる副画素１２の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば、有機電界発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、例えば、有機電界発光パネル１０の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、有機電界発光パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
【００１２】
（有機電界発光パネル１０）
有機電界発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
【００１３】
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
【００１４】
各画素１１は、例えば、赤色光を発する副画素１２、緑色光を発する副画素１２、および青色光を発する副画素１２を含んで構成されている。なお、各画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する副画素１２を含んで構成されていてもよい。各画素１１において、複数の副画素１２は、例えば、所定の方向に一列に並んで配置されている。
【００１５】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
【００１６】
各副画素１２は、画素回路１２−１と、有機電界発光素子１２−２とを有している。有機電界発光素子１２−２の構成については、後に詳述する。
【００１７】
画素回路１２−１は、有機電界発光素子１２−２の発光・消光を制御する。画素回路１２−１は、後述の書込走査によって各副画素１２に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１２−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００１８】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１２−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１２−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００１９】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００２０】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子２１−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子２１−２側の端子に接続されている。
【００２１】
（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の副画素１２を所定の単位ごとに走査する。
【００２２】
（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【００２３】
次に、図３、図４、図５、図６を参照して、有機電界発光素子１２−２について説明する。図３は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。図４は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。図６は、図４の有機電界発光素子２１−２の断面構成例を拡大して表したものである。
【００２４】
有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。各画素１１は、例えば、上述したように、赤色光を発する副画素１２（１２Ｒ）、緑色光を発する副画素１２（１２Ｇ）、および青色光を発する副画素１２（１２Ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒでは、赤色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｒ）を含んで構成されている。副画素１２Ｇでは、緑色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）を含んで構成されている。副画素１２Ｂでは、青色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素１１において、例えば、副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の副画素１２が、行方向に並んで配置されている。
【００２５】
有機電界発光パネル１０は、基板１４上に、行方向に延在する複数のラインバンク１３を有している。複数のラインバンク１３は、各画素１１において、各副画素１２を区画する。有機電界発光パネル１０は、さらに、基板１４上に、複数のラインバンク１３の端部を互いに連結する複数のバンク１５を有している。各バンク１５は、列方向に延在している。基板１４は、例えば、各有機電界発光素子１２−２や各ラインバンク１３などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板１４内の基材は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などによって形成されている。基板１４内の基材は、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナなどによって形成されている。基板１４内の配線層には、例えば、各画素１１の画素回路１２−１が形成されている。
【００２６】
ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク１３およびバンク１５は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク１３の断面形状は、例えば、図４に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。
【００２７】
互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３および両端のバンク１５によって囲まれた領域が、溝部１６なっている。各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙に１つずつ配置されている。つまり、各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、溝部１６の中に１つずつ配置されている。互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙の底面の幅（溝部１６の開口幅Ｗ１）は、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下の大きさとなっている。開口幅Ｗ１は、例えば、ＲＧＢの副画素１２がストライプ配列となっているときに、精細度が８０ｐｐｉ以上５００ｐｐｉ以下となるような大きさとなっている。
【００２８】
各有機電界発光素子１２−２は、例えば、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、有機発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７を基板１４側からこの順に備えたものである。正孔注入層２２は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を有機発光層２４へ輸送するための層である。有機発光層２４は、電子と正孔との再結合により、所定の色の光を発する層である。電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送するための層である。電子注入層２６は、電子注入効率を高めるための層である。正孔注入層２２および電子注入層２６の少なくとも一方が省略されていてもよい。各有機電界発光素子１２−２は、上述以外の層をさらに有していてもよい。
【００２９】
陽極２１は、例えば、基板１４の上に形成されている。陽極２１は、透光性を有する透明電極であって、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなる透明導電膜が用いられる。なお、陽極２１は、透明電極に限るものではなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムもしくは銀の合金等、または、反射性を有する反射電極であってもよい。陽極２１は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。
【００３０】
正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層２３は、例えば、塗布膜である。正孔輸送層２３は、例えば、正孔輸送性を有する有機材料（以下、「正孔輸送性材料２３Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。正孔輸送層２３は、正孔輸送性材料２３Ｍを主成分として含んで構成されている。
【００３１】
正孔輸送層２３の原料（材料）である正孔輸送性材料２３Ｍは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料２３Ｍは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基と、熱解離可溶性基、架橋性基または脱離性保護基などの不溶化基とを有している。
【００３２】
有機発光層２４は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光を発する機能を有する。有機発光層２４は、塗布膜である。有機発光層２４は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機材料（以下、「有機発光材料２４Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。有機発光層２４は、有機発光材料２４Ｍを主成分として含んで構成されている。副画素１２Ｒに含まれる有機電界発光素子１２ｒでは、有機発光材料２４Ｍが赤色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｇに含まれる有機電界発光素子１２ｇでは、有機発光材料２４Ｍが緑色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｂに含まれる有機電界発光素子１２ｂでは、有機発光材料２４Ｍが青色有機発光材料を含んで構成されている。
【００３３】
有機発光層２４は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。有機発光層２４が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、有機発光層２４は、例えば、主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。このとき、複数の有機発光層は、ともに、塗布膜である。複数の有機発光層は、ともに、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。
【００３４】
有機発光層２４の原料（材料）である有機発光材料２４Ｍは、例えば、ドーパント材料単独であってもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、有機発光層２４は、有機発光材料２４Ｍとして、ホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、０．０１重量％以上３０重量％以下であるとよく、より好ましくは、０．０１重量％以上１０重量％以下である。
【００３５】
有機発光層２４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００３６】
また、有機発光層２４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、有機発光層２４のドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００３７】
電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５は、例えば、塗布膜である。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する有機材料（以下、「電子輸送性材料２５Ｍ」と称する。）主成分として含んで構成されている。
【００３８】
電子輸送層２５は、有機発光層２４と陰極２７との間に介在し、陰極２７から注入された電子を有機発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５の原料（材料）である電子輸送性材料２５Ｍは、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層２５の電子輸送性を向上できる。電子輸送層２５に含まれる金属としては、例えば、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルビジウム（Ｒｂ）等を用いることができる。
【００３９】
陰極２７は、例えば、光反射性を有する反射電極であり、例えば反射性を有する金属材料を用いて形成された金属電極である。陰極２７の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。なお、陰極２７は、反射電極に限るものではなく、陽極２１と同様に、ＩＴＯ膜等の透明電極であってもよい。基板１４及び陽極２１が透光性を有し、陰極２７が反射性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、基板１４側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。陽極２１が反射性を有し、陰極２７が透光性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、トップエミッション構造となっている。
【００４０】
有機電界発光パネル１０は、さらに、例えば、各有機電界発光素子１２−２を封止する封止層２８を有していてもよい。封止層２８は、例えば、各有機電界発光素子１２−２の陰極２７の表面に接して設けられている。
【００４１】
次に、各有機電界発光素子１２−２におけるメニスカスについて説明する。各有機電界発光素子１２−２を製造する過程で、インクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の表面にもメニスカスが形成される。なお、各有機電界発光素子１２−２を製造する過程で使用するインクの粘度および表面張力は、一般的にインクジェットで使用されている範囲の値となっている。各有機電界発光素子１２−２を製造する過程で使用するインクにおいて、粘度は、例えば、２〜２０ｍＰａ・ｓの範囲内の値となっており、表面張力は、例えば、２５〜４５ｍＮ／ｍの範囲内の値となっている。そのため、各有機電界発光素子１２−２において、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および有機発光層２４の表面には、多かれ少なかれメニスカスが形成されている。ここで、有機発光層２４において、メニスカスの影響によって発光に寄与しない部分を除いた部分（つまり、発光に寄与する部分）を、発光領域２４ａとする。また、発光領域２４ａのうち、互いに隣接する２つのラインバンク１３が対向する方向の幅を発光幅Ｗ２とする。また、有機発光層２４の表面とラインバンク１３との接点であるピニング位置の、溝部１６の底面からの高さを、ピニング高さＨとする。なお、ピニング位置は、例えば、ラインバンク１３の側面において、親液性の領域と、撥液性の領域との境界位置に相当する。ラインバンク１３の側面全体が親液性の領域となっており、ラインバンク１３の上面が撥液性の領域となっている場合には、ピニング位置は、ラインバンク１３の上面の端縁となる。溝部１６の底面には、例えば、陽極２１が露出している。このとき、ピニング高さＨをｙ（μｍ）とし、開口幅Ｗ１をｘ（μｍ）としたときに、ｘおよびｙは、以下の関係式を満たす。この関係式において、ｘは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲の値を採る。この関係式は、図７において斜線で表された箇所に相当する。
【数２】
2018133144.tif 000004
【００４２】
この関係式は、開口幅Ｗ１を、１００μｍ、７５μｍ、５０μｍ、３０μｍおよび１０μｍとしたときに、開口率Ｒ（＝（Ｗ２／Ｗ１）×１００）が７０％以上となるように、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および有機発光層２４を形成したときに得られる。なお、開口幅Ｗ１を、１００μｍ、７５μｍ、５０μｍ、３０μｍおよび１０μｍとしたときに、開口率Ｒが７０％となるように、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および有機発光層２４を形成したときに有機発光層２４の表面に形成されるメニスカスの様子を図８に示した。なお、図８（Ａ）が、比較例に係る結果であり、図８（Ｂ）が、本実施の形態に係る結果である。比較例では、ｘおよびｙが、以下の関係式を満たさない。本実施の形態の方が、比較例と比べて、より平坦な領域（つまり、発光に寄与する領域）が多いことがわかる。
【００４３】
ｘおよびｙは、以下の関係式を満たすことが好ましい。このとき、開口率Ｒが８０％以上となる。
【数３】
2018133144.tif 000005
【００４４】
ｘおよびｙは、以下の関係式を満たすことがさらに好ましい。このとき、開口率Ｒが９０％以上となる。
【数４】
2018133144.tif 000006
【００４５】
[製造方法]
次に、有機電界発光パネル１０の製造方法について説明する。図９〜図１１は、有機電界発光パネル１０の製造過程の一例を表したものである。
【００４６】
まず、基板１４上に、副画素１２ごとに陽極２１を形成する。次に、各陽極２１の端縁を覆うようにして、複数のラインバンク１３および複数のバンク１５を形成する。これにより、行方向に延在する溝部１６が形成される。互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙（溝部１６の開口幅Ｗ１）を、有機電界発光パネル１０として要求される精細度の大きさに応じて設定する。ＲＧＢの副画素１２がストライプ配列となっているときに、精細度を８０ｐｐｉ以上５００ｐｐｉ以下とする場合には、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙（溝部１６の開口幅Ｗ１）を、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内の大きさにする。
【００４７】
次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出したのち、吐出後のインクを乾燥させることにより、正孔注入層２２および正孔輸送層２３を形成する（図９）。次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出することにより、有機材料層２４Ａを形成する（図１０）。有機材料層２４Ａは、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする液状の有機材料層である。具体的には、まず、有機材料層２４Ａを、溝部１６内に塗布する。次に、有機材料層２４Ａに対して乾燥処理を行うことにより有機材料層２４Ａに含まれる溶媒を揮発させる。その結果、有機材料層２４Ａが形成される（図１１）。
【００４８】
次に、例えば、インクジェット装置を用いて、インクの液滴を吐出したのち、吐出後のインクを乾燥させることにより、電子輸送層２５および電子注入層２６を形成する。続いて、電子注入層２６上に、陰極２７および封止層２８をこの順に形成する。このようにして、副画素１２ごとに有機電界発光素子１２−２を有する有機電界発光パネル１０が製造される。
【００４９】
[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光パネル１０およびそれを備えた有機電界発光装置１の効果について説明する。
【００５０】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。近年の高精細化に伴い、画素サイズが小さくなり、単位面積当たりの保液量が少なくなってきている。しかし、溶解性や、印刷可能な物性（粘度など）の観点から、インク濃度を過度に高くすることは難しい。そのため、例えば、各画素を区画するバンクの側面を親液性にすることで、少ない保液量でもインクの濡れ広がり性を確保することが考えられる。
【００５１】
しかし、バンクの側面を親液性にした場合には、インクを乾燥させる過程でインクの液面にメニスカスが形成され、乾燥後のインク層の表面にもメニスカスが形成される。そのため、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、画素の中心部分が強く光る現象が起きてしまう。その結果、発光部として利用できる部分が減少してしまう。
【００５２】
従って、発光部として利用できる部分の減少を抑えることの可能な有機電界発光パネルおよび発光装置を提供することが望ましい。
【００５３】
一方、本実施の形態では、有機発光層２４の表面とラインバンク１３との接点であるピニング位置の、溝部１６の底面からの高さｙと、溝部１６の底面の幅ｘとは、上記の関係式を満たしている。これにより、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００５４】
また、本実施の形態において、開口幅Ｗ１が１００μｍ以下の値となっている場合には、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。特に、開口幅Ｗ１が５０μｍ以下の値となっている場合には、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が顕著に少なくなる。その結果、発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００５５】
また、本実施の形態において、開口幅Ｗ１が１０μｍ以上となっている場合に、従来の有機電界発光パネルと比べて、発光部として利用できない部分の割合が少なくなる。その結果、発光部として利用できる部分の減少を抑えることができる。
【００５６】
また、本実施の形態において、溝部１６の底面には、陽極２１が露出している場合には、溝部１６の底面全体を発光部として利用することが可能となる。
【００５７】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板１４上に複数のラインバンク１３および複数のバンク１５が設けられていたが、それらの代わりに、副画素１２ごとに１つずつピクセルバンクが設けられていてもよい。
【００５８】
なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００５９】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
複数の画素を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記副画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機材料層とを有し、
前記有機電界発光パネルは、各前記画素において、各前記副画素を区画する複数のバンクを有し、
各前記副画素において、前記有機電界発光素子は、複数の前記バンクのうち、互いに隣接する２つの前記バンクの間隙に設けられ、
前記有機材料層の表面と前記バンクとの接点であるピニング位置の、前記間隙の底面からの高さｙと、前記間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たす
有機電界発光パネル。
【数５】
2018133144.tif 000007
（２）
前記高さｙと、前記幅ｘとは、以下の関係式を満たす
（１）に記載の有機電界発光パネル。
【数６】
2018133144.tif 000008
（３）
前記高さｙと、前記幅ｘとは、以下の関係式を満たす
（１）に記載の有機電界発光パネル。
【数７】
2018133144.tif 000009
（４）
前記幅ｘは、１００μｍ以下の値である
（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
（５）
前記幅ｘは、５０μｍ以下の値である
（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
（６）
前記幅ｘは、１０μｍ以上の値である
（４）または（５）に記載の有機電界発光パネル。
（７）
前記底面には、前記第１電極が露出している
（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の有機電界発光パネル。
（８）
複数の画素を有する有機電界発光パネルと、
複数の前記画素を駆動する駆動部と
を備え、
各前記画素は、複数の副画素を有し、
各前記副画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機材料層とを有し、
前記有機電界発光パネルは、各前記画素において、各前記副画素を区画する複数のバンクを有し、
各前記副画素において、前記有機電界発光素子は、複数の前記バンクのうち、互いに隣接する２つの前記バンクの間隙に設けられ、
前記有機材料層の表面と前記バンクとの接点であるピニング位置の、前記間隙の底面からの高さｙと、前記間隙の底面の幅ｘとは、以下の関係式を満たす
発光装置。
【数８】
2018133144.tif 000010
【符号の説明】
【００６０】
１…有機電界発光装置、１０…有機電界発光パネル、１１…画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…副画素、１２−１…画素回路、１２−２，１２ｒ，１２ｇ，１２ｂ…有機電界発光素子、１３…ラインバンク、１４…基板、１５…バンク、１６…溝部、２０…コントローラ、２１…陽極、２２…正孔注入層、２３…正孔輸送層、２４，２４ａ…発光領域、２４Ａ…有機材料層、２５…電子輸送層、２６…電子注入層、２７…陰極、２８…封止層、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…選択トランジスタ、Ｃｓ…保持容量、ＤＳＬ…電源線、ＤＴＬ…信号線、Ｈ…ピニング高さ、Ｒ…開口率、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…選択線、Ｗ１…開口幅、Ｗ２…発光幅。
【図１】
2018133144.tif 000016
【図２】
2018133144.tif 000017
【図３】
2018133144.tif 000018
【図４】
2018133144.tif 000019
【図５】
2018133144.tif 000020
【図６】
2018133144.tif 000021
【図７】
2018133144.tif 000022
【図８】
2018133144.tif 000023
【図９】
2018133144.tif 000024
【図１０】
2018133144.tif 000025
【図１１】
2018133144.tif 000026