(57)【要約】【課題】ゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】クラスターイオン照射後に前記シリコンウェーハに形成される格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算する工程と、その計算結果から、前記シリコンウェーハから前記エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御できるイオン注入条件を決定する工程と、を行い、決定した前記クラスターイオン照射条件でｐ型のシリコンウェーハの表面からクラスターイオンを照射して改質層を形成し、前記改質層上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。【選択図】図１
2018148128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型のシリコンウェーハの表面からクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第１工程と、
前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第２工程と、
を有し、
前記第１工程に先立ち、
イオン種、照射エネルギーおよびドーズ量を含むクラスターイオン照射条件とし、少なくとも１組のクラスターイオン照射条件に基づいて、クラスターイオン照射後に前記シリコンウェーハに形成される格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算する工程と、
その計算結果から、前記シリコンウェーハから前記エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御できるクラスターイオン照射条件を決定する決定工程と、
を行い、決定した前記クラスターイオン照射条件で前記第１工程を行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記決定工程は、
前記第１工程としてのクラスターイオン照射を行なわずに、前記第２工程の条件に従い作製される基準エピタキシャルシリコンウェーハによるｐ型ドーパントの拡散を計算する第１計算工程と、
計算された前記格子間シリコンの濃度分布を用いて、前記第１工程および前記第２工程の条件に従い作製される試験用エピタキシャルシリコンウェーハによるｐ型ドーパントの濃度分布を計算する第２計算工程と、
前記基準エピタキシャルシリコンウェーハおよび前記試験用エピタキシャルシリコンウェーハのそれぞれにおける前記ｐ型ドーパントの濃度分布を対比する工程と、を含む、請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記決定工程では、計算された前記格子間シリコンの濃度分布において、前記シリコンウェーハの表面から深さ方向に100ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下となるクラスターイオン照射条件を決定する、請求項１または２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記クラスターイオンが、構成元素として水素、酸素、リンおよびフッ素のいずれか１種または２種以上を更に含む、請求項４に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記シリコンウェーハのｐ型ドーパントの濃度が1.0×1017atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
ｐ型のシリコンウェーハと、前記シリコンウェーハの表面部に形成された、前記シリコンウェーハ中に注入されたイオンの元素が固溶してなる改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記エピタキシャル層と前記シリコンウェーハとの界面から、前記シリコンウェーハへの深さ方向において１００ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルシリコンウェーハまたは請求項７に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの、前記エピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハおよび固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体エピタキシャルウェーハとして、シリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェーハが知られている。エピタキシャルシリコンウェーハは、ＭＯＳＦＥＴ(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)、パワートランジスタおよび裏面照射型固体撮像素子など、種々の半導体デバイスを作製するためのデバイス基板として用いられている。
【０００３】
こうした半導体デバイスの特性を劣化させる要因の一つとして、金属汚染が挙げられる。例えば、裏面照射型固体撮像素子では、この素子の基板となるエピタキシャルシリコンウェーハに混入した金属が固体撮像素子の暗電流を増加させる要因となり、白傷欠陥と呼ばれる欠陥を生じさせる。裏面照射型固体撮像素子は、配線層などをセンサー部よりも下層に配置することで、外からの光をセンサーに直接取り込み、暗所などでもより鮮明な画像や動画を撮影することができるため、近年、デジタルビデオカメラやスマートフォンなどの携帯電話に広く用いられている。そのため、白傷欠陥を極力減らすことが望まれている。
【０００４】
ウェーハへの金属の混入は、主にエピタキシャルシリコンウェーハの製造工程および固体撮像素子の製造工程（デバイス製造工程）において生じる。前者のエピタキシャルシリコンウェーハの製造工程における金属汚染は、エピタキシャル成長炉の構成材からの重金属パーティクルによるもの、あるいは、エピタキシャル成長時の炉内ガスとして塩素系ガスを用いるために、その配管材料が金属腐食して発生する重金属パーティクルによるものなどが考えられる。近年、これら金属汚染は、エピタキシャル成長炉の構成材を耐腐食性に優れた材料に交換するなどにより、ある程度は改善されてきているが、十分ではない。一方、後者の固体撮像素子の製造工程においては、イオン注入、拡散および酸化熱処理などの各処理中で、半導体基板の重金属汚染が懸念される。
【０００５】
このような重金属汚染を抑制するために、重金属を捕獲するためのゲッタリングサイトを、エピタキシャルシリコンウェーハのベース基板となるシリコンウェーハ中に形成する技術がある。その方法の一つとして、シリコンウェーハ中にイオンを注入し、その後エピタキシャル層を形成する方法が知られている。この方法では、イオン注入領域がゲッタリングサイトとして機能する。
【０００６】
特許文献１には、半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第１工程と、前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第２工程と、を有する半導体エピタキシャルウェーハの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５７１６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
さて、クラスターイオン照射により形成された改質層のゲッタリング能力をより高くするには、例えば特許文献１であればクラスターイオンのドーズ量を多くすることが有効と考えられる。しかしながら、ｐ型のシリコンウェーハにクラスターイオン照射を行った場合、照射条件によっては以下の問題が生じ得る。
【０００９】
クラスターイオンのドーズ量を多くすると、改質層のゲッタリング能力が高まる点で有用であるが、同時に、基板側からエピタキシャル層にｐ型ドーパントが拡散する厚み範囲に影響を及ぼし得る。すなわち、クラスターイオンのドーズ量が多い場合、クラスターイオン照射を行わない場合に比べてｐ型ドーパントの拡散範囲が狭くなることがある。これは、改質層の形成条件に依っては、改質層は汚染源となる金属元素を捕獲するのみならず、ｐ型ドーパントを捕獲するためだと考えられる。
【００１０】
このような拡散厚みの範囲の異なるエピタキシャルシリコンウェーハを用いて裏面照射（ＢＳＩ：Back Side Illumination）型固体撮像素子を作製するためのデバイス工程に供すると、デバイス製造条件に大きな影響を及ぼしかねない。例えば、裏面照射型固体撮像素子の製造工程では、支持側のシリコンウェーハ裏面から基板が除去され、エピタキシャル層の基板側の部分も一部除去される。このとき、ボロン濃度の高低によってエッチングレートは異なるため、ｐ型ドーパントの拡散状況に合わせてデバイス製造工程の設計を変更する必要が生じ得る。また、裏面照射型固体撮像素子では通常、光の侵入長を考慮した設計がされるため、エッチング時間のみならず、デバイス領域の厚み等の再設計の必要性が生ずることも考えられる。したがって、デバイス形成工程に影響を及ぼさないためには、クラスターイオン照射によってゲッタリング能力を付与しつつも、クラスターイオン照射しない場合と同程度にｐ型ドーパントを拡散させる必要がある。
【００１１】
また、本発明者らは、以下のような技術的課題も認識した。すなわち、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散に影響するクラスターイオン照射条件はドーズ量のみではなく、イオン種および照射エネルギー等の条件も大きく影響することが判明した。そのため、クラスターイオン照射条件を、何らの指針もなく試行錯誤して決めるのではなく、事前に決定する必要がある。
【００１２】
したがって、ゲッタリング能力を有しつつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の確立が必要となる。
【００１３】
そこで本発明は、上記諸課題に鑑み、ゲッタリング能力を有しつつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、シリコンウェーハからエピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散が制御されたエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決すべく本発明者らが鋭意検討したところ、以下の知見を得た。
【００１５】
クラスターイオンをシリコンウェーハに照射すると、クラスターイオン照射域において格子位置にあったシリコンの多数は弾き飛ばされて、当該格子位置が空孔Ｖ（Vacancy）になると共に、弾き飛ばされたシリコンは格子間シリコンＩ（Interstitial Silicon）となる。ｐ型ドーパントであるボロンＢは、格子間シリコンＩと結合してＢ−Ｉクラスタリング種を生成することが知られている。（N. E. B Cowern et al, “Transient diffusion of ion-implanted B in Si: Dose, time, and matrix dependence of atomic and electrical profiles" Journal of Applied Physics, vol. 68, no. 12, pp. 6191-6198, 15 December 1990.）。そこで、クラスターイオン照射によって格子間シリコンが高濃度に生成されるほど、ボロンの拡散が抑制されると本発明者は考えらた。
【００１６】
そこで、種々のクラスターイオン照射条件の下、シリコンウェーハにクラスターイオンを照射し、その後エピタキシャル層を形成した場合に、ｐ型ドーパントの意図しない拡散抑制が生じるか否かを確認する実験を行った。こうして、本発明者が鋭意検討した結果、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算し、これを用いることでシリコンウェーハからエピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御できるクラスターイオン照射条件を決定できることを見出した。上記知見に基づき完成した本発明の要旨構成は以下のとおりである。
【００１７】
（１）ｐ型のシリコンウェーハの表面からクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第１工程と、
前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第２工程と、
を有し、
前記第１工程に先立ち、
イオン種、照射エネルギーおよびドーズ量を含むクラスターイオン照射条件とし、少なくとも１組のクラスターイオン照射条件に基づいて、クラスターイオン照射後に前記シリコンウェーハに形成される格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算する工程と、
その計算結果から、前記シリコンウェーハから前記エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御できるクラスターイオン照射条件を決定する決定工程と、
を行い、決定した前記クラスターイオン照射条件で前記第１工程を行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００１８】
（２）前記決定工程は、
前記第１工程としてのクラスターイオン照射を行なわずに、前記第２工程の条件に従い作製される基準エピタキシャルシリコンウェーハによるｐ型ドーパントの拡散を計算する第１計算工程と、
計算された前記格子間シリコンの濃度分布を用いて、前記第１工程および前記第２工程の条件に従い作製される試験用エピタキシャルシリコンウェーハによるｐ型ドーパントの濃度分布を計算する第２計算工程と、
前記基準エピタキシャルシリコンウェーハおよび前記試験用エピタキシャルシリコンウェーハのそれぞれの前記ｐ型ドーパントの濃度分布を対比する工程と、を含む、上記（１）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００１９】
（３）前記決定工程では、計算された前記格子間シリコンの濃度分布において、前記シリコンウェーハの表面から深さ方向に100ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下となるクラスターイオン照射条件を決定する、上記（１）または（２）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００２０】
（４）前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む、上記（１）〜（３）のいずれかに記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００２１】
（５）前記クラスターイオンが、構成元素として水素、酸素、リンおよびフッ素のいずれか１種または２種以上を更に含む、上記（４）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００２２】
（６）前記シリコンウェーハのｐ型ドーパントの濃度が1.0×1017atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【００２３】
（７）ｐ型のシリコンウェーハと、前記シリコンウェーハの表面部に形成された、前記シリコンウェーハ中に注入されたイオンの元素が固溶してなる改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記エピタキシャル層と前記シリコンウェーハとの界面から、前記シリコンウェーハへの深さ方向において１００ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
【００２４】
（８）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法で製造されたエピタキシャルシリコンウェーハまたは上記（７）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの、前記エピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法によれば、ゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態と、実験例の概要とを説明するフローチャートである。
【図２】実験例１におけるボロンの深さ方向の濃度分布を示すグラフである。
【図３】実験例２における深さ方向の濃度分布を示すグラフであり、（Ａ）はクラスターイオン照射後の炭素および格子間シリコンの濃度分布を示すグラフであり、（Ｂ）は熱処理後のボロンの濃度分布を示すグラフである。
【図４】実験例３における深さ方向の濃度分布を示すグラフであり、（Ａ）はクラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布を示すグラフであり、（Ｂ）は熱処理後のボロンの濃度分布を示すグラフである。
【図５】実験例１〜５における熱処理後のボロンの濃度分布を示すグラフである。
【図６】実験例１，６〜８における熱処理後のボロンの濃度分布を示すグラフである。
【図７】実施例１２，１３における熱処理後のボロンの濃度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施形態の詳細な説明に先立ち、まず、本発明を完成させるに至った実験を説明する。本実験では、図１に示すフローチャートに従い、エピタキシャルシリコンウェーハ１００におけるｐ型ドーパントであるボロンの拡散挙動を、実験値および計算値を用いて確認した。図１を用いて本実験の概要を説明する。
【００２８】
まず、図１（Ａ）に示すようにシリコンウェーハ１０を用意する。そして、図１（Ｂ）に示すようにシリコンウェーハ１０の表面からクラスターイオンを照射して、シリコンウェーハ１０の表面部にクラスターイオンの構成元素が固溶した改質層１５を形成する。そして、クラスターイオン照射後の炭素の濃度分布をＳＩＭＳにより測定する。併せて、シリコンウェーハ１０の深さ方向における照射後の炭素および格子間シリコンの濃度分布を計算する。
【００２９】
次に、図１（Ｃ）に示すように、シリコンウェーハ１０の改質層１５上にエピタキシャル層２０を形成し、エピタキシャルシリコンウェーハ１００を作製する。さらに、図１（Ｄ）に示すように、エピタキシャルシリコンウェーハ１００に更なる熱処理を施す。熱処理後のエピタキシャルシリコンウェーハ１００のボロンの深さ方向における濃度分布をＳＩＭＳにより測定する。併せて、上記深さ方向における熱処理後のボロンの濃度分布を計算する。以下、本実験例の詳細を説明する。
【００３０】
（実験例１）
ＣＺ単結晶シリコンインゴットから得たｐ型シリコンウェーハ（直径：300ｍｍ、厚さ：725μｍ、ドーパント：ボロン、ドーパント濃度：1.0×1019atoms/cm3）を用意した（図１（Ａ））。実験例１では、クラスターイオン照射を行わず（すなわち、図１（Ｂ）の工程を行っていない）に、以下のとおりにしてシリコンエピタキシャル層を形成した（図１（Ｃ））。すなわち、シリコンウェーハ１０を枚葉式エピタキシャル成長装置（アプライドマテリアルズ社製）内に搬送し、装置内で1120℃の温度で30秒の水素ベーク処理を施した後、水素をキャリアガス、トリクロロシランをソースガスとして1150℃でＣＶＤ法により、シリコンウェーハ１０の改質層１５上にシリコンエピタキシャル層２０（厚さ：4.5μｍ、ドーパント：ボロン、ドーパント濃度：5.0×1014atoms/cm3）をエピタキシャル成長させ、エピタキシャルシリコンウェーハ１００を得た。エピタキシャル層形成後、さらに、デバイス形成工程を模擬して、エピタキシャルシリコンウェーハ１００を温度１０００℃にて１時間保持する熱処理を施した。
【００３１】
熱処理後のエピタキシャルシリコンウェーハに対して、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）測定によりエピタキシャルシリコンウェーハの深さ方向におけるボロンの濃度分布を測定した。結果を図２に示す。実験例１により得られたエピタキシャルシリコンウェーハを以下、基準エピタキシャルシリコンウェーハ（但し、「基準ウェーハ」と略記する）と称する。実験例１による基準ウェーハでは、エピタキシャル層とシリコンウェーハとの界面からエピタキシャル層の成長方向に０．７μｍの範囲で、シリコンウェーハからエピタキシャル層へのボロン拡散が認められる。以下、シリコンウェーハからエピタキシャル層へボロン拡散が拡散する厚さを「拡散厚」と称することとする。
【００３２】
また、ＳＩＭＳ測定による実験値での拡散度合いの確認と併せて、市販のTCADシミュレータSentaurus Process（日本シノプシス合同会社製）を用いて、計算によってもボロン濃度分布、すなわちボロンの拡散度合いを評価した。なお、この計算は拡散方程式に従うものである。実験例１により得られる基準エピタキシャルシリコンウェーハにおける、計算値によるボロンの濃度分布を図２に併せて示す。実験例１では、計算値によって、実験値を良好に再現できることも確認できる。
【００３３】
以降の実験例では、クラスターイオン照射を行ったエピタキシャルシリコンエーハにおけるボロンの拡散度合いである拡散厚を、上記基準ウェーハの拡散厚と対比し、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響を評価する。
【００３４】
（実験例２）
実験例１と同じｐ型シリコンウェーハを用意した（図１（Ａ））。次に、クラスターイオン発生装置（日新イオン機器社製、型番：CLARIS）を用いて、シクロヘキサンよりＣ３Ｈ５クラスターを生成して、炭素のドーズ量を1.0×1015atoms/cm2として、シリコンウェーハの表面に照射し、改質層１５を形成した（図１（Ｂ））。クラスターイオンの照射エネルギーは80keV/Cluster、ビーム電流値は800μＡ、照射角度は０度、照射時のウェーハ温度は25℃、保護酸化膜の厚さは0.001μｍ（自然酸化膜）とした。
【００３５】
ＳＩＭＳ測定により、クラスターイオン照射後のシリコンウェーハ１０の深さ方向における炭素の濃度分布を測定した。シリコンウェーハ表面から１００ｎｍの範囲において急峻な炭素濃度のピークが確認されたことから、改質層１５が形成されたことが確認できる。
【００３６】
また、クラスターイオン照射時のイオン種（炭素数３、水素数５）、照射エネルギー、炭素のドーズ量、ビーム電流値、照射角度、照射時のウェーハ温度、および保護酸化膜の厚さをパラメータとして、モンテカルロ（Monte Carlo：ＭＣ）法シミュレーションの計算が可能なTCADシミュレータSentaurus Process（日本シノプシス合同会社製）を用いて、シリコンウェーハの深さ方向における格子間シリコン（Ｉ）と、炭素の濃度分布を計算した。格子間シリコンの濃度分布について結果を図３（Ａ）に示す。なお、ＭＣ法計算により得られた炭素の濃度分布は上記ＳＩＭＳ測定により得られる濃度分布とほぼ一致していたため、グラフの明瞭化のため炭素濃度分布については実測値および計算値ともに図３（Ａ）には図示しない。なお、以降の実験例３〜１１，１３，１５のいずれにおいても、実験例２による図３（Ａ）と同様に、格子間シリコンの濃度ピークはシリコンウェーハ表面から１００ｎｍの範囲において観察された。
【００３７】
次いで、実験例１と同じ条件でシリコンエピタキシャル層２０を形成し、さらに熱処理を施した。実験例１と同じく、熱処理後のエピタキシャルシリコンウェーハに対して、ＳＩＭＳ測定によりボロンの濃度分布を測定した。結果を図３（Ｂ）に示す。
【００３８】
実験例１の拡散厚と、実験例２の拡散厚は共に０．７μｍであり、このクラスターイオン照射条件ではクラスターイオン照射によるボロン拡散への影響はないことが確認された。
【００３９】
また、実験例１と同様に、TCADシミュレータを用いて、計算によってもボロン濃度分布を計算してボロン拡散を評価した。なお、実験例２ではクラスターイオン照射により改質層１５において格子間シリコンＩが生成される。そこで、格子間シリコンＩとボロンＢとが、Ｂ−Ｉクラスタリング種（Ｂ２Ｉ，Ｂ２Ｉ２等）となる結合・乖離モデルも含めた計算を行っている。実験例２における、計算値によるボロンの濃度分布を図３（Ｂ）に併せて示す。実験例２でも、計算値によって、実験値を良好に再現できることも確認できる。
【００４０】
（実験例３）
クラスターイオン種をＣＨ３クラスターとし、炭素のドーズ量を5.0×1015atoms/cm2とした以外は実験例２と同様の実験を行った。図４（Ａ）にクラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布を示す。また、図４（Ｂ）には、熱処理後のエピタキシャルウェーハにおけるボロンの濃度分布を、ＳＩＭＳによる実測値とTCADシミュレータによる計算値とでそれぞれ示す。
【００４１】
基準ウェーハの拡散厚が０．７μｍであったところ、実験例３では図４（Ｂ）に図示されるように、実測値では拡散厚が０．５μｍであった。したがって、実験例３ではボロン拡散が抑制されており、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じていることが確認できる。
【００４２】
なお、実験例３では計算値の場合、拡散厚が０．３μｍであり、やはりボロン拡散が抑制されていることが確認できる。実験値に比べるとTCADシミュレータによる計算では、ボロン拡散抑制効果が過剰に計算されていると考えられるが、実験例１〜３による拡散厚を踏まえれば、計算値による拡散厚が基準ウェーハの拡散厚よりも短くなれば、クラスターイオン照射によるボロン拡散抑制効果が生じることは確認できる。そこで、以降ではTCADシミュレータによる計算によって熱処理後のボロン拡散を計算し、基準ウェーハの拡散厚と対比することで、ボロン拡散抑制の有無を評価する。
【００４３】
（実験例４，５）
炭素のドーズ量を5.0×1014atoms/cm2とした以外は実験例２と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を図５に示す。なお、ボロン拡散の計算に先立ち、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布を計算している。
【００４４】
（実験例５）
炭素のドーズ量を2.0×1015atoms/cm2とした以外は実験例２と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を図５に示す。なお、実験例４と同じく、ボロン拡散の計算に先立ち、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布を計算している。
【００４５】
なお、図５には、実験例１〜３による熱処理後のボロン濃度分布（計算値）を併せて示す。また、表１に、クラスターイオン照射条件と、クラスターイオン照射後の格子間シリコン濃度のピーク値と、拡散厚（但し、実験例１の拡散厚を１００として相対値表記している）とを示す。
【００４６】
図５より、実験例２，４では基準ウェーハの拡散厚と差が無く、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じていないことが確認できる。一方、実験例３，５では基準ウェーハの拡散厚よりも拡散厚が短くなっており、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じたことが確認できる。
【００４７】
（実験例６〜８）
クラスターイオン種を、ジエチルエーテル（C4H10O）をクラスターイオン化したCH3Oとし、クラスターイオン照射条件を表１のとおりとした以外は、実験例２と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を図６および表１に示す。
【００４８】
図６より、実験例６では基準ウェーハの拡散厚と差が無く、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じていないことが確認できる。一方、実験例７，８では基準ウェーハの拡散厚よりも拡散厚が短くなっており、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じたことが確認できる。
【００４９】
（実験例９）
加速エネルギーを40keV/Clusterとした以外は実験例４と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表１に示す。
【００５０】
（実験例１０）
炭素のドーズ量を5.0×1014atoms/cm2とした以外は実験例３と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表１に示す。
【００５１】
（実験例１１）
加速エネルギーを40keV/Clusterとした以外は実験例６と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表１に示す。
【００５２】
実験例２，４，５と実験例３、１０と実験例６，７，８のそれぞれを比べると、ドーズ量が大きいほど、格子間シリコンの濃度ピークの値が大きくなり、ドーズ量が多い場合に拡散厚が小さくなる場合があることも確認できる。そして、実験例２，７を対比すると、炭素ドーズ量が同じであっても、クラスターイオン種が異なるれば生成される格子間シリコン濃度のピーク濃度は異なり、拡散厚も異なり得る。さらに、クラスターイオン種、ドーズ量が同じであっても、実験例４および実験例９の対比と、実験例６および実験例１１の対比とから、加速エネルギーが小さい方が格子間シリコンの濃度ピークを大きくできることも確認できる。したがって、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度ピークの値は、ドーズ量、加速電圧、クラスターイオン種に主に依存すると推定される。
【００５３】
そこで、表１において、各実験例の格子間シリコンのピーク濃度の値に着目すると、クラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じていない（すなわち、拡散厚が実験例１に一致する）のは、いずれも格子間シリコン濃度のピーク濃度が2.0×1022atoms/cm3以下のときであることが確認される。したがって、格子間シリコン濃度のピーク濃度値は2.0×1022atoms/cm3を閾値とし、当該閾値以下であればクラスターイオン照射によるボロン拡散への影響が生じない、と判断された。
【００５４】
【表１】
2018148128.tif 000003
【００５５】
次に、実験例１〜１１とはボロン濃度が異なる場合の実験を行った。
【００５６】
（実験例１２）
ｐ型シリコンウェーハのボロン濃度を5.0×1018atoms/cm3とし、エピタキシャル層の厚さを４．７μｍとした以外は、実験例１と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表２に示す。また、実験例１２のボロン濃度分布を図７に示す。なお、拡散厚は実験例１の０．７μｍよりも大きく、０．８μｍであった。
【００５７】
（実験例１３）
ｐ型シリコンウェーハのボロン濃度を5.0×1018atoms/cm3とし、エピタキシャル層の厚さを４．７μｍとした以外は、実験例２と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表２に示す。また、実験例１３のボロン濃度分布を図７に示す。拡散厚は実験例１の０．７μｍよりも大きいものの、実験例１２と同じ０．８μｍであった。
【００５８】
【表２】
2018148128.tif 000004
【００５９】
図７より、実験例１２，１３ではボロンの濃度分布が実質的に一致しており、ボロンの拡散抑制は生じていないことが確認できる。これは、実験例１３による格子間シリコン濃度のピーク濃度が、前述の閾値2.0×1022atoms/cm3を超えていないためであると考えられる。
【００６０】
（実験例１４）
エピタキシャル層のボロン濃度を1.0×1015atoms/cm3とした以外は、実験例１と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表３に示す。
【００６１】
（実験例１５）
エピタキシャル層のボロン濃度を1.0×1015atoms/cm3とした以外は、実験例２と同様の実験を行い、TCADシミュレータを用いて、クラスターイオン照射後の格子間シリコンの濃度分布および熱処理後のボロン濃度分布を計算した。結果を表３に示す。
【００６２】
【表３】
2018148128.tif 000005
【００６３】
図示しないが、図７と同様に、実験例１４，１５でもボロンの濃度分布が実質的に一致しており、ボロンの拡散抑制は生じていなかった。これは、実験例１５による格子間シリコン濃度のピーク濃度が、前述の閾値2.0×1022atoms/cm3を超えていないためであると考えられる。
【００６４】
以上の結果を踏まえると、ｐ型シリコンウェーハおよびエピタキシャル層のボロン濃度に依存することなく、クラスターイオン照射後における格子間シリコンのピーク濃度値が前述の閾値2.0×1022atoms/cm3以下であれば、クラスターイオン照射を行わないときと同様のボロン拡散が生じる。すなわち、当該閾値以下となるようにクラスターイオン照射を行えば、クラスターイオン照射によるボロンの拡散抑制効果は生じさせずに、クラスターイオン照射によるゲッタリング能付与の効果を享受できることが確認できた。
【００６５】
（エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法）
以上の実験結果に基づき、本発明の一実施形態によるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を、図１を参照しつつ説明する。本発明の一実施形態によるエピタキシャルシリコンウェーハ１００の製造方法は、ｐ型のシリコンウェーハ１０の表面からクラスターイオンを照射して、シリコンウェーハ１０の表面部に、クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層１５を形成する第１工程と、シリコンウェーハ１０の改質層１５上にエピタキシャル層２０を形成する第２工程と、を有する。なお、エピタキシャル層２０は、例えば裏面照射型固体撮像素子等の半導体素子を製造するためのデバイス層となる。
【００６６】
シリコンウェーハ１０としては、表面にエピタキシャル層を有しないバルクの単結晶シリコンウェーハを用いることができるが、ウェーハ表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハを用いてもよい。裏面照射型固体撮像素子を製造する場合、一般的にはバルクの単結晶シリコンウェーハを用いる。また、シリコンウェーハは、チョクラルスキ法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、より高いゲッタリング能力を得るために、シリコンウェーハに炭素および／または窒素を添加してもよい。
【００６７】
本実施形態では、シリコンウェーハにｐ型のドーパントを所定濃度添加した、いわゆるｐ型のシリコンウェーハを用いる。ｐ型ドーパントとしては、ボロン（Ｂ）が用いられることが一般的であるが、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等のｐ型キャリアとなる元素も本実施形態に適用可能である。なお、ｐ型ドーパントの濃度を1.0×1017atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下とすることができ、本実施形態を1.0×1018atoms/cm3以上5.0×1019atoms/cm3以下のｐ型シリコンウェーハに適用することが好ましい。ｐ型ドーパントの拡散への影響が大きくなるからである。
【００６８】
クラスターイオンの構成元素は、炭素などのゲッタリングに寄与する元素を含めば限定されない。クラスターイオン照射の結果形成された改質層２０が、ゲッタリング層として機能する。ここで、「クラスターイオン」とは、原子または分子が複数集合して塊となったクラスターに正電荷または負電荷を与え、イオン化したものを意味する。クラスターは、複数（通常２〜２０００個程度）の原子または分子が互いに結合した塊状の集団である。より高いゲッタリング能力を得る観点からは、クラスターイオンを注入することが好ましい。クラスターイオンの発生装置としては、クラスターイオン発生装置（日新イオン機器社製、型番：CLARIS）などが知られる。
【００６９】
改質層１５上に形成するエピタキシャル層２０としては、シリコンエピタキシャル層が挙げられ、一般的な条件が適用可能である。シリコンエピタキシャル層形成時における成長条件の例を説明する。シリコンエピタキシャル層は、水素をキャリアガスとして、ジクロロシラン、トリクロロシランなどのソースガスをチャンバー内に導入し、使用するソースガスによっても成長温度は異なるが、概ね１０００〜１２００℃の範囲の温度でＣＶＤ法によりシリコンウェーハ１０上にエピタキシャル成長させることができる。エピタキシャル層２０は、厚さが１〜１５μｍの範囲内とすることが好ましい。１μｍ未満の場合、シリコンウェーハからのドーパントの外方拡散によりエピタキシャル層の抵抗率が変化してしまう可能性があり、また、１５μｍ超えの場合、固体撮像素子の分光感度特性に影響が生じるおそれがあるからである。
【００７０】
ここで本実施形態の特徴の一つは、前記第１工程に先立ち、イオン種、照射エネルギーおよびドーズ量を含むクラスターイオン照射条件とし、少なくとも１組のクラスターイオン照射条件に基づいて、クラスターイオン照射後にシリコンウェーハ１０に形成される格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算する工程と、その計算結果から、シリコンウェーハ１０からエピタキシャル層２０へのｐ型ドーパントの拡散を制御できるクラスターイオン照射条件を決定する決定工程と、を行い、決定した前記クラスターイオン照射条件で前記第１工程を行うことにある。こうすることで、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同様に拡散させたり、あるいは、意図的にｐ型ドーパントの拡散を抑制することもできる。既述の実験例のうち、拡散厚が基準ウェーハと同程度であった実験例２，４，６，９,１０,１１，１３，１５のクラスターイオン照射条件そのものを採用すれば、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同様に拡散させられることは確実である。しかし、これでは汎用性がなく、これら以外にもどのようなクラスターイオン照射条件であれば、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同様に拡散させられるかを予測し、決定することが重要である。
【００７１】
上記実験結果によれば、以下のとおりにすることで、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同様に拡散させることが可能である。まず、実験例１と同様に、第１工程としてのクラスターイオン照射を行なわずに、第２工程の条件に従い作製される基準エピタキシャルシリコンウェーハ（以下、基準ウェーハ）によるｐ型ドーパントの拡散を計算する第１計算工程を行う。第１計算工程はエピタキシャル層形成時の熱処理条件およびその後の熱処理条件を、拡散方程式に適用すれば計算することができる。
【００７２】
また、この第１計算工程とは別に、クラスターイオン照射により形成される格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算する。格子間シリコンの濃度分布の計算には実験例に既述のＭＣ法を用いることができ、計算に際しては上記の７種類のパラメータ（イオン種、照射エネルギー、ドーズ量、ビーム電流値、照射角度、照射時のウェーハ温度、および保護酸化膜の厚さ）を１組のパラメータセットとして用いればよい。イオン種については、元素の種類と数を入力する。上記実験例において、ＭＣ法による格子間シリコンの濃度分布の計算は、S. Tian, “Predictive Monte Carlo ion implantation simulator from sub-keV to above 10 MeV,”Journal of Applied Physics, vol. 93, no. 10, pp. 5893-5904, 2003.に記載のモデルによるイオン注入のＭＣ法シミュレーションにより、既述のプログラムで行うことが可能である。なお、ＭＣ法に替えて、動的モンテカルロ（Kinetic Monte Carlo：ＫＭＣ）法を用いてもよい。
【００７３】
なお、格子間シリコン濃度と空孔濃度とは一対一に対応する。１つの空孔が発生すると、１つの格子間元素が発生することになるからである。そのため、空孔の深さ方向濃度分布を計算することは、格子間シリコン濃度の計算と同義である。
【００７４】
そして、この計算により得られた格子間シリコンの濃度分布を用いて、前記第１工程および前記第２工程の条件に従い作製される試験用エピタキシャルシリコンウェーハ（以下、「試験用ウェーハ」）によるｐ型ドーパントの濃度分布を計算する第２計算工程を行う。第２計算工程は、既述の実験例と同様、格子間シリコンの濃度分布を用いつつ、シリコンウェーハおよびエピタキシャル層のそれぞれのｐ型ドーパントの濃度分布と、エピタキシャル層形成時の熱処理条件およびその後の熱処理条件とを用いて、格子間シリコンＩとボロンＢとが、Ｂ−Ｉクラスタリング種（Ｂ２Ｉ，Ｂ２Ｉ２等）となる結合・乖離モデルも含めた計算を拡散方程式に適用すれば計算することができる。
【００７５】
そして、第１計算工程および第２計算工程との結果から、基準ウェーハおよび試験用ウェーハのそれぞれにおけるｐ型ドーパントの濃度分布を対比する工程を行う。例えば、両者の濃度分布を対比して、拡散厚が一致すればｐ型ドーパントの拡散影響はないと判断できるし、試験用ウェーハの拡散厚が基準ウェーハよりも短くなれば、ｐ型ドーパントの拡散抑制効果の影響があると判断することができる。なお、ここで言う拡散厚が一致するとは、基準ウェーハの拡散厚を１００として、試験用ウェーハの拡散厚が９８〜１０２であることを言い、試験用ウェーハの拡散厚が９８未満であれば、基準ウェーハの拡散厚よりも短いとする。こうして両者の濃度分布対比を行うことで、クラスターイオン照射条件を決定することができ、ｐ型ドーパントの拡散影響のないクラスターイオン照射条件で第１工程を行えば、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同程度に拡散させることができる。
【００７６】
また、既述の実験例の結果に基づけば、クラスターイオン照射後でのＭＣ法を用いて計算したシリコンウェーハの表層１００ｎｍ以内での格子間シリコン濃度のピーク値と、ｐ型ドーパントの拡散影響とには相関があった。そこで、イオン種、照射エネルギー、ドーズ量を含むクラスターイオン照射条件として、少なくとも１組のイオン注入条件に基づいて、クラスターイオン照射後にシリコンウェーハの表層部に形成されるであろう格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算し、計算された前記格子間シリコンの濃度分布において、前記シリコンウェーハの表面から深さ方向に100ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下となるクラスターイオン照射条件を決定する。そして、決定したクラスターイオン照射条件で第１工程を行う。こうすることでも、ｐ型ドーパントの拡散を、クラスターイオン照射しない場合と同程度に拡散させることができる。
【００７７】
例えば、任意の１組のクラスターイオン照射条件（パラメータセット）についてＭＣ法を用いて格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算した際に、格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下であれば、そのクラスターイオン照射条件を採用することができる。
【００７８】
あるいは、任意の複数組のクラスターイオン照射条件（パラメータセット）についてＭＣ法を用いて格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を順次計算し、格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下となるイオン注入条件が発見できた段階で、そのクラスターイオン照射条件を採用してもよい。
【００７９】
あるいは、任意の複数組のクラスターイオン照射条件（パラメータセット）についてＭＣ法を用いて格子間シリコンの深さ方向における濃度分布を計算し、その中から、格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下となるクラスターイオン照射条件を１つ選択して、採用してもよい。
【００８０】
なお、上述の７種類のパラメータの全てを変数としてＭＣ法の計算を行ってもよいし、そのうちの一部のパラメータを定数として行ってもよい。イオン注入装置のセッティングの制約等を考慮すると、７種類のパラメータのうち、ビーム電流値、照射角度、照射時のウェーハ温度、および保護酸化膜の厚さは比較的固定しやすい。そこで、これら４種類のパラメータとしては定数とし、イオン種、照射エネルギーおよびドーズ量を変数とすることが好ましい。もちろん、ビーム電流値、照射角度、照射時のウェーハ温度、および保護酸化膜の厚さを変数として計算を行ってもよい。
【００８１】
第１工程でのクラスターイオン照射条件は上記のようにして決定されるが、概ね以下に示す範囲となる。
【００８２】
まず、照射する元素はゲッタリングに寄与する元素であれば特に限定されない。しかし、より高いゲッタリング能力を得る観点から、クラスターイオンが、構成元素として炭素を含むことが好ましい。クラスターイオンの構成元素として水素、酸素、リンおよびフッ素のいずれか１種または２種以上を更に含むことも好ましい。
【００８３】
また、照射元素としては炭素を含む２種以上の元素がより好ましい。特に、炭素に加えて、リン、砒素およびアンチモンからなる群より選択された１または２以上のドーパント元素を照射することが好ましい。固溶する元素の種類により効率的にゲッタリング可能な金属の種類が異なるため、２種以上の元素を固溶させることにより、より幅広い金属汚染に対応できるからである。例えば、炭素の場合、ニッケルを効率的にゲッタリングすることができる。
【００８４】
イオン化させる化合物も特に限定されないが、イオン化が可能な炭素源化合物としては、エタン、メタン、二酸化炭素（ＣＯ２）などを用いることができる。例えば、シクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）を材料ガスとすれば、炭素および水素からなるクラスターイオンを生成することができる。炭素源化合物としては特に、ピレン(Ｃ１６Ｈ１０)、ジベンジル（Ｃ１４Ｈ１４）などより生成したクラスターＣｎＨｍ（３≦ｎ≦１６，３≦ｍ≦１０）を用いることが好ましい。小サイズのクラスターイオンビームを制御し易いためである。他にも、炭素、水素および酸素を構成元素に含むクラスターイオンのイオン源として、ジエチルエーテル（Ｃ４Ｈ１０Ｏ）、エタノール（Ｃ２Ｈ６Ｏ）、ジエチルケトン（Ｃ５Ｈ１０Ｏ）などを用いることもできる。特に、ジエチルエーテル、エタノール、などより生成したクラスターＣｎＨｍＯｌ（ｌ，ｍ，ｎは互いに独立で有り、１≦ｎ≦１６，１≦ｍ≦１６，１≦ｌ≦１６）を用いることが好ましい。
【００８５】
イオン化させる化合物としては、炭素および上記ドーパント元素の両方を含む化合物とすることも好ましい。このような化合物をクラスターイオンとして照射すれば、１回の照射で炭素およびドーパント元素の両方を固溶させることができるからである。
【００８６】
クラスターイオンを注入する場合、クラスターサイズは２〜１００個、好ましくは６０個以下、より好ましくは５０個以下で適宜設定することができ、上記実験例においては、クラスターサイズ４個のＣＨ３と、クラスターサイズ８個のＣ３Ｈ５と、クラスターサイズ１０個のＣ５Ｈ５と、クラスターサイズ５個のＣＨ３Ｏとを用いた。
【００８７】
照射エネルギーは、5〜200keV/Clusterの範囲内とすることが一般的である。
【００８８】
イオンのドーズ量は、イオン注入時間を制御することにより調整することができ、一般的には1.0×1013〜5.0×1015atoms/cm2の範囲内とする。上記実験例２〜５，９，１０，１３，１５のように、注入するイオンが炭素と水素のみの場合、空孔濃度分布の計算に用いるドーズは、炭素のドーズ量とする。また、上記実験例６〜８，１１のように、注入するイオンが炭素、酸素および水素の場合、空孔濃度分布の計算に用いるドーズは、炭素および酸素のドーズ量とする。このように、本実施形態における計算では、水素以外の元素のドーズ量を用いる。水素のドーズ量を考慮しない理由は、空孔の形成において、水素により形成される空孔濃度よりも炭素や水素以外の元素により形成される空孔濃度の方が２桁以上大きく、水素のドーズ量よりも炭素や水素以外元素のドーズ量の方が空孔の形成に支配的なためである。
【００８９】
ビーム電流値は、一般的に100μＡ〜3000μＡの範囲内とする。また、イオンのウェーハ表面に対する照射角度は、-7.0〜7.0度の範囲内とするのが一般的である。
【００９０】
照射時のウェーハ温度は、常温とすることができる。また、２５℃より低くすることによって、より好ましくは０℃以下とすることによって、より高いゲッタリング能力を得ることができる。照射時のウェーハ温度は、−２００℃以上が好ましく、−１２０℃以上がより好ましい。
【００９１】
クラスターイオン照射前にシリコンウェーハ１０の表面に保護酸化膜を形成してもよく、その厚さは特に限定されないが0〜0.025μｍとすることができる。保護酸化膜を意図的に形成しない場合には、自然酸化膜を想定して0.001μｍの値を入力して、ＭＣ法による計算を行うこととする。
【００９２】
本実施形態により、既述の実験例と同様に、ゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハを製造することができる。
【００９３】
（エピタキシャルシリコンウェーハ）
本実施形態のエピタキシャルシリコンウェーハは、上記製造方法によって得られ、ｐ型のシリコンウェーハと、前記シリコンウェーハの表面部に形成された、前記シリコンウェーハ中に注入されたイオンの元素が固溶してなる改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、前記エピタキシャル層と前記シリコンウェーハとの界面から、前記シリコンウェーハへの深さ方向において１００ｎｍ以下の範囲内での格子間シリコンの濃度ピークが2.0×1022atoms/cm3以下である。
【００９４】
（固体撮像素子の製造方法）
本発明の実施形態による固体撮像素子の製造方法は、上記の製造方法で製造されたエピタキシャルシリコンウェーハまたは上記のエピタキシャルシリコンウェーハ、すなわちエピタキシャルシリコンウェーハ１００の表面に位置するエピタキシャル層２０に、固体撮像素子を形成することを特徴とする。この製造方法により得られる固体撮像素子は、従来に比べ白傷欠陥の発生を十分に抑制することができ、さらに、ｐ型ドーパントの拡散は従来と同程度である。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明によれば、ゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル層へのｐ型ドーパントの拡散を制御したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【符号の説明】
【００９６】
１０    シリコンウェーハ
１５    改質層
２０    エピタキシャル層
１００  エピタキシャルシリコンウェーハ
【図１】
2018148128.tif 000006
【図２】
2018148128.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018148128.tif 000012