(57)【要約】【課題】基板の露光処理の効率を向上させることが可能な露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理室１２０内への基板Ｗの搬入の際に載置板１５１が処理室１２０内の待機位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が待機位置に移動される。載置板１５１が少なくとも待機位置にあるときに冷却部１４３により載置板１５１が冷却される。処理室１２０内において、載置板１５１に基板Ｗが載置される。光源部１６３により真空紫外線が出射される。光源部１６３による基板Ｗへの真空紫外線の照射の際に載置板１５１が待機位置よりも光源部１６３に近い処理位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が処理位置に移動される。処理室１２０外への基板Ｗの搬出の際に載置板１５１が処理室１２０内の待機位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が待機位置に移動される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内において、基板が載置される載置部と、
真空紫外線を出射する光源部と、
前記処理室内への基板の搬入および前記処理室外への基板の搬出の際に前記載置部が前記処理室内の第１の位置にあり、前記光源部による基板への真空紫外線の照射の際に前記載置部が前記第１の位置よりも前記光源部に近い第２の位置にあるように、前記載置部を前記第１の位置と前記第２の位置とに移動させる駆動部と、
前記載置部が少なくとも前記第１の位置にあるときに前記載置部を冷却する冷却部とを備える、露光装置。
【請求項２】
前記第１の位置において前記載置部と接触する接触部材をさらに備え、
前記冷却部は、前記接触部材を冷却するように前記接触部材に設けられる、請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記載置部は下面を有し、
前記接触部材は、前記載置部の冷却時に前記載置部の下面に接触する接触面を有する、請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記光源部は、前記載置部の上方に配置され、真空紫外線を下方に出射し、
前記第２の位置は前記光源部の下方にあり、前記第１の位置は前記第２の位置の下方にあり、
前記駆動部は、前記載置部を前記第１の位置と前記第２の位置との間で昇降させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記冷却部は、前記載置部の下方に配置され、前記載置部が前記第１の位置にあるときに前記載置部に接触する、請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記接触部材から上方に延びる複数の支持部材をさらに備え、
前記複数の支持部材の上端は前記第１の位置よりも高くかつ前記第２の位置よりも低く、
前記載置部は、前記複数の支持部材が通過可能な複数の貫通孔を有し、
前記複数の支持部材は、前記載置部が前記第１の位置にあるときに前記載置部の前記複数の貫通孔を貫通する、請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記冷却部は、前記載置部に設けられる、請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
前記駆動部は、前記光源部による真空紫外線の出射が開始された後に前記載置部を前記第１の位置から前記第２の位置に移動させる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記駆動部は、前記光源部による真空紫外線の出射が停止される前に前記載置部を前記第２の位置から前記第１の位置に移動させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光源部は、面状の断面を有する真空紫外線を出射するように構成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記光源部による真空紫外線の出射面積は、基板の面積よりも大きい、請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
基板に処理液を塗布することにより基板に膜を形成する塗布処理部と、
前記塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理する熱処理部と、
前記熱処理部により熱処理された基板を露光する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置と、
前記露光装置により露光された基板に溶剤を供給することにより基板の膜を現像する現像処理部とを備える、基板処理装置。
【請求項１３】
処理液は、誘導自己組織化材料を含む、請求項１２記載の基板処理装置。
【請求項１４】
処理室に基板を収容するステップと、
処理室内への基板の搬入の際に載置部が前記処理室内の第１の位置にあるように、駆動部により前記載置部を前記第１の位置に移動させるステップと、
前記載置部が少なくとも前記第１の位置にあるときに冷却部により前記載置部を冷却するステップと、
前記処理室内において、前記載置部に基板が載置されるステップと、
光源部により真空紫外線を出射するステップと、
前記光源部による基板への真空紫外線の照射の際に前記載置部が前記第１の位置よりも前記光源部に近い第２の位置にあるように、前記駆動部により前記載置部を前記第２の位置に移動させるステップと、
前記処理室外への基板の搬出の際に前記載置部が前記処理室内の第１の位置にあるように、前記駆動部により前記載置部を前記第１の位置に移動させるステップとを含む、露光方法。
【請求項１５】
塗布処理部により基板の被処理面に処理液を塗布することにより基板に膜を形成するステップと、
前記塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理部により熱処理するステップと、
前記熱処理部により熱処理された基板を露光装置により露光する請求項１４記載の露光方法と、
前記露光装置により露光された基板の被処理面に現像処理部により溶剤を供給することにより基板の膜を現像するステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に露光処理を行う露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に形成されるパターンを微細化するために、ブロック共重合体の誘導自己組織化（ＤＳＡ：Directed Self Assembly）を利用したフォトリソグラフィ技術の開発が進められている。このようなフォトリソグラフィ技術においては、ブロック重合体が塗布された基板に加熱処理が施された後、基板の一面が露光されることによりブロック重合体が改質される。この処理においては、基板の露光量を正確に調整することが求められる。
【０００３】
特許文献１には、基板上の誘導自己組織化材料を含む膜（ＤＳＡ膜）に露光処理を行う露光装置が記載されている。露光装置は、断面帯状の真空紫外線を出射可能な光出射部を有し、基板が光出射部からの真空紫外線の経路を横切るように光出射部の前方位置から後方位置に移動可能に構成される。露光処理前に、真空紫外線の照度が照度センサにより予め検出され、所望の露光量の真空紫外線が照射されるように、検出された照度に基づいて基板の移動速度が算出される。露光処理時に、基板が算出された移動速度で移動することにより、所望の露光量の真空紫外線が基板上のＤＳＡ膜に照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１８３９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光処理においては、真空紫外線が基板に照射されることにより基板が加熱され、基板の温度が上昇する。高い温度を有する基板が搬送装置の保持部により露光装置から搬出されると、搬送装置の保持部の温度が上昇する。この場合、露光装置の保持部により搬送される他の基板の温度も上昇する。基板の温度の変動は基板処理の均一性に影響を与える。そのため、露光装置内で基板の温度が所定の温度（例えば５０度）以下まで低下した後、露光装置から基板が搬出される。しかしながら、基板の温度が所定の温度以下まで低下するまでに時間を要するので、基板の露光処理の効率が低下する。
【０００６】
本発明の目的は、基板の露光処理の効率を向上させることが可能な露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る露光装置は、基板を収容する処理室と、処理室内において、基板が載置される載置部と、真空紫外線を出射する光源部と、処理室内への基板の搬入および処理室外への基板の搬出の際に載置部が処理室内の第１の位置にあり、光源部による基板への真空紫外線の照射の際に載置部が第１の位置よりも光源部に近い第２の位置にあるように、載置部を第１の位置と第２の位置とに移動させる駆動部と、載置部が少なくとも第１の位置にあるときに載置部を冷却する冷却部とを備える。
【０００８】
この露光装置においては、処理室に基板が収容される。処理室内への基板の搬入の際に載置部が処理室内の第１の位置にあるように、駆動部により載置部が第１の位置に移動される。載置部が少なくとも第１の位置にあるときに冷却部により載置部が冷却される。処理室内において、載置部に基板が載置される。光源部により真空紫外線が出射される。光源部による基板への真空紫外線の照射の際に載置部が第１の位置よりも光源部に近い第２の位置にあるように、駆動部により載置部が第２の位置に移動される。処理室外への基板の搬出の際に載置部が処理室内の第１の位置にあるように、駆動部により載置部が第１の位置に移動される。
【０００９】
この構成によれば、光源部による基板への真空紫外線の照射の際に、基板が載置部に載置された状態で光源部に近接する。ここで、載置部は冷却部により予め冷却されているので、光源部により基板に真空紫外線が照射された場合でも、基板の温度が所定の温度以上に上昇しない。そのため、基板を処理室内で待機させる必要がなく、別途基板を冷却するための処理を行う必要もない。
【００１０】
また、冷却部による載置部の冷却は、処理室内へ基板を搬入する処理および処理室外へ基板を搬出する処理と並列して行われるとともに、処理室内に基板が存在しない期間に行われる。したがって、冷却部により載置部を冷却するための時間を別途確保する必要がない。これらの結果、基板の露光処理の効率を向上させることができる。
【００１１】
（２）露光装置は、第１の位置において載置部と接触する接触部材をさらに備え、冷却部は、接触部材を冷却するように接触部材に設けられてもよい。この場合、載置部は、第１の位置において接触部材と接触することにより、接触部材を介して冷却部により冷却される。そのため、冷却部を載置部に設ける必要がなく、冷却部を駆動させるための駆動装置を載置部に設けられる冷却部に接続する必要がない。これにより、載置部を第１の位置と第２の位置との間で移動させるための構成を単純化することができる。
【００１２】
（３）載置部は下面を有し、接触部材は、載置部の冷却時に載置部の下面に接触する接触面を有してもよい。この場合、広範囲に渡って載置部から接触部材への熱の移動が行われる。これにより、載置部を効率よく冷却することができる。
【００１３】
（４）光源部は、載置部の上方に配置され、真空紫外線を下方に出射し、第２の位置は光源部の下方にあり、第１の位置は第２の位置の下方にあり、駆動部は、載置部を第１の位置と第２の位置との間で昇降させてもよい。この場合、載置部が第１の位置に下降することにより、基板を光源部に干渉させることなく、処理室内に基板を容易に搬入するか、または処理室外に基板を容易に搬出することができる。また、基板が載置された状態で載置部が第２の位置に上昇することにより、基板と光源部とを容易に近接させることができる。
【００１４】
（５）冷却部は、載置部の下方に配置され、載置部が第１の位置にあるときに載置部に接触してもよい。この場合、載置部を第１の位置に下降させることにより、載置部を冷却部に接触させて容易に冷却することができる。
【００１５】
（６）露光装置は、接触部材から上方に延びる複数の支持部材をさらに備え、複数の支持部材の上端は第１の位置よりも高くかつ第２の位置よりも低く、載置部は、複数の支持部材が通過可能な複数の貫通孔を有し、複数の支持部材は、載置部が第１の位置にあるときに載置部の複数の貫通孔を貫通してもよい。
【００１６】
この場合、複数の支持部材は、処理室内に搬入された基板を第１の位置よりも高くかつ第２の位置よりも低い上端において支持可能である。そのため、載置部が第１の位置から上昇することにより、基板を載置部に容易に載置することができる。また、載置部が第２の位置から下降することにより、基板を複数の支持部材の上端に支持させることができる。これにより、基板を複数の支持部材の上端から処理室外に容易に搬出することができる。
【００１７】
（７）冷却部は、載置部に設けられてもよい。この場合、冷却部により載置部を常時冷却することができる。これにより、載置部をより効率よく冷却することができる。
【００１８】
（８）駆動部は、光源部による真空紫外線の出射が開始された後に載置部を第１の位置から第２の位置に移動させてもよい。この場合、載置部が第１の位置から第２の位置に移動する時点は、光源部による真空紫外線の出射が開始される時点よりも後になる。したがって、第１の位置において、冷却部により載置部を十分に冷却することができる。
【００１９】
（９）駆動部は、光源部による真空紫外線の出射が停止される前に載置部を第２の位置から第１の位置に移動させてもよい。この場合、載置部が第２の位置から第１の位置に移動する時点は、光源部による真空紫外線の出射が停止される時点よりも前になる。したがって、第１の位置において、冷却部により載置部を十分に冷却することができる。
【００２０】
（１０）光源部は、面状の断面を有する真空紫外線を出射するように構成されてもよい。この場合、広範囲に真空紫外線が出射される。そのため、基板の露光がより短時間で終了する。これにより、基板の露光処理の効率をより向上させることができる。
【００２１】
（１１）光源部による真空紫外線の出射面積は、基板の面積よりも大きくてもよい。この場合、基板の全面露光を行うことができるので、基板の露光がさらに短時間で終了する。これにより、基板の露光処理の効率をさらに向上させることができる。
【００２２】
（１２）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を塗布することにより基板に膜を形成する塗布処理部と、塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理する熱処理部と、熱処理部により熱処理された基板を露光する第１の発明に係る露光装置と、露光装置により露光された基板に溶剤を供給することにより基板の膜を現像する現像処理部とを備える。
【００２３】
この基板処理装置においては、塗布処理部により基板に処理液が塗布されることにより基板に膜が形成される。塗布処理部により膜が形成された基板が熱処理部により熱処理される。熱処理部により熱処理された基板が上記の露光装置により露光される。露光装置により露光された基板に現像処理部により溶剤が供給されることにより基板の膜が現像される。
【００２４】
露光装置においては、載置部は冷却部により予め冷却されているので、光源部により基板に真空紫外線が照射された場合でも、基板の温度が所定の温度以上に上昇しない。そのため、基板を処理室内で待機させる必要がなく、別途基板を冷却するための処理を行う必要もない。
【００２５】
また、冷却部による載置部の冷却は、処理室内へ基板を搬入する処理および処理室外へ基板を搬出する処理と並列して行われるとともに、処理室内に基板が存在しない期間に行われる。したがって、冷却部により載置部を冷却するための時間を別途確保する必要がない。これらの結果、基板の露光処理の効率を向上させることができる。
【００２６】
（１３）処理液は、誘導自己組織化材料を含んでもよい。この場合、誘導自己組織化材料を含む処理液が塗布された基板が熱処理されることにより、基板の一面上でミクロ相分離が生じる。また、ミクロ相分離により２種類の重合体のパターンが形成された基板が露光および現像される。これにより、２種類の重合体のうちの一方が除去され、微細化されたパターンを形成することができる。
【００２７】
（１４）第３の発明に係る露光方法は、処理室に基板を収容するステップと、処理室内への基板の搬入の際に載置部が処理室内の第１の位置にあるように、駆動部により載置部を第１の位置に移動させるステップと、載置部が少なくとも第１の位置にあるときに冷却部により載置部を冷却するステップと、処理室内において、載置部に基板が載置されるステップと、光源部により真空紫外線を出射するステップと、光源部による基板への真空紫外線の照射の際に載置部が第１の位置よりも光源部に近い第２の位置にあるように、駆動部により載置部を第２の位置に移動させるステップと、処理室外への基板の搬出の際に載置部が処理室内の第１の位置にあるように、駆動部により載置部を第１の位置に移動させるステップとを含む。
【００２８】
この露光方法によれば、載置部は冷却部により予め冷却されているので、光源部により基板に真空紫外線が照射された場合でも、基板の温度が所定の温度以上に上昇しない。そのため、基板を処理室内で待機させる必要がなく、別途基板を冷却するための処理を行う必要もない。また、冷却部による載置部の冷却は、処理室内へ基板を搬入する処理および処理室外へ基板を搬出する処理と並列して行われるとともに、処理室内に基板が存在しない期間に行われる。したがって、冷却部により載置部を冷却するための時間を別途確保する必要がない。これらの結果、基板の露光処理の効率を向上させることができる。
【００２９】
（１５）第４の発明に係る基板処理方法は、塗布処理部により基板の被処理面に処理液を塗布することにより基板に膜を形成するステップと、塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理部により熱処理するステップと、熱処理部により熱処理された基板を露光装置により露光する第３の発明に係る露光方法と、露光装置により露光された基板の被処理面に現像処理部により溶剤を供給することにより基板の膜を現像するステップとを含む。
【００３０】
この基板処理方法によれば、膜の形成後でかつ現像前の基板が真空紫外線により露光される。露光方法においては、載置部は冷却部により予め冷却されているので、光源部により基板に真空紫外線が照射された場合でも、基板の温度が所定の温度以上に上昇しない。そのため、基板を処理室内で待機させる必要がなく、別途基板を冷却するための処理を行う必要もない。また、冷却部による載置部の冷却は、処理室内へ基板を搬入する処理および処理室外へ基板を搬出する処理と並列して行われるとともに、処理室内に基板が存在しない期間に行われる。したがって、冷却部により載置部を冷却するための時間を別途確保する必要がない。これらの結果、基板の露光処理の効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、基板の露光処理の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】受渡部の支持板を示す平面図である。
【図３】図１の制御部の構成を示す機能ブロック図である。
【図４】露光装置の動作を説明するための模式図である。
【図５】露光装置の動作を説明するための模式図である。
【図６】露光装置の動作を説明するための模式図である。
【図７】露光装置の動作を説明するための模式図である。
【図８】図３の制御部により行われる露光処理の一例を示すフローチャートである。
【図９】図３の制御部により行われる露光処理の一例を示すフローチャートである。
【図１０】図１の露光装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す模式的ブロック図である。
【図１１】図１０の基板処理装置による基板の処理の一例を示す模式図である。
【図１２】他の実施の形態における支持板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
（１）露光装置の構成
以下、本発明の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３４】
図１は、本発明の実施の形態に係る露光装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、露光装置１００は、制御部１１０、処理室１２０、閉塞部１３０、受渡部１４０、昇降部１５０、投光部１６０、置換部１７０および計測部１８０を含む。制御部１１０は、計測部１８０から計測値を取得するとともに、閉塞部１３０、昇降部１５０、投光部１６０および置換部１７０の動作を制御する。制御部１１０の機能については後述する。
【００３５】
処理室１２０は、上部開口および内部空間を有する筐体１２１、環状部材１２２および被覆部材１２３を含む。筐体１２１の側面には、筐体１２１の内部と外部との間で処理対象の基板Ｗを搬送するための搬送開口１２１ａが形成される。なお、本実施の形態においては、処理対象の基板Ｗには、誘導自己組織化材料を含む膜（以下、ＤＳＡ（Directed Self Assembly）膜と呼ぶ。）が形成されている。また、筐体１２１の底面には、後述する昇降部１５０の連結部材１５２が通過する開口部１２１ｂが形成される。
【００３６】
後述する投光部１６０のハウジング１６１が環状部材１２２を介して筐体１２１の上部に配置されることにより、筐体１２１の上部開口が閉塞される。筐体１２１と環状部材１２２との間、および環状部材１２２とハウジング１６１との間には、それぞれシール部材ｓ１，ｓ２が取り付けられる。また、環状部材１２２の外周面を覆うように筐体１２１とハウジング１６１との間に被覆部材１２３が取り付けられる。
【００３７】
閉塞部１３０は、シャッタ１３１、棒形状の連結部材１３２および駆動装置１３３を含む。連結部材１３２は、シャッタ１３１と駆動装置１３３とを連結する。駆動装置１３３は、例えばステッピングモータである。駆動装置１３３は、シャッタ１３１が搬送開口１２１ａを開放する開放位置と、シャッタ１３１が搬送開口１２１ａを閉塞する閉塞位置との間でシャッタ１３１を移動させる。
【００３８】
シャッタ１３１には、シール部材１３１ａが取り付けられる。シャッタ１３１が閉塞位置にある状態においては、シール部材１３１ａが筐体１２１における搬送開口１２１ａを取り囲む部分に密着することにより筐体１２１の内部が密閉される。なお、シール部材１３１ａと筐体１２１との摩擦を防止するため、駆動装置１３３は、シャッタ１３１を開放位置と閉塞位置との間で移動させる際には、シャッタ１３１を筐体１２１から離間させた状態で上下方向に移動させる。
【００３９】
駆動装置１３３には、シャッタ１３１の上限位置および下限位置をそれぞれ検出する位置センサ１３３ａ，１３３ｂが取り付けられる。位置センサ１３３ａ，１３３ｂは、検出結果を制御部１１０に与える。本実施の形態においては、駆動装置１３３および後述する駆動装置１５３は、処理室１２０の外に設けられる。そのため、駆動装置１３３，１５３の駆動により塵埃が発生する場合でも、筐体１２１内に塵埃が直接侵入することが防止される。
【００４０】
受渡部１４０は、例えば円板形状の支持板１４１、複数（本例では３個）の支持ピン１４２および冷却部１４３を含む。支持板１４１は、筐体１２１内に水平姿勢で配置される。支持板１４１の中央部には、後述する昇降部１５０の連結部材１５２が通過する開口部１４１ａが形成される。複数の支持ピン１４２は、開口部１４１ａを取り囲むように支持板１４１の上面から上方に延びる。複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに、処理対象の基板Ｗを載置することができる。
【００４１】
図２は、受渡部１４０の支持板１４１を示す平面図である。図２に示すように、冷却部１４３は、冷却管１４３ａおよび媒体供給源１４３ｂを含む。冷却管１４３ａは、支持板１４１に接触する状態で蛇行しつつ支持板１４１内を周回するように設けられる。冷却管１４３ａの両端は、媒体供給源１４３ｂに接続される。媒体供給源１４３ｂは、冷却管１４３ａの一端から冷却管１４３ａ内に冷却媒体を供給し、冷却管１４３ａの他端から冷却媒体を回収する。これにより、冷却管１４３ａ内に冷却媒体が循環され、支持板１４１が冷却される。
【００４２】
本実施の形態においては、媒体供給源１４３ｂは恒温水循環装置であり、恒温の純水を冷却媒体として供給するが、本発明はこれに限定されない。媒体供給源１４３ｂは冷却水循環装置であり、冷却された純水を冷却媒体として供給してもよい。また、冷却管１４３ａは支持板１４１内に設けられるが、本発明はこれに限定されない。冷却管１４３ａは、例えば支持板１４１の下面に接触する状態で支持板１４１外に設けられてもよい。
【００４３】
図１の昇降部１５０は、平板形状の載置板１５１、棒形状の連結部材１５２および駆動装置１５３を含む。載置板１５１は、筐体１２１内において、受渡部１４０の支持板１４１の上方に水平姿勢で配置される。載置板１５１には、支持板１４１の複数の支持ピン１４２にそれぞれ対応する複数の貫通孔１５１ａが形成される。
【００４４】
連結部材１５２は筐体１２１の開口部１２１ｂおよび支持板１４１の開口部１４１ａを通して上下に延びるように配置され、駆動装置１５３は筐体１２１の下方に配置される。連結部材１５２は、載置板１５１と駆動装置１５３とを連結する。連結部材１５２の外周面と開口部１２１ｂの内周面との間には、連結部材１５２が上下方向に摺動可能にシール部材ｓ３が配置される。
【００４５】
駆動装置１５３は、例えばステッピングモータであり、複数の支持ピン１４２の上端１４２ａよりも上方の処理位置と、複数の支持ピン１４２の上端１４２ａよりも下方の待機位置との間で載置板１５１を上下方向に移動させる。駆動装置１５３には、載置板１５１の上限位置および下限位置をそれぞれ検出する位置センサ１５３ａ，１５３ｂが取り付けられる。位置センサ１５３ａ，１５３ｂは、検出結果を制御部１１０に与える。
【００４６】
載置板１５１が待機位置にある状態においては、複数の支持ピン１４２が複数の貫通孔１５１ａにそれぞれ挿通され、載置板１５１の下面１５１ｂと支持板１４１の上面（接触面）１４１ｂとが接触する。これにより、載置板１５１が支持板１４１を介して冷却部１４３により冷却される。
【００４７】
投光部１６０は、下部開口および内部空間を有するハウジング１６１、透光板１６２、面状の光源部１６３および電源装置１６４を含む。本実施の形態では、透光板１６２は石英ガラス板である。透光板１６２の材料として、後述する真空紫外線を透過する他の材料が用いられてもよい。上記のように、ハウジング１６１は、筐体１２１の上部開口を閉塞するように筐体１２１の上部に配置される。透光板１６２は、ハウジング１６１の下部開口を閉塞するようにハウジング１６１に取り付けられる。筐体１２１の内部空間とハウジング１６１の内部空間とは、透光板１６２により光学的にアクセス可能に隔てられる。
【００４８】
光源部１６３および電源装置１６４は、ハウジング１６１内に収容される。本実施の形態においては、波長約１２０ｎｍ以上約２３０ｎｍ以下の真空紫外線を出射する複数の棒形状の光源が所定の間隔で水平に配列されることにより光源部１６３が構成される。各光源は、例えばキセノンエキシマランプであってもよいし、他のエキシマランプまたは重水素ランプ等であってもよい。光源部１６３は、透光板１６２を通して筐体１２１内に略均一な光量分布を有する真空紫外線を出射する。光源部１６３における真空紫外線の出射面の面積は、基板Ｗの被処理面の面積よりも大きい。電源装置１６４は、光源部１６３に電力を供給する。
【００４９】
置換部１７０は、配管１７１ｐ，１７２ｐ，１７３ｐ、バルブ１７１ｖ，１７２ｖおよび吸引装置１７３を含む。配管１７１ｐ，１７２ｐは筐体１２１の給気口と不活性ガス供給源との間に接続される。本実施の形態では、不活性ガスは例えば窒素ガスである。配管１７１ｐ，１７２ｐにはバルブ１７１ｖ，１７２ｖが介挿される。配管１７１ｐを通して支持板１４１の側方から筐体１２１内に不活性ガスが供給される。配管１７２ｐを通して支持板１４１の下方から筐体１２１内に不活性ガスが供給される。不活性ガスの流量は、バルブ１７１ｖ，１７２ｖにより調整される。本実施の形態では、不活性ガスとして窒素ガスが用いられる。
【００５０】
配管１７３ｐは、枝管１７３ａと枝管１７３ｂとに分岐する。枝管１７３ａは筐体１２１の排気口に接続され、枝管１７３ｂの端部は筐体１２１とシャッタ１３１との間に配置される。配管１７３ｐには、吸引装置１７３が介挿入される。枝管１７３ｂにはバルブ１７３ｖが介挿される。吸引装置１７３は、例えばエジェクタである。配管１７３ｐは、排気設備に接続される。
【００５１】
吸引装置１７３は、筐体１２１内の雰囲気を枝管１７３ａおよび配管１７３ｐを通して排出する。また、吸引装置１７３は、筐体１２１とシャッタ１３１との間の雰囲気をシャッタ１３１の移動により発生する塵埃等とともに枝管１７３ｂおよび配管１７３ｐを通して排出する。吸引装置１７３により排出された気体は、排気設備により無害化される。
【００５２】
計測部１８０は、酸素濃度計１８１、オゾン濃度計１８２および照度計１８３を含む。酸素濃度計１８１、オゾン濃度計１８２および照度計１８３は、筐体１２１に設けられた接続ポートｐ１，ｐ２，ｐ３をそれぞれ通して制御部１１０に接続される。酸素濃度計１８１は、例えばガルバニ電池式酸素センサまたはジルコニア式酸素センサであり、筐体１２１内の酸素濃度を計測する。
【００５３】
オゾン濃度計１８２は、筐体１２１内のオゾン濃度を計測する。照度計１８３は、フォトダイオード等の受光素子を含み、受光素子の受光面に照射される光源部１６３からの真空紫外線の照度を計測する。ここで、照度とは、受光面の単位面積当たりに照射される真空紫外線の仕事率である。照度の単位は、例えば「Ｗ／ｍ２」で表される。
【００５４】
（２）露光装置の概略動作
露光装置１００においては、光源部１６３から基板Ｗに真空紫外線が照射されることにより露光処理が行われる。しかしながら、筐体１２１内の酸素濃度が高い場合、酸素分子が真空紫外線を吸収して酸素原子に分離するとともに、分離した酸素原子が他の酸素分子と再結合することによりオゾンが発生する。この場合、基板Ｗに到達する真空紫外線が減衰する。真空紫外線の減衰は、約２３０ｎｍよりも長い波長の紫外線の減衰に比べて大きい。
【００５５】
そこで、露光処理においては、筐体１２１内の雰囲気が置換部１７０により不活性ガスに置換される。これにより、筐体１２１内の酸素濃度が低減する。酸素濃度計１８１により計測される酸素濃度が予め定められた濃度まで低減した場合に、光源部１６３から基板Ｗに真空紫外線が照射される。ここで、予め定められた濃度は、光源部１６３により出射される真空紫外線によってはオゾンが発生しない酸素濃度（例えば１％）であることが好ましい。
【００５６】
基板Ｗに照射される真空紫外線の露光量が予め定められた設定露光量に到達した場合、真空紫外線の照射が停止され、露光処理が終了する。ここで、露光量とは、露光処理時に基板Ｗの被処理面の単位面積当たりに照射される真空紫外線のエネルギーである。露光量の単位は、例えば「Ｊ／ｍ２」で表される。したがって、真空紫外線の露光量は、照度計１８３により計測される真空紫外線の照度の積算により取得される。
【００５７】
上記の露光処理において、真空紫外線が基板Ｗに照射されることにより基板Ｗが加熱される。この場合において、基板Ｗの温度が所定の温度（例えば５０度）以上に上昇すると、基板Ｗを露光装置から搬出することができず、基板Ｗの温度が所定の温度未満に低下するまで待機する必要がある。そのため、基板Ｗの露光処理の効率が低下する。
【００５８】
本実施の形態においては、露光処理前に載置板１５１が待機位置に移動され、支持板１４１と接触することにより予め冷却される。露光処理時には、基板Ｗが載置板１５１に載置される。その後、載置板１５１が処理位置に移動され、基板Ｗが光源部１６３に近接した状態で基板Ｗに真空紫外線が照射される。この場合、基板Ｗが冷却された載置板１５１に載置されているので、基板Ｗの温度が所定の温度以上に上昇することが防止される。これにより、基板Ｗの露光処理の効率が低下することが防止される。
【００５９】
（３）制御部
図３は、図１の制御部１１０の構成を示す機能ブロック図である。図３に示すように、制御部１１０は、閉塞制御部１、昇降制御部２、排気制御部３、給気制御部４、濃度取得部５、濃度比較部６、照度取得部７、露光量算出部８、露光量比較部９および投光制御部１０を含む。
【００６０】
制御部１１０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリにより構成される。制御部１１０のメモリには、制御プログラムが予め記憶されている。制御部１１０のＣＰＵがメモリに記憶された制御プログラムを実行することにより、制御部１１０の各部の機能が実現される。
【００６１】
閉塞制御部１は、図１の位置センサ１３３ａ，１３３ｂの検出結果に基づいて、シャッタ１３１が閉塞位置と開放位置との間で移動するように駆動装置１３３を制御する。昇降制御部２は、図１の位置センサ１５３ａ，１５３ｂの検出結果に基づいて、載置板１５１が待機位置と処理位置との間で移動するように駆動装置１５３を制御する。
【００６２】
排気制御部３は、図１の筐体１２１内の雰囲気および筐体１２１とシャッタ１３１との間の雰囲気を排気するように吸引装置１７３およびバルブ１７３ｖを制御する。給気制御部４は、筐体１２１内に不活性ガスを供給するように図１のバルブ１７１ｖ，１７２ｖを制御する。
【００６３】
濃度取得部５は、図１の酸素濃度計１８１により計測された酸素濃度の値を取得する。濃度比較部６は、濃度取得部５により計測された酸素濃度と、予め定められた濃度とを比較する。
【００６４】
照度取得部７は、図１の照度計１８３により計測された真空紫外線の照度の値を取得する。露光量算出部８は、照度取得部７により取得された真空紫外線の照度と、図１の光源部１６３から基板Ｗへの真空紫外線の照射時間とに基づいて基板Ｗに照射される真空紫外線の露光量を算出する。露光量比較部９は、露光量算出部８により算出された露光量と予め定められた設定露光量とを比較する。
【００６５】
投光制御部１０は、濃度比較部６による比較結果に基づいて光源部１６３が真空紫外線を出射するように図１の電源装置１６４から光源部１６３への電力の供給を制御する。また、投光制御部１０は、露光量比較部９による比較結果に基づいて光源部１６３が真空紫外線の出射を停止するように電源装置１６４を制御する。
【００６６】
（４）露光処理
図４〜図７は、露光装置１００の動作を説明するための模式図である。図４〜図７においては、筐体１２１内およびハウジング１６１内の構成の理解を容易にするために、一部の構成要素の図示が省略されるとともに、筐体１２１およびハウジング１６１の輪郭が一点鎖線で示される。図８および図９は、図３の制御部１１０により行われる露光処理の一例を示すフローチャートである。以下、図４〜図７を参照しながら制御部１１０による露光処理を説明する。
【００６７】
図４に示すように、露光処理の初期状態においては、シャッタ１３１が閉塞位置にあり、載置板１５１が待機位置にある。そのため、載置板１５１の下面１５１ｂと支持板１４１の上面１４１ｂとが接触する。これにより、載置板１５１が支持板１４１を介して冷却管１４３ａにより予め冷却される。また、筐体１２１内の酸素濃度は、酸素濃度計１８１により常時または定期的に計測され、濃度取得部５により取得されている。この時点においては、酸素濃度計１８１により計測される筐体１２１内の酸素濃度は大気中の酸素濃度に等しい。
【００６８】
まず、閉塞制御部１は、図５に示すように、シャッタ１３１を開放位置に移動させる（ステップＳ１）。これにより、搬送開口１２１ａを通して処理対象の基板Ｗを複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに載置することができる。本例では、後述する図１０の搬送装置２２０により基板Ｗが複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに載置される。
【００６９】
次に、昇降制御部２は、基板Ｗが複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに載置されたか否かを判定する（ステップＳ２）。基板Ｗが載置されていない場合、昇降制御部２は、基板Ｗが複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに載置されるまで待機する。基板Ｗが載置された場合、昇降制御部２は、図６に示すように、シャッタ１３１を閉塞位置に移動させる（ステップＳ３）。
【００７０】
続いて、排気制御部３は、図１の吸引装置１７３により筐体１２１内の雰囲気を排出させる（ステップＳ４）。また、給気制御部４は、図１の配管１７１ｐ，１７２ｐを通して筐体１２１内に不活性ガスを供給させる（ステップＳ５）。ステップＳ４，Ｓ５の処理は、いずれが先に開始されてもよいし、同時に開始されてもよい。
【００７１】
その後、濃度比較部６は、筐体１２１内の酸素濃度が所定濃度まで低下したか否かを判定する（ステップＳ６）。酸素濃度が所定濃度まで低下していない場合、濃度比較部６は、酸素濃度が所定濃度まで低下するまで待機する。酸素濃度が所定濃度まで低下した場合、投光制御部１０は、光源部１６３により真空紫外線を出射させる（ステップＳ７）。
【００７２】
次に、昇降制御部２は、図７に示すように、載置板１５１を処理位置に移動させる（ステップＳ８）。これにより、基板Ｗが複数の支持ピン１４２から載置板１５１に受け渡される。この場合、基板Ｗは、載置板１５１により冷却されつつ透光板１６２に近接される。この状態で、光源部１６３から透光板１６２を通して真空紫外線が基板Ｗに照射され、被処理面に形成されたＤＳＡ膜が露光される。
【００７３】
ここで、照度取得部７は、照度計１８３に真空紫外線の照度の計測を開始させ、計測された照度を照度計１８３から取得する（ステップＳ９）。露光量算出部８は、照度取得部７により取得される真空紫外線の照度を積算することにより基板Ｗに照射される真空紫外線の露光量を算出する（ステップＳ１０）。
【００７４】
続いて、露光量比較部９は、露光量算出部８により算出された露光量が設定露光量に到達したか否かを判定する（ステップＳ１１）。露光量が設定露光量に到達していない場合、露光量比較部９は、露光量が設定露光量に到達するまで待機する。
【００７５】
露光量が設定露光量に到達した場合、昇降制御部２は、図６に示すように、載置板１５１を待機位置に移動させる（ステップＳ１２）。これにより、基板Ｗが載置板１５１から複数の支持ピン１４２に受け渡される。また、載置板１５１の下面１５１ｂと支持板１４１の上面１４１ｂとが接触する。これにより、載置板１５１は、次に露光装置１００に搬入される基板Ｗの露光処理に備えて冷却管１４３ａにより予め冷却されることとなる。
【００７６】
次に、投光制御部１０は、光源部１６３からの真空紫外線の出射を停止させる（ステップＳ１３）。また、照度取得部７は、照度計１８３による照度の計測を停止させる（ステップＳ１４）。続いて、排気制御部３は、吸引装置１７３による筐体１２１内の雰囲気の排出を停止させる（ステップＳ１５）。また、給気制御部４は、配管１７１ｐ，１７２ｐからの筐体１２１内への不活性ガスの供給を停止させる（ステップＳ１６）。ステップＳ１３〜Ｓ１６の処理は、いずれが先に開始されてもよいし、同時に開始されてもよい。
【００７７】
その後、閉塞制御部１は、図５に示すように、シャッタ１３１を開放位置に移動させる（ステップＳ１７）。これにより、搬送開口１２１ａを通して露光後の基板Ｗを複数の支持ピン１４２上から筐体１２１の外部へ搬出することができる。本例では、後述する図１０の搬送装置２２０により基板Ｗが複数の支持ピン１４２上から筐体１２１の外部へ搬出される。
【００７８】
次に、閉塞制御部１は、基板Ｗが複数の支持ピン１４２上から搬出されたか否かを判定する（ステップＳ１８）。基板Ｗが搬出されていない場合、閉塞制御部１は、基板Ｗが複数の支持ピン１４２上から搬出されるまで待機する。基板Ｗが搬出された場合、閉塞制御部１は、図４に示すように、シャッタ１３１を閉塞位置に移動させ（ステップＳ１９）、露光処理を終了する。上記の動作が繰り返されることにより、複数の基板Ｗに露光処理を順次行うことができる。
【００７９】
上記の露光処理においては、光源部１６３による真空紫外線の出射が開始された後に載置板１５１が待機位置から処理位置に移動される。また、光源部１６３による真空紫外線の出射が停止される前に載置板１５１が処理位置から待機位置に移動される。これにより、待機位置において、冷却管１４３ａにより載置板１５１を十分に冷却することができる。
【００８０】
一方で、載置板１５１が十分に冷却可能である場合には、光源部１６３による真空紫外線の出射が開始される前に載置板１５１が待機位置から処理位置に移動されてもよい。あるいは、光源部１６３による真空紫外線の出射が停止された後に載置板１５１が処理位置から待機位置に移動されてもよい。すなわち、ステップＳ８の処理がステップＳ７の処理よりも前に実行されてもよいし、ステップＳ１２の処理がステップＳ１３の処理よりも後に実行されてもよい。
【００８１】
（５）基板処理装置
図１０は、図１の露光装置１００を備えた基板処理装置の全体構成を示す模式的ブロック図である。以下に説明する基板処理装置２００においては、ブロック共重合体の誘導自己組織化（ＤＳＡ）を利用した処理が行われる。具体的には、基板Ｗの被処理面上に誘導自己組織化材料を含む処理液が塗布される。その後、誘導自己組織化材料に生じるミクロ相分離により基板Ｗの被処理面上に２種類の重合体のパターンが形成される。２種類の重合体のうち一方のパターンが溶剤により除去される。
【００８２】
誘導自己組織化材料を含む処理液をＤＳＡ液と呼ぶ。また、ミクロ相分離により基板Ｗの被処理面上に形成される２種類の重合体のパターンのうち一方を除去する処理を現像処理と呼び、現像処理に用いられる溶剤を現像液と呼ぶ。
【００８３】
図１０に示すように、基板処理装置２００は、露光装置１００に加えて、制御装置２１０、搬送装置２２０、熱処理装置２３０、塗布装置２４０および現像装置２５０を備える。制御装置２１０は、例えばＣＰＵおよびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、搬送装置２２０、熱処理装置２３０、塗布装置２４０および現像装置２５０の動作を制御する。また、制御装置２１０は、図１の露光装置１００の閉塞部１３０、昇降部１５０、投光部１６０および置換部１７０の動作を制御するための指令を制御部１１０に与える。
【００８４】
搬送装置２２０は、処理対象の基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを露光装置１００、熱処理装置２３０、塗布装置２４０および現像装置２５０の間で搬送する。熱処理装置２３０は、塗布装置２４０による塗布処理および現像装置２５０による現像処理の前後に基板Ｗの熱処理を行う。
【００８５】
塗布装置２４０は、基板Ｗの被処理面にＤＳＡ液を供給することにより、膜の塗布処理を行う。本実施の形態では、ＤＳＡ液として、２種類の重合体から構成されるブロック共重合体が用いられる。２種類の重合体の組み合わせとして、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）、ポリスチレン−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ＰＦＳ）、ポリスチレン−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ポリヒドロキシスチレン（ＰＳ−ＰＨＯＳＴ）、およびポリメチルメタクリレート−ポリメタクリレートポリヘドラルオリゴメリックシルスセスキオキサン（ＰＭＭＡ−ＰＭＡＰＯＳＳ）等が挙げられる。
【００８６】
現像装置２５０は、基板Ｗの被処理面に現像液を供給することにより、膜の現像処理を行う。現像液の溶媒として、例えば、トルエン、ヘプタン、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、酢酸、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等が挙げられる。
【００８７】
図１１は、図１０の基板処理装置２００による基板Ｗの処理の一例を示す模式図である。図１１では、処理が行われるごとに変化する基板Ｗの状態が断面図で示される。本例では、基板Ｗが基板処理装置２００に搬入される前の初期状態として、図１１（ａ）に示すように、基板Ｗの被処理面を覆うように下地層Ｌ１が形成され、下地層Ｌ１上に例えばフォトレジストからなるガイドパターンＬ２が形成されている。以下、図１０および図１１を用いて基板処理装置２００の動作を説明する。
【００８８】
搬送装置２２０は、処理対象の基板Ｗを、熱処理装置２３０および塗布装置２４０に順に搬送する。この場合、熱処理装置２３０において、基板Ｗの温度がＤＳＡ膜の形成に適した温度に調整される。また、塗布装置２４０において、基板Ｗの被処理面にＤＳＡ液が供給され、塗布処理が行われる。それにより、図１１（ｂ）に示すように、ガイドパターンＬ２が形成されていない下地層Ｌ１上の領域に、２種類の重合体から構成されるＤＳＡ膜Ｌ３が形成される。
【００８９】
次に、搬送装置２２０は、ＤＳＡ膜Ｌ３が形成された基板Ｗを、熱処理装置２３０および露光装置１００に順に搬送する。この場合、熱処理装置２３０において、基板Ｗの加熱処理が行われることにより、ＤＳＡ膜Ｌ３にミクロ相分離が生じる。これにより、図１１（ｃ）に示すように、一方の重合体からなるパターンＱ１および他方の重合体からなるパターンＱ２が形成される。本例では、ガイドパターンＬ２に沿うように、線状のパターンＱ１および線状のパターンＱ２が指向的に形成される。
【００９０】
その後、熱処理装置２３０において、基板Ｗが冷却される。また、露光装置１００において、ミクロ相分離後のＤＳＡ膜Ｌ３の全体にＤＳＡ膜Ｌ３を改質させるための真空紫外線が照射され、露光処理が行われる。これにより、一方の重合体と他方の重合体との間の結合が切断され、パターンＱ１とパターンＱ２とが分離される。
【００９１】
続いて、搬送装置２２０は、露光装置１００による露光処理後の基板Ｗを、熱処理装置２３０および現像装置２５０に順に搬送する。この場合、熱処理装置２３０において、基板Ｗが冷却される。また、現像装置２５０において、基板Ｗ上のＤＳＡ膜Ｌ３に現像液が供給され、現像処理が行われる。これにより、図１１（ｄ）に示すように、パターンＱ１が除去され、最終的に、基板Ｗ上にパターンＱ２が残存する。最後に、搬送装置２２０は、現像処理後の基板Ｗを現像装置２５０から回収する。
【００９２】
（６）効果
本実施の形態に係る露光装置１００においては、処理室１２０内への基板Ｗの搬入の際に載置板１５１が待機位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が待機位置に移動される。この状態で、載置板１５１が支持板１４１に接触することにより、支持板１４１を介して冷却管１４３ａにより載置板１５１が冷却される。その後、載置板１５１が上方に移動することにより、基板Ｗが複数の支持ピン１４２の上端１４２ａから載置板１５１に受け渡され、載置板１５１に載置される。
【００９３】
光源部１６３による基板Ｗへの真空紫外線の照射の際に、載置板１５１が基板Ｗの受け渡し位置である複数の支持ピン１４２の上端１４２ａよりも上方の処理位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が処理位置に移動される。処理室１２０外への基板Ｗの搬出の際に載置板１５１が待機位置にあるように、駆動装置１５３により載置板１５１が待機位置に移動される。これにより、基板Ｗが載置板１５１から複数の支持ピン１４２に受け渡され、複数の支持ピン１４２の上端１４２ａに支持される。
【００９４】
この構成によれば、基板Ｗを光源部１６３に干渉させることなく、処理室１２０内に基板Ｗを容易に搬入し、または処理室１２０外に基板Ｗを容易に搬出することができる。また、光源部１６３による基板Ｗへの真空紫外線の照射の際に、基板Ｗが載置板１５１に載置された状態で、基板Ｗを光源部１６３に容易に近接させることができる。
【００９５】
ここで、載置板１５１は冷却管１４３ａにより予め冷却されているので、光源部１６３により基板Ｗに真空紫外線が照射された場合でも、基板Ｗの温度が所定の温度以上に上昇しない。そのため、基板Ｗを処理室１２０内で待機させる必要がなく、別途基板Ｗを冷却するための処理を行う必要もない。
【００９６】
また、冷却管１４３ａによる載置板１５１の冷却は、処理室１２０内へ基板Ｗを搬入する処理および処理室１２０外へ基板Ｗを搬出する処理と並列して行われるとともに、処理室１２０内に基板Ｗが存在しない期間に行われる。したがって、冷却管１４３ａにより載置板１５１を冷却するための時間を別途確保する必要がない。これらの結果、基板Ｗの露光処理の効率を向上させることができる。
【００９７】
さらに、上記実施の形態においては、載置板１５１が支持板１４１を介して冷却管１４３ａにより間接的に冷却されるので、冷却管１４３ａを載置板１５１に設ける必要がない。したがって、媒体供給源１４３ｂを載置板１５１上の冷却部１４３に接続する必要がない。これにより、載置板１５１を待機位置と処理位置との間で移動させるための構成を単純化することができる。また、載置板１５１の下面１５１ｂと支持板１４１の上面１４１ｂとは、広範囲に渡って接触することにより載置板１５１から支持板１４１への熱の移動が行われるので、載置板１５１を効率よく冷却することができる。
【００９８】
（７）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、冷却部１４３は冷却管１４３ａおよび媒体供給源１４３ｂを含むが、本発明はこれに限定されない。図１２は、他の実施の形態における支持板１４１を示す平面図である。図１２に示すように、他の実施の形態においては、冷却部１４３は、複数（図１２の例では８個）の冷却素子１４３ｃおよび電力供給源１４３ｄを含む。各冷却素子１４３ｃは、例えば冷却面および加熱面を有するペルチェ素子である。
【００９９】
複数の冷却素子１４３ｃは、冷却面が支持板１４１に接触する状態で開口部１４１ａを取り囲むように略等間隔で配置される。各冷却素子１４３ｃは、電力供給源１４３ｄに接続される。図１２においては、１つの冷却素子１４３ｃと電力供給源１４３ｄとの接続のみが図示され、他の複数の冷却素子１４３ｃと電力供給源１４３ｄとの接続の図示は省略されている。電力供給源１４３ｄから各冷却素子１４３ｃに電力が供給されることにより、支持板１４１が冷却される。
【０１００】
（ｂ）上記実施の形態において、支持板１４１に冷却管１４３ａが設けられ、載置板１５１が支持板１４１を通して冷却管１４３ａにより間接的に冷却されるが、本発明はこれに限定されない。載置板１５１に冷却管１４３ａが設けられ、冷却管１４３ａにより載置板１５１が直接的に冷却されてもよい。同様に、載置板１５１に図１２の冷却素子１４３ｃが設けられ、冷却素子１４３ｃにより載置板１５１が直接的に冷却されてもよい。これらの場合、載置板１５１を常時冷却することができる。
【０１０１】
（ｃ）上記実施の形態において、処理液としてＤＳＡ液が用いられるが、本発明はこれに限定されない。ＤＳＡ液とは異なる他の処理液が用いられてもよい。
【０１０２】
（ｄ）上記実施の形態において、真空紫外線の出射面は基板Ｗの被処理面よりも大きく、基板Ｗの全面露光が行われるが、本発明はこれに限定されない。真空紫外線の出射面は基板Ｗの被処理面よりも小さくてもよいし、面状の断面を有さずに線状の断面を有する真空紫外線が出射されてもよい。この場合、真空紫外線の出射面と基板Ｗの被処理面とが相対的に移動されることにより基板Ｗの被処理面の全体に真空紫外線が照射される。
【０１０３】
（ｅ）上記実施の形態において、露光処理時に筐体１２１内に不活性ガスが供給されるが、本発明はこれに限定されない。露光処理時に筐体１２１内の酸素濃度が十分に低減可能である場合には、筐体１２１内に不活性ガスが供給されなくてもよい。
【０１０４】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。
【０１０５】
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、処理室１２０が処理室の例であり、載置板１５１が載置部の例であり、光源部１６３が光源部の例であり、駆動装置１５３が駆動部の例であり、冷却部１４３が冷却部の例である。露光装置１００が露光装置の例であり、支持板１４１が接触部材の例であり、下面１５１ｂが下面の例であり、上面１４１ｂが接触面の例であり、支持ピン１４２が支持部材の例であり、上端１４２ａが上端の例である。貫通孔１５１ａが貫通孔の例であり、塗布装置２４０が塗布処理部の例であり、熱処理装置２３０が熱処理部の例であり、現像装置２５０が現像処理部の例であり、基板処理装置２００が基板処理装置の例である。
【符号の説明】
【０１０６】
１…閉塞制御部、２…昇降制御部、３…排気制御部、４…給気制御部、５…濃度取得部、６…濃度比較部、７…照度取得部、８…露光量算出部、９…露光量比較部、１０…投光制御部、１００…露光装置、１１０…制御部、１２０…処理室、１２１…筐体、１２１ａ…搬送開口、１２１ｂ，１４１ａ…開口部、１２２…環状部材、１２３…被覆部材、１３０…閉塞部、１３１…シャッタ、１３１ａ，ｓ１〜ｓ３…シール部材、１３２，１５２…連結部材、１３３，１５３…駆動装置、１３３ａ，１３３ｂ，１５３ａ，１５３ｂ…位置センサ、１４０…受渡部、１４１…支持板、１４１ｂ…上面、１４２…支持ピン、１４２ａ…上端、１４３…冷却部、１４３ａ…冷却管、１４３ｂ…媒体供給源、１４３ｃ…冷却素子、１４３ｄ…電力供給源、１５０…昇降部、１５１…載置板、１５１ａ…貫通孔、１５１ｂ…下面、１６０…投光部、１６１…ハウジング、１６２…透光板、１６３…光源部、１６４…電源装置、１７０…置換部、１７１ｐ〜１７３ｐ…配管、１７１ｖ〜１７３ｖ…バルブ、１７３…吸引装置、１７３ａ，１７３ｂ…枝管、１８０…計測部、１８１…酸素濃度計、１８２…オゾン濃度計、１８３…照度計、２００…基板処理装置、２１０…制御装置、２２０…搬送装置、２３０…熱処理装置、２４０…塗布装置、２５０…現像装置、Ｌ１…下地層、Ｌ２…ガイドパターン、Ｌ３…ＤＳＡ膜、ｐ１〜ｐ３…接続ポート、Ｑ１，Ｑ２…パターン、Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
配管１７３ｐは、枝管１７３ａと枝管１７３ｂとに分岐する。枝管１７３ａは筐体１２１の排気口に接続され、枝管１７３ｂの端部は筐体１２１とシャッタ１３１との間に配置される。配管１７３ｐには、吸引装置１７３が介挿される。枝管１７３ｂにはバルブ１７３ｖが介挿される。吸引装置１７３は、例えばエジェクタである。配管１７３ｐは、排気設備に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
塗布装置２４０は、基板Ｗの被処理面にＤＳＡ液を供給することにより、膜の塗布処理を行う。本実施の形態では、ＤＳＡ液として、２種類の重合体から構成されるブロック共重合体が用いられる。２種類の重合体の組み合わせとして、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）、ポリスチレン−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ＰＦＳ）、ポリスチレン−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ポリヒドロキシスチレン（ＰＳ−ＰＨＯＳＴ）、およびポリメチルメタクリレート−ポリメタクリレートポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン（ＰＭＭＡ−ＰＭＡＰＯＳＳ）等が挙げられる。