(57)【要約】【課題】接続用端子における接続信頼性を高められる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、低熱膨張率基板の少なくとも表面に配置された配線部と、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の表面に配置される低熱膨張率層と、を備える配線基板である。絶縁樹脂層は、裏面が配線部及び低熱膨張率基板の表面の一部を被覆するように配置される。低熱膨張率層は、最表層を構成する。低熱膨張率基板及び低熱膨張率層は、それぞれ、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。配線部は、接続用端子を有する。低熱膨張率層は、接続用端子を露出させる開口を有する。また、開口及び接続用端子を低熱膨張率層の厚み方向と垂直な仮想平面へ投影したとき、開口の投影面積は、接続用端子の投影面積よりも大きい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、
前記低熱膨張率基板の少なくとも表面に配置された配線部と、
表面と裏面とを有し、裏面が前記配線部及び前記低熱膨張率基板の表面の一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の表面に配置され、最表層を構成する低熱膨張率層と、
を備え、
前記低熱膨張率基板及び前記低熱膨張率層は、それぞれ、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成され、
前記配線部は、接続用端子を有し、
前記低熱膨張率層は、前記接続用端子を露出させる開口を有し、
前記開口及び前記接続用端子を前記低熱膨張率層の厚み方向と垂直な仮想平面へ投影したとき、前記開口の投影面積は、前記接続用端子の投影面積よりも大きい、配線基板。
【請求項２】
前記低熱膨張率層の前記開口内において、前記接続用端子の周囲には絶縁樹脂が配置され、
前記開口における前記絶縁樹脂の露出面は、前記低熱膨張率層の外面よりも厚み方向における内側に位置する、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記開口における前記接続用端子の露出面は、前記低熱膨張率層の外面よりも厚み方向における内側に位置すると共に、前記絶縁樹脂の露出面よりも厚み方向における外側に位置する、請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記開口内の前記絶縁樹脂は、前記絶縁樹脂層の一部である、請求項２又は請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記接続用端子は、前記低熱膨張率層の前記開口の内壁と当接しない、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁樹脂層は、無機フィラーを含有する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記低熱膨張率層の平均厚みは、３０μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気機器に用いられる配線基板として、樹脂層の表面に外部との接続用端子が配置されたものが公知である（特許文献１参照）。この特許文献１の配線基板では、樹脂の硬化収縮に伴い、うねりや反りが発生する。そのため、近年の配線基板の小型化及び高密度化に伴い、配線基板の平坦性が無視できなくなり、接続の信頼性が不十分となっている。
【０００３】
そこで、熱膨張率の低い基板をコア基材として用いた配線基板が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３００８１９号公報
【特許文献２】特開２０１４−２３６１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記公報の配線基板において、樹脂層により複数の低熱膨張率の基材を積層し、配線の接続用端子に半田リフロー等によって部品端子の接続を行うと、基材と接続用端子や半田との間で熱収縮量の差が発生する。その結果、半田及び接続用端子に大きな応力がかかり、半田等の接続部分にクラックが発生しやすくなる。
【０００６】
本開示の一局面は、接続用端子における接続信頼性を高められる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、表面と裏面とを有する低熱膨張率基板と、低熱膨張率基板の少なくとも表面に配置された配線部と、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の表面に配置される低熱膨張率層と、を備える配線基板である。絶縁樹脂層は、裏面が配線部及び低熱膨張率基板の表面の一部を被覆するように配置される。低熱膨張率層は、最表層を構成する。低熱膨張率基板及び低熱膨張率層は、それぞれ、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料で構成される。配線部は、接続用端子を有する。低熱膨張率層は、接続用端子を露出させる開口を有する。また、開口及び接続用端子を低熱膨張率層の厚み方向と垂直な仮想平面へ投影したとき、開口の投影面積は、接続用端子の投影面積よりも大きい。
【０００８】
このような構成によれば、最表層が低熱膨張率層で構成されるので、配線基板表面の平坦性が高められる。また、接続用端子を露出させる開口の投影面積は接続用端子の投影面積よりも大きいので、接続用端子と最表層の低熱膨張率層とが少なくとも一部で離間される。これにより、半田接続時の熱膨張率の差異による応力が緩和されるので、接続用端子の接続信頼性が高められる。
【０００９】
本開示の一態様では、低熱膨張率層の開口内において、接続用端子の周囲には絶縁樹脂が配置されてもよい。また、開口における絶縁樹脂の露出面は、低熱膨張率層の外面よりも厚み方向における内側に位置してもよい。このような構成によれば、接続用端子を低熱膨張率層から突出させることなく、接続用端子と低熱膨張率層とをより確実に離間できる。これにより、半田接続時の応力の緩和が促進される。
【００１０】
本開示の一態様では、開口における接続用端子の露出面は、低熱膨張率層の外面よりも厚み方向における内側に位置すると共に、絶縁樹脂の露出面よりも厚み方向における外側に位置してもよい。このような構成によれば、接続用端子が絶縁樹脂から突出した凸形状となる。そのため、半田接続時に接続用端子の側壁にも半田が接続される。これにより、接続信頼性がさらに高められる。
【００１１】
本開示の一態様では、開口内の絶縁樹脂は、絶縁樹脂層の一部であってもよい。このような構成によれば、絶縁樹脂と低熱膨張率層との熱収縮量の差異が絶縁樹脂層によって緩衝される。その結果、低熱膨張率層における残留応力を低減できる。
【００１２】
本開示の一態様では、接続用端子は、低熱膨張率層の開口の内壁と当接しなくてもよい。このような構成によれば、接続用端子から低熱膨張率層に応力が伝わらないため、半田接続時の応力がより確実に緩和される。
【００１３】
本開示の一態様では、無機フィラーを含有してもよい。このような構成によれば、絶縁樹脂層の熱膨張率を低減することができる。その結果、半田接続時の応力の緩和が促進される。
【００１４】
本開示の一態様では、低熱膨張率層の平均厚みは、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。このような構成によれば、配線基板の小型化と強度確保とを両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図２】図２Ａは、図１の配線基板における接続用端子近傍の模式的な部分拡大断面図であり、図２Ｂは、図１の配線基板における接続用端子近傍の模式的な平面図である。
【図３】図３Ａは、図１の配線基板の製造方法の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｂは、図３Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｃは、図３Ｂの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｄは、図３Ｃの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｅは、図３Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４】図４Ａは、図３Ｅの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｂは、図４Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｃは、図４Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５】図５は、図１とは異なる実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示す配線基板１は、１つの低熱膨張率基板２と、表裏１対の配線部３Ａ，３Ｂと、表裏１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂと、表裏１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂとを備える。
【００１７】
＜低熱膨張率基板＞
低熱膨張率基板２は、表面と裏面とを有する。また、低熱膨張率基板２は、０℃以上４００℃以下における熱膨張率が０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下である材料（以下、「低熱膨張率材料」ともいう。）で構成される。
【００１８】
低熱膨張率材料は、例えばガラス又はセラミックスを主成分とする。ここで、「主成分」とは、９０質量％以上含有する成分を意味する。低熱膨張率基板２を構成するガラス又はセラミックスとしては、例えば石英ガラス、無アルカリガラス、アルカリガラス、結晶化ガラス、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミックス、アルミナセラミックス等が挙げられる。
【００１９】
低熱膨張率基板２の平均厚みの下限としては、３０μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。一方、低熱膨張率基板２の平均厚みの上限としては、１１００μｍが好ましく、７００μｍがより好ましい。低熱膨張率基板２の平均厚みが上記下限より小さいと、強度が不十分となるおそれがある。逆に、低熱膨張率基板２の平均厚みが上記上限を超えると、配線基板１の厚みが不要に大きくなるおそれがある。
【００２０】
低熱膨張率基板２には、図１に示すように１以上のスルーホール１３が設けられている。スルーホール１３は、低熱膨張率基板２を厚み方向に貫通している。スルーホール１３の内周面には、貫通導体が配置され、この貫通導体により表側配線部３Ａと裏側配線部３Ｂとが電気的に接続されている。
【００２１】
スルーホール１３の直径の下限としては、３０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、スルーホール１３の直径の上限としては、１０００μｍが好ましく、５００μｍがより好ましい。
【００２２】
＜配線部＞
１対の配線部３Ａ，３Ｂのうち、表側配線部３Ａは、低熱膨張率基板２の表面に配置され、裏側配線部３Ｂは、低熱膨張率基板２の裏面に配置されている。
【００２３】
１対の配線部３Ａ，３Ｂは、それぞれ、１以上の接続用端子１２と、ビア導体１４と、配線パターン部１５とを有する。接続用端子１２は、外部の端子等を半田により接続するための電極パッド（つまりランド部）である。
【００２４】
表側配線部３Ａの接続用端子１２は、図１に示すように、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置されている。また、接続用端子１２は、表側低熱膨張率層５Ａに設けた開口１１によって表面が外部に露出している。接続用端子１２は、表側絶縁樹脂層４Ａを厚み方向に貫通するビア導体１４により、表側配線部３Ａの配線パターン部１５と接続されている。なお、裏側配線部３Ｂの構成は、表側配線部３Ａと同様である。
【００２５】
接続用端子１２の平面形状は特に限定されず、図２Ｂに示す円形状以外にも、矩形等の多角形状とすることができる。なお、接続用端子１２の平面形状を多角形状とする場合は、角を面取りするとよい。
【００２６】
接続用端子１２及びビア導体１４を含めた１対の配線部３Ａ，３Ｂは、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コストと導電性との観点から、銅が好ましい。
【００２７】
＜絶縁樹脂層＞
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのうち、表側絶縁樹脂層４Ａは、表側配線部３Ａの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置され、裏側絶縁樹脂層４Ｂは、裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５の低熱膨張率基板２とは反対側の表面に配置されている。
【００２８】
表側絶縁樹脂層４Ａは、表面及び裏面を有する。表側絶縁樹脂層４Ａは、裏面が表側配線部３Ａの配線パターン部１５と、低熱膨張率基板２の表面のうち、表側配線部３Ａが配置されていない部分とを被覆するように配置されている。裏側絶縁樹脂層４Ｂは、表側絶縁樹脂層４Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側絶縁樹脂層４Ａと同様の構成である。
【００２９】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、絶縁性の樹脂と、無機フィラーとを主成分とする。絶縁性の樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等を用いることができる。また、これらの樹脂と、ガラス繊維等の無機繊維又はポリアミド繊維等の有機繊維（例えば織布、不織布等）との複合材料も使用できる。さらに、連続多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた複合材料も使用できる。
【００３０】
無機フィラーとしては、シリカ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、焼成タルク、Ｍｏ酸亜鉛処理タルク、チタン酸バリウム、酸化チタン、クレー、アルミナ、マイカ、ベーマイト、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、その他の金属酸化物又は金属水和物、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ガラス繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカ、炭酸ケイ素ウィスカ等を用いることができる。これらの無機フィラーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの無機フィラーの中でもシリカを主成分とするものが好ましい。
【００３１】
無機フィラーの形状やサイズは特に制限されず、異なるサイズの無機フィラーを併用することも可能である。さらに、無機フィラーはカップリング剤等により表面処理が施されてもよい。
【００３２】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂそれぞれにおいて、樹脂に対する無機フィラーの含有割合は、樹脂１００質量部に対し、４０質量部以上８０質量部以下が好ましい。無機フィラーの含有量が上記下限より小さいと、熱膨張率低減効果が不十分となるおそれがある。逆に、無機フィラーの含有量が上記上限を超えると、絶縁樹脂層の成形性が低下するおそれがある。
【００３３】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、それぞれ、低熱膨張率基板２よりも厚みが小さいとよい。このようにすることで、低熱膨張率基板２における残留応力を低減することができる。なお、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの厚みとは、低熱膨張率基板２の表面又は裏面から、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの裏面までの距離を意味する。
【００３４】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのそれぞれの平均厚みの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。一方、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのそれぞれの平均厚みの上限としては、５００μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが上記下限より小さいと、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂと低熱膨張率基板２との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが上記上限を超えると、低熱膨張率基板２における残留応力の低減が不十分となるおそれがある。
【００３５】
＜低熱膨張率層＞
１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂのうち、表側低熱膨張率層５Ａは、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置され、裏側低熱膨張率層５Ｂは、裏側絶縁樹脂層４Ｂの表面に配置されている。
【００３６】
１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂは、低熱膨張率基板２と同様の低熱膨張率材料で構成される。なお、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂと低熱膨張率基板２との材質は異なっていてもよい。
【００３７】
表側低熱膨張率層５Ａは、表面及び裏面を有する。表側低熱膨張率層５Ａは、配線基板１の一方側の最表層を構成しており、その表面が配線基板１の一方の最外面となる。また、表側低熱膨張率層５Ａは、厚み方向に貫通する１以上の開口１１を有する。この開口１１内において、接続用端子１２が露出している。裏側低熱膨張率層５Ｂは、表側低熱膨張率層５Ａを低熱膨張率基板２に対し略対称に配置したものであり、表側低熱膨張率層５Ａと同様の構成である。
【００３８】
１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの厚みは、低熱膨張率基板２の厚みと同じか、低熱膨張率基板２の厚みよりも小さいとよい。また、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂのそれぞれの平均厚みの下限としては、３０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましい。一方、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂのそれぞれの平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、８０μｍがより好ましい。１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの平均厚みが上記下限より小さいと、強度が不十分となるおそれがある。逆に、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの平均厚みが上記上限を超えると、配線基板１の厚みが不要に大きくなるおそれがある。
【００３９】
また、開口１１の直径の下限としては、１００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましい。一方、開口１１の直径の上限としては、１０００μｍが好ましく、６００μｍがより好ましい。
【００４０】
＜開口と接続用端子との関係＞
図２Ａ，２Ｂに示すように、開口１１及び接続用端子１２を表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの厚み方向と垂直な仮想平面へ投影したとき、開口１１の投影面積は、接続用端子１２の投影面積よりも大きい。
【００４１】
また、本実施形態では、接続用端子１２は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの開口１１の内壁と当接しない。つまり、接続用端子１２と開口１１とは平面視で（つまり厚み方向から視て）離間している。
【００４２】
接続用端子１２と開口１１の内壁との平均間隔Ｄは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。上記平均間隔が上記下限より小さいと、半田が接続用端子１２の側壁に接触しないおそれがある。逆に、上記平均間隔が上記上限を超えると、開口１１の直径が不要に大きくなるおそれがある。なお、平均間隔Ｄは、接続用端子１２の側壁と開口１１の内壁との最短距離を接続用端子１２の外周全体で平均した値である。
【００４３】
さらに、本実施形態では図２Ａ，２Ｂに示すように、表側低熱膨張率層５Ａ及び裏側低熱膨張率層５Ｂの開口１１内において、接続用端子１２の周囲には絶縁樹脂１７が配置されている。絶縁樹脂１７は、表側絶縁樹脂層４Ａ又は裏側絶縁樹脂層４Ｂの一部が開口１１の内部に進入したものである。
【００４４】
開口１１において、絶縁樹脂１７の露出面（つまり、低熱膨張率基板２とは反対側の面）は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの表面（つまり外面）よりも厚み方向における内側に位置する。また、開口１１において、接続用端子１２の露出面は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの表面よりも厚み方向における内側に位置すると共に、絶縁樹脂１７の露出面よりも厚み方向における外側に位置する。
【００４５】
つまり、開口１１では、厚み方向における外側から、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの表面、接続用端子１２の露出面、絶縁樹脂１７の露出面（つまり表側絶縁樹脂層４Ａ又は裏側絶縁樹脂層４Ｂの表面）の順に配置されている。
【００４６】
このような構成により、開口１１内で接続用端子１２の側壁が露出する。そのため、図２Ａに示すように、半田２０が接続用端子１２の表面だけでなく側壁にも接触する。これにより、半田２０のクラック耐性が高まり、接続信頼性が向上する。
【００４７】
なお、図２Ａに示すように、開口１１は、低熱膨張率基板２側（図中上側）に向かって縮径している。また、絶縁樹脂１７は、開口１１の中心側から開口１１の内壁に近づくにつれて厚みが増すように形成されている。つまり、絶縁樹脂１７の露出面は、配線基板１の外側に対して中心部分が凹んだ曲面となっている。開口１１及び絶縁樹脂１７がこのような形状とされることで、半田接続における作業性が向上すると共に、半田の形状が安定する。
【００４８】
［１−２．製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法は、配線パターン部配置工程と、積層体配置工程と、接続用端子配置工程と、ブレード切断工程と、を備える。
【００４９】
＜配線パターン部設置工程＞
本工程では、まず、図３Ａに示すように、貫通孔を設けた低熱膨張率基板２を用意する。次に、図３Ｂに示すように、低熱膨張率基板２の表面及び裏面に表側配線部３Ａ及び裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５をそれぞれ配置する。
【００５０】
配線パターン部１５の配置は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法で実施できる。具体的には、例えば銅箔のエッチング、又は導電性ペーストの印刷により配線パターン部１５を形成する。なお、銅箔はスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、無電解銅メッキ、電解銅メッキ等により形成できる。
【００５１】
＜積層体配置工程＞
本工程では、まず、図３Ｃに示すように、配線パターン部１５を配置した低熱膨張率基板２の表裏両側に配線パターン部１５を被覆するように１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを配置する。また、図３Ｄに示すように、開口１１を設けた１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂを１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの外側に配置する。
【００５２】
この１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂ及び１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの積層は加熱しながらの真空貼り付けにより行う。また、貼り付け後、これらの積層体をさらに加熱し、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを熱硬化させる。なお、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにそれぞれ１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂを積層してから、これらの積層体を低熱膨張率基板２に貼り付けてもよい。
【００５３】
この工程により、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの一部（つまり図２Ｂにおける絶縁樹脂１７）が、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの開口１１内に進入する。なお、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの一部が、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの外面と面一となる、又は外面から突出した場合（つまり開口１１が埋まった場合）には、レーザー加工やデスミアによりこの部分を薄くする。
【００５４】
＜接続用端子配置工程＞
本工程では、まず、図３Ｅに示すように、熱硬化した１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの開口１１と重なる部分にビア１６を形成する。ビア１６は、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを厚み方向に貫通しており、例えばレーザードリルにより形成できる。
【００５５】
次に、図４Ａに示すように、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの表面にフォトリソグラフィによりレジストパターン６をそれぞれ形成する。このレジストパターン６は、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの開口１１の内壁を被覆する。
【００５６】
さらに、図４Ｂに示すように、メッキ等によりビア１６にビア導体１４を充填し、その上に接続用端子１２を形成する。このとき、接続用端子１２は、ビア１６内において、レジストパターン６の内側に形成される。その後、レジストパターン６を除去すると、図４Ｃに示すように、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂと離間した接続用端子１２が得られる。
【００５７】
なお、接続用端子１２には、ニッケル、パラジウム、金などの表層メッキを施すことが好ましい。また、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの表面をプラズマ処理等により祖化してもよい。
【００５８】
＜ブレード切断工程＞
図示されていないが、上記工程により、複数の配線基板１を含む多数個取り基板（いわゆるマザー基板）が形成される。
【００５９】
そこで、本工程では、低熱膨張率基板２、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂ、及び１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの積層部分を厚み方向にブレード（例えばダイサー）により切断する。これにより、個片化された配線基板１が得られる。
【００６０】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）最表層が１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂで構成されるので、配線基板１表面の平坦性が高められ、半田接続部に係る応力が緩和される。また、接続用端子１２を露出させる開口１１の上記仮想平面への投影面積は、接続用端子１２の投影面積よりも大きいので、接続用端子１２と最表層である１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂとが少なくとも一部で離間される。これにより、半田接続時の熱膨張率の差異による応力が緩和される。これらの結果、接続用端子１２の接続信頼性が高められる。
【００６１】
（１ｂ）開口１１において接続用端子１２の周囲には絶縁樹脂１７が配置されるので、接続用端子１２の固定が安定する。
また、開口１１における絶縁樹脂１７の露出面は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの外面よりも厚み方向における内側に位置する。そのため、接続用端子１２を表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂから突出させることなく、接続用端子１２と表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂとをより確実に離間できる。これにより、半田接続時の応力の緩和が促進される。
【００６２】
（１ｃ）開口１１における接続用端子１２の露出面は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの外面よりも厚み方向における内側に位置すると共に、絶縁樹脂１７の露出面よりも厚み方向における外側に位置する。これにより、接続用端子１２が絶縁樹脂１７から突出した凸形状となる。そのため、半田接続時に接続用端子１２の側壁にも半田が接続され、接続信頼性がさらに高められる。
【００６３】
（１ｄ）開口１１内の絶縁樹脂１７は、表側絶縁樹脂層４Ａ又は裏側絶縁樹脂層４Ｂの一部である。そのため、絶縁樹脂１７と表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂとの熱収縮量の差異が表側絶縁樹脂層４Ａ又は裏側絶縁樹脂層４Ｂによって緩衝される。その結果、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂにおける残留応力を低減できる。
【００６４】
（１ｅ）接続用端子１２は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの開口１１の内壁と当接しない。これにより、接続用端子１２から表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂに応力が伝わらないため、半田接続時の応力がより確実に緩和される。また、接続用端子１２と半田との接触面積も大きくできる。
【００６５】
（１ｆ）１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、それぞれ無機フィラーを含有するため、熱膨張率が低減される。その結果、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂと、低熱膨張率基板２及び１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂとの熱膨張率の差が小さくなり、半田接続時の応力の緩和が促進される。
【００６６】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００６７】
（２ａ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも低熱膨張率基板２の両面に配線部を設けなくてもよい。つまり、配線基板１は、低熱膨張率基板２の表面のみに配線部を配置した片面基板であってもよい。
【００６８】
（２ｂ）逆に、上記実施形態の配線基板１は、３層以上の多層構造を有してもよい。図５に示す配線基板１０１は、このような多層構造の一例である。配線基板１０１は、配線基板１の構成に加えて、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂのさらに外側にそれぞれ配置される、１対の第２絶縁樹脂層１０４Ａ，１０４Ｂ、及び１対の第２低熱膨張率層１０５Ａ，１０５Ｂを備える。
【００６９】
配線基板１０１では、１対の第２低熱膨張率層１０５Ａ，１０５Ｂがそれぞれ最表層を構成する。また、１対の配線部３Ａ，３Ｂの接続用端子１１２は、１対の第２低熱膨張率層１０５Ａ，１０５Ｂにそれぞれ設けられた開口１１１において露出している。
【００７０】
接続用端子１１２は、１対の第２絶縁樹脂層１０４Ａ，１０４Ｂを貫通する第２ビア導体１１４により、図１の配線基板１の接続用端子１２に相当する連結部１１３と接続されている。
【００７１】
（２ｃ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしも開口１１内において接続用端子１２の周囲に絶縁樹脂１７が配置される必要はない。つまり、開口１１内に絶縁樹脂１７が存在しなくてもよい。
【００７２】
また、開口１１内に絶縁樹脂１７を配置する場合において、絶縁樹脂１７の露出面は表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの外面よりも外側に位置してもよい。
さらに、絶縁樹脂１７は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの一部でなくてもよい。
【００７３】
（２ｄ）上記実施形態の配線基板１において、接続用端子１２の露出面は、表側低熱膨張率層５Ａ又は裏側低熱膨張率層５Ｂの外面よりも外側に位置してもよいし、絶縁樹脂１７の露出面よりも内側に位置してもよい。
【００７４】
（２ｅ）上記実施形態の配線基板１において、開口１１の上記仮想平面への投影面積が接続用端子１２の投影面積よりも大きければ、接続用端子１２の一部が開口１１の内壁と当接してもよい。
【００７５】
（２ｆ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００７６】
［３．実施例］
以下、本開示の効果を確認するために行った実施例１と比較例１、２との比較について説明する。
【００７７】
（実施例１）
図１に示す配線基板１を作製した。低熱膨張率基板２は、３００ｍｍ四方、平均厚み３００μｍのガラス基板とした。１対の配線部３Ａ，３Ｂは、低熱膨張率基板２の上に、無電解銅メッキ及び電解銅メッキをした後、フォトリソグラフィとエッチングとを施すことで形成した。
【００７８】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂとしては、平均厚み３０μｍのＡＢＦフィルム（味の素ファインテクノ社製）を用いた。また、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂは、それぞれ３００ｍｍ四方、平均厚み５０μｍのガラス板とした。なお、配線基板１は、上記部材を積層したマザー基板に対しダイサーを用いて個片化した。
【００７９】
この配線基板１について、接続用端子１２上に印刷にて半田層を形成した。その後、配線基板１に電子部品を配置し、電子部品の端子を半田リフローによって接続用端子１２に電気的に接続した。
【００８０】
このように電子部品を実装した配線基板１に対し、熱衝撃試験を行った。具体的には、−６５℃から１５０℃までの温度サイクルを５００サイクル繰り返した。試験後、接続部における半田にクラックは見当たらなかった。
【００８１】
（比較例１）
配線基板１において、１対の低熱膨張率層５Ａ，５Ｂの代わりにソルダーレジストで１対のカバー層を設けた配線基板を作製した。また、この配線基板に実施例１と同様に電子部品を実装した。
【００８２】
電子部品実装後の配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、一部の接続用端子において半田にクラックが見られた。これは、ソルダーレジストの熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋであり、ガラスの熱膨張率の３．３ｐｐｍ／Ｋよりも大きいため、温度変化によるカバー層の伸縮が大きくなったことによると考えられる。また、カバー層の平坦性が低いことによって、半田接続部の応力が高くなると共に、部分的に半田の量が低減したこともクラックの一因であると考えられる。
【００８３】
（比較例２）
配線基板１において、開口１１の仮想平面への投影面積と接続用端子１２の投影面積とが等しい配線基板を作製した。また、この配線基板に実施例１と同様に電子部品を実装した。
【００８４】
電子部品実装後の配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、接続用端子からの電子部品の端子剥離が見られた。比較例２では銅製の接続用端子とガラス製の低熱膨張率層と半田とが接している。また、銅及び半田の熱膨張率は１８ｐｐｍ／Ｋ程度であり、ガラスの熱膨張率との差が大きい。そのため、半田接続部に大きな応力が加わり、端子が剥離したと考えられる。
【符号の説明】
【００８５】
１…配線基板、２…低熱膨張率基板、３Ａ…表側配線部、３Ｂ…裏側配線部、
４Ａ…表側絶縁樹脂層、４Ｂ…裏側絶縁樹脂層、５Ａ…表側低熱膨張率層、
５Ｂ…裏側低熱膨張率層、６…レジストパターン、１１…開口、１２…接続用端子、
１３…スルーホール、１４…ビア導体、１５…配線パターン部、１６…ビア、
１７…絶縁樹脂、２０…半田、１０１…配線基板、
１０４Ａ，１０４Ｂ…第２絶縁樹脂層、１０５Ａ，１０５Ｂ…第２低熱膨張率層、
１１１…開口、１１２…接続用端子、１１３…連結部、１１４…第２ビア導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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