(57)【要約】【課題】信頼性が低下することを抑制する。【解決手段】下部磁性体層２と、下部磁性体層２上に配置されたコイル層５と、コイル層５上に配置された上部磁性体層６とを備える半導体装置において、下部磁性体層２および上部磁性体層６のうちの少なくとも一方は、第１磁性体膜７、９および第２磁性体膜８、１０を積層した構成とする。そして、第１磁性体膜７、９にクラック７ａ、９ａを形成し、第２磁性体膜８、１０を第１磁性体膜７、９に形成されたクラック７ａ、９ａを埋め込む状態で配置する。【選択図】図１
2018011026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜（３）内にコイル（４）を有するコイル層（５）が基板（１）上に配置された半導体装置において、
一面（１ａ）を有する前記基板と、
前記基板の一面上に配置された下部磁性体層（２）と、
前記下部磁性体層上に配置された前記コイル層と、
前記コイル層上に配置された上部磁性体層（６）と、を備え、
前記下部磁性体層および前記上部磁性体層のうちの少なくとも一方は、第１磁性体膜（７、９）および第２磁性体膜（８、１０）が前記基板側から前記第１磁性体膜、前記第２磁性体膜の順に積層されて構成されており、
前記第１磁性体膜は、少なくとも前記基板側と反対側に開口部を有するクラック（７ａ、９ａ）が形成されており、
前記第２磁性体膜は、前記第１磁性体膜に形成された前記クラックを埋め込む状態で配置されている半導体装置。
【請求項２】
前記第２磁性体膜を構成する磁性材料は、前記第１磁性体膜を構成する磁性材料よりも粒径が小さくされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２磁性体膜の厚さは、前記第１磁性体膜の厚さより薄くされている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記下部磁性体層および前記上部磁性体層のうちの少なくとも前記上部磁性体層は、前記第１磁性体膜および前記第２磁性体膜が積層されて構成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁膜（３）内にコイル（４）を有するコイル層（５）が基板（１）上に配置された半導体装置の製造方法において、
一面（１ａ）を有する前記基板（１）を用意することと、
前記基板の一面上に、下部磁性体層（２）を形成することと、
前記下部磁性体層上に前記コイル層を形成することと、
前記コイル層上に上部磁性体層（６）を形成することと、を行い、
前記下部磁性体層を形成すること、および前記上部磁性体層を形成することの少なくともいずれか一方では、前記基板側に配置される第１磁性体膜（７、９）を形成することと、前記第１磁性体膜上に配置される第２磁性体膜（８、１０）を形成することと、を行うことで磁性体層を形成し、
前記第１磁性体膜を形成することでは、少なくとも前記基板側と反対側に開口部を有するクラック（７ａ、９ａ）が当該第１磁性体膜に形成されるように前記第１磁性体膜を形成し、
前記第２磁性体膜を形成することでは、前記第１磁性体膜に形成したクラックが埋め込まれるように前記第２磁性体膜を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１磁性体膜を形成することおよび前記第２磁性体膜を形成することでは、前記第２磁性体膜を構成する磁性材料として、前記第１磁性体膜を構成する磁性材料よりも粒径が小さいものを用いる請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１磁性体膜を形成することおよび前記第２磁性体膜を形成することでは、前記第２磁性体膜の厚さが前記第１磁性体膜より薄くなるように、前記第１磁性体膜および前記第２磁性体膜を形成する請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部磁性体層を形成することでは、前記第１磁性体膜を形成すること、および前記第２磁性体膜を形成することを行う請求項５ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル層が一対の磁性体層によって挟まれた半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、内部にコイルを有するコイル層が一対の磁性体層によって挟まれている半導体装置が提案されている。このような半導体装置では、コイル層を挟む一対の磁性体層により、コイルを貫く磁束が安定するため、信頼性の向上を図ることができる。なお、コイル層は、例えば、絶縁膜内に金属パターンにて構成されるコイルが配置された構成とされている。
【０００３】
また、従来より、コイル層と、当該コイル層を挟む一対の層とを有する半導体装置の製造方法として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。すなわち、この製造方法では、まず、コイル層を挟む一方の層、コイル層、コイル層を挟む他方の層を順に積層して積層体を構成する。なお、各層は、それぞれ複数のチップ形成領域を有するものである。すなわち、ここでのコイル層は、各チップ形成領域にそれぞれコイルが配置されたものである。そして、コイル層を挟む一対の層において、隣接するチップ形成領域の間に凹部等の切れ込みを生成する。その後、積層体を焼成等して一体化し、凹部に沿ってチップ単位に分割することにより、コイル層と、当該コイル層を挟む一対の層とを有する半導体装置が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１４−１５５８１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような半導体装置の製造方法では、焼成等する際、凹部にて応力が開放されるものの、凹部と異なる位置にクラックが発生する可能性がある。この場合、コイル層を挟む一対の層を磁性体層とした場合には、クラックによって磁束が安定せず、信頼性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、信頼性が低下することを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載は、絶縁膜（３）内にコイル（４）を有するコイル層（５）が基板（１）上に配置された半導体装置において、一面（１ａ）を有する基板と、基板の一面上に配置された下部磁性体層（２）と、下部磁性体層上に配置されたコイル層と、コイル層上に配置された上部磁性体層（６）と、を備え、下部磁性体層および上部磁性体層のうちの少なくとも一方は、第１磁性体膜（７、９）および第２磁性体膜（８、１０）が基板側から第１磁性体膜、第２磁性体膜の順に積層されて構成されており、第１磁性体膜は、少なくとも基板側と反対側に開口部を有するクラック（７ａ、９ａ）が形成されており、第２磁性体膜は、第１磁性体膜に形成されたクラックを埋め込む状態で配置されている。
【０００８】
これによれば、第１磁性体膜にはクラックが形成されているが、第２磁性体膜は第１磁性体膜に形成されたクラックを埋め込む状態で配置されている。つまり、第１磁性体膜および第２磁性体膜が積層されて構成される磁性体層は、全体としてクラックが形成されていない状態となっている。このため、コイルを貫く磁束を安定させることができ、信頼性が低下することを抑制できる。また、第１磁性体膜にクラックが形成されていることにより、第１磁性体膜にクラックが形成されていない場合と比較して、残留応力を低減させることができる。したがって、使用環境の温度変化に対する耐性も向上でき、信頼性が低下することを抑制できる。
【０００９】
また、請求項５は、絶縁膜（３）内にコイル（４）を有するコイル層（５）が基板（１）上に配置された半導体装置の製造方法において、一面（１ａ）を有する基板（１）を用意することと、基板の一面上に、下部磁性体層（２）を形成することと、下部磁性体層上にコイル層を形成することと、コイル層上に上部磁性体層（６）を形成することと、を行い、下部磁性体層を形成すること、および上部磁性体層を形成することの少なくともいずれか一方では、基板側に配置される第１磁性体膜（７、９）を形成することと、第１磁性体膜上に配置される第２磁性体膜（８、１０）を形成することと、を行うことで磁性体層を形成し、第１磁性体膜を形成することでは、少なくとも基板側と反対側に開口部を有するクラック（７ａ、９ａ）が当該第１磁性体膜に形成されるように第１磁性体膜を形成し、第２磁性体膜を形成することでは、第１磁性体膜に形成したクラックが埋め込まれるように第２磁性体膜を形成する。
【００１０】
これによれば、第１磁性体膜にクラックを形成するが、第２磁性体膜を第１磁性体膜に形成されたクラックを埋め込む状態で配置されている。つまり、第１磁性体膜および第２磁性体膜が積層されて構成される磁性体層は、全体としてクラックが形成されていない状態となっている。このため、コイルを貫く磁束を安定させることができ、信頼性が低下することを抑制した半導体装置を製造できる。また、クラックが形成されるように第１磁性体膜を形成することにより、第１磁性体膜にクラックが形成されない場合と比較して、残留応力を低減させることができる。したがって、使用環境の温度変化に対する耐性も向上した半導体装置を製造できる。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す上部金属パターンを示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図７】他の実施形態における半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。まず、本実施形態の半導体装置の構成について説明する。
【００１５】
図１に示されるように、半導体装置は、一面１ａを有し、Ｓｉ等で構成される基板１を有している。そして、基板１の一面１ａ上には、下部磁性体層２が形成されている。この下部磁性体層２は、具体的には後述するが、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとを混合したペースト材料が熱処理、硬化されることによって形成される。例えば、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとしてのエポキシ樹脂とを混合したペースト材料が熱処理、硬化されることで形成される。また、下部磁性体層２は、予め薄板状に焼き固めた磁性体板をポリイミドフィルム等にエポキシ接着剤等で接着したシート部材で構成されるようにし、このシート部材が基板１の一面１ａに貼り付けられることで基板１に備えられるようにしてもよい。
【００１６】
なお、磁性材料はフェライト粉末に限定されることはなく、樹脂バインダーもエポキシ樹脂に限定されることはない。例えば、樹脂バインダーとしては、ＮＭＰやＰＶＰのような一般的にバインダーとして使用される材料でも代用可能である。
【００１７】
下部磁性体層２上には、絶縁膜３内にコイル４を有するコイル層５が配置されている。具体的には、本実施形態では、コイル層５は、下部磁性体層２上から順に、第１絶縁膜３ａ、下部金属パターン４ａ、第２絶縁膜３ｂ、上部金属パターン４ｂ、第３絶縁膜３ｃが積層されることで構成されている。そして、第１絶縁膜３ａ、第２絶縁膜３ｂ、第３絶縁膜３ｃにて絶縁膜３が構成され、下部金属パターン４ａおよび上部金属パターン４ｂによってコイル４が構成されている。
【００１８】
なお、本実施形態では、第１絶縁膜３ａ、第２絶縁膜３ｂ、および第３絶縁膜３ｃは、ポリイミド等で構成され、下部金属パターン４ａおよび上部金属パターン４ｂは銅等で構成されている。また、上部金属パターン４ｂは、第２絶縁膜３ｂ上において、図２に示されるように、渦巻き状に巻き回されている。図１中の上部金属パターン４ｂは、図２中のI−I線に沿った部分の断面図である。下部金属パターン４ａは、第１絶縁膜３ａ上において、特に図示しないが、上部金属パターンと同様に、渦巻き状に巻き回されている。
【００１９】
そして、コイル層５上には、上部磁性体層６が形成されている。本実施形態では、上部磁性体層６は、基板１側から順に、第１磁性体膜７および第２磁性体膜８が積層されて構成されている。具体的には、第１磁性体膜７には、クラック７ａが形成されている。そして、第２磁性体膜８は、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａを埋め込むように、第1磁性体膜７上に配置されている。
【００２０】
なお、図１では、第１磁性体膜７に形成されるクラック７ａとしてコイル層５（すなわち、第３絶縁膜３ｃ）に達するもののみが示されている。しかしながら、第１磁性体膜７に形成されるクラック７ａの形状はこれに限定されるものではなく、コイル層５に達していないクラック７ａのみの場合や、コイル層５に達するクラック７ａとコイル層５に達していないクラック７ａとが混在している場合もある。つまり、第１磁性体膜７には、少なくとも基板１側と反対側に開口部を有するクラック７ａが形成されていればよい。なお、基板１側と反対側に開口部を有するクラック７ａとは、言い換えると、図１中の紙面上側が開口しているクラック７ａともいえる。
【００２１】
上部磁性体層６は、下部磁性体層２と同様に、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとを混合したペースト材料が熱処理、硬化されることによって形成される。例えば、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとしてのエポキシ樹脂とを混合したペースト材料が熱処理、硬化されることで形成される。また、上部磁性体層６のうちの第１磁性体膜７は、予め薄板状に焼き固めた磁性体板をポリイミドフィルム等にエポキシ接着剤等で接着したシート部材で構成されるようにし、このシート部材がコイル層５に貼り付けられることでコイル層５に備えられるようにしてもよい。
【００２２】
但し、本実施形態では、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末として、第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末よりも粒径が小さいものが用いられている。特に限定されるものではないが、例えば、第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末としては、粒径が１〜３０μｍ程度のものが用いられ、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末として、粒径が０．０１〜１μｍ程度のものが用いられる。
【００２３】
なお、磁性材料はフェライト粉末に限定されることはなく、樹脂バインダーもエポキシ樹脂に限定されることはない。例えば、樹脂バインダーとしては、ＮＭＰやＰＶＰのような一般的にバインダーとして使用される材料でも代用可能である。
【００２４】
また、上部磁性体層６において、第１磁性体膜７は、厚さが第２磁性体膜８の厚さより厚くされている。特に限定されるものではないが、例えば、第１磁性体膜７は、１０〜２００μｍ程度の厚さとされ、第２磁性体膜８は、１〜５０μｍ程度の厚さとされている。なお、ここでの第１磁性体膜７の厚さとは、クラック７ａが形成されていない部分の厚さのことである。また、第２磁性体膜８の厚さとは、第１磁性体膜７のクラック７ａが形成されていない部分上の厚さのことである。
【００２５】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。なお、本実施形態では、下部金属パターン４ａは、図１とは別断面に形成されたビア電極等を介し、巻き回された両端部がそれぞれ外部回路と電気的に接続されている。同様に、上部金属パターン４ｂは、図１とは別断面に形成されたビア電極等を介し、巻き回された両端部がそれぞれ外部回路と電気的に接続されている。但し、下部金属パターン４ａおよび上部金属パターン４ｂは、一端部同士がビア電極等を介して電気的に接続され、それぞれの他端部がビア電極等を介して外部回路と電気的に接続されるようにしてもよい。
【００２６】
次に、上記半導体装置の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示されるように、上記基板１を用意し、基板１の一面１ａ上に下部磁性体層２を形成する。この下部磁性体層２は、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとを混合したペースト材料を基板１の一面１ａ上に印刷等し、熱処理、硬化することによって形成される。なお、下部磁性体層２は、上記のように、予め薄板状に焼き固めた磁性体板をポリイミドフィルム等にエポキシ接着剤等で接着したシート部材で構成されるようにし、このシート部材が基板１の一面１ａに貼り付けられることで基板１に備えられるようにしてもよい。
【００２８】
次に、下部磁性体層２上にコイル層５を形成する。具体的には、まず、図３（ｂ）に示されるように、下部磁性体層２上に第１絶縁膜３ａを形成し、次に、図３（ｃ）に示されるように、第１絶縁膜３ａ上に下部金属パターン４ａを形成する。その後、図４（ａ）に示されるように、下部金属パターン４ａが埋め込まれるように、第１絶縁膜３ａ上に第２絶縁膜３ｂを形成する。そして、図４（ｂ）に示されるように、第２絶縁膜３ｂ上に、上部金属パターン４ｂを形成し、図４（ｃ）に示されるように、上部金属パターン４ｂが埋め込まれるように、第３絶縁膜３ｃを形成する。これにより、絶縁膜３内にコイル４が形成されたコイル層５が構成される。
【００２９】
なお、図３（ｂ）の第１絶縁膜３ａを形成する工程、図４（ａ）の第２絶縁膜３ｂを形成する工程、図４（ｃ）の第３絶縁膜３ｃを形成する工程では、例えば、ポリイミドを含むペースト材料を印刷等した後、熱焼成等を行って樹脂成分を重縮合等の化学反応させることで各絶縁膜３ａ〜３ｃが形成される。また、図３（ｃ）の下部金属パターン４ａを構成する工程、および図４（ｂ）の上部電極を形成する工程では、メッキ法等によって銅等で構成される金属膜を形成し、当該金属膜をエッチング等によってパターニングすることで各金属パターン４ａ、４ｂが構成される。
【００３０】
次に、コイル層５上に上部磁性体層６を形成する。具体的には、上部磁性体層６を形成する際には、図５（ａ）に示されるように、まず、第１磁性体膜７を形成する。この第１磁性体膜７は、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとを混合したペースト材料を第３絶縁膜３ｃ上に印刷等し、熱処理、硬化することによって形成される。なお、第１磁性体膜７は、上記のように、予め薄板状に焼き固めた磁性体板をポリイミドフィルム等にエポキシ接着剤等で接着したシート部材で構成されるようにし、このシート部材がコイル層５に貼り付けられることでコイル層５に備えられるようにしてもよい。この際、第１磁性体膜７の下方には、基板１、下部磁性体層２、絶縁膜３、およびコイル４という熱膨張係数が異なる材料が配置されており、熱応力が発生する。そして、本実施形態では、熱応力によって第１磁性体膜７にクラック７ａが形成されるように、第１磁性体膜７を形成する。これにより、基板１、下部磁性体層２、絶縁膜３、コイル４、第１磁性体膜７に起因する熱応力が開放される。
【００３１】
なお、この工程は、クラック７ａが形成された第１磁性体膜７を構成することを目的としており、クラック７ａが形成されるように、第１磁性体膜７の厚さや製造条件等が適宜調整されることが好ましい。但し、選定する材料の組合せによっては、熱応力が小さくなる場合があるため、その場合には、ローラー等の機械的な応力を加えることにより、第１磁性体膜７にクラック７ａを形成するようにしてもよい。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示されるように、第１磁性体膜７上に、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａが埋め込まれるように第２磁性体膜８を形成する。これにより、コイル層５上に、第１磁性体膜７および第２磁性体膜８が順に積層され、全体としてクラックが形成されていない上部磁性体層６が構成される。
【００３３】
第２磁性体膜８は、磁性材料としてのフェライト粉末と樹脂バインダーとを混合したペースト材料を第１磁性体膜７上に印刷等し、熱処理、硬化することによって形成される。但し、第２磁性体膜８を形成する際、フェライト粉末としては、第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末よりも粒径が小さいものを用いる。これにより、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末の粒径として第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末の粒径以上のものを用いる場合と比較して、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａ内に第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末が入り込みやすくなり、クラック７ａに第２磁性体膜８が形成されていない状態となることを抑制できる。
【００３４】
また、第２磁性体膜８は、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａを埋め込むことが主目的であり、当該第２磁性体膜８にクラックが形成されないように、第１磁性体膜７よりも厚さが薄くなるように形成する。
【００３５】
なお、ここでは、１つの半導体装置の製造方法について説明したが、基板１として、複数のチップ形成領域がスクライブラインによって区画されたウェハを用意し、ウェハ状のまま上記各工程を行った後にスクライブラインに沿ってチップ単位に分割するようにしてもよい。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置では、上部磁性体層６は、第１磁性体膜７と第２磁性体膜８とを有する構成とされている。そして、第１磁性体膜７にはクラック７ａが形成されている。このため、基板１、下部磁性体層２、絶縁膜３、コイル４、および第１磁性体膜７の熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力が開放された状態となる。つまり、残留応力を低減させることができる。したがって、使用環境の温度変化に対する耐性を向上でき、信頼性が低下することを抑制できる。
【００３７】
また、第２磁性体膜８は、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａを埋め込むように配置されている。つまり、上部磁性体層６全体としては、クラックが形成されていないようにしている。このため、第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａによって磁束が変化してしまうことを抑制でき、信頼性が低下することを抑制できる。
【００３８】
そして、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末は、第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末より粒径が小さくされている。このため、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末の粒径が第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末の粒径以上とされている場合と比較して、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末が第１磁性体膜７に形成されたクラック７ａに導入され易く、クラック７ａ内に第２磁性体膜８が形成されていない状態となることを抑制できる。
【００３９】
さらに、第２磁性体膜８は、第１磁性体膜７より厚さが薄くされている。このため、第２磁性体膜８を形成した際に当該第２磁性体膜８にクラックが導入されることを抑制できる。
【００４０】
また、本実施形態では、従来のように、上部磁性体層に凹部等を形成した状態で焼成していないため、凹部を起点として絶縁膜３内にクラックが導入されることを抑制できる。すなわち、従来の半導体装置の製造方法では、凹部がコイル層に達していた場合、凹部を起点として絶縁膜内にクラックが導入されることがある。このため、絶縁膜内にクラックが導入された場合を考慮し、凹部をスクライブラインと対応する位置に形成すると共にスクライブラインの幅を広くすることでクラックがコイルに達しないようにする必要がある。しかしながら、本実施形態の場合、クラックが形成されるのは第１磁性体膜７であるため、基板１としてウェハ状のものを用意した場合、スクライブラインの幅を必要以上に長くする必要がなく、無駄となる部分を減少することで半導体装置の取り数が減少することを抑制できる。
【００４１】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して下部磁性体層２を第１磁性体膜および第２磁性体膜によって構成したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４２】
本実施形態では、図６に示されるように、下部磁性体層２は、上部磁性体層６と同様に、基板１側から順に、第１磁性体膜９および第２磁性体膜１０が積層されて構成されている。そして、第１磁性体膜９には、少なくとも基板１側と反対側に開口部を有するクラック９ａが形成されており、第２磁性体膜１０は、第１磁性体膜９に形成されたクラック９ａを埋め込むように配置されている。
【００４３】
このような半導体装置は、基本的には上記第１実施形態と同様の製造方法によって製造され、図３（ａ）の下部磁性体層２を形成する工程において、図５（ａ）および図５（ｂ）の上部磁性体層６を形成する工程と同様に、第１磁性体膜９および第２磁性体膜１０を順に形成すればよい。但し、第１磁性体膜９を形成する工程では、クラック９ａが形成されるように、当該第１磁性体膜９の厚さや製造条件等が調整される。
【００４４】
このような半導体装置としても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、下部磁性体層２を形成する際、第１磁性体膜９にクラック９ａが形成されようにすることにより、第１磁性体膜９を形成する際に発生する熱応力を開放できる。このため、基板１と下部磁性体層２との間に発生する熱応力により、絶縁膜３、下部金属パターン４ａおよび上部金属パターン４ｂを形成する際に各部材にクラックが形成されてしまうことを抑制できる。
【００４５】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４６】
例えば、上記第２実施形態において、図７に示されるように、上部磁性体層６を単一の磁性体膜のみで形成し、当該上部磁性体層６にクラックが形成されないようにしてもよい。このような半導体装置としても、下部磁性体層２を構成する第１磁性体膜９にクラック９ａが形成されているため、当該クラック９ａが形成されていない場合と比較して、使用環境の温度変化に対する耐性を向上でき、信頼性が低下することを抑制できる。
【００４７】
また、上記第１、第２実施形態における上部磁性体層６において、第２磁性体膜８を構成するフェライト粉末は、第１磁性体膜７を構成するフェライト粉末よりも粒径が大きいものであってもよい。また、第２磁性体膜８の厚さは、第１磁性体膜７の厚さ以上とされていてもよい。同様に、上記第２実施形態における下部磁性体層２において、第２磁性体膜１０を構成するフェライト粉末は、第１磁性体膜９を構成するフェライト粉末よりも粒径が大きいものであってもよい。さらに、第２磁性体膜１０の厚さは、第１磁性体膜９の厚さ以上とされていてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１    基板
２    下部磁性体層
３    絶縁膜
４    コイル
５    コイル層
６    上部磁性体層
７    第１磁性体膜
７ａ  クラック
８    第２磁性体膜
【図１】
2018011026.tif 000003
【図２】
2018011026.tif 000004
【図３】
2018011026.tif 000005
【図４】
2018011026.tif 000006
【図５】
2018011026.tif 000007
【図６】
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【図７】
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