(57)【要約】【課題】試験用の半導体装置を用いて加熱条件を特定しなくても、基板から電子部品を取り外すことができる電子部品の取り外し装置および電子部品の取り外し方法を提供する。【解決手段】制御部５１は、加熱部３０を制御して、予め定められた加熱条件に基づいて接合材料を加熱する加熱処理を実行した後、吸着ノズル１２を制御して、電子部品２ａを吸着させて電子部品２ａが基板５から取り外されたか取り外せていないかを検出する検出処理を実行する。制御部５１は、検出処理の結果、電子部品２ａが取り外せていないことが検出された場合、加熱部３０を制御して、加熱条件をもとに定められる追加加熱条件に基づいて接合材料４ａを加熱する追加加熱処理を実行した後、検出処理を再実行する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱を加えて取り外す接合材料によって基板に取り付けられている電子部品を前記基板から取り外す電子部品の取り外し装置であって、
前記接合材料を加熱するように構成された加熱部と、
前記電子部品を真空吸引するように構成された吸着ノズルと、
前記加熱部を制御して、予め定められた加熱条件に基づいて前記接合材料を加熱する加熱処理を実行した後、前記吸着ノズルを制御して、前記電子部品を吸着させて前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する検出処理を実行し、前記検出処理の結果、前記電子部品が取り外せていないことが検出された場合、前記加熱部を制御して、前記加熱条件をもとに定められる追加加熱条件に基づいて前記接合材料を加熱する追加加熱処理を実行した後、前記検出処理を再実行する制御部と、を備えた電子部品の取り外し装置。
【請求項２】
前記加熱条件は、予め定められた加熱温度と加熱時間とを含み、前記追加加熱条件は、前記加熱温度に基づき設定された追加加熱温度と、前記加熱時間に基づき設定された追加加熱時間とを含む、請求項１に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項３】
前記追加加熱温度は、前記加熱温度に予め定められた温度変更値を加えて設定された温度である、請求項２に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項４】
前記追加加熱時間は、前記加熱時間に予め定められた時間変更値を加えるかまたは差引いて設定された時間である、請求項２または３に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項５】
前記加熱条件は、予め定められた加熱温度と加熱時間とを含み、前記追加加熱条件は、予め定められた温度変更値を前記加熱温度に加えた追加加熱温度と予め定められた追加加熱時間とを含む、請求項１に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記検出処理を再び実行した結果、取り外せていないことが検出されると、再び前記追加加熱処理を実行した後に前記検出処理を実行する、請求項２に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項７】
前記吸着ノズル内の真空度を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記検出処理として、前記吸着ノズルに前記電子部品を吸着させた後の前記測定部の出力に基づいて、前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項８】
前記吸着ノズルに掛かる荷重を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記検出処理として、前記吸着ノズルに前記電子部品を吸着させた後の前記測定部の出力に基づいて、前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項９】
前記吸着ノズルの位置を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記検出処理として、前記吸着ノズルに前記電子部品を吸着させた後の前記測定部の出力に基づいて、前前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１０】
前記電子部品の位置を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記検出処理として、前記吸着ノズルに前記電子部品を吸着させた後の前記測定部の出力に基づいて、前前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１１】
前記基板と前記電子部品の間の間隙の有無を測定する測定部を備え、
前記制御部は、前記検出処理として、前記吸着ノズルに前記電子部品を吸着させた後の前記測定部の出力に基づいて、前前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１２】
前記加熱部は、熱風を出力する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１３】
前記加熱部は、近赤外線を放射するヒータである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１４】
前記加熱部は、中赤外線および遠赤外線を放射するヒータである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品の取り外し装置。
【請求項１５】
熱を加えて取り外す接合材料によって基板に取り付けられている電子部品を前記基板から取り外す電子部品の取り外し方法であって、
加熱部を制御して、予め定められた加熱条件に基づいて前記接合材料を加熱する加熱ステップと、
前記加熱ステップを実行後、吸着ノズルに前記電子部品を吸着させて前記電子部品が前記基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する検出処理を実行する検出ステップと、
前記電子部品が取り外せていないことが検出された場合、前記加熱部を制御して、前記加熱条件をもとに定められる追加加熱条件に基づいて前記接合材料を加熱する追加加熱ステップと、
前記追加加熱ステップを実行後、前記検出処理を再実行する再検出ステップとを備える、電子部品の取り外し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の取り外し装置および電子部品の取り外し方法に関し、特に、基板と電子部品を接合する材料を加熱することによって、基板から電子部品を取り外す装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、基板上に実装された電子部品が不良となった場合に、この電子部品を取り外して、修理した電子部品を再度取り付けるか、あるいは別の電子部品を取り付ける（以下、リペア作業）ことが必要となる。
基板から電子部品を取り外すために、基板と電子部品との間の接合材料を加熱によって溶融あるいは軟化させる方法が記載されている（たとえば、特許文献１を参照）。
特許文献１には、ホットエアノズルによって接合部位を加熱し、頃合を見て吸着ノズルにて部品を吸着し、除去する方法を記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−２０４７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板と取り外した電子部品との接合界面が再利用できるためには、接合材料が溶融または軟化している状態で電子部品を取り外す必要がある。
従来は、電子部品を取り外すタイミングが作業者まかせであるため、無理に引き剥がすこともある。そのような場合には、接合界面がダメージを受け、再利用できないことがある。そのため、従来は、実際に使用されている半導体装置とは別に、別の試験用の半導体装置を用いて、基板から電子部品を取り外すときに接合界面がダメージを受けにくい状態まで接合材料を溶融または軟化させるための加熱条件を特定する必要があった。
加熱条件を特定するまでには、何度も繰り返して確認する必要があるため、試験用の半導体装置が相当数必要となるという問題があった。また、加熱条件が特定されるまでは、実際に使用されている半導体装置のリペア作業ができないため、作業効率が悪いという問題があった。また、加熱条件を特定するために、高度な技量を有する人材を確保しなければならないという問題があった。
【０００５】
それゆえに、本発明の目的は、試験用の半導体装置を用いて加熱条件を特定しなくても、基板から電子部品を取り外すことができる電子部品の取り外し装置および電子部品の取り外し方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、熱を加えて取り外す接合材料によって基板に取り付けられている電子部品を基板から取り外す電子部品の取り外し装置であって、接合材料を加熱するように構成された加熱部と、電子部品を真空吸引するように構成された吸着ノズルと、加熱部を制御して、予め定められた加熱条件に基づいて接合材料を加熱する加熱処理を実行した後、吸着ノズルを制御して、電子部品を吸着させて電子部品が基板から取り外されたか取り外せていないかを検出する検出処理を実行し、検出処理の結果、電子部品が取り外せていないことが検出された場合、加熱部を制御して、加熱条件をもとに定められる追加加熱条件に基づいて接合材料を加熱する追加加熱処理を実行した後、検出処理を再実行する制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板から電子部品が取り外せていない場合、加熱部を制御して、予め定められた追加加熱の条件に基づいて接合材料を再加熱するので、試験用の半導体装置を用いて加熱条件を特定しなくても、基板から電子部品を取り外すことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
【図２】参考例の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図３】参考例の加熱プロファイルの例を表わす図である。
【図４】実施の形態１の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図５】実施の形態１の加熱プロファイルの例を表わす図である。
【図６】追加加熱の条件の例を表わす図である。
【図７】追加加熱の条件の例を表わす図である。
【図８】追加加熱の条件の例を表わす図である。
【図９】実施の形態１において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
【図１０】実施の形態１において基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図１１】実施の形態２の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
【図１２】実施の形態２の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図１３】実施の形態２において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
【図１４】実施の形態２において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図１５】実施の形態２において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図１６】実施の形態３の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
【図１７】実施の形態３の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図１８】実施の形態３において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
【図１９】実施の形態３において基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図２０】実施の形態４の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
【図２１】実施の形態４の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図２２】実施の形態４において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
【図２３】実施の形態４において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図２４】実施の形態４において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図２５】実施の形態５の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
【図２６】実施の形態５の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
【図２７】実施の形態５において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
【図２８】実施の形態５において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【図２９】実施の形態５において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
図１に示すように、電子部品の取り外し装置は、支持台２０と、吸着機構２５と、加熱部３０と、温度センサ１３と、測定部４０と、制御部５１とを備える。
【００１０】
支持台２０は、リペアする半導体装置１を支持する。
半導体装置１は、基板５と、基板５上に設けられた電子部品２ａ，２ｂと、基板５と電子部品２ａとを接合する接合材料４ａと、基板５と電子部品２ｂとを接合する接合材料４ｂとを備える。
電子部品２ａが、他の部品と交換するために基板５からの取り外し対象であるとする。電子部品２ｂは、取り外し対象ではないものとする。
吸着機構２５は、吸着ノズル１２と、図示しない装着部および真空ポンプとを備える。
吸着ノズル１２は、取り外し対象である電子部品２ａを真空吸着する。吸着ノズル１２が装着される装着部には真空ポンプに接続されている。装着部に吸着ノズル１２が装着された状態で真空ポンプが駆動され、吸着ノズル１２の下端部の吸着孔から電子部品２を真空吸着する。
半導体装置１は、電子部品２ａが取り付けられている面を上にして支持台２０に支持されている。吸着機構２５は、吸着ノズル１２を鉛直上方および鉛直下方に動かす。半導体装置１の電子部品２ａが取り付けられている面から吸着ノズル１２が離れる方向が鉛直上方であり、電子部品２ａあるいは半導体装置１の電子部品２ａが取り付けられている面に吸着ノズル１２が近づく方向が鉛直下方である。
【００１１】
実施の形態１では、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力は、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力よりも大きいものとする。そのため、吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力を与えた後、電子部品２ａが基板５から取り外されなかった場合には、吸着ノズル１２のみが電子部品２ａを残して、鉛直上方向に移動する。
【００１２】
加熱部３０は、取り外し対象である電子部品２ａと基板５とを接合している接合材料４ａを加熱する。加熱部３０は、上部加熱部３０ａと下部加熱部３０ｂとを備える。上部加熱部３０ａは、基板５よりも上方に配置され、上方から接合材料４ａに向けて熱風を送ることによって、接合材料４ａを加熱する。下部加熱部３０ｂは、基板５よりも下方に配置され、下方から接合材料４ａに向けて熱風を送ることによって、接合材料４ａを加熱する。加熱部３０は、熱風を出力する代わりに、近赤外線を放射するキセノンランプなどのヒータ、あるいは、中赤外線および遠赤外線を放射するセラミークヒータであってもよい。
加熱部３０は、電子部品２ａを取り外すために、接合材料４ａに熱を加えて溶融または軟化させる。例えば、接合材料４ａがはんだの場合、加熱部３０は、接合材料４ａに熱を加えて溶融させる。例えば、接合材料４ａが熱可塑性樹脂の場合、加熱部３０は、接合材料４ａに熱を加えて軟化させる。
【００１３】
実施の形態１では、測定部４０は、真空度計によって構成される。測定部４０は、吸着ノズル１２内の真空度を計測する。
温度センサ１３は、加熱対象の接合材料４ａの温度を測定する。温度センサ１３は、上部非接触温度センサ１３ａと下部非接触温度センサ１３ｂとを備える。上部非接触温度センサ１３ａは、基板５よりも上方に配置され、上方から接合材料４ａの温度を測定する。下部非接触温度センサ１３ｂは、基板５よりも下方に配置され、下方から接合材料４ｂの温度を測定する。温度センサ１３は、非接触式温度センサの代わりに、熱電対であってもよい。
【００１４】
制御部５１は、電子部品２ａの取り外し処理の全体を制御する。制御部５１は、加熱部３０および温度センサ３０を制御して、予め定められた加熱条件に基づいて接合材料４ａを加熱する。その後、制御部５１は、以下の検出処理を実行する。すなわち、制御部５１は、加熱後、吸着ノズル１２に電子部品２ａを吸着させて、電子部品２ａを鉛直上方向に引っ張り、電子部品２ａが基板５から取り外されたか否かを検出する。その後、制御部５１は、電子部品２ａが基板５から取り外せていない場合に、加熱部３０および温度センサ１３を制御して、予め定められた追加加熱の条件に基づいて接合材料４ａを再加熱する。その後、制御部５１は、上述の検出処理を再実行する。
【００１５】
実施の形態１では、制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部に発生する真空度がΔＰ［Ｐａ］以下の場合に、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、真空度がΔＰ［Ｐａ］を超える場合に、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断する。ΔＰは、０に近い決められた値である。
【００１６】
次に、比較のため、参考例の電子部品の取り外し方法について説明する。
図２は、参考例の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図２を参照して、ステップＳ１０１において、試験用の半導体装置１に含まれる電子部品２ａが吸着ノズル１２の真下に配置されるように、試験用の半導体装置１を支持台２０にセットする。
【００１７】
ステップＳ１０２において、制御部５１は、ユーザからの入力に従って、加熱条件を定めた加熱プロファイルを設定する。
基板の構造、および電子部品の種類などの違いによって、異なる加熱プロファイルが用いられる。例えば、ある基板については、一定温度で加熱し続けるが、別の基板については、加熱温度を段階的に増加させる。
図３は、参考例の加熱プロファイルの例を表わす図である。
図３に示すように、加熱プロファイルは、１次加熱昇温速度Ｖ１、１次加熱温度Ｋ１、１次加熱時間Ｔ１、２次加熱昇温速度Ｖ２、２次加熱時間Ｔ２、および冷却速度Ｖ３で表される加熱条件を定める。昇温速度は、１秒当たりに増加させる温度を表わす。
【００１８】
ステップＳ１０３において、制御部５１は、設定した加熱プロファイルに従って、上部加熱部３０ａ、下部加熱部３０ｂ、上部非接触温度センサ１３ａ、および下部非接触温度センサ１３ｂを動作させて、半導体装置１の基板５と電子部品２ａとを接合している接合材料４ａを１次加熱および２次加熱する。図３の例では、接合材料４ａは、１次加熱昇温速度Ｖ１で１次加熱温度Ｋ１になるまで加熱され、１次加熱温度Ｋ１で１次加熱時間Ｔ１だけ加熱され、２次加熱昇温速度Ｖ２で２次加熱温度Ｋ２になるまで加熱され、２次加熱温度Ｋ２で２次加熱時間Ｔ２だけ加熱される。
【００１９】
ステップＳ１０４において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直下方向の駆動力を与えて、吸着ノズル１２が電子部品２ａの上面を吸着するまで吸着ノズル１２を降下させる。
ステップＳ１０５において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与える。
【００２０】
ステップＳ１０６において、制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］を超えるときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ１０７に進ませる。制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］以下のときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ１０９に進ませる。
【００２１】
ステップＳ１０７において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与え、吸着ノズル１２を最大限上昇させる。制御部５１は、設定した加熱プロファイルに従って、上部非接触温度センサ１３ａ、下部非接触温度センサ１３ｂ、図示しないファンなどの冷却手段を動作させて、半導体装置１を冷却させる。図３の例では、接合材料４ａは、冷却速度Ｖ３で冷却される。
【００２２】
ステップＳ１０８において、制御部５１は、ユーザからの入力に従って、加熱条件を定めた加熱プロファイルを再設定する。その後、処理がステップＳ１０３に戻る。
ステップＳ１０９において、制御部５１は、加熱条件を定めた加熱プロファイルを確定する。
ステップＳ１１０において、リペア対象の半導体装置１に含まれる電子部品２ａが吸着ノズル１２の真下に配置されるように、リペア対象の半導体装置１を支持台２０にセットする。
【００２３】
ステップＳ１１１において、制御部５１は、確定した加熱プロファイルに従って、上部加熱部３０ａ、下部加熱部３０ｂ、上部非接触温度センサ１３ａ、および下部非接触温度センサ１３ｂを動作させて、接合材料４ａを１次加熱および２次加熱する。
ステップＳ１１２において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直下方向の駆動力を与えて、吸着ノズル１２が電子部品２ａの上面を吸着するまで吸着ノズル１２を降下させる。
ステップＳ１１３において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与える。
【００２４】
ステップＳ１１４において、制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］を超えるときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理を終了する。制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］以下のときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ１１５に進ませる。
ステップＳ１１５において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与え、吸着ノズル１２を最大限上昇させる。
【００２５】
上記説明したように、参考例では、実際に使用されている半導体装置とは別に、別の試験用の半導体装置を用いる必要があった。別の試験用の半導体装置を用いて加熱条件を特定するためには、加熱条件が適切でなかった場合に、接合材料４ａを冷却し、加熱条件を変えて、１次加熱から再度開始しなければならない。また、加熱条件が特定されるまでは、実際に使用されている半導体装置のリペア作業ができないため、作業効率が悪いという問題があった。また、加熱条件を特定するために、高度な技量を有する人材によって、ステップＳ１０８の加熱条件の再設定が必要であった。
【００２６】
次に、実施の形態１の電子部品の取り外し方法について説明する。
図４は、実施の形態１の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図４を参照して、ステップＳ２０１において、リペア対象の半導体装置１に含まれる電子部品２ａが吸着ノズル１２の真下に配置されるように、リペア対象の半導体装置１を支持台２０にセットする。
【００２７】
ステップＳ２０２において、制御部５１は、ユーザからの入力従って、加熱条件を定めた加熱プロファイルを設定する。
図５は、実施の形態１の加熱プロファイルの例を表わす図である。
図５に示すように、加熱プロファイルは、１次加熱昇温速度Ｖ１、１次加熱温度Ｋ１、１次加熱時間Ｔ１、２次加熱昇温速度Ｖ２、および２次加熱時間Ｔ２で表される加熱条件を定める。
【００２８】
ステップＳ２０３において、制御部５１は、設定した加熱プロファイルに従って、上部加熱部３０ａ、下部加熱部３０ｂ、上部非接触温度センサ１３ａ、および下部非接触温度センサ１３ｂを動作させて、半導体装置１の基板５と電子部品２ａとを接合している接合材料４ａを１次加熱および２次加熱する。図５の例では、接合材料４ａは、１次加熱昇温速度Ｖ１で１次加熱温度Ｋ１になるまで加熱され、１次加熱温度Ｋ１で１次加熱時間Ｔ１だけ加熱され、２次加熱昇温速度Ｖ２で２次加熱温度Ｋ２になるまで加熱され、２次加熱温度Ｋ２で２次加熱時間Ｔ２だけ加熱される。
【００２９】
ステップＳ２０４において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直下方向の駆動力を与えて、吸着ノズル１２が電子部品２ａの上面を吸着するまで吸着ノズル１２を降下させる。
ステップＳ２０５において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与える。
【００３０】
ステップＳ２０６において、制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］を超えるときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ２０７に進ませる。制御部５１は、測定部４０で計測される吸着ノズル１２の内部の真空度がΔＰ［Ｐａ］以下のときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ２１０に進ませる。
ステップＳ２０７において、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与え、吸着ノズル１２を最大限上昇させる。
【００３１】
ステップＳ２０８において、制御部５１は、追加加熱の条件を設定する。
ステップＳ２０９において、制御部５１は、追加加熱の条件が規定範囲内の場合には、処理をステップＳ２０３に進ませ、追加加熱の条件が規定範囲外の場合には、処理を終了する。
ステップＳ２１０において、制御部５１は、制御部５１は、吸着ノズル１２に鉛直上方向の駆動力を与え、吸着ノズル１２を最大限上昇させる。
【００３２】
図６および図７は、追加加熱条件の例を表わす図である。図６では、２次加熱より後の３次加熱が追加加熱である。図７では、２次加熱より後の３次加熱および４次加熱が追加加熱である。追加加熱条件は、３次加熱以後の加熱プロファイルを決定する条件である。たとえば、３次加熱の追加加熱条件は、図６に示される、３次加熱温度、３次加熱時間、３次加熱昇温速度を含む。４次加熱の追加加熱条件は、図７に示される、４次加熱温度、４次加熱時間、４次加熱昇温速度を含む。
図６に示すように、接合材料４ａは、２次加熱の後、電子部品２ａが基板５から取り外されない場合には、３次加熱昇温速度Ｖ３で３次加熱温度Ｋ３になるまで加熱され、３次加熱温度Ｋ３で３次加熱時間Ｔ３だけ加熱される。
３次加熱でも、電子部品２ａが基板５から取り外されない場合には、さらに、図７に示すように、接合材料４ａは、３次加熱の後、４次加熱昇温速度Ｖ４で４次加熱温度Ｋ４になるまで加熱され、４次加熱温度Ｋ４で４次加熱時間Ｔ４だけ加熱される。以下、基板５から電子部品２ａが取り外されるまで、または追加加熱の条件が規定範囲外となるまで、追加加熱が繰り返される。規定範囲は、トータルの加熱時間の許容範囲、または加熱温度の許容範囲とすることができる。
【００３３】
電子部品２ａを基板５から取り外すためには、接合材料４ａをその材質等によって決まる温度および時間で加熱する必要が有る。２次加熱の結果、電子部品２ａが取り外せない場合、取り外せない原因の一つとしては、２次加熱の際の加熱温度が低い可能性がある。このため、３次加熱の追加加熱条件として、２次加熱温度Ｋ２に対して予め定められていた温度の変更値ΔＫだけ高くした追加加熱温度（Ｋ３＝Ｋ２＋ΔＫ）を設定するように予め定めておくことがある。追加加熱温度Ｋ３について、２次加熱温度Ｋ２に対して予め定められていた温度の変更値ΔＫだけ高く設定する場合、３次加熱の追加加熱時間Ｔ３としては、例えば、以下の設定を行うことができる。
【００３４】
（Ａ１）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２に対して予め定められていた時間の変更値ΔＴだけ長くした追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２＋ΔＴ）を設定する。これは、図６でＫ３＝Ｋ２＋ΔＫ、Ｔ３＝Ｔ２＋ΔＴとするものである。
（Ａ２）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２と同じ追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２）を設定する。これは、図６でＫ３＝Ｋ２＋ΔＴ、Ｔ３＝Ｔ２とするものである。
（Ａ３）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２に対して予め定められていた時間の変更値ΔＴだけ短くした追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２−ΔＴ）を設定する。これは、図６でＫ３＝Ｋ２＋ΔＫ、Ｔ３＝Ｔ２−ΔＴとするものである。
（Ａ４）追加加熱時間Ｔ３として、予め定められていた追加加熱時間ΔＴ（Ｔ３＝ΔＴ）を設定する。これは、図６でＫ３＝Ｋ２＋ΔＫ、Ｔ３＝ΔＴとするものである。
【００３５】
なお、上記のＡ３の設定は、加熱を短時間にすることで、半導体装置１や電子部品２ａなどの損傷を回避するための設定、上記のＡ４の設定は、ΔＫの値が小さい場合、既に２次加熱時間Ｔ２加熱されていることを考慮した設定である。
【００３６】
また、２次加熱の結果、電子部品２ａが取り外せない場合、取り外せない原因の一つとしては、２次加熱の際の加熱時間が短い可能性がある。この場合、図８に示すとおり、３次加熱の追加加熱条件として、２次加熱温度Ｋ２から温度を変えずに、加熱時間のみ延長する設定がある。追加加熱温度Ｋ３を２次加熱温度Ｋ２と同じとする場合、３次加熱の追加加熱時間Ｔ３としては、例えば、以下のような設定を行うことができる。
【００３７】
（Ｂ１）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２に対して予め定められていた時間の変更値ΔＴだけ長くした追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２＋ΔＴ）を設定する。これは、図８でＫ３＝Ｋ２、Ｔ３＝Ｔ２＋ΔＴとするものである。
（Ｂ２）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２と同じ追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２）を設定する。これは、図８でＫ３＝Ｋ２、Ｔ３＝Ｔ２とするものである。
（Ｂ３）追加加熱時間Ｔ３として、２次加熱時間Ｔ２に対して予め定められていた時間の変更値ΔＴだけ短くした追加加熱時間（Ｔ３＝Ｔ２−ΔＴ）を設定する。これは、図８でＫ３＝Ｋ２、Ｔ３＝Ｔ２−ΔＴとするものである。
（Ｂ４）追加加熱時間Ｔ３として、予め定められていた追加加熱時間ΔＴ（Ｔ３＝ΔＴ）を設定する。これは、図８でＫ３＝Ｋ２、Ｔ３＝ΔＴとするものである。
【００３８】
４次加熱を行う場合の追加加熱条件もまた同様に、３次加熱における追加加熱条件をもとに設定する。つまり、Ｋ３およびＴ３およびＫ４およびＴ４に、Ｋ２およびＴ２をＫ３およびＴ３にそれぞれ読み替え、上述のＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４のいずれかのような設定を行なう。例えば、Ａ１であれば、追加加熱温度Ｋ４についてはＫ４＝Ｋ３＋ΔＫ、追加加熱時間Ｔ４についてはＴ４＝Ｔ３＋ΔＴのように設定する。
【００３９】
図９は、実施の形態１において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
図９に示すように、電子部品２ａが吸着ノズル１２に吸着して、基板５から取り外されている。この状態において、測定部４０で測定される真空度は、ΔＰ［Ｐａ］以下となる。
図１０は、実施の形態１において基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図１０に示すように、電子部品２ａが基板５から取り外されていない。実施の形態１では、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力は、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力よりも大きい。したがって、吸着ノズル１２のみが鉛直上方向に移動する。この状態において、測定部４０で測定される真空度は、ΔＰ［Ｐａ］を超える。
【００４０】
以上のように、本実施の形態では、予め定めた加熱条件で接合材料を加熱し、その加熱条件では、電子部品の基板からの取り外しができなかったときには、予め定めた追加加熱条件で接合材料を再加熱する。したがって、実際に使用されている半導体装置とは別に、別の試験用の半導体装置を用いる必要がなく、加熱条件が適切でなかった場合に、接合材料４ａを冷却し、加熱条件を変えて、１次加熱から再度開始する必要がない。また、加熱条件が特定されるまでは実際に使用されている半導体装置のリペア作業ができないという問題が生じない。加熱条件を特定するために、高度な技量を有する人材を確保する必要がない。また、本実施の形態では、吸着ノズル内の真空度を測定することによって、基板から電子部品が取り外されたか否かを容易に検出することができる。
【００４１】
実施の形態２．
図１１は、実施の形態２の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
図１１の実施の形態２の電子部品の取り外し装置が、図１の実施の形態１の電子部品の取り外し装置と相違する点は、実施の形態２の電子部品の取り外し装置は、真空度計で構成される測定部４０の代わりに、ロードセルで構成される測定部４１を備える点である。
測定部４１は、吸着ノズル１２に加わる荷重を測定する。
【００４２】
図１２は、実施の形態２の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図１２の実施の形態２のフローチャートが、図４の実施の形態１のフローチャートと相違する点は、ステップＳ２０６の代わりに、ステップＳ３０６を含む点である。
ステップＳ３０６において、制御部５２は、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が予め定められた条件を満たさないときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ２０７に進ませる。制御部５２は、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が予め定められた条件を満たすときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ２１０に進ませる。
【００４３】
ここで、予め定められた条件は、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいか否かで相違する。
ＡがＢよりも大きいときには、以下のようになる。
予め定められた条件を満たすときとは、吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ１以上となるときである。予め定められた条件を満たさないときとは、吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ１未満となるときである。すなわち、基板５から電子部品２ａが取り外されていないときには、吸着ノズル１２は、何も吸着していないので、基板５から電子部品２ａが取り外されたときの方が、取り外されていないときよりも、吸着ノズル１２に加わる荷重が大きい。
【００４４】
ＡがＢ以下のときには、以下のようになる。
予め定められた条件を満たすときには、吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ２以下となるときである。予め定められた条件を満たさないときとは、吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ２を超えるときである。すなわち、基板５から電子部品２ａが取り外されていないときには、吸着ノズル１２は、基板５に取り付けられた電子部品２ａを吸着しているので、基板５から電子部品２ａが取り外されたときの方が、取り外されていないときよりも、吸着ノズル１２に加わる荷重が小さい。
閾値ＴＨ１は、電子部品２ａの重量以下の値に設定することができる。閾値ＴＨ２は、電子部品２ａの重量以上の値に設定することができる。閾値ＴＨ１および閾値ＴＨ２は、電子部品２ａの種類ごとに設定することとしてもよい。
【００４５】
図１３は、実施の形態２において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
図１３に示すように、電子部品２ａが吸着ノズル１２に吸着して、基板５から取り外されている。この状態において、ＡがＢよりも大きいときには、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ１以上であり、ＡがＢ以下のときには、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ２以下である。
【００４６】
図１４は、実施の形態２において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図１５は、実施の形態２において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図１４および図１５に示すように、電子部品２ａが基板５から取り外されていない。この状態において、図１４に示すようなＡがＢよりも大きいときには、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ１未満であり、図１５に示すようにＡがＢ以下のときには、測定部４１で計測される吸着ノズル１２に加わる荷重が閾値ＴＨ２を超える。
【００４７】
以上のように、本実施の形態では、吸着ノズルに掛かる荷重を測定することによって、基板から電子部品が取り外されたか否かを容易に検出することができる。
【００４８】
実施の形態３．
図１６は、実施の形態３の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
図１６の実施の形態３の電子部品の取り外し装置が、図１の実施の形態１の電子部品の取り外し装置と相違する点は、実施の形態３の電子部品の取り外し装置は、真空度計で構成される測定部４０の代わりに、磁気センサで構成される測定部４２を備える点である。
測定部４２は、吸着ノズル１２に取り付けられた磁気テープ４２ａと、磁気感知センサ４２ｂとを備える。
実施の形態３では、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａは、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下とする。
【００４９】
測定部４２は、吸着ノズル１２の鉛直方向の位置が予め定められた鉛直方向の位置またはその位置よりも上方にあるかどうかを測定することができる。具体的には、基板５から電子部品２ａが取り外されたときには、吸着ノズル１２が上昇することに伴って、基準ラインＬ１まで、または基準ラインＬ１を超えるまで上昇した磁気テープ４２ａを、磁気感知センサ４２ｂが感知する。基板５から電子部品２ａが取り外さないときには、吸着ノズル１２が上昇しないので、磁気テープ４２ａは、磁気感知センサ４２ｂによって感知されない。
【００５０】
図１７は、実施の形態３の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図１７の実施の形態３のフローチャートが、図４の実施の形態１のフローチャートと相違する点は、ステップＳ２０６の代わりに、ステップＳ４０６を含む点である。
ステップＳ４０６において、制御部５３は、測定部４２によって検出される吸着ノズル１２の位置が予め定められた鉛直方向の位置よりも下方にあるときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ２０７に進ませる。制御部５３は、測定部４２によって検出される吸着ノズル１２の位置が予め定められた鉛直方向の位置またはその位置よりも上方のときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ２１０に進ませる。
【００５１】
図１８は、実施の形態３において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
図１８に示すように、電子部品２ａが吸着ノズル１２に吸着して、基板５から取り外されている。この状態では、吸着ノズル１２に取り付けられ磁気テープ４２ａが、基準ラインＬ１を超えて上方へ移動途中に、磁気感知センサ４２ｂによって感知される。
【００５２】
図１９は、実施の形態３において基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図１９に示すように、電子部品２ａが基板５から取り外されていない。実施の形態３では、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力は、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力以下であるので、吸着ノズル１２は、電子部品４ａを吸着したままであり、鉛直上方向に移動しない。この状態において、吸着ノズル１２に取り付けられた磁気テープ４２ａが、基準ラインＬ２よりも下方にあるので、磁気感知センサ４２ｂによって感知されない。
【００５３】
以上のように、本実施の形態では、吸着ノズルの鉛直方向の位置を測定することによって、基板から電子部品が取り外されたか否かを容易に検出することができる。
なお、測定部４２は、磁気センサではなく、光学センサとしてもよい。この場合に、測定部４２は、吸着ノズル１２に取り付けられた反射板と、レーザ発射部と、感知センサとを備える。吸着ノズル１２が上昇することに伴って、基準ラインＬ１まで、または基準ラインＬ１を超えるまで上昇した反射板が、レーザ発射部からの光を反射して、反射光が感知センサで感知される。
【００５４】
実施の形態４．
図２０は、実施の形態４の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
図２０の実施の形態４の電子部品の取り外し装置が、図１の実施の形態１の電子部品の取り外し装置と相違する点は、実施の形態４の電子部品の取り外し装置は、真空度計で構成される測定部４０の代わりに、赤外線センサなどの距離センサで構成される測定部４８を備える点である。
測定部４８は、電子部品２ａの上面までの距離を測定することによって、電子部品２ａの鉛直方向の位置を測定する。
【００５５】
図２１は、実施の形態４の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図２１の実施の形態４のフローチャートが、図４の実施の形態１のフローチャートと相違する点は、ステップＳ２０６の代わりに、ステップＳ５０６を含む点である。
ステップＳ５０６において、制御部５４は、測定部４８によって検出される電子部品２ａの鉛直方向の位置がステップＳ２０４で吸着ノズル１２を降下させたときの電子部品２ａの鉛直方向の位置（すなわち、基板５に取り付けられているときの電子部品２ａの鉛直方向の位置）から変化していないときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ２０７に進ませる。制御部５４は、測定部４８によって検出される電子部品２ａの鉛直方向の位置がステップＳ２０４で吸着ノズル１２を降下させたときの電子部品２ａの鉛直方向の位置（すなわち、基板５に取り付けられているときの電子部品２ａの鉛直方向の位置）よりも上方のときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ２１０に進ませる。
【００５６】
図２２は、実施の形態４において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
図２２に示すように、電子部品２ａが吸着ノズル１２に吸着して、基板５から取り外されている。この状態における電子部品２ａの鉛直方向の位置が、電子部品２ａが基板５に取り付けられたときの電子部品２ａの鉛直方向の位置よりも上方にある。
【００５７】
図２３は、実施の形態４において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図２４は、実施の形態４において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図２３および図２４に示すように、電子部品２ａが基板５から取り外されていない。この状態において、電子部品２ａの鉛直方向の位置が、電子部品２ａが基板５に取り付けられたときの電子部品２ａの鉛直方向の位置から変化していない。
【００５８】
以上のように、本実施の形態では、電子部品の鉛直方向の位置を測定することによって、基板から電子部品が取り外されたか否かを容易に検出することができる。
【００５９】
実施の形態５．
図２５は、実施の形態５の電子部品の取り外し装置の構成を表わす図である。
図２５の実施の形態５の電子部品の取り外し装置が、図１の実施の形態１の電子部品の取り外し装置と相違する点は、実施の形態５の電子部品の取り外し装置は、真空度計で構成される測定部４０の代わりに、ラインセンサ４３ａ，４３ｂで構成される測定部４３を備える点である。
ラインセンサ４３ａは、支持台２０に対して左側に配置される。ラインセンサ４３ｂは、支持台３０に対して右側に配置される。
ラインセンサ４３ａは、長手方向にライン状に配列される複数の受光素子を備える。ラインセンサ４３ａを構成する複数の受光素子が、基板５から距離Ｄだけ上方の位置を撮像するような位置にラインセンサ４３ａが配置される。距離Ｄは、基板５に搭載される可能性のある全種類の電子部品の最小の高さを超えない値とする。
【００６０】
制御部５５は、電子部品２ａが取り外し対象のときには、ラインセンサ４３ａから出力される１次元の画像に基づいて、基板５と電子部品４ａとの間の間隙の有無を検出する。制御部５５は、電子部品２ｂが取り外し対象のときには、ラインセンサ４３ｂから出力される１次元の画像に基づいて、基板５と電子部品４ｂとの間の間隙の有無を検出する。
【００６１】
図２６は、実施の形態５の電子部品の取り外し手順を表わすフローチャートである。
図２６の実施の形態５のフローチャートが、図４の実施の形態１のフローチャートと相違する点は、ステップＳ２０６の代わりに、ステップＳ６０６を含む点である。
ステップＳ６０６において、制御部５５は、ラインセンサ４３ａによって基板５と電子部品２ａとの間に間隙が検出されなかったときには、電子部品２ａが基板５から取り外されていないと判断し、処理をステップＳ２０７に進ませる。制御部５５は、ラインセンサ４３ａによって基板５と電子部品２ａとの間に間隙が検出されたときには、電子部品２ａが基板５から取り外されたと判断し、処理をステップＳ２１０に進ませる。
【００６２】
図２７は、実施の形態５において基板５から電子部品２ａが取り外された状態を表わす図である。
図２７に示すように、電子部品２ａが吸着ノズル１２に吸着して、基板５から取り外されている。ラインセンサ４３ａによって基板５と電子部品２ａとの間に間隙が検出される。
【００６３】
図２８は、実施の形態５において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂよりも大きいときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図２９は、実施の形態５において、吸着ノズル１２が電子部品２ａを吸着後に吸着ノズル１２を鉛直上方向に駆動する力Ａが、吸着ノズル１２と電子部品２ａとの間の吸着力Ｂ以下のときの基板５から電子部品２ａが取り外されなかった状態を表わす図である。
図２８および図２９に示すように、電子部品２ａが基板５から取り外されていない。ラインセンサ４３ａによって基板５と電子部品２ａとの間に間隙が検出されない。
【００６４】
以上のように、本実施の形態によれば、基板と電子部品の間の間隙の有無を測定することによって、基板から電子部品が取り外されたか否かを容易に検出することができる。
【００６５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体装置、２ａ，２ｂ  電子部品、４ａ，４ｂ  接合材料、１２  吸着ノズル、５  基板、１３  温度センサ、１３ａ  上部非接触温度センサ、１３ｂ  下部非接触温度センサ、２０  支持台、３０  加熱部、３０ａ  上部加熱部、３０ｂ  下部加熱部、４０，４１，４２，４３，４８  測定部、４２ａ  磁気テープ、４２ｂ  磁気感知センサ、４３ａ，４３ｂ  ラインセンサ、５１，５２，５３，５４，５５  制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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