(57)【要約】【課題】シャッター開閉の動作速度が速く、且つ動作不良を生じ難いＭＥＭＳシャッターを実現する。【解決手段】本発明の一態様に係るＭＥＭＳシャッター（１０）は、シャッター体（２２）を支持するシャッタービーム（２３・２５）の延伸部（２３Ｓ・２５Ｓ）の膜厚が、当該シャッタービーム（２３・２５）の第１屈曲部（２３Ｒ１・２５Ｒ１）及び第２屈曲部（２３Ｒ２・２５Ｒ２）の膜厚よりも薄くなっている。【選択図】図２
2018045044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
開口部が設けられたシャッター体と、
シャッター体における対向する側部に夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、
上記基板に固定され、各上記シャッタービームを支持するシャッターアンカーとを備え、
各上記シャッタービームは、上記シャッター体と接続する接続部を含み屈曲した第１屈曲部と、上記シャッターアンカーに接続する接続部を含み屈曲した第２屈曲部と、当該第１屈曲部と当該第２屈曲部との間にあり、シャッター体の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部とを有し、
上記延伸部の膜厚は、上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴とするＭＥＭＳシャッター。
【請求項２】
上記シャッター体を挟むようにして上記基板に配設された第１電極及び第２電極を更に備え、
上記第１電極及び上記第２電極は、夫々、駆動ビームアンカーと、当該駆動ビームアンカーに接続された駆動ビームとを有し、
各上記駆動ビームは、上記駆動ビームアンカーに接続している側に近い第１端部と、上記駆動ビームアンカーに接続している側から離れた第２端部と、当該第１端部と当該第２端部との間にあり、上記第２方向に沿って延伸しており、上記延伸部と上記第１方向に沿って並んだ中央部とを有し、
上記中央部の膜厚は、上記第１端部及び上記第２端部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項３】
上記延伸部の膜厚は、上記中央部の膜厚と等しく、
上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚は、上記第１端部及び上記第２端部の膜厚と等しい、
ことを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項４】
上記シャッター体を挟むようにして上記基板に配設された第１電極及び第２電極を更に備え、
上記第１電極及び上記第２電極は、夫々、駆動ビームアンカーと、当該駆動ビームアンカーに接続された駆動ビームとを有し、
各上記駆動ビームの膜厚は、上記シャッタービームの上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項５】
各上記駆動ビームの膜厚は、上記延伸部の膜厚と等しい、
ことを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項６】
上記シャッター体の各上記側部は、上記第２方向に沿って延伸しており、
上記接続部は、各上記側部にある一方の端と他方の端のうちの同じ側にある端の近傍に設けられており、
上記第２屈曲部は、各上記側部の夫々にある一方の端と他方の端のうちの、上記シャッター体と接続する接続部が設けられている側の端とは反対側の端の近傍にある、
ことを特徴とする請求項１から５までの何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項７】
基板と、
開口部が設けられたシャッター体と、
シャッター体における対向する側部に夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、
上記基板に固定され、各上記シャッタービームを支持するシャッターアンカーと、
上記シャッター体を挟むようにして上記基板に配設された第１電極及び第２電極とを備え、
各上記シャッタービームは、上記シャッター体と接続する接続部を含み屈曲した第１屈曲部と、上記シャッターアンカーに接続する接続部を含み屈曲した第２屈曲部と、当該第１屈曲部と当該第２屈曲部との間にあり、シャッター体の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部とを有し、
上記第１電極及び上記第２電極は、夫々、駆動ビームアンカーと、当該駆動ビームアンカーに接続された駆動ビームとを有し、
上記駆動ビームの膜厚は、上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴とするＭＥＭＳシャッター。
【請求項８】
請求項１から７までの何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から７までの何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳシャッター、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置、及び、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた電子機器が開発されている。例えば、ＭＥＭＳを用いた表示装置は、画素毎に配置されたＭＥＭＳが備えるシャッターを開閉することで、シャッターを透過する光の量を制御し、これにより画像の表示を行う。
【０００３】
ＭＥＭＳを構成するシャッターは、ＭＥＭＳが配置される電子機器の機能に応じて種々の形状のものが採用されている。
【０００４】
特許文献１には、いわゆる「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターが開示されている。「４スプリング」構造においては、第１電極と第２電極との間に配置されたシャッター体は、一方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームと、他方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームとによって、基板から浮いた状態に支持される。そして、第１電極、第２電極、及び、シャッター体に印加される電圧レベルに応じて、シャッター体は第１電極側へスライドしたり、第２電極側へスライドしたりすることによって、シャッターの開閉が行われる。このとき、一方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームと、他方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームとはバネとして機能する。つまり「４スプリング」構造は、駆動ビームと対向し、バネとして機能するシャッタービームを４本有する構造である。
【０００５】
特許文献１には更に、「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターも開示されている。
【０００６】
以下、「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターについて、図１４を用いて説明する。
【０００７】
図１４に示すＭＥＭＳシャッター５１０は、基板に配置された第１電極５１１及び第２電極５１４と、シャッター構造５２１とを備えている。第１電極５１１は、基板に配置された配線と接続された駆動ビームアンカー５１２と、第１端部から第２端部へ延伸し、第１端部近傍が駆動ビームアンカー５１２と接続された駆動ビーム５１３とを備えている。第２電極５１４は、基板に配置された配線と接続された駆動ビームアンカー５１５と、第１端部から第２端部へ延伸し、第１端部近傍が駆動ビームアンカー５１５と接続された駆動ビーム５１６とを備えている。
【０００８】
シャッター構造５２１は、第１電極５１１と第２電極５１４とに挟まれたシャッター体５２２と、シャッター体５２２を支持するシャッタービーム５２３・５２５と、基板に配置されたシャッタービームアンカー５２４・５２６とを備えている。
【０００９】
シャッタービーム５２３・５２５は、シャッター体５２２における互いに対向する第１端部５２２ａ及び第２端部５２２ｂのうち、第１端部５２２ａ近傍にてシャッター体５２２と接続されている。シャッタービーム５２３は、シャッター体５２２と接続された第１端部から駆動ビーム５１３に沿って延伸し、第２端部がシャッタービームアンカー５２４と接続されている。シャッタービーム５２５は、シャッター体５２２と接続された第１端部から駆動ビーム５１６に沿って延伸し、第２端部がシャッタービームアンカー５２６と接続されている。シャッタービーム５２３・５２５によって、シャッター体５２２は、下方に配置されている基板から浮いた状態に支持されている。
【００１０】
シャッター体５２２には、第１端部５２２ａから第２端部５２２ｂにかけて延伸するシャッター体開口部５３１が形成されている。また、シャッター体５２２には、シャッター体５２２の剛性を保つために、シャッター体開口部５３１の延伸方向に沿った両側に、第１端部５２２ａから第２端部５２２ｂにかけて延伸する凸部５３２・５３３が形成されている。シャッター体５２２における、下方に配置された基板と対向する下面のうち、凸部５３２・５３３が形成されている領域は、基板に向けて突出した形状となっている。
【００１１】
ＭＥＭＳシャッター５１０のシャッター体５２２は、第１電極５１１、第２電極５１４、及び、シャッター構造５２１それぞれに印加される電圧に応じて、第１電極５１１に近づく方向へスライドしたり、第２電極５１４に近づく方向へスライドしたりする。このとき、シャッタービーム５２３・５２５はバネとして機能する。基板に設けられた基板開口部と、シャッター体５２２に設けられたシャッター体開口部５３１とが重なるようにシャッター体５２２がスライドすると、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を透過させる状態となる。一方、基板に設けられた基板開口部とシャッター体５２２に設けられたシャッター体開口部５３１とが重ならないようにシャッター体５２２がスライドすると、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を遮光する状態となる。このように、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を透過したり遮光したりするシャッターとして機能する。
【００１２】
ＭＥＭＳシャッター５１０は、シャッター体５２２が、シャッタービーム５２３・５２５により２箇所支持された「２スプリング」構造である。つまり「２スプリング」構造は、駆動ビームと対向し、バネとして機能するシャッタービームを２本有する構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国特許第８５９９４６３号明細書（２０１３年１２月３日登録）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターは、「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターよりもシャッター開閉の動作速度は速いものの、より高速に動作できるものが求められている。
【００１５】
そこで、本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、シャッター開閉の動作速度が速いＭＥＭＳシャッター、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置、及び、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた電子機器を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るＭＥＭＳシャッターは、
基板と、
開口部が設けられたシャッター体と、
シャッター体における対向する側部に夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、
上記基板に固定され、各上記シャッタービームを支持するシャッターアンカーとを備え、
各上記シャッタービームは、上記シャッター体と接続する接続部を含み屈曲した第１屈曲部と、上記シャッターアンカーに接続する接続部を含み屈曲した第２屈曲部と、当該第１屈曲部と当該第２屈曲部との間にあり、シャッター体の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部とを有し、
上記延伸部の膜厚は、上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴としている。
【００１７】
また、上記の課題を解決するために、本発明の別態様に係るＭＥＭＳシャッターは、
基板と、
開口部が設けられたシャッター体と、
シャッター体における対向する側部に夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、
上記基板に固定され、各上記シャッタービームを支持するシャッターアンカーと、
上記シャッター体を挟むようにして上記基板に配設された第１電極及び第２電極とを備え、
各上記シャッタービームは、上記シャッター体と接続する接続部を含み屈曲した第１屈曲部と、上記シャッターアンカーに接続する接続部を含み屈曲した第２屈曲部と、当該第１の屈曲部と当該第２屈曲部との間にあり、シャッター体の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部とを有し、
上記第１電極及び上記第２電極は、夫々、駆動ビームアンカーと、当該駆動ビームアンカーに接続された駆動ビームとを有し、
上記駆動ビームの膜厚は、上記第１屈曲部及び上記第２屈曲部の膜厚よりも薄い、
ことを特徴としている。
【００１８】
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、上述の構成を具備したＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴としている。
【００１９】
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る電子機器は、上述の構成を具備したＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様によれば、シャッター開閉の動作速度が速いＭＥＭＳシャッター、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置、及び、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの斜視図である。
【図２】図１に示すＭＥＭＳシャッターの平面図である。
【図３】図２に示すＭＥＭＳシャッターを図２に示す切断線Ａ−Ａ´において切断した状態を示した矢視断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の画素の等価回路を表す図である。
【図５】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の構成を表す図である。
【図６】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの製造工程の前半を表す図である。
【図７】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの製造工程の後半を表す図である。
【図８】本発明の実施形態２に係るＭＥＭＳシャッターの平面図である。
【図９】図８に示すＭＥＭＳシャッターを図８に示す切断線Ａ−Ａ´において切断した状態を示した矢視断面図である。
【図１０】本発明の実施形態２に係るＭＥＭＳシャッターのシャッター動作について説明する図である。
【図１１】本発明の実施形態３に係るＭＥＭＳシャッターの平面図である。
【図１２】図１１に示すＭＥＭＳシャッターを図１１に示す切断線Ａ−Ａ´において切断した状態を示した矢視断面図である。
【図１３】本発明の実施形態４に係るＭＥＭＳシャッターの平面図である。
【図１４】従来の２スプリング構造のＭＥＭＳシャッターの構成を表す図である。
【図１５】図１４のＭＥＭＳシャッターを、図１４に示す切断線Ｂ５００‐Ｂ５００’において切断した状態を示した矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
〔実施形態１〕
以下、本発明の一実施形態の電子機器、表示装置及びＭＥＭＳシャッターについて、詳細に説明する。
【００２３】
（表示装置の構成）
図５は、本実施形態１におけるシャッター機構であるＭＥＭＳシャッター１０を用いた表示装置１の構成を表す図である。図５に示す表示装置１は、ＭＥＭＳシャッター１０を用いた電子機器の一例である。
【００２４】
表示装置１は、基板４０と、当該基板４０と対向配置されている対向基板５１（図３参照）と、コントローラ８と、バックライト９とを備えている。バックライト９は、基板４０における、対向基板が配置されている側とは逆側に対向配置されている。
【００２５】
基板４０は、表示部２と、表示部２の一辺（紙面上側の辺）に沿って延伸して配置されているソースドライバ３Ｄと、表示部２の他の一辺（紙面左側の辺）に沿って延伸して配置されているゲートドライバ３Ｇとを有している。なお、ソースドライバ３Ｄとゲートドライバ３Ｇとの配置は、図５に示したものに限定されるものではない。
【００２６】
表示部２では、ソースドライバ３Ｄから延伸するデータ線Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄ２ｍと、ゲートドライバ３Ｇから延伸するゲート線Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ２ｎとが交差している。データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち奇数番目のデータ線（データ線Ｄ１、Ｄ３、・・・）と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち奇数番目のゲート線（ゲート線Ｇ１、Ｇ３、・・・）とにより区画されている領域が画素７である。各画素７は、表示部２においてマトリクス状に配置されている。各画素７には、ＭＥＭＳシャッター１０と、スイッチング素子５Ａ・５Ｂと、保持容量６Ａ・６Ｂとが配置されている。
【００２７】
スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、一例としてＴＦＴ素子である。スイッチング素子５Ａの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて奇数番目のデータ線Ｄ１、Ｄ３、・・・、Ｄ２ｍ−１の何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて奇数番目のゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎ−１の何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ａの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０と接続されている。保持容量６Ａの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０と接続されていると共にグランドと接続されている。スイッチング素子５Ｂの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて偶数番目のデータ線Ｄ２、Ｄ４、・・・、Ｄ２ｍの何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて偶数番目のゲート線Ｇ２〜Ｇ２ｎの何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ｂの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０と接続されている。保持容量６Ｂの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０と接続されていると共にグランドと接続されている。
【００２８】
コントローラ８は、ソースドライバ３Ｄ、ゲートドライバ３Ｇ、及び、バックライト９の駆動を制御する。
【００２９】
ソースドライバ３Ｄは、コントローラ８からの指示により、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへデータ信号を供給する。ゲートドライバ３Ｇは、コントローラ８からの指示により、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへゲート信号を供給する。スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち自身が接続されているデータ線から供給されるデータ信号と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち自身が接続されているゲート線から供給されるゲート信号とから、ＭＥＭＳシャッター１０を駆動する。
【００３０】
なお、本実施形態では、ＭＥＭＳシャッター１０は表示装置１に用いられるものとして説明しているが、ＭＥＭＳシャッター１０の使用用途は表示装置１に限定されるものではない。ＭＥＭＳシャッター１０を、例えば、３次元プリンター等、表示装置１以外の他の電子機器に用いてもよい。
【００３１】
（ＭＥＭＳシャッター１０の構成）
ＭＥＭＳシャッター１０の構成について、図１から図４を用いて説明する。図１は、本実施形態１に係るＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す斜視図である。図２は、ＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す平面図である。図３の（ａ）は、図２に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが閉の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。図３の（ｂ）は、図２に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが開の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。図４は、図５の画素７の等価回路を表す図である。
【００３２】
図１に示すように、基板４０は、基板４２と、基板４２に設置されたＭＥＭＳシャッター１０とを含む。
【００３３】
図３の（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板４２の上方には、ＭＥＭＳシャッター１０を介して対向基板５１が対向配置されている。基板４２と対向基板５１とはシール材により貼り合わされており、基板４２と対向基板５１との間にはシリコンオイル５２が充填されている。
【００３４】
図１に示すように、ＭＥＭＳシャッター１０は、第１電極１１と、第２電極１４と、シャッター構造２１とを有する。以下の説明では、シャッター構造２１がスライド（移動）する方向をＸ軸方向（第１方向）とし、スライド方向と垂直であり基板４２と平行な方向をＹ軸方向（第２方向）とする。
【００３５】
第１電極１１及び第２電極１４は、シャッター構造２１をスライドさせるための電極である。第１電極１１及び第２電極１４は、シャッター構造２１を介して略平行に対向配置されている。
【００３６】
第１電極１１は、駆動ビームアンカー１２と、駆動ビーム１３とを備えている。駆動ビームアンカー１２は、基板４２に配置された配線と接続されることによって、基板４２に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１２は、基板４２の表面から駆動ビーム１３を離間させて、駆動ビーム１３を支持している。駆動ビームアンカー１２は、駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａ近傍において、駆動ビーム１３と接続されている。駆動ビーム１３は、駆動ビームアンカー１２との接続部近傍である第１端部１３ａを始点として、当該第１端部１３ａから逆側の第２端部１３ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａは、駆動ビームアンカー１２に近い側の端部であり、第２端部１３ｂは駆動ビームアンカー１２から遠い側の端部である。駆動ビーム１３のうち、第１端部１３ａと第２端部１３ｂとはＹ軸方向で互いに対向する端部である。
【００３７】
第２電極１４は、駆動ビームアンカー１５と、駆動ビーム１６とを備えている。駆動ビームアンカー１５は、基板４２に配置された配線と接続されることで、基板４２に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１５は、基板４２の表面から駆動ビーム１６を離間させて、駆動ビーム１６を支持している。駆動ビームアンカー１５は、駆動ビーム１６の両端部のうち第１端部１６ａ近傍において、駆動ビーム１６と接続されている。駆動ビーム１６は、両端部のうち駆動ビームアンカー１５との接続部近傍である第１端部１６ａを始点として、当該第１端部１６ａから逆側の第２端部１６ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１６の両端部うち第１端部１６ａは、駆動ビームアンカー１５に近い側の端部であり、第２端部１６ｂは駆動ビームアンカー１５から遠い側の端部である。駆動ビーム１６のうち第１端部１６ａと第２端部１６ｂとはＹ軸方向で互いに対向する端部である。
【００３８】
シャッター構造２１は、シャッター体２２と、シャッタービームアンカー２４・２６（シャッターアンカー）と、シャッタービーム２３・２５とを備えている。
【００３９】
シャッタービームアンカー２４・２６は、基板４２に配置された配線と接続されることで、基板４２に固定して設置されている。シャッタービームアンカー２４・２６は、シャッタービーム２３・２５と、シャッター体２２とを基板４２の表面からから離間させて支持する。
【００４０】
シャッタービーム２３・２５は可撓性を有する。基板４２に固定されたシャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービームアンカー２４・２６とシャッター体２２とを接続するシャッタービーム２３・２５とにより、シャッター体２２は、基板４２に対してスライド可能な状態で支持される。また、シャッター体２２は、シャッタービームアンカー２４・２６及びシャッタービーム２３・２５を介して基板４２に設けられた配線と電気的に接続されている。
【００４１】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０は、シャッター体２２の第１側部２２ｄが１本のシャッタービーム２３により支持され、シャッター体２２における第１側部２２ｄと対向する第２側部２２ｅが１本のシャッタービーム２５により支持されることによって、シャッター体２２が合計２個のシャッタービーム２３・２５により支持された構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳシャッター１０は、駆動ビーム１３・１６と対向し、バネとして働く（つまり弾性変形する）シャッタービーム２３・２５の数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造を有する。
【００４２】
シャッタービームアンカー２４は、第１電極１１の駆動ビーム１３における第２端部１３ｂの近傍に設置されている。シャッタービームアンカー２６は、第２電極１４の駆動ビーム１６における第２端部１６ｂの近傍に設置されている。
【００４３】
シャッター体２２は、第１電極１１の駆動ビーム１３と、第２電極１４の駆動ビーム１６との間に挟まれて配置されている。シャッター体２２は、本実施形態１では、平面視において長方形状である。
【００４４】
シャッター体２２は、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂと、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとを有する。
【００４５】
シャッター体２２のうち、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとは、Ｙ軸方向で互いに対向する端部であり、共に長手方向に直交する短手方向（Ｘ軸方向）に延伸する端部である。第１端部２２ａは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａ（接続部）との接続部近傍の端部である。第２端部２２ｂは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａから遠い非接続端部である。シャッター体２２は、第１端部２２ａから第２端部２２ｂにかけて延伸している。
【００４６】
シャッター体２２のうち、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、Ｘ軸方向で互いに対向しており、且つ、共に長手方向（Ｙ軸方向）に延伸する端部である。第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとを接続する。シャッター体２２は、第１側部２２ｄにおける、第１端部２２ａ寄りの箇所においてシャッタービーム２３の第１端部２３ａと接続されている。第１側部２２ｄは、シャッタービーム２３の対向部２３ｃに沿って延伸している。また、シャッター体２２は、第２側部２２ｅにおける、第１端部２２ａ寄りの箇所においてシャッタービーム２５の第１端部２５ａと接続されている。第２側部２２ｅは、シャッタービーム２５の対向部２５ｃに沿って延伸している。
【００４７】
シャッター体２２には、略中央部分には、第１端部２２ａ近傍から第２端部２２ｂ近傍へ延伸するシャッター体開口部３１が設けられている。シャッター体開口部３１は矩形形状を有する。
【００４８】
シャッター体開口部３１と基板４２に設けられている基板開口部４１とが重なる位置に、シャッター体２２が移動することで、バックライト９（図５参照）からの光が透過する。一方、シャッター体開口部３１が基板開口部４１と重ならない位置にシャッター体２２が移動すると、バックライト９からの光はシャッター体２２により遮光される。このようにして、表示装置１は、各画素７（図５参照）毎にＭＥＭＳシャッター１０の駆動を制御することで画像を表示部２に表示する。
【００４９】
シャッター体２２のうち、シャッター体開口部３１と、第１側部２２ｄとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部２２ｂ側へ（Ｙ軸方向へ）向けて延伸する凸部３２が形成されている。また、シャッター体２２のうち、シャッター体開口部３１と、第２側部２２ｅとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部２２ｂ側へ（Ｙ軸方向へ）向けて延伸する凸部３３が形成されている。
【００５０】
シャッター体２２における基板４２側の面は、基板４２に近く基板４２と対向するＹ軸方向に延伸する第１面３２ｃ・３３ｃと、第１面３２ｃ・３３ｃより基板４２から遠い第２面２２ｃとを有している。凸部３２・３３が設けられている箇所は、基板４２に向けて突出した形状となっている。逆に、シャッター体２２における対向基板５１側の面（上面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は凹部となっている。このように、シャッター体２２に、少なくとも一方向に延伸し、シャッター体２２の下方に設けられた基板４２に向けて突出する凸部３２・３３を設けることによって、シャッター体２２の剛性を高めることができる。
【００５１】
なお、凸部３２の第２端部２２ｂ側の端部は、第１側部２２ｄに向けて延伸方向が曲がっている。また、凸部３３の第２端部２２ｂ側の端部は、第２側部２２ｅに向けて延伸方向が曲がっている。これら曲がった箇所は、バンパーとして設けられており、シャッター体２２が上述のように移動する際に、これらに対向して配置されているシャッタービーム２３・２５に接触する構成となっている。このバンパーを設けることにより、シャッター体２２がシャッタービーム２３・２５に接触して損傷することを回避でき、シャッター体２２のシャッター動作の長期信頼性（動作信頼性）を向上させることができる。なお、この曲がった構造は無くてもよい。
【００５２】
シャッタービーム２３は、シャッター体２２の第１側部２２ｄと接続された第１端部２３ａを始点として、シャッタービームアンカー２４と接続された第２端部２３ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２３の第１端部２３ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態１では、シャッタービーム２３は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２３は、第１端部２３ａから第１電極１１の駆動ビーム１３に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１３の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１３に沿ってＹ軸方向に延伸し、駆動ビーム１３の第２端部１３ｂ近傍にて第２端部１３ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２３ｂがシャッタービームアンカー２４と接続されている。このように、シャッタービーム２３は、第１端部２３ａと第２端部２３ｂとの間に、駆動ビーム１３と対向する対向部２３ｃを有する。
【００５３】
シャッタービーム２５は、シャッター体２２の第２側部２２ｅと接続された第１端部２５ａを始点として、シャッタービームアンカー２６と接続された第２端部２５ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２５の第１端部２５ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態１では、シャッタービーム２５は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２５は、第１端部２５ａから第２電極１４の駆動ビーム１６に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１６の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１６に沿ってＹ軸方向に延伸し、駆動ビーム１６の第２端部１６ｂ近傍にて第２端部１６ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２５ｂがシャッタービームアンカー２６と接続されている。このように、シャッタービーム２５は、第１端部２５ａと第２端部２５ｂとの間に、駆動ビーム１６と対向する対向部２５ｃを有する。
【００５４】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２がスライドする際にバネとして機能する。
【００５５】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２を基板４２から離間させた状態であってスライド可能に支持する。なお、シャッタービーム２３・２５については後述する。
【００５６】
（基板４２の断面構造及びシャッターの開閉動作）
図３の（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板４２は、ガラス基板４３と、ガラス基板４３に配置された遮光部４４と、遮光部４４上に直接又は間接的に配置された配線４５と、遮光部４４及び配線４５とを覆う絶縁層４６とを有する。遮光部４４には矩形の基板開口部４１が形成されている。
【００５７】
絶縁層４６上には配線４７が配置されている。シャッタービームアンカー２４は、テーパー状に下方に凹み、下面が配線４７と接触することで、配線４７と電気的に接続されている。これにより、シャッタービームアンカー２４は、基板４２に固定されている。なお、図示しないが、シャッタービームアンカー２６、駆動ビームアンカー１２・１５も、配線４７と接触することで電気的に接続されている。
【００５８】
図３の（ａ）及び図４に示すように、第１電極１１及びシャッター体２２にハイ（Ｈ）の電圧を加え、第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０は閉じた状態となる。これにより、バックライト９（図５参照）から出射された光はシャッター体２２により遮光される。
【００５９】
なお、第１電極１１及びシャッター体２２にロウ（Ｌ）の電圧を加え、第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０は閉じた状態となる。
【００６０】
図３の（ｂ）及び図４に示すように、第１電極１１にロウ（Ｌ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０が開いた状態となる。これにより、バックライト９（図５参照）から出射された光は基板開口部４１及びシャッター体開口部３１を通りＭＥＭＳシャッター１０から出射される。
【００６１】
なお、第１電極１１にハイ（Ｈ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０は開いた状態となる。
【００６２】
（シャッタービーム２３・２５の膜厚）
シャッタービーム２３は、先述のように、第１端部２３ａから第１電極１１の駆動ビーム１３に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１３の延伸方向へ屈曲している。また、シャッタービーム２３は、駆動ビーム１３の第２端部１３ｂ近傍にて第２端部１３ｂを囲むように外側へ屈曲している。このように、シャッタービーム２３には、２つの屈曲部（第１端部２３ａ側の第１屈曲部２３Ｒ１、及び、第２端部２３ｂ側の第２屈曲部２３Ｒ２）と、その間にある屈曲していない延伸部２３Ｓとの３つの部分に区分できる。そして、本実施形態１では、この延伸部２３Ｓにおけるシャッタービーム２３の膜厚（以下、単に、延伸部２３Ｓの膜厚という）が、第１屈曲部２３Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２におけるシャッタービーム２３の膜厚（以下、単に、第１屈曲部２３Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２の膜厚という）よりも薄く構成されている。ここで、シャッタービーム２３の膜厚は、図２の紙面手前から奥に向かって広がるシャッタービーム２３の一方側の面と当該面の裏側の面との間の長さであり、図３の（ａ）及び（ｂ）におけるシャッタービーム２３の延伸部２３Ｓに示す厚さｔ１である。
【００６３】
シャッタービーム２５についても、先述のように、第１端部２５ａから第２電極１４の駆動ビーム１６に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１６の延伸方向へ屈曲している。また、シャッタービーム２５は、駆動ビーム１６の第２端部１６ｂ近傍にて第２端部１６ｂを囲むように外側へ屈曲している。このように、シャッタービーム２５には、２つの屈曲部（第１端部２５ａ側の第１屈曲部２５Ｒ１、及び、第２端部２５ｂ側の第２屈曲部２５Ｒ２）と、その間にある屈曲していない延伸部２５Ｓとの３つの部分に区分できる。そして、本実施形態１では、この延伸部２５Ｓにおけるシャッタービーム２５の膜厚（以下、単に、延伸部２５Ｓの膜厚という）が、第１屈曲部２５Ｒ１及び第２屈曲部２５Ｒ２におけるシャッタービーム２５の膜厚（以下、単に、第１屈曲部２５Ｒ１及び第２屈曲部２５Ｒ２の膜厚という）よりも薄く構成されている。
【００６４】
更に、第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１、及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚は、図３の（ａ）及び（ｂ）における駆動ビーム１３・１６の膜厚と等しい。すなわち、延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚ｔ１は、駆動ビーム１３・１６の膜厚ｔ２よりも薄い。
【００６５】
なお、駆動ビーム１３・１６は、全領域において略均一な膜厚で構成されている。
【００６６】
例えば、第１屈曲部２５Ｒ１または第２屈曲部２５Ｒ２の膜厚は、０．１〜１．０μｍである。また、延伸部２５Ｓの膜厚は、第１屈曲部２５Ｒ１または第２屈曲部２５Ｒ２の膜厚の３０〜９０％であって、これによれば、シャッター体２２の動作速度の高速化を行うことができる。より好ましくは、延伸部２５Ｓの膜厚は、第１屈曲部２５Ｒ１または第２屈曲部２５Ｒ２の膜厚の４０〜８０％以下であって、これによれば、シャッター体２２の動作速度の著しい高速化を行うことができる。
【００６７】
以下に、上述のように膜厚を規定することによる作用効果について説明する。
【００６８】
本実施形態１のように、いわゆる「２スプリング」構造を有するＭＥＭＳシャッター１０は、基板４０から浮いた状態のシャッター体２２をスライドさせる際、そのスライド動作速度は、シャッタービーム２３・２５の膜厚に左右される。これは、シャッタービーム２３・２５の膜厚が厚くなればシャッタービーム２３・２５の（シャッター体移動方向の）曲げ剛性が増加して曲がりにくくなり、逆にシャッタービーム２３・２５の膜厚が薄くなればシャッタービーム２３・２５の曲げ剛性が減少して曲がりやすくなるためである。
【００６９】
しかしながら、「２スプリング」構造を有するＭＥＭＳシャッター１０は、シャッター体２２をスライドさせると、図２に矢印で示すねじれ方向に力がかかる。そのため、シャッタービーム２３・２５の膜厚が不適切に設計されていると、いわゆるシャッター落ちという動作不良を招く。
【００７０】
ここで、このシャッター落ちについて、比較構成のＭＥＭＳシャッターを用いて、説明する。比較構成のＭＥＭＳシャッターは、図１４に示したシャッタービーム５３５・５２５の膜厚が一様に、駆動ビーム５１３・５１６の膜厚よりも薄い構成となっている点で、本実施形態１のＭＥＭＳシャッター１０と異なる。
【００７１】
図１５は、図１４に示すＢ５００‐Ｂ５００’線断面図である。比較構成のＭＥＭＳシャッター５１０は、駆動ビーム５１３・５１６よりも膜厚の薄いシャッタービーム５３５・５２５（図１４）がシャッター体５２２の第１端部５２２ａ（図１４）近傍と接続されている。これにより、シャッター体５２２は下方の基板から浮いた状態に保持されているものの、第２端部５２２ｂ近傍は支持されていないため、第２端部５２２ｂは、第１端部５２２ａよりも、位置が下方へ下がりやすい。このように第２端部５２２ｂが下方へ下がると、凸部５３３（凸部５３２）が、下方の基板５４２や基板５４２に配置されている配線５４７などと接触する。シャッター体５２２が、下方の基板５４２や配線５４７等と接触すると、シャッター体５２２は正常なスライド動作ができなくなり、ＭＥＭＳシャッター５１０としての動作不良の原因となる。これが、いわゆるシャッター落ちである。
【００７２】
このような動作不良を生じさせないために、本実施形態１のＭＥＭＳシャッター１０は、シャッタービーム２３・２５について、図２に示した矢印の方向に力がかかる箇所に相当する第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１、及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚を、当該箇所以外の箇所に相当する延伸部２３Ｓの膜厚よりも厚くしている。これにより、図１５に示すシャッター落ちを抑制することができる。
【００７３】
そして、延伸部２３Ｓの膜厚は、第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１、及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄く構成することにより、シャッタービーム２３・２５の曲げ剛性を減少させてシャッター体２２の動作速度の高速化を実現している。
【００７４】
（ＭＥＭＳシャッター１０の製造方法）
次に、図６及び図７を用いて、ＭＥＭＳシャッター１０の製造方法について説明する。
【００７５】
図６はＭＥＭＳシャッター１０の製造工程の前半を表す図である。図７はＭＥＭＳシャッター１０の製造工程の後半を表す図である。
【００７６】
図６の（ａ）に示すように、基板４２上に配線４７をパターン形成する。
【００７７】
次に、図６の（ｂ）に示すように、基板４２及び配線４７を覆って、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。
【００７８】
そして、図６の（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における配線４７を露出させる。
【００７９】
次に、図６の（ｄ）に示すように、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。
【００８０】
そして、図６の（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィーにより、第２レジスト層６２をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域（すなわち、第１レジスト層６１に凹部が形成されている領域）、駆動ビーム１３・１６、シャッタービーム２３・２５、及び、シャッター体２２の凸部３２・３３の形成領域における第２レジスト層６２に凹部を形成する。
【００８１】
次に、図７の（ａ）に示すように、デポジションにより、高濃度に不純物がドープされた不純物半導体６３（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン）、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と配線４７とが接触する。なお、保護膜６５の一例としては、酸化シリコン(ＳｉＯ２)、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド(ＳｉＮＯ)等の無機膜を挙げることができる。金属膜６４は、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層することで得ることができる。ここでは、金属膜６４は、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉの積層構造とする。
【００８２】
そして、図７の（ｂ）に示すように、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における第３レジスト層６６に凹部を形成することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における保護膜６５を露出させる。
【００８３】
次に、図７の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における不純物半導体６３のみを残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。
【００８４】
次に、図７の（ｄ）に示すように、まず第３レジスト層６６を除去してから、第４レジスト層６７を形成する。次にドライエッチングにより、最終的にシャッタービーム２３・２５の一部（延伸部２３Ｓ・２５Ｓ）となる部分を薄膜化する。このとき、当該部分６３´のみが露出するように開口した第４のレジスト層６７を用いる。
【００８５】
次に、図７の（ｅ）に示すように、ＣＦ４及びＯ２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第４レジスト層６７）を剥離する。
【００８６】
次に、図７の（ｆ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。
【００８７】
以上の工程を経て、ＭＥＭＳシャッター１０が完成する。
【００８８】
この後、ＭＥＭＳシャッター１０が設けられた基板４２を対向基板５１（図３）と貼り合せ、ＭＥＭＳシャッター１０が設けられた基板４２と、対向基板５１との間にシリコンオイル５２（図３）を注入し、各種回路を接続することで、表示装置１（図２）が完成する。
【００８９】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図８及び図９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００９０】
図８は、本実施形態２に係るＭＥＭＳシャッター１０ａの構成を表す平面図である。図９の（ａ）は、図８に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが閉の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。図９の（ｂ）は、図８に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが開の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。
【００９１】
本実施形態２のＭＥＭＳシャッター１０ａは、上述の実施形態１のＭＥＭＳシャッター１０（図１から図３参照）のうちの駆動ビーム１３・１６の一部が、延伸部２３Ｓ・２５Ｓと同じく薄膜となっている点において実施形態１と異なる。以下、これについて説明する。
【００９２】
図８及び図９に示す本実施形態２のＭＥＭＳシャッター１０ａは、駆動ビーム１３が、駆動ビームアンカー１２との接続部近傍である第１端部１３ａを始点として、当該第１端部１３ａから逆側の第２端部１３ｂにかけて延伸している。第１端部１３ａ及び第２端部１３ｂは、屈曲している部分を含む。一方、駆動ビーム１３のうち、第１端部１３ａと第２端部１３ｂとの間には、屈曲しておらず、且つ概ねＹ軸方向に沿って延伸した中央部１３Ｓが設けられている。本実施形態２では、この中央部１３Ｓの膜厚が、第１端部１３ａ及び第２端部１３ｂの膜厚よりも薄く構成されている点で、駆動ビーム１３の膜厚が一様である実施形態１と異なる。ここで、中央部１３Ｓの膜厚は、図８の紙面手前から奥に向かって広がる駆動ビーム１３の一方側の面と当該面の裏側の面との間の長さであり、図９の（ａ）及び（ｂ）における駆動ビーム１３の中央部１３Ｓに示す厚さｔ１である。
【００９３】
また、駆動ビーム１６が、駆動ビームアンカー１５との接続部近傍である第１端部１６ａを始点として、当該第１端部１６ａから逆側の第２端部１６ｂにかけて延伸している。第１端部１６ａ及び第２端部１６ｂは、屈曲している部分を含む。一方、駆動ビーム１６のうち、第１端部１６ａと第２端部１６ｂとの間には、屈曲しておらず、且つ概ねＹ軸方向に沿って延伸した中央部１６Ｓが設けられている。本実施形態２では、この中央部１６Ｓの膜厚が、第１端部１６ａ及び第２端部１６ｂの膜厚よりも薄く構成されている点でも、駆動ビーム１６の膜厚が一様である実施形態１と異なる。ここで、中央部１６Ｓの膜厚は、図８の紙面手前から奥に向かって広がる駆動ビーム１６の一方側の面と当該面の裏側の面との間の長さであり、図９の（ａ）及び（ｂ）における駆動ビーム１６の中央部１６Ｓに示す厚さｔ１である。
【００９４】
中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚ｔ１は、シャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚ｔ１と等しい。なお、駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓ以外の部分の膜厚は、シャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚と等しい。
【００９５】
このように、本実施形態２では、駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓを薄膜としている。これにより、シャッター体２２のスライド動作速度を、実施形態１よりも更に高速にすることができる。シャッター体２２のスライド動作において、シャッタービーム２３・２５と同様、駆動ビーム１３・１６も変形するため、駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚を薄くすれば、駆動ビーム１３・１６の曲げ剛性が低下し、シャッター体２２のスライド動作速度が高速になる。
【００９６】
詳細に説明するためシャッター体２２のスライド動作の様子を図１０に示す。ここでは、例として、シャッター体２２が、駆動ビーム１６の側に移動する様子を示す。図１０の（ａ）はシャッター体２２がスライド動作していない状態（中間位置）にいる状態であって、図１０の（ｂ）は、駆動ビーム１６とシャッタービーム２３の間に与えられた電位差によって、シャッター体２２がスライド動作を行っている途中の状態であって、図１０の（ｃ）はシャッター体２２がスライド動作を行ってシャッター閉状態となっている状態である。
【００９７】
図１０の（ｂ）のように、シャッター体２２のスライド動作においては、まず駆動ビーム１６の先端部分である第２端部１６ｂがシャッタービーム２３の対向する部位に接触した後、駆動ビーム１６の後端部分である第１端部１６ａの部分までの範囲で駆動ビーム１６とシャッタービーム２３が次第に接触していくという動作（ジッピングモーション）により、駆動ビーム１６とシャッタービーム２３が接触して、それに伴ってシャッター体２２がスライド動作を行う。このようにシャッター体２２のスライド動作は、駆動ビーム１６の変形を伴う。したがって、駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚を薄くすることによって駆動ビーム１３・１６の曲げ剛性が低下し、シャッター体２２のスライド動作速度が高速になる。
【００９８】
駆動ビーム１３・１６は、先述したシャッター落ちには関係しないため、本実施形態２も実施形態１と同様にシャッター落ちが生じ難い態様である。
【００９９】
なお、駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓを薄膜にする工程は、上述の実施形態１において説明したシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの薄膜化工程と同一工程において実現することができる。このとき、本実施形態２では、最終的にシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓとなる箇所に加えて、最終的に駆動ビーム１３・１６の中央部１３Ｓ・１６Ｓとなる箇所が露出するように開口しているレジストマスクを用いればよい。
【０１００】
〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、図１１及び図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１０１】
図１１は、本実施形態３に係るＭＥＭＳシャッター１０ｂの構成を表す平面図である。図１２の（ａ）は、図１１に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが閉の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。図１２の（ｂ）は、図１１に示す切断線Ａ−Ａ´における矢視断面図であり、シャッターが開の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。
【０１０２】
本実施形態３のＭＥＭＳシャッター１０ｂは、上述の実施形態１のＭＥＭＳシャッター１０（図１から図３参照）のうちのシャッタービーム２３・２５及び駆動ビーム１３・１６が異なる。以下、これについて説明する。
【０１０３】
図１１及び図１２に示す本実施形態３のＭＥＭＳシャッター１０ｂは、シャッタービーム２３´・２５´が全体に等しい膜厚であり、且つ実施形態１のような薄膜化された延伸部を有していない。すなわち、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態３では、シャッタービーム２３´・２５´が全体に膜厚ｔ２を有し、この膜厚ｔ２は、実施形態１におけるシャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚と等しい。
【０１０４】
また、本実施形態３では、駆動ビーム１３´・１６´が全体に等しい膜厚で、且つ実施形態１の駆動ビーム１３・１６の膜厚よりも薄い。具体的には、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、駆動ビーム１３´・１６´が全体に膜厚ｔ１を有し、この膜厚ｔ１は、実施形態１におけるシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚と等しい。
【０１０５】
すなわち、本実施形態３では、全体に等しい膜厚である駆動ビーム１３´・１６´が、全体に等しい膜厚であるシャッタービーム２３´・２５´よりも薄膜に構成されている。これにより、実施形態２と同様に、シャッター体２２のスライド動作速度を高速にすることができる。
【０１０６】
なお、駆動ビーム１３´・１６´全体を薄膜にする工程は、上述の実施形態１において説明したシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの薄膜化工程に代えて実施すればよい。このとき、本実施形態３では、最終的に駆動ビーム１３´・１６´となる部分が露出するように開口しているレジストマスクを用いればよい。
【０１０７】
〔実施形態４〕
本発明の他の実施形態について、図１３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１０８】
図１３は、本実施形態４に係るＭＥＭＳシャッター１０ｃの構成を表す平面図である。
【０１０９】
本実施形態４のＭＥＭＳシャッター１０ａは、上述の実施形態１のＭＥＭＳシャッター１０（図１から図３参照）のうちの駆動ビーム１３´・１６´が全体的に、延伸部２３Ｓ・２５Ｓと同じく薄膜となっている点において実施形態１と異なる。
【０１１０】
より具体的には、図１３に示す本実施形態２のＭＥＭＳシャッター１０ｃは、駆動ビーム１３´・１６´が全体に、シャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚ｔ１（図３）と等しい。
【０１１１】
このように、本実施形態４では、駆動ビーム１３´・１６´を全体に薄膜としている。これにより、実施形態２と同様に、シャッター体２２のスライド動作速度を、実施形態１よりも更に高速にすることができる。
【０１１２】
駆動ビーム１３´・１６´は、先述したシャッター落ちには関係しないため、本実施形態４も実施形態１と同様にシャッター落ちが生じ難い態様である。
【０１１３】
なお、駆動ビーム１３´・１６´を薄膜にする工程は、上述の実施形態１において説明したシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの薄膜化工程と同一工程において実現することができる。このとき、本実施形態２では、最終的にシャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓとなる箇所に加えて、最終的に駆動ビーム１３´・１６´となる箇所が露出するように開口しているレジストマスクを用いればよい。
【０１１４】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係るＭＥＭＳシャッター１０は、
基板４２と、
開口部（シャッター体開口部３１）が設けられたシャッター体２２と、
シャッター体２２における対向する側部２２ｄ・２２ｅに夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体２２を移動可能にするシャッタービーム２３・２５と、
上記基板４２に固定され、各上記シャッタービーム２３・２５を支持するシャッターアンカー（シャッタービームアンカー２４・２６）とを備え、
各上記シャッタービーム２３・２５は、上記シャッター体２２と接続する接続部（第１端部２３ａ・２５ａ）を含み屈曲した第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１と、上記シャッターアンカー（シャッタービームアンカー２４・２６）に接続する接続部（第２端部２３ｂ・２５ｂ）を含み屈曲した第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２と、当該第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１と当該第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２との間にあり、シャッター体２２の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板４２と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部２３Ｓ・２５Ｓとを有し、
上記延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚は、上記第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び上記第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄い、
ことを特徴としている。
【０１１５】
上記の構成によれば、シャッター開閉の動作速度が速く、且つ動作不良を生じ難いＭＥＭＳシャッターを実現できる。
【０１１６】
具体的には、上記の構成によれば、各シャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚ｔ１が、当該各シャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄く構成されている。そのため、シャッタービームの延伸部、第１屈曲部及び第２屈曲部が全て同じ膜厚によって構成されている場合に比べて、薄くなっている延伸部２３Ｓ・２５Ｓにおいてシャッタービーム２３・２５の曲げ剛性を減少させてシャッター開閉の動作速度をより一層速くすることができる。
【０１１７】
また、上記の構成によれば、シャッタービーム２３・２５の延伸部２３Ｓ・２５Ｓに比べて、当該シャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２は、膜厚が厚い。ここで、シャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２には、シャッタービーム２３・２５が弾性変形する際にねじれ方向に力がかかりやすい。そのため、仮にシャッタービームの第１屈曲部及び第２屈曲部を延伸部と同様に薄くするとシャッター落ちを起こしやすくなってしまうところ、上記の構成によれば、第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２が延伸部２３Ｓ・２５Ｓよりも厚いため、シャッター落ちは生じ難くなる。
【０１１８】
本発明の態様２に係るＭＥＭＳシャッターは、上記態様１において、
上記シャッター体２２を挟むようにして上記基板４２に配設された第１電極１１及び第２電極１４を更に備え、
上記第１電極１１及び上記第２電極１４は、夫々、駆動ビームアンカー１２・１５と、当該駆動ビームアンカー１２・１５に接続された駆動ビーム１３・１６とを有し、
各上記駆動ビーム１３・１６は、上記駆動ビームアンカー１２・１５に接続している側に近い第１端部１３ａ・１６ａと、上記駆動ビームアンカー１２・１５に接続している側から離れた第２端部１３ｂ・１６ｂと、当該第１端部１３ａ・１６ａと当該第２端部１３ｂ・１６ｂとの間にあり、上記第２方向に沿って延伸しており、上記延伸部２３Ｓ・２５Ｓと上記第１方向に沿って並んだ中央部１３Ｓ・１６Ｓとを有し、
上記中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚は、上記第１端部１３ａ・１６ａ及び上記第２端部１３ｂ・１６ｂの膜厚よりも薄い構成であってもよい。
【０１１９】
上記の構成によれば、シャッター開閉の動作速度をより一層速くすることができる。
【０１２０】
本発明の態様３に係るＭＥＭＳシャッター１０は、上記態様２において、
上記延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚は、上記中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚と等しく、
上記第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び上記第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚は、上記第１端部１３ａ・１６ａ及び上記第２端部１３ｂ・１６ｂの膜厚と等しい構成であってもよい。
【０１２１】
上記の構成のように延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚と上記中央部１３Ｓ・１６Ｓの膜厚とを等しい膜厚とする場合、プロセス上、実施形態２において説明したように薄膜化の処理を同時に行うことができる。なお、この際は、図７の（ｄ）に示した第４のレジスト層６７の形状を実施形態１より少し変えるのみで対応が可能である。
【０１２２】
本発明の態様４に係るＭＥＭＳシャッター１０ｃは、上記態様１において、
上記シャッター体２２を挟むようにして上記基板４２に配設された第１電極１１及び第２電極１４を更に備え、
上記第１電極１１及び上記第２電極１４は、夫々、駆動ビームアンカー１２・１５と、当該駆動ビームアンカー１２・１５に接続された駆動ビーム１３´・１６´とを有し、
各上記駆動ビーム１３´・１６´の膜厚は、上記シャッタービーム２３・２５の上記第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び上記第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄い構成であってもよい。
【０１２３】
本発明の態様５に係るＭＥＭＳシャッターは、上記態様４において、
各上記駆動ビーム１３´・１６´の膜厚は、上記延伸部２３Ｓ・２５Ｓの膜厚と等しい構成であってもよい。
【０１２４】
本発明の態様６に係るＭＥＭＳシャッターは、上記態様１から態様５の何れかにおいて、
上記シャッター体２２の各上記側部２２ｄ・２２ｅは、上記第２方向に沿って延伸しており、
上記接続部（第１端部２３ａ・２５ａ）は、各上記側部２２ｄ・２２ｅにある一方の端と他方の端のうちの同じ側にある端（第１端部２２ａ）の近傍に設けられており、
上記第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２は、各上記側部２２ｄ・２２ｅにある一方の端と他方の端のうちの、上記接続部（第１端部２３ａ・２５ａ）が設けられている側の端とは反対側の端の近傍にある、構成であってもよい。
【０１２５】
本発明の態様７に係るＭＥＭＳシャッターは、
基板４２と、
開口部（シャッター体開口部３１）が設けられたシャッター体２２と、
シャッター体２２における対向する側部２２ｄ・２２ｅに夫々設けられ、弾性変形することによって当該シャッター体２２を移動可能にするシャッタービーム２３・２５と、
上記基板４２に固定され、各上記シャッタービーム２３・２５を支持するシャッターアンカー（シャッタービームアンカー２４・２６）と、
上記シャッター体２２を挟むようにして上記基板４２に配設された第１電極１１及び第２電極１４とを備え、
各上記シャッタービーム２３・２５は、上記シャッター体２２と接続する第１端部２３ａ・２５ａ（接続部）を含み屈曲した第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１と、上記シャッターアンカー（シャッタービームアンカー２４・２６）に接続する第２端部２３ｂ・２５ｂ（接続部）を含み屈曲した第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２と、当該第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１と当該第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２との間にあり、シャッター体２２の移動方向を第１方向としたときに当該第１方向と垂直であり且つ上記基板４２と平行な方向である第２方向に沿って延伸する延伸部２３Ｓ・２５Ｓとを有し、
上記第１電極１１及び上記第２電極１４は、夫々、駆動ビームアンカー１２・１５と、当該駆動ビームアンカー１２・１５に接続された駆動ビーム１３・１６とを有し、
上記駆動ビーム１３・１６の膜厚は、上記第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び上記第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄い、
ことを特徴としている。
【０１２６】
上記の構成によれば、シャッター開閉の動作速度が速く、且つ動作不良を生じ難いＭＥＭＳシャッターを実現できる。
【０１２７】
具体的には、上記の構成によれば、各駆動ビーム１３・１６の膜厚が、各シャッタービーム２３・２５の第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚よりも薄く構成されている。そのため、駆動ビームの膜厚が、各シャッタービームの第１屈曲部及び第２屈曲部と同じ膜厚によって構成されている場合に比べて、駆動ビームの曲げ剛性を低下させてシャッター開閉の動作速度を速くすることができる。
【０１２８】
また、上記の構成によれば、シャッタービームの第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２の膜厚を充分に厚くすることができる。ここで、シャッタービームの第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２には、シャッタービームが弾性変形する際にねじれ方向に力がかかりやすい。そのため、仮にシャッタービームの第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２を薄くするとシャッター落ちを起こしやすくなってしまうところ、上記の構成によれば、第１屈曲部２３Ｒ１・２５Ｒ１及び第２屈曲部２３Ｒ２・２５Ｒ２は薄くしないため、シャッター落ちは生じ難い。
【０１２９】
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置１は、上述の構成を具備したＭＥＭＳシャッター１０を備えていることを特徴としている。
【０１３０】
また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る電子機器（表示装置１）は、上述の構成を具備したＭＥＭＳシャッター１０を備えていることを特徴としている。
【０１３１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１  表示装置
２  表示部
３Ｄ  ソースドライバ
３Ｇ  ゲートドライバ
４  ＣＦ
５Ａ、５Ｂ  スイッチング素子
６Ａ、６Ｂ  保持容量
７  画素
８  コントローラ
９  バックライト
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ  ＭＥＭＳシャッター
１１  第１電極
１２、１５  駆動ビームアンカー
１３、１６  駆動ビーム
１３ａ、１６ａ  駆動ビームの第１端部
１３ｂ、１６ｂ  駆動ビームの第２端部
１３Ｓ、１６Ｓ  中央部
１４  第２電極
２１  シャッター構造
２２  シャッター体
２２ａ  シャッター体の第１端部
２２ｂ  シャッター体の第２端部
２２ｄ  第１側部
２２ｅ  第２側部
２３、２５  シャッタービーム
２３ａ、２５ａ  シャッタービームの第１端部
２３ｂ、２５ｂ  シャッタービームの第２端部
２３ｃ、２５ｃ  対向部
２３Ｒ１、２５Ｒ１  第１屈曲部
２３Ｒ２、２５Ｒ２  第２屈曲部
２３Ｓ、２５Ｓ  延伸部
２４、２６  シャッタービームアンカー（シャッターアンカー）
３１  シャッター体開口部（開口部）
３２、３３  凸部
４０、４２  基板
４１  基板開口部
４３  ガラス基板
４４  遮光部
４５、４７  配線
４６  絶縁層
５１  対向基板
５２  シリコンオイル
６１  第１レジスト層
６２  第２レジスト層
６３  不純物半導体
６３  部分
６４  金属膜
６５  保護膜
６６  第３レジスト層
６８  保護層
Ｄ１、Ｄ２  データ線
Ｇ１、Ｇ２  ゲート線
【図１】
2018045044.tif 000003
【図２】
2018045044.tif 000004
【図３】
2018045044.tif 000005
【図４】
2018045044.tif 000006
【図５】
2018045044.tif 000007
【図６】
2018045044.tif 000008
【図７】
2018045044.tif 000009
【図８】
2018045044.tif 000010
【図９】
2018045044.tif 000011
【図１０】
2018045044.tif 000012
【図１１】
2018045044.tif 000013
【図１２】
2018045044.tif 000014
【図１３】
2018045044.tif 000015
【図１４】
2018045044.tif 000016
【図１５】
2018045044.tif 000017