(57)【要約】【課題】  応力集中に起因する機能低下を抑制することが可能な磁電変換素子および磁電変換モジュールを提供すること。【解決手段】  磁電変換素子Ａ１は、基板１と基板１上に形成された感磁層２と、感磁層２の一部を露出させる第１開口３１を有する第１絶縁層３と、第１開口３１から露出した感磁層２に積層された下地導電層４と、下地導電層４の一部を露出させる第２開口５１を有する第２絶縁層５と、第２絶縁層５から露出した下地導電層４に積層された端子導電部６と、を備えており、第２開口５１は、平面視において第１開口３１に内包されている。【選択図】  図４
2018011038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と
前記基板上に形成された感磁層と、
前記感磁層の一部を露出させる第１開口を有する第１絶縁層と、
前記第１開口から露出した前記感磁層に積層された下地導電層と、
前記下地導電層の一部を露出させる第２開口を有する第２絶縁層と、
前記第２開口から露出した前記下地導電層に積層された端子導電部と、を備えており、
前記第２開口は、平面視において前記第１開口に内包されていることを特徴とする、磁電変換素子。
【請求項２】
前記端子導電部は、前記第２開口を埋める充填部と、平面視において前記第２開口から延出する延出部と、を有しており、
前記延出部は、平面視において前記第１開口に内包されている、請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項３】
前記第１開口は、前記基板の一部を露出させている、請求項２に記載の磁電変換素子。
【請求項４】
前記下地導電層は、前記第１開口から露出した前記基板に積層されている、請求項３に記載の磁電変換素子。
【請求項５】
前記下地導電層は、前記基板および前記感磁層のうち前記第１開口から露出した部分のすべてを覆っている、請求項４に記載の磁電変換素子。
【請求項６】
前記下地導電層は、平面視において前記第１開口よりも大である、請求項５に記載の磁電変換素子。
【請求項７】
前記下地導電層は、平面視において前記端子導電部よりも大である、請求項６に記載の磁電変換素子。
【請求項８】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚さが大である、請求項１ないし７のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項９】
前記第２絶縁層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項１０】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも軟質な材料からなる軟質層を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項１１】
前記第２絶縁層は、前記軟質層よりも硬質な材料からなり且つ前記軟質層と前記第１絶縁層との間に介在する硬質層を含む、請求項１０に記載の磁電変換素子。
【請求項１２】
前記軟質層と前記硬質層とは、前記第２開口を構成する内縁が平面視において互いに一致している、請求項１１に記載の磁電変換素子。
【請求項１３】
前記軟質層は、前記硬質層よりも厚さが大である、請求項１１ないし１２のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項１４】
前記硬質層と前記第１絶縁層とは、同じ材質からなる、請求項１３に記載の磁電変換素子。
【請求項１５】
前記硬質層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含む、請求項１０ないし１４のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項１６】
前記軟質層は、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む、請求項１５に記載の磁電変換素子。
【請求項１７】
前記基板は、半絶縁性の化合物半導体基板である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項１８】
前記感磁層は、ｎ型不純物が添加された化合物半導体を含む、請求項１７に記載の磁電変換素子。
【請求項１９】
前記感磁層は、前記化合物半導体としてのＧａＡｓ、ＩｎＳｂまたはＩｎＡｓを含む、請求項１８に記載の磁電変換素子。
【請求項２０】
前記感磁層は、前記ｎ型不純物としてのＳｉを含む、請求項１９に記載の磁電変換素子。
【請求項２１】
前記第１絶縁層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含む、請求項１ないし２０のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項２２】
前記下地導電層は、Ａｕを含む、請求項１ないし２１のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項２３】
前記端子導電部は、Ｎｉを含む、請求項１ないし２２のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項２４】
前記端子導電部は、ＰｄおよびＡｕをさらに含む、請求項２３に記載の磁電変換素子。
【請求項２５】
前記下地導電層は、最上層をなし且つ平面視において前記第２絶縁層の前記第２開口と前記端子導電部との境界に重なる侵食抑制層を含む、請求項１ないし２４のいずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項２６】
請求項１ないし２５のいずれかに記載された前記磁電変換素子と、
主面および当該主面から凹み且つ前記磁電変換素子を収容する凹部を有するモジュール基板と、
前記基板に形成されたモジュール配線層と、
前記磁電変換素子の前記端子導電部と前記モジュール配線層とを接合する導電性接合層と、
前記凹部に充填され且つ前記磁電変換素子を覆う封止樹脂と、
を備えることを特徴とする、磁電変換モジュール。
【請求項２７】
前記封止樹脂は、前記凹部の底面と前記磁電変換素子との間に介在する、請求項２６に記載の磁電変換モジュール。
【請求項２８】
前記封止樹脂の線膨張係数は、転移点以下において前記端子導電部の線膨張係数よりも小であり、転移点以上において前記端子導電部の線膨張係数よりも大である、請求項２７に記載の磁電変換モジュール。
【請求項２９】
前記モジュール基板は、半導体材料の単結晶からなる、請求項２６ないし２８のいずれかに記載の磁電変換モジュール。
【請求項３０】
前記半導体材料は、Ｓｉである、請求項２９に記載の磁電変換モジュール。
【請求項３１】
前記主面は、前記モジュール基板の厚さ方向に直交し、且つ、平坦である、請求項３０に記載の磁電変換モジュール。
【請求項３２】
前記主面は、（１００）面である、請求項３１に記載の磁電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁電変換素子および磁電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁電変換素子の一例として、ホール素子が知られている。ホール素子は、磁気信号を電気信号に変換することが可能であるから、電流センサや、モータの回転角検出センサなどの幅広い分野で利用されている。従来のホール素子の構成は、たとえば特許文献１に開示されている。特許文献１は、基板と、基板上に形成された平面視で十字形状を成す感磁部（感磁層）と感磁部に導通する端子導電部を含むホール素子を開示している。
【０００３】
たとえば、ホール素子が実装された磁電変換モジュールにおいては、端子導電部が、たとえばはんだ接合によってモジュール基板等に接合される。この接合部分は、磁電変換モジュールの製造過程や使用中において、応力の集中が生じやすい。この応力集中が顕著であると、ホール素子の出力電力が不正となるなどの機能低下が懸念される。
【０００４】
また、磁電変換モジュールの使用時等には、水分やはんだのＳｎがホール素子の内部に進入するおそれがある。これにより、ホール素子の端子導電部間の抵抗が不正な値となり、ホール素子の感磁精度が低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２０７０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、応力集中に起因する機能低下を抑制することが可能な磁電変換素子および磁電変換モジュールを提供することをその課題とする。また、本発明は、磁電変換素子の感磁精度を向上させることを他の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される磁電変換素子は、基板と前記基板上に形成された感磁層と、前記感磁層の一部を露出させる第１開口を有する第１絶縁層と、前記第１開口から露出した前記感磁層に積層された下地導電層と、前記下地導電層の一部を露出させる第２開口を有する第２絶縁層と、前記第２開口から露出した前記下地導電層に積層された端子導電部と、を備えており、前記第２開口は、平面視において前記第１開口に内包されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記端子導電部は、前記第２開口を埋める充填部と、平面視において前記第２開口から延出する延出部と、を有しており、前記延出部は、平面視において前記第１開口に内包されている。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１開口は、前記基板の一部を露出させている。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、前記第１開口から露出した前記基板に積層されている。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、前記基板および前記感磁層のうち前記第１開口から露出した部分のすべてを覆っている。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、平面視において前記第１開口よりも大である。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、平面視において前記端子導電部よりも大である。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚さが大である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２絶縁層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも軟質な材料からなる軟質層を含む。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２絶縁層は、前記軟質層よりも硬質な材料からなり且つ前記軟質層と前記第１絶縁層との間に介在する硬質層を含む。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記軟質層と前記硬質層とは、前記第２開口を構成する内縁が平面視において互いに一致している。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記軟質層は、前記硬質層よりも厚さが大である。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記硬質層と前記第１絶縁層とは、同じ材質からなる。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記硬質層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含む。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記軟質層は、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、半絶縁性の化合物半導体基板である。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記感磁層は、ｎ型不純物が添加された化合物半導体を含む。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記感磁層は、前記化合物半導体としてのＧａＡｓ、ＩｎＳｂまたはＩｎＡｓを含む。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記感磁層は、前記ｎ型不純物としてのＳｉを含む。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１絶縁層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含む。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、Ａｕを含む。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記端子導電部は、Ｎｉを含む。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記端子導電部は、ＰｄおよびＡｕをさらに含む。
【００３１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下地導電層は、最上層をなし且つ平面視において前記第２絶縁層の前記第２開口と前記端子導電部との境界に重なる侵食抑制層を含む。
【００３２】
本発明の第２の側面によって提供される磁電変換モジュールは、本発明の第１の側面によって提供される前記磁電変換素子と、主面および当該主面から凹み且つ前記磁電変換素子を収容する凹部を有するモジュール基板と、前記基板に形成されたモジュール配線層と、前記磁電変換素子の前記端子導電部と前記モジュール配線層とを接合する導電性接合層と、前記凹部に充填され且つ前記磁電変換素子を覆う封止樹脂と、を備えることを特徴としている。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記封止樹脂は、前記凹部の底面と前記磁電変換素子との間に介在する。
【００３４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記封止樹脂の線膨張係数は、転移点以下において前記端子導電部の線膨張係数よりも小であり、転移点以上において前記端子導電部の線膨張係数よりも大である。
【００３５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記モジュール基板は、半導体材料の単結晶からなる。
【００３６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体材料は、Ｓｉである。
【００３７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面は、前記モジュール基板の厚さ方向に直交し、且つ、平坦である。
【００３８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面は、（１００）面である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、平面視において、前記第２開口が前記第１開口に内包されている。前記第２開口は、前記端子導電部が形成される箇所である。前記端子導電部は、前記磁電変換素子の実装に用いられる箇所であり、外力が作用する可能性が高い。このため、前記第２開口と前記端子導電部との境界には、比較的応力集中が生じやすい。しかし、この第２開口と端子導電部との境界の直下には、たとえば前記第１絶縁層と前記下地導電層とが重なりあった部位が存在しない。発明者の研究によれば、この重なり合った部位に応力が作用すると、前記感磁層および前記基板に影響を及ぼし、出力電圧が不正になるなどの機能低下が生じうることが判明した。したがって、本発明によれば、このような応力集中による機能低下を抑制することができる。
【００４０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態に基づく磁電変換モジュールを示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に基づく磁電変換素子を示す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
【図５】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】図２の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に基づく磁電変換素子を示す要部拡大断面図である。
【図１２】図１１の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１３】図１１の磁電変換素子の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に基づく磁電変換素子を示す要部拡大断面図である。
【図１５】図１４のＸＶ部を示す要部拡大断面図である。
【図１６】図１４のＸＶＩ部を示す要部拡大断面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態に基づく磁電変換素子を示す要部拡大断面図である。
【図１８】本発明の第５実施形態に基づく磁電変換素子を示す要部拡大断面図である。
【図１９】本発明の第６実施形態に基づく磁電変換素子を示す要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００４３】
図１〜図４は、本発明の第１実施形態に基づく磁電変換素子および磁電変換モジュールを示している。本実施形態の磁電変換モジュールＢ１は、図１に示すように、磁電変換素子Ａ１、モジュール基板７１、モジュール配線層７２、封止樹脂７３および実装パッド７４を備えている。図１〜図４に示すように、本実施形態の磁電変換素子Ａ１は、基板１、感磁層２、第１絶縁層３、複数の下地導電層４、第２絶縁層５および複数の端子導電部６を備えている。
【００４４】
図１は、磁電変換モジュールＢ１を示す断面図である。図２は、磁電変換素子Ａ１を示す平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。
【００４５】
基板１は、磁電変換素子Ａ１の土台をなすものである。基板１としては、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、サファイア単結晶基板、化合物半導体基板、比較的大きい抵抗値の半絶縁性基板等を採用できる。基板１が、が化合物半導体基板の場合、基板１は、ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓまたはＧａＡｓを含んでいてもよい。本実施形態では、基板１は、ＧａＡｓを含む半絶縁性の化合物半導体基板を含む。基板１の形状および大きさは特に限定されず、その一例として、平面視で０．２７ｍｍＸ０．２７ｍｍの略直方体形状のものが挙げられる。
【００４６】
感磁層２は、ｎ型不純物が添加された化合物半導体を含む。感磁層２は、化合物半導体としてのＩｎＳｂ，ＩｎＡｓまたはＧａＡｓを含んでいてもよい。感磁層２は、ｎ型不純物としてのＳｉを含んでいてもよい。本実施形態では、感磁層２は、ＧａＡｓを含み、正の抵抗温度係数を有している。「抵抗温度係数」とは、１℃あたりの抵抗値の変化量の百万分率で定義される。感磁層２の厚さは、たとえば２０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。
【００４７】
図２に示すように、本実施形態の感磁層２は、一対の入力側領域２１および一対の出力側領域２２を有している。一対の入力側領域２１は、基板１および感磁層２の平面視中央から、ｘ方向およびｙ方向に対して交差する方向に、それぞれ反対側に延びている。一対の出力側領域２２は、ｘ方向およびｙ方向に対して交差する方向に、それぞれ反対側に延びており、一対の入力側領域２１とは、略線対称の関係となっている。すなわち、一対の入力側領域２１と一対の出力側領域２２とは、平面視略矩形状の基板１の一対の対角線に沿って延びる配置とされている。
【００４８】
第１絶縁層３は、基板１および感磁層２の一部ずつを覆っている。第１絶縁層３は、たとえばＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮからなる。以降の説明においては、第１絶縁層３がＳｉＮからなる場合を例に説明する。第１絶縁層３の厚さは、たとえば１０００Å〜３０００Åである。第１絶縁層３は、４つの第１開口３１を有している。第１開口３１は、感磁層２の一部を露出させている。本実施形態においては、２つの第１開口３１が、一対の入力側領域２１の一部をそれぞれ露出させており、２つの第１開口３１が、一対の出力側領域２２の一部をそれぞれ露出されている。また、本実施形態においては、第１開口３１は、感磁層２から露出した基板１の一部を露出させている。なお、第１開口３１は、基板１および感磁層２の一部ずつを露出させるものに限定されず、たとえば、感磁層２のみを露出させるものであってもよい。この場合、仮に平面視において基板１、感磁層２および第１絶縁層３のみを観察した場合、第１開口３１の内側には、感磁層２のみが表れる。
【００４９】
本実施形態においては、図２に示すように、第１開口３１の平面視形状は、ｘ方向に沿う一対の辺、ｙ方向に沿う一対の辺、およびｘ方向に沿う辺とｙ方向に沿う辺との間に介在する斜辺、の５辺を有する形状である。前記斜辺は、感磁層２（入力側領域２１または出力側領域２２）と交差している。
【００５０】
４つの下地導電層４は、感磁層２とオーミックコンタクトを形成するためのものであり、感磁層２のうち４つの第１開口３１から露出した部分にそれぞれ積層されている。図４に示すように、本実施形態においては、下地導電層４は、感磁層被覆部４ａ、基板被覆部４ｂおよび延出部４ｃを有する。
【００５１】
感磁層被覆部４ａは、感磁層２を覆う部分である。基板被覆部４ｂは、基板１のうち第１開口３１から露出した部分を覆う部分である。延出部４ｃは、第１開口３１から延出して、第１絶縁層３を覆う部分である。図示された例においては、感磁層被覆部４ａおよび基板被覆部４ｂによって第１開口３１の全てが占められている。すなわち、下地導電層４は、平面視において第１開口３１のすべてを内包している。
【００５２】
下地導電層４は、感磁層２とオーミックコンタクトを形成可能な材質からなり、その一例としてＡｕを主成分とするＧｅおよびＮｉとの合金が挙げられる。下地導電層４の厚さは、たとえば１０００Å〜３０００Åである。本実施形態においては、図２に示すように、下地導電層４の平面視形状は、第１開口３１と略相似形状の５辺を有する形状である。
【００５３】
第２絶縁層５は、第１絶縁層３および下地導電層４の少なくとも一部を覆っており、絶縁性材料からなる。第２絶縁層５の材質としては、たとえばＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂が挙げられる。以降の説明においては、第２絶縁層５がＳｉＮからなる場合を例に説明する。第２絶縁層５の厚さは、たとえば０．８μｍ〜５．０μｍであり、好ましくは、第１絶縁層３の厚さよりも大である。
【００５４】
第２絶縁層５は、４つの第２開口５１を有する。第２開口５１は、各々が下地導電層４の少なくとも一部を露出させている。第２開口５１は、平面視において第１開口３１に内包されている。本実施形態においては、図２に示すように、第２開口５１の平面視形状は、第１開口３１と略相似形状の５辺を有する形状である。本実施形態においては、第２開口５１は、その内部のすべてが下地導電層４によって占められている。
【００５５】
４つの端子導電部６は、磁電変換素子Ａ１と外部との導通を図るための部位である。端子導電部６は、第２開口５１から露出した下地導電層４に積層されている。端子導電部６は、主成分としてたとえばＮｉを含む。また、端子導電部６は、ＰｄおよびＡｕをさらに含む。なお、ＰｄおよびＡｕは、典型的には、主成分としてＮｉの表層にごく薄い層として積層された形態とされる。端子導電部６の厚さとしては、たとえばＮｉからなる層が、０．８μｍ〜５．０μｍであり、Ｐｄからなる層が０，０８μ〜０．２μｍであり、Ａｕからなる層が０．０２μｍ〜０．０５μｍである。図３および図４に示すように、端子導電部６の厚さは、第２絶縁層５の厚さよりも大であり、端子導電部６は、第２絶縁層５からｚ方向に突出している。
【００５６】
図４に示すように、本実施形態の端子導電部６は、充填部６１および延出部６２を有する。充填部６１は、第２開口５１を埋める部分である。図示された例においては、第２開口５１によって形成される空間のすべてが、充填部６１によって埋められている。延出部６２は、平面視において第２開口５１から延出する部分である。図２および図４に示すように、端子導電部６は、延出部６２を有するものの、平面視において第１開口３１および下地導電層４に内方されている。なお、図４に示す一点鎖線は、端子導電部６（充填部６１）の外縁からｚ方向下方に延ばした補助線である。また、端子導電部６の平面視形状は、第２開口５１と略相似形状の５辺を有する形状である。
【００５７】
図１に示すように、磁電変換モジュールＢ１は、磁電変換素子Ａ１が用いられたモジュールである。モジュール基板７１は、磁電変換モジュールＢ１の土台となるものである。本実施形態においては、モジュール基板７１は、半導体材料の単結晶からなる。半導体材料としては、Ｓｉが挙げられる。
【００５８】
モジュール基板７１は、主面７１１および凹部７１２を有する。主面７１１は、ｚ方向を向く平面である。本実施形態においては、主面７１１は、（１００）面である。
【００５９】
凹部７１２は、主面７１１から凹んでおり、磁電変換素子Ａ１を収容している。凹部７１２は、底面７１３および側面７１４を有する。底面７１３は、ｚ方向において主面７１１と同じ側を向く。底面７１３は、本実施形態においては、平面視矩形状である。底面７１３には、磁電変換素子Ａ１が配置されている。
【００６０】
側面７１４は、主面７１１から起立する。側面７１４は、底面７１３に繋がっている。側面７１４は、ｚ方向に対して傾斜している。ｚ方向に対する側面７１４の角度は、５５度である。これは、主面７１１として（１００）面を採用したことに由来している。平面視矩形状である底面７１３に対応して、側面７１４は、４つの平坦な面を有している。
【００６１】
図示された例においては、主面７１１および凹部７１２は、モジュール絶縁層７６によって覆われている。モジュール絶縁層７６は、たとえばＳｉＯ2等の絶縁材料からなる層である。
【００６２】
モジュール配線層７２は、モジュール基板７１上に形成されており、導電性材料からなる。モジュール配線層７２の材質としては、Ｔｉ、ＮｉおよびＣｕ等が適宜選択されて積層された導電層が挙げられる。
【００６３】
図示された例においては、モジュール配線層７２は、底面部７２１、側面部７２２および主面部７２３を有する。
【００６４】
底面部７２１は、底面７１３上に形成されている。底面部７２１は、磁電変換素子Ａ１の４つの端子導電部６が接合されるパッド部分を有する。端子導電部６と底面部７２１のパッド部分とは、たとえば、導電性接合層７５によって接合されている。導電性接合層７５は、たとえばはんだである。
【００６５】
側面部７２２は、側面７１４上に形成されており、底面部７２１と主面部７２３とを接続している。主面部７２３は、主面７１１上に形成されており、側面部７２２を介して底面部７２１と繋がっている。
【００６６】
このような構成の凹部７１２は、たとえば、モジュール基板７１に対して、主面７１１にＫＯＨを用いた異方性エッチングを行うことによって形成することができる。
【００６７】
封止樹脂７３は、凹部７１２に充填されており、磁電変換素子Ａ１を覆っている。また、本実施形態においては、封止樹脂７３は、主面７１１を覆っている。さらに、封止樹脂７３は、主面部７２３を露出させる複数の開口を有する。封止樹脂７３の材質としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂、および、シリコーン樹脂が挙げられる。図示されたように、封止樹脂７３は、凹部７１２の底面７１３と磁電変換素子Ａ１のうち端子導電部６を除く部分との間に介在する。
【００６８】
また、封止樹脂７３の線膨張係数は、転移点以下において磁電変換素子Ａ１の端子導電部６の線膨張係数よりも小であり、転移点以上において端子導電部６の線膨張係数よりも大である。たとえば、封止樹脂７３がエポキシ樹脂からなる場合、封止樹脂７３の線膨張係数は、転移点以下において６ｐｐｍ／Ｋ〜７ｐｐｍ／Ｋであり、転移点以上において２０ｐｐｍ／Ｋ〜２８ｐｐｍ／Ｋである。一方、端子導電部６の主成分がＮｉである場合、端子導電部６の線膨張係数は、１４ｐｐｍ／Ｋ程度である。
【００６９】
複数の実装パッド７４は、封止樹脂７３のうち主面部７２３を露出させる複数の開口に形成されている。実装パッド７４は、たとえば、Ｎｉ，ＰｄおよびＡｕ等が適宜選択されて積層されたものである。複数の実装パッド７４は、磁電変換モジュールＢ１を図示しない回路基板等に実装する際に用いられる。
【００７０】
次に、磁電変換素子Ａ１の製造方法の一例について、図５〜図１０を参照しつつ以下に説明する。なお、以降の説明においては、１つの磁電変換素子Ａ１の形成に必要な部材に着目しているが、複数個の磁電変換素子Ａ１を一括して製造する方法を採用してもよい。
【００７１】
まず、図１に示すように、基板１を用意する。複数個の磁電変換素子Ａ１を一括して製造する場合、基板１の元となる円板状のＧａＡｓを含む基板材料が用いられる。次に、ｎ型不純物としてのＳｉを添加しながらＧａＡｓをエピタキシャル成長させることにより、感磁層２の元となる導電層を形成する。そして、エッチング等の手法によって当該導電層をパターニングすることにより、一対の入力側領域２１および一対の出力側領域２２を有する感磁層２が形成される。
【００７２】
次いで、図６に示すように、基板１および感磁層２を覆う第１絶縁膜３０を形成する。第１絶縁膜３０の形成は、たとえば、ＣＶＤを用いてＳｉＮを積層させることによって行う。次いで、第１絶縁膜３０に対してエッチング等のパターニングを行うことにより、図７に示すように、複数の第１開口３１を有する第１絶縁層３を形成する。
【００７３】
次いで、図８に示すように、基板１、感磁層２および第１絶縁層３を覆う下地導電層４を形成する。下地導電層４の形成は、たとえば、Ａｕを主成分としＧｅおよびＮｉを含む合金をＣＶＤやスパッタリング等の手法によって膜形成することによって行う。
【００７４】
次いで、図９に示すように、第１絶縁層３および下地導電層４を覆う第２絶縁膜５０を形成する。第２絶縁膜５０の形成は、たとえばＣＶＤを用いてＳｉＮを積層させることによって行う。次いで、第２絶縁膜５０に対してエッチング等のパターニングを行うことにより、図１０に示すように、複数の第２開口５１を有する第２絶縁層５を形成する。
【００７５】
この後は、たとえばメッキやＣＶＤ等の手法によってＮｉ、ＰｄおよびＡｕを適宜積層させることにより、複数の端子導電部６を形成する。以上の工程を経ることにより、上述した磁電変換素子Ａ１が得られる。なお、磁電変換モジュールＢ１の形成においては、磁電変換素子Ａ１は、磁電変換モジュールＢ１の底面部７２１に、いわゆるフリップチップ実装の手法によって実装される。
【００７６】
次に、磁電変換素子Ａ１および磁電変換モジュールＢ１の作用について説明する。
【００７７】
本実施形態によれば、平面視において、第２開口５１が第１開口３１に内包されている。第２開口５１は、端子導電部６が形成される箇所である。端子導電部６は、磁電変換素子Ａ１の実装に用いられる箇所であり、外力が作用する可能性が高い。この端子導電部６と第２開口５１との境界には、比較的応力集中が生じやすい。しかし、この第２開口５１と端子導電部６との境界の直下には、たとえば第１絶縁層３と下地導電層４とが重なりあった部位が存在しない。発明者の研究によれば、この重なり合った部位に応力が作用すると、感磁層２および基板１に影響を及ぼし、出力電圧が不正になるなどの機能低下が生じうることが判明した。磁電変換素子Ａ１によれば、このような応力集中による機能低下を抑制することができる。
【００７８】
なお、図１に示す磁電変換モジュールＢ１においては、モジュール基板７１の主面７１１と磁電変換素子Ａ１の端子導電部６を除く部分との間に封止樹脂７３が介在している。この封止樹脂７３の介在により、温度条件によっては、封止樹脂７３から磁電変換素子Ａ１のうち端子導電部６を除く部分に外力が負荷される場合がある。この場合であっても、端子導電部６と第２開口５１との境界に、比較的応力集中が生じやすい。したがって、このような構成の磁電変換モジュールＢ１においても、応力集中による機能低下を抑制することができる。
【００７９】
また、端子導電部６は、第２開口５１から延出する延出部６２を有するものの、延出部６２を含む全体が、平面視において第１開口３１に内包されている。端子導電部６が外力を受ける場合、延出部６２の外端縁に比較的応力集中が生じやすい。しかし、延出部６２の外端縁の直下においても、たとえば第１絶縁層３と下地導電層４とが重なりあった部位が存在しない。したがって、応力集中による機能低下を抑制することができる。
【００８０】
第１開口３１は、感磁層２とともに基板１の一部を露出させている。また、下地導電層４は、感磁層被覆部４ａおよび基板被覆部４ｂを有する。発明者らの研究によれば、基板１を覆う基板被覆部４ｂを設けることにより、感磁層２とのオーミックコンタクトの形成をはじめとした感磁層２と端子導電部６との導通をより安定して形成可能であるとの治験が得られた。特に、下地導電層４が、基板１および感磁層２のうち第１開口３１から露出するすべての部分を覆うことは、良好な導通形成に好ましい。下地導電層４が、平面視において第１開口３１よりも大であることは、基板１および感磁層２のうち第１開口３１から露出するすべての部分をより確実に覆うのに適している。また、端子導電部６と第２開口５１との境界や延出部６２の外端縁の直下に第１絶縁層３と下地導電層４とが重なり合う部分をより確実に存在させないことが可能である。
【００８１】
第２開口５１が第１開口３１よりも厚さが大であることにより、応力集中が基板１や感磁層２へと作用することを弱める効果が期待できる。
【００８２】
なお、第１絶縁層３がＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含み、第２絶縁層５がポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む構成の場合、第２絶縁層５は、第１絶縁層３よりも軟質な材料からなる構成である。このような構成の場合、応力集中の緩和効果がさらに期待できる。
【００８３】
図１１〜図１９は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００８４】
図１１は、本発明の第２実施形態に基づく磁電変換素子を示している。本実施形態の磁電変換素子Ａ２は、主に第２絶縁層５の構成が、上述した磁電変換素子Ａ１と異なっている。
【００８５】
本実施形態においては、第２絶縁層５は、軟質層５２および硬質層５３を有する。軟質層５２は、第１絶縁層３よりも軟質な材料からなる層である。硬質層５３は、軟質層５２よりも硬質な材料からなる層である。このような関係を維持する範囲で、軟質層５２および硬質層５３の材料は適宜選択可能である。一例として、硬質層５３は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮを含み、好ましくは、第１絶縁層３とともにＳｉＮからなる。軟質層５２は、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を含む。
【００８６】
また本実施形態においては、硬質層５３は、軟質層５２よりも厚さが大である。たとえば、硬質層５３の厚さは、０．８μｍ〜２．０μｍであり、軟質層５２の厚さは、２．０μｍ〜３．０μｍである。
【００８７】
本実施形態においても、第２開口５１は、下地導電層４を露出させている。また、軟質層５２は、内縁５２１を有し、硬質層５３は、内縁５３１を有する。内縁５２１および内縁５３１は、ともに第２開口５１を構成しており、平面視において互いに一致している。
【００８８】
磁電変換素子Ａ２の製造方法の一例を挙げると、図８に示す工程を終えた後に、図１２に示すように、第１絶縁層３および下地導電層４を覆う軟質膜５２０を形成する。軟質膜５２０の形成は、たとえばＣＶＤを用いてＳｉＮを積層させることによって行う。次いで、軟質膜５２０を覆う硬質膜５３０を形成する。硬質膜５３０の形成は、たとえばＣＶＤを用いてポリイミド樹脂またはフェノール樹脂を積層させることによって行う。これにより、軟質膜５２０および硬質膜５３０からなる第２絶縁膜５０が得られる。
【００８９】
次いで、第２絶縁膜５０に対してエッチング等のパターニングを行うことにより、図１３に示すように、複数の第２開口５１を有する第２絶縁層５を形成する。この後は、磁電変換素子Ａ１と同様に、複数の端子導電部６を形成することにより、磁電変換素子Ａ２が得られる。
【００９０】
本実施形態によっても、磁電変換素子Ａ２の応力集中による機能低下を抑制することができる。特に、第２絶縁層５が軟質層５２および硬質層５３を有することにより、比較的軟質な軟質層５２が、外力等に起因する応力集中が基板１や感磁層２に及ぶことを抑制する。一方、比較的硬質な硬質層５３によって第１絶縁層３および下地導電層４を覆うことにより、様々な外的要因から第１絶縁層３および下地導電層４、ひいては基板１および感磁層２を適切に保護することが可能である。
【００９１】
軟質層５２を、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂によって形成することは、応力集中の緩和に好ましい。また、軟質層５２を第１絶縁層３と同様のＳｉＮ、ＳｉＯ2またはＳｉＯＮによって形成することは、保護に適した強度確保や、製造の簡略化に好ましい。
【００９２】
図１４〜図１６は、本発明の第３実施形態に基づく磁電変換素子を示している。本実施形態の磁電変換素子Ａ３は、下地導電層４の具体的構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、下地導電層４は、オーミック形成層４１、中間層４２および侵食抑制層４３を含み、ｚ方向において基板１および感磁層２側からこの順で積層されている。オーミック形成層４１、中間層４２および侵食抑制層４３の厚さは特に限定されず、たとえば１０００Å〜３０００Åである。
【００９３】
オーミック形成層４１は、感磁層２と接する部分を有する層である。オーミック形成層４１は、感磁層２とオーミックコンタクトを形成することを目的に形成された層である。オーミック形成層４１は、たとえば感磁層２とのオーミックコンタクトを形成するための材質であるＡｕに、オーミックコンタクトの形成を促進するためのたとえばＧｅおよびＮｉが添加された層である。
【００９４】
図１５は、図１４のＸＶ部を拡大して示している。同図に示す下地導電層４は、延出部４ｃであり、第１絶縁層３に接している。オーミック形成層４１の形成手法は特に限定されないが、たとえば蒸着法によってオーミック形成層４１を形成した場合、この部位のオーミック形成層４１は、ＡｕとＧｅおよびＮｉとが混在した層となっている。同図においては、オーミック形成層４１のうち斜線のハッチングがＡｕの存在を概念的に示しており、離散点のハッチングがＧｅおよびＮｉの存在を概念的に示している。
【００９５】
図１６は、図１４のＸＶＩ部を拡大して示している。同図に示す下地導電層４は、感磁層被覆部４ａであり、感磁層２に接している。たとえば、感磁層２がＧａＡｓを含む場合、オーミック形成層４１のＧｅおよびＮｉは、感磁層２に拡散する。同図においては、感磁層２のうちＧｅよびＮｉが拡散した領域を、斜線および離散点からなるハッチングで概念的に示している。一方、オーミック形成層４１は、ＧｅおよびＮｉが感磁層２に拡散することから、Ａｕの割合が顕著に高められた層となっている。
【００９６】
中間層４２は、オーミック形成層４１と侵食抑制層４３との間に介在している。中間層４２は、より容易にめっきを行うことなどを意図して形成されている。本実施形態と異なり、下地導電層４は、中間層４２を含まない構成であってもよい。本実施形態においては、中間層４２は、バリア層４２１および主層４２２を含む。バリア層４２１は、オーミック形成層４１上に積層されており、たとえばＴｉからなる。主層４２２は、バリア層４２１上に積層されており、たとえばＡｕからなる。Ｔｉからなるバリア層４２１は、たとえばＡｕからなる層をエッチングする場合にエッチングを停止させる層として機能しうる。Ａｕからなる主層４２２は、この層上にめっきを用いて積層工程を行う場合に、より良好にめっきを行いうるという効果を奏する。
【００９７】
侵食抑制層４３は、下地導電層４の最上層に設けられている。侵食抑制層４３は、少なくとも第２絶縁層５の第２開口５１と端子導電部６との境界に接するように形成される。すなわち、侵食抑制層４３は、ｚ方向視において第２絶縁層５および端子導電部６の境界と重なる。本実施形態においては、侵食抑制層４３は、ｚ方向視において第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界のすべてと重なり、中間層４２のすべてを覆うように形成されている。
【００９８】
図１５および図１６に示すように、図示された例においては、侵食抑制層４３は、主層４３１およびめっき促進層４３２を含む。主層４３１は、オーミック形成層４１側に形成されており、本実施形態においては、中間層４２に接している。主層４３１の材質は、後述する水分やＳｎによる浸食を抑制しうるものであれば特に限定されず、たとえばＮｉ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｕ等が例示される。本実施形態においては、主層４３１はＮｉからなる。めっき促進層４３２は、主層４３１上に積層されており、端子導電部６を形成するためのめっき成長を促進させるための層である。このようなめっき促進層４３２は、たとえばＡｕからなる。なお、水分やＳｎによる浸食を抑制する効果を奏するためには、侵食抑制層４３は、主層４３１を含んでいればよく、めっき促進層４３２が省略された構成であってもよい。
【００９９】
本実施形態によっても、磁電変換素子Ａ３の応力集中による機能低下を抑制することができる。また、第２絶縁層５の第２開口５１と端子導電部６との境界に接する侵食抑制層４３が設けられている。侵食抑制層４３は、たとえばＮｉからなる主層４３１を含む。磁電変換素子Ａ３が完成し、上述した磁電変換モジュールＢ１と同様のモジュールに組み込まれて使用される場合、外部環境からの水分や端子導電部６に接合されるはんだからのＳｎが、第２絶縁層５の第２開口５１と端子導電部６との境界から内部に進入するおそれがある。特に、Ｓｎは、Ａｕとの置換を繰り返しながら層構造を侵食することが懸念され、この侵食がオーミック形成層４１に達すると、下地導電層４と感磁層２とのオーミックコンタクトが破壊される。これにより、下地導電層４と感磁層２との接触抵抗が増大し、感磁層２に磁界が作用していない場合であって、複数の端子導電部６間に電位差が生じるべきでない場合に、不当な電位差が生じるという問題がある。本実施形態においては、水分やＳｎの進入をＮｉからなる主層４３１が阻止可能であり、上述した侵食を抑制することができる。したがって、磁電変換素子Ａ３の感磁精度を高めることができる。
【０１００】
また、侵食抑制層４３は、ｚ方向視においてオーミック形成層４１および中間層４２のすべてを覆っている。ＳｎとＡｕとの置換による侵食は、ｚ方向のみならずｘ方向およびｙ方向にも広がりうる。侵食抑制層４３がオーミック形成層４１および中間層４２のすべてを覆っていることにより、より確実に侵食を抑制することができる。
【０１０１】
侵食抑制層４３がめっき促進層４３２を含むことにより、めっきを用いた端子導電部６の形成をより容易に行うことができる。中間層４２を備えることにより、侵食抑制層４３の形成をより容易に行うことができる。
【０１０２】
オーミック形成層４１に含まれるＧｅおよびＮｉが感磁層２に拡散することにより、Ａｕを含むオーミック形成層４１とＧａＡｓを含む感磁層２とのオーミックコンタクトを、より確実に形成することができる。
【０１０３】
図１７は、本発明の第４実施形態に基づく磁電変換素子を示している。本実施形態の磁電変換素子Ａ４は、侵食抑制層４３の構成が、上述した磁電変換素子Ａ３と異なっている。本実施形態においては、侵食抑制層４３は、開口部４３５を有している。開口部４３５は、侵食抑制層４３に設けられた厚さ方向に貫通する孔である。
【０１０４】
開口部４３５は、ｚ方向視において、第２絶縁層５の第２開口５１と端子導電部６との境界よりも内側の領域に形成されている。このため、開口部４３５を通じて中間層４２と端子導電部６とが接しているが、第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界と中間層４２との間には、侵食抑制層４３が介在している。
【０１０５】
本実施形態によっても、磁電変換素子Ａ３の応力集中による機能低下を抑制することができる。また、本実施形態においても、第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界から水分やＳｎが進入することを阻止することが可能であり、磁電変換素子Ａ４の感磁精度を高めることができる。
【０１０６】
図１８は、本実施形態の第５実施形態に基づく磁電変換素子を示している。本実施形態の磁電変換素子Ａ５は、侵食抑制層４３の構成が、上述した磁電変換素子Ａ３および磁電変換素子Ａ４と異なっている。
【０１０７】
本実施形態においては、侵食抑制層４３は、オーミック形成層４１および中間層４２のうち第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界よりも外側に位置する外縁部分を覆っていない。このため、中間層４２の外縁部分と第２絶縁層５とが接している。
【０１０８】
本実施形態によっても、磁電変換素子Ａ３の応力集中による機能低下を抑制することができる。また、本実施形態においても、第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界から水分やＳｎが進入することを阻止することが可能であり、磁電変換素子Ａ４の感磁精度を高めることができる。
【０１０９】
なお、磁電変換素子Ａ４および磁電変換素子Ａ５における侵食抑制層４３の構成は、それぞれが別々に採用されても良いし、適宜組み合わされて採用されてもよい。
【０１１０】
図１９は、本発明の第６実施形態に基づく磁電変換素子を示している。本実施形態の磁電変換素子Ａ６は、第１開口３１と第２開口５１との関係が上述した実施形態と異なっており、これ以外の構成は、上述した磁電変換素子Ａ３とほぼ共通している。
【０１１１】
本実施形態においては、ｚ方向視において第２開口５１が第１開口３１の外側に位置している。ただし、本実施形態においても、第２絶縁層５の第２開口５１と端子導電部６との境界が、ｚ方向視において侵食抑制層４３と重なっている。本実施形態によっても、第２絶縁層５の第２開口５１および端子導電部６の境界から水分やＳｎが進入することを阻止することが可能であり、磁電変換素子Ａ４の感磁精度を高めることができる。
【０１１２】
本発明に係る磁電変換素子および磁電変換モジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る磁電変換素子および磁電変換モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１１３】
本発明の技術的特徴を以下に付記する。
【０１１４】
［付記１］
基板と
前記基板上に形成された感磁層と、
前記感磁層の一部を露出させる第１開口を有する第１絶縁層と、
前記第１開口から露出した前記感磁層に積層された下地導電層と、
前記下地導電層の一部を露出させる第２開口を有する第２絶縁層と、
前記第２開口から露出した前記下地導電層に積層された端子導電部と、を備えており、
前記下地導電層は、最上層をなし且つ平面視において前記第２絶縁層の前記第２開口と前記端子導電部との境界に重なる侵食抑制層を含むことを特徴とする、磁電変換素子。
［付記２］
前記侵食抑制層は、Ｎｉ，Ｒｕ，Ｔａ，Ｃｕの少なくともいずれかを含む主層を含む、付記１に記載の磁電変換素子。
［付記３］
前記侵食抑制層は、前記主層に積層されためっき促進層を含む、付記２に記載の磁電変換素子。
［付記４］
前記めっき促進層は、Ａｕからなる、付記３に記載の磁電変換素子。
［付記５］
前記下地導電層は、感磁層に接するオーミック形成層を含む、付記１ないし４のいずれかに記載の磁電変換素子。
［付記６］
前記オーミック形成層は、ＡｕとＧｅおよびＮｉとを含む部位を有する、付記５に記載の磁電変換素子。
［付記７］
前記オーミック形成層のうち前記第１絶縁層を覆う部分は、前記オーミック形成層のうち前記感磁層を覆う部分よりもＧｅおよびＮｉの比率が高い、付記６に記載の磁電変換素子。
［付記８］
前記感磁層のうち前記オーミック形成層と接する部分には、ＧｅおよびＮｉが拡散している、付記７に記載の磁電変換素子。
［付記９］
前記下地導電層は、前記オーミック形成層と前記侵食抑制層との間に介在する中間層を含む、付記５ないし８のいずれかに記載の磁電変換素子。
［付記１０］
前記中間層は、前記侵食抑制層と接する主層を含む。付記９に記載の磁電変換素子。
［付記１１］
前記主層は、Ａｕからなる、付記１０に記載の磁電変換素子。
［付記１２］
前記中間層は、前記オーミック形成層に接するバリア層を含む、付記１０または１１に記載の磁電変換素子。
［付記１３］
前記バリア層は、Ｔｉからなる、付記１２に記載の磁電変換素子。
【符号の説明】
【０１１５】
Ａ１〜Ａ６：磁電変換素子
Ｂ１    ：磁電変換モジュール
１      ：基板
２      ：感磁層
３      ：第１絶縁層
４      ：下地導電層
５      ：第２絶縁層
６      ：端子導電部
２１    ：入力側領域
２２    ：出力側領域
３０    ：第１絶縁膜
３１    ：第１開口
４ａ    ：感磁層被覆部
４ｂ    ：基板被覆部
４ｃ    ：延出部
４１    ：オーミック形成層
４２    ：中間層
４３    ：侵食抑制層
５０    ：第２絶縁膜
５１    ：第２開口
５２    ：軟質層
５３    ：硬質層
６１    ：充填部
６２    ：延出部
７１    ：モジュール基板
７２    ：モジュール配線層
７３    ：封止樹脂
７４    ：実装パッド
７５    ：導電性接合層
７６    ：モジュール絶縁層
４２１  ：バリア層
４２２  ：主層
４３１  ：主層
４３２  ：めっき促進層
４３５  ：開口部４３５
５２０  ：軟質膜
５２１  ：内縁
５３０  ：硬質膜
５３１  ：内縁
７１１  ：主面
７１２  ：凹部
７１３  ：底面
７１４  ：側面
７２１  ：底面部
７２２  ：側面部
７２３  ：主面部
【図１】
2018011038.tif 000003
【図２】
2018011038.tif 000004
【図３】
2018011038.tif 000005
【図４】
2018011038.tif 000006
【図５】
2018011038.tif 000007
【図６】
2018011038.tif 000008
【図７】
2018011038.tif 000009
【図８】
2018011038.tif 000010
【図９】
2018011038.tif 000011
【図１０】
2018011038.tif 000012
【図１１】
2018011038.tif 000013
【図１２】
2018011038.tif 000014
【図１３】
2018011038.tif 000015
【図１４】
2018011038.tif 000016
【図１５】
2018011038.tif 000017
【図１６】
2018011038.tif 000018
【図１７】
2018011038.tif 000019
【図１８】
2018011038.tif 000020
【図１９】
2018011038.tif 000021