(57)【要約】【課題】複数の半導体装置に外付けされるコンデンサの総容量値を削減する。【解決手段】モジュール１は、ｍ個の半導体装置１０と、配線部材２０と、ｎ個のコンデンサ３０と、シーケンサ４０と、を有する。ｍ個の半導体装置１０は、それぞれ、電源回路（不図示）の出力端に接続された電源出力端子ＲＥＧＯを有する。配線部材２０は、ｍ個の半導体装置１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯを短絡するように敷設されている。ｎ個のコンデンサ３０は、配線部材２０を介してｍ個の半導体装置１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに共有されている。シーケンサ４０は、ｍ個の半導体装置１０それぞれの電源回路を時分割でオン／オフさせる。例えば、ｍ＝ｎの場合、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値は、Ｃ／ｍ（ただし、Ｃはｍ個の半導体装置１０それぞれの電源回路を単独で正常動作させるために最低限必要となるコンデンサの最小容量値）とすればよい。【選択図】図１
2018180668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オン／オフ機能を備えた電源回路と、前記電源回路から電力供給を受けて動作する内部回路と、前記電源回路の出力端に接続された電源出力端子と、をそれぞれ集積化して成るｍ個（ただしｍ≧２）の半導体装置と；
前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子を短絡する配線部材と；
前記配線部材を介して前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に共有されるｎ個（ただしｎ≧１）のコンデンサと；
前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源回路を時分割でオン／オフさせるシーケンサと；
を有することを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源回路を単独で正常動作させるために最低限必要となるコンデンサの最小容量値をＣ（ｉ）（ただしｉ＝１、２、…、ｍ）とし、それらの最大値をＣｍａｘとし、前記ｎ個のコンデンサそれぞれの容量値をＣ’（ｊ）（ただしｊ＝１、２、…、ｎ）とすると、次の（１）式が成立することを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【数１】
2018180668.tif 000007
【請求項３】
Ｃ（ｉ）＝Ｃｍａｘ＝Ｃとし、Ｃ’（ｊ）の最大値をＣ’ｍａｘとすると、次の（２）式が成立することを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【数２】
2018180668.tif 000008
【請求項４】
ｍ＝ｎであり、前記ｎ個のコンデンサは、前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に対して一対一で接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項５】
ｍ＞ｎであり、前記ｎ個のコンデンサは、前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に対して均等に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項６】
前記配線部材は、前記ｍ個の半導体装置と前記ｎ個のコンデンサを複数組に分けるように複数設けられており、前記シーケンサは、各組独立に前記電源回路のオン／オフ制御を行うことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
前記電源回路は、出力トランジスタのオン抵抗値を連続的に調整することにより、入力電圧から所望の出力電圧を生成するリニアレギュレータであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項８】
前記内部回路は、計測対象量を計測するセンサ部を含むことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項９】
前記ｍ個の半導体装置は、マトリクス状に配列されていることを特徴とする請求項８に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書中に開示されている発明は、複数の半導体装置（例えばセンサＩＣ）を搭載するモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、センサモジュールの一従来例を示す図である。本従来例のセンサモジュール１０１は、ｍ個（ただしｍ≧２）のセンサＩＣ１１０と、それらの電源出力端子ＲＥＧＯに一対一で外付けされたｍ個のコンデンサ１２０（容量値Ｃ）と、を有する。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２１１３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来例のセンサモジュール１０１では、センサＩＣ１１０が増えるほどコンデンサ１２０の総容量値（Ｃ×ｍ）が大きくなる。なお、コンデンサ１２０の総容量値（Ｃ×ｍ）を削減するために、コンデンサ１２０それぞれの容量値Ｃを不用意に減らすと、センサＩＣ１１０に集積化された電源回路（不図示）の発振防止や特性確保が困難となり、電源回路の正常動作に支障を来たすおそれがあった。
【０００６】
本明細書中に開示されている発明は、本願の発明者らにより見出された上記の課題に鑑み、複数の半導体装置に外付けされるコンデンサの総容量値を削減することのできるモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書中に開示されているモジュールは、オン／オフ機能を備えた電源回路と、前記電源回路から電力供給を受けて動作する内部回路と、前記電源回路の出力端に接続された電源出力端子と、をそれぞれ集積化して成るｍ個（ただしｍ≧２）の半導体装置と；前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子を短絡する配線部材と；前記配線部材を介して前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に共有されるｎ個（ただしｎ≧１）のコンデンサと；前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源回路を時分割でオン／オフさせるシーケンサと；を有する構成（第１の構成）とされている。
【０００８】
なお、第１の構成から成るモジュールは、前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源回路を単独で正常動作させるために最低限必要となるコンデンサの最小容量値をＣ（ｉ）（ただしｉ＝１、２、…、ｍ）とし、それらの最大値をＣｍａｘとし、前記ｎ個のコンデンサそれぞれの容量値をＣ’（ｊ）（ただしｊ＝１、２、…、ｎ）とすると、次の（１）式が成立する構成（第２の構成）にするとよい。
【０００９】
【数１】
2018180668.tif 000003
【００１０】
また、上記第２の構成から成るモジュールにおいて、Ｃ（ｉ）＝Ｃｍａｘ＝Ｃとして、Ｃ’（ｊ）の最大値をＣ’ｍａｘとすると、次の（２）式が成立する構成（第３の構成）にするとよい。
【００１１】
【数２】
2018180668.tif 000004
【００１２】
また、第１〜第３いずれかの構成から成るモジュールにおいて、ｍ＝ｎであり、前記ｎ個のコンデンサは、前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に対して一対一で接続されている構成（第４の構成）にするとよい。
【００１３】
また、第１〜第３いずれかの構成から成るモジュールにおいて、ｍ＞ｎであり、前記ｎ個のコンデンサは、前記ｍ個の半導体装置それぞれの電源出力端子に対して均等に接続されている構成（第５の構成）にするとよい。
【００１４】
また、第１の構成から成るモジュールにおいて、前記配線部材は、前記ｍ個の半導体装置と前記ｎ個のコンデンサを複数組に分けるように複数設けられており、前記シーケンサは、各組独立に前記電源回路のオン／オフ制御を行う構成（第６の構成）にするとよい。
【００１５】
また、第１〜第６いずれかの構成から成るモジュールにおいて、前記電源回路は、出力トランジスタのオン抵抗値を連続的に調整することにより、入力電圧から所望の出力電圧を生成するリニアレギュレータである構成（第７の構成）にするとよい。
【００１６】
また、第１〜第７いずれかの構成から成るモジュールにおいて、前記内部回路は、計測対象量を計測するセンサ部を含む構成（第８の構成）にするとよい。
【００１７】
また、第８の構成から成るモジュールにおいて、前記ｍ個の半導体装置は、マトリクス状に配列されている構成（第９の構成）にするとよい。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書中に開示されている発明によれば、複数の半導体装置に外付けされるコンデンサの総容量値を削減することのできるモジュールを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】センサモジュールの第１実施形態を示す図
【図２】センサＩＣの一構成例を示す図
【図３】シーケンサによる時分割制御の一例を示すフローチャート
【図４】センサモジュールの第２実施形態を示す図
【図５】センサモジュールの第３実施形態を示す図
【図６】センサモジュールの第４実施形態を示す図
【図７】センサモジュールの一従来例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜センサモジュール（第１実施形態）＞
図１は、センサモジュールの第１実施形態を示す図である。本実施形態のセンサモジュール１は、ｍ個（ただしｍ≧２）のセンサＩＣ１０と、配線部材２０と、ｎ個（ｎ≧１、本図ではｍ＝ｎ）のコンデンサ３０と、シーケンサ４０と、を有する。
【００２１】
ｍ個のセンサＩＣ１０は、それぞれ、不図示の電源回路を内蔵した半導体装置であり、ＩＣ外部との電気的な接続を確立する手段として、電源入力端子ＶＣＣと、電源出力端子ＲＥＧＯと、センサ出力端子ＳＥＮＯ（本図では明示せず）と、イネーブル端子ＥＮと、接地端子ＧＮＤを有する。ｍ個のセンサＩＣ１０は、例えばマトリクス状に配列される。
【００２２】
電源入力端子ＶＣＣは、それぞれ、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続されている。接地端子ＧＮＤは、それぞれ、接地端に接続されている。イネーブル端子ＥＮは、それぞれ、シーケンサ４０に接続されている。電源出力端子ＲＥＧＯと接地端との間には、それぞれ、コンデンサ３０が外付けされている。
【００２３】
図２は、センサＩＣ１０の一構成例を示す図である。本構成例のセンサＩＣ１０は、リニアレギュレータ１１と、内部回路１２と、を集積化して成る。
【００２４】
リニアレギュレータ１１は、電源入力端子ＶＣＣと電源出力端子ＲＥＧＯとの間に直列接続された出力トランジスタ（不図示）のオン抵抗値を連続的に調整することにより、入力電圧（＝電源電圧Ｖｃｃ）から所望の出力電圧（＝定電圧Ｖｒｅｇ）を生成する降圧型の電源回路（例えばＬＤＯ［low drop out］レギュレータ）である。
【００２５】
なお、リニアレギュレータ１１の出力端（＝定電圧Ｖｒｅｇの出力端）には、電源出力端子ＲＥＧＯが接続されている。また、リニアレギュレータ１１は、シーケンサ４０からイネーブル端子ＥＮを介して入力されるイネーブル信号に応じたオン／オフ機能を備えている。より具体的に述べると、リニアレギュレータ１１は、イネーブル信号が第１論理レベル（例えばハイレベル）であるときにイネーブル状態（＝動作状態）となり、イネーブル信号が第２論理レベル（例えばローレベル）であるときにディセーブル状態（＝非動作状態）となる。ただし、リニアレギュレータ１１のオン／オフ機能を実装する手法としては、イネーブル信号を用いる手法のほか、Ｉ２Ｃ［inter-integrated circuit］通信やＳＰＩ［serial peripheral interface］通信などを用いる手法を採用しても構わない。
【００２６】
内部回路１２は、リニアレギュレータ１１から電力供給を受けて動作する回路ブロックであり、センサ部１２ａと制御部１２ｂとを含む。センサ部１２ａは、所定の計測対象量（磁気、加速度、角速度、圧力、歪み、振動、温度、湿度、光、赤外線、放射線、電界、電流、電圧、電力、位置、距離、変位、流速、流量、成分、組成、濃度など）を計測する手段である。制御部１２ｂは、センサ部１２ａの駆動制御や信号処理を行い、センサ出力端子ＳＥＮＯを介してセンサ出力信号を外部出力する手段であり、アナログフロントエンド回路やデジタル制御回路などを含む。
【００２７】
図１に戻り、センサモジュール１の構成要素について説明を続ける。
【００２８】
配線部材２０は、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯを短絡するように敷設されている。
【００２９】
ｎ個のコンデンサ３０は、配線部材２０を介してｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに共有されている。なお、本図では、ｍ＝ｎであり、ｎ個のコンデンサ３０は、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対して一対一で接続されている。また、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値は、従来の設定値Ｃ（＝リニアレギュレータ１１を正常動作させるために最低限必要となるコンデンサの最小容量値）ではなく、これを１／ｎに減じた容量値Ｃ／ｎ（例えばｍ＝ｎではＣ／ｍ）とされている。
【００３０】
シーケンサ４０は、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれのイネーブル端子ＥＮに接続されており、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源回路を時分割でオン／オフさせる。
【００３１】
図３は、シーケンサ４０による時分割制御の一例を示すフローチャートである。本フローは、センサモジュール１のパワーオンにより開始される。まず、ステップ＃１では、１番目のセンサＩＣ１０がイネーブル状態とされる。このとき、１番目のセンサＩＣ１０では、リニアレギュレータ１１がオンされて内部回路１２への電力供給が開始された後、内部回路１２（特にセンサ部１２ａ）によるセンシング動作が行われ、当該センシング動作の完了後にリニアレギュレータ１１がオフされる。
【００３２】
なお、ステップ＃１では、１番目以外のセンサＩＣ１０がいずれもディセーブル状態とされるので、１番目のセンサＩＣ１０だけにｎ個のコンデンサ３０（容量値Ｃ／ｎ）が並列接続された状態と等価になる。このとき、１番目のセンサＩＣ１０から見えるコンデンサの容量値は、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値Ｃ／ｎを足し合わせた総容量値Ｃ（＝（Ｃ／ｎ）×ｎ）と等しくなり、ここでは従来の設定値Ｃと同値に設定されている。従って、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値Ｃ／ｎを従来の設定値Ｃから減じていても、リニアレギュレータ１１の発振防止や特性確保には問題がないので、リニアレギュレータ１１の正常動作に支障を来たすおそれはない。
【００３３】
続くステップ＃２〜ステップ＃ｍにおいても、上記と同じく、２番目〜ｍ番目のセンサＩＣ１０がそれぞれ時分割で順次イネーブル状態に切り替えられていき、ＩＣ毎のセンシング動作が行われる。また、ｍ番目のセンサＩＣ１０によるセンシング動作の完了後、本フローは、センサモジュール１のパワーオフにより終了する。
【００３４】
なお、本図の例では、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれのセンシング動作を配列順に行ったが、それぞれのセンシング動作は、必ずしも配列順に行う必要はなく、時分割制御でありさえすれば、任意の順序で実行することが可能である。
【００３５】
このように、本実施形態のセンサモジュール１では、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯが配線部材２０を介して短絡されており、ｎ個のコンデンサ３０がｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに共有されている。また、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの動作タイミングが重複しないように、シーケンサ４０による時分割制御が行われている。
【００３６】
本構成を採用することにより、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれから見えるコンデンサの容量値を従来の設定値Ｃに維持したまま、センサモジュール１に含まれるｎ個のコンデンサ３０の総容量値を従来の１／ｎ（例えばｍ＝ｎでは１／ｍ）に削減することができる。従って、リニアレギュレータ１１の正常動作に支障を来たすことなく、コンデンサ３０の総容量値を削減することが可能となる。
【００３７】
特に、コンデンサ３０をセンサＩＣ１０と同数（ｍ＝ｎ）だけ用意し、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの近傍に配置すれば、センサＩＣ１０とコンデンサ３０との距離を均一化することができるので、リニアレギュレータ１１それぞれの特性がばらつきにくくなる。
【００３８】
なお、上記の説明では、その理解を簡単とするために、リニアレギュレータ１１それぞれの正常動作に必要なコンデンサの最小容量値を一律にＣとし、コンデンサ３０それぞれの容量値を一律にＣ／ｎとしたが、素子毎のばらつきなどを考慮すると、次のように一般化して理解することができる。
【００３９】
すなわち、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれのリニアレギュレータ１１を単独で正常動作させるために最低限必要となるコンデンサの最小容量値をＣ（ｉ）（ただしｉ＝１、２、…、ｍ）とし、それらの最大値をＣｍａｘとし、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値をＣ’（ｊ）（ただしｊ＝１、２、…、ｎ）とすると、次の（１）式が成立するように、コンデンサ３０の個数及び容量値の少なくとも一方を調整することにより、先述の作用効果を享受することが可能となる。
【００４０】
【数３】
2018180668.tif 000005
【００４１】
より具体的に述べると、容量値Ｃ’（ｊ）の総和ΣＣ’（ｊ）が、最小容量値Ｃ（ｉ）の最大値Ｃｍａｘ以上となるように、コンデンサ３０の個数及び容量値の少なくとも一方を調整することにより、ｍ個のセンサＩＣ１０いずれを駆動する場合であっても、そのリニアレギュレータ１１の正常動作に支障を生じることはない。
【００４２】
また、容量値Ｃ’（ｊ）の総和ΣＣ’（ｊ）が、最小容量値Ｃ（ｉ）の総和ΣＣ（ｉ）よりも小さくなるように、コンデンサ３０の個数及び容量値の少なくとも一方を調整することにより、コンデンサ３０の総容量値を削減することが可能となる。
【００４３】
なお、Ｃ（ｉ）＝Ｃｍａｘ＝Ｃとして、Ｃ’（ｊ）の最大値をＣ’ｍａｘとすると、次の（２）式が成立するように、コンデンサ３０の個数及び容量値の少なくとも一方を調整すればよいことになる。
【００４４】
【数４】
2018180668.tif 000006
【００４５】
＜センサモジュール（第２実施形態）＞
図４は、センサモジュールの第２実施形態を示す図である。本実施形態のセンサモジュール１は、先の第１実施形態（図１）をベースとしつつ、コンデンサ３０の個数ｎがセンサＩＣ１０の個数ｍよりも減らされている（ｍ＞ｎ）。本実施形態によれば、センサモジュール１の小型化やコストダウンを図ることが可能となる。
【００４６】
例えば、ｎ＝ｍ／２である場合には、ｎ個のコンデンサ３０それぞれの容量値を２Ｃ／ｍに設定することにより、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれから見えるコンデンサの容量値を従来の設定値Ｃ（＝（２Ｃ／ｍ）×（ｍ／２））に維持したまま、センサモジュール１に含まれるｎ個のコンデンサ３０の総容量値を従来の１／ｍに削減することができる。
【００４７】
なお、ｍ＞ｎとする場合、ｎ個のコンデンサ３０は、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対してできるだけ均等に接続するとよい。このような構成とすることにより、センサＩＣ１０とコンデンサ３０との距離をできるだけ均一化して、リニアレギュレータ１１それぞれの特性ばらつきを抑えつつ、コンデンサ３０の個数を削減することが可能となる。
【００４８】
＜センサモジュール（第３実施形態）＞
図５は、センサモジュールの第３実施形態を示す図である。本実施形態のセンサモジュール１は、先の第２実施形態（図４）よりもさらにコンデンサ３０の削減を進めた結果、容量値Ｃのコンデンサ３０が一つだけ設けられている（ｎ＝１）。本実施形態によれば、センサモジュール１のさらなる小型化やコストダウンを図ることが可能となる。
【００４９】
なお、コンデンサ３０の接続位置については、必ずしもセンサＩＣ１０の直近である必要はなく、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対してできるだけ均等な位置であれば、いかなる位置に接続しても構わない。例えば、本図で示したように、配線部材２０にコンデンサ３０を接続することも可能である。この点については、先の第２実施形態（図４）でも同様のことが言える。
【００５０】
＜センサモジュール（第４実施形態）＞
図６は、センサモジュールの第４実施形態を示す図である。本実施形態のセンサモジュール１は、第１実施形態（図１）をベースとしつつ、ｍ個のセンサＩＣ１０とｎ個（本図ではｍ＝ｎ）のコンデンサ３０を複数組（本図では３つのセンサグループＧ１〜Ｇ３）に分けるように、複数（本図では２本）の配線部材２０を有している。また、当該変更に伴い、シーケンサ４０では、各組独立にリニアレギュレータ１１それぞれのオン／オフ制御が行われる。以下では、本図に即してセンサモジュール１の構成及び動作を説明する。
【００５１】
１本目の配線部材２０は、１番目〜ｋ番目のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯを短絡するように敷設されている。なお、これらｋ個のセンサＩＣ１０には、それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対して一対一でｋ個のコンデンサ３０が接続されている。すなわち、本実施形態のセンサモジュール１では、ｋ個のセンサＩＣ１０と、それぞれに接続されたｋ個のコンデンサ３０により、センサグループＧ１が形成されている。なお、センサグループＧ１に属するｋ個のコンデンサ３０それぞれの容量値はＣ／ｋであり、その合成容量値はＣ（＝（Ｃ／ｋ）×ｋ）である。
【００５２】
２本目の配線部材２０は、（ｋ＋１）番目〜（ｍ−１）番目のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯを短絡するように敷設されている。なお、これら（ｍ−ｋ−１）個のセンサＩＣ１０には、それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対して一対一で（ｎ−ｋ−１）個のコンデンサ３０が接続されている。すなわち、本実施形態のセンサモジュール１では、（ｍ−ｋ−１）個のセンサＩＣ１０と、それぞれに接続された（ｎ−ｋ−１）個のコンデンサ３０により、センサグループＧ２が形成されている。なお、センサグループＧ２に属する（ｎ−ｋ−１）個のコンデンサ３０それぞれの容量値はＣ／（ｎ−ｋ−１）であり、その合成容量値はＣ（＝｛Ｃ／（ｎ−ｋ−１）｝×（ｎ−ｋ−１））である。
【００５３】
なお、ｍ番目のセンサＩＣ１０は、センサグループＧ１及びＧ２のいずれにも属さず、その電源出力端子ＲＥＧＯに接続されるコンデンサ３０と共に、センサグループＧ３を形成している。なお、センサグループＧ３に属するコンデンサ３０の容量値はＣである。
【００５４】
このように、本実施形態のセンサモジュール１において、複数のセンサグループそれぞれに属するセンサＩＣ１０の個数には特に制限がない。すなわち、ｍ個のセンサＩＣ１０を同じ個数ずつグループ化してもよいし、本図で示したように、異なる個数ずつグループ化してもよい。また、センサグループＧ３のように、単一のセンサＩＣ１０を一つのセンサグループとして取り扱うことも任意である。ただし、複数のセンサグループのうち、少なくとも一つのセンサグループには、複数個のセンサＩＣ１０が属しているものとする。
【００５５】
ここで、シーケンサ４０は、センサグループＧ１について、これに属するｋ個のセンサＩＣ１０それぞれの動作タイミングが重複しないように、先と同様の時分割制御を行う。その結果、ｋ個のコンデンサ３０それぞれの容量値をＣ／ｋに減らしても、ｋ個のセンサＩＣ１０それぞれから見えるコンデンサの容量値については、これを従来の設定値Ｃに維持することができる。
【００５６】
また、シーケンサ４０は、センサグループＧ２についても、上記と同様、これに属する（ｍ−ｋ−１）個のセンサＩＣ１０それぞれの動作タイミングが重複しないように、先と同様の時分割制御を行う。その結果、（ｎ−ｋ−１）個のコンデンサ３０それぞれの容量値をＣ／（ｎ−ｋ−１）に減らしても、（ｎ−ｋ−１）個のセンサＩＣ１０それぞれから見えるコンデンサの容量値については、これを従来の設定値Ｃに維持することができる。
【００５７】
一方、センサグループＧ１〜Ｇ３相互間については、それぞれに属するコンデンサ３０が互いに共有されていないので、それぞれに属するセンサＩＣ１０同士の動作タイミングが重複していても構わない。すなわち、シーケンサ４０では、センサグループＧ１〜Ｇ３それぞれに属する２つないし３つのセンサＩＣ１０を同時に駆動することができるので、センシング所要時間（＝全てのセンサＩＣ１０のセンシング動作が完了するまでに必要な時間）を短縮することが可能となる。
【００５８】
なお、センサグループを増やすほど、センシング動作の同時並行数が増えるので、センシング所要時間を短縮することができるが、その背反としてコンデンサ３０の総容量値が増えていく点には留意が必要である。例えば、センサグループを３つに分けた場合には、各センサグループ毎に合成容量値Ｃのコンデンサが必要となるので、センサモジュール１全体で見ると、コンデンサの総容量値が３×Ｃ（＝先の第１実施形態の３倍）となる。
【００５９】
また、本実施形態では、先の第１実施形態（図１）と同様、ｍ個のセンサＩＣ１０それぞれの電源出力端子ＲＥＧＯに対して、これと同数のコンデンサ３０が一対一で接続されている構成を例に挙げたが、先の第２実施形態（図４）に倣い、コンデンサ３０の個数ｎをセンサＩＣ１０の個数ｍよりも減らすことも可能である（ｍ＞ｎ）。ただし、それぞれのセンサグループには、少なくとも一つのコンデンサ３０が属していなければならない。
【００６０】
＜その他の変形例＞
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本明細書中に開示されている発明は、例えば、複数個のセンサＩＣが搭載されたセンサモジュールに利用することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１    センサモジュール
１０    センサＩＣ（半導体装置）
１１    リニアレギュレータ（電源回路）
１２    内部回路
１２ａ    センサ部
１２ｂ    制御部
２０    配線部材
３０    コンデンサ
４０    シーケンサ
Ｇ１〜Ｇ３    センサグループ
ＶＣＣ    電源入力端子
ＲＥＧＯ    電源出力端子
ＳＥＮＯ    センサ出力端子
ＥＮ    イネーブル端子
ＧＮＤ    接地端子
【図１】
2018180668.tif 000009
【図２】
2018180668.tif 000010
【図３】
2018180668.tif 000011
【図４】
2018180668.tif 000012
【図５】
2018180668.tif 000013
【図６】
2018180668.tif 000014
【図７】
2018180668.tif 000015