(57)【要約】【課題】プレスフィット中継端子のバネ性が圧入時に発揮されることを確保しつつ、樹脂封止による絶縁性を高めることができる半導体モジュールおよびインバータ装置を提供する。【解決手段】パワー半導体モジュール２は、絶縁基板３と、絶縁基板３の上に配置されたパワー半導体デバイス１２、１４と、絶縁基板３の上においてパワー半導体デバイス１２、１４を被う硬質樹脂４０と、硬質樹脂４０の側面を囲うハウジング枠２０と、制御基板５０の上に重なるようにハウジング枠２０に装着される蓋２２と、外部端子３２と、プレスフィット中継端子３０と、を備えている。硬質樹脂４０は段部４２を備えている。段部４２からプレスフィット中継端子３０の圧入部３０ａが突出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板部材と、
前記板部材の上に配置された半導体デバイスと、
前記板部材の上において前記半導体デバイスを被う硬質樹脂と、
胴体部、前記胴体部の一端に設けられた圧入部、および前記胴体部の他端に設けられた根本部を備え、前記根本部が前記硬質樹脂に埋没し、前記根本部と前記半導体デバイスとが前記硬質樹脂の内部で電気的に接続されたプレスフィット中継端子と、
を備え、
前記硬質樹脂は、前記板部材の反対側を向く上面と、前記上面から下方に落ち込んだ段部と、を備え、
前記根本部は前記段部において前記硬質樹脂に埋め込まれ、少なくとも前記圧入部が前記段部の上方に突出した半導体モジュール。
【請求項２】
前記胴体部がくびれ部を有し、前記くびれ部は前記段部において前記硬質樹脂の外に露出している請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記硬質樹脂の前記上面に突起部が設けられた請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記硬質樹脂の側面を囲うハウジング枠と、
前記硬質樹脂の前記上面に被さる蓋と、
を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
リードおよびダイパッドを備えるリードフレームを含み、
前記板部材が前記ダイパッドであり、
前記硬質樹脂の前記上面および前記硬質樹脂の側面が露出し、
前記側面から前記リードが突出している請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
アーム回路を構成するための半導体デバイスを含むパワー半導体モジュール部と、
前記半導体デバイスと電気的に接続される制御基板部と、
を備え、
前記パワー半導体モジュール部は、
板部材と、
前記板部材の上に配置された前記半導体デバイスと、
前記板部材の上において前記半導体デバイスを被う硬質樹脂と、
胴体部、前記胴体部の一端に設けられた圧入部、および前記胴体部の他端に設けられた根本部を備え、前記根本部が前記硬質樹脂に埋没し、前記根本部と前記半導体デバイスとが前記硬質樹脂の内部で電気的に接続されたプレスフィット中継端子と、
を備え、
前記制御基板部は、
スルーホールを備えるプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され前記スルーホールと電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記硬質樹脂は、前記板部材の反対側を向く上面と、前記上面から低く落ち込んだ段部と、を備え、
前記根本部は前記段部において前記硬質樹脂に埋め込まれ、少なくとも前記圧入部が前記段部の上方に突出し、
前記プレスフィット中継端子の前記圧入部が前記スルーホールに圧入されたインバータ装置。
【請求項７】
前記制御基板部は、前記硬質樹脂の前記上面に重ねられ、
前記硬質樹脂の側面を囲うハウジング枠と、
前記制御基板部の上に重なるように前記ハウジング枠に装着される蓋と、
をさらに備える請求項６に記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールおよびインバータ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特開２０１６−１４３４４１号公報に開示されているように、インサートケース内に配置した半導体デバイスを樹脂封止した半導体モジュールが知られている。上記従来の半導体モジュールは、さらに、半導体デバイスとインサートケース外の制御基板との電気接続を取るために、プレスフィット中継端子をケース外に突出させている。プレスフィット中継端子は、外付けの制御基板が有するスルーホールに圧入される。半導体デバイスはシリコーンゲルで封止されており、インサートケース上部に蓋が配置されている。この蓋を貫通して半導体モジュールの上方にプレスフィット中継端子が突出している。プレスフィット中継端子の胴体はインサートケースに埋め込まれており、プレスフィット中継端子の根本はシリコーンゲル内部においてワイヤを介して半導体デバイスに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１４３４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、上記従来の技術とは異なり、シリコーンゲルではなく硬質樹脂で半導体デバイスを封止する技術を開発している。半導体デバイスを樹脂で封止する目的の一つは、半導体モジュールの絶縁性を高めることである。絶縁性を向上させるためには、封止樹脂の厚さを増大させることが好ましい。ここで、プレスフィット中継端子の先端位置を変えずに硬質樹脂の厚さを増大させていくと、プレスフィット中継端子の先端付近が硬質樹脂に埋没しうる。その結果、スルーホールへの圧入時にプレスフィット中継端子の変形が硬質樹脂によって阻害されるおそれがある。
【０００５】
一方、硬質樹脂の厚さを増大させるとともに、上記のプレスフィット中継端子の変形が阻害されるのを避けるようにプレスフィット中継端子の先端位置を上方にずらすことも考えられる。しかし、この場合には、半導体モジュールに制御基板を取り付けたときの制御基板の取り付け位置が、制御基板が半導体モジュールから離れるように半導体モジュールの厚さ方向へずれてしまう。その結果、制御基板取り付け後において装置全体が大型化してしまう。
【０００６】
これらの問題点に関し鋭意研究を進めたところ、本願発明者は、封止樹脂の厚さを増大させたいという要求と、圧入時にプレスフィット中継端子が持つバネ性を有効に発揮させたいという要求とを両立可能な、新規な装置構造を見出した。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、プレスフィット中継端子のバネ性が圧入時に発揮されることを確保しつつ、樹脂封止による絶縁性を高めることができる半導体モジュールおよびインバータ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる半導体モジュールは、
板部材と、
前記板部材の上に配置された半導体デバイスと、
前記板部材の上において前記半導体デバイスを被う硬質樹脂と、
胴体部、前記胴体部の一端に設けられた圧入部、および前記胴体部の他端に設けられた根本部を備え、前記根本部が前記硬質樹脂に埋没し、前記根本部と前記半導体デバイスとが前記硬質樹脂の内部で電気的に接続されたプレスフィット中継端子と、
を備え、
前記硬質樹脂は、前記板部材の反対側を向く上面と、前記上面から下方に落ち込んだ段部と、を備え、
前記根本部は前記段部において前記硬質樹脂に埋め込まれ、少なくとも前記圧入部が前記段部の上方に突出したものである。
【０００９】
本発明にかかるインバータ装置は、
アーム回路を構成するための半導体デバイスを含むパワー半導体モジュール部と、
前記半導体デバイスと電気的に接続される制御基板部と、
を備え、
前記パワー半導体モジュール部は、
板部材と、
前記板部材の上に配置された前記半導体デバイスと、
前記板部材の上において前記半導体デバイスを被う硬質樹脂と、
胴体部、前記胴体部の一端に設けられた圧入部、および前記胴体部の他端に設けられた根本部を備え、前記根本部が前記硬質樹脂に埋没し、前記根本部と前記半導体デバイスとが前記硬質樹脂の内部で電気的に接続されたプレスフィット中継端子と、
を備え、
前記制御基板部は、
スルーホールを備えるプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され前記スルーホールと電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記硬質樹脂は、前記板部材の反対側を向く上面と、前記上面から低く落ち込んだ段部と、を備え、
前記根本部は前記段部において前記硬質樹脂に埋め込まれ、少なくとも前記圧入部が前記段部の上方に突出し、
前記プレスフィット中継端子の前記圧入部が前記スルーホールに圧入されたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体デバイスを封止する硬質樹脂を厚くした場合にも、段部によって圧入部を硬質樹脂外に突出させることができる。よって、プレスフィット中継端子のバネ性が圧入時に発揮されることを確保しつつ、硬質樹脂封止による絶縁性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールを備えるインバータ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールを備えるインバータ装置の変形例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールが有するプレスフィット中継端子の変形例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールが有する段部の変形例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールが有する段部の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールが有する段部の変形例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかる半導体モジュールを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュール２を備えるインバータ装置１を示す図である。図２は、本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュール２を示す図である。インバータ装置１は、パワー半導体モジュール２と、制御基板５０とを備える。パワー半導体モジュール２は、パワー回路６０を備えている。パワー回路６０は、アーム回路１０を構成するためのパワー半導体デバイス１２、１４を含んでいる。制御基板５０は、制御回路６２を備えている。制御回路６２は、パワー半導体デバイス１２、１４と電気的に接続されてアーム回路１０を制御するための電子部品を含んでいる。
【００１３】
パワー半導体モジュール２は、絶縁基板３と、絶縁基板３の上に配置されたパワー半導体デバイス１２、１４と、絶縁基板３の上においてパワー半導体デバイス１２、１４を被う硬質樹脂４０と、硬質樹脂４０の側面を囲うハウジング枠２０と、制御基板５０の上に重なるようにハウジング枠２０に装着される蓋２２と、外部端子３２と、プレスフィット中継端子３０と、を備えている。
【００１４】
絶縁基板３は、金属板８と、金属板８の上面に設けられた絶縁層６と、絶縁層６の上に設けられた金属配線パターン４とを備えている。金属配線パターン４上には、はんだ等の導電性接合材を用いてパワー半導体デバイス１２、１４が実装されている。パワー回路６０は、金属配線パターン４と、パワー半導体デバイス１２、１４と、ワイヤ１６と、外部端子３２と、プレスフィット中継端子３０とによって構成されている。
【００１５】
実施の形態１におけるパワー半導体モジュール２は、インバータ回路を構成するパワー回路６０を備えている。インバータ回路を構成するパワー回路６０の具体的な回路構成は種々のものがあるが、実施の形態では一例として２レベルの三相フルブリッジ回路を用いてもよい。簡略化のために図１および図２においてパワー半導体デバイス１２、１４の組を１つのみ図示しているが、実際にはパワー半導体モジュール２にパワー半導体デバイス１２、１４の組が合計で６組内蔵されてもよい。パワー半導体デバイス１２、１４は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、バイポーラトランジスタ、ＰＮダイオード、あるいはショットキーバリアダイオードであってもよい。実施の形態では、一例として、パワー半導体デバイス１２がアーム回路１０を構成するＩＧＢＴであり、パワー半導体デバイス１４がアーム回路１０を構成するダイオードであるものとする。なお、パワー半導体デバイス１２、１４の材料は、シリコンであってもよいし、シリコンよりもバンドギャップの大きいいわゆるワイドバンドギャップ半導体であってもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ、ＧａＮ、あるいはダイヤモンドであってもよい。
【００１６】
パワー回路６０は、ハウジング枠２０によって囲われている。ハウジング枠２０は、樹脂製の枠体である。インサート成型を行うことにより、ハウジング枠２０にプレスフィット中継端子３０および外部端子３２が一体化されている。ワイヤ１６の一つは、外部端子３２と金属配線パターン４とを電気的に接続する。また、ワイヤ１６の他の一つは、プレスフィット中継端子３０の根本部３０ｄとパワー半導体デバイス１２とを電気的に接続している。ワイヤ１６は、金属線であり、一例としてアルミワイヤである。
【００１７】
プレスフィット中継端子３０は、胴体部３０ｂ、胴体部３０ｂの一端に設けられた圧入部３０ａ、および胴体部３０ｂの他端に設けられた根本部３０ｄを備えている。実施の形態では、一例として、楕円リング状の圧入部３０ａを用いている。プレスフィット接続時には圧入部３０ａが楕円の短軸方向に圧縮変形する。根本部３０ｄは、胴体部３０ｂの他端から屈曲している。根本部３０ｄは、硬質樹脂４０に埋没している。ワイヤ１６の一端が根本部３０ｄに接続され、ワイヤ１６の他端がパワー半導体デバイス１２の表面に設けられた電極に接続されている。硬質樹脂４０の内部でワイヤ１６により電気接続が形成されている。なお、図１および図２では例示のために１個のプレスフィット中継端子３０をパワー半導体モジュール２の端部に設けている。しかしながら、硬質樹脂４０の上面４１におけるプレスフィット中継端子３０の配置および個数は、様々な変形が可能である。例えば複数のプレスフィット中継端子３０を上面４１に並べて、あるいは離間して配置してもよい。また、上面４１の中央にプレスフィット中継端子３０を設けても良い。
【００１８】
制御基板５０は、スルーホール５３を備えるプリント配線板５１と、プリント配線板５１に実装された電子部品５２および外部端子３４と、を備えている。電子部品５２は、プリント配線板５１の表面に設けられた配線パターン（図示せず）を通じてスルーホール５３と接続されている。スルーホール５３は、プリント配線板５１の貫通穴の内側に金属めっきを施したものである。プリント配線板５１には、パワー半導体デバイス１２、１４を駆動制御するための電子部品５２および外部端子３４が、はんだ付けされている。プリント配線板５１の図示しない配線パターンおよび電子部品５２によって制御回路６２が構成される。制御回路６２は、パワー半導体デバイス１２、１４の駆動および保護のための回路が組み込まれている。
【００１９】
プレスフィット中継端子３０の圧入部３０ａが、スルーホール５３に圧入されている。プレスフィット接続を実現するための公知の圧入部構造を適用すればよく、圧入部３０ａは実施の形態１の構造に限定されるものではない。スルーホール５３に圧入部３０ａが圧入されてスルーホール５３と圧入部３０ａとが金属接触することで、電気的な接続が得られている。
【００２０】
硬質樹脂４０は、絶縁基板３の反対側を向く上面４１と、上面４１から低く落ち込んだ段部４２と、を備えている。一例として、硬質樹脂４０の中央部にパワー半導体デバイス１２、１４が埋没され、段部４２は硬質樹脂４０の端部に設けられている。硬質樹脂４０は、パワー回路６０に絶縁性を備えさせるために、少なくともパワー半導体デバイス１２、１４およびワイヤ１６を覆うように形成されている。
【００２１】
「硬質樹脂」とは、ゲルなどの容易に変形する軟質樹脂と比較した硬さを意味しており、具体的には常温において少なくともシリコーンゲルより変形しにくい樹脂のことを意味している。実施の形態１では一例として熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられるが、これ以外の熱硬化性樹脂を含む種々の硬化樹脂を用いることができる。実施の形態１の硬質樹脂４０は、ハウジング枠２０の内側に液状のエポキシ樹脂が充填された後、加熱処理によって熱硬化されたものである。
【００２２】
段部４２の形成方法の一例を挙げると、段部４２を設けたい箇所に凸状治具を被せた状態で液状エポキシ樹脂を充填し、凸状治具を被せたまま加熱処理を行って熱硬化を生じさせ、その後凸状治具を取り外すという方法がある。ただし、これ以外にも段部４２の形成箇所を削り加工するなどの他の方法を用いてもよく、段部４２の形成方法に限定はない。
【００２３】
硬質樹脂４０は、プレスフィット中継端子３０の根本部３０ｄと胴体部３０ｂの一部とを覆っている。圧入部３０ａと胴体部３０ｂの一部とが段部４２から突出し、根本部３０ｄは段部４２において硬質樹脂４０に埋め込まれている。根本部３０ｄが硬質樹脂４０の段部４２に埋没させられることで、根本部３０ｄが硬質樹脂４０で強固に固定されるとともに、胴体部３０ｂの一部および圧入部３０ａは硬質樹脂４０の固定を受けずに圧入時にバネ性を発揮することができる。パワー半導体デバイス１２、１４を封止する硬質樹脂４０を厚くした場合にも、段部４２によって胴体部３０ｂを硬質樹脂４０外に突出させることができる。よって、プレスフィット中継端子３０の圧入時にバネ性が発揮されることを確保しつつ、樹脂封止による絶縁性を高めることができる。
【００２４】
上記の実施の形態１にかかる装置構成の効果を説明すると、まず、プレスフィット中継端子３０を用いることで、はんだ付けが不要となり組立工程を簡素化することができる。また、圧入部３０ａの下方にある胴体部３０ｂの一部および根本部３０ｄが硬質樹脂４０によって固定されている。このためスルーホール５３への圧入時に生じるストレスによってプレスフィット中継端子３０が容易に変形したり、ハウジング枠２０が割れたり、ハウジング枠２０からプレスフィット中継端子３０が剥離することを防止できる。また、プレスフィット中継端子３０の埋設箇所に段部４２が設けられているので、圧入部３０ａが硬質樹脂４０で被われることでバネ性が損なわれるという事態を防止できる。よって接触導通の信頼性を高めることができる。パワー回路６０の封止に必要な硬質樹脂４０の厚さを確保する一方で、圧入部３０ａのバネ性が損われることが無い。
【００２５】
図３は、本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュール２を備えるインバータ装置１の変形例を示す図である。図４は、本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュール２が有するプレスフィット中継端子３０の変形例を示す図である。
【００２６】
図３および図４の変形例では、プレスフィット中継端子３０の胴体部３０ｂが、くびれ部３０ｃを有している。くびれ部３０ｃは、胴体部３０ｂの板幅を部分的に細くしたものである。くびれ部３０ｃは段部４２において硬質樹脂４０の外に露出している。スルーホール５３へプレスフィット中継端子３０を圧入する際に、両者が制御基板５０の面方向にずれた場合であっても、くびれ部３０ｃが変形することでこの位置ずれに追従することができる。その結果、圧入部３０ａに過度な荷重が加わって圧入部３０ａが異常変形したり、スルーホール５３が損傷したりすることを防止できる。また、異常な挿入状態を防止することができ、プレスフィット接続における機械的接続および電気接続の品質が安定化する。
【００２７】
図３および図４の変形例では、硬質樹脂４０の上面４１に突起部４８が設けられている。突起部４８は、プリント配線板５１の下面を支持するように複数個設けられている。突起部４８の高さはくびれ部３０ｃよりも高い。突起部４８の高さは、胴体部３０ｂと圧入部３０ａとの接続部分と同じかそれよりもやや高くてもよい。突起部４８は、スルーホール５３にプレスフィット中継端子３０を圧入するときに、制御基板５０に当接する。突起部４８によって、制御基板５０の組み付け高さを規制することができ、スルーホール５３に対するプレスフィット中継端子３０の圧入深さを一定にすることができる。スルーホール５３とプレスフィット中継端子３０との間の接触導通を安定化することができ、プレスフィット接続における機械的接続および電気接続の品質が安定化する。
【００２８】
図１における段部４２の形状は一例であり、様々な変形が可能である。図５〜図７は、本発明の実施の形態１にかかるパワー半導体モジュール２が有する段部４２の変形例を示す図である。図１のように、底面および側壁を有する凹部に限らず、図５のように階段状に設けた段部４３であってもよく、この場合には段部４３の底部がハウジング枠２０に連結する。また、図６のように、側壁から下に凸の滑らかな曲面を有するくぼみを形成する段部４４であってもよい。
【００２９】
また、図１における段部４２の高さは一例であり、様々な変形が可能である。図７のように、高さＨ１〜Ｈ３のいずれかに設定されてもよい。段部４２を高さＨ１に設定して、段部４２をくびれ部３０ｃよりも低くしてもよい。段部４２を高さＨ２に設定して、段部４２とくびれ部３０ｃの高さを一致させてもよい。段部４２を高さＨ３に設定して、段部４２をくびれ部３０ｃよりも高くしてもよい。具体例として、高さＨ３を圧入部３０ａと胴体部３０ｂとの境界に設定してもよい。
【００３０】
また、図示しないが、プレスフィット中継端子３０を段部４２において硬質樹脂４０にどの程度埋没させるかも、種々の変形例が考えられる。くびれ部３０ｃを設ける場合には、くびれ部３０ｃの追随機能を発揮させるためにくびれ部３０ｃを硬質樹脂４０からある程度突き出す必要がある。くびれ部３０ｃを設けない場合には、胴体部３０ｂの中央付近を硬質樹脂４０に埋没させてもよく、胴体部３０ｂと圧入部３０ａの連結部分と胴体部３０ｂの中央部分との間の任意の位置を硬質樹脂４０に埋没させてもよく、硬質樹脂４０で根本部３０ｄのみを覆うように段部４２を深く形成することで胴体部３０ｂ全体を露出させてもよい。
【００３１】
実施の形態２．
図８は、本発明の実施の形態２にかかるパワー半導体モジュール１０２を示す図である。パワー半導体モジュール１０２はトランスファモールド型のモジュールであり、硬質樹脂１４０はトランスファモールド成形されたものである。リード端子１３２およびダイパッド１３１を備えるリードフレーム１３０を含む。硬質樹脂１４０の上面１４１および側面１４３が露出し、側面１４３からリード端子１３２が突出している。この点は実施の形態１でハウジング枠２０が硬質樹脂４０を囲っていたのと異なる。リード端子１３２は実施の形態１の外部端子３２と同じ役割を果たす。パワー半導体デバイス１２、１４の裏面に接するダイパッド１３１には、絶縁シート１１８が接している。絶縁シート１１８には金属箔１２０が接している。金属箔１２０は、硬質樹脂１４０の下面１４８から露出している。金属箔１２０の材料は例えば銅である。ダイパッド１３１、絶縁シート１１８、および金属箔１２０は、実施の形態１における絶縁基板３と同様の役割を果たす。
【００３２】
硬質樹脂１４０の段部１４２からプレスフィット中継端子３０が突出している点は、実施の形態１と同様である。従って、実施の形態２にかかるトランスファモールド型のパワー半導体モジュール１０２においも、実施の形態１と同様に、プレスフィット中継端子３０のバネ性と樹脂封止による絶縁性とを両立することができる。なお、実施の形態２にかかるパワー半導体モジュール１０２に、制御基板５０と同様の制御回路が構築された制御基板（図示せず）を組み付けることで、実施の形態２にかかるインバータ装置が提供されてもよい。
【００３３】
実施の形態２に対して実施の形態１で述べた各種変形を適用することができる。例えば、くびれ部３０ｃが設けられてもよく、突起部４８が設けられてもよく、段部１４２の形状、高さを図５〜図７に示したように変形してもよい。
【００３４】
実施の形態１および２におけるパワー半導体モジュール２、１０２の変形例として、パワー回路６０が、３レベル又はマルチレベルの三相インバータとして構成されてもよく、あるいは単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータとして構成されてもよい。また、パワー回路６０は、インバータ回路に限られず、直流負荷等に電力を供給する場合にはＤＣ／ＤＣコンバータまたはＡＣ／ＤＣコンバータとして構成されてもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  インバータ装置
２、１０２  パワー半導体モジュール
３  絶縁基板
４  金属配線パターン
６  絶縁層
８  金属板
１０  アーム回路
１２、１４  パワー半導体デバイス
１６  ワイヤ
２０  ハウジング枠
２２  蓋
３０  プレスフィット中継端子
３０ａ  圧入部
３０ｂ  胴体部
３０ｃ  くびれ部
３０ｄ  根本部
３２、３４  外部端子
４０、１４０  硬質樹脂
４１、１４１  上面
４２、４３、４４、１４２  段部
４８  突起部
５０  制御基板
５１  プリント配線板
５２  電子部品
５３  スルーホール
６０  パワー回路
６２  制御回路
１１８  絶縁シート
１２０  金属箔
１３０  リードフレーム
１３１  ダイパッド
１３２  リード端子
１４３  側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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