(57)【要約】【課題】本発明では、温度特性を悪化させることなく不要振動が低減された圧電デバイスを提供する。【解決手段】圧電デバイス（１００）は、外形が長方形状に形成され、上面及び下面の両主面に形成される励振電極（１４１）、一方の短辺の両端に形成される電極パッド（１４２）、及び励振電極から電極パッドまで引き出され電極パッドに電気的に接続される引出電極（１４３）を有する圧電振動片と、圧電振動片の下面（１４０ｂ）と相対するように圧電振動片が載置される載置面（１１２ｂ）及び載置面に形成される接着パッド（１１５）を備えるパッケージ（１１０）と、圧電振動片をパッケージに固定すると共に接着パッドと電極パッドとを電気的に接続する導電性接着剤（１５１）と、を有する。また、圧電振動片には、導電性接着剤と励振電極との間であり圧電振動片の上面（１４０ａ）に接着剤（１５２）が塗布される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外形が長方形状に形成され、上面及び下面の両主面に形成される励振電極、一方の短辺の両端に形成される電極パッド、及び前記励振電極から前記電極パッドまで引き出され前記電極パッドに電気的に接続される引出電極を有する圧電振動片と、
前記圧電振動片の前記下面と相対するように前記圧電振動片が載置される載置面及び前記載置面に形成される接着パッドを備えるパッケージと、
前記圧電振動片を前記パッケージに固定すると共に前記接着パッドと前記電極パッドとを電気的に接続する導電性接着剤と、を有し、
前記圧電振動片には、前記導電性接着剤と前記励振電極との間であり前記圧電振動片の前記上面に接着剤が塗布される圧電デバイス。
【請求項２】
前記接着剤と前記励振電極との間の距離は、０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記接着剤と前記励振電極との間の距離は、０．２ｍｍ以上である請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記接着剤は、前記引出電極と高さ方向に重なる位置に塗布される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
発振回路及び温度補償用機能を内蔵したＩＣチップを含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤が塗布された圧電振動片を有する圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板に励振電極が形成された圧電振動片を所定の周波数で振動させる場合、主振動と共に主振動とは異なる周波数の不要振動が生じる。このような不要振動の発生を防ぐために、例えば特許文献１では、圧電基板の主面上の励振電極が形成されていない領域に接着剤を塗布して重み付けを行うことにより圧電基板に生じる不要振動を低減させる旨が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３０９４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に示されるように圧電基板に接着剤を塗布する場合には、このような接着剤が塗布されていない圧電デバイスに比べてクリスタルインピーダンス（ＣＩ）等の温度特性が悪化するおそれがある。また、圧電デバイスを高精度化していく中で、不要振動の中でも特に周波数変化率が０．２ｐｐｍ以下となるような周波数の微小なうねりが問題となってきている。圧電基板に接着剤を塗布する方法はこの周波数の微小なうねりに対してどのように影響するかが明確ではなく、この周波数の微小なうねりは複数の振動モードの複合系であるためシミュレーションによっても解決が困難であった。
【０００５】
そこで本発明では、温度特性を悪化させることなく不要振動が低減された圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１観点の圧電デバイスは、外形が長方形状に形成され、上面及び下面の両主面に形成される励振電極、一方の短辺の両端に形成される電極パッド、及び励振電極から電極パッドまで引き出され電極パッドに電気的に接続される引出電極を有する圧電振動片と、圧電振動片の下面と相対するように圧電振動片が載置される載置面及び載置面に形成される接着パッドを備えるパッケージと、圧電振動片をパッケージに固定すると共に接着パッドと電極パッドとを電気的に接続する導電性接着剤と、を有する。また、圧電振動片には、導電性接着剤と励振電極との間であり圧電振動片の上面に接着剤が塗布される。
【０００７】
第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、接着剤と励振電極との間の距離が０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。
【０００８】
第３観点の圧電デバイスは、第２観点において、接着剤と励振電極との間の距離が０．２ｍｍ以上である。
【０００９】
第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、接着剤が引出電極と高さ方向に重なる位置に塗布される。
【００１０】
第５観点の圧電デバイスは、第１観点から第４観点において、発振回路及び温度補償用機能を内蔵したＩＣチップを含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の圧電デバイスによれば、温度特性を悪化させることなく不要振動を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は、圧電デバイス１００の斜視図である。  （ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の斜視図である。
【図２】（ａ）は、圧電振動片１４０の平面図である。  （ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の平面図である。  （ｃ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、従来の圧電デバイスでの、各サンプル毎の実測した温度特性とこの実測した温度特性から近似される４次近似特性との差（Δｆ、以下、「近似特性からの差」ともいう）を、各測定温度毎で求め、これらの差を目的の発振周波数（ｆ）で除してｐｐｍ値に換算（以下、Δｆ／ｆ）して、それを温度に対しプロットしたものである。  （ｂ）は、圧電デバイス１００の温度とΔｆ／ｆとの関係を示したグラフである。
【図４】（ａ）は、従来の圧電デバイスの温度とＣＩとの関係を示したグラフである。  （ｂ）は、圧電デバイス１００の温度とＣＩとの関係を示したグラフである。
【図５】圧電デバイス１００の距離ＸＢとΔＣＩとの関係が示されたグラフである。
【図６】（ａ）は、リッド１２０が外された圧電デバイス２００の平面図である。  （ｂ）は、リッド１２０が外された圧電デバイス３００の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１４】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、圧電デバイス１００の斜視図である。圧電デバイス１００は、主に、パッケージ１１０、リッド１２０、及び所定の周波数で振動する圧電振動片１４０（図１（ｂ）参照）を含んで構成されている。圧電デバイス１００の外形は、例えば略直方体形状に形成される。また、圧電振動片１４０は、例えばＡＴカットの水晶振動片である。ＡＴカットの水晶は、主面（ＸＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸から−Ｙ軸方向に３５度１５分傾斜されて形成される。以下の説明では、ＡＴカットの水晶の傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として示し、圧電デバイス１００が、Ｘ軸と平行に長辺が伸び、Ｚ’軸と平行に短辺が伸び、Ｙ’軸がＸ軸及びＺ’軸に垂直に伸びるとして説明する。
【００１５】
パッケージ１１０の−Ｙ’軸側の面であり圧電デバイス１００が実装される面である実装面１１２ａには、実装端子１１１が形成されている。実装端子１１１は、圧電振動片１４０と接続される端子であるホット端子１１１ａと、接地用として使用可能な端子（以下、アース端子と仮称する）１１１ｂと、により構成されている。パッケージ１１０では、実装面１１２ａの＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角にそれぞれホット端子１１１ａが形成され、実装面１１２ａの＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にそれぞれアース端子１１１ｂが形成されている。パッケージ１１０の＋Ｙ’軸側の面には圧電振動片１４０が載置される空間であるキャビティ１１３が形成されており（図１（ｂ）参照）、キャビティ１１３は封止材１３０を介してリッド１２０により封止されている。
【００１６】
図１（ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の斜視図である。パッケージ１１０の＋Ｙ’軸側の面に形成されるキャビティ１１３は、実装面１１２ａの反対側の面であり圧電振動片１４０が載置される載置面１１２ｂと、載置面１１２ｂの周囲に形成される側壁１１４と、により囲まれている。また、載置面１１２ｂには、ホット端子１１１ａと電気的に接続される一対の接着パッド１１５が形成されている。圧電振動片１４０は、導電性接着剤１５１によりパッケージ１１０の載置面１１２ｂに載置されている。また、圧電振動片１４０の＋Ｙ’軸側の面には複数の接着剤１５２が塗布されている。
【００１７】
図２（ａ）は、圧電振動片１４０の平面図である。圧電振動片１４０は、長辺がＸ軸方向に伸び、短辺がＺ’軸方向に伸びる長方形状に形成されており、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面が主面として形成されている。以下の説明では、圧電振動片１４０の＋Ｙ’軸側の主面を上面１４０ａとし、圧電振動片１４０の−Ｙ’軸側の主面を下面１４０ｂとして説明する。上面１４０ａ及び下面１４０ｂにはそれぞれ励振電極１４１が形成されている。また、圧電振動片１４０の上面１４０ａ及び下面１４０ｂの−Ｘ軸側の短辺の両端には、それぞれ電極パッド１４２が形成されている。電極パッド１４２は、上面１４０ａ及び下面１４０ｂの−Ｚ’軸側に形成されている電極パッド１４２同士が圧電振動片１４０の側面を介して電気的に接続され、上面１４０ａ及び下面１４０ｂの＋Ｚ’軸側に形成されている電極パッド１４２同士が圧電振動片１４０の側面を介して電気的に接続されている。また、上面１４０ａに形成される励振電極１４１と上面１４０ａの−Ｚ’軸側に形成される電極パッド１４２とが引出電極１４３により電気的に接続され、下面１４０ｂに形成される励振電極１４１と下面１４０ｂの＋Ｚ’軸側に形成される電極パッド１４２とが引出電極１４３（図２（ａ）では点線で示されている）により電気的に接続されている。圧電振動片１４０は、長辺の長さがＸＡであり、短辺の長さがＺＡに形成されている。長さＸＡは３．２ｍｍであり、長さＺＡは１．８ｍｍである。
【００１８】
図２（ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の平面図である。圧電振動片１４０は、導電性接着剤１５１によりキャビティ１１３内に固定されている。また、圧電振動片１４０の上面１４０ａには、導電性接着剤１５１と励振電極１４１との間に接着剤１５２が塗布されている。図２（ｂ）では、圧電振動片１４０の−Ｚ’軸側に塗布された導電性接着剤１５１を導電性接着剤１５１ａとし、圧電振動片１４０の＋Ｚ’軸側に塗布された導電性接着剤１５１を導電性接着剤１５１ｂとしている。また、導電性接着剤１５１ａと励振電極１４１との間に塗布される接着剤１５２を接着剤１５２ａとし、導電性接着剤１５１ｂと励振電極１４１との間に塗布される接着剤１５２を接着剤１５２ｂとしている。
【００１９】
接着剤１５２ａは、導電性接着剤１５１ａに接触し、導電性接着剤１５１ａから励振電極１４１側へ伸びるように形成されている。接着剤１５２ａと励振電極１４１との間の距離はＸＢとなっている。また、接着剤１５２ｂは導電性接着剤１５１ｂに接触し、導電性接着剤１５１ｂから励振電極１４１側へ伸びるように形成されており、接着剤１５２ｂと励振電極１４１との間の距離がＸＢとなっている。接着剤１５２ａは上面１４０ａに形成される引出電極１４３上に点状に塗布されており、接着剤１５２ｂは下面１４０ｂに形成される引出電極１４３とＹ’軸方向に重なる位置に点状に塗布されている。接着剤１５２は、例えばシリコン系の接着剤により形成される。また、接着剤１５２は導電性であっても非導電性であっても良い。
【００２０】
図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。圧電振動片１４０は、導電性接着剤１５１が圧電振動片１４０の上面１４０ａ及び下面１４０ｂを繋ぐように塗布されて載置面１１２ｂに載置され固定されている。圧電振動片１４０では、このように圧電振動片１４０の上面１４０ａ及び下面１４０ｂに塗布されることにより、圧電振動片１４０が載置面１１２ｂ上に強く固定され、圧電デバイスとして耐衝撃性が向上されている。また、導電性接着剤１５１は、圧電振動片１４０の上面１４０ａ及び下面１４０ｂに形成される電極パッド１４２と載置面１１２ｂに形成される接着パッド１１５とを電気的に接続している。
【００２１】
＜圧電デバイス１００の効果について＞
ＡＴカットの水晶振動片の周波数の温度特性は３次の近似曲線又はさらに高次の近似曲線で近似できる。また、ＡＴカットの水晶振動片を用いて構成される温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）は、上記の水晶片の温度特性に対して補償した発振出力を出力する。温度補償型水晶発振器は広範な温度範囲で高い周波数安定度を示すが、圧電デバイスの高精度化により、０．２ｐｐｍ以下の微小な周波数の変動をも抑える必要が生じている。このような微小な周波数の変動は、複数の振動モードの複合により生じるものと推定されるため、シミュレーションでの解決は困難である。また、従来の圧電デバイスの温度特性は設計のロバスト性が低く、圧電振動片上に接着剤を塗布する場合には圧電デバイスの温度特性を壊す可能性が高い。以下に、従来の圧電デバイスと圧電デバイス１００とを比較しながら、圧電デバイス１００の効果について説明する。
【００２２】
図３（ａ）は、従来の圧電デバイスでの、各サンプル毎の実測した温度特性とこの実測した温度特性から近似される４次近似特性との差（Δｆ、以下、「近似特性からの差」ともいう）を、各測定温度毎で求め、これらの差を目的の発振周波数（ｆ）で除してｐｐｍ値に換算（以下、Δｆ／ｆ）して、それを温度に対しプロットしたものである。発振周波数（ｆ）は３８．４ＭＨｚである。サンプル数は９７個である。横軸は温度(℃)、縦軸はΔｆ／ｆ（ｐｐｍ）である。ここで、従来の圧電デバイスとは、圧電デバイス１００において接着剤１５２が塗布されていないものである。従って、図３（ａ）は、９７個のサンプル毎の実際のΔｆ／ｆの温度特性の上記近似特性に対するズレを現している。高精度ＴＣＸＯ用の水晶振動子に要求される上記の差の規格は、例えば、−４０℃〜０℃においてΔｆ／ｆが±０．２８ｐｐｍ以内であり、０℃〜８５℃では±０．０９ｐｐｍ以内である。図３（ａ）では、−４０℃から０℃の範囲にΔｆ／ｆが＋０．２８ｐｐｍを示す点線１６１ａ及び−０．２８ｐｐｍを示す点線１６１ｂが示されており、０℃より高い温度範囲にはΔｆ／ｆが＋０．０９ｐｐｍを示す点線１６２ａ及び−０．０９ｐｐｍを示す点線１６２ｂが示されている。なお、４次近似とした理由は、近似精度の確保と近似作業の大変さとを考慮して妥当な次数としたためである。従って、近似の次数は、これに限られない。
【００２３】
図３（ａ）に示される従来の圧電デバイスでは、−３０℃から０℃の温度範囲で、Δｆ／ｆが±０．２８ｐｐｍ以内に収まっており、規格範囲内である。一方、０℃以上の温度範囲においては、複数個の従来の圧電デバイスについて、約０℃から約４０℃及び約５０℃から約８５℃の温度範囲でΔｆ／ｆが＋０．０９ｐｐｍを超えて大きくなっており、また、約０℃から約２０℃及び約３０℃から約７０℃の温度範囲で−０．０９ｐｐｍを超えて小さくなっている。そのため従来の圧電デバイスでは、周波数の温度に対する全体的な傾向が４次の近似曲線に近い傾向を示していたとしても、Δｆ／ｆに０．２ｐｐｍ以下の微小なうねりが生じているため、０℃以上の温度範囲において、Δｆ／ｆが規格内に収まっていない。
【００２４】
図３（ｂ）は、圧電デバイス１００の温度とΔｆ／ｆとの関係を示したグラフである。図３（ｂ）では、９０個の圧電デバイス１００について、−３０℃から９０℃までの温度範囲のΔｆ／ｆが示されている。図３（ｂ）の横軸には温度［℃］が示され、縦軸にはΔｆ／ｆ［ｐｐｍ］が示されている。図３（ｂ）においても図３（ａ）と同様に、−４０℃から０℃の範囲にΔｆ／ｆが＋０．２８ｐｐｍを示す点線１６１ａ及び−０．２８ｐｐｍを示す点線１６１ｂが示されており、０℃より高い温度範囲にはΔｆ／ｆが＋０．０９ｐｐｍを示す点線１６２ａ及び−０．０９ｐｐｍを示す点線１６２ｂが示されている。
【００２５】
圧電デバイス１００では、−３０℃から０℃の温度範囲において、Δｆ／ｆが±０．１０ｐｐｍの範囲内に収まっており、Δｆ／ｆが±０．２８ｐｐｍ以内という規格は十分に満たしている。また、０℃から８５℃の温度範囲においても、Δｆ／ｆが±０．０９ｐｐｍ以内という規格の範囲内にある。そのため、圧電デバイス１００では、高精度のＴＣＸＯの規格に対する要求を満たすことができる。
【００２６】
図４（ａ）は、従来の圧電デバイスの温度とＣＩとの関係を示したグラフである。図４（ａ）では、図３（ａ）に示された９７個の従来の圧電デバイスについての−３０℃から９０℃までの温度範囲のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が示されている。図４（ａ）の横軸には温度［℃］が示され、縦軸にはクリスタルインピーダンス（ＣＩ）［Ω］が示されている。従来の圧電デバイスでは、−３０℃においてＣＩが約１２Ωから約１８Ωであり、温度を上昇させるに従ってＣＩが上昇し、９０℃では約１５Ωから約２１Ωの範囲となっている。従来の圧電デバイスでは、この−３０℃から９０℃までの温度範囲において、ＣＩの最高値からＣＩの最低値を引いた値であるΔＣＩが約３Ωとなっている。
【００２７】
図４（ｂ）は、圧電デバイス１００の温度とＣＩとの関係を示したグラフである。図４（ｂ）では、図３（ｂ）に示された９０個の圧電デバイス１００についての−３０℃から９０℃までの温度範囲のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が示されている。図４（ｂ）の横軸には温度［℃］が示され、縦軸にはクリスタルインピーダンス（ＣＩ）［Ω］が示されている。図４（ｂ）に示される圧電デバイス１００では、−３０℃においてＣＩが約１３Ωから約５０Ωの範囲にあり、９０℃においてＣＩが約１３Ωから約３０Ωの範囲にある。
【００２８】
図４（ｂ）に示される圧電デバイス１００では、距離ＸＢが様々な値を取っている。例えば、図４（ｂ）に示される実施例１６４ａ及び実施例１６４ｂで示される圧電デバイス１００はいずれも距離ＸＢが０ｍｍであり、実施例１６４ｃで示される圧電デバイス１００は距離ＸＢが約０．１ｍｍであった。そのため、図４（ｂ）においてＣＩが高い範囲１６４で示される実施例は距離ＸＢが短くなっていると考えられる。この範囲１６４の実施例を除いた範囲では、−３０℃においてＣＩが約３０Ωより小さい範囲にあり、９０℃においてはＣＩが約２２Ωより小さい範囲にある。圧電デバイス１００では範囲１６４の実施例を除いても従来の圧電デバイスよりもＣＩが若干高くなる傾向があるが、このＣＩの上昇範囲は許容範囲内であって実用面では問題がなく、図３（ｂ）に示されるように近似特性からの差（Δｆ）を微小に（すなわち、Δｆ／ｆを微小に）抑えることができる効果の利点が大きいため、総合的には接着剤１５２を用いる利点が大きい。
【００２９】
図５は、圧電デバイス１００の距離ＸＢとΔＣＩとの関係が示されたグラフである。図５では、横軸に距離ＸＢ［ｍｍ］が示され、縦軸にΔＣＩ［Ω］が示されている。図５に示される実施例１６４ａ、実施例１６４ｂ、及び実施例１６４ｃは、図４（ｂ）に示される実施例１６４ａ、実施例１６４ｂ、及び実施例１６４ｃを示している。また、図５には、従来の圧電デバイスのΔＣＩに近い値である３Ωを示す点線１６３が引かれている。
【００３０】
圧電デバイス１００では、距離ＸＢが０ｍｍの場合に、ΔＣＩが２０Ω前後の高い値を取っている。距離ＸＢが約０．１ｍｍの場合には、ΔＣＩが１３．４Ωとなって距離ＸＢが０ｍｍの場合に比べて低下する（すなわち改善される）。また、距離ＸＢが０．１４ｍｍと大きくなる場合にはΔＣＩが３．５Ωとなり、さらに距離ＸＢがこれよりも大きくなる場合には、ΔＣＩがさらに低下する。図５では距離ＸＢが最も大きい場合として距離ＸＢが０．２３ｍｍとなる実施例が示されているが、距離ＸＢをこれ以上大きくすると従来の圧電デバイスの状態に近づくことになるため、距離ＸＢを広げてもΔＣＩは低い状態が保たれると考えられる。
【００３１】
圧電デバイス１００においても従来の圧電デバイスと同じ程度のΔＣＩを維持したい場合には、点線１６３が示すΔＣＩと同じ又はこれよりも小さい値を取ることが望ましい。図５では、距離ＸＢが０．１４ｍｍのときにΔＣＩが３．５Ωであり、さらに距離ＸＢが大きくなる場合にはΔＣＩがさらに小さくなると考えられることから、距離ＸＢが０．１５ｍｍより大きくなる場合には、少なくとも従来の圧電デバイスと同等のΔＣＩが得られると考えられる。また、距離ＸＢが０．２ｍｍとなる付近ではΔＣＩが点線１６３よりも小さくなっている場合が多く、さらに好ましいと考えられる。
【００３２】
一方、距離ＸＢが大きくなるということは従来の圧電デバイスの状態に近くなるということでもあるため、あまり距離ＸＢを大きくすると図３（ａ）でΔｆ／ｆの微小なうねりが生じていることから近似特性からの差（Δｆ）の微小なうねりが増加すると考えられる。図３（ｂ）では、主に距離ＸＢが０ｍｍから０．２３ｍｍまでの圧電デバイス１００の実施例が示されているが、図３（ｂ）ではまだ高精度ＴＣＸＯにおいて要求される規格に対して余裕があるため、距離ＸＢが概ね０．２５ｍｍ程度までであれば確実にΔｆ／ｆが規格値の範囲内に収まることが予想される。すなわち、距離ＸＢは、ΔＣＩ及びΔｆ／ｆを考えた場合に、０．１５ｍｍ〜０．２５ｍｍであることが望ましく、更には０．２ｍｍ〜０．２５ｍｍであることが好ましい。
【００３３】
また、最適な距離ＸＢは、圧電振動片の大きさにも多少は関係すると考えられる。そのため、距離ＸＢについて圧電振動片１４０の長辺の長さＸＡとの比をとると、ＸＢ／ＸＡ＝（０．１５ｍｍ〜０．２５ｍｍ）／３．２ｍｍ＝４．７％〜７．８％となる。圧電振動片の外形の寸法が圧電振動片１４０の外形の寸法と多少異なっていたとしても、長辺の長さＸＡと距離ＸＢとの比が４．７％〜７．８％であれば、ＣＩ及びΔＣＩを悪化させずに近似特性からの差（Δｆ）を減少させることができると考えられる。
【００３４】
圧電振動片１４０に接着剤１５２を塗布する場合、図４（ｂ）及び図５に示されるように、接着剤１５２の塗布位置によってはＣＩ及びΔＣＩ等の温度特性が悪化する可能性がある。圧電デバイス１００では、接着剤１５２の塗布の影響が最も弱いと考えられる励振電極１４１から見て圧電振動片１４０の固定端である導電性接着剤１５１側に接着剤１５２を塗布し、励振電極１４１と接着剤１５２との間の距離ＸＢの適正化を図ることにより、接着剤１５２の塗布による温度特性の悪化の影響が小さくされている。また、圧電デバイス１００では、圧電振動片１４０に新たな固定端を形成している訳ではないため、ヒステリシスの悪化もないと推定される。上記の測定は発振周波数（ｆ）が３８．４ＭＨｚで行われたが、２０ＭＨｚ、２５．２ＭＨｚ、２５ＭＨｚ等の他の発振周波数に適用されても良い。
【００３５】
（第２実施形態）
接着剤１５２の塗布位置及び塗布状態は、第１実施形態の場合と多少変わっていても良い。以下に、接着剤が様々な位置又は状態に塗布された場合の変形例について説明する。
【００３６】
＜圧電デバイス２００の構成＞
図６（ａ）は、リッド１２０が外された圧電デバイス２００の平面図である。圧電デバイス２００は、リッド１２０、パッケージ１１０、及び圧電振動片１４０を含んで構成されており、圧電デバイス１００とは接着剤１５２の塗布位置が異なっている。圧電デバイス２００では、圧電振動片１４０の上面１４０ａ上に塗布される接着剤１５２が導電性接着剤１５１と接触しておらず、塗布される接着剤１５２は励振電極１４１と導電性接着剤１５１ａとの間のみに塗布されており、励振電極１４１と導電性接着剤１５１ｂとの間には塗布されていない。また、励振電極１４１と接着剤１５２との間の距離がＸＢに形成されている。
【００３７】
圧電デバイス２００では、接着剤１５２が励振電極１４１と導電性接着剤１５１ａとの間に形成されており、距離ＸＢが第１実施形態で示されるような適正な範囲となるように形成される場合には、ＣＩ及びΔＣＩを悪化させずにΔｆ／ｆを減少（すなわち、近似特性からの差（Δｆ）を減少）させることができる。
【００３８】
＜圧電デバイス３００の構成＞
図６（ｂ）は、リッド１２０が外された圧電デバイス３００の平面図である。圧電デバイス３００は、リッド１２０、パッケージ１１０、及び圧電振動片１４０を含んで構成されており、圧電デバイス１００とは、接着剤１５２の塗布位置が異なっている。圧電デバイス３００では、接着剤１５２が圧電振動片１４０の−Ｘ軸側の短辺と励振電極１４１との間に塗布されている。
【００３９】
圧電振動片１４０は−Ｘ軸側の短辺の両端が導電性接着剤１５１で固定されているため、−Ｘ軸側の短辺自体が固定端となっていると考えることができる。この固定端となる−Ｘ軸側の短辺と励振電極１４１との間に接着剤１５２が塗布される場合には、圧電デバイス１００と同様に、ＣＩ及びΔＣＩを悪化させることなく近似特性からの差（Δｆ）を低減させることができる。
【００４０】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、上記の実施形態は様々に組み合わせて実施されても良い。
【００４１】
また、以上の説明では、圧電デバイスとして水晶振動子単体の例を示したが、パッケージ１１０の圧電振動片を収納している領域に、圧電振動片を発振させる発振回路と圧電振動片の周波数温度特性を補償する機能とを有したＩＣチップを含む、圧電デバイス（発振器としての圧電デバイス）に対しても本発明は適用できる。また、パッケージ１１０の外側の底面に凹部を有したいわゆるＨ型構造のパッケージを用いていて、当該凹部に上記のＩＣチップを搭載しているＨ型の発振器としての圧電デバイスに対しても、本発明は適用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１００、２００、３００  …  圧電デバイス
１１０  …  パッケージ
１１１  …  実装端子
１１１ａ  …  ホット端子
１１１ｂ  …  アース端子
１１２ａ  …  実装面
１１２ｂ  …  載置面
１１３  …  キャビティ
１１４  …  側壁
１１５  …  接着パッド
１２０  …  リッド
１３０  …  封止材
１４０  …  圧電振動片
１４０ａ  …  上面
１４０ｂ  …  下面
１４２  …  電極パッド
１５１、１５１ａ、１５１ｂ  …  導電性接着剤
１５２、１５２ａ、１５２ｂ  …  接着剤
１６１ａ  …  Δｆ／ｆについて＋０．２８ｐｐｍを示す点線
１６１ｂ  …  Δｆ／ｆについて−０．２８ｐｐｍを示す点線
１６２ａ  …  Δｆ／ｆについて＋０．０９ｐｐｍを示す点線
１６２ｂ  …  Δｆ／ｆについて−０．０９ｐｐｍを示す点線
１６３  …  ＣＩが３Ωである点線
１６４  …  ＣＩが高くなる実施例の範囲
１６４ａ、１６４ｂ、１６４ｃ  …  圧電デバイス１００の実施例
ＸＡ  …  圧電振動片１４０の長辺の長さ
ＸＢ  …  接着剤と励振電極との間の距離
ＺＡ  …  圧電振動片１４０の短辺の長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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