(57)【要約】【課題】第１基体と第２基体との接合強度を向上させ、第１基体と第２基体との接合と共にこれらの内側に形成される収納空間が気密封止される電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】電子デバイスは、収納空間を有するパッケージと、前記収納空間に収納されている素子片と、を有し、前記パッケージは、第１基体と、第２基体と、前記第１基体と前記第２基体との間に配置され、前記第１基体と前記第２基体とを接合している接合部材と、を有し、前記第１基体および前記第２基体の少なくとも一方は、他方側に突出する凸部を有し、前記接合部材は、前記凸部の少なくとも一部を覆って配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納空間を有するパッケージと、
前記収納空間に収納されている素子片と、を有し、
前記パッケージは、
第１基体と、
第２基体と、
前記第１基体と前記第２基体との間に配置され、前記第１基体と前記第２基体とを接合している接合部材と、を有し、
前記第１基体および前記第２基体の少なくとも一方は、他方側に突出する凸部を有し、
前記接合部材は、前記凸部の少なくとも一部を覆って配置されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第１基体および前記第２基体が重なる方向から見た平面視で、
前記凸部は、前記収納空間を囲むように、枠状をなしている請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１基体および前記第２基体が重なる方向から見た平面視で、
前記凸部は、前記収納空間の周方向に沿って、間隔を隔てて配置されている複数の凸片を有している請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記凸部の幅は、基端側から先端側に向けて漸減している請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記凸部の高さは、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１基体は、前記第２基体側の面に開口し、前記収納空間の内外に延在する溝部と、前記溝部に配置されている配線と、を有し、
前記溝部と前記接合部材とが交差する部分において、前記溝部内に前記接合部材が設けられている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記溝部の幅は、開口側から底面側に向けて漸減している請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記接合部材は、低融点ガラスである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
第１基体を準備する工程と、
前記第１基体に基板を接合する工程と、
前記基板を加工して素子片を形成し、前記第１基体を加工して凸部を形成する工程と、
第２基体を準備し、前記第１基体との間に前記素子片を収納するように、前記第２基体を、接合部材を介して前記第１基体に接合する工程と、を有し、
前記接合する工程では、前記凸部の少なくとも一部を覆うように前記接合部材が配置されていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子モジュール。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、パイレックス等の絶縁材からなるベースウェハと、ベースウェハに配置された配線と、パイレックス等の絶縁材からなるキャップウェハと、これらの間に位置し、これらを接合する枠状のガラスフリットと、を有する構造体が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、パイレックス等の絶縁材からなるベースと、ベースに陽極接合された素子片と、ベースとの間に素子片を収納する収納空間を形成するようにベースに陽極接合された蓋体と、を有する加速度センサーが開示されている。なお、ベースには、配線を引き回すための溝部が形成されているため、この溝部を介して収納空間の内外が連通してしまう。そこで、特許文献２の加速度センサーでは、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２膜によって溝部を塞ぎ、収納空間を気密的に封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３０７０１８号公報
【特許文献２】特開２０１３−１６４２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した特許文献１の構造体では、配線がベースウェハの上面（キャップウェハとの接合面）に形成され、配線がベースウェハの上面から突出している。そのため、配線が設けられている部分でのベースウェハとベースウェハとの接合強度と、配線が設けられていない部分でのベースウェハとベースウェハとの接合強度とに差が生じ、ベースウェハとベースウェハとの接合強度が不安定となる。
【０００６】
一方、前述した特許文献２の加速度センサーでは、ベースと蓋体とを陽極接合しているので、ベースと蓋体とをより強固に接合することができる。しかしながら、特許文献２の加速度センサーでは、収納空間を気密封止するために、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等を用いてＳｉＯ２膜を成膜する必要があり、その分、製造工程が増え、時間的およびコスト的な負担となる。
【０００７】
本発明の目的は、第１基体と第２基体との接合強度を向上させ、第１基体と第２基体との接合と共にこれらの内側に形成される収納空間が気密封止される電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【０００９】
本発明の電子デバイスは、収納空間を有するパッケージと、
前記収納空間に収納されている素子片と、を有し、
前記パッケージは、
第１基体と、
第２基体と、
前記第１基体と前記第２基体との間に配置され、前記第１基体と前記第２基体とを接合している接合部材と、を有し、
前記第１基体および前記第２基体の少なくとも一方は、他方側に突出する凸部を有し、
前記接合部材は、前記凸部の少なくとも一部を覆って配置されていることを特徴とする。
これにより、第１基体と第２基体との接合強度を向上させ、第１基体と第２基体との接合と共にこれらの内側に形成される収納空間が気密封止される電子デバイスが得られる。
【００１０】
本発明の電子デバイスでは、前記第１基体および前記第２基体が重なる方向から見た平面視で、
前記凸部は、前記収納空間を囲むように、枠状をなしていることが好ましい。
これにより、第１基体または第２基体と接合部材との接触面積を簡単かつ効果的に大きくすることができ、第１基体と第２基体との接合強度をより高めることができる。また、収納空間の周囲の全域にわたってほぼ同じ接合強度を発揮することができるため、第１基体と第２基体との接合状態が安定する。
【００１１】
本発明の電子デバイスでは、前記第１基体および前記第２基体が重なる方向から見た平面視で、
前記凸部は、前記収納空間の周方向に沿って、間隔を隔てて配置されている複数の凸片を有していることが好ましい。
これにより、第１基体と第２基体との接合強度をより高めることができる。
【００１２】
本発明の電子デバイスでは、前記凸部の幅は、基端側から先端側に向けて漸減していることが好ましい。
これにより、凸部の側面に接合部材が回り込み易くなり、ボイド（気泡）の発生をより確実に抑制することができる。そのため、第１基体と第２基体との接合強度をより高めることができる。
【００１３】
本発明の電子デバイスでは、前記凸部の高さは、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
これにより、凸部の表面積を十分に確保でき、また、凸部の周囲に接合部材が回り込み易くなる。そのため、第１基体と第２基体との接合強度を効果的に高めることができる。
【００１４】
本発明の電子デバイスでは、前記第１基体は、前記第２基体側の面に開口し、前記収納空間の内外に延在する溝部と、前記溝部に配置されている配線と、を有し、
前記溝部と前記接合部材とが交差する部分において、前記溝部内に前記接合部材が設けられていることが好ましい。
これにより、接合部材によって溝部を埋めることができ、より簡単に、収納空間を気密封止することができる。
【００１５】
本発明の電子デバイスでは、前記溝部の幅は、開口側から底面側に向けて漸減していることが好ましい。
これにより、溝部内に接合部材が侵入し易くなり、ボイドの発生をより確実に抑制することができる。
【００１６】
本発明の電子デバイスでは、前記接合部材は、低融点ガラスであることが好ましい。
これにより、使用し易く、かつ、第１基体と第２基体とをより強固に接合することができる接合部材となる。
【００１７】
本発明の電子デバイスの製造方法は、第１基体を準備する工程と、
前記第１基体に基板を接合する工程と、
前記基板を加工して素子片を形成し、前記第１基体を加工して凸部を形成する工程と、
第２基体を準備し、前記第１基体との間に前記素子片を収納するように、前記第２基体を、接合部材を介して前記第１基体に接合する工程と、を有し、
前記接合する工程では、前記凸部の少なくとも一部を覆うように前記接合部材が配置されていることを特徴とする。
これにより、第１基体と第２基体との接合強度を向上させ、第１基体と第２基体との接合と共にこれらの内側に形成される収納空間が気密封止される電子デバイスが得られる。
【００１８】
本発明の電子モジュールは、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、本発明の電子デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い電子モジュールが得られる。
【００１９】
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、本発明の電子デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２０】
本発明の移動体は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、本発明の電子デバイスの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１に示す電子デバイスが有する素子片に印加する電圧を示す図である。
【図５】図１に示す電子デバイスの変形例を示す断面図である。
【図６】図１に示す電子デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図７】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの断面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図１７】図１６中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【図２０】本発明の第６実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図２１】本発明の第７実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図２２】本発明の第８実施形態に係る電子モジュールを示す断面図である。
【図２３】本発明の第９実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【図２４】本発明の第１０実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【図２５】本発明の第１１実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【図２６】本発明の第１２実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１中のＢ−Ｂ線断面図である。図４は、図１に示す電子デバイスが有する素子片に印加する電圧を示す図である。図５は、図１に示す電子デバイスの変形例を示す断面図である。図６は、図１に示す電子デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図７ないし図１４は、それぞれ、図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【００２５】
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側および図２、図３、図５、図７ないし図１４中の上側を「上」とも言い、図１中の紙面奥側および図２、図３、図５、図７ないし図１４中の下側を「下」とも言う。また、各図に示すように、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とし、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、各軸の矢印方向先端側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。
【００２６】
図１に示す電子デバイス１は、Ｘ軸方向の加速度Ａｘを検出することのできる加速度センサー（物理量センサー）である。このような電子デバイス１は、パッケージ２と、パッケージ２に収納された素子片６と、を有している。以下、これら各部について、順に詳細に説明する。
【００２７】
（パッケージ）
図２に示すように、パッケージ２は、ベース３（第１基体）と、蓋体４（第２基体）と、ベース３および蓋体４の間に位置し、これらを接合している接合部材５と、を有している。このようなパッケージ２は、収納空間Ｓを有しており、この収納空間Ｓに素子片６が収納されている。
【００２８】
図１に示すように、ベース３は、矩形の平面視形状を有する板状をなしている。そして、その上面には、接合部材５と接合されている枠状の接合領域Ｓ３が設けられている。また、ベース３は、接合領域Ｓ３の内側に位置し、上面側に開口する凹部３１を有している。凹部３１は、素子片６とベース３との接触を防止（抑制）するための逃げ部として機能する。
【００２９】
また、ベース３は、上面（蓋体４側の主面）に配置され、上側（蓋体４側）に突出する凸部３２を有している。凸部３２は、Ｚ軸方向から見た平面視で、凹部３１を囲む枠状をなしている（ただし、後述する溝部３５、３６、３７と交差する部分については考慮しない）。また、凸部３２は、接合領域Ｓ３内に設けられており、その少なくとも一部（本実施形態では全部）が接合部材５に覆われている。このような凸部３２を設けることで、凸部３２がない場合（すなわち、接合領域Ｓ３が平坦な場合）と比べて、接合領域Ｓ３の表面積が大きくなり、ベース３と接合部材５との接合面積が大きくなる。そのため、ベース３と接合部材５との接合強度を高めることができる。
【００３０】
なお、ベース３には、Ｚ軸方向から見た平面視で、凹部３１の周囲を囲み、上面側に開口する枠状（環状）の凹部３３と、凹部３３を囲み、上面側に開口する枠状（環状）の凹部３４と、が形成されており、これらの間の領域が凸部３２となっている。すなわち、凸部３２は、その周囲（内側および外側）の部分を掘り込むことで形成されており、凸部３２の上面は、ベース３の上面と面一となっている。このような構成によれば、後述する電子デバイス１の製造方法でも説明するように、電子デバイス１の製造工程数の削減を図ることができる。
【００３１】
なお、凸部３２の高さＴ１としては、特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、凸部３２の表面積を十分に確保でき、また、凸部３２の周囲に接合部材５が回り込み易くなる。そのため、凸部３２と接合部材５との接合強度を効果的に高めることができる。なお、凸部３２の高さＴ１が１０μｍを超えると、接合部材５の種類によっては、凸部３２の周囲に接合部材５が回り込み難くなり、ベース３と接合部材５との間にボイドが発生する可能性が高くなる。
【００３２】
また、凸部３２の幅Ｗ１（Ｚ軸方向から見た平面視で、凸部３２の延在方向に直交する方向の長さ）としては、特に限定されないが、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましく、９０μｍ以上１４０μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、凸部３２の過剰な大型化を防止しつつ、凸部３２の表面積を十分に大きくすることができる。そのため、電子デバイス１の大型化を抑制しつつ、凸部３２の接合部材５との接合強度を効果的に高めることができる。
【００３３】
また、図１に示すように、ベース３は、上面側に開口する３つの溝部３５、３６、３７を有している。各溝部３５、３６、３７は、凸部３２を横断し、凹部３３および凹部３４にわたって形成されている。また、各溝部３５、３６、３７は、収納空間Ｓの内外に延在しており、その一端側が収納空間Ｓ外に位置しており、他端側が収納空間Ｓ内に位置している。
【００３４】
各溝部３５、３６、３７の深さＤ１としては、特に限定されないが、例えば、凹部３３、３４の深さＤ２よりも深く、凹部３１の深さＤ３よりも浅いことが好ましい。すなわち、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３の関係を満足することが好ましい。後述するように、溝部３５、３６、３７には素子片６と電気的に接続するための配線７５、７６、７７が配置されているが、深さＤ１を上述の範囲とすることで、深さＤ１が配線７５、７６、７７を配置するのに適度なものとなる。
【００３５】
具体的には、溝部３５、３６、３７が深すぎる場合（例えば、Ｄ１≧Ｄ３）には、配線７５、７６、７７と素子片６との間に過剰なギャップが形成されてしまう場合があり、この場合には、配線７５、７６、７７と素子片６とを電気的に接続し難くなる。逆に、溝部３５、３６、３７が浅すぎる場合（例えば、Ｄ１≦Ｄ２）には、配線７５、７６、７７と素子片６とのギャップが小さくなり過ぎる場合があり、この場合には、各配線７５、７６、７７が素子片６との接続箇所以外の部分で素子片６と接触（電気的に接続）し、配線７５、７６、７７間の短絡を招くおそれがある。
【００３６】
このようなベース３としては、例えば、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオン（可動イオン）を含有するガラス材料（例えば、テンパックスガラス（登録商標）、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）で構成されたガラス基板を用いることができる。これにより、例えば、後述するように、シリコン基板から形成された素子片６を陽極接合法によりベース３に接合することができる。そのため、素子片６をベース３に強固に接合することができる。また、加工精度に優れ、かつ、加工が簡単なベース３となるため、凹部３１、３３、３４および溝部３５、３６、３７の形成が容易となる、また、光透過性を有するベース３を得ることもできる。そのため、パッケージ２の外側から、ベース３を介して素子片６の状態（例えば、素子片６が凹部３１の底面に貼り付いてしまう現象である「スティッキング」の有無や配線の状態）を視認することができる。
【００３７】
ただし、ベース３としては、特に限定されず、例えば、シリコン基板やセラミックス基板を用いてもよい。なお、ベース３としてシリコン基板を用いる場合は、短絡を防止する観点から、高抵抗のシリコン基板を用いるか、表面に熱酸化等によってシリコン酸化膜（絶縁性酸化物）を形成したシリコン基板を用いることが好ましい。
【００３８】
ここで、後述する電子デバイス１の製造方法でも説明するように、本実施形態では、凹部３１および溝部３５、３６、３７は、それぞれ、ウェットエッチング法を用いた等方性エッチングで形成されており、凹部３３、３４は、それぞれ、ドライエッチング法を用いた異方性エッチングで形成されている。これにより、これら各部の形成が容易となると共に、製造工程数の削減を図ることができる。ただし、凹部３１、３３、３４および溝部３５、３６、３７の形成方法としては、特に限定されない。
【００３９】
また、図１に示すように、溝部３５、３６、３７には素子片６と電気的に接続された配線７５、７６、７７が設けられている。また、配線７５、７６、７７の一端部は、それぞれ、蓋体４の外側に露出しており、外部装置（例えば、後述する回路素子１０２０）との電気的な接続を行う電極パッドＰとして機能する。
【００４０】
配線７５、７６、７７の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）等の金属材料、これら金属材料を含む合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ等の酸化物系の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。
【００４１】
図１に示すように、蓋体４は、矩形の平面視形状を有する板状をなしている。また、図２に示すように、蓋体４は、下面側（ベース３側）に開放する凹部４１を有している。このような蓋体４では、その下面（ベース３側の面）にベース３と接合される枠状の接合領域Ｓ４が設けられており、凹部４１内に素子片６を収納するようにして、ベース３の上面（接合領域Ｓ３）に接合部材５を介して接合されている。そして、蓋体４およびベース３によって、その内側に素子片６を収納する収納空間Ｓが形成されている。
【００４２】
また、図２に示すように、蓋体４は、収納空間Ｓの内外を連通する連通孔４２を有している。この連通孔４２を介して、収納空間Ｓを所望の雰囲気に置換することができる。また、連通孔４２内には封止部材４３が配置され、封止部材４３によって連通孔４２が気密封止されている。
【００４３】
封止部材４３としては、連通孔４２を封止できれば、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）／錫（Ｓｎ）系合金、金（Ａｕ）／ゲルマニウム（Ｇｅ）系合金、金（Ａｕ）／アルミニウム（Ａｌ）系合金等の各種合金、低融点ガラス等のガラス材料等を用いることができる。
【００４４】
なお、封止部材４３で連通孔４２を封止する際に、熱処理、脱水処理を行うことでより清浄な環境で封止できる。具体的には、ベース３と蓋体４を接合する際に接合部材５から発生する溶剤成分等のアウトガスを極力排除した状態で気密封止できる。また、封止部材４３で封止する際に、圧力調整、雰囲気ガスの選択を行うことで電子デバイス１の動作に好適な状態で気密封止することができる。
【００４５】
収納空間Ｓは、気密空間である。また、収納空間Ｓは、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されて、使用温度（−４０℃〜１２０℃程度）で、ほぼ大気圧となっていることが好ましい。収納空間Ｓを大気圧とすることで、粘性抵抗が増してダンピング効果が発揮され、素子片６（後述する可動部６２３）の振動を速やかに収束させることができる。そのため、電子デバイス１の加速度Ａｘの検出精度が向上する。
【００４６】
このような蓋体４としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。ただし、蓋体４としては、特に限定されず、例えば、ガラス基板やセラミックス基板を用いてもよい。
【００４７】
図２に示すように、接合部材５は、ベース３と蓋体４との間に位置し、これらを接合している。より具体的には、接合部材５は、ベース３の接合領域Ｓ３と蓋体４の接合領域Ｓ４との間に位置し、接合領域Ｓ３、Ｓ４同士を接合している。前述したように、接合領域Ｓ３には、凸部３２が設けられており、この凸部３２の全域が接合部材５で覆われている。そのため、接合部材５とベース３との接合面積を大きくすることができ、接合部材５とベース３との接合強度を高めることができる。そのため、ベース３と蓋体４とをより強固に接合することができ、電子デバイス１の機械的強度が向上する。
【００４８】
このような接合部材５としては、ベース３と蓋体４とを接合することができれば、特に限定されず、例えば、低融点ガラス（ガラスフリット）、各種樹脂系の接着剤、ろう材等を用いることができる。ただし、本実施形態では、接合部材５として低融点ガラス（ガラスフリット）を用いている。これにより、使用し易く、かつ、ベース３と蓋体４とをより強固に接合することができる接合部材５となる。また、低融点ガラスは、気密性にも優れているため、接合部材５によって収納空間Ｓをより確実に気密封止することができる。なお、低融点ガラスとは、例えば、軟化点（ガラスが自重で軟化変形する温度）が６００℃以下のガラス材料を言う。
【００４９】
例えば、陽極接合法等によって、ベース３と蓋体４とを直接接合すると、溝部３５、３６、３７を介して収納空間Ｓの内外が連通した状態となる。そこで、この場合には、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２膜によって溝部３５、３６、３７を塞ぐ必要があり、当該工程を接合工程とは別に行わなければならい。
【００５０】
これに対して、本実施形態では、図３に示すように、接合部材５を用いてベース３と蓋体４とを接合することで、ベース３と蓋体４とを接合する際に、接合部材５によって溝部３５、３６、３７を塞ぐことができる。そのため、ベース３と蓋体４との接合工程とは別に、溝部３５、３６、３７を塞ぐ工程を行う必要がなく、電子デバイス１の製造工程数を削減することができる。このように、接合領域Ｓ３（接合部材５）と重なる部分において、各溝部３５、３６、３７内に接合部材５を充填することで、簡単に、各溝部３５、３６、３７を塞ぐことができる。
【００５１】
なお、各溝部３５、３６、３７の幅Ｗ２（Ｚ軸方向から見た平面視で、各溝部３５、３６、３７の延在方向に直交する方向の長さ）は、開口側から底面側（Ｚ軸方向マイナス側）に向けて漸減している。すなわち、各溝部３５、３６、３７は、テーパー状の横断面形状を有している。これにより、接合領域Ｓ３と重なる部分において各溝部３５、３６、３７内に接合部材５が侵入し易くなる。また、各溝部３５、３６、３７の底面と側面との接続部でのボイド（気泡）の発生をより確実に抑制することができる。そのため、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。また、接合部材５によって、各溝部３５、３６、３７をより確実に埋めることができ、収納空間Ｓをより確実に気密封止することができる。
【００５２】
特に、本実施形態の各溝部３５、３６、３７では、両側面が湾曲しており、幅Ｗ２の変化率が開口側から底面側（Ｚ軸方向マイナス側）に向けて漸増している。これにより、底面と側面とを連続した面とすることができ、これらの面の接続部でのボイドの発生をより効果的に抑制することができる。ただし、各溝部３５、３６、３７の横断面形状は、特に限定されず、例えば、幅Ｗ２が深さ方向に一定であってもよい。
【００５３】
（素子片）
図１に示すように、素子片６は、ベース３に固定されている固定電極部６１と、ベース３に対して変位可能な可動電極部６２と、を有している。
【００５４】
このような素子片６は、例えば、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物がドープされたシリコン基板をパターニングすることで形成することができる。また、素子片６は、陽極接合法によってベース３の上面に接合されている。ただし、素子片６の材料や、素子片６とベース３との接合方法は、特に限定されない。
【００５５】
可動電極部６２は、一対の支持部６２１、６２２と、可動部６２３と、一対の連結部６２４、６２５と、可動電極指６２６と、を備えている。支持部６２１、６２２は、凹部３１を間に挟んでＸ軸方向に並んで配置されており、それぞれ、ベース３の上面に接合されている。そして、支持部６２２が導電性バンプＢ１（導電性部材）を介して配線７５と電気的に接続されている。なお、導電性バンプＢ１を省略し、支持部６２２と配線７５とが直接接触することで、これらが電気的に接続されていてもよい。同じく、導電性バンプＢ１を省略し、代わりに導電性ワイヤー等を用いて接続されていてもよい。このことは、後述する導電性バンプＢ２、Ｂ３についても同様である。
【００５６】
そして、これら支持部６２１、６２２の間に可動部６２３が位置している。可動部６２３は、Ｚ軸方向から見た平面視で、凹部３１と重なって設けられており、ベース３との接触が防止されている。また、可動部６２３は、Ｘ軸方向プラス側の端部において、連結部６２４を介して支持部６２１に連結され、Ｘ軸方向マイナス側の端部において、連結部６２５を介して支持部６２２に連結されている。連結部６２４、６２５は、それぞれ、Ｘ軸方向に弾性変形可能であり、加速度Ａｘが加わると、可動部６２３は、連結部６２４、６２５を弾性変形させつつ、支持部６２１、６２２に対してＸ軸方向に変位する。そして、可動部６２３には、Ｙ軸方向両側に延出し、かつ、Ｘ軸方向に間欠的に並設された複数の可動電極指６２６が設けられている。
【００５７】
また、固定電極部６１は、複数の第１固定電極指６１１と、複数の第２固定電極指６１２と、を有している。
【００５８】
複数の第１固定電極指６１１は、各可動電極指６２６のＸ軸方向プラス側に配置されており、対応する可動電極指６２６に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。一方、複数の第２固定電極指６１２は、各可動電極指６２６のＸ軸方向マイナス側に配置されており、対応する可動電極指６２６に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。このような第１固定電極指６１１および第２固定電極指６１２は、それぞれ、その基端部において、ベース３の上面に接合（固定）されている。
【００５９】
また、各第１固定電極指６１１は、導電性バンプＢ２（導電性部材）を介して配線７６と電気的に接続されている。また、各第２固定電極指６１２は、導電性バンプＢ３（導電性部材）を介して配線７７と電気的に接続されている。
【００６０】
次に、電子デバイス１の作動について説明する。電子デバイス１の作動時には、例えば、図４中の電圧Ｖ１が可動電極部６２（可動電極指６２６）に印加され、電圧Ｖ２が第１固定電極指６１１および第２固定電極指６１２に印加される。そして、電子デバイス１にＸ軸方向の加速度Ａｘが加わると、その加速度Ａｘの大きさに基づいて、可動部６２３が連結部６２４、６２５を弾性変形させながらＸ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極指６２６と第１固定電極指６１１とのギャップおよび可動電極指６２６と第２固定電極指６１２とのギャップがそれぞれ変化し、その変化量に応じて、可動電極指６２６と第１固定電極指６１１との間の静電容量および可動電極指６２６と第２固定電極指６１２との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。そのため、これら静電容量の変化に基づいて加速度Ａｘを検出することができる。
【００６１】
以上、電子デバイス１の構成について説明した。このような電子デバイス１は、前述したように、収納空間Ｓを有するパッケージ２と、収納空間Ｓに収納されている素子片６と、を有している。また、パッケージ２は、第１基体としてのベース３と、第２基体としての蓋体４と、ベース３と蓋体４との間に配置され、ベース３と蓋体４とを接合している接合部材５と、を有している。そして、ベース３および蓋体４の少なくとも一方（本実施形態ではベース３）は、他方側に突出する凸部３２を有し、接合部材５は、凸部３２の少なくとも一部（本実施形態では全部）を覆って配置されている。これにより、接合部材５とベース３との接合面積を大きくすることができ、接合部材５とベース３との接合強度、すなわち、ベース３と蓋体４との接合強度を高めることができる。そのため、電子デバイス１の機械的強度が向上する。また、接合部材５によって、ベース３と蓋体４との接合と共に、これらの内側に形成される収納空間Ｓが気密封止されるため、電子デバイス１の製造工程数の削減を図ることができ、電子デバイス１の製造が容易となる。
【００６２】
なお、接合部材５は、凸部３２の少なくとも一部を覆って配置されていればよく、例えば、図５に示すように、凸部３２の一部が接合部材５から露出していてもよい。言い換えると、凸部３２の一部が、接合領域Ｓ３の外側に位置していてもよい。
【００６３】
また、前述したように、電子デバイス１では、Ｚ軸方向（ベース３および蓋体４が重なる方向）から見た平面視で、凸部３２は、収納空間Ｓ（凹部３１）を囲むように、枠状をなしている。これにより、ベース３と接合部材５との接触面積を簡単に、かつ、効果的に大きくすることができ、ベース３と蓋体４との接合強度をより高めることができる。また、収納空間Ｓの周囲の全域にわたってほぼ同じ接合強度を発揮することができるため、ベース３と蓋体４との接合状態が安定する。
【００６４】
また、前述したように、電子デバイス１では、凸部３２の高さＴ１は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。これにより、凸部３２の表面積を十分に確保でき、また、凸部３２の周囲に接合部材５が回り込み易くなる。そのため、凸部３２と接合部材５との接合強度を効果的に高めることができる。
【００６５】
また、前述したように、電子デバイス１では、ベース３は、上面（蓋体４側の面）に開口し、収納空間Ｓの内外に延在する溝部３５、３６、３７と、溝部３５、３６、３７に配置されている配線７５、７６、７７と、を有している。また、溝部３５、３６、３７と接合部材５（接合領域Ｓ３）とが交差する部分において、溝部３５、３６、３７内に接合部材５が設けられている。これにより、接合部材５によって溝部３５、３６、３７を埋めることができ、より簡単に、収納空間Ｓを気密封止することができる。
【００６６】
また、前述したように、電子デバイス１では、溝部３５、３６、３７の幅は、開口側から底面側に向けて漸減している。これにより、接合領域Ｓ３と重なる部分において、各溝部３５、３６、３７内に接合部材５が侵入し易くなる。また、各溝部３５、３６、３７の底面と側面とで形成される角部でのボイドの発生をより確実に抑制することができる。そのため、接合領域Ｓ３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。
【００６７】
また、前述したように、電子デバイス１では、接合部材５は、低融点ガラスである。これにより、使用し易く、かつ、ベース３と蓋体４とをより強固に接合することができる接合部材５となる。また、低融点ガラスは、気密性にも優れているため、接合部材５によって収納空間Ｓをより確実に気密封止することができる。
【００６８】
次に、電子デバイス１の製造方法について説明する。図６に示すように、電子デバイス１の製造方法は、ベース３（第１基体）を準備する準備工程と、ベース３に素子片６の母材となる基板６０を接合する基板接合工程と、基板６０を加工して素子片６を形成し、ベース３を加工して凸部３２を形成する形成工程と、蓋体４（第２基体）を準備し、ベース３との間に素子片６を収納するように、蓋体４を、接合部材５を介してベース３に接合する接合工程と、を有している。以下、このような製造方法について詳細に説明する。
【００６９】
（準備工程）
まず、図７に示すように、例えば、硼珪酸ガラスで構成されたガラス基板からなるベース３を準備し、フォトリソグラフィー技法とウェットエッチング技法とを用いて、ベース３の上面に開口する凹部３１および溝部３５、３６、３７を形成する。なお、本実施形態では、凹部３１と溝部３５、３６、３７の深さが異なるため、凹部３１を形成する工程と、溝部３５、３６、３７を形成する工程とを別々に行っている。ウェットエッチングによれば、ベース３を等方的にエッチングすることができるため、前述したように、溝部３５、３６、３７を簡単にテーパー状とすることができる。
【００７０】
次に、図８に示すように、溝部３５、３６、３７内に配線７５、７６、７７を形成する。また、配線７５、７６、７７の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング、蒸着等によって金属層を成膜し、この金属層を、フォトリソグラフィー技法とエッチング技法とを用いてパターニングする方法が挙げられる。また、あらかじめ所望の配線形状にフォトレジストをパターニングした後に金属膜を全面成膜しフォトレジストと不要な金属層を除去するリフトオフ法を用いてもよい。
【００７１】
（基板接合工程）
次に、図９に示すように、ベース３の凸部３２を形成する領域Ｓ３２上にマスクＭ１を形成する。マスクＭ１の材料や形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング、蒸着等によってＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）からなる膜を成膜し、この膜を、フォトリソグラフィー技法とエッチング技法とを用いてパターニングする方法が挙げられる。また、あらかじめ所望の形状にフォトレジストをパターニングした後にＤＬＣからなる膜を全面成膜しフォトレジストと不要なＤＬＣ膜を除去するリフトオフ法を用いてもよい。次に、配線７５、７６、７７上に導電性バンプＢ１、Ｂ２、Ｂ３を配置する。
【００７２】
次に、図１０に示すように、素子片６の母材であり、シリコン基板からなる基板６０を準備し、この基板６０を陽極接合法によりベース３の上面に接合する。ここで、マスクＭ１との接触を防止するために、基板６０の下面には凹部６０１が形成されている。これにより、基板６０の下面をより確実にベース３の上面に接触させることができ、これらをより確実に接合することができる。
【００７３】
（形成工程）
次に、必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）を用いて基板６０を薄肉化した後、基板６０にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散）して導電性を付与する。または、あらかじめ導電性が付与された基板６０を用いてもよい。次に、図１１に示すように、基板６０の上面に素子片６に対応した形状のマスクＭ２を形成し、このマスクＭ２を介して基板６０をドライエッチング（ＲＩＥ：反応性イオンエッチング）する。好適には、六フッ化硫黄（ＳＦ６）等の反応性ガスを用いた誘導結合型プラズマエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−ＲＩＥ）を用いる。これにより、図１２に示すように、素子片６が得られる。この際、ドライエッチングを長めに行うことで、ベース３のマスクＭ１（素子片６）およびマスクＭ２から露出している部分をオーバーエッチングし、凹部３３、３４を形成することができる。これにより、凸部３２が得られる。このような方法によれば、素子片６と凸部３２とを同じ工程で形成することができるため、電子デバイス１の製造工程数を削減することができ、電子デバイス１の製造がより簡単となる。
【００７４】
（接合工程）
次に、図１３に示すように、蓋体４を準備し、接合部材５を用いて蓋体４をベース３に接合する。これにより、収納空間Ｓが形成されると共に、収納空間Ｓに素子片６が収納される。また、接合部材５によって、凸部３２の少なくとも一部が覆われるため、ベース３と接合部材５との接触面積が大きくなり、これらの接合強度を高めることができる。
【００７５】
次に、蓋体４の連通孔４２内に球状の封止部材４３を配置し、連通孔４２と封止部材４３との隙間を介して収納空間Ｓを所望の雰囲気に置換する。次に、封止部材４３にレーザーを照射して、封止部材４３を溶融させることで連通孔４２を封止する。これにより、所望の雰囲気に置換された状態で、収納空間Ｓが封止される。以上により、図１４に示すように、電子デバイス１が得られる。
【００７６】
このような電子デバイス１の製造方法は、前述したように、ベース３（第１基体）を準備する準備工程と、ベース３に素子片６の母材となる基板６０を接合する基板接合工程と、基板６０を加工して素子片６を形成し、ベース３を加工して凸部３２を形成する形成工程と、蓋体４（第２基体）を準備し、ベース３との間に素子片６を収納するように、蓋体４を、接合部材５を介してベース３に接合する接合工程と、を有している。そして、接合工程では、凸部３２の少なくとも一部（本実施形態では全部）を覆うように接合部材５が配置されている。これにより、接合部材５とベース３との接合面積を大きくすることができ、ベース３と蓋体４との接合強度が高い電子デバイス１が得られる。また、接合部材５によって、ベース３と蓋体４との接合と共に、これらの内側に形成される収納空間Ｓが気密封止されるため、電子デバイス１の製造工程数の削減を図ることができ、電子デバイス１の製造が容易となる。
【００７７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【００７８】
図１５は、本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの断面図である。なお、図１５は、図１中のＡ−Ａ線断面図（図２）に対応している。
【００７９】
本実施形態に係る電子デバイス１は、凸部３２の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【００８０】
なお、以下の説明では、第２実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１５では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００８１】
図１５に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、凸部３２の幅Ｗ１（Ｚ軸方向から見た平面視で、凸部３２の延在方向に直交する方向の長さ）は、基端側から先端側（Ｚ軸方向プラス側）に向けて漸減している。すなわち、凸部３２は、テーパー状の横断面形状を有している。これにより、例えば、前述した第１実施形態のように、凸部３２の幅Ｗ１が高さ方向に一定の場合と比較して、凸部３２の側面に接合部材５が回り込み易くなる。また、凸部３２の側面と凹部３３、３４の底面との接続部でのボイド（気泡）の発生をより確実に抑制することができる。そのため、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。
【００８２】
特に、本実施形態の凸部３２は、両側面が湾曲しており、幅Ｗ１の変化率が基端側から先端側（Ｚ軸方向プラス側）に向けて漸減している。これにより、凸部３２の側面と凹部３３、３４の底面とを連続した面とすることができ、当該部分でのボイドの発生をより効果的に抑制することができる。
【００８３】
なお、このような形状の凸部３２は、例えば、凹部３３、３４を等方性エッチングであるウェットエッチングで形成することで、容易に形成することができる。
【００８４】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【００８６】
図１６は、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。図１７は、図１６中のＣ−Ｃ線断面図である。
【００８７】
本実施形態に係る電子デバイス１は、凸部３２の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【００８８】
なお、以下の説明では、第３実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１６では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００８９】
図１６に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、凸部３２は、枠状の第１凸部３２１と、第１凸部３２１の外側に第１凸部３２１と離間して位置し、第１凸部３２１を囲む枠状の第２凸部３２２と、を有している。これにより、例えば、前述した第１実施形態と接合領域Ｓ３の幅が同じであっても、前述した第１実施形態と比べて接合領域Ｓ３の表面積を大きくすることができる。そのため、本実施形態によれば、電子デバイス１の大型化を招くことなく、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。なお、凸部３２の構成としては、さらに、第２凸部３２２の外側に第２凸部と離間して位置し、第２凸部３２２を囲む枠状の第３凸部、第３凸部の外側に第３凸部と離間して位置し、第３凸部を囲む枠状の第４凸部を有していてもよく、凸部３２の数を限定するものではない。
【００９０】
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９１】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図１８は、本発明の第４実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【００９２】
本実施形態に係る電子デバイス１は、凸部３２の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【００９３】
なお、以下の説明では、第４実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００９４】
図１８に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、Ｚ軸方向（ベース３および蓋体４が重なる方向）から見た平面視で、凸部３２は、収納空間Ｓ（凹部３１）の周方向に沿って、間隔を隔てて（間欠的に）配置されている複数の凸片３２０を有している。これにより、例えば、前述した第１実施形態と接合領域Ｓ３の平面的な面積（Ｚ軸方向から見た平面視での面積）が同じであっても、前述した第１実施形態と比べて接合領域Ｓ３の表面積を大きくすることができる。そのため、本実施形態によれば、電子デバイス１の大型化を招くことなく、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。
【００９５】
また、複数の凸片３２０は、互いにほぼ同じ形状となっている。また、各凸片３２０の長さをＬ１とし、隣り合う２つの凸片３２０の離間距離をＬ２としたとき、Ｌ１、Ｌ２の比率としては、特に限定されないが、０．５≦Ｌ１／Ｌ２≦３であることが好ましく、０．５≦Ｌ１／Ｌ２≦２であることがより好ましく、０．８≦Ｌ１／Ｌ２≦１．５であることがさらに好ましい。特に、本実施形態では、Ｌ１／Ｌ２＝１（Ｌ１＝Ｌ２）となっている。これにより、離間距離Ｌ２を比較的短くすることができ、接合領域Ｓ３内に、十分な数の凸片３２０を配置することができる。そのため、接合領域Ｓ３の表面積をより大きくすることができ、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。
【００９６】
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９７】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図１９は、本発明の第５実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
【００９８】
本実施形態に係る電子デバイス１は、凸部３２の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【００９９】
なお、以下の説明では、第５実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１９では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【０１００】
図１９に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、凸部３２は、複数の凸片３２０を有している。そして、複数の凸片３２０は、格子状に配置されている。より具体的には、凸部３２は、接合領域Ｓ３の周方向に沿って、間隔を隔てて配置された複数の第１凸片３２０’と、複数の第１凸片３２０’の外側に位置し、接合領域Ｓ３の周方向に沿って、間隔を隔てて配置された複数の第２凸片３２０”と、を有している。そして、隣り合う２つの第１凸片３２０’の間の隙間と並んで１つの第２凸片３２０”が配置され、隣り合う２つの第２凸片３２０”の間の隙間と並んで１つの第１凸片３２０’が配置されている。また、隣り合う２つの第１凸片３２０’の離間距離Ｌ２’と第２凸片３２０”の長さＬ１”とがほぼ等しく、隣り合う２つの第２凸片３２０”の離間距離Ｌ２”と第１凸片３２０’の長さＬ１’とがほぼ等しい。特に、本実施形態では、Ｌ１’＝Ｌ１”＝Ｌ２’＝Ｌ２”となっている。
【０１０１】
これにより、例えば、前述した第１実施形態と接合領域Ｓ３の平面的な面積（Ｚ軸方向から見た平面視での面積）が同じであっても、前述した第１実施形態と比べて接合領域Ｓ３の表面積を大きくすることができる。そのため、本実施形態によれば、電子デバイス１の大型化を招くことなく、ベース３と接合部材５との接合強度をより高めることができる。
【０１０２】
このような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０３】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【０１０４】
図２０は、本発明の第６実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。なお、図２０は、図１中のＡ−Ａ線断面図（図２）に対応している。
【０１０５】
本実施形態に係る電子デバイス１は、ベース３から凸部３２を省略し、蓋体４に凸部４４が配置されていること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【０１０６】
なお、以下の説明では、第６実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図２０では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【０１０７】
図２０に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、ベース３から凸部３２（凹部３３、３４）が省略されており、その替りに、蓋体４の下面に、下側へ突出する凸部４４が設けられている。この凸部４４は、接合領域Ｓ４内に位置し、接合領域Ｓ４の周方向に沿って形成された枠状となっている。そして、このような凸部４４の少なくとも一部（本実施形態では全部）が接合部材５で覆われている。これにより、例えば、前述した第１実施形態と比べて、蓋体４と接合部材５との接触面積を大きくすることができ、蓋体４と接合部材５との接合強度を高めることができる。
【０１０８】
このような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、凸部４４の構成は、前述した各実施形態の凸部３２の構成をそのまま適用することができる。
【０１０９】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【０１１０】
図２１は、本発明の第７実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。なお、図２１は、図１中のＡ−Ａ線断面図（図２）に対応している。
【０１１１】
本実施形態に係る電子デバイス１は、蓋体４に凸部４４が配置されていること以外は、前述した第１実施形態の電子デバイス１と同様である。
【０１１２】
なお、以下の説明では、第７実施形態の電子デバイス１に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図２１では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【０１１３】
図２１に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、ベース３に凸部３２が設けられていると共に、蓋体４の下面にも凸部４４が設けられている。これにより、例えば、前述した第１実施形態と比べて、蓋体４と接合部材５との接触面積を大きくすることができ、蓋体４と接合部材５との接合強度を高めることができる。そのため、例えば、第１実施形態と比べて、ベース３と蓋体４との接合強度をより高めることができる。
【０１１４】
このような第７実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１１５】
＜第８実施形態＞
次に、本発明の第８実施形態に係る電子モジュールについて説明する。
図２２は、本発明の第８実施形態に係る電子モジュールを示す断面図である。
【０１１６】
図２２に示すように、電子モジュール１０００は、ベース基板１０１０と、ベース基板１０１０上に設けられた電子デバイス１と、電子デバイス１上に設けられた回路素子１０２０（ＩＣ）と、電子デバイス１と回路素子１０２０とを電気的に接続するボンディングワイヤーＢＷ１と、ベース基板１０１０と回路素子１０２０とを電気的に接続するボンディングワイヤーＢＷ２と、電子デバイス１および回路素子１０２０をモールドするモールド部１０３０と、を有している。ここで、電子デバイス１としては、例えば、前述した各実施形態のいずれかのものを用いることができる。
【０１１７】
ベース基板１０１０は、電子デバイス１を支持する基板であり、例えば、インターポーザー基板である。このようなベース基板１０１０の上面には複数の接続端子１０１１が配置されており、下面には複数の実装端子１０１２が配置されている。また、ベース基板１０１０内には、図示しない内部配線が配置されており、この内部配線を介して、各接続端子１０１１が、対応する実装端子１０１２と電気的に接続されている。このようなベース基板１０１０としては、特に限定されず、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
【０１１８】
また、電子デバイス１は、ベース３を下側（ベース基板１０１０側）に向けてベース基板１０１０上に配置されている。そして、電子デバイス１は、ダイアタッチ材を介してベース基板１０１０に接合されている。
【０１１９】
また、回路素子１０２０は、電子デバイス１上に配置されている。そして、回路素子１０２０は、ダイアタッチ材を介して電子デバイス１の蓋体４に接合されている。また、回路素子１０２０は、ボンディングワイヤーＢＷ１を介して電子デバイス１の各電極パッドＰと電気的に接続され、ボンディングワイヤーＢＷ２を介してベース基板１０１０の接続端子１０１１と電気的に接続されている。このような回路素子１０２０には、電子デバイス１を駆動する駆動回路や、電子デバイス１からの出力信号に基づいて加速度Ａｘを検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が、必要に応じて含まれている。
【０１２０】
また、モールド部１０３０は、電子デバイス１および回路素子１０２０をモールドしている。これにより、電子デバイス１や回路素子１０２０を水分、埃、衝撃等から保護することができる。モールド部１０３０としては、特に限定されないが、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
【０１２１】
以上のような電子モジュール１０００は、電子デバイス１を有している。そのため、前述した電子デバイス１の効果を享受でき、信頼性の高い電子モジュール１０００が得られる。
【０１２２】
なお、電子モジュール１０００の構成としては、上記の構成に限定されず、例えば、電子デバイス１がセラミックパッケージに収納された構成となっていてもよい。
【０１２３】
＜第９実施形態＞
次に、本発明の第９実施形態に係る電子機器について説明する。
図２３は、本発明の第９実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【０１２４】
図２３に示すモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター１１００は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイス１が内蔵されている。ここで、電子デバイス１としては、例えば、前述した各実施形態のいずれかのものを用いることができる。
【０１２５】
このようなパーソナルコンピューター１１００（電子機器）は、電子デバイス１を有している。そのため、前述した電子デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１２６】
＜第１０実施形態＞
次に、本発明の第１０実施形態に係る電子機器について説明する。
図２４は、本発明の第１０実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【０１２７】
図２４に示す携帯電話機１２００（ＰＨＳも含む）は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、電子デバイス１が内蔵されている。ここで、電子デバイス１としては、例えば、前述した各実施形態のいずれかのものを用いることができる。
【０１２８】
このような携帯電話機１２００（電子機器）は、電子デバイス１を有している。そのため、前述した電子デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１２９】
＜第１１実施形態＞
次に、本発明の第１１実施形態に係る電子機器について説明する。
図２５は、本発明の第１１実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【０１３０】
図２５に示すデジタルスチールカメラ１３００は、本発明の電子デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、ケース（ボディー）１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、電子デバイス１が内蔵されている。ここで、電子デバイス１としては、例えば、前述した各実施形態のいずれかを用いることができる。
【０１３１】
このようなデジタルスチールカメラ１３００（電子機器）は、電子デバイス１を有している。そのため、前述した電子デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１３２】
なお、本発明の電子機器は、前述した実施形態のパーソナルコンピューターおよび携帯電話機、本実施形態のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。
【０１３３】
＜第１２実施形態＞
次に、本発明の第１２実施形態に係る移動体について説明する。
図２６は、本発明の第１２実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
【０１３４】
図２６に示す自動車１５００は、本発明の電子デバイスを備える移動体を適用した自動車である。この図において、自動車１５００には、電子デバイス１が内蔵されており、電子デバイス１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。電子デバイス１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。ここで、電子デバイス１としては、例えば、前述した各実施形態のいずれかのものを用いることができる。
【０１３５】
このような自動車１５００（移動体）は、電子デバイス１を有している。そのため、前述した電子デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【０１３６】
なお、電子デバイス１は、他にも、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【０１３７】
また、移動体としては、自動車１５００に限定されず、例えば、飛行機、ロケット、人工衛星、船舶、ＡＧＶ（無人搬送車）、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
【０１３８】
以上、本発明の電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【０１３９】
また、前述した実施形態では、素子片がＸ軸方向の加速度を検出することのできる構成について説明したが、素子片の構成としては、これに限定されず、例えば、Ｙ軸方向の加速度を検出することのできる構成であってもよいし、Ｚ軸方向の加速度を検出することのできる構成であってもよい。また、前述した実施形態では、電子デバイスが１つの素子片を有する構成について説明したが、素子片の数としては、特に限定されず、２つ以上であってもよい。２つ以上の場合は、例えば、異なる軸方向の加速度を検出することのできる素子片を有することが好ましい。
【０１４０】
また、前述した実施形態では、素子片が加速度を検出することのできる構成について説明したが、素子片が検出する物理量としては、加速度に限定されず、例えば、角速度であってもよい。この場合、素子片としては、例えば、Ｘ軸まわりの角速度を検出することができる構成、Ｙ軸まわりの角速度を検出することができる構成、Ｚ軸まわりの角速度を検出することができる構成のいずれかとすることができる。また、これらから選択した２つ以上の素子片を有していてもよい。もちろん、上述した加速度を検出することのできる素子片と組み合わせてもよい。
【０１４１】
また、前述した実施形態では、素子片が加速度を検出することのできる構成であり、電子デバイスが物理量センサーとして機能する構成について説明したが、電子デバイスの構成としては、特に限定されない。例えば、電子デバイスは、発振器用の振動デバイス（水晶振動素子等）を素子片として有する構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１…電子デバイス、２…パッケージ、３…ベース、３１…凹部、３２…凸部、３２０…凸片、３２０”…第２凸片、３２０’…第１凸片、３２１…第１凸部、３２２…第２凸部、３３、３４…凹部、３５、３６、３７…溝部、４…蓋体、４１…凹部、４２…連通孔、４３…封止部材、４４…凸部、５…接合部材、６…素子片、６０…基板、６０１…凹部、６１…固定電極部、６１１…第１固定電極指、６１２…第２固定電極指、６２…可動電極部、６２１、６２２…支持部、６２３…可動部、６２４、６２５…連結部、６２６…可動電極指、７５、７６、７７…配線、１０００…電子モジュール、１０１０…ベース基板、１０１１…接続端子、１０１２…実装端子、１０２０…回路素子、１０３０…モールド部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、Ａｘ…加速度、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３…導電性バンプ、ＢＷ１、ＢＷ２…ボンディングワイヤー、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…深さ、Ｌ１、Ｌ１’、Ｌ１”…長さ、Ｌ２、Ｌ２’、Ｌ２”…離間距離、Ｍ１、Ｍ２…マスク、Ｐ…電極パッド、Ｓ…収納空間、Ｓ３、Ｓ４…接合領域、Ｓ３２…領域、Ｔ１…高さ、Ｖ１、Ｖ２…電圧、Ｗ１、Ｗ２…幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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