(57)【要約】【課題】電子部品の破損を抑制することが可能な電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】電子部品内蔵基板１は、絶縁層１１を含み、第１主面１０Ａ及び第１主面１０Ａの反対側に第２主面１０Ｂを有する基板１０と、基板１０に内蔵され、第１主面１０Ａ側に設けられた複数の第１端子２１、第２主面１０Ｂ側に設けられた複数の第２端子２２、及び複数の第１端子２１と複数の第２端子２２との間に設けられた容量部２３を有する電子部品２０と、を備え、電子部品２０は、少なくとも第２端子２２の一部が絶縁層１１に埋め込まれ、隣り合う第２端子２２の間に、当該隣り合う第２端子２２の両方に接するように絶縁部材３０が設けられ、絶縁部材３０と絶縁層１１とは、互いに異なる熱膨張係数を有する材料によって構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を含み、第１主面及び前記第１主面の反対側に第２主面を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記第１主面側に設けられた複数の第１端子、前記第２主面側に設けられた複数の第２端子、及び前記複数の第１端子と前記複数の第２端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、を備え、
前記電子部品は、少なくとも前記第２端子の一部が前記絶縁層に埋め込まれ、
隣り合う前記第２端子の間に、当該隣り合う前記第２端子の両方に接するように絶縁部材が設けられ、
前記絶縁部材と前記絶縁層とは、互いに異なる熱膨張係数を有する材料によって構成されている、電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記絶縁部材を構成する材料の熱膨張係数は、前記絶縁層を構成する材料の熱膨張係数より小さく、前記第２端子を構成する材料の熱膨張係数より大きい、請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記第２端子に対して前記第２主面側にも設けられている、請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記基板は、前記絶縁層に内蔵されたコアを更に有し、
前記コアには、前記第１主面側から前記第２主面側へ貫通する貫通孔が設けられ、
前記電子部品は前記貫通孔内に配置されている、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下部電極、誘電体薄膜、及び誘電体膜を挟んで下部電極と対向する上部電極とを有する薄膜キャパシタを備えた電子部品内蔵基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８１３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本願発明者らは、上述のような電子部品（薄膜キャパシタ）を内蔵した電子部品内蔵基板において低ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）化を図るために、電子部品の下部電極を複数に分割することを検討している。しかしながら、下部電極を複数に分割すると電子部品の強度が低下し、ハンドリング等の際に電子部品が破損する可能性がある。
【０００５】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、電子部品の破損を抑制することが可能な電子部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の一形態に係る電子部品内蔵基板は、絶縁層を含み、第１主面及び第１主面の反対側に第２主面を有する基板と、基板に内蔵され、第１主面側に設けられた複数の第１端子、第２主面側に設けられた複数の第２端子、及び複数の第１端子と複数の第２端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、を備え、電子部品は、少なくとも第２端子の一部が絶縁層に埋め込まれ、隣り合う第２端子の間に、当該隣り合う第２端子の両方に接するように絶縁部材が設けられ、絶縁部材と絶縁層とは、互いに異なる熱膨張係数を有する材料によって構成されている。
【０００７】
この電子部品内蔵基板では、電子部品が複数の第２端子を有し、隣り合う第２端子の両方に接するように、絶縁層とは異なる熱膨張係数を有する材料によって構成された絶縁部材が設けられている。これにより、電子部品の強度が低下することを抑制することができる。したがって、電子部品の破損を抑制することが可能である。また、隣り合う第２端子の間に絶縁部材が設けることにより、第２端子同士の短絡を抑制することが可能である。
【０００８】
一形態に係る電子部品内蔵基板において、絶縁部材を構成する材料の熱膨張係数は、絶縁層を構成する材料の熱膨張係数より小さく、第２端子を構成する材料の熱膨張係数より大きくてもよい。この場合、絶縁部材によって、絶縁層を構成する材料の熱膨張係数と第２端子を構成する材料の熱膨張係数との差に起因する応力を緩和することができる。したがって、電子部品内蔵基板における応力によって電子部品が破損することを抑制することが可能である。
【０００９】
一形態に係る電子部品内蔵基板において、絶縁部材は、第２端子に対して第２主面側にも設けられていてもよい。この場合、電子部品の強度が低下することをより確実に抑制することができる。したがって、電子部品の破損をより確実に抑制することが可能である。
【００１０】
一形態に係る電子部品内蔵基板において、基板は、絶縁層に内蔵されたコアを更に有し、コアには、第１主面側から第２主面側へ貫通する貫通孔が設けられ、電子部品は貫通孔内に配置されていてもよい。この場合、電子部品内蔵基板全体の強度向上を図ることが可能である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電子部品の破損を抑制することが可能な電子部品内蔵基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。
【図７】図６に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】図６に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】図６に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。
【図１１】変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図１に示す電子部品内蔵基板１は、例えば、通信端末等に使用される基板である。図１に示すように、電子部品内蔵基板１は、絶縁層１１を含む基板１０と、基板１０に内蔵された電子部品２０と、絶縁部材３０と、を備えている。基板１０は、第１主面１０Ａ及び第１主面１０Ａの反対側の第２主面１０Ｂを有している。電子部品２０は、第１主面１０Ａ側に設けられた複数の第１端子２１、第２主面１０Ｂ側に設けられた複数の第２端子２２、及び第１端子２１と第２端子２２との間に設けられた容量部２３を有している。隣り合う第２端子２２の間には、絶縁部材３０が設けられている。また、電子部品内蔵基板１は、電子部品２０の第１端子２１と電気的に接続される第１電極４１と、電子部品２０の第２端子２２と電気的に接続される第２電極４２と、を備えている。ここで、電子部品２０が基板１０に「内蔵されている」とは、電子部品２０が基板１０の第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂから露出していない状態をいう。
【００１５】
基板１０は、いわゆる多層回路基板である。本実施形態においては、基板１０は絶縁層１１のみを含んでおり、基板１０の第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂは絶縁層１１の主面に相当する。絶縁層１１は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はフェノール樹脂等の絶縁性材料によって構成される。なお、絶縁層１１を構成する絶縁性材料は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等、特定の処理によって硬度が変化する材料であることが好ましい。基板１０の全体の厚みは、例えば４０μｍ〜１０００μｍ程度とすることができる。また、絶縁層１１の厚みは、例えば１μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。なお、基板１０の全体の厚み及び絶縁層１１の厚みは特に限定されない。
【００１６】
電子部品２０は、複数の第１端子２１、複数の第２端子２２、及び複数の第１端子２１と複数の第２端子２２との間に設けられた容量部２３を有するキャパシタである。本実施形態では、電子部品２０が、第１端子２１及び第２端子２２が金属薄膜により構成され、容量部２３が誘電体膜により構成されたいわゆるＴＦＣＰ（Thin  Film  Capacitor：薄膜キャパシタ）である場合について説明する。電子部品２０は、少なくとも第２端子２２の一部が絶縁層１１に埋め込まれた状態となるように配置される。ここで「少なくとも第２端子２２の一部が絶縁層１１に埋め込まれた状態」とは、第２端子２２の周囲の一部が絶縁層１１により覆われた状態をいう。なお、第２端子２２と絶縁層１１との間に絶縁部材３０が介在していてもよい。本実施形態においては、電子部品２０全体が絶縁層１１に埋め込まれた状態となっている。また、第１端子２１は、例えば５つに分割され、第２端子２２は、例えば２つに分割されている。分割された第２端子２２のそれぞれは、隣り合う第２端子と互いに対向する端面２２ａと、第２主面１０Ｂ側の端面２２ｂとを有している。電子部品２０の３層（第１端子２１、第２端子２２、及び容量部２３）の厚みの合計は、例えば５μｍ〜６５０μｍ程度であり、第１端子２１の厚みを０．１μｍ〜５０μｍ程度とし、容量部２３の厚みを０．０５μｍ〜１００μｍ程度とし、第２端子２２の厚みを５μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
【００１７】
第１端子２１及び第２端子２２を構成する材料としては、主成分がニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられる。ただし、第１端子２１及び第２端子２２の材料は、導電性材料であれば特に限定されない。本実施形態では、第１端子２１が銅を主成分とすると共に、第２端子２２がニッケルを主成分とする場合について説明する。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が５０質量％以上であることをいう。また、第１端子２１及び第２端子２２の態様としては、合金や金属間化合物を形成する場合のほか、２種類以上からなる積層体構造である場合も含む。例えば、Ｎｉ薄膜上にＣｕ薄膜を設けた２層構造として電極層を形成してもよい。また、第１端子２１及び／又は第２端子２２として純ニッケルを使用する場合、そのニッケルの純度は９９．９９％以上が好ましい。更に、ニッケルを含有する合金の場合、ニッケル以外の金属として含まれる金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる少なくとも一種とすれば好適である。
【００１８】
容量部２３は、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成される。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３、などのペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３などに代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材などが含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型誘電体材料において、ＡサイトとＢサイトとの比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしてもよい。なお、容量部２３の特性制御のため、容量部２３に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。
【００１９】
絶縁部材３０は、電子部品２０の隣り合う第２端子２２の間に設けられる。また、絶縁部材３０は、隣り合う第２端子２２の両方と接し、両者を接続するように設けられている。さらに、絶縁部材３０は、第２端子２２に対して第２主面１０Ｂ側にも設けられている。より具体的には、絶縁部材３０は、一方の第２端子２２の端面２２ａと他方の第２端子２２の端面２２ａとを繋ぐように隣り合う第２端子２２の間に充填され、且つ、２つの第２端子２２の端面２２ｂを覆うように設けられている。この結果、隣り合う第２端子２２の端面２２ａ同士が絶縁部材３０を介して接続されている。絶縁部材３０と絶縁層１１とは、互いに異なる熱膨張係数を有する材料によって構成されている。また、絶縁部材３０を構成する材料の熱膨張係数は、絶縁層１１を構成する材料の熱膨張係数より小さく、第２端子２２を構成する材料の熱膨張係数より大きい。絶縁部材３０を構成する材料には、例えばポリイミド樹脂を用いることができる。この場合、絶縁層１１には例えばエポキシ樹脂が用いられ、第２端子２２には例えばニッケルが用いられる。また、一例として、絶縁部材３０を構成する材料の熱膨張係数を１５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下とし、絶縁層１１を構成する材料の熱膨張係数を２０ｐｐｍ／℃より大きくし、第２端子２２の熱膨張係数を１３ｐｐｍ／℃程度とすることができる。
【００２０】
第１電極４１は、複数の第１端子２１のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、５つの第１電極４１が設けられている例を示している。第１電極４１のそれぞれは、基板１０の第１主面１０Ａに対して積層されており、絶縁層１１に埋め込まれたビア導体４３を介して第１端子２１と電気的に接続されている。電子部品２０の第１端子２１は、ビア導体４３及び第１電極４１を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第１電極４１及びビア導体４３は、例えば銅（Ｃｕ）等の導電性材料によって構成されている。
【００２１】
第２電極４２は、複数の第２端子２２のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、２つの第２電極４２が設けられている例を示している。第２電極４２のそれぞれは、第２主面１０Ｂにおいて露出するように絶縁層１１（基板１０）に埋め込まれており、ビア導体４４を介して第２端子２２と電気的に接続されている。ビア導体４４は絶縁部材３０を貫通して、第２端子２２と電気的に接続されている。電子部品２０の第２端子２２は、ビア導体４４及び第２電極４２を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第２電極４２は、例えば銅（Ｃｕ）等の導電性材料によって構成されている。なお、第２電極４２は絶縁層１１に埋め込まれず、第２主面１０Ｂに対して積層されていてもよい。
【００２２】
次に、図２〜図５を参照して、電子部品内蔵基板１の製造方法について説明する。図２〜図５は、図１に示された電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。なお、図２〜図５では、一つの電子部品内蔵基板１の製造方法を示しているが、実際には複数の電子部品内蔵基板１を一枚の支持基板上で形成した後に、それぞれの電子部品内蔵基板１に個片化する。したがって、図２〜図５は、一枚の支持基板上の一部を拡大して示しているものである。
【００２３】
まず、図２に示すように、電子部品２０を準備し、電子部品２０の隣り合う第２端子２２の間を接続する絶縁部材３０を形成する。電子部品２０の第１端子２１は５つに分割され、第２端子２２は２つに分割されている。絶縁部材３０は、例えば未硬化の状態の樹脂材料を電子部品２０の第２端子２２側に塗布した後、樹脂材料を硬化させることによって形成される。これにより、隣り合う第２端子２２の間に絶縁部材３０が充填され、且つ、第２端子２２の端面２２ｂが絶縁部材３０に覆われた状態となる。
【００２４】
次に、図３（ａ）に示すように、支持基板Ｗを準備し、支持基板Ｗ上に第２電極４２を形成するための導電層４２Ａ，４２Ｂを形成する。導電層４２Ｂは、第２電極４２に対応したパターンとなるように導電層４２Ａ上に形成される。導電層４２Ａ，４２Ｂの形成には、例えばスパッタ等の公知のプロセスを用いることができる。また、導電層４２Ｂのパターニングには、例えばエッチング等の公知のプロセスが用いられる。その後、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１１の一部となる樹脂層１１Ａを導電層４２Ａ，４２Ｂ上に形成する。樹脂層１１Ａは、例えばフィルムラミネート法によって形成することができる。
【００２５】
次に、図４に示すように、樹脂層１１Ａ上に電子部品２０を搭載する。このとき、電子部品２０の第２端子２２の位置が導電層４２Ｂのパターンと整合するようにアライメントされる。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示すように、電子部品２０を覆うように樹脂をラミネートする。これにより、絶縁層１１が形成され、電子部品２０が絶縁層１１に埋め込まれた状態となる。樹脂のラミネートは、例えば未硬化のフィルム状の樹脂を貼合わせ、加圧することによって行われる。その後、絶縁層１１上に第１電極４１となる導電層４１Ａを形成する。
【００２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、支持基板Ｗ及び導電層４２Ａを取り除く。これにより、導電層４２Ｂが支持基板Ｗ及び導電層４２Ａから剥離され、絶縁層１１（基板１０の第２主面１０Ｂ）に導電層４２Ｂが形成された状態となる。その後、ビア導体４３，４４を形成するための孔４３Ａ，４４Ａを形成する。孔４３Ａは、それぞれの第１端子２１に対応した箇所に形成され、導電層４１Ａと第１端子２１との間において絶縁層１１を貫通している。孔４４Ａは、それぞれの第２端子２２に対応した箇所に形成され、導電層４２Ｂと第２端子２２との間において絶縁層１１及び絶縁部材３０を貫通している。孔４３Ａ，４４Ａは、例えばレーザーアブレーションによって形成することができる。
【００２８】
最後に、メッキ又はスパッタ等によって孔４３Ａ，４４Ａ内にビア導体４３，４４を形成し、導電層４１Ａのパターニングを行う。これにより、複数の第１電極４１及び複数の第２電極４２が形成される。その後、ダイシング等によって個片化を行うことにより、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
【００２９】
以上説明したように、電子部品内蔵基板１では、電子部品２０が複数の第２端子２２を有し、隣り合う第２端子２２の間には、絶縁層１１とは異なる熱膨張係数を有する材料によって構成された絶縁部材３０が設けられている。これにより、絶縁部材３０が設けられていない場合に比べ、電子部品内蔵基板１における内部応力及び外力等による電子部品２０の変形を抑制するように、絶縁部材３０によって第２端子２２を保持することができる。したがって、電子部品２０の強度が低下することを抑制することができ、電子部品２０の破損を抑制することが可能である。また、隣り合う第２端子２２の間に絶縁部材３０が設けることにより、第２端子２２同士の短絡を抑制することが可能である。
【００３０】
また、絶縁部材３０が設けられていることにより、電子部品内蔵基板１の製造過程におけるハンドリング等の際に電子部品２０が破損することを抑制することが可能である。
【００３１】
また、絶縁部材３０は、第２端子２２に対して第２主面１０Ｂ側（端面２２ｂ）にも設けられている。これにより、端面２２ａに加え、端面２２ｂにおいても第２端子２２と絶縁部材３０とが接続されるので、絶縁部材３０によって第２端子２２がより強力に保持される。したがって、電子部品２０の強度が低下することをより確実に抑制することができ、電子部品２０の破損をより確実に抑制することが可能である。
【００３２】
また、絶縁部材３０を構成する材料の熱膨張係数は、絶縁層１１を構成する材料の熱膨張係数より小さく、第２端子２２を構成する材料の熱膨張係数より大きい。このように、相対的に大きい絶縁層１１の熱膨張係数、及び、相対的に小さい第２端子２２の熱膨張係数の中間の熱膨張係数を有する材料によって絶縁部材３０を構成することにより、絶縁層１１を構成する材料の熱膨張係数と第２端子２２を構成する材料の熱膨張係数との差に起因する応力を緩和することができる。したがって、電子部品内蔵基板１における応力によって電子部品２０が破損することを抑制することが可能である。
【００３３】
（第２実施形態）
次に、図６を参照して本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板２について説明する。図６は、本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図６に示すように、電子部品内蔵基板２は、電子部品内蔵基板１と同様に、絶縁層１１を含む基板１０と、基板１０に内蔵された電子部品２０と、絶縁部材３０と、を備えている。電子部品内蔵基板２が電子部品内蔵基板１と相違する点は、基板１０が絶縁層１１に内蔵されたコア１２を更に有している点である。コア１２には、第１主面１０Ａ側から第２主面１０Ｂ側へ貫通する貫通孔１３が設けられており、電子部品２０は、貫通孔１３内に配置されている。また、絶縁層１１は貫通孔１３内に充填されており、電子部品２０とコア１２との間には絶縁層１１が介在していて、電子部品２０の第２端子２２は絶縁層１１に埋め込まれた状態である。なお、電子部品内蔵基板２においても、基板１０の第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂは絶縁層１１の主面に相当する。コア１２は、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ２）、又は樹脂基板等によって構成される。
【００３４】
続いて、図７〜図９を参照して、電子部品内蔵基板２の製造方法について説明する。図７〜図９は、図６に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。なお、図７〜図９では、一つの電子部品内蔵基板２の製造方法を示しているが、実際には複数の電子部品内蔵基板２を一枚の支持基板上で形成した後に、それぞれの電子部品内蔵基板２に個片化する。したがって、図７〜図９は、一枚の支持基板上の一部を拡大して示しているものである。
【００３５】
まず、図７に示すように、貫通孔１３が設けられたコア１２を準備する。また、図２に示す電子部品２０を準備する。貫通孔１３は、例えばエッチング等の公知のプロセスによって形成することができる。
【００３６】
次に、図８に示すように、支持基板Ｗにコア１２を仮固定し、コア１２の貫通孔１３内に電子部品２０を配置して仮固定する。支持基板Ｗとしては、例えば粘着性を有する搭載用仮固定材等を用いることができる。
【００３７】
次に、図９に示すように、絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、例えば、支持基板Ｗに仮固定されたコア１２及び電子部品２０に対して未硬化の状態の樹脂材料を塗布し、樹脂材料を硬化させた後に支持基板Ｗを取り除くことによって形成される。これにより、コア１２及び電子部品２０が絶縁層１１に内蔵された状態となる。
【００３８】
最後に、第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂのそれぞれにビア導体４３，４４を形成するための孔４３Ａ，４４Ａを形成する。その後、第１主面１０Ａ側の孔４３Ａ及び第２主面１０Ｂ側の孔４４Ａを埋めるようにそれぞれ導電層を形成し、パターニングを行う。これにより、第１電極４１、第２電極４２、及びビア導体４３，４４が形成され、図６に示す電子部品内蔵基板２が得られる。
【００３９】
以上説明したように、電子部品内蔵基板２が電子部品内蔵基板１と相違する点は、基板１０がコア１２を更に有している点であるので、電子部品内蔵基板２においても電子部品内蔵基板１と同様の効果を得ることができる。すなわち、電子部品内蔵基板２においても、電子部品２０が複数の第２端子２２を有し、隣り合う第２端子２２の間には、当該隣り合う第２端子２２の両方に接し、絶縁層１１とは異なる材料によって構成された絶縁部材３０が設けられている。これにより、絶縁部材３０が設けられていない場合に比べ、電子部品内蔵基板１における内部応力及び外力等による電子部品２０の変形を抑制するように、絶縁部材３０によって第２端子２２を保持することができる。したがって、電子部品２０の強度が低下することを抑制することができ、電子部品２０の破損を抑制することが可能である。また、隣り合う第２端子２２の間に絶縁部材３０を設けることにより、第２端子２２同士の短絡を抑制することが可能である。
【００４０】
また、電子部品内蔵基板２においては、基板１０は、絶縁層１１に内蔵されたコア１２を更に有し、コア１２には、第１主面１０Ａ側から第２主面１０Ｂ側へ貫通する貫通孔１３が設けられ、電子部品２０は貫通孔１３内に配置されている。これにより、基板１０が絶縁層１１のみを含む場合に比べ、コア１２によって基板１０の強度を高めることができる。したがって、電子部品内蔵基板２全体の強度向上を図ることが可能である。
【００４１】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。
【００４２】
上記の実施形態において、絶縁部材３０は第２端子２２の端面２２ｂの全面を覆うように構成されていたが、絶縁部材３０は端面２２ｂの全面を覆っていなくてもよい。図１０は、変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図１０に示す電子部品内蔵基板３のように、絶縁部材３０は、端面２２ｂの一部のみを覆うように設けられていてもよい。なお、この場合、隣り合う第２端子２２の間の距離をＬ１とし、一つの第２端子の端面２２ｂ上に設けられた絶縁部材３０の長さをＬ２とした場合、Ｌ２／Ｌ１の値は１．１より大きいことが好ましい。この場合、第２端子２２と絶縁部材３０との密着性を更に向上させることができる。
【００４３】
また、絶縁部材３０は、少なくとも隣り合う第２端子２２の端面２２ａ同士の間に設けられていればよく、第２端子２２の端面２２ｂを覆っていなくてもよい。更に、絶縁部材３０は、隣り合う第２端子２２の間に充填されず、第２端子２２の端面２２ａ、及び、隣り合う第２端子２２の間において露出する容量部２３の表面に沿うように設けられていてもよい。
【００４４】
また、電子部品内蔵基板は、熱膨張係数の違いに起因する応力を緩和することを目的として、コア１２と第２端子２２との間にも絶縁部材３０が設けられていてもよい。図１１は、変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図１１に示す電子部品内蔵基板４のように、絶縁部材３０は、隣り合う第２端子２２の間及び第２端子２２の端面２２ｂに加え、コア１２に対向する第２端子２２の端面にも設けられている。この場合、コア１２と第２端子２２との間に介在する絶縁層１１の量を低減することができるので、絶縁層１１を構成する材料の熱膨張係数と第２端子２２を構成する材料の熱膨張係数との差に起因する応力を更に緩和することができる。
【００４５】
また、第２端子２２には焼結処理がなされていてもよい。これにより、焼結処理がなされていない場合に比べ、第２端子２２の端面２２ａ及び端面２２ｂの表面粗さを大きくすることができる。したがって、アンカー効果等により第２端子２２と絶縁部材３０との密着性を向上させることができる。
【００４６】
また、上記実施形態では、電子部品内蔵基板内の電子部品２０について、第１端子２１が５つに分割され、第２端子２２が２つに分割されている例について説明したが、第１端子２１及び第２端子２２はそれぞれ複数に分割されていればよく、その数及び形状は上記実施形態に限定されず、適宜変更することができる。第２端子２２が３つ以上に分割されている場合、全ての第２端子２２に対して、隣り合う第２端子２２の間に絶縁部材３０を設けてもよいし、一部の第２端子２２のみに対して、隣り合う第２端子２２の間に絶縁部材３０を設けてもよい。なお、一部の第２端子２２のみに対して絶縁部材３０を設ける場合においても、電子部品２０の強度が低下することを抑制し、電子部品２０の破損を抑制する効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１，２，３，４…電子部品内蔵基板、１０…基板、１０Ａ…第１主面、１０Ｂ…第２主面、１１…絶縁層、１２…コア、１３…貫通孔、２０…電子部品、２０…電子部品、２１…第１端子、２２…第２端子、２３…容量部、３０…絶縁部材、４１…第１電極、４２…第２電極、４３，４４…ビア導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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