(57)【要約】【課題】回路基板を提供する。【解決手段】上面を有し、第１液晶高分子層を含む第１絶縁層構造と、第１絶縁層構造の上面に位置する第１再配線層と、第１再配線層を被覆するように第１絶縁層構造の上面に位置し、上面に対向する頂面を有し、且つ第２液晶高分子層を含む第２絶縁層構造と、第２絶縁層構造の頂面に位置する第２再配線層と、を備える回路基板。【選択図】図１
2018133565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有し、第１液晶高分子層を含む第１絶縁層構造と、
前記第１絶縁層構造の前記上面に位置する第１再配線層と、
前記第１再配線層を被覆するように前記第１絶縁層構造の前記上面に位置し、且つ前記上面に対向する頂面を有し、第２液晶高分子層を含む第２絶縁層構造と、
前記第２絶縁層構造の前記頂面に位置する第２再配線層と、
を備える回路基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層構造は、前記第１液晶高分子層と前記第１再配線層との間に位置する第１接着層を更に含む請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層構造は、第３液晶高分子層と、前記第１液晶高分子層と前記第３液晶高分子層との間に位置する第２接着層と、を更に含む請求項１〜２の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第２絶縁層構造は、第４液晶高分子層と、前記第２液晶高分子層と前記第４液晶高分子層との間に位置する第３接着層と、を更に含む請求項１〜３の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第２絶縁層構造は、前記第１再配線層と前記第２再配線層とを電気的に接続する導電性穴を更に含む請求項１〜４の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
第１表面及び前記第１表面に対向する第２表面を有し、第１液晶高分子層を含む第１絶縁層構造と、
前記第１絶縁層構造の前記第１表面に位置する第１再配線層と、
前記第１再配線層を被覆するように前記第１絶縁層構造の前記第１表面に位置し、且つ前記第１表面に対向する第３表面を有し、第２液晶高分子層を含む第２絶縁層構造と、
前記第２絶縁層構造の前記第３表面に位置する第２再配線層と、
前記第１絶縁層構造の前記第２表面に位置する第３再配線層と、
前記第３再配線層を被覆するように前記第１絶縁層構造の前記第２表面に位置し、且つ前記第２表面に対向する第４表面を有し、第３液晶高分子層を含む第３絶縁層構造と、
前記第３絶縁層構造の前記第４表面に位置する第４再配線層と、
を備える回路基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層構造は、前記第１液晶高分子層と前記第１再配線層との間に位置する第１接着層と、前記第１液晶高分子層と前記第３再配線層との間に位置する第２接着層と、を更に含む請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１絶縁層構造は、第４液晶高分子層と、前記第１液晶高分子層と前記第４液晶高分子層との間に位置する第３接着層と、を更に含む請求項６〜７の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項９】
前記第２絶縁層構造は、第５液晶高分子層と、前記第２液晶高分子層と前記第５液晶高分子層との間に位置する第４接着層と、を更に含む請求項６〜８の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記第３絶縁層構造は、第６液晶高分子層と、前記第３液晶高分子層と前記第６液晶高分子層との間に位置する第５接着層と、を更に含む請求項６〜９の何れか１項に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記第１絶縁層構造は、前記第１再配線層と前記第３再配線層を電気的に接続する第１導電性穴を更に含み、前記第２絶縁層構造は、前記第１再配線層と前記第２再配線層を電気的に接続する第２導電性穴を更に含み、且つ前記第３絶縁層構造は、前記第３再配線層と前記第４再配線層とを電気的に接続する第３導電性穴を更に含む請求項６〜１０の何れか１項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関し、特に、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ−Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）を含有する回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン（ｓｍａｒｔ  ｐｈｏｎｅ）、タブレットコンピュータ（ｔａｂｌｅｔ  ｃｏｍｐｕｔｅｒ）及びラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）のような、現在のモバイルデバイス（ｍｏｂｉｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ）に使用される中央処理装置（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ；ＣＰＵ）のクロックレート（ｃｌｏｃｋ  ｒａｔｅ）が殆どギガヘルツ（ｇｉｇａｈｅｒｔｚ；ＧＨｚ）以上であるので、従来のモバイルデバイスでは、上記のギガヘルツのクロックレートの中央処理装置に合わせるために、高周波回路を使用する必要がある。高周波回路の要求を満たすために、従来のモバイルデバイスでは、抵抗・コンデンサ遅延（ＲＣ  ｄｅｌａｙ）による悪影響を減少する必要がある。
【発明の概要】
【０００３】
本発明の一態様は、上面を有し、第１液晶高分子層を含む第１絶縁層構造と、第１絶縁層構造の上面に位置する第１再配線層と、第１再配線層を被覆するように第１絶縁層構造の上面に位置し、上面に対向する頂面を有し、且つ第２液晶高分子層を含む第２絶縁層構造と、第２絶縁層構造の頂面に位置する第２再配線層と、を備える回路基板を提供する。
【０００４】
本発明の一実施形態において、第１絶縁層構造は、第１液晶高分子層と第１再配線層との間に位置する第１接着層を更に含む。
【０００５】
本発明の一実施形態において、第１絶縁層構造は、第３液晶高分子層と、１液晶高分子と第３液晶高分子層との間に位置する第２接着層と、を更に含む。
【０００６】
本発明の一実施形態において、第２絶縁層構造は、第４液晶高分子層と、第２液晶高分子層と第４液晶高分子層との間に位置する第３接着層と、を更に含む。
【０００７】
本発明の一実施形態において、第２絶縁層構造は、第１再配線層と第２再配線層とを電気的に接続する導電性穴を更に含む。
【０００８】
本発明の一態様は、第１表面及び第１表面に対向する第２表面を有し、第１液晶高分子層を含む第１絶縁層構造と、第１絶縁層構造の第１表面に位置する第１再配線層と、第１再配線層を被覆するように第１絶縁層構造の第１表面に位置し、第１表面に対向する第３表面を有し、第２液晶高分子層を含む第２絶縁層構造と、第２絶縁層構造の第３表面に位置する第２再配線層と、第１絶縁層構造の第２表面に位置する第３再配線層と、前記第３再配線層を被覆するように第１絶縁層構造の第２表面に位置し、第２表面に対向する第４表面を有して且つ第３液晶高分子層を含む第３絶縁層構造と、第３絶縁層構造の第４表面に位置する第４再配線層と、を備える回路基板を提供する。
【０００９】
本発明の一実施形態において、第１絶縁層構造は、第１液晶高分子層と第１再配線層との間に位置する第１接着層と、第１液晶高分子層と第３再配線層との間に位置する第２接着層と、を更に含む。
【００１０】
本発明の一実施形態において、第１絶縁層構造は、第４液晶高分子と、第１液晶高分子層と第４液晶高分子層との間に位置する第３接着層と、を更に含む。
【００１１】
本発明の一実施形態において、第２絶縁層構造は、第５液晶高分子層と、第２液晶高分子層と第５液晶高分子層との間に位置する第４接着層と、を更に含む。
【００１２】
本発明の一実施形態において、第３絶縁層構造は、第６液晶高分子層と、第３液晶高分子層と第６液晶高分子層との間に位置する第５接着層と、を更に含む。
【００１３】
本発明の一実施形態において、第１絶縁層構造は、第１再配線層と第３再配線層とを電気的に接続する第１導電性穴を更に含む。
【００１４】
本発明の一実施形態において、第２絶縁層構造は、第１再配線層と第２再配線層とを電気的に接続する第２導電性穴を更に含む。
【００１５】
本発明の一実施形態において、第３絶縁層構造は、第３再配線層と第４再配線層とを電気的に接続する第３導電性穴を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
下記の図面の説明は、本発明の上記又はその他の目的、特徴、利点及び実施例をより分りやすくするためのものである。
【図１】本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【図２】本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【図３】本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【図４】本発明のその他の実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【図５】本発明のその他の実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【図６】本発明のその他の実施形態による回路基板を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面で本発明の複数の実施形態を説明する。明確に説明するために、下記で多くの実際の細部を合わせて説明する。しかしながら、理解すべきなのは、これらの実際の細部が、本発明を制限するためのものではないことである。つまり、本発明の実施形態の一部において、これらの実際の細部は、必ずしも必要ではない。また、図面を簡略化するために、ある従来慣用の構造及び素子については、図面において簡単で模式的に示される。
【００１８】
本文では、文脈が冠詞に対して特別に限定しない限り、「一」及び「前記」は単一又は複数を広く指す。更に理解するのは、本明細書に用いる「包含」、「含む」、「有する」及び類似する語彙は、記載された特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子及び／又はモジュールを明示するが、その述べた又は付加した１つ又は複数のその他の特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子、モジュール、及び／又はその中の群を排除しない。
【００１９】
図１を参照されたい。図１は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図１に示すように、回路基板１００は、第１絶縁層構造１１０と、第１再配線層１４０と、第２絶縁層構造１２０と、第２再配線層１５０と、を備える。第１絶縁層構造１１０は、第１表面１１０ａ及び第２表面１１０ｂを有し、且つ第１液晶高分子層１１２を含む。第１再配線層１４０は、第１絶縁層構造１１０の第１表面１１０ａに位置する。第２絶縁層構造１２０は、第１再配線層１４０を被覆するように第１絶縁層構造１１０の第１表面１１０ａに位置し、且つ第１表面１１０ａに対向する第３表面１２０ａを有し、第２液晶高分子層１２２を含む。第２再配線層１５０は、第２絶縁層構造１２０の第３表面１２０ａに位置する。
【００２０】
本発明のある実施形態において、回路基板１００は、片面基板構造であってよい。本発明のある実施形態において、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２の材料としては、液晶高分子及び芳香族ポリエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、芳香族ポリアミド（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリパラフェニレンテレフタルアミド（ｐｏｌｙｐａｒａ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ；ＰＰＴＡ）、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−２、６−ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ；ＰＢＯ）及びパラヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合体（ｐｏｌｙ（ｐ  −ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ−ｃｏ−２−  ｈｙｄｒｏｘｙ  −６−ｎａｐｈｔｈｏｉｃ  ａｃｉｄ））から選ばれた少なくとも１種又は多種を含むが、これらに制限されない。本発明のある実施形態において、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２の材料が同じ又は異なってもよい。
【００２１】
より詳細に、上記の液晶高分子は、液晶高分子の官能基を修飾することで形成される可溶性液晶ポリマーであってよい。例えば、添加又は置換により、液晶高分子の官能基を修飾する。官能基により修飾された可溶性液晶ポリマーは、例えば、アミノ（ａｍｉｎｏ）、カルボキシアミド（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミジノ（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオ（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシレート（ｃａｒｂｏｘｙｌ  ｅｓｔｅｒ）、（カルボキシレート）アミノ（（ｃａｒｂｏｘｙｌ  ｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミン（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はその組み合わせを有してよいが、これらに制限されない。修飾されない液晶高分子と比べて、可溶性液晶ポリマーの特定の溶剤への溶解度は、官能基により修飾されない液晶高分子より高い。
【００２２】
本発明の一実施例において、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２における可溶性液晶ポリマーは、芳香族液晶ポリエステル溶液により形成される。芳香族液晶ポリエステル溶液は、溶剤及び芳香族液晶ポリエステルを含み、つまり、芳香族液晶ポリエステルの溶剤への溶解度が良好である。芳香族液晶ポリエステルにおける固形成分の質量％は１ｗｔ％〜８５ｗｔ％であり、例えば、５ｗｔ％、１５ｗｔ％、２５ｗｔ％、３５ｗｔ％、４５ｗｔ％、５５ｗｔ％、６５ｗｔ％又は７５ｗｔ％であってよい。具体的に、芳香族液晶ポリエステルは、既に官能基により修飾される。官能基により修飾された芳香族液晶ポリエステルは、例えば、アミノ（ａｍｉｎｏ）、カルボキシアミド（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミジノ（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオカルボニル（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシレート（ｃａｒｂｏｘｙｌ  ｅｓｔｅｒ）、（カルボキシレート）アミノ（（ｃａｒｂｏｘｙｌ  ｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミン（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はその組み合わせを有してよい。芳香族液晶ポリエステル溶液における溶剤は、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールからなる群から選ばれてよい。
【００２３】
本発明のその他の実施例において、上記芳香族液晶ポリエステル溶液は、１種又は多種の添加剤を更に含んでよい。例として、添加剤は、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウム及び炭酸カルシウムのような無機充填剤、チタン酸バリウム及びチタン酸ストロンチウムのような高誘電充填剤、チタン酸カリウム及びホウ酸アルミニウムのようなウィスカ（ｗｈｉｓｋｅｒ）、硬化されたエポキシ樹脂、架橋されたベンゾグアナミン樹脂及び架橋されたアクリルポリマーのような有機充填剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、及びＵＶ吸収剤等を含むが、これらに制限されない。芳香族液晶ポリエステル溶液における溶剤を除去した後、液晶高分子層が形成される。
【００２４】
本発明のその他の実施形態において、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２は、フィルム状の液晶ポリマーにより形成されてよい。フィルム状の液晶ポリマーを構成する材料としては、液晶高分子及び芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール、及びパラヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合体から選ばれた少なくとも１種又は多種を含むが、これらに制限されない。本発明のその他の実施形態において、液晶高分子層を形成するために、可溶性液晶ポリマー又はフィルム状の液晶ポリマーを選択的に使用することができる。
【００２５】
本発明のある実施形態において、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２は、良好な加工性、耐熱性、低吸水性及び低誘電率（例えば、２〜４）を有するので、優れた高周波基板材料である。
【００２６】
本発明のある実施形態において、第１再配線層１４０及び第２再配線層１５０の材料としては、銅、アルミ、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、金、スズ、鉛又はステンレス、又は上記の金属材料の中の少なくとも２つを混合してなる合金であってよいが、これらに制限されない。本発明のある実施形態において、第１再配線層１４０及び第２再配線層１５０の材料は、同じ又は異なってもよい。本発明のある実施形態において、第１再配線層１４０と第１液晶高分子層１１２との結合力を向上させるために、第１再配線層１４０の第１液晶高分子層１１２に接触する表面は、０．２μｍ〜５μｍの粗さを有してよく、例えば、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、又は４μｍであってよい。同様に、第２再配線層１５０の第２液晶高分子層１２２に接触する表面は、０．２μｍ〜５μｍの粗さを有してよく、例えば、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、又は４μｍであってよい。
【００２７】
図２を参照されたい。図２は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図２に示すように、回路基板１００ａの第１絶縁層構造１１０は、第１接着層１１４を更に含んでよい。第１接着層１１４は、第１液晶高分子層１１２と第１再配線層１４０との間に位置する。本発明のある実施形態において、第１接着層１１４の材料としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂又はポリイミド樹脂、又はこれらの樹脂材料の中の少なくとも２つの混合物により製造される。本発明のある実施形態において、第１接着層１１４によって、第１液晶高分子層１１２と第１再配線層１４０との結合力を更に強化させることができる。本発明のその他の実施形態において、第１液晶高分子層１１２と第２再配線層１５０との結合力を向上させるために、第１液晶高分子層１１２と第２再配線層１５０との間に接着層（図示せず）を更に含んでよい。
【００２８】
図３を参照されたい。図３は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図３に示すように、回路基板１００ｂの第１絶縁層構造１１０は、第３液晶高分子層１１６及び第２接着層１１８を更に含む。第２接着層１１８は、第１液晶高分子層１１２と第３液晶高分子層１１６との間に位置する。図３に示すように、回路基板１００ｂの第２絶縁層構造１２０は、第４液晶高分子層１２４、第３接着層１２６及び導電性穴１２９を更に含む。第３接着層１２６は、第２液晶高分子層１２２と第４液晶高分子層１２４との間に位置する。導電性穴１２９は、第４液晶高分子層１２４、第３接着層１２６及び一部の第２液晶高分子層１２２を通り抜けて、且つ第１再配線層１４０と第２再配線層１５０とを電気的に接続する。本発明のある実施形態において、第２接着層１１８及び第３接着層１２６の材料は、第１接着層１１４の材料と同様又は類似である。第３液晶高分子層１１６及び第４液晶高分子層１２４の材料は、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２と同様又は類似である。導電性穴１２９の内部充填材料は、第１再配線層１４０及び第２再配線層１５０の材料と同様又は類似であってよい。本発明のその他の実施形態において、第４液晶高分子層１２４と第２再配線層１５０との結合力を向上させるために、第４液晶高分子層１２４と第２再配線層１５０との間に接着層（図示せず）を更に含んでよい。
【００２９】
図４を参照されたい。図４は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図４に示すように、回路基板２００は、第１絶縁層構造２１０と、第１再配線層２４０と、第２絶縁層構造２２０と、第２再配線層２５０と、第３再配線層２６０と、第３絶縁層構造２３０と、第４再配線層２７０と、を備える。第１絶縁層構造２１０は、第１表面２１０ａ及び第１表面２１０ａに対向する第２表面２１０ｂを有し、且つ第１液晶高分子層２１２を含む。第１再配線層２４０は、第１絶縁層構造２１０の第１表面２１０ａに位置する。第２絶縁層構造２２０は、第１再配線層２４０を被覆するように第１絶縁層構造２１０の第１表面２１０ａに位置し、且つ第１表面２１０ａに対向する第３表面２２０ａを有し、第２液晶高分子層２２２を含む。第２再配線層２５０は、第２絶縁層構造２２０の第３表面２２０ａに位置する。第３再配線層２６０は、第１絶縁層構造２１０の第２表面２１０ｂに位置する。第３絶縁層構造２３０は、第３再配線層２６０を被覆するように第１絶縁層構造２１０の第２表面２１０ｂに位置し、且つ第２表面２１０ｂに対向する第４表面２３０ａを有し、第３液晶高分子層２３２を含む。第４再配線層２７０は、第３絶縁層構造２３０の第４表面２３０ａに位置する。
【００３０】
本発明のある実施形態において、第１再配線層２４０と第１液晶高分子層２１２との結合力を向上させるために、第１再配線層２４０の第１液晶高分子層２１２に接触する表面は０．２μｍ〜５μｍの粗さを有してよく、例えば、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、又は４μｍであってよい。同様に、第２再配線層２５０の第２液晶高分子層２２２に接触する表面、第３再配線層２６０の第１液晶高分子層２１２に接触する表面及び第４再配線層２７０の第３液晶高分子層２３２に接触する表面は、０．２μｍ〜５μｍの粗さを有してもよく、例えば、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、又は４μｍであってよい。
【００３１】
図５を参照されたい。図５は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図５に示すように、回路基板２００ａの第１絶縁層構造２１０は、第１接着層２１４ａ及び第２接着層２１４ｂを更に含む。第１接着層２１４ａは第１液晶高分子層２１２と第１再配線層２４０との間に位置し、且つ第２接着層２１４ｂは第１液晶高分子層２１２と第３再配線層２６０との間に位置する。本発明のある実施形態において、第１接着層２１４ａによって、第１液晶高分子層２１２と第１再配線層２４０との結合力を更に強化させることができる。同様に、第２接着層２１４ｂによって、第１液晶高分子層２１２と第３再配線層２６０との結合力を更に強化させることができる。本発明のその他の実施形態において、第４液晶高分子層１２４と第２再配線層１５０との結合力、及び第３液晶高分子層２３２と第４再配線層２７０との結合力を向上させるために、第２液晶高分子層２２２と第２再配線層２５０との間に、また第３液晶高分子層２３２と第４再配線層２７０との間のそれぞれに、接着層（図示せず）を含んでもよい。
【００３２】
図６を参照されたい。図６は、本発明のある実施形態による回路基板を示す断面模式図である。図６に示すように、回路基板２００ｂの第１絶縁層構造２１０は、第４液晶高分子層２１６、第３接着層２１８及び導電性穴２１９を更に含む。第３接着層２１８は、第１液晶高分子層２１２と第４液晶高分子層２１６との間に位置する。導電性穴２１９は、第１接着層２１４ａ、第１液晶高分子層２１２、第３接着層２１８、第４液晶高分子層２１６及び第２接着層２１４ｂを通り抜けて、且つ第１再配線層２４０と第３再配線層２６０とを電気的に接続する。本発明のある実施形態において、第３接着層２１８によって、第１液晶高分子層２１２と第４液晶高分子層２１６との結合力を増加することができる。
【００３３】
図６に示すように、回路基板２００ｂの第２絶縁層構造２２０は、第５液晶高分子層２２４、第４接着層２２６及び導電性穴２２９を更に含む。第４接着層２２６は、第２液晶高分子層２２２と第５液晶高分子層２２４との間に位置する。導電性穴２２９は、第５液晶高分子層２２４、第４接着層２２６及び一部の第２液晶高分子層２２２を通り抜けて、且つ第１再配線層２４０と第２再配線層２５０とを電気的に接続する。本発明のある実施形態において、第４接着層２２６によって、第２液晶高分子層２２２と第５液晶高分子層２２４との結合力を増加することができる。本発明のその他の実施形態において、第５液晶高分子層２２４と第２再配線層２５０との結合力を向上させるために、第５液晶高分子層２２４と第２再配線層２５０との間に接着層（図示せず）をそれぞれ含んでもよい。
【００３４】
図６に示すように、回路基板２００ｂの第３絶縁層構造２３０は、第６液晶高分子層２３４、第５接着層２３６及び導電性穴２３９を更に含む。第５接着層２３６は、前記第３液晶高分子層２３２と前記第６液晶高分子層２３４との間に位置する。導電性穴２３９は、第６液晶高分子層２３４、第５接着層２３６及び一部の第３液晶高分子層２３２を通り抜けて、且つ第３再配線層２６０と第４再配線層２７０とを電気的に接続する。本発明のある実施形態において、第５接着層２３６によって、第３液晶高分子層２３２と第６液晶高分子層２３４との結合力を増加することができる。本発明のその他の実施形態において、第６液晶高分子層２３４と第４再配線層２７０との結合力を向上させるために、第６液晶高分子層２３４と第４再配線層２７０との間に接着層（図示せず）をそれぞれ含んでもよい。
【００３５】
本発明のある実施形態において、第４液晶高分子層２１６、第５液晶高分子層２２４及び第６液晶高分子層２３４の材料は、第１液晶高分子層１１２及び第２液晶高分子層１２２の材料と同様又は類似である。第３接着層２１８、第４接着層２２６及び第５接着層２３６の材料は、第１接着層２１４ａ及び第２接着層２１４ｂの材料と同様又は類似である。導電性穴２１９、２２９、２３９の内部充填材料は、導電性穴１２９の内部充填材料と同様又は類似である。
【００３６】
なお、本発明による各種の回路基板は、本発明の精神を逸脱せずに、組み合わせて厚い回路基板を形成してもよい。例えば、絶縁層構造は、２層以上の液晶高分子層を含んでもよいが、これに制限されない。その表面に載せた金属配線の設計に合わせて、最適な高電圧又は高電流を受ける能力を持たせるために、異なる厚さの設計要求に応じて、その層数、材料及び単層の厚さを任意に調整してもよい。
【００３７】
最後、強調すべきなのは、電子製品のサイズが小さくなって回路の間隔が減少する場合、本発明の開示した内容によって、回路設計の必要に合わせて、液晶高分子層を含有する回路基板の厚さを柔軟的に調整することができる。上記の数多くの優れた特性を持つ液晶高分子によって、プロセスの簡単化、低誘電率（誘電率２〜４）を持つ高周波回路基板を達成させ、更に、電子製品により高い機能を発揮させる。
【００３８】
本発明では、実施形態及びを前述の通りに開示したが、上記は、本発明の好ましい実施形態だけであり、本発明を限定するものではなく、当業者なら誰でも、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、様々な等価変更や修正を加えることができ、何れも本発明の保護範囲に属すべきであるため、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【符号の説明】
【００３９】
１００、１００ａ、１００ｂ、２００、２００ａ、２００ｂ  回路基板
１１０、２１０  第１絶縁層構造
１１０ａ、１１０ｂ  、１２０ａ  、２１０ａ、２１０ｂ、２２０ａ、２３０ａ  表面
１１２、２１２  第１液晶高分子層
１１４、２１４ａ  第１接着層
１１６、２３２  第３液晶高分子層
１１８、２１４ｂ  第２接着層
１２０、２２０  第２絶縁層構造
１２２、２２２  第２液晶高分子層
１２４、２１６  第４液晶高分子層
１２６、２１８  第３接着層
１２９、２１９、２２９、２３９  導電性穴
１４０、２４０  第１再配線層
１５０、２５０  第２再配線層
２２６  第４接着層
２２４  第５液晶高分子層
２３０  第３絶縁層構造
２３４  第６液晶高分子層
２３６  第５接着層
２６０  第３再配線層
２７０  第４再配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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