(57)【要約】【課題】  トレンチゲート構造の層間絶縁膜に起因する故障を抑制する。【解決手段】  トレンチゲート構造を有する半導体装置であって、上面に複数のトレンチを有する半導体基板と、複数のトレンチ内に設けられた複数のゲート電極と、半導体基板の上面に設けられた上面電極と、複数のゲート電極と上面電極との間に介在し、複数のゲート電極を上面電極から電気的に絶縁する複数の層間絶縁膜とを備える。半導体基板は、複数の層間絶縁膜の隣接する各二つの間に、エピタキシャル成長層を有しており、エピタキシャル成長層の上面に対して複数の層間絶縁膜の各上面が突出していない。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチゲート構造を有する半導体装置であって、
上面に複数のトレンチを有する半導体基板と、
前記複数のトレンチ内に設けられた複数のゲート電極と、
前記半導体基板の前記上面に設けられた上面電極と、
前記複数のゲート電極と前記上面電極との間に介在し、前記複数のゲート電極を前記上面電極から電気的に絶縁する複数の層間絶縁膜と、
を備え、
前記半導体基板は、前記複数の層間絶縁膜の隣接する各二つの間に、エピタキシャル成長層を有し、
前記エピタキシャル成長層の上面に対して、前記複数の層間絶縁膜の各上面が突出していない、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置に関し、特に、トレンチゲート構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴ（Metal-oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）といった絶縁ゲート型の半導体装置において、トレンチゲート構造を有するものが知られている。トレンチゲート構造を有する半導体装置は、上面に複数のトレンチを有する半導体基板と、複数のトレンチ内に設けられた複数のゲート電極と、半導体基板の上面に設けられた上面電極と、複数のゲート電極と上面電極との間に介在し、複数のゲート電極を上面電極から電気的に絶縁する複数の層間絶縁膜とを有する。
【０００３】
従来のトレンチゲート構造を有する半導体装置では、各々の層間絶縁膜が半導体基板の上面から突出しているので、それらを覆う上面電極の表面にも凹凸が生じ得る。上面電極の表面に凹凸が生じていると、半導体装置の断続的な通電に伴う熱膨張及び熱収縮に起因して、上面電極にクラックが生じやすくなる。上面電極に生じたクラックは、半導体基板まで成長することがあり、半導体装置の異常や故障を引き起こす要因となり得る。この点に関して、特許文献１には、隣接する層間絶縁膜の間にショットキー電極及び埋め込み電極を設けることによって、それらを覆う上面電極の表面を平坦化する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−４６３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術によると、上面電極の表面が平坦化されることによって、上面電極のクラックに起因する半導体装置の故障を抑制することができる。加えて、特許文献１の技術によると、上面電極が層間絶縁膜に上方（半導体基板の上面に垂直な方向）のみから接触し、層間絶縁膜に側方（半導体基板の上面に平行な方向）からは接触しない。仮に、上面電極が層間絶縁膜に側方から接触していると、上面電極が熱膨張したときに、層間絶縁膜が側方から力を受ける。層間絶縁膜は、側方から力を受けたときに、上方から力を受けた場合と比較して、剥離や移動といった損傷を受けやすく、その結果、半導体装置が故障するおそれがある。そのことから、特許文献１の技術のように、上面電極が層間絶縁膜に上方のみから接触する構造であると、層間絶縁膜の剥離や移動に起因する半導体装置の故障を抑制することもできる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術は、ショットキー電極を有する半導体装置を対象としており、ショットキー電極を有さない半導体装置にそのまま適用することはできない。本明細書は、ショットキー電極の有無にかかわらず、トレンチゲート構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜に起因する故障を抑制し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本明細書は半導体装置を開示する。この半導体装置は、トレンチゲート構造を有する半導体装置であって、上面に複数のトレンチを有する半導体基板と、複数のトレンチ内に設けられた複数のゲート電極と、半導体基板の上面に設けられた上面電極と、複数のゲート電極と上面電極との間に介在し、複数のゲート電極を上面電極から電気的に絶縁する複数の層間絶縁膜とを備える。半導体基板は、複数の層間絶縁膜の隣接する各二つの間に、エピタキシャル成長層を有しており、エピタキシャル成長層の上面に対して、複数の層間絶縁膜の各上面が突出していない。言い換えると、エピタキシャル成長層の上面は、層間絶縁膜の上面と同一平面上に位置するか、層間絶縁膜の上面よりも上面電極側に突出している。
【０００８】
上記した半導体装置では、隣接する各二つの層間絶縁膜の間が、エピタキシャル成長層によって満たされた構造となっており、上面電極が層間絶縁膜に側方から接触しない。そのことから、前述したように、層間絶縁膜の剥離や移動に起因する半導体装置の故障を抑制することができる。エピタキシャル成長層は、層間絶縁膜よりも厚く形成されてもよいが、両者の厚みが同一であれば、上面電極の表面が平坦化されることで、上面電極のクラックに起因する半導体装置の故障も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の半導体装置１０の平面図を示す。
【図２】図１中のＩＩ部を拡大して示す図。
【図３】エピタキシャル成長層ＥＧを有さない従来技術の構造を示す図。
【図４】図３の従来技術に対する実施例の半導体装置１０の特徴を説明する図。
【図５】半導体装置１０の変形例であって、エピタキシャル成長層ＥＧの厚みを変更したものを示す。
【図６】半導体装置１０の変形例であって、層間絶縁膜２２の幅をトレンチ１２ｔの幅と同じ寸法に変更したものを示す。
【図７】半導体装置１０の変形例であって、層間絶縁膜２２の断面形状を台形形状に変更したものを示す。
【図８】半導体装置１０の変形例であって、層間絶縁膜２２の断面形状を反転させた台形形状に変更したものを示す。
【図９】半導体装置１０の製造方法の一工程を示す図であって、トレンチ１２ｔが形成された半導体基板１２を示す。
【図１０】半導体装置１０の製造方法の一工程を示す図であって、層間絶縁膜２２が形成された半導体基板１２を示す。
【図１１】半導体装置１０の製造方法の一工程を示す図であって、エピタキシャル成長層ＥＧが形成された半導体基板１２を示す。
【図１２】半導体装置１０の製造方法の一工程を示す図であって、ボディコンタクト領域３６ａが形成された半導体基板１２を示す。
【図１３】他の実施例の半導体装置１００であって、ＲＣ−ＩＧＢＴの構造を有するものを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して、実施例の半導体装置１０とその製造方法について説明する。本実施例の半導体装置１０は、トレンチゲート構造を有するパワー半導体装置であり、後述するように、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の構造を有する。特に限定されないが、半導体装置１０は、例えばハイブリッド車、燃料電池車又は電気自動車といった電動型の自動車において、コンバータやインバータといった電力変換回路のスイッチング素子として用いることができる。
【００１１】
図１、図２に示すように、半導体装置１０は、半導体基板１２を備える。半導体基板１２は、上面１２ａと、上面１２ａの反対側に位置する下面１２ｂとを有する。なお、ここで使用する「上面」及び「下面」との用語は、互いに反対側に位置する二つの面を、便宜的に区別するための表現であり、半導体装置１０の製造時や使用時における姿勢を限定するものではない。本実施例の半導体基板１２は、シリコン（Ｓｉ）の基板である。ただし、半導体基板１２を構成する半導体材料は特に限定されない。
【００１２】
半導体装置１０は、半導体基板１２の上面１２ａに設けられた上面電極１４と、半導体基板１２の下面１２ｂに設けられた下面電極１６とをさらに備える。上面電極１４と下面電極１６は、導電性を有する部材である。上面電極１４は、半導体基板１２の上面１２ａにオーミック接触しており、下面電極１６は、半導体基板１２の下面１２ｂにオーミック接触している。上面電極１４及び下面電極１６の材料及び構造は特に限定されない。一例ではあるが、本実施例の上面電極１４は、Ａｌ−Ｓｉ系合金（アルミニウムとシリコンとの合金）で構成された下層１４ａと、ニッケル（Ｎｉ）で構成された上層１４ｂとを有する。
【００１３】
半導体基板１２の上面１２ａには、複数のトレンチ１２ｔが設けられている。複数のトレンチ１２ｔは、互いに平行であって、図１の紙面に垂直な方向に延びている。各々のトレンチ１２ｔ内には、ゲート電極１８とゲート絶縁膜２０が設けられている。ゲート電極１８は、例えばポリシリコンといった、導電性材料で形成されており、ゲート絶縁膜２０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）といった、絶縁性材料で形成されている。ゲート電極１８は、ゲート絶縁膜２０を介して半導体基板１２に対向している。ゲート電極１８と上面電極１４との間には、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば酸化シリコンといった絶縁性材料で形成されており、ゲート電極１８と上面電極１４との間を電気的に絶縁している。なお、層間絶縁膜２２を構成する材料は、絶縁材材料であればよく、特定の材料に限定されない。
【００１４】
半導体基板１２は、コレクタ領域３２、ドリフト領域３４、ボディ領域３６及びエミッタ領域３８を備える。コレクタ領域３２は、ｐ型の半導体領域である。コレクタ領域３２は、半導体基板１２の下面１２ｂに沿って位置しており、下面１２ｂに露出している。コレクタ領域３２は、半導体基板１２の全体に亘って、層状に広がっている。コレクタ領域３２には、前述した下面電極１６がオーミック接触している。
【００１５】
ドリフト領域３４は、ｎ型の半導体領域である。ドリフト領域３４は、コレクタ領域３２上に位置しており、コレクタ領域３２に接している。ドリフト領域３４は、半導体基板１２の全体にわたって、層状に広がっている。ドリフト領域３４におけるｎ型不純物の濃度は、半導体基板１２の厚み方向に沿って一定であってもよいし、連続的又は段階的に変化してもよい。
【００１６】
ボディ領域３６は、ｐ型の半導体領域である。ボディ領域３６におけるｐ型不純物の濃度は、コレクタ領域３２におけるｐ型不純物の濃度よりも低い。ボディ領域３６は、ドリフト領域３４上に位置しており、ドリフト領域３４に接している。ボディ領域３６は、半導体基板１２の全体にわたって、層状に広がっている。ボディ領域３６は、半導体基板１２の上面１２ａに露出するボディコンタクト領域３６ａを有する。ボディコンタクト領域３６ａにおけるｐ型不純物の濃度は、ボディ領域３６の他の部分におけるｐ型不純物の濃度よりも高い。これにより、ボディコンタクト領域３６ａには、前述した上面電極１４がオーミック接触している。
【００１７】
エミッタ領域３８は、ｎ型の半導体領域である。エミッタ領域３８におけるｎ型不純物の濃度は、ドリフト領域３４におけるｎ型不純物の濃度よりも高い。エミッタ領域３８は、ボディ領域３６上に位置するとともに、半導体基板１２の上面１２ａに露出している。エミッタ領域３８にも、前述した上面電極１４がオーミック接触している。エミッタ領域３８は、ｐ型のボディ領域３６を介して、同じｎ型のドリフト領域３４から隔てられている。エミッタ領域３８は、トレンチ１２ｔの両側に設けられており、隣接する二つのエミッタ領域３８の間に、前述したボディコンタクト領域３６ａが設けられている。
【００１８】
トレンチ１２ｔは、半導体基板１２の上面１２ａから、エミッタ領域３８及びボディ領域３６を通過して、ドリフト領域３４まで延びている。ゲート電極１８は、ゲート絶縁膜２０を介して、エミッタ領域３８、ボディ領域３６及びドリフト領域３４に対向している。これにより、上面電極１４に対してゲート電極１８に正の電圧（いわゆるゲート駆動電圧）が印加されると、ゲート電極１８に対向するボディ領域３６に反転層（いわゆるチャネル）が形成される。エミッタ領域３８とドリフト領域３４との間が電気的に接続され、上面電極１４と下面電極１６との間が電気的に導通する。即ち、半導体基板１２のＩＧＢＴ構造がターンオンされる。
【００１９】
図２に示すように、半導体基板１２は、隣接する各二つの層間絶縁膜２２の間に、エピタキシャル成長層ＥＧ（クロスハッチが付された範囲）を有している。エピタキシャル成長層ＥＧは、二つの層間絶縁膜２２の間を埋めるように設けられており、半導体基板１２の上面１２ａ（即ち、エピタキシャル成長層ＥＧの上面）は、層間絶縁膜２２の上面２２ａと同一平面上に位置している。これは、層間絶縁膜２２の上面２２ａを、半導体基板１２の上面１２ａ（即ち、エピタキシャル成長層ＥＧの上面）に対して突出させないためである。このような構造の作用効果について、図３に示す従来の構造と対比して説明する。
【００２０】
図３に示すように、従来のトレンチゲート構造を有する半導体装置では、各々の層間絶縁膜２２が半導体基板１２の上面１２ａから突出している。この場合、隣接する二つの層間絶縁膜２２の間に上面電極１４が存在し、上面電極１４が層間絶縁膜２２に側方（半導体基板１２の上面１２ａに平行な方向）から接触する。上面電極１４が層間絶縁膜２２に側方から接触していると、例えば上面電極１４が熱膨張したときに、層間絶縁膜２２が側方から力Ｆを受ける。層間絶縁膜２２は、側方から力Ｆを受けたときに、剥離や移動といった損傷を受けやすい。その結果、従来の半導体装置では、層間絶縁膜２２の損傷に起因する故障が生じやすいという問題があった。
【００２１】
特に、上面電極１４が下層１４ａと上層１４ｂを含む積層構造を有する場合、下層１４ａに意図せず形成された欠損部分１５に、上層１４ｂの一部が入り込むことによって、上層１４ｂの材料（ここではニッケル）が層間絶縁膜２２に側方から接触することがある。上面電極１４にこのような異質な部分が局所的に存在していると、層間絶縁膜２２に側方からより大きな力Ｆが作用し得ることが確認されている。即ち、半導体装置１０に故障が生じるおそれも高くなる。
【００２２】
上記に対して、図４に示すように、本実施例の半導体装置１０では、隣接する二つの層間絶縁膜２２の間が、エピタキシャル成長層ＥＧによって満たされた構造となっており、上面電極１４が層間絶縁膜２２に側方から接触しない。そのことから、上面電極１４が熱膨張したときでも、層間絶縁膜２２に側方からの力Ｆ（図３参照）が加わることがない。これにより、層間絶縁膜２２の剥離や移動に起因する半導体装置１０の故障を抑制することができる。特に、下層１４ａに意図せず形成された欠損部分１５に、上層１４ｂの一部が入り込んでいる場合でも、上面電極１４は層間絶縁膜２２に上方（半導体基板１２の上面１２ａに垂直な方向）から接触するだけであるので、層間絶縁膜２２に側方からの力Ｆが加わることがない。
【００２３】
半導体装置１０の構造は、様々に変更することができる。例えば、図５に示すように、二つの層間絶縁膜２２の間に位置する半導体基板１２の上面１２ａ（即ち、エピタキシャル成長層ＥＧの上面）は、層間絶縁膜２２の上面２２ａより突出していてもよい。このような構造であっても、上面電極１４が層間絶縁膜２２に側方から接触せず、層間絶縁膜２２の剥離や移動といった損傷が抑制される。但し、図２に示すように、半導体基板１２の上面１２ａと層間絶縁膜２２の上面２２ａが同一平面上に位置していると、上面電極１４の表面も平坦になることから、例えば上面電極１４におけるクラックの発生といった他の不具合を抑制することもできる。
【００２４】
上記に加え、又は代えて、図６−図８に示すように、層間絶縁膜２２の構造についても、様々に変更することができる。例えば、図６に示すように、層間絶縁膜２２の幅は、トレンチ１２ｔの幅と同じであってもよい。即ち、層間絶縁膜２２の幅は、トレンチ１２ｔの幅以上であればよく、様々に設計変更を行うことができる。また、図７、図８に示すように、層間絶縁膜２２の断面形状も特に限定されず、例えば図７に示すように、半導体基板１２側から上面電極１４側に向けてその幅が減少する台形形状であってよい。あるいは、図８に示すように、半導体基板１２側から上面電極１４側に向けてその幅が増加する大径形状であってもよい。また、層間絶縁膜２２の断面形状は、矩形形状や台形形状に限定されず、他の形状であってもよい。
【００２５】
次に、図９−１２を参照して、半導体装置１０の製造方法について説明する。図９に示すように、先ず、半導体基板１２の上面１２ａに、複数のトレンチ１２ｔを形成する。詳しくは、先ず、ドリフト領域３４となるｎ型の半導体基板１２（通常は、半導体ウエハ）を用意し、その上面１２ａからｐ型不純物をイオン注入する。それにより、ボディ領域３６が形成される。次いで、半導体基板１２の上面１２ａの一部からｎ型不純物をイオン注入して、複数のエミッタ領域３８を形成する。そして、エミッタ領域３８を形成した位置に合わせて、半導体基板１２の上面１２ａに複数のトレンチ１２ｔを形成する。トレンチ１２ｔの形成は、例えばドライエッチングによって行うことができる。
【００２６】
次に、図１０に示すように、各々のトレンチ１２ｔ内に、ゲート絶縁膜２０とゲート電極１８とを形成する。前述したように、ゲート絶縁膜２０は、例えば酸化シリコンによって形成することができ、ゲート電極１８は、例えばポリシリコンによって形成することができる。その後、各々のトレンチ１２ｔを塞ぎ、ゲート電極１８が覆われるように、複数の層間絶縁膜２２を形成する。層間絶縁膜２２の形成では、一例ではあるが、先ず半導体基板１２の上面１２ａの全体に層間絶縁膜２２が形成され、次に不要な部分が選択的にエッチングされることによって、複数の層間絶縁膜２２がパターニングされる。なお、複数の層間絶縁膜２２は、それぞれが完全に独立していなくてもよく、一又は複数の箇所において互いに接続されていてもよい。
【００２７】
次に、図１１に示すように、半導体基板１２の上面１２ａをエピタキシャル成長させて、隣接する二つの層間絶縁膜２２の間にエピタキシャル成長層ＥＧを形成する。これにより、エピタキシャル成長層ＥＧに対して、層間絶縁膜２２が突出しなくなる。なお、前述したように、エピタキシャル成長層ＥＧを、層間絶縁膜２２に対して突出させてもよい。あるいは、エピタキシャル成長層ＥＧを十分な厚みで形成した後に、エピタキシャル成長層ＥＧの余剰部分を除去することによって、層間絶縁膜２２を含む半導体基板１２の上面１２ａを平坦化してもよい。
【００２８】
半導体基板１２の上面１２ａをエピタキシャル成長させると、先に形成したエミッタ領域３８がエピタキシャル成長層ＥＧによって覆われてしまう。そのことから、本実施例の製造方法では、エピタキシャル成長層ＥＧを形成する際に、エミッタ領域３８と同じ濃度で、ｎ型不純物をエピタキシャル成長層ＥＧに導入する。即ち、比較的に多くのｎ型不純物を含むエピタキシャル成長層ＥＧを形成する。これにより、エミッタ領域３８は、半導体基板１２の上面１２ａまで拡大され、エピタキシャル成長層ＥＧが形成された後も、半導体基板１２の上面１２ａに露出する。なお、他の実施形態として、エピタキシャル成長層ＥＧを形成した後に、ｎ型不純物のイオン注入を行うことによって、エミッタ領域３８を半導体基板１２の上面１２ａまで拡大させてもよい。
【００２９】
本実施例の製造方法では、半導体基板１２の平坦な上面１２ａに層間絶縁膜２２を形成し、次いでエピタキシャル成長層ＥＧを形成することから、二つの層間絶縁膜２２の間は全てエピタキシャル成長層ＥＧとなる。しかしながら、他の実施形態として、層間絶縁膜２２を形成する位置に合わせて、半導体基板１２の上面１２ａに、予め凹部を形成してもよい。そして、その凹部内に層間絶縁膜２２を形成し、凹部から突出する層間絶縁膜２２の上部の高さに合わせて、エピタキシャル成長層ＥＧを形成してもよい。このような態様によっても、エピタキシャル成長層ＥＧの上面に対して、層間絶縁膜２２の上面２２ａが突出することを避けることができる。この場合、二つの層間絶縁膜２２の間では、厚み方向の一部の範囲のみが、エピタキシャル成長層ＥＧによって構成され、層間絶縁膜２２の厚みよりも、エピタキシャル成長層ＥＧの厚み方が小さくなり得る。
【００３０】
次に、図１２に示すように、半導体基板１２の上面１２ａからｐ型不純物をイオン注入することによって、ボディコンタクト領域３６ａを形成する。ここで、本実施例の製造方法によると、この段階のエピタキシャル成長層ＥＧには、比較的に多くのｎ型不純物が導入されている。従って、ボディコンタクト領域３６ａを形成するイオン注入では、エピタキシャル成長層ＥＧに含まれるｎ型不純物加味した濃度で、ｐ型不純物が導入される必要がある。なお、ボディコンタクト領域３６ａは、必ずしも限定されないが、エピタキシャル成長層ＥＧとその下方に位置する範囲との両者に亘って形成される。この場合、エピタキシャル成長層ＥＧと、その下方に位置する範囲との間で、ｐ型不純物を導入する濃度を相違させてもよく、これによって、ボディコンタクト領域３６ａにおけるキャリア濃度の均一化を図ってもよい。
【００３１】
次に、図示省略するが、半導体基板１２の上面１２ａ側に上面電極１４を形成し、必要に応じて保護膜（図示省略）の形成といった他の工程を実施する。その後、半導体基板１２の下面１２ｂからｐ型不純物を導入して、コレクタ領域３２を形成する。そして、半導体基板１２の下面１２ｂ側に下面電極１６を形成する。ここでは説明を省略するが、本実施例の製造方法では、熱処理や洗浄処理といった各種の処理が、必要に応じて適時に実施されてもよい。
【００３２】
以上、本技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。例えば、図１３に示すように、本実施例で説明した層間絶縁膜２２に関する構造は、還流ダイオードが一体的に形成されたＲＣ（Reverse Conducting）−ＩＧＢＴの構造を有する半導体装置１００にも採用することができる。この半導体装置１００は、前述した半導体装置１０と比較して、コレクタ領域３２の一部がｎ型のアノード領域４０に変更された構造を有する。ｎ型のアノード領域４０におけるｐ型不純物の濃度は、ドリフト領域３４におけるｎ型不純物の濃度よりも高く、下面電極１６はアノード領域４０にもオーミック接触している。コレクタ領域３２とアノード領域４０との比率や配置については、従来のＲＣ−ＩＧＢＴと同様に、様々に設計することができる。
【００３３】
加えて、本実施例で説明した層間絶縁膜２２に関する構造は、ＩＧＢＴに限定されず、例えばＭＯＳＦＥＴといった、トレンチゲート構造を有する様々な半導体装置にも採用可能であって、同様の効果を期待することができる。本明細書が開示する技術は、例えば半導体基板１２の内部構造等によって、その採用が限定されるものではない。
【００３４】
本明細書又は図面に記載された技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載された組合せに限定されるものではない。また、本明細書又は図面に例示された技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３５】
１０、１００：半導体装置
１２：半導体基板
１２ａ：半導体基板の上面
１２ｂ：半導体基板の下面
１２ｔ：半導体基板のトレンチ
１４：上面電極
１６：下面電極
１８：ゲート電極
２０：ゲート絶縁膜
２２：層間絶縁膜
２２ａ：層間絶縁膜の上面
３２：コレクタ領域
３４：ドリフト領域
３６：ボディ領域
３６ａ：ボディコンタクト領域
３８：エミッタ領域
４０：アノード領域
１００：半導体装置
ＥＧ：エピタキシャル成長層
【図１】
2018148170.tif 000003
【図２】
2018148170.tif 000004
【図３】
2018148170.tif 000005
【図４】
2018148170.tif 000006
【図５】
2018148170.tif 000007
【図６】
2018148170.tif 000008
【図７】
2018148170.tif 000009
【図８】
2018148170.tif 000010
【図９】
2018148170.tif 000011
【図１０】
2018148170.tif 000012
【図１１】
2018148170.tif 000013
【図１２】
2018148170.tif 000014
【図１３】
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