(57)【要約】【課題】複数の絶縁層を備える多層配線基板において、ビア導体からの応力により面内導体が絶縁層から剥離するのを低減できる技術を提供する。【解決手段】多層配線基板１は、複数の絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２と、該積層体２の下面に形成された下側外部電極５と、その一端が下側外部電極５に接続された第１ビア導体７ｅと、該第１ビア導体７ｅの他端に直接接続された第１面内導体６ｄ１と、積層体２内における、第１面内導体６ｄ１の第１ビア導体７ｅとの接続面の反対面側に、第１ビア導体７ｅから積層体２の積層方向と直交する方向に所定距離だけ離れた位置に設けられ、その一端が第１面内導体６ｄ１に接続された第２ビア導体７ｄと、第２ビア導体７ｄの他端に接続された第２面内導体６ｃ１とを備え、第１面内導体６ｄ１のライン幅が、第２面内導体６ｃ１よりも細く形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて成る積層体と、
前記積層体の一方の主面に形成された第１外部電極と、
前記積層体内に設けられ、その一端が前記第１外部電極に接続された第１ビア導体と、
前記第１ビア導体の他端に直接接続されたライン状の第１面内導体を有する第１配線層と、
前記積層体内における、前記第１面内導体の前記第１ビア導体との接続面の反対面側に、前記第１ビア導体から前記積層体の積層方向と直交する方向に所定距離だけ離れた位置に設けられ、その一端が前記第１面内導体に接続された第２ビア導体と、
前記第２ビア導体の他端に接続されたライン状の第２面内導体を有する第２配線層と、
前記積層体の他方の主面に形成された第２外部電極と、
前記積層体内に設けられ、その一端が前記第２外部電極に接続された第３ビア導体と、
前記第３ビア導体の他端に直接接続されたライン状の第３面内導体を有する第３配線層と、
前記積層体内における、前記第３面内導体の前記第３ビア導体との接続面の反対面側に、前記第３ビア導体から前記積層体の積層方向と直交する方向に所定距離がけ離れた位置に設けられ、その一端が前記第３面内導体に接続された第４ビア導体と、
前記第４ビア導体の他端に接続されたライン状の第４面内導体を有する第４配線層とを備え、
前記第１面内導体のライン幅が、前記第２面内導体よりも細く形成されるとともに、前記第３面内導体のライン幅が、前記第４面内導体よりも細く形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１面内導体には、該第１面内導体の厚み方向で貫通するスリットが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１配線層は、複数の前記第１面内導体を有し、
前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との間が、前記複数の第１面内導体により、並列接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１面内導体における前記第１ビア導体と接続する面と反対面側であって、平面視で前記第１ビア導体と重合する位置に、ダミービア導体が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記第１外部電極と前記第１配線層との間に、複数の前記絶縁層が配置され、
前記第１外部電極と第１配線層との間の前記各絶縁層それぞれの厚みは、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の前記各絶縁層以外の前記絶縁層の厚みよりも薄く、
前記第１ビア導体が、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の各絶縁層それぞれにおいて貫通して形成された複数のビア素体の連続体から成ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第１配線層と前記第２配線層との間に、複数の前記絶縁層が配置され、
前記第１配線層と前記第２配線層との間の前記各絶縁層それぞれの厚みは、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の前記各絶縁層および前記第１配線層と前記第２配線層との間の前記各絶縁層以外の前記絶縁層の厚みよりも薄く、
前記第２ビア導体が、前記第１配線層と前記第２配線層との間の各絶縁層それぞれにおいて貫通して形成された複数のビア素体の連続体から成ることを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第１ビア導体は、前記第２ビア導体に比べて、金属成分以外の添加物の重量比率が低いことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記第１ビア導体を形成する前記複数のビア素体のうち、前記第１外部電極に直接接続される前記ビア素体の金属成分以外の添加物の重量比率が、他の前記ビア素体および前記第２ビア導体の金属成分以外の添加物の重量比率よりも低いことを特徴とする請求項５または６に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記第１面内導体の厚みが、前記第２面内導体の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記第１ビア導体が、前記第１面内導体に向かうに連れて先細りするテーパ状に形成されるとともに、第２ビア導体が、前記第１面内導体に向かうに連れて先細りするテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の多層配線基板を備えるプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、その内部に面内導体およびビア導体を備える多層配線基板およびこの多層配線基板を備えるプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴って、電気回路を形成する配線基板には、立体的な配線構造が可能な多層配線基板が広く採用されている。例えば、特許文献１では、ＩＣ等の電気特性を検査するためのプローブカードに使用される多層配線基板が開示されている。この多層配線基板１００は、図１３に示すように、それぞれセラミック材料で形成された複数の絶縁層１０１ａ〜１０１ｆが積層されて成る積層体１０４を備える。各絶縁層１０１ａ〜１０１ｆには、その主面に面内導体１０２ａ〜１０２ｆが形成されるとともに、それぞれ異なる絶縁層１０１ａ〜１０１ｆに配置された所定の面内導体１０２ａ〜１０２ｆ同士を接続する複数のビア導体１０３ａ〜１０３ｆが形成される。
【０００３】
ここで、積層体１０４の上面に形成された面内導体１０２ａはプローブピンと接続するための電極として用いられるとともに、積層体１０４の下面に形成された面内導体１０２ｆは外部接続用の電極として用いられる。また、同一絶縁層１０１ａ〜１０１ｆに形成されたビア導体１０３ａ〜１０３ｆのピッチは、上層から下層に向かうに連れて拡げられており、多層配線基板１００に再配線構造が形成されている。このように多層配線基板１００に設ける配線を積層体１０４の面方向と積層方向に形成することで、多層配線基板１００の小型化が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９６９４号公報（段落００２１、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した従来の多層配線基板１００は、セラミック材料で形成された各絶縁層１０１ａ〜１０１ｆを所定の順序で積層した後に、圧着・焼成して製造される。この場合、圧着・焼成時の押圧力により、ビア導体１０３に接続された面内導体１０２ａ〜１０２ｆが、当該ビア導体１０３に押されて、絶縁層１０１ａ〜１０１ｆから剥がれる場合がある。
【０００６】
例えば、図１３に示すように、最下層の絶縁層１０１ｆの下面に形成された面内導体１０２ｆ（外部電極）の一つ上層側の各面内導体１０２ｅのうち、紙面左端に位置する面内導体１０２ｅは、その一端側で下層側のビア導体１０３ｆに接続されるとともに、他端側で上層側のビア導体１０３ｅに接続されている。このような面内導体１０２ｅおよびビア導体１０３ｅ，１０３ｆの配置構成では、圧着・焼成の際、前記面内導体１０２ｅは、下層側のビア導体１０３ｆからは上方向へ押し上げられるのに対し、上層側のビア導体１０３ｅからは下方向へ押し下げられる。このようなビア導体１０３ｅ，１０３ｆからの押し上げおよび押し下げ応力により、面内導体１０２ｅは変形しやすい。
【０００７】
また、この面内導体１０２ｅの変形に伴う応力が、面内導体１０２ｅと、この面内導体１０２ｅに密着する絶縁層１０１ｅ（または、絶縁層１０１ｆ）との密着界面に作用するため、面内導体１０２ｅの絶縁層１０１ｅ（または絶縁層１０１ｆ）からの剥がれが生じ易い。なお、このようなビア導体１０３ａ〜１０３ｆによる押し上げ、押し下げ応力は、内層側にいくにつれて小さくなるため、特に、積層体１０４の上面の直下または下面の直上に配置された面内導体で、上記した剥がれの問題が顕著化する。
【０００８】
このような面内導体の剥がれを防止する方策として、面内導体に絶縁層を構成する材料と同種のセラミック成分を添加して絶縁層と面内導体との密着強度を向上させる方法があるが、面内導体の電気特性等が低下するため採用し難い。
【０００９】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、複数の絶縁層が積層されて成る積層体を備える多層配線基板において、絶縁層の主面に形成された面内導体が、ビア導体からの応力により絶縁層から剥離するのを低減できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するために、本発明の多層配線基板は、複数の絶縁層が積層されて成る積層体と、前記積層体の一方の主面に形成された第１外部電極と、前記積層体内に設けられ、その一端が前記第１外部電極に接続された第１ビア導体と、前記第１ビア導体の他端に直接接続されたライン状の第１面内導体を有する第１配線層と、前記積層体内における、前記第１面内導体の前記第１ビア導体との接続面の反対面側に、前記第１ビア導体から前記積層体の積層方向と直交する方向に所定距離だけ離れた位置に設けられ、その一端が前記第１面内導体に接続された第２ビア導体と、前記第２ビア導体の他端に接続されたライン状の第２面内導体を有する第２配線層と、前記積層体の他方の主面に形成された第２外部電極と、前記積層体内に設けられ、その一端が前記第２外部電極に接続された第３ビア導体と、前記第３ビア導体の他端に直接接続されたライン状の第３面内導体を有する第３配線層と、前記積層体内における、前記第３面内導体の前記第３ビア導体との接続面の反対面側に、前記第３ビア導体から前記積層体の積層方向と直交する方向に所定距離がけ離れた位置に設けられ、その一端が前記第３面内導体に接続された第４ビア導体と、前記第４ビア導体の他端に接続されたライン状の第４面内導体を有する第４配線層とを備え、前記第１面内導体のライン幅が、前記第２面内導体よりも細く形成されるとともに、前記第３面内導体のライン幅が、前記第４面内導体よりも細く形成されていることを特徴としている。
【００１１】
この場合、第１ビア導体の他端に接続された第１面内導体のライン幅が、第２ビア導体の他端に接続された第２面内導体よりも細く形成される。つまり、第１外部電極に接続される１つの信号経路の中で、積層体の表面に位置する第１外部電極に最も近い面内導体である第１面内導体のライン幅が、該第１面内導体よりも内層に配置された第２面内導体よりも細く形成される。
【００１２】
第１、第２面内導体と、絶縁層とは熱収縮率が異なるため、第１、第２面内導体のライン幅が大きいほど、積層体の圧着・焼成時の面内導体と絶縁層との熱収縮量の差が大きくなって絶縁層との密着強度が小さくなる。そこで、圧着・焼成時に第１ビア導体および第２ビア導体による押し上げ、押し下げ応力の影響を受けやすい第１面内導体のライン幅を第２面内導体よりも細くする。このようにすると、第１面内導体と第２面内導体とを同じライン幅で形成する場合と比較して、第１面内導体と絶縁層との密着強度を大きくすることができるため（密着強度が弱い面内導体と絶縁層の接合面積を減らすことができるため）、圧着・焼成時に、第１面内導体が、第１ビア導体および第２ビア導体から押し上げ、押し下げ応力を受けたときに、絶縁層から剥離し難くなる。また、第１面内導体の絶縁層からの剥離が低減することで、多層配線基板の信頼性が向上する。
【００１３】
また、前記第１面内導体には、該第１面内導体の厚み方向で貫通するスリットが設けられていてもよい。このようにすると、積層体の圧着・焼成時に、第１面内導体の上下に接する絶縁層がスリットの中に入り込んで、絶縁層の柱が立つため、第１面内導体の絶縁層からの剥離を低減する効果がさらに向上する。また、スリットを設けることで、第１面内導体の単位長さ当たりの表面積が増大するため、高周波信号を用いた場合の高周波特性が向上する。
【００１４】
また、前記第１配線層は、複数の前記第１面内導体を有し、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との間が、前記複数の第１面内導体により、並列接続されていてもよい。このようにすることで、各第１面内導体の絶縁層からの剥離を低減しつつ、高電流対応が可能になる。
【００１５】
また、前記第１面内導体における前記第１ビア導体と接続する面と反対面側であって、平面視で前記第１ビア導体と重合する位置に、ダミービア導体が設けられていてもよい。このようにすると、積層体の圧着・焼成時に、第１ビア導体から第１面内導体へ作用する応力が、ダミービア導体から第１面内導体へ作用する応力により相殺される。すなわち、積層体の圧着・焼成時に、第１面内導体が第１ビア導体から受ける応力が減少するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離低減効果がさらに向上する。
【００１６】
また、前記第１外部電極と前記第１配線層との間に、複数の前記絶縁層が配置され、前記第１外部電極と第１配線層との間の前記各絶縁層それぞれの厚みは、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の前記各絶縁層以外の前記絶縁層の厚みよりも薄く、前記第１ビア導体が、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の各絶縁層それぞれにおいて貫通して形成された複数のビア素体の連続体から成るようにしてもよい。
【００１７】
例えば、第１ビア導体を形成する際、レーザ光を用いて絶縁層にビアホールを形成すると、ビアホールにおけるレーザ照射側の一方の端部の開口径が他方の端部よりも大きいテーパ状に形成される。したがって、第１ビア導体の前記他方側の端面の面積を所望の大きさで形成しようとすると、絶縁層の厚みが厚くなるにつれて第１ビア導体の前記一方側の端面の面積が大きくなり、第１ビア導体全体の体積が増加する。また、第１ビア導体全体の体積が大きくなるにつれて、圧着・焼成時に第１面内導体に作用する押し上げまたは押し下げ応力が大きくなるため、絶縁層の厚みが厚くなると第１面内導体が絶縁層から剥離するリスクが高まる。
【００１８】
そこで、第１外部電極と第１配線層（第１面内導体）との間に、それぞれ、厚みが第１外部電極と第１配線層との間以外の絶縁層よりも薄い複数の絶縁層を配置し、第１ビア導体をこれらの絶縁層それぞれにおいて貫通して形成された複数のビア素体の連続体により形成する。このようにすると、第１外部電極と第１配線層との間に１つの絶縁層と配置して、この絶縁層に第１ビア導体を形成する場合と比較して、第１ビア導体の前記他端側の端面の面積が同じであっても、第１ビア導体全体の体積を小さくすることができる。第１ビア導体全体の体積を小さくすることで、積層体の圧着・焼成時に第１ビア導体から第１面内導体に作用する押し上げまたは押し下げ応力が減少するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離防止効果が向上する。
【００１９】
前記第１配線層と前記第２配線層との間に、複数の前記絶縁層が配置され、前記第１配線層と前記第２配線層との間の前記各絶縁層それぞれの厚みは、前記第１外部電極と前記第１配線層との間の前記各絶縁層および前記第１配線層と前記第２配線層との間の前記各絶縁層以外の前記絶縁層の厚みよりも薄く、前記第２ビア導体が、前記第１配線層と前記第２配線層との間の各絶縁層それぞれにおいて貫通して形成された複数のビア素体の連続体から成るようにしてもよい。このようにすると、積層体の圧着・焼成時に、第１面内導体に作用する第２ビア導体からの押し上げまたは押し下げ応力も減少するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離防止効果がさらに向上する。
【００２０】
また、前記第１ビア導体は、前記第２ビア導体に比べて、金属成分以外の添加物の重量比率が低くてもよい。第１ビア導体の金属成分以外の添加物の重量比率が高いと、熱収縮率が低くなり、積層体の圧着・焼成時の絶縁層との熱収縮量の差が広がる。この場合、圧着・焼成時に第１面内導体に作用する第１ビア導体からの押し上げまたは押し下げ応力が大きくなるため、第１面内導体の絶縁層からの剥離のリスクが高まる。したがって、第１面内導体の剥離に対する影響が強い積層体の表層に位置する第１ビア導体において、金属成分以外の添加物の重量比率を第２ビア導体よりも少なくすることで、第１ビア導体による第１面内導体への押し上げまたは押し下げ応力が減少するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離防止効果が向上する。
【００２１】
また、前記第１ビア導体を形成する前記複数のビア素体のうち、前記第１外部電極に直接接続される前記ビア素体の金属成分以外の添加物の重量比率が、他の前記ビア素体および前記第２ビア導体の金属成分以外の添加物の重量比率よりも低くてもよい。この場合も、第１ビア導体および第２ビア導体の金属成分以外の添加物の重量比率が同じである場合と比較して、第１ビア導体による第１面内導体への押し上げまたは押し下げ応力が減少するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離防止効果が向上する。
【００２２】
また、前記第１面内導体の厚みが、前記第２面内導体の厚みよりも薄くてもよい。この場合、第１面内導体のライン幅を第２面内導体よりも細くするのと同様に、積層体の圧着・焼成時の第１面内導体と絶縁層との熱収縮量の差が小さくなって、第１面内導体と絶縁層との密着強度が上がるため、第１面内導体の絶縁層からの剥離を低減することができる。
【００２３】
また、前記第１ビア導体が、前記第１面内導体に向かうに連れて先細りするテーパ状に形成されるとともに、第２ビア導体が、前記第１面内導体に向かうに連れて先細りするテーパ状に形成されていてもよい。この場合、積層体の圧着・焼成時に、第１、第２ビア導体それぞれが第１面内導体を押し上げまたは押し下げる応力に対して、絶縁層が抵抗として機能するため、第１面内導体の絶縁層からの剥離を低減することができる。
【００２４】
また、上記した多層配線基板をプローブカードに採用してもかまわない。この場合、第１面内導体の絶縁層からの剥離が低減された信頼性の高いプローブカードを提供することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、第１ビア導体の他端に接続された第１面内導体のライン幅が、第２ビア導体の他端に接続された第２面内導体よりも細く形成されている。つまり、第１外部電極に接続される１つの配線経路の中で、積層体の表面に位置する第１外部電極に最も近い面内導体である第１面内導体のライン幅が、該第１面内導体よりも内層に配置された第２面内導体よりも細く形成される。
【００２６】
第１、第２面内導体と、絶縁層とは熱収縮率が異なるため、第１、第２面内導体のライン幅が大きいほど積層体の圧着・焼成時に面内導体と絶縁層との熱収縮量の差が大きくなって絶縁層との密着強度が小さくなる。そこで、圧着・焼成時に第１ビア導体および第２ビア導体による押し上げ、押し下げ応力の影響を受けやすい第１面内導体のライン幅を第２面内導体よりも細くする。このようにすると、第１面内導体と第２面内導体とを同じライン幅で形成する場合と比較して、第１面内導体と絶縁層との密着強度を大きくすることができるため、圧着・焼成時に、第１面内導体が、第１ビア導体および第２ビア導体から押し上げ、押し下げ応力を受けたときに、絶縁層から剥離し難くなる。また、第１面内導体の絶縁層からの剥離が低減することで、多層配線基板の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１〜３実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図２】図１の第１面内導体の平面図である。
【図３】図１の第２面内導体の平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態にかかる多層配線基板の第１面内導体の平面図である。
【図５】図４の第１面内導体の変形例を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる多層配線基板の第１面内導体の平面図である。
【図７】図６の第１面内導体の変形例を示す図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図１１】本発明の第７実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図１２】本発明の第８実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図１３】従来の多層配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる多層配線基板１について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１は本発明の第１実施形態にかかる多層配線基板１の断面図、図２は図１の第１面内導体６ｄ１の平面図、図３は図１の第２面内導体６ｃ１の平面図である。
【００２９】
この実施形態にかかる多層配線基板１は、図１に示すように、複数の絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２と、積層体２の上面に形成された複数の上側外部電極４と、積層体２の下面に形成された複数の下側外部電極５と、隣接する絶縁層３ａ〜３ｅ間に配置された複数の配線層６ａ〜６ｄとを備える。また、各絶縁層３ａ〜３ｅには複数のビア導体７ａ〜７ｅが設けられ、対応する上側外部電極４と下側外部電極５同士がビア導体７ａ〜７ｅと配線層６ａ〜６ｄを介して接続される。
【００３０】
各絶縁層３ａ〜３ｅを形成する材料としては、セラミックやガラスエポキシ樹脂などを用いることができる。なお、この実施形態では、各絶縁層３ａ〜３ｅが、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）で形成されている。なお、積層体２を構成する絶縁層３ａ〜３ｅの層数は、適宜、増減可能である。
【００３１】
各上側外部電極４は、それぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかで形成され、図示省略のプローブピンに接続される。
【００３２】
各下側外部電極５は、それぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかで形成され、外部の実装基板などに半田等を介して接続される。
【００３３】
各配線層６ａ〜６ｄは、ぞれぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかで形成された複数の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１で構成されている。
【００３４】
各ビア導体７ａ〜７ｅは、それぞれ、所定の絶縁層３ａ〜３ｅを貫通して形成されたビアホールに、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかと有機溶剤等とを混合して成る導電性ペーストを充填することにより形成される。このビアホールは、各絶縁層３ａ〜３ｅの一方主面側からレーザ光を照射することにより形成される。このとき、ビアホールは、その開口径が絶縁層３ａ〜３ｅの一方主面側から他方主面側に向かうに連れて小さくなるテーパ状に形成される。
【００３５】
このように構成された多層配線基板１では、上記したように、対応する上側外部電極４と下側外部電極５同士が、各配線層６ａ〜６ｄの面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１およびビア導体７ａ〜７ｅを介して接続されることで、５つの信号経路が形成されている。また、同一絶縁層３ａ〜３ｅに形成されたビア導体７ａ〜７ｅのピッチが、上層側から下層側に行くに連れて広げられ、多層配線基板１に再配線構造が形成されている。
【００３６】
ここで、各信号経路の接続構造について、図１の紙面左端の上側外部電極４および下側外部電極５同士を繋ぐ信号経路を例として具体的に説明する。この信号経路では、最下層の絶縁層３ｅに形成されたビア導体７ｅ（本発明の「第１ビア導体」に相当し、以下、第１ビア導体７ｅと称する場合もある。）の一端が、下側外部電極５に接続され、最下層の配線層６ｄの面内導体６ｄ１（本発明の「第１面内導体」に相当し、以下、第１面内導体６ｄ１と称する場合もある。）が、第１ビア導体７ｅの他端に直接接続される。このとき、面内導体６ｄ１は、図２に示すように、ライン状に形成されており、その一端側で第１ビア導体７ｅに接続される。
【００３７】
また、面内導体６ｄ１の他端側は、該面内導体６ｄ１の第１ビア導体７ｅとの接続面の反対面側に位置する絶縁層３ｄに形成されたビア導体７ｄ（本発明の「第２ビア導体」に相当し、以下、第２ビア導体７ｄと称する場合もある。）の一端に接続される。換言すると、第２ビア導体７ｄは、面内導体６ｄ１の他端側に接続されることにより、第１ビア導体７ｅから積層体２の積層方向と直交する方向に所定距離だけ離れた位置に設けられている。
【００３８】
第２ビア導体７ｄの他端は、最下層の配線層６ｄの一つ上の配線層６ｃの面内導体６ｃ１（本発明の「第２面内導体」に相当し、以下、第２面内導体６ｃ１と称する場合もある。）に接続される。このとき、図３に示すように、この面内導体６ｃ１もライン状に形成され、その一端で第２ビア導体７ｄの他端に接続される。面内導体６ｃ１の上側に配置された面内導体６ａ１，６ｂ１およびビア導体７ａ〜７ｃについても同様に接続されて、上側外部電極４と下側外部電極５とを繋ぐ１つの信号経路が形成されている。なお、最下層の配線層６ｄが本発明における「第１配線層」に相当し、その１つ上の配線層６ｃが本発明における「第２配線層」に相当する。
【００３９】
このように、１つの信号経路を面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１とビア導体７ａ〜７ｅで形成する場合、各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１は、そのライン幅を同じにするのが一般的である。しかしながら、この実施形態では、１つの信号経路の中で、積層体２の下面に最も近い配線層６ｄの面内導体６ｄ１のライン幅が、他の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１よりも細く形成されている。
【００４０】
例えば、図３に示す第２面内導体６ｃ１のライン幅Ｗ２が１００μｍで形成されているのに対して、図２に示す第１面内導体６ｄ１のライン幅Ｗ１が５０μｍで形成されている。また、これ以外の面内導体６ａ１，６ｂ１も、第２面内導体６ｃ１と同じ１００μｍで形成されている。なお、上記したライン幅Ｗ１，Ｗ２の値は一例であり、１つの信号経路において、第１ビア導体７ｅに直接接続される第１面内導体６ｄ１のライン幅が、他の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１よりも細く形成されている構成であれば、適宜、変更可能である。
【００４１】
また、図１中の真ん中の上側外部電極４と下側外部電極５とを繋ぐ信号経路を除いた他の信号経路でも、上記した信号経路の接続構造と略同様の構成で、上側外部電極４と下側外部電極５とが接続されている。
【００４２】
（多層配線基板１の製造方法）
次に、この実施形態にかかる多層配線基板１の製造方法について説明する。この多層配線基板１の製造方法では、まず、各絶縁層３ａ〜３ｅが個別に準備される。このとき、各絶縁層３ａ〜３ｅを形成する複数のセラミックグリーンシートを用意し、各セラミックグリーンシートそれぞれにおいて、その一方主面の所定位置に、レーザ光を照射してビアホールを形成する。
【００４３】
続いて、形成したビアホールに、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属や有機溶剤等を含有する導電性ペーストを印刷技術などを用いて充填し、各ビア導体７ａ〜７ｅを形成する。
【００４４】
次に、各セラミックグリーンシートの一方主面または他方主面の所定位置に各配線層６ａ〜６ｄを構成する面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１を形成することで各絶縁層３ａ〜３ｅが完成する。このとき、最下層の配線層６ｄの面内導体６ｄ１のライン幅Ｗ１を、他の配線層６ａ〜６ｃの面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１よりも細く形成する。
【００４５】
また、積層体２の上面を形成するセラミックグリーンシートには、所定位置に上側外部電極４を形成するとともに、積層体２の下面を形成するセラミックグリーンシートには、所定位置に下側外部電極５を形成する。なお、各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１、上側外部電極４および下側外部電極５それぞれは、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属を含有する導電性ペーストを用いた印刷技術により形成することができる。
【００４６】
次に、準備した各絶縁層３ａ〜３ｅを所定の順序で積層した上で、圧着することにより、各絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２を形成する。
【００４７】
最後に、加圧された状態の積層体２を所定の温度（例えば、８５０℃）で焼成することで、多層配線基板１が完成する。
【００４８】
なお、各絶縁層３ａ〜３ｅを準備する際、最下層の絶縁層３ｅに形成する第１ビア導体７ｅの金属成分以外の添加物の重量比率を、第２ビア導体７ｄを含む他のビア導体７ａ〜７ｄよりも低くなるようにしてもよい。第１ビア導体７ｅの金属成分以外の添加物の重量比率が高いと、熱収縮率が低くなり、積層体２の圧着・焼成時の絶縁層３ａ〜３ｅとの熱収縮量の差が広がる。この場合、圧着・焼成時に第１面内導体６ｄ１に作用する第１ビア導体７ｅからの押し上げ応力が大きくなるため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｅからの剥離のリスクが高まる。したがって、第１面内導体６ｄ１の剥離に対する影響が高い積層体２の最下層に位置する第１ビア導体７ｅにおいて、金属成分以外の添加物の重量比率を他のビア導体７ａ〜７ｄよりも低くすることで、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｅからの剥離防止効果が向上する。
【００４９】
本発明にかかるプローブカードは、上記した多層配線基板１と、積層体２の上面に形成された各上側外部電極４に接続された複数のプローブピンを備えることを特徴としている。これにより、信号端子が高密度に配置された半導体素子等の電気検査が可能になる。
【００５０】
したがって、上記した実施形態によれば、所定の上側外部電極４と下側外部電極５同士を繋ぐ１つの信号経路の中で、積層体２の表面（下面）に位置する下側外部電極５に最も近い面内導体である第１面内導体６ｄ１のライン幅Ｗ１が、該第１面内導体６ｄ１よりも内層に配置された第２面内導体６ｃ１よりも細く形成される。
【００５１】
面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１と、絶縁層３ａ〜３ｅとは熱収縮率が異なるため、面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１のライン幅Ｗ１，Ｗ２が大きいほど、積層体２の圧着・焼成時の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１と絶縁層３ａ〜３ｅとの熱収縮量の差が大きくなって絶縁層３ａ〜３ｅとの密着強度が小さくなる。
【００５２】
そこで、圧着・焼成時に第１ビア導体７ｅおよび第２ビア導体７ｄによる押し上げ、押し下げ応力の影響を受けやすい第１面内導体６ｄ１のライン幅Ｗ１を、第２面内導体６ｃ１よりも細くする。このようにすると、１つの信号経路において各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１を同じライン幅で形成する場合と比較して、第１面内導体６ｄ１と絶縁層３ｄ，３ｅとの密着強度を大きくすることができるため、積層体２の圧着・焼成時に、第１面内導体６ｄ１が絶縁層３ｄ，３ｅから剥離するのを低減することができる。また、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離が低減することで、多層配線基板１の信頼性が向上する。
【００５３】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる多層配線基板１ａについて、図１および図４を参照して説明する。なお、図４は多層配線基板１ａが備える第１面内導体６ｄ２の平面図であり、第１実施形態の多層配線基板１を説明するときに参照した図２に対応する図である。
【００５４】
この実施形態にかかる多層配線基板１ａが図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図４に示すように、下側外部電極５に第１ビア導体７ｅを介して接続される第１面内導体６ｄ２に、該第１面内導体６ｄ２の厚み方向で貫通するスリット１０ａが設けられていることである。その他の構成は第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５５】
この場合、第１ビア導体７ｅおよび第２ビア導体７ｄによる押し上げ、押し下げ応力の影響を強く受ける第１面内導体６ｄ２において、そのライン幅方向の略中央であって、ラインの長さ方向に沿うように、スリット１０ａが設けられている。
【００５６】
このようにすると、積層体２の圧着・焼成時に、第１面内導体６ｄ２の上下に接する絶縁層３ｄ，３ｅがスリット１０ａの中に入り込んで、絶縁層３ｄ，３ｅの柱が立つため、当該絶縁層３ｄ，３ｅの柱により、第１面内導体６ｄ２に対する第１ビア導体７ｅおよび第２ビア導体７ｄからの押し上げ、押し下げ応力が緩和される。したがって、第１面内導体６ｄ２の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減する効果がさらに向上する。また、スリット１０ａを設けることで、第１面内導体６ｄ２の単位長さ当たりの表面積が増大するため、高周波信号を用いた場合の高周波特性が向上する。
【００５７】
（第１面内導体６ｄ２の変形例）
この実施形態にかかる多層配線基板１ａの第１面内導体６ｄ２の変形例について、図５および図６を参照して説明する。なお、図５および図６それぞれは第１面内導体６ｄ２の変形例を示す図であり、それぞれ図４に対応する図である。
【００５８】
第１面内導体６ｄ２に設けるスリットの形状については、適宜、変更可能である。例えば、図５に示す面内導体６ｄ２の変形例のように、それぞれ平面視で矩形状の複数のスリット１０ｂを、第１面内導体６ｄ２の長さ方向に沿うように、横並びに設けるようにしてもよい。また、図６に示すように、それぞれひし形の複数のスリット１０ｃを、第１面内導体６ｄ２の長さ方向に沿うように、横並びに設けるようにしてもよい。このようにしても、第２実施形態の多層配線基板１ａと同様の効果が得られる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる多層配線基板１ｂについて、図１および図６を参照して説明する。なお、図６は多層配線基板１ｂが備える第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の平面図であり、第１実施形態の多層配線基板１を説明するときに参照した図２に対応する図である。
【００６０】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｂが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図１および図６に示すように、対応する上側外部電極４および下側外部電極５同士を繋ぐ１つの信号経路のうち、最下層の配線層６ｄに複数（この実施形態では２つ）の第１面内導体６ｄ３，６ｄ４が設けられていることである。その他の構成は第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６１】
この場合、図６に示すように、対応する上側外部電極４および下側外部電極５同士を繋ぐ信号経路のうち、最下層の配線層６ｄに設けられた両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４それぞれのライン幅Ｗ３、Ｗ４は、第２面内導体６ｃ１のライン幅Ｗ２（図３参照）よりも細く形成される（Ｗ２＞Ｗ３、Ｗ４）。また、第１ビア導体７ｅと第２ビア導体７ｄとの間が、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４により並列接続されている。
【００６２】
このように、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４それぞれのライン幅Ｗ３、Ｗ４を、第２面内導体６ｃ１よりも細くしても、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減することができる。また、積層体２の圧着・焼成の際、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の間に、絶縁層３ｄ，３ｅの柱が立つため、第２実施形態の多層配線基板１ａと同様の理由により、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離低減効果がさらに向上する。
【００６３】
また、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４により、第１、第２ビア導体７ｅ，７ｄとの間を並列接続することで、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減しつつ、高電流対応が可能になる。なお、高電流対応をより容易に行うために、両第１面内導体６ｄ３，６ｄ４のライン幅Ｗ３、Ｗ４を和した値は、第２面内導体６ｃ１のライン幅Ｗ２よりも大きいことが好ましい（Ｗ３＋Ｗ４＞Ｗ２）。
【００６４】
（第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の変形例）
次に、この実施形態の第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の変形例について、図７を参照して説明する。なお、図７は第１面内導体６ｄ３，６ｄ４の変形例であり、図６に対応する図である。
【００６５】
この場合、図７に示すように、第１ビア導体７ｅと第２ビア導体７ｄとを並列接続する両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６が、所定間隔あけた状態で、平行に配置される。このとき、両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６それぞれのライン幅Ｗ５，Ｗ６は、第２面内導体６ｃ１のライン幅Ｗ２（図３参照）よりも細く形成される。また、両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６の間には、複数の連結部１１が設けられ、これらの各連結部１１により両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６が第１ビア導体７ｅと第２ビア導体７ｄとを結ぶ経路の途中で連結された構造となっている。このようにすると、図３に示す、ライン幅Ｗ２を有する第２面内導体６ｃ１にスリットを設けたような構造になる。
【００６６】
ところで、上記した第１実施形態の多層配線基板１に設けた第１面内導体６ｄ１のように、そのライン幅Ｗ１を、第２面内導体６ｃ１を含む他の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１よりも細くした場合は、各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１のライン幅を等しく形成した場合と比較して、絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離は低減するものの、高電流対応が難しくなる。しかしながら、この変形例のような配線構造にすることで、耐電流特性を、各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ１のライン幅を等しくした場合と同程度まで確保することができる。
【００６７】
また、積層体２の圧着・焼成の際、両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６の隙間（スリット）に絶縁層３ｄ，３ｅの柱が立つため、第２実施形態の多層配線基板１ａと同様の理由により、両第１面内導体６ｄ５，６ｄ６の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減することができる。
【００６８】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態の多層配線基板１ｃについて、図８を参照して説明する。なお、図８は多層配線基板１ｃの断面図である。
【００６９】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｃが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図８に示すように、第１面内導体６ｄ１における第１ビア導体７ｅと接続する面と反対面側であって、平面視で第１ビア導体７ｅと重合する位置に、ダミービア導体１２が設けられていることである。その他の構成は、第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００７０】
この場合、第１面内導体６ｄ１に接続された第１ビア導体７ｅと平面視で重合する位置にダミービア導体１２が設けられ、第１面内導体６ｄ１の第１ビア導体７ｅと接続する面と反対面に、当該ダミービア導体１２が接続されている。
【００７１】
このようにすると、積層体２の圧着・焼成時に、第１ビア導体７ｅから第１面内導体６ｄ１に作用する押し上げ応力が、ダミービア導体１２から第１面内導体６ｄ１に作用する押し下げ応力により相殺される。すなわち、積層体２の圧着・焼成時に、第１面内導体６ｄ１が第１ビア導体７ｅから受ける応力が減少するため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離が低減する。なお、ダミービア導体１２は、必ずしも第１面内導体６ｄ１の第１ビア導体７ｅに接続する面の反対面に接続していなくてもよく、積層体２の積層方向において、第１面内導体６ｄ１の上層側であって、平面視で第１ビア導体７ｅに重合する位置に配置する構成であればよい。
【００７２】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態にかかる多層配線基板１ｄについて、図９を参照して説明する。なお、図９は多層配線基板１ｄの断面図である。
【００７３】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｄが図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図９に示すように、下側外部電極５と最下層の配線層６ｄとの間に複数（この実施形態では２つ）の絶縁層３ｅ１，３ｅ２が配置され、第１ビア導体７ｆが、これらの絶縁層３ｅ１，３ｅ２それぞれにおいて貫通して形成された２つのビア素体７ｆ１，７ｆ２の連続体から成ることである。その他の構成は、第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００７４】
この場合、下側外部電極５と配線層６ｄとの間の両絶縁層３ｅ１，３ｅ２それぞれは、他の絶縁層３ａ〜３ｄの厚みよりも薄く形成されている。そして、多層配線基板１ｄの製造工程では、両絶縁層３ｅ１，３ｅ２それぞれに、ビア素体７ｆ１，７ｆ２が個別に準備され、各絶縁層３ａ〜３ｄ，３ｅ１，３ｅ２の積層・圧着・焼成工程を経て、両ビア素体７ｆ１，７ｆ２の連続体を成す第１ビア導体７ｆが形成される。
【００７５】
ところで、第１実施形態の多層配線基板１の構造で、第１ビア導体７ｅを形成する際、レーザ光を用いて絶縁層３ｅにビアホールを形成すると、ビアホールにおけるレーザ照射側の一方の端部の開口径が他方の端部よりも大きいテーパ状に形成される。したがって、第１ビア導体７ｅの前記他方側の端面の面積を所望の大きさで形成しようとすると、絶縁層３ｅの厚みが厚くなるにつれて第１ビア導体７ｅの前記一方側の端面の面積が大きくなり、第１ビア導体７ｅ全体の体積が増加する。また、第１ビア導体７ｅ全体の体積が大きくなるにつれて、圧着・焼成時に第１面内導体６ｄ１に作用する押し上げ応力が大きくなるため、絶縁層３ｅの厚みが厚くなると第１面内導体６ｄ１が絶縁層３ｄ，３ｅから剥離するリスクが高まる。
【００７６】
そこで、下側外部電極５と第１面内導体６ｄ１との間に、それぞれ、厚みが下側外部電極５と第１面内導体６ｄ１との間以外の絶縁層３ａ〜３ｄよりも薄い絶縁層３ｅ１，３ｅ２を配置し、第１ビア導体７ｆをこれらの絶縁層３ｅ１，３ｅ２それぞれにおいて貫通して形成された２つのビア素体７ｆ１，７ｆ２の連続体により形成する。
【００７７】
このようにすると、下側外部電極５と第１面内導体６ｄ１との間に１つの絶縁層３ｅを配置して、この絶縁層３ｅに第１ビア導体７ｅを形成する第１実施形態の多層配線基板１と比較して、第１ビア導体７ｆの前記他端側の端面の面積が同じであっても、第１ビア導体７ｆ全体の体積を小さくすることができる。第１ビア導体７ｆ全体の体積が小さくなると、積層体２の圧着・焼成時に第１ビア導体７ｆから第１面内導体６ｄ１に作用する押し上げ応力が減少するため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅ１からの剥離を低減することができる。さらに、第１ビア導体７ｆ全体の体積を小さくなると、積層体２の圧着・焼成時に、第１ビア導体７ｆが下側外部電極５を押し下げる応力が減少するため、積層体２の下面の平坦性が向上する。
【００７８】
なお、この実施形態において、第１ビア導体７ｆを形成する両ビア素体７ｆ１，７ｆ２のうち、下側外部電極５に直接接続される一方のビア素体７ｆ２の金属成分以外の添加物の重量比率を、他方のビア素体７ｆ１、および、第１ビア導体７ｆ以外の他のビア導体７ａ〜７ｄの金属成分以外の添加物の重量比率よりも低くしてもよい。このようにすると、積層体の圧着・焼成の際、金属成分以外の添加物の重量比率が低いビア素体７ｆ２と各絶縁層３ａ〜３ｅとの熱収縮量の差が小さくなるのに伴って、このビア素体７ｆ２を含む第１ビア導体７ｆによる第１面内導体６ｄ１への押し上げ応力が減少するため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離防止効果が向上する。
【００７９】
＜第６実施形態＞
本発明の第６実施形態の多層配線基板１ｅについて、図１０を参照して説明する。なお、図１０は、多層配線基板１ｅの断面図である。
【００８０】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｅが、図９を参照して説明した第５実施形態の多層配線基板１ｄと異なるところは、図１０に示すように、第２ビア導体７ｇも第１ビア導体７ｆと同様に、２つのビア素体７ｇ１，７ｇ２の連続体から成ることである。その他の構成は、第５実施形態の多層配線基板１ｄと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００８１】
この場合、第１面内導体６ｄ１と第２面内導体６ｃ１との間にも、複数（この実施形態では２つ）の絶縁層３ｄ１，３ｄ２が配置される。このとき、これらの絶縁層３ｄ１，３ｄ２それぞれの厚みが、下側外部電極５と第１面内導体６ｄ１との間の絶縁層３ｅ１，３ｅ２を除く他の絶縁層３ａ〜３ｃの厚みよりも薄く形成され、両絶縁層３ｄ１，３ｄ２それぞれに形成された２つのビア素体７ｇ１，７ｇ２の連続体により第２ビア導体７ｇが形成される。
【００８２】
このようにすると、第５実施形態の多層配線基板１ｄと同じ理由により、積層体２の圧着・焼成時に、第１面内導体６ｄ１に作用する第２ビア導体７ｇからの押し下げ応力を減少させることができる。すなわち、この実施形態では、第１面内導体６ｄ１に対する第１、第２ビア導体７ｆ，７ｇそれぞれからの押し上げ、押し下げ応力を減少させることができるため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ２，３ｅ１からの剥離防止効果がさらに向上する。
【００８３】
なお、この実施形態において、第１ビア導体７ｆは、必ずしも複数のビア素体７ｆ１，７ｆ２の連続体で構成しなくともよい。
【００８４】
＜第７実施形態＞
本発明の第７実施形態の多層配線基板１ｆについて、図１１を参照して説明する。なお、図１１は多層配線基板１ｆの断面図である。
【００８５】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｆが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図１１に示すように、第１ビア導体７ｈの形状が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００８６】
この場合、第１実施形態の多層配線基板１の第１ビア導体７ｅが、第１面内導体６ｄ１から離れるに連れて先細りするテーパ状に形成されているのに対して、この実施形態の多層配線基板１ｆの第１ビア導体７ｈでは、第１面内導体６ｄ１に向かうに連れて先細りするテーパ状に形成されている。また、第２ビア導体７ｄは、第１面内導体６ｄ１に向かうに連れて小さくなるテーパ状に形成されている。
【００８７】
第１、第２ビア導体７ｈ，７ｄをこのような形状にすると、積層体２の圧着・焼成時に、第１面内導体６ｄ１への第１ビア導体７ｈの押し上げ応力に対しては、該第１ビア導体７ｈの周囲を被覆する絶縁層３ｅが抵抗として機能するとともに、第１面内導体６ｄ１への第２ビア導体７ｄの押し下げ応力に対しては、該第２ビア導体７ｄの周囲を被覆する絶縁層３ｄが抵抗として機能する。この場合、第１面内導体６ｄ１に対する第１、第２ビア導体７ｈ，７ｄそれぞれの押し上げ、押し下げ応力が緩和されるため、第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減することができる。
【００８８】
＜第８実施形態＞
本発明の第８実施形態にかかる多層配線基板１ｇについて、図１２を参照して説明する。なお、図１２は多層配線基板１ｇの断面図である。
【００８９】
この実施形態にかかる多層配線基板１ｇが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図１２に示すように、対応する上側外部電極４と下側外部電極５同士を繋ぐ１つの信号経路を形成する各面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１，６ｄ７のうち、最下層の配線層６ｄに形成された第１面内導体６ｄ７の厚みが、第２面内導体６ｃ１を含む他の面内導体６ａ１，６ｂ１，６ｃ１よりも薄く形成されていることである。その他の構成は、第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００９０】
この場合、第１面内導体６ｄ７のライン幅Ｗ１を第２面内導体６ｃ１よりも細くする場合と同様に、積層体２の圧着・焼成時の第１面内導体６ｄ７と絶縁層３ａ〜３ｅとの熱収縮量の差が小さくなって、第１面内導体６ｄ７と絶縁層３ｄ，３ｅとの密着強度が上がるため、第１面内導体６ｄ７の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減することができる。
【００９１】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態の構成を組合わせて多層配線基板を形成してもかまわない。
【００９２】
また、上記した各実施形態では、最下層の配線層６ｄの第１面内導体６ｄ１の絶縁層３ｄ，３ｅからの剥離を低減する場合について説明したが、積層体２の上面に最も近い配線層６ａの面内導体６ａ１についても、内層の面内導体６ｂ１，６ｃ１と比較して、積層体２の圧着・焼成時に、接続されたビア導体７ａ，７ｂからの押し上げ、押し下げ応力で、絶縁層３ａ，３ｂから剥離するおそれがある。したがって、上層側の面内導体６ａ１に対しても、上記した各実施形態の発明を適用してもかまわない。
【００９３】
また、上記した各実施形態にかかる多層配線基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇは、プローブカードに限らず、例えば、整合回路モジュール用の基板として使用することができる。
【００９４】
また、本発明は、その内部に面内導体およびビア導体を備える種々の多層配線基板に適用することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ    多層配線基板
２    積層体
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｄ１，３ｄ２，３ｅ，３ｅ１，３ｅ２    絶縁層
５    下側外部電極
６ｄ１，６ｄ２，６ｄ３，６ｄ４，６ｄ５，６ｄ６，６ｄ７    第１面内導体
６ｃ１    第２面内導体
７ｅ，７ｆ，７ｈ    第１ビア導体
７ｄ，７ｇ    第２ビア導体
７ｆ１，７ｆ２，７ｇ１，７ｇ２    ビア素体
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ    スリット
１２    ダミービア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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