(57)【要約】【課題】表示素子の上に簡易な方法で樹脂層を形成するための方法を提供すること。【解決手段】表示装置は、複数の画素で構成される表示領域及び該表示領域の外側に位置する周辺領域を有し、前記表示領域及び前記周辺領域に跨って設けられた樹脂層を有し、前記樹脂層は、前記表示領域を囲むように、内側に向かって斜めに傾斜した溝部を含む。前記複数の画素は、それぞれ画素電極を有し、前記樹脂層は、前記画素電極の一部を露出させる開口部をさらに含んでもよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素で構成される表示領域及び該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置であって、
前記表示領域及び前記周辺領域に跨って設けられた樹脂層を有し、
前記樹脂層は、前記表示領域を囲むように、内側に向かって斜めに傾斜した溝部を含む、表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、それぞれ画素電極を有し、
前記樹脂層は、前記画素電極の一部を露出させる開口部をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記樹脂層は、第１絶縁層の上に設けられ、
前記溝部の内壁及び下端部には、前記第１絶縁層と同一材料で構成される第２絶縁層が設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、窒化シリコン膜である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、それぞれ画素電極を有し、
前記画素電極は、前記第１絶縁層を介して他の電極と重畳することにより保持容量を構成する、請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記開口部の内部に、少なくとも発光層を含むＥＬ層を有し、
前記画素電極、前記ＥＬ層及びカソード電極で構成される発光素子を含む、請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記樹脂層は、カソード配線と重畳する位置に開口部をさらに含み、
前記カソード電極は、前記カソード配線と重畳する位置に設けられた前記開口部の内部において前記カソード配線と電気的に接続される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記溝部は、前記カソード配線と重畳する位置に設けられた前記開口部よりも前記表示領域に対して外側に位置する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記樹脂層の上に、さらに他の樹脂層が設けられ、
前記他の樹脂層は、前記表示領域を覆うとともに、その端部が前記溝部の内部に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記溝部が、前記表示領域を囲む第１溝部及び該第１溝部を囲む第２溝部を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
平面視において、前記溝部の下端部は、前記溝部の上端部よりも前記表示領域に対して外側に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記樹脂層は、感光性樹脂材料で構成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
複数の画素で構成される表示領域及び該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置の製造方法であって、
前記表示領域及び前記周辺領域に跨って、感光性樹脂材料で構成される樹脂層を形成し、
前記樹脂層の上に、平面視において前記表示領域を囲むように設けられた開口部を有するマスクを配置し、
前記表示領域の中央近傍に配置された点光源から前記マスクに対して放射状に光を照射することにより、前記開口部によって露出した前記樹脂層を感光させることを含む、表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂層を感光させることにより、前記樹脂層に対し、内側に向かって斜めに傾斜した変性領域を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記複数の画素は、それぞれ画素電極を有し、
さらに、前記前記樹脂層の上に、平面視において前記画素電極の一部と重畳するように設けられた開口部を有する他のマスクを配置し、
前記他のマスクに対して光を照射することにより、前記他のマスクの開口部によって露出した前記画素電極に重畳する前記樹脂層を感光させることを含み、
前記樹脂層のうち、前記マスクを用いて感光させた領域と前記他のマスクを用いて感光させた領域とを同一プロセスで除去することを含む、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の画素を含む表示装置に関する。特に、各画素に発光素子を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯端末やテレビなどのディスプレイに使用する表示装置として、発光素子としてＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子を有する有機ＥＬ表示装置が知られている。有機ＥＬ表示装置は、明るく視野角特性に優れるなどの利点を有し、液晶表示装置に代わる表示装置として開発が急がれている。
【０００３】
しかしながら、発光素子を構成する材料として使用する有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料は、水分に弱いため、取り扱いに注意を要するという特長がある。そのため、通常は、発光素子を形成した後、全体を樹脂で覆って水分等の侵入から保護する対策が採られる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４３２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、発光素子を形成した後に全体を樹脂で覆う場合、表示領域を囲むようにシール材を設け、発光素子が形成された基板、対向基板及びシール材で囲まれた閉空間に樹脂を充填する構成が採られる。しかしながら、この場合には、樹脂を充填する閉空間を形成するために、シール材及び対向基板といった部材が必要となる。このような部材は、製造コストを低減する上で問題となり得る。また、表示領域の外側にシール材を配置するためのスペースを確保する必要があり、表示領域を最大限に大きくする上でも問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の課題の一つは、表示素子の上に簡易な方法で樹脂層を形成するための方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素で構成される表示領域及び該表示領域の外側に位置する周辺領域を有し、前記表示領域及び前記周辺領域に跨って設けられた樹脂層を有し、前記樹脂層は、前記表示領域を囲むように、内側に向かって斜めに傾斜した溝部を含む。前記複数の画素は、それぞれ画素電極を有し、前記樹脂層は、前記画素電極の一部を露出させる開口部をさらに含んでもよい。
【０００８】
本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、複数の画素で構成される表示領域及び該表示領域の外側に位置する周辺領域を有する表示装置の製造方法であって、前記表示領域及び前記周辺領域に跨って、感光性樹脂材料で構成される樹脂層を形成し、前記樹脂層の上に、平面視において前記表示領域を囲むように設けられた開口部を有するマスクを配置し、前記表示領域の中央近傍に配置された点光源から前記マスクに対して放射状に光を照射することにより、前記開口部によって露出した前記樹脂層を感光させることを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す断面図である。
【図３】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す平面図である。
【図４】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の溝部の構成の一例を示す断面図である。
【図５】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の溝部の構成の一例を示す平面図である。
【図６】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１１】第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２Ａ】第１実施形態における溝部を形成する際のメタルマスクの配置の一例を示す図である。
【図１２Ｂ】第１実施形態における溝部を形成する際における露光処理の一例を示す図である。
【図１３Ａ】第１実施形態における樹脂層を構成する樹脂材料を滴下した様子の一例を示す平面図である。
【図１３Ｂ】第１実施形態における樹脂層を構成する樹脂材料を滴下した様子の一例を示す断面図である。
【図１４】第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す断面図である。
【図１５】第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す平面図である。
【図１６】第３実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１３】
また、本明細書および特許請求の範囲において、「内側」及び「外側」とは、２つの部位における、表示領域を基準とした相対的な位置関係を示す。すなわち、「内側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域に近い側を指し、「外側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域から遠い側を指す。
【００１４】
（第１実施形態）
＜表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す斜視図である。本実施形態における有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置１００は、基板１０１の上に、複数の画素１０２ａで構成される表示領域１０２、表示領域１０２を囲む周辺領域１０３、表示領域１０２に対して外部からの信号を供給する端子領域１０４、表示領域１０２と端子領域１０４との間に配置された駆動回路１０５、及び端子領域１０４に対して外部からの信号を伝達するフレキシブルプリント回路基板１０６を有する。
【００１５】
表示領域１０２は、画像を表示する領域である。表示領域１０２に配置された各画素１０２ａは、各々が発光領域として機能する。つまり、複数の画素１０２ａの集合体が表示領域１０２として機能する。各画素１０２ａには、駆動素子として、後述する薄膜トランジスタ９０（図２参照）を用いた回路が形成されている。本実施形態では、各画素１０２ａに設けられた薄膜トランジスタ９０のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御することにより、各画素１０２ａに設けられた発光素子の制御を行う構成となっている。
【００１６】
端子領域１０４は、表示領域１０２又は駆動回路１０５に接続された配線が集まって形成された配線群で構成され、外部からの信号を供給する端子として機能する。外部からの信号は、端子領域１０４に接続されたフレキシブルプリント回路基板１０６から伝達される。端子領域１０４とフレキシブルプリント回路基板１０６との接続は、公知の異方性導電膜を用いた方法を用いることができる。
【００１７】
駆動回路１０５は、各画素１０２ａに供給する制御信号及びデータ信号を出力する回路である。具体的には、駆動回路１０５は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の集積回路で構成することができる。なお、本実施形態では、駆動回路１０５を用いて各画素１０２ａを制御する例を示したが、周辺領域１０３に、薄膜トランジスタを用いて走査線ドライバやデータ信号線ドライバを設け、これらに対して制御信号やデータ信号を供給する構成とすることも可能である。
【００１８】
フレキシブルプリント回路基板１０６は、駆動回路１０５と外部回路との間の信号の送受信を行うために使用される回路基板である。フレキシブルプリント回路基板１０６は、可撓性を有する樹脂基板上に複数の配線を配置した構成を有し、端子領域１０４上に接着されて駆動回路１０５と電気的に接続される。駆動回路１０５は、フレキシブルプリント回路基板１０６上に配置されてもよい。
【００１９】
図２は、第１実施形態の表示装置における概略の構成を示す断面図である。具体的には、図２は、図１に示した有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置１００をＡ−Ａ’で示す一点鎖線で切断した断面に対応する図である。なお、図２では、表示領域１０２と周辺領域１０３とに分けて図示を行う。また、図２において、表示領域１０２には、画素１０２ａを１つのみ示しているが、実際には、複数の画素１０２ａが表示領域１０２に配置されている。
【００２０】
図２において、基板１０１上には、薄膜トランジスタ９０が設けられる。薄膜トランジスタ９０は、公知の方法で形成することができる。本実施形態では、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタを設けた例を示しているが、どのようなタイプの薄膜トランジスタを設けてもよい。図２に示す薄膜トランジスタ９０は、発光素子９１に対して電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。
【００２１】
薄膜トランジスタ９０は、樹脂材料で構成される絶縁層１２で覆われている。絶縁層１２は、薄膜トランジスタ９０の形状に起因する起伏を平坦化する平坦化層として機能する。本実施形態では、樹脂材料としてアクリル樹脂を用いるが、これに限定されるものではない。
【００２２】
絶縁層１２の上には、画素電極２０に接続される保持容量９２を形成するための容量電極１４とカソード配線１６とが設けられる。カソード配線１６は、発光素子９１を構成するカソード電極２８に対して所定の電位を与えるための配線である。容量電極１４及びカソード配線１６は、公知の金属材料で構成することが可能である。
【００２３】
容量電極１４及びカソード配線１６の上には、絶縁層１８が設けられる。絶縁層１８としては、例えば窒化シリコン膜を用いることができる。絶縁層１８は、封止用の絶縁層３０との密着性を高めるとともに、保持容量９２を構成する絶縁体としても機能する。勿論、絶縁層１８としては、窒化シリコン膜に限らず、他の絶縁膜を用いることも可能である。
【００２４】
絶縁層１８の上には、画素電極２０及び緩衝電極２２が設けられる。画素電極２０は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ９０に接続される。また、緩衝電極２２は、カソード配線１６の上に配置され、カソード配線１６に接続される。これら画素電極２０及び緩衝電極２２は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜をフォトリソグラフィによりパターン化して得ることができる。なお、本実施形態では、画素電極２０は、発光素子９１の陽極として機能する。
【００２５】
このとき、保持容量９２は、容量電極１４、絶縁層１８及び画素電極２０の一部が重畳することにより構成される。
【００２６】
画素電極２０及び緩衝電極２２の上には、パターニングが施された樹脂層２４が設けられる。樹脂層２４は、表示領域１０２において画素電極２０の一部を露出する開口部を有している。表示領域１０２に設けられた樹脂層２４は、一般的にバンク（又はリブ）と呼ばれ、この開口部が画素の発光領域を画定する。なお、樹脂層２４は、感光性樹脂材料で構成することが好ましい。
【００２７】
また、樹脂層２４は、周辺領域１０３においてカソード配線１６と重畳する位置に開口部を有する。本実施形態では、樹脂層２４は、緩衝電極２２の一部を露出するように開口部を有する。緩衝電極２２の上に設けられる開口部は、カソードコンタクト９４を形成するための開口部である。カソード電極２８は、カソードコンタクト９４において緩衝電極２２に接続される。なお、緩衝電極２２を省略することもでき、その場合は、カソード配線１６の一部が露出するように開口部が設けられる。
【００２８】
また、本実施形態の表示装置１００には、周辺領域１０３に設けられた樹脂層２４を用いて溝部９３が形成されている。溝部９３は、封止用の樹脂層３２を形成する際、基板１０１の上方から滴下した樹脂材料が流れて広がることを止めるための領域として機能する部分である。本実施形態では、溝部９３は、上述したカソード配線１６と重畳する位置に設けられた開口部よりも表示領域１０２に対して外側に設けられる。具体的な構成については後述する。
【００２９】
樹脂層２４に設けられた上述の開口部の内側には、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）層２６が設けられる。ＥＬ層２６は、公知の有機ＥＬ材料を含む層であり、発光素子９１の発光領域として機能する。ＥＬ層２６には、有機ＥＬ材料で構成された発光層のほか、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種機能層を含むこともできる。なお、本実施形態では、複数の画素１０２ａにそれぞれ異なる発光色の有機ＥＬ材料を含むＥＬ層２６を形成し、それらの画素１０２ａを用いてカラー表示を実現している。
【００３０】
カソード電極２８は、樹脂層２４、ＥＬ層２６及び緩衝電極２２の上に設けられ、各画素１０２ａの共通電極として、表示領域１０２を覆うように配置される。本実施形態では、カソード電極２８は、発光素子９１において陰極として機能する。カソード電極２８は、例えば銀とマグネシウムの合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料を用いることができる。
【００３１】
さらに、カソード電極２８は、カソードコンタクト９４において、緩衝電極２２を介してカソード配線１６に電気的に接続される。このように、カソードコンタクト９４では、カソード電極２８が、画素電極２０と同一の層に設けられた緩衝電極２２を介してカソード配線１６に電気的に接続される。
【００３２】
なお、緩衝電極２２は、省略してもよい。ただし、カソード配線１６とカソード電極２８の密着性が悪い場合や、カソード配線１６が水分に弱い材料で構成される場合などに、緩衝電極２２を用いて密着性を向上させたり、カソード配線１６を水分から保護したりすることは有効である。
【００３３】
また、発光素子９１は、画素電極２０、ＥＬ層２６及びカソード電極２８が重畳することにより構成される。
【００３４】
カソード電極２８の上には、絶縁層３０が設けられる。絶縁層３０は、外部からの水分や空気の侵入を防ぐ封止層として機能する。絶縁層３０としては、例えば窒化シリコン膜を用いることができるが、これに限定されるものではない。図２に示されるように、溝部９３の内壁及び下端部は、絶縁層３０によって覆われる。
【００３５】
ただし、絶縁層１８と絶縁層３０は、樹脂層２４のない領域（例えば溝部９３の下端部）で接するため、両者を同一材料で構成することが望ましい。絶縁層１８と絶縁層３０を同一材料で構成することにより、絶縁層３０の密着性を向上させることができる。その結果、絶縁層１８と絶縁層３０との境界面を経由する水分の侵入を防止することができ、絶縁層３０の水分の遮断効果を向上させることが可能となる。本実施形態では、絶縁層１８及び絶縁層３０として、窒化シリコン膜を用いる。
【００３６】
絶縁層３０の上には、保護層としての樹脂層３２が設けられる。樹脂層３２は、樹脂材料で構成され、液状の樹脂材料を絶縁層３０の上方から滴下して塗布することにより形成される。その際、図２に示した溝部９３が、滴下した樹脂材料の広がりを止める堰としての役割を果たす。したがって、樹脂層３２は、表示領域１０２を覆うとともに、樹脂層３２の端部が溝部９３の内部に位置する。
【００３７】
樹脂層３２の上には、さらに封止用の絶縁層３４が設けられている。絶縁層３４は、絶縁層３０と同様に、外部からの水分や空気の侵入を防ぐ封止層として機能する。絶縁層３４としては、例えば窒化シリコン膜を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３８】
ここで、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００が備える溝部９３の詳細な構成について、図３〜図５を用いて説明する。図３は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す平面図である。図４は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の溝部の構成を示す断面図である。図５は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の溝部の構成を示す平面図である。図５は、具体的には、図３に示される枠線８０で囲まれた領域の拡大図に対応する。
【００３９】
図３に示されるように、本実施形態の溝部９３は、表示領域１０２を囲むように配置される。後述するように、本実施形態では、液状の樹脂材料を基板１０１の上方から滴下して塗布する。具体的には、液状の樹脂材料は、基板１０１の中央付近に滴下されると、そこを起点として等方的に広がる。その際、溝部９３が広がりを止める役割を果たすため、基本的には、表示領域１０２を囲むように配置されることが好ましい。ただし、樹脂材料の広がりを止めることができれば、表示領域１０２を完全に囲む必要はなく、部分的に溝部９３が途切れていても構わない。
【００４０】
また、溝部９３の幅（溝部９３が延びる方向に直交する方向の長さ）に特に制限はないが、幅が広いほど液状の樹脂材料を貯める能力が増すため、樹脂材料の広がりを抑制する機能は向上する。
【００４１】
また、図４に示されるように、溝部９３は、樹脂層２４に対して、内側（溝部９３よりも表示領域１０２に近い側）に向かって斜めに傾斜して設けられるため、樹脂層２４の断面は、略平行四辺形となる。つまり、図４において、左側の樹脂層２４と絶縁層１８とがなす角をθとしたとき、右側の樹脂層２４と樹脂層２４とがなす角は１８０−θとなり、断面視における溝部９３の中心線９３ｃと絶縁層１８の表面とがなす角はθとなる。
【００４２】
また、溝部９３は、平面視において、上端部９３ａの位置と下端部９３ｂの位置とがずれる。このとき、下端部９３ｂの位置は、全体的に、上端部９３ａの位置よりも外側（つまり、表示領域１０２から遠い側）となる。つまり、図５に示されるように、平面視において、下端部９３ｂは、上端部９３ａよりも全体的に表示領域１０２の外側にずれた位置となる。ここで説明した上端部９３ａ及び下端部９３ｂの位置関係は、溝部９３を幅方向のどこで切断しても同様である。
【００４３】
＜表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について図６〜１２を用いて説明する。図６〜１２は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００４４】
まず、図６に示されるように、基板１０１上に薄膜トランジスタ９０を形成する。薄膜トランジスタ９０の形成方法は、特に限定されず、公知の方法で形成することができる。また、基板１０１として、本実施形態ではガラス基板を用いるが、他の絶縁基板を用いてもよい。なお、樹脂材料で構成されるフレキシブル基板上に薄膜トランジスタ９０を形成する場合は、基板１０１上にポリイミド等の樹脂膜を形成し、最終的に表示パネルが完成した時点で基板１０１を剥離すればよい。
【００４５】
本実施形態では、基板１０１上に下地絶縁層（図示せず）を設け、その上に半導体材料で構成される活性層９０ａを形成する。次に、活性層９０ａを覆うゲート絶縁層９０ｂを形成し、ゲート絶縁層９０ｂの上の活性層９０ａと重畳する領域にゲート電極９０ｃを形成する。そして、ゲート電極９０ｃを覆う層間絶縁層９０ｄを形成した後、コンタクトホールを介して活性層９０ａに接続されるソース電極９０ｅ及びドレイン電極９０ｆを形成する。
【００４６】
薄膜トランジスタ９０を形成した後、図７に示されるように、アクリル等の樹脂材料で構成される絶縁層１２を形成する。本実施形態では、絶縁層１２として感光性アクリル材料を用いる。そして、絶縁層１２の形成の際に、薄膜トランジスタ９０のドレイン電極９０ｆに達するコンタクトホール１２ａを形成する。
【００４７】
コンタクトホール１２ａを形成した後、絶縁層１２上に容量電極１４及びカソード配線１６を形成する。容量電極１４及びカソード配線１６は、金属材料で構成すればよい。本実施形態では、容量電極１４及びカソード配線１６として、モリブデン膜とタンタル膜の積層膜をフォトリソグラフィによりパターニングして用いる。
【００４８】
次に、図８に示されるように、容量電極１４及びカソード配線１６を覆うように無機絶縁材料で構成される絶縁層１８を形成する。本実施形態では、絶縁層１８として窒化シリコン膜を用いる。また、絶縁層１８には、コンタクトホール１２ａを露出させる開口部１８ａと、カソード配線１６の一部を露出させる開口部１８ｂが形成される。これらの開口部１８ａ及び開口部１８ｂは、公知のフォトリソグラフィにより形成すればよい。
【００４９】
絶縁層１８に対して開口部１８ａ及び開口部１８ｂを形成した後、薄膜トランジスタ９０のドレイン電極９０ｆに接続される画素電極２０と、カソード配線１６に接続される緩衝電極２２を形成する。本実施形態では、画素電極２０及び緩衝電極２２として、透光性を有する導電材料（具体的には、ＩＴＯ）を用いる。
【００５０】
このとき、画素電極２０の一部が、絶縁層１８を介して容量電極１４と重畳するようにパターニングを行う。これにより、容量電極１４、絶縁層１８及び画素電極２０の積層構造で構成される保持容量９２が形成される。
【００５１】
画素電極２０及び緩衝電極２２を形成した後、図９に示されるように、再びアクリル等の樹脂材料で構成される樹脂層２４を形成する。本実施形態では、樹脂層２４として、ポジ型の感光性アクリル材料を用いる。また、樹脂層２４を形成する際、２回の露光処理を行い、画素電極２０の一部を露出させる開口部２４ａ、緩衝電極２２の一部を露出させる開口部２４ｂ、及び溝部９３を形成する。なお、開口部２４ａの周囲の樹脂層２４は、通常バンク又はリブと呼ばれ、画素１０２ａの発光領域を画定する役割を果たす。
【００５２】
ここで、樹脂層２４に開口部２４ａ、開口部２４ｂ及び溝部９３を形成する方法について具体的に説明する。
【００５３】
まず、樹脂層２４のベースとなるポジ型の感光性樹脂材料を画素電極２０及び緩衝電極２２を覆うように形成する。その後、開口部２４ａ及び開口部２４ｂを形成すべき位置（すなわち、画素電極２０の上方の位置と緩衝電極２２の上方の位置）に対応して開口部を有する露光マスクを用いて、面光源による通常の露光処理を行う。これにより、画素電極２０及び緩衝電極２２の上方の樹脂材料が露光されて変性し、変性領域（現像液によって溶解する領域）となる。この変性領域を現像液により除去すると、開口部２４ａ及び開口部２４ｂが形成される。
【００５４】
さらに本実施形態では、上述の露光処理に連続して、溝部９３を形成するための露光処理を行う。図１２Ａは、溝部９３を形成する際における露光マスクの配置の一例を示す図である。図１２Ｂは、溝部９３を形成する際における露光処理の一例を示す図である。なお、図１２Ｂは、図１２ＡにおいてＢ−Ｂ’で示す一点鎖線で切断した断面に対応する図である。
【００５５】
図１２Ａに示されるように、露光マスク７１は、溝部９３を形成すべき位置に対応して開口部７２を有する。本実施形態では、開口部７２は、表示領域１０２を囲むように、周辺領域１０３の上方に対応する位置に設けられる。また、本実施形態では、露光光源として、紫外光７３を発する点光源７４を用いる。点光源７４としては、例えば紫外光７３を放射するＬＥＤ等を用いることが可能である。この場合、点光源７４から放射状に照射された紫外光７３は、等方的に広がって開口部７２に対して斜めの方向から差し込むこととなる。
【００５６】
この様子を図１２Ｂに示す。図１２Ｂに示されるように、斜め方向から露光マスク７１の開口部７２に差し込む紫外光７３によって、樹脂材料（樹脂層２４）の一部が変性して変性領域７５となる。このとき、変性領域７５の形状は、断面視において略平行四辺形である。そのため、現像液により変性領域７５を除去すると、図４を用いて説明した形状の溝部９３が形成される。
【００５７】
以上のように、本実施形態では、樹脂層２４（厳密には、ポジ型の感光性樹脂材料で構成される層）に対し、互いに異なる二種類の露光処理を連続して施すことにより、開口部２４ａ及び開口部２４ｂを形成するための変性領域と、溝部９３を形成するための変性領域とを形成する。そして、これらの変性領域を形成した後、現像液を用いて同一プロセスで除去することにより、開口部２４ａ、開口部２４ｂ及び溝部９３を一括して形成することができる。
【００５８】
なお、第１実施形態では、樹脂層２４の構成材料としてポジ型の感光性樹脂材料を用いる例を示したが、ネガ型の感光性樹脂材料を用いてもよい。その場合、露光した部分が樹脂層２４として残るため、使用する露光マスクの開口部の位置が図１２Ａに示した露光マスク７１とは異なる。
【００５９】
以上説明したプロセスを経て、図９に示す状態が得られる。その後、図１０に示されるように、開口部２４ａの内側にＥＬ層２６を形成する。本実施形態では、露光マスクを用いた蒸着法により画素ごとにＥＬ層２６を形成する。その際、画素ごとに異なる発光色の発光層を含むＥＬ層２６を形成することができる。ＥＬ層を構成する有機材料としては、公知のあらゆる材料を用いてもよい。
【００６０】
ＥＬ層２６を形成したら、露光マスクを用いた蒸着法によりカソード電極２８を形成する。本実施形態では、カソード電極２８を構成する材料として、銀とマグネシウムの合金（ＭｇＡｇ）を用いる。その際、表示領域１０２においては、各画素にまたがってカソード電極２８が形成される。また、周辺領域１０３においては、カソード電極２８は、少なくとも緩衝電極２２及び開口部２４ｂに重畳する位置まで形成される。これにより、カソード配線１６、緩衝電極２２及びカソード電極２８で構成されるカソードコンタクト９４が形成される。
【００６１】
カソード電極２８を形成したら、絶縁層３０を形成する。本実施形態では、絶縁層３０として、絶縁層１８と同じ窒化シリコン膜を用いる。絶縁層３０は、外部からの水分等の侵入を防ぐための保護層として機能する。特に、カソード電極２８は、通常アルカリ金属を含むことが多く、水分に弱い。この場合、カソード電極２８の形成と絶縁層３０の形成を、真空状態を破らずに連続して行うことが好ましいが、これに限らず、窒素環境下において適宜間をあけてもよい。
【００６２】
また、絶縁層１８と絶縁層３０を同じ絶縁材料（この場合は、窒化シリコン）で形成すると、図１０に示されるように、溝部９３の内部で絶縁層１８と絶縁層３０とが接する。このとき、両者は同じ材料で構成されるため、密着性が高く、接触界面を経由する水分の侵入の恐れが少ない。したがって、絶縁層１８と絶縁層３０を同じ絶縁材料で形成することにより、効果的に外部からの水分を遮断することができる。
【００６３】
次に、本実施形態では、絶縁層３０の上に樹脂層３２を形成する。図１３Ａは、樹脂層３２を構成する樹脂材料７７を滴下した様子の一例を示す平面図である。図１３Ｂは、樹脂層３２を構成する樹脂材料７７を滴下した様子の一例を示す断面図である。なお、図１３Ｂは、図１３ＡにおいてＣ−Ｃ’で示す一点鎖線で切断した断面に対応する図である。
【００６４】
本実施形態において、樹脂層３２の形成は、液状の樹脂材料を絶縁層３０の上に滴下することにより行う。この場合、図１４Ａに示されるように、表示領域１０２の中央上方から滴下された液状の樹脂材料７７が、矢印で示すように表示領域１０２の全体に広がるように流れ、最終的に表示領域１０２が樹脂材料７７で覆われる。
【００６５】
このとき、樹脂材料７７は、周辺領域１０３に及ぶまで流れて広がる。そして、樹脂材料７７が溝部９３に到達すると、樹脂材料７７の流れが溝部９３によって遮られる。これにより、樹脂材料７７の広がりが止まる。このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、溝部９３が、樹脂層３２を形成する際の樹脂材料７７の広がりを止める堰として機能する。
【００６６】
そして、樹脂材料７７の滴下処理が終了し、表示領域１０２の全体が樹脂材料７７に覆われた状態で、樹脂材料７７の焼成処理を行う。焼成処理は、紫外光照射による方法であってもよいし、熱処理による方法であってもよい。勿論、両者を併用してもよい。
【００６７】
以上のプロセスを経て図１１に示す状態が得られる。その後、再び窒化シリコン等の無機絶縁材料で構成される絶縁層３４を形成し、図２に示される有機ＥＬ表示装置１００を完成させる。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態では、保護層として樹脂層３２を形成するに際し、従来のようなシール材を設ける必要がない。すなわち、通常バンクとして利用される樹脂層２４を、樹脂材料７７の広がりを止めるための堰として兼用することにより、簡易な方法で樹脂層３２を形成することができる。
【００６９】
（第２実施形態）
第１実施形態では、溝部９３を１つだけ設けた構成を例示したが、表示領域１０２を囲むように複数の溝部を形成してもよい。第２実施形態では、樹脂層２４に対して複数の溝部を設けた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００との構成上の差異に注目して説明を行い、同じ構成については同じ符号を付して説明を省略することがある。
【００７０】
図１４は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置２００の製造方法を示す断面図である。具体的には、図１４は、樹脂層２４に対して、画素電極２０の一部を露出させる開口部２４ａ及び溝部８１を形成した状態を示している。また、図１５は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置２００の概略の構成を示す平面図である。
【００７１】
図１４において、溝部８１は、第１溝部８１ａ及び第２溝部８１ｂで構成されている。つまり、表示領域１０２に近い側に第１溝部８１ａが設けられ、その外側（表示領域１０２に対して遠い側）に第２溝部８１ｂが設けられている。したがって、本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００が完成すると、図１５に示されるように、表示領域１０２を囲むように、第１溝部８１ａが設けられ、さらに第１溝部８１ａを囲むように第２溝部８１ｂが設けられる。
【００７２】
このような構造とすると、図１３Ａ及び図１３Ｂで示したプロセスにおいて、樹脂材料７７の広がりを止める機能を向上させることができ、より確実に樹脂材料７７の広がりを止めることができる。
【００７３】
（第３実施形態）
第１実施形態では、平坦化層として機能する絶縁層１２の上に溝部９３を設けた構成を例示したが、溝部９３を設ける位置において、予め絶縁層１２を除去しておくことも可能である。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００との構成上の差異に注目して説明を行い、同じ構成については同じ符号を付して説明を省略することがある。
【００７４】
図１６は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置３００の概略の構成を示す断面図である。図１６に示されるように、絶縁層１２は、周辺領域１０３の一部において除去されている。本実施形態では、周辺領域１０３における絶縁層１２が設けられていない領域において、樹脂層２４に対して溝部８２を設けている。
【００７５】
この場合、絶縁層１２が設けられていない領域では、樹脂層２４の膜厚が他の領域よりも厚くなる。これは、樹脂層２４を形成する際、液状の樹脂材料を塗布するため、絶縁層１２に起因する段差部が平坦化されるからである。その結果、樹脂層２４に対して形成された溝部８２は、第１実施形態における溝部９３に比べて深い溝となる。
【００７６】
したがって、本実施形態によれば、第１実施形態に比べてより深い溝部を形成することができるため、図１３Ａ及び図１３Ｂで示したプロセスにおいて、樹脂材料７７の広がりを止める機能を向上させることができ、より確実に樹脂材料７７の広がりを止めることができる。
【００７７】
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置以外の自発光装置、液晶表示装置、または電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特にサイズを限定することなく適用が可能である。
【００７８】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８０】
１２…絶縁層、１２ａ…コンタクトホール、１４…容量電極、１６…カソード配線、１８…絶縁層、１８ａ…開口部、１８ｂ…開口部、２０…画素電極、２２…緩衝電極、２４…樹脂層、２４ａ…開口部、２４ｂ…開口部、２６…ＥＬ（エレクトロルミネセンス）層、２８…カソード電極、３０…絶縁層、３２…樹脂層、３４…絶縁層、７１…メタルマスク、７２…開口部、７３…紫外光、７４…点光源、７５…変性領域、７７…樹脂材料、８１…溝部、８１ａ…第１溝部、８１ｂ…第２溝部、８２…溝部、９０…薄膜トランジスタ、９０ａ…活性層、９０ｂ…ゲート絶縁層、９０ｃ…ゲート電極、９０ｄ…層間絶縁層、９０ｅ…ソース電極、９０ｆ…ドレイン電極、９１…発光素子、９２…保持容量、９３…溝部、９３ａ…上端部、９３ｂ…下端部、９３ｃ…中心線、９４…カソードコンタクト、１００、２００、３００…有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置、１０１…基板、１０２…表示領域、１０２ａ…画素、１０３…周辺領域、１０４…端子領域、１０５…駆動回路、１０６…フレキシブルプリント回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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