(57)【要約】      （修正有）【課題】スペーサ材のエッチング速度を高くすることでマスク材であるコア材の残量を確保する、ネガ型パターニングスキームのために原子層蒸着を用いて低密度スペーサを蒸着するための方法よび装置を提供する。【解決手段】方法は、蒸着前駆体および酸化プラズマの交互パルスの各サイクル中に約３００ｍｓ未満の期間にわたって、基板をプラズマに暴露させること、約０．２Ｗ／ｃｍ２未満の高周波電力密度で、基板をプラズマに暴露させること、少なくとも約１：１２のアルゴン対酸化剤の比を有する処理ガスから生成されたプラズマに基板を暴露させること、の一以上の工程を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネガ型パターニングを用いて基板をパターニングする方法であって、
（ａ）コア材料上にスペーサを共形的に蒸着する工程であって、前記スペーサは、１または複数の原子層蒸着サイクルによって蒸着され、各原子層蒸着サイクルは、
（ｉ）前記基板を蒸着前駆体に暴露させる工程と、
（ｉｉ）前記基板を酸化剤に暴露させて、プラズマを点火する工程と、を含む、工程と、
（ｂ）前記コア材料よりも少なくとも６倍速い速度で前記スペーサをエッチングするための条件下で前記スペーサを選択的にエッチングすることにより、前記基板をパターニングするためのマスクを形成する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記コア材料は、炭素を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記スペーサを蒸着する工程は、
（１）各サイクル中に約３００ｍｓ未満の期間にわたって、前記基板を前記プラズマに暴露させる技術、
（２）基板アクティブ面領域において約０．２Ｗ／ｃｍ２未満の高周波電力密度で、前記基板を前記プラズマに暴露させる技術、および、
（３）少なくとも約１：１２のアルゴン対酸化剤の比を有する処理ガスから生成された前記プラズマに前記基板を暴露させる技術、
からなる群より選択された技術を用いる工程を含む、方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサは、シリコン含有材料を含む、方法。
【請求項５】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、さらに、ＤＲＡＭの製造中に、前記マスクを通して前記基板をエッチングする工程を備える、方法。
【請求項６】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサは、約１．４〜約１．５の間の屈折率を有する、方法。
【請求項７】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサは、約１０ｎｍ〜約３０ｎｍの間の厚さまで蒸着される、方法。
【請求項８】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサを選択的にエッチングする工程は、前記基板をフルオロカーボンエッチャントに暴露させる工程を含む、方法。
【請求項９】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサは、約５０℃〜約２００℃の間の温度で蒸着される、方法。
【請求項１０】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法であって、前記スペーサは、約４〜６の間の誘電率を有する、方法。
【請求項１１】
請求項２に記載の方法であって、前記コア材料は、スピンオンカーボン、ダイヤモンド状炭素、および、ギャップ充填アッシャブルハードマスク、からなる群より選択される、方法。
【請求項１２】
請求項５に記載の方法であって、前記選択された技術は（３）であり、前記酸化剤は、約０．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの間の流量で流される、方法。
【請求項１３】
請求項７に記載の方法であって、前記スペーサは、酸化シリコンを含む、方法。
【請求項１４】
基板をパターニングするための装置であって、
（ａ）１または複数の処理チャンバと、
（ｂ）前記１または複数の処理チャンバならびに関連する流量制御ハードウェアへの１または複数のガス流入口と、
（ｃ）低周波数高周波（ＬＦＲＦ）発生器と、
（ｄ）高周波数高周波（ＨＦＲＦ）発生器と、
（ｅ）少なくとも１つのプロセッサおよびメモリを有するコントローラと、
を備え、
前記少なくとも１つのプロセッサおよび前記メモリは、互いに通信可能に接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、前記流量制御ハードウェア、前記ＬＦＲＦ発生器、および、前記ＨＦＲＦ発生器と少なくとも動作可能に接続され、
前記メモリは、前記流量制御ハードウェア、前記ＨＦＲＦ発生器、および前記ＬＦＲＦ発生器に対して、
（ｉ）前記１または複数の処理チャンバの１つに収容された基板上のコア材料上にスペーサを共形的に蒸着する動作であって、前記スペーサは、１または複数の原子層蒸着サイクルによって蒸着され、各原子層蒸着サイクルは、
１）蒸着前駆体を流すこと、および、
２）酸化剤を流して、プラズマを点火すること、を含む、動作と、
（ｉｉ）前記コア材料よりも少なくとも６倍速い速度で前記スペーサをエッチングするための条件下で前記コア材料に対して前記スペーサを選択的にエッチングする動作と、を実行させるように少なくとも制御するために、前記少なくとも１つのプロセッサを制御するコンピュータ実行可能な命令を格納する、装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、前記スペーサを蒸着するための命令は、各サイクル中に約３００ｍｓ未満の期間にわたって前記プラズマを点火するための命令を含む、装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の装置であって、前記スペーサを蒸着するための命令は、基板アクティブ面領域の約０．２Ｗ／ｃｍ２未満の高周波電力密度で前記プラズマを点火するための命令を含む、装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載の装置であって、前記スペーサを蒸着するための命令は、（ｉ）（２）で、前記酸化剤が流され前記プラズマが点火される時に、少なくとも約１：１２の比でアルゴンおよび前記酸化剤を前記１または複数の処理チャンバの前記１つに流すための命令を含む、装置。
【請求項１８】
請求項１４から１７までのいずれか一項に記載の装置であって、前記処理チャンバは、基板を保持するためのペデスタルを備え、前記ペデスタルは、約５０°Ｃ〜約２００°Ｃの間の温度に設定される、装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
先進的な集積回路の製造は、しばしば、半導体の大量生産で小さな特徴をパターニングすることを含む。マルチプルパターニング技術が、リソグラフィ技術（１９３ｎｍ液浸リソグラフィなど）に基づいたフィーチャサイズのスケーリングを可能にしうる。自己整合ダブルパターニングが、マルチプルパターニング技術の一例である。
【発明の概要】
【０００２】
本明細書では、基板を処理するための方法および装置が提供されている。一態様は、ネガ型パターニングを用いて基板をパターニングする方法を含み、その方法は：コア材料上にスペーサを共形的に蒸着する工程であって、スペーサは、１または複数の原子層蒸着サイクルによって蒸着され、各原子層蒸着サイクルは：基板を蒸着前駆体に暴露させる工程と、基板を酸化剤に暴露させて、プラズマを点火する工程と、を含む、工程と；コア材料よりも少なくとも６倍速い速度でスペーサをエッチングするための条件下でスペーサを選択的にエッチングすることにより、基板をパターニングするためのマスクを形成する工程と、を備える。
【０００３】
様々な実施形態において、コア材料は、炭素を含む。いくつかの実施形態において、コア材料は、フォトレジスト、非晶質炭素、または、非晶質シリコンであってもよい。いくつかの実施形態において、コア材料は、スピンオンカーボン、ダイヤモンド状炭素、および、ギャップ充填アッシャブルハードマスクのいずれかである。
【０００４】
スペーサを蒸着する工程は、以下の技術の１または複数を用いる工程を含んでもよい：（１）各サイクル中に約３００ｍｓ未満の期間にわたって、基板をプラズマに暴露させる技術；（２）基板アクティブ面領域の約０．２Ｗ／ｃｍ２未満の高周波電力密度で、基板をプラズマに暴露させる技術；ならびに（３）少なくとも約１：１２のアルゴン対酸化剤の比を有する処理ガスから生成されたプラズマに基板を暴露させる技術。
【０００５】
いくつかの実施形態において、スペーサは、シリコン含有材料を含む。例えば、いくつかの実施形態において、スペーサは、酸化シリコンを含む。
【０００６】
スペーサは、約１．４〜約１．５の間の屈折率を有してよい。スペーサは、約１０ｎｍ〜約３０ｎｍの間の厚さまで蒸着されてよい。スペーサを選択的にエッチングする工程は、基板をフルオロカーボンエッチャントに暴露させる工程を含んでもよい。様々な実施形態において、スペーサは、約５０℃〜約２００℃の間の温度で蒸着される。スペーサは、約４〜６の間の誘電率を有してよい。
【０００７】
いくつかの実施形態において、選択された技術は（３）であり、酸化剤は、約０．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの間の流量で流される。
【０００８】
いくつかの実施形態において、コア材料上にスペーサを共形的に蒸着した後に、ギャップ充填材料が基板上に蒸着される。ギャップ充填材料は、非晶質炭素、スピンオンカーボン、ダイヤモンド状炭素、ギャップ充填アッシャブルハードマスク、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、または、非晶質シリコンのいずれかであってよい。スペーサを選択的にエッチングする工程は、スペーサのエッチング速度がギャップ充填材料よりも少なくとも６倍速くなるような条件下でスペーサをエッチングする工程を含んでよい。
【０００９】
方法は、さらに、ＤＲＡＭの製造中に、マスクを用いて基板をエッチングする工程を備えてもよい。
【００１０】
別の態様は、基板をパターニングするための装置を含み、その装置は：１または複数の処理チャンバと；１または複数の処理チャンバならびに関連する流量制御ハードウェアへの１または複数のガス流入口と；低周波数高周波（ＬＦＲＦ）発生器と；高周波数高周波（ＨＦＲＦ）発生器と；少なくとも１つのプロセッサおよびメモリを有するコントローラと、を備え、少なくとも１つのプロセッサおよびメモリは、互いに通信可能に接続され、少なくとも１つのプロセッサは、流量制御ハードウェア、ＬＦＲＦ発生器、およびＨＦＲＦ発生器と少なくとも動作可能に接続され、メモリは、流量制御ハードウェア、ＨＦＲＦ発生器、および、ＬＦＲＦ発生器に：１または複数の処理チャンバの１つに収容された基板上のコア材料上にスペーサを共形的に蒸着する動作であって、スペーサは、１または複数の原子層蒸着サイクルによって蒸着され、各原子層蒸着サイクルは、蒸着前駆体を流すこと、および、酸化剤を流して、プラズマを点火すること、を含む、動作と；コア材料よりも少なくとも６倍速い速度でスペーサをエッチングするための条件下でコア材料に対してスペーサを選択的にエッチングする動作と、を実行させるように少なくとも制御するために、少なくとも１つのプロセッサを制御するコンピュータ実行可能な命令を格納する。
【００１１】
スペーサを蒸着するための命令は、各サイクル中に約３００ｍｓ未満の期間にわたってプラズマを点火するための命令を含んでよい。スペーサを蒸着するための命令は、基板アクティブ面領域の約０．２Ｗ／ｃｍ２未満の高周波電力密度でプラズマを点火するための命令を含んでよい。スペーサを蒸着するための命令は、酸化剤が流されプラズマが点火される時に、少なくとも約１：１２の比でアルゴンおよび酸化剤を１または複数の処理チャンバの１つに流すための命令を含んでよい。
【００１２】
これらの態様および他の態様について、図面を参照しつつ以下でさらに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】ネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００１４】
【図１Ｂ】ネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００１５】
【図１Ｃ】ネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００１６】
【図１Ｄ】ネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００１７】
【図１Ｅ】ネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００１８】
【図２】特定の開示されている実施形態に従った方法のための動作を示す処理フローチャート。
【００１９】
【図３】特定の開示されている実施形態に従った方法のための動作を示す処理フローチャート。
【００２０】
【図４Ａ】特定の開示されている実施形態に従ったネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００２１】
【図４Ｂ】特定の開示されている実施形態に従ったネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００２２】
【図４Ｃ】特定の開示されている実施形態に従ったネガ型自己整合ダブルパターニングスキームを受ける基板の概略図。
【００２３】
【図５】特定の開示されている実施形態を実行するための処理チャンバ例を示す概略図。
【００２４】
【図６】特定の開示されている実施形態を実行するための処理チャンバ例を示す概略図。
【００２５】
【図７】特定の開示されている実施形態を実行するための処理ツール例を示す概略図。
【００２６】
【図８】特定の開示されている実施形態を実行するための処理ツール例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下の説明では、提示した実施形態の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。開示された実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能である。また、開示した実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。開示した実施形態は、具体的な実施形態に関連して説明されているが、開示した実施形態を限定する意図はないことを理解されたい。
【００２８】
パターニング方法が、多くの半導体製造処理で用いられる。特に、マルチプルパターニングが、リソグラフィ技術にその光学限界を超えさせるために用いられてきた。ダブルパターニングは、リソグラフィ技術にその光学限界を超えさせるために用いられる技術の一例であり、約８０ｎｍ未満のピッチに対してこの業界で現在幅広く用いられている。現行のダブルパターニング技術は、しばしば、トレンチをパターニングするための２つのマスキング工程と共に側壁スペーサを用いる。ダブルパターニングの方法（特に、ラインパターニング）は、ポジ型およびネガ型のダブルパターニング処理の両方で、スペーサおよびマスクの利用を伴っていた。しかしながら、現行の方法は、半導体デバイスにおける高アスペクト比特徴の効果的な形成を実現できない不良で、不安定で、かつ、弱いマスクにつながる。また、処理動作を削減する方法が、効率およびスループットを高めるために好ましい。
【００２９】
図１Ａ〜図１Ｅに一例が提供されており、それらの図は、スペーサが従来の蒸着技術を用いて蒸着されるネガ型パターニングスキームを受ける基板の概略図である。図２は、ネガ型パターニングスキームを実行するための動作を示す処理フローチャートである。例示の目的で、図１Ａ〜図１Ｅおよび図２を一緒に論じる。
【００３０】
図２の動作２０１において、ネガ型パターニングスキームで用いるコア材料を有する基板が提供される。図１Ａは、ターゲット層１０２とパターニングされたコア材料１０６とを備えた基板１００を示す。様々な実施形態において、基板１００は、半導体基板である。基板１００は、シリコンウエハ、例えば、２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、または、４５０ｍｍウエハであってよく、誘電材料、導電材料、または、半導体材料などの１または複数の材料層を上に蒸着されたウエハを含みうる。
【００３１】
ターゲット層１０２は、最終的にパターニングされる層であってよい。ターゲット層１０２は、半導体、誘電体、または、その他の層であってよく、例えば、シリコン（Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、または、窒化チタン（ＴｉＮ）で形成されてよい。ターゲット層１０２は、原子層蒸着（ＡＬＤ）、プラズマエンハンストALD（ＰＥＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、または、その他の適切な蒸着技術によって蒸着されてよい。
【００３２】
コア材料１０６は、フォトレジストであってもよいし、非晶質炭素材料または非晶質シリコン材料で形成されてもよい。いくつかの実施形態において、コア材料１０６は、透過性を有していてもよい。コア材料は、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）などの蒸着技術によって蒸着され、蒸着技術は、炭化水素前駆体を含む蒸着ガスから蒸着チャンバ内でプラズマを生成する工程を含みうる。炭化水素前駆体は、化学式ＣａＨｂによって定義されてよく、ここで、ａは２〜１０の間の整数、ｂは２〜２４の間の整数である。例としては、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、シクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）、および、トルエン（Ｃ７Ｈ８）が挙げられる。高周波（ＨＦ）電力および低周波（ＬＦ）電力を含むデュアル高周波（ＲＦ）プラズマ源が用いられてよい。コア材料１０６は、パターニングされる前にターゲット層１０２上に蒸着される。
【００３３】
図２を参照すると、動作２０３で、スペーサ材料が基板上に共形的に蒸着される。図１Ｂは、コア材料１０６上に共形的に蒸着された従来のスペーサ材料１０４を示す。スペーサ材料を蒸着するための従来の技術は、シリコン含有前駆体またはゲルマニウム含有前駆体と酸化プラズマとを用いて、それぞれ酸化シリコンまたは酸化ゲルマニウムを形成するＡＬＤおよびＰＥＡＬＤを含む。
【００３４】
ＡＬＤは、連続的な自己制限反応を用いて材料の薄層を蒸着する技術である。ＡＬＤ処理は、表面介在蒸着反応を用いて、サイクルで層ごとに膜を蒸着する。一例として、ＡＬＤサイクルは、以下の動作を含んでよい：（ｉ）前駆体の供給／吸着、（ｉｉ）チャンバからの前駆体のパージ、（ｉｉｉ）第２反応物質の供給および任意選択的なプラズマ点火、ならびに、（ｉｖ）チャンバからの副生成物のパージ。基板の表面上に膜を形成するための第２反応物質と吸着前駆体との間の反応は、不均一性、ストレス、ウェットエッチング速度、ドライエッチング速度、電気的特性（例えば、破壊電圧および漏れ電流）など、膜の組成および特性に影響を与える。
【００３５】
ＡＬＤ処理の一例では、一群の表面活性部位を含む基板表面が、基板を収容するチャンバへの１回の供給において、第１前駆体、例えばシリコン含有前駆体などの気相分布に暴露される。この第１前駆体の分子は、第１前駆体の化学吸着種および／または物理吸着分子を含め、基板表面上に吸着される。本明細書に記載のように化合物が基板表面上に吸着された時、吸着された層は、化合物と化合物の誘導体とを含みうることを理解されたい。例えば、シリコン含有前駆体の吸着層は、シリコン含有前駆体とシリコン含有前駆体の誘導体とを含みうる。第１前駆体の投入後、チャンバは、主に吸着種が残るかまたは吸着種のみが残るように、気相のままの第１前駆体のほとんどまたはすべてを除去するために排気される。いくつかの実施例において、チャンバは、完全には排気されなくてもよい。例えば、リアクタは、気相の第１前駆体の分圧が反応を和らげるのに十分低くなるように排気されてよい。酸素含有ガスなどの第２反応物質が、これらの分子の一部が表面上に吸着された第１前駆体と反応するように、チャンバに導入される。いくつかの処理において、第２反応物質は、吸着された第１前駆体と速やかに反応する。別の実施形態において、第２反応物質は、プラズマなどの活性化源が時間的に適用された後にのみ反応する。次いで、チャンバは、未結合の第２反応物質分子を除去するために再び排気されてよい。上述のように、いくつかの実施形態において、チャンバは、完全には排気されなくてもよい。さらなるＡＬＤサイクルが、膜厚を厚くするために用いられてもよい。
【００３６】
いくつかの実施例において、ＡＬＤ方法は、プラズマ活性化を含む。本明細書に記載されるように、本明細書に記載のＡＬＤ方法および装置は、共形膜蒸着（ＣＦＤ）方法であってよく、それらの方法は、２０１１年４月１１日出願の米国特許出願第１３／０８４，３９９号（現在の米国特許第８，７２８，９５６号）「ＰＬＡＳＭＡ  ＡＣＴＩＶＡＴＥＤ  ＣＯＮＦＯＲＭＡＬ  ＦＩＬＭ  ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、および、２０１１年４月１１日出願の米国特許出願第１３／０８４，３０５号「ＳＩＬＩＣＯＮ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＦＩＬＭＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ」で一般的に記載されており、これらの出願は、全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【００３７】
しかしながら、基板上にスペーサ材料を蒸着するための従来技術は、後に詳述するように、高品質のマスクを形成するのに十分なエッチング選択比を達成しえない。図２を参照すると、動作２０４で、ギャップ充填材料が基板上に蒸着される。いくつかの実施形態において、ギャップ充填材料は、炭素含有材料であってよく、これは、ＰＥＣＶＤおよびスピンオン技術を含む方法によって蒸着されてよい。様々な実施形態において、ギャップ充填材料は、酸化チタン、酸化ハフニウム、および、酸化ジルコニウムなど、金属酸化物であってよい。いくつかの実施形態において、ギャップ充填材料は、非晶質シリコンであってよい。図１Ｃは、ギャップ充填材料１０８を基板１００上に蒸着された基板の一例１００を示す。ギャップ充填材料は、いくつかの実施形態において、ギャップ充填アッシャブルハードマスクであってよい。
【００３８】
図２を参照すると、動作２０５で、基板は、エッチバックされ、スペーサ材料は、ダブルパターニングマスクとしてコア材料を形成するために選択的にエッチングされる。図１Ｄは、ギャップ充填材料１１８がエッチバックされる様子を示す。従来の方法で蒸着されたスペーサ材料が選択的にエッチングされる時、図１Ｅに示すように、スペーサ材料は除去されるが、エッチング選択比が不十分であるために、コア材料１１６は、劣化して高さが低くなる。エッチングされたスペーサ材料１１４上の残りのギャップ充填材料１１８は、基板上に残るが、マスクは、所望よりも実質的に短いパターンを含む。短いマスクを有することは、ターゲット層１０２の不良エッチングにつながる可能性があり、これは、信頼性の問題およびデバイスの問題を引き起こす。
【００３９】
これらの従来技術に関連する問題は、基板上にギャップ充填炭水化物含有材料を形成する前に、基板上に共形的に蒸着されたスペーサ材料のタイプが原因でありうる。したがって、スペーサ材料がより簡単に炭素含有コア材料およびギャップ充填材料に対して選択エッチングされうるように基板を製造することで、炭素含有材料に対する劣化およびエッチングの量を低減することが望ましい。
【００４０】
スペーサ材料のエッチング速度が炭素含有材料よりも少なくとも６倍速くなるように、かかるパターニングスキームに用いられるスペーサ材料が少なくとも６：１の炭素含有材料に対するエッチング選択比を有するようにするネガ型パターニングスキームを用いた基板パターニング方法および装置が、本明細書で提供される。開示されている実施形態は、さらに、炭素含有材料に比べてスペーサ材料のエッチング速度が速いことを保証するために、低密度を有するスペーサ材料の蒸着を含む。方法は、プラズマ原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）方法を用いてスペーサ材料を蒸着する工程を含む。
【００４１】
図３は、特定の開示された実施形態に従って実行される動作を示す処理フローチャートである。動作２０１、２０４、２０５、および、２０７が、図２に関して上述した動作として提供され、動作３０３〜３１１が、上記の動作２０３で基板上に共形的にスペーサ材料を蒸着するために実行されてよい。図３で実行される動作は、図２に示したようなパターニングスキームで実行されてよいことがわかる。さらに、動作２０１、２０４、２０５、および、２０７は、用いられるパターニングスキームに応じて様々であってよいことがわかる。例えば、ダブルパターニングスキームおよびクアッドパターニングスキームが、異なるおよび／またはさらなる動作を有してもよい。
【００４２】
図３を参照すると、動作２０１で、対象層上にパターニングされたコア材料を有する基板が提供される。この動作は、図２の動作２０１に関して上述したような基板を提供することを含んでよい。
【００４３】
図３の動作３０３〜３１１は、約５０℃〜約２００℃の間の温度、約１．０Ｔｏｒｒ〜約９．０Ｔｏｒｒの間の圧力で実行されてよい。本明細書に記載の方法は、ＡＬＤを含んでよい。例えば、図３において、動作３０３〜３０９は、ＡＬＤの１サイクルを構成しうる。図３に記載の動作では、シリコン含有スペーサ材料の形成に言及しているが、いくつかの実施形態において、ゲルマニウム含有スペーサ材料を蒸着するために用いられるゲルマニウム含有前駆体が用いられてもよい。例えば、スペーサ材料は、ゲルマニウムであってもよいし、いくつかの実施形態においては、酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、または、酸化ハフニウムなどの金属酸化物であってもよい。
【００４４】
図３を参照すると、動作３０３で、基板は、基板表面上にシリコン含有前駆体を吸着させるために、シリコン含有前駆体に暴露される。様々な実施形態において、シリコン含有前駆体は、表面活性部位の少なくとも約８０％に吸着しうる。いくつかの実施形態において、シリコン含有前駆体は、シリコン含有前駆体が、コア材料の露出面および対象層の露出領域上に吸着するように、基板上に吸着して、基板の表面を完全に飽和状態にする。基板をシリコン含有前駆体に暴露させる時間は、約０．１秒〜約２秒の間であってよい。
【００４５】
開示されている実施形態に従った利用に適切なシリコン含有前駆体は、ポリシラン（Ｈ３Ｓｉ−（ＳｉＨ２）ｎ−ＳｉＨ３）を含み、ここでｎ≧０である。シランの例は、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、および、オルガノシラン、例えば、メチルシラン、エチルシラン、イソプロピルシラン、ｔ−ブチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ−ｔ−ブチルシラン、アリルシラン、ｓｅｃブチルシラン、テキシルシラン、イソアミルシラン、ｔ−ブチルジシラン、ジ−ｔ−ブチルジシランなどである。
【００４６】
ハロシランは、少なくとも１つのハロゲン基を含んでおり、水素および／または炭素基を含んでもよいし含まなくてもよい。ハロシランの例は、ヨードシラン、ブロモシラン、クロロシラン、および、フルオロシランである。ハロシラン、特にフルオロシランは、プラズマが点火された時にシリコン材料をエッチングできる反応性ハロゲン化物種を形成しうるが、いくつかの実施形態において、プラズマが点火された時に、ハロシランがチャンバに導入されなくてもよく、そのため、ハロシランからの反応性ハロゲン化物種の形成が緩和されうる。具体的なクロロシランは、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロシラン、クロロアリルシラン、クロロメチルシラン、ジクロロメチルシラン、クロロジメチルシラン、クロロエチルシラン、ｔ−ブチルクロロシラン、ジ−ｔ−ブチルクロロシラン、クロロイソプロピルシラン、クロロ−ｓｅｃ−ブチルシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、テキシルジメチルクロロシランなどである。
【００４７】
アミノシランは、シリコン原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン、および、炭素を含んでもよい。アミノシランの例は、モノ−、ジ−、トリ−、および、テトラ−アミノシランであって、それぞれ、Ｈ３Ｓｉ（ＮＨ２）、Ｈ２Ｓｉ（ＮＨ２）２，ＨＳｉ（ＮＨ２）３、および、Ｓｉ（ＮＨ２）４であり、また、置換モノ−、ジ−、トリ−、および、テトラ−アミノシランであって、例えば、ｔ−ブチルアミノシラン、メチルアミノシラン、ｔｅｒｔ−ブチルシランアミン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２（ＮＨＣ（ＣＨ３）３）２（ＢＴＢＡＳ）、ｔｅｒｔ−ブチルシリルカルバメート、ＳｉＨ（ＣＨ３）−（Ｎ（ＣＨ３）２）２、ＳｉＨＣｌ（Ｎ（ＣＨ３）２）２、（Ｓｉ（ＣＨ３）２ＮＨ）３など、である。アミノシランのさらなる例は、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ３））である。
【００４８】
動作３０５で、基板を収容する処理チャンバが、基板表面上に吸着されていない前駆体を除去するためにパージされてよい。チャンバのパージは、他の動作で用いられる搬送ガスであってもよいし異なるガスであってもよいパージガスまたはスイープガスを流すことを含みうる。パージガスの例は、アルゴン、窒素、水素、および、ヘリウムを含む。様々な実施形態において、パージガスは、不活性ガスである。不活性ガスの例は、アルゴン、窒素、および、ヘリウムを含む。いくつかの実施形態において、パージは、チャンバを排気することを含みうる。いくつかの実施形態において、動作３０５は、処理チャンバの排気のための１または複数の排気サブ段階を含んでよい。あるいは、動作３０５は、いくつかの実施形態において省略されてもよいことがわかる。動作３０５は、任意の適切な持続期間（約０．１秒〜約２秒の間など）を有してよい。
【００４９】
動作３０７で、コア材料のエッチング速度の少なくとも６倍のエッチング速度を有するスペーサ材料に吸着前駆体を変換する条件下で、基板は酸化剤に暴露され、プラズマが点火される。酸化シリコンスペーサが蒸着されている場所で、基板表面上に吸着されたシリコン含有前駆体は、プラズマと反応して酸化シリコンを形成する。酸化剤の例は、酸素ガス、水、二酸化炭素、亜酸化窒素、および、それらの組みあわせを含む。プラズマエネルギが、第２反応物質（酸素含有ガスなど）をイオンおよびラジカルおよびその他の活性種へと活性化するために供給され、それらは、第１前駆体の吸着層と反応する。例えば、プラズマは、酸素含有気相分子を直接的または間接的に活性化して、酸素ラジカルまたはイオンを形成しうる。
【００５０】
動作３０７中、フルオロカーボンエッチャントに暴露された時にコア材料のエッチング速度の少なくとも約６倍のエッチング速度を有する低密度酸化シリコン膜を蒸着するために、以下の条件の内の任意の１または複数が調節されてよい：（１）チャンバへの不活性ガス流量対酸化剤流量；（２）高周波（ＲＦ）プラズマ「ＯＮ」時間；および（３）ＲＦプラズマ電力。酸化シリコン膜は、約１．４〜約１．５の間の屈折率を有してよい。様々な実施形態において、酸化シリコン膜は、約５などの約４や約６の誘電率を有してよい。
【００５１】
不活性ガス流量対酸化剤流量の調節のために、動作３０７中に、不活性ガスが、搬送ガスとして流されてもよいし、酸化剤と共に処理チャンバ内に流されてもよいことがわかる。不活性ガスの流量対酸化剤の流量の比は、低密度酸化シリコン膜の形成を促進するために、約１：１００〜約１：１．５の間または約１：１２〜１：４の間であってよい。様々な実施形態において、酸化剤は、約０．５ｓｌｍ〜３ｓｌｍの間の流量で流されてよい。
【００５２】
様々な実施形態において、点火されるプラズマは、シングルまたはデュアル高周波プラズマであってよい。シングル周波数プラズマは、通例、必ずではないが、高周波数（ＨＦ）のみであり、デュアル周波数プラズマは、低周波数（ＬＦ）成分をさらに含む。様々な実施形態において、プラズマは、その場プラズマであり、チャンバ内で基板表面の真上で形成される。その場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）プラズマは、約０．０５Ｗ／ｃｍ２〜約０．２Ｗ／ｃｍ２の間の基板面積当たりの電力で点火されてよい。例えば、電力は、１２インチウエハの面積にわたって各ステーションに対して約５０Ｗ〜約２５０Ｗの間であってよい。例えば、ＡＬＤ処理のためのプラズマが、２つの容量結合プレートを用いて高周波（ＲＦ）場をガスに印加することによって生成されてよい。ＲＦ場によるプレート間でのガスのイオン化が、プラズマを点火して、プラズマ放電領域で自由電子を生成する。これらの電子は、ＲＦ場によって加速され、気相反応物質分子と衝突しうる。これらの電子と反応物質分子との衝突は、蒸着処理に関与するラジカル種を形成しうる。ＲＦ場は、任意の適切な電極を介して結合されてよいことが理解される。様々な実施形態において、少なくとも約１３．５６ＭＨｚ、少なくとも約２７ＭＨｚ、少なくとも約４０ＭＨｚ、または、少なくとも約６０ＭＨｚの周波数を有する高周波数プラズマが利用される。いくつかの実施形態において、マイクロ波ベースのプラズマが用いられてもよい。電極の非限定的な例は、処理ガス分配シャワーヘッドおよび基板支持ペデスタルを含む。ＡＬＤ処理のためのプラズマは、ガスへのＲＦ場の容量結合以外の１または複数の適切な方法で形成されてよいことが理解される。いくつかの実施形態において、プラズマは遠隔プラズマであり、酸化剤が、チャンバの上流の遠隔プラズマ発生器内で点火され、その後、基板が収容されたチャンバに供給される。
【００５３】
ＲＦプラズマ「ＯＮ」時間は、プラズマが動作３０７中に点火される期間を変更できるように調節されてよい。ＲＦプラズマ「ＯＮ」時間は、約３００ミリ秒未満であってよい。
【００５４】
動作３０７は、（１）チャンバへの不活性ガス流量対酸化剤流量；（２）高周波（ＲＦ）プラズマ「ＯＮ」時間；および（３）ＲＦプラズマ電力の内の任意の１または複数を調節することを含む。チャンバへの不活性ガス流量対酸化剤流量を調節するために、不活性ガス対酸化剤の比は、約１：１００〜約１：１．５の間または約１：１２〜１：４の間であってよい。ＲＦプラズマ「ＯＮ」時間を調節するために、ＲＦプラズマ「ＯＮ」時間は、約３００ミリ秒未満であってよい。ＲＦプラズマ電力を調節するために、プラズマ電力密度（Ｗ／基板面積）は、約０．２Ｗ／ｃｍ２〜約２Ｗ／ｃｍ２の間であってよい。様々な実施形態において、動作３０３は、シリコン含有前駆体、例えば、シラン、ジシラン、ＢＴＢＡＳ、および、ＳＡＭ２４などを導入することを含んでよく、動作３０７で用いられる酸化剤は、酸素ガス、水、二酸化炭素、亜酸化窒素、および、それらの組み合わせの内のいずれかであってよい。
【００５５】
図３を参照すると、動作３０９で、処理チャンバは、酸化剤中のスペーサ材料前駆体の間反応から生じたすべての余分な副生成物を除去すると共に、基板表面上のスペーサ材料前駆体と反応しなかった余分な酸化剤を除去するためにパージされてよい。動作３０９の処理条件は、動作３０５に関して上述した条件のいずれであってもよい。いくつかの実施形態において、チャンバは、約５ｓｌｍ〜３０ｓｌｍの間の流量で流される不活性ガスを用いてパージされる。
【００５６】
動作３１１で、スペーサ膜が十分な厚さまで蒸着されたか否かが判定される。十分でない場合、動作３０３〜３０９が、任意選択的に繰り返されてよい。スペーサが十分な厚さまで蒸着された場合、動作２０４、２０５、および、２０７が、図２に関して上述したように実行されてよい。
【００５７】
図４Ａ〜図４Ｃは、ネガ型パターニング用途で用いられる特定の開示された実施形態を用いて蒸着されたスペーサ材料４０４を有する基板例４００を示す概略図である。図４Ａでは、ギャップ充填炭素含有層４０８が、特定の開示された実施形態を用いて蒸着されたスペーサ材料４０４の上に蒸着されている。スペーサ材料４０４は、対象層４０２の上のコア材料４０６上に共形的に蒸着されることに注意されたい。図４Ｂにおいて、ギャップ充填炭素含有材料４１６がエッチバックされる。図４Ｃにおいて、スペーサ材料４０４ｂは、基板の対象層４０２上にエッチングコア材料４９６およびエッチングギャップ充填炭素含有材料４９８を残すように、選択的かつ指向的にエッチングされている。或る程度のスペーサ材料４０４ｂがギャップ充填炭素含有材料４９８の下に残っていることに注意されたい。結果としてのマスクは、マスクの高さがほとんどまたは全く低下しない良好なプロファイルを有しており、それにより、対象層４０２を効果的にエッチングするために利用できる。
【００５８】
装置
図５は、低圧環境を維持するための処理チャンバ５０２を有する原子層蒸着（ＡＬＤ）処理ステーションの一実施形態５００を示す概略図である。複数のＡＬＤ処理ステーションが、共通の低圧処理ツール環境内に備えられてよい。例えば、図６は、マルチステーション処理ツールの一実施形態６００を示す。いくつかの実施形態において、ＡＬＤ処理ステーション５００の１または複数のハードウェアパラメータ（以下で詳述するパラメータなど）が、１または複数のコンピュータコントローラ５５０によってプログラム的に調整されてよい。
【００５９】
ＡＬＤ処理ステーション５００は、分配シャワーヘッド５０６に処理ガスを供給するための反応物質供給システム５０１ａと流体連通している。反応物質供給システム５０１ａは、シャワーヘッド５０６への供給に向けて処理ガス（シリコン含有ガスまたは酸素含有ガスなど）を混合および／または調整するための混合容器５０４を備える。反応物質供給システム５０１ａは、さらに、処理ステーション５００にガスを供給して低密度酸化シリコン膜を蒸着するために、不活性ガス対酸素含有ガスの比を調節してもよい。１または複数の混合容器入口バルブ５２０が、混合容器５０４への処理ガスの導入を制御しうる。様々な実施形態において、スペーサ材料の蒸着は処理ステーション５００内で実行され、エッチングも同じ処理ステーション５００内で実行される。例えば、いくつかの実施形態において、ＡＬＤ処理ステーション５００は、蒸着前駆体ガスを処理チャンバ５０２に供給した後に酸化ガスを供給してプラズマを点火することで、低密度酸化シリコンを形成するために用いられてよい。いくつかの実施形態において、スペーサ材料を選択的にエッチングして炭素含有マスクを形成するなどのためのエッチング動作は、図６に関して後に詳述するように、マルチステーション処理ツール６００の別のステーションなど、ＡＬＤ処理ステーション５００とは別個の処理ステーションで実行される。
【００６０】
例えば、図５の実施形態は、混合容器５０４に供給される液体反応物質を気化させるための気化ポイント５０３を備える。いくつかの実施形態において、気化ポイント５０３は、加熱された気化器であってよい。かかる気化器から生成された飽和反応物質蒸気は、下流の供給配管内で凝結しうる。凝結した反応物質に相性の悪いガスを暴露させると、小粒子が発生しうる。これらの小粒子は、配管を詰まらせる、バルブ動作を妨げる、基板を汚染するなどの可能性がある。これらの課題に対処するためのいくつかのアプローチは、残留した反応物質を除去するために、供給配管をパージおよび／または排気することを含む。しかしながら、供給配管をパージすることは、処理ステーションのサイクル時間を長くして、処理ステーションのスループットを低下させうる。したがって、いくつかの実施形態において、気化ポイント５０３の下流の供給配管が、ヒートトレースされてもよい。いくつかの例では、混合容器５０４がヒートトレースされてもよい。非限定的な一例において、気化ポイント５０３の下流の配管は、約１００°Ｃから混合容器５０４で約１５０°Ｃまで増加してゆく温度プロファイルを有する。
【００６１】
いくつかの実施形態において、液体前駆体または液体反応物質が、液体インジェクタ（図示せず）で気化されてもよい。例えば、液体インジェクタは、混合容器５０４の上流の搬送ガス流に液体反応物質のパルスを注入しうる。一実施形態において、液体インジェクタは、高圧から低圧へ液体を噴射することによって反応物質を気化させてよい。別の例において、液体インジェクタは、分散した微液滴に液体を霧化してよく、その後、微液滴は、加熱された供給菅内で気化される。小さい液滴は、大きい液滴よりも速く気化して、液体注入と完全な気化との間の遅延を低減しうる。より迅速に気化すれば、気化ポイント５０３から下流の配管の長さを短くすることができる。１つのシナリオにおいて、液体インジェクタは、混合容器５０４に直接取り付けられてよい。別のシナリオにおいて、液体インジェクタは、シャワーヘッド５０６に直接取り付けられてもよい。
【００６２】
いくつかの実施形態において、気化ポイント５０３の上流に、液体流コントローラ（ＬＦＣ）が、気化および処理チャンバ５０２への供給に向けて液体の質量流量を制御するために提供されてよい。例えば、ＬＦＣは、ＬＦＣの下流に配置された熱マスフローメータ（ＭＦＭ）を含みうる。次いで、ＬＦＣのプランジャバルブが、ＭＦＭと電気通信して比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラによって提供されたフィードバック制御信号に応答して調節されてよい。しかしながら、フィードバック制御を用いて液体流を安定化するには、１秒以上かかりうる。これは、液体反応物質を供給する時間を延長しうる。したがって、いくつかの実施形態において、ＬＦＣは、フィードバック制御モードと直接制御モードとの間で動的に切り替えられてよい。いくつかの実施形態において、これは、ＬＦＣの検知菅およびＰＩＤコントローラを無効化することによって実行されてよい。
【００６３】
シャワーヘッド５０６は、処理ガスを基板５１２に分配する。図５に示した実施形態において、基板５１２は、シャワーヘッド５０６の下方に配置され、ペデスタル５０８上に図示されている。シャワーヘッド５０６は、任意の適切な形状を有してよく、基板５１２へ処理ガスを分配するための任意の適切な数および配列のポートを有してよい。
【００６４】
いくつかの実施形態において、ペデスタル５０８は、基板５１２を基板５１２とシャワーヘッド５０６との間の空間に露出させるために、上下されてよい。いくつかの実施形態において、ペデスタル５０８は、ヒータ５１０を用いて温度制御されてよい。ペデスタル５０８は、様々な開示された実施形態を実行するための動作中に、任意の適切な温度（約２５℃〜約６５０℃の間など）に設定されてよい。いくつかの実施形態において、ペデスタルの高さは、適切なコンピュータコントローラ５５０によってプログラム的に調節されてよいことがわかる。
【００６５】
別のシナリオにおいて、ペデスタル５０８の高さの調節は、特定の開示された実施形態で実行されるプラズマ活性化サイクル中に、プラズマ密度を変化させることを可能にしうる。処理段階の最後に、ペデスタル５０８は、ペデスタル５０８から基板５１２を回収できるように、別の基板移送段階中に下げられてよい。
【００６６】
いくつかの実施形態において、シャワーヘッド５０６の位置は、基板５１２とシャワーヘッド５０６との間の空間を変化させるために、ペデスタル５０８に対して調節されてよい。さらに、ペデスタル５０８および／またはシャワーヘッド５０６の垂直位置は、本開示の範囲内の任意の適切なメカニズムによって変更されてよいことがわかる。いくつかの実施形態において、ペデスタル５０８は、基板５１２の向きを回転させるための回転軸を備えてよい。いくつかの実施形態において、これらの調節の例の内の１または複数は、１または複数の適切なコンピュータコントローラ５５０によってプログラム的に実行されてよいことがわかる。コンピュータコントローラ５５０は、図６のコントローラ６５０に関して後述する特徴の内のいずれかを備えてよい。
【００６７】
上述のようにプラズマが利用されうるいくつかの実施形態において、シャワーヘッド５０６およびペデスタル５０８は、プラズマに電力供給するために、高周波（ＲＦ）電源５１４および整合回路網５１６と電気的に通信する。いくつかの実施形態において、プラズマエネルギは、処理ステーション圧力、ガス濃度、ＲＦ源電力、ＲＦ源周波数、および、プラズマ電力パルスタイミングの内の１または複数を制御することによって制御されてよい。例えば、ＲＦ電源５１４および整合回路網５１６は、所望の組成のラジカル種を有するプラズマを形成するために、任意の適切な電力で動作されてよい。適切な電力の例については上述した。同様に、ＲＦ電源５１４は、任意の適切な周波数のＲＦ電力を供給してよい。いくつかの実施形態において、ＲＦ電源５１４は、高周波ＲＦ電源および低周波ＲＦ電源を互いに独立して制御するよう構成されてよい。低周波ＲＦ周波数の例は、０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの間の周波数を含みうるが、これに限定されない。高周波ＲＦ周波数の例は、以下を含むがこれらに限定されな。すなわち、１．８ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの間の周波数、約１３．５６ＭＨｚより大きい周波数、２７ＭＨｚより大きい周波数、４０ＭＨｚより大きい周波数、または、６０ＭＨＺより大きい周波数であってもよい。任意の適切なパラメータが、表面反応にプラズマエネルギを提供するために離散的または連続的に調整されてよいことがわかる。
【００６８】
いくつかの実施形態において、プラズマは、１または複数のプラズマモニタによってその場で監視されてよい。１つのシナリオでは、プラズマ電力が、１または複数の電圧、電流センサ（例えば、ＶＩプローブ）によって監視されてよい。別のシナリオでは、プラズマ密度および／または処理ガス濃度が、１または複数の発光分光法センサ（ＯＥＳ）によって測定されてもよい。いくつかの実施形態において、１または複数のプラズマパラメータが、かかるその場プラズマモニタからの測定値に基づいてプログラム的に調整されてよい。例えば、ＯＥＳセンサが、プラズマ電力のプログラム制御を提供するためにフィードバックループで用いられてよい。いくつかの実施形態において、他のモニタが、プラズマおよびその他の処理特性を監視するために用いられてもよいことがわかる。かかるモニタは、赤外線（ＩＲ）モニタ、音声モニタ、および、圧力変換器を含みうるが、これらに限定されない。
【００６９】
いくつかの実施形態において、コントローラ５５０のための命令が、入力／出力制御（ＩＯＣ）シーケンシング命令を介して提供されてよい。一例において、処理段階の条件を設定するための命令は、処理レシピの対応するレシピ段階に含まれてよい。一部の例では、処理レシピ段階は、連続的に配列されてよく、その結果、処理段階のためのすべての命令が、その処理段階と同時に実行される。いくつかの実施形態において、１または複数のリアクタパラメータを設定するための命令が、レシピ段階に含まれてよい。例えば、第１レシピ段階が、不活性ガスおよび／または反応ガス（例えば、シリコン含有前駆体などの第１前駆体）の流量を設定するための命令、搬送ガス（アルゴンなど）の流量を設定するための命令、ならびに、第１レシピ段階のための時間遅延命令を含んでよい。後続の第２レシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応ガスの流量を調節または停止するための命令、搬送ガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、ならびに、第２レシピ段階のための時間遅延命令を含んでよい。第３レシピ段階は、第２反応ガス（酸素など）の流量を調節するための命令、搬送ガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、低電力でプラズマを点火するための命令、ならびに、第３レシピ段階のための時間遅延命令を含んでよい。後続の第３レシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応ガスの流量を調節または停止するための命令、搬送ガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、ならびに、第３レシピ段階のための時間遅延命令を含んでよい。これらのレシピ段階は、本開示の範囲内で、任意の適切な方法でさらに分割および／または反復されてもよいことがわかる。
【００７０】
さらに、いくつかの実施形態において、処理ステーション５００の圧力制御が、バタフライバルブ５１８によって提供されてもよい。図５の実施形態に示すように、バタフライバルブ５１８は、下流の真空ポンプ（図示せず）によって提供された真空をスロットル調整する。しかしながら、いくつかの実施形態において、処理ステーション５００の圧力制御は、処理ステーション５００に導入される１または複数のガスの流量を変化させることによって調節されてもよい。
【００７１】
上述のように、１または複数の処理ステーションが、マルチステーション処理ツールに含まれてよい。図６は、入口ロードロック６０２および出口ロードロック６０４を備えたマルチステーション処理ツール６００の一実施形態を示す概略図であり、ロードロックの一方または両方は、遠隔プラズマ源（図示せず）を備えてよい。大気圧下にあるロボット６０６が、ポッド６０８を通してロードされたカセットから大気ポート６１０を介して入口ロードロック６０２内にウエハを移動させるよう構成されている。ウエハ（図示せず）がロボット６０６によって入口ロードロック６０２内のペデスタル６１２上に載置され、大気ポート６１０が閉じられ、入口ロードロック６０２がポンプ排気される。入口ロードロック６０２が遠隔プラズマ源を備える場合、ウエハは、処理チャンバ６１４に導入される前に入口ロードロック６０２内で遠隔プラズマ処理を受けてよい。さらに、ウエハは、例えば、湿気および吸着ガスを除去するために、入口ロードロック６０２内で加熱されてもよい。次に、処理チャンバ６１４へのチャンバ移動ポート６１６が開かれ、別のロボット（図示せず）が、処理に向けて、リアクタにウエハを入れて、リアクタ内に示された第１のステーションのペデスタル上に配置する。図６に示した実施形態は、ロードロックを備えているが、いくつかの実施形態において、処理ステーションにウエハを直接入れてもよいことがわかる。
【００７２】
図の処理チャンバ６１４は、図６に示した実施形態において、１から４までの番号を付した４つの処理ステーションを備える。各ステーションは、加熱されたペデスタル（ステーション１用は６１８と示されている）と、ガスライン流入口と、を有する。いくつかの実施形態において、各処理ステーションは、異なる目的または複数の目的を有してもよいことがわかる。例えば、いくつかの実施形態において、１つの処理ステーションが、ＡＬＤ処理モードとプラズマエンハンストALD処理モードとの間で切り替え可能であってもよい。いくつかの実施形態において、蒸着前駆体への暴露ならびに第２反応物質およびプラズマへの暴露は、同じステーションで実行されてよい。追加的または代替的に、いくつかの実施例において、処理チャンバ６１４は、１または複数のマッチドペアのＡＬＤ処理ステーションおよびプラズマエンハンストALD処理ステーションを備えてもよい。図の処理チャンバ６１４は４つのステーションを備えるが、本開示に従った処理チャンバは、任意の適切な数のステーションを有してよいことがわかる。例えば、いくつかの実施形態において、処理チャンバは、５以上のステーションを有してもよく、他の実施形態において、処理チャンバは、３以下のステーションを有してもよい。
【００７３】
図６は、処理チャンバ６１４内でウエハを移動するためのウエハ取扱いシステム６９０の一実施形態を示す。いくつかの実施形態において、ウエハ取扱いシステム６９０は、様々な処理ステーションの間で、および／または、処理ステーションとロードロックとの間で、ウエハを移動させうる。任意の適切なウエハ取扱いシステムが用いられてよいことがわかる。非限定的な例は、ウエハカルーセルおよびウエハハンドラロボットを含む。図６は、さらに、処理ツール６００の処理条件およびハードウェア状態を制御するために用いられるシステムコントローラ６５０の一実施形態を示す。システムコントローラ６５０は、１または複数のメモリデバイス６５６と、１または複数のマスストレージデバイス６５４と、１または複数のプロセッサ６５２と、を備えてよい。プロセッサ６５２は、ＣＰＵまたはコンピュータ、アナログおよび／またはデジタル入力／出力接続、ステッパモータコントローラボードなどを備えてよい。
【００７４】
いくつかの実施形態において、システムコントローラ６５０は、処理ツール６００の動作すべてを制御する。システムコントローラ６５０は、マスストレージデバイス６５４に格納され、メモリデバイス６５６にロードされて、プロセッサ６５２で実行されるシステム制御ソフトウェア６５８を実行する。あるいは、制御ロジックがコントローラ６５０にハードコードされてもよい。これらの目的で、特定用途向け集積回路、プログラム可能論理デバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイすなわちＦＰＧＡ）などが用いられてもよい。以下では、「ソフトウェア」または「コード」が利用される場合、機能的に同等のハードコードされたロジックが代わりに利用されうる。システム制御ソフトウェア６５８は、タイミング；ガスの混合；ガス流量；チャンバおよび／またはステーションの圧力；チャンバおよび／またはステーションの温度；ウエハ温度；目標電力レベル；ＲＦ電力レベル；基板ペデスタル、チャック、および／または、サセプタの位置；ならびに、処理ツール６００によって実行される特定の処理の他のパラメータ、を制御するための命令を備えてよい。システム制御ソフトウェア６５８は、任意の適切な方法で構成されてよい。例えば、様々な処理ツールの処理を実行するために用いられる処理ツール構成要素の動作を制御するために、様々な処理ツール構成要素サブルーチンまたは制御オブジェクトが書かれてよい。システム制御ソフトウェア６５８は、任意の適切なコンピュータ読み取り可能プログラム言語でコードされてよい。
【００７５】
いくつかの実施形態において、システム制御ソフトウェア６５８は、上述の様々なパラメータを制御するための入力／出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を備えてよい。システムコントローラ６５０に関連付けられたマスストレージデバイス６５４および／またはメモリデバイス６５６に格納された他のコンピュータソフトウェアおよび／またはプログラムが、いくつかの実施形態において用いられてもよい。この目的のためのプログラムまたはプログラムセクションの例は、基板位置決めプログラム、処理ガス制御プログラム、圧力制御プログラム、ヒータ制御プログラム、および、プラズマ制御プログラムを含む。
【００７６】
基板位置決めプログラムは、基板をペデスタル６１８上にロードすると共に基板と処理ツール６００の他の部品との間の間隔を制御するために用いられる処理ツール構成要素のためのプログラムコードを備えてよい。
【００７７】
処理ガス制御プログラムは、ガス組成（例えば、本明細書に記載のように、シリコン含有ガス、酸素含有ガス、供給後の処理を実行するためのガス、および、パージガス）および流量を制御するため、ならびに、任意選択的に、処理ステーション内の圧力を安定させるために蒸着の前に１または複数の処理ステーション内にガスを流すためのコードを備えてよい。圧力制御プログラムは、例えば、処理ステーションの排気システムのスロットルバルブ、処理ステーションへのガス流量などを調節することにより、処理ステーション内の圧力を制御するためのコードを備えてよい。
【００７８】
ヒータ制御プログラムは、基板を加熱するために用いられる加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを備えてよい。あるいは、ヒータ制御プログラムは、基板への熱伝導ガス（例えばヘリウムなど）の供給を制御してもよい。
【００７９】
プラズマ制御プログラムは、本明細書の実施形態に従って、１または複数の処理ステーション内の処理電極に印加されるＲＦ電力レベルを設定するためのコードを備えてよい。
【００８０】
圧力制御プログラムは、本明細書の実施形態に従って、反応チャンバ内の圧力を維持するためのコードを備えてよい。
【００８１】
いくつかの実施形態において、システムコントローラ６５０に関連したユーザインターフェースがあってよい。ユーザインターフェースは、表示スクリーン（装置および／または処理条件のグラフィカルソフトウェアディスプレイ）と、ポインティングデバイス、キーボード、タッチスクリーン、マイクなどのユーザ入力デバイスと、を含みうる。
【００８２】
いくつかの実施形態において、システムコントローラ６５０によって調整されるパラメータは、処理条件に関してよい。非限定的な例として、処理ガスの組成および流量、温度、圧力、プラズマ条件（ＲＦバイアス電力レベルなど）などが挙げられる。これらのパラメータは、レシピの形態でユーザに提供されてよく、ユーザインターフェースを用いて入力されうる。
【００８３】
処理を監視するための信号が、様々な処理ツールセンサから、システムコントローラ６５０のアナログおよび／またはデジタル入力接続によって提供されてよい。処理を制御するための信号は、処理ツール６００のアナログおよびデジタル出力接続で出力されてよい。監視されうる処理ツールセンサの非限定的な例は、マスフローコントローラ、圧力センサ（圧力計など）、熱電対などを含む。適切にプログラムされたフィードバックアルゴリズムおよび制御アルゴリズムが、処理条件を維持するためにこれらのセンサからのデータと共に用いられてよい。
【００８４】
システムコントローラ６５０は、上述の蒸着処理を実施するためのプログラム命令を提供しうる。プログラム命令は、ＤＣ電力レベル、ＲＦバイアス電力レベル、圧力、温度など、様々なプロセスパラメータを制御しうる。命令は、本明細書に記載の様々な実施形態に従って膜スタックのその場蒸着を動作させるためにパラメータを制御しうる。
【００８５】
システムコントローラ６５０は、通例、１または複数のメモリデバイスと、装置が開示の実施形態に従って方法を実行するように命令を実行するよう構成された１または複数のプロセッサと、を備える。開示された実施形態に従った処理動作を制御するための命令を含むマシン読み取り可能媒体が、システムコントローラ６５０に接続されてよい。
【００８６】
いくつかの実施例において、システムコントローラ６５０は、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。システムコントローラ６５０は、処理条件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。
【００８７】
概して、システムコントローラ６５０は、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でシステムコントローラ６５０に伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
【００８８】
システムコントローラ６５０は、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、システムコントローラ６５０は、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ローカルネットワークまたはインターネットを含みうるネットワークを介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、システムコントローラ６５０は、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにシステムコントローラ６５０がインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、システムコントローラ６５０は、ネットワーク化されて共通の目的、例えば本明細書に記載の処理および制御などに向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。
【００８９】
限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、ＡＬＤチャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。
【００９０】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、システムコントローラ６５０は、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。
【００９１】
本明細書に開示された方法を実行するのに適切な装置については、２０１１年４月１１日出願の米国特許出願第１３／０８４，３９９号（現在の米国特許第８，７２８，９５６号）「ＰＬＡＳＭＡ  ＡＣＴＩＶＡＴＥＤ  ＣＯＮＦＯＲＭＡＬ  ＦＩＬＭ  ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、および、２０１１年４月１１日出願の米国特許出願第１３／０８４，３０５号「ＳＩＬＩＣＯＮ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＦＩＬＭＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ」でさらに議論および説明されており、これらの出願は、全体が本明細書に組み込まれる。
【００９２】
本明細書に記載の装置／処理は、例えば、半導体デバイス、ディスプレイ、ＬＥＤ、光起電力パネルなどの加工または製造のために、リソグラフィパターニングツールまたは処理と共に用いられてもよい。通例、必ずしもそうとは限らないが、かかるツール／処理は、共通の製造施設で一緒に利用または実行されている。膜のリソグラフィパターニングは、通例、以下の動作の一部または全部を含み、各動作は、複数の可能なツールで実現される：（１）スピンオンまたはスプレーオンツールを用いて、ワークピース（すなわち、基板）上にフォトレジストを塗布する工程；（２）ホットプレートまたは炉またはＵＶ硬化ツールを用いて、フォトレジストを硬化させる工程；（３）ウエハステッパなどのツールで可視光またはＵＶまたはＸ線にフォトレジストを暴露させる工程；（４）ウェットベンチなどのツールを用いて、選択的にレジストを除去することによってパターニングするためにレジストを現像する工程；（５）ドライエッチングツールまたはプラズマ支援エッチングツールを用いて、下層の膜またはワークピースにレジストパターンを転写する工程；ならびに、（６）ＲＦプラズマまたはマイクロ波プラズマレジストストリッパなどのツールを用いて、レジストを除去する工程。
【００９３】
スペーサ材料に対して選択的にコア材料をエッチングのための動作など、本明細書に記載のエッチング動作は、任意の適切な処理チャンバ内で実行されてよい。いくつかの実施形態において、基板は、図７に示すような誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタ内でエッチングされてよい。
【００９４】
特定の実施形態において、エッチング動作および原子層蒸着（ＡＬＤ）動作に適切でありうる誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタについて、ここで記載する。かかるＩＣＰリアクタも、２０１３年１２月１０日出願の米国特許出願公開第２０１４／０１７０８５３号「ＩＭＡＧＥ  ＲＥＶＥＲＳＡＬ  ＷＩＴＨ  ＡＨＭ  ＧＡＰ  ＦＩＬＬ  ＦＯＲ  ＭＵＬＴＩＰＬＥ  ＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧ」に記載されており、参照によって全ての目的で本明細書にその全体が組み込まれる。本明細書ではＩＣＰリアクタが記載されているが、いくつかの実施形態において、容量結合プラズマリアクタが用いられてもよいことを理解されたい。
【００９５】
図７は、本明細書の特定の実施形態を実施するのに適した誘導結合プラズマ統合エッチング／蒸着装置７００の概略断面図であり、その一例は、カリフォルニア州フレモントのＬａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ社製のＫｉｙｏ（商標）リアクタである。誘導結合プラズマ装置７００は、チャンバ壁７０１および窓７１１によって構造的に規定された全体処理チャンバを備える。チャンバ壁７０１は、ステンレス鋼またはアルミニウムから製造されてよい。窓７１１は、石英またはその他の誘電材料から製造されてよい。任意選択的な内部プラズマグリッド７５０が、全体処理チャンバを上側サブチャンバ７０２および下側サブチャンバ７０３に分割する。ほとんどの実施形態において、プラズマグリッド７５０を取り除くことにより、サブチャンバ７０２および７０３でできたチャンバ空間を利用することができる。チャック７１７が、下側サブチャンバ７０３内で底部内面付近に配置されている。チャック７１７は、エッチング処理および蒸着処理が実行される半導体ウエハ７１９を受けて保持するよう構成されている。チャック７１７は、ウエハの存在時にウエハ７１９を支持するための静電チャックでありうる。いくつかの実施形態では、エッジリング（図示せず）が、チャック７１７を取り囲んでおり、ウエハがチャック７１７上に存在する時にウエハ７１９の上面とほぼ同一平面上にある上面を有する。チャック７１７は、ウエハをチャックおよびデチャックするための静電電極も備える。フィルタおよびＤＣクランプ電源（図示せず）が、そのために提供されてよい。ウエハ７１９をチャック７１７から持ち上げるための他の制御システムも準備されうる。チャック７１７は、ＲＦ電源７２３を用いて帯電されうる。ＲＦ電源７２３は、接続７２７を通して整合回路７２１に接続される。整合回路７２１は、接続７２５を通してチャック７１７に接続される。このように、ＲＦ電源７２３が、チャック７１７に接続されている。
【００９６】
プラズマ生成のための要素には、窓７１１の上方に配置されたコイル７３３が含まれる。いくつかの実施形態においては、開示された実施形態でコイルは利用されない。コイル７３３は、導電材料から製造され、少なくとも１つの完全な巻きを含む。図７に示すコイル７３３の例は、３回の巻き数を含む。コイル７３３の断面が記号で示されており、「Ｘ」のコイルは、紙面の表から裏に向かって回転して伸び、「●」のコイルは、紙面の裏から表に向かって回転して伸びている。プラズマ生成のための要素には、コイル７３３にＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源７４１も含まれる。一般に、ＲＦ電源７４１は、接続７４５を通して整合回路７３９に接続される。整合回路７３９は、接続７４３を通してコイル７３３に接続される。このように、ＲＦ電源７４１が、コイル７３３に接続されている。任意選択的なファラデーシールド７４９が、コイル７３３と窓７１１との間に配置されている。ファラデーシールド７４９は、コイル７３３に対して離間された関係に維持される。ファラデーシールド７４９は、窓７１１の直上に配置される。コイル７３３、ファラデーシールド７４９、および、窓７１１は、各々、互いに実質的に水平になるように構成される。ファラデーシールドは、金属またはその他の種がプラズマチャンバの誘電体窓上に蒸着することを防ぎうる。
【００９７】
処理ガスが、上側チャンバ内に配置された１または複数の主要ガス流入口７６０および／または１または複数のサイドガス流入口７７０を通して処理チャンバに流されてよい。同じように、明示されていないが、同様のガス流入口が、容量結合プラズマ処理チャンバに処理ガスを供給するために用いられてよい。真空ポンプ７４０、例えば、１または２段の機械的乾式ポンプおよび／またはターボ分子ポンプが、処理チャンバ７２４から処理ガスを引き出すため、および、処理チャンバ７００内の圧力を維持するために用いられてよい。例えば、ポンプは、チャンバ７０１を排気するために用いられてよい。バルブ制御された導管が、真空ポンプを処理チャンバに流体接続して、真空ポンプによって提供される真空環境の印加を選択的に制御するために用いられてよい。これは、動作プラズマ処理中、スロットルバルブ（図示せず）または振り子バルブ（図示せず）などの閉ループ制御された流量制限装置を用いて行われてよい。同様に、真空ポンプ、および、容量結合プラズマ処理チャンバへのバルブ制御された流体接続が、用いられてもよい。
【００９８】
装置の動作中、１または複数の処理ガスが、ガス流入口７６０および／または７７０を通して供給されてよい。特定の実施形態において、処理ガスは、主要ガス流入口７６０を通してのみ、または、サイドガス流入口７７０を通してのみ供給されてよい。いくつかの場合、図に示したガス流入口は、例えば、より複雑なガス流入口、１または複数のシャワーヘッドと置き換えられてもよい。ファラデーシールド７４９および／または任意選択的なグリッド７５０は、チャンバへの処理ガスの供給を可能にする内部チャネルおよび孔を備えてよい。ファラデーシールド７４９および任意選択的なグリッド７５０の一方または両方が、処理ガスの供給のためのシャワーヘッドとして機能してよい。いくつかの実施形態において、液体反応物質が気化されて、気化した反応物質がガス流入口７６０および／または７７０を介してチャンバに導入されるように、液体気化／供給システムが、チャンバ７０１の上流に配置されてもよい。
【００９９】
高周波電力が、ＲＦ電源７４１からコイル７３３へ供給されることで、ＲＦ電流がコイル７３３を流れる。コイル７３３を流れるＲＦ電流は、コイル７３３の周りに電磁場を生成する。電磁場は、上側サブチャンバ７０２内で誘導電流を発生させる。生成された様々なイオンおよびラジカルとウエハ７１９との物理的および化学的な相互作用が、ウエハのフィーチャを選択的にエッチングすると共にウエハ上に層を蒸着する。
【０１００】
上側サブチャンバ７０２および下側サブチャンバ７０３の両方が存在するようにプラズマグリッドが利用される場合、誘導電流は、上側サブチャンバ７０２に存在するガスに作用して、上側サブチャンバ７０２内で電子イオンプラズマを生成する。任意選択的な内部プラズマグリッド７５０は、下側サブチャンバ７０３内のホットエレクトロンの量を制限する。いくつかの実施形態において、装置は、下側サブチャンバ７０３に存在するプラズマがイオン−イオンプラズマになるように設計および動作される。
【０１０１】
上側の電子−イオンプラズマおよび下側のイオン−イオンプラズマは両方とも、正イオンおよび負イオンを含むが、イオン−イオンプラズマの方が、正イオンに対する負イオンの比が大きい。揮発性のエッチング副生成物および／または蒸着副生成物が、ポート７２２を通して下側サブチャンバ７０３から除去されてよい。本明細書に開示されたチャック７１７は、約１０°Ｃ〜約８５０°Ｃの範囲の高温で動作されてよい。温度は、処理動作および個々のレシピに依存する。
【０１０２】
チャンバ７０１は、クリーンルームまたは製造施設に設置される時に、設備（図示せず）に接続されてよい。設備は、処理ガス、真空、温度制御、および、環境粒子制御を提供する配管を備える。これらの設備は、対象となる製造施設に設置される時に、チャンバ７０１に接続される。さらに、チャンバ７０１は、典型的なオートメーションを用いてロボット技術により半導体ウエハをチャンバ７０１の内外に移送することを可能にする移送チャンバに接続されてよい。
【０１０３】
いくつかの実施形態において、システムコントローラ７３０（１または複数の物理または論理コントローラを含みうる）が、処理チャンバの動作の一部または全部を制御する。システムコントローラ７３０は、システムコントローラ６５０に関して上述した任意の１または複数の特徴を備えてよい。
【０１０４】
図８は、真空移送モジュール８３８（ＶＴＭ：ｖａｃｕｕｍ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｄｕｌｅ）に接続された様々なモジュールを備えた半導体処理クラスタアーキテクチャの図である。複数の保管設備および処理モジュールの間でウエハを「移送する」移送モジュールの配置は、「クラスタツール構造」システムと呼ばれることがある。ロードロックまたは移送モジュールとしても知られるエアロック８３０が、４つの処理モジュール８２０ａ〜８２０ｄと共にＶＴＭ８３８内に図示されており、処理モジュールは、様々な製造処理を実行するために個別に最適化されうる。例えば、処理モジュール８２０ａ〜８２０ｄは、基板エッチング、蒸着、イオン注入、ウエハ洗浄、スパッタリング、および／または、その他の半導体処理を実行するために実装されてよい。いくつかの実施形態において、ＡＬＤおよび選択的エッチングは、同じモジュール内で実行される。いくつかの実施形態において、ＡＬＤおよび選択的エッチングは、同じツールの異なるモジュールで実行される。基板エッチング処理モジュールの内の１または複数（８２０ａ〜８２０ｄの内のいずれか）は、本明細書に開示されたように、すなわち、開示されている実施形態に従って、共形膜の蒸着、ＡＬＤによる膜の選択的蒸着、パターンのエッチング、および、その他の適切な機能を実行するために、実装されてよい。エアロック８３０および処理モジュール８２０は、「ステーション」と呼ばれてもよい。各ステーションは、ステーションをＶＴＭ８３８とつなぐファセット８３６を有する。各ファセットにおいて、ウエハがそれぞれのステーションの間で移動された時にウエハ８２６の通過を検出するために、センサ１〜１８が用いられる。
【０１０５】
ロボット８２２が、ステーション間でウエハ８２６を移送する。一実施形態において、ロボット８２２は、１つのアームを有し、別の実施形態において、ロボット８２２は２つのアームを有し、各アームは、移送のためにウエハ（ウエハ８２６など）をつかむエンドエフェクタ８２４を有する。大気移送モジュール（ＡＴＭ：ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｍｏｄｕｌｅ）８４０内のフロントエンドロボット８３２が、ロードポートモジュール（ＬＰＭ：Ｌｏａｄ  Ｐｏｒｔ  Ｍｏｄｕｌｅ）８４２内のカセットまたは前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）８３４からエアロック８３０へウエハ８２６を移送するために用いられる。処理モジュール８２０内のモジュールセンタ８２８が、ウエハ８２６を配置するための１つの場所となる。ＡＴＭ８４０内のアライナ８４４が、ウエハを整列させるために用いられる。
【０１０６】
処理方法の一例において、ウエハは、ＬＰＭ８４２内のＦＯＵＰ８３４の１つに配置される。フロントエンドロボット８３２は、ＦＯＵＰ８３４からアライナ８４４へウエハを移送し、アライナ８４４は、ウエハ８２６をエッチングまたは処理の前に適切に中心に配置することを可能にする。整列後、ウエハ８２６は、フロントエンドロボット８３２によってエアロック８３０へ移動される。エアロックモジュールは、ＡＴＭおよびＶＴＭの間で環境に合わせることができるので、ウエハ８２６は、損傷されることなしに２つの圧力環境の間で移動されうる。エアロックモジュール８３０から、ウエハ８２６は、ロボット８２２によってＶＴＭ８３８を通して、処理モジュール８２０ａ〜８２０ｄの１つに移動される。このウエハ移動を達成するために、ロボット８２２は、そのアームの各々にあるエンドエフェクタ８２４を用いる。ウエハ８２６は、処理されると、ロボット８２２によって処理モジュール８２０ａ〜８２０ｄからエアロックモジュール８３０へ移動される。ここから、ウエハ８２６は、フロントエンドロボット８３２によってＦＯＵＰ８３４の１つまたはアライナ８４４へ移動されてよい。
【０１０７】
ウエハの移動を制御するコンピュータは、クラスタ構造にローカルに配置されてもよいし、製造フロア内でクラスタ構造の外側すなわち離れた位置に配置され、ネットワークを介してクラスタ構造に接続されてもよいことに注意されたい。図６に関して上述したようなコントローラが、図８のツールと共に実装されてよい。
【０１０８】
実験
実験１
３つの酸化シリコン膜をエッチングする実験を行った。第１酸化シリコン膜は、以下をサイクルで繰り返すことによって蒸着された。すなわち、（１）シリコン含有前駆体の供給；（２）パージ；（３）１．５ｓｃｃｍの流量での酸素の供給、および、０．４秒の持続時間にわたる９００Ｗの電力でのプラズマ点火；ならびに（４）パージのサイクルである。蒸着は、５０℃で実行された。この基板は、以下の表１で基板１と示されている。
【０１０９】
第２酸化シリコン膜は、以下をサイクルで繰り返すことによって蒸着された。すなわち、（１）シリコン含有前駆体の供給；（２）パージ；（３）２ｓｃｃｍの流量での酸素の供給、および、０．２秒の持続時間にわたる９００Ｗの電力でのプラズマ点火；ならびに（４）パージのサイクルである。蒸着は、３０°Ｃで実行された。この基板は、以下の表１で基板２と示されている。
【０１１０】
第３酸化シリコン膜は、以下をサイクルで繰り返すことによって蒸着された。すなわち、（１）シリコン含有前駆体の供給；（２）パージ；（３）２ｓｃｃｍの流量での酸素の供給、および、０．２秒の持続時間にわたる３００Ｗの電力でのプラズマ点火；ならびに（４）パージのサイクルである。蒸着は、３０°Ｃで実行された。この基板は、以下の表１で基板３と示されている。
【０１１１】
３つの膜は、３０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧を有するチャンバ内で、７００ＭＨｚのＬＦ周波数、１２００ＭＨｚのＨＦ周波数を有するパルスデュアル周波数ＲＦプラズマを用いて、Ｃ４Ｆ６を８ｓｃｃｍの流量で、Ｏ２を１２ｓｃｃｍの流量で、Ｃ４Ｆ８を６ｓｃｃｍの流量で、Ａｒを５００ｓｃｃｍの流量で流しつつ３７秒間、エッチングされた。エッチング速度が測定され、以下の表１に示されている。
【表１】
2018074145.tif 000003
【０１１２】
これらの結果は、ＲＦオン時間、温度、および、ＲＦ電力を低減すれば、エッチング速度が大きくなり、それによって、酸化シリコン対炭素含有コア材料の選択比が高くなることを示唆する。
【０１１３】
結論
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。本発明の処理、システム、および、装置を実施する多くの他の方法が存在することに注意されたい。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。
【図１Ａ】
2018074145.tif 000004
【図１Ｂ】
2018074145.tif 000005
【図１Ｃ】
2018074145.tif 000006
【図１Ｄ】
2018074145.tif 000007
【図１Ｅ】
2018074145.tif 000008
【図２】
2018074145.tif 000009
【図３】
2018074145.tif 000010
【図４Ａ】
2018074145.tif 000011
【図４Ｂ】
2018074145.tif 000012
【図４Ｃ】
2018074145.tif 000013
【図５】
2018074145.tif 000014
【図６】
2018074145.tif 000015
【図７】
2018074145.tif 000016
【図８】
2018074145.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
これらの従来技術に関連する問題は、基板上にギャップ充填炭素含有材料を形成する前に、基板上に共形的に蒸着されたスペーサ材料のタイプが原因でありうる。したがって、スペーサ材料がより簡単に炭素含有コア材料およびギャップ充填材料に対して選択エッチングされうるように基板を製造することで、炭素含有材料に対する劣化およびエッチングの量を低減することが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図３を参照すると、動作３０９で、処理チャンバは、スペーサ材料前駆体と酸化剤との間の反応から生じたすべての余分な副生成物を除去すると共に、基板表面上のスペーサ材料前駆体と反応しなかった余分な酸化剤を除去するためにパージされてよい。動作３０９の処理条件は、動作３０５に関して上述した条件のいずれであってもよい。いくつかの実施形態において、チャンバは、約５ｓｌｍ〜３０ｓｌｍの間の流量で流される不活性ガスを用いてパージされる。
【外国語明細書】
2018074145000001.pdf