(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁体層のガラス中へのＡｇの拡散を抑制でき、接続信頼性の高い電子部品を提供する。【解決手段】ガラスを含む素体１１と、素体１１の外表面に設けられた第１および第２の外部電極１１、１２を含む外部導体と、素体１１の内部に設けられたスパイラル導体と、素体１１の内部に設けられた第１および第２の引出導体を含む引出導体と、を備える。スパイラル導体の一端部は、第１の引出導体を介して第１の外部電極１２に電気的に接続され、スパイラル導体の他端部は、第２の引出導体を介して第２の外部電極１３に電気的に接続され、スパイラル導体は、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物と、を含む。引出導体は、Ａｇを含み、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まない。【選択図】図１
2018074043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスを含む素体と、
それぞれ前記素体の外表面に設けられた第１および第２の外部電極を含む外部導体と、
前記素体の内部に設けられたスパイラル導体と、
それぞれ前記素体の内部に設けられた第１および第２の引出導体を含む引出導体と、
を備え、
前記スパイラル導体の一端部は、前記第１の引出導体を介して前記第１の外部電極に電気的に接続され、前記スパイラル導体の他端部は、前記第２の引出導体を介して前記第２の外部電極に電気的に接続され、
前記スパイラル導体は、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物と、を含み、
前記引出導体は、Ａｇを含み、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まないことを特徴とする、電子部品。
【請求項２】
前記素体は、積層された複数の絶縁体層を含む、請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記スパイラル導体は、前記第１および第２の引出導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられている、請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
前記外部導体は、それぞれ前記素体の外表面に設けられた第３および第４の外部電極をさらに含み、
前記スパイラル導体は、それぞれ前記素体の内部であって異なる絶縁体層上に設けられた第１のスパイラル導体と第２のスパイラル導体を含み、
前記引出導体は、それぞれ前記素体の内部に設けられた第３の引出導体と第４の引出導体とをさらに含み、
前記第１のスパイラル導体の一端部が、前記第１の引出導体を介して前記第１の外部電極に電気的に接続され、前記第１のスパイラル導体の他端部が、前記第２の引出導体を介して前記第２の外部電極に電気的に接続されており、
前記第２のスパイラル導体の一端部は、前記第３の引出導体を介して前記第３の外部電極に電気的に接続され、前記第２のスパイラル導体の他端部は、前記第４の引出導体を介して前記第４の外部電極に電気的に接続され、
前記第２のスパイラル導体は、前記第３および第４の引出導体が設けられた絶縁体層および前記第１のスパイラル導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられており、
前記第１のスパイラル導体および前記第２のスパイラル導体が磁気結合していることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１〜第４の引出導体がすべて同じ絶縁体層上に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１〜第４の引出導体は、積層方向において、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の間に配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１〜第４の引出導体が、積層方向において、前記スパイラル導体の外側に配置されることを特徴とする請求項４または５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１および第２のスパイラル導体はそれぞれ、２以上の絶縁体層に形成された導体が接続されてなる請求項４〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１のスパイラル導体を構成する導体と第２のスパイラル導体を構成する導体とは、交互に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記外部電極は、前記素体の外表面に設けられた第５の外部電極と第６の外部電極とをさらに含み、
前記スパイラル導体は、第３のスパイラル導体をさらに含み、
前記引出導体は、それぞれ前記素体の内部に設けられた第５の引出導体と第６の引出導体とをさらに含み、
前記第３のスパイラル導体の一端部は、前記第５の引出導体を介して前記第５の外部電極に電気的に接続され、前記第３のスパイラル導体の他端部は、前記第６の引出導体を介して前記第６の外部電極に電気的に接続され、
前記第３のスパイラル導体は、前記第５および第６の引出導体が設けられた絶縁体層、前記第１のスパイラル導体が設けられた絶縁体層および前記第２のスパイラル導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられており、
前記第１のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体および第２のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体とがそれぞれ磁気結合していることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記第１〜第６の引出導体がすべて同じ絶縁体層上に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記第１〜第６の引出導体は、積層方向において、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の間、および／または前記第２のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体の間、および／または前記第３のスパイラル導体と前記第１のスパイラル導体の間に配置されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記第１〜第６の引出導体が、積層方向において、前記スパイラル導体の外側に配置されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子部品。
【請求項１４】
前記第１〜第３のスパイラル導体はそれぞれ、２以上の絶縁体層に形成された導体が接続されてなる請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１５】
前記素体は、前記絶縁体層の積層方向の少なくとも片側に積層されたフェライトを主成分として含む磁性体層を更に備えることを特徴とする請求項２〜１４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記スパイラル導体に含まれるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物の含有量は、Ａｇと前記酸化物の合計に対して０．１質量％以上５．０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスを含む素体内部に設けられたＡｇを含む渦巻状導体（スパイラル導体）および引出導体を備える電子部品において、絶縁信頼性を損なうことなく、外部電極との接続信頼性を高めることができる電子部品が数多く提案されてきた（特許文献１など）。
【０００３】
例えば、特許文献１には、複数の絶縁体層を積層することによって得られた積層体と、前記積層体の外表面に形成された外部導体と、前記積層体の内部に設けられた第１と第２のコイルとを含むコモンモードノイズフィルタが開示されている。特許文献１のコモンモードノイズフィルタにおいて、第１および第２のコイルはそれぞれ、渦巻状導体とその渦巻状導体と外部導体とを接続する引出導体とによって構成されている。特許文献１によれば、上記コモンモードノイズフィルタ（コモンモードチョークコイル）において、引出導体の厚さを、上記渦巻状導体の厚さより大きくすることによって外部電極との接続信頼性を高めることができるとされている。ここで、積層体を構成する絶縁体層には、ガラスを含む絶縁材料が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３‐１３５１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えばコモンモードチョークコイルなどのガラスを含む絶縁体層上に設けられた渦巻状導体や引出導体がＡｇを含む電子部品においては、電子部品製造時の焼成工程において、Ａｇがガラス中へと拡散して絶縁抵抗（ＩＲ）の低下などの絶縁信頼性について初期故障が多く生じるという問題があった。また、Ａｇのガラスへの拡散を防止しようとすると、引出導体と外部導体との接続信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、ガラスを含む絶縁体層上に設けられた渦巻状導体や引出導体がＡｇを含む場合であっても、電子部品製造時の焼成工程において、Ａｇのガラス中への拡散を抑制でき、接続信頼性の高い電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る、電子部品は、ガラスを含む素体と、
それぞれ前記素体の外表面に設けられた第１および第２の外部電極を含む外部導体と、
前記素体の内部に設けられたスパイラル導体と、
それぞれ前記素体の内部に設けられた第１および第２の引出導体を含む引出導体と、
を備え、
前記スパイラル導体の一端部は、前記第１の引出導体を介して前記第１の外部電極に電気的に接続され、前記スパイラル導体の他端部は、前記第２の引出導体を介して前記第２の外部電極に電気的に接続され、
前記スパイラル導体は、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物と、を含み、
前記引出導体は、Ａｇを含み、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まないことを特徴とする。
【０００８】
更に本発明を好適に実施するために、本発明に係る電子部品は、以下の形態であってもよい。
（１）前記素体は、積層された複数の絶縁体層を含んでいてもよい。
（２）前記第１のスパイラル導体は、前記第１および第２の引出導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられていてもよい。
（３）前記外部導体は、それぞれ前記素体の外表面に設けられた第３および第４の外部電極をさらに含み、
前記スパイラル導体は、それぞれ前記素体の内部であって異なる絶縁体層上に設けられた第１のスパイラル導体と第２のスパイラル導体を含み、
前記引出導体は、それぞれ前記素体の内部に設けられた第３の引出導体と第４の引出導体とをさらに含み、
前記第１のスパイラル導体の一端部が、前記第１の引出導体を介して前記第１の外部電極に電気的に接続され、前記第１のスパイラル導体の他端部が、前記第２の引出導体を介して前記第２の外部電極に電気的に接続されており、
前記第２のスパイラル導体の一端部は、前記第３の引出導体を介して前記第３の外部電極に電気的に接続され、前記第２のスパイラル導体の他端部は、前記第４の引出導体を介して前記第４の外部電極に電気的に接続され、
前記第２のスパイラル導体は、前記第３および第４の引出導体が設けられた絶縁体層および前記第１のスパイラル導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられており、
前記第１のスパイラル導体および前記第２のスパイラル導体が磁気結合していてもよい。
（４）前記第１〜第４の引出導体がすべて同じ絶縁体層上に設けられていてもよい。
（５）前記第１〜第４の引出導体は、積層方向において、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の間に配置されていてもよい。
（６）前記第１〜第４の引出導体が、積層方向において、スパイラル導体の外側に配置されていてもよい。
（７）前記第１および第２のスパイラル導体はそれぞれ、２以上の絶縁体層に形成された導体が接続されてなっていてもよい。
（８）前記第１のスパイラル導体を構成する導体と第２のスパイラル導体を構成する導体とは、交互に配置されていてもよい。
（９）前記外部電極は、前記素体の外表面に設けられた第５の外部電極と第６の外部電極とをさらに含み、
前記スパイラル導体は、第３のスパイラル導体をさらに含み、
前記引出導体は、それぞれ前記素体の内部に設けられた第５の引出導体と第６の引出導体とをさらに含み、
前記第３のスパイラル導体の一端部は、前記第５の引出導体を介して前記第５の外部電極に電気的に接続され、前記第３のスパイラル導体の他端部は、前記第６の引出導体を介して前記第６の外部電極に電気的に接続され、
前記第３のスパイラル導体は、前記第５および第６の引出導体が設けられた絶縁体層、前記第１のスパイラル導体が設けられた絶縁体層および前記第２のスパイラル導体が設けられた絶縁体層とは別の絶縁体層上に設けられており、
前記第１のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体および第２のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体とがそれぞれ磁気結合していてもよい。
（１０）前記第１〜第６の引出導体がすべて同じ絶縁体層上に設けられていてもよい。
（１１）前記第１〜第６の引出導体は、積層方向において、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の間、および／または前記第２のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体の間、および／または前記第３のスパイラル導体と前記第１のスパイラル導体の間に配置されていてもよい。
（１２）前記第１〜第６の引出導体が、積層方向において、前記スパイラル導体の外側に配置されていてもよい。
（１３）前記第１〜第３のスパイラル導体はそれぞれ、２以上の絶縁体層に形成された導体が接続されてなっていてもよい。
（１４）前記素体は、前記絶縁体層の積層方向の少なくとも片側に積層されたフェライトを主成分として含む磁性体層を更に備えていてもよい。
また、
（１５）前記スパイラル導体に含まれるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物の含有量は、Ａｇと前記酸化物の合計に対して０．１質量％以上５．０質量％以下であることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ガラスを含む素体の内部に設けられたスパイラル導体および引出導体を備える電子部品において、
上記スパイラル導体が、Ａｇに加えて、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物を含み、
上記引出導体が、Ａｇを含むが、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まないことによって、
絶縁信頼性と外部電極との接続信頼性とを両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の電子部品の１つの態様の外観斜視図である。
【図２】本発明の電子部品の実施形態１の概略分解斜視図である。
【図３】本発明の電子部品の実施形態２の概略分解斜視図である。
【図４】本発明の電子部品の実施形態３の概略分解斜視図である。
【図５】本発明の電子部品の実施形態４の概略分解斜視図である。
【図６】本発明の電子部品の実施形態５の概略分解斜視図である。
【図７】本発明の電子部品の実施形態６の概略分解斜視図である。
【図８】コモンモードチョークコイルにおける導体材料中のＡｌ２Ｏ３添加量に対する１次コイルと２次コイル間のショート不良率の関係を示すグラフ図である。
【図９】実施例１および比較例２のコモンモードチョークコイルの製造時の焼成工程後に引出導体の端部に形成されたガラス皮膜の厚さを示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明者らは、ガラスを含む絶縁体層上に設けられたスパイラル導体（渦巻状導体）や引出導体がＡｇを含むコモンモードチョークコイルにおいて、スパイラル導体および引出導体に、Ａｇに加えて、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から選択される１種の酸化物（以下、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物ともいう。）を含有させることによって、Ａｇの拡散を抑制しようと試みた。その結果、Ａｇを含む上記のような導体に、上記酸化物を添加することにより、ガラスへのＡｇの拡散を抑制することができることがわかった。この拡散が抑制されることで、１つのコイルを含むチップインダクタの場合、スパイラル導体中の隣接する導体間の絶縁抵抗が低下するのを低く抑えられ、絶縁信頼性が向上し、また、コモンモードチョークコイルの場合、スパイラル導体中の隣接する導体間の絶縁抵抗が低下するのを低く抑えられるのに加えて、１次コイルと２次コイル間のショート不良率や絶縁抵抗の低下を低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する（表１、図８など）。
【００１２】
しかしながら、上記のようにＡｇを含むスパイラル導体と引出導体の両方にＡｌ２Ｏ３などの酸化物を添加すると、電子部品製造時の焼成工程の途中に、添加したＡｌ２Ｏ３などの酸化物が引出導体の端部（外部導体と接続される側の端部）に集まることがわかった。更に、温度が上がると、引出導体の端部に集まったＡｌ２Ｏ３などの酸化物を基点として、絶縁体層に含まれていたガラスの成分、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｋ２Ｏなどが集まって、引出導体の端部にガラス皮膜が形成されるという現象を見いだした。この引出導体の端部に形成されたガラス皮膜は、引出導体と外部電極との接続信頼性を低下させる。従って、上記スパイラル導体および引出導体の両方を、ＡｇとＡｌ２Ｏ３などの酸化物とを含有する材料により構成すると、引出導体と外部電極との接続信頼性を確保することが困難である。
【００１３】
そこで、スパイラル導体を、Ａｇに加えて、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から選択される１種の酸化物を含む材料により形成し、引出導体を、Ａｇを含有してＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２を含有しない材料により形成したところ、引出導体と外部電極との接続信頼性を確保できかつガラスへのＡｇの拡散を抑制することができることがわかった。
【００１４】
本発明は、上記のような本発明者らが独自に得た上述の知見に基づいてなされたものであり、本発明の電子部品は、ガラスを含む素体を備えた電子部品において、スパイラル導体が、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物と、を含み、引出導体が、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｚｎ０、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まないことを特徴とするものである。
【００１５】
上記絶縁体層の材料としては、ガラス、特にホウケイ酸ガラス（二酸化ケイ素を主成分として含み、更にホウ酸および必要に応じて他の化合物を含むガラス）、またはガラスとＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯおよびＣｕＯを主成分として含むＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトとの複合材料を用いることができる。
【００１６】
上記スパイラル導体に含まれるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物の含有量は、ＡｇとＡｌ２Ｏ３などの酸化物の合計重量に対して、０．１質量％以上５．０質量％以下、好ましくは０．５質量％以上５．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上２．０質量％以下である。上記酸化物の配合量が、０．１質量％以上であれば、Ａｇのガラス中への拡散が抑制され、５．０質量％を超えると、電極ペーストの粘性が高くなってスパイラル導体の形成が困難となり、また、絶縁物である上記酸化物が多くなってスパイラル導体の導電率が低下する。
【００１７】
本明細書中で用いられる「Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含まない」とは、以下の測定条件下での波長分散型Ｘ線分光法（ＷＤＸ）により、導体における元素の定量分析を行い、検出限界である０．１質量％未満であることを意味する。
測定装置：波長分散型Ｘ線マイクロアナライザー
加速電圧：１５．０ｋＶ
視野：５０μｍ×５０μｍ
(２５０点×２５０点、サイズ０．２μｍ)
照射電流：５×１０−８Ａ
【００１８】
具体的には、上記ＷＤＸにより、Ａｇに加えてＡｌ２Ｏ３を含む導体の場合に比較して、Ａｇは含むがＡｌ２Ｏ３を含まない導体の場合には、明らかにＡｇが導体の端部の周辺の絶縁体層に存在することが観察された。これから、電子部品製造時の焼成工程により、Ａｌ２Ｏ３を含まない導体の場合には、Ａｇが絶縁体層に拡散することがわかる。これに対して、Ａｇに加えてＡｌ２Ｏ３を含む導体の場合には、導体の端部の周辺の絶縁体層には、検出限界を超えるＡｇは存在せず、Ａｇの絶縁体層への拡散は抑制されていることがわかった。上記Ａｌ２Ｏ３をＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２に代えても、同様の傾向を示した。
【００１９】
加えて、上記ＷＤＸにより、Ａｇに加えてＡｌ２Ｏ３を含む引出導体の場合には、電子部品製造時の焼成工程の途中に引出導体を観察すると、引出導体の端部周辺に検出限界を超えるＡｌのみが見られ、導体中のＡｌ２Ｏ３が集まることがわかった。更に、温度を上昇させて焼成後の引出導体を観察すると、引出導体の端部周辺に高濃度のＳｉ、Ａｌ、Ｋが見られた。これにより、引出導体の端部に集まった導体中のＡｌ２Ｏ３などの上記酸化物を基点として、絶縁体層からのガラスの成分、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｋ２Ｏなどが集まって、引出導体の端部にガラス皮膜が形成されているものと考えられる。この引出導体の端部へのガラス皮膜の形成により、外部電極との接続信頼性が低下する。上記Ａｌ２Ｏ３をＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２に代えても、同様の傾向を示した。
【００２０】
本明細書中で用いられる「スパイラル導体」の語は、スパイラル形状や角形スパイラル形状の導体を意味し、図３〜図７に示されるような１つの絶縁層上に存在するものだけでなく、図２に示されるように、複数の絶縁層上に存在する複数のスパイラルパターン部がビアを介して電気的に接続されて１つの螺旋状導体を構成しているものも含む。
【００２１】
本発明の電子部品について、図面を参照して、以下に詳細に説明する。図１は本発明に係る電子部品の外観の一例を示す斜視図である。図１に示されるように、電子部品１０は、素体１１と、素体１１の一端面に設けられた第１の外部電極１２と素体１１の他端面に設けられた第２の外部電極１３とを備えている。ここで、図１に例示した第１の外部電極１２および第２の外部電極１３は、いわゆる５面電極と呼ばれる電極であり、第１の外部電極１２は、一端面とその一端面から延在して素体１１の上面、下面および両側面の一端面側の一部を覆っており、第２の外部電極１３も同様に、他端面とその他端面から延在して素体１１の上面、下面および両側面の一端面側の一部を覆っている。尚、図１の例では、素体１１の長軸に直交する両端面の一端面側に第１の外部電極１２を設け、他端面側に第２の外部電極１３を設けた電子部品の例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、素体の長軸に平行な側面に外部電極が設けられた電子部品、素体の一端面とその一端面に隣接する側面とに外部電極が設けられた電子部品にも適用することもできることは言うまでもない。
【００２２】
また、図２〜図７は、本発明に係る実施形態１〜６の電子部品の内部構造を示す概略分解斜視図であり、図２〜図７に示す電子部品２０〜７０は、いずれも積層された複数の絶縁体層を含む素体と、素体の外表面に設けられた複数の外部電極（図示せず）と、素体内部に設けられたスパイラル導体と引出導体とを備え、スパイラル導体が引出導体を介して外部電極に接続されている。そして、スパイラル導体は、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物とを含み、引出導体は、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含んでいない。ここで、絶縁体層は、７μｍ以上３５μｍ以下、好ましくは１４μｍ以上２８μｍ以下の厚さを有することが望ましい。スパイラル導体は、７μｍ以上３５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２４μｍ以下の線幅、および７μｍ以上３５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２４μｍ以下の線間隔を有することが望ましい。
【００２３】
以下、本発明に係る実施形態１〜６の電子部品について、図面を参照しながら具体的に説明する。尚、以下の説明において、スパイラル導体および引出電極が複数ある場合には、第ｎのスパイラル導体および第ｎの引出電極（ｎは１以上の整数）というが、この場合にも、第ｎのスパイラル導体は、Ａｇと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物とを含むものであり、第ｎの引出導体は、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２をいずれも含んでいないものである。
【００２４】
（実施形態１）
実施形態１の電子部品２０は、図２に示されるように、チップインダクタであり、第１〜第９の絶縁体層２１ａ〜２１ｉを含む。そして、第２の絶縁体層２１ｂの上には第１の引出導体２２ａが形成されており、第８の絶縁体層２１ｈの上には第２の引出導体２２ｂが形成されている。また、第３〜第７の絶縁体層２１ｃ〜２１ｇの上にはそれぞれ、「コ」の字型のスパイラルパターン部２３ａ〜２３ｅが形成されている。上記第１の引出導体２２ａとスパイラルパターン部２３ａは絶縁体層２１ｃに形成されたビア２４ａを介して電気的に接続されており、同様に、上記スパイラルパターン部２３ａおよび２３ｂは第４の絶縁体層２１ｄに形成されたビア２４ｂを介して、スパイラルパターン部２３ｂとスパイラルパターン部２３ｃは第５の絶縁体層２１ｅに形成されたビア２４ｃを介して、スパイラルパターン部２３ｃとスパイラルパターン部２３ｄは第６の絶縁体層２１ｆに形成されたビア２４ｄを介して、スパイラルパターン部２３ｄとスパイラルパターン部２３ｅは第７の絶縁体層２１ｇに形成されたビア２４ｅを介して、上記スパイラルパターン部２３ｅと第２の引出導体２２ｂは第８の絶縁体層２１ｈに形成されたビア２４ｆを介して電気的に接続されている。また、図示はしていないが、第１〜第９の絶縁体層２１ａ〜２１ｉが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図２の手前側）に第１の外部電極が設けられ、一側面に対向する側面には第２の外部電極が設けられている。そして第１の引出導体２２ａは第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体２２ｂは第２の外部電極に電気的に接続されている。
【００２５】
以上のように、実施形態１の電子部品において、スパイラルパターン部２３ａ〜２３ｅは、ビア２４ｂ〜２４ｅを介して電気的に接続されている。これにより、スパイラルパターン部２３ａ〜２３ｅおよびビア２４ｂ〜２４ｅによって１つの螺旋状のスパイラル導体が構成される。スパイラル導体の一端部は、第１の引出導体２２ａに電気的に接続され、スパイラル導体の他端部は、第２の引出導体２２ｂと電気的に接続されている。
【００２６】
以上のように構成される電子部品２０は、各絶縁体層上にそれぞれスクリーン印刷等によりスパイラルパターンを形成して積層した後に焼成工程を経て作製されるが、本実施形態１の電子部品では、焼成工程において絶縁抵抗（ＩＲ）を低下させることなく、引出導体と外部導体との接続信頼性を高くできる。すなわち、スパイラル導体が、Ａｇに加えて、Ａｌ２Ｏ３などの上記酸化物を含むことによって、電子部品製造時の焼成工程におけるガラスへのＡｇの拡散を抑制することができ、上記引出導体が、Ａｇを含むが、Ａｌ２Ｏ３などの上記酸化物を含まないことによって、上記焼成工程において引出導体の端部にガラス皮膜が形成されるのを防止することができるので、焼成工程において、螺旋状を形成する１つのスパイラル導体内の隣接するスパイラルパターン部間の高い絶縁抵抗（ＩＲ）を維持でき、引出導体と外部導体との接続信頼性も高くできる。上記焼成工程は、通常、８００℃以上９５０℃以下で、３０分間以上１５０分間以下行われる。
【００２７】
（実施形態２）
実施形態２の電子部品は、図３に示されるように、実施形態１とは異なる構成を有するチップインダクタであり、第１〜第４の絶縁体層３１ａ〜３１ｄを含む。第３の絶縁体層３１ｃの上には第１の引出導体３２ａと第２の引出導体３２ｂが形成されており、第２の絶縁体層３１ｂの上にはスパイラル導体３３が形成されている。そして、スパイラル導体３３の一端部は、第３の絶縁体層３１ｃに形成されたビア３４ａを介して第１の引出導体３２ａと電気的に接続され、スパイラル導体３３の他端部が、第３の絶縁体層３１ｃに形成されたビア３４ｂを介して第２の引出導体３２ｂと電気的に接続されている。また、図示はしていないが、第１〜第４の絶縁体層３１ａ〜３１ｄが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図３の手前側）に第２の外部電極が設けられ、一側面に対向する側面には第１の外部電極が設けられている。そして、第１の引出導体３２ａは第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体３２ｂは第２の外部電極に電気的に接続されている。
【００２８】
以上のように構成される電子部品３０は、第３の絶縁体層３１ｃ上に第１の引出導体３２ａおよび第２の引出導体３２ｂをスクリーン印刷等で形成し、第２の絶縁体層３１ｂ上にスパイラル導体３３をスクリーン印刷等により形成して積層した後に、焼成工程を経て作製されるが、本実施形態２の電子部品３０では、焼成工程において、スパイラル導体３３中の平面的に隣接する導体間での絶縁抵抗（ＩＲ）を低下させることなく、引出導体と外部導体との接続信頼性を高くできる。
【００２９】
（実施形態３）
実施形態３の電子部品４０は、図４に示されるように、コモンモードチョークコイルであり、第１〜第６の絶縁体層４１ａ〜４１ｆを含む。第２の絶縁体層４１ｂの上には、第１の引出導体４２ａと第２の引出導体４２ｂとが形成されており、第５の絶縁体層４１ｅの上には、第３の引出導体４２ｃと第４の引出導体４２ｄとが形成されている。第３の絶縁体層４１ｃの上には、第１のスパイラル導体４３ａ（１次コイル）が形成され、第４の絶縁体層４１ｄの上には、第２のスパイラル導体４３ｂ（２次コイル）が形成されている。そして、第１のスパイラル導体４３ａの一端部は、第３の絶縁体層４１ｃに形成されたビア４４ａを介して、第１の引出導体４２ａと電気的に接続されており、第１のスパイラル導体４３ａの他端部は、第３の絶縁体層４１ｃに形成されたビア４４ｂを介して、第２の引出導体４２ｂと電気的に接続されている。また、第２のスパイラル導体４３ｂの一端部は、第５の絶縁体層４１ｅに形成されたビア４４ｃを介して、第３の引出導体４２ｃ電気的に接続され、第２のスパイラル導体４３ｂの他端部は、第５の絶縁体層４１ｅに形成されたビア４４ｄを介して、第４の引出導体４２ｄと電気的に接続されている。また、図示はしていないが、第１〜第６の絶縁体層４１ａ〜４１ｆが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図４の手前側）に第１と第２の外部電極が設けられ、一側面に対向する側面には第３と第４の外部電極が設けられている。そして、第１の引出導体４２ａは、第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体４２ｂは、第３の外部電極に電気的に接続され、第３の引出導体４２ｃは、第２の外部電極に電気的に接続され、第４の引出導体４２ｄは、第４の外部電極に電気的に接続されている。第１のスパイラル導体４３ａと第２のスパイラル導体４３ｂは、第４の絶縁体層４１ｄを介して対向しており、両スパイラル導体は磁気結合している。
【００３０】
以上のように構成される電子部品４０は、第２の絶縁体層４１ｂの上に第１の引出導体４２ａと第２の引出導体４２ｂとを、第５の絶縁体層４１ｅの上に第３の引出導体４２ｃと第４の引出導体４２ｄとを、第３の絶縁体層４１ｃの上に第１のスパイラル導体４３ａを、第４の絶縁体層４１ｄの上に第２のスパイラル導体４３ｂを、それぞれスクリーン印刷等により形成して積層した後に、焼成工程を経て作製されるが、本実施形態３の電子部品４０では、第１と第２のスパイラル導体４３ａ、４３ｂが、Ａｇに加えてＡｌ２Ｏ３などの酸化物を含むことによって、電子部品製造時の焼成工程におけるガラスへのＡｇの拡散を抑制することができる。これにより、焼成工程における第１のスパイラル導体４３ａと第２のスパイラル導体４３ｂ間の絶縁抵抗の低下を抑えることができる。さらには、実施形態１〜３と同様、焼成工程において絶縁抵抗（ＩＲ）を低下させることなく、引出導体と外部導体との接続信頼性を高くできる。
【００３１】
（実施形態４）
実施形態４の電子部品は、引出導体の構成が実施形態３とは異なるコモンモードチョークコイルであり、図５に示されるように、（ａ）実施形態４では４つの第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄがすべて１つの第３の絶縁体層５１ｃ上に形成されている点、（ｂ）４つの第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄが形成された第３の絶縁体層５１ｃが、第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）が形成された第２の絶縁体層５１ｂと第２のスパイラル導体５３ｂ（２次コイル）が形成された第４の絶縁体層５１ｄとの間に配置されている点で、実施形態３の電子部品４０とは異なっている。第１のスパイラル導体５３ａの一端部は、第３の絶縁体層５１ｃに形成されたビア５４ａを介して、第１の引出導体５２ａと電気的に接続されており、第１のスパイラル導体５３ａの他端部は、第３の絶縁体層５１ｃに形成されたビア５４ｂを介して、第２の引出導体５２ｂと電気的に接続されている。また、第２のスパイラル導体５３ｂの一端部は、第４の絶縁体層５１ｄに形成されたビア５４ｃを介して、第３の引出導体５２ｃと電気的に接続され、第２のスパイラル導体５３ｂの他端部は、第４の絶縁体層５１ｄに形成されたビア５４ｄを介して、第４の引出導体５２ｄと電気的に接続されている。また、図示はしていないが、第１〜第５の絶縁体層５１ａ〜５１ｅが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図５の手前側）に第１と第２の外部電極が設けられ、一側面に対向する側面には第３と第４の外部電極が設けられている。そして、第１の引出導体５２ａは、第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体５２ｂは、第３の外部電極に電気的に接続され、第３の引出導体５２ｃは、第２の外部電極に電気的に接続され、第４の引出導体５２ｄは、第４の外部電極に電気的に接続されている。第１のスパイラル導体５３ａと第２のスパイラル導体５３ｂは、第３の絶縁体層５１ｃを介して対向しており、両スパイラル導体は磁気結合している。
【００３２】
以上のように構成される実施形態４の電子部品は、実施形態３と同様の効果を有する上さらに、４つの第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄをすべて１つの第３の絶縁体層５１ｃ上に形成することで、４つの引出導体５２ａ〜５２ｄを印刷等により同時に形成でき、かつ積層する絶縁体層の数を減らせることから、加工コストを低減することができる。また、第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄが形成された第３の絶縁体層５１ｃを第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）と第２のスパイラル導体５３ｂ（２次コイル）の間に配置することによって、第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）と第２のスパイラル導体５３ｂ（２次コイル）間の距離が広がるため、スパイラル導体間に発生する浮遊静電容量を抑えることができるため、信号透過特性を向上させることができる。
【００３３】
（実施形態４の変形）
実施形態４の電子部品においては、第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄが形成された絶縁体層５１ｃを、第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）と第２のスパイラル導体５３ｂ（２次コイル）の間に配置したが、第１〜第４の引出導体５２ａ〜５２ｄが形成された絶縁体層５１ｃを、第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）の外側又は第２のスパイラル導体５３ｂ（２次コイル）の外側に隣接して配置するようにしてもよい。そのようにすると、２つの第１のスパイラル導体５３ａ（１次コイル）と第２のスパイラル導体５３ｂ間の距離を短くすることができ、磁気的結合度を強くすることができる。このように実施形態３の電子部品に係るコモンモードチョークコイルは、要求される仕様により種々変更することができる。
【００３４】
（実施形態５）
実施形態５の電子部品は、図６に示されるように、それぞれ２つのスパイラル導体が絶縁体層に形成されたビアを介して接続されてなる第１のスパイラル導体と第２のスパイラル導体を備えたコモンモードチョークコイルであり、以下のように構成される。実施形態５の電子部品６０は、図６に示されるように、第１〜第７の絶縁体層６１ａ〜６１ｇを含み、中央部の第４の絶縁体層６１ｄの上には、第１の引出導体６２ａと第２の引出導体６２ｂと第３の引出導体６２ｃと第４の引出導体６２ｄが形成されている。第２の絶縁体層６１ｂ上には、第１Ａのスパイラル導体６３ａが形成され、第５の絶縁体層６１ｅの上には、第１Ｂのスパイラル導体６３ｂが形成される。そして、第１Ａのスパイラル導体６３ａの一端部と第１Ｂのスパイラル導体６３ｂの一端部とが絶縁体層６１ｅ、絶縁体層６１ｄおよび絶縁体層６１ｃを連続して貫通するように設けられたビア６４ｂを介して接続されて、第１のスパイラル導体（１次コイル）が構成される。また、第１Ａのスパイラル導体６３ａの他端部と第１の引出導体６２ａとが絶縁体層６１ｃおよび絶縁体層６１ｄを連続して貫通するように形成されたビア６４ａを介して接続され、第１Ｂのスパイラル導体６３ｂの他端部と第２の引出導体６２ｂとが絶縁体層６１ｅに形成されたビア６４ｃを介して接続される。このようにして、第１の引出導体６２ａと第２の引出導体６２ｂの間に、第１のスパイラル導体（１次コイル）が接続される。
【００３５】
第３の絶縁体層６１ｃ上には、第２Ｃのスパイラル導体６３ｃが形成され、第６の絶縁体層６１ｆの上には、第２Ｄのスパイラル導体６３ｄが形成される。そして、第２Ｃのスパイラル導体６３ｃの一端部と第２Ｄのスパイラル導体６３ｄの一端部とが絶縁体層６１ｄ、絶縁体層６１ｅおよび絶縁体層６１ｆを連続して貫通するように設けられたビア６４ｄを介して接続されて、第２のスパイラル導体（２次コイル）が構成される。また、第２Ｃのスパイラル導体６３ｃの他端部と第３の引出導体６２ｃとが絶縁体層６１ｄに形成されたビア６４ｅを介して接続され、第２Ｄのスパイラル導体６３ｄの他端部と第４の引出導体６２ｄとが絶縁体層６１ｅおよび絶縁体層６１ｆを連続して貫通するように形成されたビア６４ｆを介して接続される。このようにして、第３の引出導体６２ｃと第４の引出導体６２ｄの間に、第２のスパイラル導体（２次コイル）が接続される。また、図示はしていないが、第１〜第７の絶縁体層６１ａ〜６１ｆが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図６の手前側）に第１と第２の外部電極が設けられ、一側面に対向する側面には第３と第４の外部電極が設けられている。そして、第１の引出導体６２ａは、第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体６２ｂは、第３の外部電極に電気的に接続され、第３の引出導体６２ｃは、第２の外部電極に電気的に接続され、第４の引出導体６２ｄは、第４の外部電極に電気的に接続されている。
【００３６】
以上のように構成された実施形態５の電子部品においては、実施形態３の電子部品と同様の効果を有する。また、実施形態５の電子部品では、第１のスパイラル導体を構成する第１Ａのスパイラル導体６３ａと第１Ｂのスパイラル導体６３ｂの間に第２のスパイラル導体の一部を構成する第２Ｃのスパイラル導体６３ｃが設けられ、第２のスパイラル導体を構成する第２Ｃのスパイラル導体６３ｃと第２Ｄのスパイラル導体６３ｄの間に第１のスパイラル導体の一部を構成する第１Ｂのスパイラル導体６３ｂが設けられている。すなわち、実施形態５の電子部品では、第１のスパイラル導体の一部を構成する要素と第２のスパイラル導体の一部を構成する要素とが交互に配置されている。これにより、第１のスパイラル導体（１次コイル）と第２のスパイラル導体（２次コイル）との磁気的結合度を強めることができ、かつ浮遊静電容量を低減できる。また、第１および第２のスパイラル導体をそれぞれ複数の層で形成することにより、第１および第２のスパイラル導体の線路長を長くすることができ、それによりコモンモードインピーダンス（Ｚｃ）を高くすることができる。
【００３７】
（実施形態５の変形−１）
上記実施形態５の電子部品においては、上記のように、４つの引出導体６２ａ〜６２ｄが形成された絶縁体層６１ｄは、２次コイルの一部を構成する第２Ｃのスパイラル導体６３ｃが形成された絶縁体層６１ｃと１次コイルの一部を構成する第１Ｂのスパイラル導体６３ｂが形成された絶縁体層６１ｅの間に配置した。しかしながら、実施形態５はこれに限定されるものではなく、引出導体が形成された絶縁体層を１次コイルおよび２次コイルを構成するスパイラル導体が形成された絶縁体層の外側に配置してもよい。このようにすると、１次コイルを構成するスパイラル導体と２次コイルを構成するスパイラル導体とを近接して配置することができ、１次コイルと２次コイル間の磁気的結合を強くすることができる。
【００３８】
（実施形態５の変形−２）
また、上記実施形態５の電子部品においては、上記のように、第１のスパイラル導体（１次コイル）および第２のスパイラル導体（２次コイル）をそれぞれ２つのスパイラル導体により構成した。しかしながら、実施形態５はこれに限定されるものではなく、第１のスパイラル導体（１次コイル）および第２のスパイラル導体（２次コイル）をそれぞれ３つ以上のスパイラル導体により構成してもよい。このようにすると、第１のスパイラル導体（１次コイル）および第２のスパイラル導体（２次コイル）の線路長を更に長くすることができ、コモンモードインピーダンス（Ｚｃ）を更に高くすることができる。
【００３９】
（実施形態５の変形−３）
更に、上記実施形態５の変形−１および実施形態５の変形−２を組み合わせて、第１のスパイラル導体（１次コイル）および第２のスパイラル導体（２次コイル）がそれぞれ３つ以上の層に分離して設けられた３つ以上のスパイラル導体により構成し、かつスパイラル導体が形成された絶縁体層をすべて隣接して配置し、引出導体が形成された絶縁体層を、スパイラル導体が形成された絶縁体層の外側に配置してもよい。
【００４０】
（実施形態６）
実施形態６の電子部品７０は、１次コイル、２次コイルおよび３次コイルを含む３ライン用のコモンモードチョークコイルであり、図７に示されるように、第１〜第６の絶縁体層７１ａ〜７１ｆを含み、１つの第５の絶縁体層７１ｅの上に、１次コイルに接続される第１と第２の引出導体７２ａ，７２ｂ、２次コイルに接続される第３と第４の引出導体７２ｃ，７２ｄ、３次コイルに接続される第５と第６の引出導体７２ｅ，７２ｆが設けられている。第２の絶縁体層７１ｂの上には１次コイルを構成する第１のスパイラル導体７３ａが設けられ、第３の絶縁体層７１ｃの上には２次コイルを構成する第２のスパイラル導体７３ｂが設けられ、第４の絶縁体層７１ｄの上には３次コイルを構成する第３のスパイラル導体７３ｃが設けられている。第１のスパイラル導体７３ａの一端部は、第３〜第５の絶縁体層７１ｃ，７１ｄ，７１ｅを連続して貫通するように形成されたビア７４ａを介して第１の引出導体７２ａと接続され、第１のスパイラル導体７３ａの他端部は、第３〜第５の絶縁体層７１ｃ，７１ｄ，７１ｅを連続して貫通するように形成されたビア７４ｂを介して第２の引出導体７２ｂと電気的に接続されている。第２のスパイラル導体７３ｂの一端部は、第４および第５の絶縁体層７１ｄ，７１ｅを貫通するように形成されたビア７４ｃを介して第３の引出導体７２ｃと接続され、第２のスパイラル導体７３ｂの他端部は、第４および第５の絶縁体層７１ｄ，７１ｅを貫通するように形成されたビア７４ｄを介して第４の引出導体７２ｄと電気的に接続されている。第３のスパイラル導体７３ｃの一端部は、第５の絶縁体層７１ｅに形成されたビア７４ｅを介して第５の引出導体７２ｅと接続され、第３のスパイラル導体７３ｃの他端部は、第５の絶縁体層７１ｅに形成されたビア７４ｆを介して引出導体７２ｆと電気的に接続されている。また、図示はしていないが、第１〜第７の絶縁体層７１ａ〜７１ｆが積層された素体には、素体の長軸に平行な一側面（図７の手前側）には、第１の外部電極と第３の外部電極と第５の外部電極とが設けられ、一側面に対向する側面には、第２の外部電極と第４の外部電極と第６の外部電極とが設けられている。そして、第１の引出導体７２ａは、第１の外部電極に電気的に接続され、第２の引出導体７２ｂは、第２の外部電極に電気的に接続され、第３の引出導体７２ｃは、第３の外部電極に電気的に接続され、第４の引出導体７２ｄは、第４の外部電極に電気的に接続され、第５の引出導体７２ｃは、第５の外部電極に電気的に接続され、第６の引出導体７２ｄは、第６の外部電極に電気的に接続されている。
【００４１】
以上のように構成された実施形態６の電子部品において、隣接する第１のスパイラル導体７３ａ（１次コイル）と第２のスパイラル導体７３ｂ（２次コイル）は磁界結合し、隣接する第２のスパイラル導体７３ｂ（２次コイル）と第３のスパイラル導体７３ｃ（３次コイル）は磁界結合し、３ライン用のコモンモードチョークコイルが構成される。
以上のように構成された実施形態６の電子部品は、実施形態３と同様の効果を有する。
【００４２】
（実施形態６の変形−１）
実施形態６の電子部品においては、上記のように、６つの第１〜第６の引出導体７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，７２ｆが設けられた第４の絶縁体層７１ｅを、第３のスパイラル導体７３ｃが形成された絶縁体層７１ｄの外側に配置したが、実施形態６はこれに限定されるものではなく、第１〜第６の引出導体７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，７２ｆが設けられた第４の絶縁体層を、第１のスパイラル導体７３ａと第２のスパイラル導体７３ｂの間、または第２のスパイラル導体７３ｂと第３のスパイラル導体７３ｃの間に配置してもよい。このように、引出導体が設けられた絶縁体層をスパイラル導体の間に配置すると、当該スパイラル導体間の距離を大きくできるので、スパイラル導体間に発生する浮遊静電容量を抑えることができる。
【００４３】
また、実施形態６の電子部品においては、６つの引出導体７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、７２ｅ、７２ｆが設けられた１つの絶縁体層７１ｅの上に設けたが、実施形態６はこれに限定されるものではなく、６つの引出導体７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、７２ｅ、７２ｆを２以上の絶縁体層に分割して設けてもよい。また、６つの引出導体７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、７２ｅ、７２ｆを２以上の絶縁体層に分割して設けた場合、その２以上の絶縁体層は、第３のスパイラル導体７３ｃが形成された絶縁体層７１ｄの外側または第１のスパイラル導体７３ａが設けられた絶縁体層７１ｂの外側に設けてもよいし、第１のスパイラル導体７３ａと第２のスパイラル導体７３ｂの間、または第２のスパイラル導体７３ｂと第３のスパイラル導体７３ｃの間のいずれに配置してもよい。
【００４４】
（実施形態６の変形−２）
上記実施形態６の電子部品においては、１次コイル、２次コイルおよび３次コイルをいずれも１つのスパイラル導体により構成したが、１次コイル、２次コイルおよび３次コイルのいずれか１つ又は２つを２以上のスパイラル導体により構成してもよいし、全て２以上のスパイラル導体により構成してもよい。
【００４５】
以上のように、実施形態６の３ライン用のコモンモードチョークコイルは、要求される特性および仕様を考慮して種々変更して構成することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４７】
（実施例１）
以下の材料および寸法を有する図４に示される構成の電子部品を以下の方法で作製した。
絶縁体層４１ａ：Ｎｉ‐Ｃｕ‐Ｚｎ系フェライト
絶縁体層４１ｂ〜４１ｆ：ホウケイ酸ガラス
絶縁体層の厚さ：１８μｍ
スパイラル導体の線幅：１８μｍ
スパイラル導体の線間隔：１８μｍ
まず、絶縁体層４１ａ〜４１ｆとなるグリーンシートを準備した。そして、絶縁体層４１ｃ、４１ｅとなるグリーンシートのレーザー加工法により、ビアホールを空け、導電ペーストを充填することでビア４４ａ〜４４ｄを形成した。つぎに、スクリーン印刷により、絶縁体層４１ｃ、４１ｄとなるグリーンシート上にそれぞれスパイラル導体４３ａ、４３ｂとなる導体パターンを形成し、絶縁体層４１ｂ、４１ｅとなるグリーンシート上にそれぞれ引出導体４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄとなる導体パターンを形成した。それぞれのグリーンシートを積層した後に、９００℃、１２０分で焼成して素体を得た。その後、バレル工程で素体の面取りを行い、最後に、外部電極を焼き付けた後、外部電極にニッケルめっき／スズめっきを施し、電子部品を作製した。
ここで、スパイラル導体に、Ａｇに加えて、１．３質量％のＡｌ２Ｏ３を含む導電ペーストを用いた。また、引出導体に、Ａｇを含むが、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物を含まない導電ペーストを用いた。
【００４８】
（比較例１）
スパイラル導体用の導電ペーストとして、実施例１のＡｇを含むが、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物を含まない導電ペーストを用いた以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００４９】
（比較例２）
引出導体用の導電ペーストとして、実施例１のＡｇに加えて、１．３質量％のＡｌ２Ｏ３を含む導電ペーストを用いた以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００５０】
（初期不良率の比較）
上記のようにして得られた実施例１および比較例１の電子部品について、絶縁抵抗（ＩＲ）について初期不良率を評価した。その結果を以下の表１に示す。試験方法は以下の通りとした。
【００５１】
（試験方法）
絶縁抵抗（ＩＲ）
実施例１および比較例１の電子部品の第１のスパイラル導体（１次コイル）と第２のスパイラル導体（２次コイル）間に、直流電圧５Ｖを印加したときの絶縁抵抗（ＩＲ）を、Ａｄｖａｎｔｅｓｔ社製デジタルエレクトロメーター（８３４０Ａ）を用いて測定した。上記ＩＲが１０ＭΩ以上でない場合を不良として、不良率を決定した（試料数ｎ＝１０万個）。
【００５２】
（試験結果）
【表１】
2018074043.tif 000003
【００５３】
表１の結果から明らかなように、ガラスを含む絶縁体層に形成された、ＡｇおよびＡｌ２Ｏ３を含むスパイラル導体、並びに、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３を含まない引出導体を用いた実施例１の本発明の電子部品は、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３を含まないスパイラル導体および引出導体を用いた比較例１の電子部品に比べて、ＩＲに関する初期不良率が非常に低くて絶縁信頼性が良好であった。
【００５４】
（引出導体の端部のガラス皮膜評価）
つぎに、実施例１および比較例２の電子部品について、引出導体の端部のガラス皮膜の厚さを評価した。その結果を以下の図９に示す。
【００５５】
（試験方法）
ガラス皮膜の厚さ
ガラス皮膜の厚さは、図４に示される構成の電子部品の第１の引出導体４２ａ端部の部分、すなわち、素体の長軸に平行な一側面（図４の手前側）に引出された部分を測定した。より具体的には、素体を第１の引出導体４２ａを含む部分を積層方向から切断し、その切断面にて、測定顕微鏡の測長機能を用いて測定した。尚、図９に示す結果は、素体を焼成した状態で測定したものである（試料数ｎ＝１２個；◆測定値、◇平均値）。
【００５６】
（試験結果）
図９の結果から判るように、実施例１では、ガラス皮膜の厚さがほぼ１μｍ以下であった。これに対して比較例２では、ガラスの皮膜の厚さが４μｍ〜７μｍであった。
焼成後のバレル工程では、引出導体の端部分が２〜３μｍ程度削れるため、実施例１では、素体の一側面において、引出導体の端部のガラス皮膜が確実に取り除かれた。このため、外部電極を形成する際に、引出導体を外部電極と確実に接続することができた。
したがって、ガラスを含む絶縁体層に形成された、ＡｇおよびＡｌ２Ｏ３を含むスパイラル導体、並びに、Ａｇを含み、かつＡｌ２Ｏ３を含まない引出導体を用いた実施例１の本発明の電子部品は、ＡｇおよびＡｌ２Ｏ３を含むスパイラル導体および引出導体を用いた比較例２の電子部品に比べて、引出導体と外部電極との接続信頼性が良好であった。
【００５７】
更に、実施例１の本発明の電子部品においては、Ａｌ２Ｏ３をＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２に代えても、同様の傾向を示した。加えて、実施例１の電子部品を、前述の実施形態４〜６（図５〜７）の構成とした場合も、実施例１と同様の傾向を示し、外部電極との接続信頼性と絶縁信頼性との両立が可能であった。
【符号の説明】
【００５８】
１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０ … 電子部品
１１ … 素体
１２ … 第１の外部電極
１３ … 第２の外部電極
２１ａ〜２１ｉ … 第１〜第９の絶縁体層
２２ａ、２２ｂ … 第１〜第２の引出導体
２３ａ〜２３ｅ … スパイラルパターン部
２４ａ〜２４ｆ … ビア
３１ａ〜３１ｄ … 第１〜第４の絶縁体層
３２ａ〜３２ｂ … 第１〜第２の引出導体
３３ … スパイラル導体
３４ａ〜３４ｂ … ビア
４１ａ〜４１ｆ … 第１〜第６の絶縁体層
４２ａ〜４２ｄ … 第１〜第４の引出導体
４３ａ〜４３ｂ … 第１〜第２のスパイラル導体
４４ａ〜４４ｄ … ビア
５１ａ〜５１ｅ … 第１〜第５の絶縁体層
５２ａ〜５２ｄ … 第１〜第４の引出導体
５３ａ〜５３ｂ … 第１〜第２のスパイラル導体
５４ａ〜５４ｄ … ビア
６１ａ〜６１ｇ … 第１〜第７の絶縁体層
６２ａ〜６２ｄ … 第１〜第４の引出導体
６３ａ〜６３ｄ … 第１Ａ〜第２Ｄのスパイラル導体
６４ａ〜６４ｆ … ビア
７１ａ〜７１ｆ … 第１〜第６の絶縁体層
７２ａ〜７２ｆ … 第１〜第６の引出導体
７３ａ〜７３ｃ … 第１〜第３のスパイラル導体
７４ａ〜７４ｆ … ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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