(57)【要約】【課題】  高品質の照明装置を提供する。【解決手段】  光源と、光源から出射された光が側面から入射する位置に配置され、（ｉ）第１電極及び光取り出し構造を備える第１基板と、（ｉｉ）第２電極を備える第２基板と、（ｉｉｉ）第１基板と第２基板の間に配置され、銀を含有するエレクトロデポジション材料を含む電解質層とを備え、側面から入射し、内部を進行する光を照明光として取り出すエレクトロデポジション素子とを有し、エレクトロデポジション素子においては、第１、第２基板の法線方向から見たとき、電解質層の配置領域において、第１電極と第２電極が重なる位置に画定される第１画素及び第２画素の位置における透明状態とミラー状態が、相互に独立に切り替え可能であり、光取り出し構造は、第１基板の第１及び第２画素の位置に配置され、内部を進行する光は、第２基板の第１及び第２画素の位置から、照明光として取り出される照明装置を提供する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から出射された光が側面から入射する位置に配置され、（ｉ）第１電極及び光取り出し構造を備える第１基板と、（ｉｉ）前記第１基板に略平行に対向配置され、第２電極を備える第２基板と、（ｉｉｉ）前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、銀を含有するエレクトロデポジション材料を含む電解質層とを備え、前記側面から入射し、内部を進行する光を照明光として取り出すエレクトロデポジション素子と
を有し、
前記エレクトロデポジション素子においては、
前記第１、第２基板の法線方向から見たとき、前記電解質層の配置領域において、前記第１電極と前記第２電極が重なる位置に画定される第１画素及び第２画素の位置における透明状態とミラー状態が、相互に独立に切り替え可能であり、
前記光取り出し構造は、前記第１基板の前記第１及び第２画素の位置に配置され、
内部を進行する光は、前記第２基板の前記第１及び第２画素の位置から、照明光として取り出される照明装置。
【請求項２】
前記エレクトロデポジション素子は、前記光源から出射された光が前記第２の基板に入射することを妨げる構造を備える請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源から出射された光が前記第２の基板に入射することを妨げる構造として、前記第２の基板に反射膜が配置されている請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第１基板の側面に、前記光源を出射し、前記第１基板の側面から入射する光を平行化する突起が形成されている請求項２または３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記電解質層は、前記第１基板と前記第２基板の間で、シール材の内側領域に配置され、
前記第１基板の前記光源側の側面に沿って配置される前記シール材の側面に、前記光源を出射し、前記シール材の側面から入射する光を平行化する突起が形成されている請求項２〜４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記第１基板の前記光源側の側面が、前記電解質層の配置領域における平行な断面より大面積に構成されている請求項２〜５のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記エレクトロデポジション素子は、前記光源から出射された光が前記第１基板の側面、前記第２基板の側面の双方から入射する位置に配置され、
前記エレクトロデポジション素子においては、前記第１、第２基板の法線方向から見たとき、前記電解質層の配置領域において、前記第１電極と前記第２電極が重なる位置に画定される前記第１画素、前記第２画素、及び、第３画素の位置における透明状態とミラー状態が、相互に独立に切り替え可能であり、かつ、前記第２基板の前記第１画素の位置または前記第３画素の位置にも光取り出し構造が配置され、
前記エレクトロデポジション素子の内部を進行する光は、前記第１基板の前記第１画素の位置または前記第３画素の位置からも、照明光として取り出される請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第１基板上の照明光出射領域と前記第２基板上の照明光出射領域の面積割合に応じ、前記第１基板と前記第２基板の厚さを相互に異ならせる請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
更に、
前記エレクトロデポジション素子の周囲に配置され、入射した光を反射して、前記エレクトロデポジション素子の内部に入射させる反射部材を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の照明装置と、
前記照明装置から出射された照明光が入射する位置に配置された液晶セルと、
前記液晶セルの駆動と、前記照明装置から出射される照明光の出射領域を同期させる制御を行う制御装置と
を有する液晶表示装置。
【請求項１１】
前記制御装置は、更に、前記液晶セルの駆動と、前記照明装置の光源の発光を同期させる制御を行う請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の照明装置と、
前記照明装置から出射された照明光が入射する位置に配置された液晶セルと、
前記照明装置から出射される照明光の出射領域を周囲の明るさに応じて制御する制御装置と
を有する液晶表示装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、更に、前記照明装置の光源の発光を周囲の明るさに応じて制御する請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロデポジション素子を用いた照明装置及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話のキーパッド部分等に適用される高コントラストバックライトの発明が開示されている（たとえば特許文献１参照）。特許文献１に記載されるバックライトにおいては、光センサーで周囲の明るさを検知し、明るさに応じてエレクトロクロミック層を透明状態または反射状態に切り替える。切り替えは全面的に行われるため、たとえば液晶表示装置におけるローカルディミング（部分調光、部分駆動）に用いることはできない。
【０００３】
ローカルディミングとは、たとえば液晶パネルの裏側に配置したＬＥＤ(light emitting diode)素子の発光量を個々に制御するなどして、コントラストを向上させる方法であり、同一画面内の異なるエリアのコントラスト比を大幅に高めることができる。
【０００４】
直下型バックライトとエッジ型バックライトの最大の違いは、ローカルディミングに関する点であると言われている。ローカルディミングが容易に可能な直下型は、この強みを活かしてバックライトの主流になっている。
【０００５】
エッジ型バックライトは、たとえば上下に配置されたＬＥＤ素子から出射された光を導光板で中央部まで導く構造を採用し、このためバックライトから出射される光を細かく分割することが原理的に困難である。したがって、ローカルディミングに対応させた場合であっても、直下型バックライトを用いてローカルディミングを行う場合ほどコントラスト性能を向上させることが難しい。一方、携帯用機器やノートパソコンの分野では薄型化の要求が強く、エッジ型バックライトを用いることが望ましい。
【０００６】
エレクトロクロミック表示素子は、電圧の印加（通電）による電気化学的可逆反応（電解酸化還元反応）による物質の色変化現象を利用した非発光型表示素子である。
【０００７】
エレクトロクロミック材料（電圧が印加（通電）されると電気化学的な酸化または還元反応を起こし、それにより発色または消色等の変色を生じる材料）のうち、酸化または還元反応によって、材料の一部が、たとえば電極上に析出・堆積（エレクトロデポジション）、または、電極上から消失するものを、エレクトロデポジション材料と呼ぶ。また、エレクトロデポジション材料を用いた素子をエレクトロデポジション素子と呼ぶ。
【０００８】
図１５は、エレクトロデポジション素子の一構成例を示す概略的な断面図である。
【０００９】
エレクトロデポジション素子は、たとえば略平行に離間して対向配置された上側基板１０ａ、下側基板１０ｂ、及び、両基板１０ａ、１０ｂ間に配置された電解質層１５を含んで構成される。
【００１０】
上側基板１０ａ、下側基板１０ｂは、それぞれ上側透明基板１１ａ、下側透明基板１１ｂ、及び、各透明基板１１ａ、１１ｂ上に形成された上側透明電極１２ａ、下側透明電極１２ｂを含む。透明電極１２ａ、１２ｂは、表面が平滑な電極である。透明電極１２ａ、１２ｂは、パターニング電極であっても、非パターニング電極（ベタ電極）であってもよい。
【００１１】
電解質層１５は、上側基板１０ａと下側基板１０ｂの間の、シール材（シール部）１４の内側領域に配置され、銀を含有するエレクトロデポジション材料（たとえばＡｇＮＯ３）を含む。
【００１２】
図１５に示すエレクトロデポジション素子は、たとえば電極１２ａ、１２ｂに印加する直流電圧によって、透明状態とミラー状態を電気的に切り替えることができる。
【００１３】
一例として、下側透明電極１２ｂをアースし、上側透明電極１２ａに負の直流電圧を印加すると、電解質層１５に含まれる銀イオンが、上側透明電極１２ａ（負電圧側となる電極）近傍で金属の銀に変化し、電極１２ａ上に析出・堆積して、銀薄膜（鏡面）が形成される。銀薄膜は鏡面として作用し、これに入射する光を正反射する。銀薄膜は、印加電圧の解除により時間の経過とともに、または反対極性の電圧の印加により、上側透明電極１２ａ上から消失する。電圧無印加時、透明電極１２ａ、１２ｂ上に銀が析出していないエレクトロデポジション素子に入射する光は、これを透過する。
【００１４】
図１５に示すエレクトロデポジション素子は、直流電圧の無印加−印加により、透明状態とミラー状態（反射状態）を可換的に実現するミラーデバイスとして用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特表２０１１−５１４９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、高品質の照明装置及び液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一観点によると、光源と、前記光源から出射された光が側面から入射する位置に配置され、（ｉ）第１電極及び光取り出し構造を備える第１基板と、（ｉｉ）前記第１基板に略平行に対向配置され、第２電極を備える第２基板と、（ｉｉｉ）前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、銀を含有するエレクトロデポジション材料を含む電解質層とを備え、前記側面から入射し、内部を進行する光を照明光として取り出すエレクトロデポジション素子とを有し、前記エレクトロデポジション素子においては、前記第１、第２基板の法線方向から見たとき、前記電解質層の配置領域において、前記第１電極と前記第２電極が重なる位置に画定される第１画素及び第２画素の位置における透明状態とミラー状態が、相互に独立に切り替え可能であり、前記光取り出し構造は、前記第１基板の前記第１及び第２画素の位置に配置され、内部を進行する光は、前記第２基板の前記第１及び第２画素の位置から、照明光として取り出される照明装置が提供される。
【００１８】
また、本発明の他の観点によると、前記照明装置と、前記照明装置から出射された照明光が入射する位置に配置された液晶セルと、前記液晶セルの駆動と、前記照明装置から出射される照明光の出射領域を同期させる制御を行う制御装置とを有する液晶表示装置が提供される。
【００１９】
更に、本発明の他の観点によると、前記照明装置と、前記照明装置から出射された照明光が入射する位置に配置された液晶セルと、前記照明装置から出射される照明光の出射領域を周囲の明るさに応じて制御する制御装置とを有する液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、高品質の照明装置及び液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１Ａ、図１Ｂは、それぞれ第１実施例による照明装置の上側基板２０、下側基板３０を示す概略的な平面図であり、図１Ｃ、図１Ｄは、それぞれ第１実施例による照明装置に用いられるエレクトロデポジション素子を示す概略的な平面図、断面図である。
【図２】図２は、第１実施例による照明装置を示す概略的な断面図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、透明基板３１の下面に配置された微細凹凸フィルム６０を示す概略的な断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、光源８０を出射した光の進行を示す概略的な断面図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｄは、エレクトロデポジション素子の画素数を多くした場合を示す概略的な斜視図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂは、それぞれ第２実施例による照明装置の上側基板２０、下側基板３０を示す概略的な平面図であり、図６Ｃ、図６Ｄは、それぞれ第２実施例による照明装置に用いられるエレクトロデポジション素子を示す概略的な平面図、断面図である。
【図７】図７は、第２実施例による照明装置を示す概略的な断面図である。
【図８】図８Ａ〜図８Ｄは、光源８０を出射した光の進行を示す概略的な断面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、第１変形例による照明装置の一部を示す概略図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、第２変形例による照明装置を示す概略的な断面図である。
【図１１】図１１は、第３変形例による照明装置を示す概略的な断面図である。
【図１２】図１２Ａは、第３実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図であり、図１２Ｂは、液晶表示素子１００を示す概略的な断面図であり、図１２Ｃは、照明装置２００を示す概略的な断面図である。
【図１３】図１３Ａは、第４実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図であり、図１３Ｂは、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒ、及び、照明装置５００の配置態様の一例を示す概略図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、第５実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図であり、図１４Ｃは、照明装置７００を示す概略的な断面図であり、図１４Ｄは、反射ドット７４０で反射された光の進行を示す概略的な断面図である。
【図１５】図１５は、エレクトロデポジション素子の一構成例を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１Ａ〜図１Ｄ及び図２を参照し、第１実施例による照明装置の製造方法を説明する。
【００２３】
図１Ａを参照する。たとえばガラス基板である透明基板２１上に、ＩＴＯ(indium tin oxide)等の透明導電材料で透明電極（セグメント電極）２２を形成する。第１実施例においては、透明基板２１上に、相互に電気的に分離した６つの透明電極２２をパターニングする。各透明電極２２は、たとえば縦１６０００μｍ（更に端子分＋５０００μｍ）、横１４０００μｍの矩形状であり、縦方向及び横方向に隣接する電極２２間の距離は１０μｍである。更に、透明基板２１の一方の端部側に金属膜（反射膜）２３を形成する。
【００２４】
金属膜（反射膜）２３は、Ａｌ、Ａｇ等の金属で形成される。他の高反射率金属材料を用いてもよい。反射率の高い、金属以外の材料で形成することもできる。
【００２５】
図１Ｂを参照する。たとえばガラス基板である透明基板３１上に、ＩＴＯ等の透明導電材料で透明電極（コモン電極）３２を形成する。第１実施例においては、透明基板３１上に、たとえば縦３２０００μｍ、横４２０００μｍ（更に端子分＋５０００μｍ）の矩形状となる透明電極３２をパターニングする。
【００２６】
透明電極２２、３２のパターンはこれらに限られず、たとえばより小サイズの矩形状にパターニングしてもよい。また、たとえば透明電極２２パターンの部分にＴＦＴ(thin film transistor)などのアクティブ素子を用いてもよい。
【００２７】
こうして、透明基板２１上に透明電極２２が形成された上側基板（セグメント基板）２０、及び、透明基板３１上に透明電極３２が形成された下側基板（コモン基板）３０が作製される。
【００２８】
図１Ｃ及び図１Ｄを参照する。次に、上側、下側基板２０、３０を透明電極２２、３２が対向するように配置してセル化を行う。
【００２９】
第１実施例による照明装置には小型セルを用いるため、基板２０、３０面内にギャップコントロール剤を散布せず、径５０μｍのギャップコントロール剤を添加したメインシール材４０を使用する。
【００３０】
なお、大面積のセルを用いた照明装置を製造する場合には、基板２０、３０面内にギャップコントロール剤を散布する。
【００３１】
その場合、たとえば数μｍ〜数百μｍ径のギャップコントロール剤を、基板２０、３０の一方上に、一例として１個〜３個／ｍｍ２となるように散布する。ギャップコントロール剤の径に応じ、たとえば表示に影響を与えにくい散布量とすることが望ましい。なおエレクトロデポジション素子の場合、多少ギャップムラがあっても表示への影響は少ないため、ギャップコントロール剤の散布量の重要性は高くない。また、リブなどの突起によってギャップコントロールを行うことも可能である。リブスペーサとする場合、突起のアスペクト比は高いことが望ましい。
【００３２】
基板２０、３０の一方上に、メインシールパターンを形成する。図１Ｃには、メインシールパターンの形成位置に斜線を付して示した。第１実施例においては、紫外線硬化型のシール材４０を用いる。シール材４０として、熱硬化型や紫外線＋熱硬化型のシール材を使用してもよい。上述したように、シール材４０には、径５０μｍのギャップコントロール剤が添加されている。
【００３３】
少なくともシールパターン上に紫外線を照射し、シール材４０を硬化させる。なお、熱硬化型のシール材を用いる場合は、基板２０、３０の重ね合わせ後に熱処理を行う。
【００３４】
続いて、エレクトロデポジション材料を含む電解液５０を基板２０、３０間に封入する。第１実施例では、真空注入方式を用いる。ＯＤＦ(one drop fill)方式や毛細管注入方式を使用してもよい。なお、前述のシール材４０は、用いる電解液５０に耐えるシール材料（腐食されないシール材）であることが好ましい。また、後述するように、作製されたエレクトロデポジション素子は、光源を出射する光の光路上に配置される。このため、シール材４０は、光源から出射される光に対して透明、たとえば可視光に対して透明であることが望ましい。したがって、たとえばフィラーを含まないシール材、フッ素系のシール材などが好適に使用される。
【００３５】
エレクトロデポジション材料を含む電解液５０は、エレクトロデポジション材料（ＡｇＮＯ３等）、メディエータ（ＣｕＣｌ２等）、支持電解質（ＬｉＢｒ等）、溶媒（ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）等）などにより構成される。第１実施例においては、溶媒であるＤＭＦ中に、エレクトロデポジション材料としてＡｇＮＯ３を３５０ｍＭ添加し、ＬｉＢｒを７５０ｍＭ支持電解質として加え、メディエータとしてＣｕＣｌ２を３０ｍＭ添加する。なお、この電解質をゲル化するために、たとえばホストポリマーとしてＰＶＢ(polyvinyl butyral)を１０ｗｔ％加えてもよい。ゲル化を行う（ゲル状の電解質層とする）ことでエレクトロデポジション素子のミラー状態における反射率を向上させることができる。第１実施例ではゲル化しない電解液５０を用いる。
【００３６】
エレクトロデポジション材料（銀化合物）として、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）の他、塩化銀、酸化銀、臭化銀、ヨウ化銀等を使用することができる。銀化合物の濃度は、たとえば５ｍＭ以上５００ｍＭ以下であることが好ましいが、特に限定されない。
【００３７】
支持電解質は、エレクトロデポジション材料の酸化還元反応等を促進するものであれば限定されず、たとえばリチウム塩（ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４等）、カリウム塩（ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等）、ナトリウム塩（ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ等）を好適に用いることができる。支持電解質の濃度は、たとえば１０ｍＭ以上１Ｍ以下であることが好ましいが、特に限定されるものではない。
【００３８】
溶媒は、エレクトロデポジション材料等を安定的に保持することができるものであれば限定されない。水や炭酸プロピレン等の極性溶媒、極性のない有機溶媒、更にはイオン性液体、イオン導電性高分子、高分子電解質等を使用することが可能である。具体的には、ＤＭＦの他、炭酸プロピレン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ポリビニル硫酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸等を用いることができる。
【００３９】
図１Ｃ、図１Ｄはそれぞれ、このようにして作製されるエレクトロデポジション素子（ミラーデバイス）を示す概略的な平面図、断面図である。
【００４０】
両図に示すエレクトロデポジション素子は、たとえば略平行に離間して対向配置された上側、下側基板２０、３０、及び、両基板２０、３０間に配置された電解液（電解質層）５０を含む。
【００４１】
上側、下側基板２０、３０は、それぞれ透明基板２１、３１、及び、透明基板２１、３１上に形成された透明電極２２、３２を含む。上側基板２０は、更に、金属膜（反射膜）２３を含む。金属膜（反射膜）２３は少なくとも、透明基板２１上の、透明基板３１より突出した領域（シール材４０の外側領域）の一部に配置される。
【００４２】
銀を含有するエレクトロデポジション材料を含む電解液（電解質層）５０は、上側基板２０と下側基板３０の間の、透明なシール材（シール部）４０に囲まれた領域の内側に封入（配置）される。
【００４３】
平面視上（基板２０、３０の法線方向から見たとき）、シール材４０に囲まれた領域の内側（電解液５０の配置領域）において、電極２２、３２が重なる位置に画素が画定される。第１実施例においては、２行３列に配置される６つの矩形状画素となる。６つの矩形状画素のサイズは相互に等しい。
【００４４】
基板２０、３０（電極２２、３２）間に電圧を印加する（通電する）と、負電圧が印加された側の電極２２、３２上（画素部分）に、ＡｇＮＯ３（エレクトロデポジション材料）に由来する銀の薄膜が形成され、鏡面として作用する。銀薄膜は、印加電圧の解除、または反対極性の電圧の印加により電極２２、３２上から消失する。
【００４５】
６つの透明電極２２は、相互に電気的に分離され（独立し）ているため、たとえば上側基板２０を負電圧側、下側基板３０を正電圧側として、直流電圧を印加し、画素ごとに銀薄膜の形成、不形成を制御することができる。
【００４６】
一例として、下側基板３０（透明電極３２）をアースし、上側基板２０（透明電極２２）に負の直流電圧を印加する。６つの透明電圧２２のうちの単数または複数に電圧を印加すると、電圧を印加された透明電極２２上（画素部分）に銀薄膜が形成され、その位置がミラー状態（光を反射させる状態）、他の位置は透明状態（光を透過させる状態）となる。また、６つの透明電極２２すべてに電圧を印加しなければ、上側基板２０に銀薄膜は形成されず、たとえば電解液５０の配置領域内（シール材４０に囲まれた領域内）全域が透明状態となる。このように、電解液５０の配置領域内（シール材４０に囲まれた領域内）で銀薄膜（反射領域）の形成位置を電気的に制御可能である。
【００４７】
すなわち、図１Ｃ及び図１Ｄに示すエレクトロデポジション素子は、たとえば透明電極２２、３２に印加する直流電圧によって、画素ごとに透明状態とミラー状態を電気的に切り替え、全画素を透明状態としたり、全画素をミラー状態としたり、一部の画素を透明状態、残部の画素をミラー状態としたりすることができる。図１Ｃ及び図１Ｄに示すエレクトロデポジション素子は、たとえば画素ごとに電圧の無印加−印加の制御を行い、透明状態とミラー状態を切り替えることのできるミラーデバイスである。
【００４８】
図２を参照する。図１Ｃ及び図１Ｄに示すエレクトロデポジション素子に、微細凹凸フィルム６０、反射板（反射部材）７０、及び、光源８０を付加することで、第１実施例による照明装置が製造される。
【００４９】
微細凹凸フィルム６０は、たとえば透明基板３１とほぼ等しい屈折率を有し、下側基板３０（透明基板３１）の下面（電解液５０とは反対側の面）の画素位置に、一例として画素位置を含んで配置される。
【００５０】
図３Ａ及び図３Ｂに、透明基板３１の下面に配置された微細凹凸フィルム６０の概略的な断面図を示す。微細凹凸フィルム６０は、たとえば三角プリズム形状の凸部（図３Ａ参照）または凹部（図３Ｂ参照）を備え、これらの凸部または凹部（凹凸構造）に入射した光を反射して、下側基板３０（透明基板３１）の面内方向と交差する方向に出射する。出射光の強度は、下側基板３０（透明基板３１）の法線方向において最も強くなる。凸部及び凹部は、たとえば光源８０から相対的に近い位置では相対的に疎に、相対的に遠い位置では相対的に密に配置される。これにより、微細凹凸フィルム６０の配置位置における出射光強度の面内均一化が図られる。
【００５１】
反射板７０は、たとえばＡｌやＳＵＳで形成され、エレクトデポジション素子の周囲に配置される。本図に示す例においては、反射板７０は、透明基板２１の周囲を除く、エレクトデポジション素子の周囲に配置されている。また、微細凹凸フィルム６０との関係では、反射板７０は、微細凹凸フィルム６０の外側に、たとえば微細凹凸フィルム６０を覆うように配置される。更に、反射板７０は、金属膜（反射膜）２３と接触するように上側基板２０に固着され、上側基板２０等とともにエレクトロデポジション素子の一辺（図１Ｃの左辺）側（シール材４０、下側基板３０の外側）に空間を画定する。
【００５２】
反射板７０は、高反射率、たとえば９０％以上の反射率を有する板状部材やフィルムを用いて構成することができ、反射板７０に入射した光を反射して、エレクトロデポジション素子の内部に入射させる機能を有する。
【００５３】
光源８０は、エレクトロデポジション素子の一辺側に画定される空間内（エレクトロデポジション素子の側面）に配置される。たとえばエレクトロデポジション素子側ではない光源８０の周囲に、金属膜（反射膜）２３及び反射板７０が配置される位置関係となる。光源８０として、線状ＬＥＤ光源や冷陰極蛍光管(cold cathode fluorescent lamp; CCFL)等を使用することができる。線状ＬＥＤ光源は、たとえば点状のＬＥＤ素子が一方向に沿って配列された光源である。
【００５４】
図４Ａ〜図４Ｃに、光源８０を出射した光の進行を概略的に示す。図４Ａは、たとえば６つの画素位置の全部を透明状態とした場合、図４Ｂは、たとえば６つの画素位置のうち、図１Ｃにおける右列２つの画素位置を透明状態とし、残る４つの画素位置をミラー状態とした場合、図４Ｃは、たとえば６つの画素位置のうち、図１Ｃにおける中央列２つの画素位置を透明状態とし、残る４つの画素位置をミラー状態とした場合を示す。
【００５５】
第１実施例においては、光源８０を出射した光は、エレクトロデポジション素子の側面からこれに入射し、素子内を進行する。
【００５６】
たとえば光源８０を出射した光の一部は、下側基板３０（透明基板３１）及び電解液５０の側面からこれらに入射し、下側基板３０（透明基板３１）内、電解液５０内、及び、微細凹凸フィルム６０内を進行する。そして微細凹凸フィルム６０の凹凸構造によって、下側基板３０（透明基板３１）面内方向と交差する方向に反射され、下側基板３０を出射する。下側基板３０を出射した光は、透明状態とされた画素位置の上側基板２０を透過し、照明光として出射される（図４Ａ等参照）。照明光の強度は、基板２０、３０法線方向において最も強い。なお、透明基板３１の側面からこれに入射し、凹凸構造で反射されなかった光は、たとえば全反射することにより、透明基板３１内を導光する。
【００５７】
微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、下側基板３０を出射した光は、ミラー状態とされた画素位置（銀薄膜形成位置）で反射される場合もある。その場合は、たとえば再度、下側基板３０に入射し、その後、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、透明状態とされた画素位置を透過して、上側基板２０側から出射される（図４Ｂ及び図４Ｃ参照）。
【００５８】
光は、上側基板２０の金属膜（反射膜）２３や反射板７０に入射する場合もある。この場合、光は、金属膜（反射膜）２３や反射板７０で反射され、その後、たとえば下側基板３０に入射する。そして最終的に、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、透明状態とされた画素位置を透過して、上側基板２０側から出射される（図４Ａ〜図４Ｃ参照）。
【００５９】
第１実施例による照明装置において、エレクトロデポジション素子は、相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な複数の画素を有し、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射された光は、たとえば上側基板２０の画素位置を通して出射される。したがって、第１実施例による照明装置においては、複数の画素の位置の光透過状態（透明状態とミラー状態）を制御し、所望の画素位置（実施例においては、微細凹凸フィルム６０及び反射板７０が配置されていない基板２０側の画素位置）から光を出射（面発光）させることができる。すなわち、第１実施例による照明装置は、光出射領域の選択（制御）を電気的に行うことのできる照明装置である。エレクトロデポジション素子の画素の全部または一部を透明状態とし、透明状態とされた画素位置から光を出射させる。第１実施例による照明装置において、上側基板２０の画素位置は光出射領域となる。
【００６０】
なお、第１実施例による照明装置では、少なくとも透明基板３１を含めて導光部分とする。たとえば光源８０を出射した光の一部を、側面から透明基板３１に入射させ、透明基板３１内を導光させる。しかし、上側基板２０（透明基板２１）においては、そのような導光は行われない。光源８０出射直後に、上側基板２０（透明基板２１）側に進行する光は、たとえば金属膜２３によって反射、遮光される。金属膜２３は、光源８０から出射された光が上側基板２０（透明基板２１）に入射することを妨げる構造の一例である。
【００６１】
第１実施例による照明装置は、光源８０で発光された光を、エレクトロデポジション素子内を導光させて出射する、エッジ型のバックライトユニットである。たとえば液晶表示装置に用いることができ、ローカルディミングを行うことが可能である。エッジ型のバックライトユニットでありながら、ローカルディミングを行い、高コントラストの表示を実現することができる。
【００６２】
第１実施例による照明装置においては、たとえばミラー状態とされた透明電極２２（画素部分）、金属膜（反射膜）２３、及び、反射板７０で反射された光を再利用することができる。このため、たとえば一部の画素をミラー化し、残部の画素を透明状態とした場合、透明状態とされた画素位置から出射される光の輝度を高くすることができる。また、出射光の輝度を一定とする場合は、光源８０の発光輝度を低くし、消費電力を抑制することができる。更に、光源８０から出射された光を、エレクトロデポジション素子内を導光させて出射するため、薄型化が顕著に実現される。このように、第１実施例による照明装置は、高品質の照明装置である。
【００６３】
相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な画素数を多くすれば、光出射位置をより細かく制御することができる。また、エレクトロデポジション素子の画素の形状を変えることで、光出射領域の形状を変更することが可能である。
【００６４】
図５Ａ〜図５Ｄに、エレクトロデポジション素子の画素数を多くした場合を示す。相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な画素が、８行８列に配置されている。ミラー状態とされた画素に斜線を付した。
【００６５】
図５Ａは、すべての画素位置を透明状態とした場合を示す。開口率は１００％となる。図５Ｂ〜図５Ｄは、一部の画素位置をミラー状態、残部の画素位置を透明状態とした場合を示す。図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄに示す光透過状態における開口率は、それぞれ７５％、５０％、２５％である。なお、すべての画素位置をミラー状態とすれば、開口率を０％とすることが可能である。画素数の多いエレクトロデポジション素子を備える照明装置とすることで、開口位置、開口率等をより自在に変更することができる。
【００６６】
図６Ａ〜図６Ｄ及び図７を参照し、第２実施例による照明装置の製造方法を説明する。第１実施例による照明装置は、上側基板２０側から照明光を出射する照明装置であったが、第２実施例による照明装置においては、上側、下側基板２０、３０の双方側から照明光が出射される。また、第２実施例による照明装置では、たとえば光源８０を出射した光を、側面から透明基板２１、３１の双方に入射させ、透明基板２１、３１双方の内部を導光させる。このため、第２実施例においては、たとえば金属膜２３を配置しない。
【００６７】
図６Ａに、第２実施例における上側基板（セグメント基板）２０の概略的な平面図を示す。たとえばガラス基板である透明基板２１上に、ＩＴＯ等の透明導電材料で、相互に電気的に分離した６つの透明電極（セグメント電極）２２を形成する。各透明電極２２は、たとえば縦２１０００μｍ、横１４０００μｍの矩形状であり、縦方向及び横方向に隣接する電極２２間の距離は１０μｍである。第１実施例と異なり、金属膜（反射膜）２３は形成しない。
【００６８】
図６Ｂに、第２実施例における下側基板（コモン基板）３０の概略的な平面図を示す。たとえばガラス基板である透明基板３１上に、ＩＴＯ等の透明導電材料で透明電極（コモン電極）３２を形成する。第２実施例では、たとえば縦３２０００μｍ、横４７０００μｍの矩形状ＩＴＯ膜を相互に電気的に独立する２つの領域に分離して、２つの透明電極３２を形成する。
【００６９】
透明電極２２、３２のパターンはこれらに限られず、たとえばより小サイズにパターニングしてもよい。また、たとえば透明電極２２パターンの部分にＴＦＴなどのアクティブ素子を用いてもよい。
【００７０】
図６Ａ、図６Ｂにそれぞれ示す基板２０、３０を、対向配置してセル化する。セル化工程は、第１実施例におけるそれと同様である。
【００７１】
図６Ｃ、図６Ｄにそれぞれ、第２実施例による照明装置に用いられるエレクトロデポジション素子（ミラーデバイス）の概略的な平面図、断面図を示す。
【００７２】
第１実施例による照明装置に用いられるエレクトロデポジション素子と比較すると、すべての画素の形状が一致するわけではないが、平面視上、シール材４０に囲まれた領域の内側において、電極２２、３２が重なる位置に、６つの矩形状画素が画定されるという点では同様である。
【００７３】
６つの透明電極２２は、相互に電気的に分離され（独立し）ているため、たとえば左列と中央列の４つの透明電極２２を負電圧側、右列の２つの透明電極２２を正電圧側として、直流電圧を印加することで、画素ごとに銀薄膜の形成、不形成を制御することができる。
【００７４】
一例として、下側基板３０（透明電極３２）をアースした状態で左列と中央列の４つの透明電極２２のうちの単数または複数に負の直流電圧を印加すると、電圧を印加された透明電極２２上（画素部分）に銀薄膜が形成され、その位置がミラー状態、他の位置は透明状態となる。また、下側基板３０（透明電極３２）をアースした状態で右列の２つの透明電極２２のうちの単数または複数に正の直流電圧を印加すると、電圧を印加された透明電極２２に対向する位置の透明電極３２（画素部分）に銀薄膜が形成され、その位置がミラー状態、他の位置は透明状態となる。
【００７５】
６つの透明電極２２すべてに電圧を印加しなければ、上側、下側基板２０、３０に銀薄膜は形成されず、たとえば電解液５０の配置領域内（シール材４０に囲まれた領域内）全域が透明状態となる。このように、電解液５０の配置領域内で銀薄膜（反射領域）の形成位置を電気的に制御可能である。
【００７６】
図６Ｃ及び図６Ｄに示すエレクトロデポジション素子は、たとえば透明電極２２、３２に印加する直流電圧によって、画素ごとに透明状態とミラー状態を電気的に切り替え、全画素を透明状態としたり、全画素をミラー状態としたり、一部の画素を透明状態、残部の画素をミラー状態としたりすることができる。図６Ｃ及び図６Ｄに示すエレクトロデポジション素子は、たとえば画素ごとに電圧の無印加−印加の制御を行い、透明状態とミラー状態（反射状態）を切り替えることのできるミラーデバイスである。
【００７７】
図７を参照する。図６Ｃ及び図６Ｄに示すエレクトロデポジション素子に、微細凹凸フィルム６０、反射板（反射部材）７０、及び、光源８０を付加することで、第２実施例による照明装置が製造される。微細凹凸フィルム６０、反射板７０、及び、光源８０は、たとえば第１実施例で用いたそれらと等しい。
【００７８】
第１実施例においては、たとえば上側基板２０側の６つの画素位置が、透明状態とミラー状態とを切り替えることによる、選択的な光出射位置となる。これに対し、第２の実施例においては、左列及び中央列の４つの画素については、上側基板２０側の画素位置が選択的な光出射位置となり、右列の２つの画素については、下側基板３０側の画素位置が選択的な光出射位置となる。
【００７９】
このため、微細凹凸フィルム６０は、下側基板３０（透明基板３１）の下面（電解液５０とは反対側の面）における左列及び中央列の画素位置に、一例として画素位置を含んで配置される。また、上側基板２０（透明基板２１）の上面（電解液５０とは反対側の面）における右列の画素位置に、一例として画素位置を含んで配置される。
【００８０】
反射板７０は、光が出射されない基板の画素位置に配置され、光が出射される基板の画素位置には配置されない。たとえば反射板７０は、上側基板２０（透明基板２１）の上面における左列及び中央列の４つの画素位置、及び、下側基板３０（透明基板３１）の下面における右列の２つの画素位置には配置されない。本図に示す例においては、反射板７０は、選択的な光出射領域となる基板側の画素位置を除き、エレクトロデポジション素子の周囲に配置されている。また、微細凹凸フィルム６０との関係では、反射板７０は、微細凹凸フィルム６０の外側に、たとえば微細凹凸フィルム６０を覆うように配置される。また、反射板７０は、エレクトロデポジション素子の一辺（図６Ｃの左辺）側（上側、下側基板２０、３０、及び、シール材４０の外側）に空間を画定する。
【００８１】
光源８０は、エレクトロデポジション素子の一辺側に画定される空間内（エレクトロデポジション素子の側面）に配置される。エレクトロデポジション素子側ではない光源８０の周囲に、反射板７０が配置される位置関係となる。
【００８２】
図８Ａ〜図８Ｄに、光源８０を出射した光の進行を概略的に示す。図８Ａは、たとえば６つの画素位置の全部を透明状態とした場合、図８Ｂは、たとえば６つの画素位置のうち、図６Ｃにおける右列と中央列の４つの画素位置を透明状態とし、左列２つの画素位置をミラー状態とした場合、図８Ｃは、たとえば６つの画素のうち、図６Ｃにおける左列と右列の４つの画素位置を透明状態とし、中央列の２つの画素位置をミラー状態とした場合、図８Ｄは、たとえば６つの画素位置のうち、図６Ｃにおける右列の２つの画素位置を透明状態とし、左列と中央列の４つの画素位置をミラー状態とした場合を示す。
【００８３】
第２実施例においても、第１実施例と同様に、光源８０を出射した光は、エレクトロデポジション素子の側面からこれに入射し、素子内を進行する。第１実施例による照明装置では、光源８０を出射した光は、たとえば上側基板２０（透明基板２１）内を導光せず、下側基板３０（透明基板３１）内、電解液５０内、及び、微細凹凸フィルム６０内を導光するが、第２実施例においては、光源８０を出射した光は、たとえば上側基板２０（透明基板２１）、下側基板３０（透明基板３１）、及び、電解液５０の側面からこれらに入射し、上側基板２０（透明基板２１）内、下側基板３０（透明基板３１）内、電解液５０内、及び、微細凹凸フィルム６０内を進行する。すなわち、たとえばエレクトロデポジション素子全体が導光部分とされる。そして光は、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造によって、上側基板２０（透明基板２１）及び下側基板３０（透明基板３１）面内方向と交差する方向に反射され、上側基板２０、下側基板３０を出射する。上側基板２０、下側基板３０を出射した光は、透明状態とされた画素位置の下側基板３０、上側基板２０を透過し、照明光として出射される（図８Ａ等参照）。照明光の強度は、基板２０、３０法線方向において最も強い。なお、たとえば透明基板２１、３１の側面からこれらに入射し、凹凸構造で反射されなかった光は、全反射することにより、透明基板２１、３１内を導光する。
【００８４】
たとえば微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、上側基板２０、下側基板３０を出射した光は、ミラー状態とされた画素位置で反射される場合もある。その場合は、たとえば再度、上側基板２０、下側基板３０に入射し、その後、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、透明状態とされた画素位置を透過して、上側、下側基板２０、３０のいずれかの側から出射される（図８Ｂ〜図８Ｄ参照）。
【００８５】
なお、たとえば上側基板２０（透明基板２１）内を導光した光が、最終的に、上側基板２０側から出射される場合もあるし、下側基板３０（透明基板３１）内を導光した光が、最終的に、下側基板３０側から出射される場合もある（図８Ｃ及び図８Ｄ参照）。
【００８６】
光は、反射板７０に入射する場合もある。この場合、光は、反射板７０で反射されてエレクトロデポジション素子の内部に入射する。そして最終的に、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射され、透明状態とされた画素位置を透過し、照明光として出射される（図８Ａ〜図８Ｄ参照）。
【００８７】
第２実施例による照明装置においても、エレクトロデポジション素子は、相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な複数の画素を有し、微細凹凸フィルム６０の凹凸構造で反射された光は、たとえば上側基板２０または下側基板３０の画素位置を通して出射される。したがって、第２実施例による照明装置においても、複数の画素の位置の光透過状態（透明状態とミラー状態）を制御し、所望の画素位置（実施例においては、微細凹凸フィルム６０及び反射板７０が配置されていない基板２０、３０側の画素位置）から光を出射（面発光）させることができる。第２実施例による照明装置において、微細凹凸フィルム６０及び反射板７０が配置されていない基板２０、３０側の画素位置は光出射領域となる。第２実施例による照明装置も、光出射領域の選択（制御）を電気的に行うことのできる照明装置であり、エレクトロデポジション素子の画素の全部または一部を透明状態とし、透明状態とされた画素位置から照明光を出射する。
【００８８】
第２実施例による照明装置も、光源８０で発光された光を、エレクトロデポジション素子内を導光させて出射する、エッジ型のバックライトユニットであり、たとえば液晶表示装置に用いて、ローカルディミングを行うことができる。
【００８９】
第２実施例による照明装置は、第１実施例によるそれと同様の効果を奏することができる。更に、第２実施例による照明装置によれば、双方基板２０、３０側から照明光を出射することができ、出射面の切り替えも可能である。第２実施例による照明装置も、高品質の照明装置である。
【００９０】
図９Ａ及び図９Ｂに第１変形例を示す。
【００９１】
図９Ａに示すように、実施例による照明装置の透明基板２１、３１の光源８０側の側面（光源８０で発光された光が入射する面）に突起を設けてもよい。第１実施例（図２参照）の場合は、透明基板３１に、第２実施例（図７参照）の場合は、透明基板２１、３１のうちの少なくとも一方に、望ましくは双方に突起を設ける。突起により、光源８０を出射し、透明基板２１、３１側面から入射する光を平行化して、透明基板２１、３１内を導光させることができる。
【００９２】
図９Ｂに示すように、たとえば透明基板３１の光源８０側の側面に沿って配置されるシールパターン４０の側面（光源８０で発光された光が入射する面）に突起を設けてもよい。電解液５０に入射する光を平行化することができる。
【００９３】
なお、図９Ａ及び図９Ｂに示す突起は、たとえばＬＥＤ素子である光源（点光源）の間の領域に対向するように配置する。
【００９４】
図１０Ａ及び図１０Ｂに第２変形例を示す。実施例による照明装置の透明基板２１、３１の光源８０側の側面（光源８０で発光された光が入射する面）を、たとえばメインシールパターン４０の内側領域における平行な断面より大面積に構成してもよい。
【００９５】
図１０Ａに示すように、第１実施例の場合は、透明基板３１の光源８０側の側面を、また、図１０Ｂに示すように、第２実施例の場合は、透明基板２１、３１のうちの少なくとも一方の光源８０側の側面を、たとえば電解液５０の配置領域における平行な断面より大面積に構成する。なお、図１０Ｂには、透明基板２１、３１の双方において、光源８０側の側面を、電解液５０の配置領域における基板２１、３１のそれらに平行な断面より大面積に構成する例を示した。
【００９６】
このような構成により、光源８０を出射した光が、透明基板２１、３１側面から入射しやすくなり（光取り込み量の増加）、透明基板２１、３１内を導光する光量を多く、電解液層５０に入射する光の量を少なくすることができる。透明基板２１、３１の断面形状は、たとえばメインシールパターン４０の外側領域で、なだらかに変化する形状であることが望ましい。
【００９７】
なお、たとえば従来のエッジ型バックライトにおいて、導光板の光源側の側面を、断面形状をなだらかに変化させて大面積に構成すると、額縁が太くなるという問題が生じるが、第２変形例による照明装置においては、そのような問題は生じない。
【００９８】
図１１に第３変形例を示す。実施例による照明装置において、透明基板２１と透明基板３１の厚さを、相互に異ならせることも可能である。本図に示すのは、第２実施例による照明装置の変形例である。第３変形例においては、上側基板２０（透明基板２１）上と下側基板３０（透明基板３１）上との光出射領域の面積割合に応じ、透明基板２１と透明基板３１の厚さを相互に異ならせる。第２実施例では、上側基板２０側の光出射領域の面積と下側基板３０側の光出射領域の面積の比が、たとえば２：１であるため、第３変形例では、一例として、透明基板２１の厚さと透明基板３１の厚さの比を１：２とし、上側基板２０側から出射される光の輝度と、下側基板３０側から出射される光の輝度を均一化する。
【００９９】
なお、たとえば図１０Ｂを参照して説明したような光取り込み構造を採用し、透明基板２１、３１の光源８０側の側面の面積を調整して、両基板２０、３０側から出射される光の輝度を均一化することも可能である。
【０１００】
図１２Ａは、第３実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図である。第３実施例による液晶表示装置は、液晶表示素子１００、照明装置２００、及び、制御装置３００を含んで構成される。
【０１０１】
図１２Ｂに、液晶表示素子１００の概略的な断面図を示す。液晶表示素子１００として、公知の様々な液晶表示素子を使用可能である。本図には、その一例を示す。
【０１０２】
液晶表示素子１００は、液晶セル１１０、及び、液晶セル１１の上面、下面に配置される偏光板１６０、１７０を含んで構成される。偏光板１６０、１７０は、たとえばクロスニコルに配置される。
【０１０３】
液晶セル１１０は、略平行に離間して対向配置された上側基板１２０、下側基板１３０、及び、両基板１２０、１３０間に配置される液晶層１５０を含む。
【０１０４】
上側基板１２０は、透明基板１２１、透明基板１２１上に形成された透明電極１２２、透明電極１２２を覆うように透明基板１２１上に形成された絶縁膜１２３、及び、絶縁膜１２３上に形成された配向膜１２４を備える。
【０１０５】
同様に、下側基板１３０は、透明基板１３１、透明基板１３１上に形成された透明電極１３２、透明電極１３２を覆うように透明基板１３１上に形成された絶縁膜１３３、及び、絶縁膜１３３上に形成された配向膜１３４を備える。
【０１０６】
透明基板１２１、１３１は、たとえばガラス基板、透明電極１２２、１３２は、たとえばＩＴＯ電極、絶縁膜１２３、１３３は、たとえばＳｉＯ２膜である。配向膜１２４、１３４は、ポリイミド等の垂直配向膜材料を用いて形成される。配向膜１２４、１３４には、たとえばアンチパラレルにラビング処理が施されている。
【０１０７】
液晶層１５０は、誘電率異方性が負の液晶材料を用いて構成される垂直配向液晶層である。
【０１０８】
平面視上（基板１２０、１３０の法線方向から見たとき）、液晶層１５０の配置領域において、電極１２２、１３２が重なる位置に、表示を行う表示部（画素）が画定される。
【０１０９】
たとえば透明電極１２２、１３２間に電圧を印加し、液晶層１５０の液晶分子配向状態を表示部ごとに変化させて、液晶セル１１０を駆動し、キャラクター表示を行う。液晶表示素子１００は、たとえば相互に独立に透光状態と遮光状態を切り替え可能な複数の表示部を有するノーマリブラックタイプの液晶表示素子である。なお、単数の表示部を有する液晶表示素子としてもよい。
【０１１０】
照明装置２００は、偏光板１７０の液晶セル１１０とは反対側の面（液晶表示素子１００の直下）に積層して配置される。照明装置２００は、液晶表示素子１００に向けて照明光を出射する。（照明装置２００の照明光は、液晶セル１１０に入射する。）液晶表示素子１００の表示面は、照明装置２００とは反対側の面である。
【０１１１】
照明装置２００として、たとえば第１実施例による照明装置を用いることができる。ここでは、画素数の多いエレクトロデポジション素子（図５Ａ〜図５Ｄ参照）を備える照明装置とした。第１実施例による照明装置とは、相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な画素が、８行８列に配置される点において異なる。
【０１１２】
図１２Ｃに、照明装置２００の概略的な断面図を示す。たとえば、第１実施例による照明装置において、矩形状の透明電極２２を２行３列に形成した（図１Ａ参照）ところ、これらを小サイズの矩形状に、８行８列に形成することで、照明装置２００を作製することができる。
【０１１３】
制御装置３００は、照明装置２００の複数の画素（８行８列に配置された画素）位置の光透過状態（透明状態とミラー状態）を制御することで、照明光の出射領域を画素単位で制御する。また、液晶表示素子１００の液晶層１５０の液晶分子配向状態を、たとえば表示部ごとに変化させ、各表示部の光透過状態（透光状態と遮光状態）を制御する（液晶セル１１０を駆動する）。更に、照明装置２００の照明光の出射領域を、液晶セル１１０の駆動と同期させる制御を行う。
【０１１４】
たとえば、液晶表示素子１００の単数または複数の表示部を透光状態とするとともに、透光状態とされた表示部に対応する位置の（透光状態とされた表示部に入射する照明光を出射する）照明装置２００の画素位置を透明状態とし、他の画素位置をミラー状態とする。具体的には、透光状態とされた表示部真下の画素位置（平面視上、透光状態とされた表示部を包含することになる単数または複数の画素位置）から照明光を出射し、他の画素位置からは照明光を出射しない。このように、液晶表示素子１００の表示（液晶層１５０の液晶分子配向状態）に応じて、照明装置２００の光出射領域を制御する。このような制御（ローカルディミング）を行うことにより、たとえば高コントラストの良質な表示を行うことができる。
【０１１５】
制御装置３００によって、照明装置２００の光源８０の発光輝度を制御してもよい。更に、液晶セル１１０の駆動と、光源８０の発光を同期させる制御を行ってもよい。たとえば液晶表示素子１００の表示（液晶層１５０の液晶分子配向状態）に応じて透明状態とされる画素の面積（照明装置２００の開口率）に応じて、光源８０の発光輝度を制御する。一例として、液晶表示素子１００に向けて出射される照明光の輝度が一定となるように、光源８０の発光を制御する。このような制御により、一層良質の表示を行うことが可能である。
【０１１６】
また、液晶セル１１０の駆動（照明装置２００の開口率）に応じ、光源８０の発光輝度を変更することで、第３実施例による液晶表示装置の低消費電力化も可能である。本願発明者らの鋭意研究の成果によれば、エレクトロデポジション素子の駆動を行わず、照射面全域から一定輝度の照明光を出射する場合と、エレクトロデポジション素子の駆動を行って、それと同一輝度の照明光を出射する場合とを比較すると、エレクトロデポジション素子の駆動に必要な電力を考慮しても、後者において、消費電力を低くすることが可能であるとわかっている。
【０１１７】
更に、第３実施例による液晶表示装置は、エレクトロデポジション素子の内部を導光させる照明装置２００を用いているため、薄型化された液晶表示装置である。
【０１１８】
このように、第３実施例による液晶表示装置は、高品質の液晶表示装置である。
【０１１９】
なお、照明装置２００の消費電力、及び、第３実施例による液晶表示装置の消費電力は、エレクトロデポジション素子の性能（光透過率、反射率等）にも依存するため、たとえば透明状態における光透過率、及び、ミラー状態における反射率が高いエレクトロデポジション素子を用いて、照明装置２００を構成することが望ましい。
【０１２０】
また、第３実施例による液晶表示装置においては、照明装置２００の画素を矩形状に形成し、８行８列に配置したが、照明装置２００の画素を、その出射光が入射する表示部（液晶表示素子１００の表示部）の形状に対応する形状、たとえば表示部の形状と同形状、または表示部の輪郭から外側に多少オフセットした形状に形成してもよい。液晶表示素子１００の表示部の形状に対応する形状に形成された画素（照明装置２００の光出射領域）が、たとえばその表示部の真下に位置するように、液晶表示素子１００と照明装置２００を配置する。
【０１２１】
更に、液晶表示素子１００で中間調表示を行い、照明装置２００のエレクトロデポジション素子における透明状態及びミラー状態を中間状態に制御することも可能である。中間状態とは、Ａｇ膜が全面に形成されておらず、部分的にＡｇ核が形成されている状態をいう。中間状態においては、反射率及び光透過率が、全面にＡｇがついているミラー状態と、透明状態の中間の値となる。間欠的に駆動電圧を印加することで、中間状態を実現可能である（たとえば、特開２０１５−０８２０８１号公報参照）。反射率と光透過率の程度は、たとえば印加電圧波形によって制御可能である。
【０１２２】
中間状態を利用することで、見栄えの一層の向上及び消費電力抑制効果を効率的に得ることができる。たとえばあるエリアの画像を暗くする場合にエレクトロデポジション素子の光透過率を０％としてしまうと、表示としては視認できなくなる。そこで中間状態を利用することにより、液晶表示素子の明るさに応じたコントロールが可能となる。このような制御によっても表示性能を向上させることができ、更に、低消費電力化を実現することが可能である。
【０１２３】
図１３Ａは、第４実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図である。第４実施例による液晶表示装置は、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒ、照明装置５００、及び、制御装置６００を含んで構成される。
【０１２４】
図１３Ｂに、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒ、及び、照明装置５００の配置態様の一例を示す。
【０１２５】
照明装置５００として、たとえば第２実施例による照明装置を用いる。
【０１２６】
液晶表示素子４００ｆ、４００ｒとしては、公知の様々な液晶表示素子を使用可能である。たとえば図１２Ｂに示す液晶表示素子１００と同様の構造を有する液晶表示素子を用いる。液晶表示素子４００ｆ、４００ｒにおいても、平面視上、液晶層の配置領域において、電極が重なる位置に表示部（画素）が画定される。液晶表示素子４００ｆ、４００ｒも、たとえば相互に独立に透光状態と遮光状態を切り替え可能な複数の表示部を有するノーマリブラックタイプの液晶表示素子である。なお、単数の表示部を有する液晶表示素子としてもよい。
【０１２７】
液晶表示素子４００ｆは、照明装置５００の上側基板２０側（照明装置５００の直上）に積層して配置される。また、液晶表示素子４００ｆは、表示部が、照明装置５００の上側基板２０側の光出射領域の真上に位置するように、配置される。
【０１２８】
液晶表示素子４００ｒは、照明装置５００の下側基板３０側（照明装置５００の直下）に積層して配置される。また、液晶表示素子４００ｒは、表示部が、照明装置５００の下側基板３０側の光出射領域の真下に位置するように、配置される。
【０１２９】
照明装置５００は、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒに向けて照明光を出射する。液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの表示面は、照明装置５００とは反対側の面である。
【０１３０】
制御装置６００は、照明装置５００の６つの画素位置の光透過状態（透明状態とミラー状態）を制御することで、照明光の出射領域を画素単位で制御する。また、各液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶層の液晶分子配向状態を、たとえば表示部ごとに変化させ、各表示部の光透過状態（透光状態と遮光状態）を制御する（液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶セルを、それぞれ駆動する）。更に、照明装置５００の照明光の出射領域を、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶セルの駆動と同期させる制御を行う。
【０１３１】
たとえば、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒのすべての表示部のうち、単数または複数の表示部を透光状態とするとともに、透光状態とされた表示部に対応する位置の（透光状態とされた表示部に入射する照明光を出射する）照明装置５００の画素位置を透明状態とし、他の画素位置をミラー状態とする。具体的には、透光状態とされた表示部の真下または真上の画素位置（平面視上、透光状態とされた表示部を包含することになる単数または複数の画素位置）から照明光を出射し、他の画素位置からは照明光を出射しない。このように、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの表示（液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶層の液晶分子配向状態）に応じて、照明装置５００の光出射領域を制御する。このような制御（ローカルディミング）を行うことにより、たとえば高コントラストの良質な表示を行うことができる。第４実施例による液晶表示装置は、１つの照明装置５００を用いて、２つの液晶表示素子４００ｆ、４００ｒをともに部分駆動する液晶表示装置である。
【０１３２】
制御装置６００によって、照明装置５００の光源８０の発光輝度を制御してもよい。更に、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶セルの駆動と、光源８０の発光を同期させる制御を行ってもよい。たとえば液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの表示（液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶層の液晶分子配向状態）に応じて透明状態とされる画素の面積（照明装置５００の開口率）に応じて、光源８０の発光輝度を制御する。一例として、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒに向け、一定輝度の照明光が出射されるように、光源８０の発光を制御する。このような制御により、一層良質の表示を行うことが可能である。
【０１３３】
また、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの液晶セルの駆動（照明装置５００の開口率）に応じ、光源８０の発光輝度を変更することで、第４実施例による液晶表示装置の低消費電力化も可能である。
【０１３４】
更に、第４実施例による液晶表示装置も、エレクトロデポジション素子の内部を導光させる照明装置５００を用いているため、薄型化された液晶表示装置である。
【０１３５】
加えて、第４実施例による液晶表示装置においては、照明装置５００の基板２０、３０面に、それぞれ配置された液晶表示素子４００ｆ、４００ｒを同時に駆動し、１つの照明装置５００を用いて両面表示を行うことができる。
【０１３６】
第４実施例による液晶表示装置も、高品質の液晶表示装置である。
【０１３７】
なお、第４実施例による液晶表示装置においても、第３実施例と同様に、消費電力低減のため、たとえば透明状態における光透過率、及び、ミラー状態における反射率が高いエレクトロデポジション素子を用いて、照明装置５００を構成することが望ましい。
【０１３８】
また、照明装置５００の画素を、その出射光が入射する表示部（液晶表示素子４００ｆ、４００ｒの表示部）の形状に対応する形状に形成してもよい点、液晶表示素子４００ｆ、４００ｒで中間調表示を行うとともに、照明装置５００のエレクトロデポジション素子における透明状態及びミラー状態を中間状態に制御してもよい点等も、第３実施例の場合と同様である。
【０１３９】
図１４Ａは、第５実施例による液晶表示装置を示す概略的な斜視図である。第５実施例による液晶表示装置は、液晶表示素子１８０、照明装置７００、エレクトロデポジション素子８００、及び、制御装置９００を含んで構成される。照明装置７００の上面に、エレクトロデポジション素子８００が積層配置され、エレクトロデポジション素子８００の上面に、液晶表示素子１８０が積層配置される。
【０１４０】
図１４Ｂを参照する。照明装置７００は、たとえば公知のエッジ型バックライトであり、光源７１０及び導光板７２０を含んで構成される。
【０１４１】
エレクトロデポジション素子８００は、たとえば図１２Ｃに示す照明装置２００に用いられるエレクトロデポジション素子から金属膜（反射膜）２３を除いた構成を有する。エレクトロデポジション素子８００は、８行８列に配置された、相互に独立に透明状態とミラー状態を切り替え可能な画素を備える。本図には、ミラー状態とされた画素に斜線を付した。
【０１４２】
液晶表示素子１８０としては、公知の様々な液晶表示素子を使用可能である。たとえば図１２Ｂに示す液晶表示素子１００と同様の構造を有する液晶表示素子を用いる。液晶表示素子１８０においても、平面視上、液晶層の配置領域において、電極が重なる位置に表示部（画素）が画定される。液晶表示素子１８０も、たとえば相互に独立に透光状態と遮光状態を切り替え可能な複数の表示部を有するノーマリブラックタイプの液晶表示素子である。なお、単数の表示部を有する液晶表示素子としてもよい。
【０１４３】
照明装置７００、エレクトロデポジション素子８００、及び、液晶表示素子１８０は、たとえば照明装置７００の導光板７２０部分、エレクトロデポジション素子８００の画素配置領域（照明光の出射領域）、及び、液晶表示素子１８０の表示領域（表示部の配置領域）が重なるように、積層配置される。なお、たとえば液晶表示素子１８０の偏光板１７０（図１２Ｂ参照）が、エレクトロデポジション素子８００の上面上に配置される。
【０１４４】
図１４Ｃに、照明装置７００の概略的な断面図を示す。照明装置７００は、光源７１０、導光板７２０、光源カバー７３０、及び、反射ドット７４０を含む。
【０１４５】
光源７１０は、たとえば線状ＬＥＤ光源またはＣＣＦＬである。導光板７２０は、たとえばアクリルで形成される。光源カバー７３０は、たとえば高反射率材料で形成され、光源７１０の周囲に配置される。反射ドット７４０は、たとえば白色インクで形成される。
【０１４６】
照明装置７００は、エレクトロデポジション素子８００に向けて照明光を出射する。具体的には、光源７１０から出射された光は、直接、または光源カバー７３０で反射されて、導光板７２０の側面からこれに入射し、導光板７２０内を進行する。そして反射ドット７４０によって反射され、導光板７２０を出射して、エレクトロデポジション素子８００に入射する。
【０１４７】
図１４Ｄに、反射ドット７４０で反射された光の進行を概略的に示す。反射ドット７４０で反射されて導光板７２０を出射し、エレクトロデポジション素子８００に入射した光は、エレクトロデポジション素子８００の透明状態とされた画素位置を透過して、液晶表示素子１８０に入射する。導光板７２０を出射し、エレクトロデポジション素子８００の反射状態とされた画素位置に入射した光は、反射されて照明装置７００の導光板７２０に再入射し、最終的に、反射ドット７４０で反射され、エレクトロデポジション素子８００の透明状態とされた画素位置を透過して、液晶表示素子１８０に入射する。液晶表示素子１８０に入射した光を用いて、液晶表示素子１８０の表示が行われる。
【０１４８】
制御装置９００は、エレクトロデポジション素子８００の複数の画素（８行８列に配置された画素）位置の光透過状態（透明状態とミラー状態）を制御することで、液晶表示素子１８０に入射させる光の出射領域を画素単位で制御する。また、液晶表示素子１８０の液晶層の液晶分子配向状態を、たとえば表示部ごとに変化させ、各表示部の光透過状態（透光状態と遮光状態）を制御する（液晶表示素子１８０の液晶セルを駆動する）。更に、エレクトロデポジション素子８００から出射される光の出射領域を、液晶表示素子１８０の液晶セルの駆動と同期させる制御を行う。
【０１４９】
たとえば、液晶表示素子１８０の単数または複数の表示部を透光状態とするとともに、透光状態とされた表示部に対応する位置の（透光状態とされた表示部に入射する光を出射する）エレクトロデポジション素子８００の画素位置を透明状態とし、他の画素位置をミラー状態とする。具体的には、透光状態とされた表示部真下の画素位置（平面視上、透光状態とされた表示部を包含することになる単数または複数の画素位置）から光を出射し、他の画素位置からは光を出射しない。このように、液晶表示素子１８０の表示（液晶表示素子１８０の液晶層の液晶分子配向状態）に応じて、エレクトロデポジション素子８００の光出射領域を制御する。このような制御（ローカルディミング）を行うことにより、たとえば高コントラストの良質な表示を行うことができる。
【０１５０】
制御装置９００によって、照明装置７００の光源７１０の発光輝度を制御してもよい。更に、液晶表示素子１８０の液晶セルの駆動と、照明装置７００の光源７１０の発光を同期させる制御を行ってもよい。たとえば液晶表示素子１８０の表示（液晶表示素子１８０の液晶層の液晶分子配向状態）に応じて透明状態とされる、エレクトロデポジション素子８００の画素の面積（エレクトロデポジション素子８００の開口率）に応じて、照明装置７００の光源７１０の発光輝度を制御する。一例として、エレクトロデポジション素子８００から液晶表示素子１８０に向けて出射される光の輝度が一定となるように、照明装置７００の光源７１０の発光を制御する。このような制御により、一層良質の表示を行うことが可能である。
【０１５１】
また、液晶表示素子１８０の液晶セルの駆動（エレクトロデポジション素子８００の開口率）に応じ、照明装置７００の光源７１０の発光輝度を変更することで、第５実施例による液晶表示装置の低消費電力化も可能である。
【０１５２】
更に、照明装置７００、エレクトロデポジション素子８００、及び、液晶表示素子１８０を積層配置するため、第５実施例による液晶表示装置においても、薄型化が実現される。
【０１５３】
このように、第５実施例による液晶表示装置は、高品質の液晶表示装置である。
【０１５４】
なお、第３、第４実施例による液晶表示装置と同様に、消費電力低減のため、たとえば透明状態における光透過率、及び、ミラー状態における反射率が高いエレクトロデポジション素子８００を用いることが望ましい。
【０１５５】
また、エレクトロデポジション素子８００の画素を、その出射光が入射する表示部（液晶表示素子１８０の表示部）の形状に対応する形状に形成してもよい点、液晶表示素子１８０で中間調表示を行うとともに、エレクトロデポジション素子８００における透明状態及びミラー状態を中間状態に制御してもよい点等も、第３、第４実施例の場合と同様である。
【０１５６】
更に、第５実施例による液晶表示装置においては、片面発光する照明装置７００を用い、照明装置７００の片面（発光面）にエレクトロデポジション素子８００、液晶表示素子１８０を積層配置したが、両面発光する照明装置を用い、照明装置の両面に、エレクトロデポジション素子、液晶表示素子を積層配置する構成としてもよい。
【０１５７】
以上、実施例及び変形例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５８】
実施例及び変形例による照明装置においては、たとえばエレクトロデポジション素子内を伝搬する光を照明光として出射させるための光取り出し構造として、基板２０、３０に微細凹凸フィルム６０を配置したが、光散乱板等を配置してもよい。また、基板２０、３０（透明基板２１、３１）の電解液５０とは反対側の面に微細凹凸構造を、たとえばブラスト等で荒らすなどして形成してもよい。微細凹凸構造を透明基板２１、３１の電解液５０側の面に形成することも可能である。これらはすべて微細凹凸構造（光取り出し構造）を備える基板２０、３０の例である。
【０１５９】
また、実施例及び変形例による照明装置においては、各画素位置について、微細凹凸フィルム６０を、照明光を出射する基板２０、３０と対向する基板３０、２０に配置、具体的には基板３０、２０の画素位置を含んで配置するが、画素位置の全部ではなく、一部に配置する構成も可能である。
【０１６０】
なお、たとえば、第２実施例による照明装置においては、１つの画素位置からは、基板２０、３０の一方側にのみ照明光を出射する構成としたが、１つの画素位置から、基板２０、３０の双方側に照明光を出射する構成としてもよい。この場合、たとえばその画素位置の透明基板２１、３１の双方の外側に、微細凹凸フィルム６０を配置し、反射板７０は配置しない。このような構成とした場合、基板２１、３１の双方側からは、同時に照明光を出射させない制御を行ってもよいし、基板２１、３１の双方側から同時に照明光を出射させるような制御を行ってもよい。
【０１６１】
第４実施例による液晶表示装置においては、照明装置５００として、第２実施例による照明装置を用いるため、平面視において、相互に表示部（実際に表示を行わせる表示部）が重ならない液晶表示素子４００ｆ、４００ｒを採用する。照明装置５００を、１つの画素位置から、基板２０、３０の双方側に照明光を出射可能な照明装置とすれば、平面視上、実際に表示を行わせる表示部の位置が重なる液晶表示素子を使用することができる。また、表示の多様性を向上させることができる。
【０１６２】
実施例及び変形例による照明装置においては、エレクトロデポジション素子のすべての画素の透明状態とミラー状態を相互に独立に切り替え可能としたが、一部の画素の光透過状態を一致させることもできる。透明状態とミラー状態を、相互に独立に切り替え可能な複数の画素を含むエレクトロデポジション素子であればよい。
【０１６３】
また、実施例及び変形例による照明装置においては、透明電極２２、３２をパターニング電極とし、パターニング電極上に銀を析出させるが、たとえばベタ電極上に絶縁膜をパターニングし、絶縁膜の非形成位置（電極の露出位置、一例として開口部）に銀を析出させてもよい。絶縁膜は基板２０、３０の少なくとも一方が備える構成とすることができる。
【０１６４】
更に、実施例及び変形例による照明装置においては、光源８０から出射される光に対して透明、たとえば可視光に対して透明なシール材４０を用いるが、光源８０から出射される光に対して不透明なシール材を用いることもできる。
【０１６５】
また、実施例及び変形例による照明装置においては、光源８０を、たとえばエレクトロデポジション素子の一側面に配置したが、複数の側面に配置する構成とすることもできる。
【０１６６】
更に、実施例及び変形例による照明装置においては、バルク型のエレクトロデポジション素子としたが界面型のエレクトロデポジション素子とすることもできる。
【０１６７】
また、第１実施例による照明装置において、光源８０を出射した光が透明基板２１に入射することを一層抑制するために、光源８０に近い位置の電極２２、金属膜２３不形成領域にブラック印刷などを施して、光源８０側に透明基板２１の剥き出し領域をつくらないようにしてもよい。
【０１６８】
更に、第２実施例による照明装置においては、下側基板３０の電極を、相互に電気的に分離した２つの電極３２としたが、電極３２は電気的に分離しなくてもよい。
【０１６９】
また、第５実施例による液晶表示装置においては、液晶表示素子１８０の液晶セルとエレクトロデポジション素子８００の間に偏光板１７０を配置するが、たとえば液晶表示素子１８０の液晶セルの透明基板１３１（図１２Ｂ参照）とエレクトロデポジション素子８００の上側の透明基板２１を共通（同一基板）とし、偏光板１７０をエレクトロデポジション素子８００と照明装置７００の間に配置してもよい。
【０１７０】
更に、実施例による液晶表示装置においては、制御装置は、たとえば液晶セルの駆動と照明光の出射領域を同期させる制御を行い、更に、液晶セルの駆動と光源の発光を同期させる制御を行うが、たとえば照明光の出射領域をセンサにより測定した周囲（使用環境）等の明るさに応じて制御してもよく、更に、光源の発光を周囲（使用環境）等の明るさに応じて制御してもよい。
【０１７１】
一例として、日中の太陽光直下など、外光が強い環境下においては、エレクトロデポジション素子の全画素位置をミラー状態とする制御（照明光の出射領域を形成しない制御）を行い、反射型の液晶表示装置として使用する。更に、このとき、たとえばＬＥＤ素子である光源から光を出射させない制御を行う。外光の強さ（明るさ）に応じ、一部の画素位置をミラー状態とし、残部の画素位置を透明状態としてもよい。
【０１７２】
一方、夜間など、外光が弱い環境下では、透過型の液晶表示装置として、実施例で説明したような制御を行う。周囲の明るさに応じて、照明光の出射領域、更には、光源の発光を制御することで、消費電力を一層抑制し、使用環境によらず、良好な視認性を確保することができる。
【０１７３】
実施例、変形例等の組み合わせも可能である。
【０１７４】
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。たとえば液晶表示素子をＴＦＴ型とすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
実施例及び変形例による照明装置は、エレクトロデポジション素子を含んで構成される。エレクトロデポジション素子には空気層がないため、エネルギ効率等の高い照明装置とすることができる。
【０１７６】
実施例及び変形例による照明装置は、一般照明を含む種々の照明装置として利用可能である。高コントラスト表示、省電力、薄型化が望まれる製品、たとえばノートパソコン、スマートフォン、携帯電話や、様々な液晶表示装置に用いられるバックライト等に、好適に利用することができる。特に、携帯用ディスプレイへの利用に適している。また、文字や画像を表示可能な照明装置にも利用することができる。
【０１７７】
第２実施例による照明装置は、両面ディスプレイに利用することができる。メイン表示、サブ表示の切り替えを行う携帯電話、両面表示を行うノートパソコンやスマートフォン等の薄型バックライトに好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１７８】
１０ａ  上側基板
１０ｂ  下側基板
１１ａ  上側透明基板
１１ｂ  下側透明基板
１２ａ  上側透明電極
１２ｂ  下側透明電極
１４  シール材
１５  電解質層
２０  上側基板
２１  透明基板
２２  透明電極
２３  金属膜
３０  下側基板
３１  透明基板
３２  透明電極
４０  シール材
５０  電解液
６０  微細凹凸フィルム
７０  反射板
８０  光源
１００  液晶表示素子
１１０  液晶セル
１２０  上側基板
１２１  透明基板
１２２  透明電極
１２３  絶縁膜
１２４  配向膜
１３０  下側基板
１３１  透明基板
１３２  透明電極
１３３  絶縁膜
１３４  配向膜
１５０  液晶層
１６０、１７０  偏光板
１８０  液晶表示素子
２００  照明装置
３００  制御装置
４００ｆ、４００ｒ  液晶表示素子
５００  照明装置
６００  制御装置
７００  照明装置
７１０  光源
７２０  導光板
７３０  光源カバー
７４０  反射ドット
８００  エレクトロデポジション素子
９００  制御装置
【図１】
2018045104.tif 000003
【図２】
2018045104.tif 000004
【図３】
2018045104.tif 000005
【図４】
2018045104.tif 000006
【図５】
2018045104.tif 000007
【図６】
2018045104.tif 000008
【図７】
2018045104.tif 000009
【図８】
2018045104.tif 000010
【図９】
2018045104.tif 000011
【図１０】
2018045104.tif 000012
【図１１】
2018045104.tif 000013
【図１２】
2018045104.tif 000014
【図１３】
2018045104.tif 000015
【図１４】
2018045104.tif 000016
【図１５】
2018045104.tif 000017