(57)【要約】【課題】リード端子の端部におけるバリの発生が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、素子１０とリード端子２１〜２４と複数の金属細線と封止体５０を備える。素子１０は、磁電変換機能または光電変換機能を有する素子であり、複数の電極を有する。リード端子は、平面視でホール素子１０の周囲に配置されている。封止体５０は合成樹脂からなり、素子１０とリード端子と複数の金属細線を封止する。リード端子は、封止体５０の底面５２と同一面内にある端子底面２１ｅ〜２４ｅと、第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃと、端子底面とは反対側の端子反面２１ａ〜２４ａを有する。端子側面の端子底面をなす直線の長さＥは、端子側面の端子反面をなす直線の長さＡよりも短い。封止体の底面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である。【選択図】図２
2018074067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子と、
平面視で前記素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
合成樹脂を主成分とする材料からなり、底面と、前記底面とは反対側の面と、前記底面から立ち上がって前記反対側の面に至る側面と、を有する封止体であって、前記素子と前記リード端子と前記複数の金属細線とを封止する封止体と、
を備え、
前記複数のリード端子は、それぞれ、前記底面と同一面内にある端子底面と、前記側面と同一面内にある端子側面と、前記端子底面とは反対側の端子反面と、を有し、
前記端子側面の前記端子底面をなす直線の長さは、前記端子側面の前記端子反面をなす直線の長さよりも短く、
前記封止体の前記底面において隣り合う二つの前記リード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である半導体装置。
【請求項２】
前記リード端子は、前記端子側面の前記端子底面側の一部に、前記封止体の前記側面と同一面から凹み前記端子底面に至る切欠き部を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子と、
平面視で前記素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
合成樹脂を主成分とする材料からなり、底面と、前記底面とは反対側の面と、前記底面から立ち上がって前記反対側の面に至る側面と、を有する封止体であって、前記素子と前記リード端子と前記複数の金属細線とを封止する封止体と、
を備え、
前記複数のリード端子は、それぞれ、前記底面と同一面内にある端子底面と、前記側面と同一面内にある端子側面と、前記端子底面とは反対側の端子反面と、を有し、
前記リード端子は、前記端子側面の前記端子底面側の一部に、前記封止体の前記側面と同一面から凹み前記端子底面に至る切欠き部を有し、
前記封止体の前記底面において隣り合う二つの前記リード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である半導体装置。
【請求項４】
前記端子側面の前記切欠き部を含む前記端子底面をなす直線の長さは、前記端子側面の前記端子反面をなす直線の長さ以下である請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子は厚さが１００μｍ以下のホール素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線検出素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線発光素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型・薄型化が進展している。その中で、センサなどの半導体装置では、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）やＱＦＮ（Quad flat no lead package ）と称されるノンリードタイプのパッケージが採用されている。
ＳＯＮやＱＦＮによるパッケージの製造方法（特許文献１などを参照）では、先ず、リードフレーム上の複数位置に複数の素子を搭載した後、合成樹脂で複数の素子を含むリードフレーム全体を一括して封止する。次に、ダイシングブレードにより、合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化することで、一つの素子と複数のリード端子とを含む半導体装置を、複数個得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４２６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の方法で製造された半導体装置では、ダイシングブレードによる個片化工程でリードフレームの切断面（リード端子の封止体側面からの露出面）に半導体装置の厚さ方向に延びるバリが生じるため、パッケージの厚さが設計値より厚くなるなどの問題が生じる。特に、薄型化が求められているセンサでは、例えば２００μｍ以下の厚さのセンサの場合、厚さ方向に延びるバリの許容値は例えば数１０μｍ以下となる。
この発明の課題は、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される半導体装置において、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、この発明の一態様の半導体装置は、下記の構成要件(1) 〜(6) を有する。
(1) 磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子を備えている。
(2) 平面視で素子の周囲に配置された複数のリード端子を備えている。
(3) 素子の複数の電極と複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線を備えている。
【０００６】
(4) 合成樹脂を主成分とする材料（合成樹脂以外に、必要に応じて添加されるフィラーや不可避的に混在する不純物などを含む場合がある）からなる封止体を備えている。この封止体は、底面と、底面とは反対側の面と、底面から立ち上がって反対側の面に至る側面と、を有する。この封止体は、素子とリード端子と複数の金属細線とを封止する。
(5) 複数のリード端子は、それぞれ、封止体の底面と同一面内にある端子底面と、封止体の側面と同一面内にある端子側面と、を有する。端子側面の端子底面をなす直線の長さは、端子側面の端子反面をなす直線の長さよりも短い。
(6) 封止体の底面において隣り合う二つのリード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である。
【発明の効果】
【０００７】
この発明の一態様の半導体装置によれば、リード端子の形状を特定することにより、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される際に、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第一実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。
【図２】第一実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。
【図３】第一実施形態の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。
【図４】第一実施形態の磁気センサの製造方法で、リードフレームの形成工程を説明する断面図（ａ）と側面図（ｂ）である。
【図５】第一実施形態の磁気センサの製造方法の樹脂封止工程以降を工程順に説明する断面図（ａ）〜（ｄ）と側面図（ｅ）である。
【図６】第二実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。
【図７】第二実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。
【図８】第二実施形態の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。
【図９】第三実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。
【図１０】第三実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。
【図１１】第四実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図である。
【図１２】第五実施形態の赤外線センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。
【図１３】第五実施形態の赤外線センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。
【００１０】
〔第一実施形態〕
第一実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
図１（ａ）〜図１（ｃ）および図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、この実施形態の磁気センサ１００は、ホール素子１０と、四個（複数）のリード端子２１〜２４と、四本（複数）の金属細線３１〜３４と、絶縁層４０と、合成樹脂製の封止体５０と、外装メッキ層６０とを有する。磁気センサ１００は、ホール素子１０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、磁気センサ１００はアイランドレス構造を有する。なお、図１（ａ）では外装メッキ層６０が省略されている。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、磁気センサ１００は直方体の外観形状を有する。この直方体の内部に、ホール素子１０と、リード端子２１〜２４と、金属細線３１〜３４と、絶縁層４０が配置されている。封止体５０をなす合成樹脂は、これらの部品と直方体をなす六個の面との間を埋めるとともに、六個の面を形成している。つまり、封止体５０は、第一面（ホール素子１０の基板側を下側とした時に最上面となる面、底面とは反対側の面）５１と、第二面（底面、ホール素子１０の基板側を下側とした時に最下面となる面）５２と、一対の第一側面５３と、一対の第二側面５４を有する。図１（ｂ）では、封止体５０の第一面５１と内部を埋めている部分が省略されている。
【００１２】
＜ホール素子＞
図１（ｂ）に示すように、ホール素子１０は、基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（磁気感受部）１２と、活性層１２と電気的に接続された四個（複数）の電極１３ａ〜１３ｄとを有する。
図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、ホール素子１０の基板１１の平面形状は正方形である。基板１１は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる。また、基板１１としては、シリコン（Ｓｉ）などからなる半導体基板や、フェライト基板などの磁気を収束する効果のある基板を用いることもできる。
活性層１２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体からなる薄膜である。
ホール素子１０の厚さは、例えば１００μｍ以下である。
【００１３】
＜リード端子＞
リード端子２１〜２４は、磁気センサ１００と外部との電気的接続を得るための端子である。図１（ｂ）に示すように、リード端子２１〜２４は、平面視でホール素子１０の周囲に配置されている。
図１および図２に示すように、リード端子２１〜２４は、封止体５０の第一面（底面とは反対側の面）５１側の面である上面２１ａ〜２４ａと、ホール素子１０側の面２１ｂ〜２４ｂと、封止体５０の第一側面５３と平行で隣のリード端子との対向面２１ｇ〜２４ｇと、第一側面５３と同一面となる外側面２１ｃ〜２４ｃと、ホール素子とは反対側の面２１ｄ〜２４ｄと、封止体５０の第二面（底面）５２と同一面となる下面２１ｅ〜２４ｅを有する。
【００１４】
つまり、リード端子２１〜２４は、封止体５０の底面５２と同一面内にある端子底面（下面）２１ｅ〜２４ｅと、第一側面５３と同一面内にある端子側面（外側面）２１ｃ〜２４ｃと、端子端面とは反対側の端子反面（上面）２１ａ〜２４ａを有する。
この実施形態の磁気センサ１００では、リード端子２１〜２４の形状が等脚台形柱である。つまり、図２（ａ）に示すように、リード端子２１〜２４の端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状は等脚台形であり、図２（ｃ）に示すように、第二側面５４と平行な面でのリード端子２１〜２４の断面形状は長方形である。そして、図２（ａ）に示すように、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす直線の長さＥは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子反面２１ａ〜２４ａをなす直線の長さＡよりも短い。
【００１５】
これらの長さは、例えば、Ａ＝０．１５ｍｍ且つＥ＝０．０７５ｍｍとする。基板実装時の強度を確保するためには、０．０５ｍｍ≦Ｅ≦Ａ／２であることが好ましい。また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。
また、図２（ｂ）に示すように、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２３間の距離と二つのリード端子２２，２４間の距離は同じであり、その距離Ｔは３００μｍ以下である。封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２４間の距離と二つのリード端子２２，２３間の距離は同じであり、その距離はＴより大きい。つまり、封止体５０の第二面（底面）５２において隣り合う二つのリード端子間距離の最小値は３００μｍ以下である。
【００１６】
リード端子２１〜２４は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅合金、鉄（Ｆｅ）または鉄を含む合金等の金属材料からなり、特に銅製であることが好ましい。また、リード端子２１〜２４の上面２１ａ〜２４ａに、銀（Ａｇ）めっき、またはニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。また、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、ニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。
【００１７】
＜金属細線＞
図１（ｂ）に示すように、金属細線３１〜３４は、ホール素子１０が有する電極１３ａ〜１３ｄと、リード端子２１〜２４とを、それぞれ電気的に接続している。具体的には、金属細線３１がリード端子２１と電極１３ａとを接続し、金属細線３２がリード端子２２と電極１３ｂとを接続し、金属細線３３がリード端子２３と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４がリード端子２４と電極１３ｄとを接続している。
金属細線３１〜３４は、例えば、金、銀、または銅からなる。
【００１８】
＜絶縁層＞
絶縁層４０は、ホール素子１０の裏面に接触状態で配置されている。
絶縁層４０は、磁気センサ１００を実装する実装基板の電極等と磁気センサ１００との絶縁を図るとともに、ホール素子１０を保護する保護膜の役割を果たす層であるが、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００１９】
絶縁層４０をなす材料としては、合成樹脂や金属酸化物が挙げられる。絶縁層４０は、合成樹脂からなる層と金属酸化物からなる層のいずれか一層で構成されていてもよいし、これらの層の二層構造であってもよい。
合成樹脂の例としては、フォトレジスト材（ネガ型でもポジ型でも可）や、エポキシ樹脂などの熱硬化型樹脂にフィラーを含む材料が挙げられる。フィラーの材質としては、シリ力（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、チタニア（ＴｉＯ2）などのセラミックスや金属酸化物が好ましい。
【００２０】
金属酸化物としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）などが使用できる。
絶縁層４０がフィラー入りの合成樹脂からなる場合、絶縁層４０の厚さはフィラーの寸法で決まる。この厚さは例えば２μｍ以上とするが、ホール素子１０の保護の観点から１０μｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層４０が金属酸化物の場合は、製法上、膜厚を厚くすると生産コスト高くなるため、例えば、１μｍ程度にすることが好ましい。
なお、「フィラーの寸法」とは、球状のフィラーの場合は球の直径であり、球体が破砕された形状を有するフィラーの場合は、元の球体の径方向で最も大きい部分の寸法であり、繊維状のフィラーの場合は繊維断面の長径である。 
【００２１】
＜封止体＞
図１（ｃ）に示すように、封止体５０は、ホール素子１０と電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２１〜２４と金属細線３１〜３４とを封止する。図１（ａ）、図１（ｂ）および図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、リード端子２１〜２４の外側面２１ｃ〜２４ｃは、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある。図１（ｃ）および図２（ａ）、図２（ｃ）に示すように、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅおよび絶縁層４０の下面は、封止体５０の第二面５２と同一面内にある。
【００２２】
封止体５０の厚さ（つまり、磁気センサ１００の厚さ）は、例えば２００μｍ以下である。
封止体５０をなす合成樹脂には、絶縁性、線膨張係数がリード端子と近い値であること、耐衝撃性、耐熱性（磁気センサ１００をリフローハンダ付けする時の高熱に耐えられること）、および耐吸湿性が求められる。
【００２３】
封止体５０をなす合成樹脂の線膨張係数がリード端子の線膨張係数に近い値であると、熱ストレスで磁気センサ１００のパッケージに生じる応力が抑制されるため、パッケージに割れが生じにくくなる。そのため、例えば、リード端子が銅製である場合、封止体５０の材料として、銅の線膨張係数（１６．８×１０8／℃）に近い線膨張係数を有する合成樹脂を用いることが好ましい。
【００２４】
耐衝撃性に関しては、封止体５０の材料として、弾性率の高い合成樹脂を用いることが好ましい。
封止体５０をなす合成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、テフロン（登録商標）が挙げられる。封止体５０は、１種類の合成樹脂で形成されていてもよいし、２種類以上の合成樹脂で形成されていてもよい。また、後述のシートを用いた成形法を採用して封止体５０を形成する場合は、封止体５０の第一面５１側の部分に、このシートを構成する合成樹脂が存在していてもよい。
【００２５】
＜外装メッキ層＞
外装メッキ層６０は、封止体５０の第二面５２と同一面内にあるリード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに形成されている。外装めっき層６０の平面形状は、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅの平面形状と同じである。外装めっき層６０は、例えば、スズ（Ｓｎ）からなる。なお、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、予めニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されている場合には、外装メッキ層６０を設ける必要はない。
【００２６】
［動作］
この実施形態の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合には、例えば、リード端子２１を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１からリード端子２２に電流を流す。そして、リード端子２３，２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。また、測定されたホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
【００２７】
［製法］
図３および図４を用いて、実施形態の磁気センサ１００の製造方法を説明する。
先ず、表面に複数のホール素子１０のパターンが形成されたウエハの裏面の各ホール素子１０の位置に、平面形状がホール素子１０とほぼ同じ絶縁層４０を形成する。次に、ウエハをダイシングラインに沿って切断することで個片化する。これにより、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０が得られる。
【００２８】
次に、図３（ａ）に示すリードフレーム１２０を用意する。リードフレーム１２０は、リード部１２１〜１２４を有する。リード部１２１〜１２３は、平面視で隣り合う磁気センサ１００の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４は、磁気センサ１００の一つのリード端子を含む形状を有する。
【００２９】
なお、リード部１２２とリード部１２４をリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１〜１２４をダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って接続する接続部は図示されていない。
リード端子２１〜２４を等脚台形柱状に形成するために、図４（ａ）に示すように、リードフレーム１２０の作製時に、金属板１２７の上面（端子反面２１ａ〜２４ａとなる面）１２７ａと下面（端子底面２１ｅ〜２４ｅとなる面）１２７ｅに、エッチング用のマスク１３１，１３２をそれぞれ配置して、両側からエッチングを行う。金属板１２７の上面に配置するマスク１３１は、端子反面２１ａ〜２４ａとする部分に閉塞部１３１Ｈを有する。金属板１２７の下面に配置するマスク１３２は、端子底面２１ｅ〜２４ｅとする部分に閉塞部１３２Ｈを有する。
【００３０】
これにより、金属板１２７の厚さ方向両側から、マスク１３１，１３２の開口部１３１Ｋ，１３２Ｋに位置する部分がエッチングされて、リード端子２１〜２４が等脚台形柱状に形成される。図４（ｂ）はこの状態を示す。図４（ｂ）では、リード端子２２，２３の奥にリード端子２４，２１が存在する。なお、実際のエッチングでは、リード端子２１〜２４の形状は厳密な等脚台形柱状とはならない可能性が高い。
【００３１】
次に、リードフレーム１２０の裏面に、例えばポリイミド製の耐熱性フィルム８０を貼り付けて、リードフレーム１２０のリード部１２１〜１２４がない部分（貫通領域）を裏面側から耐熱性フィルム８０で塞ぐ。耐熱性フィルム８０として、一方の面に絶縁性の粘着層を有するものを使用し、この粘着層で耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０を接合する。つまり、耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０との接合体８１を得る。図３（ｂ）はこの工程後の状態を示す。
【００３２】
次に、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０を、接合体８１の上面（耐熱性フィルム８０の粘着層）のホール素子配置領域（リード端子２１〜２４で囲まれた領域）に配置する（即ち、ダイボンディングを行う）。図３（ｃ）はこの工程後の状態を示す。
なお、ホール素子配置領域に絶縁ペーストを塗布し、その上に絶縁層４０が形成されていないホール素子１０を配置して絶縁ペーストを硬化させることで、絶縁層４０を形成してもよい。その場合は、完成後の磁気センサ１００において、ホール素子１０の裏面の一部が封止体５０から露出することがないように、絶縁ペーストの塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。
【００３３】
そして、ダイボンディングを行った後に熱処理（即ち、キュア）を行い、耐熱性フィルム８０と絶縁層４０の密着性を向上させる。
次に、金属細線３１〜３４の一端を各リード端子２１〜２４にそれぞれ接続し、金属細線３１〜３４の他端を電極１３ａ〜１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う）。図３（ｄ）は、この工程後の状態を示す。
【００３４】
次に、図３（ｄ）の状態の接合体８１を金型内に入れて、接合体８１の上面側に封止体５０を形成する。具体的には、先ず、図５（ａ）に示すように、下型９１と上型９２を備えた金型９０およびシート９４を用意し、シート９４を、上型９２の下面（下型９１と対向する面）の全面を覆うように配置する。シート９４は、例えばテフロン（登録商標）製である。
【００３５】
次に、金型９０内に図３（ｄ）の状態の接合体８１を配置する。具体的には、金属細線３１〜３４側を上に向けて、接合体８１を下型９１の上に載せ、金属細線３１〜３４の上側に所定の間隔を開けて上型９２を配置し、シート９４を上型９２の下面に吸着させる。図５（ａ）はこの状態を示す。
次に、図５（ａ）の状態の上型９２と下型９１との空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、上型９２を下降させて溶融樹脂に圧縮力を加えることにより、シート９４の下面と下型９１の上面との間隔を設定値に合わせた後、冷却する。これにより、封止体５０が形成される。図５（ｂ）はこの状態を示す。
【００３６】
次に、封止体５０が形成された接合体８１を金型９０から取り出した後、接合体８１から耐熱性フィルム８０を剥離する。これにより、複数のセンサ前躯体（外装メッキ層６０を形成する前の磁気センサ１００）が結合された結合体１０００が得られる。図５（ｃ）および図３（ｅ）はこの状態を示す。
次に、封止体５０の第二面５２と同一面内にあるリードフレーム１２０の面に、外装めっきを施す。これにより、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに外装めっき層６０が形成され、複数の磁気センサ１００が結合された結合体１００１が得られる。図５（ｄ）はこの状態を示す。
【００３７】
次に、封止体５０の第一面５１にダイシングテープ９３を貼り付けた後、ダイシングテープ９３を下側にして結合体１００１をダイシング装置に設置し、図３（ｅ）に示すダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って、結合体１００１をダイシングブレードを用いて切断する。ダイシングラインＬ１に沿った切断により第一側面５３が生じ、ダイシングラインＬ２に沿った切断により第二側面５４が生じる。図５（ｅ）はこの状態を示す。最後にダイシングテープ９３を除去することにより、複数の磁気センサ１００が得られる。
【００３８】
なお、図５（ｂ）〜図５（ｄ）の状態で封止体５０は切断されていないが、封止体５０の部分にハッチングを施している。また、図５（ｅ）の状態で、リード端子２１〜２４の端子側面および封止体５０の第一側面５３は切断面であるが、図５（ｅ）ではハッチングを省略している。
【００３９】
［作用、効果］
上述のように、この実施形態の磁気センサ１００を構成するリード端子２１〜２４は、図２（ａ）に示すように、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす直線の長さＥが、端子反面２１ａ〜２４ａをなす直線の長さＡよりも短い。そのため、 図２（ａ）で長さＥを長さＡと同じにした場合（つまり、長さＡが同じで、端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状が長方形または平行四辺形の場合）と比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、ダイシングブレードによる図３（ｅ）に示すダイシングラインＬ１に沿った切断の際に、リードフレーム１２０の切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。
【００４０】
つまり、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が従来品よりも小さくなる分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃに発生するバリの量が少なくなる。さらに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなることで、端子側面２１ｃ〜２４ｃから封止体５０の第二面５２側（つまり、端子底面側）に延びるバリの発生量が少なくなる。その結果、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することで、ワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１００の厚さを設計値に近い状態とすることができる。
【００４１】
また、磁気センサ１００の端子側面２１ｃ〜２４ｃに、封止体５０の第二面５２側に延びるバリが生じると、実装面である端子底面２１ｅ〜２４ｅ（外装メッキ層６０）に付着するなどの問題が生じるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
さらに、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離が３００μｍ以下であるため、バリが落下した場合に端子間が短絡する可能性が高くなるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
【００４２】
〔第二実施形態〕
第二実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
第二実施形態の磁気センサ１０１の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。
図６および図７に示すように、磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４は、互いに平行な端子底面２１ｅ〜２４ｅおよび端子反面２１ａ〜２４ａと、互いに平行なホール素子１０側の面２１ｂ〜２４ｂおよび対向面２１ｇ〜２４ｇと、互いに平行な端子側面２１ｃ〜２４ｃおよびホール素子１０とは反対側の面２１ｄ〜２４ｄと、からなる直方体形状を有する。つまり、図７（ａ）に示すように、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす長さＥは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子反面２１ａ〜２４ａをなす長さＡと同じである。
【００４３】
例えば、Ａ＝Ｅ＝０．１５ｍｍとし、基板実装時の強度を確保するためには、Ａ＝Ｅ≧０．０５ｍｍであることが好ましい。
また、図６（ａ）および図７に示すように、磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅ側に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、封止体５０の第一側面５３と同一面から凹み、端子底面２１ｅ〜２４ｅ至っている。
【００４４】
具体的に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの幅方向中央部にＵ字状に形成され、Ｕ字の開口端が端子底面２１ｅ〜２４ｅに至っている。つまり、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅに沿った線分（端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす長方形の一辺）Ｌ３の中央部が分断されている。
切欠き部２１ｈ〜２４ｈの端子底面２１ｅ〜２４ｅ位置での第一側面５３と同一面からからの凹み寸法Ｈは、例えば０．０２５ｍｍとする。切欠き部２１ｈ〜２４ｈの開口幅ｈは、例えば０．０７５ｍｍとする。
【００４５】
また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離（端子反面ａの奥行き寸法）Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。この場合、基板実装時の強度を確保するためには、Ｈ≦０．０５ｍｍであることが好ましい。
これ以外の点は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
【００４６】
［製法］
第二実施形態の磁気センサ１０１は、リード端子２１〜２４の形状が異なることに起因して、用意するリードフレームの形状が異なることを除いて、第一実施形態の磁気センサ１００と同じ方法で製造することができる。
具体的には、図８（ａ）に示すリードフレーム１２０ａを用意する。リードフレーム１２０ａは、リード部１２１ａ〜１２４ａを有する。リード部１２１ａ〜１２３ａは、平面視で隣り合う磁気センサ１０１の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４ａは、磁気センサ１０１の一つのリード端子を含む形状を有する。
【００４７】
リード部１２１ａは、リード端子２１〜２４を有し、ダイシングラインＬ１の位置に、ダイシングによって切欠き部２１ｈと切欠き部２３ｈに分割される前の凹部２５と、切欠き部２２ｈと切欠き部２４ｈに分割される前の凹部２６を有する。リード部１２２ａは、切欠き部２１ｈが形成されたリード端子２１と、切欠き部２４ｈが形成されたリード端子２４を有する。リード部１２３ａは、リード端子２１，２３またはリード端子２２，２４を有し、凹部２５または凹部２６を有する。
【００４８】
なお、リード部１２２ａとリード部１２４ａをリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１ａ〜１２４ａをダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って接続する接続部は図示されていない。
切欠き部２１ｈ〜２４ｈと凹部２５，２６は、第一実施形態と同様に図４に示す方法でリードフレーム１２０を作製する際に、マスク１３２として切欠き部２１ｈ〜２４ｈと凹部２５，２６に対応する開口部をさらに有するものを使用し、金属板１２７の下面１２７ｅ側からのエッチングを行うことで形成できる。
【００４９】
また、第二実施形態の磁気センサ１０１は、図８（ｂ）〜図８（ｅ）に示すように、リードフレーム１２０ａを使用する以外は第一実施形態と同じ工程を行うことにより製造することができるが、ダイシングラインＬ１に沿ったダイシング工程で、封止体５０の切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に存在していた部分は脱落する。なお、この落下を促進するために、図７（ｃ）に示す切欠き部２１ｈ〜２４ｈの凹み寸法Ｈは、端子反面ａの奥行き寸法Ｆの１／３以下であることが好ましい。
【００５０】
［作用、効果］
上述のように、この実施形態の磁気センサ１０１を構成するリード端子２１〜２４は、図７（ａ）に示すように、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃが、長方形であって、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。そのため、同じ長方形であるが切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有さない場合と比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、ダイシングブレードによる図８（ｅ）に示すダイシングラインＬ１に沿った切断の際に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈの分だけリードフレーム１２０ａの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。
【００５１】
つまり、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が従来品よりも小さくなる分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃに発生するバリの量が少なくなる。さらに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなることで、端子側面２１ｃ〜２４ｃから封止体５０の第二面５２側（つまり、端子底面側）に延びるバリの発生量が少なくなる。その結果、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することで、ワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１００の厚さを設計値に近い状態とすることができる。
【００５２】
また、磁気センサ１０１の端子側面２１ｃ〜２４ｃに、封止体５０の第二面５２側に延びるバリが生じると、実装面である端子底面２１ｅ〜２４ｅ（外装メッキ層６０）に付着するなどの問題が生じるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
さらに、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離が３００μｍ以下であるため、バリが落下した場合に端子間が短絡する可能性が高くなるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
【００５３】
また、第一実施形態の磁気センサ１００とは異なり、ダイシングラインＬ１に沿った切断の際に凹部２５，２６が切断されて生じたバリが、切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に入る。つまり、第二実施形態では、バリが切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に入ることによっても、磁気センサ１０１の厚さを設計値に近い状態とする効果および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。
【００５４】
〔第三実施形態〕
第三実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第三実施形態の磁気センサ１０２の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。
【００５５】
図９（ａ）および図１０に示すように、磁気センサ１０２のリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅ側に、封止体５０の第一側面５３から凹む切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの幅方向中央部にＵ字状に形成され、Ｕ字の開口端が端子底面２１ｅ〜２４ｅに至っている。つまり、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅに沿った線分（端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす長方形の一辺）Ｌ３の中央部が分断されている。
【００５６】
切欠き部２１ｈ〜２４ｈの端子底面２１ｅ〜２４ｅ位置での第一側面５３と同一面からからの凹み寸法Ｈは、例えば０．０２５ｍｍとする。切欠き部２１ｈ〜２４ｈの開口幅ｈは、例えば０．０７５ｍｍとする。
また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離（端子反面ａの奥行き寸法）Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。この場合、基板実装時の強度を確保するためには、Ｈ≦０．０５ｍｍであることが好ましい。
【００５７】
これ以外の点は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
第三実施形態の磁気センサ１０２は、第一実施形態の磁気センサ１００および第二実施形態の磁気センサ１０１よりも、端子側面２１ｃ〜２４ｃを露出させる切断時のリードフレームの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。よって、第一実施形態の磁気センサ１００および第二実施形態の磁気センサ１０１よりも、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１０２の厚さを設計値に近い状態とする効果、および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が高い。
【００５８】
〔第四実施形態〕
第四実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第四実施形態の磁気センサ１０３の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第二実施形態の磁気センサ１０１と同じである。
【００５９】
図１１に示すように、磁気センサ１０３を構成するリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす長さＥが、端子反面２１ａ〜２４ａをなす長さＡより大きい。例えば、Ａ＝０．１５ｍｍ且つＥ＝０．２０ｍｍとする。
これ以外の点は、第二実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４と同じである。
【００６０】
第四実施形態の磁気センサ１０３はリード端子２１〜２４が切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有することで、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有さない以外は同じに形成された磁気センサと比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、切欠き部２１ｈ〜２４ｈの分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃを露出させる切断時のリードフレームの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。よって、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１０３の厚さを設計値に近い状態とする効果、および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。
【００６１】
〔第五実施形態〕
第五実施形態として、磁電変換機能を有する素子として赤外線検出素子を用いた赤外線センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
図１２および図１３に示すように、この実施形態の赤外線センサ７００は、赤外線検出素子７０と、四個（複数）のリード端子２１〜２４と、二本（複数）の金属細線３１，３２と、合成樹脂製の封止体５０を有する。赤外線センサ７００は赤外線検出素子７０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、この実施形態の赤外線センサ７００はアイランドレス構造を有する。
【００６２】
この実施形態の赤外線センサ７００は、ホール素子１０に代えて赤外線検出素子７０を有し、絶縁層４０の代わりに透光層１４０を備え、外装メッキ層６０を備えていないが、これら以外の点は第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。そのため、磁気センサ１００との相違点についてのみ説明する。
図１２および図１３に示すように、赤外線検出素子７０は、赤外線透過性の基板７１と、基板７１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（赤外線感受部）７２と、活性層７２と電気的に接続された二個（複数）の電極７３ａ，７３ｂとを有する。電極７３ａは、活性層７２のｎ型層と接続され、電極７３ｂは活性層７２のｐ型層と接続される。
【００６３】
基板７１は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる。
活性層７２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体からなる薄膜である。
赤外線検出素子７０の厚さは、例えば２５０μｍ以下である。
また、図１１（ｃ）に示すように、封止体５０は、赤外線検出素子７０と電極７３ａ，７３ｂとリード端子２１〜２４と金属細線３１，３２とを封止する。
【００６４】
また、基板７１の裏面は赤外線の受光面であり、赤外線を透過する透光層１４０で覆われている。基板７１の裏面を透光層１４０で覆うことで、赤外線検出素子７０の損傷を抑制できる一方、受光感度は低下する。よって、基板７１の裏面は透光層１４０で覆われていなくてもよい。
【００６５】
［動作］
この実施形態の赤外線センサ７００を用いて赤外線量を検出する場合には、基板７１の裏面を受光面とし、例えば、リード端子２１，２２間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝光起電力）を測定する。また、測定された光起電力の大きさから受光した赤外線量を検出する。
【００６６】
［製法］
赤外線センサ７００の製造方法は、一部を除いて磁気センサ１００の製造方法とほぼ同じであるため、磁気センサ１００の製造方法との相違点についてのみ説明する。
ホール素子１０が形成されたウエハ１５０に代えて、赤外線検出素子７０が形成されたガリウムヒ素ウエハを用意し、その裏面の各赤外線検出素子の位置に、例えば酸化チタン等からなる金属酸化物膜を含む透光層１４０を形成する。
ダイボンディング工程では、図３（ｃ）に示すホール素子１０に代えて、赤外線検出素子７０を接合体８１の上面に配置する。
また、外装メッキ層６０の形成工程を行わない。
【００６７】
［作用効果］
第一実施形態の磁気センサ１００と同様に、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、赤外線センサ７００の厚さを設計値に近い状態とする効果と、端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。
【００６８】
〔変形例〕
上述の磁気センサ１００〜１０３のホール素子１０に代えて、光電変換機能を有する素子である赤外線発光素子を用いることで、赤外線発光ダイオードを得ることができる。赤外線発光素子が有する光電変換機能は電気信号を光信号に変換する機能である。赤外線発光素子の厚さは２５０μｍ以下であることが好ましい。このような赤外線発光ダイオードでは、磁気センサ１００〜１０３と同様に、赤外線発光ダイオードの厚さを設計値に近い状態とする効果と、端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。
【００６９】
〔備考〕
第一実施形態で説明した封止体５０の形成方法では、上型９２の下面をシート９４で覆うとともに、金型９０内に溶融樹脂を流し込んだ後で上型９２を下降させる圧縮成形を行っているが、これに代えてトランスファー成形を行ってもよいし、シート９４を用いなくてもよい。
【実施例】
【００７０】
以下、この発明の実施例および比較例について説明する。
＜実施例１＞
第一実施形態の磁気センサ１００を第一実施形態に記載された方法で作製した。
リードフレーム１２０の作製時には、図４（ａ）の金属板１２７として、厚さ１．０ｍｍのＣｕ板を用いた。そして、図２（ａ）のＡが０．１５ｍｍ、Ｅが０．０７５ｍｍ、図２（ｂ）のＴが０．１６ｍｍ、図２（ｃ）のＦが０．０９５ｍｍとなるように、金属板１２７の両側からエッチングすることで、図３（ａ）に示すリード部１２１〜１２４の形状にした。次に、リードフレーム１２０の全面にＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっきを施した。つまり、リードフレーム１２０の作製時にリード端子２１ｅ〜２４ｅの下面にめっき層を形成した。よって、外装メッキ層６０の形成は行わなかった。
【００７１】
耐熱性フィルム８０としてはポリイミドフィルムを用いた。
絶縁層４０の厚さは１０μｍとした。厚さが９０μｍで基板１１がＧａＡｓ基板であるホール素子１０を用いた。金属細線３１〜３４としてはＡｕ線を用いた。封止体５０用の合成樹脂としては、日立化成（株）製の「ＣＥＬ９２２１」を用いた。この樹脂は、球体のフィラーを８７体積％以上９９体積％以下含有する。また、含有するフィラーの最大直径は２０μｍである。
シート９４としては、旭硝子（株）製の「５０ＭＷ」を用いた。このシート９４の厚さは５０μｍであった。封止体５０の形成は、磁気センサ１００の厚さが１８５μｍとなるように設定して行った。
【００７２】
＜実施例２＞
第二実施形態の磁気センサ１０１を第二実施形態に記載された方法で作製した。
図４（ａ）に示す金属板１２７に対する両側からのエッチングで、図８（ａ）に示すリード部１２１ａ〜１２４ａを有するリードフレーム１２０ａを作製した。その際に、図７（ａ）のＡが０．１５ｍｍ、Ｅが０．０７５ｍｍ、ｈが０．０７５ｍｍ、図７（ｂ）のＴが０．１６ｍｍ、図７（ｃ）のＦが０．０９５ｍｍ、Ｈが０．０２５ｍｍとなるようにした。
これ以外の点は実施例１と同じ方法で磁気センサ１０１を作製した。
【００７３】
＜比較例１＞
リード端子２１〜２４を、第一実施形態の磁気センサ１００のような等脚台形柱状ではなく、直方体状に形成し、Ａ＝Ｅ＝０．１５ｍｍとした。Ｔは０．１６ｍｍおよびＦは０．０９５ｍｍで実施例１と同じにした。これ以外の点は実施例１と同じ方法で磁気センサを作製した。
【００７４】
＜評価試験＞
実施例１、実施例２、比較例１の磁気センサを、１５個（同じ結合体１０００から切断されたものの中からランダムに選定されたもの）ずつ用意した。測長顕微鏡（オリンパス製：ＳＴＭ−ΜＭ）を用いて、全ての磁気センサについて、リード端子２１〜２４の端子側面２１ｃ〜２４ｃと端子底面２４ｅ〜２４ｅとがなす角部（全６０箇所）に、バリが発生しているかどうかを調べた。また、同じ測長顕微鏡で、発生したバリの高さを測定し、それぞれ１５個の平均値を算出した。その結果を下記の表１に示す。
【００７５】
【表１】
2018074067.tif 000003
【００７６】
表１に示すように、比較例１では、全てのリード端子の角部（６０箇所全部）にバリが発生していたのに対し、実施例１、２では４箇所のみにバリが発生しており、バリの発生個数は大きく減少している。さらに、発生したバリの高さも、実施例１、２では比較例１に比べて低かった。このように、バリの発生数やバリ高さに関しては、実施例１、２のどちらでも同程度の効果が認められた。
【符号の説明】
【００７７】
１００  磁気センサ（半導体装置）
１０１  磁気センサ（半導体装置）
１０２  磁気センサ（半導体装置）
１０  ホール素子
１２  活性層
１３ａ〜１３ｄ  電極
２１〜２４  リード端子
２１ａ〜２４ａ  リード端子の上面（端子反面）
２１ｂ〜２４ｂ  リード端子の素子側の面
２１ｃ〜２４ｃ  リード端子の外側面（端子側面）
２１ｄ〜２４ｄ  リード端子の素子とは反対側の面
２１ｅ〜２４ｅ  リード端子の下面（端子底面）
２１ｇ〜２４ｇ  リード端子の対向面
２１ｈ〜２４ｈ  リード端子の切欠き部
１２０，１２０ａ  リードフレーム
２５  リードフレームの凹部
２６  リードフレームの凹部
３１〜３４  金属細線
４０  絶縁層
５０  封止体
５１  封止体の第一面（底面とは反対側の面）
５２  封止体の第二面（底面）
５３  封止体の第一側面
５４  封止体の第二側面
６０  外装メッキ層
７００  赤外線センサ（半導体装置）
７０  赤外線検出素子
７１  基板
７２  活性層
７３ａ，７３ｂ  電極
【図１】
2018074067.tif 000004
【図２】
2018074067.tif 000005
【図３】
2018074067.tif 000006
【図４】
2018074067.tif 000007
【図５】
2018074067.tif 000008
【図６】
2018074067.tif 000009
【図７】
2018074067.tif 000010
【図８】
2018074067.tif 000011
【図９】
2018074067.tif 000012
【図１０】
2018074067.tif 000013
【図１１】
2018074067.tif 000014
【図１２】
2018074067.tif 000015
【図１３】
2018074067.tif 000016