(57)【要約】【課題】本発明は、より低い抵抗値を得ながら抵抗値精度を向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、一対の電極端子１１ａ、１１ｂと、前記一対の電極端子１１ａ、１１ｂ間を橋絡する第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３と、前記第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３を覆う絶縁層１４とを備え、前記第１の抵抗体１２を前記一対の電極端子１１ａ、１１ｂの上面に接続し、前記第２の抵抗体１３を前記一対の電極端子１１ａ、１１ｂの下面に接続したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極端子と、前記一対の電極端子間を橋絡する第１の抵抗体、第２の抵抗体と、前記第１の抵抗体、第２の抵抗体を覆う絶縁層とを備え、前記第１の抵抗体を前記一対の電極端子の上面に接続し、前記第２の抵抗体を前記一対の電極端子の下面に接続したチップ抵抗器。
【請求項２】
前記一対の電極端子間の前記第１の抵抗体の抵抗値と、前記第２の抵抗体の抵抗値を異なるようにした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体のうち少なくとも一方にスリットを形成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体に前記スリットを形成し、前記第１の抵抗体に形成された前記スリットと、前記第２の抵抗体に形成された前記スリットとが上面視にて異なる位置に設けるようにした請求項３記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記第１の抵抗体のみにスリットを形成した請求項２記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体、前記絶縁層の端面に一対の端面電極を形成し、前記一対の端面電極を前記第１の抵抗体の上面、前記第２の抵抗体の下面の両端部に直接接続するようにした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間に形成される前記絶縁層を、他の前記絶縁層より熱伝導性がよい高熱伝導性絶縁層とした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
前記高熱伝導性絶縁層を樹脂とアルミナまたは金属とで構成した請求項７記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
前記金属の表面を酸化させた請求項８記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体、前記絶縁層の端面に一対の端面電極を形成し、前記第１の抵抗体上面の前記絶縁層の上面に位置する前記一対の端面電極の長さより、前記第２の抵抗体下面の前記絶縁層の下面に位置する前記一対の端面電極の長さを長くした請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
前記第２の抵抗体の下方に、金属層を形成した請求項１に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器の電流値検出等に使用される金属板を抵抗体としたチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器は、図５に示すように、板状の金属で構成された抵抗体１と、この抵抗体１の下面の両端部に形成された一対の電極２ａ、２ｂと、この一対の電極２ａ、２ｂ間および抵抗体１の上面に形成された保護膜３とを備えていた。また、抵抗体１にスリット（図示せず）を形成することによって抵抗値を調整していた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２７００７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来のチップ抵抗器は、より低い抵抗値を得ようとすると抵抗体１の膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くするとスリットを形成することが困難となるため、抵抗値精度を向上させることができない可能性があるという課題を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、より低い抵抗値を得ながら抵抗値精度を向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、第１の抵抗体を一対の電極端子の上面に接続し、第２の抵抗体を一対の電極端子の下面に接続した。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のチップ抵抗器は、２つの抵抗体を上下に並列接続しているため、抵抗体の厚みを厚くすることなく全体の抵抗値を下げることができ、さらに、抵抗体の厚みを厚くする必要はないため、スリットを形成し易くなり、これにより、抵抗値精度を容易に向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】同チップ抵抗器の他の例の断面図
【図３】同チップ抵抗器の他の例の断面図
【図４】同チップ抵抗器の他の例の断面図
【図５】従来のチップ抵抗器の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
【００１２】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１に示すように、一対の電極端子１１ａ、１１ｂと、一対の電極端子１１ａ、１１ｂ間を橋絡する第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３と、第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３を覆う絶縁層１４とを備え、第１の抵抗体１２を一対の電極端子１１ａ、１１ｂの上面に接続し、第２の抵抗体１３を一対の電極端子１１ａ、１１ｂの下面に接続している。
【００１３】
また、一対の電極端子１１ａ、１１ｂ間の第１の抵抗体１２の抵抗値を、第２の抵抗体１３の抵抗値より高くしている。さらに、第１の抵抗体１２にスリット１５を形成して抵抗値を調整している。
【００１４】
上記構成において、前記一対の電極端子１１ａ、１１ｂは、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３とは別体の導電体で形成され、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３より導電性のよい銅等の金属で構成されている。さらに、一対の電極端子１１ａ、１１ｂはそれぞれ、第１の抵抗体１２の長手方向の両端部の下面に、溶接、クラッド、めっき等の方法で接続され、第２の抵抗体１３の長手方向の両端部の上面に同じく、溶接、クラッドめっき等の方法で接続されている。
【００１５】
また、前記第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３は、ニクロム、銅ニッケル、マンガニン等からなる金属板または金属箔で構成されている。また、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３は上面視にて矩形状になっている。
【００１６】
第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３とは上下に並列接続されており、チップ抵抗器の抵抗値は、第１の抵抗体１２の抵抗値と第２の抵抗体１３の抵抗値の合成抵抗値となる。また、第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３は、その間に一対の電極端子１１ａ、１１ｂを介しており、互いに直接接続されていない。
【００１７】
一対の電極端子１１ａ、１１ｂ間において、第１の抵抗体１２は第２の抵抗体１３より抵抗値が高い。したがって電流は、第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３に分流し、第１の抵抗体１２よりも抵抗値が低い第２の抵抗体１３に、より多く流れる。
【００１８】
実装用基板により近い第２の抵抗体１３に多く電流が流れるため、第２の抵抗体１３で発熱した熱は、実装用基板に放熱させ易くなる。第２の抵抗体１３の抵抗値は第１の抵抗体１２の抵抗値の１／３〜１／１０とするのが好ましい。第１の抵抗体１２に流れる電流が少なく発熱量は小さい。
【００１９】
このように、第２の抵抗体１３は第１の抵抗体１２よりも発熱が高くなるため、実装基板への放熱効率がよい第２の抵抗体１３を実装面にすることが好ましい。
【００２０】
また、第１の抵抗体１２には、貫通する抵抗値調整用のスリット１５が形成されている。これにより、チップ抵抗器全体の抵抗値を所定の値にすることができる。そして、第２の抵抗体１３の抵抗値は第１の抵抗体１２の抵抗値の１／３〜１／１０とするのが好ましい。第１の抵抗体１２に流れる電流が少なく発熱量は小さい。
【００２１】
さらに、スリット１５は、第１の抵抗体１２の一側面に形成する。スリット１５はレーザやパンチング、エッチング等の方法で形成する。
【００２２】
なお、第２の抵抗体１３にもスリット１５を形成してもよい。この場合、第１の抵抗体１２に形成されたスリット１５と、第２の抵抗体１３に形成されたスリット１５とが上面
視にて異なる位置に設けるようにするのが好ましい。発熱箇所を集中させないようにするためである。
【００２３】
ここで、上述したように第２の抵抗体１３にスリットを形成してもよいが、抵抗値が第１１の第１の抵抗体１２よりも第２の抵抗体１３の方が高くなる場合には、第２の抵抗体１３へ流れる電流が少なくなり、実装基板への放熱効率が減少するためあまり好ましくはない。
【００２４】
また、第２の抵抗体１３を第１の抵抗体１２より抵抗値を低くするには、抵抗率の異なる材料を用いたり、その厚みや幅を変えたりする。
【００２５】
そして、前記絶縁層１４は、エポキシ、ポリイミド等の樹脂、またはガラスエポキシ樹脂などの複合材等で構成され、第１の抵抗体１２の上面、第２の抵抗体１３の下面、第１の抵抗体１２の下面と第２の抵抗体１３の上面との間（一対の電極端子１１ａ、１１ｂ間）を覆うように形成されている。
【００２６】
なお、第１の抵抗体１２の側面、第２の抵抗体１３の側面も覆うようにしてもよい。また、絶縁層１４は、スリット１５の内部に充填され、スリット１５の内面に接するようになっている。
【００２７】
さらに、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３、絶縁層１４の端面には、スパッタにより銀などからなる一対の端面電極１６が形成されている。
【００２８】
そしてさらに、一対の端面電極１６には電気めっきにより、銅、ニッケルおよび錫めっき層（以下、図示せず）が施されており、これにより、チップ抵抗器は実装用の基板に実装される。
【００２９】
また、一対の端面電極１６は、図２に示すように、第１の抵抗体１２の上面、第２の抵抗体１３の下面の両端部に直接接続するように形成してもよい。一対の端面電極１６と第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３との接触面積を大きくすることによって、熱を一対の端面電極１６により放熱し易くなる。
【００３０】
ここで、電流の通電によって第２の抵抗体１３で発生した熱は、一対の端面電極１６、めっき層を介して実装基板に放熱される。
【００３１】
なお、第２の抵抗体１３で発熱した熱の一部は第１の抵抗体１２にも伝わり、第１の抵抗体１２を介して実装用基板に放熱させることができる。
【００３２】
したがって、第１の抵抗体１２の下面と第２の抵抗体１３の上面との間の絶縁層１４は良好な熱伝導性を有するものを使用することが好ましい。
【００３３】
このとき、第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３との間に形成される絶縁層１４ａを、他の絶縁層１４より熱伝導性がよい高熱伝導性絶縁層１４ａとし、第２の抵抗体１３で発生した熱を効果的に第１の抵抗体１２に放熱させる。この高熱伝導性絶縁層１４ａを樹脂とフィラーとで構成し、フィラーとして金属熱伝導性が良いアルミナ、または銅や銀などの金属を用いることができる。
【００３４】
フィラーとして金属を使用する場合は、その金属の表面を酸化膜で覆い、絶縁性を高めたものを使用することが好ましい。これは、金属同士の接触および金属と第１、第２の抵抗体１２、１３との接触による抵抗値変化を抑え、また、一対の電極端子１１ａ、１１ｂ
間での第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３との短絡を防ぐためである。
【００３５】
なお、フィラーの粒径をスリット１５の幅より小さくすれば、フィラーがスリット１５の内部に入り込むため、放熱性をより向上させることができる。
【００３６】
ここで、この高熱伝導性絶縁層１４ａに含有されるフィラーの含有量を１０〜７０体積％とするのが好ましい。１０体積％より少ないと、第１の抵抗体１２で発生した熱を放熱させる効果が得られない。７０体積％より多いと、高熱伝導性絶縁層１４ａの粘度が高くなりすぎ、作業性が悪化する。
【００３７】
上記した本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器においては、２つの抵抗体（第１の抵抗体１２と第２の抵抗体１３）を上下で並列接続しているため、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３の厚みを厚くすることなく抵抗器全体の抵抗値を下げることができる。さらに、第１の抵抗体１２、第２の抵抗体１３の厚みを厚くする必要はないため、スリット１５を形成し易くなり、これにより、抵抗値精度を容易に向上させることができるという効果が得られるものである。
【００３８】
また、第１の抵抗体１２より実装基板に近い第２の抵抗体１３に多く電流が流れるようにし、より多く発熱させるようにしているため、この第２の抵抗体１３で発熱した熱を、実装基板に放熱させ易くなる。
【００３９】
さらに、図３に示すように、一対の端面電極１６について、第１の抵抗体１２上面の絶縁層１４の上面に位置する一対の端面電極１６ａの長さより、第２の抵抗体１３下面の絶縁層１４の下面に位置する一対の端面電極１６ｂの長さを長くすることによって、第２の抵抗体１３で発熱した熱を、実装用基板により放熱させ易くなる。
【００４０】
さらにまた、図４に示すように、第２の抵抗体１３の下方に、金属層１７を形成してもよい。また、金属層１７によって第２の抵抗体１３で発熱した熱を、実装用基板により放熱させ易くなる。
【００４１】
金属層１７は第２の抵抗体１３下面の絶縁層１４の下面に形成し、金属層１７の周囲は他の絶縁層１４ｂに覆われている。金属層１７は熱伝導性の良好な銅等の材料で板状に構成されている。なお、金属層１７は、一対の端面電極１６に接続されていない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係るチップ抵抗器は、より低い抵抗値を得ながら抵抗値精度を向上させることができるという効果を有するものであり、特に各種電子機器の電流値検出等に使用される金属板を抵抗体としたチップ抵抗器等に適用することにより有用となるものである。
【符号の説明】
【００４３】
１１ａ、１１ｂ  一対の電極端子
１２  第１の抵抗体
１３  第２の抵抗体
１４  絶縁層
１４ａ  絶縁層（高熱伝導性絶縁層）
１５  スリット
１６  一対の端面電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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