(57)【要約】【課題】ガラス基板をコア基材として用いつつ、ガラス基板の破損を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面と裏面とを有するガラス基板と、ガラス基板の少なくとも表面に配置された配線部と、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の表面に配置されるガラス層とを備える配線基板である。絶縁樹脂層は、裏面が配線部及びガラス基板の表面の一部を被覆するように配置される。ガラス層は、最表層を構成する。また、厚み方向と垂直な方向の端面において、ガラス基板、絶縁樹脂層、及びガラス層は、厚み方向にこの順に配置されると共に、それぞれ露出している。また、端面における最大高さ（Ｒｚ）は、０．２μｍ以上である。【選択図】図１
2018148126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有するガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも表面に配置された配線部と、
表面と裏面とを有し、裏面が前記配線部及び前記ガラス基板の表面の一部を被覆するように配置された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の表面に配置され、最表層を構成するガラス層と、
を備え、
厚み方向と垂直な方向の端面において、前記ガラス基板、前記絶縁樹脂層、及び前記ガラス層は、厚み方向にこの順に配置されると共に、それぞれ露出しており、
前記端面における最大高さ（Ｒｚ）は、０．２μｍ以上である、配線基板。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層は、前記ガラス基板及び前記ガラス層よりも厚みが小さい、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
ガラス基板を備える配線基板の製造方法であって、
表面と裏面とを有するガラス基板の少なくとも表面に配線部を配置する工程と、
絶縁樹脂層及びガラス層の積層体を、前記絶縁樹脂層が前記配線部及び前記ガラス基板の表面の一部を被覆するように配置する工程と、
前記ガラス基板、前記絶縁樹脂層、及び前記ガラス層の積層部分を厚み方向にブレードにより切断する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気機器の小型化に伴い、電気機器に使用される配線基板にも小型化及び高密度化が求められている。配線基板の小型化及び高密度化には、配線を支持するコア基材の寸法精度を高める必要がある。そこで、表面の平坦度の高いガラス基板をコア基材として用いた配線基板が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
上記公報の配線基板は、一般に複数の配線基板が集合したマザー基板からの切り出しによって個片化される。この切り出しはブレード切断により行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−９２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記公報の配線基板では、ガラス基板及び配線部が樹脂層で被覆される。そのため、配線基板の製造時に樹脂層を熱硬化させると、樹脂の硬化収縮に伴い、ガラス基板の内部に応力が残留する。
【０００６】
ここで、上述のブレード切断による個片化の際に、配線基板のガラス基板の端面にはチッピングが生じる。そのため、ガラス基板の内部に応力が残留していると、チッピングを起点としたガラス基板の内割れ（つまりクラック）が発生する。したがって、従来の配線基板では、クラックによるガラス基板の破損が起こりやすいという不都合がある。
【０００７】
本開示の一局面は、ガラス基板をコア基材として用いつつ、ガラス基板の破損を抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様は、表面と裏面とを有するガラス基板と、ガラス基板の少なくとも表面に配置された配線部と、表面と裏面とを有する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の表面に配置されるガラス層とを備える配線基板である。絶縁樹脂層は、裏面が配線部及びガラス基板の表面の一部を被覆するように配置される。ガラス層は、最表層を構成する。また、厚み方向と垂直な方向の端面において、ガラス基板、絶縁樹脂層、及びガラス層は、厚み方向にこの順に配置されると共に、それぞれ露出している。また、端面における最大高さ（Ｒｚ）は、０．２μｍ以上である。
【０００９】
このような構成によれば、ガラス層が最表層を構成し、かつガラス基板及びガラス層の間に絶縁樹脂層が配置されるので、熱硬化時に絶縁樹脂層がガラス基板及びガラス層で拘束される。そのため、絶縁樹脂層の硬化収縮によるガラス基板における残留応力が低減されている。これにより、ブレード切断によって、厚み方向と垂直な方向の端面における最大高さ（Ｒｚ）が一定値以上となっても、ガラス基板の破損が抑制される。
【００１０】
本開示の一態様では、絶縁樹脂層は、ガラス基板及びガラス層よりも厚みが小さくてもよい。このような構成によれば、ガラス基板における残留応力をさらに低減することができる。その結果、ガラス基板の破損抑制を促進できる。
【００１１】
本開示の別の態様は、ガラス基板を備える配線基板の製造方法である。配線基板の製造方法は、表面と裏面とを有するガラス基板の少なくとも表面に配線部を配置する工程と、絶縁樹脂層及びガラス層の積層体を、絶縁樹脂層が配線部及びガラス基板の表面の一部を被覆するように配置する工程と、ガラス基板、絶縁樹脂層、及びガラス層の積層部分を厚み方向にブレードにより切断する工程とを備える。
【００１２】
このような構成によれば、絶縁樹脂層の硬化に起因するガラス基板の残留応力が低減できる。そのため、ブレード切断により個片化を行っても、ガラス基板の破損が生じにくい品質の高い配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図２】図１の配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３Ａは、図１の配線基板の製造方法の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｂは、図３Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｃは、図３Ｂの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｄは、図３Ｃの次の工程を示す模式的な断面図であり、図３Ｅは、図３Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４】図４Ａは、図３Ｅの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｂは、図４Ａの次の工程を示す模式的な断面図であり、図４Ｃは、図４Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５】図５は、図１とは異なる実施形態の配線基板を示す模式的な断面図である。
【図６】図６Ａは、実施例１における応力の観察結果を示す写真であり、図６Ｂは、比較例１における応力の観察結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示す配線基板１は、１つのガラス基板２と、表裏１対の配線部３Ａ，３Ｂと、表裏１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂと、表裏１対のガラス層５Ａ，５Ｂとを備える。
【００１５】
＜ガラス基板＞
ガラス基板２は、表面と裏面とを有する。また、ガラス基板２は、ガラスを主成分とする。ここで、「主成分」とは、９０質量％以上含有する成分を意味する。ガラス基板２を構成するガラスとしては、例えば石英ガラス、無アルカリガラス、アルカリガラス、結晶化ガラス、ホウケイ酸ガラス、ガラスセラミックス等が挙げられる。
【００１６】
ガラス基板２の平均厚みの下限としては、３０μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。一方、ガラス基板２の平均厚みの上限としては、１１００μｍが好ましく、７００μｍがより好ましい。ガラス基板２の平均厚みが上記下限より小さいと、強度が不十分となるおそれがある。逆に、ガラス基板２の平均厚みが上記上限を超えると、配線基板１の厚みが不要に大きくなるおそれがある。
【００１７】
ガラス基板２には、図１に示すように１以上のスルーホール１３が設けられている。スルーホール１３は、ガラス基板２を厚み方向に貫通している。スルーホール１３の内周面には、貫通導体が配置され、この貫通導体により表側配線部３Ａと裏側配線部３Ｂとが電気的に接続されている。
【００１８】
スルーホール１３の直径の下限としては、３０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、スルーホール１３の直径の上限としては、１０００μｍが好ましく、５００μｍがより好ましい。
【００１９】
＜配線部＞
１対の配線部３Ａ，３Ｂのうち、表側配線部３Ａは、ガラス基板２の表面に配置され、裏側配線部３Ｂは、ガラス基板２の裏面に配置されている。
【００２０】
１対の配線部３Ａ，３Ｂは、それぞれ、１以上の接続用端子１２と、ビア導体１４と、配線パターン部１５とを有する。接続用端子１２は、外部の端子等を半田により接続するための電極パッド（つまりランド部）である。
【００２１】
表側配線部３Ａの接続用端子１２は、図１に示すように、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置されている。また、接続用端子１２は、表側ガラス層５Ａに設けた開口１１によって表面が外部に露出している。接続用端子１２は、表側絶縁樹脂層４Ａを厚み方向に貫通するビア導体１４により、表側配線部３Ａの配線パターン部１５と接続されている。なお、裏側配線部３Ｂの構成は、表側配線部３Ａと同様である。
【００２２】
接続用端子１２の平面形状は特に限定されず、円や多角形状とすることができる。
接続用端子１２及びビア導体１４を含めた１対の配線部３Ａ，３Ｂは、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コストと導電性との観点から、銅が好ましい。
【００２３】
＜絶縁樹脂層＞
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのうち、表側絶縁樹脂層４Ａは、表側配線部３Ａの配線パターン部１５のガラス基板２とは反対側の表面に配置され、裏側絶縁樹脂層４Ｂは、裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５のガラス基板２とは反対側の表面に配置されている。
【００２４】
表側絶縁樹脂層４Ａは、表面及び裏面を有する。表側絶縁樹脂層４Ａは、裏面が表側配線部３Ａの配線パターン部１５と、ガラス基板２の表面のうち、表側配線部３Ａが配置されていない部分とを被覆するように配置されている。裏側絶縁樹脂層４Ｂは、表側絶縁樹脂層４Ａをガラス基板２に対し略対称に配置したものであり、表側絶縁樹脂層４Ａと同様の構成である。
【００２５】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、絶縁性の樹脂と、無機フィラーとを主成分とする。絶縁性の樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等を用いることができる。また、これらの樹脂と、ガラス繊維等の無機繊維、又はポリアミド繊維等の有機繊維（例えば織布、不織布等）との複合材料も使用できる。さらに、連続多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた複合材料も使用できる。
【００２６】
無機フィラーとしては、シリカ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、焼成タルク、Ｍｏ酸亜鉛処理タルク、チタン酸バリウム、酸化チタン、クレー、アルミナ、マイカ、ベーマイト、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、その他の金属酸化物又は金属水和物、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ガラス繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカ、炭酸ケイ素ウィスカ等を用いることができる。これらの無機フィラーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの無機フィラーの中でもシリカを主成分とするものが好ましい。
【００２７】
無機フィラーの形状やサイズは特に制限されず、異なるサイズの無機フィラーを併用することも可能である。さらに、無機フィラーはカップリング剤等により表面処理が施されてもよい。
【００２８】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂそれぞれにおいて、樹脂に対する無機フィラーの含有割合は、樹脂１００質量部に対し、４０質量部以上８０質量部以下が好ましい。無機フィラーの含有量が上記下限より小さいと、熱膨張率低減効果が不十分となるおそれがある。逆に、無機フィラーの含有量が上記上限を超えると、絶縁樹脂層の成形性が低下するおそれがある。
【００２９】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂは、それぞれ、ガラス基板２及び１対のガラス層５Ａ，５Ｂよりも厚みが小さいとよい。このようにすることで、ガラス基板２における残留応力の低減を促進することができる。なお、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの厚みとは、ガラス基板２の表面又は裏面から、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの裏面までの距離を意味する。
【００３０】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのそれぞれの平均厚みの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。一方、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂのそれぞれの平均厚みの上限としては、５００μｍが好ましく、１００μｍがより好ましい。１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが上記下限より小さいと、１対のガラス層５Ａ，５Ｂとガラス基板２との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの平均厚みが上記上限を超えると、ガラス基板２における残留応力の低減が不十分となるおそれがある。
【００３１】
＜ガラス層＞
１対のガラス層５Ａ，５Ｂのうち、表側ガラス層５Ａは、表側絶縁樹脂層４Ａの表面に配置され、裏側ガラス層５Ｂは、裏側絶縁樹脂層４Ｂの表面に配置されている。また、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの材質は、ガラス基板２と同様とすることができる。
【００３２】
表側ガラス層５Ａは、表面及び裏面を有する。表側ガラス層５Ａは、配線基板１の一方側の最表層を構成しており、その表面が配線基板１の一方の最外面となる。また、表側ガラス層５Ａは、厚み方向に貫通する１以上の開口１１を有する。この開口１１内において、接続用端子１２が露出している。裏側ガラス層５Ｂは、表側ガラス層５Ａをガラス基板２に対し略対称に配置したものであり、表側ガラス層５Ａと同様の構成である。
【００３３】
１対のガラス層５Ａ，５Ｂの厚みは、ガラス基板２の厚みと同じか、ガラス基板２の厚みよりも小さいとよい。また、１対のガラス層５Ａ，５Ｂのそれぞれの平均厚みの下限としては、３０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、１対のガラス層５Ａ，５Ｂのそれぞれの平均厚みの上限としては、７００μｍが好ましく、３００μｍがより好ましい。１対のガラス層５Ａ，５Ｂの平均厚みが上記下限より小さいと、強度が不十分となるおそれがある。逆に、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの平均厚みが上記上限を超えると、配線基板１の厚みが不要に大きくなるおそれがある。
【００３４】
また、開口１１の直径の下限としては、３０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、開口１１の直径の上限としては、１０００μｍが好ましく、５００μｍがより好ましい。
【００３５】
なお、本実施形態では図１に示すように、開口１１及び接続用端子１２を表側ガラス層５Ａ又は裏側ガラス層５Ｂの厚み方向と垂直な仮想平面へ投影したとき、開口１１の投影面積は、接続用端子１２の投影面積よりも大きい。
【００３６】
また、本実施形態では、接続用端子１２は、表側ガラス層５Ａ又は裏側ガラス層５Ｂの開口１１の内壁と当接しない。つまり、接続用端子１２と開口１１とは平面視で離間している。さらに、本実施形態では、開口１１内において、表側絶縁樹脂層４Ａ及び裏側絶縁樹脂層４Ｂの一部が露出している。
【００３７】
＜端面＞
配線基板１は、厚み方向と垂直な方向の端面１０において、図１の上側から、表側ガラス層５Ａ、表側絶縁樹脂層４Ａ、ガラス基板２、裏側絶縁樹脂層４Ｂ、及び裏側ガラス層５Ｂが、厚み方向にこの順に配置されている。また、これらの部材は端面１０において露出している。つまり、端面１０は、表側ガラス層５Ａ、表側絶縁樹脂層４Ａ、ガラス基板２、裏側絶縁樹脂層４Ｂ、及び裏側ガラス層５Ｂの端面から構成される。また、端面１０においては、ガラスと樹脂とが交互に積層されている。
【００３８】
端面１０における最大高さ（Ｒｚ）の下限としては、０．２μｍであり、好ましくは０．４μｍである。また、Ｒｚの上限としては、例えば１０μｍであり、好ましくは３μｍである。また、端面１０における算術平均粗さ（Ｒａ）の下限としては、例えば０．０１μｍである。また、Ｒａの上限としては、例えば５μｍである。
【００３９】
ブレード切断によって個片化された配線基板１の端面１０は、Ｒｚ又はＲａが上記下限以上となる。一方、それ以外の方法で個片化された配線基板１では、Ｒｚ又はＲａが上記下限よりも小さい。なお、Ｒｚが上記上限を超えると、クラックが入りやすくなるおそれがある。
【００４０】
上記最大高さ（Ｒｚ）及び算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定されるものである。また、測定は例えば、触針式の表面粗さ計やレーザー顕微鏡を用いて行うことができる。
【００４１】
［１−２．製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法は、図２に示すように、配線パターン部配置工程Ｓ１と、積層体配置工程Ｓ２と、接続用端子配置工程Ｓ３と、ブレード切断工程Ｓ４と、を備える。なお、配線パターン部配置工程Ｓ１と接続用端子配置工程Ｓ３とが、「ガラス基板の表面及び裏面に配線部を配置する工程」を構成する。
【００４２】
＜配線パターン部設置工程Ｓ１＞
本工程では、まず、図３Ａに示すように、貫通孔を設けたガラス基板２を用意する。次に、図３Ｂに示すように、ガラス基板２の表面及び裏面に表側配線部３Ａ及び裏側配線部３Ｂの配線パターン部１５をそれぞれ配置する。
【００４３】
配線パターン部１５の配置は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法で実施できる。具体的には、例えば銅箔のエッチング、又は導電性ペーストの印刷により配線パターン部１５を形成する。なお、銅箔はスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、無電解銅メッキ、電解銅メッキ等により形成できる。
【００４４】
＜積層体配置工程Ｓ２＞
本工程では、まず、図３Ｃに示すように、配線パターン部１５を配置したガラス基板２の表裏両側に配線パターン部１５を被覆するように１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを配置する。また、図３Ｄに示すように、開口１１を設けた１対のガラス層５Ａ，５Ｂを１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの外側に配置する。
【００４５】
この１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂ及び１対のガラス層５Ａ，５Ｂの積層は加熱しながらの真空貼り付けにより行う。また、貼り付け後、これらの積層体をさらに加熱し、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを熱硬化させる。なお、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂにそれぞれ１対のガラス層５Ａ，５Ｂを積層してから、これらの積層体をガラス基板２に貼り付けてもよい。
【００４６】
＜接続用端子配置工程Ｓ３＞
本工程では、まず、図３Ｅに示すように、熱硬化した１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの開口１１と重なる部分にビア１６を形成する。ビア１６は、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂを厚み方向に貫通しており、例えばレーザードリルにより形成できる。
【００４７】
次に、図４Ａに示すように、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの表面にフォトリソグラフィによりレジストパターン６をそれぞれ形成する。このレジストパターン６は、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの開口１１の内壁を被覆する。
【００４８】
さらに、図４Ｂに示すように、メッキ等によりビア１６にビア導体１４を充填し、その上に接続用端子１２を形成する。このとき、接続用端子１２は、ビア１６内において、レジストパターン６の内側に形成される。その後、レジストパターン６を除去すると、図４Ｃに示すように、１対のガラス層５Ａ，５Ｂと離間した接続用端子１２が得られる。
【００４９】
なお、接続用端子１２には、ニッケル、パラジウム、金などの表層メッキを施すことが好ましい。また、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの表面をプラズマ処理等により祖化してもよい。
【００５０】
＜ブレード切断工程Ｓ４＞
図示されていないが、上記工程Ｓ１〜Ｓ３により、複数の配線基板１を含む多数個取り基板（いわゆるマザー基板）が形成される。
【００５１】
そこで、本工程では、ガラス基板２、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂ、及び１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの積層部分を厚み方向にブレード（例えばダイサー）により切断する。これにより、個片化された配線基板１が得られる。なお、この切断面は図１の端面１０となる。
【００５２】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）１対のガラス層５Ａ，５Ｂが配線基板１の最表層を構成し、かつガラス基板２及び１対のガラス層５Ａ，５Ｂの間にそれぞれ１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが配置される。これにより、熱硬化時に１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂが、それぞれガラス基板２及び１対のガラス層５Ａ，５Ｂで拘束される。そのため、１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂの硬化収縮によるガラス基板２における残留応力が低減される。したがって、ブレード切断によって、厚み方向と垂直な方向の端面１０における最大高さ（Ｒｚ）が一定値以上となっても、ガラス基板２の破損が抑制される。また、ガラス基板２と同時に、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの破損も抑制される。
【００５３】
（１ｂ）１対のガラス層５Ａ，５Ｂが最表層として積層されているので、基板全体の反り量が低減される。また、表裏両側に１対のガラス層５Ａ，５Ｂが存在するため、ガラス基板２の表面側と裏面側とで１対の配線部３Ａ，３Ｂの存在密度が異なる場合にも反りが抑えられる。
【００５４】
（１ｃ）最表層が１対のガラス層５Ａ，５Ｂで構成されるため、表面の平滑性に優れる。そのため、実装時のアンダーフィルの充填性が向上する。その結果、配線基板１の実装時における作業性が高められる。
【００５５】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００５６】
（２ａ）上記実施形態の配線基板１において、必ずしもガラス基板２の両面に配線部を設けなくてもよい。つまり、配線基板１は、ガラス基板２の表面のみに配線部を配置した片面基板であってもよい。
【００５７】
（２ｂ）逆に、上記実施形態の配線基板１は、３層以上の多層構造を有してもよい。図５に示す配線基板１０１は、このような多層構造の一例である。配線基板１０１は、配線基板１の構成に加えて、１対のガラス層５Ａ，５Ｂのさらに外側にそれぞれ配置される、１対の第２絶縁樹脂層１０４Ａ，１０４Ｂ、及び１対の第２ガラス層１０５Ａ，１０５Ｂを備える。
【００５８】
配線基板１０１では、１対の第２ガラス層１０５Ａ，１０５Ｂがそれぞれ最表層を構成する。また、１対の配線部３Ａ，３Ｂの接続用端子１１２は、１対の第２ガラス層１０５Ａ，１０５Ｂにそれぞれ設けられた開口１１１において露出している。
【００５９】
接続用端子１１２は、１対の第２絶縁樹脂層１０４Ａ，１０４Ｂを貫通する第２ビア導体１１４により、図１の配線基板１の接続用端子１２に相当する連結部１１３と接続されている。
【００６０】
（２ｃ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００６１】
［３．実施例］
以下、本開示の効果を確認するために行った実施例１と比較例１との比較について説明する。
【００６２】
（実施例１）
図１に示す配線基板１を作製した。ガラス基板２は、３００ｍｍ四方、平均厚み３００μｍとした。１対の配線部３Ａ，３Ｂは、ガラス基板２の上に、無電解銅メッキ及び電解銅メッキをした後、フォトリソグラフィとエッチングとを施すことで形成した。
【００６３】
１対の絶縁樹脂層４Ａ，４Ｂとしては、平均厚み３０μｍのＡＢＦフィルム（味の素ファインテクノ社製）を用いた。また、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの平均厚みは、それぞれ２００μｍとした。
【００６４】
配線基板１は、上記部材を積層したマザー基板に対しダイサーを用いて個片化した。個片化した配線基板１の端面１０に対し、最大高さ（Ｒｚ）について計測したところ、０．７μｍであった。
【００６５】
この配線基板１について、熱衝撃試験を行った。具体的には、−６５℃から１５０℃までの温度サイクルを５００サイクル繰り返した。試験後、ガラス基板２にクラックは見当たらなかった。また、配線基板１のガラス内部応力を複屈折計にて測定した。その結果を図６Ａに示す。図６Ａにおけるガラス内部応力の最大値は３ＭＰａであった。
【００６６】
（比較例１）
配線基板１において、１対のガラス層５Ａ，５Ｂの代わりにソルダーレジストで１対のカバー層を設けた配線基板を作製した。
【００６７】
この配線基板について、実施例１と同様の熱衝撃試験を行った。その結果、ガラス基板２にクラックが見られた。また、実施例１と同様にガラス内部応力を測定した。その結果を図６Ｂに示す。図６Ｂにおけるガラス内部応力の最大値は６ＭＰａであった。
【００６８】
（結果）
比較例１では、ガラス基板にクラックが生じた。一方で、実施例１では、ガラス基板にクラックが生じず、内部応力も比較例１に対し、小さくなっていた。つまり、ガラス層によりコア基材であるガラス基板の応力が低減されたと推測される。また、実施例１ではガラス層自体の応力も抑制されている。
【符号の説明】
【００６９】
１…配線基板、２…ガラス基板、３Ａ…表側配線部、３Ｂ…裏側配線部、
４Ａ…表側絶縁樹脂層、４Ｂ…裏側絶縁樹脂層、５Ａ…表側ガラス層、
５Ｂ…裏側ガラス層、６…レジストパターン、１０…端面、１１…開口、
１２…接続用端子、１３…スルーホール、１４…ビア導体、１５…配線パターン部、
１６…ビア、１０１…配線基板、１０４Ａ，１０４Ｂ…第２絶縁樹脂層、
１０５Ａ，１０５Ｂ…第２ガラス層、１１１…開口、１１２…接続用端子、
１１３…連結部、１１４…第２ビア導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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