(57)【要約】【課題】高周波回路形成用絶縁層の誘電率の低減と、内層基板に対する高周波回路形成用絶縁層の優れた密着性とを両立させた高周波回路基板。【解決手段】内層基板と、内層基板に接合している絶縁層とを備える高周波回路基板であって、内層基板の誘電率をＤｋ（Ａ）とし、高周波回路形成用絶縁層の誘電率をＤｋ（Ｂ）としたときに、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が下記式：Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８を満たし、かつ、内層基板に対する高周波回路形成用絶縁層のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である、高周波回路基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層基板と、
前記内層基板に接合している高周波回路形成用絶縁層と
を備える高周波回路基板であって、
前記内層基板の誘電率をＤｋ（Ａ）とし、前記高周波回路形成用絶縁層の誘電率をＤｋ（Ｂ）としたときに、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が下記式：
Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８
を満たし、かつ、前記内層基板に対する前記高周波回路形成用絶縁層のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である、高周波回路基板。
【請求項２】
前記高周波回路形成用絶縁層が１層のみ設けられているか、又は前記高周波回路形成用絶縁層が前記内層基板の一方の主表面側に２層以上設けられている、請求項１に記載の高周波回路基板。
【請求項３】
前記高周波回路形成用絶縁層の厚さが、２０〜２００μｍである、請求項１又は２に記載の高周波回路基板。
【請求項４】
前記内層基板の厚さが、５０〜４０００μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項５】
前記内層基板がガラスエポキシ基板を含み、該ガラスエポキシ基板に接合している前記高周波回路形成用絶縁層が、成分（Ａ）エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化した硬化体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項６】
前記内層基板がエポキシ樹脂を含む材料を硬化した１層以上の絶縁層を含み、該絶縁層に前記高周波回路形成用絶縁層が接合しており、前記高周波回路形成用絶縁層が、成分（Ａ）エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化した硬化体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項７】
前記樹脂組成物が、成分（Ｂ）硬化剤と、成分（Ｃ）無機充填材とをさらに含む、請求項５又は６に記載の高周波回路基板。
【請求項８】
前記樹脂組成物が、成分（Ｄ）有機充填材をさらに含む、請求項７に記載の高周波回路基板。
【請求項９】
前記成分（Ｄ）有機充填材が、シクロオレフィンポリマー粒子、ポリフェニレンエーテル粒子、ポリスチレン粒子、及びフッ素系ポリマー粒子からなる群から選択される１種以上の有機充填材である、請求項８に記載の高周波回路基板。
【請求項１０】
前記成分（Ｄ）有機充填材が、フッ素系ポリマー粒子である、請求項９に記載の高周波回路基板。
【請求項１１】
前記樹脂組成物が、成分（Ｅ）ビニル基を有する樹脂をさらに含む、請求項９又は１０に記載の高周波回路基板。
【請求項１２】
前記樹脂組成物が、成分（Ｆ）インデンクマロン樹脂をさらに含む、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項１３】
前記樹脂組成物が、成分（Ｈ）シラン化合物をさらに含む、請求項１２に記載の高周波回路基板。
【請求項１４】
前記Ｄｋ（Ａ）が４．０以上である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項１５】
前記Ｄｋ（Ｂ）が３．５以下である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項１６】
前記Ｄｋ（Ｂ）が３．０以下である、請求項１５に記載の高周波回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、該回路基板の絶縁層の材料として用いられる樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて形成される接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に広く使用されている回路基板は、電子機器の小型化、高機能化のために、配線の微細化、高密度化が求められている。回路基板、特に高周波デバイスが搭載される回路基板（高周波回路基板）の構造としては、コア基板（内層基板）の少なくとも一方の主表面に絶縁層が設けられ、かかる絶縁層に導体層（配線）が設けられている構造が挙げられる。また、コア基板の一方の主表面に絶縁層及び導体層がそれぞれ複数層設けられる多層配線構造を有する高周波回路基板も知られている。このような多層配線構造を有する高周波回路基板の製造方法としては、コア基板の主表面に絶縁層と導体層とを交互に形成してこれらを積み重ねることにより多層配線構造を形成するビルドアップ方式による製造方法が知られている。
【０００３】
ビルドアップ方式による高周波回路基板の製造方法において、絶縁層は、例えば支持体と樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂組成物層（接着フィルム）を用いて、樹脂組成物層をコア基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化させることにより形成することができる。次いで、形成された絶縁層に穴あけ加工を行うことによりビアホールを形成することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
回路基板における電気信号の減衰の要因の１つとして、絶縁層の誘電率が大きいことが挙げられる。絶縁層の誘電率が大きいことに起因する電気信号の減衰を抑制するためには、誘電率をより小さくすることが求められる。
【０００５】
高周波の電気信号が伝送される高周波回路基板においては、高周波回路形成用絶縁層の誘電率が大きいことによる伝送損失が顕著であり、サーバー向けなど高周波の電気信号の伝送が求められる高周波回路基板においては、特に高周波回路形成用絶縁層の誘電率をより小さくすることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−３５９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高周波回路基板は、特に電気的特性を確保しつつ、コストを削減するためにガラスエポキシ基板といった比較的安価で誘電率が比較的高い内層基板を用いて製造されている。
【０００８】
しかしながら、このような従来の高周波回路基板において、求められる電気的特性に鑑みて高周波回路形成用絶縁層の誘電率をより小さくしようとすると、高周波回路形成用絶縁層の内層基板に対する密着性を確保することができず、内層基板から高周波回路形成用絶縁層が剥離してしまうなどの不具合が生じてしまう場合があった。
【０００９】
結果として、かかる高周波回路基板を備えるデバイス（半導体装置）の信頼性が損なわれてしまう場合があった。
【００１０】
したがって、比較的安価な内層基板を用いる高周波回路基板において、高周波回路形成用絶縁層の誘電率をより小さくすることができ、かつ高周波回路形成用絶縁層の内層基板に対する高い密着性を確保することで、信頼性が高められた高周波回路基板が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構成を採用した高周波回路基板により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は下記［１］〜［１６］を提供する。
［１］  内層基板と、
前記内層基板に接合している高周波回路形成用絶縁層と
を備える高周波回路基板であって、
前記内層基板の誘電率をＤｋ（Ａ）とし、前記高周波回路形成用絶縁層の誘電率をＤｋ（Ｂ）としたときに、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が下記式：
Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８
を満たし、かつ、前記内層基板に対する前記高周波回路形成用絶縁層のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である、高周波回路基板。
［２］  前記高周波回路形成用絶縁層が１層のみ設けられているか、又は前記高周波回路形成用絶縁層が前記内層基板の一方の主表面側に２層以上設けられている、［１］に記載の高周波回路基板。
［３］  前記高周波回路形成用絶縁層の厚さが、２０〜２００μｍである、［１］又は［２］に記載の高周波回路基板。
［４］  前記内層基板の厚さが、５０〜４０００μｍである、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［５］  前記内層基板がガラスエポキシ基板を含み、該ガラスエポキシ基板に接合している前記高周波回路形成用絶縁層が、成分（Ａ）エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化した硬化体である、［１］〜［４］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［６］  前記内層基板がエポキシ樹脂を含む材料を硬化した１層以上の絶縁層を含み、該絶縁層に前記高周波回路形成用絶縁層が接合しており、前記高周波回路形成用絶縁層が、成分（Ａ）エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化した硬化体である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［７］  前記樹脂組成物が、成分（Ｂ）硬化剤と、成分（Ｃ）無機充填材とをさらに含む、［５］又は［６］に記載の高周波回路基板。
［８］  前記樹脂組成物が、成分（Ｄ）有機充填材をさらに含む、［７］に記載の高周波回路基板。
［９］  前記成分（Ｄ）有機充填材が、シクロオレフィンポリマー粒子、ポリフェニレンエーテル粒子、ポリスチレン粒子、及びフッ素系ポリマー粒子からなる群から選択される１種以上の有機充填材である、［８］に記載の高周波回路基板。
［１０］  前記成分（Ｄ）有機充填材が、フッ素系ポリマー粒子である、［９］に記載の高周波回路基板。
［１１］  前記樹脂組成物が、成分（Ｅ）ビニル基を有する樹脂をさらに含む、［９］又は［１０］に記載の高周波回路基板。
［１２］  前記樹脂組成物が、成分（Ｆ）インデンクマロン樹脂をさらに含む、［９］〜［１１］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［１３］  前記樹脂組成物が、成分（Ｈ）シラン化合物をさらに含む、［１２］に記載の高周波回路基板。
［１４］  前記Ｄｋ（Ａ）が４．０以上である、［１］〜［１３］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［１５］  前記Ｄｋ（Ｂ）が３．５以下である、［１］〜［１４］のいずれか１つに記載の高周波回路基板。
［１６］  前記Ｄｋ（Ｂ）が３．０以下である、［１５］に記載の高周波回路基板。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、比較的安価な内層基板を用いる高周波回路基板において、かかる内層基板にさらに形成される高周波回路形成用絶縁層の誘電率をより小さくすることができ、かつ内層基板に対する高い密着性を有する高周波回路形成用絶縁層を備える、信頼性に優れた高周波回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、第１実施形態の高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【図２】図２は、第２実施形態の高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【図３】図３は、第３実施形態の高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置で、製造されたり、使用されたりするわけではない。
【００１６】
［高周波回路基板］
上記のとおり、本発明の高周波回路基板は、内層基板と、当該内層基板に接合している高周波回路形成用絶縁層とを備える高周波回路基板であって、内層基板の誘電率をＤｋ（Ａ）とし、高周波回路形成用絶縁層の誘電率をＤｋ（Ｂ）としたときに、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が式：Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８を満たし、かつ、内層基板に対する高周波回路形成用絶縁層のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である、高周波回路基板である。
【００１７】
ここで「高周波回路基板」とは、高周波帯域の電気信号であっても動作させることができる回路基板を意味する。ここで「高周波帯域」とは、１ＧＨｚ以上の帯域を意味する。本発明の高周波回路基板では特に２８ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの帯域の電気信号であっても有効に動作させることができる。
【００１８】
まず、高周波回路基板が備えている、内層基板及びこの内層基板に設けられている高周波回路形成用絶縁層それぞれについて説明する。
【００１９】
＜内層基板＞
内層基板は、例えばガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板といったコア基板を含む。また、内層基板は、コア基板自体であってもよい。コア基板の互いに対向する第１主面及び第２主面の片面側又は両面側には、直接的に導体層（半導体層）が設けられていてもよく、また、かかる導体層は第１主面及び／又は第２主面に設けられている絶縁層に設けられていてもよい。内層基板は、絶縁層及び／又は導体層が２層以上積層された多層構造を有していてもよい。内層基板には、２層以上の導体層がビアホール、スルーホール内に設けられた配線などにより相互に電気的に接続されている多層基板含まれる。内層基板は、受動素子といった任意好適なさらなる構成要素を備えていてもよい。
【００２０】
コア基板としては、電気的特性、入手性、コストなどの観点から、ガラスエポキシ基板、ＢＴレジン基材、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基材が好ましく、特にガラスエポキシ基板が好ましい。高周波回路基板に好適に用いることができるガラスエポキシ基板の例としては、パナソニック電工（株）製「Ｒ−１７６６」が挙げられる。また、高周波回路基板に好適に用いることができる多層基板である内層基板の例としては、パナソニック電工（株）製「Ｒ−１６６１」が挙げられる。
【００２１】
高周波回路基板に用いることができる内層基板の厚さは、通常、５０μｍ〜４０００μｍであり、高周波回路基板の機械的強度の向上及び低背化（厚さの低減）の観点から、好ましくは２００μｍ〜３２００μｍである。
【００２２】
＜高周波回路形成用絶縁層＞
高周波回路基板にかかる高周波回路形成用絶縁層は、後述する樹脂組成物を熱硬化した硬化物の層である。かかる硬化物からなる高周波回路形成用絶縁層は、特に高周波回路基板用の絶縁層に好適に適用することができる。高周波回路形成用絶縁層には、既に説明した高周波帯域の電気信号を伝送する高周波回路を構成するための配線のみならず、より低周波帯域の電気信号を伝送するための配線を混在させて設けることもできる。
【００２３】
高周波回路基板において、高周波回路形成用絶縁層は、内層基板に１層のみが設けられていてもよいし、２層以上が設けられていてもよい。なお、２層以上の絶縁層が設けられる場合には、導体層（配線層）と高周波回路形成用絶縁層とが交互に積層されたビルドアップ層として設けることができる。特にコア基板として、前記「Ｒ−１７６６」といったガラスエポキシ基板が用いられる場合には、コア基板の一方の主表面側に、２層以上の高周波回路用絶縁層が設けられていてもよい。
【００２４】
上記のとおり、本発明の高周波回路基板が備え得る内層基板は多様な構成を備え得る。ここで、高周波回路形成用絶縁層と内層基板との具体的な配置関係について説明する。（ｉ）内層基板がコア基板自体である場合には、高周波回路用絶縁層はコア基板の主面に直接的に接合する。（ｉｉ）内層基板がコア基板と、コア基板の主面に設けられた導体層とを備える場合には、高周波回路用絶縁層は、コア基板の主面及び導体層に接合する。（ｉｉｉ）内層基板がコア基板と、コア基板の主面に設けられた絶縁層とを備える場合には、高周波回路用絶縁層は、絶縁層に接合する。（ｉｖ）内層基板がコア基板とコア基板の主面に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた導体層を備える場合には、高周波回路用絶縁層は、絶縁層及び導体層に接合する。
【００２５】
高周波回路基板にかかる絶縁層の厚さは、通常、２０μｍ〜２００μｍであり、電気的特性の向上と高周波回路基板の低背化の観点から、好ましくは５０μｍ〜１５０μｍである。
【００２６】
絶縁層は、内層基板が備える導体層と絶縁層に設けられる導体層とを電気的に接続するための、又は２層以上の絶縁層に設けられる導体層同士を電気的に接続するための１個以上のビアホールを備えていてもよい。
【００２７】
高周波回路基板にかかる絶縁層の誘電率Ｄｋ（Ｂ）は、より低いことが好ましい。Ｄｋ（Ｂ）は、高周波の電気信号の伝送損失より小さくする観点から、３．５以下であることが好ましく、３．３以下であることがより好ましく、３．０以下であることがさらに好ましい。誘電率は、通常、２以上とし得る。誘電率は、後述する＜誘電率の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００２８】
上記のとおり、内層基板の誘電率をＤｋ（Ａ）としたときに、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が式：Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８を満たすことが好ましい。ここで、内層基板の誘電率とは、内層基板の両面から内層基板が備えうる導体層（配線層）を除去した態様での測定値を意味する。
【００２９】
上記の式を満たすように、内層基板の材料、すなわち高周波回路用絶縁層が接合するコア基板の材料、内層基板が備えうる絶縁層のうち高周波回路用絶縁層が接合する絶縁層の材料を選択し、高周波回路用絶縁層を形成するための樹脂組成物の材料を選択すれば、高周波の電気信号の伝送損失をより小さくすることができる。
【００３０】
Ｄｋ（Ａ）は、特に限定されない。Ｄｋ（Ａ）は、コスト及び入手性の観点から、４．０以上であることが好ましい。
【００３１】
高周波回路用絶縁層は、より低い誘電正接を示すことが好ましい。誘電正接は、高周波信号の伝送時の発熱防止、信号遅延及び信号ノイズの低減の観点から、０．０１０以下であることが好ましく、０．００９以下であることがより好ましく、０．００８以下、０．００７以下、０．００６以下、又は０．００５以下であることがさらに好ましい。誘電正接は、通常、０．００１以上とし得る。
【００３２】
高周波回路用絶縁層は、内層基板、すなわちコア基板、内層基板が備える絶縁層に対する良好な密着性を示す。内層基板に対するピール強度は、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、より好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、さらに好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である。内層基板に対するピール強度の評価は、後述する［ピール強度の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【００３３】
高周波回路用絶縁層は、内層基板が備える導体層に対しても良好な密着性、すなわち導体層に対する優れたピール強度を示す。導体層に対するピール強度は、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、より好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上であり、さらに好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である。導体層に対するピール強度の評価は、後述する［ピール強度の測定］に記載の方法に従って測定することができる。
【００３４】
ここで、本発明の高周波回路基板の構成例について図１、図２及び図３を参照して説明する。
【００３５】
まず、図１を参照して、第１の実施形態にかかる高周波回路基板の構成例について説明する。図１は、第１の実施形態にかかる高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【００３６】
図１に示されるように、第１の実施形態の高周波回路基板１０は、内層基板２０であるコア基板２２を備えている。コア基板２２は互いに対向する第１主面２２ａ（２０ａ）及び第２主面２２ｂ（２０ｂ）を有している。
【００３７】
第１主面２２ａには、コア基板２２に接合してこれを覆うように高周波回路用絶縁層３０が設けられている。高周波回路用絶縁層３０の表面には、高周波回路用導体層（配線層）４０が設けられている。なお、高周波回路用導体層４０には、高周波帯域の電気信号を伝送する高周波回路を構成するための配線のみならず、より低周波帯域の電気信号を伝送するための配線が含まれていてもよい。
【００３８】
第２主面２２ｂには、これに接合するように絶縁層５０が設けられている。絶縁層５０の表面には、導体層（配線層）６０が設けられている。
【００３９】
また、この構成例では、内層基板２０、すなわちコア基板２２、高周波回路用絶縁層３０及び絶縁層５０を厚さ方向に貫通するスルーホール１２が設けられている。スルーホール１２内にはスルーホール内配線１２ａが設けられている。この構成例では高周波回路用導体層４０のうちの一部と導体層６０のうちの一部とが、スルーホール内配線１２ａにより電気的に接続されている。
【００４０】
次に、図２を参照して、第２の実施形態にかかる高周波回路基板の構成例について説明する。図２は、第２の実施形態にかかる高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【００４１】
図２に示されるように、第２の実施形態の高周波回路基板１０は、内層基板２０を含んでいる。この構成例では、内層基板２０は、コア基板２２、第１導体層（配線層）２４及び第２導体層（配線層）２６を備えている。ここで、第１導体層２４は、コア基板２２の第１主面２２ａ、すなわち内層基板２０の第１主面２０ａに設けられている。第２導体層２６は、コア基板２２の第２主面２２ｂ、すなわち内層基板２０の第２主面２０ｂに設けられている。
【００４２】
第１導体層２４が設けられた第１主面２２ａには、コア基板２２及び第１導体層２４に接合してこれらを覆うように、すなわち内層基板２０の第１主面２０ａに接合するように高周波回路用絶縁層３０が設けられている。高周波回路用絶縁層３０の表面には、高周波回路用導体層４０が設けられている。
【００４３】
高周波回路用絶縁層３０には、高周波回路用絶縁層３０を厚さ方向に貫通するビアホール３２が設けられている。ビアホール３２内にはビアホール内配線３２ａが設けられている。この構成例では高周波回路用配線４０のうちの一部と第１導体層２４の一部とが、ビアホール内配線３２ａにより電気的に接続されている。
【００４４】
第２導体層２６が設けられた第２主面２２ｂには、コア基板２２及び第２導体層２６に、すなわち内層基板２０の第２主面２０ｂに接合してこれらを覆うように絶縁層５０が設けられている。絶縁層５０の表面には、導体層６０が設けられている。
【００４５】
低周波回路用絶縁層５０には、低周波回路用絶縁層５０を厚さ方向に貫通するビアホール５２が設けられている。ビアホール５２内にはビアホール内配線５２ａが設けられている。この構成例では低周波回路用導体層６０のうちの一部と第２導体層２６の一部とが、ビアホール内配線５２ａにより電気的に接続されている。
【００４６】
また、この構成例では、コア基板２２、高周波回路用絶縁層３０及び絶縁層５０を厚さ方向に貫通するスルーホール１２が設けられている。スルーホール１２内にはスルーホール内配線１２ａが設けられている。
【００４７】
次いで、図３を参照して、第３の実施形態にかかる高周波回路基板の構成例について説明する。図３は、第３の実施形態にかかる高周波回路基板の構成を説明するための模式的な図である。
【００４８】
図３に示されるように、第３の実施形態の高周波回路基板１０は、内層基板２０を含んでいる。この構成例では、内層基板２０は、コア基板２２、第１導体層２４、第２導体層２６、層間絶縁層２７及び第３導体層（配線層）２８を備えている。ここで、第１導体層２４は、コア基板２２の第１主面２２ａに設けられている。第２導体層２６は、コア基板２２の第２主面２２ｂに設けられている。層間絶縁層２７は、コア基板２２及び第１導体層２４に接合して、これらを覆うように設けられている。第３導体層２８は、層間絶縁層２７に接合するように設けられている。
【００４９】
高周波回路用絶縁層３０は、層間絶縁層２７及び第３導体層２８に接合して、これらを覆うように、すなわち内層基板２０の第１主面２０ａに接合するように設けられている。高周波回路用絶縁層３０の表面には、高周波回路用導体層４０が設けられている。
【００５０】
層間絶縁層２７には、層間絶縁層２７を厚さ方向に貫通するビアホール２９が設けられている。ビアホール２９内にはビアホール内配線２９ａが設けられている。この構成例では高周波回路用配線４０のうちの一部と第３導体層２８の一部とが、ビアホール内配線２９ａにより電気的に接続されている。
【００５１】
第２導体層２６が設けられた第２主面２２ｂ、すなわち内層基板２０の第２主面２０ｂには、これらに接合するように絶縁層５０が設けられている。絶縁層５０の表面には、導体層６０が設けられている。
【００５２】
絶縁層５０には、絶縁層５０を厚さ方向に貫通するビアホール５２が設けられている。ビアホール５２内にはビアホール内配線５２ａが設けられている。この構成例では導体層６０のうちの一部と第２導体層２６の一部とが、ビアホール内配線５２ａにより電気的に接続されている。
【００５３】
また、この構成例では、コア基板２２、層間絶縁層２７、高周波回路用絶縁層３０及び絶縁層５０を厚さ方向に貫通するスルーホール１２が設けられている。スルーホール１２内にはスルーホール内配線１２ａが設けられている。
【００５４】
［高周波回路基板の製造方法］
次に、高周波回路基板の製造方法について説明する。まず、かかる製造方法に用いられる接着フィルムについて説明する。
【００５５】
＜接着フィルム＞
接着フィルムは、支持体と、該支持体に設けられた、後述する樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを備えている。
【００５６】
支持体
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられる。支持体としては、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００５７】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」という場合がある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」という場合がある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」という場合がある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価で入手性に優れるのでポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００５８】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅のみからなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との銅合金からなる箔を用いてもよい。
【００５９】
支持体は、樹脂組成物層と接合する側の面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。
【００６０】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用することができる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体としては、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」等が挙げられる。
【００６１】
支持体の厚さは、特に限定されない。支持体の厚さは、５μｍ〜７５μｍの範囲であることが好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲であることがより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【００６２】
樹脂組成物層
接着フィルムが備える樹脂組成物層は、樹脂ワニスの塗膜を半硬化した薄膜である。接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体に塗布し、樹脂ワニスの塗膜をある程度乾燥させて樹脂組成物層とすることにより製造することができる。
【００６３】
樹脂組成物層の形成に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００６４】
樹脂ワニスの塗膜の乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施することができる。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、樹脂ワニスの塗膜を、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【００６５】
接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の面のうちの支持体とは接合していない側の面（支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではない。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズがついてしまうことを抑制することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がし、除去することによって使用可能となる。
【００６６】
接着フィルムにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）の最低溶融粘度は、樹脂組成物層が薄くともその厚さを安定して維持するという観点から、１０００ポイズ（ｐｏｉｓｅ）以上であることが好ましく、１５００ポイズ以上であることがより好ましく、２０００ポイズ以上であることがさらに好ましい。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、回路の埋め込み性を良好にする観点から、好ましくは１２０００ポイズ以下であり、より好ましくは１００００ポイズ以下であり、さらに好ましくは８０００ポイズ以下であり、特に好ましくは５０００ポイズ以下である。
【００６７】
「樹脂組成物層の最低溶融粘度」とは、樹脂組成物層が溶融した際に呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で樹脂組成物層を加熱して溶融させると、初期においては溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある程度の時間の経過により温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。最低溶融粘度とは、溶融粘度が最も低下した極小点の溶融粘度をいう。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができる。
【００６８】
＜プリプレグ＞
高周波回路基板にかかる絶縁層は、既に説明した接着フィルムに代えて、プリプレグを用いて形成してもよい。プリプレグは、シート状繊維基材に後述する樹脂組成物を含浸させて形成することができる。
プリプレグは、１枚のシート状繊維基材のみを含んでいてもよく、２枚以上のシート状繊維基材を含んでいてもよい。
【００６９】
プリプレグに用いられるシート状繊維基材の材料は特に限定されない。シート状繊維基材としては、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。高周波回路基板の薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは２００μｍ以下であり、より好ましくは１５０μｍ以下であり、さらに好ましくは１２０μｍ以下であり、さらにより好ましくは１００μｍ以下である。導体層の形成にかかるめっきのもぐり深さを小さく抑えることができるため、８００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。シート状繊維基材の厚さは、通常、４μｍ以上とすることができ、６μｍ以上とすることができ、８μｍ以上とすることができる。なお、プリプレグについて「不揮発成分」という場合には、かかる「不揮発成分」には上記「シート状繊維基材」は含まれない。
【００７０】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【００７１】
プリプレグの厚さは、上述の接着フィルムにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。
【００７２】
高周波回路基板は、接着フィルムを用いて、下記工程（Ｉ）及び工程（ＩＩ）を含む製造方法により製造することができる。
工程（Ｉ）内層基板に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
工程（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
【００７３】
内層基板への接着フィルムの積層は、例えば、支持体側から接着フィルムを内層基板に押圧しつつ加熱する加熱圧着工程により行うことができる。加熱圧着工程に用いられる部材（「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）が挙げられる。なお、加熱圧着部材を接着フィルムの支持体に直接的に押し当ててプレスするのではなく、内層基板の主表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するように、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスすることが好ましい。
【００７４】
内層基板と接着フィルムとの積層は、真空ラミネート法により実施することができる。真空ラミネート法において、加熱圧着の温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃の範囲であり、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲である。加熱圧着の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａの範囲であり、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着の時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間の範囲であり、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【００７５】
積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ（株）製のバキュームアップリケーターが挙げられる。
【００７６】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材で支持体側からさらにプレスすることにより、積層された樹脂組成物層の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着の条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層及び平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【００７７】
支持体は、工程（Ｉ）と工程（ＩＩ）との間に除去してもよく、工程（ＩＩ）の後に除去してもよい。
【００７８】
工程（ＩＩ）において、積層（及び平滑化処理）された樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。
【００７９】
樹脂組成物層の熱硬化の条件は特に限定されず、高周波回路基板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を採用することができる。
【００８０】
樹脂組成物層の熱硬化条件は、例えば、硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）とすることができる。
【００８１】
樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化するのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。
【００８２】
高周波回路基板を製造するに際しては、（ＩＩＩ）絶縁層に穴あけする工程、（ＩＶ）絶縁層を粗化処理する工程、及び（Ｖ)導体層を形成する工程のうちのいずれかをさらに実施してもよい。これらの工程（ＩＩＩ）乃至（Ｖ）は、高周波回路基板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施することができる。なお、支持体を工程（ＩＩ）の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程（ＩＩ）と工程（ＩＩＩ）との間、工程（ＩＩＩ）と工程（ＩＶ）との間、又は工程（ＩＶ）と工程（Ｖ）との間に実施することができる。
【００８３】
他の実施形態において、本発明の高周波回路基板にかかる絶縁層は、接着フィルムに代えて、既に説明したプリプレグを用いて形成してもよい。プリプレグを用いる絶縁層の形成は、基本的に接着フィルムを用いる場合と同様の工程により実施することができる。
【００８４】
工程（ＩＩＩ）は、絶縁層に穴あけする工程であり、これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。工程（ＩＩＩ）は、絶縁層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施すればよい。ホールの寸法や形状は、高周波回路基板のデザインに応じて適宜決定すればよい。
【００８５】
工程（ＩＶ）は、絶縁層を粗化処理する工程である。粗化処理の手順、条件は特に限定されず、高周波回路基板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液は特に限定されない。膨潤液としては、例えばアルカリ溶液、界面活性剤溶液が挙げられる。膨潤液は、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されない。膨潤処理は、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に絶縁層を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に絶縁層を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤は、特に限定されない。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた絶縁層の処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた絶縁層を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬することが好ましい。
【００８６】
一実施形態において、粗化処理後の絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは２８０ｎｍ以下であり、より好ましくは２５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２００ｎｍ以下であり、１４０ｎｍ以下、１３０ｎｍ以下、１２０ｎｍ以下、１１０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９５ｎｍ以下、又は９０ｎｍ以下である。Ｒａ値は０．５ｎｍ以上であることが好ましく、１ｎｍ以上であることがより好ましい。絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００」が挙げられる。
【００８７】
工程（Ｖ）は、導体層を形成する工程である。
【００８８】
導体層に用いられる材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層の形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【００８９】
導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した多層構造であってもよい。導体層が多層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。
【００９０】
導体層の厚さは、通常、３μｍ〜２００μｍであり、好ましくは１０μｍ〜１００μｍである。
【００９１】
一実施形態において、導体層は、めっきにより形成することができる。例えば、セミアディティブ法、モディファイド‐セミアディティブ法、フルアディティブ法といった従来公知の方法により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。以下、導体層をモディファイド‐セミアディティブ法により形成する例について説明する。
【００９２】
まず、絶縁層の表面に、銅箔の層を形成する。銅箔の層としては、例えば接着フィルムの支持体として用いた銅箔をそのまま用いてもよいし、銅箔を例えばエッチング工程などによってより厚さを薄くして用いてもよい。次いで、銅箔の層をシード層として、所望の配線パターンに対応するようにシード層の一部分を露出させるマスクパターンを形成する。露出したシード層に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。
【００９３】
高周波回路基板が２層以上の高周波回路用絶縁層及び配線層（ビルドアップ層）を備える場合には、既に説明した高周波回路用絶縁層の形成工程、導体層の形成工程をさらに１回以上繰り返して実施することにより高周波回路として機能し得る多層配線構造を備える高周波回路基板を製造することができる。
【００９４】
［樹脂組成物］
以下、本発明の高周波回路基板を製造するための接着フィルム及びプリプレグの形成に好適に用いることができる樹脂組成物について説明する。
【００９５】
高周波回路用絶縁層の形成のための樹脂組成物の成分は、樹脂組成物の硬化体である高周波回路用絶縁層の内層基板に対する密着性（ピール強度）を高める観点から、用いられる内層基板の材料を勘案して、内層基板の材料と同様の構造、同等の特性（例えば、極性の大きさ）を有する材料を選択することが好ましい。
【００９６】
例えば、高周波回路用絶縁層と接合するコア基板がガラスエポキシ基板といったエポキシ樹脂を材料として含む場合及び／又は内層基板が備える絶縁層であって高周波回路用絶縁層と接合する絶縁層がエポキシ樹脂を含む場合には、樹脂組成物は成分（Ａ）エポキシ樹脂を含むことが好ましく、また、例えば、高周波回路用絶縁層と接合するコア基板がＢＴレジン基板である場合及び／又は内層基板が備える絶縁層であって高周波回路用絶縁層と接合する絶縁層がカルボジイミド基を有する樹脂又はトリアジン骨格を有する樹脂を含む場合には、樹脂組成物はカルボジイミド基を有する樹脂又はトリアジン骨格を有する樹脂を含むことが好ましく、さらに、高周波回路用絶縁層と接合するコア基板がポリフェニレンエーテル基板である場合及び／又は内層基板が備える絶縁層であって高周波回路用絶縁層と接合する絶縁層がポリフェニレンエーテル骨格を有する樹脂を含む場合には、樹脂組成物はポリフェニレンエーテル骨格を有する樹脂を含むことが好ましい。
【００９７】
このように樹脂組成物を選択すれば、安価で入手性に優れた内層基板を用いたとしても高周波回路用絶縁層の内層基板に対する密着性を確保することができる。
【００９８】
＜成分（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、成分（Ａ）エポキシ樹脂を含有しうる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９９】
成分（Ａ）は、平均線熱膨張率を低下させる観点から、芳香族骨格含有エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることがより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。なお、芳香族骨格とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
【０１００】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（「固体状エポキシ樹脂」という。）を含むことが好ましい。エポキシ樹脂は、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（「液状エポキシ樹脂」という。）と、固体状エポキシ樹脂とを含んでいてもよい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。
【０１０１】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス（株）製「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、（株）ダイセル製「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０２】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。
【０１０３】
固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０４】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に粘着性を好適にすることができ、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性を向上させることができ、かつｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．５〜１：１０の範囲がより好ましく、１：１〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【０１０５】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量は、本発明の効果を得ることができることを条件として、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、さらに好ましくは４０質量％以下である。
【０１０６】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００であり、より好ましくは５０〜３０００であり、さらに好ましくは８０〜２０００であり、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲とすることで、硬化物の架橋密度が十分であり、表面粗さの小さい絶縁層とすることができる。なお、エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量であり、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができる。
【０１０７】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００であり、より好ましくは２５０〜３０００であり、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【０１０８】
＜成分（Ｂ）硬化剤＞
樹脂組成物は、成分（Ｂ）硬化剤を含有する。硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されない。成分（Ｂ）硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。成分（Ｂ）は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、活性エステル系硬化剤であることが好ましい。
【０１０９】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【０１１０】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成（株）製「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ−７８５１Ｈ」、日本化薬（株）製「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金（株）製「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」が挙げられる。
【０１１１】
導体層との密着性に優れる高周波回路用絶縁層を得る観点から、成分（Ｂ）としては、活性エステル系硬化剤が好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はない。活性エステル系硬化剤としては、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤としては、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られる化合物が好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。
【０１１２】
用いられ得るカルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸が挙げられる。
【０１１３】
用いられ得るフェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラックが挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【０１１４】
活性エステル系硬化剤としては、具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【０１１５】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物であるＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物であるＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物である三菱化学（株）製「ＤＣ８０８」、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物である三菱化学（株）製「ＹＬＨ１０２６」、「ＹＬＨ１０３０」、「ＹＬＨ１０４８」が挙げられる。
【０１１６】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【０１１７】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーが挙げられる。
【０１１８】
シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）が挙げられる。
【０１１９】
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」が挙げられる。
【０１２０】
エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．１〜１：１の範囲であることが好ましく、１：０．２〜１：０．９であることがより好ましく、１：０．３〜１：０．８であることがさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比をかかる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。
【０１２１】
樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されない。樹脂組成物中の含有量は、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以下であり、さらに好ましくは３０質量％以下である。また、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは７質量％以上である。
【０１２２】
＜成分（Ｃ）無機充填材＞
樹脂組成物は、さらに成分（Ｃ）無機充填材を含有していてもよい。無機充填材の材料は特に限定されない。無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウムが挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２３】
無機充填材の平均粒径は、導体層の埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い高周波回路用絶縁層を得る観点から、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下であり、さらに好ましくは５μｍ以下であり、より好ましくは３μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上であり、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、新日鉄住金マテリアルズ（株）製「ＳＰ６０−０５」、「ＳＰ５０７−０５」、（株）アドマテックス製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、デンカ（株）製「ＵＦＰ−３０」、（株）トクヤマ製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、（株）アドマテックス製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」が挙げられる。
【０１２４】
無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルとしては、無機充填材を超音波により水中に分散させたサンプルを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。
【０１２５】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）が挙げられる。
【０１２６】
表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上であることが好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上であることがより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上であることが更に好ましい。他方、樹脂ワニスの溶融粘度や樹脂ワニスをシート形態としたときの溶融粘度の上昇を防止する観点から、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、１ｍｇ／ｍ２以下であることが好ましく、０.８ｍｇ／ｍ２以下であることがより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下であることが更に好ましい。
【０１２７】
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、まず、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。次いで、上澄液を除去して、不揮発成分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【０１２８】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、誘電率が低い絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは１０質量％以上であり、より好ましくは２０質量％以上であり、さらに好ましくは３０質量％以上、又は４０質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、絶縁層の機械強度、特に密着強度を良好にする観点から、好ましくは８０質量％以下である、より好ましくは７５質量％以下であり、さらに好ましくは７０質量％以下である。
【０１２９】
＜成分（Ｄ）有機充填材＞
樹脂組成物は、成分（Ｄ）有機充填材を含有していてもよい。
【０１３０】
成分（Ｄ）の粒径は特に限定されない。成分（Ｄ）の平均粒径は、樹脂組成物中における分散性に優れるので、５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましい。成分（Ｄ）の平均粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．０８μｍ以上であることがより好ましく、０．１０μｍ以上であることがさらに好ましい。よって、成分（Ｄ）は、平均粒径が０．０５μｍ〜５μｍであることが好ましく、０．０８μｍ〜４μｍであることがより好ましく、０．１０μｍ〜３μｍであることがさらに好ましい。
【０１３１】
成分（Ｄ）としては高周波回路用絶縁層の誘電率を低減することができることを条件として特に限定されない。成分（Ｄ）としては、例えば、フッ素樹脂、フッ素ゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂、オレフィン類との付加共重合型樹脂、ポリフェニレンエーテル、ビスマレイミド・トリアジン・レジン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及び液晶ポリマーから選ばれる材料を含む粒子が挙げられる。好適な成分（Ｄ）としては、例えば、フッ素系ポリマー粒子、シクロオレフィンポリマー粒子、ポリフェニレンエーテル粒子、ポリスチレン粒子が挙げられる。これらのうち、高周波回路用絶縁層の誘電率を低減する観点から、フッ素樹脂を含むフッ素系ポリマー粒子が好ましい。
【０１３２】
フッ素樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー（ＴＦＥ／ＰＤＤ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）が挙げられる。これらの樹脂は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３３】
高周波回路用絶縁層の誘電率をより低減する観点から、フッ素系樹脂としてはＰＴＦＥを用いることが好ましい。換言すると、成分（Ｄ）としては、フッ素系樹脂としてＰＴＦＥを含むフッ素系ポリマー粒子であるＰＴＦＥ粒子を用いることが好ましい。
【０１３４】
ＰＴＦＥの重量平均分子量は、５００００００以下であることが好ましく、４００００００以下であることがより好ましく、３００００００以下であることがさらに好ましい。
【０１３５】
フッ素系ポリマー粒子としては、市販品を用いてもよい。市販のフッ素系ポリマー粒子であるＰＴＦＥ粒子の具体例としては、ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−２」、ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−５」、ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−５Ｆ」、旭硝子（株）製「ＦｌｕｏｎＰＴＦＥ  Ｌ−１７０ＪＥ」、旭硝子（株）製「ＦｌｕｏｎＰＴＦＥＬ−１７２ＪＥ」、旭硝子（株）製「ＦｌｕｏｎＰＴＦＥ  Ｌ−１７３ＪＥ」、（株）喜多村製「ＫＴＬ−５００Ｆ」、（株）喜多村製「ＫＴＬ−２Ｎ」、（株）喜多村製「ＫＴＬ−１Ｎ」、三井・デュポン  フロロケミカル（株）「ＴＬＰ１０Ｆ−１」が挙げられる。
【０１３６】
成分（Ｄ）は、例えば、表面処理された粒子を含んでいてもよい。表面処理としては例えば、表面処理剤での表面処理が挙げられる。表面処理剤は、特に限定されない。表面処理剤には、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤等の界面活性剤の他、無機微粒子等も含まれる。成分（Ｄ）がフッ素樹脂を含むフッ素系ポリマー粒子である場合には、親和性の観点から、表面処理剤としては、フッ素系の界面活性剤を用いることが好ましい。フッ素系の界面活性剤の具体例としては、ＡＧＣセイミケミカル（株）製「サーフロンＳ−２４３」（パーフルオロアルキル  エチレンオキシド付加物）、ＤＩＣ（株）製「メガファックＦ−２５１」、ＤＩＣ（株）製「メガファックＦ−４７７」、ＤＩＣ（株）製「メガファックＦ−５５３」、ＤＩＣ（株）製「メガファックＲ−４０」、ＤＩＣ（株）製「メガファックＲ−４３」、ＤＩＣ（株）製「メガファックＲ−９４」、ネオス（株）製「ＦＴＸ−２１８」、ネオス（株）製「フタージェント６１０ＦＭ」、ネオス（株）製「フタージェント７３０ＬＭ」が挙げられる。
【０１３７】
成分（Ｄ）の含有量は、高周波回路用絶縁層の誘電率を効果的に低減する観点から、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、１５質量％以上であることがさらに好ましい。成分（Ｄ）の含有量は、６０質量％以下であることが好ましく、５５質量％以下であることがより好ましく、４５質量％以下、３５質量％以下、３０質量％以下であることがさらに好ましい。よって、成分（Ｄ）の含有量は５質量％〜６０質量％であることが好ましく、１０質量％〜３５質量％であることがより好ましく、１５質量％〜３０質量％であることがさらに好ましい。
【０１３８】
＜成分（Ｅ）不飽和炭化水素基を有する樹脂＞
樹脂組成物は、成分（Ｅ）不飽和炭化水素基を有する樹脂を含有することが好ましい。成分（Ｅ）を含むことで樹脂組成物の相溶性を高め、溶融粘度の良好な樹脂組成物を得ることができる。成分（Ｅ）は１種単独で用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【０１３９】
成分（Ｅ）は、不飽和炭化水素基を有していれば特に限定されない。不飽和炭化水素基は、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、オレフィン基であることが好ましい。ここで、「オレフィン基」とは、分子中に炭素−炭素二重結合を有する脂肪族炭化水素基をいう。オレフィン基としては、例えば、アリル基、ビニル基、プロペニル基が挙げられる。すなわち、成分（Ｅ）は、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、アリル基、ビニル基及びプロペニル基からなる群から選択される１以上の不飽和炭化水素基を有する樹脂であることが好ましい。成分（Ｅ）は、その構造中に芳香環を有することが好ましい。中でも、成分（Ｅ）は、保存時の安定性を高める観点から、下記式（１）又は（４）で表される化合物（樹脂）であることが好ましい。
【０１４０】
【化１】
2018133416.tif 000003
【０１４１】
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ａは、下記式（２）又は下記式（３）で表される基を表す。
【０１４２】
【化２】
2018133416.tif 000004
【０１４３】
式（２）中、Ｅは下記式（Ｅ−１）、（Ｅ−２）又は（Ｅ−３）で表される基を表す。
【０１４４】
【化３】
2018133416.tif 000005
【０１４５】
式（３）中、Ｒ７〜Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数６以下のアルキル基又はフェニル基を表す。Ｅは下記式（Ｅ−１）、（Ｅ−２）又は（Ｅ−３）を表す。ａ及びｂは、０〜１００の整数であって、ａ及びｂのうちの少なくとも一方は０ではない整数を表す。
【０１４６】
【化４】
2018133416.tif 000006
【０１４７】
式（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）中、Ｒ１５〜Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数６以下のアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｇは、炭素原子数２０以下の直鎖状、分岐状又は環状の２価の炭化水素基を表す。
【０１４８】
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ６は水素原子であることが好ましい。炭素原子数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
【０１４９】
式（３）中のＲ７〜Ｒ１４、及び式（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）中のＲ１５〜Ｒ３４にかかる炭素原子数６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。Ｒ７〜Ｒ１４としては、水素原子、メチル基が好ましい。
【０１５０】
ａ及びｂは、０〜１００の整数であって、ａ及びｂのうちの少なくとも一方が０ではない整数を表す。ａ及びｂは０〜５０の整数であることが好ましく、０〜１０の整数であることがより好ましい。
【０１５１】
Ｇは、炭素原子数２０以下の直鎖状、分岐状又は環状の２価の炭化水素基を表す。２価の炭化水素基としては、例えば、炭素原子数１〜２０のアルキレン基、炭素原子数２〜２０のアルケニレン基、炭素原子数２〜２０のアルキニレン基が挙げられる。炭素原子数１〜２０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。炭素原子数２〜２０のアルケニレン基としては、例えば、ビニレン基、プロぺニレン基、ブテニレン基が挙げられる。炭素原子数２〜２０のアルキニレン基としては、例えば、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基が挙げられる。
【０１５２】
ビニル基を有する樹脂におけるビニル基は、置換基を有していてもよい。また、前記アルキル基、フェニル基、及び２価の炭化水素基も置換基を有していてもよい。
【０１５３】
かかる置換基は、特に制限されない。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、−ＯＨで表される基、−Ｏ−Ｃ１−６アルキル基、−Ｎ（Ｃ１−６アルキル基）２、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ６−１０アリール基、−ＮＨ２で表される基、−ＣＮで表される基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ１−６アルキル基、−ＣＯＯＨで表される基、−Ｃ（Ｏ）Ｈで表される基、−ＮＯ２で表される基が挙げられる。
【０１５４】
前記置換基にかかる「Ｃ１−６」及び「Ｃ６−１０」の意味を、これらの文言を「Ｃｐ−ｑ」と一般化して説明する。「Ｃｐ−ｑ」（ここで、ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）は、この文言の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ〜ｑであることを表す。具体的には、例えば、「Ｃ１−６アルキル基」は、「炭素原子数１〜６のアルキル基」を表している。
【０１５５】
置換基は、さらに置換基（以下、「２次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。２次置換基としては、例えば、既に説明した置換基と同じ基が挙げられる。
【０１５６】
成分（Ｅ）の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５７】
【化５】
2018133416.tif 000007
【０１５８】
式中、Ｒ１〜Ｒ６、Ｅ、ａ、ｂは、前記式（１）又は式（３）において定義されたとおりであり、これらの好ましい範囲も同様である。
【０１５９】
【化６】
2018133416.tif 000008
【０１６０】
成分（Ｅ）の具体例としては、三菱瓦斯化学（株）製「ＯＰＥ−２Ｓｔ  ２２００（数平均分子量２２００）」、「ＯＰＥ−２Ｓｔ  １２００（数平均分子量１２００）」（スチレン変性ポリフェニレンエーテル樹脂）、三菱化学（株）製「ＹＬ７７７６（数平均分子量３３１）」（ビキシレノールジアリルエーテル樹脂）が挙げられる。
【０１６１】
成分（Ｅ）の数平均分子量は、樹脂ワニスの乾燥時における揮発を防止し、樹脂組成物の溶融粘度が上昇しすぎるのを防止するという観点から、１００〜１００００の範囲であることが好ましく、２００〜３０００の範囲であることがより好ましい。
【０１６２】
なお数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレン換算）で測定される。ＧＰＣ法による数平均分子量は、具体的には、測定装置として（株）島津製作所製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を用い、カラムとして昭和電工（株）製「Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を用い、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【０１６３】
成分（Ｅ）の含有量は、相溶性の良好な樹脂組成物を得る観点から、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは２５質量％以下であり、さらに好ましくは２０質量％以下、又は１５質量％以下である。成分（Ｅ）の含有量は、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上であり、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。
【０１６４】
樹脂組成物は、成分（Ｅ）を含むことで、既に説明した成分（Ｄ）（特にフッ素系ポリマー粒子）を樹脂組成物中でより均一に分散させることができる。結果として、樹脂組成物の均一性が向上するため、コア基板に対する密着性をより向上させることができ、これにより形成される絶縁層の誘電率などの電気的特性を向上させ、デバイスの信頼性を向上させることができる。
【０１６５】
＜成分（Ｆ）インデンクマロン樹脂＞
樹脂組成物は、成分（Ｆ）インデンクマロン樹脂を含有することが好ましい。成分（Ｆ）を含むことで相溶性が向上し、物性バランスの良好な樹脂組成物を得ることができる。成分（Ｆ）に含まれるクマロン骨格は極性の高いエポキシ樹脂や硬化剤との相溶性が高く、またインデン骨格及びクマロン骨格は極性の低いビニル樹脂との相溶性が高い。そのため、極性の高い樹脂と極性が低い樹脂との間で相溶化剤として機能し、樹脂組成物全体の相溶性が向上すると考えられる。
【０１６６】
成分（Ｆ）としては、例えば、インデン及びクマロンの共重合体、インデン、クマロン及びスチレンの共重合体を挙げることができる。
【０１６７】
インデンクマロン樹脂中のクマロン構造の含有比率は、好ましくは５モル％以上であり、より好ましくは８モル％以上であり、さらに好ましくは１０モル％以上である。インデンクマロン樹脂中のクマロン構造の含有比率は、好ましくは４０モル％以下であり、より好ましくは３５モル％以下であり、さらに好ましくは３０モル％以下である。
【０１６８】
インデンクマロン樹脂中のインデン構造の含有比率は、好ましくは３０モル％以上であり、より好ましくは３５モル％以上であり、さらに好ましくは４０モル％以上である。インデンクマロン樹脂中のインデン構造の含有比率は、好ましくは８０モル％以下であり、より好ましくは７５モル％以下であり、さらに好ましくは７０モル％以下である。
【０１６９】
インデンクマロン樹脂がインデン、クマロン及びスチレンの共重合体である場合、スチレン構造の含有比率は、好ましくは２０モル％以上であり、より好ましくは２５モル％以上であり、さらに好ましくは３０モル％以上である。インデンクマロン樹脂がインデン、クマロン及びスチレンの共重合体である場合のスチレン構造の含有比率は、好ましくは７０モル％以下であり、より好ましくは６５モル％以下であり、さらに好ましくは６０モル％以下である。
【０１７０】
インデンクマロン樹脂の具体例としては、日塗化学（株）製「Ｈ−１００」、「Ｖ−１２０Ｓ」、「Ｖ−１２０」が挙げられる。
【０１７１】
成分（Ｆ）の含有量は、相溶性の良好な樹脂組成物を得る観点から、不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上であり、好ましくは２質量％以上、より好ましくは３質量％以上である。成分（Ｆ）の含有量は、溶融粘度の良好な樹脂組成物を得る観点、下地密着性に優れる絶縁層を得る観点から、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下又は８質量％以下である。
【０１７２】
本発明にかかる樹脂組成物は、成分（Ｆ）を含むことで相溶性が向上し、溶融粘度を良好にすることができる。結果として、樹脂組成物を用いて形成される高周波回路用絶縁層の誘電率をより低くすることができ、かつ内層基板に対する密着性、導体層に対する密着性を向上させることができ、これによりデバイスの信頼性を向上させることができる。
【０１７３】
樹脂組成物は、上記成分（Ｅ）及び成分（Ｆ）のうちのいずれか一方を含有していてもよく、両方を含有していてもよい。
【０１７４】
＜成分（Ｇ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、成分（Ｇ）硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、過酸化物系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤としては、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１７５】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネートが挙げられる。リン系硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【０１７６】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが挙げられる。アミン系硬化促進剤としては、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【０１７７】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤としては、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【０１７８】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るイミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、三菱化学（株）製「Ｐ２００−Ｈ５０」が挙げられる。
【０１７９】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニドが挙げられる。グアニジン系硬化促進剤としては、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【０１８０】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸錫、ステアリン酸亜鉛が挙げられる。
【０１８１】
過酸化物系硬化促進剤としては、例えば、シクロヘキサノンパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔｅｒｔ-ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイドが挙げられる。
【０１８２】
過酸化物系硬化促進剤としては、市販品を用いることができる。過酸化物系硬化促進剤としては、例えば、日油（株）製「パークミル  Ｄ」が挙げられる。
【０１８３】
樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されない。硬化促進剤の含有量は、不揮発成分を１００質量％とした場合、０．０１質量％〜１質量％であることが好ましい。
【０１８４】
＜成分（Ｈ）シラン化合物＞
樹脂組成物は、成分（Ｈ）シラン化合物を含有していてもよい。シラン化合物としては、フッ素系シラン化合物が好ましい。成分（Ｈ）シラン化合物としては、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランが好ましく、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランがより好ましい。市販のシラン化合物としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−７１０３」が挙げられる。
【０１８５】
樹脂組成物に成分（Ｈ）シラン化合物を含有させることにより、既に説明した成分（Ｃ）及び成分（Ｄ）を樹脂組成物中でより均一に分散させることができる。結果として、樹脂組成物の均一性が向上し、形成される絶縁層の誘電率などの電気的特性、密着性といった物理的特性をより向上させることができる。
【０１８６】
＜成分（Ｉ）熱可塑性樹脂＞
樹脂組成物は、成分（Ｉ）熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１８７】
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、８０００〜７００００の範囲であることが好ましく、１００００〜６００００の範囲であることがより好ましく、２００００〜６００００の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を用い、カラムとして昭和電工（株）製「Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を用いて、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃として測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【０１８８】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学（株）製「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１ＢＨ３０」及び「ＹＬ７４８２」が挙げられる。
【０１８９】
ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられる。ポリビニルアセタール樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業（株）製「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ−５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ−１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズが挙げられる。
【０１９０】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【０１９１】
ポリアミドイミド樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【０１９２】
ポリエーテルスルホン樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製「ＰＥＳ５００３Ｐ」が挙げられる。
【０１９３】
ポリスルホン樹脂としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得るポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」が挙げられる。
【０１９４】
中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。好適な一実施形態において、熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される１種以上を含む。
【０１９５】
樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有する場合、熱可塑性樹脂の含有量は、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％〜１５質量％、より好ましくは０．６質量％〜１２質量％、さらに好ましくは０．７質量％〜１０質量％である。
【０１９６】
＜成分（Ｊ）難燃剤＞
樹脂組成物は、成分（Ｊ）難燃剤を含有していてもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【０１９７】
難燃剤としては、市販品を用いてもよい。市販の用いられ得る難燃剤としては、例えば、三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業（株）製「ＰＸ−２００」が挙げられる。
【０１９８】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されない。難燃剤の含有量は、不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％〜２０質量％であり、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％であり、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％である。
【０１９９】
＜成分（Ｋ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、任意の添加剤を含んでいてもよい。かかる任意の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤が挙げられる。
【０２００】
［半導体装置］
本発明の高周波回路基板にかかる半導体装置は、既に説明した高周波回路基板を含む。換言すると、本発明の半導体装置は、本発明の高周波回路基板を用いて製造することができる。
【０２０１】
半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【０２０２】
半導体装置は、高周波回路基板の導通箇所に、部品（半導体チップ）を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「高周波回路基板における電気信号を伝送することができる箇所」であって、その箇所は高周波回路基板の表面であっても、高周波回路基板の厚さ内に埋め込まれた箇所であっても構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
【０２０３】
本発明の半導体装置を製造するための半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。半導体チップの実装方法としては、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法」とは、「半導体チップを高周波回路基板に直接的に埋め込み、半導体チップと高周波回路基板の配線とを接続させる実装方法」を意味する。
【実施例】
【０２０４】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０２０５】
＜測定方法及び評価方法＞
まず、実施例にかかる測定方法及び評価方法について説明する。
【０２０６】
１．誘電率の測定
後述する実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスを、支持体である、離型処理されたＰＥＴフィルム（リンテック（株）製、「ＰＥＴ５０１０１０」）の表面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるように、ダイコーターを用いて均一に塗布し、８０℃〜１１０℃（平均９５℃）で６分間乾燥した。その後、２００℃で９０分間加熱処理し、支持体を剥離することで硬化物フィルムを得た。
【０２０７】
得られた硬化物フィルムを長さ８０ｍｍ、幅２ｍｍの短冊状に切り出して評価サンプルとした。
【０２０８】
この評価サンプルについてアジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」を用い、空洞共振摂動法により測定周波数１０ＧＨｚ、測定温度２３℃にて誘電率を測定した。
【０２０９】
２本の評価サンプルについてそれぞれ測定を行い、平均値を算出して、評価サンプル（樹脂組成物の硬化物）の誘電率Ｄｋ（Ｂ）の測定値とした。
【０２１０】
また、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．８ｍｍ、パナソニック電工（株）製「Ｒ―１７６６」）について、塩化第二鉄水溶液により両面の銅箔を除去し、１０ＧＨｚで測定温度２３℃にてガラス布基材エポキシ樹脂基板（コア基板）の誘電率を測定した。結果として、コア基板の誘電率は４．３であった。
【０２１１】
２．高周波回路用絶縁層と導体層との引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
（１）樹脂組成物層付き銅箔（接着フィルム）の形成
実施例及び比較例で得られた樹脂組成物を銅箔である三井金属工業（株）製「ＭＴ１８Ｅｘ」箔の表面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターを用いて均一に塗布し、８０℃〜１１０℃（平均９５℃）で６分間乾燥し、樹脂組成物層付き銅箔を得た。
【０２１２】
（２）樹脂組成物層付き銅箔（接着フィルム）のラミネート
得られた樹脂組成物層付き銅箔（２枚）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ（株）製「２ステージビルドアップラミネーター  ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層がガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．８ｍｍ、パナソニック電工（株）製「Ｒ―１７６６」）の両面と接するように、両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、雰囲気の温度を１００℃とし、圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、雰囲気の温度を１００℃とし、圧力を０．５ＭＰａとして６０秒間熱プレスを行った。
【０２１３】
（３）銅箔付き硬化体の形成
ラミネートされた樹脂組成物層付き銅箔がコア基板にラミネートされた積層体を２００℃、９０分間の硬化条件で加熱処理を行って樹脂組成物層を硬化させることにより硬化体（高周波回路用絶縁層）とし、銅箔付き硬化体を形成した。
【０２１４】
（４）導体層（積層板）の形成（電気めっき）
上記工程（３）で得られた銅箔付き硬化体からキャリア銅箔を剥離した後、厚さが２５μｍとなるように、硫酸銅電解めっき（電気めっき）を行い、導体層を形成した。次に、１８０℃、３０分間の加熱処理を行って、両面に導体層（銅層）を有する積層板を得た。この積層板を用いて導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定を行った。
【０２１５】
（５）高周波回路用絶縁層と導体層とのピール強度引き剥がし強さの測定
形成された導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状の切込みをいれ、その長さ方向の一端を剥がしてつかみ具（株式会社ティー・エス・イー製「オートコム型試験機  ＡＣ−５０ＣＳＬ」）で掴み、常温にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向（長さ方向）に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重であるピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。なお、いずれも剥離面は高周波回路用絶縁層と銅箔（三井金属工業（株）製「ＭＴ１８Ｅｘ」箔）との界面であった。
結果を表２に示す。
【０２１６】
３．内層基板（コア基板）と高周波回路用絶縁層との引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
（１）内層基板の準備
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．８ｍｍ、パナソニック電工（株）製「Ｒ―１７６６」）の両面の銅箔を塩化第二鉄水溶液にて除去することにより、コア基板を得た。
【０２１７】
（２）樹脂組成物層付き銅箔（接着フィルム）の形成
実施例及び比較例で得られた樹脂組成物を銅箔である三井金属工業（株）製「ＭＴ１８Ｅｘ」の表面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターを用いて均一に塗布し、８０℃〜１１０℃（平均９５℃）で６分間乾燥し、樹脂組成物層付き銅箔を得た。
【０２１８】
（３）樹脂組成物層付き銅箔（接着フィルム）のラミネート
得られた樹脂組成物層付き銅箔（２枚）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ製「２ステージビルドアップラミネーターＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層がコア基板と接するように、コア基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした状態で、第１チャンバのラバープレス部の温度を１００℃とし、圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、第２チャンバのメタルプレス部の温度を１００℃とし、圧力を０．５ＭＰａとして６０秒間熱プレスを行った。
【０２１９】
（４）銅箔付き硬化体の形成
樹脂組成物層付き銅箔がコア基板にラミネートされた積層体を２００℃、９０分間の条件で加熱処理を行って樹脂組成物層を硬化させることにより硬化体（高周波回路用絶縁層）とし、銅箔付き硬化体を形成した。
【０２２０】
（５）導体層（積層板）の形成（電気めっき）
上記工程（４）で得られた銅箔付き硬化体からキャリア箔を剥離した後、厚さが２５μｍとなるように、硫酸銅電解めっき（電気めっき）を行って、導体層を形成した。次に、１８０℃、３０分間の加熱処理を行って、両面に導体層（銅層）を有する積層板を得た。この積層板を用いて高周波回路用絶縁層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定を行った。
【０２２１】
（６）高周波回路用絶縁層のピール強度の測定
形成された導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状の切込みをいれ、その長さ方向の一端を剥がしてつかみ具（株式会社ティー・エス・イー製「オートコム型試験機ＡＣ−５０ＣＳＬ」）で掴み、常温にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向（長さ方向）に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重であるピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
【０２２２】
ここで、剥離面が高周波回路用絶縁層と導体層との間となる場合、すなわち、積層板から導体層のみが引き剥がされた場合には、内層基板と高周波回路用絶縁層との間のピール強度はより高いと判断した。
【０２２３】
ピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上であった場合を○（良）と判定し、ピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ未満であった場合を×（不良）と判定した。
結果を表２に示す。
【０２２４】
［実施例１］
ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１９０）２５部と液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＵＳ」、エポキシ当量１８７）１５部とをソルベントナフサ２５部に加熱しつつ撹拌することにより溶解させ、その後常温まで冷却した。
【０２２５】
得られた混合液にフェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）１９０部とＰＴＦＥ粒子（ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−２」、平均粒子径３μｍ）１２０部とを混合し、３本ロールで混練することにより分散させた。
【０２２６】
得られた混合液に、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量が約２２３であり、不揮発成分を６５質量％含むトルエン溶液）６１．５部、ビニル基を有する樹脂（三菱瓦斯化学（株）製「ＯＰＥ−２Ｓｔ  ２２００」、不揮発成分を６０質量％含むトルエン溶液）２５部、インデンクマロン樹脂（日塗化学（株）製「Ｈ−１００」）１５部、硬化促進剤である２−フェニル−４−メチルイミダゾール（（四国化成（株）製「２Ｐ４ＭＺ」）の２．５質量％のＭＥＫ溶液）８部を混合し、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を調製し、既に説明したとおり、得られた樹脂ワニス１を用いて、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるように均一に塗布し、樹脂組成物層を乾燥することにより、接着フィルム１を作製した。
【０２２７】
[実施例２]
ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１９０）を１０部とし、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ６０００」、エポキシ当量２６０）２１部をさらに用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス２を調製し、これを用いて接着フィルム２を作製した。
【０２２８】
[実施例３]
３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−７１０３」）２部をさらに用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス３を調製し、これを用いて接着フィルム３を作製した。
【０２２９】
[実施例４]
活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量が約２２３であり、不揮発成分を６５質量％含むトルエン溶液）を３０．８部とし、さらに、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、水酸基当量が約１５１であり、不揮発成分を５０％含む２−メトキシプロパノール溶液）２８部を用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス４を調製し、これを用いて接着フィルム４を作製した。
【０２３０】
[実施例５]
活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量が約２２３であり、不揮発成分が６５質量％であるトルエン溶液）３０．８部を、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ−９４１６−７０ＢＫ」、活性基当量が約２７４であり、不揮発成分を７０質量％含むメチルイソブチルケトン溶液）３４．３部に変更した以外は実施例４と同様にして、樹脂ワニス５を調製し、これを用いて接着フィルム５を作製した。
【０２３１】
[実施例６]
活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」）を、ナフタレン型硬化剤（新日鉄住金化学（株）製「ＳＮ４８５」、フェノール当量が２１５であり、不揮発成分を６０質量％含むＭＥＫ溶液）３３．３部及びトリアジン骨格含有フェノールノボラック型硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、フェノール当量が１２５であり、不揮発成分を６０質量％含むＭＥＫ溶液）１８．３部に変更した以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス６を調製し、これを用いて接着フィルム６を作製した。
【０２３２】
[実施例７]
フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒子径０．５μｍ）を２５０部に、ＰＴＦＥ粒子（ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−２」、平均粒子径３μｍ）を５０部にした以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス７を調製し、これを用いて接着フィルム７を作製した。
【０２３３】
[実施例８]
フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒子径０．５μｍ）を５０部に、ＰＴＦＥ粒子（ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−２」、平均粒子径３μｍ）を２００部にした以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス８を調製し、これを用いて接着フィルム８を作製した。
【０２３４】
[実施例９]
硬化剤としてカルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、不揮発成分を５０質量％含むトルエン溶液）５部を追加で用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス９を調製し、これを用いて接着フィルム９を作製した。
【０２３５】
[実施例１０]
硬化促進剤（四国化成（株）製「２Ｐ４ＭＺ」、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、不揮発成分を２．５質量％含むＭＥＫ溶液）を、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、不揮発成分を１０質量％含むＭＥＫ溶液）２部に変更した以外は実施例１と同様にして、樹脂ワニス１０を調製し、これを用いて接着フィルム１０を作製した。
【０２３６】
［比較例１］
ビニル基を有する樹脂（三菱瓦斯化学（株）製「ＯＰＥ−２Ｓｔ  ２２００」、不揮発成分を６０質量％含むトルエン溶液）４０部、インデンクマロン樹脂（日塗化学（株）製「Ｈ−１００」）１５部、トルエン５０部、及びメチルエチルケトン２０部を混合し、加熱しつつ撹拌することにより溶解させ、その後、常温にまで冷却した。フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒子径０．５μｍ）５０部と、ＰＴＦＥ粒子（ダイキン工業（株）製「ルブロンＬ−２」、平均粒子径３μｍ）５０部とを混合し、高速回転ミキサーで分散させた。
【０２３７】
得られた混合物に、ラジカル発生剤としてジクミルパーオキサイド（日油（株）製「パークミルＤ」）の５質量％のトルエン溶液６部を混合し、回転ミキサーで均一に混合することにより、樹脂ワニス１１を調製し、これを用いて接着フィルム１１を作製した。
【０２３８】
［比較例２］
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２５０、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ６０００」）３５部と、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＵＳ」、エポキシ当量１８７）１５部とをメチルエチルケトン３０部に加熱しつつ撹拌することにより溶解させ、その後、常温にまで冷却した。
【０２３９】
得られた溶解液に、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分を３０質量％含むＭＥＫ溶液）２０部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された結晶シリカ（Ｕｎｉｍｉｎ社製「ＩＭＳＩＬ  Ａ−８」、平均粒子径１．３８μｍ）１８０部を混合し、高速回転ミキサーで分散させた。その後、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＴＤ２０９０」、水酸基当量１０５）の不揮発成分５０質量％のメチルエチルケトン溶液３２部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量が１２５であり、不揮発成分を６０質量％含むＭＥＫ溶液）１０部、硬化促進剤である２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成（株）製「２Ｐ４ＭＺ」）の２．５質量％のＭＥＫ溶液８部を加え、回転ミキサーで均一に混合して、樹脂ワニス１２を調製し、これを用いて接着フィルム１２を作製した。
【０２４０】
前記実施例及び比較例にかかる樹脂ワニスに用いた成分を表１に示す。また、前記実施例及び比較例にかかる測定値、評価（ピール強度の評価、並びに絶縁層の密着性及び電気的特性の両立の評価）を表２に示す。
【０２４１】
【表１】
2018133416.tif 000009
【０２４２】
【表２】
2018133416.tif 000010
【０２４３】
表２から明らかなとおり、実施例１〜１０にかかる絶縁層は、Ｄｋ（Ａ）及びＤｋ（Ｂ）が式：Ｄｋ（Ｂ）≦Ｄｋ（Ａ）−０．８を満たし、かつ、内層基板に対する絶縁層（高周波回路用絶縁層）のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である。すなわち、Ｄｋ（Ｂ）の２.５〜３.１程度に至るまでの低減と、内層基板に対する絶縁層の優れた密着性とを両立させることができていた。
【０２４４】
よって、比較的安価な内層基板を用い、例えば２８ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの帯域という高周波帯域で動作させたとしても、内層基板と絶縁層との安定した接合を確保することでき、使用環境下で高周波回路用絶縁層が内層基板から剥離してしまい、高周波回路基板として機能しなくなってしまう不具合を抑制することができ、電気的特性の経時的な劣化の抑制、寿命といったデバイスの信頼性をより向上させることが期待できる。
【０２４５】
他方、成分（Ａ）を含有しない比較例１によれば、絶縁層に膨れが発生してしまい、密着性が不十分であり、絶縁層の誘電率の低減と、コア基板、すなわち内層基板に対する絶縁層の優れた密着性とを両立させることができなかった。
【０２４６】
また、成分（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）を含有しない比較例２によれば、Ｄｋ（Ｂ）の低減が不十分であり、絶縁層の誘電率の低減と、コア基板、すなわち内層基板に対する絶縁層の優れた密着性とを両立させることができなかった。
【符号の説明】
【０２４７】
１０  高周波回路基板
１２  スルーホール
１２ａ  スルーホール内配線
２０  内層基板
２０ａ、２２ａ  第１主面
２０ｂ、２２ｂ  第２主面
２２  コア基板
２４  第１導体層（配線層）
２６  第２導体層（配線層）
２７  層間絶縁層
２８  第３導体層（配線層）
２９、３２、５２  ビアホール
２９ａ、３２ａ、５２ａ  ビアホール内配線
３０  高周波回路用絶縁層
４０  高周波回路用導体層（配線層）
５０  絶縁層
６０  導体層（配線層）
【図１】
2018133416.tif 000011
【図２】
2018133416.tif 000012
【図３】
2018133416.tif 000013