(57)【要約】【課題】低背化すること。【解決手段】基板１０と、下面に機能部２２が設けられ、側面に第１金属膜２６が設けられ、上面に前記第１金属膜が設けられておらず、前記機能部と前記基板の上面とが空隙３８を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップ２０と、前記デバイスチップを囲み、前記第１金属膜および前記基板の上面に接合し前記空隙を封止するように設けられたろう材からなる金属封止部３０と、前記金属封止部の側面および上面に設けられ、前記デバイスチップの上面のうち少なくとも平面視において前記機能部と重なる領域に設けられていない第２金属膜３４と、を具備する電子部品。【選択図】図１
2018074051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
下面に機能部が設けられ、側面に第１金属膜が設けられ、上面に前記第１金属膜が設けられておらず、前記機能部と前記基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップと、
前記デバイスチップを囲み、前記第１金属膜および前記基板の上面に接合し前記空隙を封止するように設けられたろう材からなる金属封止部と、
前記金属封止部の側面および上面に設けられ、前記デバイスチップの上面のうち少なくとも平面視において前記機能部と重なる領域に設けられていない第２金属膜と、
を具備する電子部品。
【請求項２】
前記デバイスチップの上面にリッドは設けられていない請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記デバイスチップの上面と前記金属封止部の上面に設けられた前記第２金属膜の上面とに設けられたリッドを具備する請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記デバイスチップと前記リッドとの間に空隙が形成されている請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
前記基板の上面に設けられ、平面視において前記デバイスチップを囲み前記金属封止部と接合する環状金属膜を具備する請求項１から４のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記第２金属膜は、前記デバイスチップの上面全面に設けられていない請求項１から５のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記機能部は弾性波素子である請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
下面に機能部が設けられ、側面に第１金属膜が設けられ、上面に前記第１金属膜が設けられていないデバイスチップを、前記機能部と基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装する工程と、
前記デバイスチップを囲み、前記第１金属膜および前記基板の上面に接合し前記空隙を封止するように前記基板の上面上にろう材からなる金属封止部を形成する工程と、
前記金属封止部および前記基板の上面にリッドが設けられていない状態で前記金属封止部および前記基板をダイシングブレードを用い切断することで、個片化する工程と、
を含む電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記個片化する工程の後、バレルめっき法を用い、前記金属封止部の側面および上面に設けられ、前記デバイスチップの上面のうち少なくとも平面視において前記機能部と重なる領域に設けられない第２金属膜を形成する工程を含む請求項８記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記金属封止部を形成する工程の後、前記個片化する工程の前に、前記デバイスチップおよび前記金属封止部の上面を平坦化する工程を含む請求項８または９記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、例えばデバイスチップが金属封止部で封止された電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にデバイスチップを実装し、平面視においてデバイスチップの周囲に樹脂封止部を設け、樹脂封止部を用いデバイスチップを封止することが知られている（例えば特許文献１および２）。封止部として半田等の金属封止部を用いることが知られている（例えば特許文献３および４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３２６５４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６７６１号公報
【特許文献３】特開２０１５−２０４５３１号公報
【特許文献４】特開２０１０−７４４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
デバイスチップの下面に弾性波素子等の機能部が形成されている場合、機能部は空隙に露出している。機能部の劣化等を抑制するためには空隙の気密性を高めることが重要である。封止部に金属封止部を用い、デバイスチップと金属封止部上にリッドを設けることで、リッドと金属封止部とで空隙を封止することができ、気密性を高めることができる。しかしながら、金属封止部およびリッドを切断するときに、リッドの周縁にバリが形成される。バリにより、電子部品の低背化が難しい。また、リッドを設けると電子部品が高くなり低背化が難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低背化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、下面に機能部が設けられ、側面に第１金属膜が設けられ、上面に前記第１金属膜が設けられておらず、前記機能部と前記基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップを囲み、前記第１金属膜および前記基板の上面に接合し前記空隙を封止するように設けられたろう材からなる金属封止部と、前記金属封止部の側面および上面に設けられ、前記デバイスチップの上面のうち少なくとも平面視において前記機能部と重なる領域に設けられていない第２金属膜と、を具備する電子部品である。
【０００７】
上記構成において、前記デバイスチップの上面にリッドは設けられていない構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記デバイスチップの上面と前記金属封止部の上面に設けられた前記第２金属膜の上面とに設けられたリッドを具備する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記デバイスチップと前記リッドとの間に空隙が形成されている構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記基板の上面に設けられ、平面視において前記デバイスチップを囲み前記金属封止部と接合する環状金属膜を具備する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第２金属膜は、前記デバイスチップの上面全面に設けられていない構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記機能部は弾性波素子である構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、下面に機能部が設けられ、側面に第１金属膜が設けられ、上面に前記第１金属膜が設けられていないデバイスチップを、前記機能部と基板の上面とが空隙を介し対向するように、前記基板の上面に実装する工程と、前記デバイスチップを囲み、前記第１金属膜および前記基板の上面に接合し前記空隙を封止するように前記基板の上面上にろう材からなる金属封止部を形成する工程と、前記金属封止部および前記基板の上面にリッドが設けられていない状態で前記金属封止部および前記基板をダイシングブレードを用い切断することで、個片化する工程と、を含む電子部品の製造方法である。
【００１４】
上記構成において、前記個片化する工程の後、バレルめっき法を用い、前記金属封止部の側面および上面に設けられ、前記デバイスチップの上面のうち少なくとも平面視において前記機能部と重なる領域に設けられない第２金属膜を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記金属封止部を形成する工程の後、前記個片化する工程の前に、前記デバイスチップおよび前記金属封止部の上面を平坦化する工程を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低背化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の断面図および平面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１において機能部が弾性表面波共振器の例を示す平面図、図２（ｂ）は、機能部が圧電薄膜共振器の例を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７は、比較例１に係る電子部品の断面図である。
【図８】図８は、実施例２に係る電子部品の断面図である。
【図９】図９は、実施例３に係る電子部品の断面図である。
【図１０】図１０は、実施例３の変形例１に係る電子部品の断面図である。
【図１１】図１１は、実施例４に係る電子部品の断面図である。
【図１２】図１２は、実施例４の変形例１に係る電子部品である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の断面図および平面図である。図１（ｂ）は、デバイスチップ、環状電極および金属膜を図示している。図１（ａ）に示すように、実施例１の電子部品１００は、基板１０の上面に、デバイスチップ２０が実装されている。基板１０は、絶縁基板であり、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramic）またはＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）等のセラミックス基板または樹脂基板である。基板１０は積層された複数の絶縁層１０ａおよび１０ｂを有する。絶縁層１０ａおよび１０ｂの上面にそれぞれ端子１２ａおよび配線１２ｂが形成されている。絶縁層１０ｂの下面に端子１２ｃが形成されている。絶縁層１０ａおよび１０ｂを貫通するビア配線１４ａおよび１４ｂが形成されている。ビア配線１４ａは、端子１２ａと配線１２ｂとを電気的に接続し、ビア配線１４ｂは、配線１２ｂと端子１２ｃとを電気的に接続する。
【００２０】
基板１０の上面は例えば平坦であり、上面には端子１２ａおよび環状電極１６が設けられている。端子１２ａは例えばバンプ３６が接合するパッドである。環状電極１６は、基板１０の上面の外縁に、端子１２ａを囲むように設けられている。基板１０の下面に端子１２ｃが設けられている。端子１２ｃは外部と電気的に接続するための外部端子であり、例えばフットパッドである。端子１２ａ、１２ｃ、配線１２ｂ、ビア配線１４ａおよび１４ｂは、タングステン層、銅層、金層またはアルミニウム層等の金属層である。環状電極１６は、タングステン層、ニッケル層または銅層等の金属層である。
【００２１】
デバイスチップ２０の下面に、機能部２２およびパッド２４が設けられている。機能部２２は例えば弾性波を励振する電極である。パッド２４はバンプ３６に接合されている。デバイスチップ２０の側面には金属膜２６が設けられている。デバイスチップ２０の上面および下面には金属膜２６は設けられていない。金属膜２６は例えば金膜または銅膜等の半田の濡れ性のよい材料である。
【００２２】
デバイスチップ２０はバンプ３６を介し基板１０上に実装されている。機能部２２は、空隙３８を介し基板１０に対向している。機能部２２が空隙３８に露出されているため、機能部２２の振動等が抑制されない。バンプ３６は、例えば銅バンプ、金バンプまたは半田バンプである。
【００２３】
基板１０の上面にデバイスチップ２０を囲むように金属封止部３０が設けられている。金属封止部３０は、金属膜２６および環状電極１６に接合されている。金属封止部３０は、例えばＳｎＡｇ半田またはＡｕＳｎ半田等のろう材からなる。金属封止部３０の側面および上面に金属膜３４が設けられている。金属膜３４は、例えばニッケル膜であり、金属膜３４の融点は金属封止部３０の融点より高い。金属膜３４は、電子部品をプリント基板等に実装するときに、金属封止部３０がリフロー等により変形しないように保護する膜である。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、平面視において環状電極１６および金属膜２６はデバイスチップ２０を完全に囲っている。これにより。金属封止部３０は平面視においてデバイスチップ２０を完全に囲っている。デバイスチップ２０は、基板１０、デバイスチップ２０および金属封止部３０に完全に囲まれている。これにより、機能部２２は気密封止される。
【００２５】
図２（ａ）は、実施例１において機能部が弾性表面波共振器の例を示す平面図、図２（ｂ）は、機能部が圧電薄膜共振器の例を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、圧電基板２１上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板２１に弾性表面波を励振する。圧電基板２１は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。圧電基板２１は、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板等の支持基板の下面に接合されていてもよい。ＩＤＴ４０および反射器４２を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。この場合、保護膜または温度補償膜を含め機能部２２として機能する。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、基板２１上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２１との間に空隙４５が形成されている。下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。以上のように、下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。基板２１は例えばシリコン基板もしくは砒化ガリウム等の半導体基板、またはサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはガラス基板等の絶縁基板である。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、機能部２２は弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を規制しないように、機能部２２は空隙３８に覆われている。
【００２７】
［実施例１の製造方法］
【００２８】
図３（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、圧電基板２１上に機能部２２およびパッド２４を形成する。図３（ｂ）に示すように、圧電基板２１上に機能部２２およびパッド２４を覆うように保護膜５０を形成する。保護膜５０は例えばフォトレジストである。図３（ｃ）に示すように、圧電基板２１の途中に達するように溝５２を形成する。溝５２は例えばダイシングブレードを用い形成する。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、保護膜５０の上面および溝５２の内面に金属膜２６を形成する。金属膜２６は、例えばスパッタ法を用い形成する。金属膜２６は、例えば膜厚が０．３μｍのチタン層上に金層が設けられた積層膜である。金属膜２６は半田の濡れ性を得るため金を含むことが好ましい。図４（ｂ）に示すように、保護膜５０を剥離する。これにより、保護膜５０の上面および側面に形成された金属膜２６が除去される。図４（ｃ）に示すように、パッド２４上にバンプ３６を形成する。バンプ３６は例えば金スタッドバンプである。溝５２に重なるように圧電基板２１を切断する。圧電基板２１は、例えばダイシングブレードを用い切断する。これにより、デバイスチップ２０に個片化される。
【００３０】
図５（ａ）に示すように、バンプ３６を端子１２ａに接合することで、基板１０上に個片化したデバイスチップ２０をフリップチップ実装する。端子１２ａは、デバイスチップ２０の機能部２２と基板１０の間には空隙３８が広がっている。空隙３８の高さは例えば１０μｍから２０μｍである。デバイスチップ２０は基板１０上にマトリックス状に配置されている。図５（ｂ）に示すように、デバイスチップ２０の上面に、板状部材３１を配置する。板状部材３１は例えばＳｎＡｇ半田である。
【００３１】
図５（ｃ）に示すように、板状部材３１の融点以上の温度において、板状部材３１を溶融させる。例えばＳｎＡｇ半田の融点は約２２０℃であり、２３０℃以上の温度とする。溶融した板状部材３１の半田はデバイスチップ２０間に充填される。充填された半田が金属膜２６の側面および環状電極１６の上面に達する。金属膜２６および環状電極１６は半田の濡れ性がよいため、金属膜２６の側面および環状電極１６上面に溶融した半田が濡れ広がる。この状態で基板１０の温度を金属封止部３０の融点以下とする。これにより、板状部材３１が溶融した半田から金属封止部３０が形成される。金属封止部３０は金属膜２６および環状電極１６と接合する。これにより、機能部２２は、デバイスチップ２０、基板１０および金属封止部３０により形成される空隙３８に気密封止される。基板１０の上面とデバイスチップ２０の下面との距離は例えば１０μｍから２０μｍである。
【００３２】
図６（ａ）に示すように、圧電基板２１および金属封止部３０の上面を平坦化する。平坦化には、例えば研磨装置５６等を用いる。圧電基板２１の厚さを例えば１００μｍ以下とすることで、電子部品の低背化が可能となる。研磨のときにデバイスチップ２０に加わる応力は金属封止部３０により分散する。これにより、デバイスチップ２０の割れ等を抑制できる。平坦化は、研削装置等を用いてもよい。
【００３３】
図６（ｂ）に示すように、基板１０の下面に保護膜６２を形成する。保護膜６２は例えばフォトレジストである。基板１０を保護膜６２を介しダイシングテープ６４に貼り付ける。ダイシングブレード５８を用い金属封止部３０、基板１０および保護膜６２を切断する。これにより、複数の電子部品１００に個片化される。
【００３４】
図６（ｃ）に示すように、複数の電子部品１００をダイシングテープ６４からはがし、バレル（不図示）に入れバレルをめっき槽６６に投入する。バレルめっき法を用い、めっき膜である金属膜３４を形成する。金属膜３４は例えば膜厚が１０μｍのニッケル膜である。金属膜３４は、主に金属材料の表面に形成される。よって、金属膜３４は金属封止部３０の表面に形成されるが、デバイスチップ２０の上面、基板１０の側面および保護膜６２の下面には形成されない。
【００３５】
金属膜３４の形成後、保護膜６２を剥離する。金属膜３４は、金属封止部３０の側面および上面に形成され、デバイスチップ２０の上面には形成されない。これにより、図１（ａ）および図１（ｂ）の電子部品１００が完成する。
【００３６】
［比較例１］
図７は、比較例１に係る電子部品の断面図である。図７に示すように、デバイスチップ２０および金属封止部３０の上面にリッド３２が設けられている。リッド３２上に金属膜３４が設けられている。リッド３２の周縁にバリ３３が形成されている。デバイスチップ２０の側面に金属膜が設けられておらず、デバイスチップ２０の側面は金属封止部３０と接合されていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３７】
比較例１では、デバイスチップ２０と金属封止部３０とが接合されていない。このため、リッド３２と金属封止部３０とを接合させることで、デバイスチップ２０、基板１０、金属封止部３０およびリッド３２により機能部２２を空隙３８に気密封止する。
【００３８】
しかしながら、図６（ｂ）のように、個片化するときにデバイスチップ２０および金属封止部３０上にリッド３２が設けられていると、ダイシングブレード５８を用いリッド３２を切断するときにバリ３３が形成される。バリ３３が形成されると、電子部品はバリ３３の分高くなるため低背化が難しくなる。また、リッド３２が設けられていると、リッド３２の厚さ分低背化が難しくなる。さらに、リッド３２が導電体の場合、機能部２２とリッド３２との間に浮遊容量Ｃｆが形成されてしまう。
【００３９】
実施例１によれば、図５（ａ）のように、下面に機能部２２が設けられ、側面に金属膜２６（第１金属膜）が設けられ、上面に金属膜２６が設けられていないデバイスチップ２０を、機能部２２と基板１０の上面とが空隙３８を介し対向するように、基板１０の上面に実装する。図５（ｃ）のように、デバイスチップ２０を囲み、金属膜２６および基板１０の上面に接合し空隙３８を封止するように基板１０の上面上にろう材からなる金属封止部３０を形成する。図６（ｂ）のように、リッドを設けず、金属封止部３０および基板１０をダイシングブレードを用い切断することで、個片化する。このように、個片化するときに、金属封止部３０上にリッドが設けられていない。ろう材からなる金属封止部３０は柔らかいため、バリ３３の形成が抑制される。これにより、電子部品の低背化が可能となる。
【００４０】
また、図６（ｃ）のように、個片化後、バレルめっき法を用い、金属封止部３０の側面および上面に設けられ、デバイスチップ２０の上面のうち少なくとも平面視において機能部２２と重なる領域に設けられない金属膜３４（第２金属膜）を形成する。バレルめっき法では、電子部品１００同士が接触する。これにより、柔らかいろう材からなるバリ３３が潰れ低くなる。よって、電子部品の低背化が可能となる。
【００４１】
さらに、図６（ａ）のように、金属封止部３０を形成した後かつ個片化する前に、デバイスチップ２０および金属封止部３０の上面を平坦化する。これにより、電子部品１００を低背化できる。
【００４２】
実施例１では、デバイスチップ２０の上面にリッド３２が設けられていない。これにより、低背化が可能となる。比較例１では、リッド３２が金属封止部３０の上面と接合することにより、気密封止している。実施例２では、デバイスチップ２０の側面の金属膜２６と金属封止部３０が接合することにより、リッド３２が設けられていなくとも、気密封止が可能となる。また、リッド３２が設けられていないため、図７のような機能部２２とリッド３２との間の浮遊容量Ｃｆを抑制できる。
【００４３】
金属膜３４はデバイスチップ２０の上面のうち少なくとも平面視において機能部２２と重なる領域に設けられていない。これにより、浮遊容量Ｃｆを抑制できる。金属膜３４はデバイスチップ２０の上面全てに設けられていないことが好ましい。これにより、浮遊容量Ｃｆをより抑制できる。
【００４４】
また、環状電極１６は、基板１０の上面に設けられ、平面視においてデバイスチップ２０を囲み金属封止部３０と接合している。これにより、気密封止が可能となる。
【実施例２】
【００４５】
図８は、実施例２に係る電子部品の断面図である。図８に示すように、実施例２では、デバイスチップ２０および金属封止部３０の上にリッド３２が設けられている。リッド３２はコバール等の金属板、または絶縁板である。リッド３２の膜厚は例えば１０μｍから３０μｍである。リッド３２は金属膜３４が形成された後にデバイスチップ２０および金属封止部３０上に設けられる。これにより、リッド３２は、デバイスチップ２０の上面および金属封止部３０の上面に設けられた金属膜３４の上面に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４６】
このように、リッド３２を金属膜３４形成後に設けてもよい。これにより、バリ３３を抑制し低背化が可能となる。また、デバイスチップ２０とリッド３２との間に空隙３９が形成されるため、リッド３２が導電体であっても機能部２２とリッド３２との間の浮遊容量Ｃｆを抑制できる。空隙３９は平面視において機能部２２と重なるように設けられていることが好ましい。浮遊容量Ｃｆを抑制するため、リッド３２は絶縁体であることが好ましい。リッド３２を設けることで、上面からの衝撃に対しデバイスチップ２０を保護することができる。例えば、デバイスチップ２０をプリント基板等に実装するときの衝撃によりデバイスチップ２０が損傷することを抑制できる。
【００４７】
リッド３２は平面視において金属封止部３０より小さいことが好ましい。これにより、リッド３２を個片化した電子部品１００上に設けるときに、位置合わせマージンを確保することができる。
【実施例３】
【００４８】
図９は、実施例３に係る電子部品の断面図である。図９に示すように、基板１０上に複数のデバイスチップ２０が実装されていてもよい。複数のデバイスチップ２０を例えばそれぞれ送信フィルタおよび受信フィルタとする。これにより、デュプレクサ等のマルチプレクサを１つの基板上に実装できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４９】
図１０は、実施例３の変形例１に係る電子部品の断面図である。図１０に示すように、デバイスチップ２０および金属膜３４上にリッド３２が設けられている。その他の構成は実施例２および３と同じであり説明を省略する。
【実施例４】
【００５０】
図１１は、実施例４に係る電子部品の断面図である。図１１に示すように、基板１０は、支持基板１０ｄと圧電基板１０ｃを備えている。支持基板１０ｄと圧電基板１０ｃとは接合されている。圧電基板１０ｃの上面に、機能部１１が設けられている。機能部１１は機能部２２と空隙３８を介し対向している。機能部１１は例えば図２（ａ）の機能部２２と同じ弾性表面波素子である。圧電基板１０ｃおよび支持基板１０ｄを貫通するビア配線１４が設けられている。ビア配線１４は端子１２ａと１２ｃとを電気的に接続する。支持基板１０ｄの周縁の圧電基板１０ｃが除去され環状電極１６が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５１】
実施例４のように、基板１０の上面に機能部１１が設けられ、機能部１１と２２とは空隙３８を介し対向していてもよい。支持基板１０ｄは設けられてなくてもよい。機能部１１は図２（ｂ）と同じ圧電薄膜共振器でもよい。
【００５２】
図１２は、実施例４の変形例１に係る電子部品である。図１２に示すように、金属封止部３０の上面および側面は傾斜し一体の平面を構成している。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。実施例４の変形例１のように、金属封止部３０の上面および側面の少なくとも一方は傾斜していてもよい。
【００５３】
実施例４およびその変形例において、機能部２２を送信フィルタとし、機能部１１を受信フィルタとすることで、デュプレクサ等のマルチプレクサとすることができる。
【００５４】
実施例１から４およびその変形例において、機能部２２および１１は弾性表面波素子または圧電薄膜共振器等の弾性波素子以外でもよい。例えば、機能部は、アンプおよび／またはスイッチのような能動素子でもよい。また、機能部は、インダクタおよび／またはキャパシタ等の受動素子でもよい。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  基板
１６  環状電極
２０  デバイスチップ
２２  機能部
２６  金属膜
３０  金属封止部
３２  リッド
３４  金属膜
３６  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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