(57)【要約】【課題】  電力増幅モジュールの動作電圧の低電圧化を実現する。【解決手段】  電力増幅モジュール１２０は、電力増幅回路２００と制御ＩＣ３００を備える。電力増幅回路２００は、ＲＦ信号を電力増幅して増幅信号を出力するバイポーラトランジスタＴｒ１を備える。制御ＩＣ３００は、バイポーラトランジスタＴｒ１にバイアス信号を供給するバイアス回路として機能する電界効果トランジスタＴｒ５を備える。電界効果トランジスタＴｒ５は、バイポーラトランジスタよりも低い閾値電圧で動作可能であるため、電力増幅モジュール１２０の動作電圧の低電圧化を実現できる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力増幅回路と、制御ＩＣとを備える電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅回路は、ＲＦ信号を電力増幅して増幅信号を出力するバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタに熱結合されているダイオード接続バイポーラトランジスタとを備え、
前記制御ＩＣは、電界効果トランジスタと、ダイオード接続電界効果トランジスタとを備え、
前記電界効果トランジスタは、ドレイン端子がバッテリ電圧に接続されており、前記電界効果トランジスタのゲート端子に入力されるバイアス信号を前記電界効果トランジスタのソース端子から第１のワイヤを通じて前記バイポーラトランジスタに供給し、
前記ダイオード接続バイポーラトランジスタのカソードは、接地されており、
前記ダイオード接続バイポーラトランジスタのアノードは、第２のワイヤを通じて前記ダイオード接続電界効果トランジスタのカソードに接続されており、
前記ダイオード接続電界効果トランジスタのアノードは、前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続されている、電力増幅モジュール。
【請求項２】
電力増幅回路と、制御ＩＣとを備える電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅回路は、ＲＦ信号を電力増幅して増幅信号を出力するバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタに熱結合されているダイオード接続バイポーラトランジスタとを備え、
前記制御ＩＣは、電界効果トランジスタと、ダイオード接続電界効果トランジスタとを備え、
前記電界効果トランジスタは、ドレイン端子がバッテリ電圧に接続されており、前記電界効果トランジスタのゲート端子に入力されるバイアス信号を前記電界効果トランジスタのソース端子から第１のワイヤを通じて前記バイポーラトランジスタに供給し、
前記ダイオード接続電界効果トランジスタのカソードは、接地されており、
前記ダイオード接続電界効果トランジスタのアノードは、第２のワイヤを通じて前記ダイオード接続バイポーラトランジスタのカソードに接続されており、
前記ダイオード接続バイポーラトランジスタのアノードは、第３のワイヤを通じて前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続されている、電力増幅モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電力増幅モジュールであって、
前記ダイオード接続電界効果トランジスタは、前記電界効果トランジスタに熱結合している、電力増幅モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅回路は、前記ダイオード接続バイポーラトランジスタに替えて第１のダイオードを備え、
前記制御ＩＣは、前記ダイオード接続電界効果トランジスタに替えて第２のダイオードを備える、電力増幅モジュール。
【請求項５】
請求項１に記載の電力増幅モジュールであって、
前記ダイオード接続バイポーラトランジスタのカソードは、前記電力増幅回路の内部で接地されている、電力増幅モジュール。
【請求項６】
請求項２に記載の電力増幅モジュールであって、
前記ダイオード接続電界効果トランジスタのカソードは、前記制御ＩＣの内部で接地されている、電力増幅モジュール。
【請求項７】
請求項４に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１のダイオードのカソードは、前記電力増幅回路の内部で接地されている、電力増幅モジュール。
【請求項８】
請求項４に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第２のダイオードのカソードは、前記制御ＩＣの内部で接地されている、電力増幅モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動通信端末においては、基地局へ送信するＲＦ（Radio Frequency）信号を増幅する電力増幅器が用いられている。この種の電力増幅器として、例えば、特許文献１に記載されているように、エミッタ接地形式のヘテロ接合バイポーラトランジスタと、このヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース端子にバイアス信号を供給するエミッタフォロワとしてのヘテロ接合バイポーラトランジスタとを備えるものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８８７３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＲＦ信号を増幅するヘテロ接合バイポーラトランジスタを駆動するためには、そのベース・エミッタ間の電圧を約１．３Ｖ以上にする必要がある。同様に、バイアス信号を供給するエミッタフォロワとしてのヘテロ接合バイポーラトランジスタを駆動するためには、そのベース・エミッタ間の電圧を約１．３Ｖ以上にする必要がある。このため、電力増幅器を動作させるためには、約２．６Ｖの動作電圧が必要となる。移動通信端末においては、この動作電圧は、バッテリから供給される。バッテリの電圧がある程度低下しても、電力増幅器を正常に動作させるためには、動作電圧の低電圧化が要求される。
【０００５】
そこで、本発明は、電力増幅モジュールの動作電圧の低電圧化を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するため、本発明に関わる電力増幅モジュールは、電力増幅回路と制御ＩＣとを備える。電力増幅回路は、ＲＦ信号を電力増幅して増幅信号を出力するバイポーラトランジスタと、バイポーラトランジスタに熱結合されているダイオード接続バイポーラトランジスタとを備える。制御ＩＣは、電界効果トランジスタと、ダイオード接続電界効果トランジスタとを備える。ここで、電界効果トランジスタは、ドレイン端子がバッテリ電圧に接続されており、電界効果トランジスタのゲート端子に入力されるバイアス信号を電界効果トランジスタのソース端子から第１のワイヤを通じてバイポーラトランジスタに供給する。ダイオード接続バイポーラトランジスタのカソードは、接地されている。ダイオード接続バイポーラトランジスタのアノードは、第２のワイヤを通じてダイオード接続電界効果トランジスタのカソードに接続されている。ダイオード接続電界効果トランジスタのアノードは、電界効果トランジスタのゲート端子に接続されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に関わる電力増幅モジュールによれば、動作電圧の低電圧化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態１に関わる送信ユニットの構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態１に関わる電力増幅モジュールの構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態２に関わる電力増幅モジュールの構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施形態３に関わる電力増幅モジュールの構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施形態４に関わる電力増幅モジュールの構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、各図を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここで、同一符号は同一の回路素子を示すものとし、重複する説明は省略する。
図１は本発明の実施形態１に関わる送信ユニット１００の構成を示す説明図である。送信ユニット１００は、例えば、携帯電話等の移動体通信機において、音声やデータなどの各種信号を基地局へ送信するために用いられる。移動体通信機は、基地局から信号を受信するための受信ユニットも備えるが、ここでは、説明を省略する。
【００１０】
送信ユニット１００は、変調部１１０、電力増幅モジュール１２０、フロントエンド部１３０、及びアンテナ１４０を備える。変調部１１０は、ＨＳＵＰＡ（High-Speed Uplink Packet Access）やＬＴＥ（Long Term Evolution）等の変調方式に基づいて入力信号を変調し、ＲＦ信号を生成する。ＲＦ信号の周波数は、例えば、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度である。 電力増幅モジュール１２０は、変調部１１０から出力されるＲＦ信号（ＲＦIN）の電力を、基地局に送信するために必要なレベルまで増幅し、これを増幅信号（ＲＦOUT）として出力する。 フロントエンド部１３０は、例えば、帯域フィルタやアンテナスイッチなどで構成されており、増幅信号のフィルタリングや信号経路の切り替えなどを行う。フロントエンド部１３０から出力される増幅信号は、アンテナ１４０を介して基地局に送信される。
【００１１】
図２は本発明の実施形態１に関わる電力増幅モジュール１２０の構成を示す説明図である。電力増幅モジュール１２０は、バイポーラプロセスにより製造される電力増幅回路２００と、ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）プロセスにより製造される制御ＩＣ（Integrated Circuit）３００と、これらを接続するワイヤ４１０，４２０，４３０，４４０を備える。電力増幅回路２００は、増幅器２１０，２２０と、整合回路２３０，２４０，２５０と、バイポーラトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４と、ベースバラスト抵抗Ｒ１１，Ｒ２１を備えている。ここで、増幅器２２０は、出力段増幅器として機能し、増幅器２１０は、増幅器２２０の前段に接続するドライバ段増幅器として機能する。増幅器２１０，２２０の接続段数を２としているが、増幅信号（ＲＦOUT）の出力に応じて増幅器２１０，２２０の接続段数を任意数に定めればよい。
【００１２】
増幅器２１０は、ＲＦ信号（ＲＦIN）を電力増幅して増幅信号を出力する一つ又は複数のバイポーラトランジスタＴｒ１を備えている。増幅器２１０は、例えば、バイポーラトランジスタＴｒ１をフィンガ（単位トランジスタ）として、複数のフィンガが並列接続されてなるマルチフィンガ構造を有してもよい。増幅器２２０は、増幅器２１０によって電力増幅された増幅信号であるＲＦ信号を更に電力増幅して増幅信号（ＲＦOUT）を出力する一つ又は複数のバイポーラトランジスタＴｒ２を備えている。増幅器２２０は、例えば、バイポーラトランジスタＴｒ２をフィンガとして、複数のフィンガが並列接続されたマルチフィンガ構造を有してもよい。バイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の接地形式は、例えば、エミッタ接地である。バイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２として、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いることができる。増幅器２１０の前段に接続する整合回路２３０、増幅器２１０，２２０の間に接続する整合回路２４０、及び増幅器２２０の後段に接続する整合回路２５０は、それぞれ、前段の回路と後段の回路との間のインピーダンスを整合させるものである。
【００１３】
制御ＩＣ３００は、電界効果トランジスタＴｒ５，Ｔｒ６，Ｔｒ７，Ｔｒ８と、ベースバラスト抵抗Ｒ１２，Ｒ２２を備えている。
【００１４】
電界効果トランジスタＴｒ５は、ワイヤ４１０を通じて増幅器２１０にバイアス信号Ｂｉａｓ１を供給するバイアス回路として機能する。電界効果トランジスタＴｒ５のドレイン端子は、バッテリ電圧Ｖｂａｔに接続されており、そのゲート端子に入力されるバイアス信号Ｂｉａｓ１は、そのソース端子からワイヤ４１０を通じて増幅器２１０に供給される。なお、増幅器２１０の入力とワイヤ４１０との間には、ベースバラスト抵抗Ｒ１１が接続されている。同様に、電界効果トランジスタＴｒ５のソース端子とワイヤ４１０との間には、ベースバラスト抵抗Ｒ１２が接続されている。バイポーラトランジスタＴｒ１の接地形式がエミッタ接地である場合、バイアス信号Ｂｉａｓ１は、バイポーラトランジスタＴｒ１のベース端子に供給される。バイアス信号Ｂｉａｓ１は、バイポーラトランジスタＴｒ１のバイアスポイントを制御するバイアス電流又はバイアス電圧である。
【００１５】
電界効果トランジスタＴｒ６は、ワイヤ４３０を通じて増幅器２２０にバイアス信号Ｂｉａｓ２を供給するバイアス回路として機能する。電界効果トランジスタＴｒ６のドレイン端子は、バッテリ電圧Ｖｂａｔに接続されており、そのゲート端子に入力されるバイアス信号Ｂｉａｓ２は、そのソース端子からワイヤ４３０を通じて増幅器２２０に供給される。なお、増幅器２２０の入力とワイヤ４３０との間には、ベースバラスト抵抗Ｒ２１が接続されている。同様に、電界効果トランジスタＴｒ６のソース端子とワイヤ４３０との間には、ベースバラスト抵抗Ｒ２２が接続されている。バイポーラトランジスタＴｒ２の接地形式がエミッタ接地である場合、バイアス信号Ｂｉａｓ２は、バイポーラトランジスタＴｒ２のベース端子に供給される。バイアス信号Ｂｉａｓ２は、バイポーラトランジスタＴｒ２のバイアスポイントを制御するバイアス電流又はバイアス電圧である。
【００１６】
バイポーラトランジスタＴｒ３は、そのベース端子とそのコレクタ端子とが接続されている。このような接続は、ダイオード接続と呼ばれており、バイポーラトランジスタＴｒ３は、ダイオードと等価な２極素子として振る舞う。本明細書では、便宜上、ダイオード接続バイポーラトランジスタの二つの端子のうち、順方向バイアス時に電位の高い方をアノードと呼び、電位の低い方をカソードと呼ぶ。ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３のアノードＡ３は、ワイヤ４２０に接続されており、そのカソードＣ３は電力増幅回路２００の内部で接地している。同様に、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４のアノードＡ４は、ワイヤ４４０に接続されており、そのカソードＣ４は電力増幅回路２００の内部で接地している。
【００１７】
電界効果トランジスタＴｒ７は、そのゲート端子とそのドレイン端子とが接続されている。このような接続は、ダイオード接続と呼ばれており、電界効果トランジスタＴｒ７は、ダイオードと等価な２極素子として振る舞う。本明細書では、便宜上、ダイオード接続電界効果トランジスタの二つの端子のうち、順方向バイアス時に電位の高い方をアノードと呼び、電位の低い方をカソードと呼ぶ。ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７のアノードＡ７は、電界効果トランジスタＴｒ５のゲート端子に接続されており、そのカソードＣ７はワイヤ４２０に接続している。同様に、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８のアノードＡ８は、電界効果トランジスタＴｒ６のゲート端子に接続されており、そのカソードＣ８はワイヤ４４０に接続している。
【００１８】
ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３は、一つ又は複数のバイポーラトランジスタＴｒ１に熱結合している。ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３とバイポーラトランジスタＴｒ１との間の距離は、例えば、３００μｍ以内が好ましい。増幅器２１０がマルチフィンガ構造を有している場合は、複数のフィンガのうちダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３に最も近いものとダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３との間の距離は、例えば、３００μｍ以内が好ましい。
【００１９】
同様に、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４は、一つ又は複数のバイポーラトランジスタＴｒ２に熱結合している。ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４とバイポーラトランジスタＴｒ２との間の距離は、例えば、３００μｍ以内が好ましい。増幅器２２０がマルチフィンガ構造を有している場合は、複数のフィンガのうちダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４に最も近いものとダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４との間の距離は、例えば、３００μｍ以内が好ましい。
【００２０】
ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７は、電界効果トランジスタＴｒ５に必ずしも熱結合している必要はないが、熱結合していてもよい。同様に、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８は、電界効果トランジスタＴｒ６に必ずしも熱結合している必要はないが、熱結合していてもよい。
【００２１】
なお、ワイヤ４１０，４２０を区別する場合、ワイヤ４１０を第１のワイヤと呼び、ワイヤ４２０を第２のワイヤと呼ぶことがある。同様に、ワイヤ４３０，４４０を区別する場合、ワイヤ４３０を第１のワイヤと呼び、ワイヤ４４０を第２のワイヤと呼ぶことがある。
【００２２】
実施形態１に関わる電力増幅モジュール１２０によれば、以下の効果が得られる。
【００２３】
バイアス回路として機能する電界効果トランジスタＴｒ５，Ｔｒ６は、バイポーラトランジスタよりも低い閾値電圧で動作可能であるため、電力増幅モジュール１２０の動作電圧の低電圧化を実現できる。これにより、バッテリ電圧Ｖｂａｔがある程度下がったとしても、電力増幅モジュール１２０が正常に動作できる時間を長くすることができる。
【００２４】
バイポーラトランジスタＴｒ１では、そのベース・エミッタ間の電圧を一定で駆動すると、温度上昇に伴ってコレクタ電流が増加する。コレクタ電流の増加によって消費電力が増加すると、バイポーラトランジスタＴｒ１の温度が上昇し、これによって更にコレクタ電流が増加するという正帰還（熱暴走）が生じる。一方、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３及びダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７のそれぞれの順方向電圧は、温度上昇に伴って低下する温度特性を有している。これにより、バイアス回路として機能する電界効果トランジスタＴｒ５のゲート端子の電位は、温度上昇に伴って低下し、バイポーラトランジスタＴｒ１の熱暴走を抑制できる。このような熱暴走を抑制するには、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３とバイポーラトランジスタＴｒ１とが熱結合していることに加えて、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７と電界効果トランジスタＴｒ５とが熱結合しているのが望ましい。同様に、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４及びダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８のそれぞれの順方向電圧は、温度上昇に伴って低下する温度特性を有している。これにより、バイアス回路として機能する電界効果トランジスタＴｒ６のゲート端子の電位は、温度上昇に伴って低下し、バイポーラトランジスタＴｒ２の熱暴走を抑制できる。このような熱暴走を抑制するには、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４とバイポーラトランジスタＴｒ２とが熱結合していることに加えて、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８と電界効果トランジスタＴｒ６とが熱結合しているのが望ましい。
【００２５】
ワイヤ４１０のインダクタ成分により、ＲＦ信号の高周波成分が電界効果トランジスタＴｒ５に入力するのを防ぐことができる。同様に、ワイヤ４３０のインダクタ成分により、ＲＦ信号の高周波成分が電界効果トランジスタＴｒ６に入力するのを防ぐことができる。
【００２６】
ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３とバイポーラトランジスタＴｒ１とが熱結合しており、且つ、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７と電界効果トランジスタＴｒ５とが熱結合している場合に、バイポーラトランジスタＴｒ１の過度応答時の電流変化のオーバーシュートを抑制できるという効果が得られる。同様に、ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４とバイポーラトランジスタＴｒ２とが熱結合しており、且つ、ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８と電界効果トランジスタＴｒ６とが熱結合している場合に、バイポーラトランジスタＴｒ２の過度応答時の電流変化のオーバーシュートを抑制できるという効果が得られる。
【００２７】
図３は本発明の実施形態２に関わる電力増幅モジュール１５０の構成を示す説明図である。電力増幅モジュール１２０，１５０は、電力増幅回路２００内のダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３（Ｔｒ４）と、制御ＩＣ３００内のダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７（Ｔｒ８）と、制御ＩＣ３００内の電界効果トランジスタＴｒ５（Ｔｒ６）との間の接続の仕方が異なり、その余の点で共通している。以下、電力増幅モジュール１２０，１５０の相違点を中心に説明し、両者の共通点については詳細な説明を省略する。
【００２８】
ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７のカソードＣ７は、制御ＩＣ３００の内部で接地している。ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７のアノードＡ７は、ワイヤ４５０を通じてダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３のカソードＣ３に接続している。ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３のアノードＡ３は、ワイヤ４６０を通じて電界効果トランジスタＴｒ５のゲート端子に接続している。
【００２９】
ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８のカソードＣ８は、制御ＩＣ３００の内部で接地している。ダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ８のアノードＡ８は、ワイヤ４７０を通じてダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４のカソードＣ４に接続している。ダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ４のアノードＡ４は、ワイヤ４８０を通じて電界効果トランジスタＴｒ６のゲート端子に接続している。
【００３０】
なお、ワイヤ４１０，４５０，４６０を区別する場合、ワイヤ４１０を第１のワイヤと呼び、ワイヤ４５０を第２のワイヤと呼び、ワイヤ４６０を第３のワイヤと呼ぶことがある。同様に、ワイヤ４３０，４７０，４８０を区別する場合、ワイヤ４３０を第１のワイヤと呼び、ワイヤ４７０を第２のワイヤと呼び、ワイヤ４８０を第３のワイヤと呼ぶことがある。
【００３１】
実施形態２に関わる電力増幅モジュール１５０の作用効果は、実施形態１に関わる電力増幅モジュール１２０の作用効果と同様である。
【００３２】
図４は本発明の実施形態３に関わる電力増幅モジュール１６０の構成を示す説明図である。電力増幅モジュール１６０は、電力増幅モジュール１２０の電力増幅回路２００内のダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４を、それぞれ、ダイオードＤ１３，Ｄ１４に置換した構成を有している。電力増幅モジュール１６０は、電力増幅モジュール１２０の制御ＩＣ３００内のダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７，Ｔｒ８を、それぞれ、ダイオードＤ１７，Ｄ１８に置換した構成を有している。以下、電力増幅モジュール１２０，１６０の相違点を中心に説明し、両者の共通点については詳細な説明を省略する。
【００３３】
ダイオードＤ１３のアノードＡ１３は、ワイヤ４２０に接続されており、そのカソードＣ１３は電力増幅回路２００の内部で接地している。ダイオードＤ１７のアノードＡ１７は、電界効果トランジスタＴｒ５のゲート端子に接続されており、そのカソードＣ１７はワイヤ４２０に接続している。
【００３４】
ダイオードＤ１４のアノードＡ１４は、ワイヤ４４０に接続されており、そのカソードＣ１４は電力増幅回路２００の内部で接地している。ダイオードＤ１８のアノードＡ１８は、電界効果トランジスタＴｒ６のゲート端子に接続されており、そのカソードＣ１８はワイヤ４４０に接続している。
【００３５】
なお、ダイオードＤ１３，Ｄ１７を区別する場合、ダイオードＤ１３を第１のダイオードと呼び、ダイオードＤ１７を第２のダイオードと呼ぶ。同様に、ダイオードＤ１４，Ｄ１８を区別する場合、ダイオードＤ１４を第１のダイオードと呼び、ダイオードＤ１８を第２のダイオードと呼ぶ。
【００３６】
実施形態３に関わる電力増幅モジュール１６０の作用効果は、実施形態１に関わる電力増幅モジュール１２０の作用効果と同様である。
【００３７】
図５は本発明の実施形態４に関わる電力増幅モジュール１７０の構成を示す説明図である。電力増幅モジュール１７０は、電力増幅モジュール１５０の電力増幅回路２００内のダイオード接続バイポーラトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４を、それぞれ、ダイオードＤ１３，Ｄ１４に置換した構成を有している。電力増幅モジュール１７０は、電力増幅モジュール１５０の制御ＩＣ３００内のダイオード接続電界効果トランジスタＴｒ７，Ｔｒ８を、それぞれ、ダイオードＤ１７，Ｄ１８に置換した構成を有している。以下、電力増幅モジュール１７０，１５０の相違点を中心に説明し、両者の共通点については詳細な説明を省略する。
【００３８】
ダイオードＤ１７のカソードＣ１７は、制御ＩＣ３００の内部で接地している。ダイオードＤ１７のアノードＡ１７は、ワイヤ４５０を通じてダイオードＤ１３のカソードＣ１３に接続している。ダイオードＤ１３のアノードＡ１３は、ワイヤ４６０を通じて電界効果トランジスタＴｒ５のゲート端子に接続している。
【００３９】
ダイオードＤ１８のカソードＣ１８は、制御ＩＣ３００の内部で接地している。ダイオードＤ１８のアノードＡ１８は、ワイヤ４７０を通じてダイオードＤ１４のカソードＣ１４に接続している。ダイオードＤ１４のアノードＡ４は、ワイヤ４８０を通じて電界効果トランジスタＴｒ６のゲート端子に接続している。
【００４０】
実施形態４に関わる電力増幅モジュール１７０の作用効果は、実施形態２に関わる電力増幅モジュール１５０の作用効果と同様である。
【００４１】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。実施形態が備える素子及びその配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１２０，１５０，１６０，１７０…電力増幅モジュール  ２００…電力増幅回路  ２１０，２２０…増幅器  ２３０，２４０，２５０…整合回路  ３００…制御ＩＣ  Ｔｒ１，Ｔｒ２…バイポーラトランジスタ  Ｔｒ３，Ｔｒ４…ダイオード接続バイポーラトランジスタ  Ｔｒ５，Ｔｒ６…電界効果トランジスタ  Ｔｒ７，Ｔｒ８…ダイオード接続電界効果トランジスタ  Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２…ベースバラスト抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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