(57)【要約】      （修正有）【課題】光の経路を制限する、光透過性を有する貫通電極基板を提供する。【解決手段】配線基板は、第１面と第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する第１領域Ａ１と第１領域Ａ１に隣り合う第２領域Ａ２を含む基板１００と、基板１００を貫通し、第２領域Ａ２に配置された貫通電極１１０と、基板１００の第１面側に第１領域Ａ１および貫通電極１１０に電気的に接続された導電表面の一部を露出するように第２領域Ａ１に配置され、第１波長の光に対して第１透過率よりも低い第２透過率を有する絶縁層１５０ａと、露出導電表面に電気的に接続する配線と、配線に電気的に接続された接続端子と、接続端子に電気的に接続された貫通電極１１０よりも第１領域Ａ１側において、基板１００の第１面と第２面との間の少なくとも一部に、基板１００との界面に曲面を有し、第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部１３０とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して透過性を有する第１領域および当該第１領域に隣り合う第２領域を含む基板と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通し、前記第２領域に配置された貫通電極と、
前記基板の前記第１面の側において前記第１領域および前記貫通電極に電気的に接続された導電表面の一部を露出するように前記第２領域に配置された絶縁層と、
前記露出された前記導電表面に電気的に接続する配線と、
前記配線に電気的に接続された接続端子と、
前記接続端子に電気的に接続された前記貫通電極よりも前記第１領域側において、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、当該基板との界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、
を備える、配線基板。
【請求項２】
前記透過抑制部は、導電体を含む、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方から露出されている、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記透過抑制部は、導電体を含み、前記第１面および前記第２面から露出されている、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記透過抑制部の前記第１面に平行な断面における外縁に囲まれた最大面積は、前記貫通電極の前記第１面に平行な断面における最大面積よりも大きい、請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
複数の前記貫通電極が前記第２領域に配置され、
隣接する前記貫通電極の最短距離は、隣接する前記透過抑制部の最短距離よりも長い、請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記透過抑制部は、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率部である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１領域は、前記第２領域に囲まれた領域である、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
複数の前記透過抑制部は、前記第１領域の縁部に沿って並んで配置された第１列部分、および当該第１列部分に隣接して並んで配置され当該第１列部分よりも前記貫通電極に近い第２列部分を少なくとも含む、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１列部分に対して直交する方向から見たときに、前記第２列部分の前記透過抑制部の位置と、前記第１列部分の前記透過抑制部の位置とがずれる範囲が存在するように、前記透過抑制部が配置されている、請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
複数の前記透過抑制部は、さらに、前記第２列部分に隣接して並んで配置され当該第２列部分よりも前記貫通電極に近い第３列部分を少なくとも含み、
前記第１列部分の前記透過抑制部と前記第２列部分の前記透過抑制部とを結ぶ線に沿って見たときに、当該線に対して前記第３列部分の前記透過抑制部の位置がずれる範囲が存在するように、前記透過抑制部が配置されている、請求項８または請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記透過抑制部は、前記第２領域に配置されている、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
前記第１領域の縁部から前記第２領域の少なくとも一部までの範囲において、前記絶縁層の少なくとも一部を覆うように配置された遮光層をさらに有し、
前記透過抑制部は、前記遮光層に覆われた位置に配置されている、請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記第２領域は、前記第１領域と前記基板の縁部との間に配置され、
前記透過抑制部は、さらに、前記第２領域のうち前記貫通電極より前記基板の縁部側に配置されている、請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の配線基板と、
前記貫通電極と電気的に接続され、前記第１領域と対向して配置される光学素子を含む回路基板と、
を含む光学装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の配線基板と、
前記配線基板を収納し、前記第１領域に対応する位置に配置された開口部を有するケースと、
前記配線基板に対して前記開口部とは反対側に配置され、前記貫通電極と電気的に接続され、前記開口部および前記第１領域を通過した光が照射される受光素子を含む受光回路基板と、
を含む光学装置。
【請求項１６】
第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する第１領域および当該第１領域に隣接する第２領域を含み、
前記第１面と前記第２面との間を貫通して配置され、前記第２領域に配置された貫通孔と、
前記貫通孔よりも前記第１領域側において前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、
を備える、基板。
【請求項１７】
第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する第１領域および当該第１領域に隣接する第２領域を含む基板と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通して配置され、前記第２領域に配置された貫通電極と、
前記貫通電極よりも前記第１領域側において前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、当該基板との界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、
を備える、貫通電極基板。
【請求項１８】
第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する基板と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通電極であって、前記基板に周期的に配置された複数の前記貫通電極と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部であって、前記貫通電極が配置された周期に対して整数倍または整数分の１倍の周期で周期的に配置された複数の前記透過抑制部と、
を備える、貫通電極基板。
【請求項１９】
前記透過抑制部は、導電体を含み、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方から露出されている、請求項１８に記載の貫通電極基板。
【請求項２０】
前記透過抑制部は、前記第１面および前記第２面から露出されている、請求項１８に記載の貫通電極基板。
【請求項２１】
隣接する前記貫通電極の最短距離は、隣接する前記透過抑制部の最短距離よりも長い、請求項１８に記載の貫通電極基板。
【請求項２２】
前記透過抑制部は、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率部である、請求項１８に記載の貫通電極基板。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２２のいずれかに記載の貫通電極基板と、
前記貫通電極に電気的に接続される発光素子であって、前記透過抑制部が配置される周期で周期的に配置された複数の発光素子と、
を含む表示装置。
【請求項２４】
複数の前記発光素子は、前記基板の表面上の位置関係において、前記透過抑制部を挟んで隣接する位置に配置された発光素子の組を含み、当該発光素子の組は互いに異なる色で発光する、請求項２３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、貫通電極基板における光の経路を制限する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路を形成した半導体回路基板を垂直に積層した三次元実装技術が用いられている。このような実装技術においては、貫通電極が形成された基板が用いられる。このような基板は、インターポーザともいう。特許文献１、２、３には、ガラス基板を用いたインターポーザが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２１４８１号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９６０６号公報
【特許文献３】特開２０１６−９８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ガラス基板で形成されたインターポーザを用いた電子機器は、用途によって遮光環境下で用いられない場合もある。このような場合には、ガラス基板が有する光透過性のため、意図しない経路で電子機器内に光が侵入してしまうことが考えられる。
【０００５】
本開示の実施形態における目的の一つは、光透過性を有する貫通電極基板において光の経路を制限することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して透過性を有する第１領域および当該第１領域に隣り合う第２領域を含む基板と、前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通し、前記第２領域に配置された貫通電極と、前記基板の前記第１面の側において前記第１領域および前記貫通電極に電気的に接続された導電表面の一部を露出するように前記第２領域に配置された絶縁層と、前記露出された前記導電表面に電気的に接続する配線と、前記配線に電気的に接続された接続端子と、前記接続端子に電気的に接続された前記貫通電極よりも前記第１領域側において、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、当該基板との界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、を備える、配線基板が提供される。
【０００７】
前記透過抑制部は、導電体を含む、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方から露出されてもよい。
【０００８】
前記透過抑制部は、導電体を含み、前記第１面および前記第２面から露出されてもよい。
【０００９】
前記透過抑制部の前記第１面に平行な断面における外縁に囲まれた最大面積は、前記貫通電極の前記第１面に平行な断面における最大面積よりも大きくてもよい。
【００１０】
複数の前記貫通電極が前記第２領域に配置され、隣接する前記貫通電極の最短距離は、隣接する前記透過抑制部の最短距離よりも長くてもよい。
【００１１】
前記透過抑制部は、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率部であってもよい。
【００１２】
前記第１領域は、前記第２領域に囲まれた領域であってもよい。
【００１３】
複数の前記透過抑制部は、前記第１領域の縁部に沿って並んで配置された第１列部分、および当該第１列部分に隣接して並んで配置され当該第１列部分よりも前記貫通電極に近い第２列部分を少なくとも含んでもよい。
【００１４】
前記第１列部分に対して直交する方向から見たときに、前記第２列部分の前記透過抑制部の位置と、前記第１列部分の前記透過抑制部の位置とがずれる範囲が存在するように、前記透過抑制部が配置されてもよい。
【００１５】
複数の前記透過抑制部は、さらに、前記第２列部分に隣接して並んで配置され当該第２列部分よりも前記貫通電極に近い第３列部分を少なくとも含み、前記第１列部分の前記透過抑制部と前記第２列部分の前記透過抑制部とを結ぶ線に沿って見たときに、当該線に対して前記第３列部分の前記透過抑制部の位置がずれる範囲が存在するように、前記透過抑制部が配置されてもよい。
【００１６】
前記透過抑制部は、前記第２領域に配置されてもよい。
【００１７】
前記第１領域の縁部から前記第２領域の少なくとも一部までの範囲において、前記絶縁層の少なくとも一部を覆うように配置された遮光層をさらに有し、前記透過抑制部は、前記遮光層に覆われた位置に配置されてもよい。
【００１８】
前記第２領域は、前記第１領域と前記基板の縁部との間に配置され、前記透過抑制部は、さらに、前記第２領域のうち前記貫通電極より前記基板の縁部側に配置されてもよい。
【００１９】
また、本開示の一実施形態によると、上記記載の配線基板と、前記貫通電極と電気的に接続され、前記第１領域と対向して配置される光学素子を含む回路基板と、を含む光学装置が提供される。
【００２０】
また、本開示の一実施形態によると、上記記載の配線基板と、前記配線基板を収納し、前記第１領域に対応する位置に配置された開口部を有するケースと、前記配線基板に対して前記開口部とは反対側に配置され、前記貫通電極と電気的に接続され、前記開口部および前記第１領域を通過した光が照射される受光素子を含む受光回路基板と、を含む光学装置が提供される。
【００２１】
また、本開示の一実施形態によると、第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する第１領域および当該第１領域に隣接する第２領域を含み、前記第１面と前記第２面との間を貫通して配置され、前記第２領域に配置された貫通孔と、前記貫通孔よりも前記第１領域側において前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、を備える、基板が提供される。
【００２２】
また、本開示の一実施形態によると、第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する第１領域および当該第１領域に隣接する第２領域を含む基板と、前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通して配置され、前記第２領域に配置された貫通電極と、前記貫通電極よりも前記第１領域側において前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、当該基板との界面に曲面を有し、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部と、を備える、貫通電極基板が提供される。
【００２３】
また、本開示の一実施形態によると、第１面および当該第１面に対向する第２面を含み、第１波長の光に対して第１透過率を有する基板と、前記基板の前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通電極であって、前記基板に周期的に配置された複数の前記貫通電極と、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の少なくとも一部に配置され、前記第１波長の光の透過を抑制する複数の透過抑制部であって、前記貫通電極が配置された周期に対して整数倍または整数分の１倍の周期で周期的に配置された複数の前記透過抑制部と、を備える、貫通電極基板が提供される。
【００２４】
前記透過抑制部は、導電体を含み、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方から露出されてもよい。
【００２５】
前記透過抑制部は、前記第１面および前記第２面から露出されてもよい。
【００２６】
隣接する前記貫通電極の最短距離は、隣接する前記透過抑制部の最短距離よりも長くてもよい。
【００２７】
前記透過抑制部は、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率部であってもよい。
【００２８】
また、本開示の一実施形態によると、上記記載の貫通電極基板と、前記貫通電極に電気的に接続される発光素子であって、前記透過抑制部が配置される周期で周期的に配置された複数の発光素子と、を含む表示装置が提供される。
【００２９】
複数の前記発光素子は、前記基板の表面上の位置関係において、前記透過抑制部を挟んで隣接する位置に配置された発光素子の組を含み、当該発光素子の組は互いに異なる色で発光してもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本開示の実施形態によると、光透過性を有する貫通電極基板において光の経路を制限することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本開示の第１実施形態における光学装置の構造を説明する図である。
【図２】本開示の第１実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図３】本開示の第１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図４】本開示の第１実施形態における配線基板内への光の入射経路の例を説明する図である。
【図５】本開示の配線基板の製造方法（貫通孔の形成）を説明する図である。
【図６】図５に続く配線基板の製造方法（貫通電極の形成）を説明する図である。
【図７】図６に続く配線基板の製造方法（絶縁層の形成）を説明する図である。
【図８】図７に続く配線基板の製造方法（配線の形成）を説明する図である。
【図９】本開示の第２実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図１０】本開示の第３実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図１１】本開示の第４実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図１２】本開示の第５実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図１３】本開示の第６実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図１４】本開示の第７実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図１５】本開示の第８実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図１６】本開示の第９実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図１７】本開示の第１０実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図１８】本開示の第１０実施形態における貫通電極を形成する前の基板の断面構造を説明する図である。
【図１９】本開示の第１１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図２０】本開示の第１１実施形態における貫通電極を形成する前の基板の断面構造を説明する図である。
【図２１】本開示の第１２実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。
【図２２】本開示の第１３実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。
【図２３】本開示の第１４実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。
【図２４】本開示の第１５実施形態における表示装置の断面構造を説明する図である。
【図２５】本開示の第１５実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。
【図２６】本開示の第１６実施形態における電子機器を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本開示の各実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００３３】
＜第１実施形態＞
［光学装置の概要］
図１は、本開示の第１実施形態における光学装置の構造を説明する図である。光学装置１は、この例では画像の撮影をするための撮像装置である。光学装置１は、配線基板１０、撮像装置３０、回路基板４０、ケース８０および光学系９０を含む。配線基板１０は、この例ではガラス基板に貫通電極１１０が配置された貫通電極基板、および配線等が配置されたインターポーザである。ここでは配線基板１０の構成の概要のみ説明し、詳細の構成については後述する。これらの配線の層間絶縁膜として、絶縁層１５０が配置されている。絶縁層１５０は、開口部１５５を含む。配線基板１０には、光が透過する領域（光透過領域）が設けられている。この例では、光透過領域は、絶縁層１５０の開口部１５５に対応する領域Ａ１（図２、図３参照）である。配線基板１０は、光透過領域と貫通電極１１０との間に、光の透過を抑制するための透過抑制部１３０を含む。この例では、透過抑制部１３０は、貫通電極１１０と同じ材質で形成され、同じ外縁形状をしている。
【００３４】
撮像装置３０は、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等を用いた受光素子が配置された受光領域３５を含む受光回路基板である。撮像装置３０は、受光領域３５の周辺部において、バンプ５３を介して配線基板１０と電気的に接続されている。回路基板４０は、撮像装置３０および光学系９０を制御する制御回路を含む。回路基板４０は、バンプ５４を介して配線基板１０と電気的に接続されている。回路基板４０と撮像装置３０とは、配線基板１０を介して電気的に接続される。なお、回路基板４０は、配線基板１０の光透過領域に対向する領域には存在しない。
【００３５】
ケース８０は、光を遮光する部材で形成され、配線基板１０、撮像装置３０、回路基板４０および光学系９０を収納する。ケース８０の一部には、光を透過する領域（以下、開口部８５という）が配置されている。光学系９０は、レンズ９１等の光学素子を含む。開口部８５を通過してケース８０の内部に侵入した光Ｌは、光学系９０によって光路を制御され、配線基板１０の光透過領域を通過し、撮像装置３０の受光領域３５に到達する。以下、光Ｌは、受光領域３５において受光可能な波長の光をいう。このとき、配線基板１０において、横方向（基板が拡がる方向）に入射光が伝播する可能性がある。この配線基板１０は、透過抑制部１３０によって、このような光の伝搬を抑制する。続いて、配線基板１０の詳細の構造について、図２、図３および図４を用いて説明する。
【００３６】
［配線基板の構成］
図２は、本開示の第１実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。領域Ａ１（光透過領域）は、絶縁層１５０の開口部１５５に対応した領域である。領域Ａ２は、絶縁層１５０が配置された領域である。領域Ａ２には、貫通電極１１０が配置されている。この例では、複数の貫通電極１１０が、領域Ａ２のうち貫通電極領域１１００に配置されている。複数の透過抑制部１３０が、領域Ａ２のうち透過抑制領域１３００に配置されている。透過抑制領域１３００は、貫通電極領域１１００よりも領域Ａ１側に配置されている。この例では、透過抑制領域１３００は、貫通電極領域１１００と領域Ａ１との間に配置され、領域Ａ１を囲んでいる。貫通電極１１０と透過抑制部１３０とは外形が同じ形状（円筒形状）になっているが、配置の密度は貫通電極１１０よりも透過抑制部１３０の方が高い。そのため、隣接する貫通電極１１０の組み合わせのうちの最短となる距離よりも、隣接する透過抑制部１３０の組み合わせのうち最短となる距離が小さくなっている。
【００３７】
また、透過抑制領域１３００は、内周側に配置された透過抑制部１３０と外周側に配置された透過抑制部１３０とを含む。図２においては、透過抑制部１３０のうち内周側に配置された一部を第１列部分１３０１として示し、外周側に配置された一部を第２列部分１３０２として示している。この例では、第１列部分１３０１の透過抑制部１３０が並ぶ方向に対して直交する方向ＡＲ１から見たときに、第１列部分１３０１の透過抑制部１３０の位置と第２列部分１３０２の透過抑制部１３０の位置とがずれている。いわゆる千鳥配置といわれる関係で透過抑制部１３０が配置されている。
【００３８】
図３は、本開示の第１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。なお、図２と図３とは完全に対応するものではなく、図３は、配線基板１０の構成をわかりやすく説明するため、図２に示す構成の断面構造から一部の構成を省略して示している。後述する断面構造の図と上面図との関係においても同様である。
【００３９】
基板１００は、この例ではガラス基板である。図３における基板１００の上面側を第１面１００ａといい、下面側を第２面１００ｂという。第１面１００ａと第２面１００ｂとは便宜的に定義したものであるが、この例では、回路基板４０に対向する面を第１面１００ａとし、撮像装置３０に対向する面を第２面１００ｂとしている。以下の説明では、第１面１００ａ側に配置された構成に対応する符号に対しては「ａ」を付し、第２面１００ｂ側に配置された構成に対応する符号に対しては「ｂ」を付すものとする。それぞれを特に区別しない場合には、「ａ」および「ｂ」のいずれも付さずに説明する場合がある。
【００４０】
基板１００の領域Ａ１は、撮像装置３０の受光領域３５に到達する光Ｌを透過する領域である。したがって、基板１００のうち少なくとも領域Ａ１については、受光領域３５において受光すべき光の波長、例えば、可視光の波長帯域を透過する。上述したように、基板１００はガラス基板である。そして基板１００の表面が露出している。この構成によって領域Ａ１は、可視光の波長帯域を透過する光透過領域となる。なお、基板１００の表面が必ずしも露出していなくてもよく、透過すべき光Ｌの波長に対して透過性を有していれば、例えば反射防止膜等が基板１００の表面に配置されていてもよい。
【００４１】
基板１００の領域Ａ２には、第１面１００ａと第２面１００ｂとの間を貫通する貫通電極１１０が配置されている。また、上述したように、基板１００の領域Ａ２のうち貫通電極１１０よりも領域Ａ１側において、第１面１００ａと第２面１００ｂとの間を貫通するように透過抑制部１３０が配置されている。貫通電極１１０および透過抑制部１３０のいずれも、基板１００に形成された貫通孔の表面のみに導電体が配置され、導電体に囲まれた中空を有している。なお、貫通電極１１０および透過抑制部１３０のいずれか一方または双方において、この領域は中空でなく絶縁体で埋められていてもよいし、全て導電体で充填されていてもよい。
【００４２】
領域Ａ２において基板１００の第１面１００ａ側には、絶縁層１５０ａが配置されている。この例では、絶縁層１５０ａは、有機材料で形成された絶縁層である。絶縁層１５０ａは、領域Ａ１および貫通電極１１０に電気的に接続された導電表面（図７に示す導電表面１１５ａ）を露出する。この例では、開口部１５５ａによって領域Ａ１の基板１００は、絶縁層１５０ａから露出される。配線１７０ａは、この導電表面に電気的に接続された導電体である。接続端子１８０ａは、配線１７０ａに電気的に接続された導電体であり、バンプが配置される端子である。貫通電極１１０は、配線１７０ａを介して接続端子１８０ａに対して電気的に接続される。
【００４３】
領域Ａ２において基板１００の第２面１００ｂ側には、絶縁層１５０ｂが配置されている。この例では、絶縁層１５０ｂは、有機材料で形成された絶縁層である。絶縁層１５０ｂは、領域Ａ１および貫通電極１１０に電気的に接続された導電表面を露出する。この例では、開口部１５５ｂによって領域Ａ１の基板１００は、絶縁層１５０ｂから露出される。配線１７０ｂは、この導電表面に電気的に接続された導電体である。接続端子１８０ｂは、配線１７０ｂに電気的に接続された導電体であり、バンプが配置される端子である。貫通電極１１０は、配線１７０ｂを介して接続端子１８０ｂに対して電気的に接続される。なお、基板１００の第１面１００ａと第２面１００ｂとに配置される配線および絶縁層の積層数は図示の例に限定されない。例えば、第１面１００ａ側と第２面１００側とに同じ層数または異なる層数の配線および絶縁層がそれぞれ配置されていてもよい。また、図３では、第１面１００ａ側の層数が、第２面１００ｂ側の層数よりも大きい例が図示されているが、これに限らず、第２面１００ｂ側の層数が、第１面１００ａ側の層数よりも大きくてもよい。
【００４４】
領域Ａ２は、領域Ａ１よりも光Ｌの遮光性が高い領域である。例えば、受光領域３５に光Ｌを到達させるにあたって、光Ｌが通過する必要のない領域である。そのため、領域Ａ２においては光Ｌに対して透過性を有しなくてもよい。例えば、基板１００がガラス基板であって光Ｌに対する透過性を有していたとしても、領域Ａ２に配置される絶縁層１５０などの構成が、光Ｌに対する透過性を有していなくてもよい。なお、領域Ａ２における全体の層構造が光Ｌに対して透過性を有していたとしても、領域Ａ１における透過率よりも低くなっている。言い換えると、領域Ａ２において基板１００と絶縁層１５０とを含む層構造全体としての第２透過率と、領域Ａ１における基板１００の第１透過率とを比較したときに、第１透過率が高い。
【００４５】
続いて、透過抑制部１３０の作用について、図４を用いて説明する。領域Ａ１の端部（開口部１５５ａの端部）近傍を通過する光Ｌは、回折等の光学的な作用によって曲がる。これによって、光Ｌが伝播する方向のうち、基板１００の平面方向（図４における左右方向）の成分が増加し、光Ｌが領域Ａ２へ侵入しやすくなる。領域Ａ２に侵入した光Ｌが、基板１００の内部を伝播すると、この例のように、絶縁層１５０に有機材料を用いた場合には、その一部が基板１００側から絶縁層１５０（１５０ａ、１５０ｂ）に吸収される。この吸収によって、絶縁層１５０を構成する有機材料が変質し、一部が分解するなどの問題が生じる場合がある。この問題を解消することを目的の一つとして透過抑制部１３０が設けられている。
【００４６】
透過抑制部１３０は、光Ｌを吸収および反射することによって、領域Ａ２へ侵入する光Ｌを低減する。すなわち、透過抑制部１３０は、光Ｌの透過を抑制することによって、光Ｌの領域Ａ２への侵入を低減する。これにより、光Ｌの絶縁層１５０への影響を低減することができる。また、領域Ａ２への光Ｌの侵入により、例えば基板１００の側面から外部に漏洩する場合もある。このように漏洩した光が、光学装置１のケース８０の内部において、どのように伝播するか想定することが難しい。このような漏洩光を低減することもできる。
【００４７】
光Ｌの一部が透過抑制部１３０において反射すると、領域Ａ１に戻ってくる。このとき、透過抑制部１３０が円筒状の導電体であるため、光Ｌが反射する面は曲面である。したがって、光Ｌは、拡散するように反射するため、受光領域３５に結像しにくくなる。そのため、受光領域３５に影響を与えたとしても、撮影する画像への影響を少なくすることができる。図２に示すように、内周側の透過抑制部１３０と外周側の透過抑制部１３０とが、千鳥状に配置されることで、光Ｌの領域Ａ２への侵入をより低減することができる。このように透過抑制部１３０によって、光Ｌを領域Ａ２にできるだけ侵入させないように、光Ｌの経路を制限することができる。
【００４８】
［配線基板の製造方法］
続いて、配線基板１０を製造する方法について、図５〜図８を用いて説明する。
【００４９】
図５は、本開示の配線基板の製造方法（貫通孔の形成）を説明する図である。まず、基板１００を準備する。基板１００は、この例では、４００μｍの厚さを有するガラス基板であって、可視光に対して透過性を有する。この例では、基板１００は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲の波長を有する光に対して、７０％以上の透過率を有し、より好ましくは８０％以上の透過率を有している。この透過率は、一例であって、さらに高い透過率であってもよいし、低い透過率であってもよい。なお、基板１００は、可視光以外の波長の光に対して透過性を有する基板であってもよい。基板１００は、ガラス基板以外にも、石英基板、シリコン基板などの無機材料で形成された基板であってもよいし、樹脂基板などの有機材料で形成された基板であってもよい。
【００５０】
この基板１００に対して、第１面１００ａと第２面１００ｂとの間を貫通する貫通孔１０１、１０３を形成する。貫通孔１０１は、貫通電極１１０が配置される領域である。貫通孔１０３は、透過抑制部１３０が配置される領域である。この例では、基板１００に対してレーザ光を照射することによって、貫通孔１０１、１０３が形成される。なお、貫通孔１０１、１０３は、レーザ光の照射によって基板１００の一部を変質させ、変質させた部分をウエットエッチングにより除去することによって形成されてもよい。また、貫通孔１０１、１０３は、フォトリソグラフィの技術を用いて形成されてもよい。貫通孔１０１と貫通孔１０３とが、異なる方法で形成されてもよい。なお、基板１００がシリコン基板等の導電性を有する場合には、貫通孔の内側面を含めた基板表面が絶縁体で覆われる。
【００５１】
図６は、図５に続く配線基板の製造方法（貫通電極の形成）を説明する図である。基板１００の貫通孔１０１、１０３内部に導電体を配置し、第１面１００ａと第２面１００ｂとを貫通する貫通電極１１０および透過抑制部１３０を形成することによって、貫通電極基板を製造する。貫通電極１１０および透過抑制部１３０を構成する導電体は、例えば、めっき処理により形成されたＣｕを含む。なお、この導電体は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｎ等を含む金属であってもよい。
【００５２】
導電体は、貫通孔１０１、１０３の内部を充填しない程度の膜厚で形成される。これによって、貫通電極１１０は、内部に空間１１０ｈを有する円筒形状に形成される。透過抑制部１３０は、内部に空間１３０ｈを有する円筒形状に形成される。なお、この空間には、気体が存在する状態としてもよいし、樹脂等の絶縁体で充填されてもよいし、別の金属等の導電体で充填されてもよい。また、導電体は、貫通孔１０１、１０３の内部を充填する程度の膜厚で形成されてもよい。
【００５３】
図７は、図６に続く配線基板の製造方法（絶縁層の形成）を説明する図である。基板１００上に貫通電極１１０および透過抑制部１３０が形成されると、続いて、領域Ａ２において基板１００の第１面１００ａ側に絶縁層１５０ａが形成される。絶縁層１５０ａには、貫通電極１１０に電気的に接続された導電表面１１５ａを露出する開口部１５２ａ、および領域Ａの部分を露出する開口部１５５ａが形成される。絶縁層１５０ａは、例えば、感光性のドライフィルムレジストによって形成され、所定のパターンで露光され、現像されることによって開口部１５２ａ、１５５ａが形成される。
【００５４】
図８は、図７に続く配線基板の製造方法（配線の形成）を説明する図である。基板１００に絶縁層１５０ａが形成されると、続いて、開口部１５２ａを介して導電表面１１５ａに電気的に接続された配線１７０ａが形成される。配線１７０ａは、Ｃｕ等の導電体であって、めっき処理を用いて形成されてもよいし、スパッタリング法などを用いた蒸着によって形成されてもよい。絶縁層１５０ａおよび配線１７０ａの形成を繰り返して、多層構造の配線が形成されてもよい。また、基板１００の第２面１００ｂ側においても同様に絶縁層１５０ｂおよび配線１７０ｂが形成される。そして、配線１７０ａに電気的に接続する接続端子１８０ａ、および配線１７０ｂに電気的に接続される１８０ｂが形成されると、図３に示す構造が実現される。以上が配線基板１０の製造方法についての説明である。
【００５５】
＜第２実施形態＞
第２実施形態では、絶縁層１５０を覆う遮光層を有する配線基板１０Ａについて説明する。
【００５６】
図９は、本開示の第２実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。配線基板１０Ａは、第１実施形態における配線基板１０に対して、遮光層１９０を配置したものである。遮光層１９０は、光Ｌに対して遮光性を有する材料で形成され、この例では、酸化クロムなどを用いた絶縁材料、カーボンブラック等を含有する絶縁性樹脂材料を用いることができる。この例では、遮光層１９０は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲の波長を有する光に対して、透過率が１％（ＯＤ値＝２）未満である。より好ましくは、透過率が０．１％（ＯＤ値＝３）未満である。なお、遮光層１９０は、より高い透過率を有していてもよいし、低い透過率を有していてもよいが、少なくとも領域Ａ１の透過率よりも低い透過率を有している。
【００５７】
遮光層１９０ａは、領域Ａ１の縁部から領域Ａ２の少なくとも一部までの範囲において配置され、絶縁層１５０ａの少なくとも一部を覆うように配置されている。この例では、遮光層１９０ａは、絶縁層１５０ａの全体を覆い、接続端子１８０ａの表面の一部を露出している。また、遮光層１９０ａは、絶縁層１５０ａの開口部１５５ａの側部を覆い、領域Ａ１の外縁部分に拡がって配置されている。また、この例では、配線基板１０Ａの外縁側、すなわち、ダイシング等により切断される領域は、絶縁層１５０ａが配置されていない。そのため、絶縁層１５０ａの外縁の側部１５６ａについても、遮光層１９０ａで覆われている。図９においては、基板１００の第２面１００ｂ側においても遮光層１９０ａと同様にして遮光層１９０ｂが配置されているが、配置されていなくてもよい。
【００５８】
なお、遮光層１９０ａは、絶縁層１５０ａの全体を覆う場合に限らず、一部のみが覆われていてもよい。この場合には、光Ｌが入射する領域に近いところに遮光層１９０が配置されていることが望ましい。したがって、例えば、遮光層１９０ａは、貫通電極１１０が配置された領域より領域Ａ１側において配置され、貫通電極１１０が配置された領域よりも外側において配置されていない構成であってもよい。遮光層１９０ａは、少なくとも開口部１５５ａの側部を覆うことが望ましい。また、遮光層１９０ａが金属などの導電体を含む場合には、接続端子１８０ａと遮光層１９０ａとが電気的に絶縁するように配置することが望ましい。遮光層１９０ｂについても、遮光層１９０ａと同様である。
【００５９】
このように遮光層１９０を配置することによって、絶縁層１５０へ光Ｌが照射されることをさらに抑制することができる。
【００６０】
＜第３実施形態＞
第１実施形態では、貫通電極１１０の径と透過抑制部１３０の径とは同じ大きさを有していたが、同じ大きさに限られない。第３実施形態では、貫通電極１１０よりも径の大きい透過抑制部１３０Ｂを含む配線基板１０Ｂについて説明する。
【００６１】
図１０は、本開示の第３実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。配線基板１０Ｂでは、貫通電極領域１１００については、第１実施形態と同様である。一方、透過抑制領域１３００Ｂには、径ｄ１を有する貫通電極１１０よりも大きい径ｄ２を有する透過抑制部１３０Ｂが配置されている。径ｄ１および径ｄ２は、いずれも円筒形状であれば、円の直径に対応する。後述するように、円筒形状以外である場合でも同様であり、透過抑制部１３０Ｂの第１面１００ａに平行な断面における最大面積は、貫通電極１１０の第１面１００ａに平行な断面における最大面積よりも大きくなればよい。ここでいう最大面積とは、基板１００の表面（第１面１００ａ）に平行な断面を様々な位置で見たときに、最も大きくなる断面積を示している。ここで、断面において外縁部分（貫通孔に内側面に対応）に囲まれた面積を示しており、貫通電極１１０に含まれる導電体の断面積を示すわけではない。
【００６２】
このようにすると、隣接する透過抑制部１３０Ｂにおいて光Ｌが通過可能な経路が少なくなる。そのため、配線基板１０Ｂにおいては、第１実施形態の配線基板１０のように透過抑制部１３０の配置密度を貫通電極１１０よりも高める場合と同様に、領域Ａ２に侵入するのを低減する効果が高まる。
【００６３】
＜第４実施形態＞
第１実施形態では、基板１００の第１面１００ａ側から見た透過抑制部１３０の外縁の形状は円形であったが、円形に限られない。第４実施形態では、外縁の形状が円形以外の場合の例として、楕円形の外縁形状を有する透過抑制部１３０Ｃを含む配線基板１０Ｃについて説明する。
【００６４】
図１１は、本開示の第４実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。配線基板１０Ｃでは、貫通電極領域１１００については、第１実施形態と同様である。一方、透過抑制領域１３００Ｃには、楕円形の外縁形状を有する透過抑制部１３０Ｃが配置されている。楕円形状のように一方向に対して長い外縁形状（長手方向（長軸方向）を有する外縁形状）である場合には、長手方向を開口部１５５ａの縁部に沿った方向にして透過抑制部１３０Ｃが配置されると、光Ｌの領域Ａ２への侵入の低減効果が高まる。
【００６５】
なお、第４実施形態では、透過抑制部の外縁形状が円形以外の例として楕円形の場合について説明したが、外縁形状に曲線を含むものであれば、どのような形状であってもよい。例えば、半円など外縁の形状の一部に直線が含まれていてもよい。また、外縁形状が波状であってもよい。透過抑制部は、一部に曲面を有する壁面形状であってもよい。外縁形状の曲線は、領域Ａ１側に存在することがより好ましい。
【００６６】
＜第５実施形態＞
第４実施形態では、外縁形状が長手方向を有する透過抑制部１３０Ｃは、それぞれ同じ方向に長手方向を揃えて並んでいたが、長手方向を揃えずに並んでいてもよい。第５実施形態では、長手方向が揃っていない透過抑制部１３０Ｄを含む配線基板１０Ｄについて説明する。
【００６７】
図１２は、本開示の第５実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。配線基板１０Ｄでは、貫通電極領域１１００については、第１実施形態と同様である。一方、透過抑制領域１３００Ｄには、楕円形の外縁形状を有する透過抑制部１３０Ｄが配置されている。第４実施形態との違いは、隣接する透過抑制部１３０Ｄは、互いに異なる長手方向を有した楕円形の外縁形状を有していることである。このような配置によれば、透過抑制部１３０Ｄの表面において光Ｌが反射するときの方向が、より不規則なものとなる。したがって、光Ｌが受光領域３５において結像することをより抑制することができる。
【００６８】
＜第６実施形態＞
第１実施形態では、透過抑制部１３０は、透過抑制領域１３００において第１列部分１３０１および第２列部分１３０２に沿って並んで配置されていたが、さらに多くの列に並んで配置されていてもよい。第６実施形態では、３列に並んで配置された透過抑制部１３０Ｅを含む配線基板１０Ｅについて説明する。
【００６９】
図１３は、本開示の第６実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。配線基板１０Ｅでは、貫通電極領域１１００については、第１実施形態と同様である。一方、透過抑制領域１３００Ｅには、第１実施形態の透過抑制領域１３００に対応する第１列部分１３０１Ｅおよび第２列部分１３０２Ｅに加えて、さらに貫通電極１１０側において第３列部分１３０３Ｅが配置されている。
【００７０】
この例では、透過抑制領域１３００Ｅに含まれる透過抑制部１３０Ｅは、以下の通りに配置されている。まず、第１列部分１３０１Ｅに含まれる透過抑制部１３０Ｅと第２列部分１３０２Ｅに含まれる透過抑制部１３０Ｅとを結ぶ線ＳＬを定義する。この線ＳＬに沿って見たときに、線ＳＬに対して第３列部分１３０３Ｅに含まれる透過抑制部１３０Ｅの位置がずれるように、第１列部分１３０１Ｅ、第２列部分１３０２Ｅおよび第３列部分１３０３Ｅにおける透過抑制部１３０Ｅの位置関係が規定されている。言い換えると、第１列部分１３０１Ｅ、第２列部分１３０２Ｅおよび第３列部分１３０３Ｅのそれぞれの透過抑制部１３０Ｅの中心（外縁形状が円形でない場合には重心）が、同一直線上に配置されない位置関係となる。全ての透過抑制部１３０Ｅにおいて、この位置関係を満たしている場合に限らず、この位置関係となる範囲を少なくとも一部に含むように、透過抑制部１３０Ｅが配置されていればよい。このように透過抑制部１３０Ｅが配置されると、光Ｌが直進できる領域が少なくなるため、領域Ａ２への侵入をより低減することができる。
【００７１】
＜第７実施形態＞
第１実施形態では、領域Ａ１と領域Ａ２との境界の位置に絶縁層１５０の開口部１５５の縁部が配置されていたが、必ずしもこの位置に配置されていなくてもよい。第７実施形態では、領域Ａ２に開口部１５５Ｆａの縁部が配置されている配線基板１０Ｆについて説明する。
【００７２】
図１４は、本開示の第７実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。配線基板１０Ｆでは、貫通電極領域１１００については、第１実施形態と同様である。一方、開口部１５５Ｆａの縁部が、透過抑制領域１３００Ｆに配置され、この例では、第１列部分１３０１Ｆと第２列部分１３０２Ｆとの間に配置されている。なお、領域Ａ１と領域Ａ２との境界部分は、点線ＤＬで示している。このように開口部１５５Ｆａの縁部が点線ＤＬで示す境界部分よりも領域Ａ２側に存在してもよい。
【００７３】
＜第８実施形態＞
第８実施形態では、透過抑制部１３０に相当する構成が、基板１００の外縁近傍においても配置されている配線基板１０Ｇについて説明する。
【００７４】
図１５は、本開示の第８実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。配線基板１０Ｇでは、貫通電極１１０よりも基板縁部１００ｅ側、この例では基板縁部１００ｅの近傍の領域において、透過抑制部１３０と同様の構造を有する透過抑制部１３０Ｇが配置されている。図示は省略するが、この例では、透過抑制部１３０Ｇは、基板縁部１００ｅに沿って配置されている。透過抑制部１３０と同様に、透過抑制部１３０Ｇが複数列に並んで配置されていてもよい。このようにすると、基板縁部１００ｅからの光の侵入を低減することもできる。
【００７５】
＜第９実施形態＞
第１実施形態における透過抑制部１３０は、基板１００に配置された導電体によって光Ｌの透過を抑制していたが、この構成以外によって光Ｌの透過を抑制してもよい。第９実施形態では、透過抑制部として基板１００に設けられた貫通孔を用いる配線基板１０Ｈについて説明する。
【００７６】
図１６は、本開示の第９実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。配線基板１０Ｈでは、第１実施形態における透過抑制部１３０の位置において、導電体が含まれない構造、すなわち、第１面１００ａと第２面１００ｂとを貫通する貫通孔１０３を用いた透過抑制部１３０Ｈが配置されている。この例では、透過抑制部１３０Ｈには、空気が充填された状態である。空気は基板１００よりも屈折率が小さいため、透過抑制部１３０Ｈの表面（基板１００と貫通孔１０３との境界部分）において、光Ｌは全反射条件を満たしやすい。その結果、透過抑制部１３０Ｈは光Ｌの透過を抑制することによって、領域Ａ２への光Ｌの侵入を低減することができる。なお、透過抑制部１３０Ｈには、空気以外の物質が充填されていてもよいが、上記の通り光Ｌの全反射を容易に実現するため、基板１００よりも屈折率が低い物質が充填されることが望ましい。なお、この物質は、気体に限らず、固体または液体であってもよい。また、透過抑制部１３０Ｈに気体が充填される場合には、大気圧よりも低い圧力に保持されてもよい。
【００７７】
＜第１０実施形態＞
第９実施形態では、基板１００より屈折率の低い物質が充填された透過抑制部１３０Ｈは、貫通孔１０３に対応し、基板１００の第１面１００ａと第２面１００ｂとの間を貫通していたが、このような形状でなくてもよい。第１０実施形態では、透過抑制部として基板１００の内部に設けられた空隙を用いる配線基板１０Ｊについて説明する。
【００７８】
図１７は、本開示の第１０実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。配線基板１０Ｊでは、第１実施形態における透過抑制部１３０の位置において、第１面１００ａと第２面１００ｂとの間に分散して配置された空隙を用いた透過抑制部１３０Ｊが配置されている。なお、図１７に示す例では、透過抑制部１３０Ｊは球形状であるが、この形状に限らない。このため、透過抑制部１３０Ｊが光Ｌの透過を抑制する方法は、第９実施形態と同様の場合もあるし、異なる場合もある。例えば、透過抑制部１３０Ｊの形状によっては、光Ｌは透過抑制部１３０Ｊの表面で全反射をするのではなく、透過抑制部１３０Ｊの内部に侵入し拡散するようにして外部に放出される。この場合であっても、透過抑制部１３０Ｊは、光Ｌの領域２への侵入を低減している。
【００７９】
図１８は、本開示の第１０実施形態における貫通電極を形成する前の基板の断面構造を説明する図である。この例では、透過抑制部１３０Ｊは、基板１００にレーザを集光することによって、焦点部分にクラックを発生させることによって生成される。したがって、透過抑制部１３０Ｊは、製造条件によって様々な形状を取り得るが、少なくとも一部に曲面を有している。この例では、貫通孔１０１を形成した後、貫通電極１１０を形成する前に、透過抑制部１３０Ｊが形成される。図１８は、その状態の基板１００Ｊを示したものである。なお、透過抑制部１３０Ｊが形成されるタイミングは、対象領域にレーザを集光できる状況であればよいから、貫通孔１０１が形成される前であってもよいし、基板１００Ｊの表面に何らかの構造物、例えば絶縁層等が形成された後であってもよい。また、透過抑制部１３０Ｊは、クラックではなく、基板１００の材料（ガラス）を変質させた領域であってもよい。
【００８０】
＜第１１実施形態＞
第１実施形態では、透過抑制部１３０は、第１面１００ａと第２面１００ｂとの間を貫通して配置されていたが、貫通していなくてもよい。第１１実施形態では、基板１００を貫通していない透過抑制部を含む配線基板１０Ｋについて説明する。
【００８１】
図１９は、本開示の第１１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。配線基板１０Ｋでは、第１実施形態における透過抑制部１３０が第１面１００ａ側にのみ露出されている透過抑制部１３０Ｋが配置されている。なお、透過抑制部１３０Ｋは、第２面１００ｂ側のみに露出されていてもよい。また、複数の透過抑制部１３０Ｋには、第１面１００ａ側に露出された構成と第２面１００ｂ側に露出された構成とが混在して含まれていてもよい。このとき、図２に示すように複数列に並んで配置された場合には、第１列部分１３０１に対応する透過抑制部１３０Ｋが第１面１００ａ側に露出され、第２列部分１３０２に対応する透過抑制部１３０Ｋが第２面１００ｂ側に露出されてもよい。
【００８２】
図２０は、本開示の第１１実施形態における貫通電極を形成する前の基板の断面構造を説明する図である。この例では、貫通電極１１０が形成される前に、透過抑制部１３０Ｋが配置される領域（孔部１０３Ｋ）が形成される。図２０は、貫通電極１１０が形成される前の基板１００Ｋを示したものである。
【００８３】
＜第１２〜１４実施形態＞
第１実施形態では、透過抑制部１３０が配置される貫通孔１０３は円柱形状であったが、他の形状であってもよい。第１２実施形態から第１４実施形態として、３つの貫通孔の形状について例示する。ここでは、いずれの貫通孔の形状も中心軸を中心に回転させた柱形状を有する。すなわち、貫通孔の第１面１００ａに平行な断面は円形状であるものとして説明する。
【００８４】
以下、透過抑制部１３０が配置される貫通孔１０３について説明しているが、貫通電極１１０が配置される貫通孔１０１についても同様の形状である。なお、貫通孔１０３と貫通孔１０１とは同じ形状でなくてもよい。例えば、貫通孔１０１は第１２実施形態の形状であり、貫通孔１０３は第１３実施形態の形状であってもよい。また、複数の貫通孔１０３の少なくとも２つが、互いに複数の異なる形状であってもよい。
【００８５】
図２１は、本開示の第１２実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。第１２実施形態における基板１００Ｌに配置された貫通孔１０３Ｌは、第１面１００ａと第２面１００ｂとの開口部において最も大きい径を有し、第１面１００ａと第２面１００ｂとの中央の位置ＣＨで最も小さい径を有するように湾曲している。なお、第１面１００ａにおける開口部の径と、第２面１００ｂにおける開口部の径とは、同じであってもよいし、異なってもよい。また、位置ＣＨは、第１面１００ａと第２面１００ｂとの中央でなくてもよい。
【００８６】
図２２は、本開示の第１３実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。第１３実施形態における基板１００Ｍに配置された貫通孔１０３Ｍは、第１２実施形態における貫通孔１０３Ｌに対し、第１面１００ａと位置ＣＨとの間の位置ＣＨａ、および第２面１００ｂと位置ＣＨとの間の位置ＣＨｂにおいて、径が極大値を有するようにした形状である。なお、位置ＣＨａの径と位置ＣＨｂの径とは、同じであってもよいし、異なってもよい。また、位置ＣＨは、第１面１００ａと第２面１００ｂとの中央でなくてもよい。
【００８７】
図２３は、本開示の第１４実施形態における貫通孔の断面構造を説明する図である。第１４実施形態における基板１００Ｎに配置された貫通孔１０３Ｎは、第１面１００ａの開口部において最も大きい径を有し、第２面１００ｂの開口部において最も小さい径を有する。第１面１００ａと第２面１００ｂとの間は、径が徐々に変化している。なお、貫通孔１０３Ｎは、第１面１００ａの開口部において最も小さい径を有し、第２面１００ｂの開口部において最も大きい径を有してもよい。
【００８８】
上記の通り、透過抑制部（貫通孔）の形状は様々に取り得る。特に、第１面１００ａから第２面１００ｂに向けて貫通孔の径が小さくなっていく領域においては、透過抑制部において光Ｌが反射すると、第１実施形態の場合に比べて、より基板１００の下方に向け反射されることになる。これにより、反射光は、撮像装置３０の受光領域３５の周囲へ導かれて、受光領域３５に到達することを抑制することもできる。
【００８９】
＜第１５実施形態＞
第１実施形態では、配線基板１０は撮像装置を含む光学装置に適用されたが、それ以外の装置に適用されてもよい。第１５実施形態では、発光装置を含む表示装置に適用される配線基板１０Ｐについて説明する。
【００９０】
図２４は、本開示の第１５実施形態における表示装置の断面構造を説明する図である。図２５は、本開示の第１５実施形態における配線基板が有する貫通電極および透過抑制部の配置例を示す上面図である。表示装置１Ｐは、周期的に配列された発光装置７０Ｐを含む。以下、この実施形態でいう「周期的に配列」とは、ある直線上に沿って見たときに、周期的に存在するように配列されていることをいう。発光装置７０Ｐは、配置された位置に対応して、赤色を発光する発光素子７５Ｒ、緑色を発光する発光素子７５Ｇ、および青色を発光する発光素子７５Ｂのいずれかを含む。これらの発光装置７０Ｐは、配線基板１０Ｐを介して回路基板６０Ｐから出力される制御信号を取得して、発光素子７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂを発光させることにより、画像を表示する。画像が表示される表示面は、図２４における上方である。
【００９１】
配線基板１０Ｐは、貫通電極１１０Ｐおよび透過抑制部１３０Ｐを含む。発光装置７０Ｐが配置された周期に対応して、貫通電極１１０Ｐが周期的に配置されている。回路基板６０Ｐから出力される信号は、接続端子１８０Ｐｂ、配線１７０Ｐｂ、貫通電極１１０Ｐ、配線１７０Ｐａ、および接続端子１８０Ｐａを介して、発光装置７０Ｐに伝達される。配線基板１０Ｐは、透過抑制部１３０Ｐを含む。透過抑制領域１３００Ｐは、複数の透過抑制部１３０Ｐが並んで配置された領域である。発光装置７０Ｐが配置された周期に対応して、透過抑制領域１３００Ｐが周期的に配置されている。なお、発光装置７０Ｐが配置された周期に対応して、透過抑制部１３０Ｐについては、周期的に配列された組み合わせを含んでいる。
【００９２】
発光素子７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂが発光すると、図２４における上方から画像を視認することができる。一方、光の一部は、基板１００Ｐに漏洩する。このとき、透過抑制領域１３００Ｐの存在により、漏洩した光の周囲への拡散が抑制される。これによって、例えば、発光素子７５Ｒからの放出された赤色の光が、発光素子７５Ｇの周囲から漏れてしまうことを抑制することができる。すなわち、各発光素子７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂからの光が拡がる範囲を制限して、表示精度を向上させることができる。
【００９３】
なお、透過抑制部１３０Ｐなど配線基板１０Ｐの各構成については、上述した各実施形態における様々な透過抑制部を適用することもできる。また、透過抑制領域１３００Ｐは、貫通電極１１０または発光装置７０Ｐが配置された周期で配置されていたが、整数倍または整数分の１倍の周期で配置されてもよい。すなわち、透過抑制領域１３００Ｐに囲まれるそれぞれの領域に、１つずつ発光装置７０Ｐが配置されてもよいし、複数の発光装置７０Ｐが配置されてもよい。また、透過抑制領域１３００Ｐに囲まれる複数の領域に対して１つの発光装置７０Ｐが配置されていてもよい。
【００９４】
＜第１６実施形態＞
上述した実施形態における光学装置１は、例えば、携帯端末（デジタルカメラ、携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ等）等、様々な電気機器に搭載される。
【００９５】
図２６は、本開示の第１６実施形態における電子機器を説明する図である。光学装置１が搭載された電気機器の例として、スマートフォン５０００およびノート型パーソナルコンピュータ６０００を示した。これらの電気機器は、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するＣＰＵ等で構成される制御部１０００を有する。各種機能には、光学装置１からの出力信号を用いる機能が含まれる。なお、光学装置１において制御部１０００の機能を有する回路基板が含まれていてもよい。
【００９６】
＜変形例＞
上述した各実施形態は、互いに組合わせたり、置換したりして適用することが可能である。例えば、第１５実施形態において説明した透過抑制部１３０Ｐは、他の実施形態において説明した透過抑制部の構成に置き換えて適用することができる。また、上述した各実施形態では、以下の通り変形して実施することも可能である。
【００９７】
（１）領域Ａ１は、第１実施形態のように領域Ａ２を囲んで配置される場合に限られない。領域Ａ１と領域Ａ２とが隣り合って配置されていれば、どのような位置関係で配置されていてもよい。また、領域Ａ１と領域Ａ２との境界が直線でなくてもよい。
【００９８】
（２）本発明は、絶縁層１５０、配線１７０および接続端子１８０が形成される前の状態として、貫通電極および透過抑制領域が配置された貫通電極基板としても適用可能であり、さらに貫通電極が形成される前の状態として、貫通孔および透過抑制領域が配置された基板としても適用可能である。
【００９９】
（３）第１実施形態における複数の透過抑制部１３０は、互いに電気的に絶縁されていたが、電気的に接続されていてもよい。他の実施形態においても導電体を含む透過抑制部については同様である。電気的に接続されている場合、透過抑制部１３０Ｐは、例えば、固定電位（例えば接地電位）に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１…光学装置、１Ｐ…表示装置、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｊ，１０Ｋ，１０Ｐ…配線基板、３０…撮像装置、３５…受光領域、４０…回路基板、５３，５４…バンプ、６０Ｐ…回路基板、７０Ｐ…発光装置、７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂ…発光素子、８０…ケース、８５…開口部、９０…光学系、９１…レンズ、１００，１００Ｊ，１００Ｋ，１００Ｌ，１００Ｍ，１００Ｎ…基板、１００ａ…第１面、１００ｂ…第２面、１００ｅ…基板縁部、１０１…貫通孔、１０３，１０３Ｌ，１０３Ｍ，１０３Ｎ…貫通孔、１０３Ｋ…孔部、１１０…貫通電極、１１５ａ…導電表面、１３０，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄ，１３０Ｅ，１３０Ｆ，１３０Ｇ，１３０Ｈ，１３０Ｊ，１３０Ｋ，１３０Ｐ…透過抑制部、１３０１，１３０１Ｅ，１３０１Ｆ…第１列部分、１３０２，１３０２Ｅ，１３０２Ｆ…第２列部分、１３０３Ｅ…第３列部分、１５０…絶縁層、１５２…開口部、１５５…開口部、１５６…側部、１７０…配線、１８０…接続端子、１９０…遮光層、１０００…制御部、１１００…貫通電極領域、１３００，１３００Ｂ，１３００Ｃ，１３００Ｄ，１３００Ｅ，１３００Ｆ，１３００Ｐ…透過抑制領域、５０００…スマートフォン、６０００…ノート型パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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