(57)【要約】      （修正有）【課題】押印する過程の樹脂液滴の未充填部の位置、面積、形状、および樹脂層厚さに基づいて、液滴塗布パターンを補正する計測方法、補正方法、および装置を提供する。【解決手段】樹脂を吐出する吐出手段と基板とを相対的に走査させ、予め既知の情報から作成した樹脂塗布パターンに基づいて吐出された基板上の樹脂に原版のパターン面を接触させ、樹脂液滴が原版のパターン面と基板の間で毛管力により流動と原版パターンへの充填が開始され、充填過程における個々の充填状態を時系列で計測する工程と、計測結果から個々の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するばらつき補正データを算出する算出工程と、ばらつき補正データと既知の情報とに基づいて作成した樹脂塗布パターン情報をかけ合せて補正パターン情報を算出する算出工程と、補正パターン情報に基づいて塗布パターンを作成するパターン作成工程、または液滴吐出量を補正する工程とを有する。【選択図】図２
2018133379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に形成されているパターンを基板上の未硬化樹脂に転写するインプリント方法であって、
複数の開口部（ノズル）を持つ光硬化性樹脂の吐出手段を備え、基板あるいは前記吐出手段を走査させ塗布パターンに基づいて複数の前記樹脂液滴を基板上に塗布する塗布工程と、基板に塗布された未硬化樹脂面と原版のパターン面とを接触させることで未硬化樹脂を拡張させ原版パターンを基板に転写する転写工程と、転写した樹脂パターンを光硬化させる硬化工程を有するインプリント方法および塗布パターン作成方法において、
前記樹脂塗布パターンとして、
既知の情報で作成した塗布パターンで塗布した基板上の前記樹脂液滴に前記原版のパターン面を接触させ、前記液滴が前期原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了するまでの充填過程における個々の充填状態を時系列で計測する工程と、計測結果から個々の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するばらつき補正データを算出する算出工程1と、前記ばらつき補正データと既知の情報とに基づいて作成した補正パターン情報を算出する算出工程2と、前記補正パターン情報に基づいて塗布パターンを作成するパターン作成工程、または液滴吐出量を補正する工程とを有する
ことを特徴とするインプリント方法および塗布液の充填ばらつき補正方法。 
【請求項２】
前記基板上の複数の前記液滴の個々の充填状態を計測する工程において、前記液滴が前記原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了するまでの充填過程における、複数の未充填部の個々の面積と位置および形状を時系列で計測する 
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂液滴充填ばらつきの計測方法。 
【請求項３】
前記基板上の複数の前記液滴の個々の充填状態を計測する工程において、前記液滴が前記原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了するまでの充填過程における、複数の未充填部の個々の面積と位置および形状を時系列で計測する工程を有する 
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。 
【請求項４】
複数の開口部（ノズル）を持つ光硬化性樹脂の吐出手段を備え、基板あるいは前記吐出手段を走査させ塗布パターンに基づいて複数の前記樹脂液滴を基板上に塗布する塗布工程と、基板に塗布された未硬化樹脂面と原版のパターン面とを接触させることで未硬化樹脂を拡張させ原版パターンを基板に転写する転写工程と、転写した樹脂パターンを光硬化させる硬化工程を有するインプリント方法および塗布パターン作成方法において、
既知の情報で作成した塗布パターンで塗布した基板上の前記樹脂液滴に前記原版のパターン面を接触させ、前記液滴が前期原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了する前の未充填部が残る時間に前記原版を通して光を照射し、前記光硬化性樹脂液滴を硬化させる工程と、複数の前記液滴の個々の充填状態を計測する工程と、計測結果から個々の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するばらつき補正データを算出する算出工程1と、前記ばらつき補正データと既知の情報とに基づいて作成した補正パターン情報を算出する算出工程2と、前記補正パターン情報に基づいて塗布パターンを作成するパターン作成工程、または液滴吐出量を補正する工程とを有する
ことを特徴とするインプリント方法および塗布液の充填ばらつき補正方法。 
【請求項５】
前記基板上の複数の前記液滴の個々の充填状態を計測する工程において、塗布パターンで塗布した基板上の前記樹脂液滴に前記原版のパターン面を接触させ、前記液滴が前期原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了する前の未充填部が残る時間に前記原版を通して光を照射し、前記光硬化性樹脂液滴を硬化させる工程と、複数の前記未充填部の個々の面積と位置と形状および未充填部の基板表面から樹脂端部の上面エッジまでの距離（樹脂層の厚さ）を計測する
ことを特徴とする請求項４に記載の樹脂液滴充填ばらつきの計測方法。 
【請求項６】
前記基板上の複数の前記液滴の個々の充填状態を計測する工程において、塗布パターンで塗布した基板上の前記樹脂液滴に前記原版のパターン面を接触させ、前記液滴が前期原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了する前の未充填部が残る時間に前記原版を通して光を照射し、前記光硬化性樹脂液滴を硬化させる工程と、複数の前記未充填部の個々の面積と位置と形状および未充填部の基板表面から樹脂端部の上面エッジまでの距離（樹脂層の厚さ）を計測する工程を有する
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。 
【請求項７】
複数の前記液滴の個々の充填状態の計測結果から個々の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するばらつき補正データを算出する工程において、個々の充填状態および充填時間のばらつきは、時系列上および前記原版の中心部から同心円上で比較する 
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の補正パターン算出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版パターンを光硬化性樹脂に押し付けた状態で該樹脂を硬化させることによってパターンを形成するインプリント方法、該樹脂の塗布パターンの作成方法、および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。微細パターンの形成を低コストで実施するための技術として、光ナノインプリント法が提案されている。シリコンウエハーやガラスプレート等の基板上に形成したい微細パターンと同じ凹凸を形成した原版パターンを、被転写基板表面に形成された樹脂（レジスト）等の光硬化性樹脂層に押しつけ、これに光照射を行って樹脂層を硬化させ原版パターンを樹脂層から分離（離型）することで、凹凸パターンを転写する方法である。
【０００３】
近年では光硬化性樹脂材料はインクジェット法により塗布する方法も提案されてきている。インクジェット法を用いたディスペンサーは複数の開口部（ノズル）を持ち、複数ノズルから同時に樹脂の塗布を行う。このため、各ノズルから吐出される樹脂の液滴量が等しく、狙いの位置に液滴が正確に着弾することが望まれる。しかしながらディスペンサーには製造ばらつきがあるため、各ノズルから吐出される液滴量と着弾位置にはばらつきがある。
【０００４】
このばらつきを吐出量ばらつきおよび着弾ずれと呼ぶこともある。また光硬化性樹脂材料は揮発性を有する物がある。また光硬化性樹脂が持つ酸素硬化疎外性を防止するためにHeガスまたは窒素ガスなどの不活性ガスをパージガスとして液滴に向けて流入させる必要がある。樹脂（レジスト）の揮発性とパージガスの影響により基板上で不均一に個々の液滴の体積や形状が変化する。以上の要因で、基板上での液滴の分布にばらつきを生じる。このほか原版パターンの個体ばらつきや、基板表面の平面性や液滴の濡れ広がり性などの影響が加わって、充填時間の遅延、パターン欠陥、および膜厚異常などの問題が発生してしまう。短時間に良質な樹脂パターンを形成することが困難であった。
【０００５】
特許文献１では、所定の時間内に充填されない領域の樹脂の量を補正するパターン形成方法が開示されている。原版パターンに形成されるパターンを複数のメッシュに分割し、メッシュ内にある原版パターンの凹凸パターンの凹部を充填するのに必要な光硬化性樹脂の滴下量を算出する方法である。メッシュ内のパターン密度と滴下量の関係は充填実験または充填シミュレーションによって算出される。原版パターンのパターン密度より算出した滴下量の補正方法であり、原版パターンの個体ばらつきやディスペンサーの吐出量ばらつき、および樹脂の揮発による膜厚減少分の補正に関する記載はない。
【０００６】
特許文献２では、液体媒体の未充填部の状態から、充填の予想時間を導出し、ＵＶ光照射の開始時間を決定するインプリント方法が開示されている。
充填期間中にインプリント可能な液体媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して、界面の一つまたは複数の空隙に関するデータを取得し、空隙に関するデータと時間との関係から予想終了時間を算出する。界面から発する光とは、液体媒体を硬化させない波長の光を照明光とし、パターン形成された液体媒体と空隙内のガスとの界面から発する光であり、未充填部のサイズ分布の測定が可能である。未充填部のサイズ分布の情報から、ディスペンサーの液滴塗布パターンおよび吐出量を補正する記載はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１２３７５７号公報
【特許文献２】特開２０１１−８２５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
背景技術のようなインプリント方法において、原版パターンの設計値からの個体差と摩耗による変化およびパターン形状による液滴流動の異方性、ディスペンサーの吐出量および着滴位置のノズル間ばらつき、（吐出からインプリントまでの時間差、パージガスの流量分布による）レジスト揮発の位置ばらつき、および基板表面の凹凸および液滴との濡れ性は、インプリント後の樹脂パターン成果物の欠陥や膜厚異常、および充填時間の遅れによるスループット低下をまねく。
【０００９】
そのため、吐出量および着滴位置ばらつきの非常に小さいディスペンサーを使用するか、補正により吐出量ばらつきを低減した状態で使用し、さらにはパージガス流量の分布を均一にし、レジストの揮発特性を正確に把握しておく必要がある。インプリント時に樹脂液滴の吐出量、位置、形状に対するばらつきの要求は非常に厳しい。それに対し特定および予測のしにくい液滴のばらつきや挙動、および各条件の複雑な相互作用を、短時間に把握し、装置サイズおよびコストアップをすることなく簡易かつ高精度にディスペンサーの吐出量を補正してインプリントする方法の提案がなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
樹脂塗布パターンとして、既知の情報で作成した塗布パターンで塗布した基板上の前記樹脂液滴に前記原版のパターン面を接触させ、前記液滴が前期原版の塗布パターン面と前記基板の間で毛管力により流動と前期原版パターンへの充填が開始され、流動及び充填が完了するまでの充填過程における個々の充填状態を時系列で計測する工程と、計測結果から個々の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するばらつき補正データを算出する算出工程1と、前記ばらつき補正データと既知の情報とに基づいて作成した補正パターン情報を算出する算出工程2と、前記補正パターン情報に基づいて塗布パターンを作成するパターン作成工程、または液滴吐出量を補正する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、個体差を持つ原版パターン、ノズルごとの吐出量および着滴位置ばらつきを持つディスペンサー、および揮発性を有する樹脂（レジスト）を使用して、流量分布を持つパージガスの条件下においても、制御規模の増大による装置サイズアップやコストアップがなく、欠陥や膜厚異常のない樹脂パターン成果物を安定して得ることが可能なインプリント方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態で、インプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態で、個々の樹脂（レジスト）が、充填が開始されてから流動および充填が完了するまでの充填過程における充填状態を時系列で測定し、充填状態のばらつき補正データを算出し、塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。
【図３】第１、第２の実施形態で、ウエハー基板のインプリント順の一例を模式的に示す図である。
【図４】第１、第２の実施形態で、ディスペンサーによりウエハー基板上に樹脂（レジスト）を塗布する様子を模式的に示す図である。
【図５】（ａ）ウェハー基板上に樹脂（レジスト）が塗布された状態を、基板上面からみた状態を示す図である。（ｂ）グリッドの中心から外れて塗布された着弾位置ずれの樹脂（レジスト）液滴のノズル別の配置状態を示す図である。
【図６】（ａ）第１の実施形態で、ウエハー基板上の塗布領域を原版パターンの下部に移動した状態を示す図である。（ｂ）第１の実施形態で、原版パターンを樹脂（レジスト）に押し付けて、樹脂（レジスト）を原版パターンの凹凸に充填させる状態を示す図である。
【図７】（ａ）原版パターンを樹脂（レジスト）に接触させた瞬間を、ウェハー基板上面から見た図である。（ｂ）樹脂（レジスト）が原版パターンの凹凸へ流動し、充填される過程のある瞬間の充填状態を、ウェハー基板上面から見た図である。（ｃ）樹脂（レジスト）の流動が完了した時点の充填状態を、ウェハー基板上面から見た図である。
【図８】（ａ）第１、第２の実施形態で、原版パターンをウェハー基板面とは反対側より、基板面に向けて圧力をかけて湾曲させた状態を示す図である。（ｂ）第１、第２の実施形態で、パターン部の中心から気泡を外周部に押し出しながら、同心円状に充填が広がっていく状態を表す図である。
【図９】第１の実施形態で、原版パターンの裏面から樹脂（レジスト）に紫外光を照射する図である。
【図１０】第１の実施形態で、硬化後の樹脂（レジスト）から原版パターンを離型する図である。
【図１１】（ａ）液滴塗布から原版パターン接触までの時間差が、樹脂（レジスト）の揮発量に及ぼす影響を示す図である。（ｂ）ウエハー基板と原版パターンに挟まれた領域内での位置が、樹脂（レジスト）の揮発速度に及ぼす影響を示す図である。（ｃ）パージガスの流量分布が、樹脂（レジスト）の揮発速度に及ぼす影響を示す図である。
【図１２】ウェハーエッジ部を含む、ウエハー基板のインプリント順の一例を模式的に示す図である。
【図１３】第１、第２の実施形態で、初期樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。
【図１４】取得された塗布量分布情報を模式的に示す図である。
【図１５】作成された樹脂（レジスト）塗布パターンを模式的に示す図である。
【図１６】第１の実施形態で、補正後樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。
【図１７】（ａ）ある計測領域の一部の未充填部の分布状態を示す図である。（ｂ）各未充填部の中心位置と概略形状を示す図である。
【図１８】塗布量を増加させたい領域と減少させたい領域を、液滴の塗布画素の移動や、液滴のサイズを変更するなどのノズルごとの最適な補正データとして算出することを示す図である。
【図１９】充填部と未充填部の明度の差による明度分布の差による、インプリント領域の一部の明度分布状態を示す。
【図２０】第２の実施形態で、インプリント装置の構成を示す図である。
【図２１】第２の実施形態で、個々の樹脂（レジスト）が、充填を完了する前の充填過程における硬化状態を計測し、充填状態のばらつき補正データを算出し、塗布パターンを作成する処理フローを示す。
【図２２】（ａ）第２の実施形態で、ウエハー基板上の塗布領域を原版パターンの下部に移動した状態を示す図である。（ｂ）第２の実施形態で、樹脂（レジスト）材料が流動、充填していく過程の未充填部が点在している状態を示す図である。
【図２３】第２の実施形態で、原版パターンの裏面から樹脂（レジスト）に紫外光を照射する図である。
【図２４】第２の実施形態で、硬化後の樹脂（レジスト）から原版パターンを離型する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１の実施形態］原版パターンと基板の間の樹脂液滴の充填過程における個々の充填状態を時系列で計測することで補正塗布パターンを作成する手法
次に、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００１４】
（インプリント装置の説明）
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す図である。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置であって、基板の上に原版パターンのパターンを転写する。インプリント装置１００は、本実施形態では、樹脂（レジスト）硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。
【００１５】
インプリント装置１００は、原版パターン１０１を保持する原版パターンヘッド１０２と、紫外線照射部１０３と、反射板１０８と、パージガス供給部１０６と、複数のパージガスノズル１０７と、ウエハー基板１０４を保持するステージ１０５と、観察カメラ１０９と、樹脂（レジスト）塗布を行うディスペンサー部１１０と、樹脂（レジスト）供給部１１１と、制御部１３０と、塗布パターン格納部１３１とを有する。
【００１６】
原版パターン１０１は、ウエハー基板１０４に対向する面に、基板１０４に供給された樹脂（レジスト）に転写すべきパターンが形成されたパターン部（凹部）１０１ａを有する。原版パターン１０１は、例えば、矩形形状の外形を有し、紫外線を透過する材料（石英など）で構成される。原版パターンヘッド１０２はｚ軸方向に駆動する駆動機構を含み、原版パターン１０１を真空吸引又は静電気によって保持（固定）する。原版パターン１０１をウエハー基板１０４の上に塗布された樹脂（未硬化）１２０に適切な力で押し付け（押印し）、ウエハー基板１０４の上の樹脂（硬化）から原版パターン１０１を剥離（離型）する機能を有する。
【００１７】
ウエハー基板１０４は、原版パターン１０１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを含む。ステージ１０５は、ウエハー基板１０４を保持する基板チャックと、原版パターン１０１とウエハー基板１０４との位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、ｘ軸方向及びｙ軸方向にウエハー基板１０４を駆動する。また、かかる駆動機構は、ｘ軸方向及びｙ軸方向だけではなく、ｚ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向にウエハー基板１０４を駆動する機能やウエハ基板１０４の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。
【００１８】
樹脂供給部１１１は、未硬化樹脂（レジスト）を保管するタンクで、 ディスペンサー１１０に対して配管により未硬化樹脂（レジスト）が供給される。このディスペンサー１１０は、樹脂（レジスト）１２０を塗布する機構であり、例えば樹脂（レジスト）１２０を基板１０４に塗布するノズルを複数有している。また、このディスペンサー１１０の塗布量の単位は「滴」であり、１滴の樹脂（レジスト）の量はおおよそ数ピコリットルである。また、樹脂（レジスト）を滴下できる位置も幅が数μｍ毎と決まっている。
【００１９】
樹脂供給部１１１から樹脂（レジスト）１２０を供給しながらステージ１０５を移動（スキャン移動やステップ移動）させてディスペンサー１１０により樹脂（レジスト）１２０を塗布することで、基板１０４（のショット領域）の上に樹脂液滴群を形成する。パージガス供給部１０６は紫外線硬化性樹脂が持つ酸素硬化阻害を防止するためのＨｅガス又は窒素ガスなどの不活性ガスを塗布領域全面に流入させる複数のパージガスノズル１０７を備えている。制御部１３０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御して、インプリント処理を行う処理部として機能する。観察カメラ１０９は、樹脂液滴の充填状態を時系列で観察を行う（図中破線矢印）。
【００２０】
本実施形態では、塗布パターン格納部１３１より塗布パターンをディスペンサー１１０に設定し、基板１０４に樹脂（レジスト）１２０を塗布し、パージガスノズル１０７からパージガスが流入された原版パターン１０１の下部にステージ１０５を移動させて樹脂（レジスト）１２０の塗布領域を置き、原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に押し付けた状態で紫外線照射部１０３より反射板１０８を介して紫外線を一定時間照射して（図中実線矢印）樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から原版パターン１０１を剥離することでウエハー基板１０４の上に原版パターン１０１のパターン形状を転写する処理である。
【００２１】
次に本実施形態の個々の樹脂（レジスト）の充填状態を時系列で計測し、個々の樹脂の充填状態および充填完了時間のばらつきを補正する手法のインプリント処理について詳細に説明する。
【００２２】
（充填状態ばらつき測定と補正塗布パターン作成処理条件の説明）
図２は個々の樹脂（レジスト）が、充填が開始されてから流動および充填が完了するまでの充填過程における充填状態を時系列で測定し、充填状態のばらつき補正データを算出し、塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。
【００２３】
まず、所望のパターンが形成可能な原版パターン１０１を用意し、インプリント装置１００に搭載する。この原版パターン１０１は、例えば一般のフォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計データに従って凹凸のパターン（溝）が形成されたものである。一般的に各原版パターンには識別のため個別IDが設定されている。（Ｓｔｅｐ１００）
原版パターン１０１のIDを読み取り、原版パターンIDから原版パターンの種類を識別する。この識別情報をもとに原版パターン１０１のパターン情報であるパターン配置、線幅、密度および形状を取得する。（Ｓｔｅｐ１０１）
【００２４】
次に、所望の樹脂（レジスト）塗布が可能なディスペンサー１１０を用意し、インプリント装置１００に搭載する。ディスペンサー１１０は樹脂（レジスト）１２０をウエハー基板１０４に塗布するノズルを複数有している。一般的にディスペンサー１１０には識別のため個別ＩＤが設定される。個別ＩＤに対応してディスペンサー１１０の種類や樹脂（レジスト）の種類、ノズル数、製造情報、および吐出性能である平均吐出量、ノズル別の吐出量ばらつき、着弾位置ばらつき等の測定情報や、これらのばらつきを補正するためのばらつき補正情報を別途用意しておくことで、ＩＤの識別で情報取得が可能となる。用意しておく情報は、前記情報以外にも必要な情報を適宜設定することが可能である。（Ｓｔｅｐ１０２）
【００２５】
ディスペンサー１１０のＩＤを読み取り、ディスペンサーＩＤから種類やノズル数を識別する。この識別情報をもとに、吐出性能の測定情報、ばらつき補正情報を取得する。ディスペンサー１１０がすでに装置に搭載されている場合はＳｔｅｐ１０４へ進む。（Ｓｔｅｐ１０３）
【００２６】
次に、新たにウエハー基板１０４をステージ１０５に搭載し固定する。（Ｓｔｅｐ１０４）
【００２７】
次に、Ｓｔｅｐ１０１で取得した原版パターン種類情報とＳｔｅｐ１０３で取得したディスペンサー種類と補正情報とに基づいて樹脂（レジスト）塗布パターン格納部１３１から最適な樹脂（レジスト）塗布パターンを選択しディスペンサー１１０に設定する。この樹脂（レジスト）塗布パターンは、基板への樹脂（レジスト）１２０の滴下位置（ドロップ位置）と滴下量（ドロップ量）を示したものである。つまり、樹脂（レジスト）塗布パターンとは、樹脂（レジスト）材の塗布量のマップである。樹脂（レジスト）塗布パターンのことをドロップレシピと呼ぶこともある。
【００２８】
樹脂（レジスト）塗布パターンは、原版パターン１０１のパターン配置、線幅および密度等の設計値情報に基づいて作成した初期樹脂（レジスト）塗布パターンと、原版パターン１０１の設計値情報と、ディスペンサー１１０の補正情報とに基づいて作成しておいた初期樹脂（レジスト）塗布パターンを使用する。初期樹脂（レジスト）塗布パターンは欠陥や膜厚異常の少ないインプリントが可能なように最適化されている。初期樹脂（レジスト）塗布パターンの作成については後述する処理フローにより作成する。（Ｓｔｅｐ１０５）
【００２９】
次に、インプリント位置としてまだインプリントされていない領域を指定する。１度にインプリントされる領域のことをショットと呼ぶ。インプリントする順序は、例えば図3に示すようにウエハ基板１０４に対して連続したショット１、２、３、４…の順にインプリントを行うことができる。インプリント順序は前述の順序に限られるものではなく千鳥順、ランダム等の順序が設定可能である。（Ｓｔｅｐ１０６）
【００３０】
次に、図4に示すように、インクジェット法によるディスペンサー１１０を用いて、ウエハー基板１０４上に光硬化性の樹脂（レジスト）１２０を塗布する。この際、ディスペンサー１１０は、Ｓｔｅｐ１０５で選択された樹脂（レジスト）塗布パターンに従って、ステージ１０５の移動に伴って順次樹脂（レジスト）１２０をウエハー基板１０４上に滴下する。
【００３１】
次に、図５（ａ）（ｂ）にウェハー基板１０４上に樹脂（レジスト）１２０が塗布された状態を、基板１０４上面からみた状態を示す。ディスペンサー１１０の各ノズルから吐出された樹脂（レジスト）１２０がＳｔｅｐ１０５で選択された樹脂（レジスト）塗布パターンに従って、ステージ１０５の移動に伴って、順次ウエハー基板１０４上にドロップ状に滴下されている（図５（ａ））。図中の黒い丸はウェハー基板１０４上に着滴した樹脂液滴１２０を示し、その他の空白部分（破線格子）は非吐出のグリッド１４０を示す。ディスペンサー１１０の補正情報である吐出量大と吐出量小の樹脂（レジスト）１２０液滴と、グリッド１３０の中心から外れて塗布された着弾位置ずれの樹脂（レジスト）１２０液滴のノズル別の配置状態を示す。（図５（ｂ））。（Ｓｔｅｐ１０７）
【００３２】
次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ウエハー基板１０４上に樹脂（レジスト）１２０が塗布された後、原版パターン１０１と基板１０４との間の空間全域に予め複数のパージガスノズル１０７からパージガスが流入および充填された原版パターン１０１の下部にウエハー基板１０４の樹脂（レジスト）１２０塗布領域を移動し（図６（ａ））、原版パターン１０１をウエハー基板１０４に近接させ、原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に押し付けて所定時間だけ待機することにより、ドロップ状の樹脂（レジスト）１２０が流動し、原版パターン１０１の凹凸に充填されていく。この状態で原版パターン１０１の微細パターンに樹脂（レジスト）材料が浸透するまで原版パターン１０１を保持する。（図６（ｂ））
【００３３】
次に、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、原版パターン１０１をウエハー基板１０４に近接させ、原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に押し付けることで、時間の経過とともに、原版パターンの凹凸へ樹脂（レジスト）１２０が流動し、充填されていく。原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に接触させた瞬間（図７（ａ））から、樹脂（レジスト）１２０が原版パターンの凹凸へ流動し、充填される過程のある瞬間では、充填状態（または未充填部の面積、位置、形状）にばらつきを生じ（図７（ｂ））、樹脂（レジスト）１２０の流動が完了した時点では、ほとんどの部分で樹脂が充填されるが、充填が完了しない（未充填部が残る）部分が発生することもある（図７（ｃ））。（Ｓｔｅｐ１０８）
【００３４】
Ｓｔｅｐ１０８で行われる原版パターン１０１の押印による樹脂（レジスト）１２０の流動、および充填過程における充填状態を観察カメラ１０９で撮影し記録する。観察カメラ１０９の画像センサーには、レンズ交換カメラ用Ｃ−ＭＯＳセンサーを用いた。画素サイズ６マイクロメートル（２，２３０万画素／３３×２６ｍｍ）であるが、画素サイズ２．２マイクロメートル（１２，０００万画素／２９×２０ｍｍ）のＣ−ＭＯＳセンサーも開発されている。また、観察解像度を向上させる手段としては、走査型工学系も可能である。
【００３５】
次に、図８（ａ）（ｂ）に示すように、原版パターン１０１ａの押印時に気泡が樹脂（レジスト）１２０に閉じ込められることなく、パターン部１０１の凹凸へ樹脂（レジスト）１２０が充填されやすくする手段がとられる。原版パターン１０１を基板１０４面とは反対側より、基板面に向けて圧力をかけて湾曲させる手段がとられている（図８（ａ））。その状態で原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に押しつけることにより、パターン部１０１ａの中心部から気泡を外周部に押し出しながら、同心円状に充填が広がっていく（図８（ｂ））。その際の、観察カメラ１０９による観察は、樹脂（レジスト）１２０の流動および充填が完了するまでの充填過程における充填状態を時系列で、パターン部１０１ａの中心から同心円状に定められた計測範囲１５０別に行われ、記録される。（Ｓｔｅｐ１０９）
【００３６】
次に図９に示すように、原版パターン１０１の凹凸部に樹脂（レジスト）１２０を十分充填させた後、紫外線照射部１０３の紫外光ランプにより、原版パターン１０１の裏面から樹脂（レジスト）に紫外光を一定時間照射することによって、樹脂（レジスト）１２０を硬化させる。紫外光として例えば、ハロゲンランプ、ＬＥＤ等が使用できる。（Ｓｔｅｐ１１０）
【００３７】
次に、図１０に示すようにｃ。これにより、樹脂（レジスト）１２０に、凸型の樹脂パターン１２１領域が形成される。（Ｓｔｅｐ１１１）
【００３８】
次に、ウエハ基板１０４上のすべての領域にインプリントが終了したか判断する。すべての領域が終了した場合はＳｔｅｐ１１３へ進む。終了していない場合は、Ｓｔｅｐ１０６へ戻る。（Ｓｔｅｐ１１２）
【００３９】
前述のＳｔｅｐ１０６からＳｔｅｐ１１２の処理を繰り返すことで、ウエハー基板１０４上に原版パターン１０１を転写した樹脂パターン１２１領域を形成する。すべての領域の樹脂パターン形成が終了したらウエハー基板を排出する。（Ｓｔｅｐ１１３）
【００４０】
次に、時系列で保存された充填情報を樹脂（レジスト）１２０の塗布パターンにフィードバックするための補正データをすべてのインプリント領域別に算出する。測定された充填情報をもとに局所的に過不足している樹脂（レジスト）１２０の塗布量を算出する。樹脂（レジスト）１２０の過不足は、パターン部１０１ａの中心からの同心円上の定められた計測範囲１４０（図８（ｂ）のハッチング部）毎に、充填状態（または未充填部の個々の面積、位置および形状）を時系列で計測した結果より算出される。（Ｓｔｅｐ１１４）
【００４１】
次に、ショット領域別およびパターン部１０１ａの中心から同心円上に定められた計測範囲別に算出されたばらつき補正データをもとに、補正樹脂塗布パターンを作成する。充填情報をもとにした補正樹脂（レジスト）塗布パターンの作成は後述の処理フローにより作成するものとする。（Ｓｔｅｐ１１５）補正する樹脂塗布パターンを塗布パターン格納部１３１としてのハードディスクに、インプリント領域別に格納する。（Ｓｔｅｐ１１６）ここで、Ｓｔｅｐ１０５で選択された塗布パターンに対し、Ｓｔｅｐ１０８の実際の押印において発生する充填状態の差異およびばらつきは、以下の複数の要因が挙げられる。
【００４２】
第一に、原版パターン１０１のパターン部（凹部）１０１ａの個別仕上がり精度が挙げられる。パターン部の寸法精度は、設計値に対し原版パターン１０１ごとに誤差とばらつきを持つ。また、インプリントや原版パターンの洗浄を繰り返すことで、パターン部（凹部）１０１ａが摩耗し、徐々に寸法が変化する。第二に、ディスペンサー１１０の吐出性能（吐出量、着弾位置ずれ）は、物流環境や使用状況により変化したり、ばらつきが発生したりすることがある。
【００４３】
第三に、樹脂（レジスト）１２０の流動性や揮発速度は、材料のロット差、塗布直後からの経過時間と、液滴周囲の雰囲気（揮発成分の蒸気圧）およびパージガスの流量分布などにより大きく影響を受ける。ステージ１０５を移動しながら塗布された樹脂は必然的に液滴塗布から原版パターン接触までの時間差を持ち、経過時間が長い液滴ほど揮発量は多い（図１１（ａ））。塗布された液滴はウエハー基板１０４と原版パターン１０１に挟まれた領域にあり、揮発成分の蒸気圧が高い中央部での揮発速度は遅くなるが、同じく領域の外周部では揮発速度が速く、濡れ広がりも早い傾向にある（図１１（ｂ））。
【００４４】
複数のパージガスノズル１０７から流入されるパージガスの流量分布により、塗布領域内の揮発成分の蒸気圧が影響を受ける（図１１（ｃ））。また、パージガスの流量分布はウエハー基板１０４内のインプリント領域の位置に影響される。ウエハー基板１０４外周部のパージガス流量分布は場所によって異なることがわかっている。特に図１２中のＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４…で記載したウエハー基板１０４のエッジ部にかかる領域は、さらに大きく異なった流量分布となり、樹脂（レジスト）１２０の流動性や揮発速度にばらつきを生じる。その他にも、基板１０４の表面の微小な凹凸、および樹脂（レジスト）１２０の濡れ広がり性の違いなどが挙げられる。
【００４５】
ここで、前述の処理フローで説明していない初期樹脂（レジスト）塗布パターンの作成方法および、原版パターン１０１の設計値情報とばらつき補正情報とに基づく初期樹脂（レジスト）塗布パターンの作成法について詳細に説明する。
【００４６】
（初期塗布パターンの作成方法の説明）
まず、ディスペンサー１１０の取り付け初期にインプリントに使用するための初期樹脂（レジスト）塗布パターンの作成方法として、使用する原版パターン１０１の設計値情報をもとに樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する方法について説明する。
【００４７】
図１３は初期樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。原版パターン１０１の設計値情報から各領域に必要な塗布量を算出した塗布量分布情報を取得する。塗布量分布は、原版パターンの各領域の凹凸パターンの位置、深さ等に基づいて算出する。ここでは、塗布量分布を濃淡の多値情報で示した画像データに変換し塗布量分布情報として用いる。図１４は取得された塗布量分布情報を模式的に示す図である。
【００４８】
図１４の３０１ａから３０１ｃはパターン密度から算出された濃淡情報を示しており、３０１ａはパターンの凹凸密度の高い領域を３０１ｂはパターンの凹凸密度が中程度の領域を、３０１ｃはパターンの凹凸密度の低い領域を示している。次に、塗布量分布情報の多値データをハーフトーン処理により２値化する。ドロップ滴の吐出、非吐出の２値情報に変換したデータを樹脂（レジスト）塗布パターンとして作成する。ここで、ハーフトーン処理として公知技術である誤差拡散法を用いている。誤差拡散手法についての説明は省略する。（Ｓｔｅｐ２００）
【００４９】
次に、ディスペンサー１１０の補正情報を取得する。補正情報はディスペンサー１１０の出荷時の検査や、使用中の定期測定などで得られたノズル別の吐出量および着弾位置データなどである。（Ｓｔｅｐ２０１）
【００５０】
塗布量分布情報にディスペンサー１１０の補正情報を足し合わせて、初期樹脂塗布パターンを作成する。図１５は作成された樹脂（レジスト）塗布パターンを模式的に示す図であり、図１５の黒い画素３０２ａはドロップ滴の吐出を、白い画素３０２ｂは非吐出の情報を示す。（Ｓｔｅｐ２０２）
【００５１】
原版パターンの設計値情報から作成された樹脂（レジスト）塗布パターンをディスペンサー１１０の補正値情報を足し合わせて初期樹脂塗布パターンとして、塗布パターン格納部１３１へ格納し、初期塗布パターン作成を終了する。（Ｓｔｅｐ２０３）
【００５２】
本実施形態では、樹脂（レジスト）塗布パターンとしてドロップ滴の吐出、非吐出の２値情報に変換したデータを用いているが、データ形式は特に限定されるものではない。各ドロップの塗布位置を塗布エリア内の相対位置座標で表した数値データを用いることも可能である。さらに各ドロップ滴の滴量情報を追加することも可能である。
【００５３】
次に、時系列で測定されたインプリント領域別充填情報をもとに補正後樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する方法について説明する。
【００５４】
（インプリント領域別の補正後塗布パターン作成方法の説明）
図１６は補正後樹脂（レジスト）塗布パターンを作成する処理フローを示す図である。
Ｓｔｅｐ２００からＳｔｅｐ２０３と同様の手法で、初期脂塗布パターンを取得する。（Ｓｔｅｐ３００）
【００５５】
次に、ばらつき補正データを算出する計測領域を、パターン部１０１の中心部から同心円状に定められた範囲１４０（図８（ｂ）のハッチング部）別に選択する。（Ｓｔｅｐ３０１）
【００５６】
次に、計測領域別に中心部から外周に向けて計測領域を順次選択し、時系列で測定された充填情報（または未充填部の面積、位置、および形状）を取得する。図１７はある瞬間の、ある計測領域の一部の未充填部の分布状態を示す。未充填部４０１ａ，ｂは様々な面積、位置、形状で点在している。面積の大きい未充填部４０１ａは、小さい面積の未充填部４０１ｂよりも、充填時間が長くなる傾向を持つ。（図１７（ａ））さらに各未充填部の中心位置と概略形状（図１７（ｂ））を加えて、充填情報として取得する。（Ｓｔｅｐ３０２）
【００５７】
さらに、パターン１０１ａの全ての計測領域の計測が終了したか判断する。全ての計測領域が終了した場合はＳｔｅｐ３０４へ進む。終了していない場合は、Ｓｔｅｐ３０１へ戻る。（Ｓｔｅｐ３０３）
【００５８】
次に、Ｓｔｅｐ３０２で得られた充填情報をもとに、計測領域別に樹脂の塗布量補正データを算出する。図１８は補正により塗布量を増加させたい領域と減少させたい領域を、液滴の塗布画素の移動５０１や、液滴のサイズを変更５０２するなどのノズルごとの最適な補正データとして算出する。算出に使用する充填情報としては、未充填部の面積、位置、および形状の計測により得られる情報の他に、充填部と未充填部の明度の差による明度（または濃度）分布の差を計測により得る方法もある。
【００５９】
図１９はある瞬間における、あるインプリント領域の一部の明度分布状態を示す。明度の低い部分６０１ａは樹脂（レジスト）が多く、充填が早く完了する部分を示し、明度の高い部分６０１ｂは樹脂が少なく充填時間が遅い部分を示す。成果物の明度（濃度）分布を補正する方法として、インクジェット印刷でよく知られるヘッドシェーディング法などがある。インクジェットヘッドのノズルの欠陥などによる濃度ムラを、液滴の塗布がその移動や、打ち込みドット数、液滴のサイズを変更することで補正を行う手法である。ヘッドシェーディング法についての説明は省略する。（Ｓｔｅｐ３０４）
【００６０】
Ｓｔｅｐ３００で取得した初期塗布パターンの塗布量分布情報と、Ｓｔｅｐ３０４で算出した塗布量分布補正データを、計測領域別に足し合わせて、補正後樹脂塗布パターンを作成する。（Ｓｔｅｐ３０５）
【００６１】
補正後樹脂塗布パターンを塗布パターン格納部１３１へインプリント領域別に格納する。このとき、樹脂塗布パターンには原版パターン１０１、ディスペンサー１１０、および樹脂（レジスト）１２０の種類や履歴が識別できる情報とともに格納する。（Ｓｔｅｐ３０６）
【００６２】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、初期の仕上がり精度やインプリントあるいは洗浄による摩耗等で、個々にばらつきを持つ原版パターンや、ノズルごとに吐出ばらつきを持つディスペンサー、流動性や揮発性にロット差を持つ樹脂（レジスト）、およびパージガスや装置固有の誤差要因を持つインプリントシステムを使用して、回路規模の増大による装置サイズアップ、長時間のダウンタイム、コストアップがなく、かつ欠陥や膜厚異常のない樹脂パターン成果物を安定して得ることができる。
【００６３】
［第２の実施形態］原版パターンと基板の間の樹脂液滴の充填過程における個々の充填状態を、流動および充填が完了する前の未充填部が点在する時点で樹脂（レジスト）を硬化させ、計測することで補正塗布パターンを作成する手法
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００６４】
（インプリント装置の説明）
図２０は第２の実施形態を説明するインプリント装置２００の構成を示している。図１の第１の実施形態を説明する図に対し、紫外線照射部１０３と反射板１０８、および観察カメラ１０９が異なっている。観察カメラ１０９が原版パターンヘッド１０２の上部から、インプリント装置２００内で、ステージ１０５の移動によりウェハー基板１０４の全域が観察可能な位置に設置されている。このことにより反射板１０８がなくなり、紫外線照射部１０３が原版パターヘッドの上部に位置している。
【００６５】
次に、本実施形態である充填過程で硬化した個々の樹脂（レジスト）充填状態を計測して、充填状態および充填完了時間のばらつきを補正するインプリント処理について詳細に説明する。
【００６６】
（充填状態ばらつき測定と補正塗布パターン作成処理条件の説明）
図２１は個々の樹脂（レジスト）が、充填を完了する前の充填過程における硬化状態を計測し、充填状態のばらつき補正データを算出し、塗布パターンを作成する処理フローを示す。図２のＳｔｅｐ１００からＳｔｅｐ１０７と同様の手法で、原版パターン１０１、ディスペンサー１１０、およびウェハー基板１０４を用意し、所望のインプリント位置に樹脂塗布パターンの塗布を行う。（Ｓｔｅｐ４００〜Ｓｔｅｐ４０７）
【００６７】
次に、図２２（ａ）（ｂ）に示すように、ウエハー基板１０４上に樹脂（レジスト）１２０が塗布された後、原版パターン１０１と基板１０４との間の空間全域に予め複数のパージガスノズル１０７からパージガスが流入および充填された原版パターン１０１の下部にウエハー基板１０４の樹脂（レジスト）１２０塗布領域を移動し（図２２（ａ））、原版パターン１０１をウエハー基板１０４に近接させ、原版パターン１０１を樹脂（レジスト）１２０に押し付けて所定時間だけ待機することにより、ドロップ状の樹脂（レジスト）１２０が流動し、原版パターン１０１の凹凸に充填されていく。図２２（ｂ）は、この状態で原版パターン１０１の微細パターンに樹脂（レジスト）材料が流動、充填していく過程の未充填部４０１ａ，ｂ（図１７（ａ）参照）が点在している状態を示す。（Ｓｔｅｐ４０８）
【００６８】
このように未充填部４０１ａ，ｂが点在する時点で図２３に示すように、紫外線照射部１０３の紫外光ランプにより、原版パターン１０１の裏面から樹脂（レジスト）１２０に紫外光を一定時間照射することによって、樹脂（レジスト）１２０を硬化させる。紫外光として例えば、ハロゲンランプ、ＬＥＤ等が使用できる。（Ｓｔｅｐ４０９）
【００６９】
次に、図２４に示すように硬化後の樹脂（レジスト）１２０から原版パターン１０１を引き剥がして離型する。これにより、樹脂（レジスト）１２０に、凸型の樹脂パターン１２１領域が形成される。充填状態（または未充填部の面積、位置、形状）にばらつきを生じた樹脂パターン１２１が得られる。（図７（ｂ）参照）（Ｓｔｅｐ４１０）
【００７０】
次に、ステージ１０５の移動によりインプリント領域を観察カメラ１０９の下部に置き、未充填部が点在する硬化した樹脂パターン１２１を観察カメラ１０９で撮影し記録する。観察カメラ１０９の画像センサーには、レンズ交換カメラ用Ｃ−ＭＯＳセンサーを用いた。画素サイズ６マイクロメートル（２，２３０万画素／３３×２６ｍｍ）であるが、画素サイズ２．２マイクロメートル（１２，０００万画素／２９×２０ｍｍ）のＣ−ＭＯＳセンサーも開発されている。また、観察解像度を向上させる手段としては、走査型工学系も可能である。また、未充填部４０１ａ，ｂの基板１０４表面から樹脂端部の上面エッジまでの距離４０２（樹脂層の厚さ）を光干渉方式の測定装置（ここではＶｅｒｔ  Ｓｃａｎ  Ｒ５０００モデル）を用いた。体積や段差を正確に測定できる手法であれば適用できる。（Ｓｔｅｐ４１１）
【００７１】
次に、ウエハー基板１０４上のすべての領域にインプリントが終了したか判断する。すべての領域が終了した場合はＳｔｅｐ１１３へ進む。終了していない場合は、Ｓｔｅｐ１０６へ戻る。尚、Ｓｔｅｐ４１１の計測はすべての領域のインプリントが終了した時点でまとめて実施することも可能である。観察カメラ１０９はインプリント装置２００の外部に、スタンドアロン機として設定し、ウェハー基板排出後にオフラインで測定することも可能である。（Ｓｔｅｐ４１２）
【００７２】
前述のＳｔｅｐ１０６からＳｔｅｐ１１２の処理を繰り返すことで、ウエハー基板１０４上に原版パターン１０１を転写した樹脂パターン１２１領域を形成する。すべての領域の樹脂パターン形成が終了したらウエハー基板を排出する。（Ｓｔｅｐ４１３）
【００７３】
次に、硬化した樹脂パターンの計測で保存された充填情報を樹脂（レジスト）１２０の塗布パターンにフィードバックするための補正データをすべてのインプリント領域別に算出する。測定された充填情報（未充填部の個々の面積、位置および形状）をもとに局所的に過不足している樹脂（レジスト）１２０の塗布量を算出する。また、未充填部での樹脂層の厚さから平均樹脂量の過不足を算出する。樹脂（レジスト）１２０の過不足は、パターン部１０１ａの中心からの同心円上の定められた算出範囲１４０（図８（ｂ）のハッチング部）毎に、充填状態（または未充填部の個々の面積、位置、形状、および樹脂層の厚さ）を計測した結果から算出される。（Ｓｔｅｐ４１４）
【００７４】
次に、ショット領域別およびパターン部１０１ａの中心から同心円上に定められた算出範囲別に算出されたばらつき補正データをもとに、補正樹脂塗布パターンを作成する。（Ｓｔｅｐ４１５）
【００７５】
補正する樹脂塗布パターンを塗布パターン格納部１３１としてのハードディスクに、インプリント領域別に格納する。（Ｓｔｅｐ４１６）
【００７６】
以上説明したように、第１、第２の実施形態により初期の仕上がり精度やインプリントあるいは洗浄による摩耗等で、個々にばらつきを持つ原版パターンや、ノズルごとに吐出ばらつきを持つディスペンサー、流動性や揮発性にロット差を持つ樹脂（レジスト）、およびパージガスや装置固有の誤差要因を持つインプリントシステムを使用して、回路規模の増大による装置サイズアップ、長時間のダウンタイム、コストアップがなく、かつ欠陥や膜厚異常のない樹脂パターン成果物を安定して得ることができた。
【００７７】
第一の実施形態では、初期樹脂（レジスト）塗布パターンの作成、補正後樹脂（レジスト）塗布パターンの作成は、インプリント中に実施することが十分可能である。さらには、計測のための無駄なインプリントウェハーを作成する必要がない。第２の実施形態では、インプリントを停止している間に実施することも可能であり、観察カメラをスタンドアロン機に設定すれば、オフラインでの並行処理も可能でありさらにダウンタイム削減が可能となる。また、インプリント装置の更なるコストダウンにも効果的である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明はインプリント方法および塗布パターン作成方法に適用可能である。具体的には、原版パターンやレチクル等の原版パターンと半導体ウエハー等の基板とを位置合わせして原版パターンのパターン形状をウエハ基板に転写するインプリント方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１００  第１の実施形態におけるインプリント装置
１０１  原版パターン
１０１ａ  パターン部（凹部）
１０２  原版パターンヘッド
１０３  紫外光照射部
１０４  ウエハー基板
１０５  ステージ
１０６  パージガス供給部
１０７  パージガスノズル
１０８  反射板
１０９  観察カメラ
１１０  ディスペンサー
１１１  樹脂供給部
１２０  樹脂（レジスト）
１２１  樹脂（レジスト）パターン
１３０  制御部
１３１  樹脂（レジスト）塗布パターン格納部
１４０  グリッド
１５０  計測範囲
２００  第２の実施形態におけるインプリント装置
３０１ａから３０１ｃ  パターン密度から算出された濃淡情報
３０２ａから３０２ｂ  ドロップ滴の吐出、非吐出情報
４０１ａから４０１ｂ  点在する未充填部
４０２  未充填部での樹脂層の厚さ
５０１  液滴の塗布画素の移動
５０２  液滴サイズの変更
６０１ａから６０１ｂ  明度（濃度）分布状態
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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