(57)【要約】【課題】電流が流れる方向にかかわらず過電流を遮断しＭＯＳＦＥＴを保護する。【解決手段】過電流遮断システム（９０）は、第１のＭＯＳＦＥＴ（３ａ）と、第２のＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と、第１のＭＯＳＦＥＴ（３ａ）及び第２のＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）を流れる電流の値を検出する電流値検出部（５）と、第１のＭＯＳＦＥＴ（３ａ）と第２のＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）とを制御可能な制御部（６）とを有し、寄生ダイオード（３１ａ）の順方向は寄生ダイオード（３１ｂ）の順方向とは逆方向であり、制御部（６）は、電流値検出部（５）によって検出された電流に基づいて、第１のＭＯＳＦＥＴ（３ａ）及び第２のＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）に過電流が流れていると判定したとき、第１のＭＯＳＦＥＴ（３ａ）と第２のＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）とのうち、過電流に対し逆方向である寄生ダイオードを有する方のＭＯＳＦＥＴを少なくともオフにして過電流を遮断する。【選択図】図１
2018011383.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＭＯＳＦＥＴと、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、
前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴを流れる電流の値を検出する電流値検出部と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと前記第２のＭＯＳＦＥＴとを制御可能な制御部とを有し、
前記第１のＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向は、前記第２のＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向とは逆方向であり、
前記制御部は、前記電流値検出部によって検出された電流に基づいて、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴに過電流が流れていると判定したとき、前記第１のＭＯＳＦＥＴと前記第２のＭＯＳＦＥＴとのうち、過電流に対し逆方向である寄生ダイオードを有する方のＭＯＳＦＥＴを少なくともオフにして過電流を遮断する、
過電流遮断システム。
【請求項２】
請求項１に記載の過電流遮断システムであって、
前記制御部は、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴに過電流が流れていると判定したとき、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴの両方をオフにする、
過電流遮断システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の過電流遮断システムであって、
前記第１のＭＯＳＦＥＴのソース側には鉛蓄電池が接続され、前記第２のＭＯＳＦＥＴのソース側にはリチウムイオン電池が接続される、
過電流遮断システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は過電流遮断システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、１つのバッテリを有し、シャント抵抗に過電流が流れたときにＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）をオフにして過電流を遮断する過電流遮断回路が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３３６８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記過電流遮断回路は１つのバッテリのみを有するため、電流は片方向にしか流れ得ない。そのため、ＭＯＳＦＥＴのオンまたはオフを切り替えるだけで過電流を遮断することができる。しかしながら、上記過電流遮断回路が２つのバッテリを有し、上記片方向とは逆方向の過電流が流れたとき、上記ＭＯＳＦＥＴのオンまたはオフを切り換えるだけでは過電流を遮断することができない。このためＭＯＳＦＥＴを保護することができない。
【０００５】
かかる事情に鑑みてなされた本発明の目的は、電流が流れる方向にかかわらず過電流を遮断しＭＯＳＦＥＴを保護することができる過電流遮断システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明の第１の観点に係る過電流遮断システムは、
第１のＭＯＳＦＥＴと、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、
前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴを流れる電流の値を検出する電流値検出部と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと前記第２のＭＯＳＦＥＴとを制御可能な制御部とを有し、
前記第１のＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向は、前記第２のＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向とは逆方向であり、
前記制御部は、前記電流値検出部によって検出された電流に基づいて、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴに過電流が流れていると判定したとき、前記第１のＭＯＳＦＥＴと前記第２のＭＯＳＦＥＴとのうち、過電流に対し逆方向である寄生ダイオードを有する方のＭＯＳＦＥＴを少なくともオフにして過電流を遮断する。
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の第２の観点に係る過電流遮断システムでは、
前記制御部は、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴに過電流が流れていると判定したとき、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴの両方をオフにする。
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の第３の観点に係る過電流遮断システムでは、
前記第１のＭＯＳＦＥＴのソース側には鉛蓄電池が接続され、前記第２のＭＯＳＦＥＴのソース側にはリチウムイオン電池が接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の第１の観点に係る過電流遮断システムによれば、過電流が流れる方向にかかわらず過電流を遮断し、ＭＯＳＦＥＴを保護することができる。
【００１０】
本発明の第２の観点に係る過電流遮断システムによれば、過電流がどちらの方向に流れているかを判定する必要無く、確実にＭＯＳＦＥＴを保護することができる。
【００１１】
本発明の第３の観点に係る過電流遮断システムによれば、過電流遮断システムの生産コストを抑制することができる。また、充電電力を長く保持して電力を有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る過電流遮断システムの概略構成を示す機能ブロック図である。
【図２】図１の第１のＭＯＳＦＥＴ及び第２のＭＯＳＦＥＴを流れる電流と電圧との関係を示すグラフである。
【図３】図１の電流値検出部および制御部の動作フローを示すシーケンス図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る過電流遮断システムの概略構成を示す機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
はじめに図１を参照して、本発明の実施形態に係る過電流遮断システム９０の概略構成を説明する。図１の実線は電力ラインを示し、破線は情報伝達ラインを示す。過電流遮断システム９０は、例えばハイブリッド車（ＨＥＶ車）等の車両に搭載される。過電流遮断システム９０の概略構成を説明するが、過電流遮断システム９０の他の機能を排除したものではない。
【００１４】
過電流遮断システム９０は、少なくとも第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂ、リレー４、電流値検出部５及び制御部６を有する。過電流遮断システム９０は例えば、第１電源１、第２電源２、ＥＣＭ７、スイッチ制御部８、報知部９、負荷１０、整流素子１１、オルタネータ１２及びスタータ１３等をさらに有してもよい。
【００１５】
第１電源１は例えばリチウムイオン電池である。リチウムイオン電池を用いることで、それ以外の電池を用いるときに比べて充電電力を長く保持して電力を有効利用することができる。第１電源１はまた、リチウムイオン電池やニッケル水素電池等、鉛蓄電池以外の１以上の二次電池（セル）が直列に接続されて構成されてもよい。第１電源１のプラス端子はリレー４と接続され、マイナス端子はグランドに接続される。
【００１６】
第１電源１は過電流遮断システム９０に電力を供給する。第１電源１は第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂがオンになっているとき、負荷１０に対して電力を供給可能である。第１電源１はまた、エンジン駆動（アイドリング）の停止中に、補機及びＥＣＭ７（Engine Control Module）等に対して電力を供給可能である。第１電源１は第２電源２と並列接続される。
【００１７】
第２電源２は、例えば鉛蓄電池である。鉛蓄電池を用いることで、それ以外の電池を用いるときに比べて過電流遮断システム９０の生産コストを抑制することができる。第２電源２は第１電源１と同じ電圧であっても異なる電圧であってもよいが、異なる電圧である場合はＤＣ／ＤＣコンバータを用いる。第２電源２のプラス端子は電流値検出部５等に接続され、マイナス端子はグランドに接続される。
【００１８】
第２電源２は過電流遮断システム９０に電力を供給する。第２電源２は、負荷１０に対して電力を供給可能である。
【００１９】
第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂは、電気駆動するスイッチング素子であり、スイッチ制御部８の制御によってオンとオフとを切り替え可能である。本実施形態における第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂはｎ型である。第１のＭＯＳＦＥＴ３ａの寄生ダイオード３１ａの順方向は、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの寄生ダイオード３１ｂの順方向とは逆方向である。本実施形態では、寄生ダイオード３１ａの順方向は第２電源２から第１電源１への方向であり、寄生ダイオード３１ｂの順方向は第１電源１から第２電源２への方向である。
【００２０】
図１に示すように第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのソース側には第１電源１が接続され、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのドレインと第１のＭＯＳＦＥＴ３ａのドレインとが接続され、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａのソース側には第２電源２が接続される。
【００２１】
図１には２つのＭＯＳＦＥＴを示すが、ＭＯＳＦＥＴの数は限定されない。例えば第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと並列に別の１以上のＭＯＳＦＥＴが接続され、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂと並列に別の１以上のＭＯＳＦＥＴが接続されてもよい。ＭＯＳＦＥＴの数が多いほど、電力負荷を分散することが可能である。
【００２２】
第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのそれぞれのソースとゲートとの間には抵抗Ｒａが接続される。このためソースとゲートとの間の電位差を抑制することができる。また、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのゲートには、ゲート前抵抗Ｒｂが接続される。これにより、寄生キャパシタによる突入電流が第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ又は第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのゲートに大電流として流れることを防ぐことができる。
【００２３】
リレー４は任意に接続され、ＥＣＭ７を介した制御部６の制御によってオンとオフとを切り替え可能である。本実施形態においてリレー４は第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのソースに接続される。リレー４がオンのとき第１電源１と第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとの間には電流が流れ、リレー４がオフのとき第１電源１と第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとの間には電流が流れない。
【００２４】
電流値検出部５は、例えばシャント抵抗、電流センスアンプ及び電圧レギュレータ等により構成される。図１において電流値検出部５は第１のＭＯＳＦＥＴ３ａのソースに接続される。代替例として電流値検出部５は、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとの間、又は、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのソースに接続されてもよい。電流値検出部５はシャント抵抗の電位差を電流センスアンプにて電流値に変換することによって、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを流れる電流の値を検出する。
【００２５】
図２は図１の第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを流れる電流（横軸）と、電流値検出部５にかかる電圧（縦軸）との関係を示すグラフである。図２に示すａ、ｂ、ｃ及びｄは正の定数である。本実施形態では図１の寄生ダイオード３１ｂの順方向（第１電源１から第２電源２への方向）を横軸のプラス方向とし、その逆を横軸のマイナス方向とする。図２に示すように、電圧がｄ［Ｖ］のとき寄生ダイオード３１ｂの順方向にａ［Ａ］の電流が流れ、電圧がｂ［Ｖ］のとき寄生ダイオード３１ｂの順方向とは逆方向にａ［Ａ］の電流が流れる。−ａ［Ａ］及びａ［Ａ］はそれぞれ過電流に関する第１基準値及び第２基準値であり、第２基準値を上回る電流（電流値＞第２基準値）と、第１基準値を下回る電流（電流値＜第１基準値）は、制御部６によって過電流と判定される。電流値検出部５は電流値を検出すると、検出した電流値を制御部６に出力する。
【００２６】
図１の説明に戻る。制御部６は過電流遮断システム９０の動作全体を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサである。制御部６はスイッチ制御部８を介して第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを制御可能であり、ＥＣＭ７を介してリレー４及び報知部９を制御可能である。制御部６は電流値を電流値検出部５から取得すると、当該電流値と、第１基準値及び第２基準値とを比較する。過電流が発生していると判定したときに制御部６が実行する処理は後述する。
【００２７】
第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２は制御部６によりオンとオフとを切り替えて制御される。第１トランジスタＴ１はＰＮＰ型トランジスタであり、第２トランジスタＴ２はＮＰＮ型トランジスタである。
【００２８】
ＥＣＭ７は、過電流を検出したことの通知を制御部６から取得し、車両のドライバに通知するために当該通知を報知部９に出力可能である。
【００２９】
スイッチ制御部８は、第１電源１と第２電源２との少なくとも一方から電力供給を受け、制御部６の制御により第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのオンとオフとを制御可能である。すなわち、第２電源２からの電力供給が何らかの理由で途絶えても、スイッチ制御部８は第１整流素子１１ａを通じて第１電源１から電力供給を受けることで第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのオンとオフとの制御を継続することができる。
【００３０】
報知部９は、過電流を検出したことの通知を制御部６からＥＣＭ７を介して取得すると、その旨を車両のドライバに通知する。具体的には報知部９は、ランプを点灯させることで通知する。代替例として報知部９は、過電流が検出されシステムに異常が生じていることを、音声として車載のスピーカに出力して通知し、又は画像として車載のモニタに出力して通知する。
【００３１】
負荷１０は、例えば車両に備えられたオーディオ、エアコン及びナビゲーションシステム等である。負荷１０の一端は電流値検出部５及び第２電源２に接続され、もう一端はグランドに接続される。負荷１０は、エンジン駆動の停止中に第１電源１及び第２電源２から電力供給を受けて動作し、エンジン駆動中にオルタネータ１２、第１電源１及び第２電源２から電力供給を受けて動作する。
【００３２】
整流素子１１はダイオードであり第１整流素子１１ａと第２整流素子１１ｂとを有する。第１整流素子１１ａは第１電源１からスイッチ制御部８に電力が供給される向きで第１電源１とスイッチ制御部８との間に設けられる。第２整流素子１１ｂは、第２電源２からスイッチ制御部８に電力が供給される向きで第２電源２とスイッチ制御部８との間に設けられる。図１において第１整流素子１１ａ及び第２整流素子１１ｂはいずれも２つの素子からなっているが、その数は限定されない。素子の数が多いほど、耐圧を上げることが可能である。また整流素子１１により、例えば第１電源１から第２電源２に、又は第２電源２から第１電源１に電流が流れ込むことがない。
【００３３】
オルタネータ１２は、発電機であって、車両のエンジンに機械的に接続される。オルタネータ１２は、エンジンの駆動によって発電可能である。オルタネータ１２がエンジンの駆動によって発電した電力は、レギュレータで出力電圧を調整されて、第１電源１、第２電源２及び負荷１０に供給され得る。またオルタネータ１２は、車両の減速時等に回生によって発電可能である。オルタネータ１２が回生発電した電力は、第１電源１及び第２電源２の充電に使用され得る。
【００３４】
スタータ１３は、例えばセルモータを含んで構成され、第１電源１及び第２電源２の少なくとも一方からの電力供給を受けて、車両のエンジンを始動させる。
【００３５】
以下、本実施形態の過電流遮断システム９０がどのように過電流を遮断して第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを保護するかを詳細に説明する。
【００３６】
電流値検出部５は、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを流れる電流値を検出する。電流値検出部５は、検出した電流値を制御部６に出力する。制御部６は当該電流値に基づいて、過電流が流れているか否かを判定する。制御部６は、過電流が流れていると判定したとき、次のようにして第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの両方をオフにする。
【００３７】
すなわち、制御部６は、過電流が流れていると判定したとき、スイッチ制御部８から第１トランジスタＴ１への出力を止める。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとの両方はオフになる。また制御部６は、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２をオフにしてゲート信号ラインを切り離す（カットする）ことで、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとの両方をオフにしてもよい。これにより過電流がどちらの方向に流れているかを判定する必要無く、確実に第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを保護することができる。
【００３８】
続いて制御部６はＥＣＭ７に、過電流が流れていることを通知する。当該通知を取得したＥＣＭ７は、過電流が流れていることを報知部９に通知する。報知部９は過電流遮断システム９０が設けられた車両のドライバに、異常を知らせる警告情報（ワーニング）を通知する。
【００３９】
制御部６は過電流が流れていないと判定したとき（異常がないと判定したとき）、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂをオンにして、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを流れる電流を継続して監視（モニタリング）する。
【００４０】
図３は図１の電流値検出部５及び制御部６が定期的又は不定期的に実行する動作を示すシーケンス図である。
【００４１】
電流値検出部５は電流値を検出し（ステップＳ１）、検出した電流値を制御部６に出力する（ステップＳ２）。
【００４２】
電流値を取得した制御部６は、当該電流値に基づいて、過電流が流れているか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３でＹｅｓのとき、制御部６はスイッチ制御部８から第１トランジスタＴ１への出力を止めることによって第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂをオフにする（ステップＳ４）。また制御部６は、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２をオフにして、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂからスイッチ制御部８へのゲート信号ラインを切り離す（ステップＳ５）。これにより制御部６は、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂをオフにしてもよい。
【００４３】
制御部６は、過電流が流れていることをＥＣＭ７に通知する（ステップＳ６）。また制御部６は、過電流が流れ異常が発生していることを知らせる警告情報を、報知部９を介して車両のドライバに通知する（ステップＳ７）。
【００４４】
ステップＳ３でＮｏのとき、制御部６は過電流が流れていないと判定し、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂをオンにする（ステップＳ８）。制御部６は、継続して電流を監視する（ステップＳ９）。
【００４５】
このように、本発明の一実施形態に係る過電流遮断システム９０によれば、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとが直列に接続される。また第１のＭＯＳＦＥＴ３ａの寄生ダイオード３１ａの順方向は、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの寄生ダイオード３１ｂの順方向とは逆方向である。制御部６は、過電流が流れていると判定したとき、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの両方をオフにする。このため、過電流が流れる方向にかかわらず過電流を遮断し、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂを確実に保護することができる。また、過電流がどちらの方向に流れているかを判定する必要が無い。
【００４６】
また、本発明の一実施形態に係る過電流遮断システム９０によれば、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａのソース側には鉛蓄電池が接続される。このため、他の電池を用いる場合に比べて過電流遮断システム９０の生産コストを抑制することができる。また第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのソース側にはリチウムイオン電池が接続される。このため、他の電池を用いる場合に比べて充電電力を長く保持して電力を有効利用することができる。
【００４７】
本発明を諸図面、実施形態、変形例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。したがって、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各手段、各ステップ等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の手段やステップ等を１つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。
【００４８】
例えば上記実施形態では、制御部６は、過電流が流れていると判定したとき、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの両方をオフにしているが、これに限られない。他の実施形態において、制御部６は、過電流が流れていると判定したとき、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとのうち、過電流に対し逆方向である寄生ダイオードを有する方のＭＯＳＦＥＴを少なくともオフにして過電流を遮断してもよい。
【００４９】
制御部６が第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとを別々に制御可能な場合を説明する。図４に示すように、制御部６及びスイッチ制御部８には更に、第３トランジスタＴ３及び第４トランジスタＴ４が接続される。第３トランジスタＴ３及び第４トランジスタＴ４はそれぞれＰＮＰ型トランジスタ及びＮＰＮ型トランジスタであるが、これに限られない。図４では、図１の説明と重複する説明を省略する。制御部６は、過電流が第１電源１から第２電源２への方向に流れていると判定したとき、スイッチ制御部８から第１トランジスタＴ１への出力を止める。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａはオフになる。また制御部６は、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２をオフにしてゲート信号ラインを切り離すことで、少なくとも第１のＭＯＳＦＥＴ３ａをオフにしてもよい。
【００５０】
他方で制御部６は、過電流が第２電源２から第１電源１への方向に流れていると判定したとき、スイッチ制御部８から第３トランジスタＴ３への出力を止める。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂはオフになる。また制御部６は、第３トランジスタＴ３及び第４トランジスタＴ４をオフにしてゲート信号ラインを切り離すことで、少なくとも第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂをオフにしてもよい。
【００５１】
本発明の他の実施形態による過電流遮断システム９０によれば、制御部６は、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂのうち、過電流に対し逆方向である寄生ダイオードを有する方のＭＯＳＦＥＴを少なくともオフにして過電流を遮断する。このため、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ又は第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂの作動を最小限にすることができる。
【００５２】
また、上記実施形態においては、第１電源１から第２電源２への方向に、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａと第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂとがこの順で接続されるが、それらの接続の順番は逆であってもよい。
【００５３】
また、上記実施形態において、第１のＭＯＳＦＥＴ３ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ３ｂは共にｎ型であるが、共にｐ型であってもよい。
【００５４】
また、上記実施形態において、ハイブリッド車に搭載される過電流遮断システム９０について説明したが、これに限られない。例えば、過電流遮断システム９０は電気自動車（ＥＶ車）に搭載されてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１    第１電源
２    第２電源
３ａ  第１のＭＯＳＦＥＴ
３ｂ  第２のＭＯＳＦＥＴ
３１ａ、３１ｂ  寄生ダイオード
４    リレー
５    電流値検出部
６    制御部
７    ＥＣＭ
８    スイッチ制御部
９    報知部
１０  負荷
１１  整流素子
１１ａ  第１整流素子
１１ｂ  第２整流素子
１２  オルタネータ
１３  スタータ
９０  過電流遮断システム
Ｔ１  第１トランジスタ
Ｔ２  第２トランジスタ
Ｔ３  第３トランジスタ
Ｔ４  第４トランジスタ
Ｒａ  抵抗
Ｒｂ  ゲート前抵抗
【図１】
2018011383.tif 000003
【図２】
2018011383.tif 000004
【図３】
2018011383.tif 000005
【図４】
2018011383.tif 000006