(57)【要約】【課題】  空気と置換するためのガスの供給量を必要最小限に低減したインプリント装置を提供する。【解決手段】  インプリント装置は、テンプレートを保持する保持部と、基板を保持するステージと、前記テンプレートを囲むように配置された複数のガス供給開口を介して前記テンプレートと前記基板との間の空間に空気と置換するためのガスを供給するガス供給部と、前記複数のガス供給開口を囲むように前記保持部の前記ステージ側の表面に形成された第１ガス回収開口を介して前記ガスを回収する第１ガス回収部と、前記第１ガス回収開口により囲まれる第１領域と、前記基板とが重なり合う領域内に位置するガス供給開口のみから前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された樹脂とパターン面を有するテンプレートとを接触させて前記樹脂を硬化させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
テンプレートを保持する保持部と、
基板を保持するステージと、
前記テンプレートを囲むように配置された複数のガス供給開口を介して前記テンプレートと前記基板との間の空間に空気と置換するためのガスを供給するガス供給部と、
前記複数のガス供給開口を囲むように前記保持部の前記ステージ側の表面に形成された第１ガス回収開口を介して前記ガスを回収する第１ガス回収部と、
前記第１ガス回収開口により囲まれる第１領域と、前記基板とが重なり合う領域内に位置するガス供給開口のみから前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を備える、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記基板を囲むように前記ステージに形成された第２ガス回収開口から前記ガスを回収する第２ガス回収部と、
前記第１領域と、前記第２ガス回収開口により囲まれる第２領域とが重なり合う第３領域が形成される場合に、前記複数のガス供給開口のうち前記第３領域内に位置するガス供給開口のみから前記ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記保持部は、その表面と前記ステージの前記表面との間隔が前記第１領域より大きい領域を前記第１領域の外側に含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記ステージは、その表面と前記保持部の前記表面との間隔が前記第２領域より大きい領域を前記第２領域の外側に含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第１ガス回収開口を囲むように前記保持部の前記表面に形成された第１空気噴出開口と、前記第２ガス回収開口を囲むように前記ステージの前記表面に形成された第２空気噴出開口とを介して空気を噴き出す空気噴出部をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第１ガス回収開口を囲むように前記保持部の前記表面に形成された第１開口を有し前記保持部を貫通する第１貫通穴と、
前記第２ガス回収開口を囲むように前記ステージの前記表面に形成された第２開口を有し前記ステージを貫通する第２貫通穴と、
をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第1ガス回収開口及び前記第２ガス回収開口は、それぞれ複数の部分に分割され、前記第１ガス回収部及び前記第２ガス回収部は、前記第１ガス回収開口の各部分及び前記第２回収開口の各部分から前記ガスをそれぞれ回収可能に構成され、
前記制御部は、前記第３領域が形成される場合に、前記第1ガス回収開口の前記複数の部分及び前記第２回収開口の前記複数の部分のうち、前記第３領域の境界を定めている部分のみから前記ガスを回収するように前記第1ガス回収部及び前記第2ガス回収部を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記第１ガス回収開口を囲むように前記保持部の前記表面に形成された第１空気噴出開口と、前記第２ガス回収開口を囲むように前記ステージの前記表面に形成された第２空気噴出開口とを介して空気を噴き出す空気噴出部をさらに備え、
前記第１空気噴出開口及び前記第２空気噴出開口は、それぞれ複数の部分に分割され、前記空気噴出部は、前記第１空気噴出開口の各部分及び前記第２空気噴出開口の各部分から空気をそれぞれ噴出可能に構成され、
前記制御部は、前記第３領域が形成される場合に、前記第１空気噴出開口の前記複数の部分及び前記第２空気噴出開口の前記複数の部分のうち、前記第３領域の境界を定めている前記部分の外側の部分のみから空気を噴出するように前記空気噴出部を制御する、
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記ステージは、該ステージに保持された基板を包囲する包囲部材を含み、
前記第２ガス回収開口及び前記第２空気噴出開口は、前記包囲部材に形成されている、ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記ステージは、該ステージに保持された基板を包囲する包囲部材を含み、
前記第２ガス回収開口及び前記第２開口は、前記包囲部材に形成されている、ことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記保持部の前記ステージ側の表面で、前記テンプレートと前記ガス供給部との間に第３ガス回収開口を介して前記ガスを回収する第３ガス回収部を有し、前記パターンを前記基板上に押印する際に、前記第３ガス回収部により前記ガスを回収することで、前記第３の領域を大気圧以下とすることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
押印時において、前記第３ガス回収部により前記ガスを回収する際に、前記ガス供給部からガスを供給することを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてインプリント処理を基板に対して行う工程と、
前記工程で前記インプリント処理の行われた基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版となるテンプレートの微細パターンを基板等へ転写するインプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線、Ｘ線、又は、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてインプリント技術がある。インプリント技術は、電子ビーム露光等によって微細なパターンを形成した型（テンプレート）を、樹脂材料（レジスト）を塗布した基板等の基板に押し付けた状態で紫外線により硬化することによって、レジスト上にパターンを転写する。既に１０ｎｍ程度の微細な形状の転写が可能であることが示されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の作成手法として注目されており、各地で盛んに研究開発が行われている。
【０００３】
レジストを塗布した基板にテンプレートを押印する時に、テンプレートと基板表面のレジストとの間に気泡が残留すると、形成されるパターンが歪むことが知られている。その対策として、テンプレートと基板との間に残留しにくいように拡散性が高い、又はレジストに対して溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素などのガスを流し込み、基板とテンプレートとの隙間の空気を置換する技術が特許文献１で開示されている。さらにテンプレートと基板との間の空間を大気圧以下として、上記気泡の残留を低減させる技術も特許文献１で開示されている。特許文献2には、テンプレート又はその周辺や基板ステージに設けたガス回収口から排気を行いながら、基板とテンプレートと間の空間にヘリウムや二酸化炭素などのガスを供給することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０９７６９号公報
【特許文献２】特表２００９−５３２２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に開示されている技術では、テンプレートと基板との間の空間全体に空気と置換するガスを供給しているので、ガスの供給量が多い。
【０００６】
そこで、本発明は、空気と置換するためのガスの供給量を必要最小限に低減したインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板に塗布された樹脂とパターン面を有するテンプレートとを接触させて前記樹脂を硬化させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、テンプレートを保持する保持部と、基板を保持するステージと、前記テンプレートを囲むように配置された複数のガス供給開口を介して前記テンプレートと前記基板との間の空間に空気と置換するためのガスを供給するガス供給部と、前記複数のガス供給開口を囲むように前記保持部の前記ステージ側の表面に形成された第１ガス回収開口を介して前記ガスを回収する第１ガス回収部と、前記第１ガス回収開口により囲まれる第１領域と、前記基板とが重なり合う領域内に位置するガス供給開口のみから前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、空気と置換するためのガスの供給量を必要最小限に低減したインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の概略を示した図
【図２】第１実施形態を示す図
【図３】第２実施形態を示す図
【図４】第３実施形態を示す図
【図５】第４実施形態を示す図
【図６】第４実施形態を示す図
【図７】第４実施形態を示す図
【図８Ａ】第５実施形態を示す図
【図８Ｂ】第５実施形態を示す図
【図８Ｃ】第５実施形態を示す図
【図８Ｄ】第５実施形態を示す図
【図８Ｅ】第５実施形態を示す図
【図８Ｆ】第５実施形態を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
第１実施形態として基板に塗布されたレジスト（樹脂）とテンプレート（型）とを接触させてレジストを硬化させることによりパターンを形成するインプリント処理を行う光硬化法を用いたインプリント装置１０について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、インプリント装置１０の概略断面図である。インプリント装置１０は、光源１５、インプリント機構４０、テンプレート１１、基板２１、基板２１を保持するステージ２３、レジスト供給口３２と、その他の機構とを有する。
【００１１】
基板２１上のレジストは、テンプレート１１を介してレジストに紫外線が照射されることによって硬化される。そのために、紫外線を発生するハロゲンランプなどからなる光源１５と、照明光学系１４とを有する。照明光学系１４は、レジストを露光し、硬化させるための紫外線を整形してレジスト面に照射するためのレンズ、アパーチャ、照射か遮光かを切り替えるためのシャッタなどを含む。
【００１２】
テンプレート１１は、中心付近にパターン面１２を有しており、レジストを硬化するために、露光光を透過する必要があるため、透明な部材で作られる。インプリント機構４０は、テンプレート１１を保持するためのテンプレート保持部（保持部）１３を含む。テンプレート保持部１３は、例えば、板状形状を有する。インプリント機構４０は、上下動作をさせるだけでなくパターン面１２と基板２１とが密着するようにチルト制御機構や姿勢制御、回転方法の位置合わせ機能も有する。
【００１３】
基板２１は、テンプレート１１のパターン面１２に形成されている微細パターンが転写され、後の工程を経て半導体集積回路が形成される対象であり、従来の半導体プロセスに用いられているものと同様である。ステージ２３は、基板２１に加えて、基板２１を包囲しかつ基板２１と同等の厚さを持つリング状の同面板（包囲部材）２２を保持し、ｘ方向及びｙ方向に移動可能である。ステージ２３は、精密な位置決めが可能であり、微細なパターンの重ね合せを達成できるように構成されている。ステージ２３は、位置決めだけではなく、基板２１の表面の姿勢を調整する機能も有している。
【００１４】
ステージ２３の端面に配置されたミラー７１と干渉計７３および光路７２で構成される干渉計システムによりステージ２３の位置計測が行われる。レジストは、タンク３１からレジスト供給口３２を介して基板２１上に供給される。
【００１５】
インプリント装置１０は、さらに、定盤２４、除振器２５、フレーム２６、アライメントスコープ２７を含む。定盤２４は、インプリント装置１０全体を支えると共にステージ２３の移動の基準平面を形成する。除振器２５は、床からの振動を除去する機能を有し、フレーム２６を支える。フレーム２６は、基板２１より上方に位置する、光源１５からテンプレート１１までの構成要素を支える。アライメントスコープ２７は、基板２１上のアライメントマークの位置を計測し、その結果に基づいてステージ２３の位置決めが行われる。
【００１６】
基板２１は、不図示の基板搬送系によってステージ２３上に載置される。基板２１は、ステージ２３上に構成された真空チャック（不図示）によって保持される。ステージ２３を駆動しながら、アライメントスコープ２７によって基板２１上のアライメントマーク（不図示）を順次計測して、基板２１の位置を高精度に計測する。制御部Ｃ（図中に見当たりません）は、その計測結果から各転写位置の座標を演算し、演算結果に基づいて所定のショットごとに逐次転写（ステップアンドリピート）を行う。全てのショットに対して転写が完了したら、基板２１がステージ２３から搬出され、次の基板２１がステージ２３に搬入される。
【００１７】
微細パターンを基板２１に転写するインプリント処理について説明する。まず、制御部Ｃは、レジスト供給口３２下に転写対象のショット４２が位置するようにステージ２３を位置決めする。そして、制御部Ｃは、レジスト供給口３２から適量のレジストをショット４２に滴下する。その後、制御部Ｃは、ショット４２がパターン面１２の直下に位置するようにステージ２３を移動させ、位置決めを行う。位置決め完了後に、インプリント機構４０がテンプレート１１を下降させ、パターン面１２をショット４２上のレジストに押印する。
【００１８】
押印完了の判断は、インプリント機構４０の内部に設置された荷重センサによって行う。押印後に、制御部Ｃは、紫外線を照射し、レジストを硬化させる。レジスト硬化が終了した後、制御部Ｃは、テンプレート１１を引き上げる。そして、ステージ２３により、次のショット４２がレジスト供給口３２下に位置するように位置決めされる。
【００１９】
インプリント処理を行うときに、パターン面１２と基板２１上のレジストとの間に気泡が残留すると、形成されるパターンが歪み、残留の程度によっては転写欠陥が発生してしまう。そのため、レジストに対して溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素などのガス（パージガス）でテンプレート１１と基板２１との間の空気と置換させて、気泡の発生を抑える方式が知られている。
【００２０】
パージガスは、ガス供給部６０によって複数のガス供給開口４３を介してテンプレート１１と基板２１との間の空間に供給される。複数のガス供給開口４３は、テンプレート１１を囲むように配置される。ガス供給開口４３は、テンプレート１１を囲むように配置されたノズルに設けられても、テンプレート保持部１３に設けられても良い。
【００２１】
図２Ａ〜図２Ｄに本実施形態を示す。図２Ａは、レジスト供給口３２から基板２１の対象ショット４２上にレジストを供給する際の、テンプレート保持部１３と同面板２２との位置関係を示している。
【００２２】
本実施形態では、テンプレート１１と基板２１との間にパージガスを供給するために、テンプレート保持部１３に、テンプレート１１を囲むようにガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄを配置している。本実施形態ではガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄの個数を４つとしているが、この限りではない。ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄの供給動作は、ガス供給部６０によってガス供給開口毎に制御される。テンプレート保持部１３のステージ側の表面には、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄを囲むように第１ガス回収開口５１が配置される。
【００２３】
一方、ステージ２３には、基板２１を囲むように第２ガス回収開口５２が配置される。パージガスは、第１ガス回収開口５１を介して第１ガス回収部により、また、第２ガス回収開口５２を介して第２ガス回収部（番号は）により回収される。次に本実施形態におけるテンプレート１１下と基板２１又は同面板２２との間にパージガスを高濃度に維持する方法に関して、図２Ｂ〜図２Ｄを使用して説明する。
【００２４】
図２Ｂは、図２Ａに示すショット４２上に微細パターンを形成するために、ステージ２３を−Ｘ方向に移動させる途中の状態を示す。このとき、第１ガス回収開口５１に囲まれた領域（第１領域）５３と、第２ガス回収開口５２に囲まれた領域５４（第２領域）とが重なり合う。領域５３と領域５４が重なりによって形成された部分を領域(第３領域)５５とし、この領域５５内（第３領域内）に位置するガス供給開口４３Ｂのみからパージガスを供給する。
【００２５】
この場合、領域５５外のガス供給開口４３Ａ、４３Ｃ、４３Ｄからは、パージガスの供給を行わない。こうすることで、領域５５内のみにパージガスを閉じ込めることが出来る。図２Ｃに、図２Ｂよりさらに−Ｘ方向にステージ２３が移動し、ショット４２上に、パターン面１２が配置された状態を示す。この場合、領域５５内に３つのガス供給開口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄが含まれ、ガス供給開口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄから領域５５内にパージガスが供給される。
【００２６】
その結果、パターン面１２下にパージガスを高濃度に維持した状態で押印動作を行うことが出来、さらに領域５５内にパージガスを閉じ込めることが出来る。押印（インプリント）が終了し、レジスト供給口３２下に次のショットを移動する際には、すべてのガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからのガスの供給を停止する。パージガスを供給するガス供給部６０、パージガスを回収する第１、第２ガス回収部（番号は）は制御部Ｃにより制御されている。
【００２７】
図２Ｄに、ステージ２３がレジスト供給口３２直下に次のショットを移動させるために、ステージ２３を＋Ｘ方向に移動している途中の状態を示す。この間もすべてのガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからのガス供給を停止する。ステージ２３が＋Ｘ方向に移動するに従って、領域５５の範囲が狭まり、領域５５内に含まれるパージガスは、第１ガス回収開口５１又は第２ガス回収開口５２に回収される。押印後、すべてのガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからのガス供給を停止することで、領域５５内に含まれるパージガスを、第１ガス回収開口５１又は第２ガス回収開口５２で、すみやかに回収することが出来る。
【００２８】
上述した方法により、領域５５のみにパージガスを確実に閉じ込めることで、パージガスが干渉計７３の光路等へ漏れるのを防止することができる。また、パージガスの漏れを防止できるので、パージガスの供給量を低減することが出来る。さらに、同面板２２に頼らなくてもパージガスの漏れを低減できるので、同面板２２を小型化することが可能となる。その結果、ステージ２３に負荷される重量を軽減することが出来、またインプリント装置１０のフットプリントを縮小することが出来る。
【００２９】
本実施形態では、第２ガス回収開口５２を備えた実施形態を説明したが、図２Eを使用して、第２ガス回収開口５２を設けない場合のパージガス供給方法に関して説明する。この場合、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄ直下に基板２１もしくは同面板２２がないと、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄから供給したパージガスが直接インプリント装置１０内へ拡散してしまう。
【００３０】
そこで、パージガスの消費量と拡散を低減するために、第１ガス回収開口５１に囲まれた領域５３と、基板２１が重なった領域５５内に位置するガス供給開口４３Ｂからパージガスを供給する。ガス供給は図１に示すガス供給部６０により制御を行う。それ以外のガス供給開口４３Ａ、４３Ｃ、４３Ｄからはパージガスを供給しない。こうすることで、第２ガス回収開口５２を備えない場合において、パージガスの消費量と拡散を低減させたインプリント装置を提供することが出来る。
【００３１】
［第２実施形態］
第２実施形態のインプリント装置は、基本的に第１実施形態を引き継ぐものであり、第１実施形態と異なる箇所のみについて説明する。図３Ａは、図２ＣのＸＺ断面図を示している。ガス供給開口４３から供給されたパージガスが、第１及び第２ガス回収開口５１、５２により回収され、テンプレート１１下に閉じ込められる様子を表している。図３Ａにおいて、テンプレート保持部１３と基板２１又は同面板２２との距離をＡとしている。
【００３２】
この距離Ａがインプリント装置１０の構成により狭まると、第１ガス回収開口５１及び第２ガス回収開口５２で発生する負圧が、お互いのガス回収動作に影響し合い、領域５５内にパージガスを閉じ込めることが困難な状態となる。上述したような問題を解決するために、第１ガス回収開口５１及び第２ガス回収開口５２で発生する負圧を抑制する。本実施形態では図３Ｂに示すように、テンプレート保持部１３及び同面板２２の形状を変更する。
【００３３】
第１ガス回収開口５１側の外周部（第１領域の外側）に、テンプレート保持部１３の表面とステージ２３の表面との間隔が大きい領域が生成されるように、図３Ｂ中に示す距離Ｂの段差を設ける。こうすることで、テンプレート保持部１３と基板２１又は同面板２２との距離Ａが狭まっても、第２ガス回収開口５２で発生する負圧の影響を受けることなく、第１ガス回収開口５１を介してパージガスを回収することが出来る。また同面板２２の第２ガス回収開口５２側の外周部に、図３Ｂ中に示す距離Ｃの段差を設ける。
【００３４】
すなわち、第２ガス回収開口５２側の外周部（第２領域の外側）に、ステージ２３の表面とテンプレート保持部１３の表面との間隔が、基板２１又は同面板２２の表面とテンプレート保持部１３の表面との間隔よりも大きい領域を生成する。こうすることで、テンプレート保持部１３と基板２１又は同面板２２との距離Ａが狭まっても、第１ガス回収開口５１で発生する負圧の影響を受けることなく、第２ガス回収開口５２を介してパージガスを回収することが出来る。
【００３５】
［第３実施形態］
第３実施形態のインプリント装置は基本的に第１及び第２実施形態を引き継ぐものであり、第１及び第２実施形態と異なる箇所のみについて説明する。本実施形態では図４Ａに示すように、第１ガス回収開口５１を８つの部分５１ａ〜５１ｈに分割する。また第２ガス回収開口５２も、８つの部分５２ａ〜５２ｈに分割する。第１ガス回収開口５１の部分５１ａ〜５１ｈ及び第２ガス回収開口５２の部分５２ａ〜５２ｈは、それぞれ第１ガス回収部、第２ガス回収部（ガス回収部）６１によって、各部分からパージガスが回収可能に構成される。
【００３６】
図４Ｂは、第１ガス回収開口５１に囲まれた領域（第１領域）５３と、第２ガス回収開口５２に囲まれた領域５４(第２領域)とが重なる領域（第３領域）５５が形成され、領域５５内にガス供給開口４３Ｂからパージガスを供給している状態を示す。このとき領域５５の境界は、第１ガス回収開口の分割部分５１ａ〜５１ｄと、第２ガス回収開口の分割部分５２ｆ、５２ｇにより定められている。第１ガス回収開口の分割部分５１ａ〜５１ｄと、第２ガス回収開口の分割部分５２ｆ、５２ｇにおいて、パージガスの回収を行い、第１及び第２ガス回収開口５１、５２のその他の部分での回収動作を止める。
【００３７】
このような制御を行うことで、上述した第１ガス回収開口５１と第２ガス回収開口５２で発生する負圧の影響を受けることなく、パージガスを回収することが出来、領域５５内にパージガスを閉じ込めることが出来る。このように、第１及び第２ガス回収開口５１、５２を複数の部分に分割し、パージガスの閉じ込めに大きく寄与しない第１及び第２ガス回収開口５１、５２の部分における回収を止めることで、インプリント装置１０内の空調が乱れることを防ぐことが出来る。また、パージガスを回収することで発生する振動や、回収に費やされるエネルギに関しても軽減することが出来る。本実施形態では、第１及び第２ガス回収開口を各８分割としたが、この限りではなく、必要に応じて増減させても構わない。
【００３８】
［第４実施形態］
第４実施形態のインプリント装置は、基本的に第１〜３実施形態を引き継ぐものであり、第１〜３実施形態と異なる箇所のみについて説明する。本実施形態は、第３実施形態で説明したテンプレート保持部１３と基板２１又は同面板２２とが近接した場合、第１ガス回収開口５１及び第２ガス回収開口５２の負圧がお互い影響し合う問題に対して、異なる解決方法を示す。図５に本実施形態の構成を示す。テンプレート保持部１３の第１ガス回収開口５１より外側の外周部に、第１空気噴出開口４４を設ける。
【００３９】
第１空気噴出開口４４から供給されるガスは、ガス供給開口４３から供給されるパージガスとは異なり、インプリント装置１０内の雰囲気ガスである空気とする。こうすることで、テンプレート保持部１３と、基板２１又は同面板２２との距離Ａが狭まっても、第２ガス回収開口５２で発生する負圧の影響を受けることなく、第１ガス回収開口５１でパージガスを回収することが出来る。
【００４０】
同面板２２の第２ガス回収開口５２の外側の外周部に、第２空気噴出開口４５を設ける。第２空気噴出開口４５から供給されるガスは、ガス供給開口４３から供給されるパージガスとは異なり、インプリント装置１０内の雰囲気ガスである空気とする。こうすることで、テンプレート保持部１３と、基板２１又は同面板２２との距離Ａが狭まっても、第１ガス回収開口５１で発生する負圧の影響を受けることなく、第２ガス回収開口５２を介してパージガスを回収することが出来る。
【００４１】
空気は、第１空気噴出開口４４と第２空気噴出開口４５を介して空気噴出部４６によって供給される。また、図６Ａに示すように第１空気噴出開口４４、第２空気噴出開口４５を複数の部分４４ａ〜４４ｈ、４５ａ〜４５ｈに分割しても構わない。こうすることで、図６Ｂに示すように、空気噴出部４６により、領域５５の境界付近に位置する第１空気噴出開口４４ａ〜４４ｄ及び第２空気噴出開口４５ｆ、４５ｇからのみ、空気を噴出可能に構成することが出来る。その結果、インプリント装置１０内の空調の乱れを防ぐことが出来る。
【００４２】
更に、第１，２空気噴出開口４４，４５から供給される空気の供給量を減らすことで消費量を減らすことができるとともに、第１，２空気噴出開口４４，４５から供給される空気を供給することで発生する振動も軽減することが出来る。
【００４３】
本実施形態では、第１空気噴出開口４４、第２空気噴出開口４５から、空気を供給する構成を説明した。しかし、必ずしも第１空気噴出開口４４、第２空気噴出開口４５から、空気を強制的に供給する必要はない。図７に示すように、テンプレート保持部１３に第１貫通穴４７、ステージ２３に第２貫通穴４８を設ける構成としても構わない。第１及び第２貫通穴４７、４８は、テンプレート１１と基板２１との隙間で構成される空間とインプリント装置１０内とを連通させる。
【００４４】
こうすることで、第１ガス回収開口５１、及び第２ガス回収開口５２で発生する負圧により、第１及び第２貫通穴４７、４８からインプリント装置１０内の雰囲気ガスである空気をテンプレート１１下に供給することが出来る。
【００４５】
以上、第３〜第５実施形態において、テンプレート保持部１３と基板２１又は同面板２２とが近接した場合、第１ガス回収開口５１及び第２ガス回収開口５２の負圧がお互い影響し合う問題に対する解決方法を示した。この問題に対する解決方法はこの限りではなく、第３〜第５実施形態をそれぞれ組み合わせても構わない。例えば、テンプレート保持部１３には図３Ｂに示す距離Ｂによる段差を設け、同面板２２には図５に示す第２空気噴出開口４５を設けても構わない。
【００４６】
［第５実施形態］
第５実施形態のインプリント装置は、基本的に第１〜第４実施形態を引き継ぐものであり、第１〜第４実施形態と異なる箇所のみについて説明する。第１〜第４実施形態で、図２に示す領域(第３領域)５５の雰囲気を、空気からレジストへの溶解性の高いガスへ置換することで、パターン面１２と基板２１上のレジストとの間に発生する気泡を低減させる方法を説明してきた。
【００４７】
本実施形態で、パターン面１２と基板２１上のレジストとの間に発生する気泡をさらに低減させる方法について説明する。第１〜第４実施形態で、領域(第３領域)５５の雰囲気を空気からレジストへの溶解性の高いガスへ置換するが、その圧力は大気圧程度である。
【００４８】
本実施形態では、第１〜第４実施形態と同様に、領域(第３領域)５５の雰囲気を空気からレジストへの溶解性の高いガスへ置換するが、その圧力を大気圧以下とする。領域(第３領域)５５を大気圧以下とすることで、気泡の発生を抑える効果と、さらに、レジストに溶解するガス量が減ることから、気泡の消滅時間が短くなり、押印時間を短縮出来る効果も期待出来る。
【００４９】
本実施形態の場合、領域(第３領域)５５が大気圧以下になると、ステージ２３がテンプレート保持部１３側へ引き付けられる。ステージ２３は、この引力に対向する力を発生させる必要がある。その結果、ステージ２３の駆動部に大きな負荷が生じ、駆動部の発熱等の問題を引き起こす原因となる。
【００５０】
本実施形態は、ステージ２３への負荷低減のため、図８Ａ〜８Ｅに示すテンプレート１１を囲むように、第３のガス回収口５６（図８Ａ〜８Ｅは１２個の開口）を設ける。領域（第３領域）５５すべてを大気圧以下とはせず、第３のガス回収口５６に囲まれたテンプレート１１下の領域のみを大気圧以下とする。こうすることで、上述した基板ステージ２３への負荷を極力低減することが出来る。本実施形態では第３のガス回収口５６の個数を１２個としているが、この限りではない。
【００５１】
図８Ａ〜８Ｅを用いて、本実施形態の詳細を説明する。図８Ａは、レジスト供給口３２から基板２１の対象ショット４２上にレジストを供給する際の、テンプレート保持部１３と同面板２２との位置関係を示している。本実施形態では、上述した第３のガス回収口５６を、テンプレート保持部１３のテンプレート１１とガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄの間に配置している。
【００５２】
本実施形態ではガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄの個数を４つとしているが、この限りではない。ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄの供給動作は、ガス供給部６０によってガス供給開口毎に制御される。テンプレート保持部１３のステージ側の表面には、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄを囲むように第１ガス回収開口５１が配置される。一方、ステージ２３には、基板２１を囲むように第２ガス回収開口５２が配置される。パージガスは、第１ガス回収開口５１を介して第１ガス回収部６１により、また、第２ガス回収開口５２を介して第２ガス回収部６２により回収される。
【００５３】
次に本実施形態におけるテンプレート１１下と基板２１又は同面板２２との間にパージガスを高濃度に維持し、かつ、テンプレート１１下の圧力を大気圧以下とする方法に関して、図８Ｂ〜図８Ｄを使用して説明する。
【００５４】
図８Ｂは、図８Ａに示すショット４２上に微細パターンを形成するために、ステージ２３を−Ｘ方向に移動させる途中の状態を示す。このとき、第１ガス回収開口５１に囲まれた領域（第１領域）５３と、第２ガス回収開口５２に囲まれた領域５４（第２領域）とが重なり合う。領域５３と領域５４が重なりによって形成された部分を領域(第３領域)５５とし、この領域５５内（第３領域内）に位置するガス供給開口４３Ｂのみからパージガスを供給する。この場合、領域（第３領域）５５外のガス供給開口４３Ａ、４３Ｃ、４３Ｄからは、パージガスの供給を行わない。こうすることで、領域５５（第３領域）内のみにパージガスを閉じ込めることが出来る。
【００５５】
図８Ｃに、図８Ｂよりさらに−Ｘ方向にステージ２３が移動し、ショット４２上に、パターン面１２が配置された状態を示す。この場合、領域（第３領域）５５内に３つのガス供給開口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄが含まれ、ガス供給開口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄから領域５５（第３領域）内にパージガスが供給される。
【００５６】
押印（インプリント）時は、第３のガス回収口５６からパージガスを回収し、テンプレート１１下の領域を大気圧以下の環境とする。このとき、微細パターン１２下のパージガス濃度が低下しないように、ガス供給開口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄからパージガスを供給し続ける。その結果、パターン面１２下にパージガスを高濃度に維持し、かつ、パージガスそのものの量を低減した状態で押印動作を行うことが出来る。
【００５７】
図８Ｆに、図８ＣのＸＺ断面図と、テンプレート保持部１３とステージ２３との隙間に形成される押印時の圧力分布を示す。ガス供給口４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄから供給されたパージガスは、領域５５の範囲で高濃度に維持される。テンプレート保持部１３とステージ２３との隙間に形成される圧力分布を見ると、テンプレート１１下が大気圧以下であり、その周辺の圧力より低く維持される。
【００５８】
押印（インプリント）終了後、露光を行い、レジストを硬化させる。露光時には、すべてのガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからのガスの供給を停止し、第３のガス回収口５６の回収も停止する。ただし、第１、第２のガス回収口５１、５２からのパージガス回収は引き続き行う。
【００５９】
これらのパージガスを供給するガス供給部６０、パージガスを回収する第１、第２、第３ガス回収部６１、６２、６３は、制御部Ｃにより制御されている。露光終了後、離型動作を行い、次のショット位置にレジストをディスペンスするためにステージ２３を移動させる。本実施形態では、図８Ｄに示すようにステージ２３を＋Ｘ方向に移動させる。この間もすべてのガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからのガス供給を停止する。また、第３のガス回収口５６のガス回収も停止する。
【００６０】
ステージ２３が＋Ｘ方向に移動するに従って、領域（第３領域）５５の範囲が狭まり、領域（第３領域）５５内に含まれるパージガスは、第１ガス回収開口５１又は第２ガス回収開口５２に回収される。
【００６１】
上記には、図８Ａに示すショット位置４２に押印（インプリント）動作を行う例を説明した。それ以外の別のショット位置として、図８Ｅ示す基板２１の中央付近に押印（インプリント）動作を行う場合について、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄと第３のガス回収口５６の制御方法を説明する。この場合、領域（第３領域）５５は、領域（第１領域）５１と同じとなる。ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄは領域（第３領域）５５内に位置するので、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄのすべてからパージガスが供給される。
【００６２】
押印（インプリント）時は、上記に説明したように、第３のガス回収口５６からパージガスを回収し、テンプレート１１下の領域を大気圧以下の環境とする。このとき、微細パターン１２下のパージガス濃度が低下しないように、ガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄのすべてからパージガスを供給し続ける。
【００６３】
本実施形態では、押印（インプリント）時において、第３のガス回収口５６からパージガスを回収し、テンプレート１１下の領域を大気圧以下とする際に、領域（第３領域）５５内に位置するガス供給開口４３Ａ〜４３Ｄからパージガスを供給し続ける。このように、押印（インプリント）時に、パージガスを供給し続ける例を説明したが、必ずしもこの限りではない。押印（インプリント）時に、パターン１２下にパージガスが十分高濃度に維持される環境であれば、パージガスの供給を停止しても構わない。
【００６４】
また、本実施形態では押印（インプリント）終了後、および露光、離型時において、第３のガス回収口５６からのガス回収を停止する例を説明したが、必ずしもこの限りではない。押印（インプリント）終了後、および露光、離型時においても第３のガス回収口５６からのガス回収を続けても構わない。
【００６５】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【００６６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１０  インプリント装置
１５  光源
４０  インプリント機構
１１  テンプレート
２１  基板
２３  ステージ
３２  レジスト供給口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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