(57)【要約】      （修正有）【課題】画素領域においてイオン性不純物が不均一に分布し難い液晶装置を提供すること。【解決手段】液晶装置は、複数の画素電極１５と、複数の画素電極１５が配置された画素領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２に配置された周辺電極と、少なくとも複数の画素電極１５に対向するように配置された対向電極２３と、複数の画素電極１５と対向電極２３との間に挟持された液晶層５０と、を備え、液晶層５０における液晶分子の配向は、１軸方向の略垂直配向であって、周辺電極は、画素領域Ｅ１における上記１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する周辺領域Ｅ２の部分に配置された第１周辺電極としての周辺電極１７Ａを含み、周辺電極１７Ａには、対向電極２３に印加される対向電極電位と異なる固定電位が印加される。【選択図】図７
2018180428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配置された画素領域を囲む周辺領域に配置された周辺電極と、
少なくとも前記複数の画素電極に対向するように配置された対向電極と、
前記複数の画素電極と前記対向電極との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記液晶層における液晶分子の配向は、１軸方向の略垂直配向であって、
前記周辺電極は、前記画素領域における前記１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する前記周辺領域の部分に配置された第１周辺電極を含み、
前記第１周辺電極には、前記対向電極に印加される対向電極電位と異なる固定電位が印加される、液晶装置。
【請求項２】
前記周辺電極は、前記画素領域における前記１軸方向に沿った対角に位置する第２角部に対応する前記周辺領域の部分に配置された第２周辺電極、を含み、
前記第２周辺電極には、前記第１周辺電極に印加される前記固定電位よりも小さい固定電位が印加される、請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記固定電位は、前記対向電極に印加される対向電極電位を基準とした正極性または負極性の直流電位である、請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記周辺電極に印加される前記固定電位の極性や大きさを調整可能な調整手段を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記対向電極は、前記液晶層を介して前記複数の画素電極と前記周辺電極とに対向するように配置されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
１つの前記周辺電極と隣り合う画素電極の数は、１００個以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記液晶層における光の射出側に、前記画素領域を囲み前記周辺領域と重なる遮光層が設けられている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板に挟持された液晶層を有する液晶パネルを備えている。液晶パネルに光が入射すると、液晶パネルを構成する例えば液晶材料や配向膜と入射光との光化学反応によって様々なイオン性不純物が発生することがある。これ以外にも、液晶パネルの製造過程で用いられる材料や装置などからイオン性不純物が液晶層に混じるおそれもある。
【０００３】
液晶層中のイオン性不純物は、液晶装置の駆動や熱によって表示領域に拡散したり、部分的に凝集したりして、表示において例えばシミやムラとして認識され表示特性の劣化を招くことが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が直視型の液晶装置に比べて高くなるので、光化学反応が生じ易くイオン性不純物が表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００４】
このようなイオン性不純物に纏わる不具合を改善するため、例えば、特許文献１には、透明基板と駆動回路基板との間に保持された液晶層を備え、画素領域を囲む周辺領域に設けられた周辺領域電極に印加する駆動電圧の電圧値は、画素領域に設けられた画素領域電極に印加する駆動電圧の電圧値よりも高い液晶表示装置が開示されている。
【０００５】
上記特許文献１の液晶表示装置によれば、画素領域電極と周辺領域電極との間の駆動電圧の電圧値の差による電界効果でイオン性不純物を画素領域から周辺領域に掃き出すことができるとしている。
【０００６】
また、例えば、特許文献２には、複数の画素電極がマトリックス状に配置されてなる表示領域の周囲に略リング状の電子見切り領域が形成され、電子見切り領域は、非表示動作モードにおいて、液晶内部のイオン掃き寄せ手段として構成される液晶表示装置が開示されている。
【０００７】
上記特許文献２では、イオン性不純物が液晶層中を配向方向に沿って移動して表示領域の角部に集積し易いことから、当該角部のコントラストの変化を観察することで、電子見切り領域によるイオン性不純物の掃き寄せ効果を評価している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２７９１７２号公報
【特許文献２】特開２００７−３１６１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１及び上記特許文献２に示されているように、イオン性不純物を掃き寄せる手段として周辺領域電極や電子見切り領域を画素領域（表示領域）を囲むように設けたとしても、上記特許文献２に示されているように、イオン性不純物が画素領域（表示領域）の配向方向における角部に集積し易いことから、掃き寄せ後のイオン性不純物の分布において不均一な状態となるおそれがある。不均一に分布したイオン性不純物の存在は表示ムラとして視認されるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例］本適用例に係る液晶装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配置された画素領域を囲む周辺領域に配置された周辺電極と、少なくとも前記複数の画素電極に対向するように配置された対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に挟持された液晶層と、を備え、前記液晶層における液晶分子の配向は、１軸方向の略垂直配向であって、前記周辺電極は、前記画素領域における前記１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する前記周辺領域の部分に配置された第１周辺電極を含み、前記第１周辺電極には、前記対向電極に印加される対向電極電位と異なる固定電位が印加されることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、液晶装置が駆動されると、液晶層中のイオン性不純物は、液晶分子の略垂直配向における１軸方向に移動して、画素領域の１軸方向に沿った対角の角部に集積され易い。その一方で、第１周辺電極は、画素領域における上記１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する周辺領域の部分に配置されているため、第１周辺電極に対向電極電位と異なる固定電位を与えることで、上記１軸方向に沿った対角の角部に集積しようとするイオン性不純物の一部を、当該角部と異なる第１角部に向かって掃き寄せることができる。つまり、掃き寄せられたイオン性不純物が液晶分子の配向における１軸方向の角部に集積されることを抑制して、イオン性不純物の分布が不均一になり難い液晶装置を提供することができる。
【００１３】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記周辺電極は、前記画素領域における前記１軸方向に沿った対角に位置する第２角部に対応する前記周辺領域の部分に配置された第２周辺電極、を含み、前記第２周辺電極には、前記第１周辺電極に印加される前記固定電位よりも小さい固定電位が印加されることが好ましい。
この構成によれば、上述したように、液晶層中のイオン性不純物は、液晶分子の略垂直配向における１軸方向に移動して、画素領域の１軸方向に沿った対角の第２角部に集積され易い。第２角部に対応して配置された第２周辺電極に印加される固定電位よりも、画素領域の１軸方向に交差する方向に沿った対角の第１角部に対応して配置された第１周辺電極に印加される固定電位のほうが大きいので、第２周辺電極に向かって掃き寄せられるイオン不純物の一部を効率的に第１周辺電極に向かって掃き寄せることができる。つまり、第１周辺電極と第２周辺電極とにより液晶中のイオン性不純物をムラなく画素領域の外側の周辺領域に掃き寄せすることができる。
【００１４】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記固定電位は、前記対向電極に印加される対向電極電位を基準とした正極性または負極性の直流電位であることを特徴とする。
この構成によれば、周辺電極に印加される固定電位を対向電極電位に対して正極性とすれば、アニオン系のイオン性不純物を周辺領域に掃き寄せることができる。また、周辺電極に印加される固定電位を対向電極電位に対して負極性とすれば、カチオン系のイオン性不純物を周辺領域に掃き寄せることができる。実際に表示不具合を引き起こすイオン性不純物の極性を見極めて固定電位を設定することができる。
また、周辺電極に対向電極電位を基準とする交流電位が印加される場合に比べて、効率的にアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を掃き寄せることができる。
【００１５】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記周辺電極に印加される前記固定電位の極性や大きさを調整可能な調整手段を有することが好ましい。
この構成によれば、周辺領域に掃き寄せたいイオン性不純物に応じて、調整手段によって固定電位の極性を変えたり、周辺電極に過剰な固定電位が印加され、画素領域における表示に影響を及ぼさないように、調整手段によって固定電位の大きさを調整することができる。
【００１６】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記対向電極は、前記液晶層を介して前記複数の画素電極と前記周辺電極とに対向するように配置されていることが好ましい。
この構成によれば、対向電極は液晶層を介して複数の画素電極だけでなく、周辺電極にも対向しているため、対向電極と周辺電極との間にも電界効果が生ずる。したがって、一旦、周辺電極に掃き寄せられたイオン性不純物が再び画素領域に拡散することを抑制することができる。
【００１７】
上記適用例に記載の液晶装置において、１つの前記周辺電極と隣り合う画素電極の数は、１００個以上であることが好ましい。
この構成によれば、液晶層中のイオン性不純物をより確実に周辺電極に掃き寄せて、画素領域におけるイオン性不純物の濃度を低減すると共に分布を均一化できる。
【００１８】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記液晶層における光の射出側に、前記画素領域を囲み前記周辺領域と重なる遮光層が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、周辺電極にイオン性不純物が掃き寄せられて電荷が蓄積し、液晶分子の配向を乱したとしても、液晶分子の配向の乱れによる光漏れを遮光層で遮光することができる。つまり、周辺領域の光漏れを防止して表示品質を確保することができる。
【００１９】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、液晶層中のイオン性不純物が表示に与える影響を低減し、優れた表示品質における信頼性を実現可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】画素における液晶分子の配向状態を示す概略断面図。
【図５】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。
【図６】第１実施形態のイオントラップ機構の構成を示す概略平面図。
【図７】第１実施形態のイオントラップ機構の構造を示す概略断面図。
【図８】第２実施形態の液晶装置におけるイオントラップ機構の構成を示す概略平面図。
【図９】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２２】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図、図３は第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。シール部４０において途切れた部分が注入口４１となっており、真空注入法により注入口４１から上記間隔に正又は負の誘電異方性を有する液晶が注入され、封止剤４２を用いて注入口４１が封入されている。なお、上記間隔に液晶を封入する方法は、真空注入法に限定されるものではなく、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）法を採用してもよい。
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２６】
シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む画素領域Ｅ１が設けられている。また、シール部４０と画素領域Ｅ１との間の周辺領域Ｅ２に画素領域Ｅ１を取り囲んで遮光層としての見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅ１には、表示に寄与する画素Ｐの他に、画素領域Ｅ１の外縁に沿って配置された複数のダミー画素が含まれていてもよい。
【００２７】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２８】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅ１との間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００２９】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３０】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも画素領域Ｅ１に亘って設けられ、共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００３１】
見切り部２１は、図１に示すように画素領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。
【００３２】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３３】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３４】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３５】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３６】
次に、図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３７】
走査線３ａ、データ線６ａ及び容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３９】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００４０】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００４２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４３】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００４４】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、画像信号Ｄ１〜Ｄｎをサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号Ｄ１〜Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４５】
次に、図４を参照して、画素Ｐにおける配向膜１８，２４及び液晶分子の配向状態について説明する。図４は画素における液晶分子の配向状態を示す概略断面図である。
【００４６】
図４に示すように、素子基板１０の画素電極１５を覆う配向膜１８は、例えば酸化シリコンを斜め蒸着して得られた酸化シリコンの柱状体１８ａの集合体である。基材１０ｓの法線と実線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、例えば４５度である。柱状体１８ａが基材１０ｓの表面から成長する方向と法線とがなす角度θｃは必ずしも上記角度θｂと同じにならず、この場合は、およそ２０度である。このような無機配向膜である配向膜１８の膜面において負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは長軸が上記成膜方向側に傾いたプレチルトを有して略垂直配向している。基材１０ｓの法線と液晶分子ＬＣの長軸とがなすプレチルト角θｐは例えば３度〜５度である。言い換えれば、液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐが３度〜５度となるように、柱状体１８ａの基材１０ｓに対する成長の角度θｃ、つまり成膜時の角度θｂが制御されている。
【００４７】
同様に、対向基板２０側の対向電極２３を覆う配向膜２４は、例えば酸化シリコンを斜め蒸着して得られた酸化シリコンの柱状体２４ａの集合体である。基材２０ｓの法線と破線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、例えば４５度である。無機配向膜である配向膜２４の膜面（柱状体２４ａ）に対して液晶分子ＬＣは成膜方向側にプレチルトを有した状態で略垂直配向している。なお、図４では、柱状体１８ａ，２４ａを一定の大きさで表したが、各柱状体１８ａ，２４ａの大きさや成長方向は必ずしも同じではなく、ばらつきを有している。
【００４８】
配向膜１８が形成された画素電極１５を有する素子基板１０と、配向膜２４が形成された対向電極２３を有する対向基板２０とによって液晶層５０が挟持されている。このような液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子８１，８２が配置されて用いられる。なお、本実施形態では、対向基板２０側から液晶パネル１１０に光が入射する構成となっているが、これに限定されるものではなく、素子基板１０側から光が入射する構成とすることも可能である。
【００４９】
液晶装置１００において、画素電極１５と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。言い換えれば、液晶分子ＬＣはプレチルトの方向において振動する。
【００５０】
次に、図５を参照して、平面視における液晶分子ＬＣの配向方向とイオン性不純物の拡散方向とについて説明する。図５は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。
【００５１】
シール部４０で囲まれた領域には、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置された画素領域Ｅ１と、周辺領域Ｅ２とが含まれている。本実施形態における液晶パネル１１０の光学設計は、前述したようにノーマリーブラックであることから、非駆動状態では、画素Ｐは黒表示となる。
【００５２】
配向膜１８，２４をなす柱状体１８ａ，２４ａを無機材料の斜め蒸着で形成するときの斜め蒸着方向は、図５に示すように、例えば、素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。図４において説明したように、液晶分子ＬＣは斜め蒸着における成膜方向にプレチルトして略垂直配向することから、このような配向状態は、１軸方向の略垂直配向と呼ばれる。本実施形態における１軸方向は、Ｙ方向に対して所定の角度θａで交差する、右上から左下、あるいは左下から右上に向かう方向である。なお、図５に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００５３】
液晶層５０を駆動することにより、上述したように液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図５に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向（１軸方向）に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０にアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って画素領域Ｅ１の左下の角部に向かって移動し偏在（凝集）するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図５に示すような例えば光漏れが生じた表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べてイオン性不純物の偏在による表示のシミ、ムラや焼き付き現象が目立ち易い。
【００５４】
イオン性不純物は、液晶パネル１１０を製造する工程で用いられる例えば接着剤や封止剤４２などの部材に含まれていたり、工程の環境から侵入したりすることが考えられる。また、本実施形態の液晶装置１００は後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として用いられることから、直視型の液晶装置に比べて入射する照明光の強度が強い。液晶層５０に強い強度の照明光が入射することにより有機化合物である液晶分子ＬＣの末端基が外れてイオン性不純物となるおそれがある。
【００５５】
＜イオントラップ機構＞
本実施形態の液晶装置１００では、イオン性不純物の偏在による表示のシミ、ムラや焼き付き現象などの表示不具合を改善するため、画素領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２に、画素領域Ｅ１からイオン性不純物を掃き寄せて捕集するイオントラップ機構を設けている。以降、本実施形態におけるイオントラップ機構とその駆動方法について、図６及び図７を参照して説明する。
【００５６】
図６は第１実施形態のイオントラップ機構の構成を示す概略平面図、図７は第１実施形態のイオントラップ機構の構造を示す概略断面図である。詳しくは、図５のＡ−Ａ’線に沿って切断したときの概略断面図である。
【００５７】
図６に示すように、本実施形態のイオントラップ機構１１７は、画素領域Ｅ１の液晶分子ＬＣにおける略垂直配向の１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する周辺領域Ｅ２の部分に配置された第１周辺電極としての一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂを有している。周辺電極１７Ａは画素領域Ｅ１の左上の第１角部に対応して設けられ、周辺電極１７Ｂは画素領域Ｅ１の右下の第１角部に対応して設けられている。なお、本実施形態における略垂直配向の１軸方向は、Ｙ方向に対して所定の角度θａで交差し、画素領域Ｅ１の左下と右上の角部に向かう方向である。
【００５８】
周辺電極１７Ａ，１７Ｂのそれぞれは、画素領域Ｅ１の第１角部における辺部に沿って配置され、Ｌ字状を成している。周辺電極１７Ａ，１７ＢのＸ方向の長さＬｘと、Ｙ方向の長さＬｙとは、同じであって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに沿った画素Ｐの数に置き換えると、１００個の画素ＰがＸ方向及びＹ方向に配列したときの長さと同じか、それ以上の長さとなっている。周辺電極１７Ａ，１７Ｂは、平面視で対向電極２３と重なるように配置されている。言い換えれば、周辺電極１７Ａ，１７Ｂは、平面視で対向電極２３が設けられた領域からはみ出ないように周辺領域Ｅ２に配置されている。
【００５９】
対向電極２３は、上下導通部１０６を介して素子基板１０に設けられた外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）に接続されている。外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭが与えられる。対向電極電位ＬＣＣＯＭは、例えば０Ｖである。
【００６０】
一方で、周辺電極１７Ａ，１７Ｂは素子基板１０側に設けられ、それぞれ外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に接続されている。外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭと異なるイオントラップ電位Ｉｔ１が与えられる。イオントラップ電位Ｉｔ１は、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準とした正極性または負極性の固定電位であって、例えばＤＣ（直流）の＋５Ｖまたは−５Ｖである。
【００６１】
外部接続用端子１０４は、図１に示すように対向基板２０からはみ出た素子基板１０の端子部に複数設けられている。素子基板１０の端子部には、例えばドライバーＩＣ（半導体装置）が平面実装されたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）が実装される。ドライバーＩＣはコントロール回路（制御回路）を含むものであって、外部から入力された電源を利用して、対向電極電位ＬＣＣＯＭ、イオントラップ電位Ｉｔ１を生成して対応する外部接続用端子１０４に送出することができる。また、コントロール回路（制御回路）は、イオントラップ電位Ｉｔ１における固定電位の極性を変えたり、固定電位の大きさを調整することができる。言い換えれば、液晶装置１００は、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加される固定電位の極性や大きさを調整可能な調整手段としてのコントロール回路（制御回路）を備えている。
【００６２】
図７に示すように、素子基板１０において周辺領域Ｅ２に設けられた周辺電極１７Ａは、液晶層５０を介して対向基板２０の対向電極２３と対向している。周辺電極１７Ａに、イオントラップ電位Ｉｔ１として、例えばＤＣの−５Ｖを印加すれば、周辺電極１７Ａに隣り合う画素電極１５との間に横電界が発生し、液晶層５０に含まれる正の電荷を帯びたカチオン系のイオン性不純物（図中ではプラス（＋）の符号で示す）は、周辺電極１７Ａに引き付けられる。また、周辺電極１７Ａと対向電極２３との間にも電界が発生するため、周辺電極１７Ａに引き付けられたカチオン系のイオン性不純物は、周辺電極１７Ａが設けられた周辺領域Ｅ２に捕集された状態で留まる。言い換えれば、周辺電極１７Ａに掃き寄せられたカチオン系のイオン性不純物が再び画素領域Ｅ１に拡散することが抑制される。
【００６３】
同様にして、周辺電極１７Ａに、イオントラップ電位Ｉｔ１として、例えばＤＣの＋５Ｖを印加すれば、周辺電極１７Ａに隣り合う画素電極１５との間に横電界が発生し、液晶層５０に含まれる負の電荷を帯びたアニオン系のイオン性不純物（図中ではマイナス（−）の符号で示す）は、周辺電極１７Ａに引き付けられる。また、周辺電極１７Ａと対向電極２３との間にも電界が発生するため、周辺電極１７Ａに引き付けられたアニオン系のイオン性不純物は、周辺電極１７Ａが設けられた周辺領域Ｅ２に捕集された状態で留まる。言い換えれば、周辺電極１７Ａに掃き寄せられたアニオン系のイオン性不純物が再び画素領域Ｅ１に拡散することが抑制される。
【００６４】
なお、もう一方の周辺電極１７Ｂにも周辺電極１７Ａと同じイオントラップ電位Ｉｔ１が外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）を介して印加される。画素電極１５には、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準として極性が反転する交流信号が印加される。対向電極電位ＬＣＣＯＭを例えば０Ｖとしたときの交流信号の振幅は例えば±５Ｖである。
【００６５】
周辺電極１７Ａ，１７Ｂは、液晶層５０を介して遮光層である見切り部２１と対向するように、素子基板１０に形成されている。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂは、透光性あるいは反射性の導電膜を用いて形成することが可能であるが、本実施形態では、画素電極１５と同じ例えばＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成されている。言い換えれば、画素電極１５の形成工程で、周辺電極１７Ａ，１７Ｂとこれに接続される配線とを形成することができる。
【００６６】
上記第１実施形態の液晶装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００が駆動されると、液晶層５０中のイオン性不純物は、液晶分子ＬＣの略垂直配向における１軸方向に移動して、画素領域Ｅ１の１軸方向に沿った対角の角部に集積され易い。その一方で、第１周辺電極としての一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂは、画素領域Ｅ１における上記１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する周辺領域Ｅ２の部分に配置されている。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに対向電極電位ＬＣＣＯＭと異なるイオントラップ電位Ｉｔ１（固定電位）を与えることで、上記１軸方向に沿った対角の角部に集積しようとするイオン性不純物の一部を、当該角部と異なる第１角部に向かって掃き寄せることができる。よって、掃き寄せられたイオン性不純物が液晶分子ＬＣの配向における１軸方向の角部に集積されることを抑制して、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の分布が不均一になり難い液晶装置１００を実現できる。つまり、イオン性不純物の分布が不均一であることに起因する表示不具合が生じ難い液晶装置１００を提供することができる。
【００６７】
（２）液晶装置１００は、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１の極性や大きさを調整可能な調整手段としてのコントロール回路（制御回路）を含んで構成される。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１を対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して正極性とすれば、アニオン系のイオン性不純物を周辺領域Ｅ２に掃き寄せることができる。また、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１を対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して負極性とすれば、カチオン系のイオン性不純物を周辺領域Ｅ２に掃き寄せることができる。実際に表示不具合を引き起こす液晶層５０に含まれるイオン性不純物の極性や量を想定して、イオントラップ電位Ｉｔ１の極性や電位の大きさを設定すればよい。
【００６８】
また、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１は、ＤＣの固定電位であるため、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準とした交流電位が印加される場合に比べて、アニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を効率的に掃き寄せることができる。
周辺電極１７Ａ，１７Ｂに交流電位が印加された場合には、交流電位が正極性であるときにアニオン系のイオン性不純物を掃き寄せることが可能であるが、その一方でカチオン系のイオン性不純物は反発する。同様に、交流電位が負極性であるときにカチオン系のイオン性不純物を掃き寄せることが可能であるが、その一方でアニオン系のイオン性不純物は反発する。つまり、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１は、ＤＣの固定電位であることが好ましい。
【００６９】
（３）対向電極２３は、液晶層５０を介して複数の画素電極１５と周辺電極１７Ａ，１７Ｂとに対向するように配置されている。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに隣り合う画素電極１５との間だけでなく、対向電極２３と周辺電極１７Ａ，１７Ｂとの間にも電界効果が生ずる。よって、一旦、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに掃き寄せられたイオン性不純物が再び画素領域Ｅ１に拡散することを抑制することができる。
【００７０】
（４）１つの周辺電極１７Ａまたは周辺電極１７Ｂと隣り合う画素電極１５の数は、１００個以上である。したがって、液晶層５０中のイオン性不純物を確実に周辺電極１７Ａ，１７Ｂに掃き寄せて、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の量を低減すると共に、イオン性不純物の分布を均一化できる。
【００７１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８を参照して説明する。図８は第２実施形態の液晶装置におけるイオントラップ機構の構成を示す概略平面図である。
第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、イオントラップ機構における周辺電極の配置を異ならせたものであって、イオントラップ機構以外の構成は同じである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７２】
図８に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、イオントラップ機構２１７を備えている。イオントラップ機構２１７は、画素領域Ｅ１における１軸方向と交差する方向に沿った対角に位置する第１角部に対応する周辺領域Ｅ２の部分に配置された第１周辺電極としての一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂと、画素領域Ｅ１における１軸方向に沿った対角に位置する第２角部に対応する周辺領域Ｅ２の部分に配置された第２周辺電極としての一対の周辺電極１７Ｃ，１７Ｄと、を含んで構成されている。
【００７３】
周辺電極１７Ａは画素領域Ｅ１の左上の第１角部に対応して設けられ、周辺電極１７Ｂは画素領域Ｅ１の右下の第１角部に対応して設けられている。周辺電極１７Ｃは画素領域Ｅ１の左下の第２角部に対応して設けられ、周辺電極１７Ｄは画素領域Ｅ１の右上の第２角部に対応して設けられている。なお、本実施形態における略垂直配向の１軸方向は、Ｙ方向に対して所定の角度θａで交差し、画素領域Ｅ１の左下と右上の第２角部に向かう方向である。つまり、本実施形態の液晶装置２００は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、液晶分子ＬＣの略垂直配向における１軸方向にも一対の周辺電極を配置したものである。
【００７４】
周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄのそれぞれは、画素領域Ｅ１の４つの角部における辺部に沿って配置され、Ｌ字状を成している。周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７ＤのＸ方向の長さＬｘと、Ｙ方向の長さＬｙとは、同じであって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに沿った画素Ｐの数に置き換えると、１００個の画素ＰがＸ方向及びＹ方向に配列したときの長さと同じか、それ以上の長さとなっている。周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、平面視で対向電極２３と重なるように配置されている。言い換えれば、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、平面視で対向電極２３が設けられた領域からはみ出ないように周辺領域Ｅ２に配置されている。
【００７５】
対向電極２３は、上下導通部１０６を介して素子基板１０に設けられた外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）に接続されている。外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭが与えられる。対向電極電位ＬＣＣＯＭは、例えば０Ｖである。
【００７６】
一方で、４つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは素子基板１０側に設けられ、このうち一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂは外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に接続されている。外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭと異なるイオントラップ電位Ｉｔ１が与えられる。イオントラップ電位Ｉｔ１は、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準とした正極性または負極性の固定電位であって、例えばＤＣ（直流）の＋５Ｖまたは−５Ｖである。
【００７７】
他の一対の周辺電極１７Ｃ，１７Ｄは外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）に接続されている。外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭと異なると共に、イオントラップ電位Ｉｔ１よりも電位が小さいイオントラップ電位Ｉｔ２が与えられる。イオントラップ電位Ｉｔ２は、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準とした正極性または負極性の固定電位であって、例えばＤＣ（直流）の＋３Ｖまたは−３Ｖである。
【００７８】
上記第２実施形態の液晶装置２００によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶層５０中のイオン性不純物は、液晶分子ＬＣの略垂直配向における１軸方向に移動して、画素領域Ｅ１の１軸方向に沿った対角の第２角部に集積され易い。第２角部に対応して配置された第２周辺電極としての一対の周辺電極１７Ｃ，１７Ｄに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ２よりも、画素領域Ｅ１の１軸方向に交差する方向に沿った対角の第１角部に対応して配置された第１周辺電極としての一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１のほうが大きいので、一対の周辺電極１７Ｃ，１７Ｄに向かって掃き寄せられるイオン不純物の一部を効率的に周辺電極１７Ａ，１７Ｂに向かって掃き寄せることができる。つまり、４つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄにより液晶層５０中のイオン性不純物をムラなく画素領域Ｅ１の外側の周辺領域Ｅ２に掃き寄せることができる。すなわち、周辺領域Ｅ２により確実にイオン性不純物を掃き寄せると共に、掃き寄せられたイオン性不純物が液晶分子ＬＣの配向における１軸方向の第２角部に集積されることを抑制して、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の量を低減させると共に、イオン性不純物の分布が不均一であることに起因する表示不具合が生じ難い液晶装置２００を提供することができる。
【００７９】
（２）液晶装置２００は、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに印加されるイオントラップ電位の極性や大きさを調整可能な調整手段としてのコントロール回路（制御回路）を含んで構成される。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに印加されるイオントラップ電位を対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して正極性とすれば、アニオン系のイオン性不純物を周辺領域Ｅ２に掃き寄せることができる。また、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに印加されるイオントラップ電位を対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して負極性とすれば、カチオン系のイオン性不純物を周辺領域Ｅ２に掃き寄せることができる。実際に表示不具合を引き起こす液晶層５０に含まれるイオン性不純物の極性や量を想定して、イオントラップ電位の極性や電位の大きさを設定すればよい。
また、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合の状態を考慮して、周辺電極１７Ａ，１７Ｂに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ１の大きさと、周辺電極１７Ｃ，１７Ｄに印加されるイオントラップ電位Ｉｔ２の大きさとを異ならせた状態で調整することができる。
【００８０】
（３）対向電極２３は、液晶層５０を介して複数の画素電極１５と４つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄとに対向するように配置されている。したがって、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに隣り合う画素電極１５との間だけでなく、対向電極２３と周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄとの間にも電界効果が生ずる。よって、一旦、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに掃き寄せられたイオン性不純物が再び画素領域Ｅ１に拡散することを抑制することができる。
【００８１】
（４）周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄのそれぞれと隣り合う画素電極１５の数は、１００個以上である。したがって、液晶層５０中のイオン性不純物を確実に周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄに掃き寄せて、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の量をより低減すると共に、イオン性不純物の分布をより均一化できる。
【００８２】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、上記各実施形態の液晶装置を適用可能な電子機器として、投射型表示装置を例に挙げ、図９を参照して説明する。図９は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８３】
図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８４】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８５】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８６】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８７】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８８】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構を有する上記第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８９】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を長期に亘って維持することが可能な高い信頼性を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、前述した第２実施形態の液晶装置２００を用いても同様な効果が得られる。
【００９０】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９１】
（変形例１）上記第２実施形態では、４つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄを同じ大きさとしたが、これに限定されず、例えば、液晶分子ＬＣの１軸方向に位置する第２角部に対応して配置される一対の周辺電極１７Ｃ，１７Ｄの大きさと、上記１軸方向と交差する方向に位置する第１角部に対応して配置される一対の周辺電極１７Ａ，１７Ｂの大きさとを異ならせてもよい。これにより、掃き寄せ可能なイオン性不純物の量を制御することで、画素領域Ｅ１におけるイオン性不純物の分布をより均一な状態とすることも可能である。
【００９２】
（変形例２）負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣを１軸方向に略垂直配向させる配向膜１８，２４は、無機配向膜であることに限定されない。有機配向膜であってもよい。
【００９３】
（変形例３）上記実施形態のイオントラップ機構１１７（イオントラップ機構２１７）が適用される液晶装置１００（液晶装置２００）は、透過型であることに限定されず、画素電極１５が光反射性の導電膜で構成される反射型の液晶装置にも適用可能である。
【００９４】
（変形例４）上記実施形態の液晶装置１００，２００を適用可能な電子機器は、上記第３実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９５】
１５…画素電極、１７Ａ，１７Ｂ…第１周辺電極としての一対の周辺電極、１７Ｃ，１７Ｄ…第２周辺電極としての一対の周辺電極、２３…対向電極、５０…液晶層、１００，２００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…画素領域、Ｅ２…周辺領域、Ｉｔ１…第１周辺電極に印加される固定電位としてのイオントラップ電位、Ｉｔ２…第２周辺電極に印加される固定電位としてのイオントラップ電位、ＬＣＣＯＭ…対向電極電位。
【図１】
2018180428.tif 000003
【図２】
2018180428.tif 000004
【図３】
2018180428.tif 000005
【図４】
2018180428.tif 000006
【図５】
2018180428.tif 000007
【図６】
2018180428.tif 000008
【図７】
2018180428.tif 000009
【図８】
2018180428.tif 000010
【図９】
2018180428.tif 000011