(57)【要約】【課題】基板の裏面側に配された２つの異なる導電型の部位を、所望の離間距離を保って位置精度よく形成できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法である。基板の光入射面（表面）に、注入領域（部位Ａ）を形成する。その際、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するマスクを用いる。この基板表面に設けた未注入領域を利用して取得した中心位置情報に基づき、基板の光入射面とは反対側の面（裏面）に、イオン注入法により２つの異なる導電型の部位Ｂと部位Ｃを、所望の離間距離を保って形成する。これにより、２つの異なる導電型の部位Ｂと部位Ｃは、所望の離間距離を保って位置精度よく形成可能となる。【選択図】図１
2018148062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法であって、
光電変換機能を発現する第一導電型の結晶系シリコンからなる実質的に矩形の基板を用い、前記基板の光が入射する一面に配され、前記第一導電型と同じ導電型の部位Ａを形成する工程αと、
前記基板に対して光が入射する一面とは反対側に位置する他面に配され、前記第一導電型と異なる導電型の部位Ｂおよび前記第一導電型と同じ導電型の部位Ｃを、それぞれイオン注入法により形成する工程βと、を含み、
前記工程αは、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような第一マスクを用い、前記基板の一面に亘って前記部位Ａを形成し、
前記工程βは、前記基板の一面にある前記未注入領域を利用して取得した前記基板の中心位置情報に基づき、前記部位Ｂを形成するための第二マスク及び前記部位Ｃを形成するための第三マスクに対して、前記基板を各々アライメントすることにより、前記部位Ｂ及び前記部位Ｃのイオン注入を行う、
ことを特徴とするバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記工程αは、前記部位Ａを形成するためにイオン注入法を用いる、
ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記工程αは、前記部位Ａを形成するためにプラズマ拡散法を用いる、
ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記工程αは、前記未注入領域を、前記基板の角部に加えて、前記基板の一面におけるエッジ部にも形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記工程αは、前記未注入領域が、特長部を含む形状であり、対向する位置にある角部から見て、前記形状の特長部が確認可能となるように、前記第一マスクを用いて前記部位Ａの形成を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記第一マスクにより形成される前記特長部は、対向する位置にある角部から見て、凸状または凹状の局部を備えている、
ことを特徴とする請求項５に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法。
【請求項７】
バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造において、光電変換機能を発現する第一導電型の結晶系シリコンからなる実質的に矩形の基板を用い、前記基板の光が入射する一面に配され、前記第一導電型と同じ導電型の部位Ａを、形成するためのマスクであって、
前記マスクは、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような遮蔽部と、前記未注入領域以外の領域が注入されるような開口部とを備えた、
ことを特徴とするマスク。
【請求項８】
前記遮蔽部位は、前記基板の角部に加えて、前記基板の一面におけるエッジ部にも前記未注入領域が発生するような形状を有する、
ことを特徴とする請求項７に記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光入射面とは反対側に位置する面（裏面）側に配される２つの電極が互いに位置精度よく形成できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法、及びマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、結晶系シリコンを基板とする太陽電池（結晶系太陽電池）において、バックコンタクト型の太陽電池は、高い発電効率が得られることが公知である。その中でも、ヘテロタイプのバックコンタクト型（ＨＢＣ型）結晶系太陽電池は、世界最高の発電効率が確認され、多方面から注目されている。
【０００３】
このようなＨＢＣ型結晶系太陽電池は、シリコン基板の裏面（光入射面の反対側に位置する面）に、ｉ型アモルファスＳｉ層を介して、ｎ型アモルファスＳｉ層からなる部位とｐ型アモルファスＳｉ層からなる部位が各々局在して配され、かつ、互い離間して構成されている。このような構成とするため、ＨＢＣ型結晶系太陽電池は、図２４に示すような工程を経て製造されること知られている（特許文献１の従来技術）。
【０００４】
図２５は、従来のＨＢＣ型結晶系太陽電池に係る製造方法の一例を示す模式的な断面図である。すなわち、
図２５（ａ）は、シリコン１００１の片面に対する、ｉ型アモルファスＳｉ層１００２とｎ型アモルファスＳｉ層１００３の成膜。
図２５（ｂ）は、ｎ型アモルファスＳｉ層１００３上に、所望のパターンを有するレジスト１００４の形成。
図２５（ｃ）は、レジスト１００４を用い、ｉ型アモルファスＳｉ層１００２とｎ型アモルファスＳｉ層１００３をエッチング。
図２５（ｄ）は、エッチング後に、レジスト１００４を剥離。
図２５（ｅ）は、エッチストッパー層１００５の形成。エッチストッパー層１００５をマスクして、ｎ型アモルファスＳｉ層が形成されていない離間部のエッチストッパー層１００５をエッチング。さらにその上に、全域に亘って、ｉ型アモルファスＳｉ層１００６とｐ型アモルファスＳｉ層１００７の成膜。
【０００５】
図２５（ｆ）は、離間部にレジスト１００８を形成。
図２５（ｇ）は、レジスト１００８を用いて、ｉ型アモルファスＳｉ層１００６とｐ型アモルファスＳｉ層１００７をエッチング。
図２５（ｈ）は、エッチング後に、レジスト１００８を剥離。
図２５（ｉ）は、エッチストッパー層１００５を剥離。
図２５（Ｊ）は、ｉ型アモルファスＳｉ層１００２どうしの離間部およびｎ型アモルファスＳｉ層１００３とｐ型アモルファスＳｉ層１００７の離間部に、ｉ型アモルファスＳｉ層１００９を成膜。
【０００６】
つまり、従来のＨＢＣ型結晶系太陽電池の製造方法においては、上述した多数の工程［図２４］を経ることによって初めて、ｎ型アモルファスＳｉ層１００３とｐ型アモルファスＳｉ層１００７からなる特定のパターン領域を作製することができ、そのためには、フォトリソやエッチング等の手法を何度も行わざるを得なかった。しかしながら、このような手法でパターニングを行うと、図１６に示すように工程数が増え、製造ラインのコストアップに繋がり、ひいては、太陽電池の低コスト化は困難な状況にあった。
【０００７】
これに対して、単結晶シリコン基板又は多結晶シリコン基板に、ｐ型不純物やｎ型不純物を導入することによりｐｎ接合を裏面に形成して太陽電池とする、バックコンタクト型の太陽電池がある（特許文献２）。このような太陽電池では、ｐｎ接合で形成された電子及び正孔が再結合すると、変換効率（発電効率）が低下することが知られている。不純物の導入には、半導体デバイスの製造に用いられているイオン注入を用いて、不純物注入領域（イオン照射領域）をマスクによって形成することがある。
【０００８】
このようなバックコンタクト構造を構築するためには、ｐ型不純物を導入した領域と、ｎ型不純物を導入した領域を、等間隔で規則的に形成するイオン注入処理が求められる。このような処理を実現するためには、基板位置を合せるアライメントが必要であり、少なくとも基板の２辺によってその位置を合せる手法や、基板周囲を接触させるなどによって位置合わせをする手法が用いられていた（特許文献３）。  また、基板の外形の隣り合う２辺の所定部分を延長して頂点を求めるとともに、その対角位置の頂点を同様に求め、これら２つの頂点を結んだ直線である対角線の中点を、基板センター位置として定める手法も提案されている（特許文献４）。
【０００９】
しかしながら、太陽電池製造用の基板は、半導体製造用の基板とは異なり、その外形規格が一辺１５６ｍｍ程度の矩形であるのに対して、実際は±５００μｍ程度の大きな誤差を有することが多い。
また、このように実質的に矩形とされる基板の２辺も９０°とはなっておらず、直角であるべきところに対して±０．３°と寸法公差が大きい。
【００１０】
このため、ｐ型不純物を導入する領域を形成するためのマスクと基板との相対的な位置決め、および、ｎ型不純物を導入する領域を形成するためのマスクと基板との相対的な位置決めにおいて、その都度、ランダムなブレが発生する問題があった。このようなブレが発生すると、ｐ型不純物を導入した領域と、ｎ型不純物を導入した領域とを、等間隔で規則的に形成することが困難となる。つまり、ｐ型不純物を導入した領域とｎ型不純物を導入した領域とが重なってしまい、太陽電池の変換効率が低下するという問題があった。
【００１１】
この問題を解決するため、基板上にアライメントマークを２点以上設けて、イオン注入処理時に、このアライメントマークを基準として処理することも考えられる。これにより、５０μｍ以下の精度でアライメントを行うことができるが、アライメントマークを形成する工程が増えて、結果的に最も避けたい製造コストの増加を招くという問題があった。
【００１２】
ゆえに、上述した従来の課題を解決できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法および製造装置の開発が期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１２−２４３７９７号公報
【特許文献２】特表２０１３−５２０８００号公報
【特許文献３】特表２０１０−５３９６８４号公報
【特許文献４】特許第５８３２５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、基板の光入射面とは反対側に位置する面（裏面）側に配された（、２つの電極とそれぞれ導通する、）２つの異なる導電型の部位を、所望の離間距離を保って位置精度よく形成できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法、及びマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、光電変換機能を発現する第一導電型（ｎ型）の結晶系シリコンからなる実質的に矩形の基板を用い、前記基板の光が入射する一面に配され、前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ａ（＝ｎ＋層）を形成する工程αと、前記基板に対して光が入射する一面とは反対側に位置する他面に配され、前記第一導電型と異なる導電型（ｐ型）の部位Ｂおよび前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ｃを、それぞれイオン注入法により形成する工程βと、を含み、前記工程αは、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような第一マスクを用い、前記基板の一面に亘って前記部位Ａを形成し、前記工程βは、前記基板の一面にある前記未注入領域を利用して取得した前記基板の中心位置情報に基づき、前記部位Ｂを形成するための第二マスク及び前記部位Ｃを形成するための第三マスクに対して、前記基板を各々アライメントすることにより、前記部位Ｂ及び前記部位Ｃのイオン注入を行う、ことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項２に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、請求項１において、前記工程αは、前記部位Ａを形成するためにイオン注入法を用いる、ことを特徴とする。
本発明の請求項３に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、請求項１において、前記工程αは、前記部位Ａを形成するためにプラズマ拡散法を用いる、ことを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項４に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、請求項１において、前記工程αは、前記未注入領域を、前記基板の角部に加えて、前記基板の一面におけるエッジ（縁）部にも形成する、ことを特徴とする。
本発明の請求項５に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、請求項１において、前記工程αは、前記未注入領域が、特長部を含む形状であり、対向する位置にある角部から見て、前記形状の特長部が確認可能となるように、前記第一マスクを用いて前記部位Ａの形成を行う、ことを特徴とする。
本発明の請求項６に記載のバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、請求項５において、前記第一マスクにより形成される前記特長部は、対向する位置にある角部から見て、凸状または凹状の局部（局所的な部位）を備えている、ことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項７に記載のマスクは、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造において、光電変換機能を発現する第一導電型（ｎ型）の結晶系シリコンからなる実質的に矩形の基板を用い、前記基板の光が入射する一面に配され、前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ａを、形成するためのマスクであって、前記マスクは、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような遮蔽部と、前記未注入領域以外の領域が注入されるような開口部とを備えた、ことを特徴とする。
本発明の請求項８に記載のマスクは、請求項７において、前記遮蔽部位は、前記基板の角部に加えて、前記基板の一面におけるエッジ（縁）部にも前記未注入領域が発生するような形状を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法は、工程αにおいて、基板の光が入射する一面（表面）に該基板と同じ導電型の部位αを形成する。その際、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような遮蔽部と、その他の領域に注入領域を形成する開口部とを有する第一マスクを用い、前記基板の一面に亘って前記部位Ａを形成する。これにより、基板の一面には、注入領域からなる部位Ａと、未注入領域とが配置され、前者に対して後者は光学的に識別可能な状態となる。第一マスクの形状（遮蔽部の形状）を工夫することにより、少なくとも基板の対向する位置にある一組以上の角部に、各々の位置情報を読み取り可能な特長部（マーク）を設ける。その結果、２つの特長部の中間点を基板の中心位置情報として認識可能となる。
【００２０】
工程βでは、前記基板の一面（表面）にある前記未注入領域を利用して取得した前記基板の中心位置情報に基づき、前記部位Ｂを形成するための第二マスク及び前記部位Ｃを形成するための第三マスクに対して、前記基板を各々アライメントすることにより、基板の他面（裏面）に対して前記部位Ｂ及び前記部位Ｃのイオン注入を行う。これにより、基板の他面（裏面）側、すなわち光入射面とは反対側に位置する面側に、２つの電極とそれぞれ導通する、部位Ｂと部位Ｃとを所望の離間距離を保って位置精度よく形成できる。
【００２１】
工程αにより基板の表面側に設けた部位Ａは、ＦＳＦ（Front Surface Field）として利用するものである。つまり、本発明によれば、ＦＳＦを形成する際に特長部（マーク）も一緒に形成されるので、特長部（マーク）を形成するために追加工程は不要である。
したがって、本発明は、光入射面とは反対側に位置する面（裏面）側に配される２つの電極が互いに位置精度よく形成できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法をもたらす。
【００２２】
本発明に係るマスクは、上述したバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造において、基板の光が入射する一面に配され、前記基板と同じ導電型（ｎ型）の部位Ａを形成するマスクである。このマスクは、少なくとも前記基板の対向する位置にある一組以上の角部に、未注入領域が発生するような遮蔽部と、前記未注入領域以外の領域が注入されるような開口部とを備える。これにより、遮蔽部の存在により形成された未注入領域には、各々の位置情報を読み取り可能な特長部が設けられる。ゆえに、本発明のマスクは、前記２つの特長部の中間点を基板の中心位置情報として認識可能とする、未注入領域の形成に寄与する。
ゆえに、本発明は、従来の製造方法に比べて極めて少ない工程数によって、バックコンタクト型結晶系太陽電池を作製することができるので、低コストな製造ラインの構築に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池の一実施形態を示す模式図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は（ｂ）の角部拡大図。
【図２】基板の対向する位置にある一組の角部に未注入領域を設けた場合を示す模式図。（ａ）は角部のみの場合、（ｂ）は角部とエッジカット部の場合。
【図３】図１の結晶系太陽電池を製造する手順（工程Ａ）を示す模式断面図。
【図４】図１の結晶系太陽電池を製造する手順（工程Ｂ、工程Ｃ）を示す模式断面図。
【図５】本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ１の一例を示す模式平面図。
【図６】本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ２〜Ｍ５の一例を示す模式平面図。
【図７】マスクＭ１を用いて形成された注入領域の一例を示す模式平面図。
【図８】マスクＭ２〜Ｍ５を用いて形成された注入領域の一例を示す模式平面図。注入領域＝不純物導入部
【図９】マスクＭ１の他の一例を示す模式平面図。
【図１０】マスクＭ２の他の一例を示す模式平面図。
【図１１】マスクＭ３の他の一例を示す模式平面図。
【図１２】マスクＭ４の他の一例を示す模式平面図。
【図１３】マスクＭ５の他の一例を示す模式平面図。
【図１４】図１０と図１１のマスクを用いて形成された注入領域の一例を示す模式平面図。
【図１５】図１２と図１３のマスクを用いて形成された注入領域の一例を示す模式平面図。
【図１６】本発明に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造工程を示すフロー図。
【図１７】リン（Ｐ）のイオンエネルギーを変えて、基板の深さ方向に観測したリン（Ｐ）濃度のプロファイルを示すグラフ。
【図１８】イオン注入装置の模式断面図。
【図１９】アニール処理装置の模式断面図。
【図２０】基板の対向する位置にある二組の角部にイオンの未注入領域を設けた場合を示す模式図。未注入領域が角部とエッジカット部の場合。
【図２１】基板と基板ホルダー及びその開口部との関係を示す模式平面図。
【図２２】マスクＭ１により形成される未注入領域のパターン例を示す模式平面図。
【図２３】未注入領域と注入領域の識別状況を観察した写真。
【図２４】従来のＨＢＣ型の結晶系太陽電池の製造工程を示すフロー図。
【図２５】従来のＨＢＣ型の結晶系太陽電池を製造する手順を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
＜第一実施形態＞
図１は、本発明の第一実施形態に係る、バックコンタクト型結晶系太陽電池１００の構成について説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は（ｂ）の角部拡大図を表している。
第一実施形態の太陽電池１００は、後述する「ｎ＋  部位（部位Ａ）」が基板の表面（光入射面側：図１においては上面）に、「ｐ＋  部位（部位Ｂ）とｎ＋  部位（部位Ｃ）」が、基板の裏面（光入射面の反対側：図１においては下面）に、それぞれ形成されている。
なお、本実施形態では、ｎ＋  部位とｐ＋  部位を形成するためにイオン注入法を用いるが、基板に不純物原子をイオンの状態で導入するものであれば、手法はイオン注入法には限らず、プラズマドーピング法などでも不純物導入が可能である。ただし、以下の説明では、不純物導入法の代表例としてイオン注入法を用いて詳述する。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、第一実施形態に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池１００は、光電変換機能を発現する第一導電型（たとえばｎ型半導体）の結晶系シリコンからなる基板１０１と、前記基板１０１に対して光（矢印にて表示）が入射する一面１０１ａに配される、前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ａ（＝ｎ＋層）１０２と、前記基板１０１に対して光が入射する一面１０１ａとは反対側に位置する他面１０１ｂに配され、前記第一導電型と異なる導電型（ｐ型）の部位Ｂ１０４および前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ｃ１０５と、を少なくとも備えている。以下では、基板の一面１０１ａを「表面」、基板の他面１０１ｂを「裏面」とも呼ぶ。
【００２６】
バックコンタクト型結晶系太陽電池１００において、基板１０１の一面に設けた部位Ａ１０２は、ＦＳＦ（Front Surface Field）として利用するものである。この注入領域からなる部位Ａ１０２は、図１（ｂ）に示すように、たとえば、前記基板１０１の対向する位置にある二組の角部（すなわち四隅）に、イオンの未注入領域１０３Ａａ〜１０３Ａｄを有する。
なお、イオンの未注入領域１０３Ａａ〜１０３Ａｄは、少なくとも基板１０１の対向する位置にある一組以上の角部にあればよい。
【００２７】
基板１０１の対向する位置にある未注入領域１０３Ａａと未注入領域１０３Ａｃは、互いに特長部（マーク）１０３ｓを備えており、特長部１０３ｓどおしを結ぶ直線において１／２となる地点を求めることにより、基板の中心位置情報をもたらす。
つまり、本発明によれば、基板の一面にある前記未注入領域を利用して、基板の中心位置情報を獲得することが可能となる。
前記特長部（マーク）をなす未注入領域は、ＦＳＦを形成する際に一緒に形成されることから、製造工程を増加することなく作製できる。
【００２８】
図２は、基板の対向する位置にある一組の角部にイオンの未注入領域を設けた場合を示す模式図である。図２（ａ）は未注入領域を角部のみに設けた場合であり、図２（ｂ）は未注入領域を角部とエッジカット部に設けた場合である。
図２（ｂ）に示すように、角部に加えてエッジカット部にも未注入領域を設けることにより、注入領域を形成する際のイオンが、基板の側面及び裏面側に回り込み、基板の裏面を汚染することが回避できる。つまり、エッジカット部にも未注入領域を設けた場合には、次工程となる基板の裏面側に対する工程Ｂや工程Ｃのイオン注入作業の安定性が確保されるので、より好ましい。
【００２９】
また、図１（ａ）に示すように、バックコンタクト型結晶系太陽電池１００は、基板の他面１０１ｂに、前記第一導電型と異なる導電型（ｐ型）の部位Ｂ１０４および前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ｃ１０５を有している。部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５は、互いに離間して配置されている。図１において、部位Ｄが、部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５の離間部を表わしている。
すなわち、第一実施形態に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池１００は、部位Ｂ１０４および部位Ｃ１０５が各々、基板１０１の他面（裏面）１０１ｂに所望の元素を注入して形成された局在領域をなす場合である。部位Ｂ１０４および部位Ｃ１０５は、後述するイオン注入法により形成される。
【００３０】
部位Ｂ１０４および部位Ｃ１０５は、前述した基板１０１の一面１０１ａにある未注入領域１０３Ａａ〜１０３Ａｄを利用して取得した前記基板の中心位置情報に基づき、前記部位Ｂを形成するための第二マスク及び前記部位Ｃを形成するための第三マスクに対して、前記基板を各々アライメントすることにより、前記部位Ｂ及び前記部位Ｃのイオン注入を行うことにより形成される。
これにより、基板の他面（裏面）１０１ｂ側、すなわち光入射面とは反対側に位置する面側に、２つの電極とそれぞれ導通する、部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５が、所望の離間距離を保って位置精度よく形成される。
【００３１】
この手法によれば、基板の裏面１０１ｂに対して、部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５を各々作製するためのイオン注入処理を施すだけで形成することができる。ゆえに、この構成は、部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５を形成した後でも、基板の裏面１０１ｂは平坦なプロファイルが維持されるので、後工程において形成される電極膜も平坦性が保たれる。よって、部位Ｂ１０４と部位Ｃ１０５に各々重なるように電極膜を残すために行われるパターニング（フォトリソ）処理の安定化も図れる。
【００３２】
なお、基板１０１の一面１０１ａ側と他面（裏面）１０１ｂ側には、必要に応じて不図示の反射防止層（Anti Reflection Layer：ＡＲ層）が配される構成としてもよい。反射防止層（不図示）としては、たとえば絶縁性の窒化膜、窒化ケイ素膜、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜などが好適に用いられる。
【００３３】
＜製造方法＞
図１に示した、第一実施形態に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池１００の製造方法について、説明する。図３と図４は、図１のバックコンタクト型結晶系太陽電池を製造する手順を示す模式断面図である。
【００３４】
（前処理工程）
第一実施形態に係る、バックコンタクト型結晶系太陽電池１００を製造するための各工程について、詳しく説明する。本実施形態では、第一導電型（ｎ型半導体）の結晶系シリコンからなる基板を用いる。まず、テクスチャー形成工程において、基板１０１に対して、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）をエッチャントとして用いたウェットエッチング処理を行う。そして、処理後の基板１０１に残存する有機物および金属汚染物を、フッ硝酸を用いて除去する。これにより、テクスチャーを有する形状に、基板１０１の光入射面となる一面１０１ａを加工する［図３（ａ）］。
【００３５】
＜表面側の不純物注入工程（領域Ａの形成）＞
上記のテクスチャーを有する形状に加工された、基板１０１の一面１０１ａに対して、リン（Ｐ）イオン等のｎ型イオンを、マスクＭ１を介して注入することにより、ｎ＋  部位（領域Ａ）１０２を形成する［図３（ｂ）］。これにより、マスクＭ１の開口部に応じた注入領域をなす部位Ａ１０２と、マスクＭ１の遮蔽部に応じた未注入領域１０３Ａａ〜１０３Ａｄが形成される［図３（ｃ）］。マスクＭ１の遮蔽部により、基板１０１の対向する位置にある未注入領域１０３Ａａと未注入領域１０３Ａｃは、互いに特長部（マーク）１０３ｓを備える。
【００３６】
＜基板の中心位置情報の獲得＞
基板１０１の対向する位置にある未注入領域１０３Ａａと未注入領域１０３Ａｃが備えた、特長部（マーク）１０３ｓどおしを結ぶ直線において１／２となる地点を求めることにより、基板の中心位置情報を獲得する。
【００３７】
＜裏面側の不純物注入工程（領域Ｂの形成）＞
まず、基板１０１の他面１０１ｂに対して、ボロン（Ｂ）イオン等のｐ型イオンを、マスクＭ２を介して局所的に注入することにより、フィンガー部をなすｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４を形成する［図４（ａ）］。次に、ボロン（Ｂ）イオン等のｐ型イオンを、マスクＭ３を介して局所的に注入することにより、バスバー部をなすｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４を形成する［図４（ｂ）］。
上記２つのイオン注入を行う前には、基板とマスクＭ２あるいはマスクＭ３との相対的な位置関係を調整する。この調整は、上述した基板の中心位置情報に基づき行う。
【００３８】
＜裏面側の不純物注入工程（領域Ｃの形成）＞
まず、基板１０１の他面１０１ｂに対して、リン（Ｐ）イオン等のｎ型イオンを、マスクＭ４を介して局所的に注入することにより、フィンガー部をなすｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５を形成する［図４（ｃ）］。次に、リン（Ｐ）イオン等のｎ型イオンを、マスクＭ５を介して局所的に注入することにより、バスバー部をなすｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５を形成する［図４（ｄ）］。
上記２つのイオン注入を行う前には、基板とマスクＭ４あるいはマスクＭ５との相対的な位置関係を調整する。この調整は、上述した基板の中心位置情報に基づき行う。
【００３９】
これにより、図４（ｅ）に示すような、第一実施形態に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池１００、すなわち、光電変換機能を発現する第一導電型（ｐ型半導体）の結晶系シリコンからなる基板１０１と、前記基板１０１に対して光（矢印にて表示）が入射する一面１０１ａに配される、前記第一導電型と異なる導電型（ｎ型）の部位Ａ（＝ｎ＋層）１０２と、前記基板１０１に対して光が入射する一面１０１ａとは反対側に位置する他面１０１ｂに配され、前記第一導電型と同じ導電型（ｐ型）の部位Ｂ１０４および前記第一導電型と異なる導電型（ｎ型）の部位Ｃ１０５と、備えてなるバックコンタクト型結晶系太陽電池１００が得られる。
【００４０】
＜マスクＭ１＞
図５は、本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ１の一例を示す模式平面図である。マスクＭ１は、基板１０１に対して注入領域１０２（領域Ａ）を形成するための開口部と、非注入領域１０３Ａａ〜１０３Ａｄを形成するための遮蔽部とを備えている。
図５に示した遮蔽部は、互いに対向した角部に対して、局所的な位置が特定できる特長部を形成するための部位を有する。図５における特長部が、三角形の凸状をなす場合である。図５以外の特長部の構成例としては、たとえば、図２３（ａ）〜図２３（ｅ）に示すものが挙げられる。各図において、α１〜α５は遮蔽部によって形成された非注入領域を、α１ａ〜α５ａは特長部を、小さな白丸から延びる点線矢印は、対向する角部から見える方向を表わしている。
【００４１】
図７は、マスクＭ１を用いて形成された注入領域（不純物導入部）の一例を示す模式平面図である。図７において、符号１０３ａｓは、基板１０１の対向する一方の角部の位置に形成された未注入領域１０３Ａａの特長部である。符号１０３ｃｓは、基板１０１の対向する他方の角部の位置に形成された未注入領域１０３Ａｃの特長部である。
特長部（マーク）１０３ｓどおしを結ぶ直線、すなわち、一方の特長部１０３ａｓと他方の特長部１０３ｃｓとを結ぶ直線において、１／２となる地点Ｃを求めることにより、基板の中心位置情報が得られる。
【００４２】
図２３は、未注入領域と注入領域の識別状況を観察した写真である。図２３（ａ）が一方の角部の写真であり、図２３（ｂ）が他方の角部（一方の角部と対向する位置にある角部）の写真である。
図２３（ａ）においては、右向きに鋭角をなす頂部を有する三角形が確認される。これに対して、図２３（ｂ）においては、左向きに鋭角をなす頂部を有する三角形が確認される。各三角形の頂部が上述した特長部（マーク）１０３ｓとして利用される。
【００４３】
図２２（ａ）の非注入領域は、長首状の先端に○型の特長部α１ａが配置された構成例であり、特長部α１ａは凸部を成している。
図２２（ｂ）の非注入領域は、長首状の先端に×型の特長部α２ａが配置された例である。特長部α２ａは凹部を成している。
図２２（ｃ）の非注入領域は、頂点が鋭角からなる△型の特長部α３ａが配置された構成例であり、特長部α３ａは凸部を成している。
図２２（ｄ）の非注入領域は、二山の間に凹部を有するＭ字状の特長部α４ａが配置された構成例であり、特長部α４ａは凹部を成している。
図２２（ｅ）の非注入領域は、細いＩ字状の特長部α５ａが配置された構成例であり、特長部α５ａは凸部を成している。
本発明の特長部は、図２２（ａ）〜図２２（ｅ）のいずれの形状であってもよい。また、対向する角部に設ける特長部は、同じ形状に限定されるものではなく、異なる形状としても構わない。
【００４４】
＜マスクＭ２〜Ｍ５＞
図６は、本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ２〜Ｍ５の一例を示す模式平面図である。
図６（ａ）のマスクＭ２は、基板１０１の他面１０１ｂに対して、ボロン（Ｂ）イオン等のｐ型イオンを注入し、フィンガー部をなすｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４を形成するための開口部Ｓ１を有する。
図６（ｂ）のマスクＭ３は、基板１０１の他面１０１ｂに対して、ボロン（Ｂ）イオン等のｐ型イオンを注入し、バスバー部をなすｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４を形成するための開口部Ｓ２を有する。
図６（ｃ）のマスクＭ４は、基板１０１の他面１０１ｂに対して、リン（Ｐ）イオン等のｎ型イオンを注入し、フィンガー部をなすｎ＋  部位（領域Ｃ）を形成するための開口部Ｓ３を有する。
図６（ａ）のマスクＭ５は、基板１０１の他面１０１ｂに対して、リン（Ｐ）イオン等のｎ型イオンを注入し、バスバー部をなすｎ＋  部位（領域Ｃ）を形成するための開口部Ｓ４を有する。
【００４５】
図８は、マスクＭ２〜Ｍ５を用いて形成された注入領域（不純物導入部）の一例を示す模式平面図である。
図８（ａ）は、マスクＭ２の開口部Ｓ１とマスクＭ３の開口部Ｓ２によって、ｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４が形成されることを表わしている。
図８（ｂ）は、マスクＭ４の開口部Ｓ３とマスクＭ５の開口部Ｓ４によって、ｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５が形成されることを表わしている。
上述した基板の中心位置情報を用い、基板に対してマスクＭ２〜Ｍ５を適切な位置に配置してイオン注入を行うことにより、図８（ｂ）に示すように、ｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４とｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５とが、所定の離間部Ｄを介して、それぞれ局所的に所望の位置に配置される。
【００４６】
図９は、本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ１の他の一例を示す模式平面図である。図１０〜図１３は、本発明に係る製造装置が備えるマスクＭ２〜Ｍ５の他の一例を示す模式平面図である。図１０のみ、２つのマスクＭ１とマスクＭ２を重ねて描写することにより、両者の重なり具合が把握できるようにした。
図１４は、図１０と図１１のマスクを用いて形成されたイオン注入部の一例を示す模式平面図である。図１５は、図１２と図１３のマスクを用いて形成されたイオン注入部の一例を示す模式平面図である。
【００４７】
前述した図５〜図６は開口部の配置が実験レベルとした構成例であるのに対して、図９〜図１３は開口部の配置が実用レベル（基板の全域を十分に活用）とした構成例である。図１０〜図１３の各図の中に記載された数字は、ｍｍ単位の寸法である。
なお、図９〜図１５では、説明の都合上、基板サイズに対して各マスクの構造を拡大して描写してある。すなわち、図９〜図１５は模式的な拡大図ある。実際には、各パターン幅が１ｍｍ程度ゆえに、基板全体では百本以上になる。
【００４８】
図９において、マスクＭ１に重ねてメッシュ状に描写した領域がイオンの注入領域であり、マスクＭ１の開口部を介してイオン注入することによって、基板の一面（表面）に形成される。その際、基板の４箇所の角部にある白色の部分が未注入領域である。
【００４９】
マスクＭ２（図１０）には、０．３ｍｍ幅の開口部Ｓ１が０．７ｍｍ間隔（ピッチ）で配置されている。図１におけるｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４のうち、櫛歯部１０３ｆを形成するための開口部Ｓ１を有する。ｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４のうち、フィンガー部（櫛歯部）７０３ｆを形成するために、図６（ａ）のマスクＭ２と同じ目的で、図１０のマスクＭ２も用いられる。
すなわち、図１４に示すように、図１０のマスクＭ２によって形成される各櫛歯部７０３ｆの先端位置は、直線（下方の二点鎖線）をなすように構成される。また、各櫛歯部７０３ｆの後端位置は、図１１のマスクＭ３を用いて作製される基板の縁に沿った連結部７０３ｂの位置（上方の二点鎖線）と重なるように構成される。
【００５０】
マスクＭ３（図１１）には、２ｍｍ幅の開口部Ｓ２が基板の縁から内側０．５ｍｍに配置されており、図１におけるｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４のうち、連結部１０３ｂを形成するために、図６（ｂ）のマスクＭ３と同じ目的で、図１１のマスクＭ２も用いられる。
すなわち、図１４に示すように、図１１のマスクＭ３によって作製される連結部７０３ｂは、基板の縁に沿って配置され、上述した各櫛歯部７０３ｆの後端位置と重なるように構成される。これにより、ｐ＋  部位（Ａ）７０３を構成する各櫛歯部７０３ｆと連結部７０３ｂは、電気的に接続された領域として機能する。
【００５１】
マスクＭ４（図１２）には、０．４ｍｍ幅の開口部Ｓ３が０．６ｍｍ間隔（ピッチ）で配置されている。図１におけるｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５のうち、櫛歯部１０４ｆを形成するために、図６（ｃ）のマスクＭ４と同じ目的で、図１２のマスクＭ４も用いられる。
マスクＭ３（図１２）の開口部Ｓ３が、マスクＭ１（図１０）のピッチ内に収まり、かつ、マスクＭ３（図１２）の開口部Ｓ３とマスクＭ１（図１０）の開口部Ｓ１が互いに離間した位置をなすように構成される。
【００５２】
つまり、マスクＭ２（図１０）における０．７ｍｍのピッチ内に、マスクＭ４（図１２）における０．４ｍｍの開口部Ｓ３が配置されるとともに、マスクＭ４（図１２）における０．６ｍｍのピッチ内に、マスクＭ２（図１０）における０．３ｍｍの開口部Ｓ１が配置される。
すなわち、図１５に示すように、図１２のマスクＭ４によって作製される各櫛歯部７０４ｆの先端位置は、直線（上方の二点鎖線）をなすように構成される。また、作製される各櫛歯部７０４ｆの後端位置は、図１３のマスクＭ５を用いて作製される基板の縁に沿った連結部７０４ｂの位置（下方の二点鎖線）と重なるように構成される。
【００５３】
マスクＭ５（図１３）には、２ｍｍ幅の開口部Ｓ４が基板の縁から内側０．５ｍｍに配置されており、図１におけるｎ＋  部位（領域C）１０５のうち、連結部１０４ｂを形成するために、図６（ｄ）のマスクＭ５と同じ目的で、図１３のマスクＭ５も用いられる。
すなわち、図１５に示すように、図１３のマスクＭ５によって作製される連結部７０４ｂは、基板の縁に沿って配置され、上述した各櫛歯部７０４ｆの後端位置と重なるように構成される。これにより、ｎ＋  部位（領域C）７０５を構成する各櫛歯部７０４ｆと連結部７０４ｂは、電気的に接続された領域として機能する。
【００５４】
上述した図１０〜図１３に示すマスクＭ２〜Ｍ５を用いた一連の工程によっても、基板１０１の他面１０１ｂに、基板の第一導電型と同じ導電型（ｐ型）の部位Ｂ１０４および前記第一導電型と異なる導電型（ｎ型）の部位Ｃ１０５が、互いに離間して配置されてなるバックコンタクト型結晶系太陽電池１００が形成される［図１］。ここで、部位Dは、基板１０１であって、ｐ＋  部位（領域B）とｎ＋  部位（領域C）の間に位置する離間部を表わしている。
【００５５】
図１６は、本発明に係るバックコンタクト型結晶系太陽電池の製造工程を示すフロー図である。図１６（ａ）がメイン・フローであり、図１６（ｂ）〜図１６（ｅ）はサブ・フローを表わしている。
図１６（ａ）に示すとおり、本発明の製造工程をなすメイン・フローは、前処理工程Ｓ００、基板の表面側の不純物注入工程Ｓ１０、基板の上下面逆転工程Ｓ２０、基板の裏面側の第１センターアライメント工程（イオン注入にて部位（Ａ）形成：表面側）Ｓ３０、裏面側の第１不純物注入工程Ｓ４０、基板の裏面側の第２センターアライメント工程Ｓ５０、裏面側の第２不純物注入工程Ｓ６０、電極形成工程Ｓ７０、後処理工程Ｓ８０、から構成される。
【００５６】
図１６（ｂ）に示すとおり、基板の裏面側の第１センターアライメント工程Ｓ３０は、基板載置工程Ｓ３１、基板撮像工程Ｓ３２、センター（基板中心）演算工程Ｓ３３、処理位置調整工程Ｓ３４、から構成される。
図１６（ｃ）に示すとおり、裏面側の第１不純物注入工程Ｓ４０は、イオン注入にて部位（Ｂ）のフィンガー部形成Ｓ４１、イオン注入にて部位（Ｂ）のバスバー部形成Ｓ４２、から構成される。
図１６（ｄ）に示すとおり、基板の裏面側の第２センターアライメント工程Ｓ５０は、基板載置工程Ｓ５１、基板撮像工程Ｓ５２、センター（基板中心）演算工程Ｓ５３、処理位置調整工程Ｓ５４、から構成される。
図１６（ｅ）に示すとおり、裏面側の第２不純物注入工程Ｓ６０は、イオン注入にて部位（Ｃ）のフィンガー部形成Ｓ６１、イオン注入にて部位（Ｂ）のバスバー部形成Ｓ６２、から構成される。
【００５７】
以下では、本発明に係る結晶系太陽電池の製造方法において、採用されるイオン注入の条件について説明する。
前述したように、本発明では、開口部の形状が異なるマスクを用いることにより、アモルファスＳｉ層の領域に対して、イオン注入された部位Ａ１０３と部位Ｂ１０４を自在に作製できる。この部位Ａと部位Ｂは何れも、アモルファスＳｉ層１０２に内在したものとなり、イオン注入条件を変更することにより、部位Ａと部位Ｂについて個別に、その深さ方向における濃度分布や注入プロファイを自由に制御できる。
【００５８】
図１７は、リン（Ｐ）のイオンエネルギーを変えて、基板の深さ方向に観測したリン（Ｐ）濃度のプロファイルを示すグラフである。
このグラフより、イオン注入する際のイオンエネルギー［ｋｅＶ］を、３、６、１５と変えた場合、リン濃度［ａｔｏｍａ／ｃｍ３］が１０＋１８となる基板の深さ方向の位置［ｎｍ］は、およそ３０、４３、７８となることが確認される。これにより、各深さ位置において、所定のリン濃度となるように、基板の一面に形成するｎ＋  部位（領域Ａ）１０２や、基板の他面に形成するｎ＋  部位（領域Ｃ）１０５を深さ方向に形成できる。
【００５９】
ボロン（Ｂ）についても、上述したリン（Ｐ）における、基板の深さ方向に観測したリン（Ｐ）濃度のプロファイルと同様の関係が成立していることが確認された。ゆえに、この関係を利用することにより、所定のボロン濃度となるように、基板の他面に形成するｐ＋  部位（領域Ｂ）１０４を深さ方向に形成できる。
【００６０】
本実施形態の太陽電池の製造方法では、上述した基板に対するイオン注入は、たとえば、図１８に示すイオン注入装置１０を用いて行う。図１８は、本発明において、ｐ型イオン注入工程およびｎ型イオン注入工程に用いる、イオン注入装置１０の模式断面図である。図２１は、イオン注入装置１０において、基板Ｓを載置する支持台（基板ステージ）１２を示す模式平面図である。
【００６１】
イオン注入装置１０は、図１８に示すように、処理室１１内で被処理基板Ｓを載置する支持台１２と、支持台１２に載置した基板Ｓに図示しないイオン源からイオンを照射するイオン照射手段と、このイオンを基板Ｓに照射する照射領域を規定するマスク１３と、支持台１２をＸ−Ｙ−Ｚ方向および支持台１２を支持する支持軸１４を中心に任意角度θ回転可能な支持台位置設定手段１５と、支持台１２を挟んでマスク１３と反対側に位置する複数のデジタルカメラ（撮像装置）１６ａ、１６ｂと、デジタルカメラ１６ａ、１６ｂが処理室内を撮像可能なように設けられた窓部１７と、を有する。
【００６２】
支持台１２には、図１８、図２１に示すように、基板Ｓを載置する底部を貫通する少なくとも２箇所の撮像穴１２ａ，１２ｂが設けられている。
撮像穴１２ａ，１２ｂは、基板Ｓの対角位置にあるコーナー部Ｓｃ，Ｓｄ周辺と対応する部分に設けられ、マスク１３近傍に基板Ｓを位置し、イオン注入処理可能な状態とした際に、後述するようにシリコン基板Ｓの表面１０１ａに設けた特長部を、支持台１２を貫通した撮像穴１２ａ，１２ｂを介して撮像可能なように位置されている。また、撮像穴１２ａ，１２ｂは、識別辺Ｓｇ，Ｓｈ，Ｓｊ，Ｓｋをいずれも撮像可能な大きさに設定されている。
支持台１２は、その中心部において支持軸１４によって支持され、支持軸１４は、支持台１２をＸ−Ｙ−Ｚ方向およびθ回転可能な支持台位置設定手段１５によって駆動可能とされている。
【００６３】
マスク１３は、シリコン製の板１３ａ上に、アルミナ等の遮蔽膜１３ｂをスパッタリング等により所定膜厚で成膜し、この遮蔽膜１３ｂに、選択エミッタ構造に応じて、エッチング等により所定間隔でライン状の開口１３ｃを設け、この開口１３ｃに通じる透孔１３ｄを板１３ａに設けたものが用いられる。このマスク１３は、処理室１１を形成する上側隔壁に固定される。イオン照射時には、支持台位置設定手段１５により、マスク１３に対する支持台１２の位置が調整される。
【００６４】
ＣＣＤカメラ等のデジタルカメラ（撮像手段）１６ａ、１６ｂは、撮像穴１２ａ，１２ｂおよび窓部１７を介して基板Ｓを撮像するものであり、撮像穴１２ａ，１２ｂに対応してそれぞれ１つずつが、処理室１１に対して位置を固定するように処理室外部に設けられている。
【００６５】
ここで、ｐ型イオンの注入量やｎ型イオンの注入量は、後述するアニール処理後のｎ＋  部位（Ｂ）１０４のシート抵抗、及び、ｐ＋  部位（Ａ）１０３のシート抵抗と、バックコンタクト型結晶系太陽電池の光電変換効率との関係から、太陽電池１００を製造する上での最適値として決定される。ただし、ｎ＋  部位（Ｂ）１０４におけるｎ型イオンの濃度は、少なくとも基板１０１におけるｎ型イオンの濃度より高く設定されているものとする。
【００６６】
次に、後処理工程で行われるアニール処理は、たとえば、図１９に示すアニール処理装置１３００を用いて行う。図１９に示すアニール装置１３００は、縦型加熱炉を採用し、バッチ式で、１カセットに１枚の基板（ｐ型およびｎ型イオン注入工程後の基板）がセットされ、このカセットを複数枚、同時に熱処理することが可能とされている。
図１９のアニール装置１３００は、加熱室１３１０と前室１３２０から構成されており、加熱室１３１０の内部空間１３１２と前室１３２０の内部空間１３２２は、仕切弁１３１４によって遮断可能とされている。
【００６７】
前室１３２０の内部空間１３２２において、表裏が露呈した状態となるように基板の外周部を保持したカセット１３０１を複数枚、多段に重ねてなるカセットラック１３０３を、カセットベース１３０２上に配置する。
加熱室１３１０の内部空間１３１２を大気開放した状態で仕切弁１３１４を開けて、この状態にあるカセットベース１３０２を、前室１３２０の内部空間１３２２から加熱室１３１０の内部空間１３１２へ、不図示の移動手段により上昇させる（上向き矢印）。その後、仕切弁１３１４を閉じ、排気手段（Ｐ）１３１５を用いて、加熱室１３１０の内部空間１３１２を減圧雰囲気とする。なお、加熱室１３１０の内部空間１３１２を減圧雰囲気とはせず、そのまま後述のアニールガスを導入し、大気圧アニールを行ってもよい。
【００６８】
その後、加熱室１３１０の内部空間１３１２に、アニールガスを導入し、管理された雰囲気下で、所定の温度プロファイルにより、大気圧アニール処理を行う。ここで、導入するガスは窒素ガスであり、これに水素ガスを添加して用いてもよい。このように、アニールガスに水素を添加することで、第二、第三工程においてｉ型ａ−Ｓｉ層に注入された水素が、加熱により基板から離脱することを補うことが可能となる。一例としては、窒素ガスに対し３％水素を添加したアニールガスを利用する。
基板温度を所定の温度以下とした後、上記ガスの導入を停止し、加熱室１３１０の内部空間１３１２を大気開口した状態として仕切弁１３１４を開ける。その後、カセットベース１３０２を、加熱室１３１０の内部空間１３１２から前室１３２０の内部空間１３２２へ、不図示の移動手段により下降させる（下向き矢印）。
【００６９】
以上の手順により、本発明のアニール処理は行われる。その際、アニール処理の条件は、基板内部における、ｎ型イオン及びｐ型イオンの拡散係数に応じた最適な条件として決定される。たとえば、アニール処理の温度［℃］は、６００以上１１００以下であることが望ましい。これは、注入したイオンを活性化させて、目標の抵抗値を得るためである。
【００７０】
電極形成工程は、前記第一導電型と異なる導電型（ｐ型）の部位Ｂ１０４および前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ｃ１０５を含む、基板１０１の他面１０１ｂの全域を覆うように、金属膜（たとえばＣｕ膜）を形成する。金属膜は、所望のパターニング処理を施すことで、電極として利用される。金属膜としては、Ｃｕ膜の他に、Ａｇ膜などが好適に用いられる。ただし、電極は金属膜に限定されるものではなく、金属膜に代えて透明導電膜を用いてもよい。
上記金属膜の形成には、たとえば、公知のスパッタリング装置を用いて行う。
以上では、電極形成工程として、スパッタリング装置を用いて金属膜を成膜する方法を挙げたが、印刷法で電極をパターニングしつつ形成しても良い。
【００７１】
図２４は従来の太陽電池の製造工程（図２５）を示すフロー図であり、図１６は本発明の太陽電池の製造工程（図３、図４）を示すフロー図である。従来例と本発明の相違点は以下に詳述する。
【００７２】
従来のＨＢＣ型の結晶系太陽電池は、図２４に示すとおり、図２５（ａ）〜図２５（ｊ）の工程フローを経て初めて形成される。すなわち、「ｉ型ａ−Ｓｉ成膜、ｎ型ａ−Ｓｉ成膜、レジスト塗布・パターニング、エッチング、レジスト剥離、エッチストッパー成膜・パターニング、ｉ型ａ−Ｓｉ成膜、ｐ型ａ−Ｓｉ成膜、レジスト塗布・パターニング、エッチング、レジスト剥離、エッチストッパー剥離、離間部にのみｉ型ａ−Ｓｉ成膜」からなる１３もの工程処理を順に行うことにより製造される。
これに対し、本発明のバックコンタクト型結晶系太陽電池は、図１６に示すとおり、不純物注入工程（イオン注入工程）を３回繰り返すだけで、基板の表面に部位Ａを、基板の裏面に部位Ｂと部位Ｃとを、各々形成することができる。
【００７３】
また、従来の仮想線を用いる方法（特許文献４）では、２点間の距離が測定する度に毎回変わる。これに対して、本発明の方法によれば、特長部（マーク）が基板上に存在するため、特長部（マーク）間の距離が確実に決まり、測定する度に変動することがない。ゆえに、特長部（マーク）間の１／２の地点である基板の中心位置も必ず同じ位置になる。したがって、本発明によれば、マスクと基板との相対的な位置合わせを高精度に行うことができるので、イオン注入領域を設ける位置精度の向上が図れる。これにより、本発明は、基板の裏面側に配された（、２つの電極とそれぞれ導通する、）２つの異なる導電型の部位を、所望の離間距離を保って位置精度よく形成できる、バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法をもたらす。
【００７４】
なお、上述した実施形態では、バックコンタクト型結晶系太陽電池の例として、ＩＢＣ（Interdigitated Back Contact）セルに適用した場合について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、バックコンタクト構造（ＩＢＣ）とヘテロ接合を組み合わせたＨＢＣ（Heterojunction Back Contact）セルにおいても、本発明は有効である。
【００７５】
また、上述した実施形態では、第一導電型である基板の光が入射する一面に配され、前記第一導電型と同じ導電型（ｎ型）の部位Ａ（＝ｎ＋層）を形成する工程αが、前記部位Ａを形成するためにイオン注入法を用いる例について詳述したが、本発明はイオン注入法に代えて、たとえばプラズマ拡散法を用いても構わない。
【００７６】
本発明によれば、従来の製造方法に比べて極めてシンプルな工程によって、バックコンタクト型結晶系太陽電池を作製することができる。すなわち、本発明のバックコンタクト型結晶系太陽電池は、従来の工程から「高価なフォトリソ工程やエッチング工程」が不要となる。ゆえに、図１６に示す本発明によれば、従来必要とした複雑な工程を削減できるので、より安定した工程管理において製造が可能となる。すなわち、高価な製造装置が不要となることから、本発明は安価なバックコンタクト型結晶系太陽電池の提供に寄与する。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、バックコンタクト型結晶系太陽電池に広く適用可能である。このようなバックコンタクト型結晶系太陽電池は、たとえば、単位面積当たりの高い発電効率に加えて、稼働状況における軽量化も求められるタイプの太陽電池として好適に用いられる。
【符号の説明】
【００７８】
１００  バックコンタクト型結晶系太陽電池、１０１  基板、１０１ａ  一面、１０１ｂ  他面、１０２  部位Ａ、１０３Ａａ〜１０３Ａｄ  未注入領域、１０４  部位Ｂ、１０５  部位Ｃ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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