(57)【要約】【課題】洗浄工程などにより発生する、ハードマスク膜上の貫通型ピンホール欠陥の発生リスクを低減することができるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】露光光に対して透明性を有する基板上にパターン形成膜を形成し、パターン形成膜上に膜厚Ｔのハードマスク膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法であって、ハードマスク膜の形成において、ハードマスク膜の膜厚Ｔよりも小さい膜厚を有する薄膜を成長させる工程と、薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とを２回以上繰り返すことで、膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光に対して透明性を有する基板上にパターン形成膜を形成し、該パターン形成膜上に膜厚Ｔのハードマスク膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜の形成において、
前記ハードマスク膜の膜厚Ｔよりも小さい膜厚を有する薄膜を成長させる工程と、該薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とを２回以上繰り返すことで、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスク膜の形成において、前記薄膜を成長させる工程で成長させる前記薄膜の膜厚をＴ／Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）とし、前記薄膜を成長させる工程と前記薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記ハードマスク膜の形成において、Ｍ回目の前記薄膜を成長させる工程で成長させる前記薄膜の膜厚をＴＭ（但し、Ｍは自然数でありＮ≧Ｍ≧１を満たし、Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋・・・＋ＴＮ）とし、前記薄膜を成長させる工程と前記薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記ハードマスク膜を構成する各薄膜を、遷移金属と珪素のいずれか一方又は両方を含有し、全ての前記薄膜で軽元素以外の構成元素が同一のものとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスク膜は珪素又はクロムを含むことを特徴とする請求項４に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、及びＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクは、基本的には透光性基板上に遮光性を有する遮光膜や、位相シフト膜を有するフォトマスクブランクの該遮光膜や該位相シフト膜に、フォトリソグラフィ法を応用して紫外線や電子線等を使用することにより、所定のパターンを形成したものである。これら遮光膜や位相シフト膜にはクロムを主成分とした膜や、ケイ素や、ケイ素とモリブデンなどの遷移金属を主成分とした膜が用いられている。
【０００３】
近年、半導体加工においては、特に大規模集積回路の高集積化により、回路パターンの微細化がますます必要になってきており、回路を構成する配線パターンの細線化や、セルを構成する層間の配線のためのコンタクトホールパターンの微細化技術への要求がますます高まってきている。そのため、これらの配線パターンやコンタクトホールパターンを形成する光リソグラフィーで用いられる、回路パターンが書き込まれたフォトマスクの製造においても、上記微細化に伴い、より微細かつ正確に回路パターンを書き込むことができる技術が求められている。
【０００４】
より精度の高いフォトマスクパターンをフォトマスク基板上に形成するためには、まず、フォトマスクブランク上に高精度のレジストパターンを形成することが必要になる。実際の半導体基板を加工する際の光リソグラフィーは縮小投影を行うため、フォトマスクパターンは実際に必要なパターンサイズの４倍程度の大きさであるが、それだけ精度が緩くなるというわけではない。
【０００５】
更に、既に現在行われているリソグラフィーでは、描画しようとしている回路パターンは使用する光の波長をかなり下回るサイズになっており、回路の形状をそのまま４倍にしたフォトマスクパターンを使用すると、実際の光リソグラフィーを行う際に生じる光の干渉等の影響で、レジスト膜にフォトマスクパターン通りの形状は転写されない。そこでこれらの影響を減じるため、フォトマスクパターンは実際の回路パターンより複雑な形状（いわゆる、ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ（光学近接効果補正）などを適用した形状）に加工する必要が生じる場合もある。そのため、フォトマスクパターンを得るためのリソグラフィー技術においても、現在、更に高精度な加工方法が求められている。
【０００６】
フォトマスクパターンの形成においては、例えば、透明基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクの上にフォトレジスト膜を形成し、電子線によるパターンの描画を行い、現像を経てレジストパターンを得て、そして、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、遮光膜をエッチングして遮光パターンへと加工する。しかし、遮光パターンを微細化する場合にレジスト膜の膜厚を微細化前と同じように維持したままで加工しようとすると、パターンに対する膜厚の比、いわゆるアスペクト比が大きくなって、レジストのパターン形状が劣化してパターン転写がうまくいかなくなったり、場合によってはレジストパターンの倒れや剥がれを起こしたりしてしまう。そのため、微細化に伴いレジスト膜厚を薄くする必要がある。
【０００７】
また、ドライエッチング時のレジストへの負担を減らすために、ハードマスクを使用するという方法は古くより試みられており、例えば、特許文献１では、ＭｏＳｉ２上にＳｉＯ２膜を形成し、これを、塩素を含むガスを用いてＭｏＳｉ２をドライエッチングする際のエッチングマスクとして使用することが報告されており、また、ＳｉＯ２膜が反射防止膜としても機能し得ることが記述されている。また、位相シフト膜の上に遮光膜としてクロムを用い、その上にＳｉＯ２膜をハードマスクとして用いることは、例えば特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−８５５５３号公報
【特許文献２】特開平７−４９５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ハードマスク膜を有するフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを作製する場合、マスクパターンはまずハードマスク膜に形成され、ハードマスク膜をエッチングマスクに用いて、その下にある遮光膜や位相シフト膜などのパターン形成膜に、ハードマスク膜に形成されたマスクパターンを転写する。したがって、ハードマスク膜に、ハードマスク膜を貫く孔である貫通型ピンホールがあると、ハードマスク膜のピンホールはそのままパターン形成膜に転写され欠陥となるという問題があり、貫通型ピンホールを低減する必要がある。
【００１０】
図５は、従来のフォトマスクブランクの製造工程で発生する貫通型ピンホール欠陥の例を示す図である。フォトマスクブランク１１０は、図５（ｄ）のように、基本的には、基板１０１上に少なくとも１層以上のパターン形成膜１０２（光学薄膜）が形成され、その上にハードマスク膜１０３が形成されたものである。図５（ａ）に示すように、パターン形成膜１０２上に異物欠陥が存在し、図５（ｂ）のように、その上にハードマスク膜１０３が形成された場合、ハードマスク膜１０３に異物欠陥が埋まった状態となる。この異物欠陥は、フォトマスクブランク１１０の洗浄を経ることで、図５（ｃ）のように除去される。このため、図５（ｄ）のようにハードマスク膜１０３の一部が破壊され、ハードマスク膜１０３を貫通するピンホール欠陥が発生する。ハードマスク膜１０３にこのような貫通型ピンホール欠陥が形成されると、ハードマスク膜１０３をエッチングマスクにしてパターン形成膜１０２をエッチングしたときに、ハードマスク膜１０３のピンホール欠陥もパターン形成膜１０２に転写され、パターン形成膜１０２のパターン欠陥となってしまう。
【００１１】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、洗浄工程などにより発生する、ハードマスク膜上の貫通型ピンホール欠陥の発生リスクを低減することができるフォトマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、露光光に対して透明性を有する基板上にパターン形成膜を形成し、該パターン形成膜上に膜厚Ｔのハードマスク膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記ハードマスク膜の形成において、前記ハードマスク膜の膜厚Ｔよりも小さい膜厚を有する薄膜を成長させる工程と、該薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とを２回以上繰り返すことで、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【００１３】
このように、ハードマスク膜を複数回に分けて形成し、毎回の薄膜の形成の前に薄膜上の異物欠陥を洗浄により除去してから次の薄膜の形成を行うことで、洗浄などによって各薄膜に生じたピンホールを次の薄膜の成長で充填して埋めることができる。これにより、ハードマスク膜上の貫通型ピンホール欠陥の発生リスクを低減することができる。
【００１４】
このとき、前記ハードマスク膜の形成において、前記薄膜を成長させる工程で成長させる前記薄膜の膜厚をＴ／Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）とし、前記薄膜を成長させる工程と前記薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することができる。
【００１５】
このように、毎回同じ厚さでハードマスク膜を構成する薄膜を成長させることができる。また、このようにすれば、毎回の薄膜の成長条件を固定することができるため、より簡便な製造工程とすることができる。
【００１６】
また、前記ハードマスク膜の形成において、Ｍ回目の前記薄膜を成長させる工程で成長させる前記薄膜の膜厚をＴＭ（但し、Ｍは自然数でありＮ≧Ｍ≧１を満たし、Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋・・・＋ＴＮ）とし、前記薄膜を成長させる工程と前記薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、前記膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することができる。
【００１７】
このように、異なる厚さでハードマスク膜を構成する各々の薄膜を成長させてもよい。
【００１８】
また、前記ハードマスク膜を構成する各薄膜を、遷移金属と珪素のいずれか一方又は両方を含有し、全ての前記薄膜で軽元素以外の構成元素が同一のものとすることが好ましい。
【００１９】
このようにすれば、ハードマスク膜が厚さ方向に同一のエッチング特性を有する膜となる。
【００２０】
このとき、前記ハードマスク膜は珪素又はクロムを含むことが好ましい。
【００２１】
ハードマスク膜は、より具体的には、これらのような元素を含むことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のフォトマスクブランクの製造方法であれば、洗浄工程などにより発生する、ハードマスク膜上の貫通型ピンホール欠陥の発生リスクを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のフォトマスクブランクの製造方法の一例を示す図である。
【図２】薄膜の成膜回数Ｎとピンホールの充填率の関係を示すグラフである。
【図３】実施例におけるフォトマスクブランクの製造方法を示す図である。
【図４】実施例で測定したピンホール欠陥の断面形状を示すグラフである。
【図５】従来のフォトマスクブランクの製造工程で発生するピンホール欠陥の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２５】
本発明は遮光膜や位相シフト膜などのパターン形成膜にパターンを形成するためのハードマスク膜を有するフォトマスクブランクを製造する方法である。特に、レジスト膜を除いた最上層にハードマスクを有する構成において効果が大きい。以下、図１を参照して、本発明のフォトマスクブランクの製造方法を説明する。まず、図１（ａ）のように、露光光に対して透明性を有する基板１上にパターン形成膜２を形成する。ここまでは、従来と同様の手順とすればよい。基板１としては、例えば、石英ガラス基板などを用いることができる。パターン形成膜２は、一般的な遮光膜や位相シフト膜を形成すればよく、作製するフォトマスクに合わせて適宜変更すればよい。また、パターン形成膜２を形成した後に洗浄を行っても良い。
【００２６】
次に、パターン形成膜２上に膜厚Ｔのハードマスク膜を形成するが、本発明では、ハードマスク膜の形成において、ハードマスクの膜厚Ｔよりも小さい膜厚を有する薄膜を成長させる工程と、該成長させた薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とを２回以上繰り返すことで、膜厚Ｔのハードマスク膜を形成する。ここでは、膜厚Ｔのハードマスク膜を２回に分けて形成する場合を例に説明する。
【００２７】
すなわち、まず、図１（ｂ）のように、１回目の、ハードマスクの膜厚Ｔよりも小さい膜厚を有する薄膜３ａを成長させる工程を行う。ここでは、１回目の薄膜の成長工程で、最終的な膜厚Ｔの半分であるＴ／２の膜厚のハードマスク膜（薄膜３ａ）を形成する場合を例示した。
【００２８】
次に、図１（ｃ）のように、１回目の薄膜の成長工程で成長させた薄膜３ａ上の異物を洗浄により除去する。図１（ａ）に示すように、パターン形成膜２上に異物欠陥が存在していた場合、図１（ｂ）に示すように、Ｔ／２の膜厚のハードマスク膜（薄膜３ａ）に異物欠陥が埋まった状態となる。この異物欠陥が、基板の洗浄工程を経ることで、図１（ｃ）に示すように除去され、図１（ｄ）の貫通型ピンホール欠陥が形成される。
【００２９】
次に、図１（ｅ）のように、２回目の薄膜の成長工程で、所定膜厚Ｔの残り半分であるＴ／２のハードマスク膜（薄膜３ｂ）を成膜し、所定膜厚Ｔのハードマスク膜３を得る。このとき、薄膜３ａを貫通していたピンホール欠陥は、薄膜３ｂが形成されることで、図１（ｅ）に示すように薄膜３ｂで塞がれた状態となる。このようにして、パターン形成膜に欠陥を生じさせる貫通型ピンホール欠陥が、非貫通型のピンホール欠陥となる。
【００３０】
次に、図１（ｆ）に示すように、２回目の薄膜の成長工程で成長させた薄膜３ｂ上の異物、すなわち、最終的に膜厚Ｔとなったハードマスク膜３上の異物を洗浄により除去する。
【００３１】
以上のような製造方法により、フォトマスク上で修正不可能な致命欠陥となりうる貫通型ピンホール欠陥が低減されたフォトマスクブランク１０が得られる。
【００３２】
図２は、所定膜厚ＴをＮ層に等しく分割して、Ｎ回の薄膜の成膜、洗浄工程を実施した場合のピンホール欠陥の充填率を示すグラフである。ピンホールの充填率は、（Ｔ−Ｔ／Ｎ）／Ｔ＝（Ｎ−１）／Ｎで表される。よって、例えば、Ｎ＝２の場合、５０％の穴が塞がれ、Ｎ＝３の場合、６７％の穴が塞がれることになる。分割数Ｎが多くなると、充填率も大きくなるため、貫通型ピンホールのリスクが、より低減されていくことになる。貫通型ピンホールの低減とフォトマスクブランクの生産効率のバランスを考慮すると、Ｎの最大値は３回以下であることが好ましい。
【００３３】
また、本発明では、ハードマスク膜の形成において、薄膜を成長させる工程で成長させる薄膜の膜厚をＴ／Ｎ（但し、Ｎは２以上の自然数）とし、薄膜を成長させる工程と薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することができる。即ち、全ての薄膜の成長工程で成長させる薄膜の厚さを同一とすることができる。
【００３４】
また、ハードマスク膜の形成において、Ｍ回目の薄膜を成長させる工程で成長させる薄膜の膜厚をＴＭ（但し、Ｍは自然数でありＮ≧Ｍ≧１を満たし、Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋・・・＋ＴＮ）とし、薄膜を成長させる工程と薄膜上の異物を洗浄により除去する工程とをＮ回繰り返して、膜厚Ｔのハードマスク膜を形成することができる。このように、各回で異なる厚さで薄膜を成長させてもよい。
【００３５】
本発明で形成されるハードマスク膜は、遮光膜や位相シフト膜などのフォトマスクパターン形成膜のパターン形成で用いられるエッチングにおいて、エッチングされない膜であることが好ましい。
【００３６】
例えば、パターン形成膜が塩素ガスと酸素ガスを用いる塩素酸素系のドライエッチングされる場合には、ハードマスク膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、又はこれらにさらにモリブデンやタンタル、ジルコニアなどの遷移金属を含むものであることが好ましい。また、パターン形成膜がＳＦ６やＣＦ４などのフッ素を含むガス、又はこれにＨｅなどの不活性ガスを添加したガスによってエッチングされる場合には、ハードマスク膜としては、このようなガスでエッチングされないクロムを主とした膜が用いることが好ましく、金属クロムやクロムに酸素、窒素、炭素の少なくとも１つを添加したものが好ましい。よって、ハードマスク膜を構成する各薄膜（図１では薄膜３ａ、３ｂ）には、遷移金属と珪素のいずれか一方又は両方を含有させることが好ましく、その中でも珪素又はクロムを含有させることが特に好ましく、これらの元素の他に、さらに、酸素、窒素、炭素などの軽元素を含有させることができる。
【００３７】
また、フォトマスクブランクの具体的な構成としては、透明基板上で位相シフト膜上に遮光膜を形成し、その上にさらにハードマスク膜を形成した構成、透明基板上に位相シフト膜とエッチングストッパ膜と遮光膜とを順に形成し、これらの上にハードマスク膜を形成した構成、透明基板上に遮光膜を形成し、その上にハードマスク膜を形成した構成、あるいは、透明基板上にエッチングストッパ膜と遮光膜とを順に形成し、その上にハードマスク膜を形成した構成などが挙げられる。
【００３８】
ハードマスク膜は遮光膜や位相シフト膜などのパターン形成膜となる光学膜に対して、パターンを形成するための加工補助膜として用いられる膜である。よって、ハードマスク膜は厚さ方向に同一エッチング特性を有する膜とすることが好ましい。このようなエッチング特性を得るためには、ハードマスク膜を構成する各薄膜を、全ての薄膜で軽元素以外の構成元素が同一のものとすることが好ましい。また、組成比や酸素、窒素、炭素等の軽元素の含有量は異なっていてもよく、ハードマスク膜が組成傾斜膜や多層膜となっていてもよい。
【００３９】
また、フォトマスクブランクのパターン形成膜やハードマスク膜は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に分類される真空蒸着、スパッタリング、電子ビーム蒸着、イオンビームデポジションや、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｔｉｏｎ）に分類される熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどにより金属膜を成膜することで形成することができる。
【００４０】
また、洗浄方法としては、例えば、半導体基板、フォトマスク製造で用いられる超純水とＭＨｚ（メガヘルツ）オーダーの超音波を用いたメガソニック洗浄、アンモニア水と過酸化水素水の混合液を用いたＡＰＭ（Ａｍｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ  ／  Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ  Ｍｉｘｔｕｒｅ）洗浄、オゾンガスを溶解させたオゾン溶解水を用いたオゾン水洗浄、またはこれらの２以上の組み合わせなどが挙げられる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例）
図３に示すような手順でフォトマスクブランクを製造した。まず、図３（ａ）のような一辺が６インチ（約１５ｃｍ）の正方形の石英ガラス基板１１上に、ターゲットとしてモリブデン珪素ターゲットとシリコンターゲット、スパッタガスとしてアルゴン、窒素、酸素ガスを用いたスパッタ法にてモリブデン、珪素、酸素、窒素からなる位相シフト膜１２ａを図３（ｂ）のように成膜した。さらに、図３（ｃ）のように位相シフト膜１２ａ上にクロムターゲットアルゴンガスと窒素ガスを用いたスパッタ法にて窒化クロムからなる遮光膜１２ｂを成膜した。以上のようにして、位相シフト膜１２ａと遮光膜１２ｂからなるパターン形成膜１２を形成した。
【００４３】
位相シフト膜１２ａ、遮光膜１２ｂの成膜前後には、異物欠陥を除去するために、超純水によるメガソニックスピン洗浄を５分間実施した。
【００４４】
次に、遮光膜１２ｂ上に、スパッタ法にて酸化シリコンからなるハードマスク膜の所定膜厚２０ｎｍを成膜するために、まず、１回目の薄膜の成膜工程と洗浄工程を行った。１回目の薄膜の成長工程では、図３（ｄ）のようにハードマスク膜の所定膜厚の半分の１０ｎｍの薄膜１３ａを成膜し、その後、超純水によるメガソニックスピン洗浄を５分間実施し、異物欠陥を除去した。
【００４５】
次に２回目の薄膜の成膜工程、洗浄工程として、図３（ｅ）のようにハードマスク膜１３の所定膜厚の残り半分の１０ｎｍの薄膜１３ｂを成膜し、１回目と同様に超純水によるメガソニックスピン洗浄を５分間実施した。以上のようにして、ハードマスク膜１３を形成して、フォトマスクブランク１０を製造した。
【００４６】
１回目と２回目の薄膜の成膜、洗浄工程後に基板をレーザーテック社の欠陥検査装置Ｍ６６４０Ｓで検査し、検出されたピンホール欠陥の形状をＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により計測した。
【００４７】
図４（ａ）は、１回目の薄膜の成膜、洗浄工程後に検出されたピンホール欠陥を示し、図４（ｂ）は、２回目の成膜、洗浄工程後のピンホール欠陥の断面形状を示している。１回目の成膜段階では、ハードマスク膜の膜厚は、所定膜厚の半分の１０ｎｍである。この成膜、洗浄工程で発生したピンホール欠陥は、ＡＦＭ計測から深さが１０ｎｍであった。つまり、異物欠陥などが１回目の洗浄工程により除去され、ハードマスク膜が貫通している状態と言える。従来の製造方法では、この段階と同様の状態にあるため、ハードマスク膜上の欠陥がパターン形成膜に転写され、フォトマスクのパターン形成膜で致命欠陥となってしまっていた。
【００４８】
これに対し、２回目の成膜工程段階のピンホール欠陥は、ＡＦＭ計測から、膜厚２０ｎｍのうち、穴の深さは１０ｎｍであることが分かる。これは、２回目の成膜工程のハードマスク膜の膜厚分が充填されたことになる。このような状態のフォトマスクブランクであれば、遮光膜１２ｂに欠陥が転写されず、欠陥が低減されたフォトマスクを得ることができる。
【００４９】
上記の工程の後、ハードマスク膜１３にパターンを形成後、そのパターンを遮光膜１２ｂに転写し、次いで、遮光膜１２ｂをマスクに用いて、位相シフト膜１２ａをエッチングし、ハードマスク膜１３を除去、遮光膜１２ｂを部分的に除去することで、フォトマスクを得ることができる。この時、本発明では、ハードマスク膜に致命的な貫通型ピンホール欠陥がほとんど無いので、形成されるパターンにこれに起因する欠陥がほとんどない。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５１】
１…基板、  ２…パターン形成膜、  ３…ハードマスク膜、
３ａ、３ｂ…ハードマスク膜を構成する薄膜、
１０…フォトマスクブランク、
１１…石英ガラス基板、  １２…パターン形成膜、
１２ａ…位相シフト膜、  １２ｂ…遮光膜、
１３…ハードマスク膜、  １３ａ、１３ｂ…ハードマスク膜を構成する薄膜。
【図１】
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【図２】
2018180083.tif 000004
【図３】
2018180083.tif 000005
【図４】
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【図５】
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