(57)【要約】【課題】本発明では、単層の配線基板の加熱プロセス後も気密空間が保持されると共に配線基板の配線の電気抵抗の上昇及び配線の断線が防がれた電子部品を提供する。【解決手段】電子部品は、ビアホール（１７１）を有する単層の配線基板（１１０）と、ビアホールに充填される導電性材料（１７２）と、ビアホールの表面側開口の全体及び裏面側開口の少なくとも一部を覆うように形成される第１の導電性膜（１６１）と、表面側開口の全体に重なるように第１の導電性膜上に形成される第２の導電性膜（１６２）と、裏面に形成される第１の導電性膜上に形成される第３の導電性膜（１６３）と、配線基板の表面上に形成される電子素子と、配線基板と接合されて気密空間を形成する蓋部材と、を具える。第３の導電性膜には第３の導電性膜を貫通する開口部（１７４）が形成され、開口部は全体が裏面側開口に重なり、開口部の面積が裏面側開口よりも小さい。【選択図】図３
2018133470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から裏面に貫通するビアホールを有し、絶縁性材料により形成される単層の配線基板と、
前記ビアホールに充填される導電性材料と、
前記ビアホールの表面側開口の全体及び裏面側開口の少なくとも一部を覆うように形成され前記導電性材料に導通する第１の導電性膜と、
前記表面側開口の全体に重なるように前記第１の導電性膜上に形成され、前記第１の導電性膜より厚さが厚い第２の導電性膜と、
前記裏面に形成される前記第１の導電性膜上に形成され、前記第１の導電性膜より厚さが厚い第３の導電性膜と、
前記配線基板の前記表面上に形成され、前記第１の導電性膜及び前記第２の導電性膜に接続されている電子素子と、
前記ビアホール及び前記電子素子を覆うと共に、前記配線基板と接合されて気密空間を形成する蓋部材と、を具え、
前記第３の導電性膜には前記第３の導電性膜を貫通する開口部が形成され、前記開口部は全体が前記裏面側開口に重なり、前記開口部の面積が前記裏面側開口よりも小さい電子部品。
【請求項２】
前記導電性材料は導電性ペーストを焼成したものであり、前記第１の導電性膜はスパッタ膜であり、前記第２の導電性膜及び第３の導電性膜はメッキ膜である請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記スパッタ膜は、チタン及びパラジウム、又はチタン及び白金の膜として形成される請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記開口部は、前記ビアホールの前記裏面側開口の中心を中心とする円形又は十字形に形成される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記絶縁性材料は、窒化アルミ、窒化ケイ素、又は炭化ケイ素である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記配線基板の厚さが０．０９ｍｍから０．１１ｍｍの範囲に形成される請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記絶縁性材料は窒化アルミであり、前記電子素子はガンダイオードである請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単層の配線基板を備える電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品に用いられる配線基板には配線基板を貫通するビアホールが形成され、ビアホールに導電性材料が充填されることにより配線基板の表面と裏面とが導通される。このような配線基板は作製過程に加熱プロセスがあるが、ビアホールに充填される導電性材料等に含まれる気体及び液体が加熱プロセス時に膨張し、ビアホール上に形成される導電性膜を剥離等させ、導電性材料と導電性膜との電気抵抗を高めてしまう等の問題があった。
【０００３】
これに対して特許文献１では、ビアホール導体の直上にビアランドを設けた多層配線基板であって、ビアランドに、上下に貫通するように形成した開口部が設けられた多層配線基板が示されている。特許文献１に示される多層配線基板では、ビアホール導体がビアランドの開口部の側面を含んで多面的に接続されることにより、ビアホール導体とビアランドとの接合強度が強くなり、層間接合に於いてビアホール導体同士が直接接合されることにより信頼性の高い層間接続を得ることができる旨が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２６５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１では層間接合を行うことができる多層構造が示されており、層間接合を行うことができない単層基板に同様の方法をとっても、導電性膜を剥離させ、導電性材料と導電性膜との電気抵抗を高めてしまう等の問題を解決することができない。また、気密空間を有する電子部品に単層基板を使用した場合には、加熱プロセス時に導電性材料等に含まれる気体及び液体により気密が破壊されるという問題がある。
【０００６】
そこで本発明では、単層の配線基板の加熱プロセス後も気密空間が保持されると共に配線基板の配線の電気抵抗の上昇及び配線の断線が防がれた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の電子部品は、表面から裏面に貫通するビアホールを有し、絶縁性材料により形成される単層の配線基板と、ビアホールに充填される導電性材料と、ビアホールの表面側開口の全体及び裏面側開口の少なくとも一部を覆うように形成され導電性材料に導通する第１の導電性膜と、表面側開口の全体に重なるように第１の導電性膜上に形成され、第１の導電性膜より厚さが厚い第２の導電性膜と、裏面に形成される第１の導電性膜上に形成され、第１の導電性膜より厚さが厚い第３の導電性膜と、配線基板の表面上に形成され、第１の導電性膜及び第２の導電性膜に接続されている電子素子と、ビアホール及び電子素子を覆うと共に、配線基板と接合されて気密空間を形成する蓋部材と、を具え、第３の導電性膜には第３の導電性膜を貫通する開口部が形成され、開口部は全体が裏面側開口に重なり、開口部の面積が裏面側開口よりも小さい。
【０００８】
第２観点の電子回路は、第１観点において、導電性材料が導電性ペーストを焼成したものであり、第１の導電性膜はスパッタ膜であり、第２の導電性膜及び第３の導電性膜はメッキ膜である。
【０００９】
第３観点の電子部品は、第２観点において、スパッタ膜が、チタン及びパラジウム、又はチタン及び白金の膜として形成される。
【００１０】
第４観点の電子部品は、第１観点から第３観点において、開口部が、ビアホールの裏面側開口の中心を中心とする円形又は十字形に形成される。
【００１１】
第５観点の電子部品は、第１観点から第４観点において、絶縁性材料が、窒化アルミ、窒化ケイ素、又は炭化ケイ素である。
【００１２】
第６観点の電子部品は、第１観点から第５観点において、配線基板の厚さが０．０９ｍｍから０．１１ｍｍの範囲に形成される。
【００１３】
第７観点の電子部品は、絶縁材料が窒化アルミであり、電子素子がガンダイオードである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子部品によれば、加熱プロセス後も気密空間を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、電子部品１００の概略斜視図である。  （ｂ）は、筐体１０に載置され、蓋部材１２０が取り外された電子部品１００の概略斜視図である。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】（ａ）は、配線基板１１０の概略部分断面図である。  （ｂ）は、配線基板１１０の概略部分平面図である。  （ｃ）は、配線基板１１０の概略部分底面図である。
【図４】配線基板１１０の製造方法が示されたフローチャートである。
【図５】配線基板１１０の製造方法が示されたフローチャートである。
【図６】（ａ）は、配線基板１１０’の概略部分断面図である。  （ｂ）は、配線基板１１０’の概略部分断面図である。  （ｃ）は、配線基板１１０の概略部分断面図である。
【図７】（ａ）は、配線基板２１０の概略部分底面図である。  （ｂ）は、配線基板３１０の概略部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１７】
（第１実施形態）
＜電子部品１００の構成＞
図１（ａ）は、電子部品１００の概略斜視図である。なお、ここでは、電子部品１００は、これが使用される任意の装置の一部分、例えば筐体１０に実装された例で示してある。電子部品１００の外形は、配線基板１１０と、配線基板１１０上に配置される蓋部材１２０と、により形成されている。蓋部材１２０は、配線基板１１０との間に気密空間１５０（図２参照）を形成する。配線基板１１０は例えば長方形状の主面を有する平板である。以降では、配線基板１１０の短辺が伸びる方向をＸ軸方向、長辺が伸びる方向をＺ軸方向、主面に垂直な方向をＹ軸方向として説明する。また、配線基板１１０の＋Ｙ軸側の面（蓋部材１２０が載置される面）を表面、−Ｙ軸側の面を裏面として説明する。筐体１０は、例えば銅板に金めっきがなされた基板である。電子部品１００は筐体１０以外にも様々な基板等に載置されても良い。
【００１８】
図１（ｂ）は、筐体１０に載置され、蓋部材１２０が取り外された電子部品１００の概略斜視図である。図１（ｂ）では、図１（ａ）において蓋部材１２０が取り外された状態が示されている。電子部品１００は例えばミリ波ダイオード又はミリ波発振器として形成され、配線基板１１０の表面に電子素子１３０及び導波管変換器１４０が配置されている状態が示されている。配線基板１１０上には様々な配線、導電性膜等が形成されるが、図１（ｂ）ではこれらの配線、導電性膜等の記載が省略されている。電子素子１３０は例えばガリウムひ素（ＧａＡｓ）により形成されたガンダイオードである。
【００１９】
図２は、図１（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。また図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ断面を含んでいる。蓋部材１２０は、例えば鉄にニッケルを配合した合金である４２アロイを基材とし、更に全面に金めっきが施されることにより形成されている。また、配線基板１１０は絶縁性材料により形成され、例えば窒化アルミ（ＡｌＮ）により形成される。蓋部材１２０は封止材１６４を介して配線基板１１０に載置され、これにより蓋部材１２０と配線基板１１０との間には密閉された空間である気密空間１５０が形成される。配線基板１１０に載置される電子素子１３０等はこの気密空間１５０に配置される。また、配線基板１１０の表面及び裏面には導電性膜が形成され、電子素子１３０は例えば金バンプ１６５を介して配線基板１１０の表面に形成される導電性膜に載置される。配線基板１１０の表面及び裏面に形成される導電性膜の一部は、配線基板１１０を貫通するビアホール１７１に充填された導電性材料１７２等を介して互いに電気的に接続されている。図２では、配線基板１１０の表面に形成されている導電性膜１６０ａと、配線基板１１０の裏面に形成されている導電性膜１６０ｂとが、導電性材料１７２を介して互いに電気的に接続されている状態が示されている。
【００２０】
図３（ａ）は、配線基板１１０の概略部分断面図である。図３（ａ）では、配線基板１１０のビアホール１７１を含む概略断面が示されており、後述の図３（ｂ）及び図３（ｃ）のＢ−Ｂ断面を含む断面図が示されている。配線基板１１０は、厚さがＹ１に形成されている。ビアホール１７１は、例えば、円錐台形状に形成されており、表面側の開口の直径がＸ１に形成され、裏面側の開口の直径がＸ１よりも小さいＸ２に形成されている。ビアホール１７１の側面には側面導電性膜１７３が形成されており、ビアホール１７１には導電性材料１７２が充填されている。配線基板１１０の表面及び裏面では、ビアホール１７１の開口全体を覆うように第１の導電性膜１６１が形成されている。また、配線基板１１０の表面では第１の導電性膜１６１の全体を覆うように第２の導電性膜１６２が形成され、裏面では第１の導電性膜１６１上に第３の導電性膜１６３が形成されている。第３の導電性膜１６３には第３の導電性膜１６３をＹ軸方向に貫通する開口部１７４が形成されている。開口部１７４は、裏面の第１の導電性膜１６１上に、ビアホール１７１の裏面側開口とＹ軸方向に重なるように形成されている。開口部１７４は、直径Ｘ３の円形状に形成されている。
【００２１】
図３（ｂ）は、配線基板１１０の概略部分平面図である。図３（ｂ）では、配線基板１１０のビアホール１７１が形成されている領域が示されている。図３（ｂ）では、ビアホール１７１の表面側開口が点線で示されており、その直径がＸ１であることが示されている。また、ビアホール１７１の表面側開口を覆うように形成される第２の導電性膜１６２が示されている。図３（ｂ）では、第２の導電性膜１６２の平面形状が例として円形状に示されているが、第２の導電性膜１６２の平面形状は円形状に限らず様々な形状に形成されることができる。
【００２２】
図３（ｃ）は、配線基板１１０の概略部分底面図である。図３（ｃ）では、配線基板１１０のビアホール１７１が形成されている領域が示されている。図３（ｃ）では、ビアホール１７１の裏面側開口が点線で示されており、その直径がＸ２であることが示されている。また、開口部１７４が円形状であり、直径がＸ３であることがしめされている。開口部１７４は、例えば開口部１７４の中心とビアホール１７１の裏面側開口の中心とがＹ軸方向に重なり、直径Ｘ３が直径Ｘ２よりも小さくなるように形成される。開口部１７４には第３の導電性膜１６３が形成されていないため、配線基板１１０を裏面側から見た場合には、開口部１７４内に第１の導電性膜１６１が見える。図３（ｃ）では、第３の導電性膜１６３の平面形状が例として円形状に示されているが、第３の導電性膜１６３の平面形状は円形状に限らず様々な形状に形成されることができる。
【００２３】
開口部１７４は、全体がビアホール１７１の裏面側開口とＹ軸方向に重なるように形成されることが望ましい。すなわち、図３（ｃ）において、開口部１７４が点線で示されたビアホール１７１の裏面側開口の外形を跨がず、接触しないように形成されることが望ましい。ビアホール１７１を通る高周波電流は表皮効果により側面導電性膜１７３に流れやすく、側面導電性膜１７３と第３の導電性膜１６３とを広い領域で近接させることにより配線の電気抵抗の上昇を防ぐことができる。
【００２４】
＜配線基板１１０の製造方法＞
図４及び図５は、配線基板１１０の製造方法が示されたフローチャートである。以下に図４及び図５を参照して、配線基板１１０の製造方法について説明する。
【００２５】
図４のステップＳ１０１では、配線基板用ウエハＷ１１０が用意される。図４（ａ）は、ステップＳ１０１で用意される配線基板用ウエハＷ１１０の概略部分断面図である。ステップＳ１０１で用意される配線基板用ウエハＷ１１０は、厚さがＹ２であり、平板状のウエハとして用意される。厚さＹ２は、例えば０．３ｍｍであり、配線基板用ウエハＷ１１０は例えば３インチのウエハとして用意される。また、配線基板用ウエハＷ１１０は、例えば窒化アルミ（ＡｌＮ）により形成される。
【００２６】
ステップＳ１０２では、配線基板用ウエハＷ１１０にビアホール１７１が形成される。図４（ｂ）は、ステップＳ１０２で形成されたビアホール１７１が示された配線基板用ウエハＷ１１０の概略部分断面図である。ビアホール１７１は配線基板用ウエハＷ１１０をＹ軸方向に貫通する貫通孔であり、例えば配線基板用ウエハＷ１１０に微細砥粒を圧縮エアーで噴射するマイクロブラスト工法により円錐台形状の貫通孔として形成することができる。また、マイクロブラスト工法では、配線基板用ウエハＷ１１０の＋Ｙ軸側の面から微細砥粒を噴射することにより、ビアホール１７１の＋Ｙ軸側の開口（表面側開口）が−Ｙ軸側の開口（裏面側開口）よりも大きくなるように形成される。表面側開口の直径Ｘ４は例えば０．３ｍｍであり、裏面側開口の直径Ｘ５は例えば０．２ｍｍである。なお、表裏開口部の大小関係は逆でも良いが、開口部の寸法精度は開口の加工時に抜けとなる側より加工開始側の方が精度が高いので、上記実施形態の大小関係の方が良い。
【００２７】
ステップＳ１０３では、ビアホール１７１の側面に側面導電性膜１７３が形成され、ビアホール１７１に導電性材料１７２が充填される。図４（ｃ）は、ビアホール１７１の側面に形成された側面導電性膜１７３及びビアホール１７１に充填された導電性材料１７２が示された、配線基板用ウエハＷ１１０の概略部分断面図である。ステップＳ１０３では、例えば、まずビアホール１７１の側壁に導電性膜１７３が印刷等により形成され、その後にビアホール１７１に導電性材料１７２が充填される。導電性材料１７２のビアホール１７１への充填では、ペースト印刷、めっき充填、はんだボール充填等の方法がある。これらの方法の中で、ペースト印刷は安価であるという利点がある。ペースト印刷では、導電性材料１７２として例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の導電性ペーストが用いられ、導電性ペーストはビアホール１７１に充填され焼成される。
【００２８】
図５のステップＳ１０４では、配線基板用ウエハＷ１１０の表裏面研磨が行われ、配線基板用ウエハＷ１１０が得られる。図５（ａ）は、ステップＳ１０４で配線基板用ウエハＷ１１０の表裏面研磨が行われることにより形成された配線基板１１０の概略部分断面図である。ステップＳ１０４では、配線基板用ウエハＷ１１０の表裏面研磨が行われ、配線基板１１０の厚さが調整される。これによって、厚さがＹ２であった配線基板１１０は厚さＹ１となるまで薄く研磨される。例えば、厚さＹ２は約０．３ｍｍであり、厚さＹ１は０．０９ｍｍから０．１１ｍｍの範囲である。また、研磨により、配線基板用ウエハＷ１１０の表面粗さＲａが例えば約３０ｎｍ以下となるように形成される。
【００２９】
ステップＳ１０５では、配線基板１１０の表面及び裏面に導電性膜が形成される。図５（ｂ）は、ステップＳ１０５において導電性膜が形成された配線基板１１０の概略部分断面図である。導電性膜の形成は、まず配線基板１１０の表面及び裏面に第１の導電性膜１６１がスパッタ又は蒸着等により形成される。第１の導電性膜１６１は、ビアホール１７１の表面側開口及び裏面側開口の全体を覆うように形成される。その後、第２の導電性膜１６２が配線基板１１０の表面の第１の導電性膜１６１上に形成され、第３の導電性膜１６３が配線基板１１０の裏面の第１の導電性膜１６１上に形成される。第３の導電性膜１６３は、開口部１７４がビアホール１７１の裏面側開口とＹ軸方向に全体が重なるように形成される。
【００３０】
第１の導電性膜１６１は、例えばスパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）の層と、パラジウム（Ｐｄ）又は白金（Ｐｔ）の層とを堆積させることにより形成される。第１の導電性膜１６１はスパッタリング法に限らず、蒸着等により形成されても良い。第２の導電性膜１６２及び第３の導電性膜１６３は、例えば金めっきにより形成される。めっきは例えば電解めっきで行える。また、第１〜第３の導電性膜のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により行える。第１の導電性膜１６１は例えばチタン（Ｔｉ）の層が厚さ０．０６μｍ、パラジウム（Ｐｄ）又は白金（Ｐｔ）の層が厚さ０．１０μｍに形成され、第２の導電性膜１６２及び第３の導電性膜１６３は例えば厚さが３μｍ±１μｍの金めっきの層として形成される。
【００３１】
ステップＳ１０６では、配線基板１１０の加熱プロセスが行われる。加熱プロセスは、例えば配線基板１１０のエージングを目的とするものである。ステップＳ１０７では、ダイシングが行われる。
【００３２】
＜開口部１７４について＞
配線基板１１０では、第３の導電性膜１６３に開口部１７４が形成されていることで配線基板１１０の断線を防ぐことができると共に気密空間１５０の気密を保持することができる。以下に、第３の導電性膜１６３に開口部１７４が形成されていない場合と形成された場合とを比較しながら開口部１７４の効果について説明する。
【００３３】
図６（ａ）は、配線基板１１０’の概略部分断面図である。配線基板１１０’は配線電極１１０と比べて第３の導電性膜１６３に開口部１７４が形成されていないことのみが異なっている。図５のステップＳ１０５で配線基板に導電性膜が形成された後のビアホール１７１の内部には、図４のステップＳ１０３におけるビアホール１７１内部への導電性材料１７２の充填時、図５のステップＳ１０４における研磨時、及びステップＳ１０５における導電性膜形成時等に、ビアホール１７１内に各工程で用いられる気体及び液体が混入している。ビアホール１７１内は導電性膜１６０ａ及び導電性膜１６０ｂにより気密に塞がれており、これらの気体及び液体は配線基板１１０の配線パターン形成時におけるドライエッチング及びエージング等で加熱された場合に膨張し、ビアホール１７１上に形成されている導電性膜１６０ａを押し上げる。ビアホール１７１は表面側開口の面積が裏面側開口の面積よりも広いため、導電性膜１６０ｂよりも導電性膜１６０ａの方が押し上げられ易くなっている。このような状態では、導電性膜１６０ａと導電性材料１７２との間の密着性が低下し、配線の電気抵抗の増大及び断線の可能性が高まる。また、導電性膜１６０ａ上に素子が配置されていた場合には、当該素子と導電性膜１６０ａとの間の接触が弱くなることによる電気抵抗の増大及び断線の可能性も高まる。
【００３４】
図６（ｂ）は、配線基板１１０’の概略部分断面図である。図６（ｂ）では、ビアホール１７１内の気体及び液体が配線基板１１０の配線パターン形成時におけるドライエッチング及びエージング等で加熱されて膨張し、導電性膜１６０ａを押し上げ、さらに破裂した状態が示されている。配線基板１１０’の表面には気密空間１５０（図２参照）が形成されるが、このような導電性膜１６０ａの破れが生じた場合にはビアホール１７１内の気体及び液体が気密空間１５０内に流出し、気密空間１５０の気密が破られることになる。
【００３５】
図６（ｃ）は、この発明による配線基板１１０の概略部分断面図である。図６（ｃ）では、配線基板１１０の加熱プロセス後の状態が示されている。配線基板１１０のビアホール１７１では、第３の導電性膜１６３が形成されていない開口部１７４に接している箇所がビアホール１７１の内圧に対して最も弱くなっている。そのため、ビアホール１７１では、開口部１７４に接する領域に形成されている第１の導電性膜１６１が変形すること等により、ビアホール１７１内の気体及び液体の膨張による圧力が緩和され、配線基板１１０の表面に形成される導電性膜１６０ａにかかる圧力を低下させ、導電性膜１６０ａの変形及び破裂を防ぐことができる。
【００３６】
また、図６（ｃ）に示されるように開口部１７４に隣接して形成される第１の導電性膜１６１が破れたとしても、第３の導電性膜１６３は第１の導電性膜１６１よりも厚いため、図６（ｃ）に示されるように導電性材料１７２が第１の導電性膜１６１を突き破って開口部１７４に流出したとしても配線基板１１０の裏面に形成される導電性膜１６０ｂは平坦性を保つことができる。
【００３７】
電子部品がパワーモジュール用途の製品であり発熱が課題となるような場合には、配線基板に熱伝導率の高い窒化アルミ（ＡｌＮ）が用いられる場合がある。また、電子部品がマイクロストリップ線路を含むものの場合、マイクロストリップ線路の幅は、配線基板の厚み、誘電率、線路の電極の厚みによって決まる。そして、高周波かつ小型のものを実現するため、マイクロストリップ線路幅を狭くする場合は、配線基板自体の厚みを薄くする必要がある。従って、配線基板として複層基板を用いることは難しく、単層基板が必須となる場合がある。また、電子部品に気密空間が形成される場合には、例えば図６（ｂ）に示されるようにビアホール１７１内の気体及び液体の膨張により気密が破られる場合がある。上記の要望に対し、この発明に係る配線基板１１０では、単層基板であっても、ビアホール１７１内の気体及び液体の膨張による導電性膜の電気抵抗の増加及び断線を防ぐと共に、気密空間１５０の気密を保持することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
開口部は様々な形状に形成することができ、また、配線基板の裏面に形成される第１の導電性膜の一部にも開口部が形成されていても良い。以下に、これらの配線基板の変形例について説明する。
【００３９】
＜配線基板２１０の構成＞
図７（ａ）は、配線基板２１０の概略部分底面図である。配線基板２１０は、配線基板１１０と開口部の形状のみが異なっており、他の部分の構成は同一である。また、図７（ａ）は、図３（ｃ）に対応する部分の配線基板２１０の底面図であり、ビアホール１７１が形成されている領域が示されている。図７（ａ）では、ビアホール１７１の裏面側開口が点線で示されており、その直径がＸ２であることが示されている。また、図７（ａ）では、第３の導電性膜１６３に平面形状が十字形である開口部２７４が形成されており、開口部２７４の中心がビアホール１７１の裏面側開口の中心と重なるように形成されている旨が示されている。また、開口部２７４の全体がビアホール１７１の裏面側開口とＹ軸方向に重なっており、配線基板１１０と同様に、ビアホール１７１の側面導電性膜１７３と第３の導電性膜１６３とが広い領域で近接され、配線の電気抵抗を低く保つことができる。
【００４０】
＜配線基板３１０の構成＞
図７（ｂ）は、配線基板３１０の概略部分断面図である。配線基板３１０は配線基板１１０と比べて配線基板の裏面側に形成される第１の導電性膜のみが異なっており、他の構成は配線基板１１０と同一である。図７（ｂ）は、図３（ａ）に対応する部分の配線基板３１０のビアホール１７１を含む概略部分断面図が示されている。配線基板３１０では、配線基板１１０の裏面に形成される第１の導電性膜１６１の代わりに第１の導電性膜３６１が形成されている。第１の導電性膜３６１は、第３の導電性膜１６３に形成される開口部１７４とＹ軸方向に重なる領域に第１の導電性膜３６１を貫通する開口部３７４が設けられている点が第１の導電性膜１６１とは異なっている。
【００４１】
基板の裏面側に設ける第１の導電性膜１６１、３６１は、第３の導電性膜１６３を形成するための下地となる層であり、第３の導電性膜１６３が形成されない領域には第１の導電性膜１６１、３６１が形成されなくても良い。また、図７（ｂ）に示される配線基板３１０では、ビアホール１７１が封止されていないためビアホール１７１内の気体及び液体が抜けやすく、ビアホール１７１内に気体及び液体による圧力がかかり難い。これにより、ビアホール１７１内の気体及び液体の膨張による導電性膜の電気抵抗の増加及び断線を防ぐと共に、気密空間１５０の気密を保持することができる。
【００４２】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、ビアホールに充填される導電性材料として導電性ペーストを焼成したものを用いた例を説明した。導電性ペーストを焼成したものは比較的ポーラスなものが多いため、ビアホールでの気体や液体の膨張が起き易いので、本発明の適用対象として好ましいからである。したがって、本発明は、導電性ペーストを焼成したものに限らず、ポーラスな状態になり易い他の導電性材料に対しても適用できる。もちろん、ポーラスでない導電性材料にも適用できる。
【００４４】
また、上記実施形態では配線基板を形成する絶縁性材料が窒化アルミ（ＡｌＮ）であるとして説明されたが、絶縁性材料は窒化ケイ素（ＳｉＮ）又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）であっても良い。
【００４５】
また、上記の実施形態は様々に組み合わせて実施されても良い。例えば、１つの配線基板の異なるビアホールにそれぞれ図３（ｃ）及び図７（ａ）に示されるような異なる形状の開口部が形成されていても良く、図７（ｂ）に示されるような第１の導電性膜の一部に開口部が形成される形態が混在していても良い。
【符号の説明】
【００４６】
１０  …  筐体
１００  …  電子部品
１１０、１１０’、２１０、３１０  …  配線基板
１２０  …  蓋部材
１３０  …  電子素子
１４０  …  導波管変換器
１５０  …  気密空間
１６０ａ、１６０ｂ、３６０ｂ  …  導電性膜
１６１  …  第１の導電性膜
１６２  …  第２の導電性膜
１６３  …  第３の導電性膜
１６４  …  封止材
１６５  …  金バンプ
１７１  …  ビアホール
１７２  …  導電性材料
１７３  …  側面導電性膜
１７４、２７４、３７４  …  開口部
Ｗ１１０  …  配線基板用ウエハ
Ｘ１、Ｘ４  …  ビアホール１７１の表面側開口の直径
Ｘ２、Ｘ５  …  ビアホール１７１の裏面側開口の直径
Ｘ３  …  開口部１７４の直径
Ｙ１  …  配線基板１１０の厚さ
【図１】
2018133470.tif 000003
【図２】
2018133470.tif 000004
【図３】
2018133470.tif 000005
【図４】
2018133470.tif 000006
【図５】
2018133470.tif 000007
【図６】
2018133470.tif 000008
【図７】
2018133470.tif 000009