(57)【要約】【課題】製造に係る複雑化を抑えつつ、ソルダレジスト層に万一クラックが発生した場合であってもランド間の絶縁信頼性を確保することができる回路基板を提供する。【解決手段】この回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材の一面に形成され、電子部品が実装される複数のランドを含む配線層と、絶縁基材および配線層を保護するソルダレジスト層と、を備える。ソルダレジスト層は、ランドが外部に露出するように形成された多角形状のランド用孔部を有するとともに、ランド用孔部とは別に形成された緩衝孔部を有し、緩衝孔部は、ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材（１０）と、
前記絶縁基材の一面（１０ａ）に形成され、電子部品（１０２）が実装される複数のランド（２１，２１ａ，２１ｂ）を含む配線層（２０）と、
前記絶縁基材および前記配線層を保護するソルダレジスト層（３０）と、を備える回路基板であって、
前記ソルダレジスト層は、前記ランドが外部に露出するように形成された多角形状のランド用孔部（３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ）を有するとともに、前記ランド用孔部とは別に形成された緩衝孔部（３２）を有し、
前記緩衝孔部は、前記ランド用孔部における角部（Ａ，Ｂ，Ｃ）を成す２辺を延長した仮想線（Ｌａ１，Ｌａ２，Ｌｂ１，Ｌｂ２，Ｌｃ１，Ｌｃ２）が分ける４つの領域のうち、前記ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に形成される回路基板。
【請求項２】
前記緩衝孔部は、前記ランド用孔部における角部の角の二等分線上（Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３）に形成される請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記緩衝孔部は多角形状を成し、前記緩衝孔部における角部は、前記ランド用孔部における角部の角の二等分線上に位置する請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記ランド用孔部および前記緩衝孔部は、ともに四角形である請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記ランドは、第１ランド（２１ａ）と、前記第１ランドとは電位が異なる第２ランド（２１ｂ）を有し、
前記ソルダレジスト層は、前記ランド用孔部として、前記第１ランドに対応する第１ランド用孔部（３１ａ）と、前記第１ランドに対応する第２ランド用孔部（３１ｂ）と、を有し、
前記緩衝孔部は、前記第１ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線（Ｌａ１，Ｌａ２）が分ける４つの領域のうち、前記第１ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域であって、且つ、前記第２ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線（Ｌｂ１，Ｌｂ２）が分ける４つの領域のうち、前記第２ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記ランドは、第１ランド（２１ａ）と、前記第１ランドと同電位の第３ランドを有し、
前記ソルダレジスト層は、前記ランド用孔部として、前記第１ランドに対応する第１ランド用孔部（３１ｂ）と、前記第３ランドに対応する第３ランド用孔部（３１ｃ）と、を有し、
前記緩衝孔部は、前記第１ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線（Ｌａ１，Ｌａ２）が分ける４つの領域のうち、前記第１ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域であって、且つ、前記第３ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線（Ｌｂ１，Ｌｂ２）が分ける４つの領域のうち、前記第３ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
前記緩衝孔部は、前記ソルダレジスト層における応力集中線上に形成される請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項８】
前記緩衝孔部は、前記ランド用孔部における角部を成す２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、前記ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に、複数形成される請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項９】
複数の前記緩衝孔部は、前記ソルダレジスト層における応力集中線上に沿って並んで形成される請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の回路基板（１０１）と、前記回路基板に実装された前記電子部品と、を備える電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書の開示は、ソルダレジストを有する回路基板およびその回路基板を備えた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、回路基板は、基板を構成する絶縁基材や、該基材上にソルダレジストを有する。ソルダレジストは、絶縁基材や基材上に形成された配線を絶縁および保護する目的で形成される。回路基板に熱が加わると、ソルダレジストには、電子部品と基板の熱膨張差による応力や、絶縁基材との熱膨張係数差による応力によってクラックが生じることがある。生じたクラックに水分等の異物が侵入することによってランドと内層配線との間の絶縁に対して信頼性が低下する虞がある。
【０００３】
特許文献１に記載の多層基板ならびに電子装置では、内層配線の表面を、ビルドアップ層とは異なる材料で構成された絶縁被膜で保護するようにされている。これにより、万一ビルドアップ層にクラックが生じても、水分等による意図しない導通を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２１６５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ソルダレジストにおけるクラックの発生に対して、特許文献１に記載の多層基板ならびに電子装置と同様に、ソルダレジストと配線層との間に、別途絶縁被膜を形成することも考えられるが、絶縁被膜を成膜するための工程を追加せねばならず、多層基板および電子装置の製造が複雑化する虞がある。加えて、絶縁被膜による電気的絶縁は、クラックの進展が複数のランド間に及んだ場合において、ランド間の絶縁を保障することができないという問題がある。
【０００６】
そこで、この明細書の開示は上記問題点に鑑み、製造に係る複雑化を抑えつつ、ソルダレジスト層に万一クラックが発生した場合であってもランド間の絶縁信頼性を確保することができる回路基板および電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【０００８】
上記目的を達成するために、この明細書に開示される回路基板は、絶縁基材（１０）と、絶縁基材の一面（１０ａ）に形成され、電子部品（１０２）が実装される複数のランド（２１，２１ａ，２１ｂ）を含む配線層（２０）と、絶縁基材および配線層を保護するソルダレジスト層（３０）と、を備える回路基板であって、ソルダレジスト層は、ランドが外部に露出するように形成された多角形状のランド用孔部（３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ）を有するとともに、ランド用孔部とは別に形成された緩衝孔部（３２）を有し、緩衝孔部は、ランド用孔部における角部（Ａ，Ｂ，Ｃ）を成す２辺を延長した仮想線（Ｌａ１，Ｌａ２，Ｌｂ１，Ｌｂ２，Ｌｃ１，Ｌｃ２）が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域に形成される。
【０００９】
ソルダレジスト層におけるクラックは、応力が集中しやすいランド用孔部の角部に発生して進展しやすい。その進展方向は角部を成す２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部が形成される領域の斜向いの領域である。
【００１０】
この明細書に開示される回路基板は、クラックの進展先となる領域に緩衝孔部を有するので、クラックはランド用孔部と緩衝孔部との間を進展することになる。結露等により生じた水分等は、クラックに侵入し、毛細管現象によってクラック内を移動することがあるが、万一クラック内に水分等が侵入しても、緩衝孔部によって毛細管現象による水分等の移動を緩和できる。これにより、ランド間に生じたクラックを水分等が満たされることを防止でき、ランド間の絶縁を確保することができる。すなわち、万一クラックが発生した場合であってもランド間の絶縁信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る回路基板および電子装置の概略構成を示す上面図および断面図である。
【図２】図１に示す領域ＩＩの詳細な構成を示す上面図である。
【図３】図１に示す領域ＩＩにおけるクラックの発生状況の一例を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る回路基板の概略構成を示す上面図である。
【図５】その他の実施形態に係る回路基板の概略構成を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、図面を参照しながら本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。各形態で具体的に組み合わせが可能であることを明示している部分同士の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても形態同士を部分的に組み合せることも可能である。
【００１３】
（第１実施形態）
最初に、図１および図２を参照して、本実施形態に係る回路基板および電子装置の概略構成について説明する。
【００１４】
本実施形態における電子装置は、例えば車両に搭載され、アクチュエータの制御に係る回路が構築されている。
【００１５】
図１に示すように、電子装置１００は、回路基板１０１と電子部品１０２とを備えている。回路基板１０１は、絶縁基材１０と、配線層２０と、ソルダレジスト層３０と、を備えている。
【００１６】
回路基板１０１を構成する要素のうち、絶縁基材１０は、配線層２０の形成や電子部品１０２の載置をおこなうための母材であり、一般的に知られた絶縁材料を用いて形成される。絶縁基材１０は図示しないビルドアップ層や内層配線を含み、スルーホール等が形成されていても良い。
【００１７】
配線層２０は、絶縁基材１０の一面１０ａ上に形成され、実装される電子部品１０２との間に電気的な接続が確立される導電層である。配線層２０は、電子部品１０２が載置されるランド２１と、ランド２１から延びた導線２２とを有している。図１に示す例では、ランド２１が第１ランド２１ａと第２ランド２１ｂとを有し、導線２２が第１導線２２ａと第２導線２２ｂとを有している。第１ランド２１ａと第２ランド２１ｂは互いに電位が異なることを想定している。
【００１８】
本実施形態における第１ランド２１ａおよび第２ランド２１ｂは、絶縁基材１０の一面１０ａを正面視したとき長方形を成す。２つのランド２１ａ，２１ｂは短辺方向に並んで配置されており、互いの長辺が略平行に配置されている。第１導線２２ａは第１ランド２１ａの短辺側の一辺から延びている。第２導線２２ｂは第２ランド２１ｂの短辺側の一辺から延びている。つまり、第１導線２２ａと第２導線２２ｂは互いに平行に延びている。
【００１９】
ソルダレジスト層３０は、絶縁基材１０および配線層２０を被膜する保護膜である。ソルダレジスト層３０は絶縁基材１０や配線層２０を埃、塵、水分等から保護している。ソルダレジスト層３０には、ランド２１を外部に露出するためにランド用孔部３１を有している。とくに、本実施形態におけるソルダレジスト層３０は、ランド用孔部３１として、第１ランド２１ａに対応して形成された第１ランド用孔部３１ａと、第２ランド２１ｂに対応して形成された第２ランド用孔部３１ｂとを有している。ランド用孔部３１は対応するランド２１の形状に合わせてソルダレジスト層３０にくり貫かれた孔であり、ソルダレジスト層３０の表面からランド２１との接触面にかけて貫通しており、結果的にランド２１が外部に露出する。第１ランド２１ａおよび第２ランド２１ｂはそれぞれ長方形であるから、対応する第１ランド用孔部３１ａおよび第２ランド用孔部３１ｂも長方形である。
【００２０】
ソルダレジスト層３０には、２つのランド用孔部３１ａ，３１ｂのほかに、緩衝孔部３２が形成されている。緩衝孔部３２は、ソルダレジスト層３０の表面から絶縁基材１０との接触面にかけて貫通しており、結果的に絶縁基材１０が外部に露出する。緩衝孔部３２は、第１ランド用孔部３１ａと第２ランド用孔部３１ｂの間でクラックが生じやすい部分に形成されている。クラックが生じやすい部分とは、例えばソルダレジスト層３０を正面視したとき、コンピュータシミュレーション等で計算された応力分布のうち、とくに応力が集中する線上の箇所である。なお、緩衝孔部３２の大きさは、クラック幅よりも大きくされることが好ましく、例えば、短辺が略１ｍｍ、長辺が略１．５ｍｍなどに設定すれば良い。
【００２１】
ソルダレジスト層３０に設けられた多角形状のランド用孔部３１は、角部を有するが、ランド用孔部３１が角部を有すると、その角部を構成する２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部３１が形成される領域の斜向いの領域に応力が集中する傾向にある。より詳しくは、該角部における角の二等分線上およびその近傍に応力が集中することがある。
【００２２】
つまり、緩衝孔部３２は、角部を構成する２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部３１が形成される領域の斜向いの領域に形成されることが好ましく、特には、角部を有する多角形状のランド用孔部３１の角部における角の二等分線上に形成されることが好ましい。
【００２３】
本実施形態において具体的に説明する。図２に示すように、本実施形態における第１ランド用孔部３１ａは長方形であり、角部を４つ有する。図２にはその一つである角部Ａが示されている。角部を構成する２辺を延長した仮想線Ｌａ１，Ｌａ２は、角部Ａを中心として、ソルダレジスト層３０を４つの領域（α）〜（δ）に分ける。第１ランド用孔部３１ａが形成される領域を（α）とし、その向かい側の領域であって第２ランド用孔部３１ｂが形成される側の領域を（β）とし、領域（β）に隣接して領域（α）の斜向いの領域を（γ）とし、領域（α）および領域（γ）に隣接する領域を（δ）とする。
【００２４】
緩衝孔部３２は、第１ランド用孔部３１ａの角部Ａを構成する２辺を延長した仮想線Ｌａ１，Ｌａ２が分ける４つの領域（α）〜（δ）のうち、第１ランド用孔部３１ａが形成される領域（α）の斜向いの領域（γ）に形成されている。
【００２５】
ところで、第１ランド用孔部３１ａは長方形であり、角部Ａは内角９０度を成す。よって、角部Ａにおける角の二等分線Ｌａ３は、仮想線Ｌａ１と鋭角側で４５度（鈍角側で１３５度）を成す。この角の二等分線Ｌａ３上で応力が集中しやすく、角の二等分線Ｌａ３は、特許請求の範囲に記載の応力集中線に相当する。緩衝孔部３２は、この角の二等分線Ｌａ３上に位置するように形成されている。とくに、本実施形態における緩衝孔部３２は長方形であり、その角部が角の二等分線Ｌａ３上に配置されていることにより、角部Ａから生じたクラックは、角の二等分線Ｌａ３上における緩衝孔部３２の角部に誘導されやすくなっている。
【００２６】
同様に、本実施形態における第２ランド用孔部３１ｂは長方形であり、角部を４つ有する。図２にはその一つである角部Ｂが示されている。角部を構成する２辺を延長した仮想線Ｌｂ１，Ｌｂ２は、角部Ｂを中心として、ソルダレジスト層３０を４つの領域（ε）〜（θ）に分ける。なお、第１ランド用孔部３１ａと第２ランド用孔部３１ｂは隣り合っており、仮想線Ｌａ２と仮想線Ｌｂ２は一致し、仮想線Ｌａ１と仮想線Ｌｂ１は平行である。第２ランド用孔部３１ｂが形成される領域を（ε）とし、その向かい側の領域であって第１ランド用孔部３１ｂが形成される側の領域を（ζ）とし、領域（ζ）に隣接して領域（ε）の斜向いの領域を（η）とし、領域（η）および領域（η）に隣接する領域を（θ）とする。
【００２７】
緩衝孔部３２は、第２ランド用孔部３１ｂの角部Ｂを構成する２辺を延長した仮想線Ｌｂ１，Ｌｂ２が分ける４つの領域（ε）〜（θ）のうち、第２ランド用孔部３１ｂが形成される領域（ε）の斜向いの領域（η）に形成されている。すなわち、緩衝孔部３２は、領域（γ）と領域（η）の共通領域に形成されている。
【００２８】
第２ランド用孔部３１ｂは、第１ランド用孔部３１ａと同様に長方形であり、角部Ｂは内角９０度を成す。よって、角部Ｂにおける角の二等分線Ｌｂ３は、仮想線Ｌｂ１と鋭角側で４５度（鈍角側で１３５度）を成す。この角の二等分線Ｌｂ３上で応力が集中しやすく、角の二等分線Ｌｂ３は、特許請求の範囲に記載の応力集中線に相当する。緩衝孔部３２は、この角の二等分線Ｌｂ３上に位置するように形成されている。とくに、本実施形態における緩衝孔部３２は長方形であり、その角部が角の二等分線Ｌｂ３上に配置されていることにより、角部Ｂから生じたクラックは、角の二等分線Ｌｂ３上における緩衝孔部３２の角部に誘導されやすくなっている。
【００２９】
電子部品１０２は、抵抗器やキャパシタ、ＩＣチップなどであり、はんだ１０３などの導電性接着材を介してランド２１に接続されている。電子部品１０２は特に限定されない。本実施形態では、図１に示すように、少なくとも２つの電子部品１０２が存在し、一方の電子部品１０２は第１ランド２１ａに電気的に接続され、他方の電子部品１０２は第２ランド２１ｂに電気的に接続されている。
【００３０】
次に、本実施形態に係る回路基板１０１および電子装置１００の製造方法について、簡単に説明する。
【００３１】
まず、絶縁基材１０を用意する。絶縁基材１０内に形成された内層導体やスルーホール、ビルドアップ層などの形成は一般に知られた方法で行うものであり、詳しい説明はしない。
【００３２】
次いで、絶縁基材１０の一面１０ａに配線層２０を形成する。配線層２０は例えば銅製であり、そのパターニングは一般的に知られた方法を採用することができる。配線層２０は、例えばアディティブ法やサブトラクティブ法、その他の方法で形成され得る。
【００３３】
次いで、ソルダレジスト層３０を形成する。ソルダレジストには、アルカリ現像型レジスト、ＵＶ硬化型レジスト、熱硬化型レジストなどを採用可能である。アルカリ現像型を採用する場合、絶縁基材１０の一面１０ａおよび配線層２０の全面を覆うようにレジスト材を塗布した後、回路パターンが作られたネガフィルム（マスク）を通して露光し、未硬化部分を希アルカリ現象液で現象することによりパターニングする。また、ＵＶ硬化型を採用する場合、全面に塗布されたレジスト材に対して、回路パターンが作られたマスクを通して紫外線を露光し、未硬化部分を除去して現象することによりパターニングする。アルカリ現像型、ＵＶ硬化型のいずれでも、ランド２１に対応するランド用孔部３１を設けるためのマスクを予め用意するものである。よって、緩衝孔部３２を形成するためには、マスクパターンに緩衝孔部３２用のパターンを追加すればよく、マスクの枚数が増加することはなく、緩衝孔部３２を形成することに係る工程数の増加もない。熱硬化型を採用する場合も、緩衝孔部３２の形成を想定してレジスト材の印刷をすれば良いのであって、工程数の増加はない。
【００３４】
最後に、所定のランド２１に電子部品１０２を載置するとともにはんだ１０３で電気的に接続し、電子装置１００を製造する。
【００３５】
次に、図３を参照して、本実施形態に係る回路基板１０１および電子装置１００を採用することによる作用効果について説明する。
【００３６】
ソルダレジスト層３０は、ランド用孔部３１など、層として不連続な部分が存在すると、その部分に下層との熱膨張係数差に起因するクラックが生じることが知られている。本実施形態で例示すれば、第１ランド用孔部３１ａおよび第２ランド用孔部３１ｂの周辺には応力集中が生じる。とくに、孔部の形状において角部になっている部分は応力が集中しやすい。
【００３７】
例えば、図３に示すように、第１ランド用孔部３１ａにおける角部Ａで発生したクラックは、角の二等分線Ｌａ３にほぼ沿って進展しやすい。ここで、本実施形態のように、緩衝孔部３２が形成されていることにより、緩衝孔部３２と第１ランド用孔部３１ａとの間に応力集中線を誘導することができる。このクラックによって、その他の領域における応力は緩和され、それ以上のクラックの発生および進展を抑制することができる。また、例えば結露等によってクラック内に水分が侵入しても、水分は少なくとも第１ランド用孔部３１ａと緩衝孔部３２内にとどまり、他の意図しないランド３１との間に電気的な接続を生じさせることを防止できる。
【００３８】
ところで、第１ランド用孔部３１ａと第２ランド用孔部３１ｂとが近接して形成されていると、第１ランド用孔部３１ａにおける角部Ａから第２ランド用孔部３１ｂにおける角部Ｂに至る弧状のラインが応力集中線となり、クラックによって互いが連通することがある。
【００３９】
仮に本実施形態のような緩衝孔部３２が形成されていないとすると、例えば結露等により第１ランド用孔部３１ａに水分が滞留すると、毛細管現象によってクラックを経由して第２ランド用孔部３１ｂに水分が到達する。つまり、第１ランド２１ａと第２ランド２１ｂとが水分によってショートしてしまう虞がある。これに対して、本実施形態では、応力集中線が属する領域（α）と領域（η）の共通領域に、緩衝孔部３２が形成されている。
【００４０】
クラックは、第１ランド用孔部３１ａと緩衝孔部３２との間、および第２ランド用孔部３１ｂと緩衝孔部３２との間に、誘導的に発生する。水分は毛細管現象によってクラックを伝って移動し得るが、水分は緩衝孔部３２を経由することになる。緩衝孔部３２は、その大きさがクラック幅よりも大きくされているので、毛細管現象による水分の移動を阻害できる。つまり、緩衝孔部３２が形成されていることにより、互いに電位の異なる第１ランド２１ａと第２ランド２１ｂの間のショートを抑制あるいは防止することができる。
【００４１】
なお、本実施形態では、２つの電子部品１０２のうち、一方の電子部品１０２は第１ランド２１ａに電気的に接続され、他方の電子部品１０２は第２ランド２１ｂに電気的に接続されている。このような態様にあっては、２つのランド２１ａ，２１ｂの間にクラックが生じると、エレクトロマイグレーションによるショートが発生しやすい。つまり、直接的に関連しない２つのランド２１ａ，２１ｂ間において、緩衝孔部３２は、とくに大きな効果を発揮する。
【００４２】
（変形例）
上記実施形態では、第１ランド２１ａと第２ランド２１ｂとが互いに電位が異なるとして説明した。しかしながら、第２ランド２１ｂが第１ランド２１ａと等電位であっても、緩衝孔部３２の効果を奏する。なお、特許請求の範囲では、第１ランド２１ａと等電位のランド２１を第３ランドと示し、上記した実施形態における第２ランド２１と区別しているが、上記説明における第２ランド２１および第２ランド用孔部３１ｂを、それぞれ、第３ランド、第３ランド用孔部と読み替えれば良い。
【００４３】
そのような形態の電子装置では、第１ランド用孔部３１ａと緩衝孔部３２との間、および、第３ランド用孔部と緩衝孔部３２との間に、誘導的にクラックを生じさせることができる。このクラックによって、その他の領域における応力は緩和され、それ以上のクラックの発生および進展を抑制することができる。つまり、異電位のランド２１間でのショートの発生を抑制することができる。
【００４４】
（第２実施形態）
第１実施形態では、ひとつのランド用孔部３１の角部に対して、ひとつの緩衝孔部３２が形成される例、あるいは、２つのランド用孔部３１ａ，３１ｂの角部Ａ，Ｂに対して、共通するひとつの緩衝孔部３２が形成される例について説明した。しかしながら、緩衝孔部３２の形成数は、ランド用孔部３１における角部を成す２辺を延長した仮想線が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部３１が形成される領域の斜向いの領域に２つ以上形成されていてもよい。
【００４５】
図４に示す例は、ソルダレジスト層３０に、４つのランド用孔部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが形成された回路基板１１１の例である。図示しないが、回路基板１１１は、第１ランドと、第１ランドと異電位の第２ランドと、第１ランドと同電位の第３ランドと、第２ランドと同電位の第４ランドとを有している。そして、各ランドに対応して、第１ランド用孔部３１ａ、第２ランド用孔部３１ｂ、第３ランド用孔部３１ｃ、第４ランド用孔部３１ｄがそれぞれ長方形状に形成されている。第１ランド用孔部３１ａと第２ランド用孔部３１ｂは、第１実施形態と同様に、短辺方向に並んで形成されている。また、第１ランド用孔部３１ａと、第３ランド用孔部３１ｃは、長辺方向に並んで形成されている。第４ランド用孔部３１ｄは、短辺方向で第３ランド用孔部３１ｃに並び、長辺方向で第２ランド用孔部３１ｂに並んで形成されている。
【００４６】
本実施形態でも、緩衝孔部３２が形成されている。なお、図４では、緩衝孔部３２の形成箇所をわかりやすくするため、緩衝孔部３２にハッチングを施している。
【００４７】
図４に示すように、緩衝孔部３２のひとつの群は、第１ランド用孔部３１ａの左上の角部から、第３ランド用孔部３１ｃの左下の角部に至る弧上に、緩衝孔部３２が６つ並んで配置されている。この一群では、６つの緩衝孔部３２の角部（計１２の角部）が、第１ランド用孔部３１ａの左上の角部から第３ランド用孔部３１ｃの左下の角部に至る応力集中線上に位置するように配置されているので、ソルダレジスト層３０に応力がかかると、互いに同電位の第１ランドと第３ランドとの間で、６つの緩衝孔部３２を経由しつつ誘導的にクラックを生じさせることができる。これにより、他の領域において応力の発生を緩和でき、クラックの発生を抑制することができる。
【００４８】
緩衝孔部３２は必ずしも曲線に沿って形成されている必要はなく、図４に示すように、緩衝孔部３２の別の群は、第１ランド用孔部３１ａの右上の角部から、第３ランド用孔部３１ｃの右下の角部に至る部分に線状に並んで配置されている。このような態様であっても、互いに同電位の第１ランドと第３ランドとの間で、６つの緩衝孔部３２を経由しつつ誘導的にクラックを生じさせることができる。
【００４９】
また、２つのランド２１間が比較的遠い場合においても、緩衝孔部３２は必ずしも複数形成する必要はない。例えば、図４に示すように、第２ランド用孔部３１ｂの左上の角部から、第４ランド用孔部３１ｄの左下の角部に至る部分に、比較的長く延びた１つの緩衝孔部３２を有している。
【００５０】
また別の例では、図４に示すように、第２ランド用孔部３１ｂの右上の角部から、第４ランド用孔部３１ｄの右下の角部に至る部分に、比較的長く延びた２つの緩衝孔部３２を有している。
【００５１】
上記したいずれの態様を採用しても、クラックの誘導的な発生によって、その他の領域における応力は緩和され、それ以上のクラックの発生および進展を抑制することができる。とくに、異電位のランド２１間における緩衝孔部３２を経由した誘導的なクラックの発生によって、毛細管現象による水分の移動を阻害して、異電位のランド２１間のショートを抑制することができる。
【００５２】
とくに、図４に例示した第１ランド用孔部３１ａと第３ランド用孔部３１ｃとの間や、第２ランド用孔部３１ｂと第４ランド用孔部３１ｄとの間のように、比較的ランド２１間の距離が離れている場合には、複数の緩衝孔部３２をランド用孔部３１の間に形成することにより、より確実にクラックを誘導的に発生させることができる。
【００５３】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態について説明したが、上記した実施形態になんら制限されることなく、この明細書に開示する主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００５４】
上記した各実施形態では、ランド用孔部３１が長方形であり、角部が内角９０度の例を示したが、この例に限定されない。ランド用孔部３１の形状は任意に設定でき、図５に示すように５角形とされた態様では、角部Ｃの内角は１０８度である。緩衝孔部３２は、ランド用孔部３１における角部Ｃを成す２辺を延長した仮想線Ｌｃ１，Ｌｃ２が分ける４つの領域のうち、ランド用孔部３１が形成される領域の斜向いの領域に形成されている。
【００５５】
とくに、本実施形態における緩衝孔部３２は、角部Ｃにおける角の二等分線Ｌｃ３の延長上にかかるように配置されている。しかしながら、必ずしも角の二等分線上に緩衝孔部３２が形成されなくても良い。
【００５６】
また、上記した各実施形態では、緩衝孔部３２が長方形であり、その角部が角の二等分線上に配置される例について説明したが、これに限るものではない。図５に示す例における緩衝孔部３２も長方形であるが、その角部は角の二等分線Ｌｃ３から外れた位置に存在する。このような態様であっても、ランド用孔部３１の角部Ｃと緩衝孔部３２の角部との間でクラックが誘導的に生じる可能性を高くすることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…絶縁基材，２０…配線層，２１…ランド，３０…ソルダレジスト層，３１…ランド用孔部，３２…緩衝孔部，１０１…回路基板，１０２…電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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