(57)【要約】【課題】制御用半導体から発生した熱が光素子に伝わる量を少なくして光素子が高温になることを抑制し、特性悪化を抑制することができる光モジュールを提供する。【解決手段】基板２と、光ファイバ５が光学的に接続される光素子４と、光素子４を保持する光素子保持部品３と、光素子４を制御する制御用半導体６とを備え、光素子保持部品３と制御用半導体６とは、基板２の表面２１上に実装され、光素子保持部品３は、表面２１と交差する前面３５を有し、前面３５上に光素子４が保持されており、光素子保持部品３は、本体３１と、本体３１を支持する一つ以上の支持体３３を備える支持部３２とを有し、支持体３３は、表面２１に熱的に接する固定面３４を有し、表面２１において光素子保持部品３と対向する領域の面積より、支持部３２における支持体３３の固定面３４を合計した面積の方が小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
光ファイバが光学的に接続される光素子と、
前記光素子を保持する光素子保持部品と、
前記光素子を制御する制御用半導体と、
を備え、
前記光素子保持部品と前記制御用半導体とは、前記基板の第一面上に実装され、
前記光素子保持部品は、前記第一面と交差する第二面を有し、該第二面上に前記光素子が保持されており、
前記光素子保持部品は、本体と、該本体を支持する一つ以上の支持体を備える支持部と、を有し、
前記支持体は、前記第一面に熱的に接する固定面を有し、
前記第一面において前記光素子保持部品と対向する領域の面積より、前記支持部における前記支持体の固定面を合計した面積の方が小さい、
光モジュール。
【請求項２】
前記支持体は、前記本体と一体になっている、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記支持部は、前記固定面が連続した一つの支持体で構成され、前記固定面の形状は、前記光素子保持部品を平面視したときの前記固定面が無い領域を取り囲む形状となっている、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記支持部は、前記本体と対向する領域の中心から対称な位置となるように配置された四つの支持体で構成されている、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記支持部は、前記支持体のうちの少なくとも一つが、前記第二面と同一平面上で前記第二面に連続する面を有する、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記支持部は、前記第二面よりも、前記光素子保持部品において前記光素子から最も離れた第三面に近い位置に配置されている支持体からなる、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記支持部における前記支持体の固定面を合計した面積は、前記第一面において前記本体と対向する領域の面積の１０分の１よりも小さい、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光素子と、光素子を制御するＩＣとが同一のプリント基板上に、搭載された光電気変換モジュールが記載されている。特許文献２には、受発光素子と制御用半導体とが同一の回路基板上に搭載された、光電変換用の光モジュールが記載されている。
【０００３】
特許文献３には、面発光レーザが、支持部材の端面に実装され、支持部材の下面には金属層が形成され、支持部材は、ベースの上に配線パターンを介して固定され、ベース上に、半導体チップも固定されていることが記載されている。特許文献４には、光半導体素子が、光伝送路保持部材の端面に実装され、光伝送路保持部材の下面は、接着剤で実装基板上に固定され、実装基板上に、ＩＣがマウントされていることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０２５４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１２８９８号公報
【特許文献３】特開２００１−２８１５０３号公報
【特許文献４】特開２００７−３９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、制御用半導体に発生した熱が、実装されている基板に伝わると、例えば、特許文献１、２などの構造の場合、この熱が同じ基板に実装されている光素子に伝わってしまう。光素子は、高温になると動作が不安定になる場合がある。
【０００６】
また、例えば、特許文献３、４などの構造の場合、光素子は、制御用半導体が搭載されている基板に、保持部材などを介して固定されているので、制御用半導体の熱が伝わりにくくなっている。しかし、基板と保持部材が熱的に遮断されていないので、制御用半導体から発生した熱が基板から保持部材へ伝わり、光素子の温度が高温になるおそれがある。
【０００７】
光素子の温度が高温になった場合、光素子の動作が不安定になり、送信される光信号波形や、受信される電気信号波形が劣化するなど、光モジュールの特性が悪化する場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、制御用半導体から発生した熱が光素子に伝わる量を少なくして光素子の温度が高温になることを抑制し、特性悪化を抑制することができる光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る光モジュールは、
基板と、
光ファイバが光学的に接続される光素子と、
前記光素子を保持する光素子保持部品と、
前記光素子を制御する制御用半導体と、
を備え、
前記光素子保持部品と前記制御用半導体とは、前記基板の第一面上に実装され、
前記光素子保持部品は、前記第一面と交差する第二面を有し、該第二面上に前記光素子が保持されており、
前記光素子保持部品は、本体と、該本体を支持する一つ以上の支持体を備える支持部と、を有し、
前記支持体は、前記第一面に熱的に接する固定面を有し、
前記第一面において前記光素子保持部品と対向する領域の面積より、前記支持部における前記支持体の固定面を合計した面積の方が小さい。
【発明の効果】
【００１０】
上記発明によれば、制御用半導体から発生した熱が光素子に伝わる量を少なくして光素子の温度が高温になることを抑制し、特性悪化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第一実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図２】図１の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図３】図１の光モジュールの平面図である。
【図４】第二実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図５】図４の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図６】第三実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図７】図６の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図８】第四実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図９】図８の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図１０】第五実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図１１】図１０の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図１２】第六実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図１３】図１２の光モジュールを構成する光素子保持部品の底面図である。
【図１４】光ファイバを結合させる構成の第一変形例を示す図である。
【図１５】光ファイバを結合させる構成の第二変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（本発明の実施形態の説明）
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
本発明の一態様に係る光モジュールは、
（１）基板と、
光ファイバが光学的に接続される光素子と、
前記光素子を保持する光素子保持部品と、
前記光素子を制御する制御用半導体と、
を備え、
前記光素子保持部品と前記制御用半導体とは、前記基板の第一面上に実装され、
前記光素子保持部品は、前記第一面と交差する第二面を有し、該第二面上に前記光素子が保持されており、
前記光素子保持部品は、本体と、該本体を支持する一つ以上の支持体を備える支持部と、を有し、
前記支持体は、前記第一面に熱的に接する固定面を有し、
前記第一面において前記光素子保持部品と対向する領域の面積より、前記支持部における前記支持体の固定面を合計した面積の方が小さい。
上記構成によれば、光素子保持部品と基板との接触面積が少なくなり、光素子保持部品と基板との間の熱抵抗が大きくなるので、基板に実装した制御用半導体から発生した熱が基板を介して光素子に伝わる量を少なくすることができる。これにより、光素子の温度が高温になることを抑制し、光モジュールの特性悪化を抑制することができる。
【００１３】
（２）前記支持体は、前記本体と一体になっていてもよい。
支持体と本体とを一体とすることにより、光素子保持部品の製造を容易にできる。
【００１４】
（３）前記支持部は、前記固定面が連続した一つの支持体で構成され、前記固定面の形状は、前記光素子保持部品を平面視したときの前記固定面が無い領域を取り囲む形状となっていてもよい。
光素子保持部品と基板との接触面積を小さくしながらも基板に安定した状態で光素子保持部品を実装することができる。
【００１５】
（４）前記支持部は、前記本体と対向する領域の中心から対称な位置となるように配置された四つの支持体で構成されていてもよい。
光素子保持部品と基板との接触面積をさらに小さくすることができる。
【００１６】
（５）前記支持部は、前記支持体のうちの少なくとも一つが、前記第二面と同一平面上で前記第二面に連続する面を有していてもよい。
光素子保持部品本体の第二面から支持体の固定面まで連続した電極を設けることが可能であるので、例えば、導電性の部材で基板上に設けた電極と接着する構成とすることができる。このような構成とすることにより、制御用半導体からのワイヤを基板上に設けた電極に打ち下ろすことができるので、光モジュールの低背化が可能になる。
【００１７】
（６）前記支持部は、前記第二面よりも、前記光素子保持部品において前記光素子から最も離れた第三面に近い位置に配置されている支持体からなるものでもよい。
上記構成によれば、支持部から光素子までに光素子保持部品の本体内を熱が伝わる経路が、光素子と支持部が近い場合よりも長くなる。これにより、上記経路の部分の本体の熱容量が大きくなる。よって、基板から本体を介して光素子へ伝わる熱量をより少なくすることができる。
【００１８】
（７）前記支持部における前記支持体の固定面を合計した面積は、前記第一面において前記本体と対向する領域の面積の１０分の１よりも小さくてもよい。
光素子保持部品と基板との接触面積が十分に小さくなるので、光素子保持部品と基板との間の熱抵抗を十分に大きくすることができる。
【００１９】
（本発明の実施形態の詳細）
本発明の実施形態に係る光モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２０】
（第一実施形態）
図１〜図３は、光モジュールの第一実施形態を示す。
図１および図３に示すように、第一実施形態に係る光モジュール１は、基板２と、基板２に実装された光素子保持部品３と、光素子保持部品３に保持された光素子４と、基板２に実装された制御用半導体６と、を備えている。光素子４には、光ファイバ５が光学的に接続される。
【００２１】
基板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）２は、例えば表面側に銅箔層とメッキ層とからなる最上層２ａが形成されている。最上層２ａは、例えば３０μｍ程度の厚さに形成されている。最上層２ａの熱伝導率は、４０３Ｗ／ｍ・Ｋ程度となっている。光素子保持部品３と制御用半導体６とは、最上層２ａが形成されている基板２の表面２１（第一面の一例）にそれぞれ実装されている。
【００２２】
光素子保持部品３は、本体３１と、本体３１の下端部に設けられた支持部３２とを有している。
本体３１は、矩形状に形成されている。例えば、本体３１の大きさは、前後方向の長さＬ１が４ｍｍ、左右方向の長さＬ２が２ｍｍ、上下方向の長さＬ３が０．５ｍｍとされている。
【００２３】
支持部３２は、本体３１を支持する一つ以上の支持体３３で構成されており、支持体３３の下端には固定面３４が設けられている。支持体３３は、固定面３４を基板２の表面２１に接着剤を介して接触させることにより、本体３１を下側から支持する。
【００２４】
本例の支持部３２は、本体３１の下面の周縁部に設けられており、固定面３４が額縁状に連続して設けられた一つの支持体３３で構成されている。固定面３４の形状は、図２のように、光素子保持部品３を下側から平面視したとき、支持体３３が形成されていない領域、すなわち固定面３４が無い領域を固定面３４が取り囲む形状となっている。支持体３３は、例えば幅Ｗ１，Ｗ２が０．０６ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。本例では固定面３４の面積が０．７１ｍｍ２となるように構成されている。
【００２５】
本体３１と支持部３２とは一体に形成されており、例えばポリエーテルイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、エポキシ樹脂等を含む材料で構成されている。光素子保持部品（例えばポリエーテルイミド樹脂）３の熱伝導率は、０．２Ｗ／ｍ・Ｋである。光素子保持部品３は、固定面３４に塗布される接着剤３４ａにより基板２の表面２１上に固定されている。接着剤３４ａの熱伝導率は、０．２Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、固定面３４と基板２の表面２１とは熱的に接続されている。光素子保持部品３は、支持部３２の固定面３４が基板２の表面２１に接着されることで、本体３１が基板２の表面２１から離隔された状態で実装される。
【００２６】
支持部３２における支持体３３の固定面３４を合計した面積は、基板２の表面２１において光素子保持部品３と対向する領域の面積よりも小さくなるように構成されている。すなわち、基板２の表面２１に対向する光素子保持部品３の下面において、表面２１に接触する固定面３４の面積が、光素子保持部品３を下側から平面視したときの下面全体の面積よりも小さくなるように構成されている。例えば、支持体３３の固定面３４を合計した面積Ｓ１は、基板２の表面２１が光素子保持部品３の本体３１と対向する領域の面積Ｓ２の１０分の１よりも小さくなるように構成されている（図２参照）。
【００２７】
光素子４は、光素子保持部品３の前側に配置されている。光素子保持部品３は、光素子保持部品３が実装されている基板２の表面２１と交差（本例では直交）する方向へ延びる前面（第二面の一例）３５を有している。光素子４は、光素子保持部品３の上面３６の前端部から前面３５の上端部に亘って形成された複数（本例では８個）の電極１１にフリップチップ実装され、光素子保持部品３の前面３５上に保持されている。
【００２８】
図３に示すように、光素子４は、二個の発光素子（例えば、ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）４１と二個の受光素子（例えば、ＰＤ：Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）４２とで構成されている。発光素子４１および受光素子４２は、光素子保持部品３の左右方向へ並んで配置されており、各々の光素子４（４１，４２）が二個の電極１１にフリップチップ実装されている。各光素子４は、隣り合う光素子４の発光面あるいは受光面の中心間隔が例えば０．２５ｍｍとなるように実装されている。
【００２９】
光ファイバ５は、光素子保持部品３に形成された貫通孔３７内に保持されている。光素子保持部品３は、前後方向へ貫通して形成された複数（本例では四本）の貫通孔３７を本体３１に有している。貫通孔３７は、上記各々の光素子４（４１，４２）に対向するように、光素子保持部品３の左右方向へ並列して形成されている。光ファイバ５は、貫通孔３７に挿入されるとともに、光素子４との光学的な結合を良好にするため光素子４に対して前後方向に位置決めされている。
【００３０】
制御用半導体６は、光素子保持部品３の前側に配置され、光素子保持部品３の前面３５と対向するように基板２に実装されている。制御用半導体６は、発光素子４１を駆動するためのドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）６１と受光素子４２から送られてくる信号を制御するためのＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ  ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）６２とで構成されている。ドライバＩＣ６１とＴＩＡ６２とはそれぞれ制御用チャンネルを二つ備えており、ドライバＩＣ６１が二個の発光素子４１を駆動し、ＴＩＡ６２が二個の受光素子４２を制御している。
【００３１】
ドライバＩＣ６１およびＴＩＡ６２は、Ａｕワイヤ１２によって電極１１と接続されている。Ａｕワイヤ１２は、例えば径が２０μｍ、長さが０．４ｍｍとされている。Ａｕワイヤ１２の熱伝導率は、３２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
【００３２】
ところで、このように構成されている光モジュール１の場合、制御用半導体６から大きな熱が発生されうる。したがって、制御用半導体６で熱が発生した場合、発生した熱が例えば光素子保持部品３に保持された光素子４に多く伝わると光素子４の温度が高温になり、光素子４の特性が悪化する。制御用半導体６の熱が光素子４の方向へ伝わる経路としては、図１に矢印Ａで示すＡｕワイヤ１２を伝わる経路と、制御用半導体６の下面から基板２に伝わり、基板２の最上層２ａを伝わる矢印Ｂで示す経路とが想定される。熱は、熱抵抗の低い経路を伝わりやすい。熱抵抗は、材料固有の熱伝導率および放熱経路の断面積に反比例し、放熱経路の長さに比例する。
【００３３】
本例の場合、Ａｕワイヤ１２を伝わる経路の熱抵抗は、１／（３２０Ｗ／ｍ・Ｋ）／（π×１０μｍ×１０μｍ）×（０．４ｍｍ）＝３９８０Ｋ／Ｗと計算される。
一方、制御用半導体６の下面から基板２の最上層２ａを伝わる経路の熱抵抗は次のようになる。基板２に実装されている制御用半導体６の実装面から基板２への熱抵抗が２５Ｋ／Ｗ程度であるから、２５［Ｋ／Ｗ］＋１／（４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）／（３０μｍ×１ｍｍ）×（１ｍｍ）＝１０８Ｋ／Ｗと計算される。なお、この計算では簡易的に最上層２ａの左右方向の幅を１ｍｍ、前後方向の長さを１ｍｍとした。通常は本例のようなモジュールで制御用半導体６が実装される領域は数ｍｍ程度であるので、熱抵抗のオーダとしては大きく違わない。
【００３４】
このように二つの経路の熱抵抗を比較すると、制御用半導体６の下面から基板２の最上層２ａを伝わる経路の熱抵抗が、Ａｕワイヤ１２を伝わる経路の熱抵抗より一桁小さい値となる。このため、制御用半導体６で発生した熱が光素子４の方向へ伝わる経路としては、基板２の最上層２ａを伝わる経路が主経路となる。
【００３５】
続いて、基板２の最上層２ａを伝わった熱が光素子４に伝わる場合、熱は、基板２の表面２１に接着されている光素子保持部品３の下面（本例における固定面３４）を介して光素子４の方向へ伝わる。このため、例えば従来の光素子保持部品のように下面全体が基板２の表面２１に接着されているような構成（図示省略）では、基板２の最上層２ａの熱は、下面全体から光素子４の方向へ伝わる。この場合、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品に伝わる際の熱抵抗は、１／（０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）／（４ｍｍ×２ｍｍ）×（０．５ｍｍ）＝３１３Ｋ／Ｗと計算される。但し、光素子保持部品が基板２に接している面積（４ｍｍ×２ｍｍ）を放熱経路の断面積とし、光素子保持部品の上下方向の長さ（０．５ｍｍ）を放熱経路の長さとする。また、接着剤３４ａの厚さは数十μｍ程度であるため計算値から除いた。
【００３６】
一方、基板２の最上層２ａを伝わった熱がさらに光素子保持部品の下側の最上層２ａへ伝わる場合、光素子保持部品の下側の最上層２ａへ伝わる際の熱抵抗は、１／（４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）／（３０μｍ×２ｍｍ）×（４ｍｍ）＝１６５Ｋ／Ｗと計算される。
【００３７】
このように、上記従来の光素子保持部品の構成では、光素子保持部品に伝わる際の熱抵抗（３１３Ｋ／Ｗ）と、光素子保持部品の下側の最上層２ａを伝わる際の熱抵抗（１６５Ｋ／Ｗ）とを比べると、桁数が違うほどの値の差はない。このため、基板２の最上層２ａを伝わった熱は、そのうちの相当量の熱が光素子保持部品へ伝わり、光素子４の方向へと伝わってしまう。
【００３８】
従来構成の光素子保持部品を備える光モジュールについて信号伝送特性の評価を行った。評価方法としては、光モジュールを恒温槽に入れて雰囲気温度を上昇させ、光ファイバ５に接続した測定装置を用いてアイパターンとビットエラーレート（ＢＥＲ：Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）の測定を行った。その結果、７５℃までの温度領域でアイ開口の確認およびＢＥＲ＝１０−１２でのエラーフリーが確認できた。光素子としては、雰囲気温度８５℃程度まで正常動作する仕様のものを用いた。したがって、上記測定では、雰囲気温度が７５℃程度であっても制御用半導体６で発生した熱が光素子保持部品を介して光素子に伝わり、光素子の温度が８５℃以上に上昇して上記の仕様を超える高温となり、光素子の動作が劣化したと考えられる。
【００３９】
これに対して、第一実施形態の光モジュール１によれば、光素子保持部品３の下端部に額縁状に形成された支持体３３の固定面３４が設けられ、この固定面３４が基板２の最上層２ａに接着されるように構成されているので、光素子保持部品３と基板２との接触面積を小さくすることができる。これにより、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３に伝わる際の熱抵抗を、１／（０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）／（０．７１ｍｍ２）×（０．５ｍｍ）＝３５００Ｋ／Ｗ程度にすることができ、光素子保持部品３の下側の最上層２ａを伝わる際の熱抵抗（１６５Ｋ／Ｗ）と比べて十分に大きくすることができる。したがって、制御用半導体６で発生した熱の多くを、制御用半導体６の下側の基板２の最上層２ａからさらに光素子保持部品３の下側の最上層２ａへと伝えることができ、光素子保持部品３を介して光素子４に伝わる熱量を少なくすることができる。よって、光素子４の温度が高温になることを抑制することができ、光モジュール１の特性悪化を抑制することができる。
【００４０】
光素子保持部品３を備える光モジュール１について上記と同様に信号伝送特性の評価を行った。その結果、８５℃までの温度領域でアイ開口の確認およびＢＥＲ＝１０−１２でのエラーフリーを確認することができた。
【００４１】
また、光モジュール１によれば、光素子保持部品３における支持体３３と本体３１とは一体に形成されているので、光素子保持部品３の製造が容易である。
また、支持体３３の固定面３４は、本体３１の下面の周縁部に額縁状に形成されているので、光素子保持部品３と基板２との接触面積を小さくしながらも光素子保持部品３を基板２に安定した状態で実装することができる。
【００４２】
（第二実施形態）
図４，図５に示すように、第二実施形態に係る光モジュール１Ａは、光素子保持部品３Ａの支持部３２Ａが円柱状に形成された四つの支持体３３Ａで構成されている。四つの支持体３３Ａは、例えば本体３１と対向する領域の中心から対称な位置となるように配置されている。換言すると、本体３１の下面３１ａにおいて、下面３１ａの中心から対称な位置に配置されている。
【００４３】
各々の支持体３３Ａは、例えば径が０．４ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。これにより、本例における固定面３４を合計した面積は０．５ｍｍ２となるように構成されている。
なお、上述した第一実施形態と同一番号を付した部分については、同じ機能であるため、繰り返しとなる説明は省略する。
【００４４】
このような構成とすることにより、光素子保持部品３Ａと基板２との接触面積を小さくすることができ、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３Ａに伝わる際の熱抵抗を、５０００Ｋ／Ｗ程度にすることができる。よって、上記第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
また、光モジュール１Ａについての信号伝送特性の評価では、９５℃までの温度領域でアイ開口の確認およびＢＥＲ＝１０−１２でのエラーフリーを確認することができた。
【００４５】
（第三実施形態）
図６，図７に示すように、第三実施形態に係る光モジュール１Ｂは、光素子保持部品３Ｂの支持部３２Ｂが、光素子保持部品３Ｂを下側から平面視したとき、帯状に形成された二本の支持体３３Ｂで構成されている。二本の支持体３３Ｂは、例えば本体３１の下面３１ｂにおいて、左右両側の縁部にそれぞれ前後方向へ延びるように設けられている。
【００４６】
支持体３３Ｂは、例えば左右方向の幅Ｗ３が０．１ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。これにより、本例における固定面３４を合計した面積は０．８ｍｍ２となるように構成されている。
なお、上述した第一実施形態と同一番号を付した部分については、同じ機能であるため、繰り返しとなる説明は省略する。
【００４７】
このような構成とすることにより、光素子保持部品３Ｂと基板２との接触面積を小さくすることができるので、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３Ｂに伝わる際の熱抵抗を大きくすることができ、上記第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４８】
（第四実施形態）
図８，図９に示すように、第四実施形態に係る光モジュール１Ｃは、光素子保持部品３Ｃの支持部３２Ｃが、光素子保持部品３Ｃを下側から平面視したとき、帯状に形成された二本の支持体３３Ｃで構成されている。二本の支持体３３Ｃは、例えば本体３１の下面３１ｃにおいて、前後両側の縁部にそれぞれ左右方向へ延びるように設けられている。
【００４９】
支持体３３Ｃは、例えば前後方向の幅Ｗ４が０．２ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。これにより、本例における固定面３４を合計した面積は０．８ｍｍ２となるように構成されている。
なお、上述した第一実施形態と同一番号を付した部分については、同じ機能であるため、繰り返しとなる説明は省略する。
【００５０】
このような構成とすることにより、光素子保持部品３Ｃと基板２との接触面積を小さくすることができるので、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３Ｃに伝わる際の熱抵抗を大きくすることができ、上記第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５１】
（第五実施形態）
図１０，図１１に示すように、第五実施形態に係る光モジュール１Ｄは、光素子保持部品３Ｄの支持部３２Ｄが、光素子保持部品３Ｄを下側から平面視したとき、帯状に形成された一本の支持体３３Ｄで構成されている。帯状の支持体３３Ｄは、前面３５よりも、光素子保持部品３において光素子４から最も離れた後面３８（第三面の一例）に近い位置に設けられている。例えば帯状の支持体３３Ｄは、本体３１の下面３１ｄにおいて、後側の縁部に左右方向へ延びるように設けられている。
【００５２】
支持体３３Ｄは、例えば前後方向の幅Ｗ５が０．４ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。これにより、本例における固定面３４の面積は０．８ｍｍ２となるように構成されている。
なお、上述した第一実施形態と同一番号を付した部分については、同じ機能であるため、繰り返しとなる説明は省略する。
【００５３】
このような構成とすることにより、光素子保持部品３Ｄと基板２との接触面積を小さくすることができるので、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３Ｄに伝わる際の熱抵抗を大きくすることができ、上記第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
また、帯状の支持体３３Ｄが後面３８に近い位置に設けられているので、支持部３２Ｄから光素子４までに光素子保持部品３の本体３１内を熱が伝わる経路が、光素子４と支持部が近い場合よりも長くなる。これにより、上記経路の部分の本体３１の熱容量が大きくなる。よって、基板２から本体３１を介して光素子４へ伝わる熱量をより少なくすることができる。
【００５４】
（第六実施形態）
図１２，図１３に示すように、第六実施形態に係る光モジュール１Ｅは、光素子保持部品３Ｅの支持部３２Ｅが、光素子保持部品３Ｅを下側から平面視したとき、帯状に形成された一本の支持体３３Ｅと円柱状に形成された二つの支持体３３Ｅとで構成されている。帯状の支持体３３Ｅは、前面３５と同一平面上で前面３５に連続する面を有しており、例えば本体３１の下面３１ｅにおいて、前側の縁部に左右方向へ延びるように設けられている。また、円柱状の支持体３３Ｅは、例えば本体３１の下面３１ｅにおいて、後端部の左右両側に設けられている。
【００５５】
帯状の支持体３３Ｅは、例えば前後方向の幅Ｗ６が０．２ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。円柱状の支持体３３Ｅは、例えば径が０．５ｍｍとされ、上下方向の長さＨが０．１〜０．１５ｍｍとされている。これにより、本例における固定面３４を合計した面積は０．８ｍｍ２となるように構成されている。
【００５６】
光素子４は、光素子保持部品３Ｅの前面３５の下端部から帯状の支持体３３Ｅの固定面３４に亘って形成された八個の電極１１にフリップチップ実装され、光素子保持部品３Ｅの前面３５上に保持されている。基板２の最上層２ａ上にも、最上層２ａと電気的に絶縁された薄膜を有する電極１３が八個形成されており、対応する光素子保持部品３Ｅの電極１１とそれぞれ銀ペーストで電気的に接続されている。銀ペーストの熱伝導率は、銀の含有率に依存するが、高熱伝導タイプのものでなければ樹脂の熱伝導率より一桁大きくなる程度である。帯状の支持体３３Ｅの固定面３４において八個の電極１１が形成されていない部分は、基板２の最上層２ａに接触しない固定面３４であるため、銀ペーストを使用したことによる熱抵抗の大きな低下は生じない。また、制御用半導体６は、Ａｕワイヤ１２によって基板２の電極１３と接続されている。
【００５７】
なお、上述した第一実施形態と同一番号を付した部分については、同じ機能であるため、繰り返しとなる説明は省略する。
【００５８】
このような構成とすることにより、光素子保持部品３Ｅと基板２との接触面積を小さくすることができるので、基板２の最上層２ａの熱が光素子保持部品３Ｅに伝わる際の熱抵抗を大きくすることができ、上記第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５９】
また、光素子保持部品３Ｅの本体３１の前面３５から支持体３３Ｅの固定面３４まで連続した電極を設けることが可能であるため、例えば、導電性の部材で基板２上に設けた電極１３と接着する構成とすることができる。このような構成とすることにより、制御用半導体６からのＡｕワイヤ１２を基板２上に設けた電極１３に打ち下ろすことができるので、光モジュール１Ｅの低背化が可能になる。なお、本例のように基板２上に電極１３を形成し光素子保持部品３Ｅの電極１１と接続させる構成は、上記第一実施形態および第四実施形態においても適用可能である。
【００６０】
次に、光素子保持部品３に光ファイバ５を保持する構成の変形例について、図１４，図１５を参照しつつ説明する。
（第一変形例）
図１４に示すように、光素子保持部品３は、レンズ面１３１を介して光ファイバ５を保持するようにしてもよい。光素子保持部品３には光ファイバ５を保持するための挿入孔３７Ａが形成されている。挿入孔３７Ａは、光素子保持部品３の後面３８から前面３５へ向けて前面３５に達する手前の位置まで形成されている。光ファイバ５は、光素子保持部品３を貫通していない状態で保持されている。挿入孔３７Ａの先端には、挿入される光ファイバ５の端面に向かって凸のレンズ面１３１が形成されている。挿入される光ファイバ５は、レンズ面１３１に対して前後方向に位置決めされており、レンズ面１３１と光ファイバ５の端面との間には焦点距離分の空気層１３２が形成されている。
図１４，図１５に示す構成によっても、光ファイバ５は光素子４に光学的に接続されている。
【００６１】
（第二変形例）
図１５に示すように、光素子保持部品３は、レンズ面１３３を介して光ファイバ５を保持するようにしてもよい。光ファイバ５は、光素子保持部品３の後面３８から前面３５へ向けて前面３５に達する手前の位置まで形成された挿入孔３７Ｂに保持されている。挿入された光ファイバ５の端面と光素子４との間には、光素子４に向かって凸のレンズ面１３３が形成されている。
【００６２】
以上、本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。また、上記説明した構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に変更することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１：光モジュール
２：基板
２ａ：最上層
３（３Ａ〜３Ｅ）：光素子保持部品
４：光素子
５：光ファイバ
６：制御用半導体
１１，１３：電極
２１：表面（第一面の一例）
３１：本体
３２（３２Ａ〜３２Ｅ）：支持部
３３（３３Ａ〜３３Ｅ）：支持体
３４：固定面
３５：前面（第二面の一例）
３７：貫通孔
３８：後面（第三面の一例）
６１：ドライバＩＣ
６２：ＴＩＡ
１３１、１３３：レンズ面
１３２：空気層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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