(57)【要約】      （修正有）【課題】消費電力をおさえ、動作速度が遅い回路でも通信を可能とする非接触型タグの通信システムを提供する。【解決手段】信号強度が異なる２つの交流信号が所定の周期で繰り返される搬送波１を供給する第１信号送信機と、信号が入力されるアンテナ端子と信号が出力される出力端子を備え、搬送波の入力により強度が異なる２つの直流電圧が所定の周期で繰り返されるクロック信号３を出力する第１整流回路５と、から構成される。クロック信号３が第１整流回路５以後の回路においてのクロックとなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号強度が異なる２つの交流信号が所定の周期で繰り返される第１信号を供給する第１信号送信機と、信号が入力される入力端子と信号が出力される出力端子を備え、前記第１信号の入力により強度が異なる２つの直流電圧が所定の周期で繰り返される第１電圧を出力する第１整流回路と、から構成され、前記第１電圧が前記第１整流回路以後の回路においてクロック信号となることを特徴とする通信システム。
【請求項２】
さらに前記第１信号機から、信号強度が異なる２つの交流信号が任意の時間ごとで切り替わる第２信号が前記第１整流回路に供給され、前記第１整流回路が強度が異なる２つの直流電圧が任意の時間ごとで切り替わる第２電圧を出力し、前記第２電圧が前記第１整流回路以後の回路において通信情報となることを特徴とする請求項１記載の通信システム。
【請求項３】
さらに前記第１信号機からの交流信号を電源電圧として出力する第２整流回路を備えた請求項１記載の通信システム。
【請求項４】
さらに前記第１信号機から無線で供給される交流信号を前期第１整流回路と前期第２整流回路に入力するアンテナを備えた請求項１記載の通信システム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の通信システムにより通信を行うことを特徴とする有線または無線の通信装置。
【請求項６】
前記第１整流回路と、前記第２整流回路の少なくとも一方が、移動度が５０〜３００ｃｍ２／Ｖｓの有機半導体層から構成される整流素子を含む請求項５記載の通信装置。
【請求項７】
前記第１整流回路と、前記第２整流回路の少なくとも一方が、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含む半導体層から構成される整流素子を含む請求項５、または請求項６記載の通信装置。
【請求項８】
前記第１整流回路と、前記第２整流回路の少なくとも一方が、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含む、ｎ型半導体素子と、ｐ型半導体素子からなる相補型半導体装置を含む請求項５〜７のいずれかに記載の通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触型タグの通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線信号（電波）から電力を受けて動作する非接触型の電子装置が増加している。中でも非接触型のタグとしてＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を用いた無線通信システムの開発が進められている。ＲＦＩＤタグは、ＩＣチップと、リーダ／ライタと呼ばれる無線送受信機と通信するためのアンテナを有している。ＲＦＩＤタグとリーダ／ライタ間の無線通信は、タグ内に設置されたアンテナが、リーダ／ライタから送信される搬送波を受信し、ＩＣチップ内の駆動回路が動作することで行われる。
【０００３】
ＲＦＩＤタグは、交通カードなどのＩＣカード、商品タグなど一部で導入が始まっている。今後は物流管理、商品管理、万引き防止などの様々な用途への展開が可能で、あらゆる商品で利用することが期待されている。そのためには製造コストの低減が必要であり、真空や高温を使用する製造プロセスから脱却し、塗布・印刷技術を用いたフレキシブルで安価なものが検討されている。例えば、ＩＣチップ内の駆動回路には、成形性に優れた有機半導体を半導体層として用いた電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）が提案されている。有機半導体をインクとして利用することで、インクジェット技術やスクリーニング技術等により、フレキシブル基板上に直接回路パターンを形成することが可能になる。そこで、従来の無機半導体に換わり、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）や有機半導体を用いたＦＥＴが盛んに検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、通常、ＲＦＩＤタグはパッシブ型と言われる、リーダ／ライタから出力される無線信号をタグアンテナ部で受けて電力を発生させ、この電力によりタグ回路部を動作させるものが用いられる。電波から電力を受けて動作するため、消費電力を少なくすることも必要である。
【０００５】
一方、ＲＦＩＤタグの基本構成は、規格の違いはあるが、およそ以下に示す構成であることが知られている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、リーダ／ライタからの電波を受信するアンテナ、受信した電波から電源を生成するための電源回路、電波からタグ内部の回路動作に必要なクロックを抽出するクロック回路、内部ロジックなどで使用する周波数までクロックを分周するクロック分周回路、変調された電波を復調するための復調回路、リーダ／ライタへ応答を返すための変調回路、情報等を格納する不揮発メモリ、送受信データの処理、及び不揮発メモリの制御のためのロジック回路などから構成される。クロック回路では、内部回路の動作に必要なクロックをリーダ／ライタからの電波から抽出するのが一般的だが、送信データの変調方式でＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）１００％変調が使われる際は送信データが変調される期間はリーダ／ライタからの電波が停止され、特にＵＨＦ帯以上の帯域の電波を用いる際は、ＧＨｚレベルのクロック速度をもつ回路が必要となり、それらの回路で大きな電力を消費してしまう。そのため、タグ回路内に基準クロックを生成する発振回路を備えることが行われている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００９／１３９３３９号
【特許文献２】特開２０００−１７２８０６号
【特許文献３】特開２００８−２８７３８７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献３では、リーダ／ライタから指定された通信速度に応じて、タグ内の発振回路の基準クロック周波数自体を可変とする方式を用いることで、低い周波数の基準クロックを用いることが可能となった。しかしながら、発振回路のクロック信号によりＲＦＩＤタグ内の回路が常に駆動されるので、消費電力が多いという課題があった。加えて、ＵＨＦ帯以上の帯域の電波をリーダ／ライタから送信すると、復調回路などではＧＨｚレベルの動作速度が求められ、非常に高性能な回路が必要になるという課題があった。
【０００８】
本発明は上記課題に着目し、消費電力をおさえ、動作速度が遅い回路でも通信を可能とする通信システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
すなわち、本発明は、
信号強度が異なる２つの交流信号が所定の周期で繰り返される第１信号を供給する第１信号送信機と、
信号が入力される入力端子と、信号が出力される出力端子を有し、前記第１信号の入力により強度が異なる２つの直流電圧が所定の周期で繰り返される第１電圧を出力する第１整流回路と、から構成され、
前記第１電圧が前記第１整流回路以後の回路においてクロック信号となることを特徴とする通信システムである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、消費電力をおさえ、動作速度が遅い回路でも通信が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の通信システムの構成の一例を示すブロック図
【図２】本発明の通信システムの構成の一例を示すブロック図
【図３】本発明の通信システムにおける第１信号波形の一例
【図４】本発明の通信システムにおける第２信号波形の一例
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施の形態の通信システムは、装置間で情報の送受信を行う機能を少なくとも備えた非接触型タグを用いている。このような非接触型タグの代表例として、ＵＨＦ帯のＲＦＩＤタグが挙げられる。以降では、このＲＦＩＤタグを例として詳細な説明を行うが、必ずしもＲＦＩＤタグに限定されるものではなく、情報の送受信を行う通信機能を備えた非接触型タグであれば同様に適用可能である。
【００１３】
まず、本発明の通信システムは、ＲＦＩＤタグと、このＲＦＩＤタグを読み取るリーダ／ライタ（第１信号送信機）を備えている。またＲＦＩＤタグは、リーダ／ライタ（第１信号送信機）との間で無線信号を送受信するアンテナ部、アンテナ部で受信したリーダ／ライタ（第１信号送信機）からの信号が入力される入力端子と、信号が出力される出力端子を備えた第１整流回路、タグ回路部から構成されている。なお、タグ回路部は制御部、復調部、変調部、メモリ部など公知のＲＦＩＤタグに含まれるデータ信号処理に必要な回路から成る。さらに本発明の通信システムを実施するＲＦＩＤタグは、アンテナ部で受信したリーダ／ライタ（第１信号送信機）からの無線信号から直流電圧を生成する第２整流回路を備えていることが好ましい。リーダ／ライタ（第１信号送信機）からの無線信号を第２整流回路で整流し、生成した直流電圧をタグ回路部に供給し、ＲＦＩＤタグを起動させる。なお、前記第２整流回路は前記第１整流回路と同一の物であってもよい。
【００１４】
図１は、第１整流回路と第２整流回路とが同一の整流回路である本発明の実施の形態におけるＲＦＩＤ通信システムの概要を説明するためのブロック図である。図２は、第１整流回路と第２整流回路とが別の整流回路である本発明の実施の形態におけるＲＦＩＤ通信システムの概要を説明するためのブロック図である。以下、本発明の通信システムについての説明は、特に断りの無い限り図１、図２ともに共通する。
【００１５】
このように構成された本発明の通信システムにおいて、ＲＦＩＤタグとリーダ／ライタ（第１信号送信機）とが交信する場合について、以下に説明する。
【００１６】
なお、本発明の通信システムは、第１信号送信機（例えばリーダ／ライタ）と有線で通信する場合、非接触型タグにアンテナが含まれていなくても良い。
【００１７】
まず、本発明の通信システムにおいて、第１信号送信機（リーダ／ライタ）から送信される第１信号は、信号強度の異なる２つの交流信号が一定の周期で繰り返される信号である。
【００１８】
＜第１信号送信機から送信される第１信号＞
信号強度が異なる２つの交流信号が一定の周期で繰り返される信号であれば、いかなる信号でもよい。たとえば、図３に示すような、信号強度が強い信号が供給される期間Ｔａと弱い信号が供給される期間Ｔｂが同じ信号でもよい。またＴａ＞Ｔｂ、Ｔａ＜Ｔｂでもよい。なお交流信号の周波数は、この場合は、ＵＨＦ帯（８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ））であり、使用する通信周波数帯の周波数となる。
【００１９】
また第１信号送信機から送信される信号は、クロック信号が含まれた信号である。
【００２０】
また、第１信号送信機から送信される信号は、信号強度が異なる２つの交流信号が任意の時間ごとに切り替わる第２信号を含んでいることが好ましい。前記第２信号は、データ信号が含まれた信号であり、この信号によりリーダ／ライタとＲＦＩＤタグ間での情報交信が行われる。第２信号は、信号強度が異なる２つの交流信号が任意の時間ごとに切り替われば、いかなる信号でもよい。例えば、図４に示すような信号の強度が異なる２つの信号がランダム周期で繰り返される信号でもよい。
【００２１】
＜整流回路＞
第１整流回路は、入力端子、出力端子、整流素子とコンデンサを含み、入力される交流信号から直流電圧を生成できれば、いかなる回路でもよい。例えば、公知の半波整流回路や全波整流回路、倍電圧整流回路などが挙げられるが、これらに限らない。さらに整流回路で生成した直流電圧をタグ回路部に供給し、安定的にＲＦＩＤタグを起動させるために直流電圧を増幅するアンプ回路を整流回路内に含んでいることが好ましい。アンプ回路は、ｎ型半導体素子とｐ型半導体素子とから構成され、直流電圧を増幅するものであれば、いかなる回路構成でもよく、例えば公知のオペアンプ回路や差動アンプ回路などが挙げられる。ｎ型半導体素子とｐ型半導体素子は、いかなるものでもよく、例えばｎ型電界効果型トランジスタ、ｐ型電界効果型トランジスタなどが挙げられる。ｎ型電界効果型トランジスタ、ｐ型電界効果型トランジスタは、ともに（ａ）第一の電極と第二の電極からなる一対の電極と、前記（ａ）一対の電極間に設けられた（ｂ）半導体層と、（ｃ）絶縁層と、（ｄ）第三の電極とを備えた半導体素子であって、前記（ｄ）第三の電極は前記（ｃ）絶縁層により前記（ｂ）半導体層と電気的に絶縁されて配置されたものである。また、前記（ｂ）半導体層は、有機半導体から構成されることが好ましい。中でも半導体特性に優れたＣＮＴを含むものがより好ましい。さらに（ｂ）半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含む態様がさらに好ましい。ｎ型半導体素子とｐ型半導体素子の構成材料などについては、後述する整流素子と同一である。
【００２２】
前記第１信号送信機から送信される、信号強度が異なる２つの交流信号を一定の周期で繰り返す信号が、第１整流回路に入力されると、信号強度に対応した絶対値の異なる２値の直流電圧が一定の周期で繰り返し生成され、出力端子から出力される。この出力信号は、例えば高い直流電圧値を“Ｈ”、低い直流電圧値を“Ｌ”とすることで、“Ｈ”と“Ｌ”信号が一定周期で繰り返されるクロック信号とすることができる。さらに前記第１信号送信機から送信される信号が、信号強度が異なる２つの交流信号が任意の時間ごとに切り替わる第２信号も含まれると、前記第１整流回路の出力端子から出力される信号は、“Ｈ”と“Ｌ”信号が任意の時間ごとに切り替わるデータ信号とすることができる。これらクロック信号、データ信号により、リーダ／ライタとＲＦＩＤタグが通信することになる。なお、前記クロック信号、データ信号を用いたタグ回路部での動作については、公知のＲＦＩＤシステムと同様である。
【００２３】
また、入力される交流信号から直流電圧を生成し、タグ回路部に供給し、タグ回路を起動させる電源電圧として出力する第２整流回路を備えていることが好ましい。これにより、ＲＦＩＤタグに電池などの電源を搭載しなくても動作させることができ、製造コストが低減できる。前記第２整流回路は前記第１整流回路と同様、いかなる回路でもよく、前記第１整流回路と同じであっても良い。
【００２４】
以下、整流回路についての説明は、第１整流回路、第２整流回路ともに共通する。
【００２５】
整流回路内のコンデンサの材料、構成、容量はいかなるものでもよい。通信システムの速度にあわせて任意のものを選定できる。整流素子の材料、構成などはいかなるものでもよい。例えば、公知のＰＮダイオード、ショットキーバリアダイオードなどが挙げられる。中でも、（ａ）第一の電極と第二の電極からなる一対の電極と、前記（ａ）一対の電極間に設けられた（ｂ）半導体層を備える整流素子であって、前記（ｂ）半導体層が、有機半導体から構成されるものが好ましく、前記有機半導体層の移動度は、より高周波な入力信号に対応するため５０〜３００ｃｍ２／Ｖｓの範囲であることが好ましい。中でも前記（ｂ）半導体層は、半導体特性に優れたＣＮＴを含むものが好ましい。さらに（ｂ）半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含む態様がより好ましい。
【００２６】
また、本発明の整流素子として、（ａ）第一の電極と第二の電極からなる一対の電極と、前記（ａ）一対の電極間に設けられた（ｂ）半導体層と、（ｃ）絶縁層と、（ｄ）第三の電極とを備えた整流素子であって、前記（ａ）一対の電極のいずれか一方と前記（ｄ）第三の電極が電気的に接続され、前記（ｄ）第三の電極は前記（ｃ）絶縁層により前記（ｂ）半導体層と電気的に絶縁されて配置され、前記（ｂ）半導体層が、有機半導体から構成されることが好ましく、前記有機半導体層の移動度は、より高周波な入力信号に対応するため５０〜３００ｃｍ２／Ｖｓの範囲であることが好ましい。中でも前記（ｂ）半導体層は、半導体特性に優れたＣＮＴを含むものが好ましい。さらに（ｂ）半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含む態様がより好ましい。
【００２７】
（電極）
一対の電極、および第三の電極に用いられる材料は、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物；白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの金属やこれらの合金；ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質；ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン；ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など；ヨウ素などのドーピングなどで導電率を向上させた導電性ポリマーなど；炭素材料など；および有機成分と導電体を含有する材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
【００２８】
中でも、電極の柔軟性が増し、屈曲時にも密着性が良く電気的接続が良好となる点から、有機成分と導電体を含有することが好ましい。有機成分としては、特に制限はないが、モノマー、オリゴマーもしくはポリマー、光重合開始剤、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤、顔料などが挙げられる。折り曲げ耐性向上の観点からは、オリゴマーもしくはポリマーが好ましい。
【００２９】
（絶縁層）
絶縁層に用いられる材料は、特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）等の有機高分子材料；あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げることができる。
中でもケイ素と炭素の結合を含む有機化合物を含むものが好ましい。
【００３０】
（半導体層）
半導体層は、半導体としての性質を示す物であればよいが、有機半導体層から構成されることが好ましい。有機半導体層としては、例えば、ペンタセン、アントラセン、ルブレンなどの多環芳香族炭化水素、フタロシアニン、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）などの低分子化合物、ポリアセチレン、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）などのポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー、ＣＮＴやグラフェンやフラーレンなどのナノカーボンなどが挙げられる。半導体層は電気特性を阻害しない範囲であれば、さらに絶縁材料を含んでもよい。またこれらを単独で用いても、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
【００３１】
中でも、半導体層はＣＮＴを含むものが好ましい。さらに表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したＣＮＴがより好ましい。ＣＮＴの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着した状態とは、ＣＮＴの表面の一部、あるいは全部を共役系重合体が被覆した状態を意味する。共役系重合体がＣＮＴを被覆できるのは、両者の共役系構造に由来するπ電子雲が重なることによって相互作用が生じるためと推測される。ＣＮＴが共役系重合体で被覆されているか否かは、被覆されたＣＮＴの反射色が被覆されていないＣＮＴの色から共役系重合体の色に近づくことで判断できる。定量的にはＸ線光電子分光（ＸＰＳ）などの元素分析によって、付着物の存在とＣＮＴに対する付着物の重量比を同定することができる。
【００３２】
また、ＣＮＴへの付着のしやすさから、共役系重合体の重量平均分子量が１０００以上であることが好ましい。ここで、共役系重合体とは、繰り返し単位が共役構造をとり、重合度が２以上の化合物を指す。
【００３３】
ＣＮＴの表面の少なくとも一部に共役系重合体を付着させることにより、ＣＮＴの保有する高い電気的特性を損なうことなくＣＮＴを溶液中に均一に分散することが可能になる。また、ＣＮＴが均一に分散した溶液から塗布法により、均一に分散したＣＮＴ膜を形成することが可能になる。これにより、高い半導体特性を実現できる。
【００３４】
ＣＮＴに共役系重合体を付着させる方法は、（Ｉ）溶融した共役系重合体中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩ）共役系重合体を溶媒中に溶解させ、この中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩＩ）ＣＮＴを溶媒中に超音波等で予備分散させておき、そこへ共役系重合体を添加し混合する方法、（ＩＶ）溶媒中に共役系重合体とＣＮＴを入れ、この混合系へ超音波を照射して混合する方法などが挙げられる。本発明では、いずれの方法を用いてもよく、複数の方法を組み合わせてもよい。
【００３５】
共役系重合体としては、ポリチオフェン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリ−ｐ−フェニレン系重合体、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン系重合体などが挙げられるが、特に限定されない。上記重合体は単一のモノマーユニットが並んだものが好ましく用いられるが、異なるモノマーユニットをブロック共重合したもの、ランダム共重合したものも用いられる。また、グラフト重合したものも用いることができる。
【００３６】
上記重合体の中でも本発明においては、ＣＮＴへの付着が容易であり、ＣＮＴ複合体を形成しやすいポリチオフェン系重合体が好ましく使用される。環中に含窒素二重結合を有する縮合へテロアリールユニットとチオフェンユニットを繰り返し単位中に含むものがより好ましい。
【００３７】
ＣＮＴとしては、１枚の炭素膜（グラフェン・シート）が円筒状に巻かれた単層ＣＮＴ、２枚のグラフェン・シートが同心円状に巻かれた２層ＣＮＴ、複数のグラフェン・シートが同心円状に巻かれた多層ＣＮＴのいずれを用いてもよいが、高い半導体特性を得るためには単層ＣＮＴを用いるのが好ましい。ＣＮＴは、アーク放電法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、レーザー・アブレーション法等により得ることができる。
【００３８】
また、ＣＮＴは半導体型ＣＮＴを８０重量％以上含むことがより好ましい。さらに好ましくは半導体型ＣＮＴを９５重量％以上含むことである。半導体型８０重量％以上のＣＮＴを得る方法としては、既知の方法を用いることができる。例えば、密度勾配剤の共存下で超遠心する方法、特定の化合物を選択的に半導体型もしくは金属型ＣＮＴの表面に付着させ、溶解性の差を利用して分離する方法、電気的性質の差を利用し電気泳動等により分離する方法などが挙げられる。半導体型ＣＮＴの含有率を測定する方法としては、可視−近赤外吸収スペクトルの吸収面積比から算出する方法や、ラマンスペクトルの強度比から算出する方法等が挙げられる。
【００３９】
本発明において、ＣＮＴを半導体素子の半導体層に用いる場合、ＣＮＴの長さは、ソース電極とドレイン電極間の距離よりも短いことが好ましい。ＣＮＴの平均長さは、ソース電極とドレイン電極間距離にもよるが、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。
【００４０】
ＣＮＴの平均長さとは、ランダムにピックアップした２０本のＣＮＴの長さの平均値を言う。ＣＮＴ平均長さの測定方法としては、原子間力顕微鏡、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡等で得た画像の中から、２０本のＣＮＴをランダムにピックアップし、それらの長さの平均値を得る方法が挙げられる。
【００４１】
一般に市販されているＣＮＴは長さに分布があり、電極間距離よりも長いＣＮＴが含まれることがあるため、ＣＮＴをソース電極とドレイン電極間距離よりも短くする工程を加えることが好ましい。例えば、硝酸、硫酸などによる酸処理、超音波処理、または凍結粉砕法などにより、ＣＮＴを短繊維状にカットする方法が有効である。またフィルターによる分離を併用することは、ＣＮＴの純度を向上させる点でさらに好ましい。
また、ＣＮＴの直径は特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【００４２】
半導体層の膜厚は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。この範囲内にあることで、均一な薄膜形成が容易になる。より好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。膜厚は、原子間力顕微鏡やエリプソメトリ法などにより測定できる。
【００４３】
半導体層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、ＣＶＤなど乾式の方法を用いることも可能であるが、製造コストや大面積への適合の観点から塗布法を用いることが好ましい。具体的には、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などを好ましく用いることができ、塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。また、形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。
【００４４】
＜通信装置＞
本発明の通信装置は、少なくとも前記第１信号送信機からの信号が入力される入力端子と、信号が出力される出力端子を有する第１整流回路から構成される通信装置である。
【符号の説明】
【００４５】
１  搬送波
２  アンテナ
３  クロック信号
４  直流電圧
５  第１整流回路
６  タグ回路部
７  第２整流回路
【図１】
2018133756.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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