(57)【要約】      （修正有）【課題】半田リフローの熱処理に耐える構造を有する光接続デバイス、光処理装置、光接続デバイスを作製する方法、光処理装置を作製する方法を提供する。【解決手段】光接続デバイス１１は、ホルダ１３と、ホルダに支持される光ファイバ１５と、ホルダに支持されるガイド部品１７を備え、ホルダは、第１樹脂体２３、第２樹脂体２５、支持部品１９及び第１蓋部品２１を含み、支持部品は、主面１９ａ、及び第１軸の方向に延在する溝１９ｂを含み、第１樹脂体は、支持部品と第１蓋部品との間に設けられ光ファイバに接触を成し、ガイド部品は、溝によって支持され、第２樹脂体は、ガイド部品を支持部品に固定し、光ファイバは、支持部品の主面上において第１軸の方向に延在し、第１蓋部品は、ガイド部品から離れるように光ファイバ上に設けられて、光ファイバは、支持部品の主面と第１蓋部品の主面２１ａとの間に設けられる。【選択図】図１
2018132553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光接続デバイスであって、
ホルダと、
前記ホルダに支持される光ファイバと、
前記ホルダに支持されるガイド部品と、
を備え、
前記ホルダは、第１樹脂体、第２樹脂体、支持部品及び第１蓋部品を含み、
前記支持部品は、主面、及び前記主面において第１軸の方向に延在する溝を含み、前記溝は、第１面及び第２面を有し、
前記第１樹脂体は、前記支持部品と前記第１蓋部品との間に設けられ前記光ファイバに接触を成し、
前記ガイド部品は、前記溝において前記第１面及び前記第２面によって支持され、前記第２樹脂体は、前記ガイド部品を前記支持部品に固定し、
前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面上において前記第１軸の方向に延在し、
前記第１蓋部品は、前記ガイド部品から離れるように前記光ファイバ上に設けられて、前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面と前記第１蓋部品の主面との間に設けられる、光接続デバイス。
【請求項２】
前記ガイド部品は、前記ホルダにおいて前記第１軸の方向に延在する側面を有するピン又はパイプを含み、
前記第１樹脂体は、前記第２樹脂体から離されている、請求項１に記載された光接続デバイス。
【請求項３】
前記ホルダは、第２蓋部品を更に含み、
前記第２蓋部品は、前記第１蓋部品から離れるように前記ガイド部品上に設けられて、前記ガイド部品は、前記支持部品の前記溝と前記第２蓋部品の主面との間に設けられる、請求項１又は請求項２に記載された光接続デバイス。
【請求項４】
前記支持部品の前記主面は、前記第１樹脂体に接触を成すと共に前記光ファイバを支持する第１エリア、前記第１エリアと前記溝との間に位置する第２エリア、及び第３エリアを含み、前記第１エリア、前記第２エリア及び前記第３エリアは、前記第１軸に交差する方向に延在する第２軸の方向に配列され、前記第２エリアは、前記第１エリアと前記第３エリアとの間に位置し、
前記第２樹脂体は被覆樹脂膜を含み、前記被覆樹脂膜は、前記支持部品の前記第３エリア及び前記ガイド部品の側面に接触を成すと共に、前記第１エリア及び前記第３エリアの一方から他方への方向に前記ガイド部品の前記側面に沿って延在する、請求項１又は請求項２に記載された光接続デバイス。
【請求項５】
光処理装置であって、
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された光接続デバイスと、
前記光接続デバイスに光学的に結合されるように、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子と、
を備える、光処理装置。
【請求項６】
前記シリコンフォトニクス素子に電気的に接続された半導体素子と、
前記シリコンフォトニクス素子及び前記半導体素子を搭載する配線基板と、
を備え、
前記半導体素子は、前記配線基板に半田部材を介して接続される、請求項５に記載された光処理装置。
【請求項７】
光接続デバイスを作製する方法であって、
第１軸の方向に延在する第１面及び第２面を有する溝を含む支持部品を準備する工程と、
前記支持部品の主面上に光ファイバ及び第１樹脂を設ける工程と、
前記溝を避けて、前記光ファイバ及び前記第１樹脂上に第１蓋部品を置く工程と、
前記第１蓋部品を置いた後に、前記第１樹脂の硬化を行う工程と、
前記支持部品の主面上にガイド部品及び第２樹脂を設ける工程と、
前記ガイド部品及び前記第２樹脂を設けた後に、前記第２樹脂の硬化を行う工程と、
を備え、
前記第１樹脂を硬化させる際に、前記第１蓋部品を押圧し、
前記第２樹脂を硬化させる際に、前記ガイド部品は、前記支持部品の前記溝の前記第１面及び前記第２面に支持されている、光接続デバイスを作製する方法。
【請求項８】
前記第２樹脂を硬化させるに先だって、前記光ファイバから離して前記ガイド部品及び前記第２樹脂上に第２蓋部品を置く工程を更に備え、
前記第２蓋部品は前記第１蓋部品から隔置され、
前記第２樹脂を硬化させる際に、前記第２蓋部品を押圧する、請求項７に記載された光接続デバイスを作製する方法。
【請求項９】
前記第２樹脂を硬化させる際に、前記ガイド部品は押圧されており、
当該方法は、
前記第２樹脂を硬化させた後に、前記第１蓋部品から離して追加の樹脂を前記ガイド部品上に設ける工程と、
前記追加の樹脂を硬化させる工程と、
を更に備える、請求項７に記載された光接続デバイスを作製する方法。
【請求項１０】
前記第１樹脂の硬化と前記第２樹脂の硬化とを単一の処理により行うと共に、該処理において前記第１蓋部品及び前記ガイド部品を単一の治具により押圧する、請求項７〜請求項９のいずれか一項に記載された光接続デバイスを作製する方法。
【請求項１１】
光処理装置を作製する方法であって、
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された光接続デバイスと、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子とを含む組立体を準備する工程と、
前記組立体の前記シリコンフォトニクス素子及び半導体素子を配線基板上に配置する工程と、
前記シリコンフォトニクス素子及び前記半導体素子を前記配線基板上に配置した後に、半田リフローのための熱処理を前記配線基板に行う工程と、
を備える、光処理装置を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光接続デバイス、光処理装置、光学接続デバイスを作製する方法、及び光処理装置を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、光ファイバアレイを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００２／０７９８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の光ファイバアレイは、ガイドピン及び光ファイバを挟む２つの基板を含む。これらの基板は樹脂により固定されてホルダを形成する。発明者の知見によれば、半田リフローの熱処理に耐える光ファイバアレイは、その用途を広げる。
【０００５】
発明者の検討によれば、特許文献１の光ファイバーアレイは、半田リフローの熱処理に耐えられない可能性がある。具体的には、ガイドピン及びホルダは、互いに異なる材料を備え、これ故に、互いに異なる熱膨張係数を有する。半田リフローの熱処理に際して、ガイドピン、ホルダ及び光ファイバは、摂氏２００度以上の温度に置かれる。ガイドピンといったガイド部品、及びホルダは、半田リフローに際して熱膨張する。ガイド部品の熱膨張は、ホルダ内の二枚の基板を引き離す向きの力を該基板に作用させる。望まれていることは、半田リフローの熱処理における熱応力に対抗できる構造である。
【０００６】
本発明の一側面は、半田リフローの熱処理に耐える構造を有する光接続デバイスを提供することを目的とする。本発明の別の側面は、光接続デバイスを備える光接続装置を提供することを目的とする。本発明の更なる別の側面は、光接続デバイスを作製する方法を提供することを目的とする。本発明のまた別の側面は、光接続装置を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る光接続デバイスは、ホルダと、前記ホルダに支持される光ファイバと、前記ホルダに支持されるガイド部品と、を備え、前記ホルダは、第１樹脂体、第２樹脂体、支持部品及び第１蓋部品を含み、前記支持部品は、主面、及び前記主面において前記第１軸の方向に延在する溝を含み、前記溝は、第１面及び第２面を有し、前記第１樹脂体は、前記支持部品と前記第１蓋部品との間に設けられ前記光ファイバに接触を成し、前記ガイド部品は、前記溝において前記第１面及び前記第２面によって支持され、前記第２樹脂体は、前記ガイド部品を前記支持部品に固定し、前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面上において前記第１軸の方向に延在し、前記第１蓋部品は、前記ガイド部品から離れるように前記光ファイバ上に設けられて、前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面と前記第１蓋部品の主面との間に設けられる。
【０００８】
本発明の別の側面に係る光処理装置は、光接続デバイスと、前記光接続デバイスに光学的に結合されるように、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子と、を備える。
【０００９】
本発明の更なる別の側面に係る光接続デバイスを作製する方法は、第１軸の方向に延在する第１面及び第２面を有する溝を含む支持部品を準備する工程と、前記支持部品の主面上に光ファイバ及び第１樹脂を設ける工程と、前記溝を避けて、前記光ファイバ及び前記第１樹脂上に第１蓋部品を置く工程と、前記第１蓋部品を置いた後に、前記第１樹脂の硬化を行う工程と、前記支持部品の主面上にガイド部品及び第２樹脂を設ける工程と、前記ガイド部品及び前記第２樹脂を設けた後に、前記第２樹脂の硬化を行う工程と、を備え、前記第１樹脂を硬化させる際に、前記第１蓋部品を押圧し、前記第２樹脂を硬化させる際に、前記ガイド部品は、前記支持部品の前記溝の前記第１面及び前記第２面に支持されている。
【００１０】
本発明のまた更なる別の側面に係る光処理装置を作製する方法は、光接続デバイスと、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子とを含む組立体を準備する工程と、前記組立体の前記シリコンフォトニクス素子及び半導体素子を配線基板上に配置する工程と、前記シリコンフォトニクス素子及び前記半導体素子を配線基板上に配置した後に、半田リフローのための熱処理を前記配線基板に行う工程と、を備える。
【００１１】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、半田リフローの熱処理に耐える構造を有する光接続デバイスを提供できる。本発明の別の側面によれば、この光接続デバイスを備える光接続装置を提供できる。本発明の更なる別の側面によれば、光接続デバイスを作製する方法を提供できる。本発明のまた別の側面によれば、光接続装置を作製する方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施形態に係る光接続デバイスを概略的に示す図面である。
【図２】図２は、本実施形態に係る光接続デバイスを概略的に示す図面である。
【図３】図３は、本実施形態に係る光接続デバイスを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４は、本実施形態に係る光接続デバイスを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５は、本実施形態に係る光接続デバイスを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、本実施形態に係る光処理装置のための組立体を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図７】図７は、本実施形態に係る光処理装置に適用可能なシリコンフォトニクス半導体素子の一例を示す図面である。
【図８】図８は、光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図９】図９は、本実施形態に係る光処理装置を模式的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
いくつかの具体例を説明する。
【００１５】
具体例に係る光接続デバイスは、（ａ）ホルダと、（ｂ）前記ホルダに支持される光ファイバと、（ｃ）前記ホルダに支持されるガイド部品と、を備え、前記ホルダは、第１樹脂体、第２樹脂体、支持部品及び第１蓋部品を含み、前記支持部品は、主面、及び前記主面において第１軸の方向に延在する溝を含み、前記溝は、第１面及び第２面を有し、前記第１樹脂体は、前記支持部品と前記第１蓋部品との間に設けられ前記光ファイバに接触を成し、前記ガイド部品は、前記溝において前記第１面及び前記第２面によって支持され、前記第２樹脂体は、前記ガイド部品を前記支持部品に固定し、前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面上において前記第１軸の方向に延在し、前記第１蓋部品は、前記ガイド部品から離れるように前記光ファイバ上に設けられて、前記光ファイバは、前記支持部品の前記主面と前記第１蓋部品の主面との間に設けられる。
【００１６】
光接続デバイスによれば、光ファイバが支持部品の主面と第１蓋部品の主面との間に設けられると共に、第１蓋部品は、溝の第１面及び第２面によって支持されるガイド部品から離されている。ガイド部品は、支持部品及び第１蓋部品と異なる材料からなり、ガイド部品の熱膨張係数は、支持部品及び第１蓋部品の熱膨張係数と異なる。ガイド部品から第１蓋部品を離間することにより、温度変化に際して生じるガイド部品の変形が、光ファイバを固定する第１蓋部品に伝搬することを避けることができる。
【００１７】
具体例に係る光接続デバイスでは、前記ガイド部品は、前記ホルダにおいて前記第１軸の方向に延在する側面を有するロッド又はパイプを含み、前記第１樹脂体は、前記第２樹脂体から離されている。
【００１８】
光接続デバイスによれば、ロッドは、当該光接続デバイスに結合されるべき光コネクタのガイド孔に挿入可能なようにホルダの端面から突出する。パイプは、当該光接続デバイスに結合されるべき光コネクタのガイドピンを受入可能なようにガイド孔を有する。
【００１９】
具体例に係る光接続デバイスでは、前記ホルダは、第２蓋部品を更に含み、前記第２蓋部品は、前記第１蓋部品から離れるように前記ガイド部品上に設けられて、前記ガイド部品は、前記支持部品の前記溝と前記第２蓋部品の主面との間に設けられる。
【００２０】
光接続デバイスによれば、第２蓋部品から離間された第１蓋部品によれば、ガイド部品の熱変形が第１蓋部品に伝わることを回避できる。
【００２１】
具体例に係る光接続デバイスでは、前記支持部品の前記主面は、前記第１樹脂体に接触を成すと共に前記光ファイバを支持する第１エリア、前記第１エリアと前記溝との間に位置する第２エリア、及び第３エリアを含み、前記第１エリア、前記第２エリア及び前記第３エリアは、前記第１軸に交差する方向に延在する第２軸の方向に配列され、前記第２エリアは、前記第１エリアと前記第３エリアとの間に位置し、前記第２樹脂体は被覆樹脂膜を含み、前記被覆樹脂膜は、前記支持部品の前記第３エリア及び前記ガイド部品の前記側面に接触を成すと共に、前記第１エリア及び前記第３エリアの一方から他方への方向に前記ガイド部品の前記側面に沿って延在する。
【００２２】
光接続デバイスによれば、被覆樹脂膜は、第３エリアにおいて溝の側方の主面に到達するおもて面を有する。被覆樹脂膜のおもて面は、光接続デバイスの外観を構成する。
【００２３】
具体例に係る光処理装置は、（ａ）本具体例に係る光接続デバイスと、（ｂ）前記光接続デバイスに光学的に結合されるように、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子と、を備える。
【００２４】
光処理装置によれば、優れた耐熱性の光接続デバイスをシリコンフォトニクス素子に適用できる。光接続デバイスは、パッシブアライメントにより光コネクタに接続可能であって、光コネクタは、光接続デバイスを介してシリコンフォトニクス素子に結合される。本実施形態に係る光接続デバイスに求められる耐熱性は、外部の光コネクタには求められない。
【００２５】
具体例に係る光処理装置は、前記シリコンフォトニクス素子に電気的に接続された半導体素子と、前記シリコンフォトニクス素子及び前記半導体素子を搭載する配線基板と、を備え、前記半導体素子は、前記配線基板に半田部材を介して接続される。
【００２６】
光処理装置によれば、光接続デバイスは、半田リフローのための熱処理に耐える。
【００２７】
具体例に係る光接続デバイスを作製する方法は、（ａ）第１軸の方向に延在する第１面及び第２面を有する溝を含む支持部品を準備する工程と、（ｂ）前記支持部品の主面上に光ファイバ及び第１樹脂を設ける工程と、（ｃ）前記溝を避けて、前記光ファイバ及び前記第１樹脂上に第１蓋部品を置く工程と、（ｄ）前記第１蓋部品を置いた後に、前記第１樹脂の硬化を行う工程と、（ｅ）前記支持部品の主面上にガイド部品及び第２樹脂を設ける工程と、（ｆ）前記ガイド部品及び前記第２樹脂を設けた後に、前記第２樹脂の硬化を行う工程と、を備え、前記第１樹脂を硬化させる際に、前記第１蓋部品を押圧し、前記第２樹脂を硬化させる際に、前記ガイド部品は、前記支持部品の前記溝の前記第１面及び前記第２面に支持されている。
【００２８】
光接続デバイスを作製する方法によれば、第１蓋部品は、ガイド部品を覆わないように支持部材上に設けられる。このように配置された第１蓋部品によれば、第１蓋部品及びガイド部品が、第１樹脂及び第２樹脂の各々を硬化させる際に第１蓋部品及びガイド部品に残留する可能性のある互いの応力から独立することを可能にする。この独立により、優れた耐熱性の光接続デバイスを提供できる。
【００２９】
具体例に係る光接続デバイスを作製する方法は、前記第２樹脂を硬化させるに先だって、前記光ファイバから離して前記ガイド部品及び前記第２樹脂上に第２蓋部品を置く工程を更に備え、前記第２蓋部品は前記第１蓋部品から隔置され、前記第２樹脂を硬化させる際に、前記第２蓋部品を押圧する。
【００３０】
光接続デバイスを作製する方法によれば、ガイド部品上に設けられる第２蓋部品から第１蓋部品を隔置することにより、第１樹脂及び第２樹脂を硬化させる際に第１蓋部品及びガイド部品に残留する可能性のある互いの応力から独立することを可能にする。
【００３１】
具体例に係る光接続デバイスを作製する方法は、前記第２樹脂を硬化させる際に、前記ガイド部品は押圧されており、当該方法は、前記第２樹脂を硬化させた後に、前記第１蓋部品から離して追加樹脂を前記ガイド部品上に設ける工程と、前記追加樹脂を硬化させる工程と、を更に備える。
【００３２】
光接続デバイスを作製する方法によれば、第２樹脂を硬化させる際にガイド部品は直接に押圧される。第１蓋部品から離れるように追加の樹脂を設けると共に該樹脂を硬化させることにより、第２樹脂及び追加樹脂を硬化させる際にこれらの樹脂及びガイド部品に残留する可能性のあるそれぞれの応力が互いに独立することを可能にする。
【００３３】
具体例に係る光接続デバイスを作製する方法では、前記第１樹脂の硬化と前記第２樹脂の硬化とを単一の処理により行うと共に、該処理において前記第１蓋部品及び前記ガイド部品を単一の治具により押圧する。
【００３４】
光接続デバイスを作製する方法によれば、単一の治具を用いて、第１蓋部品及びガイド部品の押圧力を規定できる。
【００３５】
具体例に係る光処理装置を作製する方法は、（ａ）本具体例に係る光接続デバイスと、前記光接続デバイスを搭載するシリコンフォトニクス素子とを含む組立体を準備する工程と、（ｂ）前記組立体の前記シリコンフォトニクス素子及び半導体素子を配線基板上に配置する工程と、（ｃ）前記シリコンフォトニクス素子及び前記半導体素子を配線基板上に配置した後に、半田リフローのための熱処理を前記配線基板に行う工程と、を備える。
【００３６】
光処理装置によれば、優れた耐熱性の光接続デバイスは、半田リフローのための熱処理に耐えて、作製された光処理装置において、光接続デバイスとシリコンフォトニクス素子との光学的アライメントは維持される。
【００３７】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、光接続デバイス、光処理装置、光接続デバイスを作製する方法、光処理装置を作製する方法に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３８】
図１及び図２は、本実施形態に係る光接続デバイスを概略的に示す図面である。図１及び図２を参照しながら、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）を説明する。図１の（ａ）部は、光接続デバイス１１ａの外観を示す斜視図であり、図１の（ｂ）部は、光接続デバイス１１ａの光結合面を示す正面図であり、図１の（ｃ）部は、光接続デバイス１１ａの上面を示す平面図である。図２の（ａ）部は、光接続デバイス１１ｂの外観を示す斜視図であり、図２の（ｂ）部は、光接続デバイス１１ｂの光結合面を示す正面図であり、図２の（ｃ）部は、光接続デバイス１１ｂの上面を示す平面図である。図１及び図２を参照しながら、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）を説明する。
【００３９】
図１及び図２を参照すると、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）は、ホルダ１３、一又は複数の光ファイバ１５、及びガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）を備える。光ファイバ１５及びガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）は、ホルダ１３に支持される。ホルダ１３は、支持部品１９及び第１蓋部品２１を含む。支持部品１９は、主面１９ａ及び溝１９ｂを備える。溝１９ｂは、主面１９ａにおいて第１軸Ａｘ１の方向に延在する。溝１９ｂは、第１軸Ａｘ１の方向に延在する第１面１９ｃ及び第２面１９ｄを有しており、例えばＶ字形状溝であることができるが、これに限定されるものではない。ガイド部品１７は、溝１９ｂにおいて第１面１９ｃ及び第２面１９ｄによって支持される。第１蓋部品２１は、ガイド部品１７から離れて光ファイバ１５を覆うように光ファイバ１５上に設けられる。光ファイバ１５は、支持部品１９の主面１９ａ上において第１軸Ａｘ１の方向に延在する。本実施例では、支持部品１９は、主面１９ａにおいて第１軸Ａｘ１の方向に延在する支持溝１９ｅを有することができる。支持溝１９ｅは、第１面１９ｆ及び第２面１９ｇを有しており、例えばＶ字形状溝であることができるが、これに限定されるものではない。光ファイバ１５のための位置決めのための支持溝１９ｅは、第１蓋部品２１ではなく支持部品１９に設けられていて、これにより、支持部品１９の支持溝１９ｅを溝１９ｂに対して位置決め可能にしている。
【００４０】
ホルダ１３は、第１樹脂体２３及び第２樹脂体２５を含む。第１樹脂体２３は、支持部品１９と第１蓋部品２１との間に設けられて、支持部品１９及び第１蓋部品２１を互いに接着すると共に、光ファイバ１５、支持部品１９及び第１蓋部品２１を互いに接着する。光ファイバ１５は、第１蓋部品２１の主面２１ａと支持部品１９の主面１９ａ、具体的にはそれぞれの支持溝１９ｅとの間に設けられて、支持部品１９に対して位置決めされる。第２樹脂体２５は、ガイド部品１７を支持部品１９に固定する。具体的には、第２樹脂体２５は、溝１９ｂ内においてガイド部品１７と支持部品１９との間に設けられて、ガイド部品１７及び支持部品１９を互いに接着する。
【００４１】
ホルダ１３は、第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂを有し、第１端面１３ａは第２端面１３ｂの反対側に位置する。第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂは、第１軸Ａｘ１に交差する方向に延在する。光ファイバ１５は、第１端面１３ａから第２端面１３ｂへの方向に第１端面１３ａから延在し、本実施例では、ガイド部品１７（１７ａ）は、第２端面１３ｂの位置で終端する。ガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）は、第１端面１３ａから第２端面１３ｂへの方向に第１端面１３ａから延在し、本実施例では、第２端面１３ｂの位置で終端する。ガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）は、例えばパイプ形状のガイドパイプ１７ａ（チューブ）を含むことができ、例えばロッド形状のガイドロッド１７ｂを含むことができる。
【００４２】
光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）によれば、光ファイバ１５が支持部品１９と第１蓋部品２１の主面２１ａとの間に設けられると共に、第１蓋部品２１は、溝１９ｂの第１面１９ｃ及び第２面１９ｄによって支持されるガイド部品１７から離されている。ガイド部品１７は、支持部品１９及び第１蓋部品２１と異なる材料からなり、ガイド部品１７の熱膨張係数は、支持部品１９及び第１蓋部品２１の熱膨張係数と異なる。ガイド部品１７から第１蓋部品２１を離間させることにより、温度変化に際して生じるガイド部品１７の変形が、光ファイバ１５を固定する第１蓋部品２１に伝搬することを避けることができる。
【００４３】
図１及び図２に示されるように、本実施例では、支持部品１９は、２つの溝１９ｂを備える。光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）の各々は、支持部品１９の一方の溝１９ｂにガイドパイプ１７ａを配置すると共に、他方の溝１９ｂにガイドロッド１７ｂ（ピン）を配置する。しかしながら、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）の各々では、２つの溝１９ｂにそれぞれのガイドパイプ１７ａを配置することができ、或いは２つの溝１９ｂにそれぞれのガイドロッド１７ｂを配置することができる。
【００４４】
第１樹脂体２３を第２樹脂体２５から離すようにしてもよい。光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）によれば、ガイドロッド１７ｂは、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）に結合されるべき光コネクタのガイド孔に挿入可能なようにホルダ１３の第２端面１３ｂから突出する。また、ガイドパイプ１７ａは、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）に結合されるべき光コネクタのガイドピンを受入可能なガイド孔を有する。
【００４５】
支持部品１９の主面１９ａは、第１エリア１９ａａ、第２エリア１９ａｂ、及び第３エリア１９ａｃを含む。第１エリア１９ａａ、第２エリア１９ａｂ、及び第３エリア１９ａｃは、第１軸Ａｘ１に交差する方向に延在する第２軸Ａｘ２の方向に配列される。第２エリア１９ａｂは、第１エリア１９ａａと第３エリア１９ａｃとの間に位置する。第１エリア１９ａａは、第１樹脂体２３に接触を成すと共に光ファイバ１５を支持する。光ファイバ１５は、第２軸Ａｘ２の方向に配列される。第２エリア１９ａｂは、第１エリア１９ａａと溝１９ｂとの間に位置する。第３エリア１９ａｃは、溝１９ｂを含む。
【００４６】
図１に示される光接続デバイス１１ａを更に説明する。第２樹脂体２５は、溝１９ｂ内の樹脂体とは別に被覆樹脂膜２５ｆを含む。被覆樹脂膜２５ｆは、支持部品１９の第３エリア１９ａｃにおいて溝１９ｂのサイドに位置する主面１９ａ及び溝１９ｂの側面並びにガイド部品１７の側面１７ｃに接触を成すと共に、ガイド部品１７の側面１７ｃに接触して第１エリア１９ａａ及び第３エリアａｃの一方から他方の一方の方向に側面１７ｃに沿って延在する。被覆樹脂膜２５ｆは、第１エリア１９ａａ及び第３エリアａｃの一方から他方の一方の方向に延在するおもて面２５ｇを有する。光接続デバイス１１ａによれば、被覆樹脂膜２５ｆのおもて面２５ｇは、光接続デバイス１１ａの外観を構成する。
【００４７】
次に、図２に示される光接続デバイス１１ｂを説明する。ホルダ１３は、第２蓋部品２９を更に含む。第２蓋部品２９は、第１蓋部品２１から離れるようにガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）上に設けられて、ガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）は、支持部品１９の溝１９ｂと第２蓋部品２９の主面２９ａとの間に設けられ、光接続デバイス１１ｂの第２蓋部品２９から離間された第１蓋部品２１によれば、ガイド部品１７の熱変形が第１蓋部品２１に伝わることを回避できる。第２蓋部品２９は、ガイド部品１７を保護することができる。
【００４８】
第２樹脂体２５は、溝内の樹脂体とは別に被覆樹脂体２５ｈを含む。被覆樹脂体２５ｈは、支持部品１９と第２蓋部品２９との間に設けられて、第２蓋部品２９を支持部品１９に固定する接着部材として機能する。具体的には、第２蓋部品２９の主面２９ａは、ガイド部品１７の側面１７ｃに接触して、被覆樹脂体２５ｈは第２蓋部品２９を支持部品１９に固定する。第２蓋部品２９及び被覆樹脂体２５ｈは、製造の際に加えられた締付力に対応する固定力をガイド部品１７に加える。
【００４９】
光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）の例。
ホルダ１３。
支持部品１９：ガラス又はセラミック、具体的には石英、テンパックス、パイレックス（登録商標）、アルミナまたはジルコニア。
第１蓋部品２１：ガラス又はセラミック、具体的には石英、テンパックス、パイレックス（登録商標）、アルミナまたはジルコニア。
光ファイバ１５；石英製シングルモード光ファイバ。
ガイド部品１７（１７ａ、１７ｂ）：金属、具体的には銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンまたはそれらを含む合金。
第１樹脂体２３：紫外線硬化剤及び熱硬化剤を含む樹脂、エポキシ樹脂。
第２樹脂体２５：紫外線硬化剤及び熱硬化剤を含む樹脂、エポキシ樹脂。
第２蓋部品２９：ガラス又はセラミック、具体的には石英、テンパックス、パイレックス（登録商標）、アルミナまたはジルコニア。
支持部品１９のサイズ。
第１軸Ａｘ１の方向の長さ： 1〜5  ｍｍの範囲、例えば3  ｍｍ。
第２軸Ａｘ２の方向の幅： 2〜10  ｍｍの範囲、例えば6  ｍｍ。
第１軸Ａｘ１及び第２軸Ａｘ２を含む面に垂直な方向の厚さ： 0.5〜5  ｍｍの範囲、例えば1.5  ｍｍ。
第１蓋部品２１のサイズ。
第１軸Ａｘ１の方向の長さ：1〜5  ｍｍの範囲、例えば3  ｍｍ。
第２軸Ａｘ２の方向の幅：1〜8  ｍｍの範囲、例えば4  ｍｍ。
第１軸Ａｘ１及び第２軸Ａｘ２を含む面に垂直な方向の厚さ：0.5〜5  ｍｍの範囲、例えば1  ｍｍ。
【００５０】
図３、図４及び図５は、光接続デバイスを作製する方法における主要な構成を模式的に示す図面である。図３、図４及び図５を参照しながら、光接続デバイス１１（１１ａ、１１ｂ）を作製する方法を説明する。理解を容易にするために、完成された光接続デバイスに付される参照符合を引き続く説明において用いる。
【００５１】
工程Ｓ１０１では、図３の（ａ）部に示されるように、支持部品１９を準備する。支持部品１９は、主面１９ａに設けられた溝１９ｂ及び支持溝１９ｅを含む。溝１９ｂは、第１軸Ａｘ１の方向に延在する第１面１９ｃ及び第２面１９ｄを有する。支持溝１９ｅは、第１軸Ａｘ１の方向に延在する第１面１９ｆ及び第２面１９ｇを有する。
【００５２】
工程Ｓ１０２では、図３の（ｂ）部に示されるように、光ファイバ１５を準備すると共に、光ファイバ１５を支持溝１９ｅに配置する。この配置の後に、又は該配置に先立って、流動性を有する第１樹脂３１を支持溝１９ｅに設ける（具体的には、塗布又は滴下）。この結果、光ファイバ１５及び第１樹脂３１が、支持部品１９の主面１９ａ上に設けられる。第１樹脂３１は、例えば紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むエポキシ樹脂を備えることができる。
【００５３】
工程Ｓ１０３では、図３の（ｃ）部に示されるように、支持部品１９の溝１８ｂを避けて、光ファイバ１５及び第１樹脂３１上に第１蓋部品２１を置く。これによって、光ファイバ１５及び第１樹脂３１は、第１蓋部品２１と支持部品１９との間に設けられる。支持溝１９ｅ内に第１樹脂３１を満たすこと、第１蓋部品２１と支持部品１９との間に第１樹脂３１を満たすこと、及び光ファイバ１５の間に第１樹脂３１を満たすことのために、第１蓋部品２１及び支持部品１９に締付力を作用させる。具体的には、第１蓋部品２１を支持部品１９に向けて押圧Ｐ１を行う。
【００５４】
工程Ｓ１０４では、図３の（ｄ）部に示されるように、第１蓋部品２１を置いて押圧Ｐ１を維持しながら第１樹脂３１の硬化を行って、固化された第１樹脂３１（第１樹脂体３３として参照される）を形成する。硬化は、例えば紫外線ＵＶを照射することによって行われる。必要な場合には、後の工程において、熱硬化のための加熱を行うようにしてもよい。
【００５５】
工程Ｓ１０５では、図３の（ｅ）部に示されるように、ガイド部品１７を準備すると共に、支持部品１９の溝１９ｂにガイド部品１７を配置する。ガイド部品１７は、溝１９ｂの第１面１９ｃ及び第２面１９ｄに支持される。この配置の後に、又は該配置に先立って、流動性を有する第２樹脂３５を溝１９ｂに設ける（具体的に、塗布、滴下）。この結果、ガイド部品１７及び第２樹脂３５が、支持部品１９の主面１９ａの溝１９ｂに設けられる。これによって、支持部品１９の主面１９ａ上にガイド部品１７及び第２樹脂３５が設けられる。第２樹脂３５は、第１樹脂３１又は第１樹脂体３３に接触しないように設けられる。第２樹脂３５は、例えば紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むエポキシ樹脂を備えることができる。
【００５６】
この作製方法によれば、第１蓋部品２１は、ガイド部品１７を覆わないように支持部品１９上に設けられる。このように配置された第１蓋部品２１によれば、第１蓋部品２１及びガイド部品１７が、第１樹脂３１及び第２樹脂３５の各々を硬化させる際に第１蓋部品２１及びガイド部品１７に残留する可能性のあるそれぞれの応力を直接に受けないという点で、互いに独立する。この独立により、優れた耐熱性の光接続デバイス１１を提供できる。
【００５７】
まず、光接続デバイス１１ａを作製する方法における主要な工程を続けて説明する。
【００５８】
工程Ｓ１０５の後に工程Ｓ２０１において、図４の（ａ）部に示されるように、ガイド部品１７及び第２樹脂３５を設けた後に、第２樹脂３５の硬化を行って、固化された第２樹脂３５（第２樹脂体３７として参照される）を形成する。第２樹脂３５を硬化させる際に、ガイド部品１７は、溝１９ｂの第１面１９ｃ及び第２面１９ｄに支持されている。第２樹脂３５を硬化させる際に、この支持を硬化させる際に確実にするために、ガイド部品１７及び支持部品１９に締付力を作用させる。具体的には、第１ツール１０ａを用いて、第１蓋部品２１ではなくガイド部品１７の押圧Ｐ２を支持部品１９に対して行うことが良い。第１ツール１０ａは、各ガイド部品１７を均等に押圧できるように、２つのアームを持つ共にアームを繋ぐ架橋を有する。硬化は、例えば紫外線ＵＶを照射することによって行われる。必要な場合には、後の工程において、熱硬化のための加熱を行うようにしてもよい。
【００５９】
必要な場合には、光ファイバ１５及び第１蓋部品２１の固定に先立って、ガイド部品１７の固定を行うことができる。
【００６０】
さらに、必要な場合には、工程Ｓ２０２において、図４の（ｂ）部に示されるように、第２樹脂体３７を形成した後に、第１蓋部品２１から離して追加樹脂３９をガイド部品１７上に設けるようにしてもよい。追加樹脂３９は、例えば紫外線硬化剤及び／熱硬化剤を含むエポキシ樹脂を備えることができる。
【００６１】
工程Ｓ２０３において、図４の（ｃ）部に示されるように、追加樹脂３９を硬化させて、追加樹脂体４１を形成する。追加樹脂体４１は、第２樹脂体３７が溝１９ｂにガイド部品１７を固定する一方で、追加樹脂３９は、ガイド部品１７の側面１７ｃを覆ってガイド部品１７の上側から支持部品１９にガイド部品１７を固定する。硬化は、例えば紫外線ＵＶを照射することによって行われる。必要な場合には、後の工程において、熱硬化のための加熱を行うようにしてもよい。これらの工程により、光接続デバイス１１ａのための生産物が作製された。
【００６２】
光接続デバイス１１ａを作製する方法によれば、第２樹脂３５を硬化させる際にガイド部品１７は直接に押圧される。第１蓋部品２１から離して追加樹脂３９を設けると共に追加樹脂３９を硬化させることにより、第２樹脂３５及び追加樹脂３９を硬化させる際に追加樹脂３９及びガイド部品１７に残留する可能性のあるそれぞれの応力が第１蓋部品２１に対して直接に加わらない。
【００６３】
必要な場合に、生産物を研磨して光接続デバイス１１ａの光結合端面を形成するようにしてもよい。
【００６４】
次いで、光接続デバイス１１ｂを作製する方法における主要な工程を続けて説明する。
【００６５】
工程Ｓ１０５の後に、工程Ｓ３０１では、図５の（ａ）部に示されるように、第２樹脂３５を硬化させるに先だって、第１蓋部品２１から離して追加樹脂４３をガイド部品１７上に設けると共に、光ファイバ１５を覆わないように、ガイド部品１７及び第２樹脂３５上に第２蓋部品２９を置く。第２蓋部品２９は光ファイバ１５から隔置される。追加樹脂４３は、例えば紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むエポキシ樹脂を含むことができる。溝１９ｂ内においてガイド部品１７を位置決めするために、第２樹脂３５及び追加樹脂４３を硬化させる前に、第２蓋部品２９の押圧Ｐ３を行うことがよい。
【００６６】
工程Ｓ３０２では、図５の（ｂ）部に示されるように、硬化させる際にガイド部品１７の位置決めを確実にするために、第２樹脂３５及び追加樹脂４３を硬化させる際に、第２蓋部品２９及び支持部品１９に締付力を作用させる。具体的には、第２ツール１０ｂを用いて、第１蓋部品２１ではなく第２蓋部品２９の押圧Ｐ３を支持部品１９に対して行うことが良い。第２ツール１０ｂは、２つの第２蓋部品２９を同じように押圧できるように、２つのアームを持つ共にアームを繋ぐ架橋を有する。硬化は、例えば紫外線ＵＶを照射することによって行われる。この硬化によって、第２樹脂３５及び追加樹脂４３から、それぞれ、第２樹脂体３７及び追加樹脂体４５が形成される。第２樹脂体３７及び追加樹脂体４５は、ガイド部品１７をしっかりと支持部品１９の溝１９ｂに固定すると共に、追加樹脂体４５は、第２蓋部品２９がガイド部品１７を支持部品１９に押しつけることを可能にする。必要な場合には、後の工程において、熱硬化のための加熱を行うようにしてもよい。
【００６７】
光接続デバイス１１ｂを作製する方法によれば、ガイド部品１７上に設けられる第２蓋部品２９から第１蓋部品２１を隔置することにより、第２樹脂３５及び追加樹脂４３を硬化させる際に第１蓋部品２１及びガイド部品１７に残留する可能性のあるそれぞれの応力が互いに独立するようにできる。
【００６８】
これらの工程により、光接続デバイス１１ｂのための生産物が作製された。必要な場合に、この生産物を研磨して光接続デバイス１１ｂの光結合端面を形成するようにしてもよい。
【００６９】
必要な場合には、図５の（ｃ）部に示されるように、第１樹脂３１の硬化と第２樹脂３５の硬化とを単一の処理（例えば、紫外線照射）により行うようにしてもよい。この硬化のための処理において、第１蓋部品２１及び第２蓋部品２９を単一のツールにより押圧する。単一の第３ツール１０ｃにより、第１蓋部品２１及び第２蓋部品２９の押圧力を規定できる。第３ツール１０ｃの形状は、例示であって、第１蓋部品２１の形状及び第２蓋部品２９の形状に合わせて設計されることができる。第１樹脂３１、第２樹脂３５及び追加樹脂４３を形成させて、それぞれ、第１樹脂体３３、第２樹脂体３７及び追加樹脂体４５を形成できる。必要な場合には、後の工程において、熱硬化のための加熱を行うようにしてもよい。
【００７０】
また、光接続デバイス１１ａの作製においても、第１樹脂３１の硬化と第２樹脂３５の硬化とを単一の処理（例えば、紫外線照射）により行うようにしてもよい。この硬化のための処理において、第１蓋部品２１及びガイド部品１７を単一の治具により押圧する。
【００７１】
これらの工程により、スタブ型の光接続デバイス１１が作製される。
【００７２】
図６は、光処理装置のための組立体を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図６の（ａ）部に示されるように、例えば光接続デバイス１１ａを準備する。また、光結合素子を含む半導体素子７１を準備する。半導体素子７１は、例えばシリコンフォトニクス素子といった半導体光デバイスを含むことができる。光接続デバイス１１ａ及び半導体素子７１を部品ＳＰとして参照する。
【００７３】
図６の（ｂ）部に示されるように、半導体素子７１の光結合素子に光接続デバイス１１ａが光学的に結合するように、半導体素子７１上に光接続デバイス１１ａを搭載する。また、半導体素子７１上に樹脂７３を提供する。
【００７４】
図６の（ｃ）部に示されるように、光を用いるアクティブ光学調芯のために、光コネクタＣＯＮが光接続デバイス１１ａに接続される。アクティブ光学調芯を行って、光接続デバイス１１ａを半導体素子７１に対して位置決めする。
【００７５】
図６の（ｃ）部に示されるように、アクティブ光学調芯が完了した後に、光接続デバイス１１ａを半導体素子７１に対して樹脂７３により固定する。この樹脂の硬化は、例えば、熱硬化及び／又は紫外線硬化であることができる。熱硬化における熱処理温度は、例えば摂氏８０度から摂氏２００度の範囲にあり、例えば１２０度である。
【００７６】
硬化された樹脂７３（樹脂体７４）を形成した後に、図６の（ｄ）部に示されるように、光コネクタＣＯＮを光接続デバイス１１ａから取り外す。これにより、組立体ＡＳＭが作製される。組立体ＡＳＭは、半導体素子７１及び光接続デバイス１１ａを含み、半導体素子７１に光接続デバイス１１ａが光学的結合されている。
【００７７】
図７は、本実施形態に係る光処理装置に適用可能なシリコンフォトニクス素子の一例を示す図面である。図７の（ａ）部は、シリコンフォトニクス半導体素子を示す平面図を示す。図７の（ｂ）部は、図７の（ａ）部に示されたＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線に沿ってとられたシリコンフォトニクス素子を示す断面図を示す。図７の（ａ）部を参照すると、シリコンフォトニクス素子ＳＰＤでは、光学結合素子として、光結合素子、例えばグレーティングカプラＧＣ０、ＧＣ１、ＧＣ２、ＧＣ３、ＧＣ４、ＧＣ５、ＧＣ６、ＧＣ７、ＧＣ８、ＣＧ９、ＣＧ１０、ＧＣ１１が示される。本実施例では、グレーティングカプラＧＣ１〜ＣＧ４は、光受信器のために用いられる。
【００７８】
グレーティングカプラＧＣ１〜ＣＧ４からの信号光は光回路ＷＣを介して受光素子ＰＤに提供される。本実施例では、光回路ＷＣは光導波路ＷＧ１〜ＷＧ４を含む。グレーティングカプラＧＣ１〜ＣＧ４は、それぞれ、光導波路ＷＧ１〜ＷＧ４を介してフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４に光学的に結合される。フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４は、導電線ＥＬ１〜ＥＬ４を介して電気回路ＴＩＡ（例えばトランスインピーダンスアンプ）に接続される。電気回路ＴＩＡは、フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４からの電気信号（例えば光電流）の処理（例えば電流−電圧変換、増幅）を行って、受信した信号光に対応した電気信号を生成する。
【００７９】
また、グレーティングカプラＧＣ６〜ＣＧ１０は、光送信器のために用いられる。本実施例では、グレーティングカプラＧＣ６からのレーザ光は、複数の光変調器ＭＤに供給される。光変調器ＭＤは、例えばマッハツェンダ変調器ＭＺＩＡ、ＭＺＩＢ、ＭＺＩＣ、ＭＺＩＤを含む。マッハツェンダ変調器ＭＺＩＡ、ＭＺＩＢ、ＭＺＩＣ、ＭＺＩＤは、それぞれ、駆動回路Ｄｒｉｖｅｒから電気信号ＥＭ１〜ＥＭ４を受けて、電気信号ＥＭ１〜ＥＭ４に応じて複数の変調光を生成する。これらの変調光は、それぞれ、光導波路ＷＧ７〜ＷＧ１０を伝搬してグレーティングカプラＧＣ７〜ＣＧ１０に到達する。
【００８０】
シリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤは、デバイス軸Ｄｘの方向に一列に配列された第１部分７１ａ、第２部分７１ｂ及び第３部分７１ｃを備える。第１部分７１ａは、グレーティングカプラＧＣ０〜ＣＧ１１の配列を備え、グレーティングカプラＧＣ０〜ＣＧ１１は、第１部分７１ａに含まれる一縁に沿って配列されている。第２部分７１ｂは、半導体受光素子及び光変調器といった光素子を備える。第３部分７１ｃは、電気回路ＴＩＡ及び駆動回路ＤＶＲといった電気回路を備える。
【００８１】
図７の（ｂ）部を参照すると、シリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤでは、グレーティングカプラＧＣ０〜ＣＧ１１が光導波路ＷＧに接続されている。
【００８２】
図８は、光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図６に示されるように、光接続デバイス１１と、光接続デバイス１１を搭載するシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤとを含む組立体ＡＳＭを準備する。図８の（ａ）部に示されるように、例えば表面実装可能な半導体集積素子ＡＳＩＣ、組立体ＡＳＭ、及びプリント基板といった配線基板ＰＣＢを準備する。半導体集積素子ＡＳＩＣは、高速で大容量なデータを処理する集積回路を含む。配線基板ＰＣＢは、その主面上に配置された半田材ＳＬＤを含む。
【００８３】
図８の（ｂ）部に示されるように、半導体集積素子ＡＳＩＣ及び組立体ＡＳＭのシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤを配線基板ＰＣＢに位置合わせすると共に、半導体集積素子ＡＳＩＣ及び組立体ＡＳＭを配線基板ＰＣＢ上に配置する。
【００８４】
図８の（ｃ）部に示されるように、シリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤ及び半導体集積素子ＡＳＩＣを配線基板ＰＣＢ上に配置すると共に、組立体ＡＳＭ及び光接続デバイス１１を光学的に位置合わせしたシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤと半導体集積素子ＡＳＩＣとを搭載する配線基板ＰＣＢをリフロー装置８１に配置する。リフロー装置８１を用いて、半田リフローのための熱処理を行う。
【００８５】
組立体ＡＳＭは、半田リフローのための熱処理に曝される。この熱処理の温度は、例えば摂氏２００度から摂氏２７０度の範囲にある。リフローは、印刷した半田ペーストを有する配線基板ＰＣＢ、又はボール状の半田を予め形成した部品を搭載したボードを半田溶融温度以上に炉の中で加熱にして、半田付けを行う方法である。リフローのために、組立体ＡＳＭはリフロー装置８１に置かれる。この熱処理によって、光処理装置７５が作製される。光処理装置７５によれば、優れた耐熱性の光接続デバイス１１が、半田リフローのための熱処理に耐えて、作製された光処理装置７５において、光接続デバイス１１とシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤとの光学的アライメントは維持される。光処理装置７５の動作中における光接続デバイス１１の温度は、半導体素子７１の発熱により、例えば摂氏４０度から摂氏１００度の範囲にあり、例えば摂氏１００度である。
【００８６】
このリフローの後に、光処理装置７５が完成される。
【００８７】
図９の（ａ）部に示される光処理装置７５では、ガイドパイプ１７ａを含む光接続デバイス１１に、ガイドピンを有する外部光コネクタＤＣＯＮを接続する。或いは、図９の（ｂ）部に示される光処理装置７５では、ガイドロッド１７ｂを含む光接続デバイス１１に、ガイドパイプを有する外部光コネクタＤＣＯＮを接続する。いずれの形態においても、図９の（ｃ）部に示されるように、光処理装置７５は、光信号ＬＴを光接続デバイス１１から受けることができ、また光信号ＬＴを光接続デバイス１１に提供できる。
【００８８】
光処理装置７５によれば、優れた耐熱性の光接続デバイス１１をシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤに適用できる。光接続デバイス１１は、パッシブアライメントにより外部光コネクタＤＣＯＮに接続可能であって、この光コネクタＤＣＯＭは、光接続デバイス１１を介してシリコンフォトニクス素子ＳＩＰＨＤに結合される。光処理装置７５によれば、光接続デバイス１１は、半田リフローのための熱処理に耐える。
【００８９】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
以上説明したように、本実施形態によれば、半田リフローの熱処理に耐える構造を有する光接続デバイスを提供できる。本実施形態によれば、この光接続デバイスを備える光接続装置を提供できる。本実施形態によれば、光接続デバイスを作製する方法を提供できる。本実施形態によれば、光接続装置を作製する方法を提供できる。
【符号の説明】
【００９１】
１１、１１ａ、１１ｂ…光接続デバイス、１３…ホルダ、１３ａ…第１端面、１３ｂ…第２端面、１５…光ファイバ、１７…ガイド部品、１７ｃ…側面、１９…支持部品、２１…第１蓋部品、２３…第１樹脂体、２５…第２樹脂体、２９…第２蓋部品、８１…リフロー装置、７５…光処理装置、ＡＳＭ…組立体、ＳＩＰＨＤ…シリコンフォトニクス素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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