(57)【要約】【課題】加工負荷の小さいエッジトリミングを実施する。【解決手段】外周縁に面取り加工がされたリチウムタンタレートウェーハにおいて、該ウェーハの外周縁を切削するウェーハの加工方法であって、該表面を露出しつつ該リチウムタンタレートウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該ウェーハの外周縁に切削ブレードを切り込ませつつ該保持面に垂直な軸の周りに該チャックテーブルを回転させて、該ウェーハの該外周縁から中心側に第１の幅を有する第１の環状領域を切削する粗加工ステップと、該ウェーハの表面側に該粗加工ステップで形成された縁に該切削ブレードを切り込ませつつ該チャックテーブルを該軸の周りに回転させて、該粗加工ステップで形成された該縁から中心側に第２の幅を有する第２の環状領域を切削する仕上げ加工ステップと、を備え、該第１の幅は、該第２の幅よりも大きく、該第２の幅は２００μｍ以下である。【選択図】図３
2018148135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデバイスが形成され、外周縁に面取り加工がされたリチウムタンタレートウェーハにおいて、該リチウムタンタレートウェーハの外周縁を切削するウェーハの加工方法であって、
該表面を露出しつつ該リチウムタンタレートウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該ウェーハの外周縁に切削ブレードを切り込ませつつ該保持面に垂直な軸の周りに該チャックテーブルを１回転以上回転させて、該ウェーハの該外周縁から中心側に第１の幅を有する第１の環状領域を切削する粗加工ステップと、
該ウェーハの表面側に該粗加工ステップで形成された縁に該切削ブレードを切り込ませつつ該チャックテーブルを該軸の周りに１回転以上回転させて、該粗加工ステップで形成された該縁から中心側に第２の幅を有する第２の環状領域を切削する仕上げ加工ステップと、を備え、
該第１の幅は、該第２の幅よりも大きく、
該第２の幅は２００μｍ以下であることを特徴とするリチウムタンタレートウェーハの加工方法。
【請求項２】
該粗加工ステップは、
該ウェーハの該外周縁に該切削ブレードを切り込ませつつ該軸の周りに該チャックテーブルを１回転以上回転させて、該ウェーハの外周縁を切削する第１粗加工ステップと、
該ウェーハの表面側に該第１粗加工ステップで形成された縁に、該切削ブレードを切り込ませつつ該軸の周りに該チャックテーブルを該軸の周りに１回転以上回転させて、該第１粗加工ステップで形成された該縁を切削する第２粗加工ステップと、を備えることを特徴とする請求項１記載のリチウムタンタレートウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リチウムタンタレート（タンタル酸リチウム）ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスが形成される半導体ウェーハとしてリチウムタンタレート（タンタル酸リチウム）ウェーハが用いられる。例えば、該ウェーハの表面には格子状に配列された複数の分割予定ラインが設定され、区画された各領域には表面弾性波フィルター（Ｓｕｒｆａｃｅ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ  ｆｉｌｔｅｒ、ＳＡＷフィルター）等のデバイスが形成される。該リチウムタンタレートウェーハ（以下、単にウェーハという）が最終的に該分割予定ラインに沿って分割されると個々のデバイスチップが形成される。
【０００３】
近年、電子機器の小型化・薄型化に伴い、該電子機器に搭載されるデバイスチップに対しても小型化・薄型化への要求が高まっている。薄化されたデバイスチップを形成するには、例えば、表面に複数のデバイスが形成された該ウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所定の厚みに薄化し、その後、該分割予定ラインに沿って該ウェーハを分割（ダイシング）する。
【０００４】
ところで、ウェーハの割れや発塵の防止のためにウェーハの外周縁には面取り加工がなされる。そして、該ウェーハの外周に断面形状が円弧状となる面取り部が形成される。このような外周に該面取り部が形成されたウェーハを用いて薄化されたデバイスチップを形成する場合にも該ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化することになる。
【０００５】
しかし、外周に面取り部が形成されたウェーハを薄化すると、該ウェーハの外周がナイフエッジの如く鋭利に尖る。すると、ウェーハの外周から欠けやクラックが生じやすくなり、ウェーハが破損しやすくなるとの問題が生じる。特に、クラック等の損傷がデバイスに達するとデバイスが損傷してデバイスチップが不良となる。
【０００６】
そこで、研削加工を実施する前にウェーハ表面の外周縁を除去するエッジトリミングを実施する技術が提案されている。エッジトリミングにより該面取り部を予め部分的に除去すると、ウェーハを裏面から研削してもウェーハの外周の断面形状が尖らない。そのため、研削加工においてウェーハの外周縁に発生する損傷の数を低減できる。
【０００７】
エッジトリミングには、円環状の切り刃を備える切削ブレードが用いられる。該円環状の切り刃は、例えば、砥粒が分散された結合材を焼結して形成される。エッジトリミングの際には、該切削ブレードを該ウェーハに垂直な面内で回転させ、回転する該切削ブレードを該ウェーハの外周縁付近に切り込ませる。
【０００８】
エッジトリミングでは、ウェーハの外周縁から数ｍｍの幅の環状領域を切削加工により除去するが、この幅がウェーハのダイシング時の切削幅に比べて大きいため、エッジトリミング時に切削ブレードやウェーハにかかる負荷は比較的大きい。そのため、該切削ブレードの切り刃の角部が摩耗して丸くなりやすく所望の形状にトリミングができなくなるとの問題を生じやすい。また、リチウムタンタレートは機械的強度が比較的低いため、加工負荷によりウェーハの外周縁に大きな欠け（チッピング）が生じやすい。
【０００９】
そこで、まず、粗い砥粒を有する切削ブレードを使用してウェーハの外周縁の所定の領域の一部を切削した後に、細かい砥粒を有する切削ブレードを使用して該所定の領域の残りの部分を切削する技術が提案されている（特許文献１参照）。エッジトリミングを２つの段階に分けることで、切削時の負荷を小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１４−３１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
該技術により、エッジトリミングにおける加工負荷を低減することができるが、該技術を実施するためには、粗い砥粒を有する切削ブレードと、細かい砥粒を有する切削ブレードと、の２つの切削ブレードが必要となる。１つの切削ユニットを有する切削装置において２つの切削ブレードを使用するには、切削ブレードを都度交換する必要があり手間がかかる。また、２つの切削ユニットを有し２つの切削ブレードを装着可能な切削装置はコストが高い。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工負荷の小さいエッジトリミングを低コストに実施できるリチウムタンタレートウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様によると、表面にデバイスが形成され、外周縁に面取り加工がされたリチウムタンタレートウェーハにおいて、該リチウムタンタレートウェーハの外周縁を切削するウェーハの加工方法であって、該表面を露出しつつ該リチウムタンタレートウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該ウェーハの外周縁に切削ブレードを切り込ませつつ該保持面に垂直な軸の周りに該チャックテーブルを１回転以上回転させて、該ウェーハの該外周縁から中心側に第１の幅を有する第１の環状領域を切削する粗加工ステップと、該ウェーハの表面側に該粗加工ステップで形成された縁に該切削ブレードを切り込ませつつ該チャックテーブルを該軸の周りに１回転以上回転させて、該粗加工ステップで形成された該縁から中心側に第２の幅を有する第２の環状領域を切削する仕上げ加工ステップと、を備え、該第１の幅は、該第２の幅よりも大きく、該第２の幅は２００μｍ以下であることを特徴とするリチウムタンタレートウェーハの加工方法が提供される。
【００１４】
本発明の一態様において、該粗加工ステップは、該ウェーハの該外周縁に該切削ブレードを切り込ませつつ該軸の周りに該チャックテーブルを１回転以上回転させて、該ウェーハの外周縁を切削する第１粗加工ステップと、該ウェーハの表面側に該第１粗加工ステップで形成された縁に、該切削ブレードを切り込ませつつ該軸の周りに該チャックテーブルを該軸の周りに１回転以上回転させて、該第１粗加工ステップで形成された該縁を切削する第２粗加工ステップと、を備えてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様に係るリチウムタンタレートウェーハの加工方法によると、面取り部が形成された該ウェーハの外周縁を切削してエッジトリミングをする際に、一つの切削ブレードを使用して粗加工ステップと、仕上げ加工ステップと、を実施する。エッジトリミングを２回以上の切削加工に分けて実施するため、１回当たりの加工負荷を低下させることができる。
【００１６】
エッジトリミングで形成されるリチウムタンタレートウェーハの表面側の縁において損傷を抑制するには、特に仕上げ加工ステップにおける加工負荷を低下させることが重要である。そこで、粗加工ステップにおいて切削する第１の環状領域の第１の幅を、仕上げ加工ステップにおいて切削する第２の環状領域の第２の幅よりも大きくする。さらに、該第２の幅を２００μｍ以下とする。すると、仕上げ加工ステップにおける加工負荷を特に低減できる。
【００１７】
本発明の一態様によると、２種以上の切削ブレードを用意して切削ブレードを交換することなく、又は、切り替えることなく、一つの切削ブレードで加工負荷の小さいエッジトリミングを実現できる。そのため、加工負荷の小さいエッジトリミングをコストの増大を極力抑えて実現できる。
【００１８】
したがって、本発明の一態様によると、加工負荷の小さいエッジトリミングを低コストに実施できるリチウムタンタレートウェーハの加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】リチウムタンタレートウェーハを模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、第１粗加工ステップを模式的に示す部分断面図であり、図２（Ｂ）は、第２粗加工ステップを模式的に示す部分断面図である。
【図３】仕上げ加工ステップを模式的に示す部分断面図である。
【図４】保護部材貼着ステップを模式的に示す斜視図である。
【図５】裏面研削ステップを模式的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る加工方法で加工されるリチウムタンタレートウェーハについて説明する。図１は、リチウムタンタレートウェーハを模式的に示す斜視図である。以下、リチウムタンタレートウェーハを単にウェーハという場合がある。
【００２１】
略円板状のウェーハ１の表面１ａには、格子状に複数の分割予定ライン３が設定され、該分割予定ライン３により区画された各領域に、例えば、ＳＡＷフィルター等のデバイス５が形成されている。ウェーハ１のデバイス５が形成される領域はデバイス領域と呼ばれる。該ウェーハ１を最終的に該分割予定ライン３に沿って分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
【００２２】
ウェーハ１の表面１ａ及び裏面１ｂと、両者の間の側面と、の間が角となっていると、外部からの衝撃等がウェーハ１の該角に与えられたときにウェーハ１に損傷が生じて、ウェーハ１が割れ破片が空中に舞い上がって発塵する場合がある。そこで、予めウェーハ１の外周縁には該角を除去するための面取り加工が実施され、該外周縁には断面形状の縁が円弧状となる面取り部が形成される。すると、ウェーハ１の外周縁における損傷の発生が抑制される。
【００２３】
次に、本実施形態に係る加工方法で使用される切削装置について図２（Ａ）を用いて説明する。図２（Ａ）は、該切削装置２を模式的に示す側面図である。図２（Ａ）に示すように、該切削装置２は、ウェーハ１を保持するチャックテーブル４と、該チャックテーブル４に保持されたウェーハ１の外周縁付近を切削加工する切削ユニット６と、を備える。
【００２４】
チャックテーブル４は上面側に多孔質部材（不図示）を有する。該多孔質部材の上面はウェーハ１を保持する保持面４ａとなる。チャックテーブル４は、一端が吸引源（不図示）に接続された吸引路を内部に有し、該吸引路の他端が該多孔質部材に接続されている。該保持面４ａ上にウェーハ１が載せられ、該多孔質部材の孔を通して該吸引源により生じた負圧がウェーハ１に作用すると、ウェーハ１はチャックテーブル４に吸引保持される。
【００２５】
切削装置２は、パルスモータ等を動力とする加工送り機構（不図示）により、チャックテーブル４を切削装置２の加工送り方向に移動できる。例えば、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って切削する場合、該加工送り機構はチャックテーブルを送ることでウェーハ１を加工送りする。
【００２６】
さらに、切削装置２はパルスモータ等を動力とする割り出し送り機構（不図示）により、切削ユニット６を切削装置２の割り出し送り方向（不図示）に移動できる。また、チャックテーブル４は保持面４ａに略垂直な軸の周りに回転可能であり、チャックテーブル４を回転させるとウェーハ１の加工送り方向を変えられる。ウェーハ１のエッジトリミング時には、チャックテーブル４を該軸の周りに回転させながら切削ブレード１０をウェーハ１の外周縁付近に切り込ませる。
【００２７】
切削ブレード１０は、回転可能に支持されたスピンドル８の先端に装着される。切削加工時にはスピンドル８を回転させることで、切削ブレード１０を回転させる。該切削ブレード１０は、例えば、リングタイプのいわゆるオールブレードであり、中央に貫通孔を有し、例えば、Ｃｕ等の金属でなるボンド材（結合剤）中にダイヤモンド等の砥粒が固定される。
【００２８】
次に、該切削装置２を用いて実施する本実施形態に係るリチウムタンタレートウェーハの加工方法について説明する。該加工方法は、該ウェーハの該外周縁から中心側に第１の幅を有する領域を切削する粗加工ステップと、該粗加工ステップで形成された新たな外周縁から中心側に第２の幅を有する領域を切削する仕上げ加工ステップと、を備える。以下、本実施形態に係るリチウムタンタレートウェーハの加工方法の各ステップについて詳述する。
【００２９】
該加工方法においては、リチウムタンタレートウェーハをチャックテーブルで保持する保持ステップを実施する。該保持ステップでは、まず、切削装置２のチャックテーブル４の保持面４ａ上にウェーハ１を載せる。該加工方法では、ウェーハ１の表面１ａの外周縁付近を切削加工するため、ウェーハ１の裏面１ｂをチャックテーブル４側に向けて、該裏面１ｂを該保持面４ａに接触させる。
【００３０】
チャックテーブル４は、保持面４ａに垂直な軸の周りに回転可能である。ウェーハ１を保持面４ａに載せる際は、該軸にウェーハ１の中心が合うようにウェーハ１を保持面４ａに載せる。そして、チャックテーブル４の吸引源（不図示）を作動させて該吸引源により生じた負圧がチャックテーブル４の上面の多孔質部材の孔を通してウェーハ１に作用すると、ウェーハ１はチャックテーブル４に吸引保持される。
【００３１】
次に、本実施形態に係る加工方法では、粗加工ステップ及び仕上げ加工ステップを実施する。両ステップを実施することでウェーハ１の外周縁の面取り部を切削するエッジトリミングを実施する。
【００３２】
粗加工ステップでは、ウェーハ１の外周縁から中心側に第１の幅を有する第１の環状領域を切削し、仕上げ加工ステップでは、ウェーハ１の表面側に該粗加工ステップで形成された縁から中心側に第２の幅を有する第２の環状領域を切削する。すなわち、第１の幅と、第２の幅と、の和がエッジトリミングにより切削される領域の全幅となる。
【００３３】
まず、粗加工ステップについて詳述する。粗加工ステップでは、ウェーハ１の外周縁から中心側に第１の幅を有する第１の環状領域を切削する。粗加工ステップは、２以上のステップに分けて実施されてもよく、その場合、該２以上のステップをすべて実施することで該第１の環状領域を切削する。以下、第１粗加工ステップと、第２粗加工ステップと、の２つのステップにより第１の環状領域を切削する粗加工ステップについて説明する。
【００３４】
該粗加工ステップでは、まず、第１粗加工ステップを実施する。第１粗加工ステップについて、図２（Ａ）を用いて説明する。図２（Ａ）は、第１粗加工ステップを模式的に示す部分断面図である。該部分断面図には、ウェーハ１の断面が模式的に示されている。
【００３５】
第１粗加工ステップでは、幅１２（図２（Ｂ）参照）の第１の環状領域のうち、ウェーハ１の外周側の幅１２ａの環状領域を切削ブレード１０により切削する。まず、チャックテーブル４と、切削ユニット６と、を移動させて、該加工送り方向に伸長し該幅１２ａの環状領域の内周縁に接する接線と、切削ブレード１０の端部と、の水平方向の位置が合うように該接線の上方に切削ブレード１０を位置付ける。なお、該幅１２ａは、切削ブレード１０の厚さよりも小さい値となるように設定される。
【００３６】
そして、スピンドル８を回転させて切削ブレード１０を回転させるとともに、切削ブレード１０を所定の高さまで下降させる。その後、切削ブレード１０の該端部が該幅１２ａの環状領域の該内周縁に接するようにチャックテーブル４を加工送りして、ウェーハ１の外周縁を切削する。さらに、チャックテーブル４を該軸の周りに１回転以上回転させると、ウェーハ１の該外周縁を含む幅１２ａの環状領域が切削される。その後、切削ブレード１０を上昇させて、第１粗加工ステップを終了させる。
【００３７】
粗加工ステップでは、次に第２粗加工ステップを実施する。第２粗加工ステップについて、図２（Ｂ）を用いて説明する。図２（Ｂ）は、第２粗加工ステップを模式的に示す部分断面図である。該部分断面図には、ウェーハ１の断面が模式的に示されている。
【００３８】
第２粗加工ステップでは、幅１２の第１の環状領域のうち、ウェーハ１の中心側の幅１２ｂの環状領域を切削ブレード１０により切削する。まず、チャックテーブル４と、切削ユニット６と、を移動させて、該加工送り方向に伸長し幅１２の第１の環状領域の内周縁に接する接線と、切削ブレード１０の端部と、の水平方向の位置が合うように該接線の上方に切削ブレード１０を位置付ける。
【００３９】
なお、第２粗加工ステップで切削される環状領域の幅１２ｂは、切削ブレード１０が該第１粗加工ステップで該ウェーハ１の表面１ａ側に形成された縁と重なるように設定される。
【００４０】
そして、スピンドル８を回転させて切削ブレード１０を回転させるとともに、切削ブレード１０を所定の高さまで下降させる。その後、切削ブレード１０の該端部が第１の環状領域の内周縁に接するようにチャックテーブル４を加工送りして、該第１粗加工ステップで該ウェーハ１の表面１ａ側に形成された新たな縁を切削する。さらに、チャックテーブル４を該軸の周りに１回転以上回転させると、幅１２ｂの環状領域が切削される。その後、切削ブレード１０を上昇させて、第２粗加工ステップを終了させる。
【００４１】
第１粗加工ステップと、第２粗加工ステップと、が実施されると、ウェーハ１の幅１２の第１の環状領域が切削される。なお、粗加工ステップを第１粗加工ステップと、第２粗加工ステップと、に分けて実施する場合について説明したが、粗加工ステップを一つのステップで実施してもよい。
【００４２】
本実施形態に係る加工方法では、次に、仕上げ加工ステップを実施する。仕上げ加工ステップについて、図３を用いて説明する。仕上げ加工ステップでは、ウェーハ１の表面１ａ側に粗加工ステップで形成された縁（該第１の環状領域の内周縁）からウェーハ１の中心側に第２の幅１４を有する第２の環状領域を切削する。
【００４３】
まず、チャックテーブル４と、切削ユニットと、を移動させて、該加工送り方向に伸長し幅１４の第２の環状領域の内周縁に接する接線と、切削ブレード１０の端部と、の水平方向の位置が合うように該接線の上方に切削ブレード１０を位置付ける。
【００４４】
そして、スピンドル８を回転させて切削ブレード１０を回転させるとともに、切削ブレード１０を所定の高さまで下降させる。その後、切削ブレード１０の該端部が第２の環状領域の内周縁に接するようにチャックテーブル４を加工送りして、ウェーハ１の表面１ａ側に粗加工ステップで形成された縁を切削する。さらに、チャックテーブル４を該軸の周りに１回転以上回転させると、第２の環状領域が切削される。その後、切削ブレード１０を上昇させて、仕上げ加工ステップを終了させる。
【００４５】
仕上げ加工ステップを実施すると、エッジトリミングによりウェーハ１の表面１ａ側の外周に最終的な縁が形成される。
【００４６】
損傷が生じやすいリチウムタンタレートウェーハの外周を切削して該最終的な縁を形成するとき、該縁の損傷の発生を抑制するには、該縁を形成する際に実施する切削加工における加工負荷を小さくすればよい。そのため、本実施形態に係る加工方法では、数ｍｍの幅で外周縁を切削してエッジトリミングを実施するのに際して、切削加工を粗加工ステップ及び仕上げ加工ステップに分けて実施し、特に、仕上げ加工ステップで生じる加工負荷を低減させる。
【００４７】
ただし、仕上げ加工ステップにおいて粗加工ステップで使用する切削ブレードとは異なる切削ブレードを用いる場合、切削ブレードの交換又は切り替えのために時間がかかり加工効率が低下する。
【００４８】
そこで、粗加工ステップ及び仕上げ加工ステップにおいて同じ切削ブレード１０を使用し、仕上げ加工ステップにおいて切削する第２の環状領域の幅１４を粗加工ステップにおいて切削する第１の環状領域の幅１２よりも小さくする。同じ切削ブレード１０で同様の条件で切削加工を行う場合、切削する領域の幅を小さくすると加工負荷を小さくできる。
【００４９】
ここで、チャックテーブル４を回転させてリチウムタンタレートウェーハを切削加工するとき、切削加工する領域の幅と、該リチウムタンタレートウェーハに形成される新たな外周縁のチッピング等の損傷の数と、の関係を調査して両者の関係を確認した。すなわち、切削加工する領域の幅を５００μｍ、２００μｍ、及び、１００μｍとしたときに、研削加工でウェーハ１の表面に形成された縁におけるチッピング等の損傷の数を計測した。
【００５０】
切削加工する領域の幅を５００μｍとすると、該縁に生じた損傷が多く確認され切削による加工負荷が高いことが示唆された。切削加工する領域の幅を２００μｍとすると、該縁に生じた損傷の数が少なく、十分に切削による加工負荷を低減できたことが示唆された。切削加工する領域の幅を１００μｍとすると、該縁に生じた損傷の数はさらに少なくなった。すなわち、仕上げ加工ステップにおいては、切削する領域の幅を２００μｍ以下とすると、加工負荷を十分に低減できることが示唆された。
【００５１】
本実施形態に係る加工方法によると、２種以上の切削ブレードを交換等して使用することなく、一つの切削ブレードで加工負荷の小さいエッジトリミングを実施できる。そのため、加工負荷が小さく低コストなエッジトリミングを実現できる。
【００５２】
なお、粗加工ステップ及び仕上げ加工ステップにおいては、切削ブレード１０の最下端が位置付けられる表面１ａからの高さ位置、すなわち、切削ブレード１０の切削深さを、後述の研削ステップにおいて薄化されるウェーハ１の仕上がり厚さよりも大きくする。すると、研削ステップが実施されたとき、ウェーハ１にエッジトリミングを実施した後に残る面取り部が研削加工により除去される。
【００５３】
エッジトリミングがされたウェーハ１は表面１ａ側に保護テープ（保護部材）が貼着されて、裏面１ｂに研削加工が実施される。次に、図４を用いて保護部材貼着ステップを説明する。図４は、保護部材貼着ステップを模式的に示す斜視図である。保護部材貼着ステップでは、後述の研削加工時にウェーハ１の表面１ａを保護するために、該表面１ａに保護テープ７を貼着する。
【００５４】
ウェーハ１の表面１ｂに貼着される保護部材（保護テープ）７は、可撓性を有するフィルム状の基材と、該基材の一方の面に形成された糊層（接着剤層）と、を有する。例えば、基材にはＰＯ（ポリオレフィン）が用いられる。ＰＯよりも剛性の高いＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられても良い。また、糊層（接着剤層）には、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。
【００５５】
保護部材貼着ステップを実施した後は、ウェーハ１の裏面１ｂを研削加工してウェーハ１を薄化する研削ステップを実施する。図５を用いて研削ステップを説明する。図５は、裏面研削ステップを模式的に示す部分断面図である。
【００５６】
図５に示すように、裏面研削ステップで使用される研削装置１６は、ウェーハ１を吸引保持するチャックテーブル１８と、該チャックテーブル１８の上方の研削ユニット１６ａと、を備える。チャックテーブル１８は上述のチャックテーブル４と同様の構成であり、上面がウェーハ１を保持する保持面１８ａとなる。該チャックテーブル１８は、該保持面１８ａに垂直な軸の周りに回転可能である。
【００５７】
研削ユニット１６ａは、円環状の研削ホイール２２を回転可能に支持するスピンドル２０を備える。該スピンドル２０の先端には該研削ホイール２２が装着されており、該研削ホイール２２の下面側には、円環状に並ぶ複数の研削砥石２４が固定されている。
【００５８】
ウェーハ１の裏面１ｂ側を研削するために、表面１ａ側を下方に向けた状態で保護テープ７を介してウェーハ１をチャックテーブル１８の保持面１８ａ上に載せる。このとき、ウェーハ１の中心がチャックテーブル１８の回転軸と合うようにウェーハ１を位置付ける。そして、チャックテーブル１８にウェーハ１を吸引保持させて、ウェーハ１の裏面１ｂ側を上方に露出する。
【００５９】
次に、研削ユニット１６ａのスピンドル２０を回転させ研削ホイール２２を回転させるとともに、チャックテーブル１８を回転させる。そして、研削ホイール２２をウェーハ１に向けて下降させ、回転する研削ホイール２２に固定された研削砥石２４がウェーハ１の裏面１ｂに触れるとウェーハ１が研削加工される。そして、所定の高さ位置に研削砥石２４が位置付けられると、ウェーハ１が所定の厚さにまで薄化される。
【００６０】
研削加工されるウェーハ１の外周縁に形成されていた面取り部はエッジトリミングにより除去されている。そのため、ウェーハ１が研削加工されて薄化されても、ウェーハ１の外周縁がナイフエッジの如く尖ることはない。すると、ウェーハ１の外周において損傷の発生が抑制されるため、最終的に形成されるデバイスチップが不良とはなりにくくなる。
【００６１】
なお、上記実施形態では、リチウムタンタレートウェーハの外周縁の面取り部を切削する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。被加工物は、例えば、シリコンウェーハ又はサファイアウェーハでもよい。
【００６２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６３】
１  ウェーハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
３  分割予定ライン
５  デバイス
７  保護テープ
９  新たな外周縁
２  切削装置
４，１８  チャックテーブル
４ａ，１８ａ  保持面
６  切削ユニット
８  スピンドル
１０  切削ブレード
１２，１２ａ，１２ｂ，１４  幅
１６  研削装置
１６ａ  研削ユニット
２０  スピンドル
２２  研削ホイール
２４  研削砥石
【図１】
2018148135.tif 000003
【図２】
2018148135.tif 000004
【図３】
2018148135.tif 000005
【図４】
2018148135.tif 000006
【図５】
2018148135.tif 000007