(57)【要約】【課題】パターン面にダメージを与えずに効率良くペリクル糊跡を除去することができるペリクル糊跡除去装置を提供する。【解決手段】レチクルの表面にペリクル糊跡として存在する有機物を除去するペリクル糊跡除去装置１０は、常圧プラズマを生成し、生成した常圧プラズマをワークＷの表面に存在する有機物に向けて照射するヘッド１１、ワークＷの表面に存在するペリクル糊跡を当該表面から除去するために、ヘッド１１から照射する常圧プラズマを照射条件に基づいて制御する制御部２０を有する。【選択図】図１
2018045207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルの表面にペリクル糊跡として存在する有機物を除去するペリクル糊跡除去装置であって、
常圧プラズマを生成する生成手段と、
前記生成した常圧プラズマを前記有機物に向けて照射する照射手段と、
前記有機物を前記レチクルの表面から除去するために、前記照射手段が照射する常圧プラズマを照射条件に基づいて制御する制御手段と、を有することを特徴とする、
ペリクル糊跡除去装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記生成手段が大気圧付近の圧力下、又は、準常圧下でクリーンドライエアーに含まれる酸素をオゾン変換して常圧プラズマを生成することを特徴とする、
請求項１に記載のペリクル糊跡除去装置。
【請求項３】
前記照射手段を上昇あるいは下降させて当該照射手段から前記処理対象物の表面までの距離を調整する駆動機構を有し、
前記駆動機構、前記生成手段、前記照射手段それぞれは前記制御手段により制御され、
前記制御手段は、前記照射手段が照射する常圧プラズマを、前記照射条件として設定された各値のうち少なくとも前記クリーンドライエアーの単位時間当たりの流量、前記照射手段から処理対象物の表面までの距離、照射時間に基づいて制御することを特徴とする、
請求項１又は２に記載のペリクル糊跡除去装置。
【請求項４】
前記照射条件は、前記クリーンドライエアーの単位時間当たりの流量は２０［Ｌ／ｍｉｎ］から２４［Ｌ／ｍｉｎ］の範囲に含まれる値であり、前記照射手段から処理対象物の表面までの距離は６［ｍｍ］から７［ｍｍ］の範囲に含まれる値であり、照射時間は１０［秒］から１５［秒］の範囲に含まれる値を有する条件であることを特徴とする、
請求項３に記載のペリクル糊跡除去装置。
【請求項５】
前記除去される有機物は、前記レチクルから前記ペリクルを剥がしたときに生じたペリクル糊跡であり、このペリクル糊跡の糊成分が（メタ）アクリル酸エチル系エラストマー、（メタ）アクリル酸エステル系エラストマーからなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする、
請求項１乃至４いずれか一項に記載のペリクル糊跡除去装置。
【請求項６】
前記除去される有機物は、前記レチクルから前記ペリクルを剥がしたときに生じたペリクル糊跡であり、このペリクル糊跡の糊成分がポリ（メタ）アクリル酸ｎ−ブチルであることを特徴とする、
請求項１乃至４いずれか一項に記載のペリクル糊跡除去装置。
【請求項７】
レチクルからペリクルを剥がしたときに生じるレチクル上のペリクル糊跡を除去するペリクル糊跡除去方法であって、
大気圧付近の圧力下、又は、準常圧下でクリーンドライエアーに含まれる酸素をオゾン変換して常圧プラズマを生成して、生成した常圧プラズマを前記レチクルの表面に存在するペリクル糊跡に向けて照射する工程と、
前記レチクルの表面に存在するペリクル糊跡を当該表面から除去するために、前記照射手段が照射する常圧プラズマを照射条件に基づいて制御する工程と、を有することを特徴とする、
ペリクル糊跡除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体や液晶表示板等の製造工程で使用するレチクル上のペリクル糊跡を除去する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示板等の製造工程では、マスク（露光原板、レチクルともいう）を介して感光層等に光を照射することによってパターニングを行う。
その際、マスクに異物が付着していると、光が異物によって吸収又は屈曲されることとなる。そのため、形成されるパターンが変形したり、パターンのエッジに歪が生じてパターニングの寸法、品質、及び外観等が損なわれてしまうといった問題が生じる。
このような問題を解消すべく、マスクの表面に光を透過するペリクル膜を備えた防塵カバーであるペリクルを装着し、マスクの表面に対する異物の付着を抑制する方法が採用されている。
【０００３】
ペリクルは、通常、金属製のペリクルフレームと、ペリクルフレームの一端面に配置されたペリクル膜とを備えている。そして、ペリクルフレームの他端面には、ペリクルをマスクに固定するためのマスク接着剤層が形成されている。ペリクルをマスクに装着する場合には、マスク接着剤層をマスクの所定の位置に圧着して固定する。
【０００４】
また、フォトレジストを塗布して露光、現像処理を行いレジストのパターンを形成してパターニングを行う。この場合、不用となったレジストを除去する必要がある。
例えば、特許文献１に開示された方法は、レジストが変質してレジスト表面に形成された変質層と、変質層下で変質していないレジスト未変質層などの有機物が表面に残留している場合の残留有機物除去方法である。この方法は、オゾン溶液又はオゾン水のみをレジスト未変質層に滴下しレジスト未変質層を除去する、というものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−０８５２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レチクルを介したパターニング後においては、当該レチクルからペリクルを剥がしたときにレチクル上に糊残り（糊跡）が生じることがある。また現状では、ペリクルを剥がした後の糊残りの除去工程（洗浄工程）は、薬液を用いたウェットプロセスで行なわれている。そのため、度重なる薬液プロセスによってレチクル表面がヘイズと呼ばれる曇りがかった表面になりパターン面にダメージが生じてしまう、という問題がある。そのため、後工程のリソグラフィープロセスにおいて描画エラーを起こしてしまう、という課題が残る。
【０００７】
本発明は、パターン面にダメージを与えずに効率良くペリクル糊跡を除去することができるペリクル糊跡除去装置を提供することを、主たる目的とする。また、ペリクル糊跡除去方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、レチクルの表面にペリクル糊跡として存在する有機物を除去するペリクル糊跡除去装置であって、常圧プラズマを生成する生成手段と、前記生成した常圧プラズマを前記有機物に向けて照射する照射手段と、前記有機物を前記レチクルの表面から除去するために、前記照射手段が照射する常圧プラズマを照射条件に基づいて制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、パターン面にダメージを与えずに効率良くペリクル糊跡を除去することができるペリクル糊跡除去装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係るペリクル糊跡除去装置の全体構成の一例を示す概略平面図。
【図２】常圧プラズマによる糊跡除去のメカニズムを説明するための模式図。
【図３】常圧プラズマの照射条件と、それぞれの条件に基づく処理結果（ペリクル糊跡除去結果）との関係を説明するための図。
【図４】常圧プラズマの照射条件とパターン面にダメージが生じたか否かを検証した結果を示す図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、処理前のワーク表面、処理後のワーク表面それぞれの一部を拡大した図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、ワーク表面の表面粗さを検出してペリクル糊跡の有無を確認した検証データ。
【図７】ペリクル糊跡除去方法を実行する際の制御部による主要な制御手順の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態例を説明する。なお、本実施形態では、レチクルを介したパターニング後に当該レチクルからペリクルを剥がしたときに生じるレチクル上のペリクル糊跡をドライプロセスにより除去する場合を例に挙げて説明を進める。
【００１２】
図１は、本実施形態に係るペリクル糊跡除去装置の全体構成の一例を示す概略平面図である。
図１に示すペリクル糊跡除去装置１０は、常圧プラズマを処理対象物Ｗ（例えば、レチクル。以下ワークＷと称する場合もある）に照射するためのヘッド１１、ワークＷを載置するステージ１２、ヘッド１１、ステージ１２が載置されるテーブル１３、制御部２０を含んで構成される。
なお、制御部２０は、ペリクル糊跡除去装置１０が有する各構成機器を制御する、一種のコンピュータである。
【００１３】
ペリクル糊跡除去装置１０は、また、オゾン発生装置（不図示）、プラズマコントローラ（不図示）などを有しており、制御部２０と協働してワークＷに照射する常圧プラズマの生成・出力等を制御する。
【００１４】
ヘッド１１は、生成された常圧プラズマをステージ１２に載置されたワークＷの表面（被処理面）に向けて照射するためのノズル（不図示）を有する。なお、このノズルを含むヘッド１１をプラズマ照射部と称する場合もある。
【００１５】
ヘッド１１は、また、図１に示すように、テーブル１３上をＸ軸方向、Ｙ軸方向それぞれに向けて相対的に移動することができるように構成される。また、ヘッド１１は、テーブル１３に対して上昇、又は、下降する移動ができるように構成される。ヘッド１１を上昇あるいは下降させることで、プラズマ照射部から処理対象のワークＷの表面までの距離を調整して任意の値に設定することができる。
なお、ヘッド１１のＸ軸方向、Ｙ軸方向に向かう移動、上昇、又は、下降する移動は、例えば図示しない駆動機構を介して行われる。また、単位時間当たりの移動量、移動総量、移動開始タイミングなどは主として制御部２０により制御される。
【００１６】
ステージ１２は、載置されたワークＷを後述する処理エリアへ移送したり、処理後のワークＷをアンロード位置まで移送することができるように構成される。具体的には、ステージ１２は、テーブル１３上をＸ軸方向、Ｙ軸方向それぞれに向けて相対的に移動可能に構成される。
【００１７】
例えば、図１に示すように、破線で示したステージ１２´の位置でワーク（破線で示すワークＷ´）をステージにセットすることができるようにステージ１２を移動する。そして、ワークセット後に実線で示すステージ１２の位置まで移動してから、ペリクル糊跡除去処理を開始する。なお、ペリクル糊跡除去処理が開始・終了されるエリアを処理エリアと称することもある。
【００１８】
ステージ１２は、また、ペリクル糊跡除去の処理中においてヘッド１１に対して相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向それぞれに向けて移動可能に構成される。また、ヘッド１１と同様に、ステージ１２を上昇／下降の移動が可能に構成することもできる。
【００１９】
なお、ステージ１２のＸ軸方向、Ｙ軸方向に向かう移動、上昇、又は、下降する移動は、例えば図示しない駆動機構を介して行われる。また、単位時間当たりの移動量、移動総量、移動開始タイミングなどは主として制御部２０により制御される。
また上述したように、ヘッド１１、ステージ１２それぞれが移動可能に構成する他、例えばテーブル１３に対してヘッド１１、あるいはステージ１２のいずれか一方のみを移動可能構成することもできる。
【００２０】
また、ペリクル糊跡除去装置１０は、ヘッド１１及びステージ１２それぞれの位置（テーブル１３に対する相対位置）を検知するための各種センサ、処理状況を監視するためのカメラなどを有する。
【００２１】
［照射ターゲット］
ペリクル糊跡除去装置１０によりワークＷ表面から除去するペリクル糊跡は、ワークＷ表面に存在する粘着剤（有機物）である。ペリクル糊跡除去装置１０により除去することが可能なペリクル糊成分は、例えば（メタ）アクリル酸エチル系エラストマー：（商品名「ＬＡポリマー２１４０ｅ」（クラレ社製）、（メタ）アクリル酸エステル系エラストマー：（商品名「ＬＡポリマー２１４０ｅ」（クラレ社製）、ｔａｎδピーク温度：−２０℃）などからなる群より選択される少なくとも一種である。
なお、（メタ）アクリル酸エステル系熱可塑性エラストマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含む重合体である。
【００２２】
除去対象のペリクル糊成分は、より具体的には、ポリ（メタ）アクリル酸メチルと、ポリ（メタ）アクリル酸メチル以外の（メタ）アクリル酸エステルとのジブロック又はトリブロック共重合体である。ポリ（メタ）アクリル酸メチル以外の（メタ）アクリル酸エステルとしては、ポリ（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、ポリ（メタ）アクリル酸２エチルヘキシル、ポリ（メタ）アクリル酸イソノニル等の、重合体ブロック中に嵩高い分岐構造を持った側鎖を形成し得るモノマーが好ましい。
なかでも、本実施形態に係るペリクル糊跡除去装置１０においては、ペリクル糊成分がポリ（メタ）アクリル酸ｎ−ブチルである場合に優れた除去効果が得られる。
【００２３】
図２は、常圧プラズマによる糊跡除去のメカニズムを説明するための模式図である。
ペリクル糊跡除去装置１０では、大気圧付近の圧力下、又は、準常圧下でエアー（ＣＤＡ：クリーンドライエアー）が放電空間（図中に示す電極間）を通過して、エアーに含まれる酸素（Ｏ２）をオゾン（Ｏ３）変換（オゾンガス化）するプラズマ処理を行う。このプラズマに含まれるオゾンガスは、ヘッド１１のノズルを介してワークＷ表面に照射される。
ワークＷ表面に到達した常圧プラズマは、ワークＷ表面に存在する粘着剤（有機物）をオゾン＋酸素プラズマで改質（炭化）させ、当該粘着剤を昇華させる。これにより、レチクル上のペリクル糊跡を除去することができる。
【００２４】
［常圧プラズマの仕様］
本実施形態に係るペリクル糊跡除去装置１０では、ワークＷ表面に照射される常圧プラズマの仕様は、例えば放電空間に印加するマイクロ波出力を９０［Ｗ］、１２０［Ｗ］、１５０［Ｗ］などとする。また、ヘッド１１のノズルから照射されるプラズマ噴出径は、例えば直径４［ｍｍ］である。
【００２５】
なお、本実施形態では３種類のマイクロ波出力のパターンを一例として挙げている。
これは、例えば通常よりも糊残りが多い場合、つまり糊跡の厚みが厚い場合にはプラズマ出力を低い値（例えば、マイクロ波出力：９０［Ｗ］）に設定する。そして、後述する照射スキャンの回数を多めに行うか、あるいは照射スキャンスピードを遅くするように装置の動作を制御する。これにより、ワーク表面のパターン面にダメージを与えずに、且つ、ペリクル糊跡をきれいに除去することができる。
【００２６】
また、例えば通常よりも糊残りが少ない場合、つまり糊跡の厚みが薄い場合にはプラズマ出力を高い値（マイクロ波出力：１２０［Ｗ］、あるいは１５０［Ｗ］）に設定する。これにより、短時間、低スキャン回数で装置の動作を制御して処理時間の低減を図りつつ、効率良くペリクル糊跡を除去することが可能となる。
【００２７】
また、通常よりも糊残りが多い、あるいは少ないとの判別は、例えばある量の糊残りに対するプラズマ出力値、スキャン回数、スキャンスピードを基準の除去条件として設定し、この除去条件と比べて相対的に糊残りが多い、又は、少ないと判別する。
【００２８】
図３は、常圧プラズマの照射条件と、それぞれの条件に基づく処理結果（ペリクル糊跡除去結果）との関係を説明するための図である。
また、図４は、常圧プラズマの照射条件とパターン面にダメージが生じたか否かを検証した結果を示す図である。
【００２９】
本願発明者は、種々の常圧プラズマの照射条件に応じたペリクル糊跡除去結果、パターン面にダメージが生じたか否かの検証を行った。
なお、照射条件の検証では、単位時間当たりのエアー流量（ＣＤＡ流量）、照射高さ（プラズマ照射部（例えば、ノズル先端）からワークＷ表面までの距離）、照射時間（処理時間）それぞれの条件を変えて常圧プラズマをワークＷ表面に照射して行った。
また、本実施形態に係る「照射時間」は、例えばワークＷに存在するペリクル糊跡がライン状である場合、プラズマ噴出径が直径４［ｍｍ］であればラインの全体長さのうち４［ｍｍ］部分に１０［秒］照射することを「照射時間が１０［秒］」とする。
【００３０】
図３では、検証を行ったパターンのうち照射条件として条件１〜４のパターンを取り上げてその検証結果を示している。なお、条件１〜４共に照射高さ：６［ｍｍ］としている。
【００３１】
また、レチクルからペリクルを剥がしたときにレチクル上の糊残りの量、つまり糊跡の厚みは様々な要因により異なる場合がある。そのため、本検証では、糊跡が厚い場合にはプラズマ出力値を低くして照射時間を上げて処理を行い、薄い場合にはプラズマ出力を高くして短時間、低スキャン回数で処理を行っている。
【００３２】
図３に示す条件１では、ＣＤＡ流量：２４．６［Ｌ／ｍｉｎ］、処理時間１０［秒］とする条件の場合の検証結果である。
処理前のワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡が、条件１に基づく処理により処理後のワークＷのペリクル糊跡のようになっている。処理前のワークＷの表面状態と処理後のワークＷの表面状態とを比べると、条件１に基づく処理によりペリクル糊跡が除去されているが、未だ除去できていないペリクル糊跡も存在することが見て取れる。
【００３３】
図３に示す条件２では、ＣＤＡ流量：２４．６［Ｌ／ｍｉｎ］、処理時間１５［秒］とする条件の場合の検証結果である。
処理前のワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡が、条件１に基づく処理により処理後のワークＷのペリクル糊跡のようになっている。処理前のワークＷの表面状態と処理後のワークＷの表面状態とを比べると、条件２に基づく処理によりペリクル糊跡が除去されていることが見て取れる。
また、条件１に基づく処理結果と比べると、相対的に条件２に基づく処理の方が全体的により多くのペリクル糊跡が除去されていることが見て取れる。
【００３４】
図３に示す条件３では、ＣＤＡ流量：２３［Ｌ／ｍｉｎ］、処理時間１５［秒］とする条件の場合の検証結果である。
処理前のワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡が、条件３に基づく処理により処理後のワークＷのペリクル糊跡のようになっている。処理前のワークＷの表面状態と処理後のワークＷの表面状態とを比べると、条件３に基づく処理によりペリクル糊跡が除去されていることが見て取れる。
【００３５】
図３に示す条件４では、ＣＤＡ流量：２４［Ｌ／ｍｉｎ］、処理時間１５［秒］とする条件の場合の検証結果である。
処理前のワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡が、条件４に基づく処理により処理後のワークＷのペリクル糊跡のようになっている。処理前のワークＷの表面状態と処理後のワークＷの表面状態とを比べると、条件４に基づく処理によりペリクル糊跡が除去されていることが見て取れる。
【００３６】
図３に示すようにワークＷのペリクル糊跡は、ペリクル自体の個体差や剥がし方などにより必ずしも同じ糊跡となるとは限らない。また、図４に示すように、設定する照射条件によってはパターン面にダメージが生じてしまうこともある。
そのため、上記条件１〜４とそれ以外の条件で行った検証結果に基づいて、少なくともＣＤＡ流量：２０〜２４［Ｌ／ｍｉｎ］、プラズマ照射部からワークＷの距離：６〜７［ｍｍ］、照射時間：１０〜１５［秒］の範囲で照射条件を設定することが望ましい。
【００３７】
また、各設定値がこの範囲に含まれる照射条件をペリクル糊跡除去装置１０の照射条件として設定すれば、個々のワーク毎のペリクル糊跡にある程度のバラつきがあったとしても、パターン面にダメージを与えることなく、且つ、十分なペリクル糊跡除去を行うことが可能になる。そのため、ワーク毎に照射条件の設定が不要となり、ペリクル糊跡除去の処理効率の向上を図ることが可能になる。
【００３８】
なお、ヘッド１１、あるいはステージ１２を移動させて照射ポイントを移動させる自動制御の場合には、ワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡に対する照射スキャンスピードを１〜５［ｍｍ/ｓｅｃ］の範囲に含まれる任意の値に設定する。
例えば、照射スキャンスピードの値は、糊跡の厚みが厚い場合には１［ｍｍ/ｓｅｃ］（低スピード）に設定し、糊跡の厚みが薄い場合には５［ｍｍ/ｓｅｃ］（高スピード）に設定する。
なお、照射スキャンスピードの設定範囲（１〜５［ｍｍ/ｓｅｃ］）は一例であり、この範囲に限定するものではない。
【００３９】
図５は、処理前のワーク表面（ａ）、処理後のワーク表面（ｂ）それぞれの一部を拡大した図である。なお、図５（ｂ）は、常圧プラズマの照射条件がＣＤＡ流量：２４［Ｌ／ｍｉｎ］、処理時間１５［秒］、照射高さ：７［ｍｍ］である場合のペリクル糊跡の除去結果である。
【００４０】
また、図６は、ワーク表面の表面粗さを検出してペリクル糊跡の有無を確認した検証データである。図６では、処理前のワーク表面の測定データ（ａ）、処理後のワーク表面の測定データ（ｂ）、処理前のワーク表面の３Ｄ画像（ｃ）、処理後のワーク表面の３Ｄ画像（ｄ）を示している。
なお、図６（ａ）、（ｂ）は、縦軸を糊跡の高さ［μｍ］とし、横軸をライン状のペリクル糊跡の長さ［μｍ］としている。また、ワーク表面の確認は、キーエンス社製ＶＫ−９７００、ｘ５倍率レンズを使用して行った。
【００４１】
図５（ａ）では、ワークＷの表面にペリクル糊跡（図中の上側２／３程度部分）が存在していることが見て取れる。また、図５（ｂ）では、ワークＷの表面にペリクル糊跡が除去されていることが見て取れる。
【００４２】
図６では、ペリクル糊跡の長さ１０５１［μｍ］の範囲について処理前、処理後それぞれのワーク表面の表面粗さを検出している。
図６（ａ）に示す処理前のワーク表面の測定結果は、ペリクル糊跡の長さ範囲における糊跡の高さ差が１２．２５１［μｍ］であり、糊跡の厚み平均が４５．１４１［μｍ］であった。このときのワーク表面の３Ｄ画像が図６（ｃ）である。
【００４３】
また、図６（ｂ）に示す処理後のワーク表面の測定結果は、ペリクル糊跡の長さ範囲における糊跡の高さ差が０．６９１［μｍ］であり、糊跡の厚み平均が２０．１［μｍ］であった。このときのワーク表面の３Ｄ画像が図６（ｄ）である。なお、図６（ｄ）中の「２０．１」は。糊跡の厚み平均が２０．１［μｍ］であったことを示している。
このように、これまで説明した本実施形態に係る方法により、パターン面にダメージを与えることなく十分にペリクル糊跡が除去され、ワーク表面の表面粗さが改善されていることが見て取れる。
【００４４】
図７は、ペリクル糊跡除去方法を実行する際の制御部２０による主要な制御手順の一例を示すフローチャートである。
制御部２０は、ペリクル糊跡除去装置１０のオペレータによる開始指示の入力受付を契機に制御を開始する。なお、照射条件等は予め設定されているものとして説明を進める。
制御部２０は、ステージ１２にワークＷが載置（セット）されたことを確認する（Ｓ１０１）。
【００４５】
制御部２０は、ステージ１２を移動させ、ワークＷを処理エリアに移送する（Ｓ１０２）。例えば、ワークＷのセットは、図１中で破線で示すステージ１２の位置で行われ、その後、実線で示すステージ１２の位置までこのステージ１２を図中に示す矢印方向に向けて移動させることで、ワークＷの処理エリアへの移送が完了する。つまり、ステージ１２にワークＷをセットする場所と、ペリクル糊跡除去処理が行われる場所とが異なる場合、当該ペリクル糊跡除去処理が行われる場所が処理エリアとなる。
【００４６】
制御部２０は、ワークＷが処理エリア内の所定位置、例えば常圧プラズマ照射の開始位置まで到達したか否かを判別する（Ｓ１０３）。
制御部２０は、所定位置に到達したと判別した場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、常圧プラズマの照射を開始する（Ｓ１０４）。
制御部２０は、照射条件に基づいてステージ１２（あるいは、ヘッド１１）を駆動する（Ｓ１０５）。ヘッド１１の位置が固定されている場合、制御部２０は、照射条件に含まれる照射スキャンスピードに応じた速度で、ワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡の方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向（図１参照））に向かってステージ１２を移動させる。
【００４７】
なお、常圧プラズマ照射の開始からその終了までの間はステージ１２の移動を規制して、ワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡の方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向（図１参照））に向かってヘッド１１を移動させるように制御することもできる。また、ヘッド１１、ステージ１２共に移動させてワークＷに存在するライン状のペリクル糊跡を除去するように制御することもできる。
【００４８】
制御部２０は、ワークＷが常圧プラズマ照射の終了位置に到達したか否かを判別する（Ｓ１０６）。
制御部２０は、終了位置に到達したと判別した場合（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、常圧プラズマの照射を終了する（Ｓ１０７）。
制御部２０は、ステージ１２をアンロード位置（処理後のワークＷの取り出し位置）まで移動する（Ｓ１０８）。
【００４９】
このように、本実施形態に係るペリクル糊跡除去装置では、設定された照射条件に基づいた常圧プラズマ照射を行うドライプロセスにより、パターン面にダメージを与えずに十分にペリクル糊跡を除去することができる。 
【００５０】
上記説明した実施形態は、本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の範囲が、これらの例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５１】
１０・・・ペリクル糊跡除去装置、１１・・・ヘッド（プラズマ照射部）、１２・・・ステージ、１３・・・テーブル（筐体）、Ｗ・・・ワーク（ウェーハ上のレチクル）。
【図１】
2018045207.tif 000003
【図２】
2018045207.tif 000004
【図３】
2018045207.tif 000005
【図４】
2018045207.tif 000006
【図５】
2018045207.tif 000007
【図６】
2018045207.tif 000008
【図７】
2018045207.tif 000009