(57)【要約】【課題】環境への影響が小さく、簡易な方法で形成した突起を有する半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、第１のレジストパターンをマスクとして導体膜にハーフエッチングを行うことで、導体膜に突起部を形成する工程（ｃ）と、第１のレジストパターンを除去し、導体膜上に第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、第２のレジストパターンをマスクとして導体膜をエッチングすることで、テープ基材上に導体膜からなる第１の配線を形成する工程（ｅ）と、を具備し、突起部は第１の配線上に位置している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、
導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜にハーフエッチングを行うことで、前記導体膜に突起部を形成する工程（ｃ）と、
前記第１のレジストパターンを除去し、前記導体膜上に第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる第１の配線を形成する工程（ｅ）と、
を具備し、
前記突起部は前記第１の配線上に位置している半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｃ）で形成された突起部は、複数の前記第１の配線それぞれに対応した位置に形成される請求項１に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）で形成された突起部の位置は前記第１の配線ごとに異なる請求項２に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）で形成された突起部は、複数の前記第１の配線にまたがって形成される請求項１に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。 
【請求項５】
前記工程（ｅ）の後の突起部は、平面視で直線上に配置される請求項４に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｅ）の後の突起部の位置は前記第１の配線ごとに同じである請求項１、４及び５のいずれか一項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項７】
第２の配線を有する基板を準備し、前記工程（ｅ）の後に、前記第２のレジストパターンを除去し、前記第２の配線に前記第１の配線を、接着剤を介して接続する工程（ｆ）を有し、
前記工程（ｆ）において前記突起部は前記第２の配線に接触し、前記接着剤は前記突起部以外の前記第１の配線と前記第２の配線との間に位置する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項８】
テープ基材と、
前記テープ基材上に位置する複数の第１の配線と、
を具備し、
前記複数の第１の配線それぞれは複数の突起部を有し、
前記複数の第１の配線それぞれの前記突起部と前記突起部の間に凹部を有し、
前記複数の第１の配線それぞれの前記凹部は平面視で直線上に位置する半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項９】
前記突起部の位置は前記第１の配線ごとに同じである請求項８に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【請求項１０】
第２の配線を有する基板を含み、
前記第２の配線は前記第１の配線に電気的に接続されており、
前記第２の配線は前記突起部に接触し、
前記凹部に接着剤が位置し、
前記第１の配線は前記第２の配線に前記接着剤によって固定されている請求項８または９に記載の半導体装置用ＴＡＢテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)テープ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１にはリジッドフレキシブルプリント配線板の製造方法が開示されている。そのリジッドフレキシブルプリント配線板の配線には突起が形成されており、その配線と接続先の配線とを接続した際に、その突起が接続先の配線に接触し、接続先の配線との接続の強さ(導通の強さ)を確保することができる。
【０００３】
上記の突起はめっき法で形成されているため、製造時間と製造コストがかかり、環境への影響も大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平６−１４５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の幾つかの態様は、環境への影響が小さく、簡易な方法で形成した突起を有する半導体装置用ＴＡＢテープ及びその製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、テープ基材上に導体膜を形成する工程（ａ）と、導体膜上に第１のレジストパターンを形成する工程（ｂ）と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記導体膜にハーフエッチングを行うことで、前記導体膜に突起部を形成する工程（ｃ）と、前記第１のレジストパターンを除去し、前記導体膜上に第２のレジストパターンを形成する工程（ｄ）と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングすることで、前記テープ基材上に前記導体膜からなる第１の配線を形成する工程（ｅ）と、を具備し、前記突起部は前記第１の配線上に位置している。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、めっき法を用いることなく第１の配線上に突起部を形成するため、環境への影響を小さくすることができ、まためっき法に比べて簡易な方法で突起部を形成することができる。
【０００８】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｃ）で形成された突起部は、複数の前記第１の配線それぞれに対応した位置に形成されるとよい。このような突起部でも、めっき法に比べて簡易な方法で形成することができる。
【０００９】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｃ）で形成された突起部の位置は前記第１の配線ごとに異なるとよい。このような突起部でも、めっき法に比べて簡易な方法で形成することができる。
【００１０】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｃ）で形成された突起部は、複数の前記第１の配線にまたがって形成されるとよい。これにより、突起部と突起部との間の凹部が直線上に位置するため、余分な接着剤の排出性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｅ）の後の突起部は、平面視で直線上に配置されるとよい。これにより、突起部と突起部との間の凹部が直線上に位置するため、余分な接着剤の排出性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｅ）の後の突起部の位置は前記第１の配線ごとに同じであるとよい。これにより、突起部の位置精度の管理を厳しくする必要がなくなるので、突起部の加工性を高くすることができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様において、前記工程（ｅ）の後に、前記第２のレジストパターンを除去し、第２の配線を有する基板を準備し、前記第２の配線に前記第１の配線を、接着剤を介して接続する工程（ｆ）を有し、前記工程（ｆ）において前記突起部は前記第２の配線に接触し、前記接着剤は前記突起部以外の前記第１の配線と前記第２の配線との間に位置するとよい。これにより、突起部のない配線を第２の配線に接触させて電気的に接続する場合に比べて、第２の配線との接続時に突起部に応力が加わりやすく、強固な接続が可能となる。
【００１４】
本発明の第２の態様に係る半導体装置用ＴＡＢテープは、テープ基材と、前記テープ基材上に位置する複数の第１の配線と、を具備し、前記複数の第１の配線それぞれは複数の突起部を有し、前記複数の第１の配線それぞれの前記突起部と前記突起部の間に凹部を有し、前記複数の第１の配線それぞれの前記凹部は平面視で直線上に位置する。
【００１５】
本発明の第２の態様によれば、複数の第１の配線それぞれの凹部を平面視で直線上に位置させることで、余分な接着剤の排出性を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の第２の態様において、前記突起部の位置は前記第１の配線ごとに同じであるとよい。これにより、突起部の位置精度の管理を厳しくする必要がなくなるので、突起部の加工性を高くすることができる。
【００１７】
また、本発明の第２の態様において、第２の配線を有する基板を含み、前記第２の配線は前記第１の配線に電気的に接続されており、前記第２の配線は前記突起部に接触し、前記凹部に接着剤が位置し、前記第１の配線は前記第２の配線に前記接着剤によって固定されているとよい。これにより、平面視で直線上に位置する凹部を通して余分な接着剤を効率良く排出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図３】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図４】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図５】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図６】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図７】相手側基板を示す斜視図。
【図８】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する斜視図。
【図９】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する斜視図。
【図１０】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する断面図。
【図１１】図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する断面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す斜視図。
【図１３】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図１４】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図１５】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図１６】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を説明する斜視図。
【図１７】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する斜視図。
【図１８】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する断面図。
【図１９】図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す斜視図である。
半導体装置用ＴＡＢテープはテープ基材１１を有し、このテープ基材１１上には複数の第１の配線１６が位置している。ここでは、第１の配線１６を３本形成しているが、第１の配線を２本形成してもよいし、第１の配線を４本以上形成してもよい。複数の第１の配線１６それぞれは突起部１４を有する。
【００２１】
次に、図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を図２乃至図６を参照しつつ説明する。
【００２２】
図２に示すように、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＴ(polyethylene terephthalate)等からなるテープ基材１１上に導体膜１２を形成する。この導体膜１２は、銅箔、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属を用いることが可能である。
【００２３】
次に、導体膜１２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜にＵＶ照射して不要部分を感光することで、フォトレジスト膜を露光する。次いで、そのフォトレジスト膜を現像することにより、図３に示すように、導体膜１２上に第１のレジストパターン１３を形成する。
【００２４】
次に、図４に示すように、第１のレジストパターン１３をマスクとして導体膜１２にハーフエッチングを行うことで、導体膜１２に突起部１４を形成する。この際のエッチングはウエットエッチングを用いるとよい。次いで、図５に示すように、第１のレジストパターン１３を除去する。
【００２５】
次に、突起部１４を含む導体膜１２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜にＵＶ照射して不要部分を感光することで、フォトレジスト膜を露光する。次いで、そのフォトレジスト膜を現像することにより、図６に示すように、突起部１４及び導体膜１２上に第２のレジストパターン１５を形成する。
【００２６】
次に、第２のレジストパターン１５をマスクとして導体膜１２をエッチングすることで、テープ基材１１上に導体膜１２からなる第１の配線１６を形成する。この際のエッチングはウエットエッチングであるとよい。突起部１４は第１の配線１６上に位置しており、突起部１４に合わせて第１の配線１６が形成される。次いで、第２のレジストパターン１５を除去する。これらの工程を経て、図１に示すような半導体装置用ＴＡＢテープが得られる。
【００２７】
図４に示す工程で形成された突起部１４は、図１に示す複数の第１の配線１６それぞれに対応した位置に形成される。つまり、突起部１４は第１の配線１６上に位置しており、図４に示す工程で形成された突起部１４は第１の配線１６上に位置しないものはない。
【００２８】
また、図４に示す工程で形成された突起部１４の位置は第１の配線１６ごとに異なる。つまり、図１に示すように、第１の配線１６上の突起部１４は、その第１の配線１６の隣の第１の配線１６上の突起部１４と異なる位置に配置されている。ここでの異なる位置とは、第１の配線１６が延びる方向において異なる位置である。
【００２９】
次に、図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法について図７乃至図１１を参照しつつ説明する。図１０及び図１１は、図９に示す工程を説明するための断面図である。
【００３０】
上記の図１に示す半導体装置用ＴＡＢテープと共に、図７に示す第２の配線（相手側配線ともいう）２２を有する基板（相手側基板ともいう）２１を準備する。次に、図８に示すように、基板２１及び第２の配線２２の上に接着剤２３を塗布する。
【００３１】
次に、図１に示すテープ基材１１を上下反転させて基板２１上に配置し（図１０参照）、基板１１を基板２１に押し付けることで、第２の配線２２に第１の配線１６を、接着剤２３を介して電気的に接続する（図１１及び図９参照）。つまり、突起部１４は第２の配線２２に接触し、接着剤２３は突起部１４以外の第１の配線１６と第２の配線２２との間に位置することで、第１の配線１６は突起部１４を介して第２の配線２２に電気的に接続される。
【００３２】
上記第１の実施形態によれば、めっき法を用いることなく第１の配線１６上に突起部１４を形成するため、環境への影響を小さくすることができる。また、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることで、めっき法に比べて簡易な方法で突起部１４を形成することができる。
【００３３】
また、本実施形態では、第１の配線１６に突起部１４を形成し、その突起部１４を第２の配線２２に接触させて第１の配線１６と第２の配線２２を電気的に接続する。このため、突起部のない配線を第２の配線２２に接触させて電気的に接続する場合に比べて、相手側配線２２との接続時に突起部１４に応力が加わりやすく、強固な接続が可能となる。また、第１の配線１６と第２の配線２２の接続部の接点抵抗を低くすることができる。
【００３４】
＜第２の実施形態＞
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープを示す斜視図である。
テープ基材１１上には複数の第１の配線１６が位置しており、複数の第１の配線１６それぞれは突起部１４を有する。複数の第１の配線１６それぞれの突起部１４と突起部１４の間に凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃを有し、複数の第１の配線１６それぞれの凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃは平面視で直線上に位置する。別言すれば、突起部１４の位置は第１の配線１６ごとに同じであり、突起部１４は平面視で直線上に配置されているため、複数の第１の配線１６それぞれの凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃも平面視で直線上に位置する。
【００３５】
次に、図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法を図１３乃至図１６を参照しつつ説明する。
【００３６】
図１３に示すように、テープ基材１１上に導体膜１２を形成し、導体膜１２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布する。このフォトレジスト膜にＵＶ照射して不要部分を感光することで、フォトレジスト膜を露光する。次いで、そのフォトレジスト膜を現像することにより、導体膜１２上に第１のレジストパターン１７を形成する。
【００３７】
次に、図１４に示すように、第１のレジストパターン１７をマスクとして導体膜１２にハーフエッチングを行うことで、導体膜１２に突起部１８を形成する。この際のエッチングはウエットエッチングを用いるとよい。次いで、図１５に示すように、第１のレジストパターン１７を除去する。
【００３８】
次に、突起部１４を含む導体膜１２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜にＵＶ照射して不要部分を感光することで、フォトレジスト膜を露光する。次いで、そのフォトレジスト膜を現像することにより、図１６に示すように、突起部１４及び導体膜１２上に第２のレジストパターン１９を形成する。
【００３９】
次に、図１２に示すように、第２のレジストパターン１９をマスクとして突起部１８を含む導体膜１２をエッチングすることで、テープ基材１１上に導体膜１２からなる第１の配線１６及び突起部１８ａを形成する。この際のエッチングはウエットエッチングであるとよい。次いで、第２のレジストパターン１５を除去する。
【００４０】
突起部１８ａは第１の配線１６上に位置しており、複数の第１の配線１６それぞれの突起部１４と突起部１４の間には凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃが形成される。そして、複数の第１の配線１６それぞれの凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃは平面視で直線上に位置する。
【００４１】
図１４に示す工程で形成された突起部１８は、後の工程で形成される図１２に示す複数の第１の配線１６にまたがった位置に連続的に形成される。なお、本実施形態では、図１４に示す工程で形成された突起部１８の長手方向が、第１の配線１６の長手方向に対して直交する方向としているが、これに限定されるものではなく、突起部１８の長手方向が、第１の配線１６の長手方向に対して交差する方向であればよい。
【００４２】
上記のように図１４に示す工程で形成された突起部１８が複数の第１の配線１６にまたがった位置に連続的に形成されるため、図１２に示す工程の後の突起部１８ａは、平面視で直線上に配置されることになる。その直線は第１の配線１６と直交していてもよいし、直交していなくてもよい。また、突起部１８ａの位置は第１の配線１６ごとに同じである。
【００４３】
なお、本実施形態では、図１２に示すように第１の配線１６ごとに３個の突起部１８ａを形成しているが、これに限定されるものではなく、第１の配線ごとに２個または４個以上の突起部を形成することも可能である。
【００４４】
次に、図１２に示す半導体装置用ＴＡＢテープを図７に示す基板に接続する方法について図７、図８、図１７乃至図１９を参照しつつ説明する。図１８及び図１９は、図１０に示す工程を説明するための断面図である。
【００４５】
上記の図１２に示す工程の後に、図７に示す相手側基板２１を準備し、図８に示すように、基板２１及び第２の配線２２の上に接着剤２３を塗布する。
【００４６】
次に、図１２に示すテープ基材１１を上下反転させて基板２１上に配置し（図１８参照）、基板１１を基板２１に押し付けることで、第２の配線２２に第１の配線１６を、接着剤２３を介して電気的に接続する（図１９及び図１７参照）。つまり、突起部１８ａは第２の配線２２に接触し、接着剤２３は突起部１４と突起部１４の間の凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに位置することで、第１の配線１６は突起部１８ａを介して第２の配線２２に電気的に接続され、第１の配線１６は第２の配線２２に接着剤２３によって固定される。
【００４７】
上記第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
また、図１８及び図１９に示す工程で、複数の第１の配線１６それぞれの凹部３１ａ，３１ｂ，３１ｃが平面視で直線上に位置するため、接着剤２３も直線上に流れ、余分な接着剤２３の排出性を向上させることができる。
【００４９】
また、図１２に示す工程の後の突起部１８ａが平面視で直線上に配置され、突起部１８ａの位置が第１の配線１６ごとに同じである。このため、露光位置精度の管理を厳しくする必要がないので、生産が容易であり、また突起部１８ａを高い位置精度で形成することが容易となり、突起部１８ａの加工性を高くすることができる。
【００５０】
また、上記の第１及び第２の実施形態を適宜組合せて実施することも可能である。
【００５１】
なお、本願において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（又は下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を形成する（Ｂが形成される）というとき、Ａの上（又は下）に直接Ｂを形成する（Ｂが形成される）場合に限定されない。Ａの上（又は下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢを形成する（Ｂが形成される）場合も含まれる。
【００５２】
また、上（又は下）との表現による構成は、必ずしも一方向に限定されるものではなく、例えばＡの上（又は下）にＢを形成する（Ｂが形成される）というとき、半導体装置用ＴＡＢテープが天地逆転して使用される際には、Ａの下（又は上）にＢを形成する（Ｂが形成される）という場合も含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１１…テープ基材、１２…導体膜、１３，１７…第１のレジストパターン、１４，１８，１８ａ…突起部、１５，１９…第２のレジストパターン、１６…第１の配線、２１…基板、２２…第２の配線、２３…接着剤、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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