(57)【要約】【課題】周辺回路を画素アレイ部の裏面に配置することで額縁を狭くしつつ、折り曲げ時に配線の断線及び短絡が生じにくい表示装置を提供する。【解決手段】表示装置であって、マトリクス状に配置された画素によって構成された画素アレイ部と、少なくとも前記画素アレイ部の外側に配置されて折り曲げられる折り曲げ部と、前記折り曲げ部によって前記画素アレイ部と連結され、前記複数の画素に供給する信号を生成する周辺回路と、前記折り曲げ部を避けて配置されるとともに、前記画素アレイ部及び前記周辺回路に対する水分子の侵入を防止する封止膜と、を有する。【選択図】図３
2018180100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された画素によって構成された画素アレイ部と、
少なくとも前記画素アレイ部の外側に配置されて折り曲げられる折り曲げ部と、
前記折り曲げ部によって前記画素アレイ部と連結され、前記複数の画素に供給する信号を生成する周辺回路と、
前記折り曲げ部を避けて配置されるとともに、前記画素アレイ部及び前記周辺回路に対する水分子の侵入を防止する封止膜と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記周辺回路は、前記画素に供給するタイミングを選択する走査信号を生成する走査信号生成回路、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記マトリクス状に配置された画素は、それぞれ異なる色の光を発する複数の副画素で構成され、
前記周辺回路は、前記各画素に含まれる副画素から、電流を供給する副画素を選択する信号選択回路を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記周辺回路は、前記画素アレイ部の動作を検査する検査回路を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、前記封止膜を保護する保護フィルムを有し、
前記保護フィルムは、前記画素アレイ部、前記折り曲げ部及び前記周辺回路領域を覆うように配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機EL（electroluminescence）表示装置などのフラットパネルディスプレイは基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor）や有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）などが形成された表示パネルを有する。表示パネルの基材には従来、ガラス基板が用いられていたが近年、当該基材にポリイミド膜などの樹脂フィルム等を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
フレキシブルディスプレイの用途として、表示パネルの画像表示領域より外側に設けられる、集積回路（integrated circuit）やフレキシブルプリント基板（flexible printed circuit）の実装部を表示領域の裏側に折り曲げて狭額縁化を図ることが考えられている。
【０００４】
下記特許文献１は、画素アレイ部を基板本体部に搭載し、画素アレイ部の周辺の少なくとも１辺において、折り曲げられて表示裏面側に位置する基板端部に周辺回路部を配置する点を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２０９４０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置は、内部に水分等が侵入すると品質が劣化する。水分等の侵入を防止する為に、表示装置を封止膜で覆う構成が考えられる。しかしながら、上記特許文献のように、表示装置を折り曲げて、周辺回路を画素アレイ部の裏面に配置する構成とした場合に、折り曲げられる領域に封止膜を形成すると、当該領域を折り曲げにくくなる。また、当該領域を無理に折り曲げようとすると、封止膜の下層に配置された配線の断線や、配線間の短絡が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、周辺回路を画素アレイ部の裏面に配置することで額縁を狭くしつつ、折り曲げ時に配線の断線及び短絡が生じにくい表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、表示装置であって、マトリクス状に配置された画素によって構成された画素アレイ部と、少なくとも前記画素アレイ部の外側に配置されて折り曲げられる折り曲げ部と、前記折り曲げ部によって前記画素アレイ部と連結され、前記複数の画素に供給する信号を生成する周辺回路と、前記折り曲げ部を避けて配置されるとともに、前記画素アレイ部及び前記周辺回路に対する水分子の侵入を防止する封止膜と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】表示パネルの概略について説明するための図である。
【図３】図２のIII-III断面を概略的に示す一例である。
【図４】図２のIＶ-IＶ断面を概略的に示す一例である。
【図５】折り曲げられた表示装置の断面を概略的に示す一例である。
【図６】副画素に形成される回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル１３０から構成されている。
【００１２】
図２は、図１の表示パネル１３０の構成を示す概略図である。図２に示すように、表示パネル１３０は、絶縁基板２００と、第１配線基板２０２と、第２配線基板２０４と、を含んで構成される。
【００１３】
絶縁基板２００、第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４は、それぞれ樹脂製の基板又はフィルムであって、例えば、ポリイミドによって形成される。また、絶縁基板２００は、画素アレイ部２０６と、折り曲げ部２０８と、周辺回路２１０と、を含む。また、絶縁基板は２００、画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８との間に、後述する陰極コンタクト部３３６を有する。
【００１４】
画素アレイ部２０６は、マトリクス状に配置された画素によって構成される。具体的には、例えば、画素アレイ部２０６は、光を発する有機ＥＬ素子５１６（図６参照）がそれぞれ配置された画素がマトリクス状に配置されて構成される。また、マトリクス状に配置された画素は、それぞれ異なる色の光を発する複数の副画素５００で構成される。
【００１５】
折り曲げ部２０８は、少なくとも画素アレイ部２０６の外側に配置されて折り曲げられる。具体的には、例えば図２に示すように、折り曲げ部２０８は、画素アレイ部２０６の上下及び左右に配置される。折り曲げ部２０８は、少なくとも画素アレイ部２０６の左右の一方で、画素アレイ部２０６の裏面側へ向かって折り曲げられる。また、折り曲げ部２０８は、周辺回路２１０と画素アレイ部２０６を電気的に接続する第１配線層３１０（図３参照）を含む。
【００１６】
周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８によって画素アレイ部２０６と連結され、複数の画素に供給する信号を生成する。具体的には、周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８によって画素アレイ部２０６と連結される。また、周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって画素アレイ部２０６の裏面に配置される。
【００１７】
周辺回路２１０は、複数のトランジスタ３０６を含んで形成された電子回路であって、画素アレイ部２０６に配置された画素を駆動する信号を生成する。具体的には、例えば、周辺回路２１０は、ゲート信号線５０１（図６参照）に供給する信号を生成する走査信号生成回路である。周辺回路２１０が生成した信号は、折り曲げ部２０８に配置された接続配線を介して、画素アレイ部２０６に供給される。なお、周辺回路２１０は、後述するリセット信号線５０６または発光制御信号線５０８に供給する信号を生成する回路であってもよい。
【００１８】
また、周辺回路２１０は、各画素に含まれる副画素５００から、電流を供給する副画素５００を選択する信号選択回路であってもよい。具体的には、画素は、赤色の光を発する赤色副画素と、緑色の光を発する緑色副画素と、青色の光を発する青色副画素を含んで構成される場合について説明する。この場合、例えば、周辺回路２１０は、ある時点において、赤色副画素に電流を供給するか、緑色副画素に電流を供給するか、又は、青色副画素に電流を供給するか選択する信号を生成する回路であってもよい。
【００１９】
さらに、周辺回路２１０は、画素アレイ部２０６の動作を検査する検査回路であってもよい。具体的には、検査回路は、表示パネル１３０を製造する過程で用いられる回路であって、画素アレイ部２０６に配置された各画素が点灯するか否かを検査するための検査信号を生成する回路であってもよい。検査信号は、例えば、第１配線基板２０２が接続される前の状態の絶縁基板２００に対して供給される信号であって、全ての副画素５００を予め設定された輝度で点灯させる信号であってもよい。
【００２０】
第１配線基板２０２は、第２配線基板２０４及び絶縁基板２００と接続され、駆動用半導体２１２が配置される。駆動用半導体２１２は、第２配線基板２０４から供給された信号や電源に基づいて、周辺回路２１０や画素アレイ部２０６に供給する信号や電源を生成する。
【００２１】
第２配線基板２０４は、第１配線基板２０２と接続され、接続端子部や回路部品が配置される。接続端子部は、例えば外部接続用コネクタであって、表示パネル１３０に電源や信号を供給する外部装置と接続される。また、接続端子部は、当該電源や信号を回路部品によって形成される電子回路（図示なし）に供給する。当該電子回路が生成した電源や信号は、第１配線基板２０２に供給される。
【００２２】
第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４は、画素アレイ部２０６の図面上下側に配置された折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、画素アレイ部２０６の裏面に配置されるようにしてもよい。また、画素アレイ部２０６の左右に配置された折り曲げ部２０８と、画素アレイ部２０６の上下に配置された折り曲げ部２０８と、を共に折り曲げる場合には、絶縁基板２００は、４つの角部が切り落とされる形状であってもよい。
【００２３】
続いて、折り曲げられる前の状態における、画素アレイ部２０６の図面上右側の端部付近の断面構成について説明する。図３は、図２のIII-III断面を示す図である。
【００２４】
図３に示すように、表示パネル１３０は、裏保護フィルム３００と、接着層３０２と、絶縁基板２００と、半導体層３０４と、ゲート絶縁膜３０８と、第１配線層３１０と、第１無機絶縁膜３１２と、第２配線層３１４と、有機平坦化膜３１６と、第２無機絶縁膜３１８と、下部電極３２０と、有機バンク３２２と、有機ＥＬ膜３２４と、上部電極３２６と、封止膜３３３と、表保護フィルム３３４と、を含む。
【００２５】
裏保護フィルム３００は、絶縁基板２００の裏側を保護するフィルムである。具体的には、裏保護フィルム３００は、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンで形成されたフィルムである。裏保護フィルム３００は、折り曲げ部２０８を含む絶縁基板２００の裏面全体に接着層３０２で貼り合わされる。裏保護フィルム３００は、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくならないように薄く形成される。
【００２６】
絶縁基板２００は、表示パネル１３０の基材となる基板またはフィルムである。具体的には、絶縁基板２００は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有する材料で形成された基板又はフィルムである。なお、絶縁基板２００の表面は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される無機膜（図示なし）で覆う構成としてもよい。
【００２７】
半導体層３０４は、絶縁基板２００の上に配置される。具体的には、半導体層３０４は、トランジスタ３０６が形成される画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に配置される。また、絶縁基板２００の表面に無機膜が配置される場合には、半導体層３０４は、無機膜の上に配置される。
【００２８】
画素回路及び周辺回路２１０に含まれるトランジスタ３０６のチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域は、半導体層３０４によって形成される。周辺回路２１０に用いられるトランジスタ３０６が折り曲げ部２０８の外側に配置される構成とすることによって、表示パネル１３０の額縁を狭くすることができる。画素回路については後述する。
【００２９】
ゲート絶縁膜３０８は、半導体層３０４の上に配置される。具体的には、例えば、ゲート絶縁膜３０８は、シリコン酸化物によって形成され、半導体層３０４及び絶縁基板２００の上に配置される。
【００３０】
第１配線層３１０は、ゲート絶縁膜３０８の上に配置される。具体的には、第１配線層３１０は、半導体層３０４が配置された領域の上側の領域、及び、折り曲げ部２０８に配置される。折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０は、周辺回路２１０が生成した信号や第１配線基板２０２から供給される電源を、画素アレイ部２０６に供給する。また、第１配線層３１０は、画素回路及び周辺回路２１０に含まれるトランジスタ３０６のゲート電極として用いられる。
【００３１】
第１無機絶縁膜３１２は、第１配線層３１０の上に配置される。具体的には、第１無機絶縁膜３１２は、窒化膜と酸化膜を積層して形成され、第１配線層３１０とゲート絶縁膜３０８の上に配置される。
【００３２】
第２配線層３１４は、第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。具体的には、第２配線層３１４は、Ｍｏ、Ａｌ及びＭｏを積層して形成され、第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。また、第２配線層３１４は、第１無機絶縁膜３１２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層３０４と下部電極３２０とを電気的に接続する。
【００３３】
有機平坦化膜３１６は、第２配線層３１４の上側に配置される。具体的には、有機平坦化膜３１６は、ポリイミドやアクリル樹脂等によって形成され、第２配線層３１４と第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。有機平坦化膜３１６は、有機平坦化膜３１６の下層の段差を平坦にする。
【００３４】
第２無機絶縁膜３１８は、有機平坦化膜３１６の上に配置される。具体的には、第２無機絶縁膜３１８は、防湿性及び絶縁性を有する材料で形成され、有機平坦化膜３１６の上に配置される。例えば、第２無機絶縁膜３１８は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される。第２無機絶縁膜３１８によって、有機平坦化膜３１６を介した有機ＥＬ膜３２４への水分浸入を防止できる。
【００３５】
下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１８の上に配置される。具体的には、下部電極３２０は、酸化インジウム・スズ（Indium Tin Oxide）によって形成され、第２無機絶縁膜３１８の上に配置される。下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１８及び有機平坦化膜３１６を貫通するコンタクトホール（図示なし）を介して、トランジスタ３０６のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。下部電極３２０は、各画素に配置される有機ＥＬ素子５１６のアノード端子に相当する。なお、下部電極３２０と第２無機絶縁膜３１８の間に、ＭｇＡｇ等の光を反射する材料で形成された反射膜を設ける構成としてもよい。
【００３６】
有機バンク３２２は、下部電極３２０の上に配置される。具体的には、有機バンク３２２は、下部電極３２０の上に副画素５００の境界に沿って配置される。また、有機バンク３２２は、下部電極３２０の上面の一部を露出し周辺を覆うよう有機ＥＬ膜３２４の発光面の位置に開口部を有するように形成される。
【００３７】
有機ＥＬ膜３２４は、有機バンク３２２の上に配置される。具体的には、有機ＥＬ膜３２４は、有機バンク３２２に設けられた開口部の底部で、下部電極３２０と接するように配置される。有機ＥＬ膜３２４は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を含んで形成される。発光層は、副画素５００毎に、赤色、緑色及び青色の光を発する材料を用いて形成される。
【００３８】
上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４の上に配置される。具体的には、上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４の上に、画素アレイ部２０６から陰極コンタクト部３３６にかけて配置される。陰極コンタクト部３３６は、画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８の間に設けられる領域である。陰極コンタクト部３３６において、上部電極３２６と、折り曲げ部２０８に配置された下部電極３２０と、が電気的に接続される。
【００３９】
上部電極３２６は、折り曲げ部２０８に配置された下部電極３２０を介して、周辺回路２１０または第１配線基板２０２から電源が供給される。これにより、上部電極３２６は、各副画素５００に配置される有機ＥＬ素子５１６のカソード端子として機能する。また、上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４が発する光を透過する材料で形成される。例えば、上部電極３２６は酸化インジウム亜鉛や酸化インジウム・スズなどの透明導電材で形成される。有機バンクに開口が設けられた領域において、下部電極３２０、有機ＥＬ膜３２４及び上部電極３２６によって発光素子３２７が形成される。なお、発光素子３２７は、図６における有機ＥＬ素子５１６に相当する。
【００４０】
封止膜３３３は、折り曲げ部２０８を避けて配置されるとともに、画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に対する水分子の侵入を防止する。封止膜３３３は、第１無機封止膜３２８と、有機封止膜３３０と、第２無機封止膜３３２と、を積層して形成される。
【００４１】
具体的には、第１無機封止膜３２８は、画素アレイ部２０６において、上部電極３２６を覆うように配置される。また、第１無機封止膜３２８は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域において、上部電極３２６、下部電極３２０及び有機バンク３２２を覆うように配置される。さらに、第１無機封止膜３２８は、周辺回路２１０において、トランジスタ３０６の上側に配置される。
【００４２】
有機封止膜３３０は、画素アレイ部２０６において、第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。また、有機封止膜３３０は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域の一部において、第１無機封止膜３２８の上側に配置される。さらに、有機封止膜３３０は、周辺回路２１０に設けられた第１無機封止膜３２８の一部の上に配置される。
【００４３】
第２無機封止膜３３２は、画素アレイ部２０６において、有機封止膜３３０を覆うように配置される。また、第２無機封止膜３３２は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域において、有機封止膜３３０と第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。さらに、第２無機封止膜３３２は、周辺回路２１０において、有機封止膜３３０と第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。
【００４４】
第１無機封止膜３２８及び第２無機封止膜３３２は、ケイ素（Si）と、酸素（O）、窒素（N）又は炭素（C）との化合物で形成された無機絶縁材料によって形成される。具体的には、例えば、第１無機封止膜３２８及び第２無機封止膜３３２は、シリコン酸化膜（SiO）、シリコン窒化膜（SiN）、シリコン炭化膜（SiC）、シリコン酸窒化膜（SiON）、シリコン炭窒化膜（SiCN）、シリコン酸炭窒化膜（SiOCN）である。また、有機封止膜３３０は、アクリル、エポキシ、シロキサン系の樹脂で形成された有機材料である。
【００４５】
表保護フィルム３３４は、封止膜３３３の上側に接着層３０２で貼り合わされる。具体的には、表保護フィルム３３４は、画素アレイ部２０６、折り曲げ部２０８及び周辺回路２１０を覆うように配置される。表保護フィルム３３４は、裏保護フィルム３００と同じ材料で形成される。表保護フィルム３３４は、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくならないように薄く形成される。また、表示パネル１３０の左右の額縁において、表保護フィルム３３４の端部は、絶縁基板２００の端部と一致するように配置される。
【００４６】
さらに、折り曲げ部２０８の内側及び周辺回路２１０において、第１無機封止膜３２８と第２無機封止膜３３２が接して配置される領域が設けられる。当該構成によれば、封止膜３３３の端部において、有機封止膜３３０が露出しないため、有機封止膜３３０の端部から水分が侵入することを防止できる。
【００４７】
また、封止膜３３３が折り曲げ部２０８を避けて配置されるため、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくなることを防止できる。これにより、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０の断線及び短絡が生じにくくすることができる。なお、陰極コンタクト部３３６は、図２における画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８の間にある枠状の領域の一部に配置される。
【００４８】
続いて、画素アレイ部２０６の図面上下側の端部付近の断面構成について説明する。図４は、図２のIV-IV断面を示す図である。
【００４９】
裏保護フィルム３００は、図２で示した構成と同様に、折り曲げ部２０８を含む絶縁基板２００の裏面全体に接着層３０２で貼り合わされる。絶縁基板２００は、図２で示した構成と同様に、無機膜で覆うようにしてもよい。半導体層３０４は、トランジスタ３０６が形成される画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に配置される。ゲート絶縁膜３０８は、半導体層３０４及び絶縁基板２００を覆うように配置される。
【００５０】
第１配線層３１０は、半導体層３０４が配置された領域の上側の領域、及び、折り曲げ部２０８に配置される。図２で示した構成と同様に、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０は、周辺回路２１０が生成した信号や駆動用半導体２１２から供給される電源等を、画素アレイ部２０６に供給する。第１無機絶縁膜３１２、第２配線層３１４、有機平坦化膜３１６及び第２無機絶縁膜３１８は、図３で示した構成と同様であるため説明を省略する。
【００５１】
周辺回路２１０の端部において、第１配線基板２０２の第１無機絶縁膜３１２の上に、第１配線基板２０２が配置される。具体的には、第１配線基板２０２は、第１無機絶縁膜３１２の上に、ＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film)を用いて圧着される。第１配線基板２０２と第１無機絶縁膜３１２が圧着される領域の一部において、第１無機絶縁膜３１２には、開口部（図示なし）が設けられる。当該開口部において、第１配線基板２０２に設けられた端子部（図示なし）は、ＡＣＦを介して第１配線層３１０と電気的に接続される。
【００５２】
また、駆動用半導体２１２は、第１配線基板２０２の上に配置される。具体的には、例えば、駆動用半導体２１２のバンプ（図示なし）は、第１配線基板２０２に設けられた配線と電気的に接続される。駆動用半導体２１２は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、画素アレイ部２０６の裏面に配置される。なお、駆動用半導体２１２は、図面上、第１配線基板２０２の下側に配置されてもよい。
【００５３】
第３無機絶縁膜４００は、陰極コンタクト部３３６に配置された第２配線層３１４を覆うように配置される。具体的には、第３無機絶縁膜４００は、第１無機絶縁膜３１２または第２無機絶縁膜３１８と同じ材料で形成され、陰極コンタクト部３３６に配置された第２配線層３１４を覆うように配置される。
【００５４】
第３無機絶縁膜４００によって、第２配線層３１４と下部電極３２０との短絡を防止できる。なお、第３無機絶縁膜４００の代わりに、第２無機絶縁膜３１８が第２配線層３１４を覆う構成としてもよい。下部電極３２０、有機バンク３２２、有機ＥＬ膜３２４、上部電極３２６及び封止膜３３３の構成は、図２で示した構成と同様であるため説明を省略する。
【００５５】
表保護フィルム３３４は、封止膜３３３の上に接着層３０２で貼り合わされる。具体的には、表保護フィルム３３４は、画素アレイ部２０６、陰極コンタクト部３３６及び折り曲げ部２０８の一部を覆うように配置される。
【００５６】
上記のように、画素アレイ部２０６の下側においても、封止膜３３３が折り曲げ部２０８を避けて配置されるため、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくなることを防止できる。これにより、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０の断線及び短絡が生じにくくすることができる。また、接着層３０２や表保護フィルム３３４が折り曲げ部２０８で途切れていることで、折り曲げ部を折り返す作業がスムーズに実行できる。
【００５７】
なお、周辺回路２１０が画素アレイ部２０６の下側には配置されない場合には、折り曲げ部２０８の外側に配置される半導体層３０４、第１配線層３１０、第２配線層３１４及び封止膜３３３は省略してもよい。
【００５８】
図５は、折り曲げ部２０８の近傍における表示パネル１３０の模式的な断面を示す図である。図５に示すように、表示パネル１３０は、絶縁基板２００と、第１配線基板２０２と、第２配線基板２０４と、駆動用半導体２１２と、表保護フィルム３３４と、偏光板５１と、第１補強フィルム５２と、熱拡散シート５３と、スペーサ５４と、第２補強フィルム５５と、を含む。なお、図５においては、裏保護フィルム３００、接着層３０２及び半導体層３０４乃至接着層３０２の構成の記載を省略する。
【００５９】
絶縁基板２００は、折り曲げ部２０８において折り曲げられる。第２配線基板２０４は、スペーサ５４の下側に配置される。第１配線基板２０２は、絶縁基板２００及び第２配線基板２０４を繋ぐように配置される。駆動用半導体２１２は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、第１配線基板２０２の図面上下側に配置される。なお、駆動用半導体２１２は、第１配線基板２０２の上側に配置されてもよい。
【００６０】
表保護フィルム３３４は、上述のように、表示パネル１３０を保護するフィルムである。表保護フィルム３３４が表示パネル１３０の平坦な領域にのみ配置されることにより、折り曲げ部２０８を折り曲げる作業が容易となる。
【００６１】
偏光板５１は、表示パネル１３０に入射した外光の反射を低減する。これにより、表示パネル１３０の視認性が向上する。
【００６２】
第１補強フィルム５２は、表示パネル１３０を補強するフィルムである。第１補強フィルム５２は、湾曲された状態の表示パネル１３０の平坦な領域に配置される。具体的には、第１補強フィルム５２は、表示パネル１３０の画素アレイ部２０６の裏面に配置される。
【００６３】
熱拡散シート５３は、表示パネル１３０の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート５３は、表示パネル１３０の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、表示パネル１３０全体に拡散する。これにより、表示パネル１３０の一部だけ高温になる状態を防止する。
【００６４】
スペーサ５４は、折り曲げられた表示パネル１３０の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ５４は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。これにより、表示パネル１３０に厚み方向の圧力が加わっても折り曲げ部２０８の曲率が許容範囲に保たれる。
【００６５】
また、スペーサ５４の端部は、折り曲げ部２０８の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ５４の端部を折り曲げ部２０８の背面に当接させることで、折り曲げ部２０８の表面に圧力が加わっても折り曲げ部２０８の形状を一定に保つことができる。
【００６６】
第２補強フィルム５５は、表示パネル１３０を補強するフィルムである。第２補強フィルム５５は、湾曲された状態の表示パネル１３０の折り曲げ部２０８に配置される。第２補強フィルム５５は、第１補強フィルム５２よりも曲げやすい材質及び厚さで形成される。
【００６７】
なお、折り曲げ部２０８には第２補強フィルム５５を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、折り曲げ部２０８の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で表示パネル１３０を湾曲させることができる。折り曲げ部２０８の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた表示パネル１３０の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた表示パネル１３０の厚さも小さくなる。
【００６８】
なお、スペーサ５４は省略してもよい。具体的には、スペーサ５４を省略し、折り曲げ部２０８をより鋭角に折り曲げる構成としてもよい。当該構成によれば、表示パネル１３０を薄くすることができる。
【００６９】
以上のように、画素アレイ部２０６から見て折り曲げ部２０８より先の第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４を画素アレイ部２０６の裏側に折り返すことができる。このように折り返すことで、表示装置１００の平面視のサイズを小さくすることができ、表示装置１００の小型化を図ることができる。また、表示パネル１３０のうち絶縁基板２００の折り曲げ部２０８から先の部分が裏面に隠れることにより、表示パネル１３０の正面に占める画素アレイ部２０６の割合を大きくすることができる。
【００７０】
さらに、駆動用半導体２１２などを表示パネル１３０のうち裏面に折り返される部分に搭載し、表示面側の端部はＩＣ等の部品の配置領域として用いないようにすることができる。これにより、額縁の面積を小さくできる。すなわち、表示装置１００の狭額縁化を進めることができる。
【００７１】
続いて、画素アレイ部２０６を構成する各副画素５００に配置される画素回路について説明する。図６は、副画素５００に形成される回路を示す図である。図６に示すように、副画素５００は、ゲート信号線５０１と、映像信号線５０２と、リセット電源線５０４と、リセット信号線５０６と、発光制御信号線５０８と、画素選択トランジスタ５１０と、保持容量５１２と、補助容量５１３と、駆動トランジスタ５１４と、有機ＥＬ素子５１６と、カソード端子５１８と、電源５２０と、発光制御トランジスタ５２２と、リセットトランジスタ５２４と、を含んで構成される。
【００７２】
ゲート信号線５０１は、画素選択トランジスタ５１０のゲート端子と接続される。具体的には、ゲート信号線５０１は、周辺回路２１０と画素選択トランジスタ５１０のゲート端子とを電気的に接続する。また、ゲート信号線５０１は、周辺回路２１０から取得した画素選択信号を画素選択トランジスタ５１０のゲート端子に供給する。
【００７３】
映像信号線５０２は、画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、映像信号線５０２は、駆動用半導体２１２と画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方とを電気的に接続する。また、映像信号線５０２は、駆動用半導体２１２から取得した映像信号に応じた電圧を画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。
【００７４】
リセット電源線５０４は、リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２とリセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方とを電気的に接続する。また、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２から取得したリセット信号に応じた電圧をリセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。
【００７５】
リセット信号線５０６は、リセットトランジスタ５２４のゲート端子と接続される。具体的には、リセット信号線５０６は、駆動用半導体２１２とリセットトランジスタ５２４のゲート端子とを電気的に接続する。また、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２から取得したリセット信号をリセットトランジスタ５２４のゲート端子に供給する。
【００７６】
発光制御信号線５０８は、発光制御トランジスタ５２２のゲート端子と接続される。具体的には、発光制御信号線５０８は、周辺回路２１０と発光制御トランジスタ５２２のゲート端子と電気的に接続する。また、発光制御信号線５０８は、周辺回路２１０から取得した発光制御信号を発光制御トランジスタ５２２のゲート端子に供給する。
【００７７】
画素選択トランジスタ５１０は、保持容量５１２に蓄えられる映像信号に基づいた電圧入力を制御する。具体的には、画素選択トランジスタ５１０は、ゲート端子に印加される電圧がハイ状態又はロー状態のいずれか一方の状態で、画素選択トランジスタ５１０のソース端子とドレイン端子を導通する（以下、オン状態とする）。画素選択トランジスタ５１０は、ゲート端子に供給されるゲート信号の状態に応じて、映像信号線５０２の電圧を保持容量５１２に供給する。これにより、画素選択トランジスタ５１０は、映像信号に基づいて、保持容量５１２に蓄えられる電圧を制御する。
【００７８】
保持容量５１２は、映像信号線５０２から供給された電圧を保持する。具体的には、保持容量５１２は、画素選択トランジスタ５１０がオン状態であるタイミングで、映像信号線５０２の電圧と同電位となる。その後、ゲート信号によって、画素選択トランジスタ５１０は、ソース端子とドレイン端子が電気的に遮断された状態（以下、オフ状態とする）となる。保持容量５１２は、次に画素選択トランジスタ５１０またはリセットトランジスタ５２４がオン状態となるまで、フローティング状態となるため、映像信号線５０２から供給された電圧を保持する。
【００７９】
駆動トランジスタ５１４は、画素選択トランジスタ５１０、保持容量５１２、発光制御トランジスタ５２２、及び、有機ＥＬ素子５１６と接続される。具体的には、駆動トランジスタ５１４のゲート端子は、画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子、及び、保持容量５１２と電気的に接続される。駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の一方は、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続される。また、駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、保持容量５１２、補助容量５１３、有機ＥＬ素子５１６のアノード端子、及び、リセットトランジスタ５２４のソース端子またはドレイン端子の一方と電気的に接続される。
【００８０】
また、駆動トランジスタ５１４は、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。具体的には、駆動トランジスタ５１４は、保持容量５１２に印加された電圧に応じて、電源５２０から供給される電流を有機ＥＬ素子５１６に供給する。
【００８１】
有機ＥＬ素子５１６は、電流を供給されることで発光する。具体的には、有機ＥＬ素子５１６は、保持容量５１２に保持された電圧に応じた電流が、駆動トランジスタ５１４によって供給されることで発光する。なお、有機ＥＬ素子５１６は、上述の下部電極３２０、有機ＥＬ膜３２４及び上部電極３２６によって構成される。
【００８２】
カソード端子５１８は、有機ＥＬ素子５１６と電気的に接続される。具体的には、カソード端子５１８は、有機ＥＬ素子５１６のカソード端子と電気的に接続される。また、カソード端子５１８は、電源５２０との間で電圧を印加されることにより、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。なお、カソード端子５１８は、上述の上部電極３２６に相当する。
【００８３】
電源５２０は、発光制御トランジスタ５２２と接続され、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。具体的には、電源５２０は、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続される。また、電源５２０は、駆動用半導体２１２または周辺回路２１０と接続され、一定の電圧が印加される。これにより、電源５２０は、駆動トランジスタ５１４及び発光制御トランジスタ５２２がオン状態であるときに、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。
【００８４】
発光制御トランジスタ５２２は、有機ＥＬ素子５１６に対する電源５２０の供給を遮断するか否かを制御する。具体的には、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子の一方は、電源５２０に接続され、他の一方は、駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子と電気的に接続される。また、駆動トランジスタ５１４のゲート端子は、発光制御信号線５０８と電気的に接続される。
【００８５】
発光制御トランジスタ５２２は、発光制御信号線５０８から供給される発光制御信号によって、オン状態またはオフ状態となるように制御される。発光制御トランジスタ５２２がオン状態の場合、発光制御トランジスタ５２２は、電源５２０から供給される電流を、駆動トランジスタ５１４を介して有機ＥＬ素子５１６に供給する。一方、発光制御トランジスタ５２２がオフ状態の場合、発光制御トランジスタ５２２は、有機ＥＬ素子５１６に対する電源５２０の供給を遮断する。
【００８６】
リセットトランジスタ５２４は、保持容量５１２に保持された電圧をリセットするタイミングを制御する。具体的には、リセットトランジスタ５２４のゲート端子は、リセット信号線５０６と接続される。リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方は、リセット電源線５０４と接続される。リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、保持容量５１２、補助容量５１３、有機ＥＬ素子５１６のアノード端子及び駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。
【００８７】
リセットトランジスタ５２４は、保持容量５１２及び補助容量５１３に保持された電圧が、初期状態の電圧となるように制御する。具体的には、リセットトランジスタ５２４は、リセット信号線５０６から供給されるリセット信号によって、オン状態またはオフ状態となるように制御される。リセットトランジスタ５２４がオン状態の場合、保持容量５１２及び補助容量５１３は、初期状態の電圧であるリセット電源線５０４の電圧が供給される。保持容量５１２及び補助容量５１３に保持された電圧が初期状態の電圧となった後、画素選択トランジスタ５１０がオン状態となることで、保持容量５１２及び補助容量５１３に保持される電圧が変更される。
【００８８】
以上のように、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０を介して、周辺回路２１０又は駆動用半導体２１２が生成した信号又は電源５２０が画素回路に供給される。これにより、表示パネル１３０は、画素アレイ部２０６に画像を表示する。
【００８９】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９０】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、１３０  表示パネル、２００  絶縁基板、２０２  第１配線基板、２０４  第２配線基板、２０６  画素アレイ部、２０８  折り曲げ部、２１０  周辺回路、２１２  駆動用半導体、３００  裏保護フィルム、３０２  接着層、３０４  半導体層、３０６  トランジスタ、３０８  ゲート絶縁膜、３１０  第１配線層、３１２  第１無機絶縁膜、３１４  第２配線層、３１６  有機平坦化膜、３１８  第２無機絶縁膜、３２０  下部電極、３２２  有機バンク、３２４  有機ＥＬ膜、３２６  上部電極、３２７  発光素子、３２８  第１無機封止膜、３３０  有機封止膜、３３２  第２無機封止膜、３３３  封止膜、３３４  表保護フィルム、３３６  陰極コンタクト部、４００  第３無機絶縁膜、５１  偏光板、５２  第１補強フィルム、５３  熱拡散シート、５４  スペーサ、５５  第２補強フィルム、５００  副画素、５０１  ゲート信号線、５０２  映像信号線、５０４  リセット電源線、５０６  リセット信号線、５０８  発光制御信号線、５１０  画素選択トランジスタ、５１２  保持容量、５１３  補助容量、５１４  駆動トランジスタ、５１６  有機ＥＬ素子、５１８  カソード端子、５２０  電源、５２２  発光制御トランジスタ、５２４  リセットトランジスタ。
【図１】
2018180100.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018180100.tif 000007
【図６】
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