(57)【要約】【課題】本発明は、チップ抵抗器に関する。【解決手段】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板と、基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、マンガン（Ｍｎ）の割合は１１wt%以上、２０wt%以下であり、スズ（Ｓｎ）の割合は２wt%以上、８wt%以下であり、マンガン−スズ（Ｍｎ−Ｓｎ）の割合は１３．５wt%以上、２２．５wt%以下であることができる。【選択図】図１
2018074137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、
前記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、マンガン（Ｍｎ）の割合は１１wt%以上、２０wt%以下であり、スズ（Ｓｎ）の割合は２wt%以上、８wt%以下であり、マンガン（Ｍｎ）とスズ（Ｓｎ）の総割合は１３．５wt%以上、２２．５wt%以下であるチップ抵抗器。
【請求項２】
前記抵抗体の熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）の絶対値は、３μＶ／℃以下であり、前記抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）の絶対値は、１００ｐｐｍ／℃以下である請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記抵抗体の抵抗値は、０Ω超え、１００ｍΩ以下である請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記抵抗体は、溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有する請求項１から３のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記抵抗体は、ガラス（ｇｌａｓｓ）をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む第２抵抗体をさらに含み、
前記第２抵抗体に含まれる銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）の割合は、前記抵抗体に含まれる銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）の割合より高く、
前記第２抵抗体に含まれる銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるスズ（Ｓｎ）の割合は、前記抵抗体に含まれる銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるスズ（Ｓｎ）の割合より低い請求項１から５のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、スズ（Ｓｎ）の割合は２wt%以上、6wt%以下であり、マンガン（Ｍｎ）とスズ（Ｓｎ）の総割合は１6．５wt%以上、２0wt%以下である請求項１から６のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
基板と、
前記基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、
前記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、
前記抵抗体の熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）の絶対値は、３μＶ／℃以下であり、前記抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）の絶対値は、１００ｐｐｍ／℃以下であるチップ抵抗器。
【請求項９】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金においてマンガン（Ｍｎ）の割合は、１１wt%以上、２０wt%以下である請求項８に記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金においてスズ（Ｓｎ）の割合は、２wt%以上、８wt%以下である請求項８または９に記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において銅（Ｃｕ）の割合は、７７．５wt%以上、８６．５wt%以下である請求項８から１０のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項１２】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、スズ（Ｓｎ）の割合は２wt%以上、6wt%以下であり、マンガン（Ｍｎ）とスズ（Ｓｎ）の総割合は１6．５wt%以上、２0wt%以下である請求項８から１１のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項１３】
基板と、
前記基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、
前記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有する、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、マンガン（Ｍｎ）とスズ（Ｓｎ）の総割合は１6．５wt%以上、２0wt%以下であるチップ抵抗器。
【請求項１４】
前記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金においてスズ（Ｓｎ）の割合は、２wt%以上、6wt%以下である請求項１３に記載のチップ抵抗器。
【請求項１５】
前記抵抗体は、ガラス（ｇｌａｓｓ）をさらに含む請求項１３または１４に記載のチップ抵抗器。
【請求項１６】
前記抵抗体は、 前記抵抗体を覆う保護層を有する請求項１３から１５のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項１７】
前記抵抗体の熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）の絶対値は、３μＶ／℃以下であり、前記抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）の絶対値は、１００ｐｐｍ／℃以下であるチッ請求項１３から１６のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【請求項１８】
前記抵抗体の抵抗値は、０Ω超え、１００ｍΩ以下である請求項１３から１７のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子機器の小型化及び軽量化への要求がますます増大するにつれて、回路基板の配線密度を高めるために、チップ状の抵抗器が多く使用される。
【０００３】
電子機器で要求電力が高くなり、回路内の過電流検出用のチップ抵抗器とバッテリー残量検知用のチップ抵抗器の需要が増加するにつれて、低い抵抗値を有しつつも高い精度を有するチップ抵抗器が求められている。しかし、通常、チップ抵抗器は、抵抗値が低くなるほど精度も低くなるという特性を有する。チップ抵抗器の抵抗値精度が低いことは、製品量産時に不良発生率を高めることを意味する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１９６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一実施形態は、小さい抵抗値で設計されても、製品量産時の不良発生率が減少可能なように、小さい熱起電力絶対値と小さい抵抗温度係数絶対値を有するチップ抵抗器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板と、上記基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、上記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、マンガン（Ｍｎ）の割合は１１wt%以上、２０wt%以下であり、スズ（Ｓｎ）の割合は２wt%以上、８wt%以下であり、マンガン−スズ（Ｍｎ−Ｓｎ）の割合は１３．５wt%以上、２２．５wt%以下であることができる。
【０００７】
本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板と、上記基板の一面上に配置される第１及び第２電極と、上記第１電極と第２電極とを電気的に連結するように配置され、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含む抵抗体とを含み、上記抵抗体の熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）の絶対値は、３μＶ／℃以下であり、上記抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）の絶対値は、１００ｐｐｍ／℃以下であることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、小さい抵抗値で設計されても、製品量産時の不良発生率が減少可能なように、小さい熱起電力絶対値と小さい抵抗温度係数絶対値を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す背面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体に形成された溝を例示する図面である。
【図４】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の３電極形態を例示する図面である。
【図５】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体の並列連結を例示する図面である。
【図６】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す側面図である。
【図７】本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体の両面配置を示す側面図である。
【図８】抵抗体の溝の形成位置による抵抗値変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
後述する本発明に対する詳細な説明は、本発明が実施される特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を十分に実施するように詳しく説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なっても相互排他的である必要はないことが理解されるべきである。例えば、ここで記載されている特定形状、構造及び特性は、一実施形態と関連して、本発明の精神及び範囲から逸脱せず他の実施形態として実現されることができる。また、それぞれ開示された実施形態内の個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲から逸脱せず変更可能なことが理解されるべきである。従って、後述する詳細な説明は、限定的な意味として取るものではなく、本発明の範囲は、その請求項が主張するものと均等な全ての範囲と共に、添付の請求項によってのみ限定される。図面で類似した参照符号は、様々な側面で同一または類似した機能を指す。
【００１１】
以下では、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者が本発明を容易に実施可能にするために、本発明の実施形態について添付の図面を参照して詳しく説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す斜視図である。
【００１３】
図２は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す背面図である。
【００１４】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板１１０、第１電極１２１、第２電極１２２、及び抵抗体１３０を含むことができ、保護層１４０をさらに含むことができる。
【００１５】
基板１１０は、電極と抵抗体を実装するための空間を提供することができる。例えば、上記基板１１０は、セラミック材料からなる絶縁性基板であることができる。上記セラミック材料は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）であることができるが、絶縁性、放熱性、抵抗体との密着性に優れた材料であれば、特に制限されない。
【００１６】
第１電極１２１は、基板１１０の一面上に配置されることができる。
【００１７】
第２電極１２２は、基板１１０の一面上で、第１電極１２１に対して離隔して配置されることができる。
【００１８】
例えば、上記第１及び第２電極１２１、１２２は、銅、銅合金を利用して低い抵抗値で実現することができる。例えば、上記第１及び第２電極１２１、１２２は、基板１１０上にインク状のペースト（ｐａｓｔｅ）などを塗ったり、噴射したり、印刷するスクリーン法によって形成されることができる。
【００１９】
抵抗体１３０は、第１電極１２１と第２電極１２２との間を電気的に連結することができ、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含むことができる。
【００２０】
上記抵抗体１３０の抵抗値は、上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金の銅（Ｃｕ）の割合が高いほど低くなることができる。
【００２１】
上記抵抗体１３０の抵抗値は、上記抵抗体１３０に対するトリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）作業によって微細調整されることができる。ここで、トリミング作業とは、抵抗体に対して溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成しながら、抵抗体の抵抗値を同時に測定して、上記抵抗値が目標抵抗値に近づいたところで溝の形成を中断することで、抵抗体の抵抗値を調整する作業を意味する。これにより、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、１００ｍΩ以下の小さい抵抗値を有しつつも高い精度を有することができる。
【００２２】
しかし、上記トリミング作業は、通常、溝を形成しながら熱を発散することができる。上記トリミング作業によって発生する熱は、上記抵抗体１３０に対する抵抗値を測定する過程で歪みを誘発し得て、熱の分布による起電力を発生させることもある。上記起電力は、上記抵抗体１３０に対する抵抗値を測定する過程でさらに大きい歪みを誘発し得る。このような歪みは、チップ抵抗器の量産過程で不良を誘発することがある。
【００２３】
従って、上記抵抗体１３０は、小さい抵抗値を有しつつも高い精度を有するために、良い温度特性と良い温度分布特性を有する必要がある。
【００２４】
上記抵抗体１３０の抵抗値は、上記抵抗体１３０の温度によって変わることができる。上記抵抗体１３０の温度特性は、温度変化による抵抗値の変化率である抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）で表現されることができる。上記抵抗体１３０の抵抗温度係数は、上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）及び／又はスズ（Ｓｎ）の割合が高いほど低くなることができる。上記抵抗体１３０は、上記抵抗温度係数の絶対値が小さいほど温度変化に強い特性を有することができる。
【００２５】
上記抵抗体１３０の抵抗値は、上記抵抗体１３０の温度分布によって変わることができる。もし上記抵抗体１３０の一端に隣接した第１電極１２１の温度と、上記抵抗体１３０の他端に隣接した第２電極１２２の温度とが互いに異なる場合、上記抵抗体１３０には起電力が発生し得る。上記抵抗体１３０の温度分布特性として、温度差による起電力変化率である熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）で表現することができる。上記抵抗体１３０の熱起電力は、上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）の割合が高いほど高くなることができ、スズ（Ｓｎ）の割合が高いほど低くなることができる。上記抵抗体１３０は、上記熱起電力の絶対値が小さいほど上記トリミング作業による熱に強い特性を有することができる。
【００２６】
チップ抵抗器を量産する際の上記トリミング作業による不良発生率について、上記抵抗体１３０の熱起電力の絶対値が３μＶ／℃以下の場合と、上記抵抗体１３０の抵抗温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下の場合、相当減少することができる。従って、上記抵抗体１３０に含まれる銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金は、抵抗体１３０の熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ  ｆｏｒｃｅ）の絶対値が３μＶ／℃以下であり、抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）の絶対値が約１００ｐｐｍ／℃以下となる割合を有することができる。
【００２７】
上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金の割合による単位面積当たり抵抗値（Ｒｓ）、抵抗温度係数（ＴＣＲ）及び熱起電力（ＥＭＦ）は、下記の表１でまとめられる。
【００２８】
【表１】
2018074137.tif 000003
【００２９】
ここで、単位面積当たり抵抗値（Ｒｓ）の単位は、ｍΩであり、抵抗温度係数（ＴＣＲ）の単位は、ｐｐｍ／℃であり、熱起電力（ＥＭＦ）の単位は、μＶ／℃である。
【００３０】
表１を参照すると、抵抗温度係数（ＴＣＲ）及び熱起電力（ＥＭＦ）のそれぞれは、スズ（Ｓｎ）の割合が２．５wt%であり、マンガン（Ｍｎ）の割合が１１wt%以上、２０wt%以下である時、約１００ｐｐｍ／℃以下、及び３μＶ／℃以下であることができる。また、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、マンガン（Ｍｎ）の割合が高いほど低くなることができ、熱起電力（ＥＭＦ）は、マンガン（Ｍｎ）の割合が高いほど高くなることができる。
【００３１】
表１を参照すると、抵抗温度係数（ＴＣＲ）及び熱起電力（ＥＭＦ）のそれぞれは、スズ（Ｓｎ）の割合が２wt%以上、８wt%以下であり、マンガン（Ｍｎ）の割合が１４wt%である時、約１００ｐｐｍ／℃以下、及び３μＶ／℃以下であることができる。また、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、スズ（Ｓｎ）の割合が高いほど低くなることができ、熱起電力（ＥＭＦ）は、スズ（Ｓｎ）の割合が高いほど低くなることができる。
【００３２】
抵抗体１３０が小さい抵抗温度係数（ＴＣＲ）の絶対値を有するために、マンガン−スズ（Ｍｎ−Ｓｎ）の割合は、所定の範囲内に属する必要がある。また、抵抗体１３０が小さい熱起電力（ＥＭＦ）の絶対値を有し、小さい抵抗値も有するために、マンガン（Ｍｎ）の割合とスズ（Ｓｎ）の割合は、それぞれ所定の範囲内に属する必要がある。ここで、小さい抵抗値は、約１００ｍΩ以下であることができる。
【００３３】
表１を参照すると、上記抵抗体１３０に含まれた銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金において、マンガン−スズ（Ｍｎ−Ｓｎ）の割合は、１３．５wt%以上、２２．５wt%以下で設計されることができ、マンガン（Ｍｎ）の割合は、１１wt%以上、２０wt%以下で設計されることができ、スズ（Ｓｎ）の割合は、２wt%以上、８wt%以下で設計されることができる。
【００３４】
これにより、上記抵抗体１３０は、小さい抵抗温度係数（ＴＣＲ）の絶対値と小さい熱起電力（ＥＭＦ）の絶対値を有することができ、小さい抵抗値で設計されても、製品量産時の不良発生率を減少させることができる。
【００３５】
一方、上記抵抗体１３０は、工程過程でペースト（ｐａｓｔｅ）によって基板１１０に接着されることができる。上記ペースト（ｐａｓｔｅ）は、基板１１０の接着力を向上させるために、エチルセルロース（ＥＣ）またはアクリル（Ａｃｒｙｌ）などの樹脂（ｒｅｓｉｎ）と溶剤（ｓｏｌｖｅｎｔ）を含むことができる。上記抵抗体１３０の工程以前の上記銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金、樹脂及び溶剤において、樹脂の重量割合は１wt%以上、５wt%以下であり、溶剤の重量割合は５wt%以上、２０wt%以下であることができる。上記樹脂及び溶剤は、上記抵抗体１３０の工程過程で除去されることができる。
【００３６】
また、上記抵抗体１３０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）をさらに含んで熱起電力（ＥＭＦ）と抵抗温度係数（ＴＣＲ）に大きな影響を与えることなく、向上した接着力を有することができる。
【００３７】
また、上記抵抗体１３０は、還元雰囲気で焼成されたペースト（ｐａｓｔｅ）状を有することができる。即ち、上記抵抗体１３０は、焼成時にイオニック（ｉｏｎｉｃ）拡散接合により合金化されて、基板１１０に結合することができる。この時、抵抗体１３０と第１又は第２電極１２１、１２２間の再結晶（ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）が進行し、粒子成長（ｇｒａｉｎ  ｇｒｏｗｔｈ）が引き起こることができる。この時、抵抗体１３０と第１又は第２電極（１２１、１２２）間の電気伝導度は、向上することができる。これにより、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、１００ｍΩ以下の低い抵抗値を有するように実現することができる。
【００３８】
一方、保護層１４０は、抵抗体１３０の一面の少なくとも一部をカバーすることができる。上記保護層１４０は、上記トリミング作業によって誘発し得る抵抗体１３０の変形を防止することができる。例えば、上記保護層１４０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、フェノール樹脂などのポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）とガラス（ｇｌａｓｓ）の少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００３９】
図３は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体に形成された溝を例示する図面である。
【００４０】
図３を参照すると、抵抗体１３０は、上記トリミング作業によって形成された溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有することができる。例えば、上記溝（ｇｒｏｏｖｅ）は、抵抗体１３０の縁部から中心に向かって形成されることができる。以後、抵抗体１３０の抵抗値が目標抵抗値に近づいた時、上記溝（ｇｒｏｏｖｅ）は、中心から第１電極１２１又は第２電極１２２に向かって形成されることができる。従って、上記溝（ｇｒｏｏｖｅ）は、Ｌ状を有することができる。一方、上記溝（ｇｒｏｏｖｅ）は、抵抗体１３０の形態によって１１状またはｉ状を有してもよい。
【００４１】
図４は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の３電極形態を例示する図面である。
【００４２】
図４を参照すると、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、第１電極３２１、第２電極３２２、第３電極３２３、第１抵抗体３３１、第２抵抗体３３２、第１保護層３４１ａ、３４１ｂ、及び第２保護層３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃを含むことができる。ここで、基板、第１電極３２１、第２電極３２２、第１及び第２抵抗体３３１、３３２、第１保護層３４１ａ、３４１ｂ、及び第２保護層３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃは、前述した基板、第１電極、第２電極、抵抗体、保護層と実質的に同一であることができる。
【００４３】
第３電極３２３は、外部から第１電極３２１に電気的に連結され、第１電極３２１に対する予備電極の役割を行うことができる。ここで、第１抵抗体３３１と第２抵抗体３３２は、互いに並列に連結されることができる。もし第１電極３２１が製造過程で発生した不良や使用過程で発生した衝撃によって外部から断絶される場合、上記第３電極３２３は、第１電極３２１の役割を代わりに行うことができる。
【００４４】
一方、第１保護層３４１ａ、３４１ｂは、上記第１抵抗体３３１と第２抵抗体３３２で上記溝（ｇｒｏｏｖｅ）をカバーすることができ、第２保護層３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃは、上記第１抵抗体３３１と第２抵抗体３３２で第１保護層３４１ａ、３４１ｂがカバーしない領域をカバーすることができる。上記第１保護層３４１ａ、３４１ｂと第２保護層３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃは、熱の発散特性が互いに異なるように、異なる材料で実現することができる。
【００４５】
図５は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体の並列連結を例示する図面である。
【００４６】
図５を参照すると、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板４１０、第１電極４２１、第２電極４２２、第１抵抗体４３１、及び第２抵抗体４３２を含むことができる。ここで、基板４１０、第１電極４２１、第２電極４２２、第１抵抗体４３１及び第２抵抗体４３２は、前述した基板、第１電極、第２電極、抵抗体と実質的に同一であることができる。
【００４７】
第１抵抗体４３１と第２抵抗体４３２は、互いに並列に結することができる。例えば、上記第１抵抗体４３１と第２抵抗体４３２は、互いに異なる割合を有する銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金を含むことができる。
【００４８】
例えば、上記第２抵抗体に含まれた銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）の割合は、上記抵抗体に含まれた銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるマンガン（Ｍｎ）の割合より高く、上記第1抵抗体に含まれた銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるスズ（Ｓｎ）の割合は、上記抵抗体に含まれた銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）合金におけるスズ（Ｓｎ）の割合より低くてよい。
【００４９】
これにより、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の熱起電力、抵抗温度係数及び抵抗値は、さらに微細に調節されることができる。
【００５０】
図６は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器を示す側面図である。
【００５１】
図６を参照すると、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板５１０、第１電極５２１、第２電極５２２、抵抗体５３０、第１上面電極５４１、第２上面電極５４２、保護層５５０、第１下面電極５６１、第２下面電極５６２、第１金属カバー５７１及び第２金属カバー５７２を含むことができる。
【００５２】
第１及び第２上面電極５４１、５４２は、第１電極５２１、第２電極５２２、抵抗体５３０の少なくともいずれか一つの上面に配置されることができる。もし上記第１及び第２上面電極５４１、５４２がそれぞれ第１及び第２電極５２１、５２２上に配置される場合、上記第１及び第２上面電極５４１、５４２は、第１及び第２電極５２１、５２２の外部から電流を受けるか、外部に電流を与えるための配線の役割を行うことができる。もし第１及び第２上面電極５４１、５４２が抵抗体５３０上に配置される場合、上記第１及び第２上面電極５４１、５４２は、金属の特性である高い熱伝導度を利用して、抵抗体５３０で発生した熱を効率的に発散させることができる。
【００５３】
保護層５５０は、第１電極５２１、第２電極５２２、抵抗体５３０、第１上面電極５４１、及び第２上面電極５４２の少なくともいずれか一つの上面をカバーすることができる。例えば、上記保護層５５０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、フェノール樹脂、ガラス（ｇｌａｓｓ）の材質などで実現することができ、チップ抵抗器を外部の物理的衝撃から保護することができる。
【００５４】
第１及び第２下面電極５６１、５６２は、それぞれ第１及び第２電極５２１、５２２の配置を補助することができる。例えば、基板５１０の両側面にＵ状の第１及び第２金属カバー５７１、５７２が挟み込まれることができる。上記第１及び第２金属カバー５７１、５７２は、第１及び第２電極５２１、５２２を押して固定することができる。この時、上記第１及び第２下面電極５６１、５６２は、基板５１０の他面に予め形成されて、上記第１及び第２金属カバー５７１、５７２によって押されることができる。これにより、第１及び第２電極５２１、５２２は、安定して固定することができる。また、上記第１及び第２下面電極５６１、５６２と第１及び第２電極５２１、５２２の総面積が広くなることにより、第１及び第２電極５２１、５２２の抵抗値は、さらに低くなることができる。これにより、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の総抵抗値は、さらに低くなることができる。
【００５５】
図７は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器の抵抗体の両面配置を示す側面図である。
【００５６】
図７を参照すると、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、基板５１０、第１電極５２１、第２電極５２２、第１抵抗体５３１、第２抵抗体５３２、第１上面電極５４１、第２上面電極５４２、第１保護層５５１、第２保護層５５２、第１下面電極５６１及び第２下面電極５６２、第１金属カバー５７１及び第２金属カバー５７２を含むことができる。
【００５７】
第１抵抗体５３１は、基板５１０の一面上に配置され、第１及び第２電極５２１、５２２に直接的に連結することができる。上記第１抵抗体５３１の一面には、第１保護層５５１が形成されることができる。
【００５８】
第２抵抗体５３２は、基板５１０の他面上に配置され、第１及び第２下面電極５６１、５６２に直接的に連結することができる。上記第２抵抗体５３２の一面には、第２保護層５５２が形成されることができる。
【００５９】
第１電極５２１と第１下面電極５６１は第１金属カバー５７１を通じて電気的に連結され、第２電極５２２と第２下面電極５６２は第２金属カバー５７２を通じて電気的に連結されることができる。これにより、基板５１０の一面上に配置される第１抵抗体５３１と、基板５１０の他面上に配置される第２抵抗体５３２とは、互いに並列関係であることができる。
【００６０】
第１抵抗体５３１と第２抵抗体５３２が基板５１０の互いに異なる面に配置されることにより、基板５１０の幅が短くなることができる。また、互いに異なる成分を含む第１及び第２抵抗体５３１、５３２が形成される時、相互に与える影響は減少することができる。
【００６１】
図８は、抵抗体の溝の形成位置による抵抗値の変化を示すグラフである。
【００６２】
図８を参照すると、縦軸は、抵抗体の溝を形成した後の抵抗値（Ｒｔｒ）の目標抵抗値（Ｒｔａｒｇｅｔ）に対する相対的なサイズの百分率（Ｒｔｒ／Ｒｔａｒｇｅｔ＊１００）を表し、ＬＥＦＴ＿１は、本発明の比較例である銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体で溝が左側に位置した場合を表し、ＣＥＮＴＥＲ＿１は、本発明の比較例である銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体で溝が真ん中に位置した場合を表し、ＲＩＧＨＴ＿１は、本発明の比較例である銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体で溝が右側に位置した場合を表し、ＬＥＦＴ＿２は、本発明の一実施形態である抵抗体で溝が左側に位置した場合を表し、ＣＥＮＴＥＲ＿２は、本発明の一実施形態である抵抗体で溝が真ん中に位置した場合を表し、ＲＩＧＨＴ＿２は、本発明の一実施形態である抵抗体で溝が右側に位置した場合を表わす。
【００６３】
本発明の比較例である銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体の抵抗値は、溝の形成位置の変動によって相対的に大きく変わることができる。反面、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、小さい熱起電力絶対値と小さい抵抗温度係数絶対値とを有するため、溝の形成位置の変動に強い抵抗値を有することができる。これにより、本発明の一実施形態によるチップ抵抗器は、小さい抵抗値で設計されても、製品量産時の不良発生率を減少させることができる。
【００６４】
以上、本発明が具体的な構成要素などのような特定事項と限定された実施形態及び図面により説明されたが、これは、本発明のより全般的な理解を助けるために提供されただけで、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者であれば、このような記載から多様な修正及び変形を図ることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１１０、４１０、５１０  基板
１２１、３２１、４２１、５２１  第１電極
１２２、３２２、４２２、５２２  第２電極
３２３  第３電極
１３０、５３０  抵抗体
３３１、４３１、５３１  第１抵抗体
３３２、４３２、５３２  第２抵抗体
１４０  保護層
３４１ａ、３４１ｂ、５５１  第１保護層
３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃ、５５２  第２保護層
５４１  第１上面電極
５４２  第２上面電極
５６１  第１下面電極
５６２  第２下面電極
５７１  第１金属カバー
５７２  第２金属カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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