(57)【要約】【課題】装置の大型化を抑制しつつ、ウエハの位置を計測することが可能なウエハ位置計測装置を提供する。【解決手段】光センサが、テーブルの保持面に保持されたウエハからの輻射光の強度を測定する。制御装置が、テーブルを保持面に平行な方向に移動させながらウエハにレーザビームを入射させ、テーブルの位置と光センサによる測定値とに基づいて、テーブルに対するウエハの位置を特定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブルの保持面に保持されたウエハからの輻射光の強度を測定する光センサと、
前記テーブルを前記保持面に平行な方向に移動させながら前記ウエハにレーザビームを入射させ、前記テーブルの位置と前記光センサによる測定値とに基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの位置を特定する制御装置と
を有するウエハ位置計測装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記ウエハの縁がレーザビームの入射位置を通り過ぎるように前記テーブルを移動させ、前記光センサで測定された輻射光の強度の変化に基づいて前記ウエハの位置を特定する請求項１に記載のウエハ位置計測装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記テーブルの移動中に前記光センサで測定された輻射光の強度の変動に基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの表面の高さの変動を求める請求項１または２に記載のウエハ位置計測装置。
【請求項４】
前記制御装置は、前記テーブルを昇降させながら前記ウエハにレーザビームを入射させて前記光センサから輻射光の強度を取得し、輻射光の強度の変化に基づいて前記ウエハの厚さを特定する請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウエハ位置計測装置。
【請求項５】
テーブルの保持面にウエハを保持させ、前記テーブルを前記保持面に平行な方向に移動させながら、前記テーブル及び前記ウエハにレーザビームを入射させ、前記ウエハからの輻射光の強度を測定し、
前記テーブルの位置と、前記テーブル及び前記ウエハからの輻射光の強度の測定値とに基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの位置を特定するウエハ位置計測方法。
【請求項６】
前記ウエハの縁がレーザビームの入射位置を通り過ぎるときの輻射光の強度の変化に基づいて前記ウエハの位置を特定する請求項５に記載のウエハ位置計測方法。
【請求項７】
前記テーブルの移動中に測定された前記ウエハからの輻射光の強度の変動に基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの表面の高さの変動を求める請求項５または６に記載のウエハ位置計測方法。
【請求項８】
前記テーブルを昇降させなが、前記ウエハにレーザビームを入射させて前記ウエハからの輻射光の強度を測定し、輻射光の強度の変化に基づいて前記ウエハの厚さを特定する請求項５乃至７のいずれか１項に記載のウエハ位置計測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工装置に適用可能なウエハ位置計測装置及びウエハ位置計測方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に、加工対象物の位置を高精度に検出することができるレーザ加工装置が開示されている。このレーザ加工装置は、レーザビームを加工対象物に照射するレーザ照射手段と、加工対象物を保持した状態で移動可能なステージ手段と、画像解析を用いたエッジ検出により加工対象物の位置検出を行うエッジ検出手段とを備えている。エッジ検出手段は、撮像手段と画像処理手段とを含む。撮像手段により得られた加工対象物の画像から、画像処理手段が加工対象物のエッジ位置を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１２１７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハのエッジを撮像する撮像手段、例えばカメラは、加工用のレーザビームの経路から外れた位置（オフセットした位置）に配置される。ウエハのエッジを含む画像を取得するために、エッジを撮像手段の画角内に配置しなければならない。このために、レーザビームの経路から撮像装置までのオフセット量だけステージのストロークを余分に確保しなければならない。このため、ステージ、及びステージを収容するチャンバが大型になってしまう。
【０００５】
本発明の目的は、装置の大型化を抑制しつつ、ウエハの位置を計測することが可能なウエハ位置計測装置及びウエハ位置計測方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、
テーブルの保持面に保持されたウエハからの輻射光の強度を測定する光センサと、
前記テーブルを前記保持面に平行な方向に移動させながら前記ウエハにレーザビームを入射させ、前記テーブルの位置と前記光センサによる測定値とに基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの位置を特定する制御装置と
を有するウエハ位置計測装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、
テーブルの保持面にウエハを保持させ、前記テーブルを前記保持面に平行な方向に移動させながら、前記テーブル及び前記ウエハにレーザビームを入射させ、前記ウエハからの輻射光の強度を測定し、
前記テーブルの位置と、前記テーブル及び前記ウエハからの輻射光の強度の測定値とに基づいて、前記テーブルに対する前記ウエハの位置を特定するウエハ位置計測方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
ウエハの画像を取得するカメラ等の撮像装置を設置する必要がないため、装置の大型化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施例によるウエハ位置計測装置を組み込んだレーザアニール装置の概略図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、ウエハを保持したチャックテーブルの平面図であり、図２Ｃは、チャックテーブルをｕ軸方向に移動させたときの輻射光の強度の変化の一例を示すグラフである。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、ウエハを保持したチャックテーブルの平面図であり、図３Ｃは、チャックテーブルをｖ軸方向に移動させたときの輻射光の強度の変化の一例を示すグラフである。
【図４】図４は、ウエハの表面上の位置と、輻射光の強度との関係の一例を示すグラフである。
【図５】図５Ａは、チャックテーブル、ウエハ、及びレーザビームの位置関係を示す模式図であり、図５Ｂは、チャックテーブルを高さｈ０から下降させたときの輻射光強度の変化の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１〜図５Ｂを参照して、実施例によるウエハ位置計測装置を組み込んだレーザアニール装置について説明する。
【００１１】
図１は、実施例によるウエハ位置計測装置を組み込んだレーザアニール装置の概略図である。レーザ光源１０が制御装置２０からの指令によりパルスレーザビームを出力する。レーザ光源１０から出力されたパルスレーザビームが均一化光学系１１を通過し、ダイクロイックミラー１２に入射する。ダイクロイックミラー１２は、レーザ光源１０から出力されるパルスレーザビームの波長（例えば８０８ｎｍ）の光を反射し、１μｍ以上の波長域の光を透過させる。ダイクロイックミラー１２で反射されたパルスレーザビームがレンズ１３で集光されて、アニール対象であるウエハ５０に入射する。ウエハ５０はチャックテーブル３２の保持面３３の上に保持されている。ウエハ５０は、例えばドーパントイオンが注入されたシリコンウエハ、評価用シリコンウエハ等である。
【００１２】
均一化光学系１１及びレンズ１３が、ウエハ５０の表面におけるビームスポットの形状を長尺形状にするとともに、プロファイル（光強度分布）を均一化する。ビームスポットの形状が目標とする形状になり、プロファイルが均一化される高さ方向の位置を、「フォーカス高さ」ということとする。レーザアニール時には、ウエハ５０の表面をフォーカス高さに一致させる。
【００１３】
チャックテーブル３２は移動機構３１に支持されている。移動機構３１は、制御装置２０から制御されて、チャックテーブル３２を保持面３３に平行な二方向に移動させる機能を持つ。さらに、移動機構３１は、チャックテーブル３２を昇降させる機能を持つ。移動機構３１及びチャックテーブル３２はチャンバ３０内に収容されている。レンズ１３を透過したレーザビームをチャンバ３０内に導入するための透過窓がチャンバ３０に設けられている。ウエハ５０を移動させながらパルスレーザビームを入射させることにより、ウエハ５０の表面の全域をアニールすることができる。
【００１４】
パルスレーザビームがウエハ５０に入射すると、入射位置の表層部が加熱されることにより、ウエハ５０に注入されているドーパントが活性化する。加熱された部分から輻射光４０が放射される。輻射光４０の一部は、レンズ１３で収束された後、ダイクロイックミラー１２を透過し、全反射ミラー１４で反射され、光学フィルタ１５及びレンズ１６を透過して、光センサ１７に入射する。光センサ１７がウエハ５０からの輻射光の強度を測定し、測定値が制御装置２０に入力される。
【００１５】
光学フィルタ１５としては、波長が１μｍより短い波長域の光を透過させないロングパスフィルタまたはバンドパスフィルタが用いられる。ウエハ５０から光センサ１７までの経路に配置されているレンズ１３、１６等の光学素子を構成する光学ガラスは波長約３μｍ以上の光を吸収する性質を持つため、光センサ１７で検出可能な輻射光の波長の上限は約３μｍである。従って、光学フィルタ１５としてバンドパスフィルタを用いる場合には、長波長側のカットオフ波長を３μｍ以上とすることが好ましい。光センサ１７の前に光学フィルタ１５を配置することにより、輻射光のうち波長が１μｍより短い成分は光センサ１７で検出されず、波長が１μｍより長い成分の強度のみが、光センサ１７により測定される。
【００１６】
光学フィルタ１５に代えて、１μｍより短い波長の輻射光を光センサ１７まで到達させない他の光学素子を配置してもよい。一例として、ダイクロイックミラー１２が１μｍより短い波長の光を反射する場合、ダイクロイックミラー１２が、１μｍより短い波長の輻射光を光センサ１７まで到達させない光学素子として機能する。
【００１７】
制御装置２０は、パルスレーザビームの各ショットに同期して、光センサ１７から測定値を取得する。制御装置２０は、チャックテーブル３２を移動させながら光センサ１７の測定値を取得し、チャックテーブル３２の位置と光センサ１７の測定値とに基づいて、チャックテーブル３２に対するウエハ５０の位置を特定する。さらに、制御装置２０は、光センサ１７の測定値に基づいて、ウエハ５０の厚さ、及びウエハ５０の表面のうねり（凹凸）の程度を特定する。
【００１８】
レーザアニール装置の動作を指令するための種々のコマンド及びデータが、入力装置２６から制御装置２０に入力される。制御装置２０は、アニール処理に必要なデータの入力を促すメッセージ、アニール処理結果等をオペレータに通知するためのメッセージを出力装置２５に出力する。
【００１９】
次に、図２Ａ〜図２Ｃ及び図３Ａ〜図３Ｃを参照して、保持面３３に対するウエハ５０の位置を特定する処理について説明する。図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、及び図３Ｂは、ウエハ５０を保持したチャックテーブル３２の平面図である。図２Ｃ及び図３Ｃは、チャックテーブル３２を移動させたときに光センサ１７（図１）で測定された輻射光の強度の変化の一例を示すグラフである。
【００２０】
図２Ａに示すように、チャックテーブル３２の保持面３３の法線方向をｚ軸とし、チャックテーブル３２の保持面３３に固定されたｘｙｚ直交座標系（以下、ステージ座標系という。）を定義する。さらに、レーザビームの経路に対して固定されたｕｖｗ直交座標系（以下、グローバル座標系という。）を定義する。グローバル座標系のｕ軸、ｖ軸、及びｗ軸は、それぞれステージ座標系のｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸と平行である。保持面３３はステージ座標系のｘｙ面、及びグローバル座標系のｕｖ面に平行である。
【００２１】
制御装置２０（図１）がウエハ搬送装置（図示せず）を制御することにより、ウエハ５０を保持面３３の目標位置に粗い位置決め精度で位置決めして保持させる。ここで、「粗い位置決め精度」とは、例えばウエハ搬送装置がウエハ５０をウエハストッカから取り出して保持面３３の上に載せるときの位置決め精度を意味する。レーザアニールを行う前に、制御装置２０は保持面３３に対するウエハ５０の位置（ステージ座標系におけるｘ座標及びｙ座標）を、より高精度に特定する処理を実行する。
【００２２】
制御装置２０は、レーザビームのビームスポット４３がウエハ５０の外側の保持面３３内の領域に位置するようにチャックテーブル３２を移動させる。ビームスポット４３は、ｖ軸方向に長い長尺形状を有し、例えばｖ軸方向の寸法（長さ）が３ｍｍ以上４．５ｍｍ以下であり、ｕ軸方向の寸法（幅）が０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。図２Ａでは、ウエハ５０が目標位置に保持されていると仮定したときのウエハ５０の中心点からｕ軸方向に伸ばした仮想直線５５上にビームスポット４３が位置する。
【００２３】
図２Ｂに示すように、制御装置２０は、チャックテーブル３２をｕ軸方向に移動させながら、チャックテーブル３２及びウエハ５０にパルスレーザビームを入射させるとともに、パルスレーザビームの入射に同期して光センサ１７（図１）から輻射光の強度の測定値を取得する。このとき、ウエハ５０の表面におけるパルスレーザビームのパルスエネルギ密度は、ウエハ５０を溶融させず、かつドーパントを活性化させない程度に設定する。例えば、パルスエネルギ密度を０．０５Ｊ／ｃｍ２以下とする。チャックテーブル３２の移動中に、ウエハ５０の仮想直線５５と交差する縁がレーザビームの入射位置（ビームスポット４３の位置）を通り過ぎる。パルスレーザビームのパルスの繰返し周波数及びチャックテーブル３２の移動速度は、例えば、ビームスポット４３のオーバラップ率が９０％になるように設定する。例えば、パルスの繰返し周波数は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとする。
【００２４】
ビームスポット４３がウエハ５０の内部に位置するとき（図２Ｂ）の輻射光の強度は、ビームスポット４３がウエハ５０の外側のチャックテーブル３２内に位置するとき（図２Ａ）の輻射光の強度より小さい。
【００２５】
チャックテーブル３２を移動させてウエハ５０の縁がビームスポット４３に接触すると、図２Ｃに示すように輻射光の強度が立ち上がる。ビームスポット４３がウエハ５０の内部に位置するときは、輻射光の強度はほぼ一定である。
【００２６】
制御装置２０は、輻射光の強度の立ち上がり時点におけるチャックテーブル３２のグローバル座標（ｕ座標及びｖ座標）を求める。立ち上がり時点として、例えば、輻射光の強度の立ち上がりの高さの５０％まで立ち上がった時点ｕ０を採用するとよい。この時点ｕ０は、ビームスポット４３のほぼ半分の領域がウエハ５０内に位置し、他の半分の領域がウエハ５０の外側に位置する時点に相当する。
【００２７】
グローバル座標系におけるビームスポット４３の位置は既知である。制御装置２０は、輻射光の強度が立ち上がるときのグローバル座標系におけるチャックテーブル３２の位置から、ビームスポット４３を通過したウエハ５０の縁のステージ座標系における位置（ｘ座標及びｙ座標）を算出する。
【００２８】
次に、図３Ａに示すように、制御装置２０は、チャックテーブル３２を移動させて、ウエハ５０が目標位置に保持されていると仮定したときのウエハ５０の中心点からｖ軸方向に伸ばした仮想直線５６上にビームスポット４３を位置させる。また、ビームスポット４３は、ウエハ５０の外側の保持面３３内の領域に位置させる。
【００２９】
図３Ｂに示すように、制御装置２０は、チャックテーブル３２をｖ軸方向に移動させながら、チャックテーブル３２及びウエハ５０にパルスレーザビームを入射させるとともに、パルスレーザビームの入射に同期して光センサ１７（図１）の測定値を取得する。このとき、ウエハ５０の表面におけるパルスレーザビームのパルスエネルギ密度は、図２Ｂに示した工程と同様に、ウエハ５０を溶融させず、かつドーパントを活性化させない程度に設定する。チャックテーブル３２の移動中に、ウエハ５０の仮想直線５６と交差する縁がレーザビームの入射位置（ビームスポット４３の位置）を通り過ぎる。
【００３０】
チャックテーブル３２を移動させてウエハ５０の縁がビームスポット４３に接触すると、図３Ｃに示すように輻射光の強度が立ち上がる。ビームスポット４３がｖ軸方向に長いため、図３Ｃに示した輻射光の強度の立ち上がりの傾きは、図２Ｃに示した輻射光の強度の立ち上がりの傾きより緩やかである。
【００３１】
制御装置２０は、輻射光の強度の立ち上がり時点ｖ０におけるチャックテーブル３２のグローバル座標（ｕ座標及びｖ座標）から、ビームスポット４３を通過したウエハ５０の縁のステージ座標系における位置（ｘ座標及びｙ座標）を算出する。
【００３２】
図２Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した工程で、ウエハ５０の縁の２点のステージ座標系における位置を算出することができる。ウエハ５０の直径は既知である。このため、算出された２点のステージ座標系における位置からウエハ５０の位置、たとえばウエハ５０の中心位置を特定することができる。
【００３３】
制御装置２０は、特定されたウエハ５０のテーブル座標系における位置に基づいて、レーザアニール時におけるチャックテーブル３２の移動範囲を決定する。これにより、ウエハ５０の表面のアニールすべき領域内にレーザビームを入射させることができる。
【００３４】
次に、図４を参照して、ウエハ５０の表面の凹凸の有無（高さの変動）を特定する方法について説明する。特定される凹凸の面内方向の周期は、ビームスポットの寸法に比べて十分大きい。
【００３５】
図４は、ウエハ５０の表面上の位置と、輻射光の強度との関係の一例を示すグラフである。横軸はウエハ５０の表面上の位置を表し、縦軸は輻射光の強度の測定値を表す。チャックテーブル３２を移動させながらウエハ５０にパルスレーザビームを入射させることにより、図５に示したグラフを作成することができる。ウエハ５０の表面に凹凸が存在するとウエハ５０の表面の高さがフォーカス高さからずれるため、表面内の場所によってビームスポットの大きさが変動する。その結果、ウエハ５０の表面上の場所によって輻射光の強度が変化する。測定された輻射光の強度の変化量からウエハ５０の表面の凹凸の状態を特定することができる。例えば、輻射光の強度のばらつきは、ウエハ５０の表面の高さのばらつきに依存する。輻射光の強度の変動の周期は、ウエハ５０の表面の凹凸の面内方向の周期に依存する。
【００３６】
制御装置２０（図１）は、ウエハ５０の表面の凹凸の大きさ（高さのばらつき）が許容範囲を超えると、その旨をオペレータに通知するメッセージを出力装置２５から出力する。
【００３７】
次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、実施例によるウエハ５０の厚さの特定方法について説明する。
【００３８】
図５Ａは、チャックテーブル３２、ウエハ５０、及びレーザビーム１８の位置関係を示す模式図である。まず、制御装置２０が移動機構３１を制御することにより、チャックテーブル３２の保持面３３の高さｗをビームウエスト１８Ａの高さ（基準高さ）ｈ０に一致させる。基準高さｈ０は、装置の組み立て後の調整時に制御装置２０に予め設定されている。
【００３９】
チャックテーブル３２の保持面３３の高さｗを基準高さｈ０に一致させた後、チャックテーブル３２にウエハ５０を搭載する。この状態で、ウエハ５０の表面はビームウエスト１８Ａよりもウエハ５０の厚さ分だけ上方に位置する。レーザビーム１８をウエハ５０に照射しながら、チャックテーブル３２を徐々に下降させる。チャックテーブル３２の下降中に、光センサ１７（図１）によって輻射光の強度を計測する。
【００４０】
図５Ｂは、チャックテーブル３２を高さｈ０から下降させたときの輻射光強度の変化の一例を示すグラフである。ウエハ５０の表面におけるパルスエネルギ密度が大きいほど、輻射光の強度は強くなる。チャックテーブル３２が下がり、ウエハ５０の表面がビームウエスト１８Ａに近づくに従って、ビームスポットが小さくなる。すなわち、パルスエネルギ密度が高くなる。このため、輻射光強度が上昇する。ウエハ５０の表面の高さがビームウエスト１８Ａの高さに一致したときに、輻射光強度が最大値を示す。さらにチャックテーブル３２を下降させると、輻射光強度は低下する。
【００４１】
輻射光強度が最大値を示した時点のチャックテーブル３２の保持面３３の高さｗをｈｐで表す。基準高さｈ０と、輻射光強度が最大値を示した時点の保持面３３の高さｈｐとの差がウエハ５０の厚さに相当する。
【００４２】
次に、上記実施例の優れた効果について説明する。
上記実施例では、ウエハ５０の位置を特定するために画像を取得するカメラを必要としない。カメラを用いてウエハの位置を特定するためには、カメラをレーザビームの経路からオフセットした位置に配置しなければならない。このカメラの画角内にウエハを移動させるために、レーザビームの経路からカメラまでのオフセットの距離だけ余分にテーブルを移動させなければならない。テーブルを余分に移動させるためのスペースをチャンバ内に確保しなければならないため、装置が大型化する。上記実施例では、ウエハの位置を特定するためにカメラを用いた場合に必要となる上記スペースを確保する必要がないため、装置の大型化を抑制することができる。
【００４３】
また、上記実施例では、レーザ変位計等の高さセンサを用いることなく、ウエハ５０の厚さ及び表面の凹凸の程度を特定することができる。
【００４４】
図５Ｂに示したように、チャックテーブル３２の保持面３３の高さｗを高さｈｐに一致させることにより、ウエハ５０の表面にレーザビーム１８をフォーカスさせることができる。実際のレーザアニールは、ウエハ５０の表面の高さをビームウエスト１８Ａの高さに一致させた状態で行ってもよいし、ビームウエスト１８Ａの高さからややずらした状態で行ってもよい。
【００４５】
ウエハ５０の表面の高さをビームウエスト１８Ａの高からややずらした状態でレーザアニールを行う場合、図５Ｂに示した輻射光強度の最大値からの低下量によって、ウエハ５０の表面の高さのずらし量を決めておくとよい。輻射光強度の最大値から、予め決められた低下量だけ低下した輻射光強度が得られる高さｗにチャックテーブル３２の保持面３３の高さを調整し、この状態でレーザアニールを行うとよい。この条件を満たす保持面３３の高さは、高さｈｐの上下に１つずつ存在するが、予め、高さｈｐの上または下のいずれでレーザアニールを行うかを決めておくとよい。
【００４６】
上記実施例で用いられる光センサ１７によって測定された輻射光の強度は、ウエハ５０の表面温度に依存する。制御装置２０は、レーザアニール中に、光センサ１７によって測定された輻射光の強度に基づいて、アニール中におけるウエハ５０の表面の最高到達温度を、レーザビームの入射位置ごとに算出することができる。このように、光センサ１７は、アニール前のウエハ５０の位置の特定、厚さの特定、凹凸の程度の特定に使用することができるとともに、アニール中には、ウエハ５０の表面の最高到達温度の算出に使用することができる。
【００４７】
次に、上記実施例の種々の変形例について説明する。
上記実施例では、図２Ｂ及び図３Ｂに示したように、ビームスポット４３を通過するウエハ５０の外周線上の点における接線方向と、ウエハ５０の進行方向（ｕ軸方向またはｖ軸方向）とが直交するが、必ずしも両者を直交させる必要はない。例えば、ウエハ５０をｕ軸方向またはｖ軸方向に移動させながら、ｕ軸及びｖ軸に対して斜めの縁がビームスポット４３を通過するようにしてもよい。
【００４８】
なお、上記実施例のように、ビームスポット４３を通過するウエハ５０の外周線上の点における接線方向と、ウエハ５０の進行方向（ｕ軸方向）とを直交させると、ウエハ５０の移動距離に対して輻射光の強度がほぼ直線的に立ち上がる。これに対し、両者が直交しない場合には、輻射光の強度の立ち上がりが、ウエハ５０の外周線の円周形状に対応して非線形に立ち上がる。輻射光の強度がほぼ直線的に立ち上がる場合には、非線形に立ち上がる場合と比べて、輻射光の強度の立ち上がり時点を精度よく特定することができる。従って、輻射光の強度の立ち上がり時点を精度よく特定するためには、ビームスポット４３を通過するウエハ５０の外周線上の点における接線方向と、ウエハ５０の進行方向（ｕ軸方向またはｖ軸方向）とを直交させることが好ましい。
【００４９】
上記実施例では、ウエハ５０の外周線上の２つ点、及びウエハ５０の直径とからウエハ５０の位置を特定した。ウエハ５０の直径が不明である場合には、ウエハ５０の外周線上の３つ点の位置を特定すればよい。ウエハ５０の外周線上の３つの点の位置から、ウエハ５０の位置を特定することができる。
【００５０】
ウエハ５０には、通常、ウエハ５０の方位を特定するためのオリエンテーションフラットまたはノッチが形成されている。ウエハ５０の回転方向の姿勢は、ウエハ搬送装置でチャックテーブル３２の上にウエハ５０を搬送した時点で粗く決められている。レーザアニール前に、ウエハ５０の回転方向の姿勢をより高精度に特定する必要がある場合には、オリエンテーションフラットまたはノッチの位置及びその近傍の数か所がレーザスポットを通過するように、チャックテーブル３２を複数回移動させればよい。複数回の移動の各々において測定された輻射光の強度の変化に基づいて、オリエンテーションフラットまたはノッチの位置を特定することができる。
【００５１】
上記実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５２】
１０  レーザ光源
１１  均一化光学系
１２  ダイクロイックミラー
１３  レンズ
１４  全反射ミラー
１５  光学フィルタ
１６  レンズ
１７  光センサ
１８  レーザビーム
２０  制御装置
２５  出力装置
２６  入力装置
３０  チャンバ
３１  移動機構
３２  チャックテーブル
３３  保持面
４０  輻射光
４３  ビームスポット
５０  ウエハ
５５  ウエハ中心点をｕ軸方向に伸ばした仮想直線
５６  ウエハ中心点をｖ軸方向に伸ばした仮想直線
【図１】
2018132389.tif 000003
【図２】
2018132389.tif 000004
【図３】
2018132389.tif 000005
【図４】
2018132389.tif 000006
【図５】
2018132389.tif 000007