(57)【要約】【課題】一部を残して蓋と開口部周縁とを溶接する際の未溶接部分の寸法などを、安定的に管理することが可能な電子デバイス用パッケージを提供する。【解決手段】電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０は、ベース部１１と、ベース部の一方の側に配設され、該一方に開口している開口部１８を有する周状の壁部１２と、壁部の一方側に面する上面１２ｆに設けられ、壁部よりも熱伝導率の高い第１層１３と、上面および第１層を含む壁部の一方側に設けられた接合部材１４と、を備え、第１層には、開口部側から、開口部側と反対側の外周側に亘り配設された、少なくとも一つの溝部１７を備えている。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と、
前記ベース部の一方の側に配設され、前記一方に開口している開口部を有する周状の壁部と、
前記壁部の前記一方側の上面に設けられ、前記壁部よりも熱伝導率の高い第１層と、
前記上面および前記第１層を含む前記壁部の前記一方側に設けられている接合部材と、を備え、
前記第１層には、前記開口部側から、前記開口部側と反対側の外周側に亘り配設されている、少なくとも一つの溝部を備えていることを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
【請求項２】
前記溝部は、前記第１層の設けられていない部分であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項３】
平面視で、前記壁部の輪郭は、略矩形状をなし、
前記溝部は、前記壁部の平面視での辺部に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項４】
前記溝部に、前記壁部の角部が配設されていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項５】
前記ベース部の前記一方の側に素子接続端子を備え、
前記素子接続端子は、前記壁部の一辺側に偏在して配置され、
前記溝部は、前記一辺と対向する、前記壁部の他辺の上面に配設されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項６】
ベース部と、
前記ベース部の一方の側に配設され、前記一方に開口している開口部を有する周状の壁部と、
前記壁部の前記一方側の上面の一部に設けられ、前記開口部側から前記開口部側と反対側の外周側に亘り配設されている、前記壁部よりも熱伝導率の低い第２層と、
前記上面および前記第２層を含む前記壁部の前記一方側に設けられている接合部材と、を備えていることを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
【請求項７】
平面視で、前記壁部の輪郭は、略矩形状をなし、
前記第２層は、前記壁部の平面視での辺部に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項８】
前記第２層に、前記壁部の角部が配設されていることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項９】
前記ベース部の前記一方の側に設けられている素子接続端子をさらに備え、
前記素子接続端子は、前記壁部の一辺側に偏在して配置され、
前記第２層は、前記一辺と対向する、前記壁部の他辺の上面に配設されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の電子デバイス用パッケージと、
前記電子デバイス用パッケージ内に収納された電子素子と、を有していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用パッケージ、電子デバイス、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴って、電子機器に用いられる電子部品において、微細化および低コスト化の要求が高まっている。例えば、振動片（振動素子）をパッケージ内に収納した振動デバイスにおいて、振動片を収納する空間を気密に維持することで振動特性が維持されるため、エネルギー線を用いた封止技術の提案がされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に開示されている構成、および封止方法では、振動片を収納する空間の開口部を覆う蓋と開口部周辺を一部残して、エネルギー線溶接した後に脱気を行い、その後溶接されていない部分の蓋と開口部周縁とを封止する。この構成、および封止方法を採用することで、開口部の周縁部の一部を除いて溶接が行われた後、容器内の排気が行われるので、溶接によって封止材から発生するガスの大部分を容器外に排出することを可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２３６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されている封止方法では、一部を残して蓋と開口部周縁とを溶接し、脱気後に未溶接部分を溶接するが、一部を残して蓋と開口部周縁とを溶接する際の、溶接状態のコントロールが難しく、未溶接部分の寸法などを安定的に管理することが困難である。これにより、開口部周縁を封止する際に封止材から発生するガスの量にばらつきが生じてしまい、パッケージ内部の封止真空度を安定して管理することができず、例えば振動片などの被収納物の性能劣化や生産性、信頼性の低下が懸念される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電子デバイス用パッケージは、ベース部と、前記ベース部の一方の側に配設され、前記一方に開口している開口部を有する周状の壁部と、前記壁部の前記一方側の上面に設けられ、前記壁部よりも熱伝導率の高い第１層と、前記上面および前記第１層を含む前記壁部の前記一方側に設けられている接合部材と、を備え、前記第１層には、前記開口部側から、前記開口部側と反対側の外周側に亘り配設されている、少なくとも一つの溝部を備えていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、接合部材を溶融する熱が壁部よりも熱伝導率が高い第１層に優先的に伝わるため、第１層内に設けられた溝部以外の接合部材を、エネルギー線にて溶融する際に、溝部の接合部材の溶融が抑制され、未溶融部が形成される。これによって、未溶融部と被接合材である蓋との間の隙間（排気口）の寸法を安定的に制御することが可能となり、隙間（排気口）を封止する際に封止材から発生するガスの量を一定にすることができる。この結果、パッケージ内部の封止真空度のばらつきが抑制され、振動片などの被収納物の性能劣化防止や生産性、信頼性を向上させた電子デバイス用パッケージの提供が可能となる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記溝部は、前記第１層の設けられていない部分であることが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、溝部が配設された部分の接合部材の体積を増やすことができるため、エネルギー線を用いて溝部と蓋を接合する際に、溝部と蓋との間の空間を埋めるだけの十分な量の接合部材を得ることができる。従って、溝部の接合信頼性を向上させる効果を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、平面視で、前記壁部の輪郭は、略矩形状をなし、前記溝部は、前記壁部の平面視での辺部に設けられていることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、壁部に沿って溝部以外を周回加熱して、溝部以外の箇所を接合する際に、壁部の平面視における辺部では、熱の拡散方向が一直線上に固定され、接合部材の溶融制御が容易になる。従って、簡単かつ確実に安定した寸法で未溶融部と蓋との隙間（排気口）を設けることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記溝部に、前記壁部の角部が配設されていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、壁部に沿って溝部以外を周回加熱して、溝部以外の箇所を接合する際に、溝部に壁部の角部が配設されていても、未溶融部と蓋との隙間（排気口）の形状の制御を行うことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記ベース部の前記一方の側に素子接続端子を備え、前記素子接続端子は、前記壁部の一辺側に偏在して配置され、前記溝部は、前記一辺と対向する、前記壁部の他辺の上面に配設されていることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、未溶融部と蓋との隙間（排気口）に配置されている溝部の部分を接合する際に、素子接続端子と隙間（排気口）が離れているため、隙間（排気口）の部分に配置されている接合部材を溶融する際にかかる熱が素子接続端子に伝わり難く、素子接続端子部の熱破壊や電熱による素子接続端子部からのガス発生を抑制することができる。従って、パッケージ内に収容された電子素子の劣化やパッケージ内部の封止真空度の低下を抑制することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子デバイス用パッケージは、ベース部と、前記ベース部の一方の側に配設され、前記一方に開口している開口部を有する周状の壁部と、前記壁部の前記一方側の上面の一部に設けられ、前記開口部側から前記開口部側と反対側の外周側に亘り配設されている、前記壁部よりも熱伝導率の低い第２層と、前記上面および前記第２層を含む前記壁部の前記一方側に設けられている接合部材と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、エネルギー線にて接合部材を溶融する熱が、熱伝導率が低い第２層以外の箇所に優先的に伝わるため、第２層上に位置する接合部材の溶融が抑制され、未溶融部が形成される。これによって、未溶融部と被接合部材である蓋との間の隙間（排気口）の寸法を安定的に制御することが可能となり、隙間（排気口）を封止する際に封止材から発生するガスの量を一定にすることができる。この結果、パッケージ内部の封止真空度のばらつきが抑制され、例えば振動素子などの被収納物の性能劣化防止や生産性、信頼性を向上させた電子デバイス用パッケージの提供が可能となる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、平面視で、前記壁部の輪郭は、略矩形状をなし、前記第２層は、前記壁部の平面視での辺部に設けられていることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、壁部に沿って周回加熱して第２層以外の箇所を接合する際に、辺部において、平面視の壁部において、溝部の両側の端である第２層の両端部では、熱の拡散方向が一直線上に固定され、接合部材の溶融制御が容易になる。従って、簡単かつ確実に安定した寸法で未溶融部である隙間（排気口）を設けることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記第２層に、前記壁部の角部が配設されていることが好ましい。
【００２２】
本適用例によれば、壁部に沿って第２層以外を周回加熱して、第２層以外の箇所を接合する際に、第２層に壁部の角部が配設されていても、未溶融部と蓋との隙間（排気口）の形状の制御を行うことができる。従って、隙間（排気口）を封止する際に封止材から発生するガスの量を一定にすることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記ベース部の前記一方の側に設けられている素子接続端子をさらに備え、前記素子接続端子は、前記壁部の一辺側に偏在して配置され、前記第２層は、前記一辺と対向する、前記壁部の他辺の上面に配設されていることが好ましい。
【００２４】
本適用例によれば、未溶融部と蓋との隙間（排気口）に配置されている第２層を接合する際に、素子接続端子と隙間（排気口）が離れているため、接合の際にかかる第２層を溶融するための熱が素子接続端子に伝わり難く、素子接続端子部の熱破壊や電熱による素子接続端子部からのガス発生を抑制することができる。従って、パッケージ内部に収納されている電子素子の劣化やパッケージ内部の封止真空度の低下を抑制することができる。
【００２５】
［適用例１０］本適用例に記載の電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイス用パッケージと、前記電子デバイス用パッケージ内に収納された電子素子と、を有していることが好ましい。
【００２６】
本適用例によれば、未溶融部と蓋との隙間（排気口）の寸法を安定的に制御することが可能となり、パッケージ内部の封止真空度のばらつきが抑制され、被収納物である電子素子の性能劣化防止、および生産性や信頼性を向上させた電子デバイスを提供することが可能となる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
【００２８】
このような電子機器によれば、信頼性を向上させた電子デバイスにより、信頼性を優れたものとすることができる。
【００２９】
［適用例１２］本適用例に記載の移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
【００３０】
このような移動体によれば、信頼性を向上させた電子デバイスにより、信頼性を優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】電子デバイスの実施形態１に係る水晶振動子モジュールの斜視図。
【図１Ｂ】図１Ａの線分Ａ−Ａの断面図。
【図１Ｃ】実施形態１に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図１Ｄ】図１Ｃの正面図。
【図２Ａ】一次封止部形成時のレーザー照射部位を示す水晶振動子モジュールの斜視図。
【図２Ｂ】一次封止部を示した水晶振動子モジュールの斜視図。
【図２Ｃ】一次封止部形成後の水晶振動子モジュールの溝部の拡大図。
【図３Ａ】二次封止部形成時のレーザー照射部位を示す水晶振動子モジュールの斜視図。
【図３Ｂ】二次封止部を示した水晶振動子モジュールの斜視図。
【図４Ａ】電子デバイスの実施形態２に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図４Ｂ】図４Ａの左側面図。
【図５Ａ】電子デバイスの実施形態３に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図５Ｂ】図５Ａの正面図。
【図６Ａ】電子デバイスの実施形態４に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図６Ｂ】図６Ａの正面図。
【図７Ａ】電子デバイスの実施形態５に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図７Ｂ】図７Ａの正面図。
【図７Ｃ】図７Ａの線分Ｂ−Ｂの断面図。
【図８Ａ】電子デバイスの実施形態６に係る水晶振動子モジュールの平面図。
【図８Ｂ】図８Ａの正面図。
【図９】電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図１０】電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図１１】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図１２】移動体の一例としての自動車の構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００３３】
（実施形態１）
本発明の電子デバイスにおける被収納物である電子素子は特に限定されるものではないが、以下では、水晶振動素子を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュールを例に説明する。最初に、本発明に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールの構成を説明する。図１Ａは、電子デバイスの実施形態１に係る水晶振動子モジュールの斜視図であり、図１Ｂは、図１Ａ中の線分Ａ−Ａの断面図である。図１Ｃは、実施形態１に係る水晶振動子モジュールの平面図である。図１Ｄは、図１Ｃの正面図である。図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃは、電子デバイスの実施形態１に係る水晶振動子モジュールの封止プロセスの説明図である。図２Ａは、一次封止部形成時のレーザー照射部位を示す水晶振動子モジュールの斜視図である。図２Ｂは、一次封止部を示した水晶振動子モジュールの斜視図である。図２Ｃは、一次封止部形成後の水晶振動子モジュールの溝部の拡大図である。なお、以下では、説明の便宜上、パッケージの開口する一方側を「上」、「上方」、もしくは「上側」、その反対側を「下」、「下方」、もしくは「下側」ということがある。
【００３４】
まず、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、および図１Ｄを参照して、電子デバイスの実施形態１に係る水晶振動子モジュール１Ａの概略構成について説明する。なお、図１Ａおよび図１Ｂは、リッド１６が接合される前の状態を示している。また、図１Ｃでは、図１Ａに示すリッド１６を省略（透視）している。
【００３５】
電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａは、周囲に壁部１２を有し、一方に開口している開口部１８を配設した電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０と、パッケージ１０の開口部１８の内に収容された水晶振動素子１５と、開口部１８を塞ぎ、収納空間を形成するように壁部１２の上面１２ｆ側に接合された被接合材である蓋としてのリッド１６と、を有している。以下、パッケージ１０、水晶振動素子１５、およびリッド１６について、順次詳細に説明する。
【００３６】
（電子デバイス用パッケージ）
電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０は、基板としてのベース部１１と、ベース部１１の一方の側に配設され、一方の側に開口している開口部１８を有する周状の壁部１２とを備えている。パッケージ１０は、上方からの平面視で、壁部１２の輪郭が略矩形状をなしている。そして、壁部１２の一方側に位置する上面１２ｆには、壁部１２よりも熱伝導率の高い第１層１３と、上面１２ｆおよび第１層１３を含む壁部１２の一方側に設けられている接合部材１４と、が設けられている。
【００３７】
ベース部１１には、開口部１８によって上側に露出する部分の、一つの辺部側に偏在して配置された段部１１ａ、および段部１１ａ上に設けられた水晶振動素子１５との素子接続端子としての接続電極１９ａが設けられている。接続電極１９ａは、接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺側に偏在して配置されている。そして、接続電極１９ａ上に水晶振動素子１５の一部が載置され、接続部１９ｂを介して水晶振動素子１５と接続電極１９ａとが電気的導通をとって接続される。
【００３８】
なお、接続電極１９ａなどの電極は、例えばタングステンなどによって形成することができる。例えば、タングステンメタライズなどを用い、必要とされる形状（パターン）を形成後に焼成を行い、その後ニッケルおよび金あるいは銀などをメッキすることによってこれらの電極や配線などを形成することができる。なお、これらの電極などには、前述のタングステンメタライズの他に、例えば、銀・パラジウムなどを主剤とした導電ペーストを用いることができる。この場合は、該導電ペーストによって必要とされる形状を形成後に硬化（乾燥）処理を行うことによって形成することができる。また、これらの電極などは、例えばタングステンなどを用いたスパッタリング法や蒸着法など他の形成法を用いて形成することもできる。
【００３９】
開口部１８の開口は、第１層１３および接合部材１４を介して壁部１２に接合されている被接合材である蓋としてのリッド１６によって塞がれている。そして、このリッド１６により、パッケージ１０の開口部１８の開口が塞がれて密封された内部空間が形成される。密封された内部空間は、その内部圧力を所望の気圧に設定できる。例えば、内部空間に窒素ガスを充填しての大気圧としたり、真空（通常の大気圧より低い圧力（１×１０5Ｐａ〜１×１０-10Ｐａ以下（ＪＩＳ  Ｚ  ８１２６−１：１９９９））の気体で満たされた空間の状態）としたりすることで、より安定した水晶振動素子１５の振動を継続することができる。なお、本実施形態の内部空間は、上記の真空の状態に設定されている。
【００４０】
パッケージ１０を構成するベース部１１、および壁部１２は、水晶振動素子１５、およびリッド１６の熱膨張係数と一致、あるいは極力近い熱膨張係数を備えた材料によって形成されることが好ましく、本例では、セラミックスを用いている。セラミックスによって構成されるベース部１１、および壁部１２は、所定の形状に成形されたグリーンシートを積層し、焼結することによって形成される。なお、グリーンシートは、例えば所定の溶液中にセラミックスのパウダーを分散させ、バインダーを添加して生成される混練物がシート状に形成された物である。
【００４１】
第１層１３は、接合部材１４の溶融を促すために、壁部１２よりも高い熱伝導率を有し、かつ接合部材１４よりも低い温度の軟化点を有する材料で構成される。この第１層１３としては、壁部１２の材料であるセラミックスよりも高い熱伝導率を有し、且つ壁部１２の材料であるセラミックス（熱伝導率１．８〜２１．０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数６．９〜１２．５ｐｐｍ／Ｋ）と線膨脹係数が近い材料が好ましい。
【００４２】
セラミックスよりも熱伝導率が高く、且つセラミックスと線膨脹係数が近い材料としては、例えば炭化珪素（熱伝導率２７０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．５ｐｐｍ／Ｋ）、白金（熱伝導率７１．４Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数８．８ｐｐｍ／Ｋ）、金（熱伝導率３１５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数１１．９ｐｐｍ／Ｋ）、鉄（熱伝導率８０．３Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数１４．２ｐｐｍ／Ｋ）、銅（熱伝導率３９８Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数１６．６ｐｐｍ／Ｋ）、ゲルマニウム（熱伝導率５９．９Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数５．７ｐｐｍ／Ｋ）、モリブデン（熱伝導率１３８Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．８ｐｐｍ／Ｋ）、ニッケル（熱伝導率９０．５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数１３．７ｐｐｍ／Ｋ）、チタン（熱伝導率２１．９Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数８．７ｐｐｍ／Ｋ）、タングステン（熱伝導率１７８Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．５ｐｐｍ／Ｋ）、アルミナ（熱伝導率１８０〜２００Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．０〜５．０ｐｐｍ／Ｋ）、銅タングステン合金（熱伝導率１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数６．１ｐｐｍ／Ｋ）、銅モリブデン合金（熱伝導率２１０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数８．６ｐｐｍ／Ｋ）、窒化アルミ（熱伝導率９０〜２００Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．５ｐｐｍ／Ｋ）などを挙げることができる。
【００４３】
本実施形態１では、第１層１３に炭化珪素（熱伝導率２７０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数４．５ｐｐｍ／Ｋ）を用いている。第１層１３に、このような特性を有する材料を採用することにより、周囲温度が変動した場合にも、壁部１２（パッケージ１０）からの第１層１３の剥離やクラックを抑制することができる。
【００４４】
第１層１３の一部には、開口部１８側から、開口部１８側と反対側の外周側に亘る少なくとも一つの溝部１７を備えている。本構成における溝部１７は、第１層１３の設けられていない部分であり、壁部１２の辺部の上面１２ｆに設けられる。本形態では、壁部１２の辺部として、長辺部の一つに設けられている。
【００４５】
接合部材１４は、壁部１２の一方側に位置する枠状の上面１２ｆに沿って周状に設けられている。即ち、接合部材１４は、溝部１７の設けられている部分の上面１２ｆ側、および第１層１３の上側を含み、壁部１２の一方側に周状に設けられている。接合部材１４は、後述するエネルギー線の照射によって溶融され、壁部１２とリッド１６とが接合される。従って、溶融に供される接合部材１４は、壁部１２、リッド１６、および第１層１３よりも低い温度の軟化点（流動性が高くなる点）を有するものが用いられる。このような接合部材１４としては、例えば２５０℃程度の軟化点を有する低融点ガラス等を用いることができる。
【００４６】
なお、第１層１３の一部に設けられている溝部１７は、図１Ｂに示されているように、水晶振動素子１５の接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺以外の壁部１２の他辺の上面１２ｆに配設されていることが好ましい。また、本形態では、一つの溝部１７を設けた例を示しているが、溝部１７の数は問わない。
【００４７】
後述するように、エネルギー線を壁部１２に沿って周回照射して溝部１７以外の箇所を接合する際に、壁部１２の辺部ではエネルギー線照射による熱の拡散方向が、一直線上に固定され、エネルギー線の照射による接合部材１４の溶融制御が容易になる。従って、このように、溝部１７を壁部１２の一つの辺部に配置することにより、簡単かつ確実に開口部１８（内部空間）からの排気口となる非接合部分を形成することができる。
【００４８】
また、溝部１７の内部には、接合部材１４が満たされていてもよい。このように、溝部１７の内部に接合部材１４を満たすことにより、溝部１７が配設された部分の接合部材１４の体積を増やすことができるため、後述するエネルギー線を用いた溝部１７の位置する部分の接合に際し、溝部１７の接合部材１４とリッド１６との間の空間を埋めるだけの十分な量の接合部材１４を得ることができる。従って、溝部１７の位置する部分の接合信頼性（封止信頼性）を向上させる効果を得ることができる。
【００４９】
（水晶振動素子）
本実施形態の水晶振動素子１５は、圧電材料の一例としての水晶により形成された音叉型水晶振動素子である。この音叉型の水晶振動素子１５は、Ｘ軸が電気軸、Ｙ軸が機械軸、Ｚ軸が光軸となるように水晶の単結晶から切り出される。このように電気軸がＸ軸方向に配置されることにより、高精度が要求される携帯電話装置等の電子機器全般に好適な音叉型の水晶振動素子１５となる。なお、水晶の単結晶から切り出す際、上述のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸からなる直交座標系において、Ｘ軸回りに、Ｘ軸とＹ軸とからなるＸＹ平面を反時計回りの方向に約１度ないし５度傾けた、所謂水晶Ｚ板として、音叉型の水晶振動素子１５が形成される。
【００５０】
この音叉型の水晶振動素子１５は、基部と、この基部がＹ軸方向に突出するように形成された例えば２本の振動腕である腕部とを有している。このように形成されている音叉型の水晶振動素子１５には、図示しない励振電極が形成されている。そして、この励振電極に、電圧を印加することによって電界を発生させ、圧電体である水晶の腕部を振動させることができる。なお、このような、音叉型の水晶振動素子１５は、例えば、ウェットエッチング法らドライエッチング法などを用いて形成することができる。
【００５１】
水晶振動素子１５は、図１Ｂに示す接続部１９ｂにより電気的接続をとってパッケージ１０の内部空間に収容され、接続電極１９ａに固定される。接続部１９ｂは、例えば半田、銀ペースト、導電性接着剤（樹脂材料中に金属粒子などの導電性フィラーを分散させた接着剤）などの導電性固定部材を用いることができる。
【００５２】
被接合材である蓋としてのリッド１６は、後述するエネルギー線の一例として挙げることができるレーザー光を透過させることが可能な、例えばホウケイ酸ガラス等の無機材料を用いることが好ましい。リッド１６の材料として、パッケージ１０を構成する壁部１２の材料であるセラミックスと線膨脹係数が近い材料（例えばホウケイ酸ガラス）を採用することにより、周囲温度が変動した場合にも、壁部１２からリッド１６が剥離しにくくなるので好ましい。なお、ホウケイ酸ガラスの軟化点は、組成によって異なるが、例えば８００℃程度のものまである。
【００５３】
（水晶振動子モジュールの製造方法）
次に、図２Ａ〜Ｃ、図３Ａおよび図３Ｂを参照して、パッケージ１０を用いる水晶振動子モジュール１Ａの加工方法について説明する。
【００５４】
先ず、電子素子としての水晶振動素子１５をパッケージ１０に収容する工程を説明する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、板状のベース部１１と、ベース部１１の上面の周縁部に設けられている枠状の壁部１２とを有し、壁部１２の内壁に囲まれて一方側（上側）に開口する開口部１８（内部空間）を有するパッケージ１０を用意する。壁部１２の上面１２ｆには、溝部１７を有し、壁部１２よりも熱伝導率の高い第１層１３と、上面１２ｆおよび第１層１３を含み、壁部１２の一方側に周状に設けられている接合部材１４と、が形成されている。また、開口部１８（内部空間）によって上側に露出するベース部１１には、接続電極１９ａが形成されている。
【００５５】
次に、上述した水晶振動素子１５を用意する。そして、接続電極１９ａと水晶振動素子１５とを、接続部１９ｂによって電気的接続をとって固定する。この接続には、半田、銀ペースト、導電性接着剤（樹脂材料中に金属粒子などの導電性フィラーを分散させた接着剤）などを用いることができる。このとき、水晶振動素子１５は、ベース部１１の上面に対して空隙を有して固定される。
【００５６】
次に、蓋としてのリッド１６を用意する。そして、リッド１６をパッケージ１０の開口部１８を塞ぐように壁部１２の上側、即ち接合部材１４の上側に載置する。リッド１６は、例えば加圧治具２０を用いることによって壁部１２に押圧されている。このように押圧された状態において、図示していないレーザー光照射装置から射出されるレーザー光ＬＢ１を、リッド１６を介して接合部材１４に照射する。この際、レーザー光ＬＢ１は、走査装置（図示せず）を利用することによって、溝部１７以外の第１層１３の配設してある箇所を矢印Ｒ１に沿って移動（スキャン）させながら照射することができる。なお、このときのレーザー光ＬＢ１の照射は、大気雰囲気中、もしくは真空雰囲気中のどちらで行ってもよい。
【００５７】
このレーザー光ＬＢ１の照射によって、集熱作用を有する第１層１３が配設してある部分の接合部材１４のみが優先的に溶融し、溝部１７の設けられている部分を除く一次封止部Ｓ１が形成される。この一次封止部Ｓ１によって、パッケージ１０（壁部１２）とリッド１６とを、溝部１７の設けられている部分を除いた周状に接合する、いわゆる一次封止を行うことができる。なお、溝部１７の設けられている部分は、パッケージ１０（壁部１２）とリッド１６とが接合されていないため、開口部１８（内部空間）と外気とが連通し、図２Ｃに示すように、開口部１８（内部空間）の脱気を行うための開口である隙間Ｄ１が形成され、いわゆる排気口として機能することができる。
【００５８】
一次封止部Ｓ１の形成後、所望の封止真空度よりも高真空となる雰囲気中で、数秒放置する。この放置により、一次封止前から存在する大気中のガスや一次封止の際に接合部材１４から排出されるガスを、接合部材１４の未溶融部６とリッド１６との隙間（排気口）Ｄ１を介して、開口部１８（内部空間）から排出することができる。
【００５９】
次に、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、開口部１８（内部空間）からガスを排出した後、所望の封止真空度よりも高真空となる雰囲気中で、図３Ａに示す矢印Ｒ２のように移動するレーザー光ＬＢ２の照射により、未溶融部６の部分の接合部材１４を溶融させることで、二次封止部Ｓ２を形成する、いわゆる二次封止を行う。この二次封止によって、開口部１８（内部空間）は、外気から遮蔽されて気密封止状態となる。以上の工程によって、水晶振動子モジュール１Ａの加工が完了する。
【００６０】
以上述べたように、本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０、およびパッケージ１０を用いた水晶振動子モジュール１Ａでは、以下の効果を得ることができる。
【００６１】
一次封止部Ｓ１を形成するとき、レーザー光ＬＢ１の照射による接合部材１４の溶融が、熱伝導率の高い第１層１３が配設してある箇所のみ生じさせることができる。これにより、溝部１７の位置する部分に該当する未溶融部６の形状（図２Ｃに示す寸法Ｌ）を安定的に形成することができる。このように、未溶融部６の形状（寸法Ｌ）を安定的に形成することができることにより、二次封止部Ｓ２を形成するときの、レーザー光ＬＢ２の位置合わせを容易且つ高精度に行うことが可能となる。これにより二次封止部Ｓ２を形成する際に、未溶融部６から発生するガスの量を一定にすることができ、パッケージ１０内部の封止真空度を安定して管理することが可能となる。従って、水晶振動子モジュール１Ａの加工効率を向上させることが可能となるとともに、水晶振動子モジュール１Ａの性能を安定させたり、信頼性を向上させたりすることができる。
【００６２】
また、溝部１７が、水晶振動素子１５の接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺以外の壁部１２の他辺の上面１２ｆに配設されていることにより、未溶融部６とリッド１６との隙間（排気口）Ｄ１に配置されている溝部１７の部分を接合する際に、接続電極１９ａと隙間（排気口）Ｄ１が離れることになる。これにより、隙間（排気口）Ｄ１の部分に配置されている接合部材１４を溶融する際にかかる熱が接続電極１９ａに伝わり難く、接続電極１９ａの熱破壊や電熱による接続電極１９ａからのガス発生を抑制することができる。従って、パッケージ１０内に収容された水晶振動素子１５の劣化やパッケージ１０内部の封止真空度の低下を抑制することができる。
【００６３】
（実施形態２）
次に、図４Ａ、および図４Ｂを参照して、実施形態２に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールについて説明する。図４Ａは、実施形態２に係る水晶振動子モジュールの平面図であり、図４Ｂは、その側面図である。なお、前述した実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【００６４】
本実施形態２の水晶振動子モジュール１Ｂに用いられている電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｂは、第１層１３の一部に設けられている溝部４７が、水晶振動素子１５の接続部１９ｂ側に位置する壁部１２の一辺に対して、反対側に位置する壁部１２の他辺に配設されている。
【００６５】
本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｂによれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
レーザー照射により溝部４７の接合部材１４を溶融させて二次封止部（不図示）を形成する際に、水晶振動素子１５の接続部１９ｂと二次封止部が離れているため、レーザー照射の際に接続部１９ｂへの伝熱が抑制され、接続部１９ｂの熱破壊や接続部１９ｂ自体からのガス発生を抑制することができる。従って、パッケージ内部素子の劣化防止やパッケージ内部の封止真空度の悪化が抑制され、生産性、信頼性を向上させた電子デバイス用パッケージの提供が可能となる。
【００６６】
（実施形態３）
次に、図５Ａ、および図５Ｂを参照して、実施形態３に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールについて説明する。図５Ａは、実施形態３に係る水晶振動子モジュールの平面図、図５Ｂは、その正面図である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００６７】
本実施形態３の水晶振動子モジュール１Ｃに用いられている電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｃでは、第１層１３の一部に設けられている溝部５７の内部に、第１層１３が膜厚５０ｘで配設されている。このとき、膜厚５０ｘは、溝部５７以外に設けられている第１層１３の膜厚５０ｙよりも小さい。
【００６８】
本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｃによれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
レーザー照射により溝部５７の接合部材１４を溶融させて二次封止部（不図示）を形成する際に、溝部５７の下部に熱伝導率が高い第１層１３が配設されているため、溝部５７の下部に第１層１３が配設されていない場合と比べて少ない照射エネルギーで二次封止部を形成することが可能になる。これにより、二次封止部の形成時に発生する熱量が少なくなり、溝部５７に位置する接合部材１４から発生するガスの量を抑制することができ、高真空での封止ができる。さらに、膜厚５０ｘと膜厚５０ｙとの差を調整することで、二次封止部を形成する際のレーザー照射エネルギーのマージンが広げられるので、所望の封止真空度で封止するための調整が容易になる。
【００６９】
（実施形態４）
次に、図６Ａ、および図６Ｂを参照して、実施形態４に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールについて説明する。図６Ａは、実施形態４に係る水晶振動子モジュールの平面図、図６Ｂは、その正面図である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００７０】
本実施形態４の水晶振動子モジュール１Ｄに用いられている電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｄでは、第１層１３の一部に設けられている溝部１７の内部に第２層６０が配設されている。なお、溝部１７の内部は、第２層６０で満たされている。第２層６０は、溝部１７の接合部材１４の溶融を抑制するために、壁部１２よりも低い熱伝導率を有し、かつ接合部材１４よりも低い温度の軟化点を有する材料で構成される。この第２層６０としては、壁部１２の材料であるセラミックスよりも低い熱伝導率を有し、且つ壁部１２の材料であるセラミックス（熱伝導率１．８〜２１．０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数６．９〜１２．５ｐｐｍ／Ｋ）と線膨脹係数が近い材料が好ましい。
【００７１】
セラミックスよりも熱伝導率が低く、且つセラミックスと線膨脹係数が近い材料としては、例えばアルミ（熱伝導率０．６５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数２３〜２４ｐｐｍ／Ｋ）、銅アルミ合金（熱伝導率０．３５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数２２〜２３ｐｐｍ／Ｋ）、酸化ジルコニウム（熱伝導率２．７〜３．０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数７．９〜１１ｐｐｍ／Ｋ）などを挙げることができる。
【００７２】
本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｄによれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第１層１３と第２層６０を設けることにより、溝部１７と溝部１７以外の熱伝導率の差異を大きくできるため、未溶融部６の形状（寸法Ｌ）を、より安定的に形成することができる。これにより二次封止部を形成する際に、未溶融部６から発生するガスの量を一定にすることができ、パッケージ１０Ｄの内部空間の封止真空度を安定して管理することが可能となる。従って、水晶振動子モジュール１Ｄの加工効率を向上させることが可能となるとともに、水晶振動子モジュール１Ｄの性能を安定させたり、信頼性を向上させたりすることができる。
【００７３】
（実施形態５）
次に、図７Ａ、図７Ｂ、および図７Ｃを参照して、実施形態５に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールについて説明する。図７Ａは、実施形態５に係る水晶振動子モジュールの平面図、図７Ｂは、その正面図、図７Ｃは、図７Ａ中の線分Ｂ−Ｂの断面図である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００７４】
本実施形態５の水晶振動子モジュール１Ｅに用いられている電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｅでは、第１層１３がパッケージ１０Ｅの内部空間および、水晶振動子モジュール１Ｅの外部に露出しないように、接合部材１４によって第１層１３の全体を覆うように接合部材１４が配設される。このとき、平面視で壁部１２の上面１２ｆに設けられた第１層１３の面積、形状は限定しない。
【００７５】
本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｅによれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第１層１３が全て接合部材１４で覆われているため、第１層１３に対する気密性、耐湿性および耐薬品性を考慮する必要がない。したがって、従来の接合部材１４のみによる封止と同等の封止信頼性が確実に確保できる。
【００７６】
なお、上述したような第１実施形態〜第５実施形態に係るパッケージ１０，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅでは、溝部１７に、上方からの平面視で略矩形状の壁部１２の各辺の交わる部分である角部が配設されていてもよい。このように、溝部１７に壁部１２の角部が配設されていても、壁部１２に沿って溝部１７以外を周回加熱して、溝部１７以外の箇所を接合する際に、未溶融部６とリッド１６との隙間（排気口）Ｄ１の形状（寸法Ｌ）の制御を行うことができる。
【００７７】
（実施形態６）
次に、図８Ａ、および図８Ｂを参照して、実施形態６に係る電子デバイス用パッケージを用いた水晶振動子モジュールについて説明する。図８Ａは、実施形態６に係る水晶振動子モジュールの平面図、図８Ｂは、その正面図である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００７８】
本実施形態６の水晶振動子モジュール１Ｆに用いられている電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｆは、上方からの平面視で、壁部１２の輪郭が略矩形状をなしている。パッケージ１０Ｆでは、平面視において、壁部１２の一方側に位置する壁部１２の上面１２ｆの一部に第２層８０が配置されている。そして、上面１２ｆおよび第２層８０を含む壁部１２の一方側には、接合部材１４が設けられている。このとき、第２層８０の設置範囲、面積は限定しない。第２層８０は、第２層８０直上の接合部材１４の溶融を抑制するために、壁部１２よりも低い熱伝導率を有し、かつ接合部材１４よりも低い温度の軟化点を有する材料で構成される。この第２層８０としては、壁部１２の材料であるセラミックスよりも低い熱伝導率を有し、且つ壁部１２の材料であるセラミックス（熱伝導率１．８〜２１．０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数６．９〜１２．５ｐｐｍ／Ｋ）と線膨脹係数が近い材料が好ましい。
【００７９】
セラミックスよりも熱伝導率が低く、且つセラミックスと線膨脹係数が近い材料としては、例えばアルミ（熱伝導率０．６５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数２３〜２４ｐｐｍ／Ｋ）、銅アルミ合金（熱伝導率０．３５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数２２〜２３ｐｐｍ／Ｋ）、酸化ジルコニウム（熱伝導率２．７〜３．０Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数７．９〜１１ｐｐｍ／Ｋ）などを挙げることができる。
【００８０】
本実実施形態では、平面視で一次封止部（不図示）を第２層８０の設けられている部分以外に配設されている接合部材１４で形成し、二次封止部（不図示）を第２層８０の直上部分に配設されている接合部材１４で形成する。
【００８１】
ベース部１１には、開口部１８によって上側に露出する部分の一つの辺部側に偏在して配置された段部１１ａ、および段部１１ａ上に設けられた水晶振動素子１５との素子接続端子としての接続電極１９ａが設けられている。接続電極１９ａは、接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺側に偏在して配置されている。そして、接続電極１９ａ上に水晶振動素子１５の一部が載置され、接続部１９ｂを介して水晶振動素子１５と接続電極１９ａとが電気的導通をとって接続される。
【００８２】
ここで、第２層８０は、水晶振動素子１５の接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺以外の壁部１２の他辺の上面１２ｆに配設されていることが好ましい。なお、本形態では、一つの第２層８０を設けた例を示しているが、第２層８０の数は問わない。
【００８３】
このように、第２層８０が、水晶振動素子１５の接続電極１９ａに近接する壁部１２の一辺以外の壁部１２の他辺の上面１２ｆに配設されていることにより、第２層８０の配置されている部分を接合する際に、接続電極１９ａと第２層８０の配置されている二次封止部（不図示）とが離れることになる。これにより、第２層８０の配置されている部分の接合部材１４を溶融する際にかかる熱が接続電極１９ａに伝わり難く、接続電極１９ａの熱破壊や電熱による接続電極１９ａからのガス発生を抑制することができる。従って、パッケージ１０Ｆ内に収容された水晶振動素子１５の劣化やパッケージ１０Ｆ内部の封止真空度の低下を抑制することができる。
【００８４】
本実施形態に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０Ｆによれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【００８５】
パッケージ１０Ｆによれば、第２層８０と第２層８０以外の箇所である壁部１２との熱伝導率に差異をもたせることができる。第２層８０は、壁部１２よりも低い熱伝導率を有しているため、接合部材１４を第２層８０の設けられている部分以外で溶融させることができ、第２層８０の寸法に沿って未溶融部の形状（寸法Ｌ）を安定的に形成することができる。これにより二次封止部を形成する際に、未溶融部から発生するガスの量を一定にすることができ、パッケージ内部（内部空間）の封止真空度を安定して管理することが可能となる。従って、水晶振動子モジュール１Ｆの加工効率を向上させることが可能となるとともに、水晶振動子モジュール１Ｆの性能を安定させたり、信頼性を向上させたりすることができる。
【００８６】
なお、上述した第６実施形態に係るパッケージ１０Ｆでは、第２層８０に、上方からの平面視で、略矩形状の壁部１２の各辺の交わる部分である角部が配設されていてもよい。このように、第２層８０に壁部１２の角部が配設されていても、壁部１２に沿って第２層８０の配置されている部分以外を周回加熱して、第２層８０以外の箇所を接合する際に、未溶融部とリッド１６との第２層８０の配置されている二次封止部（不図示）の形状の制御を行うことができる。
【００８７】
また、上述のパッケージ１０，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆを用いた電子デバイスの説明では、被収納物である電子素子として、水晶Ｚ板としての音叉型の水晶振動素子１５を用いた水晶振動子モジュール１Ａ，１Ｂ、１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆを例に説明したがこれに限らず、パッケージ内に他の電子素子を気密に収納する電子デバイスに適用することができる。他の電子素子としては、例えば厚みすべり振動を励振するＡＴカット、ＳＣカット、ＢＴカット、等の他のカットアングルの圧電基板を用いた振動素子、もしくは、圧電体を用いたＭＥＭＳ素子などの振動素子も適用することができる。
【００８８】
また、他の電子素子を適用した電子デバイスとして、例えば、Ｈ型、あるいは音叉型などのジャイロ素子を用いたジャイロセンサー（角速度センサー）、加速度検出素子を用いた加速度センサー、振動素子と回路素子とを用いた発振器、感圧素子を用いた圧力センサー、半導体素子を用いた半導体装置などにも広く適用することができる。
【００８９】
［電子機器］
水晶振動子モジュール１Ａ，１Ｂ、１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆを適用した電子機器について、図９〜図１１に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０に水晶振動素子１５を収容した水晶振動子モジュール１Ａを適用した例を示している。
【００９０】
図９は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａを備える電子機器としてのモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、パッケージ１０を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａが内蔵されている。
【００９１】
図１０は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａを備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、パッケージ１０を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａが内蔵されている。
【００９２】
図１１は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａを備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９３】
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９４】
撮影者が表示部１００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、パッケージ１０を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａが内蔵されている。
【００９５】
上述したように、電子機器としてのパーソナルコンピューター１１００、携帯電話機１２００、およびデジタルスチールカメラ１３００に、特性の安定した信頼性の高い水晶振動子モジュール１Ａが活用されることにより、より高い信頼性を有する電子機器としてのパーソナルコンピューター１１００、携帯電話機１２００、およびデジタルスチールカメラ１３００を提供することができる。
【００９６】
なお、本発明の一実施形態に係る水晶振動子モジュール１Ａは、図９のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１０の携帯電話機、図１１のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００９７】
［移動体］
図１２は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１０６には本発明に係る電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１０６には、パッケージ１０を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａを内蔵してタイヤ１０９などを制御する電子制御ユニット１０８が車体１０７に搭載されている。また、水晶振動子モジュール１Ａは、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：Electronic Control Unit）、先進運転システム（ＡＤＡＳ：Advanced Driver Assistance System）等に広く適用できる。
【００９８】
上述したように、移動体としての自動車１０６に、特性の安定した信頼性の高い水晶振動子モジュール１Ａが活用されることにより、より高い信頼性を有する移動体（自動車１０６）を提供することができる。
【００９９】
以上、本発明に係る電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ１０を用いた電子デバイスとしての水晶振動子モジュール１Ａを適用した電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていても良い。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせても良い。
【符号の説明】
【０１００】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ…電子デバイスとしての水晶振動子モジュール、６…未溶融部、１０，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…電子デバイス用パッケージとしてのパッケージ、１１…ベース部、１１ａ…段部、１２…壁部、１２ｆ…壁部の上面、１３…第１層、１４…接合部材、１５…水晶振動素子、１６…リッド、１７…溝部、１８…開口部、１９ａ…接続電極、１９ｂ…接続部、２０…加圧治具、４７…溝部、６０，８０…第２層、１０６…移動体としての自動車、１１００…電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューター、１２００…電子機器としての携帯電話機、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ、ＬＢ１，ＬＢ２…レーザー光、Ｄ１…隙間（排気口）、Ｓ１…一次封止部、Ｓ２…二次封止部。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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