(57)【要約】【課題】  表示品位の劣化を抑制することを可能とする。【解決手段】  端部の上方の第１領域と第１領域に対して内側に位置する第２領域とを含む第１上面を有する第１導電層と、第２領域に接触している下面を有する下部と下部の上方の上部とを有する第２導電層とを有する、導線を備え、端部は、下面よりも外側に延出している、表示装置。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部の上方の第１領域と前記第１領域に対して内側に位置する第２領域とを含む第１上面を有する第１導電層と、前記第２領域に接触している下面を有する下部と前記下部の上方の上部とを有する第２導電層とを有する、導線を備え、
前記端部は、前記下面よりも外側に延出している、表示装置。
【請求項２】
前記下部の第１側面は、前記下面に対して水平な第１平面に対して傾斜する前記上部の第２側面の第２角度よりも大きい第１角度で前記第１平面に対して傾斜している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１角度は、７０°より大きく９０°以下であり、前記第２角度は、４０°より大きく７０°以下である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記下部の第１幅は、前記上部の第２幅よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記下部の第１側面は、窪んでいる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記上部の第２側面は、窪んでいる、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記下部の第１側面は、曲面を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記上部の第２側面は、平面である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１上面は、凸凹形状を有する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記凸凹形状の幅は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記上部の第２上面に接触している第３導電層を備えている、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１導電層及び前記第３導電層は、チタン、又はモリブデンで形成され、
前記第２導電層は、アルミニウムで形成されている、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記導線は、ソース線、ゲート線、及び電源配線の内の少なくとも１つである、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層を覆っている絶縁膜を有する請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜は、前記第１領域に接触している、請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に備えられるソース線などの各種信号配線は、複数の金属層の積層体によって構成されている。一例では、信号配線は、チタン−アルミニウム−チタン、又はモリブデン−アルミニウム−モリブデンが積層されている３層構造である。しかしながら、アルミニウムは、他の金属材料と比較して、光の反射率が高いため、照明装置からアルミニウムの側面に入射した光が反射して開口部から出光し得る。そのため、例えば、黒表示状態でコントラスト比の低下を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２１４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、端部の上方の第１領域と前記第１領域に対して内側に位置する第２領域とを含む第１上面を有する第１導電層と、前記第２領域に接触している下面を有する下部と前記下部の上方の上部とを有する第２導電層とを有する、導線を備え、前記端部は、前記下面よりも外側に延出している、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態の表示装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、ソース線と金属層との断面の一例を示す模式図である。
【図５】図５は、実施形態の表示装置の他の構成例に係るソース線の一例を示す模式図である。
【図６】図６は、実施形態の表示装置の他の構成例に係るソース線の一例を示す模式図である。
【図７】図７は、実施形態の表示装置の他の構成例に係るソース線の一例を示す模式図である。
【図８】図８は、実施形態の表示装置の他の構成例に係るソース線の一例を示す模式図である。
【図９】図９は、実施形態の表示装置の他の構成例に係るソース線の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器、ＶＲ（Ｖｉｔｒｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ）ビュアー等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す斜視図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、液晶表示装置（以下、単に、表示装置と称する）ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。以下の説明において、第３方向ＺからＸ−Ｙ平面を見ることを平面視という。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、照明装置ＢＬとを備えている。  
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に保持された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域のほぼ中央に位置している。非表示領域ＮＤＡは、画像が表示されない領域であり、表示領域ＤＡの外側に位置している。  
第１基板ＳＵＢ１は、接続部ＣＮを備えている。接続部ＣＮは、フレキシブルプリント配線基板やＩＣチップなどの信号供給源を接続するための端子を備えている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
【００１１】
照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側（第２基板ＳＵＢ２との対向面の反対側）に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能である。一例として、照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１と対向する導光板、この導光板の端部に沿って配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源、導光板の一方の主面側に配置された反射シート、導光板の他方の主面側に積層された各種光学シートなどを備えている。
【００１２】
なお、図示した例の表示パネルＰＮＬは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であるが、これに限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、外光あるいは外部光源からの光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射型であっても良いし、透過型及び反射型の双方の表示機能を備えた半透過型であっても良い。
【００１３】
また、ここでは表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルＰＮＬの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。  
以下、各実施形態において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。
【００１４】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述するゲート線（走査線）とソース線（信号線）とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本のゲート線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本のソース線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。ゲート線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。ソース線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。ゲート線Ｇ、ソース線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、ゲート線Ｇはゲート線駆動回路ＧＤに接続され、ソース線Ｓはソース線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。表示パネルＰＮＬは、非表示領域ＮＤＡにおいて、電圧が印加されている電源配線ＰＷなどを備えている。電源配線ＰＷは、ソース線Ｓ及びゲート線Ｇと同様の構造で構成されている。例えば、電源配線ＰＷは、ソース線Ｓやゲート線Ｇと同じ層上に位置してもよい。この場合、電源配線ＰＷは、絶縁膜で覆われ、絶縁膜が接触している。
【００１５】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＰＳＷは、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、ゲート線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、ソース線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
【００１６】
ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＰＳＷと接続されている。ソース線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＰＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１７】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。ここでは、一例として、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した構成例について説明する。  
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００１８】
第１基板ＳＵＢ１は、支持基板１０、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、絶縁膜１１、絶縁膜１２、絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子やゲート線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。  
支持基板１０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。絶縁膜１１は、支持基板１０の上に位置している。図示しないゲート線やスイッチング素子の半導体層は、支持基板１０と絶縁膜１１の間に位置している。図示していないが支持基板１０、アンダーコート膜、半導体層、絶縁膜、ゲート線、絶縁膜１１が順次積層された構造である。ソース線Ｓは、絶縁膜１１の上に位置している。絶縁膜１２は、ソース線Ｓ、及び、絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、ソース線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと絶縁膜１２との間に位置していても良い。絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び絶縁膜１３を覆っている。
【００１９】
ゲート線、ソース線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。一例ではゲート線はモリブデンとタングステンを有する金属材料から成り、ソース線Ｓはチタンとアルミニウムを有する金属材料から成り、金属層Ｍはモリブデンとアルミニウムを有する金属材料から成る。なお、ゲート線は、モリブデンとアルミニウムを有する金属材料製であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。絶縁膜１１及び絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、絶縁膜１２は有機絶縁膜である。
【００２０】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００２１】
第２基板ＳＵＢ２は、支持基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
支持基板２０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、支持基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、ソース線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００２２】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００２３】
検出電極Ｒｘは、支持基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。  
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、支持基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００２４】
図４は、ソース線Ｓと金属層Ｍとの断面の一例を示す模式図である。図４は、図３の示した表示パネルＰＮＬの一部の構造の拡大している。  
ソース線Ｓは、第１導電層ＳＰ１と、第２導電層ＳＰ２と、第３導電層ＳＰ３とが第３方向Ｚに沿って順に積層されている積層構造の導線である。第２導電層ＳＰ２の厚さＳＴ２は、第１導電層ＳＰ１の厚さＳＴ１及び第３導電層ＳＰ３の厚さＳＴ３よりも大きい。また、厚さＳＴ１は、厚さＳＴ３とほぼ同等である。第１導電層ＳＰ１及び第３導電層ＳＰ３は、例えば、チタン、又はモリブデンなどの金属製である。第２導電層ＳＰ２は、第１導電層ＳＰ１及び第３導電層ＳＰ３よりも光の反射率の高い金属製である。例えば、第２導電層ＳＰ２は、アルミニウムなどの金属製である。
【００２５】
第１導電層ＳＰ１は、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１１に接触している。第１導電層ＳＰ１は、端部ＥＧ１を備えている。第１導電層ＳＰ１は、上面ＳＰＡ１と下面ＳＰＢ１とを備えている。上面ＳＰＡ１は、端部ＥＧ１の上方の領域ＳＰＡ１１と、領域ＳＰＡ１１以外の領域ＳＰＡ１２とを含む。図示した例では、上面ＳＰＡ１は、Ｘ−Ｙ平面に対して水平である。領域ＳＰＡ１２は、第１方向Ｘにおいて領域ＳＰＡ１１に対して内側に位置する領域である。以下で、各構造の中心へ向かう方向を内側と称し、内側と反対方向を外側と称する。
【００２６】
第２導電層ＳＰ２は、第１導電層ＳＰ１の上に位置し、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１に接触している。第２導電層ＳＰ２は、上面ＳＰＡ２と、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１に接触している下面ＳＰＢ２とを有する。図示した例では、上面ＳＰＡ２及び下面ＳＰＢ２は、Ｘ−Ｙ平面に対して水平である。第２導電層ＳＰ２は、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１に接触している下部ＳＰ２１と、第３導電層ＳＰ３に接触している上部ＳＰ２２とを有している。下部ＳＰ２１は、下面ＳＰＢ２を含み、上部ＳＰ２２は、上面ＳＰＡ２を含む。第２導電層ＳＰ２の側面ＳＳ２は、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１と、上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２とを含む。側面ＳＳ２は、側面ＳＳ２１の少なくとも一部が第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１と第３導電層ＳＰ３の端部ＥＧ３と通る平面ＶＰよりも内側に位置している。側面ＳＳ２１は、上面ＳＰＡ１に接触している。図示した例では、下部ＳＰ２１は、Ｘ−Ｙ平面（あるいは上面ＳＰＡ１又は下面ＳＰＢ２）に対して角度α１で側面ＳＳ２１が傾斜するテーパ状の平面（テーパ形状）を有している。上部ＳＰ２２は、Ｘ−Ｙ平面に対して角度α２で側面ＳＳ２２が傾斜するテーパ形状を有している。角度α１は、角度α２よりも大きい。角度α１、α２は、それぞれ、照明装置ＢＬから入射する光の反射率を軽減するためには、大きいほど良い。しかし、角度α１、α２が大きすぎると、上方から入射する外光の反射率が大きく成り得る。照明装置ＢＬから入射する光及び上方から入射する外光の反射率を低減するように、適切な角度で下部ＳＰ２１及び上部ＳＰ２２を傾斜させることが望ましい。一例として、７０°＜α１≦９０°であり、４０°≦α２≦７０°である。また、側面ＳＳ２１は、第１方向Ｘにおいて端部ＥＧ１よりも内側に位置している。下部ＳＰ２１は、上面ＳＰＡ１の領域ＳＰＡ１２に接触し、領域ＳＰＡ１１に接触していない。また、側面ＳＳ２１は、領域ＳＰＡ１２に接触している。換言すると、端部ＥＧ１は、第１方向Ｘにおいて、下面ＳＰＢ２（又は、領域ＳＰＡ１２と側面ＳＳ２１との接触部）よりも外側に延出している。なお、第２導電層ＳＰ２は、下部ＳＰ２１と、上部ＳＰ２２との２つの層に区分したが、２つよりも多くの層に区分しても良い。この場合、第２導電層ＳＰ２において、各層の側面の傾斜角度は、それぞれ、異なっていても良い。
【００２７】
第３導電層ＳＰ３は、上部ＳＰ２２の上面ＳＰＡ２に接触している。図示して例では、第３導電層ＳＰ３の端部ＥＧ３は、上部ＳＰ２２の上面ＳＰＡ２に接触している。また、第３導電層ＳＰ３の第１方向Ｘの幅は、第１導電層ＳＰ１の第１方向Ｘの幅よりも小さい。なお、第３導電層ＳＰ３の第１方向Ｘの幅は、第１導電層ＳＰ１の第１方向Ｘの幅よりも大きくても良いし、小さくても良い。また、上部ＳＰ２２の第１方向Ｘの幅よりも大きくても良いし、小さくても良い。第３導電層ＳＰ３の第１方向Ｘの幅は、上部ＳＰ２２の第１方向Ｘの幅よりも大きくても良いし、小さくても良い。
【００２８】
前述のような、ソース線Ｓは、エッチング時の条件を調整することで成形される。例えば、エッチング時に、第１導電層ＳＰ１や第３導電層ＳＰ３をエッチングするガス成分と第２導電層ＳＰ２をエッチングするガス成分との比率を調整することで、前述のようなソース線Ｓが形成される。一例として、第２導電層ＳＰ２をエッチングするガス成分の比率を大きくすると、エッチングによって除去される第２導電層ＳＰ２の量が大きくなる。  
絶縁膜１２は、第１導電層ＳＰ１、第２導電層ＳＰ２、及び第３導電層ＳＰ３を覆っている。絶縁膜１２は、第２導電層ＳＰ２の側面ＳＳ２と、第３導電層ＳＰ３とに接触している。また、絶縁膜１２は、一部が第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１の領域ＳＰＡ１１に接触している。
【００２９】
金属層Ｍは、第１導電層ＭＰ１と、第２導電層ＭＰ２と、第３導電層ＭＰ３とが順に積層されている積層構造の導線である。第２導電層ＭＰ２の厚さＭＴ２は、第１導電層ＭＰ１の厚さＭＴ１よりも大きい。また、第１導電層ＭＰ１の厚さＭＴ１は、第３導電層ＭＰ３の厚さＭＴ３とほぼ同等である。第１導電層ＭＰ１及び第３導電層ＭＰ３は、例えば、モリブデンなどの金属製であり、第２導電層ＭＰ２は、例えば、アルミニウムなどの金属製である。金属層Ｍの第２導電層ＭＰ２の厚さＭＴ２は、例えば、ソース線Ｓの第２導電層ＳＰ２の厚さＳＴ２と比較して小さい。第１導電層ＭＰ１は、共通電極ＣＥの上に位置し、共通電極ＣＥに接触している。第２導電層ＭＰ２は、第１導電層ＭＰ１の上に位置し、第１導電層ＭＰ１に接触している。第３導電層ＭＰ３は、第２導電層ＭＰ２の上に位置し、第２導電層ＭＰ２に接触している。なお、金属層Ｍは、図示していないが、前述したソース線Ｓと同じ積層構造を適用することもできる。また、前述したソース線Ｓの構造は、他の導線、例えば、ゲート線Ｇ、電源配線ＰＷやドレイン電極ＷＤなどにも適用できる。
【００３０】
本実施形態によれば、表示装置１は、第１導電層ＳＰ１、第２導電層ＳＰ２、及び第３導電層ＳＰ３の順に積層された積層構造のソース線Ｓを備えている。第２導電層ＳＰ２は、第１導電層ＳＰ１に接触している下部ＳＰ２１と、第３導電層ＳＰ３に接触している上部ＳＰ２２とを含んでいる。ソース線Ｓにおいて、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１は、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１よりも内側に位置している。第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１により、照明装置ＢＬから下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１に入射する光が遮蔽される。つまり、照明装置ＢＬから下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１に入射する光が低減される。したがって、各画素ＰＸの開口部に向かう側面ＳＳ２１での反射光を低減できる。そのため、コントラスト比の低下や表示のムラといった表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置が提供される。
【００３１】
次に、本実施形態の他の構成例について図５乃至図１１を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の他の構成例において、前述した実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述した実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
図５に示した構成例は、図４に示した構成例と比較して、第３導電層ＳＰ３の第１方向Ｘの幅が上部ＳＰ２２の第１方向Ｘの幅よりも大きい点が相違している。図示した例では、第３導電層ＳＰ３の第１方向Ｘの幅は、第１導電層ＳＰ１の第１方向Ｘの幅よりも大きい。このとき、第３導電層ＳＰ３の端部ＥＧ３は、第１方向Ｘにおいて、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１よりも外側に位置している。このような構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、第３導電層ＳＰ３により各画素ＰＸの開口部に向かう反射光が遮光されるため、各画素ＰＸの開口部に向かう側面ＳＳ２（側面ＳＳ２１及び側面ＳＳ２２）での反射光を低減できる。
【００３３】
図６に示した構成例は、図４に示した構成例と比較して、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１の両方に凸凹形状を有している点が相違している。一例として、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１の凸凹形状の幅ＵＰＴは、それぞれ、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１の凸凹形状の幅ＵＰＴは、それぞれ、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。このような第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１の凸凹形状は、例えば、プラズマ放電により下地となる絶縁膜を荒らすことで生成され得る。このような構成例においても、上記と同様の効果が得られる。加えて、第１導電層ＳＰ１と第２導電層ＳＰ２との接地面積が大きくなるために、第１導電層ＳＰ１と第２導電層ＳＰ２との密着性が向上し得る。また、第１導電層ＳＰ１と絶縁膜１１との接地面積が大きくなるために、第１導電層ＳＰ１と絶縁膜１１との密着性が向上し得る。  
なお、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１の両方に凸凹形状を有しているように記載したが、第１導電層ＳＰ１は、上面ＳＰＡ１及び下面ＳＰＢ１のいずれか一方のみに凸凹形状を有していても良い。上面ＳＰＡ１のみに凸凹形状が形成されている場合、第１導電層ＳＰ１と第２導電層ＳＰ２との密着性が向上し得る。また、下面ＳＰＢ１のみに凸凹形状が形成されている場合、第１導電層ＳＰ１と下地となる絶縁膜１１との密着性が向上し得る。
【００３４】
図７に示した構成例は、図４に示した構成例と比較して、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１が内側に窪んでいる点が相違している。図示した例では、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１は、内側に湾曲している曲面を有している。下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１は、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１よりも内側に位置している。下部ＳＰ２１の第１方向の幅ＷＴ２１は、上部ＳＰ２２の第１方向の幅ＷＴ２２よりも小さい。例えば、幅ＷＴ２１は、第１方向Ｘにおいて、下部ＳＰ２１の最も内側に窪んでいる部分の幅であり、幅ＷＴ２２は、第１方向Ｘにおいて、上部ＳＰ２２の最も大きい部分の幅である。また、幅ＷＴ２１は、第１導電層ＳＰ１の第１方向Ｘの幅よりも小さい。幅ＷＴ２２は、第１導電層ＳＰ１の第１方向Ｘの幅よりも小さくとも良いし、大きくとも良い。なお、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１の一部が平面ＶＰよりも内側に位置していれば、下部ＳＰ２１は、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１の領域ＳＰＡ１１に接触していても良い。また、上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２は、テーパ状の平面を有していても良いし、曲面を有していても良い。このような構成例においても、上記と同様の効果が得られる。加えて、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１が内側に窪んでいるため、照明装置ＢＬから側面ＳＳ２１に入射する光は、下方に反射する。そのため、各画素ＰＸの開口部へ向かう反射光を軽減することが可能である。
【００３５】
図８に示した構成例は、図７に示した構成例と比較して、第２導電層ＳＰ２の側面ＳＳ２（ＳＳ２１及びＳＳ２２）が内側に窪んでいる点が相違している。図示した例では、側面ＳＳ２は、内側に湾曲している曲面を有している。下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１は、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１よりも内側に位置している。なお、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１の一部が平面ＶＰよりも内側に位置していれば、下部ＳＰ２１は、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１の領域ＳＰＡ１１に接触していても良い。このような構成例においても、上記と同様の効果が得られる。加えて、第２導電層の側面ＳＳ２が内側に窪んでいるため、照明装置ＢＬから上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２に入射する光は、下方に反射する。また、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１により、照明装置ＢＬから下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１に入射する光が遮蔽される。そのため、各画素ＰＸの開口部へ向かう反射光を前述の実施形態よりも軽減することが可能である。
【００３６】
図９に示した構成例は、図４に示した構成例と比較して、第２導電層ＳＰ２の下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１が曲面を有し、上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２がテーパ状の平面を有している点が異なる。図示した例では、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１が緩やかに湾曲する曲面を有し、上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２が急峻に傾斜している平面を有している。下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１及び上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２は、平面ＶＰよりも内側に位置している。また、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１は、第１導電層ＳＰ１の端部ＥＧ１よりも内側に位置している。なお、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１の一部が平面ＶＰよりも内側に位置していれば、下部ＳＰ２１は、第１導電層ＳＰ１の上面ＳＰＡ１の領域ＳＰＡ１１に接触していても良い。このような構成例においても、上記と同様の効果が得られる。なお、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１が曲面を有し、且つ上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２がテーパ状の平面を有するとしたが、第２導電層ＳＰ２の側面ＳＳ２が、下部ＳＰ２１の側面ＳＳ２１から上部ＳＰ２２の側面ＳＳ２２に亘って曲面を有していても良い。
【００３７】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＳＵＢ１…第１基板
照明装置…ＢＬ  ＤＡ…表示領域  ＮＤＡ…非表示領域
ゲート線駆動回路…ＧＤ  ソース線駆動回路…ＳＤ  共通電極駆動回路…ＣＤ
ソース線…Ｓ  ゲート線…Ｇ  共通電極…ＣＥ  電源配線…ＰＷ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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