(57)【要約】【課題】樹脂漏れを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子１と、半導体発光素子１を覆う封止樹脂７と、厚さ方向ｚにおいて、厚さ方向ｚ前方を向く基材主面３１および厚さ方向ｚ後方を向く基材裏面３２と、長さ方向ｘにおいて、互いに反対側を向く一対の第１基材側面３３，３４と、幅方向ｙにおいて、互いに反対側を向く一対の第２基材側面３５，３６とを有する基材３を具備し、半導体発光素子１および封止樹脂７を支持する支持部材２と、を備えた半導体発光装置Ａ１において、支持部材２は、厚さ方向ｚにおいて基材主面３１より隆起し、かつ、平面である隆起平面２１を有しており、隆起平面２１は、封止樹脂７から露出し、かつ、厚さ方向ｚ視において、幅方向ｙの一方の端縁から他方の端縁まで、幅方向ｙに繋がる部分を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆う封止樹脂と、
厚さ方向である第１方向において、前記第１方向一方を向く基材主面および前記第１方向他方を向く基材裏面と、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに反対側を向く一対の第１基材側面と、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向において、互いに反対側を向く一対の第２基材側面とを有する基材を具備し、前記半導体発光素子および前記封止樹脂を支持する支持部材と、
を備えた半導体発光装置において、
前記支持部材は、前記第１方向において前記基材主面より隆起し、かつ、平面である隆起平面を有しており、
前記隆起平面は、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１方向視において、前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁まで、前記第３方向に繋がる部分を有する、
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記隆起平面はすべて、前記封止樹脂から露出している、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記隆起平面は、前記第１方向視において、前記封止樹脂の前記第２方向の端縁に接している、
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記第２方向に突出する突出部を有しており、
前記突出部は、前記基材主面が向く方向と同じ方向を向く面が、前記第１方向において、前記隆起平面と同じ位置である、
請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記隆起平面は、前記支持部材のうち前記封止樹脂から露出している部分において、最も前記基材主面が向く方向側に位置する、
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記支持部材は、前記基材上に形成された配線パターンをさらに具備する、
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記配線パターンは、前記基材主面に形成された主面電極を有する、
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記隆起平面は、前記主面電極の一部である、
請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記支持部材は、絶縁性の材質からなるレジスト層をさらに具備する、
請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記レジスト層は、前記基材主面上に形成された基材被覆部を有しており、
前記隆起平面は、前記基材被覆部の一部である、
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記レジスト層は、前記主面電極上に形成されたパターン被覆部を有しており、
前記隆起平面は、前記パターン被覆部の一部である、
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、互いに離間した一対の裏面電極を有する、
請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える、
請求項１２に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記主面電極は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部と、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部と、を有する、
請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記配線パターンは、前記第１基材側面に形成され、かつ、前記主面電極と前記裏面電極とを繋ぐ一対の側面電極を有する、
請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記第１基材側面は、前記第２方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面まで貫通するスルーホールを有し、
前記配線パターンは、前記スルーホールの表面に形成された一対の側面電極を有する、
請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記主面電極は、前記第１方向視において、前記側面電極につながる一対の端縁部と、一方が前記端縁部の一方と前記ダイボンディング部とを繋ぎ、他方が前記端縁部の他方と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ一対の連結部とを有する、
請求項１５または請求項１６に記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
前記主面電極は、前記連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け延びる一対の延出部を、さらに有する、
請求項１７に記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
前記隆起平面は、前記延出部上に形成された前記パターン被覆部の一部である、
請求項１８に記載の半導体発光装置。
【請求項２０】
前記レジスト層は、前記第１方向視において前記ダイボンディング部の周囲を囲う円環部を有する、
請求項１４ないし請求項１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２１】
請求項１ないし請求項２０のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
前記隆起平面を有する前記支持部材を形成する支持部材形成工程と、
前記支持部材に前記半導体発光素子を接合する素子接合工程と、
一対の金型で前記支持部材を前記第１方向から挟み込み、前記金型の内部のキャビティ内に樹脂材料を注入し、前記封止樹脂を成形する金型成形工程と、を有しており、
前記金型成形工程の前工程において、前記金型が当接する金型押圧領域を考慮して、前記隆起平面が、前記金型押圧領域内で、一方の前記第３方向端縁から他方の前記第３方向端縁まで前記第３方向に連続的に繋がるように、前記支持部材形成工程を行う、
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記支持部材形成工程は、
前記基材を準備する基材準備工程と、
前記基材に配線パターンを形成するパターン形成工程と、
レジスト層を形成するレジスト形成工程と、
を有しており、
前記レジスト形成工程において、フィルム状のレジストを圧着させて貼り付けた後、硬化させて前記レジスト層を形成する、
請求項２１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を用いた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、従来の半導体発光装置の一例を開示している。同文献に開示された半導体発光装置は、基材、半導体発光素子、配線パターン、レジスト層、および、封止樹脂を備えている。前記半導体発光装置において、前記配線パターンおよび前記レジスト層は、前記基材上に形成されている。前記レジスト層は、前記配線パターン上に形成された部分（パターン被覆部）と前記基材上に形成された部分（基材被覆部）を有する。また、前記半導体発光素子は、前記基材に搭載されている。前記封止樹脂は、前記基材上に形成され、前記半導体発光素子を覆っている。そして、前記封止樹脂は、一般的に、モールド成形により形成される。モールド成形は前記封止樹脂を形成する方法の一種であり、上記半導体発光装置においては、上下一対の金型で基材を挟み込み、前記基材と前記金型との間に生じるキャビティ内にエポキシ樹脂などの樹脂材料を注入し、充填させる。そして、充填させた樹脂材料を硬化させて、前記封止樹脂を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１１５４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体発光装置においては、前記基材が露出する部分（前記配線パターンおよび前記レジスト層がともに形成されない部分）、前記基材被覆部、および、前記パターン被覆部などが存在し、これらにより、厚さ方向に段差が生じる。この段差が原因となり、前記金型で前記基材を挟み込んだときに、前記金型と前記基材との間に隙間が発生することがある。その結果、当該隙間を介して、キャビティ内に注入した樹脂材料が意図せぬところに漏れ出してしまうことがある。このような樹脂漏れにより形成された前記封止樹脂が外部回路に接続するための端子部を覆ってしまうと、外部回路との導通経路が確保できなくなる。また、前記樹脂漏れは樹脂バリの原因となり、樹脂バリ除去の工程が必要になってしまう。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みて創作されたものであり、その目的は、樹脂漏れを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面によって提供される半導体発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆う封止樹脂と、厚さ方向である第１方向において、前記第１方向一方を向く基材主面および前記第１方向他方を向く基材裏面と、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに反対側を向く一対の第１基材側面と、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向において、互いに反対側を向く一対の第２基材側面とを有する基材を具備し、前記半導体発光素子および前記封止樹脂を支持する支持部材と、を備えた半導体発光装置において、前記支持部材は、前記第１方向において前記基材主面より隆起し、かつ、平面である隆起平面を有しており、前記隆起平面は、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１方向視において、前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁まで、前記第３方向に繋がる部分を有することを特徴とする。
【０００７】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記隆起平面はすべて、前記封止樹脂から露出している。
【０００８】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記隆起平面は、前記第１方向視において、前記封止樹脂の前記第２方向の端縁に接している。
【０００９】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記封止樹脂は、前記第２方向に突出する突出部を有しており、前記突出部は、前記基材主面が向く方向と同じ方向を向く面が、前記第１方向において、前記隆起平面と同じ位置である。
【００１０】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記隆起平面は、前記支持部材のうち前記封止樹脂から露出している部分において、最も前記基材主面が向く方向側に位置する。
【００１１】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記支持部材は、前記基材上に形成された配線パターンをさらに具備する。
【００１２】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記基材主面に形成された主面電極を有する。
【００１３】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記隆起平面は、前記主面電極の一部である。
【００１４】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記支持部材は、絶縁性の材質からなるレジスト層をさらに具備する。
【００１５】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記レジスト層は、前記基材主面上に形成された基材被覆部を有しており、前記隆起平面は、前記基材被覆部の一部である。
【００１６】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記レジスト層は、前記主面電極上に形成されたパターン被覆部を有しており、前記隆起平面は、前記パターン被覆部の一部である。
【００１７】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、互いに離間した一対の裏面電極を有する。
【００１８】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える。
【００１９】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部と、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部と、を有する。
【００２０】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記第１基材側面に形成され、かつ、前記主面電極と前記裏面電極とを繋ぐ一対の側面電極を有する。
【００２１】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記第１基材側面は、前記第２方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面まで貫通するスルーホールを有し、前記配線パターンは、前記スルーホールの表面に形成された一対の側面電極を有する。
【００２２】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記第１方向視において、前記側面電極につながる一対の端縁部と、一方が前記端縁部の一方と前記ダイボンディング部とを繋ぎ、他方が前記端縁部の他方と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ一対の連結部とを有する。
【００２３】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け延びる一対の延出部を、さらに有する。
【００２４】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記隆起平面は、前記延出部上に形成された前記パターン被覆部の一部である。
【００２５】
前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記レジスト層は、前記第１方向視において前記ダイボンディング部の周囲を囲う円環部を有する。
【００２６】
本発明の第２の側面によって提供される半導体発光装置の製造方法は、前記第１の側面によって提供される前記半導体発光装置の製造方法であって、前記隆起平面を有する前記支持部材を形成する支持部材形成工程と、前記支持部材に前記半導体発光素子を接合する素子接合工程と、一対の金型で前記支持部材を前記第１方向から挟み込み、前記金型の内部のキャビティ内に樹脂材料を注入し、前記封止樹脂を成形する金型成形工程と、を有しており、前記金型成形工程の前工程において、前記金型が当接する金型押圧領域を考慮して、前記隆起平面が、前記金型押圧領域内で、一方の前記第３方向端縁から他方の前記第３方向端縁まで前記第３方向に連続的に繋がるように、前記支持部材形成工程を行うことを特徴とする。
【００２７】
前記半導体発光装置の製造方法の好ましい実施の形態において、前記支持部材形成工程は、前記基材を準備する基材準備工程と、前記基材に配線パターンを形成するパターン形成工程と、レジスト層を形成するレジスト形成工程と、を有しており、前記レジスト形成工程において、フィルム状のレジストを圧着させて貼り付けた後、硬化させて前記レジスト層を形成する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、半導体発光装置において、支持部材は、隆起平面を有しており、当該隆起平面は、封止樹脂から露出し、かつ、第１方向視において、第３方向の一方の端縁から他方の端縁まで、第３方向に繋がっている。これにより、金型成形工程において、金型で支持部材を挟み込んだときに、金型と隆起平面とが当接し、金型と支持部材との間の隙間がなくなる。したがって、樹脂材料を金型の内部に注入したとき、隙間からの樹脂漏れを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の正面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の右側側面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の左側側面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の底面図ある。
【図６】図４の平面図において封止樹脂を省略した図である。
【図７】図４のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】本発明の製造方法において、基材準備工程後の集合基材を示す図である。
【図９】本発明の製造方法において、パターン形成工程後の集合基材を示す図である。
【図１０】本発明の製造方法において、レジスト形成工程後の集合基材を示す図である。
【図１１】本発明の製造方法において、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程後の集合基材を示す図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図１２の断面図の一部を拡大した拡大断面図である。
【図１４】本発明の製造方法において、金型成形工程後の集合基材を示す図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図１８】図１７のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１９】本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図２０】本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図２１】本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図２３】本発明の変形例に係る半導体発光装置を説明するための図である。
【図２４】本発明の変形例に係る金型を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。
【００３１】
図１〜図７は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置Ａ１を示す図である。本実施形態に係る半導体発光装置Ａ１は、半導体発光素子１、支持部材２（基材３、配線パターン４、レジスト層５）、ワイヤ６、および、封止樹脂７を備えている。
【００３２】
図１は、半導体発光装置Ａ１の正面図である。図２は、図１に示した半導体発光装置Ａ１の右側面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１の左側面図である。図４は、図１に示した半導体発光装置Ａ１の平面図である。図５は、図１に示した半導体発光装置Ａ１の底面図である。図６は、図４に示す平面図において封止樹脂７を省略したものである。図７は、図４のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【００３３】
図１〜図７において、半導体発光装置Ａ１の長さ方向をｘ、幅方向をｙ、厚さ方向をｚとする。これら長さ方向ｘ、幅方向ｙ、および、厚さ方向ｚは互いに直交する。また、各方向において、矢印が向く方向を前方とし、その反対方向を後方としている。よって、図２は、半導体発光装置Ａ１の厚さ方向ｘ前方側から見た側面図であり、図３は、半導体発光装置Ａ１の厚さ方向ｚ後方側から見た側面図である。厚さ方向ｚが本発明の「第１方向」に相当し、長さ方向ｘが本発明の「第２方向」、幅方向ｙが本発明の「第３方向」に相当する。
【００３４】
半導体発光素子１は、半導体発光装置Ａ１の光源となる電子部品である。本実施形態においては、半導体発光素子１は、いわゆるＬＥＤチップである。なお、ＬＥＤチップに限定されず、受光素子あるいはダイオードなどであってもよい。半導体発光素子１は、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを有する。ｎ型半導体層は活性層に積層されている。活性層はｐ型半導体層に積層されている。よって、活性層はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する。ｎ型半導体層、活性層、および、ｐ型半導体層は、例えば、ＧａＮよりなる。半導体発光素子１は、厚さ方向ｚ前方を向く面に主面電極パッドを有し、厚さ方向ｚ後方を向く面に裏面電極パッドを有する。なお、これらの図示は省略する。半導体発光素子１は、支持部材２に搭載されている。半導体発光素子１の発光色は特に限定されない。
【００３５】
支持部材２は、半導体発光素子１および封止樹脂７を支持するものである。本実施形態においては、支持部材２は、基材３、配線パターン４、および、レジスト層５を具備する。また、本実施形態においては、支持部材２は、隆起平面２１を有する。
【００３６】
隆起平面２１は、支持部材２の厚さ方向ｚ前方を向く面のうち、厚さ方向ｚ前方に隆起した部分である。具体的には、隆起平面２１は、後述する基材３の基材主面３１から厚さ方向ｚ前方に最も隆起した部分である。隆起平面２１は、平面をなし、本実施形態においては、厚さ方向ｚに直交する面（ｘ−ｙ平面）に対して平行である。また、隆起平面２１は、封止樹脂７から露出している。隆起平面２１は、図４に示すように、厚さ方向ｚ視において、支持部材２の幅方向ｙの一方の端縁から他方の端縁まで、幅方向ｙに繋がっている。隆起平面２１は、封止樹脂７の金型成形工程（後述）で用いられる金型９１に当接する面である。なお、理解の便宜上、一部の図（図４および図６など）において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。
【００３７】
基材３は、支持部材２のベースとなる部分であり、絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性の樹脂もしくはセラミックなどが挙げられる。絶縁性の樹脂としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。セラミックとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ，またはＡｌＮなどが挙げられる。なお、基材３は、アルミニウムなどの金属よりなる基板に、絶縁膜が形成されたものであってもよい。基材３は、厚さ方向ｚ視において、長さ方向ｘに長く伸びた矩形状を呈する。基材３は、基材主面３１、基材裏面３２、一対の第１基材側面３３，３４、および、一対の第２基材側面３５，３６を有する。
【００３８】
基材主面３１および基材裏面３２は、図１および図７に示すように、厚さ方向ｚにおいて、離間しており、互いに反対側を向く。基材主面３１は、厚さ方向ｚ前方を向く面である。基材裏面３２は、厚さ方向ｚ後方を向く面である。基材主面３１および基材裏面３２はともに、平坦である。
【００３９】
一対の第１基材側面３３，３４は、図１、図４、図５および図６に示すように、長さ方向ｘに離間しており、互いに反対側を向く。第１基材側面３３は、長さ方向ｘ前方を向く面であり、第１基材側面３４は、長さ方向ｘ後方を向く面である。第１基材側面３３，３４はともに、厚さ方向ｚ前方の端部が基材主面３１に繋がり、厚さ方向ｚ後方の端部が基材裏面３２に繋がっている。また、第１基材側面３３，３４はともに、平坦である。第１基材側面３３，３４はそれぞれ、スルーホール部３３１，３４１を有する。
【００４０】
スルーホール部３３１，３４１はそれぞれ、第１基材側面３３，３４から基材３の内側に向け凹んだ部分である。スルーホール部３３１，３４１はともに、基材主面３１から基材裏面３２に向けて貫通している。本実施形態においては、スルーホール部３３１，３４１は、厚さ方向ｚ視において、半円形状をなす。
【００４１】
一対の第２基材側面３５，３６は、図２〜図６に示すように、幅方向ｙに離間しており、互いに反対側を向く。第２基材側面３５は、幅方向ｙ前方を向く面であり、第２基材側面３６は、幅方向ｙ後方を向く面である。第２基材側面３５，３６はともに、厚さ方向ｚ前方の端部が基材主面３１に繋がり、厚さ方向ｚ後方の端部が基材裏面３２に繋がっている。また、第２基材側面３５，３６はともに、平坦である。
【００４２】
配線パターン４は、半導体発光素子１に電力を供給するための電流経路を構成するものである。配線パターン４は、半導体発光素子１に導通している。配線パターン４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕなどの単種類または複数種類の金属からなる。配線パターン４は基材３に形成されている。本実施形態においては、配線パターン４は、Ｃｕ箔上にＡｕめっきされて形成されている。なお、配線パターン４の材質は特に限定されない。配線パターン４は、主面電極４１、裏面電極４２，４３、および、側面電極４４，４５を有する。
【００４３】
主面電極４１は、基材３の基材主面３１の一部を覆う。主面電極４１は、ダイボンディング部４１１、ワイヤボンディング部４１２、第１端縁部４１３、第２端縁部４１４、第１連結部４１５、第２連結部４１６、第１延出部４１７、および、第２延出部４１８を有している。
【００４４】
ダイボンディング部４１１は、半導体発光素子１を支持する部分である。ダイボンディング部４１１は、導電性を有する接合材（図示略）により、ダイボンディング部４１１と裏面電極パッドとが向かい合うように、半導体発光素子１が接合されている。このような接合材としては、例えば、はんだやＡｇペーストなどが挙げられる。本実施形態においては、ダイボンディング部４１１は、厚さ方向ｚ視において、円形状をなす。なお、ダイボンディング部４１１は円形状に限らず、矩形状や多角形状などであってもよい。
【００４５】
ワイヤボンディング部４１２は、ワイヤ６をボンディングする部分である。本実施形態においては、ワイヤボンディング部４１２は、厚さ方向ｚ視において、矩形状をなす。なお、ワイヤボンディング部４１２の形状は、これに限定されない。
【００４６】
第１端縁部４１３は、基材主面３１のうち、スルーホール部３３１と繋がる部分近傍を覆っている。第２端縁部４１４は、基材主面３１のうち、スルーホール部３４１と繋がる部分近傍を覆っている。本実施形態においては、第１端縁部４１３および第２端縁部４１４はともに、厚さ方向ｚ視において、半円環状をなす。
【００４７】
第１連結部４１５は、ダイボンディング部４１１と第１端縁部４１３とを繋ぐ。第２連結部４１６は、ワイヤボンディング部４１２と第２端縁部４１４とを繋ぐ。本実施形態においては、第１連結部４１５および第２連結部４１６はともに、長さ方向ｘに直線状に延びる帯状である。また、本実施形態においては、第１連結部４１５および第２連結部４１６は、幅方向ｙの中央付近に位置している。なお、第１連結部４１５および第２連結部４１６の形状は、これに限定されない。
【００４８】
第１延出部４１７は、第１連結部４１５から幅方向ｙに延び出た部分である。第２延出部４１８は、第２連結部４１６から幅方向ｙに延び出た部分である。第１延出部４１７および第２延出部４１８は、基材主面３１の幅方向ｙ前方の端縁から幅方向ｙ後方の端縁まで繋がっている。第１延出部４１７は、基材主面３１の長さ方向ｘ前方側に配置されている。第２延出部４１８は、基材主面３１の長さ方向ｘ方向後方側に配置されている。本実施形態においては、第１延出部４１７は、第１端縁部４１３および第１連結部４１５に繋がっている。また、第２延出部４１８は、第２端縁部４１４および第２連結部４１６に繋がっている。第１延出部４１７および第２延出部４１８はともに、厚さ方向ｚ前方を向く面が平坦である。
【００４９】
裏面電極４２，４３は、基材裏面３２の一部を覆っている。裏面電極４２，４３は、半導体発光装置Ａ１を実装基板などに実装する際の接合箇所として用いられる。裏面電極４２，４３は、互いに、長さ方向ｘに離間し、絶縁されている。裏面電極４２は長さ方向ｘ前方側に配置されており、裏面電極４３は長さ方向ｘ後方側に配置されている。
【００５０】
側面電極４４，４５はそれぞれ、基材３のスルーホール部３３１，３４１の表面を覆っている。側面電極４４，４５は、基材主面３１から基材裏面３２に達している。側面電極４４は、厚さ方向ｚ前方の端縁が第１端縁部４１３に繋がり、厚さ方向ｚ後方の端縁が裏面電極４２に繋がっている。したがって、半導体発光素子１の裏面電極パッドは、ダイボンディング部４１１、第１連結部４１５、第１端縁部４１３、および、側面電極４４を介して、裏面電極４２と電気的に接続されている。側面電極４５は、厚さ方向ｚ前方の端縁が第２端縁部４１４に繋がり、厚さ方向ｚ後方の端縁が裏面電極４３に繋がっている。
【００５１】
レジスト層５は、絶縁性を有する材質からなる。レジスト層５は、基材主面側レジスト５１を含んでいる。
【００５２】
基材主面側レジスト５１は、基材３の基材主面３１側に形成されている。基材主面側レジスト５１は、フィルム状のレジストを圧着して貼り付け、硬化させることで、基材主面３１に形成される。フィルム状のレジストを圧着するときの圧力により、基材主面側レジスト５１は、厚さ方向ｚ前方の面が平面となる。基材主面側レジスト５１は、パターン被覆部５１１および基材被覆部５１３を有する。
【００５３】
パターン被覆部５１１は、基材主面側レジスト５１のうち、配線パターン４上に形成された部分である。パターン被覆部５１１は、厚さ方向ｚ前方の面が平坦である。本実施形態においては、パターン被覆部５１１は、図６に示すように、第１延出部４１７および第２延出部４１８の一部を覆っており、厚さ方向ｚ視において、第２基材側面３５から第２基材側面３６まで幅方向ｙに繋がっている。また、パターン被覆部５１１は、図７に示すように、封止樹脂７より長さ方向ｘの外側に位置し、封止樹脂７から露出している。さらに、パターン被覆部５１１は、図６および図７に示すように、封止樹脂７の長さ方向ｘの端縁に接している。そして、パターン被覆部５１１は、支持部材２のうち最も厚さ方向ｚ前方に位置し、基材主面３１より厚さ方向ｚ前方に隆起している。したがって、本実施形態においては、パターン被覆部５１１の厚さ方向ｚ前方を向く面が、支持部材２（基材３、配線パターン４、および、レジスト層５）のうち最も厚さ方向ｚ前方に位置し、隆起平面２１に相当する。
【００５４】
基材被覆部５１３は、基材主面側レジスト５１のうち、基材３上に形成された部分である。基材被覆部５１３は、厚さ方向ｚ前方を向く面が平坦である。基材被覆部５１３は、極性判断目印部５１４を有している。
【００５５】
極性判断目印部５１４は、半導体発光装置Ａ１の極性を判断させるための目印として機能する。具体的には、極性判断目印部５１４は、半導体発光装置Ａ１において長さ方向ｘのいずれの端縁側が正極端子であるかいずれの端縁側が負極端子であるかを示している。利用者は、半導体発光装置Ａ１を実装基板などに実装する際に、極性判断目印部５１４に基づき、裏面電極４２，４３のいずれを正極側に接続し、いずれを負極側に接続するかを判断している。本実施形態においては、極性判断目印部５１４は、基材３の長さ方向ｘの中央位置より、長さ方向ｘ前方側に形成され、かつ、幅方向ｙの両端縁側に形成されている。なお、本実施形態においては、基材被覆部５１３と極性判断目印部５１４とは一致している。
【００５６】
ワイヤ６は、半導体発光素子１と配線パターン４とを導通させるためのものである。ワイヤ６は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの導電性の金属からなり、ワイヤボンディングによりボンディングされている。ワイヤ６は、一端が半導体発光素子１の主面電極パッドにボンディングされ、他端がワイヤボンディング部４１２にボンディングされている。したがって、半導体発光素子１の主面電極パッドは、ワイヤ６、ワイヤボンディング部４１２、第２連結部４１６、第２端縁部４１４、および、側面電極４５を介して、裏面電極４３と電気的に接続されている。
【００５７】
封止樹脂７は、半導体発光素子１、配線パターン４の一部、レジスト層５の一部、および、ワイヤ６を覆っている。封止樹脂７は、光を透過させる樹脂材料からなる。このような樹脂材料として、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などが挙げられる。また、半導体発光素子１からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光材料を含むものであってもよい。
【００５８】
封止樹脂７は、金型成形工程においてモールド成形により形成される。封止樹脂７は、長さ方向ｘにおいて、支持部材２よりも小である。本実施形態においては、封止樹脂７は、四角錐台状であり、厚さ方向ｚ前方を向く面が厚さ方向ｚ後方を向く面より小である。なお、四角錐台状に限らず、厚さ方向ｚ前方に突き出る半球体状であってもよく、厚さ方向ｚ前方の面を凹面にしてもよい。また、本実施形態においては、封止樹脂７は、突出部７１を有している。
【００５９】
突出部７１は、封止樹脂７の厚さ方向ｚ後方側の端縁部分から長さ方向ｘに突き出た部分である。突出部７１は、厚さ方向ｚ前方を向く面が平坦である。突出部７１は、図１および図７に示すように、長さ方向ｘの端縁がパターン被覆部５１１（隆起平面２１）に接している。また、突出部７１の厚さ方向ｚ前方を向く面は、厚さ方向ｚにおいて、隆起平面２１と同じ位置である。
【００６０】
次に、本実施形態に係る半導体発光装置Ａ１の製造方法について、図８〜図１４を参照し、説明する。本実施形態においては、複数の半導体発光装置Ａ１を製造する場合を例に説明する。本発明に係る半導体発光装置Ａ１の製造方法は、基材準備工程、パターン形成工程、レジスト形成工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、および、金型成形工程を有する。なお、基材準備工程、パターン形成工程、および、レジスト形成工程を合わせた工程が、本発明の「支持部材形成工程」に相当する。
【００６１】
基材準備工程では、複数の貫通孔３０１がマトリクス状に形成された、矩形状の集合基材３００ａ（図８参照）を用意する。当該集合基材３００ａは、図１〜図７に示す基材３を複数個形成可能なサイズとされる。図８においては、６個の基材３を形成可能なサイズとし、集合基材３００ａには、半円形状の貫通孔３０１が６つ、および、円形状の貫通孔３０１が３つ形成されている。複数の貫通孔３０１は、例えば、パンチング処理により形成される。集合基材３００ａは、上記基材３の材質と同じ、ガラスエポキシ樹脂からなる。
【００６２】
パターン形成工程では、上記集合基材３００ａに配線パターン４を形成する。配線パターン４は、Ｃｕ箔にＡｕめっきを施すことにより、形成される。当該パターン形成工程により、集合基材３００ａに配線パターン４が形成された集合基材３００ｂ（図９参照）が形成される。
【００６３】
レジスト形成工程では、上記配線パターン４を形成した集合基材３００ｂにレジスト層５を形成する。本実施形態においては、集合基材３００ｂの厚さ方向ｚ前方の面にフィルム状のレジストを圧着し貼り付ける。そして、露光などにより、硬化させることで、基材主面側レジスト５１が形成される。レジスト形成工程において、基材主面側レジスト５１は、フィルム状のレジストを圧着させたときの圧力により、厚さ方向ｚ前方側の面は平坦になる。また、形成された基材主面側レジスト５１には、配線パターン４上に形成されたパターン被覆部５１１、および、集合基材３００ｂ上（配線パターン４が形成されていない部分）に形成された基材被覆部５１３が形成される。
【００６４】
形成されたパターン被覆部５１１は、支持部材２（基材３、配線パターン４、および、レジスト層５）のうち、最も厚さ方向ｚ前方に位置しており、厚さ方向ｚ前方を向く面が隆起平面２１をなしている。レジスト形成工程においては、後述する金型成形工程の際に、後述する金型９１で押さえる領域（図１０の点線で囲われた領域）内で、隆起平面２１が、集合基材３００ｃの幅方向ｙ前方の端縁から幅方向ｙ後方の端縁まで繋がるように、レジスト層５を形成する位置を考慮しておく。当該レジスト形成工程により、集合基材３００ｂにレジスト層５が形成された集合基材３００ｃ（図１０参照）が形成される。
【００６５】
ダイボンディング工程では、半導体発光素子１を、集合基材３００ｃの片面（厚さ方向ｚ前方の面）に、周知のダイボンディングの手法によって、搭載する。当該ダイボンディング工程が、本発明の「素子接合工程」に相当する。そして、ワイヤボンディング工程では、ワイヤ６を、周知のワイヤボンディングの手法により、半導体発光素子１の主面電極パッドとワイヤボンディング部４１２とにワイヤボンディングする。これにより、半導体発光素子１と配線パターン４との導通が確保される。これらダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程により、集合基材３００ｃに半導体発光素子１およびワイヤ６がボンディングされた集合基材３００ｄ（図１１参照）が形成される。
【００６６】
金型成形工程では、上記集合基材３００ｄに封止樹脂７をモールド形成する。図１２および図１３は、金型成形工程を説明するための図である。図１２は、金型成形工程における、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図を示しており、図１３は、図１２の点線で示した部分の部分拡大図である。金型成形工程においては、図１２に示すように、一対の金型９１，９２で集合基材３００ｄを厚さ方向ｚ方向から挟み込む。
【００６７】
金型９１は、厚さ方向ｚ前方側から集合基材３００ｄを押さえる。金型９１は、凹部９１１、当接面９１２、角部９１３、および、傾斜部９１４を有する。凹部９１１は、金型９１において、厚さ方向ｚ後方側から厚さ方向ｚ前方側に凹んだ部分である。凹部９１１の寸法および形状は、封止樹脂７の外形と略同一である。当接面９１２は、厚さ方向ｚ後方を向き、かつ、金型９１のうち、最も厚さ方向ｚ後方側に位置する面である。当接面９１２は、平坦である。角部９１３は、凹部９１１（傾斜部９１４）と当接面９１２との境界をなす部分である。傾斜部９１４は、凹部９１１のうち、厚さ方向ｚ後方側に位置し、厚さ方向ｚ後方側に向かうほど、厚さ方向ｚに直交するｘ−ｙ平面による断面が大になるように傾斜している。
【００６８】
このように構成された金型９１は、当接面９１２により、集合基材３００ｄの厚さ方向ｚ前方側の面を押さえている。本実施形態においては、金型９１は、パターン被覆部５１１（隆起平面２１）に当接する。このとき、隆起平面２１において、仮に多少の凹凸があったとしても、金型９１（当接面９１２）で押さえられることで、前記凹凸が吸収され、平坦になる。なお、図１１において、当接面９１２で押さえる領域（金型押圧領域）を細い点線で囲っている。
【００６９】
金型９２は、厚さ方向ｚ後方側から集合基材３００ｄを押さえる。金型９２は、厚さ方向ｚ前方側の面が一様に平坦であり、集合基材３００ｄの厚さｚ後方側の面を押さえている。本実施形態においては、金型９２は、裏面電極４２，４３に当接する。
【００７０】
金型成形工程において、金型９１の凹部９１１内に半導体発光素子１を収容するように、一対の金型９１，９２で集合基材３００ｄを挟み込む。これにより、凹部９１１と集合基材３００ｄのうち凹部９１１に対向する部分とにより、空隙（キャビティ）９３が形成される。また、図１３に示すように、金型９１の厚さ方向ｚ後方の面（当接面）９１２には、隆起平面２１のみが当接し、かつ、図１１に示すように、隆起平面２１が集合基材３００ｄの幅方向ｙの一方の端縁から他方の端縁まで連続的に当接している。そして、金型９１で集合基材３００ｄを挟み込んだ状態で、金型９１に形成された樹脂注入路９４から透光性の樹脂材料をキャビティ９３内に充填する。そして、これを硬化させることで、封止樹脂７が形成される。なお、樹脂注入路９４の位置は限定されない。
【００７１】
図１３に示すように、角部９１３と隆起平面２１とは、長さ方向ｘにおいて離間しており、また、厚さ方向ｚにおいて、パターン被覆部５１１の厚さ分、当接面９１２と配線パターン４（第１連結部４１５および第１延出部４１７）とが離間している。この部分に、封止樹脂７が流れ込み、突出部７１が形成される。当該金型成形工程により、集合基材３００ｄに封止樹脂７が形成された集合基材３００ｅ（図１４参照）が形成される。
【００７２】
金型成形工程によって、封止樹脂７を形成した後は、図１４に示す複数の切断線ＣＬに沿って、集合基材３００ｅを切断する。この切断により、図１〜図７に示す半導体発光装置Ａ１が複数個製造される。なお、上記半導体発光装置Ａ１の製造方法において、複数の半導体発光装置Ａ１を製造する場合を例に説明したが、１つずつ製造してもよい。
【００７３】
次に、本実施形態に係る半導体発光装置Ａ１およびその製造方法における作用について説明する。
【００７４】
本実施形態によれば、隆起平面２１が厚さ方向ｚ視において、封止樹脂７より長さ方向ｘ方向外側に位置し、かつ、厚さ方向ｚ視において、第２基材側面３５から第２基材側面３６まで幅方向ｙに繋がっている。これにより、封止樹脂７をモールド成形するときに、隆起平面２１が金型９１（当接面９１２）に当接するため、レジスト層５（パターン被覆部５１１）と金型９１とが密接し、隙間が存在しない。したがって、金型成形工程において、キャビティ９３内に樹脂材料を注入したときに、パターン被覆部５１１が障壁となり、上記隙間を介した樹脂漏れを抑制することができる。そして、樹脂漏れが抑制されることで、外部回路との導通経路の確保が可能となり、また、樹脂バリを抑制することができる。
【００７５】
本実施形態によれば、金型成形工程において、金型９１で集合基材３００ｄを押圧するとき、隆起平面２１はすべて金型９１の当接面９１２に当接し、金型９１の角部９１３には当接していない。すなわち、金型９１は、支持部材２を面で押さえることができる。これにより、金型９１が隆起平面２１（パターン被覆部５１１）に加える押圧力を分散させることができ、角部９１３に前記押圧力が集中しない。したがって、レジスト層５のレジスト割れを抑制でき、水蒸気や塵、埃などの異物の侵入を抑制することができる。また、水蒸気の侵入を抑制することで、水蒸気爆発などの発生を抑制できるため、封止樹脂７の剥離を抑制することができる。
【００７６】
本実施形態によれば、金型成形工程において、隆起平面２１（パターン被覆部５１１）と金型９１（当接面９１２）とを、厚さ方向ｚ視において、第２基材側面３５から第２基材側面３６まで幅方向ｙに繋がって当接させることで、樹脂漏れを抑制している。従来の半導体発光装置の金型成形工程において、一対の金型で挟み込むときの型締力を高くすることで、上記隙間からの樹脂漏れを抑制していたため、当該型締力により、レジスト割れが発生しやすかった。したがって、半導体発光装置Ａ１は、一対の金型９１，９２の型締力を、従来のように高くすることなく、樹脂漏れを抑制することが可能となる。すなわち、半導体発光装置Ａ１は、樹脂漏れを抑制するとともに、レジスト割れなども抑制することが可能である。さらに、高い型締力でプレス可能な金型成形機が不要となり、製造コストの抑制にも寄与することができる。
【００７７】
本実施形態によれば、レジスト形成工程において、基材主面側レジスト５１としてフィルム状のレジストを用いた。フィルム状のレジストは、圧着により貼り付けるため、液体状のレジストを塗布する場合に比べて、平面を形成しやすい。このため、パターン被覆部５１１の厚さ方向ｚ前方を向く面を平坦にしやすい、すなわち、隆起平面２１の形成が容易であるため、金型成形工程において、高い型締力を必要とせず、金型９１（当接面９１２）との密着性を高めることができる。さらに、フィルム状のレジストは液体状のレジストと比べ、パターニング精度がよい。このため、フィルム状のレジストを用いた場合、液体状のレジストに比べて、パターン被覆部５１１（隆起平面２１）を精度よく配置することができる。なお、液体状のレジストであっても、フィルム状のレジストと同等のパターニングが可能であれば、液体のソルダーレジストにより基材主面側レジスト５１を形成してもよい。
【００７８】
本実施形態によれば、パターン被覆部５１１の厚さ方向ｚ前方の面が隆起平面２１に相当し、金型成形工程において、パターン被覆部５１１（レジスト層５）が、金型９１（当接面９１２）に当接している。よって、配線パターン４は金型９１に当接していない。したがって、金型９１，９２の型締力が配線パターン４に直接加わらず、レジスト層５が緩衝部となり、配線パターン４の断線を抑制することができる。
【００７９】
以下、本発明に係る半導体発光装置の他の実施の形態について説明する。なお、上記半導体発光装置Ａ１と同一あるいは類似の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００８０】
図１５および図１６は、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置Ａ２を示している。図１５は、半導体発光装置Ａ２の平面図である。なお、図１５において封止樹脂７を透過させており、また、金型成形工程における、金型９１の角部９１３の位置を太い破線で示している。さらに、図１５において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。なお、図１６においては、封止樹脂７を図示している。
【００８１】
第２実施形態の半導体発光装置Ａ２は、図１５および図１６に示すように、レジスト層５（基材主面側レジスト５１）において、パターン被覆部５１１に繋がる基材被覆部５１３を有している点で上記半導体発光装置Ａ１と異なる。
【００８２】
半導体発光装置Ａ２において、基材主面側レジスト５１は、パターン被覆部５１１と基材被覆部５１３とを有しており、そして、基材被覆部５１３において、極性判断目印部５１４と被覆連続部５１５とを有している。
【００８３】
半導体発光装置Ａ２において、パターン被覆部５１１は、第１延出部４１７および第２延出部４１８のすべてを覆っている。
【００８４】
被覆連続部５１５は、基材被覆部５１３のうちパターン被覆部５１１に繋がる部分である。本実施形態においては、被覆連続部５１５は複数形成されており、それぞれパターン被覆部５１１の長さ方向ｘの各端縁に繋がっている。被覆連続部５１５は、厚さ方向ｚ前方を向く面が、パターン被覆部５１１の厚さ方向ｚ前方を向く面（すなわち、隆起平面２１）より厚さ方向ｚ後方側に位置する。なお、本実施形態においては、図１６に示すように、被覆連続部５１５の一部は、厚さ方向ｚにおいて、封止樹脂７の突出部７１に当接する部分を有する。
【００８５】
本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ２は、隆起平面２１（パターン被覆部５１１）を有しており、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００８６】
さらに、本実施形態によれば、基材主面側レジスト５１において、第１延出部４１７および第２延出部４１８のすべてを覆うようにパターン被覆部５１１が形成されており、さらに、パターン被覆部５１１に繋がる被覆連続部５１５を有している。レジスト層５は、配線パターン４より、基材３との接合性が高く、また、封止樹脂７との接合性も高い。よって、被覆連続部５１５により、レジスト層５が基材３（配線パターン４）からはがれることを抑制することができる。また、封止樹脂７が支持部材２からはがれることを抑制することができる。
【００８７】
上記第２実施形態において、第１延出部４１７および第２延出部４１８の長さ方向ｘの両側に被覆連続部５１５が形成されている場合を例に説明したが、いずれか一方側のみであってもよい。
【００８８】
図１７および図１８は、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置Ａ３を示している。図１７は、半導体発光装置Ａ３の平面図である。なお、図１７において封止樹脂７を透過させており、また、金型成形工程における、金型９１の角部９１３の位置を太い破線で示している。さらに、図１７において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。図１８は、図１７にＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩに沿う断面図である。なお、図１８においては、封止樹脂７を図示している。
【００８９】
第３実施形態の半導体発光装置Ａ３は、配線パターン４において、図１８に示すように、主面電極４１と裏面電極４２，４３とを側面電極４４，４５で導通接続させるのではなく、ビアを介して導通接続している点で上記半導体発光装置Ａ１と異なる。また、半導体発光装置Ａ３は、レジスト層５において、図１７および図１８に示すように、パターン被覆部５１１を有していない。
【００９０】
半導体発光装置Ａ３において、基材３は、第１貫通孔３７１および第２貫通孔３７２を有している。第１貫通孔３７１および第２貫通孔３７２は、基材主面３１から基材裏面３２まで繋がっている。第１貫通孔３７１は、厚さ方向ｚ視において、第１連結部４１５に重なる。第２貫通孔３７２は、厚さ方向ｚ視において、第２連結部４１６に重なる。
【００９１】
半導体発光装置Ａ３において、配線パターン４は、貫通電極４６１，４６２を有している。貫通電極４６１，４６２は導電性の材質からなる。
【００９２】
貫通電極４６１は、第１貫通孔３７１の内部に充填されている。貫通電極４６１は、厚さ方向ｚ前方側の端縁が第１連結部４１５に接し、厚さ方向ｚ後方側の端縁が裏面電極４２に接している。よって、貫通電極４６１は、第１連結部４１５と裏面電極４２とを導通させている。第１貫通孔３７１と貫通電極４６１とで、ビアを形成している。
【００９３】
貫通電極４６２は、第２貫通孔３７２の内部に充填されている。貫通電極４６２は、厚さ方向ｚ前方側の端縁が第２連結部４１６に接し、厚さ方向ｚ後方側の端縁が裏面電極４３に接している。よって、貫通電極４６２は、第２連結部４１６と裏面電極４３とを導通させている。第２貫通孔３７２と貫通電極４６２とで、ビアを形成している。
【００９４】
なお、第１貫通孔３７１、第２貫通孔３７２、および、貫通電極４６１，４６２の位置はこれに限定されない。例えば、第１貫通孔３７１および貫通電極４６１を、厚さ方向ｚ視において、ダイボンディング部４１１に重なる位置に配置してもよい。この場合、裏面電極４２が厚さ方向ｚ視においてダイボンディング部４１１と重なる位置まで長さ方向ｘに延ばしておく必要がある。同様に、第２貫通孔３７２および貫通電極４６２を、厚さ方向ｚ視において、ワイヤボンディング部４１２に重なる位置に配置してもよい。
【００９５】
なお、半導体発光装置Ａ３は、貫通電極４６１，４６２を用いて主面電極４１と裏面電極４２，４３とを導通させているため、本実施形態においては、図１７および図１８に示すように、スルーホール部３３１，３４１および側面電極４４，４５を有していない。
【００９６】
半導体発光装置Ａ３において、基材主面側レジスト５１の基材被覆部５１３は、基材主面３１の長さ方向ｘの両端縁側に配置されている。基材被覆部５１３は、図１７に示すように、厚さ方向ｚ視において、矩形状である。また、厚さ方向ｚ視において、第２基材側面３５から第２基材側面３６まで幅方向ｙに繋がっている。さらに、基材被覆部５１３は、図１８に示すように、封止樹脂７より長さ方向ｘの外側に位置し、封止樹脂７から露出している。そして、基材被覆部５１３は、図１７および図１８に示すように、封止樹脂７の長さ方向ｘの端縁に接している。基材被覆部５１３は、図１８に示すように、支持部材２のうち最も厚さ方向ｚ前方に位置し、基材主面３１より厚さ方向ｚ前方に隆起している。したがって、本実施形態においては、基材被覆部５１３の厚さ方向ｚ前方を向く面が、隆起平面２１に相当する。
【００９７】
本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ３は、隆起平面２１（基材被覆部５１３）を有しており、上記第１実施形態と同様に、隆起平面２１と金型９１の当接面９１２とが密接するため、基材被覆部５１３が障壁となり、樹脂漏れを抑制することができる。また、隆起平面２１は、金型９１の角部９１３に当接しないため、角部９１３の押圧力が集中せず、レジスト割れを抑制することができる。
【００９８】
上記第３実施形態においては、基材被覆部５１３の厚さ方向ｚ前方を向く面が隆起平面２１をなす場合を例に説明したが、基材被覆部５１３の代わりに、配線パターン４（主面電極４１）を配置するようにしてもよい。この場合、主面電極４１の一部において、厚さ方向ｚ前方を向く面が隆起平面２１に相当する。すなわち、主面電極４１の一部が隆起平面２１に相当する。
【００９９】
図１９は、本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置Ａ４を示している。図１９は、半導体発光装置Ａ４の平面図である。なお、図１９において、封止樹脂７の図示を省略し、また、金型成形工程における、金型９１の角部９１３の位置を太い破線で示している。さらに、図１９において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。
【０１００】
第４実施形態の半導体発光装置Ａ４は、図１９に示すように、第１連結部４１５および第２連結部４１６が長さ方向ｘに直線状に延びるのではなく、屈曲している。
【０１０１】
半導体発光装置Ａ４において、第１連結部４１５は、図１９に示すように、第１延出部４１７から長さ方向ｘ後方に延び、そして、幅方向ｙ前方に屈曲して、ダイボンディング部４１１に繋がっている。第２連結部４１６は、図１９に示すように、第２延出部４１８から長さ方向ｘ前方に延び、そして、幅方向ｙ後方に屈曲して、ワイヤボンディング部４１２に繋がっている。なお、第１連結部４１５および第２連結部４１６の形状は、上記したものに限定されない。
【０１０２】
半導体発光装置Ａ４において、第１連結部４１５および第２連結部４１６は、上記半導体発光装置Ａ１と比べて、屈曲した分、長くなり、基材主面３１を占有する面積が大きくなっている。上記第２実施形態で述べたように、封止樹脂７は、配線パターン４よりレジスト層５との接合性が高いため、図１９に示すように、レジスト層５（基材主面側レジスト５１）を形成する領域を大きくして、封止樹脂７と支持部材２との接合性を高くしている。具体的には、基材主面側レジスト５１が、第１連結部４１５の一部および第２連結部４１６の一部を覆うように、形成されている。
【０１０３】
本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ４は、隆起平面２１（パターン被覆部５１１）を有しており、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１０４】
さらに、本実施形態によれば、第１連結部４１５および第２連結部４１６を屈曲させたことで、各種接合材の染み出しを抑制し、配線パターン４の短絡を抑制することができる。例えば、封止樹脂７の材質として熱硬化性樹脂を用いた場合、封止樹脂７を硬化させるために、熱を加えることがある。この加熱により、各種接合材（例えばＡｇペーストやはんだ）などが再溶融する可能性があり、再溶融した接合材が染み出し、意図していない場所で、配線パターン４同士を短絡させる可能性がある。そのため、第１連結部４１５および第２連結部４１６を屈曲させたことで、接合材が染み出したとしても、配線パターン４が障壁となり、意図せぬ短絡を抑制することができる。
【０１０５】
なお、上記第４実施形態においては、金型成形工程において、レジスト層５（パターン被覆部５１１）の一部が角部９１３に当接する部分が生じてしまう（図１９の太い点線参照）。そのため、角部９１３が当接するパターン被覆部５１１の部分に、スリットや凹みを設けておき、角部９１３が隆起平面２１に当接しないようにしておくとよい。
【０１０６】
図２０は、本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置Ａ５を示している。図２０は、半導体発光装置Ａ５の平面図である。なお、図２０において、封止樹脂７の図示を省略し、また、金型成形工程における、金型９１の角部９１３の位置を太い破線で示している。さらに、図２０において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。
【０１０７】
第５実施形態の半導体発光装置Ａ５は、図２０に示すように、半導体発光装置Ａ４と比較して、円環部５３をさらに有している。
【０１０８】
円環部５３は、レジスト層５（基材主面側レジスト５１）のうち、ダイボンディング部４１１を囲うリング状の部分である。本実施形態においては、円環部５３は、白色のレジストで形成されている。なお、円環部５３をさらに設けたことで、レジスト層５（基材主面側レジスト５１）の一部（第１連結部４１５を覆う部分）の形状を変更している。
【０１０９】
本実施形態においては、上記第４実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１０】
さらに、本実施形態によれば、円環部５３を設けたことで、円環部５３が障壁となり、各種接合材の染み出しが抑制される。よって、意図しない配線パターン４の短絡を抑制することができる。例えば、半導体発光素子１をダイボンディングさせたときのはんだやＡｇペーストが再溶融した場合であっても、円環部５３が障壁となり、周りに染み出すことを抑制する。また、反対に、円環部５３の外側から内側への各種接合材の染み出しも抑制することができる。さらに、円環部５３は、白色のレジストで形成されているため、半導体発光素子１から照射された光を反射させ、半導体発光装置Ａ５の明るさを向上させることができる。
【０１１１】
なお、上記第５実施形態においては、上記第４実施形態に係る半導体発光装置Ａ４に円環部５３をさらに設けた場合を例に説明したが、これに限定されず、上記第１実施形態ないし上記第３実施形態に係る半導体発光装置Ａ１〜Ａ３に円環部５３をさらに設けてもよい。この場合であっても、上記した効果を奏することができる。
【０１１２】
図２１および図２２は、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置Ａ６を示している。図２１は、半導体発光装置Ａ６の平面図である。なお、図２１において封止樹脂７を透過させており、また、金型成形工程における、金型９１の角部９１３の位置を太い破線で示している。さらに、図２１において、隆起平面２１に相当する部分にハッチングを付している。図２２は、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。なお、図２２においては、封止樹脂７を図示している。
【０１１３】
第６実施形態の半導体発光装置Ａ６は、図２１および図２２に示すように、レジスト層５のうち、配線パターン４上に形成されたパターン被覆部５１１を有していない。なお、本実施形態においては、第１連結部４１５および第２連結部４１６を、上記第４実施形態および第５実施形態とは異なる形状で屈曲させている。
【０１１４】
半導体発光装置Ａ６においては、基材３は、第１基材側面３３，３４にスルーホール部３３１，３４１を有しておらず、配線パターン４の側面電極４４，４５はそれぞれ、第１基材側面３３，３４のすべてを覆っている。なお、半導体発光装置Ａ６において、上記第１実施形態と同様に、スルーホール部３３１，３４１を設け、側面電極４４，４５がこれらを覆うように形成されていてもよい。
【０１１５】
また、半導体発光装置Ａ６においては、配線パターン４の第１端縁部４１３および第２端縁部４１４は、厚さ方向ｚ視において、矩形状であり、第２基材側面３５から第２基材側面３６まで、幅方向ｙに繋がっている。本実施形態においては、第１端縁部４１３および第２端縁部４１４は、厚さ方向ｚ視において、封止樹脂７の外側に位置する部分を有しており、一部が封止樹脂７から露出している。また、第１端縁部４１３および第２端縁部４１４は、図２２に示すように、その厚さ方向ｚ前前方を向く面が、支持部材２のうち最も厚さ方向ｚ前方に位置している。よって、半導体発光装置Ａ６においては、第１端縁部４１３および第２端縁部４１４の厚さ方向ｚ前方を向く面が、隆起平面２１に相当する。すなわち、配線パターン４の一部が隆起平面２１をなしている。
【０１１６】
本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ６は、隆起平面２１（配線パターン４の第１端縁部４１３および第２端縁部４１４）を有している。これにより、樹脂漏れを抑制することができる。また、本実施形態によれば、隆起平面２１は、レジスト層５ではなく配線パターン４の一部であるため、レジスト層５のレジスト割れの抑制ではなく、配線パターン４の割れを抑制することができる。
【０１１７】
上記第１実施形態ないし上記第６実施形態においては、半導体発光装置Ａ１〜Ａ６の極性を判断するための目印として、基材被覆部５１３の極性判断目印部５１４を用いた場合を例に説明したが、これに限定されず、極性を判断可能であれば、如何様にも変更可能である。図２３は、このような極性判断用の目印を変形させた場合の一例を示している。
【０１１８】
図２３（ａ）は、基材３の基材裏面３２にレジスト（以下、「基材裏面側レジスト５２」と表現する。）を設け、この基材裏面側レジスト５２を極性判断用の目印とした場合を示している。なお、図２３（ａ）は、第１変形例に係る半導体発光装置の底面図である。図２３（ａ）に示すように、基材裏面側レジスト５２は、基材裏面３２の長さ方向ｘ中央付近に形成され、基材裏面３２の幅方向ｙの一方の端縁から他方の端縁まで繋がっている。また、基材裏面側レジスト５２は、厚さ方向ｚ後方の面が平坦である。本実施形態においては、基材裏面側レジスト５２は、厚さ方向ｚ視において、長さ方向ｘ前方の端縁が長さ方向ｘ前方に突き出た凸字形の形状をなす。利用者は、この凸字形の基材裏面側レジスト５２に基づき、半導体発光装置の極性を判断することができる。さらに、基材裏面側レジスト５２は、裏面電極４２，４３の間に形成されているため、半導体発光装置を実装基板などに実装するときに、基材裏面側レジスト５２が障壁となり、はんだなどの染み出しを抑制し、裏面電極４２，４３の短絡を抑制することが可能である。なお、基材裏面側レジスト５２の形状は上記したものに限定されない。
【０１１９】
図２３（ｂ）は、基材３の一部を欠損させ、当該欠損させた部分（以下、「欠損部３９」と表現する。）を極性判断用の目印とした場合を示している。なお、図２３（ｂ）は、第２変形例に係る半導体発光装置の平面図である。図２３（ｂ）に示すように、欠損部３９は、厚さ方向ｚ視において、長さ方向ｘ前方側かつ幅方向ｙ両端側に、基材主面３１から厚さ方向ｚ後方に凹んでいる。利用者は、この基材３に設けられた欠損部３９に基づき、半導体発光装置の極性を判断することができる。
【０１２０】
上記第１実施形態ないし上記第６実施形態においては、金型９１において、傾斜部９１４を設けた場合を例に説明したが、傾斜部９１４を設けなくてもよい。図２４は、傾斜部９１４を設けていない金型９１を示している。なお、図２４は、上記図１３に対応する図である。
【０１２１】
従来の金型成形工程においては、角部９１３が支持部材２に当接するため、傾斜部９１４を設け、角部９１３の角度をより大きくすることで、角部９１３に集中する圧力を緩和させていた。一方、本発明の金型成形工程においては、角部９１３が支持部材２（配線パターン４やレジスト層５）に当接させず、当接面９１２で押さえるようにしているため、角部９１３による集中した圧力が加わらない。よって、角部９１３の角度を小さくすることが可能であり、傾斜部９１４を必要としない。したがって、図２４に示すように、金型９１に傾斜部９１４を設けなくてもよい。
【０１２２】
傾斜部９１４を設けた場合、封止樹脂７の長さ方向ｘ寸法が大きくなるが、本変形例においては、封止樹脂７の長さ方向ｘ寸法を抑えることができる。よって、支持部材２（基材３）の長さ方向ｘ寸法を小さくし、半導体発光装置の小型化が可能となる。あるいは、封止樹脂７を、より支持部材２の長さ方向ｘ端縁部まで形成することができるため、支持部材２（基材３上への配線パターン４やレジスト層５）の設計の自由度が向上する。
【０１２３】
本発明に係る半導体発光装置および当該半導体発光装置の製造方法は、上記した実施形態および各種変形例に限定されるものではない。本発明の半導体発光装置の各部の具体的な構成および当該半導体発光装置の製造方法の各工程の具体的な手順や方法は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１２４】
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６：半導体発光装置
１            ：半導体素子
２            ：支持部材
２１          ：隆起平面
３            ：基材
３１          ：基材主面
３２          ：基材裏面
３３，３４    ：第１基材側面
３３１，３４１：スルーホール部
３５，３６    ：第２基材側面
３７１，３７２：貫通孔
３９          ：欠損部
４            ：配線パターン
４１          ：主面電極
４１１        ：ダイボンディング部
４１２        ：ワイヤボンディング部
４１３        ：第１端縁部
４１４        ：第２端縁部
４１５        ：第１連結部
４１６        ：第２連結部
４１７        ：第１延出部
４１８        ：第２延出部
４２，４３    ：裏面電極
４４，４５    ：側面電極
４６１，４６２：貫通電極
５            ：レジスト層
５１          ：基材主面側レジスト
５１１        ：パターン被覆部
５１３        ：基材被覆部
５１４        ：極性判断目印部
５１５        ：被覆連続部
５２          ：基材裏面側レジスト
５３          ：円環部
６            ：ワイヤ
７            ：封止樹脂
７１          ：突出部
３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ，３００ｅ：集合基材
３０１        ：貫通孔
９１，９２    ：金型
９１１        ：凹部
９１２        ：当接面
９１３        ：角部
９１４        ：傾斜部
９３          ：キャビティ
９４          ：樹脂注入路
【図１】
2018133522.tif 000003
【図２】
2018133522.tif 000004
【図３】
2018133522.tif 000005
【図４】
2018133522.tif 000006
【図５】
2018133522.tif 000007
【図６】
2018133522.tif 000008
【図７】
2018133522.tif 000009
【図８】
2018133522.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2018133522.tif 000012
【図１１】
2018133522.tif 000013
【図１２】
2018133522.tif 000014
【図１３】
2018133522.tif 000015
【図１４】
2018133522.tif 000016
【図１５】
2018133522.tif 000017
【図１６】
2018133522.tif 000018
【図１７】
2018133522.tif 000019
【図１８】
2018133522.tif 000020
【図１９】
2018133522.tif 000021
【図２０】
2018133522.tif 000022
【図２１】
2018133522.tif 000023
【図２２】
2018133522.tif 000024
【図２３】
2018133522.tif 000025
【図２４】
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