(57)【要約】【課題】  製造が容易な配線板１を提供する。【解決手段】  配線板１は、第１の主面１０ＳＡの第１の導体４０と第２の主面１０ＳＡの第２の導体２０とが、第２の導体２０を底面とする貫通孔Ｈ１０の内面に配設されている、電気めっき層からなる貫通電極５０により接続されている、シリコンを基体とし、貫通孔Ｈ１０の内面に、深さ方向に沿って平行で、第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る連続した凸部である畝Ｃ１０がある。【選択図】図５Ａ
2018133426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面の第１の導体と前記第２の主面の第２の導体とが、前記第１の導体から延設されており、前記第２の導体を底面とする貫通孔の内面に配設されている電気めっき層からなる貫通電極、により接続されている、シリコンを基体とする配線板であって、
前記貫通孔の前記内面に、深さ方向に平行で、前記第１の主面から前記第２の主面に至る、連続した凹部である溝、および、連続した凸部である畝の、少なくともいずれかがあることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記溝の深さまたは前記畝の高さが、前記貫通孔の開口幅の３％以上３０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記貫通孔の前記内面に、複数の溝および複数の畝の、少なくともいずれかがあることを特徴とする請求項２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１の導体が前記貫通電極から延設されている配線部を含み、
前記配線部の延設方向の前記内面には、前記溝または前記畝がないことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記畝のある前記貫通孔の開口が、円弧部と、前記畝により構成されている直線部と、を含む略Ｄ字形であることを特徴とする請求項２に記載の配線板。
【請求項６】
前記第１の導体が前記貫通電極から延設されている配線部を含み、
前記配線部の延設方向の前記開口が、前記直線部であることを特徴とする請求項５に記載の配線板。
【請求項７】
複数の貫通電極を有し、
前記複数の貫通電極の少なくともいずれかには、前記溝の内部または前記畝の下部には、前記貫通電極が配設されていない領域があることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項８】
第１の主面と第２の主面とを有し、前記第１の主面の第１の導体と、前記第２の主面の第２の導体とが、前記第２の導体を底面とする貫通孔の内面に配設された貫通電極により接続されている、シリコンを基体とする配線板の製造方法であって、
前記第１の主面から、前記第２の主面の前記第２の導体に至る前記貫通孔を形成する工程と、
前記第１の主面と、前記貫通孔の内面および底面と、を覆う導電層を配設する工程と、
前記第１の主面と、前記貫通孔の内面および底面とに、ポジ型のフォトレジストをコーティングする工程と、
フォトマスクを介した紫外光のパターン露光、および、現像により、前記第１の主面の前記第１の導体を配設する領域と、前記貫通孔の内面および底面とを覆っている前記フォトレジストを剥離する工程と、
前記導電層を電極として、電気めっき層を配設する工程と、
前記フォトレジストを剥離し、さらに、前記電気めっき層で覆われていない前記導電層を除去する工程と、を具備し、
前記貫通孔を形成する工程において形成される前記貫通孔の内面に、深さ方向に沿って平行で、前記第１の主面から前記第２の主面に至る、溝および畝の少なくともいずれかがあることを特徴とする配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通孔の内面に貫通電極が配設されている配線板、および前記配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化および高性能化をはかるために、配線板の貫通孔の内面に電気めっき層を配設し貫通電極として用いる技術が用いられている。しかし、貫通電極に導通不良が発生することがある。
【０００３】
図１Ａおよび図１Ｂに、基板１０の貫通孔Ｈ１１０に、欠陥のある貫通電極１５０が配設された、従来の配線板１０１を示す。
【０００４】
なお、以下の説明において、図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、一部の構成要素の図示、符号の付与を省略する場合がある。
【０００５】
配線板１０１の第２の主面１０ＳＢの第２の導体２０を底面とする貫通孔Ｈ１１０の内面には導電層３０が配設されている。貫通電極１５０は導電層３０を陰極として、第１の主面１０ＳＡの第１の導体１４０と、同時に成膜された電気めっき層１６０である。しかし、貫通電極１５０は、途中でリング状に途切れており、第１の導体１４０と第２の導体２０とを導通していない。
【０００６】
この原因は、図３に示すように、電気めっき層１６０の成膜時に、貫通孔Ｈ１１０の内面にレジスト残渣７１がリング状に存在しているためである。レジスト残渣７１は導電性がない。このため、リング状に無めっき領域が発生し、貫通電極１５０が途切れている。
【０００７】
すなわち、図２に示すように、ポジ型のフォトレジスト７０は、マスク８０を介して紫外光（ＵＶ）が露光されると、現像液に対して可溶性に変化する。しかし、フォトレジスト７０が塗布された貫通孔Ｈ１１０の開口直下に、フォトレジスト７０が垂れ下がり、開口面（第１の主面１０ＳＡ）に平行にリング状のオーバーハング領域７１Ｂが生じる。オーバーハング領域７１Ｂにより紫外光の照射が妨げられたり、膜厚の厚いオーバーハング領域７１Ｂに対する紫外光の照射量が不十分だったりすると、リング状のレジスト残渣７１が発生する。
【０００８】
特開２０１２−２３１０９６号公報には、貫通孔内のフォトレジストを除去するための複雑な現像工程が提案されている。
【０００９】
なお、特開２０１２−１４２４１４号公報には、貫通孔の開口形状として、円形が好ましいが、正方形または六角形等の多角形でもよいと、記載されている。また、特開２０１０−１６２５５号公報には、貫通孔の開口形状として、円形、楕円形、三角形、矩形など、如何なる形状であってもよいと、記載されている。
【００１０】
すなわち、従来は、貫通孔の開口形状は、如何なる形状であってもよいと考えられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１２−２３１０９６号公報
【特許文献２】特開２０１２−１４２４１４号公報
【特許文献３】特開２０１０−１６２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の実施形態は、貫通電極を有する製造が容易な配線板、および、貫通電極を有する配線板の容易な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施形態の配線板は、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面の第１の導体と前記第２の主面の第２の導体とが、前記第１の導体から延設されており、前記第２の導体を底面とする貫通孔の内面に配設されている電気めっき層からなる貫通電極、により接続されている、シリコンを基体とする配線板であって、前記貫通孔の前記内面に、深さ方向に平行で、前記第１の主面から前記第２の主面に至る、連続した凹部である溝、および、連続した凸部である畝の、少なくともいずれかがある。
【００１４】
別の実施形態の配線板の製造方法は、第１の主面と第２の主面とを有し、前記第１の主面の第１の導体と前記第２の主面の第２の導体とが前記第２の導体を底面とする貫通孔の内面に配設された貫通電極により接続されている、シリコンを基体とする配線板の製造方法であって、前記第１の主面から前記第２の主面の前記第２の導体に至る前記貫通孔を形成する工程と、前記第１の主面と前記貫通孔の内面および底面とを覆う導電層を配設する工程と、前記第１の主面と前記貫通孔の内面および底面とにポジ型のフォトレジストをコーティングする工程と、フォトマスクを介した紫外光のパターン露光および現像により前記第１の主面の前記第１の導体を配設する領域と前記貫通孔の内面および底面とを覆っている前記フォトレジストを剥離する工程と、前記導電層を電極として、電気めっき層を配設する工程と、前記フォトレジストを剥離し、さらに、前記電気めっき層で覆われていない前記導電層を除去する工程と、を具備し、前記貫通孔を形成する工程において形成される前記貫通孔の内面に深さ方向に沿って平行で、前記第１の主面から前記第２の主面に至る、溝および畝の少なくともいずれかがある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施形態によれば、貫通電極を有する製造が容易な配線板、および、貫通電極を有する配線板の容易な製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】従来の配線板の断面図である。
【図１Ｂ】従来配線板の図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に沿った上面図である。
【図２】従来の配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】従来の配線板の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】実施形態の配線板の斜視図である。
【図５Ａ】実施形態の配線板の上面図である。
【図５Ｂ】実施形態の配線板の図５ＡのＶＢ−ＶＢ線に沿った上面図である。
【図６】実施形態の配線板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７Ａ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための上面図である。
【図７Ｂ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線に沿った断面図である。
【図８Ａ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための上面図である。
【図８Ｂ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。
【図９Ａ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための上面図である。
【図９Ｂ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿った断面図である。
【図９Ｃ】実施形態の配線板の製造方法を説明するための図９ＡのＩＸＣ−ＩＸＣ線に沿った断面図である。
【図１０Ａ】変形例１の配線板の貫通孔の開口の上面図である。
【図１０Ｂ】変形例２の配線板の貫通孔の開口の上面図である。
【図１０Ｃ】変形例３の配線板の貫通孔の開口の上面図である。
【図１０Ｄ】変形例４の配線板の貫通孔の開口の斜視図である。
【図１０Ｅ】変形例５の配線板の貫通孔の開口の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施形態の配線板＞
本発明の一例として実施形態の配線板１について説明する。図４に示す配線板１は、第１の主面１０ＳＡと第１の主面１０ＳＡと対向する第２の主面１０ＳＢとを有し、シリコンを基体とする。第１の主面１０ＳＡに開口のある貫通孔Ｈ１０は、第２の主面１０ＳＢに配設されている第２の導体２０を底面とする有底のＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ-Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ)である。
【００１８】
貫通孔Ｈ１０の内面に配設されている貫通電極５０および第１の主面の第１の導体４０は、後述するように、同時に、導電層３０（図５Ｂ参照）の上に配設される電気めっき層６０からなる。第１の導体４０は、貫通電極５０から一方向（Ｙ軸方向）に延設されている配線部を含む。
【００１９】
なお、図４は、１つの貫通電極５０の近傍を示す部分図であり、例えば、基板１０には、図示しない撮像回路等の半導体回路が形成されており、また、多数の貫通電極５０等が配設されている。
【００２０】
略円形の貫通孔Ｈ１０の内面には、深さ方向（Ｚ軸方向）に略平行で、第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、連続した凸部である畝（ｈｉｌｌｉｎｇ）Ｃ１０がある。すなわち、図５Ａに示すように、貫通孔Ｈ１０は、開口、すなわち内面の形状が、畝Ｃ１０により構成されている直線部Ｌ１０Ａと、円弧部Ｌ１０Ｂと、からなる略Ｄ字形である。
【００２１】
図５Ａに示すように、貫通電極５０には、畝Ｃ１０の両側に深さ方向（Ｚ軸方法）に略平行な、途切れている領域、すなわち、無めっき領域が、２本存在する。しかし、図５Ｂに示すように、無めっき領域は深さ方向に直交する方向（ＸＹ方向）には連続して存在しないため、第１の導体４０と第２の導体２０とは貫通電極５０により接続されている。
【００２２】
図５Ｂに示すように、第１の導体４０、第２の導体２０および貫通電極５０と、基板１０とは、絶縁層１１および絶縁像１２により電気的に分離されている。例えば、貫通孔Ｈ１０の壁面および第１の主面１０ＳＡに、例えば、窒化シリコンからなる絶縁層１１が配設される。絶縁層１１、１２はシリコンからなる基板１０の表面酸化処理により形成される酸化シリコン膜でもよい。なお、図５Ｂ以外の図面では、絶縁層１１および絶縁層１２は図示しない。
【００２３】
後述するように、開口が、円形ではなく、略Ｄ字型の貫通孔では、フォトレジストを塗布したときに、フォトレジストが厚くなるレジストだまりが、畝Ｃ１０の両側面に沿って深さ方向に連続して存在する。レジストだまりに、フォトレジストが集まるため、リング状のレジスト残渣が生じることがない。
【００２４】
なお、貫通電極５０の表面形状は、貫通孔Ｈ１０の内面形状と同じであるため、その側面には深さ方向に沿って延在する凸部（壁）である畝Ｃ１０がある。
【００２５】
以上の説明のように、貫通電極５０は、基板１０の第２の主面１０ＳＢから第１の主面１０ＳＡに向かって貫通して、第１の主面１０ＳＡおよび第２の主面１０ＳＢにある配線パターンである第１の導体４０と第２の導体２０とを導通しており、その側面には畝Ｃ１０がある。
【００２６】
本実施形態の配線板は、リング状のレジスト残渣が生じることがないため貫通電極５０が途切れるおそれがない。かつ、後述するように、略Ｄ字形の開口の貫通孔Ｈ１０は製造が容易である。
【００２７】
＜実施形態の配線板の製造方法＞
図６のフローチャートに沿って、実施形態の配線板の製造方法について説明する。
【００２８】
＜ステップＳ１１＞第２の導体配設工程
第１の主面１０ＳＡと第２の主面１０ＳＢとを有する、シリコンからなる基板１０の第２の主面１０ＳＢに、半導体製造技術を用いて、半導体回路が形成される。第２の主面１０ＳＢに、ＣＣＤ等の撮像回路が形成され、さらに撮像回路と接続された第２の導体２０が配設される。第２の導体２０は、例えば、膜厚１μｍのアルミニウム層である。
【００２９】
＜ステップＳ１２＞貫通孔形成工程
第１の主面１０ＳＡと第２の主面１０ＳＢとを貫通する貫通孔Ｈ１０が形成される。例えば、図示しないＤ字形の開口のある酸化シリコン膜をエッチングマスクとして、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ―Ｉｏｎ−Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、基板１０のシリコンを除去し、さらに、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより、絶縁層１２を除去し、Ｄ字形の開口形状の貫通孔Ｈ１０が形成される。
【００３０】
エッチングにおいては、第２の導体２０がエッチングストップ層となるため、第２の導体２０が貫通孔Ｈ１０の底面となる。貫通孔Ｈ１０の内面の傾斜角度θは、７５度から８５度である。すなわち、貫通孔Ｈ１０の底面の形状は、開口形状と同じＤ字形であるが、底面の面積は開口の面積よりも小さい。
【００３１】
なお、貫通孔Ｈ１０の最大開口幅、すなわち、略円形の貫通孔Ｈ１０の開口径Ｒに対して、畝Ｃ１０の高さｔは、３％以上３０％以下であることが好ましい。例えば、貫通孔Ｈ１０の開口径Ｒが３０μｍの場合、畝Ｃ１０の高さｔは、０．９μｍ以上９μｍ以下が好ましい。前記範囲下限以上であれば、畝Ｃ１０の両側面に沿った細長い２つの空間が、レジストだまりの空間として十分に機能するため、リング状のレジスト残渣が生じることがない。また前記範囲上限以下であれば、貫通孔Ｈ１０の形成および導電層３０の配設が容易である。なお、畝Ｃ１０の平面視面積は、貫通孔Ｈ１０の平面視面積の３０％以下であれば導電層３０の配設が容易である。
【００３２】
＜ステップＳ１３＞導電層配設工程
ＣＶＤ法またはスパッタ法等により、第１の主面１０ＳＡおよび貫通孔Ｈ１０の内面（壁面および底面）に、電気めっきのための導電層３０が配設される。導電層３０は、例えば、０．３μｍのチタン層を下地とする１μｍの銅層からなる。
【００３３】
＜ステップＳ１４＞レジスト塗布工程
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、ポジ型のフォトレジスト７０が、例えばスプレーコータにより、貫通孔Ｈ１０の内面および第１の主面１０ＳＡに塗布される。フォトレジスト７０の厚さは、電気めっき層６０の厚さ以上であればよい。
【００３４】
貫通孔Ｈ１０の周囲および内面に塗布された液状のフォトレジスト７０の一部は、畝Ｃ１０の両側面の下部に集中し、レジストだまり７２を形成する。
【００３５】
単純な円形の貫通孔では、開口平行面に対して円弧のどの部分も同じ位置関係であるため、開口に平行にリング状にフォトレジストの厚さ分布（オーバーハング領域）が発生する。これに対して、貫通孔Ｈ１０では、深さ方向に平行な畝Ｃ１０の両側面に沿って２つの空間が形成されている。畝Ｃ１０の両側面に沿っている空間では、直線部Ｌ１０Ａと円弧部Ｌ１０Ｂとが交差している。２つの面で挾まれている空間には、界面張力により、フォトレジスト７０が集まり、レジストだまり７２が形成される。
【００３６】
貫通孔Ｈ１０では、フォトレジスト７０はレジストだまり７２に集まるため、レジストがリング状のオーバーハング領域を形成することがない。
【００３７】
液状のフォトレジスト７０は、塗布後に、例えばホットプレートで加熱され溶媒が蒸発すると固体の膜となる。
【００３８】
＜ステップＳ１５＞（露光／現像）工程
図２と同じように、フォトマスク８０を介して紫外光（ＵＶ）がパターン露光される。ＵＶ露光された領域のフォトレジスト７０は現像液に可溶性となるため、現像工程において除去され、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、レジストパターンが形成される。
【００３９】
図９Ｂに示すように、レジストだまり７２のフォトレジストは、厚さが厚いため、一部がレジスト残渣７１となることがある。しかし、レジスト残渣７１は深さ方向（Ｚ軸方向）に平行である。このため、図９Ｃに示すように、直線部Ｌ１０Ａの中央部および円弧部Ｌ１０Ｂの中央部の壁面には、レジスト残渣は存在しない。
【００４０】
＜ステップＳ１６＞電気めっき工程
導電層３０を陰極とし、電気めっき層６０が成膜される。例えば、電気めっき層６０は、硫酸銅めっき液を用いて銅板を陽極し成膜される、膜厚１０μｍの銅めっき層である。所定の添加剤を含む硫酸銅めっき液を用いることで、貫通孔Ｈ１０の内面に、均一厚の電気めっき層６０が成膜される。
【００４１】
電気めっき層６０は、導電層３０がフォトレジスト７０で覆われている領域には成膜されない。このため、図４に示すように、貫通孔Ｈ１０の内面の貫通電極５０と、第１の主面１０ＳＡのパターニングされた第１の導体４０とが、同時に成膜される。
【００４２】
なお、レジスト残渣７１で覆われている導電層３０には電気めっき層６０は成膜されない。このため、畝Ｃ１０の両側面の下部領域には、それぞれ、貫通電極５０が配設されない無めっき領域がある。しかし、レジスト残渣７１は貫通孔Ｈ１０の深さ方向に沿った直線状であり、開口面に平行なリング状ではない。このため、貫通電極５０は、第２の導体２０と第１の導体４０との間で断線することはない。
【００４３】
＜ステップＳ１７＞（レジスト剥離／導電層除去）工程
剥離剤、例えば、有機溶剤によりレジストパターン７０およびレジスト残渣７１が剥離され、さらに、エッチング法またはイオンミリング法等により、電気めっき層６０で覆われていない導電層３０が除去され、図４、図５Ａおよび図５Ｂに示した配線板１が完成する。
【００４４】
本実施形態の配線板の製造方法によれば、貫通電極５０により第１の導体４０と第２の導体２０とを、容易に、かつ、確実に導通できる。
【００４５】
なお、レジスト塗布条件等によっては、２本のレジストだまり７２から離れた円弧部Ｌ１０Ｂの中央部にはレジスト残渣が生じることがある。しかし、２本のレジストだまり７２で挾まれている直線部Ｌ１０Ａには、レジスト残渣が出来るおそれはない。すなわち、貫通電極５０は、少なくとも直線部Ｌ１０Ａにおいて、第１の導体４０と第２の導体２０とを確実に導通できる。すなわち、貫通孔Ｈ１０は壁面の少なくとも一部に平面部を有することが好ましい。
【００４６】
このため、円形の内面に１つの畝Ｃ１０があるＤ字形の開口の貫通孔Ｈ１０が形成されている基板１０では、第１の導体４０の配線部の延設方向（Ｙ軸方向）の開口が、直線部Ｌ１０Ａであることが好ましい。
【００４７】
以上の説明のように配線板１は、貫通孔Ｈ１０に積極的にレジストだまりを構成するための畝Ｃ１０がある。ただし、工程ばらつきがあるため、レジストだまりとなる畝Ｃ１０の側面の下部には、必ず、電気めっき層６０の成膜時にレジスト残渣が存在するとは限らない。また、畝Ｃ１０の両側面の両方の下部にレジスト残渣が存在するとは限らない。このため、製造後の配線板の複数の貫通電極５０の全てに貫通電極５０が配設されていない無めっき領域があるとは限らない。ただし、複数の貫通電極５０のうちの少なくとも１つの貫通孔の畝Ｃ１０の両側面のうちの少なくとも１方の側面の下部に貫通電極５０が配設されていない領域があれば、本発明により製造された配線板であると見なすことができる。
【００４８】
＜変形例＞
変形例の配線板１Ａ〜１Ｅは、実施形態の配線板１と類似し同じ効果を有するため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００４９】
すなわち、変形例の配線板１Ａ〜１Ｅでは、いずれも、略円形の貫通孔の内面に、深さ方向（Ｚ軸方向）に沿って平行で、第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、連続した凹部である溝、および、連続した凸部である畝の少なくともいずれかがある。
【００５０】
＜変形例１＞
図１０Ａに示すように、本変形例の配線板１Ａの貫通孔Ｈ１０Ａは、畝Ｃ１０Ａ１の両端側面に、それぞれ溝Ｃ１０Ａ２がある。
【００５１】
すなわち、略円形の貫通孔Ｈ１０Ａの内面には、深さ方向に平行で第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、１つの畝Ｃ１０Ａと、２つの溝Ｃ１０Ａ２がある。
【００５２】
貫通孔Ｈ１０Ａでは、溝Ｃ１０Ａ２の内部が、レジストだまりとなる。
【００５３】
＜変形例２＞
図１０Ｂに示すように、本変形例の配線板１Ｂの貫通孔Ｈ１０Ｂの内面には、深さ方向に平行で第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、１つの畝Ｃ１０Ｂがある。
【００５４】
畝Ｃ１０Ｂの両端部は、畝Ｃ１０よりも多くのレジストが集中しやすい。
【００５５】
＜変形例３＞
図１０Ｃに示すように、本変形例の配線板１Ｃの貫通孔Ｈ１０Ｃの内面には、深さ方向に平行で第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、凸状の畝Ｃ１０Ｃがある。
【００５６】
配線板１Ａ〜配線板１Ｃのように、貫通孔は略Ｄ字形でもよい。すなわち、貫通孔は壁面の少なくとも一部に平面部を有することが好ましい。
【００５７】
＜変形例４＞
図１０Ｄに示すように、本変形例の配線板１Ｄの貫通孔Ｈ１０Ｄの内面には、深さ方向に平行で第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、高さｔの３つの畝Ｃ１０Ｄがある。
【００５８】
＜変形例５＞
図１０Ｅに示すように、本変形例の配線板１Ｅの貫通孔Ｈ１０Ｅの内面は、深さ方向に平行で第１の主面１０ＳＡから第２の主面１０ＳＢに至る、深さｄの３つの溝Ｃ１０Ｅがある。
【００５９】
配線板１Ｄおよび配線板１Ｄのように、貫通孔には、離れた位置に複数の溝または複数の畝があってもよい。複数の溝または複数の畝のある貫通孔は、溝または畝の間の中央部にレジスト残渣が生じにくい。なお、複数の溝または複数の畝は、貫通電極の中心軸に対して回転対称な位置関係にあることが好ましい。
【００６０】
以上の説明のように、配線板は貫通孔の開口形状（断面形状）が、略円形であるが、樹脂溜まりを構成するための、溝および畝の少なくともいずれかがあればよい。例えば、貫通孔Ｈ１０は矩形の開口の一部に、畝による凸部、および、溝による凹部のある形状でもよい。
【００６１】
なお、以上の変形例においても、配線部の延設方向（Ｙ軸値増加方向）の内面には、溝または畝がないことが好ましい。また、溝の深さｄまたは畝の高さｔは、略円形の貫通孔の最大開口幅（内径Ｒ）の３％以上３０％以下であることが好ましい。
【００６２】
本発明は上述した実施形態および変形例等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
【符号の説明】
【００６３】
１、１Ａ〜１Ｅ…配線板
１０…基板
１１、１２…絶縁層
２０…第１の導体
３０…導電層
４０…第２の導体
５０…貫通電極
６０…電気めっき層
７０…フォトレジスト
７１…レジスト残渣
７１Ｂ…オーバーハング領域
８０…フォトマスク
Ｈ１０…貫通孔
【図１Ａ】
2018133426.tif 000003
【図１Ｂ】
2018133426.tif 000004
【図２】
2018133426.tif 000005
【図３】
2018133426.tif 000006
【図４】
2018133426.tif 000007
【図５Ａ】
2018133426.tif 000008
【図５Ｂ】
2018133426.tif 000009
【図６】
2018133426.tif 000010
【図７Ａ】
2018133426.tif 000011
【図７Ｂ】
2018133426.tif 000012
【図８Ａ】
2018133426.tif 000013
【図８Ｂ】
2018133426.tif 000014
【図９Ａ】
2018133426.tif 000015
【図９Ｂ】
2018133426.tif 000016
【図９Ｃ】
2018133426.tif 000017
【図１０Ａ】
2018133426.tif 000018
【図１０Ｂ】
2018133426.tif 000019
【図１０Ｃ】
2018133426.tif 000020
【図１０Ｄ】
2018133426.tif 000021
【図１０Ｅ】
2018133426.tif 000022