(57)【要約】【課題】パーティクルの発生を抑制できるペリクル枠及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミックスからなるペリクル枠１は、少なくとも、内周面７と上面１１とのなす第１エッジ部２３ａ及び内周面７と下面１３とのなす第２エッジ部２３ｂが、Ｒ面取りされてＲ半径を有する形状であるので、第１、第２エッジ部２３ａ、２３ｂにおける粒子脱落を抑制できる。そのため、粒子脱落によるパーティクルの発生を抑制できるので、例えば半導体部品の製造時おける配線パターンの欠陥の発生を抑制できる。特に、Ｒ面取りのＲ半径を、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍの範囲に設定することにより、好適に第１、第２エッジ部２３ａ、２３ｂにおける粒子脱落（従ってパーティクルの発生）を抑制できる。【選択図】図３
2018180252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周面及び外周面と、前記内周面と前記外周面とに連接された上面及び下面と、を有する、ペリクル膜を張設用のペリクル枠において、
前記ペリクル枠は、セラミックスからなり、
少なくとも、前記内周面と前記上面とのなすエッジ部及び前記内周面と前記下面とのなすエッジ部が、Ｒ面取りされたＲ半径を有する、
ペリクル枠。
【請求項２】
前記Ｒ面取りのＲ半径は、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍである、
請求項１に記載のペリクル枠。
【請求項３】
前記上面及び前記下面の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの表面粗さを有する、
請求項１又は２に記載のペリクル枠。
【請求項４】
ヤング率が１５０ＧＰａ以上、且つ、ビッカース硬度が８００以上である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のペリクル枠。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれか１項に記載のペリクル枠の製造方法であって、
セラミックスからなる枠体に対して、砥粒及びブラシを用いて研磨加工を行うことによって、前記Ｒ面取りを行う、
ペリクル枠の製造方法。
【請求項６】
前記砥粒を含む複数のフィラメントを備えたブラシを用いて、前記研磨加工を行う、
請求項５に記載のペリクル枠の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペリクル枠及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造において、半導体ウェハに配線パターンを形成する露光工程ではフォトマスクが用いられるが、このフォトマスクに異物（パーティクル）が付着すると配線パターンの欠陥が生じる。
【０００３】
この対策として、即ち防塵するために、フォトマスクの表面を覆うような透明な薄い膜（ペリクル膜）が張設されたペリクルが用いられる。
また、このペリクル膜をフォトマスクから所定距離離して配するために、ペリクル枠という長方形の枠体が用いられる（特許文献１参照）。
【０００４】
このペリクル枠は、フォトマスクの変形を抑えるために、高い平面度と剛性が要求されるので、その材料としては、セラミックス材料が好適である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１２２０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、セラミックスは、高剛性・高硬度材料である反面、脆性材料であるので、ペリクル枠の機械加工時には、特に面と面とが交わるエッジにおいて、マイクロクラックが発生し易く、粒子脱落の原因となっている。
【０００７】
ペリクル枠からの粒子脱落等によってパーティクルが発生すると、上述したように配線パターンの欠陥の原因となるので、パーティクルの発生を抑制することが望まれるが、その対策は必ずしも十分ではない。
【０００８】
例えば、セラミックス材に対しては、ダイアモンド砥石を用いたＣ面取り加工を行うことが考えられるが、Ｃ面取り加工では、エッジの角度を大きくするのみ（例えば９０°から１３５°に変更）であり、エッジ自体が残存することに変わりはない。
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、パーティクルの発生を抑制できるペリクル枠及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の第１局面は、内周面及び外周面と、内周面と外周面とに連接された上面及び下面と、を有する、ペリクル膜を張設用のペリクル枠に関するものである。
このペリクル枠は、セラミックスからなり、少なくとも、内周面と上面とのなすエッジ部及び内周面と下面とのなすエッジ部が、Ｒ面取りされたＲ半径を有する形状となっている。
【００１１】
本第１局面では、セラミックスからなるペリクル枠は、少なくとも、内周面と上面とのなすエッジ部及び内周面と下面とのなすエッジ部が、Ｒ面取りされているので、エッジ部における粒子脱落を抑制できる。そのため、粒子脱落によるパーティクルの発生を抑制できるので、例えば半導体部品の製造時おける配線パターンの欠陥の発生を抑制できるという顕著な効果を奏する。
【００１２】
（２）本発明の第２局面では、Ｒ面取りのＲ半径は、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍであってもよい。
本第２局面では、Ｒ面取りのＲ半径を、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍの範囲に設定することにより、エッジ部における粒子脱落（従ってパーティクルの発生）を、好適に抑制できる。
【００１３】
（３）本発明の第３局面では、上面及び下面の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの表面粗さであってもよい。
ペリクルは、粘着剤にてフォトマスクに装着されるが、露光等によってペリクル膜に曇り（ヘイズ）が発生したり異物が付着した場合には、ペリクル膜の張り替えを行う必要がある。
【００１４】
そして、ペリクルをフォトマスクから剥離する際に、粘着剤がフォトマスク側に残留しないように、粘着剤の接着強度は、対ペリクル枠＞対フォトマスクとする必要がある。つまり、粘着剤はフォトマスクから剥がれ易く、ペリクル枠には剥がれにくいようにする必要がある。
【００１５】
しかし、通常、ペリクル枠（特にその上面や下面）は、高い平面度を得るために、研磨加工されるので、上面や下面の表面粗さは低く（例えばＲａ＜０．０５μｍ）、そのため、接着剤の接着強度は十分ではなかった。
【００１６】
それに対して、本第３局面では、上面及び下面の少なくとも一方を、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの表面粗さとすることにより、接着剤の接合強度を高めることができる。
【００１７】
それにより、ペリクルをフォトマスクから剥離する際に、粘着剤がフォトマスク側に残留することを抑制できるので、フォトマスクが、残留した接着剤によって汚れることを抑制できる。
【００１８】
なお、算術平均粗さＲａとしては０．４μｍ以下を採用でき、最大高さＲｙとしては、４．０μｍ以下を採用できる。
（４）本発明の第４局面では、ヤング率が１５０ＧＰａ以上、且つ、ビッカース硬度が８００以上であってもよい。
【００１９】
このような特性を有するペリクル枠は、高いヤング率およびビッカース硬度の焼結体を用いているので、ペリクル枠にペリクル膜を張設した際に発生する膜張力により、ペリクル枠が変形するのを抑制することができる。
【００２０】
（５）本発明の第５局面は、第１〜第４局面のいずれかのペリクル枠の製造方法に関するものである。
このペリクル枠の製造方法では、セラミックスからなる枠体に対して、砥粒及びブラシを用いて研磨加工を行うことによって、Ｒ面取りを行う。
【００２１】
ペリクル枠を製造する際に（特にエッジ部分の加工を行う際に）、機械加工によらず、サンドブラスト加工を行うことが考えられる。しかし、この方法では、ブラスト砥粒の衝突圧によって生じた圧縮応力によって、ペリクル枠に反りが発生し、平面度が悪化する恐れがある。
【００２２】
それに対して、本第５局面では、セラミックスからなる枠体に対して、砥粒及びブラシを用いて研磨加工（いわゆるブラシ研磨）を行うことによって、Ｒ面取りを行うので、ペリクル枠に反りが発生することを抑制しつつ、好適にＲ面取りを行うことができる。
【００２３】
（６）本発明の第６局面では、砥粒を含む複数のフィラメントを備えたブラシを用いて、研磨加工を行ってもよい。
本第６局面では、砥粒及びブラシを用いて研磨加工を行う場合の好適な例を示したものである。砥粒を含むフィラメントを備えたブラシを用いることによって、好適にＲ面取りを行うことができる。しかも、上面や下面の平面度を悪化させることなく、表面粗さを上げて、上述した表面粗さに好適に調整することができる。また、加工の際に、洗浄等が容易であるという利点がある。
【００２４】
＜以下、本発明の構成について説明する＞
・Ｒ面取りのＲ半径を求める方法としては、複数の点の座標を用い、最小二乗法によって、円のフィッティングを行うことによって、円を特定する周知の方法を採用できる。
【００２５】
・算術平均粗さＲａ、最大高さＲｙは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４の規定による。
・セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、サイアロンおよびそれらの複合材のうちのいずれかを採用できる。
【００２６】
なお、「セラミックスからなる」は、セラミックスが８５体積％以上のものを示している。例えば、無機粒子（セラミックス粒子）の焼結体や、無機粒子（セラミックス粒子）と金属粒子の複合焼結体など無機材料を焼結して得られた焼結体を含むものである。
【００２７】
・ペリクル枠の上面とは、枠体の内周面と外周面とをつなぐ一方の面であり、下面とは上面と反対側の面である。なお、ペリクル枠の上面にペリクル膜が張設される場合には、下面がフォトマスクに載置される。
【００２８】
・ペリクル枠の厚み（上面と下面との間の寸法）としては、２ｍｍ〜５ｍｍの範囲を採用できる。
・砥粒の材料としては、例えばダイアモンドが挙げられる。また、砥粒の大きさ（サイズ）としては、＃２２０〜＃８００の範囲のもの（例えば＃５００）が挙げられる。
【００２９】
・フィラメントはブラシを構成する糸状の部材であり、その材料としては、ナイロン、アラミド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態としてのペリクル枠を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は枠部の断面（長手方向に垂直な断面）を拡大して示す断面図、（ｂ）は図３（ａ）のＢ部（エッジ部）を拡大して示す断面図である。
【図４】ペリクル枠の製造方法を示す工程図である。
【図５】実験例２におけるNo.２の試料のエッジ部を拡大して示す拡大鏡写真である。
【図６】追加試料のエッジ部を拡大して示す顕微鏡写真である。
【図７】比較例の試料のエッジ部を拡大して示す顕微鏡写真である。
【図８】実験例３におけるNo.７の試料の上面のエッジ部のＲ半径を求める際の形状測定の結果を示す説明図である。
【図９】実験例３におけるNo.７の試料の下面のエッジ部のＲ半径を求める際の形状測定の結果を示す説明図である。
【図１０】実験例３におけるNo.１０の試料の下面のエッジ部のＲ半径を求める際の形状測定の結果を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．実施形態］
［１−１．全体構成］
まず、ペリクル枠の全体構成について説明する。
【００３２】
図１及び図２に示すように、ペリクル枠１は、その片面（図２の上方）にペリクル膜３が張設されるセラミックス（例えば窒化ケイ素）からなる部材である。なお、図１では、ペリクル枠１自体を示し、図２では、ペリクル枠１の片面にペリクル膜３が張設されたペリクル５を示している。
【００３３】
また、以下では、ペリクル枠１の全ての面のうち、ペリクル枠１の内側の面を内周面７、外側の面を外周面９とよぶ。また、内周面７と外周面９とに連接され面のうち、ペリクル膜３が張設された側を上面１１、反対の面を下面１３とよぶ。なお、これらの面を区別する必要がない場合には、単に表面と呼ぶことがある。
【００３４】
図１に示すように、直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標系において、ペリクル枠１は、Ｚ方向から見た平面視で、長方形状の枠体であり、中央には平面視で長方形の中央貫通孔１５を有している。
【００３５】
つまり、ペリクル枠１は、同一平面上にて、平面視で、上下左右の四方に配置された長尺の枠部からなる。詳しくは、ペリクル枠１は、Ｘ軸に平行に配置された上枠部１ｃ及び下枠部１ｄと、Ｙ軸に平行に配置された左枠部１ａ及び右枠部１ｂとによって構成されている。
【００３６】
なお、ペリクル枠１の外形の寸法は、例えば、縦（Ｙ方向）約１４９ｍｍ×横（Ｘ方向  ）約１２０ｍｍ×厚み（Ｚ方向）約３ｍｍである。また、ペリクル枠１の各枠部１ａ〜１ｄは四角柱であり、その縦横の寸法（即ち長手方向に垂直な断面における縦横の寸法）は、同一（即ち約３ｍｍ）である。
【００３７】
前記ペリクル枠１には、平面視で、Ｘ方向における左右の枠部（左枠部１ａ、右枠部１ｂ）に、４箇所、窪み１７、１９が設けられている。窪み１７、１９は、図２に示したように、有底の丸穴であり、底部は円錐形状に整えられている。この窪み１７、１９は、ペリクル５の製造およびその後のフォトマスク（図示せず）に取り付ける際の位置決めに用いられる。位置決めに際しては、図示しないペリクル製造装置あるいはペリクル取り付け装置に設けられた位置決めピンが、４箇所の窪み１７、１９に嵌合する。
【００３８】
ペリクル枠１の上枠部１ｃ及び下枠部１ｄには、貫通孔２１がそれぞれ設けられている。この貫通孔２１は、フォトマスクにペリクル５が取り付けられた後、ペリクル５とフォトマスクに囲まれた空間と外部環境との気圧調整に用いられる。なお、外部環境から粉塵が侵入しないよう、貫通孔２１には、図示しないフィルタが設けられる。
【００３９】
特に、本実施形態では、図３に拡大して示すように、ペリクル枠１の各枠部１ａ〜１ｄにおいて、内周面７と上面１１とが交わる角部（第１エッジ部２３ａ）と、内周面７と下面１３とが交わる角部（第２エッジ部２３ｂ）と、外周面９と上面１１とが交わる角部（第３エッジ部２３ｃ）と、外周面９と下面１３とが交わる角部（第４エッジ部２３ｄ）とは、後述するＲ面取りにより、Ｒ面取り部２５が形成されている。このＲ面取り部２５におけるＲ半径は、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍの範囲内である。
【００４０】
なお、外周面９と上面１１とが交わる第３エッジ部２３ｃと、外周面９と下面１３とが交わる第４エッジ部２３ｄとには、Ｒ面取り部２５を設けなくともよい。なお、各エッジ部２３ａ〜２３ｄをエッジ部２３と総称する。
【００４１】
また、本実施形態では、ペリクル枠１の上面１１及び下面１３は、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの表面粗さを有する。
なお、ペリクル枠１の下面１３のみを、上述した表面粗さ（Ｒａ、Ｒｙ）とし、上面１１は、異なる表面粗さとしてもよい。例えば、上面１１の表面粗さを、算術平均粗さＲａ＜０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＜０．５μｍのように、下面１３の表面粗さより小さい値（即ち滑らか）にしてもよい。
【００４２】
これは、ペリクル５がフォトマスクに取り付けられる際、ペリクル枠１におけるフォトマスク側となる下面１３の表面粗さを上記範囲とすることで、ペリクル５をフォトマスクに取り付ける際の接着剤とペリクル枠１との密着性を十分に確保できる。そのため、ペリクル５をフォトマスクから剥がす際、接着剤がフォトマスクに残ることを防止することができる。
【００４３】
更に、本実施形態では、ペリクル枠１は、ヤング率が１５０ＧＰａ以上、且つ、ビッカース硬度が８００以上の特性を有している。
なお、ペリクル枠１の平面度は１０μｍ以下である。
【００４４】
［１ー２．ペリクル枠の製造方法の概略］
次に、ペリクル枠１の製造方法の概略について説明する。
（１）図４に示すように、ペリクル枠１を製造する場合には、まず粉体を製作する（工程Ｐ１）。
【００４５】
ここで粉体とは、焼結体の元になる物質であり、後述する様に、窒化ケイ素やジルコニア、あるいはアルミナなどの原料粉末に焼結助剤などを適宜加え湿式混合した後、噴霧乾燥法によって５０μｍ〜１００μｍの顆粒に作製したものである。
【００４６】
なお、原料粉末の粒径の測定は、レーザー回折・散乱法により行なったが、動的光散乱法や沈降法により行なってもよい。
（２）次に、この粉体を成型し、ペリクル枠１の原形を形成する（工程Ｐ２）。
【００４７】
本実施形態では、焼成後に、約縦１５３ｍｍ×横１２４ｍｍ×枠部の幅（断面縦横）約７ｍｍ程度になるように成型した。後述する焼成工程により、ペリクル枠１の外形は、２０〜３０％程度縮むため、予め、焼成後のペリクル枠１より大きく成型する。なお、ペリクル枠１は、半導体露光装置における露光用マスクの大きさに合わせて種々の大きさが可能である。
【００４８】
（３）次に、粉体を成型した後、これを所定温度で焼成する（工程Ｐ３）。
この焼成温度は、粉体の組成によるが、一般に１５００℃以上である。焼成することにより、高いヤング率と硬度とを持つ焼結体が得られる。
【００４９】
（４）次に、焼成後、外形を、マシニングセンターなどを用いて、研削加工する（工程Ｐ４）。
ペリクル枠１の外形は、焼成により２０〜３０％程度縮むため、０．５〜１．０％の寸法バラツキが不可避であり、寸法精度を出すために、研削加工により、所望の大きさに研削する。研削加工により、５０μｍ程度の寸法精度および平面度が得られる。
【００５０】
（５）次に、平研加工を行なう（工程Ｐ５）。
平研加工では、幅２０ｍｍ程度の円盤形状のダイアモンド砥石を高速回転し、外形研削したペリクル枠１の上面１１および下面１３を平らに加工する。平面度が１０μｍ以下、好ましくは５μｍ程度となるよう加工する。なお、算術平均粗さＲａは、０．０５μｍ程度に加工する。
【００５１】
（６）次に、ブラシ研磨によって、ペリクル枠１の表面の研磨や各エッジ部２３のＲ面取り加工を行う（工程Ｐ６）。
本実施形態のブラシ研磨とは、砥粒が練り込まれた糸状の部材（フィラメント）を多数備えたブラシによって、表面を研磨するものである。本実施形態では、このブラシ研磨によって、表面を研磨することにより、上面１１及び下面１３の表面粗さを上述した範囲とするとともに、エッジ部２３を研磨してＲ面取り部２５を形成する。
【００５２】
詳しくは、このブラシ研磨により、Ｒ面取り部２５におけるＲ半径を、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍの範囲に調整する。また、同時に、ペリクル枠１の上面１１及び下面１３の表面粗さを、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの範囲に調整する。
【００５３】
なお、ブラシ研磨を行う装置（ブラシ研磨機：ブラシ加工機）としては、市販の周知の装置を使用できる。
ここで、Ｒ半径の大きさは、ブラシ研磨の加工時間によるので、加工時間を調節することにより、所望のＲ半径に調整できる。例えば、２分〜１０分を採用できるが、好ましくは３分〜４分程度である。
【００５４】
また、ペリクル枠１の表面粗さは、砥粒の粒度によるので、目的とする表面粗さとするために、対応する砥粒の粒度を適宜選択すればよい。なお、表面粗さと砥粒の粒度との対応関係は、ブラシ研磨機に応じて開示されているが、実験等によって確認してもよい。
【００５５】
なお、砥粒の材料としては、例えばダイアモンドを採用でき、その粒度としては、例えば＃２２０〜＃８００の範囲（例えば＃５００）を採用できる。また、フィラメントとしては、ナイロン、アラミド等の樹脂からなる直径がφ１ｍｍ以下（例えばφ０．７ｍｍ）を採用できる。
【００５６】
以上の工程により、本実施形態のペリクル枠１を製造することができる。
［実施例］
次に、ペリクル枠１の製造方法の具体的な実施例について説明する。
【００５７】
図４に示した製造工程に従い、以下の工程で、原材料の主成分として窒化ケイ素を用いたペリクル枠１を製造した。
（１）まず、α型窒化ケイ素が９０体積％以上で平均粒径が０．７μｍの窒化ケイ素粉末と、焼結助剤として平均粒径が１．５μｍの酸化イットリウム及び平均粒径１．０μｍの酸化アルミニウムを重量比で９４：３：３の割合で湿式混合し、成型用有機バインダーを加えた後、通常の噴霧乾燥法により窒化ケイ素素地粉末を作製した。これが粉体製作工程Ｐ１に相当する。
【００５８】
（２）次に、素地粉末を金型プレス法により、外形寸法＝縦１８４ｍｍ×横１４９ｍｍ×幅８．５ｍｍ程度に成型した。これが成型工程Ｐ２に相当する。
（３）更に、成型体を脱バインダー後、窒素ガス２０気圧の雰囲気中で１８５０℃×２時間保持したのち、窒素ガス圧を７５気圧に増圧してさらに２時間保持することにより、緻密な窒化ケイ素焼結体（縦１５３ｍｍ×横１２４ｍｍ×幅７ｍｍ）を焼成した。これが、焼成工程Ｐ３に相当する。
【００５９】
（４）その後、外形をマシンニングセンターで、１４９ｍｍ×１２０ｍｍ×幅３ｍｍに加工した。これが外形研削工程Ｐ４に相当する。
（５）更に、外形研削した上面および下面をダイアモンド砥石にて平研加工した。これが平研加工工程Ｐ５に相当する。
【００６０】
（６）最後に、＃５００のダイアモンド砥粒を含む多数のフィラメン（フィラメント径φ０．７ｍｍ）を備えたブラシを用いてブラシ研磨を行ない、上面１１及び下面１３の研磨を行うとともに、Ｒ面取り加工を行った。これがブラシ研磨工程Ｐ６に相当する。
【００６１】
以上の処理により、窒化ケイ素を主成分とするペリクル枠１を得た。このペリクル枠１のヤング率とビッカース硬度とを計測したところ、ヤング率３２０ＧＰａ、ビッカース硬度１５００であった。
【００６２】
なお、他のアルミナ等のセラミックス材料を用い、ブラシ研磨以外は従来と同様な方法によって、同様な形状のペリクル枠を製造してもよい。
［１−３．効果］
（１）本実施形態では、セラミックスからなるペリクル枠１は、少なくとも、内周面７と上面１１とのなす第１エッジ部２３ａ及び内周面７と下面１３とのなす第２エッジ部２３ｂが、Ｒ面取りされているので、各エッジ部２３における粒子脱落を抑制できる。そのため、粒子脱落によるパーティクルの発生を抑制できるので、例えば半導体部品の製造時おける配線パターンの欠陥の発生を抑制できるという顕著な効果を奏する。
【００６３】
（２）本実施形態では、Ｒ面取りのＲ半径を、Ｒ０．０１ｍｍ〜Ｒ０．１ｍｍの範囲に設定することにより、好適にエッジ部２３における粒子脱落（従ってパーティクルの発生）を抑制できる。
【００６４】
（３）本実施形態では、上面１１及び下面１３の少なくとも一方は、算術平均粗さＲａ＞０．０５μｍ、且つ、最大高さＲｙ＞０．５μｍの表面粗さであるので、フォトマスクの接着剤の接合強度を高めることができる。
【００６５】
それにより、ペリクル５をフォトマスクから剥離する際に、粘着剤がフォトマスク側に残留することを抑制できるので、フォトマスクが残留した接着剤によって、汚れることを抑制できる。
【００６６】
（４）本実施形態では、ペリクル枠１は、ヤング率が１５０ＧＰａ以上、且つ、ビッカース硬度が８００以上であるので、ペリクル枠１にペリクル膜３を張設した際に発生する膜張力により、ペリクル枠１が変形するのを抑制することができる。
【００６７】
（５）本実施形態では、ペリクル枠１を製造方法する場合には、セラミックスからなる（平研加工後の）ペリクル枠に対して、砥粒を含む複数のフィラメントを備えたブラシを用いて研磨加工（即ちブラシ研磨）を行うことによって、Ｒ面取りを行うので、ペリクル枠１に反りが発生することを抑制しつつ、好適にＲ面取りを行うことができる。
【００６８】
また、このブラシ研磨によれば、上面１１や下面１３の平面度を悪化させることなく、表面粗さを上げて、上述した表面粗さに好適に調整することができる。また、加工の際に、洗浄等が容易であるという利点がある。
【００６９】
［１−４．文言の対応関係］
第１実施形態の、ペリクル枠１、ペリクル膜３、内周面７、外周面９、上面１１、下面１３、第１エッジ部２３ａ及び第２エッジ部２３ｂは、それぞれ、本発明の、ペリクル枠、ペリクル膜、内周面、外周面、上面、下面、エッジ部の一例に相当する。
【００７０】
［２．実験例］
次に、本発明の効果等を確認した実験例について説明する。
＜実験例１＞
前記実施例と同様な方法で製造したペリクル枠のサンプル（但しブラシ研磨の前までの試料）に対して、下記の試験条件にて、上述したブラシ研磨機を用いてブラシ研磨を行った。その結果を下記表１に記す。
【００７１】
（試験条件）
・ダイアモンド砥粒の粒径：＃５００
・フィラメント線径      ：φ０．７ｍｍ
・ブラシ先端位置：ワーク表面からの高さ：−０．９ｍｍ
・研磨回転方向  ：研磨時間の前半は正転、後半は逆転
【００７２】
【表１】
2018180252.tif 000003
【００７３】
なお、表面粗さを示す算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４の規定に従って求めた（後述する最大高さＲｙについても同様である）。なお、表面粗さ（Ｒａ、Ｒｙ）は、周知の表面粗度測定用検出器を用いて測定した。
【００７４】
また、Ｒ面取り寸法とは、ペリクル枠の中央貫通孔側のエッジ部のＲ半径である（以下同様）。なお、このＲ半径については、後述する実験例３に示すように、形状測定用検出器によって求めた。
【００７５】
この表１から明らかなように、ブラシ研磨後の本発明の試料（試料No.１〜４）については、試料のペリクル枠の厚み方向の表面（即ち上面や下面に相当）の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍより大きく、好ましい範囲であった。
【００７６】
また、Ｒ面取り寸法（即ちエッジ部のＲ半径）は、０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲であり、好ましい範囲であった。
なお、本実験例１によれば、研磨時間を増加しても、算術平均粗さＲａにそれほど変化は見られなかった。また、研磨時間を増やすと、Ｒ面取り寸法は増加するが、それほど大きな変形は見られなかった。
【００７７】
＜実験例２＞
また、実験例１の研磨後のNo.１〜４の各試料に対し、走査型電子顕微鏡（倍率２００倍）にて、研磨されたエッジ部を観察したところ、エッジ部の表面は滑らかで、粒子脱落等の欠陥は見られなかった。
【００７８】
なお、図５に、No.２の試料のエッジ部の拡大鏡写真を示す。
また、前記試料とは別に、同様なサンプル（追加試料）を作製し、同様に、走査型電子顕微鏡にて、研磨されたエッジ部を観察したところ、エッジ部の表面は滑らかで、粒子脱落等の欠陥は見られなかった。
【００７９】
なお、追加試料は、ブラシ研磨の時間は５分であり、Ｒ半径は０．０３ｍｍである。
図６に、追加試料のエッジ部の顕微鏡写真を示す。なお、図６（ａ）は倍率５００倍の顕微鏡写真であり、図６（ｂ）は同じ試料の倍率１０００倍の顕微鏡写真である。
【００８０】
＜実験例３＞
前記実験例１とは別に、同様な試料（試料No.５〜１０）を作製し、実験例１と同様な条件（但し研磨時間等一部を変更した）にて、同様にブラシ研磨を行った。なお、本実験例３では、上面及び下面に対して、同様にブラシ研磨を行った。
【００８１】
そして、各試料の算術平均粗さＲａと最大高さＲｙを測定した。また、実験例１と同様に、Ｒ面取り寸法（即ちＲ半径）を測定した。その結果を、下記表２に記す。
また、実験例３の試料（試料No.５〜１０）とは別に、本発明の範囲外の比較例の試料（試料No.１７）を作製した。この試料は、前記実験例３と同様に製造したペリクル枠のサンプルであるが、ブラシ研磨を実施しなかったものである。
【００８２】
そして、この比較例（ブラシ研磨を実施しないもの）についても、算術平均粗さＲａと最大高さＲｙを測定した。また、Ｒ面取り寸法（即ちＲ半径）を測定した。その結果を、下記表２に記す。
【００８３】
【表２】
2018180252.tif 000004
【００８４】
この表２から明らかなように、ブラシ研磨後の本発明の試料（試料No.５〜１０）は、試料のペリクル枠の上面及び下面の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍより大きく、かつ、最大高さＲｙは、０．５μｍより大きく、好ましい範囲であった。
【００８５】
なお、この試料（試料No.５〜１０）のブラシ研磨したエッジ部についても、実験例１と同様に、粒子脱落等の欠陥はみられなかった。
また、Ｒ面取り寸法（即ちエッジ部のＲ半径）は、上面及び下面とも、０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲であり、好ましい範囲であった。
【００８６】
一方、ブラシ研磨を行わなかった比較例の試料（試料No.１７）は、試料のペリクル枠の表面（上面及び下面も同様である）の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍより小さく、好ましい範囲ではなかった。なお、最大高さＲｙは、０．５μｍより大きかった。
【００８７】
また、比較例の試料のエッジ部を顕微鏡にて観察した。図７（ａ）は、比較例の試料の倍率５００倍の顕微鏡写真であり、図７（ｂ）は同じ試料の倍率１０００倍の顕微鏡写真である。
【００８８】
図７から明らかなように、比較例の試料では、エッジ部にＲ面取り部を有さず、エッジ部から粒子脱落の欠陥が見られる。この欠陥から、更なる粒子脱落の起こる恐れがある。
（Ｒ半径の求め方）
ここで、Ｒ面取り部のＲ半径の求め方について説明する。
【００８９】
周知のように、複数の点の座標を用い、最小二乗法によって、円のフィッティングを行うことによって、円を特定することができる。つまり、検知器の触針をワーク（即ち試料）のエッジ部を横断するように走査して得られた図８〜図１０のプロファイルから、Ｒ面取り部の始点と終点を指定すれば、公知のプログラムによって円の半径を求めることができる。なお、図８〜図１０のプロファイルにおいて、直線から円に移行する点をＲ形状の始点、円から直線に戻る点をＲ形状の終点として指定することができる。
【００９０】
なお、使用する点群のデータとしては、エッジ部を含む範囲を適宜設定することができる。例えば、実験等（詳しくは研磨時間とＲ半径との関係）からＲ半径（従って直径）を予想し、その予想する直径よりも十分に長い（例えば１０倍）範囲を設定することができる。
【００９１】
ここでは、Ｒ半径を求める試料として、No.７の上面及び下面、No.１０の下面のエッジ部を例に挙げて説明する。
Ｒ面取り部の形状測定は、下記の実験条件にて、Ｒ面取り部の形状を、表面粗度計に形状測定用検出器を取り付けた状態で測定した。この測定では、中央にてＲ面取り部が上方に突出するように、上面と内周面の傾斜を４５°として行った（図８〜図１０参照）。なお、図８〜図１０において、紙面に対して垂直の方向がエッジ部の延びる方向である。
【００９２】
（実験条件）
・形状測定用検出器：ミツトヨ社製  ＳＶーＣ３０００ＣＮＣ
・測定長さ  ：Ｘ方向：各図の左右方向
（No.７の上面：1.3354ｍｍ、No.７の下面：1.2954ｍｍ、No.１０の下面：1.4558ｍｍ）
・測定ピッチ：０．００５０ｍｍ
・測定速度  ：０．５０ｍｍ／ｓｅｃ
この測定結果を、図８〜図１０に示す。
【００９３】
図８に示すように、No.７の上面のエッジ部の半径は、０．０３７３ｍｍである。図９に示すように、No.７の下面のエッジ部の半径は、０．０４０６ｍｍである。図１０に示すように、No.１０の下面のエッジ部の半径は、０．０４１５ｍｍである。
【００９４】
＜実験例４＞
前記実験例１とは別に、同様なサンプル（試料No.１１〜１６）を作製し、実験例１と同様な条件（但し研磨時間等一部を変更した）にて、同様にブラシ研磨を行った。その結果を下記表３に記す。
【００９５】
なお、本実験例４では、上面及び下面に対して、同様にブラシ研磨を行った。
【００９６】
【表３】
2018180252.tif 000005
【００９７】
この表３から明らかなように、ブラシ研磨後の本発明の試料（試料No.１１〜１６）は、試料のペリクル枠の上面及び下面の表面粗さＲａは、０．０５μｍより大きく、好ましい範囲であった。
【００９８】
また、Ｒ面取り寸法（即ちエッジ部のＲ半径）は、上面及び下面とも、０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲であり、好ましい範囲であった。
なお、この試料（試料No.１１〜１６）のブラシ研磨したエッジ部についても、実験例１と同様に、粒子脱落等の欠陥はみられなかった。
【００９９】
［３．その他の実施形態］
尚、本発明は、前記実施形態等に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【０１００】
（１）例えば、ペリクル枠を形成するセラミックス材料としては、例えば特開２０１６−１２２０９１号公報に開示されているように、窒化ケイ素、ジルコニア、アルミナと炭化チタンの複合セラミックス等、各種の材料を採用できる。
【０１０１】
なお、同公報に開示されているように（実施形態２、３参照）、例えばジルコニアを用いたペリクル枠は、ヤング率２１０ＧＰａ、ビッカース硬度１２００であり、アルミナと炭化チタンの複合セラミックスを用いたペリクル枠は、ヤング率４２０ＧＰａ、ビッカース硬度２１００である。
【０１０２】
（２）ブラシ研磨に用いる部材等としては、砥粒を含む多数のフィラメントを備えたブラシを用いることが好ましいが、Ｒ面取りに着目した場合には、フィラメンとは別に砥粒を供給して、ブラシにて研磨してもよい。
【０１０３】
（３）なお、上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…ペリクル枠
３…ペリクル膜
５…ペリクル
７…内周面
９…外周面
１１…上面
１３…下面
２３…エッジ部
２３ａ…第１エッジ部
２３ｂ…第２エッジ部
２５…面取り部
【図１】
2018180252.tif 000006
【図２】
2018180252.tif 000007
【図３】
2018180252.tif 000008
【図４】
2018180252.tif 000009
【図５】
2018180252.tif 000010
【図６】
2018180252.tif 000011
【図７】
2018180252.tif 000012
【図８】
2018180252.tif 000013
【図９】
2018180252.tif 000014
【図１０】
2018180252.tif 000015