(57)【要約】【課題】研磨パッドに含まれる固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止すること。【解決手段】研磨パッド（４７）は、シリコン基板の表面にデバイスが形成されたウエーハ（Ｗ）の裏面（Ｗ２）に金属イオンの誘導を規制するゲッタリング層を形成するための円環状の研磨パッドである。シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第１の研磨部材（４７ａ）と、シリコンよりモース硬度が高く研磨を誘発する研磨微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第２の研磨部材（４７ｂ）とを面内に交互に敷設して形成される。固相反応微粒子を含む第１の研磨部材と、研磨微粒子を含む第２の研磨部材とにより研磨パッドが区画されて形成されるため、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面に金属イオンの誘導を規制するゲッタリング層を形成するための円環状の研磨パッドであって、
シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第１の研磨部材と、シリコンよりモース硬度が高く研磨を誘発する研磨微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第２の研磨部材とを面内に交互に敷設して円環状に形成された研磨パッド。
【請求項２】
該第１の研磨部材と該第２の研磨部材のそれぞれが、円環状の中央から外周に向かって放射状に分割された扇形状セグメントに形成され、該第１の研磨部材と該第２の研磨部材の複数の該扇形状セグメントが交互に敷設されて円環状に形成された請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
該第１の研磨部材と該第２の研磨部材のそれぞれが矩形状のセグメントに形成され、該第１の研磨部材と該第２の研磨部材の複数の該矩形状セグメントが交互に敷設されて円環状に形成された請求項１記載の研磨パッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを研磨する研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、複数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、半導体デバイスを形成する。半導体デバイスの小型化及び軽量化を図るために、半導体ウエーハを分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削している。このように半導体ウエーハを研削すると、半導体ウエーハの裏面にマイクロクラックからなる１μｍ程度の研削歪層が生成される。半導体ウエーハの厚みが１００μｍ以下に薄くなると、この研削歪層により半導体デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
【０００３】
このような問題を解消するために、半導体ウエーハを所定の厚みに研削した後、半導体ウエーハの裏面にポリッシング加工、ウエットエッチング加工、ドライエッチング加工等を施し、半導体ウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去し、半導体デバイスの抗折強度の低下を防いでいる。
【０００４】
一方で、ＤＲＡＭやフラッシュメモリ等のようにメモリ機能を有する半導体デバイスが複数形成された半導体ウエーハにおいては、研削歪層を除去すると、メモリ機能が低下するという問題がある。これは、半導体ウエーハ裏面の研削歪層が除去されるとゲッタリング効果が消失して、半導体ウエーハの内部に含有した銅等の金属イオンがデバイスの形成された表面側に浮遊することで電流リークが発生するためと考えられる。
【０００５】
このような問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面に０．２μｍ以下の厚さのマイクロクラックからなるゲッタリング層を形成するための研磨パッドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の研磨パッドは、シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子と、シリコンよりモース硬度が高い研磨微粒子とを混入した液状結合剤を不織布に含浸させて構成されている。この研磨パッドにより、半導体ウエーハの裏面に残存した研削砥石による研削歪層を除去できるとともに、抗折強度を低下させない僅かな傷を半導体ウエーハの裏面に形成してゲッタリング層を形成することができる。これにより、ゲッタリング効果を有する半導体ウエーハの製造が可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−４６５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、固相反応微粒子と研磨微粒子は対極のゼータ電位を有するため、液状結合材中において凝集する問題がある。このため、研磨パッドにおいて固相反応微粒子と研磨微粒子とをそれぞれ分散させることが難しい。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、研磨パッドに含まれる固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できる研磨パッドを提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の研磨パッドは、シリコン基板の表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面に金属イオンの誘導を規制するゲッタリング層を形成するための円環状の研磨パッドであって、シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第１の研磨部材と、シリコンよりモース硬度が高く研磨を誘発する研磨微粒子を液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される第２の研磨部材とを面内に交互に敷設して円環状に形成される。
【００１０】
これらの構成によれば、固相反応微粒子を含む第１の研磨部材と、研磨微粒子を含む第２の研磨部材とにより研磨パッドが区画されて形成される。これにより、固相反応微粒子と研磨微粒子が混ざらずにそれぞれ分散される状態が維持され、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できる。このため、研磨パッドを用いて、ウエーハの研削歪を効果的に除去して抗折強度を維持できるとともに、ウエーハにゲッタリング層を効果的に形成してウエーハのゲッタリング効果を維持できる。また、第１の研磨部材と第２の研磨部材とが研磨パッドの面内に敷設されることで、固相反応微粒子と研磨微粒子とが種々の集中度になるように研磨パッドを形成できる。これにより、固相反応微粒子と研磨微粒子の割合を調整して、ウエーハの材質に応じた研磨加工が可能になる。
【００１１】
本発明の一態様の研磨パッドにおいては、第１の研磨部材と第２の研磨部材のそれぞれが、円環状の中央から外周に向かって放射状に分割された扇形状セグメントに形成され、第１の研磨部材と該第２の研磨部材の複数の扇形状セグメントが交互に敷設されて円環状に形成される。
【００１２】
本発明の一態様の研磨パッドにおいては、第１の研磨部材と第２の研磨部材のそれぞれが矩形状のセグメントに形成され、第１の研磨部材と第２の研磨部材の複数の矩形状セグメントが交互に敷設されて円環状に形成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、研磨パッドに含まれる固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施の形態に係る研磨装置の斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る研磨パッドを備える研磨工具の斜視図である。
【図３】本実施の形態に係る歪層除去工程を示す図である。
【図４】本実施の形態に係るゲッタリング層形成工程を示す図である。
【図５】変形例に係る研磨パッドを備える研磨工具の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、研磨装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る研磨装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る研磨装置は、図１に示すような研磨専用の装置に限定されず、例えば、研削、研磨、洗浄等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。
【００１６】
図１に示すように、研磨装置１は、後述する研磨パッド４７の固相反応微粒子及び研磨微粒子を用いて、化学機械研磨（CMP:  Chemical  Mechanical  Polishing）によってウエーハＷを研磨するように構成されている。ウエーハＷはシリコンウエーハからなり、表面Ｗ１に複数のストリートが格子状に形成され、ストリートによって区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス（不図示）が形成されている。ウエーハＷの裏面Ｗ２を研削して所定の厚み（例えば１００μｍ）にする際し、ウエーハＷの表面Ｗ１に形成されるデバイスを保護するために、ウエーハＷの表面Ｗ１には保護テープＴが貼着されている。ウエーハＷは、被加工面である裏面Ｗ２を上側にして後述する保持テーブル２１に保持される。
【００１７】
研磨装置１の基台１１の上面には、Ｙ軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口は保持テーブル２１と共に移動可能なテーブルカバー１２及び蛇腹状の防水カバー１３に覆われている。防水カバー１３の下方には、保持テーブル２１をＹ軸方向に移動させる移動手段２４と、保持テーブル２１を連続回転させる回転手段２２とが設けられている。保持テーブル２１の表面には、多孔質のポーラス材によって保護テープＴを介してウエーハＷを保持する保持面２３が形成されている。保持面２３は、保持テーブル２１内の流路を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【００１８】
移動手段２４は、基台１１上に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル５２とを有している。Ｙ軸テーブル５２の背面側には、ナット部（不図示）が形成され、このナット部にボールネジ５３が螺合されている。そして、ボールネジ５３の一端部に連結された駆動モータ５４が回転駆動されることで、保持テーブル２１が一対のガイドレール５１に沿ってＹ軸方向に動かされる。回転手段２２は、Ｙ軸テーブル５２上に設けられており、保持テーブル２１をＺ軸回りに回転可能に支持している。
【００１９】
基台１１にはコラム１４が設置されており、コラム１４には、研磨手段４１をＺ軸方向に加工送りする加工送り手段３１が設けられている。加工送り手段３１は、コラム１４に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール３２と、一対のガイドレール３２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル３３とを有している。Ｚ軸テーブル３３の背面側にはナット部（不図示）が形成され、このナット部にボールネジ３４が螺合されている。ボールネジ３４の一端部に連結された駆動モータ３５によりボールネジ３４が回転駆動されることで、研磨手段４１がガイドレール３２に沿って加工送りされる。
【００２０】
研磨手段４１は、ハウジング４２を介してＺ軸テーブル３３の前面に取り付けられており、スピンドルユニット４３の下部に研磨工具４８を設けて構成されている。スピンドルユニット４３にはフランジ４５が設けられ、フランジ４５を介してハウジング４２に研磨手段４１が支持される。スピンドルユニット４３の下部にはマウント４４が取り付けられ、マウント４４には支持基台４６と研磨パッド４７から構成される研磨工具４８が装着される。また、スピンドルユニット４３の上部には、バルブ６５、６６を介してそれぞれアルカリ溶液供給源６１、純水供給源６２が接続されている。アルカリ溶液供給源６１のアルカリ溶液または純水供給源６２の純水が研磨液としてスピンドルユニット４３内の流路４３a（図３参照）を通じて研磨パッド４７に供給される。
【００２１】
研磨装置１には、装置各部を統括制御する制御部（不図示）が設けられている。制御部は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。このように構成された研磨装置１では、研磨パッド４７がＺ軸回りに回転されながら保持テーブル２１に保持されるウエーハＷに接近される。そして、研磨パッド４７がウエーハＷの裏面Ｗ２に回転接触することでウエーハＷが研磨される。
【００２２】
ここで、ウエーハを研削することによって生じる切削歪層は抗折強度の低下を防ぐため研磨加工により除去されるが、切削歪層を除去するとゲッタリング効果が消失する問題があった。このため、固相反応微粒子と研磨微粒子とが含まれる研磨パッドを用いて、ウエーハの研削歪層を除去するとともに、ウエーハの裏面にゲッタリング層を形成していた。しかしながら、固相反応微粒子と研磨微粒子は対極のゼータ電位を有するため、研磨パッド内で凝集し、主に切削歪層を除去する固相反応微粒子と、主にゲッタリング層を形成する研磨微粒子とが、それぞれの機能を発揮できない場合があった。そこで本実施の形態においては、固相反応微粒子を含む第１の研磨部材と、研磨微粒子を含む第２の研磨部材により研磨パッドを区画して形成することで、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止している。
【００２３】
以下、図２を参照して、研磨パッド４７の構成について詳細に説明する。図２は、本実施の形態に係る研磨パッドを備える研磨工具の斜視図である。図２Ａは、研磨工具を支持基台側から見た図である。図２Ｂは、図２Ａを上下反転して研磨パッド側から見た図である。
【００２４】
図２Ａに示すように、研磨工具４８は、円環状の支持基台４６に研磨パッド４７が貼着されて構成されている。支持基台４６はアルミ合金等によって形成されており、中央部分には研磨液が通る穴４６ａが開口されている。また、支持基台４６には周方向に間隔をおいて雌ネジ孔４６ｂが形成されている。支持基台４６の下面は研磨パッド４７の支持面を形成しており、支持面に研磨パッド４７が両面接着テープによって装着されている。
【００２５】
図２Ｂに示すように、研磨パッド４７は円環状に形成されており、シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子が含まれる第１の研磨部材４７ａと、研磨を誘発する研磨微粒子が含まれる第２の研磨部材４７ｂにより区画されて形成されている。第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂのそれぞれは、円環状の研磨パッド４７の中央から外周に向かって放射状に分割された扇形状セグメントに形成されおり、第１の研磨部材４７ａの扇形状セグメントと第２の研磨部材４７ｂの扇形状セグメントとが支持基台４６に交互に敷設されている。研磨パッド４７においては、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂの２種類の研磨部材が敷設されていればよく、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂの敷設の仕方や、面積の割合は特に限定されない。研磨パッド４７は、例えば図２Ｂの４つの扇形状セグメントよりも細かい扇形状セグメントに構成されてもよいし、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂの２つの研磨部材で二分の一ずつ構成されてもよい。
【００２６】
第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂとは隙間４７ｄを開けて配置されており、隙間４７ｄは研磨液や加工屑排出用の溝になっている。隙間４７ｄの幅は、加工条件により変更することができる。また、研磨パッド４７の中央部分には支持基台４６に形成される穴４６ａに連通する穴４７ｃが開口されており、穴４７ｃは隙間４７ｄと連通している。研磨パッド４７は、例えば直径４５０ｍｍ、厚み１０ｍｍに形成され、穴４７ｃは、例えば直径１０ｍｍに形成されている。
【００２７】
第１の研磨部材４７ａは、シリコンウエーハと固相反応を誘発する固相反応微粒子が液状結合材に投入され、この液状結合材を含浸させた不織布が乾燥されて形成される。また、第２の研磨部材４７ｂは、シリコンよりモース硬度が高く研磨を誘発する研磨微粒子が液状結合材に投入され、この液状結合剤を含浸させた不織布が乾燥されて形成される。固相反応微粒子としては、ＳｉＯ２、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２等が用いられ、固相反応微粒子の粒径は、例えば２μｍであることが好ましい。また、研磨微粒子はモース硬度が９以上であることが好ましく、研磨微粒子としては、ダイヤモンド、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ、ＴｉＮ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＡｌＢ、Ｂ４Ｃ等が用いられる。研磨微粒子の粒径は、例えば０．５μｍであることが好ましい。また、液状結合剤としては、例えばウレタンを溶媒で溶解した液体が用いられ、溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、酢酸エチル等が用いられる。第１の研磨部材４７ａに含まれる固相反応微粒子として、２種類以上の固相反応微粒子を用いることができ、セグメント毎に異なる種類の固相反応微粒子を用いることができる。第２の研磨部材４７ｂに含まれる研磨微粒子として、２種類以上の研磨微粒子を用いることができ、セグメント毎に異なる種類の研磨微粒子を用いることができる。
【００２８】
固相反応微粒子を含む第１の研磨部材４７ａと、研磨微粒子を含む第２の研磨部材４７ｂとにより研磨パッド４７が区画されて形成され、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂはそれぞれ１種類の微粒子で形成される。これにより、固相反応微粒子と研磨微粒子が混ざらないため、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集が防止され分散される状態が維持される。また、第１の研磨部材と第２の研磨部材とを扇形状セグメント状に形成して、研磨パッド４７の面内に均等に交互に配設されることで、固相反応微粒子と研磨微粒子の２種類の微粒子が均一に分散されながら凝集が防止される研磨パッド４７を形成することが可能である。また、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂのセグメントの比率を変えることで、固相反応微粒子と研磨微粒子とが種々の集中度になるように構成されながら凝集が防止される研磨パッド４７を形成できる。
【００２９】
このように構成される研磨工具４８は、スピンドルユニット４３の下端に取り付けられているマウント４４の下面に装着される（図１及び図３参照）。マウント４４には上面から下面を貫通するボルト挿入孔（不図示）が形成されており、ボルト挿入孔に挿し込まれたボルト７１（図１及び図３参照）が支持基台４６に形成される雌ネジ孔４６ｂに螺入されることで、研磨工具４８がマウント４４に装着される。この際、スピンドルユニット４３の中心に形成される流路４３ａ（図３参照）が、支持基台４６及び研磨パッド４７に形成される穴４６ａ、４７ｃに連通する。これにより、スピンドルユニット４３の上部に接続されるアルカリ溶液供給源６１のアルカリ溶液または純水供給源６２の純水が、流路４３ａ及び穴４６ａ、４７ｃを通って研磨パッド４７に供給される。
【００３０】
アルカリ溶液供給源６１におけるアルカリ溶液は、ｐＨ１０以上ｐＨ１２以下であることが好ましい。ｐＨ１０以上ｐＨ１２以下のアルカリ溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ピペラジン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００３１】
次に、図３及び図４を参照して、研磨パッド４７によるウエーハＷの加工方法について説明する。研磨パッド４７によるウエーハＷの加工方法は、アルカリ溶液を供給しながら研磨パッド４７でウエーハＷの裏面Ｗ２を研磨して切削歪層を除去する歪層除去工程と、純水を供給しながら研磨パッド４７でウエーハＷの裏面Ｗ２に傷を形成するゲッタリング層形成工程を含んでいる。図３は本実施の形態に係る歪層除去工程、図４はゲッタリング層形成工程を示す図である。
【００３２】
図３に示すように、まず歪層除去工程が実施される。所定の厚みに研削加工されたウエーハＷは、保護テープＴが貼着される表面Ｗ１を下側に、裏面Ｗ２を上側にして保持テーブル２１に搬入され、ウエーハＷは保護テープＴを介して保持テーブル２１で保持される。また、移動手段２４（図１参照）により保持テーブル２１が研磨手段４１の下方に移動され、保持テーブル２１の回転軸と研磨パッド４７の回転軸とがずれるように位置付けられる。
【００３３】
保持テーブル２１がＺ軸回りに回転されるとともに、研磨パッド４７もＺ軸回りに保持テーブル２１と同一方向に回転される。そして、加工送り手段３１（図１参照）により３００ｇ／ｃｍ２の研磨圧力で研磨パッド４７がウエーハＷの裏面Ｗ２に向けて加工送りされ、研磨パッド４７の研磨面がウエーハＷの裏面Ｗ２全体に回転接触されウエーハＷが研磨される。
【００３４】
このとき、バルブ６６が閉じられ、バルブ６５が開かれてアルカリ溶液供給源６１からスピンドルユニット４３内の流路４３ａにアルカリ溶液が供給される。これにより、支持基台４６に形成される穴４６ａを介して研磨パッド４７に形成される穴４７ｃに、例えば１分間に０．５リットルの割合でアルカリ溶液が供給される。アルカリ溶液は研磨パッド４７の穴４７ｃから隙間４７ｄ（図２Ｂ参照）を通って研磨面に広がり、研磨パッド４７にアルカリ溶液が供給されながらウエーハＷが研磨される。なお、研磨レートは例えば０．７２μm／分に設定され、研磨時間は例えば２分間に設定される。
【００３５】
このようにして歪層除去工程を実施することにより、研磨パッド４７の第１の研磨部材４７ａに含まれる固相反応微粒子が強く働いて、ウエーハＷの裏面Ｗ２が所定量研磨されるとともにアルカリ溶液によりエッチングされるため、研削加工でウエーハＷの裏面Ｗ２に生成された研削歪層が除去される。
【００３６】
図４に示すように、歪層除去工程の後には、ゲッタリング層形成工程が実施される。図４Ａに示すように、保持テーブル２１がＺ軸回りに回転されるとともに、研磨パッド４７もＺ軸回りに保持テーブル２１と同一方向に回転される。そして、加工送り手段３１（図１参照）により５０ｇ／ｃｍ２の研磨圧力で研磨パッド４７がウエーハＷの裏面Ｗ２に向けて加工送りされ、研磨パッド４７の研磨面がウエーハＷに回転接触されてウエーハＷが研磨される。
【００３７】
このとき、バルブ６５が閉じられて流路４３ａへのアルカリ溶液の供給が停止され、バルブ６６が開かれて純水供給源６２からの純水の供給に切り替えられる。これにより、支持基台４６に形成される穴４６ａを介して研磨パッド４７に形成される穴４７ｃに、例えば１分間に１．０リットルの割合で純水が供給され、純水は穴４７ｃから隙間４７ｄ（図２Ｂ参照）を通って研磨面に広がる。
【００３８】
図４Ｂに示すように、研磨パッド４７に純水が供給されながら研磨パッド４７がウエーハＷに回転接触されている状態で、移動手段２４（図１参照）により矢印Ｎの方向に保持テーブル２１が移動される。すなわち、ウエーハＷの裏面Ｗ２が摺動されながら、保持テーブル２１の回転軸と研磨パッド４７の回転軸とがＹ軸方向に離れるように移動される。保持テーブル２１の矢印Ｎで示す方向への移動は、例えば移動速度０．６７ｍｍ／秒で１分間実施され、保持テーブル２１は約４０ｍｍ移動される。これにより、ウエーハＷの裏面Ｗ２には僅かな傷が付けられる。このようにしてゲッタリング層形成工程を実施することにより、第２の研磨部材４７ｂに含まれる研磨微粒子が強く働いて、ウエーハＷの裏面Ｗ２にゲッタリング層を形成することができる。
【００３９】
研磨パッド４７は、固相反応微粒子を含む第１の研磨部材４７ａと、研磨微粒子を含む第２の研磨部材４７ｂとにより研磨パッド４７が区画されて形成されるため、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集が防止される。よって、研磨パッド４７を用いてウエーハＷの裏面Ｗ２を研磨する際には、歪層除去工程において、第１の研磨部材４７ａに含まれる固相反応微粒子が効果的に働いて、ウエーハＷの研削歪層を適切に除去して抗折強度を維持できる。また、ゲッタリング層形成工程において、第２の研磨部材４７ｂに含まれる研磨微粒子が効果的に働いて、ウエーハＷにゲッタリング層を効果的に形成することにより、金属イオンのデバイスへの誘導を規制するゲッタリング効果を維持できる。
【００４０】
また、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂで研磨パッド４７を構成することで、２種類の研磨部材のセグメントの比率を容易に変えることができるため、固相反応微粒子と研磨微粒子の割合を調整して、ウエーハＷの材質に応じた研磨加工が可能になる。また、第１の研磨部材４７ａのセグメント毎に異なる種類の固相反応微粒子を用い、第２の研磨部材４７ｂのセグメント毎に異なる種類の研磨微粒子を用いることで、複数の種類の固相反応微粒子及び研磨微粒子を用いてウエーハＷを研磨できるため、様々な加工に対応することができる。
【００４１】
以上のように、本実施の形態に係る研磨パッド４７は、固相反応微粒子を含む第１の研磨部材４７ａと、研磨微粒子を含む第２の研磨部材４７ｂとにより区画されて形成される。これにより、固相反応微粒子と研磨微粒子が混ざらずにそれぞれ分散される状態が維持され、固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できる。このため、研磨パッド４７を用いて、ウエーハＷの研削歪を効果的に除去して抗折強度を維持できるとともに、ウエーハＷにゲッタリング層を効果的に形成してウエーハＷのゲッタリング効果を維持できる。また、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂとが研磨パッド４７の面内に敷設されることで、固相反応微粒子と研磨微粒子とが種々の集中度になるように研磨パッド４７を形成できる。これにより、固相反応微粒子と研磨微粒子の割合を調整して、ウエーハＷの材質に応じた研磨加工が可能になる。
【００４２】
上記実施の形態においては、研磨パッド４７における第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂが扇形状セグメントに形成される構成としたが、第１の研磨部材４７ａと第２の研磨部材４７ｂの形状はこれに限定されない。図５は、変形例に係る研磨パッドを備える研磨工具の斜視図である。図５に示すように、研磨工具８８の研磨パッド８７においては、第１の研磨部材８７ａと第２の研磨部材８７ｂがそれぞれ矩形状のセグメントに形成され、複数の矩形状セグメントが支持基台８６に敷設されて円環状に形成される構成としてもよい。第１の研磨部材８７ａと第２の研磨部材８７ｂとは隙間８７ｄを開けて配置されており、研磨パッド８７の中央部分には穴８７ｃが開口されている。第１の研磨部材８７ａと第２の研磨部材８７ｂの敷設の仕方や、面積の割合は特に限定されない。また、第１の研磨部材８７ａ及び第２の研磨部材８７ｂの矩形状セグメントの比率は変えることができる。これにより、様々な研磨加工条件に適切に対応することができる。
【００４３】
また、上記実施の形態においては、ゲッタリング層形成工程において、移動手段２４により保持テーブル２１がＹ軸方向に移動されることで（図１及び図４Ｂ参照）、ウエーハＷの裏面Ｗ２にゲッタリング層が形成される構成としたが、これに限定されない。ウエーハＷの裏面Ｗ２が摺動されながら保持テーブル２１の回転軸と研磨パッド４７の回転軸とが離れるように移動されれば、研磨パッド４７が保持テーブル２１に対して移動される構成としてもよい。
【００４４】
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４５】
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
【００４６】
本実施の形態では、本発明をウエーハを研磨加工する研磨パッドに適用した構成について説明したが、固相反応微粒子と研磨微粒子の２種類の微粒子を面内に区画して含ませ、加工対象を加工する加工具に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上説明したように、本発明は、研磨パッドに含まれる固相反応微粒子と研磨微粒子との凝集を防止できるという効果を有し、特にウエーハを研磨加工する研磨装置に有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１  研磨装置
４６  支持基台
４７  研磨パッド
４７ａ  第１の研磨部材
４７ｂ  第２の研磨部材
４７ｃ  穴
４７ｄ  隙間
４８  研磨工具
Ｗ  ウエーハ
Ｗ１  （ウエーハの）表面
Ｗ２  （ウエーハの）裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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