(57)【要約】【課題】基板、多層反射層、保護膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクにおいて、吸収膜として高吸収性材料を使用した場合であっても、微細な吸収膜パターンが形成されており、従って射影効果を軽減することが可能な反射型フォトマスク、及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクを提供すること【解決手段】吸収膜は第１の吸収膜と第２の吸収膜の２層構造からなり、第１の吸収膜と第２の吸収膜はいずれも、波長１３．５ｎｍの極端紫外線に対する消衰係数が０．０５以上であり、第１の吸収膜と第２の吸収膜は、一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくく、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランクとする。【選択図】図２
2018045133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、多層反射層、保護膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクであって、
前記吸収膜は第１の吸収膜と第２の吸収膜の２層構造からなり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜はいずれも、波長１３．５ｎｍの極端紫外線に対する消衰係数が０．０５以上であり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくい材料であり、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい材料であることを特徴とする反射型フォトマスク。
【請求項２】
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方がＳｎ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とし、他方がＴｅ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項３】
基板、多層反射層、保護膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクブランクであって、
前記吸収膜は第１の吸収膜と第２の吸収膜の２層構造からなり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜はいずれも、波長１３．５ｎｍの極端紫外線に対する消衰係数が０．０５以上であり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくい材料であり、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい材料であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
【請求項４】
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方がＳｎ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とし、他方がＴｅ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項３に記載の反射型フォトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）を露光光とするリソグラフィで使用する反射型フォトマスク、及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。既に、リソグラフィも従来の波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光から、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域の光を用いた露光に置き換わりつつある。
【０００３】
ＥＵＶ領域の光に対してはほとんどの物質が高い光吸収性をもつため、ＥＵＶ露光用のフォトマスク（ＥＵＶマスク）は、従来の透過型のフォトマスクとは異なり、反射型のフォトマスクとなる。例えば、特許文献１には、ガラス基板上にシリコン（Ｓｉ）膜及びモリブデン（Ｍｏ）膜を交互に積層した多層膜からなる反射層を形成し、その上に反射層を保護するための保護膜（Ｃａｐｐｉｎｇ膜）を介して、タンタル（Ｔａ）を主成分とする吸収膜により回路パターン（吸収膜パターン）を形成する構造が開示されている。
【０００４】
同様に、ＥＵＶ光を用いる光学系では、屈折光学系が使用できず、透過型のビームスプリッタを利用した偏向が不可能であることから、露光機の光学系も反射型となる。従ってＥＵＶマスクでは、マスクへの入射光と反射光が同軸上に設計できず、６度程度光軸を傾けてマスクへ入射した光の反射光を半導体基板（ウェハ）に導き、ウェハ上に塗布された感光性樹脂を感光させる手法が採用される。
【０００５】
前記のようにＥＵＶ露光では光軸を傾斜することから、マスクで反射する際に、マスクへの光の入射方向に依存して吸収膜パターンの一部が影となって、ウェハ上で本来の設計パターンとは異なる回路パターンが形成される現象（射影効果）が発生することが知られている。すなわち、射影効果により、吸収膜パターンの線幅、向き、ピッチ等に依存してウェハ上で線幅誤差やパターンの位置ずれが生じ、転写品質を悪化させる。射影効果による影響は、パターン線幅が微細になるほど顕著になる。
【０００６】
そこで、射影効果を軽減するために、吸収膜の膜厚を薄膜化して吸収膜パターンの高さを低くすることとし、薄膜化できる材料として、ＥＵＶ光の高吸収性材料を吸収膜とする提案がなされている（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−０８８１６６号公報
【特許文献２】特許第５６０９８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
透過型フォトマスクにおける遮光膜のパターニングには、微細化の進展に伴い、ドライエッチングを用いることが一般化しており、ＥＵＶマスクにおける吸収膜のパターニングにもドライエッチングが適用される。しかしながら、一般に、ＥＵＶマスクの吸収膜の膜厚を薄膜化できる高吸収性材料は、ドライエッチングレートの低い材料であるため、エッチングマスクとなるレジストも厚くする必要があり、結果として高吸収性材料による微細
な吸収膜パターンを形成することが難しいという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ＥＵＶマスクの吸収膜として高吸収性材料を使用した場合であっても、微細な吸収膜パターンが形成されており、従って射影効果を軽減することができる反射型フォトマスク、及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の問題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板、多層反射層、保護膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクであって、
前記吸収膜は第１の吸収膜と第２の吸収膜の２層構造からなり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜はいずれも、波長１３．５ｎｍの極端紫外線に対する消衰係数が０．０５以上であり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくい材料であり、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい材料であることを特徴とする反射型フォトマスクとしたものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方がＳｎ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とし、他方がＴｅ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクとしたものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、基板、多層反射層、保護膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクブランクであって、
前記吸収膜は第１の吸収膜と第２の吸収膜の２層構造からなり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜はいずれも、波長１３．５ｎｍの極端紫外線に対する消衰係数が０．０５以上であり、
前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくい材料であり、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい材料であることを特徴とする反射型フォトマスクブランクとしたものである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記第１の吸収膜と前記第２の吸収膜は、一方がＳｎ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とし、他方がＴｅ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項３に記載の反射型フォトマスクブランクとしたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の反射型フォトマスク、及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクによれば、吸収膜をドライエッチング特性の異なる高吸収性材料による２層吸収膜とするので、従来よりも薄いレジスト膜厚が使えるようになり、微細な高吸収膜パターンを形成することが可能となる。その結果、射影効果を軽減することができ、ウェハ上で線幅誤差やパターンの位置ずれを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクの実施形態に係る構造を示す模式断面図である。
【図２】本発明の反射型フォトマスクの実施形態に係る構造と、反射率を説明するための模式断面図である。
【図３】本発明の反射型フォトマスクの製造工程を説明するための模式断面図である。
【図４】本発明の反射型フォトマスクの光学特性の計算例を示す特性図である。
【図５】本発明の反射型フォトマスクの光学特性の別の計算例を示す特性図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク、及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクについて詳細に説明する。尚、同一の構成要素については便宜上の理由がない限り同一の符号を付け、重複する説明は省略する。また、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じではない。
【００１７】
図１は、本発明の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランク１０の実施形態に係る構造を示す模式断面図である。本発明の反射型フォトマスクブランク１０は、基板１、多層反射層２、保護膜３、第１の吸収膜４と第２の吸収膜５を備える反射型フォトマスクブランクである。別な形態としては、保護膜３と第１の吸収膜４の層間に、第１の吸収膜４のエッチング停止層となり、吸収膜パターン欠陥修正時のバッファとなる緩衝膜（図示せず）を備える形態がある。
【００１８】
ＥＵＶ露光に限らず、投影露光による転写を実現するうえで、フォトマスクに要求される光学特性は、第一にマスクコントラストである。通常透過型マスクにおいて、マスクコントラストは、透明基板部を透過した透過率をＴ０、遮光膜を含むパターン部を透過した透過率をＴとするとき、下記（１）式で評価される。
ＯＤ＝−ｌｏｇ（Ｔ／Ｔ０） ・・・ （１）
ここで、ＯＤは光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）と呼ばれ、遮光膜の遮光性の程度を表す。
【００１９】
ＥＵＶマスクにおいても、マスクコントラストは同様に評価でき、多層反射層２と保護膜３からなる高反射部による反射率をＲ０、吸収膜を含む低反射部からの反射率をＲとすると（図２参照）、透過型マスクと同様に、下記（２）式で評価される。
ＯＤ＝−ｌｏｇ（Ｒ／Ｒ０）  ・・・  （２）
良好なＥＵＶ転写を行うためには、露光条件やパターンにも依存するが、通常ＯＤは２．０〜３．０が好適である。式（２）から分るように、反射率Ｒが小さいほどＯＤは大きくなる。反射率Ｒを小さくするためには、ＥＵＶ光に対する吸収性の高い、すなわち消衰係数の大きい吸収膜を用いればよい。言い換えれば、同じＯＤ値であれば、消衰係数の大きい高吸収膜を用いるほど吸収膜を薄膜化することができる。
【００２０】
本発明の反射型フォトマスクブランク１０は、第１の吸収膜４と第２の吸収膜５はいずれも、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する消衰係数が０．０５以上である。従来の吸収膜は、Ｔａに代表されるように、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する消衰係数が０．０４以下である。本発明の反射型フォトマスクブランクの第１の吸収膜と第２の吸収膜はいずれも０．０５以上であるので吸収性が高く、２層合計の膜厚であっても従来の吸収膜の膜厚よりも薄膜化することができる。従って反射型フォトマスク２０（図２参照）としたときの吸収膜パターンによる射影効果を軽減することが可能となる。
【００２１】
本発明の反射型フォトマスクブランク１０はさらに、第１の吸収膜４と第２の吸収膜５の一方が塩素系ガスに対してエッチングされやすくフッ素系ガスに対してエッチングされにくく、他方がフッ素系ガスに対してエッチングされやすく塩素系ガスに対してエッチングされにくい特性を有している。これにより、第１の吸収膜４のエッチング時にその上層
の第２の吸収膜５のパターンをエッチングマスクとして機能させることができる。従って、第２の吸収膜５上のレジストパターンは主として第２の吸収膜５をエッチングする際のエッチングマスクとして機能すればよいので、従来の高吸収性材料を用いた反射型フォトマスクの製造工程よりもレジスト膜厚を薄くすることができる。結果として高吸収性材料による微細な吸収膜パターンを形成する難度を下げることができる。
【００２２】
一般に、ドライエッチングは、プラズマ中で導入ガスが電子と衝突し、活性ラジカルや種々の形に解離した反応性イオンが発生してエッチングを引き起こすが、エッチング表面に低沸点の揮発性生成物を形成するほどエッチングされやすく、その指標となるのは、被エッチング材料と導入ガスによる反応生成物の沸点や蒸気圧である。すなわち、沸点が低い反応生成物ほど気化して蒸気圧は高くなり排気されやすい。
【００２３】
反射型フォトマスクの吸収膜のエッチングにおいては、前記の「エッチングされやすい」、「エッチングされにくい」の目安としては、例えば塩素系ガスに対してエッチングされやすい場合、エッチングによって生成する少なくとも一種の塩化物の沸点が１５０℃以下であり、塩素系ガスに対してエッチングされにくい場合、エッチングによって生成する化学量論的にとり得る形態の塩化物の沸点が３００℃以上であることを目安とすることができる。フッ素系ガスに対しても同様である。
【００２４】
第１の吸収膜４と第２の吸収膜５のどちらを塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料とし、他方をフッ素系ガスに対してエッチングされやすい材料とするかは、使用する保護膜３（緩衝膜を使用する場合は緩衝膜）がどちらのガスによりエッチングされやすいかによって決定すればよい。すなわち、保護膜３（または緩衝膜）がフッ素系ガスによりエッチングされやすい場合は、第１の吸収膜４を塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料、第２の吸収膜５をフッ素系ガスに対してエッチングされやすい材料とし、保護膜３（または緩衝膜）が塩素系ガスによりエッチングされやすい場合は、その逆の２層吸収膜の構造とすればよい。
【００２５】
図３に、本発明の反射型フォトマスクブランク１０を用いた反射型フォトマスク２０の製造工程を示す。図３（ａ）は、平坦な低熱膨張基板１上に多層反射層２が形成され、その上に多層反射層２を保護する保護膜３が成膜され、さらにその上に第１の吸収膜４と第２の吸収膜５が成膜された本発明の反射型フォトマスクブランク１０上に、電子線描画またはレーザ描画用のレジスト６が形成された形態を示している。
【００２６】
次に、電子線またはレーザによりパターン描画を行い、現像してレジストパターン６ａを形成（図３（ｂ））した後、レジストパターン６ａをエッチングマスクとしてフッ素系ガス（または塩素系ガス）により第２の吸収膜５のエッチングを行い、第２の吸収膜パターン５ａを形成する（図３（ｃ））。このときレジストパターン６ａは、第２の吸収膜５とのエッチング選択比に応じて膜減りし、レジストパターン６ｂとなる。
【００２７】
引き続き、膜減りしたレジストパターン６ｂ及び第２の吸収膜パターン５ａをエッチングマスクとして塩素系ガス（またはフッ素系ガス）により第１の吸収膜４のエッチングを行い、第１の吸収膜パターン４ａを形成する。この過程中にレジストパターン６ｂは消失するが、レジストパターン６ｂの消失後は、第２の吸収膜パターン５ａがエッチングマスクとして機能する。このとき、第２の吸収膜パターン５ａは、第１の吸収膜４とのエッチング選択比に応じて膜減りするが、あらかじめ実験により膜減り量を測定しておき、膜減り量の分だけ第２の吸収膜５を厚く成膜しておけば、最終的に必要な第２の吸収膜パターン５ａの厚さとなる。同様に、第１の吸収膜４のエッチング中に第２の吸収膜パターン５ａの線幅が細り、第１の吸収膜パターン４ａが予定の線幅よりも細くなる場合は、あらかじめ実験により細り量を測定しておき、その分だけ描画パターンの線幅を太くしておけば
よい。
【００２８】
このようにして、本発明の反射型フォトマスク２０を作製することができる（図３（ｄ））。尚、従来の反射型フォトマスクの製造工程では、吸収膜のエッチング後にレジストパターンの剥離工程が必要であったが、本発明の反射型フォトマスク２０の製造工程では、レジストパターンは工程中に消失するので剥離工程を必要としないこともひとつの特徴である。
【００２９】
本発明の反射型フォトマスク、及び反射型フォトマスクブランクで用いる第１の吸収膜と第２の吸収膜としては、ＥＵＶ光の吸収性（消衰係数）、ドライエッチング特性、コスト等の総合的な観点から、一方がＳｎ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とし、他方がＴｅ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることが好ましい。ここで、「主たる構成要素」とは、これらの原子、及び分子を成す原子数の和が、全原子数の９０％以上であることを意味する。
【００３０】
ここで、単体金属であるＳｎ、Ｔｅの他にそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物が候補となる理由は、通常単体金属よりも酸化物、窒化物、酸窒化物の方が、フォトマスクに必要な洗浄液耐性が向上するからである。反面ドライエッチングレートは低下するので、酸化物、窒化物、酸窒化物の場合は、化学量論比よりも金属を多めに含有した酸化物、窒化物、酸窒化物であることが好ましい。尚、後述の表１のＥＵＶ波長（１３．５ｎｍ）におけるＳｎとＳｎＯの光学定数の比較からも分るように、酸化物、窒化物、酸窒化物となることで、高吸収領域の消衰係数が単体の場合よりも大きく変化することはない。
【００３１】
ＥＵＶ波長（１３．５ｎｍ）における各種材料の光学定数（屈折率：ｎ、消衰係数：ｋ）を表１に示す。表１の数値は、各種文献及びウェブサイトで見られる値をまとめたものである。表１の数値を基に、本発明の反射型フォトマスクの実施形態例として、第１の吸収膜、第２の吸収膜の一方をＳｎ、他方をＴｅとしたときのＯＤ値を計算した結果を図４、図５に示す。尚、これらの計算において、保護膜は厚さ２．５ｎｍのＲｕ膜、多層反射層はＳｉとＭｏによる４０対の多層膜として計算している。
【表１】
2018045133.tif 000003
【００３２】
図４（ａ）は、第２の吸収膜をＴｅ（膜厚１０ｎｍ）とし、第１の吸収膜をＳｎ（膜厚０〜５０ｎｍ）として、第１、第２の吸収膜の合計膜厚を横軸としたときのＯＤ値を光学薄膜理論により計算した結果である。また、図４（ｂ）は、第２の吸収膜をＴｅ（膜厚２０ｎｍ）とし、第１の吸収膜をＳｎ（膜厚０〜４０ｎｍ）として、第１、第２の吸収膜の合計膜厚を横軸としたときのＯＤ値を計算した結果である。
【００３３】
同様に、図５（ａ）は、第２の吸収膜をＳｎ（膜厚１０ｎｍ）とし、第１の吸収膜をＴｅ（膜厚０〜５０ｎｍ）として、第１、第２の吸収膜の合計膜厚を横軸としたときのＯＤ値を計算した結果である。また、図５（ｂ）は、第２の吸収膜をＳｎ（膜厚２０ｎｍ）とし、第１の吸収膜をＴｅ（膜厚０〜４０ｎｍ）として、第１、第２の吸収膜の合計膜厚を横軸としたときのＯＤ値を計算した結果である。
【００３４】
図４、図５から分るように、ＯＤ＝２．０〜３．０を得るためには、第１、第２の吸収膜の合計膜厚は２５ｎｍ〜４０ｎｍ程度であればよい。従来のＴａ膜を用いる場合は、ＯＤ＝２．０を得るために少なくとも６０ｎｍ厚程度必要であるので、本発明の２層吸収膜の構造は膜厚を低減できる高吸収膜として有効であることが分る。
【００３５】
既述のように、一般にドライエッチングの容易性は、被エッチング材料と導入ガスによ
る反応生成物の沸点を比較することにより見積もることができる。表２に、本発明の反射型フォトマスクの吸収膜材料として好適なＴｅ、Ｓｎ、及び従来からの保護膜候補であるＲｕ、Ｓｉ、Ａｌの代表的なフッ化物、塩化物の沸点を示す。表２の数値は、各種文献（ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  ７８ｔｈ．  Ｅｄｉｔｉｏｎなど）及びウェブサイトで見られる値をまとめたものである。
【表２】
2018045133.tif 000004
【００３６】
表２から分るように、Ｔｅはフッ素系ガス、Ｓｎは塩素系ガスによる化合物の方が沸点は低く、エッチングされやすい。保護膜はエッチングされにくいことが望ましく、Ｒｕはフッ素系ガス、塩素系ガスいずれに対してもエッチングされにくいが、塩素系ガスによる方がよりエッチングされにくい。Ｓｉはフッ素系ガス、塩素系ガスいずれに対しても比較的エッチングされやすいが、塩素系ガスによる方がよりエッチングされにくい。また、Ａｌは塩素系ガスよりもフッ素系ガスによる方がエッチングされにくい。
【００３７】
前記の結果により、Ｒｕを保護膜とする場合は、第１の吸収膜（下層）を塩素系ガスでエッチングされやすいＳｎ、第２の吸収膜（上層）をＴｅとすることが好ましいが、第１の吸収膜をＴｅ、第２の吸収膜をＳｎとすることもできる。Ｓｉを保護膜とする場合は、第１の吸収膜を塩素系ガスでエッチングされやすいＳｎ、第２の吸収膜をＴｅとすることが好ましい。また、ＡｌやＡｌ２Ｏ３を保護膜とする場合は、第１の吸収膜をフッ素系ガスでエッチングされやすいＴｅ、第２の吸収膜をＳｎとすることが好ましい。
【００３８】
前記のような２層吸収膜の構造とすることにより、本発明の反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランクにおいては、第２の吸収膜が第１の吸収膜のエッチング時にエッチングマスクとして機能するので、高吸収性材料であっても、従来よりも薄いレジスト膜厚が使えるようになり、微細な吸収膜パターンを形成しやすくなる。その結果、高吸収性膜パターンによる射影効果の軽減をより効果的に行うことができるようになる。
【００３９】
本発明は上記の実施形態そのままに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、明細書に示される事項の適宜の応用によって種々の発明を想定できるものである。例えば、塩素系ガス、フッ素系ガスのいずれによってもエッチングされにくく、別のガス種によってエッチングされやすい第３の吸収膜を導入し、３層構造の高吸収膜とすることなどが相当する。
【符号の説明】
【００４０】
１・・・・基板
２・・・・多層反射層
３・・・・保護膜
４・・・・第１の吸収膜
４ａ・・・第１の吸収膜パターン
５・・・・第２の吸収膜
５ａ・・・第２の吸収膜パターン
６・・・・レジスト
６ａ・・・レジストパターン
６ｂ・・・膜減りしたレジストパターン
１０・・・反射型フォトマスクブランク
２０・・・反射型フォトマスク
Ｉ・・・・入射光
Ｒ、Ｒ０・・・反射光
【図１】
2018045133.tif 000005
【図２】
2018045133.tif 000006
【図３】
2018045133.tif 000007
【図４】
2018045133.tif 000008
【図５】
2018045133.tif 000009