(57)【要約】【課題】回路基板に内蔵されるキャパシタのその誘電体層上に設けられる導体層の開口部における気泡の残存を抑える。【解決手段】回路基板１は、キャパシタ１０と、キャパシタ１０上に設けられた接着層２０ａと、接着層２０ａ上に設けられた絶縁層３０ａとを含む。キャパシタ１０は、誘電体層１１と、誘電体層１１の一方の面１１ａに設けられ開口部１２ａａを備える電極層１２ａと、誘電体層１１の他方の面１１ｂに設けられた電極層１２ｂとを有する。絶縁層３０ａは、キャパシタ１０の電極層１２ａが備える開口部１２ａａと対応する部位に突起部３０ａａを有する。突起部３０ａａによって接着層２０ａが開口部１２ａａ内に充填され、開口部１２ａａ内の気泡の残存が抑えられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、前記誘電体層の第１面に設けられ開口部を備える第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面に設けられた第２導体層とを有するキャパシタと、
前記第１面上に設けられた第１接着層と、
前記第１接着層上に設けられ、前記開口部と対応する部位に突起部を有する第１絶縁層と
を含むことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記突起部の先端は、平面視で前記開口部内に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記突起部の先端は、平面視で前記開口部の内縁に沿った外形を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、前記第１接着層よりも弾性率が高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層上に設けられた第２接着層と、
前記第２接着層上に設けられた第２絶縁層と
を含み、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層よりも弾性率が高いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１絶縁層は、前記第１導体層と対向する第３面の、前記突起部外の部位に、第３導体層を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、前記第１導体層と対向する第３面上に設けられた第３導体層を有し、
前記突起部は、前記第３導体層上に設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
誘電体層と、前記誘電体層の第１面に設けられ開口部を備える第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面に設けられた第２導体層とを有するキャパシタの、前記第１面上に、接着層を介して、前記開口部と対応する部位に突起部を有する絶縁層を設ける工程と、
前記接着層を介して設けられた前記キャパシタ及び前記絶縁層を加圧する工程と
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
回路基板と、
前記回路基板に搭載された電子部品と
を含み、
前記回路基板は、
誘電体層と、前記誘電体層の第１面に設けられ開口部を備える第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面に設けられた第２導体層とを有するキャパシタと、
前記第１面上に設けられた接着層と、
前記接着層上に設けられ、前記開口部と対応する部位に突起部を有する絶縁層と
を含むことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板にキャパシタ（コンデンサ）を内蔵する技術が知られている。キャパシタは、所定の材料を用いた誘電体層を、上部電極及び下部電極となる一対の導体層で挟んだ構造とされる。
【０００３】
キャパシタを内蔵する回路基板に関し、キャパシタの誘電体層上の導体層に開口部（段差部）を設けること、このようなキャパシタ上にプリプレグ等の樹脂を含む部材を設けること、これらを加圧して一体化すること等が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１８９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
誘電体層上の導体層に開口部を設けたキャパシタの上に、樹脂を含む部材を設け、これらを加圧して一体化する際には、導体層の開口部に十分に樹脂が充填されず、気泡が残存する場合がある。開口部に残存する気泡は、熱が加えられた際に膨張し、キャパシタを内蔵する回路基板の膨れや層間剥離を引き起こし、回路基板の品質及び性能を低下させる恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一観点によれば、誘電体層と、前記誘電体層の第１面に設けられ開口部を備える第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面に設けられた第２導体層とを有するキャパシタと、前記第１面上に設けられた第１接着層と、前記第１接着層上に設けられ、前記開口部と対応する部位に突起部を有する第１絶縁層とを含む回路基板が提供される。
【０００７】
また、一観点によれば、上記のような回路基板の製造方法、上記のような回路基板を含む電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
誘電体層上の導体層の開口部における気泡の残存が抑えられたキャパシタを含む、品質及び性能に優れた回路基板が実現される。また、そのような回路基板を含む、品質及び性能に優れた電子装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】キャパシタを内蔵する回路基板を得る際の一工程を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る開口部及び突起部の平面レイアウトの説明図（その１）である。
【図４】第１の実施の形態に係る開口部及び突起部の平面レイアウトの説明図（その２）である。
【図５】第１の実施の形態に係る熱プレス工程の説明図である。
【図６】第１の実施の形態に係る回路基板の変形例を示す図（その１）である。
【図７】第１の実施の形態に係る回路基板の変形例を示す図（その２）である。
【図８】第１の実施の形態に係る回路基板の変形例を示す図（その３）である。
【図９】第１の実施の形態に係る開口部及び突起部の説明図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の説明図（その１）である。
【図１１】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の説明図（その２）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の説明図（その３）である。
【図１３】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の説明図（その４）である。
【図１４】第２の実施の形態に係る回路基板の別例の説明図である。
【図１５】第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１６】第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１７】第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図１８】第６の実施の形態に係る電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
はじめに、キャパシタを内蔵する回路基板において生じ得る気泡について述べる。
図１はキャパシタを内蔵する回路基板を得る際の一工程を示す図である。
例えば、図１（Ａ）に示すようなキャパシタ３００が準備される。キャパシタ３００は、セラミック等を主成分とする誘電体層３１０と、それを挟む一対の電極層３２０ａ（導体層）及び電極層３２０ｂ（導体層）を有する。実使用時には、電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂの一方が電源電位、他方がグランド（ＧＮＤ）電位に設定され、電極層３２０ａと電極層３２０ｂとが誘電体層３１０を介して重複する部位が、コンデンサとして機能する。電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂには、キャパシタ３００を回路基板内の他の導体と電気的に接続するビアを形成するために、或いはキャパシタ３００とは非接続で回路基板内の他の導体同士を電気的に接続するビアを形成するために、開口部３２１が形成される。このように誘電体層３１０上の電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂに開口部３２１が形成されたキャパシタ３００の上に、樹脂を含む部材、例えばプリプレグ４００が配置される。
【００１１】
そして、図１（Ｂ）に示すように、加熱及び加圧（熱プレス）が行われ、キャパシタ３００とプリプレグ４００とが一体化される。この一体化の際、誘電体層３１０上の電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂに形成された開口部３２１内に、気泡５００が残存する場合がある。
【００１２】
このような気泡５００が残存する理由としては、まず、電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂに開口部３２１が形成されたことで誘電体層３１０上に段差ができたという構造的な理由が挙げられる。更に、誘電体層３１０は無機材料、電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂは金属等の導体材料、プリプレグ４００に含まれる樹脂は有機材料というように、各部の材料の物性値に差があることが理由の１つに挙げられる。更に、誘電体層３１０が薄く（例えば１μｍ以下）、その破損を抑えるために熱プレスの条件（圧力及び温度）が制約を受けることも理由の１つに挙げられる。また、電極層３２０ａ及び電極層３２０ｂに用いられる材料によっては、開口部３２１が、誘電体層３１０に近付くほどその開口サイズが大きくなる、断面視で逆テーパー状になることがあり、このような形状になると、より一層、気泡５００の残存が生じ易くなる。
【００１３】
キャパシタ３００とプリプレグ４００との間に、このような気泡５００が残存すると、キャパシタ３００を内蔵する回路基板の形成時、使用時、試験時等に加えられる熱により、気泡５００が膨張し、回路基板の膨れや層間剥離が生じる恐れがある。このような膨れや層間剥離が生じると、回路基板の品質及び性能が低下する可能性が高まる。
【００１４】
上記のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような構成を採用し、回路基板の気泡の残存を抑える。
まず、第１の実施の形態について説明する。
【００１５】
図２は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図２には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図２に示す回路基板１は、キャパシタ１０、接着層２０ａ、接着層２０ｂ、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂを有する。
【００１６】
キャパシタ１０は、誘電体層１１、誘電体層１１の一方の面１１ａに設けられた電極層１２ａ（導体層）、及び誘電体層１１の他方の面１１ｂ（面１１ａとは反対の面）に設けられた電極層１２ｂ（導体層）を有する。
【００１７】
誘電体層１１には、各種誘電体材料が用いられる。例えば、誘電体層１１には、セラミック材料が用いられる。誘電体層１１のセラミック材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3；ＢＴＯ）等の各種高誘電体材料を用いることができる。誘電体層１１のセラミック材料としては、ＢＴＯにストロンチウム（Ｓｒ）を添加したチタン酸バリウムストロンチウム（ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3；ＢＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3；ＳＴＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3；ＰＺＴ）、ランタン（Ｌａ）を添加したＰＺＴ（ＰＬＺＴ）等の高誘電体材料が用いられてもよい。
【００１８】
電極層１２ａ及び電極層１２ｂには、各種導体材料が用いられる。例えば、電極層１２ａ及び電極層１２ｂには、金属材料が用いられる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂの金属材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂは、誘電体層１１を介して重複（対向）する部位が形成されるように、所定の形状にパターニングされる。図２には一例として、電極層１２ａに開口部１２ａａが設けられた構造を図示している。回路基板１は、その使用時等には、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位に設定され、電極層１２ａと電極層１２ｂとが誘電体層１１を介して重複する部位が、コンデンサとして機能する。
【００１９】
このようなキャパシタ１０の、誘電体層１１の一方の面１１ａ側に、接着層２０ａで絶縁層３０ａが接着され、誘電体層１１の他方の面１１ｂ側に、接着層２０ｂで絶縁層３０ｂが接着される。
【００２０】
接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、有機系又は無機系の絶縁性及び接着性の各種絶縁材料が用いられる。例えば、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、エポキシ樹脂系の樹脂材料が用いられる。接着層２０ａ及び接着層２０ｂの樹脂材料には、各種添加剤や、無機系又は有機系の表面絶縁性のフィラーが含有されてもよい。また、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、樹脂材料を、ガラスファイバー等を用いたシート状物に含浸した、プリプレグが用いられてもよい。
【００２１】
絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、各種絶縁材料が用いられる。例えば、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、エポキシ樹脂系の樹脂材料、又はそのような樹脂材料を含有する絶縁材料が用いられる。例えば、このような樹脂材料、又は樹脂材料を含有する絶縁材料のシート状物が、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂに用いられる。
【００２２】
図２に示す回路基板１において、キャパシタ１０の、開口部１２ａａが設けられた電極層１２ａ側に接着層２０ａを介して積層される絶縁層３０ａには、電極層１２ａの開口部１２ａａと対応する部位に、突起部３０ａａが設けられている。突起部３０ａａは、例えば、平面視で、その先端３１が、開口部１２ａａ内に位置するように設けられる。また、突起部３０ａａは、例えば、平面視で、その先端３１の外縁３２が、開口部１２ａａの内縁に沿った形状となるように設けられる。
【００２３】
ここで、電極層１２ａの開口部１２ａａと絶縁層３０ａの突起部３０ａａとの平面レイアウトについて説明する。
図３及び図４は第１の実施の形態に係る開口部及び突起部の平面レイアウトの説明図である。
【００２４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）には、キャパシタ１０の電極層１２ａに設けられる開口部１２ａａが、平面視で円形状である場合を例示している。電極層１２ａの開口部１２ａａが、平面視でこのような円形状である場合、絶縁層３０ａの突起部３０ａａは、例えば、図３（Ａ）に示すように、平面視で開口部１２ａａと同じ又は同等のサイズの円形状とすることができる。また、電極層１２ａの開口部１２ａａが、平面視で円形状の場合、絶縁層３０ａの突起部３０ａａは、例えば、図３（Ｂ）に示すように、平面視で開口部１２ａａよりも小さいサイズの円形状とすることができる。
【００２５】
尚、ここでは、電極層１２ａの開口部１２ａａが平面視で円形状の場合を例示したが、開口部１２ａａが平面視で他の形状、例えば、楕円形状や多角形状といった他の形状とされる場合も同様とすることができる。即ち、突起部３０ａａは、平面視でその開口部１２ａａと同様の楕円形状や多角形状といった形状で、その開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズ、又は開口部１２ａａよりも小さいサイズとすることができる。
【００２６】
また、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）には、キャパシタ１０の電極層１２ａに設けられる開口部１２ａａが、平面視で電極層１２ａ対の直線状の間隙である場合を例示している。開口部１２ａａが、平面視でこのような電極層１２ａ対の直線状の間隙である場合、絶縁層３０ａの突起部３０ａａは、例えば、図４（Ａ）に示すように、平面視で開口部１２ａａと同じ又は同等のサイズの直線状とすることができる。また、開口部１２ａａが、平面視でこのような電極層１２ａ対の直線状の間隙である場合、絶縁層３０ａの突起部３０ａａは、例えば、図４（Ｂ）に示すように、平面視で開口部１２ａａよりも小さいサイズの直線状とすることができる。
【００２７】
尚、ここでは、開口部１２ａａが平面視で電極層１２ａ対の直線状の間隙である場合を例示したが、開口部１２ａａが平面視で他の形状、例えば、湾曲状や屈曲状といった他の形状の間隙とされる場合も同様とすることができる。即ち、突起部３０ａａは、平面視でその開口部１２ａａと同様の湾曲状や屈曲状といった形状で、その開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズ、又は開口部１２ａａよりも小さいサイズとすることができる。
【００２８】
回路基板１では、絶縁層３０ａの、電極層１２ａの開口部１２ａａと対応する部位に、上記のような突起部３０ａａが設けられることで、開口部１２ａａ内の気泡の残存が抑えられる。
【００２９】
図５は第１の実施の形態に係る熱プレス工程の説明図である。図５には、熱プレス工程の一例の要部断面を模式的に図示している。
回路基板１を得る際には、図５（Ａ）に示すようなキャパシタ１０、絶縁層３０ａ及び接着層２０ａが準備される。キャパシタ１０の電極層１２ａには、所定の形状の開口部１２ａａが設けられ、絶縁層３０ａには、電極層１２ａの開口部１２ａａと対応する部位に、所定の形状の突起部３０ａａが設けられる。このようなキャパシタ１０と絶縁層３０ａとが、互いの開口部１２ａａと突起部３０ａａとが対向するように配置され、間に接着層２０ａが介在された状態で、熱プレス（加熱及び加圧）される。
【００３０】
この熱プレス工程では、図５（Ｂ）に示すように、熱プレス時の加熱により、接着層２０ａの樹脂の流動性が生じる若しくは高まると共に、熱プレス時の加圧により、その接着層２０ａを介して配置されたキャパシタ１０と絶縁層３０ａとの距離が近付く。キャパシタ１０と絶縁層３０ａとの距離が近付くと、流動性を持った接着層２０ａは、電極層１２ａと絶縁層３０ａとの間に充填され、更に電極層１２ａの開口部１２ａａ内に進入していく。
【００３１】
この時、絶縁層３０ａの、開口部１２ａａと対応する部位には、突起部３０ａａが設けられているため、接着層２０ａは、この突起部３０ａａによって押され、開口部１２ａａ内に押し込まれる。即ち、絶縁層３０ａに突起部３０ａａが設けられていることで、所定の条件（温度及び圧力）で熱プレスされた際、突起部３０ａａがなかった場合に比べ、開口部１２ａａ内の誘電体層１１と絶縁層３０ａ（その突起部３０ａａ）との間の距離が狭まる。そのため、接着層２０ａには、突起部３０ａａによって押される力が加わり、より開口部１２ａａ内に押し込まれるようになる。
【００３２】
これにより、段差構造であっても、また各部の材料の物性値に差があっても、所定の条件の熱プレスにより、図５（Ｃ）に示すように、電極層１２ａの開口部１２ａａ内に、気泡（図１（Ｂ）に示すような気泡５００）の残存が抑えられて、接着層２０ａが充填される。開口部１２ａａ内の気泡の残存が抑えられることで、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離の発生が抑えられる、高品質及び高性能の回路基板１が実現される。
【００３３】
このように接着層２０ａを、突起部３０ａａで押して開口部１２ａａ内に充填する手法において、突起部３０ａａの平面視でのサイズは、例えば、開口部１２ａａの平面視でのサイズの８０％〜１００％とされる。突起部３０ａａをこのようなサイズとすると、それに押される接着層２０ａが、開口部１２ａａ内に効果的に進入、充填される。また、突起部３０ａａのサイズを開口部１２ａａのサイズよりも小さくすると、それに押される接着層２０ａが、開口部１２ａａの中央から縁に向かって流動し易くなるため、気泡が特に残存し易い開口部１２ａａの隅にも、接着層２０ａが効果的に進入、充填される。
【００３４】
尚、突起部３０ａａのサイズを、開口部１２ａａのサイズよりも大きくした場合でも、突起部３０ａａを設けない場合に比べて、開口部１２ａａ内の気泡の残存抑制に対し、一定の効果を得ることは可能である。
【００３５】
絶縁層３０ａに設ける突起部３０ａａは、次の図６〜図８に示すような形状とすることもできる。
図６〜図８は第１の実施の形態に係る回路基板の変形例を示す図である。図６〜図８にはそれぞれ、回路基板の変形例の要部断面を模式的に図示している。
【００３６】
図６に示す回路基板１Ａは、キャパシタ１０の誘電体層１１上に設けられた電極層１２ａの、その開口部１２ａａの内側の端部に対応して、絶縁層３０ａに突起部３０ａａが設けられている点で、上記図２に示した回路基板１と相違する。例えば、電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示したような平面視で円形状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ａの絶縁層３０ａには、ドーナツ形状の突起部３０ａａが設けられる。電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示したような平面視で直線状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ａの絶縁層３０ａには、直線状の２本の突起部３０ａａ対が設けられる。
【００３７】
この図６に示すような突起部３０ａａを設けた絶縁層３０ａによれば、熱プレス工程において、開口部１２ａａの端部に接着層２０ａを押し込み、開口部１２ａａの端部、特にその隅に気泡が残存することを効果的に抑えることができる。
【００３８】
また、図７に示す回路基板１Ｂは、絶縁層３０ａに、断面視で台形状の突起部３０ａａが設けられている点で、上記図２に示した回路基板１と相違する。例えば、電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示したような平面視で円形状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ｂの絶縁層３０ａには、円錐台形状の突起部３０ａａが設けられる。電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示したような平面視で直線状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ｂの絶縁層３０ａには、直線状で断面台形状の突起部３０ａａが設けられる。
【００３９】
この図７に示すような突起部３０ａａを設けた絶縁層３０ａによっても、熱プレス工程において、開口部１２ａａ内に接着層２０ａを押し込み、開口部１２ａａ内に気泡が残存することを効果的に抑えることができる。また、図７に示すように、突起部３０ａａを、その傾斜した側面（斜面）の少なくとも一部が平面視で開口部１２ａａの内側に位置するようなサイズとすると、その斜面により、接着層２０ａが開口部１２ａａの縁に向かって流動する力を生じさせることができる。それにより、開口部１２ａａの隅に気泡が残存することを抑える効果が高められる。
【００４０】
また、図８に示す回路基板１Ｃは、絶縁層３０ａに、断面視で三角形状の突起部３０ａａが設けられている点で、上記図２に示した回路基板１と相違する。例えば、電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示したような平面視で円形状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ｃの絶縁層３０ａには、円錐形状の突起部３０ａａが設けられる。電極層１２ａの開口部１２ａａが、上記図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示したような平面視で直線状の開口部１２ａａである場合、回路基板１Ｃの絶縁層３０ａには、直線状で断面三角形状の突起部３０ａａが設けられる。
【００４１】
この図８に示すような突起部３０ａａを設けた絶縁層３０ａによっても、熱プレス工程において、開口部１２ａａ内に接着層２０ａを押し込み、開口部１２ａａ内に気泡が残存することを効果的に抑えることができる。また、図８に示すような突起部３０ａａでは、その斜面が、接着層２０ａが開口部１２ａａの縁に向かって流動する力を生じさせるため、開口部１２ａａの隅に気泡が残存することを抑えることができる。
【００４２】
電極層１２ａの開口部１２ａａ及び絶縁層３０ａの突起部３０ａａについて更に説明する。
図９は第１の実施の形態に係る開口部及び突起部の説明図である。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）にはそれぞれ、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００４３】
図９（Ａ）に示すように、電極層１２ａの開口部１２ａａと対応する部位に設けられる絶縁層３０ａの突起部３０ａａ（その先端３１）は、開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズ、又は開口部１２ａａよりも小さいサイズとすることができる。
【００４４】
図９（Ａ）に実線Ｐ１で示すように、突起部３０ａａ（その先端３１）を開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズとすることで、熱プレス工程において、接着層２０ａを開口部１２ａａ内に進入、充填させ、開口部１２ａａ内の気泡の残存を効果的に抑えることができる。
【００４５】
図９（Ａ）に点線Ｑ１で示すように、突起部３０ａａ（その先端３１）を開口部１２ａａよりも小さいサイズとすると、熱プレス工程において、接着層２０ａが、より開口部１２ａａの縁に向かって流動し易くなるため、開口部１２ａａ内の気泡の残存を一層効果的に抑えることができる。
【００４６】
尚、図９（Ａ）に一点鎖線Ｒ１で示すように、突起部３０ａａ（その先端３１）を開口部１２ａａよりも大きいサイズとした場合でも、熱プレス工程において、接着層２０ａは、そのようなサイズの突起部３０ａａによって開口部１２ａａ内に押し込まれる。そのため、開口部１２ａａ内の気泡の残存を抑えることが可能である。
【００４７】
また、図９（Ｂ）に示すように、突起部３０ａａが、傾斜した側面（斜面）を有する、例えば断面視で台形状のもの（図７）である場合には、その先端３１の頂面を、開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズ、又は開口部１２ａａよりも小さいサイズとすることができる。
【００４８】
図９（Ｂ）に実線Ｐ２で示すように、突起部３０ａａの先端３１を開口部１２ａａと同じ若しくは同等のサイズとすることで、熱プレス工程において、接着層２０ａを開口部１２ａａ内に進入、充填させ、開口部１２ａａ内の気泡の残存を効果的に抑えることができる。この場合、突起部３０ａａの側面となる斜面３３は、開口部１２ａａの外側に位置するようになる。
【００４９】
図９（Ｂ）に点線Ｑ２で示すように、突起部３０ａａの先端３１を開口部１２ａａよりも小さいサイズとすると、その斜面３３の少なくとも一部が開口部１２ａａの内側に位置するようになる。そのため、熱プレス工程において、接着層２０ａが、より開口部１２ａａの縁に向かって流動し易くなり、開口部１２ａａ内の気泡の残存を一層効果的に抑えることができる。
【００５０】
尚、図９（Ｂ）に一点鎖線Ｒ２で示すように、突起部３０ａａの先端３１を開口部１２ａａよりも大きいサイズとした場合でも、熱プレス工程において、接着層２０ａは、先端がそのようなサイズの突起部３０ａａによって開口部１２ａａ内に押し込まれる。そのため、開口部１２ａａ内の気泡の残存を抑えることが可能である。
【００５１】
尚、図９（Ｂ）には、斜面３３を有する突起部３０ａａとして、断面視で台形状のものを例示したが、断面視で三角形状のもの（図８）では、その先端である頂点を開口部１２ａａの内側に位置させることで、同様の効果が得られる。この場合、突起部３０ａａの斜面の少なくとも一部は開口部１２ａａの内側に位置し、また、突起部３０ａａの斜面の一部は開口部１２ａａの外側に位置し得る。
【００５２】
図９に示すように、絶縁層３０ａの突起部３０ａａは、全体が電極層１２ａの開口部１２ａａの内側に対応して位置してもよく、また、先端３１の一部又は全部が開口部１２ａａの内側に対応して位置すれば、縁部は開口部１２ａａの外側に対応して位置してもよい。
【００５３】
以上説明したように、第１の実施の形態に係る回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、接着層２０ａを介してキャパシタ１０の電極層１２ａ側に配置される絶縁層３０ａの、電極層１２ａの開口部１２ａａと対応する部位に、突起部３０ａａが設けられる。このように突起部３０ａａが設けられることで、熱プレス工程において、接着層２０ａが効果的に開口部１２ａａ内に進入、充填され、開口部１２ａａ内の気泡の残存が抑えられる。これにより、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離が抑えられ、品質及び性能に優れた回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃが実現される。
【００５４】
次に、第２の実施の形態について説明する。
ここでは、回路基板の形成方法の一例を、第２の実施の形態として説明する。
図１０〜図１３は第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の説明図である。
【００５５】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）には、回路基板に用いられる配線層のその形成工程の一例の要部断面を模式的に図示している。
例えば、まず、図１０（Ａ）に示すような、絶縁層６０ａの一方の面６１ａに導体層６２ａが設けられた基板が準備される。例えば、エポキシ樹脂系の樹脂材料、又はそのような樹脂材料を含有する絶縁材料が用いられた絶縁層６０ａの、その一方の面６１ａ上に、銅（Ｃｕ）等の金属箔が貼付された基板が準備される。
【００５６】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、準備された基板の、導体層６２ａが設けられていない絶縁層６０ａの他方の面６１ｂに、突起部６０ａａが形成される。例えば、絶縁層６０ａの面６１ｂの、突起部６０ａａを形成する部位を除く部位に対し、ドライエッチング又はウェットエッチングが行われ、突起部６０ａａが形成される。エッチング技術を用いることで、所望の平面サイズ、平面形状及び断面形状を有する突起部６０ａａが、精度良く形成される。
【００５７】
また、準備された基板の一方の面６１ａに設けられた導体層６２ａに対してエッチングが行われ、所定のパターン形状の配線６２が形成される。配線６２の形成は、突起部６０ａａの形成後に行われてもよいし、突起部６０ａａの形成前に行われてもよい。
【００５８】
上記のようにして、絶縁層６０ａの一方の面６１ａ側に配線６２が形成され、他方の面６１ｂ側に突起部６０ａａが形成された配線層６０が得られる。例えば、図１０（Ｂ）に示すような配線層６０が用いられ、後述のように回路基板が形成される。
【００５９】
尚、図１０（Ｂ）に示すような配線層６０の、その絶縁層６０ａの突起部６０ａａが設けられている面６１ｂ側には更に、図１０（Ｃ）に示すように、配線６３が形成されてもよい。例えば、突起部６０ａａの形成後、突起部６０ａａがマスクされ、導体層の形成及びそのエッチングが行われることで、面６１ｂの突起部６０ａａを除く部位に、所定のパターン形状の配線６３が形成される。回路基板の形成には、この図１０（Ｃ）に示すような配線層６０Ａが用いられてもよい。
【００６０】
また、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には、回路基板に用いられる配線層のその形成工程の別例の要部断面を模式的に図示している。
この例では、まず、図１１（Ａ）に示すような、絶縁層６０ａの一方の面６１ａ及び他方の面６１ｂに、それぞれ導体層６２ａ及び導体層６３ａが設けられた基板が準備される。
【００６１】
そして、図１１（Ｂ）に示すように、導体層６２ａ及び導体層６３ａに対してエッチングが行われ、所定のパターン形状の配線６２及び配線６３が形成される。更に、形成された配線６２又は配線６３の上、例えば、配線６３の上に、突起部６０ａａが形成される。突起部６０ａａは、例えば、樹脂材料又はそれを含有する絶縁材料の印刷とその硬化、或いは、所定の部位への樹脂材料又はそれを含有する絶縁材料の滴下とその硬化によって形成される。或いはまた、突起部６０ａａは、配線６３の形成面側の全体に樹脂材料又はそれを含有する絶縁材料を塗布や貼付により形成し、それを硬化した後、エッチングによってパターニングすることで、形成されてもよい。
【００６２】
このようにして、絶縁層６０ａの一方の面６１ａ側に配線６２が形成され、他方の面６１ｂ側に配線６３及び突起部６０ａａが形成された配線層６０Ｂが得られる。回路基板の形成には、この図１１（Ｂ）に示すような配線層６０Ｂが用いられてもよい。
【００６３】
続いて、一例として上記配線層６０を用いた回路基板の形成について述べる。
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）には、熱プレス工程の要部断面を模式的に図示している。
【００６４】
回路基板の形成においては、まず、図１２（Ａ）に示すように、それを構成する各層がそれぞれ準備される。この例では、キャパシタ４０、その上下に配置される配線層６０、その配線層６０上（下）に配置される他の配線層７０、及び各層間に介在される接着層５０が準備される。
【００６５】
ここで、キャパシタ４０は、誘電体層４１と、誘電体層４１の面４１ａ及び面４１ｂにそれぞれ設けられてその誘電体層４１を挟む一対の電極層４２ａ及び電極層４２ｂを有する。誘電体層４１には、各種誘電体材料、例えば、ＢＴＯ等のセラミック材料が用いられる。電極層４２ａ及び電極層４２ｂには、各種導体材料、例えば、ＣｕやＮｉ等の金属材料が用いられる。
【００６６】
例えば、Ｎｉ若しくはＣｕ、又はＮｉ若しくはＣｕを主成分とする一方の電極層４２ａ上に、ＢＴＯ、又はＢＴＯを主成分とする誘電体層４１が焼結形成され、その上に、Ｃｕ、又はＣｕを主成分とする他方の電極層４２ｂが被覆形成される。その後、電極層４２ａ及び電極層４２ｂのパターニングが行われ、それぞれ所定の部位（例えば後述のビアが形成される部位）に開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａが形成される。このような方法により、キャパシタ４０が得られる。キャパシタ４０の誘電体層４１の厚さは、例えば、０．５μｍ〜２μｍとされる。電極層４２ａ及び電極層４２ｂの厚さはそれぞれ、例えば、１０μｍ〜３０μｍとされる。
【００６７】
キャパシタ４０の上下に配置される配線層６０は、上記図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）のような方法によって形成される。配線層６０の突起部６０ａａは、キャパシタ４０の電極層４２ａ及び電極層４２ｂに設けられる開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａの位置、サイズ及び形状に基づき、所定の部位に、所定のサイズ及び形状で、形成される。配線層６０の突起部６０ａａの高さは、例えば、１０μｍ〜５０μｍとされる。尚、キャパシタ４０の上下に配置される配線層６０の絶縁層６０ａは、必ずしも同じ材料を用いて形成されることを要しない。
【００６８】
配線層６０の下に配置される配線層７０は、絶縁層７０ａ、及びその両面に所定のパターン形状で設けられた配線７２及び配線７３を有する。絶縁層７０ａには、エポキシ樹脂系の樹脂材料、又はそのような樹脂材料を含有する絶縁材料が用いられる。配線７２及び配線７３には、Ｃｕ等の金属材料が用いられる。
【００６９】
キャパシタ４０と配線層６０との間、及び配線層６０と配線層７０との間に介在される接着層５０には、絶縁性及び接着性の各種絶縁材料、例えば、エポキシ樹脂系の樹脂材料が用いられる。例えば、接着層５０には、ガラスファイバー等を用いたシート状物に樹脂材料を含浸したプリプレグが用いられる。プリプレグの樹脂材料は、熱プレス前は、未硬化状態又は半硬化状態とされる。接着層５０の厚さは、例えば、５０μｍ〜２００μｍとされる。尚、キャパシタ４０の上下に配置される接着層５０、及び配線層６０の下に配置される接着層５０は、必ずしも同じ材料を用いて形成されることを要しない。
【００７０】
このような、回路基板を構成するキャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０の各層が、それぞれ準備される。そして、図１２（Ａ）に示すように、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０を介して配線層６０が配置され、配線層６０の下に接着層５０を介して配線層７０が配置される。配線層６０は、その突起部６０ａａが、キャパシタ４０の開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａと対応する部位に位置するように、配置される。
【００７１】
このようにキャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０の各層が配置された状態から、熱プレスが行われる。熱プレスは、真空中で加圧及び加熱することで行われる。熱プレスが行われることで、図１２（Ｂ）に示すような回路基板１Ｄ、即ち、キャパシタ４０の電極層４２ａ側及び電極層４２ｂ側にそれぞれ接着層５０で配線層６０が接着され、更に配線層６０の下に接着層５０で配線層７０が接着された回路基板１Ｄが形成される。
【００７２】
この熱プレス工程では、配線層６０の絶縁層６０ａに突起部６０ａａが設けられていることで、接着層５０（その樹脂材料）が、その突起部６０ａａで押され、キャパシタ４０の電極層４２ａの開口部４２ａａ内、及び電極層４２ｂの開口部４２ｂａ内に、効果的に進入、充填される。これにより、開口部４２ａａ内の気泡の残存、及び開口部４２ｂａ内の気泡の残存が抑えられ、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離が抑えられる、高品質及び高性能の回路基板１Ｄが形成される。
【００７３】
回路基板１Ｄには更に、上下配線間を電気的に接続する導体ビアが形成されてよい。
図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）には、導体ビア形成工程の要部断面を模式的に図示している。
【００７４】
例えば、上記図１２（Ｂ）の工程後、図１３（Ａ）に示すように、回路基板１Ｄを貫通する孔８１が形成される。孔８１は、例えば、ドリル加工によって形成される。ドリル径は、例えば、１００μｍ〜３００μｍとされる。孔８１は、例えば、キャパシタ４０の電極層４２ａ及び電極層４２ｂのいずれにも接続されずに誘電体層４１を貫通する部位、及び電極層４２ａ又は電極層４２ｂに接続されて誘電体層４１を貫通する部位に、形成される。
【００７５】
孔８１の形成後、その孔８１の内壁に、無電解めっき又は電解めっきによって導体８２が形成される。これにより、図１３（Ｂ）に示すような導体ビア８０が形成される。
尚、導体ビア８０の中央部には、空洞が残されてもよいし、エポキシ樹脂等の樹脂（図示せず）が充填されてもよい。樹脂で充填される場合は、充填後、導体ビア８０上及びその内側の樹脂上に、更にめっきによって導体が形成されてもよい（いわゆる蓋めっき）。また、ここでは導体ビア８０として、孔８１の内壁に導体８２が形成されたコンフォーマルビアを例示するが、孔８１内に導体材料を充填したフィルドビアが形成されてもよい。
【００７６】
電極層４２ａ及び電極層４２ｂのいずれにも接続されない部位に形成された導体ビア８０、即ち開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａの内側を通る導体ビア８０は、キャパシタ４０とは電気的に接続されない。このような導体ビア８０は、例えば、信号伝送ラインとして用いられる。
【００７７】
電極層４２ａ又は電極層４２ｂに接続される部位に形成された導体ビア８０、即ち開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａの一方の内側を通る導体ビア８０は、キャパシタ４０と電気的に接続される。このような導体ビア８０は、例えば、電源供給ラインとして用いられ、導体ビア８０を通じて、電極層４２ａ及び電極層４２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位とされる。電源供給ライン上にキャパシタ４０が挿入されることで、電源インピーダンスの低減、電源電圧の変動、高周波ノイズの発生が抑えられる回路基板１Ｄが実現される。
【００７８】
尚、配線層６０の絶縁層６０ａには、電極層４２ａの開口部４２ａａ又は電極層４２ｂの開口部４２ｂａと対応する部位であっても、ドリル加工の際にその開口部４２ａａ又は開口部４２ｂａが研削される場合には、突起部６０ａａを設けないようにしてもよい。突起部６０ａａを設けないことで、熱プレス工程において、たとえその開口部４２ａａ内又は開口部４２ｂａ内に気泡が残存したとしても、ドリル加工によって研削してしまうことができるためである。また、電極層４２ａ又は電極層４２ｂの、導体ビア８０との接続が行われる部位には、予め開口部４２ａａ又は開口部４２ｂａを設けないようにすることもできる。段差ができないため、熱プレス工程において、気泡の残存が生じ難くなるためである。
【００７９】
図１２及び図１３には、キャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０を、熱プレスによって一括積層し、ドリル加工で形成した孔８１に導体ビア８０を形成する例を示した。このほか、積層と導体ビア形成を複数回に分けて行ってもよい。
【００８０】
図１４は第２の実施の形態に係る回路基板の別例の説明図である。
例えば、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０を介して配線層６０が配置され、その状態から熱プレスが行われる。そして、電極層４２ａ及び電極層４２ｂにそれぞれ接続される導体ビア８３が、例えば、レーザー加工による孔形成と導体材料の埋め込みによって形成され、更に配線６２が形成される。その後、配線層６０の下に接着層５０を介して配線層７０が配置され、その状態から熱プレスが行われ、同様にして導体ビア８４が形成され、更に配線７２が形成される。このような方法により、図１４に示すような回路基板１Ｅを得てもよい。
【００８１】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１５は第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１５には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００８２】
図１５に示す回路基板１Ｆでは、配線層６０の絶縁層６０ａに、配線層６０をキャパシタ４０に接着する接着層５０よりも弾性率が高いもの、例えば剛性率やヤング率が高いものが用いられる。或いは、配線層６０の絶縁層６０ａに、接着層５０で配線層６０に接着される配線層７０の絶縁層７０ａよりも弾性率が高いもの、例えば剛性率やヤング率が高いものが用いられる。
【００８３】
このような回路基板１Ｆの接着層５０又は絶縁層７０ａには、絶縁層６０ａよりも弾性率が低くなる有機系又は無機系の各種絶縁材料が用いられる。例えば、回路基板１Ｆの接着層５０又は絶縁層７０ａには、絶縁層６０ａよりも弾性率が低くなる、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、ポリエチレンテレフタレート樹脂系、フェノール樹脂系、シリコーンゴム系、シリケート系等の各種絶縁材料が用いられる。また、回路基板１Ｆの接着層５０又は絶縁層７０ａには、各種添加剤や、無機系又は有機系の表面絶縁性のフィラー、ガラスファイバー等が含有されてもよい。
【００８４】
回路基板１Ｆの絶縁層６０ａには、接着層５０又は絶縁層７０ａよりも弾性率が高くなる各種絶縁材料が用いられる。例えば、回路基板１Ｆの絶縁層６０ａには、ガラス、又はガラスを含有する絶縁材料が用いられる。このほか、回路基板１Ｆの絶縁層６０ａには、樹脂材料、又は樹脂材料を含有する絶縁材料、例えば、ポリイミド樹脂、又はポリイミド樹脂を含有する絶縁材料が用いられる。例えば、回路基板１Ｆの絶縁層６０ａには、ガラス板、ガラスファイバーやガラスクロスに樹脂を含浸したシート、ポリイミド樹脂シート、ポリイミド樹脂を主成分とする樹脂シート等が用いられる。回路基板１Ｆでは、このような絶縁層６０ａに、例えばエッチングによって突起部６０ａａが形成される。絶縁層６０ａにガラス板が用いられる場合には、突起部６０ａａを、エッチングのほか、サンドブラストによって形成することもできる。
【００８５】
回路基板１Ｆでは、弾性率について所定の大小関係を満足するように、接着層５０又は絶縁層７０ａの材料、絶縁層６０ａの材料、接着層５０と絶縁層６０ａとの材料の組合せ、絶縁層７０ａと絶縁層６０ａとの材料の組合せが設定される。
【００８６】
尚、回路基板１Ｆにおいて、キャパシタ４０の上下の接着層５０、及び配線層６０の下の接着層５０は、必ずしも同じ材料を用いて形成されることを要しない。また、回路基板１Ｆにおいて、キャパシタ４０の上下の絶縁層６０ａは、必ずしも同じ材料を用いて形成されることを要しない。
【００８７】
図１５に示すような回路基板１Ｆの形成後、上記図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）の例に従い、導体ビア８０が形成されてよい。また、上記図１４の例に従い、導体ビア８３，８４が形成されてもよい。
【００８８】
回路基板１Ｆでは、キャパシタ４０が、接着層５０を介して、接着層５０又は配線層７０の絶縁層７０ａよりも弾性率が高い絶縁層６０ａを含む配線層６０によって挟まれる。これにより、回路基板１Ｆの剛性、強度が高められる。
【００８９】
回路基板１Ｆの剛性、強度が高められることで、熱ストレスによるキャパシタ４０の損傷、例えば、誘電体層４１に生じるクラック、誘電体層４１と電極層４２ａ又は電極層４２ｂとの間に生じるクラックや剥離といったキャパシタ４０の損傷が抑えられる。
【００９０】
回路基板１Ｆ若しくはこれを基本構造とする回路基板の形成時や、形成された回路基板１Ｆ等への電子部品の実装時、形成された回路基板１Ｆ等若しくはそれを用いた電子装置の使用時や試験時等には、熱が加えられ、それにより熱ストレスが生じる。回路基板１Ｆでは、このような熱ストレスによるキャパシタ４０の損傷が、その上下に配置される配線層６０に含まれる比較的高弾性率の絶縁層６０ａによって回路基板１Ｆの剛性、強度が高められることにより、抑えられる。
【００９１】
回路基板１Ｆによれば、キャパシタ４０の損傷による静電容量の低下が抑えられる。誘電体層４１を薄くしてキャパシタ４０の静電容量が高められている場合でも、回路基板１Ｆの剛性、強度が高められ、それによってキャパシタ４０の損傷が抑えられることで、キャパシタ４０の高い静電容量が維持される。
【００９２】
上記構成により、回路基板１Ｆ及びこれを基本構造とする回路基板の品質及び性能の低下を効果的に抑えることが可能になる。
次に、第４の実施の形態について説明する。
【００９３】
図１６は第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１６には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図１６に示す回路基板１Ｇは、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０で配線層６０が接着された基板４の、更にその上下にそれぞれ、接着層５０を介して複数の配線層７０が積層された構造を有する。配線層６０と配線層７０とは、間に介在された接着層５０で接着され、配線層７０同士は、間に介在された接着層５０で接着される。回路基板１Ｇには、例えば、図１６に示すように、その表裏面間を貫通する導体ビア、一例としてドリル加工及びめっきにより形成される導体ビア８０が設けられる。配線層６０の絶縁層６０ａには、例えば、上記第３の実施の形態で述べた例に従い、接着層５０又は絶縁層７０ａよりも弾性率が高くなる各種絶縁材料を用いることができる。
【００９４】
このように、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０で配線層６０が接着された基板４を基本構造とし、その上下に更に接着層５０を介して複数の配線層７０を積層して、多層配線構造の回路基板１Ｇを得てもよい。尚、配線層７０の層数は、図１６の例に限定されるものではない。
【００９５】
回路基板１Ｇの形成には、例えば、次のような方法を用いることができる。まず、回路基板１Ｇを構成する各層、即ち、キャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０の各層が、それぞれ準備される。そして、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０を介して配線層６０が配置され、同様に上下方向に、接着層５０及び配線層７０が順に、所定の層数、配置される。配線層６０は、その突起部６０ａａが、キャパシタ４０の開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａと対応する部位に位置するように、配置される。このようにキャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０の各層が配置された状態から、熱プレスが行われ、一括積層が行われる。熱プレスによる一括積層後、例えば、ドリル加工及びめっきにより、導体ビア８０が形成される。これにより、回路基板１Ｇが得られる。このような熱プレスによる一括積層方法によれば、回路基板１Ｇが効率的に形成される。
【００９６】
また、回路基板１Ｇの形成には、次のような方法を用いることもできる。まず、回路基板１Ｇを構成する各層、即ち、キャパシタ４０、配線層６０、配線層７０及び接着層５０の各層が、それぞれ準備される。そして、キャパシタ４０の上下にそれぞれ接着層５０を介して配線層６０が配置され、その状態から、比較的低い圧力の条件で熱プレスが行われ、基本構造となる基板４が形成される。次いで、形成された基板４の上下方向に、接着層５０及び配線層７０が順に、所定の層数、配置され、その状態から、比較的高い圧力の条件で熱プレスが行われる。その後、例えば、ドリル加工及びめっきにより、導体ビア８０が形成される。これにより、回路基板１Ｇが得られる。このように、比較的高い圧力の条件で熱プレスを行う前に、比較的低い圧力の条件で熱プレスを行って基板４を形成しておくと、基板４内のキャパシタ４０に、急激に高い圧力が加わることが抑えられ、キャパシタ４０の損傷が抑えられる。また、基板４を形成する際の、開口部４２ａａ及び開口部４２ｂａと、突起部６０ａａとの位置合わせが比較的容易になる、或いは位置ずれが比較的生じ難くなるため、気泡の残存抑制の効果が高められる。
【００９７】
上記のような一括積層時や基板４形成時の熱プレスでは、接着層５０が、配線層６０の絶縁層６０ａに設けられた突起部６０ａａで押され、キャパシタ４０の電極層４２ａの開口部４２ａａ内、及び電極層４２ｂの開口部４２ｂａ内に、効果的に進入、充填される。これにより、開口部４２ａａ内の気泡の残存、及び開口部４２ｂａ内の気泡の残存が抑えられ、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離が抑えられる、高品質及び高性能の回路基板１Ｇが実現される。
【００９８】
次に、第５の実施の形態について説明する。
上記第１〜第４の実施の形態で述べたような回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等の上には、半導体チップや半導体パッケージ等の半導体装置をはじめ、各種電子部品を搭載することができる。
【００９９】
図１７は第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１７には、電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
ここでは、上記第２の実施の形態で述べた回路基板１Ｄ（図１３（Ｂ））を例にしている。図１７には一例として、導体ビア８０の中央部に樹脂８５が充填され、導体ビア８０上及び樹脂８５上に導体層８６（蓋めっき層）が形成された回路基板１Ｄを図示している。図１７に示す電子装置１００は、このような回路基板１Ｄと、回路基板１Ｄ上に搭載された電子部品１１０とを含む。電子装置１００は、電子部品１１０を搭載する回路基板１Ｄが、更に回路基板１２０上に搭載された構成を有する。
【０１００】
電子部品１１０は、例えば、半導体チップ、又は半導体チップを含む半導体パッケージである。このような電子部品１１０が、回路基板１Ｄ上に搭載される。回路基板１Ｄの、電子部品１１０の搭載面側に設けられた端子９０ａ、端子９０ｂ及び端子９０ｃと、電子部品１１０に設けられた端子１１１ａ、端子１１１ｂ及び端子１１１ｃとがそれぞれ、半田等を用いたバンプ１３０を介して接合される。これにより、電子部品１１０と回路基板１Ｄとが電気的に接続される。ここで、電子部品１１０の端子１１１ａは、信号端子である。電子部品１１０の端子１１１ｂ及び端子１１１ｃは、例えば、端子１１１ｂが電源端子、端子１１１ｃがＧＮＤ端子である。
【０１０１】
このように電子部品１１０が搭載された回路基板１Ｄが、更に回路基板１２０上に搭載される。回路基板１２０は、例えばプリント基板である。回路基板１Ｄの、回路基板１２０側に設けられた端子９１ａ、端子９１ｂ及び端子９１ｃと、回路基板１２０に設けられた端子１２１ａ、端子１２１ｂ及び端子１２１ｃとがそれぞれ、半田等を用いたバンプ１３１を介して接合される。これにより、電子部品１１０が搭載された回路基板１Ｄと、回路基板１２０とが、電気的に接続される。ここで、回路基板１２０の端子１２１ａは、信号端子である。回路基板１２０の端子１２１ｂ及び端子１２１ｃは、例えば、端子１２１ｂが電源端子、端子１２１ｃがＧＮＤ端子である。
【０１０２】
電子装置１００では、回路基板１２０から、バンプ１３１、回路基板１Ｄ及びバンプ１３０を介して、電子部品１１０に電源が供給される。回路基板１２０から電子部品１１０への電源供給ライン上に、キャパシタ４０が設けられる。この例では、キャパシタ４０の電極層４２ｂが電源電位とされ、電極層４２ａがＧＮＤ電位とされる。電源供給ライン上にキャパシタ４０が設けられることで、電源インピーダンスの低減、電源電圧の変動、高周波ノイズの発生が抑えられ、電子部品１１０の安定な動作が実現される。
【０１０３】
回路基板１Ｄでは、配線層６０の絶縁層６０ａに突起部６０ａａが設けられていることで、熱プレスの際、接着層５０が、突起部６０ａａで押され、キャパシタ４０の電極層４２ａの開口部４２ａａ内、及び電極層４２ｂの開口部４２ｂａ内に進入、充填される。これにより、開口部４２ａａ内の気泡の残存、及び開口部４２ｂａ内の気泡の残存が抑えられ、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離が抑えられる、高品質及び高性能の回路基板１Ｄが実現される。このような回路基板１Ｄが用いられることで、加熱に対する品質及び性能に優れた電子装置１００が実現される。
【０１０４】
尚、ここでは回路基板１Ｄを例にしたが、他の回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等を用いて、同様に電子装置を得ることが可能である。
次に、第６の実施の形態について説明する。
【０１０５】
上記第５の実施の形態で述べたような電子装置１００等は更に、各種電子機器（電子装置とも称する）に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
【０１０６】
図１８は第６の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１８には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図１８に示すように、例えば上記第５の実施の形態で述べたような電子装置１００が、各種電子機器２００に搭載（内蔵）される。電子装置１００に用いられる回路基板１Ｄでは、配線層６０の絶縁層６０ａに設けられた突起部６０ａａにより、キャパシタ４０の電極層４２ａ及び電極層４２ｂに設けられた開口部４２ａａ内及び開口部４２ｂａ内の気泡の残存が抑えられる。これにより、気泡の残存に起因した加熱時の膨れや層間剥離が抑えられる回路基板１Ｄを含む、品質及び性能に優れた電子装置１００が実現される。このような電子装置１００を搭載する、品質及び性能に優れた電子機器２００が実現される。
【０１０７】
ここでは、回路基板１Ｄを含む電子装置１００を搭載する電子機器２００を例示したが、他の回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ等を含む電子装置も同様に、各種電子機器に搭載することが可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１２０  回路基板
４  基板
１０，４０，３００  キャパシタ
１１，４１，３１０  誘電体層
１１ａ，１１ｂ，４１ａ，４１ｂ，６１ａ，６１ｂ  面
１２ａ，１２ｂ，４２ａ，４２ｂ，３２０ａ，３２０ｂ  電極層
１２ａａ，４２ａａ，４２ｂａ，３２１  開口部
２０ａ，２０ｂ，５０  接着層
３０ａ，３０ｂ，６０ａ，７０ａ  絶縁層
３０ａａ，６０ａａ  突起部
３１  先端
３２  外縁
３３  斜面
６０，６０Ａ，６０Ｂ，７０  配線層
６２，６３，７２，７３  配線
６２ａ，６３ａ，８６  導体層
８０，８３，８４  導体ビア
８１  孔
８２  導体
８５  樹脂
１００  電子装置
１１０  電子部品
９０ａ，９０ｂ，９０ｃ，９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ，１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ  端子
１３０，１３１  バンプ
２００  電子機器
４００  プリプレグ
５００  気泡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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