(57)【要約】【課題】製造プロセス中に、電子部品と十分に接着する導電性ペースト、およびこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】導電層を含む基板を準備する工程と、導電層の上に導電性ペーストを塗布する工程であって、導電性ペーストが、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであり、溶媒が、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である、工程と、塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する工程と、導電性ペーストを加熱して、導電層と電子部品とを接合する工程とを含む、電子デバイスの製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層を含む基板を準備する工程と、
導電層の上に導電性ペーストを塗布する工程であって、導電性ペーストが、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであり、溶媒が、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である、工程と、
塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する工程と、
導電性ペーストを加熱して、導電層と電子部品とを接合する工程とを含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
第１溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
第２溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
第１溶媒および第２溶媒の重量比（第１溶媒：第２溶媒）が、０．１：１〜１０：１である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
第２溶媒の沸点が、第１溶媒の沸点よりも５０℃以上大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
第１溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、１：１〜１：２０である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
電子部品が、半導体チップである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
電子部品が、ニッケル、金、およびそれらの合金からなる群から選択されるメッキ層を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
導電層の上に導電性ペーストを塗布した後、塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する前に、４０〜１５０℃で乾燥する工程を更に含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであって、溶媒が、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である、導電性ペースト。
【請求項１１】
第１溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載の導電性ペースト。
【請求項１２】
第２溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項１０または１１に記載の導電性ペースト。
【請求項１３】
第１溶媒および第２溶媒の重量比（第１溶媒：第２溶媒）が、０．１：１〜１０：１である、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項１４】
第２溶媒の沸点が、第１溶媒の沸点よりも５０℃以上大きい、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項１５】
第１溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、１：１〜１：２０である、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合用の導電性ペーストおよびこれを用いた電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスは半導体チップのような電子部品を有し、その電子部品は基板の導電層に導電性ペーストで接合されている。電子部品は、導電層の上に塗布された導電性ペーストの上にマウントされた後、導電性ペーストを加熱することで、基板の導電層と物理的にも電気的にも接合する。製造工程において、マウントされた電子部品と導電性ペーストの層との接着が不十分だと、電子部品が剥離して、電子デバイスに欠陥を与える原因になる問題があった。特許文献１は、電子デバイスの製造のための接合材を開示している。接合材は、粒径が１〜２００ｎｍである銀ナノ粒子とオクタンジオールからなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０６９７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的の１つは、製造プロセス中に、電子部品と十分に接着する導電性ペースト、およびこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の課題を解決するための手段の一例は、
導電層を含む基板を準備する工程と、
導電層の上に導電性ペーストを塗布する工程であって、導電性ペーストが、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであり、溶媒が、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である、工程と、
塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する工程と、
導電性ペーストを加熱して、導電層と電子部品とを接合する工程とを含む、電子デバイスの製造方法、である。
【０００６】
ここで、ある実施態様では、第１溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。
【０００７】
また、ある実施態様では、第２溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。
【０００８】
また、ある実施態様では、第１溶媒および第２溶媒の重量比（第１溶媒：第２溶媒）が、０．１：１〜１０：１である。
【０００９】
また、ある実施態様では、第２溶媒の沸点が、第１溶媒の沸点よりも５０℃以上大きい。
【００１０】
また、ある実施態様では、第１溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、１：１〜１：２０である。
【００１１】
ここで、ある実施態様では、電子部品が、半導体チップである。ある実施態様では、電子部品が、ニッケル、金、およびそれらの合金からなる群から選択されるメッキ層を含む。
【００１２】
また、ある実施態様では、導電層の上に導電性ペーストを塗布した後、塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する前に、４０〜１５０℃で乾燥する工程を更に含む。
【００１３】
本発明の課題を解決するための手段の別の例は、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであって、溶媒が、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である、導電性ペーストである。
【００１４】
ここで、ある実施態様では、第１溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。
【００１５】
また、ある実施態様では、第２溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。
【００１６】
また、ある実施態様では、第１溶媒および第２溶媒の重量比（第１溶媒：第２溶媒）が、０．１：１〜１０：１である。
【００１７】
また、ある実施態様では、第２溶媒の沸点が、第１溶媒の沸点よりも５０℃以上大きい。
【００１８】
また、ある実施態様では、第１溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、１：１〜１：２０である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の接合用の導電性ペーストおよびこれを用いた電子デバイスの製造方法によれば、製造プロセス中に、電子部品を導電性ペーストの層に十分に接着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】電子デバイスの断面の一例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
電子デバイスは、少なくとも導電層を有する基板と電子部品を含んでいる。基板の導電層と電子部品は、導電性ペーストによって接合される。以下、図１を参照して、電子デバイス１００の製造方法の一例を説明する。なお、ある実施態様における数値範囲の下限値および上限値は、それぞれ別の実施態様における数値範囲の上限値および下限値と組み合わせることができる。
【００２２】
まず、導電層１０３を有する基板１０１を準備する。導電層１０３は、良導体および半導体を含む概念である。ある実施態様において、導電層１０３は、電子回路、電極、または電子パットである。ある実施態様において、導電層１０３は、金属層である。別の実施態様では、金属層は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、これらの合金を含む。別の実施態様では、導電層１０３は、銅層または銀層である。
【００２３】
導電性ペースト１０５は、接合用の導電性ペーストである。導電性ペースト１０５は、良導体と良導体、良導体と半導体、または半導体と半導体を接合することができる。導電性ペースト１０５は、導電層１０３の上に塗布される。塗布された導電性ペースト１０５は、ある実施態様において５０〜５００μｍの厚さ、別の実施態様において８０〜３００μｍの厚さ、別の実施態様において１００〜２００μｍの厚さ、を有する。ある実施態様において、導電性ペースト１０５は、スクリーン印刷で塗布される。別の実施態様において、スクリーン印刷のためにメタルマスクが用いられる。
【００２４】
塗布された導電性ペースト１０５の層は、任意で、乾燥される。乾燥温度は、ある実施態様において４０〜１５０℃、別の実施態様において５０〜１２０℃、別の実施態様において６０〜１００℃である。乾燥時間は、ある実施態様において１０〜１５０分、別の実施態様において１５〜８０分、別の実施態様において２０〜３０分である。
【００２５】
導電性ペースト１０５の層の上に電子部品１０７を搭載する。電子部品１０７は、電気的に機能するものであれば、特に限定されない。ある実施態様において、電子部品１０７は、半導体チップ、ＩＣチップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、センサーチップ、およびこれらの組合せからなる群より選択される。別の実施態様では、電子部品１０７は、半導体チップである。別の実施態様では、半導体チップは、ＳｉチップまたはＳｉＣチップである。
【００２６】
ある実施態様において、電子部品１０７は、メタライゼーション層を含んでいる。別の実施態様において、メタライゼーション層は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、これらの合金、およびこれらの組合せからなる群より選択される。別の実施態様において、メタライゼーション層は、金および／またはニッケルを含んでいる。別の実施態様において、メタライゼーション層は、金層およびニッケル層の積層構造を含んでいる。ある実施態様において、電子部品１０７がメタライゼーション層を有する場合、メタライゼーション層は、導電性ペースト１０５の層と接する。別の実施態様において、メタライゼーション層は、メッキである。
【００２７】
導電性ペースト１０５の層は加熱される。加熱の温度は、ある実施態様において１５０〜４００℃、別の実施態様において１８０〜３１０℃、別の実施態様において２２０〜２９０℃である。加熱時間は、ある実施態様において０．１〜３０分、別の実施態様において０．５〜２０分、別の実施態様において３〜１５分、別の実施態様において５〜１０分、ある実施態様において０．１〜５分、ある実施態様において０．５〜３分、ある実施態様において５〜２０分、ある実施態様において１０〜２０分である。導電性ペースト１０５は、比較的低温で接合させることができるため、電子部品１０７の熱によるダメージを抑えられる。
【００２８】
ある実施態様において、加熱雰囲気は、還元雰囲気またはエアー雰囲気である。別の実施態様では、還元雰囲気は、Ｎ2雰囲気である。別の実施態様では、加熱雰囲気は、エアー雰囲気である。
【００２９】
ある実施態様において、任意で、加熱中に電子部品１０７を加圧する。加圧により電子部品１０７は、導電性ペースト１０５の層により強く接合しうる。加圧は、ある実施態様において少なくとも０．１ＭＰａ、別の実施態様において少なくとも１ＭＰａ、別の実施態様において少なくとも５ＭＰａ、別の実施態様において少なくとも７ＭＰａ、別の実施態様において少なくとも１５ＭＰａ、別の実施態様において少なくとも２５ＭＰａ、である。加圧は、ある実施態様において４５ＭＰａ以下、別の実施態様において４０ＭＰａ、別の実施態様において３６ＭＰａ以下、別の実施態様において２５ＭＰａ以下、別の実施態様において１５ＭＰａ以下、である。別の実施態様において、電子部品１０７は、加圧することなく接合される。加熱には、オーブンまたはダイボンダーを用いることが出来る。
【００３０】
以下、導電性ペースト１０５の組成について説明する。導電性ペースト１０５は、金属粉および溶媒を含む。
【００３１】
金属粉
ある実施態様において、金属粉は、銀、銅、金、パラジウム、プラチナ、ロジウム、ニッケル、アルミニウム、それらの合金、および、それらの組合せからなる群から選択される。別の実施態様において、金属粉は、銀、銅、ニッケル、それらの合金、および、それらの組合せからなる群から選択される。別の実施態様において、金属粉は、銀である。
【００３２】
ある実施態様において、金属粉の形状は、フレーク状、球形、不定形、あるいはそれらの混合粉である。別の実施態様において、金属粉の形状は、フレーク状および球形の混合粉である。
【００３３】
ある実施態様において、金属粉の粒径（Ｄ５０）は少なくとも０．０１μｍ、別の実施態様において、少なくとも０．０５μｍ、別の実施態様において、少なくとも０．０７μｍ、別の実施態様において、少なくとも０．１μｍ、別の実施態様において、少なくとも０．２μｍ、別の実施態様において、少なくとも０．３μｍである。ある実施態様において、金属粉の粒径（Ｄ５０）は５μｍ以下、別の実施態様において３μｍ以下、別の実施態様において２μｍ以下である。このような粒径であると溶媒に良好に分散する。なお、本願における粒径（Ｄ５０）は、マイクロトラックＸ−１００型を用いてレーザー回折法で測定する体積平均粒子径（Ｄ５０）である。
【００３４】
ある実施態様において、金属粉は、導電性ペースト１０５の総重量に対して、少なくとも６０重量％、別の実施態様では少なくとも７２重量％、別の実施態様では少なくとも８０重量％、別の実施態様では少なくとも８５重量％である。ある実施態様において、金属粉は、導電性ペースト１０５の総重量に対して、９７重量％以下、別の実施態様では９５重量％以下、別の実施態様では９３重量％以下である。
【００３５】
溶媒
金属粉は、溶媒に分散して導電性ペースト１０５を構成する。溶媒は、導電性ペースト１０５を基板１０１あるいは導電層１０３の上に塗布しやすいように粘度を調節するためにも使える。溶媒の全てもしくは多くは、乾燥工程もしくは加熱工程において、導電性ペースト１０５から蒸発する。
【００３６】
溶媒は、第１溶媒および第２溶媒を含み、第１溶媒の沸点が１００〜２８０℃であり、第２溶媒の沸点が２８５〜５００℃である。
【００３７】
第１溶媒の沸点は、別の実施態様において１３０〜２７０℃、別の実施態様において１４０〜２６０℃、別の実施態様において１８０〜２５０℃、別の実施態様において２１０〜２４０℃である。
【００３８】
第１溶媒は、ある実施態様においてブチルカルビトール、テキサノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。第１溶媒は、別の実施態様において少なくともテキサノールを含む。第１溶媒は、別の実施態様において少なくともブチルカルビトールを含む。第１溶媒は、別の実施態様においてブチルカルビトールである。第１溶媒は、別の実施態様においてテキサノールである。第１溶媒は、別の実施態様においてブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物である。
【００３９】
第１溶媒の分子量は、ある実施態様において６００以下、別の実施態様において５２０以下、別の実施態様において４８０以下、別の実施態様において４００以下である。第１溶媒の分子量は、ある実施態様において少なくとも１０、別の実施態様において少なくとも１００、別の実施態様において少なくとも１５０、別の実施態様において少なくとも１８０である。
【００４０】
第１溶媒は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも０．１重量部、別の実施態様では少なくとも０．５重量部、別の実施態様では少なくとも１．２重量部、別の実施態様では少なくとも２重量部、別の実施態様では少なくとも４重量部、である。第１溶媒は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において１０重量部以下、別の実施態様では８重量部以下、別の実施態様では６重量部以下である。
【００４１】
第２溶媒の沸点は、別の実施態様において２９５〜４６０℃、別の実施態様において３００〜４４０℃、別の実施態様において３１０〜４１０℃、別の実施態様において３８０〜４００℃、である。
【００４２】
第２溶媒は、ある実施態様において、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。第２溶媒は、別の実施態様において１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステルである。
【００４３】
第２溶媒の分子量は、ある実施態様において６００以下、別の実施態様において５２０以下、別の実施態様において４８０以下、別の実施態様において４００以下である。第２溶媒の分子量は、ある実施態様において少なくとも１０、別の実施態様において少なくとも１００、別の実施態様において少なくとも１５０、別の実施態様において少なくとも１８０である。
【００４４】
第２溶媒は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも０．５重量部、別の実施態様では少なくとも１．２重量部、別の実施態様では少なくとも３重量部、別の実施態様では少なくとも５．５重量部、別の実施態様では少なくとも６重量部、である。第２溶媒は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において１６重量部以下、別の実施態様では１２重量部以下、別の実施態様では９重量部以下、別の実施態様では６重量部以下である。
【００４５】
ある実施態様では、第２溶媒の沸点は、第１溶媒の沸点よりも５０℃以上大きい。別の実施態様では、第２溶媒の沸点は、第１溶媒の沸点よりも８０℃以上大きく、別の実施態様では１００℃以上大きく、別の実施態様では１４０℃以上大きく、別の実施態様では１５０℃以上大きく、別の実施態様では１６０℃以上大きい。
【００４６】
ある実施態様では、第１溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、１：１〜１：２０であり、別の実施態様では１：１〜１：１８であり、別の実施態様では１：１〜１：１０であり、別の実施態様では１：１〜１：６であり、別の実施態様では１：１〜１：５である。
【００４７】
溶媒の総量は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも３重量部、別の実施態様では少なくとも４重量部、別の実施態様では少なくとも６重量部、別の実施態様では少なくとも８重量部である。溶媒の総量は、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において２０重量部以下、別の実施態様では１７重量部以下、別の実施態様では１４重量部以下である。
【００４８】
第１溶媒および第２溶媒の量および種類は、導電性ペースト１０５の所望する粘度に合わせて調整できる。ある実施態様における導電性ペースト１０５の粘度は、チタン製コーンプレートＣ２０／１°を用いたレオメータ（ＨＡＡＫＥTM  ＭＡＲＳTMＩＩＩ、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｉｎｃ．）で測定したとき、シアレート１０ｓ-1において１０〜３００Ｐａ・ｓ、別の実施態様では１５〜１００Ｐａ・ｓ、別の実施態様では２０〜５０Ｐａ・ｓである。
【００４９】
ポリマー
任意で、導電性ペースト１０５は、ポリマーを含む。ポリマーは、溶媒に可溶性である。ポリマーは、１，０００以上の分子量（Ｍｗ）をもつ。ポリマーの分子量は、ある実施態様においては５，０００〜９００，０００、別の実施態様においては８，０００〜７８０，０００、別の実施態様では１０，０００〜６１０，０００、別の実施態様では１８，０００〜４８０，０００、別の実施態様では２５，０００〜３５０，０００、別の実施態様では３２，０００〜２００，０００、である。なお、本願における分子量（Ｍｗ）は、重量平均分子量を意味する。分子量は、高速液体クロマトグラフィー（Ａｌｌｉａｎｃｅ  ２６９５、日本ウォーターズ株式会社）等で測定されうる。
【００５０】
ポリマーは、ある実施態様において、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、および、それらの混合物からなる群から選択される。ポリマーは、別の実施態様において、エチルセルロースである。
【００５１】
ポリマーのガラス転移点は、ある実施態様において−３０〜２５０℃、別の実施態様において１０〜１８０℃、別の実施態様において８０〜１５０℃、である。
【００５２】
ポリマーは、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも０．０２重量部、別の実施態様では少なくとも０．１重量部、別の実施態様では少なくとも０．２重量部、である。ポリマーは、金属粉を１００重量部としたとき、ある実施態様において４重量部以下、別の実施態様では２．８重量部以下、別の実施態様では１．８重量部以下、別の実施態様では１．０重量部以下、別の実施態様では０．７重量部以下、である。
【００５３】
ポリマーは、導電性ペースト１０５の総重量に対して、少なくとも０．０１重量％、別の実施態様では少なくとも０．０５重量％、別の実施態様では少なくとも０．１重量％、別の実施態様では少なくとも０．１５重量％である。ある実施態様において、ポリマーは、導電性ペースト１０５の総重量に対して、２重量％以下、別の実施態様では１重量％以下、別の実施態様では０．５重量％以下、である。
【００５４】
添加剤
導電性ペースト１０５の所望する特性に合わせて、界面活性剤、分散剤、乳化剤、安定剤、可塑剤などの添加剤をさらに含めることができる。ある実施態様において、導電性ペースト１０５は、ガラスフリットを含まない。ある実施態様において、導電性ペースト１０５は、硬化剤または架橋材を含まない。
【００５５】
特定の理論に限定されないが、従来は、加熱工程で完全に蒸発するような低沸点の溶媒が主に使われていたが、本発明においては、低沸点の第１溶媒を、高沸点の第２溶媒に一部置き換えることで、塗布された導電性ペーストに粘着性が付与されることとなり、結果として製造プロセス中に、電子部品を導電性ペーストの層に十分に接着させることができるようになったと考えられる。なお、導電性ペーストの加熱後も、電子部品が導電性ペーストの層に十分に接合されていることが確認された。高沸点の第２溶媒を、低沸点の第１溶媒とともに用いれば、第２溶媒は、第１溶媒と共に十分に蒸発されるとともに、電子部品と導電性ペーストの層との十分な接合にも寄与し得ることが確認された。
【実施例】
【００５６】
本発明は以下の実施例によって説明されるが、それらに限定されない。
【００５７】
導電性ペーストを以下の手順によって調製した。
【００５８】
銀粉を、有機溶媒、ポリマーおよび界面活性剤の混合物に分散させた。分散は、ミキサーで各材料を混ぜた後、三本ロールミルにかけて行った。銀粉は、粒径（Ｄ５０）が０．４μｍである球形銀粉および粒径（Ｄ５０）が１．６μｍであるフレーク状銀粉の混合粉であった。有機溶媒は、第１表に示すとおり、ブチルカルビトール（沸点：２３１℃）、テキサノール（沸点：２５４℃、フタル酸ジブチル（沸点：３４０℃）、イソステアリルアルコール（沸点：３１６℃）、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル（沸点：３９４℃）、または、イソステアリン酸（沸点：３３１℃）のいずれか、または組合せを混合した。ポリマーはエチルセルロースであった。なお、ブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物を第１溶媒として用いたが、第１溶媒は、これらのいずれか１種でも良い。ポリマーを添加する場合、第１溶媒はポリマーの溶解性を考慮して適宜選択され得る。各材料の含有量は、第１表に示す。界面活性剤の含有量は、０．０１重量部であった。
【００５９】
銀粉を分散させて得た導電性ペーストの粘度は、２５〜３０Ｐａ・ｓであった。粘度の測定には、レオメータ（ＨＡＡＫＥTM  ＭＡＲＳTM  ＩＩＩ、チタン製コーンプレート：Ｃ２０／１°、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製）を用いた。
【００６０】
次に、導電性ペーストをガラス基板に塗布して、導電性ペーストの層を得た。なお、このガラス基板を、導電層を含むガラス基板としても、同様な結果が得られると考えられる。ガラス基板（５０ｍｍ幅、７５ｍｍ長さ、１ｍｍ厚）に、１５ｍｍ幅の間隔を空けてスコッチテープを貼った。スコッチテープの間にスクレーパーを用いて導電性ペーストを塗布した後、スコッチテープを剥がして、角型パターン（１５ｍｍ幅、４０ｍｍ長さ、１５０μｍ厚）の導電性ペーストの層を形成した。導電性ペーストの層をオーブンにて７０℃２５分乾燥させた。
【００６１】
乾燥後、導電性ペーストの層の上表面の接着性を、引張試験機（ＣＨＡＴＩＬＬＯＮ（登録商標）  ＴＣＭ  ２０１−ＳＳ、Ｗａｇｎｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）で測定した。装置のヘッドを、１００ｇｆの力で５秒間、導電性ペーストの層の表面にプレスした後、０．１インチ／分のスピードで、引上げた。装置のヘッドが導電性ペーストの層の表面から離れたときの張力を剥離強度とした。
【００６２】
結果を、第１表に示す。剥離強度は、比較例１の結果を１００としたときの相対値で表した。
【００６３】
【表１】
2018046194.tif 000003
【符号の説明】
【００６４】
１００  電子デバイス
１０１  基板
１０３  導電層
１０５  導電性ペースト
１０７  電子部品
【図１】
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