(57)【要約】      （修正有）【課題】分割溝が形成される際に、貫通孔内の内面導体の一部が切断されて配線導体同士の接続性が悪化したり、接続されなくなることを抑制する。【解決手段】多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域102が配列されているとともに、第１主面106および第２主面107と、捨て代領域を有する。第１主面106および第２主面107において配線基板領域102の境界および配線基板領域102と捨て代領域の境界に沿って分割溝108ａ、１０８ｂを有している母基板と、配線基板領域102の境界または配線基板領域102と捨て代領域に跨って設けられ、貫通孔と、内面導体111と、第２主面107において、配線基板領域102の各角部に設けられ、内面導体111と接続された外部接続導体とを備えている。分割溝の深さが貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113ａ、１１３ｂが設けられている。【選択図】図３
2018046266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板領域が配列されているとともに、第１主面および該第１主面に相対する第２主面と、前記複数の配線基板領域を取り囲んで設けられる捨て代領域を有し、前記第１主面および前記第２主面において前記配線基板領域の境界、および前記配線基板領域と前記捨て代領域の境界に沿って分割溝を有している母基板と、前記配線基板領域の境界、または前記配線基板領域と前記捨て代領域に跨って設けられ、前記第１主面から前記第２主面にかけて貫通した貫通孔と、該貫通孔の内面に設けられる内面導体と、
前記第２主面において、前記配線基板領域102の各角部に設けられ、前記内面導体と接続
された外部接続導体と、を備えており、分割溝の深さが前記貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部が設けられていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記内面導体は、前記貫通孔内において前記第２主面から前記配線基板領域102における
前記母基板の厚み方向の途中にかけて設けられており、前記母基板の厚み方向に沿った前記内面導体の長さが前記分割溝の深さが最も大きい部分よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記第２主面における前記内面導体と前記外部接続導体を接続する接続導体が設けられており、前記接続導体および外部接続導体104が前記分割溝から離れていることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
第１主面および該第１主面に相対する第２主面を有し、平面視で矩形状であり、外縁に切欠きが設けられた絶縁基板を有しており、該絶縁基板は、一組の相対する一方の辺の前記第１主面側に設けられた第１側面と、一組の相対する他方の辺の前記第１主面側に設けられた第２側面と、一組の相対する前記一方の辺の前記第２主面側に設けられた第３側面と、一組の相対する前記他方の辺の前記第２主面側に設けられた第４側面と、前記第１側面と前記第３側面とを接続する第１破断部と、前記第２側面と前記第４側面とを接続する第２破断部とを有しており、前記絶縁基板の厚み方向において、前記第１破断面の長さおよび前記第２破断面の長さが、前記切欠きに近づくにつれて漸次大きく設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
複数のセラミックグリーンシートを準備する工程と、第１主面を有し、上部絶縁層となる第１セラミックグリーンシート、および第２主面を有し、下部絶縁層となる第２セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程と、前記第２セラミックグリーンシートの前記貫通孔の内面に、内面導体用メタライズ層を形成する工程と、前記第２セラミックグリーンシートの第２主面に、外部接続導体用メタライズ層、および接続導体用メタライズ層を形成する工程と、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層して積層体を製作する工程と、前記積層体の前記貫通孔内に充填物を埋める工程と、
前記積層体の前記貫通孔を通過するようにレーザーにより分割溝を形成して、前記分割溝の深さが前記貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部を形成する工程と、
前記充填物を除去して焼成することによりセラミック積層体を製作する工程と、
を含むことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の搭載部を有する複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列された多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を収容するために用いられる電子部品収納用の配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁基板に、電子部品を収容するための凹状の搭載部を有している。絶縁基板は一般に、四角平板状の基部と搭載部を取り囲むように、基部の上面に積層された四角枠状の枠部とを有している。
【０００３】
また、この枠部の上面にめっき層が被着された枠状メタライズ層、およびろう材等を介して金属枠体（シールリングともいう）が接合される。基部の上面と、枠部および金属枠体の内側面とで凹状の搭載部が形成される。搭載部に電子部品が搭載されたのち、金属枠体の上面に金属からなる蓋体が接合されて搭載部が気密に封止される。なお、金属枠体は必ずしも必要ではなく、例えば絶縁基板の上面にめっき層が被着された枠状メタライズ層を形成しておき、この枠状メタライズ層の上面に金属からなる蓋体がろう材等で接合される場合もある。
【０００４】
このような配線基板は、一般に１つの広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板に、それぞれが個片の配線基板となる複数の配線基板領域が縦横に配列されている。配線基板領域の境界に沿って、母基板の上面等の主面に分割溝が形成されている。この分割溝を挟んで母基板に曲げ応力が加えられて母基板が破断されることによって、個片の配線基板に分割される。分割溝は、例えば未焼成の母基板の上面および下面に、隣り合う配線基板領域の境界に金型やカッター刃等を用いて所定の深さで切込みを入れることによって形成される。なお、配線基板領域の境界には貫通孔が設けられており、隣り合う配線基板領域を一体的に接続するために、この貫通孔内に内面導体が形成されている。
【０００５】
近年、個々の配線基板は小さくなってきており、例えば平面視における縦横の寸法が1.6×1.2ｍｍ以下のものが製作されている。この配線基板の小型化に応じて厚みが非常に小さくなってきており、このような小型化が著しい配線基板領域が配列された多数個取り配線基板においては、機械的な加工の精度等の理由により、隣り合う配線基板領域の境界にカッター刃を用いて分割溝を設けることが難しい。そこで、位置精度に優れるレーザーによって分割溝を設ける方法が提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2012-9767号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の多数個取り配線基板においては、次のような不具合が生じる可能性があった。すなわち、レーザーによって母基板の各配線基板領域の境界に分割溝が形成される際に、貫通孔内の内面導体の一部が切断される可能性がある。この場合、分割溝を
形成した後で貫通孔内の内面導体の一部が切断されることにより、各配線基板領域に形成された配線導体同士の接続性が悪化したり接続されない場合があり、例えば電解めっきを施すときに、複数の配線基板領域の少なくとも一部で配線導体にめっき層が被着され難かったり、被着されないという問題が生じる可能性があった。
【０００８】
上記の対策として、例えば絶縁基板の基部における切欠きの径が枠部における切欠きの径よりも小さくなるようにすれば、上面側から見たときに、内面導体が枠部の突出部に隠れる、つまりレーザーにより分割溝を形成する際に、貫通孔内の内面導体に上面側からのレーザーが照射され難く、内面導体の断線が抑制される。しかしながら、貫通孔内の内面導体に下面側からのレーザーが照射された場合には、通常は内面導体が基部側に設けられているため、内面導体の断線を抑制することが難しかった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域が配列されているとともに、第１主面および該第１主面に相対する第２主面と、前記複数の配線基板領域を取り囲んで設けられる捨て代領域を有し、前記第１主面および前記第２主面において前記配線基板領域の境界、および前記配線基板領域と前記捨て代領域の境界に沿って分割溝を有している母基板と、前記配線基板領域の境界、または前記配線基板領域と前記捨て代領域に跨って設けられ、前記第１主面から前記第２主面にかけて貫通した貫通孔と、該貫通孔の内面に設けられる内面導体と、前記第２主面において、前記配線基板領域の外縁に設けられ、前記内面導体と接続された外部接続導体とを備えており、分割溝の深さが前記貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一つの態様の配線基板は、第１主面および該第１主面に相対する第２主面を有し、平面視で矩形状であり、外縁に切欠きが設けられた絶縁基板を有しており、該絶縁基板は、一組の相対する一方の辺の前記第１主面側に設けられた第１側面と、一組の相対する他方の辺の前記第１主面側に設けられた第２側面と、一組の相対する前記一方の辺の前記第２主面側に設けられた第３側面と、一組の相対する前記他方の辺の前記第２主面側に設けられた第４側面と、前記第１側面と前記第３側面とを接続する第１破断部と、前記第２側面と前記第４側面とを接続する第２破断部とを有しており、前記絶縁基板の厚み方向における長さにおいて、前記第１破断面の長さおよび前記第２破断面の長さが、前記切欠きに近づくにつれて漸次大きく設けられていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを準備する工程と、第１主面を有し、上部絶縁層となる第１セラミックグリーンシート、および第２主面を有し、下部絶縁層となる第２セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する工程と、前記第２セラミックグリーンシートの前記貫通孔の内面に、内面導体用メタライズ層を形成する工程と、前記第２セラミックグリーンシートの第２主面に、外部接続導体用メタライズ層、および接続導体用メタライズ層を形成する工程と、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層して積層体を製作する工程と、前記積層体の前記貫通孔内に充填物を埋める工程と、
前記積層体の前記貫通孔を通過するようにレーザーにより分割溝を形成して、前記分割溝の深さが前記貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部を形成する工程と、前記充填物を除去および焼成することによりセラミック積層体を製作する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板によれば、分割溝の深さが貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部が設けられていることから、レーザーによって母基板の各配線基板領域の境界に分割溝が形成される際に、貫通孔内の内面導体の一部が切断される
可能性を低減できる。つまり、分割溝の深さが貫通孔に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部により母基板の厚み方向における内面導体の長さを確保できるため、内面導体が切断され難い。
【００１３】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、絶縁基板の厚み方向における長さにおいて、第１破断面の長さおよび第２破断面の長さが、切欠きに近づくにつれて漸次大きく設けられていることから、内面導体の長さが確保され、配線基板が小型化、低背化しても露出した配線導体に良好なめっき層が被着された気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れた配線基板を提供できる。
【００１４】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法によれば、上記工程を含んでいることから、レーザーによる分割溝の形成においても、貫通孔内の内面導体の一部が切断される可能性を低減して、露出した配線導体に良好なめっき層が被着された気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れた配線基板を製作可能な製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の一部を示す下面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図２】本発明の実施形態の配線基板を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態の配線基板の要部を示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態の配線基板の要部を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態の配線基板の下面の要部を示す平面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法を示す図５のＹ−Ｙ’線における断面図である。
【図７】（ｃ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法を示す図６に続く断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の多数個取り配線基板、配線基板、多数個取り配線基板の製造方法について、添付の図面を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の一部を示す下面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図２は、本発明の実施形態の配線基板を示す平面図である。図３は、本発明の実施形態の配線基板の要部を示す斜視図である。図４は、本発明の他の実施形態の配線基板の要部を示す斜視図である。図５は、本発明の実施形態の配線基板の下面の要部を示す平面図である。図６（ａ）、（ｂ）および図７（ｃ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法を示す図５のＹ−Ｙ’線における断面図である。
【００１７】
図１〜図７において、101は母基板（多数個取り配線基板）、102は配線基板（配線基板領域）、103は捨て代領域、104は外部接続導体、105は枠状メタライズ層、106は第１主面、107は第２主面、108は分割溝、108ａは第１分割溝、108ｂは第２分割溝、110は貫通孔
、111は内面導体、112は破断面、112ａは第１破断面、112ｂは第２破断面、113は曲がり
部、115は接続導体、116は一方の辺、117は他方の辺、118は第１側面、119は第２側面、120は第３側面、121は第４側面、130は絶縁基板、131は搭載部、132は配線導体、133は電
子部品、134は接合材、135は切欠き、201は充填物、202はレーザーである。なお、図１〜図７において同一箇所には同じ符号を付している。
【００１８】
母基板101に配列された電子部品収納用パッケージとなる配線基板102は、凹状の搭載部131を含む第１主面106を有し、この搭載部131に圧電振動素子等の電子部品133が収容される。配線基板102は、基部と基部上に積層された枠部とを有している。第１主面106の枠部には枠状メタライズ層105が設けられ、この枠状メタライズ層105にろう材等によって金属
枠体（図示せず）や金属蓋体（図示せず）が接合される。なお、枠状メタライズ層105に
金属枠体が接合される場合には、さらにこの金属枠体に金属蓋体が接合される構造となる。
【００１９】
また、この例では枠部に枠状メタライズ層105を設けておき、ろう材等により金属蓋体
を接合する構造を示したが、枠状メタライズ層105を設けずにセラミックが露出した枠部
にガラスやセラミック等からなる蓋体を、樹脂や低融点ガラス等で接合した構造にも応用できる。配線基板102は、外部接続導体104、内面導体111、電子部品133が接続される配線導体132等を有している。また、配線基板102の搭載部131に設けられた配線導体132に電子部品133が接合材で接合されて電子装置が形成される。
【００２０】
このような配線基板102は、一般に、１枚の広面積の母基板101から複数個の配線基板102を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作される。多
数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板101に複数の配線
基板領域102が縦横に配列されている。図１に下面図で示すように、母基板101は外周に貫通孔110が設けられた配線基板領域102が配列されてなる。また、配線基板領域102の外周
に設けられる貫通孔110には、貫通孔110の内面に内面導体111が設けられており、この隣
り合う配線基板領域102の配線導体同士を電気的に接続する機能を有する。
【００２１】
図１においては、内面導体111は各配線基板領域102の四隅に設けた構造を示している。なお、内面導体111の形成位置は、各配線基板領域102の四隅以外、例えば長辺側（一方の辺116）の中央部や短辺側（他方の辺117）の中央部に貫通孔110を設けて形成してもよい
。この貫通孔110に設けられた内面導体111により、隣接する配線基板領域102間における
配線導体（図示せず）、外部接続導体104等が接続されて、母基板101の各配線導体が一体的に接続される。そして、例えば、母基板101の捨て代領域103の切欠き部に設けられるめっき用導体（図示せず）に導出されることにより、このめっき用導体から電気を供給して、外部接続導体104等に電気めっきが被着される。
【００２２】
母基板101は、例えば酸化アルミニウム質焼結体，ガラスセラミック焼結体，窒化アル
ミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。母基板101は、複数のセラミック絶縁層が積層され、
この積層体が一体焼成されて製作される。すなわち、母基板101が酸化アルミニウム質焼
結体からなる場合であれば、次のようにして製作する。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等のガラス成分を含む原料粉末に、適当な有機溶剤およびバインダーを添加してシート状に成形することにより、複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、この一部のものについて打ち抜き加工を施して複数の枠部が設けられたシートに成形した後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に複数の枠部が形成されたセラミックグリーンシートを積層する。その後、この積層体を一体焼成すれば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる配線基板領域102が縦横に配列形成された母基
板101を作製することができる。この場合、打ち抜き加工を施したセラミックグリーンシ
ートが枠部になり、打ち抜き加工を施していないセラミックグリーンシートが基部になる。
【００２３】
電子部品収納用パッケージとなる配線基板102は、その上面の中央部に電子部品133の搭載部131を有している。基部および枠部は、搭載部131に収容される電子部品133を保護す
るための容器として作用するものである。搭載部131に収容される電子部品133としては、水晶振動子等の圧電振動素子，弾性表面波素子，半導体集積回路素子（ＩＣ）等の半導体素子，容量素子，インダクタ素子，抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
【００２４】
このような形態の電子部品収納用パッケージは、例えば電子部品133が水晶振動子であ
り、電子装置が水晶デバイスである場合には、携帯電話やスマートホン等の通信機器、コンピュータ、ＩＣカード等の情報機器等の電子機器において、周波数や時間の基準となる発振器用のパッケージとして使用される。また、この場合の電子装置は発振器として使用される。搭載部131に収容された電子部品133は、例えば導電性接着剤等の接合材134によ
って配線導体132と電気的に接続される。
【００２５】
配線基板102は、いわゆる多数個取りの形態で製作されたものが個片に分割されたもの
である。例えば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる母基板101に、搭載部131を有する複数の配線基板領域102が縦横の並びに配列される。母基板101の上面に、配線基板領域102の境界に沿ってレーザー202により分割溝108（第１分割溝108ａ、第２分割溝108ｂ
）が形成されて、例えば図１（ａ）、（ｂ）に示すような多数個取り配線基板が基本的に構成される。このような母基板101が配線基板領域102の境界に沿って分割されることにより、電子部品収納用パッケージとなる配線基板102が製作される。
【００２６】
母基板101を分割するために、配線基板領域102の境界に沿って分割溝108が形成されて
いる。図１（ｂ）で示すように、分割溝108は第１分割溝108ａと第２分割溝108ｂから構
成されている。第１分割溝108ａは母基板101の第１主面106側に形成されており、また、
第２分割溝108ｂは母基板101の第２主面107側に形成されており、母基板101の配線基板領域102の間、および配線基板領域102と捨て代領域103との間に、格子状に設けられている
。そして、それぞれの分割溝108が設けられている部分（配線基板領域102の境界等）で母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向にたわませることによって、母基板101が個
片の配線基板102に分割される。
【００２７】
配線基板102の内部および表面には、搭載部131の底部等から配線基板102の下面にかけ
て配線導体等が形成されている。配線基板102の内部および表面には、搭載部131の底部等から配線基板102の下面にかけて配線導体等が形成されている。これらの配線導体のうち
、配線基板102の第２主面107に形成された部位は、例えば外部接続導体104である。配線
導体のうち、配線基板102の内部に形成されたものは貫通導体（図示せず）や電子部品133を接続するための配線導体132等である。搭載部131に搭載される電子部品133を配線導体132に電気的に接続させることにより、配線導体132および外部接続導体104を介して電子部品133が外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続される。
【００２８】
これらの配線導体等は、例えば銅や銀，パラジウム，金，白金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料、またはそれらを含む合金からなる。配線導体は、例えば、高融点金属であるモリブデンからなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して作製した金属ペースト（図示せず）を配線基板102となるセラミッ
クグリーンシートに所定パターンで塗布しておき、同時焼成により形成することができる。
【００２９】
上記多数個取り配線基板において、それぞれの配線基板領域102の下面の各角部には、
分割後に配線基板102の外部接続導体104となるメタライズ導体層が形成されている。この外部接続導体104は、例えばその一部が内面導体111に接している。外部接続導体104は、
例えばタングステンやモリブデン等の金属からなり、例えば外部接続導体104がモリブデ
ンのメタライズ導体層からなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して作製した金属ペーストを、セラミック絶縁層（基部）となるセラミックグリーンシートの下面に所定パターンで印刷しておくことにより形成することができる。金属ペーストは、例えば、焼成後の外部接続導体104の厚みが8〜20μｍ程度となるように、スクリーン印刷法等により形成される。
【００３０】
また、上面（第１主面106）の枠状メタライズ層105の上面には、さらに金属枠体（図示
せず）がろう材により接合される場合もある。この金属枠体の接合は、多数個取り配線基板の状態で行なわれてもよく、個片の電子部品収納用パッケージ（配線基板102）の状態
で行なわれてもよい。生産性を考慮した場合には、多数個取りの状態で上記接合が行なわれる。そして、この金属枠体に金属蓋体が接合されて電子部品133が搭載部131に封止される。この実施形態の例においては、枠状メタライズ層105、金属枠体、および外部接続導
体104等の露出した表面にニッケルめっき層と金めっき層等のめっき層（図示せず）が順
次被着されている。そして、例えばニッケルめっき層は1.0〜20μｍ程度、金めっき層は0.1〜1.0μｍ程度で形成される。これらのめっき層により、露出した各金属層の表面が覆
われるため、金属層の腐食防止や半田やろう材等の濡れ性が良好となる。
【００３１】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域102が配列されてい
るとともに、第１主面106および第１主面106に相対する第２主面107と、複数の配線基板
領域102を取り囲んで設けられる捨て代領域103を有し、第１主面106および第２主面107において配線基板領域102の境界、および配線基板領域102と捨て代領域103の境界に沿って
分割溝108を有している母基板101と、配線基板領域102の境界、または配線基板領域102と捨て代領域103に跨って設けられ、第１主面106から第２主面107にかけて貫通した貫通孔110と、貫通孔110の内面に設けられる内面導体111と、第２主面107において、配線基板領
域102の外縁に設けられ、内面導体111と接続された外部接続導体104とを備えており、分
割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113が設けられてい
ることを特徴とする。
【００３２】
このような構造としたことから、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113が設けられており、レーザー202によって母基板101の各配線基板領
域102の境界に分割溝108が形成される際に、貫通孔110内の内面導体111の一部が切断される可能性を低減できる。つまり、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113により、母基板101の厚み方向における内面導体111の長さを確保でき
るため、内面導体111が切断され難い。
【００３３】
このような構造を図１（ａ）、（ｂ）に平面図および断面図で示す。１図（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図であり、外部接続導体104が設けられた第２主面107側を上にしたものである。このように、第２分割溝108ｂの深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113が設けられている。つまり、配線基板領域102の境界における貫通孔110から離れた領域では、第２分割溝108ｂの深さが一定となっており、第２分割溝108ｂの深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次第２分割溝108ｂの深さが小さくなっ
ている。
【００３４】
また、図３に本発明の多数個取り配線基板から製作された配線基板102の要部を斜視図
で示す。図１に示す多数個取り配線基板は、図３で示した配線基板102を確認することに
より、分割される前の１枚の母基板101であることを想像することが容易となる。図３の
ように、貫通孔110の内部には内面導体111が設けられており、内面導体111の第２主面107側にも第２分割溝108ｂが形成されている。この内面導体111に設けられた第２分割溝108
ｂには、第１曲がり部113ｂの一部が位置しており、また、最も第２分割溝108ｂの深さが小さい領域が位置している。つまり、母基板101に第２分割溝108ｂを形成した後で、貫通孔110内の内面導体111の一部が切断され難いことから、各配線基板領域102に形成された
配線導体同士の接続性の悪化、および断線が抑制される。よって、例えば母基板101に設
けられた配線導体の露出した表面に電解めっきを施すときに、複数の配線基板領域102の
少なくとも一部で配線導体にめっき層が被着され難かったり、被着されないという問題が生じる可能性が低減される。
【００３５】
また、内面導体111において第２曲がり部113ｂによる第２分割溝108ｂが設けられてお
り、配線導体同士の接続性の悪化、および断線が抑制されるとともに、母基板101の分割
も比較的容易に行うことができる。これは、内面導体111における第２分割溝108ｂの深さが暫時変化していることに起因する。例えば、母基板101の第２主面107側において１つの境界が谷となるように、第２分割溝108ｂを挟んで母基板101に曲げ応力が加えられて母基板101が破断される際に、最も第２分割溝108ｂの深さが小さい内面導体111から亀裂が第
１主面106側に向かって進行する。このとき、内面導体111に設けられた第２分割溝108ｂ
から配線基板領域102の辺に設けられた深さが一定の第２分割溝108ｂにかけて、漸次深さが変化した第２分割溝108ｂであることから、まず内面導体111に設けられた第２分割溝108ｂから発生した亀裂が、配線基板領域102の辺に設けられた深さが一定の第２分割溝108
ｂにかけて進行する。その後、配線基板領域102の境界に沿って第２主面107側の第２分割溝108ｂの底部から、第１主面106側の第１分割溝108ａの底部に向かって、亀裂がライン
状に進行することになるからである。
【００３６】
そして、第１分割溝108ａの底部まで達した亀裂は、この状態で母基板101の未だ破断されていない領域が残っている第１主面106側の各貫通孔110の曲がり部113に向かって進行
し、最終的に母基板101が分割される。よって、配線基板領域102の辺に設けられた深さが一定の第１分割溝108ａから、第１主面106側の貫通孔110の付近に設けられた第１分割溝108ａにかけて、漸次深さが変化した第１曲がり部113ａが設けられていることから、ばり
や欠けを抑制して母基板101の分割を比較的良好に行うことができる。なお、分割時の亀
裂の進行方向は、上記例では第２主面107側から第１主面106側に進行する例を示したが、母基板101の分割溝108の形状、深さに応じて第１主面106側から第２主面107側に進行するように分割してもよい。
【００３７】
また、本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、上記構成において、内面導体111
が、貫通孔110内において第２主面107から配線基板領域102における母基板101の厚み方向の途中にかけて設けられており、母基板101の厚み方向に沿った内面導体111の長さが分割溝の深さが最も大きい部分よりも小さいことを特徴とする。このような構造としたことから、配線基板102の厚みに対して、母基板101の厚み方向に沿った内面導体111の長さが小
さな構成であっても、分割溝108を設けることによる各配線基板領域102に形成された配線導体同士の接続性の悪化、および断線を抑制しながらも、ばりや欠けを抑制して母基板101の分割性を良好なものとすることができる。このような多数個取り配線基板から製作さ
れた配線基板102の要部を図４に斜視図で示す。
【００３８】
つまり、内面導体111は各配線基板領域102に形成された配線導体同士の接続性を行う機能を有するため、通常は母基板101の厚み方向に沿った内面導体111の長さを越えて分割溝108の深さを大きく設けると、内面導体111が断線してしまい、各配線基板領域102に形成
された配線導体同士の接続を断線させてしまうことになるが、図４のように分割溝108の
深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113が設けられていることから、母基板101の厚み方向に沿った内面導体111の長さ以上に分割溝108の深さを大きく設け
ても、内面導体111が断線することが抑制される。
【００３９】
ここで、第２主面107側において内面導体111に設けられる第２分割溝108ｂが、内面導
体111の第１主面106側の端部まで達しなければ、内面導体111が断線することがない。し
かしながら、各配線基板領域102に形成された配線導体同士の接続性が悪化しないことを
考慮すると、母基板101の厚み方向に沿った内面導体111の長さの１／４以上が接続されるように、第２分割溝108ｂおよび第２曲がり部113ｂを設けるのがよい。また、第２曲がり部113ｂの曲率半径を大きくすることにより、第２分割溝108ｂの深さが大きく設けられていても内面導体111が断線することを抑制できるため、第２分割溝108ｂの深さに応じて適切に第２曲がり部113ｂの曲率半径を変化させればよい。また、第１主面106側には内面導体111が設けられていないことから、第１主面106側に設けられる第１分割溝108ａの第１
曲がり部113ａの曲率半径を、第２分割溝108ｂの第２曲がり部113ｂの曲率半径よりも小
さく設けるとよい。これにより、母基板101の厚み方向に沿った貫通孔110の付近の破断面112（第１破断面112ａ、第２破断面112ｂ）の幅を小さくできるため、配線導体同士の接
続性の悪化、および断線を抑制しながらも、さらに効果的にばりや欠けを抑制して母基板101の分割性を良好なものとすることができる。
【００４０】
また、本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、上記構成において、第２主面107
における内面導体111と外部接続導体104を接続する接続導体115が設けられており、接続
導体115および外部接続導体104が分割溝108から離れていることを特徴とする。このよう
な構造としたことから、各配線基板領域102に形成された配線導体同士の接続性の悪化、
および断線を抑制しながらも、母基板101の分割性が低下し難く、配線基板102にばりや欠けが発生したり、所定の箇所とは異なる箇所において分割されて分割不良となる可能性が低減される。このような多数個取り配線基板から製作された配線基板102の下面（第２主
面107側）の要部を図５に平面図で示す。
【００４１】
つまり、内面導体111と外部接続導体104とが接続導体115を介して電気的に良好に接続
されるとともに、接続導体115および外部接続導体104が分割溝を挟んで隣接するもの同士がめっき膜で繋がることが抑制される。そして、内面導体111の周辺では、母基板101の分割溝108に沿って分割される応力が貫通孔110により良好に助勢されるので、例えば接続導体115同士が分割溝108を挟んで繋がり難く、母基板101を分割溝108に沿って正確かつ容易に分割することができる。母基板101にレーザー202により分割溝を設ける場合、アブレーション現象（材料の一部が蒸発、侵食によって分解する現象）により、第１主面106、第
２主面107のそれぞれにおいて開口された分割溝108を設けることが可能であるが、このような小型化が著しい配線基板領域102が配列された母基板101においては、開口された分割溝108であっても隣接する外部接続導体104等の配線導体同士の間隔が小さくなるため、めっき工程で隣接するもの同士がめっき膜で繋がることは避けられなかった。しかしながら、このように分割溝108から離れて配線導体同士の間隔を設けることにより、接続導体115および外部接続導体104が分割溝を挟んで隣接するもの同士がめっき膜で繋がることが抑
制されて、母基板101を分割溝108に沿って正確かつ容易に分割することができる。
【００４２】
また、図５に示すように、平面視で接続導体115（の延長線）と分割溝108（の延長線）とがなす角が鋭角となるように設けられていることから、接続導体115が貫通孔110から離間するほど接続導体115と分割溝108との距離が大きくなる。つまり、隣接する接続導体115の一部が分割溝108を挟んで繋がったとしても、その繋がる範囲が貫通孔110の近傍だけ
に留まり易い。よって、母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向にたわませることによって、個片の配線基板102に分割する際に、ばりや欠け等の分割不良をより効果的に
抑制することができる。
【００４３】
なお、図５では内面導体111と外部接続導体104とを接続する接続導体115の形状を矩形
状としたが、例えば、平面視で接続導体115（の延長線）と分割溝108（の延長線）とがなす角が鋭角となるように設けられると同時に、内面導体111側から外部接続導体104側に向かって幅が大きくなるように設けてもよい。このように、接続導体115が内面導体111側から外部接続導体104側に向かって幅が大きくなるように設けることにより、導通経路の幅
を大きくでき、導通抵抗を小さいものとして各配線基板領域102に形成された配線導体同
士の接続性をさらに良好なものとすることができる。
【００４４】
本発明の一つの態様の配線基板は、第１主面106および第１主面106に相対する第２主面107を有し、平面視で矩形状であり、外縁に切欠き135が設けられた絶縁基板130を有して
おり、絶縁基板130は、一組の相対する一方の辺116の第１主面106側に設けられた第１側
面118と、一組の相対する他方の辺117の第１主面106側に設けられた第２側面119と、一組
の相対する一方の辺116の第２主面107側に設けられた第３側面120と、一組の相対する他
方の辺117の第２主面107側に設けられた第４側面121と、第１側面118と第３側面120とを
接続する第１破断部112ａと、第２側面119と第４側面121とを接続する第２破断部112ｂとを有しており、絶縁基板130の厚み方向において、第１破断面112ａの長さおよび第２破断面112ｂの長さが切欠き135に近づくにつれて漸次大きく設けられていることを特徴とする。
【００４５】
このような構造としたことから、絶縁基板130の厚み方向における内面導体111の長さが確保され、配線基板102が小型化、低背化しても露出した配線導体に良好なめっき層が被
着された気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れた配線基板102を提供できる。つまり、絶
縁基板130の厚み方向において、第１破断面112ａの長さおよび第２破断面112ｂの長さが
切欠き135に近づくにつれて漸次大きく設けられていることにより、母基板101から配線基板102を製作する際に、貫通孔110（切欠き135となる部分）内の内面導体111の一部が切断される可能性を低減できる。
【００４６】
図２に配線基板102を上方から見た平面図を示す。また、図３、図４に配線基板102の角部を第２主面107側の上方斜めから見た斜視図を示す。図２〜図４に示すように、第１主
面106から第２主面107にかけて切欠き135が設けられ、切欠き135の第２主面107側の内面
に内面導体111が設けられている。また、配線基板102の第２主面107の外縁には、内面導
体111と接続された外部接続導体104が設けられている。そして、絶縁基板130の厚み方向
において、第１破断面112ａの長さおよび第２破断面112ｂの長さが切欠き135に近づくに
つれて漸次大きく設けられている。
【００４７】
ここで、切欠き135の両端部において、内面導体111に第１破断面112ａ、第２破断面112ｂが設けられていれば、母基板101から配線基板102を製作する際に内面導体111が断線し
ていない。しかしながら、各配線基板領域102に形成された配線導体同士の接続性が悪化
せず、露出した配線導体に良好なめっき層が被着されることを考慮すると、配線基板102
の厚み方向に沿った内面導体111の長さの１／４以上に第１破断面112ａ、第２破断面112
ｂが設けられるのがよい。
【００４８】
また、第２主面107側の第１破断面112ａ、第２破断面112ｂの切欠き135付近において、曲率半径を大きくすることにより、第１破断面112ａ、第２破断面112ｂのそれぞれの端部と第２主面107との距離が離れていても（母基板101における第２分割溝108ｂの深さが大
きく設けられていても）内面導体111が断線することを抑制できるため、第１破断面112ａ、第２破断面112ｂのそれぞれの端部と第２主面107との距離に応じて適切に第２主面107
側の曲率半径を変化させることができる。
【００４９】
また、第１主面106側には内面導体111が設けられていないことから、第１主面106側の
第１破断面112ａ、第２破断面112ｂの切欠き135付近において、曲率半径を小さくするこ
とにより、切欠き135付近の破断面112（第１破断面112ａ、第２破断面112ｂ）の幅を小さくできるため、配線導体同士の接続性の悪化、および断線が抑制され、配線導体に良好なめっき層が被着されて気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れるとともに、さらに効果的にばりや欠けが抑制された、寸法精度の高い配線基板102を提供できる。
【００５０】
なお、内面導体111の形成位置は、図２〜図４等で示すような各配線基板領域102の四隅に限定されず、例えば長辺側（一方の辺116）の中央部や短辺側（他方の辺117）の中央部に切欠き135を設けて形成してもよい。
【００５１】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを準備する工程と、第１主面106を有し、上部絶縁層となる第１セラミックグリーン
シート、および第２主面107を有し、下部絶縁層となる第２セラミックグリーンシートに
貫通孔110を形成する工程と、第２セラミックグリーンシートの貫通孔110の内面に、内面導体用メタライズ層を形成する工程と、第２セラミックグリーンシートの第２主面107に
、外部接続導体用メタライズ層、および接続導体用メタライズ層を形成する工程と、第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとを積層して積層体200を製
作する工程と、積層体200の貫通孔110内に充填物201を埋める工程と、積層体200の貫通孔110を通過するようにレーザー202により分割溝108を形成して、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113を形成する工程と、充填物201を除去し
て焼成することによりセラミック積層体（母基板101）を製作する工程とを含むことを特
徴とする。
【００５２】
このような製造方法としたことから、レーザー202による分割溝108の形成においても、貫通孔110内の内面導体111の一部が切断される可能性を低減して、露出した配線導体に良好なめっき層が被着された気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れた配線基板102を製作可
能な製造方法を提供できる。つまり、レーザー202によって積層体200の各配線基板領域102の境界に分割溝108を形成する際に、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113を形成することができる。よって、貫通孔110内の内面導体111の
一部がレーザー202により切断される可能性を低減できる。具体的には、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113により、母基板101の厚み方向
における内面導体111の長さを確保できるため、内面導体111が切断され難い。
【００５３】
本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法を図６〜図７に示す。図６（ａ）には、上記製造方法により製作された積層体200を示している。積層体200は、第１主面106
を有し、上部絶縁層となる第１セラミックグリーンシートと、第２主面107を有し、下部
絶縁層となる第２セラミックグリーンシートを含んでいる。第２セラミックグリーンシートには複数の貫通孔110が形成されており、貫通孔110の内面には内面導体用メタライズ層が形成されている。なお、図６（ａ）では、第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとが積層された状態を示している。また、第１主面106を有し、上部
絶縁層となる第１セラミックグリーンシートにも複数の貫通孔110が形成されており、第
１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとが積層される際に、第１セラミックグリーンシートの貫通孔110と、第２セラミックグリーンシートの貫通孔110が平面視で同一位置になるように積層されて積層体200が形成される。
【００５４】
積層体200には、第１主面106に枠状メタライズ105となるメタライズ層が形成され、第
２主面107には外部接続導体104となるメタライズ層、および接続導体115となるメタライ
ズ層が形成されている。これらのメタライズ層は、例えば従来周知のスクリーン印刷法等により形成される。
【００５５】
つぎに、積層体200の貫通孔110内に充填物201を充填した状態を図６（ｂ）に示す。充
填物201は、第１主面106から第２主面107にかけて、積層体200の厚み方向のすべてを埋めるように充填される。充填物201は、例えばスチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリ
ル系樹脂等の透明樹脂にシリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア等の金属酸化物からなる微粒子を含有したものである。透明樹脂により透光性を確保しつつ、上記の金属酸化物からなる微粒子により、レーザー202の光拡散性が得られるものである。
【００５６】
このように貫通孔110内に充填物201を充填する方法としては、例えば、吸引法や押し込み法等で行えばよい。貫通孔110を露出させる開口部を有する印刷マスクを載置し、次に
印刷マスク上から開口部を通じて充填物201となる樹脂ペーストを流し込んで貫通孔110内に樹脂ペーストを充填することができる。なお、積層体200における貫通孔110の印刷マスクが載置されない側に通気性のあるシートを載置しておけば、このシートが樹脂ペースト
を受け止めるとともに、樹脂ペーストを流し込む際のエアーがこのシートを介して抜けるため、充填性を向上できる。さらに、充填物201を充填する方向としては、貫通孔110の開口が大きい側から開口の小さい側、つまり第１主面106側から第２主面107側に樹脂ペーストを流し込むようにすれば、貫通孔110内に樹脂ペーストを充填しやすい。
【００５７】
つぎに、積層体200の第２主面107にレーザー202により分割溝108（第２主面107では第
２分割溝108ｂを示す）を形成する状態を図６（ｃ）に示す。母基板101となる積層体200
の各配線基板領域102の境界に、レーザー202により分割溝108が形成される。なお、レー
ザー202により分割溝108を形成する工程は、複数のセラミックシートの積層体200の段階
、つまり母基板101となる未焼成の積層体である。積層体200の焼成前にレーザー202で分
割溝108を形成することによって加工性が良好であり、レーザー202による溶融物の付着を抑制することができる。
【００５８】
レーザーの種類としては、ＵＶレーザー、グリーンレーザー、ＩＲレーザー等を用いればよい。レーザー加工時のレーザーの単位面積（レーザーが照射される部位における被加工物の表面の単位面積）あたりの出力が比較的小さく、これに応じて溶融物の発生量が少ない。よって、レーザー202による溶融物の除去が容易である。そのため、上記のように
比較的小さいエネルギーのレーザーでも、良好な形状の分割溝108を形成することが可能
となる。
【００５９】
つぎに、積層体200の第２主面107において、充填物201が充填された貫通孔110にレーザー202により分割溝108の形成を開始した状態を図６（ｄ）に示す。レーザー202は、積層
体200に対して上方から下方に向かってほぼ鉛直方向に照射されるとともに、その焦点が
分割溝108の最下点付近で合うように照射されている。つまり、貫通孔110付近を除いて、分割溝108の縦断面形状はＶ字状またはＵ字状となっている。しかし、貫通孔110内に充填物201が充填されていることにより、レーザー202が拡散されて分割溝108の深さが小さく
なる。
【００６０】
具体的には、充填物201により透光性を確保しつつ、上記の金属酸化物からなる微粒子
により、レーザー202が拡散されて分割溝108の最下点付近まで届かずに焦点が存在しなくなるため、分割溝108の深さが小さくなる。また、レーザー202の照射される領域において、レーザー202の移動とともにレーザー202の拡散状態が変化するため、分割溝108の深さ
が貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113が形成される。
【００６１】
充填物201は、例えばスチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂等の透明樹
脂にシリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア等の金属酸化物からなる微粒子を含有したものである。この他にも、アクリルやシリコーン等からなる微粒子を透明樹脂に添加してもよく、光拡散性を調整したり、充填物201の除去性を向上することができる。
【００６２】
例えば、分割溝108の深さを小さくしたければ、透明樹脂への金属酸化物の添加量を多
くすればよいが、添加量が多過ぎると充填物201を積層体200から除去し難くなる。そのような場合は、アクリルやシリコーン等からなる微粒子を透明樹脂に添加することにより、光拡散性を確保しつつ、熱や溶剤で除去し易い充填物201となる。
【００６３】
また、充填物201に透明樹脂を用いることにより、レーザー202が遮蔽され難いため、分割溝108の深さが小さくなるものの、積層体200の一方から他方へ複数の貫通孔110を跨い
で連続して分割溝108を形成することができる。そして、透明樹脂には金属酸化物や樹脂
からなる微粒子が分散されているため、焼成時に消失して充填物201を除去し易い。また
、積層体200を溶解しないように選定された溶剤により、透明樹脂を溶解して除去するこ
とも可能である。
【００６４】
つぎに、積層体200の第２主面107において、充填物201が充填された貫通孔110にレーザー202により分割溝108を形成した状態を図７（ｅ）に示す。充填物201により透光性を確
保しつつ、上記の金属酸化物からなる微粒子により、レーザー202が拡散されて分割溝108の最下点付近まで届かずに焦点が存在しなくなるため、レーザー202が拡散されて分割溝108の深さが小さくなる。そして、貫通孔110の中央付近で最も分割溝108の深さが小さくなる。（実際には、貫通孔110の中央付近は充填物201で充填されており、この分割溝108の
領域は除去される。）しかしながら、図７（ｅ）とは反対に、レーザー202の照射される
領域において、レーザー202の移動とともにレーザー202の拡散状態が変化するため、分割溝108の深さが貫通孔110から遠ざかるにつれて漸次大きくなる曲がり部113が形成される
。つまり、レーザー202により、貫通孔110の両側において分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113を形成できる。なお、上記では第２主面107に第２分割溝108ｂを形成する製造方法を説明したが、第１主面106に形成される第１分割溝108ａも、同様の製造方法により形成することができる。
【００６５】
なお、積層体200の第２主面107にレーザー202により分割溝108の形成する際に、接続導体115および外部接続導体104が分割溝108から離れるように形成される。これは、レーザ
ー202により接続導体115、および外部接続導体104等のメタライズ層の溶融物が分割溝108の周囲に飛散したり、付着することを抑制するとともに、曲がり部113により各配線基板
領域102に形成された配線導体同士の接続性の悪化、および断線を抑制しながらも、母基
板101の分割性が低下し難く、配線基板102にばりや欠けが発生したり、所定の箇所とは異なる箇所において分割されて分割不良となる可能性を低減するためである。
【００６６】
このように分割溝108（第１分割溝108ａ、第２分割溝108ｂ）が形成された積層体200は、充填物201を除去および焼成することによりセラミック積層体となる。なお、充填物201の除去は焼成前でも焼成後でもよい。焼成前では、積層体200を溶解しないように選定さ
れた溶剤により、透明樹脂を溶解して除去すればよい。また、焼成後（焼成中を含む）では、貫通孔110に充填された充填物201を焼成時に熱分解により焼失させればよい。このような製造方法により、分割溝108の深さが貫通孔110に近づくにつれて漸次小さくなる曲がり部113（第１曲がり部113ａ、第２曲がり部113ｂ）が設けられた多数個取り配線基板を
製作することができ、レーザー202による分割溝108の形成においても、貫通孔110内の内
面導体111の一部が切断される可能性を低減して、露出した配線導体に良好なめっき層が
被着された気密封止の信頼性、半田濡れ性に優れた配線基板102を製作可能な製造方法を
提供できる。
【００６７】
なお、本発明の多数個取り配線基板、配線基板は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態の例において、２層の絶縁層により凹状の搭載部が設けられた配線基板102が配列された母基板101としたが、凹部が設けられない平板状の配線基板（図示せず）が配列された母基板としてもよい。また、３層以上の絶縁層により形成された母基板101に複数の貫通孔110が設けられ、これらの貫通孔110、内面導体108に分割溝108が形
成された構造であってもよい。
【符号の説明】
【００６８】
101・・・母基板
102・・・配線基板領域（配線基板）
103・・・捨て代領域
104・・・外部接続導体
105・・・枠状メタライズ層
106・・・第１主面
107・・・第２主面
108・・・分割溝
108ａ・・・第１分割溝
108ｂ・・・第２分割溝
110・・・貫通孔
111・・・内面導体
112・・・破断面
112ａ・・・第１破断面
112ｂ・・・第２破断面
113・・・曲がり部
113ａ・・・第１曲がり部
113ｂ・・・第２曲がり部
115・・・接続導体
116・・・一方の辺
117・・・他方の辺
118・・・第１側面
119・・・第２側面
120・・・第３側面
121・・・第４側面
130・・・絶縁基板
131・・・搭載部
132・・・配線導体
133・・・電子部品
134・・・接合材
135・・・切欠き
200・・・積層体
201・・・充填物
202・・・レーザー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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