(57)【要約】【課題】インプリント用原版を安価に簡易に作成することができるインプリント用原版の製造方法及び当該インプリント用原版を用いたウエーハの分割方法を提供すること。【解決手段】インプリント用原版の製造方法は、ストリートによって区画された基板表面の複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハにデバイスを覆うマスクを形成するインプリント用原版を製造する方法である。インプリント用原版の製造方法は、ウエーハと同等以上の大きさを有する板状体を準備する準備工程ＳＴ１と、板状体のウエーハの複数のデバイスに対応する領域にレーザー光を照射して凹部を形成することによりストリートに対応する部分に凸部を形成する凸部形成工程ＳＴ２とを備える。【選択図】図４
2018046209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画された基板表面の複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハに該デバイスを覆うマスクを形成するためのインプリント用原版の製造方法であって、
該ウエーハと同等以上の大きさを有する板状体を準備する準備工程と、
該板状体の該ウエーハの該複数のデバイスに対応する領域にレーザー光を照射して凹部を形成することにより該ストリートに対応する部分に凸部を形成する凸部形成工程と、
を備える、インプリント用原版の製造方法。
【請求項２】
ストリートによって区画された基板表面の複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハ表面にレジスト液を供給するレジスト液供給工程と、
請求項１に記載された製造方法により製造された該インプリント用原版を該ウエーハに向かって押しつけ該複数のデバイスを覆い且つ該ストリート部分を露出させるレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
該レジストマスクを介して該基板のストリートに対応する部分にプラズマ照射してエッチングするプラズマエッチング工程と、を含むウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハをプラズマエッチングすることによりデバイスに分割する際、マスクを形成する工程で用いられるインプリント用原版の製造方法及び当該インプリント用原版を用いたウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated  Circuit）、ＬＳＩ（Large-Scale  Integration）等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハを個々のデバイスに分割するのにパターニングされたフォトレジストをマスクにしてエッチングして分割することが行われている（例えば、特許文献１参照）。これによれば、パターニングされたマスクを形成するのに露光工程を経るが、露光工程に用いられる露光装置は高価であり、デバイス価格の上昇につながる。
【０００４】
一方、半導体製造工程の前工程では、パターニングされたエッチングマスクを形成するのにインプリント技術が用いられてきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２９４８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウエーハにマスクを形成するために、インプリント技術を用いても、インプリント技術において用いられるインプリント用原版を作成する際にパターンを形成するのに露光が用いられデバイスのコストアップになる。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、インプリント用原版を安価に簡易に作成することができるインプリント用原版の製造方法及び当該インプリント用原版を用いたウエーハの分割方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のインプリント用原版の製造方法は、ストリートによって区画された基板表面の複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハに該デバイスを覆うマスクを形成するためのインプリント用原版の製造方法であって、該ウエーハと同等以上の大きさを有する板状体を準備する準備工程と、該板状体の該ウエーハの該複数のデバイスに対応する領域にレーザー光を照射して凹部を形成することにより該ストリートに対応する部分に凸部を形成する凸部形成工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明のウエーハの分割方法は、ストリートによって区画された基板表面の複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、該ウエーハにレジスト液を供給するレジスト液供給工程と、前記製造方法により製造された該インプリント用原版を該ウエーハに向かって押しつけ該複数のデバイスを覆い且つ該ストリート部分を露出させるレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、該レジストマスクを介して該基板のストリートに対応する部分にプラズマ照射してエッチングするプラズマエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、インプリント用原版を作成する際に露光が不要になるので、インプリント用原版を安価に製造できる。特に、レーザー光を照射することにより凸部を形成するので、種々の形状のデバイスを分割するためのインプリント用原版を容易に形成できる。
【００１１】
また、ウエーハの分割方法は、該原版を用いてレジストマスクをパターニングするので露光・現像が不要になり、コストダウンにつながる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いてデバイスに分割されるウエーハを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法により製造されたインプリント用原版の斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたインプリント用原版の製造方法の準備工程を示す斜視図である。
【図６】図６は、図４に示されたインプリント用原版の製造方法の凸部形成工程を示す斜視図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係るウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】図８は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジスト液供給工程を示す断面図である。
【図９】図９は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハにインプリント用原版を対向させた状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハにインプリント用原版を押しつけた状態を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハからインプリント用原版を離間させた状態を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程及びプラズマエッチング工程で用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１１に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程に含まれ得るウエーハのストリートを露出させるブレークスルーエッチングを示す断面図である。
【図１４】図１４は、図７に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程を示す断面図である。
【図１５】図１５は、図７に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程後のウエーハの断面図である。
【図１６】図１６は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いたウエーハの分割方法の加工対象の他の例のウエーハの一部の平面図である。
【図１７】図１７は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いたウエーハの分割方法の加工対象の更に他の例のウエーハの一部の平面図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係るウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。
【図１９】図１９は、図１８に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程後のウエーハの断面図である。
【図２０】図２０は、図１８に示されたウエーハの分割方法の貼着工程を示す断面図である。
【図２１】図２１は、図１８に示されたウエーハの分割方法の個片化工程を示す断面図である。
【図２２】図２２は、図１８に示されたウエーハの分割方法の個片化工程後のウエーハの断面図である。
【図２３】図２３は、各実施形態の変形例に係るウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程後のウエーハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法及びウエーハの分割方法を図面を参照して説明する。図１は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いてデバイスに分割されるウエーハを示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法により製造されたインプリント用原版の斜視図である。
【００１５】
実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法は、図１に示すウエーハＷをデバイスＤに分割する際に用いられるインプリント用原版１（図３に示す）を製造する方法である。図１及び図２に示すウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板Ｓとする円板状の半導体ウエーハや光デバイス用ウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、ストリートＬによって区画された表面ＷＳの複数の領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。実施形態１に係るウエーハＷは、ストリートＬの幅が数十μｍ程度以下で、かつその表面ＷＳに一辺０．１ｍｍ以上かつ２０ｍｍ以下の大きさの矩形状デバイスＤを含み、プラズマエッチングによりデバイスＤに分割されるのが好適なものである。また、実施形態１に係るウエーハＷの厚さは、３０μｍ以上で且つ３００μｍ以下である。また、実施形態１において、ウエーハＷのデバイスＤは、平面形状が四角形に形成され、大きさが互いに等しいが、本発明はこれに限らず、ウエーハＷの表面ＷＳに種々の大きさのデバイスＤが形成されても良く、平面形状が四角形以外の異形状のデバイスＤでも良い。
【００１６】
インプリント用原版１は、ウエーハＷにプラズマエッチングを施して、プラズマエッチングによりウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する加工に用いられ、デバイスＤを覆うマスクであるレジストマスクＰ（図１４に示す）をウエーハＷ上に形成するためのものである。レジストマスクＰは、レジスト液Ｒ（図８及び図９に示す）を乾燥しパターニングすることにより構成される。
【００１７】
インプリント用原版１は、図３に示すように、板状体２と、板状体２に形成された凹部３と、板状体２に形成された凸部４とを備える。板状体２は、加工すべきウエーハＷと同等以上の大きさを有している。実施形態１において、板状体２は、ウエーハＷと同じ大きさの円板状に形成されている。また、実施形態１において、板状体２は、円板状のシリコン又はガラスである。
【００１８】
凹部３は、板状体２の表面１Ｓから凹に形成され、板状体２のウエーハＷの複数のデバイスＤに対応する領域に設けられている。凹部３は、レジスト液Ｒが塗布されたウエーハＷにインプリント用原版１が重ねられた際に、デバイスＤに対応する領域であるデバイスＤと重なる位置に設けられている。実施形態１において、凹部３は、デバイスＤと同数設けられ、デバイスＤと同じ平面形状でかつ同じ大きさに形成されている。
【００１９】
凸部４は、板状体２の互いに隣り合う凹部３間及び最外周の凹部３よりも外周側に対応する領域に設けられている。凸部４は、レジスト液Ｒが塗布されたウエーハＷにインプリント用原版１が重ねられた際に、ストリートＬに対応する領域であるストリートＬと重なる位置とウエーハＷの最外周のデバイスＤよりも外側の領域と重なる位置に設けられている。実施形態１において、ストリートＬと重なる凸部４は、ストリートＬと同じ平面形状に形成されている。
【００２０】
次に、実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法を図面を参照して説明する。図４は、実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法の流れを示すフローチャートである。図５は、図４に示されたインプリント用原版の製造方法の準備工程を示す斜視図である。図６は、図４に示されたインプリント用原版の製造方法の凸部形成工程を示す斜視図である。
【００２１】
実施形態１に係るインプリント用原版の製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図２に示すインプリント用原版１を製造する方法である。製造方法は、図４に示すように、準備工程ＳＴ１と、凸部形成工程ＳＴ２とを備える。
【００２２】
準備工程ＳＴ１は、図５に示すように、表面１Ｓに凹部３及び凸部４が形成されていない板状体２を準備する工程である。板状体２がシリコンである場合、板状体２の厚さは、７００μｍ程度であるが、板状体２の種類によって、強度が維持できる厚さであればよい。
【００２３】
凸部形成工程ＳＴ２は、板状体２のウエーハＷの複数のデバイスＤに対応する領域にレーザー光ＬＲを照射して凹部３を形成することによりストリートＬに対応する部分に凸部４を形成する工程である。凸部形成工程ＳＴ２は、板状体２の表面１Ｓの裏側の裏面１Ｒ側をレーザ加工機１００の図示しないチャックテーブルに吸引保持し、インプリント用原版１がウエーハＷに重ねられる際に、デバイスＤに対応する領域であるデバイスＤに重なる図６に示す領域ＲＤにレーザ照射ユニット１０２から板状体２に対して吸収性を有する波長のレーザー光ＬＲを照射して、板状体２にアブレーション加工を施す。
【００２４】
実施形態１において、凸部形成工程ＳＴ２は、レーザ加工機１００のチャックテーブルとレーザ照射ユニット１０２とを加工送り方向Ｘと割り出し送り方向Ｙとに沿って相対的に移動させて、各デバイスＤに重なる領域ＲＤに、図６に示すように、レーザー光ＬＲを照射する。実施形態１において、凸部形成工程ＳＴ２は、板状体２がシリコンである場合には波長が例えば、３５５ｎｍのレーザー光ＬＲを照射し、板状体２が石英ガラス等のガラスである場合には波長が例えば１０μｍのレーザー光ＬＲを照射して、アブレーション加工を施し、原版１を重ねたときにデバイスＤに重なる領域ＲＤに凹部３を形成する。凸部形成工程ＳＴ２は、凹部３を形成することによって、ストリートＬに対応する凸部４を板状体２に形成する。
【００２５】
次に、インプリント用原版１を用いてウエーハＷをストリートＬに沿って分割するウエーハＷの分割方法を図面を参照して説明する。図７は、実施の形態１に係るウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。図８は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジスト液供給工程を示す断面図である。図９は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハにインプリント用原版を対向させた状態を示す断面図である。図１０は、図９に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハにインプリント用原版を押しつけた状態を示す断面図である。図１１は、図１０に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程のウエーハからインプリント用原版を離間させた状態を示す断面図である。図１２は、図７に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程及びプラズマエッチング工程で用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図１３は、図１１に示されたウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程に含まれ得るウエーハのストリートを露出させるブレークスルーエッチングを示す断面図である。図１４は、図７に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程を示す断面図である。図１５は、図７に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程後のウエーハの断面図である。
【００２６】
インプリント用原版１（以下、単に原版と記す）を用いてウエーハＷをストリートＬに沿って分割するウエーハＷの分割方法（以下、単に分割方法と記す）は、図７に示すように、レジスト液供給工程ＳＴ１１と、レジストマスク形成工程ＳＴ１２と、プラズマエッチング工程ＳＴ１３とを含む。
【００２７】
レジスト液供給工程ＳＴ１１は、ウエーハＷ表面ＷＳにレジスト液Ｒを供給する工程である。レジスト液供給工程ＳＴ１１は、ウエーハＷの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲ側を保持し、ウエーハＷのデバイスＤ上にレジスト液Ｒを供給する。レジスト液Ｒは、加熱されると硬化し、硬化するとプラズマ耐性を有する樹脂により構成される。レジスト液Ｒとして、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等を含む水溶性樹脂を用いることができる。また、原版１の板状体２が石英ガラスである場合には、レジスト液Ｒは、紫外線等のエネルギー線が照射されることで硬化し、硬化するとプラズマ耐性を有する樹脂により構成されても良い。実施の形態１において、レジスト液供給工程ＳＴ１１は、インクジェット式のノズル２００からデバイスＤ上にレジスト液Ｒを供給しているが、本発明では、ウエーハＷの裏面ＷＲを保持部に保持し、保持部を軸心回りに回転しながらウエーハＷの表面ＷＳ全体にレジスト液Ｒを供給しても良い。この実施形態では、ウエーハＷは研削や研磨手段等によりデバイスＤの仕上げ厚さに形成されていてもよい。また、この実施形態では、レジストＲは、表面保護膜を含む。
【００２８】
レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、図４に示す製造方法により製造された原版１をウエーハＷに向かって押しつけ、複数のデバイスＤを覆い且つストリートＬ部分を露出させるレジストマスクＰを形成する工程である。レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、図９に示すように、レジスト液Ｒが供給されたウエーハＷの表面ＷＳに原版１を対向させる。このとき、デバイスＤと凹部３とを対向させ、ストリートＬと凸部４とを対向させる。
【００２９】
レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、図１０に示すように、原版１をウエーハＷに押しつける。すると、デバイスＤ上のレジスト液Ｒが凹部３内に浸入するとともに、一部のレジスト液ＲがデバイスＤ上の空間から押し出されて、ストリートＬ上に塗布される（染み出す）こととなる。レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、加熱してレジスト液Ｒを硬化させるとともに、図１１に示すように、原版１をウエーハＷの表面ＷＳから離間させる。すると、図１１に示すように、デバイスＤ上とストリートＬ上との双方に、レジストマスクＰが形成される。レジストマスクＰは、ストリートＬ上の部分がデバイスＤ上の部分よりも薄い。
【００３０】
レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、ウエーハＷの裏面ＷＲに保持部材ＴＰ（図１３に示す）を貼着し、図１２に示すエッチング装置２０のハウジング２１の開口２２を通して、ウエーハＷをハウジング２１内に収容し、開口２２をゲートバルブ２６により閉じる。そして、ウエーハＷの裏面ＷＲ側を保持部材ＴＰを介して高周波電源２３に接続された下部電極２４上の吸着保持部材２５（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic  chuck）に静電気力で吸着、保持する。
【００３１】
次に、レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、図示しない冷媒供給手段から下部電極２４内の図示しない冷却通路内に冷媒を循環させ、排気装置２７を作動してハウジング２１内の雰囲気を排気口２８を通して真空排気し、ガス供給手段２９から高周波電源３２に接続された上部電極３０の噴出口３１を通してハウジング２１内にエッチングガスをウエーハＷの表面ＷＳ側に向けて供給する。なお、この際、ハウジング２１内を所定の圧力に維持する。そして、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源３２から上部電極３０に高周波電力を印加する。これにより、下部電極２４と上部電極３０との間にプラズマＰＺが発生し、下部電極２４に高周波電源２３からプラズマエッチング工程よりも高い高周波電力を供給してプラズマＰＺ中のイオンをウエーハＷに引き込み、ウエーハＷの表面ＷＳ上のレジストマスクＰ及びウエーハＷの表面ＷＳに形成されているＳｉＯ２から構成される自然酸化膜を除去するブレークスルーエッチングを実施する。レジストマスク形成工程ＳＴ１２は、図１３に示すように、ストリートＬ上のレジストマスクＰ及び酸化膜を除去すると、ブレークスルーエッチングを終了し、ウエーハＷのストリートＬ部分の基板Ｓの表面ＷＳを露出させる。また、本発明は、レジストマスク形成工程ＳＴ１２前に、ウエーハＷの裏面ＷＲに保護部材ＴＰを貼着してもよい。
【００３２】
プラズマエッチング工程ＳＴ１３は、レジストマスクＰを介して基板ＳのストリートＬに対応する部分にプラズマＰＺ照射しエッチングする工程である。プラズマエッチング工程ＳＴ１３は、ガス供給手段２９から高周波電源３２に接続された上部電極３０の噴出口３１を通してハウジング２１内にエッチングガスをウエーハＷの表面ＷＳ側に向けて供給し、レジストマスク形成工程ＳＴ１２のブレークスルーエッチングよりも下部電極２４に高周波電源２３から低い高周波電力を供給してプラズマＰＺ中のイオンをウエーハＷに引き込み、レジストマスクＰを介して基板ＳにプラズマＰＺ照射し、所謂ボッシュプロセスによりウエーハＷの表面ＷＳから基板ＳＢをエッチングする。
【００３３】
ウエーハＷのストリートＬの基板Ｓが露出しているために、プラズマエッチング工程ＳＴ１３は、図１４中の点線に示すように、ストリートＬで露出した基板Ｓをエッチングし、ストリートＬに溝ＤＴを形成する。実施形態１において、プラズマエッチング工程ＳＴ１３は、図１５に示すように、溝ＤＴが保持部材ＴＰに到達する時間、エッチングを行った後に終了する。分割方法は、アッシング又は純水を用いた洗浄により、デバイスＤ上のレジストマスクＰを除去する。
【００３４】
実施形態１に係る原版１の製造方法は、レーザー光ＬＲを板状体２に照射して凸部４を形成し凹部３を形成するので、レジスト膜の被覆、レジスト膜のパターン描画、レジスト膜の露光工程といった工程を経る必要がなく簡単な工程で、原版１を製造することができ、原版１を安価で容易に製造できる。また、実施形態１に係る原版１の製造方法は、レーザー光ＬＲを板状体２に照射して凹部３を形成するので、種々の大きさのデバイスＤが形成されたウエーハＷの加工にも用いることができる原版１を容易に製造することができる。
【００３５】
また、実施形態１に係る原版１の製造方法は、レーザー光ＬＲを板状体２に照射して凹部３を形成するので、一端から他端まで連続した一直線とならないストリートＬが設定された被加工物である図１６及び図１７に例示するウエーハＷ´，Ｗ´´の分割に用いることができる原版１を容易に製造することができる。要するに、実施形態１に係る原版１の製造方法は、レーザー光ＬＲを板状体２に照射して凹部３を形成するので、一直線状の凹部（一直線状の溝）とは異なる平面形状に凹部３を形成することができる。
【００３６】
なお、一端から他端まで連続した一直線とならないストリートであるストリートＬが設定された被加工物であるウエーハＷ´には、図１６に例示するように、平面形状が四角形でかつ大きさが異なるデバイスＤ´が形成されたものが含まれる。図１６に示されたウエーハＷ´は、例えば、研究用又は試作時に用いられる。また、一端から他端まで連続した一直線とならないストリートであるストリートＬが設定された被加工物であるウエーハＷ´では、大きさが等しいデバイスＤが配置されたものも含まれる。
【００３７】
なお、一端から他端まで連続した一直線とならないストリートであるストリートＬが設定された被加工物であるウエーハＷ´´は、図１７に例示するように、平面形状が四角形以外の異形状であるデバイスＤ´´が形成されたものが含まれる。図１７に示されたウエーハＷ´´は、例えば、デバイスＤ´´の平面形状がハニカム形状（六角形）に形成されている。また、異形状のデバイスＤ´´の平面形状は、ハニカム形状に限らず、例えば、円形等の種々の形状でも良い。なお、図１６は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いたウエーハの分割方法の加工対象の他の例のウエーハの一部の平面図である。図１７は、実施形態１に係るインプリント用原版を用いたウエーハの分割方法の加工対象の更に他の例のウエーハの一部の平面図である。
【００３８】
また、実施形態１に係る分割方法は、原版１を用いてウエーハＷをデバイスＤに分割するので、安価にウエーハＷをデバイスＤに分割することができる。
【００３９】
〔実施形態２〕
実施形態２に係るウエーハの分割方法を図面を参照して説明する。図１８は、実施形態２に係るウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。図１９は、図１８に示されたウエーハの分割方法のプラズマエッチング工程後のウエーハの断面図である。図２０は、図１８に示されたウエーハの分割方法の貼着工程を示す断面図である。図２１は、図１８に示されたウエーハの分割方法の個片化工程を示す断面図である。図２２は、図１８に示されたウエーハの分割方法の個片化工程後のウエーハの断面図である。図１８から図２２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】
実施形態２に係るウエーハの分割方法（以下、単に分割方法と記す）は、実施形態１の原版１をウエーハＷをストリートＬに沿って分割する方法である。分割方法は、図１８に示すように、レジスト液供給工程ＳＴ１１と、レジストマスク形成工程ＳＴ１２と、プラズマエッチング工程ＳＴ１３Ａとに加えて、貼着工程ＳＴ１４と、個片化工程ＳＴ１５とを含む。
【００４１】
実施形態２に係る分割方法のレジスト液供給工程ＳＴ１１とレジストマスク形成工程ＳＴ１２は、実施形態１と同じである。実施形態２に係る分割方法のプラズマエッチング工程ＳＴ１３Ａは、図１９に示すように、デバイスＤの仕上り厚さＴ（図１９に示す）に対応する深さＤＰの溝ＤＴを形成する。プラズマエッチング工程ＳＴ１３Ａは、溝ＤＴのデバイスＤ表面からの深さＤＰが、デバイスＤの仕上り厚さＴを超えかつ溝ＤＴが裏面ＷＲに到達する前に、プラズマエッチングを終了する。
【００４２】
貼着工程ＳＴ１４は、ウエーハＷの表面ＷＳ側にウエーハＷの表面ＷＳを保護する保護部材であるＢＧ（Back  Grind）テープＢＧＴを貼着する工程である。貼着工程ＳＴ１４は、アッシング又は純水を用いた洗浄によりレジストマスクＰを除去し、図２０に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳにＢＧテープＢＧＴを貼着し、保持部材ＴＰをウエーハＷの裏面ＷＲから剥がす。また、貼着工程ＳＴ１４においてウエーハＷの表面ＷＳ側に貼着されるＢＧテープＢＧＴは、紫外線が照射されると粘着力が低下する粘着剤からなる図示しない粘着層を備える。粘着層を構成する粘着剤は、例えば、紫外線を照射することにより膨張あるいは発泡するマイクロカプセル又は発泡剤などが混入されたものにより構成される。粘着剤は、紫外線を照射することにより硬化するものにより構成されても良い。
【００４３】
個片化工程ＳＴ１５は、ＢＧテープＢＧＴを介して、ウエーハＷの表面ＷＳ側を保持し、ウエーハＷの裏面ＷＲ側を研削して、溝ＤＴの底部を露出させてウエーハＷを個片化する工程である。個片化工程ＳＴ１５は、図２１に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳ側をＢＧテープＢＧＴを介して研削装置３００のチャックテーブル３０１に吸引保持し、ウエーハＷの裏面ＷＲに研削ホイール３０３の研削砥石３０２を押し当てて、チャックテーブル３０１と研削ホイール３０３とを軸心回りに回転して、仕上り厚さＴまでウエーハＷを研削砥石３０２で研削する。ウエーハＷが仕上り厚さＴになると、図２２に示すように、溝ＤＴの底部が裏面ＷＲ側に露出して、ウエーハＷが各デバイスＤに分割される。個片化工程ＳＴ１５は、研削砥石３０２による研削後、研磨装置又はＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）研磨装置を用いて、ウエーハＷの裏面ＷＲを研磨する。また、本発明では、個片化工程ＳＴ１５は、ウエーハＷの裏面ＷＲ即ち各デバイスＤの裏面ＷＲにゲッタリング層を形成しても良い。ゲッタリング層は、ウエーハＷの裏面ＷＲ即ち各デバイスＤの裏面ＷＲに結晶欠陥、歪みなど（ゲッタリングサイトという）が形成された層であり、このゲッタリングサイトに金属汚染を引き起こす不純物を捕獲、固着する層である。
【００４４】
そして、分割方法は、ＢＧテープＢＧＴの粘着層に紫外線を照射し、図示しないピックアップユニットによりデバイスＤを一つずつＢＧテープＢＧＴからピックアップする。
【００４５】
実施形態２に係る分割方法は、実施形態１と同様に、原版１を用いてウエーハＷをデバイスＤに分割するので、安価にウエーハＷをデバイスＤに分割することができる。
【００４６】
〔変形例〕
各実施形態の変形例に係るウエーハの分割方法を図面を参照して説明する。図２３は、各実施形態の変形例に係るウエーハの分割方法のレジストマスク形成工程後のウエーハの断面図である。図２３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
各実施形態の変形例に係るウエーハの分割方法（以下、単に分割方法と記す）は、レジスト液供給工程ＳＴ１１において、ウエーハＷの裏面ＷＲにレジスト液Ｒを供給し、レジストマスク形成工程ＳＴ１２において、図２３に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲのデバイスＤに対応する領域（デバイスＤに重なる領域）にレジストマスクＰを形成して、プラズマエッチング工程ＳＴ１３において、ウエーハＷの裏面ＷＲからエッチングしてもよい。
【００４８】
各実施形態の変形例に係る分割方法は、裏面ＷＲからエッチングするので、エッチング中にウエーハＷ表面ＷＳのデバイスＤにダメージを与えることがない。また、各実施形態の変形例に係る分割方法は、実施形態１と同様に、原版１を用いてウエーハＷをデバイスＤに分割するので、安価にウエーハＷをデバイスＤに分割することができる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、レジストマスク形成工程ＳＴ１２において、原版１の凹部３の内面に予め離型剤を塗布しておき、原版１からレジスト液Ｒ及びレジストマスクＰを離型し易くしても良い。
【符号の説明】
【００５０】
１  インプリント用原版
２  板状体
３  凹部
４  凸部
Ｗ，Ｗ´，Ｗ´´  ウエーハ
Ｌ  ストリート
Ｄ，Ｄ´，Ｄ´´  デバイス
ＬＲ  レーザー光
Ｐ  レジストマスク（マスク）
Ｒ  レジスト液
ＰＺ  プラズマ
ＳＴ１  準備工程
ＳＴ２  凸部形成工程
ＳＴ１１  レジスト液供給工程
ＳＴ１２  レジストマスク形成工程
ＳＴ１３  プラズマエッチング工程
【図１】
2018046209.tif 000003
【図２】
2018046209.tif 000004
【図３】
2018046209.tif 000005
【図４】
2018046209.tif 000006
【図５】
2018046209.tif 000007
【図６】
2018046209.tif 000008
【図７】
2018046209.tif 000009
【図８】
2018046209.tif 000010
【図９】
2018046209.tif 000011
【図１０】
2018046209.tif 000012
【図１１】
2018046209.tif 000013
【図１２】
2018046209.tif 000014
【図１３】
2018046209.tif 000015
【図１４】
2018046209.tif 000016
【図１５】
2018046209.tif 000017
【図１６】
2018046209.tif 000018
【図１７】
2018046209.tif 000019
【図１８】
2018046209.tif 000020
【図１９】
2018046209.tif 000021
【図２０】
2018046209.tif 000022
【図２１】
2018046209.tif 000023
【図２２】
2018046209.tif 000024
【図２３】
2018046209.tif 000025