(57)【要約】【課題】乾燥用ノズルの吐出口内に処理液が付着することを抑制する基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板保持部と、第１ノズルと、第２ノズルと、制御部とを備える。基板保持部は、基板を保持する。第１ノズルは、基板に液体と気体とを混合した混合流体又は液体のミストを吐出する。第２ノズルは、基板に乾燥用気体を吐出する。制御部は、第２ノズルに近接した位置に配置された第１ノズルから混合気体又はミストを基板に吐出する第１処理を行い、第１ノズルからの吐出を停止した後に、第２ノズルから乾燥用気体を基板に吐出する第２処理を行い、第１処理の間、第２処理時よりも小さい流量の乾燥用気体を第２ノズルから吐出させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板に液体と気体とを混合した混合流体又は前記液体のミストを吐出する第１ノズルと、
前記基板に乾燥用気体を吐出する第２ノズルと、
前記第２ノズルに近接した位置に配置された前記第１ノズルから前記混合流体又は前記ミストを前記基板に吐出する第１処理を行い、前記第１ノズルからの吐出を停止した後に、前記第２ノズルから前記乾燥用気体を前記基板に吐出する第２処理を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記第１処理の間、前記第２処理時よりも小さい流量の前記乾燥用気体を前記第２ノズルから吐出させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板に処理液を吐出する第３ノズル
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１処理後に前記第３ノズルから前記処理液を前記基板に吐出する第３処理を行い、
前記第３処理の間、前記第２処理時よりも小さい流量の前記乾燥用気体を前記第２ノズルから吐出させる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記第３処理の間、前記第２ノズルから前記基板の中心側に向けて前記乾燥用気体を吐出させる
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板に処理液を吐出する第３ノズル
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１処理後に前記第３ノズルから前記処理液を前記基板に吐出する第３処理を行い、
前記第３処理の間、前記第２ノズルによる前記乾燥用気体の吐出を停止させる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、１つのアームに取り付けられることにより近接配置される
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、処理液と気体とを混合した混合二流体を基板に吐出する処理用ノズルを有する基板処理装置において、処理用ノズルが待機位置にある場合に、処理用ノズルに気体を吹き付けることで、処理用ノズルに付着した処理液などを除去する技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
基板処理装置は、処理用ノズルと共にアームに取り付けられ、基板に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ノズルをさらに有することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５２１０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、処理用ノズルから混合流体が吐出されると、上記のように処理用ノズルに近接した位置にある乾燥用ノズルの吐出口内に侵入し、吐出口内に処理液が付着する場合がある。吐出口内に処理液が付着すると、待機位置で気体を吹き付けた場合でも、乾燥用ノズルの吐出口内に付着した処理液を十分に除去できないおそれがある。
【０００６】
実施形態の一態様は、乾燥用ノズルの吐出口内に処理液が付着することを抑制する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、基板保持部と、第１ノズルと、第２ノズルと、制御部とを備える。基板保持部は、基板を保持する。第１ノズルは、基板に液体と気体とを混合した混合流体又は液体のミストを吐出する。第２ノズルは、基板に乾燥用気体を吐出する。制御部は、第２ノズルに近接した位置に配置された第１ノズルから混合気体又はミストを基板に吐出する第１処理を行い、第１ノズルからの吐出を停止した後に、第２ノズルから乾燥用気体を基板に吐出する第２処理を行い、第１処理の間、第２処理時よりも小さい流量の乾燥用気体を第２ノズルから吐出させる。
【発明の効果】
【０００８】
実施形態の一態様によれば、第２ノズルの吐出口内に液体が付着することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。
【図３】図３は、処理ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。
【図４】図４は、第１供給部の第１ノズルおよび第２ノズルを拡大した概略図である。
【図５】図５は、処理ユニットが実行する基板洗浄処理の処置手順を説明するフローチャートである。
【図６】図６は、ＡＳ処理における第１ノズルおよび第２ノズルの動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１２】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１３】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１４】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１５】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１６】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１７】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１８】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００１９】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２０】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２１】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２２】
次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。
【００２３】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２４】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２５】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【００２６】
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００２７】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００２８】
次に、処理ユニット１６の具体的な構成例について図３を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。なお、処理ユニット１６は、ウェハＷを洗浄する基板洗浄装置である。すなわち、基板処理システム１は、基板洗浄処理システムである。また、以下においては、ウェハＷの回路形成面を「主面」とし、主面と反対側の面を「裏面」とする。
【００２９】
図３に示すように、基板保持機構３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。
【００３０】
処理流体供給部４０は、第１供給部４１と、第２供給部４２とを備える。
【００３１】
第１供給部４１は、ウェハＷの外方からウェハＷの上方に移動し、保持部材３１１によって保持されたウェハＷの上面へ向けて混合二流体（混合流体）や乾燥用ガス（乾燥用気体）を供給する。混合二流体は、気体であるＮ２ガスと、液体であるＤＩＷ（純水）とが混合された流体である。乾燥用ガスがＮ２ガスである。なお、混合二流体として用いられる液体は、ＤＩＷに限られず、混合二流体として用いられる気体は、Ｎ２ガスに限られない。また、乾燥用ガスは、Ｎ２ガスに限られない。液体としては、例えば、機能水（オゾン水等）やアンモニア水、ＳＣ１、気体としては、アルゴンガス等がある。
【００３２】
第１供給部４１は、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂを支持する第１アーム４１ａと、第１アーム４１ａを水平方向に旋回させ、上下方向に昇降させる旋回昇降機構４１ｂとを備える。
【００３３】
第１ノズル４１Ａには、第１バルブ４３ａおよび第１流量調整器４４ａを介してＤＩＷ供給源７１が接続される。また、第１ノズル４１Ａには、第２バルブ４３ｂおよび第２流量調整器４４ｂを介してＮ２ガス供給源７２が接続される。第１ノズル４１Ａは、混合二流体をウェハＷの上面に吐出する。ＤＩＷ供給源７１およびＮ２ガス供給源７２は、処理流体供給源７０である。
【００３４】
第２ノズル４１Ｂには、第３バルブ４３ｃおよび第３流量調整器４４ｃを介してＮ２ガス供給源７２が接続される。第２ノズル４１Ｂは、Ｎ２ガスをウェハＷの上面に吐出する。
【００３５】
第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂは、第１アーム４１ａの先端側に取り付けられ、図４に示すように隣接して配置される。すなわち、第１ノズル４１Ａと第２ノズル４１Ｂは近接配置される。図４は、第１供給部４１の第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂを拡大した概略図である。
【００３６】
第１ノズル４１Ａには、第１アーム４１ａに沿って配置される第１供給管４７ａによりＤＩＷが供給され、第１アーム４１ａに沿って配置される第２供給管４７ｂによりＮ２ガスが供給される。第１ノズル４１Ａは、内部でＤＩＷとＮ２ガスとを混合させて混合二流体を生成し、ウェハＷの上面に混合二流体を吐出する。第１ノズル４１Ａの吐出口は、混合二流体が鉛直方向に沿って吐出されるように形成される。なお、混合二流体は、第１ノズル４１Ａの吐出口で混合されてもよい。第１ノズル４１Ａに供給されるＮ２ガスの圧力は高く、第１ノズル４１Ａは、高圧の混合二流体をウェハＷの上面に吹き付ける。
【００３７】
第２ノズル４１Ｂには、第１アーム４１ａに沿って配置される第３供給管４７ｃによりＮ２ガスが供給される。第２ノズル４１Ｂの吐出口は、Ｎ２ガスが斜め下方に向けて吐出するように形成される。第２ノズル４１Ｂの吐出口は、第１ノズル４１ＡがウェハＷの中心の上方に位置する場合に、Ｎ２ガスがウェハＷの中心付近に向けて吐出されるように形成される。第３流量調整器４４ｃ（図３参照）により、第２ノズル４１Ｂから吐出されるＮ２ガスの流量を変更することができる。そのため、第２ノズル４１Ｂは、ウェハＷの上面に吹き付けるＮ２ガスの流量を変更することができる。
【００３８】
図３に戻り、第２供給部４２は、第３ノズル４２Ａを支持する第２アーム４２ａを備える。第３ノズル４２Ａには、第４バルブ４３ｄおよび第４流量調整器４４ｄを介してＤＩＷ供給源７１が接続される。第２アーム４２ａは、チャンバ２０に固定されており、第３ノズル４２Ａは、ＤＩＷ（処理液）がウェハＷの中心に吐出されるように第２アーム４２ａに支持される。なお、第２アーム４２ａは、旋回昇降機構によって水平方向に旋回可能であってもよく、また上下方向に昇降可能であってもよい。
【００３９】
処理ユニット１６は、下面供給部６０をさらに備える。下面供給部６０は、保持部３１および支柱部３２の中空部３２１に挿通される。下面供給部６０の内部には上下方向に延在する流路６１が形成されている。流路６１には、第５バルブ４３ｅおよび第５流量調整器４４ｅを介してＮ２ガス供給源７２が接続される。下面供給部６０は、Ｎ２ガス供給源７２から供給されるＮ２ガスをウェハＷの下面へ供給する。
【００４０】
処理ユニット１６は、ブラシ処理部８０をさらに備える。ブラシ処理部８０は、ブラシ８１を回転自在に支持する第３アーム８２と、第３アーム８２を水平方向に旋回させ、上下方向に昇降させる旋回昇降機構８３とを備える。
【００４１】
なお、第１供給部４１、第２供給部４２およびブラシ処理部８０は、第１アーム４１ａおよび第３アーム８２が旋回した場合に干渉しないように設けられる。
【００４２】
次に、処理ユニット１６の具体的な動作について図５を参照し説明する。図５は、処理ユニット１６が実行する基板洗浄処理の処置手順を説明するフローチャートである。
【００４３】
処理ユニット１６では、まず、基板搬入処理が行われる（Ｓ１０）。基板搬入処理では、基板搬送装置１７によってウェハＷがチャンバ２０内に搬入される。なお、ここでは、ウェハＷの裏面が上面となるようにウェハＷが搬入される。チャンバ２０に搬入されたウェハＷは、保持部材３１１によって保持される。
【００４４】
処理ユニット１６では、基板搬入処理が終了すると、裏面処理が行われる（Ｓ１１）。裏面処理では、ブラシ８１によりウェハＷの裏面のスクラブ洗浄が行われる。具体的には、裏面処理では、第３アーム８２を待機位置から旋回させてブラシ８１をウェハＷの中心まで移動させる。そして、ブラシ８１をウェハＷの裏面に接触させた状態で、ブラシ８１を回転させながらウェハＷの中心から周縁に向けて第３アーム８２を旋回させる。
【００４５】
裏面処理は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることにより、保持部材３１１に保持されているウェハＷを回転させながら行われる。裏面処理時のウェハＷの回転速度は、後述する乾燥処理時の回転速度よりも小さい。
【００４６】
裏面処理によってウェハＷの裏面に付着した異物が除去される。裏面処理では、第１アーム４１ａは、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂが回収カップ５０よりも外側に位置する待機位置にある。裏面処理時では、第１ノズル４１Ａから混合二流体は吐出されず、かつ第２ノズル４１ＢからＮ２ガスは吐出されない。
【００４７】
また、裏面処理では、下面供給部６０からＮ２ガスがウェハＷの下面（主面）に向けて吐出される。これにより、ウェハＷの下面に異物が付着することを抑制することができる。
【００４８】
裏面処理において、第３アーム８２をウェハＷの周縁まで旋回させた後は、ブラシ８１の回転を停止し、第３アーム８２を待機位置まで旋回させる。また、駆動部３３を停止し、ウェハＷを停止させる。なお、第３ノズル４２ＡからＤＩＷを吐出させながら、裏面処理を行ってもよい。
【００４９】
処理ユニット１６では、裏面処理が終了すると、基板反転処理が行われる（Ｓ１２）。基板反転処理では、基板搬送装置１７によってウェハＷがチャンバ２０から搬出され、図示しない基板反転部によってウェハＷが反転された後に、再度、基板搬送装置１７によってウェハＷがチャンバ２０に搬入される。このとき、ウェハＷは、主面を上面とした状態でチャンバ２０に搬入される。なお、チャンバ２０には、搬出されたウェハＷとは異なるウェハＷが搬入されてもよい。
【００５０】
処理ユニット１６では、基板反転処理が終了すると、ＡＳ処理（第１処理）が行われる（Ｓ１３）。ＡＳ処理では、第１ノズル４１ＡがウェハＷの中心の上方に位置するように第１アーム４１ａを待機位置から旋回させる。そして、図６（ａ）に示すように、ウェハＷの中心に第１ノズル４１Ａから混合二流体を吐出させ、かつ第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出させる。ＡＳ処理では、その状態を保ちながら、図６（ｂ）に示すように、第１ノズル４１ＡがウェハＷの周縁の上方に位置するまで、第１アーム４１ａを旋回させる。図６は、ＡＳ処理における第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂの動作を示す図である。
【００５１】
ＡＳ処理では、ＤＩＷの微小な水滴と、キャリアーガスである高圧のＮ２ガスとによる混合二流体が第１ノズル４１ＡからウェハＷの主面に吐出され、ウェハＷの主面に付着した異物が除去される。また、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスが吐出されることで、第２ノズル４１Ｂの吐出口内に第１ノズル４１Ａから吐出されたＤＩＷ（ウェハＷの異物を含むＤＩＷ）が付着することを抑制することができる。
【００５２】
第２ノズル４１Ｂから吐出されるＮ２ガスの流量は、後述する乾燥処理時における流量よりも小さく、混合二流体が飛散しない程度の流量である。また、ＡＳ処理は、ウェハＷを回転させながら行われる。ＡＳ処理時のウェハＷの回転速度は、後述する乾燥処理時の回転速度よりも小さい。
【００５３】
また、ＡＳ処理は、第３ノズル４２ＡからＤＩＷを吐出させながら行われる。第３ノズル４２ＡによってＤＩＷを吐出させながらＡＳ処理を行うことで、混合二流体でウェハＷの主面に付着した異物を除去しつつ、ウェハＷを保護することができる。
【００５４】
また、ＡＳ処理では、裏面処理と同様に下面供給部６０からＮ２ガスがウェハＷの下面（裏面）に向けて吐出される。これにより、ウェハＷの下面に異物が付着することを抑制することができる。
【００５５】
なお、第３ノズル４２ＡからＤＩＷを吐出させずに、ＡＳ処理を行ってもよい。
【００５６】
ＡＳ処理では、第１ノズル４１ＡをウェハＷの周縁の上方まで旋回させた後は、第１ノズル４１ＡがウェハＷの中心の上方に位置するように第１アーム４１ａを旋回させる。なお、この間も、第３ノズル４２ＡからＤＩＷが吐出される。
【００５７】
処理ユニット１６では、ＡＳ処理が終了すると、リンス処理（第３処理）が行われる（Ｓ１４）。リンス処理では、ウェハＷを回転させながら、第３ノズル４２ＡからＤＩＷをウェハＷの中心に吐出する。ウェハＷの中心に吐出されたＤＩＷは、遠心力により、ウェハＷの中心から周縁に向けて広がり、ウェハＷの主面に残った異物を含むＤＩＷが第３ノズル４２Ａから吐出されたＤＩＷに置き換わる。
【００５８】
リンス処理の間、第１アーム４１ａは、第１ノズル４１ＡがウェハＷの中心の上方となる位置に保持され、第１ノズル４１Ａから混合二流体は吐出されない。一方、第２ノズル４１ＢからはＮ２ガスが吐出される。第２ノズル４１Ｂから吐出されるＮ２ガスの流量は、ＡＳ処理時と同様に、乾燥処理時における流量よりも小さい。
【００５９】
第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出することで、第２ノズル４１Ｂの吐出口内にＤＩＷが付着することを抑制することができる。また、第３ノズル４２Ａから吐出されたＤＩＷが第２ノズル４１Ｂから吐出されたＮ２ガスによってウェハＷの周縁に向けて押し出されることでウェハＷの主面に早期に広がり、リンス処理を短時間で終わらせることができる。
【００６０】
また、リンス処理では、裏面処理時と同様に下面供給部６０からＮ２ガスがウェハＷの下面（裏面）に向けて吐出される。これにより、ウェハＷの下面に異物が付着することを抑制することができる。
【００６１】
処理ユニット１６では、リンス処理が終了すると、乾燥処理（第２処理）が行われる（Ｓ１５）。乾燥処理では、ウェハＷを回転させながら、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスが吐出される。乾燥処理時のウェハＷの回転速度は、ＡＳ処理時などの回転速度よりも大きい。また、乾燥処理時におけるＮ２ガスの流量は、ＡＳ処理時およびリンス処理時の流量よりも大きい。これにより、ウェハＷの主面に残ったＤＩＷがウェハＷから振り切られ、また、Ｎ２ガスによってウェハＷの主面に残ったＤＩＷがウェハＷの周縁に向けて押し出されることで、ウェハＷが乾燥する。
【００６２】
なお、乾燥処理時には、第３ノズル４２ＡからＤＩＷは吐出されない。乾燥処理では、裏面処理時と同様に下面供給部６０からＮ２ガスがウェハＷの下面（裏面）に向けて吐出される。これにより、ウェハＷの下面にＤＩＷが付着することを抑制することができる。
【００６３】
乾燥処理は、予め設定された所定時間行われ、所定時間が経過すると第１アーム４１ａは待機位置まで旋回する。
【００６４】
処理ユニット１６では、乾燥処理が終了すると、基板搬送処理が行われる（Ｓ１６）。基板搬送処理では、基板搬送装置１７によってウェハＷがチャンバ２０から搬出される。基板搬送装置１７によってチャンバ２０から搬送されたウェハＷは、キャリアＣに載置される。
【００６５】
次に本実施形態の効果について説明する。
【００６６】
ＡＳ処理時に第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出することで、第２ノズル４１Ｂの吐出口内に、第１ノズル４１Ａから吐出されたＤＩＷ（ウェハＷの異物を含むＤＩＷ）が付着することを抑制することができる。特に、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂを第１アーム４１ａに近接配置した場合に、第２ノズル４１Ｂの吐出口内にＤＩＷが付着することを抑制することができる。そのため、乾燥処理時に、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出した場合に、ＤＩＷが液滴となり第２ノズル４１Ｂから吐出されることを抑制し、ＤＩＷがウェハＷに付着することを抑制することができる。
【００６７】
また、Ｎ２ガスの流量を、乾燥処理時よりも小さくすることで、混合二流体がＮ２ガスにより飛散することを抑制することができ、ＡＳ処理時に混合二流体によりウェハＷに付着した異物を除去することができる。
【００６８】
リンス処理時に、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出することで第２ノズル４１Ｂの吐出口内にＤＩＷが付着することを抑制することができる。
【００６９】
また、リンス処理時に、第１ノズル４１ＡがウェハＷの中心の上方に位置するように第１アーム４１ａを保持することで、第２ノズル４１Ｂから吐出されたＮ２ガスをウェハＷの中心に向けて吐出することができる。これにより、第３ノズル４２Ａから吐出されたＤＩＷが第２ノズル４１Ｂから吐出されたＮ２ガスによって、ウェハＷの中心から周縁に向けて押し出される。そのため、ＤＩＷがウェハＷの主面に早期に広がり、リンス処理を短時間で終わらせることができる。
【００７０】
本実施形態では、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂの近接配置の例として、第１アーム４１ａに取り付けられている構成を説明したが、これに限られるものではない。すなわち、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂが、別々のアームに設けられ、例えば、制御部１８によるアーム制御によって同時にウェハＷ上に存在する状態であっても良い。
【００７１】
また、本実施形態では、第１ノズル４１Ａから混合二流体が供給される例を示したが、一流体の場合、例えば、第１ノズル４１Ａが処理液のミストを供給する場合においても、同様に適用可能である。すなわち、上記ＡＳ処理と同様に、ミスト処理を行いその後にリンス処理および乾燥処理を行う手順において、ミスト処理時に第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出する。これにより、第２ノズル４１Ｂの吐出口内にミストが侵入して付着することを抑制することができる。
【００７２】
次に本実施形態の変形例について説明する。
【００７３】
変形例では、第１アーム４１ａが待機位置にある場合に、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂに気体、例えばＮ２ガスを噴射し、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂに付着したＤＩＷを除去してもよい。これにより、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１Ｂに付着したＤＩＷがウェハＷに落下することを抑制することができる。
【００７４】
このような処理は、例えば、乾燥処理時において、第１アーム４１ａを待機位置まで旋回させて行われる。また、上記した２つの処理間、例えば、リンス処理と乾燥処理との間に行われてもよい。
【００７５】
なお、この場合、待機位置まで旋回した第１アーム４１ａを密閉し、第１アーム４１ａとウェハＷとを隔離することが望ましい。隔離方法は、例えば、第１アーム４１ａが待機位置まで旋回した場合に第１アーム４１ａを格納する格納室を設け、待機位置で第１アーム４１ａを格納室に密閉する。
【００７６】
また、本実施形態では、リンス処理時に、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスを吐出させたが、リンス処理時に、第２ノズル４１ＢからＮ２ガスの吐出を停止してもよい。これにより、リンス処理時に、Ｎ２ガスによってＤＩＷが飛散することを抑制し、第１ノズル４１Ａおよび第２ノズル４１ＢにＤＩＷ（ＤＩＷに含まれる異物）が付着することを抑制することができる。
【００７７】
また、処理ユニット１６では、例えば、ＮＨ４／Ｈ２Ｏ２混合液を処理液として薬液洗浄処理などをＡＳ処理の前に行ってもよい。
【００７８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１      基板処理システム
１６    処理ユニット（基板処理装置）
１８    制御部
３１    保持部
４１Ａ  第１ノズル
４１ａ  第１アーム（アーム）
４１Ｂ  第２ノズル
４２Ａ  第３ノズル
３１１  保持部材（基板保持部）
Ｗ      ウェハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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