(57)【要約】【課題】  ガス導入穴の詰まりによる膜厚ムラ不良の発生を低減する。【解決手段】  クリーニング終了後、  （ｉ）反応容器内にガス配管を介して不活性ガスを所定流量流しながら、反応容器内圧力を所定値に制御する工程と、（ｉｉ）工程ｉ）の際のガス配管内圧力を計測する工程とをｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、  （ｉｉｉ）工程ｉｉ）での圧力の平均値が所定値を超えるか、所定値以下かを判断する工程と、  （ｉｖ）ガス導入穴のクリーニング工程とを有し、  工程（ｉｉｉ）において、圧力が所定値以下の場合は前記堆積膜を形成する工程に進み、圧力が所定値を超える場合は工程（ｉｖ）に進む。【選択図】  図１
2018172742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入穴を介して反応容器内に導入される原料ガスを用いて堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の形成後に前記ガス導入穴を介して前記反応容器内に導入されるクリーニングガスを用いて行う前記反応容器内のクリーニングを行う工程を有する堆積膜の製造方法において、
前記反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、
前記反応容器内にガス配管及び前記ガス導入穴を介して不活性ガスを所定の流量で流しながら、前記反応容器内の圧力が所定値になるように制御する工程（ｉ）と、前記ガス配管に設置した圧力計により、前記工程（ｉ）の際の前記ガス配管内の圧力を計測する工程（ｉｉ）と
をｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、
前記ｎ回の繰り返しで得られた前記ガス配管内の圧力の平均値が、所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する工程
工程（ｉｉｉ）において、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値を超える場合は、
前記ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後、前記堆積膜を形成する工程に進む、又は、前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返した後、前記工程（ｉｉｉ）において、前記ｍ回の繰り返しで得られた前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下となった場合は前記堆積膜を形成する工程に進むことを特徴とする堆積膜の製造方法。
【請求項２】
ガス導入穴を介して反応容器内に導入される原料ガスを用いて堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の形成後に前記ガス導入穴を介して前記反応容器内に導入されるクリーニングガスを用いて行う前記反応容器内のクリーニングを行う工程を有する堆積膜の製造方法において、
前記反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、
前記反応容器内にガス配管及び前記ガス導入穴を介して不活性ガスを所定の流量で流しながら、前記反応容器内の圧力（Ｐ１）と前記ガス配管内の圧力（Ｐ２）を計測する工程（ｉ）と、
前記反応容器内の圧力と前記ガス配管内の圧力の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出する工程（ｉｉ）とをｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、
前記ｎ回の繰り返しで得られた前記差分の平均値が所定値を超えるか、前記所定値以下であるかを判断する工程（ｉｉｉ）において、
前記差分の平均値が前記所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記差分の平均値が前記所定値を超える場合は、
前記ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後、前記堆積膜を形成する工程に進む、又は、前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返し、前記工程（ｉｉｉ）において、前記ｍ回の繰り返しで得られた前記差分の平均値が、前記所定値以下となった場合に前記堆積膜を形成する工程に進むことを特徴とする堆積膜の製造方法。
【請求項３】
ガス導入穴を介して反応容器内に導入される原料ガスを用いて堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の形成後に前記ガス導入穴を介して前記反応容器内に導入されるクリーニングガスを用いて前記反応容器内のクリーニングを行う工程を有する堆積膜の製造方法において、
前記反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、
前記反応容器内にガス配管及び前記ガス導入穴を介して不活性ガスを所定の流量で流しながら、前記反応容器内の圧力が所定値になるように制御する工程（ｉ）と、
前記ガス配管に設置した圧力計により、前記工程（ｉ）の際の前記ガス配管内の圧力を計測する工程（ｉｉ）とをｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、
前記ｎ回の繰り返しで得られた前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する工程
工程（ｉｉｉ）において、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値を超える場合は、
一旦、前記不活性ガスを前記所定の流量より多い流量で流す工程（ｖ）及び前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｌ回（ｌ≧１の整数）繰り返した後前記工程（ｉｉｉ）を実施し、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値を超える場合は、
前記ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後、前記堆積膜を形成する工程に進み、又は、前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返した後、前記工程（ｉｉｉ）において、前記ｍ回の繰り返しで得られた前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下となった場合に前記堆積膜を形成する工程に進むことを特徴とする堆積膜の製造方法。
【請求項４】
ガス導入穴を介して反応容器内に導入される原料ガスを用いて行う堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の形成後に前記ガス導入穴を介して前記反応容器内に導入されるクリーニングガスを用いて前記反応容器内のクリーニングを行う堆積膜の製造方法において、
前記反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、
前記反応容器内にガス配管及び前記ガス導入穴を介して不活性ガスを所定の流量で流しながら、前記反応容器内の圧力（Ｐ１）と前記ガス配管内の圧力（Ｐ２）を計測する工程（ｉｉ）と、
前記反応容器内の圧力と前記ガス配管内の圧力の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出する工程（ｉｉ）とをｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、
前記ｎ回の繰り返しで得られた差分の平均値が所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する工程
工程（ｉｉｉ）において、
前記差分の平均値が所定値以下の場合は前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記差分の平均値が所定値を超える場合は、
一旦、前記不活性ガスを前記所定の流量より多い流量で流す工程（ｖ）及び前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｌ回（ｌ≧１の整数）繰り返した後前記工程（ｉｉｉ）を実施し、
前記差分の平均値が所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記差分の平均値が所定値を超える場合は、前記ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後、前記堆積膜を形成する工程に進み、又は、前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返した後、前記工程（ｉｉｉ）において、前記ｍ回の繰り返で得られた前記差分の平均値が、前記差分の所定値以下となった場合に前記堆積膜を形成する工程に進むことを特徴とする堆積膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた堆積膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（以下ａ−  Ｓｉと記す）半導体膜の形成方法として、グロー放電により成膜用の原料ガスを分解し、その分解生成物を基体の表面に被着させる方法が採用されている。この膜形成方法はプラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ばれ広く採用されている。ａ−  Ｓｉ半導体膜の用途には太陽電池や液晶表示装置で使用される薄膜トランジスタ、半導体メモリ、電子写真感光体などが挙げられる。
【０００３】
プラズマＣＶＤ法でａ−  Ｓｉ半導体膜を基体に形成する場合、膜形成後に製造装置内の基体以外の部分に付着した膜や、副生成物をクリーニングする必要がある。クリーニング方法としては、一般的にはクリーニングガスを用いて行うことが知られている。
【０００４】
しかしながら、膜形成とクリーニングを交互に繰り返し行っていくと、完全にクリーニングしきれなかった付着膜や副生成物が堆積膜形成ガス導入穴部に残る場合（クリーニング残渣）がある。
【０００５】
膜形成とクリーニングを交互に繰り返すことによって、堆積膜形成ガス導入穴部のクリーニング残渣が増加していくと、製造装置内における堆積膜形成ガスの濃度分布が変化する場合がある。その結果、形成されるａ−  Ｓｉ半導体膜の膜厚分布が変化してしまい、膜厚均一性不良が発生してしまう場合がある。
【０００６】
従来は定期的に、或いは膜厚均一性不良の頻度が上がってきたタイミングを見計らって、ガス導入穴を物理的に清掃するメンテナンスを実施することによって、膜厚均一性不良が多発することを防止してきた。
【０００７】
しかしながら、そのような場合においては、メンテナンスを実施する回数が必要以上に増加し、製造装置の稼働率を低下させる場合がある。或いは、膜厚均一性不良を低減できたとしても、それを完全に無くすことはできなかった。
【０００８】
堆積膜形成を行わずにガス穴の状態を検査する方法としては、
特許文献１では、穴部に試験流体を通過させて、流体の噴出高さで穴の状態を検査する技術が開示されている。
【０００９】
特許文献２では、穴部にＣＯ２ガス等を通過させ、穴部から流出したＣＯ２ガス濃度分布を画像解析等で評価して穴の状態を検査する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−２８７７５７号公報
【特許文献２】特表２００６−５１８０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
これらの技術により、堆積膜形成を行わずにガス穴の状態を検査することができ、膜厚均一性不良の発生を低減することができる。しかしながら、穴部に試験流体を流す方法、又は、ガス濃度を画像解析して評価するような方法では、検査方法が煩雑なために装置の稼働率の低下を招く場合があり、改善の余地があるのが実状である。
【００１２】
本発明の目的は装置の稼働率を低下させることなく、ガス穴の状態を検査することができ、膜厚均一性不良の発生を防止することができる堆積膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した目的を達成するために、
ガス導入穴を介して反応容器内に導入される原料ガスを用いて堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜の形成後に前記ガス導入穴を介して前記反応容器内に導入されるクリーニングガスを用いて行う前記反応容器内のクリーニングを行う工程を有する堆積膜の製造方法において、
前記反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、
前記反応容器内にガス配管及び前記ガス導入穴を介して不活性ガスを所定の流量で流しながら、前記反応容器内の圧力が所定値になるように制御する工程（ｉ）と、前記ガス配管に設置した圧力計により、前記工程（ｉ）の際の前記ガス配管内の圧力を計測する工程（ｉｉ）とをｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返し、
前記ｎ回の繰り返しで得た前記ガス配管内の圧力の平均値が、所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する工程（ｉｉｉ）において、
前記ガス配管内の圧力の平均値が所定値以下の場合は、前記堆積膜を形成する工程に進み、
前記ガス配管内の圧力の平均値が、所定値を超える場合は、
前記ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後、前記堆積膜を形成する工程に進む、又は、前記工程（ｉ）〜（ｉｉ）をｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返した後、前記工程（ｉｉｉ）において、前記ｍ回の繰り返しで得られた値の平均値が前記ガス配管内の圧力の所定値以下となった場合は前記堆積膜を形成する工程に進むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、装置の稼働率を低下させることなく、膜厚均一性不良の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に関わる電子写真感光体製造装置の例を示す模式図
【図２】本発明に関わるガスブロックの例を示す模式図
【図３】本発明に関わる電子写真感光体製造装置の例を示す模式図
【図４】本発明に関わる電子写真感光体を製造するための製造装置で使用される電圧波形の一例を示す模式図
【図５】本発明に関わるフローチャートの一例を示す模式図
【図６】本発明に関わるフローチャートの一例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について図を参照しつつ説明する。
【００１７】
本願発明における反応容器とは、例えば以下に記載する円筒状反応容器が挙げられる。
【００１８】
図１は円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂ上に堆積膜形成を行うための電子写真感光体製造装置の一例を示す模式図である。
【００１９】
円筒状反応容器１０２は接地されるとともに円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂ表面に対向する接地電極となっている。またベースプレート１０３と上蓋１０４は円筒状反応容器１０２と電気的に接続されている。このベースプレート１０３と上蓋１０４もまた接地され接地電極となっている。これらの円筒状反応容器１０２及びベースプレート１０３と上蓋１０４に対して円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂに電圧を印加可能となっている。
【００２０】
ここで基体ホルダ１０５及び円筒状部材１０６、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂは円筒状電極１２７として働く。
【００２１】
円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂへの電圧の印加は、電源１０７から以下のように構成される電力伝送路を経てなされる。
【００２２】
基体ホルダ１０５及び円筒状部材１０６が円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂを保持し互いに電気的に接続されている。また基体ホルダ１０５は基体ホルダ保持部材１０８の上に保持されて互いに電気的に接続されている。回転軸１０９は基体ホルダ保持部材１０８と電気的に接続される。回転軸１０９、基体ホルダ保持部材１０８、基体ホルダ１０５は、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂへの電力伝送路となっている。
【００２３】
これら円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂへの電力伝送路となっている回転軸１０９、基体ホルダ保持部材１０８、基体ホルダ１０５はすべて導電性材料からなり、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼が好ましい。
【００２４】
回転モータ１１０、モータ回転軸１１１、モータ歯車部１１２、回転軸歯車部１１３、回転軸１０９、基体ホルダ保持部材１０８は、基体ホルダ１０５に対する回転支持機構を形成している。
【００２５】
すなわち円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂを保持する基体ホルダ１０５は基体ホルダ保持部材１０８によって回転可能に支持されている。回転モータ１１０はモータ回転軸１１１を回転させてモータ歯車部１１２と回転軸歯車部１１３、回転軸１０９、基体ホルダ保持部材１０８を経て基体ホルダ１０５に回転駆動力を伝達する。
【００２６】
円筒状反応容器１０２と円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂ、円筒状部材１０６及び基体ホルダ１０５は中心軸が一致するように配置されている。
【００２７】
導電性を有する円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂは基体加熱ヒータ１１４によって所定の期間加熱される。基体加熱ヒータ１１４の外面は接地されている。基体加熱ヒータ１１４は絶縁性を有するヒータカバー１１５によって覆われている。基体加熱ヒータ１１４の内側には回転軸１０９と回転軸絶縁部材１１６とが設置されている。回転軸１０９は回転軸絶縁部材１１６によって基体加熱ヒータ１１４と絶縁されている。
【００２８】
円筒状反応容器１０２内への原料ガスの導入はガスブロック１１７を介して行われる。
図２はガスブロック１１７の一例を示す模式図である。ガスブロック１１７は、中央の管状空洞部１１８と複数の原料ガス導入穴１１９から構成され、原料ガス導入穴１１９が円筒状反応容器１０２内壁面に配置されるように取り付けられる。
【００２９】
ガスブロック１１７は、円筒状反応容器１０２に取り付けられた状態で円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂの対向電極の一部となる。
【００３０】
ガスブロック１１７の材質を導電性材料にすることにより、ガスブロック１１７を含めた円筒状反応容器１０２内壁面の全体が同電位となり、より均一なプラズマを生成できる。また加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼が好ましい。
【００３１】
ガスブロック１１７のガス放出面１２０は平面でも良いが、円筒状反応容器１０２内壁面と同じ面をなすため、より均一なプラズマを生成するために円筒状反応容器１０２内壁面と同じ曲率をもつ曲面であることが好ましい。
【００３２】
円筒状反応容器１０２は、ベースプレート１０３、上蓋１０４により減圧可能な空間を形成している。また原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内包する原料ガス混合装置１２１と原料ガス導入バルブ１２２を備えている。円筒状反応容器１０２の排気系は、円筒状反応容器１０２の排気口に連通された排気配管１２３と排気メインバルブ１２４と真空ポンプ１２５とから構成されている。
【００３３】
真空ポンプ１２５は例えばロータリーポンプやメカニカルブースターポンプである。この排気系を円筒状反応容器１０２に設けられた真空計１２６を使ってフィードバック制御させることにより反応容器内、すなわち円筒状反応容器１０２内を所定圧力に維持する。
【００３４】
具体的には、真空計１２６の出力を所定値になるように排気メインバルブ１２４の開口を調整する。あるいは真空ポンプ１２５がメカニカルブースターポンプから構成される場合は、排気メインバルブ１２４の開口を一定とし、メカニカルブースターポンプの回転数を調整することにより排気速度を調整してもよい。
【００３５】
以下、図１、図２の装置を用いた電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。
【００３６】
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂは、円筒状部材１０６、基体ホルダ１０５に装着される。図１に示すように円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂ、円筒状部材１０６、基体ホルダ１０５は円筒状反応容器１０２内の基体加熱ヒータ１１４を包含するように設置される。次にガス供給装置内の排気を兼ねて原料ガス導入バルブ１２２を開き、排気メインバルブ１２４を開いて円筒状反応容器１０２及びガスブロック１１７内の排気を開始し、真空計１２６によって円筒状反応容器１０２内が０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
【００３７】
次に、原料ガス導入バルブ１２２から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンガスをガスブロック１１７より円筒状反応容器１０２内に導入する。そして、円筒状反応容器１０２に設けられた真空計１２６を使ってフィードバック制御させることにより円筒状反応容器１０２内を所定圧力に維持する。
【００３８】
その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂを基体加熱ヒータ１１４により加熱し、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂの温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂが所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。同時並行的に、成膜用の所定の原料ガス、例えばモノシラン、メタンなどの材料ガスを、またジボラン、ホスフィンなどのドーピングガスを原料ガス混合装置１２１によって混合した後に円筒状反応容器１０２内に徐々に導入する。次に、原料ガス混合装置１２１内の不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１０２内が所定の圧力に維持されるよう真空計１２６を見ながら排気メインバルブ１２４の開口あるいは真空ポンプ１２５の排気速度を調整する。
【００３９】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂの上に下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の順に積層膜を堆積させる。具体的には電源１０７を動作させることにより円筒状電極１２７である基体ホルダ１０５、円筒状部材１０６、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂと円筒状反応容器１０２との間の空間にプラズマを生起させる。このプラズマのエネルギーによって円筒状反応容器１０２内に導入した各原料ガスが分解され、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂの上に所定の堆積膜の形成が行われる。
【００４０】
堆積膜の形成後、円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂが室温付近まで冷えた後、円筒状電極１２７ごと、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを円筒状反応容器１０２内から取り出す。
【００４１】
円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂ取り出し後、円筒状反応容器１０２内に円筒状電極１２７に代えてダミー円筒状電極を設置する。ダミー円筒状電極は円筒状電極１２７と同位置に設置される。
【００４２】
次にガス供給装置内の排気を兼ねて原料ガス導入バルブ１２２を開き、排気メインバルブ１２４を開いて円筒状反応容器１０２内が０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
【００４３】
次に、原料ガス導入バルブ１２２からクリーニングガス、例えば三フッ化塩素、あるいは四フッ化炭素と酸素の混合ガスをガスブロック１１７より円筒状反応容器１０２内に徐々に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、クリーニングガスが所定の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１０２内が所定の圧力に維持されるように真空計１２６を見ながら排気メインバルブ１２４の開口あるいは真空ポンプ１２５の排気速度を調整する。
以上の手順によってクリーニング準備を完了した後、電源１０７を動作させることによりダミー円筒状電極と円筒状反応容器１０２との間の空間にプラズマを生起させる。このプラズマのエネルギーによって円筒状反応容器１０２内に導入したクリーニングガスが分解され、円筒状反応容器１０２内のクリーニングが行われる。
【００４４】
反応容器内のクリーニングを行う工程が終了した後、以下の工程（第一の方法）が実施される。図５にフローチャートの一例を示す。
【００４５】
円筒状反応容器１０２内のクリーニング終了後、原料ガス導入バルブ１２２から不活性ガス、例えばアルゴンガスをガスブロック１１７より円筒状反応容器１０２内に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、不活性ガスが所定の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１０２内が所定の圧力に維持されるように真空計１２６を見ながら排気メインバルブ１２４の開口あるいは真空ポンプ１２５の排気速度を調整する工程（ｉ）。以上の手順が終了した後、ガス配管１２８に設置した圧力計１２９により、ガス配管１２８内の圧力を計測する（工程（ｉｉ））。工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）をｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返す。ここで繰り返し回数（ｎ）は適宜選択される。得られた圧力の平均値が所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する（工程（ｉｉｉ））。
【００４６】
ここで、ガス配管内の圧力値における所定値とは、堆積膜の形成が定常的に行われている場合の工程（ｉｉ）におけるガス配管内の圧力値の上限をいうが、装置の形態等によって異なる。
【００４７】
ガス配管１２８内の圧力が所定値以下の場合においては、原料ガス導入穴１１９の状態が適切であると判断される。新たな円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂが円筒状反応容器１０２内に設置され、前述した手順で堆積膜形成が実施される。
【００４８】
ガス配管１２８内の圧力が所定値を超える場合においては、ガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進んだ後前記堆積膜形成工程に進む、又は、工程（ｉ）〜（ｉｉ）がｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返される。ここで繰り返し回数（ｍ）は適宜選択される。ｍ回の繰り返しの中で得たガス配管１２８内の圧力値の平均値が所定値以下となった場合に堆積膜を形成する工程が実施される。
【００４９】
ここでいうガス導入穴のクリーニングとは、例えば、ドリル等を用いてガス穴に詰まった異物を取り除く方法や、ガス穴を水洗する物理的に清掃する方法が挙げられる。
【００５０】
又、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を複数回実施することにより、ガス配管１２８内の圧力値の精度を上げることができ、無駄なガス導入穴のクリーニングを省略することができる。
【００５１】
一般的に、ガス導入穴のクリーニングが行われた後は、工程（ｉ），工程（ｉｉ）を経て工程（ｉｉｉ）において、ガス配管内の圧力値が所定値以下となり堆積膜の形成が実施される。しかし、圧力値が所定値を超える場合は、ガス導入穴の詰まり以外の原因が考えられ、例えばガス配管、圧力計等の部品交換等のガス導入穴のクリーニング以外のメンテナンスを実施することになると推測する。
【００５２】
本発明においては、反応容器内のクリーニング工程が終了した後、以下の工程（第二の方法）を実施しても良い。
【００５３】
円筒状反応容器１０２内のクリーニング終了後、原料ガス導入バルブ１２２から不活性ガス、例えばアルゴンガスをガスブロック１１７より円筒状反応容器１０２内に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、不活性ガスが所定の流量になるように調整する。その際、真空計１２６により円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）を計測し、ガス配管１２８に設置した圧力計１２９により、ガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）を計測する（工程（ｉ））。円筒状反応容器１０２内の圧力とガス配管内の圧力の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出する（工程（ｉｉ））。工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）をｎ回（ｎ≧１の整数）繰り返す。ここで繰り返し回数（ｎ）は適宜選択される。得られた差分（Ｐ２−Ｐ１）の平均値が所定値を超えるか、所定値以下であるかを判断する（工程（ｉｉｉ））。
【００５４】
ここで、円筒状反応容器内の圧力とガス配管内の圧力の差分の所定値とは、堆積膜の形成が定常的に行われている場合の工程（ｉｉ）における両者の圧力の差分をいうが、装置の形態等によって異なる。
【００５５】
差分（Ｐ２−Ｐ１）が所定値以下の場合においては、原料ガス導入穴１１９の状態が適切であると判断される。新たな円筒状基体１０１Ａ、１０１Ｂが円筒状反応容器１０２内に設置され、前述した手順で堆積膜を形成する工程が実施される。
【００５６】
差分（Ｐ２−Ｐ１）が所定値を超える場合においては、前述したガス導入穴のクリーニングを実施する工程（ｉｖ）に進み、クリーニング後堆積膜形成が実施される、又は、工程（ｉ）〜（ｉｉ）がｍ回（ｍ≧１の整数）繰り返される。ここで繰り返し回数（ｍ）は適宜選択される。ｍ回の繰り返しの中で得た得られた差分（Ｐ２−Ｐ１）の平均値が所定値以下となった場合に堆積膜を形成する工程が実施される。
【００５７】
本発明においては、上記した原料ガス導入穴１１９を検査する工程は、円筒状反応容器１０２のクリーニング終了後に行うことが必要である。円筒状反応容器１０２のクリーニング後に残った残渣がガス導入穴１１９に詰まることが膜厚均一性不良の原因だからである。
【００５８】
本発明においては、工程（ｉｉｉ）で所定値を超えた場合、図６のフローチャートに示すように、一旦、不活性ガス、例えばアルゴンガスを前述した所定の流量より多い流量で流す工程（ｖ）実施する。その後工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）をｌ回（ｌ≧１の整数）繰り返した後、工程（ｉｉｉ）へ進みガス導入穴の状態を判断しても良い。ここで繰り返し回数（ｌ）は適宜選択される。
【００５９】
それにより、原料ガス導入穴１１９に残ったクリーニング残渣を除去でき、ガス導入穴のクリーニング回数を削減することができる場合があるからである。流量の上限やガスを多く流す時間は、真空ポンプ１２５の排気能力や排気配管１２３のコンダクタンスより適宜決定される。
【００６０】
図３は本発明において使用される電子写真感光体製造装置の異なる一例を示す模式図である。
【００６１】
図３の装置においては、原料ガス導入バルブ１２２と各ガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇの間にバルブ３０１Ａ〜３０１Ｇが設置されている。工程（ｉ）〜工程（ｉｉｉ）を実施する際に、各バルブ３０１Ａ〜３０１Ｇを操作することで各ガスブロックを個別に検査することができる。例えばガスブロック１１７Ａの検査を行う際には、バルブ３０１Ａのみを開とし、他のバルブ３０１Ｂ〜３０１Ｇは閉としている。
【００６２】
その結果、原料ガス導入穴１１９の検査精度の向上やガス導入穴のクリーニング負荷の低減を実現することができる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００６４】
（実施例１）
実施例１では図１及び図２に示す装置を用いた。ガスブロック１１７にはφ５ｍｍの原料ガス導入穴１１９が５０個一列に設置され、７列のガスブロック１１７が円筒状反応容器１０２に設置されている。ドリルを用いて原料ガス導入穴１１９に詰まった異物は取り除かれている。前述した第二の方法により、アルゴンガスを１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流し、円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出し基準値とした。
【００６５】
円筒状基体（直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体）１０１Ａ、１０１Ｂの表面に表１に示す条件及び図４に示す電圧波形を用いて前述した方法により電子写真感光体を製造した。
【００６６】
図４は、電源１０７より印加される電圧波形の一例を示した図である。円筒状反応容器１０２の電位をアース電位で一定とし、円筒状反応容器１０２の電位に対する円筒状電極１２７の電位の変化を示す。図４中Ａの範囲は放電開始電圧の絶対値以上の絶対値を持つ電圧となるＯＮ期間であり、図４中Ｂの範囲は放電維持電圧の絶対値未満の絶対値を持つ電圧となるＯＦＦ期間である。図４中Ｔは、電圧の周期を表しており、周波数によって決まる。又、図４中ｔは、放電開始電圧の絶対値以上の絶対値を持つ電圧となる時間を表しており、（ｔ／Ｔ）×１００をＤｕｔｙ比（％）と定義する。
【００６７】
電子写真感光体製造後、円筒状電極１２７を円筒状反応容器１０２から取り出し、表２に示す条件及び図４に示す電圧波形を用いて前述した方法により円筒状反応容器１０２内のクリーニングを行った。
【００６８】
円筒状反応容器１０２内のクリーニング終了後、前述した第二の方法により、アルゴンガスを１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流し、円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出した。尚、本例ではｎ＝１回としている。差分（Ｐ２−Ｐ１）に基づいて原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断を行った。尚本例においては、差分（Ｐ２−Ｐ１）が基準値より０．７Ｐａ超えた場合においてガス導入穴のクリーニングを実施している。
【００６９】
尚、本例では、原料ガス導入穴１１９クリーニング後の差分（Ｐ２−Ｐ１）測定のｍ回繰り返しは行わず、堆積膜形成に進んだ。
【００７０】
尚本例では上記堆積膜形成と円筒状反応容器１０２内のクリーニングを３０回繰り返した。
【００７１】
尚本例では２８回目に原料ガス導入穴１１９のクリーニングを実施した。具体的にはドリルを用いて原料ガス導入穴１１９に詰まった異物を取り除いた。
【００７２】
【表１】
2018172742.tif 000003
【００７３】
【表２】
2018172742.tif 000004
【００７４】
（比較例）
比較例では、円筒状反応容器１０２内のクリーニング終了後に円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の測定及び差分（Ｐ２−Ｐ１）の算出を行わず、原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断を行わなかった。従って本例では原料ガス導入穴１１９のクリーニングは実施していない。それ以外は実施例１と同様の方法で堆積膜形成と円筒状反応容器１０２内のクリーニングを３０回繰り返した。
【００７５】
（実施例２）
実施例２では、アルゴンガスを１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流し、差分（Ｐ２−Ｐ１）が基準値より０．７Ｐａ超えた場合に、一旦アルゴンガスを１００００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）５分間流す。その後再度アルゴンガスを１５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流し、差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出して原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断を行った。尚、本例ではｎ及びｌ＝１回としている。それ以外は実施例１と同様の方法堆積膜形成と円筒状反応容器１０２内のクリーニングを３０回繰り返した。
【００７６】
尚本例では、２９回目に０．７Ｐａを超えたため一旦アルゴンガスを１００００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）５分間流した。その結果、原料ガス導入穴１１９のクリーニングを実施することはなかった。
【００７７】
〈実施例１〜２及び比較例の評価〉
各実施例及び比較例において作製した電子写真感光体の膜厚均一性を以下の方法で評価した。その結果を表３に示す。表３の結果からわかるように、本発明の手段を用いて原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要を判断することによって、膜厚ムラ不良を抑制することができることが分かる。又、原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要の結果が出た場合においても、不活性ガスを検査時の所定値以上流すことによって、原料ガス導入穴１１９のクリーニングの回数を低減させることができることがわかる。
【００７８】
（膜厚均一性）
以下の方法により膜厚均一性を評価した。
【００７９】
作製した電子写真感光体の膜厚を以下の測定点で測定した。軸方向には電子写真感光体の中央部位置を０ｃｍ位置とし、両側夫々２ｃｍ間隔で９点（±２ｃｍ、±４ｃｍ、±６ｃｍ、±８ｃｍ、±１０ｃｍ、±１２ｃｍ、±１４ｃｍ、±１６ｃｍ、±１８ｃｍ）、０ｃｍ位置を含めて合計１９点とした。また、各軸方向位置において周方向に３０°間隔で１２点とし、計２２８点を測定位置とした。得られた各測定点の膜厚の最大値と最小値の差分を平均膜厚で割った値を膜厚均一性とした。
【００８０】
測定は、ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ｍｍｓ（ＨＥＬＭＵＴ  ＦＩＳＣＨＥＲ  社製）にプローブＥＴＡ３．３Ｈを装着して、渦電流法で行った。値が小さいほど、膜厚均一性が良好である。
【００８１】
膜厚均一性が１．０％以上では、膜厚ムラが大きく、その結果、膜厚ムラに応じた濃度差が画像で確認できる場合があるため、本発明の特性向上効果が現れていないと判断した。
【００８２】
実施例１〜２及び比較例において、膜厚均一性が１．０％以上の電子写真感光体を膜厚均一性不良と判断し、その発生率を表３に示した。
【００８３】
【表３】
2018172742.tif 000005
【００８４】
表３からわかるように、円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出し、原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断を行うことで、膜厚均一性不良を抑制することができることがわかる。
【００８５】
また、実施例１で用いた差分を用いて原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断をする方法（第二の方法）の代わりに、ガス配管１２８内の圧力を用いてメンテナンス実施要不要の判断を行っても（第一の方法）実施例１と同様の効果が得られる。
【００８６】
（実施例３）
実施例３では図３及び図２に示す装置を用いることで検査制度を向上させ、原料ガス導入穴１１９のクリーニングの負荷を低減させた。ガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇにはφ５ｍｍの原料ガス導入穴１１９が１００個一列に設置され、７列のガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇが円筒状反応容器１０２に設置されている。ドリルを用いて原料ガス導入穴１１９に詰まった異物は取り除かれている。前述した第二の方法により、アルゴンガスを２５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流し、円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出する。その際バルブ３０１Ａ〜３０１Ｇを操作することで、各ガスブロック毎に差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出して各ガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇ毎の基準値とした。例えばガスブロック１１７Ａの基準値を求める際には、バルブ３０１Ａのみを開とし、他のバルブ３０１Ｂ〜３０１Ｇは閉としている。
【００８７】
実施例１と同様の方法で上記堆積膜形成と円筒状反応容器１０２内のクリーニングを３０回繰り返した。
【００８８】
尚、本例では、円筒状反応容器１０２内のクリーニング終了後、前述した第二の方法により、アルゴンガスを２５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流した。バルブ３０１Ａ〜３０１Ｇを操作することで、各ガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇ毎に円筒状反応容器１０２内の圧力（Ｐ１）とガス配管１２８内の圧力（Ｐ２）の差分（Ｐ２−Ｐ１）を算出した。尚、本例ではｎ＝１回としている。各ガスブロック１１７Ａ〜１１７Ｇ毎に原料ガス導入穴１１９のクリーニング実施要不要の判断を行った。尚本例においては、差分（Ｐ２−Ｐ１）が基準値より１．２Ｐａ超えた場合において原料ガス導入穴１１９のクリーニングを実施している。
【００８９】
尚、本例では２４回目にガスブロック１１７Ｃの原料ガス導入穴１１９のクリーニングを実施した。具体的にはドリルを用いて原料ガス導入穴１１９に詰まった異物を取り除いた。
【００９０】
実施例１と同様の評価を行った結果、膜厚均一性不良の発生はなかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2018172742.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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