(57)【要約】【課題】液晶表示装置の開口率を高くし、液晶表示装置の表示性能を向上する。【解決手段】液晶表示装置において、対向基板が液晶層を挟んで薄膜トランジスター基板に対向する。薄膜トランジスター基板においては、複数の画素構造が基板の主面上にマトリクス状に配列される。複数の画素構造の各々は、矩形状の平面形状を持ち、第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域を有する。第１の反射領域および第２の反射領域は、光を反射する。透過領域は、光を透過させる。第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域は、矩形状の平面形状の長辺方向に配列される。透過領域は、第１の反射領域および第２の反射領域に挟まれる。【選択図】図３
2018097132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板および複数の画素構造を備え、前記基板が主面を有し、前記複数の画素構造が前記主面上にマトリクス状に配列され、前記複数の画素構造の各々である各画素構造が矩形状の平面形状を持ち第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域を有し、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域が光を反射し、前記透過領域が光を透過させ、前記第１の反射領域、前記透過領域および前記第２の反射領域が前記矩形状の平面形状の長辺方向に配列され、前記透過領域が前記第１の反射領域および第２の反射領域に挟まれる薄膜トランジスター基板と、
液晶層と、
前記液晶層を挟んで前記薄膜トランジスター基板に対向する対向基板と、
を備える液晶表示装置。
【請求項２】
前記各画素構造は、
前記主面上に配置されるゲート電極と、
前記ゲート電極に重ねて前記主面上に配置されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に重ねて前記主面上に配置され、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極に対向する半導体膜と、
前記主面上に配置され、前記半導体膜に接触するソース電極と、
前記主面上に配置され、前記半導体膜に接触し、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜とともに薄膜トランジスターを構成し、前記第１の反射領域に配置され、光を反射するドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に重ねて前記主面上に配置され、コンタクトホールが形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に重ねて前記主面上に配置され、前記コンタクトホールを経由して前記ドレイン電極に接触し、光を透過させる画素電極と、
前記主面上に配置され、前記第２の反射領域に配置され、光を反射する電極と、
を備える
請求項１の液晶表示装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールは、第１のコンタクトホールであり、
前記層間絶縁膜に第２のコンタクトホールが形成され、
前記光を反射する電極は、前記ドレイン電極と同一層に配置される反射電極であり、
前記画素電極は、前記第２のコンタクトホールを経由して前記反射電極に接触する
請求項２の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射電極は、第１の反射電極であり、
前記各画素構造は、前記主面と垂直をなす方向から平面視された場合に前記ゲート電極と重なる第２の反射電極をさらに備え、
前記各画素構造に隣接する画素構造に備えられる第２の反射電極は、前記各画素構造に備えられる第１の反射電極から連続する
請求項３の液晶表示装置。
【請求項５】
前記光を反射する電極は、前記ゲート電極と同一層に配置される共通電極であり、
前記複数の画素構造にそれぞれ備えられる複数の共通電極は、互いに電気的に接続される
請求項２の液晶表示装置。
【請求項６】
前記光を反射する電極は、前記ゲート電極と同一層に配置される共通電極であり、
前記複数の画素構造にそれぞれ備えられる複数の共通電極は、互いに電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記第１の反射領域の一部を占める第１の部分領域に配置され、
前記共通電極は、前記第２の反射領域に加えて、前記第１の部分領域と重ならない部分を有し前記第１の反射領域の一部を占める第２の部分領域に配置される
請求項２の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ドレイン電極および前記光を反射する電極の各々は、アルミニウム、銀、アルミニウムを主成分とする合金または銀を主成分とする合金からなる
請求項２から６までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項８】
前記各画素構造に備えられるソース電極は、前記各画素構造に隣接する画素構造に備えられるソース電極に沿って配置され、前記各画素構造に隣接する画素構造に備えられるソース電極とともに１本の信号線を構成し、
前記ゲート電極は、第１のゲート電極であり、
前記各画素構造は、第２のゲート電極をさらに備え、
前記第１のゲート電極は、第１の１本の走査線を構成し、
前記第２のゲート電極は、第２の１本の走査線を構成する
請求項２から７までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項９】
前記各画素構造は、
前記ドレイン電極との間に補助容量を形成し、第１の部分および第２の部分を備え、前記第２の部分が前記ソース電極に沿い前記第１の部分と前記ソース電極との間に配置され、前記第２の部分から前記ゲート電極までの距離が前記第１の部分から前記ゲート電極までの距離より短い補助容量電極
をさらに備える
請求項２から８までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項１０】
前記補助容量電極は、第３の部分をさらに備え、
前記第３の部分は、前記各画素構造に隣接する画素構造に備えられるソース電極に沿い、前記第２の部分と前記各画素構造に隣接する画素構造に備えられるソース電極との間に配置され、
前記第３の部分から前記ゲート電極までの距離は、前記第２の部分から前記ゲート電極までの距離より短い
請求項９の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極は、前記主面と垂直をなす方向から平面視された場合に前記ドレイン電極および前記光を反射する電極と重なる
請求項２から１０までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項１２】
前記ドレイン電極および前記光を反射する電極の少なくとも一方は、前記主面と垂直をなす方向から平面視された場合に前記画素電極と重ならない部分を備える
請求項２から１１までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項１３】
前記各画素構造は、共通電極をさらに備え、
前記複数の画素構造にそれぞれ備えられる複数の共通電極は、互いに電気的に接続され、
前記各画素構造および前記各画素構造に隣接する画素構造は、前記長辺方向に延在する境界を有し、
前記共通電極は、前記境界に沿って延在し前記境界に接触する部分を備える
請求項２から１２までのいずれかの液晶表示装置。
【請求項１４】
前記対向基板は、
前記主面と垂直をなす方向から平面視された場合に前記透過領域と重なる開口部が形成され、前記主面と垂直をなす方向から平面視された場合に前記第１の反射領域および前記第２の反射領域と重なるブラックマトリックス
を備える
請求項１から１３までのいずれかの液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ａ  ＴＦＴ基板の用途
薄膜トランジスター基板（ＴＦＴ基板）は、スイッチングデバイスとして使用される薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を備え、電気光学装置に組み込まれる。電気光学装置には、液晶表示装置、発光表示装置等がある。液晶表示装置は、液晶を利用する表示装置である。発光表示装置は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用する表示装置である。ＴＦＴ基板等の半導体装置は、消費電力が少なく厚さが薄いという特徴を有する。このため、平坦な電気光学装置であるフラットパネルディスプレイへの半導体装置の応用が盛んに行われる。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）とも呼ばれる。液晶表示装置には、単純マトリックス型ＬＣＤおよびＴＦＴ−ＬＣＤがある。ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、ＴＦＴがスイッチングデバイスとして使用される。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＴＦＴ基板を備え、表示品位の点で単純マトリックス型ＬＣＤより優れ、モバイルコンピューター、ノート型パーソナルコンピューター、テレビジョン等のディスプレイ製品において広く用いられる。
【０００４】
ｂ  液晶パネルの基本構造
液晶表示装置は、液晶パネルを備える。液晶パネルは、液晶セル、前面側の偏光板および背面側の偏光板を備える。前面側の偏光板は、液晶セルの前面側の主面に貼り付けられる。背面側の偏光板は、液晶セルの背面側の主面に貼り付けられる。液晶セルは、ＴＦＴ基板、カラーフィルター基板（ＣＦ基板）および液晶層を備える。ＴＦＴ基板は、アレイ状に配列される複数のＴＦＴを備える。ＣＦ基板は、対向基板とも呼ばれ、アレイ状に配列される複数のカラーフィルター等を備える。液晶層は、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に挟持される。
【０００５】
縦電界により液晶を駆動する液晶表示装置に備えられるＴＦＴ基板は、アレイ状に配列される複数の画素電極を備える。縦電界により液晶を駆動する液晶表示装置に備えられるＣＦ基板は、共通電極を備える。複数の画素電極には、画像信号に応じた駆動電圧が印加される。共通電極の電位は、一定の電位である共通電位に固定される。したがって、縦電界により液晶を駆動する液晶表示装置に備えられる液晶層を構成する液晶は、液晶パネルの主面と略垂直をなす方向の電界により駆動される。
【０００６】
ｃ  透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置
液晶表示装置には、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置がある。
【０００７】
透過型液晶表示装置は、液晶パネルに加えてバックライトを備える。バックライトは、液晶パネルの背面側の主面に対向する。バックライトは、光源を備える。光源は、液晶パネルの背面側の主面または液晶パネルの側面に沿って配置される。透過型液晶表示装置においては、光源により放射される光源光が液晶パネルを透過し、液晶パネルを透過した表示光によりカラー画像が表示される。透過型液晶表示装置は、周囲光の強度が強い場合に表示光の強度が周囲光の強度より弱くなり視認性が低下するという問題を有する。すなわち、透過型液晶表示装置は、周囲光の強度が強い場合に視認性を向上するために光源光の強度を強くしなければならず消費電力が大きくなるという問題を有する。
【０００８】
反射型液晶表示装置に備えられる液晶パネルは、基板に設けられる反射板を備える。反射型液晶表示装置においては、周囲光が反射板の表面に反射され、反射板の表面に反射された反射光が液晶パネルを透過し、液晶パネルを透過した表示光によりカラー画像が表示される。反射型液晶表示装置は、周囲光の強度が弱い場合に表示光の強度が弱くなり視認性が低下するという問題を有する。
【０００９】
これらの問題を解決するために、半透過型液晶表示装置が提案されている。半透過型液晶表示装置が有する複数の画素の各々は、光を透過させる透過画素電極および光を反射する反射画素電極を備える。
【００１０】
ｄ  半透過型液晶表示装置に備えられるＴＦＴ基板の構造
以下では、半透過型液晶表示装置に備えられるＴＦＴ基板の第１および第２の構造例が説明される。
【００１１】
第１および第２の構造例のいずれにおいても、ＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板、ゲート配線、第１の絶縁膜およびソース配線を備える。ゲート配線は、透明絶縁性基板の主面上に配置される。第１の絶縁膜は、ゲート配線に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置される。ソース配線は、第１の絶縁膜に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置される。ソース配線は、透明絶縁性基板の主面と垂直をなす方向から平面視された場合にゲート配線と交差するが、第１の絶縁膜によりゲート配線から透明絶縁性基板の主面と垂直をなす方向に隔てられる。
【００１２】
第１および第２の構造例のいずれにおいても、ＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板の主面上にマトリクス状に配列される複数の画素構造を備える。ゲート配線は、複数の画素構造の各々についてゲート電極を備える。ソース配線は、複数の画素構造の各々についてソース電極を備える。ＴＦＴ基板は、複数の画素構造の各々について半導体膜およびドレイン電極をさらに備える。複数の画素構造の各々においては、半導体膜が第１の絶縁膜に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置され第１の絶縁膜を挟んでゲート電極に対向し、ソース電極およびドレイン電極が半導体膜に接触し、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極、半導体膜およびゲート絶縁膜によりスイッチング素子であるＴＦＴが形成される。
【００１３】
第１の構造例においては、ＴＦＴ基板は、層間絶縁膜をさらに備え、複数の画素構造の各々について透過画素電極および反射画素電極をさらに備える。層間絶縁膜は、第２の絶縁膜および有機樹脂膜からなり、ゲート配線、ソース配線、半導体膜およびドレイン電極に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置される。複数の画素構造の各々においては、透過画素電極が層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールを経由してドレイン電極に接触しドレイン電極に電気的に接続される。また、複数の画素構造の各々においては、反射画素電極が透過画素電極に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置される。反射画素電極は、透過画素電極から絶縁膜により隔てられない。透過画素電極は、高い光透過率を有する導電膜である。反射画素電極は、高い光反射率を有する金属膜である。第１の構造例によれば、透過画素電極が配置されるが反射画素電極が配置されない領域が光を透過させる透過領域になり、反射画素電極が配置される領域が光を反射する反射領域になる。
【００１４】
第２の構造例においては、ＴＦＴ基板は、第２の絶縁膜をさらに備え、複数の画素構造の各々について透過画素電極をさらに備える。第２の絶縁膜は、ゲート配線、ソース配線、半導体膜およびドレイン電極に重ねて透明絶縁性基板の主面上に配置される。複数の画素構造の各々においては、ドレイン電極がＴＦＴから離れた位置まで延在し反射画素電極となり、透過画素電極が第２の絶縁膜に形成される開口部を経由して反射画素電極に接触し反射画素電極に電気的に接続される。開口部は、透明絶縁性基板の主面と垂直をなす方向から平面視された場合に反射画素電極と重なる。透過画素電極は、高い透過率を有する導電膜である。反射画素電極は、高い反射率を有する導電膜である。第２の構造例によれば、透過画素電極が配置されるが反射画素電極であるドレイン電極が配置されない領域が光を透過させる透過領域になり、反射画素電極であるドレイン電極が配置される領域が光を反射する反射領域になる。
【００１５】
第２の構造例が採用され第１の絶縁膜および第２の絶縁膜が有機樹脂膜を含まないようにされた場合は、第１の構造例が採用された場合と比較して、半透過型液晶表示装置を製造する工程が簡略化される。特許文献１に記載された技術は、その一例である。以下では、第２の構造例が採用され第１の絶縁膜および第２の絶縁膜が有機樹脂膜を含まないようにされたＴＦＴ基板が有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板と呼ばれる。
【００１６】
ｅ  液晶層の厚さ
半透過型液晶表示装置においては、透過領域における液晶層の厚さが反射領域における液晶層の厚さと異なる構造が採用される場合がある。当該構造は、ＴＦＴ基板に対向するＣＦ基板に段差層を設けることにより実現される。液晶層の厚さは、ＴＦＴ基板の内側主面からＣＦ基板の内側主面までの距離により決まる。
【００１７】
当該構造が採用される場合は、望ましくは、ＴＦＴ基板において透過領域および反射領域がストライプ状に配置され、ＣＦ基板において段差がストライプ状に連続配置される。これにより、半透過型液晶表示装置を製造する工程における工程不良が発生しにくくなり、製造された半透過型液晶表示装置において表示不良が発生しにくくなる。特許文献２に記載された技術は、その一例である。
【００１８】
当該構造は、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板において採用されてもよいし、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板以外の半透過型ＴＦＴ基板において採用されてもよい。
【００１９】
ｆ  走査線および信号線の本数
一般的には、複数の画素構造の各々である各画素構造は、１本の走査線および１本の信号線を有する。１本の走査線は、ゲート配線からなる。１本の信号線は、ソース配線からなる。しかし、各画素構造が２本の走査線を有し各画素構造および当該各画素構造に隣接する画素構造が１本の信号線を共有する場合もある。この場合は、走査線駆動回路の規模が一般的な場合の２倍となるが、信号線駆動回路の規模が通常の場合の１／２倍になる。
【００２０】
一方で、走査線駆動回路の規模は、ＴＦＴのオンおよびオフを順次に行う単純なシフトレジスタ回路が有する規模と同程度であり、比較的に小さい。しかし、信号線駆動回路は、画像を表現するデジタル信号をアナログ信号に変換し一時保持する回路を含むため、信号線駆動回路の規模は、比較的に大きい。したがって、走査線駆動回路の規模は、信号線駆動回路の規模より小さく、走査線駆動回路のコストは、信号線駆動回路のコストより低い。このため、走査線駆動回路の規模が一般的な場合の２倍となり信号線駆動回路の規模が通常の場合の１／２倍になる場合は、信号線駆動回路および走査線駆動回路の全体の規模が一般的な場合より小さくなり、信号線駆動回路および走査線駆動回路の全体のコストが一般的な場合より低くなる。したがって、各画素構造が２本の走査線を有し各画素構造および当該各画素構造に隣接する画素構造が１本の信号線を共有する場合は、液晶表示装置のコストが低下する。特許文献３に記載された技術は、その一例である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２００５−２９２６６０号公報
【特許文献２】特開２００７−２６４３８０号公報
【特許文献３】特開２０１２−１０３３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
液晶表示装置においては、表示性能を左右する開口率を高くし表示性能を向上することが求められる。
【００２３】
有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板は、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板でない半透過型ＴＦＴ基板より低いコストで製造される。しかし、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板には、画素電極と配線等とを重ねることができないという制約がある。このため、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板を備える半透過型液晶表示装置は、表示性能を左右する開口率が低くなりやすいという問題を有する。したがって、有機膜レス半透過型ＴＦＴ基板においては、表示性能を左右する開口率を高くし表示性能を向上することが特に強く求められる。
【００２４】
この問題は、各画素構造が２本の走査線を有し各画素構造および当該各画素構造に隣接する画素構造が１本の信号線を共有する場合に特に顕著になる。また、各画素構造が２本の走査線を有し各画素構造および当該各画素構造に隣接する画素構造が１本の信号線を共有する場合には、表示不具合も発生しやすくなる。
【００２５】
本発明は、この問題を解決するためになされる。本発明が解決しようとする課題は、液晶表示装置の開口率を高くし、液晶表示装置の表示性能を向上することである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
液晶表示装置において、対向基板が液晶層を挟んで薄膜トランジスター基板に対向する。
【００２７】
薄膜トランジスター基板においては、複数の画素構造が基板の主面上にマトリクス状に配列される。複数の画素構造の各々である各画素構造は、矩形状の平面形状を持ち、第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域を有する。第１の反射領域および第２の反射領域は、光を反射する。透過領域は、光を透過させる。第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域は、矩形状の平面形状の長辺方向に配列される。透過領域は、第１の反射領域および第２の反射領域に挟まれる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、画素の一方の端部および他方の端部の付近に薄膜トランジスター基板の第１の反射領域および第２の反射領域がそれぞれ配置される。このため、画素の一方の端部および他方の端部の付近における遮光が薄膜トランジスター基板において第１の反射領域および第２の反射領域によりそれぞれ行われ、画素の一方の端部および他方の端部の付近における遮光を対向基板において行うことが不要になり、画素の一方の端部および他方の端部の付近における遮光を行うブラックマトリクスが占める面積が減少する。したがって、液晶表示装置の開口率が高くなり、液晶表示装置の表示性能が向上する。
【００２９】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施の形態１の液晶表示装置を図示する断面図である。
【図２】実施の形態１の液晶表示装置に備えられる薄膜トランジスター基板等を図示する平面図である。
【図３】実施の形態１の液晶表示装置に備えられる画素構造を図示する平面図である。
【図４】実施の形態１の液晶表示装置に備えられる画素構造を図示する断面図である。
【図５】実施の形態２の画素構造を図示する平面図である。
【図６】実施の形態２の画素構造を図示する断面図である。
【図７】実施の形態３の画素構造を図示する平面図である。
【図８】実施の形態３の画素構造を図示する断面図である。
【図９】実施の形態４の画素構造を図示する平面図である。
【図１０】実施の形態５の画素構造を図示する断面図である。
【図１１】実施の形態６の画素構造を図示する平面図である。
【図１２】実施の形態６の画素構造を図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
１  実施の形態１
１．１  液晶表示装置
図１の模式図は、実施の形態１の液晶表示装置を図示する断面図である。
【００３２】
図１に図示される液晶表示装置１０００は、半透過型液晶表示装置であり、液晶パネル１０２０およびバックライト１０２１を備える。液晶表示装置１０００がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００３３】
バックライト１０２１は、液晶パネル１０２０の一方の主面１０４０に対向する。
【００３４】
液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、バックライト１０２１が光源光を発する。発せられた光源光は、液晶パネル１０２０の一方の主面１０４０に入射し、液晶パネル１０２０の一方の主面１０４０に入射した後に液晶パネル１０２０を透過し、液晶パネル１０２０を透過した後に液晶パネル１０２０の他方の主面１０４１から出射する。また、周囲光が、液晶パネル１０２０の他方の主面１０４１に入射し、液晶パネル１０２０の他方の主面１０４１に入射した後に液晶パネル１０２０の内部において反射され、液晶パネル１０２０の内部において反射された後に液晶パネル１０２０の他方の主面１０４１から出射する。光源光および周囲光の一方のみが液晶パネル１０２０に入射する場合もある。
【００３５】
また、液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、液晶表示装置１０００に画像信号が入力され、入力された画像信号に応じて液晶パネル１０２０の光透過率が制御される。
【００３６】
これらにより、入力された画像信号に応じた画像が液晶パネル１０２０の他方の主面１０４１に表示される。
【００３７】
１．２  液晶パネル
液晶パネル１０２０は、図１に図示されるように、偏光板１０６０、薄膜トランジスター基板（ＴＦＴ基板）１０６１、液晶層１０６２、対向基板１０６３および偏光板１０６４を備える。
【００３８】
対向基板１０６３は、カラーフィルター基板（ＣＦ基板）とも呼ばれ、液晶層１０６２を挟んでＴＦＴ基板１０６１に対向する。偏光板１０６０は、ＴＦＴ基板１０６１の外側主面１０８０に貼り付けられる。偏光板１０６４は、ＣＦ基板１０６３の外側主面１１００に貼り付けられる。
【００３９】
液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、光源光が、偏光板１０６０、ＴＦＴ基板１０６１、液晶層１０６２、ＣＦ基板１０６３および偏光板１０６４を順次に透過する。また、周囲光が、偏光板１０６４、ＣＦ基板１０６３および液晶層１０６２を順次に透過し、偏光板１０６４、ＣＦ基板１０６３および液晶層１０６２を順次に透過した後にＴＦＴ基板１０６１に反射され、ＴＦＴ基板１０６１に反射された後に液晶層１０６２、ＣＦ基板１０６３および偏光板１０６４を順次に透過する。
【００４０】
また、液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、液晶表示装置１０００に入力された画像信号に応じて液晶層１０６２に印加される電界が制御され、印加される電界に応じて液晶層１０６２を構成する液晶分子が水平方向に駆動され液晶層１０６２の配向状態が制御され、液晶層１０６２の配向状態に応じて液晶層１０６２を透過した光の偏光状態が制御され、光の偏光状態に応じて液晶パネル１０２０の光透過率が制御される。これにより、入力された画像信号に応じて液晶パネル１０２０の光透過率が制御される。
【００４１】
１．３  ＴＦＴ基板
図２の模式図は、実施の形態１の液晶表示装置に備えられるＴＦＴ基板等を図示する平面図である。
【００４２】
液晶表示装置１０００は、図２に図示されるように、ＴＦＴ基板１０６１に加えて、複数の集積回路チップ（ＩＣチップ）１１２０およびプリント基板１１２１を備える。ＴＦＴ基板１０６１は、ガラス基板１１４０、複数の信号線１１４１、複数の走査線１１４２、複数の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１１４３、複数の共通配線１１４４、複数の外部配線１１４５、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７を備える。ＴＦＴ基板１０６１は、これらの構成物に加えて、図示されない配向膜を備える。図２には、複数のＴＦＴ１１４３に含まれる１個のＴＦＴ１１４３のみが図示され、複数の端子電極１１４６に含まれる１個の端子電極１１４６のみが図示され、複数の端子電極１１４７に含まれる１個の端子電極１１４７のみが図示される。
【００４３】
ガラス基板１１４０は、ガラスからなる透明絶縁性基板である。ガラス基板１１４０がガラス以外からなる透明絶縁性基板に置き換えられてもよい。
【００４４】
複数の信号線１１４１、複数の走査線１１４２、複数のＴＦＴ１１４３、複数の共通配線１１４４、複数の外部配線１１４５、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７は、ガラス基板１１４０の主面上に配置される。複数の信号線１１４１、複数の走査線１１４２、複数のＴＦＴ１１４３および複数の共通配線１１４４は、表示領域１１６０に配置される。複数の外部配線１１４５、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７は、額縁領域１１６１に配置される。
【００４５】
表示領域１１６０は、画像が表示される矩形状の平面形状を有する領域である。額縁領域１１６１は、表示領域１１６０に隣接し表示領域１１６０を囲む額縁状の平面形状を有する領域である。矩形状の平面形状を有する表示領域１１６０が矩形状以外の平面形状を有する表示領域に置き換えられてもよい。額縁状の平面形状を有する額縁領域１１６１が額縁状以外の平面形状を有する領域に置き換えられてもよく、表示領域１１６０に隣接し表示領域１１６０を囲む額縁領域１１６１が表示領域１１６０に隣接するが表示領域１１６０を囲まない領域に置き換えられてもよい。
【００４６】
液晶層１０６２および配向膜は、表示領域１１６０に配置される。液晶層１０６２および配向膜が表示領域１１６０からはみ出してもよい。
【００４７】
複数の信号線１１４１の各々は、線状であり、方向Ｙに延在する。複数の信号線１１４１は、方向Ｙと垂直をなす方向Ｘに配列される。複数の走査線１１４２の各々は、線状であり、方向Ｘに延在する。複数の走査線１１４２は、方向Ｙに配列される。複数の走査線１１４２の各々は、ガラス基板１１４０の主面と垂直をなす方向から平面視された場合に複数の信号線１１４１の各々と交差する。
【００４８】
複数の信号線１１４１に含まれる隣接する２個の信号線１１４１および複数の走査線１１４２に含まれる隣接する２個の走査線１１４２に囲まれる画素領域１１８０には、画素が形成される。したがって、液晶パネル１０２０は、マトリクス状に配列される複数の画素を有する。複数のＴＦＴ１１４３は、複数の画素にそれぞれ対応し、マトリクス状に配列される。
【００４９】
複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７は、外部接続用の端子である。複数の端子電極１１４７は、複数の端子電極１１４６よりもＴＦＴ基板１０６１の端部寄りに配置される。複数の端子電極１１４６の表面には、バンプ、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の接続媒体を介して複数のＩＣチップ１１２０の端子が接続される。これにより、複数の端子電極１１４６には、複数のＩＣチップ１１２０が電気的に接続される。複数のＩＣチップ１１２０が他の外部部材に置き換えられてもよい。複数の端子電極１１４７の表面には、同様の接続媒体を介してプリント基板１１２１が接続される。これにより、複数の端子電極１１４７には、プリント基板１１２１が電気的に接続される。プリント基板１１２１が他の外部部材に置き換えられてもよい。
【００５０】
複数の外部配線１１４５は、額縁領域１１６１に配置される複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７から表示領域１１６０に配置される複数の信号線１１４１および複数の走査線１１４２まで延在し、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７を複数の信号線１１４１および複数の走査線１１４２に電気的に接続する。複数の外部配線１１４５の少なくとも一部は、複数のＩＣチップ１１２０が配置される領域を通過し、複数のＩＣチップ１１２０が配置される領域からＴＦＴ基板１０６１の端部に向かって延在し、複数の端子電極１１４７に至る。
【００５１】
複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７は、複数の外部配線１１４５の端部に電気的に接続され、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７がない場合に複数の外部配線１１４５により提供される接続面積よりも大きな接続面積を提供する。
【００５２】
液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、液晶表示装置１０００に入力された画像信号がプリント基板１１２１を経由して複数の端子電極１１４７に入力され、入力された画像信号を反映する駆動電圧が複数の外部配線１１４５により複数の信号線１１４１および複数の走査線１１４２に伝達され、伝達された駆動電圧に応じて液晶層１０６２に印加される電界が制御される。これにより、入力された画像信号に応じて液晶層１０６２に印加される電界が制御される。伝達される駆動電圧は、ＩＣチップ１１２０により制御される。
【００５３】
１．４  画素構造
液晶パネル１０２０は、マトリクス状に配列される複数の画素を有する。このため、ＴＦＴ基板１０６１は、マトリクス状に配列される複数の画素をそれぞれ構成する複数の画素構造を備える。ＴＦＴ基板１０６１に備えられる複数の画素構造は、ガラス基板１１４０の主面上にマトリクス状に配列される。また、ＣＦ基板１０６３は、複数の画素をそれぞれ構成する複数の画素構造を備える。ＣＦ基板１０６３に備えられる複数の画素構造は、ＣＦ基板１０６３に備えられるガラス基板の主面上にマトリクス状に配列される。
【００５４】
１．５  第１の反射領域、透過領域および第２の反射領域の配置
図３の模式図は、実施の形態１の液晶表示装置に備えられる画素構造を図示する平面図である。図４の模式図は、実施の形態１の液晶表示装置に備えられる画素構造を図示する断面図である。図４は、図３に図示される切断線Ａ−Ａの位置における断面を図示する。図３および４においては、ＴＦＴ基板１０６１に備えられる配向膜の図示が省略され、ＣＦ基板１０６３に備えられる配向膜および色材の図示が省略される。
【００５５】
図３および４の各々に図示される画素構造１２００は、ＴＦＴ基板１０６１に備えられる複数の画素構造の各々であり、矩形状の平面形状を持ち、開口部１２２０を有する。開口部１２２０は、画像の表示に使用され、第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２を有する。第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２は、光を反射する。透過領域１２４１は、光を透過させる。第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２が透過領域１２４１と共存することにより、液晶表示装置１０００が半透過型液晶表示装置になる。
【００５６】
画素の一方の端部および他方の端部がそれぞれ配置される平面位置１２６０および１２６１の付近においては、入力された画像信号を反映する電界が液晶層１０６２に印加されない。このため、光源光が液晶層１０６２を透過する場合に光源光が平面位置１２６０および１２６１の付近を通過したときは、画像が適切に表示されない。このように画像の適切な表示を阻害する光は、迷光と呼ばれる。液晶表示装置１０００においては、迷光の発生を抑制するために、平面位置１２６０および１２６１の付近において遮光が行われる。
【００５７】
第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２は、矩形状の平面形状の長辺方向である方向Ｙに配列される。反射領域は、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２に２分割され、透過領域１２４１は、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２に挟まれる。このため、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２は、平面位置１２６０および１２６１の付近にそれぞれ配置される。したがって、平面位置１２６０および１２６１の付近における遮光が、ＴＦＴ基板１０６１において第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２によりそれぞれ行われる。すなわち、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２は、迷光が発生しないようにするためにＣＦ基板１０６３に備えられるブラックマトリクス１３８０の機能と同様の機能を有する。このことは、平面位置１２６０および１２６１の付近における遮光をＣＦ基板１０６３において行う必要性を減らし、平面位置１２６０および１２６１の付近における遮光を行うブラックマトリックス１３８０が占める面積を減少させ、開口部１２２０を小さくする原因となるブラックマトリックス１３８０が占める面積を減少させることに寄与する。これにより、平面位置１２６１の付近に透過領域が配置される場合と比較して、開口部１２２０が大きくなり、液晶表示装置１０００の開口率が高くなり、液晶表示装置１０００の表示性能が向上する。
【００５８】
第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２は、透過領域１２４１から連続する。このため、第１の反射領域１２４０と透過領域１２４１との境界が配置される平面位置１２６２および第２の反射領域１２４２と透過領域１２４１との境界が配置される平面位置１２６３の付近においては、入力された画像信号を反映する電界が液晶層１０６２に印加される。したがって、平面位置１２６２および１２６３の付近においては迷光が発生しない。
【００５９】
１．６  ＴＦＴ基板の構成物の配置
画素構造１２００は、図３および４に図示されるように、ゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、反射電極１２８６、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８を備える。画素構造１２００がこれらの構成物以外の構成物を備えてもよい。
【００６０】
ゲート電極１２８０、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５は、ＴＦＴ１１４３を構成する。方向Ｙに配列される複数の画素構造１２００にそれぞれ備えられる複数のソース電極１２８４は、互いに電気的に接続され、方向Ｙに配列される複数の画素構造１２００に渡って配置される１本の信号線１１４１を構成する。方向Ｘに配列される複数の画素構造１２００にそれぞれ備えられる複数のゲート電極１２８０は、互いに電気的に接続され、方向Ｘに配列される複数の画素構造１２００に渡って配置される１本の走査線１１４２を構成する。これにより、複数のＴＦＴ１１４３は、複数の信号線１１４１、複数の走査線１１４２および複数の外部配線１１４５に電気的に接続され、複数の端子電極１１４６および複数の端子電極１１４７は、複数の信号線１１４１、複数の走査線１１４２および複数の外部配線１１４５により複数のＴＦＴ１１４３に電気的に接続される。方向Ｘに配列される複数の画素構造１２００にそれぞれ備えられる複数の共通電極１２８１は、互いに電気的に接続され、方向Ｘに配列される複数の画素構造１２００に渡って配置される１本の共通配線１１４４を構成する。また、複数の共通配線１１４４は、互いに電気的接続される。これにより、マトリクス状に配列される複数の画素構造１２００にそれぞれ備えらえる複数の共通電極１２８１は、互いに電気的に接続される。
【００６１】
ゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、反射電極１２８６、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８は、表示領域１１６０に配置される。ＴＦＴ１１４３は、画素電極１２８８の下に配置される。
【００６２】
ゲート電極１２８０および共通電極１２８１は、ガラス基板１１４０の主面１３００上に配置される。共通電極１２８１は、ゲート電極１２８０と同一層に配置されるため、ゲート電極１２８０と同時に形成される。ゲート電極１２８０は、ＴＦＴ１１４３が配置される領域に配置される。共通電極１２８１は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合にゲート電極１２８０と重ならず、ガラス基板１１４０の主面１３００と平行をなす方向にゲート電極１２８０から離される。これにより、共通電極１２８１は、ゲート電極１２８０から絶縁される。
【００６３】
ゲート絶縁膜１２８２は、ゲート電極１２８０および共通電極１２８１に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置され、ゲート電極１２８０および共通電極１２８１の全体を覆う。ゲート絶縁膜１２８２により、ゲート絶縁膜１２８２の上に配置される半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６がゲート電極１２８０および共通電極１２８１から絶縁される。
【００６４】
半導体膜１２８３は、ゲート絶縁膜１２８２に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置される。半導体膜１２８３は、島状であり、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合にゲート電極１２８０と重なり、ゲート絶縁膜１２８２を挟んでゲート電極１２８０に対向する。半導体膜１２８３は、チャネル領域１３２０、ソース領域１３２１およびドレイン領域１３２２を有する。ソース領域１３２１およびドレイン領域１３２２は、チャネル領域１３２０を挟む。
【００６５】
ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５は、ゲート絶縁膜１２８２および半導体膜１２８３に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置される。反射電極１２８６は、ゲート絶縁膜１２８２に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置される。反射電極１２８６は、ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５と同一層に配置されるため、ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５と同時に形成される。ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５は、半導体膜１２８３のソース領域１３２１およびドレイン領域１３２２にそれぞれ接触する。反射電極１２８６は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合にソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５と重ならず、ソース電極１２８４およびドレイン電極１２８５からガラス基板１１４０の主面１３００と平行をなす方向に離される。
【００６６】
層間絶縁膜１２８７は、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置され、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６を覆う。これにより、ＴＦＴ１１４３の上に層間絶縁膜１２８７が配置される。
【００６７】
画素電極１２８８は、層間絶縁膜１２８７に重ねてガラス基板１１４０の主面１３００上に配置される。画素電極１２８８は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合にドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と重なる。画素電極１２８８は、層間絶縁膜１２８７に形成されるコンタクトホール１３４０を経由してドレイン電極１２８５に接触し、層間絶縁膜１２８７に形成されるコンタクトホール１３４１を経由して反射電極１２８６に接触する。これにより、画素電極１２８８は、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６に電気的に接続される。したがって、画素電極１２８８の電位は、ドレイン電極１２８５の電位および反射電極１２８６の電位と同じになる。コンタクトホール１３４０は、画素電極１２８８とドレイン電極１２８５とが接触する画素コンタクトを可能にし、コンタクトホール１３４１は、画素電極１２８８と反射電極１２８６とが接触する画素コンタクトを可能にする。
【００６８】
ドレイン電極１２８５は、第１の反射領域１２４０に配置される。反射電極１２８６は、第２の反射領域１２４２に配置される。しかし、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６は、透過領域１２４１に配置されない。
【００６９】
画素電極１２８８は、開口部１２２０に配置される。したがって、画素電極１２８８は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に開口部１２２０において後述する対向電極１３８２と重なる。
【００７０】
１．７  ＣＦ基板の構成物の配置
図４に図示される画素構造１３６０は、ＣＦ基板１０６３に備えられる複数の画素構造の各々であり、ブラックマトリクス１３８０、段差層１３８１および対向電極１３８２を備える。
【００７１】
ＣＦ基板１０６３に備えられるガラス基板１４００は、ガラスからなる透明絶縁性基板である。ガラス基板１４００がガラス以外からなる透明絶縁性基板に置き換えられてもよい。
【００７２】
ブラックマトリクス１３８０は、ガラス基板１４００の主面１４２０上に配置される。ブラックマトリクス１３８０には、開口部１４４０が形成される。開口部１４４０は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に開口部１２２０と重なる。したがって、ブラックマトリクス１３８０は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に非開口部１２４４と重なる。
【００７３】
段差層１３８１は、ブラックマトリクス１３８０に重ねてガラス基板１４００の主面１４２０上に配置される。段差層１３８１は、第１の反射領域１２４０、第２の反射領域１２４２および非開口部１２４４に配置されるが、透過領域１２４１には配置されない。これにより、透過領域１２４１におけるＴＦＴ基板１０６１の内側主面１４６０とＣＦ基板１０６３の内側主面１４８０との間の間隙が、第１の反射領域１２４０、第２の反射領域１２４２および非開口部１２４４におけるＴＦＴ基板１０６１の内側主面１４６０とＣＦ基板１０６３の内側主面１４８０との間の間隙より広くなり、透過領域１２４１における液晶層１０６２の厚さが、第１の反射領域１２４０、第２の反射領域１２４２および透過領域１２４１における液晶層１０６２の厚さより厚くなり、液晶表示装置１０００の表示性能が向上する。例えば、透過領域１２４１における液晶層１０６２の厚さは４．０μｍであり、第１の反射領域１２４０、第２の反射領域１２４２および非開口部１２４４における液晶層１０６２の厚さは２．０μｍである。ＣＦ基板１０６３に備えられる段差層１３８１による段差の形成は、ＴＦＴ基板１０６１に備えられる無機材料からなるゲート絶縁膜１２８２、層間絶縁膜１２８７等の絶縁膜およびゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５等の金属膜による段差の形成よりも容易である。例えば、透過領域１２４１における液晶層１０６２の厚さが４．０μｍであり第１の反射領域１２４０、第２の反射領域１２４２および非開口部１２４４における液晶層１０６２の厚さが２．０μｍである場合に必要になる２．０μｍの段差は、ＣＦ基板１０６３に備えられる段差層１３８１により形成することは容易であるが、ＴＦＴ基板１０６１に備えられる絶縁膜および金属膜により形成することは容易でない。
【００７４】
方向Ｘに配列される複数の画素構造１３６０にそれぞれ備えられる複数の段差層１３８１により形成される溝１５００は、方向Ｘに直線的に配列され、方向Ｘに延在する１本の溝を構成する。このため、マトリクス状に配列される複数の段差層１３８１は、ストライプ状となる。
【００７５】
対向電極１３８２は、段差層１３８１に重ねてガラス基板１４００の主面１４２０上に配置される。マトリクス状に配列される複数の画素構造１３６０にそれぞれ備えられる複数の対向電極１３８２は、互いに電気的に接続される。
【００７６】
１．８  画素の透過率の制御
ＴＦＴ１１４３は、ゲート電極１２８０に印加される駆動電圧がオンレベルである場合にソース電極１２８４とドレイン電極１２８５との間が導通状態になりゲート電極１２８０に印加される駆動電圧がオフレベルである場合にソース電極１２８４とドレイン電極１２８５との間が非導通状態になるスイッチングデバイスであり、液晶表示装置１０００に入力された画像信号に応じた駆動電圧を画素電極１２８８に選択的に印加するために使用される。ＴＦＴ１１４３により、液晶表示装置１０００がアクティブマトリックス型の液晶表示装置になる。
【００７７】
液晶表示装置１０００が画像を表示する場合は、液晶表示装置１０００に入力された画像信号に応じた駆動電圧が走査線１１４２によりゲート電極１２８０に伝達され、液晶表示装置１０００に入力された画像信号に応じた駆動電圧が信号線１１４１によりソース電極１２８４に伝達される。ＴＦＴ１１４３は、ゲート電極１２８０に伝達された駆動電圧がオンレベルである場合に、ソース電極１２８４に伝達された駆動電圧をドレイン電極１２８５に伝達する。これにより、入力された画像信号に応じた駆動電圧がドレイン電極１２８５に電気的に接続される画素電極１２８８に伝達され、入力された画像信号に応じて画素電極１２８８と対向電極１３８２との間の電圧差が制御され、電圧差に応じて画素電極１２８８と対向電極１３８２との間の間隙１５２０にある液晶分子に印加される電界が制御され、印加される電界に応じて間隙１５２０を透過した後の光の偏光状態が制御され、偏光状態に応じて画素の光透過率が制御される。これにより、入力された画像信号に応じて画素の光透過率が制御される。
【００７８】
複数の画素の各々の光透過率がこのように制御されることにより、液晶表示装置１０００には画像が表示される。
【００７９】
１．９  ＴＦＴ基板の構成物の材料
ゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の各々は、導電材料からなり、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）およびチタン（Ｔｉ）から選択される金属または当該金属を主成分とする合金からなる。
【００８０】
ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の各々は、光を反射する電極であり、反射画素電極ともなり、高い光反射率を有する導電材料からなり、望ましくはアルミニウム、銀、アルミニウムを主成分とする合金または銀を主成分とする合金からなる。
【００８１】
ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の各々が複数の層を備える積層体であってもよい。当該積層体においては、複数の層に含まれる最上層が高い光反射率を有する導電材料からなり複数の層に含まれる最上層以外の層が低い光反射率を有する導電材料からなることも許される。
【００８２】
画素電極１２８８は、光を透過させる電極であり、透過画素電極ともなり、高い光透過率を有する導電材料からなり、例えば酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる。
【００８３】
ゲート絶縁膜１２８２および層間絶縁膜１２８７の各々は、光を透過させる絶縁膜であり、絶縁材料からなり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる。
【００８４】
ゲート絶縁膜１２８２および層間絶縁膜１２８７の各々が複数の膜を備える積層膜であってもよい。例えば、ゲート絶縁膜１２８２および層間絶縁膜１２８７の各々が酸化シリコン膜および窒化シリコン膜からなる積層膜であってもよい。
【００８５】
層間絶縁膜１２８７は、望ましくは無機材料からなる無機絶縁膜である。一般的に言って層間絶縁膜１２８７を構成しうる無機材料は層間絶縁膜１２８７を構成しうる有機材料より安価であるため、層間絶縁膜１２８７が無機材料からなる場合は、液晶表示装置１０００の製造コストが低下する。ただし、液晶表示装置１０００の製造コストの上昇が許容される範囲に収まる場合は、層間絶縁膜１２８７が有機材料からなることも許される。
【００８６】
半導体膜１２８３は、半導体材料からなり、例えばアモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物半導体からなる。
【００８７】
１．１０  画素電極とドレイン電極／反射電極との重なり
画素電極１２８８は、図３および４に図示されるように、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と重なり、望ましくはドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の実質的に全体と重なり、さらに望ましくはドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の全体と重なる。これにより、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６が画素電極１２８８を挟まずに対向電極１３８２に直接的に対向することが抑制され、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と対向電極１３８２とに挟まれる層間絶縁膜１２８７が存在することに起因して液晶層１０６２に印加される電界が低下することが抑制され、電界の低下に起因して液晶表示装置１０００の表示特性が変化することが抑制される。また、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と対向電極１３８２とに挟まれる層間絶縁膜１２８７が存在することに起因して層間絶縁膜１２８７の一方の主面１５４０上および他方の主面１５４１上に電荷が残存することが抑制され、電荷の残存に起因して残像現象等の表示不具合が発生することが抑制される。逆に、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６が画素電極１２８８を挟まずに対向電極１３８２に直接的に対向する場合は、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と対向電極１３８２との間に電圧差が生じた場合に、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と対向電極１３８２とに挟まれる層間絶縁膜１２８７に電界が印加され、液晶層１０６２に印加される電界が低下し、層間絶縁膜１２８７の一方の主面１５４０上および他方の主面１５４１上に電荷が残存する。ただし、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６のわずかな部分が画素電極１２８８と重ならないにすぎない場合は、顕著な表示不具合は発生しない。このため、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６のわずかな部分が画素電極１２８８と重ならないことは許容される。したがって、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６の少なくとも一方が、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に画素電極１２８８と重ならない部分１５６０を備えてもよい。
【００８８】
１．１１  補助容量の形成
共通電極１２８１は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合にドレイン電極１２８５および反射電極１２８６と重なる。このため、共通電極１２８１は、ドレイン電極１２８５との間に補助容量を形成する補助容量電極であり、反射電極１２８６との間に補助容量を形成する補助容量電極である。共通電極１２８１とドレイン電極１２８５との間に形成される補助容量は、共通電極１２８１とドレイン電極１２８５との重なりが占める面積およびゲート絶縁膜１２８２の膜厚により調整される。共通電極１２８１と反射電極１２８６との間に形成される補助容量は、共通電極１２８１と反射電極１２８６との重なりが占める面積およびゲート絶縁膜１２８２の膜厚により調整される。
【００８９】
液晶層１０６２の電気抵抗が低く画素電極１２８８と対向電極１３８２との間の電圧差を維持しにくい場合は、共通電極１２８１とドレイン電極１２８５との間に形成される補助容量および共通電極１２８１と反射電極１２８６との間に形成される補助容量が大きくされる。これにより、画素電極１２８８と対向電極１３８２との間の電圧差を維持する能力を示す電圧保持特性が向上し、液晶表示装置１０００の表示特性が向上する。
【００９０】
１．１２  共通電極の平面形状
共通電極１２８１は、図３に図示されるように、第１の部分１５８０、第２の部分１５８１および第３の部分１５８２を備える。第１の部分１５８０、第２の部分１５８１および第３の部分１５８２は、方向Ｘに配列される。
【００９１】
第１の部分１５８０は、ソース電極１２８４の方向Ｙに延在する線状部１７００に沿い、第２の部分１５８１とソース電極１２８４の線状部１７００との間に配置される。第１の部分１５８０からゲート電極１２８０までの距離は、第２の部分１５８１からゲート電極１２８０までの距離より短い。
【００９２】
第３の部分１５８２は、画素構造１２００に隣接する画素構造に備えられるソース電極１２８４の線状部１７００に沿い、第２の部分１５８１と画素構造１２００に隣接する画素構造に備えられるソース電極１２８４の線状部１７００との間に配置される。第３の部分１５８２からゲート電極１２８０までの距離は、第２の部分１５８１からゲート電極１２８０までの距離より短い。
【００９３】
これにより、ソース電極１２８４の線状部１７００の付近においては共通電極１２８１がゲート電極１２８０に近づけられるため、ソース電極１２８４の線状部１７００の付近における光漏れが共通電極１２８１により抑制される。また、ソース電極１２８４の線状部１７００の付近以外においては共通電極１２８１がゲート電極１２８０から遠ざけられるため、共通電極１２８１がゲート電極１２８０と短絡する短絡不良の発生が抑制される。短絡不良の発生の抑制は、液晶表示装置１０００の製造に必要な工程を減らすために共通電極１２８１がゲート電極１２８０と同時に形成される場合に特に重要である。共通電極１２８１がゲート電極１２８０と同時に形成される場合は、共通電極１２８１がゲート電極１２８０に近づく部分が多くなったときに短絡不良の発生の危険性が高くなるためである。
【００９４】
共通電極１２８１の中央部には、くりぬき部１６００が形成される。くりぬき部１６００は、透過領域１２４１に形成される。これにより、透過領域１２４１の開口率が向上する。
【００９５】
共通電極１２８１は、縦方向に配列される２個の「Ｈ」の文字を結合した結合文字と同様の平面形状を有する。
【００９６】
１．１３  共通電極と境界との関係
画素構造１２００および画素構造１２００に隣接する一方の画素構造は、図３および４に図示されるように、方向Ｙに延在する境界１６２０を有する。第３の部分１５８２は、境界１６２０に沿って延在し、境界１６２０に接触する。これにより、境界１６２０の付近における遮光がＴＦＴ基板１０６１において第３の部分１５８２により行われ、方向Ｘについて開口率が向上する。第３の部分１５８２は、境界１６２０のうちのゲート電極１２８０に接触しない区間の主要部に接触するが、ゲート電極１２８０から離される。
【００９７】
画素構造１２００および画素構造１２００に隣接する他方の画素構造は、方向Ｙに延在する境界１６２１を有する。共通電極１２８１が、境界１６２１に沿って延在し境界１６２１に接触する部分１７２０をソース電極１２８４の下に備えてもよい。これにより、境界１６２１の付近における遮光がＴＦＴ基板１０６１において当該部分１７２０により行われ、方向Ｘについて開口率が向上する。当該部分１７２０は、望ましくは境界１６２１のうちのゲート電極１２８０に接触しない区間の主要部分に接触するが、ゲート電極１２８０から離される。
【００９８】
１．１４  半導体膜、ソース電極、ドレイン電極および反射電極が形成されるタイミング
半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６は、互いに独立して形成される。
【００９９】
半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６が互いに独立して形成されないことも許容される。半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６が互いに独立して形成されない場合は、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５および反射電極１２８６は、連続形成工程の後に、フォトレジストの仕上がり膜厚が２段階になるようなプロセスを用いて１回の写真製版工程で形成される。
【０１００】
２  実施の形態２
実施の形態２は、実施の形態１の液晶表示装置１０００に備えられる画素構造１２００を置き換える画素構造に関する。
【０１０１】
実施の形態１と実施の形態２との主要な相違は、実施の形態１においては、ゲート電極１２８０と重ならない反射電極１２８６のみが各画素構造１２００に設けられるが、実施の形態２においては、ゲート電極と重ならない反射電極およびゲート電極と重なる反射電極が各画素構造に設けられ、各画素構造に隣接する画素構造に設けられるゲート電極と重なる反射電極が各画素構造に設けられるゲート電極と重ならない反射電極から連続する点にある。
【０１０２】
上記の主要な相違をもたらす構成の採用を阻害しない範囲内において他の実施の形態において採用される構成が実施の形態２において採用されてもよい。
【０１０３】
図５の模式図は、実施の形態２の画素構造を図示する平面図である。図６の模式図は、実施の形態２の画素構造を図示する断面図である。図６は、図５に図示される切断線Ｂ−Ｂの位置における断面を図示する。図５および６においては、ＴＦＴ基板に備えられる配向膜の図示が省略され、ＣＦ基板に備えられる配向膜および色材の図示が省略される。
【０１０４】
図５および６に図示される実施の形態２の画素構造２２００は、開口部２２２０を有する。開口部２２２０は、第１の反射領域２２４０、透過領域２２４１および第２の反射領域２２４２を有する。開口部２２２０、第１の反射領域２２４０、透過領域２２４１および第２の反射領域２２４２は、それぞれ画素構造１２００が有する開口部１２２０、第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１０５】
画素構造２２００は、図５および６に図示されるように、ゲート電極２２８０、共通電極２２８１、ゲート絶縁膜２２８２、半導体膜２２８３、ソース電極２２８４、ドレイン電極２２８５、反射電極２２８６、層間絶縁膜２２８７および画素電極２２８８を備える。ゲート電極２２８０、共通電極２２８１、ゲート絶縁膜２２８２、半導体膜２２８３、ソース電極２２８４、ドレイン電極２２８５、反射電極２２８６、層間絶縁膜２２８７および画素電極２２８８は、それぞれ画素構造１２００に備えられるゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、反射電極１２８６、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１０６】
実施の形態２においては、図５および６に図示されるように、開口部２２２０が第３の反射領域２２４３をさらに有し、画素構造２２００が反射電極２２８９をさらに備える。反射電極２２８９は、第３の反射領域２２４３に配置され、ガラス基板２１４０の主面２３００と垂直をなす方向から平面視された場合にゲート電極２２８０と重なる。画素構造２２００に隣接する画素構造２２０１に備えられる反射電極２２８９は、画素構造２２００に備えられる反射電極２２８６から連続する。画素構造２２００に隣接する画素構造２２０１が有する第３の反射領域２２４３は、画素構造２２００が有する第２の反射領域２４２から連続する。
【０１０７】
図６に図示される断面においては、画素電極２２８８はゲート電極２２８０と重ならない。しかし、画素電極２２８８が、図６に図示される断面においてゲート電極２２８０と重なる画素電極に置き換えられてもよい。
【０１０８】
実施の形態２によれば、実施の形態１と同様に、液晶表示装置の開口率が高くなり、液晶表示装置の表示性能が向上する。
【０１０９】
また、実施の形態２によれば、開口部２２２０が第１の反射領域２２４０、透過領域２２４１および第２の反射領域２２４２に加えて第３の反射領域２２４３を有し、反射領域が占める面積が増加する。
【０１１０】
さらに、実施の形態２によれば、反射電極２２８９がガラス基板２１４０の主面２３００と垂直をなす方向から平面視された場合にゲート電極２２８０と重なり、反射電極２２８９とゲート電極２２８０との間に補助容量が形成され、補助容量が大きくなる。
【０１１１】
３  実施の形態３
実施の形態３は、実施の形態１の液晶表示装置１０００に備えられる画素構造１２００を置き換える画素構造に関する。
【０１１２】
実施の形態１と実施の形態３との主要な相違は、実施の形態１においては、第２の反射領域１２４２において反射電極１２８６により光が反射されるが、実施の形態３においては、第２の反射領域において共通電極により光が反射される点にある。
【０１１３】
上記の主要な相違をもたらす構成の採用を阻害しない範囲内において他の実施の形態において採用される構成が実施の形態３において採用されてもよい。
【０１１４】
図７の模式図は、実施の形態３の画素構造を図示する平面図である。図８の模式図は、実施の形態３の画素構造を図示する断面図である。図８は、図７に図示される切断線Ｃ−Ｃの位置における断面を図示する。図７および８においては、ＴＦＴ基板に備えられる配向膜の図示が省略され、ＣＦ基板に備えられる配向膜および色材の図示が省略される。
【０１１５】
図７および８の各々に図示される実施の形態３の画素構造３２００は、開口部３２２０を有する。開口部３２２０は、第１の反射領域３２４０、透過領域３２４１および第２の反射領域３２４２を有する。開口部３２２０、第１の反射領域３２４０、透過領域３２４１および第２の反射領域３２４２は、それぞれ画素構造１２００が有する開口部１２２０、第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１１６】
画素構造３２００は、図７および８に図示されるように、ゲート電極３２８０、共通電極３２８１、ゲート絶縁膜３２８２、半導体膜３２８３、ソース電極３２８４、ドレイン電極３２８５、層間絶縁膜３２８７および画素電極３２８８を備える。ゲート電極３２８０、共通電極３２８１、ゲート絶縁膜３２８２、半導体膜３２８３、ソース電極３２８４、ドレイン電極３２８５、層間絶縁膜３２８７および画素電極３２８８は、それぞれ画素構造１２００に備えられるゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１１７】
実施の形態３においては、図７および８に図示されるように、画素構造３２００が反射電極１２８６に相当する反射電極を備えず、層間絶縁膜３２８７にコンタクトホール１３４１に相当するコンタクトホールが形成されず、共通電極３２８１が第２の反射領域３２４２に配置され光を反射する電極になる。したがって、共通電極３２８１は、反射電極１２８６と同様の機能を有する。共通電極３２８１と画素電極３２８８との間には、補助容量が形成される。
【０１１８】
共通電極３２８１は、光を反射する電極であり、反射画素電極ともなり、高い光反射率を有する導電材料からなり、望ましくはアルミニウム、銀、アルミニウムを主成分とする合金または銀を主成分とする合金からなる。共通電極３２８１が銅、ニッケル、ネオジム、モリブデン、ニオブおよびチタンから選択される金属または当該金属を主成分とする合金からなることも許される。
【０１１９】
共通電極３２８１が複数の層を備える積層体であってもよい。当該積層体においては、複数の層に含まれる最上層が高い光反射率を有する導電材料からなり複数の層に含まれる最上層以外の層が低い光反射率を有する導電材料からなることも許される。
【０１２０】
実施の形態３においては、画素電極３２８８と対向電極１３８２との間の電圧差により生じる電界が液晶層１０６２に印加される。
【０１２１】
実施の形態３によれば、実施の形態１と同様に、液晶表示装置の開口率が高くなり、液晶表示装置の表示性能が向上する。
【０１２２】
また、実施の形態３によれば、画素電極３２８８を反射電極に接触させるコンタクト構造がなくなり、液晶表示装置を製造する工程における工程不良が発生しにくくなる。
【０１２３】
４  実施の形態４
実施の形態４は、実施の形態１の液晶表示装置１０００に備えられる画素構造１２００を置き換える画素構造に関する。
【０１２４】
実施の形態１と実施の形態４との主要な相違は、実施の形態１においては、各画素構造１２００が１個のゲート電極１２８０および１個のソース電極１２８４を備え１個のゲート電極１２８０が１本の走査線１１４２を構成し１個のソース電極１２８４が１本の信号線１１４１を構成するが、実施の形態４においては、各画素構造が２個のゲート電極および１個のソース電極を備え、２個のゲート電極が２本の走査線をそれぞれ構成し、各画素構造に備えられる１個のソース電極および各画素構造に隣接する画素構造に備えられる１個のソース電極が１本の信号線を構成する点にある。
【０１２５】
上記の主要な相違をもたらす構成の採用を阻害しない範囲内において他の実施の形態において採用される構成が実施の形態４において採用されてもよい。
【０１２６】
図９の模式図は、実施の形態４の画素構造を図示する平面図である。
【０１２７】
図９に図示される実施の形態４の画素構造４２００は、開口部４２２０を有する。開口部４２２０は、第１の反射領域４２４０、透過領域４２４１および第２の反射領域４２４２を有する。開口部４２２０、第１の反射領域４２４０、透過領域４２４１および第２の反射領域４２４２は、それぞれ画素構造１２００が有する開口部１２２０、第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１２８】
画素構造４２００は、図９に図示されるように、ゲート電極４２８０、共通電極４２８１、半導体膜４２８３、ソース電極４２８４、ドレイン電極４２８５、反射電極４２８６および画素電極４２８８を備える。画素構造４２００は、図示されないゲート絶縁膜および層間絶縁膜も備える。ゲート電極４２８０、共通電極４２８１、ゲート絶縁膜、半導体膜４２８３、ソース電極４２８４、ドレイン電極４２８５、反射電極４２８６、層間絶縁膜および画素電極４２８８は、それぞれ画素構造１２００に備えられるゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、反射電極１２８６、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１２９】
実施の形態４においては、図９に図示されるように、画素構造４２００がゲート電極４２９０をさらに備える。ゲート電極４２９０は、ゲート電極４２８０から方向Ｙに離される。
【０１３０】
画素構造４２００および画素構造４２００に隣接する画素構造４２０２は、方向Ｘに配列される。
【０１３１】
画素構造４２００に備えられるゲート電極４２８０および画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２９０の各々は、方向Ｘに延在する。画素構造４２００に備えられるゲート電極４２８０および画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２９０は、方向Ｘに配列される。画素構造４２００に備えられるゲート電極４２８０は、画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２９０から連続し、画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２９０に電気的に接続され、１本の走査線４１４８を構成する。
【０１３２】
画素構造４２００に備えられるゲート電極４２９０および画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２８０の各々は、方向Ｘに延在する。画素構造４２００に備えられるゲート電極４２９０および画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２８０は、方向Ｘに配列される。画素構造４２００に備えられるゲート電極４２９０は、画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２８０から連続し、画素構造４２０２に備えられるゲート電極４２８０に電気的に接続され、１本の走査線４１４９を構成する。
【０１３３】
したがって、画素構造４２００は、２本の走査線４１４８および４１４９を有する。２本の走査線４１４８および４１４９は、画素構造４２００を通過する。
【０１３４】
画素構造４２００に備えられるソース電極４２８４および画素構造４２０２に備えられるソース電極４２８４の各々は、方向Ｙに延在する。画素構造４２００に備えられるソース電極４２８４および画素構造４２０２に備えられるソース電極４２８４は、方向Ｘに配列される。画素構造４２００に備えられるソース電極４２８４は、画素構造４２０２に備えられるソース電極４２８４に沿って配置され、画素構造４２０２に備えられるソース電極４２８４に電気的に接続され、画素構造４２０２に備えられるソース電極４２８４とともに１本の信号線４１５０を構成する。
【０１３５】
したがって、画素構造４２００および画素構造４２０２は、１本の信号線４１５０を共有する。１本の信号線４１５０は、画素構造４２００および画素構造４２０２からなる集合体を通過する。
【０１３６】
これらのことから、実施の形態４においては、実施の形態１と比較して、走査線の数が２倍になり、信号線の数が１／２倍になる。
【０１３７】
方向Ｘに配列される複数の画素構造４２００にそれぞれ備えられる複数の透過領域４２４１は、方向Ｘに直線的に配列される。このため、方向Ｘに配列される複数の画素構造４２００にそれぞれ備えられる複数の段差層により形成される溝は、方向Ｘに延在する１本の溝を構成する。このため、マトリクス状に配列される複数の段差層は、ストライプ状となる。このような段差層は、容易に配置される。また、このような段差層によれば、段差層の存在に起因して液晶層の配向状態が乱れる領域が最小限に抑制される。
【０１３８】
実施の形態４によれば、実施の形態１と同様に、液晶表示装置の開口率が高くなり、液晶表示装置の表示性能が向上する。
【０１３９】
また、実施の形態４によれば、液晶表示装置の製造コストが低下する。これは、信号線を駆動する集積回路（ＩＣ）は、アナログ電圧を扱うために比較的に高価格であり、走査線を駆動するＩＣは、簡単な回路を有するもので十分であるために比較的に安価であるため、走査線の数が２倍になり信号線の数が１／２倍になった場合は、信号線および走査線を駆動するＩＣに要する費用が減少するためである。走査線を駆動するＩＣは、ＴＦＴ、配線等とともにＴＦＴ基板に形成できるため、さらに低価格にすることも容易である。
【０１４０】
５  実施の形態５
実施の形態５は、実施の形態１の液晶表示装置１０００に備えられる画素構造１３６０を置き換える画素構造に関する。
【０１４１】
実施の形態１と実施の形態５との主要な相違は、実施の形態１においては画素構造１３６０が半透過型液晶表示装置に備えられ第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２を遮光しないが、実施の形態５においては画素構造が透過型液晶表示装置に備えられ第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４２を遮光する点にある。
【０１４２】
上記の主要な相違をもたらす構成の採用を阻害しない範囲内において他の実施の形態において採用される構成が実施の形態５において採用されてもよい。
【０１４３】
図１０の模式図は、実施の形態５の画素構造を図示する断面図である。
【０１４４】
図１０に図示される第５実施形態の画素構造５３６０は、ブラックマトリクス５３８０を備える。
【０１４５】
ブラックマトリクス５３８０には、開口部５４４０が形成される。開口部５４４０は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に透過領域１２４１と重なる。ブラックマトリクス５３８０は、ガラス基板１１４０の主面１３００と垂直をなす方向から平面視された場合に第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４１と重なる。これにより、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４１がブラックマトリクス５３８０により遮光され、反射機能が失われ、実施の形態５の画素構造５３６０を備える液晶表示装置が透過型液晶表示装置になる。第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４１の主要部がブラックマトリクス５３８０により遮光される限り、第１の反射領域１２４０および第２の反射領域１２４１のわずかな部分が開口部５４４０と重なることも許される。
【０１４６】
画素構造５３６０は、段差層を備えなくてもよい。画素構造５３６０を備える液晶表示装置においては、透過領域１２４１における液晶層の厚さのみが調整されればよいので、液晶層の厚さを調整するための構成物は任意の位置に配置しうるためである。
【０１４７】
実施の形態５によれば、半透過型液晶表示装置および透過型液晶表示装置の構造が共通化され、半透過型液晶表示装置および透過型液晶表示装置が同じ方法で設計され、半透過型液晶表示装置および透過型液晶表示装置の設計に要するコストが低減される。また、半透過型液晶表示装置および透過型液晶表示装置が同じ方法で製造され、製造時の管理が容易になる。
【０１４８】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０１４９】
６  実施の形態６
実施の形態６は、実施の形態１の液晶表示装置１０００に備えられる画素構造１２００を置き換える画素構造に関する。
【０１５０】
実施の形態１と実施の形態６との主要な相違は、実施の形態１においては、第１の反射領域１２４０においてドレイン電極１２８５により光が反射されるが、実施の形態６においては、第１の反射領域においてドレイン電極および共通電極により光が反射される点にある。
【０１５１】
上記の主要な相違をもたらす構成の採用を阻害しない範囲内において他の実施の形態において採用される構成が実施の形態６において採用されてもよい。
【０１５２】
図１１の模式図は、実施の形態６の画素構造を図示する平面図である。図１２の模式図は、実施の形態６の画素構造を図示する断面図である。
【０１５３】
図１１および１２に図示される実施の形態６の画素構造６２００は、開口部６２２０を有する。開口部６２２０は、第１の反射領域６２４０、透過領域６２４１および第２の反射領域６２４２を有する。開口部６２２０、第１の反射領域６２４０、透過領域６２４１および第２の反射領域６２４２は、それぞれ画素構造１２００が有する開口部１２２０、第１の反射領域１２４０、透過領域１２４１および第２の反射領域１２４２と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１５４】
画素構造６２００は、図１１および１２に図示されるように、ゲート電極６２８０、共通電極６２８１、ゲート絶縁膜６２８２、半導体膜６２８３、ソース電極６２８４、ドレイン電極６２８５、層間絶縁膜６２８７、画素電極６２８８およびゲート電極６２９０を備える。ゲート電極６２８０、共通電極６２８１、ゲート絶縁膜６２８２、半導体膜６２８３、ソース電極６２８４、ドレイン電極６２８５、層間絶縁膜６２８７および画素電極６２８８は、それぞれ画素構造１２００に備えられるゲート電極１２８０、共通電極１２８１、ゲート絶縁膜１２８２、半導体膜１２８３、ソース電極１２８４、ドレイン電極１２８５、層間絶縁膜１２８７および画素電極１２８８と同様の技術的特徴を有しうる。
【０１５５】
実施の形態６においては、図１１および１２に図示されるように、画素構造６２００が反射電極６２８６に相当する反射電極を備えず、層間絶縁膜６２８７にコンタクトホール１３４１に相当するコンタクトホールが形成されず、共通電極６２８１が第２の反射領域６２４２に配置され光を反射する電極になる。したがって、共通電極６２８１は、反射電極１２８６と同様の機能を有する。共通電極６２８１と画素電極６２８８との間には、補助容量が形成される。
【０１５６】
加えて、実施の形態６においては、図１１および１２に図示されるように、ドレイン電極６２８５が第１の反射領域６２４０の第１の部分領域６５００に配置され、共通電極６２８１が第２の反射領域６２４２に加えて第１の反射領域６２４０の第２の部分領域６５０１に配置される。第１の部分領域６５００および第２の部分領域６５０１の各々は、第１の反射領域６２４０の一部を占める。第２の部分領域６５０１は、第１の部分領域６５００と重ならない部分を有する。これにより、実施の形態６においては、第１の反射領域６２４０においてドレイン電極６２８５および共通電極６２８１により光が反射される。
【０１５７】
共通電極６２８１は、光を反射する電極であり、反射画素電極ともなり、高い光反射率を有する導電材料からなり、望ましくはアルミニウム、銀、アルミニウムを主成分とする合金または銀を主成分とする合金からなる。共通電極６２８１が銅、ニッケル、ネオジム、モリブデン、ニオブおよびチタンから選択される金属または当該金属を主成分とする合金からなることも許される。
【０１５８】
共通電極６２８１が複数の層を備える積層体であってもよい。当該積層体においては、複数の層に含まれる最上層が高い光反射率を有する導電材料からなり複数の層に含まれる最上層以外の層が低い光反射率を有する導電材料からなることも許される。
【０１５９】
実施の形態６によれば、実施の形態１と同様に、液晶表示装置の開口率が高くなり、液晶表示装置の表示性能が向上する。
【０１６０】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【０１６１】
１０００  液晶表示装置、１０６１  薄膜トランジスター基板（ＴＦＴ基板）、１０６２  液晶層、１０６３  対向基板（ＣＦ基板）、１１４１，４１５０  信号線、１１４２，４１４８，４１４９  走査線、１１４３  ＴＦＴ、１１４４  共通配線、１２００，２２００，２２０１，３２００，４２００，４２０２，６２００  画素構造、１２４０，２２４０，３２４０，４２４０，６２４０  第１の反射領域、１２４１，２２４１，３２４１，４２４１，６２４１  透過領域、１２４２，２２４２，３２４２，４２４２，６２４２  第２の反射領域、２２４３  第３の反射領域、１２８０，２２８０，３２８０，４２８０，４２９０  ゲート電極、１２８１，２２８１，３２８１，４２８１，６２８１  共通電極、１２８２，２２８２，３２８２，６２８２  ゲート絶縁膜、１２８３，２２８３，３２８３，４２８３，６２８３  半導体膜、１２８４，２２８４，３２８４，４２８４，６２８４  ソース電極、１２８５，２２８５，３２８５，４２８５，６２８５  ドレイン電極、１２８６，２２８６，２２８９，４２８６，６２８６  反射電極、１２８７，２２８７，３２８７，６２８７  層間絶縁膜、１２８８，２２８８，３２８８，４２８８，６２８８  画素電極、１３４０，１３４１  コンタクトホール、１５８０  第１の部分、１５８１  第２の部分、１５８２  第３の部分、５３８０  ブラックマトリクス。
【図１】
2018097132.tif 000003
【図２】
2018097132.tif 000004
【図３】
2018097132.tif 000005
【図４】
2018097132.tif 000006
【図５】
2018097132.tif 000007
【図６】
2018097132.tif 000008
【図７】
2018097132.tif 000009
【図８】
2018097132.tif 000010
【図９】
2018097132.tif 000011
【図１０】
2018097132.tif 000012
【図１１】
2018097132.tif 000013
【図１２】
2018097132.tif 000014