(57)【要約】【課題】ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドおよび当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンド１０は、表面１０ａを有する。単結晶ダイヤモンド１０では、単結晶ダイヤモンド１０の透過率が最大である部分および当該透過率が最小である部分を含み、１辺の長さが０．２ｍｍである複数の正方形領域２０ａが連続した測定領域２０を表面２０ａにおいて規定し、かつ、複数の正方形領域２０ａの各々における透過率の平均値を測定した場合において、一の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値をＴ１とし、当該一の正方形領域２０ａと隣り合う他の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値をＴ２としたときに、測定領域２０の全域にわたり（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する単結晶ダイヤモンドであって、
１辺の長さが０．２ｍｍである複数の第１正方形領域が連続し、前記単結晶ダイヤモンドの透過率が最大である部分および前記透過率が最小である部分を含む測定領域を前記表面において規定し、かつ、前記複数の第１正方形領域の各々における前記透過率の平均値を測定した場合において、一の前記第１正方形領域における前記透過率の平均値をＴ１とし、前記一の第１正方形領域と隣り合う他の前記第１正方形領域における前記透過率の平均値をＴ２としたときに、前記測定領域の全域にわたり（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされる、単結晶ダイヤモンド。
【請求項２】
前記測定領域では、前記第１正方形領域が直線状に連続している、請求項１に記載の単結晶ダイヤモンド。
【請求項３】
１辺の長さが０．５ｍｍまたは１ｍｍである第２正方形領域を前記表面において規定し、かつ、前記第２正方形領域において前記透過率を測定した場合に、前記第２正方形領域において測定された前記透過率の度数分布には単一のピークが存在する、請求項１または２に記載の単結晶ダイヤモンド。
【請求項４】
前記透過率は、前記単結晶ダイヤモンドに波長が５５０ｎｍまたは８００ｎｍである光を照射して測定される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド。
【請求項５】
気相合成法により形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド。
【請求項６】
ダイヤモンド工具に用いられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド。
【請求項７】
請求項１に記載の単結晶ダイヤモンドを備える、ダイヤモンド工具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶ダイヤモンドおよびダイヤモンド工具に関するものであり、より特定的には、ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドおよび当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、切削工具や耐摩耗工具などのダイヤモンド工具には、天然のダイヤモンドや高温高圧合成法（ＨＰＨＴ：Ｈｉｇｈ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｍｅｔｈｏｄ）により製造されたダイヤモンドが用いられている。天然のダイヤモンドは、品質のばらつきが大きく、また供給量も安定しない。また、高温高圧合成法により製造されるダイヤモンドは、品質のばらつきが小さく供給量も安定しているが、製造設備のコストが高いという問題がある。
【０００３】
一方、ダイヤモンドの他の合成法としては、化学気相蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの気相合成法がある。たとえば特開２００５−１６２５２５号公報（以下、特許文献１という）では、気相合成法により製造され、紫外域において透明でかつ結晶欠陥や歪が小さいダイヤモンドが開示されている。また、たとえば特開２００６−３１５９４２号公報（以下、特許文献２という）では、半導体デバイス用基板に用いられるダイヤモンド単結晶であり、歪が小さいものが開示されている。また、たとえば特表２００６−５０７２０４号公報（以下、特許文献３という）では、光デバイスや素子に使用する際に好適なＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１６２５２５号公報
【特許文献２】特開２００６−３１５９４２号公報
【特許文献３】特表２００６−５０７２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１〜３のように気相合成法により製造された単結晶ダイヤモンドは、ダイヤモンドバイトなどの工具に用いた場合において、単結晶素材が欠けて被削材に傷が発生し易いという問題がある。このように従来の単結晶ダイヤモンドは、ダイヤモンド工具の材料として用いた場合に工具性能を十分に向上させることができるものではなかった。そこで、結晶内に不純物や欠陥を導入して素材を欠け難くする方法について本発明者は検討した。その結果、結晶内に不純物や欠陥を適度に導入することでクラックの伝搬が阻まれ、結晶の割れを抑制することができた。しかし、本発明者の検討によれば、結晶内の不純物や欠陥は摩耗率にも影響を与える。そのため、不純物や欠陥が制御された状態で導入されていない場合（不純物や欠陥が不均一に分布している場合）には結晶の摩耗率も不均一となる。このような場合には工具性能が十分に発揮されず、被削材に傷が発生してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドおよび当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従った単結晶ダイヤモンドは、表面を有する単結晶ダイヤモンドである。上記単結晶ダイヤモンドでは、１辺の長さが０．２ｍｍである複数の第１正方形領域が連続し、上記単結晶ダイヤモンドの透過率が最大である部分および上記透過率が最小である部分を含む測定領域を上記表面において規定し、かつ、複数の第１正方形領域の各々における上記透過率の平均値を測定した場合において、一の第１正方形領域における上記透過率の平均値をＴ１とし、上記一の第１正方形領域と隣り合う他の第１正方形領域における上記透過率の平均値をＴ２としたときに、上記測定領域の全域にわたり（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされる。
【０００８】
ここで、単結晶ダイヤモンドの透過率に着目する理由は、透過率が、結晶内の不純物や欠陥濃度（すなわち結晶の摩耗率）を反映するためである。また、ここで「透過率」とは、反射率の効果を除去した値であるため、吸収が全くない場合には１００％の値となる。
【０００９】
本発明者は、ダイヤモンド工具の性能をより向上させることが可能な（つまり、被削材に傷が発生にし難い）単結晶ダイヤモンドについて、鋭意検討を行った。その結果、上記（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされるように（急峻な透過率の変化が抑制されるように）、不純物および欠陥が制御された状態で導入された単結晶ダイヤモンドを用いた場合には工具性能が向上することを見出し、本発明に想到した。
【００１０】
本発明に従った単結晶ダイヤモンドでは、上記測定領域の全域にわたり（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０の関係が満たされるため、急峻な透過率の変化が抑制されている。そのため、上記単結晶ダイヤモンドを用いたダイヤモンド工具では、被削材における傷の発生を抑制することができる。したがって、本発明に従った単結晶ダイヤモンドによれば、不純物および欠陥が制御された状態で導入されることにより、ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドを提供することができる。
【００１１】
上記単結晶ダイヤモンドにおいて、上記測定領域では第１正方形領域が直線状に連続していてもよい。これにより、上記測定領域をより容易に規定することができる。
【００１２】
上記単結晶ダイヤモンドにおいて、１辺の長さが０．５ｍｍまたは１ｍｍである第２正方形領域を上記表面において規定し、かつ、第２正方形領域において上記透過率を測定した場合に、第２正方形領域において測定された上記透過率の度数分布には単一のピークが存在していてもよい。
【００１３】
本発明者の検討によれば、不純物および欠陥が制御された状態で導入された単結晶ダイヤモンドでは、上記透過率の度数分布において単一のピークが存在する。そのため、上記透過率の度数分布において単一のピークが存在する上記単結晶ダイヤモンドによれば、ダイヤモンド工具の性能をより向上させることができる。
【００１４】
上記単結晶ダイヤモンドにおいて、上記透過率は上記単結晶ダイヤモンドに波長が５５０ｎｍである光を照射して測定されてもよい。また、波長が５５０ｎｍである光の透過率が１％未満である場合には、波長が８００ｎｍの光を照射して測定されてもよい。これにより、上記透過率をより容易に測定することができる。
【００１５】
上記単結晶ダイヤモンドは、気相合成法により形成されるものであってもよい。これにより、不純物および欠陥が制御された状態で導入された上記単結晶ダイヤモンドをより容易に形成することができる。
【００１６】
上記単結晶ダイヤモンドは、ダイヤモンド工具に用いられるものであってもよい。上記単結晶ダイヤモンドは、上述のようにダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能なものである。したがって、上記単結晶ダイヤモンドをダイヤモンド工具に用いることにより、工具性能をより向上させることができる。
【００１７】
本発明に従ったダイヤモンド工具は、ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な上記本発明に従った単結晶ダイヤモンドを備えている。したがって、本発明に従ったダイヤモンド工具によれば、より工具性能に優れたダイヤモンド工具を提供することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上の説明から明らかなように、本発明に従った単結晶ダイヤモンドによれば、ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能な単結晶ダイヤモンドを提供することができる。また、本発明に従ったダイヤモンド工具によれば、より工具性能に優れたダイヤモンド工具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態に係るダイヤモンドバイトを示す概略断面図である。
【図２】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドを示す概略平面図である。
【図３】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図４】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法における工程（Ｓ１０）および工程（Ｓ２０）を説明するための概略図である。
【図５】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法における工程（Ｓ３０）を説明するための概略図である。
【図６】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法における工程（Ｓ４０）を説明するための概略図である。
【図７】本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法における工程（Ｓ５０）を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００２１】
まず、本発明の一実施の形態に係るダイヤモンド工具の一例として、ダイヤモンドバイト１を説明する。図１を参照して、本実施の形態に係るダイヤモンドバイト１は、台金２と、ろう付け層３と、メタライズ層４と、単結晶ダイヤモンド１０とを主に備えている。
【００２２】
単結晶ダイヤモンド１０は、ろう付け層３およびメタライズ層４を介して台金２に固定されている。単結晶ダイヤモンド１０は、すくい面１０ｂおよび逃げ面１０ｃを含み、当該すくい面１０ｂおよび逃げ面１０ｃの接触部において切れ刃１０ｄが構成されている。また、単結晶ダイヤモンド１０は後述する本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドであるため、ダイヤモンドバイト１はより工具性能に優れたものとなっている。
【００２３】
また、本発明のダイヤモンド工具は、上記ダイヤモンドバイト１に限定されず、たとえばドリルやエンドミルなどの他の切削工具（図示しない）でもよく、ドレッサー、スタイラス、ノズルまたはダイスなどの耐摩耗工具（図示しない）でもよい。これらの切削工具および耐摩耗工具は、単結晶ダイヤモンド１０を備えることにより上記ダイヤモンドバイト１と同様に工具性能に優れたものとなっている。
【００２４】
次に、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０について説明する。単結晶ダイヤモンド１０は、上記ダイヤモンドバイト１などのようなダイヤモンド工具の材料として用いられるものである。図２を参照して、単結晶ダイヤモンド１０は、たとえばマイクロ波プラズマＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶＤ法などの気相合成法により形成されたものであり、表面１０ａを含む平板形状（正方形状、長方形状または八角形状）を有する素材を、工具に適した形状に加工したものである。
【００２５】
単結晶ダイヤモンド１０には、たとえば窒素（Ｎ）原子などの不純物が導入されており、また歪、原子空孔または転位などの欠陥が導入されている。単結晶ダイヤモンド１０における窒素原子濃度は、たとえば０．００００１ａｔｍ％以上０．０１ａｔｍ％以下であり、好ましくは０．０００１ａｔｍ％以上０．０１ａｔｍ％以下であり、より好ましくは０．００１ａｔｍ％以上０．０１ａｔｍ％以下である。ここで、「ａｔｍ％」は、単結晶ダイヤモンド１０における窒素の原子数密度を意味している。また、上記窒素原子濃度は、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により評価された全窒素量である。
【００２６】
単結晶ダイヤモンド１０の透過率は、たとえば以下のようにして測定することができる。図２を参照して、まず、単結晶ダイヤモンド１０の表面１０ａ内において、１辺の長さが０．２ｍｍである複数の正方形領域２０ａ（第１正方形領域）が直線状に連続した測定領域２０が規定される。この測定領域２０には、単結晶ダイヤモンド１０の透過率が最大である部分および当該透過率が最小である部分が含まれる。そして、複数の正方形領域２０ａの各々において、単結晶ダイヤモンド１０の一方の主面側から波長５５０ｎｍの光（入射光）が照射され、他方の表面側から透過光が出射される。そして、入射光の強度に対する透過光の強度の比により、正方形領域２０ａの各々における透過率を測定し、さらに当該透過率の平均値を算出することができる。
【００２７】
上述のようにして単結晶ダイヤモンド１０の透過率を測定した場合、一の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値をＴ１とし、当該一の正方形領域２０ａと隣り合う他の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値をＴ２とすると、測定領域２０の全域にわたり（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされ、好ましくは（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦１０（％／ｍｍ）の関係が満たされ、さらに好ましくは（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦５（％／ｍｍ）の関係が満たされる。上記関係式では、Ｔ１≧Ｔ２となっている。
【００２８】
上記指標は、透過率が大きくなるに伴って透過率の変動が工具性能に与える影響が小さくなり、一方で透過率が小さくなるに伴って透過率の変動が工具性能に与える影響が大きくなることを示している。Ｔ１の値（反射率を除いた値）は８０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましく、１０％以下であることが一層好ましい。このように透過率が小さい方が、工具性能を向上させることが可能な上記単結晶ダイヤモンド１０はより好適である。一方で、数値評価する上でＴ１は１％以上であることが必要である。なお、Ｔ１が１％未満である場合には、波長８００ｎｍの光に変更して評価することにより、同様に数値評価による判別が可能である。
【００２９】
このように、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０では、上記（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされるように（急峻な透過率の変化が抑制されるように）、不純物および欠陥が制御された状態で導入されている。そのため、単結晶ダイヤモンド１０を用いた上記ダイヤモンドバイト１は、被削材における傷の発生を抑制することが可能な工具性能に優れたものとなっている。
【００３０】
また、単結晶ダイヤモンド１０の透過率は、以下のようにして測定することもできる。図２を参照して、まず、単結晶ダイヤモンド１０の表面１０ａ内において、１辺の長さが０．５ｍｍまたは１ｍｍである正方形領域３０（第２正方形領域）が規定される。そして、正方形領域３０において、単結晶ダイヤモンド１０の一方の主面側から波長５５０ｎｍの光が入射され、他方の表面側から透過光が出射される。そして、入射光の強度に対する透過光の強度の比により正方形領域３０における透過率を測定し、さらに当該透過率の度数分布を得ることができる。この度数分布では、従来の単結晶ダイヤモンドの場合には複数のピークが存在するのに対し、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０の場合には単一のピークのみが存在する。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法について説明する。図３を参照して、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法では、工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）が順に実施されることにより、上記本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０を製造することができる。
【００３２】
まず、工程（Ｓ１０）として、単結晶基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図４を参照して、平板形状を有し、高温高圧合成法により製造されたダイヤモンドからなる単結晶基板４０（タイプ：Ｉｂ）が準備される。
【００３３】
単結晶基板４０は、（１００）面からなる表面４０ａと、表面４０ａに対して垂直な（００１）面からなる側面４０ｂとを有している。また、単結晶基板４０では、厚みのばらつきが１０％以下となっている。また、表面４０ａは、表面粗さ（Ｒａ）が３０ｎｍ以下になるまで研磨される。なお、単結晶基板４０の形状は、たとえば正方形状、長方形状または八角形状であってもよい。
【００３４】
次に、工程（Ｓ２０）として、エッチング工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図４を参照して、たとえば酸素（Ｏ２）ガスおよび四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、表面４０ａがエッチングされる。また、エッチング方法はＲＩＥに限定されず、たとえばアルゴン（Ａｒ）ガスを主ガスとして用いたスパッタリングであってもよい。
【００３５】
次に、工程（Ｓ３０）として、イオン注入工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、図５を参照して、表面４０ａ側からカーボン（Ｃ）イオンが単結晶基板４０内に注入される。これにより、表面４０ａを含む領域に導電層４２が形成される。また、注入イオンはカーボンイオンに限られず、窒素イオンでもよいし、シリコンイオンでもよいし、リンイオンでもよいし、硫黄イオンでもよい。
【００３６】
次に、工程（Ｓ４０）として、エピタキシャル成長工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、図６を参照して、水素（Ｈ２）ガス、メタン（ＣＨ４）ガスおよび窒素（Ｎ２）ガスが導入された雰囲気中において、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、表面４０ａ上（導電層４２上）に単結晶ダイヤモンドからなるエピタキシャル成長層４３が形成される。エピタキシャル成長層４３の形成方法は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に限定されず、たとえば熱フィラメントＣＶＤ法やＤＣプラズマ法であってもよい。
【００３７】
この工程（Ｓ４０）では、メタンガスに代えてエタンガスや他の炭素原子を含むガスが用いられてもよい。また、エピタキシャル成長層４３を形成する表面４０ａは、（１００）面であることが好ましく、（１００）面に対して０．５°以上０．７°以下のオフ角を有する面であることがより好ましい。
【００３８】
さらに、この工程（Ｓ４０）では、単結晶基板４０の端面がプラズマ処理中に突出していないことが好ましい。プラズマ処理中に基板端面が突出している場合には、基板の中央よりも端部での結晶成長速度が大きくなり、成長表面が凹型となるため、急峻な透過率の変化が抑制された上記単結晶ダイヤモンド１０の形成が困難になるためである。このようにプラズマ処理中に基板端面が突出しないようにするためには、単結晶基板４０の周囲に別の部材（たとえばホルダーやホルダー上のダミー基板など）を配置することが好ましい。単結晶基板４０と当該部材とは離れていることが好ましく、その間隔は２．５ｍｍ未満であることが好ましく、１．５ｍｍ未満であることがより好ましい。また、単結晶基板４０と当該部材との高さは必ずしも同じである必要はないが、当該部材が単結晶基板４０よりも高い場合にはその高低差は１ｍｍ未満であることが好ましい。
【００３９】
また、この工程（Ｓ４０）では、厚みのばらつきが抑制されつつエピタキシャル成長層４３が形成される。より具体的には、図６を参照して、エピタキシャル成長層４３の中央を含む部分の厚みＤ１がエピタキシャル成長層４３の端面を含む部分の厚みＤ２以上となるように、好ましくは０．９７Ｄ１≧Ｄ２となるように、より好ましくは０．９２Ｄ１≧Ｄ２となるようにエピタキシャル成長層４３が形成される。このように端面部分の盛り上がりを抑制することにより、急峻な透過率な変化が抑制された上記単結晶ダイヤモンド１０（エピタキシャル成長層４３）を成長させることができる。
【００４０】
次に、工程（Ｓ５０）として、分離工程が実施される。この工程（Ｓ５０）では、図７を参照して、導電層４２が電気化学的にエッチングされることにより、単結晶基板４０とエピタキシャル成長層４３とが分離される。このようにして、単結晶ダイヤモンド１０（エピタキシャル成長層４３）が得られる。また、分離方法は電気化学的なエッチングに限られず、たとえばレーザを用いたスライスであってもよい。この場合には、上記イオン注入工程（Ｓ３０)を省略することが可能である。以上のようにして上記工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）が実施されることにより単結晶ダイヤモンド１０が製造され、本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法が完了する。
【００４１】
本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０を利用して、切削用の工具を作製することは有用である。特に、先端が細くなった工具では、長時間使用時にも欠けや被削材への研削傷が発生し難いため有効である。より具体的には、すくい面を上面から見て刃先の開き角が４５°以下、さらには３０°以下の鋭角の先端の工具では特に有効である。また、被削材との接触が２００μｍ以上、さらには４００μｍ以上に亘る工具においても有効である。また、すくい面と逃げ面の角度が７５°以下、さらには６０°以下の鋭角である工具においても有効である。本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０は欠け難く切削工具に適した素材となっているため、上述のような特徴的形状を有する切削工具に特に適している。
【実施例】
【００４２】
（単結晶ダイヤモンドの作製）
単結晶ダイヤモンドを用いたダイヤモンド工具の性能について、本発明の効果を確認する実験を行った。まず、上記本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンドの製造方法を用いて単結晶ダイヤモンド１０を製造した（図３〜図７参照）。工程（Ｓ１０）では、厚みが０．７ｍｍであり、側面４０ｂ間の距離（幅）が１〜９ｍｍである単結晶基板４０を準備した（図４参照）。
【００４３】
工程（Ｓ２０）では、ＲＩＥにより表面４０ａから０．３μｍの深さ領域までエッチングし、またはスパッタリングにより表面４０ａから０．３μｍの深さ領域までエッチングした（図４参照）。工程（Ｓ３０）では、イオン注入のエネルギーを３００〜３５０ｋｅＶ、ドーズ量を５×１０１５〜５×１０１７個／ｃｍ２としてカーボンイオンを注入し、導電層４２を形成した（図５参照）。
【００４４】
工程（Ｓ４０）では、厚みが０．７ｍｍであるエピタキシャル成長層４３を成長させた（図６参照）。水素ガス、メタンガスおよび窒素ガスを使用し、水素ガスに対するメタンガスの濃度を５〜２０％とし、メタンガスに対する窒素ガスの濃度を０．５〜４％とした。圧力は、９．３〜１４．７ｋＰａに設定し、基板温度は８００〜１１００℃に設定した。このように工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）を実施することにより、上記本実施の形態に係る単結晶ダイヤモンド１０（実施例）が得られた。また、比較例として従来の単結晶ダイヤモンドも準備した。
【００４５】
（透過率測定）
まず、実施例および比較例の単結晶ダイヤモンドについて以下のようにして透過率の測定を行った。図２を参照して、まず、表面１０ａ内において複数の正方形領域２０ａ（０．２ｍｍ×０．２ｍｍ）が直線状に連続した測定領域２０を規定した。この測定領域２０は、上記実施例および比較例の単結晶ダイヤモンドの透過率が最大である部分および当該透過率が最小である部分が含まれるように規定した。そして、複数（３個または４個）の連続する正方形領域２０ａを選択し、選択された各正方形領域２０ａにおいて透過率の平均値を測定した。
【００４６】
実施例の単結晶ダイヤモンドについて４個の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値を測定した結果、６８．１（％）、６７．１（％）、６４．９（％）、６４．７（％）となった。この結果に基づいて（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２（％／ｍｍ）の値を算出した結果、７．４（％／ｍｍ）、１６．７（％／ｍｍ）、１．５（％／ｍｍ）となった。一方、比較例の単結晶ダイヤモンドについて３個の正方形領域２０ａにおける透過率の平均値を測定した結果、４７．３（％）、４５．５（％）、４２．９（％）となった。この結果に基づいて（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２の値を算出した結果、１９．９（％／ｍｍ）、２９．３（％／ｍｍ）となった。これらの結果より、比較例では（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２の値が２０（％／ｍｍ）を超えるのに対して、実施例では（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２の値が２０（％／ｍｍ）以内になることが分かった。
【００４７】
また、実施例および比較例の単結晶ダイヤモンドについて以下のような透過率の測定も行った。図２を参照して、まず、表面１０ａ内において正方形領域３０（１ｍｍ×１ｍｍ、または０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）を規定した。そして、正方形領域３０において透過率を測定し、正方形領域３０における透過率の度数分布を得た。その結果、比較例における透過率の度数分布では２つのピークが確認されたのに対して、実施例における透過率の度数分布では単一のピークのみが確認された。
【００４８】
（工具性能評価）
次に、実施例および比較例の単結晶ダイヤモンドを用いてダイヤモンドバイトを作製し、これを用いて被削材の研削加工を行った。そして、加工後における被削材の表面状態を確認した。その結果、比較例では被削材に傷が確認されたのに対して、実施例では被削材に傷は確認されなかった。この結果より、（（Ｔ１−Ｔ２）／（（Ｔ１＋Ｔ２）／２）×１００）／０．２≦２０（％／ｍｍ）の関係が満たされるように（急峻な透過率の変化が抑制されるように）、不純物および欠陥が制御された状態で導入された単結晶ダイヤモンドを用いたダイヤモンド工具では、工具性能が向上することが分かった。
【００４９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の単結晶ダイヤモンドおよびダイヤモンド工具は、不純物および欠陥を制御された状態で導入することが要求される単結晶ダイヤモンド、および工具性能の向上が要求されるダイヤモンド工具において、特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００５１】
１  ダイヤモンドバイト、２  台金、３  ろう付け層、４  メタライズ層、１０  単結晶ダイヤモンド、１０ａ，４０ａ  表面、１０ｂ  すくい面、１０ｃ  逃げ面、１０ｄ  切れ刃、２０  測定領域、２０ａ，３０  正方形領域、４０  単結晶基板、４０ｂ  側面、４２  導電層、４３  エピタキシャル成長層、Ｄ１，Ｄ２  厚み。
【図１】
2018162212.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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