(57)【要約】【課題】外部の排気設備の排気量が不足する場合もチャンバー内の雰囲気を十分に排気する。【解決手段】基板Ｗ処理装置は、チャンバーと、基板Ｗを略水平に保持可能な保持部材を含んでチャンバー内に収容され、保持部材が保持している基板Ｗに処理用流体を吐出して基板Ｗの処理を行う基板処理機構と、保持部材の下方に設けられてチャンバー内に面する下側開口と、保持部材の上方に設けられてチャンバー内に面する上側開口とを含み、下側開口から上側開口まで少なくとも一部がチャンバーの外を通って配設されている接続配管と、接続配管に設けられた気流発生器と、を備え、気流発生器は、所定の気体を含むチャンバー内の雰囲気が下側開口から接続配管に排出されて接続配管を通って上側開口から再びチャンバー内に導入されることによって、チャンバー内に雰囲気のダウンフローが生じるように、チャンバー内の雰囲気を循環させる。【選択図】図１
2018046272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
基板を略水平に保持可能な保持部材を含んで前記チャンバー内に収容され、前記保持部材が保持している基板に処理用流体を吐出して前記基板の処理を行う基板処理機構と、
前記保持部材の下方に設けられて前記チャンバー内に面する下側開口と、前記保持部材の上方に設けられて前記チャンバー内に面する上側開口とを含み、前記下側開口から前記上側開口まで少なくとも一部が前記チャンバーの外を通って配設されている接続配管と、
前記接続配管に設けられた気流発生器と、
を備え、
前記気流発生器は、所定の気体を含む前記チャンバー内の雰囲気が前記下側開口から前記接続配管に排出されて前記接続配管を通って前記上側開口から再び前記チャンバー内に導入されることによって、前記チャンバー内に前記雰囲気のダウンフローが生じるように、前記チャンバー内の前記雰囲気を循環させる、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記雰囲気から前記処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルターを、前記接続配管内にさらに備える、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記フィルターは、前記気流発生器よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側に設けられている、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記処理用流体は、所定の液体を含み、
前記接続配管は、上下方向に延在する縦配管を含み、
前記縦配管は、前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れが当該縦配管の内部を上昇可能であるとともに、少なくとも一部が前記気流発生器よりも前記雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられており、
前記フィルターは、前記縦配管の前記少なくとも一部に設けられ、前記雰囲気から霧状の前記液体を除去可能である、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記接続配管は、鉛直方向の下端にタンクを含み、
前記タンクは、前記雰囲気に混じって前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記液体を受けることができるように設けられており、
前記縦配管は、その内部空間と前記タンクの内部空間とが連通するように前記タンクから上方に延在する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記フィルターは、前記縦配管のうち前記気流発生器よりも前記タンクに近い部分に設けられている、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記所定の気体の供給源と前記接続配管とを連通して前記気体を前記接続配管内に導入可能な導入配管と、
前記導入配管を流れる前記気体の流量を調整可能な調整弁と、
をさらに備える、基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記雰囲気から前記処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルターを、前記接続配管に備え、
前記フィルターは、前記気流発生器よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側に設けられており、
前記導入配管は、前記接続配管のうち前記フィルターよりも前記雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記接続配管から分岐して前記接続配管を外部の排気設備に連通するとともに、前記接続配管に排出された前記雰囲気を前記排気設備に導く排気設備用配管をさらに備え、
前記接続配管のうち前記排気設備用配管よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの下流側から前記上側開口に至る部分によって戻り配管を定義したとき、
前記基板処理装置は、前記戻り配管と前記排気設備用配管とのうち何れか一方を開状態にし、他方を閉状態にできる開閉弁機構をさらに備える、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記戻り配管と前記排気設備用配管とのうち何れか一方が開状態となり、他方が閉状態となるように前記開閉弁機構の開閉制御を行う制御部をさらに備え、
前記開閉制御は、前記基板処理装置の所要排気量が前記排気設備の排気量のうち前記基板処理装置に割り当てられる排気量を超えるときには、前記戻り配管を開状態とするとともに、前記排気設備用配管を閉状態とし、前記所要排気量が前記割り当てられる排気量を超えないときには、前記戻り配管を閉状態とするとともに、前記排気設備用配管を開状態とする制御である、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、予め取得した制御用情報に基づいて前記開閉制御を行い、
前記制御用情報は、前記開閉制御が実行され得るように、前記基板処理装置が実行可能な基板処理のプロセスと、前記開閉弁機構の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報を含んでいる、基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、予め取得した制御用情報に基づいて前記開閉制御を行い、
前記制御用情報は、前記排気設備から当該基板処理装置に割り当てられる排気量に相当する指標値と、当該基板処理装置の所要排気量に相当する指標値とを含んでいる、基板処理装置。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記処理用流体は、所定の液体を含み、
前記接続配管は、鉛直方向の下端にタンクを含んでおり、
前記タンクは、前記雰囲気に混じって前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記液体を受けることができるように設けられており、
前記排気設備用配管と前記戻り配管とは、それぞれ前記タンクに接続されており、
前記戻り配管は、前記タンクから上方に延在する縦配管を含み、
前記縦配管は、前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れが当該縦配管の内部を上昇可能であるとともに、少なくとも一部が前記気流発生器よりも前記雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられており、
当該基板処理装置は、
前記縦配管の前記少なくとも一部に設けられて、前記雰囲気から霧状の前記液体を除去可能なフィルター、
をさらに備え、
前記開閉弁機構は、前記縦配管のうち前記フィルターよりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側の部分に設けられて前記縦配管を開閉可能な第１開閉弁と、排気設備用配管を開閉可能な第２開閉弁とを含む、基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理装置であって、
前記所定の気体の供給源と前記縦配管とを連通して前記気体を前記縦配管内に導入可能な導入配管と、
前記導入配管を流れる前記気体の流量を調整可能な調整弁と、
をさらに備え、
前記導入配管は、前記接続配管のうち前記フィルターよりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている、基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記基板処理機構は、前記基板に前記処理用流体を吐出して前記基板の洗浄処理またはリンス処理を行う、基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理装置であって、
前記基板処理機構は、前記処理用流体として、純水、または機能水を吐出する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）に、処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような基板処理装置として、例えば、図３に示される基板処理装置５００が採用される。この装置は、上下方向に沿って重ねられた４つのチャンバー（筐体）１２１０を備える。各チャンバー１２１０内には、基板（図示省略）を水平に保持する保持部材（図示省略）と、保持部材を取り囲むカップ３１０が設けられている。この装置は、保持部材に保持された基板に対して、例えば、ノズル（図示省略）から処理液を吐出することにより基板の処理を行う。当該装置は、クリーンルーム等の大気供給源（図示量略）に接続された導入配管６７０を備えている。
【０００３】
導入配管６７０にはファン８２０が設けられ、ファン８２０が作動すると大気供給源から導入配管６７０に大気が導入される。導入配管６７０は、各チャンバー１２１０に対応する４つの枝配管６８０を含んでいる。各枝配管６８０は、対応するチャンバー１２１０内まで配設されている。各枝配管６８０の先端には、各カップ３１０の上方に配置されるＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルター７１０が装着されている。導入配管に導入された大気は、当該フィルター７１０で清浄化され、ダウンフローＤ１００となってカップ３１０に向かう。カップ３１０内には、基板に吐出された処理液のミストを含む雰囲気が形成される。
【０００４】
４つのチャンバーの下方には排気された雰囲気を回収するための回収タンク６２０が設けられており、回収タンク６２０から各チャンバー１２１０のカップ３１０の下方まで、カップ３１０内の雰囲気を排出するための排出配管６００の各枝配管６１０が延設されている。排出配管６００の枝配管６１０は、カップ３１０の下方に開口を有している。カップ３１０内の雰囲気は、当該開口から排出配管６００の枝配管６１０に導入され、枝配管６１０を通って回収タンク６２０に到達する。回収タンク６２０には、工場の排気設備９１０を回収タンク６２０に連通する排気設備用配管５３０が接続されている。回収タンク６２０に回収された雰囲気は、排気設備用配管５３０を経て工場の排気設備９１０によって排出される。
【０００５】
工場の排気設備９１０には、通常、複数の処理装置が接続され、当該排気設備９１０の排気量が複数の処理装置のそれぞれに割り当てられる。上記の基板処理装置５００の所要排気量に対して、当該基板処理装置５００に割り当てられた排気設備９１０の排気量が不足する場合、基板処理装置５００は、カップ３１０内の雰囲気を十分に排出できないため基板処理を行うと処理の質が低下する。これに対して、特許文献１には、基板処理装置に割り当てられる排気設備の排気量の不足を抑制することを図った基板処理装置が示されている。
【０００６】
特許文献１の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転可能な基板保持部と、基板保持部の周囲を取り囲むカップと、カップ内部の雰囲気を工場の排気設備に導く排気管路と、排気管路の途中に設けられた排気補助装置とを備えている。排気補助装置は、排気管路から分岐する分岐管路と、排気管路を流れる雰囲気の流れの下流側で排気管路に合流する合流管路とを備えている。分岐管路と合流管路の間には、分岐管路と合流管路とを連通する貯留部が設けられ、貯留部の分岐管路側には、ファンなどの吸気装置が設けられている。吸気装置が作動すると、排気管路を流れる雰囲気の一部が分岐管路に導入され、貯留部に送られる。貯留部は、膜部材により構成されており、雰囲気を送られると、膨らんで雰囲気を貯留する。吸気装置が停止すると、貯留部は縮み、貯留している雰囲気を合流配管に吐き出す。これにより、工場の排気設備を増大させることなく、基板処理装置の排出能力を増加させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１３７６６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、貯留部が膨らむことができる大きさに限度がある。このため、排気設備から割り当てられる排気量が基板処理装置の所要排気量に対して不足する量が、貯留部の最大貯留量を越える場合は、雰囲気の排出を十分に行うことができないといった問題がある。
【０００９】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、外部の排気設備から基板処理装置に割り当てられる排気量が基板処理装置の所要排気量に対して大きく不足する場合でも、チャンバー内の雰囲気を十分に排気できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、チャンバーと、基板を略水平に保持可能な保持部材を含んで前記チャンバー内に収容され、前記保持部材が保持している基板に処理用流体を吐出して前記基板の処理を行う基板処理機構と、前記保持部材の下方に設けられて前記チャンバー内に面する下側開口と、前記保持部材の上方に設けられて前記チャンバー内に面する上側開口とを含み、前記下側開口から前記上側開口まで少なくとも一部が前記チャンバーの外を通って配設されている接続配管と、前記接続配管に設けられた気流発生器と、を備え、前記気流発生器は、所定の気体を含む前記チャンバー内の雰囲気が前記下側開口から前記接続配管に排出されて前記接続配管を通って前記上側開口から再び前記チャンバー内に導入されることによって、前記チャンバー内に前記雰囲気のダウンフローが生じるように、前記チャンバー内の前記雰囲気を循環させる。
【００１１】
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記雰囲気から前記処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルターを、前記接続配管内にさらに備える。
【００１２】
第３の態様に係る基板処理装置は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記フィルターは、前記気流発生器よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側に設けられている。
【００１３】
第４の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記処理用流体は、所定の液体を含み、前記接続配管は、上下方向に延在する縦配管を含み、前記縦配管は、前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れが当該縦配管の内部を上昇可能であるとともに、少なくとも一部が前記気流発生器よりも前記雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられており、前記フィルターは、前記縦配管の前記少なくとも一部に設けられ、前記雰囲気から霧状の前記液体を除去可能である。
【００１４】
第５の態様に係る基板処理装置は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記接続配管は、鉛直方向の下端にタンクを含み、前記タンクは、前記雰囲気に混じって前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記液体を受けることができるように設けられており、前記縦配管は、その内部空間と前記タンクの内部空間とが連通するように前記タンクから上方に延在する。
【００１５】
第６の態様に係る基板処理装置は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記フィルターは、前記縦配管のうち前記気流発生器よりも前記タンクに近い部分に設けられている。
【００１６】
第７の態様に係る基板処理装置は、第１から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記所定の気体の供給源と前記接続配管とを連通して前記気体を前記接続配管内に導入可能な導入配管と、前記導入配管を流れる前記気体の流量を調整可能な調整弁と、をさらに備える。
【００１７】
第８の態様に係る基板処理装置は、第７の態様に係る基板処理装置であって、前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記雰囲気から前記処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルターを、前記接続配管に備え、前記フィルターは、前記気流発生器よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側に設けられており、前記導入配管は、前記接続配管のうち前記フィルターよりも前記雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。
【００１８】
第９の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記接続配管から分岐して前記接続配管を外部の排気設備に連通するとともに、前記接続配管に排出された前記雰囲気を前記排気設備に導く排気設備用配管をさらに備え、前記接続配管のうち前記排気設備用配管よりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの下流側から前記上側開口に至る部分によって戻り配管を定義したとき、前記基板処理装置は、前記戻り配管と前記排気設備用配管とのうち何れか一方を開状態にし、他方を閉状態にできる開閉弁機構をさらに備える。
【００１９】
第１０の態様に係る基板処理装置は、第９の態様に係る基板処理装置であって、前記戻り配管と前記排気設備用配管とのうち何れか一方が開状態となり、他方が閉状態となるように前記開閉弁機構の開閉制御を行う制御部をさらに備え、前記開閉制御は、前記基板処理装置の所要排気量が前記排気設備の排気量のうち前記基板処理装置に割り当てられる排気量を超えるときには、前記戻り配管を開状態とするとともに、前記排気設備用配管を閉状態とし、前記所要排気量が前記割り当てられる排気量を超えないときには、前記戻り配管を閉状態とするとともに、前記排気設備用配管を開状態とする制御である。
【００２０】
第１１の態様に係る基板処理装置は、第１０の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、予め取得した制御用情報に基づいて前記開閉制御を行い、前記制御用情報は、前記開閉制御が実行され得るように、前記基板処理装置が実行可能な基板処理のプロセスと、前記開閉弁機構の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報を含んでいる。
【００２１】
第１２の態様に係る基板処理装置は、第１０の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、予め取得した制御用情報に基づいて前記開閉制御を行い、前記制御用情報は、前記排気設備から当該基板処理装置に割り当てられる排気量に相当する指標値と、当該基板処理装置の所要排気量に相当する指標値とを含んでいる。
【００２２】
第１３の態様に係る基板処理装置は、第９から第１２の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記処理用流体は、所定の液体を含み、前記接続配管は、鉛直方向の下端にタンクを含んでおり、前記タンクは、前記雰囲気に混じって前記チャンバー内から前記接続配管に排出された前記液体を受けることができるように設けられており、前記排気設備用配管と前記戻り配管とは、それぞれ前記タンクに接続されており、前記戻り配管は、前記タンクから上方に延在する縦配管を含み、前記縦配管は、前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れが当該縦配管の内部を上昇可能であるとともに、少なくとも一部が前記気流発生器よりも前記雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられており、当該基板処理装置は、前記縦配管の前記少なくとも一部に設けられて、前記雰囲気から霧状の前記液体を除去可能なフィルター、をさらに備え、前記開閉弁機構は、前記縦配管のうち前記フィルターよりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの上流側の部分に設けられて前記縦配管を開閉可能な第１開閉弁と、排気設備用配管を開閉可能な第２開閉弁とを含む。
【００２３】
第１４の態様に係る基板処理装置は、第１３の態様に係る基板処理装置であって、前記所定の気体の供給源と前記縦配管とを連通して前記気体を前記縦配管内に導入可能な導入配管と、前記導入配管を流れる前記気体の流量を調整可能な調整弁と、をさらに備え、前記導入配管は、前記接続配管のうち前記フィルターよりも前記気流発生器が循環させる前記雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。
【００２４】
第１５の態様に係る基板処理装置は、第１から第１４の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記基板処理機構は、前記基板に前記処理用流体を吐出して前記基板の洗浄処理またはリンス処理を行う。
【００２５】
第１６の態様に係る基板処理装置は、第１５の態様に係る基板処理装置であって、前記基板処理機構は、前記処理用流体として、純水、または機能水を吐出する。
【発明の効果】
【００２６】
第１の態様に係る発明によれば、接続配管は、それぞれチャンバー内に面する下側開口と、上側開口とを含み、下側開口から上側開口まで少なくとも一部がチャンバーの外を通って配設されている。そして、接続配管に設けられた気流発生器は、所定の気体を含むチャンバー内の雰囲気が下側開口から接続配管に排出されて接続配管を通って上側開口から再びチャンバー内に導入されることによって、チャンバー内に雰囲気のダウンフローが生じるように、チャンバー内の雰囲気を循環させる。これにより、基板処理装置は、外部の排気設備に接続されていなくてもチャンバー内の雰囲気をチャンバー外に排気できる。従って、基板処理装置は、外部の排気設備から割り当てられる排気量が所要排気量に対して大きく不足する場合でも、チャンバー内の雰囲気を十分に排気できる。
【００２７】
第２の態様に係る発明によれば、基板処理装置は、チャンバー内から接続配管に排出された雰囲気から処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルターを、接続配管内にさらに備える。従って、チャンバー内から接続配管に排気された雰囲気は、当該フィルターで浄化されたのち再びチャンバー内に循環される。これにより、基板処理の質を向上できる。
【００２８】
第３の態様に係る発明によれば、フィルターは、気流発生器よりも気流発生器が循環させる雰囲気の流れの上流側に設けられている。従って、気流発生器には、当該フィルターによって浄化された雰囲気が送られるので、雰囲気に混じっている処理用流体の成分によって気流発生器が劣化することを抑制できる。
【００２９】
第４の態様に係る発明によれば、処理用流体は、所定の液体を含み、フィルターは、雰囲気から霧状の液体を除去可能であり、接続配管に含まれる縦配管のうち気流発生器よりも雰囲気の流れの上流側の部分に設けられている。従って、フィルターによって分離された雰囲気中の霧状の液体は、縦配管を伝って下方に垂れ落ち易くなる。
【００３０】
第５の態様に係る発明によれば、接続配管の鉛直方向の下端にタンクが設けられているので、チャンバー内の雰囲気とともに接続配管に排出された所定の液体の雫（大粒の液滴）は、接続配管の内壁に沿ってタンクに流れ込みタンクに受け止められる。雰囲気に混じって接続配管に排出された霧状の当該液体は、雰囲気とともにタンクから縦配管に流れるが、フィルターによって除去される。従って、フィルターよりも雰囲気の流れの下流側には、雫状の当該液体と霧状の当該液体の双方が除去された雰囲気が流れる。従って、処理用流体の成分によって気流発生器が劣化することが効率的に抑制される。
【００３１】
第６の態様に係る発明によれば、フィルターは、縦配管のうち気流発生器よりもタンクに近い部分に設けられている。処理用流体中の霧状の液体が、フィルターによって雰囲気から分離されて雫となって縦配管の内周面を伝って垂れ落ちる際に、多数の雫が内周面に付着すると縦配管を流れる雰囲気が受ける抵抗が大きくなる。しかしながら、フィルターが、縦配管のうち気流発生器よりもタンクに近ければ、雫が付着する範囲を小さくできるので縦配管内の雰囲気の流れが円滑になる。
【００３２】
第７の態様に係る発明によれば、基板処理装置は、チャンバー内の雰囲気に含まれる所定の気体の供給源と接続配管とを連通して気体を接続配管内に導入可能な導入配管と、導入配管を流れる気体の流量を調整可能な調整弁とをさらに備える。従って、当該気体がチャンバーから外部に漏れる場合でも、接続配管と導入配管と調整弁を介して当該気体をチャンバー内に補填できる。
【００３３】
第８の態様に係る発明によれば、フィルターは、気流発生器よりも気流発生器が循環させる雰囲気の流れの上流側に設けられており、導入配管は、接続配管のうちフィルターよりも雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。従って、チャンバー内から雰囲気に混じって接続配管に排気された処理用流体の所定の成分が、導入配管から接続配管に導入される所定の気体に混じることを抑制できるとともに、処理用流体の成分によって気流発生器が劣化することを抑制できる。
【００３４】
第９の態様に係る発明によれば、基板処理装置は、戻り配管と排気設備用配管とのうち何れか一方を開状態にし、他方を閉状態にできる開閉弁機構をさらに備えるので、基板処理装置は、チャンバー内から排出された雰囲気を戻り配管を介してチャンバー内に循環させることと、排気設備用配管を介して当該雰囲気を排気設備に排気することとを選択的に行うことができる。
【００３５】
第１０の態様に係る発明によれば、制御部は、基板処理装置の所要排気量が排気設備の排気量のうち基板処理装置に割り当てられる排気量を超えるときには、チャンバー内から排出された雰囲気を、戻り配管を介してチャンバー内に循環させる制御を行い、所要排気量が当該割り当てられる排気量を超えないときには当該雰囲気を排気設備用配管を介して排気設備に排気する制御を行う。従って、基板処理装置は、排気設備から装置に割り当てられる排気量が不足する場合にのみ、雰囲気の循環を行うことができる。
【００３６】
第１１の態様に係る発明によれば、制御用情報は、上記の開閉制御が実行され得るように、基板処理装置が実行可能な基板処理のプロセスと、開閉弁機構の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報を含んでいる。従って、制御部は、排気設備から装置に割り当てられる排気量が不足する基板処理のプロセスを行う場合には雰囲気を循環させる制御を行い、当該排気量が不足しない基板処理のプロセスを実行する場合には、雰囲気を排気設備に排気する制御を行うことができる。
【００３７】
第１２の態様に係る発明によれば、制御用情報は、排気設備から当該基板処理装置に割り当てられる排気量に相当する指標値と、当該基板処理装置の所要排気量に相当する指標値とを含んでいる。従って、制御部は、排気設備から基板処理装置に割り当てられる排気量が、基板処理装置の所要排気量に対して不足するか否かを判断し、その判断に基づいて開閉弁機構の開閉制御を行うことができる。
【００３８】
第１３の態様に係る発明によれば、開閉弁機構は、縦配管のうちフィルターよりも気流発生器が循環させる雰囲気の流れの上流側の部分に設けられて縦配管を開閉可能な第１開閉弁と、排気設備用配管を開閉可能な第２開閉弁とを含む。従って、第１開閉弁と第２開閉弁との何れか一方を開いて他方を閉じることによって、基板処理装置は、チャンバー内から排出された雰囲気を、戻り配管を介してチャンバー内に循環させること、若しくは当該雰囲気を排気設備用配管を介して排気設備に排気することとを選択的に行うことができる。
【００３９】
第１４の態様に係る発明によれば、基板処理装置は、所定の気体の供給源と縦配管とを連通して気体を縦配管内に導入可能な導入配管と、導入配管を流れる気体の流量を調整可能な調整弁と、をさらに備え、導入配管は、接続配管のうちフィルターよりも気流発生器が循環させる雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。従って、チャンバー内から雰囲気に混じって接続配管に排気された処理用流体の所定の成分が、導入配管から接続配管に導入される所定の気体に混じることを抑制できるとともに、処理用流体の成分によって気流発生器が劣化することを抑制できる。
【００４０】
第１６の態様に係る発明によれば、基板処理機構が処理用流体として、純水、または機能水を基板に吐出して洗浄処理またはリンス処理を行う。基板処理機構が、ＳＣ１などの薬液を使用しないので、当該薬液に起因するミストが発生しない。従って、チャンバー内の雰囲気が接続配管によって循環されて再度チャンバー内に導入される際に、当該雰囲気によって基板が汚染される可能性を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態１に係る基板処理装置を模式的に示す側面断面図である。
【図２】図１の１つの基板処理ユニットの一部を拡大して示す図である。
【図３】比較技術に係る基板処理装置を模式的に示す側面断面図である。
【図４】実施形態２に係る基板処理装置を模式的に示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、各図では、同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。上下方向は鉛直方向であり、スピンチャックに対して基板側が上である。
【００４３】
＜１．基板処理装置１００＞
基板処理装置１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１００を模式的に示す側面断面図である。図２は、基板処理装置１００の１つの基板処理ユニット１の一部を拡大して示す側面断面図である。
【００４４】
基板処理装置１００は、半導体ウェハ等の基板Ｗを処理するシステムである。基板Ｗの表面形状は略円形である。基板Ｗの半径は、例えば、１５０ｍｍである。基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１を備えている。基板処理装置１００は、各基板処理ユニット１において、基板Ｗを、一枚ずつ、連続して処理することができるとともに、複数の基板処理ユニット１によって、複数の基板Ｗを並行して処理することもできる。
【００４５】
基板処理装置１００は、並設された複数のセル（処理ブロック）（具体的には、インデクサセル１１０および処理セル１２０）と、当該複数のセル１１０，１２０が備える各動作機構等を統括して制御する制御部１３０を備える。制御部１３０は、当該複数のセル１１０，１２０が備える基板搬送装置２００の制御も行う。基板処理装置１００は、複数の脚部１７１を介して、工場等の床面１６１に載置されている。
【００４６】
＜インデクサセル１１０＞
インデクサセル１１０は、装置外から受け取った未処理の基板Ｗを処理セル１２０に渡すとともに、処理セル１２０から受け取った処理済みの基板Ｗを装置外に搬出するためのセルである。インデクサセル１１０は、キャリアＣを載置するキャリアステージ１１１と、キャリアＣに対する基板Ｗの搬出入を行う移載ロボットＩＲと、を備える。
【００４７】
キャリアステージ１１１に対しては、複数の未処理の基板Ｗを収納したキャリアＣが、装置外部から、ＯＨＴ(Overhead Hoist Transfer)等によって搬入されて載置される。未処理の基板Ｗは、キャリアＣから１枚ずつ取り出されて装置内で処理され、装置内での処理が終了した処理済みの基板Ｗは、再びキャリアＣに収納される。処理済みの基板Ｗを収納したキャリアＣは、ＯＨＴ等によって装置外部に搬出される。このように、キャリアステージ１１１は、未処理の基板Ｗおよび処理済みの基板Ｗを集積する基板集積部として機能する。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや、収納された基板Ｗを外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。
【００４８】
移載ロボットＩＲは、基板Ｗを水平姿勢（基板Ｗの主面が水平な姿勢）で支持することができる。移載ロボットＩＲは、キャリアステージ１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出して、当該取り出した基板Ｗを、後述する搬送ロボット（図示省略）に渡す。また、移載ロボットＩＲは、搬送ロボットから処理済みの基板Ｗを受け取って、当該受け取った基板Ｗを、キャリアステージ１１１上に載置されたキャリアＣに収納する。
【００４９】
移載ロボットＩＲの上方には、ＦＦＵ（ファン・フィルター・ユニット）８０が設けられ、移載ロボットＩＲの下方には、ＦＦＵ８０が供給する気体を排出する図示省略の排気装置が設けられている。ＦＦＵ８０は、ファン８１とＵＬＰＡフィルター７１とを備える。ＦＦＵ８０は、インデクサセル１１０内にクリーンエアーを送る。ＦＦＵ８０および排気装置は、インデクサセル１１０内にダウンフロー（下降流）を形成する。
【００５０】
＜処理セル１２０＞
処理セル１２０は、基板Ｗに処理を行うためのセルである。処理セル１２０は、複数の基板処理ユニット１と、各基板処理ユニット１のチャンバー１２１内の雰囲気をチャンバー１２１から排気して再びチャンバー１２１内に循環させる循環系６Ａと、当該複数の基板処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送ロボットと、を備える。循環系６Ａについては、後述する。
【００５１】
当該搬送ロボットと移載ロボットＩＲとは、基板搬送装置２００である。ここでは、複数個（例えば、４個）の基板処理ユニット１が鉛直方向に積層されて、１個の基板処理装置群１０を構成している。図１においては、搬送ロボットは、基板処理装置群１０の紙面に垂直な方向の奥側に隠れている。そして、複数個（例えば、４個）の基板処理装置群１０が、例えば、搬送ロボットＣＲを取り囲むようにクラスタ状（房状）に設置される。基板処理装置１００が１つの基板処理装置群１０を備えてもよいし、基板処理装置群１０が１つの基板処理ユニット１を備えてもよい。
【００５２】
各基板処理ユニット１は、内部に処理空間を形成するチャンバー（「筐体」）１２１を備える。チャンバー１２１には、搬送ロボットがチャンバー１２１の内部にそのハンドを挿入するための搬出入口（図示省略）が形成されている。搬出入口には、制御部１３０の制御に基づいて開閉可能なシャッター（図示省略）が設けられている。シャッターは、基板Ｗのチャンバー１２１内への搬出入時に開かれ、基板Ｗの処理中は閉じられる。基板処理ユニット１は、搬送ロボットが配置されている空間に、この搬出入口を対向させるようにして配置される。基板処理ユニット１の具体的な構成については、後に説明する。
【００５３】
搬送ロボットは、基板Ｗを片持ち支持しながら搬送するロボットである。搬送ロボットは、指定された基板処理ユニット１から処理済みの基板Ｗを取り出して、当該取り出した基板Ｗを、基板受渡位置において移載ロボットＩＲに渡す。また、搬送ロボットは、基板受渡位置において移載ロボットＩＲから未処理の基板Ｗを受け取って、当該受け取った基板Ｗを、指定された基板処理ユニット１に搬送する。
【００５４】
＜制御部１３０＞
制御部１３０は、一群の基板処理ユニット１の各々の動作を制御する。制御部１３０のハードウエアとしての構成は、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ１１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ（不図示）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ（不図示）およびプログラムＰＧ１やデータなどを記憶しておく記憶装置１２をバスライン（不図示）に接続して構成されている。記憶装置１２には、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定するレシピＫ１も記憶されている。記憶装置１２には、後述する開閉弁機構９０の開閉制御に用いられる制御用情報Ｋ２も記憶される。
【００５５】
制御部１３０において、プログラムＰＧ１に記述された手順に従って制御部としてのＣＰＵ１１が演算処理を行うことにより、基板処理装置１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。制御部１３０において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路などでハードウエア的に実現されてもよい。
【００５６】
＜２．基板処理ユニット１の構成＞
基板処理ユニット１の構成について、図１、図２を参照しながら以下に説明する。
【００５７】
図２は、ノズル５１、スプラッシュガード３１がそれぞれの処理位置に配置された状態で、基板Ｗが、スピンチャック（「保持部材」）２１によって回転軸ａ１を中心に、所定の回転方向に回転している状態を示している。基板Ｗの基板処理ユニット１への搬入搬出は、ノズル５１、スプラッシュガード３１が待避位置に配置された状態で、搬送ロボットにより行われる。基板処理ユニット１に搬入された基板Ｗは、スピンチャック２１により着脱自在に保持される。
【００５８】
なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液（「洗浄液」とも称される）」と、が含まれる。
【００５９】
基板処理ユニット１は、基板処理機構Ａ１と飛散防止部３とを備える。基板処理機構Ａ１は、チャンバー１２１内に収容される。チャンバー１２１内は大気圧である。基板処理機構Ａ１は、スピンチャック２１が保持している基板Ｗに処理用流体を吐出して基板Ｗの処理を行う機構である。基板処理機構Ａ１は、回転保持機構２と処理部５とを備える。回転保持機構２、飛散防止部３、および処理部５は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０は、プログラムＰＧ１に記述された手順に従って制御部としてのＣＰＵ１１が演算処理を行うことにより、基板処理ユニット１の各部を制御する。
【００６０】
＜回転保持機構２＞
回転保持機構２は、基板Ｗを、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。回転保持機構２は、基板Ｗを、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に回転させる。
【００６１】
回転保持機構２は、基板Ｗより小さい円板状の部材であるスピンチャック（「保持部材」）２１を備える。スピンチャック２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように設けられている。スピンチャック２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線を中心に回転駆動する。従って、スピンチャック２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１を中心に回転可能である。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンチャック２１を、回転軸ａ１を中心に回転させる回転機構である。
【００６２】
スピンチャック２１には、基板Ｗの吸引を行うための多数の吸引口（図示省略）が設けられている。各吸引口は、スピンチャック２１の上面（「表面」）に開口している。各吸引口には、減圧機構（図示省略）連通している。減圧機構は、吸引口内を減圧する減圧動作を行うことができる。また、減圧機構は、減圧した吸引口内の圧力（気圧）を回復させる復圧動作を行うこともできる。
【００６３】
基板Ｗがスピンチャック２１の上面に略水平姿勢で置かれた状態で、減圧機構が吸引口内を減圧すると、スピンチャック２１は、基板Ｗを下方から吸引して基板Ｗを略水平に保持する。また、減圧機構が吸引口内の圧力を回復させると、基板Ｗは、スピンチャック２１の上面から取り外し可能となる。
【００６４】
この構成において、スピンチャック２１が基板Ｗを吸引して基板Ｗを略水平に保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンチャック２１が鉛直方向に沿った軸線周りで回転される。これによって、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗが、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に回転される。
【００６５】
＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンチャック２１とともに回転される基板Ｗから飛散する処理液等を受け止める。飛散防止部３は、スプラッシュガード３１と、スプラッシュガード３１を昇降させる昇降機構（図示省略）とを備える。
【００６６】
スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２１を取り囲むように設けられる。基板Ｗが処理される際は、スプラッシュガード３１は、その上端がスピンチャック２１に保持された基板Ｗよりも上方の処理位置するように配置され、基板Ｗの周縁から排出される処理液を受け止めて底部に回収し、底部の空間と連通するドレイン管１５１を経て工場の排液ラインに排出する。基板Ｗがスピンチャック２１に搬入される際は、スプラッシュガード３１は、その上端がスピンチャック２１の下方に位置する退避位置に配置される。スプラッシュガード３１の昇降機構は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３１の位置は、制御部１３０によって制御される。
【００６７】
なお、スピンチャック２１の上方には、チャンバー１２１内に面する接、後述する接続配管６０の上側開口４１が形成され、スピンチャック２１の下方には、スプラッシュガード３１に囲まれた空間に面する接続配管６０の下側開口４２が形成されている。後述する気流発生器８２が作動することによって、チャンバー１２１内（スプラッシュガード３１に囲まれた空間）の雰囲気が、下側開口４２から接続配管６０に排気される。排気された雰囲気は、後述する導入配管６９から接続配管６０に導入される比較的清浄な気体Ｆ２が混ざった気体（雰囲気）となって、上側開口４１から再びチャンバー１２１内に導入される。導入された雰囲気は、チャンバー１２１内でダウンフローＤ１を形成し、基板Ｗの表面等に沿って下側開口４２に向かい、下側開口４２から接続配管６０に再度、排気される。
【００６８】
＜処理部５＞
処理部５は、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗに対して定められた処理を行う。具体的には、処理部５は、例えば、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗに処理液を供給し、基板Ｗの処理を行う。
【００６９】
処理部５は、ノズル５１を備える。ノズル５１は、図示省略のノズル移動機構によって、処理位置と退避位置との間で移動される。ノズル５１の先端部（下端部）は、下方に突出しており先端に吐出口を備える。
【００７０】
ノズル５１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部（不図示）が接続されている。ノズル５１は、処理液供給部から処理液を供給され、当該処理液を先端の吐出口から吐出する。処理部５は、ノズル５１から、制御部１３０の制御に従って処理液Ｌ１の液流を吐出する。
【００７１】
処理液供給部は、ノズル５１に対して、処理液（「処理用流体」）Ｌ１を供給する。処理液Ｌ１として、例えば、ＳＣ１、ＤＨＦ、ＳＣ２、およびリンス液などが採用される。リンス液としては、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水（ＣＯ２水など）、などが採用される。処理液供給部から処理液Ｌ１を供給されたノズルは、回転している基板Ｗに当たるように、当該処理液Ｌ１の液流を吐出する。処理液供給部は、ノズル５１に対応して設けられた開閉弁（図示省略）を備える。この開閉弁は、制御部１３０と電気的に接続されている図示省略のバルブ開閉機構によって、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、ノズル５１からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００７２】
なお、処理液供給部に替えてエッチングガスなどを供給する処理用流体供給部が採用されてもよい。この場合、ノズル５１からエッチングガスが基板Ｗに供給されて、基板Ｗのエッチングが行われる。
【００７３】
＜３．循環系６Ａの構成＞
循環系６Ａは、基板処理ユニット１のチャンバー１２１内（より詳細には、スプラッシュガード３１内）の雰囲気を基板処理ユニット１から排気して、再びチャンバー１２１内に導入することによって、チャンバー１２１内の雰囲気を循環させる。循環系６Ａは、接続配管６０と、接続配管６０に設けられた気流発生器８２とを備える。気流発生器８２は、例えば、ファンなどを備えて構成される。
【００７４】
接続配管６０は、複数（図の例では４つ）の配管６１と、タンク６２と、配管６３と、タンク６４と、戻り配管６０Ａとを備えている。各配管６１は、各チャンバー１２１内において各スプラッシュガード３１の下方から各チャンバー１２１内を通って各チャンバー１２１の外部に配設されている。各配管６１の先端は、タンク６２の上部に接続されている。各配管６１のうちスプラッシュガード３１の下方の部分には、チャンバー１２１の内部空間のうちスプラッシュガード３１に囲まれた空間に対向する下側開口４２が形成されている。下側開口４２は、例えば、回転駆動部２３の底部を囲む環状に形成される。各スプラッシュガード３１に囲まれた空間、すなわち各チャンバー１２１内の雰囲気は、各下側開口４２から各配管６１、すなわち接続配管６０に排気される。接続配管６０内には、排気された雰囲気の流れＦ１が形成される。また、配管６３は、タンク６２とタンク６４とを連通している。タンク６４は、雰囲気に混じってチャンバー１２１内から接続配管６０に排出された処理液（液体）Ｌ１を受けることができるように設けられている。縦配管６５は、その内部空間とタンク６４の内部空間とが連通するようにタンク６４から上方に延在する。
【００７５】
循環系６Ａは、排気設備用配管１５３をさらに備える。排気設備用配管１５３は、接続配管６０から分岐して接続配管６０を外部の排気設備９５に連通するとともに、接続配管６０に排出された雰囲気を排気設備９５に導く。排気設備用配管１５３と戻り配管６０Ａとは、それぞれタンク６４に接続されている。排気設備９５は、例えば、工場等の床面１６１の下方に設けられている。循環系６Ａは、タンク６４の内部空間に連通し、タンク６４が受けた液体を外部に排出するドレイン管１５２をさらに備えている。排気設備９５用配管は、タンク６４内に面するドレイン管１５２の開口よりも上方においてタンク６４に接続しており、タンク６４内に面する開口を含んでいる。
【００７６】
戻り配管６０Ａは、タンク６４から上方に延在する縦配管６５と、縦配管６５の先端に接続され、基板処理装置群１０の上方で水平方向に延在する横配管６６を備える。図１の例では、気流発生器８２は、横配管６６に設けられている。気流発生器８２が横配管６６に設けられれば、基板処理装置１００のフットプリントを抑制できる。縦配管６５は、気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れが当該縦配管６５の内部を上昇可能であるとともに、少なくとも一部が気流発生器８２よりも当該雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられている。
【００７７】
各基板処理ユニット１のチャンバー１２１の上壁には、後述する縦配管６７を挿通可能な貫通孔が、上面視において同じ位置に設けられている。横配管６６の先端は、当該貫通孔の上方まで延在している。戻り配管６０Ａは、横配管６６の先端から、各チャンバー１２１の各貫通孔を通って下方に延在する縦配管６７をさらに備える。これにより、縦配管６７は、一番上の基板処理ユニット１から順次に下側の各基板処理ユニット１のチャンバー１２１内に導入される。各チャンバー１２１の当該各貫通孔と縦配管６７との隙間は封止されている。戻り配管６０Ａは、複数（図示の例では４つ）の枝配管６８をさらに備えている。各枝配管６８は、縦配管６７のうち各チャンバー１２１内の上側に位置する各部分に接続されている。各枝配管６８は、各チャンバー１２１内のスプラッシュガード３１の上方まで水平に延在している。各枝配管６８のうちスプラッシュガード３１の上方部分には、スプラッシュガード３１に対向する上側開口４１が形成されている。各枝配管６８の先端部分には、ＵＬＰＡフィルター７１が装着されている。チャンバー１２１から接続配管６０に排出されたチャンバー１２１内の雰囲気は、接続配管６０を通って、枝配管６８の先端に到達し、ＵＬＰＡフィルター７１によって浄化されてチャンバー１２１内に供給される。
【００７８】
このように、接続配管６０は、上下方向に延在する縦配管６５を含む。また、接続配管６０は、スピンチャック２１の下方に設けられてチャンバー１２１内に面する下側開口４２と、スピンチャック２１の上方に設けられてチャンバー１２１内に面する上側開口４１とを含む。また、接続配管６０は、下側開口４２から上側開口４１まで少なくとも一部がチャンバー１２１の外を通って配設されている。そして、戻り配管６０Ａは、接続配管６０のうち排気設備用配管１５３よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの下流側から上側開口４１に至る部分である。
【００７９】
気流発生器８２は、所定の気体Ｆ２を含むチャンバー１２１内の雰囲気が下側開口４２から接続配管６０に排出されて接続配管６０を通って上側開口４１から再びチャンバー１２１内に導入されることによって、チャンバー１２１内に雰囲気のダウンフローＤ１が生じるように、チャンバー１２１内の雰囲気を循環させる。気体Ｆ２としては、例えば、空気が採用される。気体Ｆ２として、例えば、Ｎ２ガスなどが採用されてもよい。
【００８０】
循環系６Ａは、好ましくは、接続配管６０内にさらにフィルター７２を備える。フィルター７２は、チャンバー１２１内から接続配管６０に排出された雰囲気から処理液（処理用流体）Ｌ１に含まれる所定の成分を除去可能である。フィルター７２は、好ましくは、気流発生器８２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの上流側に設けられる。フィルター７２は、霧状の処理液Ｌ１、すなわち霧状の液体を雰囲気から除去可能なフィルター７２であるが、雰囲気に含まれるダストもある程度、除去することもできるように選定されることが好ましい。フィルター７２としては、例えば、滴滴状（ミスト状）の水分を除去するミストフィルター、化学反応によって処理用流体に含まれる特定の化学物質を除去するケミカルフィルターなどが採用される。例えば、処理液としてＳＣ１が採用される場合には、ＳＣ１に含まれるアンモニア(アルカリ)により、接続配管６０、気流発生器８２等が腐食することが、想定される。このため、アルカリ雰囲気を除去するケミカルフィルターを縦配管６５に装着することが好ましい。
【００８１】
上述のように、縦配管６５の少なくとも一部は、気流発生器８２よりも雰囲気の流れの上流側に位置するように設けられており、フィルター７２は、好ましくは、縦配管６５の当該少なくとも一部、すなわち縦配管６５のうち気流発生器８２よりも雰囲気の流れの上流側の部分に設けられる。チャンバー１２１から排出された雰囲気には、霧状の処理液（液体）Ｌ１が含まれている。フィルター７２は、チャンバー１２１から排出された雰囲気から霧状の処理液（液体）Ｌ１を除去可能である。また、フィルター７２は、好ましくは、縦配管６５のうち気流発生器８２よりもタンク６４に近い部分に設けられている。
【００８２】
循環系６Ａは、導入配管６９と調整弁９３とをさらに備える。導入配管６９は、所定の気体Ｆ２の供給源（図示省略）と、接続配管６０とを連通して気体Ｆ２を接続配管６０内に導入可能な配管である。導入配管６９は、好ましくは、接続配管６０のうちフィルター７２よりも雰囲気の流れの下流側の部分に接続される。調整弁９３は、導入配管６９を流れる気体Ｆ２の流量を調整可能な弁である。調整弁９３は、制御部１３０の制御に従って、その開度を調整できる。
【００８３】
ここで、搬送ロボットは可動部を有するので、搬送ロボットのあるロボット室の方がチャンバー１２１内よりも雰囲気が汚い。その雰囲気がチャンバー１２１に入ることは好ましくない。そこで、基板処理装置１００は、チャンバー１２１内の空気を搬送ロボットＣＲのあるロボット室に漏らして汚れた雰囲気がロボット室からチャンバー１２１に入ることを抑制している。このためチャンバー１２１からロボット室に漏らした空気を補充する必要が有る。基板処理装置１００は、所定の気体Ｆ２の供給源に接続された導入配管６９と、導入配管６９に設けられた調整弁９３を備えている。なお、調整弁９３は、全閉と全開のみ可能な開閉弁であってもよい。
【００８４】
循環系６Ａは、戻り配管６０Ａと排気設備用配管１５３とのうち何れか一方を開状態にし、他方を閉状態にできる開閉弁機構９０をさらに備える。開閉弁機構９０は、第１開閉弁９１と第２開閉弁９２とを含む。第１開閉弁９１は、縦配管６５のうちフィルター７２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの上流側の部分に設けられて縦配管６５を開閉可能に設けられている。第２開閉弁９２は、排気設備用配管１５３を開閉可能に設けられている。
【００８５】
制御部１３０は、戻り配管６０Ａと排気設備用配管１５３とのうち何れか一方が開状態となり、他方が閉状態となるように開閉弁機構９０の開閉制御を行う。当該開閉制御は、基板処理装置１００の所要排気量が排気設備９５の排気量のうち基板処理装置１００に割り当てられる排気量を超えるときには、戻り配管６０Ａを開状態とするとともに、排気設備用配管１５３を閉状態とし、所要排気量が割り当てられる排気量を超えないときには、戻り配管６０Ａを閉状態とするとともに、排気設備用配管１５３を開状態とする制御である。
【００８６】
制御部１３０は、キーボードなどの図示省略の入力装置を介して入力される制御用情報Ｋ２を記憶装置１２に予め記憶している。制御部１３０のＣＰＵ１１は、記憶装置１２から制御用情報Ｋ２を取得し、制御用情報Ｋ２に基づいて開閉弁機構９０の開閉制御を行う。
【００８７】
制御用情報Ｋ２は、開閉弁機構９０の所望の開閉制御が実行され得るように、例えば、基板処理装置１００が実行可能な基板処理のプロセスと、開閉弁機構９０の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報を含んでいる。より詳細には、制御用情報Ｋ２は、例えば、基板処理装置１００が実施可能な複数のプロセスが、装置に割り当てられる排気量の不足、すなわち、装置に分配される排気量の不足が見込まれるプロセスと、排気設備９５の用力に余裕があると見込まれるプロセスとに分類されたものである。
【００８８】
また、制御用情報Ｋ２は、例えば、排気設備９５から当該基板処理装置に割り当てられる排気量に相当する指標値と、当該基板処理装置の所要排気量に相当する指標値とを含んでいてもよい。これらの指標値は、例えば、制御部１３０が排気設備９５等から予め取得して記憶装置１２に記憶する。制御部１３０は、各指標値の大きさに基づいて装置に割り当てられる排気量が、装置の所要排気量よりも大きいか否か、すなわち装置に割り当てられる排気量が不足するか否かを判定する。制御部１３０は、装置に割り当てられる排気量が不足する不足する場合には、接続配管６０を経て雰囲気を循環させる。
【００８９】
なお、排気設備９５から装置に割り当てられる排気量が装置の所要排気量に対して不足する時間帯と、不足しない時間帯とが、排気設備９５に排気する各装置の運転スケジュールに基づいて予測可能な場合には、制御部１３０は、当該運転スケジュールに基づいて開閉弁機構９０の開閉制御を行ってもよい。
【００９０】
上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、接続配管６０は、それぞれチャンバー１２１内に面する下側開口４２と、上側開口４１とを含み、下側開口４２から上側開口４１まで少なくとも一部がチャンバー１２１の外を通って配設されている。そして、接続配管６０に設けられた気流発生器８２は、所定の気体を含むチャンバー１２１内の雰囲気が下側開口４２から接続配管６０に排出されて接続配管６０を通って上側開口４１から再びチャンバー１２１内に導入されることによって、チャンバー１２１内に雰囲気のダウンフローＤ１が生じるように、チャンバー１２１内の雰囲気を循環させる。これにより、基板処理装置は、外部の排気設備９５に接続されていなくてもチャンバー１２１内の雰囲気をチャンバー１２１外に排気できる。従って、基板処理装置は、外部の排気設備９５から割り当てられる排気量が所要排気量に対して大きく不足する場合でも、チャンバー１２１内の雰囲気を十分に排気できる。
【００９１】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、チャンバー１２１内から接続配管６０に排出された雰囲気から処理用流体に含まれる所定の成分を除去可能なフィルター７２を、接続配管６０内にさらに備える。従って、チャンバー１２１内から接続配管６０に排気された雰囲気は、当該フィルター７２で浄化されたのち再びチャンバー１２１内に循環される。これにより、基板処理の質を向上できる。
【００９２】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、フィルター７２は、気流発生器８２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの上流側に設けられている。従って、気流発生器８２には、当該フィルター７２によって浄化された雰囲気が送られるので、雰囲気に混じっている処理用流体の成分によって気流発生器８２が劣化することを抑制できる。
【００９３】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、処理用流体は、所定の液体を含み、フィルター７２は、雰囲気から霧状の液体を除去可能であり、接続配管６０に含まれる縦配管６５のうち気流発生器８２よりも雰囲気の流れの上流側の部分に設けられている。従って、フィルター７２によって分離された雰囲気中の霧状の液体は、縦配管６５を伝って下方に垂れ落ち易くなる。
【００９４】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、接続配管６０の鉛直方向の下端にタンク６４が設けられているので、チャンバー１２１内の雰囲気とともに接続配管６０に排出された所定の液体の雫（大粒の液滴）は、接続配管６０の内壁に沿ってタンク６４に流れ込みタンク６４に受け止められる。雰囲気に混じって接続配管６０に排出された霧状の当該液体は、雰囲気とともにタンク６４から縦配管６５に流れるが、フィルター７２によって除去される。従って、フィルター７２よりも雰囲気の流れの下流側には、雫状の当該液体と霧状の当該液体の双方が除去された雰囲気が流れる。従って、処理用流体の成分によって気流発生器８２が劣化することが効率的に抑制される。
【００９５】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、フィルター７２は、縦配管６５のうち気流発生器８２よりもタンク６４に近い部分に設けられている。処理用流体中の霧状の液体が、フィルター７２によって雰囲気から分離されて雫となって縦配管６５の内周面を伝って垂れ落ちる際に、多数の雫が内周面に付着すると縦配管６５を流れる雰囲気が受ける抵抗が大きくなる。しかしながら、フィルター７２が、縦配管６５のうち気流発生器８２よりもタンク６４に近ければ、雫が付着する範囲を小さくできるので縦配管６５内の雰囲気の流れが円滑になる。
【００９６】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、チャンバー１２１内の雰囲気に含まれる所定の気体の供給源と接続配管６０とを連通して気体を接続配管６０内に導入可能な導入配管６９と、導入配管６９を流れる気体の流量を調整可能な調整弁９３とをさらに備える。従って、当該気体がチャンバー１２１から外部に漏れる場合でも、接続配管６０と導入配管６９と調整弁９３を介して当該気体をチャンバー１２１内に補填できる。
【００９７】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、フィルター７２は、気流発生器８２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの上流側に設けられており、導入配管６９は、接続配管６０のうちフィルター７２よりも雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。従って、チャンバー１２１内から雰囲気に混じって接続配管６０に排気された処理用流体の所定の成分が、導入配管６９から接続配管６０に導入される所定の気体に混じることを抑制できるとともに、処理用流体の成分によって気流発生器８２が劣化することを抑制できる。
【００９８】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、戻り配管６０Ａと排気設備用配管１５３とのうち何れか一方を開状態にし、他方を閉状態にできる開閉弁機構９０をさらに備えるので、基板処理装置は、チャンバー１２１内から排出された雰囲気を戻り配管６０Ａを介してチャンバー１２１内に循環させることと、排気設備用配管１５３を介して当該雰囲気を排気設備９５に排気することとを選択的に行うことができる。
【００９９】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、制御部１３０は、基板処理装置の所要排気量が排気設備９５の排気量のうち基板処理装置に割り当てられる排気量を超えるときには、チャンバー１２１内から排出された雰囲気を、戻り配管６０Ａを介してチャンバー１２１内に循環させる制御を行い、所要排気量が当該割り当てられる排気量を超えないときには当該雰囲気を排気設備用配管１５３を介して排気設備９５に排気する制御を行う。従って、基板処理装置は、排気設備９５から装置に割り当てられる排気量が不足する場合にのみ、雰囲気の循環を行うことができる。
【０１００】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、制御用情報Ｋ２は、上記の開閉制御が実行され得るように、基板処理装置が実行可能な基板処理のプロセスと、開閉弁機構９０の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報を含んでいる。従って、制御部１３０は、排気設備９５から装置に割り当てられる排気量が不足する基板処理のプロセスを行う場合には雰囲気を循環させる制御を行い、当該排気量が不足しない基板処理のプロセスを実行する場合には、雰囲気を排気設備９５に排気する制御を行うことができる。
【０１０１】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、制御用情報Ｋ２は、排気設備９５から当該基板処理装置に割り当てられる排気量に相当する指標値と、当該基板処理装置の所要排気量に相当する指標値とを含んでいる。従って、制御部１３０は、排気設備９５から基板処理装置に割り当てられる排気量が、基板処理装置の所要排気量に対して不足するか否かを判断し、その判断に基づいて開閉弁機構９０の開閉制御を行うことができる。
【０１０２】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、開閉弁機構９０は、縦配管６５のうちフィルター７２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの上流側の部分に設けられて縦配管６５を開閉可能な第１開閉弁９１と、排気設備用配管１５３を開閉可能な第２開閉弁９２とを含む。従って、第１開閉弁９１と第２開閉弁９２との何れか一方を開いて他方を閉じることによって、基板処理装置は、チャンバー１２１内から排出された雰囲気を、戻り配管６０Ａを介してチャンバー１２１内に循環させること、若しくは当該雰囲気を排気設備用配管１５３を介して排気設備９５に排気することとを選択的に行うことができる。
【０１０３】
また、上記のように構成された本実施形態１に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、所定の気体の供給源と縦配管６５とを連通して気体を縦配管６５内に導入可能な導入配管６９と、導入配管６９を流れる気体の流量を調整可能な調整弁９３と、をさらに備え、導入配管６９は、接続配管６０のうちフィルター７２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの下流側の部分に接続されている。従って、チャンバー１２１内から雰囲気に混じって接続配管６０に排気された処理用流体の所定の成分が、導入配管６９から接続配管６０に導入される所定の気体に混じることを抑制できるとともに、処理用流体の成分によって気流発生器８２が劣化することを抑制できる。
【０１０４】
＜４．基板処理装置１０２＞
基板処理装置１０２の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、実施形態２に係る基板処理装置１０２を模式的に示す側面断面図である。
【０１０５】
基板処理装置１０２は、実施形態１に係る基板処理装置１００と同様に、半導体ウェハ等の基板Ｗを処理するシステムである。
【０１０６】
基板処理装置１０２は、実施形態１に係る基板処理装置１００の処理セル１２０に代えて処理セル１２２を備えることを除いて、基板処理装置１００と同様に構成されている。すなわち、基板処理装置１０２は、インデクサセル１１０と、処理セル１２２と、制御部１３０とを備えている。制御部１３０は、当該複数のセル１１０，１２２が備える各動作機構等を統括して制御する。制御部１３０は、当該複数のセル１１０，１２２が備える基板搬送装置２００の制御も行う。
【０１０７】
＜処理セル１２２＞
処理セル１２２は、基板Ｗに処理を行うためのセルである。処理セル１２２は、処理セル１２０の循環系６Ａに代えて循環系６Ｂを備えることを除いて、処理セル１２０と同様に構成されている。すなわち、処理セル１２２は、複数の基板処理ユニット１と、循環系６Ｂと、当該複数の基板処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送ロボット（不図示）と、を備える。循環系６Ｂは、各基板処理ユニット１のチャンバー１２１内の雰囲気をチャンバー１２１から排気して再びチャンバー１２１内に循環させる。処理セル１２２の搬送ロボットは、処理セル１２０の搬送ロボットと同様に構成されている。当該搬送ロボットと移載ロボットＩＲとは、基板搬送装置２００である。
【０１０８】
＜５．循環系６Ｂの構成＞
循環系６Ｂは、基板処理ユニット１のチャンバー１２１内（より詳細には、スプラッシュガード３１内）の雰囲気を基板処理ユニット１から排気して、再びチャンバー１２１内に導入することによって、チャンバー１２１内の雰囲気を循環させる。
【０１０９】
循環系６Ｂは、排気管１５４と調整弁９６とをさらに備えるとともに、湿度計７８と、濃度計７９と、ケミカルフィルター７３とをさらに備えることを除いて、処理セル１２０の循環系６Ａと同様に構成されている。すなわち、循環系６Ｂは、接続配管６０と、接続配管６０に設けられた気流発生器８２とを備える。
【０１１０】
気流発生器８２は、気体Ｆ２を含むチャンバー１２１内の雰囲気が、下側開口４２から接続配管６０に排出されて接続配管６０を通って上側開口４１から再びチャンバー１２１内に導入されることによって、チャンバー１２１内に雰囲気のダウンフローＤ１が生じるように、チャンバー１２１内の雰囲気を循環させる。
【０１１１】
循環系６Ｂの接続配管６０は、循環系６Ａの接続配管６０と同様に、複数（図４の例では４つ）の配管６１と、タンク６２と、配管６３と、タンク６４と、戻り配管６０Ａとを備えている。
【０１１２】
戻り配管６０Ａは、タンク６４から上方に延在する縦配管６５と、縦配管６５の先端に接続され、基板処理装置群１０の上方で水平方向に延在する横配管６６を備える。図４の例では、気流発生器８２は、横配管６６に設けられている。
【０１１３】
戻り配管６０Ａは、縦配管６７をさらに備える。縦配管６７は、横配管６６の先端から下方に延在して、一番上の基板処理ユニット１のチャンバー１２１内に導入された後、順次に下側の各基板処理ユニット１のチャンバー１２１内に導入される。戻り配管６０Ａは、縦配管６７から分岐して各チャンバー１２１内のスプラッシュガード３１の上方まで水平に延在する複数（図４の例では４つ）の枝配管６８をさらに備える。
【０１１４】
排気管１５４は、接続配管６０に連通接続している。排気管１５４は、接続配管６０から基板処理装置１０２の外部まで延設されており、排気管１５４の先端は、当該外部空間に開口している。排気管１５４は、気流発生器８２が循環させる雰囲気の一部を雰囲気の流れＦ３として基板処理装置１０２の外部に排出する。
【０１１５】
排気管１５４には、調整弁９６が設けられている。調整弁９６は、雰囲気の流れＦ３の流量を調整可能な弁である。調整弁９６の開度は、制御部１３０の制御に従って閉状態と開状態との間の任意の開度に設定される。排気管１５４が排出する雰囲気の流れＦ３の流量は、調整弁９６の開度に応じて変動する。排気管１５４から雰囲気を排出しない場合には、制御部１３０は、調整弁９６を閉じる。
【０１１６】
排気管１５４は、気流発生器８２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの下流側であって、かつ、最も上流側の枝配管６８が縦配管６７から分岐する箇所よりも上流側において、接続配管６０に接続することが好ましい。これにより、各チャンバー１２１に分配される雰囲気の流量を、１つの排気管１５４によって調節できる。図４の例では、横配管６６のうち気流発生器８２よりも雰囲気の流れの下流側の部分と、縦配管６７のうち最も上流側の枝配管６８よりも上流側の部分とを合せた部分の一部（より具体的には、例えば、横配管６６と縦配管６７との接続部分）に、排気管１５４が接続している。
【０１１７】
接続配管６０の各配管６１は、各チャンバー１２１内において各スプラッシュガード３１の下方から各チャンバー１２１内を通って各チャンバー１２１の外部に配設されている。各配管６１の先端は、タンク６２の上部に接続されている。各スプラッシュガード３１に囲まれた空間、すなわち各チャンバー１２１内の雰囲気は、各配管６１の各下側開口４２から各配管６１、すなわち接続配管６０に排気される。接続配管６０（配管６１）内には、排気された雰囲気の流れＦ１が形成される。
【０１１８】
基板処理装置１０２は、さらに、各配管６１にケミカルフィルター７３を備えている。各ケミカルフィルター７３は、各チャンバー１２１内から各配管６１に排出された雰囲気から所定の化学物質を化学反応によって除去する。当該化学物質は、処理液（処理用流体）Ｌ１として薬液が用いられる場合に、薬液に起因するミスト等（ミストや気体）として雰囲気に含まれている。
【０１１９】
基板処理装置１０２は、さらに、接続配管６０を循環する雰囲気中の湿度を測定する湿度計７８と、当該雰囲気中の所定のガスの濃度を測定する濃度計７９を接続配管６０に備えている。湿度計７８、濃度計７９は、制御部１３０と電気的に接続されており、湿度計７８、濃度計７９の測定値は、制御部１３０に供給される。制御部１３０は、当該測定値に基づいて、基板処理装置１０２の制御を行うことができる。湿度計７８は、フィルター７２よりも気流発生器８２が循環させる雰囲気の流れの下流側に設けられることが好ましい。
【０１２０】
＜６．チャンバー内のダウンフロー等の流量の制御について＞
開閉弁機構９０が、戻り配管６０Ａを開状態とするとともに、排気設備用配管１５３を閉状態とすることによって、接続配管６０に排出された雰囲気が循環系６Ｂを循環する場合には、気流発生器８２が駆動すると接続配管６０内に雰囲気の気流が発生し、排気管１５４の調整弁９６は、当該気流による圧力を受ける。このため、制御部１３０が調整弁９６の開度を大きくすると、接続配管６０内から排気管１５４を経て基板処理装置１０２外へ流出する雰囲気の流れＦ３の流量が増加する。逆に、制御部１３０が調整弁９６の開度を小さくすると、当該雰囲気の流れＦ３の流量が減少する。
【０１２１】
気流発生器８２は、接続配管６０のうち気流発生器８２の近傍に、例えば、一定流量の雰囲気の流れを発生させる。接続配管６０内から排気管１５４を経て基板処理装置１０２外へ流出する雰囲気の流れＦ３の流量が増加すると、接続配管６０を通って上側開口４１からチャンバー１２１内に導入される雰囲気のダウンフローＤ１の流量は、減少する。逆に、雰囲気の流れＦ３の流量が減少すると、ダウンフローＤ１の流量は、増加する。
【０１２２】
各基板処理ユニット１が行う基板処理の質には、チャンバー１２１のスプラッシュガード３１内における雰囲気の流量が大きな影響を与える。雰囲気のダウンフローＤ１の流量が増加すれば、スプラッシュガード３１内の雰囲気の流量も増加し、ダウンフローＤ１の流量が減少すれば、スプラッシュガード３１内の雰囲気の流量も減少する。
【０１２３】
そこで、基板処理装置１０２は、ダウンフローＤ１の所望の流量を与える調整弁９６の開度を、実行可能な各プロセスについて予め制御用情報Ｋ２として記憶している。制御部１３０は、レシピＫ１と制御用情報Ｋ２に基づいて、実際に行うプロセスに応じた調整弁９６の開度を取得し、当該開度となるように調整弁９６を制御する。なお、基板処理装置１００の説明で述べたように、制御用情報Ｋ２は、開閉弁機構９０の所望の開閉制御が実行され得るように、例えば、基板処理装置１００が実行可能な基板処理のプロセスと、開閉弁機構９０の開閉状態とが、互いに対応づけられている情報も含んでいる。
【０１２４】
また、基板処理機構Ａ１が使用する処理液Ｌ１が薬液である場合、薬液に起因するミスト等（ミストやガス）を含む雰囲気がチャンバー１２１から基板処理装置１０２の外部に漏れることは、通常、環境的観点から好ましくない一方、処理液Ｌ１が純水や機能水である場合には、これらのミスト等を含む雰囲気がチャンバー１２１から基板処理装置１０２の外部に漏れたとしても大きな問題とならない。処理液Ｌ１が純水や機能水である場合には、チャンバー１２１内に溜まったゴミ等を雰囲気と一緒にチャンバー１２１の外部に排出できることからも、チャンバー１２１内の雰囲気がチャンバー１２１から基板処理装置１０２の外部に漏れることが、むしろ好ましい。
【０１２５】
このように、チャンバー１２１（スプラッシュガード３１）内の雰囲気が、チャンバー１２１外へ漏れることが、問題となるか、あまり問題とならないかという環境的観点においては、上側開口４１からチャンバー１２１内に導入される雰囲気のダウンフローＤ１の流量と、スプラッシュガード３１内から下側開口４２を経て接続配管６０（配管６１）に排気される雰囲気の流れＦ１の流量との大小関係を調整する必要が有る。
【０１２６】
チャンバー１２１に入流するダウンフローＤ１の流量が、チャンバー１２１から排気される雰囲気の流れＦ１の流量よりも大きければ、チャンバー１２１内の圧力は、チャンバー１２１の外部や、接続配管６０の配管６１内の圧力よりも高くなり、チャンバー１２１内の雰囲気は、チャンバー１２１外や配管６１へ排出され易くなる。従って、例えば、処理液Ｌ１が純水や機能水などである場合には、基板処理装置１０２は、調整弁９６の開度を下げて、ダウンフローＤ１の流量を雰囲気の流れＦ１の流量よりも大きくすることが好ましい。
【０１２７】
逆に、ダウンフローＤ１の流量が、排気される雰囲気の流れＦ１の流量よりも小さければ、チャンバー１２１内の圧力は、チャンバー１２１の外部や、接続配管６０の配管６１内の圧力よりも低くなり、チャンバー１２１の雰囲気は、チャンバー１２１外や、配管６１へ排出されにくくなる。従って、例えば、処理液Ｌ１が薬液である場合には、基板処理装置１０２は、調整弁９６の開度を上げて、ダウンフローＤ１の流量を雰囲気の流れＦ１の流量よりも小さくすることが好ましい。
【０１２８】
基板処理装置１０２は、基板処理装置１００が実行可能な基板処理の各プロセスと、調整弁９６の好適な開度との対応関係も、制御用情報Ｋ２として記憶装置１２に記憶している。制御部１３０は、レシピＫ１と制御用情報Ｋ２を参照することによって、実行するプロセスに対応した調整弁９６の開度を取得し、取得した開度となるように調整弁９６を制御する。
【０１２９】
上述したように、基板処理装置１０２は、接続配管６０に排気管１５４を備え、排気管１５４には、調整弁９６が設けられている。従って、基板処理装置１０２によれば、調整弁９６の開度を調整して排気管１５４を経て排気される雰囲気の流れＦ３の流量を調整することによって、上側開口４１からチャンバー１２１内に導入される雰囲気のダウンフローＤ１の流量を容易に調整することができる。
【０１３０】
基板処理装置１０２が、調整弁９３の開度を調整して導入配管６９を経て接続配管６０に導入される気体Ｆ２の流量を変動させる場合には、ダウンフローＤ１の流量は、気体Ｆ２の流量と、排気管１５４から排気される雰囲気の流れＦ３の流量とのバランスによって変動する。
【０１３１】
従って、当該基板処理装置１０２においては、基板処理装置１００が実行可能な基板処理の各プロセスと、各プロセスに好適な調整弁９３、９６の開度との対応関係を予め取得して、制御用情報Ｋ２として記憶装置１２に記憶しておき、制御部１３０が、レシピＫ１と制御用情報Ｋ２を参照することによって、実行するプロセスに対応した調整弁９３、９６の開度を取得し、取得した開度となるように調整弁９３、９６を制御することが、さらに好ましい。
【０１３２】
＜７．雰囲気中の湿度、酸素濃度の制御について＞
基板処理ユニット１が、処理液Ｌ１として、例えば、純水を用いた処理をする場合には、チャンバー１２１から接続配管６０に排出された雰囲気は、滴滴状（ミスト状）の水分を多く含む。開閉弁機構９０が、戻り配管６０Ａを閉状態とするとともに、排気設備用配管１５３を開状態とした場合には、チャンバー１２１から接続配管６０に排出された雰囲気は、排気設備用配管１５３を経て、排気設備９５に排気されるので、排出された雰囲気が多量の水分を含むとしても大きな問題とならない。
【０１３３】
しかし、開閉弁機構９０が、戻り配管６０Ａを開状態とするとともに、排気設備用配管１５３を閉状態とすることによって、接続配管６０に排出された雰囲気が循環系６Ｂを循環する場合には、循環する雰囲気の湿度が、プロセスに対して定められた所定の基準値よりも高くなる場合がある。そこで、基板処理装置１０２の制御部１３０は、湿度計７８の測定する雰囲気中の湿度が基準値よりも高くなれば、調整弁９３の開度を上げて、導入配管６９から乾いた空気等を接続配管６０に多く導入する。これにより雰囲気中の湿度が下げられる。逆に、雰囲気中の湿度が所定の基準値よりも低い場合には、制御部１３０は、調整弁９３の開度を下げて、雰囲気中の湿度が上がるようすることができる。
【０１３４】
基板処理ユニット１が、基板Ｗの処理を行う際に、例えば、窒素ガスなどをパージ用ガスとして噴射してもよい。この場合において、開閉弁機構９０が、戻り配管６０Ａを開状態とするとともに、排気設備用配管１５３を閉状態とすることによって、接続配管６０に排出された雰囲気が循環系６Ｂを循環する場合には、時間の経過につれてチャンバー１２１内のパージ用ガスの濃度が上昇するとともに、酸素濃度が低下し、チャンバー１２１内が作業者にとって危険な環境となる場合がある。そこで、基板処理装置１０２の制御部１３０は、濃度計７９が測定した雰囲気中の所定のガス（例えば、酸素または窒素ガス）の濃度を測定する。制御部１３０は、例えば、濃度計７９が測定した酸素濃度が所定の基準値よりも低い場合には、調整弁９３の開度を上げて、導入配管６９から酸素を多く含む新鮮な空気等を接続配管６０に多く導入する。これにより、循環系６Ｂを循環する雰囲気中の酸素濃度を所定の基準値以上に上昇させることができる。
【０１３５】
基板処理装置１０２が、チャンバー１２１の雰囲気中の湿度または酸素濃度の制御を行わなくてもよく、この場合には、基板処理装置１０２は、湿度計７８、濃度計７９を備えていなくてもよい。
【０１３６】
＜８．所定の化学物質を含む処理液を使用する際の対策について＞
処理液Ｌ１として腐食作用の強い薬液が用いられる場合には、当該薬液のミストを含むチャンバー１２１内の雰囲気が接続配管６０に流入し、接続配管６０のうち当該雰囲気の経路が腐食することがある。接続配管６０が腐食すると、錆などが循環系６Ｂを循環し、チャンバー１２１に流入するおそれがある。
【０１３７】
基板に薬液処理を行うチャンバー内の雰囲気を、循環系によってチャンバーから排出して、再度チャンバーに導入すると、薬液に起因するミスト等を含む当該雰囲気によって、基板が汚染されるおそれがある。このため、チャンバー内に基板を収容して薬液処理を行う従来の基板処理装置では、当該循環系を用いてチャンバー内の雰囲気を循環させる構成は採用されない。
【０１３８】
しかしながら、基板処理装置１０２によれば、チャンバー１２１の雰囲気を循環系６Ｂによって循環させた場合においても、ケミカルフィルター７３を各配管６１に設けて腐食の原因となる化学物質を除去することによって、接続配管６０の腐食を抑制することができるとともに、チャンバー１２１内に再度導入された雰囲気中の当該化学物質によって基板Ｗが汚染されることも抑制できる。
【０１３９】
当該化学物質は、雰囲気がチャンバー１２１から接続配管６０に流入した後、できるだけ早期に除去されることが好ましい。従って、各ケミカルフィルター７３は、各配管６１のうち、できるだけ下側開口４２の近傍部分に設けられることが好ましい。基板処理機構Ａ１が処理液Ｌ１として、強い腐食性を有する薬液を使用せず、純水、機能水などの腐食性が弱い液のみを使用する場合には、基板処理装置１０２がケミカルフィルター７３を備えていなくてもよい。
【０１４０】
ところで、基板処理装置１０２において、処理液Ｌ１が薬液である場合に、ケミカルフィルター７３を通過した雰囲気中に、除去されずに残留している化学物質の濃度が、基板処理の質の観点から許容される濃度を超える場合も想定される。
【０１４１】
そこで、基板処理装置１０２においては、処理液Ｌ１として使用が想定される各処理液について、当該処理液に起因するミスト等を含む雰囲気から所定の化学物質をケミカルフィルター７３によって所定の品質基準を満たすレベルまで除去可能か否かが予め調べられている。
【０１４２】
当該調査結果に基づいて、当該品質基準を満たすレベルまで当該化学物質が除去される処理液は、循環系６Ｂによる循環に供され得ると判定され、当該品質基準を満たすレベルまで当該化学物質が除去されない処理液は、循環系６Ｂによる循環を適用されない旨の判定がされている。
【０１４３】
具体的には、例えば、ＣＯ２水などの機能水、若しくは純水は、循環系６Ｂによる循環に適すると判定され、ＳＣ１、ＳＣ２等の薬液は、循環系６Ｂによる循環に適さないと判定される。
【０１４４】
基板処理装置１０２は、当該判定結果に基づいて、各処理液Ｌ１と、循環系６Ｂによるチャンバー１２１内の雰囲気の循環の可否との対応関係を制御用情報Ｋ２として、予め、記憶装置１２に記憶している。
【０１４５】
基板処理装置１０２の制御部１３０は、使用する処理液Ｌ１が、循環系６Ｂによるチャンバー１２１内の雰囲気の循環に適しているか否かを、レシピＫ１と制御用情報Ｋ２に基づいて判定する。処理液Ｌ１が当該循環に適していない場合には、制御部１３０は、開閉弁機構９０を制御して、戻り配管６０Ａを閉状態とするとともに、排気設備用配管１５３を開状態とすることによって、接続配管６０に排出された雰囲気を循環系６Ｂで循環させることなく、排気設備９５に排気する。
【０１４６】
処理液Ｌ１が当該循環に適する場合には、制御部１３０は、開閉弁機構９０を制御して、戻り配管６０Ａを開状態とするとともに、排気設備用配管１５３を閉状態とすることによって、接続配管６０に排出された雰囲気を循環系６Ｂによって循環させる。
【０１４７】
従って、基板処理装置１０２によれば、ケミカルフィルター７３によって十分に除去されない化学物質を成分に有する処理液Ｌ１を使用する場合には、チャンバー１２１内の雰囲気は、循環系６Ｂによって循環されない。これにより、基板Ｗの処理品質が向上する。
【０１４８】
図４の基板処理装置１０２では、複数（４つ）の基板処理ユニット１を備える基板処理装置群１０に対して循環系６Ｂが設けられているので、循環系６Ｂによる雰囲気の循環の可否の判定は、基板処理装置群１０に対してなされる。当該判定は、基板処理装置１０２が行う各プロセス毎にされることが好ましい。
【０１４９】
＜９．基板処理ユニット１の他の実施形態＞
基板処理ユニット１（基板処理機構Ａ１）が、回転する基板Ｗの表面に純水等の洗浄液を供給しつつ、ブラシまたはスポンジ等を当接させてブラッシングすることにより、基板Ｗの表面に付着したパーティクル等の汚染物質を機械的（物理的）に除去するスクラブ洗浄処理（基板の表面を物理的な洗浄作用によって洗浄する物理洗浄処理）を行う処理ユニット（いわゆるスピンスクラバ）であってもよい。
【０１５０】
基板処理ユニット１がスピンスクラバである場合には、基板処理ユニット１は、例えば、純水、機能水（ＣＯ２水など）などを処理液Ｌ１として用いて基板Ｗのスクラブ洗浄処理とリンス処理とを行う。当該基板処理ユニット１は、スクラブ洗浄処理によって基板Ｗ上のパーティクル等を除去し、その後、リンス処理によって、基板Ｗ上に残留しているパーティクル等を洗い流す。
【０１５１】
基板処理ユニット１が処理液Ｌ１として純水または機能水を用いてスクラブ洗浄処理またはリンス処理を行う場合には、基板処理ユニット１はＳＣ１などの薬液を使用しないので、基板処理ユニット１が行う基板処理によって当該薬液に起因するミストが発生しない。従って、基板処理ユニット１が、チャンバー１２１内の雰囲気を循環系６Ｂによって循環させてチャンバー１２１に再度導入する場合でも、当該雰囲気によって基板Ｗが汚染される可能性を低減できる。
【０１５２】
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１５３】
１００，１０２  基板処理装置
１  基板処理ユニット
１２１  チャンバー
Ａ１  基板処理機構
４１  上側開口
４２  下側開口
６０  接続配管
６９  導入配管
６Ａ，６Ｂ  循環系
７３  ケミカルフィルター
７８  湿度計
７９  濃度計
８２  気流発生器
９３，９６  調整弁
１３０  制御部
１５４  排気管
１１  ＣＰＵ
２１  スピンチャック（保持部材）
５１  ノズル
Ｄ１  ダウンフロー
Ｌ１  処理液（処理用流体）
ａ１  回転軸
ｃ１  中心
【図１】
2018046272.tif 000003
【図２】
2018046272.tif 000004
【図３】
2018046272.tif 000005
【図４】
2018046272.tif 000006