(57)【要約】【課題】導電材の圧痕の検出結果に基づいて２個の電極間の接合状態を精度よく検査できる技術の提供。【解決手段】接合状態検査装置は、導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査装置であって、前記２個の電極が前記厚み方向に重なっている領域を検査領域として検出する検査領域検出部と、前記検査領域における前記導電材の圧痕の検出結果に基づいて前記２個の電極間の接合状態を検査する検査部と、を備える。【選択図】図３
2018124076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査装置であって、
前記２個の電極が前記厚み方向に重なっている領域を検査領域として検出する検査領域検出部と、
前記検査領域における前記導電材の圧痕の検出結果に基づいて前記２個の電極間の接合状態を検査する検査部と、
を備える接合状態検査装置。
【請求項２】
前記検査部は、前記検査領域にて認識した前記圧痕の分布の均等度が第１閾値以上である場合に、前記２個の電極間の接合状態が正常であると判定する、
請求項１に記載の接合状態検査装置。
【請求項３】
前記検査部は、前記検査領域にて認識した前記圧痕の個数が第２閾値以上である場合に、前記２個の電極間の接合状態が正常であると判定する、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の接合状態検査装置。
【請求項４】
前記検査領域は、微分干渉顕微鏡によって撮像された撮像画像において検出され、
前記圧痕は、前記撮像画像において検出される、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の接合状態検査装置。
【請求項５】
導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査方法であって、
前記２個の電極が前記厚み方向に重なっている領域を検査領域として検出する検査領域検出工程と、
前記検査領域における前記導電材の圧痕の検出結果に基づいて前記２個の電極間の接合状態を検査する検査工程と、
を含む接合状態検査方法。
【請求項６】
導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査装置のコンピュータに、
前記２個の電極が前記厚み方向に重なっている領域を検査領域として検出する検査領域検出機能と、
前記検査領域における前記導電材の圧痕の検出結果に基づいて前記２個の電極間の接合状態を検査する検査機能と、
を実現させる接合状態検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査装置、接合状態検査方法および接合状態検査プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着されるＰＣＢ側端子とＳＯＦ側端子との間の導通を、異方性導電フィルムに含まれる導電材の圧痕の個数に基づいて検査する技術が知られている（特許文献１、参照）。特許文献１において、ＳＯＦ側端子側から撮像した画像のうちＳＯＦ側端子内に検査エリアを設定し、当該検査エリア内にて検出した圧痕の個数に基づいて導通が検査される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２９２３０３号公報
【０００４】
しかしながら、ＰＣＢ側端子とＳＯＦ側端子とが重なっていない領域が検査エリアに含まれることによって、検査の精度が低下するという問題があった。ＰＣＢ側端子とＳＯＦ側端子との間に位置ずれがある場合、ＳＯＦ側端子内にＰＣＢ側端子と重なっていない領域が含まれ得る。ここで、ＳＯＦ側端子内にＰＣＢ側端子と重なっていない領域では、導通に寄与する圧痕は形成され得ない。つまり、ＳＯＦ側端子内にＰＣＢ側端子と重なっていない領域を含む検査エリア全体で圧痕を検出することは、無駄な領域についても圧痕を検出することを意味する。端子が重なっていない領域においても圧痕と誤検出され得る画像上のノイズが存在するため、端子が重なっていない領域も含めて圧痕を検出すると精度よく検査ができなくなるという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記の問題を解決せんとするもので、導電材の圧痕の検出結果に基づいて２個の電極間の接合状態を精度よく検査できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するため、本発明の接合状態検査装置は、導電材が分散した異方性導電フィルムを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極間の接合状態を検査する接合状態検査装置であって、２個の電極が厚み方向に重なっている領域を検査領域として検出する検査領域検出部と、検査領域における導電材の圧痕の検出結果に基づいて２個の電極間の接合状態を検査する検査部と、を備える。
【０００７】
前記の構成において、２個の電極が厚み方向に重なっている検査領域は、２個の電極間の電気的な接合に寄与する導電材の圧痕が形成され得る領域であると言える。このように、２個の電極間の電気的な接合に寄与する導電材の圧痕が形成され得る検査領域に限定した圧痕の検出結果に基づいて２個の電極間の接合状態を検査することにより、２個の電極間の接合状態を精度よく検査できる。すなわち、２個の電極が重なっていない領域にて圧痕を検出しないようにすることにより、導通に寄与する導電材の圧痕の検出結果を評価でき、２個の電極間の接合状態を精度よく検査できる。
【０００８】
検査領域検出部は、検査領域を検出すればよく、圧痕を検出するために撮像した撮像画像において検査領域を検出してもよいし、圧痕を検出するために撮像した撮像画像とは別の撮像手段によって撮像された画像において検査領域を検出してもよい。検査領域検出部が検査領域を検出する手法は種々考えられる。例えば、検査領域検出部は、２個の電極そのものを検出することにより検査領域を検出してもよいし、２個の電極との相対位置関係が既知である基準マーク等の位置を検出することにより検査領域を検出してもよい。例えば、電極が設けられた基板に基準マークが設けられてもよい。さらに、２個の電極そのものを検出する手法も種々考えられ、エッジ検出やパターンマッチング等の手法を採用してもよい。
【０００９】
さらに、検査領域検出部は、少なくとも電極面上における一軸方向において検査領域を検出すればよく、必ずしも検査領域は二次元の領域として検出されなくてもよい。例えば、検査領域検出部は、２個の電極の位置ずれが生じやすい方向においてのみ検査領域を検出してもよい。さらに、一方の電極側から撮像した画像においては、当該一方の電極によって他方の電極の一部が遮蔽されることとなる。そのため、一方の電極側から撮像した画像と、他方の電極側から撮像した画像とを組み合わせて検出領域が検出されてもよい。
【００１０】
検査領域や圧痕を検出する画像を撮像する手段は特に限定されない。例えば、検査領域や圧痕を検出する画像は、微分干渉顕微鏡のように表面の凹凸を鮮明に撮像できる撮像手段によって撮像されてもよいし、通常の顕微鏡によって撮像されてもよい。さらに、検査領域や圧痕を検出する画像は、撮像された画像そのものでなくてもよく、表面の凹凸を鮮鋭化させる画像処理が施された画像であってもよい。また、検査部は、予め検出された検査領域を取得し、当該検査領域内のみを撮像するように撮像部を制御してもよい。検査部は、検査領域における導電材の圧痕の検出結果に基づいて検査を行えばよく、圧痕の個数に基づいて検査を行ってもよいし、圧痕の個数以外の指標値に基づいて検査を行ってもよい。
【００１１】
また、検査部は、検査領域にて検出した圧痕の分布の均等度が第１閾値以上である場合に、２個の電極間の接合状態が正常であると判定してもよい。２個の電極が重なっていない領域が検査領域から除外されるのであるから、理想的には、検査領域のどの部分においても均等に圧力が作用し、圧痕が均等に形成されるべきであると言える。そのため、検査領域において圧痕が均等に分布していることをもって、２個の電極間が理想的な状態で圧着されていると判定できる。圧痕の分布の均等度として種々の指標値を採用でき、例えば圧痕が存在する座標の分散や標準偏差が閾値以上である場合に圧痕の分布の均等度が第１閾値以上であると判定されてもよい。さらに、圧痕が存在する座標の相関係数やエントロピーが閾値以下である場合に圧痕の分布の均等度が第１閾値以上であると判定されてもよい。また、圧痕が存在する座標の重心と、検査領域の重心との間の距離が閾値以下である場合に、圧痕の分布の均等度が第１閾値以上であると判定されてもよい。さらに、検査領域を均等面積となるように分割した複数の分割領域のそれぞれにおいて圧痕の個数を取得し、当該圧痕の個数のばらつきが閾値以下である場合に、圧痕の分布の均等度が第１閾値以上であると判定されてもよい。
【００１２】
さらに、検査部は、検査領域にて検出した圧痕の個数が第２閾値以上である場合に、２個の電極間の接合状態が正常であると判定してもよい。すなわち、圧痕の個数が第２閾値以上であれば、２個の電極間において導通する箇所が多く存在していると判定でき、２個の電極間の接合状態が正常であると判定できる。むろん、検査部は、検査領域にて検出した圧痕の分布の均等度が第１閾値以上であり、かつ、検査領域にて検出した圧痕の個数が第２閾値以上である場合に、２個の電極間の接合状態が正常であると判定してもよい。
【００１３】
また、検査領域は、微分干渉顕微鏡によって撮像された撮像画像において検出され、圧痕は、撮像画像において検出されてもよい。すなわち、微分干渉顕微鏡によって撮像された撮像画像において、検査領域と圧痕の双方が検出されてもよい。微分干渉顕微鏡によって撮像された撮像画像においては、電極の端部の傾斜と圧痕の凹凸とを鮮明に撮像することができ、検査領域と圧痕とを精度よく検出できる。また、検査領域と圧痕とを単一の撮像画像にて検出でき、装置構成や処理を簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】接合状態検査装置のブロック図である。
【図２】撮像部の斜視図である。
【図３】図３Ａ，図３Ｂは基板の断面模式図、図３Ｃは撮像画像である。
【図４】図４は撮像画像である。
【図５】図５Ａは検査領域を示す図，図５Ｂ，図５Ｃは圧痕の検出個数のグラフである。
【図６】接合状態検査処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）接合状態検査装置の構成：
（２）接合状態検査処理：
（３）他の実施形態：
【００１６】
（１）接合状態検査装置の構成：
図１は、本実施形態にかかる接合状態検査装置１０の概略構成を示すブロック図である。同図において、接合状態検査装置１０は、制御部２０と記録媒体３０と表示装置４０と入力装置５０と撮像部６０とを備えている。
【００１７】
撮像部６０は、照明６１と微分干渉顕微鏡６２とＸ−Ｙステージ６３とＣＣＤセンサ６４とを備えている。図２は、撮像部６０の斜視図である。Ｘ−Ｙステージ６３は、基板Ｂが載置されるステージであり、制御部２０の制御の下で基板Ｂを当該基板Ｂの面方向に移動させる。Ｘ軸とＹ軸は、Ｘ−Ｙステージ６３が移動する方向の軸であり、基板Ｂと平行な平面上において互いに直交する座標軸である。
【００１８】
基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板にフレキシブル基板を接合した基板である。フレキシブル基板は、液晶ディスプレイに対して、各液晶素子を駆動するための信号や同期信号等を伝送するための基板である。
【００１９】
照明６１はリングライトである。微分干渉顕微鏡６２は、視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させる光学系を有している。微分干渉顕微鏡６２は、近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させることにより、当該偏光の位相差に応じて明度が変化する画像である微分干渉像をＣＣＤセンサ６４に結像する。視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光の位相差は、当該偏光の光路長の差に対応するため、微分干渉像は偏光が反射した位置の高さの差を鮮明に示す画像となる。つまり、微分干渉像は、基板Ｂ上に存在する光の反射体の段差や傾きを鮮明に示す画像となる。ＣＣＤセンサ６４は、微分干渉顕微鏡６２が結像した微分干渉像（視野Ｖ内）を撮像するイメージセンサである。
【００２０】
図１に示す制御部２０は、図示しないＣＰＵやＲＯＭやＲＡＭで構成されるコンピュータであり、記録媒体３０に記録された各種情報を用いて接合状態の検査に必要な処理を実行する。図１に示すように、制御部２０は、接合状態検査プログラム２１を実行する。
【００２１】
記録媒体３０は、撮像画像３０ａと電極テンプレート画像３０ｂと電極形状情報３０ｃと判定エリア情報３０ｄとを記録する。撮像画像３０ａは、ＣＣＤイメージセンサが撮像した画像であり、微分干渉像である。電極テンプレート画像３０ｂは、接合状態を検査する対象の電極のテンプレート画像である。テンプレート画像は、撮像画像３０ａにてパターンマッチングを行うことにより、撮像画像３０ａ内から電極の像を検出するために使用する画像である。テンプレート画像は、実際に電極を微分干渉顕微鏡６２にて撮像することにより得られた微分干渉像であってもよいし、電極の設計情報に基づいて描画された画像であってもよい。電極形状情報３０ｃは、電極の形状を示す情報である。判定エリア情報３０ｄは、検査の対象とする基板Ｂ上の領域である判定エリアを規定した情報である。制御部２０は、判定エリアが視野Ｖ内となるようにＸ−Ｙステージ６３を制御する。
【００２２】
図３Ａ，図３Ｂは、基板Ｂの構成を説明する断面模式図である。基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板Ｂ１とフレキシブル基板Ｂ２とを備える。ガラス基板Ｂ１は第１電極Ｐ１を備え、フレキシブル基板Ｂ２は第２電極Ｐ２を備える。ガラス基板Ｂ１はフレキシブル基板Ｂ２よりもＺ軸方向の上方に位置し、ガラス基板Ｂ１の第１電極Ｐ１が下方に向いている。フレキシブル基板Ｂ２はガラス基板Ｂ１よりもＺ軸方向の下方に位置し、フレキシブル基板Ｂ２の第２電極Ｐ２が上方に向いている。Ｚ軸方向において、ガラス基板Ｂ１とフレキシブル基板Ｂ２との間に異方性導電フィルムＦが挟み込まれている。異方性導電フィルムＦにおいては、熱硬化バインダー中に導電粒子Ｅがほぼ均等に分散している。
【００２３】
加熱しながらガラス基板Ｂ１とフレキシブル基板Ｂ２との間にＺ軸方向の圧力を加えると、導電粒子Ｅを介して第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが電気的に接続した状態で異方性導電フィルムＦが硬化する。すなわち、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２は、導電粒子Ｅが分散した異方性導電フィルムＦを厚み方向に挟んで圧着される２個の電極である。導電粒子Ｅは、表面が絶縁膜によってコーティングされた導電性の粒子である。ガラス基板Ｂ１とフレキシブル基板Ｂ２との間に挟まれて導電粒子Ｅに圧力が加わると、絶縁膜が破壊され、導電粒子Ｅを介して第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが電気的に接続することとなる。
【００２４】
図３Ａ，図３Ｂでは、図を簡略化のため上端が第１電極Ｐ１と接触し、かつ、下端が第２電極Ｐ２と接触する導電粒子Ｅによって第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが電気的に接続している様子を示しているが、複数の導電粒子ＥがＺ軸方向に重なって第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが電気的に接続してもよい。導電粒子Ｅは、第１電極Ｐ１よりも硬く、ガラス基板Ｂ１とフレキシブル基板Ｂ２とを圧着する際に第１電極Ｐ１に導電粒子Ｅの圧痕が形成される。
【００２５】
図３Ａ，図３Ｂにおいては、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２のＸ軸方向における幅が同一となっている。図３Ａにおいては第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが正確に位置決めされているが、図３Ｂにおいて第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とがＸ軸方向にずれている。図３Ｂにおいて、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが重なっていない領域にも導電粒子Ｅが存在するが、当該領域の導電粒子Ｅは第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２との間の導通に寄与しない。
【００２６】
表示装置４０は、制御部２０の制御の下で各種画像を表示するディスプレイである。入力装置５０は、ユーザの操作を受け付ける装置であり、マウスやキーボードやタッチパネル等であってもよい。
【００２７】
次に、接合状態検査プログラム２１のソフトウェア構成について説明する。接合状態検査プログラム２１は、検査領域検出モジュール２１ａと検査モジュール２１ｂとを含む。検査領域検出モジュール２１ａと検査モジュール２１ｂとを実行する制御部２０は、本発明の検査領域検出部と検査部とを構成する。
【００２８】
検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、２個の電極Ｐ１，Ｐ２が厚み方向に重なっている領域を検査領域Ｒとして検出する。すなわち、検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とがＺ軸方向に重なっている領域を検査領域Ｒとして検出する。図３Ａにおいては第１電極Ｐ１が存在する領域の全体が検査領域Ｒとして検出されるが、図３Ｂにおいては第１電極Ｐ１が存在する領域の一部が検査領域Ｒとして検出される。
【００２９】
図３Ｃは、撮像画像３０ａの模式図である。図３Ｃでは、微分干渉像そのものではなく、説明のため撮像画像３０ａ上に存在する各領域の分布を模式的に示すこととする。現実の撮像画像３０ａにおいては、図３Ｃにて色を塗り分けた領域の境界（第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２の境界等）において明度の変化が見られることとなる。なお、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２は、照明６１の光を反射する反射体となる。第１電極Ｐ１が存在する領域を濃いグレーで示し、第２電極Ｐ２が存在する領域を薄いグレーで示し、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが双方とも存在しない領域を黒で示している。ガラス基板Ｂ１はほぼ透明であるため、照明光は第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２に到達する。第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが双方とも存在しない領域では、フレキシブル基板Ｂ２にて照明光が透過するか吸光される。
【００３０】
第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２の外縁においては、反射体としての第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２の厚みが急激に変化しており、微分干渉像にて大きな明度のコントラストを生じさせる。照明光が第１電極Ｐ１によって遮光されるため、第２電極Ｐ２のうち第１電極Ｐ１と重なっている領域は撮像されないこととなる。逆に、第１電極Ｐ１の全体が撮像される。
【００３１】
また、図３Ｃにおいて、導電粒子Ｅの圧痕Ｑを白丸で示している。導電粒子Ｅの圧痕Ｑは、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが重なっている検査領域Ｒ（太破線枠内）に存在する導電粒子。
【００３２】
検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて電極テンプレート画像３０ｂとのパターンマッチングを行う。電極テンプレート画像３０ｂは、各第１電極Ｐ１について予め用意されている。上述したように、撮像画像３０ａにおいて第１電極Ｐ１の全体が撮像されるため、パターンマッチングを容易に行うことができる。パターンマッチングの具体的手法として、公知の手法を採用すればよい。パターンマッチングを行うことにより、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて第１電極Ｐ１が存在する領域を検出できる。
【００３３】
次に、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて第２電極Ｐ２が存在する領域を検出する。例えば、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて第２電極Ｐ２のＹ輪郭線Ｊ１（白一点鎖線）とＸ輪郭線Ｊ２（白破線）を検出し、当該Ｙ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２と第２電極Ｐ２の形状とに基づいて第２電極Ｐ２が存在する領域を検出してもよい。なお、電極形状情報３０ｃにおいては、各第２電極Ｐ２の形状としてＸ軸方向の幅Ｗが規定されている。Ｙ輪郭線Ｊ１はＸ輪郭線Ｊ２よりもＹ軸方向に近い方向の輪郭線であり、Ｘ輪郭線Ｊ２はＹ輪郭線Ｊ１よりもＸ軸方向に近い方向の輪郭線である。制御部２０は、Ｙ輪郭線Ｊ１と平行であり、かつ、当該Ｙ輪郭線Ｊ１からＸ輪郭線Ｊ２が延びている側に第２電極Ｐ２の幅ＷだけＹ輪郭線Ｊ１を平行移動した線分を、もう１個のＹ輪郭線Ｊ１２（白二点鎖線）として生成する。そして、制御部２０は、Ｙ輪郭線Ｊ１とＹ輪郭線Ｊ１２とによって挟まれた矩形状の領域を第２電極Ｐ２が存在する領域として検出する。
【００３４】
なお、Ｙ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２とを検出するにあたり、制御部２０は、第２電極Ｐ２の輪郭線を鮮鋭化させてもよいし、輪郭線上の画素とそれ以外の画素とを二値化する二値化処理を行ってもよい。なお、撮像画像３０ａは、第２電極Ｐ２の局所的な傾きに応じて明度が変化する微分干渉像であるため、Ｙ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２の検出に適した画像であると言える。撮像画像３０ａが通常の顕微鏡で撮像された画像である場合、制御部２０は、予め公知のエッジ検出処理を行ってＹ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２とを検出してもよい。
【００３５】
なお、検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、第１電極Ｐ１と同様にパターンマッチングによって第２電極Ｐ２を検出してもよい。パターンマッチングによって第２電極Ｐ２を検出する場合、制御部２０は、第１電極Ｐ１が存在する領域の周辺に第２電極Ｐ２のパターンマッチングを行う範囲を設定してもよい。
【００３６】
以上のようにして、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２が存在する領域を検出すると、制御部２０は、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが双方とも存在する領域を検査領域Ｒとして検出する。検査領域Ｒは、微分干渉顕微鏡によって撮像された撮像画像３０ａにおいて検出されることとなる。
【００３７】
図４は、撮像画像３０ａの例を示す。同図に示すように、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが重なっている領域が検査領域Ｒとして検出されている。また、第２電極Ｐ２のみが存在している領域において、異方性導電フィルムＦに含まれる導電粒子Ｅの影響により画像上の濃淡（ノイズ）が生じている。第２電極Ｐ２のみが存在している領域に存在する導電粒子Ｅは電極Ｐ１，Ｐ２間の導通に寄与しない。
【００３８】
検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒにおける導電粒子Ｅの圧痕Ｑの検出結果に基づいて２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態を検査する。なお、圧痕Ｑは、撮像画像３０ａにおいて検出される。すなわち、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａのうち予め検出された検査領域Ｒ内にて圧痕Ｑを検出する。圧痕Ｑは、上側に凸形状であり、任意の方向（例えばＸ軸方向）において上り勾配と下り勾配とが連続する形状である。そのため、微分干渉像において圧痕Ｑが存在する部分は、周辺よりも明るくなる明部と、周辺よりも暗くなる暗部とが隣接した画像となる。制御部２０は、明部と暗部の形状が予め決められた判定形状に合致する場合に、当該明部と暗部とが存在する部分を圧痕Ｑとして検出してもよい。判定形状は、圧痕Ｑを実際に微分干渉顕微鏡６２で撮像した画像に基づいて設定されてもよいし、導電粒子Ｅの半径等に基づいて設定されてもよい。
【００３９】
検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上である場合に、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定する。具体的に、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒを面積が均等な複数の分割領域に分割し、当該分割領域ごとの圧痕Ｑの個数のばらつきに基づいて圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であるか否かを判定する。
【００４０】
図５Ａは、検査領域Ｒを示す。図５に示すように、検査領域Ｒは、面積が均等な４個の分割領域Ｒ１〜Ｒ４に分割されている。制御部２０は、分割領域Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれにおける圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４を取得する。
【００４１】
図５Ｂ，図５Ｃは、圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４のグラフである。制御部２０は、各分割領域Ｒ１〜Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４の平均個数Ｎaveを算出する。そして、制御部２０は、各分割領域Ｒ１〜Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４の最小値が、平均個数Ｎaveに０．８を乗じた値以上である場合に、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定する。
【００４２】
図５Ｂにおいては、分割領域Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ４が最小値に該当し、当該検出個数Ｎ４が平均個数Ｎaveに０．８を乗じた値以上となっている。従って、図５Ｂにおいて、制御部２０は、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定する。一方、図５Ｃにおいては、分割領域Ｒ２における圧痕Ｑの検出個数Ｎ２が最小値に該当し、当該検出個数Ｎ２が平均個数Ｎaveに０．８を乗じた値以上となっていない。従って、図５Ｂにおいて、制御部２０は、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定しない。
【００４３】
なお、分割領域Ｒ１〜Ｒ４の分割個数は４個に限られず、検査領域Ｒの面積に応じた２個以上の個数あってもよい。また、制御部２０は、各分割領域Ｒ１〜Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４の最大値と最小値との差が閾値以下である場合に、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定してもよい。さらに、制御部２０は、検査領域Ｒまたは各分割領域Ｒ１〜Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４の標準偏差や分散が閾値以下である場合に、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定してもよい。
【００４４】
さらに、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの個数が第２閾値以上である場合に、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定する。すなわち、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であり、かつ、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの全検出個数（Ｎ１＋Ｎ２＋Ｎ３＋Ｎ４）が第２閾値以上である場合に、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定する。第２閾値は、予め決められた一定の値であってもよいし、検査領域Ｒの面積が大きいほど大きくなる値であってもよい。
【００４５】
以上説明した第１実施形態において、２個の電極Ｐ１，Ｐ２が厚み方向に重なっている検査領域Ｒは、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の電気的な接合に寄与する導電粒子Ｅの圧痕Ｑが形成され得る領域であると言える。このように、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の電気的な接合に寄与する導電粒子Ｅの圧痕Ｑが形成され得る検査領域Ｒに限定した圧痕Ｑの検出結果に基づいて２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態を検査することにより、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態を精度よく検査できる。すなわち、２個の電極Ｐ１，Ｐ２が重なっていない領域にて圧痕Ｑを検出しないようにすることにより、導通に寄与する導電粒子Ｅの圧痕Ｑの検出結果を評価でき、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態を精度よく検査できる。図４に示すように、第２電極Ｐ２のみが存在している領域が検査領域Ｒから除かれている。そのため、第２電極Ｐ２のみが存在している領域における画像上の濃淡（ノイズ）を、圧痕Ｑとして誤検出することを防止でき、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態を精度よく検査できる。
【００４６】
２個の電極Ｐ１，Ｐ２が重なっていない領域が検査領域Ｒから除外されるのであるから、理想的には、検査領域Ｒのどの部分においても均等に圧力が作用し、圧痕Ｑが均等に形成されるべきであると言える。そのため、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であることをもって、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間が理想的な状態で圧着されていると判定できる。また、圧痕Ｑの個数が第２閾値以上であれば、２個の電極Ｐ１，Ｐ２間において電気が流れることが可能な箇所が多く存在していると判定でき、２個の電極間の接合状態が正常であると判定できる。
【００４７】
さらに、微分干渉顕微鏡６２によって撮像された撮像画像３０ａにおいて、検査領域Ｒと圧痕Ｑの双方が検出される。微分干渉顕微鏡６２によって撮像された撮像画像３０ａにおいては、電極Ｐ１，Ｐ２の端部の傾斜と圧痕Ｑの凹凸とを鮮明に撮像することができ、検査領域Ｒと圧痕Ｑとを精度よく検出できる。また、検査領域Ｒと圧痕Ｑとを単一の撮像画像３０ａにて検出でき、装置構成や処理を簡素化できる。
【００４８】
（２）接合状態検査処理：
図６は、接合状態検査処理のフローチャートである。まず、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、判定エリアを撮像できる位置にＸ−Ｙステージ６３を移動させる（ステップＳ１００）。すなわち、制御部２０は、判定エリア情報３０ｄに規定された判定エリアが視野Ｖ内に入るようにＸ−Ｙステージ６３を移動させる。次に、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２とＣＣＤセンサ６４とによって撮像画像３０ａを撮像する（ステップＳ１１０）。次に、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２から撮像画像３０ａを取得する（ステップＳ１２０）。
【００４９】
次に、検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、第１電極Ｐ１が存在する領域を検出する（ステップＳ１３０）。具体的に、撮像画像３０ａにおいて、第１電極Ｐ１について用意された電極テンプレート画像３０ｂのパターンマッチングを行うことにより第１電極Ｐ１が存在する領域を検出する。
【００５０】
次に、検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、第２電極Ｐ２が存在する領域を検出する（ステップＳ１４０）。図３Ｃに示すように、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて第２電極Ｐ２のＹ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２とを検出し、当該Ｙ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２と第２電極Ｐ２の幅Ｗとに基づいて第２電極Ｐ２が存在する領域を検出する。
【００５１】
次に、検査領域検出モジュール２１ａの機能により制御部２０は、２個の電極Ｐ１，Ｐ２が重なっている検査領域Ｒを検出する（ステップＳ１５０）。すなわち、制御部２０は、第１電極Ｐ１と第２電極Ｐ２とが双方とも存在する領域を検査領域Ｒとして検出する。
【００５２】
次に、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒにおいて圧痕Ｑを検出する（ステップＳ１６０）。具体的に、制御部２０は、撮像画像３０ａから検査領域Ｒを抽出し、当該検査領域Ｒ内において圧痕Ｑを検出する。
【００５３】
次に、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、圧痕Ｑの全検出個数が第２閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１７０）。圧痕Ｑの全検出個数が第２閾値以上であると判定しなかった場合（ステップＳ１７０：Ｎ）、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が異常であると判定する（ステップＳ２００）。制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が異常である旨を表示装置４０にて表示する。
【００５４】
一方、圧痕Ｑの全検出個数が第２閾値以上であると判定した場合（ステップＳ１７０：Ｙ）、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１８０）。具体的に、制御部２０は、検査領域Ｒを分割した各分割領域Ｒ１〜Ｒ４における圧痕Ｑの検出個数Ｎ１〜Ｎ４の最小値が、検出個数Ｎ１〜Ｎ４の平均個数Ｎaveに０．８を乗じた値以上である場合に、検査領域Ｒにて検出した圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定する。
【００５５】
圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定しなかった場合（ステップＳ１８０：Ｎ）、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が異常であると判定する（ステップＳ２００）。
【００５６】
一方、圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であると判定した場合（ステップＳ１８０：Ｙ）、検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であると判定する（ステップＳ１９０）。制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常である旨を表示装置４０にて表示する。なお、単一の撮像画像３０ａ内に複数の検査領域Ｒが存在する場合、制御部２０は、複数の検査領域ＲのそれぞれについてステップＳ１６０〜Ｓ２００の処理を実行すればよい。
【００５７】
（３）他の実施形態：
前記実施形態においては、圧痕Ｑの分布の均等度が第１閾値以上であるか否かを判定する処理（ステップＳ１８０）と、圧痕Ｑの全検出個数が第２閾値以上であるか否かを判定する処理（ステップＳ１７０）とを双方とも行ったが、制御部２０は、いずれか一方の判定のみで電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が正常であるか否かを判定してもよい。
【００５８】
検査モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、検査領域Ｒの面積が予め決められた判定値以下である場合に、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が異常であると判定してもよい。すなわち、電極Ｐ１，Ｐ２間の位置ずれが大きすぎる場合にも、制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２間の接合状態が以上であると判定してもよい。
【００５９】
ところで、図３Ａのように、電極Ｐ１，Ｐ２がＸ軸方向においてずれていない場合、図３Ｃにおいて第２電極Ｐ２のＹ輪郭線Ｊ１とＸ輪郭線Ｊ２の検出が困難となる。このような場合に備えて、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいてフレキシブル基板Ｂ２に形成された基準マークの位置と方向とを検出し、当該基準マークの位置と方向とに基づいて第２電極Ｐ２が存在する領域を検出してもよい。基準マークは、撮像画像３０ａ内に撮像され、かつ、電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれがあっても第１電極Ｐ１によって遮蔽されることがない位置に形成されるようにすればよい。
【００６０】
例えば、フレキシブル基板Ｂ２上の配線パターンの特定部分を基準マークとして利用してもよい。基準マークと第２電極Ｐ２との間の相対的な位置関係と方向とが既知であれば、制御部２０は、基準マークの位置と方向に基づいて第２電極Ｐ２が存在する領域を検出できる。さらに、第２電極Ｐ２が存在する領域は、必ずしも撮像画像３０ａにて検出されなくてもよく、微分干渉顕微鏡６２との相対位置関係が既知である別の撮像手段によって撮像された画像において第２電極Ｐ２が存在する領域が検出されてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１０…接合状態検査装置、２０…制御部、２１…接合状態検査プログラム、２１ａ…検査領域検出モジュール、２１ｂ…検査モジュール、３０…記録媒体、３０ａ…撮像画像、３０ｂ…電極テンプレート画像、３０ｃ…電極形状情報、３０ｄ…判定エリア情報、４０…表示装置、５０…入力装置、６０…撮像部、６１…照明、６２…微分干渉顕微鏡、６３…Ｘ−Ｙステージ、６４…ＣＣＤセンサ、Ｂ…基板、Ｂ１…ガラス基板、Ｂ２…フレキシブル基板、Ｅ…導電粒子、Ｆ…異方性導電フィルム、Ｊ１…Ｙ輪郭線、Ｊ２…Ｘ輪郭線、Ｐ１…第１電極、Ｐ２…第２電極、Ｑ…圧痕、Ｒ…検査領域、Ｒ１〜Ｒ４…分割領域、Ｖ…視野
【図１】
2018124076.tif 000003
【図２】
2018124076.tif 000004
【図３】
2018124076.tif 000005
【図４】
2018124076.tif 000006
【図５】
2018124076.tif 000007
【図６】
2018124076.tif 000008