(57)【要約】【課題】視野角に起因する色ずれが改善された電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、第１方向としてのＸ方向に並んだ、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９を有し、サブ画素１１０Ｇは、サブ画素１１０Ｒと異なる色であり、画素コンタクト領域ＣＨ１０、画素コンタクト領域ＣＨ９のＸ方向の長さ（間隔ｄ５）が同じである。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に並んだ、第１サブ画素、第１の領域、第２サブ画素、第２の領域、第３サブ画素、第３の領域、第４サブ画素、第４の領域を有し、
前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色であり、
前記第３サブ画素は、前記第４サブ画素と異なる色であり、
前記第１の領域は、前記第１サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第２の領域は、前記第２サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第３の領域は、前記第３サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第４の領域は、前記第４サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、前記第４の領域の前記第１方向の長さが同じである、電気光学装置。
【請求項２】
前記第１方向に並んだ、第５サブ画素、第５の領域、第６サブ画素、第６の領域をさらに有し、
前記第５サブ画素は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して、前記第１方向に交差する第２方向に並び、
前記第６サブ画素は、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素に対して、前記第２方向に並び、
前記第５の領域は、前記第５サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第６の領域は、前記第６サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第５の領域、前記第６の領域の前記第１方向の長さが同じである、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２方向における前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第５サブ画素との間の第７の領域と、
前記第２方向における前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素と前記第６サブ画素との間の第８の領域と、を有し、
前記第７の領域、前記第８の領域の前記第２方向の長さが同じである、請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１方向に並ぶ、前記第１サブ画素、前記第１の領域、前記第２サブ画素、前記第２の領域に対して、前記第３サブ画素、前記第３の領域、前記第４サブ画素、前記第４の領域が、前記第１方向に沿って並列している、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
第１方向に並んだ、第１サブ画素、第１の領域、第２サブ画素、第２の領域、第３サブ画素、第３の領域、第４サブ画素、第４の領域と、
第５の領域と、第６の領域と、第５サブ画素と、第７の領域と、第８の領域と、第６サブ画素と、を有し、
前記第５の領域、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素、前記第６の領域、前記第５サブ画素は、前記第１方向に交差する第２方向に並び、
前記第７の領域、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素、前記第８の領域、前記第６サブ画素は、前記第２方向に並び、
前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色であり、
前記第３サブ画素は、前記第４サブ画素と異なる色であり、
前記第５の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第６の領域は、前記第５サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第７の領域は、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第８の領域は、前記第６サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第５の領域、前記第６の領域、前記第７の領域、前記第８の領域の前記第２方向の長さが同じである、電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、前記第４の領域の前記第１方向の長さと、
前記第１方向における前記第５サブ画素と前記第６サブ画素との間の第９の領域の前記第１方向の長さとが同じである、請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１サブ画素と、前記第３サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第１サブ画素と異なる色である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第２サブ画素と、前記第３サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素のそれぞれの面積に対して、前記第５サブ画素の面積、前記第６サブ画素の面積が大きく、前記第５サブ画素及び前記第６サブ画素が青色である、請求項２、３、５、６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素、は、発光素子と、前記発光素子からの光を所定の波長領域の光に変換する着色層とを含み、
前記画素コンタクト領域は、非発光領域である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記発光素子と前記着色層とが同一の基板に設けられている、請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向に配列した複数の表示単位を有し、
前記表示単位は、少なくとも異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素を含み、
前記第１方向に隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間の第１の領域の前記第１方向の長さが同じであって、
前記第１の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のうちいずれか一方に係る画素コンタクト領域である、電気光学装置。
【請求項１３】
前記表示単位は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素とは異なる色の第３サブ画素を有し、
前記第１方向に前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とが配列し、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して前記第２方向に前記第３サブ画素が配列し、
前記第１方向に隣り合う前記表示単位において、前記第１の領域の前記第１方向の長さと、前記第３サブ画素間の第２の領域の前記第１方向の長さとが同じであって、
前記第２の領域は、前記第３サブ画素に係る画素コンタクト領域である、請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記第２方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の第３の領域の前記第２方向の長さが同じである、請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向に配列した複数の表示単位を有し、
前記表示単位は、異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素並びに第３サブ画素を有し、
前記第１方向に前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とが配列し、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して前記第２方向に前記第３サブ画素が配列し、
前記第１方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間の第１の領域の前記第１方向の長さと、前記第３サブ画素間の第２の領域の前記第１方向の長さとが同じであり、
前記第２方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の第３の領域の前記第２方向の長さが同じであって、
前記第３の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素並びに前記第３サブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域である、電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
【請求項１７】
両眼のうち少なくとも一方の眼に対して、表示された画像を認識させる、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、ヘッドマウントディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば、基板上に、青色光を発光する発光素子を含む複数色の発光素子が画素ごとに形成され、複数色の副画素を単位として構成される複数の画素が行列状に配置され、各発光色の副画素のトランジスターと、青色光を発光する発光素子の発光部との相対的な位置関係が、両者間の距離が各色で均等になるようにレイアウトされている表示装置が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１の表示装置によれば、青色光が最もエネルギーが高く、青色光の一部が隣接する画素に漏れたとしても、漏れ光の影響による画素トランジスターの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２８２１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の副画素において、アノード電極上にウインド絶縁膜が形成され、ウインド絶縁膜の凹部に発光素子であるＲ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ（Electro−luminescence）素子が設けられている。各色の有機ＥＬ素子の発光部は、ウインド絶縁膜の凹部における開口（ウインド）であるとしている。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の副画素のレイアウトでは、青色光の一部が隣接する他の色の副画素に漏れたとき、青色光と他の色光とが混ざる混色が起こることになる。特に副画素の法線方向に対して斜め方向から見たときに、混色が視認され易い。
【０００７】
また、有機ＥＬ素子における発光部すなわち副画素の配置は、有機ＥＬ素子を駆動するトランジスターの配置と関連している。具体的には、有機ＥＬ素子のアノード電極とトランジスターとの電気的な接続を図るコンタクトは、発光部を規定するウインド絶縁膜の凹部よりも外側に設けられている。例えば、上記特許文献１の実施例１や実施例２に示された画素形成領域（画素）における副画素の配置によれば、青（Ｂ）の副画素に対して列方向に赤（Ｒ）や緑（Ｇ）の副画素が配置されており、アノード電極のコンタクトは、列方向において青（Ｂ）の副画素と赤（Ｒ）や緑（Ｇ）の副画素の間に設けられている。したがって、１つの画素形成領域（画素）内では、青（Ｂ）の副画素と赤（Ｒ）や緑（Ｇ）の副画素との列方向の間隔は同じと考えられる。一方で、列方向に隣り合う画素においては、一方の画素の青（Ｂ）の副画素と、他方の画素の赤（Ｒ）や緑（Ｇ）の副画素との間にはアノード電極のコンタクトが設けられていない。それゆえ、一方の画素の青（Ｂ）の副画素と、他方の画素の赤（Ｒ）や緑（Ｇ）の副画素との列方向の間隔は、画素内における列方向の副画素の間隔と異なることが考えられる。すなわち、有機ＥＬ素子を駆動するトランジスターの配置に対応して、副画素間の距離が行方向または列方向、あるいは行方向及び列方向において異なるように設定されることが考えられる。そうすると、副画素の法線方向に対してどのような方向から斜めに見るかによって、混色の状態が変化することになる。このような、混色の状態を視野角に起因する色ずれと呼ぶと、視野角に起因する色ずれが発生するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、第１方向に並んだ、第１サブ画素、第１の領域、第２サブ画素、第２の領域、第３サブ画素、第３の領域、第４サブ画素、第４の領域を有し、前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色であり、前記第３サブ画素は、前記第４サブ画素と異なる色であり、前記第１の領域は、前記第１サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第２の領域は、前記第２サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第３の領域は、前記第３サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第４の領域は、前記第４サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、前記第４の領域の前記第１方向の長さが同じであることが好ましい。
【００１０】
本適用例の構成によれば、異なる色の第１サブ画素と第２サブ画素との間の第１方向の長さと、同じく異なる色の第３サブ画素と第４サブ画素との間の第１方向の長さとが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第１方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第１方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第１方向におけるサブ画素間の領域を画素コンタクト領域とすることで、異なる色のサブ画素間を画素コンタクト領域によって区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第１方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１方向に並んだ、第５サブ画素、第５の領域、第６サブ画素、第６の領域をさらに有し、前記第５サブ画素は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して、前記第１方向に交差する第２方向に並び、前記第６サブ画素は、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素に対して、前記第２方向に並び、前記第５の領域は、前記第５サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第６の領域は、前記第６サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第５の領域、前記第６の領域の前記第１方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、追加された第５サブ画素と第６サブ画素との間の第１方向の長さもまた同じとなっている。したがって、第１方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な電気光学装置を提供することができる。また、第５の領域及び第６の領域をそれぞれ画素コンタクト領域とすることで、第５サブ画素と第６サブ画素とを画素コンタクト領域によって区分して、それぞれのサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２方向における前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第５サブ画素との間の第７の領域と、前記第２方向における前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素と前記第６サブ画素との間の第８の領域と、を有し、前記第７の領域、前記第８の領域の前記第２方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第１方向及び第２方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１方向に並ぶ、前記第１サブ画素、前記第１の領域、前記第２サブ画素、前記第２の領域に対して、前記第３サブ画素、前記第３の領域、前記第４サブ画素、前記第４の領域が、前記第１方向に沿って並列しているとしてもよい。
この構成によれば、最大で４色のサブ画素が第１方向に等間隔で配置される。したがって、第１方向の視野角に起因する色ずれが低減され、優れた色表現が可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１４】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、第１方向に並んだ、第１サブ画素、第１の領域、第２サブ画素、第２の領域、第３サブ画素、第３の領域、第４サブ画素、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、第５サブ画素と、第７の領域と、第８の領域と、第６サブ画素と、を有し、前記第５の領域、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素、前記第６の領域、前記第５サブ画素は、前記第１方向に交差する第２方向に並び、前記第７の領域、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素、前記第８の領域、前記第６サブ画素は、前記第２方向に並び、前記第１サブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色であり、前記第３サブ画素は、前記第４サブ画素と異なる色であり、前記第５の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第６の領域は、前記第５サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第７の領域は、前記第３サブ画素及び前記第４サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第８の領域は、前記第６サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第５の領域、前記第６の領域、前記第７の領域、前記第８の領域の前記第２方向の長さが同じであることを特徴とする。
【００１５】
本適用例の構成によれば、第１方向に並んだ異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素に対して第２方向に第５サブ画素が配置されると共に、同じく第１方向に並んだ異なる色の第３サブ画素及び第４サブ画素に対して第２方向に第６サブ画素が配置される。第１サブ画素及び第２サブ画素と第５サブ画素との間の第２方向の長さと、第３サブ画素及び第４サブ画素と第６サブ画素との間の第２方向の長さとが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第２方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第２方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第２方向におけるサブ画素間の領域を画素コンタクト領域とすることで、異なる色のサブ画素と他のサブ画素とを画素コンタクト領域によって区分して、各サブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第２方向におけるサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。
【００１６】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、前記第４の領域の前記第１方向の長さと、前記第１方向における前記第５サブ画素と前記第６サブ画素との間の第９の領域の前記第１方向の長さとが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第２方向に加えて第１方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
【００１７】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１サブ画素と、前記第３サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第１サブ画素と異なる色であるとしてもよい。
この構成によれば、第１サブ画素と第３サブ画素とが隣り合って並んだ方向における色ずれの発生を防ぐことができる。つまり、サブ画素の配置に伴って視野角に起因する色ずれが生ずる確率を低減できる。
【００１８】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２サブ画素と、前記第３サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第２サブ画素と異なる色であるとしてもよい。
この構成によれば、第２サブ画素と第３サブ画素とが隣り合って並んだ方向における色ずれの発生を防ぐことができる。つまり、サブ画素の配置に伴って視野角に起因する色ずれが生ずる確率を低減できる。
【００１９】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素のそれぞれの面積に対して、前記第５サブ画素の面積、前記第６サブ画素の面積が大きく、前記第５サブ画素及び前記第６サブ画素が青色であることを特徴とする。
この構成によれば、青色は、青色よりも長波長な赤色や緑色に比べて視感度が低い。したがって、青色の第５サブ画素及び第６サブ画素を他の色のサブ画素と隣り合うように配置しても視野角による色ずれが目立ち難く、且つ第５サブ画素及び第６サブ画素の面積を他のサブ画素の面積よりも大きくすることで、好ましいホワイトバランスを実現し易い。
【００２０】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素は、発光素子と、前記発光素子からの光を所定の波長領域の光に変換する着色層とを含み、前記画素コンタクト領域は、非発光領域である。
この構成によれば、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な自発光型の電気光学装置を提供することができる。
【００２１】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記発光素子と前記着色層とが同一の基板に設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、発光素子と着色層とを別々な基板に設ける場合に比べて、発光素子に対する着色層の相対的な配置精度を向上させることが可能であることから、視野角に起因する色ずれが生じ難い自発光型の電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向に配列した複数の表示単位を有し、前記表示単位は、少なくとも異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素を含み、前記第１方向に隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間の第１の領域の前記第１方向の長さが同じであって、前記第１の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のうちいずれか一方に係る画素コンタクト領域であることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、第１方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第１サブ画素と第２サブ画素との間の第１方向の長さが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第１方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第１方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第１方向における第１サブ画素と第２サブ画素との間の第１の領域を画素コンタクト領域とすることで、第１方向に並んだ異なる色のサブ画素を画素コンタクト領域により区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第１方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。
【００２４】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記表示単位は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素とは異なる色の第３サブ画素を有し、前記第１方向に前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とが配列し、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して前記第２方向に前記第３サブ画素が配列し、前記第１方向に隣り合う前記表示単位において、前記第１の領域の前記第１方向の長さと、前記第３サブ画素間の第２の領域の前記第１方向の長さとが同じであって、前記第２の領域は、前記第３サブ画素に係る画素コンタクト領域であることが好ましい。
この構成によれば、第１方向に隣り合う表示単位において、第３サブ画素もまた等間隔に配置される。したがって、例えば、第１サブ画素を赤とし、第２サブ画素を緑とし、第３サブ画素を青とすれば、第１方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な電気光学装置を提供できる。
【００２５】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の第３の領域の前記第２方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第２方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素に対して第３サブ画素もまた等間隔に配置される。したがって、第１方向及び第２方向における視野角に起因する色ずれが低減される。
【００２６】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、第１方向と、前記第１方向に交差する第２方向に配列した複数の表示単位を有し、前記表示単位は、異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素並びに第３サブ画素を有し、前記第１方向に前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とが配列し、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素に対して前記第２方向に前記第３サブ画素が配列し、前記第１方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間の第１の領域の前記第１方向の長さと、前記第３サブ画素間の第２の領域の前記第１方向の長さとが同じであり、前記第２方向における隣り合う前記表示単位において、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の第３の領域の前記第２方向の長さが同じであって、前記第３の領域は、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素並びに前記第３サブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域であることが好ましい。
【００２７】
本適用例によれば、第１方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第１サブ画素、第２サブ画素、第３サブ画素が第１方向に等間隔に配置される。また、第２方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第１サブ画素及び第２サブ画素と第３サブ画素とが第２方向に等間隔に配置される。したがって、異なる色のサブ画素間における第１方向及び第２方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。つまり、第１方向及び第２方向における視野角に起因する色ずれが低減される。さらに、第１サブ画素及び第２サブ画素と第３サブ画素との間の第３の領域が、これらのサブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域であることから、第２方向に並んだ異なる色のサブ画素を画素コンタクト領域によって区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第２方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。
【００２８】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えがよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【００２９】
［適用例］本適用例に係るヘッドマウントディスプレイは、両眼のうち少なくとも一方の眼に対して、表示された画像を認識させる、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、少なくとも第１方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えがよい表示を認識可能なヘッドマウントディスプレイを提供することができる。特に、両眼に対して本願の電気光学装置を適用することで、両眼で認識された画像の色ずれによる違和感を低減できることから、長時間に亘って装着しても画像認識において疲れ難いヘッドマウントディスプレイを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態の電気光学装置の構成を示す斜視図。
【図２】表示パネルにおける表示単位（画素）の配置を示す概略平面図。
【図３】サブ画素における画素回路を示す回路図。
【図４】青（Ｂ）、緑（Ｇ）のサブ画素の構造を示す概略断面図。
【図５】緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素の構造を示す概略断面図。
【図６】配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。
【図７】配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。
【図８】配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。
【図９】配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。
【図１０】配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。
【図１１】画素におけるサブ画素及び画素コンタクト領域の配置を示す模式平面図。
【図１２】青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素のそれぞれにおける共振構造の分光特性と、カラーフィルターの分光特性とを示すグラフ。
【図１３】異なる色のサブ画素がＸ方向またはＹ方向に隣り合う場合の視野角による色ずれを説明する概略図。
【図１４】第２実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図１５】第３実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図１６】第４実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図１７】第５実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図１８】比較例１における異なる色のサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図１９】比較例２の異なる色のサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【図２０】実施例及び比較例のＸ方向の輝度の視角特性を示すグラフ。
【図２１】実施例及び比較例のＹ方向の輝度の視角特性を示すグラフ。
【図２２】実施例及び比較例のＸ方向の色ずれの視角特性を示すグラフ。
【図２３】実施例及び比較例のＹ方向の色ずれの視角特性を示すグラフ。
【図２４】有機ＥＬ素子の発光部から着色層までの距離と色ずれとの関係を示すグラフ。
【図２５】画素コンタクト領域の幅と色ずれとの関係を示すグラフ。
【図２６】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。
【図２７】変形例の画素におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３２】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置の基本的な構成例について、図１及び図２を参照して説明する。図１は電気光学装置の構成を示す斜視図、図２は表示パネルにおける表示単位（画素）の配置を示す概略平面図である。
【００３３】
本実施形態の電気光学装置１００は、カラー表示が可能な表示装置であって、表示パネル１０１と、表示パネル１０１の駆動に係るドライバーＩＣ１０３が平面実装されたフレキシブル回路基板１０２（以降、ＦＰＣ１０２と呼ぶ）と、表示パネル１０１を収納して支持体などに固定するための枠体１０５と、を備えている。
【００３４】
ＦＰＣ１０２は、表示パネル１０１に電気的に接続されると共に、ドライバーＩＣ１０３に外部回路から画像情報などの入力信号を入力するための複数の外部接続用端子１０４を有している。
【００３５】
枠体１０５には、表示パネル１０１の表示を視認可能な窓枠（開口部）１０５ａが設けられている。
【００３６】
図２に示すように、表示パネル１０１は、横長の表示領域１０１ａを有し、表示領域１０１ａには、表示単位としての画素Ｐがマトリックス状に所定の配置ピッチで複数配置されている。また、図２では、図示を省略しているが、画素Ｐは、少なくとも青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の表示が可能なサブ画素ＳＰを備えている。サブ画素ＳＰは、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と、有機ＥＬ素子からの発光を所定の波長領域の光（色光）に変換する着色層とを備えている。詳しい画素Ｐ（サブ画素ＳＰ）の構成については後述するが、画素Ｐの配列における行方向をＸ方向とし、列方向をＹ方向として、以降説明する。本実施形態では、Ｘ方向が本発明の第１方向の一例であり、Ｙ方向が本発明の第１方向に交差する第２方向の一例である。
【００３７】
表示パネル１０１は、表示領域１０１ａの対角の長さが、例えば１インチ（ｉｎｃｈ；およそ２５．４ｍｍ）未満のマイクロディスプレイである。表示領域１０１ａにおける画素密度は、例えば３３００ｐｐｉ（pixel  per  inch）である。
【００３８】
このような表示パネル１０１を備えた自発光型の電気光学装置１００は、例えば、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの表示部として好適に用いられるものである。
【００３９】
＜サブ画素の電気的な構成＞
次に、電気光学装置１００におけるサブ画素ＳＰの電気的な構成について、図３を参照して説明する。図３はサブ画素における画素回路を示す回路図である。
【００４０】
図３に示すように、サブ画素ＳＰにおける画素回路１１０は、４つのトランジスター３１，３２，３３，３４と、有機ＥＬ素子５０と、保持容量３５とを含んでいる。図２に示した表示パネル１０１の表示領域１０１ａには、画素回路１１０におけるこれらの構成要素との電気的な接続を図るための信号配線である、走査線２２、データ線２６、第１制御線２７、第２制御線２８と、第１電源配線４１及び第２電源配線４２とが設けられている。
【００４１】
画素回路１１０は、第１電源配線４１と第２電源配線４２との間に設けられている。走査線２２、第１制御線２７、第２制御線２８は、Ｘ方向に配列した複数の画素回路１１０に跨るようにＸ方向に延在して設けられている。データ線２６は、Ｙ方向に配列した複数の画素回路１１０に跨るようにＹ方向に延在して設けられている。データ線２６の入力側には容量素子２５が直列に接続されている。
【００４２】
画素回路１１０は、書込制御トランジスター３１と、駆動トランジスター３２と、補償トランジスター３３と、発光制御トランジスター３４とを含んでいる。本実施形態では、これらのトランジスターをＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを用いることも可能である。
【００４３】
発光素子としての有機ＥＬ素子５０は、陽極としての第１電極５１と、陰極としての第２電極５２と、これらの電極の間に挟持された発光機能層５３とを有するものである。第１電極５１は、画素回路１１０（サブ画素ＳＰ）ごとに設けられる画素電極であって、以降、画素電極５１と呼ぶ。第２電極５２は、複数の画素回路１１０（サブ画素ＳＰ）に亘って共通に設けられる共通電極であって、図２に示した表示領域１０１ａに亘って配置され、以降、共通電極５２と呼ぶ。
【００４４】
有機ＥＬ素子５０における発光機能層５３は、有機発光材料を含む発光層を含んでいる。本実施形態では発光機能層５３から白色発光が得られる構成となっている。
【００４５】
図３に示すように、有機ＥＬ素子５０は、駆動トランジスター３２と、発光制御トランジスター３４とを介して、第１電源配線４１と第２電源配線４２との間に接続されている。第１電源配線４１には高位の電源電位Ｖｅｌが供給される。第２電源配線４２には低位の電源電位（例えば、接地電位）Ｖｃｔが供給される。
【００４６】
駆動トランジスター３２の一対の電流端のうち一方（ソースまたはドレイン）に第１電源配線４１が接続されている。駆動トランジスター３２の一対の電流端のうち他方（ソースまたはドレイン）に発光制御トランジスター３４の一対の電流端のうち一方（ソースまたはドレイン）が接続されている。発光制御トランジスター３４の一対の電流端のうち他方（ソースまたはドレイン）に有機ＥＬ素子５０の画素電極５１が接続されている。有機ＥＬ素子５０の共通電極５２は第２電源配線４２に接続されている。
【００４７】
書込制御トランジスター３１のゲートは走査線２２に接続され、一対の電流端のうちの一方（ソースまたはドレイン）はデータ線２６に接続され、他方（ソースまたはドレイン）は駆動トランジスター３２のゲートに接続されている。保持容量３５の一対の容量電極３６，３７のうち一方の容量電極３６は第１電源配線４１に接続され、他方の容量電極３７は書込制御トランジスター３１の一対の電流端のうちの他方と接続されている。
【００４８】
補償トランジスター３３のゲートは第１制御線２７に接続され、一対の電流端のうち一方（ソースまたはドレイン）はデータ線２６に接続され、他方は発光制御トランジスター３４の一対の電流端のうちの一方（ソースまたはドレイン）に接続されている。発光制御トランジスター３４のゲートには第２制御線２８が接続されている。
【００４９】
走査線２２は、走査信号を供給する走査線駆動回路に接続されている。データ線２６は、容量素子２５の一端に接続され、容量素子２５の他端は、画像信号に基づいたデータ信号を供給するデータ線駆動回路に接続されている。したがって、データ信号は容量素子２５に供給され、データ信号に応じた電位がデータ線２６に供給される。
【００５０】
本実施形態では、水平走査期間内に補償期間と書込期間を有しており、走査線駆動回路は、走査線２２に走査信号を供給することで複数の走査線２２の各々を水平走査期間ごとに順次に選択する。走査線駆動回路が選択した走査線２２に対応する画素回路１１０の書込制御トランジスター３１はオン状態に遷移する。したがって、画素回路１１０の駆動トランジスター３２もオン状態に遷移する。また、走査線駆動回路は、第１制御線２７に制御信号を供給することで複数の第１制御線２７の各々を補償期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路が選択した第１制御線２７に対応する画素回路１１０の補償トランジスター３３はオン状態に遷移する。そして、保持容量３５は、補償トランジスター３３がオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに駆動トランジスター３２の閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を保持する。走査線駆動回路が第１制御線２７に制御信号を供給することで画素回路１１０の補償トランジスター３３をオフ状態に制御すると、データ線２６から駆動トランジスター３２のゲート電極に至るまでの経路はフローティング状態になる。一方で、駆動トランジスター３２のゲート電位は、保持容量３５によって（Ｖｅｌ−｜Ｖｔｈ｜）の電位に維持される。次に、データ線駆動回路は、外部回路から供給される画像信号が画素回路１１０ごとに指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を書込期間ごとに容量素子２５に対して並列に供給する。そして、階調電位は容量素子２５を用いてレベルがシフトされ、その電位がデータ線２６と書込制御トランジスター３１とを経由して画素回路１１０の駆動トランジスター３２のゲートに供給される。保持容量３５には駆動トランジスター３２の閾値電圧｜Ｖｔｈ｜を補償しつつ階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、走査線駆動回路は、第２制御線２８に制御信号を供給することで当該第２制御線２８に対応する画素回路１１０の発光制御トランジスター３４をオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で保持容量３５に保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスター３２から発光制御トランジスター３４を経由して有機ＥＬ素子５０に供給される。有機ＥＬ素子５０は当該駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。このようにして、有機ＥＬ素子５０が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示される。そして、駆動トランジスター３２から有機ＥＬ素子５０に供給される駆動電流は、閾値電圧の影響が相殺されているため、駆動トランジスター３２の閾値電圧が画素回路１１０ごとにばらついても、そのばらつきが補償される。また、階調レベルに応じた駆動電流が有機ＥＬ素子５０に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００５１】
なお、画素回路１１０は、４つのトランジスター３１，３２，３３，３４を備える構成に限定されず、例えば、駆動トランジスター３２の閾値電圧の画素回路１１０ごとのばらつきが小さければ、補償トランジスター３３を無くした構成としてもよい。また、信号配線の構成はこれに限定されず、例えば、走査線２２は第１制御線２７と異なる配線としたが、走査線２２と第１制御線２７とを一本の配線としてもよい。
【００５２】
＜画素の構造＞
次に、図４〜図１０を参照して画素Ｐ（サブ画素ＳＰ）の構造について説明する。図４及び図５はサブ画素の構造を示す概略断面図である。図４は青（Ｂ）、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰの構造を示す概略断面図であり、図５は緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰの構造を示す概略断面図である。詳しくは、図４は後述する図１０に示したサブ画素の配置においてＹ方向に配置された４つのトランジスター３２，３１，３３，３４に跨ると共に、青（Ｂ）、緑（Ｇ）の各サブ画素に跨るＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。図５は同じく図１０に示したサブ画素の配置においてＸ方向に配置された３つのトランジスター３３に跨ると共に、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の各サブ画素に跨るＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。なお、本実施形態の表示パネル１０１は、同一基板上において、サブ画素ＳＰごとに形成された、発光素子としての有機ＥＬ素子５０と、着色層７１とを有するものである。
【００５３】
図４及び図５に示すように、本実施形態では、画素回路１１０を構成する４つのトランジスター３１，３２，３３，３４のそれぞれは、基板としての、例えば、シリコンなどの半導体基板１０の一方の表面に不純物イオンを注入することによって形成された能動領域１０Ａを備えている。つまり、４つのトランジスター３１，３２，３３，３４は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal−Oxide−Semiconductor−Field−Effect−Transistor）である。なお、能動領域１０Ａは、高濃度に不純物イオンが注入されてソースまたはドレインとして機能する領域と、低濃度に不純物イオンが注入されるまたは不純物イオンが注入されずにゲートとして機能する領域とを含んでいるが、図４及び図５では便宜上、１つにまとめて表示している。
【００５４】
半導体基板１０上において、能動領域１０Ａを覆うようにゲート絶縁膜１１が形成される。ゲート絶縁膜１１上には、能動領域１０Ａのうちゲートとして機能する領域に対向する部分にゲート電極が形成される。図４では、駆動トランジスター３２のゲート電極３２ｇ、補償トランジスター３３のゲート電極３３ｇ、発光制御トランジスター３４のゲート電極３４ｇを示した。もちろん、書込制御トランジスター３１においても同様にゲート電極が形成される。これらのゲート電極を覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。また、第１層間絶縁膜１２とゲート絶縁膜１１とを貫通して、例えば書込制御トランジスター３１のソースまたはドレインとして機能する領域に至る貫通孔が設けられる。また、第１層間絶縁膜１２を貫通して、例えば駆動トランジスター３２のゲート電極３２ｇに至る貫通孔が設けられる。これらの貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、例えば、書込制御トランジスター３１のソースまたはドレインとして機能する領域に接するコンタクトホールＣＨ１及び駆動トランジスター３２のゲート電極３２ｇに接するコンタクトホールＣＨ２が形成される。また、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とを繋ぐ配線２１Ａが形成される。すなわち、書込制御トランジスター３１のソースまたはドレインと駆動トランジスター３２のゲートとを繋ぐ配線２１Ａが形成される。第１層間絶縁膜１２上には、配線２１Ａだけでなく、他のトランジスターとの接続を図るための配線２１Ｄなども同様に形成される。なお、図４には図示していないが、配線２１Ｄは発光制御トランジスター３４の一対の電流端の他方に接続されている。
【００５５】
これらの配線２１Ａ及び配線２１Ｄなどを覆う第２層間絶縁膜１３が形成される。また、第２層間絶縁膜１３を貫通して、例えば配線２１Ｄに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、コンタクトホールＣＨ３を介して配線２１Ｄと接続された中継層２９Ｂが形成される。また、中継層２９Ｂと同様にして上記導電膜をパターニングすることにより、走査線２２、第１制御線２７、第２制御線２８、第１電源配線４１がそれぞれ形成される。
【００５６】
走査線２２、第１制御線２７、第２制御線２８、第１電源配線４１、中継層２９Ｂなどを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。また、第３層間絶縁膜１４を貫通して、例えば中継層２９Ｂに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、コンタクトホールＣＨ４を介して中継層２９Ｂと接続された中継配線４３Ｂが形成される。
【００５７】
中継配線４３Ｂなどを覆う第４層間絶縁膜１５が形成される。また、第４層間絶縁膜１５を貫通して、例えば中継配線４３Ｂに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように光反射性を有する導電膜を成膜してパターニングすることにより、青（Ｂ）、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰに対応した反射層４５Ｂ，４５Ｇが形成される。例えば、反射層４５Ｇは第４層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホールＣＨ５を介して中継配線４３Ｂに接続される。また、図５に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに対応した反射層４５Ｒも同様に形成される。なお、以降の説明上、同一の配線層に形成される反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒを総称して単に反射層４５と呼ぶこともある。
【００５８】
図４に示すように、反射層４５を覆って第１絶縁層１６ａが形成される。また、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰでは、第１絶縁層１６ａ上に第２絶縁層１６ｂがパターニング形成される。そして、第２絶縁層１６ｂ上に画素電極５１Ｂがパターニング形成される。緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰでは、第１絶縁層１６ａ上に第２絶縁層１６ｂと、第４絶縁層１６ｄとがパターニング形成される。そして、第４絶縁層１６ｄ上に画素電極５１Ｇがパターニング形成される。図５に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰでは、第１絶縁層１６ａ上に第２絶縁層１６ｂと、第３絶縁層１６ｃと、第４絶縁層１６ｄとがそれぞれパターニング形成される。そして、第４絶縁層１６ｄ上に画素電極５１Ｒがパターニング形成される。つまり、第３絶縁層１６ｃは、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに対応して形成され、第４絶縁層１６ｄは、緑（Ｇ）及び赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに対応して形成される。
【００５９】
図４に示すように、画素電極５１Ｂ，５１Ｇ間の絶縁性を確保するための第５絶縁層１７が形成される。第５絶縁層１７は、各画素電極５１Ｂ，５１Ｇの外縁部を覆い、各画素電極５１Ｂ，５１Ｇ上に開口部を有するように形成される。当該開口部は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰにおける発光領域を規定するものである。図５に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおいても画素電極５１Ｒの外縁部を覆うように第５絶縁層１７がパターニング形成され、第５絶縁層１７によって発光領域を規定する開口部が形成される。
【００６０】
各画素電極５１Ｂ，５１Ｇ及び第５絶縁層１７を覆うように発光機能層５３が形成され、発光機能層５３を覆うように光透過性と光反射性とを兼ね備えた導電膜を成膜して共通電極５２が形成される。これにより、青（Ｂ）、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰごとにトップエミッション型の有機ＥＬ素子５０が形成される。図５に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおいても同様にトップエミッション型の有機ＥＬ素子５０が形成される。
【００６１】
画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒを構成する透明導電膜としては、発光機能層５３へのホールの注入性を考慮した仕事関数を有する、例えばＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）膜を用いる。共通電極５２は光透過性と光反射性とを兼ね備える、例えば、ＭｇとＡｇとの合金を用いる。なお、発光機能層５３と共通電極５２との間に、発光機能層５３への電子の注入性を考慮した仕事関数を有する、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａなどの金属薄膜を設けてもよい。
【００６２】
発光機能層５３は、前述したように白色発光が得られる発光層を含むものであるが、本実施形態では、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰごとに光共振構造を取り入れることにより、各色に対応させた特定波長領域の光を有機ＥＬ素子５０から取り出せるトップエミッション構造としている。光共振構造は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰごとに反射層４５と共通電極５２との間の光学的な距離を異ならせることにより、各色に応じた共振波長の光が有機ＥＬ素子５０から射出される。本実施形態では、反射層４５と画素電極５１との間の絶縁層の層構成を異ならせることにより光学的な距離を異ならせた光共振構造が採用されている。具体的には、共振波長は、青色に対して緑色、赤色の方が長いことから、反射層４５Ｂと画素電極５１Ｂとの間には、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂが存在し、反射層４５Ｇと画素電極５１Ｇとの間には、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂ、第４絶縁層１６ｄが存在している。また、図５に示すように、反射層４５Ｒと画素電極５１Ｒとの間には、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂ、第３絶縁層１６ｃ、第４絶縁層１６ｄが存在している。これにより、画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒを覆うように均一な膜厚の発光機能層５３を形成すれば、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰにおける反射層４５Ｂと共通電極５２との間の光学的な距離が最も小さくなり、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおける反射層４５Ｒと共通電極５２との間の光学的な距離が最も大きくなる。なお、このような光共振構造は、反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒと画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒとの間の絶縁層の層構成を異ならせることに限定されず、反射層４５と画素電極５１との間の絶縁層の膜厚を一定として、画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒの膜厚を青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰごとに異ならせることにより光学的な距離を異ならせる構成としてもよい。以降、光共振構造を有する青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに設けられた有機ＥＬ素子５０を有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒと呼ぶ。
【００６３】
次に、図４及び図５に示すように、共通電極５２を覆うように封止層６０が形成される。封止層６０は、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒに水分や酸素などが浸入しないように保護するものである。また、この後にカラーフィルター７０を封止層６０上に形成するため、封止層６０の平坦化を図ることを考慮して構成されている。具体的には、封止層６０は、第１無機封止膜６１、有機封止膜６２、第２無機封止膜６３がこの順に積層されたものである。第１無機封止膜６１及び第２無機封止膜６３は、水分や酸素などの気体を透過し難い、例えばシリコンの酸化膜や窒化膜あるいは酸窒化膜が用いられる。有機封止膜６２は、凹凸を有する表面にスピンコート法や印刷法などを用いて塗工することで平坦化を図ることが可能な例えばアクリル系の透明樹脂などが用いられる。
【００６４】
封止層６０上には、カラーフィルター７０が形成される。カラーフィルター７０は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに対応した着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒを有するものである。このようなカラーフィルター７０の形成方法としては、色材を含む感光性樹脂を塗布して露光・現像することにより、着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒを順に形成するフォトリソグラフィ法が挙げられる。なお、着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒの形成の順番は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に限定されない。また、所望の光学特性を得るために、着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒの膜厚を色ごとに異ならせてもよい。以降、着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒを総称して着色層７１と呼ぶこともある。
【００６５】
このように半導体基板１０には、４つのトランジスター３１，３２，３３，３４を含む画素回路１１０を始めとして、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ、封止層６０、カラーフィルター７０が形成される。これらの構成要素が形成された半導体基板１０に対して透明な接着層８０を介して、同じく透明な対向基板９０が接着され、表示パネル１０１ができあがる。対向基板９０は、半導体基板１０に形成された、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒやカラーフィルター７０などを保護する保護基板として機能する。
【００６６】
次に、図４及び図５を参照して、画素コンタクト領域の構造について説明する。本発明における画素コンタクト領域とは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の各サブ画素ＳＰにおいて、電気的な中継配線として機能する反射層４５と画素電極５１との接続を図るコンタクトホールが形成された領域、あるいはコンタクトホールを含む非発光領域を指すものである。
【００６７】
図４に示すように、本実施形態の緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰでは、第３層間絶縁膜１４上に形成された中継配線４３Ｂは、第４層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ５を介して反射層４５Ｇに接続されている。図５に示すように、反射層４５Ｇは、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂ、第４絶縁層１６ｄを貫通するコンタクトホールＣＨ１０を介して画素電極５１Ｇに接続されている。有機ＥＬ素子５０Ｇがトップエミッション型であることから、反射層４５Ｇの下層に設けられたコンタクトホールＣＨ５は、有機ＥＬ素子５０Ｇからの発光に影響を及ぼさないので、中継配線４３ＢやコンタクトホールＣＨ５の配線層における位置の決定はある程度の自由度を有している。これに対して、反射層４５Ｇ上に設けられるコンタクトホールＣＨ１０の配線層における位置は、有機ＥＬ素子５０Ｇからの発光に影響を及ぼすことから、前述した発光領域を規定する第５絶縁層１７の開口部と重ならない位置に設けられる。つまり、コンタクトホールＣＨ１０に重なる画素電極５１Ｇの部分は、第５絶縁層１７によって覆われており、電気的に発光機能層５３と絶縁されることから、コンタクトホールＣＨ１０と重なった領域は、非発光領域となる。加えて、コンタクトホールＣＨ５とコンタクトホールＣＨ１０とは異なる位置に設けられている。すなわち、コンタクトホールＣＨ１０と平面視で重なるように形成された第５絶縁層１７の部分が緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰに係る画素コンタクト領域である。
【００６８】
また、図５に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおいて、反射層４５Ｒは、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂ、第３絶縁層１６ｃ、第４絶縁層１６ｄを貫通するコンタクトホールＣＨ９を介して画素電極５１Ｒに接続されている。有機ＥＬ素子５０Ｒもまたトップエミッション型であることから、反射層４５Ｒ上に設けられるコンタクトホールＣＨ９の配線層における位置は、有機ＥＬ素子５０Ｒからの発光に影響を及ぼすことから、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰと同様に、発光領域を規定する第５絶縁層１７の開口部と重ならない位置に設けられる。つまり、コンタクトホールＣＨ９に重なる画素電極５１Ｒの部分は、第５絶縁層１７によって覆われており、電気的に発光機能層５３と絶縁されることから、コンタクトホールＣＨ９と重なった領域は、非発光領域となる。すなわち、コンタクトホールＣＨ９と平面視で重なるように形成された第５絶縁層１７の部分が赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに係る画素コンタクト領域である。なお、図４及び図５には図示していないが、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰにおいて、反射層４５Ｂは、第１絶縁層１６ａ、第２絶縁層１６ｂを貫通するコンタクトホールＣＨ１１を介して画素電極５１Ｂに接続されている。コンタクトホールＣＨ１１もまた第５絶縁層１７によって覆われている。すなわち、コンタクトホールＣＨ１１と平面視で重なるように形成された第５絶縁層１７の部分が青（Ｂ）のサブ画素ＳＰに係る画素コンタクト領域である。
【００６９】
本実施形態では、複数層の絶縁層を貫通させてコンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１を形成する観点から、図５に示すように、第１絶縁層１６ａと第２絶縁層１６ｂとを貫通する孔を形成して、反射層４５に接続する中継部を形成する。その後、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰでは中継部を覆わないように第４絶縁層１６ｄをパターニング形成する。赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰでは、中継部を覆わないように、第３絶縁層１６ｃと第４絶縁層１６ｄとをパターニング形成する。そして、各サブ画素ＳＰの中継部に接するように透明導電膜を成膜してパターニング形成することにより、画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒを形成すると共に、中継部を含む上記コンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１を形成する。つまり、反射層４５と画素電極５１とを電気的に接続させるため、予め中継部を形成しておくことで、電気的な接続に係る距離が短くなり、各コンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１を容易に形成することができる。
【００７０】
なお、図５では、ゲート電極３３ｇが第１制御線２７に接続される補償トランジスター３３について図示している。前述したように半導体基板１０における能動領域１０Ａにはドレイン領域３３ｄとソース領域３３ｓとが設けられている。
【００７１】
本実施形態では、画素回路１１０における４つのトランジスター３１，３２，３３，３４をＭＯＳＦＥＴにて構成したが、これに限定されず、例えば、ＴＦＴ（Thin−Film−Transistor）を用いてもよい。
【００７２】
＜画素の電気的な構成の配置＞
次に、図６〜図１０を参照して、半導体基板１０上の各配線層における画素の電気的な構成の配置について説明する。図６〜図１０は、配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図である。具体的には、図６は４つのトランジスター３１，３２，３３，３４の配置を示し、図７は走査線２２、第１制御線２７、第２制御線２８、第１電源配線４１の配置を示し、図８はデータ線２６、中継配線の配置を示し、図９は反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒの配置を示し、図１０は画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒ、画素コンタクト領域の配置を示すものである。
【００７３】
まず、半導体基板１０における４つのトランジスター３１，３２，３３，３４と、これらのトランジスター３１，３２，３３，３４のソースまたはドレインに係る配線の配置について、図６を参照して説明する。なお、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰに係る画素回路の符号を１１０Ｂとする。同様に、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰに係る画素回路の符号を１１０Ｇとし、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに係る画素回路の符号を１１０Ｒとする。
【００７４】
図６に示すように、画素Ｐにおいて、画素回路１１０に含まれる４つのトランジスター３１，３２，３３，３４は、それぞれ一対の電流端がＸ方向に沿うように配置されている。また、発光制御トランジスター３４、補償トランジスター３３、書込制御トランジスター３１、駆動トランジスター３２の順でＹ方向に並んで配置されている。このような画素回路１１０の４つのトランジスター３１，３２，３３，３４の配置を一つの単位として、画素回路１１０Ｇ、画素回路１１０Ｂ、画素回路１１０Ｒがこの順にＸ方向に並列して配置されている。
【００７５】
４つのトランジスター３１，３２，３３，３４は、一対の電流端の間において、能動領域に対向して配置され、それぞれ島状に設けられたゲート電極３１ｇ，３２ｇ，３３ｇ，３４ｇを有している。ゲート電極３１ｇ，３２ｇ，３３ｇ，３４ｇは同一の配線層に設けられている。
【００７６】
ここでは、各トランジスター３１，３２，３３，３４の一対の電流端（ソースまたはドレイン）のうち、一方をソース領域と呼び、他方をドレイン領域と呼ぶこととする。書込制御トランジスター３１、駆動トランジスター３２、補償トランジスター３３において、一対の電流端のうちドレイン領域はＸ方向においてゲート電極の左側に位置し、ソース領域はＸ方向においてゲート電極の右側に位置している。これに対して、発光制御トランジスター３４の一対の電流端のうちドレイン領域はＸ方向においてゲート電極の右側に位置し、ソース領域はＸ方向においてゲート電極の左側に位置している。
【００７７】
書込制御トランジスター３１のドレイン領域３１ｄと駆動トランジスター３２のゲート電極３２ｇとは、Ｙ方向に延びる配線２１Ａによって接続されている。駆動トランジスター３２のドレイン領域３２ｄと、補償トランジスター３３のドレイン領域３３ｄと、発光制御トランジスター３４のソース領域３４ｓとは、Ｙ方向に延びる配線２１Ｂによって接続されている。書込制御トランジスター３１のソース領域３１ｓと、補償トランジスター３３のソース領域３３ｓとは、Ｙ方向に延びる配線２１Ｃによって接続されている。Ｙ方向に延びる配線２１Ｃの中間点には、後述する中継層２９Ａに接続するためのコンタクトホール２１ｓが配置されている。発光制御トランジスター３４のドレイン領域３４ｄには、Ｘ方向とＹ方向とに延びるように折れ曲がった配線２１Ｄの一方の端部が接続され、配線２１Ｄの他方の端部には、後述する中継層２９Ｂに接続するためのコンタクトホールＣＨ３が配置されている。配線２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃは、ゲート電極３１ｇ，３２ｇ，３３ｇ，３４ｇの上層において同一の配線層に設けられている。
【００７８】
図７に示すように、走査線２２は、画素回路１１０Ｇ，１１０Ｂ，１１０Ｒの書込制御トランジスター３１と重なるようにＸ方向に延在し、コンタクトホールを介して書込制御トランジスター３１のゲート電極３１ｇと接続されている。第１制御線２７は、画素回路１１０Ｇ，１１０Ｂ，１１０Ｒの補償トランジスター３３と重なるようにＸ方向に延在し、コンタクトホールを介して補償トランジスター３３のゲート電極３３ｇと接続されている。第２制御線２８は、画素回路１１０Ｇ，１１０Ｂ，１１０Ｒの発光制御トランジスター３４と重なるようにＸ方向に延在し、コンタクトホールを介して発光制御トランジスター３４のゲート電極３４ｇと接続されている。第１電源配線４１は、画素回路１１０Ｇ，１１０Ｂ，１１０Ｒの駆動トランジスター３２と重なるようにＸ方向に延在し、コンタクトホールを介して駆動トランジスター３２のソース領域と接続されている。
【００７９】
走査線２２と第１制御線２７との間において、書込制御トランジスター３１のソース領域３１ｓと、補償トランジスター３３のソース領域３３ｓとを接続させる配線２１Ｃの中間点に設けられた上記コンタクトホール２１ｓに接続する中継層２９Ａが設けられている。中継層２９Ａには後述するデータ線２６に接続するためのコンタクトホールＣＨ８が配置されている。
【００８０】
発光制御トランジスター３４のドレイン領域に接続された配線２１Ｄの他方の端部に中継層２９Ｂが設けられている。中継層２９Ｂには、後述する中継配線に接続するためのコンタクトホールＣＨ４が配置されている。つまり、中継層２９Ｂを挟んで下層のコンタクトホールＣＨ３と上層のコンタクトホールＣＨ４とは、平面視で同じ位置に設けられている（図４参照）。
【００８１】
走査線２２、第１制御線２７、第２制御線２８、第１電源配線４１、中継層２９Ａ、中継層２９Ｂは、同一の配線層に設けられている。
【００８２】
図８に示すように、画素回路１１０Ｇ，１１０Ｂ，１１０Ｒのそれぞれに対応して、Ｙ方向に延在するデータ線２６が設けられている。データ線２６は、コンタクトホールＣＨ８及び前述した中継層２９Ａ、コンタクトホール２１ｓにより配線２１Ｃと電気的に接続されている。
【００８３】
画素回路１１０Ｇと画素回路１１０Ｒとにおいて、Ｙ方向に延びる中継配線４３Ｂが設けられている。中継配線４３Ｂの一方の端部は、下層のコンタクトホールＣＨ４と接続されている。中継配線４３Ｂの他方の端部には、後述する反射層４５Ｇ，４５Ｒに接続されるコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６が配置されている。画素回路１１０ＢにおいてもＹ方向に延びる中継配線４３Ｃが設けられている。Ｙ方向において、中継配線４３Ｃは中継配線４３Ｂよりも長く、中継配線４３Ｃの一方の端部は、下層のコンタクトホールＣＨ４と接続されている。中継配線４３Ｃの他方の端部には、後述する反射層４５Ｂに接続されるコンタクトホールＣＨ７が配置されている。データ線２６、中継配線４３Ｂ，４３Ｃは同一の配線層に設けられている。
【００８４】
図９に示すように、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰに対応した反射層４５Ｇと、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰに対応した反射層４５ＲとがＸ方向に並んで配置されている。反射層４５Ｇ及び反射層４５Ｒは、同じ大きさの長方形である。反射層４５Ｇ，４５Ｒに対して、同じく長方形の反射層４５ＢがＹ方向に並んで配置されている。反射層４５Ｂの大きさは、反射層４５Ｇの大きさのおよそ２倍である。反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒは、同一配線層に設けられていると共に、それぞれ電気的に独立して設けられている。反射層４５Ｇは下層に設けられたコンタクトホールＣＨ５に接続され、反射層４５Ｒは下層に設けられたコンタクトホールＣＨ６に接続され、反射層４５Ｂは下層に設けられたコンタクトホールＣＨ７に接続されている。
【００８５】
図１０に示すように、平面視で反射層４５Ｂと重なるように画素電極５１Ｂが配置されている。画素電極５１Ｂは外形が長方形であって、反射層４５Ｂと画素電極５１Ｂとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＨ１１は、反射層４５ＢのＸ方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極５１Ｂの短辺部と重なるように配置されている。画素電極５１Ｇは、平面視で反射層４５Ｇと重なるように配置されている。画素電極５１Ｇは外形が長方形であって、反射層４５Ｇと画素電極５１Ｇとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＨ１０は、反射層４５ＧのＸ方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極５１Ｇの短辺部と重なるように配置されている。同様に、画素電極５１Ｒは、平面視で反射層４５Ｒと重なるように配置されている。画素電極５１Ｒは外形が長方形であって、反射層４５Ｒと画素電極５１Ｒとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＨ９は、反射層４５ＲのＸ方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極５１Ｒの短辺部と重なるように配置されている。これらのコンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１が設けられた領域を画素コンタクト領域と呼ぶ。
【００８６】
前述したように、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成される画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒは、走査線２２や中継配線４３Ｂなどに比べて高抵抗であることから、反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１は、他の配線に係るコンタクトホールに比べて平面視で大きく形成されている。
【００８７】
このように、画素回路１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのうち、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを除く、４つのトランジスター３１，３２，３３，３４とこれに接続される信号配線類は、反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒよりも下層に形成される。反射層４５Ｂ，４５Ｇ，４５Ｒより下層に設けられた構成の配置は、上層の有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの発光に影響を及ぼさないので、配置における自由度を有している。つまり、反射層４５と画素電極５１との配置に応じて画素回路１１０を比較的に自由に配置することが可能である。
【００８８】
各画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒ上において発光領域（開口部）を規定する第５絶縁層１７は、コンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１を覆うように設けられる（図５参照）。したがって、画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１ＲにおいてコンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１と重なる部分は、第５絶縁層１７によって絶縁されて発光機能層５３と接しない。つまり画素コンタクト領域は非発光領域となる。
【００８９】
青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおいて、輝度を確保する観点からは、非発光領域である画素コンタクト領域はできるだけ小さいほうがよい。その一方で、画素コンタクト領域を小さくし過ぎると、反射層４５と画素電極５１との接続抵抗が小さくなり、有機ＥＬ素子５０の駆動電流の抵抗損失を招くことになる。加えて、画素コンタクト領域の配置は、画素Ｐにおける光学特性にも影響を及ぼす。以降、本実施形態におけるサブ画素ＳＰの構成と光学特性との関係について、図１１〜図１３を参照して説明する。
【００９０】
＜サブ画素及び画素コンタクト領域の配置＞
図１１は、画素におけるサブ画素及び画素コンタクト領域の配置を示す模式平面図である。なお、以降の説明において、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の各サブ画素ＳＰを識別する都合上、画素回路１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒの符号を用い、青（Ｂ）のサブ画素には符号１１０Ｂを付与し、緑（Ｇ）のサブ画素には符号１１０Ｇを付与し、赤（Ｒ）のサブ画素には符号１１０Ｒを付与して表すこととする。また、サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒとして図面上で表された領域は、それぞれ発光領域を示すものである。さらに、コンタクトホールＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１の符号を用いて、サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒに係る画素コンタクト領域を表すものとする。すなわち、サブ画素１１０Ｒの画素コンタクト領域には符号ＣＨ９を付与し、サブ画素１１０Ｇの画素コンタクト領域には符号ＣＨ１０を付与し、サブ画素１１０Ｂの画素コンタクト領域には符号ＣＨ１１を付与して表すこととする。
【００９１】
図１１に示すように、画素Ｐとしての画素Ｐ１は、Ｘ方向に並んだ、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９を有する。また、画素Ｐ１は、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対して、Ｙ方向に並ぶサブ画素１１０Ｂを有する。サブ画素１１０Ｂの画素コンタクト領域ＣＨ１１は、サブ画素１１０Ｂに対してＸ方向に並ぶと共に、サブ画素１１０Ｒの画素コンタクト領域ＣＨ９に対してＹ方向に並んでいる。
【００９２】
画素Ｐ１に対してＸ方向に隣り合う画素Ｐとしての画素Ｐ２は、画素Ｐ１と同様に、Ｘ方向に並んだ、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９を有する。また、画素Ｐ２は、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対して、Ｙ方向に並ぶサブ画素１１０Ｂを有する。サブ画素１１０Ｂの画素コンタクト領域ＣＨ１１は、サブ画素１１０Ｂに対してＸ方向に並ぶと共に、サブ画素１１０Ｒの画素コンタクト領域ＣＨ９に対してＹ方向に並んでいる。
【００９３】
つまり、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいては、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９がこの順にＸ方向に繰り返し並んだ状態となっている。同じく、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１１がこの順にＸ方向に繰り返し並んだ状態となっている。Ｙ方向に並ぶ、サブ画素１１０Ｂと、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとの間には、画素コンタクト領域は存在していない。画素コンタクト領域は、前述したように非発光領域である。また、図４及び図５にて説明したように、各画素電極５１Ｂ，５１Ｇ，５１Ｒ上に開口部を形成する第５絶縁層１７によって当該開口部が発光領域として規定されることから、図１１に示した各サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒは非発光領域によって囲まれた状態となっている。
【００９４】
本実施形態では、画素Ｐ１における、サブ画素１１０Ｇが本発明の第１サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｒが本発明の第２サブ画素の一例である。また、Ｘ方向において画素Ｐ１に隣り合う画素Ｐ２における、サブ画素１１０Ｇが本発明の第３サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｒが本発明の第４サブ画素の一例である。また、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおける、画素Ｐ１側のサブ画素１１０Ｂが本発明の第５サブ画素の一例であり、画素Ｐ２側のサブ画素１１０Ｂが本発明の第６サブ画素の一例である。よって、画素Ｐ１における画素コンタクト領域ＣＨ１０が本発明の第１の領域の一例であり、画素コンタクト領域ＣＨ９が本発明の第２の領域の一例である。画素Ｐ２における画素コンタクト領域ＣＨ１０が本発明の第３の領域の一例であり、画素コンタクト領域ＣＨ９が本発明の第４の領域の一例である。また、画素Ｐ１における画素コンタクト領域ＣＨ１１が第５の領域の一例であり、画素Ｐ２における画素コンタクト領域ＣＨ１１が第６の領域の一例である。
【００９５】
ここで、Ｘ方向におけるサブ画素１１０Ｇの発光領域の長さとサブ画素１１０Ｒの発光領域の長さとは同じであって幅ｄ１とし、Ｙ方向におけるサブ画素１１０Ｇの発光領域の長さとサブ画素１１０Ｒの発光領域の長さとは同じであって幅ｄ２とする。Ｘ方向におけるサブ画素１１０Ｂの発光領域の長さを幅ｄ３とし、Ｙ方向におけるサブ画素１１０Ｂの発光領域の長さを幅ｄ４とする。幅ｄ２と幅ｄ４とを同じ長さにしてもよいし、異なる長さとしてもよい。Ｘ方向における画素コンタクト領域ＣＨ９の長さと画素コンタクト領域ＣＨ１０の長さとは同じであって間隔ｄ５とし、Ｘ方向における画素コンタクト領域ＣＨ１１の長さを間隔ｄ７とする。間隔ｄ５と間隔ｄ７とはこの場合同じ長さであるが、異なる長さとすることも可能である。Ｙ方向における画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０の長さは、Ｙ方向におけるサブ画素１１０Ｇ，１１０Ｒの発光領域の長さと同じであって幅ｄ２である。Ｙ方向における画素コンタクト領域ＣＨ１１の長さは、Ｙ方向におけるサブ画素１１０Ｂの発光領域の長さと同じであって幅ｄ４である。画素Ｐ内におけるＹ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｂとサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとの間の長さを間隔ｄ６とし、画素Ｐのサブ画素１１０Ｂに対してＹ方向に隣り合う画素Ｐのサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとの間の長さを間隔ｄ８とする。間隔ｄ６と間隔ｄ８とは同じ長さとしてもよいし、異なる長さとしてもよい。
【００９６】
つまり、本実施形態では、第１方向としてのＸ方向に隣り合う画素Ｐ１及び画素Ｐ２において、Ｘ方向に並んだ、第１サブ画素としてのサブ画素１１０Ｇ、第１の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１０、第２サブ画素としてのサブ画素１１０Ｒ、第２の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ９、第３サブ画素としてのサブ画素１１０Ｇ、第３の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１０、第４サブ画素としてのサブ画素１１０Ｒ、第４の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ９を有している。サブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとは異なる色である。画素Ｐ１及び画素Ｐ２における画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０の第１方向としてのＸ方向の長さである間隔ｄ５は同じである。
また、第１方向としてのＸ方向に並んだ、第５サブ画素としてのサブ画素１１０Ｂ、第５の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１１、第６サブ画素としてのサブ画素１１０Ｂ、第６の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１１をさらに有している。サブ画素１１０Ｂは、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対して第２方向としてのＹ方向に並んでおり、画素Ｐ１及び画素Ｐ２における画素コンタクト領域ＣＨ１１の長さである間隔ｄ７は同じである。
【００９７】
本実施形態では、画素Ｐ内におけるサブ画素１１０Ｂとサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとの間の長さである上記間隔ｄ６が本発明の第７の領域及び第８の領域の一例である。また、サブ画素１１０Ｂに係る上記画素コンタクト領域ＣＨ１１が本発明の第９の領域の一例である。なお、サブ画素１１０Ｂは本発明の他の適用例における第３サブ画素としても扱われる。
【００９８】
本実施形態では、サブ画素１１０Ｇの面積とサブ画素１１０Ｒの面積とを同じとしている。また、サブ画素１１０Ｇの面積に対してサブ画素１１０Ｂの面積をおよそ２倍にしている。これは、サブ画素１１０Ｂの有機ＥＬ素子５０Ｂの発光寿命がサブ画素１１０Ｇの有機ＥＬ素子５０Ｇ（あるいはサブ画素１１０Ｒの有機ＥＬ素子５０Ｒ）の発光寿命に比べて短いことに起因している。発光輝度は有機ＥＬ素子５０を流れる電流量と発光面積に依存し、発光寿命は有機ＥＬ素子５０を流れる電流量と通電時間に依存する。したがって、サブ画素１１０Ｂの面積をサブ画素１１０Ｇに比べて大きくして、発光輝度を確保しつつ電流量を減らすことで、有機ＥＬ素子５０Ｂの発光寿命を有機ＥＬ素子５０Ｇの発光寿命とほぼ同等とするものである。
【００９９】
本実施形態におけるサブ画素ＳＰ及び画素コンタクト領域の配置における特徴は、Ｘ方向にサブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９がこの順に繰り返して配置されており、画素コンタクト領域ＣＨ９の長さと、画素コンタクト領域ＣＨ１０の長さとが同じであることである。これによって、異なる色のサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとが、Ｘ方向に等間隔で配置された状態となる。
【０１００】
また、Ｙ方向における間隔ｄ６と間隔ｄ８とを同じ長さとすれば、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐにおいて、異なる色のサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｂとが、Ｙ方向に等間隔で配置される。同様に、異なる色のサブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｂとが、Ｙ方向に等間隔で配置される。
【０１０１】
図１２は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰのそれぞれにおける共振構造の分光特性と、カラーフィルターの分光特性とを示すグラフである。
前述したように、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰからそれぞれ所望の波長範囲の色光が得られるように、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒに係る共振構造と、着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒとが設けられている。
【０１０２】
図１２に示すように、青（Ｂ）の着色層７１Ｂは、例えば４００ｎｍ〜４９０ｎｍの波長範囲において６０％以上の光の透過率を有する。４９０ｎｍ以上の波長領域では、光の透過率が減少し、５５０ｎｍ以上では１０％以下となる。緑（Ｇ）の着色層７１Ｇは、例えば４９０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲において６０％以上の光の透過率を有する。４９０ｎｍ未満の波長領域では、光の透過率が急減し、４６０ｎｍ未満では５％未満となる。また、５８０ｎｍ以上の波長領域では、光の透過率が漸減し、６２０ｎｍ以上では５％以下となる。赤（Ｒ）の着色層７１Ｒは、例えば５９０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲において６０％以上の光の透過率を有する。５９０ｎｍ未満の波長領域では、光の透過率が急減し、４１０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の波長領域では１０％以下となる。言い換えれば、着色層７１Ｂの分光特性と、着色層７１Ｇの分光特性とはオーバーラップした部分を有し、４９０ｎｍ付近では共に透過率が６０％程度となっている。また、着色層７１Ｇの分光特性と、着色層７１Ｒの分光特性とはオーバーラップした部分を有し、５９０ｎｍ付近では共に透過率が４５％程度となっている。
【０１０３】
これに対して、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰにおける有機ＥＬ素子５０Ｂからは、分光放射輝度（単位はＷ（ワット）／（Ｓｒ（ステラジアン）・ｍ2（平方メートル）・ｎｍ（ナノメートル））においてピークを示す共振波長が例えばおよそ４６０ｎｍの光が射出される。緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰにおける有機ＥＬ素子５０Ｇからは、分光放射輝度においてピークを示す共振波長が例えばおよそ５２０ｎｍの光が射出される。赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰにおける有機ＥＬ素子５０Ｒからは、分光放射輝度においてピークを示す共振波長が例えばおよそ６１０ｎｍの光が射出される。つまり、共振構造と、カラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）とを備えることにより、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰのそれぞれから高い色純度の色光を得ることが可能な構成となっている。
【０１０４】
図１３は、異なる色のサブ画素がＸ方向またはＹ方向に隣り合う場合の視野角による色ずれを説明する概略図である。詳しくは、図１３において、上段にＸ方向に緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の順に配置されたサブ画素ＳＰを示し、中段にＹ方向に青（Ｂ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順に配置されたサブ画素ＳＰを示し、下段にＹ方向に青（Ｂ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）の順に配置されたサブ画素ＳＰを示している。
【０１０５】
図１３の上段に示すように、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｇから法線方向に発した光ＬＧ１は着色層７１Ｇを透過して射出される。同様に、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｒから法線方向に発した光ＬＲ１は着色層７１Ｒを透過して射出される。有機ＥＬ素子５０Ｇから着色層７１Ｒに向かって斜め方向に発した光ＬＧ２は、図１２に示した着色層７１Ｒの分光特性に示すように、着色層７１Ｒを透過できない（着色層７１Ｒによって光ＬＧ２のほとんどが吸収される）。一方で、図１２に示すように、着色層７１Ｇの分光特性と、有機ＥＬ素子５０Ｒの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機ＥＬ素子５０Ｒから着色層７１Ｇに向かって斜め方向に発した光ＬＲ２の一部は、着色層７１Ｇを透過することになる。すなわち、図１３の上段に示すように、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰ（着色層７１Ｇ）に対してＸ方向に斜め方向から観察すると、光ＬＧ１に光ＬＲ２の一部が混ざり合った状態の混色が視認される。例えば、緑（Ｇ）の着色層７１Ｇに対して赤（Ｒ）の有機ＥＬ素子５０Ｒの発光領域のＸ方向における一方の端を近づけて配置すると、着色層７１Ｇを斜め方向から透過する光ＬＲ２の光量が増えることから、混色の状態の見え方が変化する。
【０１０６】
本実施形態では、有機ＥＬ素子５０Ｇの発光領域と有機ＥＬ素子５０Ｒの発光領域との間の画素コンタクト領域の間隔ｄ５はＸ方向において同じである。したがって、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰに対してＸ方向に左側と右側とから観察した場合の混色の状態は、変化し難い。つまり、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれは低減される。Ｘ方向の視野角に起因する色ずれの低減を考慮すると、図５に示したように、異なる色の着色層７１Ｇと着色層７１Ｒとは、そのＸ方向における境界が、第５絶縁層１７によって規定される画素コンタクト領域のＸ方向の長さである間隔ｄ５の中央に位置するように配置されることが好ましい。言い換えれば、Ｘ方向に幅ｄ１で示された有機ＥＬ素子５０Ｒの発光領域の端部から着色層７１Ｒの端部までの距離は、図面上におけるＸ方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。同様に、Ｘ方向に幅ｄ１で示された有機ＥＬ素子５０Ｇの発光領域の端部から着色層７１Ｇの端部までの距離は、図面上におけるＸ方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。
【０１０７】
図１３の上段に示すように、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの発光部とカラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）との間の距離ｄｆは、図４あるいは図５に示したように、封止層６０の膜厚によって決まる。封止層６０の膜厚は、およそ２μｍ〜４μｍである。有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒと、カラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）と、を別々の基板に形成して対向配置する場合に比べて、封止層６０上にカラーフィルター７０を形成することから、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの発光部に対してカラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）を高い位置精度で形成できる。また、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの発光部とカラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）とを近づけて配置できることから、視野角に起因する色ずれの影響を抑えることができる。
【０１０８】
図１３の中段に示すように、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｇから法線方向に発した光ＬＧ１は着色層７１Ｇを透過して射出される。同様に、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｂから法線方向に発した光ＬＢ１は着色層７１Ｂを透過して射出される。図１２に示すように、着色層７１Ｂの分光特性と、有機ＥＬ素子５０Ｇの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機ＥＬ素子５０Ｇから着色層７１Ｂに向かって斜め方向に発した光ＬＧ２の一部は、着色層７１Ｂを透過することになる。また、図１２に示すように、着色層７１Ｇの分光特性と、有機ＥＬ素子５０Ｂの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機ＥＬ素子５０Ｂから着色層７１Ｇに向かって斜め方向に発した光ＬＢ２の一部は、着色層７１Ｇを透過することになる。すなわち、図１３の中段に示すように、緑（Ｇ）のサブ画素ＳＰ（着色層７１Ｇ）に対してＹ方向に斜め方向から観察すると、光ＬＧ１に光ＬＢ２の一部が混ざり合った混色と、光ＬＢ１に光ＬＧ２の一部が混ざり合った混色とが視認される。例えば、緑（Ｇ）の着色層７１Ｇに対して青（Ｂ）の有機ＥＬ素子５０Ｂの発光領域のＹ方向の一方の端を近づけて配置すると、着色層７１Ｇを透過する光ＬＢ２の光量が増えることから、混色の状態の見え方が変化する。Ｙ方向における、有機ＥＬ素子５０Ｇの発光領域と有機ＥＬ素子５０Ｂの発光領域との間の一方の画素コンタクト領域の間隔ｄ６と、他方の画素領域の間隔ｄ８とは、Ｙ方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から同じ長さとすることが好ましい。Ｙ方向の視野角に起因する色ずれの低減を考慮すると、図４に示したように、異なる色の着色層７１Ｂと着色層７１Ｇとは、そのＹ方向における境界が、第５絶縁層１７によって規定されるサブ画素間の領域のＹ方向の長さである間隔ｄ６（間隔ｄ８）の中央に位置するように配置されることが好ましい。言い換えれば、Ｙ方向に幅ｄ２で示された有機ＥＬ素子５０Ｇの発光領域の端部から着色層７１Ｇの端部までの距離は、図面上におけるＹ方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。同様に、Ｙ方向に幅ｄ４で示された有機ＥＬ素子５０Ｂの発光領域の端部から着色層７１Ｂの端部までの距離は、図面上におけるＹ方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。
【０１０９】
なお、図１３の上段に示した、光ＬＧ１に光ＬＲ２の一部が混ざる混色と、光ＬＧ１に光ＬＢ２の一部が混ざる混色と、を比較すると、光ＬＢ２のほうが光ＬＲ２よりも視認性が低い。したがって、光ＬＧ１に光ＬＲ２の一部が混ざるＸ方向の混色を重視して、光ＬＧ１に光ＬＢ２の一部が混ざるＹ方向の混色を軽視してもよい。言い換えれば、Ｙ方向における、有機ＥＬ素子５０Ｇの発光領域と有機ＥＬ素子５０Ｂの発光領域との間の一方の画素コンタクト領域の間隔ｄ６と、他方の画素領域の間隔ｄ８とを必ずしも同じにしなくてもよい。
【０１１０】
図１３の下段に示すように、赤（Ｒ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｒから法線方向に発した光ＬＲ１は着色層７１Ｒを透過して射出される。同様に、青（Ｂ）のサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０Ｂから法線方向に発した光ＬＢ１は着色層７１Ｂを透過して射出される。図１２に示すように、着色層７１Ｂの分光特性と、有機ＥＬ素子５０Ｒの分光特性とは、ほとんどオーバーラップしていないため、有機ＥＬ素子５０Ｒから着色層７１Ｂに向かって斜め方向に発した光ＬＲ２の一部は、着色層７１Ｂを透過しない。また、図１２に示すように、着色層７１Ｒの分光特性と、有機ＥＬ素子５０Ｂの分光特性とは、ほとんどオーバーラップしていないため、有機ＥＬ素子５０Ｂから着色層７１Ｒに向かって斜め方向に発した光ＬＢ２の一部は、着色層７１Ｒを透過しない。すなわち、Ｙ方向に斜め方向から観察すると、光ＬＲ１に光ＬＢ２が混ざる混色や、光ＬＢ１に光ＬＲ２が混ざる混色は視認されない。つまり、Ｙ方向において、有機ＥＬ素子５０Ｂの発光領域と有機ＥＬ素子５０Ｒの発光領域との間の間隔ｄ６あるいは間隔ｄ８を小さくしても混色は生じ難い。
【０１１１】
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９がこの順にＸ方向に繰り返して配置されている。画素コンタクト領域ＣＨ９及び画素コンタクト領域ＣＨ１０のＸ方向の間隔ｄ５は同じ長さである。したがって、異なる色のサブ画素１１０Ｇ，１１０Ｒの発光領域がＸ方向に等間隔で配置されることから、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置１００を提供することができる。
【０１１２】
（２）Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｂは、サブ画素１１０Ｇ，１１０Ｒに対してＹ方向に並んで配置されている。また、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１１がこの順にＸ方向に繰り返して配置されている。画素コンタクト領域ＣＨ１１のＸ方向の間隔ｄ７は、画素コンタクト領域ＣＨ９のＸ方向の間隔ｄ５と同じ長さである。すなわち、画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１によって、Ｘ方向におけるサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒの各発光領域が等間隔で配置される。言い換えれば、Ｘ方向において、サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれを等間隔に区分するための特別な構成を用いずに、画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１によって、Ｘ方向におけるサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒの発光領域を等間隔に区分できる。
【０１１３】
（３）サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれは、有機ＥＬ素子５０と、有機ＥＬ素子５０に係る共振構造と、カラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）とを備えているため、サブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれから色純度に優れた色光を取り出すことができる。ゆえに、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な自発光型の電気光学装置１００を提供することができる。
【０１１４】
（４）有機ＥＬ素子５０（有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ）と、有機ＥＬ素子５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒに係る共振構造と、カラーフィルター７０（着色層７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ）とは、同一の半導体基板１０上に形成されている。有機ＥＬ素子５０とカラーフィルター７０との間には封止層６０が設けられているものの、有機ＥＬ素子５０とカラーフィルター７０とをそれぞれ別の基板に形成する場合に比べて、有機ＥＬ素子５０の発光部とカラーフィルター７０とを近づけて配置することが可能であることから、視野角に起因する色ずれが表示品質に影響し難い自発光型の電気光学装置１００を提供することができる。
【０１１５】
以降、異なる色のサブ画素ＳＰの配置を変えた実施形態について説明する。なお、以降の各実施形態とも、電気光学装置１００における基本的な構成は同じであり、サブ画素ＳＰは、発光素子としての有機ＥＬ素子５０と、有機ＥＬ素子５０に係る共振構造と、カラーフィルター７０と、を備えるものである。したがって、上記第１実施形態と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。また、以降の各実施形態とも、上記第１実施形態の効果（３）、（４）を共通して奏するものである。
【０１１６】
（第２実施形態）
図１４は、第２実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図１４に示すように、第２実施形態では、第１実施形態に対して、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０ＲのＸ方向における配置を異ならせたものである。具体的には、Ｘ方向に、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０がこの順に配置されている。画素コンタクト領域ＣＨ９を挟んで同色のサブ画素１１０ＲがＸ方向に配置され、画素コンタクト領域ＣＨ１０を挟んで同色のサブ画素１１０ＧがＸ方向に配置されることになる。なお、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、Ｘ方向に、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１０、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ９がこの順に配置されていてもよい。なお、図１４に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれは、発光領域を示すものである。
【０１１７】
サブ画素１１０Ｂ及び画素コンタクト領域ＣＨ１１の配置は、第１実施形態と同じであり、サブ画素１１０Ｂは、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対してＹ方向に並んで配置されている。Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１１がこの順にＸ方向に繰り返し配置されている。つまり、画素コンタクト領域ＣＨ１１を挟んで同色のサブ画素１１０ＢがＸ方向に配置されている。
【０１１８】
このサブ画素ＳＰの配置によれば、同色のサブ画素ＳＰが当該サブ画素ＳＰに係る画素コンタクト領域を挟んでＸ方向に並んで配置される。
【０１１９】
Ｘ方向における、サブ画素１１０Ｇの発光領域の長さと、サブ画素１１０Ｒの発光領域の長さとは同じであり、画素コンタクト領域ＣＨ９の長さと、画素コンタクト領域ＣＨ１０の長さも同じである。また、Ｘ方向における、画素コンタクト領域ＣＨ９の長さと、画素コンタクト領域ＣＨ１１の長さも同じである。
【０１２０】
上記第２実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（２）〜（４）に加えて、以下の効果が得られる。
（５）Ｘ方向に同色のサブ画素ＳＰが当該サブ画素ＳＰの画素コンタクト領域を挟んで配置される。すなわち、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、異なる色のサブ画素ＳＰが、画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１１を基準として線対称に配置されていることになる。したがって、上記第１実施形態に対して、サブ画素ＳＰのＸ方向の配置における色の対称性が実現され、Ｘ方向に異なる色のサブ画素ＳＰが隣り合って配置される確率が低下することから、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれをさらに抑制することができる。
【０１２１】
（第３実施形態）
図１５は、第３実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図１５に示すように、第３実施形態は、第１実施形態に対して画素コンタクト領域の配置を異ならせたものである。具体的には、サブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとは、Ｘ方向に間隔ｄ５を置いて、この順に並んで配置されている。サブ画素１１０Ｂは、Ｘ方向に間隔ｄ７を置いて繰り返し配置されている。なお、図１５に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれは、発光領域を示すものである。
【０１２２】
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の長さは幅ｄ１であり、サブ画素１１０Ｂの発光領域のＸ方向の長さは、幅ｄ１よりも大きい幅ｄ３である。サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の長さは幅ｄ２であり、サブ画素１１０Ｂの発光領域のＹ方向の長さは幅ｄ４である。幅ｄ２と幅ｄ４のＹ方向の長さは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【０１２３】
画素Ｐにおいて、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｂが並んで配置されている。画素Ｐ内において、Ｙ方向に並んだサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｂとの間の領域、つまり間隔ｄ６に、サブ画素１１０Ｇに係る画素コンタクト領域ＣＨ１２と、サブ画素１１０Ｒに係る画素コンタクト領域ＣＨ１３とが設けられている。また、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐとしての画素Ｐ１と画素Ｐ３とにおいて、Ｙ方向に並んだサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｂとの間の領域、つまり間隔ｄ８に、サブ画素１１０Ｂに係る画素コンタクト領域ＣＨ１４が設けられている。この場合、間隔ｄ６と間隔ｄ８とのＹ方向の長さは同じである。
【０１２４】
本実施形態では、画素Ｐ１における、サブ画素１１０Ｇが本発明の第１サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｒが本発明の第２サブ画素の一例である。また、Ｘ方向において画素Ｐ１に隣り合う画素Ｐ２における、サブ画素１１０Ｇが本発明の第３サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｒが本発明の第４サブ画素の一例である。また、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ３とにおいて、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対してＹ方向に並ぶサブ画素１１０Ｂが本発明の第５サブ画素の一例である。また、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐ２と画素Ｐ４とにおいて、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対してＹ方向に並ぶサブ画素１１０Ｂが本発明の第６サブ画素の一例である。よって、画素Ｐ１において画素コンタクト領域ＣＨ１２及び画素コンタクト領域ＣＨ１３が設けられた領域（間隔ｄ６）が本発明の第５の領域の一例であり、画素Ｐ３において画素コンタクト領域ＣＨ１４が設けられた領域（間隔ｄ８）が本発明の第６の領域の一例である。画素Ｐ２における画素コンタクト領域ＣＨ１２及び画素コンタクト領域ＣＨ１３が設けられた領域（間隔ｄ６）が本発明の第７の領域の一例であり、画素Ｐ４において画素コンタクト領域ＣＨ１４が設けられた領域（間隔ｄ８）が本発明の第８の領域の一例である。また、画素Ｐ１において、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとの間の領域が第１の領域の一例であり、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｇとの間の領域が本発明の第２の領域の一例であり、画素Ｐ２においてＸ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとの間の領域が本発明の第３の領域の一例である。画素Ｐ２においてサブ画素１１０Ｒに対してＸ方向における第３の領域と反対側のサブ画素間の領域が本発明の第４の領域の一例である。
【０１２５】
上記第３実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（３）、（４）に加えて、以下の効果が得られる。
（６）Ｙ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ３とにおいて、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１２、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１４、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１２、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１４がこの順にＹ方向に配置される。同様に、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ１３、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１４、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ１３、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１４がこの順にＹ方向に配置される。画素コンタクト領域ＣＨ１２，ＣＨ１３のＹ方向の長さである間隔ｄ６と、画素コンタクト領域ＣＨ１４のＹ方向の長さである間隔ｄ８とが同じであることから、上記第１実施形態で述べたように、図１２の分光特性によれば、混色が生ずる異なる色のサブ画素１１０Ｂの発光領域とサブ画素１１０Ｇの発光領域とがＹ方向に等間隔で配置される。また、混色が生じ難いものの異なる色のサブ画素１１０Ｂの発光領域とサブ画素１１０Ｒの発光領域とがＹ方向に等間隔で配置される。すなわち、Ｙ方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
【０１２６】
なお、上記第１実施形態と同様に、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から、サブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとの配置に係る間隔ｄ５と、サブ画素１１０Ｂの配置に係る間隔ｄ７とを同じ長さとすることがさらに好ましい。
【０１２７】
（第４実施形態）
図１６は、第４実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図１６に示すように、第４実施形態は、上記第１実施形態に対して表示単位としての画素Ｐにおける異なる色のサブ画素ＳＰの数を３色から４色に増やしたものである。また、図１６に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒ，１１０Ｙのそれぞれは、発光領域を示すものである。
具体的には、画素Ｐにおいて、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１５、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ１６がこの順にＸ方向に並んで配置されている。また、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１７、黄色（Ｙ）のサブ画素１１０Ｙ、画素コンタクト領域ＣＨ１８がこの順にＸ方向に並んで配置されている。サブ画素１１０Ｂに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｇが並んで配置され、サブ画素１１０Ｙに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｒが並んで配置されている。なお、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）以外に増やす色は、黄色（Ｙ）に限定されるものではなく、他の中間色が選択されてもよい。
【０１２８】
サブ画素１１０Ｇ、サブ画素１１０Ｒ、サブ画素１１０Ｂ、サブ画素１１０Ｙの発光領域のＸ方向の長さである幅ｄ１は皆同じである。サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の長さは幅ｄ２であり、サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｙの発光領域のＹ方向の長さは幅ｄ４である。幅ｄ２と幅ｄ４とは同じ長さであってもよいし、異なっていてもよい。
【０１２９】
画素コンタクト領域ＣＨ１５，ＣＨ１６，ＣＨ１７，ＣＨ１８のＸ方向の長さである間隔ｄ５は皆同じ長さである。
【０１３０】
画素Ｐ内のＹ方向における、サブ画素１１０Ｂとサブ画素１１０Ｇとの間の長さと、サブ画素１１０Ｙとサブ画素１１０Ｒとの間の長さとは、共に間隔ｄ６であって同じ長さである。つまり、画素Ｐ内のＹ方向における、異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域間の長さは間隔ｄ６である。同様な考え方によれば、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐにおける、異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域間の長さは間隔ｄ８である。Ｙ方向の間隔ｄ６と間隔ｄ８とは同じ長さであっても、異なる長さであってもよい。
【０１３１】
つまり、本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐとしての画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、４つの異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域が、Ｘ方向に等間隔で配置されている。また、本実施形態におけるサブ画素１１０Ｇが本発明の他の適用例における第１サブ画素の一例であり、同じく、サブ画素１１０Ｒが第２サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｂが第３サブ画素の一例であり、サブ画素１１０Ｙが第４サブ画素の一例である。
【０１３２】
上記第４実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（３）、（４）に加えて、以下の効果が得られる。
（７）Ｘ方向に隣り合う画素Ｐとしての画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、４つの異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域が、Ｘ方向に等間隔で配置されている。したがって、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれが低減されると共に、黄色（Ｙ）のサブ画素１１０Ｙを増やしたことで、より優れた色表現が可能な電気光学装置を提供することができる。
【０１３３】
なお、上記第３実施形態と同様に、Ｙ方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から、同一の画素Ｐ内におけるサブ画素１１０Ｇの発光領域とサブ画素１１０Ｂの発光領域との配置に係る間隔ｄ６と、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐにおけるサブ画素１１０Ｂの発光領域とサブ画素１１０Ｇの発光領域との配置に係る間隔ｄ８とを同じ長さとすることがさらに好ましい。
【０１３４】
（第５実施形態）
図１７は、第５実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図１７に示すように、第５実施形態は、第４実施形態と同様に、表示単位としての画素Ｐにおける異なる色のサブ画素ＳＰの数を３色から４色に増やしたものであるが、第４実施形態に対して異なる色のサブ画素ＳＰの配置を異ならせたものである。また、図１７に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒ，１１０Ｙのそれぞれは、発光領域を示すものである。
具体的には、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１５、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ１６、サブ画素１１０Ｒ、画素コンタクト領域ＣＨ１６、サブ画素１１０Ｇ、画素コンタクト領域ＣＨ１５がこの順にＸ方向に並んで配置されている。また、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１７、サブ画素１１０Ｙ、画素コンタクト領域ＣＨ１８、サブ画素１１０Ｙ、画素コンタクト領域ＣＨ１８、サブ画素１１０Ｂ、画素コンタクト領域ＣＨ１７がこの順にＸ方向に並んで配置されている。サブ画素１１０Ｂに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｇが並んで配置され、サブ画素１１０Ｙに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｒが並んで配置されている。
【０１３５】
本実施形態では、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、画素コンタクト領域ＣＨ１６を挟んで同色のサブ画素１１０Ｒが配置されている。同様に、画素コンタクト領域ＣＨ１８を挟んで同色のサブ画素１１０Ｙが配置されている。つまり、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐにおいて、同色のサブ画素ＳＰが当該サブ画素の画素コンタクト領域を挟んで配置された構成となる。
【０１３６】
上記第５実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（３）、（４）に加えて、以下の効果が得られる。
（８）Ｘ方向に同色のサブ画素ＳＰが当該サブ画素ＳＰの画素コンタクト領域を挟んで配置される。すなわち、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、異なる色のサブ画素ＳＰが、画素コンタクト領域ＣＨ１６，ＣＨ１８を基準として線対称に配置されていることになる。したがって、上記第４実施形態に対して、サブ画素ＳＰの発光領域のＸ方向の配置における色の対称性が実現され、Ｘ方向に異なる色のサブ画素ＳＰが隣り合って配置される確率が低下することから、Ｘ方向の視野角に起因する色ずれをさらに抑制することができる。
【０１３７】
次に、異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域の大きさと配置とに係るより具体的な実施例と比較例とを挙げて、実施例における視野角に起因する色ずれの低減効果について説明する。
【０１３８】
（実施例１）
実施例１における異なる色のサブ画素ＳＰの配置は、図１１に示した上記第１実施形態であって、各サブ画素ＳＰに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の幅ｄ１は、２．５μｍである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の幅ｄ２は、３．４μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＸ方向の幅ｄ３は、６．２５μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＹ方向の幅ｄ４は、２．７μｍである。
画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１のＸ方向の間隔ｄ５（間隔ｄ７）は、１．２５μｍである。
Ｙ方向におけるサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域とサブ画素１１０Ｂの発光領域との間隔ｄ６及び間隔ｄ８は同じであって、０．７μｍである。
【０１３９】
（実施例２）
実施例２における異なる色のサブ画素ＳＰの配置は、図１５に示した上記第３実施形態であって、各サブ画素ＳＰに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の幅ｄ１は、３．０５μｍである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の幅ｄ２は、２．６５μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＸ方向の幅ｄ３は、６．８μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＹ方向の幅ｄ４は、２．３５μｍである。
Ｘ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｇの発光領域とサブ画素１１０Ｒの発光領域との間の領域のＸ方向の長さである間隔ｄ５は、０．７μｍである。同じく、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｂの発光領域間のＸ方向の長さである間隔ｄ７は、０．７μｍである。
画素コンタクト領域ＣＨ１２，ＣＨ１３，ＣＨ１４のＹ方向の長さである間隔ｄ６（間隔ｄ８）は、１．２５μｍである。
【０１４０】
（比較例１）
図１８は、比較例１における異なる色のサブ画素ＳＰと画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。なお、図１８に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれは、発光領域を示すものである。図１８に示すように、比較例１では、表示単位である画素Ｐにおいて、Ｘ方向にサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒとが並んで配置され、サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒに対してＹ方向にサブ画素１１０Ｂが並んで配置された構成となっている。異なる色のサブ画素ＳＰの配置だけを見れば、上記第１実施形態と同じだが、サブ画素１１０Ｂ、サブ画素１１０Ｇ、サブ画素１１０Ｒに係る３つのコンタクトホールＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１は、Ｙ方向に配列するサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｂとの間の領域に配置されている。つまり、画素コンタクト領域ＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１のＹ方向の長さが間隔ｄ６である。
比較例１の各サブ画素ＳＰに係る寸法は以下の通りである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の幅ｄ１は、３．０５μｍである。
サブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の幅ｄ２は、２．９μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＸ方向の幅ｄ３は、６．８μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＹ方向の幅ｄ４は、２．６５μｍである。
Ｘ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｇの発光領域とサブ画素１１０Ｒの発光領域との間の領域のＸ方向の長さである間隔ｄ５は、０．７μｍである。同じく、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１１０Ｂの発光領域間のＸ方向の長さである間隔ｄ７は、０．７μｍである。
画素コンタクト領域ＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１のＹ方向の長さである間隔ｄ６は、１．２５μｍである。また、コンタクトホールＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１が設けられていない、Ｙ方向に配列するサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒとサブ画素１１０Ｂとの間の領域のＹ方向の長さつまり間隔ｄ８は、０．７μｍである。
【０１４１】
（比較例２）
図１９は、比較例２の異なる色のサブ画素ＳＰと画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。なお、図１９に示すサブ画素１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒのそれぞれは、発光領域を示すものである。図１９に示すように、比較例２では、表示単位である画素Ｐにおいて、Ｙ方向にサブ画素１１０Ｂ、サブ画素１１０Ｇ、サブ画素１１０Ｒがこの順に並んで配置されている。Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、Ｘ方向にサブ画素１１０Ｂと、画素コンタクト領域ＣＨ２４とがこの順に並んで配置され、Ｘ方向にサブ画素１１０Ｇと、画素コンタクト領域ＣＨ２３とがこの順に並んで配置され、Ｘ方向にサブ画素１１０Ｒと、画素コンタクト領域ＣＨ２２とがこの順に並んで配置されている。このような異なる色のサブ画素ＳＰの配置は、横ストライプ方式と呼ばれている。
比較例２の各サブ画素ＳＰに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｇ並びにサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の幅ｄ１１は、６．２５μｍである。
サブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の幅ｄ１２は、１．３７μｍである。
サブ画素１１０Ｇの発光領域のＹ方向の幅ｄ１３は、幅ｄ１２と同じであって１．３７μｍである。
サブ画素１１０Ｂの発光領域のＹ方向の幅ｄ１４は、２．６６μｍである。
画素コンタクト領域ＣＨ２２，ＣＨ２３，ＣＨ２４のＸ方向の間隔ｄ１５は、１．２５μｍである。
Ｙ方向における異なる色のサブ画素ＳＰの間隔ｄ１６、間隔ｄ１７、間隔ｄ１８は、いずれも同じであって、０．７μｍである。
【０１４２】
上記の実施例１、実施例２、比較例１、比較例２では、表示単位としての画素Ｐの大きさを同じとすると共に、サブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒの発光面積を同じとし、サブ画素１１０Ｂの発光面積をサブ画素１１０Ｇのほぼ２倍の大きさとしている。
【０１４３】
＜実施例、比較例の光学特性の評価＞
図２０は実施例及び比較例のＸ方向の輝度の視角特性を示すグラフ、図２１は実施例及び比較例のＹ方向の輝度の視角特性を示すグラフ、図２２は実施例及び比較例のＸ方向の色ずれの視角特性を示すグラフ、図２３は実施例及び比較例のＹ方向の色ずれの視角特性を示すグラフである。
【０１４４】
光学特性の評価方法として、表示パネル１０１の表示領域１０１ａのすべての画素Ｐを白色表示させた状態における、輝度の視角特性と、色ずれの視角特性とを光学シミュレーターを用いて求めた。輝度は、正面輝度を「１」として、法線方向に対する視角を±２０度の範囲で変化させたときの値を求めている。色ずれは、白色表示したときの正面色度（ＣＩＥ  １９７６  ＵＣＳ系色度図による）に対して同じく法線方向に対する視角を±２０度の範囲で変化させたときの色度のずれ量（Δｕ’ｖ’）の値を求めている。
【０１４５】
実施例及び比較例の電気光学装置は、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの表示部に用いることを前提として画素Ｐ（サブ画素ＳＰ）の構成と配置とを規定したものである。それゆえに、実施例及び比較例の評価では、±１５度の視角範囲で、輝度の変化が正面に対して２０％以内、色ずれ（Δｕ’ｖ’）が０．０２以下であることが好ましいとしている。
【０１４６】
図２０に示すように、Ｘ方向の輝度の視角特性では、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２ともに、輝度の変化が２０％以内に収まっている。なお、実施例２の輝度の視角特性は、比較例１の輝度の視角特性とほぼ同じであり、図２０では比較例１の方を表記した。一方で、Ｙ方向の輝度の視角特性では、図２１に示すように、実施例１、実施例２、比較例１は、輝度の変化が２０％以内となっているものの、比較例２は輝度の変化が４０％に及んでいる。これは、比較例２では、異なる色のサブ画素ＳＰをＹ方向に順に並べて配置したことに起因していると考えられる。
【０１４７】
図２２に示すように、Ｘ方向の色ずれの視角特性では、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２ともに、±２０度の範囲で色ずれの変化が０．０２以内に収まっており、視角が＋側になっても−側になっても変化の仕方は同じである。一方で、実施例１、実施例２、比較例１では、変化量が０．０１以内となっているのに対して、比較例２の変化量が大きいことが分かる。これは、実施例１、実施例２、比較例１に対して比較例２は、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐ１と画素Ｐ２とにおいて、Ｘ方向に同色のサブ画素ＳＰが並んでおり、共振構造において、低視角になるほど光共振における光学的な距離が長くなり有機ＥＬ素子５０から斜め方向に発する光の波長が長波長側にシフトすることで色ずれが生ずる影響を受け易くなっていると考えられる。
【０１４８】
一方で、Ｙ方向の色ずれの視角特性では、図２３に示すように、実施例１、実施例２は、±１５度の範囲で色ずれの変化が０．０１５以内に収まっており、視角が＋側になっても−側になっても変化の仕方は同じである。これに対して、比較例１、比較例２は、±１５度の範囲で色ずれの変化が０．０２以内に収まっているものの、視角が−側の色ずれの変化量が、視角が＋側の色ずれの変化量よりも格段に大きいことが分かる。これは、実施例１及び実施例２に比べて、比較例１及び比較例２ではＹ方向における異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域の配置が等間隔でないことに起因していると考えられる。特に、比較例１では、画素コンタクト領域ＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１が設けられた間隔ｄ６の長さが、１．２５μｍであり、画素コンタクト領域ＣＨ１９，ＣＨ２０，ＣＨ２１が設けられていない間隔ｄ８の長さが０．７μｍであることから、Ｙ方向における間隔ｄ６の長さと間隔ｄ８の長さとが明らかに違う。
【０１４９】
実施例１及び実施例２は、Ｘ方向及びＹ方向において、異なる色のサブ画素ＳＰの発光領域が等間隔に配置されていることから、隣り合って配置された異なる色のサブ画素ＳＰ間での混色の状態が視野角によって変化し難くなっている。つまり、視野角に起因する色ずれが低減されている。
【０１５０】
図２４は、有機ＥＬ素子の発光部から着色層までの距離と色ずれとの関係を示すグラフである。具体的には、実施例１における有機ＥＬ素子５０の発光部から着色層７１までの距離ｄｆ（図１３参照）、つまり封止層６０（図４及び図５参照）の膜厚はおよそ２．６μｍであった。これを、１．６μｍとしたときと、３．６μｍとしたときのＸ方向の色ずれの視角特性を光学シミュレーションにより求めたものである。図２４に示すように、有機ＥＬ素子５０の発光部と着色層７１との間の距離を縮めて行くと、共振構造の低視角における光学的な距離が長くなることに起因して斜め方向に発する光の波長が長波長側にシフトする影響を受けて色ずれの程度が大きくなると考えられる。これは、サブ画素ＳＰごとの共振構造における発光の分光特性と着色層の分光特性とに関わることから、色ずれの許容範囲に応じて、有機ＥＬ素子５０の発光部と着色層７１との間の距離を設定することが好ましいと考えられる。また、封止層６０の膜厚は信頼性品質に係るので、これも考慮する必要がある。
【０１５１】
図２５は、画素コンタクト領域の幅と色ずれとの関係を示すグラフである。具体的には、実施例１におけるＸ方向の画素コンタクト領域の長さである間隔ｄ５は、１．２５μｍであった。これを０．７５μｍとしたときと、１．７５μｍとしたときのＸ方向の色ずれの視角特性を光学シミュレーションにより求めたものである。図２５に示すように、画素コンタクト領域の間隔ｄ５の長さを縮めて行くと、色ずれの程度はやや改善される。これは、画素コンタクト領域の間隔ｄ５の長さを縮めることで、サブ画素１１０Ｇやサブ画素１１０ＲのＸ方向の長さを長くして、実質的に発光領域の面積を大きくしたことから、色ずれの相対的な影響度が変化しているものと考えられる。すなわち、画素Ｐの面積に対するサブ画素ＳＰの発光領域の面積すなわち開口率が色ずれに関わることを示すものである。よって、サブ画素ＳＰの開口率に応じて画素コンタクト領域の大きさを設定することが好ましいと考えられる。
【０１５２】
（第６実施形態）
＜電子機器＞
次に、上記実施形態の電気光学装置が適用される電子機器の一例について、図２６を参照して説明する。図２６は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図である。
【０１５３】
図２６に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（Head  Mount  Display；ＨＭＤ）１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒと、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを使用者の頭部に装着するための装着部（図示省略）と、電源部及び制御部（図示省略）などを有している。ここで、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒは左右対称な構成であるため、右眼用の光学ユニット１００１Ｒを例として説明する。
【０１５４】
光学ユニット１００１Ｒは、上記実施形態の電気光学装置１００が適用された表示部１００Ｒと、集光光学系１００２と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００３とを備えている。導光体１００３にはハーフミラー層１００４が設けられている。光学ユニット１００１Ｒにおいて、表示部１００Ｒから射出された表示光は、集光光学系１００２によって導光体１００３に入射し、ハーフミラー層１００４で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層１００４に投影された表示光（映像）は虚像である。したがって、使用者は、表示部１００Ｒによる表示（虚像）とハーフミラー層１００４の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、ＨＭＤ１０００は、透過型（シースルー型）の投射型表示装置である。
【０１５５】
導光体１００３はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００３の光の入射側に、集光光学系１００２と表示部１００Ｒとが配置され、集光光学系１００２により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００３のハーフミラー層１００４は、集光光学系１００２で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。
【０１５６】
表示部１００Ｒは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系１００２によって実像から虚像に変換される。
【０１５７】
なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット１００１Ｌについても、上記実施形態の電気光学装置１００が適用された表示部１００Ｌを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット１００１Ｒと同じである。
【０１５８】
本実施形態によれば、表示部１００Ｌ，１００Ｒとして上記実施形態の電気光学装置１００が適用されているので、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能なシースルー型のＨＭＤ１０００を提供することができる。
【０１５９】
特に、両眼で投影された表示光（画像）を確認する場合、使用者の左眼と右眼との間の距離は必ずしも一定ではないことから、左眼によって表示光を確認する視角範囲と、右眼によって表示光を確認する視角範囲とが、使用者によって異なることが考えられる。仮に、表示部１００Ｌと表示部１００Ｒとで視野角に起因する混色の状態が異なると、両眼で認識された表示光（画像）の色ずれによる違和感を感ずることになり、長時間に亘って装着したときに疲れやすくなる。本実施形態によれば、視野角に起因する色ずれが低減されているため、長時間に亘って装着しても画像認識において疲れ難いヘッドマウントディスプレイ１０００を提供できる。
【０１６０】
なお、上記実施形態の電気光学装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１００１Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。また、表示部１００Ｌ，１００Ｒには、上記他の実施形態の電気光学装置を適用してもよい。
【０１６１】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１６２】
（変形例１）上記第１実施形態及び上記第３実施形態では、画素Ｐ内において、サブ画素１１０ＢのＹ方向の下側にサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒを配置したが、これに限定されず、サブ画素１１０ＢのＹ方向の上側にサブ画素１１０Ｇ及びサブ画素１１０Ｒを配置してもよい。また、Ｘ方向の左側にサブ画素１１０Ｒ、右側にサブ画素１１０Ｇを配置してもよい。さらに、Ｘ方向に並ぶサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｒの発光面積を同じとしたが、これに限定されず、発光面積を異ならせてもよい。すなわち、少なくとも第１方向に隣り合うサブ画素ＳＰを等間隔で配置し、異なる色のサブ画素ＳＰにおける光学特性（分光特性）と、表示パネル１０１としての光学特性（例えば、輝度やホワイトバランス）とを考慮して、サブ画素ＳＰの発光面積や配置を設定できる。
【０１６３】
また、上記各実施形態では、本発明の第１方向として、画素Ｐの配列における行方向（Ｘ方向）を例示したが、これに限定されるものではない。図２７は変形例の画素におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。例えば、図２７に示すように、本発明の第１方向は画素Ｐの配列における列方向（Ｙ方向）であり、第１方向に交差する第２方向は画素Ｐの配列における行方向（Ｘ方向）であってもよい。画素Ｐ１は、Ｙ方向に並んだ、第１サブ画素としてのサブ画素１１０Ｂ、第１の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１０、第２サブ画素としてのサブ画素１１０Ｒ、第２の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ９を有する。画素Ｐ１に対してＹ方向に隣り合う画素Ｐ２は、Ｙ方向に並んだ、第３サブ画素としてのサブ画素１１０Ｂ、第３の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１０、第４サブ画素としてのサブ画素１１０Ｒ、第４の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ９を有する。
【０１６４】
また、画素Ｐ１は、Ｙ方向に並んだ、第５サブ画素としてのサブ画素１１０Ｇ、第５の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１１を有する。画素Ｐ１において、サブ画素１１０Ｇは、サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｒに対して、Ｙ方向に交差するＸ方向に並んでいる。画素Ｐ１に対してＹ方向に隣り合う画素Ｐ２は、Ｙ方向に並んだ、第６サブ画素としてのサブ画素１１０Ｇ、第６の領域としての画素コンタクト領域ＣＨ１１を有する。画素Ｐ１と同様に、画素Ｐ２においても、サブ画素１１０Ｇは、サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｒに対して、Ｙ方向に交差するＸ方向に並んでいる。
【０１６５】
サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＹ方向の長さが幅ｄ１であり、Ｙ方向における画素コンタクト領域ＣＨ９，ＣＨ１０の長さ、つまりＹ方向に隣り合う発光領域の間隔がｄ５である。サブ画素１１０Ｇの発光領域のＹ方向の長さは、サブ画素１１０Ｂの発光領域の幅ｄ１のほぼ倍である。サブ画素１１０Ｂ及びサブ画素１１０Ｒの発光領域のＸ方向の長さが幅ｄ２であり、サブ画素１１０Ｇの発光領域のＸ方向の長さが幅ｄ４であり、幅ｄ２と幅ｄ４とは同じである。画素Ｐ内におけるサブ画素１１０Ｂとサブ画素１１０Ｇとの間のＸ方向の長さは間隔ｄ６であり、Ｘ方向に隣り合う画素Ｐのサブ画素１１０Ｇとサブ画素１１０Ｂとの間のＸ方向の長さは間隔ｄ８である。間隔ｄ６と間隔ｄ８とは同じである。すなわち、変形例のサブ画素の配置は、第１実施形態の図１１に示したサブ画素の配置を面内において９０度回転させたものであって、サブ画素１１０Ｂとサブ画素１１０Ｇとを入れ替えて、サブ画素１１０Ｇの発光領域の面積をサブ画素１１０Ｂの発光領域の面積よりも大きくしたものである。これにより、画素Ｐにおけるサブ画素ＳＰの有機ＥＬ素子５０の発光輝度のバランスと輝度寿命とを調整している。このような変形例の画素における異なる色のサブ画素ＳＰの配置としても、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）における視野角に起因する色ずれを低減できる。
【０１６６】
（変形例２）上記各実施形態では、白色発光が得られる有機ＥＬ素子５０と共振構造とを組み合わせることで、異なる色のサブ画素ＳＰから所望の色光を取り出す構成としたが、共振構造は必須ではなく、例えば、共振構造がない構成や、異なる色のサブ画素ＳＰのそれぞれに対応する色光が得られる有機ＥＬ素子を設けた構成であっても、本発明を適用できる。
【０１６７】
（変形例３）本発明における異なる色のサブ画素ＳＰと、画素コンタクト領域との配置は、自発光型の電気光学装置１００に適用されることに限定されない。例えば、透過型の液晶装置など、照明光を利用する受光型の表示装置においても適用できる。
【０１６８】
（変形例４）上記各実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器は、上記第６実施形態のヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、車載用のヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）や、照明型などの各種の投射型表示装置にも適用できる。
【符号の説明】
【０１６９】
１０…基板としての半導体基板、５０，５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…発光素子としての有機ＥＬ素子、７０…カラーフィルター、７１，７１Ｂ，７１Ｇ，７１Ｒ…着色層、１００…電気光学装置、１１０，１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒ…画素回路あるいはサブ画素、ＣＨ９，ＣＨ１０，ＣＨ１１…コンタクトホールあるいは画素コンタクト領域、Ｐ…表示単位としての画素、ＳＰ…サブ画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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