(57)【要約】【課題】インプリント法を用いた精度の高い凹凸構造体を簡便に製造するための凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、およびそのような基材を用いたインプリントモールドの製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールド製造用基材を、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層が当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるように構成する。【選択図】  図３
2018046223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層が当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、
前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、
前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有することを特徴とする凹凸構造体の製造方法。
【請求項２】
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は少なくとも前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置することを特徴とする請求項１記載の凹凸構造体の製造方法。
【請求項３】
基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、
該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層が当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なることを特徴とするインプリントモールド製造用基材。
【請求項４】
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置することを特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項５】
前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する第１層と第２層が積層していることを特徴とする請求項４に記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項６】
前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層が存在せず前記基体が露出していることを特徴とする請求項４に記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項７】
前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する第１層と第２層が積層していることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項８】
前記第１層および前記第３層は、クロムあるいはクロム化合物を含有することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項９】
前記基部の上平面の所望の部位を被覆するように位置する前記ハードマスク材料層を有することを特徴とする請求項４乃至請求項８のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと前記インプリントモールド製造用基材を近接させて、前記モールドと前記インプリントモールド製造用基材の前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記インプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、
前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記第１のハードマスクを介して前記インプリントモールド製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項１１】
前記離型工程と前記残膜除去工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項１２】
前記残膜除去工程と前記ハードマスク形成工程との間に、前記ジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント法を用いた凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、および該インプリントモールド製造用基材を用いたインプリントモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィー技術に替わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたインプリントリソグラフィーによるパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（以下「モールド」という。）を用いて凹凸構造を被成型物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。
【０００３】
例えば光インプリント法を用いて凹凸構造体を成型するには、成型対象となる基板上にハードマスク層を形成し、該ハードマスク層上に光硬化性の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドを押し当て、モールドの背面から光を照射して該樹脂層を硬化させ、樹脂パターンを形成する。その後、樹脂パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングし、ハードマスクパターンを形成し、該ハードマスクパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングし、洗浄等によりハードマスクパターンを剥離することで、パターニングされた基板が得られる。
【０００４】
ところで、上記のハードマスク層には基板をエッチングする際のハードマスクとして高い耐性が要求される。また、基板には、一般的なエッチング条件においてエッチングレートが低いものが多く、このようなエッチングレートが低い基板はハードマスク層とのエッチング選択比を高く設定することが困難である。そこで従来から、基板をエッチングして所望の深さのパターンを形成するにあたり、エッチング中にハードマスク層の一部または全部の消失を防ぐためハードマスク層を厚くする方法が行われている。
【０００５】
しかし、樹脂パターンをエッチングマスクとして厚いハードマスク層をエッチングすると、エッチング中に樹脂パターンの高さや幅が減少し、ハードマスク層に形成されるハードマスクパターンが要求される寸法や形状を満たさなくなり、基板を精度よくパターニングすることが困難となる。また、樹脂パターンを形成するための樹脂膜を厚くしてハードマスク層のエッチングマスクとした場合、樹脂パターンのアスペクト比が高くなり、倒壊しやすくなるという問題がある。
【０００６】
そのため、例えば特許文献１に記載されているように、上記のハードマスク層（以下「第１のハードマスク層」という。）の上にさらに別のハードマスク層（以下「第２のハードマスク層」という。）を積層し、まず第２のハードマスク層上に樹脂層を形成し、樹脂層をインプリント法によりパターニングして樹脂パターンを形成した後、樹脂パターンをエッチングマスクとして第２のハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターン（以下「第２のハードマスクパターン」という。）を形成し、第２のハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１のハードマスク層をエッチングして第２のハードマスクパターンと異なる別のハードマスクパターン（以下「第１のハードマスクパターン」という。）を形成し、第１のハードマスクパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングする方法が行われている。
【０００７】
これにより、樹脂パターンをエッチングマスクとして厚いハードマスク層をエッチングする際に樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなるような状況を回避して、基板を精度よくパターニングすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−１５７８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ハードマスク層上に形成した樹脂層にモールドを押し当てて所望のインプリント法により樹脂層にパターニングして樹脂パターンを形成した後、樹脂パターンからモールドを引き離す際、樹脂パターンとハードマスク層との間に密着性を良くするための密着層を形成し、樹脂パターンとモールドとの間に離型性を良くするための離型層を形成するようなことが行われている。また、樹脂パターンとモールドとの間の離型性を良くするため、例えば界面活性剤等の離型剤を光硬化性樹脂組成物に添加することが知られている。
【００１０】
しかし、上記のように密着層や離型層を形成するような場合であっても、それに加えて、離型剤が添加された光硬化性樹脂組成物を用いる場合であっても、例えば、モールドに用いられる材料とハードマスク層に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク層に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなる。このため、密着層や離型層を形成しても、モールドが樹脂パターンから離型され難くなったり、または樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなったりして所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。
【００１１】
また、従来のようにハードマスク層を２層構造にするにあたり、例えば、ニオブ酸リチウム基板を用いた場合の望ましいハードマスク層として、第１のハードマスク層にクロム（Ｃｒ）からなる層、第２のハードマスク層にシリコン（Ｓｉ）からなる層を用いるような場合、各層を構成する材料が異なるため、各層をエッチングし、または各層をエッチングマスクとして機能させるには、各層をエッチングするためのエッチング条件を異ならせる必要がある。このことは、ハードマスク層としての層構成が増えると、各エッチング条件によるエッチング工程に加えて、エッチング後に残存するエッチングマスクを除去する工程も増えるということに繋がる。よって全体として工程が複雑になるという問題がある。
【００１２】
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、インプリント法を用いた精度の高い凹凸構造体を簡便に製造するための凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、およびそのような基材を用いたインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために、本発明の凹凸構造体の製造方法は、基体と、該基体の一方の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層が当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は少なくとも前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置するような構成とした。
【００１４】
また、本発明のインプリントモールド製造用基材は、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層が当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置するような構成とした。
【００１５】
本発明の他の態様として、前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する第１層と第２層が積層しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層が存在せず前記基体が露出しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する第１層と第２層が積層しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第１層および前記第３層は、クロムあるいはクロム化合物を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記基部の上平面の所望の部位を被覆するように位置する前記ハードマスク材料層を有するような構成とした。
【００１６】
本発明のインプリントモールドの製造方法は、上述のいずれかのインプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと前記インプリントモールド製造用基材を近接させて、前記モールドと前記インプリントモールド製造用基材の前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記インプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記第１のハードマスクを介して前記インプリントモールド製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記離型工程と前記残膜除去工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記残膜除去工程と前記ハードマスク形成工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有するような構成とした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の凹凸構造体の製造方法によれば、精度の高い凹凸構造体を簡便に製造することが可能となる。また、本発明のインプリントモールド製造用基材は、高い精度でインプリントモールドを製造することが可能となる。さらに、本発明のインプリントモールド製造方法によれば、精度の高いインプリントモールドを簡便に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示されるインプリントモールド製造用基材のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図３】図３は、図２において鎖線で囲まれた部位の拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図５】図５は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図６】図６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図７】図７は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図８】図８は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図９】図９は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図１０】図１０は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図１１】図１１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。
【図１２】図１２は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示されるインプリントモールド製造用基材のＢ−Ｂ線における縦断面図である。
【図１４】図１４は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示されるインプリントモールド製造用基材のＣ−Ｃ線における縦断面図である。
【図１６】図１６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図およびそのＤ−Ｄ線における縦断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図１８】図１８は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図１９】図１９は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
【００２０】
［インプリントモールド製造用基材］
図１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図、図２は図１に示されるインプリントモールド製造用基材のＡ−Ａ線における縦断面図、図３は図２において破線で囲まれた部位の拡大断面図である。
【００２１】
図１〜図３に示される実施形態において、本発明のインプリントモールド製造用基材１１は、基部１３と当該基部１３の上平面１３ａから突出する凸構造部１４を一体的に有する基体１２と、凸構造部１４の上平面１４ａ、側壁面１４ｂ、および、基部１３の上平面１３ａを被覆するように位置するハードマスク材料層１７と、を有している。ハードマスク材料層１７は、基体１２に第１層１７ａと第２層１７ｂと第３層１７ｃが当該順序で積層しており、第１層１７ａおよび第３層１７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層１７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。尚、図１および図２では、ハードマスク材料層１７を省略している。また、本発明においてハードマスク材料層とは、当該層をエッチングすることによりハードマスクを形成するための層であり、ハードマスクとは、ハードマスクよりも下層をエッチングする時の耐エッチングマスクとして機能するものである。
【００２２】
インプリントモールド製造用基材１１を構成する基体１２は、上記のように、基部１３の上平面１３ａから突出する凸構造部１４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部１４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、図示例では、凸構造部１４の上平面１４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面１４ａの大きさは適宜設定することができる。
【００２３】
基体１２の材質は、インプリントモールド製造用基材１１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができる。例えば、被転写材料である樹脂組成物等が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、使用する被転写材料が光硬化性ではない場合や、転写基材側から被転写材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールドは光透過性を具備する必要がないので、インプリントモールド製造用基材１１の基体１２は光透過性の材料でなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。本発明においては３層構造のハードマスク材料層１７を構成する第１層１７ａと基体１２のエッチング耐性が異なるようにする。エッチング耐性は、所望のエッチング条件で、基体１２をエッチングする際、第１層１７ａのエッチング耐性が基板のエッチング耐性より高く、第１層１７ａがハードマスクとして機能するように異なればよい。
【００２４】
ハードマスク材料層１７は、上述のように、基体１２に第１層１７ａと第２層１７ｂと第３層１７ｃが当該順序で積層しており、第１層１７ａおよび第３層１７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層１７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。
【００２５】
第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物は、所望のエッチング条件下において第２層１７ｂを構成するシリコンあるいはシリコン化合物よりもエッチングが容易であり、また、所望のエッチング条件下において基体１２の凸構造部１４が第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物よりもエッチングが容易になるように、エッチング選択比等を考慮して材料を設定することができる。例えば、基体１２が石英ガラスである場合、クロム、タンタル、アルミニウム、モリブデン、チタン、ジルコニウム、タングステン等の金属、これらの金属の合金、酸化クロム、酸化チタン等の金属酸化物、窒化クロム、窒化チタン等の金属窒化物、ガリウム砒素等の金属間化合物等の１種、あるいは、２種以上の組合せを挙げることができる。また、第１層１７ａは積層構造であってもよく、例えば、酸化クロムと窒化クロムの積層であってもよい。特に、クロム、クロム化合物は、基体１２の材質が石英ガラスである場合に、フッ化系ガスを用いた反応性イオンエッチングに対して強い耐性を有し、エッチング選択比が良好で好適である。
【００２６】
第３層１７ｃを構成する金属あるいは金属化合物は第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物と同じ、または、同様な材料とすることが好ましい。例えば、第１層１７ａがクロムあるいは酸化クロムである場合、第３層１７ｃもクロムあるいは酸化クロムであることが好ましい。また、第３層１７ｃを構成する金属あるいは金属化合物は、所望のエッチング条件下においてレジスト層を構成する樹脂組成物よりもエッチングが容易になるように、エッチング選択比等を考慮して材料を設定することができる。
【００２７】
ハードマスク材料層１７を構成する第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、ハードマスク材料層１７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層１７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層１７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層１７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層１７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層１７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層１７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層１７ｂが、第３層１７ｃで覆われない部分が生じうる。さらに、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層１７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク材料層１７から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。他方、第３層１７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層１７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。そのため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。
【００２８】
本発明のインプリントモールド製造用基材１１は、上記のようにハードマスク材料層１７を構成する層として第１層１７ａおよび第２層１７ｂに加えて第３層１７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層１７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層１７を構成する第３層１７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層１７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層１７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層１７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層１７（第３層１７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。
【００２９】
図４に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材１１では、第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃが積層したハードマスク材料層１７は凸構造部１４の上平面１４ａに位置し、凸構造部１４の側壁面１４ｂには、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第３層１７ｃが存在せず、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層して位置するものであってもよい。さらに、基部１３の上平面１３ａを被覆するハードマスク材料層１７についても、第３層１７ｃが存在せず、第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層しているものであってもよい。基体１２の凸構造部１４の側壁面１４ｂおよび基部１３の上平面１３ａを被覆するハードマスク材料層１７において第３層１７ｃのみを形成しないようにするには、例えば、第３層１７ｃを形成しない部位をレジストパターンで被覆し、このレジストパターンと露出している第２層１７ｂ上に第３層１７ｃを成膜し、その後、レジストパターンを除去することにより、レジストパターン上の第３層１７ｃをリフトオフして形成することができる。
【００３０】
これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部１４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部１４の側壁面１４ｂに位置するハードマスク材料層１７の第２層１７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部１４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部１４の上平面１４ａに付着するような現象が抑制される。尚、図４のように凸構造部１４の上平面１４ａのみ第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃが積層したハードマスク材料層１７としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。
【００３１】
さらに、図５に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材１１では、凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部には、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第３層１７ｃが存在せずハードマスク材料層１７の中の第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層しているものであってもよい。図５において、凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部の、当該上平面１４ａの端部から中央に向かう幅をＷ１とすると、Ｗ１は、インプリントモールドの製造時におけるマスターモールドと対向する領域の外側の領域で設定することができ、例えば、１ｍｍ以下の距離で適宜設定することができる。基体１２の凸構造部１４の上平面１４の周縁部を被覆するハードマスク材料層１７において第３層１７ｃのみを形成しないようにするには、例えば、第３層１７ｃを形成しない部位をレジストパターンで被覆し、このレジストパターンと露出している第２層１７ｂ上に第３層１７ｃを成膜し、その後、レジストパターンを除去することにより、レジストパターン上の第３層１７ｃをリフトオフして形成することができる。
【００３２】
これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部１４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部１４の側壁面１４ｂおよび上平面１４ａの周縁部に位置するハードマスク材料層１７の第２層１７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部１４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部１４の上平面１４ａに付着するような現象が抑制される。尚、図５のように凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部を第３層１７ｃが積層しないハードマスク材料層１７としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。
【００３３】
図６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図６において、インプリントモールド製造用基材３１は、基部３３と当該基部３３の上平面３３ａから突出する凸構造部３４を一体的に有する基体３２と、凸構造部３４の上平面３４ａ、および、側壁面３４ｂの一部を被覆するように位置するハードマスク材料層３７と、を有している。ハードマスク材料層３７は、基体３２の凸構造部３４の上平面３４ａおよび側壁面３４ｂの一部に第１層３７ａと第２層３７ｂと第３層３７ｃが当該順序で積層しており、第１層３７ａおよび第３層３７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層３７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、基体３２の凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部と、基部３３の上平面３３ａは、ハードマスク材料層３７に被覆されることなく露出している。
【００３４】
インプリントモールド製造用基材３１を構成する基体３２は、上記のように、基部３３の上平面３３ａから突出する凸構造部３４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部３４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、凸構造部３４の上平面３４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面３４ａの大きさは適宜設定することができる。基体３２の材質は、インプリントモールド製造用基材３１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層３７を構成する第１層３７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体３２の材質と第１層３７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００３５】
ハードマスク材料層３７を構成する第１層３７ａ、第２層３７ｂ、第３層３７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体３２の凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部を被覆せずに、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分のみにハードマスク材料層３７を形成するには、例えば、基体３２の全面にハードマスク材料層３７を形成し、その後、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分に位置するハードマスク材料層３７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層３７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分のみを露出するように基体３２にレジストを設け、基体３２の全面にハードマスク材料層３７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層３７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層３７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層３７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層３７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層３７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層３７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層３７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層３７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層３７ｂが、第３層３７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層３７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層３７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層３７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。
【００３６】
図６のように、凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部と基部３３の上平面３３ａにハードマスク材料層３７を積層しない形態であっても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層３７ｃとの密着性を高めることができる。
【００３７】
図７に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材３１では、凸構造部３４の側壁面３４ｂにおいて、ハードマスク材料層３７の構成層の中の第３層３７ｃが存在せずハードマスク材料層３７の構成層の中の第１層３７ａと第２層３７ｂが積層しているものであってもよい。尚、凸構造部３４の側壁面３４ｂを被覆するハードマスク材料層３７において第３層３７ｃのみを形成しないようにするには、図４を用いて上述した方法を用いればよいため、ここでの記載を省略する。これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材３１の凸構造部３４の上平面３４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部３４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部３４の側壁面３４ｂに位置するハードマスク材料層３７の第２層３７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部３４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部３４の上平面３４ａに付着するような現象が抑制される。
【００３８】
図８に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材３１では、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部において、ハードマスク材料層３７の構成層の中の第３層３７ｃが存在せずハードマスク材料層３７の構成層の中の第１層３７ａと第２層３７ｂが積層しているものであってもよい。図８において、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部の、当該上平面３４ａの端部から中央に向かう幅をＷ２とすると、Ｗ２は、インプリントモールドの製造時におけるマスターモールドと対向する領域の外側の領域で設定することができ、例えば、１ｍｍ以下の距離で適宜設定することができる。尚、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部を被覆するハードマスク材料層３７において第３層３７ｃのみを積層しないようにするには、図４を用いて上述した方法を用いればよいため、ここでの記載を省略する。
【００３９】
これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材３１の凸構造部３４の上平面３４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部３４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部３４の側壁面３４ｂおよび上平面３４ａの周縁部に位置するハードマスク材料層３７の第２層３７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部３４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部３４の上平面３４ａに付着するような現象が抑制される。
【００４０】
本発明のインプリントモールド製造用基材３１は、上記のようにハードマスク材料層３７を構成する層として第１層３７ａおよび第２層３７ｂに加えて第３層３７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層３７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層３７を構成する第３層３７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層３７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層３７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層３７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層３７（第３層３７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層３７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。
【００４１】
図９は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図９において、インプリントモールド製造用基材５１は、基部５３と当該基部５３の上平面５３ａから突出する凸構造部５４を一体的に有する基体５２と、凸構造部５４の上平面５４ａを被覆するように位置するハードマスク材料層５７と、を有している。ハードマスク材料層５７は、基体５２の凸構造部５４の上平面５４ａに第１層５７ａと第２層５７ｂと第３層５７ｃが当該順序で積層しており、第１層５７ａおよび第３層５７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層５７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、図９においては、凸構造部５４の側壁面５４ｂと基部５３の上平面５３ａは、ハードマスク材料層５７に被覆されることなく基体５２が露出しているものとなっている。
【００４２】
インプリントモールド製造用基材５１を構成する基体５２は、上記のように、基部５３の上平面５３ａから突出する凸構造部５４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部５４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、凸構造部５４の上平面５４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面５４ａの大きさは適宜設定することができる。基体５２の材質は、インプリントモールド製造用基材５１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層５７を構成する第１層５７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体５２の材質と第１層５７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００４３】
ハードマスク材料層５７を構成する第１層５７ａ、第２層５７ｂ、第３層５７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体５２の凸構造部５４の側壁面５４ｂを被覆せずに、凸構造部５４の上平面５４ａのみにハードマスク材料層５７を形成するには、例えば、基体５２の全面にハードマスク材料層５７を形成し、その後、凸構造部５４の上平面５４ａに位置するハードマスク材料層５７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層５７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部５４の上平面５４ａのみを露出するように基体５２にレジストを設け、基体５２の全面にハードマスク材料層５７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層５７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層５７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層５７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層５７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層５７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層５７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層５７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層５７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層５７ｂが、第３層５７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層５７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層５７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層５７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。
【００４４】
図９のように凸構造部５４の上平面５４ａのみをハードマスク材料層５７が覆う形態としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層５７ｃとの密着性を高めることができる。尚、本発明のインプリントモールド製造用基材５１では、メサ構造をなす凸構造部５４の側壁面５４ｂにおいて、基体５２の材質を石英ガラスとした場合、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材５１の凸構造部５４の上平面５４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部５４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部５４の側壁面５４ｂとして露出している石英ガラスに密着しにくいものである。したがって、凸構造部５４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部５４の上平面５４ａに付着するような現象が抑制される。
【００４５】
図１０は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図１０において、インプリントモールド製造用基材７１は、基部７３と当該基部７３の上平面７３ａから突出する凸構造部７４を一体的に有する基体７２と、凸構造部７４の上平面７４ａを被覆するように位置する３層構造のハードマスク材料層７７と、を有している。ハードマスク材料層７７は、基体７２の凸構造部７４の上平面７４ａに第１層７７ａと第２層７７ｂと第３層７７ｃが当該順序で積層しており、第１層７７ａおよび第３層７７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層７７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、基体７２の凸構造部７４の側壁面７４ｂは、ハードマスク材料層７７に被覆されることなく露出している。さらに、この実施形態では、基部７３の上平面７３ａを被覆するように位置する３層構造のハードマスク材料層７７を有している。このハードマスク材料層７７は、基部７３の上平面７３ａに第１層７７ｄと第２層７７ｅと第３層７７ｆが当該順序で積層しており、第１層７７ｄおよび第３層７７ｆは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層７７ｅはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。
【００４６】
インプリントモールド製造用基材７１を構成する基体７２は、上記のように、基部７３の上平面７３ａから突出する凸構造部７４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部７４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、図示例では、凸構造部７４の上平面７４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面７４ａの大きさは適宜設定することができる。基体７２の材質は、インプリントモールド製造用基材７１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層７７を構成する第１層７７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体７２の材質と第１層７７ａ、第１層７７ｄの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００４７】
ハードマスク材料層７７を構成する第１層７７ａおよび第１層７７ｄ、第２層７７ｂおよび第２層７７ｅ、第３層７７ｃおよび第３層７７ｆは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体７２の凸構造部７４の側壁面７４ｂを被覆せずに、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａのみにハードマスク材料層７７を形成するには、例えば、基体７２の全面にハードマスク材料層７７を形成し、その後、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａに位置するハードマスク材料層７７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層７７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａのみを露出するように基体７２にレジストを設け、基体７２の全面にハードマスク材料層７７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層７７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層７７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層７７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層７７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層７７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層７７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層７７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層７７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層７７ｂが、第３層７７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層７７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層７７ｃの厚みが１０ｎｍを超える場合、３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層７７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。
【００４８】
図１０のように凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａをハードマスク材料層７７が覆う形態としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層７７ｃとの密着性を高めることができる。また、基部７３の上平面７３ａに設けた３層構造のハードマスク材料層７７を、製造したインプリントモールドにおいて遮光膜として機能させてもよい。
【００４９】
図１１に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材７１は、基部７３の上平面７３ａに位置しているハードマスク材料層７７において、ハードマスク材料層７７の構成層の中の第３層７７ｆが存在せずハードマスク材料層７７の構成層の中の第１層７７ｄ、第２層７７ｅが積層しているものであってもよい。これにより、２層構造のハードマスク材料層７７を、製造したインプリントモールドにおいて遮光膜として機能させることができる。さらに、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材７１の凸構造部７４の上平面７４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部７４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は基部７３の上平面７３ａにおけるハードマスク材料層７７の表面に露出する第２層７７ｅに密着しにくいものである。したがって、凸構造部７４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部７４の上平面７４ａに付着するような現象が抑制される。
【００５０】
本発明のインプリントモールド製造用基材７１は、上記のようにハードマスク材料層７７を構成する層として第１層７７ａおよび第２層７７ｂに加えて第３層７７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層７７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層７７を構成する第３層７７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層７７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層７７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層７７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層７７（第３層７７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層７７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。
【００５１】
上述のインプリントモールド製造用基材の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールド製造用基材はこれらの例に限定されるものではない。例えば、インプリントモールド製造用基材１１は、凸構造部１４の上平面１４ａにおいて、インプリントモールドの凹凸構造を形成する領域よりも外側の領域であって、上平面１４ａの周縁部の一部に、ハードマスク材料層１７を構成する第３層１７ｃおよび第２層１７ｂが存在せず、第１層１７ａが露出するものであってもよい。このように上平面１４ａの周縁部の一部において第１層１７ａが露出する割合は、周縁部の１０％以下、好ましくは５％以下である。第１層１７ａが露出する割合が、このような範囲内であれば、供給されたレジストの余剰分がハードマスク材料層１７からはみ出したとしても、はみ出し箇所は第１層１７ａが存在するので、レジストとの密着性が高く、マスターモールドとレジストとの離型性を高い状態とすることができる。このように凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部のわずかな部位に露出した第１層１７ａは、天地上下方向の認識のためのマークや、アースを取るための除電部位としてもよい。このような第１層１７ａが露出する位置は、上平面１４ａの周縁部が矩形の場合には、矩形の角部や、角部の近傍とすることができる。上述のインプリントモールド製造用基材３１やインプリントモールド製造用基材５１やインプリントモールド製造用基材７１においても同様である。
【００５２】
また、例えば、図１２および図１３に示されるように、基体１２が、基部１３の凸構造部１４の位置する上平面１３ａと反対側の面１３ｂに、凹構造部１５を有するものであってもよい。この凹構造部１５の平面視形状（図１２に２点鎖線で示す形状）は、凸構造部１４の平面視形状を包含するものである。図示例では、凹構造部１５の平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよい。上述のインプリントモールド製造用基材３１やインプリントモールド製造用基材５１やインプリントモールド製造用基材７１も、同様に凹構造部を有するものであってよい。
【００５３】
図１４〜図１５に示される実施形態において、本発明のインプリントモールド製造用基材８１は、基体８２と、当該基体８２の上平面８２ａにおける所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層８７と、を有している。ハードマスク材料層８７は、基体８２の上平面８２ａから第１層８７ａと第２層８７ｂと第３層８７ｃが当該順序で積層しており、第１層８７ａおよび第３層８７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層８７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。
【００５４】
インプリントモールド製造用基材８１を構成する基体８２や当該基体８２の上平面８２ａの所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層８７の平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、基体８２やハードマスク材料層８７の大きさは適宜設定することができる。また、図１４においては、ハードマスク材料層８７は基体８２の上平面８２ａの略中央に位置しているが、これに限定されず、例えば基体８２の上平面８２ａの端部側に位置するものであっても、基体８２の上平面８２ａの全域に位置するものであってもよい。
【００５５】
基体８２の材質は、インプリントモールド製造用基材８１を用いて製造するインプリントモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、３層構造のハードマスク材料層８７を構成する第１層８７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体８２の材質と第１層８７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００５６】
ハードマスク材料層８７を構成する第１層８７ａ、第２層８７ｂ、第３層８７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、ハードマスク材料層８７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層８７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層８７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層８７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層８７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層８７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層８７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層８７ｂが、第３層８７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層８７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層８７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層８７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。
【００５７】
本発明のインプリントモールド製造用基材８１は、上記のようにハードマスク材料層８７を構成する層として第１層８７ａおよび第２層８７ｂに加えて金属あるいは金属化合物を含有する第３層８７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層８７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層８７を構成する第３層８７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層８７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層８７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層８７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層８７（第３層８７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層８７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。
【００５８】
図１６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す図である。図１６（Ａ）は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示されるインプリントモールド製造用基材のＤ−Ｄ線における縦断面図である。
【００５９】
図１６に示されるインプリントモールド製造用基材９１は、基体９２と、当該基体９２の上平面９２ａにおける所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層９７と、を有している。「所望の部位」とは、インプリント法により所望のパターンを形成したい部位のことをいう。つまり、ここでは、ハードマスク材料層９７は所望のパターンを形成したい部位を被覆するように位置するものであればよい。尚、図１６では、上下左右に等間隔を空けて計９つのハードマスク材料層９７が基体９２の上平面９２ａ上に位置するように示されているが、これは一例であり、ハードマスク材料層９７の総数や相互の間隔の態様が本例に限定されるものではない。
【００６０】
［凹凸構造体製造用基材］
本発明の凹凸構造体の製造方法に使用する凹凸構造体製造用基材は、上述のインプリントモールド製造用基材を使用することができる。また、凹凸構造体の用途に応じて、インプリントモールド製造用基材の基体の材質を変更したものを、凹凸構造体製造用基材として使用することができる。但し、使用する基体は３層構造のハードマスク材料層の第１層とエッチング耐性が異なる材質からなるものである。また、凹凸構造体製造用基材は、例えば半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等のパターン構造物が形成されたものであってもよい。
【００６１】
［凹凸構造体の製造方法］
図１７〜図１９は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、凹凸構造体として図１〜図３に示される本発明のインプリントモールド製造用基材１１を用いたインプリントモールドの製造方法を例として説明するものである。尚、図１７では、インプリントモールド製造用基材１１を図２相当として示しており、ハードマスク材料層１７を省略している。また、図１８および図１９では、インプリントモールド製造用基材１１を図３相当として示している。
【００６２】
この実施形態では、まず基材準備工程において、上述した基体１２と３層構造のハードマスク材料層１７とを有するインプリントモールド製造用基材１１を準備する。インプリントモールド製造用基材１１を準備する基材準備工程には、例えば、インプリントモールド製造用基材１１を作製する工程や、前もって製造しておいたインプリントモールド製造用基材１１に対して所望の前処理を施すような工程や、インプリントモールドを製造するための所望の装置にセットするような工程などが含まれる。例えば、インプリントモールド製造用基材１１を作製する工程においては、スパッタリング法やＡＬＤ法によりハードマスク材料層を構成する各層を形成するような工程が含まれる。
【００６３】
次に、液滴供給工程において、本発明のインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面に位置するハードマスク材料層１７（図示せず）に光硬化性のレジスト１０１の液滴を供給する（図１７（Ａ））。使用する光硬化性のレジストには特に制限はなく、公知の光硬化性レジストを使用することができる。
【００６４】
供給するレジスト１０１の液滴量は、後工程において使用する電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールド１１１の凹部容積の総和、マスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４との近接時の間隙部の体積、レジスト１０１からの揮発量の合計量を考慮して設定することができる。レジスト１０１の液滴量が不足する場合、マスターモールド１１１の凹部へのレジスト１０１の充填不良が発生するので、通常、供給するレジスト１０１の液滴量は上記の合計量より多い量に設定する。
【００６５】
次に、接触工程において、所望の凹凸構造を有するマスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１を近接させて、マスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面に位置するハードマスク材料層１７（図示せず）との間にレジスト１０１を展開してレジスト層１０２を形成する（図１７（Ｂ））。図示例では、マスターモールド１１１は、一の面１１１ａに複数の凸部１１２を有するモールドである。
【００６６】
次いで、硬化工程において、レジスト層１０２に光を照射することにより、レジスト層１０２を硬化させ、その後、離型工程において、硬化させたレジスト層１０２とマスターモールド１１１を引き離して、レジストパターン層１０３をインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４上に位置させた状態とする（図１７（Ｃ））。
【００６７】
次に、残膜除去工程において、レジストパターン層１０３の凹部に位置する残膜を除去して、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａを被覆しているハードマスク材料層１７上にレジストパターン１０４を形成する（図１７（Ｄ）、図１８（Ａ））。
【００６８】
次に、ハードマスク形成工程において、レジストパターン１０４を介してハードマスク材料層１７の第３層１７ｃをエッチングして第３のハードマスク１０５ｃを形成し（図１８（Ｂ））、その後、この第３のハードマスク１０５ｃを介してハードマスク材料層１７の第２層１７ｂをエッチングして第２のハードマスク１０５ｂを形成する（図１８（Ｃ））。さらにその後、この第２のハードマスク１０５ｂを介してハードマスク材料層１７の第１層１７ａをエッチングして第１のハードマスク１０５ａを形成する（図１９（Ａ））。レジストパターン１０４を介したハードマスク材料層１７の第３層１７ｃのエッチングは、例えば、塩素系ガスと酸素を用いた反応性イオンエッチングとすることができる。また、第３のハードマスク１０５ｃを介したハードマスク材料層１７の第２層１７ｂのエッチングは、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングとすることができる。また、第２のハードマスク１０５ｂを介したハードマスク材料層１７の第１層１７ａのエッチングは、塩素系ガスと酸素を用いた反応性イオンエッチングとすることができる。
【００６９】
次に、基材エッチング工程において、第１のハードマスク１０５ａを介してインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４をエッチングすることにより、凹部１８を備えた凹凸構造パターンを凸構造部１４に形成する（図１９（Ｂ））。第１のハードマスク１０５ａを介したインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４のエッチングは、例えば、基体１２が石英ガラスである場合、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングとすることができる。
【００７０】
尚、図１９（Ｂ）において残存する第１のハードマスク１０５ａについては、所望の洗浄工程および検査工程を経た後に除去することにより、凸構造部１４に凹凸構造パターンが形成された凹凸構造体であるインプリントモールド１１０を得ることができる（図１９（Ｃ））。尚、凸構造部１４の側壁面１４ｂにハードマスク材料層１７が残存していてもよい。
【００７１】
本発明のインプリントモールドの製造方法は、これに使用するインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４を被覆するハードマスク材料層１７の最上層を金属あるいは金属化合物を含有する第３層１７ｃとしているため、これにより、第３層１７ｃと供給されるレジスト１０１との密着性がよく、かつ、離型工程において、電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールド１１１をレジスト層１０２から離型しやすくすることができる。
【００７２】
また、本発明のインプリントモールドの製造方法は、ハードマスク材料層１７の第１層１７ａと第３層１７ｃを金属あるいは金属化合物を含有する同じまたは同様の材料としているため、ハードマスク形成工程において、第２のハードマスク１０５ｂを介してハードマスク材料層１７の第１層１７ａをエッチングする際に、第２のハードマスク１０５ｂ上に第３のハードマスク１０５ｃが残存していても、第１層１７ａのエッチングに応じて第３のハードマスク１０５ｃの剥離も進行する。
【００７３】
同様に、本発明のインプリントモールドの製造方法は、ハードマスク材料層１７の第２層１７ｂと基体１２をシリコンあるいはシリコン化合物を含有する同じまたは同様の材料としているため、基材エッチング工程において、第１のハードマスク１０５ａを介してインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４をエッチングする際に、第１のハードマスク１０５ａ上に第２のハードマスク１０５ｂが残存していても、凸構造部１４のエッチングに応じて第２のハードマスク１０５ｂの剥離も進行する。
【００７４】
したがって、ハードマスク形成工程の後に、残存する各ハードマスクを除去する除去工程やハードマスクの除去のための検査工程等を減らすことができ、全体としてインプリントモールドの製造工程時間を短縮することができ、工程自体も簡便にすることができる。
【００７５】
上述のインプリントモールドの製造方法の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールドの製造法はこれらの例に限定されるものではない。例えば、上記の離型工程と残膜除去工程との間に、レジストパターン層１０３に電子線を照射する照射工程を有するものであってもよい。また、上記の残膜除去工程とハードマスク形成工程との間に、レジストパターン１０４に電子線を照射する照射工程を有するものであってもよい。このような照射工程を有することにより、例えば電子線リソグラフィーを使用して製造したマスターモールドにおいて、パターンの側端部の粗さが大きい場合であっても、このマスターモールドを使用して形成したレジストパターン層１０３、あるいは、レジストパターン１０４の側端部の粗さを低減することができる。ただし、この照射工程によって、レジストパターン層１０３、あるいは、レジストパターン１０４に収縮が発生する場合がある。したがって、照射工程を採用する場合、これによる収縮を考慮したパターン寸法を備えるマスターモールドを使用することが好ましい。
【実施例】
【００７６】
［実施例１］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
基部（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）と、この基部の上平面の中央から突出する凸構造部（３５ｍｍ角、高さ２０μｍ）を一体的に有する基体（石英ガラス）を準備した。この基体の凸構造部が位置する側の面にスパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）を成膜（厚み１５ｎｍ）して第１層とし、次いで、ＡＬＤ法により酸化シリコン（ＳｉＯ2）を成膜（厚み３ｎｍ）して第２層とし、さらに、スパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）を成膜（厚み１ｎｍ）して第３層として、３層構造のハードマスク材料層を基部の上平面、凸構造部の上平面、凸構造部の側壁面に形成し、インプリントモールド製造用基材（図１〜図３相当）を作製した。
【００７７】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のインプリントモールド製造用基材の凸構造部のハードマスク材料層上に、密着層を形成した後、光硬化性のレジストの液滴をインクジェット方式で供給した。なお、光硬化性のレジストには離型剤を含有させたものを用いた。
【００７８】
次に、インプリントモールド製造用基材とマスターモールドを近接させ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部とモールドとの間にレジストの液滴を展開して、レジスト層を形成した。
【００７９】
次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に１５０ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、レジスト層を硬化させて、マスターモールドの凹凸構造パターンの凹凸が反転した凹凸構造パターンが形成されたレジストパターンとした。
【００８０】
次に、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態とした。この状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【００８１】
次いで、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去して、インプリントモールド製造用基材の凸構造部の上面を被覆しているハードマスク材料層にレジストパターンを形成した。
【００８２】
上記のように形成したレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第３層（クロム（Ｃｒ）薄膜）をエッチングして第３のハードマスクを形成した。次いで、この第３のハードマスクをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第２層（酸化シリコン（ＳｉＯ2））をエッチングして第２のハードマスクを形成した。次いで、この第２のハードマスクをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第１層（クロム（Ｃｒ）薄膜）をエッチングして第１のハードマスクを形成した。
【００８３】
次に、上記のように形成した第１のハードマスクをエッチングマスクとしてインプリントモールド製造用基材の凸構造部をフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングでエッチングすることにより、凸構造部に凹凸構造パターンを形成した。
【００８４】
このように凹凸構造パターンを形成したインプリントモールド製造用基材を、フォトマスク洗浄装置（（株）ワコム製）を用いて洗浄し、その後、フォトマスク用の光欠陥検査装置（レーザーテック（株）製）を用いて、形成した凹凸構造パターンを検査した。
【００８５】
検査後、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングにより、残存する第１のハードマスクを除去して、インプリントモールドを作製した。
【００８６】
このようにして２０個のインプリントモールドを作成した。各インプリントの作製において、凹凸構造パターンの検査では、凹凸構造パターンを構成する凹部や凸部に欠けや裂損は認められなかった。また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【００８７】
［実施例２］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面には第１層、第２層、第３層を積層した３層構造のハードマスク材料層が位置し、凸構造部の側壁面と基部の上平面には３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図４相当）を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【００８８】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【００８９】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【００９０】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【００９１】
［実施例３］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面の周縁部と側壁面と基部の上平面には３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第３層を積層することなく、ハードマスク材料層の構成層の中の第１層および第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図５相当）を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【００９２】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【００９３】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【００９４】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【００９５】
［実施例４］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面と側壁面の一部に第１層、第２層、第３層を積層した３層構造のハードマスク材料層が位置し、基部は基体を露出させるようにハードマスク材料層（図６相当）を形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【００９６】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【００９７】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【００９８】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【００９９】
［実施例５］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の側壁面において３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図７相当）を形成した以外は、実施例４と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１００】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１０１】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【０１０２】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【０１０３】
［実施例６］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面の周縁部のみ３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図８相当）を形成した以外は、実施例５と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１０４】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１０５】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【０１０６】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【０１０７】
［実施例７］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の側壁面と基部の上平面にハードマスク材料層を形成することなく基材を露出させ、凸構造部の上面にのみ３層構造のハードマスク材料層（図９相当）を形成するようにした以外は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１０８】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１０９】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【０１１０】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【０１１１】
［実施例８］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
インプリントモールド製造用基材の基部の上平面に３層構造のハードマスク材料層（図１０相当）を形成した以外は、実施例７と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１１２】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１１３】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【０１１４】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【０１１５】
［実施例９］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
インプリントモールド製造用基材の基部の上平面において、３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するように、ハードマスク材料層（図１１相当）を形成した以外は、実施例８と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１１６】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１１７】
このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。
【０１１８】
また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。
【０１１９】
［比較例１］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
第３層を積層させることなく、凸構造部の上平面に位置する２層構造のハードマスク材料層を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。
【０１２０】
＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。
【０１２１】
このインプリントモールドの作製においては、レジストパターン層からマスターモールドを引き離した後、レジストパターン層に形成された凹凸構造パターンに欠けが認められた。また、マスターモールドを引き離す際にレジストパターン層の凹凸構造の一部が欠け、その欠けた一部がマスターモールドの凹凸構造パターンに付着していることも認められた。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
マスターモールドを用いたインプリントモールド、所謂レプリカモールドの製造に有用である。
【符号の説明】
【０１２３】
１１，３１，５１，７１，９１…インプリントモールド製造用基材
１２，３２，５２，７２，８２，９２…基体
１３，３３，５３，７３…基部
１４，３４，５４，７４…凸構造部
１４ａ，３４ａ，５４ａ，７４ａ…凸構造部の上平面
１４ｂ，３４ｂ，５４ｂ，７４ｂ…凸構造部の側壁面
１５…凹構造部
１７，３７，５７，７７，８７，９７…ハードマスク材料層
１７ａ，３７ａ，５７ａ，７７ａ，８７ａ…ハードマスク材料層の第１層
１７ｂ，３７ｂ，５７ｂ，７７ｂ，８７ｂ…ハードマスク材料層の第２層
１７ｃ，３７ｃ，５７ｃ，７７ｃ，８７ｃ…ハードマスク材料層の第３層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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