(57)【要約】【課題】  金属キャリアの上に無電解銅めっき及び電解銅めっき法を段階的に適用して多孔性銅箔層を形成し、これを引き剥がすことによって気孔度を手軽に調節することのできる多孔性銅箔の製造方法、前記多孔性銅箔の製造方法によって製造された多孔性銅箔、前記多孔性銅箔の製造方法を用いて表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートを製造する方法を提供する。【解決手段】  本発明の多孔性銅箔の製造方法は、金属キャリアの上に離型層を形成するステップと、前記離型層が形成された金属キャリアの上に無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、前記多孔性銅箔を離型層から引き剥がすステップと、を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属キャリアの上に１０ナノメートル以下の厚さに離型層を形成するステップと、
前記離型層が形成された金属キャリアの上に３０秒間乃至２分間無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、
前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、
前記多孔性銅箔を離型層から引き剥がすステップと、
を含むが、
前記多孔性銅箔は１ミクロン乃至５ミクロンの厚さを有し、前記無電解銅めっきの反応時間に応じて１乃至３０ミクロンの大きさの気孔が形成されたことを特徴とする多孔性銅箔の製造方法。
【請求項２】
前記金属キャリアはアルミニウムからなり、表面には自然酸化膜が成膜されたことを特徴とする請求項１に記載の多孔性銅箔の製造方法。
【請求項３】
前記気孔は、無電解銅めっきの反応時間３０秒において２５μｍ乃至３０μｍの平均大きさを提供し、無電解銅めっきの反応時間１分において８μｍ乃至１５μｍの平均大きさを提供し、無電解銅めっきの反応時間２分において１μｍ乃至５μｍの平均大きさを提供することを特徴とする請求項１に記載の多孔性銅箔の製造方法。
【請求項４】
前記離型層は、５ナノメートル乃至１０ナノメートルの厚さを有する金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載の多孔性銅箔の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうちのいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたものであって、電解銅めっきによって形成された多孔性銅箔と、
前記多孔性銅箔の下部に非連続的に付着された無電解銅めっき粒子を含み、１ミクロン乃至５ミクロンの厚さを有し、１ミクロン乃至３０ミクロンの大きさの気孔と、
を備える多孔性銅箔。
【請求項６】
金属キャリアの上に１０ナノメートル以下の厚さに離型層を形成するステップと、
前記離型層が形成された金属キャリアの上に３０秒間乃至２分間無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、
前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、
前記多孔性銅箔の上に硬化性高分子を塗布し且つ硬化させるステップと、
前記硬化済みの高分子及び多孔性銅箔を前記離型層から引き剥がすステップと、
前記引き剥がされた硬化済みの高分子及び多孔性銅箔から銅を除去するステップと、
を含むが、
前記多孔性銅箔は、１ミクロン乃至５ミクロンの厚さを有し、前記無電解銅めっきの反応時間に応じて１ミクロン乃至３０ミクロンの大きさの気孔が形成されたことを特徴とする表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多孔性銅箔の製造方法及びこれを用いた多孔性銅箔に係り、更に詳しくは、金属キャリアに銅膜を成膜した後、銅膜を引き剥がす方式で銅箔を製造する方法及びこれを用いて製造した銅箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅箔は、プリント回路基板の伝導性パターンの素材、電磁波の遮断素材、放熱素材などとして広く用いられている。銅箔は、圧延法、電解めっき法などを用いて製造するが、最近には、電子素材の小型化が進む傾向にあり、これに伴い、より微細なパターンの形成が求められているのが現状である。これにより、所要の銅箔の厚さも薄くなる傾向にある。
【０００３】
金属キャリアを用いて製造する銅箔は、金属キャリアの上に銅箔を形成し、形成された銅箔を引き剥がす方式によって製造される。超薄型銅箔を製造する先行技術としては、本出願の発明者が既に出願して特許登録を受けた大韓民国登録特許第１４２２２６２号公告が挙げられる。同先行文献は、キャリアを提供するステップと、前記キャリアの表面に分離誘導層を形成するステップと、前記分離誘導層の上に銅箔層を形成するステップと、前記銅箔層の上にコアを貼着するステップと、を含む銅箔層付き基板の製造方法を開示している。
【０００４】
一方、プリント回路基板の製造に当たって、基底層として樹脂に超極薄型の銅箔を貼り付けた資材が用いられる場合もあるが、このような超極薄の銅箔は、約１８μｍの厚さを有する他の銅箔をキャリアとして用いてその表面にスパッタリングによってニッケル合金などの金属層を形成し、電解めっきを行って超薄型のキャリア銅箔を得た後、樹脂に転写して使用している。しかしながら、このような工程によって製造される超薄型のキャリア銅箔の場合、約１８μｍの厚さを有する銅箔をキャリアとして使用するが故に高価であり、電解めっきを行うために前処理として施すスパッタリングの金属成分が残留してパターンの形成後に除去し難いという欠点がある。
【０００５】
銅箔の応用分野としての電磁波の遮蔽素材、放熱素子などを考慮したとき、銅箔の表面及び内部に気孔が形成された銅箔の方が優れた効果を有するものと予想される。このような効果の向上は、銅箔の表面積が増えることに起因するが、銅箔の表面積が増えると、電磁波を吸収したり、内部の熱を外部に放出したりする表面の広さが増えるので、これに伴う効果も一緒に向上するものと予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】大韓民国登録特許第１４２２２６２号公告
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明が達成しようとする目的は、金属キャリアの上に無電解銅めっき法及び電解銅めっき法を段階的に適用して多孔性銅箔層を形成し、これを引き剥がすことによって気孔度を手軽に調節することのできる多孔性銅箔の製造方法を提供することである。
【０００８】
本発明が達成しようとする他の課題は、前記多孔性銅箔の製造方法によって製造された多孔性銅箔を提供することである。
【０００９】
本発明が達成しようとする更に他の目的は、前記多孔性銅箔の製造方法を用いて表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記の目的を達成するために、金属キャリアの上に１０ナノメートル以下の厚さに離型層を形成するステップと、前記離型層が形成された金属キャリアの上に３０秒間〜２分間無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、前記多孔性銅箔を離型層から引き剥がすステップと、を含む多孔性銅箔の製造方法を提供する。
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、前記金属キャリアはアルミニウムからなり、表面には自然酸化膜が成膜されてもよい。
【００１２】
本発明の他の実施形態によれば、前記多孔性銅箔は、１ミクロン〜５ミクロンの厚さを有し、１ミクロン〜３０ミクロンの大きさの気孔を備えることが好ましい。
【００１３】
本発明の更に他の実施形態によれば、前記離型層は、１０ナノメートル以下の厚さを有する金属化合物であることが好ましい。
【００１４】
本発明は、前記他の目的を達成するために、電解銅めっきによって形成された多孔性銅箔及び前記多孔性銅箔の下部に非連続的に付着された無電解銅めっき粒子を備える多孔性銅箔を提供する。
【００１５】
本発明は、前記更に他の目的を達成するために、金属キャリアの上に離型層を形成するステップと、前記離型層が形成された金属キャリアの上に無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、前記多孔性銅箔の上に硬化性高分子を塗布し且つ硬化させるステップと、前記硬化済みの高分子及び多孔性銅箔を前記離型層から引き剥がすステップと、前記引き剥がされた硬化済みの高分子及び多孔性銅箔から銅を除去するステップと、を含む表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多孔性銅箔の製造方法は、下記のような効果を有する。
【００１７】
１．無電解銅めっき法及び電解銅めっき法をこの順に適用する簡単な方法によって、金属キャリアから引き剥がし易い多孔性銅箔を製造することができる。
【００１８】
２．無電解銅めっき法において島状の銅粒子の形成に関連する工程変数の制御及び電解銅めっき法においてめっき速度に関連する工程変数をそれぞれ制御して、多孔性銅箔の厚さ及び気孔度、気孔の大きさなどを手軽に制御することができる。
【００１９】
３．多孔性銅箔の上に硬化性高分子を塗布し且つ硬化させ、銅箔のみを離型層から剥引き剥がす方法によって、表面に微細な気孔が形成された高分子シートを製造することができ、これは、めっき密着力や他の資材との密着力に優れたレジン資材として活用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態によって、金属キャリアを用いて多孔性銅箔を製造する方法を順次に示すものである。
【図２】図１に示す多孔性銅箔の製造方法に対するステップ別の断面構造を示すものである。
【図３】本発明の他の実施形態によって、多孔性銅箔を用いて表面に凹凸が形成された高分子シートを製造する方法を順次に示すものである。
【図４】図３に示す高分子シートの製造方法に対するステップ別の断面構造を示すものである。
【図５】本発明によって製造された多孔性銅箔の表面写真を示すものである
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の多孔性銅箔の製造方法は、金属キャリアの上に離型層を形成するステップと、前記離型層が形成された金属キャリアの上に無電解銅めっきによって銅を島状に成長させるステップと、前記無電解銅めっき後に電解銅めっきを行って多孔性銅箔を形成するステップと、前記多孔性銅箔を離型層から引き剥がすステップと、を含む。
【００２２】
本発明は、金属キャリアの上に離型層を形成し、離型層の上に無電解銅めっき及び電解銅めっきをこの順に行って多孔性銅箔を製造する。製造された銅箔は離型層から引き剥がされ易いので、薄肉の多孔性銅箔を簡単な工程によって製造することができる。
【００２３】
本発明の多孔性銅箔の製造方法によって多孔性銅箔を製造する過程には、特異的な構成が含まれている。第１の特異的な構成は、超薄肉型の離型層の形成である。金属キャリアの上に形成された離型層はニッケルやコバルトなどの金属元素を含む化合物からなるが、離型層は、厚さが５ナノメートル〜１０ナノメートルの範囲にあるためトンネリング効果によって伝導性を有するので、金属キャリアを電極とした電解銅めっき過程において無電解銅めっき粒子に電圧が印加可能である。
【００２４】
第２の特異的な構成は、無電解銅めっきによって島状の銅めっき粒子を形成することである。銅めっき粒子は、離型層又は離型層が形成できなかった金属キャリアの表面の上に形成されるが、無電解めっき時間を調節して、均一な層が形成される前のステップである銅粒子の形成ステップにおいて無電解銅めっきを中断する。
【００２５】
第３の特異的な構成は、離型層及び銅めっき粒子が形成された金属キャリアを電極として電解銅めっきを行うことである。電解銅めっき過程において離型層又は金属キャリアの上には銅めっきが行われないが、これは、金属キャリアの素材としてアルミニウムを用いるためである。アルミニウムは、空気中において自然酸化膜が成膜されるため電解めっき過程において表面にめっきが行われず、純粋な金属ではなく、電気伝導性が非常に低いニッケルやコバルト酸化物／窒化物などからなる離型層にもめっきが行われない。
【００２６】
このような電解銅めっき過程においては、無電解銅めっきによって形成された銅めっき粒子にのみめっきが行われるが、互いに間隔を隔てて形成された銅めっき粒子に形成される電解銅は、隣り合う銅めっき粒子に形成される電解銅と遭遇しながら多孔性銅箔が形成される。このとき、多孔性銅箔の物性は、無電解銅めっき条件及び電解銅めっき条件に影響を受けるが、多孔性銅箔の気孔の大きさは、主として無電解銅めっき条件に影響を受ける。無電解銅めっき時間を短く設定すれば、相対的に大きな気孔が形成され、無電解銅めっき時間を長く設定すれば、相対的に小さな気孔が形成される。
【００２７】
多孔性銅箔の気孔の大きさ（直径）は、１ミクロン〜３０ミクロンの範囲にあることが好ましく、５ミクロン〜２０ミクロンの範囲にあることが更に好ましい。銅箔の気孔の大きさが１ミクロン未満であれば、多孔性物性を調節し難く、銅箔の気孔の大きさが３０ミクロンを超えると、銅箔の強度が低過ぎる。このとき、気孔の大きさは、銅箔の表面を基準として観察したものであるため、銅箔の厚さが気孔の大きさよりも小さいが、気孔の大きさはこれよりも大きな数値を有してもよい。
【００２８】
本発明の多孔性銅箔の製造方法を応用すれば、表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートを製造することができる。多孔性銅箔の製造方法によって多孔性銅膜を製造した後、その上に硬化性高分子を塗布し且つ硬化させた後に離型層から引き剥がせば、表面に多孔性銅膜が貼着された高分子樹脂シートを製造することができ、再び多孔性銅膜をエッチングすれば、多孔性銅膜が除去された個所に気孔が形成されながら、表面に凹凸が形成された高分子樹脂シートを製造することができる。
【００２９】
以下、添付図面に基づいて本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態によって、金属キャリアを用いて多孔性銅箔を製造する方法を順次的に示すものである。
【００３０】
図１を参照すると、まず、金属キャリアの上に離型層を形成する（Ｓ１）。金属キャリアは、アルミニウムからなることが好ましい。アルミニウム表面には自然酸化膜が成膜されているため、電解銅めっき過程において銅が析出されることを防ぐためであり、この理由から、電解銅めっきによって多孔性銅箔を製造することができる。離型層は金属化合物からなってもよく、具体的に、ニッケル系又はコバルト系の化合物であってもよい。離型層は、脱脂済みのアルミニウムキャリアを１０ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌの塩化ニッケル（更に好ましくは、３０ｇ／Ｌ〜６０ｇ／Ｌの塩化ニッケル）、１０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの塩化コバルト（更に好ましくは、２０ｇ／Ｌ〜３０ｇ／Ｌの塩化コバルト）、１００ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌの塩化カルシウム（更に好ましくは、１３０ｇ／Ｌ〜１６０ｇ／Ｌの塩化カルシウム）、５０ｐｐｍ未満のＰＥＧ系界面活性剤及び１０ｐｐｍ未満の鉄化合物還元剤からなる離型層形成溶液に沈積して無電解方式によって１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さ（更に好ましくは、３ｎｍ〜７ｎｍ）に形成してもよく、このとき、溶液の温度は３０〜５０℃であり、処理時間は２分〜３分であることが好ましい。
【００３１】
次いで、無電解銅めっき法によって離型層が形成された金属キャリアの上に島状の銅粒子を成長させる（Ｓ２）。
【００３２】
無電解銅めっき時間を調節して均一な膜を成膜する前のステップであって、島状の銅粒子が成長した状態で無電解銅めっきを中断する。無電解銅めっき過程は、離型層が形成されたアルミニウムキャリアを５０ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ銅塩（更に好ましくは、７０ｇ／Ｌ〜８０ｇ／Ｌの銅塩）、７０ｇ／Ｌ〜１５０ｇ／Ｌの錯化剤 （更に好ましくは、９０ｇ／Ｌ〜１２０ｇ／Ｌの錯化剤 ）、苛性ソーダ及び水酸化カリウムなどのｐＨ調節剤からなる無電解銅めっき溶液に沈積して島状の銅を形成してもよく、このとき、無電解銅めっきの作業は、３０℃〜５０℃の温度条件下で３０秒間〜２分間沈積して行うことが好ましい。
【００３３】
次いで、電解銅めっきによって多孔性銅膜を成膜する（Ｓ３）。電解銅めっき過程においては、アルミニウムキャリア及び離型層の上には電解めっきが行われないため、無電解銅めっきによって形成された銅粒子の表面にのみ銅めっきが行われ、隣り合う銅粒子から成長した銅と遭遇しながら多孔性銅膜が成膜される。
【００３４】
電解銅めっきの条件は、多孔性銅箔に１ミクロン〜５ミクロンの厚さを持たせるような条件であることが好ましいが、これは、銅箔の厚さが１ミクロン未満であれば、強度が低すぎて応用性が下がり、銅箔の厚さが５ミクロンを超えると、超薄型銅箔が有するメリットがなくなるためである。電解銅めっき過程においては、１００ｇ／Ｌ〜１５０ｇ／Ｌの硫酸銅（更に好ましくは、１２０ｇ／Ｌ〜１３０ｇ／Ｌの硫酸銅）、１００ｇ／Ｌ〜１５０ｇ／Ｌの硫酸（更に好ましくは、１２０ｇ／Ｌ〜１３０ｇ／Ｌの硫酸）、５０ｐｐｍ未満の塩酸、その他の光沢剤及びレベラからなる電解銅めっき溶液を使用し、常温下で１．４ＡＳＤの電流密度で電解銅めっきを行って約３μｍの厚さに微細気孔を有する極薄銅箔を形成することができる。
【００３５】
このとき、極薄銅箔上の気孔の平均大きさは無電解銅めっきの時間に応じて異なってきたが、無電解銅めっき時間が３０秒である場合には２５μｍ〜３０μｍの範囲にあり、無電解銅めっき時間が１分である場合には８μｍ〜１５μｍの範囲にあり、無電解銅めっき時間が２分である場合には１μｍ〜５μｍの範囲にあった。最後に、多孔性銅膜を離型層から引き剥がして多孔性銅箔を完成する。
【００３６】
引き剥がし過程が終わった多孔性銅箔は、伝導性エポキシ／ポリエステルレジンなどと貼り合わせた後、アルミニウムキャリアを引き剥がして電磁波の遮蔽／吸収素材、放熱素子として使用することができる。
【００３７】
図２は、図１に示す多孔性銅箔の製造方法に対するステップ別の断面構造を示すものである。図２の（ア）及び（イ）を参照すると、金属キャリア１０１の上に離型層１０２が形成され、離型層１０１の上に無電解銅めっき銅粒子１０３が島状に形成される。図２の（ウ）を参照すると、無電解銅めっき銅粒子１０３から成長した銅が隣り合う無電解銅めっき銅粒子から成長した銅と遭遇しながら多孔性銅膜１１０が成膜される。図２の（エ）及び（オ）を参照すると、多孔性銅膜１１０を離型層１０２から引き剥がせば、多孔性銅箔が完成される。
【００３８】
図３は、本発明の他の実施形態によって、多孔性銅箔を用いて表面に凹凸が形成された高分子シートを製造する方法を順次に示すものである。金属キャリアの上に離型層を形成するステップ（Ｓ１）と、無電解銅めっきによって島状銅を成長させるステップ（Ｓ２）及び電解銅めっきによって多孔性銅膜を成膜するステップ（Ｓ３）までは、図１に基づいて説明した通りである。
【００３９】
次いで、多孔性銅膜が成膜された金属キャリアの上に硬化性高分子を塗布し且つ硬化させる（Ｓ４）。このとき、硬化性高分子は、ディップ方式、スピンコート方式、印刷方式などによって塗布してもよく、硬化性高分子は、熱硬化性又は光硬化性高分子からなってもよい。次いで、硬化済みの高分子及び多孔性銅膜を離型層から引き剥がす（Ｓ５）。最後に、銅エッチング液を用いて硬化済みの高分子シートから多孔性銅膜を除去する（Ｓ６）。
【００４０】
図４は、図３に示す高分子シートの製造方法に対するステップ別の断面構造を示すものである。図４の（ア）を参照すると、金属キャリア１０１の上に離型層１０２が形成され、離型層の上に無電解銅めっき銅粒子１０３及び電解銅めっき銅１０４からなる多孔性銅膜が成膜されている。図４の（イ）を参照すると、多孔性銅膜の上に硬化性高分子樹脂２００が塗布されている。このとき、高分子樹脂２００は、多孔性銅膜の内部の気孔まで浸透されている。
【００４１】
図４の（ウ）及び（エ）を参照すると、多孔性銅膜が成膜された高分子樹脂２００を離型層から引き剥がし、多孔性銅膜をエッチングで除去すれば、高分子樹脂の下部に気孔層が形成されながら表面に凹凸が形成された高分子シートが完成される。
【００４２】
図５は、本発明によって製造された多孔性銅箔の表面写真を示すものである。通常の方法によって製造された非多孔性銅箔及び本発明によって製造された多孔性銅箔の表面を目視すれば、多孔性銅箔の場合には粗い表面による光の反射特性を示していることを確認することができる。
【００４３】
以下、実施例を挙げて本発明についてより詳細に説明する。
【００４４】
実施例１−１（多孔性銅箔の製造）
（１）金属キャリアの表面の脱脂
アルミニウムキャリアの表面上の有機物などの汚染物質を効果的に除去するために、ＹＭＴ社製の脱脂剤（Ａｌ ｃｌｅａｎ １９３）を希釈させて用意し、３０℃〜５０℃の温度下で２分間〜５分間脱脂した。
【００４５】
（２）離型層の形成
前記脱脂済みのアルミニウムキャリアを４５ｇ／Ｌの塩化ニッケル、２５ｇ／Ｌの塩化コバルト、１５０ｇ／Ｌの塩化カルシウム、５０ｐｐｍ未満のＰＥＧ系の界面活性剤及び１０ｐｐｍ未満の鉄化合物還元剤からなる離型層形成溶液に沈積して無電解方式によって５ｎｍの厚さの離型層を形成した。このとき、溶液は、４０℃の温度条件下で２分間処理した。
【００４６】
（３）無電解銅めっき銅粒子の形成
前記離型層が形成されたアルミニウムキャリアを７５ｇ／Ｌの銅塩、１１０ｇ／Ｌの錯化剤、苛性ソーダ及び水酸化カリウムなどのｐＨ調節剤からなる無電解銅めっき溶液に沈積して島状の銅を形成した。無電解銅めっきの作業は、４０℃の温度条件下で３０秒間沈積して行った。
【００４７】
（４）電解銅めっき
無電解銅めっきを用いて形成した島状の銅の上に気孔を有する厚みのあるめっきは、電解銅めっきによって行われた。１２５ｇ／Ｌの硫酸銅、１２５ｇ／Ｌの硫酸、５０ｐｐｍ未満の塩酸、その他の光沢剤及びレベラからなる電解銅めっき溶液を使用し、常温下で１．４ＡＳＤの電流密度で電解銅めっきを行って約３μｍの厚さに微細気孔を有する極薄銅箔を形成した。このとき、極薄銅箔上の気孔の平均大きさは、約２５〜３０μｍであった。
【００４８】
（５）多孔性銅膜の引き剥がし及び応用
多孔性銅膜を離型層から引き剥がした。このようにして成膜した多孔性銅薄膜は、伝導性エポキシ／ポリエステルレジンなどと貼り合わせた後、アルミニウムキャリアを引き剥がして電磁波遮蔽／吸収素材、放熱素子として使用した。
【００４９】
実施例１−２（多孔性銅箔の製造）
無電解銅めっき銅粒子の形成ステップにおいて、無電解めっき時間を１分に変えた以外は、実施例１−１の方法と同様にして多孔性銅箔を製造した。このとき、多孔性極薄銅箔上の気孔の平均大きさは、８μｍ〜１５μｍであった。
【００５０】
実施例１−３（多孔性銅箔の製造）
無電解銅めっき銅粒子の形成ステップにおいて、無電解めっき時間を２分に変えた以外は、実施例１−１の方法と同様にして多孔性銅箔を製造した。このとき、多孔性極薄銅箔上の気孔の平均大きさは、１μｍ〜５μｍであった。
【００５１】
実施例２（凹凸が形成された高分子シートの製造）
実施例１−１の（１）金属キャリアの表面の脱脂、（２）離型層の形成、（３）無電解銅めっき銅粒子の形成、（４）電解銅めっきのステップまでは上記の方法と同様にして行い、次いで、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂と単独で、或いは、所定の割合で混合されたレジンをコーティングして硬化させた後、アルミニウムキャリアを引き剥がし、次いで、硬化済みの樹脂上の多孔性銅箔膜をエッチング法によって除去して凹凸が形成された高分子シートを製造した。
【００５２】
評価例（多孔性銅箔の気孔の大きさの測定）
実施例１−１と、実施例１−２及び実施例１−３に従って製造された多孔性銅箔の断面を電子顕微鏡で観察して、気孔の平均直径を測定した。平均直径の測定は、顕微鏡イメージの中央部の３０本の気孔に対して直径の測定を行って平均を出す方式を用いて行い、その結果を下記の表１に示す。下記の表１から明らかなように、無電解銅めっき時間が長くなればなるほど、気孔の大きさが小さくなった
【００５３】
【表１】
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【００５４】
以上の説明は、本発明の技術思想を一実施形態を用いて説明したものであって、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲内において種々の修正及び変形を加えることが可能であることが理解できる筈である。よって、本発明において説明された実施形態は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、単に本発明の技術思想を説明するためのものに過ぎず、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲が限定されることはない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈されるべきであり、これと同等な範囲内にあるあらゆる技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  金属キャリア
１０１  離型層
１０３  無電解銅めっき銅粒子
１０４  電解銅めっき銅
１１０  多孔性銅箔
２００  高分子樹脂
２１０  気孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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