(57)【要約】【課題】インクジェット方式の記録装置が備える記録ヘッドの記録素子基板において、ＥＳＤ耐性を上げつつ、正確な耐キャビテーション層と配線層の導通検査を行える構成を提供する。【解決手段】記録素子基板であって、ヒータ層と、前記ヒータ層を発熱させるために前記ヒータ層に接続された配線層と、前記配線層の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層を保護するために前記絶縁層の上に配置される耐キャビテーション層と、グランドにプルダウンされている制御端子を有し、前記制御端子がハイレベル状態で、前記耐キャビテーション層と前記グランドを導通させるスイッチとを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録素子基板であって、
ヒータ層と、
前記ヒータ層を発熱させるために前記ヒータ層に接続された配線層と、
前記配線層の上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層を保護するために前記絶縁層の上に配置される耐キャビテーション層と、
グランドにプルダウンされている制御端子を有し、前記制御端子がハイレベル状態で、前記耐キャビテーション層と前記グランドを導通させるスイッチと
を有することを特徴とする記録素子基板。
【請求項２】
前記スイッチは、ＰＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項３】
前記記録素子基板は更に、前記制御端子をハイレベルにする信号を受信するパッドを含むことを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項４】
前記耐キャビテーション層は、複数の領域に分離されて形成され、
前記分離された耐キャビテーション層はそれぞれ、異なる前記ＰＭＯＳトランジスタに接続されていることを特徴とする請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項５】
前記耐キャビテーション層は、複数の領域に分離されて形成され、
前記分離された耐キャビテーション層は、同じ前記ＰＭＯＳトランジスタに接続されていることを特徴とする請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項６】
前記耐キャビテーション層に接触して形成された形成層と前記絶縁層との間に金属層が形成され、
前記金属層は、前記ＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続されることを特徴とする請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項７】
前記形成層の一部に溝部を形成し、
前記溝部の底に金属層が形成され、
前記金属層は、前記ＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続されることを特徴とする請求項６に記載の記録素子基板。
【請求項８】
前記形成層は、インクの流路を形成する流路形成部材と、インクの吐出口を形成する吐出口形成部材とから構成されることを特徴とする請求項６または７に記載の記録素子基板。
【請求項９】
前記耐キャビテーション層と前記配線層の導通検査をする際には、前記制御端子をハイレベル状態にすることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の記録素子基板を１または複数備える記録ヘッド。
【請求項１１】
請求項１０に記載の記録ヘッドを１または複数備える記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録素子基板、記録ヘッド、および記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液体吐出ヘッド（記録ヘッド）から吐出された液滴を記録媒体に着弾させることで記録を行う記録装置がある。液体吐出ヘッドの液体吐出には様々な方式があり、その一つとしてサーマルインクジェット方式が知られている。サーマルインクジェット方式とは、ヒータに数μ秒程度通電することで発生する熱エネルギーにより誘発されるインクの発泡現象をインク液滴の吐出に利用する方式である。一般的にサーマルインクジェット方式で使用される液体吐出ヘッドは記録素子基板を搭載する。記録素子基板は、インク液滴吐出に必要なヒータを有する。
【０００３】
記録素子基板の製造工程、液体吐出ヘッドの記録動作等において、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、以下ＥＳＤと表記）に起因した記録素子基板の故障が発生することが知られている。特許文献１には、保護膜の膜厚が２００ｎｍ程度である記録素子基板において、耐キャビテーション層とヒータ電極との間の保護膜がＥＳＤにより絶縁破壊（以下、ＥＳＤ破壊）を起こす現象が記載されている。上記の課題に対して、特許文献１では、耐キャビテーション層がゲート接地型ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタに接続された記録素子基板が開示されている。特許文献１の構成によれば、耐キャビテーション層に流れ込んだＥＳＤによる電流を基板に逃がすことができるため、耐キャビテーション層とヒータ電極の間の保護膜の絶縁破壊を防止できるという効果が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７２６７４３０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
記録素子基板は、製造工程段階での膜欠陥による不良やＥＳＤにより発生した不良の有無を確認するために、記録素子基板の製造工程の最終段階において記録素子基板の電気的特性の検査を行う。この検査の一つとして、耐キャビテーション層と配線層の間で導通がないかを確認する検査がある。この検査が必要な理由としては、絶縁層にピンホールなどの欠陥が存在すると耐キャビテーション層と配線層の間で電流が流れ、記録動作時に所望の発熱特性が得られないことが挙げられる。またもう一つの理由としては、耐キャビテーション層が電気化学反応を起こして変質し耐久性が低下することが挙げられる。そして、このときの耐キャビテーション層と配線層との間での導通検査は、電圧の印加の方法を変えて様々な特性を確認する必要がある。なぜなら、耐キャビテーション層と配線層との間での導通検査は、欠陥が存在する場所によっては半導体素子の特性を含んだ結果になるためである。
【０００６】
しかし、例えば、特許文献１に開示されているＥＳＤ保護素子を介して耐キャビテーション層をＧＮＤに接続された状態では、耐キャビテーション層と配線層の導通検査をする際に保護素子の特性の影響を受け、正確に導通検査ができない。導通検査によって絶縁層の欠陥を正確に検査するためには、耐キャビテーション層をＧＮＤから切り離す必要がある。さらに、記録を行う時に、ヒータ層が耐キャビテーション層とショートすることがある。このとき、耐キャビテーション層を介してＧＮＤ側へ電流が流れ込んでしまうという不具合が発生する。
【０００７】
本発明は、上記課題を鑑み、記録素子基板において、ＥＳＤ耐性を上げつつ、正確な耐キャビテーション層と配線層の導通検査を行える構成を提供することを目的とする。また、記録を行う時に、ヒータ層が耐キャビテーション層とショートした場合に、耐キャビテーション層１３０を介してＧＮＤ側へ電流が流れ込むことを抑制する構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本願発明は以下の構成を有する。すなわち、記録素子基板であって、ヒータ層と、前記ヒータ層を発熱させるために前記ヒータ層に接続された配線層と、前記配線層の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層を保護するために前記絶縁層の上に配置される耐キャビテーション層と、グランドにプルダウンされている制御端子を有し、前記制御端子がハイレベル状態で、前記耐キャビテーション層と前記グランドを導通させるスイッチとを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明により、記録素子基板において、ＥＳＤ耐性を上げつつ、正確な耐キャビテーション層と配線層の導通確認を行うことが可能となる。また、ヒータ層が上層の耐キャビテーション層とショートした場合にも、耐キャビテーション層を介してＧＮＤ側へ電流が流れ込んでしまうという不具合を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本願発明に係る記録素子基板の拡大断面図。
【図２】本願発明に係る記録素子基板の回路構成例の概略図。
【図３】本願発明に係る記録素子基板の構成例を示す図。
【図４】第５の実施形態に係る記録素子基板の構成例を示す図。
【図５】第６の実施形態に係る記録素子基板の構成例を示す図。
【図６】第４の実施形態に係る、ヒータ断線時の制御を説明するための図。
【図７】記録装置の構成例を示す図。
【図８】記録ヘッドの構成例を示す図。
【図９】記録素子基板の構成例を示す図。
【図１０】記録素子基板の拡大平面図。
【図１１】記録素子基板の断面図。
【図１２】記録素子基板の製造工程プロセスフロー。
【図１３】記録素子基板の製造工程におけるウエハの切断例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る本発明を限定するものでなく、また、本実施形態で説明されている特徴の組み合わせのすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。尚、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
【００１２】
なお、この明細書において、「記録」（「プリント」という場合もある）とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。さらに人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、または媒体の加工を行う場合も表すものとする。
【００１３】
また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表すものとする。
【００１４】
さらに、「インク」（「液体」と言う場合もある）とは、上記「記録（プリント）」の定義と同様広く解釈されるべきものである。従って、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成または記録媒体の加工、或いはインクの処理（例えば記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）に供され得る液体を表すものとする。
【００１５】
またさらに、「記録要素」とは、特にことわらない限り吐出口ないしこれに連通する液路およびインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括して言うものとする。
【００１６】
またさらに、「ノズル」とは、特にことわらない限り吐出口ないしこれに連通する液路およびインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括して言うものとする。
【００１７】
以下に用いる記録ヘッド用の素子基板（ヘッド基板）とは、シリコン半導体からなる単なる基体を指し示すものではなく、各素子や配線等が設けられた構成を差し示すものである。
【００１８】
さらに、基板上とは、単に素子基板の上を指し示すだけでなく、素子基板の表面、表面近傍の素子基板内部側をも示すものである。また、本発明でいう「作り込み（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ）」とは、別体の各素子を単に基体表面上に別体として配置することを指し示している言葉ではなく、各素子を半導体回路の製造工程等によって素子板上に一体的に形成、製造することを示すものである。
【００１９】
本発明に係る液体吐出ヘッドは、一般に見られるシリアルタイプの記録装置のみならず、その記録幅が記録媒体の幅に相当するようなフルラインタイプの記録ヘッドを備えた記録装置に用いられる。また、その記録ヘッドはシリアルタイプの記録装置の中でも、Ａ０やＢ０などの大きなサイズの記録媒体を用いる大判プリンタに用いられる。
【００２０】
本願発明を適用可能な記録装置の構成例について説明する。
【００２１】
［装置構成］
図７は、本願発明を適用可能な液体吐出方式を用いた記録装置（以下、単に記録装置）の一例を示す斜視図である。記録装置５００は、液体吐出ヘッド（以下、記録ヘッド）３００と記録媒体送り機構４００を備える。記録ヘッド３００は、記録媒体送り機構４００にセットされた紙等の記録媒体６００上を走査する。走査中に記録ヘッド３００がインク液滴を吐出し、記録媒体６００の所望の位置に着弾させることで記録を行う。記録ヘッド３００の走査終了後、記録媒体６００は、記録媒体送り機構４００によって記録ヘッド走査方向と垂直な方向に送られる。以上説明した動作を繰り返すことで記録媒体への記録が完了する。
【００２２】
図８は、本願発明に係る記録ヘッド３００の一例を示す斜視図である。筐体３０５には電気配線部材３０２、電気配線基板３０３および記録素子基板３０１（３０１ａ、３０１ｂ）が搭載されている。また、筐体３０５には各色に対応した１または複数のインクタンク３０４が装着される。インクタンク３０４に格納されたインクは記録ヘッド３００を通して記録素子基板３０１に導入される。
【００２３】
図９は、本実施形態に係る記録ヘッド３００に搭載される記録素子基板３０１の一例を示す斜視図である。記録素子基板３０１において基板１００上にヒータ１０１が配置されている。また基板１００には供給口１１０が形成されている。更に基板１００上には流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａが設けられている。流路形成部材２００ｂは、ヒータ１０１に対応した発泡室１０２、供給口１１０から発泡室１０２にインクを誘導する液室１０４、および流路１０３を形成する。吐出口形成部材２００ａは、ヒータ１０１に対応した吐出口２０１を形成する。また、基板１００には外部から基板１００に電圧や信号を供給するための外部接続パッド１６０が設けられている。パッド１６０には、ハイレベル（例えば、３．３ボルト）またはロウレベル（例えば、０ボルト）のロジック信号が入力される。
【００２４】
図１０（ａ）は、図９の領域Ａを拡大して示す平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）において流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａを破線で示した透視図である。ヒータ１０１に共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂが電気的に接続されている。個別ヒータ電極１５０ｂは、ヒータ１０１に接続された側とは別の端子においてスイッチング素子に接続されている。つまり、共通ヒータ電極１５０ａおよび個別ヒータ電極１５０ｂは、配線層を構成する。ヒータ１０１上には耐キャビテーション層１３０が配置されている。耐キャビテーション層とは、インクの発泡および消泡時における熱および物理的、化学的衝撃からヒータを保護するための防護層をいう。
【００２５】
図１１は、図１０のＸ−Ｘ’に沿った断面を示す断面図である。基板１００は、以下に述べるように複数の層で構成されている。Ｓｉ基板１２４上には熱酸化膜１２０、およびゲート酸化膜（不図示）が形成されている。熱酸化膜１２０上には第１の蓄熱層１２２が形成されている。第１の蓄熱層１２２上には第１のスイッチング素子電極１７５が形成されている。第１のスイッチング素子電極１７５は、第１の蓄熱層１２２に設けられたビア１８０を介してＳｉ基板１２４に接続される。Ｓｉ基板１２４と第１のスイッチング素子電極１７５の接続領域には不純物拡散領域１９５が形成されている。第１のスイッチング素子電極１７５と不純物拡散領域１９５とＳｉ基板１２４と第２のスイッチング素子（不図示）とゲート電極（不図示）とでスイッチング素子（図２の駆動回路１０５に対応）が形成される。
【００２６】
第１のスイッチング素子電極１７５上には第２の蓄熱層１３２が形成されている。第２の蓄熱層１３２上にはヒータ層１９０が形成されている。ヒータ層１９０上には共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂが形成され、これらが配線層となる。共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとの間に形成されたヒータ層１９０がヒータ１０１を形成する。ヒータ１０１が発熱することにより、インク等の液体を熱し、吐出口から吐出させる。共通ヒータ電極１５０ａ、個別ヒータ電極１５０ｂ、およびヒータ１０１の上には、絶縁層としての保護層１４２が形成される。保護層１４２上には耐キャビテーション層１３０が形成されている。耐キャビテーション層１３０上には流路形成部材２００ｂが形成されている。流路形成部材２００ｂ上には吐出口形成部材２００ａが形成されている。流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａによって発泡室１０２、液室１０４および流路１０３が形成される。また吐出口形成部材２００ａによって吐出口２０１が形成される。ここでは、流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａをまとめて、便宜上、形成層とも称する。
【００２７】
［製造プロセスフロー］
図１２は、記録素子基板３０１の製造工程の一例を示すプロセスフローである。なお、ここで示すプロセスフローは一例であり、ここでは概略のみを示す。
【００２８】
Ｓ１２０１にて、記録素子基板３０１を製造するための基板の準備が行われる。
【００２９】
Ｓ１２０２にて、準備したウエハ状態の基板に熱酸化法やＣＶＤ法やスパッタリング法等による成膜、フォトリソ法等によるパターニング、熱拡散法やイオン注入法等による不純物添加などを用いてヒータ等が形成される。
【００３０】
Ｓ１２０３にて、Ｓ１２０２の形成後のウエハ状態の基板にドライフイルムを貼り合せ、レジストコーティング等を用いて流路部材、吐出口形成部材が形成される。
【００３１】
Ｓ１２０４にて、Ｓ１２０３の形成後のウエハ状態の基板がダイシングテープに貼りつけられる。
【００３２】
Ｓ１２０５にて、ウエハ状態の基板がダイヤモンド・ソー等により切断される。図１３は、切断前のウエハ７００と切断ライン８００の一例を示す。
【００３３】
Ｓ１２０６にて、個別の基板状態に切り出された記録素子基板３０１は、ダイシングテープに貼りつけられたまま切削屑等を除去するために洗浄される。同洗浄では例えば、水と窒素を混合した洗浄体を用いた２流体洗浄が用いられる。
【００３４】
Ｓ１２０７にて、洗浄後の記録素子基板３０１は、ダイシングテープから剥がされて、記録ヘッドに組み込まれる。
【００３５】
以下、本願発明に係る各実施形態について説明する。
【００３６】
＜第１の実施形態＞
本願発明に係る記録ヘッド３００に搭載される記録素子基板３０１について説明する。図１は、記録素子基板３０１の断面の一部を示す図である。図１は、図１０（ａ）にて示したＸ−Ｘ’方向とは異なる位置の断面を示し、例えば、Ｘ−Ｘ’方向に対して垂直な方向の断面であってよい。
【００３７】
図２は、図１に対応した回路構成の概略を示す図である。図２において、複数のヒータ１０１はそれぞれ一端が、例えば電源（不図示）に接続された外部接続パッド１６０に接続され、他端が対応する駆動回路１０５に接続される。また、複数の駆動回路１０５は、ここではＮＭＯＳトランジスタとして示されており、対応するヒータ１０１にドレインが接続され、ソースが例えば接地電圧に接続された外部接続パッド１６０に接続される。
【００３８】
耐キャビテーション層１３０は、図１１に示す耐キャビテーション層１３０と同一の層であり、電気的にも接続された状態である。耐キャビテーション層１３０は、例えば、ＴａやＩｒによって、１００ｎｍから３００ｎｍ程度で形成することができる。耐キャビテーション層１３０は、スイッチとして機能するＰＭＯＳトランジスタ９００と接続されている。耐キャビテーション層１３０は、ＰＭＯＳトランジスタ９００のドレイン１８３とドレイン配線１７０ａ、１７０ｂを介して接続されている。ＰＭＯＳトランジスタ９００のソース１８４はグランド（Ｓｉ基板１２４）に接続されている。耐キャビテーション層１３０をＰＭＯＳトランジスタ９００に接続するための配線は、配線層を使用して形成してもよい。
【００３９】
ＰＭＯＳトランジスタ９００のゲート１８５にロウレベルの信号が入力された状態（ドレイン−ソース間が導通状態）では、耐キャビテーション層１３０は電気的にＳｉ基板１２４に接続された状態になる。この状態でＥＳＤが発生し、耐キャビテーション層１３０に電荷が流れ込んだ場合でも、即座にＳｉ基板１２４へ電荷を逃がしてくれる構成となっている。
【００４０】
また、パッド１６０は、配線１８６を介してＰＭＯＳトランジスタ９００のゲート１８５と接続されている。ＰＭＯＳトランジスタ９００のゲートはＰｏｌｙ−Ｓｉ層１２３で形成された抵抗を介してＳｉ基板１２４に接続されている。この配線１８６は、抵抗とも接続されている。従って、ＰＭＯＳトランジスタ９００のゲートは、この抵抗によりグランドへプルダウンされている。従って、外部から外部接続パッド１６０を介してＰＭＯＳトランジスタ９００のゲートへハイレベルの信号を送らない限りドレイン−ソース間が導通状態となる。そのため、記録素子基板３０１の製造工程の段階などの信号が送れない状態でＥＳＤが発生しても、その電荷はＳｉ基板１２４へ逃がされる構成となっている。
【００４１】
図３（ａ）は、図１に示した構成を含む記録素子基板３０１全体の上面を示す図である。図３（ａ）において、分離して設けられた耐キャビテーション層１３０それぞれに対し、ＰＭＯＳトランジスタ９００を設けている。
【００４２】
記録素子基板３０１の製造工程の段階で耐キャビテーション層１３０と配線層の間で導通がないかを確認する場合は、ＰＭＯＳトランジスタ９００のゲートに接続された外部接続パッド１６０にハイレベルの信号を送る。ＰＭＯＳトランジスタ９００のゲート１８５にハイレベルの信号が入力されることで、ＰＭＯＳトランジスタ９００のドレイン−ソース間は切断状態となる。これにより、耐キャビテーション層１３０と配線層の間での導通検査において半導体特性を持った状態であっても、電圧の印加の方法を変えて様々な特性を確認することができ、正確な耐キャビテーション層１３０と配線層の導通検査を行えることとなる。
【００４３】
＜第２の実施形態＞
図３（ｂ）は、本願発明に係る第２の実施形態を示す。第１の実施形態にて示した図３（ａ）の構成との違いは、分離されて配置された耐キャビテーション層１３０を一つのＰＭＯＳトランジスタ９００のドレインに接続している点である。
【００４４】
本実施形態に係る構成により、図３（ａ）の構成に比べ、ＰＭＯＳトランジスタ９００の形成領域および外部接続パッド１６０の領域を削減できる。
【００４５】
＜第３の実施形態＞
図３（ｃ）は、本願発明に係る第３の実施形態を示す。第１の実施形態にて示した図３（ａ）の構成との違いは、ＰＭＯＳトランジスタ９００を耐キャビテーション層１３０の両側に設けている点である。つまり、記録素子基板３０１は、耐キャビテーション層１３０を挟んで両側に外部接続パッド１６０を備えており、これらと耐キャビテーション層１３０との間にそれぞれＰＭＯＳトランジスタ９００を設けている。言い換えると、１の耐キャビテーション層１３０は、複数のＰＭＯＳトランジスタ９００に接続されることとなる。
【００４６】
本実施形態に係る構成により、記録素子基板３０１のチップ長、更には、耐キャビテーション層１３０が長くなった場合でも、耐キャビテーション層１３０の中央部とＧＮＤ間の抵抗値を比較的低くすることができる。そのため、ＥＳＤが発生し、耐キャビテーション層１３０のどこに電荷が流れ込んでも、よりＧＮＤ側へ電荷が逃げやすい構成となる。
【００４７】
なお、図３（ｃ）の構成では、１の耐キャビテーション層１３０（の列）に対して、２のＰＭＯＳトランジスタ９００が接続される例を示している。しかし、これに限定するものではなく、例えば、耐キャビテーション層１３０のサイズに応じて、３以上のＰＭＯＳトランジスタ９００が接続されるようにしてもよい。
【００４８】
＜第４の実施形態＞
本願発明に係る第４の実施形態について説明する。記録ヘッドに搭載される記録素子基板は、使用し続けるとヒータが断線に至ることがある。そこで、この課題を考慮した構成について説明する。
【００４９】
図６（ａ）は、記録素子基板３０１において、ヒータ１０１の断線が発生した状態を説明するための図である。ここで、ヒータ層が上層の耐キャビテーション層１３０とショートしたとする。すると、ヒータ１０１を駆動するために電圧を印加したとき、耐キャビテーション層１３０を介してＰＭＯＳトランジスタ９００のソースが接続されたＧＮＤ側へ電流が流れ込んでしまうという不具合が発生する。
【００５０】
このような不具合が発生しないようにするためには、ヒータ１０１を駆動する時は、耐キャビテーション層１３０とＧＮＤを切り離す必要がある。そこで、本実施形態では、ヒータ１０１を駆動する時は、図６（ｂ）に示すように、常にＰＭＯＳトランジスタ９００をオン状態（ドレイン−ソース間が切断状態）にし、耐キャビテーション層１３０とＰＭＯＳトランジスタ９００のソースが接続されたＧＮＤとを切り離すように制御する。ここでの制御は、例えば、記録装置５００が備えるコントローラ（不図示）により、外部接続パッド１６０を介して、ＰＭＯＳトランジスタ９００をオン状態とする制御を行うことで実現できる。
【００５１】
本実施形態に係る制御により、ヒータ層が上層の耐キャビテーション層１３０とショートした場合にも、電圧を印加したとしても、耐キャビテーション層１３０を介してＧＮＤ側へ電流が流れ込んでしまうという不具合を防止することができる。
【００５２】
＜第５の実施形態＞
本願発明に係る第５の実施形態について説明する。
【００５３】
図４（ａ）は、本実施形態に係る記録素子基板３０１の構成例を示す図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＹ−Ｙ’の断面を示す図である。流路形成部材２００ｂの端部２００ｃにおいて、流路形成部材２００ｂ下に金属層１３６が形成されている。金属層１３６は、例えば、耐キャビテーション層１３０と同じ工程で同材料を用いて形成してもよい。図４（ａ）に示すように、金属層１３６は、ＰＭＯＳトランジスタ９００のドレイン側に電気的に接続される。
【００５４】
ＥＳＤが発生し、流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａに電荷が帯電した場合を想定する。図１１に示したように、耐キャビテーション層１３０と流路形成部材２００ｂ、更には吐出口形成部材２００ａは接触して形成されている。この場合に、金属層１３６は、流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａの表面を通り流路形成部材２００ｂの端部２００ｃに移動してきた電荷を、ＰＭＯＳトランジスタ９００を介してＧＮＤ側に逃がす役割を有する。
【００５５】
本実施形態に係る構成により、絶縁層である保護層１４２を絶縁破壊して記録素子基板３０１内に形成される電気回路に電荷が流れ込むことを抑制できる。
【００５６】
なお、本実施形態の構成と、第１〜第４の実施形態にて述べた構成とを組み合わせてもよい。
【００５７】
＜第６の実施形態＞
本願発明に係る第６の実施形態について説明する。
【００５８】
図５（ａ）は、流路形成部材２００ｂによる応力緩和のために、流路形成部材２００ｂの一部除去し、これにより形成される溝部１４８を示している。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ−Ｚ’の断面を示す図である。流路形成部材２００ｂの溝部１４８において、流路形成部材２００ｂ下に金属層１４９を形成している。金属層１４９は、例えば、耐キャビテーション層１３０と同じ工程で同材料を用いて形成してもよい。図５（ａ）に示すように、金属層１４９は、ＰＭＯＳトランジスタ９００のドレイン側に電気的に接続される。
【００５９】
ＥＳＤが発生し、流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａに電荷が帯電した場合を想定する。この場合に、金属層１４９は、流路形成部材２００ｂおよび吐出口形成部材２００ａの表面を通り流路形成部材２００ｂの溝部１４８に移動してきた電荷を、ＰＭＯＳトランジスタ９００を介してＧＮＤ側に逃がす役割を有する。
【００６０】
本実施形態に係る構成により、絶縁層である保護層１４２を絶縁破壊して記録素子基板３０１内に形成される電気回路に電荷が流れ込むことを抑制できる。
【００６１】
なお、本実施形態の構成と、第１〜第５の実施形態にて示した構成とを組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１０１…ヒータ、１０５…駆動回路、１３０…耐キャビテーション層、１３６…金属層、１４２…保護層、２００ａ…吐出口形成部材、２００ｂ…流路形成部材、１６０…外部接続パッド、９００…ＰＭＯＳ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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