(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ処理チャンバのセラミック含有コンポーネントを処理する装置を提供する。【解決手段】メガソニック調整溶液を保持するタンク１０８がメガソニック調整溶液で満たされているときに、取付台１１２が、コンポーネント１１０を保持する。メガソニック調整溶液投入システムが、メガソニック調整溶液をタンクに送る。メガソニックトランスデューサヘッド１４４が、メガソニックエネルギをメガソニック調整溶液に提供するための少なくとも１つのメガソニックトランスデューサを含み、メガソニックエネルギは、メガソニック調整溶液を通じてコンポーネントに送られる。コンポーネントがメガソニック調整溶液内で保持されているところの上方の位置で、メガソニック調整溶液排出システムが、メガソニック調整溶液をタンクから排出する。アクチュエータ１４８が、メガソニックトランスデューサヘッドをタンクの端から端に移動させる。【選択図】図１Ａ
2018187623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバのコンポーネントを調整するための装置であって、
メガソニック調整溶液を保持するためのタンクと、
前記タンクが前記メガソニック調整溶液で満たされているときに、前記メガソニック調整溶液内に浸漬された前記コンポーネントを保持するための取付台と、
前記メガソニック調整溶液を前記タンクに送るためのメガソニック調整溶液投入システムと、
メガソニックエネルギを前記メガソニック調整溶液に提供するための少なくとも１つのメガソニックトランスデューサを含む、長さを有するメガソニックトランスデューサヘッドであって、前記メガソニックエネルギは、前記メガソニック調整溶液を通じて前記コンポーネントに送られる、メガソニックトランスデューサヘッドと、
前記コンポーネントが前記メガソニック調整溶液内で保持されているところの上方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクから排出するためのメガソニック調整溶液排出システムと、
前記コンポーネントが前記メガソニック調整溶液内で保持されているところの上方で、前記メガソニックトランスデューサヘッドを前記タンクの端から端に移動させるためのアクチュエータと、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記メガソニック調整溶液を循環させるためのポンプと、
脱気膜と、
前記メガソニック調整溶液から汚染物質をフィルタリング除去するための少なくとも１つのフィルタと、
を備え、
前記ポンプ、前記脱気膜、及び前記少なくとも１つのフィルタは、前記メガソニック調整溶液排出システムと前記メガソニック調整溶液投入システムとの間で直列に流体接続されている、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、更に、
前記メガソニック調整溶液を加熱するために、前記ポンプと直列に流体接続されているヒータを備える装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記メガソニック調整溶液排出システムは、
前記メガソニック調整溶液が前記タンクから流れることを可能にするように構成された放出路と、
前記放出路から流れる前記メガソニック調整溶液を捕らえるための樋と、
を含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記放出路は、堰によって形成される、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
メガソニック調整溶液投入システムは、前記コンポーネントが前記タンク内で装着されるところの下方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクに流し入れるための少なくとも１つの入口を含む、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記タンクは、非金属製の側面を含む、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記アクチュエータは、前記メガソニックトランスデューサヘッドを、前記メガソニックトランスデューサヘッドの長さに実質的に垂直な方向に移動させる、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記メガソニックトランスデューサヘッドは、前記少なくとも１つのメガソニックトランスデューサと前記メガソニック調整溶液との間に位置決めされる石英製のケースを含む、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、更に、
少なくとも１つの発電器を備え、前記少なくとも１つの発電器は、前記メガソニックトランスデューサヘッドが少なくとも２ワット／ｃｍ2の電力を前記メガソニック調整溶液に提供するように、十分な電力を前記メガソニックトランスデューサヘッドに提供する、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記メガソニックトランスデューサヘッドに取り付けられたソケット及びボールを備える装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、
前記メガソニックトランスデューサヘッドの前記長さは、前記タンクの一辺の端から端に架かる、装置。
【請求項１３】
ウエハ処理チャンバのコンポーネントを調整するための方法であって、
前記コンポーネントをタンク内のメガソニック調整溶液に沈め、
前記コンポーネントを洗浄するために、前記メガソニック調整溶液を通じて前記コンポーネントにメガソニックエネルギを加える、
ことを備える方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、更に、
前記コンポーネントを前記メガソニック調整溶液に沈める前に、前記コンポーネントに対して第１の洗浄を実施することを備える方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１の洗浄を実施することは、
前記コンポーネントを超音波溶液タンク内の超音波調整溶液に入れ、
前記コンポーネントを洗浄するために、前記超音波調整溶液を通じて前記コンポーネントに超音波エネルギを加える、
ことを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１の洗浄を実施することは、前記コンポーネントにドライアイスを噴射することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であって、更に、
前記メガソニックエネルギを加えている最中に、前記メガソニック調整溶液を流れさせることを備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記メガソニック調整溶液を流れさせることは、
前記タンク内の前記メガソニック調整溶液を、
前記メガソニック調整溶液を前記タンクに流し入れ、
前記メガソニック調整溶液を前記タンクから排出し、
前記メガソニック調整溶液を前記タンク内に流し戻す、
ことによって再循環させ、
前記メガソニック調整溶液を排出した後で尚且つ前記メガソニック調整溶液を前記タンク内に流し戻す前に、少なくとも１つのフィルタに前記メガソニック調整溶液を通らせる、
ことを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、
前記メガソニック調整溶液を流れさせることは、前記メガソニック調整溶液を１回通らせる、方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の方法であって、
前記コンポーネントを前記メガソニック調整溶液に沈めることは、前記コンポーネントを前記タンク内の取付台の上に搭載することを含み、
前記メガソニック調整溶液を流れさせることは、
前記コンポーネントが前記タンク内で搭載されるところの下方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクに流し入れ、
前記コンポーネントが前記タンク内で搭載されるところの上方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクから排出する、
ことを含む、方法。
【請求項２１】
請求項１３に記載の方法であって、
前記メガソニックエネルギは、複雑な幾何学的構成を伴う過大サイズのコンポーネントが前記メガソニック調整溶液を通じて前記メガソニックエネルギを受け取ることができるように加えられる、方法。
【請求項２２】
請求項１３に記載の方法であって、
前記コンポーネントは、セラミック含有コンポーネントである、方法。
【請求項２３】
処理チャンバのコンポーネントを調整するための装置であって、
メガソニック調整溶液を保持するためのタンクと、
前記タンクがメガソニック調整溶液で満たされているときに、前記メガソニック調整溶液内に浸漬された前記コンポーネントを保持するための取付台と、
前記メガソニック調整溶液を前記タンクに送るためのメガソニック調整溶液投入システムと、
前記タンク内に置かれた少なくとも１つの固定のメガソニックトランスデューサを含むメガソニックトランスデューサヘッドであって、前記メガソニックトランスデューサは、メガソニックエネルギを前記メガソニック調整溶液に提供するためであり、前記メガソニックエネルギは、前記メガソニック調整溶液を通じて前記コンポーネントに送られる、メガソニックトランスデューサヘッドと、
前記コンポーネントが前記メガソニック調整溶液内で保持されているところの上方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクから排出するためのメガソニック調整溶液排出システムと、
を備える装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置であって、
前記コンポーネントは、前記コンポーネントの厚さの少なくとも５倍の高さを有し、前記取付台は、前記コンポーネントの高さが実質的に垂直であるように前記コンポーネントを保持し、前記タンクは、前記タンクの幅の少なくとも５倍の高さを有する、装置。
【請求項２５】
請求項２３に記載の装置であって、更に、
前記メガソニック調整溶液を循環させるためのポンプと、
脱気膜と、
前記メガソニック調整溶液から汚染物質をフィルタリング除去するための少なくとも１つのフィルタと、
を備え、
前記ポンプ、前記脱気膜、及び前記少なくとも１つのフィルタは、前記メガソニック調整溶液排出システムと前記メガソニック調整溶液投入システムとの間で直列に流体接続されている、装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の装置であって、更に、
前記メガソニック調整溶液を加熱するために、前記ポンプと直列に流体接続されているヒータを備える装置。
【請求項２７】
請求項２３に記載の装置であって、
前記メガソニック調整溶液排出システムは、
前記メガソニック調整溶液が前記タンクから流れることを可能にするように構成された放出路と、
前記放出路から流れる前記メガソニック調整溶液を捕らえるための樋と、
を含む、装置。
【請求項２８】
請求項２３に記載の装置であって、
前記メガソニック調整溶液投入システムは、前記コンポーネントが前記タンク内で装着されるところの下方の位置で、前記メガソニック調整溶液を前記タンクに流し入れるための少なくとも１つの入口を含む、装置。
【請求項２９】
請求項２３に記載の装置であって、
前記タンクは、非金属製の側面を含む、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、あらゆる目的のために本書に組み込まれる２０１７年５月３日付けの米国仮出願第６２／５００，６８８号の優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、セラミックコンポーネントを調整するための方法に関する。本開示は、特に、ウエハ処理チャンバに使用するためのセラミックコンポーネントを調整するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体デバイスの形成では、基板を処理するためにウエハプラズマ処理チャンバが使用される。プラズマ処理チャンバには、誘電体電力窓、ガス注入器、エッジリング、電極、シャワーヘッド、高流量ライナ、及び静電チャックなどの、セラミック含有コンポーネントを有するものがある。
【発明の概要】
【０００４】
上記を実現するために、及び本開示の目的にしたがって、処理チャンバのコンポーネントを調整するための装置が提供される。タンクが、メガソニック調整溶液を保持する。タンクがメガソニック調整溶液で満たされているときに、取付台が、メガソニック調整溶液内に浸されたコンポーネントを保持する。メガソニック調整溶液投入システムが、メガソニック調整溶液をタンクに送る。メガソニックトランスデューサヘッドが、メガソニックエネルギをメガソニック調整溶液に提供するための少なくとも１つのメガソニックトランスデューサを含み、メガソニックエネルギは、メガソニック調整溶液を通じてコンポーネントに送られる。コンポーネントがメガソニック調整溶液内で保持されているところの上方の位置で、メガソニック調整溶液排出システムが、メガソニック調整溶液をタンクから排出する。コンポーネントがメガソニック調整溶液内で保持されているところの上方で、アクチュエータが、メガソニックトランスデューサヘッドをタンクの端から端に移動させる。
【０００５】
別の一形態では、ウエハ処理チャンバのコンポーネントを調整するための方法が提供される。コンポーネントは、タンク内のメガソニック調整溶液に沈められている。コンポーネントを洗浄するために、メガソニックエネルギが、メガソニック調整溶液を通じてコンポーネントに加えられる。
【０００６】
別の一形態では、処理チャンバのコンポーネントを調整するための装置が提供される。タンクが、メガソニック調整溶液を保持する。タンクがメガソニック調整溶液で満たされているときに、取付台が、メガソニック調整溶液内に浸されたコンポーネントを保持する。メガソニック調整溶液投入システムが、メガソニック調整溶液をタンクに送る。メガソニックエネルギをメガソニック調整溶液に提供するために、少なくとも１つの固定のメガソニックトランスデューサを含むメガソニックトランスデューサヘッドが、タンク内に配置され、メガソニックエネルギは、メガソニック調整溶液を通じてコンポーネントに送られる。コンポーネントがメガソニック調整溶液内で保持されているところの上方の位置で、メガソニック調整溶液排出システムが、メガソニック調整溶液をタンクから排出する。
【０００７】
本開示のこれらの及びその他の特徴が、本開示の詳細な説明の中で、以下の図面と関連付けて更に詳しく後述される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示は、添付の図面の中で、限定的なものではなく例示的なものとして示され、図中、類似の参照符号は、同様の要素を指すものとする。
【０００９】
【図１Ａ】一実施形態で使用されるメガソニック処理モジュールの側面模式図である。
【００１０】
【図１Ｂ】図１Ａのメガソニック処理モジュールの上面模式図である。
【００１１】
【図１Ｃ】図１Ａのメガソニック処理モジュールの、図１Ａとは反対の側から見た側面模式図である。
【００１２】
【図２】一実施形態のハイレベルフローチャートである。
【００１３】
【図３】一実施形態におけるセラミック含有コンポーネントプロセスの拡大断面図である。
【００１４】
【図４】セラミック含有コンポーネントの前調整の、更に詳細なフローチャートである。
【００１５】
【図５】後プロセスの、更に詳細なフローチャートである。
【００１６】
【図６】メガソニック洗浄・後処理システムの模式図である。
【００１７】
【図７】一実施形態で使用されてよいプラズマ処理チャンバの一例を模式的に説明した図である。
【００１８】
【図８】４０ｋＨｚ超音波エネルギ及びその後に続く脱イオン水すすぎを使用した洗浄を経た後の、アルミナ表面の画像及び拡大画像である。
【００１９】
【図９】９５０ｋＨｚメガソニックエネルギ及び脱イオン水洗浄を経た後の、アルミナ表面の拡大画像である。
【００２０】
【図１０Ａ】９５０ｋＨｚメガソニックエネルギ及びその後に続く脱イオン水すすぎを使用した洗浄の前の、イットリア表面の画像である。
【図１０Ｂ】９５０ｋＨｚメガソニックエネルギ及びその後に続く脱イオン水すすぎを使用した洗浄の後の、イットリア表面の拡大画像である。
【００２１】
【図１１Ａ】別の一実施形態で使用されるメガソニック処理モジュールの模式説明図である。
【図１１Ｂ】別の一実施形態で使用されるメガソニック処理モジュールの模式説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
添付の図面に例示される幾つかの好ましい実施形態を参照にして、本開示の詳細な説明が成される。以下の説明では、本開示の完全な理解を与えるために、具体的詳細が特定されている。しかしながら、当業者にならば、本開示が、これらの具体的詳細の一部又は全部を伴わずに実施されてもよいことが明らかである。また、本開示を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセス工程及び／又は構造の詳細な説明は省略される。
【００２３】
エッチングツール、剥ぎ取りツール、洗浄ツール、及び堆積ツールを含む半導体製作機器プロセスモジュールは、アルミナ、並びに／又はジルコニア及びイットリアをベースにした被膜を伴うアルミナなどの、多結晶セラミック材料で、様々な形状、サイズ、及び幾何学的構成に作成された、重要なチャンバハードウェアコンポーネントを使用する。これらの材料は、コンポーネントに作成されるときに、多数の表面汚染物質源を取り込まれることが多く、これらの汚染物質には、組織形態及びサイズを様々とする緩く結合した固体として現れる有機残留物、無機金属／イオン不純物、及び粒子があり、数百ミクロンからサブミクロン、小さくは数十ナノメートルの範囲にわたる。これらの粒子は、非常に望ましくなく、例えばコンポーネント製作機械加工プロセス（研削、ラッピング、研磨）中に材料上に載ることがある、又は場合によっては被膜プロセスの副生成物としてバルク上層表面形態内にもとから組み込まれることがある。通常は２８ｎｍまで計測可能であるプロセス適格性確認及び粒子監視の成功を保証するためには、任意のエッチングモジュールコンポーネント、堆積モジュールコンポーネント、又は洗浄モジュールコンポーネントにその設置前又は設置時に、サブミクロンサイズ及びナノサイズの粒子が載らないようにする必要がある。そうでないと、プロセスモジュールの初始動時に、清浄でないコンポーネントによってウエハ上に数々の欠陥問題が生じることが避けられない。これは、始動時間、製品収率、及び全体的な生産性に対して望ましくない悪影響をもたらす。
【００２４】
これらの課題を念頭に置くと、新しく製作された重要チャンバコンポーネントのセラミック表面は、大きめのミクロンサイズ粒子の除去を対象とするのみならず、３０〜８００ナノメートル未満の望ましくない全ての小サイズ粒子も排除する強固な洗浄方法を使用して、高い精度で洗浄されなければならない。コンポーネント洗浄のための、噴射、拭き取り、有機溶剤への浸漬、水溶性ベースの界面活性剤、無機酸混合物、アルカリ性混合剤、加圧すすぎ、及び超音波処理などの旧来の手段を使用して、ミクロンサイズの粒子を除去するやり方が知られている。例えば、プラズマエッチング・堆積プロセスツールの顧客にサービス提供しているセラミックコンポーネント製造供給元及びコンポーネント洗浄供給元は、従来のウェット化学洗浄（脱脂のための洗浄剤や、硝酸、フッ酸、リン酸、及び硫酸などの、金属汚染物質除去のための高濃度無機酸）に依存する。コンポーネントを洗浄するために、様々な界面活性剤及びその後に続く４０ｋＨｚから数百ｋＨｚの範囲にわたる周波数で動作する超音波機器を使用した仕上げの脱イオン水すすぎが使用される。汚染及び粒子の除去を対象としたこれらの方法は、粒子の粒径がサブミクロンからナノメートルに近づくにつれて効率が落ちることが知られている。これらの旧来のコンポーネント洗浄手法は、様々な形状、サイズ、及び幾何学的構成のコンポーネントを扱うように設計されているが、仕上がったコンポーネントのセラミック表面からナノメートルからサブミクロンのサイズの粒子を効果的に除去する機能には欠けている。このギャップが、チャンバ内に設置された新しく製造されたコンポ―ネントに対して数々の品質問題を招き、モジュール始動時に高い粒子欠陥率をもたらすことがわかっている。これまでの次善策は、期待される仕様まで粒子レベルを下げるために、チャンバ内のシーズニング時間を延ばすことであった。このような粒子は、非常に望ましくなく、チャンバの生産性に悪影響を与える。更に、再現可能な低粒子安定状態プロセス条件を得るためにプラズマチャンバをシーズニングする策の主な問題は、このような調整時間、供給、及びリソースが費用の増加及び複雑性の増大を招き、生産性に悪影響を及ぼすことである。したがって、新着のコンポーネントは、チャンバ設置前に成される粗い前調整処置と仕上げの精密洗浄処置とで成る方法を通じて、サブミクロンからナノメートルの粒子サイズについても優れた粒子清浄度を示すことが望ましいだろう。このような方法は、より経済的で且つ生産的だろう。
【００２５】
一実施形態は、アルミナを有する、及び／又はジルコン、イットリア、若しくはこれらの組み合わせなどのその他のセラミック材料で被膜されたアルミナを有するセラミックコンポーネントの表面を、調整及び精密洗浄するための、方法と装置とを提供する。場合によっては、セラミックコンポーネントは、剥き出しのアルミニウム表面を有していてもよい、及び／又は陽極酸化アルミニウム表面が露出していてもよい。ただし、チャンバコンポーネントにも、代替の材料が使用されてよいことがある。このような材料は、シリコンウエハなどの半導体基板が中で処理されるプラズマエッチングプロセスチャンバモジュール用又は堆積プロセスチャンバモジュール用のコンポーネントを構築するために使用されるのが一般的である。幾つかの例として、静電チャック（ＥＳＣ）セラミック板、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）セラミック被膜窓、セラミックガス注入器、数々のタイプの堆積シャワーヘッド、及び／又はその他のセラミック被膜陽極酸化アルミニウムコンポーネントが挙げられる。したがって、アルミナ及びその他のセラミックをベースとする材料で作成されたこれらの新しい重要コンポーネントは、サブミクロンから小さくはナノメートルまで全てのサイズの粒子を含む望ましくない有機及び無機の汚染物質を全て効果的に除去するために、極めて強固な精密洗浄方法を必要とする。粒状物質は、繰り返される材料堆積で新しいコンポーネントが作成されている間に、時間とともに蓄積することがあり、例えば、コンポーネントに被膜させる吹き付けプロセスでは、バルク層組織形態の上に望ましくない汚染物質が堆積することがある。或いは、粒状物質は、研削、ラッピング、及び研磨のプロセスなどによって所望の表面仕上げを実現するために使用される任意の連続工程に源を発することもある。もし洗浄されないと、エッチング、堆積、又は洗浄のためのいずれのモジュールコンポーネントであれ、そのコンポーネントに載ったサブミクロン及びナノメートルのサイズの粒子が、プロセスモジュールの初始動時にウエハ上に数々の欠陥問題を招くことが避けられず、それによって、始動時間、製品収率、及び全体的な生産性に対し、望ましくない悪影響が及ぶ恐れがある。
【００２６】
図１Ａは、一実施形態で使用されるメガソニック処理モジュール１０４の模式側断面図である。この例では、メガソニック処理モジュール１０４は、電力窓であるセラミック含有コンポーネント１１０が中に置かれるタンク１０８を含む。セラミック含有コンポーネント１１０は、コンポーネント取付台１１２によって支えられ、該取付台は、セラミック含有コンポーネント１１０を保持するための籠であってよい。タンク１０８は、少なくとも１つの堰１１４を有し、該堰は、タンク内における最下点を形成し、放出路として機能する。この実施形態では、タンク１０８の頂部全体が、最下点であり、したがって、堰を形成している。メガソニック調整溶液１１６が、タンク１０８を堰１１４の頂部まで満たす。メガソニック調整溶液１１６は、堰１１４を超えて、タンク１０８の側部に装着された樋１１８に流れ込む。樋１１８は、堰１１４から溢れ出すメガソニック調整溶液１１６を捕らえる。樋排出管１２０が、樋１１８からポンプ１２２を経てメガソニック調整溶液１１６を排出させる。少なくとも１つの堰１１４と、樋１１８と、樋排出管１２０とによって形成される放出路は、メガソニック調整溶液排出システムを形成する。ヒータ１２４が、樋排出管１２０及びポンプ１２２と流体接続されている。脱気膜を含む脱気ユニット１２８が、ヒータ１２４とフィルタ１３２との間に流体接続されている。フィルタ１３２は、脱気ユニット１２８及びメガソニック調整溶液投入システム１３６と流体接続されている。樋排出管１２０は、送出導管１４０と流体接続されている。走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４が、タンク１０８の上方に位置決めされる。走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、セラミック含有コンポーネントの上方でメガソニックトランスデューサヘッド１４４をタンク１０８の端から端に移動させるためのアクチュエータ１４８に取り付けられる。メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、タンク１０８の一辺（一寸法）の端から端に架かってタンク１０８の別の一辺の端から端に移動してよい。この例では、メガソニック調整溶液１１６は、少なくとも８のｐＨを有するアルカリ溶液である。この例では、メガソニック調整溶液は、希釈水酸化アンモニウムと水（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ）、又はＳＣｌ溶液と呼ばれる（１：１：５）の容量比の水酸化アンモニウムと過酸化水素と水（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ）である。
【００２７】
図１Ｂは、メガソニック処理モジュール１０４の模式上面図である。メガソニック処理モジュール１０４は、電力窓であるセラミック含有コンポーネント１１０が中に置かれるタンク１０８を含む。樋１１８は、タンク１０８の側部に装着される。走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、タンク１０８の上方に位置決めされる。走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４の長さに沿って置かれた複数のメガソニックトランスデューサ１６４を囲う石英製のケース１６０を含む。アクチュエータ１４８は、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４の長さに実質的に垂直に、タンク１０８の端から端にメガソニックトランスデューサヘッド１４４を移動させる。タンク１０８の側面は、メガソニック調整溶液１１６と相互に作用しないように、プラスチックなどの非金属製である。各メガソニックトランスデューサ１６４は、少なくとも１つの発電器１７２に接続され、該少なくとも１つの発電器１７２は、メガソニックトランスデューサヘッド１４４が少なくとも２ワット／ｃｍ2の電力を提供するように、十分な電力をメガソニックトランスデューサヘッド１４４に提供する。
【００２８】
図１Ｃは、メガソニック処理モジュール１０４の模式側面図である。メガソニック処理モジュール１０４は、図１Ａに示された側断面図とは反対側である。支持走路１８０が、タンク１０８の側部に提供される。図１Ｂに示されるように、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４の長さの第１の側で、アクチュエータ１４８によって支えられる。走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４の第２の側は、ソケットケース１８４に取り付けられる。ボール１８８が、ソケットケース１８４内に装着され、支持走路１８０上に載っている。支持走路１８０、ソケットケース１８４、及びボール１８８は、走査型トランスデューサヘッドの長さの第２の側のための支えを提供する。この支えは、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４の位置決めに対する制御を強化する。
【００２９】
図２は、コンポーネントを調整するための一実施形態のハイレベルフローチャートである。この実施形態では、セラミック含有コンポーネントが、前調整される（工程２０４）。セラミック含有コンポーネントは、メガソニック調整溶液内に置かれる（工程２０８）。メガソニックエネルギが、メガソニック調整溶液を通じてセラミック含有コンポーネントに加えられる（工程２１２）。後処理プロセスが、セラミック含有コンポーネント１１０に提供される（工程２１６）。セラミック含有コンポーネント１１０は、ウエハ処理チャンバの一部になるように装着される（工程２２０）。セラミック含有コンポーネントは、シーズニングを経る（工程２２４）。ウエハが、処理チャンバ内で処理される（工程２２８）。
【００３０】
好ましい一実施形態では、セラミック含有コンポーネントが、第１の洗浄プロセスで前調整される（工程２０４）。図３は、電力窓であるセラミック含有コンポーネント１１０の拡大断面図である。電力窓は、セラミック窓ボディ３０４を含む。セラミック窓ボディ３０４は、１種類の材料又は２種類以上の異なる材料で成ってよい。好ましくは、セラミック窓ボディ３０４は、ケイ素（Ｓｉ）、石英、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は炭化アルミニウム（ＡｌＣ）のうちの少なくとも１つを含む。セラミック窓ボディ３０４は、保護セラミック被膜を有してよい。
【００３１】
セラミック含有コンポーネント１１０は、前調整される（工程２０４）。図４は、セラミック含有コンポーネント１１０の前調整（工程２０４）の、更に詳細なフローチャートである。セラミック含有コンポーネント１１０は、スクラブされる（擦られる）（工程４０４）。セラミック含有コンポーネント１１０は、研磨される（工程４０８）。セラミックコンポーネントは、噴射を受ける（工程４１２）。セラミックコンポーネントは、超音波で洗浄される（工程４１６）。
【００３２】
この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０のスクラブ（工程４０４）は、手動で成されてよい、又は酸化アルミニウム若しくは炭化ケイ素などの材料で作成されたＳｃｏｔｃｈ  Ｂｒｉｔｅ（商標）スクラブパッドなどの自動パッドによって成されてよい。
【００３３】
この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０の研磨（工程４０８）は、手動で成されてよい、又はダイヤモンドをベースにしたスラリ、有機ベースの潤滑剤、シリカ若しくはアルミナのペースト、若しくはダイヤモンド製のパッドなどの研磨媒体を含有した自動の研磨パッド若しくは研磨板によって成されてよい。
【００３４】
この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０の噴射（工程４１２）は、セラミック含有コンポーネント１１０の表面にドライアイスの細かい固体粒子屑を衝突させることを含む。ドライアイスの粒状物質は、先ず、０．５〜２ポンド／分の速度でホッパに供給することによって作成される。これらの粒状物質は、おおよそ３０秒間からおおよそ２０分間にわたっておおよそ２５ｐｓｉからおおよそ７５ｐｓｉの圧力の清浄な圧縮空気によって、セラミック含有コンポーネント１１０の対象表面に向けて噴射される。前調整は、次いで、残留する砕片を除去するために、セラミック含有コンポーネント１１０の表面を拭き取る。その後、加圧すすぎが、２０ｐｓｉから４０ｐｓｉの脱イオン水によって、コンポーネントに噴射されたドライアイスを除去する。余分な水は、フィルタリングを経た窒素によって吹き飛ばされる。
【００３５】
この実施形態では、超音波によるセラミック含有コンポーネント１１０の洗浄（工程４１６）は、セラミック含有コンポーネントを超音波溶液タンク内の超音波調整溶液の超音波洗浄浴に入れることを含む。５分間からおおよそ６０分間にわたって４０ｋＨｚから２００ｋＨｚの間の周波数で超音波エネルギが提供される。
【００３６】
セラミック含有コンポーネントは、メガソニック調整溶液に入れられる（工程２０８）。この例では、セラミック含有コンポーネント１１０は、図１に示されるタンク１０８に入れられる。メガソニックエネルギが、メガソニック調整溶液を通じてセラミック含有コンポーネント１１０に加えられる（工程２１２）。メガソニックエネルギは、メガソニック調整溶液１１６を通じてセラミック含有コンポーネント１１０に加えられる。この例では、メガソニックエネルギ１５２は、おおよそ５分間からおおよそ６０分間にわたって９５０ｋＨｚ以上の周波数で、走査によってセラミック含有コンポーネント１１０の表面の各区域がおおよそ２〜１０ワット／ｃｍ2の電力密度を受ける電力で、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４によって加えられる。この実施形態では、メガソニック調整溶液１１６は、メガソニック調整溶液投入システム１３６を通じてタンク１０８にポンプ投入される。メガソニック調整溶液１１６は、樋１１８内へ、次いで樋排出管１２０内へ、次いでヒータ１２４内へ流れ込む。ヒータ１２４は、メガソニック調整溶液１１６を加熱する。脱気ユニット１２８は、メガソニック調整溶液１１６内の泡及び／又は気体を除去する又は減少させる。メガソニック調整溶液１１６は、次いで、フィルタ１３２に引き渡され、該フィルタは、メガソニック調整溶液１１６から粒子をフィルタリング除去する。ポンプ１２２、ヒータ１２４、脱気ユニット１２８、及びフィルタ１３２は、他の実施形態では異なる順番であってよい。各種の実施形態において、ポンプ１２２、ヒータ１２４、脱気ユニット１２８、及びフィルタ１３２は、異なる順番であってよく、メガソニック調整溶液排出システムとメガソニック調整溶液投入システムとの間で直列に流体接続されている。
【００３７】
この目的を達成するために、説明された洗浄順序は、バルク材料の個々の結晶粒の表面上に残る、とりわけナノメートルからサブミクロンのサイズの、粒子残留物を除去するのに非常に効果的であることが証明された。極めて難易度の高いトポグラフィ（即ち、表面の窪み内、表面結晶粒の上及び間、被膜形態内の山と谷）を見せるアルミナ表面が、一実施形態を使用して洗浄されることが証明された。洗浄は、また、様々な形状、幾何学的構成、及びサイズに作成される一部の重要ハードウェアコンポーネントの、滑らかな低算術平均（Ｒａ）研磨仕上げ表面に対しても、同等なナノサイズ粒子除去効率を実現する。洗浄は、また、粗い大きめのミクロンサイズの粒子汚染物質も除去する。
【００３８】
セラミック含有コンポーネント１１０は、後処理される（工程２１６）。図５は、後処理（工程２１６）の、更に詳細なフローチャートである。図６は、メガソニック洗浄・後処理システム６０４の模式図である。メガソニック洗浄・後処理システムは、メガソニック処理モジュール１０４と、すすぎタンク６０８と、メガソニックすすぎタンク６１２と、ドライヤタンク６１６とを含む。セラミック含有コンポーネント１１０は、メガソニック処理モジュール１０４内で洗浄された後、すすぎタンク６０８へ移動される。この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０は、セラミック含有コンポーネント１１０をすすぐために、水を吹き付けられる（工程５０４）。セラミック含有コンポーネント１１０は、次いで、メガソニックすすぎタンク６１２へ移動される。メガソニックすすぎタンク６１２は、メガソニック処理モジュール１０４と同様であってよい。メガソニックすすぎタンク６１２は、純粋な脱イオン水で満たされる。メガソニックすすぎタンク６１２は、セラミック含有コンポーネント１１０をメガソニック方式ですすぐために、純粋な脱イオン水を通じてメガソニックエネルギを提供する（工程５０８）。セラミック含有コンポーネント１１０は、ドライヤタンク６１６へ移動される。この実施形態では、ドライヤタンク６１６は、セラミック含有コンポーネント１１０を乾燥させるために、フィルタリングを経た加熱された乾燥窒素ガスを吹き付ける（工程５１２）。
【００３９】
セラミック含有コンポーネント１１０は、処理チャンバの一部になるように装着される（工程２２０）。図７は、一実施形態で使用されてよいプラズマ処理チャンバ７００の一例を模式的に説明している。プラズマ処理チャンバ７００は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４を中に有するプラズマリアクタ７０２を含む。整合回路網７０８によって微調整されるプラズマ電力供給部７０６が、トランス結合電力（ＴＣＰ）コイル７１０に電力を供給する。ＴＣＰコイル７１０は、電力窓の近くに配置され、これが、セラミック含有コンポーネント１１０である。プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内では、誘導結合電力の供給によって、プラズマ７１４が発生する。ＴＣＰコイル（上部電力源）７１０は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内に均一な拡散プロフィールを生じさせるように構成されてよい。例えば、ＴＣＰコイル７１０は、プラズマ７１４内にトロイダル電力分布を生じさせるように構成されてよい。電力窓は、ＴＣＰコイル７１０からプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４へエネルギを通過させることを許容しつつＴＣＰコイル７１０をプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４から分離するように提供される。整合回路網７１８によって微調整されるウエハバイアス電圧電力供給部７１６が、ウエハ７６４にかかるバイアス電圧を設定するために電極７２０に電力を供給する。ウエハ７６４は、電極７２０によって支えられる。
【００４０】
プラズマ電力供給部７０６及びウエハバイアス電圧電力供給部７１６は、例えば１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、４００ｋＨｚ、２．５４ＧＨｚ、又はこれらの組み合わせなどの特定の無線周波数で動作するように構成されてよい。プラズマ電力供給部７０６及びウエハバイアス電圧電力供給部７１６は、所望のプロセス性能を達成するために、一定の範囲内の電力を供給するように適切なサイズにされてよい。例えば、一実施形態では、プラズマ電力供給部７０６は、５０〜５０００Ｗの範囲の電力を供給してよく、ウエハバイアス電圧電力供給部７１６は、２０〜２０００Ｖの範囲のバイアス電圧を供給してよい。また、ＴＣＰコイル７１０及び／又は電極７２０は、２つ以上のサブコイル又はサブ電極で構成されてよく、これらは、１つの電力供給部又は複数の電力供給部によって通電されてよい。
【００４１】
図７に示されるように、プラズマ処理チャンバ７００は、更に、ガス源／ガス供給メカニズム７３０を含む。ガス源７３０は、ガス注入器７４０などのガス入口を通じてプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４と流体接続されている。ガス注入器７４０は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内の任意の都合のよい場所に配置されてよく、ガスを注入するための任意の形態をとってよい。好ましくは、しかしながら、ガス入口は、「微調整可能な」ガス注入プロフィールを形成するように構成されてよく、これは、プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内の複数のゾーンへのガスのそれぞれの流れを独立に調節することを可能にする。プロセスガス及び副生成物は、圧力制御弁７４２及びポンプ７４４を通じてプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４から除去され、プラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内を特定の圧力に維持する働きもする。圧力制御弁７４２は、処理中に、２トール未満に圧力を維持することができる。ウエハ７６４の周囲には、エッジリング７６０が置かれる。コントローラ７２４が、プラズマ電力供給部７０６、ガス源／ガス供給メカニズム７３０、及びウエハバイアス電圧電力供給部７１６のための点設定を行う。カリフォルニア州フリーモントのＬａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｒｐ．によるＫｉｙｏが、一実施形態を実施するために使用されてよい。
【００４２】
セラミック含有コンポーネント１１０は、シーズニングを経る（工程２２４）。セラミック含有コンポーネント１１０のシーズニングは、ウエハ処理を伴わずにプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４を使用することを伴う。処理中は、ダミーウエハが使用されてよいが、これらのダミーウエハは、シーズニング中は、ウエハ上にデバイスを提供するための処理を施されない。十分な数のシーズニングサイクル後は、ウエハ上に半導体デバイスを形成するために、ウエハがプラズマ処理閉じ込めチャンバ７０４内で処理される。
【００４３】
幾枚かのウエハの処理後は、コンポーネントを再洗浄する必要があるだろう。コンポーネントは、上記のプロセスを使用した洗浄のために、処理チャンバから取り出されてよい。
【００４４】
前調整工程（工程２０４）は、概ねミクロンサイズ及びそれを超えるサイズの粒子を除去する。このような大きめの汚染物質は、従来のプロセスを使用して除去されている。セラミックコンポーネントをメガソニック調整溶液に入れ（工程２０８）、メガソニックエネルギを加える（工程２１２）ことを含む調整プロセスは、サブミクロン及びナノメートルのサイズの粒子を、従来のプロセスでは達成できない程度まで除去する。サブミクロン及びナノメートルのサイズの粒子の除去は、シーズニング時間の短縮又は排除を可能にする。コンポーネントのシーズニングに必要とされる時間の排除又は短縮は、ウエハを処理するためのチャンバ処理時間を長くとることを可能にする。また、コンポーネントの交換と交換との間に、より多くの処理が実現されるだろう。また、シーズニングのために必要とされる電力及びその他のリソースが少なくてすむ。
【００４５】
好ましくは、メガソニック波は、少なくとも８００ｋＨｚの周波数を有するとして定義される。超音波は、７６０ｋＨｚ以下であるとして定義される。
【００４６】
実施形態は、（化学／メガソニック）後洗浄後の多結晶アルミナ表面及びイットリア被膜表面の走査型電子顕微鏡画像に示されるように、極めて優秀に洗浄されたアルミナ表面及びイットリア表面などのセラミックスを得る。これらの洗浄結果は、これまでのところ、旧来の洗浄プロセスの使用では比較にならない。これは、製造供給元又はコンポーネント洗浄供給元のいずれも、登録されたそれらの旧来のプロセスの使用によって等価な洗浄結果を実現できていない、という事実ゆえである。開示された洗浄方法は、サブミクロンから小さくは数十ナノメートルのサイズ範囲の小サイズ粒状汚染物質を見せないセラミック表面を得る。この観察は、研磨された滑らかなバルク表面、ミクロンサイズの結晶粒、結晶粒間はもちろん、豊かな表面組織形態及びトポグラフィを見せる更に難易度の高い大きい表面の窪み内の領域でも見られる。
【００４７】
不純物を除去するための濃鉱酸の使用、有機汚染物質を除去するためのイオン系又は非イオン系の洗浄剤及び／又は溶剤の使用、並びに旧来の低周波数音波分解の使用から始まるのが一般的である従来のセラミック洗浄方法は、サブミクロンからナノメートルのサイズの小粒子の除去に対しては非効果的である。これは、コンポーネントが製造供給元及び／又は重要コンポーネント洗浄供給元によって洗浄された後の、清浄でないアルミナ及びイットリアの結果を示す電子顕微鏡写真を見ることで明らかである。図８は、４０ｋＨｚ超音波エネルギ及びその後に続く脱イオン水すすぎを使用した仕上げ洗浄後の、アルミナ表面の画像及び拡大画像を示している。サブミクロンサイズの砕片が、表面上に見られる。図９は、９５０ｋＨｚ以上のメガソニックエネルギ及び脱イオン水洗浄を経た後の、アルミナ表面の拡大画像を示している。サブミクロンの砕片が、除去されている。図１０Ａは、９５０ｋＨｚ以上のメガソニックエネルギを受ける前の、イットリア被膜表面の拡大画像を示している。表面トポグラフィ上には、非常に細かい粒子の塊が見えている。図１０Ｂは、９５０ｋＨｚ以上のメガソニックエネルギ及び脱イオン水洗浄を経た後の、イットリア被膜表面の拡大画像を示している。被膜は、剥離されており、サブミクロンの砕片は、除去されている。
【００４８】
匹敵する洗浄効率のためには、メガソニックユニットで見られる電力強度が、超音波クリーナで使用されるものと比べて概ね１０分の１から５０分の１の低さであることに、留意することが重要である。洗浄のために過渡的キャビテーションに依存する低周波数超音波とは異なり、メガソニックで使用される高周波数は、気泡ではなく高圧力波を溶液中に形成させる。メガソニックの使用によって効率が向上する理由は、表面から粒子が剥がれるメカニズムにある。高圧力波は、表面上に落ちる粒子に対し、おおよそ８００，０００〜１００，０００回／秒の速度で押し引きを行う。この関連で、メガソニック洗浄は、過渡的キャビテーションがないゆえの材料損傷の低減と、機械的応力と、粒子及び有機膜の除去を同時に助けるＳＣｌ溶液及びその他の特注界面活性剤などの化学溶液を使用できる能力とゆえに、超音波と比べて明白な利点をもたらす。
【００４９】
実施形態は、サブミクロンからナノメートルのサイズの粒子をセラミック表面から極めて高い効率で除去することを標的とした化学的効果とともに、複雑な幾何学的構成を伴う過大サイズのコンポーネントに高周波数エネルギを加えることによって、これらの高周波数音響励起特性の使用を活用する。
【００５０】
その他の実施形態では、走査型メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、タンク１０８の一辺の端から端に架からない。このような実施形態では、メガソニックトランスデューサヘッド１４４は、タンク１０８の二辺の端から端に走査又はラスタするだろう。他の実施形態では、複数のメガソニックトランスデューサヘッド１４４が使用されてよい。他の実施形態では、メガソニックトランスデューサ１６４を囲うために、他の材料が石英の代わりに使用されてよい。このような材料は、メガソニックエネルギに対して最小限の減衰又は反射と、最適な透過とを有するとともに、メガソニック調整溶液１１６との化学的相互作用が最小限でなければならない。メガソニックトランスデューサ１６４を囲うための別の材料の一例として、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）をベースにした被膜で包まれたステンレス鋼が挙げられる。この実施形態では、タンク１０８は、タンク１０８の幅よりも大きい高さを有する。このような一実施形態では、コンポーネントは、縁の上に置かれるかもしれず、したがって、装着時におけるセラミック含有コンポーネント１１０の高さは、セラミック含有コンポーネント１１０の幅よりも大きい。例えば、タンク１０８の幅は、タンク１０８の長さの３分の１未満であってよく、これは、除去された粒状物質がメガソニック調整溶液１１６内で占める体積の減少及びメガソニック調整溶液１１６内にある滞在時間の短縮を可能にするだろう。
【００５１】
図１１Ａは、別の一実施形態で使用されるメガソニック処理モジュール１１０４の模式側断面図である。この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０は、電力窓などの、円盤状のセラミックコンポーネントである。この実施形態では、セラミック含有コンポーネント１１０は、メガソニック処理モジュール１１０４内に、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の最大表面である円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の円形表面に平行になるように、垂直方向に置かれる。メガソニック処理モジュール１１０４は、セラミック含有コンポーネント１１０が中に垂直に搭載されるタンク１１０８を含む。タンク１１０８から流れるメガソニック調整溶液１１１６を捕らえるために、樋１１１８が置かれる。メガソニック処理モジュール１１０４は、第１のメガソニックトランスデューサヘッド１１４４と、第２のメガソニックトランスデューサヘッド１１４６とを含む。第１の及び第２のメガソニックトランスデューサヘッド１１４４及び１１４６は、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の少なくとも一方の又は両方の円形表面にメガソニックエネルギを供給するように位置決めされる。第１の及び第２のメガソニックトランスデューサヘッド１１４４及び１１４６は、固定である。タンク１１０８は、高さＨを有し、該高さは、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の直径よりも大きい。タンク１１０８は、長さＬを有し、該長さＬは、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の直径よりも大きい。図１１Ｂは、図１１Ａに示されたタンク１１０８の側断面図の模式図である。タンク１１０８は、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の厚さよりも大きい幅Ｗを有する。円盤状セラミック含有コンポーネント１１０は、円盤状セラミック含有コンポーネント１１０の直径の何分の１の薄さの厚さを有するので、タンク１１０８は、タンク１１０８の高さＨ及び長さＬの幾分の１の狭さの幅Ｗを有する。この例では、タンク１１０８の幅Ｗは、タンク１１０８の長さＬ及び高さＨの５分の１未満である。したがって、この例では、タンク１１０８の長さＬ及び高さＨは、タンク１１０８の幅Ｗの少なくとも５倍である。
【００５２】
垂直搭載は、更に薄いタンク１１０８を可能にする。薄いタンク１１０８は、設置面積が小さくてすむだろう。薄いタンク１１０８は、タンク１１０８内にメガソニック調整溶液１１１６を通らせるための滞在時間の短縮を可能にするだろう。薄いタンク１１０８は、また、より高純度の流体、より高度なガス制御、及びより低い粒子レベルももたらすだろう。
【００５３】
一部の実施形態では、メガソニック調整溶液１１１６をタンクに戻す代わりに、メガソニック調整溶液は、１回のみ通されて廃棄される。このような実施形態では、メガソニック調整溶液をフィルタリングにかける必要がない。各種の実施形態は、複雑な幾何学的構成を伴う過大サイズのコンポーネントがメガソニック方式で洗浄されることを可能にする。各種の実施形態では、プラズマウエハ処理チャンバの、誘電体電力窓、ガス注入器、エッジリング、電極、シャワーヘッド、高流量ライナ、及び静電チャックなどのセラミック含有コンポーネントが調整されてよい。
【００５４】
各種の実施形態では、メガソニック調整溶液１１６は、アニオン性、カチオン性、又は非イオン性の化学界面活性剤種と、表面張力緩和化学試薬添加物とを伴う界面活性剤溶液であってよい。各種の実施形態では、メガソニック調整溶液１１６は、酸性ｐＨ、塩基性ｐＨ、又は中性ｐＨの化学試薬であってよい。
【００５５】
本開示は、幾つかの好ましい実施形態の観点から説明されてきたが、本開示の範囲内に入るものとして、代替形態、変更形態、置換形態、及び代わりとなる様々な等価形態がある。また、本開示の方法及び装置を実現するには多くの代替のやり方があることも、留意するべきである。したがって、以下の添付の特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨及び範囲に入るものとして、このような代替形態、変更形態、置換形態、及び代わりとなる様々な等価形態の全てを含むと解釈されることを意図している。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【外国語明細書】
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