(57)【要約】【課題】可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第１のベースフィルムと、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第１のベースフィルムと離間した第２のベースフィルムを有し、前記第１のベースフィルムの前記第２のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と、
前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第１のベースフィルムと、
前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第１のベースフィルムと離間した第２のベースフィルムと、を有し、
前記第１のベースフィルムの前記第２のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する表示装置。
【請求項２】
前記テーパー部を有する前記側面は、前記第１のベースフィルムの前記基板とは反対側の面に対して鋭角で傾いている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記テーパー部を有する前記側面は平面である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示領域から前記端子領域へ延びる線に沿った前記第１のベースフィルムの断面において、前記テーパー部を有する前記側面は曲線で表される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記曲線は変曲点を有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の前記第１のベースフィルムとは反対の側に、かつ前記表示領域上に位置するキャップフィルムをさらに有し、
前記テーパー部を有する前記側面は、前記キャップフィルムの側面と重なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記側面はさらに、
第２のテーパー部、および
前記テーパー部と前記第２のテーパー部の間の非テーパー部を有し、
前記非テーパー部を有する前記側面と前記第１のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角は、前記テーパー部を有する前記側面と前記第１のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２のテーパー部を有する前記側面は、前記第１のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面に対して鋭角で傾いている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記非テーパー部を有する前記側面と前記第１のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角は、直角である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２のベースフィルムの前記第１のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
複数の画素を含む第１の領域と前記第１の領域と離間する第２の領域とを有し、前記第１の領域が前記第２の領域に重なる形状を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第１の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第１のベースフィルムと、
前記可撓性基板の前記第２の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第２のベースフィルムと、を有し、
前記第１のベースフィルムと前記第２のベースフィルムは、前記第１の領域と前記第２の領域に挟持され、
前記第１のベースフィルムの前記第２の領域に重なる部分に位置する側面はテーパー部を有する表示装置。
【請求項１２】
前記可撓性基板は、前記第１の領域と前記第２の領域を連結する第３の領域をさらに有し、
前記第３の領域は湾曲し、
前記側面は前記第３の領域に面する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記テーパー部を有する前記側面は、前記第１のベースフィルムの前記可撓性基板とは反対側の面に対して鋭角で傾いている、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記テーパー部を有する前記側面は平面である、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第３の領域を経て前記第１の領域から前記第２の領域への方向に沿った前記第１のベースフィルムの断面において、前記テーパー部を有する前記側面は曲線で表される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記曲線は変曲点を有する、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記可撓性基板の前記第１のベースフィルムとは反対の側に、かつ前記第１の領域上に位置するキャップフィルムをさらに有し、
前記テーパー部を有する前記側面は、前記キャップフィルムの側面と重なる、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記側面はさらに、
第２のテーパー部、および
前記テーパー部と前記第２のテーパー部の間の垂直部を有し、
前記垂直部を有する前記側面は、前記第１のベースフィルムの前記可撓性基板と接する面に対して垂直である、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第２のテーパー部を有する前記側面は、前記第１のベースフィルムの前記可撓性基板とは反対側の前記面に対して鋭角で傾いている、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２のベースフィルムの、前記第１のベースフィルムの前記側面に重なる部分に位置する側面はテーパー部を有する、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、可撓性の表示装置、およびその製造方法に関する。例えば高い信頼性を有する可撓性の表示装置、および可撓性の表示装置を高い歩留りで製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、基板上に複数の画素を備え、各画素には液晶素子や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（以下、発光素子と記す）などの表示素子が設けられる。液晶素子や発光素子は、一対の電極間に液晶性を示す化合物を含む層、あるいは発光性を示す有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
【０００３】
表示装置の基板に可撓性を付与することで、折り曲げたり湾曲させることが可能な、いわゆるフレキシブルディスプレイ（シートディスプレイ）を提供することができる。例えば特許文献１や２では、可撓性の基板を利用して作製された有機ＥＬ表示装置が開示されている。この表示装置は、表示領域と、外部から映像信号を入力するための端子を含む端子領域を有しており、表示領域と端子領域の間で折りたたむことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−３１４９９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１６／０１７４３０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明に係る実施形態は、可撓性の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る実施形態の一つは、表示装置は、複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と；前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第１のベースフィルムと；前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第１のベースフィルムと離間した第２のベースフィルムを有し、前記第１のベースフィルムの前記第２のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する。
【０００７】
本発明に係る実施形態の一つは、複数の画素を含む第１の領域と前記第１の領域と離間する第２の領域とを有し、前記第１の領域が前記第２の領域に重なる形状を有する可撓性基板と；前記可撓性基板の前記第１の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第１のベースフィルムと；前記可撓性基板の前記第２の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第２のベースフィルムとを有し、前記第１のベースフィルムと前記第２のベースフィルムは、前記第１の領域と前記第２の領域に挟持され、前記第１のベースフィルムの側面はテーパー部を有する。
【０００８】
本発明に係る実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、表示領域、配線領域、および端子領域を含む支持基板上に基材フィルムを形成すること、表示領域、配線領域、および端子領域に、画素、配線、および端子をそれぞれ形成すること、表示領域上にキャップフィルムを形成すること、開口部を有するベースフィルムを、開口部が配線領域と重なるように基材フィルム下に形成すること、および、基材フィルムに対してトリミングを行い、ベースフィルムを表示領域と重なる第１のベースフィルムと端子領域と重なる第２のベースフィルムに分割することを含む。配線は画素と端子を電気的に接続するよう構成される。開口部の側壁は、ベースフィルムの上面から傾く。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態の表示装置の模式的斜視図。
【図２】一実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図３】一実施形態の表示装置の模式的底面図。
【図４】一実施形態の表示装置の模式的側面図。
【図５】一実施形態の表示装置の模式的側面図。
【図６】一実施形態の表示装置の模式的側面図。
【図７】一実施形態の表示装置の第１、あるいは第２のベースフィルムの模式的斜視図。
【図８】一実施形態の表示装置の第１、あるいは第２のベースフィルムの模式的断面図。
【図９】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図１０】一実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図１１】表示装置のトリミングを説明する模式的側面図。
【図１２】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図１３】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図１４】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１５】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１６】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１７】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１８】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図１９】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図２０】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図２１】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図２２】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。
【図２３】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
【図２４】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図と側面図。
【図２５】一実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的底面図と側面図。
【図２６】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【図２７】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【図２８】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【図２９】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【図３０】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【図３１】一実施形態のベースフィルムの製造方法を説明する模式的上面図と断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
（第１実施形態）
［１．全体構成］
図１、図２に本実施形態の表示装置１００の模式的な斜視図と上面図をそれぞれ示す。図１に示すように、表示装置１００は可撓性基板１０２を有しており、湾曲させたり、折り曲げることが可能である。可撓性基板１０２は基材、あるいは基材フィルムとも呼ばれる。可撓性基板１０２上には素子層１１０が設けられる。後述するように、素子層１１０には種々の絶縁膜や導電膜、半導体膜が積層され、これらによって画素や駆動回路などを構成するトランジスタや容量、表示素子などが形成される。素子層１１０上には、素子層１１０を保護し、表示装置１００に対し、十分な可撓性を維持しつつ、かつ取り扱いを容易にするために必要な物理的強度を付与するためのキャップフィルム１１２が設けられる。キャップフィルム１１２は可撓性を有する。図示しないが、表示装置１００は任意の構成として、キャップフィルム１１２上に偏光板やタッチセンサなどを有することができる。あるいは偏光板やタッチセンサがキャップフィルム１１２を兼ねてもよい。
【００１５】
可撓性基板１０２の下には、すなわち、可撓性基板１０２の素子層１１０とは反対の側には、可撓性基板１０２を保護するとともに物理的強度を付与するための第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８が設けられる。前者はキャップフィルム１１２とともに素子層１１０と可撓性基板１０２を挟持する。
【００１６】
図２は、図１に示す折りたたまれた状態の表示装置１００を展開した図であり、表示装置１００の上面が図示されている。図２では見やすさを考慮し、キャップフィルム１１２や後述する樹脂膜１１４は省かれている。可撓性基板１０２は三つの領域（活性領域（アクティブエリアとも呼ばれる）１０４、配線領域１０６、端子領域１０８）に分けることができる。換言すると、可撓性基板１０２は活性領域１０４、配線領域１０６、端子領域１０８を含む。配線領域１０６は活性領域１０４と端子領域１０８の間に位置する。
【００１７】
活性領域１０４には素子層１１０が含まれ、素子層１１０は、表示領域１２２と駆動回路１３０などを構成する。表示領域１２２内には複数の画素１２８がマトリクス状に配置され、画素１２８は駆動回路１３０によって制御される。複数の画素１２８にはそれぞれ表示素子が設けられる。図２に示す表示装置１００は二つの駆動回路１３０を有しているが、駆動回路１３０の数に制限は無い。また、駆動回路１３０を活性領域１０４に設けず、配線領域１０６やコネクタ１２４上に設けてもよい。
【００１８】
配線領域１０６には複数の配線１３４が設けられる。配線１３４は表示領域１２２や駆動回路１３０から延伸してＩＣチップ１２６へ接続される。ＩＣチップからはさらに配線１３４が端子領域１０８へ延伸し、端部で露出されて端子１３２を形成する。端子１３２はＦＰＣ（フレキシブル印刷回路）基板などのコネクタ１２４と接続される。図示しない外部回路からコネクタ１２４を介して映像信号がＩＣチップ１２６や駆動回路１３０に入力される。映像信号に基づいてＩＣチップ１２６や駆動回路１３０から画素１２８を制御するための信号が与えられ、これにより表示領域１２２上に映像を表示することができる。なお、ＩＣチップ１２６は任意の構成であり、例えばＩＣチップ１２６の代わりに、活性領域１０４に駆動回路を形成してもよい。また、ＩＣチップ１２６をコネクタ１２４上に搭載してもよい。
【００１９】
展開された状態の表示装置１００の底面図を図３に示す。活性領域１０４、および活性領域１０４内の表示領域１２２や駆動回路１３０と重なるように、第１のベースフィルム１１６が設けられる。一方、第２のベースフィルム１１８は第１のベースフィルムから離間し、端子１３２とそれを含む端子領域１０８と重なるように設けられる。第２のベースフィルム１１８は、配線１３４やＩＣチップ１２６と重なるように、配線領域１０６の一部と重なってもよい。第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の間では、可撓性基板１０２の底面が露出される。
【００２０】
可撓性基板１０２の底面が露出する配線領域１０６は、キャップフィルム１１２や第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８が設けられる活性領域１０４や端子領域１０８と比較し、可撓性が高い。したがって、この配線領域１０６を選択的に変形することで、図１に示す折りたたまれた形状へ容易に変形することができる。この形状では、可撓性基板１０２の一部が別の一部と重なる。例えば、表示領域１２２や駆動回路１３０を含む活性領域１０４は、端子領域１０８や配線領域１０６の一部と重なる。キャップフィルム１１２は、活性領域１０４の上に位置し、表示領域１２２や駆動回路１３０を覆う。第２のベースフィルム１１８は第１のベースフィルム１１６の上に位置し、これらは可撓性基板１０２の活性領域１０４と端子領域１０８に挟まれる。第１のベースフィルム１１６の下面と第２のベースフィルム１１８の下面は互いに直接、あるいは図示しない接着層を介して接することが可能である。なお図示しないが、可撓性基板１０２を湾曲させる、あるいは折りたたむ領域は第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の間に限られず、例えば活性領域１０４で表示装置１００を湾曲させる、あるいは折りたたんでもよい。
【００２１】
表示装置１００は、任意の構成として、可撓性基板１０２の湾曲軸に沿ってスペーサ１２０を有していてもよい。スペーサ１２０は例えば円柱形状を持つことができ、図１に示すように、可撓性基板１０２、第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８によって囲まれる空間内に収容することができる。図示しないが、スペーサ１２０は平板形状を併せ持ってもよく、この場合、平板形状部分が第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８で挟持されるように表示装置１００を折り曲げてもよい。スペーサ１２０を用いることで、表示装置１００の立体形状を制御、安定化することができる。
【００２２】
［２．ベースフィルム］
図１に示すように、第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の端部は、先端が細くなった形状（テーパー形状）を有することができる。図４に詳細な構造を示す。図４（Ａ）、図４（Ｂ）はそれぞれ、表示装置１００が展開された状態と折り曲げられた状態における側面図である。上述したように、素子層１１０と可撓性基板１０２がキャップフィルム１１２と第１のベースフィルム１１６に挟持される。ここでは図示しない配線１３４は樹脂膜１１４によって覆われる。図４（Ａ）、図４（Ｂ）では、樹脂膜１１４はＩＣチップ１２６の上面を覆うように描かれているが、樹脂膜１１４はＩＣチップ１２６を覆わなくてもよい。また、樹脂膜１１４はコネクタ１２４の一部を覆ってもよい。
【００２３】
図４（Ａ）に示すように、第１のベースフィルム１１６の第２のベースフィルム１１８、あるいは配線領域１０６に面する側面１１６ｓは、第１のベースフィルム１１６の端部がテーパー形状を有するよう、第１のベースフィルム１１６の上面から傾く。このように端部がテーパー形状を有する部分をテーパー部と呼ぶ。テーパー部は、活性領域１０４から端子領域１０８の方向に従って、側面１１６ｓと可撓性基板１０２の距離が大きくなるように構成される。すなわち、第１のベースフィルム１１６の底面が上面よりも大きくなるよう、テーパー部が形成される。
【００２４】
同様に、第２のベースフィルム１１８の第１のベースフィルム１１６、あるいは配線領域１０６に面する側面１１８ｓもテーパー部を有することができ、このテーパー部の側面１１８ｓは、第２のベースフィルム１１８の上面から傾く。テーパー部の側面１１８ｓは、端子領域１０８から活性領域１０４の方向に従って、側面１１８ｓと可撓性基板１０２の距離が大きくなるように構成される。すなわち、第２のベースフィルム１１８の底面が上面よりも大きくなるよう、テーパー部が形成される。ここで、第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の上面とは、可撓性基板１０２と接する面を指す。第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の底面とは、第１のベースフィルム１１６及び第２のベースフィルム１１８の可撓性基板１０２とは反対側の面を指す。
【００２５】
側面１１６ｓと第１のベースフィルム１１６の底面間の角度θ1、および側面１１８ｓと第２のベースフィルム１１８の底面間の角度θ2は個別に決定することができる。角度θ1、角度θ2はそれぞれ、０°よりも大きく９０°未満（すなわち鋭角）、１５°以上６０°以下、あるいは３０°以上４５°以下の範囲で選択することができる。
【００２６】
表示装置１００を折りたたむ場合、図４（Ｂ）に示すように、第１のベースフィルム１１６のテーパー部の先端Ｅb1と第２のベースフィルム１１８のテーパー部の先端Ｅb2が互いに接するよう（図中、点線の丸で囲った領域参照）、可撓性基板１０２を変形することができる。ただし、表示装置１００の三次元形状は任意に決定することができ、例えば図５（Ａ）に示すように、第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８のテーパー部の先端は一致せず、後者が第１のベースフィルム１１６の底面と接してもよい。図示しないが、前者が第２のベースフィルム１１８の底面と接するよう、表示装置１００を変形してもよい。
【００２７】
第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８のうち少なくとも一方がテーパー部を含む端部を有していればよい。たとえば図５（Ｂ）に示すように、側面１１６ｓが第１のベースフィルム１１６の上面から傾き、側面１１８ｓが第２のベースフィルム１１８の上面と垂直になるよう、表示装置１００を構成してもよい。すなわち、第２のベースフィルム１１８の端部はテーパー部を持たず、側面１１８ｓが第２のベースフィルム１１８の上面と垂直な垂直部で構成されてもよい。あるいは逆に、図５（Ｃ）に示すように、側面１１８ｓが第２のベースフィルム１１８の上面から傾き、側面１１６ｓが第１のベースフィルム１１６の上面と垂直になるよう、表示装置１００を構成してもよい。すなわち、第１のベースフィルム１１６の端部はテーパー部を持たず、側面１１６ｓが第１のベースフィルム１１６の上面と垂直な垂直部で構成されてもよい。
【００２８】
図６（Ａ）から図６（Ｃ）に、側面１１６ｓとキャップフィルム１１２の位置関係を示す。図６（Ａ）に示すように、キャップフィルム１１２の配線領域１０６に面する側面１１２ｓは、側面１１６ｓと重なるよう、第１のベースフィルム１１６を配置することができる。この場合、側面１１６ｓの先端Ｅb1はキャップフィルム１１２と重ならない。また、表示装置１００の側面図、あるいは活性領域１０４から配線領域１０６へ延びる直線に沿った断面図において、側面１１６ｓと可撓性基板１０２の底面との交点Ｅb1’はキャップフィルム１１２と重なる。
【００２９】
あるいは図６（Ｂ）に示すように、側面１１２ｓが側面１１６ｓと重ならず、第１のベースフィルム１１６の上面と重なるよう、第１のベースフィルム１１６を配置することができる。この場合、先端Ｅb1はキャップフィルム１１２と重ならない。同様に、表示装置１００の側面図、あるいは活性領域１０４から配線領域１０６へ延びる直線に沿った断面図において、交点Ｅb1’はキャップフィルム１１２と重ならない。
【００３０】
あるいは図６（Ｃ）に示すように、側面１１６ｓがキャップフィルム１１２の上面や底面と重なるよう、第１のベースフィルム１１６を配置することができる。この場合、先端Ｅb1はキャップフィルム１１２と重なる。同様に、表示装置１００の側面図、あるいは活性領域１０４から配線領域１０６へ延びる直線に沿った断面図において、交点Ｅb1’もキャップフィルム１１２と重なる。
【００３１】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）に、第１のベースフィルム１１６の斜視図を示す。これらの図では見やすさを考慮し、第１のベースフィルム１１６と可撓性基板１０２を分離して示している。図７（Ａ）に示すように、テーパー部は、側面１１６ｓの全体に設けられてもよい。あるいは図７（Ｂ）に示すように、側面１１６ｓは、テーパー部と垂直部（または非テーパー部）の両方を有してもよい。この場合、二つのテーパー部が垂直部（または非テーパー部）を挟むように、第１のベースフィルム１１６を構成することができる。図示していないが、第２のベースフィルム１１８の端部に関しても同様である。上述したように、テーパー部とは、端部のうちテーパー形状を有する部分を指し、垂直部とは、端部のうち側面が上面と垂直な部分である。なお、垂直部の替わりに非テーパー部を設けてもよい。非テーパー部の側面１１６ｓと第１のベースフィルム１１６の底面とがなす角は、テーパー部の側面１１６ｓと第１のベースフィルム１１６の底面とがなす角よりも大きい。
【００３２】
第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８のテーパー部の形状は、上述した形状に限られない。図４（Ａ）に示すように、テーパー部の傾いた側面１１６ｓ、１１８ｓは一つの平面で構成されていてもよく、あるいは図８（Ａ）の断面図に示すように、段階的に細くなるようにテーパー部を構成してもよい。この場合、図８（Ｂ）の断面図に示すように、テーパー部は複数のステップを有してもよい。
【００３３】
あるいは断面においてテーパー部の側面１１６ｓ、１１８ｓが曲線で表されるよう、第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８を構成してもよい。この場合、図８（Ｃ）に示すように、テーパー部は丸まった形状でもよく、あるいは図８（Ｄ）に示すように、断面においてテーパー部の側面１１６ｓ、１１８ｓを表す曲線が変曲点を有していてもよい。
【００３４】
表示装置１００の製造方法は第２実施形態で詳細に述べるが、上述した形状を有する第１のベースフィルム１１６や第２のベースフィルム１１８を用いることで、表示装置１００の製造歩留まりが向上し、かつ、信頼性を増大させることができる。これは以下の理由に基づく。
【００３５】
通常表示装置１００は、図９に示すように、大型の基板（マザーガラス）１４６上に複数形成される。例えば図９では、一枚のマザーガラス１４６上に１８個の表示装置１００を形成する場合の模式図が示されている。製造プロセスにおいて、マザーガラス１４６は分割線１４８に沿って分断され、個々の表示装置１００へ分割される。マザーガラス１４６を分断した後、表示装置１００にはＩＣチップ１２６やコネクタ１２４が接続される。図１０は展開された状態の表示装置１００にＩＣチップ１２６、コネクタ１２４、キャップフィルム１１２、および図示しない第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８が設けられた状態を示している。この後、表示装置１００にトリミングが行われ、最終的なサイズへ成型される。トリミングはカッターなどを用い、トリミング線１４７に沿って行われる。
【００３６】
トリミングにおける可撓性基板１０２の形状変化を、図１０の鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面図（図１１（Ａ）から図１１（Ｄ））を用いて説明する。図１１（Ａ）に示すように、第１のベースフィルム１１６がテーパー部を持たない場合、カッター１４４を上から押しあててトリミングを行うと、カッター１４４からの圧力を受けるため、可撓性基板１０２は少なくとも二か所でほぼ直角に折れ曲がる（図１１（Ｂ）の点線の楕円で囲った領域を参照）。このため、可撓性基板１０２に大きなひずみが生じ、可撓性基板１０２にクラックが生じる。クラックは可撓性基板１０２の外周で発生しやすく、その後内部へ進行する。可撓性基板１０２に発生したクラックは、クラックの近傍に位置する種々の絶縁膜や配線（例えば配線１３４）のクラックを誘発する。その結果、封止構造が破壊される、あるいは配線の断線などが生じ、表示装置としての機能が失われる。なお、図示していないが、上述した現象は第２のベースフィルム１１８がテーパー部を持たない場合も同様に生じる。
【００３７】
これに対し、第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の両者、あるいは少なくとも一方の端部にテーパー部を設ける場合、図１１（Ｃ）、図１１（Ｄ）に示すように、カッター１４４からの圧力を受けて可撓性基板１０２が折れ曲がっても、折れ曲がりの角度を大幅に小さくすることができる。このため、可撓性基板１０２のひずみを低減することができ、その結果、クラックの発生を防止、抑制することができる。したがって、表示装置１００の製造歩留りが向上するととともに、信頼性を増大させることが可能となる。
【００３８】
（第２実施形態）
本実施形態では、表示装置１００の製造方法を説明する。第１実施形態で述べた内容は割愛することがある。
【００３９】
表示装置１００の製造工程は、前工程と後工程に分割される。前工程では、マザーガラス１４６上に素子層１１０や配線１３４、端子１３２などが形成され、表示装置としての基本的な構造が構成される。後工程には、マザーガラス１４６の分断やＩＣチップ１２６とコネクタ１２４の接続、キャップフィルム１１２、第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８の形成、およびトリミングが含まれる。本実施形態では、表示素子として発光素子を含む例を用いて説明を行う。
【００４０】
［１．前工程］
まず、マザーガラス１４６上に可撓性基板１０２が形成される。マザーガラス１４６はガラスを含むことができ、その大きさや厚さは任意に選択することができる。例えば６８ｃｍ×８８ｃｍ、１１０ｃｍ×１３０ｃｍ、１５０ｃｍ×１８５ｃｍ、あるいは２２０ｃｍ×２５０ｃｍの大きさを有するガラス板をマザーガラス１４６として用いることができる。マザーガラス１４６の厚さは０．１ｍｍから１０ｍｍの範囲で任意に選択することができ、典型的には０．５ｍｍから０．７ｍｍである。
【００４１】
可撓性基板１０２は絶縁膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。可撓性基板１０２は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。マザーガラス１４６は十分な可撓性を持たないため、可撓性基板１０２がマザーガラス１４６上に位置しているときには、可撓性基板１０２はマザーガラス１４６上に固定された高分子フィルムと認識することができる。一方、マザーガラス１４６は可撓性基板１０２を支持する支持基板としても機能する。
【００４２】
図１３に、マザーガラス１４６上に１８枚の表示装置１００を作成する場合のレイアウトを示す。ここでは３行６列に配列した合計１８個の表示装置１００が１つのマザーガラス１４６上に形成される態様が図示されている。一つのマザーガラス１４６上に形成する表示装置１００の数に制約はなく、マザーガラス１４６と表示装置１００の大きさや形状などを考慮して決定される。
【００４３】
前工程で形成される表示領域１２２中の画素１２８、および端子１３２の断面構造の一例を図１４に示す。以下、この例を用い、図１５（Ａ）から図２０（Ｂ）を参酌し、前工程の説明を続ける。図１５（Ａ）から図２０（Ｂ）は、画素１２８の一部と端子１３２の断面模式図である。
【００４４】
可撓性基板１０２上にはアンダーコート１５０が形成される（図１５（Ａ））。アンダーコート１５０はケイ素含有無機化合物（酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素など）を含むことができ、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。アンダーコート１５０は画素１２８、端子１３２が形成される領域の両方に設けることができる。
【００４５】
次に半導体膜１５２を形成する（図１５（Ｂ））。半導体膜１５２はケイ素やゲルマニウム、あるいは半導体特性を示す酸化物（酸化物半導体）などを含むことができる。半導体膜１５２がケイ素を含む場合、半導体膜１５２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られる半導体膜に対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１５２が酸化物半導体を含む場合、酸化物半導体を含むターゲットを用い、スパッタリング法を利用して半導体膜１５２を形成することができる。
【００４６】
次に、チャネル領域を形成する部分を覆うようにレジストマスク１５４を半導体膜１５２上に形成し、その後、半導体膜１５２に対して不純物のドーピングを行う（第１ドーピング）。不純物としては、Ｎ型の導電性を付与するリンや窒素、あるいはＰ型の導電性を付与するホウ素やアルミニウムを用いることができる。これにより、不純物領域１５６が形成される（図１５（Ｃ））。なお本実施形態では、端子１３２が形成される領域においても半導体膜１５２が形成され、不純物のドーピングが行われるが、この領域には半導体膜１５２を形成しなくてもよい。
【００４７】
レジストマスク１５４を除去した後、半導体膜１５２を覆うようにゲート絶縁膜１５８を形成する（図１６（Ａ））。ゲート絶縁膜１５８はケイ素含有無機化合物を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用し、単層構造、あるいは積層構造で形成することができる。ゲート絶縁膜１５８も端子１３２が形成される領域に設けることができる。
【００４８】
引き続き、ゲート絶縁膜１５８上に容量電極１６２とゲート１６０を形成する（図１６（Ａ））。容量電極１６２とゲート１６０はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。容量電極１６２とゲート１６０は同時に形成することができ、したがって、これらは同一の層内に存在することができる。
【００４９】
次に容量電極１６２とゲート１６０上に層間膜１６６を形成する（図１６（Ｂ））。層間膜１６６もアンダーコート１５０やゲート絶縁膜１５８と同様、ケイ素含有無機化合物を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。層間膜１６６も端子１３２が形成される領域に設けることができる。
【００５０】
この状態でゲート１６０をマスクとして用い、半導体膜１５２に対して再度ドーピングを行う。この時の不純物のドーズ量は、第１ドーピングのそれよりも低い。これにより、ゲート１６０と重なるチャネル領域、およびチャネル領域と不純物領域１５６間に低濃度不純物領域１６４が形成される。このドーピングは層間膜１６６の形成前に行ってもよい。
【００５１】
引き続き層間膜１６６とゲート絶縁膜１５８に対してエッチングを行い、半導体膜１５２に達する開口１７０、１７２を形成する（図１６（Ｃ））。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。この時、端子１３２が形成される領域でも層間膜１６６とゲート絶縁膜１５８の一部が除去され、開口１７４が形成される。
【００５２】
次に開口１７０、１７２、１７４を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース１８０、ドレイン１８２、および第１の端子電極１８４を形成する（図１７（Ａ））。これにより、トランジスタが画素１２８内に形成される。なお、ソース１８０の一部は容量電極１６２と重なっており、容量電極１６２と重なるソース１８０の一部、層間膜１６６、容量電極１６２、ゲート絶縁膜１５８、不純物領域１５６によって容量が形成される。
【００５３】
次に平坦化膜１８６をマザーガラス１４６の上全体に形成する（図１７（Ａ））。平坦化膜１８６も絶縁膜であり、有機化合物で形成することができる。有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられる。平坦化膜１８６は、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを適用して形成することができる。その後、平坦化膜１８６に対してエッチングを行い、ソース１８０に達する開口部１８８を形成する（図１７（Ｂ））。この時、端子１３２が形成される領域では平坦化膜１８６が除去される。
【００５４】
引き続き、ソース１８０を露出する開口部１８８、および第１の端子電極１８４を覆うように接続電極１９０と第２の端子電極１９２をそれぞれ形成する（図１８（Ａ））。これらの電極は、例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物をスパッタリングすることで形成することができる。これにより、接続電極１９０はソース１８０と、第２の端子電極１９２は第１の端子電極１８４と電気的に接続される。接続電極１９０や第２の端子電極１９２を設けることで、その後のプロセスにおいてソース１８０や第１の端子電極１８４が酸化、劣化することを防ぐことができ、その結果、これらの表面におけるコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
【００５５】
引き続き、付加容量電極１９４を平坦化膜１８６上に形成する（図１８（Ｂ））。付加容量電極１９４は、ゲート１６０やソース１８０、ドレイン１８２で使用可能な金属や合金を含むことができ、スパッタリング法やＣＶＤ法を適用して形成することができる。付加容量電極１９４は、単層構造、積層構造、いずれの構造を有してもよい。
【００５６】
その後、接続電極１９０や付加容量電極１９４を覆うように絶縁膜１９６を形成する（図１９（Ａ））。絶縁膜１９６は、第２の端子電極１９２を覆うように形成してもよい。絶縁膜１９６もケイ素含有無機化合物を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。なお絶縁膜１９６は、接続電極１９０の底面の一部を露出する開口を有する。この開口において、発光素子の第１の電極２００と接続電極１９０が電気的に接続される。絶縁膜１９６には、平坦化膜１８６を露出する開口１９８をさらに設けてもよい。この開口１９８は、平坦化膜１８６から水などの不純物を解放するための開口として機能する。
【００５７】
次に、接続電極１９０と接するように、かつ、付加容量電極１９４を覆うように、第１の電極２００を形成する。発光素子からの発光を第１の電極２００の反対側から取り出す場合、第１の電極２００は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極２００は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。これらの金属や合金を含む膜上に、ＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物の膜を形成してもよい。表示素子からの発光を第１の電極２００から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第１の電極２００を形成すればよい。付加容量電極１９４、絶縁膜１９６、および第１の電極２００によって付加容量が形成され、付加容量はゲート１６０の電位の維持に寄与する。
【００５８】
次に、第１の電極２００の端部や開口１９８を覆うように、隔壁２０２を形成する（図１９（Ｂ））。隔壁２０２により、第１の電極２００などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１２８の第１の電極２００同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁２０２はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。隔壁２０２を形成する際の加熱工程において、平坦化膜１８６中に混入した不純物は開口１９８、隔壁２０２を介して放出される。
【００５９】
次に発光素子のＥＬ層２０４、および第２の電極２０６を、第１の電極２００と隔壁２０２を覆うように形成する（図２０（Ａ））。ＥＬ層２０４は有機化合物を含み、湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。図示しないが、ＥＬ層２０４の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばＥＬ層２０４は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロッキング層などを適宜組み合わせて形成すればよい。またＥＬ層２０４は、隣接する画素１２８間で異なる構造を有してもよい。
【００６０】
発光素子からの発光を第１の電極２００から取り出す場合には、第２の電極２０６として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に表示素子からの発光を第２の電極２０６から取り出す場合には、第２の電極２０６として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成してもよい。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。以上の工程により、発光素子が形成される。
【００６１】
発光素子上に、任意の構成として、発光素子を保護するためのパッシベーション膜２１０を設けてもよい。例えば図２０（Ｂ）に示すように、ケイ素含有無機化合物を含む第１の層２１２、有機化合物を含む第２の層２１４、ケイ素含有無機化合物を含む第３の層２１６が積層されたパッシベーション膜２１０を第２の電極２０６上に形成することができる。
【００６２】
第１の層２１２はＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。第２の層２１４は、有機化合物としてアクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどの高分子材料を含むことができ、湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層２１２に吹き付け、その後オリゴマーを重合することによって第２の層２１４を形成してもよい。また、図２０（Ｂ）に示すように、隔壁２０２に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで第２の層２１４を形成してもよい。第３の層２１６は、第１の層２１２で使用可能な材料を含むことができ、第１の層２１２の形成に適用可能な方法で形成することができる。
【００６３】
このようなパッシベーション膜２１０を設ける場合、端子１３２を覆うように第１の層２１２や第３の層２１６を設けてもよい（図２０（Ｂ））。以上のプロセスにより、前工程が完了し、画素１２８を含む表示領域１２２や駆動回路１３０を構成する素子層１１０が形成される。本明細書や請求項では、素子層１１０とはアンダーコート１５０からパッシベーション膜２１０までの積層構造を指す。
【００６４】
［２．後工程］
後工程では、まず、活性領域１０４、すなわち表示領域１２２や駆動回路１３０を覆うように、キャップフィルム１１２を形成する（図２１）。キャップフィルム１１２はポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）などのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリカーボナート、ポリアクリル酸エステルなどの高分子材料を含むことができる。キャップフィルムはラミネート法、あるいは湿式成膜法によって形成することができる。キャップフィルム１１２の表面に、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレンなどの含フッ素高分子フィルム、あるいはポリ塩化ビニリデンなどのガス透過性の低い高分子フィルムを設けてもよい。図２１ではキャップフィルム１１２は表示装置１００ごとに独立して設けられるが、複数の表示装置１００にわたってキャップフィルム１１２を形成してもよい。
【００６５】
その後、マザーガラス１４６を分割線１４８に沿って分断し、個々の表示装置１００に分割する。分断はスクライバーなどを用いて行うことができる。分断後の表示装置１００の上面図と断面図をそれぞれ図２２、２３に示す。図２２に示すように、キャップフィルム１１２は配線１３４の一部を覆ってもよい。キャップフィルム１１２を表示装置１００ごとに独立して設ける場合、キャップフィルム１１２のすべてが可撓性基板１０２と重なる。図２３では、キャップフィルム１１２はパッシベーション膜２１０と接するように描かれているが、接着層を介してキャップフィルム１１２がパッシベーション膜２１０上に固定されていてもよい。
【００６６】
引き続き、ＩＣチップ１２６、およびコネクタ１２４を配線１３４と端子１３２にそれぞれ接続する（図２４（Ａ）、２４（Ｂ））。具体的には、端子１３２上の絶縁膜、すなわち、絶縁膜１９６や第１の層２１２、第３の層２１６をドライエッチング、あるいはアッシングによって除去して第２の端子電極１９２を露出する。図示していないが、ＩＣチップ１２６と接続される端子でも同様に絶縁膜が除去される。その後、異方性導電膜を用い、ＩＣチップ１２６およびコネクタ１２４が接続される。
【００６７】
この後、図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）に示すように、樹脂膜１１４を形成する。樹脂膜１１４はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用いて形成することができる。上述したように、樹脂膜１１４はコネクタ１２４の一部を覆ってもよい。
【００６８】
引き続き、第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８を形成する。具体的には、マザーガラス１４６側からレーザー光源やフラッシュランプなどの光源を用いて光照射を行い、マザーガラス１４６と可撓性基板１０２間の接着力を低下させる。その後、図２３の矢印で示す界面、すなわち、、マザーガラス１４６と可撓性基板１０２の界面に沿って物理的にマザーガラス１４６を剥離する。これにより、可撓性基板１０２の底面が露出する。
【００６９】
その後、図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）に示すように、開口部２２２を有するベースフィルム２２０を可撓性基板１０２の底面に固定する。ベースフィルム２２０はラミネート法を用いて固定することができる。この時、接着層を用いてもよい。ベースフィルム２２０はキャップフィルム１１２で使用可能な材料を含むことができる。ベースフィルム２２０の開口部２２２において、可撓性基板１０２の底面が露出する。ベースフィルム２２０は、開口部２２２が少なくとも配線１３４の一部と重なるように設けられる。図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）で示すベースフィルム２２０は、開口部２２２がＩＣチップ１２６やコネクタ１２４と重ならないように設けられるが、開口部２２２はＩＣチップ１２６やコネクタ１２４の一部と重なってもよい。
【００７０】
ここで、開口部２２２の側壁２２２ｗの形状が第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の端部の形状に反映される。したがって、開口部２２２の側壁２２２ｗは、ベースフィルム２２０の開口端がテーパー形状を有するように構成される。
【００７１】
本発明の実施形態の一つであるベースフィルム２２０の上面図を図２６（Ａ）に、図２６Ａの鎖線Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’に沿った断面図を図２６（Ｂ）、図２６（Ｃ）にそれぞれ示す。図２６（Ａ）から図２６（Ｃ）に示すように、開口部２２２は長方形などの多角形の形状を有することができ、側壁２２２ｗがベースフィルム２２０の上面に対して傾くよう、ベースフィルム２２０を構成することができる。したがって、開口部２２２の面積は、ベースフィルム２２０の上面と下面で異なり、上面（すなわち、可撓性基板１０２の底面と接する面）における面積が他方における面積よりも大きい。側壁２２２ｗの傾きは任意に調整することができ、第１のベースフィルム１１６の側面１１６ｓや第２のベースフィルム１１８の側面１１８ｓの傾きを考慮して決定される。
【００７２】
図２６（Ａ）から図２６（Ｃ）に示す例では、開口部２２２の側壁２２２ｗのすべてがベースフィルムの上面に対して傾いている。しかしながら開口部２２２が有する側壁２２２ｗのすべてがベースフィルム２２０の上面に対して傾く必要は無く、側壁２２２ｗの少なくとも一つが傾いていればよい。例えば図２７（Ａ）から図２７（Ｃ）に示すように、互いに面する一対の側壁２２２ｗが傾き、他の対の側壁２２２ｗがベースフィルム２２０の上面に対して垂直でもよい。この場合、一対の傾いた側壁２２２ｗは、表示装置１００の短辺に平行でも垂直でも良いが、後述するトリミング線１４７と交差する側壁２２２ｗが傾くよう、開口部２２２が形成される。
【００７３】
あるいは図２８（Ａ）から図２８（Ｄ）に示すように、１つの側壁２２２ｗの一部が傾き、他の部分がベースフィルム２２０の上面に対して垂直でもよい。換言すると、ベースフィルム２２０の上面に対して垂直な側壁２２２ｗが二つの傾いた側壁２２２ｗによって挟まれるよう、開口部２２２を形成してもよい。この場合、トリミング線１４７と交差するように二つの傾いた側壁２２２ｗが設けられる。開口部２２２の活性領域１０４に近い側壁２２２ｗでは、ベースフィルム２２０の上面に対して垂直な側壁２２２ｗは、傾いた側壁２２２ｗの先端部よりも活性領域１０４に近い。一方、開口部２２２の端子領域１０８に近い側壁２２２ｗでは、ベースフィルム２２０の上面に対して垂直な側壁２２２ｗは、傾いた側壁２２２ｗの先端部よりも端子領域１０８に近い。また、開口部２２２のベースフィルム２２０の底面における形状は、５つ以上の頂点を有する多角形（図２８（Ａ）に示す形状の場合、１２個の頂点）となる。
【００７４】
ベースフィルム２２０の上面に対して垂直な側壁２２２ｗが二つの傾いた側壁２２２ｗによって挟まれる場合、図２９（Ａ）から図２９（Ｄ）に示すように、傾いた側壁２２２ｗの先端部が作る直線は、ベースフィルム２２０の上面に対して垂直な側壁２２２ｗが作る面上に位置するよう、開口部２２２を形成してもよい。この場合、開口部２２２のベースフィルム２２０の底面における形状を四角形にすることができる。
【００７５】
このような形状の側壁２２２ｗは、以下のようにベースフィルム２２０を加工することで形成することができる。例えば図３０（Ａ）に示すように、まず、すべての側壁２２２ｗがベースフィルム２２０の上面に垂直になるよう、開口部２２２を形成する。このような開口部２２２は、刃先が四角形の形状を与えるカッターなどを用い、ベースフィルム２２０をくり抜くことで形成することができる。その後、図３０（Ａ）の鎖線Ｅ−Ｅ’に沿った断面図（図３０（Ｂ））に示すように、ベースフィルム２２０の上面に対して斜めの方向に、開口部付近からカッター２２４を入れてベースフィルム２２０の一部を除去するることで、図２７（Ａ）から（Ｃ）に示すベースフィルム２２０を形成することができる。
【００７６】
あるいは図３１に示すように、開口部２２２が形成されていないベースフィルム２２０の上面に対して斜めの方向にカッター２２４使用して形成してもよい。なお、図８（Ｄ）に示すように、第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８の側面１１６ｓ、１１８ｓの断面形状に変曲点を付与する場合には、図３１（Ｂ）に示すように、最初に側壁２２２ｗがベースフィルム２２０の上面に垂直になるよう開口部２２２を形成し、その後側壁２２２ｗの上部をレーザー光照射などによって加熱してベースフィルム２２０の一部を溶融させればよい。
【００７７】
ベースフィルム２２０を可撓性基板１０２の底面に貼り付けたのち、トリミング線１４７に沿ってトリミングを行う（図２５）。トリミングは、例えば刃先がコの字型形状を与えるカッター１４４（図１１（Ｄ）参照）などを用いて行えばよい。この時、トリミング線１４７が開口部２２２を少なくとも二か所で交差するよう、トリミングを行う。これにより、可撓性基板１０２の周辺部がトリミングされ、同時にベースフィルム２２０は互いに離間した第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８へ分割される。本実施形態で示した例では、第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８は、互いに面する側面１１６ｓ、１１８ｓにテーパー部を有し、テーパー部は第１のベースフィルム１１６と第２のベースフィルム１１８の上面からそれぞれ傾いている。
【００７８】
以上のプロセスにより、表示装置１００を製造することができる。
【００７９】
第１実施形態で述べたように、表示装置１００の第１のベースフィルム１１６、第２のベースフィルム１１８の少なくとも一方の端部がテーパー部を有する。このような特徴を有する表示装置１００は、傾いた側壁２２２ｗを有する開口部２２２が備えられたベースフィルムを用いることで製造することができる。したがって、トリミングの工程において、可撓性基板１０２やその他の絶縁膜、配線にクラックが生じる確率が大幅に低下する。その結果、信頼性の高い表示装置を高い歩留りで製造することが可能となる。
【００８０】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８１】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００８２】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８３】
１００：表示装置、１０２：可撓性基板、１０４：活性領域、１０６：配線領域、１０８：端子領域、１１０：素子層、１１２：キャップフィルム、１１２ｓ：側面、１１４：樹脂膜、１１６：第１のベースフィルム、１１６ｓ：側面、１１８：第２のベースフィルム、１１８ｓ：側面、１２０：スペーサ、１２２：表示領域、１２４：コネクタ、１２６：ＩＣチップ、１２８：画素、１３０：駆動回路、１３２：端子、１３４：配線、１４４：カッター、１４６：マザーガラス、１４７：トリミング線、１４８：分割線、１５０：アンダーコート、１５２：半導体膜、１５４：レジストマスク、１５６：不純物領域、１５８：ゲート絶縁膜、１６０：ゲート、１６２：容量電極、１６４：低濃度不純物領域、１６６：層間膜、１７０：開口、１７２：開口、１７４：開口、１８０：ソース、１８２：ドレイン、１８４：第１の端子電極、１８６：平坦化膜、１９０：接続電極、１９２：第２の端子電極、１９４：付加容量電極、１９６：絶縁膜、１９８：開口、２００：第１の電極、２０２：隔壁、２０４：ＥＬ層、２０６：第２の電極、２１０：パッシベーション膜、２１２：第１の層、２１４：第２の層、２１６：第３の層、２２０：ベースフィルム、２２２：開口部、２２２ｗ：側壁、２２４：カッター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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