(57)【要約】【課題】断熱筐体内部への熱の進入を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置１は、断熱筐体１１、高周波信号と直流バイアス電圧とが重畳されて伝送される伝送線１２Ａ，１２Ｂ、断熱筐体１１の外側で伝送線１２Ａ，１２Ｂの一端が接続され、伝送線１２Ａ，１２Ｂに直流バイアス電圧を重畳する重畳部１３Ａ，１３Ｂ、断熱筐体１１の内側で伝送線１２Ａ，１２Ｂの他端が接続され、伝送線１２Ａ，１２Ｂに重畳された直流バイアス電圧を高周波信号から分離する分離部１４Ａ，１４Ｂ、断熱筐体１１の内側に設けられ、分離部１４Ａ，１４Ｂによって分離された直流バイアス電圧を受け取り、高周波信号を増幅する信号処理部１５を備える。【選択図】図１
2018046503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱筐体と、
高周波信号と直流バイアス電圧とが重畳されて伝送される伝送線と、
前記断熱筐体の外側で前記伝送線の一端が接続され、前記伝送線に直流バイアス電圧を重畳する重畳部と、
前記断熱筐体の内側で前記伝送線の他端が接続され、前記伝送線に重畳された前記直流バイアス電圧を前記高周波信号から分離する分離部と、
前記断熱筐体の内側に設けられ、前記分離部によって分離された前記直流バイアス電圧を受け取り、高周波信号を増幅する信号処理部と、を備える、
半導体装置。
【請求項２】
前記重畳部は、外部から入力された、前記直流バイアス電圧および増幅前の高周波信号を前記伝送線に重畳し、
前記分離部は、前記伝送線に重畳された前記直流バイアス電圧を前記増幅前の高周波信号から分離し、
前記信号処理部は、前記分離部によって分離された前記直流バイアス電圧と前記増幅前の高周波信号とを個別に受け取り、当該高周波信号を増幅する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記信号処理部は、前記分離部によって分離された前記直流バイアス電圧を受け取る一方、増幅後の高周波信号を前記分離部に供給し、
前記分離部は、前記伝送線に重畳された前記直流バイアス電圧を前記高周波信号から分離する一方、前記信号処理部から供給された前記増幅後の高周波信号を受け取り、当該増幅後の高周波信号を前記伝送線を介して前記重畳部に供給し、
前記重畳部は、前記伝送線に前記直流バイアス電圧を重畳する一方、前記分離部から供給された前記増幅後の高周波信号を前記伝送線を介して受け取って外部に出力する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記伝送線、前記重畳部および前記分離部を、それぞれ２つずつ備え、
第１の前記重畳部は、外部から入力された、第１の前記直流バイアス電圧および増幅前の高周波信号を第１の前記伝送線に重畳し、
第１の前記分離部は、前記第１の伝送線に重畳された前記第１の直流バイアス電圧を前記増幅前の高周波信号から分離し、
前記信号処理部は、前記第１の分離部によって分離された前記第１の直流バイアス電圧と前記増幅前の高周波信号とを個別に受け取るとともに第２の前記分離部によって分離された第２の直流バイアス電圧を受け取り、当該高周波信号を増幅し、増幅後の高周波信号を前記第２の分離部に供給し、
前記第２の分離部は、第２の前記伝送線に重畳された前記第２の直流バイアス電圧を前記増幅後の高周波信号から分離する一方、前記信号処理部から供給された前記増幅後の高周波信号を受け取り、当該増幅後の高周波信号を第２の前記伝送線を介して第２の前記重畳部に供給し、
前記第２の重畳部は、前記第２の伝送線に前記第２の直流バイアス電圧を重畳する一方、前記第２の分離部から供給された前記増幅後の高周波信号を前記第２の伝送線を介して受け取って外部に出力する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記重畳部は、
前記伝送線が接続される伝送線接続端子と、
前記直流バイアス電圧が印加される電圧端子と、
前記高周波信号が入力または出力される高周波端子と、
前記伝送線接続端子、前記電圧端子および高周波端子にそれぞれ接続され、前記伝送線接続端子、前記電圧端子、高周波端子の間で１の分岐点を有する線路と、
前記分岐点から前記高周波端子側に配置され、高周波成分を通過させ、直流成分を遮断する第１の重畳部フィルタ素子と、
前記分岐点から前記電圧端子側に配置され、直流成分を通過させ、高周波成分を遮断する第２の重畳部フィルタ素子と、を備える、
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の重畳部フィルタ素子は、前記重畳部の線路の分岐点と当該分岐点から前記高周波信号の波長の４分の１離れた位置に設けられた接地との間に配置されている、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記分離部は、
前記伝送線が接続される伝送線接続端子と、
前記直流バイアス電圧が印加される電圧端子と、
前記高周波信号が入力または出力される高周波端子と、
前記伝送線接続端子、前記電圧端子および高周波端子にそれぞれ接続され、前記伝送線接続端子、前記電圧端子、高周波端子の間で１の分岐点を有する線路と、
前記分岐点から前記高周波端子側に配置され、高周波成分を通過させ、直流成分を遮断する第１の分離部フィルタ素子と、
前記分岐点から前記電圧端子側に配置され、直流成分を通過させ、高周波成分を遮断する第２の分離部フィルタ素子と、を備える、
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の分離部フィルタ素子は、前記分離部の線路の分岐点と当該分岐点から前記高周波信号の波長の４分の１離れた位置に設けられた接地との間に配置されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記信号処理部と前記分離部との間に配置され、交流成分を除去するフィルタ素子をさらに備える、
請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高感度な無線受信機等に備えられる低雑音増幅器（ＬＮＡ：Low Noise Amplifier）は、低温なほど雑音指数（ＮＦ：Noise Figure）が向上するため、低温な状態が維持されることが好ましい。増幅器を低温な状態に維持するための技術として、例えば特許文献１には、増幅器と当該増幅器を冷却する冷却部とを、断熱性を有する筐体（断熱筐体と称する）に収容した装置が開示されている。
【０００３】
また、低雑音増幅等の信号処理を行う半導体装置は、小型化、効率化のために、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路：Monolithic Microwave Integrated Circuit）によって構成される傾向にある。ＭＭＩＣは、一種類の半導体基板に能動素子および受動素子が集積された回路であり、高周波（ＲＦ；Radio Frequency）信号の入力および出力端子、ゲートおよびドレインの直流バイアス電圧が印加される端子等、複数の端子を有する。一般的に高周波信号の入力および出力端子はフィルタ素子（カップリングコンデンサ）を有し、直流信号を遮断する。直流信号（直流バイアス電圧）は、専用の直流端子から印加され、ＭＭＩＣ内でＲＦ信号に重畳される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２０００６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
汎用のＭＭＩＣは、高周波信号と直流信号をそれぞれ独立に専用の端子から供給しなければならないので、ＭＭＩＣの各端子に対応したケーブルを接続しなければならない。多数のケーブルを接続するため、ＭＭＩＣが断熱筐体に収容されても、外部の熱がＭＭＩＣの各ケーブルを通じて断熱筐体の中に進入し、ＭＭＩＣの冷却効率が悪いという問題がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、断熱筐体内部への熱の進入を低減可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の半導体装置は、
断熱筐体と、
高周波信号と直流バイアス電圧とが重畳されて伝送される伝送線と、
前記断熱筐体の外側で前記伝送線の一端が接続され、前記伝送線に直流バイアス電圧を重畳する重畳部と、
前記断熱筐体の内側で前記伝送線の他端が接続され、前記伝送線に重畳された前記直流バイアス電圧を前記高周波信号から分離する分離部と、
前記断熱筐体の内側に設けられ、前記分離部によって分離された前記直流バイアス電圧を受け取り、高周波信号を増幅する信号処理部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の半導体装置の構成を概略的に示したブロック図である。
【図２】図１に示した半導体装置の構成を具体的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１は、断熱筐体１１と、２本の伝送線１２Ａ，１２Ｂと、２つの重畳部１３Ａ，１３Ｂと、２つの分離部１４Ａ，１４Ｂと、信号処理部１５とを備える。半導体装置１は、断熱筐体１１から露出するケーブルの数を減らし、断熱筐体１１内部への熱の進入を低減するものである。
【００１１】
断熱筐体１１は、断熱性を有する筐体であり、外部の熱が内部に進入するのを防ぐ。
断熱筐体１１には、分離部１４Ａ，１４Ｂおよび信号処理部１５が収容されている。
【００１２】
また、断熱筐体１１は、冷却部１１Ａを備える。冷却部１１Ａは、断熱筐体１１の内部を低温にできるものであればよい。冷却部１１Ａは、例えば、複数のペルチェ素子を備えた冷却プレート、液体ヘリウムや液体窒素等を循環させる冷却プレートがある。なお、断熱筐体１１は、内部の冷却状態を維持するために真空であることが好ましく、真空ポンプ等によって内部を減圧状態に維持可能にしてもよい。
【００１３】
伝送線１２Ａ，１２Ｂは、例えば、ＲＦケーブル等の同軸ケーブルから構成される。伝送線１２Ａ，１２Ｂは、高周波信号および直流バイアス電圧を伝送する。
【００１４】
具体的には、伝送線１２Ａは、一端が断熱筐体１１の外側に設けられた重畳部１３Ａに接続され、他端が断熱筐体１１の内側に設けられた分離部１４Ａに接続される。伝送線１２Ａは、信号処理部１５が処理する前の高周波信号（信号処理部１５にて増幅させる高周波信号）と、信号処理部１５のゲートに印加される直流バイアス電圧Ｖｇとを伝送する。
【００１５】
一方、伝送線１２Ｂは、一端が断熱筐体１１の外側に設けられた重畳部１３Ｂに接続され、他端が断熱筐体１１の内側に設けられた分離部１４Ｂに接続される。伝送線１２Ｂは、信号処理部１５が増幅した後の高周波信号と、信号処理部１５のドレインに印加される直流バイアス電圧Ｖｄとを伝送する。
【００１６】
重畳部１３Ａ，１３Ｂは、伝送線１２Ａ，１２Ｂが接続される端子（伝送線接続端子）、直流バイアス電圧が印加される端子（電圧端子）、および、高周波信号が入力または出力される端子（高周波端子）を備える。伝送線接続端子と電圧端子との間には直流バイアス電圧を伝送する線路が形成され、伝送線接続端子と高周波端子との間には高周波信号を伝送する線路が形成されている。
【００１７】
具体的には、重畳部１３Ａには、直流バイアス電圧Ｖｇおよび処理前の高周波信号が外部から入力される。重畳部１３Ａは、入力された直流バイアス電圧Ｖｇと処理前の高周波信号とを伝送線１２Ａに重畳する。
【００１８】
一方、重畳部１３Ｂには、直流バイアス電圧Ｖｄが外部から入力される。重畳部１３Ｂは、入力された直流バイアス電圧Ｖｄを伝送線１２Ｂに重畳する。また、重畳部１３Ｂは、分離部１４Ｂから供給された処理後の高周波信号を伝送線１２Ｂを介して受け取って外部に出力する。
【００１９】
分離部１４Ａ，１４Ｂは、重畳部１３Ａ，１３Ｂと同様、伝送線１２Ａ，１２Ｂが接続される端子（伝送線接続端子）、直流バイアス電圧が印加される端子（電圧端子）、および、高周波信号が入力または出力される端子（高周波端子）を備える。伝送線接続端子と電圧端子との間には直流バイアス電圧を伝送する線路が形成され、伝送線接続端子と高周波端子との間には高周波信号を伝送する線路が形成されている。
【００２０】
具体的には、分離部１４Ａは、伝送線１２Ａに重畳された直流バイアス電圧Ｖｇを処理前の高周波信号から分離する。分離部１４Ａは、分離した直流バイアス電圧Ｖｇと処理前の高周波信号とを、信号処理部１５に個別に供給する。
【００２１】
一方、分離部１４Ｂは、信号処理部１５から供給された処理後の高周波信号を受け取る。分離部１４Ｂは、処理後の高周波信号を伝送線１２Ｂを介して重畳部１３Ｂに供給する。また、分離部１４Ｂは、伝送線１２Ｂに重畳された直流バイアス電圧Ｖｄを処理後の高周波信号から分離する。
【００２２】
信号処理部１５は、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路：Monolithic Microwave Integrated Circuit）等から構成され、低雑音増幅等の増幅処理を行う。信号処理部１５は、分離部１４Ａによって分離された直流バイアス電圧Ｖｇと増幅前の高周波信号とを分離部１４Ａから個別に受け取る。また、信号処理部１５は、分離部１４Ｂによって分離された直流バイアス電圧Ｖｄを分離部１４Ｂから受け取る。信号処理部１５は、受け取った高周波信号について増幅処理を行い、増幅後の高周波信号を分離部１４Ｂに供給する。
【００２３】
次に、図１に示した、重畳部１３Ａ，１３Ｂ、分離部１４Ａ，１４Ｂ、信号処理部１５間に設けられた伝送線路の構成について図２を参照して説明する。
【００２４】
重畳部１３Ａ，１３Ｂは、伝送線接続端子１３１と、電圧端子１３２と、高周波端子１３３と、第１のフィルタ素子１３４と、第２のフィルタ素子１３５と、線路ＴＬとを備える。
【００２５】
線路ＴＬは、伝送線接続端子１３１、電圧端子１３２および高周波端子１３３にそれぞれ接続され、伝送線接続端子１３１、電圧端子１３２、高周波端子１３３の間で１の分岐点１３６を有する。線路ＴＬは、伝送線接続端子１３１と電圧端子１３２との間で形成される直流バイアス電圧を伝送する線路と、伝送線接続端子１３１と高周波端子１３３との間で形成される高周波信号を伝送する線路とを有する。
【００２６】
第１のフィルタ素子（カップリングコンデンサ）１３４は、高周波成分を通過させ、直流成分を遮断する。第１のフィルタ素子１３４は、分岐点１３６から高周波端子１３３側に配置される。これにより、第１のフィルタ素子１３４から高周波端子１３３側への直流成分の進入が遮断され、伝送線接続端子１３１と高周波端子１３３との間には高周波信号を伝送する線路が形成される。
【００２７】
第２のフィルタ素子（デカップリングコンデンサ）１３５は、直流成分を通過させ、高周波成分を接地に逃がす（通さない）。第２のフィルタ素子１３５は、分岐点１３６から電圧端子１３２側に分岐し、分岐点１３６から高周波信号の波長の４分の１離れた位置に設けられ、一方の端は接地に接続される。これにより、ノイズ等の高周波成分は接地にバイパスされ（流れ）、伝送線接続端子１３１と電圧端子１３２との間には直流バイアス電圧を伝送する線路が形成される。
【００２８】
この構成によれば、分岐点１３６から接地を見たインピーダンスが無限大となって開放状態となるため、分岐点１３６から電圧端子１３２側への高周波成分の漏れをより効率的に遮断できる。
【００２９】
分離部１４Ａ，１４Ｂは、重畳部１３Ａ，１３Ｂと同様に、伝送線接続端子１４１と、電圧端子１４２と、高周波端子１４３と、第１のフィルタ素子１４４と、第２のフィルタ素子１４５と、線路ＴＬとを備える。伝送線接続端子１４１と電圧端子１４２との間には直流バイアス電圧を伝送する線路が形成され、伝送線接続端子１４１と高周波端子１４３との間には高周波信号を伝送する線路が形成される。
【００３０】
なお、分離部１４Ａ，１４Ｂの接地も、重畳部１３Ａ，１３Ｂと同様に、分岐点１４６から高周波信号の波長の４分の１離れた位置に設けられ、第２のフィルタ素子１４５は、分岐点１４６と接地との間に配置されるのが好ましい。
【００３１】
信号処理部１５は、直流バイアス電圧Ｖｇが印加されるゲート電極１５１ｇと、直流バイアス電圧Ｖｄが印加されるドレイン電極１５１ｄと、増幅前の高周波信号が入力される高周波入力端子１５２ｉと、増幅後の高周波信号が出力される高周波出力端子１５２ｏとを備える。
【００３２】
信号処理部１５のゲート電極１５１ｇと分離部１４Ａの電圧端子１４２との間にはフィルタ素子（デカップリングコンデンサ）１６Ａが配置されている。また、信号処理部１５のドレイン電極１５１ｄと分離部１４Ｂの電圧端子１４２との間にはフィルタ素子（デカップリングコンデンサ）１６Ｂが配置されている。
【００３３】
フィルタ素子１６Ａ，１６Ｂで使用されるコンデンサの静電容量は、重畳部１３Ａ，１３Ｂの第１のフィルタ素子１３４や第２のフィルタ素子１３５または分離部１４Ａ，１４Ｂの第１のフィルタ素子１４４や第２のフィルタ素子１４５で使用されるコンデンサの静電容量よりも大きい。
【００３４】
具体的には、第１のフィルタ素子１３４，１４４、第２のフィルタ素子１３５，１４５を構成するコンデンサが約１ｐＦの静電容量を有する場合、フィルタ素子１６Ａ，１６Ｂを構成するコンデンサは約１００ｐＦの静電容量を有するものが用いられる。このようにフィルタ素子１６Ａ，１６Ｂを備えることにより、分離部１４Ａ，１４Ｂで除去しきれずに残ったノイズやリップル等の交流成分が接地にバイパスされ、安定した直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄが、ゲート電極１５１ｇ、ドレイン電極１５１ｄに印加される。
【００３５】
なお、フィルタ素子１６Ａ，１６Ｂと電圧端子１４２、フィルタ素子１６Ａとゲート電極１５１ｇ、および、フィルタ素子１６Ｂとドレイン電極１５１ｄは、それぞれボンディングワイヤＷによって接続される。また、分離部１４Ａの高周波端子１４３と高周波入力端子１５２ｉ、分離部１４Ｂの高周波端子１４３と高周波出力端子１５２ｏも、それぞれボンディングワイヤＷによって接続される。
【００３６】
以上のように構成された半導体装置１について、外部から入力された直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄが信号処理部１５に印加されるまでの流れを説明する。
【００３７】
重畳部１３Ａ，１３Ｂは、外部から電圧端子１３２に入力された直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄを、内部で形成された線路を通じて伝送線接続端子１３１に伝送し、伝送線接続端子１３１に接続された伝送線１２Ａ，１２Ｂに直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄを重畳する。伝送線１２Ａ，１２Ｂに重畳された直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄは、分離部１４Ａ，１４Ｂの伝送線接続端子１４１に供給される。
【００３８】
分離部１４Ａ，１４Ｂは、伝送線接続端子１４１で受け取った直流バイアス電圧Ｖｇ，Ｖｄを、内部で形成された線路を通じて電圧端子１４２に伝送する。分離部１４Ａの電圧端子１４２に伝送された直流バイアス電圧Ｖｇは、フィルタ素子１６Ａを介してゲート電極１５１ｇに印加される。分離部１４Ｂの電圧端子１４２に伝送された直流バイアス電圧Ｖｄは、フィルタ素子１６Ｂを介してドレイン電極１５１ｄに印加される。
【００３９】
つづいて、外部から入力された高周波信号が出力されるまでの流れを説明する。
【００４０】
重畳部１３Ａは、外部から高周波端子１３３に入力された高周波信号を、内部で形成された線路を通じて伝送線接続端子１３１に伝送し、伝送線接続端子１３１に接続された伝送線１２Ａに高周波信号を重畳する。伝送線１２Ａに重畳された高周波信号は、分離部１４Ａの伝送線接続端子１４１に供給される。
【００４１】
分離部１４Ａは、伝送線接続端子１４１で受け取った高周波信号を、内部で形成された線路を通じて高周波端子１４３に伝送する。高周波端子１４３に伝送された高周波信号は、信号処理部１５の高周波入力端子１５２ｉに入力される。
【００４２】
信号処理部１５は、高周波入力端子１５２ｉに入力された高周波信号について増幅等の所定の信号処理を行う。処理後の高周波信号は、高周波出力端子１５２ｏから出力され、分離部１４Ｂの高周波端子１４３に供給される。
【００４３】
分離部１４Ｂは、高周波端子１４３で受け取った処理後の高周波信号を、内部で形成された線路を通じて伝送線接続端子１４１に伝送する。伝送線接続端子１４１に伝送された処理後の高周波信号は、伝送線接続端子１４１に接続された伝送線１２Ｂを介して重畳部１３Ｂの伝送線接続端子１３１に供給される。
【００４４】
重畳部１３Ｂは、伝送線接続端子１３１で受け取った高周波信号を、内部で形成された線路を通じて高周波端子１３３に伝送し、高周波端子１３３から外部に出力する。
【００４５】
以上、本実施形態にかかる半導体装置１によれば、断熱筐体１１の外側と内側との間で直流バイアス電圧および高周波信号を重畳させて伝送させることができるので、断熱筐体１１から露出するケーブルの数を半減でき、その分、断熱筐体１１内部への熱の進入を低減できる。
【００４６】
なお、上記実施形態では、信号処理部１５のゲート電極１５１ｇに印加される直流バイアス電圧Ｖｇが、処理前の高周波信号が入力される重畳部１３Ａの電圧端子１３２に入力される例を説明したが、直流バイアス電圧Ｖｇは、処理後の高周波信号が出力される重畳部１３Ｂの電圧端子１３２に入力されてもよい。この場合、信号処理部１５のドレイン電極１５１ｄに印加される直流バイアス電圧Ｖｄは、重畳部１３Ａの電圧端子１３２に入力される。
【００４７】
また、重畳部１３Ａ，１３Ｂが備える第１のフィルタ素子１３４は、伝送線接続端子１３１と高周波端子１３３との間で高周波信号を伝送する線路が形成されるものであればよく、カップリングコンデンサ以外でもよい。
【００４８】
また、重畳部１３Ａ，１３Ｂが備える第２のフィルタ素子１３５は、伝送線接続端子１３１と電圧端子１３２との間で直流バイアス電圧を伝送する線路が形成されるものであればよく、デカップリングコンデンサ以外でもよい。
【００４９】
また、分離部１４Ａ，１４Ｂが備える第１のフィルタ素子１４４は、伝送線接続端子１４１と高周波端子１４３との間で高周波信号を伝送する線路が形成されるものであればよく、カップリングコンデンサ以外でもよい。
【００５０】
また、分離部１４Ａ，１４Ｂが備える第２のフィルタ素子１４５は、伝送線接続端子１４１と電圧端子１４２との間で直流バイアス電圧を伝送する線路が形成されるものであればよく、デカップリングコンデンサ以外でもよい。
【００５１】
さらに、重畳部１３Ａ，１３Ｂの第２のフィルタ素子１３５は、線路ＴＬの分岐点１３６から高周波信号の波長の４分の１離れた位置に接地が設けられていなくてもよく、分岐点１３６から電圧端子１３２側に配置されていればよい。分離部１４Ａ，１４Ｂの第２のフィルタ素子１４５についても同様である。
【００５２】
また、信号処理部１５は、ＭＭＩＣ以外のマイクロ波集積回路(ＭＩＣ：Microwave Integrated Circuit)や、単一の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）回路から構成されてもよい。
【００５３】
以上、いくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５４】
１…半導体装置
１１…断熱筐体
１１Ａ…冷却部
１２Ａ，１２Ｂ…伝送線
１３Ａ，１３Ｂ…重畳部
１４Ａ，１４Ｂ…分離部
１５…信号処理部
１６Ａ，１６Ｂ…フィルタ素子
１３１…伝送線接続端子
１３２…電圧端子
１３３…高周波端子
１３４…第１のフィルタ素子
１３５…第２のフィルタ素子
１３６…分岐点
１４１…伝送線接続端子
１４２…電圧端子
１４３…高周波端子
１４４…第１のフィルタ素子
１４５…第２のフィルタ素子
１４６…分岐点
１５１ｇ…ゲート電極
１５１ｄ…ドレイン電極
１５２ｉ…高周波入力端子
１５２ｏ…高周波出力端子
ＴＬ…線路
【図１】
2018046503.tif 000003
【図２】
2018046503.tif 000004