(57)【要約】      （修正有）【課題】より活用しやすいトランジスタ及びその製造方法、さらにはこれを用いた圧力センサを提供する。【解決手段】トランジスタ１２の構成を、第１の面に位置する基板１１と、第２の面に位置し、その一部に貫通孔を有するパッシベーション層３と、基板とパッシベーション層との間に位置する、ゲート電極９、ゲート絶縁層８、半導体７、ソース電極６及びドレイン電極５と、パッシベーション層の貫通孔内に位置し、ドレイン電極と接続している取り出し電極４と、を有する。パッシベーション層の表面と取り出し電極の表面とは同一平面上に位置するようにする。【選択図】図９
2018046075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に位置する基板と、
第２の面に位置し、その一部に貫通孔を有する第１絶縁層と、
前記基板と前記第１絶縁層との間に位置する、第１電極、第２絶縁層、半導体、第２電極、および第３電極と、
前記第１絶縁層の貫通孔内に位置し、前記第３電極と接続している第４電極と、を含み、
前記第１絶縁層の表面と前記第４電極の表面とは同一平面上に位置する、
トランジスタ。
【請求項２】
前記第１絶縁層の表面と前記第４電極の表面との段差が５ｎｍ以下である、
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記第１絶縁層がパッシベーション層であり、
前記第２絶縁層がゲート絶縁層であり、
前記第１電極がゲート電極であり、
前記第２電極がソース電極であり、
前記第３電極がドレイン電極であり、
前記第４電極が取り出し電極である、
請求項１または２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
請求項３に記載のトランジスタと、
前記トランジスタにおけるパッシベーション層上に位置する感圧層と、を含む、圧力センサ。
【請求項５】
表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、
前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、
前記第１絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、
前記第２電極と第３電極との間に半導体を形成する、半導体形成工程と、
前記、第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、
を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、
基板を準備する、基板準備工程と、
前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、
前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、
を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項６】
表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、
前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程と、
前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、
前記第１絶縁層および前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、
前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、
前記、第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、
を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、
基板を準備する、基板準備工程と、
前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、
前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、
を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項７】
表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、
前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、
前記第２絶縁層の貫通孔内および第２絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、
前記第２絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、
前記第２電極と第３電極の間に半導体を形成する、半導体形成工程と、
前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、
を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、
基板を準備する、基板準備工程と、
前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、
前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、
を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項８】
表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、
前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程と、
前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、
前記第２絶縁層の貫通孔内と前記第２絶縁層上と前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、
前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、
前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、
を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、
基板を準備する、基板準備工程と、
前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、
前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、
を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記第４電極形成工程と、前記第２電極形成工程と、前記第３電極形成工程と、が同時に行われる、
請求項５〜８何れか一項に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁層がパッシベーション層であり、
前記第２絶縁層がゲート絶縁層であり、
前記第３絶縁層がオーバーコート層であり、
前記第１電極がゲート電極であり、
前記第２電極がソース電極であり、
前記第３電極がドレイン電極であり、
前記第４電極が取り出し電極である、
請求項５〜９の何れか一項に記載のトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、トランジスタ、圧力センサ、およびトランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、無機半導体や有機半導体を備えるトランジスタが製造されており、当該トランジスタは種々の分野で活用されている。近年は、例えば特許文献１に記載されているように、柔軟な樹脂フィルムを基板として用いた、フレキシブルなトランジスタも開発されており、特許文献２に記載されているように、当該フレキシブルなトランジスタを応用した圧力センサなども知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５１３８９２７号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／１１９２１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の実施形態は、このような状況下においてなされたものであり、より活用しやすいトランジスタおよびその製造方法、さらにはこれを用いた圧力センサを提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための本開示の一実施形態は、第１の面に位置する基板と、第２の面に位置し、その一部に貫通孔を有する第１絶縁層と、前記基板と前記第１絶縁層との間に位置する、第１電極、第２絶縁層、半導体、第２電極、および第３電極と、前記第１絶縁層の貫通孔内に位置し、前記第３電極と接続している第４電極と、を含み、前記第１絶縁層の表面と前記第４電極の表面とは同一平面上に位置する、トランジスタである。
【０００６】
前記本開示の一実施形態にかかるトランジスタにあっては、前記第１絶縁層の表面と前記第４電極の表面との段差が５ｎｍ以下であってもよい。
【０００７】
また、前記本開示の一実施形態にかかるトランジスタにあっては、前記第１絶縁層がパッシベーション層であり、前記第２絶縁層がゲート絶縁層であり、前記第１電極がゲート電極であり、前記第２電極がソース電極であり、前記第３電極がドレイン電極であり、前記第４電極が取り出し電極であってもよい。
【０００８】
前記課題を解決するための本開示の別の一実施形態は、前記本開示の一実施形態にかかるトランジスタと、前記トランジスタにおけるパッシベーション層上に位置する感圧層と、を含む、圧力センサである。
【０００９】
前記課題を解決するための本開示の別の一実施形態は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、前記第１絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、前記第１絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、前記第２電極と第３電極との間に半導体を形成する、半導体形成工程と、前記、第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、基板を準備する、基板準備工程と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、を含む、トランジスタの製造方法である。
【００１０】
また、前記課題を解決するための本開示の別の一実施形態は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、前記第１絶縁層および前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、前記、第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、基板を準備する、基板準備工程と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、を含む、トランジスタの製造方法である。
【００１１】
また、前記課題を解決するための本開示の別の一実施形態は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、前記第２絶縁層の貫通孔内および第２絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、前記第２絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、前記第２電極と第３電極の間に半導体を形成する、半導体形成工程と、前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、基板を準備する、基板準備工程と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、を含む、トランジスタの製造方法である。
【００１２】
また、前記課題を解決するための本開示の別の一実施形態は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程と、前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程と、前記第２絶縁層の貫通孔内と前記第２絶縁層上と前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程と、前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程と、前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し、次いで、基板を準備する、基板準備工程と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程と、を含む、トランジスタの製造方法である。
【００１３】
前記本開示の実施形態にかかるトランジスタの製造方法にあっては、前記第４電極形成工程と、前記第２電極形成工程と、前記第３電極形成工程と、が同時に行われてもよい。
【００１４】
また、前記本開示の実施形態にかかるトランジスタの製造方法にあっては、前記第１絶縁層がパッシベーション層であり、前記第２絶縁層がゲート絶縁層であり、前記第３絶縁層がオーバーコート層であり、前記第１電極がゲート電極であり、前記第２電極がソース電極であり、前記第３電極がドレイン電極であり、前記第４電極が取り出し電極であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
前記本開示の実施形態によれば、より活用しやすい薄膜トランジスタおよびその製造方法、さらにはこれを用いた圧力センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【図２】本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【図３】本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【図４】本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【図５】本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【図６】本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【図７】本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【図８】本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【図９】本開示の実施形態にかかるトランジスタの断面図である。
【図１０】本開示の実施形態にかかる感圧センサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本開示の実施形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を実物のそれらから変更し誇張してある。また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件、並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００１８】
（トランジスタの製造方法）
まず、本開示の実施形態にかかるトランジスタの製造方法について、図面を用いて説明する。なお、本開示の実施形態にかかるトランジスタの製造方法は、製造されるトランジスタの型により以下の４つがある。
（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法
（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法
（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法
（４）トップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法
以下、上記（１）〜（４）について、それぞれ図面を用いて説明する。
【００１９】
（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法
図１は、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【００２０】
図２は、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程Ｓ１と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程Ｓ２と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程Ｓ３と、前記第１絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程Ｓ４と、前記第１絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程Ｓ５と、前記第２電極と第３電極との間に半導体を形成する、半導体形成工程Ｓ６と、前記第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程Ｓ７と、前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程Ｓ８と、前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程Ｓ９と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し（Ｓ１０）、次いで、基板を準備する、基板準備工程Ｓ１１と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程Ｓ１２と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程Ｓ１３と、を含んでいる。
【００２２】
ここで、トランジスタを構成する第１〜第３絶縁層、および第１〜第４電極が何たるかについては特に限定されないが、以下の説明においては、第１絶縁層がパッシベーション層であり、第２絶縁層がゲート絶縁層であり、第３絶縁層がオーバーコート層であり、また、第１電極がゲート電極であり、第２電極がソース電極であり、第３電極がドレイン電極であり、第４電極が取り出し電極である場合を具体例として挙げて説明する。
【００２３】
・仮基板準備工程
図１および図２（ａ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては仮基板準備工程Ｓ１が行われる。
【００２４】
仮基板準備工程Ｓ１は、表面に剥離層２が形成された仮基板１を準備する工程である。
【００２５】
ここで準備される仮基板１の材質については特に限定されることはなく、ガラスや各種樹脂板などを適宜選択して用いればよい。
【００２６】
また、仮基板１の表面に形成された剥離層２についても特に限定されることはなく、最終的に当該剥離層２上に積層形成されるトランジスタをきれいに剥離せしめることができる層であればよい。
【００２７】
・第１絶縁層（パッシベーション層）形成工程
図１および図２（ｂ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記仮基板準備工程Ｓ１の後に第１絶縁層形成工程、より具体的にはパッシベーション層形成工程Ｓ２が行われる。
【００２８】
パッシベーション層形成工程Ｓ２は、前記仮基板準備工程Ｓ１において準備された仮基板１における剥離層２上に、一部に貫通孔３ａを有するパッシベーション層３を形成する工程である。
【００２９】
ここで形成されるパッシベーション層３の材質については特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるパッシベーション層３として用いられている各種樹脂などから適宜選択することができる。
【００３０】
パッシベーション層３の厚さについても特に限定されることはない。
【００３１】
また、パッシベーション層３を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００３２】
パッシベーション層３に設けられる貫通孔３ａは、最終的には取り出し電極が形成される部分である。したがって、最終製品であるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタにおいて取り出し電極を形成すべき部分に貫通孔３ａを設けておけばよい。なお、図２（ｂ）においては、貫通孔３ａは一つのみ形成されているが、複数形成されていてもよい。
【００３３】
・第４電極（取り出し電極）形成工程
図１および図２（ｃ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記パッシベーション層形成工程Ｓ２の後に第４電極形成工程、より具体的には取り出し電極形成工程Ｓ３が行われる。
【００３４】
取り出し電極形成工程Ｓ３は、前記パッシベーション層形成工程Ｓ２で形成されたパッシベーション層３における貫通孔３ａ内に第４電極としての取り出し電極４を形成する工程である。
【００３５】
ここで形成される取り出し電極４の材質については特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおける取り出し電極４として用いられている各種金属や合金などから適宜選択することができる。
【００３６】
また、取り出し電極４を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００３７】
・第３電極（ドレイン電極）形成工程
図１および図２（ｄ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記取り出し電極形成工程Ｓ３の後に第３電極形成工程、より具体的にはドレイン電極形成工程Ｓ４が行われる。
【００３８】
ドレイン電極形成工程Ｓ４は、前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３上に、前記取り出し電極４を接続するようにドレイン電極５を形成する工程である。
【００３９】
ここで形成されるドレイン電極５の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるドレイン電極５として用いられている各種金属や合金などから適宜選択することができる。
【００４０】
また、ドレイン電極５を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００４１】
・第２電極（ソース電極）形成工程
図１および図２（ｅ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ドレイン電極形成工程Ｓ４の後に第２電極形成工程、より具体的にはソース電極形成工程Ｓ５が行われる。
【００４２】
ソース電極形成工程Ｓ５は、前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３上に、ソース電極６を形成する工程である。
【００４３】
ここで形成されるソース電極６の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるソース電極６として用いられている各種金属や合金などから適宜選択することができる。
【００４４】
また、ソース電極６を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００４５】
また、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、前記で説明した取り出し電極４、ドレイン電極５、およびソース電極６をすべて同じ材料を用いて、同時に形成してもよい。
【００４６】
・半導体形成工程
図１および図２（ｆ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ソース電極形成工程Ｓ５の後に半導体形成工程Ｓ６が行われる。
【００４７】
半導体形成工程Ｓ６は、第１絶縁層としてのパッシベーション層３上であって、前記ドレイン電極５とソース電極６との間に半導体７を形成する工程である。
【００４８】
ここで形成される半導体７の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおける半導体７として用いられている各種材料から適宜選択することができる。
【００４９】
また、半導体７を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００５０】
・第２絶縁層（ゲート絶縁層）形成工程
図１および図２（ｇ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記半導体形成工程Ｓ６の後に第２絶縁層形成工程、より具体的にはゲート絶縁層形成工程Ｓ７が行われる。
【００５１】
ゲート絶縁層形成工程Ｓ７は、第１絶縁層としてのパッシベーション層３、第２電極としてのソース電極６、第３電極としてのドレイン電極５、および半導体７を覆うようにゲート絶縁層８を形成する工程である。
【００５２】
ここで形成されるゲート絶縁層８の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるゲート絶縁層８として用いられている各種樹脂などから適宜選択することができる。
【００５３】
また、ゲート絶縁層８を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００５４】
・第１電極（ゲート電極）形成工程
図１および図２（ｈ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート絶縁層形成工程Ｓ７の後に第１電極形成工程、より具体的にはゲート電極形成工程Ｓ８が行われる。
【００５５】
ゲート電極形成工程Ｓ８は、第２絶縁層としてのゲート絶縁層８上に、第１電極としてのゲート電極９を形成する工程である。
【００５６】
ここで形成されるゲート電極９の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるゲート電極９として用いられている各種金属や合金などから適宜選択することができる。
【００５７】
また、ゲート電極９を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００５８】
・第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程
図１および図２（ｉ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート電極形成工程Ｓ８の後に第３絶縁層形成工程、より具体的にはオーバーコート層形成工程Ｓ９が行われる。
【００５９】
オーバーコート層形成工程Ｓ９は、第２絶縁層としてのゲート絶縁層８、および第１電極としてのゲート電極９を覆うように第３絶縁層としてのオーバーコート層１０を形成する工程である。
【００６０】
ここで形成されるオーバーコート層１０の材質についても特に限定されることはなく、従来のトランジスタにおけるオーバーコート層１０として用いられている各種樹脂などから適宜選択することができる。
【００６１】
また、オーバーコート層１０を形成する具体的な手段についても特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００６２】
本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、前記仮基板準備工程Ｓ１から第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程Ｓ９を行うことで、仮基板１の表面に設けられた剥離層２上に、転写用トランジスタが形成される（Ｓ１０）。
【００６３】
・基板準備工程
そして、図１に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、基板準備工程Ｓ１１が行われる。
【００６４】
ここで準備される基板１１は、最終的に製造されるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの基板として用いられることができれば特に限定されることはなく、従来からトランジスタに用いられている各種基板から適宜選択可能である。
【００６５】
また、基板１１の厚さについても特に限定されることはない。
【００６６】
・接着工程
図１および図２（ｊ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記基板準備工程Ｓ１１の後に接着工程Ｓ１２が行われる。
【００６７】
接着工程Ｓ１２は、前記基板準備工程Ｓ１１で準備された基板１１と、前記転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層としてのオーバーコート層１０とを接着する工程である。つまり、転写用トランジスタを逆さまにして基板１１上に積層せしめる工程である。
【００６８】
基板１１と転写用トランジスタにおけるオーバーコート層１０とを接着する具体的な手段については特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００６９】
・転写工程
図１および図２（ｋ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記接着工程Ｓ１２の後に転写工程Ｓ１３が行われる。
【００７０】
転写工程Ｓ１３は、転写用トランジスタにおける前記剥離層２と前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３とをその界面で分離する工程である。
【００７１】
剥離層２と転写用トランジスタにおけるパッシベーション層３とをその界面で分離する具体的な手段については特に限定されることはなく、従来用いられている手段から適宜選択することができる。
【００７２】
以上により、ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタが製造される。
【００７３】
この製造方法によれば、仮基板１の表面に形成された剥離層２上に、最終製造物であるボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタの表面に位置するパッシベーション層３から必要な層を順次積層して、転写用薄膜トランジスタを形成し、次いで、剥離層２とパッシベーション層３との界面で剥離することで、転写用薄膜トランジスタを基板１１に転写することで、最終製造物であるボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタを製造しているため、転写後の薄膜トランジスタの最表面に位置するパッシベーション層３と取り出し電極４との間における段差を解消することができ、最表面全体を平坦にすることができる。よって、当該パッシベーション層３上に感圧層などを形成した場合であっても、当該感圧層との密着性が損なわれることなく、感圧層の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【００７４】
（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法
図３は、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【００７５】
図４は、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【００７６】
なお、図３および図４においては、図１および図２と同じ構成については同じ符号を付してある。
【００７７】
図３に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程Ｓ１と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程Ｓ２と、前記第１絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程Ｓ６と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程Ｓ３と、前記第１絶縁層および前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程Ｓ４と、前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程Ｓ５と、前記、第１絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程Ｓ７と、前記第２絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程Ｓ８と、前記第２絶縁層、および第１電極を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程Ｓ９と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し（Ｓ１０）、次いで、基板を準備する、基板準備工程Ｓ１１と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程Ｓ１２と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程Ｓ１３と、を含んでいる。
【００７８】
ここで、トランジスタを構成する第１〜第３絶縁層、および第１〜第４電極が何たるかについては特に限定されないが、以下の説明においては、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、第１絶縁層がパッシベーション層であり、第２絶縁層がゲート絶縁層であり、第３絶縁層がオーバーコート層であり、また、第１電極がゲート電極であり、第２電極がソース電極であり、第３電極がドレイン電極であり、第４電極が取り出し電極である場合を具体例として挙げて説明する。
【００７９】
なお、図３および図４からも明らかなように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程自体は、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであり、各工程の順番が異なっている。
【００８０】
・仮基板準備工程
図３および図４（ａ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては仮基板準備工程Ｓ１が行われる。当該工程については、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８１】
・第１絶縁層（パッシベーション層）形成工程
図３および図４（ｂ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記仮基板準備工程Ｓ１の後に第１絶縁層形成工程、より具体的にはパッシベーション層形成工程Ｓ２が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８２】
・半導体形成工程
図３および図４（ｃ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記パッシベーション層形成工程Ｓ２の後に半導体形成工程Ｓ６が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８３】
・第４電極（取り出し電極）形成工程
図３および図４（ｄ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、半導体形成工程Ｓ６の後に第４電極形成工程、より具体的には取り出し電極形成工程Ｓ３が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８４】
・第３電極（ドレイン電極）形成工程
図３および図４（ｅ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記取り出し電極形成工程Ｓ３の後に第３電極形成工程、より具体的にはドレイン電極形成工程Ｓ４が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８５】
・第２電極（ソース電極）形成工程
図３および図４（ｆ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ドレイン電極形成工程Ｓ４の後に第２電極形成工程、より具体的にはソース電極形成工程Ｓ５が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８６】
本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、取り出し電極４、ドレイン電極５、およびソース電極６をすべて同じ材料を用いて、同時に形成してもよい。
【００８７】
・第２絶縁層（ゲート絶縁層）形成工程
図３および図４（ｇ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ソース電極形成工程Ｓ５の後に第２絶縁層形成工程、より具体的にはゲート絶縁層形成工程Ｓ７が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８８】
・第１電極（ゲート電極）形成工程
図３および図４（ｈ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート絶縁層形成工程Ｓ７の後に第１電極形成工程、より具体的にはゲート電極形成工程Ｓ８が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００８９】
・第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程
図３および図４（ｉ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート電極形成工程Ｓ８の後に第３絶縁層形成工程、より具体的にはオーバーコート層形成工程Ｓ９が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００９０】
本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、前記仮基板準備工程Ｓ１から第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程Ｓ９を行うことで、仮基板１の表面に設けられた剥離層２上に、転写用トランジスタが形成される（Ｓ１０）。
【００９１】
・基板準備工程
そして、図３に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、基板準備工程Ｓ１１が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００９２】
・接着工程
図３および図４（ｊ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記基板準備工程Ｓ１１の後に接着工程Ｓ１２が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００９３】
・転写工程
図３および図４（ｋ）に示すように、本開示の実施形態にかかるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記接着工程Ｓ１２の後に転写工程Ｓ１３が行われる。該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【００９４】
以上により、ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタが製造される。
【００９５】
この製造方法によっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、仮基板１の表面に形成された剥離層２上に、最終製造物であるボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタの表面に位置するパッシベーション層３から必要な層を順次積層して、転写用薄膜トランジスタを形成し、次いで、剥離層２とパッシベーション層３との界面で剥離することで、転写用薄膜トランジスタを基板１１に転写することで、最終製造物であるボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタを製造しているため、転写後の薄膜トランジスタの最表面に位置するパッシベーション層３と取り出し電極４との間における段差を解消することができ、最表面全体を平坦にすることができる。よって、当該パッシベーション層３上に感圧層などを形成した場合であっても、当該感圧層との密着性が損なわれることなく、感圧層の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【００９６】
（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法
図５は、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【００９７】
図６は、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【００９８】
なお、図５および図６においても、図３および図４と同様に、図１および図２と同じ構成については同じ符号を付してある。
【００９９】
図５に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程Ｓ１と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程Ｓ２と、前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程Ｓ８と、前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程Ｓ７と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程Ｓ３と、前記第２絶縁層の貫通孔内および第２絶縁層上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程Ｓ４と、前記第２絶縁層上に第２電極を形成する、第２電極形成工程Ｓ５と、前記第２電極と第３電極の間に半導体を形成する、半導体形成工程Ｓ６と、前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程Ｓ９と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し（Ｓ１０）、次いで、基板を準備する、基板準備工程Ｓ１１と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程Ｓ１２と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程Ｓ１３と、を含んでいる。
【０１００】
ここで、トランジスタを構成する第１〜第３絶縁層、および第１〜第４電極が何たるかについては特に限定されないが、以下の説明においては、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、第１絶縁層がパッシベーション層であり、第２絶縁層がゲート絶縁層であり、第３絶縁層がオーバーコート層であり、また、第１電極がゲート電極であり、第２電極がソース電極であり、第３電極がドレイン電極であり、第４電極が取り出し電極である場合を具体例として挙げて説明する。
【０１０１】
なお、図５および図６からも明らかなように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程自体は、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであり、各工程の順番が異なっている。
【０１０２】
・仮基板準備工程
図５および図６（ａ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては仮基板準備工程Ｓ１が行われる。当該工程については、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０３】
・第１絶縁層（パッシベーション層）形成工程
図５および図６（ｂ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記仮基板準備工程Ｓ１の後に第１絶縁層形成工程、より具体的にはパッシベーション層形成工程Ｓ２が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０４】
・第１電極（ゲート電極）形成工程
図５および図６（ｃ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記パッシベーション層形成工程Ｓ２の後に第１電極形成工程、より具体的にはゲート電極形成工程Ｓ８が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０５】
・第２絶縁層（ゲート絶縁層）形成工程
図５および図６（ｄ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート電極形成工程Ｓ８の後に第２絶縁層形成工程、より具体的にはゲート絶縁層形成工程Ｓ７が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０６】
なお、当該工程において形成されるゲート絶縁層８は、前記パッシベーション層３における貫通孔３ａと連通する貫通孔８ａが設けられている。
【０１０７】
・第４電極（取り出し電極）形成工程
図５および図６（ｅ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、ゲート絶縁層形成工程Ｓ７の後に第４電極形成工程、より具体的には取り出し電極形成工程Ｓ３が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０８】
・第３電極（ドレイン電極）形成工程
図５および図６（ｆ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記取り出し電極形成工程Ｓ３の後に第３電極形成工程、より具体的にはドレイン電極形成工程Ｓ４が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０９】
・第２電極（ソース電極）形成工程
図５および図６（ｇ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ドレイン電極形成工程Ｓ４の後に第２電極形成工程、より具体的にはソース電極形成工程Ｓ５が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１０】
本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、取り出し電極４、ドレイン電極５、およびソース電極６をすべて同じ材料を用いて、同時に形成してもよい。
【０１１１】
・半導体形成工程
図５および図６（ｈ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ソース電極形成工程Ｓ５の後に半導体形成工程Ｓ６が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１２】
・第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程
図５および図６（ｉ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記半導体形成工程Ｓ６の後に第３絶縁層形成工程、より具体的にはオーバーコート層形成工程Ｓ９が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１３】
本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、前記仮基板準備工程Ｓ１から第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程Ｓ９を行うことで、仮基板１の表面に設けられた剥離層２上に、転写用トランジスタが形成される（Ｓ１０）。
【０１１４】
・基板準備工程
そして、図５に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、基板準備工程Ｓ１１が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
・接着工程
図５および図６（ｊ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記基板準備工程Ｓ１１の後に接着工程Ｓ１２が行われる。前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１６】
・転写工程
図５および図６（ｋ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記接着工程Ｓ１２の後に転写工程Ｓ１３が行われる。該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１７】
以上により、トップゲート・トップコンタクト型トランジスタが製造される。
【０１１８】
この製造方法によっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、仮基板１の表面に形成された剥離層２上に、最終製造物であるトップゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタの表面に位置するパッシベーション層３から必要な層を順次積層して、転写用薄膜トランジスタを形成し、次いで、剥離層２とパッシベーション層３との界面で剥離することで、転写用薄膜トランジスタを基板１１に転写することで、最終製造物であるトップゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタを製造しているため、転写後の薄膜トランジスタの最表面に位置するパッシベーション層３と取り出し電極４との間における段差を解消することができ、最表面全体を平坦にすることができる。よって、当該パッシベーション層３上に感圧層などを形成した場合であっても、当該感圧層との密着性が損なわれることなく、感圧層の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【０１１９】
（４）トップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法
図７は、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を示すフロー図である。
【０１２０】
図８は、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程において形成されるものの構成を示す断面図である。
【０１２１】
なお、図７および図８においても、図３および図４、図５および図６と同様に、図１および図２と同じ構成については同じ符号を付してある。
【０１２２】
図７に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法は、表面に剥離層が形成された仮基板を準備する、仮基板準備工程Ｓ１と、前記剥離層上に、一部に貫通孔を有する第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程Ｓ２と、前記第１絶縁層上に第１電極を形成する、第１電極形成工程Ｓ８と、前記第１絶縁層および第１電極を覆い、かつ前記第１絶縁層における貫通孔と連通する貫通孔を有する第２絶縁層を形成する、第２絶縁層形成工程Ｓ７と、前記第２絶縁層上に半導体を形成する、半導体形成工程Ｓ６と、前記第１絶縁層の貫通孔内に第４電極を形成する、第４電極形成工程Ｓ３と、前記第２絶縁層の貫通孔内と前記第２絶縁層上と前記半導体上に、前記第４電極と接続するように第３電極を形成する、第３電極形成工程Ｓ４と、前記半導体上に第２電極を形成する、第２電極形成工程Ｓ５と、前記第２絶縁層、第２電極、第３電極、および半導体を覆うように第３絶縁層を形成する、第３絶縁層形成工程Ｓ９と、を行うことで、転写用トランジスタを形成し（Ｓ１０）、次いで、基板を準備する、基板準備工程Ｓ１１と、前記基板と、当該転写用トランジスタにおける前記第３絶縁層とを接着する接着工程Ｓ１２と、前記転写用トランジスタにおける前記剥離層と前記第１絶縁層とをその界面で分離する、転写工程Ｓ１３と、を含んでいる。
【０１２３】
ここで、トランジスタを構成する第１〜第３絶縁層、および第１〜第４電極が何たるかについては特に限定されないが、以下の説明においては、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、第１絶縁層がパッシベーション層であり、第２絶縁層がゲート絶縁層であり、第３絶縁層がオーバーコート層であり、また、第１電極がゲート電極であり、第２電極がソース電極であり、第３電極がドレイン電極であり、第４電極が取り出し電極である場合を具体例として挙げて説明する。
【０１２４】
なお、図７および図８からも明らかなように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法を構成する各工程自体は、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法同じであり、各工程の順番が異なっている。
【０１２５】
・仮基板準備工程
図７および図８（ａ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては仮基板準備工程Ｓ１が行われる。当該工程については、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１２６】
・第１絶縁層（パッシベーション層）形成工程
図７および図８（ｂ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記仮基板準備工程Ｓ１の後に第１絶縁層形成工程、より具体的にはパッシベーション層形成工程Ｓ２が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１２７】
・第１電極（ゲート電極）形成工程
図７および図８（ｃ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記パッシベーション層形成工程Ｓ２の後に第１電極形成工程、より具体的にはゲート電極形成工程Ｓ８が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１２８】
・第２絶縁層（ゲート絶縁層）形成工程
図７および図８（ｄ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート電極形成工程Ｓ８の後に第２絶縁層形成工程、より具体的にはゲート絶縁層形成工程Ｓ７が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１２９】
なお、当該工程において形成されるゲート絶縁層８は、前記パッシベーション層３における貫通孔３ａと連通する貫通孔８ａが設けられている。
【０１３０】
・半導体形成工程
図７および図８（ｅ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ゲート絶縁層形成工程Ｓ７の後に半導体形成工程Ｓ６が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３１】
・第４電極（取り出し電極）形成工程
図７および図８（ｆ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、半導体形成工程Ｓ６の後に第４電極形成工程、より具体的には取り出し電極形成工程Ｓ３が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３２】
・第３電極（ドレイン電極）形成工程
図７および図８（ｇ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記取り出し電極形成工程Ｓ３の後に第３電極形成工程、より具体的にはドレイン電極形成工程Ｓ４が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３３】
・第２電極（ソース電極）形成工程
図７および図８（ｈ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記ドレイン電極形成工程Ｓ４の後に第２電極形成工程、より具体的にはソース電極形成工程Ｓ５が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３４】
本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、取り出し電極４、ドレイン電極５、およびソース電極６をすべて同じ材料を用いて、同時に形成してもよい。
【０１３５】
・第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程
図７および図８（ｉ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記半導体形成工程Ｓ６の後に第３絶縁層形成工程、より具体的にはオーバーコート層形成工程Ｓ９が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３６】
本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、前記仮基板準備工程Ｓ１から第３絶縁層（オーバーコート層）形成工程Ｓ９を行うことで、仮基板１の表面に設けられた剥離層２上に、転写用トランジスタが形成される（Ｓ１０）。
【０１３７】
・基板準備工程
そして、図７に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法にあっては、基板準備工程Ｓ１１が行われる。当該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。。
【０１３８】
・接着工程
図７および図８（ｊ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記基板準備工程Ｓ１１の後に接着工程Ｓ１２が行われる。前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１３９】
・転写工程
図７および図８（ｋ）に示すように、本開示の実施形態にかかるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法においては、前記接着工程Ｓ１２の後に転写工程Ｓ１３が行われる。該工程についても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【０１４０】
以上により、トップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタが製造される。
【０１４１】
この製造方法によっても、前記（１）ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法、前記（２）ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの製造方法、および前記（３）トップゲート・トップコンタクト型トランジスタの製造方法と同様、仮基板１の表面に形成された剥離層２上に、最終製造物であるトップゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタの表面に位置するパッシベーション層３から必要な層を順次積層して、転写用薄膜トランジスタを形成し、次いで、剥離層２とパッシベーション層３との界面で剥離することで、転写用薄膜トランジスタを基板１１に転写することで、最終製造物であるトップゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタを製造しているため、転写後のトランジスタの最表面に位置するパッシベーション層３と取り出し電極４との間における段差を解消することができ、最表面全体を平坦にすることができる。よって、当該パッシベーション層３上に感圧層などを形成した場合であっても、当該感圧層との密着性が損なわれることなく、感圧層の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【０１４２】
（トランジスタ）
次に、本開示の実施形態にかかるトランジスタについて図面を用いて説明する。
【０１４３】
図９は、本開示の実施形態にかかるトランジスタの断面図である。
【０１４４】
なお、図９においても、図１〜図８と同じ構成については同じ符号を付してある。
【０１４５】
図９に示すトランジスタ１２は、図１および図２を用いて説明したボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタであり、第１の面に位置する基板１１と、第２の面に位置し、その一部に貫通孔を有する第１絶縁層としてのパッシベーション層３と、前記基板１１と前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３との間に位置する、第１電極としてのゲート電極９、第２絶縁層としてのゲート絶縁層８、半導体７、第２電極としてのソース電極６、および第３電極としてのドレイン電極５と、前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３の貫通孔内に位置し、前記第３電極としてのドレイン電極５と接続している第４電極としての取り出し電極４と、を含み、前記第１絶縁層としてのパッシベーション層３の表面と前記第４電極としての取り出し電極４の表面とは同一平面上に位置している。
【０１４６】
このようなトランジスタ１２によれば、トランジスタ１２の最表面に位置するパッシベーション層３と取り出し電極４との間に「段差」がないので、当該パッシベーション層３上に感圧層などを形成した場合であっても、当該感圧層との密着性が損なわれることなく、感圧層の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【０１４７】
本開示の実施形態にかかるトランジスタ１２においてパッシベーション層３の表面と取り出し電極４の表面とが「同一平面上に位置している」とは、前記の作用効果を奏する範囲において「段差がない」ことを意味しており、たとえば、パッシベーション層３の表面と取り出し電極４の表面との段差が５ｎｍ以下であることを意味している。当該段差が５ｎｍ以下であれば、前記の作用効果を充分に奏し得る。
【０１４８】
本開示の実施形態にかかるトランジスタ１２の各構成については、前記（トランジスタの製造方法）と同じであり、ここでの説明は省略する。また、図９に示すトランジスタはボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタであるが、これに限定されることはなく、第１〜第３絶縁層、および第１〜第４電極の相対的な位置関係を変えることにより、図４（ｋ）に示されるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタ、図６（ｋ）に示されるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタ、さらには、図８（ｋ）に示されるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタとすることも可能である。
【０１４９】
（感圧センサ）
次に、本開示の実施形態にかかる感圧センサについて図面を用いて説明する。
【０１５０】
図１０は、本開示の実施形態にかかる感圧センサの断面図である。
【０１５１】
なお、図１０においても、図１〜図９と同じ構成については同じ符号を付してある。
【０１５２】
図１０に示す感圧センサ２０は、図９に示した本開示の実施形態にかかるボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタ１２におけるパッシベーション層３上に感圧層２１が積層されている。
【０１５３】
このような本開示の実施形態にかかる感圧センサ２０によれば、パッシベーション層３と取り出し電極４との間に「段差」がない、平坦な表面に感圧層２１が積層されているので、感圧層２１の密着性が良好であり、よって、感圧層２１の感度を良好に、かつ均一に保つことが可能となる。
【０１５４】
なお、本開示の実施形態にかかる感圧センサ２０を構成するトランジスタ１２にあっても、図１０に示すボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタに限定されることはなく、図４（ｋ）に示されるボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタ、図６（ｋ）に示されるトップゲート・トップコンタクト型トランジスタ、さらには、図８（ｋ）に示されるトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタとすることも可能である。
【符号の説明】
【０１５５】
１…仮基板
２…剥離層
３…パッシベーション層
４…取り出し電極
５…ドレイン電極
６…ソース電極
７…半導体
８…ゲート絶縁層
９…ゲート電極
１０…オーバーコート層
１１…基板
１２…トランジスタ
２０…感圧センサ
【図１】
2018046075.tif 000003
【図２】
2018046075.tif 000004
【図３】
2018046075.tif 000005
【図４】
2018046075.tif 000006
【図５】
2018046075.tif 000007
【図６】
2018046075.tif 000008
【図７】
2018046075.tif 000009
【図８】
2018046075.tif 000010
【図９】
2018046075.tif 000011
【図１０】
2018046075.tif 000012