(57)【要約】【課題】半導体材料等の基板を傷つき等の発生を抑制しつつスムースに切断することが可能なメタルブレード及びメタルブレード製造方法を提供すること。【解決手段】軸線周りに回転されるメタルブレードであって、メタルボンド相１１と、前記メタルボンド相１１に分散されたダイヤモンド超砥粒１２とを備え、前記メタルボンド相１１の前記軸線方向における両側１１Ａ、１１Ｂの表面はなし地とされていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸線周りに回転されるメタルブレードであって、
メタルボンド相と、
前記メタルボンド相に分散された砥粒と、
を備え、
前記メタルボンド相の前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面はなし地とされていることを特徴とするメタルブレード。
【請求項２】
軸線周りに回転されるメタルブレードであって、
メタルボンド相と、
前記メタルボンド相に分散された砥粒と、
を備え、
前記メタルボンド相の前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面は開放気孔率１０％以下とされていることを特徴とするメタルブレード。
【請求項３】
軸線周りに回転されるメタルブレードであって、
メタルボンド相と、
前記メタルボンド相に分散された砥粒と、
を備え、
前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面のメタルボンド相は金属光沢又は金属酸化皮膜が露出し、前記メタルボンド相と前記砥粒を含めて測定した表面粗さＲｍａｘから前記砥粒に起因する凹凸を除いた後の値が前記砥粒の平均粒径の１０％以上２５％以下に形成されていることを特徴とするメタルブレード。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のメタルブレードであって、
前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの面から突出する砥粒は、軸線方向に沿って見たときの最大面積の総和に対する前記メタルボンド相の表面と平行に形成された特定面の面積の総和の比（特定面の面積の総和／最大面積の総和）が５０％以上とされていることを特徴とするメタルブレード。
【請求項５】
軸線周りに回転されるメタルブレードを製造するメタルブレード製造方法であって、
メタルボンド相を構成する金属粉末と砥粒とを混合した混合材料を成形してブレード圧粉体を形成する圧粉体形成工程と、前記ブレード圧粉体を焼結してブレード焼結体を形成する焼結工程と、前記ブレード焼結体に粉体粒子を噴射してブレード表面を改質処理する改質処理工程と、を備えることを特徴とするメタルブレード製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のメタルブレード製造方法であって、
前記ブレード焼結体をラップ加工してラップ加工品を形成するラップ加工工程を備え、
前記ラップ加工工程は、
前記改質処理工程の前に設けることを特徴とするメタルブレード製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のメタルブレード製造方法であって、
前記改質処理工程においてガラスビーズを噴射することを特徴とするメタルブレード製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体材料等の基板を切断してチップ状に個片化するのに用いられるメタルブレード及びメタルブレード製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体材料等の基板を切断してチップ状に個片化する際に、例えば、Ｃｕ−Ｓｎを主成分とするメタルボンド相を焼結により形成する際に砥粒を分散配置して構成されたメタルブレードが用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このようなメタルブレードは、メタルボンド相に分散された砥粒が、被切断材に切り込んで切断するようになっており、メタルボンド相に保持された砥粒が切断負荷や摩耗によってメタルブレードの外周縁から脱落して切れ刃が自生発刃され、メタルブレードの切削性能が確保される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−９４３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたメタルブレードは、被加工材の性状や切削条件によって微細な切削屑が引っ掛かり切断中の基板に傷つきを発生させるなど、スムースな切断が阻害される虞があるという問題がある。
また、メタルボンド相と砥粒とが材料としての性質の違いから砥粒がメタルボンド相に充分に保持されているといえず砥粒がメタルボンド相から脱落しやすいと問題がある。
【０００６】
この発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、少なくとも半導体材料等の基板を傷つき等の発生を抑制しつつスムースに切断することが可能なメタルブレード及びメタルブレード製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、発明者らは、被加工材や切断条件に関わらず、半導体材料等の基板に傷つき等の発生を抑制しつつスムースに切断することが可能なメタルブレードに関して鋭意研究した結果、焼結により形成されたメタルボンド相の表面に粉体粒子（メディア）を噴射し、改質処理して微細な凹凸を形成することで、切断時の微細な切削屑がメタルブレード表面に付着するのが抑制され、基板等の被加工材を傷つき等の発生を抑制しつつスムースに切断可能であるとの知見を得た。
また、寸法精度が厳しいユーザーの要求厚み精度を満足するために、ラップ加工を行って仕上げたメタルブレードで被加工材を切断する際に傷つき等の品質劣化が生じるという場合があったが、ラップ加工したメタルブレードの表面状態を調査した結果、表面に付着した微細なラップ屑に起因することが判明し、このラップ屑を上記改質処理により除去すると、切断時に基板への傷つきや引っかきがなくなることも掴んだ。
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に記載の発明は、軸線周りに回転されるメタルブレードであって、メタルボンド相と、前記メタルボンド相に分散された砥粒と、を備え、前記メタルボンド相の前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面はなし地とされていることを特徴とする。
【０００９】
この発明に係るメタルブレードによれば、メタルボンド相と、メタルボンド相に分散された砥粒とを備え、メタルボンド相の軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面がなし地とされているので、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。
また、放熱性が向上して切断抵抗が低減されるので、スムースに切断することができる。
【００１０】
この明細書でなし地とは、メタルボンド相の表面に形成された方向性を有しない微細な凹凸の集合であり、凹部の底部と凸部の頂部までの寸法がメタルボンド相から突出する砥粒の突出量以下とされるものをいう。また、なし地の部分は、金属光沢又は金属酸化皮膜が露出しているものとする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、軸線周りに回転されるメタルブレードであって、メタルボンド相と、前記メタルボンド相に分散された砥粒と、を備え、前記メタルボンド相の前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面は開放気孔率１０％以下とされていることを特徴とする。
【００１２】
この発明に係るメタルブレードによれば、メタルボンド相の軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面は開放気孔率１０％以下とされているので、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。
【００１３】
ここで、開放気孔率とは、メタルボンド相の表面に開口する気孔の面積をメタルボンド相の面積で除した値をいう。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、軸線周りに回転されるメタルブレードであって、メタルボンド相と、前記メタルボンド相に分散された砥粒と、を備え、前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面のメタルボンド相は金属光沢又は金属酸化皮膜が露出し、前記メタルボンド相と前記砥粒を含めて測定した表面粗さＲｍａｘから前記砥粒に起因する凹凸を除いた後の値が前記砥粒の平均粒径の１０％以上２５％以下に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
この発明に係るメタルブレードによれば、メタルボンド相の軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの表面のメタルボンド相は金属光沢又は金属酸化皮膜が露出し、前記メタルボンド相と前記砥粒を含めて測定した表面粗さＲｍａｘから前記砥粒に起因する凹凸を除いた後の値が前記砥粒の平均粒径の１０％以上２５％以下に形成されているので、メタルボンド相における微細な切削屑等の引っ掛かりが抑制されて、切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。また、メタルブレードのメタルボンド相に切り屑が付着しにくくなったことで、付着した切削屑等の付着物が脱落して切断した被加工材に再付着することを抑制することができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載のメタルブレードであって、前記軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの面から突出する砥粒は、軸線方向に沿って見たときの最大面積の総和に対する前記メタルボンド相の表面と平行に形成された特定面の面積の総和の比（特定面の面積の総和／最大面積の総和）が５０％以上とされていることを特徴とする。
【００１７】
この発明に係るメタルブレードによれば、軸線方向における一方側と他方側の少なくともいずれかの面から突出する砥粒は、軸線方向に沿って見たときの最大面積の総和に対する前記メタルボンド相の表面に平行に形成された特定面の面積の総和の比（特定面の面積の総和／最大面積の総和）が５０％以上とされているので、メタルブレードの表面における微細な切削屑等の引っ掛かりが抑制されて、切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。また、メタルブレードのメタルボンド相に切り屑が付着しにくくなったことで、付着した切削屑等の付着物が脱落して切断した被加工材に再付着することを抑制することができる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、軸線周りに回転されるメタルブレードを製造するメタルブレード製造方法であって、メタルボンド相を構成する金属粉末と砥粒とを混合した混合材料を成形してブレード圧粉体を形成する圧粉体形成工程と、前記ブレード圧粉体を焼結してブレード焼結体を形成する焼結工程と、前記ブレード焼結体に粉体粒子を噴射してブレード表面を改質処理する改質処理工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
この発明に係るメタルブレード製造方法によれば、圧粉体形成工程においてメタルボンド相を構成する金属粉末と砥粒とを混合した混合材料を成形してブレード圧粉体を形成し、焼結工程においてブレード圧粉体を焼結してブレード焼結体を形成し、改質処理工程においてブレード焼結体に粉体粒子（例えば、金属、セラミックス、ガラスビーズ等のメディア）を噴射してブレード表面を改質処理するので、メタルボンド相の表面に大きな凹凸が形成されることが抑制される。
また、改質処理における圧力等を調整することによりメタルブレード表面に圧縮応力を残留させてメタルボンド相の表面強度を向上させた場合には、切断時にメタルボンド相が破損し又は脱落することが抑制される。
その結果、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断可能なメタルブレードを効率的に製造することができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のメタルブレード製造方法であって、前記ブレード焼結体をラップ加工してラップ加工品を形成するラップ加工工程を備え、前記ラップ加工工程は、前記改質処理工程の前に設けることを特徴とする。
【００２１】
この発明に係るメタルブレード製造方法によれば、ブレード焼結体をラップ加工するラップ加工工程を備えている場合に、ラップ加工工程で厚さ寸法の要求が厳しいメタルブレードを形成した後に、改質処理工程においてラップ加工工程で付着したラップ屑を除去することで高品質なメタルブレードを効率的に製造することができる。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項５又は６に記載のメタルブレード製造方法であって、前記改質処理工程においてガラスビーズを噴射することを特徴とする。
【００２３】
この発明に係るメタルブレード製造方法によれば、改質処理工程においてガラスビーズを噴射するので、高品質なメタルブレードを効率的かつ安定して製造することができる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明に係るメタルブレードによれば、切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。
この発明に係るメタルブレード製造方法によれば、切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することが可能なメタルブレードを効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係るメタルブレードの概略構成の一例を説明する側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るメタルブレードの概略構成を説明する図であり、図１において矢視II−IIで示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るメタルブレードの概略構成を説明する図であり、（Ａ）は図２にIIIＡで示す部分を拡大した部分断面を示す概念図であり、（Ｂ）はダイヤモンド超砥粒の最大面積Ｓ１と特定面の面積Ｓ２を説明する軸線と直交する方向から見た概念図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るメタルブレード製造工程の概略を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図１〜図４を参照し、本発明の一実施形態に係るメタルブレードについて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るメタルブレードの概略構成の一例を説明する側面図であり、図２は、図１において矢視II−IIで示す断面図である。また、図３はメタルブレードの概略構成を説明する図である。図において、符号１０はメタルブレードを、符号１１はメタルボンド相を、符号１２はダイヤモンド超砥粒（砥粒）を示している。
【００２７】
メタルブレード１０は、図１、図２に示すように、外形円形の板状に形成され軸線Ｏ周りに回転可能とされ、例えば、外径５５．０５ｍｍ、刃厚０．１０〜０．４０ｍｍ（例えば、０．２０ｍｍ）に形成されている。
また、メタルブレード１０の内周側には、軸線Ｏと同軸とされた直径４２.００ｍｍの円形穴１０Ｈが形成されている。
【００２８】
また、メタルブレード１０は、例えば、メタルボンド相１１と、メタルボンド相１１に分散されたダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２とを備えている。
【００２９】
メタルボンド相１１は、例えば、銅（Ｃｕ）とスズ（Ｓｎ）とを含有する焼結体により構成されている。
また、メタルボンド相１１は、例えば、両側の面１１Ａ、１１Ｂの表面は、開放気孔率が５％に形成されている。
なお、メタルボンド相１１の表面は、開放気孔率が１０％以下であることが好適であり、開放気孔率が５％以下であることがより好適である。
【００３０】
ダイヤモンド超砥粒１２は、例えば、粒径２０〜３０μｍ（平均粒径２３μｍ）とされている。
また、ダイヤモンド超砥粒１２は、メタルボンド相１１の両側の面１１Ａ、１１Ｂの表面から約１０μｍ程度突出している。
【００３１】
また、メタルブレード１０は、例えば、メタルボンド相１１とダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２を含めて測定した表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９８２）からダイヤモンド超砥粒１２に起因する凹凸を除いた後の値が５μｍ（平均粒径２３μｍの２１．７％）に形成されている。
【００３２】
ここで、メタルボンド相１１とダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２を含めて測定した表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９８２）からダイヤモンド超砥粒１２に起因する凹凸を除いた後の値は、ダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２の平均粒径の１０％以上２５％以下であることが好適であり、ダイヤモンド超砥粒１２の平均粒径の１０％以上２０％以下であることがさらに好適である。
【００３３】
ここで、メタルボンド相１１とダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２を含めて測定した表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９８２）からダイヤモンド超砥粒１２に起因する凹凸を除く場合は、測定した表面粗さの波形からダイヤモンド超砥粒１２が突出する範囲を除外するものとし、測定長さの補正はしないものとする。
また、ダイヤモンド超砥粒１２の平均粒径は、メタルボンド相に分散するダイヤモンド超砥粒１２の粒度分布に基づくものとし、すでに形成された切刃ブレードのダイヤモンド超砥粒１２については、酸等で溶解して得たダイヤモンド超砥粒１２の粒度分布に基づくものとする。
【００３４】
また、ダイヤモンド超砥粒１２は、メタルブレード１０の両面１１Ａ、１１Ｂがラップ加工されることにより、図３（Ａ）に示すように、ラップ加工により形成されラップ加工面ＬＡ、ＬＢにより定義されメタルボンド相１１が拡がる面１１Ａ、１１Ｂに沿って形成された面、すなわちメタルボンド相１１の表面と平行に形成された特定面１２Ｆが形成されている。
【００３５】
そして、メタルブレード１０の両側面１０Ａ、１０Ｂを軸線Ｏ方向に沿って見たときに、ダイヤモンド超砥粒１２の最大面積Ｓ１の総和に対する特定面１２Ｆの面積Ｓ２の総和の比（面積Ｓ２の総和／最大面積Ｓ１の総和）が５０％以上とされている。なお、図３（Ｂ）は、はダイヤモンド超砥粒１２の最大面積Ｓ１と特定面１２Ｆの面積Ｓ２を説明する軸線と直交する方向から見た概念図である。
【００３６】
次に、図４を参照して、一実施形態に係るメタルブレード製造工程の概略について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係るメタルブレード製造工程の概略を示すフローチャートである。
【００３７】
メタルブレード製造工程は、図４に示すように、例えば、材料準備工程（Ｓ１）と、材料混合工程（Ｓ２）と、ブレード成形工程（Ｓ３）と、焼結工程（Ｓ４）と、内外径加工工程（Ｓ５）と、ラップ加工工程（Ｓ６）と、改質処理工程（Ｓ７）とを備えていて、これら一連の工程を経ることによってメタルブレードが完成される（Ｓ８）。
【００３８】
（１）材料準備工程
まず、メタルボンド相を構成する金属粉末材料、ダイヤモンド超砥粒（砥粒）を配合比率にしたがって準備する（Ｓ１）。
この実施形態では、例えば、メッシュ＃３２５アンダーの銅（Ｃｕ）粉末、メッシュ＃４００アンダーのスズ（Ｓｎ）粉末を主成分として、粒径２０〜３０μｍのダイヤモンド超砥粒を用いる。
また、配合比率は、例えば、銅（Ｃｕ）５０〜６５ｖｏｌ％、スズ（Ｓｎ）１０〜３０ｖｏｌ％、ダイヤモンド超砥粒１２．５〜２５ｖｏｌ％で配合することが好適である。
なお、配合は適宜任意に設定可能であり、これ以外の材料を含んでもよい。
【００３９】
（２）材料混合工程
次に、材料準備工程で準備した材料を混合する（Ｓ２）。
材料混合工程では、例えば、ボールミル等の周知の混合装置を用いることが可能である。
そして、例えば、ボールミルによって材料を均一となるまで混合する。
【００４０】
（３）ブレード成形工程
次いで、混合した材料をグレード成形型に供給し、プレス装置により圧粉して圧粉成形体を形成する（Ｓ３）。
圧粉成形体は、例えば、外径５９ｍｍ、内径３９ｍｍ、厚み０．２５ｍｍの円板状とされている。
【００４１】
（４）焼結工程
次に、圧粉成形体を焼結炉に投入して、例えば、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気において、８００℃で1時間保持してブレード焼結体を形成する（Ｓ４）。
【００４２】
（５）内外径加工工程
次いで、焼結工程で形成したブレード焼結体を内外径加工して内外径を設定寸法に形成する（Ｓ５）。
内外径加工により、例えば、外径５８ｍｍ、内径４０ｍｍのブレード焼結体内外径加工品（以下、内外径加工品という）が形成される。
外径加工は、例えば、ブレード焼結体を円筒研削盤により研削して設定寸法の外径に形成する。
内径加工は、例えば、内径加工機により研削して設定寸法の内径に形成する。
なお、内外径加工にレーザビーム加工をはじめとする他の周知の加工手段を適用してもよい。
【００４３】
（６）ラップ加工工程
次いで、内外径加工品をラップ加工して所定厚み（例えば、０．２ｍｍ）のラップブレードを形成する（Ｓ６）。
ラップ加工工程においては、例えば、＃１０００〜１２００のＳｉＣ砥粒を用いて周知のラップ盤により内外径加工品を研磨する。
ラップ加工により厚さ調整されて厚さ０.２０ｍｍのラップブレードが形成される。
また、ラップ加工することによりメタルボンド相から突出するダイヤモンド砥粒は、ダイヤモンド超砥粒１２の最大面積Ｓ１の総和に対する頂部がメタルボンド相の表面に沿った平坦な特定面１２Ｆの面積Ｓ２の総和の比（面積Ｓ２の総和／最大面積Ｓ１の総和）が５０％以上とする場合がある。ラップ加工後のラップブレードは、例えば、ラップ加工された面がラップ屑によりグレー色とされている。
【００４４】
（７）改質処理工程
ラップ工程でラップを施したラップブレードを改質処理する（Ｓ７）。
改質処理工程では、ラップブレードに対して、例えば、メッシュ＃３２５のガラスビーズ（メディア）を噴射（ブラスト）して、メタルボンド相のラップ屑を除去するとともになし地を形成する。また、改質処理を施すことによりメタルボンド相には金属光沢があらわれる。
また、改質処理において、ラップ屑の除去のみを行うか、メタルボンド相の表面に圧縮応力を残留させるかは任意に設定することができる。
改質処理工程けるメディア噴射する際には、ノズル孔を対向配置した一対のブラストノズルによりガラスビーズを噴射してラップブレードの両側面を同時に改質処理することが歪の発生を抑制するうえで好適である。
また、一方の面のみ改質処理する場合には、定盤等でラップブレードをバックアップした状態でガラスビーズを噴射することが好適である。
なお、改質処理工程では、例えば、♯２００〜６００のガラスビーズを、噴射圧力２〜７ｋｇ／ｃｍ２で噴射することが好適である。
【００４５】
（８）メタルブレード完成
品質検査が満足していたらメタルブレードが完成する（Ｓ８）。
なお、Ｓ１〜Ｓ８の工程は、一例を示すものであり適宜変更又は省略することが可能である。
【００４６】
一実施形態に係るメタルブレード１０によれば、メタルボンド相１１の両側面１１Ａ、１１Ｂが金属光沢又は金属酸化皮膜が露出するなし地とされるとともに、メタルボンド相１１とダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２を含めて測定した表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９８２）からダイヤモンド超砥粒１２に起因する凹凸を除いた後の値が５μｍ（平均粒径２３μｍの２１．７％）とされ、開放気孔率５％とされているので、切断中にメタルボンド相１１が破損することが抑制されるとともに、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。
また、メタルボンド相１１の放熱性が向上するので切断抵抗が低減されてスムースに切断することができる。
【００４７】
また、一実施形態に係るメタルブレード１０によれば、メタルボンド相１１の両側面１１Ａ、１１Ｂにおいて、軸線Ｏ方向に沿って見たときに、メタルボンド相１１の表面から突出するダイヤモンド超砥粒１２の最大面積Ｓ１の総和に対する特定面１２Ｆの面積Ｓ２の総和の比（面積Ｓ２の総和／最大面積Ｓ１の総和）が５０％以上とされているので、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され、切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断することができる。また、メタルブレード１０のメタルボンド相１１に切り屑が付着しにくくなったことで、付着した切削屑等の付着物が脱落して切断した被加工材に再付着することを抑制することができる。
【００４８】
また、一実施形態に係るメタルブレード製造方法によれば、圧粉体形成工程においてメタルボンド相を構成する金属粉末と砥粒とを混合した混合材料を成形してブレード圧粉体を形成し、焼結工程においてブレード圧粉体を焼結してブレード焼結体を形成し、改質処理工程においてブレード焼結体に金属またはセラミックスの粉体粒子を噴射してブレード表面を改質処理するので、メタルボンド相１１の表面に大きな凹凸が形成されることが抑制される。
その結果、微細な切削屑等が引っ掛かることが抑制され切断時における切り傷を抑制しつつスムースに基板を切断可能なメタルブレード１０を効率的に製造することができる。
【００４９】
また、一実施形態に係るメタルブレード製造方法によれば、ラップ加工工程の後に改質処理工程が設けられているので、ラップ加工工程で厚さ寸法の要求が厳しいメタルブレードを形成した後に、改質処理工程においてラップ工程で付着したラップ屑を除去することで高品質なメタルブレードを効率的に製造することができる。
【００５０】
また、一実施形態に係るメタルブレード製造方法によれば、改質処理工程においてガラスビーズを噴射するので、メタルボンド相１１の表面が大きな凹凸が形成されるのが抑制され、高品質なメタルブレード１０を効率的かつ安定して製造することができる。
【００５１】
なお、上記実施形態において記載した技術的事項については、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態においては、メタルブレード１０の両側面１０Ａ、１０Ｂにおいて、メタルボンド相１１が金属光沢又は金属酸化皮膜が露出しなし地とされるとともに、メタルボンド相１１とダイヤモンド超砥粒（砥粒）１２を含めて測定した表面粗さＲｍａｘからダイヤモンド超砥粒１２に起因する凹凸を除いた後の値が５μｍ（平均粒径２３μｍの２１．７％）とされ、開放気孔率５％以下に形成されている場合について説明したが、メタルブレード１０のいずれかの面１０Ａ、１０Ｂのみがいずれか一つのパラメータを備えた構成とされていればよく、すべてを満足する必要はない。
【００５２】
また、上記実施形態においては、メタルボンド相１１が、銅（Ｃｕ）とスズ（Ｓｎ）からなる粉末成形品により構成されている場合について説明したが、メタルボンド相の構成については任意に設定することができ、例えば、ニッケル粉末、コバルト粉末、鉄粉末などを適用することが好適である。
【００５３】
また、上記実施形態においては、砥粒が粒径２０〜３０μｍ（平均粒径２３μｍ）のダイヤモンド超砥粒１２である場合について説明したが、砥粒については任意に設定することが可能である。また、ダイヤモンド超砥粒１２に代えて、例えば、ＣＢＮを用いてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態においては、軸線Ｏ方向に沿って見たときに、メタルボンド相１１から突出するダイヤモンド超砥粒１２の最大面積Ｓ１の総和に対する特定面１２Ｆの面積Ｓ２の総和の比（面積Ｓ２の総和／最大面積Ｓ１の総和）が５０％以上である場合について説明したが、メタルボンド相１１から突出するダイヤモンド超砥粒１２の特定面１２Ｆを面積比においていくらに設定するかは任意に設定することができる。
【００５５】
また、図４に示したメタルブレード製造工程を示すフローチャートは一例であり、適宜変更（省略、追加）することが可能であり任意に設定することができる。例えば、上記実施形態においては、メタルブレード製造工程がラップ加工工程を備える場合について説明したが、ラップ加工工程を備えない構成としてもよい。また、内外径加工工程の後にラップ加工工程を備える場合について説明したが、ラップ加工工程の後に内外径加工工程を設けてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態においては、改質処理工程において、粉体粒子（メディア）としてガラスビーズを両側面１０Ａ、１０Ｂにブラストする場合について説明したが、ガラスビーズ以外の粉体粒子（例えば、金属、セラミックス、ナイロンビーズ、粉砕した木の実等）をブラストして改質処理してもよいし、メタルブレード１０のいずれか一方の面１０Ａ、１０Ｂのみ改質処理してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明に係るメタルブレード及びメタルブレード製造方法によれば、半導体材料等の基板を傷つき等の発生を抑制しつつスムースに切断することができるので産業上利用可能である。
【符号の説明】
【００５８】
Ｏ  軸線
１０  メタルブレード
１１  メタルボンド相
１２  ダイヤモンド超砥粒（砥粒）
１２Ｆ  特定面
【図１】
2018187736.tif 000003
【図２】
2018187736.tif 000004
【図３】
2018187736.tif 000005
【図４】
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