(57)【要約】【課題】  高圧放電ランプの輝度変化による投射映像の明るさの変動を抑えるために、ランプ駆動電圧の変化に連動してゲイン制御して投射映像の明るさの変動を目立たなくした投射型表示装置を提供すること。【解決手段】  高圧放電ランプと、入力された映像信号を表示する入力信号表示部と、入力された映像信号を投射した映像のゲインを制御するゲイン制御部と、前記高圧放電ランプの駆動電圧を監視するランプ電圧監視部を備えたランプ制御部と、前記ランプ電圧監視部から取得したランプ電圧情報の結果によって前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する制御部を備えたことを特徴とする構成とした。【選択図】  図１
2018077362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧放電ランプと、入力された映像信号を表示する入力信号表示部と、入力された映像信号を投射した映像のゲインを制御するゲイン制御部と、前記高圧放電ランプの駆動電圧を監視するランプ電圧監視部を備えたランプ制御部と、前記ランプ電圧監視部から取得したランプ電圧情報の結果によって前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する制御部を備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項２】
高圧放電ランプの電極保護制御を行うランプ電極保護制御部を備えた前記ランプ制御部を備え、前記ランプ電圧監視部から取得したランプ電圧情報の結果によって、前記ランプ電極保護制御部に対して電極保護制御を実行するよう指示するとともに、前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する制御部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の投射型表示装置。
【請求項３】
投射映像の特性が異なる２つ以上の投射モード切り替えを制御する投射モード制御部を備え、前記投射モード制御部による投射モードの切り替えに連動して、ゲインの増減を切り替えて前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する前記制御部を備えたことを特徴とした請求項２に記載の投射型表示装置。
【請求項４】
外光を検出する外光監視部を備え、前記外光監視部から取得する外光情報に連動して、ゲインの増減を切り替えて前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する前記制御部を備えたことを特徴とした請求項２、および請求項３に記載の投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投射型表示装置に関し、特に光源に起因する投射映像の明るさの変動を抑制するものである。
【背景技術】
【０００２】
一対の電極の先端部同士が発行管内で対抗するように配設されてなる高圧放電ランプを光源として備える投射型表示装置においては電極間が短くなるにつれてランプ駆動電圧は低くなり、高圧放電ランプの輝度は高くなる。逆に、電極間が長くなるにつれてランプ駆動電圧は高くなり、高圧放電ランプの輝度は低くなるという関係がある。上記高圧放電ランプの点灯を続けていると、放電する電極上に形成される突起部が形成成長して電極間の距離が狭くなるため、電極間の長さに比例してランプ駆動電圧が低下するとともに輝度が高くなる。
【０００３】
さらに、上述のように電極上に発生する突起部の形成成長を正しく制御しなければ、アークジャンプが発生しアーク輝点の位置が変化してしまうため輝度が低下するなど、高圧放電ランプの輝度は常に一定ではなく変化し、投射映像に影響を与えていた。また、アークジャンプ等の輝点の変化は慢性的な高圧放電ランプの輝度低下につながる。
【０００４】
これに対し、電極上の突起部の成長を制御してランプ駆動電圧や電極間の距離を安定的に維持するための電極保護制御がある。例えば、特許文献１ではランプ駆動電圧が所望の電圧より低下した場合、すなわち電極間の距離が短くなった場合に、両電極間に流れる放電アーク電流を増大させることによって突起部の長さが縮小してランプ駆動電圧を回復する。
【０００５】
また、ランプ駆動電圧が所望の電圧より増加した場合、すなわち電極間の距離が長くなった場合に、両電極間に流れる放電アーク電流を減少させることにより突起部の長さを伸ばし、ランプ駆動電圧を回復させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第3327895号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の特許文献１に開示された従来技術では、電極上に形成される突起部は時間をかけて徐々に成長をするのに対し、電極保護制御によって突起部を縮小させるのは比較的短時間で済む。そのため、電極保護制御ではランプ駆動電圧の急激な変化が起こると、高圧放電ランプの輝度も急激に変化するため投射映像の明るさが変動し、ユーザに対して不快感を与える可能性があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、ランプ駆動電圧を監視しならが、ランプ駆動電圧の変動に合わせて投射映像の各色のゲインを制御することによって、投射映像の明るさの変動を目立たなくすることを可能にした投射型表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
高圧放電ランプと、入力された映像信号を表示する入力信号表示部と、入力された映像信号を投射した映像のゲインを制御するゲイン制御部と、前記高圧放電ランプの駆動電圧を監視するランプ電圧監視部を備えたランプ制御部と、前記ランプ電圧監視部から取得したランプ電圧情報の結果によって前記ゲイン制御部に対してゲイン制御を指示する制御部を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
ランプ駆動電圧の変化に同期して投射映像の各色のゲインを制御することで、高圧放電ランプの輝度に連動した投射映像の明るさの変動を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１における投射型表示装置の構成を示すブロック図
【図２】実施例１における投射型表示装置のフローチャート
【図３】実施例２における投射型表示装置の構成を示すブロック図
【図４】実施例２における投射映像の明るさの変動を示すイメージ図
【図５】実施例２における投射型表示装置のフローチャート
【図６】実施例２、３、４における投射型表示装置のランプ駆動電圧の変動を示すイメージ図
【図７】実施例３における投射型表示装置の構成を示すブロック図
【図８】実施例３における投射型表示装置のフローチャート
【図９】実施例３、４における投射映像の明るさの変動とゲイン補正後の投射映像の明るさとの関係を示すイメージ図
【図１０】実施例４における投射型表示装置の構成を示すブロック図
【図１１】実施例４における投射型表示装置のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に関る投射型表示装置の構成を示すブロック図である。
【００１３】
［実施例１］
以下、図１を参照して、本発明の第1の実施例による、投射型表示装置の構成について説明する。１は投射型表示装置であり、筺体内には後述の高圧放電ランプ２、表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、投射光学系４、ゲイン制御部５、制御部６、ランプ制御装置１０を収納する。２は、一対の電極の先端部同士が発行管内で対抗するように配設されてなる高圧放電ランプである。ここで、高圧放電ランプとしては水銀ランプ、メタルハライドランプ等が知られているが、これに限定されるものではない。
【００１４】
１０はランプ制御装置であり、ランプ駆動電圧を監視するランプ電圧監視部１１を備える。４は投射光学系であり、後述の表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂにより生成され図示しない光学部材によって合成され前記投射光学系４に入射される映像を投射型表示装置１の筺体外に設けられた図示しないスクリーンに投射する投射光学系である。
【００１５】
３Ｒ、３Ｇ、３ＢはＲ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の各色毎に設けられた、液晶パネルなどの映像を表示する表示部である。また、本構成における表示部３Ｒ、３Ｇ、３ＢはのＲ、Ｇ、Ｂの各色毎に用意された３枚の液晶パネルで構成しているが、これに限定されるものではない。ＲＧＢ３色の映像を時分割で生成する１枚の液晶パネル（単板構成）でも良いし、１〜３枚のＤＬＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｌｉｇｈｔ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）であっても良い。
【００１６】
４は、表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂにより生成される映像の各色のゲインを調整ができるゲイン制御部である。６は、前記ランプ電圧監視部１１からランプ電圧情報を取得し、取得したランプ電圧情報が所定の電圧よりも低い場合には、前記ランプ電圧監視部１１から取得したランプ電圧情報から高圧放電ランプ２の輝度の変化による投射映像の明るさの変動を抑えるために、ゲイン制御部４に対してＲ、Ｇ、Ｂの各色のゲインの調整を指示する制御部である。
【００１７】
続いて、図２を参照して、投射型表示装置１による各色のゲイン補正について説明する。図２は、投射型表示装置１内に備えられた、高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧を監視し、ランプの駆動電圧の変動に追従して各色のゲインを制御することによって高圧放電ランプ２の輝度変化による投射映像の明るさの変動を抑制するゲイン制御方法のフローチャートである。
【００１８】
まず、ステップＳ１０１において、ランプ電圧監視部１１は高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧Ｖを取得する。ステップＳ１０２では、制御部５はステップＳ１０１で取得した現在のランプ駆動電圧Ｖと、ゲイン制御の開始及び停止を判定するための閾値電圧Ｖｔｈとを比較する。
【００１９】
ステップＳ１０２において、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈよりも低いと判定された場合にはステップＳ１０３に進む。一方、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ以上と判断された場合にはステップＳ１０１に戻る。ここで本実施例において、閾値電圧Ｖｔｈは、ランプの駆動電圧と投射映像の明るさの変動の関係を考慮して任意の値が定められている。
【００２０】
ステップＳ１０３において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと閾値となる閾値電圧Ｖｔｈとの差分ΔＶに基づいて、以下の式（１）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００２１】
ａ＝１−（ΔＶ×ａ１）．．．（１）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ：（Ｖｔｈ−Ｖ）
【００２２】
ここで、最小ゲイン補正係数ａ１は、例えば、ランプ駆動電圧０．５Ｖ単位の補正係数であるが、これに限定されるものではない。また、ゲイン補正係数ａはステップＳ１０２（及び、その他のステップ）において適宜算出することが出来るが、高圧放電ランプの駆動電圧毎に固定値を用意して、図示しないＥＥＰＲＯＭやＳＰＩ−Ｆｌａｓｈ等の不揮発の記憶媒体に、予め記憶しておいても良い。
【００２３】
続いて、ステップＳ１０４において、制御部５は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のゲイン補正前のゲイン値Ｒｇ、Ｇｇ、Ｂｇ（無補正ゲイン値）に対し、ゲイン補正係数ａを用いて、式（２）、（３）、（４）のようにＲ、Ｇ、Ｂ各色の補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を算出する。
【００２４】
Ｒｇ'＝Ｒｇ×ａ．．．（２）
Ｇｇ'＝Ｇｇ×ａ．．．（３）
Ｂｇ'＝Ｂｇ×ａ．．．（４）
【００２５】
そして、ステップＳ１０５において、ステップＳ１０４にて算出した補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を制御部５から取得したゲイン制御部４は、表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂに対して夫々の補正ゲイン値を設定する。
【００２６】
本実施形態の投射型表示装置によれば、ランプ駆動電圧を監視しならが、ランプ駆動電圧の変動に合わせて投射映像の各色のゲインを制御することによって、投射映像の明るさの変動を抑えることができる。
【００２７】
［実施例２］
以下、図３を参照して、本発明の第２の実施例による、投射型表示装置の構成について説明する。図３は本実施例に関る投射型表示装置の構成を示すブロック図である。実施例２における投射型表示装置の構成は、実施例１の構成に対して、ランプ制御部内にランプ電極保護制御を実行するランプ電極保護制御部１２追加された構成となる。
【００２８】
本構成により、高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧を監視し、前記ランプ駆動電圧が所定の値よりも低い場合には、電極保護制御を行い高圧放電ランプ２の劣化を防止できる。さらに、図４に示すような、電極保護制御による投射映像の明るさの変動を抑えることができる。
【００２９】
続いて、図５は実施例２におけるフローチャートである。まず、ステップＳ２０１において、ランプ電圧監視部１１は高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧Ｖを取得する。
ステップＳ２０２では、制御部５はステップＳ２０１で取得した現在のランプ駆動電圧Ｖと、電極保護制御を実行するかどうかを判断するための本実施例における第一の閾値電圧Ｖｔｈ１とを比較する。
【００３０】
ステップＳ２０２において、現在のランプ駆動電圧Ｖが第一の閾値電圧Ｖｔｈ１以下と判定された場合にはステップＳ２０３に進む。一方、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１より高いと判断された場合にはステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０３において、制御部５はステップＳ２０２の結果からランプの電極保護制御実行するようランプ電極保護制御部１２に対して指示する。ステップＳ２０４では、ステップＳ２０３にてランプ電極保護制御を実行した直後のランプ駆動電圧Ｖをランプ電圧監視部１１から取得する。
【００３１】
ステップＳ２０５においては、ステップＳ２０１もしくは、ステップＳ２０４にてランプ電圧監視部１１から取得したランプ駆動電圧Ｖと本実施例における第二の閾値電圧Ｖｔｈ２を比較する。比較の結果、現在のランプ駆動電圧Ｖが第二の閾値電圧Ｖｔｈ２よりも低いと判定された場合にはステップＳ２０６に進む。一方、現在のランプ駆動電圧Ｖが第二の閾値電圧Ｖｔｈ２以上と判断された場合にはステップＳ２０１に戻る。
【００３２】
本実施例において、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は、ランプの駆動電圧Ｖと投射映像の明るさの変動の関係を考慮して任意の値が定められている。なお、ランプ駆動電圧Ｖと、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は図６に示すような関係となる。
【００３３】
ステップＳ２０６において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと第二の閾値電圧Ｖｔｈ２との差分ΔＶに基づいて、以下の式（１）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００３４】
ａ＝１−（ΔＶ×ａ１）・・・（１）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ：（Ｖｔｈ２−Ｖ）
【００３５】
ここで最小ゲイン補正係数ａ１は、例えば、ランプ駆動電圧０．５Ｖ単位の補正係数であるが、これに限定されるものではない。また、ゲイン補正係数ａはステップＳ２０６（及び、その他のステップ）において適宜算出することが出来るが、高圧放電ランプの駆動電圧の値毎に固定値を用意して、図示しないＥＥＰＲＯＭやＳＰＩ−Ｆｌａｓｈ等の不揮発の記憶媒体に、予め記憶しておいても良い。
【００３６】
続いて、ステップＳ２０７において、制御部５は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のゲイン補正前のゲイン値Ｒｇ、Ｇｇ、Ｂｇ（無補正ゲイン値）に対し、ゲイン補正係数ａを用いて、式（２）、（３）、（４）のようにＲ、Ｇ、Ｂ各色の補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を算出する。
【００３７】
Ｒｇ'＝Ｒｇ×ａ．．．（２）
Ｇｇ'＝Ｇｇ×ａ．．．（３）
Ｂｇ'＝Ｂｇ×ａ．．．（４）
【００３８】
ステップ２０８において、ステップＳ２０７にて算出した補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を制御部５から取得したゲイン制御部４は表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂに対して夫々の補正ゲイン値を設定する。
【００３９】
本実施形態の投射型表示装置によれば、ランプ駆動電圧Ｖが本実施例における第一の閾値電圧Ｖｔｈ１以下の場合には、ランプ電極保護制御を実行し、アークジャンプ等の高圧放電ランプ２の劣化を防止することが出来る。また第二の閾値電圧Ｖｔｈ２よりもランプ駆動電圧Ｖが低い場合、ランプ駆動電圧Ｖの変動に合わせて投射映像の各色のゲインを制御することで、図５に示すようなランプ電極保護制御に起因する場合も含めた投射映像の明るさ変動を抑えることができる。
【００４０】
［実施例３］
以下、図７を参照して、本発明の第３の実施例による、投射型表示装置の構成について説明する。図７は本実施例３に関る投射型表示装置の構成を示すブロック図である。実施例３における投射型表示装置の構成は、実施例２の構成に対して、投射型表示装置１を使用する目的毎に用意された、ガンマカーブや色味等の投射映像の特性が異なる２つ以上の投射モードの切り替えを制御する投射モード管理部７が追加された構成となる。
【００４１】
さらに、前記投射モード切替部７によって切り替えられた投射モードに合わせて、ゲイン制御による投射映像の明るさ変動の補正方法を切り替える制御部５を備えた構成とする。例えば、プレゼンテーションを行う際には、蛍光灯等が点灯する明るい環境下投射する場合、明るさが一番に優先される投射モードで投射することがユーザにとっては好ましい。そのため、ユーザが明るさが一番に優先される投射モードに切り替えられた場合、ゲイン制御による投射映像の明るさを補正する際に、投射映像の明るさを落とさないことが望まれる。
【００４２】
逆に、映画などのコンテンツを投射する場合には、映画館のような暗い環境下投射するため、明るさよりもコントラスト等を優先したモードで投射することがユーザにとっては好ましい。よって、上記の場合には、ゲイン制御による投射映像の明るさを補正する場合、投射映像の明るさを必要以上に上げないことが望まれる。
【００４３】
本構成によれば、上記のようにユーザによって投射映像の特性の異なる投射モードが切り替えられるのに連動して、投射映像のゲイン制御方法を切り替えて投射映像の明るさ変動を抑えることが出来る。
【００４４】
続いて、図８は実施例３の構成におけるフローチャートである。まず、ステップＳ３０１において、ランプ電圧監視部１１は高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧を取得する。ステップＳ３０２では、制御部５はステップＳ３０１で取得した現在のランプ駆動電圧Ｖと、ゲイン制御の開始及び停止を判定するための第一の閾値電圧Ｖｔｈ１とを比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１以下と判定された場合にはステップＳ３０３に進む。一方、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値Ｖｔｈ１より高いと判断された場合にはステップＳ３０５に進む。
【００４５】
ステップＳ３０３において、制御部５は、ランプ電極保護制御部１２に対してランプ電極保護制御を実行するよう指示する。ステップＳ３０４において、ランプ電極保護制御を実行直後のランプ駆動電圧Ｖをランプ電圧監視部１１から取得する。ステップＳ３０５においては、投射モード切替部７から通知された、現在の投射型表示装置１の投射モードが明るさ優先であるかどうかを判断する。明るさ優先モードである場合にはステップＳ３０６へ進む。明るさ優先モード出ない場合にはステップＳ３０８へすすむ。
【００４６】
ステップＳ３０６においては、ステップＳ３０１もしくは、ステップＳ３０４にてランプ電圧監視部１１から取得したランプ駆動電圧Ｖと第一の閾値電圧Ｖｔｈ１を比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１よりも高いと判定された場合にはステップＳ３０７に進む。また、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１以下と判断された場合にはステップＳ３０１に戻る。
【００４７】
ステップＳ３０７において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと閾値電圧Ｖｔｈ１との差分ΔＶに基づいて、以下の式（５）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００４８】
ａ＝１＋（ΔＶ×ａ１）．．．（５）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ１：（Ｖ−Ｖｔｈ１）
【００４９】
ステップＳ３０８は、ステップＳ３０１もしくは、ステップＳ３０４にてランプ電圧監視部１１から取得したランプ駆動電圧Ｖと第二の閾値電圧Ｖｔｈ２を比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ２よりも低いと判定された場合にはステップＳ３０９に進む。また、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ２以上と判断された場合にはステップＳ３０１に戻る。
【００５０】
ステップＳ３０９において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと閾値電圧Ｖｔｈ２との差分ΔＶに基づいて、以下の式（１）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００５１】
ａ＝１−（ΔＶ×ａ１）．．．（１）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ１：（Ｖｔｈ２−Ｖ）
【００５２】
ここで、本実施例において、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は、ランプの駆動電圧と投射映像の明るさの変動の関係を考慮して任意の値が定められている。ランプ駆動電圧と、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は図６に示すような関係となる。また、最小ゲイン補正係数ａ１は、例えば、ランプ駆動電圧０．５Ｖ単位の補正係数であるが、これに限定されるものではない。ゲイン補正係数ａはステップＳ３０７、およびステップＳ３０９において適宜算出することが出来るが、高圧放電ランプの駆動電圧毎に固定値を用意して、図示しないＥＥＰＲＯＭやＳＰＩ−Ｆｌａｓｈ等の不揮発の記憶媒体に、予め記憶しておいても良い。
【００５３】
続いて、ステップＳ３１０では、制御部５は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のゲイン補正前のゲイン値Ｒｇ、Ｇｇ、Ｂｇ（無補正ゲイン値）に対し、ステップＳ３０７もしくはステップＳ３０９にて算出されたゲイン補正係数ａを用いて、式（２）、（３）、（４）のようにＲ、Ｇ、Ｂ各色の補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を算出する。
【００５４】
Ｒｇ'＝Ｒｇ×ａ．．．（２）
Ｇｇ'＝Ｇｇ×ａ．．．（３）
Ｂｇ'＝Ｂｇ×ａ．．．（４）
【００５５】
ステップＳ３１１において、ステップＳ３１０にて算出した補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を制御部５から取得したゲイン制御部４は表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂに対して夫々の補正ゲイン値を設定する。
【００５６】
本実施形態の投射型表示装置によれば、ユーザによって切り替えられた投射モードに連動して、補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'の算出方法を替えて投射映像の明るさの変動を抑えることができる。
【００５７】
例えば、図９に示すように、明るさを優先する投射モードの場合には、定電力で制御する高圧放電ランプの輝度が最大である時の投射映像の明るさＬｍ１と同一となるように、ゲインを調整する。逆に、明るさを優先しない投射モードの場合には、定電力で制御する高圧放電ランプの輝度が最小である時の投射映像の明るさＬｍ２と同一となるように、ゲインを調整する。
【００５８】
［実施例４］
以下、図１０を参照して、本発明の第３の実施例による、投射型表示装置の構成について説明する。図１０は本実施例に関る投射型表示装置の構成を示すブロック図である。実施例２の構成に対して、投射型表示装置１の外光を監視する外光監視部８が追加された構成となる。
【００５９】
本構成によれば、外光監視部８から取得する外光情報をもとに投射映像に対するゲイン制御方法を切り替えることが出来る。ここで、外光監視部は環境光センサーとするがこれに限定されるものではない。
【００６０】
続いて、図１１は実施例４の構成におけるフローチャートである。まず、ステップＳ４０１において、ランプ電圧監視部１１は高圧放電ランプ２のランプ駆動電圧を取得する。テップＳ４０２では、制御部５はステップＳ４０１で取得した現在のランプ駆動電圧Ｖと、ゲイン補正制御の開始及び停止を判定するための第一の閾値電圧Ｖｔｈ１とを比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１以下と判定された場合にはステップＳ４０３に進む。一方、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値Ｖｔｈ１より高いと判断された場合にはステップＳ４０５に進む。
【００６１】
ステップＳ４０３において、制御部５は、ランプ電極保護制御部１２に対してランプ電極保護制御を実行するよう指示する。ステップＳ４０４において、ランプ電極保護制御を実行直後御電圧をランプ電圧監視部１１から取得する。ステップＳ４０５においては、外光監視部から外光光量ＬＸを取得する。
【００６２】
ステップＳ４０６において、ステップＳ４０５にて外光監視部から取得した外光光量ＬＸと外光の明るさを判定するための外光閾値ＬＸｔｈとを比較する。現在の外光光量ＬＸが外光閾値ＬＸｔｈ以上である場合にはステップＳ４０７へ進み、現在の外光光量ＬＸが外光閾値ＬＸｔｈより小さいと判断された場合には、ステップＳ４０９へ進む。ここで、本実施例において、外光閾値ＬＸｔｈは、環境光の投射映像に対する影響度を慮した上で任意の値が定められている。
【００６３】
ステップＳ４０７においては、ステップＳ４０１もしくは、ステップＳ４０４にてランプ電圧監視部１１から取得したランプ駆動電圧Ｖと第一の閾値電圧Ｖｔｈ１を比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１よりも高いと判定された場合にはステップＳ４０８に進む。また、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ１以下と判断された場合にはステップＳ４０１に戻る。
【００６４】
ステップＳ４０８において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと閾値電圧Ｖｔｈ１との差分ΔＶに基づいて、以下の式（１）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００６５】
ａ＝１＋（ΔＶ×ａ１）．．．（５）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ１：（Ｖ−Ｖｔｈ１）
【００６６】
ステップＳ４０９は、ステップＳ４０１もしくは、ステップＳ４０４にてランプ電圧監視部１１から取得したランプ駆動電圧Ｖと第二の閾値電圧Ｖｔｈ２を比較する。現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ２よりも低いと判定された場合にはステップＳ４１０に進む。また、現在のランプ駆動電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔｈ２以上と判断された場合にはステップＳ４０１に戻る。
【００６７】
ステップＳ４１０において、制御部５は、最小ゲイン補正係数ａ１（ランプ電圧単位あたりの補正係数）、及び、ランプ駆動電圧Ｖと閾値電圧Ｖｔｈ２との差分ΔＶに基づいて、以下の式（１）で表わされるようにゲイン補正係数ａを求める。
【００６８】
ａ＝１−（ΔＶ×ａ１）．．．（１）
ａ：ゲイン補正係数
ａ１：最小ゲイン補正係数
ΔＶ１：（Ｖｔｈ２−Ｖ）
【００６９】
ここで、本実施例において、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は、ランプの駆動電圧と投射映像の明るさの変動の関係を考慮して任意の値が定められている。ランプ駆動電圧と、第一の閾値電圧Ｖｔｈ１と第二の閾値電圧Ｖｔｈ２は図６に示すような関係となる。また、最小ゲイン補正係数ａ１は、例えば、ランプ駆動電圧０．５Ｖ単位の補正係数であるが、これに限定されるものではない。また、ゲイン補正係数ａはステップＳ４０８及びステップＳ４１０において適宜算出することが出来るが、高圧放電ランプの駆動電圧毎に固定値を用意して、図示しないＥＥＰＲＯＭやＳＰＩ−Ｆｌａｓｈ等の不揮発の記憶媒体に、予め記憶しておいても良い。
【００７０】
続いて、ステップＳ４１１において、制御部５は、各色のゲイン補正が行われていない場合（ゲイン補正前）のゲイン値Ｒｇ、Ｇｇ、Ｂｇ（無補正ゲイン値）に対し、ステップＳ４０８もしくはステップＳ４１０において算出されたゲイン補正係数ａを用いて、式（２）のように補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を算出する。
【００７１】
Ｒｇ'＝Ｒｇ×ａ．．．（２）
Ｇｇ'＝Ｇｇ×ａ．．．（３）
Ｂｇ'＝Ｂｇ×ａ．．．（４）
【００７２】
ステップＳ４１２において、ステップＳ４１１にて算出した補正ゲイン値Ｒｇ'、Ｇｇ'、Ｂｇ'を制御部５から受け取ったゲイン制御部４は表示部３Ｒ、３Ｇ、３Ｂに対して夫々の補正ゲイン値を設定する。
【００７３】
本実施形態の投射型表示装置によれば、外光光量に連動して、ゲインの制御方法を替えて投射映像の明るさの変動を抑えることができる。例えば、図９に示すように、外光が所望の光量より高い場合には、定電力で制御する高圧放電ランプの輝度が最大である時の投射映像の明るさＬｍ１と同一となるようにゲインを調整する。逆に、外光が所望の光量より低い場合には、定電力で制御する高圧放電ランプの輝度が最小である時の投射映像の明るさＬｍ２と同一となるように、ゲインを調整することができる。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１    投射型表示装置
２    高圧放電ランプ
３Ｒ  表示部Ｒ
３Ｇ  表示部Ｇ
３Ｂ  表示部Ｂ
４    投射光学系
５    ゲイン制御部
６    制御部
１０  ランプ制御装置
１１  ランプ電圧監視部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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