(57)【要約】【課題】電源供給経路を遮断した状態で故障診断を行うことができ、正常時だけでなく故障時の暗電流をも低減できる電源制御装置を提供する。【解決手段】電源制御装置は、電気負荷３への電源供給経路１０に設けられ、電気負荷の起動要求信号ＩＧＮに基づいて当該電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第１電源遮断回路１と、第１電源遮断回路と電気負荷との間の電源供給経路に設けられ、起動要求信号と第１電源遮断回路の下流側の電源供給経路の電圧レベルとに基づいて電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第２電源遮断回路２とを備える。第２電源遮断回路は、第１電源遮断回路で電源供給経路が遮断状態のときに故障診断を行い、電源供給経路の電圧レベルが所定値より高くなった場合に、第２電源遮断回路で電源供給経路を遮断し、故障により生成された電流経路に暗電流が流れるのを抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気負荷への電源供給経路に設けられ、前記電気負荷の起動要求信号に基づいて当該電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第１電源遮断回路と、
前記第１電源遮断回路と前記電気負荷との間の前記電源供給経路に設けられ、前記起動要求信号と前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路の電圧レベルとに基づいて前記電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第２電源遮断回路とを具備し、
前記第２電源遮断回路は、前記第１電源遮断回路で前記電源供給経路が遮断状態のときに、前記電源供給経路の電圧レベルが所定値より高くなった場合に、前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路を遮断する、ことを特徴とする電源制御装置。
【請求項２】
前記第２電源遮断回路が、前記起動要求信号に基づいて、前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路の電圧をモニタし、前記第１電源遮断回路の故障を示す信号を外部に出力するモニタ回路部を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の電源制御装置。
【請求項３】
前記第２電源遮断回路が、前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路に設けられ、外部からの制御信号に基づいて当該電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える外部制御回路部を備え、
前記外部遮断回路は、通常動作時には導通状態を維持し、前記制御信号で遮断要求がされたときに前記電源供給経路を遮断状態にする、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電源制御装置。
【請求項４】
前記第２電源遮断回路の下流側と前記電気負荷との間の前記電源供給経路に設けられる第３電源遮断回路を更に具備し、
前記電気負荷は、前記起動要求信号に応答して動作する制御回路要素を備え、
前記第３電源遮断回路は、前記制御回路要素で制御される、ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の電源制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば自動車用コントロールユニット内の電気負荷への電源供給を制御する電源制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車のイグニッションがオフしている状態におけるバッテリの消費電流値（暗電流）の削減要求が厳しくなっており、自動車用コントロールユニットの暗電流を低減する必要性が高まっている。例えば特許文献１では、入力回路が操作スイッチのオン状態を検知したときには、電気負荷の駆動スイッチング素子をオフさせるとともに、電源と制御部、及び制御部とグランドとの間にそれぞれ介装した電流遮断用スイッチング素子をオフさせている。また、過電流検出回路や過熱検出回路等を用いて通電時の異常診断を行い、その検出結果を保護回路に出力し、駆動スイッチング素子のゲート電圧を制御することで電流と温度を調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４８０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、操作スイッチがオフ状態では、入力回路以外のすべての電源供給経路が遮断され、故障診断機能が動作しないため、駆動スイッチング素子のオン故障を検出できない。このため、オン故障した駆動スイッチング素子を介して暗電流が流れ続け、バッテリ寿命の短命化に繋がる可能性がある。しかも、非通電時に故障すると、故障診断を実施するためには、故障した素子を介して通電しなければならず、電気負荷に過電流が流れたり過熱状態になったりする虞がある。
【０００５】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電源供給経路を遮断した状態で故障診断を行うことができ、正常時だけでなく故障時の暗電流をも低減できる電源制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電源制御装置は、電気負荷への電源供給経路に設けられ、前記電気負荷の起動要求信号に基づいて当該電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第１電源遮断回路と、前記第１電源遮断回路と前記電気負荷との間の前記電源供給経路に設けられ、前記起動要求信号と前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路の電圧レベルとに基づいて前記電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替える第２電源遮断回路とを具備し、前記第２電源遮断回路は、前記第１電源遮断回路で前記電源供給経路が遮断状態のときに、前記電源供給経路の電圧レベルが所定値より高くなった場合に、前記第１電源遮断回路の下流側の前記電源供給経路を遮断する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電気負荷の起動要求信号で電気負荷の非動作が指示されたときに、第１電源遮断回路で遮断動作をさせることにより、電気負荷への電源供給経路を遮断して暗電流を低減することができる。また、第２電源遮断回路は、起動要求信号と第１電源遮断回路の下流側の電源供給経路の電圧レベルとに基づいて電源供給経路を導通状態または遮断状態に切り替えるようになっており、第２電源遮断回路により第１電源遮断回路の故障診断を行うことができる。そして、第１電源遮断回路で電源供給経路が遮断状態のときに、電源供給経路の電圧レベルが所定値より高くなって故障が検出された場合に、第２電源遮断回路で第１電源遮断回路の下流側の電源供給経路を遮断する。
従って、電源供給経路を遮断した状態で故障診断を行うことができ、正常時に起動要求信号で電気負荷の非動作が指示されたときだけでなく、故障時の暗電流をも低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る電源制御装置の回路図である。
【図２】図１に示した電源制御装置の概略的な動作を示すフローチャートである。
【図３】図１に示した電源制御装置の他の概略的な動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、電源制御装置の回路構成例を示しており、自動車用コントロールユニット内の電気負荷に供給する電源を制御するものである。この電源制御装置は、電源遮断回路１（第１電源遮断回路）、故障診断機能を有する電源遮断回路２（第２電源遮断回路）、電気負荷３、及びこの電気負荷３が備える制御回路要素の制御により、バッテリ端子の極性を逆接続したときに電路を遮断する電源遮断回路４（第３電源遮断回路）等を備えている。
【００１０】
電源遮断回路１は、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１１、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２１及び抵抗Ｒ１〜Ｒ４で構成される。ＭＯＳＦＥＴ１１のソース、ドレイン間の電流通路は、バッテリ端子Ｔ１から電気負荷３への電源供給経路１０に挿入されている。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ１１のソースは、バッテリ端子Ｔ１に接続され、ゲート、ソース間に抵抗Ｒ１が接続される。抵抗Ｒ２の一端はＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに接続され、他端はバイポーラトランジスタ２１のコレクタに接続される。バイポーラトランジスタ２１のベースは、抵抗Ｒ３を介してイグニッション端子Ｔ２に接続され、エミッタは接地される。また、バイポーラトランジスタ２１のベース、エミッタ間には抵抗Ｒ４が接続される。バッテリ端子Ｔ１にはバッテリ電源ＢＡＴＴが供給され、イグニッション端子Ｔ２には自動車用コントロールユニット内の電気負荷３の起動要求信号であるイグニッション信号ＩＧＮが入力される。
【００１１】
電源遮断回路２は、外部制御端子Ｔ３に入力される制御信号ＣＳに基づいて電源供給経路１０を導通状態または遮断状態に切り替える外部制御回路部２ａと、電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧をモニタするモニタ回路部２ｂとを備えている。
外部制御回路部２ａは、電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０に設けられ、通常動作時には導通状態を維持し、制御信号ＣＳで遮断要求がされたときに電源供給経路１０を遮断状態にする。この外部制御回路部２ａは、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１２，１４、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７，１８及び抵抗Ｒ５〜Ｒ１０で構成されている。
【００１２】
ＭＯＳＦＥＴ１２のソースはＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに、ドレインはＭＯＳＦＥＴ１３のソースにそれぞれ接続される。抵抗Ｒ５は、このＭＯＳＦＥＴ１２のゲート、ソース間に接続される。また、抵抗Ｒ６の一端はＭＯＳＦＥＴ１２のゲートに接続され、他端はＭＯＳＦＥＴ１８のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴ１８のソースは接地され、ゲート、ソース間に抵抗Ｒ７が接続される。
【００１３】
抵抗Ｒ８の一端はＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに接続され、他端はＭＯＳＦＥＴ１４のソースに接続される。ＭＯＳＦＥＴ１４のゲートは、ＭＯＳＦＥＴ１７のゲートに共通接続されるとともに、抵抗Ｒ２０を介して制御信号ＣＳが入力される外部制御端子Ｔ３に接続される。また、ＭＯＳＦＥＴ１４のドレインは、ＭＯＳＦＥＴ１８のゲートに接続されるとともに、抵抗Ｒ９を介してＭＯＳＦＥＴ１７のドレインに接続される。このＭＯＳＦＥＴ１７のソースは接地され、ゲート、ソース間に抵抗Ｒ１０が接続される。
【００１４】
モニタ回路部２ｂは、電源遮断回路１で電源供給経路１０が遮断状態のときに、電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧レベルが所定値より高くなった場合に、ＭＯＳＦＥＴ１３を制御して電源供給経路１０を遮断し、且つ電源遮断回路１の故障を示すモニタ信号ＭＳを外部モニタ端子Ｔ４から出力する。また、イグニッション信号ＩＧＮでイグニッションオンが指示されている場合には、ＭＯＳＦＥＴ１３を制御して電源供給経路１０を導通させる。このモニタ回路部２ｂは、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２２、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１５，１６及び抵抗Ｒ１１〜Ｒ１７で構成されている。
【００１５】
抵抗Ｒ１１の一端は、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、他端は抵抗Ｒ１２を介してバイポーラトランジスタ２２のコレクタに接続される。バイポーラトランジスタ２２のエミッタは接地され、ベースは抵抗Ｒ１３を介してイグニッション端子Ｔ２に接続される。また、このバイポーラトランジスタ２２のベース、エミッタ間には抵抗Ｒ１４が接続される。ＭＯＳＦＥＴ１５のソースは、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の接続点に接続される。このＭＯＳＦＥＴ１５のドレインは、ＭＯＳＦＥＴ１６のゲートに接続されるとともに、抵抗Ｒ１５を介して接地される。
【００１６】
ＭＯＳＦＥＴ１６のソースは、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、ドレインは抵抗Ｒ１６を介して接地されるとともに、ダイオードＤ１のアノード、カソードを介して外部モニタ端子Ｔ４に接続される。このＭＯＳＦＥＴ１６のゲート、ソース間には抵抗Ｒ１７が接続される。
【００１７】
ＭＯＳＦＥＴ１３、抵抗Ｒ１８，Ｒ１９及びダイオードＤ２は、モニタ回路部２ｂの出力電圧ＶＡと電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧レベルとに基づいて電源供給経路１０を導通状態または遮断状態に切り替えるものである。また、電源遮断回路１で電源供給経路１０が遮断状態のときに、モニタ回路部２ｂで電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧レベルが所定値より高くなったことが検出された場合に、電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０を遮断する。
【００１８】
ＭＯＳＦＥＴ１３のソースは、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１８を介して接地される。このＭＯＳＦＥＴ１３のゲート、ソース間には抵抗Ｒ１９が接続される。そして、ダイオードＤ２のアノードはＭＯＳＦＥＴ１６のドレイン及びダイオードＤ１のアノードに接続され、カソードはＭＯＳＦＥＴ１３のゲートに接続される。
電気負荷３は、負荷５、電源ＩＣ６、ドライバＩＣ７、制御回路要素であるマイクロコンピュータ（マイコン）８及び平滑化コンデンサ９等で構成されている。電源ＩＣ６とドライバＩＣ７は、マイコン８によって制御される。
【００１９】
電源遮断回路４（第３電源遮断回路）は、電源遮断回路２と電気負荷３との間の電源供給経路１０に設けられる。この電源遮断回路４は、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１９、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２３及び抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４から構成されている。ＭＯＳＦＥＴ１９のドレインは、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに接続され、ゲートは抵抗Ｒ２１を介してバイポーラトランジスタ２３のコレクタに接続される。このＭＯＳＦＥＴ１９のゲート、ソース間には抵抗Ｒ２２が接続され、ソースには平滑化コンデンサ９の一方の電極、電源ＩＣ６、ドライバＩＣ７及び負荷５が接続される。また、バイポーラトランジスタ２３のベースは抵抗Ｒ２３を介してマイコン８に接続され、エミッタは接地される。このバイポーラトランジスタ２３のベース、エミッタ間には、抵抗Ｒ２４が接続される。
なお、ＭＯＳＦＥＴ１１〜１９のドレイン、ソース間にアノード、カソードがそれぞれ接続されているダイオードＤ１１〜Ｄ１９は寄生ダイオードである。
【００２０】
上記のような構成において、図２のフローチャートにより、図１に示した電源制御装置の概略的な動作を説明する。初期状態では、電気負荷３の起動要求信号であるイグニッション信号ＩＧＮはロウレベル（イグニッションオフ）で待機しており（ステップＳ１）、電源遮断回路１は遮断状態になっている（ステップＳ２）。この状態で、電源遮断回路２は、電源遮断回路１が暗電流を低減しているか（暗電流が流れているか）故障診断を行っている。故障診断は、イグニッション信号ＩＧＮがロウレベルの場合に、モニタ回路部２ｂで電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧をモニタし、電源遮断回路１で電源供給経路１０が遮断状態のときに、電源供給経路１０の電圧レベルが所定値より高くなった場合、電源遮断回路２を制御して電源供給経路１０を遮断し、且つ電源遮断回路１の故障を示すハイレベルのモニタ信号ＭＳを出力する（ステップＳ３）。
【００２１】
電源遮断回路２の診断で故障なしと判定されると（このときモニタ信号ＭＳはロウレベル）通常動作を開始する。まず、電気負荷３にバッテリ電源ＢＡＴＴを供給するためにイグニッション信号ＩＧＮをオンする（ステップＳ４）。イグニッションオンでは、電源遮断回路１が導通状態となるとともに（ステップＳ５）、電源遮断回路２も導通状態となる（ステップＳ６）。これによって、バッテリ端子Ｔ１から電源遮断回路１及び電源遮断回路２を介して電気負荷３にバッテリ電源ＢＡＴＴが供給される（ステップＳ７）。イグニッションオフでは、電源遮断回路１及び電源遮断回路２の遮断状態を維持し、ステップＳ１に戻る。
【００２２】
そして、イグニッション信号ＩＧＮがロウレベルになると動作が終了し（ステップＳ８）、電源遮断回路１及び電源遮断回路２がともに遮断状態となり、ステップＳ１に戻る。
一方、ステップＳ３で電源遮断回路２の診断により電源遮断回路１に故障が発生して暗電流が流れていると判定されると、モニタ信号ＭＳをハイレベルにして外部に報知し（ステップＳ９）、電源遮断回路２を遮断状態にして電源の供給を遮断して終了する（ステップＳ１０）。
【００２３】
上述したような構成並びに動作の電源制御装置によれば、イグニッション信号ＩＧＮでイグニッションオフ（非動作）が指示されたときに、電源遮断回路１で遮断動作をさせることにより、電気負荷３への電源供給経路１０を遮断して暗電流を低減することができる。また、電源遮断回路２は、モニタ回路部２ｂによりイグニッション信号ＩＧＮと電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０の電圧レベルとに基づいて電源供給経路１０を導通状態または遮断状態に切り替えるようになっており、電源遮断回路２により電源遮断回路１の故障診断を行うことができる。そして、電源遮断回路１で電源供給経路１０が遮断状態のときに、電源供給経路１０の電圧レベルが所定値より高くなった場合に、電源遮断回路２で電源遮断回路１の下流側の電源供給経路１０を遮断する。従って、電源供給経路１０を遮断した状態で故障診断を行うことができ、正常時にイグニッション信号ＩＧＮでイグニッションオフが指示されたときだけでなく、故障時の暗電流をも低減できる。
【００２４】
図３は、図２に示した動作の変形例を示している。図２ではステップＳ９において、電源供給経路１０に暗電流が流れていると判定された場合に、モニタ信号ＭＳをハイレベルにして電源遮断回路１に故障が発生していることを外部に報知するようにした。これに対し、モニタ信号ＭＳがハイレベルになって電源遮断回路１が故障していることを検知した場合に、外部制御端子Ｔ３にハイレベルの制御信号ＣＳを入力し（ステップＳ１１）、外部制御回路部２ａを遮断状態とするものである（ステップＳ１２）。
他の動作は図２に示したフローチャートと実質的に同じであるので、詳細な説明は省略する。
このように、モニタ信号ＭＳで電源遮断回路１が故障していることを検知した場合に、外部制御回路部２ａを制御信号ＣＳにより強制的に遮断状態とすることで、暗電流を確実に抑制できる。
【００２５】
次に、上記図１に示した電源制御装置の動作を詳しく説明する。
［通常動作時］
イグニッション信号ＩＧＮがハイレベルになり、イグニッションオンが指示されると、バイポーラトランジスタ２１，２２のベース、エミッタ間電圧が高くなって、これらのトランジスタが共にオンする。バイポーラトランジスタ２１がオンすることでＭＯＳＦＥＴ１１のゲート、ソース間に電位差が発生し、このＭＯＳＦＥＴ１１がオンする。ＭＯＳＦＥＴ１１がオンすることで、ＭＯＳＦＥＴ１２のソース側に電圧が印加される。
【００２６】
外部制御端子Ｔ３は、基本的には故障が発生したときのみ使用する端子であり、制御信号ＣＳは、通常、ロウレベル（０Ｖ）になっている。従って、ＭＯＳＦＥＴ１４がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１７がオフする。この結果、ＭＯＳＦＥＴ１８がオンする。ＭＯＳＦＥＴ１８がオンするとＭＯＳＦＥＴ１２がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１３のソース側に電圧が印加され、このＭＯＳＦＥＴ１３がオンする。このように、ＭＯＳＦＥＴ１１、ＭＯＳＦＥＴ１２及びＭＯＳＦＥＴ１３がオンすることで、バッテリ電源ＢＡＴＴが電源供給経路１０を介してモニタ回路部２ｂや電気負荷３側に供給される。
【００２７】
このとき、バイポーラトランジスタ２２がオンとなっているため、ＭＯＳＦＥＴ１５がオンし、このＭＯＳＦＥＴ１５がオンすることでＭＯＳＦＥＴ１６はオフとなる。ＭＯＳＦＥＴ１６がオフしているため、電圧ＶＡはロウレベルとなり、外部モニタ端子Ｔ４から出力されるモニタ信号ＭＳはロウレベルとなって、外部から異常は検知されない。
なお、暗電流はイグニッションオフの時に診断し、通常動作の時には電圧は検出しない（診断しない）。
【００２８】
［イグニッションオフ時（正常時）］
イグニッション信号ＩＧＮがロウレベルになると、イグニッションオフとなる。バイポーラトランジスタ２１がオフし、ＭＯＳＦＥＴ１１がオフとなって、電源遮断回路１は電源供給経路１０を遮断する。このため、ＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン側には、ＭＯＳＦＥＴ１１の微小なリーク電流しか流れない。
【００２９】
図１の回路ブロックで示すように、自動車用コントロールユニット内の消費電流の大きなマイコン８や負荷５側に対し、電源供給経路１０に電源遮断回路１を介在させることで、イグニッションオフ時に流れる電流をＭＯＳＦＥＴ１１のリーク電流のみにすることができるため、暗電流を大幅に低減することが可能となる。
また、イグニッションオフ時には、ＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン側にはＭＯＳＦＥＴ１１のリーク電流しか流れないため、電圧ＶＡはロウレベルであり、モニタ信号ＭＳもロウレベルとなるので、外部モニタ端子Ｔ４により異常は検知されない。
【００３０】
［イグニッションオフ時（ＭＯＳＦＥＴ１１のオン故障時）］
イグニッションオフ時には、ＭＯＳＦＥＴ１１がオフになるため、ＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン側には電圧が印加されないが、ソース側にはバッテリ電源ＢＡＴＴの電圧が常時印加されているのでストレスがかかった状態にある。よって、何らかの原因でＭＯＳＦＥＴ１１がオン故障した場合について考える。
ＭＯＳＦＥＴ１１がオン故障すると、イグニッションオフであってもＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン側（下流側）の電源供給経路１０の電圧レベルが上昇する。
【００３１】
最初の段階では故障（異常）を検出していないので、制御信号ＣＳはロウレベル（０Ｖ）のままである。通常動作時と同様に、ＭＯＳＦＥＴ１２がオンしてドレイン側にバッテリ電源ＢＡＴＴが供給される。イグニッションオフの時には、バイポーラトランジスタ２２がオフしており、バイポーラトランジスタ２２がオフしていると、ＭＯＳＦＥＴ１５がオフし、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンする。これによって、電圧ＶＡのレベルが上昇して外部モニタ端子Ｔ４のレベルが上昇し、モニタ信号ＭＳがハイレベルとなる。また、電圧ＶＡのレベルが上昇すると、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート、ソース間の電位差がなくなるので、ＭＯＳＦＥＴ１３が強制的にオフされる。従って、モニタ信号ＭＳにより異常を外部に報知しつつ、電源供給経路１０を遮断できる。このように、暗電流を低減できる構成を持ちつつ、電気負荷３の内部のマイコン８や診断回路等に頼らずに異常を検知できる。
【００３２】
この際、制御信号ＣＳはロウレベル（０Ｖ）であるため、ＭＯＳＦＥＴ１４がオン、ＭＯＳＦＥＴ１７がオフし、ＭＯＳＦＥＴ１８がオンしている。ＭＯＳＦＥＴ１８がオンするとＭＯＳＦＥＴ１２がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１３のソース側にバッテリ電源ＢＡＴＴが供給されるが、イグニッションオフ時は、バイポーラトランジスタ２２がオフとなっているため、ＭＯＳＦＥＴ１５はオフとなり、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンする。
ＭＯＳＦＥＴ１６がオンすると電圧ＶＡのレベルがＭＯＳＦＥＴ１３のソース側とほぼ等しくなるので、ＭＯＳＦＥＴ１３がオフとなり電源供給経路１０を遮断する。
【００３３】
なお、外部モニタ端子Ｔ４にて異常検知した際に、図３のフローチャートで説明したように、外部制御端子Ｔ３からハイレベルの制御信号ＣＳを入力するようにしておけば、ＭＯＳＦＥＴ１４がオフ、ＭＯＳＦＥＴ１７がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１８がオフする。これによって、ＭＯＳＦＥＴ１２がオフとなり、イグニッションのオン／オフに拘わらず、強制的にバッテリ電源ＢＡＴＴの供給を遮断することが可能となる。
【００３４】
上述したように、本発明の電源制御装置は、暗電流を低減するための電源遮断回路１と、当該電源遮断回路１の故障診断を行うとともに、故障時の冗長回路として働く電源遮断回路２とを備える。そして、自動車用コントロールユニット内の消費電流の大きな制御回路要素や負荷に対し、電源遮断回路１を設けることで暗電流を大きく低減することが可能となる。また、電源遮断回路２により、イグニッションオフ時の電源遮断回路１の故障診断が可能となるため、電源遮断回路１が仮に故障しても、自動車用コントロールユニット内の制御回路要素に電源を供給することなく、換言すれば消費電流を増大させることなく、故障診断及び電源供給経路１０の遮断が可能となる。
【００３５】
なお、本回路では暗電流を低減することを目的としているため、イグニッションオフ時には自動車用コントロールユニット内部への電源供給経路１０を完全に遮断する。このため、コントロールユニット内部のマイコン８による故障診断は不可能である。
しかし、イグニッションオフ時に電源遮断回路１が故障しても、電源遮断回路２によりコントロールユニット内の制御回路要素や負荷側の電源供給経路を遮断することができる。また、電源遮断回路２内部の電圧ＶＡのレベルは、イグニッションオフでＭＯＳＦＥＴ１１のオン故障時のみハイレベルとなるため、電源遮断回路１の故障を外部にて診断することが可能となる。
更に、外部にて異常を検知した場合には、コントロールユニット内の制御回路要素に電源を供給することなく、イグニッションのオン／オフに拘わらず電源供給経路の遮断が可能となる。
【００３６】
従って、本発明によれば、電気負荷の起動要求信号で非動作が指示されたときに、第１電源遮断回路で遮断動作をさせることにより、電気負荷への電源供給経路を遮断して暗電流を低減することができる。また、第１電源遮断回路の作動に応答して第２電源遮断回路が作動するようになっており、第２電源遮断回路により第１電源遮断回路の故障診断を行うことができる。このため、第１電源遮断回路の故障発生時には、電気負荷側に電源を供給することなく、故障診断及び電源経路の遮断が可能となる。
【００３７】
更に、上記回路構成によって、下記（ａ）〜（ｄ）のような効果も得られる。
（ａ）起動要求信号と電源供給経路の電圧レベルで第１電源遮断回路の異常を検出できるので、診断処理の複雑化を抑制できる。
（ｂ）演算処理による故障診断をせずに回路構成で遮断できるので、診断のために常時電源電圧を各素子に供給する必要がなくなり、停止状態での暗電流を低減できる。
（ｃ）異常状態を外部（他のＥＣＵとの通信ライン、検査ツール等）へ出力できるので、協調するＥＣＵにより当該異常に基づくフェイル制御をすることができる。また、本電源制御装置の非起動状態での異常状態の把握ができる。
（ｄ）起動している外部のＥＣＵなどから遮断可能であり、当該電源制御装置を起動しなくても遮断させることができる。
【００３８】
以上実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００３９】
１…第１電源遮断回路、２…第２電源遮断回路、２ａ…外部制御回路部、２ｂ…モニタ回路部、３…電気負荷、４…第３電源遮断回路、５…負荷、６…電源ＩＣ、７…ドライバＩＣ、８…マイクロコンピュータ（制御回路要素）、９…平滑化コンデンサ、１０…電源供給経路、１１〜１６，１９…Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ、１７，１８…Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ、２１〜２３…ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ、Ｒ１〜Ｒ２３…抵抗、Ｔ１…バッテリ端子、Ｔ２…イグニッション端子、Ｔ３…外部制御端子、Ｔ４…外部モニタ端子、ＢＡＴＴ…バッテリ電源、ＩＧＮ…イグニッション信号（起動要求信号）、ＣＳ…制御信号、ＭＳ…モニタ信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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