(57)【要約】【課題】異物が構造体の内部にある場合であっても、異物による短絡不良を解消することが可能な構造体の修正方法を提供する。【解決手段】構造体の修正方法は、第１導電層としての導電層６と、第２導電層としての導電層７とを備える構造体において、前記第１導電層と前記第２導電層との間を電気的に接続する短絡部としての異物８がある構造体の修正方法であって、前記短絡部を覆うように保護膜１０を形成する工程と、保護膜１０のうち前記短絡部に対応する領域において保護膜１０の一部を除去して開口部１０ｅを設ける工程と、開口部１０ｅを通じて前記短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、前記短絡部を介した前記第１導電層と前記第２導電層との電気的接続を遮断する工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、第２導電層とを備える構造体において、前記第１導電層と前記第２導電層との間を電気的に接続する短絡部がある構造体の修正方法であって、
前記短絡部を覆うように保護膜を形成する工程と、
前記保護膜のうち前記短絡部に対応する領域において前記保護膜の一部を除去して開口部を設ける工程と、
前記開口部を通じて前記短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、前記短絡部を介した前記第１導電層と前記第２導電層との電気的接続を遮断する工程とを含む、構造体の修正方法。
【請求項２】
前記構造体は、前記第１導電層を覆う第１絶縁層を備え、前記第２導電層は、前記第１絶縁層の少なくとも一部を覆うように配置されており、
前記電気的接続を遮断する工程は、前記第２導電層の一部をエッチング除去する工程を含む、請求項１に記載の構造体の修正方法。
【請求項３】
前記構造体は、前記第１導電層および前記第２導電層を覆う絶縁層を備え、
前記電気的接続を遮断する工程は、前記絶縁層の一部をエッチング除去する工程を含む、請求項１に記載の構造体の修正方法。
【請求項４】
前記電気的接続を遮断する工程は、前記短絡部の少なくとも一部をエッチング除去する工程を含む、請求項１から３のいずれかに記載の構造体の修正方法。
【請求項５】
前記開口部を設ける工程は、前記保護膜に対してニードルを物理的に接触させることによって行なわれる、請求項１から４のいずれかに記載の構造体の修正方法。
【請求項６】
前記ニードルの先端は、マニュアルポジショナーによって位置決めされる、請求項５に記載の構造体の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の修正方法に関するものである。ここでいう構造体は、たとえば電子部品、回路基板などであってよい。
【背景技術】
【０００２】
特開２００１−３５１９２１号公報（特許文献１）には、半導体集積回路装置の修復方法が記載されている。特許文献１では、配線間に位置する導電性の異物に対して電子線を照射することで異物を除去することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５１９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された発明では、構造体の表面に付着した異物は除去可能であるが、構造体の内部にある異物は除去できない。
【０００５】
そこで、本発明は、異物が構造体の内部にある場合であっても、異物による短絡不良を解消することが可能な構造体の修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に基づく構造体の修正方法は、第１導電層と、第２導電層とを備える構造体において、上記第１導電層と上記第２導電層との間を電気的に接続する短絡部がある構造体の修正方法であって、上記短絡部を覆うように保護膜を形成する工程と、上記保護膜のうち上記短絡部に対応する領域において上記保護膜の一部を除去して開口部を設ける工程と、上記開口部を通じて上記短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、上記短絡部を介した上記第１導電層と上記第２導電層との電気的接続を遮断する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、異物が構造体の内部にある場合であっても、異物による短絡不良を解消することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に基づく実施の形態１で説明のために想定する正常品の断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１で説明のために想定する不良品の断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法のフローチャートである。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第１の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第２の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で使用することができるマニュアルポジショナーの一例の斜視図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の第３の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法が完了した状態の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法が完了した状態の第１の変形例の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法が完了した状態の第２の変形例の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の説明のための第１の平面図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の説明のための第２の平面図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法の説明のための第３の平面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態２で説明のために想定する正常品の断面図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態２で説明のために想定する不良品の断面図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の第１の工程の説明図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の第２の工程の説明図である。
【図１８】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の第３の工程の説明図である。
【図１９】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の第４の工程の説明図である。
【図２０】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の説明のための第１の平面図である。
【図２１】本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法の説明のための第２の平面図である。
【図２２】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で対処できない例の平面図である。
【図２３】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で対処できる例の第１の平面図である。
【図２４】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で対処できる例の第２の平面図である。
【図２５】本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法で対処できる例の第３の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
【００１０】
（実施の形態１）
（修正方法）
図１〜図８を参照して、本発明に基づく実施の形態１における構造体の修正方法について説明する。本実施の形態では、構造体の本来あるべき構造として、図１に示すようなものを想定する。構造体１００は、絶縁層２ａの上側に絶縁層２ｂが載置された積層構造を含む。絶縁層２ａ，２ｂは樹脂、セラミック、酸化ケイ素、窒化ケイ素などのうちのいずれかで形成されていてもよい。絶縁層２ａの下面には導電層５が配置されている。絶縁層２ａと絶縁層２ｂとの界面には導電層６が配置されている。絶縁層２ｂの上面には導電層７が配置されている。導電層５，６，７は、金属で形成されていてよい。図１に示すように、導電層５，６間においても、導電層６，７間においても適宜層間接続がなされていてよい。
【００１１】
構造体が内部に異物を含むことによって、図２に示す状態であるものとする。図１に示す構造体１００が正常品であるのに対して、図２に示す構造体１０１はこのままでは不良品である。構造体１０１においては、導電層６の上面に異物８があり、異物８の上端は導電層７に達している。図２に示した異物８の形状はあくまで一例であり、このとおりの形状とは限らない。異物８は、導電層６，７のいずれかと同じ材料であってもよく、導電層６，７のいずれとも異なる材料からなる異物であってもよい。異物８は導電性であるものとする。異物８は金属からなるものであってもよい。異物８があることにより、導電層６，７間は異物８を介して電気的に接続された状態となっている。本実施の形態においては、導電層６が第１導電層に相当し、導電層７が第２導電層に相当する。異物８が短絡部に相当する。本実施の形態における構造体の修正方法のフローチャートを図３に示す。
【００１２】
本実施の形態における構造体の修正方法は、第１導電層としての導電層６と、第２導電層としての導電層７とを備える構造体において、前記第１導電層と前記第２導電層との間を電気的に接続する短絡部としての異物８がある構造体の修正方法である。この構造体の修正方法は、前記短絡部を覆うように保護膜を形成する工程Ｓ１と、前記保護膜のうち前記短絡部に対応する領域において前記保護膜の一部を除去して開口部を設ける工程Ｓ２と、前記開口部を通じて前記短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、前記短絡部を介した前記第１導電層と前記第２導電層との電気的接続を遮断する工程Ｓ３とを含む。
【００１３】
本実施の形態における構造体の修正方法に含まれる各工程について、図面を参照しながら詳しく説明する。まず、工程Ｓ１として、図４に示すように保護膜１０を形成する。保護膜１０はレジスト膜であってよい。保護膜１０は、短絡部としての異物８を覆うように形成される。図４に示したように、保護膜１０は、短絡部の近傍のみならず、広く覆うように形成してもよい。
【００１４】
工程Ｓ２として、図５に示すように、保護膜１０のうち短絡部としての異物８に対応する領域において保護膜１０の一部を除去して開口部１０ｅを設ける。工程Ｓ２は、ニードル３１で行なうことができる。ニードル３１の先端で擦過することによって保護膜１０の一部が除去されて開口部１０ｅが形成される。図５では、縦横比がデフォルメされており、開口部１０ｅが縦長であるように表示されているが、実際には、開口部１０ｅは深さより幅の方が大きい形状であってよい。ニードル３１は、図６に示すようなマニュアルポジショナー３５によって保持されていてよい。マニュアルポジショナー３５は、操作部３２ａ，３２ｂ，３３を備える。操作部３２ａ，３２ｂ，３３を手動で操作することによって、ニードル３１の先端の位置を微調整することができる。工程Ｓ２を行なう際には、対象となる箇所を顕微鏡で観察しながらマニュアルポジショナー３５を操作することによって、ニードル３１で保護膜１０の所望箇所に開口部１０ｅを形成すればよい。なお、工程Ｓ２では、たとえばＥＢ露光装置（電子線描画装置）を用いて、保護膜の所望箇所を局所的に露光し、現像することによって保護膜１０の所望箇所に開口部１０ｅを形成することとしてもよい。
【００１５】
工程Ｓ３として、開口部１０ｅを通じて短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、短絡部を介した第１導電層と第２導電層との電気的接続を遮断する。これにより、たとえば図７に示すような状態となる。図７では、第２導電層としての導電層７の一部が除去されて開口部７ｅが形成されており、さらに、短絡部としての異物８の一部がエッチング除去されて異物８ｒとなっている。工程Ｓ３では、このようにエッチングが行なわれたことにより、第１導電層としての導電層６と第２導電層としての導電層７との間の電気的接続が遮断されている。
【００１６】
さらに、保護膜１０を除去する。これにより、図８に示す状態となる。こうして、構造体１０１においては、導電層６の上面に異物８ｒが残っている。図８に示した構造体１０１は、修正が完了した状態に相当する。保護膜１０については、除去せず残したままとしてもよい。
【００１７】
（作用・効果）
本実施の形態における構造体の修正方法によれば、異物が構造体の内部にある場合であっても、異物による短絡不良を解消することが可能である。
【００１８】
本実施の形態で示したように、構造体１０１は、前記第１導電層を覆う第１絶縁層を備え、前記第２導電層は、前記第１絶縁層の少なくとも一部を覆うように配置されており、工程Ｓ３は、前記第２導電層の一部をエッチング除去する工程を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、上下方向に並ぶ２つの導電層の間に異物が存在することによって生じる短絡部に適切に対処することができる。
【００１９】
図８に示した例では、工程Ｓ３において、異物８の一部をエッチング除去して異物８ｒとすることによって短絡部による電気的接続を遮断していたが、工程Ｓ３でのエッチング除去の仕方はこれに限らない。たとえば図９に示すように、工程Ｓ３において異物８を完全に除去してもよい。図９に示した例では、エッチング除去の結果として空洞１１が生じている。空洞１１は、異物８の形状と対応した形状を有する。
【００２０】
たとえば図１０に示すように、工程Ｓ３は、異物８を完全に残した状態で終えてもよい。この状態であっても、導電層７には開口部７ｅが形成されているので、異物８と導電層７とはもはや接しておらず、両者は電気的には接続されていない。すなわち、工程Ｓ３を行なった結果として、短絡部による電気的接続は既に遮断されている。
【００２１】
なお、電気的接続を遮断する工程Ｓ３は、前記短絡部の少なくとも一部をエッチング除去する工程を含むことが好ましい。すなわち、工程Ｓ３では、図１０に示したように異物８を残すより、図８または図９に示したように異物８の少なくとも一部を除去する方が好ましい。このようにした方が、より確実に電気的接続を遮断することができるからである。
【００２２】
（ニードル）
本実施の形態で示したように、開口部を設ける工程Ｓ２は、保護膜１０に対してニードル３１を物理的に接触させることによって行なわれることが好ましい。この方法を採用することにより、必要な開口部を容易に形成することができるからである。
【００２３】
本実施の形態で示したように、ニードル３１の先端は、マニュアルポジショナー３５によって位置決めされることが好ましい。この方法を採用することにより、ニードル３１の先端の位置を、容易に所望の位置に調整することができるからである。ただし、図６に示したマニュアルポジショナー３５は、あくまで説明の便宜のために示した一例であって、マニュアルポジショナーはこのような形態のものとは限らない。
【００２４】
（平面図による説明）
本実施の形態における構造体の修正方法について、図１１〜図１３の平面図を参照して説明する。これらの図においては、保護膜１０、絶縁層２ａ，２ｂは透明であるものとし、金属で形成された部分のみを表示している。図１１では、導電層６，７および異物８が見えている。工程Ｓ１を行なう時点では、図１１のような状態となっている。導電層６に対して導電層７が重なっており、異物８は導電層７の背後に隠れているが、異物８の位置は既に特定されている。工程Ｓ２を行なった後で、さらに工程Ｓ３を行なう途中の段階では、図１２に示すようになる。エッチングにより導電層７に開口部７ｅが形成され、異物８が見える状態となっている。開口部１０ｅは開口部７ｅの手前において開口部７ｅとほぼ一致する形状で存在するが、保護膜１０は透明であり、開口部１０ｅも見えにくいので、図１２においては開口部１０ｅを図示省略している。図１２に示した状態でエッチングを終えてもよく、その場合は、図１０の断面図に示した状態となる。図１２に示した状態からさらに異物８をエッチングにより除去すれば図１３に示すようになる。図１３に示した状態は、図９の断面図に示した状態に相当する。
【００２５】
（実施の形態２）
（修正方法）
図１４〜図１９を参照して、本発明に基づく実施の形態２における構造体の修正方法について説明する。本実施の形態では、構造体の本来あるべき構造として、図１４に示すようなものを想定する。構造体２００は、絶縁層２ａの上側に絶縁層２ｂが載置された積層構造を含む。絶縁層２ａの下面には導電層５が配置されている。絶縁層２ａと絶縁層２ｂとの界面には導電層６および導電層９が配置されている。絶縁層２ｂの上面には導電層１３が配置されている。導電層５，６，９，１３は、金属で形成されていてよい。図１４に示すように、適宜層間接続がなされていてよい。導電層６と導電層９とは同じ高さに配置されているが、互いに離隔している。導電層６と導電層９とは、同じ材料で形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよい。
【００２６】
構造体が内部に異物を含むことによって、図１５に示す状態であるものとする。図１４に示す構造体２００が正常品であるのに対して、図１５に示す構造体２０１はこのままでは不良品である。構造体２０１においては、絶縁層２ａの上面に異物１２がある。図１５に示した異物１２の形状はあくまで一例であり、このとおりの形状とは限らない。異物１２は、導電層６，９のいずれかと同じ材料であってもよく、導電層６，９のいずれとも異なる材料からなる異物であってもよい。異物１２は導電性であるものとする。異物１２は金属からなるものであってもよい。異物１２があることにより、導電層６，９間は異物１２を介して電気的に接続された状態となっている。以下の説明においては、導電層６が第１導電層に相当し、導電層９が第２導電層に相当する。異物１２が短絡部に相当する。本実施の形態における構造体の修正方法のフローチャートも図３に示したものと同じである。
【００２７】
すなわち、本実施の形態における構造体の修正方法は、第１導電層としての導電層６と、第２導電層としての導電層９とを備える構造体において、前記第１導電層と前記第２導電層との間を電気的に接続する短絡部としての異物１２がある構造体の修正方法である。この構造体の修正方法は、前記短絡部を覆うように保護膜を形成する工程Ｓ１と、前記保護膜のうち前記短絡部に対応する領域において前記保護膜の一部を除去して開口部を設ける工程Ｓ２と、前記開口部を通じて前記短絡部およびその周辺部のうち少なくとも一方をエッチング除去することによって、前記短絡部を介した前記第１導電層と前記第２導電層との電気的接続を遮断する工程Ｓ３とを含む。
【００２８】
前記構造体は、前記第１導電層および前記第２導電層を覆う絶縁層２ｂを備え、前記電気的接続を遮断する工程Ｓ３は、絶縁層２ｂの一部をエッチング除去する工程を含む。
【００２９】
本実施の形態における構造体の修正方法に含まれる各工程について、図面を参照しながら詳しく説明する。まず、工程Ｓ１として、図１６に示すように保護膜１０を形成する。保護膜１０はレジスト膜であってよい。保護膜１０は、短絡部としての異物１２を覆うように形成される。図１６に示したように、保護膜１０は、短絡部の近傍のみならず、広く覆うように形成してもよい。
【００３０】
工程Ｓ２として、図１７に示すように、保護膜１０のうち短絡部としての異物１２に対応する領域において保護膜１０の一部を除去して開口部１０ｅを設ける。工程Ｓ２は、ニードル３１で行なうことができる。工程Ｓ２に関する詳細は、実施の形態１で説明したものと同じであるので繰り返さない。
【００３１】
工程Ｓ３として、開口部１０ｅを通じて絶縁層２ｂをエッチング除去することによって、図１８に示すように開口部２ｅを形成する。さらに開口部１０ｅおよび開口部２ｅを通じて短絡部としての異物１２をエッチング除去することによって、図１９に示す構成に至る。異物１２がエッチングにより除去されたことにより空洞１４が形成されている。工程Ｓ３では、このようにエッチングが行なわれたことにより、第１導電層としての導電層６と第２導電層としての導電層９との間の電気的接続が遮断されている。さらに、保護膜１０を除去してもよい。
【００３２】
（作用・効果）
本実施の形態においても、基本的には、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。特に本実施の形態では、同一層内にある導電層同士が異物を介して短絡している状況に対処することができる。
【００３３】
（平面図による説明）
本実施の形態における構造体の修正方法について、図２０〜図２５の平面図を参照して説明する。これらの図においては、保護膜１０、絶縁層２ａ，２ｂは透明であるものとし、金属で形成された部分のみを表示している。図２０では、導電層６，９および異物１２が見えている。工程Ｓ１を行なう時点では、図２０のような状態となっている。導電層６に近接して導電層９が配置されている。導電層６，９および異物１２は同じ層にある。導電層６，９間は異物１２を介して導通した状態にある。工程Ｓ２および工程Ｓ３を行なった後では、図２１に示すように、エッチングにより異物１２が除去され、空洞１４が形成されている。
【００３４】
（実施の形態１の説明の補足）
（対処できない例）
実施の形態１では、図１１〜図１３を参照して、導電層７に比べて異物８が十分小さい場合について説明したが、たとえば図２２に示すように、異物８が導電層７に比べて大きい場合について考える。ここでは、導電層７は一定幅の配線として形成されている。異物８の径は、導電層７の幅に比べて大きい。異物８は、導電層７より奥側において導電層７の幅方向の両側にはみ出すように存在している。このような場合、本発明に基づく構造体の修正方法によっては対処することができない。
【００３５】
（対処できる例）
たとえば図２３に示すように、一定幅の配線として形成された導電層７に対して、異物８は、導電層７より奥側において導電層７の幅方向の片側にはみ出すように存在している。このような場合、本発明に基づく構造体の修正方法によって対処することができ、工程Ｓ３におけるエッチング除去の途中としては、たとえば図２４に示すようになる。図２４では、エッチングにより導電層７の一部が除去されている。さらに工程Ｓ３のエッチングを続けることにより異物８を完全に除去すると、図２５に示すようになる。導電層７には切欠きが生じているが、配線としての導電層７は完全に断絶するわけではなく、一部においてつながっている。導電層７は配線としての機能を失っていない。異物８を除去したことにより、導電層６，７間の短絡は解消されたので、この構造体は正常品として使用することができる。
【００３６】
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００３７】
２ａ，２ｂ  絶縁層、２ｅ  （絶縁層の）開口部、５，６，７，９，１３  導電層、７ｅ  （導電層の）開口部、８，１２  異物、８ｒ  （一部が残った）異物、１０  保護膜、１０ｅ  （保護膜の）開口部、１１，１４  空洞、３１  ニードル、３２ａ，３２ｂ，３３  操作部、３５  マニュアルポジショナー、１００，１０１，２００，２０１  構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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