(57)【要約】【課題】基板の一面を清浄かつ均一にすることが可能な基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板洗浄装置においては、スピンチャックにより回転される基板の一面に研磨ヘッドが接触した状態で、その研磨ヘッドが少なくとも基板の中心と外周部との間を移動する。それにより、基板の一面が研磨ヘッドにより研磨され、基板の一面上に存在する汚染が除去される。このとき、基板の半径方向の位置に応じて研磨ヘッドによる汚染の除去能力が変化する。汚染の除去能力とは、基板の一面に付着した汚染物、並びに基板の一面に残存した吸着痕および接触痕等を研磨により擦り取る能力をいう。汚染の除去能力は、例えば研磨ヘッドから基板の一面に作用する押圧力を調整することにより変化させることができる。【選択図】図１５
2018046108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面の汚染を除去する基板洗浄装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
基板の前記一面に接触可能に構成された研磨具と、
前記研磨具を前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させる第１の移動部と、
前記回転保持部により回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるように前記第１の移動部および前記回転保持部の少なくとも一方を制御する制御部とを備えた、基板洗浄装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板の前記一面に対する前記第１の移動部による前記洗浄具の押圧力を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板の中心と外周部との間における前記第１の移動部による前記洗浄具の移動速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記第１の移動部は、前記研磨具を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動部を含み、
前記制御部は、前記研磨具を前記基板の前記一面に接触させつつ前記回転駆動部による前記研磨具の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記回転保持部による基板の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触可能なブラシと、
基板の前記一面への前記研磨具の接触および前記研磨具の移動の後、前記ブラシを前記回転保持部により保持された基板の前記一面に接触させる第２の移動部とをさらに備えた、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置と、
前記塗布装置、前記基板洗浄装置および前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
前記基板洗浄装置は、前記露光装置による基板の露光処理前に基板の前記一面としての下面の汚染を除去する、基板処理装置。
【請求項８】
基板の一面の汚染を除去する基板洗浄方法であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の前記一面に研磨具を接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるステップとを含む、基板洗浄方法。
【請求項９】
基板の上面に感光性膜を塗布するステップと、
前記感光性膜が塗布された基板を露光するステップと、
前記露光するステップの前に請求項８記載の基板洗浄方法により基板の前記一面としての下面の汚染を除去するステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄を行う基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、現像されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される。塗布膜が露光される前の基板には、洗浄処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、洗浄／乾燥処理ユニットを有する基板処理装置が記載されている。洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャックにより基板が水平に保持された状態で回転される。この状態で、基板の表面に洗浄液が供給されることにより、基板の表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板の裏面の全体および外周端部が洗浄液および洗浄ブラシで洗浄されることにより、基板の裏面の全体および外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１２３８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板に形成されるパターンをより微細化することが望まれている。基板の裏面に汚染物が残存したり、基板の裏面に吸着痕または接触痕等が残存すると、基板の裏面が不均一となり、高い精度で露光処理を行うことが難しい。そのため、パターン形成の精度が低下する。したがって、基板の裏面に残存する汚染物、吸着痕および接触痕等を除去する必要がある。しかしながら、引用文献１に記載された洗浄／乾燥処理ユニットでは、基板の裏面に強固に付着する汚染物、ならびに基板の裏面に強固に形成される吸着痕および接触痕等を除去することは難しい。
【０００６】
本発明の目的は、基板の一面を清浄かつ均一にすることが可能な基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る基板洗浄装置は、基板の一面の汚染を除去する基板洗浄装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、基板の一面に接触可能に構成された研磨具と、研磨具を回転保持部により回転される基板の一面に接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させる第１の移動部と、回転保持部により回転される基板の半径方向の位置に応じて研磨具による汚染の除去能力を変化させるように第１の移動部および回転保持部の少なくとも一方を制御する制御部とを備える。
【０００８】
その基板洗浄装置においては、回転される基板の一面に研磨具が接触した状態で、その研磨具が少なくとも当該基板の中心と外周部との間を移動する。この場合、基板の一面が研磨具により研磨されることにより、基板の一面における強固な汚染が除去される。
【０００９】
上記の構成によれば、基板の一面における汚染の存在する部分と汚染の存在しない部分とで研磨具による汚染の除去能力を変化させることにより、基板の一面が不均一に研磨されることを防止しつつ汚染を除去することができる。それにより、基板の一面を清浄かつ均一にすることができる。
【００１０】
（２）制御部は、基板の一面に対する第１の移動部による洗浄具の押圧力を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
【００１１】
（３）制御部は、基板の中心と外周部との間における第１の移動部による洗浄具の移動速度を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
【００１２】
（４）第１の移動部は、研磨具を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動部を含み、制御部は、研磨具を基板の一面に接触させつつ回転駆動部による研磨具の回転速度を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
【００１３】
（５）制御部は、回転保持部による基板の回転速度を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
【００１４】
（６）基板洗浄装置は、回転保持部により回転される基板の一面に接触可能なブラシと、基板の一面への研磨具の接触および研磨具の移動の後、ブラシを回転保持部により保持された基板の一面に接触させる第２の移動部とをさらに備えてもよい。
【００１５】
この場合、研磨具による基板の一面の研磨後に、ブラシにより基板の一面が洗浄される。それにより、基板の一面の研磨により発生する汚染物が除去される。したがって、基板の一面をより清浄にすることができる。
【００１６】
（７）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、上記の基板洗浄装置と、塗布装置、基板洗浄装置および露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、基板洗浄装置は、露光装置による基板の露光処理前に基板の一面としての下面の汚染を除去する。
【００１７】
その基板処理装置においては、露光処理前の基板の下面の汚染が上記の基板洗浄装置により除去される。上記の基板洗浄装置によれば、基板の下面を清浄かつ均一にすることができる。その結果、基板の下面の汚染に起因する基板の処理不良の発生が抑制される。
【００１８】
（８）本発明に係る基板洗浄方法は、基板の一面の汚染を除去する基板洗浄方法であって、基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、回転させるステップにより回転される基板の一面に研磨具を接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させるステップと、回転させるステップにより回転される基板の半径方向の位置に応じて研磨具による汚染の除去能力を変化させるステップとを含む。
【００１９】
その基板洗浄方法においては、回転される基板の一面に研磨具が接触した状態で、その研磨具が少なくとも当該基板の中心と外周部との間を移動する。この場合、基板の一面が研磨具により研磨されることにより、基板の一面における強固な汚染が除去される。
【００２０】
上記の方法によれば、基板の一面における汚染の存在する部分と汚染の存在しない部分とで研磨具による汚染の除去能力を変化させることにより、基板の一面が不均一に研磨されることを防止しつつ汚染を除去することができる。それにより、基板の一面を清浄かつ均一にすることができる。
【００２１】
（９）本発明に係る基板処理方法は、基板の上面に感光性膜を塗布するステップと、感光性膜が塗布された基板を露光するステップと、露光するステップの前に上記の基板洗浄方法により基板の一面としての下面の汚染を除去するステップとを含む。
【００２２】
その基板処理方法においては、露光処理前の基板の下面の汚染が上記の基板洗浄方法により除去される。上記の基板洗浄方法によれば、基板の下面を清浄かつ均一にすることができる。その結果、基板の下面の汚染に起因する基板の処理不良の発生が抑制される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板の一面を清浄かつ均一にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す模式的平面図である。
【図２】図１の基板洗浄装置を矢印Ｍの方向に見た模式的側面図である。
【図３】図１の基板洗浄装置を矢印Ｎの方向に見た模式的側面図である。
【図４】図１および図２の基板研磨部の構成を示す模式的側面図である。
【図５】基板の外周端部の構造を示す拡大側面図である。
【図６】図１のスピンチャックおよびその周辺部材の構成を説明するための概略側面図である。
【図７】図１のスピンチャックおよびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。
【図８】図１の基板洗浄装置の制御系統の構成を示すブロック図である。
【図９】筐体内に基板が搬入される際の基板洗浄装置の動作を示す側面図である。
【図１０】筐体内に基板が搬入される際の基板洗浄装置の動作を示す側面図である。
【図１１】基板の上面の洗浄について説明するための側面図である。
【図１２】基板の下面の研磨について説明するための側面図である。
【図１３】基板の下面の洗浄について説明するための側面図である。
【図１４】基板の下面に発生すると推定される汚染分布の一例を示す図である。
【図１５】図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部の一制御例を示す図である。
【図１６】図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部の他の制御例を示す図である。
【図１７】図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部のさらに他の制御例を示す図である。
【図１８】図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づくスピンチャックの一制御例を示す図である。
【図１９】図１の基板洗浄装置を備えた基板処理装置の模式的平面図である。
【図２０】主として図１９の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図２１】主として図１９の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図２２】主として図１９の搬送部を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、基板の上面とは上方に向けられた基板の面をいい、基板の下面とは下方に向けられた基板の面をいう。
【００２６】
（１）基板洗浄装置
図１は本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す模式的平面図であり、図２は図１の基板洗浄装置７００を矢印Ｍの方向に見た模式的側面図であり、図３は図１の基板洗浄装置７００を矢印Ｎの方向に見た模式的側面図である。
【００２７】
図１〜図３に示すように、基板洗浄装置７００は、スピンチャック２００、ガード機構３００、複数（本例では３つ）の受け渡し機構３５０、基板研磨部４００、基板洗浄部５００、筐体７１０、液受けバット７２０および研磨洗浄コントローラ７８０を含む。図２および図３では、研磨洗浄コントローラ７８０の図示が省略される。
【００２８】
筐体７１０は、４つの側壁７１１，７１２，７１３，７１４（図１）、天井部７１５（図２）および底面部７１６（図２）を有する。側壁７１１，７１３が互いに対向するとともに、側壁７１１，７１３が互いに対向する。側壁７１１には、筐体７１０の内部と外部との間で基板Ｗを搬入および搬出するための図示しない開口が形成されている。なお、図１では天井部７１５の図示が省略され、図２では側壁７１３の図示が省略され、図３では側壁７１４の図示が省略される。
【００２９】
以下の説明においては、筐体７１０の内部から側壁７１１を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の前方と呼び、筐体７１０の内部から側壁７１３を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の後方と呼ぶ。また、筐体７１０の内部から側壁７１２を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の左方と呼び、筐体７１０の内部から側壁７１４を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の右方と呼ぶ。
【００３０】
筐体７１０の内部においては、中央部上方の位置にスピンチャック２００が設けられている。スピンチャック２００は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転させる。図１〜図３では、スピンチャック２００により保持される基板Ｗが太い二点鎖線で示される。図２および図３に示すように、スピンチャック２００は配管を介して流体供給系９８に接続される。流体供給系９８は、配管、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等を含み、スピンチャック２００の後述する液供給管２１５（図６）に洗浄液を供給することが可能である。
【００３１】
スピンチャック２００の下方には、スピンチャック２００の下方の空間を取り囲むように、ガード機構３００および３つの受け渡し機構３５０が設けられている。ガード機構３００は、ガード３１０およびガード昇降駆動部３２０を含む。スピンチャック２００、ガード機構３００および３つの受け渡し機構３５０の詳細は後述する。
【００３２】
ガード機構３００および複数の受け渡し機構３５０よりも左方に基板研磨部４００が設けられている。基板研磨部４００は、アーム４１０およびアーム支持柱４２０を含む。アーム支持柱４２０は、後方の側壁７１３の近傍で上下方向に延びる。アーム４１０は、その一端部がアーム支持柱４２０の内部で昇降可能かつ回転可能に支持された状態で、アーム支持柱４２０から水平方向に延びる。
【００３３】
アーム４１０の他端部には、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの下面の汚染を研磨により除去する研磨ヘッドｐｈが取り付けられている。本発明においては、基板Ｗの汚染とは、基板Ｗが汚染物、吸着痕または接触痕等により汚れている状態をいう。
【００３４】
研磨ヘッドｐｈは、円柱形状を有し、例えば砥粒が分散されたＰＶＡ（ポリビニールアルコール）スポンジにより形成される。アーム４１０の内部には、研磨ヘッドｐｈをその軸心の周りで回転させる駆動系（後述する図４参照）が設けられている。研磨ヘッドｐｈの外径は、基板Ｗの直径よりも小さい。基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、研磨ヘッドｐｈの外径は例えば２０ｍｍ程度に設定される。
【００３５】
研磨ヘッドｐｈの近傍におけるアーム４１０の部分にノズル４１０Ｎが取り付けられている。図２に示すように、ノズル４１０Ｎは配管を介して流体供給系９８に接続される。流体供給系９８は、ノズル４１０Ｎに洗浄液を供給することが可能である。本実施の形態では、洗浄液として純水が用いられる。ノズル４１０Ｎの吐出口は研磨ヘッドｐｈの上端面（研磨面）周辺に向けられる。
【００３６】
研磨ヘッドｐｈによる研磨が行われない状態で、アーム４１０は、基板洗浄装置７００の前後方向に延びるようにアーム支持柱４２０に支持される。このとき、研磨ヘッドｐｈはスピンチャック２００により保持される基板Ｗの外方（左方）に位置する。このように、アーム４１０が前後方向に延びる状態で研磨ヘッドｐｈが配置される位置をヘッド待機位置ｐ１と呼ぶ。図１ではヘッド待機位置ｐ１が二点鎖線で示される。
【００３７】
研磨ヘッドｐｈによる研磨が行われる際には、アーム４１０がアーム支持柱４２０を中心に回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１に太い矢印ａ１で示すように、研磨ヘッドｐｈがスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とヘッド待機位置ｐ１との間を移動する。また、研磨ヘッドｐｈの上端面（研磨面）が基板Ｗの下面に接触するように、アーム４１０の高さが調整される。
【００３８】
ガード機構３００および複数の受け渡し機構３５０よりも右方に基板洗浄部５００が設けられている。基板洗浄部５００は、アーム５１０およびアーム支持柱５２０を含む。アーム支持柱５２０は、後方の側壁７１３の近傍で上下方向に延びる。アーム５１０は、その一端部がアーム支持柱５２０の内部で昇降可能かつ回転可能に支持された状態で、アーム支持柱５２０から水平方向に延びる。
【００３９】
アーム５１０の他端部には、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの下面を研磨することなく洗浄する洗浄ブラシｃｂが取り付けられている。洗浄ブラシｃｂは、円柱形状を有し、例えばＰＶＡスポンジにより形成される。アーム５１０の内部には、洗浄ブラシｃｂをその軸心の周りで回転させる駆動系（図示せず）が設けられている。本例では、洗浄ブラシｃｂの外径は研磨ヘッドｐｈの外径と等しい。なお、洗浄ブラシｃｂの外径と研磨ヘッドｐｈの外径とは互いに異なる大きさに設定されてもよい。
【００４０】
洗浄ブラシｃｂの近傍におけるアーム５１０の部分にノズル５１０Ｎが取り付けられている。図２に示すように、ノズル５１０Ｎは配管を介して流体供給系９８に接続される。流体供給系９８は、ノズル５１０Ｎに洗浄液を供給することが可能である。ノズル５１０Ｎの吐出口は洗浄ブラシｃｂの上端面（洗浄面）周辺に向けられる。
【００４１】
洗浄ブラシｃｂによる洗浄が行われない状態で、アーム５１０は、基板洗浄装置７００の前後方向に延びるようにアーム支持柱５２０に支持される。このとき、洗浄ブラシｃｂはスピンチャック２００により保持される基板Ｗの外方（右方）に位置する。このように、アーム５１０が前後方向に延びる状態で洗浄ブラシｃｂが配置される位置をブラシ待機位置ｐ２と呼ぶ。図１ではブラシ待機位置ｐ２が二点鎖線で示される。
【００４２】
洗浄ブラシｃｂによる洗浄が行われる際には、アーム５１０がアーム支持柱５２０を中心に回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１に太い矢印ａ２で示すように、洗浄ブラシｃｂがスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とブラシ待機位置ｐ２との間を移動する。また、洗浄ブラシｃｂの上端面（洗浄面）が基板Ｗの下面に接触するように、アーム５１０の高さが調整される。
【００４３】
基板洗浄装置７００の底面部７１６上には、スピンチャック２００、ガード機構３００、複数の受け渡し機構３５０、基板研磨部４００および基板洗浄部５００の下方に位置するように液受けバット７２０が設けられている。液受けバット７２０は、筐体７１０内の各部から落下する洗浄液を受け止める。図２および図３に示すように、液受けバット７２０には廃液部７２１が設けられている。廃液部７２１は、配管を介して廃棄系９９に接続される。
【００４４】
研磨洗浄コントローラ７８０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）およびＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等を含む。ＲＯＭには、制御プログラムが記憶される。ＣＰＵはＲＯＭに記憶された制御プログラムをＲＡＭを用いて実行することにより基板洗浄装置７００の各部の動作を制御する。
【００４５】
本実施の形態に係る基板洗浄装置７００においては、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈによる基板Ｗの下面の研磨時に、研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力を基板Ｗの半径方向の位置に応じて変化させることができる。ここで、除去能力とは、基板Ｗの汚染を除去する能力をいい、具体的には、基板の一面（本例では下面）に付着した汚染物、基板の一面に残存した吸着痕、または基板の一面に残存した接触痕等を研磨により擦り取る能力をいう。
【００４６】
研磨洗浄コントローラ７８０のＲＯＭまたはＲＡＭには、さらに基板Ｗの半径方向の位置に応じて設定されるべき汚染の除去能力を示す除去情報が記憶される。除去情報は、例えば基板洗浄装置７００の使用者が、図示しない操作部を操作することにより生成される。除去情報の詳細は後述する。
【００４７】
（２）基板研磨部および基板洗浄部の詳細
図１〜図３の基板研磨部４００および基板洗浄部５００は、アーム４１０，５１０の他端部に設けられる部材（研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂ）が異なる点を除いて基本的に同じ構成を有する。そこで、基板研磨部４００および基板洗浄部５００のうち、代表して基板研磨部４００の構成を説明する。
【００４８】
図４は、図１および図２の基板研磨部４００の構成を示す模式的側面図である。図４に示すように、アーム４１０は、一体的に接続されたアーム一端部４１１、アーム本体部４１２およびアーム他端部４１３を含む。アーム支持柱４２０の内部には、アーム４１０のアーム一端部４１１を昇降可能に支持するアーム昇降駆動部４３０が設けられている。また、アーム支持柱４２０の内部には、アーム４１０およびアーム昇降駆動部４３０をアーム支持柱４２０の軸心の周りで回転可能に支持するアーム回転駆動部４４０が設けられている。
【００４９】
アーム一端部４１１の内部には、プーリ４１７およびモータ４１８が設けられている。プーリ４１７は、モータ４１８の回転軸に接続されている。また、アーム他端部４１３の内部には、回転支持軸４１４およびプーリ４１５が設けられている。研磨ヘッドｐｈは、回転支持軸４１４の上端部に取り付けられている。プーリ４１５は、回転支持軸４１４の下端部に取り付けられている。さらに、アーム本体部４１２の内部には、２つのプーリ４１５，４１７を接続するベルト４１６が設けられている。図１の研磨洗浄コントローラ７８０の制御に基づいてモータ４１８が動作すると、モータ４１８の回転力がプーリ４１７、ベルト４１６、プーリ４１５および回転支持軸４１４を通して研磨ヘッドｐｈに伝達される。それにより、研磨ヘッドｐｈが上下方向の軸の周りで回転する。
【００５０】
アーム昇降駆動部４３０は、鉛直方向に延びるリニアガイド４３１、エアシリンダ４３２および電空レギュレータ４３３を含む。リニアガイド４３１には、アーム一端部４１１が昇降可能に取り付けられている。この状態で、アーム一端部４１１がエアシリンダ４３２に接続されている。
【００５１】
エアシリンダ４３２は、電空レギュレータ４３３を通して空気が供給されることにより鉛直方向に伸縮可能に設けられている。電空レギュレータ４３３は、図１の研磨洗浄コントローラ７８０により制御される電気制御式のレギュレータである。電空レギュレータ４３３からエアシリンダ４３２に与えられる空気の圧力に応じてエアシリンダ４３２の長さが変化する。それにより、アーム一端部４１１がエアシリンダ４３２の長さに応じた高さに移動する。
【００５２】
アーム回転駆動部４４０は、例えばモータおよび複数のギア等を含み、図１の研磨洗浄コントローラ７８０により制御される。アーム支持柱４２０には、さらにアーム４１０の回転角度を検出するためのエンコーダ４４１が設けられている。エンコーダ４４１は、研磨ヘッドｐｈがヘッド待機位置ｐ１にあるときのアーム４１０の延びる方向を基準としてアーム４１０の回転角度を検出し、検出結果を示す信号を図１の研磨洗浄コントローラ７８０に与える。それにより、アーム４１０の回転角度がフィードバック制御される。
【００５３】
（３）スピンチャック、ガード機構および複数の基板受け渡し機構の詳細
まず、図１のスピンチャック２００によって保持される基板Ｗの外周端部の構造を説明する。図５は、基板Ｗの外周端部の構造を示す拡大側面図である。図５に示すように、基板Ｗの外周端部ＷＥは、上面側のベベル部１、下面側のベベル部２および端面３を含む。以下の説明においては、基板Ｗの下面周縁部とは、基板Ｗのベベル部２から所定の幅だけ内側までの領域を意味し、その幅は研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂの外径よりも小さい。
【００５４】
図６は図１のスピンチャック２００およびその周辺部材の構成を説明するための概略側面図であり、図７は図１のスピンチャック２００およびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。図６および図７では、スピンチャック２００により保持される基板Ｗが太い二点鎖線で示される。
【００５５】
図６および図７に示すように、スピンチャック２００は、スピンモータ２１１、円板状のスピンプレート２１３、プレート支持部材２１４、４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ、４つのマグネット昇降機構２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂ、複数のチャックピン２２０および複数の補助ピン２９０を含む。
【００５６】
スピンモータ２１１は、図１の筐体７１０内部の中央よりもやや上方の位置で図示しない支持部材によって支持されている。スピンモータ２１１は、下方に延びる回転軸２１２を有する。回転軸２１２の下端部にプレート支持部材２１４が取り付けられている。プレート支持部材２１４によりスピンプレート２１３が水平に支持されている。スピンモータ２１１が動作することにより回転軸２１２が回転し、スピンプレート２１３が鉛直軸の周りで回転する。
【００５７】
回転軸２１２およびプレート支持部材２１４には、液供給管２１５が挿通されている。液供給管２１５の一端は、プレート支持部材２１４の下端部よりも下方に突出する。液供給管２１５の他端は、配管を介して流体供給系９８に接続される。スピンチャック２００により保持される基板Ｗの上面上に、流体供給系９８から液供給管２１５を通して洗浄液を吐出することができる。
【００５８】
複数のチャックピン２２０が、回転軸２１２に関して等角度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。本例では、８つのチャックピン２２０が、回転軸２１２に関して４５度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。各チャックピン２２０は、軸部２２１、ピン支持部２２２、保持部２２３およびマグネット２２４を含む。
【００５９】
軸部２２１は、スピンプレート２１３を垂直方向に貫通するように設けられる。ピン支持部２２２は、軸部２２１の下端部から水平方向に延びるように設けられる。保持部２２３は、ピン支持部２２２の先端部から下方に突出するように設けられる。また、スピンプレート２１３の上面側において、軸部２２１の上端部にマグネット２２４が取り付けられている。
【００６０】
各チャックピン２２０は、軸部２２１を中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部２２３が基板Ｗの外周端部ＷＥ（図５）に接触する閉状態と、保持部２２３が基板Ｗの外周端部ＷＥから離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット２２４のＮ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が閉状態となり、マグネット２２４のＳ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が開状態となる。また、閉状態においては、保持部２２３は、基板Ｗのベベル部１，２（図５）に接触する。
【００６１】
スピンプレート２１３の上方には、図７に示すように、回転軸２１２を中心とする周方向に沿って並ぶように円弧状の４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂが配置される。４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうちマグネットプレート２３２Ａは、図１の基板研磨部４００のアーム４１０が回転することにより研磨ヘッドｐｈが移動する経路の上方に位置する。また、マグネットプレート２３２Ｂは、図１の基板洗浄部５００のアーム５１０が回転することにより洗浄ブラシｃｂが移動する経路の上方に位置する。
【００６２】
マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂの各々は、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネット昇降機構２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂは、マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂをそれぞれ昇降させる。これにより、マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂは、チャックピン２２０のマグネット２２４よりも高い上方位置とチャックピン２２０のマグネット２２４とほぼ等しい高さの下方位置との間で独立に移動可能である。
【００６３】
マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂの昇降により、各チャックピン２２０が開状態と閉状態とに切り替えられる。具体的には、各チャックピン２２０は、複数のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうち、最も近接するマグネットプレートが上方位置にある場合に開状態となる。一方、各チャックピン２２０は、最も近接するマグネットプレートが下方位置にある場合に閉状態となる。
【００６４】
図６および図７に示すように、複数の補助ピン２９０が、回転軸２１２に関して等角度間隔でかつ複数のチャックピン２２０と干渉しないようにスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。本例では、８つの補助ピン２９０が、回転軸２１２に関して４５度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。各補助ピン２９０は、隣り合う２つのチャックピン２２０の中間の位置において、スピンプレート２１３を垂直方向に貫通するように配置される。各チャックピン２２０が閉状態となり、保持部２２３が基板Ｗのベベル部１，２（図５）に接触している状態において、各補助ピン２９０の一部が基板Ｗのベベル部１に接触する。このとき、補助ピン２９０の下端部は、基板Ｗよりも下方に突出しないように形成されている。
【００６５】
補助ピン２９０は、基板Ｗの下面の研磨時に、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈにより基板Ｗの下面に加えられる押圧力に抗する反力を基板Ｗに発生させる。また、補助ピン２９０は、基板Ｗの下面の洗浄時に、基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂにより基板Ｗの下面に加えられる押圧力に抗する反力を基板Ｗに発生させる。
【００６６】
上記のように、ガード機構３００は、ガード３１０およびガード昇降駆動部３２０を含む。図６では、ガード３１０が縦断面図で示される。ガード３１０は、スピンチャック２００の回転軸２１２に関して回転対称な形状を有し、スピンチャック２００およびその下方の空間よりも外方に設けられる。ガード昇降駆動部３２０は、ガード３１０を昇降させる。ガード３１０は、基板Ｗの研磨および洗浄時に基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止め、図１の液受けバット７２０へ導く。
【００６７】
複数の受け渡し機構３５０は、スピンチャック２００の回転軸２１２を中心として等角度間隔でガード３１０の外方に配置される。各受け渡し機構３５０は、昇降回転駆動部３５１、回転軸３５２、アーム３５３および保持ピン３５４を含む。
【００６８】
回転軸３５２は、昇降回転駆動部３５１から上方に延びるように設けられる。アーム３５３は、回転軸３５２の上端部から水平方向に延びるように設けられる。保持ピン３５４は、基板Ｗの外周端部ＷＥを保持可能にアーム３５３の先端部に設けられる。昇降回転駆動部３５１により、回転軸３５２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン３５４が水平方向および上下方向に移動する。
【００６９】
（４）基板洗浄装置の制御系
図８は図１の基板洗浄装置７００の制御系統の構成を示すブロック図である。図８には、研磨洗浄コントローラ７８０の機能的な構成が示される。研磨洗浄コントローラ７８０は、スピンチャック制御部７８１、受け渡し機構制御部７８２、ガード昇降制御部７８３、基板上面用液供給制御部７８４、除去情報記憶部７８５、研磨制御部７９０および洗浄制御部７９５を含む。研磨制御部７９０は、さらに回転制御部７９１、昇降制御部７９２、アーム制御部７９３および基板下面用液供給制御部７９４を含む。図８の研磨洗浄コントローラ７８０の各部の機能は、ＣＰＵが制御プログラムを実行することにより実現される。
【００７０】
研磨制御部７９０の各構成要素は、基板研磨部４００の各部の動作を制御する。より具体的には、回転制御部７９１は、基板研磨部４００のモータ４１８を制御することにより研磨ヘッドｐｈ（図４）の回転速度を調整する。昇降制御部７９２は、基板研磨部４００の電空レギュレータ４３３を制御することにより研磨ヘッドｐｈ（図４）の高さを調整する。アーム制御部７９３は、基板研磨部４００のエンコーダ４４１からの信号に基づいてアーム回転駆動部４４０を制御することによりアーム４１０（図４）の回転角度をフィードバック制御する。基板下面用液供給制御部７９４は、流体供給系９８を制御することにより、基板研磨部４００のノズル４１０Ｎ（図４）から基板Ｗへの洗浄液の供給量を調整する。
【００７１】
洗浄制御部７９５は、基板洗浄部５００の動作を制御する。上記のように基板洗浄部５００は、基本的に基板研磨部４００と同じ構成を有する。したがって、洗浄制御部７９５も、基本的に研磨制御部７９０と同じ構成を有する。
【００７２】
スピンチャック制御部７８１は、スピンチャック２００の各部の動作を制御する。受け渡し機構制御部７８２は、基板洗浄装置７００に設けられる複数の受け渡し機構３５０の動作を制御する。ガード昇降制御部７８３は、ガード機構３００のガード昇降駆動部３２０（図１）を制御することにより、ガード３１０（図１）の高さを調整する。基板上面用液供給制御部７８４は、流体供給系９８を制御することにより、スピンチャック２００の液供給管２１５（図６）から基板Ｗへの洗浄液の供給量を調整する。除去情報記憶部７８５は、主として研磨洗浄コントローラ７８０のＲＯＭまたはＲＡＭの一部で構成され、上記の除去情報を記憶する。
【００７３】
（５）基板洗浄装置による基板の下面の研磨および洗浄
図１の基板洗浄装置７００においては、例えば基板Ｗが筐体７１０内に搬入された後、基板Ｗの上面の洗浄、基板Ｗの下面の研磨および基板Ｗの下面の洗浄がこの順で連続的に実行される。このときの基板洗浄装置７００の基本動作について説明する。
【００７４】
図９および図１０は、筐体７１０内に基板Ｗが搬入される際の基板洗浄装置７００の動作を示す側面図である。まず、図９（ａ）に示すように、ガード３１０がチャックピン２２０よりも低い位置に移動する。そして、複数の受け渡し機構３５０（図６）の保持ピン３５４がガード３１０の上方を通ってスピンプレート２１３の下方に移動する。複数の保持ピン３５４上に図示しない搬送機構により基板Ｗが載置される。
【００７５】
このとき、全てのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ（図７）は上方位置にある。この場合、マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂの磁力線Ｂは、チャックピン２２０のマグネット２２４の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン２２０のマグネット２２４のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン２２０は開状態となる。
【００７６】
次に、図９（ｂ）に示すように、複数の保持ピン３５４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが、複数のチャックピン２２０の保持部２２３間に移動する。また、基板Ｗのベベル部１（図５）は、複数の補助ピン２９０に接触する。
【００７７】
続いて、図１０（ａ）に示すように、全てのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ（図７）が下方位置に移動する。この場合、各チャックピン２２０のマグネット２２４のＮ極が内側に吸引され、各チャックピン２２０が閉状態となる。それにより、基板Ｗのベベル部１（図５）が複数の補助ピン２９０に接触した状態で、各チャックピン２２０の保持部２２３により基板Ｗのベベル部１，２（図５）が保持される。その後、複数の保持ピン３５４がスピンチャック２００の外方に移動する。
【００７８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ガード３１０がチャックピン２２０により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。この状態で、基板Ｗの上面の洗浄が開始される。
【００７９】
図１１は、基板Ｗの上面の洗浄について説明するための側面図である。図１１に示すように、基板Ｗの上面を洗浄する際には、スピンチャック２００により基板Ｗが回転する状態で、液供給管２１５を通して基板Ｗの上面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの上面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの上面に付着する塵埃等が洗い流される。
【００８０】
図１２は、基板Ｗの下面の研磨について説明するための側面図である。基板Ｗの下面を研磨する際には、スピンチャック２００により基板Ｗが回転する状態で、基板研磨部４００のノズル４１０Ｎから洗浄液が吐出される。また、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈが図１のヘッド待機位置ｐ１から基板Ｗの下面中心部に対向する位置まで移動し、上端面が基板Ｗの下面に接触するまで研磨ヘッドｐｈが上昇する。研磨ヘッドｐｈの上端面が基板Ｗに接触しかつ研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面に押圧される。この状態で、図１２に太い矢印で示すように、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面中心部から下面周縁部まで移動する。このとき、研磨ヘッドｐｈは、その軸心の周りで回転する。このようにして、基板Ｗの下面が研磨ヘッドｐｈにより研磨される。基板Ｗの下面の研磨後、研磨ヘッドｐｈは、基板Ｗよりも下方の予め定められた高さまで移動し、図１のヘッド待機位置ｐ１まで移動する。
【００８１】
研磨ヘッドｐｈにより基板Ｗの下面周縁部が研磨される際には、研磨ヘッドｐｈと複数のチャックピン２２０とが干渉する可能性がある。そこで、本例では、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面周縁部に到達する際に、図７のマグネット昇降機構２３４Ａにより図７のマグネットプレート２３２Ａが下方位置から上方位置に移動する。それにより、各チャックピン２２０は、複数のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうちマグネットプレート２３２Ａに対応する領域で局部的に開状態となる。この場合、マグネットプレート２３２Ａは研磨ヘッドｐｈの移動経路の上方に位置するので、研磨ヘッドｐｈが複数のチャックピン２２０に干渉することが防止される。
【００８２】
研磨ヘッドｐｈによる基板Ｗの下面の研磨は、除去情報記憶部７８５（図８）に記憶された除去情報に基づいて制御される。それにより、基板Ｗの半径方向の位置に応じて研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力が調整される。除去情報に基づく研磨の具体例については後述する。
【００８３】
研磨ヘッドｐｈによる基板Ｗの下面周縁部の研磨後、図７のマグネットプレート２３２Ａは上方位置から下方位置に移動する。それにより、基板Ｗが全てのチャックピン２２０により保持される。
【００８４】
図１３は、基板Ｗの下面の洗浄について説明するための側面図である。基板Ｗの下面を洗浄する際には、スピンチャック２００により基板Ｗが回転する状態で、基板洗浄部５００のノズル５１０Ｎから洗浄液が吐出される。また、基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂが図１のブラシ待機位置ｐ２から基板Ｗの下面中心部に対向する位置まで移動し、上端面が基板Ｗの下面に接触するまで洗浄ブラシｃｂが上昇する。洗浄ブラシｃｂの上端面が基板Ｗに接触しかつ洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面に予め定められた圧力で押圧される。この状態で、図１３に太い矢印で示すように、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面中心部から下面周縁部まで移動する。このとき、洗浄ブラシｃｂは、その軸心の周りで回転してもよいし、回転しなくてもよい。このようにして、基板Ｗの下面が洗浄ブラシｃｂにより洗浄される。それにより、基板Ｗの下面の研磨時に基板Ｗから剥離された汚染物が物理的に除去され、洗い流される。基板Ｗの下面の洗浄後、洗浄ブラシｃｂは、基板Ｗよりも下方の予め定められた高さまで移動し、図１のブラシ待機位置ｐ２まで移動する。
【００８５】
洗浄ブラシｃｂにより基板Ｗの下面周縁部が洗浄される際には、洗浄ブラシｃｂと複数のチャックピン２２０とが干渉する可能性がある。そこで、本例では洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面周縁部に到達する際に、図７のマグネット昇降機構２３４Ｂにより図７のマグネットプレート２３２Ｂが下方位置から上方位置に移動する。それにより、各チャックピン２２０は、複数のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうちマグネットプレート２３２Ｂに対応する領域で局部的に開状態となる。この場合、マグネットプレート２３２Ｂは洗浄ブラシｃｂの移動経路の上方に位置するので、洗浄ブラシｃｂが複数のチャックピン２２０に干渉することが防止される。
【００８６】
洗浄ブラシｃｂによる基板Ｗの下面周縁部の洗浄後、図７のマグネットプレート２３２Ｂは上方位置から下方位置に移動する。それにより、基板Ｗが全てのチャックピン２２０により保持される。
【００８７】
上記のように、基板Ｗの下面周縁部の研磨および洗浄が行われる際には、いずれかのチャックピン２２０が基板Ｗの外周端部ＷＥから離間する。このとき、当該チャックピン２２０の近傍の基板Ｗの外周端部ＷＥはチャックピン２２０により保持されていない。このような状態でも、当該チャックピン２２０に隣り合う２つの補助ピン２９０は基板Ｗのベベル部１に当接し、研磨ヘッドｐｈまたは洗浄ブラシｃｂから基板Ｗに与えられる押圧力に抗する反力を基板Ｗに発生させる。そのため、基板Ｗの撓みが防止される。
【００８８】
基板Ｗの上面の洗浄処理、基板Ｗの下面の研磨処理および基板Ｗの下面の洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、全てのチャックピン２２０により基板Ｗが保持された状態で、その基板Ｗが高速で回転される。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【００８９】
なお、基板Ｗの乾燥処理時に、液供給管２１５を通して基板Ｗに不活性ガス（例えば窒素ガス）またはエア（空気）等の気体を供給してもよい。その場合、スピンプレート２１３と基板Ｗとの間に形成される気流によって基板Ｗ上の洗浄液が外方に吹き飛ばされる。それにより、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
【００９０】
基板Ｗの乾燥処理が終了することにより、基板Ｗの搬入時とは逆の手順で基板Ｗが筐体７１０から搬出される。
【００９１】
（６）除去情報および基板の下面の研磨の詳細
基板Ｗの研磨時において、基板Ｗの下面のうち汚染が存在しない領域は、汚染が除去されることなく研磨されるので過剰に研磨されやすい。一方、基板Ｗの下面のうち汚染が存在する領域は、汚染が除去されつつ研磨されるので研磨されにくい。そのため、研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力が一定に保たれた状態で、汚染が存在する部分と汚染が存在しない部分とが研磨されると、研磨後の基板Ｗの下面における複数の部分で表面状態に差が生じる。例えば、汚染の程度が低い領域では基板Ｗの外表面が過剰に擦り取られ、汚染の程度が高い領域では基板Ｗの外表面がほとんど擦り取られない。それにより、研磨後の基板Ｗの下面が不均一になる。
【００９２】
基板洗浄装置７００に搬入される基板Ｗの下面における汚染分布は、基板洗浄装置７００に搬入される前の基板Ｗに施される処理の内容、基板Ｗの搬送方法および基板Ｗの保管方法に基づいて推定することができる。そこで、本実施の形態では、基板Ｗの下面に発生すると推定される汚染分布に基づいて、研磨後の基板Ｗの下面を均一にするために基板Ｗの半径方向の位置に応じて設定されるべき汚染の除去能力を示す除去情報が図８の除去情報記憶部７８５に記憶される。
【００９３】
図１４は、基板Ｗの下面に発生すると推定される汚染分布の一例を示す図である。図１４の例では、基板Ｗの下面に発生すると推定される汚染分布が円形状または円環形状を有する第１〜第４の領域Ｒ１〜Ｒ４で示される。
【００９４】
第１の領域Ｒ１は、円形状を有し、基板Ｗの中央に位置する。第２の領域Ｒ２は、円環形状を有し、第１の領域Ｒ１を取り囲む。第３の領域Ｒ３は、円環形状を有し、第２の領域Ｒ２を取り囲む。第４の領域Ｒ４は、円環形状を有し、第３の領域Ｒ３を取り囲む。図１４においては、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に共通のドットパターンが付されている。また、第２および第４の領域Ｒ２，Ｒ４に互いに異なる種類のハッチングが付されている。第１〜第４の領域Ｒ１〜Ｒ４の外縁は、基板Ｗの中心ＷＣを基準として同心円状に並んでいる。
【００９５】
第１〜第４の領域Ｒ１〜Ｒ４のうち第２の領域Ｒ２は、基板Ｗの半径方向において中心ＷＣと外周端部ＷＥとの間の略中間に位置する。第２の領域Ｒ２は、例えば基板Ｗの下面が後述するスピンチャック２５，３５（図２０）で吸着保持される際に吸着痕が発生しやすいと推定される。また、第２の領域Ｒ２は、例えば基板Ｗの下面が図示しない複数の昇降ピンで支持されることにより接触痕が発生しやすいと推定される。
【００９６】
一方、第１〜第４の領域Ｒ１〜Ｒ４のうち第４の領域Ｒ４は、基板Ｗの下面周縁部に位置する。第４の領域Ｒ４は、例えば基板Ｗの上面に後述するレジスト膜用の処理液またはレジストカバー膜用の処理液等が供給される際に、その処理液の一部が汚染物として強固に付着する可能性が高いと推定される。また、第４の領域Ｒ４は、例えば基板Ｗが後述するキャリア１１３（図１９）内に収容されることにより接触痕が発生しやすいと推定される。さらに、第４の領域Ｒ４は、例えば基板Ｗが後述する搬送装置１１５等（図１９）で保持されることにより接触痕が発生しやすいと推定される。
【００９７】
上記のように、基板Ｗの下面の汚染には、吸着痕および接触痕に起因する汚染と、処理液が付着することに起因する汚染とが含まれる。これらの２種類の汚染のうち、処理液が付着することに起因する汚染は、処理液が累積的に基板Ｗに付着する可能性があるので、吸着痕および接触痕に起因する汚染に比べて汚染の度合いが高いと考えられる。これらより、第２の領域Ｒ２には吸着痕および接触痕に起因する中程度の汚染が存在すると推定され、第４の領域Ｒ４には接触痕および処理液に起因する高程度の汚染が存在すると推定される。
【００９８】
他方、第１〜第４の領域Ｒ１〜Ｒ４のうち第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３には、他の部材が接触したり汚染物が付着する可能性が低い。そのため、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３は、汚染がほとんど存在せず、清浄であると推定される。
【００９９】
研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力は、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力、研磨ヘッドｐｈの移動速度、研磨ヘッドｐｈの回転速度および基板Ｗの回転速度のうち少なくとも１つを制御することにより調整することができる。除去情報記憶部７８５（図８）に図１４の汚染分布に対応する除去情報が記憶されている場合、研磨制御部７９０（図８）は例えば以下のように基板研磨部４００またはスピンチャック２００を制御する。
【０１００】
以下の説明では、図１４に示すように、基板Ｗの中心ＷＣから第１の領域Ｒ１の外縁（第２の領域Ｒ２の内縁）までの距離をｄ１とし、基板Ｗの中心ＷＣから第２の領域Ｒ２の外縁（第３の領域Ｒ３の内縁）までの距離をｄ２とする。また、基板Ｗの中心ＷＣから第３の領域Ｒ３の外縁（第４の領域Ｒ４の内縁）までの距離をｄ３とし、基板Ｗの中心ＷＣから第４の領域Ｒ４の外縁（基板Ｗの外周端部ＷＥ）までの距離をｄ４とする。
【０１０１】
図１５は、図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部４００の一制御例を示す図である。図１５では、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力と基板Ｗの下面上の研磨ヘッドｐｈの位置との関係がグラフを用いて示される。図１５のグラフにおいては、縦軸は研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力を表し、横軸は基板Ｗの中心ＷＣから研磨ヘッドｐｈのうち基板Ｗの外周端部ＷＥに最も近い部分までの距離、すなわち基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの位置を表す。研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力は、図８の昇降制御部７９２が、図８の電空レギュレータ４３３を制御することにより調整される。
【０１０２】
ここで、除去能力は、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力が大きいほど高く、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力が小さいほど低い。そこで、図１５の例では、研磨ヘッドｐｈが第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に位置する距離０から距離ｄ１までの間および距離ｄ２から距離ｄ３までの間、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力が０に近い一定の値で保持される。それにより、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３が、研磨ヘッドｐｈにより過剰に研磨されることが防止される。
【０１０３】
また、研磨ヘッドｐｈが第２の領域Ｒ２に位置する距離ｄ１から距離ｄ２までの間、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する押圧力よりも高くなるように調整される。本例では、第２の領域Ｒ２に対応する押圧力は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する押圧力の約２倍に設定される。それにより、第２の領域Ｒ２に発生すると考えられる吸着痕および接触痕等が、研磨ヘッドｐｈにより中程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第２の領域Ｒ２が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１０４】
また、研磨ヘッドｐｈが第４の領域Ｒ４に位置する距離ｄ３から距離ｄ４までの間、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力が第１、第２および第３の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に対応するいずれの押圧力よりも高くなるように調整される。本例では、第４の領域Ｒ４に対応する押圧力は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する押圧力の約３倍に設定される。それにより、第４の領域Ｒ４に発生すると考えられる吸着痕および接触痕ならびに第４の領域Ｒ４に強固に付着する処理液等の汚染物が、研磨ヘッドｐｈにより高程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第４の領域Ｒ４が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１０５】
なお、本例では、基板Ｗの半径方向の位置に応じた押圧力が、除去情報として予め図８の除去情報記憶部７８５に記憶されてもよい。
【０１０６】
また、本例では、基板研磨部４００には、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力をより正確に制御するために、その押圧力を検出するための検出器（ロードセル等）を設けてもよい。この場合、図８の昇降制御部７９２は、当該検出器の検出に基づいて押圧力をフィードバック制御してもよい。
【０１０７】
図１６は、図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部４００の他の制御例を示す図である。図１６では、基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの移動速度と基板Ｗの下面上の研磨ヘッドｐｈの位置との関係がグラフを用いて示される。図１６のグラフにおいては、縦軸は基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの移動速度を表し、横軸は基板Ｗの中心ＷＣから研磨ヘッドｐｈのうち基板Ｗの外周端部ＷＥに最も近い部分までの距離、すなわち基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの位置を表す。基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの移動速度は、図８のアーム制御部７９３が、図８のアーム回転駆動部４４０を制御することにより調整される。
【０１０８】
ここで、基板Ｗの下面のうち研磨ヘッドｐｈの移動速度が低い領域では、研磨ヘッドｐｈの接触時間が長くなるので除去能力が高くなる。一方、基板Ｗの下面のうち研磨ヘッドｐｈの移動速度が高い領域では、研磨ヘッドｐｈの接触時間が短くなるので除去能力が低くなる。そこで、図１６の例では、研磨ヘッドｐｈが第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に位置する距離０から距離ｄ１までの間および距離ｄ２から距離ｄ３までの間、研磨ヘッドｐｈの移動速度が比較的高い一定の値で保持される。それにより、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３が、研磨ヘッドｐｈにより過剰に研磨されることが防止される。
【０１０９】
また、研磨ヘッドｐｈが第２の領域Ｒ２に位置する距離ｄ１から距離ｄ２までの間、研磨ヘッドｐｈの移動速度が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する移動速度よりも低くなるように調整される。本例では、第２の領域Ｒ２に対応する移動速度は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する移動速度の約１／２に設定される。それにより、第２の領域Ｒ２に発生すると考えられる吸着痕および接触痕等が、研磨ヘッドｐｈにより中程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第２の領域Ｒ２が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１１０】
また、研磨ヘッドｐｈが第４の領域Ｒ４に位置する距離ｄ３から距離ｄ４までの間、研磨ヘッドｐｈの移動速度が、第１、第２および第３の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に対応するいずれの移動速度よりも低くなるように調整され、０に近い値で保持される。本例では、第４の領域Ｒ４に対応する移動速度は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する移動速度の約１／３に設定される。それにより、第４の領域Ｒ４に発生すると考えられる吸着痕および接触痕ならびに第４の領域Ｒ４に強固に付着する処理液等の汚染物が、研磨ヘッドｐｈにより高程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第４の領域Ｒ４が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１１１】
なお、本例では、基板Ｗの半径方向の位置に応じた研磨ヘッドｐｈの移動速度が、除去情報として予め図８の除去情報記憶部７８５に記憶されてもよい。
【０１１２】
図１７は、図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づく基板研磨部４００のさらに他の制御例を示す図である。図１７では、研磨ヘッドｐｈの軸心の周りで回転する研磨ヘッドｐｈの回転速度と基板Ｗの下面上の研磨ヘッドｐｈの位置との関係がグラフを用いて示される。図１７のグラフにおいては、縦軸は研磨ヘッドｐｈの回転速度を表し、横軸は基板Ｗの中心ＷＣから研磨ヘッドｐｈのうち基板Ｗの外周端部ＷＥに最も近い部分までの距離、すなわち基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの位置を表す。研磨ヘッドｐｈの回転速度は、図８の回転制御部７９１が、図８のモータ４１８を制御することにより調整される。
【０１１３】
ここで、除去能力は、研磨ヘッドｐｈの回転速度が高いほど高く、研磨ヘッドｐｈの回転速度が低いほど低い。そこで、図１７の例では、研磨ヘッドｐｈが第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に位置する距離０から距離ｄ１までの間および距離ｄ２から距離ｄ３までの間、研磨ヘッドｐｈの回転速度が０に近い一定の値で保持される。それにより、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３が、研磨ヘッドｐｈにより過剰に研磨されることが防止される。
【０１１４】
また、研磨ヘッドｐｈが第２の領域Ｒ２に位置する距離ｄ１から距離ｄ２までの間、研磨ヘッドｐｈの回転速度が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する研磨ヘッドｐｈの回転速度よりも高くなるように調整される。本例では、第２の領域Ｒ２に対応する研磨ヘッドｐｈの回転速度は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する研磨ヘッドｐｈの回転速度の約２倍に設定される。それにより、第２の領域Ｒ２に発生すると考えられる吸着痕および接触痕等が、研磨ヘッドｐｈにより中程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第２の領域Ｒ２が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１１５】
また、研磨ヘッドｐｈが第４の領域Ｒ４に位置する距離ｄ３から距離ｄ４までの間、研磨ヘッドｐｈの回転速度が第１、第２および第３の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に対応するいずれの回転速度よりも高くなるように調整される。本例では、第４の領域Ｒ４に対応する研磨ヘッドｐｈの回転速度は、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する研磨ヘッドｐｈの回転速度の約３倍に設定される。それにより、第４の領域Ｒ４に発生すると考えられる吸着痕および接触痕ならびに第４の領域Ｒ４に強固に付着する処理液等の汚染物が、研磨ヘッドｐｈにより高程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第４の領域Ｒ４が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１１６】
なお、本例では、基板Ｗの半径方向の位置に応じた研磨ヘッドｐｈの回転速度が、除去情報として予め図８の除去情報記憶部７８５に記憶されてもよい。
【０１１７】
図１８は、図１４の汚染分布に対応する除去情報に基づくスピンチャック２００の一制御例を示す図である。図１８では、スピンチャック２００により回転される基板Ｗの回転速度と基板Ｗの下面上の研磨ヘッドｐｈの位置との関係がグラフを用いて示される。図１８のグラフにおいては、縦軸は基板Ｗの回転速度を表し、横軸は基板Ｗの中心ＷＣから研磨ヘッドｐｈのうち基板Ｗの外周端部ＷＥに最も近い部分までの距離、すなわち基板Ｗの半径方向における研磨ヘッドｐｈの位置を表す。基板Ｗの回転速度は、図８のスピンチャック制御部７８１が、図８のスピンチャック２００を制御することにより調整される。
【０１１８】
ここで、除去能力は、基板Ｗの周方向における研磨ヘッドｐｈと基板Ｗにおける研磨ヘッドｐｈの接触部分との相対的な速度差に応じて定まる。具体的には、除去能力は、研磨ヘッドｐｈと基板Ｗにおける研磨ヘッドｐｈの接触部分との間の速度差が大きくなるほど高くなり、その速度差が小さくなるほど低くなる。
【０１１９】
基本的に、一定の回転速度で基板Ｗが回転する場合、上記の速度差は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板の外周端部ＷＥに近づくにつれて一定の割合で大きくなる。そのため、基板Ｗの下面全体を均一な除去能力で研磨する場合には、図１８に一点鎖線で示すように、基板Ｗの回転速度は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板の外周端部ＷＥに近づくにつれて一定の割合で連続的に小さくなるように調整される。
【０１２０】
図１８の例では、研磨ヘッドｐｈが第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に位置する距離０から距離ｄ１までの間および距離ｄ２から距離ｄ３までの間、上記の速度差が一定の値に保たれるように基板Ｗの回転速度が調整される。それにより、第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３が、研磨ヘッドｐｈにより不均一に研磨されることが防止される。
【０１２１】
また、研磨ヘッドｐｈが第２の領域Ｒ２に位置する距離ｄ１から距離ｄ２までの間、上記の速度差が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３に対応する速度差よりも大きくなるように基板Ｗの回転速度が調整される。それにより、第２の領域Ｒ２に発生すると考えられる吸着痕および接触痕等が、研磨ヘッドｐｈにより中程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第２の領域Ｒ２が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１２２】
また、研磨ヘッドｐｈが第４の領域Ｒ４に位置する距離ｄ３から距離ｄ４までの間、上記の速度差が第１、第２および第３の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に対応するいずれの速度差よりも大きくなるように基板Ｗの回転速度が調整される。それにより、第４の領域Ｒ４に発生すると考えられる吸着痕および接触痕ならびに第４の領域Ｒ４に強固に付着する処理液等の汚染物が、研磨ヘッドｐｈにより高程度の除去能力で適切に除去される。このとき、第４の領域Ｒ４が第１および第３の領域Ｒ１，Ｒ３と同程度に研磨される。
【０１２３】
なお、本例では、基板Ｗの半径方向の位置に応じた基板Ｗの回転速度が、除去情報として予め図８の除去情報記憶部７８５に記憶されてもよい。
【０１２４】
上記のように、本実施の形態に係る基板洗浄装置７００においては、推定される汚染分布に対応する除去情報に基づいて、基板Ｗの半径方向における位置に応じた除去能力で基板Ｗの下面が研磨ヘッドｐｈにより研磨される。したがって、基板Ｗの下面が不均一に研磨されることを防止しつつ基板Ｗの下面の汚染を適切に除去することができる。
【０１２５】
なお、上記のように、研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力の程度は、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力、研磨ヘッドｐｈの移動速度、研磨ヘッドｐｈの回転速度および基板Ｗの回転速度に依存して変化する。したがって、除去能力は、研磨ヘッドｐｈから基板Ｗの下面に作用する押圧力、研磨ヘッドｐｈの移動速度、研磨ヘッドｐｈの回転速度および基板Ｗの回転速度のうちの１つの要素により調整されてもよいし、複数の要素の組み合わせにより調整されてもよい。
【０１２６】
除去能力が、研磨ヘッドｐｈの押圧力、移動速度および回転速度のいずれかにより調整される場合、基板Ｗの回転速度は、図１８に一点鎖線で示すように、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに近づくにつれて基板Ｗの回転速度が低くなるように調整されることが好ましい。
【０１２７】
（７）基板処理装置
図１９は、図１の基板洗浄装置７００を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図１９および後述する図２０〜図２２には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【０１２８】
図１９に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【０１２９】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【０１３０】
搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送装置１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【０１３１】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図２２参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１２７および後述する搬送装置１２８（図２２参照）が設けられる。
【０１３２】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図２２参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１３７および後述する搬送装置１３８（図２２参照）が設けられる。
【０１３３】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。
【０１３４】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図２２参照）が設けられる。
【０１３５】
また、搬送装置１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図２２参照）が設けられる。
【０１３６】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４６が設けられる。搬送装置１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【０１３７】
（８）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２０は、主として図１９の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【０１３８】
図２０に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１，３３の各々には現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられ、塗布処理室３２，３４の各々には塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【０１３９】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１９に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびその処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【０１４０】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。
【０１４１】
塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９においては、レジストカバー膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【０１４２】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１９に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【０１４３】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【０１４４】
洗浄乾燥処理部１６１には、洗浄乾燥処理室８１，８２，８３，８４が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室８１〜８４の各々に、図１の基板洗浄装置７００が設けられる。基板洗浄装置７００においては、露光処理前の基板Ｗの上面洗浄処理、下面研磨処理、下面洗浄処理および乾燥処理が行われる。
【０１４５】
ここで、洗浄乾燥処理部１６１に設けられる複数の基板洗浄装置７００の研磨洗浄コントローラ７８０は、洗浄乾燥処理部１６１の上部にローカルコントローラとして設けられてもよい。あるいは、図１９のメインコントローラ１１４が、複数の基板洗浄装置７００の研磨洗浄コントローラ７８０により実行される各種処理を実行してもよい。
【０１４６】
図１９および図２０に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への処理液および現像液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等を含む。
【０１４７】
（９）熱処理部の構成
図２１は、主として図１９の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図２１に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理装置ＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【０１４８】
熱処理装置ＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【０１４９】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理装置ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【０１５０】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理装置ＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【０１５１】
洗浄乾燥処理部１６２には、洗浄乾燥処理室９１，９２，９３，９４，９５が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室９１〜９５の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、基板研磨部４００が設けられない点および図７のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａが一体的に設けられる点を除いて基板洗浄装置７００と同じ構成を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの上面洗浄処理、下面洗浄処理および乾燥処理が行われる。
【０１５２】
（１０）搬送部の構成
図２２は、主として図１９の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図２２に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送装置（搬送ロボット）１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送装置１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送装置１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送装置１３８が設けられる。
【０１５３】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【０１５４】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【０１５５】
搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２０）および上段熱処理部３０１（図２１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２０）および下段熱処理部３０２（図２１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【０１５６】
搬送装置１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図２０）、塗布処理室３２（図２０）および上段熱処理部３０３（図２１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図２０）、塗布処理室３４（図２０）および下段熱処理部３０４（図２１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【０１５７】
搬送部１６３の搬送装置１４１（図１９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２および洗浄乾燥処理部１６１（図２０）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【０１５８】
搬送部１６３の搬送装置１４２（図１９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２（図２１）、上段熱処理部３０３（図２１）および下段熱処理部３０４（図２１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【０１５９】
（１１）基板処理装置の動作
図１９〜図２２を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１９）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図２２）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図２２）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【０１６０】
第１の処理ブロック１２において、搬送装置１２７（図２２）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図２１）、冷却ユニットＣＰ（図２１）および塗布処理室２２（図２０）に順に搬送する。次に、搬送装置１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図２１）、冷却ユニットＣＰ（図２１）および塗布処理室２１（図２０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２７は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、熱処理装置ＰＨＰ（図２１）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図２２）に順に搬送する。
【０１６１】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２０）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２０）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１６２】
また、搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図２２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図２２）に搬送する。
【０１６３】
搬送装置１２８（図２２）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図２１）、冷却ユニットＣＰ（図２１）および塗布処理室２４（図２０）に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図２１）、冷却ユニットＣＰ（図２１）および塗布処理室２３（図２０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２８は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図２１）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図２２）に順に搬送する。
【０１６４】
また、搬送装置１２８（図２２）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図２２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図２２）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２０）および下段熱処理部３０２（図２１）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２０）および上段熱処理部３０１（図２１）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【０１６５】
第２の処理ブロック１３において、搬送装置１３７（図２２）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図２０）、熱処理装置ＰＨＰ（図２１）、エッジ露光部ＥＥＷ（図２１）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図２２）に順に搬送する。この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９（図２０）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入される。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【０１６６】
また、搬送装置１３７（図２２）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図２１）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図２１）、現像処理室３１（図２０）、熱処理装置ＰＨＰ（図２１）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図２２）に順に搬送する。
【０１６７】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜が除去されるとともに基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【０１６８】
搬送装置１３８（図２２）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図２０）、熱処理装置ＰＨＰ（図２１）、エッジ露光部ＥＥＷ（図２１）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図２２）に順に搬送する。
【０１６９】
また、搬送装置１３８（図２２）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図２１）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図２１）、現像処理室３３（図２０）、熱処理装置ＰＨＰ（図２１）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図２２）に順に搬送する。現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１、塗布処理室３２（図２０）および上段熱処理部３０３（図２１）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【０１７０】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図１９）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図２２）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の基板洗浄装置７００（図２０）に搬送する。続いて、搬送装置１４１は、基板Ｗを基板洗浄装置７００から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図２２）に搬送する。この場合、基板洗浄装置７００において、基板Ｗの研磨、洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１９）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１７１】
搬送装置１４２（図１９）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図２２）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図２１）に搬送する。また、搬送装置１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理装置ＰＨＰ（図２１）または下段熱処理部３０４の熱処理装置ＰＨＰ（図２１）に搬送する。この熱処理装置ＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１７２】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４６（図１９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図２２）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１９）に搬送する。また、搬送装置１４６（図１９）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１９）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図２２）に搬送する。
【０１７３】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２０）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１７４】
上記の基板処理装置１００においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【０１７５】
ここで、基板Ｗの表面とは、反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成される面（主面）をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。本実施の形態に係る基板処理装置１００の内部では、基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに上記の各種処理が行われる。すなわち、基板Ｗの上面に各種処理が行われる。したがって、本実施の形態では、基板Ｗの表面が本発明の基板の上面に相当し、基板Ｗの裏面が本発明の基板の一面および下面に相当する。
【０１７６】
（１２）効果
（ａ）上記の基板洗浄装置７００においては、基板Ｗの下面の汚染の分布に基づいて、基板Ｗの半径方向における位置に応じた除去能力で基板Ｗの下面が研磨ヘッドｐｈにより研磨される。
【０１７７】
この場合、基板Ｗの下面が研磨ヘッドｐｈを用いて研磨されることにより、基板Ｗの下面における強固な汚染が除去される。また、基板Ｗの下面における汚染の存在する部分と汚染の存在しない部分とで研磨ヘッドｐｈによる汚染の除去能力を変化させることにより、基板Ｗの下面が不均一に研磨されることを防止しつつ汚染を除去することができる。これらの結果、基板Ｗの下面を清浄かつ均一にすることができる。
【０１７８】
（ｂ）基板洗浄装置７００においては、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈにより基板Ｗの下面が研磨された後、基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂにより基板Ｗの下面が洗浄される。それにより、基板Ｗの下面の研磨により発生する汚染物が除去される。したがって、基板Ｗの下面をより清浄にすることができる。
【０１７９】
（ｃ）基板処理装置１００においては、露光処理前の基板Ｗの下面が基板洗浄装置７００により研磨され、洗浄される。それにより、露光処理前の基板Ｗの下面を清浄かつ均一にすることができる。その結果、基板Ｗの下面の汚染に起因する基板Ｗの処理不良の発生が抑制される。
【０１８０】
（１３）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００は、基板Ｗの下面を研磨することが可能に構成されるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置７００は、基板Ｗの上面を研磨可能に構成されてもよい。例えば、基板洗浄装置７００は、上記のスピンチャック２００に代えて基板Ｗの下面を吸着保持するスピンチャックと、そのスピンチャックにより回転される基板Ｗの上面上に研磨ヘッドｐｈを接触させつつ少なくとも当該基板Ｗの中心と外周端部ＷＥとの間で移動させる移動部とを備えてもよい。この場合、基板Ｗの上面を清浄かつ均一にすることができる。
【０１８１】
（ｂ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００の研磨ヘッドｐｈは、基板Ｗの下面に接触した状態でその基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥまで半径方向に移動することにより基板Ｗの下面を研磨するが、本発明はこれに限定されない。研磨ヘッドｐｈは、基板Ｗの下面に接触した状態でその基板Ｗの中心ＷＣと外周端部ＷＥとの間を往復移動することにより基板Ｗの下面を研磨してもよい。あるいは、研磨ヘッドｐｈは、基板Ｗの下面に接触した状態でその基板Ｗの中心ＷＣを通って基板Ｗの一端部から他端部まで移動することにより基板Ｗの下面を研磨してもよい。
【０１８２】
（ｃ）上記実施の形態では、図８の除去情報記憶部７８５に記憶された除去情報に基づいて基板Ｗの下面の研磨が制御されるが、本発明はこれに限定されない。除去情報に代えて、図１４に示されるような基板Ｗの下面の汚染分布を示す情報が研磨洗浄コントローラ７８０等に記憶されてもよい。さらに、研磨洗浄コントローラ７８０には、汚染の度合いと除去能力との関係を示すテーブルが記憶されてもよい。この場合、研磨洗浄コントローラ７８０の研磨制御部７９０またはスピンチャック制御部７８１は、予め記憶された汚染分布と上記のテーブルとに基づいて、基板Ｗの下面が清浄かつ均一となるように汚染の除去能力を調整してもよい。
【０１８３】
上記のように、汚染の除去能力の調整を汚染分布に基づいて行う場合、基板洗浄装置７００には、基板Ｗの下面の実際の汚染分布を検出するための汚染検出装置が設けられてもよい。それにより、基板Ｗの下面の研磨時に汚染検出装置により検出される汚染分布に基づいて、汚染の除去能力を調整することができる。
【０１８４】
なお、汚染検出装置は、基板Ｗの下面の少なくとも一部を撮像可能な撮像装置と、撮像装置により取得される画像データについて汚染の度合いを判定することが可能な処理装置を含んでもよい。
【０１８５】
（ｄ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００には、基板Ｗの下面を研磨する基板研磨部４００と基板Ｗの下面を洗浄する基板洗浄部５００とが設けられるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置７００には、基板洗浄部５００が設けられなくてもよい。この場合、基板洗浄装置７００の構成が単純化する。
【０１８６】
あるいは、基板洗浄装置７００には、基板洗浄部５００に代えて他の基板研磨部４００が設けられてもよい。すなわち、基板洗浄装置７００には、２つの基板研磨部４００が設けられてもよい。この場合、複数の研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの半径方向の複数の位置で選択的に使用することができる。したがって、基板Ｗの下面の研磨方法の自由度が向上する。
【０１８７】
基板洗浄装置７００に複数の基板研磨部４００が設けられる場合には、複数の基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈは、互いに同じ素材で作製されてもよいし、互いに異なる素材で作製されてもよい。
【０１８８】
なお、上記のように、基板洗浄装置７００に基板洗浄部５００が設けられない場合には、図１９の洗浄乾燥処理部１６１に、基板洗浄装置７００および洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられてもよい。それにより、基板洗浄装置７００による研磨後の基板Ｗの下面を、洗浄乾燥処理部１６１内の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２により洗浄することができる。
【０１８９】
（ｅ）上記実施の形態では、洗浄液として純水が用いられるが、純水の代わりにＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が洗浄液として用いられてもよい。より具体的には、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液が洗浄液として用いられてもよいし、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液が洗浄液として用いられてもよい。
【０１９０】
（ｆ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００のスピンチャック２００に複数の補助ピン２９０が設けられるが、複数の補助ピン２９０は設けられなくてもよい。この場合、スピンチャック２００の部品点数が低減されるとともにスピンチャック２００の構成が単純化する。また、図７のマグネットプレート２３２Ａに対応する領域で各チャックピン２２０を局部的に開状態とすることにより、研磨ヘッドｐｈが他の部材と干渉しない状態で研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの外周端部ＷＥに接触させることができる。それにより、基板Ｗの外周端部ＷＥ（図５）の研磨が可能になる。さらに、図７のマグネットプレート２３２Ｂに対応する領域で各チャックピン２２０を局部的に開状態とすることにより、洗浄ブラシｃｂが他の部材と干渉しない状態で洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥに接触させることができる。それにより、基板Ｗの外周端部ＷＥ（図５）の洗浄が可能になる。
【０１９１】
（ｇ）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として設けられるが、本発明はこれに限定されない。液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として設けられてもよい。この場合、塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されなくてもよい。そのため、塗布処理室３２，３４を現像処理室として用いることができる。
【０１９２】
（ｈ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理および現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ／デベロッパ）であるが、基板洗浄装置７００が設けられる基板処理装置は上記の例に限定されない。基板Ｗに洗浄処理等の単一の処理を行う基板処理装置に本発明が適用されてもよい。例えば、本発明に係る基板処理装置は、搬送装置および基板載置部等を含むインデクサブロックと１または複数の基板洗浄装置７００とで構成されてもよい。
【０１９３】
（１４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１９４】
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板Ｗの上面が基板Ｗの上面の例であり、基板Ｗの下面が基板Ｗの一面および下面の例であり、基板洗浄装置７００が基板洗浄装置の例であり、スピンチャック２００が回転保持部の例であり、研磨ヘッドｐｈが研磨具の例であり、基板研磨部４００のアーム４１０およびアーム支持柱４２０ならびにアーム支持柱４２０の内部構成が第１の移動部の例であり、研磨洗浄コントローラ７８０が制御部の例である。
【０１９５】
また、基板研磨部４００のアーム４１０内部に設けられる回転支持軸４１４、プーリ４１５，４１７、ベルト４１６およびモータ４１８が回転駆動部の例であり、基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂがブラシの例であり、基板洗浄部５００のアーム５１０およびアーム支持柱５２０ならびにアーム支持柱５２０の内部構成が第２の移動部の例である。
【０１９６】
また、露光装置１５が露光装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板Ｗにレジスト膜用の処理液を供給する塗布処理ユニット１２９が塗布装置の例であり、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送装置の例である。
【０１９７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１９８】
本発明は、基板の下面を洗浄する洗浄装置に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９９】
１，２  ベベル部
３  端面
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２１，２２，２３，２４，３２，３４  塗布処理室
２５，３５，２００  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３１，３３  現像処理室
３８  現像ノズル
３９  移動機構
５０，６０  流体ボックス部
８１〜８４，９１〜９５，１６１，１６２  洗浄乾燥処理室
９８  流体供給系
９９  廃棄系
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４  メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送装置
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  塗布現像処理部
１３９  現像処理ユニット
２１１  スピンモータ
２１２，３５２  回転軸
２１３  スピンプレート
２１４  プレート支持部材
２１５  液供給管
２２０  チャックピン
２２１  軸部
２２２  ピン支持部
２２３  保持部
２２４  マグネット
２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ  マグネットプレート
２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂ  マグネット昇降機構
２９０  補助ピン
３００  ガード機構
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
３１０  ガード
３２０  ガード昇降駆動部
３５０  受け渡し機構
３５１  昇降回転駆動部
３５３，４１０，５１０  アーム
３５４  保持ピン
４００  基板研磨部
４１０Ｎ，５１０Ｎ  ノズル
４１１  アーム一端部
４１２  アーム本体部
４１３  アーム他端部
４１４  回転支持軸
４１５，４１７  プーリ
４１６  ベルト
４１８  モータ
４２０，５２０  アーム支持柱
４３０  アーム昇降駆動部
４３１  リニアガイド
４３２  エアシリンダ
４３３  電空レギュレータ
４４０  アーム回転駆動部
４４１  エンコーダ
５００  基板洗浄部
７００  基板洗浄装置
７１０  筐体
７１１，７１２，７１３，７１４  側壁
７１５  天井部
７１６  底面部
７２０  液受けバット
７２１  廃液部
７８０  研磨洗浄コントローラ
７８１  スピンチャック制御部
７８２  受け渡し機構制御部
７８３  ガード昇降制御部
７８４  基板上面用液供給制御部
７８５  除去情報記憶部
７９０  研磨制御部
７９１  回転制御部
７９２  昇降制御部
７９３  アーム制御部
７９４  基板下面用液供給制御部
７９５  洗浄制御部
Ｂ  磁力線
ｃｂ  洗浄ブラシ
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ｐ１  ヘッド待機位置
ｐ２  ブラシ待機位置
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
ｐｈ  研磨ヘッド
ＰＨＰ  熱処理装置
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
Ｒ１  第１の領域
Ｒ２  第２の領域
Ｒ３  第３の領域
Ｒ４  第４の領域
ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
ＷＣ  中心
ＷＥ  外周端部
【図１】
2018046108.tif 000003
【図２】
2018046108.tif 000004
【図３】
2018046108.tif 000005
【図４】
2018046108.tif 000006
【図５】
2018046108.tif 000007
【図６】
2018046108.tif 000008
【図７】
2018046108.tif 000009
【図８】
2018046108.tif 000010
【図９】
2018046108.tif 000011
【図１０】
2018046108.tif 000012
【図１１】
2018046108.tif 000013
【図１２】
2018046108.tif 000014
【図１３】
2018046108.tif 000015
【図１４】
2018046108.tif 000016
【図１５】
2018046108.tif 000017
【図１６】
2018046108.tif 000018
【図１７】
2018046108.tif 000019
【図１８】
2018046108.tif 000020
【図１９】
2018046108.tif 000021
【図２０】
2018046108.tif 000022
【図２１】
2018046108.tif 000023
【図２２】
2018046108.tif 000024