(57)【要約】【課題】イオンの影響による焼付きを抑制した液晶表示装置を実現する。【解決手段】走査線が第１の方向に延在する走査線と、走査線と交差する第１の映像信号線２０と第２の映像信号線２０との間に画素電極１１１を含む画素が形成された液晶表示装置であって、前記第１の映像信号線２０の上層には第１の絶縁膜１０８を介して第１のシールド線３０が形成され、前記第１のシールド線の前記第１の方向の幅は前記映像信号線２０の前記第１の方向の幅よりも大きく、前記第１の方向における前記第１のシールド線３０の中心と前記第１の映像信号線２０との中心は一致しており、前記第２の映像信号線２０の上層には第１の絶縁膜１０８を介して第２のシールド線５０が形成され、前記第２のシールド線５０の前記第１の方向の幅は前記映像信号線２０の前記第１の方向の幅よりも大きく、前記第１の方向における前記第２のシールド線５０の中心と前記第２の映像信号線２０との中心は一致していることを特徴とする映像信号線。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在して第２の方向に配列された複数の走査線と、前記走査線と交差して配列された複数の映像信号線と、前記複数の走査線と複数の映像信号線で囲まれた画素領域に画素電極が形成された液晶表示装置であって、
平面視で視て、画像が表示される表示領域内の前記映像信号線の配置位置には、少なくとも有機絶縁膜を介して重畳する導電配線が形成され、
第１の方向における前記導電配線の幅は、前記映像信号線の幅よりも大きく、
平面視で視て、前記導電配線が前記映像信号線をはみ出す割合は、第１の方向において実質的に両側で均等であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素領域には、スイッチング素子を有し、前記画素電極はコンタクトホールが形成された接続領域において前記スイッチング素子と接続され、
前記接続領域における前記画素電極と前記導電配線の間隙は、表示領域内の全ての画素領域で均等であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記導電配線は、第１の導電配線と前記第２の導電配線を有し、前記第１の導電配線と前記第２の導電配線は、異なる層に形成されており、いずれもＩＴＯで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記導電配線は、第１の導電配線と前記第２の導電配線を有し、前記第１の導電配線と前記第２の導電配線は、異なる層に形成されており、前記第１の導電配線は金属あるいは合金で形成され、前記第２の導電配線はＩＴＯで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記導電配線は、第１の導電配線と前記第２の導電配線を有し、前記第１の導電配線は複数の導電層で形成されており、前記複数の導電層は直接積層されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記導電配線は、第１の導電配線と前記第２の導電配線を有し、前記第１の導電配線は複数の導電層で形成されており、前記複数の導電層は絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記映像信号線の中心と前記導電配線の中心のずれは、１μｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、第１の映像信号線と第２の映像信号線が前記走査線と交差して配列し、前記第１の映像信号線と前記第２の映像信号線との間に画素電極を含む画素が形成された液晶表示装置であって、
前記第１の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第１のシールド線が形成され、
前記第２の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第２のシールド線が形成され、
前記画素電極は液晶を駆動する駆動領域と、ＴＦＴと接続するコンタクト領域を有し、
前記画素は前記画素電極の駆動領域を含む第１の領域と、前記画素電極の前記コンタクト領域を含む第２の領域を有し、
前記第２の領域において、前記画素電極と前記第１のシールド線との距離をｄ１とし、前記画素電極と前記第２のシールド線との距離をｄ２とした場合、前記ｄ１と前記ｄ２の差は２μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記ｄ１と前記ｄ２の差は１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極の前記駆動領域の形状は、前記第１の方向において非対称であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、第１の映像信号線と第２の映像信号線が前記走査線と交差して配列し、前記第１の映像信号線と前記第２の映像信号線との間に画素電極を含む画素が形成された液晶表示装置であって、
前記第１の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第１のシールド線が形成され、
前記第２の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第２のシールド線が形成され、
前記画素電極は液晶を駆動する駆動領域とＴＦＴと接続するコンタクト領域を有し、
前記画素は前記画素電極の駆動領域を含む第１の領域と、前記画素電極の前記コンタクト領域を含む第２の領域を有し、
前記第２の領域において、前記画素電極と前記第１のシールド線との距離はｄ１であり、前記画素電極と前記第２のシールド線との距離はｄ２であり、
第１の画素行において、前記画素は第１の方向に配列しており、前記第１の画素行全体で、前記ｄ１−ｄ２は１．５μｍより大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
第２の画素行において、前記画素は第１の方向に配列しており、前記第２の画素行全体で、前記ｄ２−ｄ１は１．５μｍより大きいことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１の画素行と前記第２の画素行は隣接していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にイオンを原因とする焼付きを対策した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｉｔｏｒ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、走査線が横方向に延在して縦方向に配列し、映像信号線が縦方向に延在して横方向に配列しており、走査線と映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されている。画素内に形成された画素電極は、ＴＦＴと、スルーホールを介して接続する。映像信号線には走査信号の周期にしたがって、画像信号が通過する。画素電極は、スルーホール付近において映像信号線や走査線とクロストークを生じやすい。特許文献１には、このクロストークを軽減するために、スルーホールの周辺をコモン電極によって線状に囲む構成が記載されている。
【０００４】
一方、近年、液晶表示装置にタッチパネルの機能を組み込んだ構成が開発されている。このような液晶表示装置は、例えば、対向基板の外側にタッチパネル用の第１の電極を配置し、ＴＦＴ基板に形成されたコモン電極を区画して、タッチパネル用の第２の電極とする構成である。特許文献２には、対向基板の外側に形成された第１の電極を例えば、走査線と同じ方向に延在させ、ＴＦＴ基板に形成されたコモン電極を映像信号線の上において分割し、分割されたコモン電極をタッチパネル用の第２の電極として使用する構成が記載されている。この場合、コモン電極の抵抗を低減するために、コモン電極と接する層に、映像信号線を覆って補助配線が形成する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３２５１号公報
【特許文献２】特開２０１５−２０６８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示装置においては、長時間同じ画像を表示すると、表示するパターンによっては、正しい表示ができない画素が発生する場合がある。例えば、ストライプ状の画像を長時間表示すると、表示内容を変えた後も、ストライプの境界があった個所に、所定の期間、黒ムラが残存するという現象が生ずる。そのような表示の乱れを焼付き、または残像という。この焼付きの現象は、イオン由来のものであれば時間が経つと減少していくが、焼付き現象が消失するまでは、表示画像に対して悪影響を与える。
【０００７】
本発明の課題は、このような焼付き現象を防止して、常に、高画質の画像を表示することが出来る液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）  第１の方向に延在して第２の方向に配列された複数の走査線と、前記走査線と交差して配列された複数の映像信号線と、前記複数の走査線と複数の映像信号線で囲まれた画素領域に画素電極が形成された液晶表示装置であって、平面視で視て、画像が表示される表示領域内の前記映像信号線の配置位置には、少なくとも有機絶縁膜を介して重畳する導電配線が形成され、第１の方向における前記導電配線の幅は、前記映像信号線の幅よりも大きく、平面視で視て、前記導電配線が前記映像信号線をはみ出す割合は、第１の方向において実質的に両側で均等であることを特徴とする液晶表示装置。
【０００９】
（２）走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、第１の映像信号線と第２の映像信号線が前記走査線と交差して配列し、前記第１の映像信号線と前記第２の映像信号線との間に画素電極を含む画素が形成された液晶表示装置であって、前記第１の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第１のシールド線が形成され、前記第２の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第２のシールド線が形成され、前記画素電極は液晶を駆動する駆動領域と、ＴＦＴと接続するコンタクト領域を有し、前記画素は前記画素電極の駆動領域を含む第１の領域と、前記画素電極の前記コンタクト領域を含む第２の領域を有し、前記第２の領域において、前記画素電極と前記第１のシールド線との距離をｄ１とし、前記画素電極と前記第２のシールド線との距離をｄ２とした場合、前記ｄ１と前記ｄ２の差は２μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１０】
（３）走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、第１の映像信号線と第２の映像信号線が前記走査線と交差して配列し、前記第１の映像信号線と前記第２の映像信号線との間に画素電極を含む画素が形成された液晶表示装置であって、前記第１の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第１のシールド線が形成され、前記第２の映像信号線の上層には第１の絶縁膜を介して第２のシールド線が形成され、前記画素電極は液晶を駆動する駆動領域とＴＦＴと接続するコンタクト領域を有し、前記画素は前記画素電極の駆動領域を含む第１の領域と、前記画素電極の前記コンタクト領域を含む第２の領域を有し、前記第２の領域において、前記画素電極と前記第１のシールド線との距離はｄ１であり、前記画素電極と前記第２のシールド線との距離はｄ２であり、第１の画素行において前記画素は第１の方向に配列しており、前記第１の画素行全体で、前記ｄ１−ｄ２は１．５μｍより大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】液晶表示装置の画素構成を示す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】ストライプパターン表示の例である。
【図６】焼付きの例である。
【図７】イオンによる焼き付きのメカニズムを説明する図である。
【図８】イオンによる焼き付きのメカニズムを説明する他の図である。
【図９】イオンによる焼き付きのメカニズムを説明するさらに他の図である。
【図１０】映像信号線の影響を示す断面図である。
【図１１】本発明の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明によるシールド線の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明によるシールド線の他の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明によるシールド線の他の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明によるシールド線の他の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明によるシールド線の他の構成を示す断面図である。
【図１７】実施例２の画素構成を示す平面図である。
【図１８】実施例２の画素構成を示す他の平面図である。
【図１９】実施例２の画素構成を示すさらに他の平面図である。
【図２０】実施例２の画素構成を示すさらに他の平面図である。
【図２１】実施例２の画素構成を示すさらに他の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、携帯電話等に使用される液晶表示装置の例を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図１および図２において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材４によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶３００が挟持されている。ＴＦＴ基板１００の下には下偏光板５０１が貼り付けられ、対向基板２００の上には上偏光板５０２が貼り付けられている。液晶は自身では発光しないので、液晶表示パネルの背面にバックライト４００が配置されている。
【００１４】
ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向している部分に表示領域２が形成され、その周りが額縁領域３となっている。額縁領域３にシール材４が形成され、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を接着している。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００より大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と対向していない部分は端子部１５０となっている。端子部１５０には、ドライバＩＣ１７０、液晶表示装置に外部から信号や電源を供給するフレキシブル配線基板１６０が接続している。
【００１５】
液晶表示装置は視野角向上が従来から求められる特性の一つである。ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式は、液晶分子をＴＦＴ基板と平行な電界によって回転させることによって、各画素の光透過率を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳ方式にも色々な方式があるが、平面状に形成された第１の電極に対して、絶縁膜を挟んで、櫛歯状あるいは線状の第２の電極を形成する方式が透過率を大きくすることが出来るので主流となっている。
【００１６】
図３はこのようなＩＰＳ方式の液晶表示装置の２画素分の画素構造の一例を示す平面図である。左側の画素が青色を表示する画素であり、右側の画素が赤色を表示する画素である。尚、青色画素の左側及び赤色画素の右側には、図示しない緑色画素が配置され、表示領域内において、左から右に向かって、青色、赤色、緑色の順番で繰り返し配置される。
図３において、走査線１０が横方向に延在し、縦方向に所定のピッチで配列している。走査線１０の縦ピッチが画素の縦方向の大きさとなっている。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に所定のピッチで配列している。映像信号線２０の横ピッチが画素の横方向の大きさになっている。
【００１７】
画素内には、線状の画素電極１１１（１１１Ｂ，１１１Ｒ）が縦方向に延在している。図３は画素ピッチが３０μｍ以下と小さいので、画素電極は１本の線状となっているが、画素ピッチが大きくなれば、画素電極１１１はスリットを有する櫛歯状電極とすることが出来る。また、ドメインの発生によるディスクリネーションの発生を防止するために、線状の画素電極１１１の先端を屈曲させる場合もある。
【００１８】
画素電極１１１には、映像信号線２０からスルーホール及びＴＦＴを介して映像信号が供給される。図３において、スルーホール１２０を介して映像信号線２０と半導体層１０３が接続している。半導体層１０３は映像信号線２０の下に形成され、走査線１０の下を通過し、屈曲して、再び走査線１０の下を通過し、スルーホール１４０を介してコンタクト電極１０７と接続する。コンタクト電極１０７はスルーホール１３０および１３１を介して画素電極１１１と接続する。半導体層１０３が走査線１０の下を通過するときにＴＦＴが形成される。この場合、走査線１０がゲート電極を兼ねる。したがって、図３では、映像信号線２０から画素電極１１まで２個のＴＦＴが形成され、いわゆるダブルゲート方式となっている。
【００１９】
配向膜に形成される配向軸１１５の方向は、画素電極１１１の延在方向と角度θをなしている。角度θを形成する理由は、画素電極１１１に電界が印加されたときに、液晶分子の回転の方向を規定するためである。θは、５度から１５度程度であり、好ましくは７度から１０度である。なお、配向軸１１４の方向を図３の縦方向とし、画素電極１１１の延在方向を角度θで傾ける場合もある。図３は、液晶分子の誘電率異方性が正の場合である。液晶の誘電率異方性が負の場合の配向軸の角度は、図３と９０度回転した方向となる。
【００２０】
コモン電極１０９は、スルーホール１３０と重複する位置で開口を有している。これは、画素電極１１１と、コンタクト電極１０７および半導体層１０３との接続領域を確保するためである。開口は、スルーホール１３０周辺に位置すればよいため、解像度が低い表示パネルでは、画素単位で開口が設けられる。しかし、高精細化が進むと画素の面積が小さくなるため、コモン電極１０９の開口は一画素毎に独立して設けられるのではなく、隣接する複数の画素に渡って連続的に形成される。図３は、このような高精細化の例を示している。
【００２１】
図３において、左側の画素の左側、および、右側の画素の右側の映像信号線２０の上には、コモン金属配線３０が映像信号線２０を覆うように延在している。コモン金属配線３０は、コモン電極１０９に積層され、コモン電極１０９と電気的に接続されるように形成されている。コモン金属配線３０は、例えば、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏの３層構造で形成される。ここで、Ｍｏ（モリブデン）はＭｏ合金を含み、Ａｌ（アルミニウム）はＡｌ合金を含む。コモン電極１０９はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以後、第１ＩＴＯともいう）などの透明導電層で形成されるが、電気抵抗値が大きいため、コモン金属配線３０を積層することで、コモン電極１０９の表示領域全体での抵抗値を下げている。一方、右側の画素と左側の画素の間にある映像信号線２０の上には、コモン金属配線は存在していない。
【００２２】
図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。図４におけるＴＦＴは、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）が使用されている。一方、ａ−Ｓｉ半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
【００２３】
図４において、ガラス基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯからなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割は、ガラス基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。なお、本明細書では、ＳｉＮは窒化シリコンを総称し、ＳｉＯは酸化シリコンを総称するものとして用いられている。
【００２４】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は、第２下地膜１０２の上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
【００２５】
半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料とするＳｉＯ２膜である。ゲート絶縁膜１０４もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は、例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときは、Ａｌ合金が使用される。
【００２６】
その後、ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６をＳｉＯあるいはＳｉＮによって形成する。層間絶縁膜１０６は、ゲート配線１０５とコンタクト電極１０７を絶縁するために形成される。半導体層１０３は、ゲート絶縁膜１０４および層間絶縁膜間１０６に形成されたスルーホール１２０を介して映像信号線２０と接続している。また、層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、ＴＦＴのソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのコンタクトホール１４０が形成される。層間絶縁膜１０６と、ゲート絶縁膜１０４に形成されるコンタクトホール１２０とコンタクトホール１４０は、同時に形成される。
【００２７】
層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。半導体層１０３は、映像信号線２０の下を延在し、図３、および図４に示すように、走査線１０（ゲート電極１０５）の下を２回通過する。この時、ＴＦＴが形成される。すなわち、平面で視て、ゲート電極１０５を挟んでＴＦＴのソースＳとドレインＤが形成されている。コンタクト電極１０７は、層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４に形成されたスルーホール１４０を介して半導体層１０３と接続する。
【００２８】
コンタクト電極１０７および映像信号線２０は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線２０は、抵抗を小さくするために、例えば、Ｔｉ−Ａｌ―Ｔｉの３層構造が使用される。なお、Ａｌとは、ＡｌＳｉのようなＡｌ合金である場合も含む。
【００２９】
コンタクト電極１０７、映像信号線２０、層間絶縁膜１０６を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成される。有機パッシベーション膜１０８は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０８は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０８の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２〜３μｍ程度である。
【００３０】
画素電極１１１とコンタクト電極１０７との導通を取るために、有機パッシベーション膜１０８にコンタクトホール１３０、および、後で述べる容量絶縁膜１１０にコンタクトホール１３１が形成される。有機パッシベーション膜１０８は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜１０８にコンタクトホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で焼成することによって有機パッシベーション膜１０８が完成する。
【００３１】
その後、コモン電極１０９となる第１ＩＴＯ４０をスパッタリングによって形成し、コンタクトホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１０９は各画素共通に平面状に形成することが出来る。
【００３２】
コモン電極１０９の上には、容量絶縁膜１１０となるＳｉＮをＣＶＤによって全面に形成する。その後、コンタクトホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１１の導通をとるためのコンタクトホール１３１を容量絶縁膜１１０に形成する。
【００３３】
その後、第２ＩＴＯ５０をスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１１を形成する。画素電極１１１の上には、配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１２を形成する。配向膜１１２の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。
【００３４】
画素電極１１１とコモン電極１０９の間に電圧が印加されると、図４に矢印で示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００３５】
図４において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成されている。ブラックマトリクス２０２は、遮光膜として機能し、各色の混色防止や、ＴＦＴに光電流が流れることの防止、走査線１０や映像信号線２０からの反射光防止などの役割を有する。
【００３６】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜２０３の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１２が形成される。配向膜１１２の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１２と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００３７】
なお、以上の構成は一例であり、例えば、品種によってはＴＦＴ基板１００において、コンタクト電極１０７あるいは映像信号線２０との間にＳｉＮ等による無機パッシベーション膜が形成されている場合もある。
【００３８】
図５および図６は、このような液晶表示装置において、焼付きが発生した例を示す平面図である。図５は、液晶表示装置の表示領域を７分割し、青ストライプ７Ｂと赤ストライプ７Ｒを交互に形成した状態を示している。図５における青ストライプ７Ｂの中には、多数の赤画素列、緑画素列、青画素列が含まれているが、青ストライプ７Ｂの表示領域では、青画素列のみがＯＮになっている状態である。また、赤ストライプ７Ｒの中には、多数の赤画素列、緑画素列、青画素列が含まれているが、赤ストライプ７Ｒの表示領域では、赤画素列のみがＯＮになっている状態である。
【００３９】
図５に示すようなパターンを所定の時間表示した後、例えば、画面を白、あるいは単色１色に変化させた場合、図６に示すような、縦線状の焼付きパターン６が生ずる。この縦線状の焼付きパターン６は、青ストライプ７Ｂと赤ストライプ７Ｒの表示領域の境界に生じている。
本発明者らが、この現象について検証した結果、この原因は、液晶中のイオン性不純物であるイオン５が集積したためであることが分かった。本実施例の場合は、このようなイオン５の集積の特徴的な動きは、青ストライプ７Ｂが左で、赤ストライプ７Ｒが右であるような境界において生じている。
【００４０】
図７乃至図９の断面図モデルを用いて、このような焼付きの発生原因を説明する。図７乃至図９は、図３に示すＣ−Ｃ断面に相当するが、図を複雑にしないために、映像信号線２０、有機パッシベーション膜１０８、容量絶縁膜１１０、画素電極１１１、液晶３００のみを記載した断面図である。図７乃至図９における＋記号はプラスイオンを示す。また、画素電極１１１は、青画素電極１１１Ｂと赤画素電極１１１Ｒが記載されている。
【００４１】
図７において、映像信号線２０には、交流（AC）の映像信号が、振幅ΔV（例えば５Ｖ）、センター値＋Vdc（例えば０．３Ｖ）で印加されている。センター値が基準電位からずれて直流（DC）電位をもつ理由は、走査線１０をＯＮするときの飛び込み電圧を相殺するために、画素電極電位の中心値を飛び込み電圧分だけ負側にシフトさせる必要があるが、このため、映像信号線２０には、相対的に平均すると若干のプラス電圧が印加されるからである。このような状態において、まず、イオンが定常状態になっている時の分布を考え、次にAC電圧によるイオンの応答を摂動として考える。
【００４２】
図７では、DC電圧のみが信号電極に印加した場合の、AC電圧によるイオンの応答を考えない定常状態のイオン分布を表している。すなわち、画素電極１１１Ｂ、１１１ＲにはDC電圧は印加されず、映像信号線２０のみに＋DC電位が印加されている状態である。図７では、液晶層３００において、青の画素電極１１１Ｂに対応する領域をＡ、映像信号線２０に対応する領域をＢ、赤の画素電極１１１Ｒに対応する領域をＣとしている。
【００４３】
このような状態では、プラスイオンは、映像信号線２０からの漏れ電界の影響によりプラス電位になっている映像信号線２０の上の領域Ｂではなく、青の画素電極１１１Ｂ及び赤の画素電極１１１Ｒの上の領域Ａ，Ｃに分布するようになる。そうすると、イオンの影響によって、液晶の導電率σは、領域Ａおよび領域Cの導電率σ１のほうが領域Ｂの導電率σ２よりも大きくなる。なお、この状態では、イオンの分布は定常状態となっており、イオンが一方向にフローすることはない。
【００４４】
この状態から、AC電圧を印加した場合、定常状態からのイオン分布のズレを摂動として考える。図８乃至図９では、青ストライプ７Ｂの表示領域内の場合を示している。この時、赤の画素電極１１１ＲはＯＦＦにしたまま、青の画素電極１１１ＢはＯＮとなる。つまり、液晶は交流駆動されるので、青の画素電極１１１ＢにはＡＣ電圧が印加され、赤の画素電極１１１Ｒにはグランド（ＧＮＤ）が印加される。そうすると、画素電極１１１Ｂ上にＡＣ電圧による＋電位の電界が発生し、不均一に分布した複数種のイオンのうち、比較的応答の速いイオンのみが、このAC電圧によって応答し、領域Ａと領域Ｂの間の導電率の差によって、領域Ａと領域Ｂの界面に電荷密度ΔＱで誘起される。
【００４５】
AC駆動で誘起されるイオンの電荷密度ΔQ（Surface Charge）は、AC周波数をω、σ２＝σ、σ１−σ２＝Δσ、εを誘電率、EをAC電圧の振幅値、iを虚数とすると、複素数表示で、
【００４６】
【数１】
2018077387.tif 000003
【００４７】
で表される。
この誘起されたイオンの電荷密度ΔＱの変化は、ＡＣ電圧による交流電界に完全には追随できず、時間的に遅れを生ずる。そうすると、誘起された界面電荷とＡＣ電圧による交流電界の相互作用による誘電的な力Ｆは、時間平均＜F＞をとると、
【００４８】
【数２】
2018077387.tif 000004
【００４９】
と、Eの２乗に比例し、σ１（大）→σ２（小）の方向に常に力がかかることになる。すなわち、イオンに対する誘電的な力は、図９の白抜きの矢印で示すように、導電率が高い領域Ａ（導電率σ１）の側から導電率が低い領域Ｂ（導電率σ２）に向かう力となる。そのため、AC電圧信号の印加に伴い、AC電圧信号が正のフレームの場合も負のフレームの場合も、青ストライプ７Ｂの表示領域では映像信号線２０側（図９では、左⇒右）にイオンがフローする力が発生することになる。
【００５０】
一方、赤の画素電極１１１Ｒには電圧は印加されないので、領域Ａと領域Ｂとの界面で生ずるような現象は、領域Ｂと領域Ｃとの界面では生じない。そうすると、青の画素電極１１１ＢだけにＡＣ信号が印加されている間、すなわち、青ストライプ７Ｂの表示領域内では、プラスイオンが領域Ａから領域Ｂに向かって流れる力が働き続けることになる。
【００５１】
領域Ｂにイオンが流れ続けると、蓄積されたイオンは、領域Ｃにも拡散することになる。青ストライプ７Ｂ表示領域内では、青、赤、緑の副画素のセットが多数含まれているが、各副画素のセットにおいて、この現象が生ずるので、イオンは、図９における左側から右側に向かって流れ続けることになる。
【００５２】
一方、赤ストライプ７Ｒが表示されている領域でも、図７乃至図９で説明した現象が生ずるが、この領域では、イオンの流れは、図７乃至図９で説明したものと逆方向の流れになる。ここで、図５を参照すると、青ストライプ７Ｂが表示された領域では、イオン５は右側に移動し、赤ストライプ７Ｒが表示された領域では、イオン５は左側に移動することになる。このため、イオン５は青ストライプ７Ｂと赤ストライプ７Ｒの境界に蓄積されることになる。
【００５３】
このイオン５が蓄積される領域は、青ストライプ７Ｂが左で赤ストライプ７Ｒが右の場合における境界である。したがって、青赤のストライプパターンから白表示あるいは単色表示にすると、青ストライプ７Ｒと赤ストライプ７Ｒの境界領域にイオン５による焼付きが生ずることになる。
【００５４】
尚、図３の例では、コモン電極１０９の開口部付近を示しているが、コモン電極１０９の開口部は、表示には寄与しない領域であるため、ブラックマトリクス２０２が重畳される領域である。したがって、この領域でイオンの蓄積が発生したとしても、焼き付きの現象は、目視されないはずである。しかしながら、表示領域中の一部でもイオンの流れが起こる領域が存在すると、その影響は、液晶層３００を伝わって、ブラックマトリクス２０２に覆われていない画素内の他の領域、更には表示領域全般に影響し、結果として、図６で示されるような焼き付きの原因となる。
【００５５】
このような現象は、映像信号線２０に印加される電圧の影響によって、液晶層３００の導電率にムラが生ずることが原因である。したがって、映像信号線２０の電位を十分にシールドすることが出来れば、イオンの移動を抑えることが出来る。
【００５６】
図３において、左側の画素の左側の映像信号線２０はコモン電極１０９およびコモン金属配線３０が重畳し、右側の画素の右側の映像信号線２０もコモン金属配線３０が重畳している。コモン電極１０９およびコモン金属配線３０は映像信号線２０と液晶層間に配置されているので、コモン電極１０９およびコモン金属配線３０は、映像信号線２０から発生する電界の液晶層側への伝播をシールドする機能を有している。本明細書ではこのような電極又は配線をシールド線と呼ぶこともある。
【００５７】
なお、シールド線は、コモン金属配線３０に限らず、コモン電極１０９を構成する第１ＩＴＯ、あるいは画素電極１１１を構成するＩＴＯ（以後、第２ＩＴＯともいう）と同時に形成した導電膜で形成することも出来る。
【００５８】
しかしながら、映像信号線２０の上にシールド線が形成されているとしても、シールド線が、映像信号線２０に対して部分的にずれた箇所が存在すると、電位の不均一が生じ、それによって、イオンの分布に差が生ずる。そうすると、液晶層３００の導電率にムラが生じ、特に漏れ電界が強い画素間で、図７乃至図９で説明したような、イオンの集積が生ずることになる。
【００５９】
図１０は、図３のＣ−Ｃ断面に対応する断面図である。ここで、対応するという意味は、１：１で対応するという断面図ではない。図１０では、図を複雑にしないために、説明に必要な層以外は省略している。
【００６０】
図１０において、層間絶縁膜１０６の上に映像信号線２０とコンタクト電極１０７が形成されている。映像信号線２０とコンタクト電極１０７を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成され、その上に何らかの導電層でシールド線が形成されている。シールド線を覆って容量絶縁膜１１０が形成され、その上に画素電極１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｒが形成されている。
【００６１】
図１０では、シールド線の役割を担う配線として、コモン金属配線３０で形成されるものと、コモン電極と同層で形成された第１ＩＴＯ４０で形成されるものとが存在している。図１０で示されるように、最近の実際の製品においては、高精細化が進み配線のレイアウトの関係上、映像信号線２０の中心とシールド線の中心がずれて配置されることが多い。
【００６２】
また、シールド線として用いられる配線ごとに幅が異なり、図１０の例では、コモン金属配線３０の幅の方が、第１ＩＴＯ４０で形成されたシールド線よりも幅が大きい。このため、第１ＩＴＯ４０で形成されたシールド線と映像信号線２０との中心の「ずれ」がｘ１であるとすると、コモン金属配線３０で形成されたシールド線と映像信号線２０との中心の「ずれ」はｘ２といった配線による差異がある。このように、映像信号線２０から発する電界は、映像信号線２０を覆うシールド線である程度遮断されるもの、その遮断の割合は「ずれ」に応じて異なり、画素毎で異なる漏れ電界が液晶層側に伝達することになる。
【００６３】
図１０において、映像信号線２０からの漏れ電界は破線の矢印で示されている。漏れ電界の強さはＥ１＞Ｅ２＞Ｅ３の順である。この場合、赤の画素の左側及び青の画素の右側の漏れ電界が最も強い。このような、映像信号線２０からの漏れ電界にアンバランスが存在し、且つ、特定の色の間の画素間（本実施例では、青赤画素間）の漏れ電界の強さが常に高い状態が生じると、図５のようなストライプ表示を行った場合、イオンの特定方向への流れが生じ、特定領域へイオンが蓄積され、焼付きが生じることになる。
【００６４】
上記のような映像信号線を覆うシールド線の画素間の「ずれ」は、近年の高解像度化によって顕著になっている。画素サイズが小さくなり、配線のレイアウトが困難になっていることが主因であるが、本発明の課題となっているイオンフローは過去に着目されていなかったことも大きい。よって、映像信号線とシールド線の重畳の対称性が考慮させずに設計される例が増えているためである。
【００６５】
したがって、このようなイオンの流れを防止するためには、最も好ましくは、全てのシールド線において、映像信号線２０からのはみ出し領域が均一のサイズになること、また仮に、シールド線が配置できない領域においては、表示領域内において、特定の色の画素間のみにならないことである。
【００６６】
以下に、本実施例における具体的な例を示す。図１１は、本発明による画素構成を示す断面図である。図１１は、図３のＣ−Ｃ断面に対応する断面図である。なお、Ｃ−Ｃ断面に対応するとは、全ての電極が１：１で対応するという意味ではない。図１１において、層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７と映像信号線２０が形成されている。コンタクト電極１０７と映像信号線２０を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成され、その上にシールド線が形成され、その上に容量絶縁膜１１０が形成され、その上に、画素電極１１１あるいはシールド線が形成されている。画素電極１１１の幅はコンタクト電極１０７とほぼ同じである。
【００６７】
図１１の特徴は、シールド線の幅方向の中心と、映像信号線２０の幅方向の中心が一致していることである。図１１の下側の拡大図にこの様子を示す。図１１の拡大図において、α＝βであり、α、βはゼロよりも大きい。また、αとβに差が生ずる場合も、αとβの差は２μｍ以下であることが好ましい。この場合、映像信号線とシールド線の中心のずれは１μｍ以下である。より好ましくは、αとβの差は１．５μｍ以下であり、この場合、映像信号線とシールド線の中心のずれは０．７５μｍ以下となる。
【００６８】
しかし、画素ピッチが小さくなると、同じ配線によるシールド線を全ての映像信号線２０の上に形成することは、レイアウトの関係から難しい場合がある。本発明では、シールド線を、コモン金属配線３０、第１ＩＴＯ４０、第２ＩＴＯ５０の３種類によって形成することによって、この問題を対処している。例えば、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定するために、柱状スペーサ１８０が使用されるが、この柱状スペーサ１８０が使用される部分には、コモン金属配線３０を使用せず、第１ＩＴＯ４０によってシールド線を形成している。
【００６９】
また、全てのシールド線を同じ層に形成することが困難な場合がある。図９では、一部のシールド線を画素電極１１１と同じ第２ＩＴＯ５０で形成し、画素電極１１１と同じ層に形成することによって、この問題に対処している。画素電極１１１と、画素電極１１１と同じ層に形成されているシールド線は、画素電極１１１とは絶縁されており、例えば容量絶縁膜１１０に形成されたスルーホールを介してコモン電極１０９と接続している。
【００７０】
また、映像信号線２０を覆うシールド線は、１層のみで形成する必要はなく、レイアウトの都合によっては、複数の層で形成しても良い。図１２乃至図１６は、シールド線を複数の層で形成した場合の例である。図１２は、映像信号線を覆って、有機パッシベーション膜の上に第１ＩＴＯ４０とコモン金属配線３０を積層して形成している例である。２つの層を積層することによって、シールド線の幅を大きくしている。
【００７１】
図１３は、映像信号線２０を覆って、有機パッシベーション膜１０８の上に第１ＩＴＯ４０を形成し、絶縁膜１１０を介して第２ＩＴＯ５０を積層している例である。図１３における第１ＩＴＯ４０と第２ＩＴＯ５０は別な場所で電気的に接続している。２つの層を積層することによって、シールド線の幅を大きくしている。
【００７２】
図１４は、映像信号線２０を覆って、有機パッシベーション膜１０８の上にコモン金属配線３０を形成し、絶縁膜１１０を介して第２ＩＴＯ５０を積層している例である。図１４におけるコモン金属配線３０と第２ＩＴＯ５０は別な場所で電気的に接続している。２つの層を積層することによって、シールド線の幅を大きくしている。
【００７３】
図１５は、映像信号線２０を覆って、有機パッシベーション膜１０８の上に第１ＩＴＯ４０を形成し、その上に直接コモン金属配線３０を積層した例である。図１５は、コモン金属配線３０を第１ＩＴＯ４０の上に積層することによって、シールド線の電気抵抗を小さくしている例である。
【００７４】
図１６は、映像信号線２０を覆って、有機パッシベーション膜１０８の上に第１ＩＴＯ４０を形成し、絶縁膜１１０を介して第２ＩＴＯ５０を積層している例である。図１６の第１ＩＴＯ４０と第２ＩＴＯ５０は別な場所で電気的に接続している。図１６が図１３と異なる点は、第１ＩＴＯ４０の幅が第２ＩＴＯ５０の幅よりも大きく形成されており、第２ＩＴＯ５０は第１ＩＴＯ４０の幅内に含まれている点である。なお、図１６とは逆に、第２ＩＴＯ５０の幅を第１ＩＴＯ４０の幅よりも大きくしてもよい。
【００７５】
このように、本発明では、映像信号線２０をシールド線によって、左右対称に覆うことによって、映像信号線２０の影響のアンバランスを抑え、イオンの移動を防止し、かつ、イオンが特定の場所に蓄積されることを防止することが出来る。これによって、焼付きを防止することが出来る。
【実施例２】
【００７６】
図１７は本発明の実施例２を示す平面図である。図１７において、横方向に走査線１０が延在し、走査線１０と交差して映像信号線２０が形成されている。映像信号線２０はシールド線によって覆われている。シールド線と映像信号線２０との間には有機パッシベーション膜等の絶縁膜が形成されていることは実施例１と同じである。
【００７７】
図１７において、シールド線は、場所によって、第１ＩＴＯ４０、第２ＩＴＯ５０、コモン金属配線３０等で形成されている。なお、シールド線は、図１２乃至図１６に記載したような積層構造で形成してもよい。
【００７８】
映像信号線２０と映像信号線２０の間に、画素電極１１１を有する画素が形成されている。画素電極１１１の第１の領域は櫛歯が２本形成され、中央にスリットが存在した構成となっている。図１７の画素電極１１１の形状は一例であり、例えば、図３に示すように櫛歯が１本の場合もあるし、３本以上の場合もある。
【００７９】
なお、映像信号線２０とシールド線の中心は一致しているので、図１７乃至図２１では、シールド線とシールド線の間を画素と定義することもできる。画素電極１１１が液晶層３００を駆動し表示に寄与する駆動する駆動領域とＴＦＴと接続するためのコンタクト領域とに分けることが出来る。ここでは、駆動領域を第１の領域５５、コンタクト領域を第２の領域６０と呼ぶ。画素の第１の領域５５には、コモン電極１０９が横方向に複数の画素に渡って形成されている。したがって、画素の第１の領域では、映像信号線２０はコモン電極１０９によってシールドされている。
【００８０】
一方、図３のような高精細化した表示領域の例では、画素の第２の領域６０には、第１の領域５５のように、映像信号線２０に重畳するコモン電極１０９が無い部分が増えるので、映像信号線２０の電位の変化による電界の影響を受けやすい。実施例１では、シールド線によって、映像信号線２０からの電界の影響を抑えるようにしている。しかしながら、シールド線は、全ての線において、均等な幅で形成し、且つ映像信号線２０に常に同じ位置で重複するよう配置することは、レイアウトの都合上難しい場合がある。本実施例では、このような場合においても、映像信号線２０からの電界の影響を抑えるため、画素電極１１１自体の構成でも対策を行う。
【００８１】
具体的には、図１７で示すように、画素の第２の領域６０において、画素電極１１１と一方のシールド線との距離ｄ１と画素電極１１１と他のシールド線との距離ｄ２を一致させることによって、映像信号線２０の影響を左右均等にして、映像信号線２０からの漏れ電界のアンバランスを極力抑えるものである。
【００８２】
レイアウトの制約や製造誤差等によってｄ１とｄ２に差が生ずる場合もあるが、この場合もｄ１とｄ２の差は２μｍ以下、より好ましくは、１．５μｍ以下である。画素の第２の領域６０が図１７に示すようなシールド線の延在方向にストレート形状ではない場合、ｄ１あるいは、ｄ２の寸法は、シールド線と平行方向に最も長い辺とシールド線との距離を取ればよい。
【００８３】
図１８は実施例２の第２の形態を示す平面図である。図１８で表示される画素数は少ないが、シールド線には、第１ＩＴＯ４０、第２ＩＴＯ５０、コモン金属配線３０が使用されている点で図１７の場合と同じである。図１８の画素電極１１１の駆動領域は右方向に突起１１１５が形成され、画素電極１１１が左右アンバランスになっている。この右方向への突起１１１５は、液晶表示パネルを指で押したような場合、押しドメインを早期に消失させるためのものである。
【００８４】
図１８では、画素電極１１１の第１の領域５５がこのように、左右アンバランスである場合、第２の領域６０での画素電極１１１は、左右対称に拡張領域１１１６，１１１７を形成した構造となっている。言い換えると、画素の第２領域６０においては、画素電極１１１とシールド線との距離が両側において等しい。これによって、第２領域６０が、コモン電極によって覆われていない場合においても、映像信号線２０の影響を左右バランスさせることが出来、ストライプパターンを表示した場合のイオンの流れを抑制することが出来る。
【００８５】
一方、画素の第１の領域では、画素電極１１１の形状が左右アンバランスになっているが、この部分では映像信号線２０は横方向にストライプ状に延在するコモン電極１０９によって覆われているので、映像信号線２０の影響はシールドされる。したがって、画素電極１１１が左右アンバランスであることによるイオンの流れは生じない。
【００８６】
図１９は実施例２の第３の形態を示す平面図である。図１９も、シールド線には、第１ＩＴＯ４０、第２ＩＴＯ５０、コモン金属配線３０が使用されている点で図１８の場合と同じである。図１９の画素電極１１１の第１の領域は右方向に突起１１１５が形成され、画素電極１１１が左右アンバランスになっている点は図１８と同じである。
【００８７】
図１９が図１７および図１８と異なる点は、画素の第２領域６０において、画素電極１１１は突起１１１６のみを有していることである。このため、画素の第２領域６０において、画素電極１１１とシールド線の間隔が大きい部分が生じている。しかし、図１９においては、画素電極１１１のコンタクト領域は、全ての画素において、左側に配置しているので、イオンの動く向きは全ての画素において同じ方向である。そうすると、イオンは表示領域の特定の場所に集積するということは無い。したがって、表示領域においては、イオンの集積による焼付きは生じない。つまり、図１９の構成であれば、イオンの流れは生ずるが、表示領域には集積されないので焼付きは生じない。イオンは、表示領域外に集積される可能性はあるが、表示品質には影響を与えない。
【００８８】
図２０は実施例２の第４の形態を示す平面図である。図２０では、画素を２行分表示している。上側を第１の画素行、下側を第２の画素行と呼ぶ。第２の画素行は図１９で説明したのと同じ構成である。一方、図２０の上側の第１の画素行における画素電極１１１は、第２の画素行に比較して、突起１１１５と突起１１１６が第１の画素行と逆方向に形成されている。
【００８９】
そうすると、図５に示すようなストライプパターンを表示した場合、第１の画素行と第２の画素行では、イオンの流れを生じさせる向きが逆になる。液晶は粘性を持っているので、例えば第１の画素行における液晶に対する力は、第２の画素行における液晶に対する力に影響を与える。つまり、第１の画素行におけるイオンを動かそうという力は、第２の画素行におけるイオンを動かそうという力を相殺するように働くので、イオンの流れ自体を小さくすることが出来る。第１の画素行に対して、第２の画素行が与える影響も同様である。
【００９０】
したがって、図２０の構成によれば、イオンの流れ自体を小さくすることが出来、かつ、仮にイオンに流れが生じても、そのイオンは、表示領域外に蓄積するので、焼付きに対して影響しない。
【００９１】
図２１は実施例２の第５の形態を示す平面図である。図２１でも、画素を２行分表示している。上側を第１の画素行、下側を第２の画素行と呼ぶ。第１の画素行において、縦方向の長さが大きくなった画素が存在している。また、第２の画素行において、縦方向の長さが小さくなった画素が存在している。たとえばＲＢＧＷなどの白画素を加えた４色のカラーフィルタを使用する場合、各色の輝度調整のためにこのような配置とする場合がある。
【００９２】
図２１において、画素電極１１１の第１の領域５５では、平面で視て、コモン電極１０９が複数の画素に渡って延在している。画素を区画するシールド線の構成は、図１８等で説明したのと同じである。図２１の縦方向に大きくなった画素の第２の領域６０においては、画素電極１１１は画素内において、左右対称に突起１１１６，１１１７が配置されている。
【００９３】
そうすると、仮に、映像信号線２０からの電界をシールド線によって完全に遮蔽できなかったとしても、漏れ電界は対称となるので、イオンの流れは抑制出来る。したがって、イオンの蓄積による焼付きを抑制することが出来る。図２１において、縦方向に小さくなった画素についても、画素の第２の領域６０において画素電極１１１が左右均等に分布しているので、イオンの流れを抑制することが出来、イオンの蓄積による焼付きを抑制することが出来る。
【００９４】
本実施例における図１７乃至図２１の説明では、画素の第２領域６０における対称性は、図１７に示すｄ１とｄ２の差として定義した。この対称性は、画素電極１１１のコンタクト領域の、走査線が延在する方向の中心と、該画素電極１１１のコンタクト領域を両側から挟むシールド線で区画される画素の第２領域６０の走査線が延在する方向の中心の差として定義することも出来る。
【００９５】
この定義においては、数値的には、図１７、１８、２１では画素電極のコンタクト領域の走査線方向の中心と、画素の第２領域の走査線方向の中心の差は、１．０μｍ以下であり、より好ましくは、０．７５μｍ以下であると規定することが出来る。図１９、２０では１．５μｍ以上であると規定することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１…液晶表示装置、  ２…表示領域、  ３…額縁領域、  ４…シール材、  ５…イオン、  ６…焼付き、  ７Ｂ…青ストライプパターン、  ７Ｒ…赤ストライプパターン、  １０…走査線、  ２０…映像信号線、  ３０…コモン金属配線、  ４０…第１ＩＴＯ、  ５０…第２ＩＴＯ、  ６０…画素の第２領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、  １０８…有機パッシベーション膜、  １０９…コモン電極、  １１０…容量絶縁膜、  １１１…画素電極、  １１２…配向膜、  １１５…配向軸、  １２０…スルーホール、  １３０…有機パッシベーション膜のスルーホール、  １３１…容量絶縁膜のスルーホール、  １４０…スルーホール、  １５０…端子部、  １６０…フレキシブル配線基板  １７０…ドライバＩＣ、  １８０…柱状スペーサ、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  ５０１…下偏光板、  ５０２…上偏光板、  Ｄ…ドレイン部、Ｓ…ソース部
【図１】
2018077387.tif 000005
【図２】
2018077387.tif 000006
【図３】
2018077387.tif 000007
【図４】
2018077387.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
2018077387.tif 000011
【図８】
2018077387.tif 000012
【図９】
2018077387.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2018077387.tif 000016
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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