(57)【要約】【課題】光導波路製造時の光導波路の損傷を防止できること。【解決手段】光変調器１００は、電気光学効果を有するＬＮウェハ１０１と、ＬＮウェハ１０１上に設けられ、光の変調を行う導波路パターン１０２と、導波路パターン１０２の入力側から出力側に沿って所定の電位を有する線状のダミーパターン１４１と、を有する。ダミーパターン１４１は、導波路パターン１０２の入力側と出力側が接続され、所定の電位を有するチップ連結パターン１３１，１３２にそれぞれ接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に設けられ、光の変調を行う導波路パターンと、
前記導波路パターンの入力側から出力側に沿って所定の電位を有するダミーパターンと、
を有することを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側と出力側が接続され、所定の電位を有する連結パターンにそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、前記導波路パターンと所定の距離を有して設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の光変調器。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿って線状に形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【請求項５】
前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿う線状と、前記導波路パターンから離れた線状とで囲まれた領域に所定面積を有するメッシュ状に形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【請求項６】
前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿う内縁部と、前記導波路パターンから離れた外縁部とで囲まれた領域に所定面積を有するベタ状に形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【請求項７】
さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側の外部の空きスペースに所定面積を有して設けられたことを特徴とする請求項５または６に記載の光変調器。
【請求項８】
さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの出力側の外部の空きスペースに所定面積を有して設けられたことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の光変調器。
【請求項９】
さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側および出力側の内部の空きスペースに所定面積を有して設けられ、他の前記ダミーパターンに接続され所定の電位を有することを特徴とする請求項８に記載の光変調器。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一つに記載の前記基板上に導波路パターンを熱拡散させてなる光導波路と、信号変調用の電極と、を有する光変調器と、
前記光変調器の前記光導波路に光を出力する光源と、
送信するデータを前記光変調器の前記電極に出力させ、前記光変調器による変調された光信号の出力を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を光変調する光変調器および光変調器を有する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調器として例えば、ＬＮ導波路型変調器の製造方法は、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3）ウェハ上にチタン（Ｔｉ）でマッハ・ツェンダー干渉計（Ｍａｃｈ  Ｚｅｈｎｄｅｒ  Iｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ：ＭＺＩ）型導波路パターンを形成する。その後、ウェハ上のＴｉを熱拡散して製造する方法が一般的である。ＬＮウェハは、焦電体であるため、ウェハを加熱することで、ウェハ全体に焦電による電荷が帯電する。
【０００３】
上記変調器の製造方法では、帯電した電荷が導波路パターンで放電し、導波路が損傷された状態で形成される問題がある。従来、Ｔｉの導波路パターン転写時に入出力側に細線ダミーパターンを入出力導波路に沿うように配置することで電荷を拡散させ、導波路損傷を抑える技術が開示されている（例えば、下記特許文献１参照。）。また、Ｔｉを熱拡散させる際に、イオン化ガスにより放電を生じにくくし導波路損傷を抑える技術が開示されている（例えば、下記特許文献２参照。）。また、ＭＺＩ内部にベタパターンを配置することで放電を抑制する技術が開示されている（例えば、下記特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第１９９４／０１０５９２号
【特許文献２】特開平０４−２８９８０４号公報
【特許文献３】特開２０１５−１１１１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の光通信方式ではＤＰ−ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）方式が主に用いられている。それまでのＬＮ変調器では、１チップにつき単一のＭＺＩが配置されているが、ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器では、１チップに多数のＭＺＩが配置され、導波路構成が複雑化するとともにチップサイズが大型化している。例えば、ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の場合は、計６つのＭＺＩが１チップに配置されている。ＬＮウェハの焦電による電荷は、ウェハが高温に加熱されることでウェハ全体に溜まる。
【０００６】
図１７は、既存のＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターンを示す図である。一つの導波路パターン１０００あたり、入力導波路１００１が１ポートに対し、出力導波路１００２はＸ偏波、Ｙ偏波で信号ポート、モニタ光ポートをそれぞれ持つため、４ポートを有する。図示のように、入力導波路１００１と出力導波路１００２は、チップ連結パターン（グランドパターン）１００５に連結されており、Ｔｉで形成した導波路パターンを熱拡散する際、Ｔｉパターンを通じて電荷は入出力側のチップ連結パターン１００５へ流れればパターンの損傷を防ぐことができる。
【０００７】
しかし、図１７の導波路パターン１０００では、出力側と比較して入力側は、Ｔｉパターンの密度が疎となっている。さらに、変調器構成の複雑化によりチップのサイズが大きくなっている。これらにより、ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器では、単一のＭＺＩの変調器よりも入力側の導波路１００１でのＴｉパターンの密度が疎となっているため、焦電による電荷を逃がし切れず、入力側の導波路１００１のパターンの損傷が発生した。
【０００８】
ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器等のような複数のＭＺＩが集積されているチップは、構造の複雑化によりチップのサイズが大きくなることで、Ｔｉパターンの無いスペースが増えるため、上記従来の技術では放電を防ぐことができない。
【０００９】
一つの側面では、本発明は、光導波路製造時の光導波路の損傷を防止できることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一つの案では、光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板上に設けられ、光の変調を行う導波路パターンと、前記導波路パターンの入力側から出力側に沿って所定の電位を有するダミーパターンと、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
一つの実施形態によれば、光導波路製造時の光導波路の損傷を防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、光変調器の実施の形態１の構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、光変調器の実施の形態２の構成例を示す平面図である。
【図３】図３は、光変調器の実施の形態３の構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、各実施の形態と従来構成による放電発生率を示す対比の図表である。
【図５】図５は、光変調器の実施の形態４の構成例を示す平面図である。
【図６】図６は、光変調器の実施の形態５の構成例を示す平面図である。
【図７】図７は、既存のＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターンを示す図である。
【図８】図８は、実施の形態６にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。
【図９】図９は、実施の形態７にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態８にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、実施の形態９にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、実施の形態１０にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、実施の形態の光モジュールの構成例を示すブロック図である。
【図１４】図１４は、実施の形態の光変調器の製造工程を説明する図である。（平面図）
【図１５】図１５は、実施の形態の光変調器の製造工程を説明する図である。（断面図）
【図１６】図１６は、実施の形態の光変調器の製造工程を説明する図である。（ＬＮウェハの平面図）
【図１７】図１７は、既存のＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、光変調器の実施の形態１の構成例を示す平面図である。以下の各実施の形態では、ＤＰ−ＱＰＳＫ方式の光変調器への適用例を説明する。光変調器１００は、電気光学効果を有するニオブ酸リチウム（ＬＮ：ＬｉＮｂＯ3）の基板（ＬＮウェハ）１０１上に、複数の導波路パターン１０２を有する。一つの導波路パターン１０２は、一つのチップに相当し、内部に複数の導波路パターンを有する。図１には、光変調器１００の導波路パターン１０２に関連する構成のみを記載し、信号電極等の記載は省略している。
【００１４】
ＤＰ−ＱＰＳＫ方式では、複数のＭＺＩで構成されており、一つの導波路パターン１０２あたり、入力導波路１１１が１ポートに対し、出力導波路１１２は４ポートを有する。入力導波路１１１は、分岐部１２１でＸ偏波とＹ偏波に分岐された後、Ｘ偏波側とＹ偏波側にそれぞれ図示しない信号電極と長さ方向Ｘに所定長を有する相互作用部１２２を経由し、結合部１２３で結合される。一つの導波路パターン１０２あたり、相互作用部１２２では、幅方向Ｙに８本の導波路パターン１０２が形成されている。
【００１５】
そして、出力導波路１１２部分は、Ｘ偏波、Ｙ偏波でそれぞれ信号ポート１１２ｘ，１１２ｙと、モニタ光ポート１１２ｘｍ，１１２ｙｍをそれぞれ有するため、４ポートとなっている。
【００１６】
ここで、導波路パターン１０２は、Ｔｉなどを用いて複数のＭＺＩに対応して複数パターン形成する。その後、例えば熱拡散によって導波路パターン１０２を熱拡散させた光導波路を基板１０１上に形成する。導波路パターン１０２は熱拡散により光導波路として形成されるものであり、これらは共通する符号１０２を付している。
【００１７】
導波路パターン１０２の形成を説明すると、Ｔｉなどが蒸着されているＬＮウェハ１０１上に、フォトマスクなどを用いてフォトリソグラフィなどの手法にて、図１に示すような複数の導波路パターン１０２を転写する。その後、導波路パターン１０２以外の不要なＴｉをウェットエッチングなどで除去する。
【００１８】
この導波路パターン１０２の形成時、複数の導波路パターン１０２の入力導波路１１１側に、長さ方向Ｘと直交する幅方向Ｙに各入力導波路１１１の端部が連結されるチップ連結パターン１３１を形成する。同様に、複数の導波路パターン１０２の出力導波路１１２側に、幅方向Ｙに各出力導波路１１２（１１２ｘ，１１２ｘｍ，１１２ｙ，１１２ｙｍ）の端部が連結されるチップ連結パターン１３２を形成する。チップ連結パターン１３１，１３２は、複数のチップ（導波路パターン１０２）間を連結するグランドパターンであり、所定の電位、例えばグランド電位を有する。
【００１９】
そして、実施の形態１では、フォトマスクなどに、導波路損傷対策の線状のダミーパターン１４１を各導波路パターン１０２を囲むように最外部に位置する導波路パターン１０２の外側に形成する。そして、導波路パターン１０２およびダミーパターン１４１が形成されたフォトマスクを用いて、導波路パターン１０２およびダミーパターン１４１を同時にウェハ１０１に転写する。
【００２０】
図１に示すように、ダミーパターン１４１は、１本の入力導波路１１１の幅方向Ｙの両側部にそれぞれ形成され、入力側のチップ連結パターン１３１に連結されている。また、ダミーパターン１４１は、一つの導波路パターン１０２あたり４本の出力導波路１１２の幅方向Ｙの最外部の外側にそれぞれ形成され、出力側のチップ連結パターン１３２に連結されている。そして、ダミーパターン１４１は、導波路パターン１０２最外部を介して入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を連結する。
【００２１】
図１の例では、一対のダミーパターン１４１は、入力側のチップ連結パターン１３１部分から入力導波路１１１〜分岐部１２１にかけて導波路パターン１０２の最外部に沿って次第に幅広となるように形成されている。この後、一対のダミーパターン１４１は、導波路パターン１０２に沿った幅方向Ｙでの位置を有したまま（導波路パターン１０２が有する最も幅広の間隔を有する直線状に）、出力側のチップ連結パターン１３２に接続される。
【００２２】
これら導波路パターン１０２およびダミーパターン１４１は、いずれも熱拡散後は光導波路の機能を持つため、光変調器１００の導波路パターン１０２を導波する光に光結合することが考えられる。そのため、ダミーパターン１４１は導波路パターン１０２から５０μｍ以上（好ましくは１００μｍ以上）離しておくことが望ましい（図中距離ｄ）。
【００２３】
このようなフォトマスク等のパターンを用いて、ＬＮウェハ１０１に、Ｔｉをパターニングして導波路パターン１０２と、放電対策用のダミーパターン１４１とを同時に形成する。その後、熱拡散によって光導波路１０２が形成される際、ダミーパターン１４１がＬＮウェハ１０１の焦電効果による電荷を拡散させる。これにより、導波路パターン１０２の放電発生が抑制されるため、損傷の無い導波路パターン１０２をＬＮウェハ１０１に形成することができる。
【００２４】
ここで、図１に示したように、導波路パターン１０２は、出力導波路１１２側と比較して入力導波路１１１は、Ｔｉパターンの密度が疎となっている。ここで、線状のダミーパターン１４１は入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２に接続されている。これにより、入力導波路１１１部分でのパターンの密度が高くなっている。また、ダミーパターン１４１は、出力側のチップ連結パターン１３２にも電荷を逃がすことができる。
【００２５】
したがって、ダミーパターン１４１は、入力導波路１１１部分で大きな電荷の拡散効果を持ち、放電による入力導波路１１１部分の損傷を防ぐことができるようになる。なお、ダミーパターン１４１は、入力導波路１１１部分に限らず、入力導波路１１１から出力導波路１１２に至るまでの長さ方向Ｘ全体の導波路パターン１０２での放電発生を抑制し、導波路パターン１０２全体の損傷を防止できる。
【００２６】
なお、導波路パターンの熱拡散後、ＬＮウェハ上に信号電極、およびグランド電極を形成し、その後、図１の分割線Ａ〜Ｄに示すように、一つの導波路パターン１０２ごとにダイシング等で分割（カット）して導波路パターン１０２単位のチップを形成する。この際、入力側および出力側のチップ連結パターン１３１，１３２部分についても分割線Ｅ，Ｆ部分で分割することで、一つの導波路パターン１０２あたり一つの入力導波路１１１と４つの出力導波路１１２とを有するチップを形成する。
【００２７】
このように実施の形態１によれば、ダミーパターンを設けることにより、導波路パターンを熱拡散させて光導波路を形成する際、導波路パターンでの放電発生を抑制でき、導波路パターンの損傷を防止できる。また、ダミーパターンは、導波路パターンと同時にパターン形成でき、容易に作成できる。
【００２８】
（実施の形態２）
図２は、光変調器の実施の形態２の構成例を示す平面図である。図２において図１と同様の構成部には同一の符号を付している。実施の形態２では、実施の形態１と同様に導波路パターン１０２の最外部から外側の位置にメッシュ状に所定の面積を持つダミーパターン２０１を設ける。導波路パターン１０２およびダミーパターン２０１はいずれもＴｉをパターニングして形成する。
【００２９】
例えば、ダミーパターン２０１は、実施の形態１と同様に導波路パターン１０２の最外部を囲み、入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を結ぶ線状のダミーパターン１４１を設ける。また、導波路パターン１０２からみて一対のダミーパターン１４１よりも外側の位置に、入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を直線で結ぶ線状のダミーパターン２０２を設ける。そして、これらダミーパターン１４１，２０２の間の領域にメッシュ状のパターンを形成する。メッシュの形状は、互いに交差する複数の線で構成すればよく、互いが直交したり所定角度を有して交差する形状など各種メッシュ形状とすることができる。
【００３０】
ダミーパターン２０１は、入力導波路１１１側に所定の面積のメッシュ領域２１１を有する。
【００３１】
このダミーパターン２０１は、ＬＮウェハ１０１に導波路パターン１０２を転写するフォトマスクなどに、特にＴｉパターンの密度が疎となる入力導波路１１１側の空いたスペースにメッシュ状にパターンを配置する。メッシュ状のダミーパターン２０１は、入力側の各チップ間を連結するベタパターン（グランドパターン）１３１に幅方向Ｙで多数の箇所で接続されており、導波路パターン１０２に沿うようにして出力側のチップ連結パターン１３２に連結されている。
【００３２】
このダミーパターン２０１についても、実施の形態１と同様に、熱拡散後は光導波路の機能を持ち、光変調器１００の導波路パターン１０２を導波する光に光結合することが考えられる。そのため、メッシュのダミーパターン２０１（最も近接する線状のダミーパターン１４１）と導波路パターン１０２との間は５０μｍ程度離しておくことが望ましい（図中距離ｄ）。
【００３３】
なお、実施の形態２において、導波路パターン１０２の熱拡散後、ＬＮウェハ上に信号電極、およびグランド電極を形成し、その後、図１同様に分割線でダイシングして導波路パターン１０２単位のチップを形成する。
【００３４】
上述した実施の形態２によれば、実施の形態１の線状のダミーパターンに比して、より入力導波路側のパターン密度が高く、電荷を拡散させる効果が大きくでき、線状のダミーパターンよりも放電を防ぐ効果を高めることができる。
【００３５】
（実施の形態３）
図３は、光変調器の実施の形態３の構成例を示す平面図である。図３において図１と同様の構成部には同一の符号を付している。実施の形態２では、ダミーパターン２０１を説明したメッシュとしたが、実施の形態３では、導波路パターン１０２の外側に所定の面積を持つベタのダミーパターン３０１とする。導波路パターン１０２およびベタのダミーパターン３０１はいずれもＴｉをパターニングして形成する。
【００３６】
例えば、ベタのダミーパターン３０１の内縁部３０１ａは、導波路パターン１０２の最外部から距離ｄだけ離した位置に設ける。ベタのダミーパターン３０１の外延部３０１ｂは、入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を直線で結ぶ。これら内縁部３０１ａと外縁部３０１ｂとの間の全領域をＴｉとするベタ面のパターンを形成する。
【００３７】
ダミーパターン３０１は、入力導波路１１１側に所定の面積のベタ領域３１１を有する。
【００３８】
実施の形態３の製造方法についても実施の形態１と同様に行える。ＬＮウェハ１０１にチップパターン（導波路パターン１０２）を転写するフォトマスクなどに、ベタのダミーパターン３０１を形成する。ベタのダミーパターン３０１は幅方向Ｙの両側に内縁部３０１ａを距離ｄで近づけて設け、入力導波路１１１の付近のベタの面積を大きくとっている。そして、このベタのダミーパターン３０１は、入力側のチップ連結パターン１３１に接続され、出力側方向に導波路パターン１０２の最外部に距離ｄを有して沿いつつ、出力側のチップ連結パターン１３２に接続されている。
【００３９】
ベタのダミーパターン３０１は、実施の形態１と同様に熱拡散後は光導波路の機能を持ち、光変調器１００の導波路パターン１０２を導波する光に光結合することが考えられる。そのため、ベタのダミーパターン２０１（最も近接する内縁部３０１ａ）と導波路パターン１０２との間を距離ｄ（５０μｍ程度）離しておくことでこの光結合を防ぐことができる。
【００４０】
なお、実施の形態３において、導波路パターン１０２の熱拡散後、ＬＮウェハ上に信号電極、およびグランド電極を形成し、その後、図１同様に分割線でダイシングして導波路パターン１０２単位のチップを形成する。
【００４１】
実施の形態３によれば、放電による導波路パターン１０２の損傷が発生しやすい入力導波路１１１側のスペースをＴｉのベタのダミーパターン３０１を埋める形で設ける。これにより、実施の形態１、２に比して、より強力に焦電効果による電荷を拡散させ、放電の発生を抑制でき、損傷の無い導波路パターン１０２をＬＮウェハ１０１に形成することができる。
【００４２】
図４は、各実施の形態と従来構成による放電発生率を示す対比の図表である。実施の形態１，３で説明したダミーパターン１４１，３０１を有する導波路パターン１０２と、ダミーパターンを有さない従来の導波路パターンの構成におけるＴｉの熱拡散時の放電発生率を示している。
【００４３】
より具体的には、この放電発生率は、後述するＤｕａｌ  Ｃａｒｒｉｅｒ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器への適用例（図７，図８，図１０参照）について試験したものであり、従来および実施の形態で用いた導波路パターンの形状は同一である。
【００４４】
図４に示す放電発生率は、放電対策のダミーパターンを有さない従来の導波路パターン（図７参照）では１０％であった。また、実施の形態１（図１、図８参照）に示した線状のダミーパターン１４１では３％、実施の形態３（図３、図１０参照）に示したベタのダミーパターン３０１では０％であった。放電発生率は、導波路損傷発生率に相当する。
【００４５】
図４に示すように、放電対策のダミーパターンが無い従来の導波路パターンが最も放電発生率が高く、線状のダミーパターン１４１、ベタのダミーパターン３０１の順に放電発生率が低くなっている。これは、導波路パターン１０２と同様にＴｉで形成したダミーパターン１４１，３０２の面積がより大きい方が焦電によって溜まる電荷を拡散させてチップ連結用のグランド（チップ連結パターン１３１，１３２）に逃がし、放電が抑えられることを示している。
【００４６】
このことから、ダミーパターンは、実施の形態１の線状（図１）、実施の形態２のメッシュ（図２）よりも、実施の形態３のベタ（図３）のダミーパターンとすることで、密度がより高くさらに強力に電荷を拡散させる効果があることが分かる。
【００４７】
（実施の形態４）
図５は、光変調器の実施の形態４の構成例を示す平面図である。実施の形態４は、実施の形態３（図３）の変形例である。導波路パターン１０２の転写手法については、上述した各実施の形態と同様に導波路パターン１０２とともにダミーパターン３０１をＴｉでパターニングして形成する。
【００４８】
実施の形態４では、実施の形態３で説明したベタのダミーパターン３０１と同様に、入力導波路１１１側に沿って大きなベタパターン（ベタ領域３１１）を有する。さらに、実施の形態４では、出力導波路１１２側にも導波路パターン１０２が形成されていないスペースにベタパターン（ベタ領域５１１）を設ける。
【００４９】
具体的には、図５に示すように、ＤＰ−ＱＰＳＫの光変調器１００の出力側には４本のポート（出力導波路）１１２が設けられている。このため、一方のベタ領域５１１ａは、導波路パターン１０２を中心に最も最外部に位置するＸ偏波の出力導波路１１２ｘに沿って距離ｄ離した位置にベタのダミーパターン３０１の内縁部３０１ａが位置するように設ける。同様に、他方のベタ領域５１１ｂは、導波路パターン１０２を中心に最も最外部に位置するＹ偏波のモニタ光ポート１１２ｙｍに沿って距離ｄ離した位置にベタのダミーパターン３０１の内縁部３０１ａが位置するように設ける。
【００５０】
図５に示す出力導波路１１２側は、入力導波路１１１側と比較して、電荷を拡散させる能力は高いが、さらに、この出力導波路１１２部分に近接させたベタのダミーパターン５１１を設けることで、電荷を拡散させる能力をさらに高くすることができる。
【００５１】
（実施の形態５）
図６は、光変調器の実施の形態５の構成例を示す平面図である。実施の形態５は、実施の形態４（図５）の変形例である。導波路パターン１０２の転写手法については、上述した各実施の形態と同様に導波路パターン１０２とともにダミーパターン３０１をＴｉでパターニングして形成する。
【００５２】
実施の形態５では、実施の形態４同様にベタのダミーパターン３０１について、入力導波路１１１側に沿って大きなベタ領域３１１を形成する。また、出力導波路１１２側にも導波路パターン１０２が形成されていないスペースに大きなベタ領域５１１（５１１ａ，５１１ｂ）を設ける。
【００５３】
さらに、実施の形態５では、Ｘ，Ｙ偏波の導波路パターン１０２の間に、ベタ領域６１１を設ける。具体的には、図６に示すように、分岐部１２１の中心部のスペースに導波路パターン１０２から距離ｄだけ離してベタ領域６１１ａを設ける。同様に、結合部１２３の中心部のスペースに導波路パターン１０２から距離ｄだけ離してベタ領域６１１ｂを設ける。そして、ベタ領域６１１ａを連結パターン６１１ｃを介してベタ領域６１１ｂに接続する。ベタ領域６１１ｂは、出力導波路１１２側のチップ連結パターン１３２に接続されており、分岐部１２１のベタ領域６１１ａはグランドのチップ連結パターン１３２に接続される。
【００５４】
このように、導波路パターン１０２のＸ，Ｙ偏波の分岐箇所（分岐部１２１）の外部および内部にそれぞれベタ領域３１１，６１１ａを設ける。また、導波路パターン１０２のＸ，Ｙ偏波の結合箇所（結合部１２３）の外部および内部にそれぞれベタ領域５１１（５１１ａ，５１１ｂ），６１１ｂを設ける。これにより、特に、入力導波路１１１近傍の分岐部１２１の両側で電荷を拡散できるようになり、実施の形態４よりもより強力に放電を防止することができる。
【００５５】
なお、導波路パターン１０２の分岐部１２１部分から放射する漏れ光や、導波路パターン１０２下部のＬＮウェハ１０１のバルク部分を通る不要光などがベタのダミーパターン（ベタ領域６１１ａ，６１１ｂ）等に光結合し、光学特性に影響を与える可能性がある。このため、ベタ領域６１１ａ，６１１ｂの大きさを限定すること等の適当な不要光遮蔽を行ってもよい。
【００５６】
（ＤＣ−ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器への適用例）
次に、上述した各実施の形態１〜５の構成をＤＣ（ＤｕａｌＣａｒｒｉｅｒ）  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器に適用した場合の各実施の形態について説明する。
【００５７】
図７は、既存のＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターンを示す図である。図７は、上述した実施の形態１〜５のダミーパターンを有さない構成である。ダイシングによる分割後の１チップ７０１上に２つ（２チャネル：２ｃｈ）のＤＰ−ＱＰＳＫ変調器７００の導波路パターン１０２を有し、３つのチップ７０１をＬＮウェハ１０１上に設けた例を示している。７０２は、Ｔｉのパターンにより設けるチップ７０１分割用のダイシング用パターンである。
【００５８】
（実施の形態６）
図８は、実施の形態６にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。各実施の形態１〜５で説明した箇所と同様の箇所には同一の符号を付してある。ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器７００は、１チップ上に２つのＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器１００が並列に配置された構成に相当する。このため、通常のＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器１００よりもチップサイズが大きくなり、入力側のＴｉパターン（入力導波路１１１）の密度はさらに疎となっている。
【００５９】
そして、実施の形態６では、１チップのＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器１００に相当する導波路パターン１０２の最外部を囲むように線状のダミーパターン１４１を配置する。すなわち、実施の形態６の構成は、図７に示した導波路パターン１０２を有するとともに、実施の形態１（図１）で説明した線状のダミーパターン１４１を設けている。
【００６０】
線状のダミーパターン１４１は、実施の形態１と同様に入力側のチップ連結のグランドパターン（チップ連結パターン１３１）から導波路パターン１０２に距離ｄを有して沿う。そして、この線状のダミーパターンは、出力側のチップ連結のグランドパターン（チップ連結パターン１３２）に接続されるように設ける。
【００６１】
実施の形態６によれば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成においても、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器ごとに、導波路パターン１０２に沿って入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２間を接続する線状のダミーパターン１４１を設けている。これにより、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターン１０２部分での放電の発生を防止でき、特に、入力導波路１１１部分での放電の発生による損傷を防止できるようになる。
【００６２】
（実施の形態７）
図９は、実施の形態７にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。各実施の形態１〜６で説明した箇所と同様の箇所には同一の符号を付してある。実施の形態７の構成は、図７に示した導波路パターン１０２を有するとともに、実施の形態２（図２）で説明したメッシュ状のダミーパターン２０１を設けている。
【００６３】
メッシュ状のダミーパターン２０１は、実施の形態２と同様に入力側のチップ連結のグランドパターン（チップ連結パターン１３１）から導波路パターン１０２に距離ｄを有して沿うように線状のダミーパターン１４１を設ける。また、導波路パターン１０２からみて一対のダミーパターン１４１よりも外側の位置に、入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を直線で結ぶ線状のダミーパターン２０２を設ける。そして、これらダミーパターン１４１，２０２の間の領域にメッシュ状のパターンを形成する。メッシュ状のダミーパターン２０１は、入力導波路１１１側に所定の面積のメッシュ領域２１１を有する。
【００６４】
実施の形態７によれば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成においても、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器ごとに、導波路パターン１０２に沿って入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２間を接続するメッシュ状のダミーパターン２０１を設ける。これにより、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターン１０２部分での放電の発生を防止でき、特に、入力導波路１１１部分での放電の発生による損傷を防止できるようになる。メッシュ状のダミーパターン２０１は、線状のダミーパターン１４１に比して、より入力導波路側のパターン密度が高く、電荷を拡散させる効果を大きくでき、実施の形態６の線状のダミーパターン１４１よりも放電を防ぐ効果を高めることができる。
【００６５】
（実施の形態８）
図１０は、実施の形態８にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。各実施の形態１〜７で説明した箇所と同様の箇所には同一の符号を付してある。実施の形態８の構成は、図７に示した導波路パターン１０２を有するとともに、実施の形態３（図３）で説明したベタ状のダミーパターン３０１を設けている。
【００６６】
実施の形態８では、実施の形態７のメッシュのダミーパターン２０１をベタのダミーパターン３０１に変えた点が異なる。ベタ状のダミーパターン３０１は、実施の形態３と同様に入力側のチップ連結のグランドパターン（チップ連結パターン１３１）から導波路パターン１０２に距離ｄを有して沿うように内縁部３０１ａを設ける。また、導波路パターン１０２からみて一対のダミーパターン１４１よりも外側の位置に、入力側のチップ連結パターン１３１と出力側のチップ連結パターン１３２との間を直線で結ぶ外縁部３０１ｂを設ける。そして、これら内縁部３０１ａと外縁部３０１ｂとの間の領域にベタ状のパターンを形成する。ベタ状のダミーパターン３０１は、入力導波路１１１側に所定の面積のベタ領域３１１を有する。
【００６７】
実施の形態８によれば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成においても、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器ごとに、導波路パターン１０２に沿って入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２間を接続するベタ状のダミーパターン３０１を設けている。これにより、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターン１０２部分での放電の発生を防止でき、特に、入力導波路１１１部分での放電の発生による損傷を防止できるようになる。実施の形態８によれば、実施の形態６，７に比して、より強力に焦電効果による電荷を拡散させ、放電の発生を抑制でき、損傷の無い導波路パターン１０２をＬＮウェハ１０１に形成することができる。
【００６８】
（実施の形態９）
図１１は、実施の形態９にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。実施の形態１〜８で説明した箇所と同様の箇所には同一の符号を付してある。実施の形態９の構成は、実施の形態８（図１０）の変形例である。
【００６９】
具体的には、実施の形態８で説明したベタのダミーパターン３０１と同様に、入力導波路１１１側に沿って大きなベタパターン（ベタ領域３１１）を有する。さらに、実施の形態９では、出力導波路１１２側にも導波路パターン１０２が形成されていないスペースにベタパターン（ベタ領域５１１）を設ける（実施の形態４（図５）参照）。
【００７０】
図１１に示すように、ベタ状のダミーパターン３０１は、入力導波路１１１側において幅方向に３分割されたベタ領域３１１を有する。これに対応して、出力導波路１１２側にも幅方向に３分割されたベタ領域５１１（５１１ａ〜５１１ｃ）を設ける。出力導波路１１２側の各ベタ領域５１１は、入力導波路１１１側の各ベタ領域３１１と接続する。
【００７１】
このように、実施の形態９では、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器７００の導波路パターン１０２の、入力側と出力側のＴｉの導波路パターン１０２が形成されていないスペースにベタ領域３１１，５１１を配置する。ベタ状のダミーパターン３０１は、実施の形態４で説明したのと同様に、それぞれ入力側、出力側のチップ結合用のグランドパターン（ベタパターン）１３１，１３２に接続し、かつ、導波路パターン１０２に沿うように配置する。
【００７２】
実施の形態９によれば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成においても、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器ごとに、導波路パターン１０２に沿って入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２間を接続するベタ状のダミーパターン３０１を設けている。さらに、ダミーパターン３０１として入力側および出力側の導波路パターン１０２に沿ったベタ領域３１１，５１１を設ける。これにより、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターン１０２部分での放電の発生を防止でき、特に、入力導波路１１１部分での放電の発生による損傷を防止できるようになる。実施の形態９によれば、実施の形態８の構成にベタパターン５１１を加えたものとなり、実施の形態８よりも強力に焦電効果による電荷を拡散させ、放電の発生を抑制でき、損傷の無い導波路パターン１０２をＬＮウェハ１０１に形成することができる。
【００７３】
（実施の形態１０）
図１２は、実施の形態１０にかかるＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成例を示す平面図である。実施の形態１〜９で説明した箇所と同様の箇所には同一の符号を付してある。実施の形態１０の構成は、実施の形態９（図１１）の変形例である。
【００７４】
具体的には、実施の形態８で説明したベタのダミーパターン３０１と同様に、入力導波路１１１側に沿って大きなベタパターン（ベタ領域３１１）を有する。また、実施の形態９で説明した出力導波路１１２側にも導波路パターン１０２が形成されていないスペースにベタパターン（ベタ領域５１１）を設ける（実施の形態４（図５）参照）。さらに、実施の形態５（図６参照）で説明したＸ，Ｙ偏波の導波路パターン１０２の間に、ベタ領域６１１を設ける。
【００７５】
ベタ領域６１１は、図６で説明したように、分岐部１２１の中心部のスペースに導波路パターン１０２から距離ｄだけ離してベタ領域６１１ａを設ける。同様に、結合部１２３の中心部のスペースに導波路パターン１０２から距離ｄだけ離してベタ領域６１１ｂを設ける。そして、ベタ領域６１１ａを連結パターン６１１ｃを介してベタ領域６１１ｂに接続する。ベタ領域６１１ｂは、出力導波路１１２側のチップ連結パターン１３２に接続されており、分岐部１２１のベタ領域６１１ａはグランドのチップ連結パターン１３２に接続される。
【００７６】
実施の形態１０では、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ導波路パターンの、入力側と出力側のＴｉの導波路パターン１０２の無いスペース、およびＸ，Ｙ偏波の分岐部１２１の内部および結合部１２３の内部にそれぞれベタパターン６１１（６１１ａ，６１１ｂ）を設ける。入力側と出力側のベタパターン６１１ａ，６１１ｂは、それぞれ入力側、出力側のチップ結合用のグランドパターン（チップ連結パターン１３１，１３２）に接続する。また、Ｘ，Ｙ偏波の分岐部１２１および結合部１２３内部のベタパターン６１１ａ，６１１ｂは導波路パターンに沿う連結パターン６１１ｃで互いに接続され、出力側のチップ結合用のグランドパターン（チップ連結パターン１３２）に接続されている。
【００７７】
実施の形態１０によれば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器の構成においても、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器ごとに、導波路パターン１０２に沿って入力側と出力側のチップ連結パターン１３１，１３２間を接続するベタ状のダミーパターン３０１を設けている。また、ダミーパターン３０１として入力側および出力側の導波路パターン１０２に沿ったベタ領域３１１，５１１を設ける。さらに、入力側の分岐部１２１内部と、出力側の結合部１２３内部にもベタパターン６１１ａ，６１１ｂを設け、出力側のチップ連結パターン１３２に接続させている。
【００７８】
これにより、各チャネルのＤＰ−ＱＰＳＫ変調器の導波路パターン１０２部分での放電の発生を防止でき、特に、入力導波路１１１部分での放電の発生による損傷を防止できるようになる。実施の形態１０によれば、実施の形態９の構成にベタパターン６１１を加えたものとなり、実施の形態９よりも強力に焦電効果による電荷を拡散させ、放電の発生を抑制でき、損傷の無い導波路パターン１０２をＬＮウェハ１０１に形成することができる。
【００７９】
（光モジュールの構成例）
図１３は、実施の形態の光モジュールの構成例を示すブロック図である。上述した各実施の形態の光変調器が適用される光モジュールの構成例を示す。図１３の光モジュール１３００は、送信側と受信側の構成を有する。
【００８０】
送信側は、波長可変レーザ光源１３０１と、ＬＮ変調器モジュール１３０２と、ドライバ１３０３と、出力ポート１３０４と、光ファイバ１３０５と、制御部１３０６と、コネクタ１３０８と、を含む。
【００８１】
コネクタ１３０８を介して送信用のデータが入力され、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等からなる制御部１３０６がデータを送信処理し、ドライバ１３０３を介してＬＮ変調器モジュール１３０２に供給される。波長可変レーザ光源１３０１は光をＬＮ変調器モジュール１３０２に出力し、ドライバ１３０３がＬＮ変調器モジュール１３０２を駆動し、データを光変調した光信号を出力ポート１３０４を介して光ファイバ１３０５に出力する。
【００８２】
波長可変レーザ光源１３０１が出力する光は、上述した光変調器１００，７００の導波路パターン１０２の入力導波路１１１に入力される。ドライバ１３０３が出力する電気信号は、上述した光変調器１００，７００の導波路パターン１０２に沿って設けられる信号電極、およびグランド電極に供給される。出力導波路１１２から出力される変調後のＸ偏波、Ｙ偏波の光信号は、図示しない合波器で合波された後に出力ポート１３０４に出力される。
【００８３】
受信側は、光ファイバ１３１１と、入力ポート１３１２と、波長可変レーザ光源１３１３と、受信モジュール１３１４と、制御部１３０６と、コネクタ１３０８と、を含む。
【００８４】
光ファイバ１３１１を介して受信用の光信号が入力され、受信モジュール１３１４は、波長可変レーザ光源１３１３の光源を用いて光信号を復調し、制御部１３０６に出力する。制御部１３０６は、データを復号しコネクタ１３０８を介して出力する。
【００８５】
上記構成の制御部１３０６は、ＤＳＰに限らずＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を用いて構成することもできる。この場合、ＣＰＵは、メモリに格納されたプログラムを実行し、メモリの一部を作業領域に用いることで制御部１３０６の機能を実現することができる。
【００８６】
図１３に示したＬＮ変調器モジュール１３０２は、上述した各実施の形態で説明した光変調器１００，７００の構成を含む。このＬＮ変調器モジュール１３０２として、上記実施の形態で説明したように、導波路パターン１０２形成の熱拡散時における放電を抑え、入力導波路１１１等の損傷を防止できる。そして、光変調器１００，７００のチップ歩留まりを向上させることができるため、製造コストを低く抑え信頼性を向上できるようになる。
【００８７】
（光変調器の製造工程）
図１４〜図１６は、実施の形態の光変調器の製造工程を説明する図である。図１４は、一つのチップ上のＤＰ−ＱＰＳＫ方式の光変調器１００を示す図である。図１４に記載したダミーパターンは、実施の形態３（図３参照）で説明したベタのダミーパターン３０１である。図１５は、図１４のａ−ｂ線で裁断した各製造工程を示す断面図である。図１６は、加熱直前のＬＮウェハ１０１の全体を示す平面図である。
【００８８】
図１５を用いて光変調器１００の製造工程を順に説明する。はじめに、図１５の（ａ）に示すように、基板（ＬＮウェハ）１０１上に、Ｔｉ等の金属を蒸着して、図１４に示す導波路パターン１０２の形状をパターニングする。このパターニングは、フォトマスクなどを用いてフォトリソグラフィなどの手法にて、ＬＮウェハ１０１上に導波路パターン１０２を転写し、その後、導波路パターン１０２以外の不要なＴｉをウェットエッチングなどで除去する。
【００８９】
この際、導波路パターン１０２とともに、ダミーパターン３０１を同時にパターニングする。さらに、図１５には不図示であるが、チップの分割用のダイシングパターン（例えば図７の７０２）を同時にパターニングしておく。なお、ダミーパターン３０１は、上述したように、最も近接する導波路パターン１０２と距離ｄを有するように形成する。
【００９０】
次に、図１５の（ｂ）に示すように、ＬＮウェハ１０１を拡散炉に入れ、高温で数時間加熱する。例えば、１０００℃で８時間加熱する。これにより、Ｔｉの金属をＬＮウェハ１０１内部に拡散させて光導波路（導波路パターン１０２）を形成する。この際、同時にＴｉの金属のダミーパターン３０１についてもＬＮウェハ１０１内部に拡散される。
【００９１】
次に、図１５の（ｃ）に示すように、ＬＮウェハ１０１（導波路パターン１０２）上にバッファ層１５０１を形成する。次に、図１５の（ｄ）に示すように、導波路パターン１０２に沿って信号電極の下地となる金属（例えばＴｉ／金（Ａｕ））膜１５０２ａを所定の電極形状にパターニングする。この際、ダミーパターン３０１部分にも同様に、グランド電極の下地の金属膜１５０２ｂを形成しておく。
【００９２】
次に、図１５の（ｅ）に示すように、信号電極の下地となる金属膜１５０２ａ部分に信号電極１５０３をメッキにて複数段積層して形成する。同時に、グランド電極の下地となる金属膜１５０２ｂ部分に信号電極１５０４をメッキにて複数段積層して形成する。
【００９３】
図１６に示すように、ＬＮウェハ１０１上には、一方の長さ方向Ｘに１列、他方の幅方向Ｙに複数列を有して、複数のチップ（図１４の一つの導波路パターン１０２に相当）がパターニングにより形成される。
【００９４】
そして、図１６に示す例では、このＬＮウェハ１０１上の複数の導波路パターン１０２を囲む全面に、ダミーパターン１６０１となるＴｉの金属をベタで形成した状態を示す。このダミーパターン１６０１は、上述した各実施の形態で説明したダミーパターン（線状のダミーパターン１４１、メッシュ状のダミーパターン２０１、ベタのダミーパターン３０１）と、チップ連結パターン１３１，１３２とを含む構成である。図中点線にチップ連結パターン１３１，１３２に相当する位置を示してある。
【００９５】
図１６に示すＬＮウェハ１０１を加熱処理した後、長さ方向Ｘに沿った各ダイシング位置Ａ〜Ｎでダイシングし、幅方向Ｙに沿った各ダイシング位置Ｅ，Ｆでダイシングすることにより、複数のチップ（図１４の一つの導波路パターン１０２に相当）を切り出せる。
【００９６】
上述した各実施の形態では、変調器の基板にＬＮウェハを用いた構成例を説明し、導波路パターンにＴｉを用いる構成例を説明したが、他の構成例としてはＬＮにドープするＴｉ以外の他の金属材料、例えばマグネシウム（Ｍｇ）等を用いる構成としてもよい。また、本発明は金属の熱拡散により基板に光導波路を形成する構成であり、金属についてもＴｉに限らず熱拡散に適用できる他の金属を用いることができる。
【００９７】
以上説明した実施の形態によれば、導波路パターンの周囲にダミーパターンを形成し、ダミーパターンを導波路パターンの入力側および出力側のチップ連結パターンにそれぞれ接続する構成とした。これにより、基板加熱時における導波路パターンでの放電を抑制し導波路パターンの損傷を防ぐことができる。
【００９８】
ダミーパターンは、導波路パターンを囲むように最外部に位置する導波路パターンの外側に線状に形成するほかに、導波路パターンの外側に所定の面積を持つメッシュ状やベタ状に形成できる。ダミーパターンは、導波路パターンから所定の距離、例えば５０μｍ以上離して設けることで、導波路パターンを通過する光信号に影響を与えない。このダミーパターンは、導波路パターンの入力側から出力側までの間で所定距離を有して導波路パターンに沿った形状で設けてもよい。さらには、導波路パターンの分岐部や結合部の内部にもダミーパターンを形成し、ダミーパターンを出力側のチップ連結パターンに接続する構成としてもよい。これらにより、基板上におけるダミーパターンの面積を増やすことで、より導波路パターンでの放電の発生を防止できるようになる。
【００９９】
実施の形態によれば、従来の入出力側の導波路近辺のみに設置されていた細線等のパターンと比べて、ダミーパターンが導波路パターンを囲むように入力側と出力側のチップ連結パターンをつなげて構成している。これにより、入力導波路の密度をより密にでき、かつ、ダミーパターンは出力側へも電荷を逃がすことができるため、従来よりも大きな電荷の拡散効果が得られる。したがって、より大きなＬＮチップ、例えば、ＤＣ  ＤＰ−ＱＰＳＫ変調器のチップにおいても電荷の放電を抑制し、導波路損傷を防ぐことができるようになる。
【０１００】
そして、基板加熱時の導波路パターンでの放電を抑制できることで、導波路パターンを損傷することなく製造の歩留まりを向上できるようになる。そして、導波路パターンが形成された基板チップを用いた光変調器の製造コストを下げることができるとともに、信頼性を向上できるようになる。
【０１０１】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１０２】
（付記１）電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に設けられ、光の変調を行う導波路パターンと、
前記導波路パターンの入力側から出力側に沿って所定の電位を有するダミーパターンと、
を有することを特徴とする光変調器。
【０１０３】
（付記２）前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側と出力側が接続され、所定の電位を有する連結パターンにそれぞれ接続されたことを特徴とする付記１に記載の光変調器。
【０１０４】
（付記３）前記ダミーパターンは、前記導波路パターンと所定の距離を有して設けられたことを特徴とする付記１または２に記載の光変調器。
【０１０５】
（付記４）前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿って線状に形成されたことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１０６】
（付記５）前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿う線状と、前記導波路パターンから離れた線状とで囲まれた領域に所定面積を有するメッシュ状に形成されたことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１０７】
（付記６）前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの最外部に沿う内縁部と、前記導波路パターンから離れた外縁部とで囲まれた領域に所定面積を有するベタ状に形成されたことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１０８】
（付記７）さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側の外部の空きスペースに所定面積を有して設けられたことを特徴とする付記５または６に記載の光変調器。
【０１０９】
（付記８）さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの出力側の外部の空きスペースに所定面積を有して設けられたことを特徴とする付記５〜７のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１１０】
（付記９）さらに、前記ダミーパターンは、前記導波路パターンの入力側および出力側の内部の空きスペースに所定面積を有して設けられ、他の前記ダミーパターンに接続され所定の電位を有することを特徴とする付記８に記載の光変調器。
【０１１１】
（付記１０）付記１〜９のいずれか一つに記載の前記基板上に前記導波路パターンを熱拡散させてなる光導波路と、信号変調用の電極と、を有する光変調器と、
前記光変調器の前記光導波路に光を出力する光源と、
送信するデータを前記光変調器の前記電極に出力させ、前記光変調器による変調された光信号の出力を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
【０１１２】
（付記１１）さらに、外部から受信した光信号を復調する受信部を備えたことを特徴とする付記１０に記載の光モジュール。
【０１１３】
（付記１２）電気光学効果を有する基板上に、光の変調を行う導波路パターンとともに、前記導波路パターンの入力側から出力側に沿って所定の電位を有するダミーパターンを金属のパターニングにより形成する工程と、
前記基板を加熱し前記金属を熱拡散させて、前記導波路パターンにより光導波路を形成する工程と、
を含むことを特徴とする光変調器の製造方法。
【符号の説明】
【０１１４】
１００，７００ 光変調器
１０１  基板（ＬＮウェハ）
１０２  導波路パターン（光導波路）
１１１  入力導波路
１１２  出力導波路
１１２ｘ，１１２ｙ  信号ポート
１１２ｘｍ，１１２ｙｍ  モニタ光ポート
１２１  分岐部
１２２  相互作用部
１２３  結合部
１３１，１３２  チップ連結パターン（グランドパターン）
１４１，２０１，２０２，３０１，６１１  ダミーパターン
２１１  メッシュ領域
３１１，５１１，６１１  ベタ領域
１３００  光モジュール
１３０２  ＬＮ変調器モジュール
１３０６  制御部
【図１】
2018077356.tif 000003
【図２】
2018077356.tif 000004
【図３】
2018077356.tif 000005
【図４】
2018077356.tif 000006
【図５】
2018077356.tif 000007
【図６】
2018077356.tif 000008
【図７】
2018077356.tif 000009
【図８】
2018077356.tif 000010
【図９】
2018077356.tif 000011
【図１０】
2018077356.tif 000012
【図１１】
2018077356.tif 000013
【図１２】
2018077356.tif 000014
【図１３】
2018077356.tif 000015
【図１４】
2018077356.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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