(57)【要約】【課題】ヒータによるシリコン芯棒の加熱を短時間に行うことができ、高純度の多結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコン反応炉を提供する。【解決手段】炉内に設けられた複数のシリコン芯棒３１を通電加熱し、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒３１表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉１００であって、炉内中央部にシリコン芯棒３１を加熱可能なヒータ４を備え、ヒータ４よりも炉内の外周側にシリコン芯棒３１を備え、ヒータ４は、シリコン芯棒３１の上下方向に沿って複数段のヒータ小棒４１，４２を組み合わせて形成されたヒータ芯棒４０を有しており、下段側のヒータ小棒４１は、上段側に配置されるヒータ小棒４２よりも炉内の外周側に配置されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉内に設けられた複数のシリコン芯棒を通電加熱し、該炉内に供給した原料ガスを反応させて、前記シリコン芯棒表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉であって、
炉内中央部に前記シリコン芯棒を加熱可能なヒータを備え、
前記ヒータよりも前記炉内の外周側に前記シリコン芯棒を備え、
前記ヒータは、前記シリコン芯棒の上下方向に沿って複数段のヒータ小棒を組み合わせて形成されたヒータ芯棒を有しており、
前記ヒータ芯棒において、下段側のヒータ小棒は、上段側に配置されるヒータ小棒よりも前記炉内の外周側に配置されていることを特徴とする多結晶シリコン反応炉。
【請求項２】
前記下段側のヒータ小棒の長さ方向に対する垂直面の横断面積は、前記上段側のヒータ小棒の長さ方向に対する垂直面の横断面積と同等か又は小さく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン反応炉。
【請求項３】
前記下段側のヒータ小棒の抵抗率は、前記上段側のヒータ小棒の抵抗率と同等か又は高く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン反応炉。
【請求項４】
前記ヒータは、前記炉内の中央部に複数配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の多結晶シリコン反応炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シーメンス法によって多結晶シリコンを製造する際に用いられる多結晶シリコン反応炉に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料となる高純度の多結晶シリコンの製造方法として、シーメンス法が知られている。シーメンス法では、クロロシランと水素との混合ガスからなる原料ガスを、加熱したシリコン芯棒に接触させ、その表面に原料ガスの反応によって多結晶シリコンを析出させる製造方法である。この製造方法を実施する装置として、密閉した反応炉に多数のシリコン芯棒を立設した多結晶シリコン反応炉が用いられている。一般に、このシリコン芯棒は、上端部で連結部材により連結され、全体としてΠ字状に形成されており、その両下端部が反応炉の炉底に設置された電極に固定されている。
【０００３】
そして、その両端に位置する電極からシリコン芯棒に通電され、そのジュール熱によってシリコン芯棒全体を原料ガスの加熱分解温度である、例えば９００℃から１２００℃程度に加熱される。炉内に供給された原料ガスは、このように加熱されたシリコン芯棒の表面に接触して熱分解または水素還元され、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンが析出される。この反応が連続して進行することによって、棒状多結晶シリコンに成長する。
【０００４】
シリコン芯棒は、高純度の多結晶シリコン又は単結晶シリコン等により形成される。ところが、高純度のシリコン芯棒は高抵抗であり、このようなシリコン芯棒の通電は、常温では開始できない。このため、予めシリコン芯棒をある程度の温度まで加熱することにより比抵抗を下げ、シリコン芯棒へ通電することが行われている。そして、このような通電を行う前の加熱を行うために、例えば、特許文献１に開示されているように、反応炉内にカーボン製の長尺状のヒータを設けることが行われている。また、シリコン芯棒を加熱する別の方法として、特許文献２や特許文献３では、ヒータの材質に高融点の抵抗性材料やシリコンからなる材料を使用する方法が開示されている。さらに、シリコン芯棒の通電前の加熱方法として、反応炉内にヒータを設置する方法以外にも、例えば特許文献４には、反応炉外部から内部へ熱の供給を行う方法も開示されており、シリコン芯棒の加熱時のヒータからの汚染の低減が課題とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９‐７３６８３号公報
【特許文献２】特表２００９‐５３６９１４号公報
【特許文献３】特開２０１３‐１９３９３１号公報
【特許文献４】特開２００１‐２７８６１１号公報
【特許文献５】特開２０１４‐１０１２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高純度多結晶シリコン製造においては、その製造過程においても不純物の低減が求められ、特許文献１では、カーボン製のヒータを反応炉の中央部に設置して使用し、シリコン芯棒を速やかに温度上昇させることで、析出するシリコンの生産性向上を図る方法が行われている。
特許文献２や特許文献３に開示されている方法においては、カーボン由来の汚染物は低減できるものの、特許文献２では高融点金属からの汚染が課題として残されている。一方、シリコンからなるヒータにおいても一定の品質向上の効果が認められるものの、その製造段階で極微量ではあるがリンやヒ素、ホウ素などの不純物を加えることから、特許文献３の方法においても、さらなる品質の向上には課題が残る。
【０００７】
特許文献４においては、反応炉内部にシリコン芯棒の初期加熱時に汚染源となるヒータを設置しない方法であるが、多結晶シリコン反応炉自体に改造を施す必要があるため、設備費の増大や耐久性などに課題がある。また、この方法では、シリコン芯棒を加熱するヒータからの汚染の影響を排除できるが、炉壁も同時に加熱されやすくなるため、金属汚染を引き起こす可能性も考えられることから、更なる高純度化においては課題が残る。
【０００８】
特許文献５においては、多結晶シリコン反応炉（多結晶シリコンの製造装置）に逆Ｕ字からなるヒータを設置しており、ヒータの水平方向の配置が容易に変更できることで、シリコン芯線棒（シリコン芯棒）の初期加熱の具合、シリコン芯線棒へのシリコンの析出への影響、およびヒータへのシリコンの析出の具合、の３つの観点からの最適配置が容易なものとなる等、シリコン析出への効果は認められるものの、シリコン品質への言及はなされていない。
以上のように、多結晶シリコン製造におけるシリコン芯棒の初期加熱方法においては、多方面からの検討が行われているが、不純物の影響を低減する方法としては未だ課題は解決されていない。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ヒータによるシリコン芯棒の加熱を短時間に行うことができ、高純度の多結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコン反応炉を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
多結晶シリコン反応炉においては、反応炉を構成する炉壁からのアウトガスの影響による不純物汚染等を避けるため、炉壁や基台、金属製の電極等の冷却が行われる。一般的には、ベルジャ型の反応炉の場合、ベルジャの炉壁にも冷却用の冷媒を流通させるが、ベルジャ下部側から上部側への流通が行われる場合、反応炉内の基台側、すなわち反応炉の下部側は上部側に比べて温度が低い傾向になる。また、反応炉の炉壁側は中央部と比べて温度が低い傾向になる。このため、シリコン芯棒を加熱するためのヒータは、炉壁側よりは炉の中央部側に配置する方が加熱効率がよく、炉の上部側よりも下部側のシリコン芯棒を効率的に加熱することが望ましい。また、シリコン芯棒を加熱するヒータとしては、高温領域において安定した加熱ができることから、カーボン材を原料としたヒータが使用される。このカーボンヒータは、一般的には使用時の汚染を低減するため、使用する前に塩素雰囲気等での高温処理において不純物の除去等が行われるが、ヒータ由来の汚染を低減することは困難を要する。このため、ヒータの使用はなるべく短時間で行われることが望ましい。
【００１１】
本発明は、炉内に設けられた複数のシリコン芯棒を通電加熱し、該炉内に供給した原料ガスを反応させて、前記シリコン芯棒表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉であって、炉内中央部に前記シリコン芯棒を加熱可能なヒータを備え、前記ヒータよりも前記炉内の外周側に前記シリコン芯棒を備え、前記ヒータは、前記シリコン芯棒の上下方向に沿って複数段のヒータ小棒を組み合わせて形成されたヒータ芯棒を有しており、前記ヒータ芯棒において、下段側のヒータ小棒は、上段側に配置されるヒータ小棒よりも、前記炉内の外周側に配置されている。
【００１２】
このようにヒータ小棒を複数段組み合わせることにより、下段側のヒータ小棒を炉内の最内周位置のシリコン芯棒に近い位置に配置することが可能となり、反応炉下部側のシリコン芯棒の加熱を促進するとともに、シリコン芯棒の上部側は、下部側と比べて下段側のヒータ小棒よりもシリコン芯棒から離して配置できる。これにより、従来のような長尺状のヒータに比べ、短時間でシリコン芯棒を通電可能な温度まで加熱できるとともに、ヒータ由来の汚染の程度を低減できる。
【００１３】
この際、炉内中央部（基台中心部から最内周位置のシリコン芯棒の内側までの領域）に配置されたヒータにより、ヒータに近い位置（最内周位置）のシリコン芯棒から徐々に加熱が行われ、このシリコン芯棒が通電可能となる状態までに温度上昇し、予め所定の電圧をシリコン芯棒の電極に印加しておくことで、シリコン芯棒は自身の通電によって抵抗発熱状態となる。そして、発熱状態となったシリコン芯棒の輻射熱が周囲のシリコン芯棒を加熱することにより、反応炉の外側のシリコン芯棒が加熱されて通電され、抵抗発熱状態となる。ヒータへの通電は、少なくともヒータの近くのシリコン芯棒に通電がなされて発熱状態となった後に、切断することができる。そして、ヒータへの通電は短時間で行われることから、ヒータが必要以上の高温に加熱されることはなく、ヒータの損傷を防止でき、ヒータ由来の不純物が多結晶シリコン中に取り込まれることを抑制できる。
【００１４】
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記下段側のヒータ小棒の長さ方向に対する垂直面の横断面積は、前記上段側のヒータ小棒の長さ方向に対する垂直面の横断面積と同等か又は小さく形成されているとよい。
また、本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記下段側のヒータ小棒の抵抗率は、前記上段側のヒータ小棒の抵抗率と同等か又は高く形成されているとよい。
【００１５】
ヒータを構成する各段のヒータ小棒の長さ方向に対する垂直面の横断面積や、抵抗率を上記のように調整することで、下段側のヒータ小棒の発熱量を大きくして、上段側のヒータ小棒の発熱量を小さくすることができる。したがって、シリコン芯棒の下部側から上部側にかけてより効果的に短時間で加熱を行うことができる。
また、本発明の多結晶シリコン反応炉において、シリコン芯棒を加熱するヒータを、複数のヒータ小棒で構成し、上段側のヒータ小棒を下段側のヒータ小棒よりもシリコン芯棒から離して（遠くに）配置することで、シリコン芯棒へのシリコン析出により径が太くなることでシリコン芯棒の上部がヒータに接触することによる汚染の発生や通電トラブルの発生などを防止でき、さらに、シリコン析出後のシリコンロッドの反応炉からの取り出しにおいて、取り扱い上のハンドリングの負荷や破損などの危険性なども低減できる。また、本発明の多結晶シリコン反応炉は、ヒータ使用前のヒータ由来の不純物低減のための加熱処理などにおいて、ヒータ小棒の構成とすることで、長尺状のヒータの熱処理を行う場合と比べて、大型の加熱処理設備を必要とせず、比較的小型の処理設備で処理が可能であるので、設備の初期投資やランニングコストの点でメリットが大きい。
【００１６】
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記ヒータは、前記炉内の中央部に複数配置されているとよい。
複数のヒータを配置する構成とすることで、単位時間当たりのヒータ全体の発熱量が増えることから、さらに短時間でのシリコン芯棒の加熱が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、複数段のシリコン小棒からなるヒータにより、シリコン芯棒を比較的温度が低くなりやすいその下部側を上部側よりも優先的に短時間で加熱できるので、シリコン芯棒通電までの時間が短縮でき、ヒータ由来の不純物が多結晶シリコン中に取り込まれることを抑制でき、高純度の多結晶シリコンを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態の多結晶シリコン反応炉の概略構成図である。
【図２】図１に示す多結晶シリコン反応炉の基台の中央部付近におけるヒータ及び最内周位置のシリコン芯棒の斜視図である。
【図３】図１に示す多結晶シリコン反応炉のヒータの接続用部材付近の要部図である。
【図４】図１に示す多結晶シリコン反応炉のヒータ芯棒の接続部材付近の要部図である。
【図５】図１に示す多結晶シリコン反応炉のヒータ芯棒の連結部材付近の要部図である。
【図６】他の実施形態におけるヒータの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る多結晶シリコン反応炉の一実施形態について説明する。
図１は、本発明が適用される多結晶シリコン反応炉を模式的に表した全体図である。この多結晶シリコン反応炉１００は、炉底を構成する基台１と、この基台１上に着脱自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ２とを備え、炉内に設けられた複数のシリコン芯棒３１を通電加熱することにより、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒３１の表面に多結晶シリコンを生成する。また、多結晶シリコン反応炉１００には、シリコン芯棒３１の通電を行うための加熱用のヒータ４が基台１の中央部（基台１中心部から最内周位置のシリコン芯棒３１の内側までの領域）に設けられ、ヒータ４よりも基台１（炉内）の外周側にシリコン芯棒３１が配置されている。
【００２０】
基台１の上面１０は、ほぼ平坦な水平面に形成されており、その上面１０には、図１又は図２に示すように、生成される多結晶シリコンの種棒となるシリコン芯棒３１が取り付けられる接続用部材５Ａと、ヒータ４が取り付けられる接続用部材５Ｂと、クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスを炉内に供給するためのガス供給口と、反応後のガスを炉外に排出するためのガス排出口とが、それぞれ複数設けられている。
【００２１】
原料ガスのガス供給口は、各シリコン芯棒３１に対して均一に原料ガスを供給することができるように、基台１の上面１０の中央部を除いてほぼ全域に分散して適宜の間隔をあけて複数設置されている。また、ガス供給口は、ヒータ４の加熱に影響を与えないように、例えば、炉内の基台中央部のヒータ４が取り付けられる接続用部材５Ｂから離れた位置に設置されている。なお、図示は省略するが、これらガス供給口は、炉外の原料ガス供給源に接続されている。また、ガス排出口は、適宜の間隔をあけて複数設置され、図示は省略するが、外部の排ガス処理系に接続されている。
【００２２】
前述したように、多結晶シリコン反応炉１００の基台１の上面１０には、シリコン芯棒３１を保持および通電するための接続用部材５Ａが複数設けられており、これらの接続用部材５Ａを介して複数のシリコン芯棒３１が電源ケーブル（図示略）に接続され、電流が流れるようになっている。
また、多結晶シリコン反応炉１００の基台１の上面１０には、シリコン芯棒３１を加熱するためのヒータ４を保持するための接続用部材５Ｂが設けられており、これら接続用部材５Ｂを介してヒータ４に電流が流れるようになっている。
【００２３】
シリコン芯棒３１が取り付けられる接続用部材５Ａは、図２に示すように、基台１に形成された電極（図示略）に取り付けられ、その電極とシリコン芯棒３１との間を接続するホルダ部５１と、このホルダ部５１の上部に取り付けられてシリコン芯棒３１の下端部を保持する保持部５２とを備えている。
【００２４】
また、ヒータ４が取り付けられる接続用部材５Ｂは、図２及び図３に示すように、基台１に形成され、基台１とは絶縁された電極５５と、電極５５に取り付けられてヒータ４の下端部を保持する保持部５６とを備えており、保持部５６を介して、電極５５とヒータ４との間が接続されている。また、保持部５６は、略円柱状に形成された導電材からなり、その上部に、ヒータ４が挿入される保持穴が形成され、下部には、電極５５を螺合可能な雌ねじ孔が形成されている。
【００２５】
ヒータ４は、カーボンを基材としたヒータであり、前述したように、炉内の中央部に配設された接続用部材５Ｂによって保持されることで基台１の上面１０に立設されており、本実施形態の多結晶シリコン反応炉１００には、ヒータ芯棒４０が、その上端部で連結部材４４により接続されることで、逆Ｕ字状に形成されたヒータ４が１組設けられている。なお、各ヒータ４（ヒータ芯棒４０）は、近接した周辺のシリコン芯棒３１の全長に輻射熱が伝えられるように、シリコン芯棒３１の全長に見合う高さに設定されている。
ヒータ４を構成するヒータ芯棒４０は、各シリコン芯棒３１の上下方向に沿って、複数段のヒータ小棒を組み合わせて構成されるものであり、本実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、図２に示すように、ヒータ芯棒４０は、下段側のヒータ小棒４１と、上段側のヒータ小棒４２とが組み合わされて、二段のヒータ小棒４１，４２により構成されている。そして、下段に配置される下段側のヒータ小棒４１は、上段側に配置されるヒータ小棒４２よりも、炉内（基台１）の中央部の外周側に配置され、シリコン芯棒３１に近い位置に設けられている。
【００２６】
具体的には、図２に示すように、下段側のヒータ小棒４１は、接続用部材５Ｂによって保持される。例えば、図３に示すように、下段側のヒータ小棒４１の下端部が接続用部材５Ｂの保持部５６に挿入され、この下段側のヒータ小棒４１は、保持部５６の外側面側から固定ビス５８により押圧されることで固定され、基台１の上方に延びて立設されている。そして、図４に示すように、下段側のヒータ小棒４１の上端部に、接続部材４３を介して、上段側のヒータ小棒４２の下端部が取り付けられており、下段側のヒータ小棒４１の軸心と上段側のヒータ小棒４２の軸心とが、水平方向にずれて配置されている。
【００２７】
接続部材４３には、図４に示すように、下段側のヒータ小棒４１の上端部と、上段側のヒータ小棒４２の下端部とを挿通可能な２つの挿通孔４３ａが設けられており、それぞれのヒータ小棒４１，４２はナット４６が螺合可能な状態で接続部材４３とともに固定されている。
【００２８】
また、前述したように、２本のヒータ芯棒４０の上段側のヒータ小棒４２の間が、連結部材４４により接続されることにより、ヒータ４が逆Ｕ字状に形成されている。連結部材４４には、図５に示すように、各ヒータ芯棒４０の上段側のヒータ小棒４２の上端部を挿通可能な２つの挿通孔４４ａが設けられ、それぞれのヒータ小棒はナット４７が螺合可能な状態で連結部材４４とともに固定されている。
【００２９】
なお、ヒータ４を構成する各ヒータ小棒４１，４２及び接続部材４３、ナット４６、連結部材４４、ナット４７は、カーボンにより形成されており、ヒータ小棒４１，４２の長さ方向に対する垂直面の横断面積は、略同一の大きさで形成されている。
【００３０】
このように構成されるヒータ４では、シリコン芯棒３１の上部側において、上段側のヒータ小棒４２が下段側のヒータ小棒４１よりもシリコン芯棒３１から離れた位置に配置される。これにより、多結晶シリコン反応炉１００の下部側に位置するシリコン芯棒３１の下部側は、上部側と比べてその近い位置に配置された下段側のヒータ小棒４１により加熱されることにより、シリコン芯棒３１の下部側を上部側よりも短時間で加熱させることができる。
【００３１】
シリコン芯棒３１は、ヒータ４の周囲に配設された接続用部材５Ａによって保持され、各シリコン芯棒３１の下端部が接続用部材５Ａの保持部５２に挿入されることで固定され、図１に示すように、基台１の上方に延びて立設されている。各シリコン芯棒３１の上端部は、シリコンで形成された両端に円筒状の貫通孔が形成された連結部材３４が取り付けられ、全体としてΠ字状をなすシード組み立て体が構成されている。
【００３２】
また、各シード組み立て体は、例えば、基台１の中心から概略同心円状に配置されているが、必ずしも全てが同心円状でなくてもよく、一部のシード組み立て体のシリコン芯棒３１を半径方向等に並べて配置したものを含む構成としてもよい。
【００３３】
なお、多結晶シリコン反応炉１００では、炉自体の温度上昇を抑制するために、ベルジャ２や基台１等の冷却が行われる。
【００３４】
以上のように構成される多結晶シリコン反応炉１００において、ヒータ４に接続されている各接続用部材５Ｂに所定の電圧を印加することで、ヒータ４を電気抵抗により発熱させることができる。これにより、ヒータ４の下段側のヒータ小棒４１を上段側のヒータ小棒４２よりも最内周位置のシリコン芯棒３１に近い位置に配置しているので、シリコン芯棒３１の下部側は、その近い位置に配置された下段側のヒータ小棒４１により加熱が促進される。その結果、シリコン芯棒３１の上部側とともに下部側の加熱も進み、シリコン芯棒３１を全長にわたって短時間で加熱させることができ、それに伴いシリコン芯棒３１の抵抗値が下がってくる。この際、シリコン芯棒３１の接続用部材５Ａにも一定の電圧を印加しておくことで、シリコン芯棒３１は短時間で通電状態とすることができる。
【００３５】
そして、ヒータ４に近い位置に配置されている最内周位置のシリコン芯棒３１が通電可能となる状態までに加熱されて温度上昇すると、シリコン芯棒３１が通電されることによって抵抗発熱状態となり、その輻射熱が隣接する周囲のシリコン芯棒３１に伝わって加熱される。その伝熱現象は、多結晶シリコン反応炉１００の半径方向等に徐々に伝播して、最終的に炉内の全てのシリコン芯棒３１が通電され、発熱状態となる。そして、これらのシリコン芯棒３１が、原料ガスの熱分解温度又は水素還元温度まで加熱されると、ガス供給口から導入された原料ガスがシリコン芯棒３１の表面上で反応し、多結晶シリコンが生成される。
なお、ヒータ４への通電は、少なくともヒータ４に近い最内周位置のシリコン芯棒３１に通電がなされてシリコン芯棒３１が通電状態となった後に、切断することができる。
【００３６】
このように、本実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、シリコン芯棒３１の上部側の加熱とともに下部側の加熱も進み、その結果、シリコン芯棒３１の全長にわたって短時間で加熱できるので、ヒータ４からの不純物による汚染が抑制でき、高純度の多結晶シリコンを生成できる。
【００３７】
なお、上記実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、ヒータ４を構成する各段のヒータ小棒４１，４２の長さ方向に対する垂直面の横断面積を略同一（同等）の大きさで形成していたが、下段側のヒータ小棒４１の長さ方向に対する垂直面の横断面積を、上部側のヒータ小棒４２の長さ方向に対する垂直面の横断面積よりも小さく形成することとしてもよい。また、下段側のヒータ小棒４１の抵抗率を上段側のヒータ小棒４２と同等か又は高く形成することとしてもよい。
このように、ヒータ４を構成する各段のヒータ小棒４１，４２の長さ方向に対する垂直面の横断面積や、抵抗率を上記のように調整して、下段側のヒータ小棒４１の発熱量を上段側のヒータ小棒４２の発熱量よりも大きくすることで、比較的温度が低い反応炉下部側に位置するシリコン芯棒３１を短時間で加熱することができる。
【００３８】
また、本実施形態では、ヒータ４を１組設けているが、ヒータ４のセット数を２組又は３組等のように、複数のヒータを配置する構成としてもよい。ヒータ４の組数を増やして配置する構成とすることで、単位時間当たりのヒータ全体の発熱量が増えることから、さらに短時間でのシリコン芯棒の加熱が可能となる。
なお、炉内の中央部に複数のヒータを配置する際は、ヒータに近接する各シリコン芯棒の位置に対して均等位置に配置することが望ましい。
【００３９】
また、図示は省略するが、炉内に複数のヒータを配置する場合、複数組のヒータ同士は、絶縁部材を用いて一定の距離をあけた状態で互いに連結されていることが望ましい。複数組のヒータ同士を一定の距離をあけて互いに連結された状態としておくことで、反応炉への原料ガス供給時のガス流の勢いによりヒータに揺れが生じた場合でも、ヒータ同士、又は、ヒータとシリコン芯棒との接触を防止できる。また、ヒータとシリコン芯棒との間に一定の距離をあけておくことで、ヒータやシリコン芯棒の通電トラブルや折損などの破損を防止でき、シリコン芯棒の加熱を安定した状態で行うことができる。この場合、例えば各ヒータの連結部材４４に、ヒータ同士の接触を防止する絶縁部材が取り付けられるように貫通孔を設けておくとよい。
【００４０】
また、上記実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、ヒータ芯棒４０を下段側のヒータ小棒４１と上段側のヒータ小棒４２とにより二段で構成していたが、三段以上の複数段のヒータ小棒を組み合わせて構成してもよい。
例えば、図６に示すように、三段（最下段、中段、最上段）のヒータ小棒７５〜７７を有するヒータ芯棒４０Ｓを構成した場合には、最下段に配置されるヒータ小棒７５が、それよりも上段側に配置される中段のヒータ小棒７６及び最上段のヒータ小棒７７よりも炉内の外周側に配置され、さらに中段のヒータ小棒７６が最上段のヒータ小棒７７よりも炉内の外周側に配置される。
【００４１】
また、上記実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、ヒータ４が取り付けられる接続用部材５Ｂは、基台１の電極に取り付けられた保持部５６にヒータ４の下端部を保持し、固定ビス５８で固定する構成としたが、ヒータ４の固定手段はこれに限定されない。図示は省略するが、例えば保持部５６にヒータ４（ヒータ小棒４１）の下端部を保持可能な保持穴を形成しておくことにより、ヒータ４を、保持部５６の保持穴に螺合し、保持する構成としてもよい。
【００４２】
また、上記実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、図４に示すように、下段側のヒータ小棒４１と、上段側のヒータ小棒４２との間を接続する接続部材４３をナット４６で締め付けることにより、基端側のナット４６と先端側のナット４６の間に接続部材４３を挟んで固定することとしていたが、接続部材４３とヒータ小棒４１，４２との固定手段はこれに限定されない。図示は省略するが、例えば固定ビスを用いて、接続部材４３の側面より、挿通孔４３ａの内周面に、ヒータ小棒４１，４２の側面を押圧することにより、接続部材４３とヒータ小棒４１，４２とを接触させた状態を維持し、固定することにしてもよい。
【００４３】
なお、下段側のヒータ小棒４１の上端部と上段側のヒータ小棒４２の下端部の先端部の断面は、円形や角形でも良いが、接続部材４３の挿通孔４３ａは、先端部の形状に合わせて円形や角形（例えば、四角孔）で形成され、強固に固定される。なお、固定ビスを２個以上使用して、接続部材４３の異なる側面側から固定ビスでヒータ小棒４１，４２の先端側面部を押圧して固定してもよい。
【００４４】
また、上記実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、図５に示すように、各ヒータ芯棒４０の間を接続する連結部材４４を、ナット４７で締め付けることにより、基端側のナット４７と先端側のナット４７の間に連結部材４４を挟んで固定することとしていたが、連結部材４４とヒータ芯棒４０との固定手段はこれに限定されない。図示は省略するが、例えば固定ビスを用いて、連結部材４４の挿通孔４４ａの内周面に、連結部材４４の側面より上段側のヒータ小棒４２の側面を押圧することにより、連結部材４４と上段側のヒータ小棒４２とを接触させた状態を維持し、固定することにしてもよい。
【００４５】
この場合、上段側のヒータ小棒４２の先端部は、中腹部よりも縮小された円形または角形（例えば、四角形）に形成されており、連結部材４４の挿通孔４４ａは、ヒータ小棒４２の先端部の形状に合わせて円形や角形（例えば、四角孔）で形成され、強固に固定される。なお、固定ビスを２個以上使用して、連結部材４４の異なる側面側から固定ビスでヒータ小棒４２の先端側面部を押圧して固定してもよい。
【００４６】
以上、本発明の実施形態である多結晶シリコン反応炉について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１  基台
２  ベルジャ
４  ヒータ
５Ａ  接続用部材（シリコン芯棒が取り付けられる接続用部材）
５Ｂ  接続用部材（ヒータが取り付けられる接続用部材）
１０  上面
３１  シリコン芯棒
３４  連結部材
４０，４０Ｓ  ヒータ芯棒
４１  下段側のヒータ小棒
４２  上段側のヒータ小棒
４３  接続部材
４４  連結部材
５１  ホルダ部
５２，５６  保持部
５５  電極
５８  固定ビス
７５，７６，７７  ヒータ小棒
１００  多結晶シリコン反応炉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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