(57)【要約】【課題】被剥離層に汚染物質が付着するのを抑制して剥離し得るようにする。【解決手段】透明な基板と、レーザ光を照射するレーザ照射光学系とを相対的に移動しながら、基板表面の犠牲層５に前記基板の裏面側からレーザ光を照射し、前記基板の表面に形成された被剥離層を剥離するレーザリフトオフ装置であって、前記レーザ照射光学系は、前記犠牲層５に対して、照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射可能に構成されたものである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板と、レーザ光を照射するレーザ照射光学系とを相対的に移動しながら、基板表面の被照射領域に前記基板の裏面側からレーザ光を照射し、前記基板の表面に形成された被剥離層を剥離するレーザリフトオフ装置であって、
前記レーザ照射光学系は、前記被照射領域に対して、照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射可能に構成されたことを特徴とするレーザリフトオフ装置。
【請求項２】
前記レーザ照射光学系は、光透過率の異なる少なくとも二つの領域を相対的な基板搬送方向に有する開口窓を設けた遮光マスクと、前記開口窓を前記被照射領域に反転結像するレンズとを備え、
前記開口窓の光透過率は、相対的な前記基板搬送方向上流側の領域よりも下流側の領域の方が低いことを特徴とする請求項１記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項３】
前記少なくとも二つの領域の光透過率は、階段状に変化することを特徴とする請求項２記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項４】
相対的な前記基板搬送方向下流側の領域の光透過率は、相対的な前記基板搬送方向下流側から上流側に向かって漸増することを特徴とする請求項２記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項５】
前記レーザ照射光学系は、基板搬送方向に並べて配置した強度の異なるレーザ光を発光する複数のレーザ照射光学系から成り、前記被照射領域に対して、強度の小さいレーザ光を発光するレーザ照射光学系による照射に続いて、強度の大きいレーザ光を発光するレーザ照射光学系により照射可能に構成されたことを特徴とする請求項１記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項６】
前記基板と前記レーザ照射光学系とが相対的に往復搬送されるように構成され、
前記レーザ照射光学系は、基板搬送方向に並べて配置した第１及び第２のレーザ照射光学系から成り、相対的な基板搬送方向上流側に位置するレーザ照射光学系による照射強度を下流側に位置するレーザ照射光学系による照射強度よりも小さくなるように、前記第１及び第２のレーザ照射光学系の照射強度を往路及び復路で反転させることを特徴とする請求項１記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項７】
前記基板と前記被剥離層との間には、前記レーザ光の照射により気体を発生する犠牲層が設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザリフトオフ装置。
【請求項８】
透明な基板の裏面側からレーザ照射光学系によりレーザ光を照射して前記基板上に形成された被剥離層を前記基板から剥離するレーザリフトオフ方法であって、
前記基板を前記レーザ照射光学系に対して相対的に移動しながら、基板表面の全被照射領域に対して照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射することを特徴とするレーザリフトオフ方法。
【請求項９】
前記基板と前記被剥離層との間には、前記レーザ光の照射により気体を発生する犠牲層が設けられていることを特徴とする請求項８記載のレーザリフトオフ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明な基板上に形成された被剥離層を基板から剥離するレーザリフトオフ装置に関し、特に被剥離層に汚染物質が付着するのを抑制して剥離し得るようにするレーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のレーザリフトオフ装置は、非晶質シリコンよりなる光吸収層と金属薄膜よりなる反射層との積層体である分離層及び被剥離層が積層形成された透光性の基板の裏面側からレーザ光を照射し、光吸収層にアブレーションを起こさせて、分離層に剥離を生ぜしめ、被剥離層を基板から離脱させるものとなっていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この場合、レーザ光の照射強度は、光吸収層にアブレーションを生じさせるのに必要な剥離閾値以上であり、光吸収層の温度上昇により大量の汚染物質が発生する汚染閾値以下となるように制御する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような従来のレーザリフトオフ装置においては、剥離閾値を超える大きさのレーザ光が一度に照射されるため、光吸収層に急激な温度上昇が生じて一時に大量の気体が発生し、その結果、光吸収層の一部も基板から剥離して被剥離層に付着し、被剥離層を汚染させるおそれがあった。このため、従来のレーザリフトオフ装置においては、上記汚染閾値が低くなっていた。
【０００６】
したがって、従来のレーザリフトオフ装置においては、レーザ光の照射強度における剥離閾値から汚染閾値間のプロセスマージンが狭くなり、被剥離層の汚染を抑制するのが難しいという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、被剥離層に汚染物質が付着するのを抑制して剥離し得るようにするレーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明によるレーザリフトオフ装置は、透明な基板と、レーザ光を照射するレーザ照射光学系とを相対的に移動しながら、基板表面の被照射領域に前記基板の裏面側からレーザ光を照射し、前記基板の表面に形成された被剥離層を剥離するレーザリフトオフ装置であって、前記レーザ照射光学系は、前記被照射領域に対して、照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射可能に構成されたものである。
【０００９】
また、本発明によるレーザリフトオフ方法は、透明な基板の裏面側からレーザ照射光学系によりレーザ光を照射して前記基板上に形成された被剥離層を前記基板から剥離するレーザリフトオフ方法であって、前記基板を前記レーザ照射光学系に対して相対的に移動しながら、基板表面の全被照射領域に対して照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板表面の全被照射領域に対して照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射による予備加熱に続いて強度の大きいレーザ光の照射による本加熱をするようにしているので、被照射領域の急激な温度上昇を抑えることができる。したがって、汚染物質が一気に発生して被剥離層を汚染するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるレーザリフトオフ装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】被剥離層の一構成例を示す模式図である。
【図３】遮光マスクの一構成例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面図である。
【図４】上記遮光マスクの開口窓の第１及び第２の領域の光透過率を示す説明図であり、（ａ）は第２の領域の光透過率が徐々に変化することを示し、（ｂ）は第２の領域の光透過率が階段状に変化することを示している。
【図５】上記第１の実施形態によるレーザリフトオフ方法を示す説明図である。
【図６】犠牲層から放出される水素量について、本発明と従来技術とを比較して示すグラフである。
【図７】従来技術によるレーザリフトオフ方法を示す説明図である。
【図８】本発明によるレーザリフトオフ装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。
【図９】上記第２の実施形態によるレーザリフトオフ方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるレーザリフトオフ装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。このレーザリフトオフ装置は、透明な基板上に形成された被剥離層を基板から剥離するもので、搬送手段１と、レーザ照射光学系２と、を備えて構成されている。
【００１３】
なお、ここでは、図２に示すように、ガラス（石英を含む）又はサファイア等の、可視光を透過する透明な基板３の表面と被剥離層４との間に、レーザ光の照射により気体を発生する犠牲層５として、例えば水素を含有するアモルファスシリコン膜が設けられている場合について説明する。
【００１４】
上記搬送手段１は、表面に被剥離層４が形成された透明な基板３を保持して一方向（矢印Ａ方向）に一定速度で搬送するものであり、公知の基板搬送機構を適用することができる。ここでは、上記搬送手段１は、上記被剥離層４側が下側となるように基板３を保持して搬送するものである場合について説明する。なお、被剥離層４が上側となるようにして基板３を搬送する場合には、後述のレーザ照射光学系２は、搬送手段１の搬送面の下側に配置される。
【００１５】
上記搬送手段１の搬送面の上方には、レーザ照射光学系２が設けられている。このレーザ照射光学系２は、搬送手段１によって搬送中の基板３に対して該基板３の裏面側からレーザ光を照射するものであり、照射強度の異なるレーザ光のうち、強度の小さいレーザ光の照射に続いて強度の大きいレーザ光を照射可能に構成されている。
【００１６】
詳細には、レーザ照射光学系２は、レーザ光源６と、カップリング光学系７と、遮光マスク８と、対物レンズ９とを、レーザ光の進行方向上流から下流に向かってこの順に配置して構成されている。
【００１７】
上記レーザ光源６は、上記犠牲層５の温度を上昇させるのに十分なエネルギーを有する、例えば波長が１００ｎｍ〜１２００ｎｍのうちから選択された所望の波長のレーザ光をパルス発光するもので、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ等である。
【００１８】
上記カップリング光学系７は、レーザ光源６から放出されたレーザ光のビーム径を拡張すると共に、ビーム径内の輝度分布を均一にした後、後述の遮光マスク８に平行光を照射するようにしたもので、ビームエキスパンダ、フォトインテグレータ及びコンデンサレンズを含むものである。なお、コンデンサレンズは、直交２軸方向に集光する球面レンズであっても、１軸方向に集光するシリンドリカルレンズであってもよい。シリンドリカルレンズの場合には、レンズは、その円柱軸が上記基板搬送方向と交差するように配置される。
【００１９】
上記遮光マスク８は、本発明の技術的特徴を成す部分であり、光透過率の異なる少なくとも二つの領域（本実施形態においては、図３に示すように、第１の領域１０ａと第２の領域１０ｂとを有する場合について説明する。）を基板搬送方向に有する開口窓１０を設けたもので、開口窓１０の光透過率が基板搬送方向上流側の第１の領域１０ａよりも下流側の第２の領域１０ｂの方が低くなるように形成されている。
【００２０】
詳細には、上記遮光マスク８は、図３（ｂ）に示すように石英等のレーザ光を透過するガラス基板１１上に設けたクロム（Ｃｒ）等の遮光膜１２に、同図（ａ）に示すように、例えば基板搬送方向（矢印Ａ方向）と交差する方向に長軸を有する矩形状の開口窓１０を設けたもので、第１の領域１０ａは完全に開口し、第２の領域１０ｂは第１の領域１０ａに対して所定の減光率で減光処理が施されている。即ち、この減光処理は、上記開口窓１０の第１の領域１０ａを透過し、基板表面の被照射領域（犠牲層５）に照射するレーザ光の強度が剥離閾値以上で、汚染閾値未満に設定されているとき、第２の領域１０ｂを透過して被照射領域に照射するレーザ光の強度が剥離閾値未満となるように施される。
【００２１】
より詳細には、第２の領域１０ｂを透過するレーザ光の強度は、剥離閾値未満で且つ犠牲層５から該犠牲層５に含まれる気体の一部を放出可能な値に設定される。この設定は、適宜、実験により適切な値に決定される。
【００２２】
第２の領域１０ｂの減光処理は、図４（ａ）に示すように、基板搬送方向下流から上流に向かって光透過率が漸増するように変化させて形成してもよく、同図（ｂ）に示すように、階段状に変化させて形成してもよい。
【００２３】
上記減光処理の具体例は、図４（ａ）に示すように、光透過率を漸増するように変化させるときには、第２の領域１０ｂ内の遮光膜１２に設けた、例えばスリット幅を第１の領域１０ａから離れるに従って徐々に狭くなるように変化させて形成するとよい。又は、第２の領域１０ｂ内のストライプ状又は円形状の遮光膜１２の配置面積を第１の領域１０ａから離れるに従って徐々に広くなるように変化させて形成してもよく、公知の技術を適用することができる。
【００２４】
また、図４（ｂ）に示すように、光透過率を階段状に変化させるときには、所定の光透過率が得られるように、遮光膜１２を所定の厚みに形成すればよい。
【００２５】
なお、第２の領域１ｂの減光処理は、第１の領域１ａを透過したレーザ光の照射エネルギーと第２の領域１ｂを透過したレーザ光の照射エネルギーとが同じになるよう設定して行ってもよい。
【００２６】
上記対物レンズ９は、上記遮光マスク８の開口窓１０を被照射領域としての上記犠牲層５に反転結像するものであり、直交２軸方向に集光する球面レンズであっても、１軸方向に集光するシリンドリカルレンズであってもよい。シリンドリカルレンズの場合には、レンズは、その円柱軸が上記基板搬送方向と交差するように配置される。
【００２７】
このように、上記遮光マスク８の開口窓１０が対物レンズ９により犠牲層５に反転結像されるから、図４（ａ）に示すように、第２の領域１０ｂの光透過率が基板搬送方向下流側から上流側に向かって漸増するものである場合には、同図（ａ）の右側に示すように、第２の領域１０ｂに対応して犠牲層５に照射されるレーザ光の照射強度は、基板搬送方向上流側から下流側に向かって漸増するものとなる。
【００２８】
また、図４（ｂ）に示すように開口窓１０の光透過率が、階段状に変化するものである場合には、同図（ｂ）の右側に示すように、開口窓１０に対応して犠牲層５に照射されるレーザ光の照射強度は、基板搬送方向上流側の方が下流側よりも弱いものとなる。
【００２９】
次に、このように構成されたレーザリフトオフ装置の動作、及び本装置を用いたレーザリフトオフ方法について説明する。
基板表面に犠牲層５及び被剥離層４をこの順に積層形成した透明な基板３を基板表面が搬送手段１の搬送面側となるように搬送手段１に保持して、基板３を図１に示す矢印Ａ方向に搬送を開始する。なお、ここでは、犠牲層５が水素を含有するアモルファスシリコン膜である場合について説明する。
【００３０】
次に、レーザ照射光学系２に対して基板搬送方向上流側の位置で、図示省略の撮像手段により、上記基板３を裏面側から透過して基板表面の被照射領域（犠牲層５）を撮影し、その撮影画像に基づいて図示省略の制御手段で、上記被照射領域の基板搬送方向下流側の端部を検出する。
【００３１】
被照射領域の基板搬送方向下流側の端部が検出されると、それをトリガーとして制御手段においては、基板３の移動距離が演算される。そして、基板３が予め定められた所定距離だけ移動して上記被照射領域の基板搬送方向下流側の端部が、図５（ｂ）に示すように遮光マスク８に設けられた開口窓１０の第２の領域１０ｂの結像にて、基板搬送方向上流側端部（同図（ａ）に示す予備加熱領域の基板搬送方向上流側端部に相当）に合致すると、レーザ光源６が所定の時間間隔でパルス発光し、レーザ光源６からレーザ光が放出される。
【００３２】
レーザ光は、カップリング光学系７によりビーム径が拡大され、強度分布が均一化された後、平行光とされて遮光マスク８に照射する。
【００３３】
遮光マスク８に照射したレーザ光は、遮光マスク８の開口窓１０によりビームの断面形状が基板搬送方向と交差する方向に長軸を有するストライプ状に整形されて遮光マスク８を射出する。そして、遮光マスク８を射出したレーザ光は、対物レンズ９により基板表面の被照射領域（犠牲層５）に集光されるように透明な基板３を裏面側から透過する。この場合、遮光マスク８を射出したレーザ光は、開口窓１０の減光処理が施された第２の領域１０ｂを通過した部分の強度が第１の領域１０ａを通過した部分の強度よりも小さくなる。
【００３４】
基板３は一定の速度で搬送されており、レーザ光源６は、所定の時間間隔でパルス発光している。この場合、基板３の搬送速度は、少なくとも１回のパルス発光時間内に、基板３が遮光マスク８の開口窓１０の結像において、第２の領域１０ｂに対応した部分（図５（ａ）に示す予備加熱領域）の基板搬送方向の幅と同寸法だけ移動するように設定されている。
【００３５】
図５は、レーザ光源６が１回発光する間に、基板３が上記予備加熱領域の基板搬送方向の幅と同寸法だけ移動する場合を示している。図５（ａ）は被照射領域に照射されるレーザ光の強度分布を示し、同図（ｂ）〜（ｄ）は、基板３が搬送されることにより時間変化する被照射領域の位置を示している。
【００３６】
図５（ｂ）に示すように、基板３の被照射領域（犠牲層５）の基板搬送方向下流側端部が予備加熱領域の基板搬送方向上流側端部に合致すると、レーザ光源６が１回目のレーザ発光をする。この１回目のレーザ発光時間内に、基板３は、予備加熱領域の基板搬送方向の幅と同じ寸法だけ移動する。したがって、被照射領域は、同図（ｃ）に示すように基板搬送方向下流側の端部領域５ａが開口窓１０の第２の領域１０ｂを通過したレーザ光により照射される。この場合、第２の領域１０ｂを通過するレーザ光の照射強度は、剥離閾値未満に設定されているため、被照射領域の上記端部領域５ａの犠牲層５は、予備的に加熱されるだけで剥離しない。このとき、図６に破線Ｉで示すように、犠牲層５から該犠牲層５に含有される気体の一部が放出される。なお、この場合、端部領域５ａには、１回目（１ショット目）のレーザ光の照射がなされるから、図６において、ｎはゼロとなる。
【００３７】
引き続いて、基板３が搬送され、図５（ｄ）に示すように被照射領域が予備加熱領域の基板搬送方向の幅と同じ寸法だけ移動すると、レーザ光源６が２回目（２ショット目）のパルス発光をする。これにより、被照射領域の上記端部領域５ａが開口窓１０の第１の領域１０ａを通過したレーザ光により照射される。即ち、これは、被照射領域の上記端部領域５ａが図５（ａ）に示す加熱領域内に位置した状態である。この場合、第１の領域１０ａを通過するレーザ光の照射強度は、剥離閾値以上で、汚染閾値未満に設定されているため、被照射領域の上記端部領域５ａの犠牲層５が本加熱され、該犠牲層５に含有される気体の残りの部分、若しくは残りの一部が放出され、同端部領域５ａの犠牲層５が剥離可能となる。また、被照射領域の上記端部領域５ａに続く後続領域５ｂは、上記第２の領域１０ｂを通過した２回目のパルス発光のレーザ光により１回目の照射を受け、予備加熱される。
【００３８】
以降、基板３の搬送に伴って、全被照射領域が開口窓１０の第２の領域１０ｂを通過したレーザ光により予備加熱された後、第１の領域１０ａを通過したレーザ光により本加熱される。このようにして、犠牲層５全面にレーザ光が照射されることにより、犠牲層５から気体が放出されて被剥離層４の剥離が可能となる。
【００３９】
図７は従来技術によるレーザリフトオフ方法を示す説明図である。この場合、被照射領域に照射されるレーザ光の強度は、剥離閾値以上で、汚染閾値未満に設定されている。なお、ここでは、基板３が図５に示す本発明の場合と同じ速度で搬送されている場合について説明する。
【００４０】
先ず、図７（ｂ）に示すように、被照射領域の基板搬送方向下流側の端部が遮光マスク８の開口窓１０の結像の基板搬送方向上流側端部に合致してから、同図（ｃ）に示すように、本発明の上記予備加熱領域の基板搬送方向の幅と同じ寸法だけ移動する間に、レーザ光源６が１回目のパルス発光をする。これにより、被照射領域の基板搬送方向下流側の端部領域５ａが開口窓１０を通過したレーザ光により本加熱され、同端部領域５ａの犠牲層５から気体が放出される。この場合、被照射領域の上記端部領域５ａは、照射強度が剥離閾値以上で、汚染閾値未満の高強度のレーザ光により一度に本加熱されるため、同端部領域５ａに急激な温度上昇が発生し、図６に実線Ｃで示すように、犠牲層５から大量の気体（水素）が一時に放出される。したがって、気体の大量放出により犠牲層５の一部も基板３から剥離して被剥離層４に付着し、被剥離層４を汚染することになる。
【００４１】
図７（ｄ）は、同図（ｃ）の状態から基板３がさらに搬送され、レーザ光源６が２回目のパルス発光をした状態を示す。この場合、被照射領域の上記端部領域５ａが２回目のレーザ照射を受けて本加熱される。このとき、犠牲層５から放出される気体の放出量は、図６に示すように、低下する。これは、犠牲層５に含まれる気体の大部分が１回目のレーザ照射により放出されるためである。
【００４２】
なお、被照射領域の上記端部領域５ａに続く後続領域５ｂは、２回目にパルス発光したレーザ光により１回目の照射を受けて本加熱され、同後続領域５ｂに急激な温度上昇が生じて犠牲層５から大量の気体が放出されることになる。これにより、上記と同様に、上記後続領域５ｂに対応した被剥離層４の部分が汚染することになる。
【００４３】
このように、本発明によれば、被照射領域が予備加熱に続いて本加熱されるようになっているため、従来技術と違って、急激な温度上昇が抑えられ、犠牲層５から一時に放出される気体の放出量を抑制することができる。したがって、被剥離層４の汚染を抑制することができ、汚染閾値を上げて、剥離閾値≦ＰＭ≦汚染閾値のプロセスマージンＰＭを広げることができる。
【００４４】
なお、基板３が遮光マスク８の開口窓１０の結像において、第２の領域１０ｂに対応した部分の基板搬送方向の幅と同寸法だけ移動する間にレーザ光源６が複数回パルス発光するようにしてもよい。この場合、遮光マスク８の開口窓１０の結像にて、被照射領域の上記第２の領域１０ｂに対応した領域が第２の領域１０ｂを通過したレーザ光により複数回のレーザ照射を受けて予備加熱された後、開口窓１０の第１の領域１０ａを通過したレーザ光により本加熱されるため、同領域の急激な温度上昇が抑えられ、同領域から一度に放出される気体の放出量が抑制される。したがって、この場合も被剥離層４の汚染を抑制することができる。
【００４５】
また、上記実施形態においては、レーザ照射光学系２が光透過率の異なる少なくとも二つの領域を基板搬送方向に有する開口窓１０を設けた遮光マスク８を備えている場合について説明したが、本発明はこれに限られず、レーザ照射光学系２は、基板搬送方向に並べて配置した強度の異なるレーザ光を発光する複数のレーザ照射光学系から成り、被照射領域に対して、強度の小さいレーザ光を発光するレーザ照射光学系による照射に続いて、強度の大きいレーザ光を発光するレーザ照射光学系により照射可能に構成されてもよい。
【００４６】
図８は本発明によるレーザリフトオフ装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。ここでは、第１の実施形態と異なる部分について説明する。
第２の実施形態は、第１及び第２のレーザ照射光学系２Ａ，２Ｂを基板搬送方向に並べて配置し、基板を往復搬送してリフトオフ動作を行うレーザリフトオフ装置であり、往路では、第１のレーザ照射光学系２Ａによる照射強度を第２のレーザ照射光学系２Ｂによる照射強度よりも小さくして照射し、復路では逆に、第２のレーザ照射光学系２Ｂによる照射強度を第１のレーザ照射光学系２Ａによる照射強度よりも小さくして照射するように、各レーザ照射光学系を制御している。
【００４７】
この場合、図９に示すように、第１及び第２のレーザ照射光学系２Ａ，２Ｂによる照射エネルギー（積分量）が同じになるように、レーザ光のピーク値とパルス幅を設定してもよい。例えば、基板搬送方向上流側に位置するレーザ照射光学系（予備加熱用）は、ピーク値が低く、パルス幅が広いレーザ光を発生するようにレーザ光源の発光を制御し、逆に、基板搬送方向下流側に位置するレーザ照射光学系（加熱用）は、ピーク値が高く、パルス幅が狭いレーザ光を発生するようにレーザ光源の発光を制御するとよい。これにより、予備加熱用レーザ照射で犠牲層５の水素濃度を低下させ、加熱用レーザ照射で気体の大量発生を抑制して剥離を行うことができる。
【００４８】
なお、上記実施形態においては、被剥離層４と基板３との間に犠牲層５を有する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、被剥離層４が、例えばＧａＮ層のようにレーザ光の照射により基板３との界面が分解して剥離可能となるものであれば、犠牲層５はなくてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態においては、レーザ照射光学系２を固定した状態で基板３を搬送する場合について説明したが、基板３を固定してレーザ照射光学系２又は第１及び第２のレーザ照射光学系２Ａ，２Ｂを移動してもよいし、両者を互いに反対方向に移動してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１…搬送手段
２…レーザ照射光学系
２Ａ…第１のレーザ照射光学系
２Ｂ…第２のレーザ照射光学系
３…基板
４…被剥離層
５…犠牲層
６…レーザ光源
８…遮光マスク
１０…開口窓
１０ａ…第１の領域
１０ｂ…第２の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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