(57)【要約】【課題】樹脂層の凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去する際の凹凸パターンの形状の崩れを抑制することができる、構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、光硬化性樹脂組成物を基材上に塗布して被転写層を形成する被転写層形成工程と、被転写層にモールドを押し付けた状態で前記被転写層に活性エネルギー線を照射して前記被転写層を硬化させることによって凹凸パターンを有する樹脂層を形成する凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層に対してアッシングを行って、前記樹脂層のうち前記凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去するアッシング工程を備え、前記光硬化性樹脂組成物は、光重合性のモノマーを含有し、前記モノマーの平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上である、構造体の製造方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化性樹脂組成物を基材上に塗布して被転写層を形成する被転写層形成工程と、
被転写層にモールドを押し付けた状態で前記被転写層に活性エネルギー線を照射して前記被転写層を硬化させることによって凹凸パターンを有する樹脂層を形成する凹凸パターン形成工程と、
前記樹脂層に対してアッシングを行って、前記樹脂層のうち前記凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去するアッシング工程を備え、
前記光硬化性樹脂組成物は、光重合性のモノマーを含有し、
前記モノマーの平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上である、構造体の製造方法。
【請求項２】
前記アッシング工程の後に前記樹脂層を覆い且つ前記凹部を充填するように無機材料層を形成する無機材料層形成工程と、
前記無機材料層のうち前記樹脂層上に存在する余剰部分を除去する余剰部分除去工程と、
前記余剰部分除去工程の後に前記樹脂層を除去する樹脂層除去工程を備える、請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記平均Ｃ／Ｈ比が１．００以上である、請求項１又は請求項２に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記モノマーは、芳香環を含む、請求項１〜請求項３の何れか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記モノマーは、複数の芳香環を含む、請求項１〜請求項４の何れか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記複数の芳香環の何れか２つが直接結合されている、請求項５に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記複数の芳香環の何れか２つが１つの介在原子を介して結合されている、請求項５又は請求項６に記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
前記モノマーは、（メタ）アクリレートモノマーである、請求項１〜請求項７の何れか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項９】
前記アッシングは、ガスプラズマアッシングである、請求項１〜請求項８の何れか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記凹凸パターンは、ラインアンドスペース形状、ピラー形状、又はホール形状である、請求項１〜請求項９の何れか１つに記載の構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光インプリント用のレジストで形成されたレジスト層に対してモールドを押し付けて凹凸パターンを形成し、凹凸パターンの凹部に位置する残膜をアッシングによって除去する工程が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−５４３１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レジスト層の凹凸パターンは、その後のパターニング工程で利用されるが、残膜除去のためのアッシング工程でパターン形状がくずれてしまい、その後のパターニングの精度が低下する場合があるという問題がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、樹脂層の凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去する際の凹凸パターンの形状の崩れを抑制することができる、構造体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、光硬化性樹脂組成物を基材上に塗布して被転写層を形成する被転写層形成工程と、被転写層にモールドを押し付けた状態で前記被転写層に活性エネルギー線を照射して前記被転写層を硬化させることによって凹凸パターンを有する樹脂層を形成する凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層に対してアッシングを行って、前記樹脂層のうち前記凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去するアッシング工程を備え、前記光硬化性樹脂組成物は、光重合性のモノマーを含有し、前記モノマーの平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上である、構造体の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明者は、鋭意検討を行ったところ、被転写層を形成するための光硬化性樹脂組成物に含まれるモノマーの平均Ｃ／Ｈ比を０．９５以上にすることによって、残膜除去アッシングの際の凹凸パターンの形状の崩れを大幅に抑制することができることを見出し、本発明の完成に到った。
【０００８】
以下、本発明の種々の実施形態を例示する。以下に示す実施形態は、互いに組み合わせ可能である。
好ましくは、前記アッシング工程の後に前記樹脂層を覆い且つ前記凹部を充填するように無機材料層を形成する無機材料層形成工程と、前記無機材料層のうち前記樹脂層上に存在する余剰部分を除去する余剰部分除去工程と、前記余剰部分除去工程の後に前記樹脂層を除去する樹脂層除去工程を備える。  好ましくは、前記平均Ｃ／Ｈ比が１．００以上である。  好ましくは、前記モノマーは、芳香環を含む。  好ましくは、前記モノマーは、複数の芳香環を含む。  好ましくは、前記複数の芳香環の何れか２つが直接結合されている。  好ましくは、前記複数の芳香環の何れか２つが１つの介在原子を介して結合されている。  好ましくは、前記モノマーは、（メタ）アクリレートモノマーである。  好ましくは、前記アッシングは、ガスプラズマアッシングである。  好ましくは、前記凹凸パターンは、ラインアンドスペース形状、ピラー形状、又はホール形状である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態の構造体の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。以下に示す実施形態中で示した各種特徴事項は、互いに組み合わせ可能である。また、各特徴事項について独立して発明が成立する。
【００１１】
本発明の一実施形態の構造体の製造方法は、被転写層形成工程と、凹凸パターン形成工程と、アッシング工程と、無機材料層形成工程と、余剰部分除去工程と、樹脂層除去工程を備える。
以下、各工程について詳細に説明する。
【００１２】
（１）被転写層形成工程
この工程では、図１（ａ）に示すように、光硬化性樹脂組成物を基材１上に塗布して被転写層２を形成する。
【００１３】
基材１の材質は、特に限定されないが、樹脂基材、石英基材、サファイア基材などの透明基材であることが好ましく、可撓性の観点から樹脂基材であることが好ましく、剛性の観点からは石英基材、サファイア基材であることが好ましい。樹脂基材を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、環状ポリオレフィンおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選ばれる１種からなるものである。
【００１４】
光硬化性樹脂組成物は、光重合性のモノマーと、光重合開始剤を含有し、活性エネルギー線の照射によって硬化する性質を有する。
【００１５】
上記モノマーは、平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上である。Ｃ／Ｈ比とは、モノマーに含まれる炭素原子数を水素原子数で割った値である。光硬化性樹脂組成物が１種類のモノマーを含む場合、そのモノマーのＣ／Ｈ比が平均Ｃ／Ｈ比である。一方、光硬化性樹脂組成物が複数種類のモノマーを含む場合、平均Ｃ／Ｈ比は、各モノマーのＣ／Ｈ比を質量比で平均した値である。例えば、光硬化性樹脂組成物がＣ／Ｈ比が１．１のモノマー１とＣ／Ｈ比が０．９５のモノマー２を質量比３：７で含む場合、平均Ｃ／Ｈ比は、０．３×１．１＋０．７×０．９５＝０．９９５となる。
【００１６】
平均Ｃ／Ｈ比は、この光硬化性樹脂組成物を用いて形成された樹脂層４（図１（ｃ）に図示）の耐アッシング性の尺度となる値であり、平均Ｃ／Ｈ比が大きいほど、樹脂層４の耐アッシング性が高くなり、樹脂層４に対してアッシングを行っても樹脂層４の凹凸パターン５の形状の崩れが起こりにくくなり、寸法精度に優れた構造体８（図１（ｇ）に図示）を製造しやすくなる。平均Ｃ／Ｈ比の上限は、特に規定されないが、例えば、１．８である。平均Ｃ／Ｈ比は、具体的には例えば、０．９５、１．００、１．０５、１．１０、１．１５、１．２０、１．２５、１．３０、１．３５、１．４０、１．４５、１．５０、１．５５、１．６０、１．６５、１．７０、１．７５、１．８０であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００１７】
光硬化性樹脂組成物が複数種類のモノマーを含む場合、少なくとも１種のモノマーのＣ／Ｈ比が０．９５以上であればよく、全種類のモノマーのＣ／Ｈ比が０．９５以上であることが好ましい。光硬化性樹脂組成物に含まれるモノマー中の、Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーの質量比は、０．５以上であることが好ましく、０．８以上であることがさらに好ましく、１であることがさらに好ましい。この質量比は、具体的には例えば、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００１８】
Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーとしては、芳香環を含むものが好ましく、複数の芳香環を含むものがさらに好ましく、４つ以上の芳香環を含むものがさらに好ましい。芳香環内の各炭素原子には１又は０の水素原子が結合されるので、モノマーに含まれる芳香環の数が増えるほど、Ｃ／Ｈ比が大きくなりやすいからである。芳香環は、単環であっても多環であってもよい。芳香環は、炭化水素であっても、ヘテロ原子を含んでいてもよい。芳香環を構成する原子数は、５〜１４が好ましく、６がさらに好ましい。芳香環は、ベンゼン環であることが好ましい。芳香環に含まれる炭素原子に結合する水素原子は、無置換であるか、又は酸素原子、炭素原子、若しくは窒素原子に置換されていることが好ましい。各芳香環の置換数は、３以下が好ましく、１又は２が好ましい。
【００１９】
また、モノマーに複数の芳香環が含まれる場合、そのうちの何れか２つは、直接結合されているか、１つの介在原子を介して結合されていることが好ましい。このような場合に、Ｃ／Ｈ比が大きくなりやすいからである。介在原子としては、酸素原子、炭素原子、窒素原子などが挙げられる。また、Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーは、（メタ）アクリレートモノマーであることが好ましい。（メタ）アクリレートモノマーは、単官能であっても多官能であってもよい。なお、本明細書において、（メタ）アクリレートはメタクリレートおよび／またはアクリレートを意味する。Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーとしては、メタクリル酸１-ピレニルメチル、o-フェニルフェノールＥＯアクリレート、ｍ−フェノキシベンジルアクリレート、ベンジルアクリレートが例示される。
【００２０】
光重合開始剤は、モノマーの重合を促進するために添加される成分であり、前記モノマー１００質量部に対して０．１質量部以上含有されることが好ましい。光重合開始剤の含有量の上限は、特に規定されないが、例えば前記モノマー１００質量部に対して２０質量部である。
【００２１】
光硬化性樹脂組成物は、溶剤、重合禁止剤、連鎖移動剤、酸化防止剤、光増感剤、充填剤、レベリング剤等の成分を光硬化性樹脂組成物の性質に影響を与えない範囲で含んでいてもよい。
【００２２】
光硬化性樹脂組成物は、上記成分を公知の方法で混合することにより製造することができる。光硬化性樹脂組成物は、スピンコート、スプレーコート、バーコート、ディップコート、ダイコートおよびスリットコート等の方法で基材１上に塗布して被転写層２を形成することが可能である。
【００２３】
（２）凹凸パターン形成工程
この工程では、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、被転写層２にモールド３を押し付けた状態で被転写層２に活性エネルギー線Ｅを照射して被転写層２を硬化させることによって凹凸パターン５を有する樹脂層４を形成する。「活性エネルギー線」は、ＵＶ光、可視光、電子線などの、光硬化性樹脂組成物を硬化可能なエネルギー線の総称である。
【００２４】
モールド３には、凹凸パターン５の反転パターン５ｒが形成されている。パターン５，５ｒは、一定の周期で繰り返す凹凸状の微細形状パターンであることが好ましい。パターン５，５ｒの周期は、５０ｎｍ〜２０μｍであることが好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍであることがさらに好ましい。この周期は、具体的には例えば、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ、２μｍ、５μｍ、１０μｍ、２０μｍであり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。パターン５，５ｒの高さは、１０ｎｍ〜５００μｍであることが好ましく、３０ｎｍ〜１０μｍであることがさらに好ましい。この高さは、具体的には例えば、１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ、２μｍ、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、５００μｍであり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００２５】
パターン５，５ｒの具体的な形状としては、ラインアンドスペース形状、ピラー形状、又はホール形状が挙げられる。モールド３の種類は特に限定されないが、例えば、樹脂製モールド、ニッケル製モールドなどが利用可能である。モールド３を被転写層２に押し付ける圧力は、反転パターン５ｒの形状を被転写層２に転写可能な圧力であればよい。被転写層２へ照射する活性エネルギー線Ｅは、被転写層２が十分に硬化する程度の積算光量で照射すればよく、積算光量は、例えば１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２である。活性エネルギー線Ｅの照射によって、被転写層２が硬化されて、凹凸パターン５を有する樹脂層４が形成される。本実施形態では、基材１側から活性エネルギー線Ｅの照射を行っているが、モールド３側から活性エネルギー線Ｅの照射を行ってもよい。
【００２６】
活性エネルギー線Ｅの照射の後、図１（ｃ）に示すように、モールド３を取り外す。この状態では、図１（ｃ）に示すように、樹脂層４の凹凸パターン５の凹部５ａには残膜７が残っている。残膜７が残った状態で図１（ｅ）に示す無機材料層６を形成すると、無機材料層６が基材１から剥離されやすくなるので、残膜７は確実に除去する必要がある。残膜７の除去は、ウェットエッチングなどによっても行うことができるが、ウェットエッチングでは、凹凸パターン５の形状の崩れが発生しやすいので、本実施形態では、次に述べるアッシングを行っている。
【００２７】
（３）アッシング工程
この工程では、図１（ｃ）〜図１（ｄ）に示すように、樹脂層４に対してアッシングを行って、樹脂層４のうち凹凸パターン５の凹部５ａに存在する残膜７を除去する。
【００２８】
残膜７を除去するためのアッシングの際に、凹凸パターン５の凸部５ｂの側面が浸食されることによって凹凸パターン５の形状が崩れやすいが、本実施形態では、平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーを含む光硬化性樹脂組成物を用いることによって、凹凸パターン５の形状の崩れを最小限にしている。残膜７の除去は、基材１が露出されるように行うことが好ましい。
【００２９】
アッシングは、ガスプラズマアッシングであることが好ましく、酸素ガスプラズマアッシングであることがさらに好ましい。
【００３０】
アッシングの時間は、残膜７の厚さとアッシングレートから求まる必要処理時間だけ行えばいいが、残膜７をより確実に除去すべく、上記の必要処理時間よりも５〜１５秒長くアッシングを行うことが好ましい。
【００３１】
ここまでの工程によって、図１（ｄ）に示すように、凹凸パターン５を有する樹脂層４が基材１上に設けられた構造体が得られる。この構造体は、例えば、親水性部材、撥水性部材などとしてそのまま利用することが可能である。一方、この構造体に対して、以下に示す工程を行って反転パターン５ｒを有する無機材料層６が基材１上に設けられた構造体８（図１（ｇ）に図示）を得るために利用することも可能である。また、以下に示す工程の代わりに、凹凸パターン５を有する樹脂層４をマスクとして基材１のエッチングを行った後に樹脂層４を除去して構造体を作製することも可能である。
【００３２】
（４）無機材料層形成工程
この工程では、図１（ｄ）〜図１（ｅ）に示すように、上記のアッシング工程の後に樹脂層４を覆い且つ凹部５ａを充填するように無機材料層６を形成する。
【００３３】
無機材料層６を構成する無機材料の種類は、特に限定されないが、例えば、金属、酸化物などが挙げられる。金属としては、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。酸化物としては、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ等が挙げられる。無機材料層６は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法で形成することができる。なお、上記した無機材料から選択される任意の材料を任意回数用いて、複数材料による積層を構成してもよい。
【００３４】
（５）余剰部分除去工程
この工程では、図１（ｅ）〜図１（ｆ）に示すように、無機材料層６のうち樹脂層４上に存在する余剰部分６ａを除去する。
【００３５】
この工程は、布などの研磨部材を用いて余剰部分６ａを擦って余剰部分６ａを物理的に除去することによって行ってもよく、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって行ってもよい。
【００３６】
余剰部分６ａを除去することによって、無機材料層６には、樹脂層４の凹凸パターン５の反転パターン５ｒが形成される。
【００３７】
（６）樹脂層除去工程
この工程では、図１（ｆ）〜図１（ｇ）に示すように、上記の余剰部分除去工程の後に樹脂層４を除去する。
【００３８】
樹脂層４の除去は、アッシングによって行ってもよく、それ以外の方法（例：ウェットエッチング）によって行ってもよい。アッシングは、ガスプラズマアッシングであることが好ましく、酸素ガスプラズマアッシングであることがさらに好ましい。
【００３９】
図１（ｇ）に示すように、樹脂層４の除去によって、反転パターン５ｒを有する無機材料層６が基材１上に形成された構造体８が得られる。
【００４０】
本実施形態では、インプリント技術によって凹凸パターン５を有する樹脂層４を形成しているので、大面積の構造体８を形成することが容易である。また、光硬化性樹脂組成物に含まれるモノマーの平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるので、アッシング工程において樹脂層４の凹凸パターン５の形状の崩れが抑制されるために、高い寸法精度でパターニングされた無機材料層６を有する構造体８が得られる。
【００４１】
ここで、無機材料層６又は構造体８の用途を以下に例示する。
【００４２】
反転パターン５ｒがラインアンドスペース形状であり、無機材料がＳｉＯ２である場合、無機材料層６は、例えば、超親水表面、送液用の流路、光導波路などとして利用可能である。
【００４３】
反転パターン５ｒがラインアンドスペース形状であり、無機材料がＡｌ，Ａｇ，Ａｕ，誘電体である場合、構造体８は、例えば、偏光板やＯＬＥＤの用途において利用可能である。
【００４４】
反転パターン５ｒがラインアンドスペース形状であり、無機材料がＩＴＯ等の導電性無機化合物である場合、無機材料層６は、例えば、透明電極、透明配線として利用可能である。
【００４５】
反転パターン５ｒがピラー形状であり、無機材料がＡｕ又はその他の金属である場合、無機材料層６は、接合バンプや配線として利用可能であり、構造体８は磁気ストレージとして利用可能である。
【００４６】
反転パターン５ｒがホール形状であり、無機材料がＮｉである場合、構造体８は金型として利用可能である。
【００４７】
反転パターン５ｒがピラー形状であり、無機材料がＴｉＯ２である場合、無機材料層６は、光触媒表面として利用可能である。
【実施例】
【００４８】
（サンプル作製）
表１の実施例・比較例に示す質量比でモノマー及び光重合開始剤を配合して光硬化性樹脂組成物を作製した。表１中のモノマーＡ〜Ｔの詳細は、表２の通りである。
実施例１では、得られた光硬化性樹脂組成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）にて重量固形分１０％になるように希釈した後、サファイア基板上にスピンコート（４０００ｒｐｍ）して未硬化の樹脂層を得た。その他の実施例・比較例では、得られた光硬化性樹脂組成物を易接着処理ＰＥＴからなる基材上にピペッタにて１００μＬ滴下し、Roll to Plate方式のナノインプリント装置にて易接着処理をしていないＰＥＴでラミネートすることによって未硬化の樹脂層を形成した。
次に、高圧水銀ランプにて３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して未硬化の樹脂層を硬化させ、ラインアンドスペース形状を有するパターンを形成後、易接着処理をしていないＰＥＴを剥離した。
以上の工程によって、実施例・比較例のサンプルを作製した。
【００４９】
（アッシング処理前の樹脂層厚）
次に、Filmetrics社製のF20 膜厚測定システムを用い、基材をＰＥＴ又はサファイア、樹脂成分を屈折率１．４５〜１．６０の間に設定して、アッシング処理前のサンプルの樹脂層厚を測定した。測定結果を表１に示す。
【００５０】
（アッシング処理）
ＳＡＭＣＯプラブマドライクリーナー（サムコ製  ＰＣ−３００）を用いて、圧力１０Ｐａ、酸素流量１２ｓｃｃｍ、電極出力２５０Ｗ、処理時間６０秒でＲＩＥモードにて、サンプルのアッシング処理を行った。
【００５１】
（アッシング処理後の樹脂層厚）
次に、上記の「アッシング処理前の樹脂層厚」と同様の条件で、アッシング処理後のサンプルの樹脂層厚を測定した。測定結果を表１に示す。また、次式に従って、アッシングレートを算出した。
アッシングレート＝｛（アッシング処理前の樹脂層厚）−（アッシング処理後の樹脂層厚）｝／アッシング処理時間
【００５２】
（考察）
表１に示すように、平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上である全ての実施例では、アッシングレートが２．０ｎｍ／秒以下という低い値であった。一方、平均Ｃ／Ｈ比が０．９５未満である全ての比較例では、アッシングレートが２．２ｎｍ／秒以上という高い値であった。アッシングレートが大きいと、上述の「（３）アッシング工程」において、凹凸パターンの凹部に存在する残膜を除去するためのアッシングの際に、凹凸パターンの凸部の側面が浸食されることによって凹凸パターンの形状が崩れやすいために、アッシングレートが大きいほど、凹凸パターンの凸部の形状が崩れやすい。また、アッシングレートが大きいほど、アッシングされた面の表面粗さが大きくなって凹凸パターンの凸部の形状が崩れやすくなる。このため、全ての実施例においてアッシングレートが低かったという表１の結果は、全ての実施例において、アッシング工程での凹凸パターンの凸部の形状が崩れにくいということを示している。
【００５３】
以上の結果から、平均Ｃ／Ｈ比が０．９５以上であるモノマーを含む光硬化性樹脂組成物を用いることによってアッシング工程での凹凸パターンの形状の崩れを防ぐことができることが実証された。
【００５４】
【表１】
2018046182.tif 000003
【００５５】
【表２】
2018046182.tif 000004
【符号の説明】
【００５６】
１        ：基材
２        ：被転写層
３        ：モールド
４        ：樹脂層
５        ：凹凸パターン
５ａ      ：凹凸パターンの凹部
５ｂ      ：凹凸パターンの凸部
５ｒ      ：凹凸パターンの反転パターン
６        ：無機材料層
６ａ      ：無機材料層の余剰部分
７        ：残膜
８        ：構造体
Ｅ        ：活性エネルギー線
【図１】
2018046182.tif 000005