(57)【要約】【課題】成膜された板状の被加工物を分割する場合に、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも被加工物を分割できるようにする。【解決手段】板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂに膜Ｗ２が成膜され、複数の分断予定ラインＳが設定された被加工物Ｗの加工方法であって、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝Ｍ１を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側を保持して被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側の膜Ｗ２を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側から溝Ｍ１に沿って噴射物を噴射して溝Ｍ１を貫通させる溝貫通ステップと、を備えた加工方法である。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の該膜を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、被加工物の該裏面側から該溝に沿って噴射物を噴射して該溝を貫通させる溝貫通ステップと、を備えた加工方法。
【請求項２】
前記噴射物は、固体の二酸化炭素粒子を含む、請求項１に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状物の裏面に膜が成膜されるとともに複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属膜や樹脂膜等、特に延性を有する膜を備える板状物を切削ブレードで切削すると、切削ブレードに膜による目詰まりが生じる。そこで、切削加工を施す前に、予め上記膜をレーザビームで除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４２５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、レーザビームで膜を除去するとデブリが発生する上、一般的に高価なレーザ加工装置を利用して加工することになるため製造コストも嵩むという問題がある。
【０００５】
よって、成膜された板状の被加工物を分割する場合には、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも被加工物を分割できるようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明は、板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の該膜を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、被加工物の該裏面側から該溝に沿って噴射物を噴射して該溝を貫通させる溝貫通ステップと、を備えた加工方法である。
【０００７】
前記噴射物は、固体の二酸化炭素粒子を含むものとすると好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物の表面から分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の膜を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、被加工物の裏面側から溝に沿って噴射物を噴射して溝を貫通させる溝貫通ステップと、を備えていることで、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレードに膜による目詰まりを発生させることもなく、噴射物を被加工物の膜に噴射して溝を貫通させることで被加工物を分割することができる。
【０００９】
また、溝貫通ステップにおいて、噴射物を固体の二酸化炭素粒子を含むものとすることで、噴射物の噴射による溝の貫通をより容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】被加工物の一例を示す側面図である。
【図２】切削装置を用いて被加工物に溝を形成している状態を示す側面図である。
【図３】被加工物に形成された溝の一例を拡大して示す断面図である。
【図４】被加工物に溝を形成するためのプラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図５】保護テープが表面側に貼着された状態の被加工物の一部を示す断面図である。
【図６】被加工物を分割する分割装置の一例を示す断面図である。
【図７】噴射手段から噴射物を噴射して被加工物の溝を貫通させている状態を示す断面図である。
【図８】デバイスを備えるチップに分割された被加工物の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコンからなる板状物Ｗ１を備える円形状の半導体ウエーハであり、板状物Ｗ１の表面、すなわち、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａには複数の分断予定ラインＳがそれぞれ直交するように設定されている。そして、分断予定ラインＳによって区画された格子状の領域には、デバイスＤがそれぞれ形成されている。図１において−Ｚ方向側に向いている板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂには、金属からなり電極として働く一様な厚さ（例えば、０．５μｍ〜１０μｍ）の膜Ｗ２が形成されている。膜Ｗ２の露出面は、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂとなる。被加工物Ｗの外周縁には、結晶方位を識別するための図示しないノッチが、被加工物Ｗの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。なお、被加工物Ｗの構成は本実施形態に示す例に限定されるものではない。例えば、板状物Ｗ１はシリコン以外にサファイア、ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよく、また、膜Ｗ２は、金属膜ではなく、例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）やＤＢＦ（Ｄｉｅ  Ｂａｃｋｓｉｄｅ  Ｆｉｌｍ）等の厚さ５μｍ〜３０μｍ程度の樹脂膜であってもよい。
【００１２】
以下に、本発明に係る加工方法を実施して図１に示す被加工物ＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
【００１３】
（１−１）溝形成ステップの実施形態１
まず、図１に示す被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝を形成する溝形成ステップを実施する。本実施形態１の溝形成ステップにおいては、図２に示す切削装置１を用いて溝形成を行う。
【００１４】
図２に示す被加工物Ｗは、その裏面Ｗ２ｂに被加工物Ｗよりも大径のダイシングテープＴ１が貼着されており、ダイシングテープＴ１の粘着面の外周部は、環状フレームＦ１に貼着された状態になっている。表面Ｗ１ａが上方に向かって露出した状態の被加工物Ｗは、ダイシングテープＴ１を介して環状フレームＦ１に支持されることで、環状フレームＦ１によるハンドリングが可能な状態になっている。
【００１５】
図２に示す切削装置１は、例えば、被加工物Ｗを吸引保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに対して回転する切削ブレード１１０で切削加工を施す切削手段１１と、を少なくとも備えている。
【００１６】
チャックテーブル１０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面１０ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。チャックテーブル１０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない切削送り手段によってＸ軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル１０の外周部には、例えば４つ（図示の例においては、２つのみ図示している）の固定クランプ１００が環状フレームＦ１を固定するために均等に配設されている。
【００１７】
切削手段１１は、軸方向が被加工物Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル１１１を備えており、スピンドル１１１の先端には円環状の切削ブレード１１０が固定されている。
【００１８】
まず、図２に示すように、環状フレームＦ１によって支持されている被加工物Ｗが、表面Ｗ１ａが上側を向いた状態でチャックテーブル１０により吸引保持される。また、各固定クランプ１００によって環状フレームＦ１が固定される。次いで、図示しないアライメント手段により、切削ブレード１１０を切り込ませるべき分断予定ラインＳのＹ軸方向の座標位置が検出される。分断予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段１１がＹ軸方向に割り出し送りされ、切削すべき分断予定ラインＳと切削ブレード１１０とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
【００１９】
図示しないモータがスピンドル１１１を回転駆動することに伴って、切削ブレード１１０が例えば−Ｙ方向側から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、例えば、切削ブレード１１０の最下端が板状物Ｗ１を完全に切断しかつ膜Ｗ２に切り込まない高さ位置に切削手段１１が位置付けられる。なお、切削ブレード１１０が板状物Ｗ１を完全切断しない高さ位置、すなわち、切削ブレード１１０の最下端が板状物Ｗ１の裏面Ｗ１ｂよりも僅かに上方となる高さ位置に、切削手段１１を位置付けるものとしてもよい。
【００２０】
被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０が所定の切削送り速度で−Ｘ方向側（紙面奥側）に送り出されることで、回転する切削ブレード１１０が分断予定ラインＳに沿って被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側から板状物Ｗ１に切り込んでいき、図３に示す膜Ｗ２に到らない溝Ｍ１が形成されていく。本実施形態では、例えば、図３に示すように溝Ｍ１の底に膜Ｗ２の表面Ｗ２ａが露出した状態となる。なお、溝Ｍ１の底が板状物Ｗ１の切り残し部分として僅かに残存した状態となっていてもよい。
【００２１】
切削ブレード１１０が一本の分断予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが送られると、被加工物Ｗの切削送りを一度停止し、切削ブレード１１０を被加工物Ｗから離間させ、次いで、被加工物Ｗを＋Ｘ方向に移動させ原点位置に戻す。そして、隣り合う分断予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード１１０を＋Ｙ方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、被加工物ＷにＸ軸方向の全ての分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２に到らない深さの溝Ｍ１を形成する。さらに、被加工物Ｗを９０度回転させてから同様の切削加工を行うことで、全ての分断予定ラインＳに沿って膜Ｗ２に到らない深さの溝Ｍ１を形成することができる。
【００２２】
（１−２）溝形成ステップの実施形態２
上記溝形成ステップの実施形態１においては、図２に示す切削装置１を用いて溝形成を行っているが、溝形成ステップは図４に示すプラズマエッチング装置９を用いて実施してもよい。
【００２３】
図４に示すプラズマエッチング装置９は、被加工物Ｗを保持する静電チャック９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、静電チャック９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。
【００２４】
例えば、アルミナ等のセラミック又は酸化チタン等の誘電体で形成される静電チャック９０は、支持部材９００によって下方から支持されている。静電チャック９０の内部には、電圧が印加されることにより電荷を発生する電極（金属板）９０１が静電チャック９０の保持面９０ａと平行に配設されており、この電極９０１は、整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。なお、例えば、静電チャック９０は、本実施形態のような単極型の静電チャックに限定されるものではなく、いわゆる双極型の静電チャックであってもよい。
【００２５】
チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は、静電チャック９０の保持面９０ａに向かって開口している。
【００２６】
ガス導入口９１１には、ガス供給部９３が接続されている。ガス供給部９３は、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４等のフッ素系ガスをエッチングガスとして蓄えている。
【００２７】
ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することにより、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化することができる。プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部を備えており、制御部による制御の下で、ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。
【００２８】
チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されている。この排気装置９７を作動させることにより、チャンバ９２の内部を所定の真空度まで減圧することができる。
チャンバ９２の側部には、被加工物Ｗの搬入出を行うための搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバルブ９２１とが設けられている。
【００２９】
被加工物Ｗはプラズマエッチングが施され溝が形成されるにあたり、各デバイスＤ（図４においては不図示）がレジスト膜Ｒによって保護された状態になる。すなわち、例えば、ポジ型レジスト液が被加工物Ｗの表面Ｗ１ａに塗布され一様な厚さのレジスト膜が表面Ｗ１ａ上に形成された後、分断予定ラインＳにのみ紫外光が照射され、露光後の被加工物Ｗが現像されることで、分断予定ラインＳが露出しかつデバイスＤがレジスト膜Ｒにより保護された状態となる。
また、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂにはテープ又はハードプレートが保護部材Ｔ２として貼着され、裏面Ｗ２ｂは保護部材Ｔ２によって保護された状態になる。
【００３０】
溝の形成においては、まず、ゲートバルブ９２１を開け、搬入出口９２０から被加工物Ｗをチャンバ９２内に搬入し、表面Ｗ１ａ側を上に向けて被加工物Ｗを静電チャック９０の保持面９０ａ上に載置する。ゲートバルブ９２１を閉じ、排気装置９７によってチャンバ９２内を排気し、チャンバ９２内を所定の圧力の密閉空間とする。
【００３１】
ガス噴出ヘッド９１を所定の高さ位置まで下降させ、その状態でガス供給部９３から例えばＳＦ６を主体とするエッチングガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と静電チャック９０との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加することで、静電チャック９０の保持面９０ａと被加工物Ｗとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物Ｗを保持面９０ａ上に吸着保持する。
【００３２】
プラズマ化したエッチングガスは、レジスト膜Ｒで被覆されている各デバイスＤはエッチングせずに、分断予定ラインＳ上を−Ｚ方向に向かって異方性エッチングしていく。そのため、図３に示す分断予定ラインＳに沿った格子状の溝Ｍ１が板状物Ｗ１に形成されていく。
【００３３】
プラズマ化したエッチングガスは、金属からなる膜Ｗ２をエッチングしない。そのため、図３に示すように、溝Ｍ１の底が膜Ｗ２内に到らず、かつ、溝Ｍ１の底に膜Ｗ２の表面Ｗ２ａが露出するまでプラズマエッチングを行った後、プラズマエッチングを終了させる。すなわち、図４に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２の内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
なお、図３に示す溝Ｍ１の底に板状物Ｗ１がエッチング残し部分として僅かに残存した状態となるまで、プラズマエッチングを行ってもよい。
【００３４】
次いで、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ上から図４に示すレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒの除去は、例えば、所定薬剤を用いたウェット処理、又はプラズマエッチング装置９によるレジスト膜Ｒのアッシング（灰化）によって行う。
【００３５】
（２）保持ステップ
上記のように（１−１）実施形態１の溝形成ステップ、又は（１−２）実施形態２の溝形成ステップのいずれかを実施した後、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側を保持して被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側の膜Ｗ２を露出させる保持ステップを実施する。
【００３６】
保持ステップにおいては、まず、図５に示すように、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａに保護テープＴ３が貼着され、また、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂから図２に示すダイシングテープＴ１又は図４に示す保護部材Ｔ２が剥離される。図６に示すように、例えば、被加工物Ｗの外径よりも大径の保護テープＴ３は、リングフレームＦ２に貼着された状態になっており、裏面Ｗ２ｂが上方に露出した状態の被加工物ＷはリングフレームＦ２によりハンドリングが可能な状態になっている。
【００３７】
図６に示すように、保護テープＴ３を介してリングフレームＦ２によって支持された状態の被加工物Ｗを分割装置３に搬送する。分割装置３は、例えば、被加工物Ｗを吸引保持する保持テーブル３０と、被加工物Ｗに噴射物を噴射して膜Ｗ２を貫通させ被加工物Ｗを分割する噴射手段３１と、図示しない制御手段とを少なくとも備えている。
ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等からなる制御手段は、保持テーブル３０及び噴射手段３１に電気的に接続されており、制御手段の制御の下で、保持テーブル３０の回転動作や噴射手段３１の移動動作等が制御される。
【００３８】
保持テーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、図示しない吸引源に連通する保持面３０ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。保持テーブル３０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない加工送り手段によってＸ軸方向に往復移動可能となっている。保持テーブル３０の外周部には、例えば４つ（図示の例においては、２つのみ図示している）の固定クランプ３００がリングフレームＦ２を固定するために均等に配設されている。
【００３９】
リングフレームＦ２によって支持されている被加工物Ｗが、保護テープＴ３側を下にして保持テーブル３０の保持面３０ａ上に載置されることで、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側の膜Ｗ２が上方に向かって露出した状態となる。そして図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面３０ａに伝達されることで、保持テーブル３０により被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側が吸引保持される。また、各固定クランプ３００によってリングフレームＦ２が固定される。
【００４０】
（３）貫通ステップ
次いで、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側から溝Ｍ１に沿って噴射手段３１から噴射物を噴射して、溝Ｍ１を貫通させる。噴射手段３１は、保持テーブル３０の上方に配設され、例えば粉末状のドライアイス（固体の二酸化炭素粒子）をエア圧力で噴射することができ、Ｙ軸方向及びＺ軸方向へ移動可能となっている。噴射手段３１に備える噴射ノズル３１０は、保持テーブル３０の保持面３０ａに向く噴射口３１０ａを有している。例えば、噴射口３１０ａには図示しないスライド部材が配設されており、噴射口３１０ａの口径はこのスライド部材によって所望の大きさに可変となっている。
【００４１】
噴射ノズル３１０は、配管３１１ａを介して、液体の二酸化炭素が蓄えられた二酸化炭素供給源３１１に接続されている。また、噴射ノズル３１０は、配管３１２ａを介して、圧縮されたエア（圧縮エア）を蓄えたエア供給源３１２に接続されている。
【００４２】
被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側から溝Ｍ１に沿って噴射物を噴射するにあたって、まず、噴射物を最初に噴射する一本の溝Ｍ１が検出される。溝Ｍ１の検出は、例えば、図６に示す溝検出手段３９によって実行される。
【００４３】
例えば溝検出手段３９は、被加工物Ｗの直径、被加工物Ｗの外周縁に形成されたノッチと板状物Ｗ１の表面Ｗ１ａに形成された複数の分断予定ラインＳとの間隔、複数の分断予定ラインＳ同士の間隔等の情報を示す被加工物Ｗのパターン設計値を記憶している。
【００４４】
溝検出手段３９は、例えば、保持テーブル３０の上方に配設され被加工物Ｗの図示しないノッチを検出するノッチ検出部３９０を備えている。ノッチ検出部３９０は、例えば、光反射型の光学センサで構成されており、被加工物Ｗを保持する保持テーブル３０の回転に伴って被加工物Ｗの外周がノッチ検出部３９０の検出領域を通過することで、被加工物Ｗの外周縁に形成されたノッチを検出することができる。なお、ノッチ検出部３９０をカメラ等から構成されるものとして、カメラにより撮像された撮像画をノッチ検出部３９０が画像処理することで被加工物Ｗの外周縁のノッチを検出するものとしてもよい。
【００４５】
ノッチ検出部３９０による被加工物Ｗのノッチの検出が行われると、分断予定ラインＳに沿って溝Ｍ１は形成されているため、溝検出手段３９は検出したノッチと予め記憶している被加工物Ｗのパターン設計値とから、基準位置となるノッチの位置に対する噴射物を噴射させる一本の溝Ｍ１の相対的な位置を検出することができる。次いで、溝検出手段３９が、基準位置となるノッチの位置に対する一本の溝Ｍ１の位置についての検出信号を図示しない制御手段に送出する。この検出信号を受けた制御手段は、保持テーブル３０を所定角度回転させてノッチを所定の座標位置に位置付けることで、噴射物を噴射させる一本の溝Ｍ１が所定の座標位置にくるように調整する。具体的には、例えば、被加工物Ｗの中心とノッチとを通る仮想線がＸ軸方向に対して平行になり、かつ、ノッチが−Ｘ方向側（図６においては、紙面奥側）に位置するように、被加工物Ｗを保持する保持テーブル３０を回転する。その結果、例えば、最初に噴射物を噴射させる一本の溝Ｍ１が、Ｘ軸方向に平行に延在する状態になり、かつ、この一本の溝Ｍ１のＹ軸座標位置が認識された状態になる。
【００４６】
なお、溝Ｍ１の検出は、図６に示す溝検出手段３９によってなされるものに限定されない。例えば、保持テーブル３０をガラス等の透明部材から構成されるものとし、保持テーブル３０の下方に配設されたカメラを備えるアライメント手段を分割装置３が備えるものとする。この場合には、保持テーブル３０の下方から光を照射して保持テーブル３０を透過させ、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａの反射光をカメラの撮像素子に結像させることで、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａが写った撮像画像が形成する。そして、アライメント手段が、カメラにより取得した撮像画像に基づきパターンマッチング等の画像処理を行うことで、被加工物Ｗの分断予定ラインＳに沿って形成されている溝Ｍ１を検出することができる。
例えば溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２が波打っている場合等においては、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側からカメラによる被加工物Ｗの撮像を行って、アライメント手段による溝Ｍ１の検出を行ってもよい。
【００４７】
次いで、被加工物Ｗを保持する保持テーブル３０が往方向である−Ｘ方向に送り出されるとともに、噴射ノズル３１０の噴射口３１０ａの直下に座標位置が認識された溝Ｍ１の中心線がおおよそ位置するように、噴射手段３１がＹ軸方向に移動する。被加工物Ｗがさらに所定の加工送り速度で−Ｘ方向に送り出されるとともに、二酸化炭素供給源３１１から液体の二酸化炭素を噴射ノズル３１０に供給すると共に、エア供給源３１２からエアを噴射ノズル３１０に供給する。
【００４８】
図７に示すように、二酸化炭素供給源３１１から供給された液体の二酸化炭素とエア供給源３１２から供給されたエアとが噴射ノズル３１０内で高圧で混合され、噴射ノズル３１０の噴射口３１０ａから下方に向かって噴射物Ｐとして大気中に噴射されると、断熱膨張によって液体の二酸化炭素の温度が凝固点を下回り、極めて微細な粉末状のドライアイス（固体の二酸化炭素粒子）Ｐ１が発生する。
【００４９】
この粉末状のドライアイスＰ１が被加工物Ｗの膜Ｗ２に衝突すると、ドライアイスＰ１は変形、破砕して、二酸化炭素ガスへと昇華し、ドライアイスＰ１の昇華で発生する膨張のエネルギーによって膜Ｗ２が破られ、噴射物Ｐが溝Ｍ１を貫通する。なお、液体の二酸化炭素の供給量及びエアの供給量並びに噴射物Ｐのスポット径は、溝Ｍ１の幅等を考慮して適宜な値に調整される。
【００５０】
そして、噴射ノズル３１０から噴射物Ｐを溝Ｍ１に沿って噴射しつつ、被加工物Ｗを−Ｘ方向に所定の加工送り速度で加工送りし、溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２を噴射物Ｐで貫通し切断していく。
例えば、一本の溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２に噴射物Ｐを噴射し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが−Ｘ方向に進行すると、被加工物Ｗの−Ｘ方向（往方向）での加工送りを一度停止させ、図７に示す噴射手段３１を＋Ｙ方向へ移動して、噴射物Ｐが噴射された溝Ｍ１の隣に位置し噴射物Ｐによる貫通が未だ行われていない溝Ｍ１と噴射ノズル３１０とのＹ軸方向における位置合わせが、被加工物Ｗのパターン設計値に基づいて行われる。次いで、図示しない加工送り手段が、被加工物Ｗを＋Ｘ方向（復方向）へ加工送りし、往方向での噴射物Ｐの噴射と同様に溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２に噴射物Ｐが噴射される。順次同様にＸ軸方向に延びる全ての溝Ｍ１に沿って噴射物Ｐが被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側から膜Ｗ２に噴射され、膜Ｗ２が噴射物Ｐで貫通され溝Ｍ１に沿って切断される。さらに、保持テーブル３０を９０度回転させてから同様の噴射物Ｐの噴射を行うと、縦横全ての溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２が噴射物Ｐで貫通され切断されるため、図８に示すように、被加工物ＷをデバイスＤ及び膜Ｗ２を備える個々のチップに分割することができる。
【００５１】
なお、溝貫通ステップは本実施形態における例に限定されるものではない。例えば、図６に示す噴射手段３１は、固体の二酸化炭素粒子Ｐ１を含む噴射物Ｐを噴射するのではなく、高圧水又は超音波が付与された水を被加工物Ｗの溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２に噴射して膜Ｗ２及び溝Ｍ１を貫通することができる構成となっていてもよい。この場合には、噴射ノズル３１０は、配管３１１ａを介して、二酸化炭素供給源３１１の代わりに水（例えば、純水）を蓄えた水供給源に接続されている。また、噴射ノズル３１０の内部には、超音波を発振する超音波発振部が配設されており、超音波発振部には高周波電力を供給する高周波電源が電気的に接続されている。
水供給源から噴射ノズル３１０に水を供給するとともに、高周波電源から所定の高周波電力を超音波発振部に供給すると、超音波発振部の振動素子が高周波電力を機械振動に変換することで超音波を発振する。そして、発振された超音波は、噴射ノズル３１０の内部において水に対して伝播する。超音波が伝播された水は、噴射口３１０ａから被加工物Ｗに向かって噴射されて溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２に接触し、膜Ｗ２及び溝Ｍ１を貫通する。
噴射ノズル３１０から噴射させる水に超音波を付与しない場合には、板状物Ｗ１が破損したりチップが飛散したりしない圧力（例えば、１００ＭＰａ〜３００ＭＰａ）で噴射口３１０ａから被加工物Ｗに向かって水を噴射させ、この高圧水で溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２を貫通し切断するものとしてもよい。
【００５２】
このように、本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａから分断予定ラインＳに沿って溝Ｍ１を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、被加工物Ｗの表面Ｗ１ａ側を保持して被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側の膜Ｗ２を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、被加工物Ｗの裏面Ｗ２ｂ側から溝Ｍ１に沿って噴射物Ｐを噴射して溝Ｍ１を貫通させる溝貫通ステップと、を備えていることで、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレード１１０に膜Ｗ２による目詰まりを発生させることもなく、噴射物Ｐを被加工物Ｗの膜Ｗ２に噴射して溝Ｍ１を貫通させることで被加工物Ｗを分割することができる。また、溝Ｍ１に沿って噴射物Ｐを噴射することから、従来のように被加工物Ｗの膜Ｗ２全面に噴射物Ｐを噴射する場合に比べて、短時間かつ噴射物Ｐの噴射量を抑えつつ、縦横全ての溝Ｍ１に沿って膜Ｗ２を貫通し正確に切断することが可能となる。
【００５３】
また、溝貫通ステップにおいて、噴射物Ｐを固体の二酸化炭素粒子Ｐ１を含むものとすることで、噴射物Ｐの噴射による溝Ｍ１の貫通をより容易に行うことができる。
【符号の説明】
【００５４】
Ｗ：被加工物  Ｗ１：板状物  Ｗ１ａ：被加工物の表面  Ｓ：分断予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｗ１ｂ：板状物の裏面  Ｗ２：膜  Ｗ２ａ：膜の表面  Ｗ２ｂ：被加工物の裏面  
Ｔ１：ダイシングテープ  Ｆ１：環状フレーム  Ｍ１：溝
１：切削装置  １０：チャックテーブル  １０ａ：保持面  １００：固定クランプ
１１：切削手段  １１０：切削ブレード  １１１：スピンドル
９：プラズマエッチング装置
９０：静電チャック  ９０ａ：静電チャックの保持面  ９００：支持部材  ９０１：電極
９１：ガス噴出ヘッド  ９１０：ガス拡散空間  ９１１：ガス導入口
９１２：ガス吐出口  
９２：チャンバ  ９２０：搬入出口  ９２１：ゲートバルブ
９３：ガス供給部  ９４，９４ａ：整合器  ９５，９５ａ：高周波電源，バイアス高周波電源  ９６：排気口  ９７：排気装置  
Ｒ：レジスト膜  Ｔ２：保護部材  
３：分割装置  ３０：保持テーブル  ３０ａ：保持面  ３００：固定クランプ
３１：噴射手段  ３１０：噴射ノズル  ３１０ａ：噴射口
３１１：二酸化炭素供給源  ３１２：エア供給源
３９：溝検出手段  ３９０：ノッチ検出部
Ｔ３：保護テープ  Ｐ：噴射物  Ｐ１：ドライアイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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