(57)【要約】【課題】レーザー光線の照射によって、ウエーハのみを完全切断し、ウエーハに貼着された粘着テープを完全切断しないようにする。【解決手段】ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法において、レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープＴにウエーハＷを貼着し、粘着テープＴ側をチャックテーブルに保持しウエーハＷを露出させ、チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動させながらウエーハＷを分割する。粘着テープＴにおいてレーザー光線が遮蔽されるため、粘着テープＴが切断されてしまうのを防止することができ、その後にウエーハＷを搬送できなくなったりチップをピックアップできなくなったりするという問題が生じるのを防ぐことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、
レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
該粘着テープ側をチャックテーブルに保持しウエーハを露出させる保持工程と、
該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動させながらウエーハを分割する分割工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記粘着テープは、糊層とシートとから構成され、該糊層又は該シートに金属の微粉末が混入されてレーザー光線を遮蔽する
請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
前記金属の微粉末は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｎｉのいずれかを含む
請求項２記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する際にウエーハに貼着される粘着テープであって、
レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置等によって個々のデバイスごとのチップに分割され、携帯電話機、パソコン等の各種電子機器等に利用されている。
【０００３】
切削装置は、チャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインに対して切削ブレードを切り込ませることによりウエーハを個々のチップに分割する構成となっており、ウエーハの裏面側には粘着テープが貼着される。そして、切削ブレードの切り込み深さを調整して粘着テープを僅かに切削するまで切削ブレードを切り込ませることにより、ウエーハを完全切断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−８８２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レーザー加工装置では、レーザー光線の出力が大きすぎると、ウエーハを完全切断するとともに粘着テープまで切断してしまい、ウエーハをその後の工程に搬送することが困難になるという問題がある。また、粘着テープまで切断してしまうと、チップを粘着テープからピックアップすることができないという問題もある。
【０００６】
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、レーザー光線の照射によって、ウエーハのみを完全切断し、ウエーハに貼着された粘着テープを完全切断しないようにすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法に関し、レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、該粘着テープ側をチャックテーブルに保持しウエーハを露出させる保持工程と、該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動させながらウエーハを分割する分割工程と、から少なくとも構成される。
このウエーハの加工方法において、粘着テープとしては、糊層とシートとから構成され、該糊層又は該シートに金属の微粉末が混入されてレーザー光線を遮蔽するものが好ましい。
金属の微粉末は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｎｉのいずれかを含むことが好ましい。
【０００８】
また、本発明は、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する際にウエーハに貼着される粘着テープに関し、レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープ。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、レーザー光線の照射を遮蔽する粘着テープをウエーハに貼着し、その粘着テープ側をチャックテーブルに保持した状態で、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するため、ウエーハが完全切断されてレーザー光線が粘着テープに到達しても、粘着テープが切断されてしまうのを防止することができる。したがって、その後にウエーハを搬送できなくなったりチップをピックアップできなくなったりするという問題が生じるのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】レーザー加工装置の例を示す斜視図である。
【図２】レーザー光線照射手段の例を示す構成図である。
【図３】粘着テープの構造の例を示す断面図である。
【図４】ウエーハをレーザー加工する状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示すレーザー加工装置１は、チャックテーブル２に保持されたウエーハＷに対してレーザー光線照射手段３によってレーザー光線を照射してウエーハＷの加工を行う装置である。
【００１２】
チャックテーブル２に保持されるウエーハＷは、表面Ｗａの分割予定ラインＬによって区画された領域に複数のデバイスＤが形成されて構成されており、裏面Ｗｂには粘着テープＴが貼着される。また、粘着テープＴの外周縁には、リング状のフレームＦが貼着される。このようにして、ウエーハＷは、粘着テープＴを介してフレームＦに支持される。なお、以下では、ウエーハＷが粘着テープＴを介してフレームＦに支持された状態のものを、ウエーハユニットＵと称する。
【００１３】
チャックテーブル２は、被加工物を吸着するポーラス部材等からなる吸着部２０と、吸着部２０を支持する枠体２１と、吸着部２０及び枠体２１の周囲に配設されたカバー２２と、吸着部２０の底面側に連結され吸着部２０及び枠体２１を回転駆動する回転手段２３と、枠体２１の周方向に複数配設されフレームＦを固定する固定クランプ２４とを備えている。吸着部２０は図示しない吸引源に連通し、吸着部２０の露出面である保持面２０ａに吸着を作用させることができる。
【００１４】
チャックテーブル２は、インデックス送り手段４及び加工送り手段５によって駆動されてＹ軸方向及びＸ軸方向に移動可能となっている。
【００１５】
インデックス送り手段４は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ４０と、ボールネジ４０と平行に配設された一対のガイドレール４１と、ボールネジ４０を回動させるモータ４２と、内部のナットがボールネジ４０に螺合し底部がガイドレール４１に摺接する可動板４３とから構成されており、モータ４２がボールネジ４０を回動させると、これに伴い可動板４３がガイドレール４１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板４３上に配設されたチャックテーブル２が可動板４３の移動にともないＹ軸方向に移動する構成となっている。
【００１６】
加工送り手段５は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０と平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０を回動させるモータ５２と、内部のナットがボールネジ５０に螺合し底部がガイドレール５１に摺接する可動板５３とから構成されており、モータ５２がボールネジ５０を回動させると、これに伴い可動板５３がガイドレール５１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板５３上に配設されたインデックス送り手段４及びチャックテーブル２が可動板５３の移動にともないＸ軸方向に移動する構成となっている。
【００１７】
チャックテーブル２の移動経路の上方には、ウエーハＷを撮像し加工すべき分割予定ラインＬを検出するアライメント手段６が配設されている。アライメント手段６は、撮像部６０を備え、撮像部６０が撮像し取得した画像に対して画像処理を施すことにより、分割予定ラインＬを検出する。
【００１８】
チャックテーブル２の移動経路の上方には、レーザー光線照射手段３が配設されている。レーザー光線照射手段３は、図２に示すように、レーザー光線を発振するレーザー発振器３０と、レーザー光線の出力を調整するアッテネーター３１と、レーザー光線を反射させるミラー３２と、ミラー３２において反射したレーザー光線をウエーハに集光するレンズ３３とを備えている。ミラー３２及びレンズ３３は、図１に示す照射ヘッド３４の内部に配設されている。
【００１９】
図１に示したウエーハユニットＵを構成する粘着テープＴは、図２に示すように、基材であるシート１００と、シート１００の一方の面の上に形成された糊層１０１とから構成されている。シート１００は、例えばポリ塩化ビニルにより構成される。また、糊層１０１は、例えばアクリル系樹脂により構成される。
【００２０】
糊層１０１には、金属の微粉末１０２が混入している。金属の微粉末１０２としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。
【００２１】
なお、金属の微粉末１０２は、シート１００に混入されていてもよいし、シート１００と糊層１０１の双方に混入していてもよい。
【００２２】
以下では、図１に示したウエーハＷの分割予定ラインＬに沿ってアブレーション加工を行い、個々のデバイスＤに分割する方法について説明する。ウエーハＷとしては、シリコンウエーハを用いることとする。また、図示していないが、ウエーハＷの表面Ｗａには、デバイスＤを保護するための保護膜が被覆される。
【００２３】
図１に示したウエーハユニットＵは、チャックテーブル２に保持される。具体的には、粘着テープＴ側が吸着部２０の保持面２０ａに吸引保持され、フレームＦが固定クランプ２４において固定される。そして、加工送り手段５によってチャックテーブル２がＸ軸方向に送られることにより、ウエーハＷが撮像部６０の下方に移動する。そして、アライメント手段６によって加工すべき分割予定ラインＬが検出され、検出された分割予定ラインＬとレーザー光線照射手段３の照射ヘッド３４とのＹ軸方向の位置合わせが行われる。
【００２４】
そして、図４に示すように、さらにチャックテーブル２が同方向に送られるとともに、照射ヘッド３４からウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢが照射されることにより、分割予定ラインＬに沿ってアブレーション加工が行われる。ここで、レーザー光線ＬＢは、例えば以下の条件にて照射される。
波長                        ：３５５ｎｍ
平均出力                    ：３．０Ｗ
繰り返し周波数              ：２０ｋＨｚ
集光スポット径              ：φ１０μｍ
チャックテーブルの送り速度  ：１００ｍｍ／秒
【００２５】
上記条件にてウエーハＷに対してレーザー光線ＬＢを照射すると、表面Ｗａから裏面Ｗｂに貫通する図４に示す加工溝Ｇが形成され、分割予定ラインＬが完全切断される。
また、隣り合う分割予定ラインＬの間隔分だけインデックス送り手段４がチャックテーブル３をＹ軸方向にインデックス送りし、同様にレーザー光線ＬＢを照射することにより、次の分割予定ラインがアブレーション加工される。こうしてインデックス送りとレーザー光線の照射とを繰り返すことにより、同方向の分割予定ラインＬがすべて加工される。また、チャックテーブル２を９０度回転させてから同様の加工を行うことにより、すべての分割予定ラインＬが縦横にアブレーション加工されて加工溝Ｇが形成され、ウエーハＷが個々のデバイスＤごとのチップに分割される。
【００２６】
このようにして行われるレーザー加工において、ウエーハＷに対して照射されたレーザー光線は、ウエーハＷを完全切断した後に粘着テープＴに到達するが、粘着テープＴには、レーザー光線ＬＢの照射を遮蔽する図３に示した金属の微粉末１０２が混入されているため、レーザー光線ＬＢが粘着テープＴの下面まで到達することはない。したがって、レーザー光線の照射を受けることによって粘着テープＴが損傷したとしても、その損傷は、粘着テープＴを貫通するものにはならず、粘着テープＴが完全切断されることがない。
【００２７】
このように、粘着テープＴが完全切断されないため、ウエーハＷが個々のデバイスごとのチップに分割された後も、各チップが一枚の粘着テープＴに貼着されたままの状態が維持される。したがって、その後にウエーハＷを搬送できなくなったりチップをピックアップできなくなったりするという問題が生じるのを防止することができる。
【００２８】
なお、本実施形態では、粘着テープＴに金属の微粉末を混入させることによってレーザー光線を遮蔽することとしたが、遮蔽の方法は、これだけには限られない。
【００２９】
また、本実施形態では、ウエーハＷの裏面Ｗｂに粘着テープＴを貼着し、表面Ｗａ側からレーザー光線を照射することとしたが、ウエーハＷの表面Ｗａに粘着テープＴを貼着し、裏面Ｗｂ側からレーザー光線を照射してもよい。
【符号の説明】
【００３０】
１：レーザー加工装置
２：チャックテーブル
２０：吸着部  ２１：枠体  ２２：カバー  ２３：回転手段  ２４：固定クランプ
３：レーザー光線照射手段
３０：レーザー発振器  ３１：アッテネーター  ３２：ミラー  ３３：レンズ
３４：照射ヘッド
４：インデックス送り手段
４０：ボールネジ  ４１：ガイドレール  ４２：モータ  ４３：可動板
５：加工送り手段
５０：ボールネジ  ５１：ガイドレール  ５２：モータ  ５３：可動板
６：アライメント手段  ６０：撮像部
Ｕ：ウエーハユニット
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：表面  Ｌ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス
Ｗｂ：裏面
Ｔ：粘着テープ  １００：シート  １０１：糊層  １０２：金属の微粉末
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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