(57)【要約】【課題】装置全体の電力使用量を抑えることができる研磨装置及び基板処理装置の提供。【解決手段】基板Ｗが押し付けられる研磨パッド２２を有する研磨テーブル２３と、研磨テーブル２３を回転させるモーター２３ａと、研磨パッド２２に液体を供給し、研磨パッド２２の表面温度を調整する研磨パッド温調装置５０と、を有する研磨モジュール２１であって、研磨パッド温調装置５０は、液体を貯溜する液体供給タンク５３と、液体を加熱するヒーター５６と、を有しており、モーター２３ａに冷媒を供給し、モーター２３ａの熱を回収する熱回収装置６０と、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を、研磨パッド２２の表面温度を調整する液体として液体供給タンク５３に供給する液体供給装置７０と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が押し付けられる研磨パッドを有する研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転させるモーターと、
前記研磨パッドに流体を供給し、前記研磨パッドの表面温度を調整する研磨パッド温調装置と、を有する研磨装置であって、
前記研磨パッド温調装置は、前記流体を貯溜するタンクと、前記流体を加熱するヒーターと、を有しており、
前記モーターに冷媒を供給し、前記モーターの熱を回収する熱回収装置と、
前記モーターの熱を回収した前記冷媒を、前記流体として前記タンクに供給する流体供給装置と、を有する、ことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記熱回収装置は、前記冷媒を循環させながら前記モーターを冷却する循環冷却流路を有し、
前記流体供給装置は、
前記循環冷却流路と前記タンクとの間を接続する接続流路と、
前記接続流路を開閉するバルブと、を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記タンクに設けられた貯溜量検出センサと、
前記貯溜量検出センサの検出結果に基づいて、前記バルブを開閉させる制御装置と、を有する、ことを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記熱回収装置は、さらに、前記制御装置に前記冷媒を供給し、前記制御装置の熱を回収する、ことを特徴とする請求項３に記載の研磨装置。
【請求項５】
基板を研磨する研磨部と、
前記基板を洗浄する洗浄部と、を有する基板処理装置であって、
前記研磨部は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨装置を有する、ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨装置及び基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、下記特許文献１に記載された基板処理装置が知られている。この基板処理装置は、シリコンウェハ等の基板の表面を平坦に研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）装置であって、基板を研磨する研磨部と、基板を洗浄する洗浄部と、を備える。この研磨部は、研磨パッドの表面温度を調整することにより基板の研磨レートを向上させるパッド温度調整機構を備える。
【０００３】
パッド温度調整機構は、研磨パッドの表面に接触するパッド接触部材と、このパッド接触部材に温度調整された液体を供給する液体供給システムと、を備える。液体供給システムは、液体供給タンクと、液体供給タンクとパッド接触部材とを連結する供給ラインを備えており、熱媒体としての液体は、液体供給タンクから供給ラインを通じてパッド接触部材から研磨パッドに供給される。液体供給タンクは、液体を加熱するヒーターを有しており、液体はヒーターにより所定の温度に加熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４４２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、工場全体のランニングコストを抑えるため、使用電力を装置ごとに省電力化することが期待されている。ＣＭＰ装置においても、上記対応が求められるようになっているが、ＣＭＰ装置の総電力使用量は、機能を追加するごとに増えていく傾向にあり、その機能に対応する電気機器類についてもランニングコストが増えていっている。特に、上述した研磨部のパッド温度調整機構においては、研磨パッドに供給される液体の温度を制御するヒーターを備えており、このヒーターの電力使用量が大きなものとなっている。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、装置全体の電力使用量を抑えることができる研磨装置及び基板処理装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の一態様に係る研磨装置は、基板が押し付けられる研磨パッドを有する研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転させるモーターと、前記研磨パッドに流体を供給し、前記研磨パッドの表面温度を調整する研磨パッド温調装置と、を有する研磨装置であって、前記研磨パッド温調装置は、前記流体を貯溜するタンクと、前記流体を加熱するヒーターと、を有しており、前記モーターに冷媒を供給し、前記モーターの熱を回収する熱回収装置と、前記モーターの熱を回収した前記冷媒を、前記流体として前記タンクに供給する流体供給装置と、を有する。
【０００８】
（２）上記（１）に記載された研磨装置であって、前記熱回収装置は、前記冷媒を循環させながら前記モーターを冷却する循環冷却流路を有し、前記流体供給装置は、前記循環冷却流路と前記タンクとの間を接続する接続流路と、前記接続流路を開閉するバルブと、を有してもよい。
（３）上記（２）に記載された研磨装置であって、前記タンクに設けられた貯溜量検出センサと、前記貯溜量検出センサの検出結果に基づいて、前記バルブを開閉させる制御装置と、を有してもよい。
（４）上記（３）に記載された研磨装置であって、前記熱回収装置は、さらに、前記制御装置に前記冷媒を供給し、前記制御装置の熱を回収してもよい。
【０００９】
（５）本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を研磨する研磨部と、前記基板を洗浄する洗浄部と、を有する基板処理装置であって、前記研磨部は、（１）〜（４）のいずれかに記載の研磨装置を有する。
【発明の効果】
【００１０】
上記本発明の態様によれば、装置全体の電力使用量を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】一実施形態に係る研磨モジュールの要部構成を示す系統図である。
【図３】一実施形態に係る研磨モジュールの要部構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る研磨装置及び基板処理装置を、図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の全体構成を示す平面図である。
図１に示す基板処理装置１は、シリコンウェハ等の基板Ｗの表面を平坦に研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）装置である。基板処理装置１は、矩形箱状のハウジング２を備える。
ハウジング２は、平面視で略長方形に形成されている。ハウジング２の内部は隔壁によって、ロード／アンロード部１０、研磨部２０、洗浄部３０に区画されている。また、基板処理装置１は、ロード／アンロード部１０から研磨部２０に基板Ｗを搬送する基板搬送部４０と、ロード／アンロード部１０、研磨部２０、洗浄部３０、及び基板搬送部４０の動作を制御する制御盤３（制御装置）と、を備える。
【００１４】
ロード／アンロード部１０は、基板Ｗを収容するフロントロード部１１を備える。フロントロード部１１は、ハウジング２の長手方向の一方側の側面に複数設けられている。複数のフロントロード部１１は、ハウジング２の幅方向（平面視で長手方向と直交する方向）に配列されている。フロントロード部１１は、例えば、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載する。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板Ｗのカセットを収納し、隔壁で覆った密閉容器であり、外部空間とは独立した環境を保つことができる。
【００１５】
また、ロード／アンロード部１０は、フロントロード部１１から基板Ｗを出し入れする搬送ロボット１２と、搬送ロボット１２をフロントロード部１１の並びに沿って走行させる走行機構１３と、を備える。搬送ロボット１２は、上下に２つのハンドを備えており、基板Ｗの処理前、処理後で使い分けている。例えば、フロントロード部１１に基板Ｗを戻すときは上側のハンドを使用し、フロントロード部１１から処理前の基板Ｗを取り出すときは下側のハンドを使用する。
【００１６】
基板搬送部４０は、ハウジング２の長手方向に延在する基板搬送路４１を備える。基板搬送路４１は、平面視で洗浄部３０が配置されている領域を通り、一端部４１ａがロード／アンロード部１０に連通し、他端部４１ｂが研磨部２０に連通している。基板搬送路４１には、基板Ｗを支持するスライドステージ、及び、このスライドステージを一端部４１ａと他端部４１ｂとの間で移動させるステージ移動機構が設けられている。一端部４１ａは、基板Ｗの搬入口であり、通常はシャッタで閉じられ、ロード／アンロード部１０の搬送ロボット１２がアクセスするときに開かれる。また、他端部４１ｂは、基板Ｗの搬出口であり、通常はシャッタで閉じられ、研磨部２０の搬送ロボット２８がアクセスするときに開かれる。
【００１７】
研磨部２０は、基板Ｗの研磨（あるいは研削、平坦化ともいう）を行う複数の研磨モジュール２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を備える。複数の研磨モジュール２１（研磨装置）は、ハウジング２の長手方向に配列されている。研磨モジュール２１は、研磨面を有する研磨パッド２２を回転させる研磨テーブル２３と、基板Ｗを保持しかつ基板Ｗを研磨テーブル２３上の研磨パッド２２に押圧しながら研磨するためのトップリング２４と、研磨パッド２２に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル２５と、研磨パッド２２の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ２６と、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ２７と、を備える。
【００１８】
研磨モジュール２１は、研磨液供給ノズル２５から研磨液を研磨パッド２２上に供給しながら、トップリング２４により基板Ｗを研磨パッド２２に押し付け、さらにトップリング２４と研磨テーブル２３とを相対移動させることにより、基板Ｗを研磨してその表面を平坦にする。ドレッサ２６は、研磨パッド２２に接触する先端の回転部にダイヤモンド粒子やセラミック粒子などの硬質な粒子が固定され、当該回転部を回転しつつ揺動することにより、研磨パッド２２の研磨面全体を均一にドレッシングし、平坦な研磨面を形成する。アトマイザ２７は、研磨パッド２２の研磨面に残留する研磨屑や砥粒などを高圧の流体により洗い流すことで、研磨面の浄化と、機械的接触であるドレッサ２６による研磨面の目立て作業、すなわち研磨面の再生を達成する。
【００１９】
また、研磨部２０は、搬送ロボット２８と、第１エクスチェンジャ２９ａと、第２エクスチェンジャ２９ｂと、を備える。研磨部２０には、複数の研磨モジュール２１の並びに沿って、ロード／アンロード部１０側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４が設定されている。第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４は、それぞれ、研磨モジュール２１Ａ、研磨モジュール２１Ｂ、研磨モジュール２１Ｃ、研磨モジュール２１Ｄに基板Ｗを受け渡す位置である。各研磨モジュール２１は、トップリング２４のアームの回動によって、第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４にアクセスする。
【００２０】
搬送ロボット２８は、基板搬送部４０と、第１エクスチェンジャ２９ａと、第２エクスチェンジャ２９ｂとの間で、基板Ｗの受け渡しを行う。搬送ロボット２８は、基板Ｗを保持するハンド、ハンドを上下反転させる反転機構、ハンドを支持する伸縮可能なアーム、アームを上下移動させるアーム上下移動機構、及びアームを鉛直方向に延びる軸回りに回動させるアーム回動機構等を備える。搬送ロボット２８は、第２搬送位置ＴＰ２と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動可能であり、基板搬送部４０から受け取った基板Ｗを、第１エクスチェンジャ２９ａまたは第２エクスチェンジャ２９ｂに振り分ける。また、搬送ロボット２８は、研磨モジュール２１で研磨された基板Ｗを、第１エクスチェンジャ２９ａまたは第２エクスチェンジャ２９ｂから受け取り、洗浄部３０に受け渡す。
【００２１】
第１エクスチェンジャ２９ａは、第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２の間で基板Ｗを搬送する機構である。第１エクスチェンジャ２９ａは、基板Ｗを支持する複数のスライドステージ、各スライドステージを異なる高さで水平方向に移動させるステージ移動機構、第１搬送位置ＴＰ１に配置された第１プッシャ、第２搬送位置ＴＰ２に配置された第２プッシャ等を備える。各スライドステージは、第１プッシャや第２プッシャが上下に通過可能な略コの字状の切欠き部を有し、ステージ移動機構によって、第１搬送位置ＴＰ１と第２搬送位置ＴＰ２の間を移動する。第１プッシャは、第１搬送位置ＴＰ１において上下に移動し、スライドステージと研磨モジュール２１Ａのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。また、第２プッシャは、第２搬送位置ＴＰ２において上下に移動し、スライドステージと研磨モジュール２１Ｂのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。
【００２２】
第２エクスチェンジャ２９ｂは、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４の間で基板Ｗを搬送する機構である。第２エクスチェンジャ２９ｂは、基板Ｗを支持する複数のスライドステージ、各スライドステージを異なる高さで水平方向に移動させるステージ移動機構、第３搬送位置ＴＰ３に配置された第３プッシャ、第４搬送位置ＴＰ４に配置された第４プッシャ等を備える。各スライドステージは、第３プッシャや第４プッシャが上下に通過可能な略コの字状の切欠き部を有し、ステージ移動機構によって、第３搬送位置ＴＰ３と第４搬送位置ＴＰ４の間を移動する。第３プッシャは、第３搬送位置ＴＰ３において上下に移動し、スライドステージと研磨モジュール２１Ｃのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。また、第４プッシャは、第４搬送位置ＴＰ４において上下に移動し、スライドステージと研磨モジュール２１Ｄのトップリング２４との間における基板Ｗの受け渡しを行う。
【００２３】
洗浄部３０（洗浄装置）は、基板Ｗの洗浄を行う複数の洗浄モジュール３１（３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ａｄｄ）と、洗浄した基板Ｗを乾燥させる乾燥モジュール３２と、を備える。複数の洗浄モジュール３１及び乾燥モジュール３２は、ハウジング２の長手方向に配列されている。洗浄モジュール３１Ａと洗浄モジュール３１Ａｄｄとの間には、搬送室３３（ウェハステーション）が設けられている。搬送室３３には、搬送ロボット２８から受け渡された基板Ｗを載置するステージが設けられている。また、洗浄部３０は、搬送室３３のステージに載置された基板Ｗをピックアップし、複数の洗浄モジュール３１と、乾燥モジュール３２と、搬送室３３との間にて基板Ｗを搬送する洗浄部基板搬送機構３４を備える。
【００２４】
洗浄モジュール３１Ａは、搬送室３３に隣り合って配置され、基板Ｗを一次洗浄する。
また、洗浄モジュール３１Ｂは、洗浄モジュール３１Ａに隣り合って配置され、基板Ｗを二次洗浄する。また、洗浄モジュール３１Ｃは、洗浄モジュール３１Ｂに隣り合って配置され、基板Ｗを三次洗浄する。乾燥モジュール３２は、洗浄モジュール３１Ｃに隣り合って配置され、例えば、ロタゴニ乾燥（ＩＰＡ（Iso-Propyl Alcohol）乾燥）を行う。なお、洗浄モジュール３１Ａと搬送室３３を挟んで反対側に配置された洗浄モジュール３１Ａｄｄは、洗浄の仕様に応じて追加されるものであり、例えば、洗浄モジュール３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの洗浄処理の前に、基板Ｗを予備洗浄する。各洗浄モジュール３１及び乾燥モジュール３２は、基板Ｗ及び基板Ｗを搬送する洗浄部基板搬送機構３４が通過可能なシャッタ付き開口部を備える。乾燥後は、乾燥モジュール３２とロード／アンロード部１０との間の隔壁に設けられたシャッタが開かれ、搬送ロボット１２によって乾燥モジュール３２から基板Ｗが取り出される。
【００２５】
図２は、一実施形態に係る研磨モジュール２１の要部構成を示す系統図である。図３は、一実施形態に係る研磨モジュール２１の要部構成を示すブロック図である。
図２に示すように、研磨モジュール２１には、研磨パッド２２に液体（流体）を供給し、研磨パッド２２の表面温度を調整する研磨パッド温調装置５０を有する。研磨パッド温調装置５０は、研磨パッド２２の表面に接触するパッド接触部材５１と、パッド接触部材５１に温度調整された液体を供給する液体供給システム５２と、を有している。
【００２６】
パッド接触部材５１は、移動機構５１ａに連結されている。移動機構５１ａは、パッド接触部材５１を移動させるものであり、パッド接触部材５１をスライドさせるスライド機構と、パッド接触部材５１を昇降させる昇降機構等を有する。パッド接触部材５１には、研磨パッド２２と接触する接触面に液体を導く液体流路が形成されている。パッド接触部材５１は、移動機構５１ａによって、研磨パッド２２上をスライドすることにより、研磨パッド２２の表面全体に液体を供給し、その表面温度を調整する。
【００２７】
液体供給システム５２は、液体供給タンク５３と、液体供給タンク５３とパッド接触部材５１とを接続する液体供給流路５４と、を有する。液体供給タンク５３は、熱媒体としての液体を貯溜するタンクであり、ヒーター５６が設けられている。ヒーター５６は、液体供給タンク５３に貯溜された液体を加熱する。すなわち、液体供給タンク５３は、温調機として機能する。液体供給流路５４には、図示しないポンプと、バルブ５５とが設けられている。バルブ５５を開くと、熱媒体としての液体は、液体供給タンク５３から液体供給流路５４を通じてパッド接触部材５１に供給される。
【００２８】
パッド接触部材５１に供給される液体（熱媒体）としては、水が使用される。水の温度は、液体供給タンク５３のヒーター５６により、例えば約８０℃に加熱されて温水とされる。より速やかに研磨パッド２２の表面温度を上昇させる場合には、シリコーンオイルを熱媒体として使用してもよい。シリコーンオイルを使用する場合には、シリコーンオイルは液体供給タンク５３のヒーターにより１００℃以上（例えば、約１２０℃）に加熱する。なお、シリコーンオイル等は、先行技術の特開２０１５−４４２４５号公報のように、液体供給システム５２に回収ラインを設けて循環使用してもよい。
【００２９】
図２に示すように、研磨モジュール２１には、研磨テーブル２３を回転させるモーター２３ａに冷媒（液体）を供給し、モーター２３ａの熱を回収する熱回収装置６０と、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を、研磨パッド２２の表面温度を調整する液体（熱媒体）として液体供給タンク５３に供給する液体供給装置７０と、を有する。熱回収装置６０は、冷媒を循環させながらモーター２３ａを冷却する循環冷却流路６１を有する。循環冷却流路６１には、モーター２３ａと冷媒との間で熱交換が行われる熱交換部６１ａが設けられている。
【００３０】
熱交換部６１ａは、例えば、モーター２３ａの内部に流路を形成し、その流路に冷媒を流す形態であっても良いし、モーター２３ａの外部に水冷ジャケット等を取り付け、その水冷ジャケットに冷媒を流す形態であっても良い。この循環冷却流路６１には、冷媒を循環させるポンプ６２が設けられている。循環冷却流路６１は、外部の水源（工場のユーティリティ）と接続され、冷媒（水）を補充できるようになっており、液体供給装置７０によって液体供給タンク５３に移動した冷媒を補充するようになっている。
【００３１】
液体供給装置７０は、循環冷却流路６１と液体供給タンク５３との間を接続する接続流路７１と、接続流路７１を開閉するバルブ７２と、を有している。バルブ７２を開けると、循環冷却流路６１のポンプ６２による圧力によって、循環冷却流路６１内の冷媒が液体供給タンク５３に供給される。このバルブ７２は、図３に示すように、制御盤３と電気的に接続された自動バルブであって、制御盤３によって開閉制御されるようになっている。
【００３２】
研磨パッド温調装置５０は、図３に示すように、温度センサ５７と、液位センサ５８（貯溜量検出センサ）と、を有する。温度センサ５７は、液体供給タンク５３に設けられ、液体供給タンク５３に貯溜された液体の温度を検出し、その検出結果を制御盤３に出力する。制御盤３は、温度センサ５７の検出結果に基づいて、ヒーター５６を駆動させ、液体供給タンク５３に貯溜された液体を、例えば８０℃まで加熱する加熱制御を行うようになっている。
【００３３】
また、液位センサ５８は、液体供給タンク５３に設けられ、液体供給タンク５３に貯溜された液体の液面の高さを検出し、その検出結果を制御盤３に出力する。制御盤３は、液位センサ５８の検出結果に基づいて、バルブ７２を開閉させ、熱回収装置６０の冷媒を液体供給タンク５３に補充する液体補充制御を行うようになっている。例えば、制御盤３は、液体供給タンク５３の水位が、予め設定された水位を下回った場合には、バルブ７２を開き、液体供給タンク５３を液体で満たすようにプログラムされている。
【００３４】
このように、制御盤３は、温度センサ５７の検出結果、及び液位センサ５８の計測結果を用いて、上述した各種制御（加熱制御、液体補充制御等）を行う。この制御盤３は、例えば、上記の各種制御を行うためのプログラムがＣＰＵ（中央処理装置）で実行されることによって実現される。つまり、制御盤３は、ソフトウェアとハードウェア資源とが協働することによって実現される。
【００３５】
続いて、上記構成の研磨モジュール２１における動作について説明する。
【００３６】
研磨モジュール２１は、図２に示すように、トップリング２４に把持された基板Ｗを研磨パッド２２に押し付けつつ、研磨テーブル２３を回転させることで、基板Ｗを研磨する。研磨テーブル２３を回転させるモーター２３ａは、大きな熱源であり、装置外部から冷媒を投入して冷却する必要がある。研磨モジュール２１は、冷媒を循環させながらモーター２３ａを冷却する循環冷却流路６１を有しており、冷媒としての水は、モーター２３ａから熱を回収することで、例えば、１８℃程度から４０℃程度まで温度が上昇する。
【００３７】
一方で、研磨モジュール２１は、基板Ｗの研磨レートを向上させるため、研磨パッド２２の表面温度を調整する研磨パッド温調装置５０を有しており、研磨パッド温調装置５０は、８０℃程度に加熱した液体を研磨パッド２２に供給する。液体は、液体供給タンク５３から供給されており、研磨パッド２２の温度調整の度に、液体供給タンク５３の水位が減少する。液体供給タンク５３の水位が、所定の水位を下回ると、液位センサ５８の検出結果を受けた制御盤３が、接続流路７１に設けられたバルブ７２を開くように制御指令を出す。
【００３８】
バルブ７２が開かれると、循環冷却流路６１のポンプ６２による圧力によって、循環冷却流路６１内の冷媒が、液体供給タンク５３に供給される。なお、冷媒が液体供給タンク５３に供給されると、循環冷却流路６１には装置外部から冷媒（水）が補充される。液体供給タンク５３に供給された冷媒（水）は、バルブ７２が閉じられた後、ヒーター５６によって８０℃程度まで加熱される。制御盤３は、温度センサ５７の出力結果に基づいて、ヒーター５６の駆動を制御する。このようなフィードバック制御により、液体供給タンク５３の液体の温度は、所定の目標温度（８０℃程度）に維持される。
【００３９】
このように、本実施形態では、研磨テーブル２３を回転させるモーター２３ａに冷媒を供給し、モーター２３ａの熱を回収させ、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を、研磨パッド２２の表面温度を調整する液体として液体供給タンク５３に供給する。この構成によれば、ヒーター５６の電力使用量を抑えることができる。すなわち、従来では、工場のユーティリティーから水を液体供給タンク５３に直接供給し、１８℃程度から温調水として使用する８０℃程度まで温度を上げなければならなかったが、本実施形態によれば、モーター２３ａの大きな熱源を利用し、液体供給タンク５３に供給する前に、予め４０℃程度まで水を温めることができるため、従来に比べてヒーター５６の電力使用量を約半減させることができる。
【００４０】
ヒーター５６の電力使用量は、研磨モジュール２１の電力使用量の中で大きな部分を占めているため、研磨モジュール２１の装置全体の電気使用量を抑えることができる。また、図１に示すように、４つの研磨モジュール２１の全てに研磨パッド温調装置５０を搭載した場合、液体供給タンク５３で使用する電力が大幅に増える。従来では、現状の装置の電源容量を大幅に超えてしまうため、電源盤の機器を大容量対応品に変更し、且つこの対応に伴って大きくなった各種機器、ケーブルを収める電源盤のサイズも拡張しなければならなかった。一方、本実施形態によれば、４つの研磨モジュール２１の全てに研磨パッド温調装置５０を搭載した場合であっても電力使用量を抑えることができるため、電源盤の拡張等の対応も不要になる。
【００４１】
このように、上述の本実施形態によれば、基板Ｗが押し付けられる研磨パッド２２を有する研磨テーブル２３と、研磨テーブル２３を回転させるモーター２３ａと、研磨パッド２２に液体を供給し、研磨パッド２２の表面温度を調整する研磨パッド温調装置５０と、を有する研磨モジュール２１であって、研磨パッド温調装置５０は、液体を貯溜する液体供給タンク５３と、液体を加熱するヒーター５６と、を有しており、モーター２３ａに冷媒を供給し、モーター２３ａの熱を回収する熱回収装置６０と、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を、研磨パッド２２の表面温度を調整する液体として液体供給タンク５３に供給する液体供給装置７０と、を有する、という構成を採用することによって、装置全体の電力使用量を抑えることができる。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態を記載し説明してきたが、これらは本発明の例示的なものであり、限定するものとして考慮されるべきではないことを理解すべきである。追加、省略、置換、およびその他の変更は、本発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、本発明は、前述の説明によって限定されていると見なされるべきではなく、特許請求の範囲によって制限されている。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、冷媒を循環させながらモーター２３ａを冷却する循環冷却流路６１を有する構成について説明したが、例えば、冷媒を循環させないで、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を直接、液体供給タンク５３に供給する構成であってもよい。
【００４４】
また、例えば、上記実施形態では、モーター２３ａの熱を回収した冷媒を、研磨パッド２２の表面温度を調整する液体として液体供給タンク５３に供給する構成について説明したが、例えば、各種構成機器を制御する制御盤３も熱源となっているため、熱回収装置６０は、さらに、制御盤３にも冷媒を供給し、制御盤３の熱を回収してもよい。
【００４５】
また、例えば、上記実施形態では、複数の研磨モジュール２１のそれぞれに研磨パッド温調装置５０を設ける構成について説明したが、複数の研磨モジュール２１がモジュール化されておらず、循環冷却流路６１の配管等が容易であれば、例えば、複数の研磨モジュール２１のそれぞれの循環冷却流路６１を直列に接続し、全てのモーター２３ａの熱を回収して液体供給タンク５３に供給してもよい。
【００４６】
また、例えば、上記実施形態では、研磨パッド温調装置５０の熱媒体及び熱回収装置６０の冷媒に液体を使用したが、例えば、研磨パッド温調装置５０の熱媒体及び熱回収装置６０の冷媒に気体を使用してもよい。この場合、研磨パッド温調装置５０のタンクに供給するタイミングは、液位センサ５８ではなく、タンクに設けた圧力センサ（貯溜量検出センサ）の検出結果に基づいて決定してもよい。
【００４７】
また、例えば、上記実施形態では、本発明の研磨装置を、基板処理装置１の研磨部２０に適用した構成を例示したが、例えば、本発明は、基板の研磨に使用される研磨装置単体であってよく、また、ＣＭＰ装置以外の装置（例えば、裏面研磨装置、ベベル研磨装置）にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…基板処理装置、３…制御盤（制御装置）、２０…研磨部、２１…研磨モジュール（研磨装置）、２２…研磨パッド、２３…研磨テーブル、２３ａ…モーター、３０…洗浄部、５０…研磨パッド温調装置、５３…液体供給タンク（タンク）、５６…ヒーター、５８…液位センサ（貯溜量検出センサ）、６０…熱回収装置、７０…液体供給装置、７１…接続流路、７２…バルブ、Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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