(57)【要約】  【課題】  光検出精度が高い受発光素子およびセンサ装置を提供すること。  【解決手段】  本発明の受発光素子１は、一導電型の半導体基板２と、半導体基板２の上面に積層した複数の半導体層を有する発光素子３ａと、半導体基板２の上面側に逆導電型の不純物がドーピングされた逆導電型半導体領域３２を有する受光素子３ｂと、半導体基板２の上面に配置され、且つ受光素子３ｂの電極となる第１電極パッド３３Ａとを備え、一導電型の半導体基板２における不純物濃度は、第１電極パッド３３Ａの直下の領域が他の領域よりも高くなっている。【選択図】  図１
2018046314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型の半導体基板と、該半導体基板の上面に積層した複数の半導体層を有する発光素子と、前記半導体基板の上面側に逆導電型の不純物がドーピングされた逆導電型半導体領域を有する受光素子と、前記半導体基板の上面に配置され、且つ前記受光素子の電極となる第１電極パッドとを備え、前記一導電型の半導体基板における不純物濃度は、前記第１電極パッドの直下の領域が他の領域よりも高くなっていることを特徴とする受発光素子。
【請求項２】
前記第１電極パッドの直下の領域における不純物は、前記半導体基板の上面に接する前記半導体層を構成する元素の少なくとも１つと同じであることを特徴とする請求項１に記載の受発光素子。
【請求項３】
前記複数の半導体層は、一導電型のコンタクト層を含み、
該コンタクト層の上面に配置され、且つ前記発光素子の電極となる第２電極をさらに備えており、
該第２電極および前記第１電極パッドは同じ材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の受発光素子。
【請求項４】
前記半導体基板における前記第１電極パッドの直下の領域は、前記第１電極パッド側に突出している突出部を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の受発光素子。
【請求項５】
前記第１電極パッドは、前記突出部を覆っていることを特徴とする請求項４に記載の受発光素子。
【請求項６】
前記第１電極パッドは、前記発光素子と前記受光素子との間の領域に位置していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の受発光素子。
【請求項７】
前記半導体基板は、前記第１電極パッドと前記発光素子との間に溝をさらに有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の受発光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の受発光素子を用いたセンサ装置であって、
前記発光素子から被照射物に光を照射し、該被照射物からの反射光に応じて出力される前記受光素子からの出力電流に応じて前記被照射物の位置情報、距離情報および濃度情報のうち少なくとも１つを検出することを特徴とするセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受発光素子およびこれを用いたセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子から被照射物へ光を照射し、被照射物へ入射する光に対する反射光を受光素子によって受光することで被照射物の特性を検出するセンサ装置が種々提案されている。このセンサ装置は広い分野で利用されており、例えば、フォトインタラプタ、フォトカプラ、リモートコントロールユニット、ＩｒＤＡ（Infrared Data Association）通信
デバイス、光ファイバ通信用装置、さらには原稿サイズセンサなど多岐にわたるアプリケーションで用いられている。
【０００３】
このようなセンサ装置として、シリコンからなる半導体基板の一方の表面に不純物をドーピングし、受光機能を担う浅いｐｎ接合領域と、発光機能を担う深いｐｎ接合領域とを隣接して配置した受発光素子が記載されている。そして、半導体基板の表面には、受光機能を担うｐｎ接合領域のｐ側電極およびｎ側電極が配置されている。(例えば、特開平８
−４６２３６号公報参照。)
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−４６２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、同一のシリコン基板上に受光素子と発光素子とを一体的に形成した場合には、発光素子を駆動させた際に、発光素子からシリコン基板を介して受光素子に漏れ電流（いわゆるノイズ電流）が流れ込むことがある。この漏れ電流は、受光素子からの出力電流（受光強度に応じて出力される電流）に誤差成分（ノイズ）として混入する。そのため、従来の受発光素子では、このようなノイズ電流の発生によって、受光素子による反射光の検知精度が低下してしまう虞があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、センシング性能の高い受発光素子およびこれを用いたセンサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の受発光素子は、一導電型の半導体基板と、該半導体基板の上面に積層した複数の半導体層を有する発光素子と、前記半導体基板の上面側に逆導電型の不純物がドーピングされた逆導電型半導体領域を有する受光素子と、前記半導体基板の上面に配置され、且つ前記受光素子の電極となる第１電極パッドとを備え、前記一導電型の半導体基板における不純物濃度は、前記第１電極パッドの直下の領域が他の領域よりも高くなっている。
【０００８】
本発明のセンサ装置は、上記いずれかの本発明の受発光素子を用いたセンサ装置であって、前記発光素子から被照射物に光を照射し、該被照射物からの反射光に応じて出力される前記受光素子からの出力電流に応じて前記被照射物の位置情報、距離情報および濃度情報のうち少なくとも１つを検出する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の受発光素子によれば、一導電型の半導体基板と、該半導体基板の上面に積層し
た複数の半導体層を有する発光素子と、前記半導体基板の上面側に逆導電型の不純物がドーピングされた逆導電型半導体領域を有する受光素子と、前記半導体基板の上面に配置され、且つ前記受光素子の電極となる第１電極パッドとを備え、前記一導電型の半導体基板における不純物濃度は、前記第１電極パッドの直下の領域が他の領域よりも高くなっていることから、光検出精度が高い受発光素子およびセンサ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の受発光素子の実施の形態の一例を示す平面図である。（ｂ）は、図１（ａ）の１Ｉ−１Ｉ線に沿った概略断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示した受発光素子を構成する発光素子の断面図である。（ｂ）は、図１に示した受発光素子を構成する受光素子の断面図である。
【図３】図１に示した受発光素子を構成する受光素子の電極の断面図である。
【図４】図１に示した受発光素子を用いたセンサ装置の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の受発光素子の実施の形態の変形例を示す平面図である。（ｂ）は、図５（ａ）の２Ｉ−２Ｉ線に沿った概略断面図である。
【図６】本発明の受発光素子の実施の形態の図５と異なる変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の受発光素子およびこれを用いたセンサ装置の実施の形態の例について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施の形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【００１２】
（受発光素子）
本実施形態に係る受発光素子１は、コピー機やプリンタなどの画像形成装置に組み込まれて、トナーやメディアなどの被照射物の位置情報、距離情報または濃度情報などを検出するセンサ装置として機能する。
【００１３】
受発光素子１は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、一導電型の半導体基板２と、半導体基板２の上面に積層した複数の半導体層を有する発光素子３ａと、半導体基板２の上面側に逆導電型の不純物がドーピングされた逆導電型半導体領域３２を有する受光素子３ｂと、半導体基板２の上面に配置された第１電極パッド３３Ａを有している。なお、本実施形態に係る受発光素子１は、発光素子３ａおよび受光素子３ｂをそれぞれ１つずつ備えたものである。なお、受発光素子１は、複数の発光素子３ａを備えていてもよいし、複数の受光素子３ｂを備えていてもよい。
【００１４】
半導体基板２は、一導電型の半導体材料からなる。すなわち、半導体基板２は、半導体材料で形成されており、不純物がドーピングされることによって一導電型になる。半導体基板２を形成する半導体材料としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）などが挙げられる。半導体基板２にドーピングされる不純物としては、例えば、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）およびビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。なお、不純物は、これらに限定されるものではない。不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１４〜１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設定される。
【００１５】
なお、半導体基板２は、ｎ型またはｐ型のどちらでも構わないが、本実施形態に係る半導体基板２はｎ型である。すなわち、本実施形態では、一導電型はｎ型であり、他導電型はｐ型である。
【００１６】
発光素子３ａは、半導体基板２の上面に配置されている。受光素子３ｂは、発光素子３
ａの近傍に配置されている。発光素子３ａは被照射物に照射する光の光源として機能する。発光素子３ａから発せられた光は、被照射物で反射されて受光素子３ｂに入射する。受光素子３ｂは、光の入射を検出する光検出部として機能する。
【００１７】
発光素子３ａは、図２（ａ）に示すように、半導体基板２の上面に複数の半導体層が積層されて形成されている。本実施形態に係る発光素子３ａの構成は以下の通りである。
【００１８】
まず、半導体基板２の上面には、半導体基板２と半導体基板２の上面に積層される半導体層（本実施形態では、後に説明するｎ型コンタクト層３０ｂ）との格子定数の差を緩衝するバッファ層３０ａが形成されている。バッファ層３０ａによって、半導体基板２と発光素子３ａを構成する半導体層との間に発生する格子歪などの格子欠陥を少なくすることができ、ひいては半導体基板２の上面に形成される発光素子３ａを構成する半導体層全体の格子欠陥または結晶欠陥を少なくする機能を有する。
【００１９】
本実施形態に係るバッファ層３０ａは、例えば、不純物を含まないガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成される。また、バッファ層３０ａの厚さは、例えば、２〜３μｍ程度とされている。なお、半導体基板２と半導体基板２の上面に積層される発光素子３ａを構成する半導体層との格子定数の差が大きくない場合には、バッファ層３０ａを形成しないことも可能である。
【００２０】
バッファ層３０ａの上面には、ｎ型コンタクト層３０ｂが形成されている。ｎ型コンタクト層３０ｂは、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）にｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などがドーピングされて形成される。不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度に設定される。また、ｎ型コンタクト層３０ｂの厚さは、０．８〜１μｍ程度に設定される。
【００２１】
本実施形態では、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が１×１０１８〜２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のドーピング濃度でドーピングされている。ｎ型コンタクト層３０ｂの上面の一部は露出しており、この露出している部分は第２電極３１ａを介して、第２電極パッド３１Ａに電気的に接続されている。第２電極３１ａは、発光素子３ａのｎ型電極である。本実施形態では、図示はしないが、第２電極パッド３１Ａは、金（Ａｕ）線によるワイヤボンディングによって外部電源に電気的に接続されている。第２電極パッド３１Ａと外部電源との電気的な接続は、金（Ａｕ）線の代わりにアルミニウム（Ａｌ）線または銅（Ｃｕ）線などのワイヤを選択することも可能である。
【００２２】
また、本実施形態ではワイヤボンディングによって第２電極パッド３１Ａと外部電源とを接続しているが、ワイヤボンディングの代わりに、電気配線をはんだなどによって第２電極パッド３１Ａと接合してもよい。また、第２電極パッド３１Ａの上面に金スタッドバンプを形成して、電気配線をはんだなどによってこの金（Ａｕ）スタッドバンプと接合してもよい。ｎ型コンタクト層３０ｂは、ｎ型コンタクト層３０ｂに接続される第２電極３１ａとの接触抵抗を下げる機能を有している。
【００２３】
第２電極３１ａおよび第２電極パッド３１Ａは、例えば、金（Ａｕ）およびアンチモン（Ｓｂ）の合金、金（Ａｕ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）の合金またはＮｉ系合金などで形成される。また、第２電極３１ａおよび第２電極パッド３１Ａのそれぞれの厚さは、例えば、０．５〜５μｍ程度に設定される。本実施形態に係る第２電極３１ａおよび第２電極パッド３１Ａは、金（Ａｕ）アンチモン（Ｓｂ）合金で形成されている。そして、第２電極３１ａおよび第２電極パッド３１Ａは、半導体基板２の上面からｎ型コンタクト層３０ｂの上面を覆うように形成される絶縁層８上に配置されているため、半導体基板２およびｎ型コンタクト層３０ｂ以外の半導体層と電気的に絶縁されている。
【００２４】
絶縁層８は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機絶縁膜や、ポリイミドなどの有機絶縁膜などで形成される。絶縁層８の厚さは、０．１〜１μｍ程度に設定される。
【００２５】
ｎ型コンタクト層３０ｂの上面には、ｎ型クラッド層３０ｃが形成されている。ｎ型クラッド層３０ｃは、後に説明する活性層３０ｄに正孔を閉じ込める機能を有している。ｎ型クラッド層３０ｃは、例えば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）にｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などがドーピングされて形成される。ｎ型不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度に設定される。ｎ型クラッド層３０ｃの厚さは、例えば、０．２〜０．５μｍ程度に設定される。本実施形態に係るｎ型コンタクト層３０ｃには、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が１×１０１７〜５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のドーピング濃度でドーピングされている。
【００２６】
ｎ型クラッド層３０ｃの上面には、活性層３０ｄが形成されている。活性層３０ｄは、電子や正孔などのキャリアが集中して、再結合することによって光を発する発光部として機能する。活性層３０ｄは、例えば、不純物を含まないアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）で形成される。また活性層３０ｄの厚さは、例えば、０．１〜０．５μｍ程度に設定される。なお、本実施形態に係る活性層３０ｄは不純物を含まない層であるが、活性層３０ｄはｐ型不純物を含むｐ型活性層であっても、ｎ型不純物を含むｎ型活性層であってもよく、活性層のバンドギャップがｎ型クラッド層３０ｃおよび後に説明するｐ型クラッド層３０ｅのバンドギャップよりも小さくなっていればよい。
【００２７】
活性層３０ｄの上面には、ｐ型クラッド層３０ｅが形成されている。ｐ型クラッド層３０ｅは、活性層３０ｄに電子を閉じ込める機能を有している。ｐ型クラッド層３０ｅは、例えば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型不純物である亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）または炭素（Ｃ）などがドーピングされて形成される。ｐ型不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度に設定される。ｐ型クラッド層３０ｅの厚さは、例えば、０．２〜０．５μｍ程度に設定される。本実施形態に係るｐ型クラッド層３０ｅには、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が１×１０１９〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のドーピング濃度でドーピングされている。
【００２８】
ｐ型クラッド層３０ｅの上面には、ｐ型コンタクト層３０ｆが形成されている。ｐ型コンタクト層３０ｆは、例えば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型不純物である亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）または炭素（Ｃ）などがドーピングされて形成される。ｐ型不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度に設定される。ｐ型クラッド層３０ｅの厚さは、例えば、０．２〜０．５μｍ程度に設定される。
【００２９】
ｐ型コンタクト層３０ｆは、第３電極３１ｂを介して、第３電極パッド３１Ｂに電気的に接続されている。第３電極３１ｂは、発光素子３ａのｐ型電極である。第３電極パッド３１Ｂは、第２電極パッド３１Ａと同様に、ワイヤボンディングによって外部電源と電気的に接続されている。接続方法と接合形態のバリエーションは第２電極パッド３１Ａの場合と同様である。ｐ型コンタクト層３０ｆは、ｐ型コンタクト層３０ｆに接続される第３電極３１ｂとの接触抵抗を下げる機能を有している。
【００３０】
なお、ｐ型コンタクト層３０ｆの上面には、ｐ型コンタクト層３０ｆの酸化を防止する機能を有するキャップ層を形成してもよい。キャップ層は、例えば、不純物を含まないガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）で形成される。また、キャップ層の厚さは、例えば、０．０１〜０．０３μｍ程度に設定される。
【００３１】
第３電極３１ｂおよび第３電極パッド３１Ｂは、例えば、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）と、密着層であるニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）とを組み合わせたＡｕＮｉ、ＡｕＣｒ、ＡｕＴｉまたはＡｌＣｒ合金などで形成される。第３電極３１ｂおよび第３電極パッド３１Ｂのそれぞれの厚さは、例えば、０．５〜５μｍ程度に設定される。そして、半導体基板２の上面からｐ型コンタクト層３０ｆの上面を覆うように形成される絶縁層８上に配置されているため、半導体基板２およびｐ型コンタクト層３０ｆ以外の半導体層とは電気的に絶縁されている。
【００３２】
このようにして構成された発光素子３ａは、第２電極パッド３１Ａと第３電極パッド３１Ｂとの間にバイアスを印加することによって、活性層３０ｄが発光して、光の光源として機能する。
【００３３】
受光素子３ｂは、図２（ｂ）に示すように、一導電型の半導体基板２の上面に逆導電型半導体領域３２（本実施形態に係る受光素子３ｂでは、ｐ型半導体領域３２）を設けることによって、半導体基板２との間でｐｎ接合を形成して構成される。ｐ型半導体領域３２は、半導体基板２にｐ型不純物を高濃度に拡散させて形成されている。ｐ型不純物としては、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、インジウム（Ｉｎ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。本実施形態に係るｐ型半導体領域３２のｐ型不純物は、ホウ素（Ｂ）である。ｐ型不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設定される。本実施形態に係るｐ型半導体領域３２の厚さは、例えば、０．５〜３μｍ程度に設定される。
【００３４】
ｐ型半導体領域３２は、第４電極３３ｂを介して第４電極パッド３３Ｂと電気的に接続されており、半導体基板２には、第１電極パッド３３Ａが電気的に接続されている。すなわち、第４電極パッド３３Ｂは、受光素子３ｂのｐ型電極として機能する。また、第１電極パッド３３Ａは、受光素子３ｂのｎ型電極として機能する。第４電極３３ｂおよび第４電極パッド３３Ｂは、半導体基板２の上面に絶縁層８を介して配置されているため、半導体基板２と電気的に絶縁されている。
【００３５】
第１電極パッド３３Ａは、半導体基板２の上面に配置されている。そして、半導体基板２におけるｎ型の不純物濃度は、第１電極パッド３３Ａの直下の領域において他の領域よりも高くなっている。ｎ型不純物としては、例えば、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）およびビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。また、ｎ型不純物のドーピング濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設定される。本実施形態に係る半導体基板２のｎ型不純物としては、リン（Ｐ）が採用されている。
【００３６】
ここで、本実施形態に係る受発光素子１において、上述した通り、半導体基板２における第１電極パッド３３Ａの直下の領域は、半導体基板２の他の領域に比較して不純物濃度が大きく設定されている。言い換えれば、半導体基板２の他の領域は、第１電極パッド３３Ａの直下の領域よりも、不純物の濃度が小さい。すなわち、第１電極パッド３３Ａの直下以外の領域はキャリア密度が小さくなるため、電流が流れ難くなる。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流が、半導体基板２内を介して受光素子３ｂに流れ込むことを低減することができる。したがって、発光素子３ａのノイズ電流による受発光素子１の検出精度の低下を低減することができる。
【００３７】
第１電極パッド３３Ａは、半導体基板２にオーミック接合していてもよい。その結果、
第１電極パッド３３Ａからの電子の取り出し効率が向上することになり、受光素子３ｂの検出精度を向上させることができる。
【００３８】
第１電極パッド３３Ａの材料の仕事関数は、半導体基板２の材料の仕事関数より大きくてもよい。その結果、効果的に第１電極パッド３３Ａと半導体基板２とをオーミック接合させることができる。
【００３９】
一方で、第１電極パッド３３Ａの材料の仕事関数は、半導体基板２の仕事関数より小さくてもよい。この場合、第１電極パッド３３Ａの直下の領域の不純物の濃度を高くすることによって、第１電極パッド３３Ａと半導体基板２とをオーミック接合させることができる。
【００４０】
発光素子３ａの直下の領域は、第１電極パッド３３Ａの直下の領域よりも不純物濃度が低い他の領域であることが好ましい。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流を低減することができる。
【００４１】
第１電極パッド３３Ａの直下の領域は、ｐ型半導体領域３２に接触していないことが好ましい。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流を低減することができる。
【００４２】
第１電極パッド３３Ａの直下の領域内において、半導体基板２の表層部のみ不純物濃度が高くてもよい。その結果、第１電極パッド３３Ａと半導体基板２とが良好に電気的に接続することができるとともに、発光素子３ａからのノイズ電流が半導体基板２内を流れる可能性を低減することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、第１電極パッド３３Ａの直下の領域とは、半導体基板２と第１電極パッド３３Ａとがオーミック接合されれば特に限定されないが、半導体基板２と第１電極パッド３３Ａとの接合面積の７０％以上の領域をいい、半導体基板２の深さ方向の厚さが０．０１〜０．５μｍである。
【００４４】
本実施形態に係る裏面電極３５は、半導体基板２の裏面の全体にわたって形成されている。
【００４５】
第４電極３３ｂ、第４電極パッド３３Ｂ、第１電極パッド３３Ａおよび裏面電極３５は、例えば金（Ａｕ）アンチモン（Ｓｂ）合金、金（Ａｕ）ゲルマニウム（Ｇｅ）合金またはＮｉ系合金などを用いて、その厚さが０．５〜５μｍ程度で形成される。本実施形態に係る第４電極３３ｂ、第４電極パッド３３Ｂ、第１電極パッド３３Ａおよび裏面電極３５は、金（Ａｕ）ゲルマニウム（Ｇｅ）合金で形成されている。
【００４６】
そして、第１電極パッド３３Ａは、第１電極３３ａを介してガードリング電極３４と接続されており、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４は半導体基板２の上面に配置されている。半導体基板２におけるｎ型の不純物濃度は、第１電極パッド３３Ａの直下の領域と同様に、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４の直下の領域において他の領域よりも高くなっている。ガードリング電極３４は、半導体基板２の上面において発光素子３ａと受光素子３ｂとの間に形成された帯状の電極である。
【００４７】
第１電極パッド３３Ａと裏面電極３５との間に外部電源によってバイアスを印加することによって、第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４ならびに裏面電極３５でガードリング構造を形成し、漏れ電流を低減することが可能となる。
【００４８】
このように構成された受光素子３ｂは、ｐ型半導体領域３２に光が入射すると、光電効
果によって光電流が発生して、この光電流を第４電極パッド３３Ｂを介して取り出すことによって、光検出部として機能する。なお、第４電極パッド３３Ｂと第１電極パッド３３Ａとの間に逆バイアスを印加すれば、受光素子３ｂの光検出感度が高くなるので好ましい。
【００４９】
第１電極パッド３３Ａとガードリング電極３４は、一体的に形成されていても良い。すなわち、受光素子３ｂのｎ型電極がガードリング電極３４の機能まで備えていてもよい。その結果、受光素子３ｂのｎ型電極をガードリング電極３４として機能させることができる。
【００５０】
第１電極パッド３３Ａは、受光素子３ｂを取り囲むように形成されていてもよい。その結果、発光素子３ａのノイズ電流による受光素子３ｂへの影響を低減することができる。
【００５１】
第１電極パッド３３Ａの直下の領域における不純物は、半導体基板２の上面に接する半導体層を構成する元素の少なくとも１つと同じであってもよい。その結果、バッファ層３０ａを形成すると同時に、半導体基板２の上面に不純物を拡散させることができ、受発光素子１の製造工程を省略することができ、生産効率を向上させることができる。
【００５２】
第２電極３１ａおよび第１電極パッド３３Ａは同じ材料からなってもよい。その結果、第２電極パッド３１Ａと第１電極パッド３３Ａを同時に形成することができ、受発光素子１の製造工程を省略することができ、生産効率を向上させることができる。なお、第２電極パッド３１Ａおよび第１電極パッド３３Ａが同じ材料からなってもよい。
【００５３】
第１電極パッド３３Ａが第４電極パッド３３Ｂに比べて発光素子３ａ側に位置していてもよい。
【００５４】
図３に示すように、本実施形態に係る半導体基板２における第１電極パッド３３Ａの直下の領域は、第１電極パッド３３Ａ側に突出する突出部２ａを有していてもよい。そして、第１電極パッド３３Ａは、突出部２ａを覆っていてもよい。その結果、突出部２ａの側面でも第１電極パッド３３Ａをオーミック接合させることができ、効果的に発光素子３ａからのノイズ電流の影響を低減させることができる。
【００５５】
半導体基板２における不純物濃度は、突出部２ａ内の領域のみが他の領域よりも高くてもよい。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流が半導体基板２内を流れることを低減することができる。
【００５６】
また、半導体基板２における第１電極３３ａおよびガードリング電極３４の直下の領域は、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４側に突出する突出部２ａを有していてもよい。そして、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４は、突出部２ａを覆っていてもよい。その結果、効果的に発光素子３ａからのノイズ電流の影響を低減させることができる。
【００５７】
なお、突出部２ａの突出量としては第１電極パッド３３Ａ側に１μｍ程度であり、突出面積は、平面視して第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４の面積それぞれの７０〜９０％とすればよい。このような構成とすることで、第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４は、突出部を覆うように形成されることから、半導体基板２とこれら電極の接合が３次元的となり、これらの接合強度が向上する。
【００５８】
（受発光素子の製造方法）
次に、受発光素子１の製造方法の例を示す。
【００５９】
まず、ｎ型の半導体基板２を準備する。半導体基板２は、ｎ型の半導体材料からなる。ｎ型の不純物濃度に限定はない。本実施形態では、シリコン（Ｓｉ）基板にｎ型の不純物としてリン（Ｐ）を１×１０１４〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で含むｎ型のシリコン（Ｓｉ）基板を用いている。ｎ型の不純物としては、リン（Ｐ）の他に、例えば、窒素（Ｎ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）およびビスマス（Ｂｉ）などが挙げられ、ドーピング濃度は１×１０１４〜１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とされる。
【００６０】
次に、熱酸化法を用いて、半導体基板２の上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる拡散阻止膜Ｓを形成する。
【００６１】
拡散阻止膜Ｓ上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によって、ｐ型半導体領域３２を形成するための開口部Ｓａを拡散阻止膜Ｓ中に形成する。開口部Ｓａは、必ずしも拡散阻止膜Ｓを貫通している必要はない。
【００６２】
そして、拡散阻止膜Ｓ上にポリボロンフィルム（ＰＢＦ）を塗布する。続いて、熱拡散法を用いて、拡散阻止膜Ｓの開口部Ｓａを介して、ポリボロンフィルム（ＰＢＦ）に含まれているホウ素（Ｂ）を半導体基板２の内部に拡散させ、ｐ型半導体領域３２を形成する。このとき、例えばポリボロンフィルム（ＰＢＦ）の厚さを０．１〜１μｍとし、窒素（Ｎ２）および酸素（Ｏ２）を含む雰囲気中で７００〜１２００℃の温度で熱拡散させる。その後、拡散阻止膜Ｓを除去する。
【００６３】
次に、半導体基板２をＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長：Metal-organic Chemical Vapor Deposition）装置の反応炉内で熱処理することによって、半導体基板２の表面に形
成された自然酸化膜を除去する。この熱処理は、例えば１０００℃の温度で１０分間程度行なう。
【００６４】
そして、ＭＯＣＶＤ法を用いて、発光素子３ａを構成する各々の半導体層（バッファ層３０ａ、ｎ型コンタクト層３０ｂ、ｎ型クラッド層３０ｃ、活性層３０ｄ、ｐ型クラッド層３０ｅ、ｐ型コンタクト層３０ｆ）を半導体基板２上に順次積層する。そして、積層された半導体層上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によって発光素子３ａを形成する。なお、ｎ型コンタクト層３０ｂの上面の一部が露出するように、複数回のエッチングを行なう。その後、フォトレジストを除去する。
【００６５】
次に、熱酸化法、スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法などを用いて、発光素子３ａの露出面および半導体基板２（ｐ型半導体領域３２を含む）の上面を覆うように絶縁層８を形成する。続いて、絶縁層８上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によって、後に説明する第２電極３１ａおよび第３電極３１ｂならびに第４電極３３ｂを、それぞれｎ型コンタクト層３０ｂおよびｐ型コンタクト層３０ｆならびにｐ型半導体領域３２に接続するための開口を、絶縁層８に形成する。その後、フォトレジストを除去する。
【００６６】
次に、第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４が配置される領域に、熱拡散法およびイオン注入法によって、リン（Ｐ）を半導体基板２にドーピングする。
【００６７】
次に、絶縁層８上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって所望のパ
ターンを露光、現像した後、抵抗加熱法やスパッタリング法などを用いて、第２電極３１ａ、第２電極パッド３１Ａ、第４電極３３ｂ、第４電極パッド３３Ｂ、第１電極３３ａおよび第１電極パッド３３Ａを形成するための合金膜を形成する。そして、リフトオフ法を用いて、フォトレジストを除去するとともに、第２電極３１ａ、第２電極パッド３１Ａ、第４電極３３ｂ、第４電極パッド３３Ｂ、第１電極３３ａ、第１電極パッド３３Ａおよびガードリング電極３４を所望の形状に形成する。同様に第３電極３１ｂおよび発光素子側第２電極パッド３３Ｂもそれぞれ同様の工程によって形成する。
【００６８】
次に、抵抗加熱法やスパッタリング法などを用いて、半導体基板２の裏面に裏面電極３４を形成するための合金膜を形成する。本実施形態に係る裏面電極３４は半導体基板２の裏面の全体にわたって形成されている。
【００６９】
（センサ装置）
次に、受発光素子１を備えたセンサ装置１００について説明する。以下では、受発光素子１を、コピー機やプリンタなどの画像形成装置における、中間転写ベルトＶ上に付着したトナーＴ（被照射物）の位置を検出するセンサ装置に適用する場合を例に挙げて説明する。
【００７０】
図４に示すように、本実施形態に係るセンサ装置１００は、受発光素子１の発光素子３ａおよび受光素子３ｂが形成された面が、中間転写ベルトＶに対向するように配置される。そして、発光素子３ａから中間転写ベルトＶまたは中間転写ベルトＶ上のトナーＴへ光が照射される。本実施形態では、発光素子３ａの上方にプリズムＰ１を、また受光素子３ｂの上方にプリズムＰ２を配置して、発光素子３ａから発せられた光が、プリズムＰ１で屈折して中間転写ベルトＶまたは中間転写ベルトＶ上のトナーＴに入射する。そして、この入射光Ｌ１に対する正反射光Ｌ２が、プリズムＰ２で屈折して、受光素子３ｂによって受光される。受光素子３ｂには、受光した光の強度に応じて光電流が発生し、第４電極３３Ｂなどを介して、外部装置でこの光電流が検出される。
【００７１】
本実施形態に係るセンサ装置１００では、以上のように中間転写ベルトＶまたはトナーＴからの正反射光の強度に応じた光電流を検出することができる。そのため、例えば受光素子３ｂで検出される光電流値に応じて、トナーＴが所定場所に位置するか否かを検出することができる。つまり、トナーＴの位置を検出することができる。なお、正反射光の強度はトナーＴの濃度にも対応するため、発生した光電流の大きさに応じて、トナーＴの濃度を検出することも可能である。同様に、正反射光の強度は、受発光素子１からトナーＴとの距離にも対応するため、発生した光電流の大きさに応じて、受発光素子１とトナーＴとの距離を検出することも可能である。
【００７２】
本実施形態に係るセンサ装置１００によれば、受発光素子１の有する上述の効果を奏することができる。
【００７３】
以上、本発明の具体的な実施の形態の例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００７４】
例えば、本実施形態に係る第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４の直下の領域において、半導体基板２のｎ型不純物としてリン（Ｐ）を採用したが、半導体基板２の上面に接する半導体層であるバッファ層３０ａを構成する元素の少なくとも１つである砒素（Ａｓ）としてもよい。このような構成とすることで、第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４の直下の領域に、熱拡散法およびイオン注入法によって不純物を拡散しなくてもよく、工程削減が行なえ、結果として工程短縮、製造コストの削減が行なえる。
【００７５】
半導体基板２の上面に形成したバッファ層３０ａの砒素（Ａｓ）が、発光素子３ａを形成する工程の中で、半導体基板２に拡散する。発光素子３ａを形成した後のエッチングでは、発光素子３ａ以外の領域に形成された半導体層をエッチングで除去するが、半導体基板２の上面には砒素（Ａｓ）が拡散している層が残留する。通常、この拡散層は、半導体基板２の表面をエッチングすることによって除去されるが、第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４に相当する領域にフォトリソグラフィ法によってエッチングマスクを形成して、拡散層のエッチングを行なわないようにする。その後、エッチングマスクを除去して第１電極パッド３３Ａ、第１電極３３ａおよびガードリング電極３４を形成すれば、これらの直下の領域においてｎ型不純物である砒素（Ａｓ）が存在することになる。
【００７６】
また、第１電極パッド３３Ａおよび第１電極３３ａならびに第２電極パッド３１Ａおよび第２電極３１ａは同じ材料からなってもよい。本実施形態の場合、第１電極パッド３３Ａおよび第１電極３３ａは、金（Ａｕ）ゲルマニウム（Ｇｅ）合金で形成されており、第２電極パッド３１Ａおよび第２電極３１ａは、金（Ａｕ）アンチモン（Ｓｂ）合金で形成されているが、第１電極パッド３３Ａおよび第１電極３３ａならびに第２電極パッド３１Ａおよび第２電極３１ａの全てを例えば金（Ａｕ）ゲルマニウム（Ｇｅ）合金で形成してもよい。このような構成とすることで、電極パッドおよび電極の形成工程を削減が行なえ、結果として工程短縮、製造コストの削減が行なえる。
【００７７】
また、本実施形態に係るセンサ装置１００では、使用態様としてトナーＴの濃度を検出する例を記載したが、センサ装置１００の用途はトナー濃度の検出に限られない。センサ装置１００は、物質の表面状態を測定することが可能であり、例えば、人間の素肌または錠剤等の表面状態を測定することができる。
【００７８】
また、図５に示すように、半導体基板２における第１電極パッド３３Ａと発光素子３ａとの間には溝２ｂが形成されていてもよい。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流が半導体基板２内を流れるときに、溝２ｂを迂回することになり、受光素子３ｂへの影響を小さくすることができる。
【００７９】
また、第１電極パッド３３Ａと発光素子３ａとの間に形成されている溝２ｂは、半導体基板２の一端部から他端部にわたって形成されていてもよい。その結果、発光素子３ａのノイズ電流を良好に迂回させることができる。
【００８０】
また、図６に示すように、第１電極パッド３３Ａは、半導体基板２における発光素子３ａと受光素子３ｂとの間の領域に位置していてもよい。このような構成を備えるため、受光素子３ｂから電流を取り出す際、第１電極パッド３３Ａおよび第４電極パッド３３Ｂに逆バイアスを印加するときに、第１電極パッド３３Ａの直下に電界を発生させることができる。その結果、発光素子３ａからのノイズ電流が半導体基板２内を流れる場合、ノイズ電流は、第１電極パッド３３Ａの直下に発生した電界を迂回するように流れることになる。したがって、発光素子３ａのノイズ電流による受光素子２ｂへの影響を低減することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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