(57)【要約】【課題】透明導電膜からなるセンサー電極のパターンが視認し難い静電容量型タッチパネルを提供する。【解決手段】本発明で提供する静電容量型タッチパネルは、第一層２と第二層３に形成されたＸ電極Ｘ１、Ｙ電極Ｙ１、ダミー電極（第一ダミー電極Ｄ１１及び第二ダミー電極Ｄ２１）に規則性のあるスリットＳ１を形成することによって、第一層２と第二層３の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子によるセンサー電極パターンを視認し難くできる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｙ方向に延在して前記Ｙ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極と、隣り合う前記Ｘ電極の間に配置された第一ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第一層と、
前記Ｘ方向に延在して前記Ｙ方向に配列された複数のＹ電極と、隣り合う前記Ｙ電極の間に配置された第二ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第二層と、を備え、
前記第一層と前記第二層とは、絶縁層を介して積層され、
前記Ｘ電極には、当該Ｘ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、
前記Ｙ電極には、当該Ｙ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、
前記ダミー電極には、前記Ｘ方向に延びるスリット及び前記Ｙ方向に延びるスリットが形成され、
前記第一層と前記第二層とを前記第一層と前記第二層との積層方向に投射した投射像において、
前記スリットによる格子形状が形成されるとともに、
前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記Ｙ電極とが重なるＡ領域と、
前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記第二ダミー電極とが重なるＢ領域と、
前記第一層の前記第一ダミー電極と前記第二層の前記Ｙ電極とが重なるＣ領域と、
前記第一層の前記第一ダミー電極と前記第二層の前記第二ダミー電極とが重なるＤ領域と、において、
前記第一層又は前記第二層の何れか一方では、前記格子形状の最小単位である単位格子を形成する前記スリットの合計数は、前記Ｂ領域が前記Ａ領域の０．５倍、前記Ｃ領域が前記Ａ領域の１．５倍、前記Ｄ領域が前記Ａ領域の１．０倍である、
静電容量型タッチパネル。
【請求項２】
前記第一層の前記Ｘ電極に形成された前記スリットは、
前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重なるが前記第二ダミー電極と重ならない複数の第一スリットと、
前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極及び前記第二ダミー電極と重なる複数の第二スリットと、からなり、
前記第一スリットと前記第二スリットとは、前記Ｘ方向に交互に配置され、
前記第二層の前記Ｙ電極に形成された前記スリットは、
前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重なるが前記第一ダミー電極と重ならない複数の第三スリットと、
前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極及び前記第一ダミー電極と重なる複数の第四スリットと、からなり、
前記第三スリットと前記第四スリットとは、前記Ｙ方向に交互に配置される、
請求項１に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項３】
前記第一層の前記Ｘ電極に形成された前記スリットは、
前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重なるが前記第二ダミー電極と重ならない複数の第一スリットと、
前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極及び前記第二ダミー電極と重なる複数の第二スリットと、を有し、
前記第一スリットと前記第二スリットとは、等ピッチで前記Ｘ方向に交互に配置され、
前記第二層の前記Ｙ電極に延在する前記スリットは、
前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重なるが前記第一ダミー電極と重ならない複数の第三スリットと、
前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極及び前記第一ダミー電極と重なる複数の第四スリットと、を有し、
前記第三スリットと前記第四スリットとは、等ピッチで前記Ｙ方向に交互に配置される、
請求項１に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項４】
前記第一層では、前記Ｂ領域の前記Ｙ方向に延在する前記スリットのピッチが前記Ｄ領域の前記Ｙ方向に延在する前記スリットのピッチの２倍であり、かつ、前記Ｃ領域の前記Ｘ方向に延在する前記スリットのピッチが前記Ｂ領域の前記Ｙ方向に延在する前記スリットのピッチと等しく、
前記第二層では、前記Ｃ領域の前記Ｘ方向に延在する前記スリットのピッチが前記Ｄ領域の前記Ｘ方向に延在する前記スリットのピッチの２倍であり、かつ、前記Ｂ領域の前記Ｙ方向に延在する前記スリットのピッチが前記Ｃ領域の前記Ｘ方向に延在する前記スリットのピッチと等しい、
請求項１〜３の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項５】
前記格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺の前記スリットの形状が、曲線からなる、
請求項１〜４の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項６】
前記格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺の前記スリットの形状は、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなる、
請求項１〜５の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項７】
前記格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の長さは、５０μｍ〜５００μｍである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項８】
前記格子形状の最小単位である単位格子を形成する前記スリットは、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向に沿って一階微分連続となるような配列で構成されている、
請求項１〜７の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項９】
前記投射像において、前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記Ｙ電極が重なる部分の面積がタッチパネルの全面において同じとなるように、前記スリットの形状及び配列が構成されている、
請求項１〜８の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１０】
前記単位格子の前記Ｘ方向と前記Ｙ方向の比が０．７〜１．３である、
請求項１〜９の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１１】
前記単位格子の前記Ｘ方向と前記Ｙ方向の比が１である、
請求項１〜１０の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１２】
前記第一層及び前記第二層がそれぞれ透明基板の両側に形成されている、
請求項１〜１１の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１３】
前記第一層及び前記第二層が透明基板の片側に、前記透明基板、前記第一層、前記絶縁層、及び前記第二層の順、又は前記透明基板、前記第二層、前記絶縁層、及び前記第一層の順に形成されている、
請求項１〜１２の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１４】
前記第一層の前記Ｘ電極及び前記第一ダミー電極、並びに前記第二層の前記Ｙ電極及び前記第二ダミー電極が同一の透明導電膜からなる、
請求項１〜１３の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１５】
前記スリットの幅が４０μｍ以下である、
請求項１〜１４の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１６】
前記透明導電膜は、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成される、
請求項１〜１５の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
【請求項１７】
請求項１６に記載の静電容量型タッチパネルにおいて、前記金属ナノワイヤからなる透明導電材を感光性プロセスを用いてパターニングすることで、前記透明導電膜を形成する、
静電容量型タッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量型タッチパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、表示領域がタッチされたこと、及びタッチされた座標を検出する装置である。タッチパネルは、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノートパソコン等に搭載される。タッチ検出方式は数種類あり、例えば静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式等がある。本技術は、主に静電容量方式のタッチパネルである静電容量型タッチパネルに関するものである。
【０００３】
静電容量型タッチパネルは、透明導電膜からなる複数の互いに直交するＸ電極及びＹ電極からなる。Ｘ電極及びＹ電極は、互いに交差する部分と交差しない部分を有するのが一般的である。
【０００４】
これらタッチパネルでは、指が触れていない定常状態の電極間の静電容量、すなわち、主に直交する電極の交差部及び隣接する電極間の静電容量が、指を触れた際に変化することを検出している。
【０００５】
具体的な構造としては、Ｘ電極とＹ電極とを異なる層で形成して絶縁層を介して積層した構造、又はＸ電極とＹ電極とを同一層に形成して交差部のみを絶縁層を介して立体的に橋渡しした構造が一般的である。
【０００６】
両構造ともに、透明導電膜からなる電極のある部分とない部分とが存在する。その結果、ある部分とない部分との光学的な差、すなわち、透過率、反射率、及びそのスペクトルに起因した色相の差が面内に存在し、それがセンサー電極パターンとなって視認される問題があった。
【０００７】
また、電極のない部分をなくすために、電極間に、電気的に接続されていないダミー電極を配置した構造も提案され実用化されている。しかし、絶縁を得るために透明導電膜を細いスペースで除去した領域が必要となり、この透明導電膜のないスペースも僅かながら視認される。
【０００８】
このため、このスペースの空間的な配置を均一化することによって、ダミー電極のパターンを見え難くする工夫も提案され実用化されている。
【０００９】
非特許文献１では、図２７〜図２９に示すように、第一層２０２のＸ電極と第二層２０３のＹ電極とを異なる層で形成して絶縁層を介して積層した構造２０１において、Ｘ電極とＸ方向及びＹ方向に延在するスリット状のスペースＳを形成したダミー電極ＤとをＹ方向に配置し、Ｙ電極の中にスリット状のスペースＳをＸ方向に入れることによって、第一層２０２と第二層２０３を投射して見た場合に全面で均一な格子形状を得る構造２０１が記載されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】タッチパネルがわかる本  越石 健司／黒沢理［共編］オーム社（2011年発売）  ｐ.５７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、本方法でも第一層と第二層に形成されたスペースの視認性が異なるため、格子形状が均一に見難い。このため、センサー電極パターンに関する更なる視認性の向上が求められている。
【００１２】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、透明導電膜からなるセンサー電極パターンが視認し難い静電容量型タッチパネル及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る静電容量型タッチパネルは、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極と、隣り合うＸ電極の間に配置された第一ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第一層と、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極と、隣り合うＹ電極の間に配置された第二ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第二層と、を備え、第一層と第二層とは、絶縁層を介して積層され、Ｘ電極には、当該Ｘ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、Ｙ電極には、当該Ｙ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、ダミー電極には、Ｘ方向に延びるスリット及びＹ方向に延びるスリットが形成され、第一層と第二層とを第一層と第二層との積層方向に投射した投射像において、スリットによる格子形状が形成されるとともに、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なるＡ領域と、第一層のＸ電極と第二層の第二ダミー電極とが重なるＢ領域と、第一層の第一ダミー電極と第二層のＹ電極とが重なるＣ領域と、第一層の第一ダミー電極と第二層の第二ダミー電極とが重なるＤ領域と、において、第一層又は第二層の何れか一方では、格子形状の最小単位である単位格子を形成するスリットの合計数は、Ｂ領域がＡ領域の０．５倍、Ｃ領域がＡ領域の１．５倍、Ｄ領域がＡ領域の１．０倍である。
【００１４】
本発明に係る静電容量型タッチパネルでは、第一層と第二層とに形成されたＸ電極、Ｙ電極及びダミー電極に規則性のあるスリットを形成することによって、第一層と第二層の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子によるセンサー電極パターンを視認し難くできる。
【００１５】
第一層のＸ電極に形成されたスリットは、投射像において第二層のＹ電極と重なるが第二ダミー電極と重ならない複数の第一スリットと、投射像において第二層のＹ電極及び第二ダミー電極と重なる複数の第二スリットと、からなり、第一スリットと第二スリットとは、Ｘ方向に交互に配置され、第二層のＹ電極に形成されたスリットは、投射像において第一層のＸ電極と重なるが第一ダミー電極と重ならない複数の第三スリットと、投射像において第一層のＸ電極及び第一ダミー電極と重なる複数の第四スリットと、からなり、第三スリットと第四スリットとは、Ｙ方向に交互に配置されてもよい。
【００１６】
第一層のＸ電極に形成されたスリットは、投射像において第二層のＹ電極と重なるが第二ダミー電極と重ならない複数の第一スリットと、投射像において第二層のＹ電極及び第二ダミー電極と重なる複数の第二スリットと、を有し、第一スリットと第二スリットとは、等ピッチでＸ方向に交互に配置され、第二層のＹ電極に延在するスリットは、投射像において第一層のＸ電極と重なるが第一ダミー電極と重ならない複数の第三スリットと、投射像において第一層のＸ電極及び第一ダミー電極と重なる複数の第四スリットと、を有し、第三スリットと第四スリットとは、等ピッチでＹ方向に交互に配置されてもよい。
【００１７】
第一層では、Ｂ領域のＹ方向に延在するスリットのピッチがＤ領域のＹ方向に延在するスリットのピッチの２倍であり、かつ、Ｃ領域のＸ方向に延在するスリットのピッチがＢ領域のＹ方向に延在するスリットのピッチと等しく、第二層では、Ｃ領域のＸ方向に延在するスリットのピッチがＤ領域のＸ方向に延在するスリットのピッチの２倍であり、かつ、Ｂ領域のＹ方向に延在するスリットのピッチがＣ領域のＸ方向に延在するスリットのピッチと等しくてもよい。
【００１８】
格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺のスリットの形状は、曲線であってもよく、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなってもよい。
【００１９】
格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の長さは、５０μｍ〜５００μｍであってもよい。
【００２０】
格子形状の最小単位である単位格子を形成するスリットは、Ｘ方向及びＹ方向に沿って一階微分が連続となるような配列で構成されていてもよい。
【００２１】
投射像において、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極が重なる部分の面積がタッチパネルの全面において同じとなるように、スリットの形状及び配列が構成されていてもよい。
【００２２】
単位格子のＸ方向とＹ方向の比が０．７〜１．３であってもよい。
【００２３】
単位格子のＸ方向とＹ方向の比が１であってもよい。
【００２４】
第一層及び第二層がそれぞれ透明基板の両側に形成されていてもよい。
【００２５】
第一層及び第二層が透明基板の片側に、透明基板、第一層、絶縁層、及び第二層の順、又は透明基板、第二層、絶縁層、及び第一層の順に形成されていてもよい。
【００２６】
第一層のＸ電極及び第一ダミー電極、並びに第二層のＹ電極及び第二ダミー電極が同一の透明導電膜からなってもよい。
【００２７】
スリットの幅が４０μm以下であってもよい。
【００２８】
透明導電膜は、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成されてもよい。
【００２９】
本発明に係る静電容量型タッチパネルの製造方法は、上記の静電容量型タッチパネルにおいて、金属ナノワイヤからなる透明導電材を感光性プロセスを用いてパターニングすることで、上記透明導電膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、第一層と第二層の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子によるセンサー電極パターンを視認し難くできる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第一の実施形態における第一層の構成例を示す図である。
【図２】第一の実施形態における第二層の構成例を示す図である。
【図３】第一の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【図４】第一の実施形態における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。
【図５】第一の実施形態におけるタッチパネルの断面構造例を示す図である。
【図６】第一の実施形態におけるタッチパネルの断面構造例を示す図である。
【図７】第二の実施形態における第一層の構成例を示す図である。
【図８】第二の実施形態における第二層の構成例を示す図である。
【図９】第二の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【図１０】第二の実施形態における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。
【図１１】第三の実施形態における第一層の構成例を示す図である。
【図１２】第三の実施形態における第二層の構成例を示す図である。
【図１３】第三の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【図１４】第三の実施形態における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。
【図１５】参考例における第一層の構成例を示す図である。
【図１６】参考例における第二層の構成例を示す図である。
【図１７】参考例における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【図１８】参考例における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。
【図１９】実施形態における単位格子の曲線スリットの概念を示す図である。
【図２０】実施形態における単位格子の曲線スリットの一例を示す図である。
【図２１】実施形態における４つの隣接する単位格子の形状の一例を示す図である。
【図２２】実施形態におけるＹ方向に沿った隣接するスリット曲線の一例を示す図である。
【図２３】実施形態におけるＹ方向に沿った隣接するスリット曲線の一例を示す図である。
【図２４】実施形態におけるＸ方向に沿った隣接するスリット曲線の一例を示す図である。
【図２５】実施形態におけるＸ方向に沿った隣接するスリット曲線の一例を示す図である。
【図２６】実施形態における曲線スリットを用いたスリットでの第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【図２７】非特許文献１に記載の形態における第一層の構成例を示す図である。
【図２８】非特許文献１に記載の形態における第二層の構成例を示す図である。
【図２９】非特許文献１に記載の形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
【００３３】
＜第一の実施の形態＞
図１は、本実施形態のタッチパネルの第一層２の構成例を示す。第一層２は、透明導電膜からなる。第一層２には、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ１と、隣り合うＸ電極Ｘ１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１１と、が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ１には、Ｘ電極Ｘ１の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳ１が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ１及びＹ方向に延在するスリットＳ１が形成されている。これらのスリットＳ１は、絶縁性を有する。図１では、Ｘ電極Ｘ１は３本のラインで構成され、Ｘ電極Ｘ１の幅Ｗ１と第一ダミー電極Ｄ１１の幅Ｗ２とが等しい例を示している。なお、スリットＳ１の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、直線であってもよく、曲線であってもよい。
【００３４】
図２は、本実施形態のタッチパネルの第二層３の構成例を示す。第二層３は、透明導電膜からなる。第二層３には、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ１と、隣り合うＹ電極Ｙ１の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２１と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ１には、Ｙ電極Ｙ１の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳ１が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ１及びＹ方向に延在するスリットＳ１が形成されている。これらのスリットＳ１は、絶縁性を有する。図２では、Ｙ電極Ｙ１は３本のラインで、Ｙ電極Ｙ１の幅Ｗ３と第二ダミー電極Ｄ２１の幅Ｗ４とが等しい例を示している。
【００３５】
本実施形態のタッチパネルは、このように構成される第一層２と第二層３とが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。
【００３６】
図３は、本実施形態のタッチパネルの第一層２と第二層３とを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図３では、第一層２を実線で示し、第二層３を破線で示している。投射像は、第一層２と第二層３とを第一層２と第二層３との積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳ１による格子形状が全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２と第二層３とを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳ１で形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳ１と、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳ１と、の合計四つのスリットＳ１により形成される矩形の格子である。
【００３７】
図４は、図３の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。すなわち、投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１と第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１とが重なる領域である。
【００３８】
ここで、本発明者らが鋭意研究したところ、以下の知見を得た。すなわち、第一層２と第二層３とに同じ透明導電膜を適用した場合でも、隣接する層の種類及び屈折率が異なるため、第一層２に存在するスリットＳ１と第二層３に存在するスリットＳ１の見え方は異なる。したがって、第一層２と第二層３とを重ね合わせて投射した際に生ずる単位格子に関して、Ａ領域〜Ｄ領域の４つの領域での各層のスリットＳ１の合計数の差を小さくすると、センサー電極パターンを視認し難くできることを見出した。
【表１】
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表１に示すように、第一層２では、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の０．５倍、Ｃ領域がＡ領域の１．５倍、Ｄ領域がＡ領域の１．０倍（Ａ領域と同じ）となっている。第二層３では、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の１．５倍、Ｃ領域がＡ領域の０．５倍、Ｄ領域がＡ領域の１．０倍（Ａ領域と同じ）となっている。
【００３９】
具体的に記述すると、図３の投射像において、第一層２のＸ電極Ｘ１に形成されるスリットＳ１は、（１）第二層３のＹ電極Ｙ１と重なるが第二ダミー電極Ｄ２１と重ならない複数の第一スリットＳＡ１と、（２）第二層３のＹ電極Ｙ１及び第二ダミー電極Ｄ２１と重なる複数の第二スリットＳＢ１と、からなる（図１参照）。そして、第一スリットＳＡ１と第二スリットＳＢ１とは、Ｘ方向に交互に配置されている。
【００４０】
図３の投射像において、第二層３のＹ電極Ｙ１に形成されるスリットＳ１は、（１）第一層２のＸ電極Ｘ１と重なるが第一ダミー電極Ｄ１１と重ならない複数の第三スリットＳＣ１と、（２）第一層２のＸ電極Ｘ１及び第一ダミー電極Ｄ１１と重なる複数の第四スリットＳＤ１と、からなる（図２参照）。第三スリットＳＣ１と第四スリットＳＤ１とは、Ｙ方向に交互に配置されている。
【００４１】
そして、第一層２のＡ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が０、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が２となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が２となる。第一層２のＢ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が０、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が１となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が１となる。第一層２のＣ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が１、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が２となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が３となる。第一層２のＤ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が０、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が２となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が２となる。
【００４２】
第二層３のＡ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が２、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が０となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が２となる。第二層３のＢ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が２、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が１となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が３となる。第二層３のＣ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が１、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が０となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が１となる。第二層３のＤ領域では、単位格子を形成するＸ方向のスリットＳ１の数が２、単位格子を形成するＹ方向のスリットＳ１の数が０となり、単位格子を形成するスリットＳ１の合計数が２となる。
【００４３】
また、図３の投射像において、第一層２のＸ電極Ｘ１に形成されるスリットＳ１は、（１）第二層３のＹ電極Ｙ１と重なるが第二ダミー電極Ｄ２１と重ならない複数の第一スリットＳＡ１と、（２）第二層３のＹ電極Ｙ１及び第二ダミー電極Ｄ２１と重なる複数の第二スリットＳＢ１と、からなる（図１参照）。そして、第一スリットＳＡ１と第二スリットＳＢ１とは、等ピッチでＸ方向に交互に配置されている。つまり、複数の第一スリットＳＡ１及び第二スリットＳＢ１のうち、Ｘ方向に隣り合うスリットＳ１間の距離が等しい。
【００４４】
図３の投射像において、第二層３のＹ電極Ｙ１に形成されるスリットＳ１は、（１）第一層２のＸ電極Ｘ１と重なるが第一ダミー電極Ｄ１１と重ならない複数の第三スリットＳＣ１と、（２）第一層２のＸ電極Ｘ１及び第一ダミー電極Ｄ１１と重なる複数の第四スリットＳＤ１と、からなる（図２参照）。第三スリットＳＣ１と第四スリットＳＤ１とは、等ピッチでＹ方向に交互に配置されている。つまり、複数の第三スリットＳＣ１及び第四スリットＳＤ１のうち、Ｙ方向に隣り合うスリットＳ１間の距離が等しい。
【００４５】
また、図１に示すように、第一層２では、Ｂ領域のＹ方向に延在するスリットＳ１のピッチがＤ領域のＹ方向に延在するスリットＳ１のピッチの２倍であり、かつ、Ｃ領域のＸ方向のスリットＳ１のピッチがＢ領域のＹ方向に延在するスリットＳ１のピッチと等しい。
【００４６】
図２に示すように、第二層３では、Ｃ領域のＸ方向に延在するスリットＳ１のピッチがＤ領域のＸ方向に延在するスリットＳ１のピッチの２倍であり、かつ、Ｂ領域のＹ方向のスリットＳ１のピッチがＣ領域のＸ方向に延在するスリットＳ１のピッチと等しい。
【００４７】
単位格子のＸ方向とＹ方向の比が０．７〜１．３であると、対称性が高く、センサー電極パターンを視認し難くできるため、好ましい。また、単位格子のＸ方向とＹ方向の比が１であると、対称性が更に高く、センサー電極パターンを更に視認し難くできる。
【００４８】
また、スリットＳ１の大きさ、すなわち単位格子の大きさは、大きすぎても小さすぎても視認され易いことから、単位格子の一辺が５０〜５００μｍとなるのが好ましく、１００〜５００μｍがより好ましい。すなわち、格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の長さが、５０μｍ〜５００μｍの範囲とすることで、センサー電極パターンを更に視認し難くすることができる。上記縦二辺及び横二辺の長さは、１００〜５００μｍの範囲がより好ましい。
【００４９】
スリットＳ１を直線で構成すると、その格子形状が特定の角度から見た際に視認され易い可能性がある。
【００５０】
そこで、単位格子における４つの格子点間を結ぶ、縦二辺及び横二辺の計四辺のスリットＳ１の形状が、任意の曲線からなっていてもよく、図１９に示すように、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなってもよい。図２０は２種類の凹凸の曲線で構成することができる１６通りの単位格子形状の一例である。なお、図１９〜図２６において、太線は、スリットを示しており、互いに直交する細線の格子は、スリットの基準位置を示す基準線を示している。
【００５１】
更に、これら単位格子が隣接した４つの格子の形状に注目すると、図２１（ａ）〜（ｆ）に示す様にスリット曲線を滑らかに接続することによって、電極パターンを更に視認し難くできることを見出した。このためには、Ｘ方向及びＹ方向に沿って、隣接するスリット曲線の一階微分が連続、すなわちＣ１連続となるような配列で、単位格子が構成されることが好ましい。
【００５２】
図２１では６つの例を示したが、そのスリットの組み合わせは任意で、よりランダムな組み合わせの方が規則性を緩和でき、特定角度から見た際の視認性を向上できる。
【００５３】
タッチパネルの全面で曲線の一階微分が連続という制約は、Ｘ電極に関して図示すると、図２２又は図２３に示す様に、Ｙ方向に沿ってスリット曲線を配置することを意味する。同様に、Ｙ電極に関して図示すると、図２４又は図２５に示す様に、Ｘ方向に沿ってスリット曲線を配置することを意味する。
【００５４】
これらのＸ方向及びＹ方向への組み合わせを任意に構成することによって、図２６に示す例の様に、より単位格子をランダムに配列することができる。図２６は、タッチパネルの一部、つまり、Ｘ電極及びＹ電極の一部を示している。図２６において、Ａ領域には、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが配置されており、Ｂ領域には、第一層のダミー電極と第二層のＹ電極とが配置されており、Ｃ領域には、第一層のＸ電極と第二層のダミー領域とが配置されており、Ｄ領域には、第一層のダミー電極と第二層のダミー電極とが配置されている。
【００５５】
但し、後述のように静電容量を規定する第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なる面積は、タッチパネルの全面で一定になるようにスリット形状を設計する方が好ましい。この制約を一番簡単に実現するには、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極が重なる部分では、スリットの形状、配列をタッチパネルの全面において同じとなるように構成することが好ましい。
【００５６】
図５は、本実施形態のタッチパネル１において、第一層２及び第二層３がそれぞれ透明基板４の両側に形成した構造を示す。図５では、透明基板４が絶縁層を兼ねる。図６は、本実施形態のタッチパネル１において、第一層２及び第二層３が透明基板４の片側に、透明基板４、第一層２、絶縁層５、及び第二層３の順、又は透明基板４、第二層３、絶縁層５、及び第一層２の順に形成した構造を示す。
【００５７】
本実施形態のタッチパネルにおいては、第一層２のＸ電極Ｘ１及び第一ダミー電極Ｄ１１、並びに第二層３のＹ電極Ｙ１及び第二ダミー電極Ｄ２１が同一の透明導電膜からなることが好ましい。透明導電膜としては、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、導電性ポリマー、金属ナノワイヤ含有組成物、カーボンナノチューブ含有組成物等が挙げられる。
【００５８】
また、本実施形態のタッチパネルにおいては、スリットＳ１の幅が４０μｍ以下であることが好ましい。スリットＳ１の幅が４０μｍ以下であると、スリットＳ１自体が視認され難くなるため好ましい。一方、スリットＳ１の幅は、小さいほど視認され難いが、電極間でショートする可能性がでてくるので、視認性と電極間のショートの両立を図ることが必要となる。
【００５９】
本実施形態のタッチパネルは、透明導電膜が、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成されている場合、特に有効である。金属ナノワイヤ含有組成物から形成された透明導電膜を有するタッチパネルは、金属ナノワイヤの散乱に起因して、電極のある部分とない部分の光学的な差、すなわち、透過率、反射率、及びそのスペクトルに起因した色相の差が視認され易い。しかしながら、本実施形態の構成により、金属ナノワイヤ含有組成物から形成された透明導電膜を有するタッチパネルであっても、センサー電極パターンを視認し難くすることができる。
【００６０】
本実施形態の静電容量型タッチパネルの製造方法では、金属ナノワイヤからなる透明導電材のパターニングを感光性プロセスで形成することが好ましい。すなわち、透明導電膜によるセンサー電極パターンを感光性プロセスで形成し、タッチパネルを製造することが好ましい。
【００６１】
タッチパネルで検出する静電容量は、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる面積、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１との間の距離、第一層２のＸ電極と第二層３のＹ電極Ｙ１との間の材料の誘電率と、に依存する。第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる面積は、第一層２のＸ電極Ｘ１の幅Ｗ１と第二層３のＹ電極Ｙ１の幅Ｗ３とで規定される。一般に使用されているコントローラーＩＣは、静電容量が一定範囲内にあることを必要とする。また、一般に使用されているコントローラーＩＣは、電極の長さと幅で規定される抵抗が一定範囲内にあることを必要とする。
【００６２】
これらの要求から、第一層２のＸ電極Ｘ１の幅Ｗ１及び第二層３のＹ電極Ｙ１の幅Ｗ３を設計する必要がある。一方、各電極のピッチは、指の大きさから、４〜５ｍｍであってもよい。以上から、電極の幅とダミー電極の幅の比率が決定される。また、電極のラインの本数はタッチパネルの寸法に依存し、タッチパネルの寸法が大きければラインの本数は多くなってもよい。
【００６３】
＜第二の実施の形態＞
図７は、本実施形態のタッチパネルの第一層２Ａの構成例を示す。第一層２Ａは、透明導電膜からなる。第一層２Ａには、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ２と、隣り合うＸ電極Ｘ２の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１２と、が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１２は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ２には、Ｘ電極Ｘ２の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳ２が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１２には、Ｘ方向に延在するスリットＳ２及びＹ方向に延在するスリットＳ２が形成されている。これらのスリットＳ２は、絶縁性を有する。図７では、Ｘ電極Ｘ２は３本のラインで構成され、Ｘ電極Ｘ２の幅Ｗ１と第一ダミー電極Ｄ１２の幅Ｗ２との比がＷ１：Ｗ２＝１：２の例を示している。
【００６４】
図８は、本実施形態のタッチパネルの第二層３Ａの構成例を示す。第二層３Ａは、透明導電膜からなる。第二層３Ａには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ２と、隣り合うＹ電極Ｙ２の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２２と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ２には、Ｙ電極Ｙ２の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳ２が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２には、Ｘ方向に延在するスリットＳ２及びＹ方向に延在するスリットＳ２が形成されている。これらのスリットＳ２は、絶縁性を有する。図８では、Ｙ電極Ｙ２は３本のラインで、Ｙ電極Ｙ２の幅Ｗ３と第二ダミー電極Ｄ２２の幅Ｗ４との比がＷ３：Ｗ４＝１：２の例を示している。
【００６５】
本実施形態のタッチパネルは、このように構成される第一層２Ａと第二層３Ａとが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。
【００６６】
図９は、本実施形態のタッチパネルの第一層２Ａと第二層３Ａとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図９では、第一層２Ａを実線で示し、第二層３Ａを破線で示している。投射像は、第一層２Ａと第二層３Ａとを第一層２Ａと第二層３Ａとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳ２による格子形状が全面に渡って均一に形成されている。投射像において、スリットＳ２で形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳ２と、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳ２と、の合計四つのスリットＳ２により形成される矩形の格子である。
【００６７】
図１０は、図９の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。すなわち、投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と第二層３ＡのＹ電極Ｙ２とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と第二層３Ａの第二ダミー電極Ｄ２２とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ａの第一ダミー電極Ｄ１２と第二層３ＡのＹ電極Ｙ２とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ａの第一ダミー電極Ｄ１２と第二層３Ａの第二ダミー電極Ｄ２２とが重なる領域である。
【００６８】
表１に示すように、第一層２Ａでは、単位格子を形成するスリットＳ２の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の０．５倍、Ｃ領域がＡ領域の１．５倍、Ｄ領域がＡ領域と等しい。第二層３Ａでは、単位格子を形成するスリットＳ２の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の１．５倍、Ｃ領域がＡ領域の０．５倍、Ｄ領域がＡ領域と等しい。
【００６９】
具体的に説明すると、図９の投射像において、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２に形成されるスリットＳ２は、（１）第二層３ＡのＹ電極Ｙ２と重なるが第二ダミー電極Ｄ２２と重ならない複数の第一スリットＳＡ２と、（２）第二層３ＡのＹ電極Ｙ２及び第二ダミー電極Ｄ２２と重なる複数の第二スリットＳＢ２と、からなる（図７参照）。そして、第一スリットＳＡ２と第二スリットＳＢ２とは、等ピッチでＸ方向に交互に配置されている。
【００７０】
図９の投射像において、第二層３ＡのＹ電極Ｙ２に形成されるスリットＳ２は、（１）第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と重なるが第一ダミー電極Ｄ１２と重ならない複数の第三スリットＳＣ２と、（２）第一層２ＡのＸ電極Ｘ２及び第一ダミー電極Ｄ１２と重なる複数の第四スリットＳＤ２と、からなる（図８参照）。第三スリットＳＣ２と第四スリットＳＤ２とは、等ピッチでＹ方向に交互に配置されている。
【００７１】
＜第三の実施の形態＞
図１１は、本実施形態のタッチパネルの第一層２Ｂの構成例を示す。第一層２Ｂは、透明導電膜からなる。第一層２Ｂには、Ｙ方向に延在してＸ方向に配列される複数のＸ電極Ｘ３と、隣り合うＸ電極Ｘ３の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１３と、が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１３は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ３には、Ｘ電極Ｘ３の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳ３が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１３には、Ｘ方向に延在するスリットＳ３及びＹ方向に延在するスリットＳ３が形成されている。これらのスリットＳ３は、絶縁性を有する。図１１では、Ｘ電極Ｘ３は３本のラインの例で、Ｘ電極Ｘ３の幅Ｗ１と第一ダミー電極Ｄ１３の幅Ｗ２との比がＷ１：Ｗ２＝１：２の例を示している。
【００７２】
図１２は、本実施形態のタッチパネルの第二層３Ｂの構成例を示す。第二層３Ｂは、透明導電膜からなる。第二層３Ｂには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ３と、隣り合うＹ電極Ｙ３の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２３と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２３は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ３には、Ｙ電極Ｙ３の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳ３が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２３には、Ｘ方向に延在するスリットＳ３及びＹ方向に延在するスリットＳ３が形成されている。これらのスリットＳ３は、絶縁性を有する。図１２では、Ｙ電極Ｙ３は３本のラインで、Ｙ電極Ｙ３の幅Ｗ３と第二ダミー電極Ｄ２３の幅Ｗ４とが等しい例を示している。
【００７３】
本実施形態のタッチパネルは、このように構成される第一層２Ｂと第二層３Ｂとが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。
【００７４】
図１３は、本実施形態のタッチパネルの第一層２Ｂと第二層３Ｂとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図１３では、第一層２Ｂを実線で示し、第二層３Ｂを破線で示している。投射像は、第一層２Ｂと第二層３Ｂとを第一層２Ｂと第二層３Ｂとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳ３による格子形状が全面に渡って均一に形成されている。投射像において、スリットＳ３で形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳ３と、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳ３と、の合計四つのスリットＳ３により形成される矩形の格子である。
【００７５】
図１４は、図１３の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。すなわち、投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と第二層３ＢのＹ電極Ｙ３とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と第二層３Ｂの第二ダミー電極Ｄ２３とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ｂの第一ダミー電極Ｄ１３と第二層３ＢのＹ電極Ｙ３とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ｂの第一ダミー電極Ｄ１３と第二層３Ｂの第二ダミー電極Ｄ２３とが重なる領域である。
【００７６】
表１に示すように、第一層２Ｂでは、単位格子を形成するスリットＳ３の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の０．５倍、Ｃ領域がＡ領域の１．５倍、Ｄ領域がＡ領域と等しい。第二層３Ｂでは、単位格子を形成するスリットＳ３の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の１．５倍、Ｃ領域がＡ領域の０．５倍、Ｄ領域がＡ領域と等しい。
【００７７】
具体的に説明すると、図１３の投射像において、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３に形成されるスリットＳ３は、（１）第二層３ＢのＹ電極Ｙ３と重なるが第二ダミー電極Ｄ２３と重ならない複数の第一スリットＳＡ３と、（２）第二層３ＢのＹ電極Ｙ３及び第二ダミー電極Ｄ２３と重なる複数の第二スリットＳＢ３と、からなる（図１１参照）。そして、第一スリットＳＡ３と第二スリットＳＢ３とは、等ピッチでＸ方向に交互に配置されている。
【００７８】
図１３の投射像において、第二層３ＢのＹ電極Ｙ３に形成されるスリットＳ３は、（１）第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と重なるが第一ダミー電極Ｄ１３と重ならない複数の第三スリットＳＣ３と、（２）第一層２ＢのＸ電極Ｘ３及び第一ダミー電極Ｄ１３と重なる複数の第四スリットＳＤ３と、からなる（図１２参照）。第三スリットＳＣ３と第四スリットＳＤ３とは、等ピッチでＹ方向に交互に配置されている。
【００７９】
＜参考例の形態＞
図１５は、参考例のタッチパネルの第一層１０２の構成例を示す。第一層１０２は、透明導電膜からなる。第一層１０２には、Ｙ方向に延在してＸ方向に配列される複数のＸ電極Ｘ１０１と、隣り合うＸ電極Ｘ１０１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１１１と、が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ１０１には、Ｘ電極Ｘ１０１の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳ１０１が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ１０１及びＹ方向に延在するスリットＳ１０１が形成されている。これらのスリットＳ１０１は、絶縁性を有する。図１５では、Ｘ電極Ｘ１０１は３本のラインで構成され、Ｘ電極Ｘ１０１の幅Ｗ１と第一ダミー電極Ｄ１１１の幅Ｗ２とが等しい例を示している。
【００８０】
図１６は、参考例のタッチパネルの第二層１０３の構成例を示す。第二層１０３は、透明電極からなる。第二層１０３には、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ１０１と、隣り合うＹ電極Ｙ１０１の間に配置された第二ダミー電極Ｄ１２１と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ１２１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ１０１には、Ｙ電極Ｙ１０１の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳ１０１が形成されている。第二ダミー電極Ｄ１２１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ１０１及びＹ方向に延在するスリットＳ１０１が形成されている。これらのスリットＳ１０１は、絶縁性を有する。図１６では、Ｙ電極Ｙ１０１は３本のラインで構成され、Ｙ電極Ｙ１０１の幅Ｗ３と第二ダミー電極Ｄ１２１の幅Ｗ４とが等しい例を示している。
【００８１】
参考例のタッチパネルは、このように構成される第一層１０２と第二層１０３とが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。
【００８２】
図１７は、参考例のタッチパネルの第一層１０２と第二層１０３とを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図１７では、第一層１０２を実線で示し、第二層１０３を破線で示している。投射像は、第一層１０２と第二層１０３とを第一層１０２と第二層１０３との積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳ１０１による格子形状が全面に渡って均一に形成されている。投射像において、スリットＳ１０１で形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳ１０１と、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳ１０１と、の合計四つのスリットＳ１０１により形成される矩形の格子である。
【００８３】
図１８は、図１７の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。すなわち、投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１と第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１と第二層１０３の第二ダミー電極Ｄ１２１とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層１０２の第一ダミー電極Ｄ１１１と第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層１０２の第一ダミー電極Ｄ１１１と第二層１０３の第二ダミー電極Ｄ１２１とが重なる領域である。
【表２】
2018124955.tif 000004
表２に示すように、第一層１０２では、単位格子を形成するスリットＳ１０１の合計数は、Ｂ領域が０（ゼロ）、Ｃ領域がＡ領域の２倍、Ｄ領域がＡ領域と等しい。第二層１０３では、単位格子を形成するスリットＳ１０１の合計数は、Ｂ領域がＡ領域の２倍、Ｃ領域が０（ゼロ）、Ｄ領域がＡ領域と等しい。
【００８４】
具体的に説明すると、図１７の投射像において、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１に形成されるスリットＳ１０１は、第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１と重なるが第二ダミー電極Ｄ１２１と重ならない。第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１に形成されるスリットＳ１０１は、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１と重なるが第一ダミー電極Ｄ１１１と重ならない。
【００８５】
参考例では、単位格子を形成する各層のスリットＳ１０１の合計数は、Ａ領域とＤ領域では等しいものの、その他の領域間では差が大きく、電極パターンを視認し易い。一方、第一〜第三の実施形態では第一層と第二層の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子に関して、Ａ領域〜Ｄ領域の４つの領域間で各層のスリットの合計数の差が小さいので、電極パターンを視認し難かった。
【００８６】
以上、本発明によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更、置き換え可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１…タッチパネル、２，２Ａ，２Ｂ…第一層、３，３Ａ，３Ｂ…第二層、４…透明基板（絶縁層）、５…絶縁層、１０２…第一層、１０３…第二層、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３…Ｘ電極、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３…Ｙ電極、Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３…第一ダミー電極、Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ２３…第二ダミー電極、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…スリット、ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３…第一スリット、ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３…第二スリット、ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３…第三スリット、ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３…第四スリット、Ｘ１０１…Ｘ電極、Ｙ１０１…Ｙ電極、Ｄ１１１…第一ダミー電極、Ｄ１２１…第二ダミー電極、Ｓ１０１…スリット。
【図１】
2018124955.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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