(57)【要約】【課題】パネルの周縁部に配設される信号線の下地面に段差部があると、信号線の微細化が困難となり、また信号線の断線が問題となる。【解決手段】基板の一表面に設けられた回路層と、回路層の上層に配列された表示素子と、表示素子の上層に設けられた封止層と、封止層の上層に設けられた保護層と、保護層の上層に設けられたタッチ電極層と、回路層の上層且つ封止層の外側に配列された複数の接続端子とを備え、回路層は、各々が複数の接続端子のいずれかに接続された複数の接続配線を有し、保護層は複数の接続配線の各々の一部に重畳する領域に開口部を有し、タッチ電極層は、表示素子に重畳する複数のタッチ電極を有し、複数のタッチ電極の各々は、開口部を介して複数の接続配線のいずれかに接続された表示装置が提供される。【選択図】図２
2018124816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一表面に設けられた回路層と、
前記回路層の上層に配列された表示素子と、
前記表示素子の上層に設けられた封止層と、
前記封止層の上層に設けられた保護層と、
前記保護層の上層に設けられたタッチ電極層と、
前記回路層の上層且つ前記封止層の外側に配列された複数の接続端子とを備え、
前記回路層は、各々が前記複数の接続端子のいずれかに接続された複数の接続配線を有し、
前記保護層は、前記複数の接続配線の各々の一部に重畳する領域に開口部を有し、
前記タッチ電極層は、前記表示素子に重畳する複数のタッチ電極を有し、
前記複数のタッチ電極の各々は、前記開口部を介して前記複数の接続配線のいずれかに接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記回路層の上層に設けられた隔壁層を更に備え、
前記隔壁層は、前記複数の表示素子の内、隣接する表示素子の間に設けられ、且つ前記複数の表示素子の各々を囲む第１隔壁、及び前記第１隔壁と間隔を有し、且つ前記第１隔壁を囲む周状の第２隔壁を有し、
前記開口部は、前記第１隔壁よりも外側に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の表示素子の各々は、前記基板側から積層された第１電極、発光層及び第２電極を有し、
前記第１隔壁は、前記第１電極及び前記発光層の間の層に設けられ、且つ前記第１電極の周縁を被覆する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記封止層は、前記基板側から積層された第１無機絶縁層、第１有機絶縁層及び第２無機絶縁層を有し、
前記第１有機絶縁層は、両面及び端部が前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層に被覆され、前記複数の表示素子に重畳し、且つ端部が前記第１隔壁及び前記第２隔壁の間に配置される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記開口部に設けられた導電性ペーストを更に備え、
前記複数のタッチ電極の各々は、前記導電性ペーストを介して前記複数の配線のいずれかに接続される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記回路層は、各々が前記複数の表示素子のいずれかに接続された複数の画素回路を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記開口部は、テーパー形状を有する、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は表示装置に関する。例えば、本明細書によって開示される発明の一実施形態は、タッチセンサが搭載された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチセンサは、表示装置又は情報端末装置の操作を行うための入力インターフェースとして用いられている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。このような入力機能を有する表示装置では、多くの場合、静電容量式のタッチセンサが採用されている。静電容量方式のタッチセンサは、静電容量を形成する電極（「タッチ電極」とも呼ばれる。）がセンシング面に設けられている。例えば、タッチ電極をパネルの内部に設けたインセル型と呼ばれる入力機能を有する表示装置が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、タッチ電極と接続される信号線（配線）は、パネルの周縁部を引き回されて、端子電極と接続される。信号線は集積化されて引き回されるので、下地面は平坦であることが望ましいと考えられる。例えば、パネルの周縁部に配設される信号線の下地面に段差部があると、信号線の微細化が困難となり、また信号線の断線が問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板の一表面に設けられた回路層と、回路層の上層に配列された表示素子と、表示素子の上層に設けられた封止層と、封止層の上層に設けられた保護層と、保護層の上層に設けられたタッチ電極層と、回路層の上層且つ封止層の外側に配列された複数の接続端子とを備え、回路層は、各々が複数の接続端子のいずれかに接続された複数の接続配線を有し、保護層は複数の接続配線の各々の一部に重畳する領域に開口部を有し、タッチ電極層は、表示素子に重畳する複数のタッチ電極を有し、複数のタッチ電極の各々は、開口部を介して複数の接続配線のいずれかに接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【０００８】
第１実施形態：
図１は、本実施形態に係る入力機能を有する表示装置１００の構成を説明する平面図である。表示装置１００は、表示領域１０２ａと、周辺領域１０２ｂと、端子領域１０２ｃとを含んでいる。
【０００９】
表示領域１０２ａは、画像を表示するための領域である。表示領域１０２ａには、複数の表示素子が配置されている（図示せず）。表示素子としては、一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を有する発光素子、又は一対の電極間に液晶層が設けられた液晶素子などが適用される。複数の表示素子は、互いに交差する２方向に、行列状に配列される。本実施形態において、複数の表示素子は、互いに交差する２方向に、行列状に配列されてる。複数の表示素子の各々には、その動作を制御するための画素回路が接続されている（図示せず）。
【００１０】
表示領域１０２ａには、複数の表示素子の上層に、複数のタッチ電極が配列されている。複数のタッチ電極の各々は、複数の第１タッチ電極１２８ａ及び複数の第２タッチ電極１２８ｂによって構成される。本実施形態において、複数の第１タッチ電極１２８ａの各々は、複数の矩形領域１２８ｃと、複数の矩形領域１２８ｃの中で一方向に隣接する矩形領域１２８ｃを接続する接続領域１２８ｄとを有している。複数の第１タッチ電極１２８ａの各々は、他方向（一方向と交差する方向）に隣接する第１タッチ電極１２８ａと電気的に独立して配列されている。同様に、複数の第２タッチ電極１２８ｂの各々は、複数の矩形領域１２８ｃと、複数の矩形領域１２８ｃの内、当該他方向に隣接する矩形領域１２８ｃを接続する接続領域１２８ｄとを有している。複数の第２タッチ電極１２８ｂの各々は、当該一方向に隣接する第２タッチ電極１２８ｂと電気的に独立して配列されている。第１タッチ電極１２８ａ及び第２タッチ電極１２８ｂによって、所謂投影型静電容量方式のタッチセンサが形成される。投影型静電容量方式は、自己容量方式又は相互容量方式がある。本実施形態に係る入力機能を有する表示装置１００は、そのいずれの方式も採用することができる。
【００１１】
自己容量方式においては、人の指などの検出対象が第１タッチ電極１２８ａ及び第２タッチ電極１２８ｂを介して表示領域ａ１０２に触れる、又は接近する（以下、触れる場合および接近する場合をまとめてタッチと記す）ことで、第１タッチ電極１２８ａ及び第２タッチ電極１２８ｂにおける寄生容量に対し、当該検出対象と、第１タッチ電極１２８ａ及び第２タッチ電極１２８ｂとの間に生ずる容量が上乗せされる。この容量の変化を読み取ることによって、表示領域１０２ａ内のタッチの位置が検出される。
【００１２】
相互容量方式においては、第１タッチ電極１２８ａ及び第２のタッチ電極の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。人の指などの検出対象が第１タッチ電極１２８ａ及び第２タッチ電極１２８ｂを介して表示領域１０２ａにタッチすることで、当該第１タッチ電極１２８ａ及び当該第２タッチ電極１２８ｂ２０４が形成する容量が変化し、この変化を読み取ることによってタッチの位置が検出される。
【００１３】
本実施形態に係る表示装置１００は、自己容量方式および相互容量方式のいずれの方式にも適用することが可能である。
【００１４】
周辺領域１０２ｂは、表示領域１０２ａの周縁に接し、表示領域１０２ａを囲む領域である。周辺領域１０２ｂには、複数の第１タッチ電極１２８ａの各々に接続される第１タッチ配線１２８ｅ及び複数の第２タッチ電極１２８ｂの各々に接続される第２タッチ配線１２８ｆが配置されている。第１タッチ配線１２８ｅは、複数の接続配線１０８ｅのいずれかに接続されている。同様に、第２タッチ配線１２８ｆは、複数の接続配線１０８ｅのいずれかに接続されている。複数の接続配線１０８ｅの各々は、複数の接続端子１３２のいずれかに接続されている。これによって、複数の第１タッチ電極１２８ａ及び複数の第２タッチ電極１２８ｂの各々は、複数の接続端子１３２のいずれかに電気的に接続される。
【００１５】
周辺領域１０２ｂにはまた、複数の表示素子の発光を制御するための周辺回路（図示せず）や、周辺回路を制御するためのＩＣチップ１０６が更に配置されてもよい。周辺回路としては、行列状に配列された複数の発光層の内、映像データを書き込む行を選択する走査線駆動回路、複数の表示素子の各々に、映像データに対応する電圧を供給する映像線駆動回路等を含んでもよい
【００１６】
図１においては、複数の表示素子の上層であって、且つタッチ電極層の下層に設けられた第１保護層１２６が示されている。第１保護層１２６の詳細は後述されるが、第１保護層１２６は、少なくとも１つの開口部１２６ａを有している。開口部１２６ａは、少なくとも複数の接続配線１０８ｅの各々の一部に重畳する領域に設けられている。本実施形態においては、開口部１２６ａの数は１であり、開口部１２６ａは、複数の接続配線１０８ｅの各々の一部に重畳する領域に設けられている。第１保護層１２６の上層に設けられている第１タッチ配線１２８ｅ及び第２タッチ配線１２８ｆの各々は、当該開口部１２６ａを介して複数の接続配線１０８ｅのいずれかに接続されている。
【００１７】
尚、本実施形態においては、開口部１２６ａの数は１であるが、これに限られない。開口部１２６ａの数は複数であってもよく、複数の接続配線１０８ｅの各々に対し、その一部に重畳する領域に設けてもよい。
【００１８】
端子領域１０２ｃは、表示装置１００と、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）１４０等とを接続するための領域である。端子領域１０２ｃは、表示装置１００の一辺に沿って設けられてもよく、複数の接続端子１３２が配列されている。複数の接続端子１３２の各々は、複数の接続配線１０８ｅのいずれかと電気的に接続されている。
【００１９】
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、図１に示すＡ１−Ａ２に沿った断面の構成を示している。表示装置１００は、基板１０２と、回路層１０４と、表示素子として複数の発光素子１１４と、隔壁層１２２と、封止層１２４と、第１保護層１２６と、タッチ電極層１２８と、複数の接続端子１３２と、第２保護層１３０と、偏光板１３４と、カバーフィルム１３６とを備えている。
【００２０】
基板１０２は、その一表面に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等が適用される。表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２は樹脂材料によって形成される。樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料が適用される。
【００２１】
回路層１０４は、基板１０２の一表面に設けられている。本実施形態においては、回路層１０４は、複数の画素回路、周辺回路、複数の接続配線１０８ｅ及び絶縁層１１０を有する。複数の画素回路の各々は、表示領域１０２ａ内に配列された複数の発光素子１１４のいずれかに接続され、複数の発光素子１１４の各々の発光を制御する。周辺回路は、周辺領域１０２ｂに設けられ、画素回路を制御する。周辺回路としては、行列状に配列された複数の発光素子１１４の内、映像データを書き込む行を選択する走査線駆動回路、複数の発光素子１１４の各々に、映像データに対応する電圧を供給する映像線駆動回路等を含んでもよい。
【００２２】
図２に示すように、画素回路は、トランジスタ１０８を有する。トランジスタ１０８は、半導体層１０８ａ、ゲート絶縁層１０８ｂ、ゲート電極１０８ｃ、ソース・ドレイン電極１０８ｄ等を含む。半導体層１０８ａは、島状に設けられている。半導体層１０８ａの材料としては、例えば珪素などの１４族元素、酸化物半導体等を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａに酸化物半導体を用いる場合、更に１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａの結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶又はアモルファスのいずれの結晶状態を含んでもよい。
【００２３】
ゲート絶縁層１０８ｂは、半導体層１０８ａの上層に設けられている。本実施形態において、ゲート絶縁層１０８ｂは、複数のトランジスタ１０８に亘って設けられている。しかし、ゲート絶縁層１０８ｂは、少なくともゲート電極１０８ｃと重畳する領域に設けられていればよい。ゲート絶縁層１０８ｂの材料としては、下地層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。
【００２４】
ゲート電極１０８ｃは、ゲート絶縁層１０８ｂを介して半導体層１０８ａと重畳している。半導体層１０８ａにおいて、ゲート電極１０８ｃと重畳する領域がチャネル領域である。ゲート電極１０８ｃの材料としては、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタル等の金属や、その合金等を用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えば、チタン、タングステン、モリブデン等の比較的高い融点を有する金属で、アルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００２５】
ソース・ドレイン電極１０８ｄは、絶縁層１１０上に設けられ、絶縁層１１０及びゲート絶縁層１０８ｂに設けられる開口において、半導体層１０８ａのソース・ドレイン領域と電気的に接続される。絶縁層１１０上には更に、接続配線１０８ｅが設けられる。つまり、図２に示すように、接続配線１０８ｅは、ソース・ドレイン電極１０８ｄと同一の層内に存在することができる。また、これに限られず、接続配線１０８ｅはゲート電極１０８ｃと同一の層内に存在するよう構成してもよい（図示せず）。
【００２６】
図２では、トランジスタ１０８は、トップゲート型のトランジスタを例示しているが、トランジスタ１０８の構造に限定はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１０８ｃを複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体層１０８ａの上下を二つのゲート電極１０８ｃで挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタでもよい。また、図２では、一つの画素回路に一つのトランジスタ１０８が設けられる例が示されているが、一つの画素回路は複数のトランジスタ１０８や容量素子等の半導体素子を更に有してもよい。
【００２７】
複数の接続配線１０８ｅの各々は、複数の接続端子１３２のいずれかに接続されている。複数の接続配線１０８ｅは、トランジスタのソース・ドレイン電極１０８ｄと同じ層に設けられ、同じ材料によって形成されてもよい。このことから、複数の接続配線１０８ｅ及びソース・ドレイン電極１０８ｄは、同一の工程によって形成することができる。
【００２８】
絶縁層１１０は、画素回路及び周辺回路を被覆する。絶縁層１１０は、本実施形態においては、下地層１１０ａ及び層間絶縁層１１０ｂを有する。下地層１１０ａは、任意の構成であり、画素回路、周辺回路及び複数の接続配線１０８ｅの下層に設けられている。下地層１１０ａは、基板１０２（および基材）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１０８等へ拡散することを防ぐための層である。下地層１１０ａの材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。基板１０２中の不純物濃度が小さい場合、下地層１１０ａは設けないか、あるいは基板１０２の一部のみを覆うように形成してもよい。
【００２９】
層間絶縁層１１０ｂは、画素回路及び周辺回路の上層に設けられている。層間絶縁層１１０ｂの材料としては、下地層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。
【００３０】
複数の発光素子１１４は、回路層１０４の上層に配列されている。複数の発光素子１１４の各々は、基板１０２側から積層された第１電極１１６、発光層１１８及び第２電極１２０を有している。第１電極１１６及び第２電極１２０からキャリアが発光層１１８へ注入され、キャリアの再結合が発光層１１８内で生じる。これにより、発光層１１８内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。
【００３１】
第１電極１１６は、詳細は後述する平坦化絶縁層１２２ｄよりも上層に設けられる。第１電極１１６はまた、平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅに設けられた開口を覆い、ソース・ドレイン電極１０８ｄと電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１０８を介して電流が発光素子１１４へ供給される。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、可視光を反射することができる材料から選択される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。逆に、発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いればよい。
【００３２】
発光層１１８は、第１電極１１６及び第１隔壁１２２ａを覆うように設けられる。発光層１１８の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層１１８、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。発光層１１８は、発光素子１１４毎に異なる材料を含むように構成することができる。発光層１１８に用いる材料を適宜選択することで、発光素子１１４毎に異なる発光色を得ることができる。あるいは、発光層１１８の構造を発光素子１１４間で同一としてもよい。このような構成では、各発光素子１１４の発光層１１８から同一の発光色が出力されるため、例えば発光層１１８を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ発光素子１１４から取り出してもよい。
【００３３】
第２電極１２０は、発光層１１８の上層に設けられる。第２電極１２０はまた、本実施形態のように、複数の発光素子１１４に共通して設けられてもよい。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物等から選択される。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００３４】
隔壁層１２２は、回路層１０４の上層に設けられている。本実施形態においては、隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅを有している。
【００３５】
第１隔壁１２２ａは、平面視において複数の画素１１２の内、隣接する画素１１２の間に設けられ、複数の画素１１２の各々を囲む。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の発光層１１８側の面の周縁を被覆する。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の周縁を覆うことで、その上層に設けられる発光層１１８や第２電極１２０の断線を防ぐことができる。平面視において、第１電極１１６と発光層１１８が接触する領域が発光領域である。
【００３６】
第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状である。換言すると、第２隔壁１２２ｂ及び第１隔壁１２２ａの間には、周状の溝部１２２ｆが形成される。つまり、第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと分離されている。詳細は後述するが、製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の一表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂが基板１０２の端部まで拡がると、端部において露出した第１有機絶縁層１２４ｂを介して水分が表示装置１００内に侵入することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に塗布される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。
【００３７】
第３隔壁１２２ｃは、平面視において第２隔壁１２２ｂと間隔を有し、第２隔壁１２２ｂを囲む周状である。換言すると、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間には、周状の溝部１２２ｇが形成される。尚、第３隔壁１２２ｃは任意の構成であり、必ずしも設けなくても構わない。一方、第３隔壁１２２ｃと間隔を有し、第３隔壁１２２ｃを囲む周状の他の隔壁を更に設けても構わない。
【００３８】
以上、隔壁層１２２の内、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの構成について説明した。第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。
【００３９】
平坦化絶縁層１２２ｄは、回路層１０４の上層、且つ発光素子１１４の下層に配置されている。平坦化絶縁層１２２ｄは、トランジスタ１０８等の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える。平坦化絶縁層１２２ｄの材料としては、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。
【００４０】
無機絶縁層１２２ｅは、任意の構成であり、トランジスタ１０８等の半導体素子を保護する機能を有する。更に、発光素子１１４の第１電極１１６と、無機絶縁層１２２ｅの下層に、第１電極１１６と無機絶縁層１２２ｅを挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成することができる。
【００４１】
平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅには、複数の開口が設けられる。その内の一つは、発光素子１１４の第１電極１１６とトランジスタ１０８のソース・ドレイン電極１０８ｄとを電気的に接続するために設けられる。他の一つは、接続配線１０８ｅの一部を露出するように設けられる。この開口によって露出した接続配線１０８ｅは、その上層に形成される接続端子１３２に電気的に接続される。例えば異方性導電膜１３８等によりＦＰＣ基板１４０と接続される。
【００４２】
封止層１２４は、複数の発光素子１１４及び隔壁層１２２の上層に設けられている。本実施形態においては、封止層１２４は、基板１０２側から積層された第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃを有している。
【００４３】
第１無機絶縁層１２４ａは、隔壁層１２２に起因する凹凸表面を被覆する。第１無機絶縁層１２４ａは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部１２２ｆの底面及び隔壁を被覆する。第１無機絶縁層１２４ａはまた、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇの底面及び隔壁を被覆する。
【００４４】
本実施形態において、第１無機絶縁層１２４ａは、少なくとも次の３つの役割を有する。１つは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に配置され、水分が透過しやすい第１有機絶縁層１２４ｂが発光素子１１４に接触しないように設けられている。これによって、第１有機絶縁層１２４ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第１有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が発光層１１８へ到達し、発光層１１８が劣化することを防止することができる。他の１つは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、第２隔壁１２２ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第２隔壁１２２ｂに侵入した水分が、第２隔壁１２２ｂの内側へ侵入し、発光層１１８が劣化することを防止することができる。他の１つは、同様に、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間に有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、第３隔壁１２２ｃが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第３隔壁１２２ｃに侵入した水分が、第３隔壁１２２ｃの内側へ侵入し、発光層１１８が劣化することを防止することができる。
【００４５】
以上のことから、第１無機絶縁層１２４ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましい。透湿性の低い絶縁材料としては、無機絶縁材料を用いることが好ましい。無機絶縁材料としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を使用することができる。また、これらから選択された複数の材料を積層した構造を使用してもよい。
【００４６】
第１有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に設けられている。第１有機絶縁層１２４ｂはまた、平面視において複数の発光素子１１４に重畳し、且つ端部が第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に配置されている。第１有機絶縁層１２４ｂは、第１隔壁１２２ａ等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。
【００４７】
このような凹凸が十分に平坦化されず、第１有機絶縁層１２４ｂ上に第２無機絶縁層１２４ｃが設けられると、第２無機絶縁層１２４ｃが第１有機絶縁層１２４ｂに残った凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２４ｃにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。
【００４８】
第２無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂの上層に設けられている。本実施形態においては、第２無機絶縁層１２４ｃは、平面視において第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。つまり、第１有機絶縁層１２４ｂは、両面及び端部が第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃに被覆されている。このような構成を有することによって、第１有機絶縁層１２４ｂを介した、表示装置１００の外部から内部へ水分の侵入経路を遮断することができる。第２無機絶縁層１２４ｃの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましく、第１無機絶縁層１２４ａと同様の材料を用いることができる。
【００４９】
尚、第２無機絶縁層１２４ｃは、必ずしもその端部が第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置される必要は無い。第１有機絶縁層１２４ｂが、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されるように封止層１２４が構成されればよい。
【００５０】
第１保護層１２６は、封止層１２４の上層に設けられている。第１保護層１２６はまた、平面視において、少なくとも複数の接続配線１０８ｅの各々の一部に重畳する領域に開口部１２６ａを有している。本実施形態において開口部１２６ａは、平面視において、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇに設けられている。尚、開口部１２６ａを設ける領域は、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇに限られない。開口部１２６ａを設ける領域は、第１隔壁１２２ａよりも外側であれば構わない。また、開口部１２６ａは、図２で示すように、断面視においてテーパー形状を有している。別言すれば、第１保護層１２６に設けられる開口部１２６ａは、開口部内の側壁が、上方に向かうに従い外側に開くように傾斜している。
【００５１】
第１保護層１２６は、端部が第３隔壁１２２ｃ上に配置されている。本実施形態においては、第１保護層１２６は、端部が第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。本実施形態においては、第１保護層１２６、第２無機絶縁層１２４ｃ及び第１無機絶縁層１２４ａの端部がほぼ重畳し、共に第３隔壁１２２ｃ上に配置されているが、これに限られず、これらの層が複数の接続端子１３２に重畳しなければよい。第１保護層１２６の材料としては、前述の第１有機絶縁層１２４ｂに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。
【００５２】
タッチ電極層１２８は、第１保護層１２６の上層に設けられている。タッチ電極層１２８は、複数のタッチ電極を含んでいる。複数のタッチ電極の各々は、第１保護層１２６に設けられた開口部１２６ａを介して複数の接続配線１０８ｅのいずれかに接続されている。
【００５３】
本実施形態においては、第１保護層１２６によって、第２隔壁１２２ｂに起因した凹凸、第１有機絶縁層１２４ｂの端部のテーパー、その他の周辺領域１０２ｂの凹凸を吸収し、平坦化された表面を形成することができる。第１保護層１２６によって平坦化された表面上に、タッチ電極層１２８が設けられる。
【００５４】
従来の表示装置においては、封止層１２４の直上に複数のタッチ電極が設けられていた。このような構成では、第２隔壁１２２ｂに起因した凹凸、第１有機絶縁層１２４ｂの端部のテーパーその他周辺領域１０２ｂの凹凸を有する表面上に、タッチ電極層１２８が設けられる。そのため、表示装置の製造工程において、当該凹凸に起因して、複数のタッチ電極に断線、クラック等が生じることが懸念される。
【００５５】
しかしながら、本実施形態によれば、上述のような構成を有することによって、表示装置の製造工程において、複数のタッチ電極に断線、クラック等が生じることを抑制することができる。これによって、表示装置１００の信頼性向上を図ることができる。
【００５６】
複数の接続端子１３２は、基板１０２の当該一表面上に配列されている。複数の接続端子１３２の各々は、無機絶縁層１２２ｅ及び平坦化絶縁層１２２ｄに設けられた開口を介して、接続配線１０８ｅに電気的に接続されている。複数の接続端子１３２はまた、平面視において第１保護層１２６の外側に配置される。
【００５７】
第２保護層１３０は、任意の構成であり、表示装置１００を物理的に保護する。第２保護層１３０の材料としては、エステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができる。印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。
【００５８】
偏光板１３４は、例えばλ／４板１３４ａ及びその上に配置される直線偏光板１３４ｂの積層構造を有することができる。表示装置１００の外から入射する光が直線偏光板１３４ｂを透過して直線偏光となった後、λ／４板１３４ａを通過すると、右回りの円偏光となる。この円偏光が第１電極１１６で反射すると左回りの円偏光となり、これが再度λ／４板１３４ａを透過することで直線偏光となる。このときの直線偏光の偏光面は、反射前の直線偏光と直交する。したがって、直線偏光板１３４ｂを透過することができない。その結果、偏光板１３４を設置することで外光の反射が抑制され、コントラストの高い映像を提供することが可能となる。
【００５９】
カバーフィルム１３６は、任意の構成であり、本実施形態においては、偏光板１３４の上層に設けられている。カバーフィルム１３６は、偏光板１３４を物理的に保護する。
【００６０】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、表示装置において、複数のタッチ電極に断線、クラック等が生じることを抑制することができる。これによって、表示装置１００の信頼性の向上を図ることができる。
【００６１】
次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図３乃至図８は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。
【００６２】
基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。従って、基板１０２には、その上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。
【００６３】
表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基材は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。
【００６４】
図３を用いて、基板１０２の一表面上に、回路層１０４を形成する方法について説明する。先ず、下地層１１０ａを形成する。下地層１１０ａの材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。下地層１１０ａは、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等を適用して、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。尚、下地層１１０ａは任意の構成であり、必ずしも設ける必要は無い。
【００６５】
半導体層１０８ａを形成する。半導体層１０８ａは、前述した珪素等の１４族元素、あるいは半導体層１０８ａは、酸化物半導体を含んでもよい。半導体層１０８ａが珪素を含む場合、半導体層１０８ａは、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。これによって得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１０８ａが酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法等を利用して形成することができる。
【００６６】
半導体層１０８ａを覆うようにゲート絶縁層１０８ｂを形成する。ゲート絶縁層１０８ｂは単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地層１１０ａと同様の手法で形成することができる。
【００６７】
ゲート絶縁層１０８ｂ上にゲート電極１０８ｃを形成する。ゲート電極１０８ｃは、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。ゲート電極１０８ｃは、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。
【００６８】
ゲート電極１０８ｃ上に層間絶縁層１１０ｂを形成する。ゲート電極１０８ｃの上層に設けられる。層間絶縁層１１０ｂの材料としては、下地層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。層間絶縁層１１０ｂは、下地層１１０ａと同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機材料を含む層を形成した後、無機材料を含む層を積層してもよい。
【００６９】
次に、層間絶縁層１１０ｂとゲート絶縁層１０８ｂに対してエッチングを行い、半導体層１０８ａに達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００７０】
開口を覆うように金属層を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース・ドレイン電極１０８ｄを形成する。本実施形態では、ソース・ドレイン電極１０８ｄの形成と同時に接続配線１０８ｅを形成する。従って、ソース・ドレイン電極１０８ｄと接続配線１０８ｅは同一の層内に存在することができる。金属層はゲート電極１０８ｃと同様の構造を有することができ、ゲート電極１０８ｃの形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００７１】
図４を用いて、基板１０２の一表面上に、複数の発光素子１１４と、隔壁層１２２と、複数の接続端子１３２とを形成する方法について説明する。ここで、隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、平坦化絶縁層１２２ｄ、無機絶縁層１２２ｅを有する。第１隔壁１２２ａは、複数の画素１１２の各々の周縁に配置され、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａを囲み、第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂを囲む。接続端子１３２は、第３隔壁１２２ｃの外側に配置される。
【００７２】
平坦化絶縁層１２２ｄを形成する。平坦化絶縁層１２２ｄは、ソース・ドレイン電極１０８ｄや接続配線１０８ｅを覆うように形成される。平坦化絶縁層１２２ｄは、トランジスタ１０８、接続配線１０８ｅ等に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化絶縁層１２２ｄの材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサン等の高分子材料が挙げられる。成膜方法としては、湿式成膜法等によって形成することができる。
【００７３】
平坦化絶縁層１２２ｄ上に無機絶縁層１２２ｅを形成する。上述したように、無機絶縁層１２２ｅは、トランジスタ１０８に対する保護層として機能するだけでなく、後に形成される発光素子１１４の第１電極１１６と共に容量を形成する。従って、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。成膜方法としては、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用することができる。
【００７４】
ソース・ドレイン電極１０８ｄと接続配線１０８ｅをエッチングストッパとして、無機絶縁層１２２ｅと平坦化絶縁層１２２ｄに対してエッチングを行い、開口を形成する。その後、これらの開口を覆うように第１電極１１６及び接続端子１３２を形成する。
【００７５】
発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６は可視光を反射するように構成される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１電極１１６を形成すればよい。
【００７６】
本実施形態においては、第１電極１１６及び接続電極が無機絶縁層１２２ｅ上に形成される。したがって、例えば開口を覆うように上記金属の層を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む層を形成し、エッチングによる加工を行って第１電極１１６及び接続電極を形成することができる。
【００７７】
第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃを形成する。第１隔壁１２２ａにより、第１電極１１６の端部に起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１１２の第１電極１１６を互いに電気的に絶縁することができる。
【００７８】
後の製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に形成される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。
【００７９】
第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化絶縁層１２２ｄに使用可能な材料を用いることができ、湿式成膜法で形成することができる。
【００８０】
発光層１１８及び第２電極１２０を、第１電極１１６及び隔壁層１２２を覆うように形成する。発光層１１８は、主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着等の乾式成膜法を適用して形成することができる。
【００８１】
発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀等の金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００８２】
図５を用いて、封止層１２４を形成する方法について説明する。ここで、封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃを有する。第１無機絶縁層１２４ａは、基板１０２の表面に亘って配置される。第１有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ上、且つ複数の画素１１２を覆い、第２隔壁１２２ｂの内側に配置される。第２無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂ上、且つ表面に亘って配置される。
【００８３】
先ず、第１無機絶縁層１２４ａを、基板１０２の一表面に亘って成膜する。第１無機絶縁層１２４ａは、例えば窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の無機材料を含むことができ、下地層１１０ａと同様の手法で形成することができる。
【００８４】
次いで、第１有機絶縁層１２４ｂを成膜する。第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂの内側に塗布することによって形成される。第１有機絶縁層１２４ｂは、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、隔壁層１２２に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第１有機絶縁層１２４ｂは、表示領域１０２ａ内に選択的に形成することが好ましい。すなわち第１有機絶縁層１２４ｂは、複数の接続端子１３２と重ならないように形成することが好ましい。第１有機絶縁層１２４ｂは、インクジェット法等の湿式成膜法によって形成することができる。このとき、表示領域１０２ａに選択的に塗布された第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂによって堰き止められ、その外側へ広がることがない。
【００８５】
第２無機絶縁層１２４ｃを成膜する。第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａと同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２無機絶縁層１２４ｃも、第１有機絶縁層１２４ｂのみならず、接続電極を覆うように形成することができる。これにより、第１有機絶縁層１２４ｂを第１無機絶縁層１２４ａと第２無機絶縁層１２４ｃとで封止することができる。
【００８６】
ここまでの工程によって、封止層１２４は、第２隔壁１２２ｂの内側において、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層構造を有し、第２隔壁１２２ｂの外側において、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する。
【００８７】
図６を用いて、第１保護層１２６を形成する方法について説明する。第１保護層１２６は、封止層１２４上に設けられる。第１保護層１２６は、図６に示すように、表示領域１０２ａ内に選択的に、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃが互いに接する領域を覆い、少なくとも複数の接続配線１０８ｅの各々と一部重畳する領域に開口部１２６ａを有し、且つ、接続端子１３２と重ならないように形成する。第１保護層１２６は、封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂと同様の材料を含むことができ、これと同様にインクジェット法等を用いて形成することができる。
【００８８】
図７を用いて、封止層１２４に覆われている複数の接続端子１３２及び複数の接続配線１０８ｅの各々の一部を露出させる方法について説明する。ここでは、第１保護層１２６をマスクとして、封止層１２４をエッチングして複数の接続端子１３２及び複数の接続配線１０８ｅの各々の一部を露出させる。ここで、第１保護層１２６に露出された封止層１２４の領域は、いずれも第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する領域である。
【００８９】
図８を用いて、タッチ電極層１２８を形成する方法について説明する。先ず、第１保護層１２６上に、複数の第１タッチ電極１２８ａを同時に形成する。複数の第１のタッチ電極２０２は透光性を有する導電性酸化物を主成分として含むことができ、導電性酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。ここで、複数の第１タッチ電極１２８ａの各々に接続される第１タッチ配線１２８ｅも、複数の第１タッチ電極１２８ａと同一の材料及び層に形成することができるため、同時に形成する。第１タッチ配線１２８ｅは、第１保護層１２６に設けられた開口部１２６ａを覆うように形成され、これにより、第１タッチ電極１２８ａ及び複数の接続配線１０８ｅのいずれかが電気的に接続される。
【００９０】
引き続き、第１のタッチ電極２０２上に有機絶縁層を形成する。有機絶縁層は、第１有機層と同等な材料、及び方法で形成することができる。平坦化絶縁層１２２ｄ等と異なるのは、例えばベーク処理等を行う場合に、高温を用いない点である。この時点で既に有機化合物を含む発光層１１８が形成されているため、有機化合物が分解しない程度の温度下で処理を行うことが望まれる。
【００９１】
有機絶縁層上に第２タッチ電極１２８ｂを形成する。第２タッチ電極１２８ｂの材料としては、第１タッチ電極１２８ａと同様の材料を用いることができる。また、第２タッチ電極１２８ｂの形成と同時に、第２タッチ配線１２８ｆを形成する。第２タッチ配線１２８ｆは、第１保護層１２６に設けられた開口部１２６ａを覆うように形成され、これにより、複数の第２タッチ電極１２８ｂの各々は、複数の接続配線１０８ｅのいずれかに電気的に接続される。
【００９２】
第２保護層１３０、偏光板１３４及びカバーフィルム１３６を形成する。第２保護層１３０は、ポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。カバーフィルム１３６も第２保護層１３０と同様の高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。引き続きコネクタを開口において異方性導電膜１３８などを用いて接続することで、図１及び図２に示す表示装置１００を形成することができる。
【００９３】
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、製造工程において封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。
【００９４】
第２実施形態：
図９は、本実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図を示す。表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置と比べると、複数のタッチ電極と、複数の接続配線１０８ｅとの接続部が異なっている。表示装置２００においては、第１保護層１２６の開口部１２６ａに、複数のタッチ電極の材料とは異なる導電性材料が設けられている。当該導電性材料としては、導電性ペースト１２７を用いることができる。複数のタッチ電極の各々は、導電性ペースト１２７を介して複数の配線のいずれかに接続される。
【００９５】
本実施形態によれば、上述のような構成を有することによって、表示装置２００の製造工程において、第１保護層１２６の開口部１２６ａに起因した段差に起因して、複数のタッチ電極に断線、クラック等が生じることを抑制することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が更に向上した表示装置２００を提供することができる。
【００９６】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９７】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００９８】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９９】
１００、２００・・・表示装置、１０２・・・基板、１０２ａ・・・表示領域、１０２ｂ・・・周辺領域、１０２ｃ・・・端子領域、１０４・・・回路層、１０６・・・ＩＣチップ、１０８・・・トランジスタ、１０８ａ・・・半導体層、１０８ｂ・・・ゲート絶縁層、１０８ｃ・・・ゲート電極、１０８ｄ・・・ソース・ドレイン電極、１０８ｅ・・・接続配線、１１０・・・絶縁層、１１０ａ・・・下地層、１１０ｂ・・・層間絶縁層、１１４・・・発光素子、１１６・・・第１電極、１１８・・・発光層、１２０・・・第２電極、１２２・・・隔壁層、１２２ａ・・・第１隔壁、１２２ｂ・・・第２隔壁、１２２ｃ・・・第３隔壁、１２２ｄ・・・平坦化絶縁層、１２２ｅ・・・無機絶縁層、１２２ｆ・・・溝部、１２２ｇ・・・溝部、１２４・・・封止層、１２４ａ・・・第１無機絶縁層、１２４ｂ・・・第１有機絶縁層、１２４ｃ・・・第２無機絶縁層、１２６・・・第１保護層、１２６ａ・・・開口部、１２７・・・導電性ペースト、１２８・・・タッチ電極層、１２８ａ・・・第１タッチ電極、１２８ｂ・・・第２タッチ電極、１２８ｃ・・・矩形領域、１２８ｄ・・・接続領域、１２８ｅ・・・第１タッチ配線、１２８ｆ・・・第２タッチ配線、１３０・・・第２保護層、１３２・・・接続端子、１３４・・・偏光板、１３４ａ・・・λ／４板、１３４ｂ・・・直線偏光板、１３６・・・カバーフィルム、１３８・・・異方性導電膜、１４０・・・フレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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