(57)【要約】      （修正有）【課題】温度０℃の如き低温環境下での使用によっても抵抗値の上昇が少ない、高品位な電子写真画像を形成し得る電子写真用部材を提供する。【解決手段】導電性の基体２の表面に直接、または弾性層４および中間層５を介して導電性の樹脂層３を有する電子写真用部材であって、樹脂層３は少なくとも１つの特定のカチオン構造を有する樹脂と、アニオンとを含んでいる。【選択図】図１
2018097246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基体および該基体上の導電性の樹脂層を有する電子写真用部材であって、
該樹脂層は、下記構造式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂と、アニオンとを含むことを特徴とする電子写真用部材：
【化１】
2018097246.tif 000046
構造式（１）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
Ｘ１〜Ｘ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す：
【化２】
2018097246.tif 000047
構造式（２）中、Ｒ２は、式（２）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｘ４〜Ｘ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（２）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する：
【化３】
2018097246.tif 000048
構造式（３）中、Ｒ３およびＲ４は、各々独立に、式（３）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ５は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｘ７〜Ｘ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（３）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する：
【化４】
2018097246.tif 000049
構造式（Ｘ１０１）および（Ｘ１０２）中、
Ｒ６１およびＲ６２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。Ｒ６３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
記号「＊１１」および「＊１２」は、各々独立に、構造式（１）中の窒素原子、構造式（２）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、構造式（３）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
記号「＊２１」〜「＊２３」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
記号「＊２４」〜「＊２５」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
【請求項２】
前記樹脂が、前記構造式（２）および（３）から選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する、請求項１に記載の電子写真用部材。
【請求項３】
前記アニオンが、フルオロアルキルスルホニルイミドアニオン、フルオロスルホニルイミドアニオン、フルオロアルキルスルホネートアニオン、フルオロスルホネートアニオン、フルオロアルキルカルボン酸アニオン、フルオロアルキルメチドアニオン、フルオロホウ酸アニオン、フルオロリン酸アニオン、ジシアナミドアニオン、チオシアン酸アニオン、フルオロアンチモン酸アニオンおよびフルオロアルセナートアニオンからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１または２に記載の電子写真用部材。
【請求項４】
前記樹脂が、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、フッ素樹脂およびポリアルキレンイミン樹脂からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真用部材。
【請求項５】
導電性の基体および該基体上の導電性の樹脂層を有する電子写真用部材であって、
該樹脂層は、下記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、アルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応物である樹脂を含むことを特徴とする電子写真用部材：
【化５】
2018097246.tif 000050
構造式（４）中、Ｒ７は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ１〜Ｙ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す：
【化６】
2018097246.tif 000051
構造式（５）中、Ｒ８は、式（５）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（５）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する：
【化７】
2018097246.tif 000052
構造式（６）中、Ｒ９およびＲ１０は、各々独立に、式（６）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ１１は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ７〜Ｙ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（６）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する：
【化８】
2018097246.tif 000053
構造式（Ｙ１０１）および（Ｙ１０２）中、Ｒ１２１およびＲ１２２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。Ｒ１３１〜Ｒ１３５は、各々独立に、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｒ１２３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。記号「＊５１」および「＊５２」は、各々独立に、該構造式（４）中の窒素原子、該構造式（５）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、該構造式（６）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
【請求項６】
前記イオン化合物が、前記構造式（５）および（６）から選択される少なくとも１つの構造を有する、請求項５に記載の電子写真用部材。
【請求項７】
前記構造式（５）で示される構造が、下記構造式（５−１）または（５−２）で示される構造である、請求項６に記載の電子写真用部材：
【化９】
2018097246.tif 000054
構造式（５−１）および（５−２）中のＹ４〜Ｙ６は、前記構造式（５）中のＹ４〜Ｙ６と同義である。
【請求項８】
前記構造式（６）で示される構造が、下記構造式（６−１）または（６−２）で示される構造である、請求項６に記載の電子写真用部材：
【化１０】
2018097246.tif 000055
構造式（６−１）および（６−２）中のＲ１１およびＹ７〜Ｙ９は、前記構造式（６）中のＲ１１およびＹ７〜Ｙ９と同義である。
【請求項９】
前記イオン化合物が、フルオロアルキルスルホニルイミドアニオン、フルオロスルホニルイミドアニオン、フルオロアルキルスルホネートアニオン、フルオロスルホネートアニオン、フルオロアルキルカルボン酸アニオン、フルオロアルキルメチドアニオン、フルオロホウ酸アニオン、フルオロリン酸アニオン、ジシアナミドアニオン、チオシアン酸アニオン、フルオロアンチモン酸アニオンおよびフルオロアルセナートアニオンからなる群より選択される少なくとも１つのアニオンを含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載の電子写真用部材。
【請求項１０】
前記樹脂が、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、フッ素樹脂およびポリアルキレンイミン樹脂からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項５〜９のいずれか一項に記載の電子写真用部材。
【請求項１１】
電子写真装置の本体に着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子写真用部材を具備することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子写真用部材を具備する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真装置に用いられる電子写真用部材、該電子写真用部材を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置においては、現像部材の如き電子写真用部材として、導電層を備えた電子写真用部材が使用されている。導電層の電気抵抗値を例えば１×１０５〜１×１０９Ωの範囲に制御するために、特許文献１では、特定のゴム成分に対してアルコキシシリル基を有するイオン化合物を添加することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−６１６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電子写真装置には、より苛酷な環境下においても、高画質および高耐久性を維持できることが求められている。しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載のイオン化合物が添加された導電性部材であっても、温度０℃の如き低温環境下で使用した場合には、電気抵抗値が上昇することがあった。
【０００５】
本発明は、温度０℃の如き低温環境下での使用によっても電気抵抗値の上昇が少ない電子写真用部材の提供に向けたものである。また本発明は、高品位な電子写真画像を安定して出力できる電子写真装置およびそれに用いられるプロセスカートリッジの提供に向けたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、導電性の基体および該基体上の導電性の樹脂層を有する電子写真用部材であって、該樹脂層は、下記構造式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂と、アニオンとを含む電子写真用部材が提供される：
【０００７】
【化１】
2018097246.tif 000003
【０００８】
構造式（１）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
Ｘ１〜Ｘ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す：
【０００９】
【化２】
2018097246.tif 000004
【００１０】
構造式（２）中、Ｒ２は、式（２）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｘ４〜Ｘ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（２）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する：
【００１１】
【化３】
2018097246.tif 000005
【００１２】
構造式（３）中、Ｒ３およびＲ４は、各々独立に、式（３）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ５は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｘ７〜Ｘ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（３）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する：
【００１３】
【化４】
2018097246.tif 000006
【００１４】
構造式（Ｘ１０１）および（Ｘ１０２）中、
Ｒ６１およびＲ６２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。Ｒ６３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
記号「＊１１」および「＊１２」は、各々独立に、構造式（１）中の窒素原子、構造式（２）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、構造式（３）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
記号「＊２１」〜「＊２３」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
記号「＊２４」〜「＊２５」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
【００１５】
また、本発明の他の態様によれば、導電性の基体および該基体上の導電性の樹脂層を有する電子写真用部材であって、該樹脂層は、下記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、アルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応物である樹脂を含む電子写真用部材が提供される：
【００１６】
【化５】
2018097246.tif 000007
【００１７】
構造式（４）中、Ｒ７は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ１〜Ｙ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す：
【００１８】
【化６】
2018097246.tif 000008
【００１９】
構造式（５）中、Ｒ８は、式（５）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（５）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する：
【００２０】
【化７】
2018097246.tif 000009
【００２１】
構造式（６）中、Ｒ９およびＲ１０は、各々独立に、式（６）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ１１は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ７〜Ｙ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（６）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する：
【００２２】
【化８】
2018097246.tif 000010
【００２３】
構造式（Ｙ１０１）および（Ｙ１０２）中、Ｒ１２１およびＲ１２２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。Ｒ１３１〜Ｒ１３５は、各々独立に、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｒ１２３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。記号「＊５１」および「＊５２」は、各々独立に、該構造式（４）中の窒素原子、該構造式（５）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、該構造式（６）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
【００２４】
さらに、本発明の他の態様によれば、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、上記の電子写真用部材を具備するプロセスカートリッジ、および上記の電子写真用部材を具備する電子写真装置が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様によれば、温度０℃の如き低温環境下での使用によっても抵抗値の上昇が少ない、高品位の電子写真画像を形成し得る電子写真用部材が得られる。また本発明の他の態様によれば、高品位な電子写真画像を安定して出力できる電子写真装置およびそれに用いられるプロセスカートリッジが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子写真用ローラの概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子写真用ブレードの概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子写真装置の概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るプロセスカートリッジの概略構成図である。
【図５】現像ローラの抵抗値を評価するための冶具の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明者らは、様々な化学構造を有するカチオン構造を樹脂層に含む電子写真用部材を検討した結果、特定の化学構造を有するカチオンを樹脂層に用いた場合に、温度０℃の如き低温環境下における抵抗値の上昇を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００２８】
（１）電子写真用部材
本発明の一実施形態に係る電子写真用部材は、導電性の基体および該基体上の導電性の樹脂層を有する。
【００２９】
電子写真用部材の一例として、ローラ形状の電子写真用部材（電子写真用ローラ）を図１（ａ）〜（ｃ）に示す。図１（ａ）に示す電子写真用ローラ１Ａは、導電性の基体２と、その外周に設けられた導電性の樹脂層３とからなる。図１（ｂ）に示すように、基体２と樹脂層３との間に、さらに弾性層４が設けられていてもよい。また、電子写真用ローラ１Ａは、図１（ｃ）に示すように、弾性層４と樹脂層３の間に中間層５を配置した３層構造であってもよく、中間層５が複数配置された多層構成であってもよい。電子写真用ローラ１Ａにおいて、本発明の一実施形態に係る効果をより効果的に奏するためには、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、樹脂層３が電子写真用ローラ１Ａの最表層として存在していることが好ましい。また、電子写真用ローラ１Ａは、弾性層４を有することが好ましい。
なお、電子写真用ローラ１Ａの層構成は、樹脂層３が電子写真用ローラ１Ａの最表層として存在するものに限定されるものではない。電子写真用ローラ１Ａの具体例としては、基体２とその外周に設けられた導電性の樹脂層３の上にさらに表面層を有するものが挙げられる。
【００３０】
また、電子写真用部材の他の例として、ブレード形状の電子写真用部材（電子写真用ブレード）が挙げられる。図２（ａ）、（ｂ）は、電子写真用ブレード１Ｂの概略断面図である。図２（ａ）に示す電子写真用ブレード１Ｂは、導電性の基体２と、その外周に設けられた導電性の樹脂層３とから構成されている。図２（ｂ）に示す電子写真用ブレード１Ｂにおいては、基体２と樹脂層３との間にさらに弾性層４が設けられている。
【００３１】
電子写真用部材は、現像ローラ、帯電部材、トナー供給ローラ、現像ブレード、およびクリーニングブレードに用いることが可能である。特に、現像ローラ、現像ブレードおよびトナー供給ローラとして好適に用いることが可能である。以下、本発明の一実施形態に係る電子写真用部材の構成を詳細に説明する。
【００３２】
＜基体＞
基体２は、電子写真用部材の支持部材、および場合によっては電極として機能する。基体２は、アルミニウム、銅合金、ステンレス鋼の如き金属または合金；クロムまたはニッケルで鍍金処理を施した鉄；導電性を有する合成樹脂の如き導電性の材質で構成される。基体２は、電子写真用部材がローラ形状である場合中実円柱状または中空円筒状であり、電子写真用部材がブレード形状である場合薄板形状である。
【００３３】
＜弾性層＞
弾性層４は、特に、電子写真用部材がローラ形状である場合において（電子写真用ローラ１Ａ）、電子写真用ローラ１Ａと感光体との当接部に、所定の幅のニップを形成するために必要な弾性を電子写真用ローラ１Ａに与えるものである。弾性層４は、ゴム材料の成形体であることが好ましい。ゴム材料の例としては、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合ゴムが挙げられる。特に圧縮永久歪みが小さく柔軟性に優れるシリコーンゴムが好ましい。シリコーンゴムとしては付加硬化型液状シリコーンゴムの硬化物が挙げられる。弾性層の厚さは、０．３ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることが好ましい。弾性層４には、導電性を付与するためにカーボンブラックの如き導電性付与剤が適宜配合される。導電性付与剤としてカーボンブラックを用いる場合は、前記ゴム材料１００質量部に対してカーボンブラックを２〜５０質量部配合することが好ましい。弾性層４には、非導電性充填剤、架橋剤、触媒の如き各種添加剤が適宜配合されていてもよい。
【００３４】
＜樹脂層＞
以下、本発明の一実施形態における樹脂層３の構成について詳細に説明する。
本発明の一実施形態に係る樹脂層は、前記構造式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂と、アニオンとを含む。本発明に係る樹脂とアニオンとを含有する樹脂層を有することによって、温度０℃の如き低温環境下での抵抗値の上昇が抑制されるという予期せぬ効果を奏する理由について、本発明者らは以下のように推測している。
【００３５】
イオン化合物は、低温環境下において、カチオンとアニオンに解離している割合（イオン化率）が低下する。すなわち、低温環境下では、イオン化合物のカチオンおよびアニオンが分子運動により互いに離れようとする力よりも、互いの静電的引力の影響が支配的となり、カチオンとアニオンの分子間距離が小さい「塩」となる。そのため、低温環境下においては、イオン導電を担う解離したカチオンとアニオンの濃度が低下し、導電性が低下（抵抗値が上昇）する。したがって、低温環境下においてもカチオンとアニオンの分子間距離が十分に大きい状態を維持する（イオン化率の低下によりイオン化合物が「塩」となることが抑制される）ことにより、イオン化合物の導電性を十分に得ることができると考えられる。
【００３６】
特定のカチオンを用いることにより、低温環境下での抵抗値の上昇を抑制できる理由は定かではないが、以下のように考えられる。すなわち、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造に含まれるシロキサン結合はイオン結合性が高く、該シロキサン結合中のケイ素原子は正に、酸素原子は負に分極している。そのため、該シロキサン結合中の酸素原子とイオン化合物中のアニオンとの間には静電的斥力が発生し、互いに分子間距離が離れる方向に力が働く。例えば、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）に対応する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を１つ有する下記イオン化合物（Ｉ）では、シロキサン結合中の酸素原子の分極した電荷（δ−）とアニオンＡ−との負電荷間の静電的斥力により、シロキサン結合中の酸素原子の負電荷Ｏδ−とアニオンＡ−とは、分子間距離が離れた構造をとる。しかし、化合物（Ｉ）は、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を１つしか有していないため、アニオンＡ−がシロキサン結合から離れた位置に移動するだけで、カチオンとアニオンＡ−との分子間距離に変化はない。よって、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を１つしか有していないイオン化合物（Ｉ）が反応して得られる樹脂は、低温環境下において、アニオンとカチオンが容易に「塩」を形成するためイオン化率が低下し、その結果、抵抗値が上昇する。
【００３７】
一方、本発明に係るイオン化合物が反応して得られる樹脂は、カチオン部位の近傍に少なくとも２つ以上の構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を有する。そのため、複数のシロキサン結合の分極により生じた酸素原子の負電荷間においても静電的斥力が生じ、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）中のシロキサン結合の負電荷を有する酸素原子は、カチオン部位を囲むように配置する。例えば、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）に対応する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を３つ有する下記イオン化合物（ＩＩ）では、該構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）由来のシロキサン結合の分極により生じた酸素原子の負電荷が、カチオン部位を囲むように配置する。したがって、低温環境下においても、アニオンＡ−はシロキサン結合中の酸素原子から常に静電的斥力を受け、カチオンとアニオンの分子間距離が離れた構造をとる。その結果、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を２つ以上有するイオン化合物が反応して得られる該樹脂は、低温環境下においても常にイオン化率が高く、抵抗値の上昇が抑制されるものと考えられる。また、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を２つ以上有するイオン化合物であれば、該構造式（Ｙ１０１）由来のシロキサン結合の負電荷を有する酸素原子を、カチオン部位の近傍を囲むように配置することができる。したがって、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を１つのみ有するイオン化合物では、イオン化率を高く保つ効果は得られないが、該構造を２つ以上有するイオン化合物を用いることにより、低温環境下においてもイオン化率を高く保つ効果を顕著に享受することが可能となり、抵抗値の上昇が抑制されるものと考えられる。
【００３８】
【化９】
2018097246.tif 000011
【００３９】
なお、構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）中のＲ１２１またはＲ１２２がフェニル基を有するイオン化合物を用いた場合には、より高いレベルで抵抗値の上昇が抑制された。その理由は定かではないが、カチオンの正電荷がフェニル基の共鳴効果により中和され、カチオンとアニオンの静電的引力が弱められることによって、低温環境下においてもイオン化率が特に高く保たれ、より効果的に抵抗値の上昇が抑制されたものと推察される。
以下、構造式（１）〜（３）で示されるカチオン構造およびアニオン、ならびに本発明に係る樹脂について詳細に説明する。
【００４０】
（カチオン構造）
本実施形態に係る樹脂は、下記構造式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を分子内に有する。該構造式（１）〜（３）で示されるカチオン構造を有する樹脂は、それぞれ下記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、該イオン化合物が有するアルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応により得られる。すなわち、構造式（１）〜（３）で示されるカチオン構造は、構造式（４）〜（６）で示されるカチオンとそれぞれ対応している。以下、構造式（１）〜（３）および構造式（４）〜（６）で示される構造について説明する。
【００４１】
【化１０】
2018097246.tif 000012
【００４２】
構造式（１）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。該炭化水素基はアルキル基であることが好ましい。Ｘ１〜Ｘ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。該炭化水素基はアルキル基であることが好ましい。構造式（１）は、具体的には、樹脂との結合部を有するアンモニウムカチオンを表す。
【００４３】
【化１１】
2018097246.tif 000013
【００４４】
構造式（２）中、Ｒ２は、構造式（２）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｘ４〜Ｘ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｘ４は、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造であることが好ましい。構造式（２）は、具体的には、樹脂との結合部を有し、環構造中に窒素原子を１個含む複素環カチオンを表す。
【００４５】
構造式（２）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する。すなわち、例えば、構造式（２）における含窒素複素環中のＮ＋は、二重結合を有するか、または、該Ｎ＋上にＸ５もしくはＸ６が置換した構造となる。
構造式（２）における含窒素複素環としては、具体的には、例えば、ピロリジニウム、ピロリニウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、アゼパニウム等が挙げられる。これらの中でも、５員環または６員環が好ましい。
【００４６】
【化１２】
2018097246.tif 000014
【００４７】
構造式（３）中、Ｒ３およびＲ４は、各々独立に、構造式（３）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ５は、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。該炭化水素基はアルキル基であることが好ましい。Ｘ７〜Ｘ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｘ７は、下記構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造であることが好ましい。構造式（３）は、具体的には、樹脂との結合部を有し、環構造中に窒素原子を２個含む複素環カチオンを表す。
【００４８】
構造式（３）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する。すなわち、例えば、構造式（３）における含窒素複素環中のＮは、二重結合を有するか、または、該Ｎ上にＲ５、Ｘ８もしくはＸ９が置換した構造となる。
構造式（３）における含窒素複素環としては、具体的には、例えば、イミダゾリウム、ピラゾリウム、ピリミジニウム、ピペラジニウム、ジアゼパニウム等が挙げられる。これらの中でも、５員環または６員環が好ましい。
【００４９】
【化１３】
2018097246.tif 000015
【００５０】
構造式（Ｘ１０１）および（Ｘ１０２）中、Ｒ６１およびＲ６２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。該炭化水素基は、エーテル結合、エステル結合、およびアミド結合等の化学結合、ならびにフェニル基、二重結合および三重結合等の不飽和炭化水素結合を有していてもよい。これらの中でも、該炭化水素基は、フェニル基および／または二重結合を有することが好ましく、フェニル基および二重結合を有することがより好ましい。Ｒ６３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。記号「＊１１」および「＊１２」は、各々独立に、構造式（１）中の窒素原子、構造式（２）中の窒素原子もしくは炭素原子、または構造式（３）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。記号「＊２１」〜「＊２３」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。記号「＊２４」〜「＊２５」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
【００５１】
前記構造式（１）〜（３）で示されるカチオン構造の中でも、構造式（２）または（３）で示される構造を有する樹脂を含む場合、カチオンの化学構造に起因して、低温でもイオン化率がより高くなるため、温度０℃の如き低温環境下での抵抗値が、より上昇しにくく、好ましい。
【００５２】
【化１４】
2018097246.tif 000016
【００５３】
構造式（４）中、Ｒ７は、構造式（１）におけるＲ１と同義である。Ｙ１〜Ｙ３のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。構造式（４）は、具体的には、アルコキシシリル基群を有する基を２個以上有するアンモニウムカチオンを表す。
【００５４】
構造式（４）で示される構造としては、具体的には、例えば、ビス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）ジメチルアンモニウムカチオン、ビス（トリエトキシシリル−ｎ−プロピル）ジメチルアンモニウムカチオン、ビス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）ジエチルアンモニウムカチオン、ビス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）ジメチルアンモニウムカチオン、ビス（３−トリメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ジブチルアンモニウムカチオン、ビス（３−トリエトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ジブチルアンモニウムカチオン、ビス［３−（４−トリメトキシシリル）フェニル−２−ｎ−プロペニル］ジブチルアンモニウムカチオン、ビス［３−（４−トリエトキシシリル）フェニル−２−ｎ−プロペニル］ジブチルアンモニウムカチオン、トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）メチルアンモニウムカチオン、トリス（トリエトキシシリル−ｎ−プロピル）メチルアンモニウムカチオン、トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）エチルアンモニウムカチオン、トリス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）メチルアンモニウムカチオン、トリス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）エチルアンモニウムカチオン、トリス（３−トリメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ブチルアンモニウムカチオン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
【００５５】
【化１５】
2018097246.tif 000017
【００５６】
構造式（５）中、Ｒ８は、構造式（５）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ４は、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造であることが好ましい。構造式（５）は、具体的には、アルコキシシリル基群を有する基を２個以上有し、環構造中に窒素原子を１個含む複素環カチオンを表す。
【００５７】
構造式（５）における含窒素複素環中の窒素原子は、その価数を満たす結合または置換基を有する。すなわち、例えば、構造式（５）における含窒素複素環中のＮ＋は、二重結合を有するか、または、該Ｎ＋上にＹ５もしくはＹ６が置換した構造となる。
構造式（５）における含窒素複素環としては、具体的には、例えば、ピロリジニウム、ピロリニウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、アゼパニウム等が挙げられる。これらの中でも、５員環または６員環が好ましい。
【００５８】
構造式（５）で示される構造としては、具体的には、例えば、１，３−ビス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−１−メチルピロリジニウムカチオン、１，３−ビス（トリエトキシシリル−ｎ−ブチル）−１−メチルピロリジニウムカチオン、１，３−ビス（トリエトキシシリル−ｎ−ペンテニル）−１−メチルピロリジニウムカチオン、１，４−ビス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）−１−メチルピペリジニウムカチオン、１，２−ビス（３−トリメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ピリジニウムカチオン、１，２−ビス［３−（４−トリメトキシシリル）フェニル−２−ｎ−プロペニル］ピリジニウムカチオン、１，２−ビス（３−メチルジメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ピリジニウムカチオン、１，１，３−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）ピロリジニウムカチオン、１，１，３−トリス（トリエトキシシリル−ｎ−ブチル）ピロリジニウムカチオン、１，１，３−トリス（３−メチルジメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ピロリジニウムカチオン、１，１，３−トリス［３−（４−トリメトキシシリル）フェニル−２−ｎ−プロペニル］ピリジニウムカチオン、１，１，３−トリス（トリエトキシシリル−ｎ−ペンテニル）ピロリジニウムカチオン、１，１，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）ピペリジニウムカチオン、１，１，４−トリス（トリエトキシシリル−ｎ−ペンテニル）ピペリジニウムカチオン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
【００５９】
構造式（５）で示される構造は、下記構造式（５−１）または（５−２）で示される構造であることが好ましい。
【００６０】
【化１６】
2018097246.tif 000018
【００６１】
構造式（５−１）および（５−２）中のＹ４〜Ｙ６は、前記構造式（５）中のＹ４〜Ｙ６と同義である。なお、構造式（５−１）および（５−２）中のＹ４は、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造であることが好ましい。
【００６２】
【化１７】
2018097246.tif 000019
【００６３】
構造式（６）中、Ｒ９およびＲ１０は、各々独立に、構造式（６）における含窒素複素環が、５員環、６員環または７員環を形成するために必要な炭化水素基を表す。Ｒ１１は、構造式（３）におけるＲ５と同義である。Ｙ７〜Ｙ９のうちの少なくとも２つは、各々独立に、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｙ７は、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造であることが好ましい。構造式（６）は、具体的には、アルコキシシリル基群を有する基を２個以上有し、環構造中に窒素原子を２個含む複素環カチオンを表す。
【００６４】
構造式（６）における含窒素複素環中の窒素原子は、各々の価数を満たす結合または置換基を有する。すなわち、例えば、構造式（６）における含窒素複素環中のＮは、二重結合を有するか、または、該Ｎ上にＲ１１、Ｙ８もしくはＹ９が置換した構造となる。
構造式（６）における含窒素複素環としては、具体的には、例えば、イミダゾリウム、ピラゾリウム、ピリミジニウム、ピペラジニウム、ジアゼパニウム等が挙げられる。これらの中でも、５員環または６員環が好ましい。
【００６５】
構造式（６）で表される構造としては、具体的には、例えば、１，３−ビス（３−トリメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）イミダゾリウムカチオン、１，３−ビス［３−（４−トリメトキシシリル）フェニル−２−ｎ−プロペニル］イミダゾリウムカチオン、１，３−ビス（３−メチルジメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）イミダゾリウムカチオン、２，４−ビス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−１，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１，２−ビス（３−トリメトキシシリル−２−ｎ−プロペニル）ピラゾリウムカチオン、１，２−ビス［３−（４−トリメトキシシリル)フェニル−２−ｎ−プロペニル］ピラゾリウムカチオン、１，２−ビス［３−（４−トリメトキシシリル)フェニル−３−ｎ−ブテニル］ピラゾリウムカチオン、１，２−ビス［３−（４−トリメトキシシリル)フェニル−４−ｎ−ペンテニル］ピラゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−３−エチルイミダゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−３−ｎ−ブチルイミダゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−ブチル）−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）−３−エチルイミダゾリウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−ペンテニル）−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１，３，５−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）ピリミジニウムカチオン、１，３，５−トリス（トリエトキシシリル−ｎ−プロピル）ピリミジニウムカチオン、１，２，４−トリス（トリメトキシシリル−ｎ−プロピル）ピペラジニウムカチオン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
【００６６】
構造式（６）で示される構造は、下記構造式（６−１）または（６−２）で示される構造であることが好ましい。
【００６７】
【化１８】
2018097246.tif 000020
【００６８】
構造式（６−１）および（６−２）中のＲ１１およびＹ７〜Ｙ９は、前記構造式（６）中のＲ１１およびＹ７〜Ｙ９と同義である。なお、構造式（６−１）および（６−２）中のＹ７は、下記構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造であることが好ましい。
【００６９】
【化１９】
2018097246.tif 000021
【００７０】
構造式（Ｙ１０１）および（Ｙ１０２）中、Ｒ１２１およびＲ１２２は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。該炭化水素基は、エーテル結合、エステル結合、およびアミド結合等の化学結合、ならびにフェニル基、二重結合および三重結合等の不飽和炭化水素結合を有していてもよい。これらの中でも、該炭化水素基は、フェニル基および／または二重結合を有することが好ましく、フェニル基および二重結合を有することがより好ましい。Ｒ１３１〜Ｒ１３５は、各々独立に、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。Ｒ１２３は、炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。記号「＊５１」および「＊５２」は、各々独立に、該構造式（４）中の窒素原子、該構造式（５）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、該構造式（６）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
【００７１】
構造式（Ｙ１０１）および（Ｙ１０２）中のＲ１２１およびＲ１２２は、反応後の樹脂が有する構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造におけるＲ６１およびＲ６２と同様の構造となる。構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）で示される構造は、それぞれ、樹脂成分中の官能基であるヒドロシリル基（−ＳｉＨ）と反応した場合は構造式（Ｚ１０１）の構造、樹脂成分中の官能基であるヒドロキシ基（−ＯＨ）と反応した場合は構造式（Ｚ１０２）の構造、樹脂成分中の官能基であるイソシアネート基（−ＮＣＯ）と反応した場合は構造式（Ｚ１０３）の構造、樹脂成分中の官能基であるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）と反応した場合は構造式（Ｚ１０４）の構造を与える。
【００７２】
【化２０】
2018097246.tif 000022
【００７３】
構造式（Ｚ１０１）〜（Ｚ１０４）中、Ｒ６１１〜Ｒ６１４は、各々独立に、直鎖または分岐を有する炭素数１以上２０以下の炭化水素基を表す。
記号「＊１１１」〜「＊１１４」は、各々独立に、構造式（１）中の窒素原子、構造式（２）中の窒素原子もしくは炭素原子、または、構造式（３）中の窒素原子もしくは炭素原子との結合部位を表す。
記号「＊２１１」および「＊２３１」のうちの少なくとも１つ、記号「＊２１２」および「＊２３２」のうちの少なくとも１つ、記号「＊２１３」および「＊２３３」のうちの少なくとも１つ、ならびに記号「＊２１４」および「＊２３４」のうちの少なくとも１つは、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表し、残りは、水素原子または炭素数１以上４以下の炭化水素基を表す。
記号「＊２２１」〜「＊２２４」は、該樹脂を構成するポリマー鎖中の原子との結合部位を表す。
【００７４】
構造式（Ｙ１０１）で示される構造としては、具体的には、例えば、トリメトキシシリル−ｎ−プロピル基、トリエトキシシリル−ｎ−プロピル基、トリメトキシシリル−ｎ−ブチル基、トリエトキシシリル−ｎ−ブチル基、トリメトキシシリル−ｎ−プロペニル基、トリエトキシシリル−ｎ−プロペニル基、３−（４−トリメトキシシリル）フェニル−ｎ−プロペニル基、３−（４−トリエトキシシリル）フェニル−ｎ−プロペニル基、トリメトキシシリル−ｎ−ペンテニル基、トリエトキシシリル−ｎ−ペンテニル基、（４−トリメトキシシリル）−３−ｎ−ブテニルオキシプロピル基、４−（４−トリメトキシシリル）フェニル−３−ｎ−ブテニルオキシプロピル等が挙げられる。
構造式（Ｙ１０２）で示される構造としては、具体的には、例えば、メチルジメトキシシリル−ｎ−プロピル基、メチルジエトキシシリル−ｎ−プロピル基、メチルジメトキシシリル−ｎ−ブチル基、メチルジエトキシシリル−ｎ−ブチル基、メチルジメトキシシリル−ｎ−プロペニル基、メチルジエトキシシリル−ｎ−プロペニル基、メチルジメトキシシリル−ｎ−ペンテニル基、メチルジエトキシシリル−ｎ−ペンテニル基等が挙げられる。
【００７５】
本発明に係るイオン化合物は、構造式（４）〜（６）で示されるカチオンの中でも、構造式（５）または（６）で示されるカチオンを有するイオン化合物であることが好ましい。構造式（５）または（６）で示されるカチオンを有するイオン化合物を用いた場合、カチオンの化学構造に起因して、低温でもイオン化率がより高くなるため、温度０℃の如き低温環境下での抵抗値が、より上昇しにくくなる。
【００７６】
（アニオン）
本発明に係るアニオンは、特に限定されるものではないが、フルオロアルキルスルホニルイミドアニオン、フルオロスルホニルイミドアニオン、フルオロアルキルスルホネートアニオン、フルオロスルホネートアニオン、フルオロアルキルカルボン酸アニオン、フルオロアルキルメチドアニオン、フルオロホウ酸アニオン、フルオロリン酸アニオン、ジシアナミドアニオン、チオシアン酸アニオン、フルオロアンチモン酸アニオンおよびフルオロアルセナートアニオンからなる群より選択されることが好ましい。
【００７７】
フルオロアルキルスルホニルイミドアニオンとしては、具体的には、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドアニオン、ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミドアニオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドアニオンの如き、炭素数１以上４以下のフルオロアルキル基を有するフルオロアルキルスルホニルイミドアニオン、および、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホニルイミドの如き環状のフルオロアルキルスルホニルイミドアニオンが挙げられる。
フルオロスルホニルイミドアニオンとしては、具体的には、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオンが挙げられる。
【００７８】
フルオロアルキルスルホネートアニオンとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、フルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロエタンスルホン酸アニオン、パーフルオロプロパンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、パーフルオロペンタンスルホン酸アニオン、パーフルオロヘキサンスルホン酸アニオン、パーフルオロオクタンスルホン酸アニオンが挙げられる。
【００７９】
フルオロアルキルカルボン酸アニオンとしては、具体的には、トリフルオロ酢酸アニオン、パーフルオロプロピオン酸アニオン、パーフルオロ酪酸アニオン、パーフルオロ吉草酸アニオン、パーフルオロカプロン酸アニオンが挙げられる。
【００８０】
フルオロアルキルメチドアニオンとしては、具体的には、トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロエタンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロプロパンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロブタンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロペンタンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロヘキサンスルホニル）メチドアニオン、トリス（パーフルオロオクタンスルホニル）メチドアニオンが挙げられる。
【００８１】
フルオロホウ酸アニオンとしては、具体的には、例えばテトラフルオロホウ酸アニオンが挙げられる。
フルオロリン酸アニオンしては、具体的には、例えばヘキサフルオロリン酸アニオンが挙げられる。
フルオロアンチモン酸アニオンとしては、具体的には、例えばヘキサフルオロアンチモン酸アニオンが挙げられる。
フルオロアルセナートアニオンとしては、具体的には、例えばヘキサフルオロアルセナートアニオンが挙げられる。
【００８２】
なお、前記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物は、アニオンとして、上記アニオンを含有することが好ましい。
【００８３】
前記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、後述するアルコキシシリル基と反応可能な化合物とから、本発明に係る樹脂を作製する場合、前記イオン化合物の含有量は、アルコキシシリル基と反応可能な化合物１００質量部に対して、０.１質量部以上１２．５質量部以下であることが好ましい。イオン化合物の含有量が上記範囲内であれば、低温環境下でも電子写真用部材の導電性がより良好となり、また硬度の著しい上昇も抑制される。
【００８４】
（樹脂）
本発明において、前記構造式（１）〜（３）で示されるカチオン構造を有する樹脂は、前記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、該イオン化合物中のアルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応により得られる。すなわち、本発明に係る樹脂は、前記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、アルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応物である。
【００８５】
アルコキシシリル基と反応可能な化合物としては、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、ヒドロシリル基（−ＳｉＨ）、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）等を有する化合物を挙げることができる。ヒドロキシ基、ヒドロシリル基、イソシアネート基、カルボキシル基を有する化合物としては、公知の樹脂の構成成分を用いることができる。すなわち、構成成分中に、ヒドロキシ基、ヒドロシリル基、イソシアネート基、カルボキシル基等を有する樹脂を用いることができる。公知の樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、以下のものが挙げられる。
ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、フッ素樹脂、ポリアルキレンイミン樹脂等。これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、耐摩耗性の観点から、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【００８６】
ウレタン樹脂として用いる場合、該ウレタン樹脂を構成するイソシアネート化合物およびヒドロキシ化合物としては、公知のものを用いることができる。イソシアネート化合物中のイソシアネート基（−ＮＣＯ）と、イオン化合物が有する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）中のアルコキシシリル基とが反応することにより、構造式（Ｚ１０３）で示される構造を有するウレタン樹脂を得ることができる。同様に、ヒドロキシ化合物中のヒドロキシ基（−ＯＨ）と、イオン化合物が有する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）中のアルコキシシリル基とが反応することにより、構造式（Ｚ１０２）を有するウレタン樹脂を得ることができる。
【００８７】
ウレタン樹脂として用いる場合のイソシアネート化合物としては、特に限定されるものではないが、エチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）の如き脂肪族ポリイソシアネート；イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、シクロヘキサン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネートの如き脂環式ポリイソシアネート；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ポリメリックジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートの如き芳香族イソシアネート；および、これらの共重合物やイソシアヌレート体、ＴＭＰアダクト体、ビウレット体、そのブロック体を用いることができる。これらの中でも、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメリックジフェニルメタンジイソシアネートの如き芳香族イソシアネートが好ましい。
【００８８】
ウレタン樹脂として用いる場合のヒドロキシ化合物としては、特に限定されるものではないが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、トリメチロールプロパン、トリエタノールアミン、ペンタエリスリトール、エチレンジアミンなどが挙げられる。
【００８９】
シリコーン樹脂として用いる場合、該シリコーン樹脂を構成するヒドロシリル化合物としては、公知のものを用いることができる。ヒドロシリル化合物中のヒドロシリル基（−ＳｉＨ）と、イオン化合物が有する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）中のアルコキシシリル基とが反応することにより、構造式（Ｚ１０１）を有するシリコーン樹脂を得ることができる。
【００９０】
シリコーン樹脂として用いる場合のヒドロシリル化合物としては、特に限定されるものではないが、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノポリシロキサン（以下、「オルガノハイドロジェンポリシロキサン」ともいう）であり、架橋硬化の工程における付加反応において架橋剤の働きをするものが好ましい。オルガノハイドロジェンポリシロキサン一分子中のケイ素原子に結合した水素原子は、２個以上であることが好ましく、硬化反応を効率良く行う観点から、３個以上であることがより好ましい。
オルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００以上１００００以下であることが好ましい。硬化反応をより好適に行うためには、比較的分子量が低い、重量平均分子量１０００以上５０００以下のオルガノハイドロジェンポリシロキサンがより好適に用いられる。
【００９１】
なお、シロキサン結合からなるシリコーン樹脂を選択した場合、シリコーン主鎖が、らせん構造をとり、シリコーン樹脂由来のシロキサン結合が、らせん構造の内側に内包されるため、シリコーン主鎖の酸素原子からは、アニオンの静電反発効果は得られない。したがって、低温環境下のシリコーン樹脂中において、イオン導電剤のイオン化率の低下を抑制するためには、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）に示すようなイオン導電剤のカチオンの周囲に独立して存在する複数個のらせん構造をとらないシロキサン結合の組み込みが必要である。
【００９２】
アクリル樹脂として用いる場合、該アクリル樹脂を構成する（メタ）アクリル化合物としては、公知の（メタ）アクリル基を有する重合性モノマーを用いることができる。なお、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」または「メタクリル」を意味する（以下、同様）。アクリル樹脂中のカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）と、イオン化合物が有する構造式（Ｙ１０１）または（Ｙ１０２）中のアルコキシシリル基とが反応することにより、構造式（Ｚ１０４）で示される構造を有するアクリル樹脂を得ることができる。（メタ）アクリル基を有する重合性モノマーは、特に限定されるものではないが、例えば、以下のものが挙げられる。これらは１種または２種以上の組み合わせを用いることができる。
【００９３】
１官能性の重合性モノマーとしては、メタクリル酸、アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−アミル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレート、ｎ−ステアリル（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、スチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコール、フルオロアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。
２官能性の重合性モノマーとしては、ジ（メタ）アクリル酸エチレングリコール、ジ（メタ）アクリル酸ジエチレングリコール、ジ（メタ）アクリル酸トリエチレングリコール、ジ（メタ）アクリル酸１，４−ブタンジオール、ジ（メタ）アクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジ（メタ）アクリル酸１，９−ノナンジオール、が挙げられる。
３官能性の重合性モノマーとしては、特に限定されるものではないが、トリ（メタ）アクリル酸トリメチロールプロパン、トリス（２−アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレートが挙げられる。
【００９４】
（樹脂層中のその他の成分）
樹脂層は、必要に応じて、シリカ、石英粉末、酸化チタン、酸化亜鉛および炭酸カルシウムの如き非導電性充填剤を含有してもよい。これらの非導電性充填剤は、樹脂層形成用の塗料に添加することにより、樹脂層の形成工程において該塗料をコーティングする際に、成膜助剤としての機能を発揮する。非導電性充填剤を添加する場合、非導電性充填剤の含有量は、樹脂層を形成する樹脂、すなわち該樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。
また、樹脂層は、必要に応じて、本発明の効果を妨げない範囲で、導電性充填剤を含有してもよい。導電性充填剤としては、カーボンブラック；アルミニウム、銅の如き導電性金属；酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタンの如き導電性金属酸化物の微粒子を用いることができる。これらの中でも、カーボンブラックは、比較的容易に入手でき、導電付与性と補強性が高いため、特に好ましく用いられる。
さらに、樹脂層が最表層であって、電子写真用部材としてある程度の表面粗度が求められる場合は、樹脂層に粗さ制御のための微粒子（粗さ制御用微粒子）を添加してもよい。粗さ制御用微粒子としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、またはフェノール樹脂の微粒子を用いることができる。粗さ制御用微粒子の体積平均粒径は、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。粗さ制御用微粒子を添加する場合、樹脂層中の粗さ制御用粒子の含有量は、樹脂層を形成する樹脂、すなわち該樹脂１００質量部に対して、１質量部以上５０質量部以下であることが好ましい。
【００９５】
（樹脂層の形成方法）
本発明に係る樹脂を形成するための、前記構造式（４）〜（６）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオンを有するイオン化合物と、アルコキシシリル基と反応可能な化合物との反応は、熱硬化反応により行うことができる。
【００９６】
樹脂層の形成方法としては、特に限定されるものではないが、スプレー塗工、浸漬塗工、またはロールコート法が挙げられる。これらの中でも、特開昭５７−５０４７号公報に記載されているような、浸漬槽の上端から塗料をオーバーフローさせる浸漬塗工方法は、樹脂層を形成する方法として簡便かつ生産安定性に優れているため、好ましく用いられる。樹脂層の厚さは、１．０μｍ以上２０．０μｍ以下であることが好ましい。
【００９７】
（２）電子写真装置
本発明に係る電子写真用部材は、電子写真装置における現像ローラ、帯電ローラ、トナー供給ローラ、および現像ブレード、クリーニングブレードとして好適に用いることができる。電子写真用部材は、磁性一成分トナーや非磁性一成分トナーを用いた非接触型現像装置および接触型現像装置、ならびに二成分トナーを用いた現像装置のいずれの現像装置にも適用することができる。
【００９８】
図３は、本発明に係る電子写真用部材を、一成分トナーを用いた接触型現像装置の現像ローラとして搭載した電子写真装置の一例を示す概略断面図である。
現像装置２２は、一成分トナーとしてトナー１５を収容したトナー容器２０と、現像ローラ１６と、現像ローラ１６へトナーを供給するトナー供給ローラ１９と、現像ローラ１６上のトナー層の厚さを規制する現像ブレード２１とを含む。現像ローラ１６は、トナー容器２０内の長手方向に延在する開口部に位置し、感光体１８に対して接触設置されている。なお、感光体１８、クリーニングブレード２６、廃トナー収容容器２５、帯電ローラ２４は、電子写真装置本体に配備されていてもよい。現像装置２２は、ブラック（Ｂｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各色トナーに用意されており、カラー印刷を可能としている。
【００９９】
以下、電子写真装置のプリント動作を説明する。感光体１８は矢印方向に回転し、感光体１８を帯電処理するための帯電ローラ２４によって一様に帯電される。次いで、露光手段であるレーザー光２３により、感光体１８の表面に静電潜像が形成される。該静電潜像は、現像装置２２によって、感光体１８に対して接触配置される現像ローラ１６からトナー１５が付与されることにより、トナー像として可視化される（現像）。現像は、露光部にトナー像を形成する、いわゆる反転現像である。感光体１８上に形成されたトナー像は、転写部材である転写ローラ２９によって記録媒体である紙３４に転写される。紙３４は、給紙ローラ３５および吸着ローラ３６を経て装置内に給紙され、エンドレスベルト状の転写搬送ベルト３２によって、感光体１８と転写ローラ２９の間に搬送される。転写搬送ベルト３２は、従動ローラ３３、駆動ローラ２８、テンションローラ３１により稼働している。現像ローラ１６、現像ブレード２１および吸着ローラ３６には、バイアス電源３０から電圧が印加されている。トナー像が転写された紙３４は、定着装置２７により定着処理され、装置外に排紙されて、プリント動作が終了する。
一方、転写されずに感光体１８上に残存した転写残トナーは、感光体表面をクリーニングするためのクリーニング部材であるクリーニングブレード２６により掻き取られ、廃トナー収容容器２５に収納される。クリーニングされた感光体１８は、以上のプリント動作を繰り返し行う。
【０１００】
（３）プロセスカートリッジ
本発明に係る電子写真用部材は、プロセスカートリッジにおける現像ローラ、帯電ローラ、トナー供給ローラ、および現像ブレード、クリーニングブレードとして好適に用いることができる。
図４は、本発明の一実施形態に係るプロセスカートリッジの概略断面図である。図４において、前記電子写真用部材は、現像ローラ１６として搭載されている。プロセスカートリッジ１７は、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されている。また、プロセスカートリッジ１７は、現像ローラ１６と現像ブレード２１とを備える現像装置２２、電子写真感光体１８、クリーニングブレード２６、廃トナー収容容器２５、および帯電ローラ２４が一体化されたものである。現像装置２２は、さらにトナー容器２０を有し、トナー容器２０内には、トナー１５が充填されている。トナー容器２０内のトナー１５は、トナー供給ローラ１９によって現像ローラ１６の表面に供給され、現像ブレード２１によって、現像ローラ１６の表面に所定の厚みのトナー１５の層が形成される。
【実施例】
【０１０１】
以下に、本発明に係る具体的な実施例および比較例について示す。まず、樹脂を作製するために必要なイオン化合物を合成した。
【０１０２】
＜イオン化合物の合成＞
本発明に係るイオン化合物は、公知の手段、例えば、含窒素化合物をハロゲン化アルキルにより４級化し、アルコキシシラン化合物を付加し、所望のアニオンを有する塩を用いてイオン交換反応を行うことにより合成することができる。以下に合成方法の一例を示す。
【０１０３】
（イオン化合物ＩＰ−１の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、原料１として、ジブチルアミン（東京化成工業社製）０．４８ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。続いて、原料２として、３−ブロモ−１−プロペン（東京化成工業社製）１.０ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。反応溶液を１２時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）０.９６ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、原料４のアニオン原料として、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で１２時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−１を得た。イオン化合物ＩＰ−１は、下記式（７）で表される化合物である。
【０１０４】
【化２１】
2018097246.tif 000023
【０１０５】
（イオン化合物ＩＰ−２の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２を得た。
【０１０６】
（イオン化合物ＩＰ−３の合成）
原料４であるアニオン原料をテトラフルオロホウ酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３を得た。
【０１０７】
（イオン化合物ＩＰ−４の合成）
原料４であるアニオン原料をヘキサフルオロリン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−４を得た。
【０１０８】
（イオン化合物ＩＰ−５の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させたｎ−ブチルアミン（原料１、東京化成工業社製）０．４８ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。続いて、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた３−ブロモ−１−プロペン（原料２、東京化成工業社製）１.５ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。反応溶液を２４時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、ビニルトリメトキシシラン（原料３、東京化成工業社製）０.９６ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、カリウム  Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミド（原料４、商品名：Ｋ−ＦＳＩ、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で２４時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したカリウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−５を得た。イオン化合物ＩＰ−５は、下記式（８）で表される化合物である。
【０１０９】
【化２２】
2018097246.tif 000024
【０１１０】
（イオン化合物ＩＰ−６の合成）
原料４であるアニオン原料をカリウム  トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド（商品名：Ｋ−ＴＦＳＭ、セントラル硝子社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−５の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−６を得た。
【０１１１】
（イオン化合物ＩＰ−７の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をヘキサフルオロひ酸カリウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−５の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−７を得た。
【０１１２】
（イオン化合物ＩＰ−８の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた２−アリルピリジン（原料１、東京化成工業社製）０．４８ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。続いて、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた３−ブロモ−１−プロペン（原料２、東京化成工業社製）１.５ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。反応溶液を６時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、ビニルトリメトキシシラン（原料３、東京化成工業社製）０.９６ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（原料４、商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で２４時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−８を得た。イオン化合物ＩＰ−８は、下記式（９）で表される化合物である。
【０１１３】
【化２３】
2018097246.tif 000025
【０１１４】
（イオン化合物ＩＰ−９の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−９を得た。
【０１１５】
（イオン化合物ＩＰ−１０の合成）
原料４であるアニオン原料をカリウム  Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホニルイミド（商品名：ＥＦ−Ｎ３０２、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１０を得た。
【０１１６】
（イオン化合物ＩＰ−１１の合成）
原料４であるアニオン原料をヘキサフルオロアンチモン（Ｖ）酸銀（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１１を得た。
【０１１７】
（イオン化合物ＩＰ−１２の合成）
原料３であるアルコキシシランをジメトキシメチルビニルシラン（東京化成工業社製）に変更し、アニオン原料をトリフルオロメタンスルホン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１２を得た。
【０１１８】
（イオン化合物ＩＰ−１３の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をトリフルオロメタンスルホン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１３を得た。
【０１１９】
（化合物ＩＰ−１４の合成）
原料４であるアニオン原料をナトリウムジシアナミド（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１４を得た。
【０１２０】
（イオン化合物ＩＰ−１５の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）２０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、ＤＭＦ２０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、原料１として、３，５−Ｐｙｒｉｄｉｎｅ  ｄｉｐｒｏｐａｎｏｌ（Ｓｈａｎｇｈａｉ  Ｃｈｅｍｈｅｒｅ社製）０．４８ｍｍｏｌをＤＭＦ２０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。続いて、原料２として、４−ブロモ−１−ブテン（東京化成工業社製）１.０ｍｍｏｌをＤＭＦ２０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。反応溶液を２時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣に、テトラヒドロフランに溶解した水素化ナトリウム粉末と原料２である４−ブロモ−１−ブテン（東京化成工業社製）１.０ｍｍｏｌを再び加え、反応溶液を２時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）１．５ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、原料４のアニオン原料として、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で１２時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−１５を得た。イオン化合物ＩＰ−１５は、下記式（１０）で表される化合物である。
【０１２１】
【化２４】
2018097246.tif 000026
【０１２２】
（イオン化合物ＩＰ−１６の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１５の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１６を得た。
【０１２３】
（イオン化合物ＩＰ−１７の合成）
原料４であるアニオン原料をノナフルオロブタンスルホン酸カリウム（商品名：ＫＦＢＳ、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１５の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１７を得た。
【０１２４】
（イオン化合物ＩＰ−１８の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた３−（Ｐｒｏｐ−２−ｅｎ−１−ｙｌ）ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｅ（原料１、Ａｕｒｏｒａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製）０．４８ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。続いて、テトラヒドロフラン９０ｇに溶解させた３−ブロモ−１−プロペン（原料２、東京化成工業社製）１.５ｍｍｏｌを３０分かけて滴下した。反応溶液を２４時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ジメトキシメチルビニルシラン（東京化成工業社製）１．５ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、アニオン原料として、テトラフルオロホウ酸リチウム（原料４、東京化成工業社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で２４時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−１８を得た。イオン化合物ＩＰ−１８は、下記式（１１）で表される化合物である。
【０１２５】
【化２５】
2018097246.tif 000027
【０１２６】
（イオン化合物ＩＰ−１９の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−１９を得た。
【０１２７】
（イオン化合物ＩＰ−２０の合成）
原料３であるアルコキシシランをビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をチオシアン酸カリウム（林純薬工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−１８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２０を得た。
【０１２８】
（イオン化合物ＩＰ−２１の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、原料１として、イミダゾール（東京化成工業社製）０．４８ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を、３０分かけて滴下した。続いて、原料２として、３−ブロモ−１−プロペン（東京化成工業社製）１.０ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を、３０分かけて滴下した。反応溶液を１２時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）０.９６ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、原料４のアニオン原料として、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で１２時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−２１を得た。イオン化合物ＩＰ−２１は、下記式（１２）で表される化合物である。
【０１２９】
【化２６】
2018097246.tif 000028
【０１３０】
（イオン化合物ＩＰ−２２の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２２を得た。
【０１３１】
（イオン化合物ＩＰ−２３の合成）
原料３であるアルコキシシランをジメトキシメチルビニルシラン（東京化成工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をカリウム  Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミド（商品名：Ｋ−ＦＳＩ、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２３を得た。
【０１３２】
（イオン化合物ＩＰ−２４の合成）
原料４であるアニオン原料をヘキサフルオロリン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２４を得た。
【０１３３】
（イオン化合物ＩＰ−２５の合成）
原料４であるアニオン原料をノナフルオロブタンスルホン酸カリウム（商品名：ＫＦＢＳ、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２５を得た。
【０１３４】
（イオン化合物ＩＰ−２６の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をテトラフルオロホウ酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２６を得た。
【０１３５】
（イオン化合物ＩＰ−２７の合成）
原料１をピラゾール（東京化成工業社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をカリウム  Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホニルイミド（商品名：ＥＦ−Ｎ３０２、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２７を得た。イオン化合物ＩＰ−２７は、下記式（１３）で表される化合物である。
【０１３６】
【化２７】
2018097246.tif 000029
【０１３７】
（イオン化合物ＩＰ−２８の合成）
原料１をピラゾール（東京化成工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をトリフルオロ酢酸リチウム（和光純薬工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２８を得た。
【０１３８】
（イオン化合物ＩＰ−２９の合成）
原料１をピラゾール（東京化成工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をナトリウムジシアナミド（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−２９を得た。
【０１３９】
（イオン化合物ＩＰ−３０の合成）
原料１をピラゾール（東京化成工業社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をナトリウムジシアナミド（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３０を得た。
【０１４０】
（イオン化合物ＩＰ−３１の合成）
水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、東京化成工業社製）３.０ｍｍｏｌにテトラヒドロフラン２０ｇを加え、水素化ナトリウム粉末をろ過して、得られた水素化ナトリウム粉末を、テトラヒドロフラン６０ｇを用いて３回洗浄した。洗浄後すぐに、テトラヒドロフラン８０ｇに水素化ナトリウム粉末を分散させ、反応系を窒素雰囲気下とし、氷冷した。そこへ、原料１として、１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ，５−（２−ｐｒｏｐｅｎ−１−ｙｌ）（ＨｏｎｇＫｏｎｇ  Ｃｈｅｍｈｅｒｅ社製）０．４８ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。続いて、原料２として、３−ブロモ−１−プロペン（東京化成工業社製）１.０ｍｍｏｌをテトラヒドロフラン１８０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。反応溶液を１２時間加熱還流した後、水１００ｍｌを加え、減圧下で溶媒を留去した。残渣にエタノール３００ｍｌを加え、室温で撹拌し、不溶物をセライトろ過により除いた後、再び減圧下で溶媒を留去した。
得られた生成物をジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．１ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）０.９６ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去した。これをアセトンに溶解し、原料４のアニオン原料として、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．４８ｍｍｏｌを加えた後、室温で１２時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、析出したリチウムブロマイドをろ過することで、イオン化合物ＩＰ−３１を得た。イオン化合物ＩＰ−３１は、下記式（１４）で表される化合物である。
【０１４１】
【化２８】
2018097246.tif 000030
【０１４２】
（イオン化合物ＩＰ−３２の合成）
原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３２を得た。
【０１４３】
（イオン化合物ＩＰ−３３の合成）
原料４であるアニオン原料をテトラフルオロホウ酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３３を得た。
【０１４４】
（イオン化合物ＩＰ−３４の合成）
原料４であるアニオン原料をカリウム  トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド（商品名：Ｋ−ＴＦＳＭ、セントラル硝子社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３４を得た。
【０１４５】
（イオン化合物ＩＰ−３５の合成）
原料４であるアニオン原料をチオシアン酸カリウム（林純薬工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３５を得た。
【０１４６】
（イオン化合物ＩＰ−３６の合成）
原料１を１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ，１−ｍｅｔｈｙｌ−５−（２−ｐｒｏｐｅｎ−１−ｙｌ）（ＨｏｎｇＫｏｎｇ  Ｃｈｅｍｈｅｒｅ社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をトリフルオロメタンスルホン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３６を得た。
【０１４７】
（イオン化合物ＩＰ−３７の合成）
原料１を１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ，１−ｍｅｔｈｙｌ−５−（２−ｐｒｏｐｅｎ−１−ｙｌ）（ＨｏｎｇＫｏｎｇ  Ｃｈｅｍｈｅｒｅ社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をヘキサフルオロリン酸リチウム（東京化成工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３７を得た。
【０１４８】
（イオン化合物ＩＰ−３８の合成）
原料１を１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ，１−ｍｅｔｈｙｌ−５−（２−ｐｒｏｐｅｎ−１−ｙｌ）（ＨｏｎｇＫｏｎｇ  Ｃｈｅｍｈｅｒｅ社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をチオシアン酸カリウム（林純薬工業社製）に変更した以外は、イオン化合物ＩＰ−３１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−３８を得た。
【０１４９】
（イオン化合物ＩＰ−３９の合成）
原料１として、Ａｌｌｙｌ  ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ（３Ｂ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）０．１１ｍｏｌを、純水８０ｍｌに溶解し、原料４のアニオン原料として、リチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）０．１２ｍｏｌを加え、室温下で１時間撹拌した。反応溶液にクロロホルム１２０ｍｌを加え、炭酸ナトリウム５質量％水溶液１００ｍｌを加えて３０分間撹拌した後分液し、クロロホルム層を、イオン交換水９０ｇを用いて３回洗浄した。次に、減圧下でクロロホルムを留去した後、ジクロロメタン３０ｍｌに溶解させ、Ｇｒｕｂｂｓ触媒  ２ｎｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．０５ｍｍｏｌおよび、原料３のアルコキシシシランとして、ビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）０.５ｍｍｏｌを加え、反応系を窒素雰囲気下とし、２時間加熱還流を行った。反応溶液中の不溶物をセライトろ過により除いた後、減圧下で溶媒を留去することで、イオン化合物ＩＰ−３９を得た。イオン化合物ＩＰ−３９は、下記式（１５）で表される化合物である。
【０１５０】
【化２９】
2018097246.tif 000031
【０１５１】
（イオン化合物ＩＰ−４０の合成）
原料１を１−メチルピロリジン（東京化成工業社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）に変更した以外は、化合物ＩＰ−１８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−４０を得た。イオン化合物ＩＰ−４０は、下記式（１６）で表される化合物である。
【０１５２】
【化３０】
2018097246.tif 000032
【０１５３】
（イオン化合物ＩＰ−４１の合成）
原料１を１−メチルピロリジン（東京化成工業社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをビニルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）に変更し、原料４のアニオン原料をリチウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（商品名：ＥＦ−Ｎ１１５、三菱マテリアル電子化成社製）に変更した以外は、化合物ＩＰ−１８の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−４１を得た。イオン化合物ＩＰ−４１は、下記式（１７）で表される化合物である。
【０１５４】
【化３１】
2018097246.tif 000033
【０１５５】
（イオン化合物ＩＰ−４２の合成）
原料１を１−メチルイミダゾール（東京化成工業社製）に変更した以外は、化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−４２を得た。イオン化合物ＩＰ−４２は、下記式（１８）で表される化合物である。
【０１５６】
【化３２】
2018097246.tif 000034
【０１５７】
（イオン化合物ＩＰ−４３の合成）
原料１を１−メチルイミダゾール（東京化成工業社製）に変更し、原料３であるアルコキシシランをｐ−スチリルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−１４０３、信越化学工業社製）に変更し、原料４であるアニオン原料をチオシアン酸カリウム（林純薬工業社製）に変更した以外は、化合物ＩＰ−２１の合成と同様にして、イオン化合物ＩＰ−４３を得た。イオン化合物ＩＰ−４３は、下記式（１９）で表される化合物である。
【０１５８】
【化３３】
2018097246.tif 000035
【０１５９】
得られた各イオン化合物の構造を表１−１〜表１−６に示す。なお、イオン化合物ＩＰ−３９〜ＩＰ−４３は、比較例用のイオン化合物であり、本発明で規定する構造式（４）〜（６）で示される構造には含まれないが、参考のため、併せて記載した。
【０１６０】
【表１−１】
2018097246.tif 000036
【０１６１】
【表１−２】
2018097246.tif 000037
【０１６２】
【表１−３】
2018097246.tif 000038
【０１６３】
【表１−４】
2018097246.tif 000039
【０１６４】
【表１−５】
2018097246.tif 000040
【０１６５】
【表１−６】
2018097246.tif 000041
【０１６６】
＜イソシアネート基末端プレポリマーの合成＞
（イソシアネート基末端ウレタンプレポリマーＢ−１の合成）
窒素雰囲気下、反応容器中でポリメリックＭＤＩ（商品名：ミリオネートＭＲ−２００、日本ポリウレタン工業社製）８４．１質量部に対し、ポリエーテルポリオール（商品名：ＰＴＧ−Ｌ１０００、保土谷化学工業社製）１００．０質量部を、反応容器内の温度を６５℃に保持しつつ、徐々に滴下した。滴下終了後、温度６５℃で２．５時間反応させて、メチルエチルケトン８０．０質量部を加えた。得られた反応混合物を室温まで冷却し、イソシアネート基含有量が５．４質量％のイソシアネート基末端ウレタンプレポリマーＢ−１を得た。
【０１６７】
＜現像ローラの作製＞
［実施例１］
（基体の用意）
基体２として、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製の直径６ｍｍの芯金にプライマー（商品名：ＤＹ３５−０５１、東レダウコーニング社製）を塗布、焼付けしたものを用意した。
【０１６８】
（弾性層の形成）
上記で用意した基体２を金型に配置し、以下の材料を混合した付加型シリコーンゴム組成物を、金型内に形成されたキャビティに注入した。
・液状シリコーンゴム材料（商品名：ＳＥ６７２４Ａ／Ｂ、東レ・ダウコーニング社製）１００．０質量部
・カーボンブラック（商品名：トーカブラック＃４３００、東海カーボン社製）１５．０質量部
・白金触媒：０．１質量部
続いて、金型を加熱し、シリコーンゴムを温度１５０℃で１５分間加硫して硬化させた。周面に硬化したシリコーンゴム層が形成された基体を金型から脱型した後、当該芯金を、さらに温度１８０℃で１時間加熱して、シリコーンゴム層の硬化反応を完了させた。こうして、基体２の外周に直径１２ｍｍのシリコーンゴム弾性層を有する弾性ローラＤ−１を作製した。
【０１６９】
（樹脂層の形成）
樹脂層の材料として、下記材料を混合し、撹拌した。
・ポリエーテルポリオール（商品名：ＰＴＧ−Ｌ１０００、保土谷化学工業社製）６１．９質量部
・イソシアネート基末端ウレタンプレポリマーＢ−１：１８．１質量部、
・シリカ（商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）２００、日本アエロジル社製）１０．０質量部
・ウレタン樹脂微粒子（商品名：アートパールＣ−４００、根上工業社製）１０．０質量部
上記混合物をウレタンバインダー樹脂塗料とし、さらに下記イオン化合物加えて撹拌し、イオン化合物含有塗料１とした。
・イオン化合物ＩＰ−１：１．０質量部
【０１７０】
次に、総固形分比が３０質量％となるようにメチルエチルケトンを加えた後、サンドミルにて混合した。次いで、さらに、メチルエチルケトンで粘度１０〜１２ｃｐｓに調整して、樹脂層形成用塗料１を調製した。
先に作製した弾性ローラＤ−１を、上記樹脂層形成用塗料１に浸漬して、弾性ローラＤ−１の弾性層の表面に当該塗料の塗膜を形成し、乾燥させた。さらに、温度１５０℃にて１時間加熱処理することにより、弾性層４の外周に膜厚約１５μｍの樹脂層３を有する、実施例１に係る現像ローラを作製した。
【０１７１】
［実施例４、９、１０、１１、１３、１８、１９、２３、２４、２７、２８、３２］
イオン化合物とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例１と同様にして、実施例４、９、１０、１１、１３、１８、１９、２３、２４、２７、２８、３２に係る現像ローラを作製した。
【０１７２】
［実施例２］
樹脂層の材料として、下記材料を混合し、撹拌した。
・エチルメタクリレート（東京化成工業社製）６０．０質量部
・カルボキシル基を有するアクリルモノマーとしてメタクリル酸（東京化成工業社製）２０．０質量部
・２官能性アクリレート（商品名：ライトアクリレートＭＰＤ−Ａ、共栄社化学社製）７．０質量部
・２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（東京化成工業社製）０．９質量部
・ウレタン樹脂微粒子（商品名：アートパールＣ−４００、根上工業社製）１０．０質量部
・充填剤として、シリカ（商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ２００、日本アエロジル社製）２．１質量部
上記混合物をアクリルバインダー樹脂塗料とし、さらに下記イオン化合物を加えて撹拌し、イオン化合物含有塗料２とした。
・イオン化合物ＩＰ−２：１０．０質量部
【０１７３】
次に、総固形分比が３０質量％となるようにメチルエチルケトンを加えた後、サンドミルにて混合した。次いで、さらに、メチルエチルケトンで粘度１０〜１２ｃｐｓに調整して、樹脂層形成用塗料２を調製した。
先に作製した弾性ローラＤ−１を、上記樹脂層形成用塗料２に浸漬して、弾性ローラＤ−１の弾性層の表面に当該塗料の塗膜を形成し、乾燥させた。さらに温度１５０℃にて１時間加熱処理することにより、弾性層４の外周に膜厚約１５μｍの表面層３を有する、実施例２に係る現像ローラを作製した。
【０１７４】
［実施例６、７、１５、１６、１７、２２、３０、３３］
イオン化合物とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例２と同様にして、実施例６、７、１５、１６、１７、２２、３０、３３に係る現像ローラを作製した。
【０１７５】
［実施例３］
樹脂層の材料として、下記材料を混合し、撹拌した。 
・両末端ビニル基ジメチルポリシロキサン（商品名：ＳＦ３０００Ｅ、ＫＣＣ社製）８０質量部
・ヒドロシリル基を有するシリコーンとしてメチルハイドロジェンシロキサン（商品名：ＳＦ６００２Ｐ、ＫＣＣ社製）１０質量部
・塩化白金酸とジビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体（白金含有量：０．５質量％）０．５質量部
・１−エチル−１−シクロヘキサノール（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．１質量部
・ウレタン樹脂微粒子（商品名：アートパールＣ−４００、根上工業社製）９．４質量部
上記混合物をシリコーンバインダー樹脂塗料とし、さらに下記イオン化合物を加えて撹拌し、イオン化合物含有塗料３とした。
・イオン化合物ＩＰ−４：５．０質量部
【０１７６】
次に、総固形分比が３０質量％となるようにメチルエチルケトンを加えた後、サンドミルにて混合した。次いで、さらに、メチルエチルケトンで粘度１０〜１２ｃｐｓに調整して、樹脂層形成用塗料３を調製した。
先に作製した弾性ローラＤ−１を、上記樹脂層形成用塗料３に浸漬して、弾性ローラＤ−１の弾性層の表面に当該塗料の塗膜を形成し、乾燥させた。さらに温度１５０℃にて１時間加熱処理することにより、弾性層４の外周に膜厚約１５μｍの表面層３を有する、実施例３に係る現像ローラを作製した。
【０１７７】
［実施例５、８、１２、１４、２０、２１、２５、２６、２９、３１、３４］
イオン化合物とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例３と同様にして、実施例５、８、１２、１４、２０、２１、２５、２６、２９、３１、３４に係る現像ローラを作製した。
【０１７８】
［比較例１〜比較例５］
比較例１および４は、実施例３のイオン化合物種とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例３と同様にして、比較例１および４に係る現像ローラを作製した。比較例２は、実施例２のイオン化合物種とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例２と同様にして、比較例２に係る現像ローラを作製した。比較例３および５は、実施例１のイオン化合物種とその配合量を表２に記載の通りに変更した以外は実施例１と同様にして、比較例３および５に係る現像ローラを作製した。
【０１７９】
【表２】
2018097246.tif 000042
【０１８０】
（樹脂層の成分分析）
これらの反応後の状態は、例えば、熱分解ＧＣ／ＭＳ、ＦＴ−ＩＲ、ＮＭＲ等による公知の手段で分析することにより確認することができる。
【０１８１】
＜現像ローラの評価＞
得られた実施例１〜３４および比較例１〜５に係る現像ローラについて、以下の評価を行った。評価結果を表３にまとめて示す。
【０１８２】
［ローラ抵抗値の測定］
２３℃、４５％ＲＨ（以下、「Ｎ／Ｎ」と記す）の環境下および０℃の環境下に１２時間現像ローラを放置した後、各環境下で測定を行った。
【０１８３】
（抵抗値の測定）
図５に、本測定で用いる、現像ローラの抵抗値を評価するための冶具の概略構成図を示す。図５（ａ）に示すように、導電性の軸受け３８を介して導電性の基体２の両端を、各々４．９Ｎの荷重で押しながら直径４０ｍｍの円柱形金属３７を回転させ、現像ローラ１６を６０ｒｐｍの速度で従動回転させた。次に、図５（ｂ）に示すように、高圧電源３９によって直流電圧５０Ｖを印加し、円柱形金属３７とグランドとの間に配設した既知の電気抵抗値（現像ローラの電気抵抗値に対して２桁以上電気抵抗値が低いもの）を有する抵抗器の両端の電位差を計測した。当該電位差の計測には、電圧計４０（商品名：１８９ＴＲＵＥ  ＲＭＳ  ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ、ＦＬＵＫＥ社製）を用いた。測定した電位差と抵抗器の電気抵抗値から、現像ローラ１６を介して円柱形金属３７に流れた電流を計算により求めた。そして、印加電圧５０Ｖを、得られた電流で割ることにより、現像ローラ１６の電気抵抗値を求めた。ここで、該電位差の計測は、電圧印加２秒後から３秒間サンプリングを行い、その平均値から計算される値をローラ抵抗値とした。
【０１８４】
［現像ローラとしての性能評価］
（温度０℃の環境下でのゴーストの評価）
温度０℃の環境中で抵抗値の測定を行った現像ローラを用いて、以下の評価を行った。
図４に示す構成を有する、レーザープリンター（商品名：ＬＢＰ７７００Ｃ、キヤノン社製）用のプロセスカートリッジに、本実施例および比較例に係る現像ローラを、現像ローラ１６として装填した。そして、該プロセスカートリッジを前記レーザープリンターに組み込み、０℃環境中に設置した後２４時間放置した。次いで、ゴースト画像の評価を行った。すなわち、ブラックトナーを用いて、画像パターンとして１枚内で先端部に１５ｍｍ角のベタ黒、その後に全面ハーフトーンの画像を印字した。次にハーフトーン部分に現れるトナー担持体周期の濃度ムラ（ゴースト）を目視で観察し、下記の評価基準に基づき評価した。
ランクＡ：ゴーストが全く認められない。
ランクＢ：極軽微なゴーストが認められる。
ランクＣ：軽微なゴーストが認められる。
ランクＤ：顕著なゴーストが認められる。
【０１８５】
【表３】
2018097246.tif 000043
【０１８６】
実施例１〜３４に係る現像ローラは、前記式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を分子内に有する樹脂を含有するため、温度０℃の如き低温環境下における抵抗値の上昇が少なく、画像品質も良好を保っていた。特に、構造式（２）または（３）から選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂を含有する実施例７〜３４においては、高いレベルで抵抗値の上昇が抑制されていた。さらに、カチオン構造中にフェニル基を有するイオン化合物を添加した実施例では、より高いレベルで抵抗値の上昇が抑制されていた。一方で、かかる構造を含有しない比較例１〜５に係る現像ローラでは、低温環境下において、抵抗値の上昇およびゴースト画像の発生が認められた。
【０１８７】
例えば同じアンモニウムカチオン構造を有する実施例１および比較例１に係る現像ローラを比べると、構造式（１）で示される構造を含有しない比較例１に係る現像ローラでは、低温環境下において抵抗値が上昇し、ゴースト画像の発生が認められた。すなわち、低温環境下における抵抗値の上昇の抑制効果は、明らかに実施例１の方が高い。これは、実施例１に係る樹脂は、カチオン部位の近傍に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を少なくとも２つ以上有するため、低温環境下においてイオン化率を高く保つ効果を享受して、抵抗値の上昇が抑制されたと考えられる。
【０１８８】
＜現像ブレードの作製＞
［実施例３５］
樹脂層の材料として、下記材料を混合し、撹拌した。
・ポリエーテルポリオール（商品名：ＰＴＧ−Ｌ１０００、保土谷化学工業社製）６１．９質量部
・イソシアネート基末端プレポリマーＢ−１：１８．１質量部、
・シリカ（商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ２００、日本アエロジル社製）１０．０質量部
・ウレタン樹脂微粒子（商品名：アートパールＣ−４００、根上工業社製）１０．０質量部
上記混合物をウレタンバインダー樹脂塗料とし、さらに下記イオン化合物加えて撹拌し、イオン化合物含有塗料４とした。
・イオン化合物ＩＰ−５：１．０質量部
【０１８９】
続いて、総固形分比が３０質量％となるようにメチルエチルケトンを加えた後、サンドミルにて混合した。次いで、さらに、メチルエチルケトンで粘度１０〜１２ｃｐｓに調整して、樹脂層形成用塗料４を調製した。
【０１９０】
次に基体として、厚さ０．０８ｍｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、日新製鋼社製）を、長さ２００ｍｍ、幅２３ｍｍの寸法にプレス切断して、ステンレス鋼製のシート（以下、「ＳＵＳシート」という）を用意した。次に、図２に示すように、切断したＳＵＳシートの長手側端部からの長さＬが１．５ｍｍになるように、上記樹脂層形成用塗料４に浸漬して、当該塗料の塗膜を形成し、乾燥させた。さらに温度１４０℃にて１時間加熱処理することにより、ＳＵＳシートの長手側端部表面に膜厚Ｔが１０μｍの樹脂層を有する、実施例３５に係る現像ブレードを作製した。
【０１９１】
［実施例３６〜３９、比較例６、７］
イオン化合物含有塗料に用いるイオン化合物を、それぞれ表４に示す通りに変更した以外は実施例３５と同様にして、実施例３６〜３９、および比較例６、７に係る現像ブレードを作製した。
【０１９２】
＜現像ブレードの評価＞
実施例３５〜３９、および比較例６、７に係る現像ブレードについて、以下の評価を行った。評価結果を表４に示す。
【０１９３】
［ブレードの抵抗値の測定］
２３℃、４５％ＲＨ（以下、「Ｎ／Ｎ」と記す）の環境下、および０℃の環境下に１２時間現像ブレードを放置した後、各環境下で抵抗値を測定した。
【０１９４】
（抵抗値の測定）
ブレードの抵抗値の測定は、図５に示す抵抗値変動評価冶具を用いて、次のように行った。なお、図５に示す冶具における現像ローラ１６に代えて、現像ブレードを用いた。図５（ａ）に示すように、導電性の軸受け３８を介して現像ブレード両端の、樹脂層を形成していない基体部分を各々４．９Ｎの荷重で押しながら、直径３０ｍｍの円柱形金属３７を回転させずに、現像ブレードを固定した。次に、図５（ｂ）に示すように、高圧電源３９によって直流電圧５０Ｖを印加し、円柱形金属３７とグランドとの間に配設した既知の電気抵抗値（現像ブレードの電気抵抗値に対して２桁以上電気抵抗値が低いもの）を有する抵抗器の両端の電位差を計測した。当該電位差の計測には、電圧計４０（商品名：１８９ＴＲＵＥ  ＲＭＳ  ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ、ＦＬＵＫＥ社製）を用いた。測定した電位差と抵抗器の電気抵抗値から、現像ブレードを介して円柱形金属３７に流れた電流を計算により求めた。そして、印加電圧５０Ｖを得られた電流で割ることにより、現像ブレードの電気抵抗値を求めた。ここで、該電位差の計測は、電圧印加２秒後から３秒間サンプリングを行い、その平均値から計算される値をブレード抵抗値とした。
【０１９５】
［現像ブレードとしての性能評価］
（規制不良の有無の評価）
図４に示す構成を有する、レーザープリンター（商品名：ＬＢＰ７７００Ｃ、キヤノン社製）用のプロセスカートリッジに、各実施例および比較例の現像ブレードを現像ブレード２１として装填した。そして、該プロセスカートリッジを前記レーザープリンターに組み込み、０℃環境中に設置した後２４時間放置した。
次に、黒色で印字率１％の画像を１００枚連続して出力した。その後、新しいコピー用紙に白ベタ画像を出力した。これらの画像を出力した後、現像ブレード表面のトナーコートの状態観察を行い、トナーへの帯電異常に起因する静電的トナー凝集（規制不良）の有無を目視で観察し、下記の基準で評価した。なお、規制不良が生じると、例えば非印字部に斑点状のムラが発生したり、トナー塊などが画像上に発生したりする画像弊害が生じることがある。
ランクＡ：トナーコート上に規制不良が存在しない。
ランクＢ：トナーコート上には軽微な規制不良が存在するが、画像に現れていない。
ランクＣ：トナーコート上には規制不良が存在するが、画像に現れていない。
ランクＤ：規制不良が画像に現れる。
【０１９６】
【表４】
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【０１９７】
実施例３５〜３９に係る現像ブレードは、前記式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を分子内に有する樹脂を含有するため、温度０℃の如き低温環境下においても規制不良が発生しなかった。特に、構造式（２）または（３）から選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂を含有する実施例３６〜３９においては、高いレベルで抵抗値の上昇が抑制されていた。さらに、カチオン構造中にフェニル基を有するイオン化合物を添加した実施例３８では、より高いレベルで抵抗値の上昇が抑制されていた。一方で、かかる構造を含有しない比較例６および７に係る現像ブレードでは、低温環境下において規制不良が発生した。０℃環境下での規制不良は、現像ブレードの抵抗値が高くなり、ブレードバイアスが規定の値まで印加されず、トナーの帯電が不均一になった結果、生じたものと考えられる。
【０１９８】
例えば同じアンモニウムカチオン構造を有する実施例３５および比較例６に係る現像ブレードを比べると、構造式（１）で示される構造を含有しない比較例６に係る現像ブレードでは、低温環境下において抵抗値が上昇し、ゴースト画像の発生が認められた。すなわち、低温環境下における抵抗値の上昇の抑制効果は、明らかに実施例３５の方が高い。これは、実施例３５に係る樹脂は、カチオン部位の近傍に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を少なくとも２つ以上有するため、低温環境下においてイオン化率を高く保つ効果を享受して、抵抗値の上昇が抑制されたと考えられる。
【０１９９】
＜トナー供給ローラの作製＞
［実施例４０］
基体２として、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製の直径５ｍｍの芯金を金型に配置し、以下の材料を混合したウレタンゴム組成物を、金型内に形成されたキャビティに注入した。
・ポリエーテルポリオール（商品名：ＥＰ５５０Ｎ、三井化学工業社製）７３．２質量部
・イソシアネート（商品名：コスモネートＴＭ２０、三井化学工業社製）２２．７質量部
・１，２−ジメチルイミダゾール（東京化成工業社製）０．６質量部
・シリコーン整泡剤（商品名：ＳＲＸ２７４Ｃ、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）１．０質量部
・アミン触媒（商品名：ＴＯＹＯＣＡＴ−ＥＴ、東ソー社製）０．３質量部
・アミン触媒（商品名：ＴＯＹＯＣＡＴ−Ｌ３３」、東ソー社製）０．２質量部
・水：２．０質量部
・イオン化合物ＩＰ−３：５．０質量部
【０２００】
続いて、金型を加熱して、ウレタンゴム組成物を温度５０℃で２０分間加硫し発泡硬化させ、基体２の周面にポリウレタンフォーム層を形成した。その後、ポリウレタンフォーム層が形成された基体を金型から脱型した。こうして、基体２の外周に直径１７ｍｍのポリウレタンフォーム層を有するトナー供給ローラを作製した。
【０２０１】
［実施例４１〜４４、比較例８、９］
ウレタンゴム組成物に用いるイオン化合物を、それぞれ表５に示す通りに変更した以外は実施例４０と同様にして、実施例４１〜４４、および比較例８、９に係るトナー供給ローラを作製した。
【０２０２】
＜トナー供給ローラの評価＞
実施例４０〜４４、および比較例８、９に係るトナー供給ローラについて、以下の評価を行った。評価結果を表５に示す。
【０２０３】
［ローラの抵抗値の測定］
２３℃、４５％ＲＨ（以下、「Ｎ／Ｎ」と記す）の環境下、および０℃の環境下に１２時間トナー供給ローラを放置した後、各環境下で抵抗値を測定した。
【０２０４】
（抵抗値の測定）
図５（ａ）に示すように、導電性の軸受け３８を介して導電性の基体２の両端を、各々２．５Ｎの荷重で押したこと以外は、前記現像ローラの抵抗値の測定と同様にして、電気抵抗値を求めた。
【０２０５】
［トナー供給ローラとしての性能評価］
（温度０℃の環境下でのゴーストの評価）
温度０℃の環境中で抵抗値の測定を行ったトナー供給ローラを用いて、以下の評価を行った。
図４に示す構成を有する、レーザープリンター（商品名：ＬＢＰ７７００Ｃ、キヤノン社製）用のプロセスカートリッジに、各実施例および比較例のトナー供給ローラを装填した。そして、該プロセスカートリッジを前記レーザープリンターに組み込み、０℃環境中に設置した後、２４時間放置した。次いで、ゴースト画像の評価を行った。すなわち、ブラックトナーを用いて、画像パターンとして１枚内で先端部に１５ｍｍ角のベタ黒、その後に全面ハーフトーンの画像を印字した。次に、ハーフトーン部分に現れるトナー担持体周期の濃度ムラ（ゴースト）を目視で確認した。ゴーストの評価基準は以下の通りである。
ランクＡ：ゴーストが全く認められない。
ランクＢ：極軽微なゴーストが認められる。
ランクＣ：軽微なゴーストが認められる。
ランクＤ：顕著なゴーストが認められる。
【０２０６】
【表５】
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【０２０７】
実施例４０〜４４に係るトナー供給ローラは、前記式（１）〜（３）からなる群より選択される少なくとも１つのカチオン構造を分子内に有する樹脂を含有するため、温度０℃の如き低温環境下においても抵抗値の上昇が少なく、画像品質も良好を保っている。特に、構造式（２）または（３）から選択される少なくとも１つのカチオン構造を有する樹脂を含有する実施例４１〜４４においては、高いレベルで抵抗値の上昇が抑制されていた。さらに、カチオン構造式中にフェニル基を有するイオン化合物を添加した実施例４４は、より高いレベルで抵抗上昇が抑制されている。一方で、かかる構造を含有しない比較例８および９に係るトナー供給ローラでは、低温環境下において抵抗値の上昇およびゴースト画像の発生が認められた。
【０２０８】
例えば同じアンモニウムカチオン構造を有する実施例４０および比較例８に係るトナー供給ローラを比べると、構造式（１）で示される構造を含有しない比較例８に係るトナー供給ローラでは、低温環境下において抵抗値が上昇し、ゴースト画像の発生が認められた。すなわち、低温環境下における抵抗値の上昇の抑制効果は、明らかに実施例４０の方が高い。これは、実施例４０に係る樹脂は、カチオン部位の近傍に、構造式（Ｘ１０１）または（Ｘ１０２）で示される構造を少なくとも２つ以上有するため、低温環境下においてイオン化率を高く保つ効果を享受して、抵抗値の上昇が抑制されたと考えられる。
【符号の説明】
【０２０９】
１  電子写真用ローラ
２  基体
３  樹脂層
１６  現像ローラ
１９  トナー供給ローラ
２１  現像ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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