(57)【要約】      （修正有）【課題】作業効率を向上させつつ、支持基板を剥離する工程で発生するウエハの破損、割れを抑制する基板の剥離方法を提供する。【解決手段】第１の基板４の第１の面と、第２の基板２を、接着部材５を介して貼り合わせる第１の貼り合わせ工程と、第２の基板に、接続された複数の第３の基板１を形成する基板形成工程と、第１の基板の少なくとも一方の面が溝で分割されるように、第１の基板を加工する加工工程と、溝が形成された第１の基板と接着部材とを、第１の面と反対の第２の面が内側になるように曲げながら、複数の第３の基板が形成された第２の基板から剥離する剥離工程と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の第１の面と、第２の基板を、接着部材を介して貼り合わせる第１の貼り合わせ工程と、
前記第２の基板に、接続された複数の第３の基板を形成する基板形成工程と、
前記第１の基板の少なくとも一方の面が溝で分割されるように、前記第１の基板を加工する加工工程と、
溝が形成された前記第１の基板と前記接着部材とを、前記第１の面と反対の第２の面が内側になるように曲げながら、複数の前記第３の基板が形成された前記第２の基板から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする基板の剥離方法。
【請求項２】
前記第１の基板は、前記加工工程の後、複数に分割されていることを特徴とする請求項１に記載の基板の剥離方法。
【請求項３】
前記加工工程では、前記第１の基板を格子状に分割することを特徴とする請求項２に記載の基板の剥離方法。
【請求項４】
前記第１の基板は、前記加工工程の後も一体であることを特徴とする請求項１に記載の基板の剥離方法。
【請求項５】
前記加工工程は、前記第１の貼り合わせ工程の後に実施されることを特徴とする請求項４に記載の基板の剥離方法。
【請求項６】
前記加工工程は、前記第１の貼り合わせ工程の前に実施されることを特徴とする請求項４に記載の基板の剥離方法。
【請求項７】
前記加工工程は、前記第１の貼り合わせ工程の後に実施されることを特徴とする請求項２に記載の基板の剥離方法。
【請求項８】
前記第１の貼り合わせ工程の前に、前記第１の基板に溝を形成する溝形成工程を実施することを特徴とする請求項７に記載の基板の剥離方法。
【請求項９】
前記基板形成工程は、前記第１の貼り合わせ工程の後に、前記第２の基板を削って厚さを薄くする削り工程を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の基板の剥離方法。
【請求項１０】
前記基板形成工程は、前記削り工程の後に、前記第２の基板に、圧電アクチュエータを備えた第４の基板を貼り合わせる第２の貼り合わせ工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板の剥離方法。
【請求項１１】
前記剥離工程は、前記第２の貼り合わせ工程の後に実施されることを特徴とする請求項１０に記載の基板の剥離方法。
【請求項１２】
前記接着部材は、基材シートの両面に粘着層が形成された両面テープであることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の基板の剥離方法。
【請求項１３】
第１の基板の第１の面と、第２の基板を、接着部材を介して貼り合わせる第１の貼り合わせ工程と、
前記第１の基板の少なくとも一方の面が溝で分割されるように、前記第１の基板を加工する加工工程と、
溝が形成された前記第１の基板と前記接着部材とを、前記第１の面と反対の第２の面が内側になるように曲げながら、複数の接続された第３の基板が形成された前記第２の基板から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする基板の剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（ＭＩＣＲＯ ＥＬＥＣＴＲＯ ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ ＳＹＳＴＥＭＳ）技術を用いて、ウエハを積層して複数の積層素子を製造する際に用いられる基板の剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイスの小型化に伴い、ＭＥＭＳ技術を用いた電子デバイスの技術開発が盛んに行われている。中でも接合技術、研削研磨技術を用いた積層構造を有するものは多く開発されており、液体を吐出する液体吐出ヘッド等において、圧電素子によって容積が膨張収縮する圧力室から液体を吐出する技術に用いられている。このような液体吐出ヘッドの多くは、圧電素子部と、圧力室隔壁を有するウエハ基板と、吐出口を有する吐出口ウエハ基板と、を接合して積層する構造を有している。そして、このような積層素子の製造方法では、ウエハを研削研磨して薄く加工する工程が多用されており、薄板加工後のウエハのハンドリングの困難さを補うため、支持基板にウエハを貼り付けて製造することが行われている。
【０００３】
特許文献１には、ウエハを支持基板に貼り付け、加工、接合を行い、後工程でウエハを支持基板から剥がすことが記載されている。また、特許文献２には、ウエハと支持基板とを接合した状態で加工を行い、ダイシングでウエハを切削して切り出し、チップ化してから支持基板を除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−９４０１８号公報
【特許文献２】特開２００９−２３８７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、ウエハを支持基板から剥がす際に、ＵＶを照射してウエハと支持基板との接着力を低下させてから剥がすことが記載されている。しかし、ウエハと支持基板とは、気泡なく貼り合わされ密着しているため、剛性が高い支持基板をウエハから剥がす際に生じる力がウエハに掛りウエハが割れることがある。
【０００６】
また特許文献２のように、チップ化してから支持基板を除去する場合、小片化されたチップのエッジ部等を保持しながらの作業となるため作業が困難であり、割れが発生し易く、チップ個別に剥離工程を行うため工数が増大するという課題がある。
【０００７】
よって本発明は、作業効率を向上させつつ、支持基板を剥離する工程で発生するウエハの破損、割れを抑制する基板の剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そのため本発明の基板の剥離方法は、第１の基板の第１の面と、第２の基板を、接着部材を介して貼り合わせる第１の貼り合わせ工程と、前記第２の基板に、接続された複数の第３の基板を形成する基板形成工程と、前記第１の基板の少なくとも一方の面が溝で分割されるように、前記第１の基板を加工する加工工程と、溝が形成された前記第１の基板と前記接着部材とを、前記第１の面と反対の第２の面が内側になるように曲げながら、複数の前記第３の基板が形成された前記第２の基板から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、作業効率を向上させつつ、支持基板を剥がす工程で発生する剥離力を低減し、薄いウエハの破損、割れを抑制する基板の剥離方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】液体吐出ヘッド要部の概略構成を示す断面図である。
【図２】流路基板の加工工程を順に示す断面図である。
【図３】吐出口基板の加工工程を示す断面図である。
【図４】接合工程を示す断面図である。
【図５】支持基板加工を示す平面図及び断面図である。
【図６】支持基板剥離工程を示す図である。
【図７】支持基板を示す平面図である。
【図８】支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。
【図９】支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。
【図１０】支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
【００１２】
（流路基板）
図１は、本実施形態に係る液体吐出ヘッド要部の概略構成を示す断面図である。液体吐出ヘッドにおける液体の吐出部は、流路基板１と吐出口基板２とが貼り合わされて形成されており、流路基板１の表面には、圧電アクチュエータのＰＺＴ圧電体１０と、下部電極１１と、上部電極１２とを備えている。また、流路基板１における吐出口基板２が貼り合わされる側である裏面には、液室１３の一部が形成されており、吐出口基板２と貼り合わせることで液室１３が形成される。吐出口基板２には、液室１３と対応する位置に吐出口１４が設けられている。このように構成された流路基板の下部電極１１と上部電極１２とに電圧が印加されることで、ＰＺＴ圧電体１０が変形して液室１３の容積が変化し、液室１３に充填されている液体を吐出口１４から吐出することができる。
【００１３】
図２（ａ）から（ｅ）は、本実施形態の流路基板１の加工工程を順に示す断面図である。流路基板１を形成するにあたり、まず図２（ａ）に示すような、厚さ６２５μｍ直径１５０ｍｍの６インチＳｉウエハ３０を準備する。その後、図２（ｂ）のように、Ｓｉウエハ３０の一方の面に、振動板１５、下部電極１１、ＰＺＴ圧電体１０、上部電極１２を順次形成する。振動板１５には、ＬＰ−ＣＶＤ（Ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）を用いて、Ｓｉウエハ３０の第１面にＳｉＮ膜を０．８μｍ成膜する。続いてＳｉＮ薄膜からなる振動板１５上に、ＰＺＴ圧電体１０に電圧を印加する下部電極１１を形成する。下部電極１１は、厚さ０．０１μｍのＴｉおよび厚さ０．１５μｍのＰｔをこの順に成膜することで形成される。
【００１４】
更に、ＰＺＴ圧電体１０として厚さ２．０μｍのＰＺＴをゾルゲル法により成膜し、７００℃２０分の焼成を行い結晶化させる。さらにＰＺＴ圧電体１０に電圧を印加する上部電極１２を成膜する。上部電極１２は、厚さ０．０１μｍのＴｉおよび厚さ０．１５μｍのＡｕをこの順に成膜した。その後、図２（ｃ）に示すように上部電極１２、ＰＺＴ圧電体１０、下部電極１１の順にエッチングでパターニングを行う。この結果、振動板１５上には、下部電極１１、ＰＺＴ圧電体１０、上部電極１２で構成される圧力発生手段となる圧電アクチュエータが形成される。次に、図２（ｄ）に示すように、Ｓｉウエハ３０における圧電アクチュエータ部の反対面を研削及び研磨加工により厚さ１００μｍまで薄膜化する。この加工方法は、バックグラインダ、ＣＭＰ法が適用可能である。その後、図２（ｅ）に示すように、Ｓｉウエハ３０の研削した面に、液室１３の一部となる凹部と、液体の供給用の貫通孔（不示図）とをシリコン深堀加工ｄｅｅｐ−ＲＩＥ法で形成する。
【００１５】
（吐出口基板）
図３（ａ）から（ｈ）は、本実施形態における吐出口基板２の加工工程を示す断面図である。吐出口基板２を形成するにあたり、まず図３（ａ）に示すような、第１のシリコン層２１と第２のシリコン層２２との間に、第１の酸化シリコン膜２３を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板３を準備する。本実施形態では、第１の酸化シリコン膜２３の厚さを０．５μｍ、第１のシリコン層２１の厚さが１０μｍ、第２のシリコン層２２の厚さが厚さ６２５μｍ、直径１５０ｍｍの６インチＳＯＩ基板３を用いる。その後、図３（ｂ）に示すように、第１のシリコン層２１を最終的に吐出口基板２とし、第１のシリコン層２１の表面側が吐出面側になる様に吐出口１４の加工を行う。ここで、吐出口１４の直径はΦ２０μｍで、第１のシリコン層２１表面上にレジストパターンを形成し、シリコン深堀加工ｄｅｅｐ−ＲＩＥ法で第１のシリコン層２１に孔加工を行う。引き続き第１の酸化シリコン膜２３をドライエッチングしレジストを剥離する。
【００１６】
その後、図３（ｃ）に示すように、吐出口加工面に、第１の耐インク保護膜２４、２５を形成する。本実施形態では、酸化シリコン層を熱酸化プロセスにより厚さ０．２μｍ形成した。これにより吐出口底及び側壁にも酸化シリコン層が形成される。次に図３（ｄ）に示すように、耐インク保護膜上に撥水膜２６を形成する。撥水膜２６は、フッ素原子を含有した化合物をスピンコータ、ディッピング、真空蒸着等の成膜方法で形成する。本実施形態では、真空蒸着法でフッ素含有膜を形成した。この時吐出口内部へも化合物が回り込んで撥水膜２６が形成される。
【００１７】
次に、図３（ｅ）に示すように、撥水膜２６を形成した面に支持基板４であるガラスを貼り付ける。支持基板４のガラスは厚さ５２５μｍで、接着部材として厚さ１００μｍのポリエステルフィルム基材シートの両面に粘着層（不示図）を有する両面テープ５を使用し、真空中で貼り合わせた。本実施形態では、両面テープ５に日東電工株式会社製のリバアルファ両面テープを使用した。両面の粘着材含めた両面テープの総厚は、１５８μｍである。
【００１８】
次に図３（ｆ）に示すように、ＳＯＩ基板３のハンドル層である第２のシリコン層２２を除去する。除去方法は、支持基板４側を固定してグラインダで第２のシリコン層２２を約５００μｍ削り、その後第１のシリコン層２１をストップ層として残りのシリコン層をドライエッチングで除去した。この工程後、吐出口基板２は、厚さ約１０μｍ程度の薄い状態となるが、支持基板４と貼り合わされているためハンドリング性に問題はなく、破損の危険性も低く加工することができる。ここまで加工した状態では、図３（ｃ）で形成した第１の耐インク保護膜が吐出口底部に残留しており、吐出口１４は未貫通状態である。その後、図３（ｇ）に示すように、吐出口底部の耐インク保護膜及び撥水膜を除去し、吐出口を貫通させる。耐インク保護膜の除去には、異方性ドライエッチングを用いた。
【００１９】
次に、図３（ｈ）に示すように、吐出口内に回り込んだ撥水膜を除去する。除去方法は、貫通開口した面からＯ２プラズマ処理を行い、吐出口側壁の撥水膜を分解除去する。
【００２０】
（接合）
図４は、本実施形態における接合工程を示す断面図である。吐出口基板２が支持基板４に貼り合わされた状態で、吐出口基板２の吐出口が開口している面に、圧電アクチュエータ及び液室１３の一部と液体供給用の貫通孔とが形成された流路基板１を接合する。図４に示すように、流路基板１の液室側の凸部に接着剤（不示図）を塗布して、吐出口基板２と位置合せし、荷重をかけながら加熱して、接着剤を硬化させて接合した。これにより支持基板４が貼り合わされた状態の吐出口基板２と流路基板１と、が接合された積層基板となる。これによって積層基板は、後工程で分割されることになるチップが、接続された状態で複数形成（基板形成）された積層基板となる。
【００２１】
（支持基板加工）
図５は、本実施形態における支持基板加工を示す平面図及び断面図である。積層基板が形成されると、次に、支持基板４をブレードダイサを用いて分断加工する。積層基板の流路基板１側の面とダイシングテープ２７とを接合し、支持基板４側をブレードダイサで短冊状にカットする。その際、ブレードは、幅１００μｍで、ブレードの下端を支持基板４の下に配置されている両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断しない高さに調整して、図５（ａ）に示すようにピッチ１ｍｍの間隔で短冊状に支持基板４をカットする。つまり、この状態では支持基板４は、短冊状に分断されているが、両面テープ５のポリエステルフィルム基材は分断されておらず積層基板全体と繋がった状態である。
【００２２】
（支持基板剥離）
図６（ａ）、（ｂ）は、本実施形態における支持基板剥離工程を示す図である。分断加工後に、支持基板４及び接着部材である両面テープ５を吐出口基板２から剥離する。先の分断加工時に使用したダイシングテープ２７に積層基板を貼り付けた状態で固定し、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、積層基板の端部の両面テープ５と吐出口基板２とを機械的に剥がす。その際、支持基板４を短冊状に分断した方向と略直交した方向に両面テープ５を内側に曲げながら引張ることで、吐出口基板２の表面から両面テープ５の粘着面を剥離する。
【００２３】
支持基板４を短冊状に分断したことで、両面テープ５を曲げることが可能となり、図６（ｂ）に示すような剥離が可能となった。このように両面テープ５を曲げながら吐出口基板２から剥離することで、剥離時に両面テープ５から吐出口基板２にかかる力であり、吐出口基板２の割れに大きく寄与すると考えられる引張り力を低減することができる。以下、なぜ吐出口基板２にかかる引張り力を低減することができるのかを説明する。
【００２４】
まず、支持基板４に剛性があり、両面テープを曲げずに吐出口基板から剥離する場合について説明する。この場合、剥離を開始してから剥離完了までの間、吐出口基板の表面には継続的に両面テープから引張り力が加えられる。この引張り力は、吐出口基板の表面にほぼ垂直に作用する力であり、吐出口基板の表面全体に均等に引張り力が加えられていれば吐出口基板が割れることは無い。しかし、吐出口基板の表面における引張り力のバランスが悪くなり、吐出口基板に曲げを生じさせる状態で継続的に引張り力が加えられると、吐出口基板は容易に割れてしまう。そして、剥離時に吐出口基板の表面全体にかかる引張り力を均等に保ちつつ剥離を完了するのは困難であり、剥離完了までの間に引張り力の不均等な状態が継続的に生じると吐出口基板に割れが生じることになる。
【００２５】
これに対し、両面テープ５を曲げながら吐出口基板２から剥離する場合には、両面テープ５から吐出口基板２の一部分に対して瞬間的な引張り力とせん断力とが加えられる。引張り力は、吐出口基板２の表面にほぼ垂直に作用する力であり、せん断力は、吐出口基板２の表面とほぼ平行に作用する力である。一般的にせん断力が作用すると、接着面全体が一様な応力を受けることになり、引張り力と比較して、薄板に作用しても割れが生じにくい。
【００２６】
そして、吐出口基板２からの剥離時には、両面テープ５を剥がし始める吐出口基板２の一方の端部から他方の端部へ、瞬間的な剥離力（引張り力とせん断力）が作用する部分が移動しながら剥離される。吐出口基板２に作用する剥離力は、引張り力とせん断力とに分けられることから、その引張り力は、両面テープ５を曲げずに吐出口基板２から剥離する場合よりも弱いものとなる。更に、力の作用する部分が移動しながら剥離されるため、吐出口基板２の任意の一部分に引張り力が継続的作用することがない。そのため、両面テープ５を曲げずに吐出口基板２から剥離する場合と比較して、剥離時の吐出口基板２の割れの発生を抑制することができる。
【００２７】
また、両面テープ５のポリエステルフィルム基材は分断されておらず、積層基板全体と繋がっているので、一度の剥離で、積層基板に形成された複数のチップから連続して剥離することができる。
【００２８】
（チップ分割）
その後、支持基板４に溝を形成する際に用いたものと同じブレードダイサを用いて、個々のチップに分割することで液体吐出ヘッドが完成する。
【００２９】
なお、本実施形態では、断面が矩形状の溝を支持基板に形成したがこれに限定するものでなく、断面が三角形の楔状の溝でもよい。
【００３０】
このように、支持基板４に溝を形成して、支持基板４と両面テープ５とを曲げながら吐出口基板２から剥離する。これによって、剥離時における吐出口基板２に掛る引張り応力を低減することができる。その結果、薄く脆い吐出口基板２の破損、及び流路基板１との接着部の剥れ等なく支持基板４を剥離することができた。また両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断していないため、連続して剥離することで、一度の剥離作業で積層体全体の剥離ができ作業性効率が向上した。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第２の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００３２】
図７は、本実施形態における支持基板４を示す平面図である。本実施形態では、支持基板４を図７のように格子状に分断した。両面テープ５のポリエステルフィルム基材は、第１の実施形態と同様に分断されておらず、基板全体と繋がった状態である。
【００３３】
このように、支持基板４を格子状に分断して、支持基板４と両面テープ５とを曲げながら吐出口基板２から剥離する。これによって、剥離時における吐出口基板２に掛る引張り応力を低減することができる。その結果、薄く脆い吐出口基板２の破損、及び流路基板１との接着部の剥れ等なく支持基板４を剥離することができた。また両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断していないため、連続して剥離することで、一度の剥離作業で積層体全体の剥離ができ作業性効率が向上した。
【００３４】
（第３の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第３の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００３５】
図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態における支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。本実施形態では、支持基板４を分断せず図８（ａ）のように（一体の状態で）溝加工（溝形成）を施した。使用したブレードは、幅１００μｍで、支持基板４の厚さ５２５μｍ対して溝深さが４２５μｍになる様にブレードの下端を調整し、ピッチ１ｍｍの間隔で短冊状に加工した。つまり各短冊は、支持基板４の底部の１００μｍと、両面テープ５のポリエステルフィルム基材で繋がっている。
【００３６】
このように支持基板４に溝を形成して、支持基板４と両面テープ５とを曲げながら吐出口基板２から剥離する。これによって、溝を形成していない支持基板に比べて剛性が低く、両面テープ５に追随して曲げることが可能となり、剥離時における吐出口基板２に掛る引張り応力を低減することができる。その結果、薄く脆い吐出口基板２の破損、及び流路基板１との接着部の剥れ等なく支持基板４を剥離することができた。また両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断していないため、連続して剥離することで、一度の剥離作業で積層体全体の剥離ができ作業性効率が向上した。
【００３７】
（第４の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第４の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００３８】
図９（ａ）から（ｃ）は、本実施形態における支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。本実施形態における支持基板４は、第３の実施形態と同様に溝加工したものであるが、溝加工するタイミングが第３の実施形態とは異なる。第３の実施形態では、第１の実施形態と同様に撥水膜２６を形成した吐出口基板２に支持基板４を貼り付けてから溝加工を行ったが、本実施形態では、支持基板４に溝加工を施してから吐出口基板２に支持基板４を貼り付ける。
【００３９】
図９（ａ）に示すように、単体の支持基板４に、ブレードダイサを用いて幅１００μｍ、深さ４２５μｍ、ピッチ１ｍｍで溝加工を行った。その後、図９（ｂ）に示すように、支持基板４の溝加工を行っていない面と吐出口基板２の撥水膜形成面とを第１の実施形態と同様に、両面テープ５を介して貼り合わせた。そして、ハンドル層の除去、吐出口底部の耐インク保護膜及び撥水膜の除去を行い、図９（ｃ）のように、吐出口基板２と流路基板１との接合を行った。
【００４０】
このように、吐出口基板２に貼り付け前の支持基板４に溝を形成し、その後、吐出口基板２に貼り付ける。これによって、溝の無い状態の支持基板に比べて剛性が低く、両面テープ５に追随して曲げることが可能となり、剥離時における吐出口基板２に掛る引張り応力を低減することができる。その結果、薄く脆い吐出口基板２の破損、及び流路基板１との接着部の剥れ等なく支持基板４を剥離することができた。また両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断していないため、連続して剥離することで、一度の剥離作業で積層体全体の剥離ができ作業性効率が向上した。
【００４１】
（第５の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第５の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００４２】
図１０（ａ）から（ｃ）は、本実施形態における支持基板加工及び支持基板剥離工程を示す断面図である。本実施形態では、支持基板４に溝加工するまでは、第４に実施形態と同様である（図１０（ａ））。支持基板４に溝加工を行った後、図１０（ｂ）に示すように、支持基板４の溝加工を行った面と吐出口基板２の撥水膜形成面とを第１の実施形態と同様に、両面テープ５を介して貼り合わせる。そして、ハンドル層の除去、吐出口底部の耐インク保護膜及び撥水膜の除去を行い、図１０（ｃ）のように、吐出口基板２と流路基板１との接合を行った。その後、支持基板４の貼り合わせた面とは反対側の面（溝を形成していない面）から支持基板４を薄く加工して溝を表出させる。この加工には、例えば、研削、研磨、エッチングなどが用いられる。この状態は、前述した図５に示す状態とほぼ同じである。その後は第１の実施形態と同様に処理した。
【００４３】
このように、吐出口基板２に貼り付け前の支持基板４に溝を形成して、支持基板４の溝を形成した面を吐出口基板２に貼り付け、その後、支持基板４を加工して溝を表出させる。これによって、剥離時における吐出口基板２に掛る引張り応力を低減することができる。その結果、薄く脆い吐出口基板２の破損、及び流路基板１との接着部の剥れ等なく支持基板４を剥離することができた。また両面テープ５のポリエステルフィルム基材を分断していないため、連続して剥離することで、一度の剥離作業で積層体全体の剥離ができ作業性効率が向上した。
【符号の説明】
【００４４】
１  流路基板
２  吐出口基板
３  ＳＯＩ基板
４  支持基板
５  両面テープ
【図１】
2018158404.tif 000003
【図２】
2018158404.tif 000004
【図３】
2018158404.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2018158404.tif 000008
【図７】
2018158404.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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