(57)【要約】【課題】短絡領域周辺の構造に対するダメージを抑制しつつ、短絡領域を除去することができる。【解決手段】下部電極（７１）と、層間絶縁膜（８）と、上部電極（９１）とを備える複数の画素部を形成し、複数の画素部それぞれにおける隣接する上部電極を短絡させる領域である短絡領域（２０１）が形成される場合に、平面視において短絡領域と重なる位置に、除去領域（３０１）を部分的に形成し、除去領域に除去領域が吸収する波長帯の光を照射することによって、平面視において除去領域と重なる短絡領域とともに除去領域を除去し、除去領域が吸収する光の波長帯は、下部電極、層間絶縁膜、上部電極、および、短絡領域が吸収する光の波長帯とは異なる。【選択図】図１４
2018097051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、前記下部電極の上面に設けられる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面であり、かつ、平面視において前記下部電極と重なる位置に設けられる上部電極とをそれぞれが備える複数の画素部を形成し、
複数の前記画素部それぞれにおける前記上部電極のうちの隣接する前記上部電極を短絡させる領域である短絡領域が形成される場合に、平面視において前記短絡領域と重なる位置に、除去領域を部分的に形成し、
前記除去領域に前記除去領域が吸収する波長帯の光を照射することによって、平面視において前記除去領域と重なる前記短絡領域とともに前記除去領域を除去し、
前記除去領域が吸収する光の波長帯は、前記下部電極、前記層間絶縁膜、前記上部電極、および、前記短絡領域が吸収する光の波長帯とは異なる、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
平面視において、複数の画素部同士を結ぶ方向とは交差する方向に延びる前記除去領域を形成し、
前記除去領域が延びる方向において、前記除去領域の形成幅は、前記短絡領域の形成幅以上である、
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記短絡領域の上面に、前記除去領域である金属膜を形成する、
請求項１または請求項２に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記金属膜は、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのうちのいずれかである、
請求項３に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記金属膜をレーザーＣＶＤ法によって形成する、
請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記短絡領域は透明導電膜であって、前記除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む、
請求項３に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも８００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む、
請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記短絡領域を還元することによって、前記除去領域を形成する、
請求項１または請求項２に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む、
請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４３０ｎｍ以上、かつ、５６０ｎｍ以下の波長帯の一部を含む、
請求項９に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のうちのいずれか１項に記載の液晶表示パネルの製造方法によって製造された液晶表示パネルを用いて、液晶表示装置を製造する、
液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願明細書に開示される技術は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の表示方式としては、ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ（ＴＮ）方式が広く用いられてきた。しかしながら、昨今では、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することによって液晶パネルとほぼ水平な電界を発生させ、当該電界によって液晶分子を水平方向で駆動する方式である横電界方式が用いられつつある。
【０００３】
横電界方式は、広視野角、高精細、および、高輝度化に有利であるため、今後はスマートフォンまたはタブレッドなどに代表される中小型の液晶パネルで用いられる主流の方式になるものと考えられる。
【０００４】
横電界方式としては、ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＩＰＳ：登録商標）方式、および、ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）方式が知られている。
【０００５】
ＦＦＳ方式では、スリットを有する上部電極と、下部電極との間に絶縁膜が配置される。そして、ＦＦＳ方式では、電界が上部電極のスリットから上方の液晶に向けて発生するため、当該電界に応じて液晶が駆動することとなる。
【０００６】
アクティブマトリックス型の液晶表示装置の表示領域では、下部電極の下層側には保護絶縁膜を介して薄膜トランジスタが配置される。薄膜トランジスタには、外部からの任意の制御信号、すなわち、電圧信号が信号線を介して与えられる。そして、薄膜トランジスタのオン動作によって、保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、所定の電圧が下部電極または上部電極に印加される。
【０００７】
このような構成の液晶表示パネルが、たとえば、特許文献１（特開２００９−０３１４６８号公報）、または、特許文献２（特開２０１４−１０６４３７号公報）に例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−０３１４６８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１０６４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＦＦＳ方式の液晶表示装置の場合、最上層に位置する複数の上部電極には、表示に合わせて異なる電位が印加される。ここで、上部電極同士の間に短絡がある場合には、上部電極が正常な電位とならないために表示不良が発生する。
【００１０】
上記の表示不良を修復するために、上部電極間の短絡領域にレーザー光を照射することによって短絡領域を除去する方法がある。
【００１１】
上記の、上部電極間の短絡領域の除去に用いられるレーザー光としては、一般的に上部電極として使用される酸化インジウムスズ（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ  ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ、または、ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、すなわち、ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ｚｉｎｃ−ｄｏｐｅｄ  ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ、または、ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ、すなわち、ＩＺＯ）などの透明導電膜に対してよく吸収される、紫外線レーザーが用いられる。
【００１２】
一方で、下部電極の材料には上部電極と同じ透明導電膜が用いられている。そのため、下部電極は、紫外線レーザーをよく吸収する。また、下部電極と上部電極との間に形成されているＳｉＮなどの層間絶縁膜も、紫外線レーザーをよく吸収する。
【００１３】
そのため、上部電極間の短絡領域を除去するためにレーザー光を照射すると、短絡領域周辺の構造、すなわち、短絡領域の両端における上部電極、短絡領域の直下に位置する層間絶縁膜、および、短絡領域の直下に位置する下部電極にもダメージが生じる。そして、当該ダメージによって、上部電極と下部電極との間に短絡が生じる場合がある。そうすると、上部電極が正常な電位とはならないため、表示不良が発生する場合がある。
【００１４】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を解決するためになされたものであり、短絡領域周辺の構造に対するダメージを抑制しつつ、短絡領域を除去することができる技術に関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、下部電極と、前記下部電極の上面に設けられる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面であり、かつ、平面視において前記下部電極と重なる位置に設けられる上部電極とをそれぞれが備える複数の画素部を形成し、複数の前記画素部それぞれにおける前記上部電極のうちの隣接する前記上部電極を短絡させる領域である短絡領域が形成される場合に、平面視において前記短絡領域と重なる位置に、除去領域を部分的に形成し、前記除去領域に前記除去領域が吸収する波長帯の光を照射することによって、平面視において前記除去領域と重なる前記短絡領域とともに前記除去領域を除去する。なお、前記除去領域が吸収する光の波長帯は、前記下部電極、前記層間絶縁膜、前記上部電極、および、前記短絡領域が吸収する光の波長帯とは異なる。
【００１６】
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、上記の液晶表示パネルの製造方法によって製造された液晶表示パネルを用いて、液晶表示装置を製造する。
【発明の効果】
【００１７】
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、下部電極と、前記下部電極の上面に設けられる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面であり、かつ、平面視において前記下部電極と重なる位置に設けられる上部電極とをそれぞれが備える複数の画素部を形成し、複数の前記画素部それぞれにおける前記上部電極のうちの隣接する前記上部電極を短絡させる領域である短絡領域が形成される場合に、平面視において前記短絡領域と重なる位置に、除去領域を部分的に形成し、前記除去領域に前記除去領域が吸収する波長帯の光を照射することによって、平面視において前記除去領域と重なる前記短絡領域とともに前記除去領域を除去し、前記除去領域が吸収する光の波長帯は、前記下部電極、前記層間絶縁膜、前記上部電極、および、前記短絡領域が吸収する光の波長帯とは異なる。このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域がよく吸収する光の波長帯、上部電極がよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。したがって、短絡領域を除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【００１８】
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、上記の液晶表示パネルの製造方法によって製造された液晶表示パネルを用いて、液晶表示装置を製造する。このような構成によれば、短絡領域を除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【００１９】
本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施の形態に関する、液晶表示パネルの平面構成を概略的に例示する平面図である。
【図２】実施の形態に関する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ’断面を例示する断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図５】上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図６】図５におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図７】短絡領域が除去された状態の、図５におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図８】上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図９】図８におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図１０】短絡領域の上面に金属膜が形成された場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図１１】図１０におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図１２】レーザー照射領域を例示する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図１３】図１２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図１４】短絡領域の一部が除去された状態の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図１５】図１４におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図１６】上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図１７】図１６におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図１８】短絡領域の一部に着色化処理がなされた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図１９】図１８におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図２０】レーザー照射領域を例示する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図２１】図２０におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【図２２】着色領域が除去された状態の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【図２３】図２２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。
【００２２】
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
【００２３】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【００２４】
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
【００２５】
＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する液晶表示パネルの製造方法について説明する。以下では、ＦＦＳ方式の液晶表示パネルを用いる場合を説明する。
【００２６】
＜液晶パネルの構成について＞
図１は、本実施の形態に関する液晶表示パネルの平面構成を概略的に例示する平面図である。なお、図１は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、煩雑さを避けるため、本実施の形態に関連する部分以外については、省略、または、一部簡略化する場合がある。
【００２７】
図１に例示されるように、液晶表示パネル１００には、画像を表示する表示領域１０１と、平面視において表示領域１０１を囲んで設けられる額縁領域１０２とが設けられる。
【００２８】
なお、図示はしないが、表示領域１０１においてはＴＦＴアレイ基板とカラーフィルター基板などの対向基板とが重畳されている。一方で、額縁領域１０２は、ＴＦＴアレイ基板のみからなる。言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板は対向基板よりも大きく、対向基板からはみ出た領域が額縁領域１０２である。また、図示はしないが、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間には液晶が封入されており、表示領域１０１における画像の表示に寄与する。
【００２９】
表示領域１０１には、平面視において、複数の信号線１０３と複数の走査線１０４とが互いに直交するように配置される。また、複数の共通配線１０５が、走査線１０４と平行に配置される。
【００３０】
そして、隣接する信号線１０３同士、および、隣接する走査線１０４同士に囲まれた領域が１つの画素部を構成する。表示領域１０１には、複数の画素部がマトリックス状に配列される。
【００３１】
また、信号線１０３と走査線１０４とのそれぞれの交差部には薄膜トランジスタ１０６が配置される。薄膜トランジスタ１０６は、１つの画素に１つずつ備えられる。
【００３２】
額縁領域１０２には、複数の実装端子１０７と、複数の実装端子１０７それぞれに接続される複数の外部接続端子１０７１とが設けられる。
【００３３】
それぞれの実装端子１０７には、表示領域１０１における信号線１０３から延びる引き出し配線、または、表示領域１０１における走査線１０４から延びる引き出し配線が接続される。
【００３４】
また、複数の共通配線１０５は額縁領域１０２において結束され、共通電位が与えられる。また、共通配線１０５は、共通配線パッドに接続される。
【００３５】
実装端子１０７には、信号制御のための集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ、すなわち、ＩＣ）チップ１０９が接続される。また、外部接続端子１０７１には、フレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ、すなわち、ＦＰＣ）などの配線基板１０８が接続される。
【００３６】
図２は、本実施の形態に関する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。なお、本実施の形態では、いわゆるＴＦＴ基板の構成について主に説明するものとし、ＴＦＴ基板に対向して配置されるカラーフィルター基板の説明および図示は省略する場合がある。
【００３７】
図２に例示されるように、画素部には、上部電極９１と下部電極７１とが上下の関係をなすように配置される。上部電極９１と下部電極７１との間には電圧が印加され、液晶表示パネル１００にほぼ水平な電界が発生する。当該電界が液晶分子を水平方向に駆動させることによって液晶表示を行う。
【００３８】
薄膜トランジスタ１０６が、上部電極９１の下方、かつ、下部電極７１の下方に対応する透明絶縁性基板（ここでは、図示しない）の上面に配置される。薄膜トランジスタ１０６は、外部から入力される制御信号に基づく表示電圧を上部電極９１に印加させるために、表示電圧の供給を制御する。
【００３９】
薄膜トランジスタ１０６のゲート電極は走査線１０４に、薄膜トランジスタ１０６のソース電極は信号線１０３にそれぞれ接続される。さらに、透明絶縁性基板の上面には保護絶縁膜（ここでは、図示しない）が設けられる。そして、保護絶縁膜とゲート絶縁膜とに設けられたコンタクトホール５１を介して、上部電極９１が薄膜トランジスタ１０６のドレイン電極（ここでは、図示しない）に電気的に接続される。また、保護絶縁膜に設けられたコンタクトホール５２を介して、下部電極７１が共通配線１０５に電気的に接続される。
【００４０】
このような構成において、走査線１０４から制御信号が供給されると、薄膜トランジスタ１０６のソース電極側から薄膜トランジスタ１０６のドレイン電極側に向かって電流が流れる。すなわち、信号線１０３から供給される制御信号に基づく表示電圧が、上部電極９１に印加されることとなる。なお、上部電極９１には、制御信号に基づく表示電圧によって発生する電界が上方に向かうように、複数のスリット５００が形成される。
【００４１】
信号線１０３から供給される制御信号は、図１に例示される、額縁領域１０２における実装端子１０７に接続されたＩＣチップ１０９、または、額縁領域１０２における外部接続端子１０７１に接続された配線基板１０８から与えられる。そして、当該制御信号によって、表示データに対応する表示電圧がそれぞれの上部電極９１に印加される。
【００４２】
次に、画素部の断面構成について説明する。図３は、図２におけるＡ−Ａ’断面を例示する断面図である。
【００４３】
図３に例示されるように、表示領域の透明絶縁性基板１０の上面においては、ゲート電極１１が部分的に形成される。ゲート電極１１が形成される領域は、平面視において薄膜トランジスタ１０６が形成される領域である。
【００４４】
また、ゲート電極１１は、走査線１０４に接続される。そして、ゲート電極１１を覆ってゲート絶縁膜２が形成される。また、ゲート絶縁膜２は、走査線１０４、走査線１０４と平行に配線される共通配線１０５、および、共通配線パッドを覆って形成される。ゲート絶縁膜２としては、たとえば、ＳｉＮ膜を用いることができる。
【００４５】
ゲート絶縁膜２の上面における、平面視においてゲート電極１１と重なる領域には、半導体膜３１が部分的に形成される。
【００４６】
半導体膜３１は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、および、多結晶シリコンのいずれか、これらが複数組み合わせられて積層されたシリコン半導体膜、または、酸化物半導体膜などによって構成される。
【００４７】
半導体膜３１は、平面視において、チャネル領域を間に挟んでソース領域およびドレイン領域に分けられる。ソース領域である半導体膜３１の上面にはソース電極４１が形成される。また、ドレイン領域である半導体膜３１の上面にはドレイン電極４２が形成される。
【００４８】
図２における薄膜トランジスタ１０６は、ゲート電極１１と、半導体膜３１と、ソース電極４１と、ドレイン電極４２とを備える。
【００４９】
また、図２および図３に例示されるように、絶縁性基板１の表面上にゲート電極１１およびゲート絶縁膜２が形成される。そして、ゲート絶縁膜２の上面には、ソース電極４１およびドレイン電極４２と同じ材質である金属膜で構成される信号線１０３が形成される。信号線１０３は、ソース電極４１と接続される。
【００５０】
そして、薄膜トランジスタ１０６の上面全体、および、信号線１０３の上面全体を覆って保護絶縁膜５が形成される。
【００５１】
保護絶縁膜５は、無機絶縁膜である。保護絶縁膜５は、たとえば、ＳｉＮ膜の単層膜、または、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜とを備える多層膜であってもよい。
【００５２】
そして、保護絶縁膜５の上に平坦化膜６を形成する。ＳｉＮ膜である保護絶縁膜５は、平坦化膜６などからの水分などによって薄膜トランジスタ１０６の特性が劣化することを防止する。なお、平坦化膜６を設けずに、ＳｉＮ膜である保護絶縁膜５のみを備える構成であってもよい。
【００５３】
また、平坦化膜６は、アクリルを主体とした有機樹脂膜、または、ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ（ＳＯＧ）膜とする。平坦化膜６の材料を上記のものとする理由は、信号線１０３からのノイズが上部電極９１に影響を与えることがあり、当該影響によって表示品位を低下させることがあるためである。アクリル樹脂の誘電率ε、および、ＳＯＧ膜の誘電率εはともに３以上、かつ、４以下である。これに対し、ＳｉＮ膜の誘電率εは６以上、かつ、７以下である。すなわち、アクリル樹脂の誘電率ε、および、ＳＯＧ膜の誘電率εはＳｉＮ膜の誘電率εよりも低い。そのため、アクリル樹脂、または、ＳＯＧ膜によれば、寄生容量を小さくすることによってノイズによる影響を抑制することが可能である。
【００５４】
また、アクリル樹脂は、透明性が高く、かつ、安価である。また、アクリル樹脂は、有機溶剤に溶かすことによって塗布膜として使用することができる。そのため、アクリル樹脂は、扱い易く、かつ、比較的低温で焼成することができるという特性を有する。
【００５５】
なお、化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、すなわち、ＣＶＤ）法、または、スパッタリング法などによって形成されたＳｉＯ２膜も、ＳＯＧ膜と同様の誘電率εを有する。しかしながら、ＳｉＯ２膜は、ＳｉＮ膜と同様、平坦化することが難しいという特性を有する。
【００５６】
平坦面である平坦化膜６の上面には、ＩＴＯ、または、ＩＺＯなどの透明導電膜で構成される下部電極７１が部分的に形成される。また、平坦化膜６の上面には、ＳｉＮ、または、ＳｉＯ２などである層間絶縁膜８が、下部電極７１を覆って形成される。
【００５７】
そして、層間絶縁膜８の上面には、ＩＴＯ、または、ＩＺＯなどである透明導電膜で構成される上部電極９１が形成される。
【００５８】
そして、ドレイン電極４２の上面の保護絶縁膜５を貫通してドレイン電極４２に達するようにコンタクトホール５１が形成される。
【００５９】
コンタクトホール５１の内壁には、下部電極７１が形成される。下部電極７１は、コンタクトホール５１の底面において、ドレイン電極４２と接触する。また、上部電極９１は、コンタクトホール５１の内壁に形成される下部電極７１を覆う。
【００６０】
図４は、図２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。図４に例示される断面においては、透明絶縁性基板１０の上面にゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２の上面には信号線１０３が部分的に形成される。
【００６１】
さらに、信号線１０３とゲート絶縁膜２とを覆って保護絶縁膜５が形成され、保護絶縁膜５を覆って平坦化膜６が形成される。
【００６２】
さらに、平坦化膜６の上面に下部電極７１が形成され、下部電極７１の上面に層間絶縁膜８が形成される。そして、層間絶縁膜８の上面に上部電極９１が部分的に形成される。
【００６３】
図５は、上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。
【００６４】
図５に例示されるように、本来は互いに離間して位置する、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとが、短絡領域２０１を介して接続されている。
【００６５】
画像を表示するために、画素１０００の上部電極９１Ａには薄膜トランジスタ１０６Ａを介して電位が与えられる。また、画像を表示するために、画素１００１の上部電極９１Ｂには薄膜トランジスタ１０６Ｂを介して電位が与えられる。
【００６６】
しかしながら、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとが短絡領域２０１を介して短絡しているため、上部電極９１Ａおよび上部電極９１Ｂには適切な電圧が印加されなくなる。そのため、表示不良が発生する。
【００６７】
図６は、図５におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。図６に例示されるように、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂが短絡領域２０１を介して短絡している。
【００６８】
短絡領域２０１は、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂと同じ材料である。短絡領域２０１は、たとえば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどからなる透明導電膜である。
【００６９】
一般的に、このような透明導電膜に起因して生じる短絡を除去する場合には、透明導電膜がよく吸収する波長３５０ｎｍ付近のレーザー光を当該透明導電膜に照射する方法を用いる。
【００７０】
しかしながら、ＳｉＮまたはＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜８は、透明導電膜と比較して波長３５０ｎｍ付近の紫外線をよく透過する。そのため、短絡領域２０１を除去するために照射されるレーザー光は、下部電極７１を形成する透明導電膜まで到達する。そして、レーザー光が照射された部分の下部電極７１は層間絶縁膜８とともに除去されてしまう。
【００７１】
図７は、短絡領域が除去された状態の、図５におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。レーザー光が照射されることによって、図７に例示されるように、短絡領域２０１は除去される。
【００７２】
その一方で、照射されたレーザー光が層間絶縁膜８および下部電極７１まで除去してしまうことによって、図７に例示されるように、上部電極９１Ａと下部電極７１との間、および、上部電極９１Ｂと下部電極７１との間でそれぞれ短絡領域２０２が形成される場合がある。この場合、上部電極９１Ａ、および、上部電極９１Ｂにそれぞれ適切な電圧が印加されなくなるため、表示不良が発生する。
【００７３】
以下では、上部電極と下部電極との間に短絡を生じさせずに、上部電極間に生じた短絡を除去する態様について述べる。
【００７４】
図８は、上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図９は、図８におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【００７５】
また、図１０は、短絡領域の上面に金属膜が形成された場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図１１は、図１０におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【００７６】
図１０および図１１に例示されるように、隣接する画素１０００と画素１００１とにおいて、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとの間に、短絡領域２０１が形成される。また、短絡領域２０１の上面には、画素１０００と画素１００１とを結ぶ方向とは交差する方向、たとえば、画素１０００と画素１００１とを結ぶ方向とは直交する方向に延びる金属膜３０１が形成される。
【００７７】
金属膜３０１の平面視における長手方向の長さは、短絡領域２０１の幅よりも長い。ここで、短絡領域２０１の幅とは、短絡領域２０１の、画素間を結ぶ方向と直交する方向の平面視における長さである。
【００７８】
金属膜３０１の長手方向の長さを短絡領域２０１の幅よりも長くすることによって、金属膜３０１の長手方向において金属膜３０１が短絡領域２０１を覆って形成されることとなる。
【００７９】
また、金属膜３０１の短手方向の長さは、画素１０００と画素１００１との間の間隔よりも短い。したがって、金属膜３０１は、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとを直接短絡させない。
【００８０】
金属膜３０１の形成方法は、特に限定されないが、短絡領域２０１が形成される場所が任意であることを鑑みて、任意の場所に微細にパターン化された金属膜を形成することができる方法であるレーザーＣＶＤ法を用いることができる。
【００８１】
手順としては、レーザーＣＶＤ装置に、上部電極９１Ａと上部電極９１Ｂとの間に短絡が生じている液晶パネルを収容する。そして、ヘキサカルボニルタングステン（Ｗ（ＣＯ）６）、ヘキサカルボニルクロム（Ｃｒ（ＣＯ）６）、または、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）６）などのカルボニル金属系の材料ガス中で、波長３５０ｎｍ付近のレーザー光を金属膜を形成したい領域に照射する。そうすることによって、Ｗ、Ｃｒ、または、Ｍｏなどからなる金属膜をレーザー光が照射された領域のみに形成することができる。
【００８２】
＜短絡領域の除去について＞
図１２は、レーザー照射領域を例示する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図１３は、図１２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【００８３】
レーザー照射領域３０２を図１２および図１３に例示されるような領域に設定することによって、短絡領域２０１の一部を除去する。短絡領域２０１の一部を除去することによって、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとの間に短絡が生じないようにすることができる。
【００８４】
具体的には、図１２および図１３に例示されるように、金属膜３０１を含む領域をレーザー照射領域３０２とし、当該領域にレーザー光を照射することによって、レーザー光による熱でＷ、Ｃｒ、または、Ｍｏなどからなる金属膜３０１を昇華させる。そうすることによって、Ｗ、Ｃｒ、または、Ｍｏなどからなる金属膜３０１を除去する。
【００８５】
金属膜３０１が昇華する際、金属は下地部分の膜を伴って気体となる。そのため、金属膜３０１に接触する短絡領域２０１の一部も、金属膜３０１が昇華する際に同時に除去される。
【００８６】
図１４は、短絡領域の一部が除去された状態の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図１５は、図１４におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【００８７】
図１４および図１５に例示されるように、短絡領域２０１の一部が除去されることによって、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとが電気的に分離される。そのため、画素１０００の上部電極９１Ａおよび上部電極９１Ｂそれぞれに適切な電圧が印加されるようになる。そのため、正常な液晶表示ができるようになる。
【００８８】
一般的に、金属膜除去には、紫外線から赤外線まで広い波長範囲のレーザー光が用途に応じて使用される。これは、金属膜が、後述の透明導電膜よりは紫外線から赤外線までの波長帯の光を吸収することができ、かつ、吸収した光によって温度が上がり、昇華するためである。本実施の形態においても、金属膜３０１の除去のためには、紫外線から赤外線までの広い波長範囲のレーザー光を使用することができる。
【００８９】
上部電極９１Ａおよび上部電極９１Ｂを形成するＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜は、波長４００ｎｍの可視光から波長１１００ｎｍの赤外線までの波長帯の光を、およそ８０％程度透過する。
【００９０】
しかしながら、当該透明導電膜は、波長４００ｎｍ以下の光に対しては、波長が短くなるにしたがって透過率が低下し、波長３００ｎｍの光では、透過率はおよそ１０％程度にまで低下する。また、当該透明導電膜は、波長１１００ｎｍ以上の光に対しても透過率が低下する。
【００９１】
したがって、金属膜３０１を除去するために、波長４００ｎｍ以上、かつ、波長１１００ｎｍ以下のレーザー光を使用すると、主に金属膜３０１のみがレーザー光によって加熱される。そして、金属膜３０１は、金属膜３０１と接触する短絡領域２０１の一部を巻き込んで昇華する。つまり、除去領域が吸収する光の波長帯と、短絡領域が吸収する光の波長帯とは一部重複していてもよいが、除去領域のみが光を吸収する波長帯さえあれば十分であり、その異なる波長帯の光を照射すればよいこととなる。具体的には、短絡領域が透明導電膜の場合、除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含んでいればよい。
【００９２】
一方で、レーザー照射領域３０２の範囲内には、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂも存在する。しかしながら、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂにレーザー光が照射された場合であっても、照射されたレーザー光の大部分は短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂを透過する。
【００９３】
そのため、レーザー照射領域３０２の範囲内における、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂは、レーザー光が照射された場合であっても温度が大きくは上がらず、ほとんどダメージを受けることがない。
【００９４】
また、一般的に金属膜は、照射されるレーザー光の波長が長いほど、照射されるレーザー光のエネルギーが低い場合であっても温度が上がり易い。そのため、たとえば、波長が８００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下であるレーザー光を用いる場合、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂにはほとんどダメージを与えずに、金属膜３０１を除去することができる。
【００９５】
一方、波長４００ｎｍ以下のレーザー光を用いる場合には、金属膜３０１を除去するために必要なエネルギーが高くなる。また、波長４００ｎｍ以下のレーザー光を用いる場合には、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂにおいてもレーザー光がよく吸収される。
【００９６】
そのため、波長４００ｎｍ以下のレーザー光を用いる場合には、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂがダメージを受ける場合がある。また、平面視において金属膜３０１とは重ならない位置の短絡領域２０１、上部電極９１Ａ、または、上部電極９１Ｂが、直下に位置する層間絶縁膜８を巻き込んで昇華することによって、露出した下部電極７１と残存した上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂとが、昇華した上部電極の材料が再び付着して形成された透明導電膜を介して、短絡する場合がある。
【００９７】
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する液晶表示パネルの製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【００９８】
以下では、上部電極と下部電極との間に短絡を生じさせずに、上部電極間に生じた短絡を除去する態様について述べる。
【００９９】
＜液晶パネルの構成について＞
図１６は、上部電極を所定の形状にパターニングする際に、異物などの影響によって隣接する画素間に短絡が生じた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図１７は、図１６におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【０１００】
また、図１８は、短絡領域の一部に着色化処理がなされた場合の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図１９は、図１８におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【０１０１】
図１８および図１９に例示されるように、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとの間の短絡領域２０１Ａ内に、画素１０００と画素１００１とを結ぶ方向と交差する方向に延びる着色領域４０１を形成する。着色領域４０１の短手方向の長さは、画素１０００と画素１００１との間の間隔よりも短い。すなわち、着色領域４０１の短手方向の長さは、短絡領域２０１Ａの画素１０００と画素１００１とを結ぶ方向の長さよりも短い。
【０１０２】
上部電極９１Ａと上部電極９１Ｂとの間の短絡領域２０１Ａ内に形成される着色領域４０１は、短絡領域２０１Ａを形成する透明導電膜を一部還元することによって形成される。
【０１０３】
透明導電膜を還元する方法は、特に限定されないが、たとえば、真空中に液晶パネルを配置し、着色処理したい領域に対し、収束した水素イオンビームを照射する方法を用いることができる。
【０１０４】
＜着色領域の除去について＞
図２０は、レーザー照射領域を例示する、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図２１は、図２０におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【０１０５】
レーザー照射領域３０２Ａを図２０および図２１に例示されるような領域に設定することによって、短絡領域２０１Ａの一部を除去する。短絡領域２０１Ａの一部を除去することによって、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとの間に短絡が生じないようにすることができる。
【０１０６】
具体的には、図２０および図２１に例示されるように、着色領域４０１を含む領域をレーザー照射領域３０２Ａとし、当該領域にレーザー光を照射することによって、レーザー光による熱で着色領域４０１を昇華させる。そうすることによって、着色領域４０１を除去する。
【０１０７】
着色領域４０１が昇華する際、着色領域４０１は下地部分の膜を伴って気体となる。そのため、着色領域４０１に接触する短絡領域２０１Ａの一部も、着色領域４０１が昇華する際に同時に除去される。
【０１０８】
図２２は、着色領域が除去された状態の、表示領域に形成される画素部の構成を概略的に例示する平面図である。また、図２３は、図２２におけるＢ−Ｂ’断面を例示する断面図である。
【０１０９】
図２２および図２３に例示されるように、着色領域４０１がレーザー光で昇華されることによって、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとが電気的に分離される。そのため、画素１０００の上部電極９１Ａおよび上部電極９１Ｂそれぞれに適切な電圧が印加されるようになる。そのため、正常な液晶表示ができるようになる。
【０１１０】
一般的に、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜の除去には、波長４００ｎｍ以下のレーザー光を用いる。透明導電膜は、波長４００ｎｍの可視光から波長１１００ｎｍの赤外線までの波長帯の光を、およそ８０％程度透過する。そのため、波長４００ｎｍ以上のレーザー光を透明導電膜の除去のために用いると、照射されたレーザー光のほとんどが透過してしまい効率が悪い。
【０１１１】
一方で、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜を還元すると、還元が進行するにしたがって透明導電膜の色が透明から黄色、さらに、黄色から褐色へと変化していく。このように透明導電膜の色が変化するのは、還元が進行するにしたがって、透明導電膜が波長４００ｎｍ以上の光をよく吸収するようになる、すなわち、還元の進行につれて、透明導電膜がより長波長の光をよく吸収するようになるためである。
【０１１２】
このことから、着色領域４０１の除去を行うためには、着色領域４０１では吸収されるが層間絶縁膜８および下部電極７１は透過する波長のレーザー光を用いることが望ましい。具体的には、波長４００ｎｍ以上、かつ、波長１１００ｎｍ以下のレーザー光を用いることが望ましい。
【０１１３】
さらに、透明導電膜を還元することによって形成される着色領域４０１が黄色から褐色であることから、特に青から緑にかけての光をよく吸収することが明らかである。したがって、波長４３０ｎｍ以上、かつ、波長５６０ｎｍ以下の範囲である波長を有するレーザー光を使用することが望ましい。
【０１１４】
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果を例示する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
【０１１５】
また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
【０１１６】
以上に記載された実施の形態によれば、液晶表示パネルの製造方法において、下部電極７１と、層間絶縁膜８と、上部電極とをそれぞれが備える複数の画素部を形成する。そして、複数の画素部それぞれにおける上部電極のうちの隣接する上部電極を短絡させる領域である短絡領域２０１が形成される場合に、平面視において短絡領域２０１と重なる位置に、除去領域を部分的に形成する。そして、除去領域に除去領域が吸収する波長帯の光を照射することによって、平面視において除去領域と重なる短絡領域２０１とともに除去領域を除去する。ここで、層間絶縁膜８は、下部電極７１の上面に設けられる。また、上部電極は、層間絶縁膜８の上面であり、かつ、平面視において下部電極７１と重なる位置に設けられる。また、除去領域が吸収する光の波長帯は、下部電極７１、層間絶縁膜８、上部電極、および、短絡領域２０１が吸収する光の波長帯とは異なる。ここで、除去領域は、たとえば、金属膜３０１に対応するものである。
【０１１７】
このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１がよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。したがって、短絡領域２０１を除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域２０１周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１１８】
なお、これらの構成以外の本願明細書に例示される他の構成については適宜省略することができる。すなわち、少なくともこれらの構成を備えていれば、以上に記載された効果を生じさせることができる。
【０１１９】
しかしながら、本願明細書に例示される他の構成のうちの少なくとも１つを以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては記載されなかった本願明細書に例示される他の構成を以上に記載された構成に追加した場合でも、同様に以上に記載された効果を生じさせることができる。
【０１２０】
また、特に制限がない限り、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
【０１２１】
また、以上に記載された実施の形態によれば、平面視において、複数の画素部同士を結ぶ方向とは交差する方向に延びる除去領域を形成する。そして、除去領域が延びる方向において、除去領域の形成幅は、短絡領域２０１の形成幅以上である。ここで、除去領域は、たとえば、金属膜３０１に対応するものである。このような構成によれば、金属膜３０１の長手方向の長さを短絡領域２０１の幅以上とすることによって、金属膜３０１の長手方向において金属膜３０１が短絡領域２０１を覆って形成されることとなる。したがって、除去領域が除去された場合に、それにともなって短絡領域２０１が確実に分断されることとなるため、画素１０００の上部電極９１Ａと画素１００１の上部電極９１Ｂとの間の短絡を解消することができる。
【０１２２】
また、以上に記載された実施の形態によれば、短絡領域２０１の上面に、除去領域である金属膜３０１を形成する。このような構成によれば、金属膜３０１がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１がよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。金属膜３０１がよく吸収する光の波長帯である、たとえば、４００ｎｍ以上、かつ、波長１１００ｎｍ以下の波長帯の光を照射することによって、主に金属膜３０１のみを加熱することができる。したがって、短絡領域２０１を除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域２０１周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１２３】
また、以上に記載された実施の形態によれば、短絡領域２０１は透明導電膜であって、除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む。ここで、除去領域は、たとえば、金属膜３０１に対応するものである。このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１がよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。したがって、短絡領域２０１を除去するために除去領域に４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯である光を照射した場合に、短絡領域２０１周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１２４】
また、以上に記載された実施の形態によれば、除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも８００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む。ここで、除去領域は、たとえば、金属膜３０１に対応するものである。このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１がよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。また、照射される光が長波長であるために、金属膜３０１の温度が上昇しやすい。したがって、照射する光のエネルギーを低く抑えることができるため、短絡領域２０１周辺の構造に対するダメージを効果的に抑制することができる。
【０１２５】
また、以上に記載された実施の形態によれば、短絡領域２０１Ａを還元することによって、除去領域を形成する。ここで、除去領域は、たとえば、着色領域４０１に対応するものである。このような構成によれば、短絡領域２０１Ａを還元することによって形成された除去領域は、短絡領域２０１Ａよりも長波長の光をよく吸収するようになる。そのため、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１Ａがよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯となる。したがって、短絡領域２０１Ａを除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域２０１Ａ周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１２６】
また、以上に記載された実施の形態によれば、除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯の一部を含む。ここで、除去領域は、たとえば、着色領域４０１に対応するものである。このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１Ａがよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは異なる波長帯であるため、短絡領域２０１Ａを除去するために除去領域に４００ｎｍ以上、かつ、１１００ｎｍ以下の波長帯である光を照射した場合に、短絡領域２０１Ａ周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１２７】
また、以上に記載された実施の形態によれば、除去領域が吸収する光の波長帯は、少なくとも４３０ｎｍ以上、かつ、５６０ｎｍ以下の波長帯の一部を含む。ここで、除去領域は、たとえば、着色領域４０１に対応するものである。このような構成によれば、除去領域がよく吸収する光の波長帯が、短絡領域２０１Ａがよく吸収する光の波長帯、上部電極９１Ａまたは上部電極９１Ｂがよく吸収する光の波長帯、さらには、下部電極７１がよく吸収する光の波長帯とは大きく異なる波長帯となるため、短絡領域２０１Ａを除去するために除去領域に４３０ｎｍ以上、かつ、５６０ｎｍ以下の波長帯である光を照射した場合に、短絡領域２０１Ａ周辺の構造に対するダメージを効果的に抑制することができる。
【０１２８】
また、以上に記載された実施の形態によれば、上記の液晶表示パネルの製造方法によって製造された液晶表示パネルを用いて、液晶表示装置を製造する。このような構成によれば、短絡領域２０１を除去するために除去領域に光を照射した場合に、短絡領域２０１周辺の構造に対するダメージを抑制することができる。
【０１２９】
また、以上に記載された実施の形態によれば、上記の液晶表示パネルの製造方法によって製造されたアレイ基板を用いて液晶表示パネルを製造し、さらに当該液晶表示パネルを用いて液晶表示装置を製造することができる。具体的には、上記の液晶表示パネルの製造方法によって製造されたアレイ基板と対向基板とを公知のシールで貼り合わせて、その内部に液晶を封入することにより液晶表示パネルを製造する。さらに、当該液晶表示パネルに駆動回路を実装した後、ＬＥＤや導光板などを含む面状光源と、反射シートや拡散シートを含む光学シートとを備えたバックライトを組み合わせることにより、液晶表示装置を製造することができる。
【０１３０】
＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
【０１３１】
したがって、例示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【０１３２】
また、矛盾が生じない限り、以上に記載された実施の形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよいものとする。
【０１３３】
さらに、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素は概念的な単位であって、本願明細書に開示される技術の範囲内には、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合とを含むものとする。
【０１３４】
また、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれるものとする。
【０１３５】
また、本願明細書における説明は、本技術に関するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。
【０１３６】
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１３７】
２  ゲート絶縁膜、５  保護絶縁膜、６  平坦化膜、８  層間絶縁膜、１０  透明絶縁性基板、１１  ゲート電極、３１  半導体膜、４１  ソース電極、４２  ドレイン電極、５１，５２  コンタクトホール、７１  下部電極、９１，９１Ａ，９１Ｂ  上部電極、１００  液晶表示パネル、１０１  表示領域、１０２  額縁領域、１０３  信号線、１０４  走査線、１０５  共通配線、１０６，１０６Ａ，１０６Ｂ  薄膜トランジスタ、１０７  実装端子、１０８  配線基板、１０９  ＩＣチップ、２０１，２０１Ａ，２０２  短絡領域、３０１  金属膜、３０２，３０２Ａ  レーザー照射領域、４０１  着色領域、５００  スリット、１０００，１００１  画素、１０７１  外部接続端子。
【図１】
2018097051.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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