(57)【要約】      （修正有）【課題】表示装置内の無機絶縁層にクラックが生じても、その成長を一定の段階で止めることができ、回路が破壊されにくく、水分が侵入しにくい表示装置を提供する。【解決手段】基板１０２と、基板の一表面に設けられ、トランジスタ１０８と配線と絶縁層１１０とを含む回路層１０４と、回路層の上層に配列された複数の画素とを備え、基板の上には、複数の画素が位置する表示領域１０２ａと、表示領域を囲う周辺領域１０２ｂとが位置し、回路層は、表示領域と周辺領域とに跨って位置し、回路層の周辺領域には、回路層を貫通する貫通孔１１０ｃが位置する。【選択図】図１Ｂ
2018124501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一表面に設けられ、トランジスタと配線と絶縁層とを含む回路層と、
前記回路層の上層に配列された複数の画素とを備え、
前記基板の上には、前記複数の画素が位置する表示領域と、前記表示領域の囲う周辺領域とが位置し、
前記回路層は、前記表示領域と前記周辺領域とに跨って位置し、
前記回路層の前記周辺領域にには、前記回路層を貫通する貫通孔が位置する表示装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記表示領域を囲む周状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板は、前記一表面の、前記貫通孔に重畳する領域に凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記トランジスタは半導体層を有し、
前記絶縁層は、
前記半導体層の下層に設けられた第１無機絶縁層及び
前記半導体層の上層に設けられた第２無機絶縁層を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素の各々に含まれる複数の発光素子と、
前記複数の発光素子発光素子を覆う封止層と、を更に備え、
前記貫通孔は、前記封止層を更に貫通することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記封止層は、第３無機絶縁層、第１有機絶縁層及び第４無機絶縁層を有し、
前記第３無機絶縁層は、端部が前記貫通孔の外側に配置され、
前記第１有機絶縁層は、前記第３無機絶縁層の上層に設けられ、且つ前記複数の画素に重畳し、
前記第４無機絶縁層は、前記第１有機絶縁層の上層に設けられ、且つ端部が前記貫通孔の外側に配置されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１有機絶縁層は、端部が前記貫通孔の内側に配置されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１有機絶縁層は、端部が前記貫通孔の外側に配置されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記封止層の上層に設けられた保護層を更に備え、
前記貫通孔は、前記保護層を更に貫通することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記回路層には、
前記複数の画素の各々に設けられ、且つ前記複数の画素の各々の発光を制御する画素回路と、
前記周辺領域に設けられ、且つ前記画素回路と接続する周辺回路とを有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記基板は、第１の辺と、前記第１の辺に交差する第２の辺とを有し、
前記基板の上には、前記第１の辺に沿って複数の端子が位置し、
前記貫通孔は、前記第２の辺に沿って延びると共に、前記第１の辺と交差する請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板は、第１の辺と対向する第３の辺と、前記第２の辺と対向し前記第１の辺と交差する第４の辺と、を有し、
前記貫通孔は、前記第２の辺と前記第３の辺と前記第４の辺とに沿って、且つ連続して延びる請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に表示装置の回路層の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。
【０００５】
しかしながら、製造工程において、マザーガラス上に設けられた複数の有機ＥＬ表示装置を分断する際に、表示装置にダメージが及ぶといった課題がある。
【０００６】
このような課題に対し、例えば特許文献１には、基板の上に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の上に複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層を形成し、前記樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部を形成し、複数の前記第１溝部のうち、前記有機ＥＬ素子との距離が最も小さい第１溝部を除く、いずれか１つの第１溝部と重畳する位置で前記基板を切断し、前記基板を前記樹脂膜から剥離することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−１９５１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の従来技術においては、無機絶縁層に一度マイクロクラックが発生すると、それが成長する懸念がある。特に、フレキシブルな表示装置においては、変形を繰り返すことでそれが一層成長し易い。その結果、画素回路や周辺回路が破壊されたり、発光層にまで到達する水分の侵入経路が生じたりしてしまうことが有り得る。
【０００９】
本発明は、表示装置内の無機絶縁層にクラックが生じても、その成長を一定の段階で止めることができ、回路が破壊されにくく、水分が侵入しにくい表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板の一表面に設けられ、トランジスタと配線と絶縁層とを含む回路層と、前記回路層の上層に配列された複数の画素とを備え、前記基板の上には、前記複数の画素が位置する表示領域と、前記表示領域の囲う周辺領域とが位置し、前記回路層は、前記表示領域と前記周辺領域とに跨って位置し、前記回路層の前記周辺領域にには、前記回路層を貫通する貫通孔が位置することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する上面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１Ａは、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する上面図である。表示装置１００は、表示領域１０２ａと、周辺領域１０２ｂと、端子領域１０２ｃとを有している。
【００１４】
表示領域１０２ａは、画像を表示するための領域である。表示領域１０２ａには、複数の画素１１２が配列されている。複数の画素１１２は、互いに交差する２方向に、行列状に配列されている。本実施形態においては、複数の画素１１２は、互いに直交する２方向に、行列状に配列されている。複数の画素１１２の各々には、その発光を制御するための画素回路１０６ａが設けられている。
【００１５】
周辺領域１０２ｂは、表示領域１０２ａの周縁に接し、表示領域１０２ａを囲む領域である。周辺領域１０２ｂには、複数の画素１１２の発光を制御するための周辺回路１０６ｂが配置されてもよい。周辺回路１０６ｂとしては、複数の画素１１２の内、映像データを書き込む画素行を選択する走査線駆動回路、複数の画素１１２の各々に、映像データに対応する電圧を供給する映像線駆動回路等を含んでもよい。図１Ａにおいては、詳細は後述するが、表示装置１００内の回路層１０４に設けられ、回路１０６を囲む周状に設けられた貫通孔１１０ｃが示されている。
【００１６】
端子領域１０２ｃは、表示装置１００とフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）１３８等とを接続するための領域である。端子領域１０２ｃは、表示装置１００の一辺に沿って設けられてもよく、複数の接続端子１３０(単に、端子ともいう)が配列されている。
【００１７】
図１Ｂ及び図１Ｃは、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、それぞれ図１に示すＡ−Ａ´及びＢ−Ｂ´に沿った断面の構成を示している。表示装置１００は、基板１０２と、回路層１０４と、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、封止層１２４と、保護層１２６と、複数の接続端子１３０とを備えている。
【００１８】
基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。尚、詳細は表示装置１００の製造方法において後述するが、基板１０２は、当該一表面に、有底孔１１１（凹部、窪み）を有してもよい。有底孔１１１は、回路層１０４が有する貫通孔１１０ｃに重畳する領域に設けられている。
【００１９】
基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。
【００２０】
回路層１０４は、基板１０２の一表面に設けられ、回路１０６及び絶縁層１１０を有する。回路１０６は、複数の画素１１２の発光を制御する。回路１０６は、画素回路１０６ａ及び周辺回路１０６ｂその他各種配線を含む。画素回路１０６ａは、表示領域１０２ａ内に配列された複数の画素１１２の各々に設けられ、複数の画素１１２の各々の発光を制御する。周辺回路１０６ｂは、周辺領域１０２ｂに設けられ、画素回路１０６ａを制御する。周辺回路１０６ｂとしては、行列状に配列された複数の画素１１２の内、映像データを書き込む画素行を選択する走査線駆動回路、複数の画素１１２の各々に、映像データに対応する電圧を供給する映像線駆動回路等を含んでもよい。
【００２１】
図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、回路１０６は、トランジスタ１０８を有する。トランジスタ１０８は、半導体層１０８ａ、ゲート絶縁層１０８ｂ、ゲート電極１０８ｃ、ソース・ドレイン電極１０８ｄ等を含む。半導体層１０８ａは、島状に設けられている。半導体層１０８ａの材料としては、例えば珪素などの１４族元素、酸化物半導体等を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａに酸化物半導体を用いる場合、更に１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａの結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶又はアモルファスのいずれの結晶状態を含んでもよい。
【００２２】
ゲート絶縁層１０８ｂは、半導体層１０８ａの上層に設けられている。本実施形態においては、ゲート絶縁層１０８ｂは、複数のトランジスタ１０８に亘って設けられている。しかし、ゲート絶縁層１０８ｂは、少なくともゲート電極１０８ｃと重畳する領域に設けられていればよい。ゲート絶縁層１０８ｂの材料としては、第１無機絶縁層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。
【００２３】
ゲート電極１０８ｃは、ゲート絶縁層１０８ｂを介して半導体層１０８ａと重畳している。半導体層１０８ａにおいて、ゲート電極１０８ｃと重畳する領域がチャネル領域である。ゲート電極１０８ｃの材料としては、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタル等の金属や、その合金等を用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えば、チタン、タングステン、モリブデン等の比較的高い融点を有する金属で、アルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００２４】
ソース・ドレイン電極１０８ｄは、絶縁層１１０上に設けられ、絶縁層１１０及びゲート絶縁層１０８ｂに設けられる開口において、半導体層１０８ａのソース・ドレイン領域と電気的に接続される。絶縁層１１０上には更に、端子配線１０８ｅが設けられる。つまり、図２に示すように、端子配線１０８ｅは、ソース・ドレイン電極１０８ｄと同一の層内に存在することができる。また、これに限られず、端子配線１０８ｅはゲート電極１０８ｃと同一の層内に存在するよう構成してもよい（図示せず）。
【００２５】
図１Ｂ及び図１Ｃでは、トランジスタ１０８は、トップゲート型のトランジスタを例示しているが、トランジスタ１０８の構造に限定はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１０８ｃを複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体層１０８ａの上下を二つのゲート電極１０８ｃで挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタでもよい。また、図１Ｂ及び図１Ｃでは、複数の画素１１２の各々に一つのトランジスタ１０８が設けられる例が示されているが、複数の画素１１２の各々は複数のトランジスタ１０８や容量素子等の半導体素子を更に有してもよい。
【００２６】
絶縁層１１０は、回路１０６を被覆する。絶縁層１１０はまた、平面視において回路１０６及び複数の画素１１２の周囲に貫通孔１１０ｃを有している。本実施形態においては、貫通孔１１０ｃは、回路１０６及び複数の画素１１２を囲む周状である。つまり、回路層１０４において、回路１０６及び複数の画素１１２を囲む周状の貫通孔１１０ｃの外側は、回路１０６が配置されず、絶縁層１１０のみの領域である。ここで回路１０６とは、前述の通り画素回路１０６ａ及び周辺回路１０６ｂその他各種配線を含む。各種配線には、画素回路１０６ａ及び周辺回路１０６ｂと、複数の接続端子１３０とを接続するための接続配線を含む。
【００２７】
このような構成を有することによって、表示装置１００の端部近傍において、例えば絶縁層１１０にクラック等の欠陥が存在する場合に、貫通孔１１０ｃの内側へ当該欠陥が成長することを防止することができる。
【００２８】
当該欠陥は、例えば表示装置１００の製造工程において、多面取り基板上に形成された複数の表示装置１００を分断する際に生じやすい。更に、特にフレキシブルな表示装置においては、その折り曲げを繰り返すことにより、当該欠陥に起因してクラックが成長することが懸念される。クラックが成長し、例えば表示領域１０２ａに到達すると、それに起因して回路１０６が破壊されることが懸念される。また、それが水分の侵入経路になり、表示装置１００の外部から表示領域１０２ａに到達した水分が発光層１１８を劣化させることが懸念される。
【００２９】
本実施形態においては、上述のような貫通孔１１０ｃを設けることにより、回路１０６が破壊されたり、水分によって発光素子１１４が劣化したりすることを防止することができる。これによって、表示装置１００の製造歩留まり及び信頼性が向上する。
【００３０】
絶縁層１１０は、本実施形態においては、第１無機絶縁層１１０ａ及び第２無機絶縁層１１０ｂを有する。第１無機絶縁層１１０ａは、任意の構成であり、回路１０６の下層に設けられている。第１無機絶縁層１１０ａは、基板１０２（および基材）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１０８等へ拡散することを防ぐための層である。第１無機絶縁層１１０ａの材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。第１無機絶縁層１１０ａ中の不純物濃度が小さい場合、第１無機絶縁層１１０ａは設けないか、あるいは基板１０２の一部のみを覆うように形成してもよい。
【００３１】
第２無機絶縁層１１０ｂは、回路１０６の上層に設けられる。第２無機絶縁層１１０ｂの材料としては、第１無機絶縁層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。
【００３２】
複数の画素１１２の各々は、発光素子１１４を有している。発光素子１１４は、基板１０２側から第１電極１１６、発光層１１８及び第２電極１２０が積層された層構造を有している。第１電極１１６及び第２電極１２０からキャリアが発光層１１８へ注入され、キャリアの再結合が発光層１１８内で生じる。これにより、発光層１１８内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。
【００３３】
第１電極１１６は、詳細は後述する平坦化絶縁層１２２ｃよりも上層に設けられる。第１電極１１６はまた、平坦化絶縁層１２２ｃ及び無機絶縁層１２２ｄに設けられた開口を覆い、ソース・ドレイン電極１０８ｄと電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１０８を介して電流が発光素子１１４へ供給される。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、可視光を反射することができる材料から選択される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。逆に、発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いればよい。
【００３４】
発光層１１８は、第１電極１１６及び第１隔壁１２２ａを覆うように設けられる。発光層１１８の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層１１８、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。発光層１１８は、画素１１２毎に異なる材料を含むように構成することができる。発光層１１８に用いる材料を適宜選択することで、画素１１２毎に異なる発光色を得ることができる。あるいは、発光層１１８の構造を画素１１２間で同一としてもよい。このような構成では、各画素１１２の発光層１１８から同一の発光色が出力されるため、例えば発光層１１８を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ画素１１２から取り出してもよい。
【００３５】
第２電極１２０は、発光層１１８の上層に設けられる。第２電極１２０はまた、本実施形態のように、複数の画素１１２に共通して設けられてもよい。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物等から選択される。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００３６】
隔壁層１２２は、基板１０２の当該一表面上に設けられている。隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、平坦化絶縁層１２２ｃ及び無機絶縁層１２２ｄを有している。
【００３７】
第１隔壁１２２ａは、平面視において複数の画素１１２の内、隣接する画素１１２の間に設けられ、複数の画素１１２の各々を囲む。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の発光層１１８側の面の周縁を被覆する。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の周縁を覆うことで、その上層に設けられる発光層１１８や第２電極１２０の断線を防ぐことができる。平面視において、第１電極１１６と発光層１１８が接触する領域が発光領域である。
【００３８】
第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状である。換言すると、第２隔壁１２２ｂ及び第１隔壁１２２ａの間には、周状の溝部が設けられている。つまり、第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと分離されている。詳細は後述するが、製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂが基板１０２の端部まで拡がると、端部から第１有機絶縁層１２４ｂを介して水分が表示装置１００内に侵入することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に塗布される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。
【００３９】
以上、隔壁層１２２の内、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの構成について説明した。第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。
【００４０】
平坦化絶縁層１２２ｃは、回路層１０４の上層、且つ発光素子１１４の下層に配置されている。平坦化絶縁層１２２ｃは、トランジスタ１０８等の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える。平坦化絶縁層１２２ｃの材料としては、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂに用いることができる材料を用いることができる。
【００４１】
無機絶縁層１２２ｄは、任意の構成であり、トランジスタ１０８等の半導体素子を保護する機能を有する。更に、発光素子１１４の第１電極１１６と、無機絶縁層１２２ｄの下層に、第１電極１１６と無機絶縁層１２２ｄを挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成することができる。
【００４２】
平坦化絶縁層１２２ｃ及び無機絶縁層１２２ｄには、複数の開口が設けられる。その内の一つは、発光素子１１４の第１電極１１６とトランジスタ１０８のソース・ドレイン電極１０８ｄとを電気的に接続するために設けられる。他の一つは、端子配線１０８ｅの一部を露出するように設けられる。この開口によって露出した端子配線１０８ｅは、例えば異方性導電膜１３６等によりＦＰＣ基板１３８と接続される。
【００４３】
封止層１２４は、複数の画素１１２及び隔壁層１２２の上層に設けられている。本実施形態においては、回路層１０４の貫通孔１１０ｃは、封止層１２４を更に貫通する。本実施形態においては、封止層１２４は、第３無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第４無機絶縁層１２４ｃを有している。
【００４４】
第３無機絶縁層１２４ａは、隔壁層１２２に起因する凹凸表面を被覆する。第３無機絶縁層１２４ａは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部１２２ｅの底面及び隔壁を被覆する。本実施形態においては、第３無機絶縁層１２４ａは、平面視において端部が貫通孔１１０ｃの外側に配置されている。
【００４５】
第３無機絶縁層１２４ａは、少なくとも次の２つの役割を有する。１つは、第３無機絶縁層１２４ａの上層に配置され、水分が透過しやすい第１有機絶縁層１２４ｂが発光素子１１４に接触しないように設けられている。これによって、第１有機絶縁層１２４ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第１有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が発光層１１８へ到達し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。他の１つは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、第２隔壁１２２ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第２隔壁１２２ｂに侵入した水分が、第２隔壁１２２ｂの内側へ侵入し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。
【００４６】
以上のことから、第３無機絶縁層１２４ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましい。透湿性の低い絶縁材料としては、無機絶縁材料を用いることが好ましい。無機絶縁層としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を使用することができる。また、これらから選択された複数の材料を積層した構造を使用してもよい。
【００４７】
第１有機絶縁層１２４ｂは、第３無機絶縁層１２４ａの上層に設けられている。第１有機絶縁層１２４ｂはまた、平面視において端部が貫通孔１１０ｃの内側、且つ第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に配置されている。第１有機絶縁層１２４ｂは、第１隔壁１２２ａ等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。
【００４８】
このような凹凸が十分に平坦化されず、第１有機絶縁層１２４ｂ上に第４無機絶縁層１２４ｃが設けられると、第４無機絶縁層１２４ｃが第１有機絶縁層１２４ｂに残った凹凸を十分に被覆できず、第４無機絶縁層１２４ｃにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。
【００４９】
第４無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂの上層に設けられている。本実施形態においては、第４無機絶縁層１２４ｃは、平面視において端部が貫通孔１１０ｃの外側、且つ第３無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。つまり、第１有機絶縁層１２４ｂは、第３無機絶縁層１２４ａ及び第４無機絶縁層１２４ｃによって密封されている。このような構成を有することによって、第１有機絶縁層１２４ｂを介した、表示装置１００の外部から内部へ水分の侵入経路を遮断することができる。第４無機絶縁層１２４ｃの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましく、第３無機絶縁層１２４ａと同様の材料を用いることができる。
【００５０】
尚、第４無機絶縁層１２４ｃは、必ずしもその端部が第３無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置される必要は無い。第１有機絶縁層１２４ｂが、第３無機絶縁層１２４ａ及び第４無機絶縁層１２４ｃによって密封されるように封止層１２４が構成されればよい。
【００５１】
保護層１２６は、封止層１２４の上層、つまり、第４無機絶縁層１２４ｃの上層に設けられている。保護層１２６はまた、端部が第２隔壁１２２ｂ上に配置されている。本実施形態においては、保護層１２６は、第３無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。保護層１２６の材料としては、前述の第１有機絶縁層１２４ｂに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。
【００５２】
複数の接続端子１３０は、基板１０２の当該一表面上に配列されている。複数の接続端子１３０の各々は、無機絶縁層１２２ｄ及び平坦化絶縁層１２２ｃに設けられた開口を介して、接続配線に電気的に接続されている。複数の接続端子１３０はまた、平面視において保護層１２６の外側に配置される。
【００５３】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。表示装置１００の構成によれば、表示装置１００の端部近傍に生じたクラック等の欠陥に起因して回路１０６が破壊されたり、水分によって発光素子１１４が劣化したりすることを防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。
【００５４】
次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図２Ａ乃至図８Ａは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する上面図である。図２Ｂ乃至図８Ｂは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図であり、上面図のＣ−Ｃ´に沿った断面を示している。図２Ｃ乃至図８Ｃは、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図であり、上面図のＤ−Ｄ´に沿った断面を示している。
【００５５】
先ず、基板１０２を準備する。基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。従って、基板１０２には、その上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。
【００５６】
表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基材は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。
【００５７】
次いで、図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを用いて、基板１０２の一表面上に、回路層１０４を形成する方法について説明する。基板１０２の表面には、後の製造工程において複数の表示装置１００に分断するための、複数の領域が規定されている。図２Ａには、分断線１０２ｄが示されており、後の製造工程において当該分断線１０２ｄに沿って基板１０２が分断される。回路層１０４は、当該一表面上の複数の領域の各々に設けられ、複数の画素１１２の発光を制御する回路１０６、及び、回路１０６を被覆する絶縁層１１０を有する層である。
【００５８】
先ず、第１無機絶縁層１１０ａを形成する。第１無機絶縁層１１０ａの材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。第１無機絶縁層１１０ａは、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等を適用して、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。尚、第１無機絶縁層１１０ａは任意の構成であり、必ずしも設ける必要は無い。
【００５９】
次いで、半導体層１０８ａを形成する。半導体層１０８ａは、前述した珪素などの１４族元素、あるいは半導体層１０８ａは、酸化物半導体を含んでもよい。半導体層１０８ａが珪素を含む場合、半導体層１０８ａは、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。これによって得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１０８ａが酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法等を利用して形成することができる。
【００６０】
次いで、半導体層１０８ａを覆うようにゲート絶縁層１０８ｂを形成する。ゲート絶縁層１０８ｂは単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、第１無機絶縁層１１０ａと同様の手法で形成することができる。
【００６１】
次いで、ゲート絶縁層１０８ｂ上にゲート電極１０８ｃを形成する。ゲート電極１０８ｃは、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。ゲート電極１０８ｃは、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。
【００６２】
次いで、ゲート電極１０８ｃ上に第２無機絶縁層１１０ｂを形成する。第２無機絶縁層１１０ｂの材料としては、第１無機絶縁層１１０ａに用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。第２無機絶縁層１１０ｂは、第１無機絶縁層１１０ａと同様の手法で形成することができる。
【００６３】
次に、第２無機絶縁層１１０ｂ及びゲート絶縁層１０８ｂに対してエッチングを行い、半導体層１０８ａに達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。
【００６４】
次いで、開口を覆うように金属層を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース・ドレイン電極１０８ｄを形成する。本実施形態では、ソース・ドレイン電極１０８ｄの形成と同時に端子配線１０８ｅを形成する。従って、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅは同一の層内に存在することができる。金属層はゲート電極１０８ｃと同様の構造を有することができ、ゲート電極１０８ｃの形成と同様の手法を用いて形成することができる。
【００６５】
次いで、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃを用いて、基板１０２の一表面上に、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、複数の接続端子１３０とを形成する方法について説明する。複数の画素１１２は、各々が発光素子１１４を有する。ここで、隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、平坦化絶縁層１２２ｃ、無機絶縁層１２２ｄを有する。第１隔壁１２２ａは、複数の画素１１２の各々の周縁に配置され、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａを囲む。接続端子１３０は、第２隔壁１２２ｂの外側に配置される。
【００６６】
先ず、回路層１０４上に平坦化絶縁層１２２ｃを形成する。平坦化絶縁層１２２ｃは、ソース・ドレイン電極１０８ｄや端子配線１０８ｅを覆うように形成される。平坦化絶縁層１２２ｃは、トランジスタ１０８、端子配線１０８ｅ等に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化絶縁層１２２ｃの材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサン等の高分子材料が挙げられる。成膜方法としては、湿式成膜法等によって形成することができる。
【００６７】
次いで、平坦化絶縁層１２２ｃ上に無機絶縁層１２２ｄを形成する。上述したように、無機絶縁層１２２ｄは、トランジスタ１０８に対する保護層として機能するだけでなく、後に形成される発光素子１１４の第１電極１１６と共に容量を形成する。従って、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。成膜方法としては、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用することができる。
【００６８】
次いで、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅをエッチングストッパとして、無機絶縁層１２２ｄと平坦化絶縁層１２２ｃに対してエッチングを行い、開口を形成する。その後、これらの開口を覆うように第１電極１１６及び接続端子１３０を形成する。
【００６９】
発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６は可視光を反射するように構成される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１電極１１６を形成すればよい。
【００７０】
本実施形態においては、第１電極１１６及び接続電極が無機絶縁層１２２ｄ上に形成される。したがって、例えば開口を覆うように上記金属の層を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む層を形成し、エッチングによる加工を行って第１電極１１６及び接続電極を形成することができる。
【００７１】
次いで、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂを形成する。第１隔壁１２２ａにより、第１電極１１６の端部に起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１１２の第１電極１１６を互いに電気的に絶縁することができる。
【００７２】
また、後の製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に形成される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。
【００７３】
第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化絶縁層１２２ｃに使用可能な材料を用いることができ、湿式成膜法で形成することができる。
【００７４】
次いで、発光層１１８及び第２電極１２０を、第１電極１１６及び隔壁層１２２を覆うように形成する。発光層１１８は、主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着等の乾式成膜法を適用して形成することができる。
【００７５】
発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀等の金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。
【００７６】
次いで、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを用いて、封止層１２４を形成する方法について説明する。ここで、封止層１２４は、第３無機絶縁層１２４ａと、第１有機絶縁層１２４ｂと、第４無機絶縁層１２４ｃとを有する。第３無機絶縁層１２４ａは、基板１０２の表面に亘って形成される。第１有機絶縁層１２４ｂは、第３無機絶縁層１２４ａ上、且つ複数の画素１１２を覆い、第２隔壁１２２ｂの内側に配置される。第４無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂ上、且つ表面に亘って配置される。
【００７７】
先ず、第３無機絶縁層１２４ａを、基板１０２の一表面に亘って形成する。第３無機絶縁層１２４ａは、例えば窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の無機材料を含むことができ、絶縁層１１０と同様の手法で形成することができる。
【００７８】
次いで、第１有機絶縁層１２４ｂを形成する。第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂの内側に塗布することによって形成される。第１有機絶縁層１２４ｂは、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、隔壁層１２２に起因する凹凸を吸収するよう、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。有機絶縁層は、表示領域１０２ａ内に選択的に形成することが好ましい。すなわち有機絶縁層は、接続電極と重ならないように形成することが好ましい。第１有機絶縁層１２４ｂは、インクジェット法等の湿式成膜法によって形成することができる。このとき、表示領域１０２ａに選択的に塗布された第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂによって堰き止められ、その外側へ広がることがない。
【００７９】
次いで、第４無機絶縁層１２４ｃを形成する。第４無機絶縁層１２４ｃは、第３無機絶縁層１２４ａと同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第４無機絶縁層１２４ｃも、第１有機絶縁層１２４ｂのみならず、接続電極を覆うように形成することができる。これにより、第１有機絶縁層１２４ｂを第３無機絶縁層１２４ａと第４無機絶縁層１２４ｃとで封止することができる。
【００８０】
ここまでの工程によって、封止層１２４は、第２隔壁１２２ｂの内側において、第３無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第４無機絶縁層１２４ｃの３層構造を有する。そして、封止層１２４は、第２隔壁１２２ｂの外側において、第３無機絶縁層１２４ａ及び第４無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する。
【００８１】
次いで、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを用いて、保護層１２６を形成する方法について説明する。保護層１２６は、封止層１２４上に設けられる。保護層１２６は、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、表示領域１０２ａ内に選択的に、第３無機絶縁層１２４ａ及び第４無機絶縁層１２４ｃが互いに接する領域を覆い、且つ接続端子１３０と重ならないように形成することが好ましい。保護層１２６は、封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂと同様の材料を含むことができ、これと同様の方法で形成することができる。
【００８２】
次いで、図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを用いて、これまでの工程によって封止層１２４に覆われている複数の接続端子１３０を露出させる方法について説明する。ここでは、保護層１２６をマスクとして、封止層１２４をエッチングして複数の接続端子１３０を露出させる。ここで、保護層１２６に露出された封止層１２４の領域は、第３無機絶縁層１２４ａ及び第４無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する領域である。
【００８３】
次いで、図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃを用いて、貫通孔１１０ｃを形成する方法について説明する。貫通孔１１０ｃは、複数の表示装置１００を形成するために規定された複数の領域の各々において、少なくとも絶縁層１１０を貫通し、平面視において回路１０６を囲むように形成する。本実施形態においては、貫通孔１１０ｃは表示装置１００の端部に沿って、回路１０６を囲む周状に形成される。
【００８４】
貫通孔１１０ｃは、エネルギー照射によって形成することができる。エネルギー照射としては、レーザ照射を用いることができる。レーザの種類としては、固体レーザ、気体レーザ又は液体レーザ等を用いることができる。好ましくは固体レーザを用いることができ、更に好ましくはＹＡＧレーザ等を用いることができる。ＹＡＧレーザとしては、特に、第３高調波を用いることが好ましい。ここで、貫通孔１１０ｃの形成に伴い、基板１０２の一部が切削される場合がある。本実施形態においては、基板１０２の、貫通孔１１０ｃに重畳する領域に有底孔１１１が形成されている。
【００８５】
次いで、図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃを用いて、複数の表示装置１００に分断する方法について説明する。分断線１０２ｄに沿って複数の表示装置１００に分断する。基板１０２の分断は、ブレードダイシングのような機械的加工や、レーザアブレーションのような光学的加工を用いることができる。
【００８６】
ここで、ブレードダイシングのような機械的加工によって基板１０２を分断する場合、分断線１０２ｄの近傍において、例えば、無機材料を含む絶縁層１１０にクラック等の欠陥が生じやすい。前述のように、当該欠陥が成長し、例えば表示領域１０２ａに到達すると、それに起因して回路１０６が破壊されることが懸念される。また、それが水分の侵入経路になり、表示装置１００の外部から表示領域１０２ａに到達した水分が発光層１１８を劣化させることが懸念される。
【００８７】
本実施形態に係る表示装置１００は、前述のような貫通孔１１０ｃを設けることによって、表示装置１００の端部近傍に生じたクラック等の欠陥が、貫通孔１１０ｃの内側へ成長することを防止することができる。これによって、回路１０６が破壊されたり、水分によって発光素子１１４が劣化したりすることを防止することができる。これによって、表示装置１００の製造歩留まり及び信頼性が向上する。
【００８８】
次いで、ＦＰＣ基板１３８等のコネクタを端子領域１０２ｃにおいて異方性導電膜１３６等を用いて接続することで、図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃに示す表示装置１００を形成することができる。
【００８９】
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法においては、封止層１２４をエッチングして複数の接続端子１３０を露出させた後、且つ基板１０２を分断する前に貫通孔１１０ｃを形成する態様を示した。しかし、貫通孔１１０ｃを形成する段階はこれに限られるものではない。例えば、封止層１２４を形成する工程の前に貫通孔１１０ｃを形成してもよい。また、後述する他の実施形態においても説明するが、ＦＰＣ基板１３８等を端子領域１０２ｃに接続した後に貫通孔１１０ｃを形成してもよい。
【００９０】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、製造工程において封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。
【００９１】
＜第２実施形態＞
図９は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する上面図である。表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、貫通孔１１０ｃのレイアウトが異なっている。本実施形態においては、貫通孔１１０ｃは、矩形状の表示装置２００において、その３辺に沿って設けられている。つまり、端子領域１０２ｃが設けられる１辺には、貫通孔１１０ｃが設けられていない。
【００９２】
第１実施形態に係る表示装置１００の製造方法の説明においては、貫通孔１１０ｃを形成した後にＦＰＣ基板１３８等を端子領域１０２ｃに接続する態様を示した。そのため、表示装置１００においては、貫通孔１１０ｃは、画素回路１０６ａ、周辺回路１０６ｂ、複数の接続端子１３０及び接続配線を囲む周状に設けることが可能である。
【００９３】
一方、本実施形態のように、ＦＰＣ基板１３８等を端子領域１０２ｃに接続した後に、貫通孔１１０ｃを形成してもよい。この貫通孔１１０ｃを形成する際は、端子領域１０２ｃから延びる接続配線を切断しないように前述の３辺のみに沿って形成する。
【００９４】
また、本実施形態のように表示装置２００の３辺に沿って貫通孔１１０ｃを形成する態様に限られない。例えば、ＦＰＣ基板１３８等を端子領域１０２ｃに接続し、表示装置２００の検査段階において表示装置２００の端部近傍にクラック等の欠陥が検出された際に貫通孔１１０ｃを形成してもよい。つまり、当該欠陥の周囲に貫通孔１１０ｃを形成してもよい。この場合の貫通孔１１０ｃは、当該欠陥を囲むように周状に形成してもよい。また、表示装置２００の端部と貫通孔１１０ｃとが、当該欠陥を囲むように形成してもよい。これによって、検出された欠陥を起点としてクラック等が成長し、表示領域１０２ａに侵入することを防止することができる。
【００９５】
＜第３実施形態＞
図１０は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する断面図である。表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、封止層１２４の構成が異なっている。本実施形態においては、封止層１２４の端部は、周状の貫通孔１１０ｃの内側に配置されている。これによって、貫通孔１１０ｃは、無機絶縁層１２２ｄ、第２無機絶縁層１１０ｂ、ゲート絶縁層１０８ｂ及び第１無機絶縁層１１０ａを貫通する。つまり、貫通孔１１０ｃは、封止層１２４の第４無機絶縁層１２４ｃ及び第３無機絶縁層１２４ａが積層された部分は貫通しない。これによって、第１実施形態に比べ、製造工程において貫通孔１１０ｃを形成するためのレーザの強度を低く抑えることができ、製造コストを抑えることができる。
【００９６】
＜第４実施形態＞
図１１は、本実施形態に係る表示装置４００の構成を説明する断面図である。表示装置４００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比べると、封止層１２４の構成が異なっている。本実施形態においては、封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂは、端部が貫通孔１１０ｃの外側に配置されている。これに伴い、表示装置４００の周縁に形成される貫通孔１１０ｃは、第４無機絶縁層１２４ｃ、第１有機絶縁層１２４ｂ、第３無機絶縁層１２４ａ、無機絶縁層１２２ｄ、第２無機絶縁層１１０ｂ、ゲート絶縁層１０８ｂ及び第１無機絶縁層１１０ａを貫通している。これによって、製造工程において、貫通孔１１０ｃを形成する際に、無機絶縁層１２２ｄから下層の各層が封止層１２４によって保護された状態でレーザが照射される。これによって、無機絶縁層１２２ｄから下層において、レーザ照射によって懸念される無機材料の飛散やピーリングの発生を抑えることができ、ひいてはこれらに起因して回路層１０４の絶縁層１１０に欠陥が生じることを抑えることができる。これによって、製造歩留まりが向上し、信頼性の向上した表示装置４００を提供することができる。
【００９７】
＜第５実施形態＞
図１２は、本実施形態に係る表示装置５００の構成を説明する断面図である。表示装置５００は、第４実施形態に係る表示装置４００と比べると、保護層１２６の構成が異なっている。本実施形態においては、保護層１２６は、端部が周状の貫通孔１１０ｃの外側に配置されている。これに伴い、表示装置５００の周縁に形成される貫通孔１１０ｃは、第４無機絶縁層１２４ｃ、第１有機絶縁層１２４ｂ、第３無機絶縁層１２４ａ、無機絶縁層１２２ｄ、第２無機絶縁層１１０ｂ、ゲート絶縁層１０８ｂ及び第１無機絶縁層１１０ａに加え、保護層１２６を更に貫通している。これによって、第４実施形態と同様に、製造工程において貫通孔１１０ｃを形成する際に、無機絶縁層１２２ｄから下層の各層が封止層１２４によって保護された状態でレーザが照射される。これによって、無機絶縁層１２２ｄから下層において、無機材料の飛散やレーザ照射によって懸念されるピーリングの発生を抑えることができ、ひいてはこれらに起因して回路層１０４の絶縁層１１０に欠陥が生じることを抑えることができる。更に、第４無機絶縁層１２４ｃが保護層１２６によって保護された状態でレーザが照射される。これによって、レーザ照射の際に、第４無機絶縁層１２４ｃの無機材料が飛散することを抑制することができ、ひいてはそれが起点となって回路層１０４に欠陥が生じることを抑制することができる。これによって、製造歩留まりが向上し、信頼性の向上した表示装置５００を提供することができる。
【００９８】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９９】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１００】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１０１】
１００、２００、３００、４００、５００・・・表示装置、１０２・・・基板、１０２ａ・・・表示領域、１０２ｂ・・・周辺領域、１０２ｃ・・・端子領域、１０２ｄ・・・分断線、１０４・・・回路層、１０６・・・回路、１０６ａ・・・画素回路、１０６ｂ・・・周辺回路、１０８・・・トランジスタ、１０８ａ・・・半導体層、１０８ｂ・・・ゲート絶縁層、１０８ｃ・・・ゲート電極、１０８ｄ・・・ソース・ドレイン電極、１０８ｅ・・・端子配線、１１０・・・絶縁層、１１０ａ・・・第１無機絶縁層、１１０ｂ・・・第２無機絶縁層、１１０ｃ・・・貫通孔、１１１・・・有底孔、１１２・・・画素、１１４・・・発光素子、１１６・・・第１電極、１１８・・・発光層、１２０・・・第２電極、１２２・・・隔壁層、１２２ａ・・・第１隔壁、１２２ｂ・・・第２隔壁、１２２ｃ・・・平坦化絶縁層、１２２ｄ・・・無機絶縁層、１２４・・・封止層、１２４ａ・・・第３無機絶縁層、１２４ｂ・・・第１有機絶縁層、１２４ｃ・・・第４無機絶縁層、１２６・・・保護層、１３０・・・接続端子、１３６・・・異方性導電膜、１３８・・・フレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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