(57)【要約】【課題】電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合する。【解決手段】電子部品１２が実装される基板１０と基板１０が実装されるヒートシンク２０との間を所定の間隔に規制する突起部２２を備え、基板１０とヒートシンク２０との間には、半田３０で接合された部分と、突起部２２のみで接続された部分とが設けられている。【選択図】図１
2018129466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される基板と前記基板が実装されるヒートシンクとの間を所定の間隔に規制する間隔規制部を備え、前記基板と前記ヒートシンクとの間には、半田で接合された部分と、前記間隔規制部のみで接続された部分とが設けられたことを特徴とする基板放熱構造物。
【請求項２】
前記間隔規制部は、前記基板が実装される前記ヒートシンクの基板実装面上に突設され、且つ前記基板及び前記ヒートシンクを半田で接合する部分を取り囲むように前記ヒートシンクの複数個所に設けられ、前記基板の前記電子部品が実装される面とは反対側の裏面に対してそれぞれ当接されたことを特徴とする請求項１に記載の基板放熱構造物。
【請求項３】
電子部品が実装された基板とヒートシンクとが所定の間隔を隔てて積層され、前記基板と前記ヒートシンクとがその一部にて半田を介して接合されてなる基板放熱構造物であって、
前記所定の間隔と同一の高さを具備し、前記基板と前記ヒートシンクとの間の前記半田が介在しない複数の領域に設けられた間隔規制部を有し、
前記基板と前記ヒートシンクとは、前記間隔規制部が設けられた領域では、前記間隔規制部のみを介して接続されている基板放熱構造物。
【請求項４】
前記間隔規制部は、前記複数の領域にわたって連続して構成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板放熱構造物。
【請求項５】
前記間隔規制部は、前記基板と前記ヒートシンクとのうち外形が小さな方の周縁部に沿う領域に配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の基板放熱構造物。
【請求項６】
前記間隔規制部は、前記ヒートシンクに一体化していることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の基板放熱構造物。
【請求項７】
前記間隔規制部は、前記基板に一体化していることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の基板放熱構造物。
【請求項８】
前記ヒートシンクの前記基板との積層面のうち、前記半田が介在する領域の周囲に前記半田の流動を制限する土手部が設けられていることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の基板放熱構造物。
【請求項９】
前記土手部が、前記間隔規制部を兼ねていることを特徴とする請求項８に記載の基板放熱構造物。
【請求項１０】
電子部品が実装される基板とヒートシンクとがその一部にて半田を介して接合された基板放熱構造物の製造方法であって、
前記ヒートシンクは、前記基板との間で前記半田を介在させない複数の領域に、前記基板と前記ヒートシンクとを所定の間隔で隔てて積層するために前記所定の間隔と同一の高さを具備する複数の間隔規制部を有し、
前記ヒートシンクのうち前記基板が実装される基板実装面であって且つ前記複数の領域以外の部分に、前記所定の間隔以上の厚さの半田膜を形成する工程と、
前記ヒートシンクの前記半田膜上に前記基板を積層して前記基板に対して前記間隔規制部を当接させる工程と、を有することを特徴とする基板放熱構造物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通電により発熱する電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクを介して放散する基板放熱構造物及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の回路形成技術の進歩により、基板上における回路素子の高集積化が実現されている。このように基板上に搭載される回路素子においては、大きな電力を必要とするものも多く採用されており、特にそのように大きな電力を必要とするもの等においては、電力の消費に伴う熱をいかに放散させるかが重要な要素となる。
【０００３】
基板の熱を効率よく放散させるためには、基板にヒートシンクを接合し、このヒートシンクを介して熱を放散させることが一般的に行われている。その場合、基板とヒートシンクとを半田を介して接合させ、基板の熱を半田接合でヒートシンクに伝達する技術が考えられており、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１２２８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板とヒートシンクとを半田接合させ、基板の熱を半田接合でヒートシンクに伝達するものにおいては、半田が流動性を有するものであるため、基板とヒートシンクとの間隔が一定とならなかったり、基板の表面の平行度を確保できなかったりするというように、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合することができなくなる虞がある。
【０００６】
本発明は、電子部品が搭載された基板の熱をヒートシンクにより放散する構成において、基板とヒートシンクとがその積層方向において精度良く接合された基板放熱構造物及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、電子部品が実装される基板と前記基板が実装されるヒートシンクとの間を所定の間隔に規制する間隔規制部を備え、前記基板と前記ヒートシンクとの間には、半田で接合された部分と、前記間隔規制部のみで接続された部分とが設けられたことを特徴とする基板放熱構造物にある。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板の熱をヒートシンクで放熱する機能を持たせつつ、基板をヒートシンクに対して高精度に実装された基板放熱構造物を実現できる。例えば、基板とヒートシンクとの間の複数の領域に、基板とヒートシンクとの積層間隔と同一の高さを具備する間隔規制部が配置され、間隔規制部が設けられた領域では、基板とヒートシンクとが間隔規制部のみを介して接合されているので、この間隔規制部材によって、基板とヒートシンクとの間隔や、基板の表面の平行度が確保されることとなり、基板とヒートシンクとをその積層方向において精度良く接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の基板放熱構造物の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
【図２】図１に示した基板放熱構造物の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示した基板放熱構造物においてヒートシンクが複数の突起部を有することによる効果を説明するための図である。
【図４】本発明の基板放熱構造物の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
【図５】本発明の基板放熱構造物の第３の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
【図６】本発明の基板放熱構造物の第４の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンクの基板との積層面の構成を示す図である。
【図７】本発明の基板放熱構造物の第５の実施の形態を示す図であり、（ａ）はヒートシンクの基板との積層途中の状態を示す図であり、（ｂ）はヒートシンクの基板との積層後の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の基板放熱構造物の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンク２０の基板１０との積層面の構成を示す図である。
【００１２】
本形態は図１に示すように、基板１０の裏面１３に一定の間隔を隔ててヒートシンク２０が積層、接合されてなる基板放熱構造物１である。
【００１３】
基板１０は、例えば長方形を具備する銅等の金属基板等であり、一方の面に電子部品１２が実装されるとともにこれに接続された配線（不図示）が形成されている。また、基板１０には、ヒートシンク２０と接合される際にヒートシンク２０との位置決めを行うための位置決め孔１１が形成されている。なお、基板１０としてシリコン基板を用いる場合には、基板１０の裏面１３には、銅箔等の金属膜が形成される。
【００１４】
ヒートシンク２０は、ジルコニウム銅等の金属からなり、一方の面に間隔規制部となる複数の突起部２２が円柱状に突出して設けられている。突起部２２は、ヒートシンク２０の周縁部に沿う領域において、四隅に１つずつと四隅の中間点に１つずつの８つの領域に設けられている。また、ヒートシンク２０においても、基板１０と同様に、基板１０と接合される際に基板１０との位置決めを行うための位置決め孔２１が形成されている。これにより、基板１０とヒートシンク２０との間には、半田材３０によって半田接合された部分（半田接合部）と、突起部２２のみで基板１０とヒートシンク２０とが接続された部分（間隔保持部）とが形成される。
【００１５】
上記のように構成された基板１０とヒートシンク２０とが、基板１０の電子部品１２が実装された面とは反対側の面と、ヒートシンク２０の突起部２２が設けられた面とが積層面となって積層され、ヒートシンク２０の突起部２２が設けられた面のうち突起部２２が設けられていない領域に塗布された半田材３０によって互いに接合されている。その際、半田材３０が介在しない領域においては、基板１０のヒートシンク２０との積層面と突起部２２の上面２２ａとが当接することで、基板１０とヒートシンク２０とが、突起部２２のみを介して接続されている。
【００１６】
上記のように構成された基板放熱構造物１においては、電子部品１２等が熱源となって基板１０にて発生した熱が、半田材３０及び突起部２２を介してヒートシンク２０に伝達され、それにより、基板１０の熱が放散されることになる。また、位置決め孔１１や基板１０の周辺に部品が取り付けられている場合においても、その部品にて発生した熱がヒートシンク２０に伝達され、部品における熱が放散されることになる。
【００１７】
以下に、上記のように構成された基板放熱構造物１の製造方法について説明する。
【００１８】
図２は、図１に示した基板放熱構造物１の製造方法を説明するための図である。
【００１９】
図１に示した基板放熱構造物１を製造する場合は、まず、図２（ａ）に示すように、位置決め柱４１を有する治具４０上に、突起部２２が設けられた面とは反対側の面が搭載面となるようにしてヒートシンク２０を搭載する。その際、ヒートシンク２０の位置決め孔２１に治具４０の位置決め柱４１を貫入させることで、治具４０に対するヒートシンク２０の位置決めを行うことができる。
【００２０】
このように治具４０上にヒートシンク２０を搭載、固定した状態で、ヒートシンク２０の基板１０との積層面に半田材（クリーム半田等）３０を塗布することで半田材からなる半田膜を形成し、この半田膜（半田層）を介してヒートシンク２０と基板１０とを接合する、いわゆるリフロー工程を行う。まず、図２（ｂ）に示すように、ヒートシンク２０の突起部２２を含む一部の領域上にマスク５０を施す。このマスク５０は、後述するように、半田材の塗布領域を規制するものであるが、突起部２２に合わせてマスク５０の位置合わせを行うことで、ヒートシンク２０の基板１０との積層面において半田材が塗布されてはいけない領域をマスク５０で確実に覆うことができる。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ヒートシンク２０のマスク３０が施された面に半田材３０を塗布する。この際、半田材３０は、少なくともマスク５０の厚さ分、すなわち突起部２２の高さ以上の厚さの半田膜が形成されるように塗布することが必要である。
【００２２】
次に、図２（ｄ）に示すように、マスク５０をヒートシンク２０上から取り除く。その際、半田材３０がマスク５０上に塗布されていたとしても、半田材３０のうちマスク５０上に塗布されていた部分はマスク５０とともに取り除かれることになる。
【００２３】
次に、図２（ｅ）に示すように、半田材３０が塗布されたヒートシンク２０上に基板１を搭載、積層する。その際、基板１０の位置決め孔１１に治具４０の位置決め柱４１を貫入させることで、治具４０及びヒートシンク２０に対する基板１０の位置決めを行うことができる。また、半田材３０は突起部２２の高さ以上の厚さで塗布されているため、基板１０をヒートシンク２０上に載置しただけでは、基板１０のヒートシンク２０との積層面と突起部２２の上面（基板１０の裏面１３と平行な平坦面）とは当接しない。
【００２４】
次に、図２（ｆ）に示すように、基板１０をヒートシンク２０側に向かって押圧する。すると、半田材３０が基板１０とヒートシンク２０との間で面方向に広がって、基板１０とヒートシンク２０との間隔が狭まっていき、基板１０のヒートシンク２０との積層面と突起部２２の上面とが当接した状態、すなわち、基板１０とヒートシンク２０との間に間隔保持部が形成された状態で、基板１０がヒートシンク２０に対して所定の間隔を隔てて実装される。半田材３０は、あらかじめ突起部２２の高さ以上の厚さで塗布されているため、基板１０がヒートシンク２０に対して所定の間隔を隔てて実装されると、半田材３０が塗布された領域においては、半田材３０が面方向に広がって半田接合部となる領域が拡大され、基板１０とヒートシンク２０とが半田材３０を介して仮接合される。その後、このように基板１０とヒートシンク２０とが半田材３０で仮接合された状態で、半田材３０が溶融する温度に加熱することにより、基板１０とヒートシンク２０とを半田接合することで、基板１０とヒートシンク２０との間に間隔保持部と半田接合部とを形成する。なお、加熱して半田材３０を溶融させながら基板１０をヒートシンク２０側に押圧して間隔保持部と半田接合部とを形成するようにしてもよい。
【００２５】
その後、基板１０のヒートシンク２０との積層面とは反対側の面に、印刷等のよって配線を形成するとともに、電子部品１２を搭載する。
【００２６】
そして、半田材３０が固化することで基板１０とヒートシンク２０とが半田接合された後、基板１０とヒートシンク２０とを治具４０から取り外し、図１に示した基板放熱構造物１が完成する。
【００２７】
以下に、上述した基板放熱構造物１においてヒートシンク２０が複数の突起部２２を有することによる効果について説明する。
【００２８】
図３は、図１に示した基板放熱構造物１においてヒートシンク２０が複数の突起部２２を有することによる効果を説明するための図であり、突起部２２が設けられた一部の領域の断面を示す。
【００２９】
図１に示した基板放熱構造物１は、上述したように、ヒートシンク２０の基板１０との積層面においてその周縁部の８箇所に突起部２２が配置され、突起部２２が配置された領域では、基板１０とヒートシンク２０とが、基板１０のヒートシンク２０との積層面と突起部２２の上面とが当接することで、突起部２２のみを介して接合されている。
【００３０】
それにより、図３に示すように、基板１０とヒートシンク２０とは、突起部２２の高さと同一の間隔ｄで積層、保持されることとなる。そのため、突起部２２の高さを、基板１０とヒートシンク２０との間にて予め決められた所定の間隔ｄと同一の高さに設定することで、基板１０とヒートシンク２０との間隔をその所定の間隔ｄに一定とすることができる。また、突起部２２がヒートシンク２０の周縁部の８箇所に配置されているため、ヒートシンク２０に対して基板１０が傾いてしまうことがなくなり、基板１０の表面の平行度が、ヒートシンク２０の突起部２２が設けられた面を基準として確保され、基板１０とヒートシンク２０との間隔及び平行度が高精度に製作できる。これにより、ヒートシンク２０側を電子機器等の被取付対象物に装着することで、被取付対象物と基板１０との相対的な位置決めを、ヒートシンク２０を介して高精度に行うことが可能である。
【００３１】
なお、本形態においては、突起部２２が、ヒートシンク２０の基板１０との積層面においてヒートシンク２０の周縁部に沿う８つの領域に配置されているが、突起部２２は、上述したように、基板１０とヒートシンク２０との間隔をその所定の間隔に一定とするとともに、ヒートシンク２０に対して基板１０が傾いてしまうことを回避できるものであれば、ヒートシンク２０の周縁部に配置されていなくてもよいし、その数も複数であれば８つに限らない。ただし、突起部２２が３箇所以上に配置され、その３箇所の点によって囲まれた領域に、ヒートシンク２０の中心が含まれるようなものであれば、リフロー工程にて基板１０を押圧する際に、押圧領域を精細に特定することなく、基板１０が傾いてしまうことを未然に回避できる。また、突起部２２がヒートシンク２０の周縁部に沿う領域に配置されているものにおいても、突起部２２がヒートシンク２０の周縁部以外の領域のみに配置されているものと比べて、リフロー工程にて基板１０を押圧する際における押圧領域の特定に精細さは要求されにくい。なお、基板１０とヒートシンク２０の外形が異なる場合は、基板１０とヒートシンク２０とのうち外形が小さな方の周縁部に沿う領域に突起部２２が配置されていることで、上記効果を得ることができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の基板放熱構造物の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンク１２０の基板１０との積層面の構成を示す図である。
【００３３】
本形態は図４に示すように、図１に示したものに対して、ヒートシンク１２０の基板１０との積層面に土手部１２３が設けられている点が異なる基板放熱構造物１０１である。土手部１２３は、その高さが突起部２２よりも低く、位置決め孔２１を取り囲むように設けられている。
【００３４】
上記のように構成された基板放熱構造物１０１においては、リフロー工程にて基板１０を押圧する際に、溶融した半田材３０が位置決め孔１１に入り込んでしまうことを回避することができる。すなわち、本形態における土手部１２３は、ヒートシンク１２０の基板１０との積層面のうち、半田材３０が介在する領域の周囲に半田材３０の流動を制限するために設けられている。
【００３５】
本形態における基板放熱構造物１０１は、特に、位置決め孔１１に部品が取り付けられるものにおいては、溶融した半田材３０が位置決め孔１１等に入り込んでしまうことにより、その後、部品が取り付けられなくなったり、位置決め孔１１に入り込んだ半田材３０によって電気的短絡が生じたりすることが未然に回避できる。
【００３６】
（第３の実施の形態）
図５は、本発明の基板放熱構造物の第３の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンク２２０の基板１０との積層面の構成を示す図である。
【００３７】
本形態は図５に示すように、図４に示したものに対して、土手部２２３と突起部２２２の構成が異なる基板放熱構造物２０１である。本形態の基板放熱構造物２０１においては、土手部２２３の高さが突起部２２２と同じ高さとなっており、また、突起部２２２がヒートシンク２２０の周縁部に沿って土手状に連続している。すなわち、本形態の基板放熱構造物２０１においては、突起部が複数の領域にわたって連続して構成された形状となっている。
【００３８】
上記のように構成された基板放熱構造物２０１においては、土手部２２３の高さが突起部２２と同じ高さとなっていることで、土手部２２３が間隔規制部材を兼ねることができる。
【００３９】
（第４の実施の形態）
図６は、本発明の基板放熱構造物の第４の実施の形態を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はヒートシンク３２０の基板１０との積層面の構成を示す図である。
【００４０】
本形態は図６に示すように、図１に示したものに対して、突起部３２２の形状が異なる基板放熱構造物３０１である。本形態の基板放熱構造物３０１における突起部３２２は、ヒートシンク３２０側を底面とした円錐台の形状を有している。
【００４１】
上記のように構成された基板放熱構造物３０１においては、リフロー工程にて基板１０を押圧し、基板１０が突起部３２２の上面と当接した際、突起部３２２が円錐台の形状を有するものであることで、押圧力に対する突起部３２２の耐性が強くなり、強い力で基板１０が押圧された場合でも突起部３２２が破損してしまうことが回避される。
【００４２】
なお、上述した４つの実施の形態においては、間隔規制部材として、ヒートシンク２０，１２０，２２０，３２０の基板１０との積層面に、ヒートシンク２０，１２０，２２０，３２０と一体化して設けられた突起部２２，２２２，３２２を例に挙げて説明したが、間隔規制部として、基板１０のヒートシンク２０との積層面に基板１０と一体化した突起部を設けてもよい。ただし、ヒートシンク２０の基板１０との積層面を基準として基板１０の表面の平行度を確保するためには、間隔規制部はヒートシンクに一体化して設けられていることが好ましい。また、間隔規制部は、基板１０とヒートシンク２０との間隔を調整しつつ平行度を保てればよいので、基板１０及びヒートシンク２０と別体の構成でもよい。
【００４３】
また、基板１０とヒートシンク２０，１２０，２２０，３２０とは、同一の材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。
【００４４】
（第５の実施の形態）
図７は、本発明の基板放熱構造物の第５の実施の形態を示す図であり、（ａ）はヒートシンク４２０の基板４１０との積層途中の状態を示す図であり、（ｂ）はヒートシンク４２０の基板４１０との積層後の状態を示す図である。
【００４５】
本形態は、図７に示すように、ヒートシンク４２０の基板実装面上には、突起部４２２が設けられ、この突起部４２２上には、基板４１０が有する貫通孔４１３に挿通されて基板４１０とヒートシンク４２０との相対位置を決定するための位置決め凸部４２３が設けられている。このような構成によれば、ヒートシンク４２０の突起部４２２を指標にしてヒートシンク４２０と基板４１０との位置決めを行うことができ、更に、位置決め後に基板４１０をヒートシンク４２０側に押圧することにより、突起部４２２のうち位置決め凸部４２３を取り囲むように設けられた当接面４２４を基板４１０の裏面に当接させることにより、基板４１０とヒートシンク４２０との間隔を所定の間隔ｄに規制することが可能となる。したがって、ヒートシンク４２０自体の位置決めと、ヒートシンク４２０に対する基板４１０の位置決めとを切り分けることができるため、例えば、基板４１０の配線レイアウトなどの自由度を向上でき、また電子部品等の実装スペースを十分に確保できる。
【００４６】
具体的には、図７（ａ）に示すように基板４１０とヒートシンク４２０との間に半田材３０を押し込んで、図７（ｂ）に示すように基板４１０の裏面を当接面４２４に当接させることにより、基板４１０がヒートシンク４２０に対して所定の間隔ｄで位置決めされる。このような基板４１０がヒートシンク４２０に実装された組立体を、半田材３０が溶融する温度に加熱し、その後に冷却することにより、所定の間隔ｄで組み立てられた基板４１０とヒートシンク４２０とが半田接合される。
【００４７】
なお、本形態においては、基板４１０が有する貫通孔４１３を基板４１０の表裏におけるスルーホールとし、ヒートシンク４２０の位置決め凸部４２３と電気的に導通させることにより、半田接合部分以外の放熱構造をそれぞれ設けてもよい。
【００４８】
（他の実施の形態）
以上、本発明を第１乃至第５の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上述した第１乃至第５の実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、カメラ等による画像認識技術により間隔規制部を位置決めマークとして使い、ヒートシンク上に半田材を塗布するときに、ヒートシンクとマスクとの相対的な位置決めを行うようにしてもよい。これにより、余分な位置決めの構造を持たなくて良くなるので、高精度にヒートシンク上の所定位置に半田材を塗布することが可能となる。
【００４９】
また、上述した各実施の形態では、基板とヒートシンクとの接合においてヒートシンクの上面に半田をパターニングして半田接合するようにしたが、本発明は勿論これに限定されず、例えば、基板のうちヒートシンクとの接合が行われる裏面上に半田をパターニングして半田接合してもよい。
【００５０】
さらに、本発明は、例えば、基板上に対して電子部品を半田接合で実装するときに使う半田材と、基板及びヒートシンクの間で半田接合する場合に使う半田材を用いるときには、それぞれを同一の半田材としてもよいし、異なる種類の半田材を用いてもよいが、リフロー工程を効率良く行うためには、基板及びヒートシンク間で使う半田材の融点の方を電子部品実装用の半田材の融点よりも相対的に低い低融点材料を用いるのが好ましい。これにより、リフロー工程にて半田接合のために同一の雰囲気下で加熱を行ったときに、基板及びヒートシンク間で使う半田材の方を早く溶融させることができる。すなわち、１回のリフロー工程で、基板上に対する電子部品の半田接合と、基板及びヒートシンクの間で行う半田接合とを効率良く実施することができる。また、リフロー工程における熱処理の回数が少なくて済むため、電子部品又は基板（あるいは基板上に設けられた配線）等への熱ストレスを抑えることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１，１０１，２０１，３０１    基板放熱構造物
１０，４１０    基板
１１，２１    位置決め孔
１２    電子部品
１３    裏面
２０，１２０，３２０，４２０    ヒートシンク
２２，２２２，３２２，４２２    突起部
２２ａ    上面
３０    半田材
４０    治具
４１    位置決め柱
５０    マスク
１２３，２２３    土手部
４１３    貫通孔
４２３    位置決め凸部
４２４    当接面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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