(57)【要約】【課題】容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーを提供する。【解決手段】基板と、物理量に応じて支持軸まわりに変位する可動体と、前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第１固定電極と、前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第２固定電極と、前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なっておらず、前記第１固定電極または前記第２固定電極と電気的に接続された第３固定電極と、前記基板に固定され、前記第３固定電極と隣り合って設けられ、前記可動体と同電位である第１ダミー電極と、を含む、物理量センサー。【選択図】図１
2018163118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
物理量に応じて支持軸まわりに変位する可動体と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第１固定電極と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第２固定電極と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なっておらず、前記第１固定電極または前記第２固定電極と電気的に接続された第３固定電極と、
前記基板に固定され、前記第３固定電極と隣り合って設けられ、前記可動体と同電位である第１ダミー電極と、
を含む、物理量センサー。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向に沿うように長手方向を有している形状であり、
前記第１ダミー電極は、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられた第１部分と、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側に設けられた第２部分と、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向の一方側に設けられ、前記第１部分と前記第２部分とを接続する第３部分と、
を有する、物理量センサー。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記可動体は、
前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に位置する第１可動部と、
前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側に位置し、前記支持軸の延出方向と交差する方向の長さが前記第１可動部よりも短い第２可動部と、
を有し、
前記第１固定電極は、平面視において、前記第１可動部と重なり、
前記第２固定電極は、平面視において、前記第２可動部と重なっている、物理量センサー。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板に固定され、平面視において前記第１可動部と重なり、前記可動体と同電位である第２ダミー電極を含む、物理量センサー。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側に設けられ、
前記第２固定電極は、前記第１固定電極と前記第３固定電極との間に設けられ、
前記第１ダミー電極は、前記第２固定電極と前記第３固定電極との間に設けられている、物理量センサー。
【請求項６】
請求項４において、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられ、
前記第２ダミー電極は、前記第１固定電極と前記第３固定電極との間に設けられ、
前記第１ダミー電極と前記第２ダミー電極とは、接続されている、物理量センサー。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記可動体と同電位である第３ダミー電極を含み、
前記第３ダミー電極は、前記第１固定電極と前記第２固定電極との間に設けられている、物理量センサー。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記可動体は、２つ設けられ、
２つの前記可動体は、前記支持軸の延出方向と交差する方向に沿うように並んでいる、物理量センサー。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記可動体は、２つ設けられ、
２つの前記可動体は、前記支持軸の延出方向に沿うように並んでいる、物理量センサー。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて、加速度等の物理量を検出する物理量センサーが開発されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、第１固定電極および第２固定電極と、可動体と、可動体と電気的に接続された第１パッドと、第２固定電極と電気的に接続された第２パッドと、第１固定電極と電気的に接続された第３パッドと、を含み、第１パッドおよび第２パッドを用いて検出した第１静電容量、および第１パッドおよび第３パッドを用いて検出した第２静電容量に基づいて、加速度を検出する物理量センサーが記載されている。さらに、引用文献１には、スティキングの発生を防止するとともに、容量オフセットを小さくするために、ダミー電極を設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−４４９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような物理量センサーでは、パッドと固定電極や可動体とを接続する配線、同一基板に設けられた他のセンサー（例えばジャイロセンサーや他軸方向の加速度を検出する加速度センサー）などの影響により、ダミー電極を設けるだけでは、容量オフセットを小さくできない場合がある。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の物理量センサーを含む電子機器を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の物理量センサーを含む移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
物理量に応じて支持軸まわりに変位する可動体と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第１固定電極と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられている第２固定電極と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なっておらず、前記第１固定電極または前記第２固定電極と電気的に接続された第３固定電極と、
前記基板に固定され、前記第３固定電極と隣り合って設けられ、前記可動体と同電位である第１ダミー電極と、
を含む。
【０００９】
このような物理量センサーでは、第３固定電極と第１ダミー電極とによって静電容量を形成することができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【００１０】
［適用例２］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向に沿うように長手方向を有している形状であり、
前記第１ダミー電極は、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられた第１部分と、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側に設けられた第２部分と、
前記第３固定電極の前記支持軸の延出方向の一方側に設けられ、前記第１部分と前記第２部分とを接続する第３部分と、
を有してもよい。
【００１１】
このような物理量センサーでは、例えば第１ダミー電極が第１部分しか有していない場合に比べて、第３固定電極と第１ダミー電極とによって形成される静電容量を大きくすることができる。
【００１２】
［適用例３］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動体は、
前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に位置する第１可動部と、
前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側に位置し、前記支持軸の延出方向と交差する方向の長さが前記第１可動部よりも短い第２可動部と、
を有し、
前記第１固定電極は、平面視において、前記第１可動部と重なり、
前記第２固定電極は、平面視において、前記第２可動部と重なっていてもよい。
【００１３】
このような物理量センサーでは、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１可動部の回転モーメントと、第２可動部の回転モーメントと、を均衡させないことができる。したがって、このような物理量センサーでは、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体に所定の傾きを生じさせることができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板に固定され、平面視において前記第１可動部と重なり、前記可動体と同電位である第２ダミー電極を含んでもよい。
【００１５】
このような物理量センサーでは、可動体が基板に張り付いてしまうことを抑制することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向と交差する方向の他方側
に設けられ、
前記第２固定電極は、前記第１固定電極と前記第３固定電極との間に設けられ、
前記第１ダミー電極は、前記第２固定電極と前記第３固定電極との間に設けられていてもよい。
【００１７】
このような物理量センサーでは、第２固定電極と第１ダミー電極とによって静電容量を形成することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第３固定電極は、平面視において、前記支持軸の延出方向と交差する方向の一方側に設けられ、
前記第２ダミー電極は、前記第１固定電極と前記第３固定電極との間に設けられ、
前記第１ダミー電極と前記第２ダミー電極とは、接続されていてもよい。
【００１９】
このような物理量センサーでは、第３固定電極と第１ダミー電極とによって静電容量を形成することができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なり、前記可動体と同電位である第３ダミー電極を含み、
前記第３ダミー電極は、前記第１固定電極と前記第２固定電極との間に設けられていてもよい。
【００２１】
このような物理量センサーでは、より確実に、可動体が基板に張り付いてしまうことを抑制することができる。
【００２２】
［適用例８］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動体は、２つ設けられ、
２つの前記可動体は、前記支持軸の延出方向と交差する方向に沿うように並んでいてもよい。
【００２３】
このような物理量センサーでは、鉛直方向の成分および他軸方向の成分を有する加速度が印加されたとしても、差動検出により他軸方向の成分をキャンセルすることができる。したがって、このような物理量センサーでは、鉛直方向の加速度を、正確に検出することができる。
【００２４】
［適用例９］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動体は、２つ設けられ、
２つの前記可動体は、前記支持軸の延出方向に沿うように並んでいてもよい。
【００２５】
このような物理量センサーでは、鉛直方向の成分および他軸方向の成分を有する加速度が印加されたとしても、差動検出により他軸方向の成分をキャンセルすることができる。したがって、このような物理量センサーでは、鉛直方向の加速度を、正確に検出することができる。
【００２６】
［適用例１０］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
【００２７】
このような電子機器は、本適用例に係る物理量センサーを含むことができる。
【００２８】
［適用例１１］
本適用例に係る移動体は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
【００２９】
このような移動体は、本適用例に係る物理量センサーを含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図６】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図７】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するためのフローチャート。
【図８】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１２】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１４】第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１５】第２実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１６】第２実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１７】第３実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１８】第３実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図１９】第３実施形態の第２変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２０】第４実施形態に係る電子機器の機能ブロック図。
【図２１】第４実施形態に係る電子機器の一例であるスマートフォンの外観を模式的に示す図。
【図２２】第４実施形態に係る電子機器の一例であるウェアラブル機器の外観を模式的に示す図。
【図２３】第５実施形態に係る移動体を模式的に示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３２】
１．  第１実施形態
１．１．  物理量センサー
まず、第１実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図であ
る。図３は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＶ−ＩＶ線断面図である。なお、図１〜図４では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【００３３】
物理量センサー１００は、図１〜図４に示すように、基板１０と、可動体２０と、第１連結部３０と、第２連結部３２と、支持部４０と、第１固定電極５０と、第２固定電極５２と、第３固定電極５４と、第１ダミー電極６０と、第２ダミー電極６２と、第３ダミー電極６４と、第１配線７０と、第２配線７２と、第３配線７４と、第４配線７６と、第１パッド８０と、第２パッド８２、第３パッド８４と、蓋体９０と、を含む。なお、便宜上、図１では、蓋体９０を透視して図示している。また、図３，４では、蓋体９０の図示を省略している。
【００３４】
以下では、物理量センサー１００が、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー）である例について説明する。
【００３５】
基板１０の材質は、例えば、ガラス等の絶縁材料である。例えば基板１０をガラス等の絶縁材料、可動体２０をシリコン等の半導体材料にすることにより、容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。
【００３６】
基板１０には、凹部１１が形成されている。凹部１１の上方には、間隙を介して、可動体２０および連結部３０，３２が設けられている。図１に示す例では、凹部１１の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、長方形である。
【００３７】
基板１０は、凹部１１の底面（凹部１１を規定する基板１０の面）１２に、ポスト部１３を有している。ポスト部１３は、底面１２よりも上方（＋Ｚ軸方向）に突出している。図３および図４に示すように、ポスト部１３の高さ（ポスト部１３の上面１４と底面１２との間の距離）と凹部１１の深さとは、例えば、等しい。ポスト部１３の上面１４は、支持部４０と接合されている。ポスト部１３の上面１４には、窪み部１５が形成されている。窪み部１５の底面（窪み部１５を規定するポスト部１３の面）１６には、第４配線７６が設けられている。
【００３８】
なお、図２〜図４に示す例では、凹部１１の側面（凹部１１を規定する基板１０の側面）およびポスト部１３の側面は、凹部１１の底面１２に対して傾斜しているが、底面１２に対して垂直であってもよい。
【００３９】
基板１０には、配線７０，７２，７４の各々が配置されている溝部１７，１８，１９が設けられている。
【００４０】
可動体２０は、物理量（例えば加速度）に応じて支持軸Ｑまわりに変位する。具体的には、可動体２０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わると、連結部３０，３２によって決定される支持軸Ｑを回転軸（揺動軸）としてシーソー揺動する。支持軸Ｑは、例えば、Ｙ軸と平行である。図１に示す例では、可動体２０の平面形状は、長方形である。可動体２０の厚さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、例えば、一定である。
【００４１】
可動体２０は、第１シーソー片（第１可動部）２０ａと、第２シーソー片（第２可動部）２０ｂと、を有している。第１シーソー片２０ａは、平面視において（Ｚ軸方向からみて）、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に位置している。第２シーソー片２０ｂは、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に位置している。
【００４２】
可動体２０に鉛直方向の加速度（例えば重力加速度）が加わった場合、第１シーソー片２０ａと第２シーソー片２０ｂとの各々に回転モーメント（力のモーメント）が生じる。ここで、第１シーソー片２０ａの回転モーメント（例えば反時計回りの回転モーメント）と第２シーソー片２０ｂの回転モーメント（例えば時計回りの回転モーメント）とが均衡した場合には、可動体２０の傾きに変化が生じず、加速度を検出することができない。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとが均衡せず、可動体２０に所定の傾きが生じるように、可動体２０が設計される。
【００４３】
物理量センサー１００では、支持軸Ｑを、可動体２０の中心（重心）から外れた位置に配置することによって（支持軸Ｑから各シーソー片２０ａ，２０ｂの先端までの距離を異ならせることによって）、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有している。すなわち、可動体２０は、支持軸Ｑを境にして、一方側（第１シーソー片２０ａ）と他方側（第２シーソー片２０ｂ）とで質量が異なる。図示の例では、支持軸Ｑから第１シーソー片２０ａの端面２３までの距離は、支持軸Ｑから第２シーソー片２０ｂの端面２４までの距離よりも大きい。すなわち、第２シーソー片２０ｂは、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向（例えば直交する方向（Ｘ軸方向））の長さが第１シーソー片２０ａよりも短い。また、第１シーソー片２０ａの厚さと、第２シーソー片２０ｂの厚さとは、等しい。したがって、第１シーソー片２０ａの質量は、第２シーソー片２０ｂの質量よりも大きい。
【００４４】
このように、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントと、を均衡させないことができる。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００４５】
なお、図示はしないが、支持軸Ｑを可動体２０の中心に配置し、かつ、シーソー片２０ａ，２０ｂの厚さを互いに異ならせることによって、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００４６】
可動体２０は、基板１０と離間して設けられている。可動体２０は、凹部１１の上方に設けられている。可動体２０と基板１０との間には、間隙が設けられている。可動体２０は、連結部３０，３２によって、支持部４０から離間して設けられている。これにより、可動体２０は、シーソー揺動することができる。
【００４７】
可動体２０は、支持軸Ｑを境にして設けられた第１可動電極２１および第２可動電極２２を有している。第１可動電極２１は、第１シーソー片２０ａに設けられている。第２可動電極２２は、第２シーソー片２０ｂに設けられている。
【００４８】
第１可動電極２１は、可動体２０のうち、平面視において第１固定電極５０と重なる部分である。第１可動電極２１は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ１を形成する。すなわち、第１可動電極２１と第１固定電極５０とによって静電容量Ｃ１が形成される。
【００４９】
第２可動電極２２は、可動体２０のうち、平面視において第２固定電極５２と重なる部分である。第２可動電極２２は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ２を形成する。すなわち、第２可動電極２２と第２固定電極５２とによって静電容量Ｃ２が形成される。物理量センサー１００では、可動体２０が導電性材料（不純物がドープされたシリコン）で構成されることによって、可動電極２１，２２が設けられている。すなわち、第１シーソー片２０ａが第１可動電極２１として機能し、第２シーソー片２０ｂが第２可動電極２２
として機能している。
【００５０】
静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２は、例えば、図２に示す可動体２０が水平な状態で、互いに等しくなるように構成されている。可動電極２１，２２は、可動体２０の動きに応じて位置が変化する。この可動電極２１，２２の位置に応じて、静電容量Ｃ１，Ｃ２が変化する。可動体２０には、連結部３０，３２および支持部４０を介して、所定の電位が与えられる。
【００５１】
可動体２０には、可動体２０を貫通する貫通孔２５が形成されている。これにより、可動体２０が揺動する際の空気の影響（空気の抵抗）を低減することができる。貫通孔２５は、複数形成されている。図示の例では、貫通孔２５の平面形状は、正方形である。
【００５２】
可動体２０には、可動体２０を貫通する開口部２６が設けられている。開口部２６は、平面視において、支持軸Ｑ上に設けられている。開口部２６には、連結部３０，３２および支持部４０が設けられている。図示の例では、開口部２６の平面形状は、長方形である。可動体２０は、連結部３０，３２を介して、支持部４０と接続されている。
【００５３】
第１連結部３０および第２連結部３２は、可動体２０と支持部４０とを連結している。連結部３０，３２は、トーションバネ（捻りバネ）として機能する。これにより、連結部３０，３２は、可動体２０がシーソー揺動することにより連結部３０，３２に生じるねじり変形に対して強い復元力を有することができる。
【００５４】
第１連結部３０および第２連結部３２は、平面視において、支持軸Ｑ上に配置されている。連結部３０，３２は、支持軸Ｑに沿って延出している。第１連結部３０は、支持部４０から＋Ｙ軸方向に延出している。第２連結部３２は、支持部４０から−Ｙ軸方向に延出している。
【００５５】
支持部４０は、開口部２６に配置されている。支持部４０は、平面視において、支持軸Ｑ上に設けられている。支持部４０の一部は、ポスト部１３の上面１４に接合（接続）されている。支持部４０は、連結部３０，３２を介して、可動体２０を支持している。
【００５６】
支持部４０は、第１延出部４１と、第２延出部４２と、第３延出部４３と、第４延出部４４と、第５延出部４５と、を有している。第１延出部４１は、Ｘ軸方向に延出している。第１延出部４１は、連結部３０，３２が接続されている。第２延出部４２および第３延出部４３は、第１延出部４１の一方側の端部（具体的は−Ｘ軸方向の端部）から、Ｙ軸に沿って互いに反対方向に延出している。第４延出部４４および第５延出部４５は、第１延出部４１の他方の端部（具体的は＋Ｘ軸方向の端部）から、Ｙ軸に沿って互いに反対方向に延出している。第１延出部４１は、基板１０と離間している。延出部４２，４３，４４，４５の各々の一部は、ポスト部１３と接合されている。
【００５７】
支持部４０は、上記のような延出部４１，４２，４３，４４，４５を有していることにより、Ｈ字状（略Ｈ字状）の平面形状を有している。第１延出部４１は、Ｈ字状の横棒を構成している。延出部４２，４３，４４，４５は、Ｈ字状の縦棒を構成している。
【００５８】
可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０は、一体に設けられている。図示の例では、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０が、１つの構造体２を構成している。可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。基板１０の材質がガラスであり、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０の材質がシリコンである場合、基板１０と支持部４０とは、例えば陽極接合によって接合されている。
【００５９】
物理量センサー１００では、構造体２は、１つの支持部４０によって基板１０に固定されている。すなわち、構造体２は、基板１０に対して１点（１つの支持部４０）で固定されている。したがって、物理量センサー１００では、例えば構造体２が基板１０に対して２点（２つの支持部）で固定されている場合と比べて、基板１０の熱膨張率と構造体２の熱膨張率との差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、連結部３０，３２に与える影響を低減することができる。
【００６０】
第１固定電極５０、第２固定電極５２、および第３固定電極５４は、基板１０に固定されている。固定電極５０，５２，５４は、基板１０上に設けられている。図示の例では、固定電極５０，５２，５４は、凹部１１の底面１２に設けられている。固定電極５０，５２，５４の材質は、例えば、白金、チタンタングステン、アルミニウム、金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などである。
【００６１】
第１固定電極５０は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に設けられている。第１固定電極５０は、平面視において、第１シーソー片２０ａと重なっている。第１固定電極５０は、第１可動電極２１に対向して配置されている。第１固定電極５０は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００６２】
第２固定電極５２は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。第２固定電極５２は、平面視において、第２シーソー片２０ｂと重なっている。第２固定電極５２は、第２可動電極２２に対向して配置されている。第２固定電極５２は、例えば、平面視において、長方形の形状である。第２固定電極５２は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられている。平面視において、第１固定電極５０の可動体２０と重なっている部分の面積と、第２固定電極５２の可動体２０と重なっている部分の面積とは、例えば、等しい。
【００６３】
第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。第３固定電極５４は、平面視において、可動体２０と重なっていない。すなわち、第３固定電極５４は、平面視において、可動体２０の外縁の外側に設けられている。第３固定電極５４は、第１固定電極５０または第２固定電極５２と電気的に接続されている。図示の例では、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されている。
【００６４】
第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向（図示の例ではＹ軸方向）に沿うように長手方向を有している形状である。第３固定電極５４は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００６５】
第１ダミー電極６０、第２ダミー電極６２、および第３ダミー電極６４は、基板１０に固定されている。ダミー電極６０，６２，６４は、基板１０上に設けられている。図示の例では、ダミー電極６０，６２，６４は、凹部１１の底面１２に設けられている。ダミー電極６０，６２，６４は、可動体２０と電気的に接続されている。ダミー電極６０，６２，６４は、例えば、可動体２０と同電位を有している。ダミー電極６０，６２，６４の材質は、例えば、固定電極５０，５２，５４の材質と同じである。
【００６６】
第１ダミー電極６０は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。図示の例では、第１ダミー電極６０は、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第１ダミー電極６０は、例えば、平面視において、可動体２０と重なっていない。なお、図示はしないが、第１ダミー電極
６０は、平面視において、可動体２０と重なっていてもよい。
【００６７】
第１ダミー電極６０は、第３固定電極５４と隣り合って設けられている。すなわち、第１ダミー電極６０と第３固定電極５４との間には、他の電極５０，５２，６２，６４が存在していない。図示の例では、第１ダミー電極６０は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。
【００６８】
第１ダミー電極６０は、第１部分６０ａと、第２部分６０ｂと、第３部分６０ｃと、を有している。
【００６９】
第１ダミー電極６０の第１部分６０ａは、第３固定電極５４に対して支持軸Ｑの延出方向と交差する方向（例えば直交する方向）の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に設けられている。第１部分６０ａは、平面視において、Ｙ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。第１部分６０ａは、第２固定電極５２と第３固定電極５４との間に設けられている。
【００７０】
第１ダミー電極６０の第２部分６０ｂは、第３固定電極５４に対して支持軸Ｑの延出方向と交差する方向（例えば直交する方向）の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。第２部分６０ｂは、平面視において、Ｙ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。
【００７１】
第１ダミー電極６０の第３部分６０ｃは、第３固定電極５４に対して支持軸Ｑの延出方向の一方側（図示の例では−Ｙ軸方向側）に設けられている。第３部分６０ｃは、平面視において、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。第３部分６０ｃは、第１部分６０ａと第２部分６０ｂとを接続している。第１ダミー電極６０は、平面視において、Ｃの字状（略Ｃの字状）の形状である。
【００７２】
第１ダミー電極６０は、第３固定電極５４との間に静電容量Ｃ３を形成する。すなわち、第３固定電極５４と第１ダミー電極６０とによって静電容量Ｃ３が形成される。さらに、第１ダミー電極６０は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ４を形成する。すなわち、第２固定電極５２と第１ダミー電極６０とによって静電容量Ｃ４が形成される。
【００７３】
第２ダミー電極６２は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に設けられている。図示の例では、第２ダミー電極６２は、第１固定電極５０の−Ｘ軸方向側に設けられている。第２ダミー電極６２は、可動体２０と重なっている。図示の例では、第２ダミー電極６２は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。第２ダミー電極６２は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００７４】
第２ダミー電極６２は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ５を形成する。すなわち、第１固定電極５０と第２ダミー電極６２とによって静電容量Ｃ５が形成される。
【００７５】
第３ダミー電極６４は、第１固定電極５０と第２固定電極５２との間に設けられている。第３ダミー電極６４は、平面視において、可動体２０と重なっている。図示の例では、第３ダミー電極６４は、２つ設けられている。平面視において、一方の第３ダミー電極６４は、支持部４０の＋Ｙ軸方向側に設けられ、他方の第３ダミー電極６４は、支持部４０の−Ｙ軸方向側に設けられている。２つの第３ダミー電極６４は、第４配線７６によって接続されている。図示の例では、第３ダミー電極６４は、第４配線７６、支持部４０、お
よび連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。第３ダミー電極６４は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００７６】
第３ダミー電極６４は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ６（図示せず）を形成する。すなわち、第１固定電極５０と第３ダミー電極６４とによって静電容量Ｃ６が形成される。さらに、第３ダミー電極６４は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ７（図示せず）を形成する。すなわち、第２固定電極５２と第３ダミー電極６４とによって静電容量Ｃ７が形成される。
【００７７】
第１配線７０は、基板１０上に設けられている。第１配線７０は、第１パッド８０と第１固定電極５０とを接続している。図示の例では、第１配線７０は、第１パッド８０から、第１溝部１７および凹部１１を通って、第１固定電極５０まで延出している。
【００７８】
第２配線７２は、基板１０上に設けられている。第２配線７２は、第２パッド８２と、固定電極５２，５４と、を接続している。図示の例では、第２配線７２は、第２パッド８２から第２溝部１８を通って延出し、２つに分岐した後、それぞれ、凹部１１を通って固定電極５２，５４まで延出している。
【００７９】
第３配線７４は、基板１０上に設けられている。第３配線７４は、第３パッド８４と、ダミー電極６０，６２，６４と、を接続している。図示の例では、第３配線７４は、第３パッド８４から第３溝部１９を通って延出し、３つに分岐した後、それぞれ、凹部１１を通って、ダミー電極６０，６２，６４まで延出している。配線７０，７２，７４の材質は、例えば、固定電極５０，５２，５４の材質と同じである。
【００８０】
第４配線７６は、基板１０上に設けられている。第４配線７６は、配線層部７６ａと、バンプ部７６ｂと、を有している。
【００８１】
第４配線７６の配線層部７６ａは、２つの第３ダミー電極６４を接続している。さらに、配線層部７６ａは、第３ダミー電極６４から窪み部１５を通って、バンプ部７６ｂまで延出している。配線層部７６ａの窪み部１５に設けられた部分は、平面視において、支持部４０と重なっている。図示の例では、配線層部７６ａの窪み部１５に設けられた部分の平面形状は、Ｈ字状（略Ｈ字状）である。配線層部７６ａの材質は、例えば、固定電極５０，５２，５４の材質と同じである。
【００８２】
第４配線７６のバンプ部７６ｂは、配線層部７６ａ上に設けられている。バンプ部７６ｂは、配線層部７６ａと支持部４０とを接続している。図示の例では、バンプ部７６ｂは、４つ設けられている。バンプ部７６ｂは、延出部４２，４３，４４，４５に接続されている。バンプ部７６ｂの材質は、例えば、アルミニウム、金、白金である。
【００８３】
蓋体９０は、基板１０上に設けられている。蓋体９０は、基板１０に接合されている。蓋体９０および基板１０は、可動体２０を収容するキャビティー９２を形成している。キャビティー９２は、例えば、不活性ガス（例えば窒素ガス）雰囲気である。蓋体９０の材質は、例えば、シリコンである。蓋体９０の材質がシリコンであり、基板１０の材質がガラスである場合、基板１０と蓋体９０とは、例えば陽極接合によって接合されている。
【００８４】
次に、物理量センサー１００の動作について説明する。
【００８５】
物理量センサー１００では、加速度、角速度等の物理量に応じて、可動体２０が支持軸Ｑまわりに揺動する。この可動体２０の動きに伴って、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離、および第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が変化する
。具体的には、例えば鉛直上向き（＋Ｚ軸方向）の加速度が物理量センサー１００に加わると、可動体２０は反時計回りに回転し、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離が小さくなり、第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が大きくなる。この結果、静電容量Ｃ１が大きくなり、静電容量Ｃ２が小さくなる。また、例えば鉛直下向き（−Ｚ軸方向）の加速度が物理量センサー１００に加わると、可動体２０は時計回りに回転し、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離が大きくなり、第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が小さくなる。この結果、静電容量Ｃ１が小さくなり、静電容量Ｃ２が大きくなる。
【００８６】
物理量センサー１００では、パッド８０，８４を用いて、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ５と静電容量Ｃ６との合計（第１静電容量）を検出する。さらに、物理量センサー１００では、パッド８２，８４を用いて、静電容量Ｃ２と静電容量Ｃ３と静電容量Ｃ４と静電容量Ｃ７との合計（第２静電容量）を検出する。そして、第１静電容量と第２静電容量との差に基づいて（いわゆる差動検出方式により）、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。
【００８７】
上述のように、物理量センサー１００は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
【００８８】
物理量センサー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００８９】
物理量センサー１００では、基板１０に固定され、平面視において可動体２０と重なっておらず、第２固定電極５２と電気的に接続された第３固定電極５４と、基板１０に固定され、第３固定電極５４と隣り合って設けられ、可動体２０と同電位の第１ダミー電極６０と、を含む。例えば、物理量センサー１００において、仮に第３固定電極５４を設けていない場合では、加速度が印加されていない状態において、パッド８０，８４によって検出される第１静電容量が、パッド８２，８４によって検出される第２静電容量よりも大きい。物理量センサー１００では、第２固定電極５２と電気的に接続された第３固定電極５４を設けることにより、第３固定電極５４と第１ダミー電極６０とによって静電容量Ｃ３を形成することができるので、第２静電容量を大きくすることができる。そのため、物理量センサー１００では、容量オフセット（第１静電容量と第２静電容量との差）を小さくすることができる。例えば、物理量センサー１００では、容量オフセットを、物理量センサー１００に電気的に接続されたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）で調整できる程度に小さくすることができ、歩留まりを向上させることができる。
【００９０】
例えば、まず、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーを製造し、次に、加速度が印加されていない状態において、該物理量センサーの容量オフセットを測定する。そして、第１静電容量が第２静電容量よりも大きい場合に、第３固定電極５４を設けて容量オフセットが小さい物理量センサー１００を製造する。なお、上記のように、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーの容量オフセットは、実際に、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーを製造して測定により求めてもよいし、シミュレーションにより求めてもよい。
【００９１】
さらに、物理量センサー１００では、第３固定電極５４は、平面視において可動体２０と重なっていないので、可動体２０と第３固定電極５４とによって静電容量が形成されることを抑制することができる。そのため、物理量センサー１００では、例えば、可動体２０が変位した状態においても、第３固定電極５４を用いて容易に第１静電容量と第２静電容量の容量オフセットを調整することができる。
【００９２】
物理量センサー１００では、第３固定電極５４は、平面視において、Ｙ軸方向に沿うように長手方向を有している形状であり、第１ダミー電極６０は、第３固定電極５４の−Ｘ軸方向側に設けられた第１部分６０ａと、第３固定電極５４の＋Ｘ軸方向側に設けられた第２部分６０ｂと、第３固定電極５４の−Ｙ軸側に設けられ、第１部分６０ａと第２部分６０ｂとを接続する第３部分６０ｃと、を有する。そのため、物理量センサー１００では、例えば第１ダミー電極６０が第１部分６０ａしか有していない場合に比べて、第３固定電極５４と第１ダミー電極６０とによって形成される静電容量Ｃ３を大きくすることができる。さらに、第１ダミー電極６０は、第３固定電極５４の＋Ｙ軸方向側には設けられていないので、第３固定電極５４と第２配線７２との接続を容易に（第３固定電極５４への第２配線７２の引き回しを容易に）することができる。
【００９３】
物理量センサー１００では、可動体２０は、支持軸Ｑの−Ｘ軸方向側に位置する第１シーソー片２０ａと、支持軸Ｑの＋Ｘ軸方向側に位置し、Ｙ軸方向の長さが第１シーソー片２０ａよりも短い第２シーソー片２０ｂと、を有し、第１固定電極５０は、平面視において、第１シーソー片２０ａと重なり、第２固定電極５２は、平面視において、第２シーソー片２０ｂと重なっている。そのため、物理量センサー１００では、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントと、を均衡させないことができる。したがって、物理量センサー１００では、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００９４】
物理量センサー１００では、基板１０に固定され、平面視において第１シーソー片２０ａと重なり、可動体２０と電気的に接続された第２ダミー電極６２を含む。そのため、物理量センサー１００では、可動体２０が基板１０に張り付いてしまうこと（スティキング）を抑制することができる。具体的には、基板１０の材質がガラスであり、可動体２０および蓋体９０の材質がシリコンである場合に、基板１０と蓋体９０とを陽極接合したとしても、基板１０と可動体２０との間に発生する静電力によって可動体２０が基板１０に張り付いてしまうことを抑制することができる。
【００９５】
物理量センサー１００では、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの＋Ｘ軸方向側に設けられ、第２固定電極５２は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられ、第１ダミー電極６０は、第２固定電極５２と第３固定電極５４との間に設けられている。そのため、物理量センサー１００では、第２固定電極５２と第１ダミー電極６０とによって静電容量Ｃ４を形成することができる。
【００９６】
物理量センサー１００では、基板１０に固定され、平面視において可動体２０と重なり、可動体２０と同電位の第３ダミー電極６４を含み、第３ダミー電極６４は、第１固定電極５０と第２固定電極５２との間に設けられている。そのため、物理量センサー１００では、より確実にスティキングを抑制することができる。
【００９７】
なお、上記では、ダミー電極６０，６２，６４が可動体２０と電気的に接続されている例について説明したが、ダミー電極６０，６２，６４が可動体２０と同電位を有することができれば、ダミー電極６０，６２，６４は、可動体２０と電気的に接続されていなくてもよい。同電位とは、電圧が同じである場合の他、例えば、不可避的な電圧の揺らぎ（例えば±５％程度の揺らぎ）を有する場合も含む意味である。
【００９８】
また、第３固定電極５４および第１ダミー電極６０の形状、および両者の間隔は、容量オフセットに応じて、適宜設計することができる。例えば、上記では、第３固定電極５４の平面形状を長方形としたが、第３固定電極５４の平面形状は、図５に示すように、Ｙ軸方向に長手方向を有し、Ｘ軸方向に突出した歯を有するノコギリ形状であってもよい。ま
たは、第３固定電極５４は、図６に示すように、Ｙ軸方向に延出する延出部５４ａと、延出部５４ａからＸ軸方向に延出する延出部５４ｂと、を有する形状であってもよい。このような形状の第３固定電極５４は、例えば平面形状が長方形である場合に比べて、第１ダミー電極６０との間で形成する静電容量Ｃ３を大きくすることができる。
【００９９】
また、図示はしないが、基板１０と固定電極５０，５２，５４との間、基板１０とダミー電極６０，６２，６４との間、および基板１０と配線７０，７２，７４との間には、密着性を向上させる密着層が設けられていてもよい。密着層は、Ｔｉ層であってもよい。
【０１００】
また、上記では、物理量センサー１００が加速度センサーである場合について説明したが、本発明に係る物理量センサーは、ジャイロセンサーであってもよい。
【０１０１】
１．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図７は、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。図８〜図１０は、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【０１０２】
図８に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部１１、窪み部１５が形成されたポスト部１３、および溝部１７，１８，１９（図１参照）が設けられた基板１０を準備する（ステップＳ１）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。
【０１０３】
次に、凹部１１の底面１２に固定電極５０，５２，５４およびダミー電極６０，６２，６４を形成する（ステップＳ２）。次に、基板１０上に配線７０，７２，７４および配線層部７６ａを形成する（図１参照）。次に、配線層部７６ａ上にバンプ部７６ｂを形成する（図３および図４参照）。これにより、第４配線７６を形成することができる。バンプ部７６ｂの上面は、ポスト部１３の上面１４よりも上方に位置するように形成される。次に、配線７０，７２，７４のそれぞれと接続するように、パッド８０，８２，８４を形成する（図１参照）。なお、配線７０，７２，７４および配線層部７６ａは、固定電極５０，５２，５４およびダミー電極６０，６２，６４と同じ工程で形成されてもよい。
【０１０４】
固定電極５０，５２，５４、ダミー電極６０，６２，６４、配線７０，７２，７４，７６、およびパッド８０，８２，８４は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による成膜、およびパターニングにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。
【０１０５】
図９に示すように、基板１０に、例えばシリコン基板１０２を接合する（ステップＳ３）。基板１０とシリコン基板１０２との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。これにより、基板１０とシリコン基板１０２とを強固に接合することができる。基板１０にシリコン基板１０２を接合する際、シリコン基板１０２は、例えば、第４配線７６のバンプ部７６ｂに押されて窪む（図３および図４参照）。これにより、シリコン基板１０２とバンプ部７６ｂとを強固に接続することができる。
【０１０６】
図１０に示すように、シリコン基板１０２を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所定の形状にパターニングして、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０を一体的に形成する（ステップＳ４）。パターニングは、フォトリソグラフィーおよびエッチング（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。
【０１０７】
図２に示すように、基板１０に蓋体９０を接合して、基板１０および蓋体９０によって形成されるキャビティー９２に、可動体２０等を収容する（ステップＳ５）。基板１０と蓋体９０との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。これにより、基板１０と蓋体９０とを強固に接合することができる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー９２に不活性ガスを充填することができる。
【０１０８】
以上の工程により、物理量センサー１００を製造することができる。
【０１０９】
なお、例えば、パッド８０，８２，８４によって静電容量を検出し、パッド８０，８４によって検出される第１静電容量が、パッド８２，８４によって検出される第２静電容量よりも小さい場合は、固定電極５４および第１ダミー電極６０の少なくとも一方の一部をレーザー等によって除去し、第２静電容量を小さくしてもよい。これにより、より容量オフセットを小さくすることができる。第１静電容量および第２静電容量は、シミュレーションにより求めてもよい。
【０１１０】
１．３．  物理量センサーの変形例
１．３．１．  第１変形例
次に、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０を模式的に示す平面図である。図１２は、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０を模式的に示す図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線断面図である。なお、便宜上、図１１および以下に示す図１３，１４では、蓋体９０を透視して図示している。また、図１２では、蓋体９０の図示を省略している。また、図１１，１２および以下に示す図１３，１４では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１１１】
以下、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０において、上述した物理量センサー１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１２】
上述した物理量センサー１００では、図１に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（＋Ｘ軸方向側）に設けられていた。これに対し、物理量センサー１１０では、図１１に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（−Ｘ軸方向側）に設けられている。
【０１１３】
物理量センサー１１０では、第２ダミー電極６２は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられている。第１ダミー電極６０と第２ダミー電極６２とは、接続されている。図示の例では、第１ダミー電極６０の第２部分６０ｂと第２ダミー電極６２とは、接続されている。
【０１１４】
物理量センサー１１０は、第４ダミー電極６６を含む。第４ダミー電極６６は、基板１０に固定されている。第４ダミー電極６６は、基板１０上に設けられている。図示の例では、第４ダミー電極６６は、凹部１１の底面１２に設けられている。第４ダミー電極６６は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。第４ダミー電極６６は、例えば、可動体２０と同電位を有している。第４ダミー電極６６の材質は、例えば、固定電極５０，５２，５４の材質と同じである。第４ダミー電極６６は、第２固定電極５２との間に静電容量を形成する。第４ダミー電極６６は、例えば、ダミー電極６０，６２，６４と同じ工程で形成される。
【０１１５】
第１配線７０は、図１１および図１２に示すように、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。金属部７０ａは、第１溝部１７に設けられている。シリコン部７０ｂは、第１溝部１７に設けられていない。シリコン部７０ｂは、基板１０の上面に設けられている。シリコン部７０ｂは、平面視において、第２配線７２と交差している。シリコン部７０ｂは、第２配線７２の上方に第２配線７２と離間して設けられている。バンプ部７０ｃは、金属部７０ａとシリコン部７０ｂとを接続している。バンプ部７０ｃは、第１溝部１７に設けられている。図示の例では、バンプ部７０ｃの上面は、基板１０の上面よりも上方に位置している。
【０１１６】
金属部７０ａおよびバンプ部７０ｃの材質は、例えば、配線７２，７４および配線部７６ａの材質と同じである。シリコン部７０ｂの材質は、例えば、可動体２０の材質と同じである。バンプ部７０ｃの材質は、例えば、バンプ部７６ｂの材質と同じである。金属部７０ａは、例えば、配線７２，７４および配線部７６ａと同じ工程で形成される。シリコン部７０ｂは、例えば、シリコン基板１０２（図９参照）をパターニングすることによって形成される。バンプ部７０ｃは、例えば、バンプ部７６ｂと同じ工程で形成される。
【０１１７】
物理量センサー１１０は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１１８】
なお、図示はしないが、第１配線７０ではなく、第２配線７２が上記のような金属部、シリコン部、およびバンプ部を有していてもよい。
【０１１９】
また、図示はしないが、第３固定電極５４および第１ダミー電極６０は、図１に示す物理量センサー１００のように、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側にも設けられていてもよい。すなわち、本発明に係る物理量センサーは、物理量センサー１００と物理量センサー１１０とを組み合わせた形態であってもよい。この場合、第４ダミー電極６６は、設けられていなくてもよい。
【０１２０】
１．３．２．  第２変形例
次に、第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１３は、第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサー１２０を模式的に示す平面図である。
【０１２１】
以下、第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサー１２０において、上述した物理量センサー１００，１１０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２２】
上述した物理量センサー１００では、図１に示すように、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されていた。これに対し、物理量センサー１２０では、図１３に示すように、第３固定電極５４は、第１配線７０を介して、第１固定電極５０と電気的に接続されている。第１配線７０は、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。
【０１２３】
物理量センサー１２０では、仮に第３固定電極５４を設けていない場合では、加速度が印加されていない状態において、パッド８０，８４によって検出される第１静電容量が、パッド８２，８４によって検出される第２静電容量よりも小さい。物理量センサー１２０では、第１固定電極５０と電気的に接続された第３固定電極５４を設けることにより、第３固定電極５４と第１ダミー電極６０とによって静電容量を形成することができるので、第１静電容量を大きくすることができる。そのため、物理量センサー１２０では、容量オ
フセットを小さくすることができる。
【０１２４】
１．３．３．  第３変形例
次に、第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１４は、第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサー１３０を模式的に示す平面図である。
【０１２５】
以下、第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサー１３０において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２６】
上述した物理量センサー１００では、図１に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（＋Ｘ軸方向側）に設けられていた。さらに、物理量センサー１００では、図１に示すように、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されていた。
【０１２７】
これに対し、物理量センサー１３０では、図１４に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの一方側（−Ｘ軸方向側）に設けられている。さらに、物理量センサー１３０では、第３固定電極５４は、第１配線７０を介して、第１固定電極５０と電気的に接続されている。物理量センサー１３０は、第４ダミー電極６６を含む。
【０１２８】
物理量センサー１３０は、上述した物理量センサー１２０と同様の効果を有することができる。
【０１２９】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４および第１ダミー電極６０は、図１３に示す物理量センサー１２０のように、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側にも設けられていてもよい。すなわち、本発明に係る物理量センサーは、物理量センサー１２０と物理量センサー１３０とを組み合わせた形態であってもよい。この場合、第４ダミー電極６６は、設けられていなくてもよい。
【０１３０】
２．  第２実施形態
２．１．  物理量センサー
次に、第２実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１５は、第２実施形態に係る物理量センサー２００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１５では、蓋体９０を透視して図示している。また、図１５は、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１３１】
以下、第２実施形態に係る物理量センサー２００において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０，１３０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１３２】
上述した物理量センサー１００では、図１に示すように、可動体２０は、１つ設けられていた。これに対し、物理量センサー２００では、図１５に示すように、可動体２０は、２つ設けられている。
【０１３３】
物理量センサー２００では、可動体２０、連結部３０，３２、支持部４０、固定電極５０，５２，５４、ダミー電極６０，６２，６４、および第４配線７６を含んで構成される構造体は、２つ設けられている（第１構造体２０１、第２構造体２０２）。構造体２０１，２０２は、Ｘ軸方向に並んでいる。すなわち、２つの可動体２０は、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向（具体的には直交する方向）に沿うように並んでいる。構造体２０１，
２０２は、平面視において、Ｙ軸に平行な仮想軸（図示せず）に関して、線対称に設けられている。第１構造体２０１は、第２構造体２０２よりも−Ｘ軸方向側に設けられている。
【０１３４】
図示の例では、第１構造体２０１の第３固定電極５４、および第２構造体２０２の第３固定電極５４は、一体に設けられ、共通の第３固定電極５４を構成している。さらに、第１構造体２０１の第１ダミー電極６０、および第２構造体２０２の第１ダミー電極６０、一体に設けられ、共通の第１ダミー電極６０を構成している。これにより、物理量センサー２００では、部品数を低減することができ、小型化を図ることができる。
【０１３５】
なお、図示はしないが、第１構造体２０１の第３固定電極５４、および第２構造体２０２の第３固定電極５４とは、共通の第３固定電極５４を構成しておらず、構造体２０１，２０２に１つずつ設けられていてもよい。同様に、第１構造体２０１の第１ダミー電極６０、および第２構造体２０２の第１ダミー電極６０、共通の第１ダミー電極６０を構成しておらず、構造体２０１，２０２に１つずつ設けられていてもよい。
【０１３６】
第３固定電極５４は、第１構造体２０１の第２固定電極５２と、第２構造体２０２の第２固定電極５２と、の間に設けられている。第３固定電極５４は、第２固定電極５２と電気的に接続されている。第１配線７０は、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。
【０１３７】
物理量センサー２００は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１３８】
物理量センサー２００では、可動体２０は、２つ設けられている。そのため、物理量センサー２００では、Ｚ軸方向以外である他軸（Ｘ軸やＹ軸）方向の成分を有する加速度が印加されたとしても、差動検出により他軸方向の成分をキャンセルすることができる。したがって、物理量センサー２００では、Ｚ軸方向の加速度を、より正確に検出することができる。
【０１３９】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１３に示す物理量センサー１２０のように、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０１４０】
２．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第２実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法について説明する。第２実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法は、上述した第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０１４１】
２．３．  物理量センサーの変形例
次に、第２実施形態の変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１６は、第２実施形態の変形例に係る物理量センサー２１０を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１６では、蓋体９０を透視して図示している。また、図１６では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１４２】
以下、第２実施形態の変形例に係る物理量センサー２１０において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０，１３０，２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１４３】
上述した物理量センサー２００では、図１５に示すように、第３固定電極５４は、第１
構造体２０１の第２固定電極５２と、第２構造体２０２の第２固定電極５２と、の間に設けられていた。
【０１４４】
これに対し、物理量センサー２１０では、図１６に示すように、第１構造体２０１の第３固定電極５４は、第１構造体２０１の第１固定電極５０の−Ｘ軸方向側に設けられ、第２構造体２０２の第３固定電極５４は、第２構造体２０２の第１固定電極５０の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第１ダミー電極６０と第２ダミー電極６２とは、接続されている。第３固定電極５４は、第２固定電極５２と電気的に接続されている。
【０１４５】
構造体２０１，２０２は、第４ダミー電極６６を含む。図示の例では、第１構造体２０１の第４ダミー電極６６、および第２構造体２０２の第４ダミー電極６６は、一体に設けられ、共通の第４ダミー電極６６を構成している。これにより、物理量センサー２１０では、部品数を低減することができ、小型化を図ることができる。
【０１４６】
なお、図示はしないが、第１構造体２０１の第４ダミー電極６６、および第２構造体２０２の第４ダミー電極６６とは、共通の第４ダミー電極６６を構成しておらず、構造体２０１，２０２に１つずつ設けられていてもよい。
【０１４７】
物理量センサー２１０は、上述した物理量センサー２００と同様の効果を有することができる。
【０１４８】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１４に示す物理量センサー１３０のように、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０１４９】
３．  第３実施形態
３．１．  物理量センサー
次に、第３実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１７は、第３実施形態に係る物理量センサー３００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１７では、蓋体９０を透視して図示している。また、図１７は、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１５０】
以下、第３実施形態に係る物理量センサー３００において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０，１３０，２００，２１０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５１】
上述した物理量センサー２００では、図１５に示すように、構造体２０１，２０２は、Ｘ軸方向に並んでいた。これに対し、物理量センサー３００では、図１７に示すうに、構造体２０１，２０２は、Ｙ軸方向に並んでいる。すなわち、２つの可動体２０は、支持軸Ｑの延出方向に沿うように並んでいる。構造体２０１，２０２は、例えば、構造体２０１，２０２間の仮想点（図示せず）に対して、点対称に設けられている。第１構造体２０１は、第２構造体２０２の＋Ｙ軸方向側に設けられている。第３固定電極５４は、第２固定電極５２と電気的に接続されている。
【０１５２】
物理量センサー３００は、上述した物理量センサー２００と同様の効果を有することができる。
【０１５３】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１１に示す物理量センサー１１０のように、第２シーソー片２０ｂ側ではなく第１シーソー片２０ａ側に設けられていてもよい。
【０１５４】
また、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１３，１４に示す物理量センサー１２０，１３０のように、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０１５５】
３．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第３実施形態に係る物理量センサー３００の製造方法について説明する。第３実施形態に係る物理量センサー３００の製造方法は、上述した第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０１５６】
３．３．  物理量センサーの変形例
３．３．１．  第１変形例
次に、第３実施形態の第１変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１８は、第３実施形態の第１変形例に係る物理量センサー３１０を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１８および以下に示す図１９では、蓋体９０を透視して図示している。また、図１８および以下に示す図１９では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１５７】
以下、第３実施形態の第１変形例に係る物理量センサー３１０において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０，１３０，２００，２１０，３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５８】
上述した物理量センサー３００では、図１７に示すように、構造体２０１，２０２の各々が第３固定電極５４を有していた。これに対し、物理量センサー３００では、図１８に示すように、第１構造体２０１の第３固定電極５４、および第２構造体２０２の第３固定電極５４は、一体に設けられ、共通の第３固定電極５４を構成している。
【０１５９】
第３固定電極５４は、例えば、平面視において、構造体２０１，２０２の可動体２０の＋Ｘ軸方向側に設けられている。図示の例では、第３固定電極５４は、平面視において、長方形の第１ダミー電極６０の周囲に設けられている。第３固定電極５４は、開口部５５を有し、第３配線７４は、開口部５５を通過して、第１ダミー電極６０と接続されている。第３固定電極５４は、第２固定電極５２と電気的に接続されている。
【０１６０】
物理量センサー３１０は、上述した物理量センサー２１０と同様の効果を有することができる。
【０１６１】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１３，１４に示す物理量センサー１２０，１３０のように、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０１６２】
３．３．２．  第２変形例
次に、第３実施形態の第２変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１９は、第３実施形態の第２変形例に係る物理量センサー３２０を模式的に示す平面図である。
【０１６３】
以下、第３実施形態の第２変形例に係る物理量センサー３２０において、上述した物理量センサー１００，１１０，１２０，１３０，２００，２１０，３００，３１０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１６４】
上述した物理量センサー３００では、図１７に示すように、構造体２０１，２０２の各々が第３固定電極５４を有していた。これに対し、物理量センサー３００では、図１９に示すように、第１構造体２０１の第３固定電極５４、および第２構造体２０２の第３固定
電極５４は、一体に設けられ、共通の第３固定電極５４を構成している。第３固定電極５４は、例えば、平面視において、構造体２０１，２０２の可動体２０の＋Ｙ軸方向側に設けられている。
【０１６５】
物理量センサー３２０は、上述した物理量センサー３００と同様の効果を有することができる。
【０１６６】
物理量センサー３２０では、第３固定電極５４は、平面視において、構造体２０１，２０２の可動体２０のＹ軸方向側に設けられている。そのため、物理量センサー３２０では、第３固定電極５４が平面視において構造体２０１，２０２のＸ軸方向側に設けられている場合に比べて、Ｘ軸方向の長さを小さくすることができる。
【０１６７】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、図１３，１４に示す物理量センサー１２０，１３０のように、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０１６８】
４．  第４実施形態
次に、第４実施形態に係る電子機器について図面を参照しながら説明する。図２０は、第４実施形態に係る電子機器１０００の機能ブロック図である。
【０１６９】
電子機器１０００は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー１００を含む場合について説明する。
【０１７０】
電子機器１０００は、さらに、演算処理装置（ＣＰＵ）１０２０、操作部１０３０、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０４０、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０５０、通信部１０６０、表示部１０７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図２０の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１７１】
演算処理装置１０２０は、ＲＯＭ１０４０等に記憶されているプログラムに従い、各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、演算処理装置１０２０は、物理量センサー１００の出力信号や、操作部１０３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部１０６０を制御する処理、表示部１０７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
【０１７２】
操作部１０３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号を演算処理装置１０２０に出力する。
【０１７３】
ＲＯＭ１０４０は、演算処理装置１０２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０１７４】
ＲＡＭ１０５０は、演算処理装置１０２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ１０４０から読み出されたプログラムやデータ、物理量センサー１００から入力されたデータ、操作部１０３０から入力されたデータ、演算処理装置１０２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０１７５】
通信部１０６０は、演算処理装置１０２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０１７６】
表示部１０７０は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等により構成される表示装置であり、演算処理装置１０２０から入力される表示信号に基づいて
各種の情報を表示する。表示部１０７０には操作部１０３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０１７７】
このような電子機器１０００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０１７８】
図２１は、電子機器１０００の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。電子機器１０００であるスマートフォンは、操作部１０３０としてボタンを、表示部１０７０としてＬＣＤを備えている。
【０１７９】
図２２は、電子機器１０００の一例である腕装着型の携帯機器（ウェアラブル機器）の外観の一例を示す図である。電子機器１０００であるウェアラブル機器は、表示部１０７０としてＬＣＤを備えている。表示部１０７０には操作部１０３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０１８０】
また、電子機器１０００である携帯機器は、例えば、ＧＰＳ受信機（ＧＰＳ：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）等の位置センサーを備え、ユーザーの移動距離や移動軌跡を計測することができる。
【０１８１】
５．  第５実施形態
次に、第５実施形態に係る移動体について、図面を参照しながら説明する。図２３は、第５実施形態に係る移動体１１００として、自動車を模式的に示す斜視図である。
【０１８２】
第５実施形態に係る移動体は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー１００を含む移動体について説明する。
【０１８３】
第５実施形態に係る移動体１１００は、さらに、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー１１２０、コントローラー１１３０、コントローラー１１４０、バッテリー１１５０およびバックアップ用バッテリー１１６０を含んで構成されている。なお、第５実施形態に係る移動体１１００は、図２３に示される構成要素（各部）の一部を省略または変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１８４】
このような移動体１１００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０１８５】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例
えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１８６】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１８７】
２…構造体、１０…基板、１１…凹部、１２…底面、１３…ポスト部、１４…上面、１５…窪み部、１６…底面、１７…第１溝部、１８…第２溝部、１９…第３溝部、２０…可動体、２０ａ…第１シーソー片、２０ｂ…第２シーソー片、２１…第１可動電極、２２…第２可動電極、２３，２４…端面、２５…貫通孔、２６…開口部、３０…第１連結部、３２…第２連結部、４０…支持部、４１…第１延出部、４２…第２延出部、４３…第３延出部、４４…第４延出部、４５…第５延出部、５０…第１固定電極、５２…第２固定電極、５４…第３固定電極、５４ａ，５４ｂ…延出部、５５…開口部、６０…第１ダミー電極、６０ａ…第１部分、６０ｂ…第２部分、６０ｃ…第３部分、６２…第２ダミー電極、６４…第３ダミー電極、６６…第４ダミー電極、７０…第１配線、７０ａ…金属部、７０ｂ…シリコン部、７０ｃ…バンプ部、７２…第２配線、７４…第３配線、７６…第４配線、７６ａ…配線層部、７６ｂ…バンプ部、８０…第１パッド、８２…第２パッド、８４…第３パッド、９０…蓋体、９２…キャビティー、１００…物理量センサー、１０２…シリコン基板、１１０，１２０，１３０，２００…物理量センサー、２０１…第１構造体、２０２…第２構造体、２１０，３００，３１０，３２０…物理量センサー、１０００…電子機器、１０２０…演算処理装置、１０３０…操作部、１０４０…ＲＯＭ、１０５０…ＲＡＭ、１０６０…通信部、１０７０…表示部、１１００…移動体、１１２０，１１３０，１１４０…コントローラー、１１５０…バッテリー、１１６０…バックアップ用バッテリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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