(57)【要約】【課題】表示品質が向上した表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、１つの画素がそれぞれ提供される複数の画素領域及び複数の画素領域の周辺に配置される周辺領域を含む第１基板と、第１基板に対向する第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられる液晶層と、液晶層に光を供給するバックライトユニットと、バックライトユニットから供給され液晶層を透過した光を画素領域毎に特定色の光に変換して出射する複数のサブカラー変換部ＳＣＬＬを備えたカラー変換層ＣＬＬと、周辺領域に配置され、複数のサブカラー変換部ＳＣＬＬから出射された光を検出して当該光に対応する光学信号を生成する光学センサＯＳと、を含む。【選択図】図５
2018063430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの画素がそれぞれ提供される複数の画素領域及び前記複数の画素領域の周辺に配置される周辺領域を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられる液晶層と、
前記液晶層に光を供給するバックライトユニットと、
前記バックライトユニットから供給され前記液晶層を透過した前記光を画素領域毎に特定色の光に変換して出射する複数のサブカラー変換部を備えたカラー変換層と、
前記周辺領域に配置され、前記複数のサブカラー変換部から出射された前記光を検出して当該光に対応する光学信号を生成する光学センサと、
を含む表示装置。
【請求項２】
前記周辺領域に配置され、前記バックライトユニットから供給された前記光が前記周辺領域に入射することを防止する第１光遮断層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記光学センサは、前記第１光遮断層と各前記サブカラー変換部との間に設けられることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１光遮断層は、ブラックマトリックスであることを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記周辺領域は、前記複数の画素領域のそれぞれの周囲に配置される複数の周辺領域を含み、
前記光学センサは、前記複数の周辺領域のそれぞれに配置されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記バックライトユニットから供給された前記光が前記光学センサに入射することを防止する第２光遮断層をさらに含むことを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２光遮断層は、前記光学センサの一側に設けられることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２光遮断層は、前記第１光遮断層と同じ材料を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２光遮断層は、前記光のうち特定の波長を有する光を透過させるフィルタであることを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記カラー変換層は、前記複数のサブカラー変換部のうちの一定数のサブカラー変換部をグループ化して得られる複数の発光グループを含み、
前記複数の発光グループ毎に前記光学センサが配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記光学センサは、前記複数の発光グループのそれぞれに含まれた前記一定数のサブカラー変換部から出射される光を検出することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数のサブカラー変換部は、
前記バックライトユニットから供給された前記光に応じて第１カラー光を出射する第１サブカラー変換部と、
前記バックライトユニットから供給された前記光に応じて第２カラー光を出射する第２サブカラー変換部と、
前記バックライトユニットから供給された前記光に応じて第３カラー光を出射する第３サブカラー変換部と、を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１サブカラー変換部は、第１量子ドットを含み、前記第２サブカラー変換部は、第２量子ドットを含み、前記第３サブカラー変換部は、第３量子ドットを含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１量子ドットは、赤色量子ドットであり、前記第２量子ドットは、緑色量子ドットであり、前記第３量子ドットは、青色量子ドットであることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記光学センサは、
前記第１サブカラー変換部から出射された前記第１カラー光を検出する第１光学センサと、
前記第２サブカラー変換部から出射された前記第２カラー光を検出する第２光学センサと、
前記第３サブカラー変換部から出射された前記第３カラー光を検出する第３光学センサと、を含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記バックライトユニットは、青色光を放出する光源を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第３サブカラー変換部は、前記青色光を透過させる透明層を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２基板上に設けられたタッチ検知部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記液晶層から出射される光を前記カラー変換層に透過させ、前記カラー変換層から前記液晶層に入射される光を反射する選択透過部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記光学信号を利用して前記複数のサブカラー変換部の劣化を把握し、補償データを出力する制御部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、詳細には、光学センサを用いて表示品質を向上させることができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を表示できる様々な表示装置が開発されている。表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ  ｄｅｖｉｃｅ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）、及び有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などを含む。
【０００３】
特に、液晶表示装置は、液晶分子の光学的異方性と複屈折特性を利用して画像を表示するものであり、電界が印加されると、液晶の配列が変わり、変わった液晶の配列方向によって光が透過する特性を変えることができる。
【０００４】
一方、液晶表示装置は、色を具現するためにカラーフィルタ層を含み、カラーフィルタ層は、光効率を向上させるために量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を含んでもよい。量子ドットは、温度、湿度、及びその他の要因によって劣化して光変換効率が低下することがある。また、量子ドットは、電気的特性を有さないため、劣化程度を検出することが容易でない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／０３３１２７８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、表示品質が向上した表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による表示装置は、１つの画素がそれぞれ提供される複数の画素領域及び上記複数の画素領域の周辺に配置される周辺領域を含む第１基板と、上記第１基板に対向する第２基板と、上記第１基板と上記第２基板との間に設けられる液晶層と、上記液晶層に光を供給するバックライトユニットと、上記バックライトユニットから供給され上記液晶層を透過した上記光を画素領域毎に特定色の光に変換して出射する複数のサブカラー変換部を備えたカラー変換層と、上記周辺領域に配置され、上記複数のサブカラー変換部から出射された上記光を検出して当該光に対応する光学信号を生成する光学センサと、を含む。
【０００８】
また、上記表示装置は、上記周辺領域に配置され、上記バックライトユニットから供給された上記光が上記周辺領域に入射することを防止する第１光遮断層をさらに含む。
【０００９】
また、上記光学センサは、上記第１光遮断層と各上記サブカラー変換部との間に設けられる。
【００１０】
また、上記第１光遮断層は、ブラックマトリックスである。
【００１１】
また、上記周辺領域は、上記複数の画素領域のそれぞれの周囲に配置される複数の周辺領域を含み、上記光学センサは、上記複数の周辺領域のそれぞれに配置される。
【００１２】
また、上記表示装置は、上記バックライトユニットから供給された上記光が上記光学センサに入射することを防止する第２光遮断層をさらに含む。
【００１３】
また、上記第２光遮断層は、上記光学センサの一側に設けられる。
【００１４】
また、上記第２光遮断層は、上記第１光遮断層と同じ材料を含む。
【００１５】
また、上記第２光遮断層は、上記光のうち特定の波長を有する光を透過させるフィルタである。
【００１６】
また、上記カラー変換層は、上記複数のサブカラー変換部のうちの一定数のサブカラー変換部をグループ化して得られる複数の発光グループを含み、上記複数の発光グループ毎に上記光学センサが配置される。
【００１７】
また、上記光学センサは、上記複数の発光グループのそれぞれに含まれた上記一定数のサブカラー変換部から出射された光を検出する。
【００１８】
また、上記複数のサブカラー変換部は、上記バックライトユニットから供給された上記光に応じて第１カラー光を出射する第１サブカラー変換部と、上記バックライトユニットから供給された上記光に応じて第２カラー光を出射する第２サブカラー変換部と、上記バックライトユニットから供給された上記光に応じて第３カラー光を出射する第３サブカラー変換部と、を含む。
【００１９】
また、上記第１サブカラー変換部は、第１量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を含み、上記第２サブカラー変換部は、第２量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を含み、上記第３サブカラー変換部は、第３量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を含む。
【００２０】
また、上記第１量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）は、赤色量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）であり、上記第２量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）は、緑色量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）であり、上記第３量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）は、青色量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）である。
【００２１】
また、上記光学センサは、上記第１サブカラー変換部から出射された上記第１カラー光を検出する第１光学センサと、上記第２サブカラー変換部から出射された上記第２カラー光を検出する第２光学センサと、上記第３サブカラー変換部から出射された上記第３カラー光を検出する第３光学センサと、を含む。
【００２２】
また、上記バックライトユニットは、青色光を放出する光源を含む。
【００２３】
また、上記第３サブカラー変換部は、上記青色光を透過させる透明層を含む。
【００２４】
また、上記表示装置は、上記第２基板上に設けられたタッチ検知部をさらに含む。
【００２５】
また、上記表示装置は、上記液晶層から出射される光を上記カラー変換層に透過させ、上記カラー変換層から上記液晶層に入射される光を反射する選択透過部をさらに含む。
【００２６】
また、上記表示装置は、上記光学信号を利用して上記複数のサブカラー変換部の劣化を把握し、補償データを出力する制御部をさらに含む。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、表示品質が向上した表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示すブロック図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。
【図４】表示装置における光の進行方向を概略的に示す断面図である。
【図５】図３のカラー変換層を概略的に示す断面図である。
【図６】他の実施形態によるカラー変換層を概略的に示す断面図である。
【図７】他の実施形態によるカラー変換層を概略的に示す断面図である。
【図８】他の実施形態によるカラー変換層を概略的に示す断面図である。
【図９】図３の表示装置を詳細に示す断面図である。
【図１０】図９の光学センサのうち第１光学センサを説明するための拡大図である。
【図１１ａ】図５のカラー変換層の構成要素の配置構造を示す平面図である。
【図１１ｂ】他の実施形態によるカラー変換層の構成要素の配置構造を示す平面図である。
【図１１ｃ】他の実施形態によるカラー変換層の構成要素の配置構造を示す平面図である。
【図１１ｄ】他の実施形態によるカラー変換層の構成要素の配置構造を示す平面図である。
【図１２】図２に示された画素の実施形態を示す等価回路図である。
【図１３】図１２に示された画素を詳細に示す平面図である。
【図１４】図１３のII−II'線に沿った断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図１６】図１５の表示装置のタッチ検知部が自己静電容量式で実現される場合のタッチ検知部の一部を示す平面図である。
【図１７】図１６のIII−III'線に沿った断面図である。
【図１８】図１５の表示装置のタッチ検知部が相互静電容量方式で実現される場合のタッチ検知部の一部を示す平面図である。
【図１９】図１８のＰ１に対応する部分を拡大した平面図である。
【図２０】図１９のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明は、多様に変更し、また、様々な形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し以下で詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物、または代替物を含むものと理解されるべきである。
【００３０】
各図面を説明するに当たり、類似する構成要素には、類似する参照符号を付した。添付の図面における構造物の寸法は、本発明を明確にするために拡大して示した。第１、第２などの用語は、様々な構成要素を説明するために用いられるが、上記構成要素は、上記用語に限定されてはならない。上記用語は、一構成要素を他の構成要素と区別するためにのみ用いられる。例えば、本発明の権利範囲から外れない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、これと同様に第２構成要素も第１構成要素と称されてもよい。単数の表現は、文脈上明らかに相違する意味を持たない限り、複数の表現を含む。
【００３１】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらの組み合わせが存在することを示すものであり、１つまたはそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらの組み合わせの存在または付加可能性を事前に排除するものではないと理解されるべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるというときは、他の部分の「真上に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が介在されている場合も含む。また、本明細書において、ある層、膜、領域、板などの部分が他の部分上（ｏｎ）に形成されたというときは、上記形成された方向は上部方向のみに限らず、側面や下部方向に形成されたことを含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」あるというときは、他の部分の「真下に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が介在されている場合も含む。
【００３２】
本発明の一実施形態は、表示装置に関するもので、「映像」などを表示する電子機器に適用される。本発明の一実施形態による表示装置は、携帯電話、スマートフォン（ｓｍａｒｔ  ｐｈｏｎｅ）、ラップトップコンピュータ（ｌａｐｔｏｐ  ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、デジタル放送用端末、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ  ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｐｌａｙｅｒ）、ナビゲーション、スレートＰＣ（ｓｌａｔｅ  ＰＣ）、タブレットＰＣ（ｔａｂｌｅｔ  ＰＣ）、ウルトラブック（ｕｌｔｒａｂｏｏｋ）、ウェアラブルデバイス（ｗｅａｒａｂｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ、例えば、ウォッチ型端末（ｓｍａｒｔｗａｔｃｈ）、メガネ型端末（ｓｍａｒｔ  ｇｌａｓｓ）、ＨＭＤ（ｈｅａｄ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｉｓｐｌａｙ））などを含む電子機器に適用される。
【００３３】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施形態をより詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示すブロック図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による表示装置は、様々な形状を有してよく、例えば、互いに平行な２対の辺を有する矩形の板状であるが、これに限定されない。表示装置が矩形の板状である場合、２対の辺のうちいずれが１対の辺が他の１対の辺より長くてもよい。
【００３６】
本実施形態による表示装置は、複数の画素ＰＸＬを含む表示パネル１００と、表示パネル１００に光を供給するバックライトユニット２００と、を含む。ここで、表示装置は、画素ＰＸＬが液晶表示素子で実現された液晶表示装置である。
【００３７】
表示パネル１００は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの少なくとも一側に設けられる非表示領域ＮＤＡと、を含む。
【００３８】
表示領域ＤＡは、画素部１１０が提供されて映像が表示される領域である。表示領域ＤＡは、様々な形状を有する。例えば、表示領域ＤＡは、直線の辺を含む多角形であってもよい。また、表示領域ＤＡは、曲線からなる辺を含む円形または楕円形であってもよい。また、表示領域ＤＡは、直線からなる辺及び曲線からなる辺を含む半円形または半楕円形であってもよい。
【００３９】
画素部１１０は、ゲート配線ＧＬ１〜ＧＬｎ及びデータ配線ＤＬ１〜ＤＬｍと連結される画素ＰＸＬを含む。各画素ＰＸＬは、ゲート配線ＧＬ１〜ＧＬｎのうち対応するゲート配線ＧＬ１とデータ配線ＤＬ１〜ＤＬｍのうち対応するデータ配線ＤＬ１に連結される。各画素ＰＸＬは、薄膜トランジスタ、液晶キャパシタ、ストレージキャパシタ、及び画素電極を含む。各画素ＰＸＬについては後述する。画素部１１０は、１つの画素ＰＸＬがそれぞれ提供される複数の画素領域を含む。
【００４０】
非表示領域ＮＤＡは、ゲートドライバ１２０、データドライバ１３０、タイミングコントローラ１４０、及びバックライトディミング調節部１８０が配置される領域であり、映像が表示されない周辺領域である。また、非表示領域ＮＤＡは、複数の画素領域の周辺に配置される周辺領域を含む。
【００４１】
タイミングコントローラ１４０は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）インタフェース、ＴＭＤＳ（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｍｉｎｉｍｉｚｅｄ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）インタフェースなどのインタフェースを介して外部のシステム（不図示）からデジタルビデオデータの入力を受ける。また、タイミングコントローラ１４０は、外部のシステムから垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ；ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｓｙｎｃ  ｓｉｇｎａｌ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ；ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｓｙｎｃ  ｓｉｇｎａｌ）、データイネーブル信号（ＤＥ；ｄａｔａ  ｅｎａｂｌｅ  ｓｉｇｎａｌ）、及びクロック信号（Ｃｌｋ）の供給を受ける。タイミングコントローラ１４０は、上記信号を利用して、ゲートドライバ１２０とデータドライバ１３０をそれぞれ制御するゲート制御信号ＧＣＳとデータ制御信号ＤＣＳを生成する。
【００４２】
ゲートドライバ１２０は、タイミングコントローラ１４０からのゲート制御信号ＧＣＳに応答して、ゲート配線ＧＬ１〜ＧＬｎに走査信号を供給する。例えば、ゲートドライバ１２０は、ゲート配線ＧＬ１〜ＧＬｎに走査信号を順に供給する。ゲート配線ＧＬ１〜ＧＬｎに走査信号が順に供給されると、画素ＰＸＬが水平ライン単位で選択される。
【００４３】
データドライバ１３０は、タイミングコントローラ１４０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答して、水平期間ごとに１ライン分ずつのデータ信号をデータ配線ＤＬ１〜ＤＬｍに供給する。データ配線ＤＬ１〜ＤＬｍに供給されるデータ信号は、走査信号によって選択された画素ＰＸＬに供給される。このため、データドライバ１３０は、走査信号と同期されるようにデータ配線ＤＬ１〜ＤＬｍにデータ信号を供給する。
【００４４】
バックライトディミング調節部１８０は、バックライトユニット２００に備えられた光源（不図示）のディミングデューティ（ｄｕｔｙ）を決める。
【００４５】
バックライトユニット２００は、表示パネル１００の下部に設けられ、バックライトディミング調節部１８０によって駆動されて表示パネル１００に光を均一に照射する。ここで、バックライトユニット２００は、直下型（ｄｉｒｅｃｔ  ｔｙｐｅ）またはエッジ型（ｅｄｇｅ  ｔｙｐｅ）に実現され得る。
【００４６】
図３は、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図であり、図４は、図３の表示装置における光
の進行方向を概略的に示す断面図である。
【００４７】
図１、図３、及び図４を参照すると、本実施形態による表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル１００の下部に設けられたバックライトユニット２００と、を含む。
【００４８】
表示パネル１００は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、を含む。
【００４９】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上に設けられた表示層ＤＤと、第１ベース基板ＢＳ１とバックライトユニット２００との間に設けられた第１偏光層ＰＯＬ１と、を含む。
【００５０】
第１ベース基板ＢＳ１は、第１ベース基板ＢＳ１上に形成される様々な構成要素を支持する。第１ベース基板ＢＳ１は、ガラス、樹脂（ｒｅｓｉｎ）などの絶縁性材料からなってもよい。また、第１ベース基板ＢＳ１は、曲げたり折り畳んだりできるように可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する材料からなってもよく、単層構造または多層構造であってもよい。
【００５１】
例えば、第１ベース基板ＢＳ１は、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、ポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、トリアセテートセルロース（ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）のうち少なくともいずれか１つを含む。ただし、第１ベース基板ＢＳ１を構成する材料は、多様に変更されてもよい。
【００５２】
表示層ＤＤは、表示領域ＤＡに配置され、複数の画素（図２のＰＸＬを参照）が提供される画素部（図２の１１０を参照）であってもよい。各画素ＰＸＬは、映像を表示する最小単位であって複数個提供される。各画素ＰＸＬは、薄膜トランジスタ、液晶キャパシタ、ストレージキャパシタ、及び第１電極を含む。第１電極は、薄膜トランジスタに連結された画素電極である。
【００５３】
第１偏光層ＰＯＬ１は、第１ベース基板ＢＳ１の一面、例えば、表示層ＤＤが設けられない面上に設けられる。第１偏光層ＰＯＬ１は、バックライトユニット２００から供給された光を特定方向に偏光させて、第１ベース基板ＢＳ１に供給する。第１偏光層ＰＯＬ１は、図示されたように、第１ベース基板ＢＳ１の上記一面に配置されるが、これに限定されない。例えば、第１偏光層ＰＯＬ１は、第１ベース基板ＢＳ１の他面、即ち、表示層ＤＤが設けられる面上に薄膜状に設けられてもよい。
【００５４】
液晶層ＬＣは、誘電率異方性を有する複数の液晶分子を含む。液晶層ＬＣの液晶分子は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に電界が印加されると、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間で特定方向に回転し、これにより、液晶層ＬＣを通る光を透過または遮断させる。
【００５５】
第２基板ＳＵＢ２は、第２電極ＥＬ２と、第２偏光層ＰＯＬ２と、選択透過フィルムＳＴＦと、カラー変換層ＣＬＬと、第２ベース基板ＢＳ２と、を含む。
【００５６】
第２電極ＥＬ２は、第１電極と対向し、第１電極とともに電界を形成して液晶層ＬＣを駆動する。第２電極ＥＬ２は、第２ベース基板ＢＳ２の全体にわたって設けられる共通電極である。第１電極と第２電極ＥＬ２は、それぞれが異なるベース基板上に設けられるが、これに限定されない。例えば、第１電極と第２電極ＥＬ２は同じ基板上に設けられてもよい。
【００５７】
第２偏光層ＰＯＬ２は、第２電極ＥＬ２上に設けられ、液晶層ＬＣを通過した光を特定方向に偏光させてカラー変換層ＣＬＬに供給する。ここで、第２偏光層ＰＯＬ２は、線格子パターン（不図示）が互いに一定の間隔で離隔されたワイヤグリッド偏光層である。また、第２偏光層ＰＯＬ２は、その下部に設けられた構造物の屈曲を緩和させて表面を平坦化する平坦化層（不図示）を含んでもよい。第２偏光層ＰＯＬ２は、図示されたように、第２ベース基板ＢＳ２の一面、例えば、第２電極ＥＬ２が設けられる面上に配置されるが、これに限定されない。例えば、第２偏光層ＰＯＬ２は、第２ベース基板ＢＳ２の他面、例えば、カラー変換層ＣＬＬが設けられない面上にフィルム状に設けられてもよい。
【００５８】
選択透過フィルムＳＴＦは、選択透過部として、第２偏光層ＰＯＬ２上に設けられ、液晶層ＬＣを通過した光を最終的にカラー変換層ＣＬＬに透過させ、カラー変換層ＣＬＬから液晶層ＬＣに入射される光を反射させる。選択透過フィルムＳＴＦは、例えば、薄膜プリズムフィルムと反射偏光フィルムが接合した構造で実現される。この場合、プリズムの山が配置される面に入射される光は反射され、プリズムの山が提供されていない面に入射される光は透過される。また、選択透過フィルムＳＴＦには、多層型偏光ミラー輝度向上フィルム（Ｄｕａｌ  Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｆｉｌｍ；ＤＢＥＦ）を用いてもよい。また、選択透過フィルムＳＴＦには、異なる屈折率を有する複数の層が繰り返して積層された反射型偏光フィルムを用いてもよい。
【００５９】
カラー変換層ＣＬＬは、選択透過フィルムＳＴＦ上に設けられ、選択透過フィルムＳＴＦから供給された光を画素ＰＸＬ毎に特定の色の光に変換して出射する。カラー変換層ＣＬＬについては後述する。
【００６０】
第２ベース基板ＢＳ２は、第１ベース基板ＢＳ１と同じ材質で実現されるが、これに限定されない。
【００６１】
バックライトユニット２００は、表示パネル１００の一面、例えば、第１偏光層ＰＯＬ１が設けられた面の下部に配置される。バックライトユニット２００は、表示パネル１００に光を供給する光源と、光源から供給される光を面光に変換する光学部材と、を含む。光源は、印刷回路基板上に配置された複数の発光ダイオードを含むが、これに限定されない。ここで、それぞれの発光ダイオードは青色光を放出するが、これに限定されず、例えば、それぞれの発光ダイオードは白色光を放出してもよい。以下の実施形態では、バックライトユニット２００が青色光を放出する場合について説明する。
【００６２】
図５は、図３のカラー変換層を概略的に示す断面図である。
【００６３】
図３及び図５を参照すると、本実施形態によるカラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。ここで、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３のそれぞれは、図２に示された各画素ＰＸＬに対応する。第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、第１ゲート配線ＧＬ１及び第１データ配線ＤＬ１に連結された画素ＰＸＬに対応し、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、第１ゲート配線ＧＬ１及び第１データ配線ＤＬ１に隣接する第２データ配線に連結された画素ＰＸＬに対応し、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、第１ゲート配線ＧＬ１及び第２データ配線に隣接する第３データ配線に連結された画素ＰＸＬに対応する。
【００６４】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット２００から供給された青色光を第１カラー光に変換する。ここで、第１カラー光は、赤色光である。即ち、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット２００から供給された青色光を吸収してエネルギー遷移によって波長をシフトさせて、約６２０ｎｍ〜６８０ｎｍ波長の赤色光を放出する。
【００６５】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、第１ベース層Ｆ＿１及び第１ベース層Ｆ＿１に分散された第１量子ドットＱＤ＿１を含む。第１ベース層Ｆ＿１は、透明樹脂である。第１量子ドットＱＤ＿１は、青色光を赤色光に変換する赤色量子ドットである。
【００６６】
第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された青色光を第２カラー光に変換する。ここで、第２カラー光は、緑色光である。即ち、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された青色光を吸収してエネルギー遷移によって波長をシフトさせて、約５００ｎｍ〜５６０ｎｍ波長の緑色光を放出する。
【００６７】
第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、第２ベース層Ｆ＿２及び第２ベース層Ｆ＿２に分散された第２量子ドットＱＤ＿２を含む。第２ベース層Ｆ＿２は、透明樹脂である。第２量子ドットＱＤ＿２は、青色光を緑色光に変換する緑色量子ドットである。
【００６８】
また、第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２は、ＩＩ−ＩＶ族化合物、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択される。
【００６９】
ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物；並びにＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物；並びにＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群から選択される。ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物；並びにＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される。ＩＶ族化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物である。
【００７０】
このとき、二元化合物、三元化合物、または四元化合物は、均一な濃度で粒子内に存在してもよく、濃度分布が部分的に異なる状態に分かれて同じ粒子内に存在してもよい。また、第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２は、１つの量子ドットが他の量子ドットを取り囲むコア／シェル構造を有する。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に向かうほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
【００７１】
第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２は、約４５ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ｏｆ  ｈａｌｆ  ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有する。この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２を通じて発光される光は、全方向に放出されるため、光視野角を向上させることができる。
【００７２】
第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２の形態は、当該技術分野で一般的に使用される形態であり、特に限定しないが、より具体的には、球状、ピラミッド状、多重枝状（ｍｕｌｔｉ−ａｒｍ）、または立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものが用いられる。
【００７３】
第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、バックライトユニット２００から供給される青色光をそのまま透過させる。このため、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、透明層を含む。透明層は、透明ポリマーからなり、バックライトユニット２００から供給された青色光が透過し、青色光をそのまま放出する。透明層を含む第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、別途の量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を含まず、入射された青色光をそのまま出射する。
【００７４】
第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間には、光遮断層ＳＤＬと、光遮断層ＳＤＬに隣接する光学センサが配置される。
【００７５】
光遮断層ＳＤＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間に配置され、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の混色を防止する。また、光遮断層ＳＤＬは、画素ＰＸＬが提供される画素領域の周辺を取り囲む周辺領域に配置され、バックライトユニット２００から供給される青色光が周辺領域に設けられた構造物（例えば、薄膜トランジスタ、配線部など）に入射されることを防止する。光遮断層ＳＤＬは、ブラックマトリックスであるが、これに限定されず、光を遮断する物質を含む材料からなることができる。
【００７６】
光学センサは、周辺領域に配置され、光遮断層ＳＤＬに隣接するように配置される。例えば、光学センサは、周辺領域における光遮断層ＳＤＬの一側に配置される。光学センサは、カラー変換層ＣＬＬから放出される光をリアルタイムで検出する。このため、光学センサは、カラー変換層ＣＬＬ内に備えられた第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２毎に対応するように、周辺領域に配置される。ここで、上記光学センサが光をリアルタイムで検出することは、光量、即ち、光の強さをリアルタイムで検出することを意味することができる。
【００７７】
光学センサは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側に配置された第１光学センサＯＳ１と、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側に配置された第２光学センサＯＳ２と、を含む。図面に示されたように、第１光学センサＯＳ１は、光遮断層ＳＤＬと第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１との間に配置され、第２光学センサＯＳ２は、光遮断層ＳＤＬと第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２との間に配置される。
【００７８】
第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から放出された赤色光をリアルタイムで検出し、第２光学センサＯＳ２は、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から放出された緑色光をリアルタイムで検出する。特に、第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の第１量子ドットＱＤ＿１から放出される赤色光を検出し、第２光学センサＯＳ２は、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の第２量子ドットＱＤ＿２から放出される緑色光を検出する。
【００７９】
第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２は、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２のそれぞれから放出される光の光学信号を、リードアウトライン（不図示）を介してタイミングコントローラ（図２の１４０を参照）に提供する。タイミングコントローラ１４０は、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２から提供された光学信号とデータドライバ（図２の１３０を参照）に提供されるデータ信号を利用して、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２の劣化を把握し、補償されたデータをデータドライバ１３０に提供する。
【００８０】
例えば、画素部（図２の１１０を参照）の中央領域でムラの生じた映像が表示される場合、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２は、ムラの生じた領域に対応するカラー変換層ＣＬＬから発生した光を検出し、これに対応する光学信号をタイミングコントローラ１４０に提供する。タイミングコントローラ１４０は、制御部として、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２から提供された光学信号と画素部１１０の中央領域に該当するデータ信号を利用して、ムラを補償する補償データ信号をデータドライバ１３０に提供する。
【００８１】
上述したように、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２のそれぞれは、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２毎に配置され、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２のそれぞれから放出される光を検出して、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２のそれぞれに備えられた第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２の劣化をリアルタイムで把握できる。
【００８２】
本実施形態による表示装置は、第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２を含むカラー変換層ＣＬＬを通じて優れた色再現性を有する光を出射するため、光出効率を向上させることができる。
【００８３】
また、表示装置は、カラー変換層ＣＬＬから出射される光をリアルタイムで検出して、第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２の劣化を把握できる。
【００８４】
また、表示装置は、第１及び第２量子ドットＱＤ＿１、ＱＤ＿２の劣化によるムラを補償する補償データを出力することで、ムラによる画質不良を最小化して表示品質を向上させることができる。
【００８５】
図６〜図８は、図５のカラー変換層を他の実施形態に従って概略的に示す断面図である。以下の実施形態では、説明の重複を避けるために、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００８６】
まず、図５及び図６を参照すると、カラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間には、光遮断層ＳＤＬが配置される。
【００８７】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット（図３の２００を参照）から供給された青色光を赤色光に変換し、第１ベース層Ｆ＿１及び第１ベース層Ｆ＿１に分散された第１量子ドットＱＤ＿１からなる。第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された青色光を緑色光に変換し、第２ベース層Ｆ＿２及び第２ベース層Ｆ＿２に分散された第２量子ドットＱＤ＿２からなる。第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、バックライトユニット２００から供給される青色光をそのまま透過させる透明層を含む。
【００８８】
光遮断層ＳＤＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間に配置されて、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の混色を防止する。光遮断層ＳＤＬは、ブラックマトリックスである。
【００８９】
バックライトユニット２００から青色光が入射される一の面に、光遮断層ＳＤＬに隣接するように光学センサが配置される。具体的には、光学センサは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬに隣接する第１光学センサＯＳ１と、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬに隣接する第２光学センサＯＳ２と、を含む。図６に示されるように、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２のそれぞれは、図面に示されるように、光遮断層ＳＤＬの下部に配置される。
【００９０】
第１光学センサＯＳ１には、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射された赤色光が入射される。第１光学センサＯＳ１は、赤色光を対応する光学信号に変換し、第１光学センサＯＳ１に連結されたリードアウトライン（不図示）を通じて、光学信号をタイミングコントローラ（図２の１４０を参考）に提供する。このとき、第１光学センサＯＳ１の上部に配置される光遮断層ＳＤＬは、外部光が第１光学センサＯＳ１に流入されることを防止する。これにより、第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射された赤色光のみを検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の第１量子ドットＱＤ＿１の劣化を把握できる。
【００９１】
第２光学センサＯＳ２には、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射された緑色光が入射される。第２光学センサＯＳ２は、緑色光を対応する光学信号に変換し、第２光学センサＯＳ２に連結されたリードアウトライン（不図示）を通じて、光学信号をタイミングコントローラ１４０に提供する。このとき、第２光学センサＯＳ２の上部に配置される光遮断層ＳＤＬは、外部光が第２光学センサＯＳ２に流入されることを防止する。これにより、第２光学センサＯＳ２は、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射された緑色光のみを検出して、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の第２量子ドットＱＤ＿２の劣化を把握できる。
【００９２】
次いで、図５及び図７を参照すると、カラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間には、光遮断層ＳＤＬが配置される。
【００９３】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット（図３の２００を参照）から供給された青色光を赤色光に変換し、第１ベース層Ｆ＿１及び第１ベース層Ｆ＿１に分散された第１量子ドットＱＤ＿１からなる。第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された青色光を緑色光に変換し、第２ベース層Ｆ＿２及び第２ベース層Ｆ＿２に分散された第２量子ドットＱＤ＿２からなる。第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、バックライトユニット２００から供給される青色光をそのまま透過させる透明層を含む。
【００９４】
光遮断層ＳＤＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間に配置されて、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の混色を防止できる。光遮断層ＳＤＬは、ブラックマトリックスである。
【００９５】
図７に示されるように、バックライトユニット２００から青色光が入射される一の面に、光遮断層ＳＤＬに隣接する光学センサ及び光学センサに隣接するフィルタ層が配置される。
【００９６】
光学センサは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬの一側に隣接する第１光学センサＯＳ１と、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬの一側に隣接する第２光学センサＯＳ２と、を含む。フィルタ層は、第１光学センサＯＳ１の一側に隣接する第１フィルタ層ＦＬ１と、第２光学センサＯＳ２の一側に隣接する第２フィルタ層ＦＬ２と、を含む。
【００９７】
第１フィルタ層ＦＬ１は、ブラックマトリックスであるが、これに限定されない。例えば、第１フィルタ層ＦＬ１は、赤色光のみを透過させる赤色カラーフィルタであってもよい。従って、第１フィルタ層ＦＬ１は、バックライトユニット２００から供給される青色光が第１光学センサＯＳ１に流入されることを防止する。これにより、第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射された赤色光のみを検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の第１量子ドットＱＤ＿１の劣化を把握できる。
【００９８】
第２フィルタ層ＦＬ２は、ブラックマトリックスであるが、これに限定されない。例えば、第２フィルタ層ＦＬ２は、緑色光のみを透過させる緑色カラーフィルタであってもよい。従って、第２フィルタ層ＦＬ２は、バックライトユニット２００から供給される青色光が第２光学センサＯＳ２に流入されることを防止する。これにより、第２光学センサＯＳ２は、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射された緑色光のみを検出して、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の第２量子ドットＱＤ＿２の劣化を把握できる。
【００９９】
次に、図５及び図８を参照すると、カラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間には、光遮断層ＳＤＬが配置される。図８において、カラー変換層ＣＬＬには、バックライトユニット（図３の２００を参照）から白色光が供給される。
【０１００】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット２００から供給された白色光を赤色光に変換し、第１ベース層Ｆ＿１及び第１ベース層Ｆ＿１に分散された第１量子ドットＱＤ＿１からなる。第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された白色光を緑色光に変換し、第２ベース層Ｆ＿２及び第２ベース層Ｆ＿２に分散された第２量子ドットＱＤ＿２からなる。第３サブカラー変換部ＳＣＬ３は、バックライトユニット２００から供給された白色光を青色光に変換し、第３ベース層Ｆ＿３及び第３ベース層Ｆ＿３に分散された第３量子ドットＱＤ＿３からなる。第３ベース層Ｆ＿３は、透明樹脂であり、第３量子ドットＱＤ＿３は、白色光を青色に変換する青色量子ドットである。
【０１０１】
光遮断層ＳＤＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間に配置されて、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の混色を防止する。光遮断層ＳＤＬは、ブラックマトリックスである。
【０１０２】
光遮断層ＳＤＬの一側に隣接するように光学センサが配置される。光学センサは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬの一側に隣接する第１光学センサＯＳ１と、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬの一側に隣接する第２光学センサＯＳ２と、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３の左側に設けられた光遮断層ＳＤＬの一側に隣接する第３光学センサＯＳ３と、を含む。
【０１０３】
第１光学センサＯＳ１には、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射された赤色光が入射される。第１光学センサＯＳ１は、赤色光を対応する光学信号に変換し、第１光学センサＯＳ１に連結されたリードアウトライン（不図示）を通じて、光学信号をタイミングコントローラ（図２の１４０を参考）に提供する。つまり、第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射された赤色光を検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の第１量子ドットＱＤ＿１の劣化を把握できる。
【０１０４】
第２光学センサＯＳ２には、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射された緑色光が入射される。第２光学センサＯＳ２は、緑色光を対応する光学信号に変換し、第２光学センサＯＳ２に連結されたリードアウトライン（不図示）を通じて、光学信号をタイミングコントローラ１４０に提供する。つまり、第２光学センサＯＳ２は、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射された緑色光を検出して、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の第２量子ドットＱＤ＿２の劣化を把握できる。
【０１０５】
第３光学センサＯＳ３には、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３から出射された青色光が入射される。第３光学センサＯＳ３は、青色光を対応する光学信号に変換し、第３光学センサＯＳ３に連結されたリードアウトライン（不図示）を通じて、光学信号をタイミングコントローラ１４０に提供する。つまり、第３光学センサＯＳ３は、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３から出射された青色光を検出して、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３の第３量子ドットＱＤ＿３の劣化を把握できる。
【０１０６】
図７に示されたフィルタ層が、第１〜第３光学センサＯＳ１、ＯＳ２、ＯＳ３のそれぞれの一側に隣接するように配置されてもよい。具体的には、第１光学センサＯＳ１の一側に隣接するように第１フィルタ層（図７のＦＬ１を参照）が配置され、第２光学センサＯＳ２の一側に隣接するように第２フィルタ層（図７のＦＬ２を参照）が配置され、第３光学センサＯＳ３の一側に隣接するように第３フィルタ層（不図示）が配置されてもよい。この場合、第１フィルタ層ＦＬ１は、赤色光のみを透過させる赤色カラーフィルタであり、第２フィルタ層ＦＬ２は、緑色光のみを透過させる緑色カラーフィルタであり、第３フィルタ層は、青色光のみを透過させる青色カラーフィルタである。
【０１０７】
第１フィルタ層ＦＬ１は、バックライトユニット２００から供給された白色光が第１光学センサＯＳ１に流入されることを防止し、第２フィルタ層ＦＬ２は、バックライトユニット２００から供給された白色光が第２光学センサＯＳ２に流入されることを防止し、第３フィルタ層は、バックライトユニット２００から供給された白色光が第３光学センサＯＳ３に流入されることを防止する。
【０１０８】
図９は、図３の表示装置を詳細に示す断面図である。
【０１０９】
図３及び図９を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル１００の下部に配置されたバックライトユニット２００と、を含む。
【０１１０】
表示パネル１００は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に設けられた液晶層ＬＣと、を含む。
【０１１１】
第１基板ＳＵＢ１は、複数の画素（図２のＰＸＬを参照）を含む第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上に設けられた薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴに連結された第１電極ＥＬ１と、第１ベース基板ＢＳ１とバックライトユニット２００との間に設けられた第１偏光層ＰＯＬ１と、を含む。ここで、各画素ＰＸＬは、薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴに連結された第１電極ＥＬ１と、を含む。
【０１１２】
第２基板ＳＵＢ２は、第２ベース基板ＢＳ２と、第２ベース基板ＢＳ２上に設けられたカラー変換層ＣＬＬと、カラー変換層ＣＬＬ上に設けられた選択透過フィルムＳＴＦと、選択透過フィルムＳＴＦ上に設けられた第２偏光層ＰＯＬ２と、第２偏光層ＰＯＬ２上に設けられた第２電極ＥＬ２と、を含む。
【０１１３】
バックライトユニット２００は、表示パネル１００の一面、例えば、第１偏光層ＰＯＬ１が設けられた面の下部に配置される。バックライトユニット２００は、表示パネル１００に光を供給する光源と、光源から供給される光を面光に変換する光学部材と、を含む。
【０１１４】
以下、本発明の一実施形態による表示装置を積層順に沿って説明する。便宜のために、第１基板ＳＵＢ１を説明してから第２基板ＳＵＢ２を説明する。
【０１１５】
第１ベース基板ＢＳ１が提供される。第１ベース基板ＢＳ１は、剛性（Ｒｉｇｉｄ）基板であっても、可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であってもよい。剛性基板は、ガラス基板、石英基板、ガラスセラミック基板、及び結晶質基板のいずれか１つであってもよい。可撓性基板は、高分子有機物を含むフィルム基板及びプラスチック基板のいずれか１つであってもよい。第１ベース基板ＢＳ１に適用される物質は、製造工程時の高い処理温度に対して抵抗性（つまり、耐熱性）を有することが好ましい。
【０１１６】
第１ベース基板ＢＳ１上に第１ゲート電極ＧＥ１が設けられる。第１ゲート電極ＧＥ１は、金属からなる。例えば、第１ゲート電極ＧＥ１は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）などの金属のうち少なくとも１つ、または金属の合金からなる。また、第１ゲート電極ＧＥ１は、単一膜で形成されるが、これに限定されず、金属及び合金のうち２以上の物質が積層された多重膜で形成されてもよい。
【０１１７】
第１ベース基板ＢＳ１と第１ゲート電極ＧＥ１との間にバッファ層（不図示）が設けられる。バッファ層は、薄膜トランジスタＴＦＴに不純物が拡散することを防止する。バッファ層は、単一層であってもよく、２重層以上の多重層であってもよい。
【０１１８】
バッファ層は、無機材料からなる無機絶縁膜である。例えば、バッファ層は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などからなる。バッファ層が多重層である場合、各層は同じ材料または異なる材料からなる。バッファ層は、第１ベース基板ＢＳ１の材料及び工程条件によって省略される。
【０１１９】
第１ゲート電極ＧＥ１を含む第１ベース基板ＢＳ１上に、ゲート絶縁膜ＧＩが設けられる。ゲート絶縁膜ＧＩは、無機材料からなる無機絶縁膜である。無機材料には、ポリシロキサン、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などが用いられる。
【０１２０】
ゲート絶縁膜ＧＩ上に第１半導体層ＳＭＬ１が設けられる。第１半導体層ＳＭＬ１は、ゲート絶縁膜ＧＩ上に薄膜状に設けられる。第１半導体層ＳＭＬ１は、第１ゲート電極ＧＥ１の上部に設けられ、第１ゲート電極ＧＥ１の少なくとも一部と重畳される。第１半導体層ＳＭＬ１は、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体などからなる半導体パターンである。
【０１２１】
第１半導体層ＳＭＬ１上に、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ソース電極ＳＥ１と離隔した第１ドレイン電極ＤＥ１が設けられる。第１ソース電極ＳＥ１は、第１半導体層ＳＭＬ１の一側をカバーし、第１ドレイン電極ＤＥ１は、第１半導体層ＳＭＬ１の一側と対向する他側をカバーする。
【０１２２】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１のそれぞれは、導電性物質、例えば、金属からなる。第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１のそれぞれは、単一金属からなるが、２種以上の金属または２種以上の金属の合金などからなってもよい。例えば、第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１は、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタン、銅、タングステン、及びこれらを含む合金からなる。また、第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１のそれぞれは単一層または多重層に形成される。例えば、第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１のそれぞれは、チタンと銅からなる二重膜からなる。
【０１２３】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１上に保護層ＰＳＶが設けられる。保護層ＰＳＶは、無機材料からなる無機絶縁膜または有機材料からなる有機絶縁膜である。無機材料には、ポリシロキサン、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などが用いられる。有機材料には、ポリアクリル系化合物、ポリイミド系化合物、テフロン（登録商標）のようなフッ素系炭素化合物、ベンゾシクロブテン化合物などのような有機絶縁物質が用いられる。保護層ＰＳＶは、第１ドレイン電極ＤＥ１の一部を露出させる第１コンタクトホールＣＨ１を含む。
【０１２４】
保護層ＰＳＶ上に第１電極ＥＬ１が設けられる。第１電極ＥＬ１は、第１コンタクトホールＣＨ１を介して第１ドレイン電極ＤＥ１に連結される。第１電極ＥＬ１は透明な導電性物質からなってもよい。特に、第１電極ＥＬ１は、透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）で形成されてもよい。透明導電性酸化物には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などがある。
【０１２５】
第１ベース基板ＢＳ１の背面（例えば、薄膜トランジスタＴＦＴが配置されていない面）には、第１偏光層ＰＯＬ１が設けられる。
【０１２６】
第１偏光層ＰＯＬ１は、バックライトユニット２００から供給される光の損失を最小化し、光を特定方向に偏光させて液晶層ＬＣに提供する。
【０１２７】
次に、第２基板ＳＵＢ２を積層順に沿って説明する。
【０１２８】
第２ベース基板ＢＳ２が設けられる。第２ベース基板ＢＳ２は、第１ベース基板ＢＳ１と同じ材質で実現されるが、これに限定されない。
【０１２９】
第２ベース基板ＢＳ２上にカラー変換層ＣＬＬが設けられる。カラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３の間には、光遮断層ＳＤＬが配置される。光遮断層ＳＤＬの一側に隣接するように第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２が配置される。
【０１３０】
第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３のそれぞれは、各画素ＰＸＬに１対１に対応して配置される。第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１は、バックライトユニット２００から供給された青色光を赤色光に変換して出射し、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２は、バックライトユニット２００から供給された青色光を緑色光に変換して出射し、第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３は、バックライトユニット２００から供給された青色光をそのまま出射する。
【０１３１】
光遮断層ＳＤＬは、各画素ＰＸＬの周辺を取り囲む周辺領域に配置され、第１及び第２光学センサＯＳ１、ＯＳ２は、周辺領域において光遮断層ＳＤＬに隣接して配置される。
カラー変換層ＣＬＬ上に選択透過フィルムＳＴＦが設けられる。選択透過フィルムＳＴＦは、液晶層ＬＣを通過した光をカラー変換層ＣＬＬに透過させ、カラー変換層ＣＬＬから液晶層ＬＣに入射される光を反射させる。
【０１３２】
選択透過フィルムＳＴＦ上にオーバーコート層ＯＣＬが設けられる。オーバーコート層ＯＣＬは、その下部に設けられる構造物の屈曲を緩和させて表面を平坦化する。
【０１３３】
オーバーコート層ＯＣＬ上に第２偏光層ＰＯＬ２が設けられる。第２偏光層ＰＯＬ２は、液晶層ＬＣを通過した光を特定方向に偏光させて選択透過フィルムＳＴＦに提供する。
【０１３４】
第２偏光層ＰＯＬ２上に第２電極ＥＬ２が設けられる。第２電極ＥＬ２は、第１電極ＥＬ１とともに電界を形成する共通電極である。第２電極ＥＬ２は、透明導電性物質からなる。例えば、第２電極ＥＬ２は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの導電性金属酸化物で形成される。
【０１３５】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間には、液晶分子を含む液晶層ＬＣが設けられる。
【０１３６】
図１０は、図９の光学センサのうち第１光学センサを説明するための拡大図である。
【０１３７】
図９及び図１０を参照すると、本発明の一実施形態による第１光学センサＯＳ１は、光学検出用薄膜トランジスタと、光学検出用薄膜トランジスタに連結されたリードアウトラインＲＯＬと、を含む。
【０１３８】
光学検出用薄膜トランジスタは、第２ゲート電極ＧＥ２と、第２半導体層ＳＭＬ２と、第２ソース電極ＳＥ２と、第２ドレイン電極ＤＥ２と、を含む。
【０１３９】
第２ゲート電極ＧＥ２は、第２ベース基板ＢＳ２上に設けられ、金属からなる。例えば、第２ゲート電極ＧＥ２は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）などの金属のうち少なくとも１つ、または金属の合金からなる。また、第２ゲート電極ＧＥ２は、単一膜で形成されるが、これに限定されず、金属及び合金のうち２以上の物質が積層された多重膜で形成されてもよい。
【０１４０】
第２半導体層ＳＭＬ２は、バッファ層ＢＦＬを挟んで第２ゲート電極ＧＥ２上に設けられる。ここで、バッファ層ＢＦＬは、第１光学センサＯＳ１に不純物が拡散することを防止し、第２ベース基板ＢＳ２の材料及び工程条件によっては省略することができる。
【０１４１】
第２半導体層ＳＭＬ２は、バッファ層ＢＦＬ上に薄膜状に設けられる。第２半導体層ＳＭＬ２は、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体などからなる半導体パターンである。
【０１４２】
第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレイン電極ＤＥ２は、第２半導体層ＳＭＬ２上に設けられる。第２ソース電極ＳＥ２は、第２半導体層ＳＭＬ２の一側をカバーし、第２ドレイン電極ＤＥ２は、第２半導体層ＳＭＬ２の一側と対向する他側をカバーする。第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレイン電極ＤＥ２のそれぞれは、導電性物質、例えば、金属からなる。
【０１４３】
第２ドレイン電極ＤＥ２は、層間絶縁膜ＩＬに設けられた第２コンタクトホールＣＨ２を介して、リードアウトラインＲＯＬに連結される。
【０１４４】
このような構成を有する第１光学センサＯＳ１は、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から供給された赤色光をリアルタイムで検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の劣化を把握できる。
【０１４５】
本発明の一実施形態によると、光学センサは、多様な構造で配置される。図１１ａ〜図１１ｄは、本発明の実施形態によるカラー変換層の構成要素の配置構造を示す図である。
【０１４６】
図１１ａ〜図１１ｄは、カラー変換層の構成要素の配置構造を示す平面図である。図１１ａ〜図１１ｄにおいて、カラー変換層は、第１〜第３サブカラー変換部を含む。第１サブカラー変換部から出射される光は、赤色光Ｒで示し、第２サブカラー変換部から出射される光は、緑色光Ｇで示し、第３サブカラー変換部から出射される光は、青色光Ｇで示す。
【０１４７】
まず、図１１ａを参照すると、本発明の一実施形態によるカラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３のそれぞれは、各画素（図２のＰＸＬを参照）に１対１に対応して配置される。
【０１４８】
カラー変換層ＣＬＬは、略矩形で、中でも長方形であってもよい。本発明の一実施形態において、カラー変換層ＣＬＬは、第１方向ＤＲ１に沿って互いに平行な１対の長辺と、第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２に沿って互いに平行な１対の短辺を含む。しかし、カラー変換層ＣＬＬの形状はこれに限定されるものではなく、第１及び第２ベース基板（図９のＢＳ１、ＢＳ２を参照）の形状に対応する形状であってもよい。例えば、第１及び第２ベース基板ＢＳ１、ＢＳ２が直線の辺を含む閉じた多角形、曲線からなる辺を含む円形または楕円、直線と曲線からなる辺が含む半円または半楕円などの様々な形状である場合、カラー変換層ＣＬＬもこれに対応する形状を有することができる。
【０１４９】
第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの周辺には光遮断層ＳＤＬが配置される。光遮断層ＳＤＬ内には、光学センサＯＳが配置される。
【０１５０】
光学センサＯＳは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側にそれぞれ配置される。このとき、バックライトユニット（図３の２００を参照）から青色光がカラー変換層ＣＬＬに供給される。
【０１５１】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側に配置された光学センサＯＳは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射される赤色光Ｒを検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の劣化を把握できる。第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側に配置された光学センサＯＳは、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射される緑色光Ｇを検出して、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の劣化を把握できる。
【０１５２】
図１１ａでは、光学センサＯＳが、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２それぞれの左側に配置されているが、これに限定されない。例えば、光学センサＯＳは、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２のそれぞれの右側に配置されてもよい。
【０１５３】
図１１ｂを参照すると、本発明の他の実施形態によるカラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３のそれぞれの周辺には光遮断層ＳＤＬが配置され、光遮断層ＳＤＬ内には光学センサＯＳが配置される。
【０１５４】
光学センサＯＳは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の下側及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の下側にそれぞれ配置される。このとき、バックライトユニット（図３の２００を参照）から青色光がカラー変換層ＣＬＬに供給される。
【０１５５】
第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の下側に配置された光学センサＯＳは、その上側に配置された第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１から出射される赤色光Ｒを検出して、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の劣化を把握できる。第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の下側に配置された光学センサＯＳは、その上側に配置された第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２から出射される緑色光Ｇを検出して、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の劣化を把握できる。
【０１５６】
図１１ｂでは、光学センサＯＳが、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２それぞれの下側に配置されているが、これに限定されない。例えば、光学センサＯＳは、第１及び第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２のそれぞれの上側に配置されてもよい。
【０１５７】
図１１ｃを参照すると、本発明の他の実施形態によるカラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの周辺には光遮断層ＳＤＬが配置され、光遮断層ＳＤＬ内に光学センサＯＳが配置される。
【０１５８】
光学センサＯＳは、第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１の左側、第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２の左側、及び第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３の左側にそれぞれ配置される。このとき、バックライトユニット（図３の２００を参照）から白色光がカラー変換層ＣＬＬに供給される。
【０１５９】
光学センサＯＳは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれから出射される赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、及び青色光Ｂを検出して、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３のそれぞれの劣化を把握できる。
【０１６０】
図１１ｃでは、光学センサＯＳが、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの左側に配置されているが、これに限定されない。例えば、光学センサＯＳは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの右側に配置されてもよい。また、光学センサＯＳは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの下側または上側に配置されてもよい。
【０１６１】
図１１ｄを参照すると、本発明の他の実施形態によるカラー変換層ＣＬＬは、第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３を含む。ここで、カラー変換層ＣＬＬは、第２方向ＤＲ２に延びた第１列に沿って配列された２つの第１サブカラー変換部ＳＣＬＬ１と、第１列に隣接する第２列に沿って配列された２つの第２サブカラー変換部ＳＣＬＬ２と、第２列に隣接する第３列に沿って配列された２つの第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ３とが１つの束にグループ化された複数個の発光グループＥＭＧを含む。
【０１６２】
第１〜第３サブカラー変換部ＳＣＬＬ１、ＳＣＬＬ２、ＳＣＬＬ３それぞれの周辺には光遮断層ＳＤＬが配置される。光遮断層ＳＤＬ内には光学センサＯＳが配置される。
【０１６３】
光学センサＯＳは、複数個の発光グループＥＭＧのそれぞれから出射された光を検出して、複数個の発光グループＥＭＧそれぞれの劣化を把握できる。
【０１６４】
光学センサＯＳは、隣接する光学センサＯＳとの間隔が等しくなるように、光遮断層ＳＤＬ内に規則的に配置されるが、これに限定されない。例えば、光学センサＯＳは、光遮断層ＳＤＬ内に不規則に配置されてもよい。即ち、光学センサＯＳは、光遮断層ＳＤＬ内にランダムに配置されてもよい。
【０１６５】
図１２は、図２に示された画素の実施形態を示す等価回路図であり、図１３は、図１２に示された画素を詳細に示す平面図であり、図１４は、図１３のII−II'線に沿った断面図である。本発明の一実施形態による表示装置は、複数の信号配線と、信号配線に対応して連結されマトリックス状に配列された複数の画素と、を含む。図１２〜図１４では、画素のうち何れか１つの画素に対応する回路図のみを示した。ここで、画素は長方形であるものが示されているが、これに限定されず、様々な形状に変形される。
【０１６６】
図２及び図１２を参照すると、信号配線は、ゲート信号を伝達するゲート配線ＧＬと、データ信号を伝達するデータ配線ＤＬと、を含む。ゲート配線ＧＬは、第１方向（例えば、行方向）に、データ配線ＤＬは、第１方向と交差する第２方向（例えば、列方向）に延長される。
【０１６７】
画素ＰＸＬは、ゲート配線ＧＬ及びデータ配線ＤＬに連結された薄膜トランジスタＴＦＴと、液晶キャパシタＣｌｃと、ストレージキャパシタＣｓｔと、を含む。
【０１６８】
薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＥは、ゲート配線ＧＬに連結され、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＥは、データ配線ＤＬに連結され、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＥは、液晶キャパシタＣｌｃ及びストレージ配線ＳＴＬに連結されたストレージキャパシタＣｓｔに連結される。
【０１６９】
ゲート電極ＧＥにゲート信号が印加されると、薄膜トランジスタＴＦＴがターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）し、データ信号がドレイン電極ＤＥと連結された液晶キャパシタＣｌｃ及びストレージキャパシタＣｓｔに充填（つまり、保持）される。ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号を充填して、薄膜トランジスタＴＦＴがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）した後にもこれを維持する。
【０１７０】
図１３及び図１４を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、第１電極ＥＬ１を含む第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１に対向し、第２電極ＥＬ２を含む第２ベース基板ＢＳ２と、第１ベース基板ＢＳ１と第２ベース基板ＢＳ２との間に設けられた液晶層ＬＣと、を含む。
【０１７１】
第１ベース基板ＢＳ１上には電子素子が設けられる。第１ベース基板ＢＳ１は、透明絶縁性物質、例えば、ガラス、シリコン、水晶、プラスチックなどからなってもよく、可撓性を有してもよい。
【０１７２】
上記電子素子は、ゲート配線ＧＬと、データ配線ＤＬと、ストレージ配線ＳＴＬと、薄膜トランジスタＴＦＴと、第１電極ＥＬ１と、を含む。
【０１７３】
第１ベース基板ＢＳ１上に、ゲート配線ＧＬ、ゲート配線ＧＬと連結されたゲート電極ＧＥ、及びストレージ配線ＳＴＬが設けられる。
【０１７４】
ゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、及びストレージ配線ＳＴＬを含む第１ベース基板ＢＳ１上に、ゲート絶縁膜ＧＩが設けられる。
【０１７５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上に半導体層ＳＭＬが設けられる。半導体層ＳＭＬは、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体などからなる半導体パターンである。
【０１７６】
半導体層ＳＭＬ上に、ソース電極ＳＥと、ソース電極ＳＥと離隔したドレイン電極ＤＥが設けられる。
【０１７７】
ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥ上に保護層ＰＳＶが設けられる。保護層ＰＳＶは、ドレイン電極ＤＥの一部を露出させるコンタクトホールＣＨを含む。
【０１７８】
保護層ＰＳＶ上に第１電極ＥＬ１が設けられる。第１電極ＥＬ１は、コンタクトホールＣＨを介してドレイン電極ＤＥに連結される。第１電極ＥＬ１は、透明な導電性物質からなる。第１電極ＥＬ１は、ストレージ配線ＳＴＬと一部重なり、保護層ＰＳＶを挟んでストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【０１７９】
第１ベース基板ＢＳ１の背面（例えば、薄膜トランジスタＴＦＴが配置されていない面）には、第１偏光層（不図示）が設けられる。
【０１８０】
第２ベース基板ＢＳ２上に、カラー変換層ＣＬＬ及び第２電極ＥＬ２が設けられる。
【０１８１】
第２ベース基板ＢＳ２は、透明な絶縁性物質、例えば、ガラス、シリコン、水晶、プラスチックなどからなってもよく、可撓性を有してもよい。
【０１８２】
カラー変換層ＣＬＬは、バックライトユニット２００から供給された光を画素ＰＸＬ毎に特定色の光に変換する。
【０１８３】
第２電極ＥＬ２は、第１電極ＥＬ１とともに電界を生成して液晶層ＬＣを駆動する。
【０１８４】
図１５は、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示す断面図である。図１５では、重複した説明を避けるために、上述した実施形態と異なる点を中心に説明する。本実施形態において特に説明しない部分は、上述した実施形態による表示装置と同様であり、同じ番号は同じ構成要素を、類似する番号は類似する構成要素を指す。
【０１８５】
図１５を参照すると、本発明の他の実施形態による表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル１００の下部に設けられたバックライトユニット２００と、を含む。
【０１８６】
表示パネル１００は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、タッチ検知部３００と、を含む。
【０１８７】
第１基板ＳＵＢ１は、第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上に設けられた表示層ＤＤと、第１ベース基板ＢＳ１とバックライトユニット２００との間に設けられた第１偏光層ＰＯＬ１と、を含む。
【０１８８】
第２基板ＳＵＢ２は、第２電極ＥＬ２と、第２偏光層ＰＯＬ２と、選択透過フィルムＳＴＦと、カラー変換層ＣＬＬと、第２ベース基板ＢＳ２と、を含む。
【０１８９】
タッチ検知部３００は、第２ベース基板ＢＳ２上に配置され、ユーザの手や別の入力手段を介した表示装置へのタッチイベントを認識する。タッチ検知部３００は、検知電極を含んでタッチ及び／または圧力を検知するものであり、その種類は特に限定されない。例えば、タッチ検知部３００は、静電容量方式やピエゾ抵抗方式などで実現される。静電容量方式は、２つの検知電極間の相互作用による静電容量の変化をセンシングする相互静電容量（ｍｕｔｕａｌ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式と、検知電極自身の静電容量の変化をセンシングする自己静電容量（ｓｅｌｆ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式を含む。
【０１９０】
図１６は、図１５の表示装置のタッチ検知部が自己静電容量方式で実現される場合のタッチ検知部の一部を示す平面図であり、図１７は、図１６のIII−III'線に沿った断面図である。
図１５〜図１７を参照すると、本発明の他の実施形態によるタッチ検知部３００は、第２ベース基板ＢＳ２上にマトリックス状に配列された検知電極ＳＥＬを含む。各検知電極ＳＥＬには連結配線ＣＬが連結され、連結配線ＣＬを介して所定電圧が印加される。タッチ検知部３００をユーザがタッチした場合、タッチされた領域の検知電極ＳＥＬの静電容量が変化し、静電容量の変化による所定電圧の変化を得ることで、特定位置におけるタッチの有無を把握できる。
【０１９１】
図１８は、図１５の表示装置のタッチ検知部が相互静電容量方式で実現される場合のタッチ検知部の一部を示す平面図であり、図１９は、図１８のＰ１に対応する部分を拡大した平面図であり、図２０は、図１９のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面図である。
【０１９２】
図１５、図１８〜図２０を参照すると、本発明の他の実施形態によるタッチ検知部３００は、検知セルＳＣと、検知セルＳＣに連結されて検知セルＳＣを外部の駆動回路（不図示）に電気的に連結する連結配線ＣＬと、を含む。
【０１９３】
検知セルＳＣは、第１検知セルＳＣ１と第２検知セルＳＣ２を含む。第１検知セルＳＣ１は、第１方向に延びた第１検知電極ＳＥＬ１と、第１検知電極ＳＥＬ１を互いに連結する第１ブリッジパターンＢＰ１を含む。第２検知セルＳＣ２は、第１方向と交差する第２方向に延びた第２検知電極ＳＥＬ２と、第２検知電極ＳＥＬ２を互いに連結する第２ブリッジパターンＢＰ２と、を含む。ここで、第１検知電極ＳＥＬ１を互いに連結する第１ブリッジパターンＢＰ１と第２検知電極ＳＥＬ２を互いに連結する第２ブリッジパターンＢＰ２は、連結配線ＣＬに含まれる。
【０１９４】
第１検知電極ＳＥＬ１と第２検知電極ＳＥＬ２は、互いに連結されない独立したパターンで形成される。第１検知電極ＳＥＬ１が、第１検知電極ＳＥＬ１と一体に形成された第１ブリッジパターンＢＰ１によって互いに連結される場合、第２検知電極ＳＥＬ２は、絶縁層ＩＬによって互いに分離されて形成された第２ブリッジパターンＢＰ２によって互いに連結される。
【０１９５】
第１検知電極ＳＥＬ１と第２検知電極ＳＥＬ２のうちの１つは駆動電極に、残りの１つは検知電極に用いられる。
【０１９６】
本発明の他の実施形態によるタッチ検知部３００の第１検知電極ＳＥＬ１、第２検知電極ＳＥＬ２、及び連結配線ＣＬは、すべて第２ベース基板ＢＳ２上に設けられる。
【０１９７】
以上では、本発明の好適な実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者または当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術範囲から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更できることは理解できるであろう。
【０１９８】
従って、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【符号の説明】
【０１９９】
１００  表示パネル
２００  バックライトユニット
３００  タッチ検知部
ＳＵＢ１  第１基板
ＳＵＢ２  第２基板
ＬＣ  液晶層
ＢＳ１  第１ベース基板
ＢＳ２  第２ベース基板
ＣＬＬ  カラー変換層
ＤＤ  表示層
ＥＬ１  第１電極
ＥＬ２  第２電極
ＦＬ  フィルタ層（第２光遮断層）
ＯＳ  光学センサ
ＰＯＬ１／ＰＯＬ２  第１及び第２偏光層
ＳＣＬＬ１〜ＳＣＬＬ３  第１〜第３サブカラー変換部
ＳＤＬ  光遮断層（第１光遮断層）
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１１ｄ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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