(57)【要約】【課題】色純度と色再現性が高い、発光素子を備えた表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、第１の画素と第２の画素に発光素子を備える。該発光素子は、白色光を射出する発光層と、微小光共振器構造を備える。該微小光共振器構造は、青色と赤色の光を、いずれも強めあう。第１の画素は、青色の着色層を有する。該着色層は、透過スペクトルにおいて、波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の範囲の光の透過率のうち最大値は、波長５００ｎｍの光の透過率の１０倍以上である。第１の画素の発光素子から射出される光は、該着色層を透過して視認することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、発光層と、第１の着色膜と、を有し、
前記第１の画素及び前記第２の画素において、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、前記発光層が形成され、
前記第１の画素において、前記第１の着色膜と、前記第２の導電膜との間に、前記第１の導電膜が形成され、
前記第１の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間の距離が、第１の距離である部分を有し、
前記第２の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間の距離が、第２の距離である部分を有し、
前記第１の距離は、前記第２の距離と等しく、
前記第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、
前記第２の導電膜は、光反射性を備え、
前記第１の着色膜は、第１の透過率及び第２の透過率を備えた、透過スペクトルを有し、
前記第１の透過率は、波長５００ｎｍの光に対する透過率であり、
前記第２の透過率は、波長４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率であり、
前記第２の透過率は、前記第１の透過率の１０倍以上である表示パネル。
【請求項２】
請求項１において、
第３の画素を有し、
前記第３の画素において、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、前記発光層が形成され、
前記第３の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間の距離が、第３の距離である部分を有し、
前記第３の距離は、前記第１の距離と異なる表示パネル。
【請求項３】
請求項２において、
第２の着色膜と、第３の着色膜と、を有し、
前記第２の画素において、前記第２の着色膜と、前記第２の導電膜との間に、前記第１の導電膜が形成され、
前記第３の画素において、前記第３の着色膜と、前記第２の導電膜との間に、前記第１の導電膜が形成され、
前記第２の着色膜は、赤色の光を透過し、
前記第３の着色膜は、緑色の光を透過する表示パネル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電膜は銀を含む表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
トランジスタ、モニタ配線、及びモニタ回路を有し、
前記トランジスタは、前記モニタ配線と、前記第２の導電膜とを接続する機能を有し、
前記モニタ配線は、前記モニタ回路と接続される表示パネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示パネルと、
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、を含む情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、情報処理装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、作製方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの作製方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイ技術の発展に伴って、要求される性能は日々高度化している。あるディスプレイが再現可能な色域を示す規格には、従来から広く指標とされているｓＲＧＢ規格やＮＴＳＣ規格などがあるが、最近ではより広い色域をカバーするＢＴ．２０２０規格が提唱されている。
【０００４】
ほぼ全ての物体色を表現できるＢＴ．２０２０規格ではあるが、有機化合物の発するブロードな発光スペクトルをそのまま用いるのでは現状実現が難しいため、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造等を用いることによって色純度を高めることで、当該規格を実現する試みがなされている。
【０００５】
表示パネルにおいて、より広い色域をカバーする、微小光共振器構造長の異なる領域を設ける構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上で有利である。特に、広い色再現性を達成するためには、最適な発光スペクトルピーク波長と、シャープなスペクトルを得ることが必要である。
【０００８】
しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラーの発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在する画素での色純度の低下が問題となっている。また、視認する角度が変化したとき、色度差が発生することがあり、このとき表示パネルは色再現性が低下する。
【０００９】
さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加に伴う、表示パネルの生産性の低下が問題になる。
【００１０】
そこで、本発明の一態様は、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した表示パネルにおいて、各発光素子から所望の波長の光が色純度高く射出される素子構造とすることができる構成により、色再現性の高い発光素子を備えた表示パネルを提供することを課題の一とする。または、表示する角度によって、色度差が小さい表示パネルを提供することを課題の一とする。
【００１１】
または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することを課題の一とする。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することを課題の一とする。
【００１２】
または、生産性の良い表示パネル、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【００１３】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様の表示パネルは、第１の画素と、第２の画素と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、発光層と、第１の着色膜と、を有する。第１の画素及び第２の画素において、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、発光層が形成される。第１の画素において、第１の着色膜と、第２の導電膜との間に、第１の導電膜が形成される。第１の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間の距離が、第１の距離である部分を有し、第２の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間の距離が、第２の距離である部分を有し、第１の距離は、第２の距離と等しい。
【００１５】
第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備える。第２の導電膜は、光反射性を備える。第１の着色膜は、第１の透過率及び第２の透過率を備えた、透過スペクトルを有するる。第１の透過率は、波長５００ｎｍの光に対する透過率であり、第２の透過率は、波長４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率であり、第２の透過率は、第１の透過率の１０倍以上である。
【００１６】
上記構成において、第３の画素を有し、第３の画素において、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、発光層が形成され、第３の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間の間の距離が、第２の距離である部分を有し、第３の距離は、第１の距離と異なると好ましい。
【００１７】
上記各構成において、第１の着色膜と、第２の着色膜と、を有し、第２の画素において、第１の着色膜と第２の導電膜との間に、第１の導電膜が形成され、第３の画素において、第２の着色膜と第２の導電膜との間に、第１の導電膜が形成され、第１の着色膜は、赤色の光を透過し、第２の着色膜は、緑色の光を透過すると好ましい。
【００１８】
上記各構成において、第２の導電膜は銀を含むと好ましい。
【００１９】
本発明の別の一態様の表示装置は、モニタ配線と、トランジスタとを有し、トランジスタは、モニタ配線と、第２の導電膜とを接続する機能を有すると好ましい。モニタ配線は、モニタ回路と接続される。
【００２０】
本発明の別の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記各構成の表示パネルと、を含む。
【００２１】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様の表示パネルは、射出する光のスペクトルを狭線化することができる。その結果、当該光の色純度を高めることができる。
【００２３】
射出する光の色純度が高められることにより、色再現性が向上した、視認性の良い表示パネルを提供することができる。尚、ある色の色純度が高い光は、当該色の発光スペクトルが狭線化され、他の色を呈する波長領域の光強度が小さい光である。
【００２４】
または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することができる。または、生産性の良い表示パネル、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
【００２５】
または、表示する角度の変化に伴う、色度の変化が小さい表示パネルを提供することができる。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することができる。
【００２６】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する上面図および断面図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルより射出される光を説明する図。
【図３】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する断面図。
【図４】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する断面図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する上面図。
【図６】実施の形態に係る多階調マスクを説明する図。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図９】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明するフロー図。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルを説明する上面図。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図１２】実施の形態に係る画素回路の構成を説明する回路図及びタイミングチャート。
【図１３】実施の形態に係る画素の構成を説明する上面図。
【図１４】実施の形態に係る画素の構成を説明する上面図。
【図１５】実施の形態に係る表示パネルを説明する断面図。
【図１６】実施の形態に係る表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図。
【図１７】実施の形態に係るトランジスタの作製方法を説明する断面図。
【図１８】実施の形態に係る表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図。
【図１９】実施の形態に係る画素回路の構成を説明する回路図。
【図２０】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図２１】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図２２】実施例に係る屈折率特性を説明する図。
【図２３】実施例に係る光のスペクトルを説明する図。
【図２４】実施例に係る透過スペクトルと、色度差を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
本発明の一態様の表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する自発光型の表示素子を備える。当該複数の画素は、該画素の備える表示素子に、微小光共振器を備える。
【００３０】
これにより、色純度が高い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することができる。さらに、色相が互いに異なる２の画素の、微少光共振器構造の作製工程の一部を同一とすることにより、工程数およびコストの削減を図ることができる。
【００３１】
＜本明細書等の記載に関する付記＞
本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００３２】
符号に補足する記号を用いた場合、符号に相当する対象のうち、記号で指定される部分を対象とする。符号に補足する記号を用いない場合、符号を有する全てを対象とする。
【００３３】
例えば画素５０２と記載されたとき、画素５０２（１，１）乃至画素５０２（ｍ，ｎ）等の全てを対象とする。例えば導電膜５３２Ａと記載されたとき、導電膜５３２Ａ＿ＤＡ、導電膜５３２Ａ＿ＤＢ等の全てを対象とする。
【００３４】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００３５】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００３６】
本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。トランジスタがオンのとき、第１の電極と第２の電極との間には電流が流れる。トランジスタがオフのとき、第１の電極と第２の電極との間には電流が流れない。ｎ型トランジスタにおいて、ゲート電圧が高レベルのときトランジスタがオンになり、ゲート電圧が低レベルのときトランジスタがオフになる。
【００３７】
本明細書中において、トランジスタが第１の導電膜と第１の電極とを有するとき、トランジスタの第１の導電膜は、トランジスタの第１の電極に接続する。トランジスタが第２の導電膜と第２の電極とを有するとき、トランジスタの第２の導電膜は、トランジスタの第２の電極に接続する。
【００３８】
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
【００３９】
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
【００４０】
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
【００４１】
本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
【００４２】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００４３】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００４４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について説明する。
【００４５】
本実施の形態で説明する表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、それぞれ映像信号が供給される。
【００４６】
＜画素の構成例１＞
表示パネル５００は、画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）を有する（図１（Ａ）（Ｂ）参照）。表示パネル５００の画素の上面図は、図１（Ａ）で示される。図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ１−Ａ２、切断線Ａ３−Ａ４、切断線Ａ５−Ａ６における表示パネル５００の断面図である。
【００４７】
画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。
【００４８】
表示パネル５００は発光層６０６、導電膜６０４、導電膜６０８を備える。発光層６０６は、発光性の材料を含む層である。
【００４９】
表示パネル５００は着色膜ＣＦ＿１を備える。表示パネル５００は基板５０６を備える。
【００５０】
画素５０２（ｉ，ｊ）は、表示素子６０２（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子６０２（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。領域６０３（ｉ，ｊ）において、発光層６０６と導電膜６０５（ｉ，ｊ）とは接している。
【００５１】
画素５０２（ｉ，ｊ＋１）は、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）は、光を射出する機能を備える。領域６０３（ｉ，ｊ＋１）において、発光層６０６と導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）とは接している。
【００５２】
領域６０３（ｉ，ｊ）と領域６０３（ｉ，ｊ＋１）の間を例とするように、互いに異なる領域６０３の間に、絶縁膜６１０を備える（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００５３】
表示パネル５００は画素５０２（ｉ，ｊ）において、導電膜６０４（ｉ，ｊ）と発光層６０６との間に、導電膜６０５（ｉ，ｊ）を有する。また画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）と発光層６０６との間に、導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）を有する。導電膜６０５（ｉ，ｊ）と導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）は、光透過性を有する。
【００５４】
表示パネル５００は、表示素子６０２と着色膜ＣＦとの間に、接合層５６４を有する。
【００５５】
例えば、有機ＥＬ素子を表示素子６０２（ｉ，ｊ）、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）に用いることができる。
【００５６】
画素５０２（ｉ，ｊ）において、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ）との間に、発光層６０６が形成される。
【００５７】
画素５０２（ｉ，ｊ）において、着色膜ＣＦ＿１と導電膜６０４（ｉ，ｊ）との間に、導電膜６０８が形成される。
【００５８】
＜微小光共振器構造＞
本実施の形態で説明する表示パネル５００は、画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）に、それぞれ微小光共振器構造を備える。
【００５９】
微小光共振器構造は、半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜とを備える。該半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜との間には、所定の間隔が設けられる。該所定の間隔には、光透過性の膜または空隙を有する。微小光共振器構造内の光は、該間隔において共振し、特定の波長の光を強めあう。その結果、当該色以外の光強度が相対的に小さくなり、当該色の色純度が高くなる。
【００６０】
なお、半光透過性・半光反射性を備える膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。例えば、光が透過する程度に薄い金属膜を半光透過性・半光反射性を備える膜に用いることができる。
【００６１】
画素５０２（ｉ，ｊ）において、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ）との間の距離が、距離ｄ１である部分を有する。また、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）との間の距離が、距離ｄ２である部分を有する。
【００６２】
距離ｄ１は、距離ｄ２と等しい。画素５０２（ｉ，ｊ）の備える微小光共振器構造は、画素５０２（ｉ，ｊ）の表示する色の光と、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）の表示する色の光と、をいずれも強めあう。
【００６３】
距離ｄ１と距離ｄ２とを等しくすることで、表示素子６０２（ｉ，ｊ）と表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）とを同一の作製工程で形成することができる。
【００６４】
また、作製工程において、多階調（高階調）マスクを用いて導電膜６０４と導電膜６０５とを異なる形状に加工することで、リソグラフィ工程の回数を削減できる。すなわち工程を簡略化し、表示パネル５００は生産性を向上させることができる。
【００６５】
多階調（高階調）マスクは１回のリソグラフィ工程で、レジストマスク６２０と、レジストマスク６２０を膜減りさせて得られるレジストマスク６２２を得られる（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）。レジストマスク６２０を用いて導電膜６０４と導電膜６０５とをエッチングし、次いでレジストマスク６２２を用いて導電膜６０５のみをエッチングすることで、導電膜６０４と導電膜６０５とを異なる形状に加工することができる。作製工程については、後述の部分にて説明する。
【００６６】
画素５０２（ｉ，ｊ）の備える微小光共振器構造は、距離ｄ１を所定の値とすることにより、第１の波長領域の光と、第２の波長領域の光と、をいずれも強めあうことができる。ここで第２の波長領域に含まれる光の波長はいずれも、第１の波長領域における最大波長よりも大きい。
【００６７】
導電膜６０８は半光透過性および半光反射性を備え、導電膜６０４は光反射性を備える。画素５０２（ｉ，ｊ）において、発光層６０６から射出された光は、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ）との間で共振し、着色膜ＣＦ＿１に到達する。
【００６８】
画素５０２（ｉ，ｊ）に供給される映像信号と、第１の波長領域の光の強度とは対応する。画素５０２（ｉ，ｊ＋１）に供給される映像信号と、第２の波長領域の光の強度とは対応する。
【００６９】
着色膜ＣＦ＿１は、画素５０２（ｉ，ｊ）から射出される光のうち、鉛直な方向６３０に射出される光Ｌ１の、第１の波長領域の光を透過する（図２（Ａ）参照）。また着色膜ＣＦ＿１は、第２の波長領域の光を吸収または反射する。光Ｌ１の第１の波長領域の光の強度は微小共振器構造で強められているため、着色膜ＣＦ＿１を通過する光は第１の波長領域の光の色純度が高い。
【００７０】
微小光共振器構造を有することで、画素５０２（ｉ，ｊ）は方向６３０に、映像信号に対応する第１の波長領域の光を高色純度で射出することができる。また画素５０２（ｉ，ｊ＋１）は方向６３０に、映像信号に対応する第２の波長領域の光を高色純度で射出することができる。
【００７１】
例えば、青色の光の波長領域を第１の波長領域とし、赤色の光の波長領域を第２の波長領域とする。このとき、画素５０２（ｉ，ｊ）は青色の表示をすることができる。
【００７２】
画素５０２（ｉ，ｊ）と、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）とが光の色純度を高めた表示をすることにより、表示パネル５００の色再現性は向上する。
【００７３】
＜第２の波長領域の、光の射出方向に伴う変化＞
画素５０２（ｉ，ｊ）の表面に対して鉛直な方向６３０と方向６３２とは、角度Ｒを成す（図２（Ａ）参照）。光Ｌ１は方向６３０に射出され、光Ｌ２は方向６３２に射出される。
【００７４】
光Ｌ１と光Ｌ２とは、同じ微小光共振器構造から射出されるものの、光Ｌ２の微小光共振器構造内の光路長は、光Ｌ１の同光路長に比べ、大きくなる。このとき強めあう光の色が、光Ｌ１と光Ｌ２とは異なる。すなわち、角度Ｒの変化に伴い、光Ｌ２の第１の波長領域と、第２の波長領域と、は変化する。
【００７５】
＜着色膜＞
図２（Ｂ）は着色膜ＣＦ＿１の透過スペクトルの例を示す図である。横軸は光の波長で、縦軸は光の透過率である。
【００７６】
画素５０２（ｉ，ｊ）が、図２（Ｂ）で示されるような透過スペクトルを有する着色膜ＣＦ＿１を備えることにより、光Ｌ２の第２の波長領域の光が、着色膜ＣＦ＿１を通過し、方向６３２へ射出されることを効果的に低減させることができる。
【００７７】
本発明の一態様の表示パネル５００が備える着色膜ＣＦ＿１は、透過率Ｔ１及び透過率Ｔ２を備えた、透過スペクトルを有する。
【００７８】
透過率Ｔ１は、波長５００ｎｍの光に対する着色膜ＣＦ＿１の透過率であり、透過率Ｔ２は、波長４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率である。透過率Ｔ２は、透過率Ｔ１の１０倍以上である。
【００７９】
このとき、画素５０２（ｉ，ｊ）は、波長４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の範囲の光を射出することができる。
【００８０】
着色膜ＣＦ＿１の透過率Ｔ２を、透過率Ｔ１の１０倍以上とすることにより、一例として、色度差Δｕ’ｖ’を、角度Ｒが０°乃至８０°の範囲において０．１以下にすることができる。詳細は実施例にて説明する。
【００８１】
着色膜ＣＦ＿１の透過率Ｔ２を、透過率Ｔ１の１０倍以上とする手段の一つとして、着色膜の膜厚を所定の値とすることができる。例えば、膜厚１μｍの樹脂Ａの透過率Ｔ１が２０％、透過率Ｔ２が８０％であるとする。このとき透過率Ｔ１は、透過率Ｔ２の２５％である。樹脂Ａを膜厚２μｍとしたときの透過率Ｔ１は４％、透過率Ｔ２は６４％となり、透過率Ｔ１は、透過率Ｔ２の６．２５％となる。
【００８２】
着色膜ＣＦは、基板５０６に接して形成される。
【００８３】
着色膜ＣＦは、例えば、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などを用いることができる。
【００８４】
透過率Ｔ２が透過率Ｔ１の１０倍以上である着色膜ＣＦ＿１を備えることにより、画素５０２（ｉ，ｊ）は方向６３２への第２の波長領域の光の射出を低減させ、表示パネル５００の色再現性が向上し、視認性を向上させることができる。
【００８５】
＜画素の構成例２＞
表示パネル５００は、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）を有してもよい（図１（Ａ）（Ｂ）参照）。
【００８６】
画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。
【００８７】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）は、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）は、光を射出する機能を備える。領域６０３（ｉ，ｊ＋２）において、発光層６０６と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）とは接している。
【００８８】
例えば、有機ＥＬ素子を表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）に用いることができる。
【００８９】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）との間の距離が、距離ｄ３である部分を備える。
【００９０】
距離ｄ３は、距離ｄ１と異なる。
【００９１】
表示パネル５００は画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、導電膜６０８と発光層６０６とは接する。すなわち、距離ｄ１から距離ｄ３を差し引くと、導電膜６０５（ｉ，ｊ）の厚さに等しくなる。
【００９２】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）は微小光共振器構造を備え、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）の表示する色の光を強めあう。画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、発光層６０６から射出された光は、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）との間で共振する。
【００９３】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）の備える微小光共振器構造は、距離ｄ３を所定の値とすることにより、第３の波長領域の光を強めあうことができる。第３の波長領域は、第１の波長領域、第２の波長領域のいずれとも異なるようにする。
【００９４】
例えば、緑色を呈する波長領域を第３の波長領域とすることができる。
【００９５】
表示パネル５００が備える画素５０２（ｉ，ｊ＋２）は、第３の波長領域の光の色純度を高めた表示をすることができる。
【００９６】
＜画素の構成例３＞
表示パネル５００は、着色膜ＣＦ＿２と、着色膜ＣＦ＿３と、を有してもよい（図１（Ａ）（Ｂ）参照）。
【００９７】
画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、着色膜ＣＦ＿２と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）との間に、導電膜６０８が形成される。画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、着色膜ＣＦ＿３と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）との間に、導電膜６０８が形成される。
【００９８】
画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、発光層６０６から射出された光は、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）との間で共振し、着色膜ＣＦ＿２に到達する。画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、発光層６０６から射出された光は、導電膜６０８と導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）との間で共振し、着色膜ＣＦ＿３に到達する。
【００９９】
画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、距離ｄ２を距離ｄ１と等しくかつ所定の値とすることにより、赤色を呈する波長領域を第２の波長領域とする。また着色膜ＣＦ＿２は赤色の光を透過する透過スペクトルを有する。
【０１００】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、距離ｄ３を所定の値とすることにより、緑色を呈する波長領域を第３の波長領域とする。また着色膜ＣＦ＿３は緑色の光を透過する透過スペクトルを有する。
【０１０１】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）に供給される映像信号は、第３の波長領域の光の強度に対応する。
【０１０２】
画素５０２（ｉ，ｊ）は青色を表示し、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）は赤色を表示し、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）は緑色を表示する機能を有することで、表示パネル５００はＲＧＢ方式を用い、フルカラー表示が可能となる。
【０１０３】
また例えば、白色を表示する画素等を設け、表示に用いることができる。
【０１０４】
＜構成要素＞
上述の部分で説明された構成要素以外の、表示パネル５００が備える構成要素について説明する（図１（Ｂ）参照）。
【０１０５】
＜導電膜６０４＞
光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有し、導電性を有する材料を導電膜６０４に用いることができる。
【０１０６】
例えば、銀を用いることができる。または銀にアルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。なお、ここでＡＰＣとは（株）フルヤ金属製の、銀、パラジウム及び銅の合金で、その組成は、Ａｇが約９８重量％、Ｐｄが約１重量％、Ｃｕが約１重量％である。
【０１０７】
導電膜６０４は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができ、微小光共振器の有する特定の波長の光を強めあう特性を向上させることができる。
【０１０８】
また、銀を含んだ材料以外にも、アルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロムから選ばれた一または複数の金属膜、もしくは金属窒化膜は、酸化性雰囲気に晒されても脆くならず、かつ導電性を維持するので、酸素プラズマに晒される場合には好ましい材料である。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。
【０１０９】
また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、を用いることができる。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。
【０１１０】
例えば、膜厚２００ｎｍのＡＰＣを導電膜６０４に用いることができる。
【０１１１】
＜発光層６０６＞
発光層６０６は、第１の波長領域の光と、第２の波長領域の光と、第３の波長領域の光とを含むスペクトルの光を射出する。
【０１１２】
例えば、白色の光を発する発光層を発光層６０６に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。
【０１１３】
例えば、発光性の有機化合物を発光層６０６に用いることができる。画素５０２において、発光層６０６は、例えば１８８ｎｍの膜厚とすることができる。
【０１１４】
＜導電膜６０５＞
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、導電膜６０５に用いることができる。
【０１１５】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、導電膜６０５に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を導電膜６０５に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を導電膜６０５に用いることができる。
【０１１６】
導電膜６０５は、例えば膜厚１２０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。
【０１１７】
＜導電膜６０８＞
例えば可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下である膜を用いることができる。
【０１１８】
上記反射率を有する、薄い金属膜を用いることができる。該金属膜は、例えば導電膜６０４と同じ材料を用いることができる。
【０１１９】
例えばＡＰＣを材料に用いたとき、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚、代表的には１５ｎｍの膜厚とすることができる。
【０１２０】
＜絶縁膜６１０＞
絶縁膜６１０は、例えば、感光性アクリル樹脂膜、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。
【０１２１】
例えば、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜６１０に用いることができる。
【０１２２】
＜接合層５６４＞
接合層５６４は、表示素子６０２が形成された基板（図示せず）と、基板５０６とを貼りあわせる機能を有する。
【０１２３】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材５６６に用いることができる。
【０１２４】
例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂、等を含む材料を用いることができる。
【０１２５】
フッ素を含む材料を用いると、表示素子６０２への水素、水分、等の侵入を防ぐ機能を有するため、好ましい。
【０１２６】
＜基板５０６＞
例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板５０６に用いることができる。
【０１２７】
基板５０６は、接合層５６４により、表示素子６０２と貼りあわせられる。
【０１２８】
基板５０６は、作製工程の熱処理に耐え得る程度の耐熱性を有する必要がある。また基板５０６は、光透過性を有する必要がある。
【０１２９】
基板５０６は、可撓性を有しても良い。例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を、可撓性を有する基板に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、用いることができる。
【０１３０】
可撓性を有する基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可撓性基板である基板に転置する方法が挙げられる。その場合には、非可撓性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。
【０１３１】
本発明の一態様の表示パネルは、微小光共振器構造を有することで、さまざまな規格の色域を再現することができる。例えば、テレビ放送で使われるＰＡＬ（Ｐｈａｓｅ  Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ｌｉｎｅ）規格およびＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プリンタなどの電子機器に用いる表示装置で広く使われているｓＲＧＢ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ＲＧＢ）規格およびＡｄｏｂｅ  ＲＧＢ規格、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、ハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．７０９（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｕｎｉｏｎ  Ｒａｄｉｏｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｅｃｔｏｒ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）  ７０９）規格、デジタルシネマ映写で使われるＤＣＩ−Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｉｎｅｍａ  Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ  Ｐ３）規格、ＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．２０２０（ＲＥＣ．２０２０（Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ  ２０２０））規格などの色域を再現することができる。
【０１３２】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１３３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示パネル５００とは異なる構成の表示パネル５００＿２、表示パネル５００＿３及び表示パネル５００＿４について説明する。
【０１３４】
表示パネル５００＿２、表示パネル５００＿３及び表示パネル５００＿４は、表示パネル５００と同様に、色純度の高い表示をすることができる。
【０１３５】
＜画素の構成例４＞
表示パネル５００＿２の画素の上面図は、図１（Ａ）で示される。
【０１３６】
図３は、本発明の一態様の表示パネル５００＿２の画素を説明する断面図である。図３は図１（Ａ）の切断線Ａ１−Ａ２、切断線Ａ３−Ａ４、切断線Ａ５−Ａ６における断面図である。
【０１３７】
表示パネル５００＿２は、導電膜６０８と、接合層５６４との間に、導電膜６０９を有する。導電膜６０９は、光透過性を有する膜を用いることができる。
【０１３８】
導電膜６０９には、例えば導電膜６０５（ｉ，ｊ）と同じ材料を用いることができる。
【０１３９】
導電膜６０９は、導電膜６０８の補助配線として用いることができる。導電膜６０８の膜厚が小さく、配線抵抗が高くても、表示パネル５００＿２は良好な表示をすることができる。
【０１４０】
表示パネル５００＿２は、画素５０２（ｉ，ｊ）において、導電膜６０８と発光層６０６の間に導電膜６０５（ｉ，ｊ）を有する。また画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜６０８と発光層６０６の間に導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）を有する。
【０１４１】
表示パネル５００＿２は、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、発光層６０６と、導電膜６０８とが接する。
【０１４２】
導電膜６０５は、光透過性を有する膜を用いることができる。
【０１４３】
表示パネル５００＿２の有する他の構成は、表示パネル５００の構成と同一である。
【０１４４】
＜画素の構成例５＞
表示パネル５００＿３の画素の上面図は、図１（Ａ）で示すことができる。
【０１４５】
図４（Ａ）は、本発明の一態様の表示パネル５００＿３の画素を説明する断面図である。図４（Ａ）は図１（Ａ）の切断線Ａ１−Ａ２、切断線Ａ３−Ａ４、切断線Ａ５−Ａ６における断面図である。但し着色膜ＣＦと基板５０６は図１（Ｂ）に示す表示パネル５００と同じ構成であり、図４（Ａ）において説明を省略している。
【０１４６】
表示パネル５００＿２の構成においては、導電膜６０９を有さない構成としても良い。このとき、導電膜６０５と接合層５６４とは接する。
【０１４７】
表示パネル５００＿３の有する他の構成は、表示パネル５００＿２の構成と同一である。
【０１４８】
＜画素の構成例６＞
表示パネル５００＿４の画素の上面図は、図１（Ａ）で示すことができる。
【０１４９】
図４（Ｂ）は、本発明の一態様の表示パネル５００＿４の画素を説明する断面図である。図４（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ１−Ａ２、切断線Ａ３−Ａ４、切断線Ａ５−Ａ６における断面図である。但し着色膜ＣＦと基板５０６は図１（Ｂ）に示す表示パネル５００と同じ構成であり、図４（Ｂ）において説明を省略している。
【０１５０】
表示パネル５００＿４は、画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜６０４と発光層６０６の間、及び導電膜６０４と絶縁膜６１０の間、に導電膜６０５＿２を有する。また導電膜６０５＿２と導電膜６０４の間に、導電膜６０５＿１を有する。
【０１５１】
表示パネル５００＿４は、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において、導電膜６０４と発光層６０６の間、及び導電膜６０４と絶縁膜６１０の間、に導電膜６０５＿１を有する。
【０１５２】
表示パネル５００＿４は、発光層６０６と、導電膜６０８とが接する。
【０１５３】
一のエッチャント、またはエッチング雰囲気において、導電膜６０５＿１は導電膜６０５＿２よりエッチレートが小さいことが好ましい。また導電膜６０５＿１及び導電膜６０５＿２は、いずれも光透過性を有する膜を用いることができる。
【０１５４】
作製工程において、多階調（高階調）マスクで得られるレジストマスク６２０、レジストマスク６２２を用いて（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）、導電膜６０５＿１と導電膜６０５＿２とを異なる形状に加工することで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化し、表示パネル５００＿４は生産性を向上させることができる。
【０１５５】
レジストマスク６２０を用いて導電膜６０４、導電膜６０５＿１及び導電膜６０５＿２をエッチングする。次いでレジストマスク６２２を用いて導電膜６０５＿２のみをエッチングすることで、導電膜６０５＿１と導電膜６０５＿２とを異なる形状に加工することができる。このとき導電膜６０５＿１は導電膜６０５＿２よりエッチレートが小さいと、加工時に導電膜６０５＿１を残存させることが容易である。
【０１５６】
表示パネル５００＿４の有する他の構成は、表示パネル５００の構成と同一である。
【０１５７】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５８】
（実施の形態３）
＜画素の作製方法例＞
本実施の形態では、表示素子の作製方法について説明する。特に多階調（高階調）マスクを用いる作製方法について説明する。
【０１５９】
図５（Ａ）は表示パネル５００の構成を説明する断面図である（図１（Ｂ）参照）。図５（Ａ）は図１（Ａ）に示された切断線Ａ１−Ａ２、切断線Ａ３−Ａ４、切断線Ａ５−Ａ６の断面図に加え、駆動回路の有するトランジスタと重なる、切断線Ｘ５−Ｘ６の断面図を示している（図１０、図１５参照）。
【０１６０】
表示パネル５００は、表示素子６０２（ｉ，ｊ）、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）を有する。
【０１６１】
表示素子６０２（ｉ，ｊ）が形成される領域に、導電膜６０４（ｉ，ｊ）と、導電膜６０５（ｉ，ｊ）が配設される。表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）が形成される領域に、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）、導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）が配設される。表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）が形成される領域に、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）が配設される。
【０１６２】
表示素子６０２（ｉ，ｊ）、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋１）、表示素子６０２（ｉ，ｊ＋２）の他の構成は共通している。
【０１６３】
図５（Ｂ）、（Ｃ）、図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、は表示パネルの作製方法を説明する断面図である。また図９は、表示パネルの作製方法を説明するフロー図である。
【０１６４】
図５（Ｂ）には、絶縁膜５３８Ｂ上に、導電膜６０４と、その上方に導電膜６０５と、が成膜された状態が示される。各膜は、例えば実施の形態１にて説明された材料を用いることができる。
【０１６５】
一例として、まず工程ＰＲ１にて導電膜６０４を、ＡＰＣを２００ｎｍの膜厚でスパッタ法にて形成する。
【０１６６】
次いで工程ＰＲ２にて、導電膜６０５を形成する。導電膜６０５は実施の形態１で示される材料を用いることができる。本実施の形態では導電膜６０５は、重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、１２０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１６７】
次いで、工程ＰＲ３にて、レジストマスク６２０を、導電膜６０５上に形成する（図５（Ｃ）参照）。
【０１６８】
レジストマスク６２０は、領域４１と、領域４２とを有する。領域４１には、画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）を有する。領域４２には、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）を有する。レジストマスク６２０は、領域４１における膜厚より、領域４２における膜厚の方が小さい。すなわち、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）と重なる領域は凹部ともいえる。
【０１６９】
本実施の形態では、レジストマスク６２０の形成に、多階調（高階調）マスクを用いた露光を用いる。このとき、レジストの厚さが異なるレジストマスク６２０を形成できる。また基板上の領域４３は、例えば隣り合う画素５０２の間や、駆動回路５１４Ａまたは駆動回路５１４Ｂが形成される部分である。領域４３にはレジストマスク６２０は形成されない。
【０１７０】
多階調（高階調）マスクを用いる露光について、説明する。
【０１７１】
まず、レジストマスクを形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジスト又はネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。レジストはスピンコート法で形成してもよいし、インクジェット法で選択的に形成してもよい。レジストをインクジェット法で選択的に形成すると、不要箇所へのレジスト形成を削減することができるので、材料の無駄を軽減することができる。
【０１７２】
次に、露光マスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを露光する。
【０１７３】
多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。一度の露光及び現像工程により、複数の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。よって、多階調マスクを用いることで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化できる。
【０１７４】
多階調マスクの代表例としては、図６（Ａ）に示すようなグレートーンマスク１０ａ、図６（Ｃ）に示すようなハーフトーンマスク１０ｂがある。
【０１７５】
図６（Ａ）に示すように、グレートーンマスク１０ａは、光透過性の基板１３及び光透過性の基板１３の上に形成される遮光膜１５を備える。また、グレートーンマスク１０ａは、遮光膜が設けられた遮光部１７、遮光膜のパターンにより設けられた回折格子部１８及び遮光膜が設けられない透過部１９を有する。
【０１７６】
光透過性の基板１３は、石英等の光透過性基板を用いることができる。遮光膜１５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができる。
【０１７７】
グレートーンマスク１０ａに露光光を照射した場合の、光の透過率ＴＲを図６（Ｂ）に示す。図６（Ｂ）に示すように、遮光部１７では光の透過率２１は０％である。透過部１９では光の透過率２１は略１００％である。また、回折格子部１８では光の透過率２１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。回折格子部１８においては、スリット、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を露光に用いる光の解像度限界以下の間隔にしている。そして、回折格子部１８は、スリット、ドット又はメッシュの間隔及びピッチを調整することで、光の透過率を制御できる。なお、回折格子部１８は、周期的なスリット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュのどちらも用いることができる。
【０１７８】
図６（Ｃ）に示すように、ハーフトーンマスク１０ｂは、光透過性の基板１３及び光透過性の基板１３の上に形成される遮光膜２５及び半光透過膜２３を備える。また、ハーフトーンマスク１０ｂは、遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられた遮光部２７、遮光膜２５が設けられずかつ半光透過膜２３が設けられた半光透過部２８、及び遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられない透過部２９を有する。
【０１７９】
ハーフトーンマスク１０ｂに露光光を照射した場合の、光の透過率を図６（Ｄ）に示す。
図６（Ｄ）に示すように、遮光部２７では光の透過率３１は０％であり、透過部２９では光の透過率３１は略１００％である。また、半光透過部２８では光の透過率３１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。半光透過部２８においては、半光透過膜２３の材料により、光の透過率を制御できる。
【０１８０】
半光透過膜２３は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＳｉなどを用いることができる。遮光膜２５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いることができる。
【０１８１】
多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図５（Ｃ）に示すように膜厚の異なる領域を有するレジストマスクを形成することができる。
【０１８２】
なお、多階調マスクとして、レジストの膜厚が２種類の例を示したが、本発明の形態はこれに限られない。複数の光の透過率を有する回折格子部１８又は半光透過膜２３を用いることにより、３種類以上の膜厚を有するレジストを形成できる。
【０１８３】
次に、工程ＰＲ４にてレジストマスク６２０をマスクに、領域４３の導電膜６０４と、導電膜６０５とを除去する（図７（Ａ）参照）。工程ＰＲ４により、画素５０２（ｉ，ｊ）においては導電膜６０４（ｉ，ｊ）と、導電膜６０５（ｉ，ｊ）と、を形成する。同様に、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）においては、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）とを形成する。画素５０２（ｉ，ｊ＋２）においては、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜６０５（ｉ，ｊ＋１）とを形成する。
【０１８４】
導電膜６０５は、ウェットエッチングで加工することができる。ウェットエッチングに用いることができる薬液としては、例えばシュウ酸、混酸アルミ、８５％リン酸を１％に希釈した溶液、が挙げられる。
【０１８５】
導電膜６０５のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。
【０１８６】
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。
【０１８７】
また、ドライエッチングに用いるその他のエッチングガスとして、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）
）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
【０１８８】
画素５０２（ｉ，ｊ＋２）において形成される導電膜６０５（ｉ，ｊ＋２）は、後に示される工程で除去を行う。
【０１８９】
導電膜６０４と、導電膜６０５との加工には、ウェットエッチングを用いることができる。ただし、加工方法としてはこれに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよい。
【０１９０】
次に工程ＰＲ５にて、レジストマスク６２０の膜の厚さを、矢印６２４の方向に薄くして、レジストマスク６２２を形成する（図７（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０１９１】
レジストマスク６２０の膜の厚さを薄くする手段として、アッシング装置を用いることができる。
【０１９２】
例えば、アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスに紫外線などの光を照射し、ガスと有機物を化学反応させて有機物を除去する光励起アッシングを用いてもよい。アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスを高周波などでプラズマ化し、そのプラズマを利用して有機物を除去するプラズマアッシングを用いてもよい。
【０１９３】
レジストマスク６２０のレジストマスクが薄い領域４２は、工程ＰＲ５によりレジストが除去される（図７（Ｂ）参照）。これにより、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）と重なる領域４２のレジストマスクが除去され、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）の導電膜６０５（ｉ，ｊ＋２）が露出する。
【０１９４】
次に、工程ＰＲ６にてレジストマスク６２２をマスクに、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）の導電膜６０５をエッチングする。エッチング前には導電膜６０５（ｉ，ｊ＋２）は、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）上に形成されているが、エッチング後には図７（Ｃ）に示すように導電膜６０４（ｉ，ｊ＋１）は残存させる。そのため、導電膜６０５（ｉ，ｊ＋２）は、所定の溶液またはエッチング雰囲気に対して、導電膜６０４（ｉ，ｊ＋２）に比べてエッチングレートが大きい材料が望ましい。
【０１９５】
エッチングは、例えば室温のシュウ酸、または室温の混酸アルミ、または８５％リン酸を１％に希釈した室温の溶液、を用いることができる。
【０１９６】
導電膜６０５のシュウ酸を用いた場合のエッチングレートは、ＡＰＣの同エッチングレートより、１０倍ほど大きい。そのため、上記導電膜６０５のシュウ酸を用いたエッチングによるＡＰＣの膜減りは小さい。
【０１９７】
次に工程ＰＲ７にてレジストマスク６２２を除去する（図７（Ｄ）参照）。
【０１９８】
次に工程ＰＲ８にて、複数の開口部４５を有する、絶縁膜６１０を形成する（図８（Ａ）参照）。絶縁膜６１０の形成方法は、実施の形態１で示された方法を用いることができる。絶縁膜６１０の開口部４５は、領域６０３が含まれるように形成する（図１（Ａ）、図８（Ａ）参照）。
【０１９９】
次に、工程ＰＲ９にて発光層６０６を形成し、工程ＰＲ１０にて発光層６０６の上に導電膜６０８を形成する（図８（Ｂ）参照）。次いで接合層５６４を用いて、着色膜ＣＦ＿１、ＣＦ＿２及びＣＦ＿３が形成された基板と、表示素子６０２が形成される基板とを接合する（図８（Ｃ）参照）。このような工程により、表示パネル５００を作製することができる。
【０２００】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２０１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる、表示パネルについて説明する。
【０２０２】
本発明の一態様の表示パネルの有する表示素子は、実施の形態１の表示素子で示される表示素子６０２を用いることができる。
【０２０３】
図１０は、本発明の一態様の表示パネルの上面図である。
【０２０４】
図１１は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明するブロック図である。
【０２０５】
図１２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図、図１２（Ｃ）はタイミングチャートである。
【０２０６】
図１３は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。
【０２０７】
図１４（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。
【０２０８】
図１５は、本発明の一態様の表示パネルの断面図である。
【０２０９】
図１６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図である。
【０２１０】
図１７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。
【０２１１】
図１８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図である。
【０２１２】
＜表示パネルの表示方式＞
本発明の一態様の表示パネル５００は、アナログ階調方式により表示を行う。映像信号はアナログ信号として画素に供給される。表示パネル５００の画素において、駆動トランジスタにより、表示素子に、映像信号の階調に対応した電流を制御し供給する（図１０、１２（Ａ）参照）。
【０２１３】
表示パネル５００において、駆動トランジスタに特性のばらつきがあれば、表示の輝度にばらつきが生じ、色再現性が低下する。
【０２１４】
表示パネル５００は、アナログ階調方式の表示方式を備え、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する手段を有することで、該補正を表示輝度のばらつきの改善に作用させ、色再現性、視認性及び信頼性を向上させることができる。
【０２１５】
＜駆動回路、配線、ＦＰＣ＞
本実施の形態で説明する、表示パネル５００は、駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂを備える（図１０、１１参照）。駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂを、ゲートドライバ回路とも言うことができる。
【０２１６】
表示パネル５００は、端子５１６＿１乃至端子５１６＿４を備える。端子５１６＿１、４は駆動回路５１４Ａと接続し、端子５１６＿２、３は、駆動回路５１４Ｂと接続する。
【０２１７】
表示パネル５００は、端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２を備える。
【０２１８】
表示パネル５００は、配線５５２、配線５５４、配線５５６、配線５５７、配線５５８、を備える（図１１、１２（Ａ）参照）。表示パネル５００は、表示領域５１２を備える。
【０２１９】
配線５５２は、ゲート配線と言いかえることができる。配線５５２は駆動回路５１４Ａまたは駆動回路５１４Ｂと、画素５０２とを接続する。
【０２２０】
配線５５４は、信号線と言いかえることができる。配線５５４は端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２のいずれかと、画素５０２とを接続する。
【０２２１】
配線５５６は、アノード線と言いかえることができる。配線５５６は、駆動回路５１４Ａまたは５１４Ｂと、画素５０２とを接続する。表示領域５１２において、配線５５６は同じ電位が与えられる。
【０２２２】
配線５５７は、カソード線と言いかえることができる。配線５５６は、駆動回路５１４Ａまたは駆動回路５１４Ｂと、画素５０２とを接続する。表示領域５１２において、配線５５７は同じ電位が与えられる。
【０２２３】
配線５５８は、モニタ配線と言いかえることができる。配線５５８は、端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２のいずれかと、画素５０２とを接続する。
【０２２４】
＜表示領域５１２、画素５０２＞
表示パネル５００は表示領域５１２に、複数の画素５０２を有する（図１０、１１参照）。表示領域５１２には、Ｒ方向にｎの画素が配設され、Ｃ方向にｍの画素が配設される。すなわち、画素５０２は格子状に配設される。表示領域５１２が有する画素５０２の数は、ｍ×ｎに等しい。
【０２２５】
ｉは１乃至ｍまでの任意の整数とし、ｊは１乃至ｎまでの任意の整数とする。ａ１を１以上ｍ以下の範囲の整数、ａ２を１以上ｎ以下の範囲の整数、で変化し得るとき、画素５０２（ｉ、ａ２）の集合をｉ行の画素５０２、画素５０２（ａ１、ｊ）の集合をｊ列の画素５０２、とそれぞれ呼ぶことができる。
【０２２６】
画素５０２（ｉ，１）乃至画素５０２（ｉ，ｎ）は、いずれも配線５５２（ｉ）に接続される。
【０２２７】
画素５０２（１、ｊ）乃至画素５０２（ｍ，ｊ）は、いずれも配線５５４（ｊ）に接続される。
【０２２８】
ｉが奇数のとき、画素５０２（ｉ、１）乃至（ｉ、ｎ）、及び画素５０２（ｉ＋１、１）乃至（ｉ＋１、ｎ）は、いずれも配線５５８（ｉ）に接続される。換言すれば、Ｒ方向に隣接する２画素が、同じ配線５５８に接続される個所を有する。
【０２２９】
＜駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂ＞
駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂは、ゲートドライバとして機能し、複数の配線５５２に選択信号をそれぞれ供給する（図１０、１１参照）。この選択信号によって、画素５０２は、各行ごとに選択状態か、非選択状態かが決定される。駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂは、シフトレジスタ、レベルシフタ、バッファ回路を含む。
【０２３０】
画像の書き換え頻度は、フレーム周波数で表すことができる。例えば３０Ｈｚのフレーム周波数であれば、一秒間に３０回画像を書き換えることとなる。駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂはこのように所定の頻度で、各画素に選択信号を供給することができる。
【０２３１】
例えば、駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂは、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。このように、高速のフレーム周波数で駆動することにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０２３２】
一方、駆動回路５１４Ａ、５１４Ｂは３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。このような低速のフレーム周波数で動作する駆動方法を、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動と呼ぶことができる。
【０２３３】
アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動とは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。または、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。
【０２３４】
極めてフレーム周波数の小さいアイドリング・ストップ駆動は、画素部が有するトランジスタに、金属酸化物が適用されたトランジスタを用いることで実現することができる。チャネルが形成される半導体膜に金属酸化物が適用されたトランジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、トランジスタを非導通状態とすることで画素に書き込まれた電位を長時間に亘って保持することができる。
【０２３５】
＜端子５１６＞
表示装置は、端子５１６＿１乃至端子５１６＿４を介して、駆動回路５１４Ａ、駆動回路５１４Ｂに信号、電圧、電流を供給する。
【０２３６】
また表示装置は、端子５１６＿１乃至端子５１６＿４を介して、配線５５６に所定の電圧、電流を供給することができる（図１１参照）。同様に配線５５７にも所定の電圧、電流を供給することができる。
【０２３７】
＜端子５１８＞
表示装置は、端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２に、画像データに基づく信号、所定の電圧、電流を供給することができる。また端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２には、ソースドライバとしての機能を有する、ベアチップをＣＯＧで実装することができる。
【０２３８】
表示パネル５００は、ソースドライバをＴＣＰまたはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）を用いて設けてもよい。
【０２３９】
端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２に実装されたソースドライバは、配線５５４を介して、各画素５０２に、画像データに基づく信号（映像信号）を供給する。
【０２４０】
＜画素回路＞
画素５０２（ｉ，ｊ）が備える画素回路の要素は、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）、容量部６１４（ｉ，ｊ）を含む（図１２（Ａ）参照）。画素回路は表示素子６０２（ｉ，ｊ）に接続する。
【０２４１】
トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）、のそれぞれにおいて、ゲート電極はバックゲート電極と接続される。
【０２４２】
トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）のゲート電極は、配線５５２（ｉ）と接続される。トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）の第１の電極または第１の導電膜は、配線５５４（ｊ）と接続される。トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）の第２の電極または第２の導電膜は、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）のゲート電極と接続される。
【０２４３】
本実施の形態において、ｉが奇数のとき、ｋ＝（ｉ＋１）／２であり、ｉが偶数のとき、ｋ＝ｉ／２である。
【０２４４】
トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）のゲート電極は、容量部６１４（ｉ，ｊ）の一方の電極と接続される。トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の第１の電極または第１の導電膜は、表示素子６０２（ｉ，ｊ）の一方の電極と、容量部６１４（ｉ，ｊ）の他方の電極と、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）の第１の電極または第１の導電膜と、接続される。トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の第２の電極または第２の導電膜は、配線５５６と接続される。
【０２４５】
トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）のゲート電極は、配線５５２（ｉ）と接続される。トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）の第２の電極または第２の導電膜は、配線５５８（ｋ）と接続される。
【０２４６】
表示素子６０２（ｉ，ｊ）の他方の電極は、配線５５７と接続される。尚、表示素子６０２（ｉ，ｊ）の一方の電極を正極とし、他方の電極を負極とすることができる。トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）は、表示素子６０２（ｉ，ｊ）の一方の電極と、配線５５８（ｋ）とを接続する機能を有する。
【０２４７】
トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）を、スイッチングトランジスタと呼ぶことができる。トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）を、駆動トランジスタと呼ぶことができる。トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）を、モニタトランジスタと呼ぶことができる。
【０２４８】
本実施の形態にて説明する画素５０２（ｉ，ｊ）が備える画素回路の要素は、互いの要素を接続する導電膜（または配線）、トランジスタ、ダイオード、抵抗、容量、導電膜のうち一つ、または組み合わせて加えてもよい。例えば、画素回路に４以上のトランジスタを備えても良い。
【０２４９】
＜配線５５８、回路６１６＞
画素５０２（ｉ，ｊ）は、配線５５８（ｋ）を介して、回路６１６のノードＮ１に接続される（図１２（Ａ）、（Ｂ）参照）。回路６１６は例えば表示領域５１２と端子５１８との間に設けることができる（図１１参照）。または端子５１８＿１乃至端子５１８＿１２にベアチップで実装してもよい。またはＴＣＰまたはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）を用いて設けてもよい。
【０２５０】
回路６１６は、画素５０２（ｉ，ｊ）から配線５５８（ｋ）を介して供給される信号を、検出することができる。回路６１６はオペアンプＡＭと、容量Ｃ１と、スイッチＳＷを備えた積分回路である。画素５０２（ｉ，ｊ）の信号を検出することから、回路６１６はモニタ回路とも言う。
【０２５１】
表示装置は、補正回路を有する。表示装置は、回路６１６から供給される信号を解析し、表示パネル５００の備える駆動トランジスタの特性ばらつきを補正回路を用いて補正することができる。駆動トランジスタの特性ばらつきを補正することで、表示パネル５００は、より高い色再現性を得ることができる。駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する方法は、後述の部分にて説明する。
【０２５２】
＜表示パネル５００の構成要素の例＞
図１３は、画素５０２（ｉ，ｊ）、画素５０２（ｉ，ｊ＋１）、画素５０２（ｉ，ｊ＋２）の画素回路の要素の配置を示す上面図である。図１４（Ａ）、（Ｂ）は、画素５０２（ｉ，ｊ）の画素回路の要素の配置を示す上面図である。
【０２５３】
図１５は、図１０に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、Ｘ３−Ｘ４間、Ｘ５−Ｘ６間、及びＸ７−Ｘ８間における切断面の断面図である。
【０２５４】
図１０において、一点鎖線Ｘ５−Ｘ６は、駆動回路５１４Ａに備えられる、トランジスタＭＤの半導体膜と重なる。また一点鎖線Ｘ７−Ｘ８は、画素５０２（ｉ，ｊ）に備えられる、トランジスタＭ２の半導体膜と重なる。
【０２５５】
図１０に示す一点鎖線Ｘ７−Ｘ８と、図１３に示す一点鎖線Ｘ７−Ｘ８は、同一の個所を示す。
【０２５６】
表示パネル５００は、基板５０４、基板５０６を有する。
【０２５７】
表示パネル５００は、トランジスタＭＤ、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、及び容量部６１４を有する。
【０２５８】
また表示パネル５００は、絶縁膜５３８Ａ、絶縁膜５３８Ｂ、及び絶縁膜５３９を有する。
【０２５９】
また表示パネル５００は、開口部５４２、開口部５４４を有する。
【０２６０】
また表示パネル５００は、導電膜５４６を有する。
【０２６１】
また表示パネル５００は、封止材５６６、接合層５６４を有する。
【０２６２】
また表示パネル５００は、着色膜ＣＦ、遮光膜５６２、絶縁膜６１０を有する。
【０２６３】
また表示パネル５００は、端子５１６、端子５１８を有する。
【０２６４】
また表示パネル５００は、表示素子６０２を有する（図１５参照）。
【０２６５】
以下に、各構成要素の説明を示す。
【０２６６】
＜基板５０４、５０６＞
実施の形態１で示された基板５０６と同じ材料を用いることができる。
【０２６７】
例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムを材料とした化合物半導体基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを適用することができる。また例えば、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板５０６に用いることができる。
【０２６８】
＜トランジスタＭＤ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３＞
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、トップゲート型のトランジスタ、ゲート電極とバックゲート電極とを有するトランジスタ、を用いることができる。
【０２６９】
例えば、後述の部分で説明する、ＴＧＳＡ型のトランジスタ、ＢＧＴＣ型のトランジスタを用いることができる。
【０２７０】
＜容量部６１４＞
容量部６１４（ｉ，ｊ）は、導電膜５２２＿２Ｂ（ｉ，ｊ）と、導電膜５２４Ｂ＿２（ｉ，ｊ）とが重なる部分である。（図１２（Ａ）、図１３、図１５参照）。
【０２７１】
＜絶縁膜５３８Ａ、絶縁膜５３８Ｂ＞
絶縁膜５３８Ａ、５３８Ｂは、その下方に設けられる構造物によって生じる段差を平坦化する平坦化膜として機能する。
【０２７２】
例えば、ポリイミド、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ系樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層してもよい。
【０２７３】
例えば絶縁膜５３８Ａ、５３８Ｂは、いずれも厚さ２μｍのアクリルを用いて形成することができる。
【０２７４】
絶縁膜５３８Ａ、５３８Ｂの上面は、いずれも平坦性を高めるためにＣＭＰ法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
【０２７５】
＜絶縁膜５３９＞
絶縁膜５３９は、絶縁膜５３４と、絶縁膜５３８Ａとの間に挟まれる。
【０２７６】
金属酸化物を用いて半導体膜５２０が形成されるとき、半導体膜５２０に不純物（代表的には、水、水素等）が拡散すると、半導体膜５２０の導電率が高くなり、トランジスタの信頼性が低くなる。絶縁膜５３８Ａに有機樹脂を用いたとき、絶縁膜５３９は、水または水素の入り込みを抑制する機能を有すると好ましい。
【０２７７】
例えばＰＥＣＶＤ法によって形成される、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を絶縁膜５３９に用いることができる。ＰＥＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜は、高い膜密度を得られやすいため好ましい。なお、ＰＥＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜は、膜中の水素濃度が高い場合がある。
【０２７８】
例えば酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜を絶縁膜５３９に用いることができる。特に、絶縁膜５３９としては、反応性スパッタリング法によって形成される酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
【０２７９】
＜開口部５４２、開口部５４４＞
開口部５４２は、絶縁膜５３８Ｂに備えられる（図１５参照）。導電膜５４６は、開口部５４２（ｉ，ｊ）を介して、導電膜６０４（ｉ，ｊ）と接続する。
【０２８０】
開口部５４４は、絶縁膜５３８Ａに備えられる（図１５参照）。導電膜５２２＿２Ｂ（ｉ，ｊ）は、開口部５４４（ｉ，ｊ）を介して、導電膜５４６と接続する。
【０２８１】
＜導電膜５４６＞
導電性を備える材料を、導電膜５４６に用いることができる。導電膜５４６は単層としても、積層としてもよい。
【０２８２】
例えば、厚さ１００ｎｍのチタンと、その上に厚さ４００ｎｍのアルミニウムと、その上に厚さ１００ｎｍのチタンと、を積層した構造で導電膜５４６を形成することができる。
【０２８３】
＜封止材５６６、接合層５６４＞
封止材５６６および接合層５６４は、基板５０４と基板５０６とを貼りあわせる機能を有する。
【０２８４】
封止材５６６および接合層５６４は、実施の形態１で示された材料を用いることができる。
【０２８５】
＜着色膜ＣＦ、遮光膜５６２＞
着色膜ＣＦは、実施の形態１で示された、材料を用いることができる。画素５０２（ｉ，ｊ）には着色膜ＣＦ＿１として、青色の光を透過する材料を用いることができる。
【０２８６】
遮光膜５６２は、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物を用いることができる。
【０２８７】
遮光膜５６２は、例えば、青色の光を透過する着色膜と、緑色の光を透過する着色膜と、赤色の光を透過する着色膜と、を積層してもよい。このとき着色膜と遮光膜を形成する装置を共通化でき、かつ工程を簡略化することができる。
【０２８８】
＜絶縁膜６１０＞
実施の形態１で示された材料を用いることができる。
【０２８９】
＜端子５１６、端子５１８＞
端子５１６、端子５１８は、いずれも導電膜５３２Ａ＿Ｆと導電膜５３２Ｂ＿Ｆとを備える（図１５参照）。
【０２９０】
導電材料５６８を用いて、端子５１６、または端子５１８とフレキシブルプリント基板ＦＰＣとを電気的に接続することができる。
【０２９１】
＜表示素子６０２＞
表示パネル５００は、導電膜６０４（ｉ，ｊ）、導電膜６０８、及び発光層６０６を有する（図１５参照）。表示素子６０２（ｉ，ｊ）において、発光層６０６は、導電膜６０４（ｉ，ｊ）と、導電膜６０８とに挟まれる。
【０２９２】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）と発光層６０６との間に、導電膜６０５（ｉ，ｊ）を有しても良い。導電膜６０５（ｉ，ｊ）の配設個所については、表示パネル５００＿２、表示パネル５００＿３、表示パネル５００＿４も参考にすることができる（図３、図４（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０２９３】
表示素子６０２（ｉ，ｊ）は、領域６０３（ｉ，ｊ）を有する。領域６０３（ｉ，ｊ）において、発光層６０６は、導電膜６０４（ｉ，ｊ）と接する。
【０２９４】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）は、可視光について反射性を有し、導電性を有する材料を用いることができる。
【０２９５】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）は、例えば、銀を用いることができる。または銀にアルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。なお、ここでＡＰＣとは（株）フルヤ金属製の、銀、パラジウム及び銅の合金で、その組成は、Ａｇが約９８重量％、Ｐｄが約１重量％、Ｃｕが約１重量％である。
【０２９６】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができる。例えばＡＰＣにて、２０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚で導電膜６０４（ｉ，ｊ）を形成することができる。
【０２９７】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）は、発光層６０６の正極の電極になる場合、仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。ＡＰＣは、主材料に銀が含まれることから、仕事関数が大きくホール注入性は高いため好ましい。
【０２９８】
また、銀を含んだ材料以外にも、アルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロムから選ばれた一または複数の金属膜、もしくは金属窒化膜は、酸化性雰囲気に晒されても脆くならず、かつ導電性を維持するので、酸素プラズマに晒される場合には好ましい材料である。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。
【０２９９】
また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、を用いることができる。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。
【０３００】
導電膜６０４（ｉ，ｊ）と発光層６０６との間に、導電膜６０５を形成するときは、導電膜６０５に光透過性を備える材料を用いることができる。例えば、インジウム及び亜鉛を含んだ金属酸化物膜を導電膜６０５に用いることができる。導電膜６０５には、窒素、水素、フッ素の１以上を含む不純物が添加されても良い。
【０３０１】
発光層６０６には、白色の光を射出するように積層された積層材料等を用いることができる。
【０３０２】
発光層６０６には、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、発光層６０６を形成する材料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。発光層６０６は、各々異なる機能を有する層からなる積層構造であっても良い。例えば、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、キャリアブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等、各々の機能を有する機能層を適宜組み合わせて構成することができる。なお、それぞれの層の有する機能を２つ以上同時に有する層を含んでいても良い。
【０３０３】
また、発光層６０６の形成には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、ノズルプリンティング法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。
【０３０４】
導電膜６０８（ｉ，ｊ）は、例えば可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下である膜を用いることができる。導電膜６０８は導電膜６０４（ｉ，ｊ）と同じ材料を用いることができる。例えばＡＰＣを材料に用いたとき、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚、代表的には１５ｎｍの膜厚とすることができる。
【０３０５】
これによって、導電膜６０４（ｉ，ｊ）、導電膜６０４（ｉ，ｊ）の端部を覆う絶縁膜６１０、発光層６０６、導電膜６０８が積層された表示素子６０２（ｉ，ｊ）を形成することができる。なお、導電膜６０４（ｉ，ｊ）及び導電膜６０８は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用いる。
【０３０６】
本実施の形態においては、導電膜６０４（ｉ，ｊ）を表示素子の陽極として用いる。発光層６０６は、導電膜６０４（ｉ，ｊ）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層が積層された構造とする。発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０３０７】
＜トランジスタの構成要素＞
トランジスタＭＤ、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３は、共通の半導体膜を有することができる。または、共通の構成を有することができる。または、同一の工程で形成することができる。
【０３０８】
図１３乃至図１５は、ＴＧＳＡ型のトランジスタを有する表示パネル５００の例を説明している。
【０３０９】
例えば、半導体膜５２０＿Ｄと、絶縁膜５２６、絶縁膜５２８＿Ｄ、及び絶縁膜５３４と、導電膜５２２＿ＤＡ、導電膜５２２＿ＤＢ、導電膜５３０＿Ｄ、導電膜５２４Ａ＿Ｄ及び導電膜５２４Ｂ＿Ｄを備えるトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる（図１５参照）。
【０３１０】
トランジスタＭＤは、導電膜５３２Ａ＿ＤＡ、導電膜５３２Ｂ＿ＤＡ、導電膜５３２Ａ＿ＤＢ、及び５３２Ｂ＿ＤＢを備えても良い。
【０３１１】
＜半導体膜５２０＞
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５２０に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５２０に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜５２０に用いたトランジスタを用いることができる。
【０３１２】
例えば、金属酸化物を半導体膜５２０に用いることができる。具体的には、インジウムを含む金属酸化物又はインジウムと亜鉛と元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム又はスズ）とを含む金属酸化物を半導体膜５２０に用いることができる。
【０３１３】
金属酸化物を半導体膜５２０に用いるトランジスタを備える画素回路は、アモルファスシリコンを半導体膜に用いるトランジスタを備える画素回路と比較して、画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。
【０３１４】
＜絶縁膜５２６、絶縁膜５２８＞
絶縁膜５２６は、導電膜５２４Ａ及び導電膜５２４Ｂをゲート電極とするゲート絶縁膜として機能する（図１３および図１５参照）。絶縁膜５２８は、導電膜５３０をゲート電極とするゲート絶縁膜として機能する。
【０３１５】
金属酸化物を半導体膜５２０に用いたとき、絶縁膜５２６、絶縁膜５２８は酸素を有すると好ましい。絶縁膜５２６、絶縁膜５２８は、酸素を過剰に有すると、より好ましい。絶縁膜５２６、絶縁膜５２８中の酸素は、絶縁膜５２８形成後の熱処理時に、半導体膜５２０に供給され、半導体膜５２０中の酸素欠損の低減を図ることにより、半導体膜５２０の抵抗率を上げることができる。
【０３１６】
例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜と、を積層し絶縁膜５２６に用いることができる。
【０３１７】
例えば、厚さ１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０３１８】
＜絶縁膜５３４＞
絶縁膜５３４は、絶縁膜５３９と同じ機能を有する。但し絶縁膜５３４は、導電膜５３２と導電膜５２２との間に挟まれる。
【０３１９】
例えばＰＥＣＶＤ法によって形成される、窒化シリコン膜や、窒化酸化シリコン膜を絶縁膜５３４に用いることができる。
【０３２０】
例えば厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さ３００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を積層した構造としてもよい。
【０３２１】
＜導電膜５２２＿ＤＡ、導電膜５２２＿ＤＢ＞
図１３には、トランジスタＭＤの第１の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿ＤＡと、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）の第１の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿１Ａ（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の第１の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿２Ａ（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）の第１の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿３Ａ（ｉ，ｊ）と、が示される。
【０３２２】
また、トランジスタＭＤの第２の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿ＤＢと、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）の第２の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿１Ｂ（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の第２の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿２Ｂ（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）の第２の導電膜としての機能を有する導電膜５２２＿３Ｂ（ｉ，ｊ）と、が示される。
【０３２３】
例えば、半導体膜５２０が金属酸化物を用いて形成される場合、導電膜５２２＿ＤＡ、５２２ＤＢは、半導体膜５２０と同じ金属酸化物と、窒素、水素、フッ素の１以上を含む不純物と、を用いて形成することができる。
【０３２４】
窒素、水素、フッ素の１以上を含む不純物元素が金属酸化物膜に添加されると、金属酸化物膜中の金属元素と酸素の結合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が金属酸化物膜に添加されると、金属酸化物膜中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元素から酸素が脱離し、酸素欠損が形成される。これらの結果、金属酸化物膜中のキャリア密度が増加し、導電性が高くなる。
【０３２５】
導電膜５３０＿Ｄと絶縁膜５２８＿Ｄとをマスクとして、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて、基板上に形成された半導体膜に不純物を注入することで、導電膜５２２＿ＤＡ、導電膜５２２＿ＤＢを形成できる。導電膜５２２＿ＤＡ、導電膜５２２＿ＤＢの形成方法は、後述の部分にて説明する。
【０３２６】
＜導電膜５３０、導電膜５２４＞
図１３には、トランジスタＭＤのゲート電極としての機能を有する導電膜５３０＿Ｄと、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）のゲート電極としての機能を有する導電膜５３０＿１（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ２のゲート電極としての機能を有する導電膜５３０＿２（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ３のゲート電極としての機能を有する導電膜５３０＿３（ｉ，ｊ）と、が示される。
【０３２７】
また、トランジスタＭＤのバックゲート電極としての機能を有する導電膜５２４Ａ＿Ｄ及び導電膜５２４Ｂ＿Ｄと、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）のバックゲート電極としての機能を有する導電膜５２４Ａ＿１（ｉ，ｊ）及び導電膜５２４Ｂ＿１（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）のバックゲート電極としての機能を有する導電膜５２４Ａ＿２（ｉ，ｊ）及び導電膜５２４Ｂ＿２（ｉ，ｊ）と、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）のバックゲート電極としての機能を有する導電膜５２４Ａ＿３（ｉ，ｊ）及び導電膜５２４Ｂ＿３（ｉ，ｊ）と、が示される。
【０３２８】
導電膜５３０は、例えば、厚さ１００ｎｍの、窒素、水素、フッ素の１以上を含む不純物が添加された、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含んだ金属酸化物膜を用いることができる。
【０３２９】
導電膜５２４Ａは、例えば、厚さ１０ｎｍの窒化タンタル膜を用いることができる。導電膜５２４Ｂは、例えば、厚さ３００ｎｍの銅の膜を用いることができる。
【０３３０】
＜導電膜５３２Ａ、導電膜５３２Ｂ＞
図１５には、トランジスタＭＤの第１の電極としての機能を有する導電膜５３２Ａ＿ＤＡ及び導電膜５３２Ｂ＿ＤＡと、トランジスタＭＤの第２の電極としての機能を有する導電膜５３２Ａ＿ＤＢ及び導電膜５３２Ｂ＿ＤＢと、が示される。
【０３３１】
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、導電膜５３２Ａ、導電膜５３２Ｂに用いることができる。
【０３３２】
導電膜５３２Ａ、導電膜５３２Ｂは例えば無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。
【０３３３】
例えば、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、導電膜５３２Ａ、導電膜５３２Ｂに用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、導電膜５３２Ａ、導電膜５３２Ｂに用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウェットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０３３４】
導電膜５３２Ａは、導電膜５２２に接触する。また導電膜５３２Ａは、導電膜５２２と、導電膜５３２Ｂと、に挟まれる。
【０３３５】
導電膜５３２Ａは、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、等を用いると好ましい。導電膜５３２Ｂは、アルミニウム、金、白金、銀、銅、タングステン等を用いると好ましい。
【０３３６】
導電膜５３２Ｂの上に、導電膜５３２Ａと同じ材料を用いる導電膜を形成し、計３層積層された構造としても良い。例えば、厚さ５０ｎｍのチタンと、厚さ４００ｎｍのアルミニウムと、厚さ１００ｎｍのチタンとを積層した構造を、トランジスタの第１の電極または第２の電極とすることができる。
【０３３７】
例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、導電膜５３２Ａまたは５３２Ｂに用いることができる。
【０３３８】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、表示パネル５００が備えることができるトランジスタについて説明する。
【０３４０】
画素５０２が備えるトランジスタＭ１乃至Ｍ３、および駆動回路５１４Ａ、Ｂが備えるトランジスタは、同一の構成とすることができる（図１０、図１２（Ａ）参照）。
【０３４１】
＜ＴＧＳＡ型＞
例えば、トランジスタ５０３Ａを駆動回路及び画素に用いることができる（図１６（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０３４２】
図１６（Ａ）はトランジスタ５０３Ａの上面図であり、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｗ１−Ｗ２間における切断面の断面図に相当する。また、一点鎖線Ｗ１−Ｗ２方向をチャネル長方向と呼称する場合がある。
【０３４３】
図１６（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ５０３Ａの構成要素の一部（ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等）を省略して図示している。
【０３４４】
トランジスタ５０３Ａは、基板５０４と、基板５０４上の導電膜５２４Ａと、導電膜５２４Ａ上の導電膜５２４Ｂと、基板５０４及び導電膜５２４Ｂ上の絶縁膜５２６と、を有する。また、絶縁膜５２６上の半導体膜５２０、導電膜５２２＿Ａ、及び導電膜５２２＿Ｂと、半導体膜５２０上の絶縁膜５２８と、絶縁膜５２８上の導電膜５３０と、絶縁膜５２６、導電膜５２２＿Ａ、導電膜５３０、及び導電膜５２２＿Ｂ上の、絶縁膜５３４を有する。
【０３４５】
絶縁膜５３４は、開口部５３６＿Ａを有し、絶縁膜５３４上には、開口部５３６＿Ａを介して導電膜５２２＿Ａと電気的に接続される導電膜５３２Ａ＿Ａを有する。また絶縁膜５３４は、開口部５３６＿Ｂを有し、絶縁膜５３４上には、開口部５３６＿Ｂを介して導電膜５２２＿Ｂと電気的に接続される導電膜５３２Ａ＿Ｂを有する。
【０３４６】
導電膜５３２Ａ＿Ａ上の、導電膜５３２Ｂ＿Ａを有する。導電膜５３２Ａ＿Ｂ上の、導電膜５３２Ｂ＿Ｂを有する。
【０３４７】
金属酸化物を用いて、導電膜５３０、導電膜５２２＿Ａ、５２２＿Ｂ、半導体膜５２０を形成する方法を図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。
【０３４８】
まず、絶縁膜５２６上に、金属酸化物膜５１９を形成する（図１７（Ａ）参照）。金属酸化物膜５１９は、厚さ４０ｎｍの、インジウムと亜鉛とガリウムを含む金属酸化物を用いることができる。該金属酸化物は、スパッタ法で、アルゴンと酸素を成膜ガスとして用い、成膜することができる。
【０３４９】
次いで絶縁膜５２８と、その上の金属酸化物膜５２９を形成する（図１７（Ｂ）参照）。
【０３５０】
絶縁膜５２８は、厚さ１５０ｎｍの、酸化窒化シリコンを用いることができる。該酸化窒化シリコンは、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法で成膜することができる。
【０３５１】
金属酸化物膜５２９は、厚さ１００ｎｍの、インジウムと亜鉛とガリウムを含む金属酸化物を用いることができる。該金属酸化物は、スパッタ法で、アルゴンと酸素を成膜ガスとして用い、成膜することができる。
【０３５２】
金属酸化物膜５２９の成膜時に、酸素を含む成膜ガスを用いることにより、絶縁膜５２８に酸素を過剰に含ませることができる。後に熱処理を行うことにより絶縁膜５２８から半導体膜５２０に酸素を効果的に供給させることができる。
【０３５３】
次いで、金属酸化物膜５２９、絶縁膜５２８をマスクとして、金属酸化物膜５１９に、窒素、水素、フッ素の１以上を含む不純物５２１を添加する。このとき金属酸化物膜５２９と金属酸化物膜５２９とは、不純物５２１が添加されてキャリア密度が大きくなり、導電性が高い導電膜５３０と、導電膜５２２＿Ａと、導電膜５２２＿Ｂとが形成される（図１７（Ｃ））。
【０３５４】
不純物５２１の添加は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて行うことができる。
【０３５５】
導電膜５２２＿Ａと導電膜５２２＿Ｂとは、金属酸化物膜５２９と絶縁膜５２８をマスクとして形成されることから、自己整合（セルフアライメント）的に形成される、ということができる。
【０３５６】
金属酸化物膜５１９のうち、絶縁膜５２８と重なる領域は、不純物が添加されず、半導体膜５２０が形成される。
【０３５７】
トランジスタ５０３Ａを、導電膜５３０の半導体膜５２０に対する位置、または導電膜５２２＿Ａ、Ｂの形成方法から、ＴＧＳＡ（Ｔｏｐ  Ｇａｔｅ  Ｓｅｌｆ  Ａｌｉｇｎ）型のＦＥＴと呼称してもよい。
【０３５８】
＜ＢＧＴＣ型＞
例えば、トランジスタ５０３Ｂを駆動回路及び画素に用いることができる（図１８（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０３５９】
図１８（Ａ）はトランジスタ５０３Ｂの上面図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に示す一点鎖線Ｗ３−Ｗ４間における切断面の断面図に相当する。
【０３６０】
図１８（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ５０３Ｂの構成要素の一部（ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等）を省略して図示している。また半導体膜５２０は輪郭のみ示している。
【０３６１】
トランジスタ５０３Ｂは、基板５０４と、基板５０４上の導電膜５２４Ａと、導電膜５２４Ａ上の導電膜５２４Ｂと、基板５０４及び導電膜５２４Ｂ上の絶縁膜５２６と、を有する。また、絶縁膜５２６上の半導体膜５２０を有する。
【０３６２】
また、絶縁膜５２６、及び半導体膜５２０の上の導電膜５３２Ａ＿Ａを有する。絶縁膜５２６、及び半導体膜５２０の上の導電膜５３２Ａ＿Ｂを有する。導電膜５３２Ａ＿Ａ上の、導電膜５３２Ｂ＿Ａを有する。導電膜５３２Ａ＿Ｂ上の、導電膜５３２Ｂ＿Ｂを有する。
【０３６３】
半導体膜５２０、導電膜５３２Ｂ＿Ａ、及び導電膜５３２Ｂ＿Ｂの上の、絶縁膜５３４を有する。絶縁膜５３４の上の、導電膜５３０を有する。
【０３６４】
トランジスタ５０３Ｂを、導電膜５２４Ａ、導電膜５２４Ｂの半導体膜５２０に対する位置、及び導電膜５３２Ａ＿Ａ、導電膜５３２Ｂ＿Ａ、導電膜５３２Ａ＿Ｂ、導電膜５３２Ｂ＿Ｂの半導体膜５２０に対する位置から、ＢＧＴＣ（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｇａｔｅ  Ｔｏｐ  Ｃｏｎｔａｃｔ）型のＦＥＴと呼称してもよい。
【０３６５】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３６６】
（実施の形態６）
本実施の形態では、表示パネル５００の、画素５０２の表示方法と、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する方法と、について説明する。
【０３６７】
表示装置は、補正回路と、回路６１６とを用いて、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する。
【０３６８】
図１２（Ｃ）は、画素５０２のｊ列における表示とばらつき補正を説明するためのタイミングチャートである。画素５０２（ｉ，ｊ）において画素への映像信号の書き込みと表示は、期間Ｐ１、Ｐ２を経ることにより行われ、ばらつき補正は期間Ｐ３を経ることにより行われる（図１２（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０３６９】
以下に、期間Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３における画素の動作について説明する。尚、本実施の形態において画素５０２の備えるトランジスタはｎ型である。
【０３７０】
＜期間Ｐ１＞
期間Ｐ１において、画素への映像信号の書き込み動作を行う。期間Ｐ１において、表示素子６０２（ｉ，ｊ）には電流が流れない。
【０３７１】
期間Ｐ１において、配線５５２（ｉ）の電圧を高レベルにして、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）、Ｍ３（ｉ，ｊ）をオン状態にする。また回路６１６の、スイッチＳＷをオンとする。
【０３７２】
このとき配線５５４に、電位Ｖｄａが与えられる。電位Ｖｄａは、映像信号の階調に対応する値を持つ。図１２（Ｃ）は、配線５５４（ｊ）、配線５５２（ｉ）に入力される信号を表している。図１２（Ｃ）のＶｄａ（ｉ）、Ｖｄａ（ｉ＋１）は、それぞれ、第ｉ行、第ｉ＋１行の画素５０２に入力されるデータ信号Ｖｄａであることを表している。
【０３７３】
トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）がオン状態であることから、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）のゲート電極に、配線５５４（ｊ）の電位Ｖｄａが与えられる。
【０３７４】
なお、配線５５６に与えられる電圧Ｖａｎｏ、電圧Ｖ０、および配線５５７に与えられる電圧Ｖｃａｔは、下記式（１）乃至式（３）を満たすように設定することが好ましい。下記式において、電圧ＶｔｈＥは表示素子６０２（ｉ，ｊ）の閾値電圧であり、電圧Ｖｔｈ２はトランジスタＭ２の閾値電圧である。例えばＶａｎｏは１４Ｖとし、Ｖｃａｔは−１Ｖとすることができる。
【０３７５】
【数１】
2018190637.tif 000003
【０３７６】
【数２】
2018190637.tif 000004
【０３７７】
【数３】
2018190637.tif 000005
【０３７８】
回路６１６のオペアンプＡＭはボルテージフォロア回路として機能するため、配線５５８（ｋ）の電位はＶ０となる。そのため、Ｍ２のゲート電極と第１の配線の間の電圧はＶｄａ―Ｖ０となる。また、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の半導体膜を流れる電流は、すべて配線５５８（ｋ）を流れる。
【０３７９】
＜期間Ｐ２＞
期間Ｐ２において、表示素子６０２（ｉ，ｊ）を表示させる。
【０３８０】
期間Ｐ２において、配線５５２の電圧を低レベルにする。このとき、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）がオフになり、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）のゲート電極と第１の配線の間の電圧（Ｖｄａ―Ｖ０）に対応した電流が表示素子６０２（ｉ，ｊ）に流れる。
【０３８１】
＜期間Ｐ３＞
期間Ｐ３において、トランジスタＭ２のドレイン電流を取得する。
【０３８２】
期間Ｐ３において、配線５５２の電圧を高レベルにする。このとき、トランジスタＭ１（ｉ，ｊ）、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）がオンになる。
【０３８３】
回路６１６の、スイッチＳＷをオンとした状態で、配線５５４に、電位Ｖｄａを与える。次いで、スイッチＳＷをオフとした状態とする。スイッチＳＷをオフしてからの時間ｔ、ノードＮ１に流れる電流Ｉｄａ、ノードＮ２の電圧Ｖ０、容量Ｃ１の容量値Ｃ１、ノードＮ３の電圧Ｖｏｕｔの間には、式（４）の関係が成り立つ。電圧Ｖｏｕｔの測定値が得られたとき、式（４）から、Ｉｄａが算出できる。
【０３８４】
【数４】
2018190637.tif 000006
【０３８５】
ここで、配線５５４に電位Ｖｄａ１を与えたときに上記手順を行い、ノードＮ１に流れる電流Ｉｄａ１を得る。同様に配線５５４に電位Ｖｄａ２を与えたときに上記手順を行い、ノードＮ１に流れる電流Ｉｄａ２を得る。トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の閾値電圧Ｖｔｈは、式５によって得られる。
【０３８６】
【数５】
2018190637.tif 000007
【０３８７】
またチャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌ、ゲート容量Ｃｏｘを用いれば、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の移動度μは、式６によって得られる。
【０３８８】
【数６】
2018190637.tif 000008
【０３８９】
表示装置は、上記閾値電圧Ｖｔｈと移動度μとを算出し、配線５５４（ｊ）の電位Ｖｄａと映像信号の階調との対応を補正する、補正回路を備える。表示装置は、トランジスタＭ２（ｉ，ｊ）の特性がばらついたとしても、表示パネル５００の色再現性、視認性及び信頼性を向上させることができる。
【０３９０】
期間Ｐ３を期間Ｐ１と期間Ｐ２との後に、常に設ける必要はない。例えば、期間Ｐ１と期間Ｐ２とを複数回繰り返した後に、期間Ｐ３を設けることができる。また、期間Ｐ３の後、表示素子６０２（ｉ，ｊ）を最小の階調値０に対応するデータ信号を画素５０２（ｉ，ｊ）に書き込むことで、表示素子６０２（ｉ，ｊ）を非発光状態にしてもよい。
【０３９１】
表示パネル５００は、トランジスタＭ３（ｉ，ｊ）とモニタ配線とを有し、他の実施の形態で説明される着色膜とを備えることで、より高い色再現性を得ることができる。
【０３９２】
＜画素の構成例７＞
図１９は、は本発明の一態様の表示パネル５００＿５が備える画素回路の構成を説明する回路図である。表示パネル５００＿５は、画素回路においてＭ３及び配線５５８を有さない構成としてもよい。
【０３９３】
表示パネル５００＿５は、画素５０２（ｉ，ｊ）において画素の表示を、期間Ｐ１、Ｐ２を繰り返すことにより行う。期間Ｐ１において、画素への映像信号の書き込み動作を行う。次いで期間Ｐ２において、表示素子６０２（ｉ，ｊ）を表示させる。
【０３９４】
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３９５】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２０および図２１を参照しながら説明する。
【０３９６】
図２０および図２１は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２０（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２０（Ｂ）乃至図２０（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２１（Ａ）乃至図２１（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０３９７】
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図２０（Ａ）参照）。
【０３９８】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０３９９】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０４００】
表示部５２３０は、他の実施の形態にて説明された表示パネルを用いることができる。
【０４０１】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０４０２】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０４０３】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【０４０４】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０４０５】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０４０６】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０４０７】
＜情報処理装置の構成例１＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２０（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０４０８】
＜情報処理装置の構成例２＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２０（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０４０９】
＜情報処理装置の構成例３＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０４１０】
＜情報処理装置の構成例４＞
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２０（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０４１１】
＜情報処理装置の構成例５＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２１（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０４１２】
＜情報処理装置の構成例６＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２１（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０４１３】
＜情報処理装置の構成例７＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２１（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０４１４】
＜情報処理装置の構成例８＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２１（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０４１５】
＜情報処理装置の構成例９＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２１（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０４１６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０４１７】
本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル５００＿２の有する、表示素子６０２（ｉ，ｊ）から、画素５０２（ｉ，ｊ）の表面に対して鉛直の方向６３０に色純度の高い青色と赤色の光が射出されることを計算により示す（図２（Ａ）、図３参照）。また、表示素子６０２（ｉ，ｊ）から射出される角度が異なる光は、色が異なることを示す。
【０４１８】
透過率や吸収率などの物理定数が異なる、複数の材料が用いられた積層構造に入射した光の挙動は、光学分野において十分に理解されている。
【０４１９】
積層構造における各層の、厚さ（ｔ）及び屈折率の波長分散（ｎ）が既知であれば、積層構造中で発生する反射、吸収、干渉及び透過された光の量を計算することで、積層構造に入射した光の挙動を予測することができる。
【０４２０】
積層構造における全ての層について厚さ及び屈折率の波長分散が既知である場合には、例えば、Ｅｕｇｅｎｅ  Ｈｅｃｈｔ著「Ｏｐｔｉｃｓ」Ａｄｄｉｓｏｎ  Ｗｅｓｌｅｙ出版、第８５頁乃至第１４０頁に記載されている式及び方法を参考に正確に計算することができる。また当業者であれば、該計算を行うさまざまなシミュレータを入手可能であり、積層構造に入射した光の挙動を計算することは可能である。
【０４２１】
本実施例では該シミュレータの一つである、有機デバイスシミュレータ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｏｐｔｉｃｓ  ｓｉｍｕｌａｔｏｒ：商品名ｓｅｔｆｏｓ；サイバネットシステム株式会社製）を用いて積層構造に入射した光の挙動を計算した。ｓｅｔｆｏｓは、積層構造における各層の膜厚と、各層の屈折率の波長分散と、積層構造の内部から射出されるスペクトルと、を用いて、積層構造の外部に到達する光のスペクトルを計算することができる。
【０４２２】
具体的には、ｓｅｔｆｏｓにより、表示パネル５００＿２の画素５０２（ｉ，ｊ）が備える構成および発光層６０６から射出されるスペクトルに基づいて、接合層５６４に到達する光のスペクトルを計算した（図３参照）。該光のスペクトルは、角度Ｒが０°乃至８０°の方向６３２に射出される条件にて計算した。
【０４２３】
導電膜６０５（ｉ，ｊ）、発光層６０６、導電膜６０８、導電膜６０９を積層した構造を、表示パネル５００＿２に用いた。計算に用いたそれぞれの構成の物性を、以下に説明する。
【０４２４】
膜厚１２０ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜６０５（ｉ，ｊ）に用いた。なお、後述する方法で測定した結果を、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散に用いた。
【０４２５】
膜厚１８８ｎｍの発光性の有機化合物を発光層６０６に用いた。発光層６０６は、波長に依らず、屈折率１．８とした。
【０４２６】
なお、発光層６０６は、赤色、緑色、青色の光を含む光を射出する。発光層６０６から射出される光のスペクトルの例を、図２３（Ａ）に示す。横軸が発光層６０６から射出される光の波長（ｎｍ）を、縦軸が光強度を、それぞれ表している。尚、図２３（Ａ）の縦軸は波長４５５ｎｍの光の強度を１として規格化した尺度とした。
【０４２７】
膜厚２００ｎｍのＡＰＣを導電膜６０４（ｉ，ｊ）に用いた。なお、銀の屈折率をＡＰＣの屈折率に用いた。
【０４２８】
膜厚１５ｎｍのＡＰＣを導電膜６０８に用いた。
【０４２９】
膜厚７０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜６０９に用いた。屈折率１．５の膜を接合層５６４に用いた。
【０４３０】
＜インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散の測定方法＞
膜厚１００ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の、屈折率の波長分散Ｎを、株式会社日製エレクトロニクス製分光エリプソメータＵＶＩＳＥＬ―ＦＡＳＥ（ＴＦＴ）を用いて測定し求めた（図２２参照）。図２２の横軸は光の波長（ｎｍ）であり、縦軸は屈折率である。
【０４３１】
なお、膜厚１００ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜は、重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％、を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて光透過性基板上に形成した。
【０４３２】
＜計算結果＞
図２３（Ｂ）に、画素５０２（ｉ，ｊ）において、接合層５６４に到達する光のスペクトルを計算した結果を示す。図２３（Ｂ）において、横軸が接合層５６４に到達する光の波長（ｎｍ）を、縦軸が光の相対的な強度（光強度）を、それぞれ表している。
【０４３３】
図２３（Ｂ）には、接合層５６４に到達する光のうち、方向６３０に射出される光Ｒ０、角度Ｒが３０°のときの方向６３２に射出される光Ｒ３０、角度Ｒが６０°のときの方向６３２に射出される光Ｒ６０、角度Ｒが８０°のときの方向６３２に射出される光Ｒ８０、のスペクトルが示される。
【０４３４】
尚、図２３（Ｂ）の縦軸は任意の尺度とした。
【０４３５】
光Ｒ０のスペクトルは、発光極大波長を４５５ｎｍと６６１ｎｍとに有する。
【０４３６】
光Ｒ０のスペクトルは、青色を示す波長領域と、赤色を示す波長領域とにおいて狭線化され、青色と赤色との間の波長領域の光強度が小さい。
【０４３７】
すなわち表示素子６０２（ｉ，ｊ）は、方向６３０に色純度が高い青色の光と、赤色の光を射出することができる。
【０４３８】
また、光Ｒ０、光Ｒ３０、光Ｒ６０及び光Ｒ８０のスペクトルは、互いに発光極大波長が異なった。すなわち表示素子６０２（ｉ，ｊ）が射出する光は、接合層５６４に達したときの角度が異なれば、色が異なる。
【０４３９】
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例２】
【０４４０】
本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル５００＿２（図３参照）の有する、画素５０２（ｉ，ｊ）から射出される光は、射出角度が変化しても色度差が小さいことを計算により示す。
【０４４１】
具体的には、表示素子６０２（ｉ，ｊ）から射出され、着色膜ＣＦ＿１を通過する光のうち、方向６３０と、方向６３２とに射出される光の色度の差を計算した（図２（Ａ）参照）。また該色度が、着色膜ＣＦ＿１の透過スペクトルにより変化するか計算した。
【０４４２】
色度の計算は、ｓｅｔｆｏｓにより、実施例１で計算された表示素子６０２（ｉ，ｊ）から射出される光のスペクトル（図２３（Ｂ）参照）と、着色膜ＣＦ＿１の透過スペクトルと、を用いて行われた。
【０４４３】
着色膜７０２、着色膜７０４、着色膜７０６または着色膜７０８を、計算に用いた（図２４（Ａ））。図２４（Ａ）の横軸は光の波長であり、縦軸は着色膜７０２、着色膜７０４、着色膜７０６または着色膜７０８の光の透過率である。
【０４４４】
波長４５０ｎｍの光の透過率を１００％としたときの波長５００ｎｍの光の透過率は、着色膜７０２は３７．５％とし、着色膜７０４は２１．６％とし、着色膜７０６は６．６％とし、着色膜７０８は２．２％とした。
【０４４５】
いずれの透過スペクトルにおいても、波長３８０ｎｍ乃至７８０ｎｍの範囲での、光の透過率のピークを４５０ｎｍとした。
【０４４６】
＜計算結果＞
図２４（Ｂ）に、表示素子６０２（ｉ，ｊ）から射出され、着色膜ＣＦ＿１を通過する光のうち、方向６３０と、方向６３２とに射出される光の色度差Δｕ’ｖ’の計算結果を示す（図２（Ａ）参照）。また図２４（Ｂ）には、着色膜ＣＦ＿１に、着色膜７０２、着色膜７０４、着色膜７０６または着色膜７０８を用いたときの結果が示される。
【０４４７】
図２４（Ｂ）の横軸は角度Ｒであり、縦軸は光の色度差Δｕ’ｖ’である。
【０４４８】
光の色度は、ＣＩＥ１９７６色度座標（ｕ’ｖ’色度座標）で表される。色度差Δｕ’ｖ’は、小さいことが好ましい。
【０４４９】
色度差Δｕ’ｖ’は、着色膜ＣＦ＿１の透過スペクトルと、角度Ｒと、により変化した。着色膜７０６または着色膜７０８を用いたとき、角度Ｒが変化しても色度差Δｕ’ｖ’が小さかった。
【０４５０】
例えば、色度差Δｕ’ｖ’を、角度Ｒが０°乃至８０°の範囲において０．１以下にするためには、着色膜ＣＦ＿１の備える波長５００ｎｍの光の透過率を、波長４５０ｎｍの光の透過率の１０倍以上とすると良い。
【０４５１】
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０４５２】
ＣＦ    着色膜
ＣＦ＿１    着色膜
ＣＦ＿２    着色膜
ＣＦ＿３    着色膜
ｄ１    距離
ｄ２    距離
ｄ３    距離
ＦＰＣ    フレキシブルプリント基板
Ｌ１    光
Ｌ２    光
Ｒ    角度
ＭＤ    トランジスタ
Ｍ１    トランジスタ
Ｍ２    トランジスタ
Ｍ３    トランジスタ
Ｎ    波長分散
Ｎ１    ノード
Ｎ２    ノード
Ｎ３    ノード
Ｐ１    期間
Ｐ２    期間
Ｐ３    期間
ＰＲ１    工程
ＰＲ２    工程
ＰＲ３    工程
ＰＲ４    工程
ＰＲ５    工程
ＰＲ６    工程
ＰＲ７    工程
ＰＲ８    工程
ＰＲ９    工程
ＰＲ１０    工程
Ｒ０    光
Ｒ３０    光
Ｒ６０    光
Ｒ８０    光
１３    基板
１５    遮光膜
２５    遮光膜
４１    領域
４２    領域
４３    領域
４５    開口部
５００    表示パネル
５００＿２    表示パネル
５００＿３    表示パネル
５００＿４    表示パネル
５００＿５    表示パネル
５０２    画素
５０３Ａ    トランジスタ
５０３Ｂ    トランジスタ
５０４    基板
５０６    基板
５１２    表示領域
５１４Ａ    駆動回路
５１４Ｂ    駆動回路
５１６    端子
５１６＿１    端子
５１６＿２    端子
５１６＿４    端子
５１８    端子
５１８＿１    端子
５１８＿１２    端子
５１９    金属酸化物膜
５２０    半導体膜
５２０＿Ｄ    半導体膜
５２１    不純物
５２２    導電膜
５２２＿Ａ    導電膜
５２２＿Ｂ    導電膜
５２２＿ＤＡ    導電膜
５２２＿ＤＢ    導電膜
５２２＿１Ａ    導電膜
５２２＿１Ｂ    導電膜
５２２＿２Ａ    導電膜
５２２＿２Ｂ    導電膜
５２２＿３Ａ    導電膜
５２２＿３Ｂ    導電膜
５２４    導電膜
５２４Ａ    導電膜
５２４Ａ＿１    導電膜
５２４Ａ＿２    導電膜
５２４Ａ＿３    導電膜
５２４Ａ＿Ｄ    導電膜
５２４Ｂ    導電膜
５２４Ｂ＿１    導電膜
５２４Ｂ＿２    導電膜
５２４Ｂ＿３    導電膜
５２４Ｂ＿Ｄ    導電膜
５２６    絶縁膜
５２８    絶縁膜
５２８＿Ｄ    絶縁膜
５２９    金属酸化物膜
５３０    導電膜
５３０＿１    導電膜
５３０＿２    導電膜
５３０＿３    導電膜
５３０＿Ｄ    導電膜
５３２    導電膜
５３２Ａ    導電膜
５３２Ａ＿Ａ    導電膜
５３２Ａ＿Ｂ    導電膜
５３２Ａ＿ＤＡ    導電膜
５３２Ａ＿ＤＢ    導電膜
５３２Ａ＿Ｆ    導電膜
５３２Ｂ    導電膜
５３２Ｂ＿Ａ    導電膜
５３２Ｂ＿Ｂ    導電膜
５３２Ｂ＿ＤＡ    導電膜
５３２Ｂ＿ＤＢ    導電膜
５３２Ｂ＿Ｆ    導電膜
５３４    絶縁膜
５３６＿Ａ    開口部
５３６＿Ｂ    開口部
５３８Ａ    絶縁膜
５３８Ｂ    絶縁膜
５３９    絶縁膜
５４２    開口部
５４４    開口部
５４６    導電膜
５５２    配線
５５４    配線
５５６    配線
５５７    配線
５５８    配線
５６２    遮光膜
５６４    接合層
５６６    封止材
５６８    導電材料
６０２    表示素子
６０３    領域
６０４    導電膜
６０５    導電膜
６０５＿１    導電膜
６０５＿２    導電膜
６０６    発光層
６０８    導電膜
６０９    導電膜
６１０    絶縁膜
６１４    容量部
６１６    回路
６３０    方向
６３２    方向
７０２    着色膜
７０４    着色膜
７０６    着色膜
７０８    着色膜
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    表示部
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2018190637.tif 000009
【図２】
2018190637.tif 000010
【図３】
2018190637.tif 000011
【図４】
2018190637.tif 000012
【図５】
2018190637.tif 000013
【図６】
2018190637.tif 000014
【図７】
2018190637.tif 000015
【図８】
2018190637.tif 000016
【図９】
2018190637.tif 000017
【図１０】
2018190637.tif 000018
【図１１】
2018190637.tif 000019
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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