(57)【要約】【課題】受光面側から裏面を迅速に評価することができるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法を提供する。【解決手段】半導体層を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの受光面に励起光を照射する照射工程（Ｓ１）と、太陽電池セルの受光面側からフォトルミネッセンス発光画像を撮像する撮像工程（Ｓ２）と、を包含するＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法であって、照射工程及び撮像工程は、半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態で実行される。【選択図】図９
2018163059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの受光面に励起光を照射する照射工程と、
前記太陽電池セルの受光面側からフォトルミネッセンス（ＰＬ）発光画像を撮像する撮像工程と、
を包含するＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法であって、
前記照射工程及び前記撮像工程は、前記半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態で実行されるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項２】
前記受光面側から前記太陽電池セルの非発光状態における光学画像を撮像する光学画像撮像工程と、
前記撮像工程において得られたＰＬ発光画像と前記光学画像撮像工程において得られた光学画像とを重ね合わせる画像合成工程と、
をさらに包含する請求項１に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項３】
前記太陽電池セルは、前記半導体層の前記受光面に対向する裏面側に配された絶縁層と、前記絶縁層の裏面側に接するように配された裏面電極とをさらに備え、
前記光学画像撮像工程において、前記受光面側から前記裏面電極に焦点を合わせて、前記絶縁層及び前記半導体層を透過した前記裏面電極の反射光を撮像する請求項２に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項４】
前記照射工程は、面光源を用いて実行される請求項１〜３の何れか一項に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項５】
前記面光源は、前記受光面に直交する方向から見て前記ＰＥＲＣ型の太陽電池セルを囲むように配された４灯乃至８灯の光源から構成される請求項４に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項６】
前記撮像工程は、顕微鏡を用いて実行される請求項１〜５の何れか一項に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項７】
前記太陽電池セルは、前記半導体層の前記受光面側に配されたフィンガー電極をさらに備え、
前記照射工程及び前記撮像工程の実行前に、前記フィンガー電極を除去する準備工程を実行する請求項１〜６の何れか一項に記載のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法。
【請求項８】
半導体層を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置であって、
前記半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態の前記太陽電池セルに、励起光を照射する照射手段と、
前記太陽電池セルの受光面側からフォトルミネッセンス（ＰＬ）発光画像を撮像する撮像手段と、
を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトルミネッセンス（ＰＬ）を利用したＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法、及びＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境に配慮したクリーンなエネルギーへの関心の高まりから、エネルギー源が無尽蔵に存在する太陽光を利用した太陽光発電が注目されている。太陽光発電に用いられる太陽電池セルとしては、裏面パッシベーション型（Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  ａｎｄ  Ｒｅａｒ  Ｃｅｌｌ（以下、「ＰＥＲＣ型」）の太陽電池セルの普及が見込まれている。
【０００３】
ＰＥＲＣ型の太陽電池セルは、裏面側から受光面に向けて、裏面電極、絶縁層（パッシベーション）、半導体層、反射防止層、及びフィンガー電極が順に積層された構造を有する。絶縁層には貫通孔が設けられ、貫通孔内には、裏面電極から半導体層に向けて延出した接続電極が貫入している。半導体層と接続電極とが対向する部位には、接続電極の主材料であるアルミニウムが半導体材料に拡散した裏面障壁（ＬＯＣＡＬ  Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｌｅｄ（以下、「ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ」））が形成されている。
【０００４】
ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの製造プロセスでは、このような構造が欠陥なく形成されているかを検査する必要がある。太陽電池セルにおける欠陥の有無を検査する方法の一つに、フォトルミネッセンス（ＰＬ）を利用したＰＬ検査法が知られている。一般に、物質に所定のエネルギーを与えると、物質中の励起された電子が基底状態に遷移する際に光が発生する。ここで、上記の所定のエネルギーを光によって与える方法をＰＬと言う。ＰＬは物質中に存在する不純物や欠陥に影響を受けることが知られている。太陽電池セルの検査においては、太陽電池の半導体層に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光（以下、「励起光」）を照射すると、励起光の吸収に伴って電子と正孔と（以下、電子と正孔とを「電荷キャリア」と総称する）が生成され、これらが再結合する際に発光する。このとき、半導体結晶中に欠陥や不純物が存在すると、これらの欠陥等は光エネルギーを与えたときに形成される電荷キャリアの再結合過程に影響を及ぼし、半導体結晶はその結晶固有の発光とは異なるエネルギーの光を放出する。この現象を利用し、ＰＬ発光によって得られた情報から太陽電池セルの欠陥を検知することができる。
【０００５】
従来、ＰＬ検査法を利用した太陽電池の検査装置として、太陽電池のクラック等の欠陥の検査を一定の判定レベルで簡単に行うことができる検査装置があった（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１によれば、ＰＬ検査装置の照射装置に２つのＬＥＤユニットを備え、撮像装置にフィルターユニットを備えていることを特徴としている。このような構成にすることによって、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ／Ｇｅの３層構造の半導体層を有する太陽電池の異なる層の発光を分離して撮像することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２２４４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＰＥＲＣ型の太陽電池セルでは、絶縁層又はＬＯＣＡＬ−ＢＳＦに欠陥があると、裏面電極又は接続電極と半導体層との界面で起こる再結合によりエネルギー損失が生じるため、光変換効率の低下が引き起こされる。そこで、ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査では、絶縁層及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦの評価が重要である。
【０００８】
しかし、特許文献１に記載されているＰＬ検査装置では、半導体層を構成する各層を評価することができたが、半導体層より裏面側に形成された絶縁層及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦを十分に評価することが難しいという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の構造における欠陥を検出できるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法、及びＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法の特徴構成は、
半導体層を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの受光面に励起光を照射する照射工程と、
前記太陽電池セルの受光面側からフォトルミネッセンス（ＰＬ）発光画像を撮像する撮像工程と、
を包含するＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法であって、
前記照射工程及び前記撮像工程は、前記半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態で実行されることにある。
【００１１】
半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在すると、電荷キャリアがフィンガー電極を伝って移動することにより、半導体層におけるキャリア密度の高い領域から低い領域への電荷キャリアの拡散が、比較的速やかに進む。その結果、フィンガー電極の存在は、半導体層の受光面側の面内におけるキャリア分布を変化させ、ＰＬ発光の強度（以下、「ＰＬ強度」）に強く影響を及ぼしていた。
【００１２】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態でＰＬ発光画像を撮像するため、半導体層の受光面側での電荷キャリアの挙動が抑制され、半導体層の裏面側での電荷キャリアの挙動が強く反映されたＰＬを観察することができる。その結果、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の構造における欠陥を検出することができる。
【００１３】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記受光面側から前記太陽電池セルの非発光状態における光学画像を撮像する光学画像撮像工程と、
前記撮像工程において得られたＰＬ発光画像と前記光学画像撮像工程において得られた光学画像とを重ね合わせる画像合成工程と、
をさらに包含することが好ましい。
【００１４】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、半導体層より裏面側の構造に欠陥が存在する箇所はＰＬ発光画像においてＰＬ強度が低くなるため、ＰＬ発光画像と重ね合わされた光学画像において、欠陥が存在する箇所を認識し易くなる。その結果、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の構造における欠陥をより容易に検出することができる。
【００１５】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記太陽電池セルは、前記半導体層の前記受光面に対向する裏面側に配された絶縁層と、前記絶縁層の裏面側に接するように配された裏面電極とをさらに備え、
前記光学画像撮像工程において、前記受光面側から前記裏面電極に焦点を合わせて、前記絶縁層及び前記半導体層を透過した前記裏面電極の反射光を撮像することが好ましい。
【００１６】
一般に、ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの製造プロセスでは、半導体層の裏面側に絶縁層を形成した後に、絶縁層にアルミニウム等の金属を含有するペーストを塗布し、これを焼成することにより裏面電極を形成する。その結果、絶縁層における成膜不良等の欠陥は、裏面電極に覆われるため、裏面電極の受光面側にその形状が現れるが、太陽電池セルを裏面側から観察しても確認することができなかった。
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、ＰＬ発光画像と重ね合わされた光学画像において、裏面電極の受光面側の表面パターンを観察することが可能となり、絶縁層、又はＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ層に欠陥が存在するか否かを認識し易くなる。
【００１７】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記照射工程は、面光源を用いて実行されることが好ましい。
【００１８】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、面光源からの励起光の照射により、半導体層の全面に偏りなく電荷キャリアが生成されるため、受光面に沿う方向での電荷キャリアの拡散がＰＬに及ぼす影響が抑えられる。これにより、半導体層より裏面側の構造に由来する電荷キャリアの挙動がＰＬにより強く反映される。その結果、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の構造における欠陥を検出することができる。
【００１９】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記面光源は、前記受光面に直交する方向から見て前記ＰＥＲＣ型の太陽電池セルを囲むように配された４灯乃至８灯の光源から構成されることが好ましい。
【００２０】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、４灯乃至８灯の光源から太陽電池セルの受光面に光を均等に面照射することができる。その結果、ＰＬ検査法において、受光面に沿う方向での電荷キャリアの拡散から受ける影響を抑えて、半導体層より裏面側の構造における欠陥を検出することができる。
【００２１】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記撮像工程は、顕微鏡を用いて実行されることが好ましい。
【００２２】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、ＰＥＲＣ型の太陽電池セルにおいて、半導体層より裏面側に形成されるＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ等の微細な構造に影響された電荷キャリアの挙動を、ＰＬの状態により確認することができる。その結果、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の微細な構造における欠陥を検出することができる。
【００２３】
本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、
前記太陽電池セルは、前記半導体層の前記受光面側に配されたフィンガー電極をさらに備え、
前記照射工程及び前記撮像工程の実行前に、前記フィンガー電極を除去する準備工程を実行することが好ましい。
【００２４】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法によれば、フィンガー電極を有する通常のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの半導体層より裏面側の構造における欠陥を、ＰＬ検査法を用いて検出することができる。
【００２５】
上記課題を解決するための本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置の特徴構成は、
半導体層を備えるＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置であって、
前記半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態の前記太陽電池セルに、励起光を照射する照射手段と、
前記太陽電池セルの受光面側からフォトルミネッセンス（ＰＬ）発光画像を撮像する撮像手段と、
を備えることにある。
【００２６】
本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置によれば、上述のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法と同様の優れた作用効果を奏することができる。すなわち、本構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置によれば、半導体層の受光面側にフィンガー電極が存在しない状態で励起光の照射、及びＰＬ発光画像の撮像を行うため、半導体層の受光面側での電荷キャリアの挙動が抑制され、半導体層の裏面側での電荷キャリアの挙動が強く反映されたＰＬを観察することができる。その結果、ＰＬ検査法を用いて半導体層より裏面側の構造における欠陥を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、（ａ）ＰＥＲＣ型の太陽電池セルを模式的に示す断面図、及び（ｂ）評価用太陽電池セルを模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置の説明図である。
【図３】図３は、（ａ）図２の検査装置で撮像したＰＥＲＣ型の太陽電池セルのＰＬ発光画像、及び（ｂ）ＰＬ発光画像の枠Ａで囲んだ領域におけるＸ方向のＰＬ発光の強度変化を示すグラフである。
【図４】図４は、（ａ）ＰＥＲＣ型の太陽電池セルのＰＬ発光画像、（ｂ）ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの光学画像である。
【図５】図５は、（ａ）欠陥がある状態のＬＯＣＡＬ−ＢＳＦを模式的に示す断面図、及び（ｂ）欠陥がない状態のＬＯＣＡＬ−ＢＳＦを模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、フィンガー電極が形成されている太陽電池セルにおけるＰＬ発光画像である。
【図７】図７は、（ａ）ＰＬ発光画像と光学画像とを合成した評価用画像、及び（ｂ）評価用画像の枠Ｃで囲んだ領域におけるＸ方向のＰＬ発光の強度変化を示すグラフである。
【図８】図８は、（ａ）評価用太陽電池セルの受光面全体を撮像した全面ＰＬ発光画像の一例、及び（ｂ）全面ＰＬ発光画像の他の例である。
【図９】図９は、本発明の実施形態に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、変形例に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、フィンガー電極が除去されたＰＥＲＣ型の太陽電池セルを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法、及び検査装置に関する実施形態を、図１〜図１１に基づいて説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施形態や図面に記載される構成に限定されることを意図しない。
【００２９】
＜ＰＥＲＣ型の太陽電池セル＞
本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法、及び検査装置を説明する前に、一般的なＰＥＲＣ型の太陽電池セルの構造について説明する。図１（ａ）は、ＰＥＲＣ型の太陽電池セル１００を模式的に示す断面図である。太陽電池セル１００としては、単結晶シリコン型太陽電池、又は多結晶シリコン型太陽電池が挙げられる。
【００３０】
太陽電池セル１００は、裏面Ｒ側から受光面Ｆ側に向けて、裏面電極１、絶縁層２、半導体層３、及び反射防止層５が積層された構造を有する。裏面電極１は、裏面Ｒの全面に一様に形成されたアルミニウム薄膜からなる。裏面電極１の受光面Ｆ側には、裏面電極１に接して絶縁層２が一様に形成されている。絶縁層２は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層２ａ、及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）層２ｂが積層された構成であり、裏面電極１と半導体層３とを電気的に絶縁している。絶縁層２には貫通孔が形成されおり、貫通孔内には裏面電極１から半導体層３に向けて延出した接続電極１ａが貫入している。接続電極１ａは、裏面電極１と半導体層３とを電気的に接続している。半導体層３は、裏面Ｒ側のｐ型半導体層３ａと受光面Ｆ側のｎ型半導体層３ｂとが接合した構成である。ｐ型半導体層３ａと接続電極１ａとが対向する部位には、接続電極１ａの主材料であるアルミニウムが半導体材料内に拡散したＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が形成されている。反射防止層５は、窒化ケイ素、アルミナ等の絶縁材料で構成されている。反射防止層５には貫通孔が形成されており、貫通孔を介して半導体層３に電気的に接続するフィンガー電極６が、反射防止層５の受光面Ｆ側に露出している。
【００３１】
本実施形態において、絶縁層２、及び反射防止層５に設けられた貫通孔は、図１（ａ）の紙面に直交する向きにスリット状に延伸している。それぞれの貫通孔内に形成された接続電極１ａ、及びフィンガー電極６は、図１（ａ）の紙面に直交する向きに延伸する直線状に形成されている。接続電極１ａの形成間隔は、例えば、１ｍｍであり、フィンガー電極６の形成間隔は、例えば、２ｍｍである。
【００３２】
＜検査装置＞
図２は、本発明の実施形態に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置１０の説明図である。検査装置１０は、半導体に励起光を照射したときに発生するフォトルミネッセンス（ＰＬ）を利用してＰＥＲＣ型の太陽電池セルを検査するものである。検査装置１０は、面光源１１と、第１カメラ１２とを備え、さらに任意の構成として、第２カメラ１３と、画像処理部１４と、判定部１５と、表示部１６と、載置台１７とを備えている。
【００３３】
本実施形態に係る太陽電池セルの検査装置１０は、受光面Ｆ側にフィンガー電極を形成していない太陽電池セル（以下、「評価用太陽電池セル」）を検査対象として使用する。図１（ｂ）は、評価用太陽電池セル１００ａの断面を示す模式図である。評価用太陽電池セル１００ａは、各辺６インチのＰＥＲＣ型の太陽電池セルであり、図１（ａ）に示すＰＥＲＣ型の太陽電池セル１００と比較して、受光面Ｆ側にフィンガー電極６を形成していない点で相違している。図２の検査装置１０において、評価用太陽電池セル１００ａは、受光面Ｆを上に向けた状態で載置台１７に載置される。
【００３４】
ＰＬ発光を発生させるための励起光の波長は、太陽電池半導体の種類によって固有のものである。例えば、上掲の太陽電池であれば、８００〜８５０ｍｍの波長領域の光を励起光とすることが好ましい。従来の太陽電池のＰＬ検査装置は、励起光としてレーザー光を使用するものであった。ところがレーザー光は点光源であり、半導体層３内で照射部位に生じた電荷キャリアは、照射部位よりキャリア密度の低い周囲の部位に拡散する。顕微鏡視野内でＰＬを観察する顕微ＰＬ検査法では、電荷キャリアのわずかな拡散、特に、受光面Ｆに沿う方向への拡散による影響を大きく受ける。そこで本実施形態の検査装置１０では、励起光の光源として、広い範囲に亘って光を照射可能な面光源を使用している。ここで、面光源とは、受光面Ｆに相当する面積におおよそ均等に光を照射できる光源である。例えば、ＬＥＤ、ハロゲンランプ、白熱球等を面光源として利用できる。
【００３５】
面光源１１は、載置された評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆに励起光Ｌを確実に面照射できるように、最適な位置にセットされる。面光源１１は、１灯の光源で構成しても、複数灯の光源を組み合わせて構成してもよい。複数灯の光源を組み合わせる構成では、例えば、４灯乃至８灯の光源を用いることで広い範囲に均等に光を照射できる。図２に示すように、面光源１１は、評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆより広い範囲に亘って、励起光Ｌを照射することができる。これにより面光源１１から照射される励起光Ｌは、受光面Ｆ全体を含むように確実に面照射され、照射工程を実行することができる。なお、複数灯の光源を組み合わせて面光源１１を構成する場合には、これら複数灯の光源を、受光面Ｆに直交する方向から見て評価用太陽電池セル１００ａを囲むように配置することが好ましい。ここで「複数灯の光源を、受光面Ｆに直交する方向から見て評価用太陽電池セル１００ａを囲むように配置」とは、受光面Ｆを含む平面への各光源の直交射影（以下、受光面Ｆを含む平面への直交射影を、単に「直交射影」と表記する）と、評価用太陽電池セル１００ａとが、必ずしも重ならないように配置する必要はない。例えば、各光源の直交射影の一部分が、評価用太陽電池セル１００ａと重なる配置であってもよい。図２の例では、面光源１１を４灯の光源（ランプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ）で構成し、各光源の直交射影の中心が受光面Ｆの中心から等距離となるように、評価用太陽電池セル１００ａの各頂点に対して外側上方に１灯ずつ光源を配置している。これにより、４灯の光源から評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆに光を均等に面照射することができる。複数灯の光源の配置は、図２に示すものに限らず、例えば、評価用太陽電池セル１００ａの各辺に対して外側上方に１灯ずつ配してもよい。他の例として、評価用太陽電池セル１００ａの各辺に対して外側上方に１灯又は２灯ずつ配することで、４灯乃至８灯の光源から評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆに光を均等に面照射することができる。さらに他の例として、評価用太陽電池セル１００ａの各辺及び各頂点に対して外側上方に１灯ずつ配することで、８灯の光源から評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆに光を均等に面照射することができる。
【００３６】
第１カメラ１２は、受光面Ｆの一部分を拡大する顕微鏡と、顕微鏡によって拡大された視野内を撮影する赤外線カメラとから構成されている。第１カメラ１２は、受光面Ｆの任意の位置を撮影できるように、載置台１７の上方からＸＹ方向に移動可能に構成される。ただし、載置台１７をＸＹ方向に移動可能に構成し、載置台１７を動かして撮影位置を変更することも可能である。第１カメラ１２の位置の設定や移動は、手動で操作してもコンピュータで制御しても構わない。
【００３７】
第１カメラ１２は、ＰＬ発光画像撮像モードと、光学画像撮像モードとの２つの撮像モードを有する。ＰＬ発光画像撮像モードでは、面光源１１から励起光Ｌを照射した後に評価用太陽電池セル１００ａがＰＬ発光している状態で、図１（ｂ）に示す焦点距離Ｄに焦点を合わせて受光面Ｆ側から撮像することで、撮像工程を実行することができる。ＰＬ発光画像撮像モードでの撮像画像を、ＰＬ発光画像とする。
【００３８】
光学画像撮像モードでは、評価用太陽電池セル１００ａがＰＬ発光していない状態で、図１（ｂ）に示す焦点距離Ｄに焦点を合わせて受光面Ｆ側から撮像することで、光学画像撮像工程を実行することができる。絶縁層２、半導体層３、及び反射防止層５は、近赤外光透過性を有するため、光学画像撮像モードでは、裏面電極１の受光面Ｆ側の表面を、ＰＬ発光画像と同じサイズの画像で撮像することができる。光学画像撮像モードでの撮像画像を光学画像とする。光学画像の撮像は、面光源１１から励起光Ｌの照射を受けた後、評価用太陽電池セル１００ａのＰＬが終息するのに十分な時間（例えば、１００ミリ秒）が経過してから実行する。ただし、面光源１１から励起光Ｌを照射する前に、光学画像撮像モードでの光学画像の撮像（光学画像撮像工程）を実行し、その後に、励起光Ｌを照射（照射工程）と、ＰＬ発光画像撮像モードでのＰＬ発光画像の撮像（撮像工程）とを実行してもよい。
【００３９】
第１カメラ１２で撮像されたＰＬ発光画像及び光学画像は、例えば、ハードディスク等のストレージにデータとして記録される。
【００４０】
第２カメラ１３は、赤外線カメラであって、評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆ全体を撮影できるように最適な位置にセットされる。図２に示すように、第２カメラ１３は、評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆより一回り程度広い範囲を撮像することができる。第２カメラ１３においても、第１カメラ１２のＰＬ発光画像撮像モードと同様に、面光源１１から励起光Ｌを照射した後に評価用太陽電池セル１００ａがＰＬ発光している状態で、受光面Ｆの様子を撮像することで、撮像工程を実行することができる。
【００４１】
第２カメラ１３で撮像された受光面Ｆ全体のＰＬ発光画像（以下、「全面ＰＬ発光画像」）は、例えば、ハードディスク等のストレージにデータとして記録される。
【００４２】
なお、全面ＰＬ発光画像は、必ずしも第２カメラ１３を用いて撮像する必要はない。例えば、評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆの全面を走査するように、複数枚のＰＬ発光画像を第１カメラ１２で撮像し、これら複数枚のＰＬ発光画像を結合することによって、全面ＰＬ発光画像を生成してもよい。従って、第２カメラ１３は、必要に応じて設ければよい任意の構成である。
【００４３】
画像処理部１４及び判定部１５は、ＣＰＵ、メモリ、ストレージ等を有するコンピュータにおいて、メモリに記録されているプログラムをＣＰＵが読み出して実行することで、それぞれの機能が実現される。
【００４４】
画像処理部１４は、第１カメラ１２にて撮像され、ストレージにデータとして記録されているＰＬ発光画像及び光学画像から、受光面Ｆの同じ位置を撮像したＰＬ発光画像及び光学画像を選択し、両者を重ね合わせた合成画像を生成する。これにより画像合成工程を実行することができる。ＰＬ発光画像及び光学画像は、何れも近赤外光帯域で同じ焦点距離Ｄに焦点を合わせて撮像しているため、受光面Ｆの同じ位置を撮像した両者は、サイズを変換することなく合成に用いることができる。画像の合成では、ＰＬ発光画像及び光学画像の少なくとも一方で各画素に透過率を設定して、アルファ合成を実行する。画像処理部１４で生成された合成画像を評価用画像とする。なお、画像処理部１４による評価用画像の生成は、評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆの全ての領域について実行してもよいが、受光面Ｆの一部の領域についてのみ選択的に実行してもよい。例えば、後述する判定部１５によって絶縁層２又はＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥があると判定された領域ついてのみ評価用画像を生成することで、画像処理部１４におけるデータ処理量を抑えることができる。
【００４５】
判定部１５は、第１カメラ１２及び第２カメラ１３において撮像されたＰＬ発光画像、及び全面ＰＬ発光画像の画像データを解析して、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４における欠陥の有無を判定する。欠陥の有無の判定には、ＰＬ発光画像、全面ＰＬ発光画像のみではなく、画像処理部１４で生成される評価用画像を用いてもよい。判定部１５による画像判定の詳細は、後述する。
【００４６】
表示部１６は、ディスプレイであり、判定部１５によって欠陥があると判定された受光面Ｆの領域に対応する評価用画像を表示する。検査装置１０の操作者は、表示部１６に表示された評価用画像を確認することで、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４における欠陥を容易に視認することが可能となる。表示部１６は、欠陥があると判定された領域に対応する評価用画像に限らず、他の画像を表示するよう構成してもよい。例えば、操作者の操作に応じて、受光面Ｆの任意の領域を撮像したＰＬ発光画像、光学画像、評価用画像、及び全面ＰＬ発光画像を表示するよう構成してもよい。
【００４７】
以上の構成により、検査装置１０は、評価用太陽電池セル１００ａのＰＬ発光画像及び光学画像を撮像し、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の欠陥を検出するための画像（評価用画像）を生成することができる。
【００４８】
＜画像＞
次に、検査装置１０において撮像、又は合成される画像、及び当該画像から判断される欠陥について説明する。図３（ａ）は、検査装置１０で撮像されたＰＬ発光画像１０１であり、図４（ａ）は、検査装置１０で撮像されたＰＬ発光画像１０２である。ＰＬ発光画像１０１、及び１０２はそれぞれ、評価用太陽電池セル１００ａの異なる位置を受光面Ｆ側から撮像している。図５（ａ）は、欠陥がある状態のＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４を模式的に示す断面図であり、図５（ｂ）は、欠陥がない状態のＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４を模式的に示す断面図である。
【００４９】
評価用太陽電池セル１００ａにおいて絶縁層２が形成されている領域では、励起光Ｌの照射により半導体層３中に生じた電荷キャリアの寿命が比較的長くなり、ＰＬ発光の強度が高くなる。そのため、ＰＬ発光画像１０１では、絶縁層２の形成領域に対応してＰＬ強度が高い明領域ＬＡが出現している。これに対して、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が形成されている領域では、半導体層３とＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４との界面で起こる電荷キャリアの再結合によりエネルギー損失が生じるため、絶縁層２の形成領域に比べて、ＰＬ強度が低くなる。そのため、ＰＬ発光画像１０１では、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の形成領域に対応して明領域ＬＡよりもＰＬ強度が低い暗領域ＤＡが出現する。ＰＬ発光画像１０１のように、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の形成間隔と同じ１ｍｍ間隔で、明領域ＬＡと暗領域ＤＡとが交互に繰り返して出現する場合、このＰＬ発光画像１０１が撮像された領域では、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が良好に形成されていると考えられる。
【００５０】
一方、絶縁層２に欠陥があり、半導体層３の保護が十分でない領域では、半導体層３の表面で起こる電荷キャリアの再結合によりエネルギー損失が生じる。その結果、絶縁層２の欠陥部位に対応してＰＬ強度が低くなる。例えば、図４（ａ）に示すＰＬ発光画像１０２では、明領域ＬＡの一部であるＢ１部分でＰＬ強度が低下している。このことから、評価用太陽電池セル１００ａのＢ１部分に対応する位置において、絶縁層２に欠陥が存在すると考えられる。
【００５１】
ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がある領域も、絶縁層２に欠陥がある領域と同様に、ＰＬ強度が低くなる。ＰＬ発光画像では、図３（ａ）のＰＬ発光画像１０１のようにＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の形状に対応した直線状の暗領域ＤＡが出現するのではなく、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の欠陥部分からＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の延伸方向に直交する方向（以下、受光面Ｆを上方から見て、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の延伸方向を「Ｙ方向」、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の延伸方向に直交する方向を「Ｘ方向」とする）に暗領域ＤＡの幅が拡大する。これは、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がある領域では、半導体層３中のキャリア密度が減少し、周囲の領域からの電荷キャリアの移動が生じるためである。なお、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がある状態とは、図５（ａ）の断面図のように、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４と接続電極１ａとの間に空隙Ｖが生じている状態等が考えられる。これに対して、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が正常に形成された状態とは、図５（ｂ）の断面図のように、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が接続電極１ａの上面全体に接するように形成された状態である。
【００５２】
ここで、図１（ａ）に示す一般的な構成のＰＥＲＣ型の太陽電池セル１００において、ＰＬの様子を撮像した画像について説明する。太陽電池セル１００は、評価用太陽電池セル１００ａと比較して受光面Ｆ側にフィンガー電極６が形成されている。フィンガー電極６と半導体層３とが接するため、電荷キャリアがフィンガー電極６を伝って移動することにより、半導体層３におけるキャリア密度の高い領域から低い領域への電荷キャリアの拡散が、比較的速やかに進む。特に、裏面Ｒ側の接続電極１ａがＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４を介して半導体層３と対向するのに対して、フィンガー電極６は半導体層３と直に接するため、電荷キャリアの挙動に強い影響を及ぼし、電荷キャリアの寿命の律速因子となる。そのため、太陽電池セル１００の受光面Ｆ側から観察されるＰＬは、フィンガー電極６の存在による電荷キャリアの挙動が反映されたものになる。
【００５３】
図６は、フィンガー電極６が形成されている太陽電池セル１００におけるＰＬ発光画像である。受光面Ｆ側にフィンガー電極６が形成された太陽電池セル１００を検査対象とする場合は、図６に示すように、フィンガー電極の形成間隔である２ｍｍ毎に暗領域ＤＡが出現し、裏面Ｒ側に１ｍｍ間隔で形成された接続電極１ａ及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の影響をほぼ確認することができない。よって、半導体層３よりも裏面Ｒ側に形成された絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の欠陥を、ＰＬ検査法を用いて判定することが困難である。
【００５４】
これに対して、本実施形態に係る検査装置１０では、受光面Ｆ側にフィンガー電極６が存在しない状態の評価用太陽電池セル１００ａを検査対象とするため、半導体層３よりも裏面Ｒ側に１ｍｍ間隔で形成された接続電極１ａ及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４のパターンが反映された図３（ａ）のＰＬ発光画像１０１を撮像することができる。これにより、半導体層３よりも裏面Ｒ側に形成された構造の欠陥を、ＰＬ検査法を用いて判定することが可能になる。
【００５５】
次に、検査装置１０で撮像した光学画像について説明する。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＰＬ発光画像１０２と同じ位置で撮像した光学画像１０３である。光学画像１０３は、評価用太陽電池セル１００ａがＰＬ発光していない状態で裏面電極１の受光面Ｆ側の表面に焦点を合わせて撮像したものである。
【００５６】
一般に、ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの製造プロセスでは、半導体層の裏面側に絶縁層を形成した後に、絶縁層にアルミニウム等の金属を含有するペーストを塗布し、これを焼成することにより裏面電極を形成する。その結果、絶縁層における成膜不良等の欠陥は、裏面電極に覆われるため、裏面電極の受光面Ｆ側にその形状が現れるが、太陽電池セルを裏面Ｒ側から観察しても確認することができなかった。光学画像１０３では、Ｂ２部における受光面Ｆ側の表面パターンに、絶縁層２に生じた成膜の欠陥に由来すると考えられる線状の欠陥が存在する。
【００５７】
次に、検査装置１０で生成した評価用画像について説明する。図７（ａ）は、図４（ａ）のＰＬ発光画像１０２と、図４（ｂ）の光学画像１０３とを合成した評価用画像１０４である。評価用画像１０４のＢ３部分は、ＰＬ発光画像１０２のＢ１部分に由来してＰＬ強度が低くなっている。そのため、評価用画像１０４のＢ３部分では、光学画像１０３のＢ２部分よりも、裏面電極１の表面パターンに生じた欠陥を容易に視認することができる。このような評価用画像１０４を表示部１６に表示することで、検査装置１０の操作者による観察において、欠陥箇所の確認を容易なものとすることができる。
【００５８】
次に、全面ＰＬ発光画像について説明する。図８（ａ）は、各辺６インチの評価用太陽電池セルの受光面の全面を視野角内に収めて撮像した全面ＰＬ発光画像１０５であり、図８（ｂ）は、全面ＰＬ発光画像１０５とは異なる評価用太陽電池セルを撮像した全面ＰＬ発光画像１０６である。全面ＰＬ発光画像では、評価用太陽電池セルにおいて、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４が欠陥なく形成されていれば、受光面全面が一様にＰＬ発光する様子が撮像される。しかし、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がある場合、欠陥部分の電荷キャリアの密度が低下し、欠陥部分に沿ってＰＬ強度が低下する。全面ＰＬ発光画像１０５では、Ｄ部分に直線状の暗部が生じている。このことから、評価用太陽電池セルのＤ部分に対応する位置において、ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥が存在すると考えられる。
【００５９】
また、全面ＰＬ発光画像１０６では、画像の全面に亘ってＰＬ強度が低くなっている。これは、絶縁層２の形成不良により、半導体層３の保護が不十分になり、表面再結合速度が大きいためと考えられる。
【００６０】
絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４における欠陥の有無は、一般に、製造工程のプロセス条件の違いによりもたらされる。全面ＰＬ発光画像１０５は、裏面電極１の形成時の焼成温度が８１０℃であった評価用太陽電池セルを撮像したものであり、全面ＰＬ発光画像１０６は、焼成温度が８６０℃であった評価用太陽電池セルを撮像したものである。このように様々なプロセス条件で製造した評価用太陽電池セルを、本実施形態に係る検査装置１０を用いて検査することで、最適なプロセス条件の選定に資することができる。
【００６１】
＜欠陥判定＞
次に、判定部１５における画像判定について説明する。判定部１５は、ＰＬ発光画像におけるＸ方向のＰＬ発光の強度変化に基づき、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の欠陥の有無を判定する。例えば、ＰＬ発光画像のＹ方向１００画素分のＰＬ強度を平均し、明領域（例えば、ＰＬ強度が任意単位（ａ．ｕ．）で閾値以上となる領域）と、暗領域（例えば、ＰＬ強度が任意単位（ａ．ｕ．）で閾値未満となる領域）とが、Ｘ方向に１ｍｍ周期で交互に出現する場合、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がないと判定することができる。このような判定は、ＰＬ発光画像のＸ方向でのＰＬ発光の強度変化を示すグラフを生成し、これに基づいて実行することができる。図３（ｂ）は、図３（ａ）の枠Ａで囲んだＹ方向１００画素分の領域におけるＸ方向でのＰＬ発光の強度変化を示すグラフである。このグラフの例では、明領域又は暗領域が１ｍｍ周期で交互に出現しており、判定部１５は、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥がないと判定する。一方、グラフにおいて明領域と暗領域との出現パターンに乱れがある場合、判定部１５は、欠陥があると判定する。例えば、明領域と暗領域との出現間隔が０．５ｍｍ以下、又は１．５ｍｍ以上である場合に、出現パターンに乱れがあり、欠陥があると判定することができる。
【００６２】
なお、判定部１５における画像判定の基準は、上述したものに限らない。例えば、明領域の極大値が所定の値より小さい場合や、暗領域の極小値が所定の値より小さい場合に、絶縁層２又はＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４に欠陥があると判定してもよい。また、判定部１５で画像判定に用いる画像は、ＰＬ発光画像に限らず、例えば、評価用画像を用いてもよい。図７（ｂ）は、図７（ａ）の枠Ｃで囲んだＹ方向１００画素分の領域におけるＸ方向でのＰＬ発光の強度変化を示すグラフである。このようなグラフを生成し、図３（ｂ）のグラフと同様の判定を実行することも可能である。
【００６３】
以上の構成により、検査装置１０は、半導体層３の受光面Ｆ側にフィンガー電極が存在しない状態の評価用太陽電池セル１００ａにおいて、半導体層３の裏面Ｒ側での電荷キャリアの挙動が強く反映されたＰＬ発光画像を撮像し、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４における欠陥を検出することができる。
【００６４】
＜ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査用法＞
本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法について説明する。図９は、本発明の実施形態に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法の手順を示すフローチャートである。フローチャートに示す各工程の詳細は、検査装置１０についての説明と重複するため、その説明を省略し、ここでは、フローチャートにより示した手順に重点を置いて説明する。
【００６５】
本実施形態のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法では、図１（ｂ）に示す、受光面Ｆ側にフィンガー電極が無い状態（フィンガー電極を形成する前）の評価用太陽電池セル１００ａを検査対象とする。
【００６６】
評価用太陽電池セル１００ａの検査では、検査対象の評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆを上に向けた状態で載置し、受光面Ｆの全体を走査するように検査する。先ず、ステップＳ１の照射工程では、面光源から評価用太陽電池セル１００ａの受光面Ｆに励起光Ｌを照射する。これにより、評価用太陽電池セル１００ａの半導体層３内に電荷キャリアが生成され、これらが再結合する際にＰＬ発光が生ずる。ＰＬ発光が生じている状態で、ステップＳ２の撮像工程を実行する。撮像工程では、受光面Ｆ側にフィンガー電極が無い状態の評価用太陽電池セル１００ａを受光面Ｆ側から撮像することで、半導体層３の裏面Ｒ側に形成されている絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の構造が反映されたＰＬ発光画像が得られる。その後、ＰＬ発光が終息するのに十分な時間（例えば、１００ｍ秒）が経過した後、ステップＳ３の光学画像撮像工程を実行する。
【００６７】
ステップＳ４は判定工程であり、検査装置１０の判定部１６における判定と同様に、ステップＳ２で撮像したＰＬ発光画像を用いて、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４の欠陥の有無を判定する。欠陥があると判定した場合（ステップＳ４：Ｙｅｓ）、ステップＳ５の画像合成工程を実行する。画像合成工程では、ステップＳ２で撮像されたＰＬ発光画像と、ステップＳ３で撮像された光学画像とを、検査装置１０の画像処理部１４での画像合成と同様に合成する。
【００６８】
画像合成工程を実行した後、又は、判定工程で欠陥がないと判定した場合（ステップＳ４：Ｎｏ）、ステップＳ６で、受光面Ｆの全ての領域を検査したか否かを判定する。全ての領域を検査した場合（ステップＳ６：Ｎｏ）、評価用太陽電池セル１００ａの検査を終了する。未検査の領域がある場合（ステップＳ６：Ｙｅｓ）、ステップＳ７の位置合わせ工程において、検査装置１０の第１カメラ１２の位置を移動させることで、検査位置を変更する。本実施形態では、例えば、受光面Ｆが各辺６インチの正方形である場合、受光面Ｆの１つの頂点から検査を開始し、Ｙ方向、及びＸ方向に第１カメラ１２を走査させることで、受光面Ｆの全ての領域を検査することができる。
【００６９】
なお、本実施形態のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、ステップＳ３の光学画像撮像工程は、ステップＳ１の照射工程の前に実行してもよい。このような手順であれば、ＰＬ発光の終息を待つ待機時間を設ける必要がなく、本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法による検査時間の短縮を図ることができる。また、ステップＳ３の光学画像撮像工程は、ステップＳ４の判定工程において、欠陥があると判定した場合（ステップＳ４：Ｙｅｓ）にのみ実行してもよい。このような手順であれば、受光面Ｆの合成画像を生成する領域についてのみ、選択的に光学画像を撮像することになり、画像を保存するストレージの容量を圧迫する虞がない。
【００７０】
＜別実施形態＞
本発明を上記の実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施形態に限定されないのはもちろんである。例えば、別実施形態として、以下に示すような変形例を実施することもできる。
【００７１】
本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法では、受光面Ｆ側にフィンガー電極が形成されていない状態であれば、半導体層３より裏面Ｒ側の構造における欠陥を検出することができる。そのため、必ずしも、フィンガー電極が形成されていない評価用太陽電池セルを検査対象とする必要はなく、フィンガー電極６が形成されているＰＥＲＣ型の太陽電池セルであっても、そのフィンガー電極を除去することで、半導体層３より裏面Ｒ側の構造における欠陥を検査することができる。
【００７２】
図１０は、本発明に係るＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法において、フィンガー電極６が形成されているＰＥＲＣ型の太陽電池セルを検査する際の手順を示すフローチャートである。図１０に示す検査方法の処理手順は、図９に示す処理手順にステップＳ１１の準備工程を追加したものである。
【００７３】
ステップＳ１１の準備工程は、図１（ａ）に示すフィンガー電極６が形成された太陽電池セル１００から、フィンガー電極６を除去する工程である。フィンガー電極６は、受光面Ｆからみて直線形状に露出しており、準備工程では、例えば、太陽電池セル１００を固定した状態で、フィンガー電極６を物理的に剥離することで除去することができる。太陽電池セル１００からフィンガー電極６を除去する他の方法としては、ウェットエッチング法等が可能である。
【００７４】
図１１は、準備工程においてフィンガー電極６が除去された太陽電池セル１００ｂを模式的に示す断面図である。太陽電池セル１００ｂを検査対象として用いることで、評価用太陽電池セル１００ａを検査対象とした場合と同様に、半導体層３の裏面Ｒ側での電荷キャリアの挙動が強く反映されたＰＬ発光画像を撮像し、絶縁層２及びＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ４における欠陥を検出することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査方法、及びＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査装置は、ＰＥＲＣ型の太陽電池セルの検査に利用することが可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１        裏面電極
２        絶縁層（パッシベーション）
３        半導体層
４        ＬＯＣＡＬ−ＢＳＦ
６        フィンガー電極
１０      太陽電池セルの検査装置
１１      面光源
１２      第１カメラ
１４      画像処理部
１５      判定部
１００ａ  評価用太陽電池セル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018163059.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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