(57)【要約】【課題】容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーを提供する。【解決手段】基板上に、第１固定電極、第２固定電極、およびダミー電極を形成する電極形成工程と、可動体形成工程と、を含み、前記電極形成工程は、前記基板上に第１マスク層を形成する工程と、前記基板上および前記第１マスク層上に第１導電層を成膜し、前記第１マスク層を除去して、第１電極材料層を形成する工程と、前記基板上および前記第１電極材料層上に、第２導電層を成膜する工程と、前記第２導電層上にマスク材料層を成膜し、平面視において前記マスク材料層の前記第１電極材料層と重なっていない部分の一部を除去して、第２マスク層を形成する工程と、前記第２導電層が、前記第１電極材料層上および前記基板上に設けられるように、前記第２マスク層をマスクとして前記第２導電層をエッチングし、第２電極材料層を形成する工程と、を有する、物理量センサーの製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１固定電極、第２固定電極、およびダミー電極を形成する電極形成工程と、
平面視において第１固定電極および前記第２固定電極と重なり、前記ダミー電極と同電位であり、物理量に応じて前記基板の主面と交差する方向に変位する可動体を形成する可動体形成工程と、
を含み、
前記電極形成工程では、
前記第１固定電極と前記ダミー電極とを隣り合うように形成し、
前記電極形成工程は、
前記基板上に第１マスク層を形成する工程と、
前記基板上および前記第１マスク層上に第１導電層を成膜し、前記第１マスク層を除去して、第１電極材料層を形成する工程と、
前記基板上および前記第１電極材料層上に、第２導電層を成膜する工程と、
前記第２導電層上にマスク材料層を成膜し、平面視において前記マスク材料層の前記第１電極材料層と重なっていない部分の一部を除去して、第２マスク層を形成する工程と、
前記第２導電層が、前記第１電極材料層上および前記基板上に設けられるように、前記第２マスク層をマスクとして前記第２導電層をエッチングし、第２電極材料層を形成する工程と、
を有する、物理量センサーの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記電極形成工程では、
前記第１固定電極と前記ダミー電極との間に絶縁層を形成する工程を含む、物理量センサーの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１電極材料層の材質は、白金である、物理量センサーの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第２電極材料層の材質は、チタンタングステンである、物理量センサーの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記電極形成工程の前に、前記基板上に密着層を形成する工程を含み、
前記第１電極材料層を形成する工程では、
前記密着層上に前記第１導電層を成膜する、物理量センサーの製造方法。
【請求項６】
基板と、
物理量に応じて前記基板の主面と交差する方向に変位する可動体と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なっている第１固定電極および第２固定電極と、
前記基板に固定され、前記第１固定電極と隣り合って設けられ、前記可動体と同電位であるダミー電極と、
を含み、
前記第１固定電極および前記ダミー電極は、
前記基板上に設けられた第１電極材料層と、
前記基板上および前記１電極材料層上に設けられた第２電極材料層と、
を有し、
前記第１固定電極を構成する前記第２電極材料層、および前記ダミー電極を構成する前記第２電極材料層は、前記第１固定電極を構成する前記第１電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第１電極材料層と、の間に設けられ、
前記第１固定電極を構成する前記第２電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第２電極材料層と、の間の距離は、前記第１固定電極を構成する前記第１電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第１電極材料層と、の間の距離よりも小さい、物理量センサー。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１固定電極と前記ダミー電極との間に設けられた絶縁層を含む、物理量センサー。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１電極材料層の材質は、白金である、物理量センサー。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか１項において、
前記第２電極材料層の材質は、チタンタングステンである、物理量センサー。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれか１項において、
前記基板と前記第１電極材料層との間に設けられ、前記基板と前記第１電極材料層とを密着させる密着層を含む、物理量センサー。
【請求項１１】
請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
【請求項１２】
請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて、加速度等の物理量を検出する物理量センサーが開発されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、第１固定電極および第２固定電極と、可動体と、可動体と電気的に接続された第１パッドと、第２固定電極と電気的に接続された第２パッドと、第１固定電極と電気的に接続された第３パッドと、を含み、第１パッドおよび第２パッドを用いて検出した第１静電容量、および第１パッドおよび第３パッドを用いて検出した第２静電容量に基づいて、加速度を検出する物理量センサーが記載されている。さらに、引用文献１には、スティキングの発生を防止するとともに、容量オフセットを小さくするために、ダミー電極を設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−４４９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、第１固定電極、第２固定電極、およびダミー電極の信頼性や物理量センサーのＳ／Ｎ比（ｓｉｇｎａｌ−ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）を考慮すると、第１固定電極、第２固定電極、およびダミー電極の材質は、例えば白金であることが好ましい。白金は、反応性が乏しいので、エッチングではパターニングされ難く、例えばリフトオフ法によってパターニングされる。
【０００６】
上記のような物理量センサーでは、容量オフセットを小さくするために、例えば、第１固定電極とダミー電極との間の距離を小さくしたい場合がある。しかしながら、リフトオフ法は、導電層を直接エッチングする場合に比べて、微細加工が難しい。そのため、第１固定電極およびダミー電極をリフトオフ法によって形成する場合には、第１固定電極とダミー電極との間の距離を十分に小さくすることができず、容量オフセットを小さくすることが困難である。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーの製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の物理量センサーを含む電子機器を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の物理量センサーを含む移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００９】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、
基板上に、第１固定電極、第２固定電極、およびダミー電極を形成する電極形成工程と、
平面視において第１固定電極および前記第２固定電極と重なり、前記ダミー電極と同電位であり、物理量に応じて前記基板の主面と交差する方向に変位する可動体を形成する可動体形成工程と、
を含み、
前記電極形成工程では、
前記第１固定電極と前記ダミー電極とを隣り合うように形成し、
前記電極形成工程は、
前記基板上に第１マスク層を形成する工程と、
前記基板上および前記第１マスク層上に第１導電層を成膜し、前記第１マスク層を除去して、第１電極材料層を形成する工程と、
前記基板上および前記第１電極材料層上に、第２導電層を成膜する工程と、
前記第２導電層上にマスク材料層を成膜し、平面視において前記マスク材料層の前記第１電極材料層と重なっていない部分の一部を除去して、第２マスク層を形成する工程と、
前記第２導電層が、前記第１電極材料層上および前記基板上に設けられるように、前記第２マスク層をマスクとして前記第２導電層をエッチングし、第２電極材料層を形成する工程と、
を有する。
【００１０】
このような物理量センサーの製造方法では、第１固定電極を構成する第２電極材料層、および第１ダミー電極を構成する第２電極材料層を、第１固定電極を構成する第１電極材料層と、第１ダミー電極を構成する第１電極材料層と、の間に設けることができる。さらに、このような物理量センサーの製造方法では、第１固定電極を構成する第２電極材料層と、第１ダミー電極を構成する第２電極材料層と、の間の距離を、第１固定電極を構成する第１電極材料層と、第１ダミー電極を構成する第１電極材料層と、の間の距離よりも小さくすることができる。したがって、このような物理量センサーの製造方法では、第１固定電極と第１ダミー電極との間の距離を小さくすることができる。よって、このような物理量センサーの製造方法では、第１固定電極と第１ダミー電極とによって形成される静電容量を、高い精度で調整することができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【００１１】
［適用例２］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法において、
前記電極形成工程では、
前記第１固定電極と前記ダミー電極とを隣り合うように形成し、
前記第１固定電極と前記ダミー電極との間に絶縁層を形成する工程を含んでもよい。
【００１２】
このような物理量センサーの製造方法では、第１固定電極と第１ダミー電極とが短絡することを抑制することができる。
【００１３】
［適用例３］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法において、
前記第１電極材料層の材質は、白金であってもよい。
【００１４】
このような物理量センサーの製造方法では、高い信頼性を有することができる物理量センサーを製造することができる。
【００１５】
［適用例４］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法において、
前記第２電極材料層の材質は、チタンタングステンであってもよい。
【００１６】
このような物理量センサーの製造方法では、第２電極材料層となる導電層を、直接エッチングすることによって加工することができる。
【００１７】
［適用例５］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法において、
前記電極形成工程の前に、前記基板上に密着層を形成する工程を含み、
前記第１電極材料層を形成する工程では、
前記密着層上に前記第１導電層を成膜してもよい。
【００１８】
このような物理量センサーの製造方法では、基板と第１電極材料層との密着性を向上させることができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
物理量に応じて前記基板の主面と交差する方向に変位する可動体と、
前記基板に固定され、平面視において前記可動体と重なっている第１固定電極および第２固定電極と、
前記基板に固定され、前記第１固定電極と隣り合って設けられ、前記可動体と同電位である電極と、
を含み、
前記第１固定電極および前記ダミー電極は、
前記基板上に設けられた第１電極材料層と、
前記基板上および前記１電極材料層上に設けられた第２電極材料層と、
を有し、
前記第１固定電極を構成する前記第２電極材料層、および前記ダミー電極を構成する前記第２電極材料層は、前記第１固定電極を構成する前記第１電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第１電極材料層と、の間に設けられ、
前記第１固定電極を構成する前記第２電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第２電極材料層と、の間の距離は、前記第１固定電極を構成する前記第１電極材料層と、前記ダミー電極を構成する前記第１電極材料層と、の間の距離よりも小さい。
【００２０】
このような物理量センサーでは、第１固定電極と第１ダミー電極との間の距離を小さくすることができる。したがって、このような物理量センサーでは、第１固定電極と第１ダミー電極とによって形成される静電容量を、高い精度で調整することができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【００２１】
［適用例７］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１固定電極と前記ダミー電極との間に設けられた絶縁層を含んでもよい。
【００２２】
このような物理量センサーでは、第１固定電極と第１ダミー電極とが短絡することを抑制することができる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１電極材料層の材質は、白金であってもよい。
【００２４】
このような物理量センサーでは、高い信頼性を有することができる。
【００２５】
［適用例９］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第２電極材料層の材質は、チタンタングステンであってもよい。
【００２６】
このような物理量センサーでは、第２電極材料層となる導電層を、直接エッチングすることによって加工することができる。
【００２７】
［適用例１０］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板と前記第１電極材料層との間に設けられ、前記基板と前記第１電極材料層とを密着させる密着層を含んでもよい。
【００２８】
このような物理量センサーでは、基板と第１電極材料層との密着性を向上させることができる。
【００２９】
［適用例１１］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
【００３０】
このような電子機器は、本適用例に係る物理量センサーを含むことができる。
【００３１】
［適用例１２］
本適用例に係る移動体は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
【００３２】
このような移動体は、本適用例に係る物理量センサーを含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するためのフローチャート。
【図６】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１５】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１６】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１７】第１実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１８】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図１９】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２０】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２１】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２２】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２３】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２４】第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図２５】第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図２６】第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図２７】第２実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２８】第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２９】第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図３０】第２実施形態の第２変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図３１】第２実施形態の第３変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図３２】第３実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図３３】第４実施形態に係る電子機器の機能ブロック図。
【図３４】第４実施形態に係る電子機器の一例であるスマートフォンの外観を模式的に示す図。
【図３５】第４実施形態に係る電子機器の一例であるウェアラブル機器の外観を模式的に示す図。
【図３６】第５実施形態に係る移動体を模式的に示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３５】
１．  第１実施形態
１．１．  物理量センサー
まず、第１実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、第１実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＶ−ＩＶ線断面図である。なお、図１〜図４では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【００３６】
物理量センサー１００は、図１〜図４に示すように、基板１０と、可動体２０と、第１連結部３０と、第２連結部３２と、支持部４０と、第１固定電極５０と、第２固定電極５２と、第１ダミー電極６０と、第２ダミー電極６２と、第３ダミー電極６４と、第１配線７０と、第２配線７２と、第３配線７４と、第４配線７６と、第１パッド８０と、第２パッド８２、第３パッド８４と、蓋体９０と、を含む。なお、便宜上、図１では、蓋体９０を透視して図示している。また、図３，４では、蓋体９０の図示を省略している。
【００３７】
以下では、物理量センサー１００が、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー）である例について説明する。
【００３８】
基板１０の材質は、例えば、ガラス等の絶縁材料である。例えば基板１０をガラス等の絶縁材料、可動体２０をシリコン等の半導体材料にすることにより、容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。
【００３９】
基板１０には、凹部１１が形成されている。凹部１１の上方には、間隙を介して、可動体２０および連結部３０，３２が設けられている。図１に示す例では、凹部１１の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、長方形である。
【００４０】
基板１０は、凹部１１の底面（凹部１１を規定する基板１０の面）１２に、ポスト部１３を有している。ポスト部１３は、底面１２よりも上方（＋Ｚ軸方向）に突出している。図３および図４に示すように、ポスト部１３の高さ（ポスト部１３の上面１４と底面１２との間の距離）と凹部１１の深さとは、例えば、等しい。ポスト部１３の上面１４は、支持部４０と接合されている。ポスト部１３の上面１４には、窪み部１５が形成されている。窪み部１５の底面（窪み部１５を規定するポスト部１３の面）１６には、第４配線７６が設けられている。
【００４１】
なお、図２〜図４に示す例では、凹部１１の側面（凹部１１を規定する基板１０の側面）およびポスト部１３の側面は、凹部１１の底面１２に対して傾斜しているが、底面１２に対して垂直であってもよい。
【００４２】
基板１０には、配線７０，７２，７４の各々が配置されている溝部１７，１８，１９が設けられている。
【００４３】
可動体２０は、物理量（例えば加速度）に応じて基板１０の主面（上面）１０ａと交差する方向（例えば直交する方向（Ｚ軸方向））に変位する。具体的には、可動体２０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わると、連結部３０，３２によって決定される支持軸Ｑを回転軸（揺動軸）としてシーソー揺動する。支持軸Ｑは、例えば、Ｙ軸と平行である。図１に示す例では、可動体２０の平面形状は、長方形である。可動体２０の厚さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、例えば、一定である。
【００４４】
可動体２０は、第１シーソー片２０ａと、第２シーソー片２０ｂと、を有している。第１シーソー片２０ａは、平面視において（Ｚ軸方向からみて）、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に位置している。第２シーソー片２０ｂは、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に位置している。
【００４５】
可動体２０に鉛直方向の加速度（例えば重力加速度）が加わった場合、第１シーソー片２０ａと第２シーソー片２０ｂとの各々に回転モーメント（力のモーメント）が生じる。ここで、第１シーソー片２０ａの回転モーメント（例えば反時計回りの回転モーメント）と第２シーソー片２０ｂの回転モーメント（例えば時計回りの回転モーメント）とが均衡した場合には、可動体２０の傾きに変化が生じず、加速度を検出することができない。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとが均衡せず、可動体２０に所定の傾きが生じるように、可動体２０が設計される。
【００４６】
物理量センサー１００では、支持軸Ｑを、可動体２０の中心（重心）から外れた位置に配置することによって（支持軸Ｑから各シーソー片２０ａ，２０ｂの先端までの距離を異
ならせることによって）、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有している。すなわち、可動体２０は、支持軸Ｑを境にして、一方側（第１シーソー片２０ａ）と他方側（第２シーソー片２０ｂ）とで質量が異なる。図示の例では、支持軸Ｑから第１シーソー片２０ａの端面２３までの距離は、支持軸Ｑから第２シーソー片２０ｂの端面２４までの距離よりも大きい。また、第１シーソー片２０ａの厚さと、第２シーソー片２０ｂの厚さとは、等しい。したがって、第１シーソー片２０ａの質量は、第２シーソー片２０ｂの質量よりも大きい。
【００４７】
このように、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントと、を均衡させないことができる。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００４８】
なお、図示はしないが、支持軸Ｑを可動体２０の中心に配置し、かつ、シーソー片２０ａ，２０ｂの厚さを互いに異ならせることによって、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００４９】
可動体２０は、基板１０と離間して設けられている。可動体２０は、凹部１１の上方に設けられている。可動体２０と基板１０との間には、間隙が設けられている。可動体２０は、連結部３０，３２によって、支持部４０から離間して設けられている。これにより、可動体２０は、シーソー揺動することができる。
【００５０】
可動体２０は、支持軸Ｑを境にして設けられた第１可動電極２１および第２可動電極２２を有している。第１可動電極２１は、第１シーソー片２０ａに設けられている。第２可動電極２２は、第２シーソー片２０ｂに設けられている。
【００５１】
第１可動電極２１は、可動体２０のうち、平面視において第１固定電極５０と重なる部分である。第１可動電極２１は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ１を形成する。すなわち、第１可動電極２１と第１固定電極５０とによって静電容量Ｃ１が形成される。
【００５２】
第２可動電極２２は、可動体２０のうち、平面視において第２固定電極５２と重なる部分である。第２可動電極２２は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ２を形成する。すなわち、第２可動電極２２と第２固定電極５２とによって静電容量Ｃ２が形成される。物理量センサー１００では、可動体２０が導電性材料（不純物がドープされたシリコン）で構成されることによって、可動電極２１，２２が設けられている。すなわち、第１シーソー片２０ａが第１可動電極２１として機能し、第２シーソー片２０ｂが第２可動電極２２として機能している。
【００５３】
静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２は、例えば、図２に示す可動体２０が水平な状態で、互いに等しくなるように構成されている。可動電極２１，２２は、可動体２０の動きに応じて位置が変化する。この可動電極２１，２２の位置に応じて、静電容量Ｃ１，Ｃ２が変化する。可動体２０には、連結部３０，３２および支持部４０を介して、所定の電位が与えられる。
【００５４】
可動体２０には、可動体２０を貫通する貫通孔２５が形成されている。これにより、可動体２０が揺動する際の空気の影響（空気の抵抗）を低減することができる。貫通孔２５は、複数形成されている。図示の例では、貫通孔２５の平面形状は、正方形である。
【００５５】
可動体２０には、可動体２０を貫通する開口部２６が設けられている。開口部２６は、
平面視において、支持軸Ｑ上に設けられている。開口部２６には、連結部３０，３２および支持部４０が設けられている。図示の例では、開口部２６の平面形状は、長方形である。可動体２０は、連結部３０，３２を介して、支持部４０と接続されている。
【００５６】
第１連結部３０および第２連結部３２は、可動体２０と支持部４０とを連結している。連結部３０，３２は、トーションバネ（捻りバネ）として機能する。これにより、連結部３０，３２は、可動体２０がシーソー揺動することにより連結部３０，３２に生じるねじり変形に対して強い復元力を有することができる。
【００５７】
第１連結部３０および第２連結部３２は、平面視において、支持軸Ｑ上に配置されている。連結部３０，３２は、支持軸Ｑに沿って延出している。第１連結部３０は、支持部４０から＋Ｙ軸方向に延出している。第２連結部３２は、支持部４０から−Ｙ軸方向に延出している。
【００５８】
支持部４０は、開口部２６に配置されている。支持部４０は、平面視において、支持軸Ｑ上に設けられている。支持部４０の一部は、ポスト部１３の上面１４に接合（接続）されている。支持部４０は、連結部３０，３２を介して、可動体２０を支持している。
【００５９】
支持部４０は、第１延出部４１と、第２延出部４２と、第３延出部４３と、第４延出部４４と、第５延出部４５と、を有している。第１延出部４１は、Ｘ軸方向に延出している。第１延出部４１は、連結部３０，３２が接続されている。第２延出部４２および第３延出部４３は、第１延出部４１の一方側の端部（具体的は−Ｘ軸方向の端部）から、Ｙ軸に沿って互いに反対方向に延出している。第４延出部４４および第５延出部４５は、第１延出部４１の他方の端部（具体的は＋Ｘ軸方向の端部）から、Ｙ軸に沿って互いに反対方向に延出している。第１延出部４１は、基板１０と離間している。延出部４２，４３，４４，４５の各々の一部は、ポスト部１３と接合されている。
【００６０】
支持部４０は、上記のような延出部４１，４２，４３，４４，４５を有していることにより、Ｈ字状（略Ｈ字状）の平面形状を有している。第１延出部４１は、Ｈ字状の横棒を構成している。延出部４２，４３，４４，４５は、Ｈ字状の縦棒を構成している。
【００６１】
可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０は、一体に設けられている。図示の例では、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０が、１つの構造体２を構成している。可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。基板１０の材質がガラスであり、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０の材質がシリコンである場合、基板１０と支持部４０とは、例えば陽極接合によって接合されている。
【００６２】
物理量センサー１００では、構造体２は、１つの支持部４０によって基板１０に固定されている。すなわち、構造体２は、基板１０に対して１点（１つの支持部４０）で固定されている。したがって、物理量センサー１００では、例えば構造体２が基板１０に対して２点（２つの支持部）で固定されている場合と比べて、基板１０の熱膨張率と構造体２の熱膨張率との差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、連結部３０，３２に与える影響を低減することができる。
【００６３】
第１固定電極５０および第２固定電極５２は、基板１０に固定されている。固定電極５０，５２は、基板１０上に設けられている。図示の例では、固定電極５０，５２は、凹部１１の底面１２に設けられている。
【００６４】
第１固定電極５０は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（
図示の例では−Ｘ軸方向側）に設けられている。第１固定電極５０は、平面視において、第１シーソー片２０ａと重なっている。第１固定電極５０は、第１可動電極２１に対向して配置されている。
【００６５】
第２固定電極５２は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。第２固定電極５２は、平面視において、第２シーソー片２０ｂと重なっている。第２固定電極５２は、第２可動電極２２に対向して配置されている。平面視において、第１固定電極５０の可動体２０と重なっている部分の面積と、第２固定電極５２の可動体２０と重なっている部分の面積とは、例えば、等しい。
【００６６】
第１ダミー電極６０、第２ダミー電極６２、および第３ダミー電極６４は、基板１０に固定されている。ダミー電極６０，６２，６４は、基板１０上に設けられている。図示の例では、ダミー電極６０，６２，６４は、凹部１１の底面１２に設けられている。ダミー電極６０，６２，６４は、可動体２０と電気的に接続されている。ダミー電極６０，６２，６４は、例えば、可動体２０と同電位を有している。
【００６７】
第１ダミー電極６０は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（図示の例では−Ｘ軸方向側）に設けられている。図示の例では、第１ダミー電極６０は、第１固定電極５０の−Ｘ軸方向側に設けられている。第１ダミー電極６０は、平面視において、可動体２０と重なっている。
【００６８】
第１ダミー電極６０は、第１固定電極５０と隣り合って設けられている。すなわち、第１ダミー電極６０と第１固定電極５０との間には、他の電極５２，６２，６４が存在していない。図示の例では、第１ダミー電極６０は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。
【００６９】
第１ダミー電極６０は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ３を形成する。すなわち、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０とによって静電容量Ｃ３が形成される。
【００７０】
第２ダミー電極６２は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。図示の例では、第２ダミー電極６２は、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第２ダミー電極６２は、平面視において、可動体２０と重なっていない。すなわち、第２ダミー電極６２は、平面視において、可動体２０の外縁の外側に設けられている。図示の例では、第２ダミー電極６２は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。
【００７１】
第２ダミー電極６２は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ４を形成する。すなわち、第２固定電極５２と第２ダミー電極６２とによって静電容量Ｃ４が形成される。
【００７２】
第３ダミー電極６４は、第１固定電極５０と第２固定電極５２との間に設けられている。第３ダミー電極６４は、平面視において、可動体２０と重なっている。図示の例では、第３ダミー電極６４は、２つ設けられている。平面視において、一方の第３ダミー電極６４は、支持部４０の＋Ｙ軸方向側に設けられ、他方の第３ダミー電極６４は、支持部４０の−Ｙ軸方向側に設けられている。２つの第３ダミー電極６４は、第４配線７６によって接続されている。図示の例では、第３ダミー電極６４は、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。
【００７３】
第３ダミー電極６４は、第１固定電極５０との間に静電容量Ｃ６（図示せず）を形成する。すなわち、第１固定電極５０と第３ダミー電極６４とによって静電容量Ｃ６が形成される。さらに、第３ダミー電極６４は、第２固定電極５２との間に静電容量Ｃ７（図示せず）を形成する。すなわち、第２固定電極５２と第３ダミー電極６４とによって静電容量Ｃ７が形成される。
【００７４】
固定電極５０，５２およびダミー電極６０，６２，６４は、図１および図２に示すように、第１電極材料層４と、第２電極材料層６と、を有している。
【００７５】
第１電極材料層４は、基板１０上に設けられている。第１電極材料層４は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００７６】
第１電極材料層４は、直接エッチングすることによって加工されることが困難な材料で構成されている。具体的には、第１電極材料層４の材質は、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）などである。
【００７７】
第２電極材料層６は、基板１０上および第１電極材料層４上に設けられている。第２電極材料層６は、平面視において、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４の＋Ｘ軸方向側の端面、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４の−Ｘ軸方向側の端面および＋Ｘ軸方向側の端面、第３ダミー電極６４を構成する第１電極材料層４の−Ｘ軸方向側の端面および＋Ｘ軸方向側の端面、第２固定電極５２を構成する第１電極材料層４の−Ｘ軸方向側の端面および＋Ｘ軸方向側の端面、ならびに第２ダミー電極６２を構成する第１電極材料層４の−Ｘ軸方向側の端面と重なっている。第２電極材料層６は、例えば、平面視において、長方形の形状である。
【００７８】
第２電極材料層６は、直接エッチングすることによって加工されることができる材料で構成されている。具体的には、第２電極材料層６の材質は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などである。
【００７９】
第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６、および第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６は、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間に設けられている。第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６と、第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６と、の間の距離Ｄ２は、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間の距離Ｄ１よりも小さい。距離Ｄ１は、例えば、８μｍ以上３０μｍ以下である。距離Ｄ２は、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下である。
【００８０】
このようにＸ軸方向に隣り合う電極において、一方の電極を構成する第２電極材料層６、および他方の電極を構成する第２電極材料層６は、一方の電極を構成する第１電極材料層４と、他方の電極を構成する第１電極材料層４と、の間に設けられている。さらに、一方の電極を構成する第２電極材料層６と、他方の電極を構成する第２電極材料層６と、の間の距離は、一方の電極を構成する第１電極材料層４と、他方の電極を構成する第１電極材料層４と、の間の距離よりも小さい。
【００８１】
第１配線７０は、基板１０上に設けられている。第１配線７０は、第１パッド８０と第１固定電極５０とを接続している。図示の例では、第１配線７０は、第１パッド８０から、第１溝部１７および凹部１１を通って、第１固定電極５０まで延出している。
【００８２】
第２配線７２は、基板１０上に設けられている。第２配線７２は、第２パッド８２と第
２固定電極５２とを接続している。図示の例では、第２配線７２は、第２パッド８２から第２溝部１８および凹部１１を通って、第２固定電極５２まで延出している。
【００８３】
第３配線７４は、基板１０上に設けられている。第３配線７４は、第３パッド８４と、ダミー電極６０，６２，６４と、を接続している。図示の例では、第３配線７４は、第３パッド８４から第３溝部１９を通って延出し、３つに分岐した後、それぞれ、凹部１１を通って、ダミー電極６０，６２，６４まで延出している。配線７０，７２，７４の材質は、例えば、第１電極材料層４または第２電極材料層６の材質と同じである。
【００８４】
第４配線７６は、基板１０上に設けられている。第４配線７６は、配線層部７６ａと、バンプ部７６ｂと、を有している。
【００８５】
第４配線７６の配線層部７６ａは、２つの第３ダミー電極６４を接続している。さらに、配線層部７６ａは、第３ダミー電極６４から窪み部１５を通って、バンプ部７６ｂまで延出している。配線層部７６ａの窪み部１５に設けられた部分は、平面視において、支持部４０と重なっている。図示の例では、配線層部７６ａの窪み部１５に設けられた部分の平面形状は、Ｈ字状（略Ｈ字状）である。配線層部７６ａの材質は、例えば、第１電極材料層４または第２電極材料層６の材質と同じである。
【００８６】
第４配線７６のバンプ部７６ｂは、配線層部７６ａ上に設けられている。バンプ部７６ｂは、配線層部７６ａと支持部４０とを接続している。図示の例では、バンプ部７６ｂは、４つ設けられている。バンプ部７６ｂは、延出部４２，４３，４４，４５に接続されている。バンプ部７６ｂの材質は、例えば、アルミニウム、金、白金である。
【００８７】
蓋体９０は、基板１０上に設けられている。蓋体９０は、基板１０に接合されている。蓋体９０および基板１０は、可動体２０を収容するキャビティー９２を形成している。キャビティー９２は、例えば、不活性ガス（例えば窒素ガス）雰囲気である。蓋体９０の材質は、例えば、シリコンである。蓋体９０の材質がシリコンであり、基板１０の材質がガラスである場合、基板１０と蓋体９０とは、例えば陽極接合によって接合されている。
【００８８】
次に、物理量センサー１００の動作について説明する。
【００８９】
物理量センサー１００では、加速度、角速度等の物理量に応じて、可動体２０が支持軸Ｑまわりに揺動する。この可動体２０の動きに伴って、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離、および第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が変化する。具体的には、例えば鉛直上向き（＋Ｚ軸方向）の加速度が物理量センサー１００に加わると、可動体２０は反時計回りに回転し、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離が小さくなり、第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が大きくなる。この結果、静電容量Ｃ１が大きくなり、静電容量Ｃ２が小さくなる。また、例えば鉛直下向き（−Ｚ軸方向）の加速度が物理量センサー１００に加わると、可動体２０は時計回りに回転し、第１可動電極２１と第１固定電極５０との間の距離が大きくなり、第２可動電極２２と第２固定電極５２との間の距離が小さくなる。この結果、静電容量Ｃ１が小さくなり、静電容量Ｃ２が大きくなる。
【００９０】
物理量センサー１００では、パッド８０，８４を用いて、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ３と静電容量Ｃ５との合計（第１静電容量）を検出する。さらに、物理量センサー１００では、パッド８２，８４を用いて、静電容量Ｃ２と静電容量Ｃ３と静電容量Ｃ４と静電容量Ｃ６との合計（第２静電容量）を検出する。そして、第１静電容量と第２静電容量との差に基づいて（いわゆる差動検出方式により）、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。
【００９１】
上述のように、物理量センサー１００は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
【００９２】
物理量センサー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００９３】
物理量センサー１００では、第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６、および第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６は、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間に設けられ、第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６と、第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６と、の間の距離Ｄ２は、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間の距離Ｄ１よりも小さい。そのため、物理量センサー１００では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離（すなわち距離Ｄ２）を小さくすることができる。
【００９４】
ここで、第１電極材料層４は、直接エッチングすることによって加工されることが困難な材料で構成されているため、第１電極材料層４は、リフトオフ法によって加工（パターニング）される。そのため、第１固定電極５０および第１ダミー電極６０が第１電極材料層４のみによって構成されている場合では、微細加工が難しく、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離を小さくすることが困難である。
【００９５】
一方、第２電極材料層６は、直接エッチングすることによって加工されることができる材料で構成されている。そのため、第２電極材料層６は、直微細加工されることができ、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離を小さくすることができる。
【００９６】
したがって、物理量センサー１００では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離を小さくすることができるため、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０とによって形成される静電容量Ｃ３は、容量オフセット（第１静電容量と第２静電容量との差）が小さくなるように高い精度で調整されている。よって、物理量センサー１００では、容量オフセットを小さくすることができる。例えば、物理量センサー１００では、容量オフセットを、物理量センサー１００に電気的に接続されたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）で調整できる程度に小さくすることができ、歩留まりを向上させることができる。
【００９７】
同様に、物理量センサー１００では、第１固定電極５０と第３ダミー電極６４との間の距離、第２固定電極５２と第２ダミー電極６２との間の距離、および第２固定電極５２と第３ダミー電極６４との間の距離を小さくすることができる。
【００９８】
さらに、物理量センサー１００では、第１ダミー電極６０を含むため、可動体２０が基板１０に張り付いてしまうこと（スティキング）を抑制することができる。具体的には、基板１０の材質がガラスであり、可動体２０および蓋体９０の材質がシリコンである場合に、基板１０と蓋体９０とを陽極接合したとしても、基板１０と可動体２０との間に発生する静電力によって可動体２０が基板１０に張り付いてしまうことを抑制することができる。
【００９９】
さらに、物理量センサー１００では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離を小さくすることができるため、基板１０の底面１２の露出している領域を少なくすることができる。そのため、物理量センサー１００では、より確実にスティキングを抑制することができる。
【０１００】
物理量センサー１００では、第１電極材料層４の材質は、白金である。白金は、反応性に乏しい（他の元素と反応し難い）。したがって、物理量センサー１００は、高い信頼性を有することができる。
【０１０１】
物理量センサー１００では、第２電極材料層６の材質は、チタンタングステンである。したがって、物理量センサー１００では、第２電極材料層６となる導電層（後述する第２導電層６ａ）を、直接エッチングすることによって加工することができる。
【０１０２】
物理量センサー１００では、平面視において可動体２０と重なり、可動体２０と電気的に接続された第３ダミー電極６４を含む。そのため、物理量センサー１００では、より確実にスティキングを抑制することができる。
【０１０３】
物理量センサー１００では、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側に設けられた第２ダミー電極６２を含む。そのため、物理量センサー１００では、第２固定電極５２および第２ダミー電極６２によって静電容量Ｃ４を形成することができる。これにより、物理量センサー１００では、Ｘ軸方向において第２固定電極５２の両側にダミー電極（すなわちダミー電極６２，６４）を設けることができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【０１０４】
なお、上記では、ダミー電極６０，６２，６４が可動体２０と電気的に接続されている例について説明したが、ダミー電極６０，６２，６４が可動体２０と同電位を有することができれば、ダミー電極６０，６２，６４は、可動体２０と電気的に接続されていなくてもよい。同電位とは、電圧が同じである場合の他、例えば、不可避的な電圧の揺らぎ（例えば±５％程度の揺らぎ）を有する場合も含む意味である。
【０１０５】
また、上記では、固定電極５０，５２およびダミー電極６０，６２，６４の全てが電極材料層４，６を有する例について説明したが、Ｘ軸方向において隣り合う電極のいずれか１組が、電極材料層４，６を有していてもよい。または、Ｘ軸方向において隣り合う電極のいずれか２組または３組が、電極材料層４，６を有していてもよい。
【０１０６】
また、上記では、物理量センサー１００が加速度センサーである場合について説明したが、本発明に係る物理量センサーは、ジャイロセンサーであってもよい。
【０１０７】
１．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５は、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。図６〜図１７は、第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図６および図１５〜図１７は、図２と同じ断面を示している。また、図７〜図１４は、図１に示すＡ−Ａ線の断面を示している。
【０１０８】
まず、図６に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部１１、窪み部１５が形成されたポスト部１３、および溝部１７，１８，１９（図１参照）が設けられた基板１０を準備する（ステップＳ１）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。
【０１０９】
次に、基板１０上に、第１マスク層１０２を形成する（ステップＳ２）。具体的には、まず、図７に示すように、例えばスピンコート法によって、基板１０上に第１マスク材料層１０２ａを成膜する。第１マスク材料層１０２ａは、例えば、レジスト層である。次に、図８に示すように、例えば露光および現像によって、第１マスク材料層１０２ａをパタ
ーニングする。以上の工程により、所定形状の第１マスク層１０２を形成することができる。
【０１１０】
次に、基板１０上および第１マスク層１０２上に、第１電極材料層４を形成する（ステップＳ３）。具体的には、まず、図９に示すように、基板１０上および第１マスク層１０２上に第１導電層４ａを成膜する。第１導電層４ａは、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって行われる。次に、図１０に示すように、第１マスク層１０２を剥離液に浸し、第１マスク層１０２、および第１マスク層１０２上に設けられた第１導電層４ａを除去する。以上の工程により、第１電極材料層４を形成することができる。
【０１１１】
上記のように、第１電極材料層４は、リフトオフ法により形成される。リフトオフ法では、隣り合う第１電極材料層４の間に第１マスク層１０２が存在しているため（図９参照）、隣り合う第１電極材料層４の間の距離を十分に小さく（例えば８μｍよりも小さく）することが困難である。
【０１１２】
次に、図１１に示すように、基板１０上および第１電極材料層４上に、第２導電層６ａを成膜する（ステップＳ４）。第２導電層６ａは、例えば、第１導電層４ａと同じ方法で成膜される。
【０１１３】
次に、第２導電層６ａ上に、第２マスク層１０４を形成する（ステップＳ５）。具体的には、まず、図１２に示すように、例えばスピンコート法によって、第２導電層６ａ上に第２マスク材料層１０４ａを成膜する。第２マスク材料層１０４ａは、例えば、レジスト層である。次に、図１３に示すように、例えば露光および現像によって第２マスク材料層１０４ａをパターニングし、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっていない部分の一部１０５ａ（図１２参照）を除去する。以上の工程により、所定形状の第２マスク層１０４を形成することができる。
【０１１４】
なお、図１３に示す例では、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっている部分の一部１０５ｂ（図１２参照）も除去している。
【０１１５】
次に、基板１０上および第１電極材料層４上に、第２電極材料層６を形成する（ステップＳ６）。具体的には、まず、図１４に示すように、第２導電層６ａが、第１電極材料層４上および基板１０上に設けられるように、第２マスク層１０４をマスクとして第２導電層６ａをエッチングし、第２電極材料層６を形成する。第２導電層６ａのエッチングは、例えば、ウェットエッチングによって行われる。次に、第２マスク層１０４を剥離液に浸して、第２マスク層１０４を除去する。以上の工程により、第２電極材料層６を形成することができる。
【０１１６】
上記のステップＳ２〜ステップＳ６により、図１５に示すように、基板１０上に（具体的には凹部１１の底面１２に）固定電極５０，５２およびダミー電極６０，６２，６４を形成することができる（電極形成工程）。電極形成工程では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０とを隣り合うように形成する。
【０１１７】
次に、基板１０上に配線７０，７２，７４および配線層部７６ａを形成する（ステップＳ７、図１参照）。次に、配線層部７６ａ上にバンプ部７６ｂを形成する（図３および図４参照）。これにより、第４配線７６を形成することができる。バンプ部７６ｂの上面は、ポスト部１３の上面１４よりも上方に位置するように形成される。次に、配線７０，７２，７４のそれぞれと接続するように、パッド８０，８２，８４を形成する（図１参照）。配線７０，７２，７４，７６、およびパッド８０，８２，８４は、例えば、スパッタ法
やＣＶＤ法による成膜、およびパターニングにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。なお、配線７０，７２，７４および配線層部７６ａは、第１電極材料層４を形成する工程において形成されてもよい。
【０１１８】
次に、図１６に示すように、基板１０に、例えばシリコン基板８を接合する（ステップＳ８）。基板１０とシリコン基板８との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。これにより、基板１０とシリコン基板８とを強固に接合することができる。基板１０にシリコン基板８を接合する際、シリコン基板８は、例えば、第４配線７６のバンプ部７６ｂに押されて窪む（図３および図４参照）。これにより、シリコン基板８とバンプ部７６ｂとを強固に接続することができる。
【０１１９】
次に、図１７に示すように、シリコン基板８を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所定の形状にパターニングして、可動体２０、連結部３０，３２、および支持部４０を一体的に形成する（ステップＳ９、可動体形成工程）。パターニングは、フォトリソグラフィーおよびエッチング（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。
【０１２０】
次に、図２に示すように、基板１０に蓋体９０を接合して、基板１０および蓋体９０によって形成されるキャビティー９２に、可動体２０等を収容する（ステップＳ１０）。基板１０と蓋体９０との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。これにより、基板１０と蓋体９０とを強固に接合することができる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー９２に不活性ガスを充填することができる。
【０１２１】
以上の工程により、物理量センサー１００を製造することができる。
【０１２２】
物理量センサー１００の製造方法では、基板１０上および第１電極材料層４上に、第２導電層６ａを成膜する工程と、第２導電層６ａ上に第２マスク材料層１０４ａを成膜し、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっていない部分の一部１０５ａを除去して、第２マスク層１０４を形成する工程と、第２導電層６ａが、第１電極材料層４上および基板１０上に設けられるように、第２マスク層１０４をマスクとして第２導電層６ａをエッチングし、第２電極材料層６を形成する工程と、を有する。これにより、物理量センサー１００の製造方法では、第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６、および第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６を、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間に設けることができる。さらに、物理量センサー１００の製造方法では、第１固定電極５０を構成する第２電極材料層６と、第１ダミー電極６０を構成する第２電極材料層６と、の間の距離Ｄ２を、第１固定電極５０を構成する第１電極材料層４と、第１ダミー電極６０を構成する第１電極材料層４と、の間の距離Ｄ１よりも小さくすることができる。したがって、物理量センサー１００の製造方法では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間の距離を小さくすることができる。よって、物理量センサー１００の製造方法では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０とによって形成される静電容量Ｃ３を、高い精度で調整することができ、容量オフセットを小さくすることができる。
【０１２３】
１．３．  物理量センサーの変形例
１．３．１．  第１変形例
次に、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１８は、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０を模式的に示す断面図である。なお、図１８および以下に示す図２５，２６では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１２４】
以下、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０において、上述した物理量センサー１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、後述する第１実施形態の第２，第３変形例に係る物理量センサーにおいて、同様である。
【０１２５】
物理量センサー１１０では、図１８に示すように、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に設けられた絶縁層１１２を含む点において、上述した物理量センサー１００とは異なる。
【０１２６】
図示の例では、絶縁層１１２は、第２固定電極５２と第２ダミー電極６２との間にも設けられている。なお、図示はしないが、絶縁層１１２は、第１固定電極５０と第３ダミー電極６４との間、および第２固定電極５２と第３ダミー電極６４との間にも設けられていてもよい。絶縁層１１２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層である。
【０１２７】
次に、物理量センサー１１０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１９〜図２４は、第１実施形態の第１変形例に係る物理量センサー１１０の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図１９〜図２４は、図７〜図１４と同じ断面を示している。
【０１２８】
物理量センサー１１０の製造方法では、上述したステップＳ５では、図１９に示すように、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっていない部分の一部１０５ａ（図１２参照）のみを除去して第２マスク層１０４を形成する。すなわち、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっている部分の一部１０５ｂ（図１２参照）を除去しない。したがって、図２０に示すように、第２電極材料層６は、第１電極材料層４の上面の全面を覆って形成される。
【０１２９】
次に、第２マスク層１０４を除去した後、図２１に示すように、基板１０上および第２電極材料層６上に、絶縁層１１２ａを成膜する。絶縁層１１２ａは、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより成膜される。
【０１３０】
次に、図２２に示すように、例えばスピンコート法によって、絶縁層１１２ａ上に第３マスク材料層１０６ａを成膜する。第３マスク材料層１０６ａは、例えば、レジスト層である。
【０１３１】
次に、図２３に示すように、露光および現像によって第３マスク材料層１０６ａをパターニングし、第３マスク層１０６を形成する。
【０１３２】
次に、図２４に示すように、第３マスク層１０６をマスクとして、絶縁層１１２ａおよび第２電極材料層６をエッチングする。本工程により、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に絶縁層１１２を形成することができる。さらに、本工程により、第１電極材料層４の上面の一部は、露出される。次に、第３マスク層１０６を剥離液に浸して、第３マスク層１０６を除去する。
【０１３３】
以上の工程により、物理量センサー１１０を製造することができる。
【０１３４】
物理量センサー１１０は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１３５】
物理量センサー１１０では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に設けられた絶縁層１１２を含む。そのため、物理量センサー１１０では、第１固定電極５０と第１
ダミー電極６０とが短絡することを抑制することができる。同様に、物理量センサー１１０では、電極５０，６４の短絡、電極５２，６２の短絡、および電極５２，６４の短絡を抑制することができる。
【０１３６】
さらに、物理量センサー１１０では、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に設けられた絶縁層１１２を含むので、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０とによって形成される静電容量を大きくすることができる。同様に、物理量センサー１１０では、電極５０，６４によって形成される静電容量、電極５２，６２によって形成される静電容量、および電極５２，６４によって形成される静電容量を大きくすることができる。
【０１３７】
１．３．２．  第２変形例
次に、第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図２５は、第１実施形態の第２変形例に係る物理量センサー１２０を模式的に示す断面図である。
【０１３８】
上述した物理量センサー１００では、図２に示すように、固定電極５０，５２を構成する第１電極材料層４の上面の一部は、露出していた。これに対し、物理量センサー１２０では、図２５に示すように、固定電極５０，５２を構成する第１電極材料層４の上面の全面は、第２電極材料層６によって覆われている。
【０１３９】
図示の例では、ダミー電極６０，６２を構成する第１電極材料層４の上面の全面も、第２電極材料層６によって覆われている。また、図示はしないが、第３ダミー電極６４を構成する第１電極材料層４の上面の全面も、第２電極材料層６によって覆われていてもよい。
【０１４０】
物理量センサー１２０では、上述したステップＳ５では、図１９に示すように、平面視において第２マスク材料層１０４ａの第１電極材料層４と重なっていない部分の一部１０５ａ（図１２参照）のみを除去することによって第２マスク層１０４を形成する。
【０１４１】
物理量センサー１２０は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１４２】
物理量センサー１２０では、固定電極５０，５２を構成する第１電極材料層４の上面の全面は、第２電極材料層６によって覆われている。そのため、固定電極５０，５２の上面には、電極材料層４，６による段差が形成されない。これにより、物理量センサー１２０では、固定電極５０，５２の上面を平坦な面にすることができ、例えば、静電容量Ｃ１，Ｃ２をシミュレーション等によって容易に計算することができる。
【０１４３】
なお、図示はしないが、物理量センサー１２０では、図１８に示す物理量センサー１１０のように、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に絶縁層１１２が設けられていてもよい。
【０１４４】
１．３．３．  第３変形例
次に、第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図２６は、第１実施形態の第３変形例に係る物理量センサー１３０を模式的に示す断面図である。
【０１４５】
物理量センサー１３０では、図２６に示すように、基板１０と第１電極材料層４との間に設けられた密着層１３２を含む点において、上述した物理量センサー１００と異なる。
【０１４６】
密着層１３２は、基板１０と第１電極材料層４とを密着させる。第１電極材料層４は、密着層１３２を介して、基板１０上に設けられている。固定電極５０，５２およびダミー電極６０，６２，６４の各々を構成する密着層１３２は、互いに離間して設けられている。密着層１３２は、例えば、基板１０と配線７０，７２，７４，７６と、の間にも設けられている。密着層１３２は、例えば、チタン（Ｔｉ）層である。
【０１４７】
密着層１３２は、第１マスク層１０２を形成する工程（ステップＳ２）の前に（電極形成工程の前に）、基板１０上に形成される。密着層１３２は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法などによる成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングにより形成される。第１電極材料層４を形成する工程（ステップＳ３）では、密着層１３２上に第１導電層４ａを成膜する。
【０１４８】
物理量センサー１３０は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１４９】
物理量センサー１３０では、基板１０と第１電極材料層４との間に設けられ、基板１０と第１電極材料層４とを密着させる密着層１３２を含む。そのため、物理量センサー１３０では、基板１０と第１電極材料層４との密着性を向上させることができる。特に、基板１０の材質がガラスで、第１電極材料層４の材質が白金の場合は、基板１０上に直接第１電極材料層４を設けると密着性が悪いので、密着層１３２を設けることが好ましい。
【０１５０】
なお、図示の例では、基板１０と第２電極材料層６との間にも密着層１３２が設けられているが、基板１０と第２電極材料層６との密着性が高い場合には、両者の間には密着層１３２は設けられていなくてもよい。
【０１５１】
なお、図示はしないが、物理量センサー１３０では、図１８に示す物理量センサー１１０のように、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に絶縁層１１２が設けられていてもよい。
【０１５２】
また、図示はしないが、物理量センサー１３０では、図２５に示す物理量センサー１２０のように、固定電極５０，５２を構成する第１電極材料層４の上面の全面は、第２電極材料層６によって覆われていてもよい。
【０１５３】
２．  第２実施形態
２．１．  物理量センサー
次に、第２実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図２７は、第２実施形態に係る物理量センサー２００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図２７では、蓋体９０を透視して図示している。また、図２７では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１５４】
以下、第２実施形態に係る物理量センサー２００において、上述した物理量センサー１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５５】
物理量センサー２００では、図２７に示すように、第３固定電極５４および第４ダミー電極６６を含む点において、上述した物理量センサー１００と異なる。図示の例では、物理量センサー２００では、第２ダミー電極６２は、設けられていない。
【０１５６】
第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、基板１０に固定されている。第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、基板１０上に設けられている。図示の例では、第
３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、凹部１１の底面１２に設けられている。
【０１５７】
第３固定電極５４は、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。第３固定電極５４は、平面視において、可動体２０と重なっていない。すなわち、第３固定電極５４は、平面視において、可動体２０の外縁の外側に設けられている。図示の例では、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されている。
【０１５８】
第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向（図示の例ではＹ軸方向）に沿うように長手方向を有している形状である。第３固定電極５４は、例えば、平面視において、長方形の形状である。第３固定電極５４は、例えば、固定電極５０，５２と同じ工程で形成される。
【０１５９】
第４ダミー電極６６は、可動体２０と電気的に接続されている。第４ダミー電極６６は、例えば、可動体２０と同電位を有している。第４ダミー電極６６は、例えば、ダミー電極６０，６４と同じ工程で形成される。
【０１６０】
第４ダミー電極６６は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（図示の例では＋Ｘ軸方向側）に設けられている。図示の例では、第４ダミー電極６６は、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第４ダミー電極６６は、例えば、平面視において、可動体２０と重なっていない。なお、図示はしないが、第４ダミー電極６６は、平面視において、可動体２０と重なっていてもよい。
【０１６１】
第４ダミー電極６６は、第３固定電極５４と隣り合って設けられている。図示の例では、第４ダミー電極６６は、第３配線７４、第３ダミー電極６４、第４配線７６、支持部４０、および連結部３０，３２を介して、可動体２０と電気的に接続されている。
【０１６２】
第４ダミー電極６６は、第１部分６６ａと、第２部分６６ｂと、第３部分６６ｃと、を有している。
【０１６３】
第４ダミー電極６６の第１部分６６ａは、第３固定電極５４の−Ｘ軸方向側に設けられている。第１部分６６ａは、平面視において、Ｙ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。第１部分６６ａは、第２固定電極５２と第３固定電極５４との間に設けられている。
【０１６４】
第４ダミー電極６６の第２部分６６ｂは、第３固定電極５４の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第２部分６６ｂは、平面視において、Ｙ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。
【０１６５】
第４ダミー電極６６の第３部分６６ｃは、第３固定電極５４の−Ｙ軸方向側に設けられている。第３部分６６ｃは、平面視において、Ｘ軸方向に長手方向を有する形状であり、図示の例では長方形の形状である。第３部分６６ｃは、第１部分６６ａと第２部分６６ｂとを接続している。第４ダミー電極６６は、平面視において、Ｃの字状（略Ｃの字状）の形状である。
【０１６６】
第２固定電極５２は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられている。第４ダミー電極６６の第１部分６６ａは、第２固定電極５２と第３固定電極５４との間に設けられている。
【０１６７】
第４ダミー電極６６は、第３固定電極５４との間に静電容量を形成する。さらに、第４
ダミー電極６６は、第２固定電極５２との間に静電容量を形成する。
【０１６８】
第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、第１電極材料層４と、第２電極材料層６と、を有している。
【０１６９】
第３固定電極５４を構成する第２電極材料層６、および第４ダミー電極６６を構成する第２電極材料層６は、第３固定電極５４を構成する第１電極材料層４と、第４ダミー電極６６を構成する第１電極材料層４と、の間に設けられている。さらに、第２固定電極５２を構成する第２電極材料層６、および第４ダミー電極６６を構成する第２電極材料層６は、第２固定電極５２を構成する第１電極材料層４と、第４ダミー電極６６を構成する第１電極材料層４と、の間に設けられている。
【０１７０】
物理量センサー２００は、上述した物理量センサー１００と同様の効果を有することができる。
【０１７１】
物理量センサー２００では、基板１０に固定され、平面視において可動体２０と重なっておらず、第２固定電極５２と電気的に接続された第３固定電極５４と、基板１０に固定され、第３固定電極５４と隣り合って設けられ、可動体２０と電気的に接続された第４ダミー電極６６と、を含む。例えば、物理量センサー２００において、仮に第３固定電極５４を設けていない場合では、加速度が印加されていない状態において、パッド８０，８４によって検出される第１静電容量が、パッド８２，８４によって検出される第２静電容量よりも大きい。物理量センサー２００では、第２固定電極５２と電気的に接続された第３固定電極５４を設けることにより、第３固定電極５４と第４ダミー電極６６とによって静電容量を形成することができるので、第２静電容量を大きくすることができる。そのため、物理量センサー２００では、容量オフセットを小さくすることができる。
【０１７２】
例えば、まず、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーを製造し、次に、加速度が印加されていない状態において、該物理量センサーの容量オフセットを測定する。そして、第１静電容量が第２静電容量よりも大きい場合に、第３固定電極５４を設けて容量オフセットが小さい物理量センサー２００を製造する。なお、上記のように、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーの容量オフセットは、実際に、第３固定電極５４を設けていない物理量センサーを製造して測定により求めてもよいし、シミュレーションにより求めてもよい。
【０１７３】
さらに、物理量センサー２００では、第３固定電極５４は、平面視において可動体２０と重なっていないので、可動体２０と第３固定電極５４とによって静電容量が形成されることを抑制することができる。そのため、物理量センサー２００では、例えば、可動体２０が変位した状態においても、第３固定電極５４を用いて容易に第１静電容量と第２静電容量の容量オフセットを調整することができる。
【０１７４】
物理量センサー２００では、第３固定電極５４は、平面視において、Ｙ軸方向に長手方向を有する形状であり、第４ダミー電極６６は、第３固定電極５４の−Ｘ軸方向側に設けられた第１部分６６ａと、第３固定電極５４の＋Ｘ軸方向側に設けられた第２部分６６ｂと、第３固定電極５４の−Ｙ軸側に設けられ、第１部分６６ａと第２部分６６ｂとを接続する第３部分６６ｃと、を有する。そのため、物理量センサー２００では、例えば第４ダミー電極６６が第１部分６６ａしか有していない場合に比べて、第３固定電極５４と第４ダミー電極６６とによって形成される静電容量を大きくすることができる。さらに、第４ダミー電極６６は、第３固定電極５４の＋Ｙ軸方向側には設けられていないので、第３固定電極５４と第２配線７２との接続を容易に（第３固定電極５４への第２配線７２の引き回しを容易に）することができる。
【０１７５】
物理量センサー２００では、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの＋Ｘ軸方向側に設けられ、第２固定電極５２は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられ、第４ダミー電極６６の第１部分６６ａは、第２固定電極５２と第３固定電極５４との間に設けられている。そのため、物理量センサー２００では、第２固定電極５２と第４ダミー電極６６とによって静電容量を形成することができる。
【０１７６】
なお、図示はしないが、物理量センサー２００では、図１８に示す物理量センサー１１０のように、第１固定電極５０と第１ダミー電極６０との間に絶縁層１１２が設けられていてもよい。
【０１７７】
また、図示はしないが、物理量センサー２００では、図２５に示す物理量センサー１２０のように、固定電極５０，５２，５４を構成する第１電極材料層４の上面の全面は、第２電極材料層６によって覆われていてもよい。
【０１７８】
また、図示はしないが、物理量センサー２００では、図２６に示す物理量センサー１３０のように、基板１０と第１電極材料層４との間に密着層１３２が設けられていてもよい。
【０１７９】
２．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第２実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法について説明する。第２実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法は、第３固定電極５４および第４ダミー電極６６を形成すること以外は、上述した第１実施形態に係る物理量センサー１００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０１８０】
２．３．  物理量センサーの変形例
２．３．１．  第１変形例
次に、第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図２８は、第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサー２１０を模式的に示す平面図である。図２９は、第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサー２１０を模式的に示す図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線断面図である。なお、便宜上、図２８および以下に示す図３０，３１では、蓋体９０を透視して図示している。また、図２９では、蓋体９０の図示を省略している。また、図２８，２９および以下に示す図３０，３１では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１８１】
以下、第２実施形態の第１変形例に係る物理量センサー２１０において、上述した物理量センサー１００，２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１８２】
上述した物理量センサー２００では、図２７に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（＋Ｘ軸方向側）に設けられていた。これに対し、物理量センサー２１０では、図２８に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（−Ｘ軸方向側）に設けられている。物理量センサー２００は、第２ダミー電極６２を含む。
【０１８３】
物理量センサー２００では、第１ダミー電極６０は、第１固定電極５０と第３固定電極５４との間に設けられている。第１ダミー電極６０と第４ダミー電極６６とは、接続されている。図示の例では、第１ダミー電極６０と第４ダミー電極６６の第２部分６６ｂとは、接続されている。
【０１８４】
第１配線７０は、図２８および図２９に示すように、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。金属部７０ａは、第１溝部１７に設けられている。シリコン部７０ｂは、第１溝部１７に設けられていない。シリコン部７０ｂは、基板１０の上面１０ａに設けられている。シリコン部７０ｂは、平面視において、第２配線７２と交差している。シリコン部７０ｂは、第２配線７２の上方に第２配線７２と離間して設けられている。バンプ部７０ｃは、金属部７０ａとシリコン部７０ｂとを接続している。バンプ部７０ｃは、第１溝部１７に設けられている。図示の例では、バンプ部７０ｃの上面は、基板１０の上面よりも上方に位置している。
【０１８５】
金属部７０ａの材質は、例えば、配線７２，７４および配線層部７６ａの材質と同じである。シリコン部７０ｂの材質は、例えば、可動体２０の材質と同じである。バンプ部７０ｃの材質は、例えば、バンプ部７６ｂの材質と同じである。金属部７０ａは、例えば、配線７２，７４および配線層部７６ａと同じ工程で形成される。シリコン部７０ｂは、例えば、シリコン基板８（図１６参照）をパターニングすることによって形成される。バンプ部７０ｃは、例えば、バンプ部７６ｂと同じ工程で形成される。
【０１８６】
物理量センサー２１０は、上述した物理量センサー２００と同様の効果を有することができる。
【０１８７】
なお、図示はしないが、第１配線７０ではなく、第２配線７２が上記のような金属部、シリコン部、およびバンプ部を有していてもよい。
【０１８８】
また、図示はしないが、第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、図２７に示す物理量センサー２００のように、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側にも設けられていてもよい。すなわち、本発明に係る物理量センサーは、物理量センサー２００と物理量センサー２１０とを組み合わせた形態であってもよい。この場合、第４ダミー電極６６は、設けられていなくてもよい。
【０１８９】
２．３．２．  第２変形例
次に、第２実施形態の第２変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図３０は、第２実施形態の第２変形例に係る物理量センサー２２０を模式的に示す平面図である。
【０１９０】
以下、第２実施形態の第２変形例に係る物理量センサー２２０において、上述した物理量センサー１００，２００，２１０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９１】
上述した物理量センサー２００では、図２７に示すように、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されていた。これに対し、物理量センサー２２０では、図３０に示すように、第３固定電極５４は、第１配線７０を介して、第１固定電極５０と電気的に接続されている。第１配線７０は、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。
【０１９２】
物理量センサー２２０では、仮に第３固定電極５４を設けていない場合では、加速度が印加されていない状態において、パッド８０，８４によって検出される第１静電容量が、パッド８２，８４によって検出される第２静電容量よりも小さい。物理量センサー１２０では、第１固定電極５０と電気的に接続された第３固定電極５４を設けることにより、第３固定電極５４と第４ダミー電極６６とによって静電容量を形成することができるので、第１静電容量を大きくすることができる。そのため、物理量センサー２２０では、容量オフセットを小さくすることができる。
【０１９３】
２．３．３．  第３変形例
次に、第２実施形態の第３変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図３１は、第２実施形態の第３変形例に係る物理量センサー２３０を模式的に示す平面図である。
【０１９４】
以下、第２実施形態の第３変形例に係る物理量センサー２３０において、上述した物理量センサー１００，２００，２１０，２２０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９５】
上述した物理量センサー２００では、図２７に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の他方側（＋Ｘ軸方向側）に設けられていた。さらに、物理量センサー２００では、図２７に示すように、第３固定電極５４は、第２配線７２を介して、第２固定電極５２と電気的に接続されていた。
【０１９６】
これに対し、物理量センサー２３０では、図３１に示すように、第３固定電極５４は、平面視において、支持軸Ｑの延出方向と交差する方向の一方側（−Ｘ軸方向側）に設けられている。さらに、物理量センサー２３０では、第３固定電極５４は、第１配線７０を介して、第１固定電極５０と電気的に接続されている。物理量センサー２３０は、第２ダミー電極６２を含む。
【０１９７】
物理量センサー２３０は、上述した物理量センサー２２０と同様の効果を有することができる。
【０１９８】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４および第１ダミー電極６０は、図３０に示す物理量センサー２２０のように、第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側にも設けられていてもよい。すなわち、本発明に係る物理量センサーは、物理量センサー２２０と物理量センサー２３０とを組み合わせた形態であってもよい。この場合、第２ダミー電極６２は、設けられていなくてもよい。
【０１９９】
３．  第３実施形態
３．１．  物理量センサー
次に、第３実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図３２は、第３実施形態に係る物理量センサー３００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図３２では、蓋体９０を透視して図示している。また、図３２では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０２００】
以下、第３実施形態に係る物理量センサー３００において、上述した物理量センサー１００，２００，２１０，２２０，２３０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２０１】
上述した物理量センサー２００では、図２７に示すように、可動体２０は、１つ設けられていた。これに対し、物理量センサー３００では、図３２に示すように、可動体２０は、２つ設けられている。
【０２０２】
物理量センサー３００では、可動体２０、連結部３０，３２、支持部４０、固定電極５０，５２，５４、ダミー電極６０，６２，６４，６６、および第４配線７６を含んで構成される構造体は、２つ設けられている（第１構造体３０１、第２構造体３０２）。構造体３０１，３０２は、Ｘ軸方向に並んでいる。すなわち、２つの可動体２０は、支持軸Ｑの延出方向と直交する方向に沿うように並んでいる。構造体３０１，３０２は、平面視にお
いて、Ｙ軸に平行な仮想軸（図示せず）に関して、線対称に設けられている。第１構造体３０１は、第２構造体３０２よりも−Ｘ軸方向側に設けられている。
【０２０３】
図示の例では、第１構造体３０１の第２ダミー電極６２、および第２構造体３０２の第２ダミー電極６２は、一体に設けられ、共通の第２ダミー電極６２を構成している。これにより、物理量センサー３００では、部品数を低減することができ、小型化を図ることができる。なお、図示はしないが、第１構造体３０１の第２ダミー電極６２、および第２構造体３０２の第２ダミー電極６２は、共通の第２ダミー電極６２を構成しておらず、構造体３０１，３０２に１つずつ設けられていてもよい。
【０２０４】
第１構造体３０１の第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、第１構造体３０１の第１固定電極５０の−Ｘ軸方向側に設けられ、第２構造体３０２の第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、第２構造体３０２の第１固定電極５０の＋Ｘ軸方向側に設けられている。第３固定電極５４は、第２固定電極５２と電気的に接続されている。第１ダミー電極６０と第４ダミー電極６６とは、接続されている。第１配線７０は、金属部７０ａと、シリコン部７０ｂと、バンプ部７０ｃと、を有している。
【０２０５】
物理量センサー３００は、上述した物理量センサー２００と同様の効果を有することができる。
【０２０６】
物理量センサー３００では、可動体２０は、２つ設けられている。そのため、物理量センサー３００では、Ｚ軸方向以外である他軸（Ｘ軸やＹ軸）方向の成分を有する加速度が印加されたとしても、差動検出により他軸方向の成分をキャンセルすることができる。したがって、物理量センサー３００では、Ｚ軸方向の加速度を、より正確に検出することができる。
【０２０７】
なお、図示はしないが、第３固定電極５４は、第２固定電極５２ではなく、第１固定電極５０と電気的に接続されていてもよい。
【０２０８】
また、図示はしないが、第１構造体３０１の第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、第１構造体３０１の第２固定電極５２の＋Ｘ軸方向側に設けられ、第２構造体３０２の第３固定電極５４および第４ダミー電極６６は、第２構造体３０２の第１固定電極５０の−Ｘ軸方向側に設けられていてもよい。この場合、第１構造体３０１の第３固定電極５４、および第２構造体３０２の第３固定電極５４は、一体に設けられ、共通の第３固定電極５４を構成していてもよい。また、第１構造体３０１の第４ダミー電極６６、および第２構造体３０２の第４ダミー電極６６は、一体に設けられ、共通の第４ダミー電極６６を構成していてもよい。
【０２０９】
また、図示はしないが、構造体３０１，３０２は、Ｘ軸方向ではなく、Ｙ軸方向に並んでいてもよい。
【０２１０】
３．２．  物理量センサーの製造方法
次に、第３実施形態に係る物理量センサー３００の製造方法について説明する。第３実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法は、シリコン部７０ｂおよびバンプ部７０ｃを形成すること以外は、上述した第２実施形態に係る物理量センサー２００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０２１１】
４．  第４実施形態
次に、第４実施形態に係る電子機器について図面を参照しながら説明する。図３３は、第４実施形態に係る電子機器１０００の機能ブロック図である。
【０２１２】
電子機器１０００は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー１００を含む場合について説明する。
【０２１３】
電子機器１０００は、さらに、演算処理装置（ＣＰＵ）１０２０、操作部１０３０、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０４０、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０５０、通信部１０６０、表示部１０７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図３３の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０２１４】
演算処理装置１０２０は、ＲＯＭ１０４０等に記憶されているプログラムに従い、各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、演算処理装置１０２０は、物理量センサー１００の出力信号や、操作部１０３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部１０６０を制御する処理、表示部１０７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
【０２１５】
操作部１０３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号を演算処理装置１０２０に出力する。
【０２１６】
ＲＯＭ１０４０は、演算処理装置１０２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０２１７】
ＲＡＭ１０５０は、演算処理装置１０２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ１０４０から読み出されたプログラムやデータ、物理量センサー１００から入力されたデータ、操作部１０３０から入力されたデータ、演算処理装置１０２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０２１８】
通信部１０６０は、演算処理装置１０２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０２１９】
表示部１０７０は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等により構成される表示装置であり、演算処理装置１０２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部１０７０には操作部１０３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０２２０】
このような電子機器１０００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０２２１】
図３４は、電子機器１０００の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。電子機器１０００であるスマートフォンは、操作部１０３０としてボタンを、表示部１０７０としてＬＣＤを備えている。
【０２２２】
図３５は、電子機器１０００の一例である腕装着型の携帯機器（ウェアラブル機器）の外観の一例を示す図である。電子機器１０００であるウェアラブル機器は、表示部１０７０としてＬＣＤを備えている。表示部１０７０には操作部１０３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０２２３】
また、電子機器１０００である携帯機器は、例えば、ＧＰＳ受信機（ＧＰＳ：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）等の位置センサーを備え、ユーザーの移動距離や移動軌跡を計測することができる。
【０２２４】
５．  第５実施形態
次に、第５実施形態に係る移動体について、図面を参照しながら説明する。図３６は、第５実施形態に係る移動体１１００として、自動車を模式的に示す斜視図である。
【０２２５】
第５実施形態に係る移動体は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー１００を含む移動体について説明する。
【０２２６】
第５実施形態に係る移動体１１００は、さらに、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー１１２０、コントローラー１１３０、コントローラー１１４０、バッテリー１１５０およびバックアップ用バッテリー１１６０を含んで構成されている。なお、第５実施形態に係る移動体１１００は、図３６に示される構成要素（各部）の一部を省略または変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０２２７】
このような移動体１１００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０２２８】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０２２９】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０２３０】
２…構造体、４…第１電極材料層、４ａ…第１導電層、６…第２電極材料層、６ａ…第２導電層、８…シリコン基板、１０…基板、１０ａ…上面、１１…凹部、１２…底面、１３…ポスト部、１４…上面、１５…窪み部、１６…底面、１７…第１溝部、１８…第２溝部、１９…第３溝部、２０…可動体、２０ａ…第１シーソー片、２０ｂ…第２シーソー片、２１…第１可動電極、２２…第２可動電極、２３，２４…端面、２５…貫通孔、２６…開口部、３０…第１連結部、３２…第２連結部、４０…支持部、４１…第１延出部、４２…第２延出部、４３…第３延出部、４４…第４延出部、４５…第５延出部、５０…第１固定電極、５２…第２固定電極、５４…第３固定電極、６０…第１ダミー電極、６２…第２ダ
ミー電極、６４…第３ダミー電極、６６…第４ダミー電極、６６ａ…第１部分、６６ｂ…第２部分、６６ｃ…第３部分、７０…第１配線、７０ａ…金属部、７０ｂ…シリコン部、７０ｃ…バンプ部、７２…第２配線、７４…第３配線、７６…第４配線、７６ａ…配線層部、７６ｂ…バンプ部、８０…第１パッド、８２…第２パッド、８４…第３パッド、９０…蓋体、９２…キャビティー、１００…物理量センサー、１０２…第１マスク層、１０２ａ…第１マスク材料層、１０４…第２マスク層、１０４ａ…第２マスク材料層、１０５ａ，１０５ｂ…一部、１０６…第３マスク層、１０６ａ…第３マスク材料層、１１０…物理量センサー、１１２，１１２ａ…絶縁層、１２０，１３０…物理量センサー、１３２…密着層、２００，２１０，２２０，２３０，３００…物理量センサー、３０１…第１構造体、３０２…第２構造体、１０００…電子機器、１０２０…演算処理装置、１０３０…操作部、１０４０…ＲＯＭ、１０５０…ＲＡＭ、１０６０…通信部、１０７０…表示部、１１００…移動体、１１２０，１１３０，１１４０…コントローラー、１１５０…バッテリー、１１６０…バックアップ用バッテリー
【図１】
2018163119.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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