(57)【要約】  【課題】  薄膜導体層の厚みバラつきの小さい回路基板等を提供すること。  【解決手段】  セラミック基板１１および回路導体１２を有するセラミック基板部１と、セラミック基板部１の上に設けられた複数の樹脂層２１ａが積層された樹脂基板部２１、および樹脂層２１ａの層間の薄膜導体層２２１を含み、樹脂基板部２の上面から下面にかけて設けられて、回路導体１２と電気的に接続された薄膜導体２２を有する薄膜多層部２とを備えており、樹脂層２１ａは、絶縁性樹脂材料から成る第１樹脂層２１１と、第１樹脂層２１１に積層された、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層２１２とを含んでおり、薄膜導体層２２１は、少なくとも一部が第２樹脂層２１２を貫通する貫通孔２１２ａ内に設けられている回路基板４等である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面および下面を有するセラミック基板、および該セラミック基板の前記上面から前記下面にかけて設けられた回路導体を有するセラミック基板部と、
該セラミック基板部の上に設けられた複数の樹脂層が積層された樹脂基板、および前記複数の樹脂層の層間に設けられた複数の薄膜導体層を含んでいるとともに、前記樹脂基板の上面から下面にかけて設けられており、前記回路導体と電気的に接続された薄膜導体を有する薄膜多層部とを備えており、
前記樹脂層は、絶縁性樹脂材料から成る第１樹脂層と、該第１樹脂層に積層されており、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層とを含んでおり、
前記薄膜導体層は、少なくとも一部が前記第２樹脂層を貫通する貫通孔内に設けられている回路基板。
【請求項２】
前記薄膜導体層と、前記貫通孔の内面および貫通孔内の前記第１樹脂層の表面との間に金属層が設けられている請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記薄膜多層部は、前記薄膜導体とは電気的に独立した薄膜金属部を含んでいる請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記薄膜多層部は、前記薄膜金属部を前記樹脂基板の下面側の方に多く含んでいる請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１樹脂層は、前記絶縁性樹脂材料よりも熱膨張係数が小さいフィラーを含有している請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記樹脂基板の上面側の前記第１樹脂層よりも下面側の前記第１樹脂層の方が前記フィラーを多く含有している請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の回路基板と、
前記薄膜導体に電気的に接続されたプローブピンと、を備えているプローブカード。
【請求項８】
第１面および第２面を有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層と、該第１樹脂層の前記第１面に積層された感光性材料を含む第２樹脂層とを備えている回路基板用樹脂シート。
【請求項９】
前記第１樹脂層の前記第２面に接着層が設けられている請求項８に記載の回路基板用樹脂シート。
【請求項１０】
第１面および第２面を有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層、および該第１樹脂層の前記第１面に積層された感光性材料を含む第２樹脂層を備える回路基板用樹脂シートを準備する第１工程と、
フォトリソ加工により前記回路基板用樹脂シートの前記第２樹脂層に第１貫通孔を形成する第２工程と、
レーザー加工により前記回路基板用樹脂シートの前記第１樹脂層に、前記第１貫通孔に連通する第２貫通孔を形成する第３工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔内に金属を埋め込んで、前記第１貫通孔内の薄膜導体層および前記第２貫通孔内の薄膜貫通導体を含む薄膜導体を備える導体付樹脂層を形成する第４工程と、
前記導体付樹脂層を複数積層して、上面から下面にかけて薄膜導体が設けられた薄膜多層部を形成する第５工程と、
上面および下面を有するセラミック基板、および該セラミック基板の前記上面から前記下
面にかけて設けられた回路導体を有するセラミック基板部を準備する第６工程と、
該セラミック基板部の上面に前記薄膜多層部を積層して前記回路導体と前記薄膜導体とを接続する第７工程と、を含む回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記回路基板用樹脂シートは、前記第１樹脂層の前記第２面に接着層がさらに積層されており、
前記第３工程において、前記レーザー加工により前記接着層に、前記第２貫通孔に連通する第３貫通孔を形成し、
前記第４工程において前記第１貫通孔から前記第３貫通孔にかけて金属を埋め込んで、前記第１貫通孔内の前記薄膜導体層および前記第２貫通孔から前記第３貫通孔にかけての薄膜貫通導体を含む前記薄膜導体を備える前記導体付樹脂層を形成し、
前記第５工程において複数の前記導体付樹脂層を前記接着層で接着して前記薄膜多層部を形成する、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４の工程において、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔に前記金属を埋め込む前に、前記第１貫通孔の内面および前記第１貫通孔内の前記第１樹脂層の表面に金属層を形成する請求項１０または請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板部と薄膜多層部とを有する回路基板、プローブカード、およびこのような回路基板等を作製するための回路基板用樹脂シート、ならびに回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電気的な検査をするためのプローブカード用の基板として、セラミック基板と、セラミック基板上に設けられた薄膜多層部とを有する回路基板が用いられている。薄膜多層部は、互いに積層された複数の樹脂層と、樹脂層の層間または露出表面に設けられた薄膜導体とを含んでいる。樹脂層の上下の薄膜導体同士は、樹脂層を厚み方向に貫通する貫通導体によって互いに電気的に接続されている。
【０００３】
上記回路基板の薄膜多層部においては、薄膜導体と樹脂等との接合性の向上のために、樹脂層に設けた配線導体パターン形状の凹部内に薄膜導体が埋め込まれて設けられているものがある。このような回路基板における薄膜導体は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のエッチング加工あるいはレーザー加工によって樹脂層に凹部を形成し、凹部内に蒸着法等で金属層を形成して、めっき法により凹部を金属で埋めることで形成されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５―１５９２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、樹脂層にエッチング加工等によって凹部を形成すると、その深さにバラツキが生じやすく、薄膜導体の厚みもバラつきやすいものであった。そのため、回路基板においては、薄膜導体の電気抵抗が安定しない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一つの態様による回路基板は、上面および下面を有するセラミック基板、および該セラミック基板の前記上面から前記下面にかけて設けられた回路導体を有するセラミック基板部と、前記セラミック基板部の上に設けられた複数の樹脂層が積層された樹脂基板、および前記複数の樹脂層の層間に設けられた複数の薄膜導体層を含んでいるとともに、前記樹脂基板部の上面から下面にかけて設けられており、前記回路導体と電気的に接続された薄膜導体を有する薄膜多層部とを備えており、前記樹脂層は、絶縁性樹脂材料から成る第１樹脂層と、該第１樹脂層に積層されており、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層とを含んでおり、前記薄膜導体層は、少なくとも一部が前記第２樹脂層を貫通する貫通孔内に設けられている。
【０００７】
本開示の一つの態様のプローブカードは、上記構成の回路基板と、前記薄膜導体に電気的に接続されたプローブピンとを備えている。
【０００８】
本開示の一つの態様の回路基板用樹脂シートは、第１面および第２面を有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層と、該第１樹脂層の前記第１面に積層された感光性材料を含む第２樹脂層とを備えている。
【０００９】
本開示の一つの態様の回路基板の製造方法は、第１面および第２面を有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層、および該第１樹脂層の前記第１面に積層された感光性材料を含む第２樹脂層を備える回路基板用樹脂シートを準備する第１工程と、フォトリソ加工により前記回路基板用樹脂シートの前記第２樹脂層に第１貫通孔を形成する第２工程と、レーザー加工により前記回路基板用樹脂シートの前記第１樹脂層に第２貫通孔を形成する第３工程と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔内に金属を埋め込んで、前記第１貫通孔内の薄膜導体層および前記第２貫通孔内の薄膜貫通導体を含む薄膜導体を備える複数の導体付樹脂層を形成する第４工程と、前記導体付樹脂層を複数積層して、上面から下面にかけて薄膜導体が設けられた薄膜多層部を形成する第５工程と、上面および下面を有するセラミック基板、および該セラミック基板の前記上面から前記下面にかけて設けられた回路導体を有するセラミック基板部を準備する第６工程と、該セラミック基板部の上面に前記薄膜多層部を積層して前記回路導体と前記薄膜導体とを接続する第７工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一つの態様の回路基板によれば、薄膜導体層が、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層を貫通する貫通孔内に設けられていることから、薄膜導体層の厚みバラつきが小さく、薄膜導体層の電気抵抗が安定したものとなる。
【００１１】
本開示の一つの態様のプローブカードによれば、上記構成の回路基板が含まれているため、電気的な信頼性の高いプローブカードを提供することができる。
【００１２】
本開示の一つの態様の回路基板用樹脂シートによれば、感光性材料を含む第２樹脂層を備えていることから、回路基板を作製する際に、フォトリソ加工により第２樹脂層に貫通孔を設けることができ、この貫通孔を、薄膜導体層を形成するための凹部として利用することができるので、凹部の深さのバラつきが小さく、薄膜導体層の厚みバラつきが小さい回路基板を製造することができる。
【００１３】
本開示の一つの態様の回路基板の製造方法によれば、薄膜導体層を形成するための凹部の形成が、フォトリソ加工により第２樹脂層に貫通孔を設けることによって行なわれるので、薄膜導体層の厚みバラつきが小さい回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は回路基板およびプローブカードの実施形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ部を拡大して示す断面図である。
【図２】実施形態の他の例の要部を拡大して示す断面図である。
【図３】（ａ）は回路基板およびプローブカードの実施形態の他の例を示す縦断面図であり、（ｂ）は横断面図である。
【図４】（ａ）は回路基板およびプローブカードの実施形態の他の例を示す縦断面図であり、（ｂ）は横断面図である。
【図５】回路基板およびプローブカードの実施形態の他の例を示す断面図である。
【図６】（ａ）は回路基板用樹脂シートの実施形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は回路基板用樹脂シートの実施形態の他の例を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は回路基板の製造方法を工程毎に示す断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、図７の続きの工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）は回路基板およびプローブカードの実施形態の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ部を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態の回路基板について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用
いられる図は模式的なものであり、上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路基板等が使用されるときの上下を規制するものではない。
【００１６】
図１（ａ）は本発明の実施形態の回路基板およびプローブカードを示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ部を拡大して示す断面図である。また、図２は、図１（ｂ）の他の例を示す断面図である。
【００１７】
実施形態の回路基板４は、セラミック基板部１と、セラミック基板部１の上に設けられた薄膜多層部２とを有している。
【００１８】
セラミック基板部１１は、例えば四角形板状等の平板状であり、セラミック基板１１とセラミック基板１１の上面から下面にかけて設けられた回路導体１２とを有している。
【００１９】
セラミック基板１１は、互いに積層された複数のセラミック絶縁層１１ａを含んでいる。回路導体１２は、セラミック絶縁層１１ａの層間に設けられた内部回路導体１２１と、セラミック基板１１の表面に設けられた表面回路導体１２３と、表面回路導体１２３と内部回路導体１２１あるいは内部回路導体１２１同士を、セラミック絶縁層１１ａを厚み方向に貫通し接続している貫通回路導体１２２とを有している。
【００２０】
セラミック基板１１は、例えば回路基板の全体の剛性を確保する機能を有している。セラミック基板１１によって回路基板としての剛性が高められ、例えばプローブカード用基板として用いられて半導体素子（図示せず）に検査のために押し付けられるときの変形が抑制されている。
【００２１】
セラミック基板１１の平面視における寸法は、例えばプローブカード用基板として使用されるときに、検査される半導体素子の平面視における寸法に応じて適宜設定される。
【００２２】
セラミック基板１１（セラミック絶縁層１１ａ）は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック焼結体からなる。
【００２３】
セラミック絶縁層１１ａの厚みおよび層数は、例えば内部回路導体１２１、貫通回路導体１２２および表面回路導体１２３の配置の総数および位置等の電気的な条件、セラミック基板１１の所望の剛性および経済性等の種々の条件に応じて適宜設定されている。
【００２４】
セラミック基板１１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、酸化アルミニウム粉末および焼結助剤成分となる酸化ケイ素等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとするとともに、このスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形方法でシート状に成形してセラミック基板１１のセラミック絶縁層１１ａとなるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約1300〜1600℃程度の温度で焼成することによってセラミック基板１１を製作することができる。
【００２５】
また、回路導体１２の内部回路導体１２１、貫通回路導体１２２および表面回路導体１２３は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の金属材料、もしくは、これらの金属材料の合金材料からなる。これらの金属材料（合金材料）は、例えばメタライズ法またはめっき法等の方法でセラミック基板１１の露出表面または内部等に被着されている。
【００２６】
内部回路導体１２１および表面回路導体１２３は、例えば、タングステンのメタライズ層である場合には、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストをセラミック絶縁層１ａとなる上記グリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷してグリーンシートとともに焼成する方法で形成することができる。また、貫通回路導体１２２は、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。
【００２７】
薄膜多層部２は、セラミック基板部１上に微細なパターンで端子２２４を設けるための部分である。セラミック基板部１の回路導体１２は、外部の測定装置等に接続されるのでそのパターンは微細なものではない。端子２２４と回路導体１２とを接続するために、薄膜多層部２が薄膜導体２２が設けられている。薄膜多層部２のうち端子２２４が形成されている最上層の樹脂層は、その表面粗さがセラミック基板１１の表面粗さに比べて小さいため、薄膜形成技術によって微細なパターンで端子２２４を形成することが容易である。これによって、微細な端子２２４の形成が可能になっている。
【００２８】
また、薄膜多層部２は、例えば全体として四角形板状等の平板状であり、平面視でセラミック基板部１と同形状であり、セラミック基板部１とその上に設けられた薄膜多層部２とで一体の平板状の回路基板４が構成されている。薄膜多層部２は、図１に示す例では、接合層２３によってセラミック基板１に接合されている。また、薄膜多層部２は樹脂基板２１および薄膜導体２２を有している。
【００２９】
樹脂基板２１は、積層された複数の樹脂層２１ａを含んでいる。樹脂層２１ａは、絶縁性樹脂材料から成る第１樹脂層２１１と、第１樹脂層２１１に積層されており、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層２１２とを含んでいる。
【００３０】
薄膜導体２２は、複数の樹脂層２１ａの層間に設けられており、主に平面的に回路を形成する薄膜導体層２２１と、上下の薄膜導体層２２１を電気的に接続する薄膜貫通導体２２２と、薄膜多層部２の最上面に設けられた端子２２４とを有している。これにより、樹脂基板２の上面から下面にかけて薄膜導体２２が設けられている。図１に示す例おいては、薄膜多層部２の最下層の樹脂層２１ａの薄膜貫通導体２２２は、接合層２３の導電性接合材２３２によってセラミック基板１１の上面の表面回路導体１２３と電気的に接続しており、これにより、樹脂基板２１の上面から下面にかけて設けられた薄膜導体２２とセラミック基板１１の回路導体１２とが電気的に接続されるようになる。
【００３１】
そして、薄膜導体層２２１は、少なくとも一部が第２樹脂層２１２を貫通する貫通孔２１２ａ内に設けられている。図１に示す例では、薄膜導体層２２１の全体が第２樹脂層２１２を貫通する貫通孔２１２ａ内に設けられており、薄膜導体層２２１の上面と第２樹脂層２１２の上面とがいわゆる面一となっている。薄膜導体層２２１が第２樹脂層２１２の上面から突出して、一部がその上の樹脂層２１（の第１樹脂層２１１）に入り込んでいてもよい。この場合は、薄膜導体層２２１の一部が貫通孔２１２ａ内に設けられている。また、薄膜貫通導体２２２は、第１樹脂層２１１を厚み方向に貫通している。
【００３２】
薄膜導体層２２１が、第２樹脂層２１２を貫通する貫通孔２１２ａ内に設けられていることから、薄膜導体層２２１の厚みバラつきが小さく、薄膜導体層２２１の電気抵抗が安定したものとなる。従来の回路基板における薄膜導体層の厚みは、樹脂層に設けられた凹部の深さに等しく、薄膜導体層の厚みバラツキは、従来の製法により比較的ばらつきが大きい、凹部の深さに依存する。これに対して、本実施形態においては、凹部は第１樹脂層２１１の上面と第２樹脂層２１２の貫通孔２１２ａとで構成されているので、薄膜導体層２２１の厚みバラツキは、比較的小さい第２樹脂層２１２の厚みバラツキに依存するので
、小さいものとなるというものである。これは、第２樹脂層２２２が感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成るものであるため、後述する貫通孔２１２ａの形成工程において、凹部の底面となる第１樹脂層２１１の上面が削られることがないからである。
【００３３】
図２は、回路基板４の他の例の要部を拡大して示しており、図１（ｂ）と同様の拡大断面図である。この例では、回路基板４は、薄膜導体層２２１と、第２樹脂層２１２の貫通孔２１２ａの内面および貫通孔２１２ａ内の第１樹脂層２１１の表面との間に金属層２２３が設けられている。言い換えれば、樹脂層２１ａの凹部の内面に金属層２２３が設けられている。金属層２２３は、樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）との密着性のよい金属から成るものであり、いわゆる密着金属層とも呼ばれるものである。金属層２２３は、例えば、クロム、ニッケル、チタンまたはアルミニウムおよびその合金層から成るものである。
【００３４】
このような金属層２２３を備える構成であると、薄膜導体層２２１は金属層２２３との密着性が高く、薄膜導体層２２１と樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）との間には、樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）との密着性の高い金属層２２３があるので、薄膜導体層２２１の樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）との密着性が向上し、薄膜導体層２２１と樹脂層２１ａとの間において剥離等が発生する可能性を低減させることができる。その結果、回路基板４の電気的信頼性が向上する。
【００３５】
なお、図２に示す例おいては、第１樹脂層２１１の貫通孔２１１ａの内面と薄膜貫通導体２２２との間にも金属層２２３が設けられており、薄膜貫通導体２２２と樹脂層２１ａ（第１樹脂層２１１）との密着性も向上し、薄膜導体２２全体と樹脂層２１ａとの密着性が向上している。また、異なる樹脂層２１ａ間において、薄膜貫通導体２２２と薄膜導体層２２１との間にも金属層２２３が設けられているが、これによるこれらの間の密着性への影響はほとんどない。
【００３６】
また、薄膜導体層２２１が設けられる凹部の底面（第２樹脂層２１２の貫通孔２１２ａ内の第１樹脂層２１１の表面）は、従来の製造方法で作製されたもののように荒れていないので、薄膜による金属層２２３の厚み等が均一なものとなり、密着性のバラツキが抑えられて、信頼性が向上する。
【００３７】
図３（ａ）は回路基板４およびプローブカード５の実施形態の他の例を示す縦断面図であり、図３（ｂ）は横断面図である。図４（ａ）は回路基板およびプローブカードの実施形態の他の例を示す縦断面図であり、図４（ｂ）は横断面図である。図３（ｂ）および図４（ｂ）は薄膜多層部２の横断面図であるが、薄膜導体２２は省略している。図５は、回路基板４およびプローブカード５の実施形態の他の例を示す断面図である。
【００３８】
図３〜図５に示す例においては、薄膜多層部２は、薄膜導体２２とは電気的に独立した薄膜金属部２４を含んでいる。これにより、薄膜多層部２とセラミック基板１１との熱膨張係数差を小さくして熱応力を低減することができるので、薄膜多層部２とセラミック基板部１との接合信頼性が高まり、薄膜導体２２と回路導体１２との電気的な接続の信頼性もより高い回路基板４となる。セラミック基板部１のセラミック基板１１と薄膜多層部２の樹脂基板２１とでは、樹脂基板２１の熱膨張係数の方が大きい場合が多い。特に、感光性材料を含む第２樹脂層２１２の熱膨張係数は例えば４０〜６０ｐｐｍ／℃程度と大きいものが多く、これに対してセラミック基板１の上述したようなセラミック焼結体の熱膨張係数は例えば２〜７ｐｐｍ／℃程度である。また、例えば薄膜導体２２に用いられる低抵抗金属の銅（Ｃｕ）の熱膨張係数は１６〜１８ｐｐｍ／℃程度である。薄膜多層部２は第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２を含む樹脂層２１ａと薄膜導体２２との複合体であるので、その熱膨張係数は第２樹脂層２１２の熱膨張係数より小さくなる。樹脂層２１
ａ特に第２樹脂層２１２より熱膨張係数の小さい薄膜導体２２の薄膜多層部２における占有率を大きくすることで、薄膜多層部２の熱膨張係数をより小さくすることができる。薄膜導体２２は電気特性に応じた大きさに設定されるので、薄膜導体２２の代わりに薄膜金属部２４を設けることで薄膜多層部２の熱膨張係数を小さくしている。薄膜金属部２４は薄膜導体２２と同様に樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有するものである。薄膜金属部２４の熱膨張係数は、第２樹脂層２１２の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数であればよく、薄膜導体２２の熱膨張係数と同じであってもよいし異なっていてもよい。薄膜金属部２４の熱膨張係数が薄膜導体２２の熱膨張係数と同じ、すなわちこれらが同じ金属で構成される場合には、薄膜導体２２の形成と同時に薄膜金属部２４の形成も行なうことができる。このとき、薄膜導体２２の薄膜導体層２２１が設けられているのと同じ３つの樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）に薄膜金属部２４（薄膜金属層２４１）が設けられる。また、薄膜金属部２４は薄膜導体２２とは電気的に独立しているので、回路基板の電気的特性に影響を与えるものではない。
【００３９】
薄膜多層部２内における薄膜金属部２４の配置が、例えば平面視で矩形状の角部に配置されているような偏った配置であると、薄膜多層部２内での熱膨張が偏ってしまって薄膜多層部２が変形してセラミック基板部１との間にはがれが生じてしまう可能性がある。特に外周部において周方向で偏りが大きいと変形が大きくなりやすい。そのため、薄膜多層部２の平面視における中心に対する周方向において偏りがないように配置するとよい。例えば、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示す例のように、平面視で枠状（環状）とすることができる。
【００４０】
図３に示す例の薄膜金属部２４は、薄膜導体層２２１が設けられているのと同じ３つの樹脂層２１ａ（第２樹脂層２１２）に３つの薄膜金属層２４１が設けられて構成されており、３つの薄膜金属層２４１は薄膜多層部２の厚み方向に間隔をあけて配置されている。これに対して、図４に示す例では、図３に示す例と同様に３つの薄膜金属層２４１を含んでいるが、それぞれはその間に位置する第１樹脂層２１１を貫通する薄膜貫通金属２４２で互いに接続されている。この場合も薄膜金属部２４は薄膜導体２２とは電気的に独立している。薄膜金属部２４をこのような構成することで、薄膜金属部２４の薄膜多層部２における占有率をより大きくすることができる。また、薄膜金属部２４と樹脂層２１ａとの接合強度も高いものとなる。薄膜金属部２４と樹脂層２１ａとの間にも上述したような金属層２２３を設けてさらに薄膜金属部２４と樹脂層２１ａとの接合強度を向上させることもできる。
【００４１】
図４に示す例においては、円柱状の薄膜貫通金属２４２が、薄膜金属層２４１の幅内に３つが配列され、薄膜金属層２４１の周方向にほぼ等間隔で２４か所に配置されている。薄膜貫通金属２４２の配置はこの例に限られるものではない。
【００４２】
図５に示す例のように、薄膜多層部２が薄膜金属部２４を樹脂基板２１の下面側の方に多く含んでいる回路基板４とすることができる。言い換えれば、薄膜多層部２において、セラミック基板部１側の方が、薄膜金属部２４が多いものとすることができる。このようにすると、薄膜多層部２の上面側の熱膨張係数より下面側の熱膨張係数の方が小さくなる。セラミック基板部１に接続される薄膜多層部２の下面側の熱膨張係数がセラミック基板部１の熱膨張係数に近いものとなるので、薄膜多層部２とセラミック基板部１との間で熱応力によるはがれが発生する可能性がより低減される。
【００４３】
図５に示す例では、薄膜金属部２４は３つの薄膜金属層２４１を備えているが、薄膜多層部２の上面側から下面側にかけて幅が大きくなっている。最も下面側の薄膜金属層２４１は、薄膜基板部２の外周部だけでなく、内部の薄膜導体層２２１の間にも設けられている。また、最も下面側の薄膜金属層２４１とその上の薄膜金属層２４１とは薄膜貫通金属
２４２で接続されている。薄膜金属部２４の量は、薄膜多層部２の上面から下面にかけて多くなるような勾配がついている。このような構成であると、薄膜多層部２内の熱膨張係数が上面から下面にかけて小さくなるような勾配を有するものとなり、薄膜多層部２とセラミック基板部１との接合性がより向上する。また、薄膜導体２２が比較的微細な配線から成る上面側においては、狭小な薄膜導体層２２１間にさらに導体である薄膜金属層２４１が存在しないので、絶縁信頼性が低下することがない。
【００４４】
樹脂層２１ａの熱膨張係数を小さくすることでも薄膜多層部２の熱膨張係数をより小さくすることができる。具体的には、第１樹脂層２１１に、第１樹脂層２１１の絶縁樹脂材料よりも熱膨張係数の小さいフィラーを含有させることで、樹脂層２１ａのうち第１樹脂層２１１の熱膨張係数を小さくすることができる。これにより、第１樹脂層２１１を含む薄膜多層部２とセラミック基板部１との熱膨張係数差を小さくして熱応力を低減することで、回路基板４の接合信頼性をより向上させることができる。樹脂層２１ａは第２樹脂層２１２も含んでいるが、第２樹脂層２１２は感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成るものであり、フォトリソ加工で薄膜導体層２２１が設けられる貫通孔が形成されるものである。そのためフォトリソ加工による貫通孔の形成性、寸法精度等を考慮すると遮光性であるフィラーの含有量を少なくする、より好ましくはフィラーを含有させない方がよい。
【００４５】
また、樹脂基板２の上面側の第１樹脂層２１１よりも下面側の第１樹脂層２１１の方がフィラーを多く含有している回路基板４とすることができる。薄膜多層部２が薄膜金属部２４を樹脂基板２１の下面側の方に多く含んでいる場合と同様に、樹脂基板２の上面側すなわち薄膜多層部２の上面側の熱膨張係数より下面側の熱膨張係数の方が小さくなる。セラミック基板部１に接続される薄膜多層部２の下面側の熱膨張係数がセラミック基板部１の熱膨張係数に近いものとなるので、薄膜多層部２とセラミック基板部１との間で熱応力によるはがれが発生する可能性がより低減される。
【００４６】
このような回路基板４は、図６に示す例のような回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂを用いて作製することができる。図６は（ａ）は回路基板用樹脂シート２１Ａの実施形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は回路基板用樹脂シート２１Ｂの実施形態の他の例を示す断面図である。図６に示す回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂは、回路基板４における樹脂層２１ａとなるものであり、厳密には回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂと樹脂層２１ａとは異なるものであるが、図６および以下の説明において、これらの対応関係が分かりやすいように、回路基板４における第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２に対応する部分は、回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂにおいても第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２と、同じ名称および符号を用いている。
【００４７】
回路基板用樹脂シート２１Ａは、図６（ａ）に示す例のように、第１面２１１ｂおよび第２面２１１ｃを有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層２１１と、第１樹脂層２１１の第１面２１１ｂに積層された感光性材料を含む第２樹脂層２１２とを備えている。このような回路基板用樹脂シート２１Ａを用いると、上記したような回路基板４の作製が容易となる。このような回路基板用樹脂シート２１Ａを用いた、回路基板４の製造方法の詳細については後述する。
【００４８】
また、図６（ｂ）に示す例の回路基板用樹脂シート２１Ｂは、図６（ａ）に示す例の回路基板用樹脂シート２１Ａに対して、第１樹脂層２１１の第２面２１１ｃに接着層２１３が設けられているものである。このような回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いると、上記したような回路基板４の作製がより容易となる。このような回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いた、回路基板４の製造方法の詳細については後述する。同じく詳細については後述するが、このような回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いた場合は、回路基板４における樹
脂層２１ａは、接着層２１３を含むものとなり、薄膜貫通導体２２２は第１樹脂層２１１から樹脂層２１３にかけて貫通するものとなる。
【００４９】
プローブカード５は、このような回路基板４と、薄膜導体２２に電気的に接続されたプローブピン３とを備えている。このようなプローブカード５によれば、上記構成の回路基板４が含まれているため、電気的な信頼性の高いものとなる。
【００５０】
回路基板４がプローブカード用基板として用いられる場合には、例えば、端子２２４にプローブピン３が取り付けられる。プローブピン３が半導体素子（図示せず）の電極と接続されるように回路基板４が半導体素子に押し付けられる。薄膜多層部２の薄膜導体２２およびセラミック基板部１の回路導体１２等を介してプローブピン３と電気的に接続されたセラミック基板１１の下面のセラミック表面の内部回路導体１２１が検査用の外部回路（図示せず）の所定部位と電気的に接続されて、半導体素子の回路に関する動作不良の有無等の種々の検査が行なわれる。
【００５１】
この場合、半導体素子は電気的なチェックを行なうために一時的に回路基板４の上面に載置される。半導体素子としては、例えば、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体集積回路素子、または半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００５２】
回路基板４は以下のような工程を含む製造方法で製造することができる。図７（ａ）〜図７（ｅ）は回路基板の製造方法を工程毎に示す断面図である。また、図８（ａ）および図８（ｂ）は、図７の続きの工程を示す断面図である。図７および図８は回路基板用樹脂シート２１Ａを用いた回路基板４の製造方法の一例を示している。回路基板４における樹脂層２１ａと製造工程途中の樹脂層の前駆体等とは、厳密には異なるものであるが、図７、図８および以下の説明においては、これらの対応関係が分かりやすいように、回路基板４における第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２に対応する部分は、同じ名称および符号を用いている。
【００５３】
まず、第１工程として、図７（ａ）に示す例のように、第１面２１１ｂおよび第２面２１１ｃを有する樹脂フィルムから成る第１樹脂層２１１、および第１樹脂層２１１の第１面２１１ｂに積層された感光性材料を含む第２樹脂層２１２を備える回路基板用樹脂シート２１Ａを準備する。なお、図７（ａ）に示す回路基板用樹脂シート２１Ａは、図６（ａ）に示すものと同じである。
【００５４】
回路基板用樹脂シート２１Ａを作製するには、例えば以下のようにすればよい。まず、第１樹脂層２１１となる絶縁樹脂前駆体を剥離シート上に規定厚みとなるように既存のドクターブレード法等の塗布法により塗布し、乾燥、硬化させる方法でフィルム状に加工し、第１面２１１ｂおよび第２面２１１ｃをもつ第１樹脂層２１１のフィルムを作製する。
【００５５】
次に、第２樹脂層２１２となる絶縁樹脂前駆体をフィルム状の第１樹脂層２１１の第１面２１１ｂに例えば同様にドクターブレード法等の塗布法により塗布し、仮硬化させることで、回路基板用樹脂シート２１Ａとなる。第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２の厚みは、例えば、５μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。
【００５６】
回路基板用樹脂シート２１Ａは、図７（ａ）に示す例のように第２樹脂層２１２を上にして（第１樹脂層２１１を下にして）、平板プレート(不図示)上に載置しておく。
【００５７】
第１樹脂層２１１は例えば、ポリイミド樹脂，ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹
脂，全芳香族ポリエステル樹脂，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂，エポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリキノリン樹脂，フッ素樹脂等の絶縁樹脂から成るものである。
【００５８】
また、第１樹脂層２１１の絶縁樹脂材料よりも熱膨張係数の小さいフィラーとしては、従来公知のいかなる無機充填剤および有機充填剤も使用することができ、特定のものに限定されないが、塗膜の硬化収縮を抑制し、密着性、硬度などの特性の向上に寄与できる無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン、マイカ、タルク、ノイブルグ珪土、有機ベントナイト、リン酸ジルコニウム等の非金属フィラーや、銅、錫、亜鉛、ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、金、白金、シリコン等の金属フィラーを挙げることができ、１種を単独で、または２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。炭酸カルシウムを配合することで、柔軟で研磨性に優れたドライフィルムとすることができ、より熱膨張係数の小さいシリカを配合することで、熱膨張係数をより低減することができる。シリカとしては、非晶質、結晶のいずれであってもよく、これらの混合物でもよい。特に、非晶質（溶融）シリカが好ましい。また、炭酸カルシウムとしては、天然の重質炭酸カルシウムや、合成の沈降炭酸カルシウムのいずれであってもよい。また、絶縁性の低下を防ぐためには非金属フィラーが好ましい。
【００５９】
第２樹脂層２１２は例えば、ポリイミド樹脂，ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂，エポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリキノリン樹脂，フッ素樹脂等の絶縁樹脂から成るものであるが、感光性を持つ官能基を構造中に持つ材料が含まれる点で、第１樹脂層２１１と異なっている。なお光照射により溶媒にとけやすくなるタイプの場合は「ポジ型」と呼ばれ、逆に光照射により溶けにくくなるタイプの場合は「ネガ型」と呼ばれる。
【００６０】
第２工程では、フォトリソ加工により回路基板用樹脂シート２１Ａの第２樹脂層２１２に第１貫通孔２１２ａを形成する。ここでは、ポジ型の感光性ポリイミドを用いた場合の例を示す。例えば、第１樹脂層２１１は熱硬化性のポリイミド樹脂であり、第２樹脂層２１２は感光性のポリイミド前駆体の仮硬化物である。まず、回路基板用樹脂シート２１Ａの第２樹脂層２１２上にフォトマスクを配置し、光照射によって薄膜導体層２２１を形成する部分の樹脂を可溶化する。フォトマスクは薄膜導体層２２１と同形状の透光部を有するものである。第２樹脂層２１２の露光により可溶化した部分をアルカリ洗浄等により取り除くことで、図７（ｂ）に示すような、第２樹脂層２１２に第１貫通孔２１２ａが形成される。第１樹脂層２１１の第１面２１１ｂの一部は、この第１貫通孔２１２ａ内に露出している。第１貫通孔２１２ａの平面視の形状は、薄膜導体層２１１の平面視の形状と同じである。平板プレート(不図示)上の回路基板用樹脂シート２１Ａの第２樹脂層２１２には、薄膜多層部２における最上層の薄膜導体層２２１の形状と同形状の第１貫通孔２１２ａが形成される。薄膜金属部２４を設ける場合には、薄膜金属部２４の薄膜金属層２４１の形状と同形状の貫通孔も同時に形成することができる。
【００６１】
より具体的には、例えば、第２樹脂層２１２となるポリイミド前駆体に、光で開環反応するメタクリロイル基を感光材として付加する、あるいは感光材としてジアゾナフトキノン等の露光時にカルボン酸となる物質を含ませることで、第２樹脂層２はポジ型の感光性となる。感光材にマスクを通して光が照射されると、不溶性だった組成がアルカリ溶液等
の溶媒に溶解しやすくなる特性を持つようになる。そのため、第２樹脂層２１２の、マスクの透光部直下に位置する、露光された部分をアルカリ溶液等の溶媒で溶解除去することができ、貫通孔２１２ａとなる。
【００６２】
ここで、ネガ型の場合の一例についても説明する。第２樹脂層２１２となるポリイミド前駆体に、光により重合可能なアミノ基またはその四級化塩を含む化合物（光重合性モノマー）と、必要に応じて増感剤、光重合開始剤、共重合モノマーとからなるネガ型の感光材を添加することで、第２樹脂層２はネガ型の感光性となる。感光材にマスクを通して光が照射されると、光重合性モノマーが重合すると共に、光重合性モノマーのアミノ基とポリイミド前駆体のカルボキシル基がイオン的に結合して、溶剤溶解性が低下する。この場合は、第２樹脂層２１２の、マスクの透光部直下に位置する未露光部分は溶剤溶解性が高いままなので、現像液で溶解除去することができるようになり、除去されることで貫通孔２１２ａとなる。なお、これらは一例であり、必要に応じて適切な感光性ポリイミド前駆体及び感光材、増感剤を用いればよい。
【００６３】
第３工程では、レーザー加工により回路基板用樹脂シート２１Ａの第１樹脂層２１１に、第１貫通孔２１２ａに連通する第２貫通孔２１１ａを形成する。第１貫通孔２１２ａ内には第１樹脂層２１１が露出しており、この部分にレーザー加工によって、図７（ｃ）に示すような、第１貫通孔２１２ａに連通する第２貫通孔２１１ａを形成する。レーザーは第１樹脂層２１１に直径 ２０μｍ〜５０μｍ程度の貫通孔を形成することができるもの
であれば特に限定されず、例えばＹＶＯ４（イットリウム・四酸化バナジウム）レーザー、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet；イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レー
ザー等を用いることができる。薄膜金属部２４を設ける場合には、薄膜金属部２４の薄膜貫通金属２４２用の貫通孔も同時に形成することができる。
【００６４】
第４工程では、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａ内に金属を埋め込んで、第１貫通孔２１２ａ内の薄膜導体層２２１および第２貫通孔２１１ａ内の薄膜貫通導体２２２を含む薄膜導体２２を備える導体付樹脂層２１ｂを形成する。薄膜導体層２２１および薄膜貫通導体２２２は、例えば、蒸着法およびめっき法により形成することができる。まず、金属を回路基板用樹脂シート２１Ａ上にレジストを形成し、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａの内面に蒸着法で金属膜（不図示）を形成する。次に、この金属膜を下地金属としてめっき法で低抵抗の金属、例えば銅で第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａ内を埋める。そして、レジストを剥離して、必要に応じて第１樹脂層２１１および第２樹脂層２１２の表面（回路基板用樹脂シート２１Ａの表面）から突出した金属を研磨等で取り除くことで、図７（ｄ）に示すような、複数の薄膜導体層２２１と複数の薄膜貫通導体２２２を備える導体付樹脂層２１ｂを得ることができる。このとき、薄膜多層部２における最上層の薄膜導体層２２１および薄膜貫通導体２２２を備える導体付樹脂層２１ｂが上述した平板プレート(不図示)上に形成されている。薄膜金属部２４を設ける場合には、上記した薄膜金属層２４１用の貫通孔内および薄膜貫通金属２４２用の貫通孔内にも同時に金属を埋め込んで薄膜金属部２４（薄膜金属層２４１および薄膜貫通金属２４２）を形成することができる。
【００６５】
第５工程では、図７（ｅ）に示す例のように、導体付樹脂層２１ｂを複数積層して、上面から下面にかけて薄膜導体２２が設けられた薄膜多層部２を形成する。複数の導体付樹脂層２１ｂの形成および積層は、平板プレート上に形成された導体付樹脂層２１ｂの上に、他の導体付樹脂層２１ｂを形成することを繰り返すことで行なうことができる。平板プレート上の導体付樹脂層２１ｂの第２樹脂層２１２に第１樹脂層２１１側が接するように回路基板用樹脂シート２１Ａを接合し、上記第２工程から第４工程を繰り返すことで２つの導体付樹脂層２１ｂが積層されたものとなる。これを必要な回数繰り返して、最後に上下を反転することで、図７（ｅ）に示すような、上面から下面にかけて互いに接続されて
いる複数の薄膜導体２２が設けられた薄膜多層部２を形成することができる。なお、複数の導体付樹脂層２１ｂを別々に作製し、これを一度に積層して加熱加圧して接合することで薄膜多層部２を形成してもよい。
【００６６】
第６工程では、図８（ａ）に示す例のような、上面および下面を有するセラミック基板１１、およびセラミック基板１１の上面から下面にかけて設けられた回路導体１２を有するセラミック基板部１を準備する。セラミック基板１１は、上述した方法で作製されたものである。
【００６７】
第７工程において、図８（ｂ）に示す例のように、セラミック基板部１の上面に薄膜多層部２を積層して回路導体１２と薄膜導体２２とを接続することで、回路基板４となる。図８（ｂ）に示す例にいては、セラミック基板部１の上面に薄膜多層部２が積層され、接合層２３によって接合されている。接合層２３は、樹脂接着剤等の絶縁接合材２３１によってセラミック基板部１と薄膜多層部２とを機械的に接合し、導電性接合材２３２によって薄膜多層部２の下面の複数の薄膜導体２２（薄膜導体層２２１）とセラミック基板部１の上面の回路導体１２（表面回路導体１２３）とを、はんだ等の導電性接合材２３２によって電気的に接続している。
【００６８】
このような回路基板の製造方法によれば、薄膜導体層２２１を形成するための凹部の形成が、フォトリソ加工により第２樹脂層２１２に貫通孔２１２ａを設けることによって行なわれるので、薄膜導体層２２１の厚みバラつきが小さい回路基板４を製造することができる。また、回路基板用樹脂シート２１Ａを用いて薄膜多層部２を形成すると、１回で第１樹脂層２１１、第２樹脂層２１２を同時に形成することができるようになるので、工数を低減できるようになる。また、薄膜多層部２とセラミック基板部１とをそれぞれ別に作製した後、これらを接合することによって回路基板４を作製することができる。このようにすると薄膜多層部２とセラミック基板部１を並行して作製できるので、全体として短時間で製造することができるようになる。
【００６９】
なお、回路基板４において、第２樹脂層２１２が、感光性樹脂であることは第１樹脂層２１１と第２樹脂層２１２の両方をＦＴＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy）で分析、比較をおこない、第２樹脂層２１２において、第１樹脂層２１１と異なる光
感応性の官能基もしくは光感応性の官能基が開環もしくは閉環した構造を持つ官能基が第２樹脂層２１２だけから検出できることで確認することができる。
【００７０】
このようにして作製された回路基板４が、図１に示す例のようなプローブカード５として用いられる場合には、例えば、図１に示す例の様に、回路基板４の上面にプローブピン３を接合する。回路基板４の上面には、薄膜導体２２に電気的に接続している端子２２４が設けられており、この端子２２４に例えばシリコン製のプローブピン３がはんだ等の導電性の接合材で接合されている。これにより、プローブピン３は、回路基板４に設けられた、薄膜多層部２の薄膜導体２２およびセラミック基板部１の回路導体１２等を介しが検査用の外部回路と電気的に接続される。端子２２４は、例えばレーザーやＲＩＥにより形成した孔内にめっき法を用いて銅やニッケル、金などの導体を埋め込むことで設けられる。または、レーザーやＲＩＥにより孔を形成後、スパッタ法や蒸着法により金属薄膜を形成し、フォトリソ加工を用いて端子となる部分に選択的に銅などのめっきを施した後、レジストと金属薄膜を除去し、端子部にニッケル、金などのめっき膜を形成することにより、回路基板４の薄膜多層部２の上に設けられる。
【００７１】
なお、図７、図８を用いて説明した回路基板の製造方法においては、図６（ａ）に示すような回路基板用樹脂シート２１Ａを使用した場合であるが、図６（ｂ）に示すような接着層２１３を有する回路基板用樹脂シート２１Ｂを使用して回路基板４を作製することも
できる。その製造方法においては、回路基板用樹脂シート２１Ｂは、図６（ｂ）に示す例のように、第１樹脂層２１１の第２面２１１ｃに接着層２１３がさらに積層されている。
【００７２】
図６（ｂ）に示す接着層２１３付の回路基板用樹脂シート２１Ｂは、図６（ａ）に示す回路基板用樹脂シート２１Ａの第１樹脂層２１１の第２面２１１ｃに接着層２１３を設けることで作製することができる。接着層２１３は例えば、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，ポリイミド樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹
脂，エポキシ樹脂等の樹脂接着剤である。この樹脂接着剤をドクターブレード法等の塗布法にて、回路基板用樹脂シート２１Ａの第１樹脂層２１１の第２面２１１ｃに塗布して乾燥させて、厚みで５μｍ〜20μｍ程度の接着層２１３形成することで、接着層２１３を有する回路基板用樹脂シート２１Ｂを形成することができる。
【００７３】
回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いる場合には、上記した第３工程において、レーザー加工により接着層２１３に、第２貫通孔２１１ａに連通する第３貫通孔２１３ａを形成する。つまり、第２貫通孔２１１ａと同時に形成することができる。
【００７４】
また、第４工程において第１貫通孔２１２ａから第３貫通孔２１３ａにかけて金属を埋め込んで、第１貫通孔２１２ａ内の薄膜導体層２２１および第２貫通孔２１１ａから第３貫通孔２１３ａにかけての薄膜貫通導体２２２を含む薄膜導体２２を備える導体付樹脂層２１ｂを形成する。薄膜導体層２２１および薄膜貫通導体２２２を形成する際に、第３貫通孔２１３ａの内面にも金属膜を形成し、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａと同時に第３貫通孔２１３ａを埋める。
【００７５】
そして、第５工程において複数の導体付樹脂層２１ｂをそれぞれの接着層２１３で接着して薄膜多層部２を形成する。また、第７工程においては、薄膜多層部２の最下層の樹脂層２１ａの接着層２１３でセラミック基板部１の上面に薄膜多層部２を接合することができる。このとき、薄膜多層部２の下面に露出した薄膜貫通導体２２２の端面にはんだを設けると、セラミック基板部１の上面の表面回路導体１２３との接続信頼性が向上する。最下層の導体付樹脂層２１ｂは、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａだけを銅等の金属を埋め込み、第３貫通孔２１３ａにははんだを埋め込んだものとすることもできる。
【００７６】
接着層２１３有さない回路基板用樹脂シート２１Ａを積層する場合には、積層時に積層用接着剤を塗布したり、第２樹脂層２１２を仮硬化状態で積層したりすることで、第２樹脂層２１２を接着層として機能させたりすることができる。予め接着層２１３を持つ回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いて薄膜多層部２を形成すると、第２樹脂層２１２を完全硬化させて積層することができるようになるので、積層工程の工数を低減したり、樹脂層２１ａの厚みが安定した高品質な状態で工程を進めたりすることができるようになる。 
【００７７】
図９（ａ）は回路基板およびプローブカードの他の例を示す断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ部を拡大して示す断面図である。この例は、接着層２１３を有する回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いて作製した場合の回路基板４を示している。図９（ｂ）に示す例のように、樹脂層２１ａは、第１樹脂層２１１と第２樹脂層２１２と接着層２１３とで構成された３層構造である。この場合には図９（ｂ）に示すように、薄膜貫通導体２２２は第１樹脂層２１１および接着層２１３を貫通して上下の第２樹脂層２１２の貫通孔２１２ａを接続している。この構造では、上述したように品質が安定したものとなり、また、厚みバラツキが小さい接着層２１３で樹脂層２１ａが接着されているので、絶縁層２１ａおよび薄膜導体２２の寸法が安定しているので回路基板４のインピーダンスの整合性がより高いものとなる。
【００７８】
また、接着層２１３有さない回路基板用樹脂シート２１Ａを用いる場合および接着層２１３有する回路基板用樹脂シート２１Ｂを用いる場合のいずれにおいても、第４工程において、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａに金属を埋め込む前に、第１貫通孔２１２ａの内面および第１貫通孔２１２ａ内の第１樹脂層２１１の表面に金属層２２３を形成することができる。樹脂との密着性の良いクロム、ニッケル、チタンまたはアルミニウムおよびその合金層等で金属層２２３を形成し、その後に銅等の低抵抗な金属を埋めこんで薄膜導体２２とする。これにより、図２に示した例のような構成を有する回路基板４となり、上述したように、金属層２２３と樹脂層２１ａとの密着性が向上し、薄膜導体２２と樹脂層２１ａとの剥離等の発生を防ぐことができるようになることで薄膜導体２２に局部的に大きな応力が加わり難くなるので、薄膜導体２２の電気的接続信頼性が向上する。上述した、金属を埋め込む際の下地金属できる金属膜を上記のような樹脂との密着性の良い金属で形成することで、金属層２２３を兼ねることができる。
【００７９】
上述したように、複数の導体付樹脂層２１ｂの形成および積層を、平板プレート上に形成された導体付樹脂層２１ｂの上に、他の導体付樹脂層２１ｂを形成することを繰り返すことで行なう場合には、上に積層した回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂの第２貫通孔２１１ａの内側に下の導体付樹脂層２１ｂの薄膜導体層２２１が露出している。そのため、第１貫通孔２１２ａの内面および第１貫通孔２１２ａ内の第１樹脂層２１１の表面だけでなく、この露出した部分さらには第２貫通孔２１１ａの内面にも金属層２２３を形成することができる。そのため、上述したように、図２に示す例のような金属層２２３の配置となる。
【００８０】
回路基板の製造方法は、以上のような回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂを用いる方法に限られない。例えば、セラミック基板部１の上にワニス状（液状）の樹脂を塗布して硬化させることで第１樹脂層２１１を形成し、その上にワニス状（液状）の樹脂を塗布して硬化させることで第２樹脂層２１２を形成することで樹脂層２１を形成することができる。具体的には、例えば以下のような製造方法を用いることができる。
【００８１】
まず、例えば、第１樹脂層２１１がポリイミド樹脂からなる場合には、ワニス状のポリイミド前駆体をセラミック基板部１の上面にスピンコート法・ダイコート法・カーテンコート法・印刷法等の塗布法により塗布し、しかる後、400℃程度の熱で硬化させてポリイ
ミド化させることによって、５μｍ〜３０μｍ程度の厚みの第１樹脂層２１１を形成する。
【００８２】
次に、第１樹脂層２１１の上面に第２樹脂層２１２を形成する。例えば、第２樹脂層２１２が感光性のポリイミド樹脂から成る場合は、感光性を持つ材料を含有したワニス状のポリイミド前駆体を第１樹脂層を形成する場合と同様な方法で塗布して、仮硬化させることで10μｍ〜50μｍ程度の厚みの第２樹脂層２１２（仮硬化膜）を形成する。
【００８３】
次に、回路基板用樹脂シート２１Ａ，２１Ｂを用いる方法と同様に、フォトリソ加工で薄膜導体層２２１を形成するための第１貫通孔２１２ａを第２樹脂層２１２に形成する。具体的には、薄膜導体層の形状に対応した露光用のマスクを、第２樹脂層となる仮硬化膜上に配置して露光した後、薄膜導体層を形成する部分の樹脂を洗浄等により取り除くことで、第１貫通孔２１２ａを形成して第１樹脂層２１１の上面を露出させる。その後４００℃程度に加熱する等して仮硬化膜を完全硬化させて第２樹脂層２１２とする。
【００８４】
次に、レーザー加工によって、第１樹脂層２１１の第１貫通孔２１２ａ内に露出した部分に、薄膜貫通導体２２２に対応する形状の第２貫通孔２１１ａを形成する。
【００８５】
次に、レジスト膜を用いて、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等の
薄膜形成法により、第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａの内面に、0.1μｍ〜
３μｍ程度の厚みの、例えばクロム（Ｃｒ）−銅（Ｃｕ）合金層やチタン（Ｔｉ）−銅（Ｃｕ）合金層から成る金属膜を形成する。そして、内面に金属膜が形成された第１貫通孔２１２ａおよび第２貫通孔２１１ａを、めっき等で銅や金等の電気抵抗の小さい金属で埋める。レジストを剥離して、盛り上がった金属を研磨等で取り除くことで薄膜貫通導体２２２および薄膜導体層２２１を形成できる。薄膜導体層２２１と、貫通孔２１２ａの内面および貫通孔２１２ａ内の第１樹脂層２１１の表面との間に樹脂との密着性の良いクロム、ニッケル、チタンまたはアルミニウムおよびその合金層から成る金属層２２３を形成することができる。
【００８６】
以上のような工程を繰り返すことで、薄膜多層部２を形成することができる。
【００８７】
このよう製造方法で作製された回路基板４もまた、薄膜導体層２２１が、感光性材料を含有する絶縁性樹脂材料から成る第２樹脂層２１２を貫通する貫通孔２１２ａ内に設けられていることから、薄膜導体層２２１の厚みバラつきが小さく、薄膜導体層部２２１の電気抵抗が安定したものとなる。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・・・セラミック基板部
１１・・・・セラミック基板
１１ａ・・・・・セラミック絶縁層
１２・・・・・回路導体
１２１・・・・内部回路導体
１２２・・・・貫通回路導体
１２３・・・・表面回路導体
２・・・・・薄膜多層部
２１・・・・・樹脂基板
２１ａ・・・・樹脂層
２１ｂ・・・・導体付樹脂層
２１Ａ・・・・回路基板用樹脂シート
２１Ｂ・・・・（接着層付き）回路基板用樹脂シート
２１１・・・・・第１樹脂層
２１１ａ・・・・第２貫通孔
２１１ｂ・・・・第１面
２１１ｃ・・・・第２面
２１２・・・・・第２樹脂層
２１２ａ・・・・貫通孔（第１貫通孔）
２１３・・・・・接着層
２１３ａ・・・・第３貫通孔
２２・・・・・薄膜導体
２２１・・・・薄膜導体層
２２２・・・・薄膜貫通導体
２２３・・・・金属層
２２４・・・・端子
２３・・・・接合層
２３１・・・・絶縁接合材
２３１・・・・導電性接合材
２４・・・・薄膜金属部
２４１・・・・薄膜金属層
２４２・・・・薄膜貫通金属
３・・・・・プローブピン
４・・・・回路基板
５・・・・プローブカード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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