(57)【要約】【課題】  基板の下面から電子部品が剥がれてしまうことを低減することが可能な水晶デバイスを提供する。【解決手段】水晶デバイスは、矩形状の基板１１０ａと、基板１１０ａの上面の外周縁に沿って設けられた第一枠体１１０ｂと、基板１１０ａの下面の外周縁に沿って設けられた第二枠体１１０ｂと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１に実装された水晶素子１２０と、第一枠体１１０ｂの上面に接合された蓋体１３０と、基板１１０ａの下面に実装された電子部品１５０と、電子部品１５０の下面と基板１１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０と、第二枠体１１０ｃの内側側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂１９０と、を備えている。【選択図】図１
2018207212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の基板と、
前記基板の上面の外周縁に沿って設けられた第一枠体と、
前記基板の下面の外周縁に沿って設けられた第二枠体と、
前記基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、
前記第一枠体の上面に接合された蓋体と、
前記基板の下面に実装された電子部品と、
前記電子部品の下面と前記基板との間に設けられた第一絶縁性樹脂と、
前記第二枠体の内側側面から前記第一絶縁性樹脂の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えていることを特徴とする水晶デバイス
【請求項２】
請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記第二絶縁性樹脂の熱膨張係数が、前記第一絶縁性樹脂の熱膨張係数と等しいことを特徴とする水晶デバイス
【請求項３】
請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記第二絶縁性樹脂のフィラーの大きさが、前記第一絶縁性樹脂のフィラーの大きさよりも大きくなるように設けられていることを特徴とする水晶デバイス
【請求項４】
請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記第一絶縁性樹脂のガラス転移点が、第二絶縁性樹脂のガラス転移点よりも大きくなるように設けられていることを特徴とする水晶デバイス
【請求項５】
請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記電子部品が、感温素子であることを特徴とする水晶デバイス
【請求項６】
請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記第二枠体が、実装基体であり、
前記基板の下面と接合されていることを特徴とする水晶デバイス
【請求項７】
請求項６記載の水晶デバイスであって、
前記実装基体の上面には設けられた接合パッドと、
前記実装基体の下面に設けられた外部端子と、
前記接合パッドと前記外部端子とを接続するための前記実装基体の開口部内に設けられた導体部と、を備え、
前記実装基体の開口部が、平面視して矩形状であり、
前記導体部が、開口部の四隅に設けられ、
前記導体部の表面には、前記第一絶縁性樹脂又は前記第二絶縁性樹脂が形成されていることを特徴とする水晶デバイス
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に枠体とを有しているパッケージと、第二凹部を設けるために基板の下面に接合された実装基体と、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に実装された電子部品と、を備えた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−８９４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した水晶デバイスは、小型化が進んでおり、電子部品と基板の下面との実装面積も小さくなってきているため、接合界面に応力が発生することで、接合強度が低下してしまう虞があった。
【０００５】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、基板の下面から電子部品が剥がれてしまうことを低減することが可能な水晶デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の外周縁に沿って設けられた第一枠体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた第二枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、第一枠体の上面に接合された蓋体と、基板の下面に実装された電子部品と、電子部品の下面と基板との間に設けられた第一絶縁性樹脂と、第二枠体の内側側面から第一絶縁性樹脂の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の外周縁に沿って設けられた第一枠体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた第二枠体と基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、第一枠体の上面に接合された蓋体と、基板の下面に実装された電子部品と、電子部品の下面と基板との間に設けられた第一絶縁性樹脂と、第二枠体の内側側面から第一絶縁性樹脂の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えている。このように第一絶縁性樹脂の表面に第二絶縁性樹脂が設けられているため、第二絶縁性樹脂により第一絶縁性樹脂及び電子部品が押さえつけられることになるので、電子部品と基板の下面との接続を強固にすることができ、電子部品が基板の下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第一実施形態に係る水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、第一実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの上面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第一実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの基板の上面からみた平面透視図である。
【図４】（ａ）は、第一実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの下面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第一実施形態に係る水晶デバイスを下面からみた透視平面図である。
【図５】第二実施形態に係る水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】（ａ）は、第二実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの上面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第二実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの基板の上面からみた平面透視図である。
【図８】（ａ）は、第二実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの下面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第二実施形態に係る水晶デバイスを下面からみた透視平面図である。
【図９】第三実施形態に係る水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】（ａ）は、第三実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの上面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第三実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの基板の上面からみた平面透視図である。
【図１２】（ａ）は、第三実施形態に係る水晶デバイスを構成するパッケージの下面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、第三実施形態に係る水晶デバイスを下面からみた透視平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第一実施形態）  第一実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と第一枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた第一凹部Ｋ１が形成されている。また、基板１１０ａの下面と第二枠体１１０ｃの内側面によって囲まれた第二凹部Ｋ２が形成されている。また、電子部品１５０の一つである集積回路素子を用いた場合について説明する。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
【００１０】
基板１１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された集積回路素子１５０を実装するためのものである。基板１１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド１１１が設けられており、下面に、集積回路素子１５０を実装するための接続パッド１１５が設けられている。また、基板１１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための電極パッド１１１が設けられている。第二枠体１１０ｃの下面の四隅には、外部端子１１２が設けられている。また、基板１１０の下面の中央には、図４に示されているように、一対の測定パッド１１８が設けられ、その一対の測定パッド１１８を囲むようにして、集積回路素子１５０を実装するための六つの接続パッド１１５が設けられている。また、外部端子１１２は、接続パッド１１５の内の外側にある四つと電気的に接続されている。
【００１１】
基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、図３に示されているように、上面に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０ａの下面に設けられた測定パッド１１８とを電気的に接続するための配線パターン１１３及びビア導体１１４が設けられている。また、基板１１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド１１５及び測定パッド１１８と、第二枠体１１０ｃの下面に設けられた外部端子１１２とを電気的に接続するための接続パターン１１６が設けられている。
【００１２】
第一枠体１１０ｂは、基板１１０ａの上面に配置され、基板１１０ａの上面に第一凹部Ｋ１を形成するためのものである。第一枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。
【００１３】
第二枠体１１０ｃは、基板１１０ａの下面に配置され、基板１１０ａの下面に第二凹部Ｋ２を形成するためのものである。第二枠体１１０ｃは、例えば、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。
【００１４】
電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０ａの上面に一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、図３及び図４に示されているように基板１１０ａの上面に設けられた配線パターン１１３とビア導体１１４を介して、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２と電気的に接続されている。
【００１５】
電極パッド１１１は、図３に示すように、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂによって構成されている。ビア導体１１４は、第一ビア導体１１４ａ、第二ビア導体１１４ｂ及び第三ビア導体１１４ｃによって構成されている。また、配線パターン１１３は、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。測定パッド１１８は、第一測定パッド１１８ａ及び第二測定パッド１１８ｂによって構成されている。第一電極パッド１１１ａは、基板１１０ａに設けられた第一配線パターン１１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン１１３ａの他端は、第一ビア導体１１４ａを介して、第一測定パッド１１８ａと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第一測定パッド１１８ａと電気的に接続されることになる。第二電極パッド１１１ｂは、基板１１０ａに設けられた第二配線パターン１１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン１１３ｂの他端は、第二ビア導体１１４ｂを介して、第二測定パッド１１８ｂと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド１１１ｂは、第二測定パッド１１８ｂと電気的に接続されることになる。また、第一測定パッド１１８ａは、第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続されている。また、第二測定パッド１１８ｂは、第五接続パッド１１５ｅと電気的に接続されている。
【００１６】
外部端子１１２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子１１２は、第二枠体１１０ｃの下面の四隅に設けられている。外部端子１１２は、基板１１０ａの下面に設けられた六つの接続パッド１１５の四つと電気的に接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン１１７に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第三外部端子１１２ｃに接続される。よって、蓋体１３０による第一凹部Ｋ１内のシールド性が向上する。また、第一外部端子１１２ａは、出力端子として用いられ、第二外部端子１１２ｂは、機能端子として用いられ、第四外部端子１１２ｄは、電源電圧端子として用いられる。機能端子は、書込読込端子及び周波数制御端子として用いられる。ここで、書込読込端子は、温度補償用制御データを記憶素子部に書き込んだり、記憶素子部に書き込まれた温度補償用制御データを読み込んだりするための端子のことである。周波数制御端子は、電圧を印加すると発振回路部の可変容量ダイオードの負荷容量を変動させることによって、水晶素子の温度特性を補正させるための端子のことである。
【００１７】
外部端子１１２は、図４（ｂ）に示すように、第二枠体１１０ｃの下面の四隅に設けられ、第一外部端子１１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄによって構成されている。外部端子１１２は、基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１６とそれぞれ電気的に接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、後述する第三ビア導体１１４ｃを介して、封止用導体パターン１１７と電気的に接続されている。よって、第三外部端子１１２ｃは、グランド端子として用いられる。
【００１８】
配線パターン１１３は、基板１１０ａの上面に設けられ、電極パッド１１１から近傍の基板１１０ａのビア導体１１４に向けて引き出されている。また、配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。
【００１９】
ビア導体１１４は、基板１１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン１１３及び測定パッド１１８と電気的に接続されている。ビア導体１１４は、基板１１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。
【００２０】
接続パッド１１５は、集積回路素子１５０を実装するために用いられている。また、接続パッド１１５は、図４に示すように、第一接続パッド１１５ａ、第二接続パッド１１５ｂ、第三接続パッド１１５ｃ、第四接続パッド１１５ｄ、第五接続パッド１１５ｅ及び第六接続パッド１１５ｆによって構成されている。第一接続パッド１１５ａと第一外部端子１１２ａとは、基板１１０ａの下面に設けられた第一接続パターン１１６ａ及び第一導体部１１９ａにより接続されており、第二接続パッド１１５ｂと第一測定パッド１１８ａとは接続されている。第三接続パッド１１５ｃと第三外部端子１１２ｃとは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１６ｂ及び第三導体部１１９ｃにより接続されており、第四接続パッド１１５ｄと第二外部端子１１２ｂとは、基板１１０ａの下面に設けられた第三接続パターン１１６ｃ及び第二導体部１１９ｂにより接続されている。また、第五接続パッド１１５ｅと第二測定パッド１１８ｂとは接続されており、第六接続パッド１１５ｆと第四外部端子１１２ｄとは、基板１１０ａの下面に設けられた第四接続パターン１１６ｄ及び第四導体部１１９ｄにより接続されている。また、接続パターン１１６は、基板１１０ａの下面に設けられ、接続パッド１１５から近傍の外部端子１１２に向けて引き出されている。
【００２１】
封止用導体パターン１１７は、蓋体１３０と接合部材１３１を介して接合する際に、接合部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン１１７は、図３及び図４に示すように、第三ビア導体１１４ｃ及び第三導体部１１９ｃを介して、第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。封止用導体パターン１１７は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、第一枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。
【００２２】
測定パッド１１８は、コンタクトピン等を接触させることによって、水晶素子１２０の特性を測定するためのものである。測定パッド１１８は、第一測定パッド１１８ａ及び第二測定パッド１１８ｂによって構成されている。測定パッド１１８は、基板１１０ａに設けられた配線パターン１１３及びビア導体１１４を介して、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と電気的に接続されている。第一測定パッド１１８ａは、第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続されている。また、第二測定パッド１１８ｂは、第五接続パッド１１５ｅと電気的に接続されている。測定パッド１１８は、平面視して、集積回路素子１５０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと測定パッド１１８との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００２３】
ここで、基板１１０ａの作製方法について説明する。基板１１０ａがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、外部端子１１２、配線パターン１１３、ビア導体１１４、接続パッド１１５、接続パターン１１６、封止用導体パターン１１７、測定パッド１１８及び導体部１１９となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
【００２４】
水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
【００２５】
また、水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、第一引き出し電極１２３ａと、第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。
【００２６】
ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
【００２７】
ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。
【００２８】
水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第二電極パッド１１１ｂと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第一電極パッド１１１ａと接合される。これによって、第二接続パッド１１５ｂ及び第五接続パッド１１５ｅは、第一測定パッド１１８ａ及び第二測定パッド１１８ｂを介して水晶素子１２０と電気的に接続されることになる。
【００２９】
導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
【００３０】
集積回路素子１５０は、例えば、複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられ、その回路形成面（上面）には、周囲の温度状態を検知する温度センサー、水晶素子１２０の温度特性を補償する温度補償データを格納するための記憶素子部、温度補償データに基づいて水晶素子１２０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路部、その温度補償回路部に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路部が設けられている。この発振回路部で生成された出力信号は、パッケージ１１０の第一外部端子１１２ａを介して温度補償型水晶発振器の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
【００３１】
記憶素子部は、ＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭにより構成されている。温度補償関数である下記に示す三次関数のもととなるパラメータ、例えば三次成分調整値α、一次成分調整値β、０次成分調整値γの各値の温度補償用制御データが第二外部端子１１２ｂである書込読込端子から入力され保存される。記憶素子部には、レジスタマップが記憶されている。レジスタマップとは、各アドレスデータに制御データを入力した場合、制御部がそのデータを読み取り、信号を出力し、どのような動作を行なうかを示したものである。
【００３２】
温度補償回路部は、三次関数発生回路や五次関数発生回路等によって構成されている。例えば、三次関数発生回路の場合は、その記憶素子部に入力された温度補償用制御データを読出して、温度補償用制御データから各温度に対して三次関数で導き出された電圧を発生させる。尚、この時の外部の周囲温度は、集積回路素子１５０内の温度センサーより得られる。温度補償回路部は、可変容量ダイオードのカソードと接続されており、温度補償回路部からの電圧が印加される。このように、可変容量ダイオードに温度補償回路部からの電圧を印加することよって、水晶素子１２０の周波数温度特性を補正することにより、周波数温度特性が平坦化される。
【００３３】
集積回路素子１５０は、図２に示すように、基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１６に半田等の導電性接合材１６０を介して実装されている。また、集積回路素子１５０の接続端子１５１は、接続パッド１１６に接続されている。接続パッド１１６は、接続パターン１１６を介して外部端子１１２と電気的に接続されている。この第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、集積回路素子１５０の接続端子１５１の内の一つは、基準電位であるグランドに接続されることになる。
【００３４】
また、集積回路素子１５０内に設けられた温度センサーは、平面視で測定パッド１１８内に位置させるようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、電極パッド１１１から配線パターン１１３及びビア導体１１４を介して、測定パッド１１８に伝わった熱が、測定パッド１１８から放熱され、集積回路素子１５０内に設けられた温度センサーに伝わることになる。よって、温度補償型水晶発振器は、熱伝導経路を短くすることができるので、水晶素子１２０の温度と集積回路素子１５０の温度とが近似することになり、集積回路素子１５０の温度センサーが得た温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。
【００３５】
また、集積回路素子１５０は、図１及び図２に示すように、矩形状であり、その下面に六つの接続端子１５１が設けられている。接続端子１５１は、一辺に沿って三つ設けられており、その一辺と向かい合う一辺に沿って三つ設けられている。集積回路素子１５０の長辺の長さは、０．５〜１．２ｍｍであり、短辺の長さは、０．３〜１．０ｍｍとなっている。集積回路素子１５０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。
【００３６】
導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１７０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。
【００３７】
蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある第一凹部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された第一凹部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の第一枠体１１０ｂ上に載置され、第一枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１７と蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第一枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１７、第三ビア導体１１４ｃを介して第二枠体１１０ｃの下面の第三外部端子１１２ｃに電気的に接続されている。よって、蓋体１３０は、第二枠体１１０ｃの第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。
【００３８】
接合部材１３１は、パッケージ１１０の第一枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１７に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。接合部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。
【００３９】
第一絶縁性樹脂１８０は、図２に示されているように、集積回路素子１５０の接続端子１５１が設けられている面と接続パッド１１５との間に設けられている。また、第一絶縁性樹脂１８０は、集積回路素子１５０の側面に位置するように設けられている。つまり、集積回路素子１５０の下面及び側面には、第一絶縁性樹脂１８０が設けられている。このようにすることにより、第一絶縁性樹脂１８０は、集積回路素子１５０と基板１１０ａの下面との接着強度を高めることができる。また、仮に、水晶デバイスを電子機器等の実装基板の実装パッド上に実装させた際に、半田等の異物が第二凹部Ｋ２内に入り込んだとしても、第一絶縁性樹脂１８０によって、その異物が集積回路素子１５０の接続端子１５１間に付着することを抑えることになるので、集積回路素子１５０の接続端子１５１間の短絡を低減することができる。
【００４０】
また、第一絶縁性樹脂１８０は、測定パッド１１８を覆うように設けられている。このようにすることによって、測定パッド１１８に異物が付着することを抑えることになるので、水晶素子１２０にその異物の付加抵抗が加わることを抑制することができる。従って、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
【００４１】
第二絶縁性樹脂１９０は、図２に示すように、実装基体１６０の側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられている。このように第二絶縁性樹脂１９０が、実装基体１６０の側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられていることによって、第二絶縁性樹脂１９０で第一絶縁性樹脂１８０が押さえつけられることになるので、集積回路素子１５０と基板１１０ａの下面との接続界面に強固に接続することができ、集積回路素子１５０が基板１１０ａの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
【００４２】
また、第二枠体１１０ｃの内側に第二絶縁性樹脂１９０が設けられていることにより、仮に水晶デバイスが実装基板に実装された状態で絶縁性樹脂によりモールドされたとしても、第二枠体１１０ｃと基板１１０ａの下面で形成された第二凹部Ｋ２内に入る絶縁性樹脂の量を制限することができるため、線熱膨張率の違いによる第一絶縁性樹脂１８０及び第二絶縁性樹脂１９０の間の剥がれや基板１１０ａと集積回路素子１５０との間の剥がれを抑えることができる。また、第一絶縁性樹脂１８０及び第二絶縁性樹脂１９０は、エポキシ樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とするコンポジットレジン等の樹脂材料からなる。
【００４３】
また、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数が、第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数と等しくなっている。このような第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０を有する水晶デバイスに熱が印加されても、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数と第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数が等しいため、第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０の界面に亀裂が生じることを抑えるため、集積回路素子１５０と基板１１０ａの接続強度を維持することができる。
【００４４】
第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさが、第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさよりも大きくなるように設けられている。よって、集積回路素子１５０と基板１１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさの方が、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさよりも小さいため、機械的強度を向上させ、第一絶縁性樹脂１８０の歪みを小さくすることができる。また、フィラーの大きい第二絶縁性樹脂１９０の方が、フィラーの小さい第一絶縁性樹脂１８０よりも弾性率が大きくなるため、第一絶縁性樹脂１８０に第二絶縁性樹脂１９０が覆われていることによって、第一絶縁性樹脂１８０の変形を第二絶縁性樹脂１９０によって緩和することができる。
【００４５】
第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点が、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点よりも大きくなるように設けられている。このような水晶デバイスに熱が印加された場合には、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点が、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点よりも小さいため、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点の温度よりも大きくなった際に、第二絶縁性樹脂１９０の方が先にやわらかくなる。よって、第二絶縁性樹脂１９０が第一絶縁性樹脂１８０を覆っているために、第一絶縁性樹脂１８０の変形を柔らかくなった第二絶縁性樹脂１９０により外へ逃がすことができる。従って、集積回路素子１５０が基板１１０ａから剥がれてしまうことを抑えることが可能となる。第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点は、１２０〜１５０℃であり、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点は、１００〜１２０℃である。
【００４６】
第一絶縁性樹脂１８０の基板１１０ａへの形成方法について説明する。コンタクトピンを測定パッド１１８に接触させ、基板１１０ａに接合された水晶素子１２０の特性を測定した後、その樹脂ディスペンサの先端を、第二凹部Ｋ２の隙間に挿入し、第一絶縁性樹脂１８０の注入を行なう。次に第一絶縁性樹脂１８０を加熱し、硬化させる。よって、第一絶縁性樹脂１８０は、集積回路素子１５０と接続パッド１１５との間に設けられる。
【００４７】
蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある第一凹部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された第一凹部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の第一枠体１１０ｂ上に載置され、第一枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１７と蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第一枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１７及び第三ビア導体１１４ｃを介してパッケージ１１０の下面の第三外部端子１１２ｃに電気的に接続されている。
【００４８】
接合部材１３１は、パッケージ１１０の第一枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１７に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。接合部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。
【００４９】
第一実施形態に係る水晶デバイスは、矩形状の基板１１０ａと、基板１１０ａの上面の外周縁に沿って設けられた第一枠体１１０ｂと、基板１１０ａの上面の外周縁に沿って設けられた第二枠体１１０ｂと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１に実装された水晶素子１２０と、第一枠体１１０ｂの上面に接合された蓋体１３０と、基板１１０ａの下面に実装された電子部品（集積回路素子）１５０と、電子部品（集積回路素子）１５０の下面と基板１１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０と、第二枠体１１０ｃの内側側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂１９０と、を備えている。このように第一絶縁性樹脂１８０の表面に第二絶縁性樹脂１９０が設けられているため、第二絶縁性樹脂１９０により第一絶縁性樹脂１８０及び電子部品（集積回路素子）１５０を覆うことになるので、電子部品（集積回路素子）１５０と基板１１０ａの下面との接続を強固にすることができ、電子部品（集積回路素子）１５０が基板１１０ａの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
【００５０】
また、第一実施形態に係る水晶デバイスは、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数が、第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数と等しくなっている。このような第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０を有する水晶デバイスに熱が印加されても、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数と第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数が等しいため、第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０の界面に亀裂が生じることを抑えるため、電子部品（集積回路素子）１５０と基板１１０ａの接続強度を維持することができる。
【００５１】
また、第一実施形態に係る水晶デバイスは、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさが、第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさよりも大きくなるように設けられている。よって、電子部品（集積回路素子）１５０と基板１１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさの方が、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさよりも小さいため、機械的強度を向上させ、第一絶縁性樹脂１８０の歪みを小さくすることができる。また、フィラーの大きい第二絶縁性樹脂１９０の方が、フィラーの小さい第一絶縁性樹脂１８０よりも弾性率が大きくなるため、第一絶縁性樹脂１８０に第二絶縁性樹脂１９０が覆われていることによって、第一絶縁性樹脂１８０の変形を第二絶縁性樹脂１９０によって緩和することができる。
【００５２】
また、第一実施形態に係る水晶デバイスは、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点が、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点よりも大きくなるように設けられている。このような水晶デバイスに熱が印加された場合には、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点が、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点よりも小さいため、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点の温度よりも大きくなった際に、第二絶縁性樹脂１９０の方が先にやわらかくなる。よって、第二絶縁性樹脂１９０が第一絶縁性樹脂１８０を覆っているために、第一絶縁性樹脂１８０の変形を柔らかくなった第二絶縁性樹脂１９０により外へ逃がすことができる。従って、集積回路素子１５０が基板１１０ａから剥がれてしまうことを抑えることが可能となる。
【００５３】
（第二実施形態）  以下、第二実施形態における水晶デバイスについて説明する。なお、第二実施形態における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。第二実施形態における水晶デバイスは、図５〜図６に示されているように、電子部品２５０が感温素子である点において第一実施形態と異なる。
【００５４】
基板２１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された感温素子２５０を実装するための実装部材として機能するものである。基板２１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド２１１が設けられており、下面に、感温素子２５０を実装するための接続パッド２１５が設けられている。また、基板２１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド２１１ａ及び第二電極パッド２１１ｂが設けられている。
【００５５】
基板２１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板２１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板２１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド２１１と、基板２１０ａの下面に設けられた外部端子２１２とを電気的に接続するための配線パターン２１３及びビア導体２１４が設けられている。また、基板２１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド２１５と、第二枠体２１０ｃの下面に設けられた外部端子２１２とを電気的に接続するための接続パターン２１６が設けられている。
【００５６】
第一枠体２１０ｂは、基板２１０ａの上面の外周縁に沿って配置され、基板２１０ａの上面に第一凹部Ｋ１を形成するためのものである。また、第二枠体２１０ｃは、基板２１０ａの下面の外周縁に沿って配置され、基板２１０ａの下面に第二凹部Ｋ２を形成するためのものである。第一枠体２１０ｂ及び第二枠体２１０ｃは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板２１０ａと一体的に形成されている。第二枠体２１０ｃの下面の四隅には、外部端子２１２が設けられている。また、四つの外部端子２１２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されている。また、四つの外部端子２１２の内の二つが、感温素子２５０と電気的に接続されている。また、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子２１２ａ及び第三外部端子２１２ｃは、第二枠体２１０ｃの下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子１５０と電気的に接続されている第二外部端子２１２ｂ及び第四外部端子２１２ｄは、水晶素子１２０と接続されている第一外部端子２１２ａ及び第三外部端子２１２ｃが設けられている対角とは異なる第二枠体２１０ｃの対角に位置するように設けられている。
【００５７】
電極パッド２１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド２１１は、基板２１０ａの上面に一対で設けられており、基板２１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド２１１は、図７及び図８に示されているように基板２１０ａの上面に設けられた配線パターン２１３とビア導体２１４を介して、第二枠体２１０ｃの下面に設けられた外部端子２１２と電気的に接続されている。
【００５８】
電極パッド２１１は、図７に示すように、第一電極パッド２１１ａ及び第二電極パッド２１１ｂによって構成されている。また、外部端子２１２は、図８（ｂ）に示すように第一外部端子２１２ａ、第二外部端子２１２ｂ、第三外部端子２１２ｃ及び第四外部端子２１２ｄによって構成されている。ビア導体２１４は、第一ビア導体２１４ａ、第二ビア導体２１４ｂ、第三ビア導体２１４ｃ及び第四ビア導体２１４ｄによって構成されている。また、配線パターン２１３は、第一配線パターン２１３ａ及び第二配線パターン２１３ｂによって構成されている。第一電極パッド２１１ａは、基板２１０ａに設けられた第一配線パターン２１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン２１３ａの他端は、第一ビア導体２１４ａを介して、第一外部端子２１２ａと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド２１１ａは、第一外部端子２１２ａと電気的に接続されることになる。第二電極パッド２１１ｂは、基板２１０ａに設けられた第二配線パターン２１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン２１３ｂの他端は、第三ビア導体２１４ｃを介して、第三外部端子２１２ｃと電気的に接続されている。
【００５９】
外部端子２１２は、電子機器等の実装基板（図示せず）と電気的に接合するために用いられる。外部端子２１２は、第二枠体２１０ｃの下面の四隅に設けられている。外部端子２１２の内の二つの端子は、基板２１０ａの上面に設けられた一対の電極パッド２１１とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド２１１と電気的に接続されている外部端子２１２は、第二枠体２１０ｃの下面の対角に位置するように設けられている。また、第二外部端子２１２ｂは、第二ビア導体２１４ｂを介して、封止用導体パターン２１７と電気的に接続されている。
【００６０】
配線パターン２１３は、基板２１０ａの上面に設けられ、電極パッド２１１から近傍のビア導体２１４に向けて引き出されている。また、配線パターン２１３は、図７に示すように、第一配線パターン２１３ａ及び第二配線パターン２１３ｂによって構成されている。
【００６１】
ビア導体２１４は、基板２１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン２１３、接続パターン２１６又は、封止用導体パターン２１７と電気的に接続されている。ビア導体２１４は、基板２１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体２１４は、図７及び図８に示すように、第一ビア導体２１４ａ、第二ビア導体２１４ｂ、第三ビア導体２１４ｃ及び第四ビア導体２１４ｄによって構成されている。
【００６２】
接続パッド２１５は、矩形状であり、後述する感温素子２５０を実装するために用いられている。接続パッド２１５は、基板２１０ａの下面の中心付近に隣接するようにして、一対で設けられている。また、接続パッド２１５は、図８に示すように、第一接続パッド２１５ａ及び第二接続パッド２１５ｂによって構成されている。導電性接合材１７０は、接続パッド２１５の下面と感温素子２５０の接続端子２５１との間に設けられている。
【００６３】
第一接続パッド２１５ａと、第二外部端子２１２ｂとは、基板２１０ａの下面に設けられた第一接続パターン２１６ａにより接続されている。また、第二接続パッド２１５ｂと、第四外部端子２１２ｄとは、基板２１０ａの下面に設けられた第二接続パターン２１６ｂにより接続されている。
【００６４】
接続パターン２１６は、基板２１０ａの下面に設けられ、接続パッド２１５から近傍の外部端子２１２に向けて引き出されている。また、接続パターン２１６は、図８に示すように、第一接続パターン２１６ａ及び第二接続パターン２１６ｂによって構成されている。第一接続パターン２１６ａの長さと第二接続パターン２１６ｂの長さは、略等しい長さとなる。ここで、略等しい長さとは、基板２１０ａの下面に設けられた第一接続パターン２１６ａの長さと基板２１０ａの下面に設けられた第二接続パターン２１６ｂの長さとの差が０〜２００μｍ異なるものを含むものとする。接続パターン２１６の長さは、各接続パターン２１６の中心を通る直線の長さを測定したものとする。つまり、第一接続パターン２１６ａの配線長と、第二接続パターン２１６ｂの配線長とが略等しい長さとなることによって、発生する抵抗値が等しくなり、感温素子２５０に付与される負荷抵抗も均一になるため、安定して電圧を出力することが可能となる。
【００６５】
また、第二接続パターン２１６ｂは、平面視して、第一電極パッド２１１ａと重なるようにして設けられている。また、このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、第一電極パッド２１１ａから直下にある基板２１０ａを介して、第二接続パターン２１６ｂから第二接続パッド２１５ｂに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすると共に熱伝導経路の数をさらに増やすことにより、水晶素子１２０の温度と感温素子２５０の温度とが近似することになり、感温素子２５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。
【００６６】
感温素子２５０は、サーミスタ、白金測温抵抗体又はダイオード等が用いられている。サーミスタ素子の場合、感温素子２５０には、直方体形状であり、両端に接続端子２５１が設けられている。感温素子２５０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された電圧から温度情報を得ることができる。感温素子２５０は、後述する接続端子２５１間の電圧が、第二外部端子２１２ｂ及び第四外部端子２１２ｄを介して水晶振動子の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された電圧を温度に換算することで温度情報を得ることができる。このような感温素子２５０を水晶振動子の近くに配置して、これによって得られた水晶振動子の温度情報に応じて、メインＩＣにより水晶振動子を駆動する電圧を制御し、いわゆる温度補償をすることができる。
【００６７】
また、白金測温抵抗体が用いられている場合、感温素子２５０は、直方体形状のセラミック板上の中央に白金を蒸着し、白金電極が設けられている。また、セラミック板の両端には接続端子２５１が設けられている。白金電極と接続端子とは、セラミック板上面に設けられた引き出し電極により接続されている。白金電極の上面を被覆するようにして絶縁性樹脂が設けられている。
【００６８】
また、ダイオードが用いられている場合、感温素子２５０は、半導体素子を半導体素子用基板の上面に実装し、その半導体素子及び半導体素子用基板の上面を絶縁性樹脂で被覆された構造である。半導体素子用基板の下面から側面には、アノード端子及びカソード端子となる接続端子２５１が設けられている。感温素子２５０は、アノード端子からカソード端子へは電流を流すが、カソード端子からアノード端子へはほとんど電流を流さない順方向特性を有している。感温素子の順方向特性は、温度によって大きく変化する。感温素子に一定電流を流しておいて順方向電圧を測定することによって、電圧情報を得ることができる。その電圧情報から換算することで水晶素子の温度情報を得ることができる。ダイオードは、電圧と温度との関係が直線を示している。接続端子２５１のカソード端子及びアノード端子間の電圧が、第二外部端子２１２ｂ及び第四外部端子２１２ｄを介して水晶振動子の外へ出力される。
【００６９】
感温素子２５０は、図６に示すように、基板２１０ａの下面に設けられた接続パッド２１５に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、感温素子２５０の第一接続端子２５１ａは、第一接続パッド２１５ａに接続され、第二接続端子２５１ｂは、第二接続パッド２１５ｂに接続されている。第一接続パッド２１５ａは、基板２１０ａの下面に設けられた第二接続パターン２１６ｂ及び第三ビア導体２１４ｃを介して第三外部端子２１２ｃと接続されている。また、第三外部端子２１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、感温素子２５０の第一接続端子２５１ａは、基準電位であるグランドに接続されることになる。
【００７０】
また、感温素子２５０は、平面視して、水晶素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に位置させていることにより、励振用電極１２２の金属膜によるシールド効果によって感温素子２５０を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極１２２のシールド効果により、感温素子２５０にノイズが重畳することを低減し、感温素子２５０の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子２５０から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子２５０から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。
【００７１】
感温素子２５０の基板２１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサによって接続パッド２１５に塗布される。感温素子２５０は、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、感温素子２５０は、一対の接続パッド２１５に接合される。
【００７２】
また、感温素子１５０がサーミスタ素子の場合には、図５及び図６に示すように、直方体形状の両端にそれぞれ一つずつ接続端子１５１が設けられている。第一接続端子１５１ａは、感温素子１５０の右側面及び上下面に設けられている。第二接続端子１５１ｂは、感温素子１５０の左側面と上下面に設けられている。感温素子１５０の長辺の長さは、０．４〜０．６ｍｍであり、短辺の長さは、０．２〜０．３ｍｍとなっている。感温素子１５０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。
【００７３】
導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。
【００７４】
第二実施形態における水晶デバイスは、電子部品が、感温素子２５０となっている。このようにすることよって、感温素子２５０から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子２５０から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。
【００７５】
（第三実施形態）  以下、第三実施形態における水晶デバイスについて説明する。なお、第二実施形態における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。第三実施形態における水晶デバイスは、図９〜図１０に示されているように、第二枠体１１０ｃが実装基体１６０である点において第一実施形態と異なる。
【００７６】
基板３１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された集積回路素子１５０を実装するためのものである。基板３１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド３１１が設けられており、下面に、集積回路素子１５０を実装するための接続パッド３１５が設けられている。また、基板３１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド３１１ａ及び第二電極パッド３１１ｂが設けられている。基板３１０ａの下面の四隅には、接合端子３１２が設けられている。また、基板３１０ａの下面の中央には、一対の測定パッド３１８が設けられ、その一対の測定パッド３１８を囲むようにして、集積回路素子１５０を実装するための六つの接続パッド３１５が設けられている。また、接合端子３１２は、接続パッド３１５の内の外側にある四つと電気的に接続されている。
【００７７】
基板３１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板３１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板３１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド３１１と、基板３１０ａの下面に設けられた測定パッド３１８とを電気的に接続するための配線パターン３１３及びビア導体３１４が設けられている。また、基板３１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド３１５及び測定パッド３１８と、基板３１０ａの下面に設けられた接合端子３１２とを電気的に接続するための接続パターン３１６が設けられている。
【００７８】
第一枠体３１０ｂは、基板３１０ａの上面に配置され、基板３１０ａの上面に第一凹部Ｋ１を形成するためのものである。枠体３１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板３１０ａと一体的に形成されている。
【００７９】
電極パッド３１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド３１１は、基板３１０ａの上面に一対で設けられており、基板３１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド３１１は、図１１及び図１２に示されているように基板３１０ａの上面に設けられた配線パターン３１３とビア導体３１４を介して、基板３１０ａの下面に設けられた接合端子３１２と電気的に接続されている。
【００８０】
電極パッド３１１は、図１１に示すように、第一電極パッド３１１ａ及び第二電極パッド３１１ｂによって構成されている。ビア導体３１４は、第一ビア導体３１４ａ、第二ビア導体３１４ｂ及び第三ビア導体３１４ｃによって構成されている。また、配線パターン３１３は、第一配線パターン３１３ａ及び第二配線パターン３１３ｂによって構成されている。測定パッド３１８は、第一測定パッド３１８ａ及び第二測定パッド３１８ｂによって構成されている。第一電極パッド３１１ａは、基板３１０ａに設けられた第一配線パターン３１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン３１３ａの他端は、第一ビア導体３１４ａを介して、第二測定パッド３１８ｂと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド３１１ａは、第二測定パッド３１８ｂと電気的に接続されることになる。第二電極パッド３１１ｂは、基板３１０ａに設けられた第二配線パターン３１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン３１３ｂの他端は、第二ビア導体３１４ｂを介して、第一測定パッド３１８ａと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド３１１ｂは、第一測定パッド３１８ａと電気的に接続されることになる。また、第一測定パッド３１８ａは、第五接続パターン３１６ｅを介して、第五接続パッド３１５ｅと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド３１１ａは、第五接続パッド３１５ｅと電気的に接続されることになる。また、第二測定パッド３１８ｂは、第二接続パターン３１６ｂを介して、第二接続パッド３１５ｂと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド３１１ｂは、第二接続パッド３１５ｂと電気的に接続されることになる。
【００８１】
接合端子３１２は、実装基体１６０の接合パッド１６１と電気的に接合するために用いられている。接合端子３１２は、図１２に示すように、基板１１０ａの下面の四隅に設けられ、第一接合端子３１２ａ、第二接合端子３１２ｂ、第三接合端子３１２ｃ及び第四接合端子３１２ｄによって構成されている。接合端子３１２は、基板３１０ａの下面に設けられた接続パッド３１５とそれぞれ電気的に接続されている。また、第二接合端子３１２ｂは、第三ビア導体３１４ｃを介して、封止用導体パターン３１７と電気的に接続されている。
【００８２】
配線パターン３１３は、基板３１０ａの上面に設けられ、電極パッド３１１から近傍の基板３１０ａのビア導体３１４に向けて引き出されている。また、配線パターン３１３は、図１１に示すように、第一配線パターン３１３ａ及び第二配線パターン３１３ｂによって構成されている。
【００８３】
ビア導体３１４は、基板３１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン３１３及び測定パッド３１８と電気的に接続されている。ビア導体３１４は、基板３１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体３１４は、平面視して、図１１及び図１２に示されているように、実装基体１６０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、本実施形態の水晶デバイスは、電子機器等の実装基板上の実装パターンと、ビア導体３１４との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００８４】
接続パッド３１５は、集積回路素子１５０を実装するために用いられている。また、接続パッド３１５は、図１２に示すように、第一接続パッド３１５ａ、第二接続パッド３１５ｂ、第三接続パッド３１５ｃ、第四接続パッド３１５ｄ、第五接続パッド３１５ｅ及び第六接続パッド３１５ｆによって構成されている。第一接続パッド３１５ａと第一接合端子３１２ａとは、基板３１０ａの下面に設けられた第一接続パターン３１６ａにより接続されており、第二接続パッド３１５ｂと第二測定パッド３１８ｂとは、基板３１０ａの下面に設けられた第二接続パターン３１６ｂにより接続されている。第三接続パッド３１５ｃと第四接合端子３１２ｄとは、基板３１０ａの下面に設けられた第三接続パターン３１６ｃにより接続されており、第四接続パッド３１５ｄと第三接合端子３１２ｃとは、基板３１０ａの下面に設けられた第四接続パターン３１６ｄにより接続されている。また、第五接続パッド３１５ｅと第一測定パッド３１８ａとは、基板３１０ａの下面に設けられた第五接続パターン３１６ｅにより接続されており、第六接続パッド３１５ｆと第二接合端子３１２ｂとは、基板３１０ａの下面に設けられた第六接続パターン３１６ｆにより接続されている。また、接続パターン３１６は、基板３１０ａの下面に設けられ、接続パッド３１５から近傍の接合端子３１２または測定パッド３１８に向けて引き出されている。
【００８５】
測定パッド３１８は、コンタクトピン等を接触させることによって、水晶素子１２０の特性を測定するためのものである。測定パッド３１８は、第一測定パッド３１８ａ及び第二測定パッド３１８ｂによって構成されている。測定パッド３１８は、基板３１０ａに設けられた配線パターン３１３及びビア導体３１４を介して、基板３１０ａの上面に設けられた電極パッド３１１と電気的に接続されている。第一測定パッド３１８ａは、第五接続パターン３１６ｅを介して第五接続パッド３１５ｅと電気的に接続されている。また、第二測定パッド３１８ｂは、第二接続パターン３１６ｂを介して第二接続パッド３１５ｂと電気的に接続されている。
【００８６】
また、測定パッド３１８は、平面視して、集積回路素子１５０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと測定パッド３１８との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００８７】
ここで、基板３１０ａの作製方法について説明する。基板３１０ａがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド３１１、接合端子３１２、配線パターン３１３、ビア導体３１４、接続パッド３１５、接続パターン３１６、封止用導体パターン３１７及び測定パッド３１８となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
【００８８】
実装基体１６０は、基板３１０ａの下面と接合され、基板３１０ａの下面に第二凹部Ｋ２を形成するためのものである。実装基体１６０の外形形状は、平面視して、基板１１０ａの外形形状よりも大きくなるように設けられている。実装基体１６０は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板３１０ａの下面と導電性接合材１７０を介して接合される。実装基体１６０の内部には、上面に設けられた接合パッド１６１と、実装基体１６０の下面に設けられた外部端子１６２とを電気的に接続するための導体部１６３が設けられている。実装基体１６０の上面の四隅には、接合パッド１６１が設けられ、下面の四隅には、外部端子１６２が設けられている。また、外部端子１６２は、集積回路素子１５０と電気的に接続されている。
【００８９】
接合パッド１６１は、基板３１０ａの接合端子３１２と導電性接合材１７０を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド１６１は、図５に示すように、第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄによって構成されている。また、外部端子１６２は、図１２（ｂ）に示すように第一外部端子１６２ａ、第二外部端子１６２ｂ、第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄによって構成されている。導体部１６３は、第一導体部１６３ａ、第二導体部１６３ｂ、第三導体部１６３ｃ及び第四導体部１６３ｄによって構成されている。第一接合パッド１６１ａは、第一導体部１６３ａを介して、第一外部端子１６２ａと電気的に接続され、第二接合パッド１６１ｂは、第二導体部１６３ｂを介して、第二外部端子１６２ｂと電気的に接続されている。第三接合パッド１６１ｃは、第三導体部１６３ｃを介して、第三外部端子１６２ｃと電気的に接続され、第四接合パッド１６１ｄは、第四導体部１６３ｄを介して、第四外部端子１６２ｄと電気的に接続されている。
【００９０】
外部端子１６２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子１６２は、実装基体１６０の下面の四隅に設けられている。外部端子１６２は、基板３１０ａの下面に設けられた六つの接続パッド３１５の四つと電気的に接続されている。また、第二外部端子１６２ｂは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン３１７に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第二外部端子１６２ｂに接続される。よって、蓋体１３０による第一凹部Ｋ１内のシールド性が向上する。また、第一外部端子１６２ａは、出力端子として用いられ、第三外部端子１６２ｃは、機能端子として用いられ、第四外部端子１６２ｄは、電源電圧端子として用いられる。機能端子は、書込読込端子及び周波数制御端子として用いられる。ここで、書込読込端子は、温度補償用制御データを記憶素子部に書き込んだり、記憶素子部に書き込まれた温度補償用制御データを読み込んだりするための端子のことである。周波数制御端子は、電圧を印加すると発振回路部の可変容量ダイオードの負荷容量を変動させることによって、水晶素子１２０の温度特性を補正させるための端子のことである。
【００９１】
導体部１６３は、基板３１０ａの上面の接合パッド１６１と、下面の外部端子１６２を電気的に接続するためのものである。導体部１６３は、実装基体１６０の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド１６１で塞ぎ、その下面を外部端子１６２で塞ぐことにより形成されている。
【００９２】
第二凹部Ｋ２の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板３１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、第二凹部Ｋ２の開口部の大きさを説明する。第二凹部Ｋ２の長辺の長さは、０．８〜１．５ｍｍであり、短辺の長さは、０．５〜１．２ｍｍとなっている。
【００９３】
実装基体１６０の基板３１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサ及びスクリーン印刷によって第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄ上に塗布される。基板３１０ａは、基板３１０ａの接合端子３１２が導電性接合材１７０上に位置するようにして搬送され、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。これによって、基板３１０ａの接合端子３１２は、接合パッド１６１に接合される。つまり、基板３１０ａの第一接合端子３１２ａは、第一接合パッド１６１ａと接合され、基板３１０ａの第二接合端子３１２ｂは、第二接合パッド１６１ｂと接合される。また、基板３１０ａの第三接合端子３１２ｃは、第三接合パッド１６１ｃと接合され、基板３１０ａの第四接合端子１１２ｄは、第四接合パッド１６１ｄと接合されることになる。
【００９４】
また、基板３１０ａの接合端子３１２と実装基体１６０の接合パッド１６１とを導電性接合材１７０を介して接合されることで、基板３１０ａと実装基体１６０との間に導電性接合材１７０の厚みと、接合端子３１２と接合パッド１６１の厚みとを足した分の間隙部が設けられる。この間隙部に第一絶縁性樹脂１８０が入りこみ満たすことで、基板３１０ａと実装基体１６０との接合強度を向上させることできる。また、実装基体１６０の外形形状が、平面視して、基板３１０ａの外形形状よりも大きくなるように設けられており、第一絶縁性樹脂１８０は、基板３１０ａの下面の外周縁から実装基体１６０の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられている。このようにすることで、水晶デバイスの全体構造を小型化する場合であっても、基板３１０ａに対する第一絶縁性樹脂１８０の被着面積を広く確保することができるようになり、これによって実装基体１６０を基板３１０ａに対し強固に接合させることが可能となる。
【００９５】
第一絶縁性樹脂１８０は、基板３１０ａの下面と、実装基体１６０との上面との間で設けられた間隙部内に設けられている。このようにすることにより、第一絶縁性樹脂１８０は、基板３１０ａの下面と実装基体１６０の上面との接合強度を向上させることができる。
【００９６】
また、第一絶縁性樹脂１８０は、ビア導体３１４の下面に設けられており、第一絶縁性樹脂１８０にてビア導体３１４の下面の外周縁を基板３１０ａと固定することになる。このようにすることで、仮に、基板３１０ａの反り等が生じても、第一絶縁性樹脂１８０にてビア導体３１４が固定されているため、ビア導体３１４の外周縁と基板３１０ａとの界面からビア導体３１４が剥がれてしまうことを低減することができる。また、ビア導体３１４の外周縁と基板３１０ａとの界面からビア導体３１４が剥がれてしまうことを低減することで、ビア導体３１４と基板３１０ａとの界面に隙間が生じることがなく、基板３１０ａの気密性を向上させることができる。
【００９７】
第二絶縁性樹脂１９０は、実装基体１６０の側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられている。このように第二絶縁性樹脂１９０が、実装基体１６０の側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられていることによって、第二絶縁性樹脂１９０で第一絶縁性樹脂１８０を押さえつけることになるので、集積回路素子１５０と基板３１０ａの下面との接続界面に強固に接続することができ、集積回路素子１５０が基板３１０ａの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
【００９８】
また、第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０は、導体部１６３の表面に形成されている。このようにすることによって、第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０によって、導体部１６３を実装基体１６０に押さえつけられるので、導体部１６３が実装基体１６０から剥がれてしまうことを抑えることができる。よって、このような水晶デバイスは、接合パッド１６１と外部端子１６２との導通不良を低減することが可能となる。
【００９９】
また、実装基体１６０の内側に第二絶縁性樹脂１９０が設けられていることにより、仮に水晶デバイスが実装基板に実装された状態で絶縁性樹脂によりモールドされたとしても、実装基体１６０と基板３１０ａの下面で形成された第二凹部Ｋ２内に入る絶縁性樹脂の量を制限することができるため、線熱膨張率の違いによる第一絶縁性樹脂１８０及び第二絶縁性樹脂１９０の間の剥がれや基板３１０ａと集積回路素子１５０との間の剥がれを抑えることができる。また、第一絶縁性樹脂１８０及び第二絶縁性樹脂１９０は、エポキシ樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とするコンポジットレジン等の樹脂材料からなる。
【０１００】
また、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数が、第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数と等しくなっている。このような第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０を有する水晶デバイスに熱が印加されても、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数と第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数が等しいため、第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０の界面に亀裂が生じることを抑えるため、集積回路素子１５０と基板３１０ａの接続強度を維持することができる。
【０１０１】
第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさが、第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさよりも大きくなるように設けられている。よって、集積回路素子１５０と基板３１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさの方が、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさよりも小さいため、機械的強度を向上させ、第一絶縁性樹脂１８０の歪みを小さくすることができる。また、フィラーの大きい第二絶縁性樹脂１９０の方が、フィラーの小さい第一絶縁性樹脂１８０よりも弾性率が大きくなるため、第一絶縁性樹脂１８０に第二絶縁性樹脂１９０が覆われていることによって、第一絶縁性樹脂１８０の変形を第二絶縁性樹脂１９０によって緩和することができる。
【０１０２】
第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点が、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点よりも大きくなるように設けられている。このような水晶デバイスに熱が印加された場合には、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点が、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点よりも小さいため、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点の温度よりも大きくなった際に、第二絶縁性樹脂１９０の方が先にやわらかくなる。よって、第二絶縁性樹脂１９０が第一絶縁性樹脂１８０を覆っているために、第一絶縁性樹脂１８０の変形を柔らかくなった第二絶縁性樹脂１９０により外へ逃がすことができる。従って、集積回路素子１５０が基板１１０ａから剥がれてしまうことを抑えることが可能となる。第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点は、１２０〜１５０℃であり、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点は、１００〜１２０℃である。
【０１０３】
第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０は、導体部１６３の表面に形成されている。このようにすることによって、第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０によって、導体部１６３を実装基体１６０に押さえつけられるので、導体部１６３が実装基体１６０から剥がれてしまうことを抑えることができる。よって、このような水晶デバイスは、接合パッド１６１と外部端子１６２との導通不良を低減することが可能となる。
【０１０４】
第一絶縁性樹脂１８０の基板３１０ａへの形成方法について説明する。コンタクトピンを測定パッド３１８に接触させ、基板３１０ａに接合された水晶素子１２０の特性を測定した後、その樹脂ディスペンサの先端を、第二凹部Ｋ２の隙間に挿入し、第一絶縁性樹脂１８０の注入を行なう。次に第一絶縁性樹脂１８０を加熱し、硬化させる。よって、第一絶縁性樹脂１８０は、基板３１０ａの下面と、実装基体１６０との上面との間で設けられた間隙部内及び集積回路素子１５０と接続パッド３１５との間に設けられる。
【０１０５】
第三実施形態に係る水晶デバイスは、基板３１０ａの上面に設けられた電極パッド３１１に水晶素子１２０を実装し、蓋体１３０を接合して水晶素子１２０を気密封止した振動子部と、基板３１０ａの下面に実装された電子部品（集積回路素子）１５０と、実装基体１６０に設けられた開口部内に電子部品（集積回路素子）１５０を挿入するようにして、基板３１０ａの下面に接合された実装基体１６０と、電子部品（集積回路素子）１５０の下面と基板３１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０と、実装基体１６０の側面から第一絶縁性樹脂１８０の表面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂１９０と、を備えている。このように第一絶縁性樹脂１８０の表面に第二絶縁性樹脂１９０が設けられているため、第二絶縁性樹脂１９０により第一絶縁性樹脂１８０及び電子部品（集積回路素子）１５０が押さえつけられることになるので、電子部品（集積回路素子）１５０と基板３１０ａの下面との接続を強固にすることができ、電子部品（集積回路素子）１５０が基板３１０ａの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
【０１０６】
また、第三実施形態に係る水晶デバイスは、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数が、第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数と等しくなっている。このような第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０を有する水晶デバイスに熱が印加されても、第二絶縁性樹脂１９０の熱膨張係数と第一絶縁性樹脂１８０の熱膨張係数が等しいため、第一絶縁性樹脂１８０と第二絶縁性樹脂１９０の界面に亀裂が生じることを抑えるため、電子部品（集積回路素子）１５０と基板１１０ａの接続強度を維持することができる。
【０１０７】
また、第三実施形態に係る水晶デバイスは、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさが、第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさよりも大きくなるように設けられている。よって、集積回路素子１５０と基板１１０ａとの間に設けられた第一絶縁性樹脂１８０のフィラーの大きさの方が、第二絶縁性樹脂１９０のフィラーの大きさよりも小さいため、機械的強度を向上させ、第一絶縁性樹脂１８０の歪みを小さくすることができる。また、フィラーの大きい第二絶縁性樹脂１９０の方が、フィラーの小さい第一絶縁性樹脂１８０よりも弾性率が大きくなるため、第一絶縁性樹脂１８０に第二絶縁性樹脂１９０が覆われていることによって、第一絶縁性樹脂１８０の変形を第二絶縁性樹脂１９０によって緩和することができる。
【０１０８】
また、第三実施形態に係る水晶デバイスは、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点が、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点よりも大きくなるように設けられている。このような水晶デバイスに熱が印加された場合には、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点が、第一絶縁性樹脂１８０のガラス転移点よりも小さいため、第二絶縁性樹脂１９０のガラス転移点の温度よりも大きくなった際に、第二絶縁性樹脂１９０の方が先にやわらかくなる。よって、第二絶縁性樹脂１９０が第一絶縁性樹脂１８０を覆っているために、第一絶縁性樹脂１８０の変形を柔らかくなった第二絶縁性樹脂１９０により外へ逃がすことができる。従って、集積回路素子１５０が基板３１０ａから剥がれてしまうことを抑えることが可能となる。
【０１０９】
また、第三実施形態に係る水晶デバイスは、実装基体１６０の上面には設けられた接合パッド１６１と、実装基体１６０の下面に設けられた外部端子１６２と、接合パッド１６１と外部端子１６２とを接続するための実装基体１６０の開口部内に設けられた導体部１６３と、を備え、実装基体１６０の開口部が、平面視して矩形状であり、導体部１６３が、開口部の四隅に設けられ、導体部１６３の表面には、第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０が形成されている。このようにすることによって、第一絶縁性樹脂１８０又は第二絶縁性樹脂１９０によって、導体部１６３を実装基体１６０に押さえつけるので、導体部１６３が実装基体１６０から剥がれてしまうことを抑えることができる。よって、接合パッド１６１と外部端子１６２との導通不良を低減することが可能となる。
【０１１０】
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。
【０１１１】
また、上記実施形態では、導体部１６３が基板内に設けられた場合を説明したが、実装基体１６０の角部に設けられた切れ込みの内部に設けられていても構わない。この際に、導電部は、切り込み内に導体ペーストを印刷するようにして設けられている。
【０１１２】
上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、
基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
【符号の説明】
【０１１３】
１１０、２１０、３１０・・・パッケージ
１１０ａ、２１０ａ、３１０ａ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ、３１０ｂ・・・第一枠体
１１０ｃ、２１０ｃ・・・第二枠体
１１１、２１１、３１１・・・電極パッド
１１２、２１２・・・外部端子
３１２・・・接合端子
１１３、２１３、３１３・・・配線パターン
１１４、２１４、３１４・・・ビア導体
１１５、２１５、３１５・・・接続パッド
１１６、２１６、３１６・・・接続パターン
１１７、２１７、３１７・・・封止用導体パターン
１１８、２１８、３１８・・・測定パッド
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１３１・・・接合部材
１４０・・・導電性接着剤
１５０、２５０・・・電子部品（集積回路素子、感温素子）
１５１・・・接続端子
１６０・・・実装基体
１６１・・・接合パッド
１６２・・・外部端子
１６３・・・導体部
１７０・・・導電性接合材
１８０・・・第一絶縁性樹脂
１９０・・・第二絶縁性樹脂
Ｋ１・・・第一凹部
Ｋ２・・・第二凹部
【図１】
2018207212.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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