(57)【要約】【課題】金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバーと磁性体との組立位置を調整する。【解決手段】第一部材を一方の面から見た外形と、一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する差分量算出部５５と、第一部材の位置を補正して第一部材と第二部材とを組み立てる際の、第二部材に対する第一部材の位置の補正量をズレ量に基づいて抽出する補正量抽出部５７と、第一部材の位置を補正量で補正して、第一部材と第二部材とを組み立てる組立部５８と、を備える。【選択図】図１７
2018207390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する差分量算出手段と、
前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する補正量抽出手段と、
前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる組立手段と、を備えた非可逆回路素子の製造装置。
【請求項２】
前記第一部材の外形は円であり、前記差分量算出手段は、前記第一部材の前記一方の面から見た前記円の寸法と、前記他方の面から見た前記円の寸法とのズレ量を算出する、請求項１に記載の非可逆回路素子の製造装置。
【請求項３】
前記第一部材の外形は円であり、前記差分量算出手段は、前記第一部材の前記一方の面から見た前記円の中心座標と、前記他方の面から見た前記円の中心座標とのズレ量を算出する、請求項１に記載の非可逆回路素子の製造装置。
【請求項４】
前記ズレ量に対応付けて予め算出された補正量を格納する記憶手段をさらに備え、前記補正量抽出手段は、前記算出されたズレ量に対応付けられた補正量を、前記記憶手段から抽出する、請求項１から３の何れか１項に記載の非可逆回路素子の製造装置。
【請求項５】
前記外形を認識する撮像手段をさらに備え、前記差分量算出手段は、前記撮像手段が認識した外形に基づいて、前記相対的なズレ量を算出する、請求項１から４の何れか１項に記載の非可逆回路素子の製造装置。
【請求項６】
第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する工程と、
前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する工程と、
前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる工程と、を備えた非可逆回路素子の製造方法。
【請求項７】
非可逆回路素子の製造装置のコンピュータに、
第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する処理と、
前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する処理と、
前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる処理と、を実行させるためのプログラム。
【請求項８】
組み立てる際の位置の補正量が、一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量に基づいて抽出され、前記組み立てる際の位置が前記補正量で補正された第一部材と、前記第一部材と組み立てられる第二部材と、を備えた、非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子の製造装置、製造方法及びプログラム、並びに非可逆回路素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末や無線通信装置では、高周波信号の回り込みや、パワーアンプの負荷変動を抑止することを目的として、サーキュレータを一例とする非可逆回路素子が使用される。一般的な伝送線路は、入力側と出力側とを入れ替えても動作は変化しないが、非可逆回路素子は、伝搬方向に応じて動作が変化する。サーキュレータは、３ポート（以下、端子ともいう。）又はそれ以上のポート数を有する受動的な電子部品である。
非可逆回路素子は、フェライトなどのフェリ磁性体と、フェリ磁性体に高周波磁界を印加する導体（以下、導体カバーともいう。）と、導体に直流磁界を印加する磁石等とから構成されるのが一般的である。非可逆回路素子には、大きく分けて次の二種類が存在する。
【０００３】
一つ目は、導波管の内部にフェリ磁性体を配置する方式である導波管型である。二つ目は、誘電体基板に形成された伝送線路上に構成される方式である表面実装（ＳＭＴ：Surface Mount Technology）型である。ＳＭＴ型の非可逆回路素子は、誘電体基板にプリント回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）と同一の材料を使用することで、ＰＣＢ内に非可逆回路素子を集積することができる。
【０００４】
ＳＭＴ型の非可逆回路素子は、導波管型と比較して、小型化が容易である。また、ＳＭＴ型の非可逆回路素子は、導波管型と比較して部品点数が少なくて済む。したがって、ＳＭＴ型の非可逆回路素子は、実装が容易である。一方、ＳＭＴ型の非可逆回路素子は、導波管型と比較して、次のような欠点がある。それは、実装時の組み立て誤差に伴い、誘電体基板面に平行な面において、フェライトに対する導体カバーの配置位置のズレが大きくなり易いという点である。
【０００５】
特許文献１には、以下のような技術が開示されている。その技術は、非可逆回路素子を構成するフェリ磁性体と導体カバーとの相対的な位置のばらつきを抑制する技術である。具体的には、フェリ磁性体の側面を、絶縁体を介して位置決め部に接触させることで、非可逆回路素子におけるフェリ磁性体と導体カバーとの相対的な位置のばらつきを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−０７６８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳＭＴ型のサーキュレータの構成要素である導体カバー（以下、金属カバーともいう。）は、金型による抜き加工や曲げ加工を用いて製作される。それは、生産性が高く、生産コストが低く、寸法精度が良いという理由に基づくものである。しかしながら、抜き加工の過程において、どうしてもバリやダレが発生してしまう。すなわち、抜き加工や曲げ加工では、刃物が入ることで丸みが出るダレ、裏面に出てしまう反り返りであるバリが発生してしまう。
【０００８】
サーキュレータに接続する伝送線路は、例えば、１８ＧＨｚといった高周波帯域に対応している。高周波帯域では波長が短くなることから、このバリやダレによる影響は無視できなくなる。すなわち、バリやダレが高い周波数と共振してアンテナとして機能することに伴い、強い電波が放射されてしまうという影響が出てくる。その結果、サーキュレータのリターンロスといった電気的特性の劣化に繋がってしまう。現在のところ、生産性や生産コストなどを考慮した場合、金型による抜き加工や曲げ加工以外に、有効な加工方法が無い状況において、その対策が急務とされている。
【０００９】
特許文献１に開示された技術では、非可逆回路素子を構成するフェリ磁性体と導体カバーとの相対的な位置のばらつきを抑制するため、フェリ磁性体の側面を、絶縁体を介して位置決め部に接触させている。しかしながら、フェリ磁性体と導体カバー以外に、位置決め部といった部材を新たに設け、当該位置決め部にフェリ磁性体の側面を押さえる必要がある。その結果、非可逆回路素子を製造する工数が増すという問題がある。また、特許文献１に開示された技術では、位置決め部を、導体カバーと一体化して形成している。したがって、導体カバーの形状が複雑になるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバーと磁性体との組み立て位置を調整することが可能な非可逆回路素子の製造装置、製造方法及びプログラム、並びに非可逆回路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の非可逆回路素子の製造装置は、第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する差分量算出手段と、前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する補正量抽出手段と、前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる組立手段と、を備える。
【００１２】
また、本発明の非可逆回路素子の製造方法は、第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する工程と、前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する工程と、前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる工程と、を備える。
【００１３】
さらに、本発明のプログラムは、非可逆回路素子の製造装置のコンピュータに、第一部材を一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する処理と、前記第一部材の位置を補正して前記第一部材と第二部材とを組み立てる際の、前記第二部材に対する前記第一部材の前記位置の補正量を前記ズレ量に基づいて抽出する処理と、前記第一部材の位置を前記補正量で補正して、前記第一部材と前記第二部材とを組み立てる処理と、を実行させる。
【００１４】
また、本発明の非可逆回路素子は、組み立てる際の位置の補正量が、一方の面から見た外形と、前記一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量に基づいて抽出され、前記組み立てる際の位置が前記補正量で補正された第一部材と、前記第一部材と組み立てられる第二部材と、を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバーと磁性体との組み立て位置を調整することが可能な非可逆回路素子の製造装置、製造方法及びプログラム、並びに非可逆回路素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態の非可逆回路素子の製造装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。
【図２】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの非可逆回路素子の金属カバーの表面の円の中心を認識する状態の一例を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの非可逆回路素子の金属カバーの表面の円を認識する状態の一例を示す上面図である。
【図４】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの非可逆回路素子の金属カバーの裏面の円の中心を確認する状態の一例を示す斜視図である。
【図５】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの非可逆回路素子の金属カバーの裏面の円を認識する状態の一例を示す下面図である。
【図６】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの製造装置で認識した非可逆回路素子の金属カバーの表面と裏面とから得た位置座標の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの製造装置で認識した非可逆回路素子の金属カバーの表面と裏面との位置座標に基づいて得た円寸法ズレ量と組み立て位置との関係を示すデーブルの一例を示す図である。
【図８】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて組み立て位置を調整して製造した場合と、組み立て位置を調整しないで製造した場合と、金属カバーにダレがない非可逆回路素子を、組み立て位置を調整しないで製造した場合とにおける非可逆回路素子の伝送線路１のリターンロスの関係の一例を示す図である。
【図９】第１実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて組み立て位置を調整して製造した場合と、組み立て位置を調整しないで製造した場合とにおける非可逆回路素子の伝送線路２、３のリターンロスの関係の一例を示す図である。
【図１０】第１実施形態の動作フローの一例を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの非可逆回路素子の金属カバーの裏面の円を認識する状態の一例を示す下面図である。
【図１２】第２実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの製造装置で認識した非可逆回路素子の金属カバーの表面の円中心と裏面の円中心との位置関係の一例を示す図である。
【図１３】第２実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて製造するときの製造装置で認識した非可逆回路素子の金属カバーの表面の円中心と裏面の円中心との位置関係に基づいて得た中心ズレ量と組み立て位置との関係を示すデーブルの一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて組み立て位置を調整して製造した場合と、組み立て位置を調整しないで製造した場合とにおける非可逆回路素子の伝送線路１のリターンロスの関係の一例を示す図である。
【図１５】第２実施形態の非可逆回路素子を非可逆回路素子の製造装置を用いて組み立て位置を調整して製造した場合と、組み立て位置を調整しないで製造した場合とにおける非可逆回路素子の伝送線路２、３のリターンロスの関係の一例を示す図である。
【図１６】第２実施形態の動作フローの一例を示す図である。
【図１７】本発明の第３実施形態の非可逆回路素子の製造装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。
【図１８】サーキュレータの動作を説明する図である。
【図１９】サーキュレータがＰＣＢに実装された状態の一例を示す斜視図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ断面図である。
【図２１】サーキュレータがＰＣＢに実装された状態の一例を示す上面図である。
【図２２】サーキュレータの全体の一例を示す上面図である。
【図２３Ａ】サーキュレータの金属カバーを抜き加工を用いて形成する状態の一例を示す図である。
【図２３Ｂ】抜き加工を行った金属カバーに発生するダレやバリについて説明する図である。
【図２４】フェライトに対して金属カバーがずれた状態で組み立てられたサーキュレータがＰＣＢに実装された状態の一例を示す上面図である。
【図２５】フェライトに対して金属カバーがずれた状態で組み立てられたサーキュレータと、フェライトに対して金属カバーがずれていない状態で組み立てられたサーキュレータとにおける伝送線路１のリターンロスの関係の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
まず、本発明の実施形態の説明に入る前に、サーキュレータについて、図１８を用いて説明する。非可逆回路素子の一例であるサーキュレータ１００は、図１８に示すように、３ポート又はそれ以上のポート数を有する受動的な電子部品である。本明細書では、３ポートのものについて説明を行う。図１８に示すように、ポート１から入力した信号はポート２へ出力される。また、ポート２から入力した信号はポート３へ出力される。また、ポート３から入力した信号はポート１へ出力される。そして、図１８の矢印で示した方向と逆回転方向に信号は伝送しない。なお、サーキュレータ１００の３ポートのうち、１ポートに対して整合を取った負荷を接続するとアイソレータとして機能する。本明細書では、小型化が容易で、ＰＣＢ上に搭載が可能なＳＭＴ型について説明を行う。また、本明細書では、サーキュレータ１００は、フェライトと、信号を通す金属カバーと、永久磁石と、これらの部材が実装される回路基板とを有し、これらの各部材が組み立てられたものをいう。
【００１８】
次に、サーキュレータがＰＣＢに実装された状態について説明する。図１９は、サーキュレータがＰＣＢに実装された状態の一例を示す斜視図である。
図１９において、ＰＣＢ３０にフェライト１０を載置し、フェライト１０の外周面に、金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３の各折り曲げ部２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃを嵌め込むように金属カバー２０を配置する。要するに、フェライト１０の中心と、金属カバー２０の円形状の部分とが対応するように組み立てられる。そして、フェライト１０の中心部の上面と金属カバー２０の中心部の下面とを、接着剤などを用いて接続する。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３は、ＰＣＢ３０上に形成された図示しない伝送線路に接続される。
なお、以下の説明において、３次元方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）を以下のように定義して説明を行う。図１９の右上に示すように、金属カバー接続部２０−２が、図示しないＰＣＢ３０上の伝送線路が形成されている方向に延伸する方向をＸ軸方向とする。また、Ｘ軸方向に直交する方向であって、金属カバー接続部２０−３が、図示しないＰＣＢ３０上の伝送線路が形成されている方向に延伸する先端から、金属カバー接続部２０−１が、図示しないＰＣＢ３０上の伝送線路が形成されている方向に延伸する先端へと結ぶ方向をＹ軸方向とする。さらに、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに直交する方向であって、金属カバー２０の中心部の、フェライト１０に面する側と反対面から延伸する方向をＺ軸方向とする。
【００１９】
次に、サーキュレータがＰＣＢに実装された状態を、図２０の断面図と図２１の上面図を参照しつつ説明する。また、サーキュレータの全体について、図２２の上面図を参照しつつ説明する。
図２０、図２１に示すように、サーキュレータ１００は、表面に配線パターン（例えば、伝送線路）が形成されたＰＣＢ３０上に設けられる。サーキュレータ１００は、フェライト１０と、金属カバー２０と、金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３と、ＰＣＢ上の接続部（伝送線路）３０−１、３０−２、３０−３と、永久磁石４０と、を有する３ポートのＳＭＴ型のものである。フェライト１０の上面は、金属カバー２０を用いて覆われている。フェライト１０の上面と金属カバー２０の中心部の下面とは、接着材等で固定されている。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３と、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−１、３０−２、３０−３とを、ハンダ等で電気的に接続する。永久磁石４０は、ＰＣＢ３０のフェライト１０が実装されている面とは反対側の面に実装される。ここで、ハンダとは、鉛とスズを主成分とした合金であり、電子部品をＰＣＢ３０等に固定するために使われるものである。ハンダには、成分割合の違いでＳｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系などさまざまな種類がある。最近は、環境保全のため、鉛を含まない無鉛ハンダが使われている。
【００２０】
フェライト１０は、例えば、円柱形状を有している。フェライト１０は、ＰＣＢ３０の上面の中央部に配置される。フェライト１０は、ＰＣＢ３０と金属カバー２０との間に挟み込まれる。フェライト１０は、フェリ磁性を有するフェリ磁性体である。フェライト１０は、例えば、ＹＩＧ（Yttrium Iron Garnet）、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト等の物質である。なお、ＰＣＢ３０の上面の中央部に配置される部材は、フェリ磁性を有し、ジャイロ磁気効果を発生させるフェリ磁性体であれば、フェライト１０に限定されない。また、フェライト１０の形状は円柱である必要はなく、多角柱でもよい。フェライト１０は、一般的に誘電率１０を超える高誘電率の誘電体である。したがって、高周波電界は、上面（空気層、Ｚ軸方向）よりも下面（フェライト層、−Ｚ軸方向）に集中する。このため、上面から放射される電磁波を抑制することができる。
【００２１】
金属カバー２０は、円形の金属板で構成される。なお、金属カバー２０に代えて、導電性を有する材料で構成された導体カバーを用いてフェライト１０の上面を覆うようにしてもよい。本明細書では、金属カバー２０の材質として、黄銅やリン青銅といった金属に銀メッキされたものを想定している。金属カバー２０は、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−１、３０−２、３０−３に対して電気的に接続される部分（金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３）が一体的に形成されるものであれば、円形の金属板で構成されていなくてもよい。
【００２２】
金属カバー２０は、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−１、３０−２、３０−３を介して入力された高周波信号を伝達する。金属カバー２０は、入力された高周波信号を、他の伝送線路に出力する。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３の一端は、金属カバー２０の中心側の円形状の外円部（外周面）にある。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３の他端は、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−１、３０−２、３０−３が形成されている方向に延伸する。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３の他端は、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−２、３０−３にハンダで接続される。金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３は、金属カバー２０の側面（−Ｚ軸）方向に折り曲げられる。これにより、折り曲げ部２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃが形成される。さらに、金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３は、ＰＣＢ３０上の伝送線路３０−１、３０−２、３０−３が形成されている方向に折り曲げられる。これにより、金属カバー接続部２０−１、２０−２、２０−３の他端は、ＰＣＢ３０上に位置するように形成される。
【００２３】
図２２に示すように、金属カバー２０において、金属カバー接続部２０−１と金属カバー接続部２０−２との間のなす角度は１２０°である。金属カバー接続部２０−２と金属カバー接続部２０−３との間のなす角度、金属カバー接続部２０−３と金属カバー接続部２０−１との間のなす角度も、同様に１２０°である。
ＰＣＢ３０は、サーキュレータ１００が実装される誘電体回路基板である。誘電体層と金属層とがそれぞれ積層されることで、ＰＣＢ３０が構成される。なお、サーキュレータ１００が実装される回路基板は、ＰＣＢ３０に限定されることなく、その他の構成を有する回路基板であってもよい。配線パターンは、ＰＣＢ３０の上面（表面）及びＰＣＢ３０の下面（裏面）にそれぞれ形成された導体パターンである。配線パターンは、信号線である伝送線路３０−１、３０−２、３０−３と、グラウンドを構成するグラウンドパターン３０−４とを有している。また、伝送線路３０−１、３０−２、３０−３は、パターン幅とパターン長とを調整することで、インピーダンスを整合する役割を有する。
【００２４】
永久磁石４０は、ＰＣＢ３０の下面（裏面）に、フェライト１０と対向する位置に設置されている。永久磁石４０は、フェライト１０に対して磁界を加える。具体的には、永久磁石４０は、フェライト１０の内部に対して、上方（Ｚ軸方向）から下方（−Ｚ軸方向）に向かう直流磁界、又は下方（−Ｚ軸方向）から上方（Ｚ軸方向）に向かう直流磁界を加える。この直流磁界の向きは、金属カバー２０を高周波信号が通過する際に生じるフェライト１０内の高周波磁界に対して垂直な方向である。なお、永久磁石４０は、金属カバー２０を高周波信号が通過する際に生じるフェライト１０内の高周波電磁界に対して垂直な方向に直流磁界を加えるのであれば、ＰＣＢ３０の下面（裏面）以外の位置に設けるようにしてもよい。例えば、フェライト１０と同様に、ＰＣＢ３０の上面（表面）に永久磁石４０を設けるようにしてもよい。
【００２５】
次に、サーキュレータ１００の動作について簡単に説明する。サーキュレータ１００に対して、高周波信号が、給電点から伝送線路３０−１と金属カバー接続部２０−１とを介して、金属カバー２０に入力された場合について考える。金属カバー２０に入力された高周波信号に基づいて、金属カバー２０とＰＣＢ３０との間、すなわち、フェライト１０の内部に、高周波電磁界が発生する。具体的には、ＰＣＢ３０の面に垂直な方向（フェライト１０の高さ方向、Ｚ軸方向）に電界が発生する。また、ＰＣＢ３０の面に平行な方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）に高周波磁界が発生する。フェライト１０の内部には、永久磁石４０が、フェライト１０の高さ方向（フェライト１０上面の法線方向、Ｚ軸方向）に直流磁界を印加する。この直流磁界の方向は、高周波信号に基づいてフェライト１０の内部に生じた高周波磁界と直交する方向である。この直流磁界と高周波磁界とに基づいて、フェライト１０の内部においてジャイロ磁気効果が発生する。これにより、高周波信号がフェライト１０の内部におけるＰＣＢ３０の平面上で回転する。例えば、直流磁界が下方（永久磁石４０側、−Ｚ軸方向）から上方（フェライト１０側、Ｚ軸方向）に印加されている場合、高周波信号は、金属カバー接続部２０−２を介して伝送線路３０−２に出力される。直流磁界が上方（フェライト１０側、Ｚ軸方向）から下方（永久磁石４０側、−Ｚ軸方向）に印加されている場合、高周波信号は、金属カバー接続部２０−３を介して伝送線路３０−３に出力される。このようにして、高周波信号は一方向にのみ出力される。
高周波信号が、給電点から伝送線路３０−２と金属カバー接続部２０−２とを介して、金属カバー２０に入力された場合や、給電点から伝送線路３０−３と金属カバー接続部２０−３を介して金属カバー２０に入力された場合においても、同様の原理を用いることで、高周波信号は一方向にのみに出力される。
【００２６】
サーキュレータ１００で使用される金属カバー２０は、上記したように、金型による抜き加工及び曲げ加工を用いて製作される。その理由は、生産性が高く、生産コストが低く、寸法精度が良いという理由に基づくものである。ここで、図２３Ａ、図２３Ｂを用いて、サーキュレータ１００の金属カバーを抜き加工を用いて形成する状態、及び抜き加工を行った金属カバーに発生するダレやバリについて説明する。
金属カバー２０を製作するために、図２３Ａに示すように材料から抜き加工を行うと、図２３Ｂに示すように、抜き加工の過程において、１００ｕｍ単位といった小さいバリやダレが発生してしまう。そして、例えば、サーキュレータ１００が、１８ＧＨｚといった高い周波数に対応する場合、上記したように、このダレやバリによる影響は無視することができなくなる。このバリやダレによる影響は、リターンロスといったサーキュレータ１００の電気的特性の劣化に繋がる。この点について、以下説明する。
【００２７】
金属カバー２０にバリやダレが発生したため、金属カバー２０とフェライト１０とがずれた状態で、フェライト１０に対して金属カバー２０が嵌め込まれた状態について図２４を参照しつつ説明する。図２４は、フェライト１０に対して金属カバー２０がずれた状態で組み立てられたサーキュレータ１００がＰＣＢ３０に実装された状態の一例を示す上面図である。
金属カバー２０に発生したバリやダレを何ら考慮せずにフェライト１０に対して金属カバー２０を嵌め込んだ場合、図２４に示すように、フェライト１０と金属カバー２０との間には、フェライト１０が金属カバー２０に対してＸ軸方向（右矢印方向）に１００ｕｍずれる組み立て位置ずれが発生する。そして、図２４に示した組み立て位置ずれが発生したサーキュレータ１００と、図示しない組み立て位置ずれが発生していないサーキュレータ１００との間の、リターンロスの関係について図２５を用いて説明する。ここで、リターンロスとは、入射波に対する反射波の比率の逆数を、デシベルで表現したものである。
【００２８】
図２５に示すように、１８ＧＨｚ帯（通過帯域：１７．７ＧＨｚ〜１９．７ＧＨｚ）において、フェライト１０と金属カバー２０との間に組み立て位置ずれがないサーキュレータ１００の伝送線路１におけるリターンロスが−５０ｄＢ以下となっている。これに対し、フェライト１０が金属カバー２０に対してＸ軸方向に１００ｕｍにずれた状態で組み立てられたサーキュレータ１００の伝送線路１におけるリターンロスは、約−１５ｄＢまで劣化していることが分かる。
このように、金属カバー２０のバリやタレを原因とする金属カバー２０のフェライト１０に対する組立位置ズレは、伝送線路１側から見たリターンロスの劣化に大きく影響するということが分かる。現在、サーキュレータ１００をＰＣＢ３０に搭載する自動搭載装置を使用してサーキュレータの実装を行っている。したがって、この実装の際に、フェライト１０に対する金属カバー２０のズレ量を補正することで、組み立て位置ズレのないサーキュレータ１００を得ることが可能になる。以下、サーキュレータ１００をＰＣＢ３０に搭載する自動搭載装置を用いて、フェライト１０と金属カバー２０とを精度良く組み立てる具体的な実施形態について説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態を説明する。図１は、本発明の第１実施形態の非可逆回路素子の製造装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。本実施形態の非可逆回路素子の製造装置（以下、自動搭載機ともいう。）５００は、カメラ（撮像部）５１と、円寸法算出部５２と、円中心座標算出部５３と、ピックアップ部５４と、差分量算出部５５と、補正量格納部５６と、補正量抽出部５７と、組立部５８と、制御部５９とを有する。そして、これらの各ブロックは、バス５０を介して接続されている。制御部５９は、カメラ（撮像部）５１、円寸法算出部５２、円中心座標算出部５３、ピックアップ部５４、差分量算出部５５、補正量格納部５６、補正量抽出部５７、及び組立部５８の動作を制御する。
【００３０】
カメラ（撮像部）５１は、既存の自動搭載機５００に設けられているものをそのまま使用することとしてもよい。カメラ（撮像部）５１は、製造対象であるサーキュレータを構成する金属カバー２０の中心の円形状の部分と、この部分と対応するように組み立てられるフェライト１０とを、金属カバーの表面（Ｚ軸方向）及び裏面（−Ｚ軸方向）から撮影する。すなわち、カメラ（撮像部）５１は、金属カバー２０とフェライト１０との外形を認識する撮像手段として機能する。なお、カメラ（撮像部）５１は、金属カバー２０の中心の円形状の部分を、金属カバーの表面（Ｚ軸方向）から撮影する上カメラと、金属カバーの裏面（−Ｚ軸方向）から撮影する下カメラとから構成されるようにしてもよい。
【００３１】
円寸法算出部５２は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の画像に基づいて、金属カバー２０の表面及び裏面の円の寸法（半径等）を算出する。円中心座標算出部５３は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の画像に基づいて、金属カバー２０の表面及び裏面の円の中心座標を算出する。
ピックアップ部５４は、カメラ（撮像部）５１が金属カバー２０の裏面を撮影する際に、金属カバー２０をピックアップする。差分量算出部５５は、円寸法算出部５２で算出した金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の寸法（半径等）のズレ量を算出する。また、差分量算出部５５は、円中心座標算出部５３で算出した金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の中心座標のズレ量を算出する。
【００３２】
補正量格納部５６は、差分量算出部５５で算出した、金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の寸法（半径等）のズレ量、金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の中心座標のズレ量に対して予め定められた補正量を格納する記憶部である。予め定められた補正量とは、後述する組立部５８が、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てる際に、フェライト１０に対して金属カバー２０の位置を、どの程度ずらして組み立てるかを定めたものである。
補正量抽出部５７は、差分量算出部５５で算出された円の寸法（半径等）のズレ量、又は円の中心座標のズレ量に対応する補正量を、補正量格納部５６から抽出する。
組立部５８は、補正量抽出部５７が補正量格納部５６から抽出した補正量で、金属カバー２０の位置を補正して、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てる。
【００３３】
本実施形態では、自動搭載機５００が具備するカメラ（撮像部）５１、円寸法算出部５２、及び差分量算出部５５が、サーキュレータ１００の構成要素であるフェライト１０と金属カバー２０とのそれぞれの中心位置（ｘ、ｙ）と、金属カバー２０の表面と裏面との円の寸法のズレ量ΔＲとを認識する。そして、円の寸法のズレ量ΔＲに応じて、組立部５８は、フェライト１０に搭載する金属カバー２０の組み立て位置を調整して組み立てを行う。これにより、サーキュレータ１００のリターンロスを一例とする電気特性を改善することとしている。なお、以下の説明では、カメラ（撮像部）５１、円寸法算出部５２、及び差分量算出部５５から構成される自動搭載機５００が有する自動画像処理機能を用いることとしている。しかしながら、ＰＣＢ３０にフェライト１０と金属カバー２０とを実装する図示しない自動表面実装機に、自動搭載機５００が有する自動画像処理機能の一部を設ける構成としてもよい。
【００３４】
（第１実施形態の動作）
次に、本実施形態の自動搭載機５００の動作について説明する。まず、自動搭載機５００は、図２、図３に示すように、カメラ（撮像部）５１の上カメラを使用して、金属カバー２０の中心の円形状の部分の表面（Ｚ軸方向）を撮影する。そして、円寸法算出部５２は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の部分の表面の画像に基づいて、金属カバー２０の円形状の部分の表面の円の寸法（半径等）を算出する。
次に、自動搭載機５００のピックアップ部５４は、金属カバー２０をピックアップする。そして、図４、図５に示すように、カメラ（撮像部）５１の下カメラを使用して、金属カバー２０の中心の円形状の部分の裏面（−Ｚ軸方向）を撮影する。そして、円寸法算出部５２は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の部分の裏面の画像に基づいて、金属カバー２０の円形状の部分の裏面の円の寸法（半径等）を算出する。なお、本実施形態では、金属カバー２０の裏面の円の半径は、表面の円の半径よりも、１００ｕｍ小さいものと仮定して説明する。また、金属カバー２０の中心の円形状の部分の表面及び裏面の中心座標と、フェライト１０の表面及び裏面の中心座標とは、一致しているものと仮定して説明する。
【００３５】
上カメラと下カメラとを使用して撮影した金属カバー２０の表面と裏面との円形状の部分の画像データに基づいて、円寸法算出部５２は、以下の計算を行う。カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円を構成する位置座標のうち、少なくとも３点の位置座標が分かれば、円寸法算出部５２は、円の中心と、円の半径とを算出することができる。例えば、図６に示すように、円寸法算出部５２は、金属カバー２０の円から３点の位置座標を抽出する。例えば、位置座標を（ｘ，ｙ）とした場合、円寸法算出部５２は、点Ａの位置座標（ｘ，ｙ）＝（３，１）、点Ｂの位置座標（ｘ，ｙ）＝（４，−４）、点Ｃの位置座標（ｘ，ｙ）＝（−１，−５）を抽出する。そして、これらの値を、方程式ｘ２＋ｙ２＋ａｘ＋ｂｙ＋ｃ＝０に代入すると、点Ａ：３ａ＋ｂ＋ｃ＝−１０、点Ｂ：４ａ−４ｂ＋ｃ＝−３２、点Ｃ：−ａ−５ｂ＋ｃ＝−２６という連立方程式になる。この連立方程式を解くと、（ａ，ｂ，ｃ）＝（−２，４，−８）が求まる。これにより、円の方程式は、ｘ２＋ｙ２−２ｘ＋４ｙ−８＝０となる。この式を変形すると、（ｘ−１）２＋（ｙ＋２）２＝１３となる。すなわち、点Ａ、点Ｂ、点Ｃを通る円の中心座標を（ｘ１，ｙ１）としたとき、（ｘ１，ｙ１）＝（１，−２）となる。また、点Ａ、点Ｂ、点Ｃを通る円の半径は、√１３となる。
【００３６】
この方法を用いることで、金属カバー２０の表面の円から導出される円の方程式は、（ｘ−ｘ１）２＋（ｙ−ｙ１）２＝Ｒ１２となる。すなわち、金属カバー２０の表面の円は、中心（ｘ１，ｙ１）で半径Ｒ１の円となる。同様に、金属カバー２０の裏面の円から導出される方程式は、（ｘ−ｘ１）２＋（ｙ−ｙ１）２＝（Ｒ１−１００ｕｍ）２となる。すなわち、金属カバー２０の裏面の円は、中心（ｘ１，ｙ１）で半径（Ｒ１−１００ｕｍ）の円となる。したがって、差分量算出部５５は、金属カバー２０の表面の円寸法に対する金属カバー２０の裏面の円寸法のズレ量を、ΔＲ＝−１００ｕｍと算出する。
【００３７】
次に、補正量抽出部５７は、補正量格納部５６から、差分量算出部５５が算出した上記ズレ量に対応する補正量を抽出する。この点について図７を用いて説明する。図７は、自動搭載機５００で認識した金属カバー２０の表面と裏面との位置座標に基づいて得た円寸法ズレ量と、このズレ量に対する金属カバー２０とフェライト１０との組み立て位置との関係を示すデーブルの一例である。このテーブルは、事前評価に基づいて、予め決定されているものとする。
【００３８】
補正量抽出部５７は、金属カバー２０の表面と裏面との間に円寸法のずれ量がない場合、すなわち、（Δｘ，Δｙ）＝（０，０）の場合と比較して、差分量算出部５５で算出したズレ量ΔＲ＝−１００ｕｍに対応する金属カバー２０とフェライト１０との組み立て位置として、図７のテーブルから（ΔＸ，ΔＹ）＝（＋２５ｕｍ，０）を抽出する。なお、フェライト１０の表面には、金属カバー２０をフェライト１０に搭載する直前に接着剤が塗布されている。そして、自動搭載機５００は、フェライト１０の上に金属カバー２０をＸ軸方向に＋２５ｕｍずらした状態で搭載する。これにより、金属カバー２０とフェライト１０とは固着化し、一体化する。その後、金属カバー２０とフェライト１０とが一体化した部材を、図示しない自動表面実装機を使用してＰＣＢ３０に搭載する。そして、自動表面実装機を用いて、リフロー処理を行う。ここで、リフロー処理とは、予めＰＣＢ３０上に常温で付けておいたクリームハンダを、後工程で加熱することで溶解させてハンダ付けする処理をいう。そして、加熱処理を行う炉をリフロー炉という。
【００３９】
金属カバー２０にダレが生じておらず、組み立て位置の調整を行っていないサーキュレータ、金属カバー２０にダレが生じているが、本実施形態の自動搭載機５００を用いた金属カバー２０の組み立て位置の調整を行っていないサーキュレータ、及び本実施形態の自動搭載機５００を用いて金属カバー２０の組み立て位置の調整を行ったサーキュレータのリターンロスの関係を図８、図９を用いて説明する。図８は、伝送線路１の場合、図９は、伝送線路２、３の場合をそれぞれ示している。
１８ＧＨｚ帯（通過帯域：１７．７ＧＨｚ〜１９．７ＧＨｚ）において、伝送線路１（図８）では、金属カバー２０の金型抜き加工によるダレが生じていない場合、リターンロス特性として−３０ｄＢ以上を確保している（実線）。金型抜き加工によるダレが生じ、金属カバー２０の表裏面間に円寸法のズレが発生することで、リターンロス特性として−２２ｄＢ程度まで劣化する（長点線）。本実施形態による金属カバー２０とフェライト１０との間の組み立て位置の調整を行った結果、リターンロス特性が−２５ｄＢまで改善していることが分かる（短点線）。伝送線路２、３（図９）では、金型抜き加工によるダレが生じ、金属カバー２０の表裏面間に円寸法のズレが発生することで、リターンロス特性として−２３ｄＢ程度まで劣化する（長点線）。本実施形態による金属カバー２０とフェライト１０との間の組み立て位置の調整を行った結果、リターンロス特性が−２５ｄＢまで改善していることが分かる（短点線）。
【００４０】
次に、本実施形態の動作フローを、図１０を用いて説明する。図１０は、本実施形態の動作フローの一例を示す図である。
図１０において、ステップＳ１０１の処理において、カメラ（撮像部）５１は、上カメラを用いて金属カバー２０の表面の円形状を撮影する。ステップＳ１０２の処理において、ピックアップ部５４は、金属カバー２０をピックアップする。ステップＳ１０３の処理において、カメラ（撮像部）５１は、下カメラを用いて金属カバー２０の裏面の円形状を撮影する。
【００４１】
ステップＳ１０４の処理において、円寸法算出部５２は、ステップＳ１０１の処理で撮影した金属カバー２０の表面の円形状と、ステップＳ１０３の処理で撮影した金属カバー２０の裏面の円形状とに基づいて、金属カバー２０の表面の円寸法と裏面の円寸法とを算出する。ステップＳ１０５の処理において、差分量算出部５５は、ステップＳ１０４の処理において算出した金属カバー２０の表面と裏面との円寸法に基づいて、両者のズレ量を算出する。ステップＳ１０６の処理において、補正量抽出部５７は、ステップＳ１０５の処理で算出されたズレ量に対応する補正量を、補正量格納部５６から抽出する。ステップＳ１０７の処理において、組立部５８は、ステップＳ１０６の処理において抽出された補正量に基づいて、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てて処理を終了する。
【００４２】
本実施形態では、金属カバー２０を表面から見た外形と裏面から見た外形の一例として、金属カバー２０の中心の円形状の部分の円の寸法を使用している。そして、差分量算出部５５が、金属カバー２０の表面から見た円の寸法と、裏面から見た円の寸法との相対的なズレ量を算出している。具体的には、補正量抽出部５７が、サーキュレータの構成要素であるフェライト１０と金属カバー２０とのそれぞれの中心位置（ｘ、ｙ）と、金属カバー２０のダレ量、すなわち金属カバー２０の表裏面間の円寸法ズレ量ΔＲとに基づいて、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てる際の金属カバー２０の補正量を抽出している。そして、組立部５８が、金属カバー２０の位置を、この補正量で補正して、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てることとしている。これにより、金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバーと磁性体との組立位置を調整することができる。さらに、サーキュレータの特性を改善することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態との違いは、差分量算出部５５が、金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の寸法（半径等）のズレ量を算出することに代えて、金属カバー２０の円形状の部分の表面と裏面との間における円の中心座標のズレ量を算出する点である。すなわち、図１の円寸法算出部５２の代わりに、円中心座標算出部５３を使用する点である。具体的には、第１実施形態は、金属カバー２０の円形状の部分に均等にダレが生じていることを想定している。これに対し、本実施形態は、ダレが金属カバー２０の円形状の部分にばらついて生じており、表面の円の中心と裏面の円の中心とが異なる場合を想定している。この点以外は、第１実施形態と同様であるので、第１実施形態と重複する部分についての詳細な説明は省略する。
【００４４】
（第２実施形態の動作）
次に、本実施形態の自動搭載機５００の動作について説明する。まず、自動搭載機５００は、図２、図３に示すように、カメラ（撮像部）５１の上カメラを使用して、金属カバー２０の中心の円形状の部分の表面（Ｚ軸方向）を撮影する。そして、円中心座標算出部５３は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の部分の表面の画像に基づいて、金属カバー２０の円形状の部分の表面の円の中心座標を算出する。
次に、自動搭載機５００のピックアップ部５４は、金属カバー２０をピックアップする。そして、図４、図１１、図１２に示すように、カメラ（撮像部）５１の下カメラを使用して、金属カバー２０の中心の円形状の部分の裏面（−Ｚ軸方向）を撮影する。そして、円中心座標算出部５３は、カメラ（撮像部）５１で撮影した金属カバー２０の円形状の部分の裏面の画像に基づいて、金属カバー２０の円形状の部分の裏面の円の中心座標を算出する。なお、本実施形態では、図１２に示すように、金属カバー２０の裏面の円の中心座標は、表面の中心座標よりも、Ｘ軸方向に１００ｕｍだけずれているものと仮定して説明する。
【００４５】
上カメラと下カメラとを使用して撮影した金属カバー２０の表面と裏面との円形状の画像データに基づいて、円中心座標算出部５３は、以下の方程式を導出する。まず、金属カバー２０の表面の円形状から導出される方程式は、（ｘ−ｘ１）２＋（ｙ−ｙ１）２＝Ｒ１２となる。その結果、円中心座標算出部５３は、中心座標が（ｘ１，ｙ１）で、半径がＲ１の円であることを算出する。同様に、金属カバー２０の裏面の円から導出される方程式は、（ｘ−ｘ１−１００ｕｍ）２＋（ｙ−ｙ１）２＝Ｒ２２となる。その結果、円中心座標算出部５３は、中心座標が（ｘ１＋１００ｕｍ，ｙ１）で、半径がＲ２の円であることを算出する。したがって、差分量算出部５５は、金属カバー２０の表面の円の中心座標に対する、金属カバー２０の裏面の円の中心座標のズレ量を、（Δｘ，Δｙ）＝（ｘ１＋１００ｕｍ−ｘ１，ｙ１−ｙ１）＝（＋１００ｕｍ，０）と算出する。
【００４６】
次に、補正量抽出部５７は、補正量格納部５６から、差分量算出部５５が算出した上記ズレ量に対応する補正量を抽出する。この点について図１３を用いて説明する。図１３は、自動搭載機５００で認識した金属カバー２０の表面と裏面との位置座標に基づいて得た円の中心座標のズレ量と、このズレ量に対する金属カバー２０とフェライト１０との組み立て位置との関係を示すデーブルの一例である。このテーブルは、事前評価に基づいて、予め決定されているものとする。
【００４７】
補正量抽出部５７は、金属カバー２０の表面と裏面との間に円の中心座標のズレ量がない場合、すなわち、（Δｘ，Δｙ）＝（０，０）の場合と比較して、差分量算出部５５で算出した（Δｘ，Δｙ）＝（＋１００ｕｍ，０）に対応する金属カバー２０とフェライト１０との組み立て位置として、図１３のテーブルから（ΔＸ，ΔＹ）＝（−５０ｕｍ，０）を抽出する。なお、フェライト１０の表面には、金属カバー２０をフェライト１０に搭載する直前に接着剤が塗布されている。そして、自動搭載機５００は、フェライト１０の上に金属カバー２０をＸ軸方向に＋１００ｕｍずらした状態で搭載する。この後の処理は、第１実施形態において説明した処理と同様である。
【００４８】
金属カバー２０にダレが生じているが、本実施形態の自動搭載機５００を用いた金属カバー２０の組み立て位置の調整を行っていないサーキュレータ、及び本実施形態の自動搭載機５００を用いて金属カバー２０の組み立て位置の調整を行ったサーキュレータのリターンロスの関係を図１４、図１５を用いて説明する。図１４は、伝送線路１の場合、図１５は、伝送線路２、３の場合をそれぞれ示している。
１８ＧＨｚ帯（通過帯域：１７．７ＧＨｚ〜１９．７ＧＨｚ）において、伝送線路１（図１４）では、金型抜き加工によるダレが生じ、金属カバー２０の表裏面間に円中心のズレが発生することで、リターンロス特性として−２１ｄＢ程度まで劣化する（実線）。本実施形態による金属カバー２０とフェライト１０との間の組み立て位置の調整を行った結果、リターンロス特性が−２７ｄＢまで改善していることが分かる（長短点線）。伝送線路２、３（図１５）では、金型抜き加工によるダレが生じ、金属カバー２０の表裏面間に円中心のズレが発生することで、リターンロス特性として−２４ｄＢ程度まで劣化する（実線）。本実施形態による金属カバー２０とフェライト１０との間の組み立て位置の調整を行った結果、リターンロス特性が−２７ｄＢまで改善していることが分かる（長点線）。
【００４９】
次に、本実施形態の動作フローを、図１６を用いて説明する。図１６は、本実施形態の動作フローの一例を示す図である。
図１６において、ステップＳ１６１の処理からステップＳ１６３までの処理及びステップＳ１６７の処理とは、第１実施形態の図１０におけるステップＳ１０１からステップＳ１０３までの処理、及びステップＳ１０７の処理と同様であるから、詳細な説明を省略する。
ステップＳ１６４の処理において、円中心座標算出部５３は、ステップＳ１６１の処理で撮影した金属カバー２０の表面の円形状と、ステップＳ１６３の処理で撮影した金属カバー２０の裏面の円形状とに基づいて、金属カバー２０の表面の円の中心座標と裏面の円の中心座標とを算出する。ステップＳ１６５の処理において、差分量算出部５５は、ステップＳ１６４の処理において算出した金属カバー２０の表面と裏面との間の円の中心座標に基づいて、両者のズレ量を算出する。ステップＳ１６６の処理において、補正量抽出部５７は、ステップＳ１６５の処理で算出されたズレ量に対応する補正量を、補正量格納部５６から抽出する。
【００５０】
本実施形態では、金属カバー２０を表面から見た外形と裏面から見た外形の一例として、金属カバー２０の中心の円形状の部分の円の中心座標を使用している。そして、差分量算出部５５が、金属カバー２０の表面から見た円の中心座標と、裏面から見た円の中心座標との相対的なズレ量を算出している。具体的には、補正量抽出部５７が、サーキュレータの構成要素であるフェライト１０と金属カバー２０のそれぞれの中心位置（ｘ、ｙ）と、金属カバー２０のダレ量、すなわち、金属カバー２０の表裏面間の円の中心座標のズレ量（Δｘ、Δｙ）とに基づいて、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てる際の金属カバー２０の補正量を抽出している。そして、組立部５８が、金属カバー２０の位置を、この補正量で補正して、金属カバー２０とフェライト１０とを組み立てることとしている。これにより、金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバーと磁性体との組立位置を調整することができる。さらに、サーキュレータの特性を改善することができる。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態を説明する。図１７は、本発明の第３実施形態の非可逆回路素子の製造装置の一例を示す概略ブロック図である。本実施形態の非可逆回路素子の製造装置５０１は、差分量算出部５５と、補正量抽出部５７と、組立部５８とを有する。
差分量算出部５５は、第一部材を一方の面から見た外形と、一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量を算出する。
補正量抽出部５７は、第一部材の位置を補正して第一部材と第二部材とを組み立てる際の、第二部材に対する第一部材の位置の補正量をズレ量に基づいて抽出する。
組立部５８は、第一部材の位置を補正量で補正して、第一部材と第二部材とを組み立てる。
【００５２】
本実施形態では、組立部５８が、第一部材を一方の面から見た外形と、一方の面と対向する他方の面から見た外形との相対的なズレ量に基づいて抽出した補正量に基づいて、第一部材の位置を補正して第一部材と第二部材とを組み立てることとしている。これにより、金属カバーの形状を何ら変更することなく、簡単に金属カバー（第一部材）と磁性体（第二部材）との組み立て位置を調整することが可能になるのである。
【００５３】
なお、非可逆回路素子の製造装置の図示しない記憶部に格納されているコンピュータプログラムは、記録媒体で提供されてもよく、また、インターネット等のネットワークを介して提供されてもよい。記録媒体は、コンピュータ使用可能媒体又はコンピュータ可読媒体であって、磁気、光、電子、電磁気、赤外線などを用いて情報の記録又は読み取りが可能な媒体を含む。そのような媒体として、例えば、半導体メモリ、半導体または固体の記憶装置、磁気テープ、取外し可能なコンピュータディスケット、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ（Random Access Memory））、読出し専用メモリ（ＲＯＭ（Read Only Memory））、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクなどがある。
【００５４】
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０    フェライト
２０    金属カバー
２０−１、２０−２、２０−３    金属カバー接続部
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ    折り曲げ部
３０    ＰＣＢ
３０−１、３０−２、３０−３    伝送線路
４０    永久磁石
５０    バス
５１    カメラ（撮像部）
５２    円寸法算出部
５３    円中心座標算出部
５４    ピックアップ部
５５    差分量算出部
５６    補正量格納部
５７    補正量抽出部
５８    組立部
５９    制御部
１００    サーキュレータ
５００    自動搭載機
５０１    非可逆回路素子の製造装置
【図１】
2018207390.tif 000003
【図２】
2018207390.tif 000004
【図３】
2018207390.tif 000005
【図４】
2018207390.tif 000006
【図５】
2018207390.tif 000007
【図６】
2018207390.tif 000008
【図７】
2018207390.tif 000009
【図８】
2018207390.tif 000010
【図９】
2018207390.tif 000011
【図１０】
2018207390.tif 000012
【図１１】
2018207390.tif 000013
【図１２】
2018207390.tif 000014
【図１３】
2018207390.tif 000015
【図１４】
2018207390.tif 000016
【図１５】
2018207390.tif 000017
【図１６】
2018207390.tif 000018
【図１７】
2018207390.tif 000019
【図１８】
2018207390.tif 000020
【図１９】
2018207390.tif 000021
【図２０】
2018207390.tif 000022
【図２１】
2018207390.tif 000023
【図２２】
2018207390.tif 000024
【図２３Ａ】
2018207390.tif 000025
【図２３Ｂ】
2018207390.tif 000026
【図２４】
2018207390.tif 000027
【図２５】
2018207390.tif 000028