(57)【要約】【課題】周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板のアクティブエリアに複数配列された第１電極と、第１電極と対向し、第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、アクティブエリアの外側の周辺領域に設けられる第３電極と、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を、第１電極及び第３電極に供給する駆動回路と、を有する。【選択図】図１７
2018190347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板のアクティブエリアに複数配列された第１電極と、
前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
前記アクティブエリアの外側の周辺領域に設けられる少なくとも１つの第３電極と、
所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を、前記第１電極及び前記第３電極に供給する駆動回路と、を有する表示装置。
【請求項２】
前記第１電極を順次選択する走査回路を備え、
前記駆動回路は、選択された前記第１電極と、前記第３電極とに同時に前記駆動信号を供給する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記走査回路は、１検出面の検出を行う期間内に時分割に設けられた複数の検出期間において、前記検出期間ごとに順次前記第１電極を選択し、
前記駆動回路は、前記検出期間ごとに異なる前記第１電極に前記駆動信号を供給するとともに、複数の前記検出期間の全てにおいて前記第３電極に前記駆動信号を供給する請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記走査回路は、１つの前記検出期間において１つの前記第１電極を選択する請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記走査回路は、１つの前記検出期間において同時に２つの前記第１電極を選択する請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記走査回路は、少なくとも２回の前記検出期間において、同じ２つの前記第１電極を選択し、
前記駆動回路は、少なくとも２回の前記検出期間において、選択された２つの前記第１電極及び前記第３電極に前記駆動信号を供給する請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記走査回路は、複数の前記検出期間において、２つの前記第１電極ごとにずらして前記第１電極を選択する請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第１電極との間の静電容量変化及び前記第３電極との間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号を検出器に出力する請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は、平面視で第１方向に複数配列され、前記第１方向と交差する第２方向に延出し、
前記第３電極は前記第１方向に対向して複数設けられており、前記第１方向に対向する前記第３電極の間に複数の前記第１電極が配置される請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、平面視で前記第１方向に延出し、前記第２方向に複数配列され、
前記第３電極は、前記第２電極の端部と対向して配置される請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第３電極は、さらに前記第１電極の端部と対向する位置の前記周辺領域にも設けられる請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第３電極は、前記第１電極及び前記第２電極と異なる層に配置される請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
前記第３電極は、前記カバー基板の前記周辺領域に設けられる請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記駆動回路は、前記第１電極に前記駆動信号を供給する第１駆動回路と、前記第３電極に前記駆動信号を供給する第２駆動回路とを含む請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記基板の前記アクティブエリアにおいて行列配置された複数の画素電極と、
画像表示機能を発揮する表示機能層と、を有する請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
画像表示を行う表示期間において、前記駆動回路は、前記第１電極に表示用の駆動信号を供給する請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている（例えば特許文献１参照）。このようなタッチ検出機能付き表示装置において、アクティブエリアの周辺部の周辺領域に入力機能を有するボタンが配置される。このような入力用ボタンをタッチパネルや表示装置の周辺領域に一体化する技術について知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１９９６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
タッチ検出用の電極や駆動構成を用いて、周辺領域における入力操作の検出を行う場合、周辺領域の指等の被検出体と検出電極との距離が大きくなる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのまま周辺領域の被検出体の検出に採用すると、良好に検出を行うことが困難となる可能性がある。特許文献１に記載のタッチ検出機能付き表示装置は、符号分割選択駆動によりタッチ検出を行う。符号分割選択駆動は、複数の駆動電極を同時に選択して、異なる位相の駆動信号を、選択された駆動信号にそれぞれ供給してタッチ検出を行う。しかし、特許文献１には、周辺領域の検出について記載されていない。
【０００５】
本発明は、周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板のアクティブエリアに複数配列された第１電極と、前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、前記アクティブエリアの外側の周辺領域に設けられる少なくとも１つの第３電極と、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を、前記第１電極及び前記第３電極に供給する駆動回路と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。
【図３】図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。
【図６】図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。
【図７】図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。
【図８】図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１０】図１０は、表示領域の画素配列を表す回路図である。
【図１１】図１１は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。
【図１２】図１２は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。
【図１３】図１３は、カバー基板の平面図である。
【図１４】図１４は、第２電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。
【図１５】図１５は、第２電極と第３電極との関係を拡大して模式的に示す平面図である。
【図１６】図１６は、第１電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。
【図１７】図１７は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための駆動電極ブロックの説明図である。
【図１８】図１８は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための駆動信号のタイミング波形図である。
【図１９】図１９は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図２０】図２０は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図２１】図２１は、被検出体が第１電極に接触又は近接した場合の、センサ出力信号の説明図である。
【図２２】図２２は、被検出体が２つの第３電極に対して接触又は近接した場合の、センサ出力信号の説明図である。
【図２３】図２３は、ＣＤＭ駆動の動作の他の例を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図２４】図２４は、ＣＤＭ駆動の動作の他の例を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図２５】図２５は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【図２６】図２６は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。
【図２７】図２７は、第１の実施形態に係る駆動回路の他の例を示す回路図である。
【図２８】図２８は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の平面図である。
【図２９】図２９は、第１変形例に係るカバー基板の平面図である。
【図３０】図３０は、第１の実施形態の第２変形例に係る、第１電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。
【図３１】図３１は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための駆動電極ブロックの説明図である。
【図３２】図３２は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための駆動信号のタイミング波形図である。
【図３３】図３３は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図３４】図３４は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【図３５】図３５は、第２の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【図３６】図３６は、第２の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。
【図３７】図３７は、入力ロジック信号を示す波形図である。
【図３８】図３８は、第２の実施形態の変形例に係る駆動回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各要素の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御回路１１と、検出制御回路１１Ａと、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、第１駆動回路１４Ａと、第２駆動回路１４Ｂと、検出回路４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示領域２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。
【００１０】
表示パネル１０は、表示領域２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示領域２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチセンサ３０の電極や基板等に兼用される。
【００１１】
表示領域２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示領域２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示領域２０は、映像信号Ｖｄｉｓｐの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル１０は、表示領域２０の上に、タッチセンサ３０を装着した装置であってもよい。また、表示領域２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１２】
制御回路１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１駆動回路１４Ａ、検出制御回路１１Ａ及び検出回路４０に制御信号を供給する。制御回路１１は、主として表示装置１の表示動作を制御する回路である。検出制御回路１１Ａは、制御回路１１から供給された制御信号に基づいて、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂに制御信号を供給する。検出制御回路１１Ａは、主として表示装置１の検出動作を制御する回路である。
【００１３】
ゲートドライバ１２は、制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。
【００１４】
ソースドライバ１３は、表示領域２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御回路１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。
【００１５】
第１駆動回路１４Ａは、表示パネル１０の第１電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。また、第１駆動回路１４Ａは、相互静電容量方式のタッチ検出の際に、表示パネル１０の第１電極ＣＯＭＬに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。第２駆動回路１４Ｂは、相互静電容量方式のタッチ検出の際に、表示パネル１０の第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂの両方、或いは、第３電極５３Ａ又は第３電極の少なくとも一方に検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。さらに、第２駆動回路１４Ｂは、自己静電容量方式のタッチ検出の際に、第１電極ＣＯＭＬに駆動信号ＶｃｏｍＡを供給し、又は、第２電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。
【００１６】
本実施形態において、制御回路１１は、表示領域２０により表示を行う表示動作と、タッチセンサ３０により被検出体を検出する検出動作とを時分割で行う。検出制御回路１１Ａは、検出動作において、所定の符号に基づいて制御信号を生成して第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂに制御信号を供給する。第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、検出制御回路１１Ａからの制御信号に基づいて、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂにそれぞれ供給する。
【００１７】
タッチセンサ３０は、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行う。タッチセンサ３０は、接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ１を検出回路４０に出力する。また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行うこともできる。タッチセンサ３０は、自己静電容量方式により接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ２を検出回路４０に出力する。
【００１８】
本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を表す。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を表す。
【００１９】
検出回路４０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、制御回路１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。また、検出回路４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、制御回路１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ２とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する。検出回路４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
【００２０】
検出回路４０は、検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６と、を備える。検出タイミング制御回路４６は、制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５とが同期して動作するように制御する。
【００２１】
タッチ検出において、検出信号増幅回路４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換回路４３は、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２に同期したタイミングで、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２２】
信号処理回路４４は、Ａ／Ｄ変換回路４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、検出回路４０はタッチ検出が可能となる。
【００２３】
座標抽出回路４５は、信号処理回路４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出回路４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御回路１１に出力してもよい。制御回路１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【００２４】
なお、検出回路４０の検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６とは、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出回路４０の全部又は一部の機能は外部の制御基板やプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出回路４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されており、検出回路４０は、信号処理回路４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
【００２５】
次に、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。
【００２６】
図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅回路４２に含まれる積分回路である。
【００２７】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。
【００２８】
非接触状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図４参照））に変換する。
【００２９】
図２及び図３に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非存在状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１１として作用する。そして、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１（図４参照））に変換する。
【００３０】
この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。
【００３１】
検出回路４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出回路４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００３２】
次に、図５から図８を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【００３３】
図５左図は、非接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１が充電される。図５右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３との接続がオフされ、スイッチＳＷ２により、検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。
【００３４】
図６左図は、接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ３に近接している指により生じる容量Ｃｘ２も充電される。図６右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３がオフされ、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷と容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。
【００３５】
ここで、図５右図に示す放電時（非接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図６右図に示す放電時（接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、容量Ｃｘ２の有無により、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判定している。
【００３６】
具体的には、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図８参照）が印加される。図７に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ４、Ｖ５）に変換する。
【００３７】
図８において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ６に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ３の電位も電圧Ｖ６に上昇する。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２、図６参照）によって、検出電極Ｅ３の電位は電圧Ｖ６が維持される。さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。
【００３８】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図８の検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ２）は、非接触状態では、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃｘ１×Ｖ６／Ｃ５となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ６／Ｃ５となる。
【００３９】
その後、時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出回路４０は自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００４０】
次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図９は、実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、カバー部材５と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。カバー部材５は、対向基板３の表面に垂直な方向に対向して、対向基板３に対して画素基板２の反対側に配置される。また、液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。
【００４１】
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、第１電極ＣＯＭＬと、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図９では省略して示す）が設けられる。
【００４２】
第１電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して第１電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、第１電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと重なって配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。
【００４３】
なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。
【００４４】
画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられ、表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘが供給される。第１電極ＣＯＭＬは、表示動作の際に直流の電圧信号である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給され、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。また、第１電極ＣＯＭＬは、相互静電容量方式のタッチ検出における駆動電極として機能する。さらに、第１電極ＣＯＭＬは、自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。
【００４５】
本実施形態において、画素電極２２及び第１電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００４６】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた第２電極ＴＤＬと、偏光板３５Ａとを有する。第２電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。第２電極ＴＤＬは、相互静電容量方式のタッチ検出及び自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。
【００４７】
本実施形態において、第２電極ＴＤＬは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。又は、第２電極ＴＤＬは、メッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状のパターンを有する金属細線により構成されていてもよい。この場合、第２電極ＴＤＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。
【００４８】
カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
【００４９】
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜（図９では省略して示す）が配設されている。
【００５０】
カバー部材５は、カバー基板５１と、着色層５２と、第３電極５３Ａ、５３Ｂと、第３電極５４Ａ、５４Ｂ（図９では図示しない）とを含む。カバー基板５１は、画素基板２及び対向基板３を覆って保護するための保護部材である。カバー基板５１は、ガラス基板であってもよく、樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。カバー基板５１の一方の面である第１面５１ａが、画像が表示される表示面であり、被検出体が接触又は近接する検出面である。カバー基板５１の他方の面、すなわち第１面５１ａと反対側の第２面５１ｂは、対向基板３と対向し、図示しない接着層を介して対向基板３と接着される。
【００５１】
カバー基板５１の第２面５１ｂに着色層５２が設けられている。着色層５２は、周辺領域Ｇｄに設けられる。着色層５２が設けられているため、ソースドライバ１３、第１駆動回路１４Ａ、第２駆動回路１４Ｂ等の各種回路や配線等が外部から視認されることを抑制することができる。着色層５２は、例えば、光の透過を抑制するように着色された樹脂材料や、金属材料が用いられた加飾層である。
【００５２】
カバー基板５１の第２面５１ｂにおいて、着色層５２と重なる位置に、第３電極５３Ａ、５３Ｂが設けられている。図９では図示しない第３電極５４Ａ、５４Ｂも着色層５２と重なる位置に設けられる。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、相互静電容量方式のタッチ検出における駆動電極として機能する。また、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、相互静電容量方式のタッチ検出における検出電極又は駆動電極として機能する。
【００５３】
第１基板２１の下側には、図示しない照明装置（バックライト）が設けられる。照明装置は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明装置からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００５４】
次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図１０は、実施形態に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図９参照）には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。
【００５５】
図１０に示す表示領域２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と第１電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図１０に示す保持容量６ｂが形成される。
【００５６】
図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００５７】
この表示動作を行う際、図１に示す第１駆動回路１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各第１電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、第１駆動回路１４Ａは、アクティブエリアＡｄの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。
【００５８】
図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００５９】
次に、第１電極ＣＯＭＬ、第２電極ＴＤＬ、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂの構成と、タッチ検出動作について説明する。図１１は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１２は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。図１３は、カバー基板の平面図である。図１１は、第１電極ＣＯＭＬ、第２電極ＴＤＬ、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂの配置の関係を模式的に示している。また、図１３は、カバー基板５１の第２面５１ｂを示している。
【００６０】
図１１に示すように、表示装置１において、アクティブエリアＡｄと、周辺領域Ｇｄとが設けられている。本明細書において、アクティブエリアＡｄは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。周辺領域Ｇｄは、カバー基板５１の外周よりも内側で、かつ、アクティブエリアＡｄよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域ＧｄはアクティブエリアＡｄを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域Ｇｄは額縁領域とも言える。なお、「外側」とは、カバー基板５１の中央から端部に向かう方向である。また、「内側」とは、外側とは反対方向である。
【００６１】
図１１に示すように、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極ＴＤＬは、アクティブエリアＡｄに設けられている。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、周辺領域Ｇｄに設けられている。図１１及び図１２に示すように、第１電極ＣＯＭＬは、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに複数配列される。言い換えると、第１電極ＣＯＭＬは、アクティブエリアＡｄの長辺に沿って延出し、アクティブエリアＡｄの短辺に沿って複数配列される。第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ第２方向Ｄｙに長手を有する矩形状である。
【００６２】
本実施形態において、第１方向Ｄｘは、アクティブエリアＡｄの一辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと交差する方向である。第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していても良いし、９０°で直交していてもよい。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向は、第１基板２１の厚み方向である。
【００６３】
第２電極ＴＤＬは、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに複数配列される。第２電極ＴＤＬは、平面視で第１電極ＣＯＭＬと交差して配置される。第１電極ＣＯＭＬと第２電極ＴＤＬとの交差部分において、静電容量が形成される。
【００６４】
この構成により、相互静電容量方式のタッチ検出を行う際、第１駆動回路１４Ａは第１電極ＣＯＭＬを時分割的に順次走査して、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。そして、第１電極ＣＯＭＬと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓが電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、アクティブエリアＡｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。
【００６５】
図１２に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７２が設けられている。第１電極ＣＯＭＬの端部とフレキシブル基板７２との間の周辺領域Ｇｄに、駆動走査回路１４Ｃ、ソースドライバ１３及び表示用ＩＣ１９が設けられている。駆動走査回路１４Ｃは、駆動対象となる第１電極ＣＯＭＬを順次選択するスキャナ回路である。また、第１電極ＣＯＭの延出方向に沿う周辺領域Ｇｄ、つまり第１基板２１の周辺領域Ｇｄの長辺側において、ゲートドライバ１２が設けられている。
【００６６】
第２基板３１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７１が設けられている。フレキシブル基板７１に検出用ＩＣ１８が設けられている。フレキシブル基板７１は、接続端子７１Ａを介して第１基板２１の表示用ＩＣ１９或いはフレキシブル基板７２と電気的に接続される。
【００６７】
表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御回路１１として機能する。また、検出回路４０の機能の一部は、検出用ＩＣ１８に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。なお、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。また、図１に示す第１駆動回路１４Ａは、表示用ＩＣ１９或いは検出用ＩＣ１８に含まれていてもよい。第２駆動回路１４Ｂは、検出用ＩＣ１８に含まれていてもよい。これに限定されず、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第１基板２１に設けられていてもよく、外部の制御基板に備えられていてもよい。
【００６８】
本実施形態の表示装置１において、第１電極ＣＯＭＬは、平面視でゲート線ＧＣＬ（図１０参照）と交差する方向に延出する。これにより、第１電極ＣＯＭＬに接続される配線（図示は省略する）や、駆動走査回路１４Ｃ等の回路を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域Ｇｄに設けることができる。具体的には、例えば、図１２に示すように、ゲートドライバ１２は、周辺領域Ｇｄの長辺に設けられ、駆動走査回路１４Ｃ等の回路や表示用ＩＣ１９は周辺領域Ｇｄの短辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、第１電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域Ｇｄの狭額縁化に有利である。なお、これに限定されず、第１電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬ（図１０参照）と交差する方向、すなわち第１方向Ｄｘに延出してもよい。この場合、第２電極ＴＤＬは、第１電極ＣＯＭＬと交差するように、第２方向Ｄｙに延出する。
【００６９】
図１１に示すように、第３電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第３電極５３Ｂは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに対向して配置される。平面視で、第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとの間に第１電極ＣＯＭＬと第２電極ＴＤＬとが配置される。言い換えると、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極ＴＤＬと重ならない位置に設けられる。第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとは、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと平行な方向に延出する。第３電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、最も外側に配置された２つの第１電極ＣＯＭＬの一方に対向して配置され、第３電極５３Ｂは、最も外側に配置された２つの第１電極ＣＯＭＬの他方に対向して配置される。また、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、第２電極ＴＤＬの端部と対向して配置される。
【００７０】
第３電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、アクティブエリアＡｄの第２方向Ｄｙの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第３電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、アクティブエリアＡｄの第２方向Ｄｙの長さよりも短くてもよい。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれアクティブエリアＡｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。
【００７１】
図１１に示すように、第３電極５４Ａは、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第３電極５４Ｂは、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第３電極５４Ａと第３電極５４Ｂとは、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに対向して配置される。平面視で、第３電極５３Ａ、第３電極５３Ｂ、第３電極５４Ａ及び第３電極５４Ｂで囲まれた範囲内に第１電極ＣＯＭＬと第２電極ＴＤＬとが配置される。言い換えると、第３電極５４Ａ及び第３電極５４Ｂは、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極ＴＤＬと重ならない位置に設けられる。第３電極５４Ａと第３電極５４Ｂとは、平面視で、第２電極ＴＤＬと平行な方向に延出するとともに、第１電極ＣＯＭＬの端部と対向して配置される。言い換えると、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、第１電極ＣＯＭＬの端部と対向する位置の周辺領域Ｇｄに配置される。本実施形態では、第３電極５３Ａ、第３電極５３Ｂは、周辺領域Ｇｄの左右の辺に配置され、第３電極５４Ａ、第３電極５４Ｂは、周辺領域Ｇｄの上下の辺に配置される。
【００７２】
第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ、アクティブエリアＡｄの短辺に沿った方向に延出する。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ、第３電極５３Ａ、５３Ｂの端部と間隔を有して配置される。第３電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、アクティブエリアＡｄの第１方向Ｄｘの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第３電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、アクティブエリアＡｄの第１方向Ｄｘの長さよりも短くてもよい。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれアクティブエリアＡｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。
【００７３】
図１３に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、カバー基板５１の第２面５１ｂの周辺領域Ｇｄに設けられる。第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、着色層５２と重なって配置されるので、外部から視認されることが抑制される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂとして、良好な導電性を有する金属材料を用いることができる。第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成されてもよく、或いは、これらの材料で形成された導電層が複数積層された積層体としてもよい。
【００７４】
図１３に示すように、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７３が設けられる。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ配線ＬＡ、配線ＬＢを介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。第３電極５４Ａは、配線ＬＣを介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。第３電極５４Ｂは、配線ＬＤ１、ＬＤ２を介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。配線ＬＤ１は、第３電極５４Ｂの一方の端部に接続され、第３電極５３Ｂに沿って延出してフレキシブル基板７３に接続される。配線ＬＤ２は、第３電極５４Ｂの他方の端部に接続され、第３電極５３Ａに沿って延出してフレキシブル基板７３に接続される。
【００７５】
フレキシブル基板７３は、図１２に示すフレキシブル基板７１、７２が設けられる位置と対応する周辺領域Ｇｄに設けられる。フレキシブル基板７３は、図１２に示す第１基板２１、或いはフレキシブル基板７１又はフレキシブル基板７２と電気的に接続される。このような構成により、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。
【００７６】
検出用ＩＣ１８に含まれる第２駆動回路１４Ｂは、フレキシブル基板７３、配線ＬＡ、ＬＢを介して、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。また、第３電極５４Ａ、５４Ｂから出力されたセンサ出力信号Ｖｓは、配線ＬＣ、ＬＤ１、ＬＤ２、フレキシブル基板７３を介して、検出用ＩＣ１８に含まれる電圧検出器ＤＥＴに供給される。
【００７７】
図１３に示すように、第３電極５３Ａと配線ＬＤ２との間にガード配線８２が設けられる。ガード配線８２は、第３電極５３Ａ及び配線ＬＤ２とそれぞれ離隔して、第３電極５３Ａ及び配線ＬＤ２に沿って延出する。また、第３電極５３Ｂと配線ＬＤ１との間にガード配線８１が設けられる。ガード配線８１は、第３電極５３Ｂ及び配線ＬＤ１とそれぞれ離隔して、第３電極５３Ｂ及び配線ＬＤ１に沿って延出する。
【００７８】
第３電極５４Ａと配線ＬＢとの間にガード配線８３が設けられている。ガード配線８３は、第３電極５４Ａ及び配線ＬＢとそれぞれ離隔して、第３電極５４Ａ及び配線ＬＢに沿って延出する。さらに配線ＬＡと配線ＬＣとの間にガード配線８４が設けられている。ガード配線８４は配線ＬＡ及び配線ＬＣと離隔して、配線ＬＡ及び配線ＬＣに沿って延出する。
【００７９】
ガード配線８１、８２、８３、８４は、それぞれフレキシブル基板７３に接続される。タッチ検出の際に、第２駆動回路１４Ｂはガード配線８１、８２、８３、８４に直流の電圧信号を供給する。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂ、第３電極５４Ａ、５４Ｂと、各種配線ＬＡ、ＬＢ、ＬＣ、ＬＤ１、ＬＤ２との間の容量結合が抑制されるので、検出感度を向上させることができる。
【００８０】
このように第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂを設けることにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂと、アクティブエリアＡｄに設けられた第２電極ＴＤＬとの間の容量変化、又は、第３電極５４Ａ、５４Ｂと、アクティブエリアＡｄに設けられた第１電極ＣＯＭＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄへのタッチ入力を検出することができる。
【００８１】
図１４は、第２電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。図１５は、第２電極と第３電極との関係を拡大して模式的に示す平面図である。図１６は、第１電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。図１４に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第２電極ＴＤＬの延出方向の端部よりも外側に配置される。図１１に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂに対して、複数の第２電極ＴＤＬの端部が対向して配置される。このような構成により、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間に静電容量が形成される。
【００８２】
図１４に示すように、第２駆動回路１４Ｂは駆動信号Ｖｃｏｍ２を第３電極５３Ａ、５３Ｂに供給する。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆが生じる。なお、図１４では、第３電極５３Ａの電気力線Ｅｆのみ示している。電気力線Ｅｆは、周辺領域Ｇｄの第３電極５３Ａから、カバー基板５１の第１面５１ａよりも上側に延びて、アクティブエリアＡｄの第２電極ＴＤＬに向かって延びる。
【００８３】
アクティブエリアＡｄと周辺領域Ｇｄの境界近傍、又は周辺領域Ｇｄにおいて、カバー基板５１の第１面５１ａに被検出体が接触又は近接した場合、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間に形成されるフリンジ分の電気力線Ｅｆが遮られる。第２電極ＴＤＬは、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓを電圧検出器ＤＥＴに出力する。上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいて、電圧検出器ＤＥＴは検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。このように、第３電極５３Ａ、５３Ｂを設けることにより、被検出体を検出可能な領域が、アクティブエリアＡｄの外周よりも外側に拡張され、周辺領域Ｇｄにおいて被検出体を検出することができる。具体的には、第３電極５３Ａ、５３Ｂを設けることで、第１電極ＣＯＭＬの配列方向（第１方向Ｄｘ）における検出範囲を拡張することができる。
【００８４】
なお、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、平面視で、第２基板３１の端部３１ａ、３１ｂよりも外側に配置されることが好ましい。こうすれば、第２基板３１の周辺領域Ｇｄに設けられた各種配線と、第３電極５３Ａ、５３Ｂとの間に形成される寄生容量を低減できる。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。
【００８５】
図１４に示すように、第３電極５３Ａの端部５５ａは、カバー基板５１の一方の端部５１ｃの近傍に配置されることが好ましい。また、第３電極５３Ａの端部５５ａは、カバー基板５１の一方の端部５１ｃと一致する位置に配置されることが好ましい。第３電極５３Ｂの端部５５ｂは、カバー基板５１の他方の端部５１ｄの近傍に配置されることが好ましい。第３電極５３Ｂの端部５５ｂは、カバー基板５１の他方の端部５１ｄと一致する位置に配置されることが好ましい。
【００８６】
第３電極５３Ａ、５３Ｂを金属で形成する場合に、腐食を防ぐ等の目的で第３電極５３Ａ、５３Ｂを覆う保護膜を形成してもよい。この場合、第３電極５３Ａ、５３Ｂをカバー基板５１の端部５１ｃ、５１ｄまで形成することができない。第３電極５３Ａの端部５５ａとカバー基板５１の端部５１ｃとの距離を距離ｄ１とし、第３電極５３Ｂの端部５５ｂとカバー基板５１の端部５１ｄとの距離を距離ｄ２とする。距離ｄ１及び距離ｄ２は、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。こうすれば、カバー基板５１の端部５１ｃ、５１ｄの近傍において、良好に被検出体を検出することができる。
【００８７】
図１５に示すように、第２電極ＴＤＬの端部にパッド３８が設けられている。接続配線３７は、パッド３８に接続されて、第２方向Ｄｙに延出する。接続配線３７は、フレキシブル基板７１（図１２参照）に接続され、検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。第３電極５３Ａは、第２電極ＴＤＬの端部よりも外側に配置され、第２電極ＴＤＬと重ならない位置に配置される。また、第３電極５３Ａは、接続配線３７の一部分と重なっていてもよい。なお、図１５では図示しない第３電極５３Ｂについても同様に接続配線３７の一部分と重なっていてもよい。このような構成により、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄの幅を小さくすることができる。
【００８８】
図１６に示すように、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、第１電極ＣＯＭＬの延出方向の端部よりも外側に配置される。図１１に示すように、第３電極５４Ａ、５４Ｂに対して、複数の第１電極ＣＯＭＬの端部が対向して配置される。このような構成により、第３電極５４Ａ、５４Ｂと第１電極ＣＯＭＬとの間に静電容量が形成される。
【００８９】
図１６に示すように、第１駆動回路１４Ａは駆動信号Ｖｃｏｍ１を第１電極ＣＯＭＬに供給する。これにより、第１電極ＣＯＭＬと第３電極５４Ａ、５４Ｂとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆが生じる。なお、図１６では、第３電極５４Ａの電気力線Ｅｆのみ示している。電気力線Ｅｆは、アクティブエリアＡｄの第１電極ＣＯＭＬから、カバー基板５１の第１面５１ａよりも上側まで延びて、周辺領域Ｇｄの第３電極５４Ａ、５４Ｂに向かって延びる。
【００９０】
アクティブエリアＡｄと周辺領域Ｇｄの境界近傍、又は周辺領域Ｇｄにおいて、カバー基板５１の第１面５１ａに被検出体が接触又は近接した場合、第１電極ＣＯＭＬと第３電極５４Ａ、５４Ｂとの間に形成されるフリンジ分の電気力線Ｅｆが遮られる。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、第３電極５４Ａ、５４Ｂと第１電極ＣＯＭＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓを電圧検出器ＤＥＴに出力する。上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいて、電圧検出器ＤＥＴは検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。
【００９１】
このように、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、タッチ検出の検出電極として機能する。これにより、被検出体を検出可能な領域が、アクティブエリアＡｄの外周よりも外側に拡張され、周辺領域Ｇｄにおいて被検出体を検出することができる。具体的には、第３電極５４Ａ、５４Ｂを設けることで、第２電極ＴＤＬの配列方向（第２方向Ｄｙ）における検出範囲を拡張することができる。
【００９２】
なお、第３電極５４Ａは、フレキシブル基板７３が接続された周辺領域Ｇｄに設けられているので、第３電極５４Ａの端部５５ｃとカバー基板５１の端部５１ｅとの距離は、距離ｄ１及び距離ｄ２（図１４参照）よりも大きい。また、第３電極５４Ｂの端部５５ｄとカバー基板５１の端部５１ｆとの距離は、距離ｄ１及び距離ｄ２と同様に、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。第３電極５４Ｂの端部５５ｄとカバー基板５１の端部５１ｆとの距離は、１００μｍよりも大きくてもよい。
【００９３】
また、図９、図１４及び図１６に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂは、カバー基板５１に設けられ、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極ＴＤＬと異なる層に配置される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第３電極５４Ａ、５４Ｂを第１基板２１又は第２基板３１の周辺領域Ｇｄに設ける構成と比較して、第１基板２１又は第２基板３１の狭額縁化に有利であり、又、第１基板２１又は第２基板３１に設けられる各種配線や回路等の配置の制約を少なくすることができる。
【００９４】
図１４に示すように、電気力線Ｅｆは、周辺領域Ｇｄの第３電極５３Ａ、５３Ｂから、アクティブエリアＡｄの第２電極ＴＤＬに向かって延びる。このため、周辺領域Ｇｄの外縁近傍に被検出体が接触又は近接した場合、被検出体により遮られる電気力線Ｅｆの本数が少ない。したがって、周辺領域Ｇｄでの接触状態と非接触状態とで、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間の静電容量変化が小さくなり、良好なタッチ検出感度が得られない可能性がある。
【００９５】
（符号分割選択駆動）
次に、本実施形態の検出動作の一例として、符号分割選択（ＣＤＭ：Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）駆動によるタッチ検出を説明する。なお、以下の説明では、符号分割選択駆動をＣＤＭ駆動と表す。図１７は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための駆動電極ブロックの説明図である。図１８は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための駆動信号のタイミング波形図である。図１９は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。図２０は、ＣＤＭ駆動の動作を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【００９６】
図１７に示すように、第１方向Ｄｘに第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）、ＣＯＭＬ（ｎ＋１）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）が配列される。以下の説明において、これらを区別して説明する必要がない場合には、単に第１電極ＣＯＭＬと表す。駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬとして、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち１つの第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）を順次選択する。
【００９７】
検出制御回路１１Ａは、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）ごとにＣＤＭ駆動を行う。駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）は、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂの３つの電極を含む。この場合、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、常に駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれており、駆動対象として選択される第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）は、ｎ＝１からｎ＝Ｎまで順次変更される。
【００９８】
なお、駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）を選択する期間において、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）以外の複数の第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ＋１）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）を駆動対象の電極として選択しない。この場合、第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ＋１）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）は、非選択ブロックＮＴｘである。
【００９９】
検出制御回路１１Ａは、所定の符号に基づいて制御信号を生成する。図１８に示すように、第１駆動回路１４Ａは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に供給する。同時に、第２駆動回路１４Ｂは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ２を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第３電極５３Ａ、５３Ｂに供給する。例えば、所定の符号は、下記の式（１）の正方行列で定義される。
【０１００】
【数１】
2018190347.tif 000003
【０１０１】
正方行列の次数は、２ｋ（ｋ＝０、１、２、…）であり、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれる電極の数以上の次数であればよい。式（１）の例では、正方行列の次数は４（ｋ＝２）である。式（１）の正方行列の対角成分「−１」は、当該正方行列の対角成分以外の成分「１」と異なる。成分「−１」は、成分「１」とは位相が異なるように決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を供給する符号である。ここで、成分「１」に対応する駆動信号を駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）とし、成分「−１」に対応する駆動信号を駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）とする。なお、各成分「１」、「−１」は、所定の符号に含まれる。
【０１０２】
図１８に示すように、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）とは逆相の信号となる。駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）は、高レベル電圧と低レベル電圧とが交互に繰り返される交流の電圧信号である。駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）が高レベル電圧の場合に低レベル電圧となり、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）が低レベル電圧の場合に高レベル電圧となる。つまり、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）と極性が反転された信号である。
【０１０３】
第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第１期間Ｐｔ１において、式（１）の正方行列の１行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。具体的には、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａに対し、正方行列１行目１列目の成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を供給する。第１駆動回路１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対し、正方行列１行目２列目の成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ｂに対し、正方行列１行目３列目の成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。
【０１０４】
第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第２期間Ｐｔ２において、式（１）の正方行列の２行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。具体的には、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａに正方行列２行目１列目の成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。第１駆動回路１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に正方行列２行目２列目の成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を供給する。第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ｂに正方行列２行目３列目の成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。
【０１０５】
以下同様に、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第３期間Ｐｔ３において、式（１）の正方行列の３行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。また、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第４期間Ｐｔ４において、式（１）の正方行列の４行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。なお、第４期間Ｐｔ４において、正方行列の４行目の成分「−１」に対応する電極が設けられていないので、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）のみ供給し駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）は供給しない。
【０１０６】
図１８に示すように、第３電極５３Ａに供給される駆動信号Ｖｃｏｍ２は、所定の符号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に供給される駆動信号Ｖｃｏｍ１は、所定の符号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。第３電極５３Ｂに供給される駆動信号Ｖｃｏｍ２は、所定の符号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。
【０１０７】
図１８に示す例では、駆動信号Ｖｃｏｍ１の振幅と、駆動信号Ｖｃｏｍ２の振幅は同じ大きさであるが、これに限定されない。例えば、駆動信号Ｖｃｏｍ２の振幅を駆動信号Ｖｃｏｍ１よりも大きくしてもよい。この場合、周辺領域Ｇｄにおける検出感度を高めることができる。
【０１０８】
図１９は、被検出体ＣＱ（図１７参照）が非接触状態の場合におけるセンサ出力信号Ｖｓを示している。図２０は、被検出体ＣＱ（図１７参照）が第３電極５３Ｂに対して接触状態である場合におけるセンサ出力信号Ｖｓを示している。図２０は、非接触状態でのセンサ出力信号Ｖｓと接触状態でのセンサ出力信号Ｖｓとの、差分の電圧を２０％と仮定して示す。なお、図２０は、説明を分かりやすくするために、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂの、それぞれに対応するセンサ出力信号Ｖｓを示している。ただし、実際には、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂと対向する第２電極ＴＤＬから、各センサ出力信号Ｖｓを合計した信号がセンサ出力信号Ｖｓとして出力される。
【０１０９】
図１９に示すように、非接触状態において、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓを「１」又は「−１」とする。第１期間Ｐｔ１において、第３電極５３Ａは、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）が印加されるので、第３電極５３Ａのセンサ出力信号Ｖｓの位相は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）、第３電極５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓに対して反転する。このため、第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−１）＋（１）＋（１）＝１．０になる。
【０１１０】
同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（−１）＋（１）＝１．０になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（−１）＝１．０になる。第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（１）＝３．０になる。
【０１１１】
座標抽出回路４５は、下記の式（２）に示すように、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを正方行列で掛け合わせて復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（１．０）×（−１）＋（１．０）×（１）＋（１．０）×（１）＋（３．０）×（１）＝４．０と算出される。同様に、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１として、それぞれ「４．０」が算出される。なお、図１９に示す例では、各電極のセンサ出力信号Ｖｓを「１」又は「−１」と仮定しているため、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する検出信号Ｖｄｅｔ１は同じ値となる。これに限定されず、各電極のセンサ出力信号Ｖｓの大きさが異なっていてもよい。センサ出力信号Ｖｓが異なる場合のＣＤＭ駆動については後述する。
【０１１２】
【数２】
2018190347.tif 000004
【０１１３】
図２０に示すように、接触状態において、第３電極５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓが、例えば「０．８」又は「−０．８」の場合、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に比べて振幅が小さくなる。例えば、ＣＤＭ駆動を行わない場合、接触状態と非接触状態とのセンサ出力信号Ｖｓの差分が（１）−（０．８）＝０．２となる。これに対し、ＣＤＭ駆動を行うと４回の検出が行われることとなる。つまり、センサ出力信号Ｖｓの差分が０．２×４＝０．８となり、検出感度が４倍となる。
【０１１４】
具体的には、第１期間Ｐｔ１において、第３電極５３Ａは、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）が印加されるので、第３電極５３Ａのセンサ出力信号Ｖｓの位相は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓに対して極性が反転する。このため、第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−１）＋（１）＋（０．８）＝０．８になる。
【０１１５】
同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（−１）＋（０．８）＝０．８になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（−０．８）＝１．２になる。第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（０．８）＝２．８になる。
【０１１６】
座標抽出回路４５は、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを式（３）に示すように復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（０．８）×（−１）＋（０．８）×（１）＋（１．２）×（１）＋（２．８）×（１）＝４．０と算出される。同様に、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１としてそれぞれ「４．０」、「３．２」が算出される。第３電極５３Ａ及び第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）の検出信号Ｖｄｅｔ１は、式（２）に示した値と同じ値である。一方、被検出体ＣＱが接触する第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値は、非接触状態における第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値「４．０」よりも小さい値となる。これにより座標抽出回路４５は、復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、周辺領域Ｇｄにおける被検出体ＣＱの位置を算出することができる。
【０１１７】
【数３】
2018190347.tif 000005
【０１１８】
以上のように、接触状態と、非接触状態との差分の電圧が、０．２（＝１．０−０．８）から０．８（＝４．０−３．２）になり、４倍の検出感度が得られる。これにより、本実施形態の表示装置１は、周辺領域Ｇｄに接触又は近接する被検出体ＣＱを良好に検出することができる。
【０１１９】
また、仮に外部からのノイズ信号が検出された場合、復号後のノイズ信号の大きさは、検出信号Ｖｄｅｔ１に対して１／２乗で増加する。つまり、上述した例では、２（＝√４）倍の大きさとなる。このように、復号後のノイズ信号は、検出信号Ｖｄｅｔ１に対して低減されるのでＳＮ比が向上する。したがって、ＣＤＭ駆動によれば、第２駆動信号Ｖｃｏｍ２の電圧を上げることなく、時分割選択駆動よりも高い検出感度で周辺領域Ｇｄにおける被検出体ＣＱを検出することができる。
【０１２０】
図２０は、被検出体ＣＱ（図１７参照）が第３電極５３Ｂに対して接触状態である場合を説明したが、他の電極に対して接触（又は近接）した場合でも、同様にＣＤＭ駆動により検出を行うことができる。図２１は、被検出体が第１電極に対して接触又は近接した場合の、センサ出力信号の説明図である。図２２は、被検出体が２つの第３電極に対して接触又は近接した場合の、センサ出力信号の説明図である。
【０１２１】
図２１に示すように、被検出体ＣＱが第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対して接触状態である場合、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）のセンサ出力信号Ｖｓの振幅が小さくなる。なお、図２１では、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対応するセンサ出力信号Ｖｓが、例えば「０．８」又は「−０．８」の場合を説明する。
【０１２２】
第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−１）＋（０．８）＋（１）＝０．８になる。同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（−０．８）＋（１）＝１．２になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（０．８）＋（−１）＝０．８になる。第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（０．８）＋（１）＝２．８になる。
【０１２３】
座標抽出回路４５は、センサ出力信号Ｖｓを式（４）に示すように復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（０．８）×（−１）＋（１．２）×（１）＋（０．８）×（１）＋（２．８）×（１）＝４．０と算出される。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（０．８）×（１）＋（１．２）×（−１）＋（０．８）×（１）＋（２．８）×（１）＝３．２が算出される。同様に、第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、「４．０」となる。第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１は、式（２）に示した値と同じ値である。一方、被検出体ＣＱが接触する第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）の検出信号Ｖｄｅｔ１の値は、非接触状態における検出信号Ｖｄｅｔ１の値「４．０」よりも小さい値となる。これにより座標抽出回路４５は、復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、アクティブエリアＡｄにおける被検出体ＣＱの位置を算出することができる。
【０１２４】
【数４】
2018190347.tif 000006
【０１２５】
図２２に示すように、被検出体ＣＱが２つの第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂに対して同時に接触又は近接した場合、第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂのそれぞれのセンサ出力信号Ｖｓの振幅が小さくなる。図２２でも、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓが、例えば「０．８」又は「−０．８」の場合を説明する。
【０１２６】
第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−０．８）＋（１）＋（０．８）＝１．０になる。同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．８）＋（−１）＋（０．８）＝０．６になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．８）＋（１）＋（−０．８）＝１．０になる。第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．８）＋（１）＋（０．８）＝２．６になる。
【０１２７】
座標抽出回路４５は、センサ出力信号Ｖｓを式（５）に示すように復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（１．０）×（−１）＋（０．６）×（１）＋（１．０）×（１）＋（２．６）×（１）＝３．２と算出される。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（１．０）×（１）＋（０．６）×（−１）＋（１．０）×（１）＋（２．６）×（１）＝４．０が算出される。同様に、第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（１．０）×（１）＋（０．６）×（１）＋（１．０）×（−１）＋（２．６）×（１）＝３．２となる。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）の検出信号Ｖｄｅｔ１は、式（２）に示した値と同じ値である。一方、被検出体ＣＱが接触する第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値は、非接触状態における検出信号Ｖｄｅｔ１の値「４．０」よりも小さい値となる。これにより座標抽出回路４５は、復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、２つの第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂに同時に接触する被検出体ＣＱの位置を算出することができる。
【０１２８】
【数５】
2018190347.tif 000007
【０１２９】
図１９から図２２では、説明を分かりやすくするために、第３電極５３Ａ、５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓと、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対応するセンサ出力信号Ｖｓとを同じ振幅で示している。実際には、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、周辺領域Ｇｄに設けられているので、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）と、センサ出力信号Ｖｓが異なる振幅となる場合がある。
【０１３０】
図２３は、ＣＤＭ駆動の動作の他の例を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。図２４は、ＣＤＭ駆動の動作の他の例を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。図２３及び図２４は、例えば、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）のセンサ出力信号Ｖｓを「１」又は「−１」とした場合に、第３電極５３Ａ、５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓを「０．５」又は「−０．５」と仮定した場合を示す。すなわち、図１９から図２２では、第３電極５３Ａ、５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓは、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）と同様であったが、図２３及び図２４では、第３電極５３Ａ、５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓの絶対値は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）より小さい。
【０１３１】
図２３に示すように、第１期間Ｐｔ１において、第３電極５３Ａは、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）が印加されるので、第３電極５３Ａのセンサ出力信号Ｖｓの位相は、第１電極ＣＯＭＬ、第３電極５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓに対して反転する。このため、非接触状態での第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−０．５）＋（１）＋（０．５）＝１．０になる。
【０１３２】
同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（−１．０）＋（０．５）＝０になる。また、第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（１．０）＋（−０．５）＝１．０になる。また、第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（１．０）＋（０．５）＝２．０になる。
【０１３３】
座標抽出回路４５は、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを下記の式（６）の正方行列で掛け合わせて復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（１．０）×（−１）＋（０）×（１）＋（１．０）×（１）＋（２．０）×（１）＝２．０と算出される。同様に、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１として、それぞれ「４．０」、「２．０」の値が算出される。
【０１３４】
【数６】
2018190347.tif 000008
【０１３５】
図２４に示すように、接触状態において、第３電極５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓが「０．３」又は「−０．３」であり、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に比べて振幅が小さくなる。第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−０．５）＋（１．０）＋（０．３）＝０．８になる。第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（−１．０）＋（０．３）＝−０．２になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（１．０）＋（−０．３）＝１．２になる。第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（０．５）＋（１．０）＋（０．３）＝１．８になる。
【０１３６】
座標抽出回路４５は、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを下記の式（７）の正方行列で掛け合わせて復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１は、（０．８）×（−１）＋（−０．２）×（１）＋（１．２）×（１）＋（１．８）×（１）＝２．０と算出される。同様に、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１として、それぞれ「４．０」、「１．２」の値が算出される。
【０１３７】
【数７】
2018190347.tif 000009
【０１３８】
第３電極５３Ａ及び第１電極ＣＯＭＬの検出信号Ｖｄｅｔ１は、式（６）に示した値と同じ値である。一方、被検出体ＣＱが接触する第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値は、非接触状態における第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値「２．０」よりも小さい「１．２」となる。これにより座標抽出回路４５は、復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、周辺領域Ｇｄにおける被検出体ＣＱの位置を検出することができる。
【０１３９】
このように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）とは異なる領域、異なる層に設けられ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）とは異なる値のセンサ出力信号Ｖｓを出力する。この場合であっても、接触状態と、非接触状態との差分の電圧が、０．２（＝０．５−０．３）から０．８（＝２．０−１．２）になり、４倍の検出感度が得られる。このように、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）によりＣＤＭ駆動を行うことで、本実施形態の表示装置１は、周辺領域Ｇｄに接触又は近接する被検出体ＣＱを良好に検出することができる。
【０１４０】
なお、式（１）から式（７）に示した正方行列は、あくまで一例であり、他の正方行列であってもよい。例えば式（８）に示す正方行列Ｍを用いることもできる。正方行列Ｍはアダマール行列であり、「１」又は「−１」を要素とし、任意の異なった２つの行が直交行列となる正方行列である。
【０１４１】
【数８】
2018190347.tif 000010
【０１４２】
次に、本実施形態の表示装置１の動作の一例について説明する。図２５は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【０１４３】
表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）及び表示動作（表示期間）を時分割に行う。タッチ検出動作及び表示動作はどのように分けて行ってもよい。例えば、表示パネル１０の１フレーム期間１Ｆ、すなわち、１画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出及び表示をそれぞれ時分割に行う方法について説明する。
【０１４４】
図２５に示すように、複数の表示期間Ｐｄと、複数の検出期間Ｐｍ、Ｐｓ１、Ｐｓ２とが交互に配置される。これらの表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｓ１、Ｐｓ２とは、制御回路１１（図１参照）からの制御信号に基づいて切り換えられる。
【０１４５】
表示期間Ｐｄにおいて、制御回路１１は、ゲートドライバ１２及びソースドライバ１３（図１参照）に制御信号を出力する。ゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎをスイッチング素子Ｔｒに印加する。ソースドライバ１３は、信号線ＳＧＬを介して画素Ｐｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する。図２５は、画素信号ＶｐｉｘとしてＲＧＢの色毎の映像信号を示している。ＲＧＢの各色に対応する副画素ＳＰｉｘが選択され、選択された副画素ＳＰｉｘに色毎の映像信号が供給される。これにより、画像の表示動作が実行される。
【０１４６】
本実施形態において、第１電極ＣＯＭＬは表示パネル１０の共通電極を兼ねる。図２５に示すように、第１駆動回路１４Ａは、表示期間Ｐｄにおいて、アクティブエリアＡｄの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して表示駆動用の共通電位である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、第２電極ＴＤＬは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていないフローティング状態となる。
【０１４７】
検出期間Ｐｍと、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２とは、制御回路１１からの制御信号ＳＥＬＦＥＮに基づいて切り換えられる。制御信号ＳＥＬＦＥＮは、相互静電容量方式と自己容量方式の検出モードを切り換える制御信号である。表示装置１は、検出期間Ｐｍにおいて、上述した相互静電容量方式によるタッチ検出を行う。１つの検出期間Ｐｍに第１期間Ｐｔ１から第４期間Ｐｔ４（図１８から図２０参照）が含まれており、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）のＣＤＭ駆動が実行される。また、表示装置１は、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２において上述した自己静電容量方式によるタッチ検出を行う。図２５に示す例では、１フレーム期間１Ｆに２つの検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２が含まれる。
【０１４８】
駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、検出期間Ｐｍ毎に、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち１つの第１電極ＣＯＭＬを駆動対象として選択する。具体的には、駆動走査回路１４Ｃは、走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、…、ＳＲｏｕｔＮ−１、ＳＲｏｕｔＮに対応する第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）を、順次選択する。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、全ての検出期間Ｐｍで駆動される。これにより、各検出期間Ｐｍにおいて、第３電極５３Ａ、５３Ｂと１つの第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）（ｎ＝１、２、…、Ｎ）の３つの電極が、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）（図１７参照）として選択される。
【０１４９】
検出期間Ｐｍにおいて、第１駆動回路１４Ａは、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれる第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。同じ期間に、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。上述したＣＤＭ駆動により、第２電極ＴＤＬのセンサ出力信号Ｖｓ１に基づいて、周辺領域Ｇｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。また、第１駆動回路１４Ａは、検出期間Ｐｍ毎に異なる第１電極ＣＯＭＬに順次駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。これにより、アクティブエリアＡｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。
【０１５０】
本実施形態では、第１電極ＣＯＭＬと同時に第３電極５３Ａ、５３ＢをＣＤＭ駆動することにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うための期間を独立して設ける必要がない。また、第２駆動回路１４Ｂは、複数の検出期間Ｐｍの全てにおいて、同じ第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。１フレーム期間１Ｆにおいて、第３電極５３Ａ、５３Ｂが駆動される検出期間Ｐｍの回数、言い換えると、周辺領域Ｇｄのタッチ検出の回数は、第１電極ＣＯＭＬの本数と同じ回数となる。例えば、第１電極ＣＯＭＬがＮ本の場合、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、Ｎ回の検出期間Ｐｍで駆動される。このため、駆動信号Ｖｃｏｍ２の出力を大きくすることなく、ＳＮ比を√Ｎ倍に高めることが可能である。したがって、本実施形態の表示装置１によれば、周辺領域Ｇｄのタッチ検出において、良好な検出性能を実現することができる。
【０１５１】
検出期間Ｐｔｍにおいて、１検出面の検出動作が終了した場合、制御回路１１は、自己静電容量方式のタッチ検出を行う。ここで１検出面とはアクティブエリアＡｄの全面及び少なくとも第３電極５３Ａ、５３Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄを示す。１検出面の検出動作は、すなわち、全ての駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に対して、順次、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給し、Ｖｃｏｍ２を供給してタッチ検出を実行することを示す。
【０１５２】
検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２では、主に検出用ＩＣ１８に含まれる検出制御回路１１Ａにより、自己静電容量方式によるタッチ検出が実行される。検出期間Ｐｓ１において、第２駆動回路１４Ｂは、検出制御回路１１Ａの制御信号に基づいて、第２電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第２電極ＴＤＬは、第２電極ＴＤＬの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ１において、第２電極ＴＤＬの配列方向、すなわち第２方向Ｄｙ（図１１参照）における被検出体の位置が算出される。
【０１５３】
また、検出期間Ｐｓ１において第２駆動回路１４Ｂは、全ての第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給する。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＡと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第２電極ＴＤＬと同じ電位で駆動される。このため、第１基板２１に設けられたスイッチング素子Ｔｒや各種配線と、第２電極ＴＤＬとの間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０１５４】
検出期間Ｐｓ２において、第２駆動回路１４Ｂは、検出制御回路１１Ａの制御信号に基づいて、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。第１電極ＣＯＭＬは、第１電極ＣＯＭＬの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ２において、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂの配列方向、すなわち第１方向Ｄｘ（図１１参照）における被検出体の位置が算出される。このように、自己静電容量方式のタッチ検出において、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは検出電極として機能する。
【０１５５】
なお、検出期間Ｐｓ２において第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給してもよい。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＢと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第１電極ＣＯＭＬと同じ電位で駆動される。この場合、第１電極ＣＯＭＬが検出電極として機能し、第３電極５３Ａ、５３Ｂはガード電極として機能する。これにより、第１電極ＣＯＭＬの寄生容量を低減することができる。また、第２駆動回路１４Ｂは、第２電極ＴＤＬに対し電圧信号を供給せず、第２電極ＴＤＬをフローティング状態としてもよい。或いは、第２駆動回路１４Ｂは、第２電極ＴＤＬに対し固定された電位を有する電圧信号を供給してもよい。
【０１５６】
なお、図２５では図示を省略しているが、信号線ＳＧＬは、検出期間Ｐｍ及び検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２において、フローティング状態であることが好ましい。こうすれば、第２電極ＴＤＬと信号線ＳＧＬとの間の容量を低減することができる。また、ゲート線ＧＣＬは、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２においてフローティング状態であってもよい。
【０１５７】
図２５に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、複数回の検出期間Ｐｍに亘って、１つの駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）についてＣＤＭ駆動を実行してもよい。又は、１つの検出期間Ｐｍにおいて、複数の駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）についてＣＤＭ駆動を実行してもよい。表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｓ１、Ｐｓ２の長さ（幅）は、模式的に示したものであり、同じ長さでもよく、異なる長さであってもよい。１フレーム期間１Ｆにおいて１検出面の検出動作が行われるが、複数の１フレーム期間１Ｆに亘って１検出面の検出動作が行われてもよい。
【０１５８】
次に、本実施形態の駆動回路の一例を説明する。図２６は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。図２６に示すように第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）は、駆動走査回路１４Ｃに接続される。駆動走査回路１４Ｃは、表示用ＩＣ１９から出力される各種制御信号に基づいて第１電極ＣＯＭＬを順次選択する。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、駆動走査回路１４Ｃを介さずに、それぞれ配線ＬＡ、ＬＢを介して検出用ＩＣ１８に接続される。
【０１５９】
第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ、配線Ｌ２１を介して検出用ＩＣ１８と接続可能となっている。また、第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２を介して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ又は検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給可能となっている。配線Ｌ２１にはスイッチＳＷ１２が設けられ、配線Ｌ２２にはスイッチＳＷ１１が設けられる。
【０１６０】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１１を介してスイッチＳＷ１１及びスイッチＳＷ１２に制御信号ＳＥＬＦＥＮを供給する。制御信号ＳＥＬＦＥＮに基づいて、スイッチＳＷ１１及びスイッチＳＷ１２のオン、オフが切り換えられる。制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルの場合、スイッチＳＷ１２がオン、スイッチＳＷ１１がオフとなる。制御信号ＳＥＬＦＥＮが低レベルの場合、スイッチＳＷ１２がオフ、スイッチＳＷ１１がオンとなる。制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルの場合、第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ、配線Ｌ２１を介して検出用ＩＣ１８と接続される。この場合、第１電極ＣＯＭＬの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２は、検出用ＩＣ１８の電圧検出器ＤＥＴに供給される。これにより、上述した自己静電容量方式のタッチ検出が行われる。
【０１６１】
制御信号ＳＥＬＦＥＮが低レベルの場合、第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ、配線Ｌ２２を介して表示用ＩＣ１９と接続される。配線Ｌ２２には、それぞれスイッチＳＷ１３、スイッチＳＷ１４が設けられている。スイッチＳＷ１４は、配線Ｌ１２と配線Ｌ２２との間に設けられる。スイッチＳＷ１４がオンの場合、表示用ＩＣ１９は、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを、配線Ｌ１２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２２を介して第１電極ＣＯＭＬに供給する。スイッチＳＷ１３がオンの場合、表示用ＩＣ１９は、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ１を、配線Ｌ１３、スイッチＳＷ１３及び配線Ｌ２２を介して第１電極ＣＯＭＬに供給する。
【０１６２】
第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ対応してシフトレジスタ７５及び論理積回路７６が設けられている。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３２を介して走査開始信号ＳＤＳＴをシフトレジスタ７５に供給する。また、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３３を介してクロック信号ＳＤＣＫをシフトレジスタ７５に供給する。シフトレジスタ７５は、走査開始信号ＳＤＳＴをトリガーとして走査を開始する。シフトレジスタ７５は、クロック信号ＳＤＣＫに同期した走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、…、ＳＲｏｕｔＮ−１、ＳＲｏｕｔＮを順次、論理積回路７６に供給する。
【０１６３】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３１を介して選択信号ＶＣＯＭＳＥＬを論理積回路７６に供給する。論理積回路７６は、走査信号ＳＲｏｕｔと選択信号ＶＣＯＭＳＥＬとの論理積（ＡＮＤ）を生成してスイッチＳＷ１３、ＳＷ１４に供給する。スイッチＳＷ１３、ＳＷ１４は、論理積回路７６から供給される信号に基づいて動作が制御される。具体的には、論理積回路７６とスイッチＳＷ１４との間にインバータ７８が設けられている。インバータ７８は、論理積回路７６から供給される出力信号の電圧レベルを反転した信号をスイッチＳＷ１４に供給する。論理積回路７６の出力信号は、スイッチＳＷ１３に供給されるとともに、インバータ７８を介して電圧レベルが反転された信号がスイッチＳＷ１４に供給される。走査信号ＳＲｏｕｔ及び選択信号ＶＣＯＭＳＥＬが高レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになる。これにより、駆動信号Ｖｃｏｍ１が、配線Ｌ１３、スイッチＳＷ１３及び配線Ｌ２２を介して、選択された第１電極ＣＯＭＬに供給される。走査信号ＳＲｏｕｔ又は選択信号ＶＣＯＭＳＥＬの少なくとも一方が低レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになる。これにより、駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが、配線Ｌ１２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２２を介して、選択されない第１電極ＣＯＭＬに供給される。
【０１６４】
図２６に示す例では、第１電極ＣＯＭＬ（１）に対応するスイッチＳＷ１３がオンとなり、スイッチＳＷ１４がオフとなる。その他の第１電極ＣＯＭＬ（２）から第１電極ＣＯＭＬ（Ｎ）に対応するスイッチＳＷ１３は全てオフとなり、スイッチＳＷ１４はオンとなる。この場合、第１電極ＣＯＭＬ（１）が駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）（図１７参照）として選択され、配線Ｌ１３を介して駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給される。その他の第１電極ＣＯＭＬは非選択ブロックＮＴｘ（図１７参照）であり、配線Ｌ１２を介して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。
【０１６５】
図２６に示すように、検出用ＩＣ１８は、符号生成回路１５を含む。符号生成回路１５は、上述した正方行列（式（１）等参照）の符号に対応して位相が決められた入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを生成する。符号生成回路１５は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを表示用ＩＣ１９に供給する。表示用ＩＣ１９の増幅器７７は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを増幅して駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成する。駆動信号Ｖｃｏｍ１は、例えば図１８に示すように、成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）と、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）とが、各期間Ｐｔごとに決められた電圧信号である。本実施形態では、符号生成回路１５、増幅器７７及び駆動走査回路１４Ｃが、図１に示す第１駆動回路１４Ａとして機能する。
【０１６６】
表示用ＩＣ１９が駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給するタイミングと同期して、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、符号生成回路１５により生成された信号に基づいて位相が決定される。このようにして、駆動走査回路１４Ｃ及び検出用ＩＣ１８により、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）が選択され、表示用ＩＣ１９及び検出用ＩＣ１８から駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２が供給される。
【０１６７】
また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、配線ＬＡ、ＬＢに設けられたスイッチＳＷ２１、ＳＷ２２の切り換え動作により、電圧検出器ＤＥＴと接続可能となっている。上述した自己静電容量方式の検出期間Ｐｓ２において、第３電極５３Ａ、５３Ｂは電圧検出器ＤＥＴに接続される。第３電極５３Ａ、５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓ２が電圧検出器ＤＥＴに供給される。
【０１６８】
図２６に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、駆動走査回路１４Ｃを介さずに、検出用ＩＣ１８により独立して駆動される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂを設けずに第１電極ＣＯＭＬを時分割駆動する従来構成の駆動回路を、ＣＤＭ駆動の駆動回路に兼用することができる。
【０１６９】
図２７は、第１の実施形態に係る駆動回路の他の例を示す回路図である。図２７に示す例において、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３Ａを介して直流の低レベル電圧信号ＧＮＤを駆動走査回路１４Ｃに供給する。また、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３Ｂを介して高レベル電圧信号ＴＰＨを駆動走査回路１４Ｃに供給する。駆動走査回路１４Ｃは、所定の符号に応じて低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨと切り換えることで駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成して、第１電極ＣＯＭＬに供給する。
【０１７０】
具体的には、第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１３を介して配線Ｌ１３Ｂと接続される。また、第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４を介して配線Ｌ１３Ａと接続される。スイッチＳＷ１３とスイッチＳＷ１４とが、交互にオン、オフ動作を繰り返すことで、第１電極ＣＯＭＬに供給される低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとが交互に切り換えられる。このような低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとの切り換えにより交流の駆動信号Ｖｃｏｍ１が第１電極ＣＯＭＬに供給される。本変形例では、表示用ＩＣ１９が、所定の符号に基づいてスイッチＳＷ１３とスイッチＳＷ１４との動作のタイミングを制御することにより、駆動信号Ｖｃｏｍ１の位相を制御することができる。
【０１７１】
表示用ＩＣに含まれる増幅器７７は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを増幅して、選択信号ＶＰＳＥＬを生成する。入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭは、所定の符号に基づいて位相が決められた信号であり、例えば、図１８に示す駆動信号Ｖｃｏｍ１と同じ位相を有する電圧信号である。
【０１７２】
第１電極ＣＯＭＬのそれぞれに対応して１つのシフトレジスタ７５及び論理積回路７６が設けられている構成は、図２６と同様である。以下の説明では、第１電極ＣＯＭＬ（１）が駆動対象として選択された場合を説明する。
【０１７３】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３１を介して、選択信号ＶＰＳＥＬを論理積回路７６に供給する。論理積回路７６は、選択信号ＶＰＳＥＬとシフトレジスタ７５の走査信号ＳＲｏｕｔとの論理積（ＡＮＤ）を出力する。論理積回路７６は、走査信号ＳＲｏｕｔがオンの場合、選択信号ＶＰＳＥＬ１の位相に対応した位相を有する信号を出力する。論理積回路７６の出力信号は、スイッチＳＷ１３に供給されるとともに、インバータ７８Ｂを介して電圧レベルが反転された信号がスイッチＳＷ１４に供給される。
【０１７４】
また、配線Ｌ２２と配線Ｌ１２との間にスイッチＳＷ１５が設けられている。さらに、配線Ｌ２２と、スイッチＳＷ１３、ＳＷ１４との間にスイッチＳＷ１６が設けられている。シフトレジスタ７５の走査信号ＳＲｏｕｔは、スイッチＳＷ１６に供給されるとともに、インバータ７８Ａを介して電圧レベルが反転された信号がスイッチＳＷ１５に供給される。走査信号ＳＲｏｕｔが高レベルの場合、スイッチＳＷ１５がオフになり、スイッチＳＷ１６がオンになる。これにより第１電極ＣＯＭＬには、選択信号ＶＰＳＥＬの位相に応じて低レベル電圧信号ＧＮＤ又は高レベル電圧信号ＴＰＨが供給される。一方、走査信号ＳＲｏｕｔが低レベルの場合、スイッチＳＷ１５がオンになり、スイッチＳＷ１６がオフになる。これにより第１電極ＣＯＭＬには、配線Ｌ１２を介して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。図２７に示す例では、第１電極ＣＯＭＬ（１）に接続されたスイッチＳＷ１５がオフになり、スイッチＳＷ１６がオンになる。これにより、上述したように、第１電極ＣＯＭＬ（１）が駆動対象として選択される。
【０１７５】
選択信号ＶＰＳＥＬが高レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになる。これにより、高レベル電圧信号ＴＰＨが、配線Ｌ１３Ｂ、スイッチＳＷ１３及び配線Ｌ２２を介して、第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。また、選択信号ＶＰＳＥＬが低レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになる。これにより、低レベル電圧信号ＧＮＤが、配線Ｌ１３Ａ、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２２を介して、第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。これにより、選択信号ＶＰＳＥＬの位相に対応した駆動信号Ｖｃｏｍ１が第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。
【０１７６】
このように駆動走査回路１４Ｃは、直流の低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとを切り換えることで、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成し、第１電極ＣＯＭＬに供給することができる。
【０１７７】
表示用ＩＣ１９が選択信号ＶＰＳＥＬを駆動走査回路１４Ｃに供給するタイミングと同期して、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、符号生成回路１５により生成された信号に基づいて位相が決定される。このようにして、駆動走査回路１４Ｃ及び検出用ＩＣ１８により、３つの電極を含む駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）（図１７参照）が選択され、選択された駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２が供給される。
【０１７８】
本変形例においても、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、駆動走査回路１４Ｃを介さずに、検出用ＩＣ１８により独立して駆動される。このため、第１電極ＣＯＭＬを直流電圧駆動により時分割駆動する従来構成の駆動回路を、大きく変更することなくＣＤＭ駆動の駆動回路に兼用することができる。
【０１７９】
以上説明したように、本実施形態の表示装置１及び検出装置（タッチセンサ３０）は、第１基板２１と、第１基板２１のアクティブエリアＡｄに複数配列された第１電極ＣＯＭＬと、第１電極ＣＯＭＬと対向し、第１電極ＣＯＭＬとの間に静電容量を形成する第２電極ＴＤＬと、アクティブエリアＡｄの外側の周辺領域Ｇｄに設けられる第３電極５３Ａ、５３Ｂと、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａに供給する駆動回路（第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂ）と、を有する。
【０１８０】
これによれば、第１電極ＣＯＭＬと同時に第３電極５３Ａ、５３ＢをＣＤＭ駆動することにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂを時分割駆動した場合に比べて、検出感度を高めることができる。また、第１電極ＣＯＭＬと同時に第３電極５３Ａ、５３ＢをＣＤＭ駆動することにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うための期間を独立して設ける必要がない。言い換えると、第１電極ＣＯＭＬの本数と同じ回数、第３電極５３Ａ、５３ＢのＣＤＭ駆動が実行される。このため、駆動信号Ｖｃｏｍ２の出力を大きくすることなく、ＳＮ比を高めることが可能である。したがって、本実施形態の表示装置１及び検出装置によれば、周辺領域のタッチ検出において、良好な検出性能を実現することができる。
【０１８１】
（第１の実施形態の第１変形例）
図２８は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の平面図である。図２９は、第１変形例に係るカバー基板の平面図である。図２８及び図２９に示すように、本変形例の表示装置１Ａは、周辺領域Ｇｄにおいて、第３電極５３Ａ、第３電極５３Ｂ及び第３電極５４Ａが設けられている。第２方向Ｄｙに対向する周辺領域Ｇｄの一方に第３電極５４Ａが設けられており、他方に第３電極５４Ｂ（図１１等参照）が設けられていない。
【０１８２】
言い換えると、第３電極５４Ａは、フレキシブル基板７１、７２、７３等が接続された周辺領域Ｇｄの一辺に設けられている。本変形例では、第３電極５４Ａが設けられていない周辺領域Ｇｄ、つまり、フレキシブル基板７１、７２、７３等が接続された周辺領域ＧｄとアクティブエリアＡｄを挟んで対向する周辺領域Ｇｄの狭額縁化に有利である。
【０１８３】
図２９に示すように、カバー部材５Ａに、第３電極５４Ｂが設けられていないので、第３電極５４Ｂとフレキシブル基板７３とを接続する配線ＬＤ１、ＬＤ２（図１３参照）を省略することができる。さらに、第３電極５３Ａと配線ＬＤ２との間に設けられたガード配線８２（図１３参照）と、第３電極５３Ｂと配線ＬＤ１との間に設けられたガード配線８１（図１３参照）とを省略することができる。したがって、第３電極５３Ａ、５３Ｂの外側に設けられた配線の本数を少なくすることができる。これにより、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄについて少なくとも配線２本分の狭額縁化が可能である。
【０１８４】
（第１の実施形態の第２変形例）
図３０は、第１の実施形態の第２変形例に係る、第１電極と第３電極との関係を模式的に示す断面図である。本変形例の表示装置１Ｂにおいて、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、駆動電極として機能する。また、第１電極ＣＯＭＬは、検出電極として機能する。
【０１８５】
具体的には、図３０に示すように、第２駆動回路１４Ｂは第３電極５４Ａ、５４Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。第３電極５４Ａ、５４Ｂと、第１電極ＣＯＭＬとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆが生じる。電気力線Ｅｆは、周辺領域Ｇｄから、アクティブエリアＡｄの第１電極ＣＯＭＬに向かって延びる。
【０１８６】
アクティブエリアＡｄと周辺領域Ｇｄの境界近傍、又は周辺領域Ｇｄにおいて、カバー基板５１の第１面５１ａに被検出体が接触又は近接した場合、第３電極５４Ａ、５４Ｂと第１電極ＣＯＭＬとの間に形成されるフリンジ分の電気力線Ｅｆが遮られる。第１電極ＣＯＭＬは、第３電極５４Ａ、５４Ｂと第１電極ＣＯＭＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓを電圧検出器ＤＥＴに出力する。上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいて、電圧検出器ＤＥＴは検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。
【０１８７】
このように、第３電極５４Ａ、５４Ｂが駆動電極として機能する場合においても、被検出体を検出可能な領域が、アクティブエリアＡｄの外周よりも外側に拡張され、周辺領域Ｇｄにおいて被検出体を検出することができる。なお、第３電極５４Ａ、５４Ｂが駆動電極であり、第１電極ＣＯＭＬが検出電極である検出動作は、上述したＣＤＭ駆動の検出期間Ｐｍ（図２５参照）と異なる期間に実行される。
【０１８８】
（第２の実施形態）
図３１は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための駆動電極ブロックの説明図である。図３２は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための駆動信号のタイミング波形図である。図３３は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための非接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。図３４は、第２の実施形態に係るＣＤＭ駆動の動作の一例を説明するための接触状態におけるセンサ出力信号の説明図である。
【０１８９】
駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬとして、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち２つの第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）を選択する。駆動走査回路１４Ｃは、２つの第１電極ＣＯＭＬを順次選択する。この場合、駆動走査回路１４Ｃは、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬが重複しないように、２つの第１電極ＣＯＭＬごとにシフトして順次２つの第１電極ＣＯＭＬを選択する。例えば、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）と第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）とが選択された次のタイミングにおいて、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ＋１）と第１電極ＣＯＭＬ（ｎ＋２）が選択される。
【０１９０】
検出制御回路１１Ａは、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）ごとにＣＤＭ駆動を行う。本実施形態において、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）は、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂの４つの電極を含む。この場合、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、常に駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれており、駆動対象として選択される第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）は、ｎ＝２、４、６、…Ｎのように、順次変更される。
【０１９１】
なお、駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）を選択する期間において、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）以外の複数の第１電極ＣＯＭＬ（１）、…、ＣＯＭＬ（ｎ−２）、ＣＯＭＬ（ｎ＋１）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ）を駆動対象の電極として選択しない。第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ＋１）、…、ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）は、非選択ブロックＮＴｘである。
【０１９２】
第１駆動回路１４Ａは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）に供給する。同時に、第２駆動回路１４Ｂは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ２を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第３電極５３Ａ、５３Ｂに供給する。
【０１９３】
図３２に示すように、第１駆動回路１４Ａは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）に供給する。同時に、第２駆動回路１４Ｂは、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ２を、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）の第３電極５３Ａ、５３Ｂに供給する。例えば、所定の符号は、下記の式（９）の正方行列で定義される。式（９）の正方行列は、第１の実施形態において示す正方行列と同じであるが、これに限定されず、他の正方行列であってもよい。
【０１９４】
【数９】
2018190347.tif 000011
【０１９５】
第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第１期間Ｐｔ１において、式（９）の正方行列の１行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。具体的には、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａに対し、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を供給する。第１駆動回路１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）及び第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に対し、成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ｂに対し、成分「１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）を供給する。
【０１９６】
以下同様に、第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第２期間Ｐｔ２において、式（９）の正方行列の２行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第３期間Ｐｔ３において、式（９）の正方行列の３行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、第４期間Ｐｔ４において、式（９）の正方行列の４行目に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）又は駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）を第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに供給する。
【０１９７】
図３２に示すように、第３電極５３Ａに供給される駆動信号Ｖｃｏｍ２は、所定の符号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）に供給される駆動信号Ｖｃｏｍ１は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。第１電極ＣＯＭＬ（ｎ）に供給される駆動信号Ｖｃｏｍ１は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｎ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）の順に、位相が決められる。第３電極５３Ｂに供給される駆動信号Ｖｃｏｍ２は、駆動信号Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｐ）、Ｖｃｏｍ（ｎ）の順に、位相が決められる。
【０１９８】
図３３は、被検出体が非接触状態である場合におけるセンサ出力信号Ｖｓを示している。図３４は、第３電極５３Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄに対して被検出体が接触状態である場合におけるセンサ出力信号Ｖｓを示している。図３３に示すように、第１期間Ｐｔ１において、第３電極５３Ａは、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）が印加されるので、第３電極５３Ａのセンサ出力信号Ｖｓの位相は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）、第３電極５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓに対して反転する。このため、第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−１）＋（１）＋（１）＋（１）＝２．０になる。
【０１９９】
同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（−１）＋（１）＋（１）＝２．０になる。第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（−１）＋（１）＝２．０になる。また、第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（１）＋（−１）＝２．０になる。
【０２００】
座標抽出回路４５は、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを式（９）の正方行列で掛け合わせて復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１として、それぞれ「４．０」が算出される。
【０２０１】
図３４に示すように、接触状態において、第３電極５３Ｂに対応するセンサ出力信号Ｖｓが「０．８」又は「−０．８」であり、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）に比べて振幅が２０％小さくなる。第１期間Ｐｔ１において、第３電極５３Ａは、成分「−１」に対応する駆動信号Ｖｃｏｍ（ｎ）が印加されるので、第３電極５３Ａのセンサ出力信号Ｖｓの位相は、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂのセンサ出力信号Ｖｓに対して極性が反転する。このため、第１期間Ｐｔ１におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（−１）＋（１）＋（１）＋（０．８）＝１．８になる。
【０２０２】
同様に、第２期間Ｐｔ２におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（−１）＋（１）＋（０．８）＝１．８になる。また、第３期間Ｐｔ３におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（−１）＋（０．８）＝１．２になる。また、第４期間Ｐｔ４におけるセンサ出力信号Ｖｓは、（１）＋（１）＋（１）＋（−０．８）＝２．２になる。
【０２０３】
座標抽出回路４５は、電圧検出器ＤＥＴにおいて検出されたセンサ出力信号Ｖｓを式（１０）に示すように復号処理を行う。これにより、第３電極５３Ａ、第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ｂに対応する復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１としてそれぞれ「４．０」、「４．０」、「４．０」、「３．２」が算出される。第３電極５３Ａ及び第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）の検出信号Ｖｄｅｔ１は、式（９）に示した非接触状態での値と同じ値である。一方、被検出体が接触する第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値は、非接触状態における第３電極５３Ｂの検出信号Ｖｄｅｔ１の値「４．０」よりも小さい値となる。これにより座標抽出回路４５は、復号後の検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、被検出体の位置を検出することができる。
【０２０４】
【数１０】
2018190347.tif 000012
【０２０５】
以上のように、４つの電極を含む駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）によりＣＤＭ駆動を行った場合においても、接触状態と、非接触状態との差分の電圧が、０．２（＝１．０−０．８）から０．８（＝４．０−３．２）になり、４倍の検出感度が得られる。これにより、本実施形態の表示装置１は、周辺領域Ｇｄに接触又は近接する被検出体を良好に検出することができる。
【０２０６】
図３５は、第２の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図３５に示す表示期間Ｐｄ、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２は、上述した動作と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０２０７】
本実施形態において、駆動走査回路１４Ｃ（図１２参照）は、１つの検出期間Ｐｍにおいて同時に、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち２つの第１電極ＣＯＭＬを駆動対象として選択する。具体的には、走査信号ＳＲｏｕｔ１に対応して第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）が選択される。走査信号ＳＲｏｕｔ２に対応して第１電極ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）が選択される。走査信号ＳＲｏｕｔＫに対応して第１電極ＣＯＭＬ（Ｎ−１）、ＣＯＭＬ（Ｎ）が選択される。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、全ての検出期間Ｐｍで駆動される。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）（ｎ＝２、４、…、Ｎ）の４つの電極が駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）（図１７参照）として選択される。
【０２０８】
本実施形態では、駆動走査回路１４Ｃは、少なくとも２回の検出期間Ｐｍにおいて、同じ第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）を選択する。第１駆動回路１４Ａ及び第２駆動回路１４Ｂは、少なくとも２回の検出期間Ｐｍにおいて、同じ組み合わせの駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）、すなわち、選択された２つの第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに対して、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を供給する。これにより、本実施形態では、同じ組み合わせの駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）について、複数の検出期間ＰｍでＣＤＭ駆動が実行される。
【０２０９】
各検出期間Ｐｍにおいて２つの第１電極ＣＯＭＬ（ｎ−１）、ＣＯＭＬ（ｎ）が駆動対象として選択された場合であっても、１フレーム期間１Ｆにおける検出期間Ｐｍの回数は、第１電極ＣＯＭＬの本数と同じ回数実行される。すなわち、第３電極５３Ａ、５３Ｂが駆動される検出期間Ｐｍの回数は、第１電極ＣＯＭＬの本数と同じ回数となる。第１電極ＣＯＭＬがＮ本の場合、第３電極５３Ａ、５３ＢはＮ回の検出期間Ｐｍにおいて駆動される。このため、駆動信号Ｖｃｏｍ２の出力を大きくすることなく、ＳＮ比を√Ｎ倍に高めることが可能である。
【０２１０】
第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）及び第３電極５３Ａ、５３Ｂを含む駆動電極ブロックＢＫについて、２回の検出期間ＰｍでＣＤＭ駆動が実行された後、駆動走査回路１４Ｃは、第１電極ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）を駆動対象として選択する。このように、駆動走査回路１４Ｃは、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬが重複しないように２つの第１電極ＣＯＭＬごとにずらして順次選択する。
【０２１１】
また、第１電極ＣＯＭＬは、１フレーム期間１Ｆにおいて、それぞれ２回駆動されることとなるため、アクティブエリアＡｄにおけるタッチ検出のＳＮ比を√２倍に高めることができる。したがって、本実施形態の表示装置１によれば、周辺領域Ｇｄのタッチ検出において、良好な検出性能を実現するとともに、アクティブエリアＡｄのタッチ検出性能を高めることができる。
【０２１２】
図３６は、第２の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。図３７は、入力ロジック信号を示す波形図である。図３６に示すように、２つの第１電極ＣＯＭＬに対応して１つのシフトレジスタ７５が設けられている。シフトレジスタ７５は、走査開始信号ＳＤＳＴ及びクロック信号ＳＤＣＫに基づいて走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、…、ＳＲｏｕｔＫを順次、論理積回路７６に供給する。シフトレジスタ７５は、第１電極ＣＯＭＬの数に対して半分の数となる。
【０２１３】
論理積回路７６は、走査信号ＳＲｏｕｔと選択信号ＶＣＯＭＳＥＬとの論理積（ＡＮＤ）を生成してスイッチＳＷ１３、ＳＷ１４に供給する。論理積回路７６は、２つの第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ対応して設けられた、２つのスイッチＳＷ１３及び２つのスイッチＳＷ１４に同時に信号を供給する。論理積回路７６の出力信号は、２つのスイッチＳＷ１３に供給されるとともに、インバータ７８を介して電圧レベルが反転された信号が、２つのスイッチＳＷ１４に供給される。
【０２１４】
図３６に示す例では、走査信号ＳＲｏｕｔ１が高レベルになり、ＳＲｏｕｔ２、…、ＳＲｏｕｔＫが低レベルになる。第１電極ＣＯＭＬ（１）に接続されたスイッチＳＷ１３と、第１電極ＣＯＭＬ（２）に接続されたスイッチＳＷ１３とが、論理積回路７６からの信号に基づいてオンになる。また、第１電極ＣＯＭＬ（１）に接続されたスイッチＳＷ１４と、第１電極ＣＯＭＬ（２）に接続されたスイッチＳＷ１４はオフになる。これにより、第１電極ＣＯＭＬ（１）は配線Ｌ１３に接続され、第１電極ＣＯＭＬ（２）は配線Ｌ１４に接続される。第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）は、それぞれ配線Ｌ１３、Ｌ１４を介して表示用ＩＣ１９と接続される。
【０２１５】
第１電極ＣＯＭＬ（１）と第１電極ＣＯＭＬ（２）以外の第１電極ＣＯＭＬは、スイッチＳＷ１３がオフになり、スイッチＳＷ１４がオンになる。第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）以外の第１電極ＣＯＭＬは、スイッチＳＷ１４を介して共通の配線Ｌ１２に接続される。表示用ＩＣ１９は、第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）以外の第１電極ＣＯＭＬに配線Ｌ１２を介して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）以外の第１電極ＣＯＭＬは、非選択ブロックＮＴｘである（図３１参照）。
【０２１６】
次のタイミングで走査信号ＳＲｏｕｔ２が高レベルになると、第１電極ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）が駆動対象の電極として選択される。このように、１つのシフトレジスタ７５により、２つの第１電極ＣＯＭＬが駆動対象の電極として選択される。２つの第１電極ＣＯＭＬごとに１つのシフトレジスタ７５が設けられているので、走査信号ＳＲｏｕｔに応じて、それぞれ異なる第１電極ＣＯＭＬが駆動対象として選択される。言い換えると、駆動走査回路１４Ｃは、第１電極ＣＯＭＬが重複しないように、２つずつ駆動対象の第１電極ＣＯＭＬをずらして順次選択する。
【０２１７】
符号生成回路１５は、上述した正方行列（式（９）等参照）の符号に対応して位相が決められた２つの入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１と入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ２とを生成する。符号生成回路１５は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１、ＥＸＶＣＯＭ２を表示用ＩＣ１９に供給する。
【０２１８】
図３７に示すように、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１は、成分「１」に対応する信号ＥＸＶＰと、成分「−１」に対応する信号ＥＸＶＮとが時分割で配置された電圧信号である。信号ＥＸＶＮは、信号ＥＸＶＰと極性が反転された信号である。つまり、信号ＥＸＶＰが高レベルの電位の場合、信号ＥＸＶＮは低レベルの電位となり、信号ＥＸＶＮが高レベルの電位の場合、信号ＥＸＶＰは低レベルの電位となる。
【０２１９】
入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１は、正方行列（式（９）等参照）の２列目に対応して、信号ＥＸＶＰ、ＥＸＶＮ、ＥＸＶＰ、ＥＸＶＰの順に位相が決められている。入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ２は、正方行列の３列目に対応して、信号ＥＸＶＰ、ＥＸＶＰ、ＥＸＶＮ、ＥＸＶＰの順に位相が決められている。
【０２２０】
増幅器７７Ａは、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１を増幅して、駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成する。増幅器７７Ｂは、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ２を増幅して、駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成する。
【０２２１】
表示用ＩＣ１９は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１に基づく駆動信号Ｖｃｏｍ１を、配線Ｌ１３を介して第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給する。同時に表示用ＩＣ１９は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ２に基づく駆動信号Ｖｃｏｍ１を、配線Ｌ１４を介して第１電極ＣＯＭＬ（２）に供給する。また、表示用ＩＣ１９は、同じタイミングで、駆動対象として選択されていない第１電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。
【０２２２】
表示用ＩＣ１９が駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給するタイミングと同期して、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、符号生成回路１５により生成された信号に基づいて位相が決定される。このようにして、駆動走査回路１４Ｃ及び検出用ＩＣ１８により、４つの電極を含む駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）が選択され、選択された駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２が供給される。
【０２２３】
このような駆動回路により、表示用ＩＣ１９は、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち駆動対象の２つの第１電極ＣＯＭＬに対して、位相の異なる駆動信号Ｖｃｏｍ１をそれぞれ供給することができる。駆動走査回路１４Ｃは、第１の実施形態と比較して、配線Ｌ１４を追加して、シフトレジスタ７５の段数を少なくするのみで、２つの第１電極ＣＯＭＬを同時に選択できる。本実施形態において、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、駆動走査回路１４Ｃを介さずに、検出用ＩＣ１８により独立して駆動される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂを設けずに第１電極ＣＯＭＬを時分割駆動する従来構成の駆動回路を、大きく変更することなくＣＤＭ駆動の駆動回路に兼用することができる。
【０２２４】
図３８は、第２の実施形態の変形例に係る駆動回路を示す回路図である。図３６に示す駆動回路の例では、表示用ＩＣ１９が、交流の駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成して、駆動走査回路１４Ｃを介して第１電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍ１に供給する。本変形例において、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３Ａを介して直流の低レベル電圧信号ＧＮＤを駆動走査回路１４Ｃに供給する。また、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３Ｂを介して高レベル電圧信号ＴＰＨを駆動走査回路１４Ｃに供給する。
【０２２５】
第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１３を介して配線Ｌ１３Ｂと接続される。また、第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４を介して配線Ｌ１３Ａと接続される。スイッチＳＷ１３とスイッチＳＷ１４とが、交互にオン、オフ動作を繰り返すことで、第１電極ＣＯＭＬに供給される低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとが交互に切り換えられる。このような低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとの切り換えにより交流の駆動信号Ｖｃｏｍ１が第１電極ＣＯＭＬに供給される。本変形例では、スイッチＳＷ１３とスイッチＳＷ１４との動作のタイミングを制御することにより、駆動信号Ｖｃｏｍ１の位相を制御することができる。
【０２２６】
具体的には、増幅器７７Ａは、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１を増幅して、選択信号ＶＰＳＥＬ１を生成する。増幅器７７Ｂは、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ２を増幅して、選択信号ＶＰＳＥＬ２を生成する。入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭ１、ＥＸＶＣＯＭ２は、所定の符号に基づいて位相が決められた信号であり、図３７に示す信号と同様の波形を有する電圧信号である。
【０２２７】
２つの第１電極ＣＯＭＬに対応して１つのシフトレジスタ７５が設けられている構成は、図３６と同様である。つまり、１つのシフトレジスタ７５により、２つの第１電極ＣＯＭＬが同時に選択される。本実施形態では、シフトレジスタ７５に論理積回路７６Ａと論理積回路７６Ｂとが設けられている。論理積回路７６Ａと論理積回路７６Ｂとは、それぞれ異なる第１電極ＣＯＭＬに対応して設けられる。以下の説明では、第１電極ＣＯＭＬ（１）と第１電極ＣＯＭＬ（２）とが駆動対象として選択された場合を説明する。
【０２２８】
図３８に示すように、配線Ｌ２２と配線Ｌ１２との間にスイッチＳＷ１５が設けられている。さらに、配線Ｌ２２と、スイッチＳＷ１３、ＳＷ１４との間にスイッチＳＷ１６が設けられている。シフトレジスタ７５の走査信号ＳＲｏｕｔは、２つのスイッチＳＷ１６に供給されるとともに、インバータ７８Ａを介して電圧レベルが反転された信号が２つのスイッチＳＷ１５に供給される。走査信号ＳＲｏｕｔが高レベルの場合、スイッチＳＷ１５がオフになり、スイッチＳＷ１６がオンになる。これにより第１電極ＣＯＭＬには、低レベル電圧信号ＧＮＤ又は高レベル電圧信号ＴＰＨが供給される。一方、走査信号ＳＲｏｕｔが低レベルの場合、スイッチＳＷ１５がオンになり、スイッチＳＷ１６がオフになる。これにより第１電極ＣＯＭＬには、配線Ｌ１２を介して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。図３８に示す例では、第１電極ＣＯＭＬ（１）と第１電極ＣＯＭＬ（２）とに接続されたスイッチＳＷ１５がオフになり、スイッチＳＷ１６がオンになる。これにより、上述したように、第１電極ＣＯＭＬ（１）及び第１電極ＣＯＭＬ（２）が駆動対象として選択される。
【０２２９】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３１Ａを介して、選択信号ＶＰＳＥＬ１を論理積回路７６Ａに供給する。論理積回路７６Ａは、選択信号ＶＰＳＥＬ１とシフトレジスタ７５の走査信号ＳＲｏｕｔとの論理積（ＡＮＤ）を出力する。つまり、論理積回路７６Ａは、走査信号ＳＲｏｕｔがオンの場合、選択信号ＶＰＳＥＬ１の位相に対応した位相を有する信号を出力する。論理積回路７６Ａの出力信号は、スイッチＳＷ１３に供給されるとともに、インバータ７８Ｂを介して電圧レベルが反転された信号がスイッチＳＷ１４に供給される。
【０２３０】
選択信号ＶＰＳＥＬ１が高レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになることで、高レベル電圧信号ＴＰＨが第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。また、選択信号ＶＰＳＥＬ１が低レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになることで、低レベル電圧信号ＧＮＤが第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。これにより、選択信号ＶＰＳＥＬ１の位相に対応した駆動信号Ｖｃｏｍ１が第１電極ＣＯＭＬ（１）に供給される。
【０２３１】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ３１Ｂを介して、選択信号ＶＰＳＥＬ２を論理積回路７６Ｂに供給する。論理積回路７６Ｂは、選択信号ＶＰＳＥＬ２とシフトレジスタ７５の走査信号ＳＲｏｕｔとの論理積（ＡＮＤ）を出力する。つまり、論理積回路７６Ｂは、走査信号ＳＲｏｕｔがオンの場合、選択信号ＶＰＳＥＬ２の位相に対応した位相を有する信号を出力する。論理積回路７６Ｂの出力信号は、スイッチＳＷ１３に供給されるとともに、インバータ７８Ｂを介して電圧レベルが反転された信号がスイッチＳＷ１４に供給される。
【０２３２】
選択信号ＶＰＳＥＬ２が高レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになることで、高レベル電圧信号ＴＰＨが第１電極ＣＯＭＬ（２）に供給される。また、選択信号ＶＰＳＥＬ２が低レベルの場合、スイッチＳＷ１３がオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになることで、低レベル電圧信号ＧＮＤが第１電極ＣＯＭＬ（２）に供給される。これにより、選択信号ＶＰＳＥＬ２の位相に対応した駆動信号Ｖｃｏｍ１が第１電極ＣＯＭＬ（２）に供給される。
【０２３３】
このように駆動走査回路１４Ｃは、直流の低レベル電圧信号ＧＮＤと高レベル電圧信号ＴＰＨとを切り換えることで、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号Ｖｃｏｍ１を生成し、第１電極ＣＯＭＬに供給することができる。
【０２３４】
表示用ＩＣ１９が選択信号ＶＰＳＥＬ１、ＶＰＳＥＬ２を駆動走査回路１４Ｃに供給するタイミングと同期して、第２駆動回路１４Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、符号生成回路１５により生成された信号に基づいて位相が決定される。このようにして、駆動走査回路１４Ｃ及び検出用ＩＣ１８により、４つの電極を含む駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）が選択され、選択された駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２が供給される。
【０２３５】
このような駆動回路により、表示用ＩＣ１９及び駆動走査回路１４Ｃは、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち駆動対象の２つの第１電極ＣＯＭＬに対して、位相の異なる駆動信号Ｖｃｏｍ１をそれぞれ供給することができる。本変形例において、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、駆動走査回路１４Ｃを介さずに、検出用ＩＣ１８により独立して駆動される。このため、第１電極ＣＯＭＬを直流電圧駆動により時分割駆動する従来構成の駆動回路を、大きく変更することなくＣＤＭ駆動の駆動回路に兼用することができる。
【０２３６】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０２３７】
例えば、第３電極５３Ａ、５３Ｂ、第３電極５４Ａ、５４Ｂの長さ、幅、個数、形状等は、あくまで例示であり適宜変更してもよい。駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれる第１電極ＣＯＭＬは、１つ又は２つに限定されず、３つ以上であってもよい。この場合、駆動電極ブロックＢＫ（ｎ）に含まれる電極の数に応じて、正方行列の次数を大きくする。また、第２駆動回路１４Ｂは、検出用ＩＣ１８の外部に設けてもよい。表示装置１は、第１駆動回路１４Ａと第２駆動回路１４Ｂとを有するが、１つの駆動回路が駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２等を生成して、第１電極ＣＯＭＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに供給してもよい。
【０２３８】
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板のアクティブエリアに複数配列された第１電極と、
前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
前記アクティブエリアの外側の周辺領域に設けられる少なくとも１つの第３電極と、
所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を、前記第１電極及び前記第３電極に供給する駆動回路と、を有する表示装置。
（２）前記第１電極を順次選択する走査回路を備え、
前記駆動回路は、選択された前記第１電極と、前記第３電極とに同時に前記駆動信号を供給する上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記走査回路は、１検出面の検出を行う期間内に時分割に設けられた複数の検出期間において、前記検出期間ごとに順次前記第１電極を選択し、
前記駆動回路は、前記検出期間ごとに異なる前記第１電極に前記駆動信号を供給するとともに、複数の前記検出期間の全てにおいて前記第３電極に前記駆動信号を供給する上記（２）に記載の表示装置。
（４）前記走査回路は、１つの前記検出期間において１つの前記第１電極を選択する上記（３）に記載の表示装置。
（５）前記走査回路は、１つの前記検出期間において同時に２つの前記第１電極を選択する上記（３）に記載の表示装置。
（６）前記走査回路は、少なくとも２回の前記検出期間において、同じ２つの前記第１電極を選択し、
前記駆動回路は、少なくとも２回の前記検出期間において、選択された２つの前記第１電極及び前記第３電極に前記駆動信号を供給する上記（５）に記載の表示装置。
（７）前記走査回路は、複数の前記検出期間において、２つの前記第１電極ごとにずらして前記第１電極を選択する上記（５）又は上記（６）に記載の表示装置。
（８）前記第２電極は、前記第１電極との間の静電容量変化及び前記第３電極との間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号を検出器に出力する上記（１）乃至上記（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記第１電極は、平面視で第１方向に複数配列され、前記第１方向と交差する第２方向に延出し、
前記第３電極は前記第１方向に対向して複数設けられており、前記第１方向に対向する前記第３電極の間に複数の前記第１電極が配置される上記（１）乃至上記（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第２電極は、平面視で前記第１方向に延出し、前記第２方向に複数配列され、
前記第３電極は、前記第２電極の端部と対向して配置される上記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記第３電極は、さらに前記第１電極の端部と対向する位置の前記周辺領域にも設けられる上記（９）又は上記（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記第３電極は、前記第１電極及び前記第２電極と異なる層に配置される上記（１）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
前記第３電極は、前記カバー基板の前記周辺領域に設けられる上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記駆動回路は、前記第１電極に前記駆動信号を供給する第１駆動回路と、前記第３電極に前記駆動信号を供給する第２駆動回路とを含む上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）前記基板の前記アクティブエリアにおいて行列配置された複数の画素電極と、
画像表示機能を発揮する表示機能層と、を有する上記（１）乃至上記（１４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）画像表示を行う表示期間において、前記駆動回路は、前記第１電極に表示用の駆動信号を供給する上記（１５）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０２３９】
１、１Ａ、１Ｂ  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
５  カバー部材
６  液晶層
１０  表示パネル
１１  制御回路
１１Ａ  検出制御回路
１４Ａ  第１駆動回路
１４Ｂ  第２駆動回路
１４Ｃ  駆動走査回路
１５  符号生成回路
２０  表示領域
２１  第１基板
２２  画素電極
３０  タッチセンサ
３１  第２基板
４０  検出回路
５１  カバー基板
５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂ  第３電極
７１、７２、７３  フレキシブル基板
Ａｄ  アクティブエリア
ＢＫ  駆動電極ブロック
ＣＯＭＬ  第１電極
Ｇｄ  周辺領域
ＴＤＬ  第２電極
Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２、Ｖｃｏｍｄｃ、ＶｃｏｍＡ、ＶｃｏｍＢ  駆動信号
Ｖｓ、Ｖｓ１、Ｖｓ２  センサ出力信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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