(57)【要約】【課題】従来よりも簡易に製造することが可能なプリント配線板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明のプリント配線板１０は、ベース基板部２１と、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に積層される第１絶縁樹脂層２３と、第１絶縁樹脂層２３上に積層される第１導体層２４と、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ上に積層される第２絶縁樹脂層３３と、第２絶縁樹脂層３３上に積層される第２導体層３４と、を有する。第１絶縁樹脂層３３は、第２絶縁樹脂層３３よりも高周波特性に優れる樹脂材料で構成され、プリント配線板１０は、ベース基板部２１のうち第１面２１Ｆ側で最も外側に配置される導体層１６と、第１絶縁樹脂層２３と、第１導体層２４と、を含んでなる高周波基板部２７をさらに有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部と、
前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に積層される第１絶縁樹脂層と、
前記第１絶縁樹脂層上に積層される第１導体層と、
前記ベース基板部の表裏の他方側の面である第２面上に積層される第２絶縁樹脂層と、
前記第２絶縁樹脂層上に積層される第２導体層と、を有し、
前記第１絶縁樹脂層は、前記第２絶縁樹脂層よりも高周波特性に優れる樹脂材料で構成され、
前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部をさらに有するプリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の誘電正接は、前記第２絶縁樹脂層の誘電正接より小さく、且つ、０．００１〜０．００５である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の厚みは、前記第２絶縁樹脂層の厚みより大きい。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記ベース基板部の前記第１面側に積層される導体層の数と、前記ベース基板部の前記第２面側に積層される導体層の数が同じである。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の誘電正接は、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の誘電正接より小さい。
【請求項６】
請求項５に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の厚みは、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の厚みより大きい。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記高周波基板部は、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される導体層と前記第１導体層とで形成されるマイクロストリップラインを有する。
【請求項８】
請求項１乃至７のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記第２導体層上には、ソルダーレジスト層が積層され、
前記第１導体層上には、ソルダーレジスト層が積層されていない。
【請求項９】
導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部を形成することと、
前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に第１絶縁樹脂層を積層することと、
前記第１絶縁樹脂層上に第１導体層を形成することと、
前記ベース基板部の表裏の他方側の面である第２面上に第２絶縁樹脂層を積層することと、
前記第２絶縁樹脂層上に第２導体層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層の積層は、前記第２絶縁樹脂層の積層と同じ工程で行われ、
前記第１絶縁樹脂層として前記第２絶縁樹脂層よりも高周波特性に優れる絶縁樹脂層を用いて、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部を形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層の誘電正接は、前記第２絶縁樹脂層の誘電正接より小さく、且つ、０．００１〜０．００５である。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層の厚みは、前記第２絶縁樹脂層の厚みより大きい。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層の誘電正接は、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の誘電正接より小さい。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層の厚みは、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の厚みより大きい。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記高周波基板部を形成するにあたり、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と前記第１導体層とでマイクロストリップラインを形成する。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２導体層上にのみソルダーレジスト層を積層する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波特性に優れる絶縁樹脂層を有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のプリント配線板として、一部の絶縁層が低誘電率樹脂材料で構成されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなプリント配線板は、導体層と絶縁樹脂層が交互に積層されてなるベース基板の上に、ベース基板の絶縁樹脂層よりも低誘電率の絶縁樹脂層を有する高周波基板を接着することで製造されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４０７９７号公報（段落［００１２］、［００２９］、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のプリント配線板の製造方法では、ベース基板とは別に、高周波基板を準備する必要があるため、製造に手間がかかるという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、従来よりも簡易に製造することが可能なプリント配線板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明のプリント配線板は、導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部と、前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に積層される第１絶縁樹脂層と、前記第１絶縁樹脂層上に積層される第１導体層と、前記ベース基板部の表裏の他方側の面である第２面上に積層される第２絶縁樹脂層と、前記第２絶縁樹脂層上に積層される第２導体層と、を有し、前記第１絶縁樹脂層は、前記第２絶縁樹脂層よりも高周波特性に優れる樹脂材料で構成され、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部をさらに有している。
【０００７】
また、上記目的を達成するためになされた本発明のプリント配線板の製造方法は、導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部を形成することと、前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に第１絶縁樹脂層を積層することと、前記第１絶縁樹脂層上に第１導体層を形成することと、前記ベース基板部の表裏の他方側の面である第２面上に第２絶縁樹脂層を積層することと、前記第２絶縁樹脂層上に第２導体層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、前記第１絶縁樹脂層の積層は、前記第２絶縁樹脂層の積層と同じ工程で行われ、前記第１絶縁樹脂層として前記第２絶縁樹脂層よりも高周波特性に優れる絶縁樹脂層を用いて、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】プリント配線板の断面図
【図２】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図３】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図４】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図５】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図６】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図７】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図８】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図９】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１０】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１１】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１２】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１３】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１４】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【図１５】プリント配線板の製造工程を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態を図１〜図１５に基づいて説明する。図１に示されるように、本実施形態のプリント配線板１０は、第１面２１Ｆと第２面２１Ｓとを表裏に有するベース基板部２１の第１面２１Ｆに第１絶縁樹脂層２３と第１導体層２４が積層され、第２面２１Ｓに第２絶縁樹脂層３３と第２導体層３４が積層された構造になっている。なお、プリント配線板１０では、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側に積層される導体層（即ち、第１導体層２４）が１つで、第２面２１Ｓ側に積層される導体層（即ち、第２導体層３４）も１つとなっている。即ち、プリント配線板１０では、ベース基板部２１の表側と裏側に積層される導体層の数が同じになっている。
【００１０】
ベース基板部２１は、コア基板１１の表側と裏側とに、層間絶縁樹脂層１５と導体層１６が積層されてなる。コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋの表側と裏側とに導体層１２が積層されてなる。表側の導体層１２と裏側の導体層１２とは、絶縁性基材１１Ｋを貫通するビア導体１３によって接続されている。なお、絶縁性基材１１Ｋは、ガラス繊維等の芯材に無機フィラーを含有する樹脂を含浸させたプリプレグで構成されている。
【００１１】
層間絶縁樹脂層１５と導体層１６は、コア基板１１の表側と裏側のそれぞれに複数ずつ設けられている。ベース基板部２１の厚み方向で層間絶縁樹脂層１５を挟む導体層１６同士は、層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によって接続されている。また、コア基板１１に最も近い導体層１６は、コア基板１１上の層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によってコア基板１１の導体層１２に接続されている。層間絶縁樹脂層１５は、絶縁性基材１１Ｋと同様のプリプレグで構成されてもよいし、芯材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムで構成されてもよい。なお、本実施形態では、絶縁性基材１１Ｋと層間絶縁樹脂層１５が本発明の「絶縁樹脂層」に相当する。
【００１２】
第１絶縁樹脂層２３は、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に形成され、第１導体層２４は、第１絶縁樹脂層２３上に形成されている。第１導体層２４は、第１絶縁樹脂層２３を貫通するビア導体２５によって、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に露出する導体層１６に接続されている。
【００１３】
第２絶縁樹脂層３３は、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ上に形成され、第２導体層３４は、第２絶縁樹脂層３３上に形成されている。第２導体層３４は、第２絶縁樹脂層３３を貫通するビア導体３５によって、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ上に露出する導体層１６に接続されている。
【００１４】
第１絶縁樹脂層２３の厚みは、第２絶縁樹脂層３３の厚みより大きくなっている。第２絶縁樹脂層３３の厚みは、ベース基板部２１の層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じになっている。本実施形態の例では、第１絶縁樹脂層２３の厚みは、１００〜２００μｍとなっていて、第２絶縁樹脂層３３と層間絶縁樹脂層１５の厚みは、４０〜１００μｍとなっている。第１導体層２４、第２導体層３４及びベース基板部２１の導体層１６の各厚みは、１５〜３５μｍとなっている。なお、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋの厚みは、４０〜６００μｍであり、好ましくは、４０〜１００μｍである。
【００１５】
第１絶縁樹脂層２３は、第２絶縁樹脂層３３よりも高周波特性に優れる材料で構成され、第１絶縁樹脂層２３の誘電正接は、第２絶縁樹脂層３３の誘電正接よりも小さくなっている。具体的には、第１絶縁樹脂層２３の誘電正接は、０．００１〜０．００５となっていて、第２絶縁樹脂層３３の誘電正接は、例えば、０．０１２となっている。なお、第１絶縁樹脂層２３を構成する材料としては、液晶ポリマーやＰＴＦＥ等の低誘電率樹脂材料が挙げられる。第２絶縁樹脂層３３は、ベース基板部２１の層間絶縁樹脂層１５と同じ材料で構成されている。なお、第１絶縁樹脂層２３の比誘電率は、３．０〜３．５であり、第２絶縁樹脂層３３の比誘電率は、例えば、４．１である。
【００１６】
図１に示すように、プリント配線板１０は、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側に、高周波用の配線パターンを有する高周波基板部２７を有している。高周波基板部２７は、ベース基板部２１のうち第１面２１Ｆ側で最も外側に配置される導体層１６Ａ（以下、「最外の導体層１６Ａ」という。）と、第１絶縁樹脂層２３と、第１導体層２４と、を含んでなる。高周波基板部２７において、最外の導体層１６Ａと第１導体層２４とは、マイクロストリップライン２６を形成する。最外の導体層１６Ａは、マイクロストリップライン２６のグランド層を構成し、第１導体層２４は、マイクロストリップライン２６の配線パターンを構成する。
【００１７】
プリント配線板１０は、ベース基板部２１の第２面１１Ｓ側にのみソルダーレジスト層３７を有している。ソルダーレジスト層３７は、第２導体層３４上に積層されている。ソルダーレジスト層３７には、開口３７Ａが形成されている。そして、開口３７Ａの内側に配置される第２導体層３４によってパッド３８が形成されている。
【００１８】
本実施形態の配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図２（Ａ）に示すように、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされている銅張積層板１１Ｚが用意される。
【００１９】
（２）図２（Ｂ）に示すように、銅張積層板１１Ｚの表裏の一方側から、例えば、ＣＯ２レーザーが照射されてテーパー孔１３Ａが穿孔される。テーパー孔１３Ａは、銅張積層板１１Ｚの表裏の他方側の銅箔１１Ｃを底とする非貫通孔である。
【００２０】
（３）図２（Ｃ）に示すように、無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上とテーパー孔１３Ａの内面に無電解めっき膜４１が形成される。
【００２１】
（４）図３（Ａ）に示すように、無電解めっき膜４１上に、所定パターンのめっきレジスト４２が形成される。
【００２２】
（５）電解めっき処理が行われ、図３（Ｂ）に示すように、電解めっきがテーパー孔１３Ａ内に充填されてビア導体１３が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜４１のうちめっきレジスト４２から露出している部分に電解めっき膜４３が形成される。
【００２３】
（６）めっきレジスト４２が剥離されると共に、めっきレジスト４２の下方の無電解めっき膜４１及び銅箔１１Ｃが除去され、図３（Ｃ）に示すように、残された電解めっき膜４３、無電解めっき膜４１及び銅箔１１Ｃにより、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に導体層１２が形成される。そして、表側の導体層１２と裏側の導体層１２とがビア導体１３によって接続される。これにより、コア基板１１が得られる。
【００２４】
（７）図４（Ａ）に示すように、コア基板１１の導体層１２に、層間絶縁樹脂層１５としてプリプレグが積層されると共に、銅箔４４が積層されてから、加熱プレスされる。その際、導体層１２，１２同士の間がプリプレグにて埋められる。
【００２５】
（８）図４（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表裏の両側から層間絶縁樹脂層１５にレーザーが照射されて、ビアホール１７Ａが形成される。
【００２６】
（９）無電解めっき処理が行われ、層間絶縁樹脂層１５の上とビアホール１７Ａの内面とに無電解めっき膜４５が形成される（図５（Ａ）参照）。
【００２７】
（１０）図５（Ｂ）に示すように、無電解めっき膜４５上に、所定パターンのめっきレジスト４６が形成される。
【００２８】
（１１）電解めっき処理が行われ、図６（Ａ）に示すように、電解めっきがビアホール１７Ａ内に充填されてビア導体１７が形成され、無電解めっき膜４５のうちめっきレジスト４６から露出している部分に電解めっき膜４７が形成される。
【００２９】
（１２）図６（Ｂ）に示すように、めっきレジスト４６が剥離されると共に、めっきレジスト４６の下方の無電解めっき膜４５及び銅箔４４が除去され、残された電解めっき膜４７、無電解めっき膜４５及び銅箔４４により、層間絶縁樹脂層１５上に導体層１６が形成される。そして、導体層１２と導体層１６とがビア導体１７によって接続される。
【００３０】
なお、層間絶縁樹脂層１５として、プリプレグの代わりに、芯材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔４４を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層１６を形成することができる。
【００３１】
（１３）上記した（７）〜（１２）と同様の処理が繰り返されて、図７に示すように、コア基板１１の表裏の両側に複数の層間絶縁樹脂層１５と複数の導体層１６が交互に積層される。これにより、プリント配線板１０におけるベース基板部２１が形成される。なお、層間絶縁樹脂層１５を挟む導体層１６，１６同士は、層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によって接続される。
【００３２】
（１４）図８に示すように、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側に、第１絶縁樹脂層２３としての低誘電率材料のシートと、銅箔５０とが順番に重ねられると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ側に、第２絶縁樹脂層３３としてのプリプレグと、銅箔５０とが順番に重ねられる。なお、ベース基板部２１、第１絶縁樹脂層２３、第２絶縁樹脂層３３及び銅箔５０の水平方向の位置は、ベース基板部２１、第１絶縁樹脂層２３、第２絶縁樹脂層３３及び銅箔５０に予め形成されたアライメントマークを基準にして決定される。
【００３３】
（１５）熱プレスが行われ、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に、第１絶縁樹脂層２３と銅箔５０が順番に積層されると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ上に、第２絶縁樹脂性層３３と銅箔５０が順番に積層される（図９参照）。なお、このとき、ベース基板部２１の第１面２１Ｆで露出する導体層１６，１６同士の間が、第１絶縁樹脂層２３を構成する低誘電率材料で埋められると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓで露出する導体層１６，１６同士の間が、第２絶縁樹脂層３３を構成するプリプレグにて埋められる。
【００３４】
（１６）図１０に示すように、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側からレーザーが照射されて、第１絶縁樹脂層２３と銅箔５０を貫通するビアホール２５Ａが形成されると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ側からレーザーが照射され、第２絶縁樹脂層３３と銅箔５０を貫通するビアホール３５Ａが形成される。
【００３５】
（１７）無電解めっき処理が行われ、図１１に示すように、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側で、銅箔５０の上とビアホール２５Ａの内面とに無電解めっき膜５１が形成されると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ側で、銅箔５０の上とビアホール３５Ａの内面とに無電解めっき膜５１が形成される。
【００３６】
（１８）図１２に示すように、無電解めっき膜５１上に、所定パターンのめっきレジスト５２が形成される。
【００３７】
（１９）電解めっき処理が行われ、図１３に示すように、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側において、電解めっきがビアホール２５Ａ内に充填されてビア導体２５が形成され、無電解めっき膜５１のうちめっきレジスト５２から露出している部分に電解めっき膜５３が形成されると共に、ベース基板部２１の第２面２１Ｓ側において、電解めっきがビアホール３５Ａ内に充填されてビア導体３５が形成され、無電解めっき膜５１のうちめっきレジスト５２から露出している部分に電解めっき膜５３が形成される。
【００３８】
（２０）めっきレジスト５２が剥離されると共に、めっきレジスト５２の下方の無電解めっき膜５１及び銅箔５０が除去され、図１４に示すように、残された電解めっき膜５３、無電解めっき膜５１及び銅箔５０により、第１絶縁樹脂層２３上に第１導体層２４が形成されると共に、第２絶縁樹脂層３３上に第２導体層３４が形成される。また、ベース基板部２１の導体層１６のうち第１面２１Ｆ側で最も外側に配置される最外の導体層１６Ａと第１導体層２４とでマイクロストリップライン２６が形成されると共に、最外の導体層１６Ａ、第１絶縁樹脂層２３及び第１導体層２４により高周波基板部２７が形成される。
【００３９】
（２１）図１５に示すように、第２導体層３４上にソルダーレジスト層３７が積層される。次いで、フォトリソグラフィによってソルダーレジスト層３７に開口３７Ａが形成され、第２導体層３４にパッド３８が形成される。以上により、図１に示したプリント配線板１０が完成する。
【００４０】
本実施形態のプリント配線板１０の製造方法に関する説明は以上である。次に、プリント配線板１０及びその製造方法の作用効果について説明する。
【００４１】
本実施形態のプリント配線板１０は、ベース基板部２１のうち第１面２１Ｆ側で最も外側に配置される最外の導体層１６Ａと、第１絶縁樹脂層２３と、第１導体層２４とによってベース基板部２１よりも高周波特性に優れる高周波基板部２７が形成されている。高周波基板部２７を有するプリント配線板１０は、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に第１絶縁樹脂層２３を積層すると共に、第２面２１Ｓ上に第２絶縁樹脂層３３を積層し、その後、第１絶縁樹脂層２３上に第１導体層２４を形成し、第２絶縁樹脂層３３上に第２導体層３４を形成することで得られる。このようなプリント配線板１０の製造方法では、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に第１絶縁樹脂層２３と第１導体層２４をビルドアップすることで高周波基板部２７が形成されるので、ベース基板と高周波基板を別々に準備し、それらベース基板と高周波基板を接着してプリント配線板１０を製造する場合と比較して、プリント配線板１０を簡易に製造することが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態のプリント配線板１０では、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ側に積層される導体層の数（即ち、第１導体層２４の数）と、第２面２１Ｓ側に積層される導体層の数（即ち、第２導体層３４の数）とが、同じになっているので、厚み方向でプリント配線板１０の対称性を向上させることが可能となる。
【００４３】
また、本実施形態では、例えば、高周波基板部２７がアンテナ基板でベース基板部２１がデジタル信号処理基板というように、ベース基板部２１と高周波基板部２７とに、別々の機能を備えることが可能となる。なお、この場合において、第１絶縁樹脂層２３の誘電正接は、ベース基板部２１の絶縁性基材１１Ｋ及び層間絶縁樹脂層１５の誘電正接より小さく、且つ、０，００１〜０．００５となっていることが好ましい。また、第１絶縁樹脂層２３の厚みは、絶縁性基材１１Ｋ、層間絶縁樹脂層１５及び第２絶縁樹脂層３３の何れの厚みよりも大きいことが好ましい。
【００４４】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４５】
（１）上記実施形態において、第１絶縁樹脂層２３の誘電正接が十分に低ければ、第１絶縁樹脂層２３の厚みは、層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じであってもよい。
【００４６】
（２）上記実施形態では、第２絶縁樹脂層３３の厚みが層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じであったが、異なっていてもよい。
【００４７】
（３）上記実施形態において、絶縁性基材１１Ｋの厚みは、層間絶縁樹脂層１５の厚みと同じであっても異なっていても何れでもよい。なお、絶縁性基材１１Ｋの厚みが大きい場合には、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体によって導体層１２，１２同士が接続されてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０    プリント配線板
１１Ｋ    絶縁性基材（絶縁樹脂層）
１２    導体層
１５    層間絶縁樹脂層（絶縁樹脂層）
１６    導体層
２１    ベース基板部
２３    第１絶縁樹脂層
２４    第１導体層
２７    高周波基板部
３３    第２絶縁樹脂層
３４    第２導体層
【図１】
2018018934.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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