(57)【要約】【課題】電気特性の優れた弾性波素子を提供する。【解決手段】  第１面７ａを有する圧電基板７と、第１面７ａに配置された、弾性波を励振する電極部５と、を備え、電極部５は、Ｃｕを５ｗｔ％未満添加したＡｌからなる導体層を含み、その上面には、Ｃｕからなる粒子が多数位置しており、その個数と粒径とを乗じた値は４．２×１０５個／ｍ以上である、弾性波素子である。【選択図】図３
2018207371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する圧電基板と、
前記第１面に配置された、弾性波を励振する電極部と、を備え、
前記電極部は、Ｃｕを５ｗｔ％未満添加したＡｌからなる導体層を含み、その上面には、Ｃｕからなる粒子が多数位置しており、その個数と粒径とを乗じた値は４．２×１０５個／ｍ以上である、弾性波素子。
【請求項２】
前記電極部は、Ｃｕの固溶濃度が０．１ｗｔ％以下である、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記電極部は、複数の異なる材料からなる層が積層されており、その最上層には前記導体層が位置している、請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記圧電基板は、前記第１面と対向する第２面を有し、
前記第２面に接合されるとともに、前記圧電基板を構成する材料に比べて線膨張係数の小さい材料からなる支持基板を備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項５】
アンテナと、
前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されており、請求項１乃至７のいずれかの弾性波素子を備える受信フィルタおよび送信フィルタを備える分波器と、
前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、
を有している通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波を用いた弾性波素子および当該弾性波素子を有する通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板と、当該圧電基板の上面に設けられ、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を励振するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを有している弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）が知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
特許文献１では、圧電基板を単体でＳＡＷ共振子に用いるのではなく、圧電基板と当該圧電基板に比較して熱膨張係数の小さい支持基板とを貼り合せた貼り合せ基板をＳＡＷ素子に用いている。このような貼り合せ基板を利用することによって、例えば、温度変化によるＳＡＷ共振子の電気特性変化が補償される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２２９９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなＳＡＷ素子において、所望の電気特性を安定して実現することが求められている。本開示はかかる事情のもとに案出されたものであり、その目的は、所望の電気特性を安定して発現する信頼性の高いＳＡＷ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と電極部とを備えている。圧電基板は、第１面を有する。電極部は、前記第１面に位置し、弾性波を励振する。前記電極部は、Ｃｕを５ｗｔ％未満添加したＡｌからなる導体層を含み、その上面には多数のＣｕの粒子が位置し、その個数と粒径とを乗じた値が４．２×１０５個／ｍ以上である。
【０００７】
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されており、上記弾性波素子を備える受信フィルタおよび送信フィルタを備える分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、を有している。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成によれば、所望の電気特性を安定して発現する信頼性の高い弾性波素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の実施形態に係る弾性波素子の構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線における要部断面図である。
【図３】熱処理温度に対する粒子５１の存在密度と粒径とを乗じた値と電気抵抗値の低減率との相関を示す線図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、導体層の表面状態を観察した結果を示す図である。
【図５】電極部の変形例を示す断面図である。
【図６】分波器を示す模式図である。
【図７】分波器の利用例としての通信装置を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜弾性波素子＞
以下、本開示の実施形態に係る弾性波素子について、図面を参照して説明する。この例では、弾性波素子としてＳＡＷを用いたＳＡＷ素子を用いて説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
ＳＡＷ素子は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。
【００１２】
（ＳＡＷ素子の構成の概要）
図１は、本発明の実施形態に係る弾性波素子１（ＳＡＷ素子１）の構成を示す平面図である。図２は、図１のII−II線における要部拡大断面図である。
【００１３】
ＳＡＷ素子１は、弾性波としてＳＡＷを利用する。ＳＡＷ素子１の構成は、具体的には、以下の通りである。
【００１４】
ＳＡＷ素子１は、例えば、貼り合せ基板３と、貼り合せ基板３の上面に構成された電極部５とを有している。ＳＡＷ素子１は、この他、ＳｉＯ２等からなり、電極部５を覆う保護層６を有していてもよい。
【００１５】
貼り合せ基板３は、例えば、圧電基板７と、圧電基板７の下面（第２面）７ｂに貼り合わされた支持基板９（図２）とを有している。なお、図１，図２では、圧電基板７のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸の一例を示している。
【００１６】
圧電基板７は、例えば、圧電性を有する単結晶基板によって構成されている。単結晶基板は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、タンタル酸リチウムであれば、４２°±１０°Ｙ−Ｘカット，０°±１０°Ｙ−Ｘカットなどである。ニオブ酸リチウムであれば、１２８°±１０°Ｙ−Ｘカットまたは６４°±１０°Ｙ−Ｘカットなどである。
【００１７】
なお、以下では、主として圧電基板７がタンタル酸リチウムからなる３８°以上４８°以下Ｙ−Ｘカットである態様を例にとって説明するものとする。確認的に記載すると、このＹ−Ｘカットでは、Ｘ軸回りにＹ軸からＺ軸へ３８°以上４８°以下の角度で回転したＹ′軸（不図示）に主面が直交する。
【００１８】
圧電基板７の厚みは、例えば、圧電基板７の平面方向全体に亘って一定であり、０．２μｍ〜３０μｍを例示できる。
【００１９】
支持基板９は、例えば、圧電基板７の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これによって、ＳＡＷ素子１の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板９は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層された積層体であってもよいし、ベース基板に複数層が積層されたもので構成されていてもよい。
【００２０】
支持基板９の厚みは、例えば、支持基板９の平面方向全体に亘って一定であり、その大きさは、ＳＡＷ素子１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。ただし、支持基板９の厚みは、温度補償が好適に行われたり、圧電基板７の強度を補強したりできるように、圧電基板７の厚みよりも厚くされる。一例として、支持基板９の厚みは１００μｍ以上３００μｍ以下である。支持基板９の平面形状および各種寸法は、例えば、圧電基板７と同等である。
【００２１】
圧電基板７および支持基板９は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、圧電基板７および支持基板９は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。さらに、圧電基板７と支持基板９との間に中間層があってもよい。
【００２２】
電極部５の構成は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子のための電極部と同様の構成とされている。すなわち、電極部５は、ＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の両側に位置する１対の反射器１３とを有している。
【００２３】
ＩＤＴ電極１１は、圧電基板７の上面(第１面)７ａに形成された導電パターン（導電層）によって構成されており、図１に示すように１対の櫛歯電極１５を有している。
【００２４】
１対の櫛歯電極１５は、例えば、互いに対向するバスバー１７（図１）と、バスバー１７からバスバー１７の対向方向に延びる複数の電極指１９と、複数の電極指１９の間においてバスバー１７から突出するダミー電極２１とを有している。そして、１対の櫛歯電極１５は、複数の電極指１９が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
【００２５】
バスバー１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向、Ｘ軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。１対の櫛歯電極１５のバスバー１７は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向（Ｄ２軸方向）において対向している。
【００２６】
複数の電極指１９は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向，Ｘ方向）に概ね一定の間隔で配列されている。
【００２７】
一般に、ＳＡＷ共振子においては、１対の櫛歯電極１５の複数の電極指１９は、そのピッチｐ（例えば電極指１９の中心間距離：図２参照）が、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長（λ／２）と同等となるように設けられている。なお、ＳＡＷの波長λは、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。
【００２８】
ＳＡＷ共振子と同様に、複数の電極指１９の一部においては、そのピッチｐが相対的に小さくされたり、逆に、ピッチｐが相対的に大きくされたりしてもよいし、また、ピッチｐが通常のピッチｐの整数倍となるいわゆる間引きが行われてもよい。なお、本実施形態において、単にピッチｐという場合、特に断りがない限り、上記のような特異な部分（狭ピッチ部、広ピッチ部または間引き部等）を除いた部分（複数の電極指１９の大部分）のピッチｐまたはその平均値をいうものとする。また、同様に、特に断りがない限り、単に電極指１９というときは、特異な部分以外における電極指１９を指すものとする。
【００２９】
複数の電極指１９の本数、長さ（Ｄ２軸方向）および幅（Ｄ１軸方向：図２のｗ１）は、弾性波共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、電極指１９の本数は１００以上４００本以下である。電極指１９の長さおよび幅は、例えば、複数の電極指１９間で互いに同等である。
【００３０】
ダミー電極２１は、例えば、一方の櫛歯電極１５において複数の電極指１９の中間位置にてバスバー１７から突出しており、その先端は、他方の櫛歯電極１５の電極指１９の先端とギャップを介して対向している。ダミー電極２１の長さおよび幅は、例えば、複数のダミー電極２１間で互いに同等である。
【００３１】
反射器１３は、例えば、圧電基板７の上面７ａに形成された導電パターン（導電層）によって構成されており、平面視において格子状に形成されている。すなわち、反射器１３は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する１対のバスバー（符号省略）と、これらバスバー間において弾性波（例えばＳＡＷ）の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に延びる複数のストリップ電極（符号省略）とを有している。
【００３２】
反射器１３の複数のストリップ電極は、複数の電極指１９の配列に続くようにＤ１軸方向に配列されている。ストリップ電極の本数および幅は、弾性波共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。複数のストリップ電極のピッチは、例えば、複数の電極指１９のピッチと同等である。また、反射器１３の端部のストリップ電極とＩＤＴ電極１１の端部の電極指１９との間隔は、例えば、複数の電極指１９のピッチｐと同等である（ピッチｐの整数倍でもよい。）。
【００３３】
ＩＤＴ電極１１および反射器１３等を構成する導体層は、Ａｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。なお、導体層の下方に、他の材料系からなる複数の層を含んでいてもよい。導体層の材料については後述する。
【００３４】
ＩＤＴ電極１１および反射器１３の厚みは、例えば、これら全体に亘って一定である。
【００３５】
以上のような構成のＳＡＷ素子１においては、まず、ＳＡＷ共振子と同様の作用が生じる。具体的には、一方の櫛歯電極１５に電気信号が入力され、複数の電極指１９によって圧電基板７に電圧が印加されると、圧電基板７の上面付近において、当該上面に沿って伝搬するＳＡＷが誘起される。このＳＡＷは、複数の電極指１９および反射器１３の複数のストリップ電極によって反射される。その結果、電極指１９のピッチｐを概ね半波長（λ／２）とするＳＡＷの定在波が形成される。定在波は、圧電基板７の上面に電荷（定在波と同一周波数の電気信号）を生じさせ、その電気信号は他方の櫛歯電極１５の複数の電極指１９によって取り出される。
【００３６】
（電極部５の析出粒子について）
ここで、電極部５について詳述する。ＳＡＷ素子１において、電極部５は、Ｃｕを添加したＡｌからなる。具体的には、ＡｌにＣｕを５ｗｔ％未満の割合で添加している。このような割合でＣｕを添加することにより、ＣｕがＡｌ中に固溶可能となり、電極部５を構成する導体層の内部において異なる複数の相が混在することを抑制することができる。これにより、安定した電気的特性を実現することができる。
【００３７】
さらに、電極部５の表面には多数の粒子５１が位置している。これらの粒子５１は、Ｃｕからなり、電極部５を構成する導体層から析出させたものである。ここで、ＳＡＷ素子１においては、この粒子５１の単位面積当たりの個数（存在密度）と、粒子５１の粒径と、を乗じた値（以下、Ｆ値とする）を、４．２×１０５個／ｍ以上としている。このような関係を満たすことで、ＳＡＷ素子１の電気的特性を向上させるとともに、安定させることができる。具体的には、電極部５の電気抵抗を低下させ、かつ、電極部５のマイグレーションを抑制し、耐電力性を高めることができるものとなる。
【００３８】
Ｃｕは一般的に導体膜の耐電力性を高めるために添加される。これに対して、本願の発明者が鋭意検討を重ねた結果、導体膜内部におけるＣｕの固溶状態や分散状態や結晶粒界の状態により、導体膜の抵抗値や耐電力性に差が生じることを見出した。そして、導体膜の抵抗値や耐電力性と、析出した粒子５１の存在密度および粒径とに相関があることを見出したものである。
【００３９】
なお、粒子５１の存在密度および粒径は、添加量と導体層成膜時およびその後の熱処理条件とにより、制御することができる。熱処理条件等により、導体層内部におけるＣｕの分散状態や、結晶粒界の状態が変わることからも、表面に析出する粒子５１の形状および個数と導体層内部の状態とが相関を有するものと考えられる。
【００４０】
すなわち、Ｆ値を、４．２×１０５個／ｍ以上としたときに、導体層の電気特性を高めることができる。
【００４１】
ここで、導体層上に析出した粒子の粒径と存在密度とを変化させて、導体層の電気特性を測定した。具体的には、Ａｌに１ｗｔ％のＣｕを添加して成膜したもの（熱処理なし）を比較例とし、この比較例の導体層に対して熱処理温度、熱処理時間を変更して、Ｆ値を異ならせてシート抵抗値を確認した。その結果を図３に示す。
【００４２】
図３において、横軸は熱処理温度（単位：℃）、縦軸は左軸が比較例の抵抗値（比抵抗）からの低減率を示し、右軸がＦ値を示している。なお、熱処理温度は、基準温度Ｔ０からＴ０＋２２０℃まで変化させた結果を示している。なお、Ｔ０で熱処理を行なったときには、比較例の比抵抗に比べ約０．５％の比抵抗値の低減を実現している。
【００４３】
図３から明らかなように、熱処理温度を高めるにつれて、抵抗値は下がって極小値をとった後に極小値から増大し抵抗が大きくなる様子を確認した。すなわち、抵抗値の低減率は温度上昇とともに極大値をとり、その後低下していく様子を確認した。また、Ｆ値は、熱処理温度を高めるにつれて、極大値をとり、その後低下していく様子を確認した。抵抗値とＦ値とは、熱処理温度に対する変化が同様の傾向を示している。
【００４４】
すなわち、Ｆ値を一定以上とすることで電気抵抗値を低下させることができ、電気特性を良好にすることができるものとなる。具体的には、Ｆ値を４．２×１０５個／ｍ以上としたときに、比較例に対して１０％以上の抵抗値の低減が図れるものとなる。
【００４５】
図４（ａ）〜（ｃ）に、熱処理条件を異ならせたときの導体層の表面を観察した結果を示す。図４（ａ）は、図３に示す領域Ａにおける導体層の表面状態であり、図４（ｂ）は図３の領域Ｂにおける導体層の表面状態であり、図４（ｃ）は、図３の領域Ｃにおける導体層の表面状態である。
【００４６】
領域Ａにおいては、領域Ｂに比べ粒子の存在密度・粒径がともに小さくなっており、領域Ｃに比べ粒径が小さくなっていることが確認できる。さらに、領域Ａにおいて、熱処理温度をあげるにつれて粒子の存在密度・粒径がともに大きくなっていた。
【００４７】
領域Ｂにおいては、領域Ａ，Ｃに比べ存在密度が大きくなっていた。そして、領域Ｂ内において、粒径はほぼ一定であった。
【００４８】
領域Ｃは、領域Ａ，Ｂに比べ粒子の粒径が大きくなっており、存在密度は小さくなっていた。そして、領域Ｃ内において、熱処理温度を高めるにつれ、粒径は大きくなり、存在密度は小さくなっていた。
【００４９】
以上より、領域Ｂにおいては、導体層内部のＣｕの量を最適化するとともに、比較的小さな粒径の粒子を数多く析出させることで、導体層内部におけるＣｕの分布や粒界の状態を偏りのない状態にすることができるものと推察される。このため、領域Ｂ、すなわち、Ｆ値を４．２×１０５個／ｍ以上とすることで、電気特性を高めることができる。
【００５０】
そして、導体層の電気抵抗値を１０％以上下げることで、電極部５に高周波信号が印加されたときの発熱を抑制し、耐電力性を高めることができる。
【００５１】
なお、Ｃｕの添加量を５ｗｔ％未満の範囲で変化させて同様の測定を行なったときにも同様の傾向が確認された。このため、Ｃｕの添加量に関わらず、Ｆ値を４．２×１０５個／ｍ以上とすることで電気特性を高めることができることを確認した。なお、抵抗値の低減率は、Ｃｕの添加量が１ｗｔ％までの領域では添加量を増やすにつれて急激に高くなり、１ｗｔ％を超えると低減率の向上度合は緩やかになることを確認した。この結果より、Ｃｕの添加量を１ｗｔ％以上としてもよい。なお、粒子５１を析出させたのちの導体層内部におけるＣｕの量（Ｃｕの固溶量）は０．１ｗｔ％以下としてもよい。計算により、Ｃｕ添加量が１ｗｔ％の時に、比抵抗が１０％以上低減すると、固溶体中の残留Ｃｕ濃度は０．１ｗｔ％以下に下がっていることを確認したことによる。その場合には導体層の抵抗値を小さくすることができる。残留固溶濃度を下げれば下げるほど、抵抗率は小さくなる。
【００５２】
Ｃｕの添加量を増やした場合には、上述のＦ値条件を満たしつつ残留固溶濃度を０．１ｗｔ％より高くしても、抵抗値を１０％以上低減することが可能である。一方で添加量を１ｗｔ％以上５ｗｔ％未満の範囲で増加させつつ残留固溶濃度を０．１ｗｔ％以下とする場合には、さらに高い抵抗低減率を実現することができる。
【００５３】
さらに、粒子５１の粒径分布を小さくすることで、導体層内部におけるＣｕの分布や粒界の状態を偏りのない状態にすることができるものと推察され、抵抗値を小さくすることができる。
【００５４】
また、粒子５１の粒径を異ならせたときの耐電力の値を測定した結果、粒子５１の粒径を小さくすることで耐電力性を高めることができることを確認した。具体的には、比較例に対して、粒子の平均粒径を２０％低減したときに、耐電力を２７．３ｄＢから２７．５ｄＢまで高めることができた。このため、粒子５１の粒径を小さい状態でＦ値を４．２×１０５個／ｍ以上とすることで、抵抗率を下げるとともに耐電力性を高めることができる。具体的には、平均粒径を１０ｎｍ以下としてもよい。
【００５５】
なお、上述の例で粒子５１の測定は、例えば、走査型電子顕微鏡等で表面状態を観察したのちに、その画像を取り込み、画像解析ソフトで必要に応じて二値化等の各種処理を行なって算出すればよい。そのとき、粒子５１の「粒径」とは、フェレー径の平均で表すものとする。なお、導体層の上部に保護層６が存在する場合であっても、保護層６の上から観察することができる。反射電子や二次電子の脱出深さに対して保護層６の厚みが薄いからである。粒子５１の識別を容易にするために、必要に応じて、反射電子像で表面状態を確認してもよい。
【００５６】
（変形例）
上述の例では、電極部５は単層膜で構成した例を用いて説明したが、電極部５は多層膜であってもよい。Ａｌ−Ｃｕ合金以外の層との積層膜であってもよいし、図５に示すように、Ｔｉ等からなる下地層５５とＡｌ−Ｃｕ合金からなる導体層５６とを繰り返し積層させた積層体であってもよい。その場合には、最上層に位置するＡｌ−Ｃｕ合金の導体層の表面状態を確認すればよい。
【００５７】
また、上述の例では、支持基板と圧電基板との複合基板を用いた例を用いて説明したが、この例には限定されない。厚みのある圧電基板単体で構成してもよいし、支持基板と圧電基板との間に複数の積層膜が存在するものであってもよい。
【００５８】
さらに、導体層を構成する材料は、ＡｌにＣｕのみを添加させる例に限定されない。例えば、Ｃｕに加えＭｇを添加して、Ａｌの結晶粒を成長させて粒界を少なくしてもよい。
【００５９】
＜ＳＡＷ素子の利用例＞
以下、ＳＡＷ素子１の利用例として、分波器および通信装置について説明する。
【００６０】
（分波器）
図６は、ＳＡＷ素子１の利用例としての分波器１０１を示す模式図である。
【００６１】
分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。
【００６２】
送信フィルタ１０９は、例えば、ラダー型に接続された１以上の直列共振子Ｓ１〜Ｓ３および１以上の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３を有している。
【００６３】
受信フィルタ１１１は、例えば、縦結合多重モード（２重モードを含むものとする）型共振子フィルタ１７で構成される。なお、その前段に共振子１８を備えていてもよい。
【００６４】
このような送信フィルタ１０９、受信フィルタ１１１を構成するＳＡＷ共振子の少なくとも１つは、ＳＡＷ素子１によって構成されている。
【００６５】
（通信装置）
図７は、ＳＡＷ素子１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。
【００６６】
通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものである。通信装置１５１は、上述した分波器１０１を有していることによって、ＳＡＷ素子１を利用している。具体的には、以下のとおりである。
【００６７】
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
【００６８】
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
【００６９】
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。送信用の通過帯と、受信用の通過帯とは、通常、互いに重なっていない。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。また、図７は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１…弾性波素子、３…貼り合わせ基板、５・・・電極部、７…圧電基板、９…支持基板、１１…ＩＤＴ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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