(57)【要約】【課題】色純度が良く、視認性の良い、発光素子を備えた表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、第１の導電膜と第２の導電膜との間隔により構成される微小光共振器を備える。第１の導電膜と第２の導電膜との一方は光反射性を有し、他方は半光透過性・半光反射性を備える。発光層は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に挟まれる。第１の画素及び第２の画素において、第２の導電膜と第３の導電膜との間に発光層を挟む。第３の導電膜は光透過性を有する。第３の画素において、第２の導電膜は発光層と接する。第１の導電膜と第２の導電膜との間隔は第１の画素と第２の画素とにおいて等しく、第１の画素と第３の画素とにおいて異なる。第１の画素は、発光極大波長を赤色の波長領域に有する光を射出し、第２の画素は、発光極大波長を青色の波長領域に有する光を射出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第１の画素と、第２の画素と、第３の画素と、を有し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、前記発光層が形成され、
前記第１の画素及び前記第２の画素において、前記第１の導電膜と、前記発光層との間に、前記第３の導電膜が形成され、
前記第３の画素において、前記第１の導電膜は、前記発光層と接し、
前記第１の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、
前記第２の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、
前記第３の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第３の距離を備え、
前記第２の距離は、前記第１の距離と等しく、
前記第３の距離は、前記第１の距離と異なり、
前記第３の導電膜は、光透過性を備え、
前記第１の画素は、赤色の光を射出し、
前記第２の画素は、青色の光を射出する表示パネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の画素は、発光極大波長を６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、
前記第２の画素は、発光極大波長を４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する表示パネル。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、
前記第２の導電膜は、光反射性を備える表示パネル。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記第１の導電膜は、光反射性を備え、
前記第２の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備える表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１において、
前記第１の導電膜は、銀を含む、表示パネル。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の導電膜と、前記発光層との間には無機絶縁膜が形成され、
前記無機絶縁膜は、前記第１の画素、前記第２の画素、及び前記第３の画素の間に設けられる表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６において、
前記第３の画素は、緑色の光を射出する表示パネル。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の画素は、発光極大波長を５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する表示パネル。
【請求項９】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
【請求項１０】
第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層の上方に第２の導電層を形成する工程と、
前記第２の導電層の上方に、第１の領域と、前記第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有する第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクと重ならない前記第１の導電層と、前記第１のマスクと重ならない前記第２の導電層と、を除去する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記第１のマスクの膜の厚さを薄くすることにより前記第１のマスクの前記第２の領域を除去し、第２のマスクを形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記第２のマスクと重ならない前記第２の導電層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記第２のマスクを除去する工程と、
前記第１の導電層、及び前記第２の導電層の上方に開口部を有する無機絶縁層を形成する工程と、
前記第１の導電層の上方、前記第２の導電層の上方、及び前記無機絶縁層の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、第３の導電層を形成する工程と、を含む表示パネルの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、情報処理装置または表示パネルの作製方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、作製方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの作製方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイ技術の発展に伴って、要求される性能は日々高度化している。あるディスプレイが再現可能な色域を示す規格には、従来から広く指標とされているｓＲＧＢ規格やＮＴＳＣ規格などがあるが、最近ではより広い色域をカバーするＢＴ．２０２０規格が提唱されている。
【０００４】
ほぼ全ての物体色を表現できるＢＴ．２０２０規格ではあるが、有機化合物の発するブロードな発光スペクトルをそのまま用いるのでは現状実現が難しいため、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造等を用いることによって色純度を高めることで、当該規格を実現する試みがなされている。
【０００５】
表示パネルにおいて、より広い色域をカバーする、微小光共振器構造長の異なる領域を設ける構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上で有利である。特に、広い色再現性を達成するためには、最適な発光スペクトルピーク波長と、シャープなスペクトルを得ることが必要である。
【０００８】
しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラー化の発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在する画素での色純度の低下が問題となっている。さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加も問題になっている。
【０００９】
そこで、本発明は、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した表示パネルにおいて、各発光素子から所望の波長の光が色純度良く射出される素子構造とすることができる構成により、視認性の良い発光素子を備えた表示パネルを提供することを課題の一とする。または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することを課題の一とする。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することを課題の一とする。
【００１０】
または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネルの作製方法を提供することを課題の一とする。
【００１１】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様の表示パネルは、発光層と、第１の画素と、第２の画素と、第３の画素と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、を有する。発光層は、第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に挟まれるように形成され、第２の導電膜は、第１の画素及び前記第２の画素において、第３の導電膜との間に前記発光層を挟み、第２の導電膜は、第３の画素において発光層と接する。第１の画素は、第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、第２の画素は、第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、第３の画素は、第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第３の距離を備える。
【００１３】
第２の距離は、第１の距離と等しく、第３の距離は、第１の距離と異なる。第３の導電膜は、光透過性を備える。第１の画素は赤色の光を射出し、第２の画素は青色の光を射出する。
【００１４】
上記構成において、第１の画素は、発光極大波長を６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、第２の画素は、発光極大波長を４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出すると好ましい。
【００１５】
上記構成において、第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、第２の導電膜は、光反射性を備えると好ましい。または、上記構成において、第１の導電膜は、光反射性を備え、第２の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備えると好ましい。
【００１６】
上記各構成において、第１の導電膜は、銀を含むと好ましい。このとき、第１の導電膜の反射率を高めることができ、微小光共振器の有する特定の波長の光を強めあう特性を向上させることができる。
【００１７】
上記各構成において、発光層と、第１の導電膜との間には無機絶縁膜が形成され、無機絶縁膜は、第１の画素、第２の画素、及び第３の画素の間に設けられると好ましい。
【００１８】
上記各構成において、第３の画素は、緑色の光を射出すると好ましい。または発光極大波長を５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出すると好ましい。このとき、本発明の一態様の表示パネルは、赤、青、緑の３色を備えたフルカラーの表示が好適に可能となる。
【００１９】
本発明の別の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記各構成の表示パネルと、を含む。
【００２０】
本発明の別の一態様の表示パネルの作製方法は、第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層の上方に第２の導電層を形成する工程と、第２の導電層の上方に、第１の領域と、第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有する第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクと重ならない第１の導電層と、第１のマスクと重ならない第２の導電層と、を除去する第１の工程と、第１の工程の後、第１のマスクの膜の厚さを薄くすることにより第１のマスクの第２の領域を除去し、第２のマスクを形成する第２の工程と、第２の工程の後、第２のマスクと重ならない第２の導電層を除去する第３の工程と、第３の工程の後、第２のマスクを除去する工程と、第１の導電層、及び第２の導電層の上方に開口部を有する無機絶縁層を形成する工程と、第１の導電層、第２の導電層の上方、または無機絶縁層の上方に発光層を形成する工程と、発光層の上に、第３の導電層を形成する工程と、を含む。
【００２１】
上記作製方法によれば、露光回数を増やすことなく、赤、青、緑の３色を備え、各色純度を高められたフルカラーの表示パネルを作製することが可能となる。
【００２２】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００２３】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００２４】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００２５】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００２６】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００２７】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００２８】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一態様の表示パネルは、光のスペクトルを狭線化することができる。その結果、当該光の色純度を高めることができる。色純度が高められることにより、色再現性が向上した、視認性の良い表示パネルを提供することができる。尚、ある色の色純度が高い光は、当該色の発光スペクトルが狭線化され、他の色の波長領域の光強度が小さい光である。
【００３０】
または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。または、新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することができる。
【００３１】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する上面図および断面図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの画素とその作製方法を説明する断面図。
【図３】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および模式図。
【図４】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図６】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図９】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する断面図。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する断面図。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する平面図。
【図１２】実施の形態に係る多階調マスクを説明する図。
【図１３】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図１４】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図１５】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明するフロー図。
【図１６】実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。
【図１７】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する模式図および断面図。
【図１８】実施の形態に係る表示パネルの副画素を説明する平面図と断面図。
【図１９】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図２０】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図２１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図２２】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図２３】実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図２４】実施の形態に係る表示パネルの光反射膜の形状を説明する模式図。
【図２５】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図２６】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図２７】実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する上面図および断面図。
【図２８】実施例に係る屈折率特性を説明する図。
【図２９】実施例に係る光のスペクトルを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の一態様の表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する自発光型の表示素子を備える。当該複数の画素は、該画素の備える表示素子に、微小光共振器を備えることができる。
【００３４】
これにより、色純度が高い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することができる。さらに、色相が互いに異なる２の画素の、微少光共振器構造の作製工程の一部を同一とすることにより、工程数およびコストの削減を図ることができる。
【００３５】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について説明する。
【００３７】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルの画素を説明する上面図および断面図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｙ３−Ｙ４における断面図である。
【００３８】
図２（Ａ）は、本発明の一態様の表示パネルの画素を説明する断面図である。図２（Ｂ）乃至（Ｆ）は、その作製方法を説明する断面図である。
【００３９】
図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図である。
【００４０】
図４および図５は表示パネルの構成を説明する断面図である。図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図６の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）はいずれも図４（Ａ）の一部を説明する図である。
【００４１】
図５（Ａ）は図６の切断線Ｘ７−Ｘ８、図３（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【００４２】
図６は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。
【００４３】
図７は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００４４】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００４５】
＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。
【００４６】
表示パネル７００は、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【００４７】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、を一組にして画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ａ）参照）。
【００４８】
表示パネル７００はＲＧＢ方式を用い、赤、緑、青の３色によってフルカラー表示が可能となる。具体的には、赤色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および青色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【００４９】
また、例えば、白色を表示する画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。
【００５０】
＜表示素子の構成例１＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。同様に画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を有する。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を有する。
【００５１】
画素７０２（ｉ，ｊ）は発光層５５３、電極５５１（ｉ，ｊ）、導電膜５５２を備える。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は発光層５５３、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）、導電膜５５２を備える。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は発光層５５３、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）、導電膜５５２を備える。発光層５５３は、発光性の材料を含む層である。
【００５２】
画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ２（Ｇ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ３（Ｂ）を備える。
【００５３】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）とを、電極５５１（ｉ，ｊ＋２）に用いる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）を電極５５１（ｉ，ｊ＋１）に用いる。
【００５４】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、発光層５５３は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５２との間に挟まれる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、発光層５５３は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜５５２との間に挟まれる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において、発光層５５３は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５２との間に挟まれる。
【００５５】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）は、発光層５５３との間に導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）を挟む。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）は、発光層５５３との間に導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）を挟む。
【００５６】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）は、発光層５５３と接する。
【００５７】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）はいずれも半光透過性・半光反射性を備える。また導電膜５５２は光反射性を備える。また導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）はいずれも光透過性を備える。また発光層５５３は光透過性を有する材料を用いる。
【００５８】
画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）のうち１または複数に微小光共振器構造を備えることができる。本実施の形態では、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）のいずれにも微小光共振器構造を備える。
【００５９】
微小光共振器構造は、半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜とを備える。該半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜との間には、所定の間隔が設けられる。該所定の間隔には、光透過性の膜または空隙を有する。微小光共振器構造内の光は、該間隔において共振し、特定の波長の光を強めあう。その結果、当該色以外の光強度が相対的に小さくなり、当該色の色純度が高くなる。
【００６０】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）とはいずれも光透過性を有し、微小光共振器構造の一部を成す。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、発光層５５３が光透過性を有し、微小光共振器構造の一部を成す。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において、発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）とはいずれも光透過性を有し微小光共振器構造の一部を成す。
【００６１】
導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）は、光透過率の異なる２種以上の、光透過性を有する積層構造膜でも良い。
【００６２】
図１（Ｂ）には、赤色の光Ｒ０１及びＲ０２、緑色の光Ｇ０１及びＧ０２、青色の光Ｂ０１及びＢ０２、とが示されている。いずれの光も発光層５５３から射出される。
【００６３】
また表示パネル７００は、距離ｄ０、ｄ１、ｄ２を備える（図１（Ｂ）参照）。距離ｄ０は、画素７０２（ｉ，ｊ）において導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と導電膜５５２との間の距離である。距離ｄ１は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と導電膜５５２との間の距離である。距離ｄ２は、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と導電膜５５２との間の距離である。距離ｄ０と、距離ｄ１とは異なる。距離ｄ０と、距離ｄ２とは等しい。尚、本明細書において距離ｄ０と、距離ｄ２とは等しいとは、５ｎｍの誤差を許容する。
【００６４】
光Ｒ０２は半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）との界面で反射する。光Ｂ０２は半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）との界面で反射する。光Ｇ０２、は半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、発光層５５３との界面で反射する。また光Ｒ０２、光Ｇ０２、光Ｂ０２、は発光層５５３と、導電膜５５２との界面で反射する。
【００６５】
画素７０２（ｉ，ｊ）において光Ｒ０１と光Ｒ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において光Ｇ０１と光Ｇ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において光Ｂ０１と光Ｂ０２とは干渉して強めあう。
【００６６】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）において、上記干渉して強めあう条件を考慮して、距離ｄ０、ｄ１、ｄ２を決定する。但し、実施例で示されるように、距離ｄ０と距離ｄ２を等しくすることができる。
【００６７】
なお、半光透過性・半光反射性を備える膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。例えば、光が透過する程度に薄い金属膜を半光透過性・半光反射性を備える膜に用いることができる。
【００６８】
これにより、微小光共振器構造を画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、色純度の高い光を取り出すことができる。
【００６９】
表示パネル７００が備える画素７０２（ｉ，ｊ）は、赤色の色純度を高めた表示をすることができる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、青色の色純度を高めた表示をすることができる。
【００７０】
画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色を、発光極大波長を６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出することにより、表示できる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色を、発光極大波長を４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出することにより、表示できる。
【００７１】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、緑色の色純度を高めた表示をすることができる。
【００７２】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色を、発光極大波長を５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出することにより、表示できる。
【００７３】
例えば、白色の光を発する発光層を発光層５５３に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。
【００７４】
画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、赤色の光を射出する機能を備える（図１（Ｂ）参照）。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ２（Ｇ）を備え、緑色の光を射出する機能を備える。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ３（Ｂ）を備え、青色の光を射出する機能を備える。画素は、互いに絶縁膜５２８で区切られている。発光層５５３は、画素７０２（ｉ，ｊ）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において配設される領域、を有する。
【００７５】
画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）において、発光層５５３は、例えば２４６ｎｍの膜厚とすることができる。
【００７６】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、例えば膜厚６２ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を構成する導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）も同じである。
【００７７】
上記膜厚による各画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の色純度を高め、表示をすることができる。
【００７８】
図２（Ａ）は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の一部を含む断面図である。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を構成する、基板７７０、導電膜５５２、発光層５５３、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）、絶縁膜５２８が示されている。図２（Ｂ）乃至（Ｆ）は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の作製方法を示す断面図である。絶縁膜５２８は、例えば画素７０２（ｉ，ｊ）と画素７０２（ｉ，ｊ＋１）のような互いに隣接する画素の間に配設される。
【００７９】
また図２（Ａ）には、領域５３２と領域５３３とが、基板７７０上に示されている。領域５３２は、発光層５５３と重なり、かつ絶縁膜５２８と重ならない領域である。領域５３３は、発光層５５３と重なり、かつ絶縁膜５２８と重なる領域である。例えば画素７０２（ｉ，ｊ）と画素７０２（ｉ，ｊ＋１）のような互いに隣接する画素は、その境界に領域５３３を有する。
【００８０】
領域５３２においては、発光層５５３の膜厚方向に電圧を加えられることにより、発光層５５３は光を射出することができる。一方、領域５３３においては、絶縁膜５２８と導電膜５５２との間に発光層５５３が配設される、または発光層５５３と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）との間に絶縁膜５２８が配設される。そのため発光層５５３において膜厚方向に電流が流れることはない。
【００８１】
画素７０２（ｉ，ｊ）においては導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）が、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）においては導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）が、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においては導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）が、それぞれ露出した状態（図２（Ｂ）参照）で絶縁膜５２８を形成する必要がある。そのため絶縁膜５２８は、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）、と接している。
【００８２】
絶縁膜５２８を有機材料を用いて形成する場合、領域５３３に有する絶縁膜５２８の膜面の平坦性は良好となるものの、加工時に、領域５３２に有する導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）の表面に有機材料が残存しやすい。そのため絶縁膜５２８形成の過程で、領域５３２の導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）に接する有機材料を十分除去するため、酸素プラズマ５３４を照射する処理を行う必要がある（図２（Ｃ）、（Ｄ）参照）。
【００８３】
このとき、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）には、酸素プラズマ５３４による処理後に、半光透過性・半光反射性を備え、導電性を有し、かつ脆くならない材料を用いることが好ましい。
【００８４】
絶縁膜５２８に無機絶縁膜を用いる場合、絶縁膜５２８を形成する際に酸素プラズマ５３４による処理は不要である（図２（Ｅ）、（Ｆ）参照）。そのため、酸化性雰囲気にて酸化し膜剥がれが生じる等、脆くなる材料でも、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）に用いることができる。
【００８５】
絶縁膜５２８に無機絶縁膜を用いるとき、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）には、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚の、銀を含む材料を用いることができる。本明細書中では、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）は、単層膜とする。
【００８６】
画素７０２（ｉ，ｊ）における導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）における導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）は、後述の部分にて説明する導電性酸化物を用いることで、酸素プラズマに晒されても膜剥がれを避けることができる。
【００８７】
画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）の他の作製方法は、実施の形態２にて説明する。また、上記の導電膜、絶縁膜に用いる材料について、下記に説明する。
【００８８】
＜導電膜５５１＿０＞
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）には、例えば、銀を用いることができる。または銀にアルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。なお、ここでＡＰＣとは（株）フルヤ金属製の、銀、パラジウム及び銅の合金で、その組成は、Ａｇが約９８重量％、Ｐｄが約１重量％、Ｃｕが約１重量％である。
【００８９】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができ、微小光共振器の有する特定の波長の光を強めあう特性を向上させることができる。
【００９０】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）は、発光層５５３の正極の電極になることから、仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。ＡＰＣは、主材料に銀が含まれることから、仕事関数が大きくホール注入性は高いため好ましい。
【００９１】
また、銀を含んだ材料以外にも、アルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロムから選ばれた一または複数の金属膜、もしくは金属窒化膜は、酸化性雰囲気に晒されても脆くならず、かつ導電性を維持するので、酸素プラズマに晒される場合には好ましい材料である。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。
【００９２】
また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、を用いることができる。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。
【００９３】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）は、例えば可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下である膜を用いることができる。例えばＡＰＣを材料に用いたとき、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚、代表的には１５ｎｍの膜厚とすることができる。
【００９４】
＜絶縁膜５２８＞
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む無機絶縁膜を、絶縁膜５２８に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。このような無機絶縁膜はＣＶＤ法やスパッタ法で形成でき、該形成時の酸素プラズマ処理は不要である。すなわち導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）に銀を含む材料を用いたときに好適である。
【００９５】
または、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２８に用いることができる。
【００９６】
有機絶縁膜としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２８に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２８は、例えば、絶縁膜５２８と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【００９７】
なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２８等に好適に用いることができる。
【００９８】
例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル等を用いて形成された膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【００９９】
例えば、光透過性を有する材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜５２８に用いることができる。
【０１００】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）に銀を含む材料を用いた場合、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）は容易に酸化されやすくなる。そのため導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）が露出した状態で、酸素プラズマ処理が行われる必要のない、無機絶縁膜を絶縁膜５２８に用いることが好ましい。
【０１０１】
＜導電膜５５１＿１＞
導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）には、例えば、可視光について光透過性を有する材料を、用いることができる。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）についても同様である。
【０１０２】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小光共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０１０３】
導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）については、いずれも発光層５５３の正極になることから、仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）には、上記の導電性酸化物を用いることで、仕事関数を高くすることができる。
【０１０４】
＜導電膜５５２＞
配線等に用いることができる材料を導電膜５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有し、導電性を有する材料、を導電膜５５２に用いることができる。
【０１０５】
導電膜５５２は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができ、微小光共振器の有する特定の波長の光を強めあう特性を向上させることができる。
【０１０６】
発光層５５３に流れる所望の電流密度を得たい場合、電極５５１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）に用いる材料の仕事関数を高くすることは、電極５５１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）と導電膜５５２との間の電圧を小さくするために有効である。表示における該電圧を小さくすることで、表示パネル７００の消費電力の低減に寄与する。
【０１０７】
以上より表示パネル７００は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）に銀を用い、絶縁膜５２８に無機絶縁膜とすることにより、銀の大きい仕事関数に由来するホール注入性の向上と、絶縁膜５２８に無機絶縁膜を用いることによる導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）への保護作用とを備えることができ、表示素子が射出する光の輝度を高め、消費電力を低減することができる。
【０１０８】
また、表示パネル７００の構造では（図１（Ｂ）参照）、画素７０２（ｉ，ｊ）に導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）を有し、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）とを有する。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）は金属酸化物が用いられていることから、水分の透過を防ぐことができる。発光層５５３が、水分により劣化する場合、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）を有することで、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の表示劣化を防ぐことができる。例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）と画素７０２（ｉ，ｊ＋２）とに、水分を放出しやすい素子を重ねて配設する場合、信頼性の向上に有効である。
【０１０９】
また導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）に、光吸収係数が０でない材料を用いる場合、光の吸収が起きる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）が光射出するとき、この吸収を防ぎたい場合、表示パネル７００のように発光層５５３と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）とが接する構造とすれば良い。
【０１１０】
すなわち、表示パネル７００は、微小共振器構造が有する効果とは別に、画素７０２（ｉ，ｊ）と画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の劣化を防ぎ、信頼性を向上させる効果を有することができる。
【０１１１】
＜表示パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図３（Ａ）参照）。
【０１１２】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図３（Ｃ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。
【０１１３】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は導電膜を備える。当該導電膜は可視光を透過する領域を備えてもよい。例えば、可視光を透過する導電膜を導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４に用いることができる（図４（Ａ）参照）。
【０１１４】
なお、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれもトランジスタＭの電極の機能を備える。または、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれも画素回路５３０（ｉ，ｊ）の配線の機能を備える（図４（Ａ）または図４（Ｂ）参照）。
【０１１５】
＜表示素子の構成例２＞
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図４（Ａ）参照）。例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、接続部５２２Ａにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭの導電膜５１２Ａと電気的に接続される。
【０１１６】
画素７０２（ｉ，ｊ）において表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、基板７７０に向かって可視光を射出する機能を備える（図３（Ｃ）、図４（Ａ）参照）。このとき光Ｌ１の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において着色膜ＣＦ２（Ｇ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において着色膜ＣＦ３（Ｂ）を設けることができる。
【０１１７】
＜画素回路の構成例１＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭを備え、トランジスタＭは、半導体膜５０８、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよびゲート電極として機能する導電膜５０４を備える。
【０１１８】
半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える（図４（Ｂ）参照）。
【０１１９】
半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間にゲート電極として機能する導電膜５０４と重なる領域５０８Ｃを備える。
【０１２０】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図７参照）。
【０１２１】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１２２】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０１２３】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図７参照）。なお、導電膜５１２Ｂは、接続部５２２Ｂにおいて導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図４（Ａ）および図７参照）。
【０１２４】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む（図７参照）。
【０１２５】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０１２６】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０１２７】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０１２８】
容量素子Ｃ２１は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０１２９】
また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の導電膜５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０１３０】
画素７０２（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３を備える（図５参照）。例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。
【０１３１】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５１８を備える。なお、絶縁膜５７３は、例えば、表示領域２３１の外側で絶縁膜５１８と接する領域を備える。
【０１３２】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３および絶縁膜５１８に挟まれる領域を備える。
【０１３３】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は電極５５１（ｉ，ｊ）、発光層５５３、および導電膜５５２を備える。発光層５５３は、電極５５１（ｉ，ｊ）および導電膜５５２の間に挟まれる領域を備える。発光層５５３は、有機化合物を含む。
【０１３４】
これにより、表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０１３５】
＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０１３６】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０１３７】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０１３８】
＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０１３９】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１４０】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０１４１】
＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、機能膜７７０Ｐ等を備える（図４（Ａ）または図５（Ａ）参照）。
【０１４２】
＜端子５１９Ｂ＞
端子５１９Ｂは、例えば、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続することができる。
【０１４３】
＜基板５７０、基板７７０＞
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に表示素子５５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。
【０１４４】
基板７７０の、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域において、例えば、複屈折が抑制された材料を用いることができる。
【０１４５】
＜接合層５０５＞
接合層５０５は、基板７７０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０１４６】
＜機能膜７７０Ｐ等＞
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０１４７】
＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０または接合層５０５を有する。
【０１４８】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０３または絶縁膜５０６を有する。
【０１４９】
また、表示パネル７００は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）または導電膜ＡＮＯを有する。
【０１５０】
また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂを有する。
【０１５１】
また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはトランジスタＭを有する。
【０１５２】
また、表示パネル７００は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、電極５５１（ｉ，ｊ）、導電膜５５２または発光層５５３を有する。
【０１５３】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ｂおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０１５４】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５７３を有する。
【０１５５】
また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０１５６】
＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０１５７】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１５８】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いることができる。
【０１５９】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。
【０１６０】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。
【０１６１】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いることができる。
【０１６２】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。
【０１６３】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。
【０１６４】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用いることができる。
【０１６５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。
【０１６６】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０１６７】
また、紙または木材などを基板５７０に用いることができる。
【０１６８】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。
【０１６９】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０１７０】
＜基板７７０＞
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された光透過性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。
【０１７１】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０１７２】
例えば、樹脂フィルムを基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０１７３】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
【０１７４】
＜絶縁膜５２１Ａ、Ｂ＞
例えば、絶縁膜５２８に用いることができる材料を、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる。
【０１７５】
画素７０２（ｉ，ｊ）において、着色膜ＣＦ１（Ｒ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と離れて配設されていても良い。例えば着色膜ＣＦ１（Ｒ）と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との間に、絶縁膜５２１Ｂを挟んでも良い。同様に着色膜ＣＦ２（Ｇ）と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）との間に、絶縁膜５２１Ｂを挟んでも良い。同様に着色膜ＣＦ３（Ｂ）と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）との間に、絶縁膜５２１Ｂを挟んでも良い（図１（Ｂ）参照）。
【０１７６】
＜絶縁膜５１８＞
例えば、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
【０１７７】
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することができる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制することができる。
【０１７８】
例えば、水素または窒素を供給する機能を有する材料を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、絶縁膜５１８に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜５１８を形成し、当該酸化物半導体膜に水素または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与することができる。または、当該酸化物半導体膜を第２のゲート電極に用いることができる。
【０１７９】
＜絶縁膜５１６＞
例えば、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。
【０１８０】
例えば、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第１の膜と、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。
【０１８１】
具体的には、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である膜を第１の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過または移動を容易にすることができる。
【０１８２】
また、例えば、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、さらには１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である材料を第２の膜に用いると好ましい。
【０１８３】
＜絶縁膜５０３＞
例えば、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる材料を絶縁膜５０３に用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を絶縁膜５０３に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１８４】
＜絶縁膜５０６＞
例えば、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第１の膜と、酸素を供給する機能を備える第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜に酸素を拡散することができる。
【０１８５】
具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
【０１８６】
例えば、酸素雰囲気下において形成された膜を第２の膜に用いることができる。または、成膜後に酸素を導入した膜を第２の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成膜後に酸素を導入することができる。
【０１８７】
＜絶縁膜５７３＞
例えば、絶縁膜５２１ＡまたはＢに用いることができる材料を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。
【０１８８】
例えば、酸化物または窒化物を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンまたは窒化アルミニウム等を絶縁膜５７３に用いることができる。
【０１８９】
具体的には、１×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満、好ましくは、５×１０−３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−４ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える膜を、絶縁膜５７３に用いる。
【０１９０】
例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。また、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＡＬＤ法）を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。これにより、例えば、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる密度が低い領域を、原子層堆積法を用いて形成される緻密な絶縁膜で覆うことができる。または、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる不純物が拡散しやすい領域を、原子層堆積法を用いて形成される不純物の拡散しにくい膜で覆うことができる。または、外部から表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１９１】
具体的には、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。また、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。
【０１９２】
＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。
【０１９３】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０１９４】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０１９５】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０１９６】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０１９７】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０１９８】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０１９９】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０２００】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０２０１】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。具体的には、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を導電材料ＣＰを用いて電気的に接続することができる。
【０２０２】
＜機能膜７７０Ｐ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルムまたは位相差フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２０３】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２０４】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０２０５】
＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｂｔｕｍｎ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０２０６】
例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３に用いることができる。
【０２０７】
例えば、量子ドットを発光層５５３に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０２０８】
＜発光層＞
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３に用いることができる。
【０２０９】
発光層５５３は同じ列の表示素子において連続し、異なる列の表示素子においては、発光層同士が分離して配設されても良い。例えば、５５３（ｊ）と５５３（ｊ＋１）とが分離されてもよい。
【０２１０】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０２１１】
例えば、画素毎に異なる発光層を形成しても良い。このとき、赤色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された積層材料等を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる。
【０２１２】
このとき、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）、５５３（ｊ＋１）、５５３（ｊ＋１）に用いることができる。
【０２１３】
＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ２に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０２１４】
例えば、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０２１５】
例えば、トランジスタＭに用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、金属膜を導電膜５１２Ｃ、導電膜５１２Ｄおよび導電膜５０４Ｅに用いることができる（図４（Ｃ）参照）。これにより、配線としての機能を兼ねる導電膜の電気抵抗を低減することができる。または、領域５０８Ｃに向かって進行する外光を遮光することができる。または、外光に起因するトランジスタの電気特性の異常を防ぐことができる。または、トランジスタの信頼性を向上することができる。
【０２１６】
＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２１７】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２１８】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０２１９】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２２０】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２２１】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０２２２】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる（図４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０２２３】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０２２４】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０２２５】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図４（Ｂ）または図４（Ｃ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０２２６】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５０４Ｅに用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２２７】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２２８】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０２２９】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５１２Ｃまたは導電膜５１２Ｄに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０２３０】
本実施の形態で説明する表示パネルは、トップゲート型のトランジスタを備えてもよい。またボトムゲート型のトランジスタを用いる場合でも、チャネルエッチ型、チャネル保護型の何れを用いても良い。
【０２３１】
＜表示パネルの構成例４＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図８を参照しながら説明する。
【０２３２】
図８は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図８（Ａ１）および図８（Ａ２）は、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ２）の切断線Ａ−Ｂにおける断面図である。
【０２３３】
図８（Ａ１）に、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図を示す。画素９００内には、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を有する。
【０２３４】
色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
【０２３５】
図８（Ａ１）に示す画素９００は、３つの副画素を有する。各副画素には、発光素子９３０ＥＬ（図８（Ａ１）および図８（Ａ２）には図示しない）、トランジスタ９１０、及びトランジスタ９１２が設けられている。また、図８（Ａ１）に示す各副画素では、発光素子９３０ＥＬの発光領域（発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、または発光領域９１６Ｂ）を示している。なお、発光素子９３０ＥＬは、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１２側に光を射出する、所謂ボトムエミッション型の発光素子とする。
【０２３６】
また、画素９００は、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６等を有する。配線９０２は、例えば走査線として機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０６は、例えば発光素子に電位を供給する電源線として機能する。また、配線９０２と配線９０４とは、互いに交差する部分を有する。また、配線９０２と配線９０６とは、互いに交差する部分を有する。なお、ここでは、配線９０２と配線９０４、及び配線９０２と配線９０６とが交差する構成について例示したが、これに限定されず、配線９０４と配線９０６とが交差する構成としてもよい。
【０２３７】
トランジスタ９１０は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１０のゲートは、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１０のソースまたはドレインの一方は、配線９０４と電気的に接続されている。
【０２３８】
トランジスタ９１２は、発光素子に流れる電流を制御するトランジスタである。トランジスタ９１２のゲートは、トランジスタ９１０のソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている。トランジスタ９１２のソースまたはドレインの一方は配線９０６と電気的に接続され、他方は発光素子９３０ＥＬの一対の電極の一方と電気的に接続されている。
【０２３９】
図８（Ａ１）では、発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、及び発光領域９１６Ｂが、それぞれ縦方向に長い短冊状の形状を有し、横方向にストライプ状に配列している。
【０２４０】
ここで、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量等を構成する各層には、光透過性を有する膜を用いると好適である。図８（Ａ２）は、図８（Ａ１）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００ｓと、に分けて明示した例である。このように、光透過性を有する膜を用いてトランジスタを作製することで、各配線が設けられる部分以外を透過領域９００ｔとすることができる。また、発光素子の発光領域を、トランジスタ、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量などと重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる。
【０２４１】
なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、発光素子の光取り出し効率を高めることができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とすることができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％以下であるとより好ましい。
【０２４２】
また、図８（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ−Ｂの切断面に相当する断面図を図８（Ｂ）に示す。なお、図８（Ｂ）では、上面図において図示していない、発光素子９３０ＥＬ、容量素子９１３、及び駆動回路部９０１などの断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１としては、走査線駆動回路部または信号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を有する。
【０２４３】
図８（Ｂ）に示すように、発光素子９３０ＥＬからの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。発光素子９３０ＥＬの光は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、及び容量素子９１３等を介して外部に取り出される。したがって、容量素子９１３を構成する膜などについても、光透過性を有すると好ましい。容量素子９１３が有する光透過性の領域の面積が広いほど、発光素子９３０ＥＬから射出される光の減衰を抑制することができる。
【０２４４】
なお、駆動回路部９０１においては、トランジスタ９１１については、遮光性であってもよい。駆動回路部９０１のトランジスタ９１１などを遮光性とすることで、駆動回路部の信頼性や、駆動能力を高めることができる。すなわち、トランジスタ９１１を構成するゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。またこれらに接続される配線も同様に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。
【０２４５】
また、図８に示すトランジスタ、配線、容量素子等には、以下に示す材料を用いることができる。
【０２４６】
トランジスタが有する半導体膜は、光透過性を有する半導体材料を用いて形成することができる。光透過性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０２４７】
トランジスタが有する導電膜は、光透過性を有する導電性材料を用いて形成することができる。光透過性を有する導電性材料は、インジウム、亜鉛、錫の中から選ばれた一種、または複数種を含むことが好ましい。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
【０２４８】
また、トランジスタが有する導電膜に、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた酸化物半導体を用いてもよい。当該低抵抗化させた酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということができる。
【０２４９】
例えば、酸化物導電体は、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、当該酸素欠損に水素を添加することで、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。酸化物半導体にドナー準位が形成されることで、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。
【０２５０】
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きい（例えば、エネルギーギャップが２．５ｅＶ以上である）ため、可視光に対して光透過性を有する。また、上述したように酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の光透過性を有する。
【０２５１】
また、酸化物導電体は、トランジスタが有する半導体膜に含まれる金属元素を一種類以上有することが好ましい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、トランジスタを構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。
【０２５２】
本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、発光素子から射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が低減された、優れた表示装置を提供することができる。
【０２５３】
また、本発明の一態様の表示装置は、さまざまな規格の色域を再現することができる。例えば、テレビ放送で使われるＰＡＬ（Ｐｈａｓｅ  Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ｌｉｎｅ）規格およびＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プリンタなどの電子機器に用いる表示装置で広く使われているｓＲＧＢ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ＲＧＢ）規格およびＡｄｏｂｅ  ＲＧＢ規格、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、ハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．７０９（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｕｎｉｏｎ  Ｒａｄｉｏｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｅｃｔｏｒ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）  ７０９）規格、デジタルシネマ映写で使われるＤＣＩ−Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｉｎｅｍａ  Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ  Ｐ３）規格、ＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．２０２０（ＲＥＣ．２０２０（Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ  ２０２０））規格などの色域を再現することができる。
【０２５４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２５５】
（実施の形態２）
＜画素の作製方法例１＞
本実施の形態では、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）の作製方法について説明する。特に多階調（高階調）マスクを用いる作製方法について説明する。
【０２５６】
図９は表示パネル７００の構成を説明する断面図である。
【０２５７】
図９は、図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）の切断線Ｘ５−Ｘ５Ｍ、切断線Ｘ１１−Ｘ１２の断面図である。また図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）と同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、に切断線Ｘ５＿１−Ｘ５Ｍ＿１を設け（図１０（Ａ）参照）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に切断線Ｘ５＿２−Ｘ５Ｍ＿２を設けたとき（図１０（Ｂ）参照）、それらの各断面を図９に並べて示している。ただし機能膜７７０Ｐは図９には示していない。
【０２５８】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）を有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）とを有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋２）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）とを有する。
【０２５９】
図９の画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）において、それぞれ点線５３６＿０、５３６＿１、５３６＿２、に囲まれる部分を図１１（Ａ）に並べて示す。
【０２６０】
図１１（Ｂ）、（Ｃ）、図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、は表示パネルの作製方法を説明する断面図である。また図１５は、表示パネルの作製方法を説明するフロー図である。
【０２６１】
図１１（Ｂ）には、絶縁膜５２１Ｂ上に、導電膜５５１＿０と、その上方に導電膜５５１＿１と、が成膜された状態が示される。各材料は、例えば実施の形態１にて導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）として示された材料を用いることができる。
【０２６２】
一例として、まず工程Ｐ１にて導電膜５５１＿０は、ＡＰＣを１５ｎｍの膜厚でスパッタ法にて形成する。
【０２６３】
次いで工程Ｐ２にて、導電膜５５１＿１を形成する。導電膜５５１＿１は実施の形態１で示される材料を用いることができる。本実施の形態では導電膜５５１＿１は、重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、６２ｎｍの膜厚で形成する。
【０２６４】
導電膜５５１＿１の膜厚については、例えば実施の形態１や、実施例にて示される例と同様に設定することができる。
【０２６５】
次いで、工程Ｐ３にて、レジストマスク５４１を、導電膜５５１＿１上に形成する（図１１（Ｃ）参照）。
【０２６６】
レジストマスク５４１は、領域４１と、領域４２とを有する。領域４１には、画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）を有する。領域４２には、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を有する。レジストマスク５４１は、領域４１における膜厚より、領域４２における膜厚の方が小さい。すなわち、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域は凹部ともいえる。
【０２６７】
本実施の形態では、レジストマスク５４１の形成に、多階調（高階調）マスクを用いた露光を用いる。このとき、レジストの厚さが異なるレジストマスク５４１を形成できる。また基板上の領域４３は、例えば導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）の間や、駆動回路ＧＤ、ＳＤが形成される領域である。領域４３にはレジストマスク５４１は形成されない。
【０２６８】
多階調（高階調）マスクを用いる露光について、説明する。
【０２６９】
まず、レジストマスクを形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジスト又はネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。レジストはスピンコート法で形成してもよいし、インクジェット法で選択的に形成してもよい。レジストをインクジェット法で選択的に形成すると、不要箇所へのレジスト形成を削減することができるので、材料の無駄を軽減することができる。
【０２７０】
次に、露光マスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを露光する。
【０２７１】
多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。一度の露光及び現像工程により、複数の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。よって、多階調マスクを用いることで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化できる。
【０２７２】
多階調マスクの代表例としては、図１２（Ａ）に示すようなグレートーンマスク１０ａ、図１２（Ｃ）に示すようなハーフトーンマスク１０ｂがある。
【０２７３】
図１２（Ａ）に示すように、グレートーンマスク１０ａは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜１５を備える。また、グレートーンマスク１０ａは、遮光膜が設けられた遮光部１７、遮光膜のパターンにより設けられた回折格子部１８及び遮光膜が設けられない透過部１９を有する。
【０２７４】
光透過性基板１３は、石英等の光透過性基板を用いることができる。遮光膜１５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができる。
【０２７５】
グレートーンマスク１０ａに露光光を照射した場合の、光の透過率ＴＲを図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ｂ）に示すように、遮光部１７では光の透過率２１は０％である。透過部１９では光の透過率２１は略１００％である。また、回折格子部１８では光の透過率２１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。回折格子部１８においては、スリット、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を露光に用いる光の解像度限界以下の間隔にしている。そして、回折格子部１８は、スリット、ドット又はメッシュの間隔及びピッチを調整することで、光の透過率を制御できる。なお、回折格子部１８は、周期的なスリット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュのどちらも用いることができる。
【０２７６】
図１２（Ｃ）に示すように、ハーフトーンマスク１０ｂは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜２５及び半光透過膜２３を備える。また、ハーフトーンマスク１０ｂは、遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられた遮光部２７、遮光膜２５が設けられずかつ半光透過膜２３が設けられた半光透過部２８、及び遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられない透過部２９を有する。
【０２７７】
ハーフトーンマスク１０ｂに露光光を照射した場合の、光の透過率を図１２（Ｄ）に示す。
図１２（Ｄ）に示すように、遮光部２７では光の透過率３１は０％であり、透過部２９では光の透過率３１は略１００％である。また、半光透過部２８では光の透過率３１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。半光透過部２８においては、半光透過膜２３の材料により、光の透過率を制御できる。
【０２７８】
半光透過膜２３は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＳｉなどを用いることができる。遮光膜２５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いることができる。
【０２７９】
多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図１１（Ｃ）に示すように膜厚の異なる領域を有するレジストマスクを形成することができる。
【０２８０】
なお、多階調マスクとして、レジストの膜厚が２種類の例を示したが、本発明の形態はこれに限られない。複数の光の透過率を有する回折格子部１８又は半光透過膜２３を用いることにより、３種類以上の膜厚を有するレジストを形成できる。
【０２８１】
次に、工程Ｐ４にてレジストマスク５４１をマスクに、領域４３の導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１とを除去する（図１３（Ａ）参照）。工程Ｐ４により、画素７０２（ｉ，ｊ）においては導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、を形成する。同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）においては、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）とを形成する。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においては、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）とを形成する。
【０２８２】
導電膜５５１＿１は、ウェットエッチングで加工することができる。ウェットエッチングに用いることができる薬液としては、例えばシュウ酸、混酸アルミ、８５％リン酸を１％に希釈した溶液、が挙げられる。
【０２８３】
導電膜５５１＿１のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。
【０２８４】
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。
【０２８５】
また、ドライエッチングに用いるその他のエッチングガスとして、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）
）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
【０２８６】
画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において形成される導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、後に示される工程で除去を行う。
【０２８７】
導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１との加工には、ウエットエッチングを用いることができる。ただし、加工方法としてはこれに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよい。
【０２８８】
次に工程Ｐ５にて、レジストマスク５４１の膜の厚さを、矢印５４３の方向に薄くして、レジストマスク５４２を形成する（図１３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０２８９】
レジストマスク５４１の膜の厚さを薄くする手段として、アッシング装置を用いることができる。
【０２９０】
例えば、アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスに紫外線などの光を照射し、ガスと有機物を化学反応させて有機物を除去する光励起アッシングを用いてもよい。アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスを高周波などでプラズマ化し、そのプラズマを利用して有機物を除去するプラズマアッシングを用いてもよい。
【０２９１】
レジストマスク５４１のレジストマスクが薄い領域４２は、工程Ｐ５によりレジストが除去される（図１３（Ｂ）参照）。これにより、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域４２のレジストマスクが除去され、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）が露出する。
【０２９２】
次に、工程Ｐ６にてレジストマスク５４２をマスクに、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の導電膜５５１＿１をエッチングする。エッチング前には導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）上に形成されているが、エッチング後には図１３（Ｃ）に示すように導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）は残存させる。そのため、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）は、所定の溶液またはエッチング雰囲気に対して、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）に比べてエッチングレートが大きい材料が望ましい。
【０２９３】
エッチングは、例えば室温のシュウ酸、または室温の混酸アルミ、または８５％リン酸を１％に希釈した室温の溶液、を用いることができる。
【０２９４】
導電膜５５１＿１のシュウ酸を用いた場合のエッチングレートは、ＡＰＣの同エッチングレートより、１０倍ほど大きい。そのため、上記導電膜５５１＿１のシュウ酸を用いたエッチングによるＡＰＣの膜減りは小さい。
【０２９５】
次に工程Ｐ７にてレジストマスク５４２を除去する（図１３（Ｄ）参照）。
【０２９６】
次に工程Ｐ８にて、複数の開口部４５を有する、絶縁膜５２８を形成する（図１４（Ａ）参照）。絶縁膜５２８の形成方法は、実施の形態１で示された方法を用いることができる。絶縁膜５２８の開口部４５は、領域５３２が含まれるように形成する（図２（Ａ）、図１４（Ａ）参照）。
【０２９７】
次に、工程Ｐ９にて発光層５５３を形成し、工程Ｐ１０にて発光層５５３の上に導電膜５５２を形成する（図１４（Ｂ）参照）。次いで絶縁膜５７３Ａ、５７３Ｂを形成する。次いで、接合層５０５を用いて基板５７０を、基板７７０と接合する（図１４（Ｃ）参照）。次いで、機能膜７７０Ｐを形成する。このような工程により、表示パネル７００を作製することができる。
【０２９８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２９９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる表示パネルについて説明する。
【０３００】
＜画素の構成例５＞
本発明の一態様の表示パネル７００＿２には、赤色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる（図１６（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０３０１】
画素７０２（ｉ，ｊ）は発光層５５３（ｊ）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は発光層５５３（ｊ＋１）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は発光層５５３（ｊ）を備える。
【０３０２】
これにより、画素７０２（ｉ，ｊ）を用いて赤色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いて緑色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を用いて青色の表示をすることができる。
【０３０３】
このとき、発光層５５３（ｊ）、発光層５５３（ｊ＋１）、発光層５５３（ｊ＋２）、の膜厚方向における各光学距離を、画素の構成例１と同等にする。
【０３０４】
表示素子５５０における、他の構成については、表示パネル７００と同じ構成とする。
【０３０５】
上記膜厚による各画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の色純度を高めることができる。
【０３０６】
＜画素の構成例６＞
また、表示パネル７００＿４（図１７（Ａ）参照）のように、表示素子５５０（ｉ，ｊ）から光Ｌ２が、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が配設される方向とは逆の方向に、射出される構造としてもよい。このとき画素回路５３０（ｉ，ｊ）を、電極５５１（ｉ，ｊ）との間に導電膜５５２を挟むように設ける。このとき光Ｌ２の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に着色膜ＣＦ２（Ｇ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に着色膜ＣＦ３（Ｂ）を設ける。
【０３０７】
表示パネル７００＿４においては、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）を、例えば１０ｎｍ以上の膜厚とし、光反射性を備える膜とする（図１７（Ｂ）参照）。また導電膜５５２を、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚とし、半光透過性・半光反射性を備える膜とする。
【０３０８】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）には、電極５５１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５２（ｉ，ｊ）との間に、発光層５５３が配設される。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）についても同様に、発光層５５３が配設される。
【０３０９】
表示パネル７００＿４は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が、射出光を遮らない個所に配設されるため、表示パネル７００に比べて開口率を向上させることができる。
【０３１０】
＜画素の構成例７＞
表示パネル７００＿５（図１８（Ａ）参照）のように、画素７０２（ｉ，ｊ）に絶縁膜５２８（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋２）を設けても良い。このとき絶縁膜５２８（ｉ，ｊ）、絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋１）、及び絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋２）には無機絶縁膜を用いる。
【０３１１】
絶縁膜５２８（ｉ，ｊ）と絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋１）は分離している。また、絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋１）と絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋２）は分離している。
【０３１２】
図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）の切断線Ｙ５−Ｙ６における断面図である。絶縁膜５２８と重ならない領域５３２と、絶縁膜５２８が形成される領域５３３と、隣接する画素間の領域５３５が示されている。図１８（Ｂ）では領域５３５は、絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋１）と絶縁膜５２８（ｉ，ｊ＋２）との間とする。
【０３１３】
導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）に接して、絶縁膜５２１Ｂが示されている。絶縁膜５２１Ｂは、領域５３５において、膜厚が小さくなっている。領域５３５における絶縁膜５２１Ｂは、絶縁膜５２８をエッチングする工程にてエッチングすることができる。
【０３１４】
図１８（Ｂ）には、領域５３３と領域５３５の境界に近く、かつ発光層５５３が形成された領域５５６が示されている。絶縁膜５２８を無機絶縁膜とすることで、領域５５６付近の絶縁膜５２８の側面は急峻に形成される。
【０３１５】
領域５５６において、絶縁膜５２８の側面と、絶縁膜５２１Ｂの段差を覆うように発光層５５３が形成されているが、この領域では発光層５５３の膜厚は小さい。そのため、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）から画素７０２（ｉ，ｊ＋２）方向に、発光層５５３を流れる電流を抑制することができる。
【０３１６】
その結果、表示パネル７００＿５は、本来発光しない隣接の画素の発光素子が発光することにより、隣接画素間において混色が起き、表示装置の色再現性が低下してしまうといった現象を避けることができる。尚、上記現象をクロストークとも呼ぶことができる。クロストークを低減することで、色純度が良く、視認性の良い発光素子を備えた表示パネル７００＿５を提供することができる。
【０３１７】
＜画素の構成例８＞
図２７（Ａ）および図２７（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネル７００＿６の画素を説明する上面図および断面図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル７００＿６の画素の上面図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）の切断線Ｙ３−Ｙ４における断面図である。
【０３１８】
表示パネル７００＿６のように、画素７０２（ｉ，ｊ）に導電膜５５４（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に導電膜５５４（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に導電膜５５４（ｉ，ｊ＋２）を設けても良い。導電膜５５４（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）には、光透過性を有する膜を用いることができる。
【０３１９】
導電膜５５４（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２１Ｂと導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との間に挟まれる。導電膜５５４（ｉ，ｊ＋１）は、絶縁膜５２１Ｂと導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）との間に挟まれる。導電膜５５４（ｉ，ｊ＋２）は、絶縁膜５２１Ｂと導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）との間に挟まれる。
【０３２０】
導電膜５５４（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）には、例えば導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と同じ材料を用いることができる。
【０３２１】
導電膜５５４（ｉ，ｊ）は、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）の補助配線として用いることができる。導電膜５５４（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）についても同様に補助配線として用いることができる。
【０３２２】
表示パネル７００＿６の有する画素７０２（ｉ，ｊ）において、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に含まれる導電膜５５２、発光層５５３、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）の構成は表示パネル７００の構成と同一である。すなわち表示パネル７００＿６は、表示パネル７００と同様に、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が有する、色純度の高い表示をすることができる。
【０３２３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３２４】
（実施の形態４）
本発明の一態様の表示パネルについては、実施の形態１乃至実施の形態３と異なる構成としても良い。
【０３２５】
本実施の形態では、液晶材料を含む層を用いた反射型の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、光を射出する機能を備える表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、の双方を有する表示パネル７００＿３の構成について、図２６乃至図２４を参照しながら説明する。
【０３２６】
表示パネル７００＿３は、演算装置等から、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を取得する機能を備える。上記演算装置は、表示パネル７００＿３が映像等を所望の表示方法で表示できるように、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を生成することができる。例えば、映像のうち動画情報を情報Ｖ１１に含ませ、静止画情報を情報Ｖ１２に含ませる、等である。
【０３２７】
表示パネル７００＿３は、情報Ｖ１１に基づいて、第１の表示素子を表示し、情報Ｖ１２に基づいて、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示する。
【０３２８】
図１９は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図１９（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図１９（Ｃ）は図１９（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。
【０３２９】
図２０および図２１は表示パネルの構成を説明する断面図である。図２０（Ａ）は図１９（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３３０】
図２１（Ａ）は図１９（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３３１】
図２２（Ａ）は図１９（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図２２（Ｂ）は図２２（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。
【０３３２】
図２３は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０３３３】
図２４は表示パネルの画素に用いることができる光反射膜の形状を説明する模式図である。
【０３３４】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【０３３５】
＜画素の配置＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は表示領域の一部を成す（図１９（Ａ）、図２２（Ａ）（Ｂ）参照）。表示領域は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３３６】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０３３７】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０３３８】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０３３９】
列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。
【０３４０】
＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図１９（Ｃ）、図２０（Ａ）および図２１（Ａ）参照）。
【０３４１】
＜機能層＞
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【０３４２】
なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。
【０３４３】
＜絶縁膜５０１Ｃ＞
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図２１（Ａ）参照）。
【０３４４】
＜第１の導電膜＞
例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３４５】
＜第２の導電膜＞
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０３４６】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０３４７】
＜画素回路＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２３参照）。
【０３４８】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３４９】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０３５０】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図２３参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図２１（Ａ）および図２３参照）。
【０３５１】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図２３参照）。
【０３５２】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０３５３】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０３５４】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３５５】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０３５６】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０３５７】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０３５８】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３５９】
なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３６０】
また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の導電膜５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３６１】
＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を低減することができる。
【０３６２】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図２０（Ａ）および図２１（Ａ）参照）。
【０３６３】
なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０３６４】
＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０３６５】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図２０（Ａ）参照）。
【０３６６】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図２１（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図２０（Ａ）参照）。
【０３６７】
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の導電膜５５２と、発光層５５３（ｊ）と、を備える（図２０（Ａ）参照）。
【０３６８】
第４の導電膜５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３６９】
発光層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の導電膜５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０３７０】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の導電膜５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図２３参照）。
【０３７１】
＜中間膜＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、を有する。
【０３７２】
中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。
【０３７３】
＜絶縁膜５０１Ａ＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図２０（Ａ）参照）。
【０３７４】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図２０（Ａ）または図２１（Ａ）参照）。
【０３７５】
第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【０３７６】
第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０３７７】
また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。
【０３７８】
また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと接する。
【０３７９】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。
【０３８０】
＜絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３８１】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０３８２】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。
【０３８３】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３８４】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３８５】
＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。
【０３８６】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０３８７】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０３８８】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０３８９】
＜基板等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０３９０】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０３９１】
＜接合層、封止材、構造体等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０３９２】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０３９３】
封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０３９４】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０３９５】
＜機能膜等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦＡおよび着色膜ＣＦＢを有する。
【０３９６】
遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦＢは、絶縁膜５０１Ｃおよび表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図２０（Ａ）参照）。
【０３９７】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦＡと液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦＡの厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦＡ等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３９８】
機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３９９】
機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０４００】
＜構成要素の例＞
表示パネル７００＿３は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。
【０４０１】
また、表示パネル７００＿３は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。
【０４０２】
また、表示パネル７００＿３は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。
【０４０３】
また、表示パネル７００＿３は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０４０４】
また、表示パネル７００＿３は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０４０５】
また、表示パネル７００＿３は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０４０６】
また、表示パネル７００＿３は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、光反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０４０７】
また、表示パネル７００＿３は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦＡ、着色膜ＣＦＢ、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０４０８】
また、表示パネル７００＿３は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の導電膜５５２または発光層５５３（ｊ）を有する。
【０４０９】
また、表示パネル７００＿３は、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０４１０】
また、表示パネル７００＿３は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０４１１】
＜構造体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０４１２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４１３】
＜封止材７０５＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０４１４】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０４１５】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０４１６】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０４１７】
＜接合層５０５＞
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０４１８】
＜絶縁膜５２１＞
例えば、絶縁膜５２１Ａ，Ｂに用いる材料を、用いることができる。
【０４１９】
＜絶縁膜５０１Ａ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２０】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２１】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２２】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４２３】
＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子５５０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４２４】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０４２５】
＜中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ＞
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。
【０４２６】
例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４２７】
例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４２８】
例えば、光透過性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４２９】
具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【０４３０】
具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【０４３１】
なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【０４３２】
＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０４３３】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０４３４】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０４３５】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０４３６】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０４３７】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０４３８】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４３９】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０４４０】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０４４１】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０４４２】
＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０４４３】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０４４４】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０４４５】
＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を低減することができる。
【０４４６】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４４７】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４４８】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０４４９】
＜液晶材料を含む層７５３＞
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４５０】
＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、光反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、光透過性を備える導電膜と、開口部を備える光反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４５１】
＜光反射膜＞
例えば、可視光を反射する材料を光反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を光反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を光反射膜に用いることができる。
【０４５２】
光反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、光反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０４５３】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を光反射膜に用いることができる。
【０４５４】
例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、光反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に光透過性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、光反射膜を用いることができる。
【０４５５】
光反射膜は、例えば表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。
【０４５６】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を光反射膜に用いることができる。
【０４５７】
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。
【０４５８】
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４５９】
また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。
【０４６０】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２４（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２４（Ｂ）参照）。
【０４６１】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図２４（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４６２】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２４（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４６３】
なお、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、光反射膜に用いることができる（図２４（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ．ｊ）を光反射膜に用いることができる。
【０４６４】
＜第２の電極７５２＞
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について光透過性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４６５】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４６６】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４６７】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４６８】
＜配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２＞
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０４６９】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０４７０】
＜着色膜ＣＦＡ、着色膜ＣＦＢ＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦＡまたは着色膜ＣＦＢに用いることができる。これにより、着色膜ＣＦＡまたは着色膜ＣＦＢを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦＡまたは着色膜ＣＦＢに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。
【０４７１】
なお、射出された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦＢに用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦＢに用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【０４７２】
＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０４７３】
＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０４７４】
＜機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４７５】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０４７６】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０４７７】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０４７８】
＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、発光素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４７９】
例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８０】
例えば、量子ドットを発光層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０４８１】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８２】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８３】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０４８４】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４８５】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４８６】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小光共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０４８７】
例えば、配線等に用いることができる材料を第４の導電膜５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有する材料を、第４の導電膜５５２に用いることができる。
【０４８８】
＜駆動回路ＧＤ＞
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２０（Ｂ）参照）。
【０４８９】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０４９０】
表示パネル７００＿３の構造（図２０（Ａ）、図２１（Ａ）参照）は、表示パネル７００の構造（図４（Ａ）、図５参照）に比べて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する分、工程に要するマスク枚数が増える。実施の形態１乃至実施の形態３に示すような構造を表示パネルに有することで、微小光共振器を形成しても工程を増えることはなく、製造コストの低減に有効である。
【０４９１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２５および図２６を参照しながら説明する。
【０４９２】
図２５および図２６は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２５（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２５（Ｂ）乃至図２５（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０４９３】
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図２５（Ａ）参照）。
【０４９４】
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０４９５】
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０４９６】
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０４９７】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０４９８】
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【０４９９】
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０５００】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０５０１】
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０５０２】
＜情報処理装置の構成例１＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２５（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０５０３】
＜情報処理装置の構成例２＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２５（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０５０４】
＜情報処理装置の構成例３＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２５（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０５０５】
＜情報処理装置の構成例４＞
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２５（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０５０６】
＜情報処理装置の構成例５＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０５０７】
＜情報処理装置の構成例６＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０５０８】
＜情報処理装置の構成例７＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０５０９】
＜情報処理装置の構成例８＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０５１０】
＜情報処理装置の構成例９＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０５１１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５１２】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０５１３】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５１４】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０５１５】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０５１６】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０５１７】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０５１８】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０５１９】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５２０】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５２１】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５２２】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【実施例】
【０５２３】
本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル７００＿６（図２７（Ｂ）参照）の有する、画素７０２（ｉ，ｊ）から色純度の高い赤色の光が射出され、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）から色純度の高い緑色の光が射出され、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）から色純度の高い青色の光が射出されることを計算により示す。
【０５２４】
透過率や吸収率などの物理定数が異なる、複数の材料が用いられた積層構造に入射した光の挙動は、光学分野において十分に理解されている。
【０５２５】
積層構造における各層の、厚さ（ｔ）及び屈折率の波長分散（ｎ）が既知であれば、積層構造中で発生する反射、吸収、干渉及び透過された光の量を計算することで、積層構造に入射した光の挙動を予測することができる。
【０５２６】
積層構造における全ての層について厚さ及び屈折率の波長分散が既知である場合には、例えば、Ｅｕｇｅｎｅ  Ｈｅｃｈｔ著「Ｏｐｔｉｃｓ」Ａｄｄｉｓｏｎ  Ｗｅｓｌｅｙ出版、第８５頁乃至第１４０頁に記載されている式及び方法を参考に正確に計算することができる。また当業者であれば、該計算を行うさまざまなシミュレータを入手可能であり、積層構造に入射した光の挙動を計算することは可能である。
【０５２７】
本実施例では該シミュレータの一つである、有機デバイスシミュレータ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｏｐｔｉｃｓ  ｓｉｍｕｌａｔｏｒ：商品名ｓｅｔｆｏｓ；サイバネットシステム株式会社製）を用いて積層構造に入射した光の挙動を計算した。ｓｅｔｆｏｓは、積層構造における各層の膜厚と、各層の屈折率の波長分散と、積層構造の内部から射出されるスペクトルと、を用いて、積層構造の外部に到達する光のスペクトルを計算することができる。
【０５２８】
具体的には、ｓｅｔｆｏｓにより、表示パネル７００＿６の画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）が備える構成および発光層５５３から射出されるスペクトルに基づいて、絶縁膜５２１Ｂに到達する光のスペクトルを計算した（図２７（Ｂ）参照）。
【０５２９】
導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）、発光層５５３、導電膜５５２、導電膜５５４を積層した構造を、表示パネル７００＿６に用いた。計算に用いたそれぞれの構成の物性を、以下に説明する。
【０５３０】
膜厚６２ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）に用いた。なお、後述する方法で測定した結果を、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散に用いた。
【０５３１】
膜厚２４６ｎｍの発光性の有機化合物を発光層５５３に用いた。発光層５５３は、波長に依らず、屈折率１．８とした。
【０５３２】
なお、発光層５５３は、赤色、緑色、青色の光を含む光を射出する。発光層５５３から射出される光のスペクトルの例を、図２９（Ａ）に示す。横軸が発光層５５３から射出される光の波長（ｎｍ）を、縦軸が光強度を、それぞれ表している。尚、図２９（Ａ）の縦軸は波長４５５ｎｍの光の強度を１として規格化した尺度とした。
【０５３３】
膜厚２００ｎｍのＡＰＣを導電膜５５２に用いた。
【０５３４】
膜厚２５ｎｍのＡＰＣを導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）に用いた。なお、銀の屈折率をＡＰＣの屈折率に用いた。
【０５３５】
膜厚７０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜５５４に用いた。屈折率１．５の酸化窒化珪素を絶縁膜５２１Ｂに用いた。
【０５３６】
＜インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散の測定方法＞
膜厚１００ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の、屈折率の波長分散Ｎ１を、株式会社日製エレクトロニクス製分光エリプソメータＵＶＩＳＥＬ―ＦＡＳＥ（ＴＦＴ）を用いて測定し求めた（図２８参照）。図２８の横軸は光の波長（ｎｍ）であり、縦軸は屈折率である。
【０５３７】
なお、膜厚１００ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜は、重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて光透過性基板上に形成した。
【０５３８】
＜計算結果＞
図２９（Ｂ）に、画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）、（ｉ，ｊ＋２）において、絶縁膜５２１Ｂに到達する光のスペクトルを計算した結果を示す。図２９（Ｂ）において、横軸が絶縁膜５２１Ｂに到達する光の波長（ｎｍ）を、縦軸が光の相対的な強度（光強度）を、それぞれ表している。尚、図２９（Ｂ）の縦軸は任意の尺度とした。
【０５３９】
画素７０２（ｉ，ｊ）と画素（ｉ，ｊ＋２）とは、各層の膜厚と、各層の屈折率の波長分散が共通していることから、絶縁膜５２１Ｂに到達する光のスペクトルも同じであった。
【０５４０】
画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）において、発光極大波長を４４９ｎｍと６５４ｎｍとに有するスペクトルの光が、絶縁膜５２１Ｂに到達した。赤色を示す６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域と、青色を示す４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域とに発光極大波長を有する光が絶縁膜５２１Ｂに到達した。
【０５４１】
図２９（Ｂ）に示す画素７０２（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋２）のスペクトルは、赤色を示す波長領域と、青色を示す波長領域とにおいて狭線化され、赤色と青色との間の波長領域の光強度が小さい。また画素７０２（ｉ，ｊ＋１）のスペクトルは、緑色を示す波長領域に狭線化されたピークを有し、緑色以外の波長領域の光強度が小さい。
【０５４２】
図２９（Ｂ）に示される画素７０２（ｉ，ｊ）のスペクトルの光は、表示パネル７００＿６にて赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を透過することで（図２７（Ｂ）参照）、青色の光強度を小さくし、かつ狭線化された赤色の光のスペクトルを有する光を射出できる。
【０５４３】
表示パネル７００＿６にて画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、青色の着色膜ＣＦ３（Ｂ）を備えることから、同様に赤色の光強度を小さくし、狭線化された青色の光のスペクトルを有する光を射出できる。
【０５４４】
表示パネル７００＿６にて画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ２（Ｇ）を備え、ることから、狭線化された緑色の光のスペクトルを有する光を射出できる。
【０５４５】
すなわち表示パネル７００＿６は色純度が高い、赤色の光と、緑色の光と、青色の光と、を射出することができる。
【０５４６】
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０５４７】
ＡＣＦ１    導電材料
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
ＡＮＯ    導電膜
Ｂ０１    光
Ｂ０２    光
ＢＭ    遮光膜
Ｃ１    矢印
Ｃ１１    容量素子
Ｃ１２    容量素子
Ｃ２１    容量素子
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
ＣＦ３    着色膜
ＣＦＡ    着色膜
ＣＦＢ    着色膜
ＣＰ    導電材料
ＣＳＣＯＭ    配線
ｄ０    距離
ｄ１    距離
ｄ２    距離
ＦＰＣ１    フレキシブルプリント基板
Ｇ０１    光
Ｇ１    走査線
Ｇ０２    光
Ｇ２    走査線
ＧＤ    駆動回路
ＫＢ１    構造体
Ｌ１    光
Ｌ２    光
Ｍ    トランジスタ
ＭＤ    トランジスタ
Ｒ０１    光
Ｒ１    矢印
Ｒ０２    光
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＤ    駆動回路
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
Ｖ１１    情報
Ｖ１２    情報
ＶＣＯＭ１    配線
ＶＣＯＭ２    導電膜
１０ａ    グレートーンマスク
１０ｂ    ハーフトーンマスク
１３    光透過性基板
１５    遮光膜
１７    遮光部
１８    回折格子部
１９    透過部
２３    半光透過膜
２５    遮光膜
２７    遮光部
２８    半光透過部
２９    透過部
４１    領域
４２    領域
４３    領域
４５    開口部
２３１    表示領域
５０１Ａ    絶縁膜
５０１Ｂ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０３    絶縁膜
５０４    導電膜
５０４Ｅ    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５０８Ａ    領域
５０８Ｂ    領域
５０８Ｃ    領域
５１１Ｂ    導電膜
５１１Ｃ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１２Ｃ    導電膜
５１２Ｄ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２１Ａ    絶縁膜
５２１Ｂ    絶縁膜
５２２    接続部
５２２Ａ    接続部
５２２Ｂ    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５３２    領域
５３３    領域
５３４    酸素プラズマ
５３５    領域
５４１    レジストマスク
５４２    レジストマスク
５４３    矢印
５５０    表示素子
５５１    電極
５５１＿０    導電膜
５５１＿１    導電膜
５５２    導電膜
５５３    発光層
５５４    導電膜
５５６    領域
５７０    基板
５７３    絶縁膜
５７３Ａ    絶縁膜
５７３Ｂ    絶縁膜
５９１Ａ    開口部
５９１Ｂ    開口部
５９１Ｃ    開口部
５９２Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
５９２Ｃ    開口部
７００    表示パネル
７００＿２    表示パネル
７００＿３    表示パネル
７００＿４    表示パネル
７００＿５    表示パネル
７００＿６    表示パネル
７０２    画素
７０３    画素
７０５    封止材
７１９    端子
７５０    表示素子
７５１    電極
７５１Ｅ    領域
７５１Ｈ    開口部
７５２    電極
７５３    層
７５４Ａ    中間膜
７５４Ｂ    中間膜
７５４Ｃ    中間膜
７７０    基板
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
９００    画素
９００ｓ    遮光領域
９００ｔ    透過領域
９０１    駆動回路部
９０２    配線
９０４    配線
９０６    配線
９１０    トランジスタ
９１１    トランジスタ
９１２    トランジスタ
９１３    容量素子
９１６Ｂ    発光領域
９１６Ｇ    発光領域
９１６Ｒ    発光領域
９３０ＥＬ    発光素子
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    表示部
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2018163731.tif 000003
【図２】
2018163731.tif 000004
【図３】
2018163731.tif 000005
【図４】
2018163731.tif 000006
【図５】
2018163731.tif 000007
【図６】
2018163731.tif 000008
【図７】
2018163731.tif 000009
【図８】
2018163731.tif 000010
【図９】
2018163731.tif 000011
【図１０】
2018163731.tif 000012
【図１１】
2018163731.tif 000013
【図１２】
2018163731.tif 000014
【図１３】
2018163731.tif 000015
【図１４】
2018163731.tif 000016
【図１５】
2018163731.tif 000017
【図１６】
2018163731.tif 000018
【図１７】
2018163731.tif 000019
【図１８】
2018163731.tif 000020
【図１９】
2018163731.tif 000021
【図２０】
2018163731.tif 000022
【図２１】
2018163731.tif 000023
【図２２】
2018163731.tif 000024
【図２３】
2018163731.tif 000025
【図２４】
2018163731.tif 000026
【図２５】
2018163731.tif 000027
【図２６】
2018163731.tif 000028
【図２７】
2018163731.tif 000029
【図２８】
2018163731.tif 000030
【図２９】
2018163731.tif 000031