(57)【要約】【課題】表面反射が抑制された光学用部材を提供する。【解決手段】光学用部材は、基材１２と、基材１２上に形成され、無機粒子及び樹脂を含む薄膜１１とを備える。薄膜１１の少なくとも一部の表面であって、基材１２と対向する面と反対側の表面から少なくとも深さ６０ｎｍの領域における、樹脂の体積占有率は、５％未満である。【選択図】図１
2018018048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に形成され、無機粒子及び樹脂を含む薄膜とを備え、
前記薄膜の少なくとも一部の表面であって、前記基材と対向する面と反対側の表面から少なくとも深さ６０ｎｍの領域における、前記樹脂の体積占有率は、５％未満である、
光学用部材。
【請求項２】
前記無機粒子の平均粒径は、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、
請求項１に記載の光学用部材。
【請求項３】
前記薄膜の前記一部は、前記表面から少なくとも深さ６０ｎｍの範囲に配置された第１層と、前記第１層と前記基材との間に配置された第２層と、を有し、
前記第１層と前記第２層の前記樹脂の体積占有率は異なる、請求項１または２に記載の光学用部材。
【請求項４】
前記第２層の前記樹脂の体積占有率は、４０％以上９０％以下である、
請求項１〜３のいずれか一つに記載の光学用部材。
【請求項５】
前記第１層は、前記光学用部材の外表面を構成する、前記薄膜の表面層であり、
前記第２層は、前記基材と接触する、前記薄膜の内面層である、
請求項３または４に記載の光学用部材。
【請求項６】
前記薄膜の、前記一部と異なる一部の組成は、前記第１層の組成と異なる、
請求項３〜５のいずれか一つに記載の光学用部材。
【請求項７】
基材上に、無機粒子及び樹脂を含む薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の少なくとも一部の表面であって、前記基材と対向する面と反対側の表面から少なくとも深さ６０ｎｍの領域における、前記樹脂の体積占有率が、５％未満となるように、前記薄膜の前記一部に対してエッチング処理を行う工程と、を備える、
光学用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、無機粒子及び樹脂を含む薄膜を備える光学用部材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、光触媒膜を備えたガラス物品を開示する。光触媒膜には、酸化ケイ素粒子、酸化チタン粒子およびバインダー成分の総量に対し、酸化ケイ素粒子の含有率が７２〜７９質量％、酸化チタン粒子の含有率が１３〜１８質量％、バインダー成分の含有率が８〜１４質量％である。酸化ケイ素粒子の平均粒径は３０〜２００ｎｍ、酸化チタン粒子の平均粒径は５〜２０ｎｍ、酸化ケイ素粒子の平均粒径は酸化チタン粒子の平均粒径の５倍以上である。光触媒膜の膜厚をＴとしたときに、ガラス板の表面から０．６Ｔの範囲に酸化チタン粒子の８０％以上が集中している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５８６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、表面での反射が抑制された光学用部材及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の光学用部材は、基材と、基材上に形成された薄膜と、を備える。薄膜は、無機粒子及び樹脂を含む。薄膜の少なくとも一部の表面であって、基材と対向する面と反対側の表面から少なくとも深さ６０ｎｍの領域における、樹脂の体積占有率は、５％未満である。
【０００６】
本開示の光学用部材の製造方法は、薄膜を形成する工程と、エッチング処理を行う工程と、を備える。薄膜を形成する工程では、基材上に、無機粒子及び樹脂を含む薄膜を形成する。エッチング処理を行う工程では、薄膜の少なくとも一部の表面であって、基材と対向する面と反対側の表面から少なくとも深さ６０ｎｍの領域における、樹脂の体積占有率が、５％未満となるように、薄膜の一部に対してエッチング処理を行う。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、表面での反射が抑制された光学用部材及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施の形態１に係る光学用部材の断面構造を示す模式図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の形態１に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の形態１に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施の形態１に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図３】図３は、プラズマ加工によるエッチング処理を行う様子を側方から見た模式図である。
【図４】図４は、プラズマ加工によるエッチング処理を行う様子を上方から見た模式図である。
【図５】図５は、実施の形態２に係る光学用部材の断面構造を示す模式図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施の形態２に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、実施の形態２に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、実施の形態２に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、実施の形態２に係る光学用部材の製造工程を模式的に示す図である。
【図７】図７は、実施例１の光学用部材の表面の走査型電子顕微鏡写真を示す図である。
【図８】図８は、実施例１の光学用部材の反射率特性を示すグラフである。
【図９】図９は、実施例１の光学用部材の反射率特性をエッチング処理の延べ時間別に示すグラフである。
【図１０】図１０は、実施例２の光学用部材の反射率特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００１０】
なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
【００１１】
（実施の形態１）
１−１．概要
例えば光学用部材として、カメラのレンズが挙げられる。実施の形態１では、レンズの表面に、コーティング（薄膜）が形成されている。この薄膜によって、光の反射を抑えることができる。
【００１２】
１−２．構成
図１は、実施の形態１に係る光学用部材１の断面構造を示す模式図である。図１に示すように、実施の形態１における光学用部材１は、基材１２と、基材１２の上に形成された薄膜１１とを備えている。
【００１３】
基材１２は例えばレンズである。基材１２の面であって、薄膜１１が形成される面を、面１１２とする。基材１２を構成する素材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂、ガラス、金属、セラミックスなどが挙げられる。樹脂としては、例えば、ポリカーボネート材、アクリル材などが挙げられる。
【００１４】
薄膜１１は無機粒子と樹脂とを含む膜である。薄膜１１の表面１１１を、基材１２の面１１２と対向する面と反対側の面とする。表面１１１は光学用部材１の外表面を構成する。
【００１５】
薄膜１１は、表面層（第１層）１１ａと、内面層（第２層）１１ｂと、を含んでいる。
【００１６】
表面層１１ａとは、薄膜１１のうち、表面１１１から少なくとも深さ６０ｎｍの領域を指す。すなわち表面層１１ａの厚みであって、面１１２に対して垂直な方向の厚みは、６０ｎｍ以上である。表面層１１ａの最適な厚みは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。この厚みは、薄膜１１の材料や反射を抑制したい光の波長から算出できる。
【００１７】
薄膜１１の表面層１１ａにおける無機粒子の体積占有率は、１０％以上５０％以下である。表面層１１ａにおける樹脂の体積占有率は、５％未満である。薄膜１１の表面層１１ａにおける、無機粒子と樹脂を除いた残りを残部とする。この残部の４５体積％以上８５体積％以下は空気（空孔）で占有されている。ここで、表面層１１ａの体積とは、表面層１１ａを含む薄膜１１が形成される面１１２の面積と、表面層１１ａの厚みとの積で算出される体積とする。したがって、表面層１１ａにおける体積占有率とは、この表面層１１ａの体積に占める割合のことを意味する。無機粒子及び樹脂の体積占有率は、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）や透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いた画像解析法などによって算出することができる。
【００１８】
薄膜１１の内面層１１ｂは、基材１２と表面層１１ａとの間に配置される。内面層１１ｂは基材１２の面１１２と接触している。内面層１１ｂの厚みは１０ｎｍ以上である。内面層１１ｂの厚みの上限は特に制限されるものではない。内面層１１ｂの無機粒子の体積占有率は、１０％以上５０％以下である。内面層１１ｂの樹脂の体積占有率は、表面層１１ａの樹脂の体積占有率と異なる。内面層１１ｂの樹脂の体積占有率は、表面層１１ａの樹脂の体積占有率よりも多い。内面層１１ｂの樹脂の体積占有率は、４０％以上９０％以下である。内面層１１ｂのうち、無機粒子及び樹脂を除いた残りを残部とする。この残部は空気（空孔）で占有されている。内面層１１ｂにおける空気の体積占有率は、表面層１１ａにおける空気の体積占有率と同等か、表面層１１ａにおける空気の体積占有率よりも少ない。ここで内面層１１ｂにおける体積とは、内面層１１ｂを含む薄膜１１が形成される面１１２の面積と、内面層１１ｂの厚みとの積で算出される。内面層１１ｂにおける体積占有率とは、この内面層１１ｂの体積に占める割合のことを意味する。
【００１９】
薄膜１１に含まれる無機粒子の材料としては、例えば、酸化珪素であり、特に非晶質の二酸化珪素が好ましい。その他の材料としては、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。無機粒子の平均粒径は、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのがよい。
【００２０】
薄膜１１に含まれる樹脂の材料としては、アクリル材、セルロース、エポキシなどが挙げられる。
【００２１】
１−３．製造方法
図２Ａ〜図２Ｃは、実施の形態１に係る光学用部材１の製造工程を模式的に示す図である。製造工程は、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃの順に進む。
【００２２】
図２Ａは、基材１２上に、エッチング処理前の薄膜１１である薄膜１１０を形成した後の状態を示す模式図である。
【００２３】
薄膜１１０は、一般的な表面改質材などを用いて形成できる。表面改質材としては、例えば市販のコロイダルシリカ材、ハードコート材、下塗り材などを用いることができる。表面改質材として好適な材料の例としては、二酸化珪素粒子を体積占有率１％以上３０％以下含むポリマー材料などが挙げられる。なお、この体積占有率は、硬化前の値である。
【００２４】
薄膜１１０を、スプレー工法、ディップ工法、スピンコート工法、フローコート工法などの各種膜形成工法で形成してもよい。さらに薄膜１１０を、印刷などによってフィルム状の膜を形成し、この膜（薄膜１１０）を基材１２上に移し取ることによって形成しても良い。
【００２５】
図２Ｂは、薄膜１１０の表面にエッチング処理Ｅを行う様子を模式的に示す図である。エッチング処理Ｅの方式は、放電加工、プラズマ加工などのドライエッチング方式でもよいし、液体を用いるウェットエッチング方式でもよい。
【００２６】
図２Ｃは、図２Ａ及び図２Ｂに示す工程を経て製造された実施の形態１に係る光学用部材１を示す模式図である。
【００２７】
図２Ｃに示すように、基材１２上の薄膜１１０は、エッチング処理Ｅにより薄膜１１となる。薄膜１１は、光学用部材１の外表面を構成する表面層１１ａと、表面層１１ａと基材１２との間に位置する内面層１１ｂとを含む。すなわち図２Ｂのエッチング処理Ｅにより、薄膜１１は、表面１１１からの深さにより組成が変わる。したがって、薄膜１１は、表面層１１ａ及び内面層１１ｂの二層構造と捉えることができる。なお、表面層１１ａ及び内面層１１ｂの境界では、薄膜１１の組成を段階的に変化させてもよい。また表面層１１ａの深さは、エッチング処理Ｅの時間により調整され得る。
【００２８】
図３及び図４は、図２Ｂに示すエッチング処理Ｅとして、プラズマ加工によるエッチング処理Ｅを行う様子を模式的に示す図である。図３は側方から見た模式図を示す。図４は上方から見た模式図を示す。
【００２９】
図３に示すように、基材１２をステージ１０上に配置する。ステージ１０の上方には、大気プラズマ装置のプラズマガンヘッド９におけるプラズマ放電Ｐの取り出し口が配置される。取り出し口と基材１２との距離Ｈは、１０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは３ｍｍ以下である。取り出し口からプラズマが放電された状態で、エッチングガスを導入すれば、基材１２上に形成された薄膜１１は、図２Ｂに示すようにエッチング処理（ドライエッチング処理）され、図２Ｃに示す構造となる。
【００３０】
図４に示すように、ステージ１０は、回転式のステージ１０でもよい。基材１２をステージ１０に搭載し、ステージ１０を適当な回転数、例えば毎分１８０回転で回転させながらドライエッチング処理を行っても良い。このような方法によって、より均一なエッチング処理Ｅを行うことができる。
【００３１】
１−４．効果等
実施の形態１では、薄膜１１の少なくとも一部の表面１１１から少なくとも深さ６０ｎｍの領域であって、表面層１１ａに相当する領域における、樹脂の体積占有率は、５％未満である。この表面層１１ａにより、光学用部材１への入射光の反射を抑制できる。
【００３２】
また表面層１１ａと基材１２との間に内面層１１ｂを配置することにより、薄膜１１全体として、光の反射抑制以外の機能を与えることができる。例えば内面層１１ｂの樹脂の体積占有率は、４０％以上９０％以下である。これにより基材１２と薄膜１１との密着性を増すことができる。
【００３３】
さらに実施の形態１では、薄膜１１に無機粒子を含むことにより、光学用部材１全体の硬度を向上できる。
【００３４】
また実施の形態１では、無機粒子の平均粒径は、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。これにより、薄膜１１の内部に所望の量の無機粒子を含有させることができる。また薄膜１１を形成しやすくなる。
【００３５】
（実施の形態２）
２−１．構造
図５は、実施の形態２に係る光学用部材２の断面構造を示す模式図である。図５に示すように、実施の形態２における光学用部材２は、基材２２と、基材２２の面１２２上に形成された薄膜２１とを備えている。
【００３６】
基材２２は例えばレンズである。基材２２の面であって、薄膜２１が形成される面を、面１２２とする。基材２２を構成する素材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂、ガラス、金属、セラミックスなどが挙げられる。樹脂としては、例えば、ポリカーボネート材、アクリル材などが挙げられる。
【００３７】
薄膜２１は無機粒子と樹脂とを含む膜である。薄膜２１は、第１層２１ａと、第２層２１ｂと、第３層２１ｃと、を含んでいる。第１層２１ａは、光学用部材２の外表面の一部を構成する薄膜２１の表面層である。第２層２１ｂは、第１層２１ａと基材２２との間に位置する薄膜の内面層である。第３層２１ｃは、第１層２１ａ及び第２層２１ｂを除く、薄膜２１の他の一部である。すなわち実施の形態２の薄膜２１の一部は、第１層２１ａ及び第２層２１ｂを有する二層構造であり、薄膜２１の残りの一部は、第３層２１ｃのみからなる単層構造である。なお実施の形態２では、説明の便宜上、図５において第２層２１ｂと第３層２１ｃとの境界を点線で示し、さらに第２層２１ｂと第３層２１ｃとを異なる符合を付して説明する。しかし実際は、第２層２１ｂと第３層２１ｃとは一体である。
【００３８】
薄膜２１の第１層２１ａの厚みは６０ｎｍ以上である。第１層２１ａの最適な厚みは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第１層２１ａの無機粒子の体積占有率は１０％以上５０％以下である。第１層２１ａの樹脂の体積占有率は５％未満である。第１層２１ａの、無機粒子及び樹脂を除いた残部の４５体積％以上８５体積％以下は、空気（空孔）で占有されている。ここで第１層２１ａの体積とは、第１層２１ａを含む薄膜２１が形成される基材２２の面１２２の面積と、第１層２１ａの厚みとの積で算出される体積とする。したがって、第１層２１ａにおける体積占有率とは、この第１層２１ａの体積に占める割合のことを意味する。無機粒子及び樹脂の体積占有率は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた画像解析法などによって算出することができる。
【００３９】
薄膜２１の第２層２１ｂの厚みは１０ｎｍ以上である。第２層２１ｂの厚みの上限は特に制限されるものではない。
【００４０】
薄膜２１の第２層２１ｂにおいて、無機粒子の体積占有率は１０％以上５０％以下である。第２層２１ｂの樹脂の体積占有率は第１層２１ａの樹脂の体積占有率と異なる。第２層２１ｂの樹脂の体積占有率は、第１層２１ａの樹脂の体積占有率よりも多い。第２層２１ｂの樹脂の体積占有率は４０％以上９０％以下である。第２層２１ｂのうち、無機粒子及び樹脂を除いた残りを残部とする。この残部は空気（空孔）で占有されている。ここで第２層２１ｂにおける体積とは、第２層２１ｂが形成される基材２２の面１２２の面積と、第２層の厚みとの積で算出される。したがって、第２層２１ｂにおける体積占有率とは、第２層２１ｂの体積に占める割合のことを意味する。
【００４１】
薄膜２１の第３層２１ｃの厚みは、第１層２１ａと第２層２１ｂの厚みの和である。第３層２１ｃの組成は第２層２１ｂの組成とほぼ同じである。
【００４２】
薄膜２１に含まれる無機粒子の材料としては、例えば、酸化珪素を挙げることができ、特に非晶質の二酸化珪素が好ましい。その他の材料として、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。無機粒子の平均粒径は、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのがよい。
【００４３】
薄膜２１に含まれる樹脂の材料としては、アクリル材、セルロース、エポキシなどが挙げられる。
【００４４】
２−２．製造方法
図６Ａ〜図６Ｄは、実施の形態２に係る光学用部材２の製造工程を模式的に示す図である。製造工程は、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄの順に進む。
【００４５】
図６Ａは、基材２２上に、エッチング処理Ｅ前の薄膜２１０を形成した後の状態を示す模式図である。
【００４６】
薄膜２１０は一般的な表面改質材などを用いて形成される。表面改質材としては、例えば市販のコロイダルシリカ材、ハードコート材、下塗り材などを用いることができる。表面改質材として好適な材料の例としては、二酸化珪素粒子を体積含有率で１％以上３０％以下含むポリマー材料が挙げられる。
【００４７】
薄膜２１０を、スプレー工法、ディップ工法、スピンコート工法、フローコート工法などの各種膜形成工法で形成してもよい。さらに薄膜２１０を、印刷などによってフィルム状の膜（薄膜２１０）を形成し、この膜（薄膜２１０）を基材２２上に移し取ることによって形成しても良い。
【００４８】
図６Ｂは、薄膜２１０上に遮蔽板８を載置した状態を示す模式図である。薄膜２１０の表面のうち、エッチング処理Ｅを施さない領域に遮蔽板８を載置して、エッチング処理Ｅから遮蔽する。遮蔽板８の材料としては、半導体プロセスで用いられるレジスト材のほか、ポリイミド材やセラミック、樹脂類、ゴムなどの絶縁性材料が挙げられる。
【００４９】
図６Ｃは、薄膜２１０の表面にエッチング処理Ｅを行う様子を模式的に示す図である。エッチング処理Ｅの方式は、放電加工、プラズマ加工などのドライエッチング方式でもよいし、液体を用いるウェットエッチング方式でもよい。薄膜２１０の一部であって、表面に遮蔽板８が載置されていない領域では、エッチング処理Ｅが施される。薄膜２１０の他の一部であって、表面に遮蔽板８が載置されている領域（第３層２１ｃに相当する領域）では、エッチング処理Ｅが施されない。
【００５０】
図６Ｄは、図６Ａ〜図６Ｃに示す工程を経て製造された実施の形態２に係る光学用部材２を示す模式図である。図６Ｄに示すように、エッチング処理Ｅにより、図６Ｃの薄膜２１０は薄膜２１となる。すなわち実施の形態２では、図６Ｃのエッチング処理Ｅにより、薄膜２１の一部であって、表面に遮蔽板８が載置されなかった部分は、表面からの深さにより、組成が変わる。したがってこの部分の構造は、第１層２１ａ及び第２層２１ｂの二層構造と捉えることができる。なお、第１層２１ａ及び第２層２１ｂの境界では、薄膜２１の組成は段階的に変化してもよい。一方で、薄膜２１の他の一部であって、表面に遮蔽板８が載置されていた部分の組成は、エッチング処理Ｅの前後によって変化しない。したがって、他の一部は、第３層２１ｃのみで構成される。
【００５１】
実施の形態２に係る光学用部材２の製造工程におけるエッチング処理についても、図３及び図４に示すようなプラズマ加工を行うことができる。
【００５２】
２−３．効果等
実施の形態２では、第１層２１ａにより、光学用部材２への入射光の反射を抑制できる。
【００５３】
また第２層２１ｂ及び第３層２１ｃを設けることにより、薄膜２１全体として、光の反射抑制以外の機能を与えることができる。例えば第３層２１ｃの樹脂の体積占有率は、４０％以上９０％以下である。これにより基材２２と薄膜２１との密着性を増すことができる。
【００５４】
なお、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例により、本開示をさらに詳細に説明する。
【００５６】
（実施例１）
市販の表面改質材３０μリットルを、直径３０ｍｍのガラス基板に滴下し、スピンコート工法で薄膜を形成した。この薄膜は、図２Ａに示す薄膜１１０に相当する。表面改質材は、二酸化珪素粒子とポリマー材料とが調合された溶剤である。溶剤における二酸化珪素粒子の体積占有率は、１％以上３０％以下である。この体積占有率は、硬化する前の溶剤に対する体積占有率である。
【００５７】
形成された薄膜上に、大気プラズマ加工装置を用いて、プラズマ加工によるエッチング処理を行い、実施例１の光学用部材を生成した。実施例１の光学用部材は、実施の形態１の光学用部材１の一例である。プラズマ加工によるエッチング処理の延べ時間は、６分、８分、及び１０分のいずれかとした。
【００５８】
実施例１の光学用部材の薄膜において、薄膜の表面から深さ９５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲における樹脂の体積占有率は３％であった。
【００５９】
図７は、実施例１の光学用部材の表面を、走査型電子顕微鏡で２０万倍に拡大して撮影した写真を示す。
【００６０】
図８は、実施例１で得られた光学用部材の反射率特性を示すグラフである。図８に示すように、実施例１の光学用部材の最低反射率は、光学波長領域６３０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下において、０．２％以下であり、一般的に低いと言える。したがってこの光学用部材は、反射抑制効果が高いことが分かる。
【００６１】
図９は、光学用部材の反射率特性をエッチング処理の延べ時間別に示すグラフである。図９において、エッチング処理の延べ時間が６分の場合の反射率特性を曲線９１で示す。また延べ時間が８分の場合の反射率特性を曲線９２で示す。さらに延べ時間が１０分の場合の反射率特性を曲線９３で示す。図９から、エッチング処理の延べ時間により反射率特性が変化することが分かる。すなわちエッチング処理の延べ時間を調整することにより、反射率特性を自由に制御できることが分かる。
【００６２】
（実施例２）
市販の表面改質材３０μリットルを、直径３０ｍｍのガラス基板に滴下し、スピンコート工法で薄膜を形成した。この薄膜は、図６Ａに示す薄膜２１０に相当する。表面改質材は、二酸化珪素粒子とポリマー材料とが調合された溶剤である。溶剤における二酸化珪素粒子の体積占有率は、１％以上３０％以下である。この体積占有率は、硬化する前の溶剤に対する体積占有率である。
【００６３】
形成された薄膜の一部の表面にはレジスト材を載置した。薄膜の、表面にレジスト材が載置された領域を、遮蔽領域とする。一方、薄膜の、他の一部の表面には、レジスト材を載置しなかった。したがって、他の一部の表面は露出していた。薄膜の、表面にレジスト材が載置されていない領域を、露出領域とする。この状態で、大気プラズマ加工装置を用いて、プラズマ加工によるエッチング処理を行った。露出領域はエッチング処理された。遮蔽領域はエッチング処理されなかった。以上により実施例２の光学用部材を生成した。なお実施例２の光学用部材は、実施の形態２の光学用部材２の一例である。
【００６４】
図１０は、実施例２の光学用部材の反射率特性を示すグラフである。図１０において、エッチング処理された領域（エッチング処理領域）の反射率特性を曲線１０１で示す。またエッチング処理されなかった領域（非エッチング処理領域）の反射率特性を曲線１０２で示す。エッチング処理領域は、図５に示す実施の形態２における第１層２１ａに相当し、非エッチング処理領域は、第２層２１ｂ及び第３層２１ｃに相当する。
【００６５】
実施例２において、エッチング処理領域の薄膜の表面から１５５ｎｍの範囲における樹脂の体積占有率は、３％であった。また非エッチング処理領域の薄膜の表面から１５５ｎｍの範囲における樹脂の体積占有率は、４８％であった。
【００６６】
図１０は、エッチング処理領域の最低反射率が、光学波長領域６３０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下において、０．２％以下であることを示す。また図１０は、非エッチング処理領域の最低反射率が、光学波長領域６３０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下において、４％程度であることを示す。すなわちエッチング処理領域の最低反射率は、非エッチング処理領域の最低反射率よりも低いことが分かる。このように実施例２では、同一表面内に異なる反射率特性を有する領域を備えた光学用部材を提供することが出来る。
【００６７】
尚、図８、図９、図１０の反射率特性の曲線が示す小さなウネリ（振幅）は、基材と塗布材料の屈折率を合せることで低減され得る。
【００６８】
本開示の光学用部材の用途としては、特に限定されず、あらゆる光学部品に適用することが可能である。具体的には、レンズ以外にも、レンズやミラーをカバーするカバー板、表示パネル等において、反射率抑制が必要な部材に適用することができる。また、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ及びＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサーのカバーガラス等の表面または裏面側に使用することで、優れた光学性能を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本開示は、デジタルカメラ、ムービーカメラ、携帯電話などに用いられる、レンズ、カバー板、表示パネル、センサーカバーガラスなどの光学用部材及びその製造方法に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１，２    光学用部材
１１，２１    薄膜
１１０，２１０    薄膜
１１ａ    表面層
１１ｂ    内面層
１１１    表面
２１ａ    第１層
２１ｂ    第２層
２１ｃ    第３層
１２，２２    基材
１１２，１２２    面
８    遮蔽板
９    プラズマガンヘッド
１０    ステージ
【図１】
2018018048.tif 000003
【図２Ａ】
2018018048.tif 000004
【図２Ｂ】
2018018048.tif 000005
【図２Ｃ】
2018018048.tif 000006
【図３】
2018018048.tif 000007
【図４】
2018018048.tif 000008
【図５】
2018018048.tif 000009
【図６Ａ】
2018018048.tif 000010
【図６Ｂ】
2018018048.tif 000011
【図６Ｃ】
2018018048.tif 000012
【図６Ｄ】
2018018048.tif 000013
【図７】
2018018048.tif 000014
【図８】
2018018048.tif 000015
【図９】
2018018048.tif 000016
【図１０】
2018018048.tif 000017