(57)【要約】【課題】突起電極の凹凸を吸収しうる厚みのある糊層を有した表面保護部材を使用せずにウェーハを個々のデバイスチップへと分割できるようにする。【解決手段】本発明は、液状硬化樹脂２１を各デバイスＤの表面に供給して突起電極１を被覆して平坦化する液状硬化樹脂供給ステップと、液状硬化樹脂２１を硬化させ硬化樹脂層２２を形成する液状硬化樹脂硬化ステップと、硬化樹脂層２２の上面に表面保護部材３を配設する表面保護部材配設ステップと、ウェーハＷの裏面Ｗｂを仕上げ厚みへ研削するとともに個々のデバイスチップＣへと分割する研削ステップとを備えたため、突起電極１の凹凸を吸収しうる厚みのある糊層を有する表面保護部材を使用せずに、ウェーハＷの表面Ｗａ側の平坦化を達成でき所望のデバイスチップＣを取得できる。また、硬化樹脂層２２でNCF（non-conductive  film）等のアンダーフィル材に代替でき、製造コストが嵩むこともない。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該デバイスは突起電極を有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面から該分割予定ラインに沿ってデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、
液状硬化樹脂を各該デバイスの表面に供給して該突起電極を被覆して平坦化する液状硬化樹脂供給ステップと、
該液状硬化樹脂供給ステップを実施した後、該液状硬化樹脂を硬化させ硬化樹脂層を形成する液状硬化樹脂硬化ステップと、
該液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、該硬化樹脂層の上面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、
該表面保護部材配設ステップを実施した後、ウェーハの該表面保護部材側を保持手段で保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面を該仕上げ厚みへ研削するとともに個々のデバイスチップへと分割する研削ステップと、を備えたウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記研削ステップを実施した後、前記表面保護部材をウェーハの表面から除去する表面保護部材除去ステップと、
該表面保護部材除去ステップを実施した後、ウェーハの裏面側を保持テーブルで保持した状態で前記硬化樹脂層を切削または研削して該突起電極を露出させる突起電極露出ステップと、を備えた請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
前記液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、前記表面保護部材配設ステップを実施する前にウェーハの裏面側を保持した状態で前記硬化樹脂層を切削または研削して該突起電極を露出させる突起電極露出ステップを備えた請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
前記表面保護部材配設ステップを実施した後、前記保持ステップを実施する前に、ウェーハの裏面側を前記保持手段で保持した状態で前記表面保護部材を研削または切削して平坦化する平坦化ステップを更に備えた請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され該デバイスに突起電極を有するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハの裏面を研削する際にウェーハの表面を保護する表面保護部材として、ハンドリングしやすい表面保護テープが広く利用されている。しかし、加工対象となる被加工物が、突起電極を有するデバイスのように表面に凹凸を有するウェーハの場合においては、その表面に表面保護テープを貼着しても凹凸が残ってしまい、ウェーハの裏面を研削した際にウェーハが平坦面に仕上がらない。そこで、表面保護テープを貼着した状態で平坦となるように凹凸を吸収しうる十分に厚みのある糊層を有した表面保護テープが使用されている（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２１０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような表面保護テープは、高価なため製造コストが嵩む上、この表面保護テープを使用して製造されたデバイスチップも高価なものとなってしまう。また、糊層が厚いと、ウェーハの表面から表面保護テープを除去する時に糊が残存するおそれもある。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、突起電極の凹凸を吸収しうる厚みのある糊層を有した表面保護テープを使用せずに、ウェーハを個々のデバイスチップへと分割するウェーハの加工方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該デバイスは突起電極を有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面から該分割予定ラインに沿ってデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、液状硬化樹脂を各該デバイスの表面に供給して該突起電極を被覆して平坦化する液状硬化樹脂供給ステップと、該液状硬化樹脂供給ステップを実施した後、該液状硬化樹脂を硬化させ硬化樹脂層を形成する液状硬化樹脂硬化ステップと、該液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、該硬化樹脂層の上面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、該表面保護部材配設ステップを実施した後、ウェーハの該表面保護部材側を保持手段で保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面を該仕上げ厚みへ研削するとともに個々のデバイスチップへと分割する研削ステップと、を備えた。
【０００７】
本発明は、上記研削ステップを実施した後、上記表面保護部材をウェーハの表面から除去する表面保護部材除去ステップと、該表面保護部材除去ステップを実施した後、ウェーハの裏面側を保持テーブルで保持した状態で上記硬化樹脂層を切削または研削して該突起電極を露出させる突起電極露出ステップと、を備えた構成でもよい。
【０００８】
また、本発明は、上記液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、上記表面保護部材配設ステップを実施する前にウェーハの裏面側を保持した状態で上記硬化樹脂層を切削または研削して該突起電極を露出させる突起電極露出ステップを備えた構成でもよい。
【０００９】
本発明は、上記表面保護部材配設ステップを実施した後、上記保持ステップを実施する前に、ウェーハの裏面側を上記保持手段で保持した状態で上記表面保護テープを研削または切削して平坦化する平坦化ステップを更に備えた構成でもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るウェーハの加工方法は、ウェーハの表面から分割予定ラインに沿ってデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、液状硬化樹脂を各デバイスの表面に供給して突起電極を被覆して平坦化する液状硬化樹脂供給ステップと、液状硬化樹脂供給ステップを実施した後、液状硬化樹脂を硬化させ硬化樹脂層を形成する液状硬化樹脂硬化ステップと、液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、硬化樹脂層の上面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、表面保護部材配設ステップを実施した後、ウェーハの表面保護部材側を保持手段で保持する保持ステップと、保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面を仕上げ厚みへ研削するとともに個々のデバイスチップへと分割する研削ステップとを備えたため、突起電極の凹凸を吸収しうる厚みのある糊層を有する表面保護部材を使用しなくても、ウェーハの表面側の平坦化を達成することができる。これにより、研削ステップ実施する際に、ウェーハの裏面を精度よく研削することができ、所望のデバイスチップを取得することができる。突起電極を有するデバイスチップは、実装時にデバイスを保護するためにNCF（non-conductive  film）等のアンダーフィル材が必要となるが、本発明によれば、硬化樹脂層で代替することができ、別途アンダーフィル材を必要とせず、製造コストが嵩むこともない。
【００１１】
本発明に係るウェーハの加工方法は、上記研削ステップを実施した後、上記表面保護部材をウェーハの表面から除去する表面保護部材除去ステップと、表面保護部材除去ステップを実施した後、ウェーハの裏面側を保持テーブルで保持した状態で上記硬化樹脂層を切削または研削して突起電極を露出させる突起電極露出ステップとを備えたため、突起電極の端面の高さを均一に揃えることができる。本発明によれば、糊層の厚い表面保護部材を使用しなくて済むため、表面保護テープ除去ステップを実施する際にウェーハの表面に糊が残存するおそれがない。
【００１２】
また、本発明に係るウェーハの加工方法は、上記液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、上記表面保護テープ配設ステップを実施する前にウェーハの裏面側を保持した状態で上記硬化樹脂層を切削または研削して該突起電極を露出させる突起電極露出ステップを備えたため、突起電極の端面の高さを均一に揃えてから、表面保護部材配設ステップ、上記保持ステップ、上記研削ステップを順次実施でき、所望のデバイスチップを取得することができる。
【００１３】
さらに、本発明に係るウェーハの加工方法は、上記表面保護部材配設ステップを実施した後、上記保持ステップを実施する前に、ウェーハの裏面側を上記保持手段で保持した状態で上記表面保護部材を研削または切削して平坦化する平坦化ステップを更に備えたため、たとえ硬化樹脂層の上に配設された表面保護部材の厚みにばらつきが生じていたとしても、表面保護部材の上面を平坦面にしてから上記研削ステップに進むことができ、ウェーハの裏面を均一に研削することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ウェーハの一例の構成を示す斜視図である。
【図２】溝形成ステップを示す斜視図である。
【図３】液状硬化樹脂供給ステップを示す斜視図である。
【図４】液状硬化樹脂硬化ステップを示す断面図である。
【図５】表面保護部材配設ステップを示す斜視図である。
【図６】平坦化ステップを示す断面図である。
【図７】保持ステップを示す断面図である。
【図８】（ａ）は、研削ステップを示す斜視図である。（ｂ）は、研削ステップを示す斜視図である。
【図９】表面保護部材除去ステップを示す斜視図である。
【図１０】突起電極露出ステップを示す断面図である。
【図１１】ピックアップステップを示す断面図である。
【図１２】突起電極露出ステップの第２例を示す断面図である。
【図１３】表面保護部材配設ステップの第２例を示す斜視図である。
【図１４】保持ステップの第２例を示す断面図である。
【図１５】研削ステップの第２例を示す斜視図である。
【図１６】表面保護部材除去ステップの第２例を示す斜視図である。
【図１７】ピックアップステップの第２例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１  第１の実施形態
図１に示すウェーハＷは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、その表面Ｗａには、交差する複数の分割予定ラインＳによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。各デバイスＤには、部分拡大図に示すように、突起電極１が複数形成されている。突起電極１は、例えば実装基板に接続される柱状の銅ポストによって構成されている。ウェーハＷの表面Ｗａと反対側にある面は、研削が施され薄化される裏面Ｗｂとなっている。以下では、ウェーハＷを個々のデバイスチップへと分割するウェーハの加工方法の第１例について説明する。
【００１６】
（１）溝形成ステップ
図２に示すように、例えば被加工物を切削する切削手段１０を用いてウェーハＷの表面Ｗａから切削を行う。切削手段１０は、Ｙ軸方向の軸心を有するスピンドル１１と、スピンドル１１を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング１２と、スピンドル１１の先端に装着された切削ブレード１３とを少なくとも備えており、スピンドル１１が回転することにより切削ブレード１３も回転する構成となっている。切削手段１０には、図示していないが、切削手段１０を加工送り方向（Ｘ軸方向）と直交するインデックス送り方向（Ｙ軸方向）にインデックス送りするＹ軸方向移動手段と、切削手段１０を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
【００１７】
ウェーハＷを切削手段１０の下方に移動させるとともに、スピンドル１１を回転させることにより切削ブレード１３をＹ軸方向の軸心を中心として例えば矢印Ａ方向に回転させながら、切削手段１０をウェーハＷの表面Ｗａに接近する方向に下降させる。切削ブレード１３をウェーハＷの表面ＷａからＸ軸方向に向く一列分の分割予定ラインＳに沿って切り込ませて切削を行うことにより、デバイスチップの仕上げ厚みに至る溝２を形成する。
【００１８】
Ｘ軸方向に向く一列分の分割予定ラインＳに沿って溝２を形成したら、切削手段１０をＹ軸方向にインデックス送りしながら、Ｘ軸方向に向く全ての分割予定ラインＳに対して上記の切削動作を繰り返し行って溝２を形成する。そして、ウェーハＷを９０°回転させ、Ｙ軸方向に向いている分割予定ラインＳをＸ軸方向に向かせて上記同様の切削動作を繰り返し行い、全ての分割予定ラインＳに沿って溝２を形成する。
【００１９】
（２）液状硬化樹脂供給ステップ
図３に示すように、例えば樹脂供給ノズル２０の下方にウェーハＷを移動させ、樹脂供給ノズル２０からウェーハＷの表面Ｗａに液状硬化樹脂２１を供給する。樹脂供給ノズル２０の先端には、液状硬化樹脂２１を下方に噴射する噴射口２０ａが形成されている。液状硬化樹脂２１は、例えば、エポキシ系の樹脂等のアンダーフィル材により構成されている。また、液状硬化樹脂２１は、加熱によって硬化するタイプの熱硬化性樹脂や紫外線の照射によって硬化するタイプの紫外線硬化性樹脂を使用することが好ましい。
【００２０】
樹脂供給ノズル２０は、ウェーハＷに対して水平方向に移動しながら、噴射口２０ａから液状硬化樹脂２１を噴射し、各デバイスＤの表面に液状硬化樹脂２１を塗布する。これにより、図１に示した各デバイスＤに形成された複数の突起電極１を被覆して、各デバイスＤの表面を平坦化する。つまり、液状硬化樹脂２１によって複数の突起電極１の凹凸を吸収して突起電極１の端面を覆うことができるため、各デバイスＤの表面を平坦化することができる。各デバイスＤの表面に塗布される液状硬化樹脂２１は、少なくとも突起電極１が埋没する程度の塗布厚みを有することが好ましい。また、液状硬化樹脂２１が隣接するデバイスＤ間に形成された溝２の中に入り込むのを防ぐために、液状硬化樹脂２１の供給量や粘度を調整しておくとよい。
【００２１】
（３）液状硬化樹脂硬化ステップ
液状硬化樹脂供給ステップを実施した後、液状硬化樹脂２１を硬化させる。液状硬化樹脂２１が紫外線硬化性樹脂からなる場合には、例えばＵＶランプによって紫外線を液状硬化樹脂２１に向けて照射して紫外線による外的刺激によって液状硬化樹脂２１を硬化させ、図４に示すように、各デバイスＤの上に硬化樹脂層２２を形成する。この硬化樹脂層２２には複数の突起電極１が完全に埋没した状態となっている。また、液状硬化樹脂２１が熱硬化樹脂からなる場合には、例えば、ヒータなどの加熱手段を用いて液状硬化樹脂２１を加熱して硬化させて各デバイスＤの上に硬化樹脂層２２を形成する。このように、デバイスＤ毎に硬化樹脂層２２が形成されるため、隣接するデバイスＤ同士で硬化樹脂層２２が連結するおそれがない。本実施形態では、溝形成ステップを実施してから、液状硬化樹脂供給ステップと液状硬化樹脂硬化ステップとを実施しているが、液状硬化樹脂供給ステップ、液状硬化樹脂硬化ステップを順次実施して硬化樹脂層２２を形成した後に、溝形成ステップを実施してもよい。
【００２２】
（４）表面保護部材配設ステップ
液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、図５に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに形成された硬化樹脂層２２（網掛けを施して図示した部分）の上面に表面保護部材３を配設する。表面保護部材３は、少なくともウェーハＷと略同径の大きさを有しポリオレフィンや塩化ビニル、ポリエチレンタフタラレート等の樹脂からなる基材上にアクリル系やゴム系の樹脂からなる糊層から構成されている。硬化樹脂層２２の上面が表面保護部材３によって覆われると、表面保護部材３によって各デバイスＤが保護される。表面保護部材３の材質は、特に限られるものではなく、例えば、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等の樹脂やガラスのほか、シリコン等のハードプレートで構成してもよい。
【００２３】
（５）平坦化ステップ
表面保護部材配設ステップを実施した後、後記の保持ステップを実施する前に、図６に示すように、ウェーハＷを保持する保持手段４０でウェーハＷの裏面Ｗｂ側を保持した状態で、例えばバイト切削手段３０により表面保護部材３をバイトによる切削を行い平坦化する。平坦化ステップは、硬化樹脂層２２の上面に配設された表面保護部材３の厚みにばらつきが生じている場合に実施すればよく、表面保護部材３が十分に平坦な状態であれば、必ずしも平坦化ステップを実施しなくてもよい。
【００２４】
バイト切削手段３０は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル３１と、スピンドル３１の下端にマウント３２を介して着脱可能に装着された円盤状のバイトホイール３３と、バイトホイール３３の下部に着脱可能に装着されたバイト３４とを備えており、スピンドル３１が所定の回転速度で回転することにより、バイトホイール３３を所定の回転速度で回転させることができる。保持手段４０は、その上面が被加工物を保持する保持面４１となっており、図示しない吸引源に接続されている。保持手段４０の下方には、保持手段４０とバイト切削手段３０とを鉛直方向と直交する水平方向に相対移動させる移動手段が接続されている。なお、保持手段４０は、回転可能な構成となっていてもよいが、バイトによる切削時には回転させないようにする。
【００２５】
ウェーハＷの裏面Ｗｂ側を保持手段４０の保持面４１に載置して、ウェーハＷの表面Ｗａ側を上向きに露出させ、保持手段４０の保持面４１でウェーハＷを吸引保持する。次いで、バイト３４の刃先の位置を所定の高さ位置に位置づけるとともに、スピンドル３１が回転し、バイトホイール３３を例えば矢印Ａ方向に回転させる。保持手段４０を例えば矢印Ｙ方向に移動させることにより、ウェーハＷとバイトホイール３３とを相対移動させ、回転するバイトホイール３３の下方にウェーハＷを移動させる。バイトホイール３３の回転にともない円運動するバイト３４を表面保護部材３に接触させて切削する。すなわち、バイト３４の刃先によって表面保護部材３の上面を削っていき、その上面を平坦化する。本実施形態に示す平坦化ステップは、バイトによる切削によって実施した場合を説明したが、この場合に限られず、研削により平坦化ステップを実施してもよい。
【００２６】
（６）保持ステップ
表面保護部材配設ステップ及び平坦化ステップを実施した後、図７に示すように、ウェーハＷの表裏を反転させ、ウェーハＷの表面保護部材３側から保持手段４０の保持面４１に載置して表面保護部材３側を保持面４１で吸引保持する。このようにして、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側を上向きに露出させる。このとき、表面保護部材３の厚みにばらつきがないため、ウェーハＷを保持手段４０で安定して吸引保持することができる。
【００２７】
（７）研削ステップ
保持ステップを実施した後、図８（ａ）に示すように、ウェーハＷを研削する研削手段５０によってウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して仕上げ厚みへと研削するとともに個々のデバイスチップへと分割する。研削手段５０は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル５１と、スピンドル５１の下部にマウント５２を介して装着された研削ホイール５３と、研削ホイール５３の下部に環状に固着された研削砥石５４とを備えている。研削手段５０は、研削ホイール５３を回転させながら、全体が昇降可能となっている。
【００２８】
ウェーハＷを吸引保持した保持手段４０を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、研削手段５０の下方に移動させる。研削手段５０は、研削ホイール５３を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、所定の送り速度で下降させ、回転する研削砥石５４でウェーハＷの裏面Ｗｂを押圧しながら仕上げ厚みへに至るまで研削してウェーハＷを薄化する。図８（ｂ）に示すように、少なくとも溝２が表出する深さ位置まで研削砥石５４を研削送りして研削を続けることにより、ウェーハＷを個々のデバイスチップＣへと分割する。
【００２９】
（８）表面保護部材除去ステップ
研削ステップを実施した後、図９に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａから表面保護部材３を除去する。具体的には、中央部が開口した環状のリングフレーム４の下部にテープ５を貼着し、中央部から露出したテープ５にウェーハＷの裏面Ｗｂ側を貼着することによりテープ５を介してリングフレーム４とウェーハＷとを一体に形成するとともに、上向きに露出したウェーハＷの表面Ｗａから表面保護部材３を剥がして除去する。
【００３０】
（９）突起電極露出ステップ
表面保護部材除去ステップを実施した後、図１０に示すように、例えば、ウェーハＷを保持する保持面６１を有する保持テーブル６０でウェーハＷの裏面Ｗｂ側を保持した状態で、例えばバイト切削手段３０を用いてバイトによる切削を硬化樹脂層２２に施して突起電極１を露出させる。保持テーブル６０の外周側には、リングフレーム４が載置されるフレーム載置台６２と、フレーム載置台６２に載置されたリングフレーム４をクランプするクランプ部６３とを備えている。
【００３１】
ウェーハＷの裏面Ｗｂ側に貼着されたテープ５を保持テーブル６０の保持面６１に載置するとともにリングフレーム４をフレーム載置台６２に載置する。クランプ部６３がリングフレーム４の上部を押さえて保持面６１でウェーハＷが動かないように保持する。バイト切削手段３０は、図１０の部分拡大図に示すように、バイト３４の刃先の位置を所定の高さ位置Ｈ１に位置づける。この高さ位置Ｈ１は、個々のデバイスチップＣに分割されたウェーハＷにおける突起電極１の端面１ａの高さ位置に設定されている。
【００３２】
高さ位置Ｈ１にバイト３４の刃先を位置づけたら、スピンドル３１が回転し、バイトホイール３３を例えば矢印Ａ方向に回転させる。保持テーブル６０を例えば矢印Ｙ方向に移動させることにより、ウェーハＷとバイトホイール３３とを相対移動させ、回転するバイトホイール３３の下方にウェーハＷを移動させる。バイトホイール３３の回転にともない円運動するバイト３４を硬化樹脂層２２に切り込ませバイトによる切削をする。すなわち、バイト３４の刃先によって硬化樹脂層２２を削っていき、図１１に示すように、突起電極１の端面１ａを硬化樹脂層２２の上面２２ａから露出させる。こうして複数の突起電極１の高さを揃える。本実施形態に示す突起電極露出ステップは、バイトによる切削によって実施した場合を説明したが、この場合に限られず、研削により突起電極露出ステップを実施してもよい。
【００３３】
（１０）ピックアップステップ
図１１に示すように、例えば、コレット７０によりデバイスチップＣをピックアップする。コレット７０は、デバイスチップＣを吸着する吸着面７１を有しており、上下方向に移動可能となっている。コレット７０は、デバイスチップＣの実装面（突起電極１の端面１ａ側）を吸着するとともに上昇することにより、デバイスチップＣをテープ５から引き剥がしてピックアップする。そして、デバイスチップＣは、次の工程（例えば実装工程）に移送され、実装基板に実装される。第１例では、デバイスチップＣのピックアップ直前に突起電極露出ステップを実施するため、突起電極１の端面１ａが酸化しづらい。特にバイト切削仕上げにより突起電極１の端面１ａを露出させてからデバイスチップＣをピックアップするまでに時間がかかると、突起電極１の端面１ａが酸化しやすく実装不良を招く。なお、研削仕上げにより突起電極１の端面１ａを露出させる場合は、バイト切削仕上げに比べて突起電極１の端面１ａが酸化しづらい。
【００３４】
このように、ウェーハの加工方法の第１例では、液状硬化樹脂２１を各デバイスＤの表面に供給して突起電極１を覆い平坦化したのち、液状硬化樹脂２１を硬化させて硬化樹脂層２２を形成してから、硬化樹脂層２２の上面に表面保護部材３を配設するように構成したため、突起電極１の凹凸を吸収しうる厚みのある糊層を有する表面保護部材を使用する必要がなくなり、ウェーハＷの表面Ｗａ側の平坦化を達成することができる。これにより、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して個々のデバイスチップＣに分割する際に、ウェーハＷの裏面Ｗｂを精度よく研削することでき、所望のデバイスチップＣを取得することができる。突起電極１を有するデバイスチップＣは、実装時にデバイスＤを保護するためにNCF（non-conductive  film）等のアンダーフィル材が必要となるが、本発明によれば、硬化樹脂層２２で代替することが可能となるため、別途アンダーフィル材を必要とせず、製造コストが嵩むこともない。
また、本発明に係るウェーハの加工方法では、糊層の厚い表面保護部材を使用しなくて済むため、表面保護部材除去ステップの際にウェーハＷの表面Ｗａに糊が残存するおそれがない。
【００３５】
２  第２の実施形態
次に、図１に示すウェーハＷ１を個々のデバイスチップへと分割するウェーハの加工方法の第２例について説明する。ウェーハＷ１の構成は、第１例のウェーハＷと同様であるため、共通の符号を付している。
【００３６】
（１）  溝形成ステップ
図２に示した切削手段１０を用いて、ウェーハＷ１の表面Ｗａから分割予定ラインＳに沿って切削行う。第１例と同様に、切削ブレード１３を例えば矢印Ａ方向に回転させながら、切削ブレード１３をウェーハＷ１の表面ＷａからＸ軸方向に向く一列分の分割予定ラインＳに沿って切り込ませて切削を行うことにより、デバイスチップの仕上げ厚みに至る溝２を形成する。Ｘ軸方向に向く全ての分割予定ラインＳに対して上記の切削動作を繰り返し行って溝２を形成した後、ウェーハＷ１を９０°回転させ、Ｙ軸方向に向いている分割予定ラインＳをＸ軸方向に向かせて上記同様の切削動作を繰り返し行い、全ての分割予定ラインＳに沿って溝２を形成する。
【００３７】
（２）液状硬化樹脂供給ステップ
図３に示した樹脂供給ノズル２０の下方にウェーハＷ１を移動させる。第１例と同様に、樹脂供給ノズル２０は、ウェーハＷ１に対して水平方向に移動しながら、噴射口２０ａから液状硬化樹脂２１を噴射し、各デバイスＤの表面に液状硬化樹脂２１を塗布する。これにより、図１に示した各デバイスＤに形成された複数の突起電極１を被覆して、各デバイスＤの表面を平坦化する。
【００３８】
（３）液状硬化樹脂硬化ステップ
液状硬化樹脂供給ステップを実施した後、第１例と同様に、液状硬化樹脂２１を紫外線の照射または加熱によって硬化させ、図４に示す各デバイスＤの上に硬化樹脂層２２を形成する。
【００３９】
（４）突起電極露出ステップ
液状硬化樹脂硬化ステップを実施した後、表面保護部材配設ステップを実施する前に、図１２に示すように、例えば保持手段４０によってウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側を保持した状態で、第１例と同様に、例えばバイト切削手段３０を用いてバイトによる切削を硬化樹脂層２２に施して突起電極１を露出させる。バイト切削手段３０は、図１２の部分拡大図に示すように、バイト３４の刃先の位置を所定の高さ位置Ｈ２に位置づける。この高さ位置Ｈ２は、薄化される前のウェーハＷ１における突起電極１の端面１ａの高さ位置に設定されている。
【００４０】
高さ位置Ｈ２にバイト３４の刃先を位置づけたら、スピンドル３１が回転し、バイトホイール３３を例えば矢印Ａ方向に回転させる。保持手段４０を例えば矢印Ｙ方向に移動させることにより、ウェーハＷ１とバイトホイール３３とを相対移動させ、回転するバイトホイール３３の下方にウェーハＷ１を移動させる。バイトホイール３３の回転にともない円運動するバイト３４を硬化樹脂層２２に切り込ませバイトによる切削をする。すなわち、バイト３４の刃先によって硬化樹脂層２２を削っていき、突起電極１の端面１ａを硬化樹脂層２２の上面２２ａから露出させ、複数の突起電極１の高さを揃える。突起電極露出ステップの第２例においても、バイトによる切削によって実施した場合を説明したが、この場合に限られず、研削により突起電極露出ステップを実施してもよい。
【００４１】
（５）表面保護部材配設ステップ
突起電極露出ステップを実施した後、図１３に示すように、ウェーハＷ１の表面Ｗａに形成された硬化樹脂層２２（網掛けを施して図示した部分）の上面に表面保護部材３を配設する。硬化樹脂層２２の上面が表面保護部材３によって覆われると、表面保護部材３によって各デバイスＤが保護される。
【００４２】
（６）保持ステップ
表面保護部材配設ステップを実施したら、図１４に示すように、ウェーハＷ１の表裏を反転させ、ウェーハＷ１の表面保護部材３側から保持手段４０の保持面４１に載置して表面保護部材３側を保持面４１で吸引保持する。このようにして、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側を上向きに露出させる。このとき、表面保護部材３の厚みにばらつきがないため、ウェーハＷ１を保持手段４０で安定して吸引保持することができる。
【００４３】
（７）研削ステップ
保持ステップを実施した後、図１５に示すように、研削手段５０によってウェーハＷ１の裏面Ｗｂを研削して仕上げ厚みへと研削するとともに個々のデバイスチップへと分割する。第１例と同様に、ウェーハＷ１を吸引保持した保持手段４０を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、研削手段５０の下方に移動させる。研削手段５０は、研削ホイール５３を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、所定の送り速度で下降させ、回転する研削砥石５４でウェーハＷ１の裏面Ｗｂを押圧しながら仕上げ厚みへに至るまで研削してウェーハＷ１を薄化して図１６に示す個々のデバイスチップＣへと分割する。
【００４４】
（８）表面保護部材除去ステップ
研削ステップを実施した後、図１６に示すように、ウェーハＷ１の表面Ｗａから表面保護部材３を除去する。第１例と同様に、リングフレーム４の下部にテープ５を貼着し、中央部から露出したテープ５にウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側を貼着することによりテープ５を介してリングフレーム４とウェーハＷ１とを一体に形成するとともに、上向きに露出したウェーハＷ１の表面Ｗａから表面保護部材３を剥がして除去する。
【００４５】
（９）ピックアップステップ
図１７に示すように、第１例と同様に、コレット７０によってデバイスチップＣの実装面（突起電極１の端面１ａ側）を吸着するとともに上昇することにより、デバイスチップＣをテープ５から引き剥がしてピックアップする。そして、デバイスチップＣは、次の工程（例えば実装工程）に移送され、実装基板に実装される。
【００４６】
このように、ウェーハの加工方法の第２例では、液状硬化樹脂２１を各デバイスＤの表面に供給して突起電極１を覆い平坦化したのち、液状硬化樹脂２１を硬化させて硬化樹脂層２２を形成した後に、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側を保持した状態で硬化樹脂層２２を切削または研削して突起電極１を露出させるように構成したため、突起電極１の端面１ａの高さを均一に揃えてから、表面保護部材配設ステップ、保持ステップ、研削ステップを順次実施することができ、所望のデバイスチップＣを取得することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１：突起電極  １ａ：端面  ２：溝  ３：表面保護部材  ４：リングフレーム
５：テープ  
１０：切削手段  １１：スピンドル  １２：スピンドルハウジング  １３：切削ブレード
２０：樹脂供給ノズル  ２０ａ：噴出口  ２１：液状硬化樹脂  ２２：硬化樹脂層
３０：バイト切削手段  ３１：スピンドル  ３２：マウント  ３３：バイトホイール
３４：バイト  ４０：保持手段  ４１：保持面
５０：研削手段  ５１：スピンドル  ５２：マウント  ５３：研削ホイール
５４：研削砥石
６０：保持テーブル  ６１：保持面  ６２：フレーム載置台  ６３：クランプ部
７０：コレット  ７１：吸着面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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