(57)【要約】【課題】第１の端子パッドと第２の端子パッドとの短絡を抑制しつつ、第１の端子パッドと第２の端子パッドとの距離を短くする。【解決手段】保持装置は、板状の絶縁板と、複数のヒータと、絶縁板の第２の表面側に配置された複数の端子パッドと、複数の給電端子と、絶縁板の第２の表面側に配置されたベース板とを備える。ベース板は、第１の給電端子と第２の給電端子との両方を収容する収容空間が形成されており、絶縁板の第２の表面側には、絶縁板とベース板との並び方向に直交し、前記第１の配置面及び前記第２の配置面よりも前記第１の表面側に位置する仮想平面からの距離が互いに異なる第１の配置面と第２の配置面とが形成されており、第１の給電端子が接合された第１の端子パッドは第１の配置面に配置され、第２の給電端子が接合された第２の端子パッドは第２の配置面に配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有し、絶縁材料により形成された板状の絶縁板と、
前記絶縁板の内部に配置された複数のヒータと、
前記絶縁板の前記第２の表面側に配置され、前記複数のヒータのそれぞれに電気的に接続された複数の端子パッドと、
前記複数の端子パッドのそれぞれに接合された複数の給電端子と、
前記絶縁板の前記第２の表面側に配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース板と、を備え、前記絶縁板の前記第１の表面側で対象物を保持する保持装置において、
前記ベース板は、前記複数の給電端子の内の少なくとも第１の給電端子と第２の給電端子との両方を収容する収容空間が形成されており、
前記絶縁板の前記第２の表面側には、第１の配置面と第２の配置面とが形成されており、
前記絶縁板と前記ベース板との並び方向に直交する仮想平面が前記第１の配置面及び前記第２の配置面よりも前記第１の表面側に位置する場合、前記第１の配置面と前記第２の配置面とは、前記仮想平面からの距離が互いに異なり、
前記複数の前記端子パッドの内、前記第１の給電端子が接合された第１の端子パッドは前記第１の配置面に配置され、前記第２の給電端子が接合された第２の端子パッドは前記第２の配置面に配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記絶縁板の前記第２の表面側には、前記絶縁板と前記ベース板との並び方向視で、２つの前記第１の配置面の間に１つの前記第２の配置面が形成されており、前記２つの第１の配置面のそれぞれに前記第２の端子パッドが配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記仮想平面が、前記第１の配置面および前記第２の配置面より前記第１の表面側に位置する場合、前記第１の配置面と前記仮想平面との距離は、前記第２の配置面と前記仮想平面との距離よりも短く、
前記第１の配置面は、前記第２の配置面より、前記絶縁板の周縁側に配置されていることを特徴とする、保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体製造装置において、ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、例えば、板状の絶縁板と、絶縁板の一方の面側に配置されるベース板とを備える静電チャックが知られている。絶縁板の他方の面（以下、「吸着面」という）にウェハが配置されている。
【０００３】
静電チャックに保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング、露光等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックには、導電性の抵抗発熱体であるヒータと、ヒータに電気的に接続される複数の端子パッドと、複数の端子パッドのそれぞれに接合される複数の給電端子とが設けられている。複数の給電端子に電力が供給されるとヒータが発熱し、発熱したヒータによる加熱によって絶縁板の吸着面の温度制御が行われる。
【０００４】
ベース板の内部には冷媒流路が形成されており、冷媒流路に冷媒が流されることによりベース板が冷却され、ベース板に伝熱可能に配置された絶縁板が冷却される。また、ベース板には、給電端子を収容する収容空間が形成されている。
【０００５】
静電チャックの中には、複数のヒータを備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この複数のヒータを備える静電チャックでは、１つの収容空間に複数の給電端子が収容されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−７６６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の複数のヒータを備える従来の静電チャックでは、１つの収容空間に複数の給電端子が収容された構成である。このため、ヒータの数が多いほど、端子パッドおよび給電端子の数が多くなり、それに伴って収容空間のサイズが大きくなる。その結果、例えば、ベース板において、冷却効果が低い収容空間が占める割合が高くなることによってウェハの温度分布を均一にするための複数のヒータの温度制御が複雑になるおそれがある。また、ベース板における収容空間の占める割合が多くなることによってベース板全体の冷却効果が低下するおそれがある。
【０００８】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、例えばポリイミドヒータなど、絶縁板の表面側で対象物を保持する保持装置に共通の課題である。
【０００９】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１１】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有し、絶縁材料により形成された板状の絶縁板と、前記絶縁板の内部に配置された複数のヒータと、前記絶縁板の前記第２の表面側に配置され、前記複数のヒータのそれぞれに電気的に接続された複数の端子パッドと、前記複数の端子パッドのそれぞれに接合された複数の給電端子と、前記絶縁板の前記第２の表面側に配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース板と、を備え、前記絶縁板の前記第１の表面側で対象物を保持する保持装置において、前記ベース板は、前記複数の給電端子の内の少なくとも第１の給電端子と第２の給電端子との両方を収容する収容空間が形成されており、前記絶縁板の前記第２の表面側には、第１の配置面と第２の配置面とが形成されており、前記絶縁板と前記ベース板との並び方向に直交する仮想平面が前記第１の配置面及び前記第２の配置面よりも前記第１の表面側に位置する場合、前記第１の配置面と前記第２の配置面とは、前記仮想平面からの距離が互いに異なり、前記複数の前記端子パッドの内、前記第１の給電端子が接合された第１の端子パッドは前記第１の配置面に配置され、前記第２の給電端子が接合された第２の端子パッドは前記第２の配置面に配置されている。本保持装置によれば、ベース板に形成された単一の収容空間に少なくとも第１の給電端子と第２の給電端子とが収容されており、第１の給電端子が接合された第１の端子パッドと第２の給電端子が接合された第２の端子パッドとが、絶縁板とベース板との並び方向に直交する仮想平面からの距離が互いに異なる配置面（第１の配置面、第２の配置面）に配置されている。これにより、第１の端子パッドと第２の端子パッドとが、上記仮想平面からの距離が同じ配置面に配置された場合に比べて、第１の端子パッドと第２の端子パッドとの短絡を抑制しつつ、絶縁板とベース板との並び方向視で第１の端子パッドと第２の端子パッドとの距離を短くすることができる。
【００１２】
（２）上記保持装置において、前記絶縁板の前記第２の表面側には、前記絶縁板と前記ベース板との並び方向視で、２つの前記第１の配置面の間に１つの前記第２の配置面が形成されており、前記２つの第１の配置面のそれぞれに前記第２の端子パッドが配置されている構成としてもよい。本保持装置によれば、２つの第１の配置面の間に１つの第２の配置面が形成されている。これにより、仮想平面に直交する方向視で、仮想平面からの距離が互いに同じ配置面に配置された第２の端子パッド同士の距離を離しつつ、第１の端子パッドと第２の端子パッドとの距離を短くすることができる。これにより、単一の収容空間に収容された複数の給電端子が接合された複数の端子パッド全体としての集積性を高めることができる。
【００１３】
（３）上記保持装置において、前記仮想平面が、前記第１の配置面および前記第２の配置面より前記第１の表面側に位置する場合、前記第１の配置面と前記仮想平面との距離は、前記第２の配置面と前記仮想平面との距離よりも短く、前記第１の配置面は、前記第２の配置面より、前記絶縁板の周縁側に配置されていることを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、仮想平面からの距離が短い配置面ほど、絶縁板の周縁側に形成することによって、絶縁板の製造工程が複雑化することを抑制することができる。
【００１４】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１実施形態における静電チャック１０の断面構成（ＩＩ−ＩＩの位置におけるＺ軸に平行な断面構成）を概略的に示す説明図である。
【図３】第１実施形態における静電チャック１０の断面構成（ＩＩＩ−ＩＩＩの位置におけるＸＹ断面構成）を概略的に示す説明図である。
【図４】第１の実施形態における静電チャック１０の一部分（ベース板２００の収容孔２２が形成された部分）をベース板２００の下面Ｓ４側から見た底面図である。
【図５】第２実施形態における静電チャック１０の一部分（ベース板２００の収容孔２２が形成された部分）をベース板２００の下面Ｓ４側から見た底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２および図３は、本実施形態における静電チャック１０の断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図２には、図３のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１０のＺ軸に平行な断面構成が示されている。図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されている。なお、図３では、便宜上、静電チャック１０の断面を示すハッチングが省略されている。
【００１７】
図１から図３に示すように、静電チャック１０は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１００およびベース板２００を備える。セラミックス板１００とベース板２００とは、セラミックス板１００の下面（以下、「セラミックス側接着面Ｓ２」という）とベース板２００の上面（以下、「ベース側接着面Ｓ３」という）とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック１０は、さらに、セラミックス板１００のセラミックス側接着面Ｓ２とベース板２００のベース側接着面Ｓ３との間に配置された接着層３００を備える。セラミックス板１００は、特許請求の範囲における絶縁板に相当し、セラミックス板１００のセラミックス側接着面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当する。また、配列方向は、特許請求の範囲における絶縁板とベース板との並び方向に相当する。
【００１８】
（セラミックス板１００の構成）：
セラミックス板１００は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックス板１００の直径は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１００の厚さは、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００１９】
セラミックス板１００の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。
【００２０】
また、図２に示すように、セラミックス板１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対のチャック電極４００が設けられている。一対のチャック電極４００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１００の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス板１００の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。
【００２１】
また、図２および図３に示すように、セラミックス板１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ５００が設けられている。ヒータ５００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ５００が発熱することによってセラミックス板１００が温められ、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。なお、図３に示すように、ヒータ５００は、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１をできるだけ満遍なく温めるため、Ｚ軸方向視で略同心円状に配置されている。ヒータ５００、および、当該ヒータ５００への給電部分の詳細な構成については後述する。
【００２２】
（ベース板２００の構成）：
ベース板２００は、例えばセラミックス板１００と同径の、または、セラミックス板１００より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース板２００の直径は、例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース板２００の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２３】
ベース板２００の内部には冷媒流路２１０が形成されている。冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース板２００が冷却され、接着層３００を介したベース板２００とセラミックス板１００との間の伝熱によりセラミックス板１００が冷却され、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２４】
接着層３００は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を含んでおり、セラミックス板１００とベース板２００とを接着している。
【００２５】
Ａ−２．ヒータ５００の詳細構成：
図３に示すように、ヒータ５００は、第１のヒータ線５１０と、第２のヒータ線５２０と、第３のヒータ線５３０と、第４のヒータ線５４０とを含む。４つのヒータ線５１０〜５４０は、上記配列方向（Ｚ軸方向）に直交する（本実施形態ではセラミックス板１００の吸着面Ｓ１に平行な）単一の仮想平面Ｑ１上に配置されている（図２参照）。また、４つのヒータ線５１０〜５４０は、セラミックス板１００の内部において、Ｚ軸方向視で、互いに異なる領域に配置されている。具体的には、Ｚ方向視で、セラミックス板１００の中心位置で互いに直交する２本の仮想直線Ｑ２によって仕切られる４つの扇形状の領域を、第１の領域Ｒ１〜第４の領域Ｒ４とする。第１の領域Ｒ１に第１のヒータ線５１０が配置され、第２の領域Ｒ２に第２のヒータ線５２０が配置され、第３の領域Ｒ３に第３のヒータ５３０が配置され、第４の領域Ｒ４に第４のヒータ線５４０が配置されている（図３参照）。
【００２６】
第１のヒータ線５１０は、互いに異なる給電端子６０（後述）のそれぞれに電気的に接続される一対の端部５１１，５１２と、一方の端部５１１から他方の端部５１２まで延びるヒータ本体部５１３とを含む。一方の端部５１１は、セラミックス板１００の中心側に配置されており、他方の端部５１２は、セラミックス板１００の周縁側に配置されている。以下、一方の端部５１１を「内側端部５１１」といい、他方の端部５１２を「外側端部５１２」という。
【００２７】
ヒータ本体部５１３は、第１〜第４の円弧部分５１４Ａ〜５１４Ｄと、第１〜第３の直線部分５１５Ａ〜５１５Ｃとを含む。第１〜第４の円弧部分５１４Ａ〜５１４Ｄは、セラミックス板１００の中心位置を中心とし、互いに径が異なる円弧のそれぞれに沿って延びている。内側端部５１１は、第１の円弧部分５１４Ａの周方向の一方側（図３の紙面時計回り側）の端に位置している。第１の直線部分５１５Ａは、第１の円弧部分５１４Ａの周方向の他方側（図３の紙面反時計回り側）の端から、第２の円弧部分５１４Ｂの上記他方側の端までセラミックス板１００の径方向に沿って延びている。第２の直線部分５１５Ｂは、第２の円弧部分５１４Ｂの上記一方側の端から、第３の円弧部分５１４Ｃの上記一方側の端までセラミックス板１００の径方向に沿って延びている。第３の直線部分５１５Ｃは、第３の円弧部分５１４Ｃの上記他方側の端から、第４の円弧部分５１４Ｄの上記他方側の端までセラミックス板１００の径方向に沿って延びている。外側端部５１２は、第４の円弧部分５１４Ｄの上記一方側の端に位置している。
【００２８】
第２のヒータ線５２０は、セラミックス板１００の中心側に配置される内側端部５２１と、セラミックス板１００の周縁側に配置される外側端部５２２と、内側端部５２１から外側端部５２２まで延びるヒータ本体部５２３とを含む。第３のヒータ線５３０は、セラミックス板１００の中心側に配置される内側端部５３１と、セラミックス板１００の周縁側に配置される外側端部５３２と、内側端部５３１から外側端部５３２まで延びるヒータ本体部５３３とを含む。第４のヒータ線５４０は、セラミックス板１００の中心側に配置される内側端部５４１と、セラミックス板１００の周縁側に配置される外側端部５４２と、内側端部５４１から外側端部５４２まで延びるヒータ本体部５４３とを含む。第２〜第４のヒータ線５２０〜５４０のヒータ本体部５２３〜５４３の構成は、第１のヒータ線５１０のヒータ本体部５１３の構成と同一であるため、説明を省略する。なお、第１〜第４のヒータ線５１０〜５４０は、当該ヒータ線の線方向に直交する断面積が同一である抵抗発熱体で構成されていることが好ましい。
【００２９】
Ａ−３．ヒータ５００への給電部分の詳細構成：
図２に示すように、ベース板２００には、収容孔２２が形成されている。収容孔２２は、ベース板２００のベース側接着面Ｓ３からベース板２００の下面Ｓ４まで上下方向に貫通する孔である。本実施形態では、収容孔２２は、第４のヒータ線５４０の外側端部５４２の下方の位置に形成されている。収容孔２２は、特許請求の範囲における収容空間に相当する。
【００３０】
図４は、静電チャック１０の一部分（ベース板２００の収容孔２２が形成された部分）をベース板２００の下面Ｓ４側から見た底面図である。図２および図４に示すように、収容孔２２内には、ヒータ５００に給電するための８つの給電端子６０（６１〜６８）が収容されている（図２には２つの給電端子６０のみ図示）。各給電端子６０は、上下方向に延びた棒状の導電体である。また、セラミックス板１００のセラミックス側接着面Ｓ２の内、収容孔２２内に露出する表面部分（以下、「セラミックス側接着面Ｓ２の露出部分」という）には、８つの端子パッド７０（７１〜７８）が配置されている（図２には２つの端子パッド７０のみ図示）。各端子パッド７０は、円形平板状の導電体（メタライズ層）であり、各端子パッド７０の上面は、セラミックス板１００のセラミックス側接着面Ｓ２に接合されており、各端子パッド７０の下面に、導電性の接合剤（図示せず）を介して、各給電端子６０が接合されている。なお、図２に示すように、第５の端子パッド７５は、第４のヒータ線５４０の外側端部５４２の下方の位置に配置されている。
【００３１】
図２および図３に示すように、セラミックス板１００の内部には、４つの内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌと、４つの外側ドライバ電極５１２Ｌ〜５４２Ｌとが設けられている（図２には外側ドライバ電極５４２Ｌのみ図示、図３には外側ドライバ電極５４２Ｌ以外の７つのドライバ電極を図示）。内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌと外側ドライバ電極５１２Ｌ〜５４２Ｌとは、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成されている。
【００３２】
各内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌは、各ヒータ線５１０〜５４０の内側端部５１１〜５４１と、収容孔２２内に配置された各端子パッド７０とを電気的に接続するためものである。具体的には、各内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌは、線状の導電性部材である。各内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌの一端は、各ヒータ線５１０〜５４０の内側端部５１１〜５４１の下方の位置に配置されており、ビア（図示せず）を介して、該内側端部５１１〜５４１に電気的に接続されている。各内側ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌの他端は、各端子パッド７０の上方の位置に配置されており、パッド用ビア（図示せず）を介して、該端子パッド７０に電気的に接続されている。具体的には、内側ドライバ電極５１１Ｌの他端は、第６の端子パッド７６に電気的に接続されており、内側ドライバ電極５２１Ｌの他端は、第３の端子パッド７３に電気的に接続されており、内側ドライバ電極５３１Ｌの他端は、第４の端子パッド７４に電気的に接続されており、内側ドライバ電極５４１Ｌの他端は、第２の端子パッド７２に電気的に接続されている。
【００３３】
各外側ドライバ電極５１２Ｌ〜５３２Ｌは、線状の導電性部材である。各外側ドライバ電極５１２Ｌ〜５３２Ｌの一端は、各ヒータ線５１０〜５３０の外側端部５１２〜５３２の下方の位置に配置されており、ビア（図示せず）を介して、該外側端部５１２〜５３２に電気的に接続されている。各外側ドライバ電極５１２Ｌ〜５３２Ｌの他端は、各端子パッド７０の上方の位置に配置されており、パッド用ビア８２（図２参照）を介して、該端子パッド７０に電気的に接続されている。具体的には、外側ドライバ電極５１２Ｌの他端は、第１の端子パッド７１に電気的に接続されており、外側ドライバ電極５２２Ｌの他端は、第７の端子パッド７７に電気的に接続されており、外側ドライバ電極５３２Ｌの他端は、第８の端子パッド７８に電気的に接続されている。また、外側ドライバ電極５４２Ｌは、平板状の導電性部材である。外側ドライバ電極５４２Ｌは、ヒータ線５４０の外側端部５４２と第５の端子パッド７５との間の位置に配置されており、外側ドライバ電極５４２Ｌの上面は、ビア８３（図２参照）を介して、該外側端部５４２に電気的に接続されており、外側ドライバ電極５４２Ｌの下面は、パッド用ビア８４（図２参照）を介して、第５の端子パッド７５に電気的に接続されている。
【００３４】
以上の構成により、４つのヒータ線５１０〜５４０の内側端部５１１〜５４１および外側端部５１２〜５４２が、ベース板２００に形成された単一の収容孔２２内に収容された給電端子６０に電気的に接続されている。すなわち、ヒータ５００に電気的に接続される複数の給電端子６０が単一の収容孔２２内に集約されている。
【００３５】
ここで、図２に示すように、セラミックス側接着面Ｓ２の露出部分には、上記仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）からの距離が互いに異なる第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとが形成されている。換言すれば、第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとは、段差を介して配置されており、上記配列方向視で互いに隣接するように配置されている。各配置面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂは、仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）に略平行な平面である。第１の配置面Ｓ２Ａと仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）との距離は、第２の配置面Ｓ２Ａと仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）との距離より短い。換言すれば、第１の配置面Ｓ２Ａは、第２の配置面Ｓ２Ａよりセラミックス板１００の吸着面Ｓ１側に位置している。また、第１の配置面Ｓ２Ａは、第２の配置面Ｓ２Ｂよりセラミックス板１００の周縁側に配置されている。
【００３６】
そして、第１の配置面Ｓ２Ａに、第５〜第８の端子パッド７５〜７８が配置されており、第２の配置面Ｓ２Ｂに、第１〜第４の端子パッド７１〜７４が配置されている。要するに、第１〜第４の端子パッド７１〜７４と、第５〜第８の端子パッド７５〜７８とは、同一平面上に配置されておらず、仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）からの距離が互いに異なる配置面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂにそれぞれ形成されている。なお、第５〜第８の端子パッド７５〜７８は、特許請求の範囲における第１の端子パッドに相当し、第１〜第４の端子パッド７１〜７４は、特許請求の範囲における第２の端子パッドに相当する。また、第５〜第８の給電端子６５〜６８は、特許請求の範囲における第１の給電端子に相当し、第１〜第４の給電端子６１〜６４は、特許請求の範囲における第２の給電端子に相当する。
【００３７】
また、図４に示すように、第１の端子パッド（第５〜第８の端子パッド７５〜７８）と、第２の端子パッド（第１〜第４の端子パッド７１〜７４）とは、第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとの並び方向（セラミックス板１００の径方向）視で、互いに異なる位置に配置されている。換言すれば、第１の端子パッドと第２の端子パッドとは、上記配列方向視で、第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとの境界線Ｒに直交する方向に並ばないようにジグザグに配置されている。さらに、換言すれば、上記第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとの並び方向視で、２つの第１の端子パッドの間に１つの第２の端子パッドが配置されており、２つの第２の端子パッドの間に１つの第１の端子パッドが配置されている。また、第１の端子パッドおよび第２の端子パッドは、上記配列方向視で、上記境界線Ｒに接触するように配置されている。これにより、第１の配置面Ｓ２Ａと第２の配置面Ｓ２Ｂとの並び方向における収容孔２２の幅が広くなることを抑制しつつ、第１の端子パッドと第２の端子パッドとの距離を長く確保することができる。
【００３８】
Ａ−４．本実施形態の効果：
端子パッド７０の内、給電端子６０と接合される表面（下面）の面積を、給電端子６０やビアの端部の面積より広く確保することが好ましい。端子パッド７０の表面の面積が小さいと、給電端子６０等との接合面積が小さくなり、端子パッド７０と給電端子６０等とが正常に電気的接続されない可能性が高くなるからである。このため、ベース板２００の収容孔２２内では、端子パッド７０同士の距離は、給電端子６０同士の距離より短くなり、短絡し易くなることが多い。また、収容孔２２の開口面積を広くすることは、ベース板２００における冷媒流路２１０の形成領域が狭くなるとともに伝熱領域が狭くなることによってベース板２００全体の冷却効果が低下する可能性が高いため、好ましくない。
【００３９】
これに対して、以上説明したように、本実施形態の静電チャック１０では、ベース板２００に形成された単一の収容孔２２に第１の給電端子６０（６５〜６８）と第２の給電端子６０（６１〜６４）とが収容されており、第１の給電端子６０（６５〜６８）が接合された第１の端子パッド７０（７５〜７８）と第２の給電端子６０（６１〜６４）が接合された第２の端子パッド７０（７１〜７４）とが、仮想平面Ｑ１からの距離が互いに異なる配置面（第１の配置面Ｓ２Ａ、第２の配置面Ｓ２Ｂ）に配置されている。これにより、第１の端子パッドと第２の端子パッドとが、上記仮想平面Ｑ１からの距離が同じ配置面に配置された場合に比べて、第１の端子パッド７０（７５〜７８）と第２の端子パッド７０（７１〜７４）との短絡を抑制しつつ、上記配列方向視で第１の端子パッドと第２の端子パッドとの距離を短くすることができる。
【００４０】
また、仮想平面Ｑ１からの距離が短い配置面ほど、セラミックス板１００の周縁側に形成することによって、セラミックス板１００の製造工程が複雑化することを抑制することができる。
【００４１】
Ｂ．第２実施形態：
図５は、第２実施形態における静電チャック１０の一部分（ベース板２００の収容孔２２が形成された部分）をベース板２００の下面Ｓ４側から見た底面図である。以下では、第２実施形態の静電チャック１０の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１０の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００４２】
図５に示すように、第２実施形態では、セラミックス側接着面Ｓ２の露出部分に、上記仮想平面Ｑ１（または吸着面Ｓ１）からの距離が互いに異なる第３の配置面Ｓ２Ｃと第４の配置面Ｓ２Ｄと第５の配置面Ｓ２Ｅとが形成されている。換言すれば、第３の配置面Ｓ２Ｃと第４の配置面Ｓ２Ｄと第５の配置面Ｓ２Ｅとは、段差を介して配置されており、上記配列方向視で互いに隣接するように配置されている。また、各配置面Ｓ２Ｃ〜Ｓ２Ｅは、上記配列方向視で凹凸形状を有している。第３の配置面Ｓ２Ｃの２つの凸部分の間に、第４の配置面Ｓ２Ｄの凸部分が配置されている。換言すれば、第３の配置面Ｓ２Ｃの凸部分と第４の配置面Ｓ２Ｄの凸部分とが交互に並ぶように配置されている。また、第４の配置面Ｓ２Ｄの２つの凸部分の間に、第５の配置面Ｓ２Ｅの凸部分が配置されている。換言すれば、第４の配置面Ｓ２Ｄの凸部分と第５の配置面Ｓ２Ｅの凸部分とが交互に並ぶように配置されている。そして、各凸部分に各端子パッド７０Ａが配置されており、各端子パッド７０Ａに各給電端子６０が接合されている。各端子パッド７０Ａは、矩形平板状の導電体（メタライズ層）である。
【００４３】
本実施形態によれば、仮想平面Ｑ１からの距離が互いに同じである２つの配置面（例えば第３の配置面Ｓ２Ｃ）の間に、当該２つの配置面とは仮想平面Ｑ１からの距離が異なる１つの配置面（例えば第４の配置面Ｓ２Ｄ）が形成されており、これらの３つの配置面のそれぞれに端子パッド７０Ａが配置されている。これにより、上記配列方向視で、仮想平面Ｑ１からの距離が互いに同じ配置面（例えば第３の配置面Ｓ２Ｃ）に配置された端子パッド７０Ａ同士の距離を離しつつ、互いに異なる配置面（例えば第３の配置面Ｓ２Ｃ、第４の配置面Ｓ２Ｄ）に配置された端子パッド７０Ａ同士の距離を短くすることができる。これにより、単一の収容孔２２に収容された複数の給電端子６０が接合された複数の端子パッド７０Ａ全体としての集積性を高めることができる。
【００４４】
Ｃ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００４５】
上記実施形態における静電チャック１０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態において、ヒータ５００へ給電するための構成（給電端子６０、端子パッド７０，７０Ａ、ビア８２〜８４、ドライバ電極５１１Ｌ〜５４１Ｌ，５１２Ｌ〜５４２Ｌ、収容孔２２等）の形状や位置、個数等は任意に変更することができる。例えば収容孔２２は、貫通孔ではなく、一端が閉塞した孔でもよい。また、端子パッド７０，７０Ａの形状は、円形や矩形に限らず、矩形以外の多角形や楕円などでもよい。
【００４６】
また、上記実施形態において、ヒータ５００に含まれる複数のヒータ線の形状や位置、個数等は任意に変更することができる。例えば、４つのヒータ線５１０〜５４０の内の少なくとも１つは、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１に平行で、かつ、仮想平面Ｑ１とは異なる平面上に配置されるとしてもよい。この場合、Ｚ軸方向視で、互いに異なる平面上に配置されたヒータ線同士の少なくとも一部分が重なるとしてもよい。複数のヒータ線は、ヒータ線の線方向に直交する断面積が互いに異なるとしてもよい。
【００４７】
上記実施形態において、第１の配置面Ｓ２Ａは、第２の配置面Ｓ２Ｂよりセラミックス板１００の中央側に配置されていてもよい。この場合、比較的に高温になり易いセラミックス板１００の中央側に位置するヒータ５００の部分は、セラミックス板１００の周縁側に位置するヒータ５００の部分よりベース板２００に近い位置に配置されることになるため、中央側に位置するヒータ５００の部分をベース板２００によって効果的に冷却することができる。ただし、上記第１実施形態の構成であれば、セラミックス板１００に凹所を形成する必要がないため、セラミックス板１００の製造工程が複雑化することを抑制することができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、冷媒流路２１０がベース板２００の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１０が、ベース板２００の内部ではなく、ベース板２００の表面（例えばベース板２００と接着層３００との間）に形成されるとしてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板１００の内部に一対のチャック電極４００が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス板１００の内部に１つのチャック電極４００が設けられた単極方式が採用されてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
【００５０】
本発明は、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１０に限らず、セラミックス板とベース板とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、真空チャック等）にも適用可能である。さらに、保持装置は、例えば、金属箔（銅箔やステンレス箔）のヒータ線をポリイミド樹脂層で挟んで構成されるポリイミドヒータが含まれる。この場合、ポリイミドヒータ自体が、特許請求の範囲における絶縁板に相当する。なお、本明細書において、「絶縁板の第１の表面側で対象物を保持する」には、絶縁板の第１の表面に対象物を直接保持するものに限定されず、絶縁板の第１の表面側で他の部材を介して対象物を保持するものでもよい。例えば、ポリイミドヒータの第１の表面に別途配置されたセラミックス板のポリイミドヒータとは反対側の表面に対象物を保持するものでもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０：静電チャック  ２２：収容孔  ６０（６１〜６８）：給電端子  ７０（７１〜７８），７０Ａ：端子パッド  ８２〜８４：ビア  １００：セラミックス板  ２００：ベース板  ２１０：冷媒流路  ３００：接着層  ４００：チャック電極  ５００：ヒータ  ５１０，５２０，５３０，５４０：ヒータ線  ５１１，５２１，５３１，５４１：内側端部  ５１１Ｌ，５２１Ｌ，５３１Ｌ，５４１Ｌ：内側ドライバ電極  ５１２，５２２，５３２，５４２：外側端部  ５１２Ｌ，５２２Ｌ，５３２Ｌ，５４２Ｌ：外側ドライバ電極  ５１３，５２３，５３３，５４３：ヒータ本体部  ５１４Ａ〜５１４Ｄ：円弧部分  ５１５Ａ〜５１５Ｃ：直線部分  Ｑ１：仮想平面  Ｑ２：仮想直線  Ｒ１：領域  Ｒ２：領域  Ｒ３：領域  Ｒ４：領域  Ｒ：境界線  Ｓ１：吸着面  Ｓ２：セラミックス側接着面  Ｓ２Ａ：第１の配置面  Ｓ２Ｂ：第２の配置面  Ｓ２Ｃ：第３の配置面  Ｓ２Ｄ：第４の配置面  Ｓ２Ｅ：第５の配置面  Ｓ３：ベース側接着面  Ｓ４：下面  Ｗ：ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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