(57)【要約】【課題】電極間の接続に用いた場合に、広範囲に複数の導電性粒子を均一に配置することができる導電性粒子材料及び導電材料を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子材料は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された第１の導電層３とを備える導電性粒子１を複数含む。第１の導電層３の融点は４５０℃以下である。導電性粒子１の粒子径のＣＶ値は、基材粒子２の粒子径のＣＶ値よりも大きい。本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子材料と、バインダー樹脂とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電層とを備える導電性粒子を複数含む導電性粒子材料であって、
前記第１の導電層の融点が４５０℃以下であり、
前記導電性粒子の粒子径のＣＶ値が、前記基材粒子の粒子径のＣＶ値よりも大きい、導電性粒子材料。
【請求項２】
前記基材粒子が、基材粒子本体と、前記基材粒子本体の表面上に配置された第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層の融点が前記第１の導電層の融点よりも高い、請求項１に記載の導電性粒子材料。
【請求項３】
前記第２の導電層の融点が４５０℃を超える、請求項２に記載の導電性粒子材料。
【請求項４】
前記導電性粒子の粒子径のＣＶ値と前記基材粒子の粒子径のＣＶ値との差の絶対値が、１％以上、１０％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子材料。
【請求項５】
バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子材料と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項７】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、  前記接続部が、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子材料に含まれる前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項８】
前記第１の電極上の一部の領域である第１の領域に前記導電材料を配置して導電材料層を形成して、前記第１の領域の周囲の第２の領域に前記導電材料層を濡れ拡がらせて前記接続部が形成されており、
前記第１の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量が、前記第２の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量よりも多い、請求項７に記載の接続構造体。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料を、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材上に配置して、導電材料層を形成する工程と、
前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、
前記導電材料層を加熱して硬化させて接続部を形成し、前記接続部により前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続する工程とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子材料に含まれる前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の電極上の一部の領域である第１の領域に前記導電材料層を形成して、前記第１の領域の周囲の第２の領域に前記導電材料層を濡れ拡がらせて前記接続部を形成し、  前記第１の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量が、前記第２の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量よりも多い接続構造体を得る、請求項９に記載の接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子の表面上に導電層が配置されている導電性粒子を複数含む導電性粒子材料に関し、より詳細には、例えば、電極間の電気的な接続に用いられる導電性粒子材料に関する。また、本発明は、該導電性粒子材料を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。
【０００５】
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、加熱により流動する接着剤組成物と、第１の粒子と、第２の粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。上記第１の粒子は、融点が１３０〜２５０℃の低融点金属を主成分とするコアと、該コアの表面を被覆しており上記低融点金属の融点よりも低い軟化点を有する樹脂組成物により形成された絶縁層とを有する。上記第２の粒子は、上記第１の粒子におけるコアよりも平均粒子径が小さい。上記第２の粒子の主成分は、上記低融点金属の融点よりも高い融点又は高い軟化点を有する材料である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２７７６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のような従来の導電性粒子を含む異方性導電材料を電極間の接続に用いた場合には、電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置することが困難なことがある。また、広範囲に複数の導電性粒子を均一に配置することが困難であるという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、電極間の接続に用いた場合に、広範囲に複数の導電性粒子を均一に配置することができる導電性粒子材料、並びに該導電性粒子材料を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された第１の導電層とを備える導電性粒子を複数含む導電性粒子材料であって、前記第１の導電層の融点が４５０℃以下であり、前記導電性粒子の粒子径のＣＶ値が、前記基材粒子の粒子径のＣＶ値よりも大きい、導電性粒子材料が提供される。
【００１０】
本発明に係る導電性粒子材料のある特定の局面では、前記基材粒子が、基材粒子本体と、前記基材粒子本体の表面上に配置された第２の導電層とを有し、前記第２の導電層の融点が前記第１の導電層の融点よりも高い。
【００１１】
本発明に係る導電性粒子材料のある特定の局面では、前記第２の導電層の融点が４５０℃を超える。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子材料のある特定の局面では、前記導電性粒子の粒子径のＣＶ値と前記基材粒子の粒子径のＣＶ値との差の絶対値が、１％以上、１０％以下である。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子材料は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。
【００１４】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子材料と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００１５】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子材料に含まれる前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【００１６】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の電極上の一部の領域である第１の領域に前記導電材料を配置して導電材料層を形成して、前記第１の領域の周囲の第２の領域に前記導電材料層を濡れ拡がらせて前記接続部が形成されており、前記第１の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量が、前記第２の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量よりも多い。
【００１７】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料を、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材上に配置して、導電材料層を形成する工程と、前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を積層する工程と、前記導電材料層を加熱して硬化させて接続部を形成し、前記接続部により前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続する工程とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子材料に含まれる前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電極上の一部の領域である第１の領域に前記導電材料層を形成して、前記第１の領域の周囲の第２の領域に前記導電材料層を濡れ拡がらせて前記接続部を形成し、前記第１の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量が、前記第２の領域に位置する前記導電性粒子における前記第１の導電層の量よりも多い接続構造体を得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る導電性粒子材料は、基材粒子と該基材粒子の表面上に配置された第１の導電層とを備える導電性粒子を複数含み、上記第１の導電層の融点が４５０℃以下であり、上記導電性粒子の粒子径のＣＶ値が上記基材粒子の粒子径のＣＶ値よりも大きいので、本発明に係る導電性粒子材料を電極間の接続に用いた場合に、広範囲に複数の導電性粒子を均一に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子材料に含まれる導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子材料に含まれる導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子材料を用いて接続構造体を得る各工程を説明するための模式的な正面断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子材料を用いて接続構造体を得る際の模式的な平面図であり、図５（ａ）は、導電材料層を配置した直後の状態を示す平面図であり、図５（ｂ）は、得られた接続構造体を示す平面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、従来の複数の導電性粒子を用いて得られた接続構造体を説明するための模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２２】
本発明に係る導電性粒子材料は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された第１の導電層とを備える導電性粒子を複数含む。本発明に係る導電性粒子材料は、上記導電性粒子の集合体である。上記第１の導電層の融点は４５０℃以下である。上記導電性粒子材料において、上記導電性粒子の粒子径のＣＶ値は、上記基材粒子の粒子径のＣＶ値よりも大きい。従って、上記導電性粒子材料では、上記基材粒子の粒子径は比較的揃っている。上記導電性粒子材料では、上記導電性粒子の粒子径は比較的ばらついている。
【００２３】
本発明に係る導電性粒子材料における上述した構成の採用によって、上記導電性粒子材料を電極間の接続に用いた場合に、電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置することができる。例えば、特定の領域に複数の導電性粒子がまとまって配置され難くなり、広い範囲に渡って複数の導電性粒子が均一に配置されやすくなる。特定の領域に複数の導電性粒子がまとまって配置され難くなる結果、電極がないスペースに配置される導電性粒子の割合を少なくし、第１，第２の電極間に配置される導電性粒子の割合を多くすることができる。さらに、本発明に係る導電性粒子材料の使用により、得られる接続構造体において、第１，第２の電極間の間隔のばらつきが小さくなり、導電性粒子により接続される接続対象部材が湾曲し難くなる。
【００２４】
上記粒子径のＣＶ値（変動係数）は下記式で表される。
【００２５】
ＣＶ値（％）＝（σｎ／Ｄｎ）×１００
【００２６】
基材粒子の場合：
σｎ：基材粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：基材粒子の数平均粒子径
【００２７】
導電性粒子の場合：
σｎ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の数平均粒子径
【００２８】
本発明に係る導電性粒子材料は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として好適に用いられる。
【００２９】
電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置し、広い範囲に渡って複数の導電性粒子を均一に配置する観点からは、上記基材粒子のＣＶ値は好ましくは１％以上、より好ましくは２％以上、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、更に好ましくは４％以下である。また、上記基材粒子のＣＶ値が上記下限以上及び上記上限以下であると、得られる接続構造体において、第１，第２の電極間の間隔のばらつきがより一層小さくなり、導電性粒子により接続される接続対象部材がより一層湾曲し難くなる。
【００３０】
電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置し、広い範囲に渡って複数の導電性粒子を均一に配置する観点からは、上記導電性粒子の粒子径のＣＶ値と上記基材粒子の粒子径のＣＶ値との差の絶対値は、好ましくは１％以上、より好ましくは３％以上、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、更に好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下である。
【００３１】
上記導電性粒子のＣＶ値は、従来公知の方法により、適宜制御することが可能である。また、上記基材粒子のＣＶ値についても、従来公知の方法により、適宜制御することが可能である。但し、本発明では、上記導電性粒子の粒子径のＣＶ値が、上記基材粒子の粒子径のＣＶ値よりも大きいように、導電性粒子と基材粒子とが選択されて用いられる。
【００３２】
上記導電性粒子材料において、導電性粒子のＣＶ値及び基材粒子の粒子径のＣＶ値を制御する方法としては、篩等を用いて所定の粒子径となるように選別（分級など）した導電性粒子を用いる方法、篩等を用いて所定の粒子径となるように選別（分級など）した基材粒子を用いる方法、基材粒子の表面上に形成する第１の導電層の厚みを制御する方法等が挙げられる。上記第１の導電層の厚みを制御する方法としては、シータコンポーザーにより上記第１の導電層の厚みを制御する方法、並びに無機電解めっきにより第１の導電層を形成する際に、めっき段階で複数回にわけて（例えば、めっきの初期段階と中期段階と後期段階）、第１の導電層が形成された導電性粒子を取り出す方法が挙げられる。例えば、上記第１の導電層がはんだ層である場合に、シータコンポーザーに、原料のはんだ粉を入れる際に、初期に粒子径が小さいはんだ粉を入れ、後期に粒子径大きいはんだ粉を入れる方法等が挙げられる。また、別々に第１の導電層を形成した複数の導電性粒子を混合して、導電性粒子材料を得てもよい。
【００３３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【００３４】
（導電性粒子材料）
図１に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子材料に含まれる導電性粒子を断面図で示す。
【００３５】
図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された第１の導電層３とを備える。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が第１の導電層３により被覆された被覆粒子である。第１の導電層３の融点は４５０℃以下である。
【００３６】
基材粒子２は、基材粒子本体６と、基材粒子本体６の表面上に配置された第２の導電層７とを有する。従って、導電性粒子１は、基材粒子本体６と、基材粒子本体６の表面上に配置された第２の導電層７と、第２の導電層７の表面上に配置された第１の導電層３とを有する。第２の導電層７の融点は、第１の導電層３の融点よりも高い。
【００３７】
図２に、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子材料に含まれている導電性粒子を断面図で示す。
【００３８】
図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子１２と、基材粒子１２の表面上に配置された第１の導電層１３とを備える。導電性粒子１１は、基材粒子１２の表面が第１の導電層１３により被覆された被覆粒子である。第１の導電層１３の融点は４５０℃以下である。
【００３９】
上記基材粒子は、導電層を有さない基材粒子であるか、又は基材粒子本体と該基材粒子本体の表面上に配置された第２の導電層とを有する基材粒子であることが好ましい。上記基材粒子は、導電層を有さない基材粒子であってもよく、基材粒子本体と該基材粒子本体の表面上に配置された第２の導電層とを有する基材粒子であってもよい。
【００４０】
上記導電層を有さない基材粒子及び上記基材粒子本体としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記導電層を有さない基材粒子及び上記基材粒子本体は、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であってもよく、金属粒子であってもよい。上記導電層を有さない基材粒子及び上記基材粒子本体はそれぞれ、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００４１】
上記導電層を有さない基材粒子及び上記基材粒子本体は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより導電性粒子を圧縮させる。上記導電層を有さない基材粒子及び上記基材粒子本体が樹脂粒子であると、上記圧着の際に導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００４２】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００４３】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００４４】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００４５】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレンジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００４６】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００４７】
上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００４８】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子は銅粒子であることが好ましい。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００４９】
上記導電性粒子は、単層の導電層（第１の導電層）を有していてもよい。上記導電性粒子は、複数の層の導電層（第１，第２の導電層）を有していてもよい。すなわち、上記導電性粒子では、導電層を２層以上積層してもよい。また、第１の導電層の融点よりも高い融点を有する第２の導電層は複数の層であってもよい。
【００５０】
上記第１の導電層は、融点が４５０℃以下である低融点金属層である。上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記低融点金属層は錫を含むことが好ましい。低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記低融点金属層における錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属層と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【００５１】
上記低融点金属層がある場合には、低融点金属層が溶融して電極に接合し、低融点金属層が電極間を導通させる。例えば、低融点金属層と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、低融点金属層を有する導電性粒子の使用により、低融点金属層と電極との接合強度が高くなる結果、低融点金属層と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。
【００５２】
上記低融点金属層を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
【００５３】
また、上記低融点金属層（上記第１の導電層）は、はんだ層であることが好ましい。上記はんだ層を構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ層の組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだ層は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ層、又は錫とビスマスとを含むはんだ層であることが好ましい。
【００５４】
上記低融点金属層と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属層は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属層と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属層と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属層１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【００５５】
上記第２の導電層の融点は、上記第１の導電層の融点よりも高い。上記第２の導電層の融点は好ましくは１６０℃を超え、より一層好ましくは３００℃を超え、更に好ましくは４００℃を超え、更に一層好ましくは４５０℃を超え、特に好ましくは５００℃を超え、最も好ましくは６００℃を超える。上記第１の導電層は、融点が低いために導電接続時に溶融する。上記第２の導電層は導電接続時に溶融しないことが好ましい。上記導電性粒子は、上記第１の導電層を溶融させて用いられることが好ましく、上記第１の導電層を溶融させてかつ上記第２の導電層を溶融させずに用いられることが好ましい。上記第２の導電層の融点が上記第１の導電層の融点をよりも高いことによって、導電接続時に、上記第２の導電層を溶融させずに、上記第１の導電層のみを溶融させることができる。
【００５６】
上記第１の導電層の融点と上記第２の導電層との融点との差の絶対値は、０℃を超え、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上、更に好ましくは３０℃以上、特に好ましくは５０℃以上、最も好ましくは１００℃以上である。
【００５７】
上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５８】
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。
【００５９】
上記導電性粒子材料において、上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが特に好ましく、１μｍ以上、４μｍ以下であることが最も好ましい。
【００６０】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００６１】
上記第１の導電層の平均厚みは、好ましくは０．０５μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。上記第１の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、圧着時に上記第１の導電層が電極へ充分に濡れ拡がるので、充分な導電性が得られる。上記第１の導電層の平均厚みは、導電性粒子材料に含まれる複数の導電性粒子における第１の導電層の厚みの平均である。
【００６２】
上記第２の導電層の平均厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。上記第２の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記第２の導電層の平均厚みは、導電性粒子材料に含まれる複数の導電性粒子における第２の導電層の厚みの平均である。
【００６３】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子材料と、バインダー樹脂とを含む。従って、本発明に係る導電材料は、複数の導電性粒子を含む。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。
【００６４】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂としては、一般的には絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は熱硬化性成分を含むことが好ましく、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことがより好ましい。上記バインダー樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６５】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【００６６】
上記導電材料は、上記絶縁性粒子付き導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【００６７】
上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びに上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。
【００６８】
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が導電フィルムである場合には、導電性粒子材料を含む該導電フィルムに、導電性粒子材料を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【００６９】
導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子がより一層効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【００７０】
導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量（すなわち上記導電性粒子材料の含有量）は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは２０重量％以下、特に好ましくは１５重量％以下である。導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、１重量％以上、２０重量％以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【００７１】
（接続構造体）
上述した導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料（異方性導電材料など）を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【００７２】
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。
【００７３】
図３は、図１に示す導電性粒子１を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【００７４】
図３に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とを接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、複数の導電性粒子１を含有する導電性粒子材料とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１１などの他の導電性粒子を用いてもよい。
【００７５】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。なお、第１，第２の電極５２ａ，５３ａはそれぞれ長さ方向と幅方向とを有し、図３では、第１，第２の電極５２ａ，５３ａの長さ方向における断面が示されている。
【００７６】
図３に示す接続構造体５１は、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００７７】
先ず、複数の第１の電極５２ａを表面に有する第１の接続対象部材５２を用意する。次に、図４（ａ）に示すように、第１の接続対象部材５２の表面上に、上記導電材料（異方性導電材料など）を配置し、第１の接続対象部材５２の表面上に導電材料層５４Ａ（異方性導電材料層など）を形成する。このとき、第１の電極５２ａ上の一部の領域である第１の領域Ｒ１に導電材料を配置して、導電材料層５４Ａを形成する。導電材料層５４Ａを初期に配置した領域が第１の領域Ｒ１である。
【００７８】
次に、複数の第２の電極５３ａを表面に有する第２の接続対象部材５３を用意する。図４（ｂ）に示すように、導電材料層５４Ａの第１の接続対象部材５２側とは反対の表面上に、第２の接続対象部材５３を積層する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが対向するように、第２の接続対象部材５３を積層する。第２の接続対象部材５３の積層時に、第１の領域Ｒ１の周囲の第２の領域Ｒ２に導電材料層５４Ａを矢印Ｙ１，Ｙ２で示す方向に濡れ拡がらせる。すなわち、導電材料層５４Ａを、第１の領域の周囲の第２の領域Ｒ２に流動させる。このとき、第１の領域Ｒ１又は第１の領域Ｒ１近傍において、比較的大きな導電性粒子１が、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとの間に挟み込まれやすい。
【００７９】
その後、図４（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材５２と導電材料層５４Ａと第２の接続対象部材５３とが積層された積層体において、導電材料層５４Ａを加熱して硬化させる。導電材料層５４Ａを加熱する際に、第１の導電層３を溶融させる。導電材料層５４Ａを加熱する際に、加圧することが好ましい。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが挟み込まれている比較的大きな導電性粒子１の第１の導電層３が溶融することで、第１，第２の電極５２ａ，５３ａ間の間隔が狭くなる。例えば、第１の導電層３の厚み分だけ、第１，第２の電極５２ａ，５３ａ間の間隔が狭くなる。また、第１，第２の電極５２ａ，５３ａ間の間隔が・BR>キくなるほど、導電材料層５４Ａが矢印Ｙ１，Ｙ２で示す方向に移動する。すなわち、導電材料層５４Ａが、第１の領域Ｒ１の周囲の第２の領域Ｒ２に流動する。導電性粒子１の粒径が大きいほど、第１の領域Ｒ１又は第１の領域Ｒ１近傍で、導電性粒子１が第１，第２の電極５２ａ，５３ａ間に挟まれやすい。導電性粒子１の粒径が小さいほど、第２の領域Ｒ２で、導電性粒子１が第１，第２の電極５２ａ，５３ａ間に挟まれやすい。
【００８０】
また、基材粒子２の粒子径が均一であるほど、第１，第２の電極５２ａ，５３ａに複数の基材粒子２が接触しやすくなり、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が均一になる。一方で、基材粒子の粒子径が不均一であるほど、第１，第２の電極に接触しない基材粒子が多くなり、電極間の接続抵抗が高くなり、更に電極間の間隔が不均一になる。
【００８１】
また、第２の導電層７を有する導電性粒子を用いることで、第１，第２の電極５２ａ，５３ａに複数の基材粒子２における第２の導電層７が接触しやすくなる。一方で、第１の導電層の融点が高く、第１の導電層が溶融しない場合には、比較的大きな導電性粒子によって第１，第２の電極間の間隔が規制されて、比較的小さな導電性粒子が電極に接触しなかったり、比較的大きな導電性粒子によって第１，第２の電極間が接続された部分と、比較的小さな導電性粒子によって第１，第２の電極間が接続された部分とで電極間の間隔が異なって、接続対象部材が湾曲したりすることがある。
【００８２】
上記のようにして、導電材料を用いた導電材料層５４Ａを加熱して硬化させることで、接続部５４を形成する。接続部５４により、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とを接続する。また、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとを導電性粒子１により電気的に接続する。このようにして接続構造体５１を得ることができる。
【００８３】
また、図３に示すように、接続構造体５１では、上記積層体を加熱及び加圧することにより、導電性粒子１における第１の導電層３が溶融した後、溶融した第１の導電層部分が第１，第２の電極５２ａ，５３ａと十分に接触する。すなわち、融点が低い第１の導電層３を備える導電性粒子１を用いることにより、第１の導電層３を溶融させて第１，第２の電極５２ａ，５３ａの表面を濡れ拡がらせることができ、第１の導電層３と第１，第２の電極５２ａ，５３ａとの接触面積を大きくすることができる。また、導電性粒子１を用いた場合には、第２の導電層７を第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとに接触させることができる。第２の導電層７の導電性が第１の導電層３の導電性よりも高い場合に、接続抵抗をより一層低くすることができる。第２の導電層を備える導電性粒子を用いる場合に、接続構造体では、第２の導電層が第１の電極と第２の電極とに接触していることが好ましい。
【００８４】
加熱により導電材料層５４Ａを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。なお、加熱により導電材料層５４Ａを本硬化させる前に、導電材料層５４Ａが完全に硬化しないように、導電材料層５４Ａの硬化を進行させてもよい。例えば、導電材料層５４ＡをＢステージ状態にしてもよい。
【００８５】
加熱により導電材料層５４Ａを硬化（本硬化）させる際の加熱温度は、第１の導電層３が溶融する温度であることが好ましい。加熱により導電材料層５４Ａを硬化させる際の加熱温度は、基材粒子、基材粒子本体及び第２の導電層がそれぞれ溶融しない温度であることが好ましい。
【００８６】
図３に示す接続構造体５１は、第１の電極５２ａ上の一部の領域である第１の領域Ｒ１に導電材料を配置して導電材料層５４Ａを形成した後、第１の領域Ｒ１の周囲の第２の領域Ｒ２に導電材料層５４Ａを濡れ拡がらせて接続部５４を形成することで得られている。第１の領域Ｒ１に位置する導電性粒子１における第１の導電層３の量が、第２の領域Ｒ２に位置する導電性粒子１における第１の導電層３の量よりも多い。言い換えれば、接続構造体５１では、導電材料層を初期に配置した領域における導電性粒子１における第１の導電層３の量が、導電材料層を初期に配置した領域から濡れ拡がった領域における導電性粒子１における第１の導電層３の量よりも多い。
【００８７】
また、第１の電極５２ａ上の一部の領域である第１の領域Ｒ１に、複数の導電性粒子１を含む導電材料を配置して導電材料層５４Ａを形成した後（例えば、図５（ａ）に示す状態）、第１の領域Ｒ１の周囲の第２の領域Ｒ２に導電材料層５４Ａを濡れ拡がらせて接続部５４を形成することで、第１の領域Ｒ１における単位面積当たりの導電性粒子１の存在個数と、第２の領域Ｒ２における単位面積当たりの導電性粒子１の存在個数とを揃えることができる（例えば、図５（ｂ）に示す状態）。
【００８８】
一方で、従来の導電性粒子を用いた場合には、図６（ａ）に示すように、第１の領域に導電性粒子が多く配置されたり、図６（ｂ）に示すように、第２の領域に導電性粒子が多く配置されたりする。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、導電性粒子１にかえて従来の導電性粒子を用いて接続構造体を得た後の平面図であり、図５（ｂ）に対応した図である。
【００８９】
上記第１の領域Ｒ１における０．１ｍｍ２の大きさの領域に存在する導電性粒子の平均個数Ａの、上記第２の領域Ｒ２における０．２ｍｍ２の大きさの領域に存在する導電性粒子の平均個数Ｂに対する比（平均個数Ａ／平均個数Ｂ）は、好ましくは０．２５以上、より好ましくは０．３以上、好ましくは０．６５以下、より好ましくは０．６以下である。
【００９０】
上記第１の接続対象部材は、複数の第１の電極を表面に有することが好ましい。上記第２の接続対象部材は、複数の第２の電極を表面に有することが好ましい。複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。
【００９１】
上記第１の電極は、長さ方向と幅方向とを有することが好ましい。上記第２の電極は長さ方向と幅方向とを有することが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極のアスペクト比は、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上、好ましくは１００以下、より好ましくは５０以下である。上記第１の電極と上記第２の電極とは、長さ方向の向きが揃うように、上記導電性粒子材料に含まれている上記導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。なお、上記アスペクト比に関しては、「アスペクト比＝長さ方向の寸法／幅方向の寸法」である。
【００９２】
上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品の接続に用いられる導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、液状であって、かつ液状の状態で接続対象部材の上面に塗工される導電材料であることが好ましい。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。
【００９３】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【００９４】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【００９５】
（実施例１）
ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２１０」、平均粒子径１０μｍ、軟化点３３０℃）を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ０．１μｍの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、平均厚さ２μｍの銅層を形成して、基材粒子を得た。基材粒子は、樹脂粒子と銅層とを有する。得られた基材粒子の平均粒子径は１４μｍ、ＣＶ値は５％であった。
【００９６】
次に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、また、電気めっきの初期段階、中期段階及び後期段階の複数回にわけて、得られる導電性粒子を取り出すことにより、平均厚さ２μｍのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面上にはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％、融点：１３９℃）が形成されている導電性粒子（樹脂コアはんだ被覆粒子）を含む導電性粒子材料を作製した。得られた導電性粒子の平均粒子径は２０μｍ、ＣＶ値は１２％であった。
【００９７】
得られた導電性粒子は、基材粒子本体として樹脂粒子を有し、第２の導電層として銅層を有し、第１の導電層としてはんだ層を有する。
【００９８】
（実施例２〜４及び比較例１）
基材粒子（樹脂粒子と銅層とを有する）の平均粒子径及びＣＶ値、並びに導電性粒子の平均粒子径及びＣＶ値を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子材料を得た。
【００９９】
基材粒子のＣＶ値は、樹脂粒子のＣＶ値を変えて調整した。導電性粒子のＣＶ値は所定の大きさの導電性粒子を選別することで調整した。
【０１００】
（比較例２）
基材粒子（樹脂粒子と銅層とを備える）の平均粒子径及びＣＶ値、並びに導電性粒子のＣＶ値を下記の表１に示すように設定したこと、並びに導電性粒子におけるはんだ層をニッケル層（融点：１４５５℃）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子材料を得た。
【０１０１】
（実施例５）
実施例１で得られた基材粒子として、平均粒子径が１４μｍ、ＣＶ値が５％である基材粒子を用意した。
【０１０２】
次に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、はんだ層の平均厚さが２μｍである導電性粒子と、はんだ層の厚さが３μｍである導電性粒子と、はんだ層の厚さが４μｍである導電性粒子とをそれぞれ作製し、混合した。このようにして、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面上にはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％、融点：１３９℃）が形成されている導電性粒子（樹脂コアはんだ被覆粒子）を含む導電性粒子材料を作製した。得られた導電性粒子の平均粒子径は２０μｍ、ＣＶ値は１２％であった。
【０１０３】
（実施例６）
実施例１で得られた基材粒子として、平均粒子径が１４μｍ、ＣＶ値が５％である基材粒子を用意した。
【０１０４】
シータコンポーザーで、製造の初期に、はんだ層を形成するために、粒子径が１μｍであるはんだ粒子を添加し、製造後期に、はんだ層を形成するために、粒子径が３μｍであるはんだ粒子を添加することで、はんだ層を厚みが不均一になるように形成し、平均厚さ２μｍのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面上にはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％、融点：１３９℃）が形成されている導電性粒子（樹脂コアはんだ被覆粒子）を含む導電性粒子材料を作製した。得られた導電性粒子の平均粒子径は２１μｍ、ＣＶ値は１５％であった。
【０１０５】
（実施例７）
粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を用意した。得られた有機無機ハイブリッド粒子の平均粒子径は１４μｍ、ＣＶ値は５％であった。
【０１０６】
樹脂粒子を、上記有機無機ハイブリッド粒子に変更したこと以外は実施例１と同様にして、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面上にはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％、融点：１３９℃）が形成されている導電性粒子（樹脂コアはんだ被覆粒子）を含む導電性粒子材料を作製した。得られた導電性粒子の平均粒子径は２０μｍ、ＣＶ値は１２％であった。
【０１０７】
（評価）
（１）異方性導電材料の調製
エポキシ化合物（三菱化学社製「ＹＬ９８０」）３０重量部と、熱硬化剤であるイミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１０重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）１５重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）０．３重量部と、接着付与剤であるシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＥ−４０３」１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ２０重量部と、フラックスであるグルタル酸２重量部とを配合し、得られた導電性粒子を得られる異方性導電ペースト１００重量％中での含有量が３０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
【０１０８】
（２）接続構造体の作製
複数の第１の電極（Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、１つの電極におけるアスペクト比２０、厚み２０μｍ、金めっきされたＣｕ電極）を表面に有すガラスエポキシ基板（第１の接続対象部材）を用意した。
【０１０９】
また、複数の第２の電極（Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、１つの電極におけるアスペクト比２０、厚み２０μｍ、金めっきされたＣｕ電極）を表面に有するフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
【０１１０】
上記第１の電極の長さ方向（１つの電極における長さ方向）の中央部分において、上記第１の電極の長さ方向と直行する方向に、直線状にディスペンサーを移動させながら、上記ガラスエポキシ基板上に、得られた異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電材料層を形成した。すなわち、電極パターンの一方の縁部から他方の縁部にむけて、ディスペンサーを移動させて、複数の第１の電極上に、異方性導電材料層を形成した。
【０１１１】
次に異方性導電材料層に紫外線照射ランプを用いて、４２０ｎｍの紫外線を光照射エネルギーが７０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した。
【０１１２】
次に、第１の電極と第２の電極とを対向させて、上記異方性導電材料層の上記ガラスエポキシ基板側とは反対の表面上に上記フレキシブルプリント基板を積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、上記ガラス基板の表面に加圧加熱ヘッドを載せ、１ＭＰａの圧力をかけて異方性導電材料層を１８５℃で硬化させ、接続構造体を得た。
【０１１３】
（３）導電接続の状態の評価
異方性導電材料層を初期に配置した領域を、第１の電極上の一部の領域である第１の領域とし、該第１の領域の周囲の異方性導電材料層が濡れ拡がった領域を、第２の領域とする。
【０１１４】
接続構造体のフレキシブルプリント基板を引きはがし、ガラスエポキシ基板上方側から観察して、上記第１の領域における０．１ｍｍ２の大きさの領域に存在する導電性粒子の平均個数Ａと、上記第２の領域における０．２ｍｍ２の大きさの領域に存在する導電性粒子の平均個数Ｂとを計測した。導電接続の状態を下記の基準で判定した。
【０１１５】
［導電接続の状態の判定基準］
○：平均個数Ａの平均個数Ｂに対する比が０．３以上、０．６以下
△：平均個数Ａの平均個数Ｂに対する比が０．２以上、０．３未満又は０．６を超え、０．６５以下
×：平均個数Ａの平均個数Ｂに対する比が０．２未満又は０．６５を超える
【０１１６】
結果を下記の表１に示す。
【０１１７】
【表１】
2018063950.tif 000003
【０１１８】
なお、実施例及び比較例の上記（３）導電接続の状態の評価において、異方性導電材料層を光硬化させた後に、熱硬化させた場合の評価結果を示したが、異方性導電材料を一段階で硬化させた場合でも、導電接続の状態の評価結果は同様の傾向を示した。
【符号の説明】
【０１１９】
１…導電性粒子
２…基材粒子
３…第１の導電層
６…基材粒子本体
７…第２の導電層
１１…導電性粒子
１２…基材粒子
１３…第１の導電層
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
５４Ａ…導電材料層
Ｒ１…第１の領域
Ｒ２…第２の領域
【図１】
2018063950.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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