(57)【要約】【課題】Ｑ値を向上させること。【解決手段】第１面を有する第１基板と、前記第１面と空隙を挟み対向する第２面を有する第２基板と、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第１面に設けられた第１コイルパターンと、前記第１コイルパターンが設けられた領域および前記第１コイルパターンによって囲まれる領域である第１領域と平面視において少なくとも一部で重なる第２面上の領域である第２領域に設けられ、前記第１面と前記空隙を挟み対向する第２コイルパターンと、前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとを接続する接続端子と、を具備する電子部品。【選択図】図２
2018207045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する第１基板と、
前記第１面と空隙を挟み対向する第２面を有する第２基板と、
前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第１面に設けられた第１コイルパターンと、
前記第１コイルパターンが設けられた領域および前記第１コイルパターンによって囲まれる領域である第１領域と平面視において少なくとも一部で重なる第２面上の領域である第２領域に設けられ、前記第１面と前記空隙を挟み対向する第２コイルパターンと、
前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとを接続する接続端子と、
を具備する電子部品。
【請求項２】
平面視において、前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンは重なる請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとは和動接続されている請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１コイルパターンおよび前記第２コイルパターンはスパイラル形状である請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１コイルパターンおよび前記第２コイルパターンの少なくとも一方内の前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記空隙の透磁率より高いコアを具備する請求項１から４のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１コイルパターンと接続され、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第１基板に設けられた第１弾性波素子を具備する請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１基板は、
前記第２基板側の第３面を有する圧電基板と、
前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第３面に設けられた第１弾性波素子と、
前記圧電基板より誘電率が低く、前記第２基板側の面が前記第１面であり、前記第１弾性波素子が設けられた領域には設けられないように前記第３面に設けられた絶縁層と、
を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品
【請求項８】
前記第１基板は、
前記第１面を有する支持基板と、
前記支持基板より誘電率が高く、前記第２基板側の第３面と反対側の面が前記第１面に接合され、前記第１コイルパターンが設けられた領域には設けられていない圧電基板と、
前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第３面に設けられた第１弾性波素子と、
を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品
【請求項９】
前記第２コイルパターンと接続され、前記第１面と前記空隙を挟み対向するように前記第２基板に設けられた第２弾性波素子を具備する請求項６から８いずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１弾性波素子を含むフィルタを具備する請求項６から９のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記フィルタを含むマルチプレクサを具備する請求項１０に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、コイルパターンを有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波フィルタ等にコイル等のインダクタを用いることが知られている。弾性波フィルタ等を搭載する基板内にコイルを設けることが知られている。また、縦方向に空隙を介して離間した複数のコイルを基板上に設けることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１５７７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板内にコイルを設けると、製造工程は容易でかつ小型化可能であるが、コイルが基板の絶縁体に囲まれるためコイルのＱ値が劣化する。縦方向に空隙を介して複数のコイルを設けると、コイルのＱ値が向上する。しかしながら、製造工程が複雑になる。また、コイルを基板および弾性波フィルタ等と別に設けるため大型化してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、Ｑ値を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１面を有する第１基板と、前記第１面と空隙を挟み対向する第２面を有する第２基板と、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第１面に設けられた第１コイルパターンと、前記第１コイルパターンが設けられた領域および前記第１コイルパターンによって囲まれる領域である第１領域と平面視において少なくとも一部で重なる第２面上の領域である第２領域に設けられ、前記第１面と前記空隙を挟み対向する第２コイルパターンと、前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとを接続する接続端子と、を具備する電子部品である。
【０００７】
上記構成において、平面視において、前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンは重なる構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとは和動接続されている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１コイルパターンおよび前記第２コイルパターンはスパイラル形状である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１コイルパターンおよび前記第２コイルパターンの少なくとも一方内の前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記空隙の透磁率より高いコアを具備する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１コイルパターンと接続され、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第１基板に設けられた第１弾性波素子を具備する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１基板は、前記第２基板側の第３面を有する圧電基板と、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第３面に設けられた第１弾性波素子と、前記圧電基板より誘電率が低く、前記第２基板側の面が前記第１面であり、前記第１弾性波素子が設けられた領域には設けられないように前記第３面に設けられた絶縁層と、を有する構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１基板は、前記第１面を有する支持基板と、前記支持基板より誘電率が高く、前記第２基板側の第３面と反対側の面が前記第１面に接合され、前記第１コイルパターンが設けられた領域には設けられていない圧電基板と、前記第２面と前記空隙を挟み対向するように前記第３面に設けられた第１弾性波素子と、を有する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第２コイルパターンと接続され、前記第１面と前記空隙を挟み対向するように前記第２基板に設けられた第２弾性波素子を具備する構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１弾性波素子を含むフィルタを具備する構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記フィルタを含むマルチプレクサを具備する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、Ｑ値を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、実施例１に係る電子部品の回路図である。
【図２】図２は、実施例１に係る電子部品の断面図である。
【図３】図３は、実施例１における基板１０の上面を示す平面図である。
【図４】図４は、実施例１における基板２０の下面を上から透視した平面図（その１）である。
【図５】図５は、実施例１における基板２０の下面を上から透視した平面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図であり、図６（ｂ）は、実施例１における弾性波素子２２の断面図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１におけるコイル２４ａを上から透視した平面図、図７（ｂ）は、コイル１４ａの平面図、図７（ｃ）は、コイルの回路図である。
【図８】図８は、実施例２に係る電子部品の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、コイル２４を上から透視した平面図、図９（ｂ）は、コイル１４の平面図である。
【図１０】図１０は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１１】図１１は、実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、実施例１に係る電子部品の回路図である。図１に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０では、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に直列共振器Ｓ１１からＳ１３が直列に、並列共振器Ｐ１１からＰ１４が並列に接続されている。受信フィルタ５２では、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に直列共振器Ｓ２１からＳ２４が直列に、並列共振器Ｐ２１からＰ２４が並列に接続されている。共通端子Ａｎｔとグランドとの間にインダクタＬ１が接続されている。並列共振器Ｐ２２およびＰ２４のグランド側とグランドとの間にインダクタＬ２が接続されている。
【００２１】
送信フィルタ５０は送信端子Ｔｘに入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに出力し、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号を受信端子Ｒｘに出力し他の周波数の信号を抑圧する。インダクタＬ１は、共通端子Ａｎｔと送信フィルタ５０および受信フィルタ５２との間の整合回路である。インダクタＬ２は通過帯域外に減衰極を形成するためのインダクタである。
【００２２】
図２は、実施例１に係る電子部品の断面図である。図２に示すように、基板１０上に基板２０が搭載されている。基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、酸化シリコン基板（例えば水晶基板）またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａの接合面は平面であり平坦である。圧電基板１０ｂの厚さは例えば１μｍから２０μｍである。支持基板１０ａの厚さは例えば２５０μｍである。
【００２３】
基板１０の上面に弾性波素子１２、コイル１４および配線１６が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波素子１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するようにビア配線１７が設けられている。ビア配線１７は、配線１６と端子１８とを電気的に接続する。コイル１４、配線１６、ビア配線１７および端子１８は例えば銅層、アルミニウム層、金層またはタングステン層等の金属層である。端子１８は、共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子を含む。
【００２４】
基板２０の下面に弾性波素子２２、コイル２４および配線２６が設けられている。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板またはシリコン基板である。コイル２４、配線２６は例えば圧電薄膜共振器の下部電極および上部電極、または銅層、アルミニウム層もしくは金層等の金属層である。基板１０の配線１６と基板２０の配線２６はバンプ２８を介し接合されている。基板１０の上面と基板２０の下面とは空隙３６を介し対向する。
【００２５】
基板１０の上面の周縁に環状電極１５が設けられている。基板１０上に基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は環状電極１５に接合されている。封止部３０は、例えば半田等の金属または樹脂等の絶縁体である。封止部３０の上面にリッド３２が設けられている。リッド３２は、例えばコバール等の金属板または絶縁体板である。封止部３０およびリッド３２を覆うように保護膜３４が設けられている。保護膜３４は例えばニッケル等の金属膜または絶縁膜である。
【００２６】
図３は、実施例１における基板１０の上面を示す平面図である。図３に示すように、基板１０上に弾性波素子１２、コイル１４ａ、１４ｂ、配線１６および環状電極１５が設けられている。配線１６は、パッドＰａ１、Ｐｔ１、Ｐｒ１、Ｐｇ１、Ｐｌａ１およびＰｌｂ１を含む。パッドＰａ１、Ｐｔ１、Ｐｒ１、Ｐｇ１は、それぞれ共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子にビア配線１７を介し接続される。
【００２７】
パッドＰａ１とＰｔ１との間に直列に直列共振器Ｓ１１からＳ１３、並列に並列共振器Ｐ１１からＰ１４が配線１６を介し接続されている。並列共振器Ｐ１２およびＰ１３は並列に分割されている。直列共振器Ｓ１１からＳ１３および並列共振器Ｐ１１からＰ１４は送信フィルタ５０を形成する。
【００２８】
図４および図５は、実施例１における基板２０の下面を上から透視した平面図である。図４は、弾性波素子２２、下部電極４４および上部電極４８を図示し、図５は、弾性波素子２２、コイル２４ａ、２４ｂおよび配線２６を図示する。図４および図５に示すように、基板２０上に弾性波素子２２、コイル２４ａ、２４ｂおよび配線２６が設けられている。弾性波素子２２は下部電極４４および上部電極４８を介し接続されている。弾性波素子２２以外の下部電極４４および上部電極４８上には配線２６が設けられている。コイル２４ａおよび２４ｂは配線２６と同じ材料で形成されている。配線２６は、パッドＰａ２、Ｐｒ２、Ｐｇ２、Ｐｌａ２およびＰｌｂ２を含む。パッドＰａ２、Ｐｒ２およびＰｇ２は、それぞれ共通端子Ａｎｔ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子にバンプ２８、配線１６およびビア配線１７を介し接続される。
【００２９】
パッドＰａ２とＰｒ２との間に直列に直列共振器Ｓ２１からＳ２４、並列に並列共振器Ｐ２１からＰ２４が下部電極４４、上部電極４８および配線２６を介し接続されている。直列共振器Ｓ２１は直列に分割されている。直列共振器Ｓ２１からＳ２４および並列共振器Ｐ２１からＰ２４は受信フィルタ５２を形成する。
【００３０】
コイル１４ａおよび２４ａはインダクタＬ１を形成する。電流は、基板２０のパッドＰａ２からコイル２４ａ、パッドＰｌａ２、バンプ２８、基板１０のパッドＰｌａ１、スパイラル状のコイル１４ａを介しパッドＰｇ１に至る。同様に、コイル１４ｂおよび２４ｂはインダクタＬ２を形成する。電流は、基板２０の並列共振器Ｐ２２とＰ２４の間の配線２６からコイル２４ｂ、パッドＰｌｂ２、バンプ２８、パッドＰｌｂ１、コイル１４ｂを介しパッドＰｇ１に至る。
【００３１】
図６（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図であり、図６（ｂ）は、実施例１における弾性波素子２２の断面図である。図６（ａ）に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器である。基板１０の圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が基板１０に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００３２】
図６（ｂ）に示すように、弾性波素子２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７内の下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。弾性波素子１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波の励振を阻害しないように、弾性波素子１２および２２は空隙３６に覆われている。
【００３３】
コイル１４ａおよび２４ａを参照して、コイルの接続について説明する。図７（ａ）は、実施例１におけるコイル２４ａの上から透視した平面図、図７（ｂ）は、コイル１４ａの平面図、図７（ｃ）は、コイルの回路図である。図７（ａ）に示すように、スパイラル状のコイル２４ａの外端はパッドＰａ２に接続され、コイル２４ａの内端はパッドＰｌａ２に接続されている。コイル２４ａの外縁とその内部（すなわち、コイル２４ａが設けられた領域とコイル２４ａによって囲まれる領域）はコイル領域６６である。コイル２４ａの高さは例えば１μｍ、コイル２４ａ内の配線の幅は例えば１０μｍ、コイル領域６６の直径は例えば１５０μｍである。
【００３４】
図７（ｂ）に示すように、スパイラル状のコイル１４ａの外端はパッドＰｇ１に接続され、コイル１４ａの内端はパッドＰｌａ１に接続されている。コイル１４ａの外縁とその内部（すなわち、コイル１４ａが設けられた領域とコイル１４ａによって囲まれる領域）はコイル領域６４である。コイル１４ａの高さは例えば１μｍ、コイル１４ａ内の配線の幅は例えば１０μｍ、コイル領域６４の直径は例えば１５０μｍである。平面視においてコイル領域６４と６６は重なっており、パッドＰｌａ１とＰｌａ２とはバンプ２８により接続されている。コイル１４ａの上面とコイル２４ａの下面との距離は例えば１０μｍである。図７（ｃ）に示すように、基板１０および２０にそれぞれコイル１４ａおよび２４ａが設けられている。コイル１４ａと２４ａとはバンプ２８で電気的に接続されている。
【００３５】
基板１０のパッドＰｇ１から基板２０のパッドＰａ２に電流が流れると仮定すると、図７（ｂ）の矢印６０のようにコイル１４ａには右回りに電流が流れる。図７（ａ）の矢印６２のようにコイル２４ａには右回りの電流が流れる。このように、コイル１４ａと２４ａを流れる電流の向きが同じため、図７（ｃ）のようにコイル１４ａと２４ａとは磁束を強め合う和動接続となる。
【００３６】
実施例１によれば、コイル１４（第１コイルパターン）は、基板２０の下面（第２面）と空隙３６を挟み対向するように基板１０の上面（第１面）に設けられている。コイル２４（第２コイルパターン）は、基板１０の上面と空隙３６を挟み対向するように基板２０の下面に設けられている。コイル１４と２４とはバンプ２８（接続端子）により接続されている。平面視においてコイル１４と２４とは重なっている。
【００３７】
これにより、コイル１４と２４は空隙を介し設けられているためＱ値を向上できる。また、複数のコイル１４および２４を重ねているため小型化できる。さらに、コイル１４を配線１６と同時に形成し、コイル２４を配線１６と同時に形成することで、製造方法を簡略化できる。
【００３８】
図７（ａ）から図７（ｃ）のように、コイル１４と２４とは和動接続されている。これにより、コイル１４と２４とで磁束を強め合い、インダクタンスを大きくできる。
【００３９】
平面視においてコイル１４と２４とは重なっていなくてもよい。例えば、コイル１４はコイル領域６４の周辺領域に設けられ、コイル領域６６はコイル領域６４のコイル領域６４が設けられていない中央領域に設けられていてもよい。このように、コイル領域６４の少なくとも一部と、コイル領域６６の少なくとも一部は重なっていればよい。例えば、コイル２４は、コイル領域６４（第１領域）と平面視において少なくとも一部が重なる基板２０の下面上の領域（第２領域）に設けられている。
【００４０】
コイル１４および２４はスパイラル形状である。これにより、インダクタンスを大きくできる。コイル１４および２４の外縁は円形状以外に多角形状でもよい。コイル２４は下部電極４４および上部電極４８より抵抗の低い配線２６から形成されている。このように、コイル１４および２４の少なくとも一方は弾性波励振する電極の材料より抵抗率の低い金属層を含む。これにより、コイル１４および２４の抵抗成分を小さくできる。
【００４１】
基板１０の上面にコイル１４と接続され、基板２０の下面と空隙３６を挟み対向するように弾性波素子１２（第１弾性波素子）が設けられている。これにより、コイル１４を弾性波素子１２と同じ基板１０上に形成でき、電子部品を小型化できる。
【００４２】
基板２０の下面にコイル２４と接続され、基板１０の上面と空隙３６を挟み対向するように弾性波素子２２（第２弾性波素子）が設けられている。これにより、コイル２４を弾性波素子２２と同じ基板２０上に形成でき、電子部品を小型化できる。弾性波素子１２の少なくとも一部と弾性波素子２２の少なくとも一部が平面視において重なる。これにより、電子部品をより小型化できる。
【実施例２】
【００４３】
図８は、実施例２に係る電子部品の断面図である。図９（ａ）は、コイル２４を上から透視した平面図、図９（ｂ）は、コイル１４の平面図である。図８から図９（ｂ）に示すように、コイル領域６４および６６の基板１０と２０との間にコア３８が設けられている。コア３８は、空気より透磁率の大きい材料からなる。コア３８としては、例えば鉄ニッケル合金（比透磁率が１８００）、フェライト系（ニッケル亜鉛合金：比透磁率が６００）またはニッケル（比透磁率が１００）を用いることができる。コア３８は、例えばめっき法、スパッタリング法または印刷法を用い形成することができる。
【００４４】
実施例２によれば、空隙３６より透磁率の高いコア３８はコイル１４および２４の少なくとも一方内の基板１０と２０との間に設けられている。これにより、インダクタンスを大きくできる。
【実施例３】
【００４５】
図１０は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。図１０に示すように、圧電基板１０ｂ上に絶縁膜５４が設けられている。絶縁膜５４上にコイル１４が設けられている。絶縁膜５４の誘電率は圧電基板１０ｂより低い。例えばタンタル酸リチウムの比誘電率は約５０、酸化シリコンおよび酸化アルミニウムの比誘電率はそれぞれ４および１０である。そこで、圧電基板１０ｂがタンタル酸リチウムのとき、絶縁膜５４を酸化シリコン膜または酸化アルミニウム膜とする。絶縁膜５４の膜厚は、例えば１μｍである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４６】
実施例３によれば、弾性波素子１２（第１弾性波素子）は、圧電基板１０ｂの上面（第３面）に設けられている。絶縁膜５４は、基板１０の上面に設けられ、基板２０側の上面がコイル１４が設けられた面（第１面）であり、弾性波素子１２が設けられた領域には設けられないように圧電基板１０ｂの上面（第３面）に設けられている。弾性波素子１２が弾性表面波共振器のとき、弾性波素子１２は誘電率の大きな圧電基板１０ｂ上に設けられる。圧電基板１０ｂ上にコイル１４が形成されると、コイル１４の寄生容量が大きくなりＱ値が小さくなる。そこで、絶縁膜５４を設ける。これにより、コイル１４の寄生容量が小さくなりＱ値が向上する。
【実施例４】
【００４７】
図１１は、実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。図１１に示すように、領域５６において圧電基板１０ｂの一部が除去されている。支持基板１０ａ上に圧電基板１０ｂを介さずコイル１４が設けられている。支持基板１０ａの誘電率は圧電基板１０ｂより低い。例えばタンタル酸リチウムの比誘電率は約５０、サファイア、シリコンおよび酸化シリコン（水晶）の比誘電率はそれぞれ１０、１２および４である。そこで、圧電基板１０ｂがタンタル酸リチウムのとき、支持基板１０ａをサファイア基板、シリコン基板または水晶基板とする。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４８】
実施例４によれば、支持基板１０ａの上面にコイル１４が設けられている。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａより誘電率が高く、基板２０側の上面（第３面）に弾性波素子２２が設けられている。圧電基板１０ｂの上面と反対側の面が支持基板１０ａの上面に接合されている。これにより、コイル１４の寄生容量が小さくなりＱ値が向上する。
【００４９】
実施例１から４では、基板１０および２０に弾性波素子１２および２２が設けられている例を説明したが、基板１０および２０には、コイル１４および２４並びに配線１６および２６以外は設けられていなくてもよい。弾性波素子１２および２２の代わりに、例えばキャパシタ、能動素子またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子が設けられていてもよい。
【００５０】
弾性波素子１２および２２として、弾性表面波共振器および圧電薄膜共振器を例に説明したが、弾性波素子１２および２２がともに弾性表面波共振器でもよく、ともに圧電薄膜共振器でもよい。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２としてラダー型フィルタの例を説明したが、多重モードフィルタでもよい。ラダー型フィルタを構成する直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定することができる。マルチプレクサとしてデュプレクサの例を説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０  基板
１２、２２  弾性波素子
１４、１４ａ、１４ｂ、２４、２４ａ、２４ｂ  コイル
１６、２６  配線
１７  ビア配線
１８  端子
２８  バンプ
３６  空隙
３８  コア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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