(57)【要約】【課題】ＳＳＤをＳＬＣモードに切り替えても問題がないかを正確に予測し、使用者の使用状況に応じてＭＬＣモードとＳＬＣモードを適切かつ自動的に切り替える。【解決手段】メモリーシステムは、ＳＳＤとＭＬＣモードＳＬＣモードのいずれかでＳＳＤを動作させる制御部を含む。制御部は、基準期間中の各ブロックの平均消去回数の増加値に基づき、ＳＬＣモードで動作させた場合の増加値を予測した値である換算値を定める。制御部は、各換算値に基づき最終時点での予測消去回数を求める。予測消去回数が寿命基準回数を超えるときＭＬＣモードでＳＳＤを動作させ、予測消去回数が寿命基準回数以下のときＳＬＣモードでＳＳＤを動作させる。【選択図】図４
2018063624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリーと、前記フラッシュメモリーへのデータの消去及び読み書きを制御し、前記フラッシュメモリー内のデータを整理するＳＳＤコントローラーを含み、前記フラッシュメモリーの各ブロックでのデータの累計消去回数を記憶するＳＳＤと、
予め定められた基準期間中、セルに所定数のビット分のデータを記憶させるＭＬＣモードとセルに１ビット分のデータを記憶させるＳＬＣモードのいずれかで前記ＳＳＤを動作させ、前記基準期間が終わったとき、新たに始まった基準期間である新基準期間での前記ＳＳＤの動作モードを設定するモード設定処理を行う制御部と、を含み、
前記モード設定処理のとき、
前記制御部は、
前記基準期間終了時の各前記ブロックの前記累計消去回数の平均値である平均消去回数を前記ＳＳＤに記憶させ、
前記基準期間での前記平均消去回数の増加値に基づき、前記基準期間ごとに、前記ＳＬＣモードで動作させた場合の前記増加値を予測した値である換算値を定め、
各前記換算値に基づき前記新基準期間から予め定められた最終時点まで前記ＳＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させた場合の前記平均消去回数の合計増加量である予測値を求め、
直前に終了した基準期間である直前期間の終了時の前記平均消去回数に前記予測値を加えて前記最終時点での予測消去回数を求め、
前記予測消去回数が予め定められた寿命基準回数を超えるとき前記新基準期間では前記ＭＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させ、前記予測消去回数が前記寿命基準回数以下のとき前記新基準期間では前記ＳＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させることを特徴とするメモリーシステム。
【請求項２】
前記制御部は、
前記ＳＳＤを前記ＳＬＣモードで動作させた前記基準期間であるＳＬＣモード期間については、前記基準期間での前記増加値を前記換算値とし、
前記ＳＳＤを前記ＭＬＣモードで動作させた前記基準期間であるＭＬＣモード期間については、前記基準期間での前記増加値に前記所定数を乗じた値よりも少ない値を前記換算値とし、
前記新基準期間の開始時点から前記最終時点までの残り期間数を求め、
前記残り期間数に、いままでに求めた前記換算値の最大値、又は、各前記換算値の平均値を乗じて前記予測値を求めることを特徴とする請求項１に記載のメモリーシステム。
【請求項３】
前記制御部は、
前記直前期間の開始から終了までに前記ＳＳＤに書き込みを指示したデータの総容量である期間累計容量を前記ＳＳＤに記憶させ、
前記直前期間が前記ＳＳＤを前記ＭＬＣモードで動作させたＭＬＣモード期間のとき、
前記期間累計容量を前記ＳＳＤの全記憶容量で除して第１演算値を求め、
前記ＭＬＣモード期間での前記増加値から前記第１演算値を減じて第２演算値を求め、
前記第２演算値と、求めた前記第１演算値に前記所定数を乗じた値と、を加えた値を前記直前期間の前記換算値とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリーシステム。
【請求項４】
前記制御部は、
前記直前期間の開始から終了までに前記ＳＳＤに書き込みを指示したデータの総容量である期間累計容量を前記ＳＳＤに記憶させ、
前記直前期間が前記ＳＳＤを前記ＭＬＣモードで動作させたＭＬＣモード期間のとき、
前記期間累計容量を前記ＳＳＤの全記憶容量で除して第１演算値を求め、
前記第１演算値に前記所定数から１を減じた値を乗じて加算対象値を求め、
前記加算対象値と、前記直前期間の前記平均消去回数の増加値と、を加えた値を前記直前期間の前記換算値とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリーシステム。
【請求項５】
前記制御部は、前記期間累計容量を前記全記憶容量で除した値の小数点以下を繰り上げた値を前記第１演算値として求めることを特徴とする請求項３又は４に記載のメモリーシステム。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載のメモリーシステムを含むことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）を含むメモリーシステムとこのメモリーシステムを含む画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置には、ストレージとして、ＳＳＤが搭載されることがある。ＳＳＤは、画像データのスプールや、制御用データの記憶などに用いられる。ＳＳＤは、フラッシュメモリーを搭載する。ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリーが用いられることが多い。フラッシュメモリーでは、データの消去、書き込みが繰り返されるとゲート絶縁膜が劣化する。劣化が進むと正しくデータを保持することができなくなる。このように、データの書き込み、消去に関し、ＳＳＤには寿命（制限）がある。ＳＳＤの寿命を監視する技術の一例が特許文献１に記載されている。
【０００３】
具体的に、特許文献１には、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置を備え、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、予測寿命を明示するフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置が記載されている。実績寿命情報として、残代替ブロック数（Ｍ＋１）の基準期間中の実績寿命（基準期間）、装置稼働時間、およびブロック書換回数が例示されている（特許文献１：請求項１、段落［００２２］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３０６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＳＤでは、各メモリーセルに直接データを上書きできない。上書きするとき、ブロック単位でいったんデータを消去する必要がある。そのため、データの書き込みの前にブロック単位でデータの消去が行われる場合がある。
【０００６】
そして、画像形成装置にＳＳＤが搭載されることがある。例えば、ＳＳＤは、ジョブに用いる画像データの一時記憶（スプール）に用いられる。コピーやスキャンのようなジョブでは、原稿読み取りで得られた画像データがＳＳＤに書き込まれる。画像処理のような各種処理の進行に応じ、画像データは順番にＳＳＤから読み出される。ジョブを行うごとにＳＳＤで消去と読み書きがなされる。
【０００７】
ＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）型のＳＳＤが画像形成装置に搭載されることがある。ＭＬＣモードは、１つのセルに２ビット以上を記憶させる方式である。１つのセルに２ビットのデータを記憶させる場合、セル内の電荷の蓄積量は４段階となる。１つのセルに３ビットを記憶させる場合もある。ＭＬＣでは書込データに応じた量の電荷がゲート（セル）に注入されたかどうかの確認が行われる。電荷の量に過不足がある場合、電荷の量が調整される。
【０００８】
ＳＳＤにはＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）モードが搭載されることがある。ＳＬＣモードは、１つのセルに１ビットを記憶させる方式である。ＨｉｇｈかＬｏｗかを認識できればよいので、ＳＬＣモードは、ＭＬＣのような確認、調整の処理が不要である。そのため、ＳＬＣモードは、ＭＬＣのときよりも処理速度が速い。一方、１セル当たりの記憶容量は小さくなる。同じサイズのデータを記憶する場合、書き込みに要する領域は、ＭＬＣモードよりもＳＬＣモードの方が大きい。従って、各ブロックのデータ消去回数や書き込み回数は、ＭＬＣモードよりもＳＬＣモードの方が増えやすい。ＳＬＣモードはＭＬＣモードよりもＳＳＤの寿命が短くなる。
【０００９】
ここで、画像形成装置には、製造者が想定する（保証したい）寿命を保つべき期間が設定される場合がある。以下、この期間を「寿命保持期間」と称する。画像形成装置をよく用いるヘビーユーザーでも、寿命保持期間内にＳＳＤの寿命が尽きないようにする必要がある。そのため、従来、画像形成装置では、ＳＬＣモードは利用されていないと言う問題がある。しかし、画像形成装置のユーザーの全てがヘビーユーザーとは限らない。画像形成装置の使用頻度は使用者により異なる。ＳＬＣモードでＳＳＤを使用しても寿命保持期間内にＳＳＤの寿命が尽きない場合もある。
【００１０】
ここで、特許文献１記載の技術は、残代替ブロック数に基づきフラッシュメモリーの寿命を予測する。ＳＬＣモードを利用するか否かに関する記載はなく、上記の問題を解決することはできない。
【００１１】
本発明は、上記問題点を鑑み、ＳＳＤをＳＬＣモードに切り替えても問題がないかを正確に予測し、使用者の使用状況に応じてＭＬＣモードとＳＬＣモードを適切かつ自動的に切り替える。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために請求項１に係るメモリーシステムは、ＳＳＤと制御部を含む。ＳＳＤは、フラッシュメモリーと、前記フラッシュメモリーへのデータの消去及び読み書きを制御し、前記フラッシュメモリー内のデータを整理するＳＳＤコントローラーを含み、前記フラッシュメモリーの各ブロックでのデータの累計消去回数を記憶する。制御部は、予め定められた基準期間中、セルに所定数のビット分のデータを記憶させるＭＬＣモードとセルに１ビット分のデータを記憶させるＳＬＣモードのいずれかで前記ＳＳＤを動作させ、前記基準期間が終わったとき、新たに始まった基準期間である新基準期間での前記ＳＳＤの動作モードを設定するモード設定処理を行う。前記モード設定処理のとき、前記制御部は、前記基準期間終了時の各前記ブロックの前記累計消去回数の平均値である平均消去回数を前記ＳＳＤに記憶させる。また、前記制御部は、前記基準期間での前記平均消去回数の増加値に基づき、前記基準期間ごとに、前記ＳＬＣモードで動作させた場合の前記増加値を予測した値である換算値を定める。また、前記制御部は、各前記換算値に基づき前記新基準期間から予め定められた最終時点まで前記ＳＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させた場合の前記平均消去回数の合計増加量である予測値を求める。また、前記制御部は、直前に終了した基準期間である直前期間の終了時の前記平均消去回数に前記予測値を加えて前記最終時点での予測消去回数を求める。前記制御部は、前記予測消去回数が予め定められた寿命基準回数を超えるとき前記新基準期間では前記ＭＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させ、前記予測消去回数が前記寿命基準回数以下のとき前記新基準期間では前記ＳＬＣモードで前記ＳＳＤを動作させる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＳＳＤをＳＬＣモードに切り替えても問題がないかを正確に予測することができる。使用者の使用状況に応じてＭＬＣモードとＳＬＣモードを適切かつ自動的に切り替えるメモリーシステム、画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る複合機の一例を示す図である。
【図２】実施形態に係るメモリーシステムの一例を示す図である。
【図３】実施形態に係るメモリーシステムでのモード設定の流れの一例を示す図である。
【図４】実施形態に係るメモリーシステムでのモード設定の流れの一例を示す図である。
【図５】実施形態に係るモード設定用データの一例を示す図である。
【図６】実施形態に係るモード設定の概念の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図１〜図６を用いて説明する。そして、以下の説明では、画像形成装置として複合機１００を例に挙げて説明する。但し、以下に記載する構成、配置等の各要素は、発明の範囲を限定するものではなく単なる説明例にすぎない。
【００１６】
（画像形成装置の概要）
まず、図１を用いて、実施形態に係る複合機１００の概要を説明する。図１は、実施形態に係る複合機１００の一例を示す図である。
【００１７】
複合機１００は、制御部１を含む。制御部１は基板である。制御部１は複合機１００の各部を制御する。制御部１は、ＣＰＵ１１、画像処理部１２、ＲＯＭ１３、ＲＡＭ１４、計時部１５を含む。ＣＰＵ１１は各種演算や処理を行う。画像処理部１２は画像データに対し画像処理を行って印刷や送信に用いる画像データを生成する。ＲＯＭ１３、ＲＡＭ１４は制御に関するデータ、プログラムを記憶する。計時部１５は時計である。計時部１５は日時を測る回路である。
【００１８】
複合機１００はＳＳＤ２（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）を含む。ＳＳＤ２は大容量の記憶装置である。ＳＳＤ２は制御部１と通信可能に接続される。複合機１００は、不揮発性の記憶装置（ＲＯＭ１３、ＳＳＤ２）と、揮発性の記憶装置（ＲＡＭ１４）を含む。ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ１３やＳＳＤ２に記憶されたプログラムや制御用データに基づき、演算や処理を行う。そして、ＣＰＵ１１は複合機１００の各部の制御を行う。
【００１９】
複合機１００は、原稿搬送部３ａと画像読取部３ｂを含む。制御部１は、セットされた原稿を原稿搬送部３ａに搬送させる。原稿搬送部３ａは、原稿を１枚ずつ読み取り位置（送り読取用コンタクトガラス、不図示）に向けて搬送する。制御部１は原稿を画像読取部３ｂに読み取らせる。画像読取部３ｂは搬送原稿や、載置読取用コンタクトガラス（不図示）にセットされた原稿を読み取る。画像読取部３ｂは画像データを生成する。
【００２０】
複合機１００は、操作パネル４を含む。操作パネル４は、表示パネル４１、タッチパネル４２、ハードキー４３を含む。表示パネル４１は、印刷やスキャンに関する設定画面や各種メッセージを表示する。タッチパネル４２は表示パネル４１に対して設けられる。ハードキー４３はスタートキーのような操作用のキーである。操作パネル４は、使用者による設定を受け付ける。制御部１は、操作パネル４で設定された内容を認識する。
【００２１】
複合機１００は印刷部５を含む。印刷部５は、給紙部５ａ、用紙搬送部５ｂ、画像形成部５ｃ、定着部５ｄを含む。印刷時、制御部１は、給紙部５ａに用紙を供給させる。制御部１は用紙を用紙搬送部５ｂに搬送させる。制御部１は、画像データに基づきトナー像を画像形成部５ｃに形成させる。制御部１は搬送される用紙へのトナー像の転写を画像形成部５ｃに行わせる。制御部１は、トナー像が転写された用紙を定着部５ｄに加熱・加圧させる。これにより、用紙にトナー像が定着する。定着後の用紙は機外に排出される。
【００２２】
制御部１は、通信部６と接続される。通信部６は、ネットワーク４００を介し、ＰＣやサーバーのようなコンピューター２００やＦＡＸ装置３００と通信を行う基板である。通信部６は、通信用のコネクターや通信制御用のチップを含む。通信部６は印刷用データ（画像データや印刷設定）を受信する。制御部１は、印刷用データに基づく印刷を印刷部５に行わせる（プリンター機能）。又、通信部６は、画像データをコンピューター２００やＦＡＸ装置３００に送信できる（送信機能）。
【００２３】
（メモリーシステム１０）
次に、図２に基づき、本発明の実施形態に係るメモリーシステム１０の一例を説明する。図２は、実施形態に係るメモリーシステム１０の一例を示す図である。
【００２４】
複合機１００はＳＳＤ２を含む。ＳＳＤ２はプログラム、制御用データを記憶できる。また、ＳＳＤ２は画像データも記憶できる。ＳＳＤ２はジョブで用いる画像データの一時記憶先である。言い換えると、ＳＳＤ２はジョブで用いる画像データのスプール先である。ジョブを行うごとに画像データがＳＳＤ２に書き込まれる。画像データを扱うジョブには、コピー、スキャン送信、プリントがある。
【００２５】
ＳＳＤ２は制御部１と通信可能に接続される。データ送受信のため、ホストコントローラー１６とインターフェイス部１７が制御部１に設けられる。ホストコントローラー１６はＣＰＵ１１に内蔵されてもよい。インターフェイス部１７はコネクターを含む。インターフェイス部１７はケーブルを介しＳＳＤインターフェイス２２と接続される。
【００２６】
ホストコントローラー１６はインターフェイス部１７に接続されたＳＳＤ２を認識する。ホストコントローラー１６は認識結果をＣＰＵ１１に通知する。ホストコントローラー１６は、ＳＳＤ２からのデータの読み出しを制御する。また、ホストコントローラー１６は、ＳＳＤ２へのデータの書き込みを制御する。ＣＰＵ１１からのデータの読み出し指示に基づき、ホストコントローラー１６は、ＣＰＵ１１に指定されたデータをＳＳＤ２から読み出す。また、ＣＰＵ１１からの書き込み指示に基づき、ホストコントローラー１６は、ＳＳＤ２に書き込むデータをＳＳＤ２に送る。
【００２７】
ＳＳＤ２は、ＳＳＤコントローラー２１、ＳＳＤインターフェイス２２、バッファメモリー２３、フラッシュメモリー２４を含む。フラッシュメモリー２４は、例えば、ＮＡＮＤ型である。フラッシュメモリー２４（メモリーチップ）は、実際、複数設けられる。図２では、便宜上、フラッシュメモリー２４を１つのみ図示する。
【００２８】
ＳＳＤコントローラー２１は、ホストコントローラー１６とやり取りをしつつＳＳＤ２の全機能（バッファメモリー２３とフラッシュメモリー２４の動作）の制御を行う。また、ＳＳＤコントローラー２１は、データの消去及び読み書きを制御する。また、ＳＳＤコントローラー２１は、フラッシュメモリー２４内のデータを整理する。
【００２９】
ＳＳＤインターフェイス２２は、ホストコントローラー１６から受信したデータをバッファメモリー２３に記憶させる。そして、ＳＳＤコントローラー２１は、バッファメモリー２３に記憶されたデータをフラッシュメモリー２４に記憶させる（書き込みする）。ＳＳＤコントローラー２１は、フラッシュメモリー２４からデータを読み出す。読み出されたデータはバッファメモリー２３にいったん記憶される。ＳＳＤコントローラー２１は、ＳＳＤインターフェイス２２を介し、読み出したデータを制御部１（ホストコントローラー１６）に送信する。
【００３０】
ＳＳＤコントローラー２１は、書き込み／読み出しをページ単位で行なう。また、ＳＳＤコントローラー２１は、ブロック単位でデータの消去を行う。ブロックは複数ページをまとめたものである。ブロックのサイズは、ページサイズよりも大きい。
【００３１】
フラッシュメモリー２４では、直接データの上書きを行えない。また、データはブロック単位で消去される。データが格納されたページにデータを書き込む場合、ＳＳＤコントローラー２１は、変更するページを含むブロック全体のデータを空きブロック又はバッファメモリー２３にコピーする。ＳＳＤコントローラー２１は、いったんブロックのデータを全て消去する。ブロックに含まれる全メモリーセルから電荷が引き抜かれる。そして、ＳＳＤコントローラー２１は、変更したデータとともにブロック全体を書き戻す。
【００３２】
ＳＳＤコントローラー２１はフラッシュメモリー２４内のデータを整理する。整理のため、ＳＳＤコントローラー２１はガベージコレクションを行う。ガベージコレクションにより空きブロックが作られる。ガベージコレクションを行うとき、ＳＳＤコントローラー２１は、ブロック内のうち必要ページ（必要なデータを含むページ）のみを他の消去済みブロックにコピーする。ＳＳＤコントローラー２１は不要ページのデータを転送しない。転送先のブロックでは、不要ページのあった領域はフリーなページとなる。別のデータを書き込むことができる。ＳＳＤコントローラー２１は転送元のブロックのデータを消去する。ＳＳＤコントローラー２１は待機中（アイドル中）にガベージコレクションを行う。
【００３３】
ここで、フラッシュメモリー２４のメモリーセルでは、書き込みのとき、浮遊ゲートに電荷が注入される。データ消去のとき、浮遊ゲートから電荷が引き抜かれる。注入、引き抜きのとき、電荷はゲート絶縁膜（酸化膜）を通過する。注入と引き抜きを繰り返すうちに電荷が通過しやすい箇所が増える。絶縁膜がデータの消去、書き込みを行うごとに劣化してゆく。劣化が進むと、データエラーが出る。
【００３４】
ＳＳＤ２の製造者が消去回数の目安を定めることがある。言い換えると、目安の回数まで寿命が持つことをＳＳＤ２の製造者が保証することがある。例えば、ＭＬＣの２０ｎｍプロセスで製造されたＳＳＤ２の場合、１ブロックあたり３０００回が消去回数（寿命基準回数）の目安とされる。
【００３５】
特定のブロックのみ頻繁に消去や書き込みを行うと、特定のブロックの消耗が進む。特定のブロックの寿命が早く尽きる。そこで、ＳＳＤコントローラー２１は、ウェアレベリング処理を行う。ウェアレベリング処理は、消去、書き込みを行うブロックをできるだけ均等に分散する。そして、各ブロックの累計消去回数Ｄ１が均等化される。具体的に、ＳＳＤコントローラー２１は、各ブロックの累計消去回数Ｄ１や書き込み回数を管理する。ＳＳＤコントローラー２１は、フラッシュメモリー２４の特定の領域に各ブロックの累計消去回数Ｄ１を記憶させる。ＳＳＤコントローラー２１は、累計消去回数Ｄ１を確認し、累計消去回数Ｄ１の少ないブロックを優先的に使用する。
【００３６】
ＳＳＤ２のフラッシュメモリー２４はＳＭＡＲＴ情報Ｄ２を記憶する。ＳＭＡＲＴ情報Ｄ２は各種の検査項目を数値で表現した情報である。ＳＭＡＲＴ情報Ｄ２の項目には、各ブロックの累計消去回数Ｄ１の最大値、平均値、最小値が設けられる。制御部１は、ＳＳＤ２に記憶されたＳＭＡＲＴ情報Ｄ２を取得できる。制御部１は、各ブロックの累計消去回数Ｄ１の最大値、平均値、最小値を取得できる。
【００３７】
ここで、実施形態に係るＳＳＤ２のフラッシュメモリー２４は、ＭＬＣ（マルチレベルセル）である。ＳＳＤ２では、ＭＬＣモードのとき、１つのメモリーセルに２ビットのデータを記憶させることができる。なお、ＳＳＤ２には、１つのメモリーセルで３ビット分のデータを記憶できるものもある。
【００３８】
一方、ＳＳＤコントローラー２１は、ＳＬＣモードでフラッシュメモリー２４の読み書きを行える。ＳＬＣモードのとき、制御部１は、各メモリーセルに１ビット分のデータを記憶させる。ＭＬＣ（マルチレベルセル）のフラッシュメモリー２４を擬似的にＳＬＣ（シングルレベルセル）のフラッシュメモリー２４と扱う。
【００３９】
ＳＬＣモードではＨｉｇｈかＬｏｗかを認識できればよい。そのため、ＳＬＣモードは、ＭＬＣのような電荷の注入量の確認、調整の処理が不要である。ＳＬＣモードには、ＭＬＣモードよりも高速にデータの書き込みを行えるメリットがある。一方で、同じサイズのデータを書き込む場合、ＳＬＣモードでは、ＭＬＣモードの２倍（所定数倍）の記憶領域（メモリーセル、ページ）が必要になる。そのため、ＳＬＣモードは、ＭＬＣモードよりも各ブロックの累計消去回数が増えやすい。つまり、ＳＬＣモードは、ＭＬＣモードよりも寿命が尽きるまでの期間が短くなる。
【００４０】
（モード設定の流れ）
次に、図３〜図６を用いて、実施形態に係るメモリーシステム１０でのモード設定の流れの一例を説明する。図３、図４は、実施形態に係るメモリーシステム１０でのモード設定の流れの一例を示すフローチャートである。図５は、実施形態に係るモード設定用データＤ４の一例を示す図である。図６は、実施形態に係るモード設定の概念の一例を示すグラフである。
【００４１】
上述のように、ＳＳＤ２は、フラッシュメモリー２４の各ブロックでのデータの累計消去回数Ｄ１を記憶する。制御部１は、予め定められた基準期間中、ＭＬＣモードとＳＬＣモードのいずれかでＳＳＤ２を動作させる。制御部１は、基準期間が終わったとき、新基準期間（次の基準期間）での動作モードを設定するモード設定処理を行う。以下、このモード設定処理の流れを説明する。
【００４２】
まず、寿命保持期間の整数分の１を基準期間と定めることができる。寿命保持期間は、製造者が想定し、寿命として保証したい期間である。寿命保持期間は、例えば、５年とすることができる。寿命保持期間の起算点Ｄ３は、ＳＳＤ２の使用開始時（複合機１００の顧客先への設置時）である。寿命保持期間の起算点Ｄ３は、製造時でもよい。操作パネル４は寿命保持期間の起算点Ｄ３の設定入力を受け付ける。サービスマンは顧客先への画像形成装置の設置時に起算点Ｄ３を操作パネル４に入力する。あるいは、製造工場での検査者は、製造日時を操作パネル４に入力する。制御部１は起算点Ｄ３を認識する。制御部１は、ＳＳＤ２に起算点Ｄ３を記憶させる。
【００４３】
基準期間は、１週間、数週間、数十日、十数日、半月、１ヶ月、数ヶ月、半年、のように適宜定めることができる。操作パネル４は基準期間（モードの設定周期）の設定を受け付ける。例えば、デフォルトの基準期間は１ヶ月である。寿命保持期間を５年とする場合、基準期間は寿命保持期間内に６０個含まれる。基準期間の終了と新基準期間の開始を認識するため、制御部１には計時部１５が設けられる（図１参照）。制御部１は日時を認識できる。
【００４４】
図３のフローチャートのスタートは、基準期間が終わった時点である。なお、基準期間が終わった時点で複合機１００（メモリーシステム１０）の主電源がＯＦＦの場合がある。また基準期間が終わった時点で複合機１００が節電状態の場合がある。主電源ＯＦＦの場合、及び、節電状態の場合、制御部１やＳＳＤ２への電力供給を停止される。従って、フローチャートのスタートは、基準期間が終わった時点以降である。また、スタートは、電力が制御部１とＳＳＤ２に供給され、制御部１とＳＳＤ２が動作する状態となっている最初の時点である。基準期間が終わるごとに、図３のフローチャートが開始される。
【００４５】
制御部１は平均消去回数ＥＣを取得する（ステップ♯１）。平均消去回数ＥＣは、基準期間終了時の各ブロックの累計消去回数Ｄ１の平均値である。制御部１は、ＳＭＡＲＴ情報Ｄ２から平均消去回数ＥＣを取得する。制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、取得した平均消去回数ＥＣをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯２）。図５は、モード設定用データＤ４の一例を示す。図５に示すように、各基準期間の終了時の平均消去回数ＥＣが不揮発的に記憶される。図５の例では、ｍ番目の基準期間の終了時の平均消去回数ＥＣは、１２である。また、ｍ＋１番目の基準期間の終了時の平均消去回数ＥＣは、３５である。
【００４６】
制御部１は、直前に終了した基準期間（以下、「直前期間」）での平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣ（増加量）を求める（ステップ♯３）。なお、直前期間は、新基準期間の１つ前の基準期間ともいえる。
【００４７】
そして、制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、求めた増加値ΔＥＣをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯４）。図５に示すように、各基準期間の平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣが不揮発的に記憶される。図５の例では、ｍ番目の基準期間の終了時の平均消去回数ＥＣは１２である。ｍ＋１番目の基準期間の終了時の平均消去回数ＥＣは３５である。従って、ｍ＋１番目の基準期間の増加値ΔＥＣは、３５−１２＝２３となる。つまり、（基準期間の平均消去回数ＥＣ）−（１つ前の基準期間の平均消去回数ＥＣ）により、増加値ΔＥＣが求められる。
【００４８】
次に、制御部１は、直前期間がＳＬＣモードか否かを確認する（ステップ♯５）。モード設定用データＤ４には各期間のモードが記録される。制御部１は、モード設定用データＤ４を参照し、モードを確認してもよい。
【００４９】
ＳＬＣモードのとき（ステップ♯５のＹｅｓ）、制御部１は、直前期間の増加値ΔＥＣを換算値Ｙと定める（ステップ♯６）。換算値Ｙは、ＳＬＣモードで動作させた場合の基準期間中の平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣを意味する。制御部１は、ＳＬＣモードで動作した基準期間については増加値ΔＥＣを換算値Ｙと定める（換算値Ｙ＝増加値ΔＥＣ）。そして、制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、換算値ＹをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯７）。図５に示すように、ＳＬＣモードの基準期間では、増加値ΔＥＣがそのまま換算値Ｙとして不揮発的に記憶される。
【００５０】
一方、ＭＬＣモードのとき（ステップ♯５のＮｏ）、制御部１は、直前期間の第１演算値Ａを求める（ステップ♯８）。第１演算値Ａは、直前期間の開始から終了までにＳＳＤ２に書き込みを指示したデータの総容量である期間累計容量をＳＳＤ２の全記憶容量で除した値である。つまり、制御部１は、以下の式１の演算を行う。
（式１）  第１演算値Ａ＝期間累計容量÷全記憶容量
さらに、制御部１は期間累計容量を全記憶容量で除した値の小数点以下を繰り上げる（ステップ♯９）。このように制御部１は小数点以下を繰り上げた第１演算値Ａを求める。
【００５１】
制御部１は、ＳＳＤ２に記憶させた（書き込みを指示した）データ容量（サイズ）をカウントする。例えば、ジョブを実行するごとに、制御部１は、ＳＳＤ２に書き込んだ内容のサイズをカウントする。つまり、制御部１は、ＳＳＤ２に記憶させるため、インターフェイス部１７を介してＳＳＤインターフェイス２２に送信したデータのサイズをカウントする。基準期間内でのカウントの総合計が期間累計容量となる。例えば、制御部１は、ＳＳＤ２に期間累計容量を記憶させる。例えば、制御部１は、ジョブを実行するごとに期間累計容量を更新する。一方、ＳＳＤ２の全記憶容量は、フラッシュメモリー２４の記憶容量（フラッシュメモリー２４のチップ数）による。例えば、ＳＳＤ２の全記憶容量は、３２ＧＢｙｔｅである。
【００５２】
制御部１は、増加値ΔＥＣのうち、制御部１が送信したデータの書き込みに起因する部分を第１演算値Ａとして求める。制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、求めた第１演算値ＡをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯１０）。図５に示すように、ＭＬＣモードで動作させた基準期間に対し、第１演算値Ａが不揮発的に記憶される。
【００５３】
制御部１は、ＭＬＣモード期間（直前期間）での平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣから第１演算値Ａを減じて第２演算値Ｐを求める（ステップ♯１１）。つまり、制御部１は以下の式２の演算を行う。ＭＬＣモード期間はＳＳＤ２をＭＬＣモードで動作させた基準期間である。
（式２）  第２演算値Ｐ＝増加値ΔＥＣ−第１演算値Ａ
【００５４】
ＳＳＤ２では、ガベージコレクションのようなデータを整理する処理が行われる。つまり、新たなデータの書き込み準備のため、ＳＳＤコントローラー２１は、独自に書き込み、消去を行う。制御部１は、増加値ΔＥＣのうち、ＳＳＤ２独自の独自消去（追加書き込み）に起因する部分を第２演算値Ｐとして求める。そして、制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、求めた第２演算値ＰをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯１２）。図５に示すように、ＭＬＣモードでＳＳＤ２を動作させた基準期間に対し、第２演算値Ｐが不揮発的に記憶される。
【００５５】
直前期間がＭＬＣモード期間の場合、制御部１は、第１演算値Ａに所定数を乗じた値に第２演算値Ｐに加えた値を換算値Ｙとして求める（ステップ♯１３）。ＭＬＣモード期間に対する換算値Ｙは、ＳＬＣモードで動作させた場合の増加値ΔＥＣの推定値である。なお、所定数は、ＭＬＣモードで１つのセルに記憶させるビット数である。１セルに２ビットのデータを記憶させる場合、所定数は２である。１セルに３ビットのデータを記憶させる場合、所定数は３である。つまり、制御部１は、以下の式３の演算を行う。この演算の理由の詳細は後述する。
（式３）換算値Ｙ＝第１演算値Ａ×所定数＋第２演算値Ｐ
【００５６】
そして、制御部１は、モード設定用データＤ４の一部として、求めた換算値ＹをＳＳＤ２に記憶させる（ステップ♯１４）。図５のうち、ｍ＋４番目の基準期間が、ＭＬＣモード期間である。ｍ＋４番目の基準期間では、第１演算値Ａが２６、第２演算値Ｐが４である。本実施形態のＳＳＤ２は所定数が２（１セルに２ビットを記憶）である。そのため、２６×２＋４＝５６が換算値Ｙとして記憶される。
【００５７】
ステップ♯７とステップ♯１４の後、制御部１は新基準期間の開始時点から最終時点までの残り期間数を求める（ステップ♯１５）。寿命保持期間の残存期間が４年、基準期間が１ヶ月の場合、制御部１は４８ヶ月÷１ヶ月＝４８を残り期間数として求める。
【００５８】
続いて、制御部１は予測値を求める（ステップ♯１６）。予測値は、以後、ＳＬＣモードで動作させた場合、現時点（新基準期間の開始時点）から寿命保持期間の終了時点までの平均消去回数ＥＣの増加量を予測した値である。制御部１は、今までに求めた換算値Ｙに基づく値と残り期間数を乗じて予測値を求める。
【００５９】
具体的に、制御部１は、今までの換算値Ｙのうち（各基準期間の換算値Ｙのうち）の最大値、又は、各換算値Ｙの平均値を乗じて予測値を求める。終了時点までの平均消去回数ＥＣの増加量予測において、最大値を用いる場合、平均消去回数ＥＣの増加速度が高めに見積もられる。平均値を用いる場合、平均消去回数ＥＣの増加速度は、今までの複合機１００の使用実績に基づいた値とされる。制御部１は、以下の式４の演算を行う。
（式４）予測値＝換算値Ｙ（最大値ｏｒ平均値）×残り期間数
【００６０】
操作パネル４は最大値と平均値の何れを用いるかの設定を受け付ける。また、最大値と平均値のうち何れを用いるかは、予め定められていてもよい。平均値を用いる場合、制御部１は、モード設定用データＤ４の各基準期間の換算値Ｙを積算する。積算値を今までの基準期間の数で除す。これにより、制御部１は平均値を求める。
【００６１】
そして、制御部１は、最終時点での予測消去回数を求める（ステップ♯１７）。予測消去回数は、ＳＬＣモードで動作を続けると仮定した場合の値である。予測消去回数は、寿命保持期間の最終時点における各ブロックの消去回数の平均値を予測する値である。具体的に、制御部１は、直前期間終了時の平均消去回数ＥＣに予測値を加える。つまり、制御部１は、以下の式５の演算を行う。
（式５）予測消去回数＝平均消去回数ＥＣ＋予測値
【００６２】
制御部１は、予測消去回数が寿命基準回数を超えるか否かを確認する（ステップ♯１８）。寿命基準回数は、ＳＳＤ２の製造者が保証する回数である。寿命基準回数は、ブロックの寿命が尽きる消去回数の目安である。寿命基準回数に到達するまで、正常にデータを記憶できるとみなせる。例えば、寿命基準回数は３０００回である。寿命保持期間前にＳＳＤ２の寿命が尽きないようにすべきである。そのためには、寿命保持期間が終わる前に、平均消去回数ＥＣが寿命基準回数を超えないようにすればよい。
【００６３】
予測消去回数が寿命基準回数を超えるとき（ステップ♯１８のＹｅｓ）、制御部１は、ＳＳＤ２の新基準期間での動作モードをＭＬＣモードに決定する（ステップ♯１９→エンド）。これにより、制御部１は、新基準期間ではＳＳＤ２をＭＬＣモードで動作させる。一方、予測消去回数が寿命基準回数以下のとき（ステップ♯１８のＮｏ）、制御部１は、ＳＳＤ２の新基準期間での動作モードをＳＬＣモードに決定する（ステップ♯２０→エンド）。これにより、制御部１は、新基準期間ではＳＳＤ２をＳＬＣモードで動作させる。
【００６４】
つまり、図６に示すように、寿命保持期間の満了までＳＬＣモードで動作させた場合、
寿命保持期間の最終時点の平均消去回数ＥＣを予測する。図６において、破線で示すように、最終時点の平均消去回数ＥＣが寿命基準回数を超えると予測される場合、ＭＬＣモードを利用する。図６において、実線で示すように、最終時点の平均消去回数ＥＣが寿命基準回数以下と予測される場合、ＳＬＣモードを利用する。
【００６５】
基準期間中にＳＳＤ２に書き込んだ全画像データの容量がＳＳＤ２の総容量に満たないようなライトユーザーもいる。ライトユーザーでは、ＳＬＣモードが適用される。ＳＬＣモードではＳＳＤ２の処理速度が向上する。使用者は快適にメモリーシステム１０、複合機１００を利用できる。
【００６６】
また、使用者のなかには、ヘビーユーザーもいる。基準期間中、ＳＳＤ２の総容量の何倍、何十倍も画像データがＳＳＤ２に書き込まれる場合もある。このようなヘビーユーザーにはＭＬＣモードが適用される。寿命保持期間の満了前にＳＳＤ２の寿命が尽きることを防ぐことができる。
【００６７】
ここで、ステップ♯９〜ステップ♯１４の換算値Ｙの演算の意味について説明する。基準期間中にＭＬＣモードで動作させた場合、制御部１は、ＭＬＣモード期間の増加値ΔＥＣに所定数を乗じた値を換算値Ｙとして求めてもよい。例えば、１つのメモリーセルに２ビットのデータを記憶させる場合（所定数＝２）、制御部１は、ＭＬＣモードでの増加値ΔＥＣの２倍（所定数倍）を換算値Ｙと定めてもよい。
【００６８】
しかし、ＳＳＤ２では、ガベージコレクションのようなデータを整理する処理が行われる。整理により、空きブロックが生成される。つまり、新たなデータの書き込み準備のため、ＳＳＤコントローラー２１は、独自に書き込み、消去を行う。ＭＬＣモードの増加値ΔＥＣのうち、一部は制御部１が指示したデータの書き込みに起因する。ＭＬＣモードの増加値ΔＥＣのうち、一部はＳＳＤ２独自の追加書き込み（独自消去）に起因する。
【００６９】
ＳＳＤ２独自の追加書き込み（独自消去）に起因する平均消去回数ＥＣの増加量は、ＳＬＣモードとＭＬＣモードで大きな差はない。ＭＬＣモードでの増加値ΔＥＣの所定数倍を換算値Ｙとすると、求められた換算値Ｙが大きすぎることになる。換算値Ｙが大きすぎる場合、予測消去回数、予測値は大きくなる。換算値Ｙが大きすぎる場合、ＳＬＣモードの使用を制限する方向に作用する。高い性能を提供するには、できるだけＳＬＣモードを用いることが好ましい。
【００７０】
そこで、ＭＬＣモード期間については、期間内の平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣの所定数倍よりも少ない値をＭＬＣモード期間での換算値Ｙとする。具体的に、増加値ΔＥＣのうち、ＳＳＤ２独自の追加書き込みに基づく部分を第２演算値Ｐとして求める。また、増加値ΔＥＣのうち、制御部１がＳＳＤ２に指示したデータの書き込みに基づく部分を第１演算値Ａとして求める。そして、第１演算値Ａのみ所定数倍する。第２演算値Ｐはそのまま加算する。これにより、より正確な予測消去回数、予測値を求めることができる。そして、最終時点の平均消去回数ＥＣが寿命基準回数を超えるか否かを正確に予測することができる。
【００７１】
なお、寿命保持期間が満了した場合、制御部１は、ＳＳＤ２の動作モードをＳＬＣモードで固定してもよい。あるいは、できるだけ寿命が尽きる時点を遅らせるため、制御部１は、ＳＳＤ２の動作モードをＭＬＣモードで固定してもよい。
【００７２】
このようにして、実施形態に係るメモリーシステム１０は、メモリーシステム１０は、ＳＳＤ２と制御部１を含む。ＳＳＤ２は、フラッシュメモリー２４と、フラッシュメモリー２４へのデータの消去及び読み書きを制御し、フラッシュメモリー２４内のデータを整理するＳＳＤコントローラー２１を含み、フラッシュメモリー２４の各ブロックでのデータの累計消去回数Ｄ１を記憶する。制御部１は、予め定められた基準期間中、セルに所定数のビット分のデータを記憶させるＭＬＣモードとセルに１ビット分のデータを記憶させるＳＬＣモードのいずれかでＳＳＤ２を動作させ、基準期間が終わったとき、新たに始まった基準期間である新基準期間でのＳＳＤ２の動作モードを設定するモード設定処理を行う。モード設定処理のとき、制御部１は、基準期間終了時の各ブロックの累計消去回数Ｄ１の平均値である平均消去回数ＥＣをＳＳＤ２に記憶させる。制御部１は、基準期間での平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣに基づき、基準期間ごとに、ＳＬＣモードで動作させた場合の増加値ΔＥＣを予測した値である換算値Ｙを定める。制御部１は、各換算値Ｙに基づき新基準期間から予め定められた最終時点までＳＬＣモードでＳＳＤ２を動作させた場合の平均消去回数ＥＣの合計増加量である予測値を求める。制御部１は、直前に終了した基準期間である直前期間の終了時の平均消去回数ＥＣに予測値を加えて最終時点での予測消去回数を求める。制御部１は、予測消去回数が予め定められた寿命基準回数を超えるとき新基準期間ではＭＬＣモードでＳＳＤ２を動作させ、予測消去回数が寿命基準回数以下のとき新基準期間ではＳＬＣモードでＳＳＤ２を動作させる。
【００７３】
これにより、ＳＬＣモードで動作させ続けた場合、最終時点前に（寿命保持期間が終わる前に）ＳＳＤ２の寿命が尽きるか否かを正確に予測することができる。ＳＬＣモードで問題がないと判定された場合、ＳＳＤ２はＳＬＣモードで動作する。ＳＬＣモードを用いるように制御するので、ＳＳＤ２及び画像形成装置のパフォーマンス（動作処理速度）を向上させることができる。さらに、寿命保持期間中、一定周期でＳＬＣモードへの切替判定がなされる。使用者の使用状況（使用頻度）に応じ、ＳＳＤ２の動作モードを自動的、柔軟、かつ、適切に設定することができる。また、最終時点よりも前に各ブロックの消去回数が寿命基準回数を超えないようにモードを適宜切り替えることができる。そのため、寿命保持期間が終わる前にＳＳＤ２の寿命が尽きることを防ぐことができる。従って、使い勝手のよいメモリーシステム１０を提供することができる。
【００７４】
基準期間中に同じデータ量の読み書きを行った場合、ＳＬＣモードでの増加値ΔＥＣは、ＭＬＣモードでの増加値ΔＥＣの所定数倍にならない。所定数倍では大きすぎることがある。そこで、制御部１は、ＳＳＤ２をＳＬＣモードで動作させた基準期間であるＳＬＣモード期間については、基準期間での増加値ΔＥＣを換算値Ｙとする。制御部１は、ＳＳＤ２をＭＬＣモードで動作させた基準期間であるＭＬＣモード期間については、基準期間での増加値ΔＥＣに所定数を乗じた値よりも少ない値を換算値Ｙとする。制御部１は、新基準期間の開始時点から最終時点までの残り期間数を求める。制御部１は、残り期間数に、いままでに求めた換算値Ｙの最大値、又は、各換算値Ｙの平均値を乗じて予測値を求める。これにより、最終時点での平均消去回数ＥＣを正確に予測することができる。従って、寿命保持期間の満了前にＳＳＤ２の寿命が尽きることを防ぐことができる。また、最大値を用いる場合、今までで画像形成装置の使用頻度が最も高い状態に基づき予測値が求められる。そのため、現時点からの画像形成装置の使用頻度を高いと仮定した予測値を求めることができる。また、平均値を用いる場合、過去の画像形成装置の使用頻度の実績に基づく予測値を求めることができる。
【００７５】
ＳＳＤ２では、保存させるデータの書き込みが行われる。さらに、ＳＳＤ２では、ガベージコレクションのような独自の追加書き込み処理が行われる。つまり、実際には、制御部１が書き込みを指示したデータの容量以上のデータの書き込みが行われる。追加の書き込み処理は、ＳＬＣモードとＭＬＣモードで変わらない又は大きな差はない。そこで、制御部１は、直前期間がＳＳＤ２をＭＬＣモードで動作させたＭＬＣモード期間のとき、直前期間の開始から終了までにＳＳＤ２に書き込みを指示したデータの総容量である期間累計容量をＳＳＤ２に記憶させる。制御部１は、期間累計容量をＳＳＤ２の全記憶容量で除して第１演算値Ａを求める。制御部１は、ＭＬＣモード期間での増加値ΔＥＣから第１演算値Ａを減じて第２演算値Ｐを求める。制御部１は、第２演算値Ｐと、求めた第１演算値Ａに所定数を乗じた値と、を加えた値を直前期間の換算値Ｙとする。これにより、実際のデータ書き込みに起因する平均消去回数ＥＣの増加分のみが所定数倍される。追加書き込みに起因する平均消去回数ＥＣの増加分は所定数倍しない。従って、ＳＬＣモードであったならば得られた増加値ΔＥＣに近い値を換算値Ｙとして得ることができる。正確な予測に役立つ
【００７６】
また、制御部１は、期間累計容量を全記憶容量で除した値の小数点以下を繰り上げた値を第１演算値Ａとして求める。これにより、ＭＬＣモード期間での平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣのうち、実際のデータ書き込みに関係する消去回数の増加値ΔＥＣを正確に求めることができる。
【００７７】
また、画像形成装置（複合機１００）は、上述のメモリーシステム１０を含む。寿命保持期間の満了前にＳＳＤ２の寿命が尽きない画像形成装置を提供することができる。ＳＬＣモードを採用するので、パフォーマンス（動作処理速度）の高い画像形成装置を提供することができる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。そこで、以下、変形例を説明する。
【００７９】
（変形例）
上記の説明では、ＭＬＣモード期間の換算値Ｙを第１演算値Ａ×所定数＋第２演算値Ｐで求める例を説明した。ここで、増加値ΔＥＣの一部は制御部１が送信したデータの書き込みに起因する。残りはＳＳＤ２独自の追加書き込み（独自消去）に起因する。第１演算値Ａは制御部１がＳＳＤ２に送信したデータの書き込みに起因する部分に対応する。第２演算値ＰはＳＳＤ２独自の追加書き込みに起因する部分に対応する。
【００８０】
そのため、ＭＬＣモード期間の増加値ΔＥＣ＝第１演算値Ａ＋第２演算値Ｐの関係がある。増加値ΔＥＣには第２演算値Ｐが含まれている。そうすると、増加値ΔＥＣと、求めた第１演算値Ａに（所定数−１）を乗じた値（加算対象値）を加えても（式３）と同じ結果が得られる。そこで、ＭＬＣモード期間の換算値Ｙを求めるとき、制御部１は、以下の式６、式７の演算を行ってもよい。
（式６）加算対象値＝第１演算値Ａ×（所定数−１）
（式７）換算値Ｙ＝加算対象値＋増加値ΔＥＣ
【００８１】
ＭＬＣモード期間での平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣには、実際のデータ書き込みに関係する増加分と、追加書き込みに関係する増加分が含まれる。ＳＬＣモードで動作させた場合の増加値ΔＥＣの予測値（換算値Ｙ）を求める場合、実際のデータ書き込みに関係する増加分のみを所定数倍すべきである。そこで、変形例では、制御部１は、直前期間がＳＳＤ２をＭＬＣモードで動作させたＭＬＣモード期間のとき、直前期間の開始から終了までにＳＳＤ２に書き込みを指示したデータの総容量である期間累計容量をＳＳＤ２に記憶させる。制御部１は、期間累計容量をＳＳＤ２の全記憶容量で除して第１演算値Ａを求める。制御部１は第１演算値Ａに所定数から１を減じた値を乗じて加算対象値を求める。制御部１は、加算対象値と、直前期間の平均消去回数ＥＣの増加値ΔＥＣと、を加えた値を直前期間の換算値Ｙとする。これにより、実際のデータ書き込みに関係する消去回数は所定数倍される。追加書き込みに関係する消去回数は所定数倍されない。従って、直前期間をＳＬＣモードで動作させたときの増加値ΔＥＣに近い値を換算値Ｙとして求めることができる。正確な予測に役立つ換算値Ｙを求めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明はＳＳＤを含むメモリーシステム、画像形成装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１００  複合機（画像形成装置）          １０    メモリーシステム
１      制御部                          ２      ＳＳＤ
２１    ＳＳＤコントローラー            ２４    フラッシュメモリー
ＥＣ    平均消去回数                    ΔＥＣ  増加値
Ｙ      換算値                          Ａ      第１演算値
Ｐ      第２演算値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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