(57)【要約】【課題】非晶質酸化物材料等からなる基材は、表面へイオン粒子のビームを照射しても、活性がすぐに低下してしまい、十分な接合強度を得ることが困難となっていた。【解決手段】第一の基材１１と第二の基材１２とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、第一の基材１１が、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなり、Ａｒ等のガス１のイオン粒子のビーム２を第一の基材１１の表面に照射して、第一の基材１１の表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材１１のスパッタ粒子Ｍｓを第二の基材１２の表面に被着させる活性化工程と、第一の基材１１のスパッタ粒子Ｍｓを被着された第二の基材１２の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材１１の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行う。【選択図】図１
2018018996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、
前記第一の基材が、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなり、
前記第一の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、
前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程と
を行うことを特徴とする基材接合方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基材接合方法において、
前記活性化工程の前に、前記第二の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第二の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第二の基材の表面を清浄化する清浄化工程を行う
ことを特徴とする基材接合方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の基材接合方法において、
前記第二の基材が、酸化物材料，窒化物材料，炭化物材料，弗化物材料，半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一つからなる
ことを特徴とする基材接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体材料や、Ｇａ系，Ｉｎ系等の化合物半導体材料や、Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属材料等からなる基材同士を常温で接合する場合、従来は、真空環境下で前記基材の表面へイオン粒子のビームをそれぞれ照射して、これら基材の表面をスパッタエッチングしてそれぞれ活性化させ、これら基材の表面を重ね合わせることにより、行うようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１０５４７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば、アモルファスＳｉＯ2等の非晶質酸化物材料や、アモルファスＳｉＮ等の非晶質窒化物材料等からなる基材は、表面へイオン粒子のビームを照射して、その表面をスパッタエッチングしても、活性がすぐに低下してしまい、接合しても十分な強度を得ることが困難となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述した課題を解決するための、第一番目の発明に係る基材接合方法は、第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、前記第一の基材が、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなり、前記第一の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行うことを特徴とする。
【０００６】
また、第二番目の発明に係る基材接合方法は、第一番目の発明において、前記活性化工程の前に、前記第二の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第二の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第二の基材の表面を清浄化する清浄化工程を行うことを特徴とする。
【０００７】
また、第三番目の発明に係る基材接合方法は、第一番目又は第二番目の発明において、前記第二の基材が、酸化物材料，窒化物材料，炭化物材料，弗化物材料，半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一つからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基材接合方法によれば、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなる第一の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材のスパッタ粒子を第二の基材の表面に被着させた後、第一の基材のスパッタ粒子を被着された第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材の表面とを重ね合わせて接合することから、例えば、第二の基材が活性の低下し易い材料からなる場合であっても、第一の基材に対して常温で高強度に接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る基材接合方法の第一番目の実施形態の手順説明及びその実施に使用する基材接合装置の概略構成を表す図である。
【図２】図１に続く手順説明図である。
【図３】図２に続く手順説明図である。
【図４】図３に続く手順説明図である。
【図５】本発明に係る基材接合方法の第二番目の実施形態の手順説明及びその実施に使用する基材接合装置の概略構成を表す図である。
【図６】図５に続く手順説明図である。
【図７】図６に続く手順説明図である。
【図８】図７に続く手順説明図である。
【図９】図８に続く手順説明図である。
【図１０Ａ】図１及び図６の作用説明図である。
【図１０Ｂ】図３及び図８の作用説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明に係る基材接合方法の実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明は、図面に基づいて説明する以下の実施形態のみに限定されるものではない。
【００１１】
〈第一番目の実施形態〉
本発明に係る基材接合方法の第一番目の実施形態を図１〜４に基づいて説明する。
【００１２】
図１に示すように、チャンバ１１１の内部の下面中央部分には、支持台１１２が載置されている。前記支持台１１２上には、上面に第一の基材１１を着脱可能に保持する下ステージ１１３が配設されている。前記チャンバ１１１の天井の上部中央部分には、軸方向を上下方向へ向けた昇降シリンダ１１４の先端側が取り付けられており、当該昇降シリンダ１１４は、ロッド１１４ａの先端側を当該チャンバ１１１の内部で昇降移動させることができるようになっている。前記昇降シリンダ１１４の前記ロッド１１４ａの先端には、下面に第二の基材１２を着脱可能に保持する上ステージ１１５が取り付けられている。
【００１３】
前記チャンバ１１１には、当該チャンバ１１１内を排気して高真空環境下にする排気ポンプ１１６が連結されている。前記チャンバ１１１の内部には、前記下ステージ１１３上に保持された第一の基材１１の表面（上面）へ送出口を向けるように配向されたＦＡＢ等のイオンガン１１８が配設されている。前記イオンガン１１８には、当該イオンガン１１８へ原料ガスであるアルゴン等のガス１を供給するガス源１１７が接続されている。
【００１４】
そして、前記第一の基材１１は、ＳｉやＧｅ等の半導体材料、ＧａＮやＧａＡｓやＧａＰ等のＧａ系や、ＩｎＰやＩｎＳｂ等のＩｎ系等の化合物半導体材料、ＡｕやＣｕやＡｌ等の金属材料、のうちの少なくとも一つからなっている。他方、前記第二の基材１２は、アモルファスＳｉＯ2等の非晶質酸化物材料、アモルファスＳｉＮ等の非晶質窒化物材料、アモルファスＳｉＣ等の非晶質炭化物材料、アモルファスＣａＦ2等の非晶質弗化物材料、のうちの少なくとも一つからなっている。
【００１５】
このような本実施形態に係る基材接合装置１００を使用する基材接合方法を次に説明する。
【００１６】
まず、前記下ステージ１１３に第一の基材１１を取り付けると共に、前記上ステージ１１５に第二の基材１２を取り付けて（以上、基材保持工程）、前記排気ポンプ１１６を作動して、前記チャンバ１１１内を排気して高真空環境下にする（以上、排気工程）。
【００１７】
次に、前記ガス源１１７からガス１を前記イオンガン１１８に送給すると共に、当該イオンガン１１８を作動させると、当該イオンガン１１８から前記下ステージ１１３上の第一の基材１１の表面（上面）へ向けて上記ガス１のイオン粒子のビーム２が照射される（図１参照）。
【００１８】
これにより、前記材料からなる第一の基材１１の表面（上面）がスパッタエッチングされて活性化されると同時に、当該第一の基材１１の上記材料からなるスパッタ粒子Ｍｓが、第二の基材１２の表面（下面）へ被着することにより（図１０Ａ参照）、上記材料のスパッタ粒子Ｍｓからなる活性層１１ａが第二の基材１２の表面（下面）に密着形成される（図２参照）（以上、活性化工程）。
【００１９】
このようにして第二の基材１２の表面（下面）に第一の基材１１の材料のスパッタ粒子Ｍｓからなる活性層１１ａを密着形成したら、前記イオンガン１１８の作動を停止した後、前記昇降シリンダ１１４を作動し、前記ロッド１１４ａを伸長して前記上ステージ１１５を下降させて、前記下ステージ１１３と前記上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に接近させ、当該下ステージ１１３に保持された第一の基材１１の活性化された表面（上面）に対して、当該上ステージ１１５に保持された第二の基材１２の表面（下面）の活性層１１ａを重ね合わせるように圧接することにより（図３参照）、活性層１１ａを介して第一の基材１１と第二の基材１２とを接合する（図１０Ｂ参照）（以上、接合工程）。
【００２０】
このようにして第一の基材１１の表面（上面）を第二の基材１２の表面（下面）に活性層１１ａを介して接合したら、前記上ステージ１１５による第二の基材１２の保持を解除した後、前記昇降シリンダ１１４を作動して、前記ロッド１１４ａを収縮して前記上ステージ１１５を上昇させて、前記下ステージ１１３と当該上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に離反させることにより、当該上ステージ１１５を第二の基材１２から取り外す（図４参照）。
【００２１】
そして、前記排気ポンプ１１６の作動を停止して、前記チャンバ１１１内を大気圧にまで戻すと共に、前記下ステージ１１３による第一の基材１１の保持を解除して、当該下ステージ１１３上から当該チャンバ１１１の外部へ取り出すことにより、接合体１０を得ることができる。
【００２２】
つまり、本実施形態では、先に説明したように、前記材料からなる第一の基材１１にビーム２を照射して当該第一の基材１１の表面を活性化させると同時に、当該第一の基材１１のスパッタ粒子Ｍｓを第二の基材１２の表面に被着させることにより、活性の低下し易い材料からなる第二の基材１２の表面に上記スパッタ粒子Ｍｓの活性層１１ａを密着形成して（活性化工程）、第一の基材１１の活性化した表面と活性層１１ａとを圧接接合することにより（接合工程）、活性の低下し易い材料からなる第二の基材１２に対して第一の基材１１を接合するようにしたのである。
【００２３】
このため、本実施形態においては、活性の低下し易い材料からなる第二の基材１２を第一の基材１１に対して常温で高強度に接合することができる。
【００２４】
したがって、本実施形態によれば、活性の低下し易い材料からなる第二の基材１２であっても、十分な接合強度を有する接合体１０を常温で作製することができる。
【００２５】
また、第一の基材１１にビーム２を照射することにより、第一の基材１１の表面を活性化させると同時に、第一の基材１１から生じたスパッタ粒子Ｍｓを第二の基材１２の表面に被着させて活性層１１ａを密着形成するようにしたことから、活性層１１ａを形成するためだけの材料や工程を不要とすることができるので、接合体１０の作製にかかるコストの上昇や手間の増加を抑制することができる。
【００２６】
ここで、本実施形態に係る基材接合方法の効果を確認するために行った実験結果を表１に示す。なお、比較のために行った従来も併せて表１に示す。
【００２７】
【表１】
2018018996.tif 000003
【００２８】
上記表１からわかるように、第一の基材と第二の基材との接合面における表面エネルギが、従来は、０．３Ｊ／ｍ2にしかならないものの、本実施形態では、１．３Ｊ／ｍ2にもなり、実用的な値（１．０Ｊ／ｍ2以上）となることが確認できた。
【００２９】
〈第二番目の実施形態〉
本発明に係る基材接合方法の第二番目の実施形態を図５〜９に基づいて説明する。ただし、前述した実施形態と同様な部分については、前述した実施形態の説明で用いた符号と同様な符号を用いることにより、前述した実施形態での説明と重複する説明を省略する。
【００３０】
図５に示すように、前記チャンバ１１１の内部には、前記上ステージ１１５に保持された第二の基材１２の表面（下面）へ送出口を向けるように配向されたＦＡＢ等のイオンガン２１８が配設されている。前記イオンガン２１８には、当該イオンガン２１８へアルゴン等のガス１を供給するガス源２１７が接続されている。
【００３１】
つまり、前述した実施形態においては、下ステージ１１３に保持された第一の基材１１のみにビーム２を照射できるようにイオンガン１１８等を配設したが、本実施形態においては、上ステージ１１５に保持された第二の基材１２にもビーム２を照射できるようにイオンガン２１８等をさらに配設するようにしたのである。
【００３２】
このような本実施形態に係る基材接合装置２００を使用する基材接合方法を次に説明する。
【００３３】
まず、前述した実施形態の場合と同様に、前記下ステージ１１３に第一の基材１１を取り付けると共に、前記上ステージ１１５に第二の基材１２を取り付けて（以上、基材保持工程）、前記排気ポンプ１１６を作動して、前記チャンバ１１１内を排気して高真空環境下にする（以上、排気工程）。
【００３４】
次に、前記ガス源２１７からガス１を前記イオンガン２１８に送給すると共に、当該イオンガン２１８を作動させると、当該イオンガン２１８から前記上ステージ１１５の第二の基材１２の表面（下面）へ向けて当該ガス１のイオン粒子のビーム２が照射される（図５参照）。これにより、第二の基材１２の表面（下面）がスパッタエッチングされて清浄化される（以上、清浄化工程）。
【００３５】
このようにして第二の基材１２の表面（下面）を清浄化したら、前記イオンガン２１８の作動を停止した後、前述した実施形態の場合と同様に、前記ガス源１１７からガス１を前記イオンガン１１８に送給すると共に当該イオンガン１１８を作動させて、当該イオンガン１１８から前記下ステージ１１３の第一の基材１１の表面（上面）へ向けて当該ガス１のイオン粒子のビーム２を照射することにより（図６参照）、前述した実施形態の場合と同様に、第一の基材１１の表面（上面）をスパッタエッチングして活性化すると同時に、当該第一の基材１１のスパッタ粒子Ｍｓを第二の基材１２の表面（下面）へ被着させて（図１０Ａ参照）、当該スパッタ粒子Ｍｓからなる活性層１１ａを第二の基材１２の表面（下面）に密着形成する（図７参照）（以上、活性化工程）。
【００３６】
そして、前述した実施形態の場合と同様に、前記イオンガン１１８の作動を停止した後、前記昇降シリンダ１１４を作動して、前記下ステージ１１３と前記上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に接近させ、前記下ステージ１１３に保持された第一の基材１１の活性化された表面（上面）に対して、前記上ステージ１１５に保持された第二の基材１２の表面（下面）の活性層１１ａを重ね合わせるように圧接することにより（図８参照）、活性層１１ａを介して第一の基材１１と第二の基材１２とを接合する（図１０Ｂ参照）（以上、接合工程）。
【００３７】
続いて、前述した実施形態の場合と同様に、前記上ステージ１１５による第二の基材１２の保持を解除した後、前記昇降シリンダ１１４を作動して前記上ステージ１１５を上昇させ、前記下ステージ１１３と当該上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に離反させたら（図９参照）、前記排気ポンプ１１６の作動を停止して、前記チャンバ１１１内を大気圧にまで戻すと共に、前記下ステージ１１３による第一の基材１１の保持を解除して、当該下ステージ１１３上から当該チャンバ１１１の外部へ接合体１０を取り出す。
【００３８】
つまり、本実施形態は、前述した実施形態において、前記活性化工程を行う前に、第二の基材１２にビーム２を照射してスパッタエッチングすることにより、第二の基材１２の表面を予め清浄化するようにしたのである。
【００３９】
このため、本実施形態においては、前述した実施形態の場合よりも、第二の基材１２の表面（下面）に対する活性層１１ａの密着性をさらに高めることができる。
【００４０】
したがって、本実施形態によれば、前述した実施形態の場合と同様な効果を得ることができるのはもちろんのこと、前述した実施形態の場合よりも高い接合強度を有する接合体１０を得ることができる。
【００４１】
なお、前記活性化工程は、第一の基材１１からのスパッタ粒子Ｍｓにより第二の基材１２の表面に必要十分な厚さ（約０．５ｎｍ程度）の活性層１１ａを形成するように当該第一の基材１１にビーム２を必要十分な時間（例えば、１分程度）照射している。これに対し、前記清浄化工程は、第二の基材１２の表面に形成されている自然酸化膜等の汚れの除去に必要十分な時間（例えば、３０秒程度）だけ第二の基材１２にビーム２を照射している。このため、前記清浄化工程は、前記活性化工程と異なり、第二の基材１２の表面の活性化にまで至らせることがない。
【００４２】
また、前記清浄化工程は、第二の基材１２の表面から除去した自然酸化膜等の汚れが第一の基材１１の表面にできるだけ付着しないように第一の基材１１と第二の基材１２との対向間隔を大きくすると好ましい。これに対し、前記活性化工程は、第一の基材１１からのスパッタ粒子Ｍｓが第二の基材１２の表面に効率よく被着できるように、第一の基材１１へのビーム２の照射を阻害しない程度に第一の基材１１と第二の基材１２との対向間隔を小さくすると好ましい。
【００４３】
〈他の実施形態〉
なお、前述した第一番目の実施形態においては、前記下ステージ１１３に第一の基材１１を保持する一方、前記上ステージ１１５に第二の基材１２を保持し、前記下ステージ１１３に保持された第一の基材１１に対して送出口を向けるように前記イオンガン１１８を配設するようにしたが、他の実施形態として、例えば、前記上ステージ１１５に第一の基材１１を保持する一方、前記下ステージ１１３に第二の基材１２を保持し、当該上ステージ１１５に保持された第一の基材１１に対して送出口を向けるようにイオンガンを配設しても、前述した第一番目の実施形態の場合と同様な作用効果を得ることができる。
【００４４】
また、前述した第二番目の実施形態においては、前記下ステージ１１３に保持された第一の基材１１に対して送出口を向けるように配向された前記イオンガン１１８と、前記上ステージ１１５に保持された第二の基材１２に対して送出口を向けるように配向された前記イオンガン２１８との二台を備えるようにしたが、他の実施形態として、例えば、前記下ステージ１１３に保持された第一の基材１１及び前記上ステージ１１５に保持された第二の基材１２に対して送出口を向けることができるように切り替え可能なイオンガンを一台備えるようにしても、前述した第二番目の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
【００４５】
また、前述した第二番目の実施形態においては、前記下ステージ１１３に第一の基材１１を保持する一方、前記上ステージ１１５に第二の基材１２を保持するようにしたが、他の実施形態として、例えば、前記上ステージ１１５に第一の基材１１を保持する一方、前記下ステージ１１３に第二の基材１２を保持するようにしても、前述した第二番目の実施形態の場合と同様な作用効果を得ることができる。
【００４６】
また、前述した実施形態においては、前記チャンバ１１１の床面側に前記支持台１１２を介して前記下ステージ１１３を配設する一方、前記チャンバ１１１の天井側に前記昇降シリンダ１１４を介して前記上ステージ１１５を配設し、当該昇降シリンダ１１４を作動させることにより、前記下ステージ１１３と前記上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に接近離反移動できるようにしたが、他の実施形態として、例えば、前記チャンバ１１１の床面側に昇降可能な移動手段を介して下ステージ１１３を配設する一方、前記チャンバ１１１の天井側に支持部材を介して上ステージ１１５を配設し、当該移動手段を作動させることにより、前記下ステージ１１３と前記上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に接近離反移動できるようにすることや、前記チャンバ１１１の床面側に昇降可能な第一の移動手段を介して下ステージ１１３を配設すると共に、前記チャンバ１１１の天井側に昇降可能な第二の移動手段を介して上ステージ１１５を配設し、当該第一，二の移動手段を作動させることにより、前記下ステージ１１３と前記上ステージ１１５とを対向方向に沿って相対的に接近離反移動できるようにすることも可能である。
【００４７】
また、前述した実施形態においては、前記第二の基材１２が、アモルファスＳｉＯ2等の非晶質酸化物材料、アモルファスＳｉＮ等の非晶質窒化物材料、アモルファスＳｉＣ等の非晶質炭化物材料、アモルファスＣａＦ2等の非晶質弗化物材料、のうちの少なくとも一つからなっている場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、第二の基材が、結晶性ＳｉＯ2等の結晶質酸化物材料、結晶性ＳｉＮ等の結晶質窒化物材料、結晶性ＳｉＣ等の結晶質炭化物材料、結晶性ＣａＦ2等の結晶質弗化物材料、を含め、さらに、前記第一の基材１１と同様に、ＳｉやＧｅ等の半導体材料、ＧａＮやＧａＡｓやＧａＰ等のＧａ系や、ＩｎＰやＩｎＳｂ等のＩｎ系等の化合物半導体材料、ＡｕやＣｕやＡｌ等の金属材料、を含めて、上述した材料のうちの少なくとも一つからなる場合であれば、前述した実施形態の場合と同様に適用することができる。
【００４８】
しかしながら、前述した実施形態のように、前記第二の基材１２が、アモルファスＳｉＯ2等の非晶質酸化物材料、アモルファスＳｉＮ等の非晶質窒化物材料、アモルファスＳｉＣ等の非晶質炭化物材料、アモルファスＣａＦ2等の非晶質弗化物材料、のうちの少なくとも一つからなっていると、本発明による基材接合方法を最も有効に利用することができるので、非常に好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る基材接合方法は、例えば、第二の基材が活性の低下し易い材料からなる場合であっても、第一の基材に対して常温で高強度に接合することができることから、産業上、極めて有益に利用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  ガス
２  ビーム
１０  接合体
１１  第一の基材
１１ａ  活性層
１２  第二の基材
１００，２００  基材接合装置
１１１  チャンバ
１１２  支持台
１１３  下ステージ
１１４  昇降シリンダ
１１４ａ  ロッド
１１５  上ステージ
１１６  排気ポンプ
１１７，２１７  ガス源
１１８，２１８  イオンガン
【図１】
2018018996.tif 000004
【図２】
2018018996.tif 000005
【図３】
2018018996.tif 000006
【図４】
2018018996.tif 000007
【図５】
2018018996.tif 000008
【図６】
2018018996.tif 000009
【図７】
2018018996.tif 000010
【図８】
2018018996.tif 000011
【図９】
2018018996.tif 000012
【図１０Ａ】
2018018996.tif 000013
【図１０Ｂ】
2018018996.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月10日(2017.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、
前記第一の基材が、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなり、
前記第一の基材のみの表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材のみの表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、
前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程と
を行うことを特徴とする基材接合方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基材接合方法において、
前記活性化工程の前に、前記第二の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第二の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第二の基材の表面を清浄化する清浄化工程を行う
ことを特徴とする基材接合方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の基材接合方法において、
前記第二の基材が、酸化物材料，窒化物材料，炭化物材料，弗化物材料，半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一つからなる
ことを特徴とする基材接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前述した課題を解決するための、第一番目の発明に係る基材接合方法は、第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、前記第一の基材が、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなり、前記第一の基材のみの表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材のみの表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る基材接合方法によれば、半導体材料，化合物半導体材料，金属材料，のうちの少なくとも一種からなる第一の基材のみの表面にイオン粒子のビームを照射して、第一の基材のみの表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材のスパッタ粒子を第二の基材の表面に被着させた後、第一の基材のスパッタ粒子を被着された第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材の表面とを重ね合わせて接合することから、例えば、第二の基材が活性の低下し易い材料からなる場合であっても、第一の基材に対して常温で高強度に接合することができる。