(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面に形成されたレジストを良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板の表面からレジストを除去するための基板処理方法において、基板を支持部材に水平に支持させる支持工程と、水蒸気とオゾンガスとの混合ガスを基板Ｗの表面付近に供給する混合ガス供給工程（ステップＴ３）と、基板Ｗの表面付近に供給された混合ガスに紫外線を照射する紫外線照射工程（ステップＴ６）とが実行される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面からレジストを除去するための基板処理方法であって、
前記基板を支持部材に水平に支持させる支持工程と、
水蒸気とオゾンガスとの混合ガスを前記基板の表面付近に供給する混合ガス供給工程と、
前記基板の表面付近に供給された混合ガスに紫外線を照射する紫外線照射工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記紫外線照射工程が、紫外線の照射によって前記基板の表面付近にヒドロキシラジカルを発生させる工程と、前記ヒドロキシラジカルによって前記レジストを分解する工程とを含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記混合ガス供給工程と並行して実行され、前記基板を加熱する第１加熱工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記紫外線照射工程と並行して実行され、前記基板を加熱する第２加熱工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記混合ガス供給工程が、前記混合ガスを吐出口から前記基板の表面に向けて吐出する混合ガス吐出工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
少なくとも前記紫外線照射工程の開始前に、前記基板を収容し、外部から遮断された空間を形成する空間形成工程と、
前記紫外線照射工程の実行中に、前記空間内を排気する排気工程とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
タンクに貯留された液体の水に前記オゾンガスを供給することによって、前記混合ガスを形成する混合ガス形成工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
基板の表面からレジストを除去するための基板処理装置であって、
前記基板を水平に支持する支持部材と、
前記基板の表面に向けて混合ガスを供給する混合ガス供給ユニットと、
前記基板の表面に向けて紫外線を照射する紫外線照射ユニットと、
前記基板の表面付近に前記混合ガス供給ユニットから前記混合ガスを供給させる混合ガス供給工程と、前記基板の表面付近に前記混合ガスが供給された状態で前記紫外線照射ユニットに紫外線を照射させる紫外線照射工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置。
【請求項９】
前記制御装置が、前記紫外線照射工程において、紫外線の照射によって前記基板の表面付近にヒドロキシラジカルを生じさせる工程と、前記ヒドロキシラジカルによってレジストを分解する工程とを実行する、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板を加熱する第１基板加熱ユニットをさらに含み、
前記制御装置が、前記混合ガス供給工程と並行して、前記第１基板加熱ユニットに前記基板を加熱させる第１加熱工程を実行する、請求項８または９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板を加熱する第２基板加熱ユニットをさらに含み、
前記制御装置が、前記紫外線照射工程と並行して、前記第２基板加熱ユニットに前記基板を加熱させる第２加熱工程を実行する、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板を収容し、外部から遮断された空間を形成する空間形成ユニットと、前記空間を排気する排気ユニットとをさらに含み、
前記制御装置が、少なくとも前記紫外線照射工程の開始前に、前記空間形成ユニットを制御して空間を形成する空間形成工程と、前記紫外線照射工程の実行中に前記排気ユニットを制御して前記空間を排気する排気工程とをさらに実行する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
液体の水を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された液体の水にオゾンガスを供給するオゾンガス供給ユニットとをさらに含み、
前記制御装置が、前記タンクに貯留された液体の水に前記オゾンガス供給ユニットから前記オゾンガスを供給させることによって、前記混合ガスを形成する混合ガス形成工程を実行する、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程では、たとえば、基板上にレジスト液を塗布してレジストを形成するレジスト塗布処理、当該レジストに所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジストを現像する現像処理を順次行うフォトリソグラフィー処理が行われる。これにより、基板上に所定のレジストパターンが形成される。そして、このレジストパターンをマスクとして、基板上の被処理膜のエッチング処理が行われる。その後、レジストを剥離することによって、基板の表面に所定のパターンが形成される。
【０００３】
下記特許文献１には、紫外線およびオゾンの作用によって基板の表面に形成されたレジストを剥離する方法が開示されている。詳しくは、この方法では、基板を収容するチャンバ内にオゾン含有ガス（オゾンと酸素との混合ガス）を供給することによって、チャンバ内がオゾン雰囲気にされる。そして、オゾン雰囲気中で基板に紫外線を照射することによって、オゾンが分解される。これにより、比較的酸化力が高い活性酸素であるヒドロキシラジカル（ＯＨラジカル）などが発生する。このヒドロキシラジカルによって、オゾンによるレジストの剥離が促進される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８６２５１号公報
【特許文献２】特表２０１３−５１０３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヒドロキシラジカルは、オゾンと水素ラジカルとが反応することによって発生しやすい。しかし、特許文献１に記載の方法では、チャンバ内に充分な水素ラジカルを供給できない。そのため、ヒドロキシラジカルを充分に発生させることができないので、レジストの剥離を充分に促進できないおそれがある。
一方、特許文献２には、基板の表面にオゾン水などの液体の膜（液膜）が形成された状態で、基板の表面に紫外線を照射する方法が開示されている。この方法では、紫外線によって水から水素ラジカルを発生させることができる。しかし、紫外線は、液膜によって吸収されてしまうため、基板の表面付近に充分に到達することができず、基板の表面付近に充分な水素ラジカルを発生させることができないおそれがある。これでは、基板の表面付近に充分なヒドロキシラジカルを発生させることができない。そのため、レジストの剥離を充分に促進できないおそれがある。
【０００６】
そこで、これらの課題を解決し、基板の表面に形成されたレジストの剥離を良好に促進することが求められている。
この発明の１つの目的は、基板の表面に形成されたレジストを良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、基板の表面からレジストを除去するための基板処理方法であって、前記基板を支持部材に水平に支持させる支持工程と、水蒸気とオゾンガスとの混合ガスを前記基板の表面付近に供給する混合ガス供給工程と、前記基板の表面付近に供給された混合ガスに紫外線を照射する紫外線照射工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、水蒸気とオゾンガスとが混合された混合ガスが、水平に支持された基板の表面付近に供給される。混合ガスに紫外線が照射されることによって、混合ガス中の水蒸気が分解される。これにより、水素ラジカルが生成される。したがって、水素ラジカルとオゾンとを反応させることによって、充分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。
【０００８】
さらに、基板の表面には水蒸気、すなわち気体の水が供給されるため、基板の表面に液体の水が付着するのを抑制することができる。そのため、液体の水による紫外線の吸収に阻害されることなく基板の表面付近でオゾンを分解させることができる。
その結果、基板の表面に形成されたレジストを良好に除去（剥離）することができる。
この発明の一実施形態では、前記紫外線照射工程が、紫外線の照射によって前記基板の表面付近にヒドロキシラジカルを発生させる工程と、前記ヒドロキシラジカルによって前記レジストを分解する工程とを含む。そのため、紫外線の照射によって発生したヒドロキシラジカルによって、レジストを確実に分解することができる。
【０００９】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記混合ガス供給工程と並行して実行され、前記基板を加熱する第１加熱工程をさらに含む。これにより、基板の表面付近の混合ガスを加熱することができる。そのため、基板の表面付近における水蒸気の液化を抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記紫外線照射工程と並行して実行され、前記基板を加熱する第２加熱工程をさらに含む。これにより、基板の表面付近に発生するレジストの分解物が加熱される。そのため、レジストの分解物を昇華させて気体の状態にすることができる。したがって、レジストの分解物が基板の表面で固化することを抑制することができる。よって、基板の表面に形成されたレジストを良好に除去することができる。
【００１０】
この発明の一実施形態では、前記混合ガス供給工程が、前記混合ガスを吐出口から前記基板の表面に向けて吐出する混合ガス吐出工程を含む。この方法によれば、水蒸気とオゾンガスとが別々の吐出口から基板の表面に向けて吐出される構成と比較して、基板の表面付近における水蒸気とオゾンガスとの割合（比率）を、基板の表面の全域において均等に保つことができる。
【００１１】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、少なくとも前記紫外線照射工程の開始前に、前記基板を収容し、外部から遮断された空間を形成する空間形成工程と、前記紫外線照射工程の実行中に、前記空間内を排気する排気工程とをさらに含む。
これにより、基板の表面付近の混合ガスに紫外線が照射される前に、外部から遮断された空間内に基板が収容される。そのため、空間内に（基板の表面付近の空間に）混合ガスを充満させた状態で紫外線を照射することができる。したがって、充分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。その一方で、紫外線の照射中には、基板を収容する空間が排気される。これにより、基板の表面で固化する前に、レジストの分解物を空間の外部に排出することができる。
【００１２】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、タンクに貯留された液体の水に前記オゾンガスを供給することによって、前記混合ガスを形成する混合ガス形成工程をさらに含む。そのため、混合ガスを準備する際に、オゾンガスとは別に水蒸気を準備してからオゾンガスと水蒸気とを混合する必要がない。つまり、混合ガスを簡単に準備することができる。
【００１３】
この発明の一実施形態では、基板の表面からレジストを除去するための基板処理装置であって、前記基板を水平に支持する支持部材と、前記基板の表面に向けて混合ガスを供給する混合ガス供給ユニットと、前記基板の表面に向けて紫外線を照射する紫外線照射ユニットと、前記基板の表面付近に前記混合ガス供給ユニットから前記混合ガスを供給させる混合ガス供給工程と、前記基板の表面付近に前記混合ガスが供給された状態で前記紫外線照射ユニットに紫外線を照射させる紫外線照射工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置を提供する。
【００１４】
この構成によれば、支持部材によって水平に支持された基板の表面付近に、水蒸気とオゾンガスとが混合された混合ガスが供給される。紫外線照射ユニットから混合ガスに紫外線が照射されることによって、混合ガス中の水蒸気が分解される。これにより、水素ラジカルが生成される。したがって、水素ラジカルとオゾンとを反応させることによって、充分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。
【００１５】
さらに、基板の表面には水蒸気、すなわち気体の水が供給されるため、基板の表面に液体の水が付着するのを抑制することができる。そのため、液体の水による紫外線の吸収に阻害されることなく基板の表面付近でオゾンを分解させることができる。
その結果、基板の表面に形成されたレジストを良好に除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記紫外線照射工程において、紫外線の照射によって前記基板の表面付近にヒドロキシラジカルを生じさせる工程と、前記ヒドロキシラジカルによってレジストを分解する工程とを実行する。そのため、紫外線の照射によって発生したヒドロキシラジカルによって、レジストを確実に分解することができる。
【００１６】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板を加熱する第１基板加熱ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記混合ガス供給工程と並行して、前記第１基板加熱ユニットに前記基板を加熱させる第１加熱工程を実行する。そのため、第１基板加熱ユニットを用いて基板の表面付近の混合ガスを加熱することができる。したがって、基板の表面付近における水蒸気の液化を抑制することができる。
【００１７】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板を加熱する第２基板加熱ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記紫外線照射工程と並行して、前記第２基板加熱ユニットに前記基板を加熱させる第２加熱工程を実行する。そのため、第２基板加熱ユニットを用いて基板の表面付近に発生するレジストの分解物を加熱することができる。これにより、レジストの分解物を昇華させて気体の状態にすることができる。したがって、レジストの分解物が基板の表面で固化することを抑制することができる。よって、基板の表面に形成されたレジストを良好に除去することができる。
【００１８】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板を収容し、外部から遮断された空間を形成する空間形成ユニットと、前記空間を排気する排気ユニットとをさらに含む。そして、前記制御装置が、少なくとも前記紫外線照射工程の開始前に、前記空間形成ユニットを制御して空間を形成する空間形成工程と、前記紫外線照射工程の実行中に前記排気ユニットを制御して前記空間を排気する排気工程とをさらに実行する。
【００１９】
これにより、空間形成ユニットによって、基板の表面付近の混合ガスに紫外線が照射される前に、外部から遮断された空間が形成され、当該空間に基板が収容される。そのため、空間内に（基板の表面付近の空間に）混合ガスを充満させた状態で、紫外線照射ユニットから紫外線を照射させることができる。したがって、充分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。その一方で、紫外線の照射中には、排気ユニットによって、基板を収容する空間が排気される。これにより、基板の表面で固化する前に、レジストの分解物を空間の外部に排出することができる。
【００２０】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、液体の水を貯留するタンクと、前記タンクに貯留された液体の水にオゾンガスを供給するオゾンガス供給ユニットとをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記タンクに貯留された液体の水に前記オゾンガス供給ユニットから前記オゾンガスを供給させることによって、前記混合ガスを形成する混合ガス形成工程を実行する。この構成によれば、タンクに貯留された液体の水に、オゾンガス供給ユニットからオゾンガスを供給することによって混合ガスが形成される。そのため、混合ガスを準備する際に、オゾンガスとは別に水蒸気を準備してからオゾンガスと水蒸気とを混合する必要がない。つまり、混合ガスを簡単に準備することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための模式的な平面図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられたガス処理ユニットの模式図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面の模式図である。
【図４】図４は、前記ガス処理ユニットに備えられた混合ガス供給ユニットおよび排出ユニットの構成を説明するための模式図である。
【図５】図５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図６】図６は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。
【図７】図７は、図６に示す基板処理が実行される前後の基板の断面の状態を示す模式図である。
【図８】図８は、図６に示すドライ処理工程（図６のステップＳ２）の一例を示す流れ図である。
【図９Ａ】図９Ａは、前記ドライ処理工程を説明するための模式図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、前記ドライ処理工程を説明するための模式図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、前記ドライ処理工程を説明するための模式図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、前記ドライ処理工程を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、酸化剤の酸化ポテンシャルと共有結合の結合エネルギーとを比較するためのグラフである。
【図１１】図１１は、本実施形態の第１変形例に係るガス処理ユニットの模式図である。
【図１２】図１２は、本実施形態の第２変形例に係るガス処理ユニットの模式図である。
【図１３】図１３は、本実施形態の第３変形例に係るガス処理ユニットのフードを下方から見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容する複数のキャリアＣをそれぞれ保持するロードポートＬＰと、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理流体で処理する複数の処理ユニット２とを含む。処理流体には、基板Ｗを処理する気体である処理ガスと、基板Ｗを処理する液体である処理液とが含まれる。
【００２３】
基板処理装置１は、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に延びる搬送経路上に配置されたインデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨおよび主搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。
インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰとシャトルＳＨとの間で基板Ｗを搬送する。シャトルＳＨは、インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。主搬送ロボットＣＲは、シャトルＳＨと複数の処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。図１に示す太線の矢印は、インデクサロボットＩＲの移動方向や、シャトルＳＨの移動方向を示している。
【００２４】
複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つのタワーを形成している。各タワーは、上下方向に積層された複数の処理ユニット２を含む。タワーは、搬送経路の両側に２つずつ配置されている。複数の処理ユニット２は、基板Ｗを乾燥させたまま当該基板Ｗを処理する複数のドライ処理ユニット２Ｄと、処理液で基板Ｗを処理する複数のウェット処理ユニット２Ｗとを含む。ロードポートＬＰ側の２つのタワーは、複数のドライ処理ユニット２Ｄによって構成されている。残りの２つのタワーは、複数のウェット処理ユニット２Ｗによって構成されている。
【００２５】
ウェット処理ユニット２Ｗは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたウェットチャンバ９と、ウェットチャンバ９の搬入搬出口を開閉するシャッタ１０と、ウェットチャンバ９内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中心部を通る回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１１と、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数のノズル１２，１３とを含む。複数のノズル１２，１３には、薬液を吐出する薬液ノズル１２と、リンス液を吐出するリンス液ノズル１３とが含まれる。
【００２６】
ドライ処理ユニット２Ｄは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたドライチャンバ４と、ドライチャンバ４の搬入搬出口を開閉するシャッタ５と、水蒸気とオゾンガス（Ｏ３ガス）との混合ガスによって基板Ｗを処理するガス処理ユニット８とを含む。
図２は、ガス処理ユニット８の構成例を説明するための模式図である。
ガス処理ユニット８は、基板Ｗが水平な姿勢となるように基板Ｗを下方から支持する支持部材２３と、支持部材２３を加熱することによって支持部材２３に支持された基板Ｗを加熱するヒータ２２と、支持部材２３に上方から対向するフード３０と、支持部材２３およびベースリング２７に対してフード３０を昇降させるフード昇降ユニット２９とを含む。ガス処理ユニット８は、下方からフード３０を支持するベースリング２７と、フード３０とベースリング２７との間を密閉するＯリング２８と、支持部材２３とフード３０との間で基板Ｗを水平に支持する複数のリフトピン２４と、複数のリフトピン２４を昇降させるリフト昇降ユニット２６とをさらに含む。
【００２７】
ヒータ２２は、ヒータ２２に電力を供給するヒータ通電ユニット３１に接続されている。ヒータ２２は、本実施形態では支持部材２３に下方から隣接しているが、本実施形態とは異なり支持部材２３の内部に配置されていてもよい。
支持部材２３は、基板Ｗの下方に配置される円板状のベース部２３ｂと、ベース部２３ｂの上面から上方に突出する複数の半球状の突出部２３ａと、ベース部２３ｂの外周面から外方に突出する円環状のフランジ部２３ｃとを含む。ベース部２３ｂの上面は、基板Ｗの下面と平行で、基板Ｗの外径以上の外径を有している。複数の突出部２３ａは、ベース部２３ｂの上面から上方に離れた位置で基板Ｗの下面に接触する。複数の突出部２３ａは、基板Ｗが水平に支持されるように、ベース部２３ｂの上面内の複数の位置に配置されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面がベース部２３ｂの上面から上方に離れた状態で水平に支持される。フランジ部２３ｃには、ベースリング２７が連結されている。
【００２８】
ドライ処理ユニット２Ｄは、ヒータ２２によって加熱された基板Ｗをドライチャンバ４内で冷却する冷却ユニット７（図１参照）と、ガス処理ユニット８によって加熱された基板Ｗをドライチャンバ４内で基板Ｗを搬送する室内搬送機構６（図１参照）とを含んでいてもよい。
複数のリフトピン２４は、支持部材２３を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。ガス処理ユニット８の外から貫通穴への流体の進入は、リフトピン２４を取り囲むベローズ２５によって防止される。ガス処理ユニット８は、ベローズ２５に代えてもしくはベローズ２５に加えて、リフトピン２４の外周面と貫通穴の内周面との間の隙間を密閉するＯリングを備えていてもよい。リフトピン２４は、基板Ｗの下面に接触する半球状の上端部を含む。複数のリフトピン２４の上端部は、同じ高さに配置されている。
【００２９】
リフト昇降ユニット２６は、複数のリフトピン２４の上端部が支持部材２３よりも上方に位置する上位置（図９Ａおよび図９Ｂに示す位置）と、複数のリフトピン２４の上端部が支持部材２３の内部に退避した下位置（図２に示す位置）との間で、複数のリフトピン２４を鉛直方向に移動させる。リフト昇降ユニット２６は、電動モータまたはエアシリンダであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。
【００３０】
フード昇降ユニット２９は、上位置（図９Ａに示す位置）と下位置（図２に示す位置）との間でフード３０を鉛直に移動させる。上位置は、基板Ｗがフード３０の下面とベースリング２７の上面との間を通過できるようにフード３０の下面がベースリング２７の上面から上方に離れた位置である。下位置は、フード３０の下面とベースリング２７の上面との間の隙間が密閉され、支持部材２３に支持された基板Ｗを収容する空間Ｓが形成される位置である。フード昇降ユニット２９は、電動モータまたはエアシリンダであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。
【００３１】
ガス処理ユニット８は、基板Ｗの上面に向けて混合ガスを供給する混合ガス供給ユニット１４と、空間Ｓを排気する排気ユニット１５と、基板Ｗの上面に向けて紫外線を照射する紫外線照射ユニット１６とをさらに含む。
混合ガス供給ユニット１４は、基板Ｗの上面に向けて混合ガスを吐出する複数の混合ガスノズル４０と、混合ガス供給源４１からの混合ガスを複数の混合ガスノズル４０に供給する混合ガス供給管４２と、混合ガス供給管４２に介在された混合ガスバルブ４３とを含む。複数の混合ガスノズル４０は、フード３０の下面において基板Ｗに対向する位置で開口する吐出口４０ａを有する。混合ガスバルブ４３は、複数の混合ガスノズル４０への混合ガスの供給の有無を切り替える。
【００３２】
排気ユニット１５は、支持部材２３の上面で開口する複数の排出口５０ａを有し、空間Ｓ内の気体を空間Ｓ外に導く排気管５２と、排気管５２に介在されその流路を開閉する排気バルブ５３とを含む。
紫外線照射ユニット１６は、複数の紫外線ランプ６０と、複数の紫外線ランプ６０に接続されたランプ通電ユニット６１とを含む。紫外線ランプ６０は、ランプ通電ユニット６１から給電されることによって紫外線を発する。本実施形態では、各紫外線ランプ６０にランプ通電ユニット６１が１つずつ設けられていているが、複数の紫外線ランプ６０に対して共通のランプ通電ユニットが設けられていてもよい。複数の紫外線ランプ６０は、フード３０の下面に取り付けられており、少なくともその一部が基板Ｗに対向している。紫外線ランプ６０は、たとえば、１８５ｎｍの紫外線を照射する低圧水銀ランプから構成される。
【００３３】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面の模式図である。
複数の混合ガスノズル４０には、基板Ｗの中心部と対向する位置で開口する吐出口４０ａを有する中心ノズル４０Ａと、基板Ｗの外周部と対向する位置で開口する吐出口４０ａを有する複数の外周ノズル４０Ｂとを含む。基板Ｗの中心部とは、平面視で基板Ｗの中心に位置する部分のことである。基板Ｗの外周部とは、平面視で基板Ｗの中心部と基板Ｗの周縁部との間の部分のことである。複数の外周ノズル４０Ｂは、基板Ｗの中心部を通る鉛直線Ａ２まわりに等間隔で配置されている。外周ノズル４０Ｂは、たとえば、９０°間隔で合計４つ設けられている。
【００３４】
紫外線ランプ６０は、基板Ｗの中心部付近と対向する中心ランプ６０Ａと、基板Ｗの外周部と対向する複数の外周ランプ６０Ｂとを含む。中心ランプ６０Ａは、平面視で中心ノズル４０Ａを取り囲み、複数の外周ノズル４０Ｂよりも鉛直線Ａ２側に位置する。複数の外周ランプ６０Ｂは、鉛直線Ａ２まわりに等間隔で配置されている。複数の外周ランプ６０Ｂは、たとえば、９０°間隔で合計４つ設けられている。複数の外周ランプ６０Ｂは、複数の外周ノズル４０Ｂよりも鉛直線Ａ２側とは反対側に位置している。複数の外周ランプ６０Ｂは、基板Ｗの周縁部にも対向している。
【００３５】
図４は、ガス処理ユニット８に備えられた混合ガス供給ユニット１４および排気ユニット１５の構成を説明するための模式図である。
混合ガス供給源４１は、液体の水が貯留されたタンク４１Ａと、タンク４１Ａに貯留された液体の水にオゾンガスを供給するオゾンガス供給ユニット４１Ｂとを含む。オゾンガス供給ユニット４１Ｂは、タンク４１Ａ内の水にオゾンガスを供給するオゾンガスノズル４４と、オゾンガス供給源からのオゾンガスをオゾンガスノズル４４に供給するオゾン供給管４５と、オゾン供給管４５に介装されたオゾンガスバルブ４６とを含む。オゾンガスノズル４４は、タンク４１Ａ内の水中に配置された吐出口４４ａを有する。オゾンガスバルブ４６は、、オゾンガスノズル４４へのオゾンガスの供給の有無を切り替える。
【００３６】
混合ガス供給ユニット１４の混合ガス供給管４２は、混合ガスバルブ４３が介装された主配管４２Ａと、主配管４２Ａの他端から分岐された複数の分岐配管４２Ｂとを含む。主配管４２Ａは、タンク４１Ａ内で水面よりも上方の位置に設けられた吸気口４２ａを有する。分岐配管４２Ｂは、混合ガスノズル４０と同数設けられており、各分岐配管４２Ｂは、対応する混合ガスノズル４０に1つずつ連結されている。
【００３７】
排気ユニット１５の排気管５２は、排気バルブ５３およびフィルタ５４が介装された主配管５２Ａと、主配管５２Ａから分岐され、それぞれが排出口５０ａ（図２も参照）を１つずつ有する分岐配管５２Ｂとを含む。フィルタ５４は、空間Ｓから排出される気体をろ過するためのものである。
混合ガスバルブ４３、オゾンガスバルブ４６、タンク４１Ａ、排気バルブ５３およびフィルタ５４は、ドライチャンバ４に隣接する流体ボックス１７内に配置されている。
【００３８】
図５は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御装置３は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含み、プロセッサ３Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。とくに、制御装置３は、インデクサロボットＩＲ、主搬送ロボットＣＲ、シャトルＳＨ、昇降ユニット２６，２９、通電ユニット３１，６１、バルブ類４３，４６，５３およびウェット処理ユニット２Ｗなどの動作を制御する。
【００３９】
図６は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を示す工程図であり、主として、制御装置３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図７は、図６に示す基板Ｗの処理の一例が実行される前と後の基板Ｗの断面を示す模式図である。
図７の左側に示すように、基板処理装置１で処理される基板Ｗは、レジストのパターンＰＲで覆われた薄膜をエッチングして、薄膜のパターンＰＦを形成するエッチング処理工程が行われた基板である。つまり、このような基板Ｗが収容されたキャリアＣがロードポートＬＰ上に置かれる。以下で説明するように、基板処理装置１による基板処理では、薄膜のパターンＰＦ上に位置するレジストのパターンＰＲが除去される（レジスト除去工程）。図７の右側は、レジスト除去工程が行われた基板Ｗの断面を示している。
【００４０】
基板処理装置１で基板Ｗを処理するときは、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、および主搬送ロボットＣＲが、ロードポートＬＰに置かれたキャリアＣ内の基板Ｗをドライ処理ユニット２Ｄに搬送する（図６のステップＳ１）。ドライ処理ユニット２Ｄでは、混合ガスで基板Ｗを処理するドライ処理工程が行われる（図６のステップＳ２）。その後、主搬送ロボットＣＲが、ドライ処理ユニット２Ｄ内の基板Ｗをウェット処理ユニット２Ｗに搬入する（図６のステップＳ３）。
【００４１】
ウェット処理ユニット２Ｗでは、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に処理液を供給するウェット処理工程が行われる（図６のステップＳ４）。具体的には、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２に薬液を吐出させる薬液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１３にリンス液を吐出させるリンス液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを高速回転させることにより基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる。続いて、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、および主搬送ロボットＣＲが、ウェット処理ユニット２Ｗ内の基板ＷをロードポートＬＰに置かれたキャリアＣに搬送する（図６のステップＳ５）。
【００４２】
図８は、ドライ処理工程（図６のステップＳ２）の一例を示す流れ図である。図９Ａ〜図９Ｄは、ドライ処理工程（図６のステップＳ２）を説明するための模式図である。
図９Ａに示すように、ドライ処理ユニット２Ｄに基板Ｗを搬入するときは、フード昇降ユニット２９がフードを上位置に位置させ、リフト昇降ユニット２６が複数のリフトピン２４を上位置に位置させる。この状態で、主搬送ロボットＣＲは、ハンドＨで基板Ｗを支持しながら、ハンドＨをドライチャンバ４内に進入させる。その後、デバイス形成面である表面が上に向けられた基板Ｗが複数のリフトピン２４上に置かれる。主搬送ロボットＣＲは、ハンドＨ上の基板Ｗをドライ処理ユニット２Ｄに渡した後、ハンドＨをドライチャンバ４の外に移動させる。その後、ドライチャンバ４の搬入搬出口が閉じられる。このように、ドライチャンバ４への基板Ｗの搬入が完了する（ステップＴ１）。基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲのハンドＨによって複数のリフトピン２４上に置かれてもよいし、室内搬送機構６（図１参照）によって複数のリフトピン２４上に置かれてもよい。
【００４３】
図９Ｂに示すように、フード昇降ユニット２９が、フード３０を下位置に移動させる（ステップＴ２）。これにより、フード３０と支持部材２３との間に、基板Ｗを収容する空間Ｓが形成される（空間形成工程）。フード３０と支持部材２３とは、基板Ｗを収容する空間形成ユニットとして機能する。同時に、リフト昇降ユニット２６が、複数のリフトピン２４を下位置に移動させる。これにより、基板Ｗが支持部材２３に支持される（支持工程）。
【００４４】
ヒータ通電ユニット３１は、基板Ｗが支持部材２３に支持される前からヒータ２２を通電している。そのため、支持部材２３は、基板Ｗが支持部材２３に支持される前からヒータ２２によって加熱されている。支持部材２３は、室温よりも高い温度（たとえば、１００℃以上）に維持されている。基板Ｗが支持部材２３に支持されると、基板Ｗの加熱が開始される（ステップＴ３）。
【００４５】
次に、図９Ｃに示すように、オゾンガスバルブ４６が開かれ、タンク４１Ａ内の水中にオゾンガスが送り込まれる。詳しくは、バブリングによって、タンク４１Ａ内の水中をオゾンガスの気泡に通過させる。これにより、気泡内に水蒸気が発生し、この水蒸気がオゾンガスと混ざり、混合ガスが形成される（混合ガス形成工程）。そして、混合ガスバルブ４３が開かれ、タンク４１Ａおよび混合ガス供給管４２を介して、複数の混合ガスノズル４０の吐出口４０ａから混合ガスが吐出される（ステップＴ４）。すなわち、混合ガス吐出工程が実行される。これにより、空間Ｓ内に混合ガスが供給される。
【００４６】
そして、排気バルブ５３が開かれる（ステップＴ５）。これにより、空間Ｓ内の空気が混合ガスによって空間Ｓの外部に押し出される。空間Ｓへの混合ガスの供給を続けることにより、空間Ｓ内に混合ガスが充満する。空間Ｓ内に混合ガスが充満することによって、基板Ｗの上面付近にも混合ガスが充分に供給される（混合ガス供給工程）。
また、基板Ｗの上面付近の混合ガスに供給されている間も、ヒータ２２によって基板Ｗは、加熱されている（第１加熱工程）。すなわち、第１加熱工程は、混合ガス供給工程と並行して行われる。ヒータ２２は、基板Ｗを加熱する第１加熱ユニットとして機能する。
【００４７】
そして、図９Ｄに示すように、基板Ｗの上面付近に混合ガスが供給された状態で、紫外線ランプ６０に通電することによって、紫外線ランプ６０から紫外線を照射させる（ステップＴ６）。これにより、基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線が照射される（紫外線照射工程）。
基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線が照射され始める前（紫外線照射工程の前）には、既に空間Ｓが形成されている。また、基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線が照射されている間も、排気バルブ５３は開かれた状態で維持されている。したがって、空間Ｓを排気する排気工程は、紫外線照射工程の実行中に行われている。
【００４８】
また、基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線が照射されている間も、ヒータ２２によって基板Ｗは、加熱されている（第２加熱工程）。すなわち、第２加熱工程は、紫外線照射工程と並行して行われる。ヒータ２２は、基板Ｗを加熱する第２加熱ユニットとして機能する。本実施形態では、ヒータ２２が基板Ｗを加熱することによって、第１加熱工程と第２加熱工程とが並行して実行される。
【００４９】
詳しくは後述するが、基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線を照射することによって、基板Ｗの上面に形成されたレジストが酸化されて分解される。その結果、基板Ｗの上面からレジストのパターンＰＲが除去される。
そして、所定の時間、紫外線照射を行った後、基板Ｗの上面からランプ通電ユニット６１が紫外線ランプ６０に対する通電を停止する（ステップＴ７）。そして、混合ガスバルブ４３が閉じられて空間Ｓへの混合ガスの供給が停止される（ステップＴ８）。そして、排気バルブ５３が閉じられて、空間Ｓの排気が停止される（ステップＴ９）。その後、フード昇降ユニット２９がフード３０を上位置まで上昇させる（ステップＴ１０）。
【００５０】
そして、支持部材２３上の基板Ｗは、複数のリフトピン２４によって持ち上げられる。主搬送ロボットＣＲは、基板Ｗが冷却ユニット７（図１参照）で冷却された後、ハンドＨで基板Ｗを受け取る。その後、主搬送ロボットＣＲは、ハンドＨ上の基板Ｗをウェット処理ユニット２Ｗに搬入する。
本実施形態によれば、支持部材２３によって水平に支持された基板Ｗの上面付近に、水蒸気とオゾンガスとが混合された混合ガスが供給される。そして、紫外線照射ユニット１６から混合ガスに紫外線が照射されることによってヒドロキシラジカル（・ＯＨ）が発生する。詳しくは、まず、紫外線の照射によって、下記化１式のように、水蒸気（Ｈ２Ｏ）が分解されてヒドロキシラジカル（・ＯＨ）と水素ラジカル（・Ｈ）とが発生する。
【００５１】
【化１】
2018163980.tif 000003
【００５２】
そして、下記化２式のように、水素ラジカル（・Ｈ）とオゾン（Ｏ３）とが反応し、ヒドロキシラジカル（・ＯＨ）と酸素（Ｏ２）とが発生する。
【００５３】
【化２】
2018163980.tif 000004
【００５４】
したがって、水蒸気（Ｈ２Ｏ）の分解、および、水素ラジカル（・Ｈ）とオゾン（Ｏ３）との反応によって、充分な量のヒドロキシラジカル（・ＯＨ）を発生させることができる。
さらに、基板Ｗの上面には水蒸気（気体の水）が供給されるため、基板Ｗの上面に水滴（液体の水）が付着するのを抑制することができる。そのため、液体の水による紫外線の吸収に阻害されることなく基板Ｗの上面付近でオゾンを分解させることができる。
【００５５】
このように発生したヒドロキシラジカルおよびオゾンによって、レジストを構成するフェノール樹脂が酸化される。これにより、フェノール樹脂が、酢酸やシュウ酸などの低級カルボン酸に分解される。そして、ヒドロキシラジカルおよびオゾンによってこれらの低級カルボン酸がさらに酸化されて二酸化炭素と水とに分解される。このように、ヒドロキシラジカルおよびオゾンによってレジストが分解される。
【００５６】
以上のように、充分な量のヒドロキシラジカルによって、基板Ｗの上面に形成されたレジストが分解されるので、基板Ｗの表面からレジストを良好に除去することができる。
なお、ヒドロキシラジカルの寿命は、１．０×１０−６ｓｅｃであるところ、本実施形態の構成（方法）によれば、基板Ｗの上面付近でヒドロキシラジカルを発生させることができる。そのため、ヒドロキシラジカルが消滅する前にレジストを分解するヒドロキシルラジカルの量を増大させることができる。
【００５７】
言い換えると、本実施形態では、紫外線照射工程が、紫外線の照射によって基板Ｗの上面付近にヒドロキシラジカルを発生させる工程と、ヒドロキシラジカルによってレジストを分解する工程とを含んでいる。したがって、紫外線照射ユニット１６からの紫外線の照射によって発生したヒドロキシラジカルによって、レジストを確実に分解することができる。
【００５８】
ここで、レジストの分解のメカニズムについて説明する。基板Ｗの表面に形成されたレジストを構成する分子内には、炭素同士の二重結合（Ｃ＝Ｃ）が含まれており、この二重結合が酸化により切断されることによって、レジストが分解される。
図１０は、酸化剤の酸化ポテンシャルと共有結合の結合エネルギーとを比較するためのグラフである。図１０に示すグラフの右半分には、有機化合物に含まれる代表的な共有結合を切断するために必要な結合エネルギーが示されている。図１０に示すグラフの左半分には、代表的な酸化剤の酸化能力の指標として酸化ポテンシャルが示されている。酸化剤の酸化ポテンシャルが、共有結合の結合エネルギーよりも高い場合、酸化により共有結合が切断される。図１０に示すように、炭素同士の二重結合（Ｃ＝Ｃ）の結合エネルギーは、１．５Ｖである。一方、オゾン（Ｏ３）の酸化ポテンシャルは、２．０７Ｖであり、ヒドロキシラジカル（・ＯＨ）の酸化ポテンシャルは、２．８１Ｖである。したがって、炭素同士の二重結合（Ｃ＝Ｃ）は、オゾン（Ｏ３）およびヒドロキシラジカル（・ＯＨ）のいずれによっても酸化される。オゾン（Ｏ３）の酸化ポテンシャルよりもヒドロキシラジカル（・ＯＨ）の酸化ポテンシャルの方が高いため、ヒドロキシラジカルをより多く発生させることによって、炭素同士の二重結合（Ｃ＝Ｃ）を効率的に酸化させることができる。すなわち、レジストを効率的に分解することができる。
【００５９】
また、本実施形態によれば、混合ガス供給工程と並行して、基板Ｗを加熱する第１加熱工程が実行される。そのため、ヒータ２２によって、基板Ｗの上面付近の混合ガスが加熱される。したがって、基板Ｗの上面付近における水蒸気の液化を抑制することができる。
また、本実施形態によれば、紫外線照射工程と並行して、基板Ｗを加熱する第２加熱工程が実行される。そのため、ヒータ２２によって、基板Ｗの上面付近に発生するレジストの分解物が加熱される。これにより、レジストの分解物を昇華させて気体の状態にすることができる。したがって、レジストの分解物が基板Ｗの上面で固化することを抑制することができる。よって、基板Ｗの表面に形成されたレジストを良好に除去することができる。紫外線照射工程と並行して、基板Ｗを加熱する第２加熱工程が実行されることによって、紫外線照射工程においても基板Ｗの上面付近における水蒸気の液化を抑制することができる。
【００６０】
また、本実施形態によれば、混合ガス供給工程において、吐出口４０ａから基板Ｗの上面に向けて混合ガスが吐出される（混合ガス吐出工程）。これにより、混合ガスが基板Ｗの上面に向けて吐出口４０ａから吐出される。そのため、水蒸気とオゾンガスとが別々の吐出口から基板Ｗの上面に向けて吐出される構成と比較して、基板の上面の全域において、基板Ｗの上面付近における水蒸気とオゾンガスとの割合（比率）を均等に保つことができる。
【００６１】
また、本実施形態によれば、紫外線照射工程の開始前に空間Ｓが形成され（空間形成工程）、紫外線照射工程の実行中に、空間Ｓ内が排気される（排気工程）。
これにより、基板Ｗの上面付近の混合ガスに紫外線が照射される前に、外部から遮断された空間Ｓ内に基板Ｗが収容される。そのため、空間Ｓ内に（基板Ｗの上面付近の空間に）混合ガスを充満させた状態で紫外線を照射することができる。したがって、充分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。その一方で、紫外線の照射中には、空間Ｓが排気される。これにより、レジストの分解物が基板Ｗの上面で固化する前に、レジストの分解物を空間Ｓの外部に排出することができる。
【００６２】
また、本実施形態によれば、タンク４１Ａに貯留された液体の水に、オゾンガス供給ユニット４１Ｂからオゾンガスが供給されることによって、混合ガスが形成される（混合ガス形成工程）。そのため、混合ガスを準備する際に、オゾンガスとは別に水蒸気を準備してからオゾンガスと水蒸気とを混合する必要がない。つまり、オゾンガスとは別に水蒸気を準備する場合と比較して、簡単に混合ガスを準備することができる。
【００６３】
図１１は、本実施形態の第１変形例に係るガス処理ユニット８の模式図である。第１変形例に係るガス処理ユニット８では、各混合ガスノズル４０に混合ガス供給管４２が１つずつ連結されている。混合ガス供給管４２は、混合ガスノズル４０に連結された合流配管４２Ｃと、水蒸気供給源から供給される水蒸気を合流配管４２Ｃに供給する水蒸気配管４２Ｄと、オゾンガス供給源から供給されるオゾンガスを合流配管４２Ｃに供給するオゾンガス配管４２Ｅとを含む。水蒸気配管４２Ｄ内の水蒸気と、オゾンガス配管４２Ｅ内のオゾンガスとは、合流配管４２Ｃ内で混合される。合流配管４２Ｃ内で混合された混合ガスは、混合ガスノズル４０から供給される。そして、水蒸気配管４２Ｄには、その流路を開閉する水蒸気バルブ４３Ｄが介装されている。オゾンガス配管４２Ｅには、その流路を開閉するオゾンガスバルブ４３Ｅが介装されている。
【００６４】
第１変形例に係る基板処理装置１においても本実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理を実行することができる。また、第１変形例においても本実施形態と同様の効果を奏する。また、第１変形例では、水蒸気バルブ４３Ｄおよびオゾンガスバルブ４３Ｅの開度を調整することによって、混合ガスにおける水蒸気とオゾンガスとの成分比率（割合）を調整することができる。たとえば、混合ガス中に含まれる水蒸気が多過ぎると、基板Ｗの上面に水滴が付着しやすい。その一方で、混合ガス中に含まれる水蒸気が少な過ぎると、ヒドロキシラジカルを充分に発生させられない。混合ガスにおける水蒸気の割合を調整することによって、ヒドロキシラジカルを充分に発生させつつ基板Ｗの上面への水滴の付着を抑制することができる。
【００６５】
図１２は、本実施形態の第２変形例に係るガス処理ユニット８の模式図である。第２変形例に係るガス処理ユニット８では、水蒸気とオゾンガスとが別々の吐出口８０ａ，８１ａから吐出されるように構成されている。混合ガス供給ユニット１４が、混合ガスノズル４０の代わりに、水蒸気を吐出する水蒸気ノズル８０と、オゾンガスを吐出するオゾンガスノズル８１とを含む。水蒸気ノズル８０は、吐出口８０ａを有する。オゾンガスノズル８１は、吐出口８１ａを有する。混合ガス供給ユニット１４は、水蒸気供給源からの水蒸気を水蒸気ノズル８０に供給する水蒸気供給管８２と、水蒸気供給管８２に介装されその流路を開閉する水蒸気バルブ８３と、オゾンガス供給源からのオゾンガスをオゾンガスノズル８１に供給するオゾンガス供給管８４と、オゾンガス供給管８４に介装されその流路を開閉するオゾンガスバルブ８５とを含む。水蒸気ノズル８０から吐出される水蒸気と、オゾンガスノズル８１から吐出されるオゾンガスとが、空間Ｓ内で混合されることによって、混合ガスが形成される。空間Ｓ内で混合ガスが形成されることによって、基板Ｗの上面付近に混合ガスが供給される。
【００６６】
第２変形例に係る基板処理装置１においても本実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理を実行することができる。また、第２変形例においても本実施形態と同様の効果を奏する。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
【００６７】
たとえば、上述の実施形態では、混合ガス供給工程と紫外線照射工程とが並行して実行された。しかし、上述の実施形態とは異なり、混合ガスの供給を停止してから紫外線の照射を開始してもよい。すなわち、図８において、紫外線照射開始（ステップＴ６）の前に、混合ガス供給停止（ステップＴ８）が実行されてもよい。
このような場合、第１加熱工程の終了後に第２加熱工程が開始される。そのため、混合ガス供給工程において基板Ｗを加熱する第１加熱工程と、紫外線照射工程において基板Ｗを加熱する第２加熱工程とで、ヒータ２２の温度を変更することが可能である。たとえば、レジストの分解物の昇華温度と、基板Ｗの表面に水滴が付着しないようにするために必要な温度とが異なる場合、それぞれに合わせて、第１加熱工程における基板Ｗの温度と第２加熱工程における基板Ｗの温度とを変更することが可能である。また、第１加熱工程の終了後に第２加熱工程が開始される場合、ヒータ２２の代わりに、第１加熱工程で基板Ｗを加熱する第１ヒータと第２加熱工程で基板Ｗを加熱する第２ヒータとが設けられていてもよい。
【００６８】
また、上述の実施形態では、混合ガスの供給の開始前にフード３０を下降させて空間Ｓを形成した。しかし、上述の実施形態とは異なり、混合ガスの供給を開始してから空間Ｓを形成してもよい。すなわち、図８において、フード下降（ステップＴ２）の前に、混合ガス供給開始（ステップＴ４）が実行されてもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、排気ユニット１５が、排気管５２に連結され、排出口５０ａを介して空間Ｓを排気する真空ポンプなどの排気ポンプ（図示せず）を含んでいてもよい。
【００６９】
また、上述の実施形態とは異なり、図１３に示すように、紫外線ランプ６０は、中心ランプ６０Ａおよび外周ランプ６０Ｂ（図３参照）の代わりに、直線状に延びる棒状ランプ６０Ｃを含んでいてもよい。紫外線ランプ６０は、これらの形態に限られず、基板Ｗの表面全体に満遍なくヒドロキシラジカルを発生させるために、基板Ｗ全体に満遍なく対向するように設けられていることが好ましい。
【００７０】
また、図３に二点鎖線で示すように、混合ガスノズル４０の複数の外周ノズル４０Ｂは、基板Ｗの中心部を通る鉛直線Ａ２と直交する径方向に並んで配置されていてもよい。また、径方向に並んで配置された複数の外周ノズル４０Ｂが鉛直線Ａ２まわりに等間隔で配置されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００７１】
１      ：基板処理装置
３      ：制御装置
１４    ：混合ガス供給ユニット
１５    ：排気ユニット
１６    ：紫外線照射ユニット
２２    ：ヒータ（第１基板加熱ユニット、第２基板加熱ユニット）
２３    ：支持部材（空間形成ユニット）
３０    ：フード（空間形成ユニット）
４０ａ  ：吐出口
４１Ａ  ：タンク
４１Ｂ  ：オゾンガス供給ユニット
Ｓ      ：空間
Ｗ      ：基板
【図１】
2018163980.tif 000005
【図２】
2018163980.tif 000006
【図３】
2018163980.tif 000007
【図４】
2018163980.tif 000008
【図５】
2018163980.tif 000009
【図６】
2018163980.tif 000010
【図７】
2018163980.tif 000011
【図８】
2018163980.tif 000012
【図９Ａ】
2018163980.tif 000013
【図９Ｂ】
2018163980.tif 000014
【図９Ｃ】
2018163980.tif 000015
【図９Ｄ】
2018163980.tif 000016
【図１０】
2018163980.tif 000017
【図１１】
2018163980.tif 000018
【図１２】
2018163980.tif 000019
【図１３】
2018163980.tif 000020