(57)【要約】【課題】積層セラミック電子部品の電子部品本体に対するクラックの発生を抑制しうる積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品１０は、積層体１４と外部電極２４とを有する電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとが接合材６０により接続され形成されている。一対の金属端子４０Ａは、端子接合部５０、延長部５２及び実装部５４により構成される。外部電極２４は、積層体１４の両端面にのみ形成され、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅの周囲において、その端面の中央部の厚みよりも厚いサドル部２８ａを有し、第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆの周囲において、その端面の中央部の厚みよりも厚いサドル部２８ｂを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と積層された複数の内部電極層とを含み、互いに対向する第１および第２の主面と、互いに対向する第１および第２の側面と、互いに対向する第１および第２の端面と、を有する積層体と、前記積層体の第１の端面に接続される第１の外部電極と、前記積層体の前記第２の端面に接続される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、
前記第１の外部電極に接続される第１の金属端子と、前記第２の外部電極に接続される第２の金属端子と、を備える積層セラミック電子部品であって、
前記第１および第２の外部電極は、前記第１および第２の端面上に配置されており、
前記第１および第２の外部電極は、前記第１および第２の端面を結ぶ方向から平面視した際、前記第１および第２の端面の周囲において、前記第１および第２の端面の中央部の厚みよりも厚みの厚い部分を含み、
前記第１の金属端子は、前記第１の端面に接続される端子接合部と、前記端子接合部に接続され実装面方向に延びる延長部と、前記延長部に接続され前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、
前記第２の金属端子は、前記第２の端面に接続される端子接合部と、前記端子接合部に接続され実装面方向に延びる延長部と、前記延長部に接続され前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、
前記延長部は、前記電子部品本体の下面と前記実装部との間に隙間を形成するように設けられている、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１および第２の外部電極の前記厚みの厚い部分は、前記第１および第２の端面の周囲を周回するように設けられている、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１および第２の金属端子の母材は、りん青銅である、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含む積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック製のチップ型電子部品である積層セラミックコンデンサ（電子部品本体）が一般に使用されるようになった。しかし、実装基板にこの積層セラミックコンデンサを直接、半田により実装した場合、実装される実装基板および積層セラミックコンデンサは、温度変化が生じたとき、それぞれの熱膨張係数に基づいて膨張または収縮することになり、これらの間での熱膨張係数の差が、たとえば、積層セラミックコンデンサの損傷または接合部分の破壊等を招く応力の原因となる。また、実装基板が薄型のガラスエポキシ基板のように撓みやすい場合、実装基板が撓んだときにも、同様の応力が生じ得る。さらに、実装基板自体に力が加わった際に、その実装基板が撓んで変形することによっても同様の応力が生じうる。
これらの応力が、積層セラミックコンデンサに加わることで、積層セラミックコンデンサにクラックが生じるおそれがあった。
【０００３】
上述した問題を解決するため、積層セラミックコンデンサの外部電極に金属板からなる金属端子を取り付けて、積層セラミックコンデンサを実装基板から浮かした状態にしながら、金属端子部材を実装基板に半田付けすることが提案されている（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００４】
このような方法によれば、半田付け時の熱は、金属端子を通して積層セラミックコンデンサに伝わることになるので、積層セラミックコンデンサに対して、熱衝撃を加わりにくくすることができる。また、温度変化による応力や、実装基板の変形が生じたとしても、金属端子の弾性的変形によって、有利に吸収することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１８９２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属端子を設けた場合においても、積層セラミックコンデンサにクラックの生じることがあった。これは、鋭意研究の結果、金属端子および外部電極の表面に形成されるめっき膜に引張（圧縮）応力が生じ、最も応力が集中する外部電極の先端部分から積層セラミックコンデンサ内部に向かってクラックが入ることが原因であることを突き止めた。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミック電子部品の電子部品本体に対するクラックの発生を抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層と積層された複数の内部電極層とを含み、互いに対向する第１および第２の主面と、互いに対向する第１および第２の側面と、互いに対向する第１および第２の端面と、を有する積層体と、積層体の第１の端面に接続される第１の外部電極と、積層体の第２の端面に接続される第２の外部電極と、を備える電子部品本体と、第１の外部電極に接続される第１の金属端子と、第２の外部電極に接続される第２の金属端子と、を備える積層セラミック電子部品であって、第１および第２の外部電極は、第１および第２の端面上に配置されており、第１および第２の外部電極は、第１および第２の端面を結ぶ方向から平面視した際、第１および第２の端面の周囲において、第１および第２の端面の中央部の厚みよりも厚みの厚い部分を含み、第１の金属端子は、第１の端面に接続される端子接合部と、端子接合部に接続され実装面方向に延びる延長部と、延長部に接続され延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、第２の金属端子は、第２の端面に接続される端子接合部と、端子接合部に接続され実装面方向に延びる延長部と、延長部に接続され延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有し、延長部は、電子部品本体の下面と実装部との間に隙間を形成するように設けられている、積層セラミック電子部品である。
この発明にかかる積層セラミック電子部品は、第１および第２の外部電極の厚みの厚い部分は、第１および第２の端面の周囲を周回するように設けられていることが好ましい。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品は、第１および第２の金属端子の母材は、りん青銅であることが好ましい。
【０００９】
この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、第１および第２の外部電極が、第１および第２の端面上にのみ配置されていることから、第１および第２の外部電極（下地電極層とめっき層）の総体積の減少による、ｅ寸先端部への引張応力を低減することが可能となり、外部電極２４のｅ寸先端部から発生するクラックを抑制することができる。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、第１および第２の外部電極は、第１および第２の端面を結ぶ方向から平面視した際、第１および第２の端面の周囲において、第１および第２の端面の中央部の厚みよりも厚みの厚い部分を含むことから、積層体の角部における第１および第２の外部電極の厚みを確保することができるため、第１および第２の外部電極の積層体に対するシール性を確保することができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、第１の外部電極に接続される第１の金属端子と、第２の外部電極に接続される第２の金属端子とが、それぞれの外部電極に接続される端子接合部と、端子接合部に接続され実装面方向に延びる延長部と、延長部に接続され延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、を有することから、延長部が、電子部品本体の下面と実装部との間に隙間を形成するように設けられており、この積層セラミック電子部品と実装基板との間に金属端子を介在させることで、電子部品本体に対して、熱衝撃を加わりにくくすることができる。そのため、半田クラック耐性を向上させることができる。また、温度変化によるストレスや、実装基板に変形が生じたとしても、金属端子の弾性的変形によって、有利に吸収することができる。
また、第１および第２の外部電極の厚みの厚い部分は、第１および第２の端面の周囲を周回するように設けられている場合は、積層体の角部における外部電極の厚みをより確保することができるため、外部電極の積層体に対するシール性をさらに確保することができる。
さらに、第１および第２の金属端子の母材は、りん青銅である場合、熱伝導がよく、電気抵抗の低い材料であることから、第１および第２の金属端子の母材として、発熱の改善のために良好に用いることができる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、積層セラミック電子部品の電子部品本体に対するクラックの発生を抑制しうる積層セラミック電子部品が得られる。
【００１１】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図２】（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の電子部品本体の一例を示す外観斜視図であり、（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の電子部品本体をＷＴ面からみた外部電極を示す。
【図４】この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図５】（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す側面図である。
【図６】この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。
【図７】この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第３の変形例を示す外観斜視図である。
【図８】この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図９】（ａ）は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図８のＣ−Ｃ断面図であり、（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図８のＤ−Ｄ断面図である。
【図１０】この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第１の変形例を示す外観斜視図である。
【図１１】この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第２の変形例を示す外観斜視図である。
【図１２】この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第３の変形例を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１．積層セラミック電子部品
（第１の実施の形態）
この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図２（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図１のＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の電子部品本体の一例を示す外観斜視図であり、図３（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の電子部品本体をＷＴ面からみた外部電極を示す。図４は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【００１４】
図１および図２に示すように、積層セラミック電子部品１０は、たとえば、電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとにより構成される。電子部品本体１２と一対の金属端子４０Ａとは、接合材６０を介して接続される。
【００１５】
また、電子部品本体１２は、直方体状の積層体１４を含む。
【００１６】
積層体１４は、積層された複数のセラミック層１６と複数の内部電極層１８とを有する。さらに、積層体１４は、厚み方向Ｔに相対する第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂと、厚み方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄと、厚み方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆとを有する。この積層体１４には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。
【００１７】
セラミック層１６は、外層部１６ａと内層部１６ｂとを含む。外層部１６ａは、積層体１４の第１の主面１４ａ側および第２の主面１４ｂ側に位置し、第１の主面１４ａと最も第１の主面１４ａに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６、および第２の主面１４ｂと最も第２の主面１４ｂに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６である。そして、両外層部１６ａに挟まれた領域が内層部１６ｂである。
【００１８】
セラミック層１６は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する電子部品本体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。
【００１９】
なお、積層体１４に、圧電体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、半導体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、磁性体セラミックを用いた場合、電子部品本体は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１８は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００２０】
焼成後のセラミック層１６の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
図２に示すように、積層体１４は、複数の内部電極層１８として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂを有する。複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂは、積層体１４の厚み方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極層１８ａおよび第２の内部電極層１８ｂの各電極面は、金属端子４０Ａが延びる方向と垂直に配置されており、実装面に対しては平行になるように配置される。これにより、電歪によるセラミックの変位が少ない方向に整列されることで応力集中が極小化され、積層セラミック電子部品１０を単体で用いる際に近い、ＢＤＶ（絶縁破壊電圧）を得られ、製品の特性を十分に満足することができる。
【００２２】
第１の内部電極層１８ａの一端側には、積層体１４の第１の端面１４ｅに引き出された第１の引出電極部２０ａを有する。第２の内部電極層１８ｂの一端側には、積層体１４の第２の端面１４ｆに引き出された第２の引出電極部２０ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層１８ａの一端側の第１の引出電極部２０ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅに露出している。また、第２の内部電極層１８ｂの一端側の第２の引出電極部２０ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆに露出している。
なお、内部電極１８は、実装面に対して平行になるように配置されてもよく、垂直になるように配置されてもよい。
【００２３】
積層体１４は、セラミック層１６の内層部１６ｂにおいて、第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとが対向する対向電極部２２ａを含む。また、積層体１４は、対向電極部２２ａの幅方向Ｗの一端と第１の側面１４ｃとの間および対向電極部２２ａの幅方向Ｗの他端と第２の側面１４ｄとの間に形成される積層体１４の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２２ｂを含む。さらに、積層体１４は、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１４ｆとの間および第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１４ｅとの間に形成される積層体１４の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２２ｃを含む。
【００２４】
内部電極層１８は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの合金を含有している。内部電極層１８は、さらにセラミック層１６に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極層１８の厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
積層体１４の第１の端面１４ｅ側および第２の端面１４ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅ側にのみ配置される。第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅを覆う。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａと電気的に接続される。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆ側にのみ配置される。第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆを覆う。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂと電気的に接続される。
【００２６】
積層体１４内においては、各対向電極部２２ａで第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとがセラミック層１６を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１８ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１８ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができる。したがって、このような構造の電子部品本体はコンデンサ素子として機能する。
【００２７】
また、図３に示すように、第１の外部電極２４ａは、第１の端面１４ｅに対して、第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第１の端面１４ｅの周囲において、第１の端面１４ｅの中央部（端面中央部２６ａ）における第１の外部電極２４ａの厚みよりも厚みの厚いサドル部２８ａを有する。また、端面中央部２６ａは、略平坦に形成される。
同様に、第２の外部電極２４ｂは、第２の端面１４ｆに対して、第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第２の端面１４ｆの周囲において、第２の端面１４ｆの中央部（端面中央部２６ｂ）における第２の外部電極２４ｂの厚みよりも厚みの厚いサドル部２８ｂを有する。また、端面中央部２６ｂは、略平坦に形成される。
【００２８】
なお、サドル部２８ａおよび２８ｂの高さは、端面中央部２６ａおよび２６ｂの高さを基準として、０．１μｍ以上５．０μｍ以下、高いことが好ましい。より好ましくは、２．０μｍ以上５．０μｍ以下、高いことが好ましい。サドル部２８ａおよび２８ｂの高さが、上記の範囲の高さであれば、十分に外部電極２４の積層体１４へのシール性を確保しつつ、接合強度の低下を抑制することができる。
【００２９】
第１の外部電極２４ａは、図２に示すように、積層体１４側から順に、下地電極層３０ａと下地電極層３０ａの表面に配置されためっき層３２ａとを有する。同様に、第２の外部電極２４ｂは、積層体１４側から順に、下地電極層３０ｂと下地電極層３０ｂの表面に配置されためっき層３２ｂとを有する。
【００３０】
下地電極層３０ａおよび３０ｂは、それぞれ、焼付け層、樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された下地電極層３０ａおよび３０ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層のガラスとしては、Ｓｉ、Ｂ、Ｐｂ、Ｂｅ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｂ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１４に塗布して焼き付けたものであり、セラミック層１６および内部電極層１８と同時に焼成したものでもよく、セラミック層１６および内部電極層１８を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
焼付け層の表面に、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層が形成されてもよい。なお、樹脂層は、焼付け層を形成せずに積層体１４上に直接形成してもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。樹脂層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００３２】
また、めっき層３２ａおよび３２ｂとしては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ、Ｂｉ、Ｚｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層３２ａおよび３２ｂは、複数層によって形成されてもよい。めっき層３２ａおよび３２ｂは、焼付け層の表面に設けられた第１めっき層と、第１めっき層の表面に設けられた第２めっき層とを含む２層構造であることが好ましい。
【００３３】
第１めっき層はＮｉを用いるのが好ましい。Ｎｉを用いた第１めっき層は、下地電極層３０ａおよび３０ｂが金属端子４０Ａを接合する際の半田によって侵食されることを防止するために用いられる。なお、内部電極層１８にＮｉを含む場合は、第１めっき層としては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。
【００３４】
また、第２めっき層はＳｎやＡｕを用いるのが好ましい。ＳｎやＡｕを用いた第２めっき層は、積層セラミックコンデンサを実装する際の半田の濡れ性を向上させて、容易に実装することができるようにするために用いられる。なお、第２めっき層は必要に応じて形成されるものである。
また、第２めっき層をめっき層３２ａおよび３２ｂの最外層として設けてもよく、第２めっき層の表面に他のめっき層を設けてもよい。
【００３５】
めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層３２ａおよび３２ｂは、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層３２ａおよび３２ｂは、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。また、めっき層３２ａおよび３２ｂは、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状である。
【００３６】
電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂには、図４に示すような一対の金属端子４０Ａが接合材６０を介して接続される。一対の金属端子４０Ａは、積層セラミック電子部品１０を、実装基板に実装するために設けられる。
【００３７】
一対の金属端子４０Ａは、たとえば、板状のリードフレームが用いられる。この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子４０Ａは、第１の外部電極２４ａまたは第２の外部電極２４ｂと接続される一方主面４２、一方主面４２と対向する他方主面４４および一方主面４２と他方主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。そして、この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子４０Ａは、断面の形状がＬ字形状に形成されている。このように、一対の金属端子４０Ａの断面の形状がＬ字形状に形成されると、積層セラミック電子部品１０を実装基板に実装したとき、実装基板のたわみに対する耐性を向上させることができる。
【００３８】
金属端子４０Ａは、たとえば、矩形板状の端子接合部５０と、端子接合部５０に接続され端子接合部５０から実装面方向に延びる延長部５２と、延長部５２に接続され延長部５２から第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆを結んだ方向に延びる実装部５４とにより構成される。この構成により、金属端子４０Ａを電子部品本体１２と実装基板との間に介在させることで、電子部品本体１２に対して、熱衝撃を加わりにくくすることができる。また、温度変化によるストレスや、実装基板の変形が生じたとしても、金属端子４０Ａの弾性変形によって有利に吸収することができる。
【００３９】
金属端子４０Ａの端子接合部５０は、電子部品本体１２の第１の端面１４ｅ側または第２の端面１４ｆに位置して接続される部分である。金属端子４０Ａの端子接合部５０は、たとえば電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａまたは第２の外部電極２４ｂの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、一方の金属端子４０Ａの一方主面４２側が第１の外部電極２４ａに接合材６０で接続され、他方の金属端子４０Ａの一方主面４２側が第２の外部電極２４ｂに接合材６０で接続される。
【００４０】
金属端子４０Ａの端子接合部５０には、電子部品本体１２のそれぞれの側面１４ｃおよび１４ｄと対向するように延びるリブ部が設けられていてもよい。このように、リブ部を設けることにより、金属端子４０Ａの端子接合部５０の剛性を向上させることができ、たとえば、積層セラミック電子部品１０の長さ方向Ｌから荷重が加わった際に、端子接合部５０の変形を抑制することができる。また、外部電極２４と金属端子４０Ａの端子接合部５０との接合面積を増やすことができるため、接合はずれを抑制することができる。
【００４１】
金属端子４０Ａの延長部５２は、電子部品本体１２の下面（第２の主面１４ｂ）と実装部５４との間に隙間を形成するように設けられる。金属端子４０Ａの延長部５２は、電子部品本体１２を実装する実装基板から浮かせるために設けられ、実装基板に接するまでの部分である。これにより、金属端子４０Ａの弾性変形によって交流電圧が加わることで、セラミック層１６に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が外部電極２４を介して実装基板に伝達されることを抑えて、その結果、雑音の発生を減少することができる。
【００４２】
金属端子４０Ａの延長部５２は、たとえば、長方形板状をしており、端子接合部５０から実装面方向に積層体１４の第２の主面１４ｂと直交する高さ方向に延び、端子接合部５０と一平面状に形成されている。
【００４３】
金属端子４０Ａの実装部５４は、金属端子４０Ａの延長部５２の端部から第２の主面１４ｂに平行する長さ方向に延びて、金属端子４０Ａの延長部５２と直角になるように折り曲げられる。また、金属端子４０Ａの実装部５４は、金属端子４０Ａの延長部５２に対して、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５４の折り曲げられる方向は、電子部品本体１２側に曲げられてもよいし、電子部品本体１２とは反対側に折り曲げられていてもよい。
【００４４】
金属端子４０Ａの実装部５４の長さ方向Ｌ（積層体１４の両端面を結ぶ方向）の長さは、金属端子４０Ａの延長部５２の積層方向Ｔ（積層体１４の両主面を結ぶ方向）の長さよりも長く形成されていてもよい。また、金属端子４０Ａの延長部５２と金属端子４０Ａの実装部５４とが交わる角部は、丸みがつけられていてもよい。
【００４５】
金属端子４０Ａは、端子本体と端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有する。
【００４６】
端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。具体的には、たとえば、端子本体の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とすることができる。金属端子４０Ａの端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。端子本体を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極２４の耐熱性を向上させることができる。
【００４７】
ここで、めっき膜は、金属端子４０Ａの表面全体に形成されてもよい。なお、めっき膜は、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の周囲面４６においては形成されなくてもよい。これにより、積層セラミック電子部品１０を実装基板に半田を用いて実装する際に、半田の金属端子４０Ａへの濡れ上がりを抑制することができる。そのため、電子部品本体１２と金属端子４０Ａとの間（浮き部分）に半田が濡れ上がることを抑制することができるため、浮き部分に半田が充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができる。従って、金属端子４０Ａの延長部５２が弾性変形し易くなるため、交流電圧が加わることでセラミック層１６に生じる機械的歪みをより吸収することができる。これにより、このとき生じる振動が、外部電極２４を介して実装基板に伝達することを抑制することができる。従って、金属端子４０Ａを備えることで、より安定してアコースティックノイズ（鳴き）の発生を抑制することができる。
【００４８】
金属端子４０Ａの表面に形成されためっき膜、または、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の周囲面４６に形成されためっき膜を除去する場合、その除去方法は、機械による除去（切削、研磨）、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（たとえば、水酸化ナトリウム）などが考えられる。また、たとえば、金属端子４０Ａの延長部５２および実装部５４の表面にめっき膜を形成しない場合、予めめっき膜を形成しない部分をレジストで覆ったうえで、金属端子４０Ａの他の部分にめっき膜を形成し、その後、レジストを除去するようにしてもよい。なお、金属端子４０Ａの全周囲面には、めっき膜が形成されなくてもよい。
【００４９】
めっき膜は、たとえば、下層めっき膜と上層めっき膜とを有する。
下層めっき膜は、端子本体の表面に形成されており、上層めっき膜は、下層めっき膜の表面に形成されている。
【００５０】
下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、外部電極２４の耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、下層めっき膜は、複数のめっき膜により構成されていてもよい。
【００５１】
上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、金属端子４０Ａと外部電極２４との半田付き性を向上させることができる。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、上層めっき膜は、複数の層により構成されてもよい。
なお、めっき膜として、１層形成の場合には、はんだ付き性のよい上層めっき膜を形成するのが好ましい。
【００５２】
接合材６０は、第１の外部電極２４ａと一方の金属端子４０Ａの端子接合部５０とを接合し、第２の外部電極２４ｂと他方の金属端子４０Ａの端子接合部５０とを接合するために用いられる。接合材６０には、たとえば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦ半田を用いることができる。特に、Ｓｎ−Ｓｂ系の半田の場合は、Ｓｂの含有率が５％以上１５％以下程度であることが好ましい。
【００５３】
この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０によれば、第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅにのみ配置されており、第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆにのみ配置されているので、外部電極２４（下地電極層とめっき層）の総体積の減少による、ｅ寸先端部への引張応力を低減することが可能となり、外部電極２４のｅ寸先端部から発生するクラックを抑制することができる。これにより、発熱対策であるりん青銅（他、熱伝導が良く、電気抵抗の低い）端子の採用が可能になることから、線膨張係数の大きい銅端子でも、クラック発生率を大幅に改善することができる。
また、電子部品本体１２の外部電極２４に一対の金属端子４０Ａを接合する際、積層体１４の第１および第２の主面１４ａおよび１４ｂ、ならびに第１および第２の側面１４ｃおよび１４ｄへの接合材６０の回り込みが無く、且つ外部電極２４（特に、端面中央部２６ａおよび２６ｂの部分）が平坦であるため、電子部品本体１２の姿勢が良くなり、いわゆるチップズレを抑制することができる。
【００５４】
また、この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０によれば、第１の外部電極２４ａは、第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第１の端面１４ｅの周囲において、第１の外部電極２４ａの中央部に位置する端面中央部２６ａにおける第１の外部電極２４ａの厚みよりも厚いサドル部２８ａを有し、第２の外部電極２４ｂは、第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第２の端面１４ｆの周囲において、第２の外部電極２４ｂの中央部に位置する端面中央部２６ｂにおける第２の外部電極２４ｂの厚みよりも厚いサドル部２８ｂを有するので、積層体１４の角部における外部電極２４の厚みを確保することができるため、外部電極２４の積層体１４に対するシール性を確保することができる。従って、めっき層３２ａおよび３２ｂを形成する際、内部電極層１８にめっき液が侵入することを防止することが可能になり、電子部品本体１２に対する信頼性の低下を抑制することができる。
また、第１の端面１４ｅに形成される第１の外部電極２４ａにサドル部２８ａが設けられ、第２の端面１４ｆに形成される第２の外部電極２４ｂにサドル部２８ｂが設けられることで、第１の外部電極２４ａの中央部に位置する端面中央部２６ａおよび第２の外部電極２４ｂの中央部に位置する端面中央部２６ｂは略平坦となるため、接合材６０が少量でも均一に外部電極２４と金属端子４０Ａとを接合することができる。ここで、接合材６０の量を少なくすることができるため、積層セラミック電子部品１０を実装基板に実装する際、接合材６０が溶けることで電子部品本体１２がズレたりすることを抑制することができる。さらに、電子部品本体１２と金属端子４０Ａとの距離が短くなるため、放熱性が向上する（つまり、熱抵抗が下がる）。このように、放熱性が向上することで、より高い負荷環境においても使用することができる積層セラミック電子部品１０を提供することができる。
【００５５】
さらに、この第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０によれば、一対の金属端子４０Ａが、第１の端面１４ｅあるいは第２の端面１４ｆに接続される端子接合部５０と、端子接合部５０に接続され端子接合部５０から実装方向に延びる延長部５２と、延長部５２に接続され延長部５２から第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆを結んだ方向に延びる実装部５４とを有しており、延長部５２は、電子部品本体１２の下面（第２の主面１４ｂ）と実装部５４との間に隙間を形成するように設けられている。このように、電子部品本体１２と実装基板との間に一対の金属端子４０Ａを介在させることで、電子部品本体１２に対して、熱衝撃を加わりにくくすることができるため、半田クラック耐性が向上する。また、温度変化によるストレスや、実装基板に変形が生じたとしても、金属端子４０Ａの弾性的変形によって、有利に吸収することができる。
【００５６】
（第１の実施の形態の第１ないし第３の変形例）
この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第１ないし第３の変形例について、図５ないし図７を参照して説明する。
【００５７】
図５（ａ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図であり、図５（ｂ）は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す側面図である。なお、図５（ａ）および（ｂ）に示す金属端子４０Ｂにおいて、図４に示した金属端子４０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５８】
図５（ａ）および（ｂ）に示す金属端子４０Ｂは、金属端子４０Ａとは異なり、端子接合部５０において、その他方主面４４から一方主面４２の方向に向かって凸状に形成された突起部５６が合計４つ設けられている。この突起部５６と、外部電極２４とが接合材６０によって接合される。接合材６０は、毛細管現象により、突起部５６に集まる。これにより、外部電極２４と金属端子４０Ｂとの接合強度を高めつつ、外部電極２４と金属端子４０Ｂと間に隙間が形成される。
【００５９】
積層セラミック電子部品１０に対して、金属端子４０Ｂを備える積層セラミック電子部品は、図４に示す金属端子４０Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、突起部５６の一方主面４２から突出している長さの分だけ、電子部品本体１２と金属端子４０Ｂとの間の距離が長くなり、金属端子４０Ｂと外部電極２４との間に隙間を設けることができるため、その隙間に接合材６０の層を形成することができ、電子部品本体１２の振動をこの接合材６０により形成される層（接合層）を介して金属端子４０Ｂに伝達する構造となるため、金属端子４０Ｂへの振動の伝達を減衰することができ、鳴き抑制効果が得られる。
【００６０】
また、接合材６０の量が多いと、金属端子４０Ｂの延長部５２に接合材６０が垂れてしまうことがあるが、この場合、金属端子４０Ｂの延長部５２に垂れた接合材６０により、金属端子４０Ｂのバネ性が失われることがある。このため、鳴き抑制効果が低減する。そこで、突起部５６を設けることで、接合材６０は毛細管現象により突起部５６により作られた隙間へ集まるため、接合材６０の量が多い場合であっても、金属端子４０Ｂの延長部５２に接合材６０が垂れるのを抑制することができる。
【００６１】
続いて、図６は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。なお、図６に示す金属端子４０Ｃにおいて、図４に示した金属端子４０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６２】
図６に示す金属端子４０Ｃは、金属端子４０Ａとは異なり、端子接合部５０の幅方向の中央において、その上端辺から中間部に亘って切り欠き部５８が形成される。端子接合部５０において切り欠き部５８が形成されることにより、一方片および他方片に分割される。
【００６３】
積層セラミック電子部品１０に対して、金属端子４０Ｃを備える積層セラミック電子部品は、図４に示す金属端子４０Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一般的に、誘電体に電界を印加した場合、誘電現象によって結晶格子が歪むため、誘電体は、電界と平行な方向に伸長し、電界と垂直な方向には収縮する。また、電界が印加される対向電極部２２ａは大きく伸縮する一方、対向電極部２２ａ以外の部分である外層部１６ａや積層体１４の側部（Ｗギャップ）２２ｂ、積層体の端部（Ｌギャップ）２２ｃは、それほど伸縮しない。すなわち、積層体１４の対向電極部２２ａよりも外側の部分はそれほど伸縮しない。
したがって、図７のように金属端子４０Ｃに切り欠き部５８を設け、大きく変改する対向電極部２２ａの中央部分には金属端子を接合せず、あまり変形しない積層体１４の側部（Ｗギャップ）２２ｂ付近で接合した場合、対向電極部２２ａの変形に伴い、金属端子４０Ｃがそれほど変形しない。したがって、対向電極部２２ａの振動が金属端子４０Ｃを介して基板に伝搬されにくくなる。したがって、積層セラミック電子部品の電歪現象に起因する基板鳴きの発生をより効果的に抑制することができる。
【００６４】
続いて、図７は、この発明の第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品に使用される金属端子の第３の変形例を示す外観斜視図である。なお、図７に示す金属端子４０Ｄにおいて、図４に示した金属端子４０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
図７に示す金属端子４０Ｄは、金属端子４０Ａとは異なり、端子接合部５０において、その他方主面４４から一方主面４２の方向に向かって凸状に形成された突起部５６が合計４つ設けられており、さらに、端子接合部５０の幅方向の中央において、その上端辺側から中間部に亘って切り欠き部５８が形成される。これにより、図５に示す金属端子４０Ｂと同様の作用効果および図６に示す金属端子４０Ｃと同様の作用効果を奏する。
【００６６】
（第２の実施の形態）
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品について説明する。図８は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。図９（ａ）は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図８のＣ−Ｃ断面図であり、図９（ｂ）は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品を示す図８のＤ−Ｄ断面図である。なお、この実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１１０Ａは、一対の金属端子１４０Ａが、上下方向に積み重ねられた２つの電子部品本体１２を狭持するタイプであることを除いて、たとえば、図１を用いて説明した積層セラミック電子部品１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミック電子部品１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６７】
この実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１１０Ａは、２つの電子部品本体１２に形成される第１の外部電極２４ａは、第１の端面１４ｅにのみ配置されており、第１の外部電極２４ｂは、第２の端面１４ｆにのみ配置されている。また、２つの電子部品本体１２に形成される第１の外部電極２４ａはサドル部２８ａを有し、第２の外部電極２４ｂはサドル部２８ｂを有する。また、この実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１１０Ａが備える一対の金属端子１４０Ａは、上下方向に積み重ねられた２つの電子部品本体１２を狭持するタイプである。従って、金属端子１４０Ａは、上段の電子部品本体１２に接合される端子接合部４８と、下段の電子部品本体１２に接合される端子接合部５０とを有する。
【００６８】
図８および図９に示す積層セラミック電子部品１１０Ａは、第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品１０と同様の効果を奏する。
すなわち、積層セラミック電子部品１１０Ａでは、２つの電子部品本体１２に形成される第１の外部電極２４ａは、第１の端面１４ｅにのみ配置されており、第２の外部電極２４ｂは、第２の端面１４ｆにのみ配置されているので、外部電極２４の総体積の減少による、ｅ寸先端部への引張応力を低減することが可能となり、外部電極２４のｅ寸先端部から発生するクラックを抑制することができる。
また、積層セラミック電子部品１１０Ａでは、２つの電子部品本体１２に形成される第１の外部電極２４ａはサドル部２８ａを有し、第２の外部電極２４ｂはサドル部２８ｂを有するので、それぞれの積層体１４の角部における外部電極２４の厚みを確保することができるため、外部電極２４の積層体１４に対するシール性を確保することができる。
さらに、積層セラミック電子部品１１０Ａでは、金属端子１４０Ａは、上段の電子部品本体１２に接合される端子接合部４８と、下段の電子部品本体１２に接合される端子接合部５０とを有しており、２つの電子部品本体１２と実装基板との間に一対の金属端子１４０Ａを介在させることで、２つの電子部品本体１２に対して、熱衝撃を加わりにくくすることができるため、半田クラック耐性が向上する。また、温度変化によるストレスや、実装基板に変形が生じたとしても、金属端子１４０Ａの弾性的変形によって、有利に吸収することができる。
【００６９】
（第２の実施の形態の第１の変形例）
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第１の変形例について説明する。図１０は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第１の変形例を示す外観斜視図である。この変形例の積層セラミック電子部品１１０Ｂは、図８に示した積層セラミック電子部品１１０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７０】
図１０に示す積層セラミック電子部品１１０Ｂが備える金属端子１４０Ｂは、図８に示した積層セラミック電子部品１１０Ａが備える金属端子１４０Ａとは異なり、端子接合部４８および端子接合部５０において、他方主面４４から一方主面４２に向かって凸状に形成された突起部５６が合計４つ設けられている。
図１０に示す積層セラミック電子部品１１０Ｂは、図８に示す積層セラミック電子部品１１０Ａと同様の効果を奏するとともに次の効果を奏する。
すなわち、突起部５６の一方主面４２から突出している長さの分だけ、２つの電子部品本体１２と金属端子１４０Ｂとの間の距離が長くなり、金属端子１４０Ｂと外部電極２４との間に隙間を設けることができるため、その隙間に接合材６０の層を形成することができ、２つの電子部品本体１２の振動をこの接合材６０により形成される層（接合層）を介して金属端子１４０Ｂに伝達する構造となるため、金属端子１４０Ｂへの振動の伝達を減衰することができ、鳴き抑制効果が得られる。
【００７１】
（第２の実施の形態の第２の変形例）
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第２の変形例について説明する。図１１は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第２の変形例を示す外観斜視図である。この変形例の積層セラミック電子部品１１０Ｃは、図８に示した積層セラミック電子部品１１０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７２】
図１１に示す積層セラミック電子部品１１０Ｃが備える金属端子１４０Ｃは、図８に示した積層セラミック電子部品１１０Ａが備える金属端子１４０Ａとは異なり、端子接合部４８の幅方向の中央において、その上端辺から端子接合部５０の中間部に亘って切り欠き部５８が形成される。
図１１に示す積層セラミック電子部品１１０Ｃは、図８に示す積層セラミック電子部品１１０Ａと同様の効果を奏するとともに図５に示す金属端子４０Ｂと同様の作用効果を同時に奏する。
【００７３】
（第２の実施の形態の第３の変形例）
この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第３の変形例について説明する。図１２は、この発明の第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の第３の変形例を示す外観斜視図である。この変形例の積層セラミック電子部品１１０Ｄは、図８に示した積層セラミック電子部品１１０Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７４】
図１２に示す金属端子１４０Ｄは、金属端子１４０Ａとは異なり、端子接合部４８および５０において、その他方主面４４から一方主面４２の方向に向かって凸状に形成された突起部５６が合計４つ設けられており、さらに、端子接合部４８および５０の幅方向の中央において、その上端辺側から中間部に亘って切り欠き部５８が形成される。
図１２に示す積層セラミック電子部品１１０Ｄは、図８に示す積層セラミック電子部品１１０Ａと同様の効果を奏するとともに図５に示す金属端子４０Ｂと同様の作用効果および図６に示す金属端子４０Ｃと同様の作用効果を奏する。
【００７５】
２．積層セラミック電子部品の製造方法
次に、以上の構成からなる積層セラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、積層セラミック電子部品１０を例にして説明する。
【００７６】
まず、セラミックグリーンシート、内部電極層１８を形成するための内部電極用導電性ペーストおよび外部電極２４を形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００７７】
そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。なお、内分電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。
【００７８】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
【００７９】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生の積層体チップが焼成され、積層体が生成される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００８０】
次に、焼成後の積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付け、第１の外部電極２４ａの下地電極層３０ａおよび第２の外部電極２４ｂの下地電極層３０ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【００８１】
なお、下地電極層３０ａを形成するとき、外部電極用導電性ペーストを積層体１４の第１の端面１４ｅに対して塗布する際に、スクリーン印刷工法で製膜することにより、第１
の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第１の端面１４ｅの周囲において、第１の端面１４ｅの中央部（端面中央部２６ａ）における第１の外部電極２４ａの厚みよりも厚みの厚いサドル部２８ａを形成することができ、その結果、積層体１４の第１および第２の主面１４ａおよび１４ｂ、ならびに第１および第２の側面１４ｃおよび１４ｄに第１の外部電極２４ａが折り返さないような第１の外部電極２４ａの構造とすることができる。
同様に、下地電極層３０ｂを形成するとき、外部電極用導電性ペーストを積層体１４の第２の端面１４ｆに対して塗布する際に、スクリーン印刷工法で製膜することにより、第１の端面１４ｅと第２の端面１４ｆとを結ぶ方向から平面視した場合、第２の端面１４ｆの周囲において、第２の端面１４ｆの中央部（端面中央部２６ｂ）における第２の外部電極２４ｂの厚みよりも厚みの厚いサドル部２８ｂを形成することができ、その結果、積層体１４の両主面１４ａおよび１４ｂ、ならびに両側面１４ｃおよび１４ｄに第２の外部電極２４ｂが折り返さないような第２の外部電極２４ｂの構造とすることができる。
この際、外部電極用導電性ペーストの粘度や量をコントロールすることで、サドル部２８ａおよび２８ｂの高さ（厚み）をコントロールすることができる。
【００８２】
また、必要に応じて、下地電極層３０ａの表面にめっき層３２ａが形成され、下地電極層３０ｂの表面にめっき層３２ｂが形成される。
【００８３】
続いて、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。
【００８４】
まず、所望の一対の金属端子４０Ａが準備される。
次に、準備された一方の金属端子４０Ａは、電子部品本体１２の第１の外部電極２４ａに接合材６０によって取り付けられ、準備された他方の金属端子４０Ａは、電子部品本体１２の第２の外部電極２４ｂに接合材６０によって取り付けられる。一対の金属端子４０Ａの取り付けは、接合材６０によるはんだ付けの温度を、リフローにて２７０℃以上２９０℃以下とし、その熱を３０秒以上与えることによって行われる。
【００８５】
上述のようにして、図１に示す積層セラミック電子部品１０が製造される。
【００８６】
３．実験例
次に、上述の方法により得られた積層セラミック電子部品１０について、所定の条件に基づくクラックの発生の確認および耐湿信頼性を確認する実験を行った。
【００８７】
まず、実施例として、上述した積層セラミック電子部品の製造方法にしたがって、以下のようなスペックの電子部品本体（積層セラミックコンデンサ）を作製した。
チップサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝７．５ｍｍ×６．３ｍｍ×３．２ｍｍ
セラミック層の材料：ＢａＴｉＯ3
内部電極層の材料：Ｎｉ
外部電極の構造：下地電極層（焼付け層）とめっき層とを含む構造
下地電極層（焼き付け層）の材料：Ｃｕ
めっき層：ＮｉめっきとＳｎめっきの２層構造
外部電極：積層体の両端面にのみ形成。さらに、積層体の第１の端面および第２の端面の周囲を周回するようにサドル部を形成。
【００８８】
また、実施例において、作製された電子部品本体に接合される一対の金属端子のスペックは以下の通りである。なお、電子部品本体の外部電極と金属端子とを接合するための接合材はＬＦ半田を用いた。
金属端子：端子本体とめっき膜とによる２層構造
端子本体：ＳＵＳ４３０
めっき膜：下層めっきと上層めっきの２層構造。下層めっきの材料はＣｕ、上層めっきの材料はＳｎ。
【００８９】
また、比較例にかかる積層セラミック電子部品は、実施例にかかる積層セラミック電子部品とは、外部電極が、積層体の第１の端面から第１および第２の主面の一部、ならびに第１および第２の側面の一部に亘って形成され、積層体の第２の端面から第１および第２の主面の一部、ならびに第１および第２の側面の一部に亘って形成されており、かつ、それぞれの外部電極にサドル部が形成されていない点において、異なる。なお、その他の条件は、実施例と同じとした。
また、実施例、比較例１および比較例２の各サンプルは、各実験について、それぞれ２０個ずつとした。
【００９０】
（クラック発生確認実験の方法）
各サンプルに対して、ＬＦ半田を用いて、実装基板としてガラスエポキシ基板にリフロー実装した。その後、試験槽（気相）内で、−５５℃／３０分〜１２５℃／３０分を１サイクルとし、合計１０００サイクル実施した。
１０００サイクル後に抜き取ったサンプルを、基板付きのまま、側面から端子接合部中央付近まで（ＬＴ面を）研磨し、外部電極の先端のクラックの有無を観察した。
なお、本実験を行うにあたり、前処理として、熱処理１５０℃／６０分〜２４時間放置を行い、後処理として、２４時間放置とした。
【００９１】
（耐湿信頼性試験の方法）
各サンプルに対して、ＬＦ半田を用いて、実装基板としてガラスエポキシ基板にリフロー実装した。その後、各サンプルに対して１２５℃、相対湿度９５％ＲＨ、１．２気圧の高温高湿槽内にて、定格電圧を印加し、１４４時間の耐湿負荷加速試験を行った。絶縁抵抗値（ＩＲ値）が２桁以上低下したものをショートの発生と判断した。
【００９２】
以上の、クラックの発生の確認実験および耐湿信頼性試験の各実験結果について、実施例および比較例のそれぞれについて、クラックの発生した個数およびショートの発生した個数を表１に示す。
【００９３】
【表１】
2018018938.tif 000003
【００９４】
結果、実施例にかかる積層セラミック電子部品のサンプルでは、クラックの発生は確認されず、耐湿信頼性試験においても、ショートの発生したサンプルは確認されなかったことから、いずれも良好な結果が得られた。
一方、比較例にかかる積層セラミック電子部品のサンプルでは、クラックの発生数が１８個確認され、また、耐湿信頼性試験の結果、１個のショートの発生が確認された。
以上の結果、本発明にかかる積層セラミック電子部品では、電子部品本体に対するクラックの発生が抑制され、かつ、高い耐湿信頼性を有することが確認された。
【００９５】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、電子部品本体のセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００９６】
１０，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ，１１０Ｄ  積層セラミック電子部品
１２  電子部品本体
１４  積層体
１６  セラミック層
１６ａ  外層部
１６ｂ  内層部
１８  内部電極層
１８ａ  第１の内部電極層
１８ｂ  第２の内部電極層
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２２ａ  対向電極部
２２ｂ  側部（Ｗギャップ）
２２ｃ  端部（Ｌギャップ）
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６ａ，２６ｂ  端面中央部
２８ａ，２８ｂ  サドル部
３０ａ，３０ｂ  下地電極層
３２ａ，３２ｂ  めっき層
４０Ａ〜４０Ｄ，１４０Ａ〜１４０Ｄ  金属端子
４８，５０  端子接合部
５２  延長部
５４  実装部
５６  突起部
５８  切り欠き部
６０  接合材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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