(57)【要約】      （修正有）【課題】コンデンサ本体がその少なくとも高さ方向一面に各外部電極の回り込み部の間を覆う誘電体層を有する場合でも、各外部電極の回り込み部と誘電体層との間の隙間を原因として耐湿性が低下する懸念を小さくできる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサは、容量素子１１’の高さ方向両面それぞれにおける２個の第１下地導体膜１１ｃの間を該第１下地導体膜１１ｃそれぞれとの間に隙間ＣＬが空くように覆う補助誘電体層１１ｄとを有している。各外部電極１２および１３は、第２下地導体膜１２ａおよび１３ａと、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂとを有しており、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの回り込み箇所１２ｂ１及び１３ｂ１は前記隙間ＣＬに埋まった挿入部１２ｂ２及び１３ｂ２を有している。【選択図】図３
2018018846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極とを備え、前記外部電極それぞれが前記コンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面に回り込んだ回り込み部を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（ａ１）略直方体状の容量素子と、（ａ２）前記容量素子の少なくとも高さ方向一面の長さ方向両端部に設けられた第１下地導体膜と、（ａ３）前記容量素子の少なくとも高さ方向一面における前記第１下地導体膜の間を、該第１下地導体膜それぞれとの間に長さ方向の隙間が空くように覆う補助誘電体層と、を有しており、
前記外部電極の一方は、（ｂ１）前記容量素子の長さ方向一面と、前記コンデンサ本体の長さ方向一側に存する前記第１下地導体膜の長さ方向一端縁とに付着した第２下地導体膜と、（ｂ２）前記第２下地導体膜の表面と前記第１下地導体膜の表面とに連続して付着した表面導体膜と、を有しており、前記第１下地導体膜と前記表面導体膜の前記第１下地導体膜に付着した回り込み箇所とによって前記回り込み部を構成しているとともに、前記表面導体膜の前記回り込み箇所は前記隙間に埋まった挿入部を有しており、
前記外部電極の他方は、（ｃ１）前記容量素子の長さ方向他面と、前記コンデンサ本体の長さ方向他側に存する前記第１下地導体膜の長さ方向他端縁とに付着した第２下地導体膜と、（ｃ２）前記第２下地導体膜の表面と前記第１下地導体膜の表面とに連続して付着した表面導体膜と、を有しており、前記第１下地導体膜と前記表面導体膜の前記第１下地導体膜に付着した回り込み箇所とによって前記回り込み部を構成しているとともに、前記表面導体膜の前記回り込み箇所は前記隙間に埋まった挿入部を有している、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記補助誘電体層の厚さは、前記外部電極それぞれの前記回り込み部の厚さに対して同等以下である、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記第１下地導体膜それぞれの長さは、前記積層セラミックコンデンサの長さの１／６〜３／７の範囲内で設定されている、
請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記表面導体膜それぞれの厚さは、前記隙間それぞれの長さ以上である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記表面導体膜それぞれは、メッキ膜から成る、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記外部電極それぞれは、前記コンデンサ本体の高さ方向両面に回り込んだ２個の回り込み部を有している、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部電極がコンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面に回り込んだ回り込み部を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサのサイズは長さと幅と高さによって規定されており、このうちの高さは内部電極層の積層方向に沿う寸法を指す。また、積層セラミックコンデンサは、一般に、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有する略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられ、かつ、複数の内部電極層が交互に接続された１対の外部電極とを備えており、各外部電極はコンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面に回り込んだ回り込み部を有している。
【０００３】
ところで、積層セラミックコンデンサに対しては容量の増加に加えてサイズの縮小が依然として要求されているが、サイズを縮小すると、特に高さを小さくすると、コンデンサ本体の強度が低下する懸念が生じる。
【０００４】
先に述べた積層セラミックコンデンサのように、各外部電極がコンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面に回り込んだ回り込み部を有する場合、前記強度低下を抑制する手法として、コンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面における回り込み部の間を誘電体層で覆う手法が考えられる（例えば特許文献１を参照）。この手法によれば、前記誘電体層によってコンデンサ本体の強度低下を抑制することが可能となる。
【０００５】
しかしながら、前記誘電体層を作製するときの寸法公差は避けることができないため、仮に各外部電極の回り込み部と前記誘電体層との間に極力隙間が生じないような設計をしても、実際上は、各外部電極の回り込み部と前記誘電体層との間に隙間が空くものと隙間が空かないものとが入り交じった状態で製造されてしまう。
【０００６】
すなわち、各外部電極の回り込み部と前記誘電体層との間に隙間が空くものは、隙間がある部分とない部分とでコンデンサ本体の実質的な高さが異なり、隙間がある部分はコンデンサ本体内への水分が浸入が生じやすい部分となるため、コンデンサ本体の耐湿性が低下するといった別の懸念が生じてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実公昭６１−０２５２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、コンデンサ本体がその少なくとも高さ方向一面に各外部電極の回り込み部の間を覆う誘電体層を有する場合でも、各外部電極の回り込み部と誘電体層との間の隙間を原因として耐湿性が低下する懸念を小さくできる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極とを備え、前記外部電極それぞれが前記コンデンサ本体の少なくとも高さ方向一面に回り込んだ回り込み部を有する積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、（ａ１）略直方体状の容量素子と、（ａ２）前記容量素子の少なくとも高さ方向一面の長さ方向両端部に設けられた第１下地導体膜と、（ａ３）前記容量素子の少なくとも高さ方向一面における前記第１下地導体膜の間を、該第１下地導体膜それぞれとの間に長さ方向の隙間が空くように覆う補助誘電体層と、を有しており、前記外部電極の一方は、（ｂ１）前記容量素子の長さ方向一面と、前記コンデンサ本体の長さ方向一側に存する前記第１下地導体膜の長さ方向一端縁とに付着した第２下地導体膜と、（ｂ２）前記第２下地導体膜の表面と前記第１下地導体膜の表面とに連続して付着した表面導体膜と、を有しており、前記第１下地導体膜と前記表面導体膜の前記第１下地導体膜に付着した回り込み箇所とによって前記回り込み部を構成しているとともに、前記表面導体膜の前記回り込み箇所は前記隙間に埋まった挿入部を有しており、前記外部電極の他方は、（ｃ１）前記容量素子の長さ方向他面と、前記コンデンサ本体の長さ方向他側に存する前記第１下地導体膜の長さ方向他端縁とに付着した第２下地導体膜と、（ｃ２）前記第２下地導体膜の表面と前記第１下地導体膜の表面とに連続して付着した表面導体膜と、を有しており、前記第１下地導体膜と前記表面導体膜の前記第１下地導体膜に付着した回り込み箇所とによって前記回り込み部を構成しているとともに、前記表面導体膜の前記回り込み箇所は前記隙間に埋まった挿入部を有している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る積層セラミックコンデンサによれば、コンデンサ本体がその少なくとも高さ方向一面に各外部電極の回り込み部の間を覆う誘電体層を有する場合でも、各外部電極の回り込み部と誘電体層との間の隙間を原因として耐湿性が低下する懸念を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサを高さ方向一面側から見た図である。
【図２】図２は図１に示した積層セラミックコンデンサを幅方向一面側から見た図である。
【図３】図３は図１に示した積層セラミックコンデンサのＳ１−Ｓ１線に沿う断面図である。
【図４】図４（Ａ）と図４（Ｂ）それぞれは図３の要部拡大図である。
【図５】図５は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例を説明するための図３対応図である。
【図６】図６（Ａ）および図６（Ｂ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図であり、図６（Ａ）は図３対応図、図６（Ｂ）は図１対応図である。
【図７】図７は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例を説明するための図３対応図である。
【図８】図８は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例を説明するための図３対応図である。
【図９】図９は本発明を適用した他の積層セラミックコンデンサの図３対応図である。
【図１０】図１０は本発明を適用した他の積層セラミックコンデンサの図３対応図である。
【図１１】図１１は効果の検証結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、図１〜図４を用いて、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の構造について説明する。この説明では、図１の左右方向を長さ方向、図１の上下方向を幅方向、図２の上下方向を高さ方向と表記するとともに、これら長さ方向と幅方向と高さ方向のそれぞれに沿う寸法を長さと幅と高さと表記する。
【００１３】
図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０のサイズは長さＬと幅Ｗと高さＨによって規定されている。参考までに、図１〜図４の基になっている第１試作品の長さＬと幅Ｗと高さＨの実寸はそれぞれ６００μｍと３００μｍと３００μｍであり、第２試作品の長さＬと幅Ｗと高さＨの実寸はそれぞれ１０００μｍと５００μｍと５００μｍであり、いずれも長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨの関係を有している。この積層セラミックコンデンサ１０は、略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の長さ方向一端部に設けられた第１外部電極１２と、コンデンサ本体１１の長さ方向他端部に設けられた第２外部電極１３とを備えている。
【００１４】
コンデンサ本体１１は、（ａ１）複数の内部電極層１１ａ１が誘電体層１１ａ２を介して積層された容量部１１ａと、容量部１１ａの高さ方向両側に設けられた誘電体マージン部１１ｂとを有する略直方体状の容量素子１１’と、（ａ２）容量素子１１’の高さ方向両面それぞれの長さ方向両端部に設けられた第１下地導体膜１１ｃ（計４個）と、（ａ３）容量素子１１’の高さ方向両面それぞれにおける２個の第１下地導体膜１１ｃの間を、各第１下地導体膜１１ｃとの間に長さ方向の隙間ＣＬが空くように覆う補助誘電体層１１ｄ（計２個）と、を有している。なお、図２および図３では、図示の便宜上、計２４の内部電極層１１ａ１を描いているが、内部電極層１１ａ１の数に特段の制限はない。
【００１５】
各内部電極層１１ａ１は、略同じ外形（略矩形状）と略同じ厚さを有している。各内部電極層１１ａ１の長さ（符号省略）は、容量素子１１’の長さ（符号省略）よりも小さく、各内部電極層１１ａ１の幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅(符号省略）よりも小さい。各内部電極層１１ａ１の厚さは、例えば０．５〜３μｍの範囲内で設定されている。
【００１６】
各誘電体層１１ａ２は、略同じ外形（略矩形状）と略同じ厚さを有している。各誘電体層１１ａ２の長さ（符号省略）は、容量素子１１’の長さと略同じであり、各誘電体層１１ａ２の幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅と略同じである。各誘電体層１１ａ２の厚さは、例えば０．５〜３μｍの範囲内で設定されている。
【００１７】
各誘電体マージン部１１ｂは、略同じ外形（略矩形状）と略同じ厚さを有している。各誘電体マージン部１１ｂの長さ（符号省略）は、容量素子１１’の長さと略同じであり、各誘電体マージン部１１ｂの幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅と略同じである。各誘電体マージン部１１ｂの厚さは、例えば５〜３０μｍの範囲内で設定されている。
【００１８】
各内部電極層１１ａ１の主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料である。各誘電体層１１ａ２の主成分と各誘電体マージン部１１ｂの主成分、すなわち、容量素子１１’の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等の誘電体材料（誘電体セラミック材料）である。
【００１９】
各第１下地導体膜１１ｃは、略同じ外形（略矩形状）と略同じ厚さを有している。各第１下地導体膜１１ｃの長さＬａは、例えば積層セラミックコンデンサ１０の長さＬの１／６〜３／７の範囲内で設定されており、各第１下地導体膜１１ｃの幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅と略同じである。各第１下地導体膜１１ｃの厚さｔａは、例えば２〜６μｍの範囲内で設定されている。
【００２０】
各第１下地導体膜１１ｃの主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料であり、好ましくは各内部電極層１１ａ１の主成分と同じである。
【００２１】
各補助誘電体層１１ｄは、略同じ外形（略矩形状）と略同じ厚さを有している。各補助誘電体層１１ｄの長さＬｂは、容量素子１１’の高さ方向両面それぞれにおける２個の第１下地導体膜１１ｃの長さ方向間隔（Ｌｂ＋２Ｌｃに相当）よりも小さく、各補助誘電体層１１ｄの幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅と略同じである。各補助誘電体層１１ｄの厚さｔｂは、例えば２〜６μｍの範囲内で設定されており、好ましくは第１下地導体膜１１ｃの厚さｔａと同じである。また、各補助誘電体層１１ｄの厚さｔｂは、第１下地導体膜１１ｃの厚さｔａと後述の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの回り込み箇所１２ｂ１および１３ｂ１の厚さｔｄとの和、つまり、後述の回り込み部１２ｃおよび１３ｃの厚さに対して同等以下となる。
【００２２】
各補助誘電体層１１ｄの主成分は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等の誘電体材料（誘電体セラミック材料）であり、好ましくは容量素子１１’の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と同じである。
【００２３】
各隙間ＣＬの長さＬｃは、例えば２〜６μｍの範囲内で設定されており、各隙間ＣＬの幅（符号省略）は、容量素子１１’の幅と略同じである。
【００２４】
第１外部電極１２は、（ｂ１）容量素子１１’の長さ方向一面（図３の左面）と、コンデンサ本体１１の長さ方向一側（図３の左側）に存する２個の第１下地導体膜１１ｃの長さ方向一端縁（図３の左端縁）とに付着した第２下地導体膜１２ａと、（ｂ２）第２下地導体膜１２ａの表面と前記２個の第１下地導体膜１１ｃの表面とに連続して付着した表面導体膜１２ｂと、を有している。すなわち、第１外部電極１２は、各第１下地導体膜１１ｃと表面導体膜１２ｂの各第１下地導体膜１１ｃに付着した回り込み箇所１２ｂ１とによって、コンデンサ本体１１の高さ方向両面それぞれに回り込んだ２個の回り込み部１２ｃを構成している。また、表面導体膜１２ｂの各回り込み箇所１２ｂ１は、コンデンサ本体１１の長さ方向一側（図３の左側）に存する２個の隙間ＣＬそれぞれに埋まった挿入部１２ｂ２を有している。
【００２５】
第２外部電極１３は、（ｃ１）容量素子１１’の長さ方向他面（図３の右面）と、コンデンサ本体１１の長さ方向他側（図３の右側）に存する２個の第１下地導体膜１１ｃの長さ方向他端縁（図３の右端縁）とに付着した第２下地導体膜１３ａと、（ｃ２）第２下地導体膜１３ａの表面と前記２個の第１下地導体膜１１ｃの表面とに連続して付着した表面導体膜１３ｂと、を有している。すなわち、第２外部電極１３は、各第１下地導体膜１１ｃと表面導体膜１３ｂの各第１下地導体膜１１ｃに付着した回り込み箇所１３ｂ１とによって、コンデンサ本体１１の高さ方向両面それぞれに回り込んだ２個の回り込み部１３ｃを構成している。また、表面導体膜１３ｂの各回り込み箇所１３ｂ１は、コンデンサ本体１１の長さ方向他側（図３の右側）に存する２個の隙間ＣＬそれぞれに埋まった挿入部１３ｂ２を有している。
【００２６】
つまり、各外部電極１２および１３は、コンデンサ本体１１の高さ方向両面に回り込んだ２個の回り込み部１２ｃおよび１３ｃを有している。図３から分かるように、先に述べた複数の内部電極層１１ａ１の端縁は、第１外部電極１２の第２下地導体膜１２ａと、第２外部電極１３の第２下地導体膜１３ａに、交互に接続されている。なお、図１〜図３には、各外部電極１２および１３の第２下地導体膜１２ａおよび１３ａとして、各々の高さ方向両端縁が各第１下地導体膜１１ｃに僅かに乗り上げたものを描いているが、この乗り上げ部分はなくてもよいし、乗り上げ部分の長さは図示した長さよりも多少大きくてもよい。
【００２７】
各外部電極１２および１３の第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの厚さｔｃは、例えば５〜１５μｍの範囲内で設定されている。各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄは、例えば２〜６μｍの範囲内で設定されて設定されている。また、各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの回り込み箇所１２ｂ１および１３ｂ１の長さ（符号省略）は、｛第１下地導体膜１１ｃの長さＬａ＋隙間ＣＬの長さＬｃ｝と略同じである。
【００２８】
各外部電極１２および１３の第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料である。また、各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの主成分は、例えば銅、ニッケル、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等の金属材料である。
【００２９】
ここで、図４を用いて、各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの層構成と、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの挿入部１２ｂ２および１３ｂ２の形態について詳述する。
【００３０】
図４に示した表面導体膜１２ｂおよび１３ｂは３層構成であり、順に作製された第１膜ｆ１と第２膜ｆ２と第３膜ｆ３とを有している。各膜ｆ１、ｆ２およびｆ３の主成分は先に述べた金属材料から適宜選択できるが、各内部電極層１１ａ１の主成分と各第１下地導体膜１１ｃの主成分と各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分がニッケルである場合における具体例をあげると、第１膜ｆ１の主成分は銅、第２膜ｆ２の主成分はニッケル、第３膜ｆ３の主成分はスズである。また、各膜ｆ１、ｆ２およびｆ３は好ましくはメッキ膜であり、各々の作製には周知の湿式メッキ法や乾式メッキ法が適宜利用できる。
【００３１】
図４（Ａ）は第１膜ｆ１と第２膜ｆ２と第３膜ｆ３の全ての先端部が隙間ＣＬに入り込んでいる形態を示し、この形態は、隙間ＣＬの長さＬｃが第１膜ｆ１と第２膜ｆ２と第３膜ｆ３それぞれの厚さの合計値と略同じであるときに現れやすい。また、図４（Ｂ）は第１膜ｆ１と第２膜ｆ２の先端部が隙間ＣＬに入り込んでおり、かつ、第３膜ｆ３の先端部が隙間ＣＬに入り込んでいない形態を示し、この形態は、隙間ＣＬの長さＬｃが第１膜ｆ１と第２膜ｆ２それぞれの厚さの合計値と略同じであるときに現れやすい。いずれの形態も、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの挿入部１２ｂ２および１３ｂ２が各隙間ＣＬに埋まっていることに変わりはないため、特段の優劣はない。表面導体膜１２ｂおよび１３ｂが各隙間ＣＬに埋まった挿入部１２ｂ２および１３ｂ２を有するようにするには、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄと各隙間ＣＬの長さＬｃとに厚さｔｄ≧長さＬｃの関係を持たせるとよい。
【００３２】
また、図４には３層構成の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂを示したが、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの層構成は、主成分が異なる４層構成や主成分が異なる２層構成等の他の多層構成としてもよく、勿論、単層構成とすることも可能である。ちなみに、各内部電極層１１ａ１の主成分と各第１下地導体膜１１ｃの主成分と各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分がニッケルである場合、２層構成の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂにはニッケルを主成分とする膜とスズを主成分とする膜との組み合わせを好ましく利用することができ、また、単層構成の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂにはスズを主成分とする膜を好ましく利用することができる。すなわち、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂとして３層以外の層構成を採用する場合でも、前記条件を持たせれば、層数にかかわらず、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの挿入部１２ｂ２および１３ｂ２が各隙間ＣＬに埋まった形態を得ることができる。
【００３３】
次に、図５〜図８を用い、かつ、図１〜図４に示した符号を引用して、図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０の製造方法例、具体的には容量素子１１’の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と各補助誘電体層１１ｄの主成分がチタン酸バリウム、各内部電極層１１ａ１の主成分と各第１下地導体膜１１ｃの主成分と各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分がニッケル、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第１膜ｆ１の主成分が銅、第２膜ｆ２の主成分がニッケル、第３膜ｆ３の主成分がスズの場合の製造方法例について説明する。ここで説明する製造方法はあくまでも一例であって、前記積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を制限するものではない。
【００３４】
製造に際しては、まず、チタン酸バリウム粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有したセラミックスラリーと、ニッケル粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有した第１電極ペーストと、ニッケル粉末とチタン酸バリウム粉末（共材）と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有した第２電極ペーストと、を用意する。
【００３５】
続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、第１シートを作製する。また、この第１シートの表面に第１電極ペーストを印刷して乾燥することにより、マトリクス配列または千鳥配列の未焼成の内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。さらに、第１シートの表面に、第２電極ペーストを印刷して乾燥することにより、各第１下地導体膜１１ｃに対応したストライプ状の未焼成の第１下地導体膜パターン群を形成するとともに、隣接する未焼成の第１下地導体膜パターンの間に、各第１下地導体膜パターンとの間に隙間が空くようにセラミックスラリーを印刷して乾燥することにより、各補助誘電体層１１ｄに対応したストライプ状の未焼成の補助誘電体層パターン群を形成して、未焼成の第１下地導体膜パターン群と未焼成の補助誘電体層パターン群が形成された第３シートを作製する。
【００３６】
続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、高さ方向一方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。続いて、第２シートから取り出した単位シート（未焼成の内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量部１１ａに対応した部位を形成する。続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、高さ方向他方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。最後に、全体に対して熱圧着を施すことにより、未焼成の第１積層シートを作製する（図５を参照）。なお、図５には、図示の便宜上、未焼成の第１積層シートとして前記積層セラミックコンデンサ１０の１個に対応したものを描いているが、実際の未焼成の第１積層シートは多数個取りに対応したサイズを有している。
【００３７】
続いて、未焼成の第１積層シートの高さ方向両面それぞれに第３シートを積み重ねて熱圧着し、必要に応じて全体に対して熱圧着を施すことにより、未焼成の第２積層シートを作製する（図６を参照）。なお、図６には、未焼成の第２積層シートとして前記積層セラミックコンデンサ１０の１個に対応したものを描いているが、実際の未焼成の第２積層シートは多数個取りに対応したサイズを有している。
【００３８】
続いて、多数個取りに対応したサイズを有する未焼成の第２積層シートを格子状に切断することにより、コンデンサ本体１１に対応した未焼成のコンデンサ本体を作製する（図６を参照）。続いて、ディップやローラ塗布等の手法によって、未焼成のコンデンサ本体の長さ方向両面に第２電極ペーストを塗布して乾燥することにより、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａに対応した未焼成の第２下地導体膜を作製する（図７を参照）。
【００３９】
続いて、未焼成の第２下地導体膜を有する未焼成のコンデンサ本体を焼成炉に投入し、還元雰囲気においてチタン酸バリウムとニッケルに応じた温度プロファイルにて多数個一括で焼成して（脱バインダ処理と焼成処理を含む）、第２下地導体膜１２ａおよび１３ａを有するコンデンサ本体１１を作製する（図７を参照）。
【００４０】
続いて、電解メッキ等の湿式メッキ法によって、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの表面と各第１下地導体膜１１ｃの表面とに連続して付着した表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第１膜ｆ１（主成分は銅）を作製する（図８および図４を参照）。続いて、電解メッキ等の湿式メッキ法によって、各第１膜ｆ１の表面に付着した表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第２膜ｆ２（主成分はニッケル）を作製する（図８および図４を参照）。続いて、電解メッキ等の湿式メッキ法によって、各第２膜ｆ２の表面に付着した表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第３膜ｆ３（主成分はスズ）を作製する（図８および図４を参照）。
【００４１】
図７に示した第２下地導体膜１２ａおよび１３ａを有するコンデンサ本体１１は高さ方向両面それぞれに２個の隙間ＣＬがあるが、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第１膜ｆ１と第２膜ｆ２と第３膜ｆ３を順に作製する過程で各膜ｆ１、ｆ２及びｆ３の先端部が各隙間ＣＬを徐々に埋めていく。これにより、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂが、各隙間ＣＬに埋まった挿入部１２ｂ２および１３ｂ２を有する形態となる（図４を参照）。
【００４２】
なお、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａは、先に述べた未焼成のコンデンサ本体（図６を参照）に前記同様の焼成を施してコンデンサ本体１１を作製した後、このコンデンサ本体１１の長さ方向両面に第２電極ペーストを塗布して乾燥し、これに焼き付け処理を施すことによって作製してもよい。
【００４３】
また、容量素子１１’の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分がチタン酸バリウム以外の誘電体材料でもよいこと、各補助誘電体層１１ｄの主成分がチタン酸バリウム以外の誘電体材料でもよいこと、各内部電極層１１ａ１の主成分がニッケル以外の金属材料でもよいこと、各第１下地導体膜１１ｃの主成分がニッケル以外の金属材料でもよいこと、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分がニッケル以外の金属材料でもよいこと、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第１膜ｆ１の主成分が銅以外の金属材料でもよいこと、第２膜ｆ２の主成分がニッケル以外の金属材料でもよいこと、第３膜ｆ３の主成分がスズ以外の金属材料でもよいこと、は先に述べたとおりである。加えて、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂが３層構成以外の層構成を有していてもよいことも、先に述べたとおりである。
【００４４】
次に、図９と図１０を用いて、本発明を適用した他の積層セラミックコンデンサの構造について説明する。
【００４５】
図９に示した積層セラミックコンデンサは、その高さＨを、図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０の高さＨの１／２としたものである。参考までに、図９の基になっている第３試作品の長さＬと幅Ｗと高さＨの実寸はそれぞれ６００μｍと３００μｍと１５０μｍであり、第４試作品の長さＬと幅Ｗと高さＨの実寸はそれぞれ１０００μｍと５００μｍと２５０μｍであり、いずれも長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨの関係を有している。ここに示した高さＨの数値（１５０μｍと２５０μｍ）があくまでも一例であって、前記積層セラミックコンデンサ１０の幅Ｗよりも小さければ高さＨの数値に特段の制限はない。なお、図９には、図１〜図３と同様に、各外部電極１２および１３の第２下地導体膜１２ａおよび１３ａとして、各々の高さ方向両端縁が各第１下地導体膜１１ｃに僅かに乗り上げたものを描いているが、この乗り上げ部分はなくてもよいし、乗り上げ部分の長さは図示した長さよりも多少大きくてもよい。
【００４６】
図１０に示した積層セラミックコンデンサは、図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０のコンデンサ本体１１の高さ方向他面（図３の上面）に存する２個の第１下地導体膜１１ｃと補助誘電体層１１ｄを排除するともに、この排除に伴って各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂから高さ方向他面側の回り込み箇所１２ｂ１および１３ｂ１も排除したものである。つまり、図１０示した積層セラミックコンデンサの各外部電極１２および１３は、コンデンサ本体１１の高さ方向一面（図１０の下面）のみに回り込んだ１個の回り込み部（１２ｃおよび１３ｃ、図１〜図４を参照）を有している。ここに示した各外部電極１２および１３の形態は、図９を用いて説明した高さＨが小さい積層セラミックコンデンサにも適用することができる。なお、図１０には、図１〜図３と同様に、各外部電極１２および１３の第２下地導体膜１２ａおよび１３ａとして、各々の高さ方向両端縁が各第１下地導体膜１１ｃとコンデンサ本体１１の高さ方向他面（図９の上面）に僅かに乗り上げたものを描いているが、この乗り上げ部分はなくてもよいし、乗り上げ部分の長さは図示した長さよりも多少大きくてもよい。
【００４７】
また、図示を省略したが、図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０のコンデンサ本体１１の幅方向両側に、第３下地導体膜を各第１下地導体膜１１ｃと連続するように設け、かつ、これら各第３下地導体膜の表面にも付着するように表面導体膜（１２ｂおよび１３ｂ）を設ければ、コンデンサ本体１１の高さ方向両面の他に幅方向両面にも回り込んだ計４個の回り込み部を有する各外部電極（１２および１３）を構成することも可能である。
【００４８】
次に、図１〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０で得られる効果について説明する。ここで説明する効果は、図９と図１０それぞれに示した積層セラミックコンデンサでも同様に得ることができる。
【００４９】
［効果１］コンデンサ本体１１の高さ方向両面それぞれにおける２個の第１下地導体膜１１ｃの間を、各第１下地導体膜１１ｃとの間に長さ方向の隙間ＣＬが空くように、補助誘電体層１１ｄで覆うとともに、この隙間ＣＬそれぞれを、各外部電極１２および１３の表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの挿入部１２ｂ２および１３ｂ２によって埋めた構造を採用している。すなわち、コンデンサ本体１１の高さ方向両面それぞれにおける２個の第１下地導体膜１１ｃと各第１下地導体膜１１ｃとの間に積極的に長さ方向の隙間ＣＬを空けているので、背景技術で述べたような極力隙間が生じないような設計は不要である。また、各隙間ＣＬを各外部電極１２および１３の挿入部１２ｂ２および１３ｂ２によって埋めているので、各隙間ＣＬを通じてコンデンサ本体１１内に水分が浸入することを抑制して、コンデンサ本体１１の耐湿性が低下する懸念を小さくすることができる。
【００５０】
［効果２］コンデンサ本体１１の高さ方向両面それぞれにおける各外部電極１２および１３の回り込み部１２ｃおよび１３ｃの間が補助誘電体層１１ｄによって覆われているので、積層セラミックコンデンサ１０の高さＨを小さくした場合でも、各補助誘電体層１１ｄによってコンデンサ本体１１の強度補助を行うこともできる。
【００５１】
［効果３］各補助誘電体層１１ｄの厚さｔｂが、各外部電極１２および１３の回り込み部１２ｃおよび１３ｃの厚さ（ｔａ＋ｔｄに相当）に対して同等以下であるため、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板に実装するときや部品内蔵基板に収容するときに各補助誘電体層１１ｄが邪魔になることがない。
【００５２】
［効果４］各外部電極１２および１３の回り込み部１２ｃおよび１３ｃを構成する第１下地導体膜１１ｃの長さＬａを、積層セラミックコンデンサ１０のサイズや補助誘電体層１１ｄの長さＬｂや隙間ＣＬの長さＬｃ等に応じて、積層セラミックコンデンサ１０の長さＬの１／６〜３／７の範囲内で設定すれば、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板に実装するときや部品内蔵基板に収容するときに各外部電極１２および１３の回り込み部１２ｃおよび１３ｃに十分な接続面積を確保することができる。
【００５３】
［効果５］各外部電極１２および１３を構成する表面導体膜１２ｂおよび１３ｂそれぞれの厚さｔｄが各隙間ＣＬの長さＬｃ以上であり、しかも、表面導体膜１２ｂおよび１３ｂそれぞれがメッキ膜であるので、各隙間ＣＬを各外部電極１２および１３の挿入部１２ｂ２および１３ｂ２によって埋めることを的確に行うことができる。
【００５４】
次に、図１１を用い、かつ、図１〜図４に示した符号を引用して、前記効果１（耐湿性の低下に関する効果）の検証結果について説明する。
【００５５】
図１１に示した第１試作品は長さＬが６００μｍで幅Ｗが３００μｍで高さＨが３００μｍの積層セラミックコンデンサであり、第２試作品は長さＬが１０００μｍで幅Ｗが５００μｍで高さＨが５００μｍの積層セラミックコンデンサである。第１試作品および第２試作品の構造は図１〜図４を用いて先に説明したとおりである。
【００５６】
また、第１試作品および第２試作品の容量素子１１’の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と各補助誘電体層１１ｄの主成分はチタン酸バリウム、各内部電極層１１ａ１の主成分と各第１下地導体膜１１ｃの主成分と各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの主成分はニッケル、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの第１膜ｆ１の主成分は銅、第２膜ｆ２の主成分はニッケル、第３膜ｆ３の主成分はスズであり、両試作品は図５〜図８を用いて説明した製造方法例に準じて製造した。
【００５７】
第１試作品の要部の仕様は、各第１下地導体膜１１ｃの長さＬａが１５０μｍ、各第１下地導体膜１１ｃの厚さｔａが５μｍ、各補助誘電体層１１ｄの厚さｔｂが５μｍ、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの厚さｔｃが１０μｍ、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄが５μｍである。検証に際しては、第１試作品として、各補助誘電体層１１ｄの長さＬｂを変化させて各隙間ＣＬの長さＬｃを変えたもの（図１１を参照）を１００個ずつ用意した。
【００５８】
第２試作品の要部の仕様は、各第１下地導体膜１１ｃの長さＬａが２５０μｍ、各第１下地導体膜１１ｃの厚さｔａが５μｍ、各補助誘電体層１１ｄの厚さｔｂが５μｍ、各第２下地導体膜１２ａおよび１３ａの厚さｔｃが１０μｍ、各表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄが５μｍである。検証に際しては、第２試作品として、各補助誘電体層１１ｄの長さＬｂを変化させて各隙間ＣＬの長さＬｃを変えたもの（図１１を参照）を１００個ずつ用意した。
【００５９】
図１１の「耐湿試験」は、第１試作品および第２試作品の耐湿性を検査した結果を示す。具体的には、各試作品１００個を恒温恒湿器（エスペック社製、ＰＲ−３Ｊ）によって温度８５℃湿度８５％の環境下に５００時間さらし、この後に各試作品１００個を恒温恒湿器から取り出して室温下で２４時間放置し、この後に各試作品１００個の絶縁抵抗値をハイレジスタンスメータ（アジレント社製、４３２９Ａ）によって測定し、測定値が５００ＭΩ未満（耐湿不良品）の個数ｎを隙間ＣＬの長さＬｃ毎にｎ／１００で記してある。
【００６０】
図１１の「耐湿試験」の数値から分かるように、第１試作品にあっては、隙間ＣＬの長さＬｃが表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄ（５μｍ）を超えると、耐湿性が悪化する。また、第２試作品にあっても、隙間ＣＬの長さＬｃが表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄ（５μｍ）を超えると、耐湿性が悪化する。
【００６１】
このことから、隙間ＣＬの長さＬｃを表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄ以下にすれば、換言すれば表面導体膜１２ｂおよび１３ｂの厚さｔｄを隙間ＣＬの長さＬｃ以上とすれば、第１試作品および第２試作品は勿論のこと、先に述べた他の積層セラミックコンデンサの構造においても、耐湿性が低下する懸念を小さくすることができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１１’…容量素子、１１ａ…容量部、１１ａ１…内部電極層、１１ａ２…誘電体層、１１ｂ…誘電体マージン部、１１ｃ…第１下地導体膜、１１ｄ…補助誘電体層、ＣＬ…隙間、１２…第１外部電極、１２ａ…第２下地導体膜、１２ｂ…表面導体膜、１２ｂ１…表面導体膜の回り込み箇所、１２ｂ２…回り込み箇所の挿入部、１２ｃ…回り込み部、１３…第２外部電極、１３ａ…第２下地導体膜、１３ｂ…表面導体膜、１３ｂ１…表面導体膜の回り込み箇所、１３ｂ２…回り込み箇所の挿入部、１３ｃ…回り込み部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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