(57)【要約】      （修正有）【課題】透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層とを備える透明基板の製造方法の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させる。【解決手段】薄板ガラス１と比べて光の透過率の低い導電性薄膜層２、銅層３、レジスト層または黒色めっき層５などからなる膜層を、薄板ガラス１の周縁部の少なくとも一部に形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層と
を備える透明基板の製造方法であって、
前記透明基材と比べて光の透過率の低い膜層を前記透明基材の周縁部の少なくとも一部に形成する、
ことを特徴とする透明基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電層および前記膜層は、ともに金属めっき層からなる、
ことを特徴とする、請求項１に記載の透明基板の製造方法。
【請求項３】
前記透明基材の表面に、前記金属めっき層を形成した後、前記導電層と前記膜層を残して前記金属めっき層を取り除く、
ことを特徴とする、請求項２に記載の透明基板の製造方法。
【請求項４】
前記膜層を、
前記透明基材の周縁部全体に形成する、
ことを特徴とする、請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の透明基板の製造方法。
【請求項５】
前記透明基材は、０．３ｍｍ以下の厚みを有する薄板ガラスからなる、
ことを特徴とする、請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の透明基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基板の製造方法の技術に関し、より詳しくは、例えば薄板ガラスからなる透明基材を備える透明基板の製造工程において、各工程における当該透明基材の位置検出を行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、タッチパネルや液晶ディスプレイ等の電子機器分野においては、例えば薄板ガラス等の透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜からなる導電層とを備える透明基板が用いられている。
しかしながら、ＩＴＯ膜は電極材料としては電気抵抗値が比較的高く、ディスプレイの大画面化などの理由による透明基板の大型化の要望に対応し難いことから、近年においては、ＩＴＯ膜に替わって、導電性の優れた銅等の金属膜をその幅を細くして透明性を確保しつつパターン化した導電層を備える透明基板の需要が高まっている。
【０００３】
ここで、このようなパターン化された金属膜からなる導電層を備える透明基板の製造工程においては、要求される品質が高精度であることから、製造過程の各工程において透明基材を所定の位置に精度よく停止させる（位置決めする）必要がある。
そこで、透明基材の高精度な位置決めを実現するための技術として、例えば、照射光を照射する投光部、および当該投光部からの照射光を検知する受光部からなるフォトインタラプタを用いた技術が、「特許文献１」によって開示されている。
具体的には、前記「特許文献１」においては、搬送状態にある透明基材の位置ズレを検出するための技術であって、搬送されてくる透明基材に対して照射光（光軸）が略直交するようにして、フォトインタラプタ（投受光手段）を配置しておき、透明基材の前端部が照射光を横切る瞬間、当該照射光が散乱することを利用し、受光部が検出した検出信号の急激な変化を検知することにより、透明基材の位置検出を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記「特許文献１」の技術を用いたとしても、例えば０．３ｍｍ以下の厚みを有する薄板ガラスのような透明基材では、当該透明基材の前端部が照射光を横切る瞬間、当該照射光が急激に散乱したとしても、受光部によって検出される検出信号の変化は微々たるものであり、当該検出信号の変化を検知するのは容易ではなく、透明基材の位置検出を行うのは困難であった。
【０００６】
本発明は、以上に示した現状の問題点を鑑みてなされたものであり、透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層とを備える透明基板の製造方法であって、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる透明基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
【０００８】
即ち、本発明に係る透明基板の製造方法は、透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層とを備える透明基板の製造方法であって、前記透明基材と比べて光の透過率の低い膜層を前記透明基材の周縁部の少なくとも一部に形成することを特徴とする。
【０００９】
このような構成を有することにより、例えば前述したような、フォトインタラプタによって、前端部が照射光を横切る瞬間の検出信号の変化を検知することが困難な薄板ガラスからなる透明基材であっても、周縁部の一部に形成された膜層を利用すれば、他に別途大掛かりな検出装置等を設ける必要もなく、フォトインタラプタによって透明基材の位置を容易に検出することが可能であり、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記導電層および前記膜層は、ともに金属めっき層からなることを特徴とするのが好ましい。
【００１１】
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、金属めっき層を形成する際に、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。
【００１２】
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記透明基材の表面に、前記金属めっき層を形成した後、前記導電層と前記膜層を残して前記金属めっき層を取り除くことを特徴とするのが好ましい。
【００１３】
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。
【００１４】
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記膜層において、前記透明基材の周縁部全体に形成された部分を維持することを特徴とするのが好ましい。
【００１５】
このような構成を有することにより、フォトインタラプタによって透明基材を検出する際の、当該透明基材における被検出箇所を、当該透明基材の周縁部に沿った任意の位置に計画することができるため、製造過程の各工程において、製造品種差や設備レイアウト上の制限をあまり受けずにフォトインタラプタを容易に設置することができる。
また、透明基材の周縁部全体に前記膜層が形成されるので、透明基材の端部に衝撃を受けても透明基板が破損しにくくなる。
【００１６】
また、本発明に係る透明基板の製造方法において、前記透明基材は、０．３ｍｍ以下の厚みを有する薄板ガラスからなることを特徴とするのが好ましい。
【００１７】
このような構成からなる透明基板を製造する場合に、本発明はより一層効果的に透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の効果として、以下に示すような効果を奏する。
即ち、本発明に係る透明基板の製造方法によれば、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法のフローを示した工程図。
【図２】各工程における製造途中のガラス基板の状態を示した図であって、（ａ）は準備工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図、（ｂ）は銅層形成工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図。
【図３】各工程における製造途中のガラス基板の状態を示した図であって、（ａ）はレジスト層形成工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図、（ｂ）は露光・現像工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図。
【図４】各工程における製造途中のガラス基板の状態を示した図であって、（ａ）はエッチング工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図、（ｂ）はレジスト層剥離工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図。
【図５】各工程における製造途中のガラス基板の状態を示した図であって、（ａ）は黒化処理工程の終了直後におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た断面図、（ｂ）は切断工程の実施直前におけるガラス基板の状態を示した平面図および矢印Ａの方向から見た端面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明を具現化する実施形態について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００２１】
［製造工程Ｓ１００のフロー］
先ず、本実施形態によって実現される製造工程Ｓ１００の全体的なフローについて、図１を用いて説明する。
なお、本実施形態は、メタルメッシュ型タッチパネルの製造工程フローを例として示しているが、ディスプレイ、インターポーザや電磁シールド板など他の製品の製造工程にも適用できる。
【００２２】
本実施形態における製造工程Ｓ１００は、透明基板の一例であるガラス基板Ｇ（図５（ｂ）を参照）を、所謂フォトリソグラフィ法によって製造するための工程である。
製造工程Ｓ１００は、主に経時的に行われる準備工程Ｓ１０１、下地層形成工程Ｓ１０２、銅層形成工程Ｓ１０３、レジスト層形成工程Ｓ１０４、露光・現像工程Ｓ１０５、エッチング工程Ｓ１０６、レジスト層剥離工程Ｓ１０７、黒化処理工程Ｓ１０８、および切断工程Ｓ１０９などにより構成される。
【００２３】
準備工程Ｓ１０１は、透明基板の基部である透明基材を準備する工程であって、本実施形態においては、例えば厚みが０．３ｍｍ以下の薄板ガラス１（例えば、図２（ａ）を参照）が透明基材として準備される。
具体的には、本工程においては、ロール成形された長尺帯状の薄板ガラス１を、所定の外形サイズからなるシート状に切断する。
そして、切断された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送手段によって次工程である下地層準備工程Ｓ１０２へと搬送される。
【００２４】
なお、薄板ガラス１は、厚みが０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであることがより好ましい。
また、透明基材を形成する材料については、特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルム等であってもよい。
【００２５】
下地層形成工程Ｓ１０２は、準備された薄板ガラス１の平面上にめっき下地となる導電性の薄膜層を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の準備工程Ｓ１０１より搬入された薄板ガラス１を脱脂して平面に付着した脂分を除去し、その後、当該薄板ガラス１に対して無電解ニッケルめっき処理を施し、平面全体に均一な黒色の導電性薄膜層２（例えば、図２中の（ｂ）を参照）を形成する。
ここで、平面とは、薄板ガラス１の両主面１ａ・１ｂと両主面１ａ・１ｂに接続される端面１ｃ（図２(ａ)を参照）とを指す。
これにより、導電性を有しない電気絶縁体である薄板ガラス１に対して導電性が付加されることとなり、後の銅層形成工程Ｓ１０３における電気めっき処理が可能となる。
【００２６】
その後、無電解ニッケルめっき処理が施された薄板ガラス１は、熱処理を施した後、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である銅層形成工程Ｓ１０３へと搬送される。
【００２７】
銅層形成工程Ｓ１０３は、薄板ガラス１に形成された導電性薄膜層２上に、導電層となる銅層３（例えば、図２（ｂ）を参照）を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の下地層形成工程Ｓ１０２より搬入された薄板ガラス１を脱脂して導電性薄膜層２上に付着した脂分を除去し、その後、当該薄板ガラス１に対して電気めっき処理を施し、当該導電性薄膜層２上の全体に亘って均一な銅層３を形成する。
なお、下地層形成工程Ｓ１０２および銅層形成工程Ｓ１０３ではめっき法を用いているが、スパッタ法を適用することも可能である。端面１ｃに容易に成膜できること、短時間で成膜できること、膜欠陥が発生しにくいこと等の理由により、めっき法を用いることが好ましい。
【００２８】
その後、電気めっき処理が施された薄板ガラス１は、防塵処理を施した後、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるレジスト層形成工程Ｓ１０４へと搬送される。
【００２９】
レジスト層形成工程Ｓ１０４は、薄板ガラス１の導電性薄膜層２上に形成された銅層３上に、レジスト層４（例えば、図３（ａ）を参照）を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の銅層形成工程Ｓ１０３より搬入された薄板ガラス１を、純水等によって洗浄して銅層３上に付着した粉塵等を除去した後、当該銅層３上の平面全体に亘って感光性のレジストを塗布する。
【００３０】
その後、プリベークを行い、薄板ガラス１に塗布されたレジストを加熱して固化させることにより、当該薄板ガラス１と密着されたレジスト層４を形成する。
こうして、レジスト層４が形成された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送手段によって次工程である露光・現像工程Ｓ１０５へと搬送される。
【００３１】
なお、レジスト層４を形成するレジスト材料としては、例えば東京応化工業製の液状フォトレジスト等が挙げられるが、このような塗布タイプに替わってシート状のドライフィルムやインクタイプのものを用いてもよい。
また、プリベーク時の加熱温度については、７０℃〜１５０℃であることが好ましく、８０℃〜１２０℃であることがより好ましい。
【００３２】
露光・現像工程Ｓ１０５は、所定のパターンが形成されたフォトマスク（図示せず）を介して、薄板ガラス１の銅層３上に形成されたレジスト層４を露光し（露光工程）、当該パターンに従ってレジスト層４の一部を除去する（現像工程）工程である。
具体的には、本工程においては、前述のレジスト層形成工程Ｓ１０４より搬入された薄板ガラス１に対して、前記フォトマスクを介して紫外線等の光を所定時間照射し、その後、前記薄板ガラス１を現像液に浸漬する。
これにより、レジスト層４において、前記パターンに従って紫外線等の光によって露光された部分（感光部４ａ。図３（ｂ）を参照）は、現像液によって溶解し除去される。
【００３３】
その後、感光部４ａが完全に溶解された状態において、薄板ガラス１を現像液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス１を洗い流す（リンスする）。
そして、ポストベークを行い、加熱によって薄板ガラス１に付着する水滴等を除去するとともに、レジスト層４における感光部４ａ以外の部分と薄板ガラス１との結着状態をより強固なものとする。
これにより、銅層３において、後のエッチング工程Ｓ１０６によって除去される部分は、完全に外部に露出された状態となる一方、除去されずに維持される部分は、レジスト層４によって保護された状態となる。
【００３４】
その後、レジスト層４の一部（即ち、感光部４ａ）が除去された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるエッチング工程Ｓ１０６へと搬送される。
【００３５】
なお、現像液の種類としては、例えば炭酸ナトリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、および水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
また、ポストベーク時の加熱温度については、１００℃〜２００℃であることが好ましい。
【００３６】
エッチング工程Ｓ１０６は、レジスト層４の一部を除去することにより外部に露出された銅層３の部分（露出部３ａ。図４（ａ）を参照）を、エッチングによって除去する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の露光・現像工程Ｓ１０５より搬入された薄板ガラス１を、エッチング液に浸漬する。
これにより、銅層３の露出部３ａ、即ちレジスト層４における感光部４ａと同範囲の部分は、エッチング溶液によって溶解し除去される。
換言すると、銅層３は、前述したフォトマスクの形状に従いパターン化される。
【００３７】
その後、露出部３ａが完全に溶解された状態において、薄板ガラス１をエッチング液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス１を洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、銅層３の一部（即ち、露出部３ａ）が除去された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるレジスト層剥離工程Ｓ１０７へと搬送される。
【００３８】
なお、エッチング液の種類としては、例えばフッ酸水溶液、硝酸水溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄水溶液、シュウ酸水溶液、およびこれらの混合溶液等が挙げられる。
また、エッチングの方法としては、本実施形態に示されるような、エッチング液に浸漬するウエットエッチングに限定されることはなく、例えば、ブラシ、刷毛、ローラー、およびスプレー等によってエッチング液を所定箇所に塗布する方法や、フッ素含有化合物（例えば、四フッ化炭素）等のプラズマ中においてエッチングするドライエッチング法を用いてもよい。
【００３９】
レジスト層剥離工程Ｓ１０７は、銅層３上に残存するレジスト層４を除去し、当該銅層３における露出部３ａ以外の部分（残存部３ｂ。図４（ｂ）を参照）を外部に露出させる工程である。
具体的には、本工程においては、前述のエッチング工程Ｓ１０６より搬入された薄板ガラス１を、レジスト剥離液に浸漬する。
これにより、残存するレジスト層４は、レジスト剥離液によって溶解し除去されることとなり、銅層３の残存部３ｂ、即ち当該銅層３において前述したフォトマスクによってパターニングされた部分が、外部に露出された状態となる。
【００４０】
その後、レジスト層４が完全に溶解された状態において、薄板ガラス１をレジスト剥離液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス１を洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、残存部３ｂが完全に外部に露出された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である黒化処理工程Ｓ１０８へと搬送される。
【００４１】
なお、レジスト剥離液の種類としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液などが挙げられる。
【００４２】
黒化処理工程Ｓ１０８は、外部に露出された銅層３の残存部３ｂ上に黒化処理を施す工程である。
具体的には、本工程においては、前述のレジスト層剥離工程Ｓ１０７より搬入された薄板ガラス１を脱脂して銅層３の残存部３ｂ上に付着した脂分を除去し、その後、薄板ガラス１に対して電気めっき処理を施し、当該残存部３ｂ上にクロム等の黒色めっき層５を形成する。
これにより、銅層３の残存部３ｂに対して金属特有の光沢を隠蔽することが可能となり、例えば、最終製品としてのガラス基板Ｇが、タッチパネルや液晶ディスプレイ等に用いられた場合であっても、外光等の不要光が当該ガラス基板Ｇに反射して、透視画像のコントラストが低下するようなこともない。
【００４３】
その後、黒色めっき層５が形成された薄板ガラス１を、純水等によって洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、黒化処理が施された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である切断工程Ｓ１０９へと搬送される。
【００４４】
なお、黒化処理の手法としては、例えば亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウムおよびリン酸三ナトリウム等の水溶液を用いて酸化処理を行い、ＣｕＯ膜を形成することとしてもよい。
【００４５】
切断工程Ｓ１０９は、黒化処理が施された薄板ガラス１を所定の外形サイズに切断し、最終製品としてのガラス基板Ｇを得る工程である。
具体的には、本工程においては、前述の黒化処理工程Ｓ１０８より搬入された薄板ガラス１を、例えば図示せぬ切断装置の作業台上にて吸着保持し、超音波カッター等を用いて所定の外形サイズに切断した後、純水等によって洗浄する。
こうして、薄板ガラス１と、当該薄板ガラス１の平面上に形成されるパターン化された銅層３とを備えるガラス基板Ｇ・Ｇ・・・が、一枚の薄板ガラス１より、所定の外形サイズにて複数製造される。
【００４６】
そして、製造されたガラス基板Ｇは、その後、図示せぬ搬送カセットに収納されて別の製造工程へと送られ、電気動作確認や他の基板との貼り合わせが行われることとなる。
【００４７】
［各工程における製造途中の薄板ガラス１の状態］
次に、製造工程Ｓ１００に基づきガラス基板Ｇを製造する場合の、各工程における製造途中の薄板ガラス１の状態について、図２乃至図５を用いて説明する。
【００４８】
先ず始めに、図２（ａ）に示すように、ロール成形された薄板ガラス１は、準備工程Ｓ１０１にて矩形シート状に切断され、下地層形成工程Ｓ１０２へと送られる。
下地層形成工程Ｓ１０２に送られた薄板ガラス１は無電解めっき処理を施され、その平面全体（本実施形態においては、主面１ａ・１ｂおよび端面１ｃ）において導電性薄膜層２が形成される。
そして、導電性薄膜層２が形成された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、銅層形成工程Ｓ１０３へと送られる。
【００４９】
ここで、薄板ガラス１を搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、当該搬送カセットに対して薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、前述したように、透明基材である薄板ガラス１には、既に平面全体に亘って、当該薄板ガラス１に比べて光に対する透過率の低い導電性薄膜層２が形成されている。
【００５０】
このようなことから、本実施形態においては、例えば、照射光を照射する投光部、および当該投光部からの照射光を検知する受光部からなるフォトインタラプタ（図示せず）によって薄板ガラス１の位置を容易に検出し、搬送カセットに対して当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
【００５１】
銅層形成工程Ｓ１０３に送られた薄板ガラス１は電気めっき処理を施され、図２（ｂ）に示すように、その平面全体（即ち、導電性薄膜層２上の平面全体）において銅層３が形成される。
そして、銅層３が形成された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、レジスト層形成工程Ｓ１０４へと送られる。
【００５２】
ここで、前述した導電性薄膜層２と同様に、銅層３についても薄板ガラス１に比べて光に対する透過率が低いことから、フォトインタラプタを用いて薄板ガラス１の位置を容易に検出することが可能である。
【００５３】
このようなことから、本実施形態においては、銅層形成工程Ｓ１０３にて薄板ガラス１を搬送カセットに収納する場合、フォトインタラプタによって薄板ガラス１の位置を容易に検出し、搬送カセットに対して当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
【００５４】
レジスト層形成工程Ｓ１０４に送られた薄板ガラス１は、例えばスピンコーター等の装置を用いてレジストを塗布され、図３（ａ）に示すように、その平面全体（即ち、銅層３上の平面全体）においてレジスト層４が形成される。
そして、レジスト層４が形成された薄板ガラス１は、プリベークによって加熱処理が施される。
【００５５】
ここで、プリベークを行う場合においては、所定の停止位置精度に基づき、薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、前述したように、薄板ガラス１の銅層３上には、既に平面全体に亘って、当該薄板ガラス１に比べて光に対する透過率の低いレジスト層４が形成されている。
【００５６】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって薄板ガラス１の位置を容易に検出し、当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
【００５７】
レジスト層４が形成された薄板ガラス１は、その後、図示せぬ搬送手段によって露光・現像工程Ｓ１０５へと搬送される。
そして、露光・現像工程Ｓ１０５に送られた薄板ガラス１は、フォトマスクを介して紫外線等の光を露光された後、ポストベークによって加熱処理を施されることにより、図３（ｂ）に示すように、レジスト層４の一部（感光部４ａ）を除去される。
その後、レジスト層４の一部が除去された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、エッチング工程Ｓ１０６へと送られる。
【００５８】
ここで、紫外線等の光の露光やポストベークを行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、本工程（露光・現像工程Ｓ１０５）にてレジスト層４の一部を除去する場合、従来においては、最終的に導電層として必要となる部分（即ち、薄板ガラス１の中央部において、最終製品であるガラス基板Ｇに相当する部分）を除くすべての領域のレジスト層４を除去していたところ、本実施形態においては、少なくとも、薄板ガラス１の周縁部の一部（本実施形態においては、周縁部全体）について、レジスト層４を意図的に残すこととしている（図３（ｂ）中におけるレジスト層４の周縁部４ｂを参照）。
【００５９】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって、レジスト層４の周縁部４ｂにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス１の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
【００６０】
エッチング工程Ｓ１０６に送られた薄板ガラス１は、ウエットエッチングを施された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図４（ａ）に示すように、銅層３の一部（感光部４ａ）が除去される。
その後、銅層３の一部が除去された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、レジスト層剥離工程Ｓ１０７へと送られる。
【００６１】
ここで、ウエットエッチング、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、薄板ガラス１の周縁部にレジスト層４の一部（周縁部４ｂ）が意図的に残されていることから、本工程（エッチング工程Ｓ１０６）によって薄板ガラス１の周縁部に形成された銅層３の一部（図４（ａ）中における銅層３の周縁部３ｃを参照）が除去されることはなく、前記レジスト層４の周縁部４ｂとともに維持されることとなる。
【００６２】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって、銅層３の周縁部３ｃとともに維持される、レジスト層４の周縁部４ｂにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス１の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
【００６３】
レジスト層剥離工程Ｓ１０７に送られた薄板ガラス１は、レジスト剥離液に浸漬され剥離処理を施された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図４（ｂ）に示すように、残存する全てのレジスト層４が除去される。
その後、レジスト層４が除去された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、黒化処理工程Ｓ１０８へと送られる。
【００６４】
ここで、レジスト層４の剥離処理、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、本工程（レジスト層剥離工程Ｓ１０７）によって残存する全てのレジスト層４が除去されたとしても、薄板ガラス１の周縁部には、依然として銅層３の一部（周縁部３ｃ）が維持されることとなる。
【００６５】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって、銅層３の周縁部３ｃにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス１の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
【００６６】
黒化処理工程Ｓ１０８に送られた薄板ガラス１は、脱脂処理、黒化処理、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図５（ａ）に示すように、銅層３の残存部３ｂ上において黒色めっき層５が形成される。
その後、黒色めっき層５が形成された薄板ガラス１は、図示せぬ搬送カセットに収納され、切断工程Ｓ１０９へと送られる。
【００６７】
ここで、脱脂処理、黒化処理、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、薄板ガラス１の周縁部に銅層３の周縁部３ｃが維持されていることから、当該周縁部３ｃ上においても、薄板ガラス１に比べて光に対する透過率の低い黒色めっき層５を形成することができる。
【００６８】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって、周縁部の黒色めっき層５における任意の箇所を検出することで、薄板ガラス１の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
【００６９】
切断工程Ｓ１０９に送られた薄板ガラス１は、図示せぬ切断装置によって仮想の切断線Ｌに沿って切断処理された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図５（ｂ）に示すように、複数のガラス基板Ｇ・Ｇ・・・に分断される。
その後、分断された複数のガラス基板Ｇ・Ｇ・・・は、図示せぬ搬送カセットに収納され、前述したように、電気動作確認や他の基板との貼り合わせが行われる別の製造工程へと送られる。
【００７０】
ここで、薄板ガラス１に対して切断処理を行う場合においては、所定の停止位置精度に基づき、前記切断装置に対して薄板ガラス１の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、未だ切断処理の行われていない状態（即ち、前述した黒化処理工程Ｓ１０８を終えた直後の状態）であれば、薄板ガラス１の周縁部に、黒化処理を施された銅層３の周縁部３ｃが未だ維持されている。
【００７１】
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ（図示せず）によって、銅層３の周縁部３ｃ上に形成された、黒色めっき層５における任意の箇所を検出することで、薄板ガラス１の位置を容易に把握することが可能であり、前記切断装置に対して当該薄板ガラス１を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
【００７２】
以上のように、本実施形態の製造工程Ｓ１００は、薄板ガラス１と比べて光の透過率の低い導電性薄膜層２、銅層３、レジスト層４、または黒色めっき層５などからなる膜層を、薄板ガラス１の周縁部の少なくとも一部に形成された部分を維持することとしている。
【００７３】
その結果、例えば、フォトインタラプタによって、前端部が照射光を横切る瞬間の検出信号の変化を検知することが困難な薄板ガラス１であっても、周縁部の一部に形成されたこれらの膜層（導電性薄膜層２、銅層３、レジスト層４、または黒色めっき層５）を利用すれば、他に別途大掛かりな検出装置等を設ける必要もなく、フォトインタラプタによって薄板ガラス１の位置を容易に検出することが可能であり、製造過程の各工程において、薄板ガラス１を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
【００７４】
また、本実施形態の製造工程Ｓ１００においては、前述したように、導電層および膜層が、少なくとも導電性薄膜層２、銅層３、または黒色めっき層５からなる金属めっき層により構成されることとしている。
【００７５】
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、これらの金属めっき層を形成する際に、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。
【００７６】
また、本実施形態の製造工程Ｓ１００においては、主に下地層形成工程Ｓ１０２および銅層形成工程Ｓ１０３にて実施されるように、薄板ガラス１の平面全体に、前記金属めっき層を形成した後、エッチング工程Ｓ１０６において、前記導電層と前記膜層を残して前記金属めっき層を取り除く構成となっている。
【００７７】
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。
【００７８】
さらに、本実施形態の製造工程Ｓ１００では、前記膜層を、特に前記薄板ガラス１の周縁部全体に形成することとしている。
【００７９】
このような構成を有することにより、例えば、フォトインタラプタによって薄板ガラス１を検出する際の、当該薄板ガラス１における被検出箇所を、当該薄板ガラス１の周縁部に沿った任意の位置に計画することができるため、製造過程の各工程において、設備レイアウト上の制限をあまり受けずにフォトインタラプタを容易に設置することができる。
また、薄板ガラス１の周縁部全体に前記膜層が形成されるので、薄板ガラス１の端部に衝撃を受けても透明基板が破損しにくくなる。
【符号の説明】
【００８０】
１    薄板ガラス（透明基材）
２    導電性薄膜層（金属めっき層）
３    銅層（導電層）
４    レジスト層
５    黒色めっき層（金属めっき層）
Ｇ    ガラス基板（透明基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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