(57)【要約】【課題】高密度実装された高周波基板の放熱性を高め、長期にわたって電子機器を発熱から保護し、安定した信頼性を保持することができるという、放熱性と耐久性に優れた高周波基板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の高周波基板は、基材となる樹脂フィルムと、該樹脂フィルムの一方の面に配置される配線用銅層と、もう一方の面に配置される放熱用銅層と、該放熱用銅層の表面に配置される酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護層と、からなる高周波基板である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材となる樹脂フィルムと、該樹脂フィルムの一方の表面に配置される配線用銅層と、もう一方の表面に配置される放熱用銅層と、該放熱用銅層の表面に配置される酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護層と、からなることを特徴とする高周波基板。
【請求項２】
前記基材は、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド樹脂の群から選択される一種からなる、請求項１に記載の高周波基板。
【請求項３】
前記配線用銅層の厚さは１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記放熱用銅層の厚さは３０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の高周波基板。
【請求項４】
前記保護膜の厚さは０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲である、請求項１から請求項３のいずれかに記載の高周波基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波基板の放熱性と耐久性を改善した高周波基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体等の電子部品の高密度化、高機能化が要求されている。特に高周波帯域を使用する通信機器の小型化に加え、通信速度の高速化によって、単位体積あたりの発熱量が増加している。
【０００３】
このような高周波信号の高速伝送デバイスの実用化には、種々の課題が指摘されているが、最も大きな課題の一つに発熱問題がある。高出力・高密度で作動させるため高温になり、その信頼性が大きく低下してしまう。従って、この発熱を早く効率的に放熱することにより、信頼性の低下を防止し、耐久性を向上することが重要な課題となっている。
【０００４】
上記の課題を解決するために、種々の配線基板の改善により放熱性を向上することが検討されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、平均粒径が異なる３種類のセラミックス（球状アルミナ）粉末をエポキシ樹脂に配合した基材が開示されている。この基材においては、熱伝導性を高めるためにセラミック粉末を最密充填に近くするため、平均粒径が１ケタ、及び２ケタ異なり、それぞれ単一ピークを有する原料粉末を調製する必要がある。その結果、このように調整した３種のセラミックス粉末を特定の比率で配合して使用するためコスト高になるという課題があった。また、初期の熱伝導率は高いものの経過時間とともに機械的強度が低下するため長期耐久性に劣るという課題もあった。
【０００６】
特許文献２には、熱伝導性粒子の使用量を増大させることなく、熱伝導性を向上させることができる熱伝導性シートが開示されている。この熱伝導性シートにおいては、熱伝導性粒子を樹脂層に吸収させてから硬化させ、熱伝導性粒子を厚み方向の一方に偏析させることにより効率的に放熱させることができるとしている。しかしながら、微細な熱伝導性粒子を樹脂層中で均一に分散させることは困難であり、粒子が偏析した箇所でのみ熱伝導するため、効率的な放熱は難しいという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３０６５９４号公報
【特許文献２】特開２０１３−５８７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高密度実装された高周波基板の放熱性を高め、長期にわたって電子機器を発熱から保護し、安定した信頼性を保持することができるという、放熱性と耐久性に優れた高周波基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、高周波基板の構成として、基材の樹脂フィルムの一方の表面に配線用銅層、もう一方の表面に放熱用銅層とが配置され、該放熱用銅層の表面に酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護膜が配置される構成とすることで、優れた放熱性と耐久性を備えることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の高周波基板は、基材となる樹脂フィルムと、該樹脂フィルムの一方の面に配置される配線用銅層と、もう一方の面に配置される放熱用銅層と、該放熱用銅層の表面に配置される酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護膜と、からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の高周波基板は、基材の樹脂フィルムの表面にそれぞれ所定の膜厚の配線用銅層と放熱用銅層とが配置され、該放熱用銅層の表面に酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護膜が配置される構成とすることで、優れた放熱性、耐久性を備え、長期間使用しても、基板が物理的に傷つくことを防止できる。また、電子機器を使用する環境中の水分、酸素による酸化劣化が防止され、安定した放熱効果を持続することができ、長期使用が可能な耐久性を保持することができる。以上のことから本発明の高周波基板は、高速伝送デバイスの実用化に貢献できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の高周波基板は、基材となる樹脂フィルムと、該樹脂フィルムの一方の表面に配線用銅層と、もう一方の表面に放熱用銅層が配置され、さらに該放熱用銅層の表面に保護膜が配置されている。
【００１３】
本発明の高周波基板は、高密度実装された基板の放熱性を高めており、長期間使用による発熱を効率的に放熱することで、実装された電子機器の信頼性の低下を防止し、高周波基板として放熱性、耐久性に優れている。本発明の高周波基板は、優れた放熱性、耐久性を有している限り、その形状に特に制限はなく、例えば基材の樹脂フィルムや、配線用銅層、放熱用銅層の厚さは、使用目的など必要に応じて任意の厚さに調整することができる。
【００１４】
本発明の高周波基板は、基材となる樹脂フィルムと、該樹脂フィルムの一方の面に配置される配線用銅層と、もう一方の面に配置される放熱用銅層と、該放熱用銅層の表面に配置される酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種の保護膜と、から構成されている。
【００１５】
以下に、本発明について、（１）基材、（２）配線用銅層、（３）配線用銅層の形成方法、（４）放熱用銅層、（５）放熱用銅層の形成方法、（６）保護膜、（７）保護膜の形成方法、の順に説明する。
【００１６】
（１）基材
本発明の高周波基板において、基板として用いる基材は、高周波基板の用途に適した材料を選択することができる。例えば、安価で汎用的に使用されるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性に優れた液晶ポリマー（ＬＣＰ）、高い透明性、低い誘電率を有し耐熱性も優れたシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、高い機械強度、低い誘電率を有し耐熱性も優れたポリイミド樹脂（ＰＩ）などが挙げられる。
【００１７】
基材の形態としては、フィルム状、シート状、板状など特に限定されないが、高密度実装し、高速伝送用配線基板として使用することから、表面の平滑性が高いフィルム状の基材を選択することが望ましい。
【００１８】
本発明の高周波基板の用途、使用目的により、形状だけでなく、配線用銅層及び放熱性銅層とその保護膜を支持し、その機能を損なわない範囲でその厚さを任意に選択することができる。樹脂フィルムの厚さとしては、１０μｍ以上４００μｍ以下の範囲が好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下の範囲がより好ましい。樹脂フィルムの厚さが、１０μｍ未満では、配線用銅層、放熱用銅層、保護膜を支持する基板としての強度が不足するため好ましくない。樹脂フィルムの厚さが、４００μｍを超えると、配線用銅層側で発生した熱が効率よく放熱用銅層に伝わりにくくなるため好ましくない。また、加工性やハンドリング性が悪くなるため好ましくない。
【００１９】
（２）配線用銅層
本発明の高周波基板の配線層には、電気抵抗が少なく電気配線回路に汎用的に使われている銅を用いる。銅は、コスト的にも比較的安価で、配線加工しやすいので好ましい。配線用銅層の厚さは任意に設定できるが、高密度に実装した高周波基板として使用する場合の配線用銅層の厚さとしては、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることができる。さらに高密度化するには、１μｍ以上４μｍ以下の厚さの銅層とすることが好ましい。厚さが１μｍ未満では、配線層が薄すぎて、断線のおそれが生じ、厚さが２０μｍを超えると、配線の断面が台形状になり、配線上部と下部の配線幅に差が生じ、高密度に配線した際に配線間でショート不良のおそれが生じ好ましくない。
【００２０】
本発明の配線用銅層は、下地層にスパッタリング法により成膜した銅層を形成することが望ましい。スパッタリング法で成膜した銅層と基材との密着性は、化学結合により極めて高い。表面が平滑な基材を選択することで、表面を粗面化処理せずに、平滑な基材の表面上に直接成膜するため、得られるスパッタリング法による銅層も、平滑な膜となり、さらにめっき法で成膜された銅層も平滑な膜が得られる。従って、本発明の高周波基板を使用して高周波信号を高速伝送した時に、信号の反射や乱れが生じにくく、信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００２１】
（３）配線用銅層の形成方法
本発明の高周波基板の配線用銅層は、高周波信号の高速伝送用の配線として用いるため、前述したように１μｍ以上２０μｍ以下の銅層の厚さ、好ましくは１μｍ以上４μｍ以下の厚さの銅層である。高速伝送用の配線として使用するために、配線用銅層は、基材との密着性が高く、後で配線加工する際にエッチング性の良い膜質であることが要求される。
【００２２】
これらの要求特性を満足させるための配線用銅層は、化学蒸着法、物理蒸着法、スパッタリング法などの乾式法により成膜することで実現することができる。特にスパッタリング法は、膜が緻密になり、且つ平滑な膜や、より密着性の高い膜を得るのに適している。但し、成膜時間が長くなり、コスト的には不利な面がある。
【００２３】
そこで、スパッタリング法の特徴を生かし、且つ生産性の低下を補うために、配線用銅層は、まず基材表面に下地層として銅層をスパッタリング法で成膜した後に、電気めっき法で銅層を所定の膜厚に成膜する方法を選択することができる。
【００２４】
すなわち、本発明において配線用銅層は、下地層の銅層をスパッタリング法で５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さで成膜し、その後、電気めっき法で配線用銅層として最終的に厚さが２μｍ以上１０μｍ以下となるように成膜することにより形成することができる。
【００２５】
下地層の銅層は、銅ターゲットを用いて、スッパッタリング装置に基材をセットして、アルゴンガスを導入しながらスパッタリングして、所定の膜厚の銅層を成膜することにより得られる。なお、基材と銅層との密着性をより高めるためには、銅層を成膜する前に、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金の群から選ばれる下地層を２０ｎｍ以上１００ｎｍの厚さで成膜することが好ましい。その他、アルゴンイオンにより基材表面を洗浄したり、酸素プラズマを発生させて基材表面を活性化させる処理を施すことも密着性を高めるのに有効である。
【００２６】
次に、下地層の銅層を形成した基材を、めっき装置により銅めっきを施し、最終的に厚さが２μｍ以上１０μｍ以下になるように配線用銅層を形成する。銅めっきには、毒性が少なく、操作性に優れる硫酸銅を用いた酸化浴のメッキ装置を使用することが望ましい。
【００２７】
この銅めっき処理は、後述する放熱用銅層の下地層の銅層をスパッタリング法により先に成膜した後に、配線用銅層と放熱用銅層とを同時に銅めっき処理を行うと、非常に効率よく処理することができ、コスト的にも有利である。
【００２８】
（４）放熱用銅層
銅は、熱伝導率は３９８Ｗ／ｍＫと金属では銀に次いで高い熱伝導性を有する材料である。配線材料としても銅を使用しており、放熱層の材料も同じ銅を選択することができ、コスト的にも有利である。
【００２９】
本発明の高周波基板は、基材を挟んで一方の面に配線用銅層が配置され、もう一方の面に放熱用の銅層が配置される。放熱用銅層の厚さは、厚いほど放熱性は向上するが、必要な放熱量に応じて厚さを設定することができる。高周波基板として使用する場合、放熱用銅層の厚さは、３０μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましく、３０μｍ以上３００μｍ以下とすることがさらに好ましい。３０μｍ未満では、放熱効果が小さく、効率よい放熱効果を得ることが困難であり、５００μｍを超えて厚くすると、基板の耐折り曲げ性が低下するため好ましくない。また、これ以上厚くしても放熱効果の向上は見られず、コスト高になるだけであり好ましくない。
【００３０】
また、放熱用銅層は、高周波基板として使用する場合、基板全体に金属膜が形成されているため、電磁波を反射し、放熱用銅層による電磁波シールド効果も期待できる。
【００３１】
（５）放熱用銅層の形成方法
本発明の放熱用銅層は、配線用銅層に要求されるエッチング性などは考慮することは不要であるが、基材と銅層との密着性は高いことが望ましいので、配線用銅層と同様に、基材表面に下地層として銅層をスパッタリング法で成膜した後に、電気めっき法で銅層を所定の膜厚に成膜する方法を選択することができる。
【００３２】
すなわち、本発明において放熱用銅層は、下地層の銅層をスパッタリング法で５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さで成膜し、その後、電気めっき法で放熱用銅層として最終的に厚さが３０μｍ以上２００μｍ以下となるように成膜することにより形成することができる。
【００３３】
下地層の銅層は、銅ターゲットを用いて、スッパッタリング装置に基材をセットして、アルゴンガスを導入しながらスパッタリングして、所定の膜厚の銅層を成膜することにより得られる。なお、基材と銅層との密着性をより高めるために、銅層を成膜する前に、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金の群から選ばれる下地層を２０ｎｍ以上１００ｎｍの厚さで成膜することが好ましい。その他、アルゴンイオンにより基材表面を洗浄したり、酸素プラズマを発生させて基材表面を活性化させる処理を施すことも密着性を高めるのに有効である。
【００３４】
次に、下地層の銅層を形成した基材を、めっき装置により銅めっきを施し、最終的に厚さが３０μｍ以上２００μｍ以下になるように放熱用銅層を形成する。
【００３５】
銅めっきには、毒性が少なく、操作性に優れる硫酸銅を用いた酸化浴のメッキ装置を使用することが望ましい。
【００３６】
この銅めっき処理は、前述したように配線用銅層の下地層の銅層と、放熱用銅層の下地層の銅層をスパッタリング法により成膜した後で、配線用銅層と放熱用銅層とを同時にそれぞれ所定の銅層の厚さとなるように銅めっき処理を行うと、非常に効率よく処理することができ、コスト的にも有利である。
【００３７】
（６）保護膜
本発明の高周波基板は、放熱用銅層が基材と接する面と反対側の表面に、保護膜が配置されている。
【００３８】
上記保護膜は、放熱用銅層の酸化を防止し、傷つきを防止し、かつ、絶縁性を付与する機能を有する。
【００３９】
上記効果を有する保護膜としては、酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種からなることが重要である。上記材料を選択することにより、高周波基板に要求される硬度、絶縁性、熱伝導性が同時に付与される。
【００４０】
本発明の高い放熱性は、主に放熱用銅層により確保できるが、放熱用銅層は比較的酸化しやすい材料であり、これを防止するために保護層を配置する。十分な放熱性を確保する観点から保護膜についても、熱伝導性に高い材料を選定することが好ましい。従って、窒化アルミ二ウムの熱伝導率は２８５Ｗ／ｍＫと、銅の熱伝導率の３９８Ｗ／ｍＫに近く、高い熱伝導率を有するため窒化アルミ二ウムが特に好ましい。
【００４１】
保護膜の膜厚は、使用環境からの酸素、水蒸気による放熱用銅層の酸化防止効果が発揮され、保護膜の傷つきや長期使用による保護膜の経時劣化などによる絶縁性の低下を防止する限り任意であるが、０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．３μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。膜厚が０．１μｍ未満であると所定の酸化防止効果が得られなくなり、一方膜厚が５μｍを超えても所定の効果の向上は見られず、コストが高くなるため好ましくない。
【００４２】
（７）保護膜の形成方法
本発明の高周波基板の保護膜は、放熱用銅層の表面に、スパッタリング法による成膜によって形成することができる。すなわち、保護膜は大掛かりなハードコート設備は必要なく、本発明の配線用銅層や放熱用銅層を成膜する際に使用したスパッタリング装置により保護膜を形成することができるため、必要設備のコストという観点でも無駄がなく効率的である。
【００４３】
保護膜としては、上記したように酸化ケイ素、酸化アルミ二ウム、窒化アルミ二ウムの群から選択される一種のセラミックからなる保護膜を形成するが、本発明の銅層と同様に化学蒸着法、物理蒸着法、スパッタリング法などの乾式法により成膜することができる。特にスパッタリング法は、膜が緻密になり、且つ平滑な膜やより密着性の高い膜を得るのに適している。
【００４４】
保護膜として酸化ケイ素を選択する場合は、シリコンターゲットを用いて、反応ガスとして酸素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで酸化ケイ素膜が得られる。保護膜として酸化アルミ二ウムを選択する場合も、アルミニウムターゲットを用いて、反応ガスとして酸素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで酸化アルミニウム膜が得られる。両方とも安価なターゲットで膜硬度が高く、絶縁性の高い保護膜が形成できる。
【００４５】
放熱性をより高めたい場合は、保護膜に窒化アルミニウムを選択することが好ましい。
アルミニウムターゲットを用いて、反応ガスとして窒素ガスを導入して反応性スパッタリングすることで酸化アルミニウム膜が得られる。
【実施例】
【００４６】
以下に、実施例を示して本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されることはない。なお、下記に示す実施例及び比較例の高周波基板において、以下の評価方法により評価した。
【００４７】
（ａ）放熱性能評価
得られた基板に合計１０ＷのＬＥＤライトを取付け、毎秒１００回点滅させながら１時間動作させ、基板の裏面にサーモテープを貼り付けて、動作後の基板温度を測定した。
【００４８】
（ｂ）密着性評価
放熱用銅層と窒化アルミ二ウムの保護膜の密着性を評価した。カッターで保護膜に２ｍｍ角の大きさで、５個×２０個の１００個の条痕を形成し、試験用テープのニチバンテープで一気に引きはがした後、テープにひき剥がれた保護膜片が１００個中何個剥がれたか数えた。
【００４９】
（ｃ）硬度の評価
保護膜の硬さをＪＩＳ  Ｋ  ５６００塗料一般試験方法に準拠した鉛筆硬度試験（鉛筆引っかき試験法）により、三菱ユニ鉛筆を用いて保護膜の硬さを評価した。
【００５０】
（ｄ）耐久性評価
得られた基板を、８０℃の恒温槽に１６８時間投入した。基板を取り出して、外観を目視により、変色の有無を確認した。
【００５１】
（実施例１）
基材として厚さが１００μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルム（東レ・デュポン株式会社製、サイズ２０ｃｍ角）を用いた。
【００５２】
まず、基材のポリイミドフィルムを、スパッタリング装置（芝浦メカトロニクス株式会社製、ＣＦＳ−４ＥＳ）にセットし、このポリイミドフィルムの両面に下地層としてＮｉ−２０質量％Ｃｒを２０ｎｍ、銅を１００ｎｍ成膜した。
【００５３】
具体的には、ターゲットに、Ｎｉ−２０質量％Ｃｒ合金（純度９９．９％）と銅（純度９９．９％）の３インチ径の円板状ターゲットを用いて、到達真空度を６.５×１０−３Ｐａとし、ＤＣ出力を２００Ｗとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス：１５ｓｃｃｍ導入することにより、回転治具を用いて両面に先に膜厚２０ｎｍのＮｉ−２０質量％Ｃｒ下地層を成膜した。続いて、ＤＣ出力を３００Ｗとし、到達真空度を６.５×１０−３Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス：１５ｓｃｃｍを導入することにより膜厚１００ｎｍの銅の下地層を成膜して積層した。
【００５４】
得られたフィルムに電解銅めっきを施すために、硫酸銅を用いた両面めっき装置に下地層を成膜したフィルムをセットした。
【００５５】
めっき条件は、浴温度は４５℃で、電圧５Ｖとし、片面の電流密度３Ａ/ｄｍ2、もう片面は１５Ａ/ｄｍ2にして１５分めっきして、めっき積層体を作製した。得られた銅層の厚さは配線用銅層が４μｍで、放熱用銅層は３６μｍであった。
【００５６】
さらに、得られた銅めっき処理したフィルムを先ほど下地層の成膜に用いたスパッタリング装置（芝浦メカトロニクス株式会社製、ＣＦＳ−４ＥＳ）にセットし、固定治具を用いて３６μｍ成膜した放熱用銅層上に３インチ径の円板状金属アルミ二ウムターゲット（純度９９．９％）を用いて、窒化アルミ二ウム（ＡｌＮ）を成膜した。成膜条件は、ＲＦ出力を２５０Ｗとし、到達真空度を５.５×１０−３Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス：１５ｓｃｃｍ、窒素ガス：１５ｓｃｃｍを導入することにより膜厚０．５μｍの窒化アルミ二ウムの保護膜を成膜して高周波基板を得た。
【００５７】
得られた高周波基板の放熱性能を評価したところ、一時間動作後の基板の温度は３０℃であった。
【００５８】
また、放熱用銅層と窒化アルミ二ウムの保護膜との密着性を評価したところ、剥離は全くなかった。保護膜の硬度は、鉛筆硬度で３Ｈ であり、十分な硬度を有していた。
【００５９】
また、基板の耐久性を評価したところ、外観に変化はなかった。また、上記の密着性の評価を行ったが、剥離は全くなかった。さらに、鉛筆硬度も３Ｈであり、変化がなかった。以上のように、耐久性評価の前後で、変化なく耐久性に優れていた。
【００６０】
（実施例２）
基材として厚さが１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ株式会社製、サイズ２０ｃｍ角）を用いた以外は、実施例１と同様にして、配線用銅層を４μｍ、放熱用銅層を３６μｍ成膜した。その後、固定治具を用いて３６μｍ成膜した放熱用銅層上に３インチ径の円板状金属シリコンターゲット（純度９９．９％）を用いて、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を成膜した。成膜条件は、ＲＦ出力を２５０Ｗとし、到達真空度を５.５×１０−３Ｐａとし、かつ、反応ガスとして、アルゴンガス：１５ｓｃｃｍ、酸素ガス：１５ｓｃｃｍを導入することにより膜厚０．３μｍの酸化ケイ素の保護膜を成膜した。
【００６１】
得られた高周波基板の放熱性能を評価したところ、一時間動作後の基板の温度は３５℃であった。
【００６２】
また、放熱用銅層と酸化ケイ素の保護膜の密着性を評価したところ、剥離は全くなかった。保護膜の硬度は、鉛筆硬度で４Ｈ であり、十分な硬度を有していた。
【００６３】
また、基板の耐久性を評価したところ、外観に変化はなかった。また、上記の密着性の評価を行ったが、剥離は全くなかった。さらに、鉛筆硬度も４Ｈであり、変化がなかった。以上のように、耐久性評価の前後で、変化なく耐久性に優れていた。
【００６４】
（比較例１）
実施例１において、基材に厚さが１００μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルム（東レ・デュポン株式会社製、サイズ２０ｃｍ角）を用いて、配線用銅層を４μｍ、及び放熱用銅層を３６μｍ成膜し、その後の保護膜を形成せずに、高周波基板を得た。
【００６５】
得られた高周波基板を実施例１と同様にして放熱性能を評価した。放熱性は、室温から７５℃まで温度上昇してしまい、放熱できていないことが分かった。また、耐久性評価では、外観を確認すると赤く酸化していた。
【００６６】
以上のように、本発明の高周波基板は、放熱性能は良好であり、保護膜の密着性、膜の硬さも優れているため、恒温槽による耐久性試験によってもこれらの評価に変化がなく、耐久性に優れる基板であることが分かり、高周波伝送用配線基板として最適な基板である。