(57)【要約】【課題】厳しい環境下での処理に対しても十分な強度の接着力を確保することが可能な半導体チップを提供する。【解決手段】半導体チップは、単結晶の基板と、基板の底面に形成された金属電極とを有する。金属電極は、第１の金属が露出した領域と、第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属が露出した領域とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶の基板と、
前記基板の底面に形成され、第１の金属が露出した領域と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属が露出した領域とを含む金属電極と
を有する半導体チップ。
【請求項２】
前記第１の金属が露出した面と、前記第２の金属が露出した面とは、前記基板の底面を基準として異なる高さに位置する請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
さらに、
前記基板の上面に形成され、少なくとも１つの半導体素子を含む素子構造部と、
前記基板を前記底面から前記上面まで貫通するバイアホールと
を有し、
前記金属電極が前記バイアホール内を通って前記素子構造部に電気的に接続されている請求項１または２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記バイアホールは、前記金属電極の前記第１の金属が露出した領域と前記第２の金属が露出した領域との境界線と重ならない位置に配置されている請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記第１の金属及び前記第２の金属の一方は銅であり、他方は金である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体チップ。
【請求項６】
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に、第１の金属が露出した領域と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属が露出した領域とを含む金属電極が形成されている半導体チップと、
前記半導体チップの前記金属電極を、前記モジュール基板の前記ダイパッドに接着している導電性の接着剤層と
を有するモジュール。
【請求項７】
前記接着剤層は、前記金属電極に結合した酸素原子に対して水素結合する官能基を持つ樹脂を含む請求項６に記載のモジュール。
【請求項８】
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に金属電極が形成されており、前記金属電極が、第１の金属からなる第１の金属膜と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属からなり、前記第１の金属膜の表面の一部の領域に形成された第２の金属膜とを含む半導体チップと
を準備する工程と、
前記半導体チップの前記底面を前記ダイパッドに対向させて、前記半導体チップを前記モジュール基板に、ハンダを用いて実装する工程と
を有し、
前記半導体チップを前記モジュール基板に実装する工程において、前記半導体チップの前記第２の金属膜を前記ハンダ内に溶解させる半導体チップ実装方法。
【請求項９】
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に形成された第１の金属からなる第１の金属膜を含む半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の金属膜を前記モジュール基板の前記ダイパッドに対向させた状態で、前記第１の金属膜と前記ダイパッドとの間に配置され、前記第１の金属膜を前記ダイパッドに固定するハンダ層と
を有し、前記ハンダ層は、ハンダを構成する元素の他に金を含有しており、金の含有量が１重量％以上３５重量％以下であるモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ、半導体チップ実装方法、及び半導体チップが実装されたモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話端末に用いられる主要部品の一つにパワーアンプモジュールがある。パワーアンプモジュールには、一般的に化合物半導体デバイスが用いられている。また、携帯電話端末の部品には、信頼性に対する市場の要求が益々厳しくなってきている。例えば、より厳しい高温、高湿環境下での吸湿後に高温リフロー処理を行っても特性変動が無いことが要求される。このような条件で高温リフロー処理を行うと、化合物半導体チップがモジュール基板から剥離してしまう場合がある。化合物半導体チップの剥離を防止するために、モジュール基板に対する化合物半導体チップの接着強度の更なる向上が強く求められている。
【０００３】
下記の特許文献１に、半導体素子（半導体チップ）をダイパッド上に接着固定した半導体装置において、接着力の強化を図ることが可能な半導体装置が開示されている。この半導体装置では、半導体素子の接着面に半球状の凹部を形成することにより、接着力の強化が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−３１２９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された半導体装置においては、接着剤と半導体素子との接着面積を増大することにより接着力の強化が図られる。接着面積の増大による接着力の強化のみでは、高温、高湿等の厳しい環境下での種々の処理に対して十分な信頼性が確保されているとは限らない。
【０００６】
本発明の目的は、厳しい環境下での処理に対しても十分な強度の接着力を確保することが可能な半導体チップを提供することである。本発明の他の目的は、厳しい環境下での処理に対しても十分な強度の接着力を確保することが可能な半導体チップの実装方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、上述の半導体チップが実装されたモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点による半導体チップは、
単結晶の基板と、
前記基板の底面に形成され、第１の金属が露出した領域と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属が露出した領域とを含む金属電極と
を有する。
【０００８】
第１の金属及び第２の金属のうち標準電極電位の小さな方の金属の表面に酸化物層が形成されやすい。この酸化物層は、接着剤との接着力を強めるように作用する。また、標準電極電位の大きな方の金属は酸化されにくいため、良好な電気的特性を確保することができる。その結果、電気的特性の低下を抑制しつつ、半導体チップと接着剤との接着力を強化することができる。
【０００９】
本発明の第２の観点による半導体チップは、第１の観点による半導体チップの構成に加えて、
前記第１の金属が露出した面と、前記第２の金属が露出した面とは、前記基板の底面を基準として異なる高さに位置するという特徴を有する。
【００１０】
第１の金属が露出した領域と第２の金属が露出した領域との境界に段差が生じる。このため、金属電極の表面が平坦な場合と比べて表面積が大きくなる。表面積の増大は、金属電極と接着剤との接着力を強めるように作用する。
【００１１】
本発明の第３の観点による半導体チップは、第１または第２の観点による半導体チップの構成に加えて、
前記基板の上面に形成され、少なくとも１つの半導体素子を含む素子構造部と、
前記基板を前記底面から前記上面まで貫通するバイアホールと
を有し、
前記金属電極が前記バイアホール内を通って前記素子構造部に電気的に接続されている。
【００１２】
底面の金属電極をモジュール基板のダイパッド等に導電性の部材を用いて固着させることにより、モジュール基板と素子構造部との電気的接続を得ることができる。
【００１３】
本発明の第４の観点による半導体チップは、第３の観点による半導体チップの構成に加えて、
前記バイアホールが、前記金属電極の前記第１の金属が露出した領域と前記第２の金属が露出した領域との境界線と重ならない位置に配置されているという特徴を有する。
【００１４】
前記第１の金属が露出した領域と前記第２の金属が露出した領域との境界線を画定するプロセスにおいて、プロセス不良の発生を抑制することができる。
【００１５】
本発明の第５の観点による半導体チップは、第１から第４の観点による半導体チップの構成に加えて、
前記第１の金属及び前記第２の金属の一方は銅であり、他方は金であるという特徴を有する。
【００１６】
金の標準電極電位は銅の標準電極電位より大きい。また、金は、金属の中でも特に酸化され難いという性質を有するため、第１の金属及び第２の金属の一方に金を用いることにより、電気的特性を維持する効果をより高めることができる。また、銅は一般的な電極に使用される金属であり、第１の金属及び第２の金属の一方に銅を用いることにより、コスト削減を図ることができる。
【００１７】
本発明の第６の観点によるモジュールは、
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に、第１の金属が露出した領域と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属が露出した領域とを含む金属電極が形成されている半導体チップと、
前記半導体チップの前記金属電極を、前記モジュール基板の前記ダイパッドに接着している導電性の接着剤層と
を有する。
【００１８】
第１の金属及び第２の金属のうち標準電極電位の小さな方の金属の表面に酸化物層が形成されやすい。この酸化物層は、接着剤との接着力を強めるように作用する。また、標準電極電位の大きな方の金属は酸化されにくいため、良好な電気的特性を確保することができる。その結果、ダイパッドと金属電極との間の電気抵抗の増加を抑制しつつ、半導体チップと接着剤との接着力を強化することができる。
【００１９】
本発明の第７の観点によるモジュールは、第６の観点によるモジュールの構成に加えて、前記接着剤層は、前記金属電極に結合した酸素原子に対して水素結合する官能基を持つ樹脂を含むという特徴を有する。
【００２０】
金属電極の表面に形成された酸化物層の酸素原子と、接着剤層の官能基とが水素結合することにより、金属電極と接着剤層との接着力を強化することができる。
【００２１】
本発明の第８の観点による半導体チップ実装方法は、
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に金属電極が形成されており、前記金属電極が、第１の金属からなる第１の金属膜と、前記第１の金属の標準電極電位とは異なる標準電極電位を持つ第２の金属からなり、前記第１の金属膜の表面の一部の領域に形成された第２の金属膜とを含む半導体チップと
を準備する工程と、
前記半導体チップの前記底面を前記ダイパッドに対向させて、前記半導体チップを前記モジュール基板に、ハンダを用いて実装する工程と
を有し、
前記半導体チップを前記モジュール基板に実装する工程において、前記半導体チップの前記第２の金属膜を前記ハンダ内に溶解させる。
【００２２】
この半導体チップは、第６の観点によるモジュールのように導電性の接着剤を用いてモジュール基板に実装することも可能である。また、ハンダにより、この半導体チップをモジュール基板に強固に固着させることも可能である。このように、この半導体チップは、接着剤を用いた実装、及びハンダを用いた実装のいずれの実装方法にも適用することが可能である。
【００２３】
本発明の第９の観点によるモジュールは、
表面にダイパッドが形成されたモジュール基板と、
底面に形成された第１の金属からなる第１の金属膜を含む半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の金属膜を前記モジュール基板の前記ダイパッドに対向させた状態で、前記第１の金属膜と前記ダイパッドとの間に配置され、前記第１の金属膜を前記ダイパッドに固定するハンダ層と
を有し、前記ハンダ層は、ハンダを構成する元素の他に金を含有しており、金の含有量が１重量％以上３５重量％以下である。
【００２４】
このモジュールは、第８の観点による実装方法を用いて半導体チップをモジュール基板に実装することにより得られる。
【発明の効果】
【００２５】
第１の金属及び第２の金属のうち標準電極電位の小さな方の金属の表面に酸化物層が形成されやすい。この酸化物層は、接着剤との接着力を強めるように作用する。また、標準電極電位の大きな方の金属は酸化されにくいため、良好な電気的特性を確保することができる。その結果、電気的特性の低下を抑制しつつ、半導体チップと接着剤との接着力を強化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１Ａは、第１実施例による半導体チップの平面図であり、図１Ｂは図１Ａの一点鎖線１Ｂ−１Ｂにおける断面図であり、図１Ｃは第１実施例による半導体チップの底面図である。
【図２】図２は、第１実施例による半導体チップを実装したモジュールの断面図である。
【図３】図３は、半導体チップの金属電極と導電性接着剤層との界面近傍の模式図である。
【図４】図４は、種々の金属元素の還元反応化学式と標準電極電位とを示す図表である。
【図５】図５Ａから図５Ｆまでの図面は、第１実施例の変形例による半導体チップの金属電極の底面図である。
【図６】図６Ａは、第２実施例による半導体チップの平面図であり、図６Ｂは、図６Ａの一点鎖線６Ｂ−６Ｂにおける断面図であり、図６Ｃは、第２実施例による半導体チップの底面図である。
【図７】図７は、第３実施例による半導体チップの断面図である。
【図８】図８は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図９】図９は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１０】図１０は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１１】図１１は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１２】図１２は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１３】図１３は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１４】図１４は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１５】図１５は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１６】図１６は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１７】図１７は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１８】図１８は、第３実施例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図１９】図１９は、参考例による半導体チップの製造途中段階における断面図である。
【図２０】図２０は、第３実施例の変形例による半導体チップの断面図である。
【図２１】図２１は、第４実施例によるモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
［第１実施例］
図１Ａから図３までの図面を参照して、第１実施例による半導体チップ及びモジュールについて説明する。
【００２８】
図１Ａは、第１実施例による半導体チップ２０の平面図であり、図１Ｂは図１Ａの一点鎖線１Ｂ−１Ｂにおける断面図であり、図１Ｃは第１実施例による半導体チップ２０の底面図である。第１実施例による半導体チップは、単結晶の化合物半導体、例えば単結晶ＧａＡｓからなる基板２１、及び基板２１の上面に形成された素子構造部２２を含む。素子構造部２２は、例えば、複数のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、レーザダイオード（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の能動素子、抵抗素子、容量素子、インダクタンス素子等の受動素子、これらの素子を接続する配線、層間絶縁膜、パッシベーション膜等を含む。能動素子、受動素子、及び配線により電子回路が構成される。また、基板２１と素子構造部２２とで能動素子を構成し、素子構造部２２は能動素子の一部分となる場合もある。
【００２９】
基板２１の上面とは反対側の底面に、金属電極２５が形成されている。基板２１の底面から基板２１を貫通して素子構造部２２まで達する少なくとも１つのバイアホール２３が形成されている。バイアホール２３の、基板２１の上面に平行な断面（平断面）の形状はほぼ円形である。バイアホール２３の、素子構造部２２側の端部に、バイアホール用接続パッド３０が配置されている。
【００３０】
金属電極２５は、下地膜２６、その上に形成された第１の金属からなる第１の金属膜２７、及びその上に形成された第２の金属からなる第２の金属膜２８を含む。下地膜２６及び第１の金属膜２７は、基板２１の底面の全域、バイアホール２３の側面及び底面の上に配置されている。第２の金属膜２８は、基板２１の底面に形成された第１の金属膜２７の表面のうち一部の領域に配置されている。例えば、第２の金属膜２８は、図１Ｃに示すように市松模様を構成する。金属電極２５は、第１の金属が露出した領域と第２の金属が露出した領域とを含む。バイアホール２３は、第１の金属が露出した領域と第２の金属が露出した領域との境界に重ならない位置に配置されている。例えば、バイアホール２３は、第１の金属が露出した領域の内側に配置されている。
【００３１】
第１の金属の標準電極電位と第２の金属の標準電極電位とは異なる。基板２１の底面に形成された金属電極２５が、バイアホール２３内に配置された下地膜２６と第１の金属膜２７、及びバイアホール用接続パッド３０を介して、素子構造部２２の導体部分に電気的に接続される。
【００３２】
バイアホール２３の直径は、例えば５０μｍ以上７０μｍ以下である。下地膜２６は、例えばチタン（Ｔｉ）膜と銅（Ｃｕ）膜との２層構造を有し、Ｔｉ膜が基板２１に接する。Ｔｉ膜の厚さ及びＣｕ膜の厚さは、例えば共に０．１μｍである。第１の金属膜２７には、例えばＣｕが用いられ、その厚さは４μｍである。第２の金属膜２８には、例えば金（Ａｕ）が用いられ、その厚さは４μｍである。
【００３３】
図２は、第１実施例によるモジュール４０の断面図である。モジュール４０は、例えばパワーアンプモジュールである。モジュール基板４１に、半導体チップ２０、５０、６０が実装されている。モジュール基板４１として、例えば多層プリント配線基板を用いることができる。半導体チップ２０は、図１Ａから図１Ｃまでの図面に示したものと同一である。半導体チップ５０は、例えば制御用のシリコン半導体チップであり、シリコン基板５１、及びその上に形成されたＣＭＯＳ等で構成された素子構造部５２を含む。半導体チップ６０は、例えばスイッチ用化合物半導体チップであり、半絶縁性ＧａＡｓ基板６１、及びその上に形成されたＨＥＭＴ等で構成された素子構造部６２を含む。
【００３４】
モジュール基板４１の実装面に、ダイパッド４２、４３、４４、及び複数のボンディングパッド４５が設けられている。半導体チップ２０が、金属電極２５が設けられた面をモジュール基板４１に対向させ、導電性接着剤層７２を介してダイパッド４２に固定されている。金属電極２５は、導電性接着剤層７２を介してダイパッド４２に電気的に接続される。半導体チップ５０のシリコン基板５１が、接着剤層７３を介してダイパッド４３に固着されている。半導体チップ６０の半絶縁性ＧａＡｓ基板６１が、接着剤層７４を介してダイパッド４４に固着されている。
【００３５】
半導体チップ２０の素子構造部２２が、複数のボンディングワイヤ７５を介してそれぞれ複数のボンディングパッド４５に接続されている。半導体チップ５０の素子構造部５２が、複数のボンディングワイヤ７５（図２では１本のみが表されている。）を介してそれぞれ複数のボンディングパッド４５に接続されている。半導体チップ６０の素子構造部６２が、複数のボンディングワイヤ７５を介してそれぞれ複数のボンディングパッド４５に接続されている。ボンディングワイヤ７５には、例えば金ワイヤが用いられる。半導体チップ２０、５０、６０及び複数のボンディングワイヤ７５が、封止用硬化樹脂８０で封止されている。ダイパッド４２及び複数のボンディングパッド４５は、モジュール基板４１内の多層配線を介して、モジュール基板４１の底面の電極４６に電気的に接続されている。
【００３６】
導電性接着剤層７２には、導電性微粒子、例えば銀（Ａｇ）微粒子を分散させたエポキシ樹脂を主成分とする導電性接着剤が用いられる。導電性接着剤層７２は、半導体チップ２０をダイパッド４２に機械的に固着させる機能と、金属電極２５とダイパッド４２とを電気的に接続する機能とを有する。
【００３７】
接着剤層７３、７４は、それぞれ半導体チップ５０、６０をダイパッド４３、４４に機械的に固着させる機能を持つ。接着剤層７３、７４には、製造工程簡略化のために、導電性接着剤層７２と同一の接着剤が用いられる。なお、接着剤層７３、７４には導電性が必要とされないため、接着剤層７３、７４に絶縁性の接着剤を用いてもよい。
【００３８】
［第１実施例の効果］
次に、図３を参照して第１実施例による半導体チップ及びモジュールの優れた効果について説明する。
【００３９】
図３は、半導体チップ２０の金属電極２５（図１Ｂ）と導電性接着剤層７２（図２）との界面近傍の模式図である。導電性接着剤層７２内には、複数の導電性微粒子及び複数の化学種が存在するが、図３ではエポキシ樹脂のみを示している。金属電極２５の表面には、例えば金属酸化物層が形成されているため、酸素原子が存在している。金属電極２５と導電性接着剤層７２との接着力は、金属電極２５の表面に存在する酸素原子と、エポキシ樹脂に含まれる水酸基との間に働く水素結合によって発現する。すなわち、酸化されやすい金属ほど、強い接着力が得られる。
【００４０】
導電性接着剤層７２の主成分として、エポキシ樹脂以外に、酸素と水素結合する官能基を含む樹脂を用いてもよい。例えば、アクリル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、またはこれらを混合した樹脂を用いてもよい。
【００４１】
第１実施例では、金属電極２５の表面に、第１の金属からなる第１の金属膜２７と第２の金属からなる第２の金属膜２８との両方が露出している。第１の金属と第２の金属とは、相互に異なる標準電極電位を有する。標準電極電位の小さい方の金属膜の表面には、標準電極電位の大きい方の金属膜の表面より酸化物層が形成されやすい。このため、標準電極電位の小さい方の金属膜は、導電性接着剤層７２との接着力を高めるように作用する。一方、標準電極電位の大きい方の金属膜の表面には酸化物が形成されにくい。このため、標準電極電位大きい方の金属膜は、寄生抵抗の増大を抑制するように作用する。寄生抵抗の増大を抑制することにより、モジュール４０（図２）の電気的特性の劣化を抑制することができる。このように、第１実施例では、金属電極２５の表面に標準電極電位の異なる２種類の金属膜を露出させることにより、良好な電気的特性を維持しつつ、半導体チップ２０と導電性接着剤層７２との接着力の強化を図ることができる。
【００４２】
第１実施例では、第１の金属膜２７にＣｕが用いられ、第２の金属膜２８にＡｕが用いられる。Ａｕの標準電極電位はＣｕの標準電極電位よりも大きい。従って、Ｃｕからなる第１の金属膜２７が接着力を強化するように作用し、Ａｕからなる第２の金属膜２８が寄生抵抗の増大を抑制するように作用する。また、金は、金属の中でも特に酸化され難いという性質を有するため、第２の金属膜２８に金を用いることにより、電気的特性を維持する効果をより高めることができる。また、銅は一般的な電極に使用される金属であり、第１の金属膜２７に銅を用いることにより、コスト削減を図ることができる。
【００４３】
第１実施例では、半導体チップ２０と導電性接着剤層７２との界面の接着力の強化を図ることにより、半導体チップ２０の耐剥離性が向上するという効果が得られる。これにより、例えば半導体チップ２０をモジュール基板４１に実装した後、高温、高湿環境下でのリフロー処理等での半導体チップ２０の剥離を抑制することができる。
【００４４】
第１実施例では、第１の金属膜２７（図１Ｂ）の上に第２の金属膜２８（図１Ｂ）を形成しているため、第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域との境界に、第２の金属膜２８の厚さに相当する段差が生じる。段差が生じていることによって金属電極２５の表面積が大きくなるため、金属電極２５（図１Ｂ）と導電性接着剤層７２（図２）との接着強度をさらに高める効果が得られる。
【００４５】
比較例として、金属電極２５に電気抵抗が小さく、かつ耐環境性に優れたＡｕを用いた半導体チップを実装したモジュールについて考察する。Ａｕは金属の中でも特に酸化され難いという性質を持つため、この比較例による半導体チップは優れた電気的特性を有する。ただし、Ａｕからなる金属電極２５の表面には酸化物層が形成され難いため、導電性接着剤との接着力が弱い。その結果、高温、高湿の環境下での処理時に半導体チップがモジュール基板から剥離する不具合が生じ易くなってしまう。これに対し、第１実施例によるモジュールは、金属電極２５の表面にＡｕのみが露出した比較例と比べて、十分な電気的特性を維持しつつ、より高い信頼性を確保することができる。
【００４６】
［第１実施例の変形例］
第１の金属膜２７と第２の金属膜２８との材料として、他の金属の組み合わせを採用してもよい。
【００４７】
図４は、種々の金属元素の還元反応化学式と標準電極電位とを示す図表である。標準電極電位が大きな値を示す金属ほど還元され易く、酸化され難い性質を有する。逆に、標準電極電位が小さな値を示す金属ほど還元され難く、酸化され易い性質を有する。一例としてＡｕとＣｕを比較した場合、Ａｕの標準電極電位が１．５０Ｖであるのに対し、Ｃｕの標準電極電位は０．３４Ｖである。Ｃｕの標準電極電位がＡｕの標準電極電位より小さいため、ＣｕはＡｕより酸化され易い。
【００４８】
例えば、第１の金属膜２７（図１Ｂ）にニッケルを用い、第２の金属膜２８（図１Ｂ）に、ニッケルの標準電極電位より大きな標準電極電位を持つ金属、例えば銀を用いてもよい。その他に、図４に示した種々の金属元素の中から、標準電極電位が相対的に小さな金属を第１の金属膜２７に用い、標準電極電位が相対的に大きな金属を第２の金属膜２８に用いることができる。
【００４９】
また、第１実施例では、第１の金属膜２７の標準電極電位よりも、第２の金属膜２８の標準電極電位の方が大きい。この反対に、第１の金属膜２７の標準電極電位を第２の金属膜２８の標準電極電位より大きくしてもよい。例えば、第１の金属膜２７にＡｕを用い、第２の金属膜２８にＣｕを用いてもよい。この場合には、第２の金属膜２８が接着力を強化するように作用し、第１の金属膜２７が寄生抵抗の増大を抑制するように作用する。
【００５０】
次に、図５Ａから図５Ｆまでの図面を参照して、金属電極２５（図１Ｂ）及びバイアホール２３（図１Ｃ）の構成が異なる複数の変形例について説明する。
【００５１】
図５Ａから図５Ｆまでの各図は、第１実施例の変形例による半導体チップ２０の金属電極２５の底面図である。図５Ａに示した変形例では、第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域との配置は、図１Ｃに示した第１実施例の場合と同一である。本変形例では、バイアホール２３が複数個、例えば２個設けられている。いずれのバイアホール２３も、第１の金属膜２７が露出した領域の内側に配置されている。バイアホール２３を複数個配置することにより、素子構造部２２（図１Ｂ）と金属電極２５（図１Ｂ）との間の抵抗を低減することができる。
【００５２】
図５Ｂに示した変形例では、平面形状の異なる複数のバイアホール２３が設けられている。例えば、少なくとも１つのバイアホール２３は円形の平面形状を有し、他の少なくとも１つのバイアホール２３は、一方向に長い平面形状、例えば長方形の短辺の外側に半円を付加した形状を有する。第１の金属膜２７が露出した領域は、バイアホール２３を内側に含むように、バイアホール２３の平面形状に応じた平面形状を有する。このように、平面形状の異なる複数のバイアホール２３が設けられている場合には、第１の金属膜２７が露出した領域の平面形状を、バイアホール２３の平面形状に応じて変化させるとよい。
【００５３】
図５Ａ及び図５Ｂに示した変形例のように、第１の金属膜２７が露出した領域と、第２の金属膜２８が露出した領域とを二次元方向に混在させてもよい。
【００５４】
図５Ｃに示した変形例では、第１の金属膜２７が露出した領域の各々の平面形状が円形である。第１の金属膜２７が露出した領域は、第２の金属膜２８が露出した領域内に離散的に分布している。この場合にも、バイアホール２３は、第１の金属膜２７が露出した円形の領域の内側に配置されている。
【００５５】
図５Ｄに示した変形例では、第１の金属膜２７が露出した領域の各々の平面形状が矩形である。第１の金属膜２７が露出した領域は、第２の金属膜２８が露出した領域内に離散的に分布している。図５Ｄでは、第１の金属膜２７が露出した領域が行方向及び列方向に規則的に分布している例を示したが、その他の分布としてもよい。
【００５６】
図５Ｃ及び図５Ｄに示した変形例のように、第１の金属膜２７が露出した連続する領域内に、第２の金属膜２８が露出した複数の領域を離散的に分布させてもよい。その反対に、第２の金属膜２８が露出した連続する領域内に、第１の金属膜２７が露出した複数の領域を離散的に分布させてもよい。
【００５７】
図５Ｅに示した変形例では、第１の金属膜２７が露出した複数の領域と第２の金属膜２８が露出した複数の領域とが、縞模様（ストライプパターン）を形成している。バイアホール２３は、第１の金属膜２７が露出した帯状の領域内に配置されている。図５Ｅでは、半導体チップ２０の底面の外形が長方形であり、第１の金属膜２７が露出した領域及び第２の金属膜２８が露出した領域で構成されるストライプが底面の長辺に平行な方向に延びている。その他に、ストライプが底面の短辺に平行な方向に延びる構成としてもよい。
【００５８】
図５Ｅに示した変形例のように、第１の金属膜２７が露出した領域と、第２の金属膜２８が露出した領域とを一次元方向に混在させてもよい。
【００５９】
図５Ｆに示した変形例では、金属電極２５の表面が２つの領域に区分されており、一方の領域に第１の金属膜２７が露出し、他方の領域に第２の金属膜２８が露出している。バイアホール２３は、第１の金属膜２７が露出した領域の内側に配置されている。このように、金属電極２５の表面を、標準電極電位の異なる２種類の金属がそれぞれ露出した少なくとも２つの領域に区分してもよい。
【００６０】
図５Ａから図５Ｆまでの図面に示した変形例のように、第１の金属膜２７が露出した領域と、第２の金属膜２８が露出した領域とで構成されるパターンとして、種々のパターンを採用することができる。
【００６１】
第１実施例では、標準電極電位の異なる２種類の金属を半導体チップ２０の金属電極２５の表面に露出させた。同様に、モジュール基板４１のダイパッド４２の表面にも、標準電極電位の異なる２種類の金属を露出させるとよい。これにより、ダイパッド４２と導電性接着剤層７２（図２）との界面の電気的特性を維持しつつ、両者の間の接着力を強化することができる。
【００６２】
図１Ｃに示した第１実施例、及び図５Ａから図５Ｆに示した変形例において、バイアホール２３を、第１の金属膜２７が露出した領域内に配置した。その他の構成として、バイアホール２３を、第２の金属膜２８が露出した領域内に配置してもよい。ただし、後述するように、バイアホール２３は、第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域との境界線を跨がないように配置することが好ましい。
【００６３】
［第２実施例］
次に、図６Ａから図６Ｃまでの図面を参照して、第２実施例による半導体チップについて説明する。以下、第１実施例による半導体チップ２０（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ）と共通の構成については説明を省略する。第２実施例による半導体チップの各構成要素には、第１実施例による半導体チップ２０の対応する構成要素に付された参照符号と同一の参照符号を付す。
【００６４】
図６Ａは、第２実施例による半導体チップ２０の平面図であり、図６Ｂは、図６Ａの一点鎖線６Ｂ−６Ｂにおける断面図であり、図６Ｃは、第２実施例による半導体チップ２０の底面図である。第２実施例においては、基板２１にバイアホール２３（図１Ｂ）が形成されていない。
【００６５】
金属電極２５は、第１実施例（図１Ｂ）の場合と同様に、下地膜２６、第１の金属膜２７、及び第２の金属膜２８で構成される。第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域とは、図６Ｃに示すように第１実施例（図１Ｃ）の場合と同様の市松模様を構成している。
【００６６】
第２実施例では、基板２１としてｎ型またはｐ型導電性が付与された化合物半導体が用いられる。金属電極２５は、導電性を有する基板２１を介して素子構造部２２に電気的に接続される。
【００６７】
第２実施例においても、第１実施例の場合と同様に、半導体チップ２０と導電性接着剤層７２（図２）との接着力が強くなるという効果が得られる。
【００６８】
［第３実施例］
次に、図７を参照して、第３実施例による半導体チップ２０について説明する。以下、第１実施例による半導体チップ２０と共通の構成については説明を省略する。第３実施例による半導体チップの各構成要素には、第１実施例による半導体チップ２０の対応する構成要素に付された参照符号と同一の参照符号を付す。
【００６９】
図７は、第３実施例による半導体チップ２０の断面図である。基板２１の上面に配置された素子構造部２２がヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）８４を含んでいる。以下、素子構造部２２の構造について説明する。基板２１、バイアホール２３、及び金属電極２５の構造は、第１実施例による半導体チップ２０（図１Ｂ）の構造と同一である。
【００７０】
半絶縁性のＧａＡｓからなる基板２１の上に、アンドープのＧａＡｓからなるバッファ層８１及びｎ型ＧａＡｓからなるサブコレクタ層８２が積層されている。バッファ層８１及びサブコレクタ層８２のうち、ＨＢＴを形成する領域以外の領域は、水素（Ｈ）またはヘリウム（Ｈｅ）が注入された絶縁注入領域８３とされている。
【００７１】
サブコレクタ層８２の上にＨＢＴ８４が形成されている。ＨＢＴ８４は、ｎ型ＧａＡｓからなるコレクタ層８５、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層８６、及びｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層８７を含む。エミッタ層８７の一部の領域の上に、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層８８及びｎ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層８９が積層されている。図７に示した断面には１つのＨＢＴ８４のみが示されているが、基板２１の他の領域にもＨＢＴが形成されており、１つの半導体チップ２０は複数のＨＢＴを含んでいる。素子構造部２２は、ＨＢＴの他に、複数のＨＢＴを接続する配線等も含まれる。
【００７２】
サブコレクタ層８２の上面にコレクタ電極９１がオーミック接触している。エミッタ層８７の一部に開口が形成されており、この開口内にベース電極９２が形成されている。ベース電極９２はベース層８６にオーミック接触する。コンタクト層８９の上面にエミッタ電極９３が形成されている。エミッタ電極９３は、コンタクト層８９、８８を介してエミッタ層８７にオーミックに接続される。
【００７３】
コレクタ電極９１の上にコレクタ配線９５が形成され、ベース電極９２の上にベース配線９６が形成されている。絶縁注入領域８３の上にバイアホール用接続パッド３０が形成されている。
【００７４】
絶縁注入領域８３、ＨＢＴ８４、バイアホール用接続パッド３０、コレクタ配線９５、及びベース配線９６を、ＳｉＮからなる層間絶縁膜１００が覆う。層間絶縁膜１００に、バイアホール用接続パッド３０を露出させる開口、及びエミッタ電極９３を露出させる開口が形成されている。層間絶縁膜１００の上に形成されたエミッタ配線１０２が、エミッタ電極９３とバイアホール用接続パッド３０とを接続する。層間絶縁膜１００の上に、複数のボンディングパッド１０４が形成されている。ボンディングパッド１０４の各々は、例えばコレクタ電極９１、ベース電極９２等に接続されている。層間絶縁膜１００、エミッタ配線１０２、及びボンディングパッド１０４をＳｉＮからなるパッシベーション膜１０５が覆う。パッシベーション膜１０５には、ボンディングパッド１０４を露出させる開口が形成されている。
【００７５】
次に、図８から図１８までの図面を参照して、第３実施例による半導体チップ２０の製造方法について説明する。図８から図１８までの図面は、半導体チップ２０の製造途中段階における断面図である。
【００７６】
図８に示すように、基板２１の上に、バッファ層８１からコンタクト層８９までの各層を有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）法により順次積層する。基板２１は半絶縁性のＧａＡｓからなり、厚さは約６５０μｍである。基板２１の上面の面方位は（００１）であり、オフ角が±４°以下である。バッファ層８１はアンドープのＧａＡｓからなり、厚さは０．１μｍである。サブコレクタ層８２はｎ型ＧａＡｓからなり、シリコン（Ｓｉ）ドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３、厚さが０．６μｍである。コレクタ層８５はｎ型ＧａＡｓからなり、Ｓｉドーピング濃度が１×１０１６ｃｍ−３、厚さが１．０μｍである。ベース層８６はｐ型ＧａＡｓからなり、カーボン（Ｃ）ドーピング濃度が５×１０１９ｃｍ−３、厚さが９６ｎｍである。エミッタ層８７はｎ型ＩｎＧａＰからなり、ＩｎＰモル比が０．４８、Ｓｉドーピング濃度が４×１０１７ｃｍ−３、厚さが３５ｎｍである。コンタクト層８８はｎ型ＧａＡｓからなり、Ｓｉドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３、厚さが５０ｎｍである。コンタクト層８９はｎ型ＩｎＧａＡｓからなり、ＩｎＡｓモル比が０．５、Ｓｉドーピング濃度が１×１０１９ｃｍ−３、厚さが５０ｎｍである。
【００７７】
図９に示すように、バッファ層８１及びサブコレクタ層８２の一部の領域にＨまたはＨｅ等による絶縁注入を行うことにより、絶縁注入領域８３を形成する。その後、一般的な半導体プロセスを用いてＨＢＴ８４及びバイアホール用接続パッド３０を形成する。コレクタ電極９１及びバイアホール用接続パッド３０は、基板２１側から順番に厚さ６０ｎｍのＡｕＧｅ膜、厚さ１０ｎｍのＮｉ膜、及び厚さ２００ｎｍのＡｕ膜が積層された積層構造を有する。ベース電極９２は、基板２１側から順番に厚さ５０ｎｍのＴｉ膜、厚さ５０ｎｍのＰｔ膜、及び厚さ２００ｎｍのＡｕ膜が積層された積層構造を有する。エミッタ電極９３は、基板２１側から順番に厚さ１０ｎｍのＭｏ膜、厚さ５ｎｍのＴｉ膜、厚さ３０ｎｍのＰｔ膜、及び厚さ２００ｎｍのＡｕ膜が積層された積層構造を有する。コレクタ配線９５及びベース配線９６は、厚さ１μｍのＡｕ膜で構成される。
【００７８】
コレクタ配線９５及びベース配線９６を形成した後、ＳｉＮからなる層間絶縁膜１００、エミッタ配線１０２、ボンディングパッド１０４、及びＳｉＮからなるパッシベーション膜１０５を形成する。エミッタ配線１０２及びボンディングパッド１０４は厚さ４μｍのＡｕ膜で構成される。
【００７９】
図１０に示すように、基板２１の表裏を反転させ、ワックス１１０によりパッシベーション膜１０５側の面をサファイア基板１１１に貼り付ける。
【００８０】
図１１に示すように、基板２１を研削することにより、基板２１の厚さを７５μｍまで薄層化する。
【００８１】
図１２に示すように、基板２１の底面（図１２において上方を向く面）にホトレジスト膜１１５を形成した後、ホトレジスト膜１１７に開口部１１６を形成する。開口部１１６は、バイアホール用接続パッド３０に対応する位置に形成される。開口部１１６の底面に基板２１が露出する。
【００８２】
図１３に示すように、ホトレジスト膜１１５をエッチングマスクとして用いて基板２１及び絶縁注入領域８３をエッチングすることにより、バイアホール２３を形成する。基板２１及び絶縁注入領域８３のエッチングには、例えば異方性ドライエッチングを適用することができる。バイアホール２３はバイアホール用接続パッド３０まで達し、バイアホール用接続パッド３０がバイアホール２３内に露出する。
【００８３】
図１４に示すように、ホトレジスト膜１１５（図１３）を除去する。その後、基板２１の底面（図１４において上方を向く面）、及びバイアホール２３の内壁にメッキ用の下地膜２６を形成する。下地膜２６は、厚さ０．１μｍのＴｉ膜及び厚さ０．１μｍのＣｕ膜が順次積層された２層構造を有する。Ｔｉ膜及びＣｕ膜の形成には、例えばスパッタリング法を適用することができる。
【００８４】
図１５に示すように、下地膜２６の上に、電解メッキ法を用いてＣｕを堆積させることにより、第１の金属膜２７を形成する。第１の金属膜２７の厚さは４μｍである。
【００８５】
図１６に示すように、第１の金属膜２７の上にホトレジスト膜１１７を形成した後、このホトレジスト膜１１７をパターニングする。パターニングされたホトレジスト膜１１７は、第１の金属膜２７を露出させるべき領域（図１Ｃ）を覆い、第２の金属膜２８を露出させるべき領域（図１Ｃ）の第１の金属膜２７の表面を露出させる。このため、バイアホール２３はホトレジスト膜１１７で覆われる。
【００８６】
図１７に示すように、ホトレジスト膜１１７で覆われていない領域の第１の金属膜２７の上に、電解メッキ法を用いてＡｕを堆積させることにより、第２の金属膜２８を形成する。第２の金属膜２８の厚さは４μｍである。
【００８７】
図１８に示すように、ホトレジスト膜１１７（図１７）を除去する。これにより、第２の金属膜２８が形成されていない領域に第１の金属膜２７が露出する。その後、ワックス１１０及びサファイア基板１１１を半導体チップ２０から取り外す。ＨＢＴ８４等が形成された基板２１の表裏を反転させて、ダイシング等によりチップ分離を行う。チップ分離により、図７に示した半導体チップ２０が完成する。
【００８８】
［第３実施例の効果］
次に、第３実施例の優れた効果について説明する。
第３実施例では、素子構造部２２（図７）に形成されたＨＢＴ８４のエミッタ電極９３を、エミッタ配線１０２、バイアホール用接続パッド３０、及びバイアホール２３内の金属電極２５を経由して、底面上の金属電極２５に電気的に接続される。金属電極２５は、導電性接着剤層７２（図２）を介してモジュール基板４１のダイパッド４２（図２）に接続される。このため、モジュール基板４１にボンディングワイヤを用いて接続する構成と比べて、エミッタ電極９３とモジュール基板４１との間の寄生抵抗及び寄生インダクタンスを小さくすることができる。
【００８９】
第３の実施例においても、基板２１の底面に形成された金属電極２５の表面が、第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域とを含む。このため、第１実施例の場合と同様に、半導体チップ２０をモジュール基板４１（図２）に実装したとき、金属電極２５と導電性接着剤層７２（図２）との接着力を強化することができる。これにより、モジュール基板４１から半導体チップ２０が剥離し難くなり、高温、高湿環境下での信頼性を高めることができる。
【００９０】
次に、図１９に示した参考例による半導体チップと比較して、第３実施例の優れた効果について説明する。
【００９１】
図１９は、参考例による半導体チップの製造途中段階における断面図であり、第３実施例の図１６に示した製造途中段階の断面図に対応する。第３実施例では、ホトレジスト膜１１７がバイアホール２３を完全に覆っている。これに対し、図１９に示した参考例では、ホトレジスト膜１１７の縁がバイアホール２３に重なっている。
【００９２】
図１９に示すように、ホトレジスト膜１１７の縁がバイアホール２３に重なるような配置にすると、ホトレジスト膜１１７のホトリソグラフィ工程において露光不良となり易い。露光不良になると、ホトレジスト膜１１７の現像後にバイアホール２３内にレジスト残りが生じる。このため、プロセス不良が発生し易い。
【００９３】
第３実施例では、図１６に示したように現像処理によってホトレジスト膜１１７を除去する領域にはバイアホール２３が配置されていない。このため、バイアホール２３内に不要なホトレジスト膜１１７が残存してしまう不良は発生しない。
【００９４】
［第３実施例の変形例］
次に、図２０を参照して第３実施例の変形例について説明する。ホトレジスト膜１１７（図１６、図１９）の露光不良は、ホトレジスト膜１１７を残す領域と除去する領域との境界がバイアホール２３と重なる場合に生じやすい。第３実施例の変形例では、第３の実施例に対してホトレジスト膜１１７を残すべき領域と除去する領域とを入れ替えている。この場合も、ホトレジスト膜１１７を残す領域と除去する領域との境界がバイアホール２３と重ならないため、露光不良は生じにくい。
【００９５】
図２０は、第３実施例の変形例による半導体チップ２０の断面図である。本変形例では、第２の金属膜２８が露出した領域にバイアホール２３が配置されることになる。バイアホール２３内は、下地膜２６、第１の金属膜２７、及び第２の金属膜２８で埋め尽くされる。このため、基板２１の上面から底面まで達する電流経路の断面積が大きくなる。その結果、エミッタ抵抗をより低減させることが可能になる。さらに、バイアホール２３内を埋め尽くした金属が伝熱経路としても作用するため、素子構造部２２からモジュール基板４１（図２）への放熱特性を高めることができる。
【００９６】
第３実施例では基板２１として半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いたが、その他に、ＨＢＴ８４（図７）を構成する各半導体層をエピタキシャル成長させることが可能なＧａＡｓ以外の単結晶の基板を用いてもよい。例えば、単結晶ＩｎＰ基板、単結晶Ｓｉ基板、単結晶サファイア基板等を用いることも可能である。
【００９７】
［第４実施例］
次に、図２１を参照して第４実施例によるモジュールについて説明する。以下、図１Ａから図２までの図面に示した第１実施例と共通の構成については説明を省略する。
【００９８】
図２１は、第４実施例によるモジュールの断面図である。半導体チップ２０及びモジュール基板４１の構成は、第１実施例によるモジュールの半導体チップ２０（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ）及びモジュール基板４１（図２）の構成と同一である。
【００９９】
第１実施例では、図２に示したように導電性接着剤を用いて半導体チップ２０をモジュール基板４１に実装したが、第４実施例では、導電性接着剤に代えてハンダを用いる。このため、半導体チップ２０とダイパッド４２との間にハンダ層７７が介在する。ハンダ層７７は、半導体チップ２０をダイパッド４２に機械的に固着させるとともに、半導体チップ２０の金属電極２５とダイパッド４２とを電気的に接続する。ハンダ層７７には、例えば銀（Ａｇ）と錫（Ｓｎ）との重量比が１：９のＡｇＳｎハンダを用いることができる。
【０１００】
第１実施例では、半導体チップ２０をモジュール基板４１に実装した後も、Ａｕからなる第２の金属膜２８が残存している。これに対し、第４実施例では、ハンダによる実装時に第２の金属膜２８がハンダ中に溶解する。このため、半導体チップ２０をモジュール基板４１に実装した後のモジュールでは、第２の金属膜２８が消失している。ハンダ層７７は、ハンダ成分であるＡｇ及びＳｎの他にＡｕを含有することになる。モジュール基板４１に実装する前の半導体チップ２０に形成されていた第２の金属膜２８の重量、及び使用するハンダの重量を考慮すると、一般的にＡｕの含有量は１重量％以上３５重量％以下になる。
【０１０１】
半導体チップ５０、６０の底面には金属電極が形成されておらず、シリコン基板５１や半絶縁性ＧａＡｓ基板６１が露出した状態である。このため、半導体チップ５０、６０は、ハンダを用いた実装には適さない。半導体チップ５０、６０は、それぞれ接着剤層７８、７９によりモジュール基板４１に実装される。接着剤層７８、７９は導電性を有する必要はない。接着剤層７８、７９に、例えばエポキシ樹脂を主成分とする絶縁性接着剤を用いることができる。
【０１０２】
第１実施例で用いた第１の金属膜２７が露出した領域と第２の金属膜２８が露出した領域とを含む金属電極２５が底面に形成された半導体チップ２０（図１Ｂ）を、第４実施例のようにハンダを用いてモジュール基板４１（図２１）に実装することも可能である。この半導体チップ２０は、導電性接着剤を用いた実装、及びハンダを用いた実装のいずれにも対応可能である。
【０１０３】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【０１０４】
２０  半導体チップ
２１  基板
２２  素子構造部
２３  バイアホール
２５  金属電極
２６  下地膜
２７  第１の金属膜
２８  第２の金属膜
３０  バイアホール用接続パッド
４０  モジュール
４１  モジュール基板
４２、４３、４４  ダイパッド
４５  ボンディングパッド
４６  電極
５０  半導体チップ
５１  シリコン基板
５２  素子構造部
６０  半導体チップ
６１  半絶縁性ＧａＡｓ基板
６２  素子構造部
７２  導電性接着剤層
７３、７４  接着剤層
７５  ボンディングワイヤ
７７  ハンダ層
７８、７９  接着剤層
８０  封止用硬化樹脂
８１  バッファ層
８２  サブコレクタ層
８３  絶縁注入領域
８４  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
８５  コレクタ層
８６  ベース層
８７  エミッタ層
８８、８９  コンタクト層
９１  コレクタ電極
９２  ベース電極
９３  エミッタ電極
９５  コレクタ配線
９６  ベース配線
１００  層間絶縁膜
１０２  エミッタ配線
１０４  ボンディングパッド
１０５  パッシベーション膜
１１０  ワックス
１１１  サファイア基板
１１５  ホトレジスト膜
１１６  開口部
１１７  ホトレジスト膜
【図１】
2018137313.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図５Ｃ及び図５Ｄに示した変形例のように、第２の金属膜２８が露出した連続する領域内に、第１の金属膜２７が露出した複数の領域を離散的に分布させてもよい。その反対に、第１の金属膜２７が露出した連続する領域内に、第２の金属膜２８が露出した複数の領域を離散的に分布させてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図１２に示すように、基板２１の底面（図１２において上方を向く面）にホトレジスト膜１１５を形成した後、ホトレジスト膜１１５に開口部１１６を形成する。開口部１１６は、バイアホール用接続パッド３０に対応する位置に形成される。開口部１１６の底面に基板２１が露出する。