(57)【要約】    【課題】  信頼性の高いプリント配線板の提供    【解決手段】  金属ポスト８０が最上の導体層５８Ａ上にＮｉ膜８２を介在して形成されているので、最上の導体層５８Ａの形成後、Ｎｉ膜８２を形成し、金属ポスト８０が形成できる。このため、最上の導体層の厚み、金属ポスト８０の高さを均一化することができる。これにより、金属ポストの接続信頼性が高められる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の実装用の金属ポストを備えるプリント配線板であって、
前記金属ポストが導体層上に金属膜を介在して形成されている。
【請求項２】
電子部品の実装用の金属ポストを備えるプリント配線板であって、
前記金属ポストがビア導体上に金属膜を介在して形成されている。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記金属ポストが最上の層間樹脂絶縁層を貫通して形成されている。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、
前記最上の層間樹脂絶縁層にパッドを露出する開口が形成されている。
【請求項５】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記金属ポストがソルダーレジスト層を貫通して形成されている。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層にパッドを露出する開口が形成されている。
【請求項７】
請求項４又は請求項６のプリント配線板であって、
前記パッド上には基板搭載用の半田バンプが設けられる。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１のプリント配線板であって、
前記金属ポストの表面には保護膜が形成されている。
【請求項９】
請求項２のプリント配線板であって、
前記ビア導体が、前記金属ポストの形成されている面の反対方向に径が縮小するテーパーが設けられている。
【請求項１０】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記金属膜はＮｉ膜である。
【請求項１１】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記金属膜はＣｕ膜である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装用の金属ポストを備えるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、絶縁層を貫通し突出する金属ポストを備えるプリント配線板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３５３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１では、金属ポストが金属ポストを支持する導体層と同時に形成されるため、導体層の厚みがばらつくと考えられる。また、金属ポストを支持する導体層へ下層のビア導体が底部で接続する。ビア導体の径が細くなる底部で接続するため、金属ポストが搭載する電子部品側から応力を受けた際に、ビア導体の底部と導体層との間にクラックが入ることがあると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、電子部品の実装用の金属ポストを備える。そして、前記金属ポストが導体層上に金属膜を介在して形成されている。
【０００６】
また、本発明に係るプリント配線板は、電子部品の実装用の金属ポストを備える。そして、前記金属ポストがビア導体上に金属膜を介在して形成されている。
【０００７】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、金属ポストが導体層（ビア導体）上に金属膜を介在して形成されているので、導体層（ビア導体）の形成後、金属膜を形成し、金属ポストが形成できる。このため、導体層（ビア導体のランド）の厚み、金属ポストの高さを均一化することができる。更に、金属膜で金属ポストの高さが嵩上げされ、金属ポストを形成するめっき膜と金属膜との２層のめっきで金属ポストの高さが規定されるので、嵩上げされた金属ポストの高さが均一化し易い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の応用例の断面図であり、図１（Ｃ）は実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図５】図５（Ａ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図であり、図５（Ｂ）は参考例のビア導体配置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面とは反対側の第２面Ｓとを備え、導体層３４Ａ、３４Ｂ、スルーホール導体３６の形成されたコア基板３０を有する。プリント配線板１０は、更に、最上の樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層）１５０Ａと、第１樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層）５０Ａと、第２樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層）５０Ｂと、最下の樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層）１５０Ｂとを有する。第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ側には、最上の導体層５８Ａが形成されている。第１樹脂絶縁層５０Ａ及び最上の導体層５８Ａ上に開口７１Ｆを備える最上の樹脂絶縁層１５０Ａが形成される。開口７１Ｆから露出される最上の導体層５８Ａがプリント配線板を搭載するための第１パッド７３Ｆを構成する。また、最上の導体層５８Ａ上に最上の樹脂絶縁層１５０Ａを貫通して突出する金属ポスト８０が形成されている。金属ポスト８０は、第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通する第１ビア導体６０Ａのランド５８ＡＰを構成する最上の導体層５８Ａ上に設けられている。第１ビア導体の直上に金属ポストが配置されることが望ましい。金属ポストを介して伝わる応力によって、最上の導体層５８Ａにクラックが入り難い。第２樹脂絶縁層５０Ｂの第２面Ｓ側には、最下の導体層５８Ｂが形成されている。第２樹脂絶縁層５０Ｂ及び最下の導体層５８Ｂ上に開口７１Ｓを備える最下の樹脂絶縁層１５０Ｂが形成される。開口７１Ｓから露出される最下の導体層５８Ｂが外部基板にプリント配線板１０を搭載するための第２パッド７３Ｓを構成する。第２パッド７３Ｓは第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通する第２ビア導体６０Ｂのランド５８ＢＰを構成する最下の導体層５８Ａ上に設けられる。第１ビア導体６０Ａと第２ビア導体６０Ｂとはスルーホール導体３６を介して接続されている。第１パッド７３Ｆ及び第２パッド７３Ｓの上、金属ポスト８０の露出面には保護膜８４が形成されている。保護膜８４は、ニッケル層とニッケル層上の金層で形成される。保護膜としては、ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。金属ポスト８０は、Ｎｉ膜８２を介して第１ビア導体６０Ａのランド５８ＡＰ上に搭載されている。
【００１０】
図１（Ｂ）は、プリント配線板１０にロジック等のＩＣチップ１１０が実装され、メモリー等を収容する第２プリント配線板１２０が搭載された応用例を示す。
ＩＣチップ１１０は金属ポスト８０に半田７６Ｆｉを介して接続されている。第２プリント配線板１２０は、第１パッド７３Ｆに半田バンプ７６Ｆｏを介して搭載されている。
【００１１】
実施形態のプリント配線板は、金属ポスト８０が最上の導体層５８Ａ上にＮｉ膜８２を介在して形成されているので、最上の導体層（ビア導体）６０Ａの形成後、Ｎｉ膜８２を形成し、金属ポスト８０が形成できる。このため、最上の導体層（ビア導体のランド）６０Ａの厚み、金属ポスト８０の高さを均一化することができる。これにより、金属ポストの接続信頼性が高められる。更に、Ｎｉ膜８２で金属ポストの高さが嵩上げされ、金属ポストを形成するめっき膜８６とＮｉ膜８２との２層のめっきで金属ポストの高さが規定されるので、Ｎｉ膜８２で嵩上げされた金属ポストの高さｈ１が均一化し易い。実施形態では、金属膜としてＮｉ膜８２が用いられるが、金属膜として化学銅（Ｃｕ）膜を用いることもできる。
【００１２】
図５（Ｂ）は参考例のビア導体配置を示す。参考例では、径の最小部分であるビア導体６０Ａの底部６０ＡＢが金属ポスト８０側に接続される。これに対して、実施形態のプリント配線板では、第１ビア導体６０Ａの径の大きくなる頂部６０ＡＴ側に金属ポスト８０が形成される。即ち、径の小さくなる底部６０ＡＢ側が金属ポスト８０に向かないので、金属ポスト８０が介在するＩＣチップ側からの応力で、第１ビア導体６０の底部６０ＡＢにクラックが入り難い。
【００１３】
樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂ、１５０Ａ、１５０Ｂはそれぞれ、ガラスクロス等の無機繊維を含む樹脂層、無機粒子を含まない樹脂層のいずれも用いることができる。プリント配線板は、ＩＣチップ実装時に熱収縮による撓みが大きい。実施形態のプリント配線板は、最上の樹脂絶縁層１５０Ａから突出する金属ポスト８０を備えるので、プリント配線板１０に撓みが生じても、ＩＣチップを実装し易い。
【００１４】
[実施形態の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板の製造方法が図２〜図４に示される。
公知の方法で導体層３４Ａ、３４Ｂ、スルーホール導体３６の形成されたコア基板３０が形成される（図２（Ａ））。コア基板３０上に第１樹脂絶縁層５０Ａ、第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａ、第２樹脂絶縁層５０Ｂは、芯材を備えない粒子を含む樹脂から成る。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。粒子は、シリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含む。ＣＯ２ガスレーザにて第１樹脂絶縁層５０Ａ、第２樹脂絶縁層５０Ｂにコア基板３０へ至る開口５１が形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａ、第２樹脂絶縁層５０Ｂ上と開口５１の内壁に無電解銅めっき膜５２が形成され、無電解銅めっき膜５２上にめっきレジスト（図示されず）が形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２上に、電解銅めっき膜５４が形成される。この時、開口５１は電解銅めっき膜５４で充填される。開口５１に第１ビア導体６０Ａ、第２ビア導体６０Ｂが形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜５４非形成の無電解銅めっき膜５２が除去され、最上の導体層５８Ａ、最下の導体層５８Ｂが形成される（図２（Ｂ））。
【００１５】
第１樹脂絶縁層５０Ａ及び最上の導体層５８Ａの表面に無電解ＮｉめっきによりＮｉ膜８２が形成される（図２（Ｃ））。Ｎｉ膜８２上に金属ポストを形成するための通孔８８Ａを備えるめっきレジスト８８が形成される（図２（Ｄ））。電解銅めっきにより通孔８８Ａ内にめっき膜８６からなる金属ポスト８０が形成される（図３（Ａ））。金属ポスト８０及びめっきレジスト８８の表面が研磨され、金属ポスト８０の高さが揃えられることも可能である（図３（Ｂ））。
【００１６】
めっきレジストが除去される（図３（Ｃ））。選択エッチングにより金属ポスト８０の非形成部分のＮｉ膜８２が除去され、金属ポスト８０の下のＮｉ膜８２が残る（図３（Ｄ））。
【００１７】
第１樹脂絶縁層５０Ａ、最上の導体層５８Ａ、金属ポスト８０上に最上の樹脂絶縁層１５０Ａが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｂ、最下の導体層５８Ｂ上に最下の樹脂絶縁層１５０Ｂが形成される（図４（Ａ））。ブラスト加工、またはエッチングにより最上の樹脂絶縁層１５０の厚みが薄くされ、金属ポスト８０の上部が露出される（図４（Ｂ））。最上の樹脂絶縁層１５０Ａにレーザーで開口７１Ｆが形成され、第１パッド７３Ｆが露出される。最下の樹脂絶縁層１５０Ｂにレーザーで開口７１Ｓが形成され、第２パッド７３Ｓが露出される（図４（Ｃ））。ニッケルめっき、金めっきにより第１パッド７３Ｆ及び第２パッド７３Ｓの上、金属ポスト８０の露出面に保護膜８４が形成され、プリント配線板１０が完成する（図１（Ａ））。
【００１８】
プリント配線板１０上の金属ポスト８０上に半田７６Ｆｉを介してＩＣチップ１１０が実装される。第１パッド７３Ｆに半田バンプ７６Ｆｏを介して第２プリント配線板１２０が搭載される（図１（Ｂ））。
【００１９】
[実施形態の第１改変例]
図１（Ｃ）は実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０を示す。
実施形態の第１改変例に係るプリント配線板では、第１樹脂絶縁層５０Ａ及び最上の導体層５８Ａ上に最上のソルダーレジスト層７０Ａが形成されている。最上のソルダーレジスト層７０Ａの開口７１Ｆから露出する最上の導体層５８Ａが第１パッド７３Ｆを構成する。金属ポスト８０は最上のソルダーレジスト層７０Ａを貫通し、突出している。第２樹脂絶縁層５０Ｂ及び最下の導体層５８Ｂ上に最下のソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。最上のソルダーレジスト層７０Ｂの開口７１Ｓから露出する最下の導体層５８Ｂが第２パッド７３Ｓを構成する。
【００２０】
[実施形態の第２改変例]
図５（Ａ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０を示す。
第２改変例では、金属ポスト８０は、ビア導体６０Ａの直上のみでなく、ビア導体６０Ａが下方に無い最上の導体層５８Ａ上に形成されている。また、第１ビア導体６０Ａは、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第１面Ｆ側の導体層５８Ｂに接続される。導体層５８Ｂに接続する第２ビア導体６０Ｂは、第２面Ｓ側に向かい径が縮小するように配置されている。第２ビア導体の底部６０ＢＰは、電極３４に接続されている。電極３４は第２樹脂絶縁層５０Ｂの第２面Ｓ側に上面３４Ｔ、側面３４Ｓが埋まり、下面３４Ｂのみが露出している。露出する下面３４Ｂはパッドを構成する。
【００２１】
実施形態の第２改変例に係るプリント配線板は、金属ポスト８０が最上の導体層５８Ａ上にＮｉ膜８２を介在して形成されているので、最上の導体層５８Ａの形成後、Ｎｉ膜８２を形成し、金属ポスト８０が形成できる。このため、最上の導体層５８Ａの厚み、金属ポスト８０の高さを均一化することができる。これにより、金属ポストの接続信頼性が高められる。更に、Ｎｉ膜８２で金属ポストの高さが嵩上げされ、金属ポストを形成するめっき膜８６とＮｉ膜８２との２層のめっきで金属ポストの高さが規定されるので、Ｎｉ膜８２で嵩上げされた金属ポストの高さｈ１が均一化し易い。
【符号の説明】
【００２２】
１０  プリント配線板
５０Ａ  第１樹脂絶縁層
５８Ａ  最上の導体層
６０Ａ  第１ビア導体
７１Ｆ  開口
７３Ｆ  パッド
７６Ｆｏ  半田バンプ
８０  金属ポスト
８２  Ｎｉ層
８４  保護膜
１５０Ａ  最上の樹脂絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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