(57)【要約】【課題】  イオンビーム注入の方法を提供する。【解決手段】  イオンビーム注入の方法が提供される。方法は、傾斜角度の範囲を適応させる複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入を提供する。傾斜角度の範囲は、傾斜角度の範囲にわたり指定されたドーズ配分と共に定義できる。方法は、イオン注入パラメータを取得するステップと、照射ステップの数を決定するステップと、照射ステップに対応する注入パラメータを選択するステップと、注入データを取得するステップと、第１の注入シーケンスを定義するステップと、第１の注入シーケンスに従い複数幾何学的向き注入照射シーケンスを作成するステップと、複数幾何学的向き注入照射シーケンスに従いイオン注入を実行するステップとを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の幾何学的向きでウェハにイオンを注入する方法であって、
デフォルトパラメータを取得するステップと、
照射数を決定するステップと、
第１の注入パラメータセットを取得するステップと、
前記照射数、前記デフォルトパラメータ、及び前記第１の注入パラメータセットに従い、複数幾何学的向き注入照射シーケンスを生成するステップであって、前記複数幾何学的向き注入照射シーケンスは複数の照射ステップを含む、ステップと、
前記複数幾何学的向き注入照射シーケンスに従い前記ウェハにイオンを注入するステップと、
を含み、
前記照射ステップの各々は、イオンを注入するためのイオンビームのドーズパーセンテージ、ウェハ角度、及びウェハ向きを指定する、
方法。
【請求項２】
前記デフォルトパラメータは、前記イオン注入の間に使用されるべきイオン種、前記イオンビームのエネルギー、合計ドーズ、及びデフォルトウェハ向きを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の注入パラメータセットは、前記ウェハのターゲット温度及びドーズ量レートを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の注入パラメータセットはメモリから取り出される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の注入パラメータセットはユーザ入力に従い指定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記イオンを注入するステップが連続モードにおいて実行されるとき、前記イオンを注入するステップは、
各照射ステップ間で前記ドーズパーセンテージ、前記ウェハ角度、及び前記ウェハ向きの補間を実行するステップと、
前記補間に従いイオンを注入するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の幾何学的向きでウェハにイオンを注入する方法であって、
デフォルトパラメータを取得するステップと、
照射数を決定するステップと、
第１の注入パラメータセットを取得するステップと、
向きモードを決定するステップであり、前記向きモードは第１のウェハ向き及び第２のウェハ向きを含む、ステップと、
前記照射数、前記デフォルトパラメータ、前記第１の注入パラメータセット、及び前記向きモードに従い、複数幾何学的向き注入照射シーケンスを生成するステップであり、前記複数幾何学的向き注入照射シーケンスは、前記第１のウェハ向きに対応する第１の複数の照射ステップの第１の配列と、前記第２のウェハ向きに対応する第２の複数の照射ステップの第２の配列とを含む、ステップと、
前記複数幾何学的向き注入照射シーケンスに従い前記ウェハにイオンを注入するステップと、
を含み、
前記照射ステップの各々が、イオンを注入するためのイオンビームのドーズパーセンテージ、ウェハ角度、及び前記ウェハ向きを指定する、
方法。
【請求項８】
前記デフォルトパラメータは、前記イオン注入の間に使用されるべきイオン種、前記イオンビームのエネルギー、合計ドーズ、及びデフォルトウェハ向きを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の注入パラメータセットは、前記ウェハのターゲット温度及びドーズ量レートを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の注入パラメータセットはメモリから取り出される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の注入パラメータセットはユーザ入力に従い指定される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記イオンを注入するステップが連続モードにおいて実行されるとき、前記イオンを注入するステップは、
各照射ステップ間で前記ドーズパーセンテージ、前記ウェハ角度、及び前記ウェハ向きの補間を実行するステップと、
前記補間に従いイオンを注入するステップと、
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記向きモードが二分モードを含むとき、前記第１のウェハ向き及び前記第２のウェハ向きは前記ウェハの第１の回転だけ異なり、前記第１の複数の照射ステップ及び前記第２の複数の照射ステップは、同じシーケンスのドーズパーセンテージ及びウェハ角度を指定する、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハの前記第１の回転は、前記ウェハ向きを１８０度回転することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記向きモードが四分モードを含むとき、前記向きモードは第３のウェハ向き及び第４のウェハ向きをさらに含み、前記複数幾何学的向き照射シーケンスは、
前記第３のウェハ向きに対応する第３の配列、及び前記第４のウェハ向きに対応する第４の配列、をさらに含み、前記第３の配列は第３の複数の照射ステップと前記第１の注入パラメータセットとを含み、前記第４の配列は第４の複数の照射ステップと前記第１の注入パラメータセットとを含み、
前記第１のウェハ向き、前記第２のウェハ向き、前記第３のウェハ向き、及び前記第４のウェハ向きは、前記ウェハの第１の回転だけ異なり、前記第１の複数の照射ステップ及び前記第２の複数の照射ステップは同じシーケンスのドーズパーセンテージ及びウェハ角度を指定する、
請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記ウェハの前記第１の回転は、前記ウェハ向きを９０度回転することを含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単一注入を実行して複数の幾何学的向きでウェハにイオンを注入する、一連の照射ステップを所定の傾斜角度、注入ドーズ／ドーズ割合、ウェハ回転、及びウェハ温度に適応させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入及び３Ｄ構造ドーピングの分野、例えば、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）などのウェハデバイスの側壁ドーピングなどにおいて、構造により課されるタイトなフィンピッチ及び高いアスペクト比に起因して、進化したノードのドーピング及びイオン注入を実行することがますます困難になってきている。さらに、局所的に及びウェハにわたっての双方でフィン構造にある程度の変動があり、ウェハに対するイオンビームについて単一の固定された傾斜角度を使用するとき、不十分な結果をもたらすイオン注入角度繰返し性許容範囲と組み合わせられる。
【０００３】
注入種には、原子及び分子イオンが含まれる。注入エネルギーが低く、ビーム電流が限られる場合、所望の種の複数の原子を有する分子イオン、例えばフッ素注入のためのＳｉＦ３＋（ＳｉＦ４ガス前駆体）などを使用することが、特に有利であり得る。
【０００４】
Ｗａｎら（米国特許第9,431,247号）が注入の一方法を提供しており、これは、１つ以上の３次元構造を有するワークピース又はウェハへの統合発散ビーム（integrated  divergent  beam）（ＩＤＢ）を提供し、注入する。このＩＤＢ法は、ＩＤＢがワークピースに垂直に注入されてもよく、あるいはワークピースに傾斜されて注入されてもよいことを規定する。
【０００５】
ＩＤＢ法は、ビーム交差により生み出される角度に限定され、不十分な繰返し性において調整することが非常に困難である。ＩＤＢ法は、非常に限られた範囲で傾斜角度の範囲を提供し、角度によるドーズ配分の変更を提供しない。
【０００６】
この問題に対処するために、異なる傾斜角度における複数の注入が使用され得るが、それは、イオン注入器で稼働するのにさらなる時間を要するため、さらに多くコストがかかる。
【発明の概要】
【０００７】
当分野の上記問題に対処するために、本発明は、傾斜角度の範囲を適応させる複数照射シーケンス／複数幾何学的向きでの単一イオン注入（single  ion  implantation）の方法を提供する。傾斜角度の範囲は、傾斜角度の範囲にわたり指定されたドーズ配分と共に定義できる。複数照射シーケンス／複数幾何学的向きのアプローチは、当分野の問題を克服し、利用可能な傾斜角度の範囲と傾斜角度の範囲にわたり配分されたドーズの量とを通じた完全な制御を可能にする。これは、３Ｄ構造ドーピングについて、困難な幾何学的形状及び該幾何学的形状の製造誘発変動に対するより有能な解決策を提供する。
【０００８】
本発明の一実施形態において、ウェハのイオン注入の方法は平行な１Ｄビームを利用し、ここで、注入は、傾斜角度の範囲及び他のパラメータを用いて単一注入において行われ、傾斜角度の範囲及び他のパラメータは、ユーザ入力からか、あるいは所定のデータベースエントリから選択される。
【０００９】
本発明の一実施形態において、イオン注入の方法は、イオン注入パラメータを取得するステップと、照射ステップの数を決定するステップと、照射ステップに対応する注入パラメータを選択するステップと、注入データを取得するステップと、第１の注入配列を定義するステップと、第１の注入配列に従い複数幾何学的向き注入照射シーケンスを作成するステップと、イオン注入照射シーケンスに従いイオン注入を実行するステップとを含む。
【００１０】
本発明の一実施形態において、第１の注入配列を定義するステップは、ドーズ量割合、イオンビームに対するウェハの角度、ウェハの向き、及びウェハの温度に従い、イオン注入ステップのシーケンスを作成するステップを含む。
【００１１】
本発明の一実施形態において、注入パラメータは二分モード又は四分モードウェハ傾斜／回転能力を含み、３Ｄ構造ドーピングを容易にしてもよい。一実施形態において、二分モードウェハ傾斜／回転は、ウェハに対して垂直にイオン注入照射のうち半分を実行すること、ウェハを１８０度回転すること、及びイオン注入照射のうち第２の半分を実行することを含む。
【００１２】
本発明の一実施形態において、第１のイオン注入照射セットは、第２のイオン注入照射セットに対応する。より具体的に、等しい数の照射ステップが第１の向きと第２の向きとにおいて実行されてよい。第１の向きの照射ステップ及び第２の向きの照射ステップは、同じパラメータセットを使用するように構成されてもよい。
【００１３】
方法は、イオン注入が照射ステップに従い実行されることを可能にし、各照射ステップは、その独自のドーズ割合、ウェハ角度、ウェハ向き、温度、及び他のパラメータを指定できる。上記方法を使用することにより、様々なウェハ幾何学的形状及びイオン注入要件に適応できる。
【００１４】
下記の説明及び図面は、本発明の利点をより良く理解するために開示される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入の方法のフローチャートである。
【図２】複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入の方法の、パラメータの配列を含む表である。
【図３】複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入の方法の、パラメータの配列を含む一例示的な表である。
【図４】複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入の方法の、別の実施形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明のいくつかの例示的な実施形態の態様、特徴、及び利点が、下記の説明に関して添付図面と関連してより理解される。本明細書において提供される本発明の説明実施形態は限定的でなく単に例示であり、単に例として提示されていることが当業者に明らかであろう。本説明内に開示されるすべての特徴は、別段明示的に示されない限り、同一又は同様の目的を果たす代替の特徴により置換されてもよい。ゆえに、その修正の多数の他の実施形態が、本明細書において定義される本発明及びその均等物の範囲内に入るとして企図される。ゆえに、絶対的な語の使用、例えば、「することになる」、「しないことになる」、「するものとする」、「しないものとする」、「しなければならない」、及び「してはならない」などは、本明細書において開示される実施形態が専ら例示的であるため、本発明の範囲を限定するようには意図されない。
【００１７】
複数幾何学的向き（multiple-geometric-orientation）イオンビームを用いたイオン注入（ion  implantation）の方法のフローチャートを示す図１を参照する。本発明はイオン注入の方法を提供し、該方法は、標準／デフォルト注入パラメータを取得するステップＳ１００と、照射（exposures）の数を決定するステップＳ２００と、照射のシーケンスを決定するステップＳ３００と、注入照射シーケンスを作成するステップＳ４００と、注入照射シーケンスに従いイオン注入を実行するステップＳ５００とを含む。
【００１８】
本発明の一実施形態において、Ｓ１００は、標準／デフォルト注入パラメータを、ユーザ入力からか又はメモリから取得することを含む。注入パラメータは、イオン種、イオンエネルギー、ドーズ、傾斜（tilting）角度、デフォルトの一ターゲット向き、又は／及び複数ターゲット向きを含んでよい。一実施形態において、注入パラメータは、ウェハ温度及びドーズ量レート（dosage  rate）をさらに含んでもよい。
【００１９】
注入パラメータは、イオン種、イオンエネルギー、イオン注入の合計ドーズ、デフォルト傾斜角度、デフォルトウェハ向き、及びデフォルト動作モードの、初期又はデフォルト設定を示すために使用されてもよい。
【００２０】
イオン種は、イオンのいずれの種が注入に使用されるかを示す。一実施形態において、このイオン種はＳｉＦ３＋（ＳｉＦ４ガス前駆体）を含んでよい。他のイオン種が、種々の注入に従い使用されてもよい。
【００２１】
イオンエネルギー及びドーズは、注入の間に使用されるイオンビームの合計エネルギー及びイオンの量を示す。デフォルトターゲット向きは、イオンビームに対するウェハの初期向きを決定する。
【００２２】
一実施形態において、ウェハ傾斜角度は、イオンビームに対する第１の軸及び／又は第２の軸に関するウェハ位置の変更に従い測定され、ウェハ向きは、ウェハ法線ベクトル又はウェハの平面に対して垂直な軸に対するウェハ回転の変更に従い測定される。
【００２３】
注入パラメータは、ドーズ、イオンビームに対するウェハ角度、ビームに対するウェハ向き、ウェハ温度、及び他のウェハ関連パラメータを示すパラメータの配列（又は機能的関係（functional  relationship））をさらに含んでもよい。パラメータの配列は、照射の数に従い関連づけられてもよい。
【００２４】
注入パラメータの値は、注入されるウェハ又はサブストレートの幾何学的形状（geometry）に従い決定されてもよい。
【００２５】
本発明の一実施形態において、Ｓ２００は、イオン注入のための照射の数又は照射回数を決定することを含む。照射の数は、ユーザ入力に従ってもよく、あるいはメモリからでもよい。一実施形態において、照射の数は、いくつの照射ステップがイオン注入ステップの間に実行されることになるかを示す。
【００２６】
別の実施形態において、照射の数はイオン注入の間の時点に対応してもよく、任意の所与の２つの時点間の継続時間は一定でもよく、あるいは変えられてもよい。照射ステップは、イオン注入の間の時間の間隔に対応してもよい。
【００２７】
ステップＳ３００は、マルチ照射（multi-exposure）シーケンスを作成するために所定のパラメータセット配列を取得するステップを含む。一実施形態において、所定のパラメータ配列は、コンピュータシステムのデータベースから取得される。一実施形態において、このステップは、ドーズ、ビームに対するウェハ角度、ビームに対するウェハ向き、ウェハ温度、及び他のウェハ関連パラメータ間の、機能的関係を決定することをさらに含む。
【００２８】
一実施形態において、パラメータの配列は、初期又はデフォルト注入パラメータに対する変更の一連のセットを含む。さらに、照射シーケンスを決定するステップにおいて、方法は、パラメータの配列が正確な設定を指定しないとき、初期又はデフォルトパラメータを使用してもよい。一例として、ウェハ温度が所定の配列内に定義されていない場合、照射シーケンスはデフォルト注入パラメータのデフォルトウェハ温度を参照する。
【００２９】
図２を参照すると、一例示的なパラメータ配列が提供される。パラメータの配列は、照射ステップをドーズ割合（dose  fraction）、イオンビームに対するウェハ角度、イオンビームに対するウェハ向き、及びウェハ温度と関連づける。ドーズ割合は、イオンビームにより実行される注入の合計ドーズのうちのパーセンテージを参照し、ウェハ角度は、マルチ照射イオン注入の間のウェハの傾斜に対応し、ウェハ向きは、ウェハがビームに対して如何に方向づけられるかを参照し、ウェハ温度は、対応する照射ステップの間にウェハが保持する温度を示す。
【００３０】
本発明の一実施形態において、注入ドーズは、傾斜角度の範囲内で配分され（distributed）てよい。注入ドーズは、各々の指定された傾斜角度ごとに均一に配分され、あるいは調整されるように、選択的に構成されてよい。例えば、より浅いウェハ角度が、合計ドーズのうちより小さいパーセンテージを受けるように構成されてもよい。当業者は、他の注入ドーズがウェハ幾何学的形状及びイオン注入要件に従い指定されてもよいことを認識するであろう。
【００３１】
本発明の一実施形態において、傾斜変動（tilt  variation）は、（例えば、角度により）個別のステップにおいてでもよく、あるいはウェハスキャンの間における傾斜の連続的変動でもよい。例えば、傾斜変動は、照射ステップ間で５度増加でもよく、あるいは連続的な傾斜角度範囲にわたり実行されてもよい。
【００３２】
一実施形態において、パラメータの配列は、ウェハ傾斜及び／又は向きの二分モード（bi-mode）又は四分モード（quad-mode）に対応してよい。二分モードにおいて、ウェハ傾斜／向きは、ウェハに対して垂直にイオン注入のうち半分を実行し、ウェハの向きを１８０度回転させ、イオン注入照射のうち第２の半分を実行することに対応する。当業者は、本明細書において説明される度数が一例示的な実施形態であり、他のウェハ向きがウェハ幾何学的形状及びイオン注入要件に従い使用されてもよいことを認識するであろう。
【００３３】
本発明の一実施形態において、イオン注入照射の第１のセットは、イオン注入照射の第２のセットに対応する。より具体的に、等しい数の照射ステップが第１の向き及び第２の向きにおいて実行されてよい。第１の向きの照射ステップ及び第２の向きの照射ステップは、同じパラメータセットを使用するように構成されてもよい。
【００３４】
図３を参照すると、二分モード傾斜／向きイオン注入の一例示的なパラメータ配列が提供される。照射ステップは、照射ステップの第１のセット又はモードと第２のセット又はモードとに対応する。
【００３５】
図３において、第１の照射ステップセットは照射ステップ１〜５を含み、第２の照射ステップセットは照射ステップ６〜１０を含む。照射ステップ６において、ウェハ向きは１８０度回転される。図３において、第１の照射ステップパラメータセットは、第２の照射ステップセットのパラメータに対応する。例えば、照射ステップ６は、照射ステップ１と同じドーズ割合及びウェハ傾斜角度を含む。
【００３６】
同様に、四分モード傾斜／向きイオン注入において、ウェハ向きは９０度回転でき、照射ステップは４つの照射ステップセットに分割できる。当業者は、本明細書において説明される度数が一例示的な実施形態であり、他のウェハ向きがウェハ幾何学的形状及びイオン注入要件に従い使用されてもよいことを認識するであろう。
【００３７】
一実施形態において、二分モード又は四分モード傾斜／向きイオン注入により決定されるウェハ向きの回転は、ウェハの注入要件に従い構成されてもよい。
【００３８】
図１を参照すると、ステップＳ４００は、ステップＳ３００のパラメータの配列に対応するマルチ照射シーケンスを作成することを含む。複数幾何学的向き照射シーケンスは、イオン注入装置のための命令セットを含む。
【００３９】
ステップＳ５００において、イオン注入はマルチ照射シーケンスに従い実行される。注入を実行するイオンビーム注入システムには、制御回路とイオンビーム源とウェハの傾斜／回転ステージと温度コントローラとを含むイオン注入装置を含んでもよい。制御回路は、複数幾何学的向き照射シーケンスを読み出し、パラメータの配列の照射ステップに従いイオン注入を実行することができる。
【００４０】
したがって、図２及び図３を参照すると、イオン注入は、第１の照射ステップに関連づけられたウェハ角度、ドーズ割合、ウェハ向き、及び温度で第１の照射ステップに従い実行される。各々の後のステップは、複数幾何学的向き照射シーケンスのパラメータの配列を通して反復する。
【００４１】
イオン注入の間、ドーズ割合は、照射ステップの間に注入される合計イオンドーズのうちのパーセンテージを示す。ドーズ割合は、イオンビームのパワー、イオンビームの照射の継続時間を制御することにより調節されてもよい。
【００４２】
さらに、イオン注入処理の各照射ステップの間、ウェハは、複数幾何学的向き照射シーケンス及び対応する照射ステップにより指定されたウェハ角度に従いイオンビームに対して傾斜される。同様に、ウェハの温度もまた、複数幾何学的向き照射シーケンスにより指定された温度に従い各照射ステップにおいて調節されてもよい。
【００４３】
一実施形態において、イオン注入は、パラメータの配列を補間することにより連続的に、あるいはパラメータの配列に従い個別の照射ステップにおいて実行されてよい。例えば、図３の照射ステップが非連続的であるとき、イオン注入は照射ステップ１と照射ステップ２との追加的な線形補間を実行して、照射ステップ１と照射ステップ２との時間間隔の間に連続的イオン注入の間に使用されるべき所望のドーズ割合、ウェハ傾斜角度、及び温度を計算してもよい。
【００４４】
一実施形態において、イオン注入は、所望の種の複数の原子を有するイオン、例えば、フッ素注入のためのＳｉＦ３＋（ＳｉＦ４ガス前駆体）などを使用してもよい。
【００４５】
一実施形態において、イオンビーム診断、例えば、ビーム角度の広がりを決定することなどが、注入角度の真の配分を決定するために組み込まれてもよい。真の注入角度配分はステップＳ５００の間に考慮され（accounted  for）、注入角度及びドーズ配分がパラメータの配列により指定された所望の注入角度／ドーズ範囲により良く合致するようにしてもよい。
【００４６】
一実施形態において、ビーム診断は、ウェハにわたるイオン角度配分のイオン注入の後に情報を提供するための注入報告に組み合わせられ、デバイス結果に相互関連付けされてもよい。この情報がメモリ内に記憶されて、後のイオン注入のために取り出され、後のイオン注入のためのパラメータの配列を調整するために使用されて、複数幾何学的向き注入照射シーケンスの実行をより良く最適化してもよい。
【００４７】
一実施形態において、イオン注入は、ビーム診断情報を使用し、複数幾何学的向き照射シーケンスを変更し、デバイス及びウェハ変動を補償して、多くの異なるロットのウェハにわたりより一貫性のあるイオン注入を達成してもよい。
【００４８】
一実施形態において、マルチ照射シーケンスを有するイオンビームを用いたイオン注入の方法は、イオン注入装置により実行されてよい。装置は、プロセッサ、非一時的記憶媒体、ハードウェア又はソフトウェアにより実行されるユーザ入力インターフェース、イオンビーム源、及びウェハを位置づけるステージを含んでもよい。
【００４９】
図４を参照すると、方法の別の実施形態が示される。図１と同様に、ステップＳ１００は、デフォルト注入パラメータをユーザ入力からか又はメモリから取得することを含む。注入パラメータは、イオン種、イオンエネルギー、ドーズ、傾斜角度、デフォルトの一ターゲット向き、又は／及び複数ターゲット向きを含んでよい。一実施形態において、注入パラメータはウェハ温度及びドーズ量レートをさらに含んでもよい。
【００５０】
注入パラメータは、イオン種、イオンエネルギー、イオン注入の合計ドーズ、デフォルト傾斜角度、デフォルトウェハ向き、及びデフォルト動作モードの、初期又はデフォルト設定を示すために使用されてもよい。
【００５１】
本発明の一実施形態において、Ｓ２００は、イオン注入のための照射の数を決定することを含む。照射の数は、ユーザ入力に従ってもよく、あるいはメモリからでもよい。一実施形態において、照射の数は、いくつの照射ステップがイオン注入ステップの間に実行されることになるかを示す。
【００５２】
さらに、ステップＳ２００において決定される照射の数が単一照射（single  exposure）を含むとき、ステップＳ４０１が実行される。ステップＳ４０１は、デフォルト注入パラメータに従い単一照射シーケンスを作成することを含む。
【００５３】
照射の数が１より大きいとき、ステップＳ３００及びＳ４００が実行され、これは、それぞれ、図１のステップＳ３００及びＳ４００と同等である。
【００５４】
照射シーケンスがステップＳ４００又はＳ４０１において作成された後、ステップＳ５００が実行される。照射シーケンスが単一照射シーケンスであるとき、イオンビームは注入パラメータに従い単一照射を実行するように構成される。照射シーケンスが複数照射シーケンスであるとき、ステップＳ５００は図１のステップＳ５００と同等である。
【００５５】
要約すると、本発明は複数幾何学的向きイオンビームを用いたイオン注入の方法を提供する。方法は、イオンビームの照射のためのパラメータを決定し、該パラメータは、ドーズ割合、傾斜角度、及びウェハ向きを含む。方法は、イオンビームに関連してウェハを傾斜させ、回転させて、利用可能な傾斜角度の範囲と傾斜角度の範囲にわたり配分されたドーズの量とを通じた完全な制御を可能にする。本発明は、３Ｄ構造ドーピングについて、困難な幾何学的形状及び該幾何学的形状の製造誘発変動に対するより有能な解決策を提供する。
【００５６】
本発明は、最も実際的かつ好適な実施形態であると現在考えられるものの観点で説明されたが、本発明は上記実施形態に限定される必要はないことが理解されるべきである。逆に、最も広い解釈で与えられる別記の特許請求の範囲の主旨及び範囲内に含まれる様々な変更及び同様の配置をカバーしてすべてのこうした変更及び同様の構造を包含することが意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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