(57)【要約】【課題】パターンの歪みや欠陥の抑制とスループットの両立に有利な技術を提供すること。【解決手段】基板の上にパターンを形成するリソグラフィ装置は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部による前記基板の保持力を調整する調整部と、前記基板の変形量を計測する計測部と、前記基板保持部により前記基板が保持された状態から前記調整部により前記保持力を弱めながら前記計測部により計測された前記変形量に基づいて前記基板保持部と前記基板との接触状態が正常か否かを判定する判定部とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部による前記基板の保持力を調整する調整部と、
前記基板の変形量を計測する計測部と、
前記基板保持部により前記基板が保持された状態から前記調整部により前記保持力を弱めながら前記計測部により計測された前記変形量に基づいて前記基板保持部と前記基板との接触状態が正常か否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記調整部により前記保持力が所定値に調整されたときに前記計測部により計測された前記変形量がしきい値を超えていなければ、前記接触状態が異常であると判定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記判定部は、前記計測部により前記変形量がしきい値を超えたときの前記保持力が所定値より弱ければ、前記接触状態が異常であると判定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記計測部は、前記基板の面外方向の変形量を計測するように構成され、
前記しきい値は、前記面外方向の変形量により前記基板の前記基板保持部からの浮き上がりを判定するための値に設定されている
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記計測部は、前記基板の面内方向の変形量を計測するように構成され、
前記しきい値は、前記面内方向の変形量により前記基板の前記基板保持部に対する滑りを判定するための値に設定されている
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記基板保持部により前記基板が保持されてから所定時間待機した後、前記保持力を弱め、その後、前記保持力を元に戻すことにより、前記基板と前記基板保持部との間の温度差によって前記基板に生じた歪みを除去する歪み除去処理の中で、前記判定部による判定が行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記基板のショット領域の形状を補正するために前記基板を加熱する基板加熱部を更に有し、
前記計測部は、前記基板加熱部により加熱された前記基板の変形量を計測する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記判定部により前記接触状態が異常であると判定されたときは警告を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記形成する工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理する工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ工程において、原版や基板、あるいはそれらを保持する保持部に異物が付着した状態でパターン形成を行うと、基板に形成されるパターンに歪みや欠陥が生じうる。そのため、定期的あるいは状況に応じて基板保持部をクリーニングするなどの措置がとられる（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２３４２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
異物対策をさらに進めることは、高精度なパターン形成性能を実現するための重要な要請である。かといって、クリーニングを無闇に増やしたのではスループット（生産性）が低下する。
【０００５】
本発明は、パターンの歪みや欠陥の抑制とスループットの両立に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るリソグラフィ装置は、基板の上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部による前記基板の保持力を調整する調整部と、前記基板の変形量を計測する計測部と、前記基板保持部により前記基板が保持された状態から前記調整部により前記保持力を弱めながら前記計測部により計測された前記変形量に基づいて前記基板保持部と前記基板との接触状態が正常か否かを判定する判定部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、パターンの歪みや欠陥の抑制とスループットの両立に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態におけるインプリント処理を示すフローチャート。
【図３】基板と基板保持部との凝着現象を説明する図。
【図４】基板の面内方向の変形量を計測する方法を説明する図。
【図５】実施形態における洗浄装置と保管部を説明する図。
【図６】実施形態における凝着判定処理を説明する図。
【図７】実施形態における凝着判定処理を説明する図。
【図８】実施形態における凝着判定処理を含む歪み除去処理を示すフローチャート。
【図９】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１０】
＜第１実施形態＞
本発明は、インプリント装置、露光装置、荷電粒子線描画装置等のリソグラフィ装置に適用できるが、以下の実施形態では、リソグラフィ装置の一例として、インプリント装置について説明する。まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１１】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、石英ガラスである。
【００１２】
図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。このインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどの製造に使用され、被処理基板である基板１０上に型８を用いてインプリント材のパターンを形成する。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１を例にして説明する。図１において、基板１０上のインプリント材１４に入射する紫外線９の光軸と平行にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸をとる。
【００１３】
光照射部２は、インプリント処理の際に、型８および基板１０に対して紫外線９を照射する。光照射部２は、不図示の光源と、光源から照射された紫外線９をインプリントに適切な光に調整する光学素子とを含みうる。紫外線９は、ダイクロイックミラー３６ｂで反射され、型８および基板１０へと導かれる。
【００１４】
型８は、外周形状が矩形であり、基板１０に対向する面には、例えば回路パターンなどの転写すべきパターンが形成されたパターン部８ａを含む。また、型８の材質は、紫外線９を透過させることが可能な材質（例えば石英）である。さらに、型８は、後述するような形状補正部３８による変形を容易とするために、紫外線９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有するキャビティ（凹部）が形成された形状としてもよい。
【００１５】
型保持機構３は、まず、型８を保持する型保持部１１と、この型保持部１１を保持し、型８を移動させる型駆動機構１２とを有する。型保持部１１は、型８における紫外線９の照射面の外周領域を真空吸着圧や静電力により引き付けることで型８を保持し得る。例えば、型保持部１１が真空吸着圧により型８を保持する場合には、型保持部１１は、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦにより型８の脱着が切り替えられる。また、型保持部１１および型駆動機構１２は、光照射部２から照射された紫外線９が基板１０に向かうように、中心部（内側）に開口領域１３を有する。この開口領域１３には、開口領域１３の一部と型８とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材４１（例えば石英板）が設置され、真空ポンプなどを含む不図示の圧力調整装置により開口領域１３内の空間圧力が調整される。圧力調整装置は、例えば、型８と基板１０上のインプリント材１４との接触に際して、空間内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部８ａを基板１０に向かい凸形に撓ませ、インプリント材１４に対してパターン部８ａの中心部から接触させ得る。これにより、パターン部８ａとインプリント材１４との間に気体が残留することを抑え、パターン部８ａの凹凸部にインプリント材１４を隅々まで充填させることができる。
【００１６】
型駆動機構１２は、型８と基板１０上のインプリント材１４との接触または引き離しを選択的に行うように型８を各軸方向に移動させる。この型駆動機構１２に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、型８の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ軸（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、型８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１における接触および引き離し動作は、型８をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
【００１７】
基板１０は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、この被処理面にはインプリント材１４が塗布される。基板ステージ４は、基板１０を保持し、型８と基板１０上のインプリント材１４との接触に際して、型８と基板１０との位置合わせを実施する。この基板ステージ４は、基板１０を保持する基板保持部１６と、この基板保持部１６を保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構１７とを有する。基板保持部１６は、基板１０を真空吸着圧や静電気力により保持し、保持力は制御部７からの指令により調整部５８によって調整することができる。また、基板保持部１６は基板１０を吸着するだけではなく、基板１０を吸着面側から部分的に加圧することができる。一方、ステージ駆動機構１７に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータや平面パルスモータがある。ステージ駆動機構１７も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板１０のθ方向の位置調整機能、または基板１０の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。
【００１８】
また、基板ステージ４は、その側面に、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に対応した複数の参照ミラー１８を備える。ここで、ωｘ、ωｙ、ωｚはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸周りの回転方向を表す。これに対して、インプリント装置１は、これらの参照ミラー１８にそれぞれビームを照射することで、基板ステージ４の位置を測定する複数のレーザー干渉計１９（測長器）を備える。レーザー干渉計１９は、基板ステージ４の位置を実時間で計測し、制御部７は、その計測値に基づいて基板ステージ４（すなわち、基板１０）の位置決め制御を実行する。
【００１９】
供給部５は、基板１０上に未硬化状態のインプリント材１４を供給する。なお、インプリント材１４は、紫外線９を受光することにより硬化する性質を有する組成物であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択されうる。また、供給部５から供給されるインプリント材１４の量も、基板１０上に形成されるインプリント材１４の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定されうる。
【００２０】
形状補正部３８は、型保持部１１に保持された型８の側面に外力を印加する不図示の外力印加部を備え、制御部７からの指令により、パターン部８ａの形状を変形することができる。また、本実施形態のインプリント装置１は、基板加熱部３７を備える。基板加熱部３７は不図示の光源部を含み、この光源部からの光は、ダイクロイックミラー３６ａで反射し、ダイクロイックミラー３６ｂを透過して、基板１０に照射される。この光の照射エネルギーによる熱によって基板を加熱し、それにより基板を変形させることができる。
【００２１】
また、インプリント装置１は、インプリント処理に際し、基板１０上に存在し、図４に示す被処理部となるショット領域２０の形状またはサイズを計測するアライメント計測を行うためのアライメント計測部６を備える。アライメント計測部６から照射されるアライメント光３５は、ダイクロイックミラー３６ａおよび３６ｂを透過し、パターン部８ａおよび基板１０のショット領域２０上に形成された不図示のアライメントマークに照射される。これらのアライメントマークで反射したアライメント光３５は、アライメント計測部６で受光され、パターン部８ａと基板１０上のショット領域２０との相対位置が計測される。
【００２２】
制御部７は、インプリント装置１に含まれる各構成要素の動作、および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばＣＰＵおよびメモリを含むコンピュータ装置で構成されうる。制御部７は、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくとも型保持機構３、基板ステージ４、基板保持部１６、形状補正部３８、光照射部２、アライメント計測部６の動作を制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体（共通の筐体内に）で構成されていてもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体（別の筐体内に）で構成されていてもよい。
【００２３】
また、インプリント装置１は、基板ステージ４を載置するベース定盤２７と、型保持機構３を支持するブリッジ定盤２８と、ベース定盤２７から延設され、除振器２９を介してブリッジ定盤２８を支持するための支柱３０とを備える。除振器２９は、床面からブリッジ定盤２８へ伝わる振動を除去する。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、型８を装置外部から型保持機構３へ搬送する型搬送機構や、基板１０を装置外部から基板ステージ４へ搬送する基板搬送機構などを含み得る。
【００２４】
次に、インプリント装置１によるインプリント処理について、図２を用いて説明する。まず、制御部７は、不図示の基板搬送機構を制御して、インプリント装置１内に基板１０を搬入し、基板ステージ４上の基板保持部１６に基板１０を載置する（Ｓ１０１）。
【００２５】
制御部７は、基板保持部１６を制御して基板１０を保持する。ここで、基板１０と基板保持部１６との間には、温度差がありうる。温度差がある状態で基板１０を基板保持部１６に保持した場合、基板１０と基板保持部１６との間の熱伝導により基板１０に歪みが生じうる。基板１０に発生した歪みは、重ね合わせ誤差を増大させる要因となるため、除去する必要がある。そこで、Ｓ１０２で、制御部７は歪み除去処理を行う。この歪み除去処理において、制御部７は、基板１０と基板保持部１６との間の熱伝導が収束しうるものとして予め定めた時間待機した後、基板保持部１６の吸着圧（保持力）を一旦解放する。これにより基板１０の歪みが解放される。その後、制御部７は再び基板保持部１６の吸着圧を基板１０を保持するための圧力に戻す。こうすることで、基板１０に発生した歪みを除去し、重ね合わせ誤差の増大を防ぐことができる。
【００２６】
その後、制御部７は、ステージ駆動機構１７を制御して、基板１０上のパターンを形成する領域が供給部５の下に位置するよう基板ステージ４を搬送し、供給部５を制御してインプリント材１４を該領域に供給する（Ｓ１０３）。次に、制御部７は、ステージ駆動機構１７を制御して、基板１０上のパターンを形成する領域（ショット領域）がパターン部８ａの下に位置するよう基板ステージ４を搬送する（Ｓ１０４）。
【００２７】
次に、制御部７は、型駆動機構１２を制御して、基板１０上のインプリント材１４に型８のパターン部８ａを接触させる（Ｓ１０５）。この接触により、インプリント材１４が、パターン部８ａの凹凸部に充填される。
【００２８】
次に、制御部７は、アライメント計測部６を制御してアライメント計測を行う。例えば、パターン部８ａには、図４に示すようにマーク５２が形成されており、アライメント計測部６は、このマーク５２と基板１０上に存在するショット領域２０に形成されたマーク５１との相対位置や形状差などを計測する。図４は、マーク５１とマーク５２が面内方向に離れている場合について示している。しかし、マークの形態はこれに限られず、ピッチが異なる回折格子からなるマーク５１とマーク５２を重ねてモアレ縞を発生させて、そのモアレ縞の位相から相対位置を検出する方式でもよい。制御部７は、アライメント計測の結果に基づいて、パターン部８ａとショット領域２０との相対位置をシフト成分および回転成分に分解し、ステージ駆動機構１７により、位置合わせを行う。また、制御部７は、パターン部８ａとショット領域２０との形状差（倍率差など）を低減するように、パターン部８ａの形状を変形させるための形状補正部３８及びショット領域２０の形状を変形させるための基板加熱部３７の制御を行う（Ｓ１０６）。このとき、形状補正部３８もしくは基板加熱部３７のいずれか一方のみを用いて制御を行ってもよい。
【００２９】
パターン部８ａとショット領域２０との形状補正が完了すると、制御部７は、光照射部２から紫外線９を照射させ、型８を透過した紫外線９によりインプリント材１４を硬化させる（Ｓ１０７）。そして、インプリント材１４が硬化した後に、制御部７は、型駆動機構１２を制御して、型８をインプリント材１４から引き離す（離型）（Ｓ１０８）。これにより、基板１０上のショット領域２０の表面には、パターン部８ａの凹凸部にならった３次元形状のインプリント材１４のパターン（層）が形成される。その後、基板ステージ４は、次にパターン形成を行うショット領域に、インプリント材１４を供給するために、供給部５の下へ基板１０を搬送する（Ｓ１０９）。
【００３０】
このような一連のインプリント動作を、基板ステージ４の駆動によりパターン形成領域（ショット領域）を変更しながら繰り返すことで、基板１０上の複数のショット領域インプリント材のパターンを形成することができる。基板１０上の複数のショット領域にインプリント材のパターンが形成された後、制御部７は不図示の基板搬送機構を制御して基板１０を搬出する（Ｓ１１０）。
【００３１】
インプリント装置１においては、図３に示されるように、基板１０と基板保持部１６との間に異物５４が混入する可能性がある。異物混入の経路は種々考えられる。例えば、基板１０が複数の半導体プロセスを経てきている場合、いずれかの工程で、基板１０の裏面に樹脂（インプリント材やレジスト）等の異物５４が付着する可能性がある。また、基板１０を搬送するためのカセット内に基板１０が保管されている場合、基板１０の表面に形成された膜（有機物）から脱ガスが発生し、その脱ガスが、カセット内に保管されている基板１０の表面または裏面に異物５４として付着する可能性もある。あるいは、インプリント装置１はＳ１０３で、装置内でインプリント材１４を供給するため、インプリント材１４の揮発成分が装置内に充満し、基板保持部１６の表面に異物５４として付着する可能性もある。
【００３２】
このような異物５４を挟んで基板保持部１６が基板１０を保持した場合、Ｓ１０２の歪み除去処理において両者の熱伝導が収束しうる所定時間待機している間に、基板１０と基板保持部１６とが異物５４によって凝着する凝着現象を引き起こす場合がある。基板１０と基板保持部１６との間で凝着現象が発生すると、基板１０が基板保持部１６の水平平面内で拘束されるため、Ｓ１０２において基板１０の歪みの解放が阻害されうる。基板１０の歪みの解放が十分に行われない場合、重ね合わせ誤差が増大し、デバイス不良を引き起こす可能性が高まる。
【００３３】
本実施形態において、制御部７は、歪み除去処理の中で、調整部５８により保持力を弱めながら計測される基板１０の変形量の変化に基づいて基板保持部１６と基板１０との接触状態が正常か否かを判定する判定部として機能しうる。上述のような凝着は、接触状態（保持状態）の異常であるとして判定される。従来の手法では、基板保持部に基板が保持された状態で異物やその凝着の検出を行うことはできなかった。以下、基板保持部１６と基板１０との接触状態が正常か否かを判定する処理の例として、基板１０と基板保持部１６との間の凝着の有無を判定する凝着判定処理を詳しく説明する。
【００３４】
本実施形態において、凝着判定処理は例えば、Ｓ１０２の歪み除去処理の中で行われうる。図８に、凝着判定処理を含むＳ１０２の歪み除去処理のフローチャートを示す。制御部７は、基板保持部１６を制御して基板１０の保持力（吸着圧）を、基板１０を保持するための値に設定する（Ｓ２０１）。これにより基板１０が基板保持部１６に保持される。その後、基板１０と基板保持部１６との間の温度差が低減されるよう所定時間待機する（Ｓ２０２）。
【００３５】
次に、制御部７は、調整部５８に基板保持部１６による基板の保持力を一定量低減させ（Ｓ２０３）、その都度、基板１０の表面に沿った方向（面内方向）と直交する方向（面外方向）の変形量を計測する（Ｓ２０４）。このとき、例えばアライメント計測部６、高倍率アライメントスコープ５５、あるいは高さセンサ５６を、この変形量を計測する計測部として用いることができる。すなわち、面外方向の変形量の計測は、例えばアライメント計測部６におけるフォーカスのずれ量に基づき算出することにより行われうる。あるいは、基板１０のマークを検出するための高倍率アライメントスコープ５５のフォーカスのずれ量に基づいて算出してもよいし、基板１０の高さセンサ５６としてレーザー干渉計等の測長器を搭載して計測してもよい。
【００３６】
図６は、基板保持部１６の吸着圧を変化させたときの基板１０の面外方向の変形量の変化の例を示すグラフである。図６において、横軸は基板の吸着圧（すなわち基板保持部１６により基板を保持する保持力）を示しており、吸着圧が低くなるほど（すなわち左方向にいくほど）保持力が強くなり、吸着圧が高くなるほど（右方向にいくほど）保持力が弱くなる。
【００３７】
基板保持部１６による基板の保持力を弱めていく（横軸の右方向にいく）場合、曲線Ａのように、ある保持力で基板１０は基板保持部１６から浮き上がり、面外方向の変形が生じるようになる。しかし、基板１０と基板保持部１６との間で凝着が起きていると、その保持力では基板１０は浮かず、曲線Ｂのように、保持力をさらに弱めないと基板１０は浮かない。
【００３８】
そこで、制御部７は、Ｓ２０３で保持力を弱めながら、調整部５８により保持力が通常の基板の浮き上がり開始点の保持力またはそれよりも若干弱い保持力である所定値Ｆになったかを監視している（Ｓ２０５）。保持力が所定値Ｆになった時点で、制御部７は、基板の面外方向の変形量がしきい値ＴＨを超えているか否かを判定する（Ｓ２０６）。しきい値ＴＨは、面外方向の変形量により基板１０の基板保持部１６からの浮き上がりを判定するための値に設定され、例えば制御部７内のメモリに記憶されている。ここで変形量がしきい値ＴＨを超えていなければ、制御部７は、基板保持部１６と基板１０との接触状態が異常である（凝着が発生している）と判定する。この場合、制御部７は、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告を出力し（Ｓ２１０）、処理を停止する（Ｓ２１１）。
【００３９】
一方、基板の面外方向の変形量がしきい値ＴＨを超えていれば、制御部７は歪み除去処理を進めるべく、保持力を更に弱めていく（Ｓ２０７）。そして、保持力が所定の下限値を下回ったかを確認し（Ｓ２０８）、下限値を下回った時点で、保持力を基板１０を保持するための元の値（Ｓ２０１の値）に戻す（Ｓ２０９）。
【００４０】
その他の方法として、基板の面外方向の変形量がしきい値ＴＨを超えたときの基板の保持力が所定値Ｆより弱ければ、制御部７は、基板保持部１６と基板１０との接触状態が異常である（凝着が発生している）と判定してもよい。基板保持部１６に保持される基板１０は、成膜工程やエッチング工程などの半導体プロセスを経る過程で残留応力により反りが発生している可能性がある。基板１０に生じている反りにより基板１０の面外方向の変形量は変化するため、しきい値ＴＨは基板１０の反りを考慮して設定されるとよい。
【００４１】
基板保持部１６のメンテナンスを促す警告が発せられた場合、基板保持部１６の表面に異物が付着している可能性が高いため、基板保持部１６は洗浄工程に回される。基板保持部１６の洗浄は、例えば、図５に示すようなインプリント装置１に隣接する洗浄装置７１によって行われる。この場合、メンテナンス対象の基板保持部１６は搬送ロボット６１によって洗浄装置７１へ搬送される。洗浄は、異物の物性によって、超音波洗浄、脱脂洗浄、機械洗浄等から適宜選択されうる。洗浄装置７１による洗浄により、基板保持部１６に付着した異物が除去され、基板１０と基板保持部１６との間で発生する凝着現象を防ぐことができ、これにより重ね合わせ誤差の増加が抑えられる。なお、洗浄装置７１はインプリント装置１内に設けられていてもよいし、インプリント装置１の外部に設けられていてもよい。また、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告は音声による報知でもよいし、表示部による表示でもよいし、またはその両方であってもよい。
【００４２】
上述の説明では、凝着判定処理はＳ１０２の歪み除去処理の中で行われるものとして説明したが、Ｓ１０２の歪み除去処理とは独立に行うようにしてもよい。Ｓ１０２の歪み除去処理には基板の保持力を弱める工程が含まれるので、それを利用して凝着判定処理も併せて行うことは、スループットの低下を招かない点で有利である。また、凝着判定処理は、基板１０の全箇所を行うようにしてもよいし、代表的に特定の箇所だけを行うようにしてもよい。また、凝着判定処理は、ロット内の全基板に対して行うようにしてもよいし、特定の基板だけに対して行うようにしてもよい。
【００４３】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、基板１０の面外方向の変形量の計測結果に基づいて凝着の判定を行ったが、本実施形態では、基板１０の表面に沿った方向（面内方向）の変形量の計測結果に基づいて凝着の判定を行う。図７は、基板保持部１６の吸着圧を変化させたときの基板１０の面内方向の変形量の変化の例を示すグラフである。図７の横軸は、図６と同様、基板の吸着圧（すなわち基板保持部が基板を保持する保持力）を示しており、吸着圧が低くなるほど（すなわち左方向にいくほど）保持力が強くなり、吸着圧が高くなるほど（右方向にいくほど）保持力が弱くなる。
【００４４】
基板保持部１６による基板の保持力を弱めていく（横軸の右方向にいく）場合、曲線Ｃのように、ある保持力で基板１０は基板保持部１６から受ける摩擦力が低下することで滑りが生じ、面内方向の変形が生じるようになる。しかし、基板１０と基板保持部１６との間で凝着が起きていると、その保持力では、基板１０の滑りは生じず、曲線Ｄのように、保持力をさらに弱めないと基板１０の滑りは生じない。
【００４５】
そこで、制御部７は、通常の基板が滑り始める保持力またはそれよりも若干弱い所定の保持力Ｆ’において、基板の面内方向の変形量がしきい値ＴＨ’を超えているか否かを判定する。しきい値ＴＨ’は、面内方向の変形量により基板１０の基板保持部１６に対する滑りを判定するための値に設定され、例えば制御部７内のメモリに記憶されている。面内方向の変形量の計測は、例えばアライメント計測部６を用いて、図４に示すパターン部８ａと基板上のショット領域２０とのアライメントマークずれ量５３を算出することにより行われうる。あるいは、高倍率アライメントスコープ５５を用いて直接、基板１０の面内方向の変形量を計測するようにしてもよい。また、基板加熱部３７により基板１０を加熱させた状態で基板保持部１６の基板の保持力を変化させて基板１０の面内方向の変形量を計測してもよい。この時点で面内方向の変形量がＴＨ’を超えていなければ、制御部７は、凝着が発生していると判断し、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告を出力する。ここで、変形量のしきい値は、基板に形成されたショット領域の場所に応じて異なる場合がある。そのため、計測する場所に応じたしきい値を制御部７内のメモリに記憶されていてもよい。その他の方法として、基板の面内方向の変形量がしきい値ＴＨ’を超えたときの基板の保持力が所定値より弱ければ、制御部７は、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告を出力するようにしてもよい。
【００４６】
＜第３実施形態＞
第１実施形態では、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告が出力されると、洗浄装置７１による基板保持部１６の洗浄を行う構成を説明した。これに対し本実施形態では、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告が出力されると、基板保持部１６の交換を行う。基板保持部１６の交換は、図５に示すステージ駆動機構１７上に載置されている基板保持部１６を、搬送ロボット６１により、保管部７２に搬送する。その後、洗浄済みの基板保持部１６を搬送ロボット６１により保管部７２から取り出し、ステージ駆動機構１７上に載置する。保管部７２内は、例えば、洗浄済みの基板保持部１６を格納する領域と、メンテナンスのためにステージ駆動機構１７により降ろされた基板保持部１６を格納する領域とに分かれている。
【００４７】
なお、洗浄装置７１および保管部７２は、インプリント装置１内に設けられていてもよいし、インプリント装置１の外部に設けられていてもよい。また、基板保持部１６のメンテナンスを促す警告が出力された場合、まず基板保持部１６を保管部７２に保管されている洗浄済みの基板保持部と交換し、インプリント処理を再開させる。その後に、保管部７２からメンテナンスの必要な基板保持部１６を洗浄装置７１に搬送して洗浄を行うようにしてもよい。こうすることで、インプリント処理の中断時間を最小限に抑えることが可能である。
【００４８】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４９】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５０】
次に、物品製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５１】
図９（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５２】
図９（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５３】
図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００５４】
（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１：インプリント装置、２：光照射部、４：基板ステージ、６：アライメント計測部、１１：型保持部、１６：基板保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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