(57)【要約】【課題】表示品位の向上を可能にする表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、金属配線と、第１反射抑制層と、第２反射抑制層と、を有している。第１反射抑制層は、金属配線の上に形成されており、インジウム錫酸化物又は還元されたインジウム錫酸化物である。第２反射抑制層は、前記第１反射抑制層の上に形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属配線と、
前記金属配線の上に形成された第１反射抑制層と、
前記第１反射抑制層の上に形成された第２反射抑制層と、を有し、
前記第１反射抑制層が、インジウム錫酸化物又は還元されたインジウム錫酸化物である、表示装置。
【請求項２】
前記第２反射抑制層は、可視光波長を吸収する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２反射抑制層が、窒化チタンから形成された、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２反射抑制層の厚みは、前記第１反射抑制層の厚みよりも薄い、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２反射抑制層の上に形成された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層の厚みは、前記第１反射抑制層及び前記第２反射抑制層のいずれの厚みよりも厚い、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記金属配線、前記第１反射抑制層及び前記第２反射抑制層のそれぞれの側面に接触している、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
第１透明電極をさらに備え、
前記金属配線は、前記第１透明電極と電気的に接続されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
第１透明電極と、第２透明電極と、前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に位置する絶縁層と、をさらに備え、
前記金属配線は、前記第１透明電極の上に形成され、
前記絶縁層は、前記第２反射抑制層の上に形成されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属配線が、モリブデンタングステンから形成されている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の上に形成された第１透明電極と、前記第１透明電極の上に形成された絶縁層と、をさらに備え、
前記金属配線は、前記第１透明電極の上に形成され、
前記絶縁層は、前記第１透明電極、前記金属配線、前記第１反射抑制層及び前記第２反射抑制層を覆っている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１１】
金属配線と、
前記金属配線の上に形成された還元ＩＴＯ層と、
前記還元ＩＴＯ層の上に形成された窒化チタン層と、を有し、
前記金属配線、前記還元ＩＴＯ層及び窒化チタン層は、窒化ケイ素から形成された絶縁膜によって覆われている、表示装置。
【請求項１２】
前記窒化チタン層の厚みは、前記還元ＩＴＯ層の厚みよりも薄い、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記金属配線が、モリブデンタングステンから形成されている、請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料は、金属材料と比べると電気抵抗が大きい。電気抵抗を下げるため、表示装置の表示領域にモリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の金属材料から形成された金属配線を配置することがある。  
金属配線は、電気抵抗が小さい反面、光を反射する性質がある。外光が金属配線に反射されると、表示装置の表示品位が低下する。そのため、対向基板やアレイ基板にブラックマトリクス等の遮光部材を配置している。
【０００３】
ブラックマトリクスが大きくなると画面が暗くなるため、金属配線の上に反射抑制層を形成して外光の反射を抑制したい。反射抑制層として、還元されたインジウム錫酸化物（還元ＩＴＯ）を成膜することが知られている（例えば、特許文献１乃至３参照）。しかしながら、光の干渉によって反射を抑制する還元ＩＴＯの場合、反射抑制層の表面に窒化ケイ素（ＳｉＮ）をさらに成膜すると、設計した光の干渉条件にずれが生じる。その結果、ＳｉＮに覆われた還元ＩＴＯは、反射抑制層として機能しなくなる。
【０００４】
また、反射抑制層として、窒化チタン（ＴｉＮ）を成膜することが考えられる。しかしながら、光の吸収によって反射を抑制するＴｉＮの場合、厚みを大きくしないと反射抑制層として十分に機能しない。ＴｉＮは残留応力が大きいため、厚みを大きくすると表示装置が反ってしまう。加えて、厚みを大きくするとＴｉＮが金属配線から剥離して塵埃も発生する。
【０００５】
また、反射抑制層として、異なる材料を使用することも考えられる。しかしながら、そのような材料を使用すると、表示装置の製造工程数が増えたり、大幅な設計変更をしたりする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２３９７０４号公報
【特許文献２】特開平４−３１２１号公報
【特許文献３】特開平１０−２０６８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本開示の目的は、表示品位の向上を可能にする表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る表示装置は、金属配線と、第１反射抑制層と、第２反射抑制層と、を有している。第１反射抑制層は、金属配線の上に形成されており、インジウム錫酸化物又は還元されたインジウム錫酸化物である。第２反射抑制層は、第１反射抑制層の上に形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、表示装置の一例である液晶表示装置の基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示された画素における表示パネルの構成を示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示された金属配線の一例を拡大して示す断面図である。
【図４】図４は、第１反射抑制層の厚みと、第３絶縁膜の厚みとの交互作用を示す図である。
【図５】図５は、第１反射抑制層の厚みと、第２反射抑制層の厚みとの交互作用を示す図である。
【図６】図６は、第３絶縁膜の厚みと、第２反射抑制層の厚みとの交互作用を示す図である。
【図７】図７は、第２反射抑制層の厚みと、第１反射抑制層の厚みとの交互作用を示す図である。
【図８】図８は、第２反射抑制層の厚みと、第１反射抑制層の材質との交互作用を示す図である。
【図９】図９は、第１反射抑制層の材質と、第１反射抑制層の厚みとの交互作用を示す図である。
【図１０】図１０は、図４及び図５から抽出した第１反射抑制層の厚みの主効果を示す図である。
【図１１】図１１は、図４及び図６から抽出した第３絶縁膜の厚みの主効果を示す図である。
【図１２】図１２は、図７及び図８から抽出した第２反射抑制層の厚みの主効果を示す図である。
【図１３】図１３は、図５及び図６から抽出した第２反射抑制層の厚みの主効果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者が発明の主旨を保って適宜変更について容易に想到し得るものは、当然に本発明の範囲に含まれる。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素について符号を省略することがある。また、本明細書及び各図において、既に説明した図と同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１１】
各実施形態において、表示装置の一例として液晶表示装置である表示装置ＤＳＰを開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対して各実施形態に開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。各実施形態で開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ（ＭＥＭＳ）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。表示装置ＤＳＰは、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。
【００１２】
図１は、表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面を示している。また、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な方向である。図示した例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の異なる角度で交差していてもよい。
【００１３】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備えている。図示しないが、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬに重ねられたタッチパネル等をさらに備えてもよい。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を有している。表示領域ＤＡには、複数の走査線Ｇ（Ｇ１乃至Ｇｎ）、複数の信号線Ｓ（Ｓ１乃至Ｓｍ）、共通電極ＣＥ等が配置されている。
【００１４】
走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１５】
走査線Ｇ、信号線Ｓ及び共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ及び共通電極駆動回路ＣＤは、例えば、後述する第１基板ＳＵＢ１（図２に示す）の上に形成され、画像を表示するのに必要な信号を出力する。
【００１６】
また、表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配列されている。画素ＰＸは、画素信号に応じて個別に制御できる最小単位であり、例えば、走査線Ｇ（Ｇ１乃至Ｇｎ）と信号線Ｓ（Ｓ１乃至Ｓｍ）とが交差する位置に配置されたスイッチング素子ＳＷを含む領域である。
【００１７】
各々の画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等をそれぞれ備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧと、ソース電極ＷＳと、ドレイン電極ＷＤと、を備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図１に示す例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極がソース電極ＷＳであり、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極がドレイン電極ＷＤである。
【００１８】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。各々の画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１９】
図２は、画素ＰＸにおける表示パネルＰＮＬの構成を示す断面図である。表示パネルＰＮＬは、液晶層ＬＣを挟んで互いに対向する第１基板（アレイ基板）ＳＵＢ１と、第２基板（対向基板）ＳＵＢ２と、を備えている。以下、第３方向Ｚにおいて、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上と定義し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下と定義する。
【００２０】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよい。或いは、光を透過させる部分及び光を反射させる部分の両方を備えた半透過型であってもよい。
【００２１】
また、図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。
【００２２】
横電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。いずれの表示モードでも、後述する金属層ＭＬは、信号線Ｓや走査線Ｇの直上において、共通電極ＣＥと電気的に接続されている。
【００２３】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属配線部ＭＰ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。なお、図２において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等を省略して図示している。
【００２４】
第１絶縁基板１０は、第２基板ＳＵＢ２に対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂと、を有している。第１絶縁膜１１は、無機絶縁膜であり、主面１０Ａに配置されている。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１の間に配置されている。
【００２５】
信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に配置されている。第２絶縁膜１２は、有機絶縁膜であり、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に配置されている。共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料から形成された透明電極である。
【００２６】
金属配線部ＭＰは、図３を参照して後述するが、最下層に金属層ＭＬを有している。金属層ＭＬは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触し、共通電極ＣＥの電気抵抗を低減している。図２に示す例では、金属配線部ＭＰが、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと金属配線部ＭＰとの間に絶縁層が介在していてもよい。その場合には、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて共通電極ＣＥと金属配線部ＭＰとが導通する。
【００２７】
第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び金属配線部ＭＰの上に位置している。第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）等から形成されている。第３絶縁膜１３は、絶縁層の一例である。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。
【００２８】
また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと同様の透明導電材料から形成された透明電極である。一例では、共通電極ＣＥは第１透明電極に相当し、画素電極ＰＥは第２透明電極に相当する。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００２９】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図２に示す例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。
【００３０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１に対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂと、を有している。
【００３１】
ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、主面２０Ａに配置されている。ブラックマトリクスＢＭは、各々の画素ＰＸを区画している。ブラックマトリクスＢＭは、信号線Ｓの直上すなわち金属配線部ＭＰの直上に位置し、金属配線部ＭＰや信号線Ｓに向かう外光を遮光するとともに、金属配線部ＭＰや信号線Ｓに反射された光を遮光する。
【００３２】
カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ等を含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３３】
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタＣＦは、四色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。第１偏光板ＰＬ１は、第１絶縁基板１０とバックライトＢＬとの間に配置されている。第２偏光板ＰＬ２は、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂに配置されている。なお、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２には、必要に応じて位相差板等を設けてもよい。第２偏光板ＰＬ２の光学特性を選択することにより、後述する第１反射抑制層３１の光の干渉条件を調整してもよい。
【００３４】
図３は、金属層ＭＬの一例を拡大して示す断面図である。図３に示すように、本実施形態に係る金属配線部ＭＰは、金属層ＭＬと、金属層ＭＬの上に形成された第１反射抑制層３１と、第１反射抑制層３１の上に形成された第２反射抑制層３２と、を備えている。
【００３５】
金属層ＭＬは、共通電極ＣＥの上面ＣＥＡに接触している。金属層ＭＬは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム等の透明導電材料よりも電気抵抗が小さい金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金から形成されている。なお、金属層ＭＬは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属層ＭＬは、金属配線の一例である。なお、前述の走査線Ｇや信号線Ｓは、金属層ＭＬと同様の金属材料から形成されている。また、走査線Ｇや信号線Ｓを、金属配線部ＭＰと同様の構成としてもよい。
【００３６】
第１反射抑制層３１は、金属層ＭＬの上面ＭＬＡに接触しており、上面ＭＬＡの全面を覆っている。第１反射抑制層３１は、ＩＴＯ又は還元されたＩＴＯ（還元ＩＴＯ）から形成されている。第１反射抑制層３１は、金属配線の上に形成された還元ＩＴＯ層の一例である。還元ＩＴＯの第１反射抑制層３１を得るには、ＩＴＯを成膜し、当該ＩＴＯをプラズマ処理によって還元すればよい。プラズマ処理の条件の一例は、２００℃、２．５Ｔｏｒｒ、Ｈ２＝３００ｓｃｃｍ、１００Ｗ、５０ｓｅｃである。このような条件であれば、ＩＴＯの損傷を抑えて還元することができる。
【００３７】
還元ＩＴＯは、未還元のＩＴＯと比較して透明度が低く、黒化される場合があり得る。共通電極ＣＥは、未還元のＩＴＯによって形成されており、還元ＩＴＯによって形成された第１反射抑制層３１よりも透明度が高い。つまり、第１反射抑制層３１は、共通電極ＣＥと比較して、可視光波長（例えば３８０乃至７００ｎｍ）の光を吸収する性能が高い。
【００３８】
第２反射抑制層３２は、第１反射抑制層３１の上面３１Ａに接触しており、上面３１Ａの全面を覆っている。第２反射抑制層３２は、茶色又は黒色である。第２反射抑制層３２は、可視光域において屈折率１以上且つ光吸収係数０．５以上の材料から形成されている。このような第２反射抑制層３２の材料の一例は、窒化チタン（ＴｉＮ）である。第２反射抑制層３２は、少なくとも金属層ＭＬと平面視で重なる範囲において、第１反射抑制層３１と第３絶縁膜１３との間に介在している。
【００３９】
第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥの上面ＣＥＡ、第２反射抑制層３２の上面３２Ａ、金属層ＭＬの側面ＭＬＳ、第１反射抑制層３１の側面３１Ｓ及び第２反射抑制層３２の側面３２Ｓにそれぞれ接触している。第３絶縁膜１３は、前述の通り、窒化ケイ素（ＳｉＮ）によって形成されており、金属配線部ＭＰの各層よりも高い透明度を有している。
【００４０】
第１及び第２反射抑制層３１，３２は、例えば金属層ＭＬよりも幅広のオーバーハング形状に形成されている。このような断面は、例えばエッチング速度の異なる材料を積層させることにより形成できる。金属層ＭＬは、前述の金属材料であり、第１及び第２反射抑制層３１，３２は、前述の金属酸化物や金属窒化物である。
【００４１】
金属層ＭＬの直上において、第１反射抑制層３１の厚み、第２反射抑制層３２の厚み、第３絶縁膜１３の厚みをそれぞれ参照符号Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３で示す。本実施形態の表示装置ＤＳＰの金属層ＭＬにおいて、第２反射抑制層３２の厚みＴ２は、第１反射抑制層３１の厚みＴ１よりも薄く、第３絶縁膜１３の厚みＴ３は、厚みＴ１，Ｔ２よりも厚い。一例では、第１反射抑制層３１の厚みＴ１は、３０乃至５０ｎｍが好適である。第２反射抑制層３２の厚みＴ２は、２０乃至３０ｎｍが好適である。第３絶縁膜１３の厚みＴ３は、１１０乃至１９０ｎｍが好適である。
【００４２】
以下、厚みＴ１，Ｔ２，Ｔ３と金属層ＭＬの光の反射率との関係について、図４乃至図１３を参照しながら説明する。図４は、図３に示された第１反射抑制層３１の厚みＴ１と、第３絶縁膜１３の厚みＴ３との交互作用を示す図である。図５は、図３に示された第１反射抑制層３１の厚みＴ１と、第２反射抑制層３２の厚みＴ２との交互作用を示す図である。図６は、図３に示された第３絶縁膜１３の厚みＴ３と、第２反射抑制層３２の厚みＴ２との交互作用を示す図である。
【００４３】
図４の結果から、第３絶縁膜１３と第１反射抑制層３１との関係では、第１反射抑制層３１の膜厚が３０乃至５０ｎｍの範囲において、反射率の極小値が存在することが確認された。また、第３絶縁膜１３の膜厚が厚いほど、反射率が低下することも確認された。  
図５の結果から、第１反射抑制層３１と第２反射抑制層３２との関係では、第１反射抑制層３１の膜厚が３０乃至５０ｎｍの範囲において、反射率の極小値が存在することも確認された。
【００４４】
図６の結果から、第３絶縁膜１３と第２反射抑制層３２との関係では、第３絶縁膜１３の膜厚が厚いほど、反射率が低下することが確認された。また、第３絶縁膜１３の膜厚が１９０ｎｍである場合、第２反射抑制層３２の膜厚が厚いほど、反射率が低下することも確認された。
【００４５】
図７は、図３に示された第２反射抑制層３２の厚みＴ２と、第１反射抑制層３１の厚みＴ１との交互作用を示す図である。図８は、図３に示された第２反射抑制層３２の厚みＴ２と、第１反射抑制層３１の材質との交互作用を示す図である。図９は、第１反射抑制層３１の材質と、第１反射抑制層３１の厚みＴ１との交互作用を示す図である。第１反射抑制層３１が還元ＩＴＯの場合、図９に示すように、第１反射抑制層３１が未還元の場合と比較して光の反射率を１／３乃至１／２に抑制できる。
【００４６】
図７の結果から、第１反射抑制層３１と第２反射抑制層３２との関係では、第２反射抑制層の膜厚が厚いほど、反射率が低下することが確認された。  
図８の結果から、第１反射抑制層３１の材質が未還元のＩＴＯ及び還元ＩＴＯのいずれの場合も、第２反射抑制層の膜厚が厚いほど、反射率が低下することが確認された。  
図９の結果から、第１反射抑制層３１の厚みが５０ｎｍ及び３０ｎｍの場合、未還元のＩＴＯよりも還元ＩＴＯの方が、反射率が低下することが確認された。
【００４７】
図１０は、図４及び図５のデータを平均して第１反射抑制層３１の厚みＴ１の主効果を抽出した図である。図１０に示すように、第１反射抑制層３１の厚みＴ１が３０乃至５０ｎｍのとき、光の反射率が最小化する。厚みＴ１がこの範囲よりも小さいと、光への干渉が小さくなって十分に反射を抑制できない。厚みＴ１がこの範囲よりも大きいと、設計した光の干渉条件にずれが生じて反射率が増加する。
【００４８】
図１１は、図４及び図６のデータを平均して第３絶縁膜１３の厚みＴ３の主効果を抽出した図である。図１１に示すように、第３絶縁膜１３の厚みＴ３が大きくなるに従い、光の反射率は緩やかに減少する。しかしながら、第３絶縁膜１３の厚みＴ３をこれ以上大きくすることは、加工時間が長くなることや製造装置内に塵埃が発生するおそれもあるため、表示装置ＤＳＰを量産する上で好ましくない。
【００４９】
図１２は、図７及び図８のデータを平均して第２反射抑制層３２の厚みＴ２の主効果を抽出した図である。図１３は、図５及び図６のデータを平均して第２反射抑制層３２の厚みＴ２の主効果を抽出した図である。図１２に示すように、第２反射抑制層３２の厚みＴ２が０乃至３０ｎｍにかけて、第２反射抑制層３２の厚みＴ２が大きくなるに従い、光の反射率は大幅に減少する。一方、図１３に示すように、第２反射抑制層３２の厚みＴ２が３０ｎｍを超えると、厚みＴ２を大きくしても光の反射率は僅かしか減少しない。
【００５０】
以上のように構成された表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、透明導電材料よりも電気抵抗が小さい金属から形成された金属層ＭＬを有している。そのため、表示領域ＤＡにおける消費電力を抑制することができる。或いは、表示領域ＤＡに配置されるタッチパネル等の感度を向上させることができる。金属層ＭＬの材料として、例えばモリブデンタングステンが挙げられる。  
金属層ＭＬの上面ＭＬＡは、光の反射を抑制する第１反射抑制層３１に覆われている。そのため、金属層ＭＬを表示領域ＤＡに配置していても、この金属層ＭＬによって外光が反射されて表示装置ＤＳＰの表示品位が低下することを抑制できる。
【００５１】
第１反射抑制層３１を構成するＩＴＯや還元ＩＴＯは、光の干渉によって反射を抑制する。光の吸収によって反射を抑制する材料でＩＴＯや還元ＩＴＯと同等の効果を得ようとすると、反射抑制層の厚みを著しく大きくしなければならない。仮に、反射抑制層をＴｉＮで形成する場合、５０ｎｍのＩＴＯと同等の効果を得るために、２００ｎｍ以上の厚みにする必要がある。  
本実施形態は、第１反射抑制層３１がＩＴＯ又は還元ＩＴＯである。そのため、光の吸収によって反射を抑制する材料で反射抑制層を形成した場合と比較して、第１及び第２反射抑制層３１，３２の合計の厚みＴ１＋Ｔ２を大幅に小さくできる。
【００５２】
一般に、共通電極ＣＥを覆う第３絶縁膜１３としてＳｉＮが用いられている。ＩＴＯ又は還元ＩＴＯを直にＳｉＮで覆うと、ＩＴＯ（還元ＩＴＯ）とＳｉＮとの界面で光の干渉条件が変化して、第１反射抑制層３１の上面３１Ａで外光が反射されるようになる。  
本実施形態は、第１反射抑制層３１の上面３１Ａが第２反射抑制層３２によって覆われている。第１反射抑制層３１と第２反射抑制層３２との界面は、光の反射が最小限に抑えられる。そのため、第２反射抑制層３２の上にさらに第３絶縁膜１３等を積層しても、設計した第１反射抑制層３１の光の干渉条件にずれが生じない。
【００５３】
第２反射抑制層３２の材料として、ＴｉＮが好適である。ＴｉＮであれば、第１反射抑制層３１との界面での光の反射を最小限に抑えることができる。さらに、ＴｉＮが有する光を吸収する性質により、第１反射抑制層３１に入射する往路の外光と、第１反射抑制層３１を透過して金属層ＭＬに反射された復路の反射光とを吸収して二回減衰させることができる。しかも、ＴｉＮであれば、表示装置ＤＳＰの製造工程で一般に用いられる材料であるため、表示装置ＤＳＰを量産する上で負担が小さい。
【００５４】
本実施形態は、第１反射抑制層３１の厚みＴ１が３０乃至５０ｎｍである。厚みＴ１がこの範囲であれば、光の反射率を最小化できる。また、第２反射抑制層３２の厚みＴ２が２０乃至３０ｎｍである。厚みＴ２が２０ｎｍ未満であると、光の反射率が大きく増加する。厚みＴ２が３０ｎｍを超えても、光の反射率は僅かしか減少しない。一方、厚みＴ２が３０ｎｍを超えると、第２反射抑制層３２の残留応力による第１基板ＳＵＢ１の反りや塵埃の発生が顕著になる。厚みＴ２が２０乃至３０ｎｍであれば、十分な光の反射の抑制と、表示装置ＤＳＰの歩留まりとを両立できる。
【００５５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１３…第３絶縁膜、３１…第１反射抑制層、３１Ｓ…第１反射抑制層の側面、３２…第２反射抑制層、３２Ｓ…第２反射抑制層の側面、ＣＥ…共通電極、ＤＳＰ…表示装置、ＭＬ…金属層、ＭＬＳ…金属層の側面、ＰＥ…画素電極、Ｔ１…第１反射抑制層の厚み、Ｔ２…第２反射抑制層の厚み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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