(57)【要約】【課題】映像の輝度変化、映像の品質低下を減らすことができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、複数の信号線および複数の信号線に接続されている複数の画素を含み、複数の画素に含まれる第１画素は、第１ゲート電極、第１ゲート電極と平面視で重畳する第１チャネル領域、第１チャネル領域を挟んで対向する第１ソース領域および第１ドレイン領域を含む第１トランジスターと、第２ゲート電極、第２ゲート電極と平面視で重畳する第２チャネル領域、第１ゲート電極と接続されている第２ドレイン領域、および第２チャネル領域を挟んで第２ドレイン領域と対向する第２ソース領域を含む第２トランジスターと、第２ソース領域と第２チャネル領域との境界と平面視で重畳し、第３ドレイン領域と第３チャネル領域との境界とは平面視で重畳しない遮蔽部と、を含む。【選択図】図３
2018063427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号線および前記複数の信号線に接続されている複数の画素を含み、
前記複数の画素に含まれる第１画素は、
第１ゲート電極、前記第１ゲート電極と平面視で重畳する第１チャネル領域、前記第１チャネル領域を挟んで対向する第１ソース領域および第１ドレイン領域を含む第１トランジスターと、
第２ゲート電極、前記第２ゲート電極と平面視で重畳する第２チャネル領域、前記第１ゲート電極と接続されている第２ドレイン領域、および前記第２チャネル領域を挟んで前記第２ドレイン領域と対向する第２ソース領域を含む第２トランジスターと、
前記第２ソース領域と前記第２チャネル領域との境界と平面視で重畳し、前記第２ドレイン領域と前記第２チャネル領域との境界とは平面視で重畳しない遮蔽部と、を含む表示装置。
【請求項２】
前記第１ゲート電極と接続されており、前記第１ゲート電極と断面視で異なる層に位置する第１接続部材をさらに含み、
前記第２ドレイン領域は、前記第１接続部材と接続されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
初期化電圧を伝達できる初期化電圧線と、
前記初期化電圧線と接続されている第２接続部材と、をさらに含み、
前記遮蔽部は、前記第２接続部材と接続されている請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記遮蔽部は、前記第２接続部材と断面視で同一層に位置する請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記遮蔽部は、前記第１接続部材と断面視で同一層に位置する請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
複数の信号線および前記複数の信号線に接続されている複数の画素を含み、
前記複数の画素に含まれる第１画素は、
第１ゲート電極、前記第１ゲート電極と平面視で重畳する第１チャネル領域、前記第１チャネル領域を挟んで対向する第１ソース領域および第１ドレイン領域を含む第１トランジスターと、
第２ゲート電極、前記第２ゲート電極と平面視で重畳する第２チャネル領域、前記第１ゲート電極と接続されている第２ドレイン領域、および前記第２チャネル領域を挟んで前記第２ドレイン領域と対向する第２ソース領域を含む第２トランジスターと、
前記第２ソース領域と前記第２チャネル領域との境界および前記第２ドレイン領域と前記第２チャネル領域との境界のうちの少なくとも一つと重畳する遮蔽部と、を含み、
前記遮蔽部は初期化電圧を伝達する表示装置。
【請求項７】
前記第１ゲート電極と接続されており、前記第１ゲート電極と断面視で異なる層に位置する第１接続部材をさらに含み、
前記第２ドレイン領域は前記第１接続部材と接続されている請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記初期化電圧を伝達する初期化電圧線と、
前記初期化電圧線と接続されている第２接続部材と、をさらに含み、
前記遮蔽部は前記第２接続部材と接続されている請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記遮蔽部は、前記第２接続部材と断面視で同一層に位置する請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１画素は、
前記第１トランジスターの前記第１ドレイン領域と接続されている第３ソース領域、第３ドレイン領域、前記第３ソース領域と前記第３ドレイン領域との間に位置する第３チャネル領域を含む第３トランジスターと、
前記第３ドレイン領域と接続されている第１画素電極と、
前記第１画素電極と断面視で同一層に位置し、前記第１画素電極と離隔されている画素導電パターンと、をさらに含み、
前記第１画素電極または前記画素導電パターンは、前記第２ソース領域と前記第２チャネル領域との境界および前記第２ドレイン領域と前記第２チャネル領域との境界と平面視で重畳する請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものであって、さらに具体的には、発光層を含む表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、映像を表す単位の複数の画素を含む。特に、発光層を含む表示装置の画素は、カソード、アノードおよび発光層を含む発光ダイオード、発光ダイオードを駆動するための複数のトランジスター（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）および少なくとも一つのキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を含んでいる。
【０００３】
発光ダイオードは二つの電極とその間に位置する発光層を含み、二つの電極のうち一方の電極のカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他方の電極のアノード（ａｎｏｄｅ）から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出することで発光することができる。
【０００４】
複数のトランジスターは、少なくとも一つのスイッチングトランジスターおよび駆動トランジスターを含む。少なくとも一つのスイッチングトランジスターは、スキャン信号によってデータ信号が印加され、これに伴う電圧を駆動トランジスターに伝達できる。駆動トランジスターは、発光ダイオードに直接的または間接的に接続されて、発光ダイオードに伝えられる駆動電流の量を制御することで、各画素は所望の輝度の光を出すことができる。
【０００５】
キャパシタは、駆動トランジスターの駆動ゲート電極に接続されて、駆動ゲート電極の電圧を維持する役割を果たす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置の画素が含む駆動トランジスターの駆動ゲート電極に電気的に接続されたトランジスターにリーク電流が発生する場合、駆動ゲート電極の電圧に変化が生じて、画素が示す輝度に所望しない変化が発生する。特に、トランジスターに外光が入射される場合、リーク電流が発生しやすく、駆動ゲート電極の電圧に変化が生じて、同じフレームで画素の輝度が変化してしまう。
【０００７】
本発明は、上記のような問題点を解決するために、駆動ゲート電極の電圧に影響を及ぼすトランジスターに、外光によるリーク電流が発生することを防止することで、映像の輝度変化および映像の品質低下を減らすことができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態による表示装置は、複数の信号線および複数の信号線に接続されている複数の画素を含み、複数の画素に含まれる第１画素は、第１ゲート電極、第１ゲート電極と平面視で重畳する第１チャネル領域、第１チャネル領域を挟んで対向する第１ソース領域および第１ドレイン領域を含む第１トランジスターと、第２ゲート電極、第２ゲート電極と平面視で重畳する第２チャネル領域、第１ゲート電極と接続されている第２ドレイン領域、および第２チャネル領域を挟んで第２ドレイン領域と対向する第２ソース領域を含む第２トランジスターと、第２ソース領域と第２チャネル領域との境界と平面視で重畳し、第２ドレイン領域と第２チャネル領域との境界と平面視で重畳しない遮蔽部と、を含む。
【０００９】
一実施形態による表示装置は、複数の信号線および複数の信号線に接続されている複数の画素を含み、複数の画素に含まれる第１画素は、第１ゲート電極、第１ゲート電極と平面視で重畳する第１チャネル領域、第１チャネル領域を挟んで対向する第１ソース領域および第１ドレイン領域を含む第１トランジスターと、第２ゲート電極、第２ゲート電極と平面視で重畳する第２チャネル領域、第１ゲート電極と接続されている第２ドレイン領域、第２チャネル領域を挟んで第２ドレイン領域と対向する第２ソース領域を含む第２トランジスターと、第２ソース領域と第２チャネル領域との境界および第２ドレイン領域と第２チャネル領域との境界のうちの少なくとも一つと重畳する遮蔽部を含み、遮蔽部は初期化電圧を伝達する。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、表示装置の駆動ゲート電極の電圧に影響を及ぼすトランジスターに、外光によるリーク電流が発生することを防止して、同一のフレームの間に映像の輝度変化および映像の品質が低下することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態による表示装置の１画素に対する等価回路図である。
【図２】一実施形態による表示装置の駆動信号のタイミング図である。
【図３】一実施形態による表示装置の複数の画素に対する平面図である。
【図４】図３に示した複数の画素のうちの１画素に対する平面図である。
【図５】図３に示した複数の画素のうちの１画素に対する平面図である。
【図６】図３に示した複数の画素のうちの１画素に対する平面図である。
【図７】図４に示した表示装置のＶＩＩ−ＶＩＩ’線による断面図である。
【図８】図４に示した表示装置のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線による断面図である。
【図９】一実施形態による表示装置の複数の画素に対する平面図である。
【図１０】一実施形態による表示装置の１画素に対する平面図である。
【図１１】図１０に示した表示装置のＸＩ−ＸＩ’線による断面図である。
【図１２】一実施形態による表示装置の１画素に対する平面図である。
【図１３】図１２に示した表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線による断面図である。
【図１４】図１２に示した表示装置のＸＩＶ−ＸＩＶ’線による断面図である。
【図１５】一実施形態による表示装置の１画素に対する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の様々な実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々な相異な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１３】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一な参照符号を付与する。
【００１４】
図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したもので、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるのではない。図面では様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。そして図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示している。
【００１５】
層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるというとき、これは他の部分の“直上に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときは、その中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の“上に”あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって“上に”位置することを意味するのではない。
【００１６】
明細書全体で、ある部分がある構成要素を“含む”というとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。
【００１７】
明細書全体で、“平面視”というとき、これは対象部分の主面（ｍａｉｎ‐ｓｕｒｆａｃｅ）を上方から見た時を意味し、“断面視”というとき、これは対象部分を垂直に切断した断面を側方から見た時を意味する。
【００１８】
図１を参照して一実施形態による表示装置について説明する。図１は、一実施形態による表示装置の１画素に対する等価回路図である。
【００１９】
図１を参照すると、一実施形態による表示装置は、映像信号による映像を表示できる複数の画素ＰＸおよび複数の信号線１５１、１５２、１５３、１５４、１７１、１７２を含む。１画素ＰＸは、複数の信号線１５１、１５２、１５３、１５４、１７１、１７２に接続されている複数のトランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、キャパシタＣｓｔ、そして少なくとも一つの発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）ＥＤを含むことができる。本実施形態では一つの画素ＰＸが一つの発光ダイオードＥＤを含む例について主に説明する。
【００２０】
信号線１５１、１５２、１５３、１５４、１７１、１７２は、複数のスキャン線１５１、１５２、１５４、複数の制御線１５３、複数のデータ線１７１、そして複数の駆動電圧線１７２を含んでいる。
【００２１】
複数のスキャン線１５１、１５２、１５４は、それぞれスキャン信号ＧＷｎ、ＧＩｎ、ＧＩ（ｎ＋１）を伝達できる。スキャン信号ＧＷｎ、ＧＩｎ、ＧＩ（ｎ＋１）は、画素ＰＸが含むトランジスターＴ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ７をオン／オフすることができるゲートオン電圧およびゲートオフ電圧を伝達できる。
【００２２】
一つの画素ＰＸに接続されているスキャン線１５１、１５２、１５４は、スキャン信号ＧＷｎを伝達できる第１スキャン線（ｆｉｒｓｔ  ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）１５１、第１スキャン線１５１と異なるタイミングでゲートオン電圧を有するスキャン信号ＧＩｎを伝達できる第２スキャン線（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）１５２、そしてスキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）を伝達できる第３スキャン線（ｔｈｉｒｄ  ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）１５４を含むことができる。本実施形態では第２スキャン線１５２が第１スキャン線１５１より前のタイミングでゲートオン電圧を伝達する例について主に説明する。例えば、スキャン信号ＧＷｎが１フレームの間に印加されるスキャン信号のうち、ｎ番目スキャン信号Ｓｎ（ｎは１以上の自然数）の場合、スキャン信号ＧＩｎはｎ−１番目スキャン信号Ｓ（ｎ−１）などのような前段のスキャン信号であることもあり、スキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）はｎ番目スキャン信号Ｓｎであることもある。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではなく、スキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）はｎ番目スキャン信号Ｓｎ以外のスキャン信号であってもよい。
【００２３】
制御線１５３は制御信号を伝達でき、特に画素ＰＸが含む発光ダイオードＥＤの発光を制御できる発光制御信号を伝達できる。制御線１５３が伝達する制御信号はゲートオン電圧およびゲートオフ電圧を伝達でき、スキャン線１５１、１５２、１５４が伝達するスキャン信号と異なる波形を有することができる。
【００２４】
データ線１７１はデータ信号Ｄｍを伝達し、駆動電圧線１７２は駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達できる。データ信号Ｄｍは、表示装置に入力される映像信号によって異なる電圧レベルを有することができ、駆動電圧ＥＬＶＤＤは実質的に一定のレベルを有することができる。
【００２５】
図示していないが、表示装置は複数の信号線１５１、１５２、１５３、１５４、１７１、１７２に信号を伝達する駆動部（図示せず）をさらに含んでもよい。例えば、駆動部は、複数のスキャン線１５１、１５２、１５４にスキャン信号を伝達するスキャン駆動部、そしてデータ線１７１にデータ信号を伝達するデータ駆動部を含んでもよい。少なくとも一つの駆動部は、画素ＰＸが含む複数のトランジスターＴ１−Ｔ７とともに、表示装置が含む表示パネル（図示せず）上に直接形成されていてもよいし、少なくとも一つの駆動回路チップの形態で表示パネル上に付着していてもよい。これとは異なり、少なくとも一つの駆動部は、表示パネルに接続されたフレキシブルプリント回路基板（図示せず）上に付着して表示パネルに信号を伝達することもできる。駆動部またはフレキシブルプリント回路基板は、複数の画素ＰＸが位置する表示領域（図示せず）周辺に位置することができる。
【００２６】
トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７は、第１トランジスターＴ１、第２トランジスターＴ２、第３トランジスターＴ３、第４トランジスターＴ４、第５トランジスターＴ５、第６トランジスターＴ６および第７トランジスターＴ７を含む。
【００２７】
第１スキャン線１５１は、第２トランジスターＴ２および第３トランジスターＴ３にスキャン信号ＧＷｎを伝達でき、第２スキャン線１５２は、第４トランジスターＴ４にスキャン信号ＧＩｎを伝達でき、第３スキャン線１５４は、第７トランジスターＴ７にスキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）を伝達でき、制御線１５３は、第５トランジスターＴ５および第６トランジスターＴ６に発光制御信号ＥＭを伝達する。
【００２８】
第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１は、駆動ゲートノードＧＮを介してキャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１と接続されており、第１トランジスターＴ１のソース電極Ｓ１は、第５トランジスターＴ５を経由して駆動電圧線１７２と接続されており、第１トランジスターＴ１のドレイン電極Ｄ１は、第６トランジスターＴ６を介して発光ダイオードＥＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と電気的に接続されている。第１トランジスターＴ１は、第２トランジスターＴ２のスイッチング動作によりデータ線１７１が伝達するデータ信号Ｄｍを伝達して、発光ダイオードＥＤに駆動電流Ｉｄを供給する。
【００２９】
第２トランジスターＴ２のゲート電極Ｇ２は、第１スキャン線１５１と接続されており、第２トランジスターＴ２のソース電極Ｓ２は、データ線１７１と接続されており、第２トランジスターＴ２のドレイン電極Ｄ２は、第１トランジスターＴ１のソース電極Ｓ１と接続され、第５トランジスターＴ５を介して駆動電圧線１７２と接続している。第２トランジスターＴ２は、第１スキャン線１５１を通じて伝達されたスキャン信号ＧＷｎによってターンオンされて、データ線１７１から伝えられたデータ信号Ｄｍを第１トランジスターＴ１のソース電極Ｓ１に伝達する。
【００３０】
第３トランジスターＴ３のゲート電極Ｇ３は、第１スキャン線１５１に接続されており、第３トランジスターＴ３のソース電極Ｓ３は、第１トランジスターＴ１のドレイン電極Ｄ１と接続され、第６トランジスターＴ６を介して発光ダイオードＥＤのアノードと接続されている。第３トランジスターＴ３のドレイン電極Ｄ３は、第４トランジスターＴ４のドレイン電極Ｄ４、キャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１および第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に接続されている。第３トランジスターＴ３は、第１スキャン線１５１を通じて伝達されたスキャン信号ＧＷｎによりターンオンされて第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１とドレイン電極Ｄ１を互いに接続して、第１トランジスターＴ１をダイオード接続させる。
【００３１】
第４トランジスターＴ４のゲート電極Ｇ４は、第２スキャン線１５２と接続されており、第４トランジスターＴ４のソース電極Ｓ４は、初期化電圧Ｖｉｎｔ端子と接続されており、第４トランジスターＴ４のドレイン電極Ｄ４は、第３トランジスターＴ３のドレイン電極Ｄ３を経てキャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１および第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に接続されている。第４トランジスターＴ４は、第２スキャン線１５２を通じて伝達されたスキャン信号ＧＩｎによりターンオンされて初期化電圧Ｖｉｎｔを第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に伝達して第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を行う。
【００３２】
第５トランジスターＴ５のゲート電極Ｇ５は制御線１５３と接続されており、第５トランジスターＴ５のソース電極Ｓ５は駆動電圧線１７２と接続されており、第５トランジスターＴ５のドレイン電極Ｄ５は、第１トランジスターＴ１のソース電極Ｓ１および第２トランジスターＴ２のドレイン電極Ｄ２に接続されている。
【００３３】
第６トランジスターＴ６のゲート電極Ｇ６は、制御線１５３と接続されており、第６トランジスターＴ６のソース電極Ｓ６は、第１トランジスターＴ１のドレイン電極Ｄ１および第３トランジスターＴ３のソース電極Ｓ３と接続されており、第６トランジスターＴ６のドレイン電極Ｄ６は発光ダイオードＥＤのアノードと電気的に接続されている。第５トランジスターＴ５および第６トランジスターＴ６は、制御線１５３を通じて伝達された発光制御信号ＥＭにより同時にターンオンされ、これによって駆動電圧ＥＬＶＤＤがダイオード接続された第１トランジスターＴ１を通じて補償されて発光ダイオードＥＤに伝えられる。
【００３４】
第７トランジスターＴ７のゲート電極Ｇ７は第３スキャン線１５４と接続されており、第７トランジスターＴ７のソース電極Ｓ７は、第６トランジスターＴ６のドレイン電極Ｄ６および発光ダイオードＥＤのアノードに接続されており、第７トランジスターＴ７のドレイン電極Ｄ７は、初期化電圧Ｖｉｎｔ端子および第４トランジスターＴ４のソース電極Ｓ４に接続されている。これとは異なり、第７トランジスターＴ７のゲート電極Ｇ７は別途の制御線（図示せず）に接続していることもできる。
【００３５】
トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７はＰＭＯＳなどのＰ型チャネルトランジスターあるが、これに限定されるものではなく、トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７のうちの少なくとも一つがＮ型チャネルトランジスターであってもよい。
【００３６】
キャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１は、前述したように第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１と接続されており、他端Ｃｓｔ２は駆動電圧線１７２と接続されている。発光ダイオードＥＤのカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は、共通電圧ＥＬＶＳＳを伝達する共通電圧ＥＬＶＳＳ端子と接続されて、共通電圧ＥＬＶＳＳが印加される。
【００３７】
一実施形態による画素ＰＸの構造は、図１に示した構造に限定されるものではなく、１画素ＰＸが含むトランジスターの数とキャパシタの数および接続関係は多様に変形可能である。
【００３８】
前述した図１および図２を参照して一実施形態による表示装置の動作について説明する。ここでは、トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７がＰ型チャネルトランジスターである例について説明し、１フレームの動作について説明する。
【００３９】
図２を参照すれば、１フレーム内で複数の画素ＰＸと接続された複数の第１スキャン線１５１には、順次、ローレベル（ｌｏｗ  ｌｅｖｅｌ）のスキャン信号（．．．、Ｓ（ｎ−２）、Ｓ（ｎ−１）、Ｓｎ、．．．）が印加される。
【００４０】
初期化期間に第２スキャン線１５２を通じてローレベルのスキャン信号ＧＩｎが供給される。スキャン信号ＧＩｎは、例えばｎ−１番目スキャン信号Ｓ（ｎ−１）でありうる。以下、ローレベルのスキャン信号ＧＩｎに対応して第４トランジスターＴ４がターンオンされ、第４トランジスターＴ４を通じて初期化電圧Ｖｉｎｔが第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に接続され、初期化電圧Ｖｉｎｔによって第１トランジスターＴ１が初期化される。
【００４１】
次に、データプログラミングおよび補償期間中に第１スキャン線１５１を通じてローレベルのスキャン信号ＧＷｎが供給されると、ローレベルのスキャン信号ＧＷｎに対応して第２トランジスターＴ２および第３トランジスターＴ３がターンオンされる。スキャン信号ＧＷｎは、例えばｎ番目スキャン信号Ｓｎになる。この時、第１トランジスターＴ１は、ターンオンされた第３トランジスターＴ３によってダイオード接続され、順方向にバイアスされる。すると、データ線１７１から供給されたデータ信号Ｄｍにおいて、第１トランジスターＴ１のしきい電圧Ｖｔｈだけ減少した補償電圧（Ｄｍ＋Ｖｔｈ、Ｖｔｈは（−）の値）が第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に印加される。つまり、第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１に印加されたゲート電圧は補償電圧Ｄｍ＋Ｖｔｈになる。
【００４２】
キャパシタＣｓｔの両端には駆動電圧ＥＬＶＤＤと補償電圧Ｄｍ＋Ｖｔｈが印加され、キャパシタＣｓｔには両端の電圧差に対応する電荷が保存される。
【００４３】
次に、発光期間に、制御線１５３から供給される発光制御信号ＥＭがハイレベルからローレベルに変更される。発光制御信号ＥＭがハイレベルからローレベルに変更される時点は、１フレームですべての第１スキャン線１５１にスキャン信号ＧＷｎが印加された後である。すると、発光期間に、ローレベルの発光制御信号ＥＭによって、第５トランジスターＴ５および第６トランジスターＴ６がターンオンする。すると、第１トランジスターＴ１のゲート電極Ｇ１のゲート電圧と駆動電圧ＥＬＶＤＤの間の電圧差による駆動電流Ｉｄが発生し、第６トランジスターＴ６を介して駆動電流Ｉｄが発光ダイオードＥＤに供給されて、発光ダイオードＥＤに電流Ｉｅｄが流れる。発光期間に、キャパシタＣｓｔによって第１トランジスターＴ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓは‘（Ｄｍ＋Ｖｔｈ）−ＥＬＶＤＤ’で維持され、第１トランジスターＴ１の電流−電圧関係によれば、駆動電流Ｉｄは駆動ゲート−ソース電圧からしきい電圧を差し引いた値の二乗‘（Ｄｍ−ＥＬＶＤＤ）2’に比例する。したがって、駆動電流Ｉｄは、第１トランジスターＴ１のしきい電圧Ｖｔｈに関係なく決定される。
【００４４】
一方、初期化期間に、第７トランジスターＴ７は、第３スキャン線１５４を通じてローレベルのスキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）が供給されてターンオンされる。スキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）はｎ番目スキャン信号Ｓｎである。この場合、第７トランジスターＴ７は、第２および第３トランジスターＴ２、Ｔ３と同時にターンオンされる。ターンオンされた第７トランジスターＴ７によって駆動電流Ｉｄの一部は、バイパス電流Ｉｂｐとして第７トランジスターＴ７を介して抜けるようになる。
【００４５】
次に、図３乃至図８を、図１および図２と共に参照して、一実施形態による表示装置の具体的な構造について説明する。
【００４６】
理解の便宜のために、まず、一実施形態による表示装置の平面視における構造について主に説明した後、断面視における構造について具体的に説明する。
【００４７】
図３は一実施形態による表示装置の略３つの隣接した画素に対する平面図であり、図４は図３におけるＡ領域の平面図であり、図５は図３におけるＢ領域の平面図であり、図６は図３におけるＣ領域の平面図である。
【００４８】
一実施形態による表示装置に含まれる複数の画素ＰＸはそれぞれ特定色を表すことができる。複数の画素は、例えば赤色を表す赤色画素Ｒ、緑色を表す緑色画素Ｇ、および青色を表す青色画素Ｂを含む。図３は隣接した赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇおよび青色画素Ｂを示す。これとは異なり、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇおよび青色画素Ｂのうちの少なくとも一つは異なる色を表すこともできる。
【００４９】
一実施形態による表示装置は、スキャン信号ＧＷｎを伝達する第１スキャン線１５１、スキャン信号ＧＩｎを伝達する第２スキャン線１５２、スキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）を伝達する第３スキャン線１５４、および発光制御信号ＥＭを伝達する制御線１５３などを含む第１導電層を含む。第１導電層は断面視で、基板１１０の一面上に位置し、同一の材料を含み同一層に位置することができる。
【００５０】
基板１１０はガラス、プラスチックなどの無機または有機絶縁物質を含んでもよく、様々な程度の柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有することができる。
【００５１】
複数のスキャン線１５１、１５２、１５４および制御線１５３は平面視でほぼ同じ方向（例えば、図３において横方向）にのびている。第１スキャン線１５１は、平面視で第２スキャン線１５２と制御線１５３との間に位置している。表示装置全体的に見るとき、第３スキャン線１５４は、実質的に第２スキャン線１５２のようなスキャン線として、第２スキャン線１５２が伝達するスキャン信号ＧＩｎの次のスキャン信号ＧＩ（ｎ＋１）を伝達できる。前述したように第１スキャン線１５１がｎ番目スキャン信号Ｓｎを伝達する場合、第３スキャン線１５４もｎ番目スキャン信号Ｓｎを伝達できる。
【００５２】
一実施形態による表示装置は、容量線１５６および初期化電圧線１５９などを含む第２導電層をさらに含んでもよい。第２導電層は断面視で第１導電層と異なる層に位置する。例えば、第２導電層は断面視で第１導電層上に位置でき、同一の材料を含み同一層に位置することができる。
【００５３】
容量線１５６および初期化電圧線１５９は平面視でほぼ同じ方向（例えば、図３において横方向）にのびている。
【００５４】
容量線１５６は、平面視で第１スキャン線１５１と制御線１５３の間に位置し、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂに位置する拡張部１５７を含んでいてもよい。拡張部１５７は、接触孔６８を介して駆動電圧線１７２と接続されて、駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される。
【００５５】
初期化電圧線１５９は初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達し、平面視で第３スキャン線１５４と制御線１５３の間に位置することができるが、これに限定されるものではない。
【００５６】
一実施形態による表示装置は、データ信号Ｄｍを伝達するデータ線１７１および駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達する駆動電圧線１７２などを含む第３導電層をさらに含んでもよい。第３導電層は断面視したとき、第１導電層および第２導電層と異なる層に位置する。例えば、第３導電層は断面視したとき、第２導電層の上に位置し、同一の材料を含み、同一層に位置することができる。
【００５７】
データ線１７１および駆動電圧線１７２は、平面視でほぼ同じ方向（例えば、図３において縦方向）にのびて、複数のスキャン線１５１、１５２、１５４、制御線１５３、初期化電圧線１５９および容量線１５６と交差することができる。
【００５８】
各画素Ｒ、Ｇ、Ｂはスキャン線１５１、１５２、１５４、制御線１５３、データ線１７１および駆動電圧線１７２と接続されている複数のトランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７およびキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＥＤを含む。
【００５９】
１画素Ｒ、Ｇ、Ｂに対する複数のトランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７それぞれのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、一つの活性層１３０の内部に形成されることができ、活性層１３０は多様な形状に屈曲されている。活性層１３０は多結晶シリコン、酸化物半導体などの半導体物質を含んでもよい。
【００６０】
活性層１３０は、断面視したとき、基板１１０と第１導電層との間に位置することができる。活性層１３０は、トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７それぞれのチャネルを形成するチャネル領域（ｃｈａｎｎｅｌ  ｒｅｇｉｏｎ）１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２、１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２、１３１ｅ、１３１ｆ、１３１ｇおよび導電性領域（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｒｅｇｉｏｎ）を含む。特に、第３トランジスターＴ３および第４トランジスターＴ４は、デュアルゲート構造を有することができる。この場合、第３トランジスターＴ３は二つのチャネル領域１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２を含み、第４トランジスターＴ４も二つのチャネル領域１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２を含む。
【００６１】
活性層１３０の導電性領域は、各チャネル領域１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２、１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２、１３１ｅ、１３１ｆ、１３１ｇの両側に位置し、チャネル領域１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２、１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２、１３１ｅ、１３１ｆ、１３１ｇのキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する。活性層１３０においてチャネル領域１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２、１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２、１３１ｅ、１３１ｆ、１３１ｇを除いた残りの部分は、大部分導電性領域である。各トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７のチャネル領域１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ＿１、１３１ｃ＿２、１３１ｄ＿１、１３１ｄ＿２、１３１ｅ、１３１ｆ、１３１ｇの両側に位置する一対の導電性領域は、当該トランジスターＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７のソース領域およびドレイン領域であり、それぞれソース電極およびドレイン電極として機能する。
【００６２】
第１トランジスターＴ１はチャネル領域１３１ａ、チャネル領域１３１ａの両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ａおよびドレイン領域１３７ａ、並びにチャネル領域１３１ａと平面視で重畳する駆動ゲート電極１５５ａを含む。
【００６３】
第１トランジスターＴ１のチャネル領域１３１ａは、少なくとも一度屈曲されている。例えば、チャネル領域１３１ａは蛇行形状（ｍｅａｎｄｅｒｉｎｇ  ｓｈａｐｅ）またはジグザグ形状（ｚｉｇｚａｇ  ｓｈａｐｅ）を有することができる。図３乃至図６には、チャネル領域１３１ａがほぼ上下に反転したＵ字形態を含む例を示す。
【００６４】
ソース領域１３６ａおよびドレイン領域１３７ａは、平面視でチャネル領域１３１ａの両側に接続されている。
【００６５】
駆動ゲート電極１５５ａは第１導電層に含まれ、接触孔６１を介して接続部材１７４と接続される。接続部材１７４は断面視したとき第３導電層に含まれる。接続部材１７４は、ほぼデータ線１７１が伸びる方向に並んだ方向に長く伸びている。接続部材１７４は、駆動ゲート電極１５５ａと共に図１に示した駆動ゲートノードＧＮに該当する。
【００６６】
第２トランジスターＴ２はチャネル領域１３１ｂ、チャネル領域１３１ｂの両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｂおよびドレイン領域１３７ｂ、そしてチャネル領域１３１ｂと平面視で重畳するゲート電極１５５ｂを含む。ゲート電極１５５ｂは、第１スキャン線１５１の一部である。ソース領域１３６ｂは、第１スキャン線１５１を基準にして平面視で上側に位置しチャネル領域１３１ｂに接続されており、接触孔６２を介してデータ線１７１と接続されている。ドレイン領域１３７ｂは、第１スキャン線１５１を基準にして平面視で下側に位置し、チャネル領域１３１ｂに接続されており、第１トランジスターＴ１のソース領域１３６ａと接続されている。
【００６７】
第３トランジスターＴ３は、リーク電流防止のために二つの部分で形成されている。つまり、第３トランジスターＴ３は互いに隣接し、互いに接続されている上部第３トランジスターＴ３＿１および下部第３トランジスターＴ３＿２を含む。
【００６８】
上部第３トランジスターＴ３＿１は、第１スキャン線１５１と平面視で重畳するチャネル領域１３１ｃ＿１、チャネル領域１３１ｃ＿１の両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｃ＿１およびドレイン領域１３７ｃ＿１、並びにチャネル領域１３１ｃ＿１と重畳するゲート電極１５５ｃ＿１を含む。ゲート電極１５５ｃ＿１は、第１スキャン線１５１の突出部の一部でありうる。ドレイン領域１３７ｃ＿１は、第１スキャン線１５１を基準にして平面視で上側に位置し、接触孔６３を介して接続部材１７４と接続されている。
【００６９】
下部第３トランジスターＴ３＿２は、第１スキャン線１５１と平面視で重畳するチャネル領域１３１ｃ＿２、チャネル領域１３１ｃ＿２の両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｃ＿２およびドレイン領域１３７ｃ＿２、並びにチャネル領域１３１ｃ＿２と重畳するゲート電極１５５ｃ＿２を含む。ゲート電極１５５ｃ＿２は第１スキャン線１５１の一部である。下部第３トランジスターＴ３＿２のソース領域１３６ｃ＿２は、第１トランジスターＴ１のドレイン領域１３７ａと接続されており、ドレイン領域１３７ｃ＿２は上部第３トランジスターＴ３＿１のソース領域１３６ｃ＿１と接続されている。
【００７０】
第４トランジスターＴ４もリーク電流防止のために二つの部分で形成されている。つまり、第４トランジスターＴ４は、互いに隣接し互いに接続されている左側第４トランジスターＴ４＿１および右側第４トランジスターＴ４＿２を含む。
【００７１】
左側第４トランジスターＴ４＿１は、第２スキャン線１５２と平面視で重畳するチャネル領域１３１ｄ＿１、チャネル領域１３１ｄ＿１の両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｄ＿１およびドレイン領域１３７ｄ＿１、そしてチャネル領域１３１ｄ＿１と重畳するゲート電極１５５ｄ＿１を含む。ゲート電極１５５ｄ＿１は第２スキャン線１５２の一部である。ドレイン領域１３７ｄ＿１は、第２スキャン線１５２を基準にして平面視で下側に位置し、上部第３トランジスターＴ３＿１のドレイン領域１３７ｃ＿１と接続されており、接触孔６３を介して接続部材１７４と接続されている。
【００７２】
右側第４トランジスターＴ４＿２は、第２スキャン線１５２と平面視で重畳するチャネル領域１３１ｄ＿２、チャネル領域１３１ｄ＿２の両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｄ＿２およびドレイン領域１３７ｄ＿２、そしてチャネル領域１３１ｄ＿２と重畳するゲート電極１５５ｄ＿２を含む。ゲート電極１５５ｄ＿２は第２スキャン線１５２の一部である。ドレイン領域１３７ｄ＿２は、左側第４トランジスターＴ４＿１のソース領域１３６ｄ＿１と接続されており、ソース領域１３６ｄ＿２は接触孔６５を介して接続部材１７５と接続されている。
【００７３】
接続部材１７５は断面視で第２導電層または第３導電層に含まれる。接続部材１７５が第３導電層に含まれる場合、接続部材１７５は接触孔６４を介して初期化電圧線１５９と電気的に接続される。接続部材１７５が第２導電層に含まれる場合、接続部材１７５は初期化電圧線１５９と、断面視したとき、同一層に位置し、初期化電圧線１５９と接続される。
【００７４】
駆動ゲート電極１５５ａの電圧を伝達する接続部材１７４に直接接続されている左側第４トランジスターＴ４＿１のチャネル領域１３１ｄ＿１とソース領域１３６ｄ＿１の間の境界、およびチャネル領域１３１ｄ＿１とドレイン領域１３７ｄ＿１の間の境界はいずれもチャネル領域１３１ｄ＿１と共に平面視で駆動電圧線１７２によって覆われている。チャネル領域１３１ｄ＿１、チャネル領域１３１ｄ＿１とソース領域１３６ｄ＿１の間の境界、およびチャネル領域１３１ｄ＿１とドレイン領域１３７ｄ＿１の間の境界はいずれも平面視で駆動電圧線１７２と完全に重畳して駆動電圧線１７２の平面視で領域内に位置することができる。平面視で、左側第４トランジスターＴ４＿１のチャネル領域１３１ｄ＿１、ソース領域１３６ｄ＿１およびドレイン領域１３７ｄ＿１それぞれの横方向の幅は駆動電圧線１７２の横方向の幅より狭く、チャネル領域１３１ｄ＿１、ソース領域１３６ｄ＿１およびドレイン領域１３７ｄ＿１はいずれも駆動電圧線１７２の領域内に位置することができる。
【００７５】
これによると、表示装置に外光（例えば、図８に示した光（Ｌｉｇｈｔ））が入射されても、駆動電圧線１７２によって外光が遮断されて左側第４トランジスターＴ４＿１のチャネル領域１３１ｄ＿１に外光が入射されることを遮断することができる。したがって、駆動ゲートノードＧＮに直接接続された左側第４トランジスターＴ４＿１に光によるリーク電流が発生するのが遮断されてキャパシタＣｓｔの電圧変動を抑制でき、結果的に映像の輝度変化および色座標変動などの表示不良を防止することができる。
【００７６】
駆動ゲート電極１５５ａの電圧を伝達する接続部材１７４に直接接続されているまた一つのトランジスターとして上部第３トランジスターＴ３＿１がある。上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界のうちの少なくとも一つは平面視で遮蔽部１７６によって覆われている。つまり、チャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界のうちの少なくとも一つは平面視で遮蔽部１７６と完全に重畳して遮蔽部１３６の領域内に位置することができる。
【００７７】
特に、遮蔽部１７６は示したように、上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界と平面視で重畳し、接続部材１７４との離隔空間を確保するために、遮蔽部１７６は上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界とは平面視で重畳しないこともある。
【００７８】
平面視で上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界から遮蔽部１７６の左側または右側の一方の周縁までの距離の幅Ｗ１はほぼ３μｍ以上であることができるが、これに限定されるものではない。
【００７９】
遮蔽部１７６は第２導電層または第３導電層に含まれる。遮蔽部１７６が第３導電層に含まれる場合、遮蔽部１７６は接続部材１７５と同一層に位置し、接続部材１７５と電気的、物理的に接続している。遮蔽部１７６は、駆動ゲート電極１５５ａと接続されている接続部材１７４と所定の距離をおいて離隔している。
【００８０】
図示とは異なり、遮蔽部１７６は上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界と平面視で重畳する部分をさらに含む。例えば、遮蔽部１７６が接続部材１７４と断面視で異なる層に位置する場合、前述したように遮蔽部１７６は上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界と平面視で重畳する部分を含んでもよい。
【００８１】
本実施形態によれば、表示装置に外光が入射されても、遮蔽部１７６によって外光が遮断されて、上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１および／またはドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界部分を通して外光が入射されるのを遮断することができる。したがって、駆動ゲートノードＧＮと直接接続された上部第３トランジスターＴ３＿１に光によるリーク電流が発生するのを抑制して、キャパシタＣｓｔの電圧変動を抑制でき、結果的に映像の輝度変化および色座標変動などの表示不良を防止することができる。
【００８２】
第５トランジスターＴ５はチャネル領域１３１ｅ、チャネル領域１３１ｅの両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｅおよびドレイン領域１３７ｅ、並びにチャネル領域１３１ｅと重畳するゲート電極１５５ｅを含む。ゲート電極１５５ｅは、制御線１５３の一部である。ソース領域１３６ｅは、制御線１５３を基準にして平面視で下側に位置しチャネル領域１３１ｅに接続されており、接触孔６７を介して駆動電圧線１７２と接続されている。ドレイン領域１３７ｅは、制御線１５３を基準にして平面視で上側に位置し、チャネル領域１３１ｅに接続されており、第１トランジスターＴ１のソース領域１３６ａと接続されている。
【００８３】
第６トランジスターＴ６はチャネル領域１３１ｆ、チャネル領域１３１ｆの両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｆおよびドレイン領域１３７ｆ、およびチャネル領域１３１ｆと重畳するゲート電極１５５ｆを含む。ゲート電極１５５ｆは制御線１５３の一部である。ソース領域１３６ｆは、制御線１５３を基準にして平面視で上側に位置し、チャネル領域１３１ｆに接続されており、第１トランジスターＴ１のドレイン領域１３７ａと接続されている。ドレイン領域１３７ｆは、制御線１５３を基準にして平面視で下側に位置し、チャネル領域１３１ｆに接続されており、接触孔６９を介して接続部材１７９と接続されている。接続部材１７９は断面視で第３導電層に含まれる。
【００８４】
第７トランジスターＴ７はチャネル領域１３１ｇ、チャネル領域１３１ｇの両側に位置する活性層１３０の導電性領域のソース領域１３６ｇおよびドレイン領域１３７ｇ、およびチャネル領域１３１ｇと重畳するゲート電極１５５ｇを含む。ゲート電極１５５ｇは第３スキャン線１５４の一部である。ソース領域１３６ｇは、第３スキャン線１５４を基準にして平面視で上側に位置し、チャネル領域１３１ｇに接続されており、第６トランジスターＴ６のドレイン領域１３７ｆと接続されている。ドレイン領域１３７ｇは、第３スキャン線１５４を基準にして平面視で下側に位置し接触孔６５を介して接続部材１７５と接続されて初期化電圧Ｖｉｎｔが印加される。
【００８５】
キャパシタＣｓｔは、平面視で互いに重畳する駆動ゲート電極１５５ａと容量線１５６の拡張部１５７を二つの端子に含んでもよい。キャパシタＣｓｔは、駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される容量線１５６の拡張部１５７と駆動ゲート電極１５５ａの電圧間の差に対応する電圧差を維持できる。容量線１５６の拡張部１５７は駆動ゲート電極１５５ａより平面視で広い面積を有し、当該駆動ゲート電極１５５ａの全体面積を全部覆うことができる。
【００８６】
第２導電層はデータ線１７１と重畳する遮蔽パターン１５８をさらに含む。遮蔽パターン１５８は、接触孔６６を介して駆動電圧線１７２と接続されて駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される。遮蔽パターン１５８は、駆動ゲートノードＧＮとデータ線１７１の間を遮蔽してデータ信号Ｄｍの変化による駆動ゲートノードＧＮの電圧変化を防ぐことができる。遮蔽パターン１５８は省略されることもできる。
【００８７】
一実施形態による表示装置は、複数の画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃと画素導電パターン１９２などを含む第４導電層をさらに含む。第４導電層は断面視で第１導電層、第２導電層および第３導電層と異なる層に位置する。例えば、第４導電層は断面視で第３導電層上に位置でき、同一の材料を含み、同一層に位置することができる。
【００８８】
複数の画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃは、ペンタイルマトリックス（ｐｅｎｔｉｌｅ  ｍａｔｒｉｘ）構造で配列されている。例えば、赤色画素Ｒの画素電極１９１ａと青色画素Ｂの画素電極１９１ｃは横方向に交互に配列されており、赤色画素Ｒの画素電極１９１ａと緑色画素Ｇの画素電極１９１ｂは１つの対角線方向に交互に配列されており、青色画素Ｂの画素電極１９１ｃと緑色画素Ｇの画素電極１９１ｂは他の１つの対角線方向に交互に配列されている。しかし、画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃの配置構造は、これに限定されるのではない。
【００８９】
赤色画素Ｒの画素電極１９１ａは青色画素Ｂの画素電極１９１ｃより小さいこともあり、緑色画素Ｇの画素電極１９１ｂは赤色画素Ｒの画素電極１９１ａより小さいこともある。
【００９０】
各画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃは、接触孔８９を介して接続部材１７９と接続されて、電圧が印加される。
【００９１】
画素導電パターン１９２は隣接した画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃの周縁に沿って屈曲されており、交互に配列された直線部１９２ａ、１９２ｂ、１９２ｃおよび斜線部１９３を含む。直線部１９２ａ、１９２ｂ、１９２ｃはほぼスキャン線１５１、１５２、１５４に平行に伸びており、斜線部１９３は直線部１９２ａ、１９２ｂ、１９２ｃの延長方向に斜めに伸びている。直線部１９２ａは赤色画素Ｒの画素電極１９１ａの上側に隣接し、直線部１９２ｂは緑色画素Ｇの画素電極１９１ｂの上側に隣接し、直線部１９２ｃは青色画素Ｂの画素電極１９１ｃの上側に隣接する。
【００９２】
画素導電パターン１９２は初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達できる。
【００９３】
図３乃至図６を参照すれば、上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１、チャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界、およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界はいずれも平面視で第４導電層によって覆われている。
【００９４】
具体的に、赤色画素Ｒの上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１、チャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界、およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界はいずれも平面視で画素電極１９１ａと重畳して、画素電極１９１ａの平面視で領域内に位置することができる。緑色画素Ｇの上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１、チャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界、およびチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界はいずれも平面視で画素導電パターン１９２、特に画素導電パターン１９２の直線部１９２ｂと重畳して、画素導電パターン１９２の平面視で領域内に位置することができる。青色画素Ｂの上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１、チャネル領域１３１ｃ＿１とソース領域１３６ｃ＿１の間の境界、そしてチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界はいずれも平面視で画素電極１９１ｃと重畳して画素電極１９１ｃの平面視で領域内に位置することができる。
【００９５】
これによると、表示装置に外光が入射されても画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃおよび画素導電パターン１９２を含む第４導電層によって外光が遮断されて上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１に外光が入射されるのを遮断することができる。特に、上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界が遮蔽部１７６によって区分されない場合にも、チャネル領域１３１ｃ＿１と共にチャネル領域１３１ｃ＿１とドレイン領域１３７ｃ＿１の間の境界いずれも第４導電層によって完全に覆われるので、上部第３トランジスターＴ３＿１のチャネル領域１３１ｃ＿１に外光が入射されるのを遮断することができる。したがって、駆動ゲートノードＧＮに直ちに接続された上部第３トランジスターＴ３＿１に光によるリーク電流が発生するのが遮断されてキャパシタＣｓｔの電圧変動を抑制することができる。
【００９６】
次に、図３乃至図８を参照して、一実施形態による表示装置の断面構造についてさらに具体的に説明する。
【００９７】
基板１１０の上にバッファー層１２０が位置することができる。バッファー層１２０は基板１１０からバッファー層１２０の上部層、特に、活性層１３０に不純物が伝えられるのを遮断して活性層１３０の特性を向上させ、ストレスを緩和させる。バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質および／または有機絶縁物質を含んでもよい。バッファー層１２０の少なくとも一部は省略されることもできる。
【００９８】
バッファー層１２０の上には前述のような活性層１３０が位置し、活性層１３０の上に第１絶縁層１４１が位置する。
【００９９】
第１絶縁層１４１の上には前述した第１導電層が位置することができる。第１導電層は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金など金属を含んでもよい。
【０１００】
第１導電層および第１絶縁層１４１の上には第２絶縁層１４２が位置することができる。
【０１０１】
第２絶縁層１４２の上には前述した第２導電層が位置することができる。第２導電層は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金など金属を含んでもよい。
【０１０２】
第２導電層および第２絶縁層１４２の上には第３絶縁層１６０が位置することができる。
【０１０３】
第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２、そして第３絶縁層１６０のうちの少なくとも一つは、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質および／または有機絶縁物質を含んでもよい。
【０１０４】
第１絶縁層１４１、第２絶縁層１４２および第３絶縁層１６０は駆動ゲート電極１５５ａの上に位置する接触孔６１、第２トランジスターＴ２のソース領域１３６ｂの上に位置する接触孔６２、上部第３トランジスターＴ３＿１のドレイン領域１３７ｃ＿１または左側第４トランジスターＴ４＿１のドレイン領域１３７ｄ＿１の上に位置する接触孔６３、初期化電圧線１５９の上に位置する接触孔６４、右側第４トランジスターＴ４＿２のソース領域１３６ｄ＿２または第７トランジスターＴ７のドレイン領域１３７ｇの上に位置する接触孔６５、遮蔽パターン１５８の上に位置する接触孔６６、第５トランジスターＴ５のソース領域１３６ｅの上に位置する接触孔６７、容量線１５６の拡張部１５７の上に位置する接触孔６８、そして第６トランジスターＴ６のドレイン領域１３７ｆの上に位置する接触孔６９を含む。
【０１０５】
第３絶縁層１６０の上には前述した第３導電層が位置することができる。第３導電層は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金など金属を含んでもよい。
【０１０６】
容量線１５６の拡張部１５７は、第２絶縁層１４２を間において駆動ゲート電極１５５ａと重畳してキャパシタＣｓｔを形成することができる。
【０１０７】
第３導電層と第３絶縁層１６０の上には保護膜１８０が位置する。保護膜１８０はポリアクリール系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌｉｃｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）などの有機絶縁物質を含んでもよく、保護膜１８０の上面は実質的に平坦であってもよい。保護膜１８０は、接続部材１７９の上に位置する接触孔８９を含む。
【０１０８】
保護膜１８０の上には前述した第４導電層が位置することができる。
【０１０９】
保護膜１８０と第４導電層の上には画素定義膜（ｐｉｘｅｌ  ｄｅｆｉｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）３５０が位置することができる。画素定義膜３５０は、画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃの上に位置する開口部３５１を有する。
【０１１０】
画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃの上には発光層３７０が位置する。発光層３７０は、開口部３５１内に位置することができる。発光層３７０は、有機発光物質または無機発光物質を含んでもよい。
【０１１１】
発光層３７０の上には共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、画素定義膜３５０の上にも形成されて複数の画素にかけて伸びている。
【０１１２】
画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃ、発光層３７０および共通電極２７０は共に発光ダイオードＥＤをなす。
【０１１３】
共通電極２７０の上には発光ダイオードＥＤを保護する密封層（図示せず）がさらに位置することができる。密封層は、交互に積層された無機膜と有機膜とを含む。
【０１１４】
次に、図９乃至図１５を前述した図面と共に参照して、様々な実施形態による表示装置について説明する。前述した実施形態と同一構成要素に対する同様な説明は省略する。
【０１１５】
まず、図９を参照すれば、本実施形態による表示装置は、前述した図１乃至図８に示した実施形態による表示装置とほぼ同一であるが、遮蔽部１７６が接続部材１７５と離隔されている例を示す。遮蔽部１７６は、断面視で、接続部材１７５と同一層または異なる層に位置することもできる。
【０１１６】
次に、図１０および図１１を参照すれば、本実施形態による表示装置は、前述した実施形態による表示装置とほぼ同一であるが、接続部材１７５が断面視で第２導電層に含まれている例を示す。これによると、接続部材１７５は、初期化電圧線１５９と同一層に位置し初期化電圧線１５９と物理的、電気的に接続されている。遮蔽部１７６を第２導電層に含んでもよく、接続部材１７５に接続してもよい。
【０１１７】
次に、図１２乃至図１４を参照すれば、本実施形態による表示装置は、前述した図１０および図１１に示した実施形態による表示装置とほぼ同一であるが、遮蔽部１７６が接続部材１７５と離隔されている例を示す。遮蔽部１７６は断面視で接続部材１７５と異なる層に位置することもできる。例えば、遮蔽部１７６を第２導電層に含んでもよい。
【０１１８】
次に、図１５を参照すれば、本実施形態による表示装置は、前述した実施形態による表示装置とほぼ同一であるが、容量線１５６、初期化電圧線１５９、遮蔽パターン１５８などを含む第２導電層が省略されることができる。さらに、第２絶縁層１４２を省略されることもできる。
【０１１９】
駆動電圧線１７２が駆動ゲート電極１５５ａと重畳する拡張部１７３を含んでもよく、拡張部１７３と駆動ゲート電極１５５ａが絶縁層、例えば、前述した第３絶縁層１６０を間において平面視で重畳してキャパシタＣｓｔを形成してもよい。これによって、空間活用効率を上げて、十分な容量のキャパシタＣｓｔを形成することができる。
【０１２０】
保護膜１８０は、接続部材１７５の上に位置する接触孔８８を含む。画素導電パターン１９２は初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達し、接触孔８８を介して接続部材１７５と電気的に接続されて、接続部材１７５に初期化電圧Ｖｉｎｔが伝達される。
【０１２１】
その他に特徴および効果は前述した実施形態と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【０１２２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属することは当然である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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