(57)【要約】【課題】電極本体を覆うカバー内のデッドスペースを削減しつつ、ガス噴射の制御性を向上させることが可能な電極組立体の製造方法を提供する。【解決手段】電極組立体の製造方法は、電極本体２０及びタブ積層体２５を準備する工程と、カバー６０を設ける工程と、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かってガスを噴射するとともにタブ積層体２５に溶接部を形成する工程と、を含む。カバー６０には、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かってガスを噴射する噴射口７２ａ，７２ｂが設けられ、カバー６０内には、噴射口７２ａ，７２ｂにガスを供給するガス供給管７６、及び、ガス供給管７６から噴射口７２ａ，７２ｂに供給されるガスの流量を調整するバルブ９２ａ，９２ｂが設けられている。【選択図】図６
2018018592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と前記本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、
積層された前記本体を有する電極本体、及び、積層された前記タブを有し前記電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、
前記電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、前記電極本体が前記カバー内に配置される一方で前記タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分が前記カバー外に配置されるように前記カバーを設ける工程と、
前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かってガスを噴射するとともに前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記カバーには、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって前記ガスを噴射する噴射口が設けられ、
前記カバー内には、前記噴射口に前記ガスを供給するガス供給管、及び、前記ガス供給管から前記噴射口に供給される前記ガスの流量を調整するバルブが設けられている、
電極組立体の製造方法。
【請求項２】
前記カバー内には、前記ガスを貯蔵するガスタンクが更に設けられ、
前記ガス供給管は、前記ガスタンクからの前記ガスを前記噴射口に供給する、
請求項１に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項３】
前記ガスタンクは、前記電極本体の積層方向から見たときに、前記電極本体の中央よりも前記噴射口側に位置している、
請求項２に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項４】
前記カバー内には、前記電極本体を前記電極本体の積層方向に押圧する押圧部材が更に設けられている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項５】
前記バルブは、前記電極本体の積層方向から見たときに、前記電極本体の前記側面と、前記噴射口との間に設けられている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極組立体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザービームにより鋼板を溶接する際に、溶接により生じるスパッタ粒子に向かってノズルからガスを噴射する方法が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６６０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばリチウムイオン電池等の蓄電装置は、電極組立体を備える。電極は、本体と、本体の一端から突出したタブとを有している。電極組立体は、積層された本体を有する電極本体と、積層されたタブを有するタブ積層体とを備える。電極組立体を製造する際には、タブ積層体が溶接される。
【０００５】
溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物が飛散して電極本体に付着すると、電極組立体の性能が変化する可能性がある。例えば異物が積層された電極間に侵入すると、電極同士が短絡するおそれがある。溶接時に電極本体を覆うカバーを設けることにより、電極本体への異物の付着を抑制できる。ただし、カバー内の電極本体周囲のスペースがデッドスペースとなる。また、カバーを設けた場合でも、異物がカバーの隙間を通ってカバー内に侵入してしまう可能性は残る。
【０００６】
電極本体への異物の付着をより確実に防ぐために、更に、上記特許文献１のようにノズルからガスを噴射して、異物を吹き飛ばすことが考えられる。しかしながら、単にノズルにガスを供給してノズルからガスを噴射するだけでは、ガス噴射の制御を十分に行うことができない。ガス噴射の制御が十分でないと、異物を適切に吹き飛ばすことができなかったり、必要以上にガス流量が大きくなりランニングコストが増加したりするおそれがある。これらの問題について、特許文献１では具体的な検討はなされていない。
【０００７】
本発明の一側面は、電極本体を覆うカバー内のデッドスペースを削減しつつ、ガス噴射の制御性を向上させることが可能な電極組立体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、本体と本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された本体を有する電極本体、及び、積層されたタブを有し電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分がカバー外に配置されるようにカバーを設ける工程と、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かってガスを噴射するとともにタブ積層体に溶接部を形成する工程と、を含み、カバーには、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かってガスを噴射する噴射口が設けられ、カバー内には、噴射口にガスを供給するガス供給管、及び、ガス供給管から噴射口に供給されるガスの流量を調整するバルブが設けられている。
【０００９】
上記の電極組立体の製造方法では、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分（溶接箇所）がカバー外に配置されるようにカバーが設けられ、溶接箇所に向かってガスを噴射するとともにタブ積層体に溶接部が形成される。そのため、ガスを溶接箇所に供給しつつ、溶接時に発生した異物が飛散して電極本体に付着することを抑制できる。ここで、カバーには、溶接箇所に向かってガスを噴射する噴射口が設けられており、カバー内には、噴射口にガスを供給するガス供給管、及び、ガス供給管から噴射口に供給されるガスの流量を調整するバルブが設けられている。これにより、電極本体をカバーで覆うだけで、溶接箇所に向かってガスを噴射できるようになる。また、カバー内にガス供給管及びバルブを設ける分、カバー内のデッドスペースを削減できる。更に、バルブによって、ガス供給管から噴射口に供給されるガスの流量を調整できる。よって、電極本体を覆うカバー内のデッドスペースを削減しつつ、ガス噴射の制御性を向上させることができる。
【００１０】
カバー内には、ガスを貯蔵するガスタンクが更に設けられ、ガス供給管は、ガスタンクからのガスを噴射口に供給してもよい。このようにガスタンクを設けることによって、ガス供給管から噴射口に供給されるガスの脈動を抑制し、ガス噴射の制御性を更に向上させることができる。また、ガスタンクを設ける分、カバー内のデッドスペースを更に削減することができる。
【００１１】
ガスタンクは、電極本体の積層方向から見たときに、電極本体の中央よりも噴射口側に位置していてもよい。このようにガスタンクを噴射口つまり溶接箇所に近い位置に設けることで、溶接箇所で発生した熱を利用してガス圧を上昇させることができる。ガス圧が上昇すると、同じガス噴射効果をより少ないガス流量で実現できるので、供給するガスの量を削減できる。
【００１２】
カバー内には、電極本体を積層方向に押圧する押圧部材が更に設けられていてもよい。タブ積層体に溶接部を形成すると、タブ積層体では、積層されたタブ同士の間隔が狭くなるように凝固収縮が生じ得る。このような凝固収縮がタブ積層体で生じると、電極本体では、積層された本体同士の間隔を広げるように力が発生する。このような力が発生した場合でも、上記の押圧部材を設けることによって、積層された本体同士の間隔が広がることを抑制することができる。また、押圧部材を設ける分、カバー内のデッドスペースを更に削減することができる。
【００１３】
バルブは、電極本体の積層方向から見たときに、電極本体の側面と、噴射口との間に設けられていてもよい。このようにバルブを噴射口の近くに設けることでガス流量調整の応答性を高め、ガス噴射の制御性を更に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一側面によれば、電極本体を覆うカバー内のデッドスペースの削減しつつ、ガス噴射の制御性を向上させることが可能な電極組立体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ―ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。
【図３】実施形態に係る電極組立体の斜視図である。
【図４】Ｘ軸方向から見た図３の電極組立体の一部を示す図である。
【図５】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図６】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図７】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図８】実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図９】変形例に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｚ軸方向は例えば鉛直方向、Ｘ軸方向及びＹ方向は例えば水平方向である。
【００１７】
図１は、実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１及び図２に示される蓄電装置１は、例えばリチウムイオン二次電池、ニッケル水素二次電池といった二次電池又は電気二重層キャパシタである。
【００１８】
図１及び図２に示されるように、蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。ケース２の内壁面上には、絶縁フィルム（図示せず）が設けられる。ケース２の内部には、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。電極組立体３では、後述する正極１１の正極活物質層１５、負極１２の負極活物質層１８、及びセパレータ１３が多孔質をなしており、その空孔内に、電解液が含浸されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。
【００１９】
電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３は、複数の正極１１（電極）と、複数の負極１２（電極）と、正極１１と負極１２との間に配置されたセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３は、シート状であってもよいし袋状であってもよい。セパレータ１３が袋状の場合、セパレータ１３内には、例えば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。
【００２０】
正極１１は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の本体１４ａと、本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、本体１４ａの両面において、少なくとも本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。
【００２１】
正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウム、硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つと、リチウムとが含まれる。ここでは、一例として、タブ１４ｂには、正極活物質が担持されていない。ただし、タブ１４ｂにおける本体１４ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２２】
タブ１４ｂは、本体１４ａの上縁部から上方に延び、集電板１６を介して正極端子５に接続されている。集電板１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。集電板１６は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、集電板１６と、集電板１６よりも薄い保護板２３との間に配置される（図３参照）。
【００２３】
負極１２は、例えば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の本体１７ａと、本体１７ａの一端部から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、本体１７ａの両面において、少なくとも本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。
【００２４】
負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２５】
タブ１７ｂは、本体１７ａの上縁部から上方に延び、集電板１９を介して負極端子６に接続されている。集電板１９はタブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。集電板１９は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、集電板１９と、集電板１９よりも薄い保護板２７との間に配置される（図３参照）。
【００２６】
セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１及び負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、例えば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布又は不織布等が例示される。
【００２７】
図３は、実施形態に係る電極組立体の斜視図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った電極組立体の断面図である。図３に示される電極組立体３は、セパレータ１３を介して互いに積層された複数の正極１１及び複数の負極１２を含む。複数の正極１１のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１４ａと、本体１４ａの少なくとも一端からＸ軸方向に突出するタブ１４ｂとを含む。タブ１４ｂはＸ軸正方向に突出している。複数の負極１２のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１７ａと、本体１７ａの少なくとも一端から突出するタブ１７ｂとを含む。本実施形態では、タブ１７ｂは、タブ１４ｂと同様にＸ軸正方向に突出している。本体１４ａ，１７ａは、互いに積層され、全体として電極本体２０を構成する。先に説明したように本体１４ａ及び本体１７ａは矩形状であるので、電極本体２０も矩形状となる。電極本体２０は側面Ｓを有する。本実施形態ではタブ１４ｂ及びタブ１７ｂは本体１４ａ及び本体１７ａの一端からそれぞれ同じ方向（Ｘ軸正方向）に突出しているので、側面Ｓは、積層された本体１４ａ及びタブ１４ｂの一端によって構成される。つまり、積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに、本体１４ａにおけるタブ１４ｂが突出している一端と、本体１７ａにおけるタブ１７ｂが突出している一端とは、いずれも電極本体２０の側面Ｓに位置している。タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。
【００２８】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうに連れてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００２９】
タブ積層体２１は、複数のタブ１４ｂ同士を接続する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、例えばタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂにそれぞれ位置する。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂから内側に設けられる。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂのうち一方にのみ位置してもよい。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂに隣接する集電板１６及び保護板２３の内部まで延びている。端面２１ａ，２１ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２３のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２１のタブ１４ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３０】
タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６と保護板２３との間に配置される。すなわち、集電板１６、タブ積層体２１及び保護板２３は、Ｚ軸方向において配列される。集電板１６及び保護板２３は例えば金属板である。保護板２３は、集電板１６と接触しておらず、保護板２３と集電板１６とは、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２１は保護板２３よりも厚く、集電板１６は保護板２３よりも厚い。
【００３１】
同様に、タブ積層体２５は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうに連れてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３２】
タブ積層体２５は、複数のタブ１７ｂ同士を接続する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、例えばタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂにそれぞれ位置する。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂから内側に設けられる。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂのうち一方にのみ位置してもよい。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂに隣接する集電板１９及び保護板２７の内部まで延びている。端面２５ａ，２５ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２７のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２５のタブ１７ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３３】
タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９と保護板２７との間に配置される。すなわち、集電板１９、タブ積層体２５及び保護板２７は、Ｚ軸方向において配列される。集電板１９及び保護板２７は例えば金属板である。保護板２７は、集電板１９と接触しておらず、保護板２７と集電板１９とは、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２５は保護板２７よりも厚く、集電板１９は保護板２７よりも厚い。
【００３４】
上述のとおり、タブ積層体２１，２５はそれぞれ溶接部Ｗを有する。そのため、電極組立体３の製造工程には、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する工程が含まれる。溶接部Ｗを形成する時（溶接時）には、スパッタ粒子等の異物が発生し得る。スパッタ粒子は例えば金属粒子である。発生した異物が飛散して電極本体２０に付着すると、電極組立体３の性能が変化してしまう可能性がある。例えば積層された本体１４ａと本体１７ａとの間に異物が侵入すると、本体１４ａ及び本体１７ａが（つまり正極１１及び負極１２が）短絡するおそれがある。そこで、本実施形態では、後述の手法により、電極本体２０への異物の付着の抑制を可能とする。
【００３５】
図５〜図７は、実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図３に示される電極組立体３は、例えば以下の方法により製造される。
【００３６】
（タブ積層体を準備する工程）
まず、図５に示されるように、積層された本体１４ａ，１７ａを有する電極本体２０、及び、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂを有し電極本体２０の側面Ｓから突出する複数のタブ積層体２１，２５を準備する。例えば、まず、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。
【００３７】
（カバーを設ける工程）
次に、電極本体２０及びタブ積層体２１，２５を、載置台５０上に配置する。載置台５０において電極本体２０及びタブ積層体２１，２５が載置される面が、載置面５０ａとして図示される。説明の便宜上、電極本体２０において本体１４ａ，１７ａの積層方向に直交する２つの面のうち、載置面５０ａに対向する面とは電極本体２０を挟んで反対側に位置する面を主面２０ａと称し図示する。続いて、電極本体２０を覆うように、カバー６０を設ける。カバー６０は、電極本体２０がカバー６０内に配置される一方で、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗ（図３）が形成される部分（溶接箇所）がカバー６０外に配置されるように設けられる。カバー６０は、側壁部６１〜６４と、それら４つの側壁部６１〜６４を繋ぐ天井部６５とを有する。側壁部６１は、電極本体２０の側面Ｓを覆う部分である。側壁部６２は、電極本体２０の側面Ｓとは反対側の側面を覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、側壁部６１，６２は、電極本体２０の側面Ｓの面方向（ＹＺ平面）に沿って延在する。側壁部６３は、電極本体２０において側面Ｓに直交する方向に延在するとともに本体１４ａ，１７ａの積層方向に延在する２つの側面のうちの一方の側面を覆う部分である。側壁部６４は、それら２つの側面のうちの他方の側面を覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、側壁部６３，６４は、ＸＺ平面に沿って延在する。天井部６５は、電極本体２０の主面２０ａを覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、天井部６５は、電極本体２０の主面２０ａの面方向（ＸＹ平面）に沿って延在する。カバー６０は、天井部６５とは側壁部６１〜６４を挟んで反対側の位置に開口部を有する。カバー６０は、カバー６０の開口部が載置面５０ａに対向するように、載置台５０上に載置される。
【００３８】
側壁部６１は、電極本体２０の側面Ｓから突出するタブ積層体２１，２５をそれぞれ通すための開口部６１ａ，６１ｂを有する。このような開口部６１ａ，６１ｂをカバー６０の側壁部６１が有することによって、タブ積層体２１，２５の溶接箇所がカバー６０外に配置されるように、カバー６０を設けることができる。
【００３９】
ここで、図５とともに更に図６及び図７も参照して、カバー６０内の構成について説明する。図６は、Ｙ軸方向から見たカバー６０、電極本体２０及びタブ積層体２５を示す。図７は、Ｚ軸方向から見たカバー６０、電極本体２０及びタブ積層体２５を示す。
【００４０】
カバー６０には、後述のガス供給源９１からカバー６０内にガスを導入するための導入口７１が設けられている。本実施形態では、導入口７１は、カバー６０の天井部６５に設けられている。また、カバー６０には、タブ積層体２１，２５の溶接箇所に向かって、カバー６０内に導入されたガスを噴射する噴射口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ（以下、「噴射口７２ａ等」という場合もある）が設けられている。
【００４１】
噴射口７２ａ，７２ｂはタブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に向かって、噴射口７３ａ，７３ｂはタブ積層体２５の端面２５ｂの溶接箇所向かって、噴射口７４ａ，７４ｂはタブ積層体２１の端面２１ｂの溶接箇所に向かって、噴射口７５ａ，７５ｂはタブ積層体２１の端面２１ａの溶接箇所に向かって、それぞれガスを噴射する。噴射口７２ａ，７２ｂは、Ｚ軸正方向に間隔をあけて並んで配置されている。噴射口７２ａ，７２ｂは、ガスの噴射方向に向かって長さを有するパイプ形状を有している。この長さがあることで、ガスを溶接箇所の近くまで導き、溶接箇所に向かってより確実にガスを噴射することができる。このような噴射口７２ａ，７２ｂは、例えばノズルを用いて構成してよい。なお、２つの噴射口７２ａ，７２ｂのうち一方の噴射口のみが設けられていてもよい。噴射口７３ａ，７３ｂ、噴射口７４ａ，７４ｂ、噴射口７５ａ，７５ｂについても、噴射口７２ａ，７２ｂと同様の配置及び構成とすることができる。
【００４２】
カバー６０内には、ガス供給管７６，７７，７８，７９（以下、「ガス供給管７６等」という場合もある）が設けられている。ガス供給管７６等は、基端側がガスタンク９７に接続されている。ガス供給管７６，７７，７８，７９は、ガスタンク９７の異なる部分に接続されていてもよいし、基端側で合流してガスタンク９７の同じ箇所に接続されていてもよい。図７に示される例では、ガス供給管７６，７７が基端側で合流し、ガスタンク９７に接続されている。また、ガス供給管７８，７９が基端側で合流し、ガスタンク９７の、ガス供給管７６，７７が接続された箇所とは異なる箇所に接続されている。
【００４３】
ガス供給管７６は、先端側において２つの先端部７６ａ，７６ｂに分岐しており、先端部７６ａ，７６ｂを介して噴射口７２ａ，７２ｂにガスをそれぞれ供給する。同様の構成により、ガス供給管７７は先端部７７ａ，７７ｂを介して噴射口７３ａ，７３ｂに、ガス供給管７８は先端部７８ａ，７８ｂを介して噴射口７４ａ，７４ｂに、ガス供給管７９は先端部７９ａ，７９ｂを介して噴射口７５ａ，７５ｂにそれぞれガスを供給する。
【００４４】
カバー６０内には、バルブ９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ，９５ａ，９５ｂ（以下、「バルブ９２ａ等」という場合もある）も設けられている。バルブ９２ａ，９２ｂは、ガス供給管７６から噴射口７２ａ，７２ｂに供給されるガスの流量をそれぞれ調整する。バルブ９３ａ，９３ｂは、ガス供給管７７から噴射口７３ａ，７３ｂに供給されるガスの流量をそれぞれ調整する。バルブ９４ａ，９４ｂは、ガス供給管７８から噴射口７４ａ，７４ｂに供給されるガスの流量をそれぞれ調整する。バルブ９５ａ，９５ｂは、ガス供給管７９から噴射口７５ａ，７５ｂに供給されるガスの流量をそれぞれ調整する。バルブ９２ａ等は、対応する噴射口７２ａ等の近くに設けられる。図６及び図７に示される例では、バルブ９２ａ等は、電極本体２０の積層方向から見たとき（Ｚ軸方向から見たとき）に、電極本体２０の側面Ｓと、対応する噴射口７２ａ等との間に設けられている。バルブ９２ａ等は、対応する噴射口７２ａ等に隣接していてもよい。バルブ９２ａ等の開閉は、制御装置９９によって制御され得る。バルブ９２ａ等は、例えば電磁弁である。
【００４５】
カバー６０内には、ガスタンク９７が更に設けられている。ガスタンク９７は、ガス供給源９１から導入口７１を介して供給されるガスを貯蔵する。ガス供給管７６等は、ガスタンク９７からのガスを対応する噴射口７２ａ等に供給する。ガス供給源９１からガスタンク９７へのガスの供給は、制御装置９９によって調整され得る。制御装置９９は、例えばガス供給源９１とガスタンク９７との間に設けられたバルブ９６（例えば電磁弁）の開閉を制御することによって、上記の調整を行い得る。図６に示される例では、バルブ９６も、カバー６０内に設けられる。本実施形態では、ガスタンク９７は、タブ積層体２１及びタブ積層体２５の溶接箇所の近くに設けられる。例えば、Ｚ軸方向から見たときに、ガスタンク９７が電極本体２０の中央よりも噴射口７２ａ等側に設けられる。図７において、電極本体２０の中央が、Ｘ軸方向における矩形状の電極本体２０の中央の位置をＹ軸方向に沿って横切る中央線Ｃによって特定される。
【００４６】
カバー６０内には、押圧部材９８が更に設けられている。押圧部材９８は、電極本体２０を電極本体２０の積層方向（Ｚ軸方向）に押圧する。押圧部材９８は、天井部９８１と、側壁部９８２と、側壁部９８３とを有する。天井部９８１、側壁部９８２、及び側壁部９８３は、Ｙ軸方向から見たときに断面Ｕ字形状をなしている。天井部９８１は、電極本体２０の主面２０ａを覆う部分である。側壁部９８２は、電極本体２０の側面Ｓを覆う部分である。側壁部９８３は、電極本体２０の側面Ｓとは反対側の面を覆う部分である。側壁部９８３は、電極本体２０とは反対側の部分においてカバー６０の側壁部６２に固定されていてよい。これにより、カバー６０及び押圧部材９８の取り扱いが容易になる。押圧部材９８の天井部９８１は、電極本体２０の主面２０ａに接する押圧面９８１ａを有する。押圧部材９８は、天井部９８１の押圧面９８１ａが電極本体２０の主面２０ａに接触して電極本体２０を載置台５０側（Ｚ軸負方向）に向かって押圧するように設けられる。電極本体２０は載置台５０上に配置されているので、押圧面９８ａ及び載置面５０ａの間に位置する積層された本体１４ａ及び本体１７ａ同士の間隔が狭くなる方向に力が発生する。
【００４７】
カバー６０と押圧部材９８とは一体形成されていてもよい。その場合、カバー６０及び押圧部材９８の材質は同じものとすることができる。材質の例は樹脂である。カバー６０及び押圧部材９８の材質として樹脂を採用することにより、溶接時にカバー６０及び押圧部材９８の表面から金属粒子等の異物が発生することを防ぐこともできる。カバー６０及び押圧部材９８の材質として樹脂を採用することにより、カバー６０及び押圧部材９８を一体成型することもできる。
【００４８】
電極本体２０を押圧する押圧部材９８がカバー６０内に設けられるので、ガスタンク９７、バルブ９６、及びガス供給管７６等は、カバー６０内のうちの押圧部材９８以外の部分に設けられる。本実施形態では、ガスタンク９７は、押圧部材９８の天井部９８１上に設けられる。バルブ９６は、ガスタンク９７の上方に設けられる。ガス供給管７６等は、例えば、電極本体２０及び押圧部材９８の外周に沿って設けられる。なお、押圧部材９８内にガス供給管７６等の少なくとも一部を通すための通路が形成されてもよい。そのような通路は、例えば押圧部材９８をくり抜くことによって形成され得る。
【００４９】
（溶接部の形成工程）
上述のカバーを設ける工程の後、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する。溶接部Ｗを形成するための溶接の手法はとくに限定されないが、ここでは、エネルギービームを用いた溶接の手法を例に挙げて説明する。図８に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射する。図８（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図８（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。タブ積層体２１は、例えば治具４２により保護板２３を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。同様に、タブ積層体２５は、例えば治具４４により保護板２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。
【００５０】
エネルギービームＢは、照射装置３０からタブ積層体２５の端面２５ａに向けて照射される。照射装置３０は、例えばレンズ及びガルバノミラーを含むスキャナヘッドである。スキャナヘッドにはファイバを介してビーム発生装置が接続される。照射装置３０は、例えばプリズム等の屈折式の光学系から構成されてもよい。エネルギービームＢは、溶接を行うことができる高エネルギービームである。エネルギービームＢは、例えばレーザービーム又は電子ビームである。エネルギービームＢの照射は、不活性ガスの雰囲気中で行われる。不活性ガスは、例えば先に説明した噴射口７２ａ，７２ｂ（図５等）から供給することができる。
【００５１】
エネルギービームＢは、例えば治具４４により集電板１９及び保護板２７を介してタブ積層体２５をＺ軸方向に押圧した状態でタブ積層体２５の端面２５ａに照射される。
【００５２】
エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｚ軸方向に交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って走査される。エネルギービームＢをＺ軸方向に変位させながらＸ軸方向に沿って走査してもよい。例えば、エネルギービームＢをＺ軸方向に往復変位（ウォブリング）させながらＸ軸方向に沿って走査する。エネルギービームＢの照射スポットのＺ軸方向における変位量は、タブ積層体２５の厚みよりも大きい。エネルギービームＢの照射スポットは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｘ軸方向に沿った軸線Ｈ１上の位置Ｐ１から位置Ｐ２まで移動する。例えば、位置Ｐ１，Ｐ２は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５の端面２５ａの中心に位置する。エネルギービームＢは、例えば、タブ積層体２５の端面２５ａにおいてＸ軸方向に沿って中心点を移動させ、当該中心点を中心にＸＺ平面においてエネルギービームＢの照射スポットを回転させながら走査される。回転の直径がタブ積層体２５の厚みよりも大きいと、タブ積層体２５の端面２５ａ、集電板１９及び保護板２７を全体的に溶接できるため好ましい。
【００５３】
上述のようにエネルギービームＢを照射することによって、先に説明した図４に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａに溶接部Ｗが形成される。
【００５４】
本実施形態では、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する際、噴射口７２ａ，７２ｂが、端面２５ａの溶接箇所に向かってガスを噴射する。ここでの溶接箇所は、上述のエネルギービームＢが照射される部分である。ガスの役割について、再び図６を参照して説明する。図６には、噴射口７２ａ，７２ｂから噴射されたガス（ガスＧとして図示）の流れが概念的に示される。ガスＧの種類はとくに限定されないが、エネルギービームＢを照射して溶接を行う場合には、窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスを用いるとよい。噴射口７２ａ，７２ｂによって噴射されるガスＧの流量、圧力、噴射のタイミング等は、バルブ９２ａ，９２ｂによって調整される。この調整は、制御装置９９が、バルブ９２ａ，９２ｂの開閉を制御することによって行われる。例えば、ガスＧを連続噴射することもできるし、パルス状に噴射（間欠噴射）することもできる。パルス状にガスＧを噴射することによって、連続噴射する場合よりも、ガスＧの流量を低減することができる。
【００５５】
ガスＧは、噴射口７２ａ，７２ｂによって、タブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に向かって噴射される。噴射口７２ａ，７２ｂのうち、下側（Ｚ軸負方向側）に位置している噴射口７２ｂからは、横方向（Ｚ軸方向の高さが変わらないように進む方向）にガスＧが噴射される。噴射口７２ａ，７２ｂのうち、上側（Ｚ軸正方向側）に位置している噴射口７２ａからは、斜め下方向に向かってガスＧが噴射される。
【００５６】
ここで、溶接箇所でスパッタ粒子等の異物が発生していれば、発生した異物は、溶接箇所に向かって噴射されたガスＧによって、電極本体２０から遠ざかるように運ばれる。ガスＧによって運ばれた異物は、ガスＧとともに吸引されて取り除かれる。図６に示される例では、ガスＧは、カバー６０とはタブ積層体２５を挟んで反対側に配置されたガイド８０に到達する。ガイド８０は、ガスＧを収集して上方（Ｚ軸正方向）に案内するように、例えば、タブ積層体２５側に開口しＺ軸方向に延在する半パイプ形状を有する。ガイド８０によって上方に案内されたガスＧは、吸引管８２の吸引口８１に到達し、吸引される。
【００５７】
このように、本実施形態では、溶接部Ｗが形成されるタブ積層体２５の端面２５ａに向かってガスＧを噴射するとともにタブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する。
【００５８】
再び図８に戻り、次に、タブ積層体２５の端面２５ａと同様に、タブ積層体２１の端面２１ｂにもエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、噴射口７４ａ，７４ｂが、タブ積層体２１の端面２１ａに向かってガスＧを噴射する。噴射口７４ａ，７４ｂによって噴射されるガスＧの流量等は、バルブ９４ａ、９４ｂによって調整される。次に、タブ積層体２５の端面２５ｂにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２５の端面２５ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、噴射口７３ａ，７３ｂが、タブ積層体２５の端面２５ｂに向かってガスＧを噴射する。噴射口７３ａ，７３ｂによって噴射されるガスＧの流量等は、バルブ９３ａ，９２３によって調整される。次に、タブ積層体２１の端面２１ａにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ａに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、噴射口７５ａ，７５ｂが、タブ積層体２１の端面２１ａに向かってガスＧを噴射する。噴射口７５ａ，７５ｂによって噴射されるガスＧの流量等は、バルブ９５ａ，９５ｂによって調整される。
【００５９】
上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。
【００６０】
以上説明したように、上記の電極組立体３の製造方法では、電極本体２０がカバー６０内に配置される一方でタブ積層体２１，２５の溶接箇所がカバー６０外に配置されるようにカバー６０が設けられる。このように電極本体２０を覆うカバー６０を設けることによって、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物の電極本体２０への付着を抑制することができる。
【００６１】
ただし、カバー６０を設けるだけでは、溶接箇所で発生した異物が、カバー６０の隙間を通ってカバー６０内に侵入してしまう可能性は残る。例えば、カバー６０と載置台５０との間に隙間が生じる可能性がある。また、カバー６０の側壁部６１における開口部６１ａ，６１ｂにおいて、タブ積層体２１，２５とカバー６０の側壁部６１との間に隙間が生じる可能性がある。
【００６２】
そこで、上記の電極組立体３の製造方法では、電極本体２０への異物の付着をより確実に防ぐために、更に、溶接箇所に向かってガスを噴射し、異物を吹き飛ばす。具体的に、カバー６０には、タブ積層体２１、２５の溶接箇所に向かってガスを噴射する噴射口７２ａ等が設けられており、カバー６０内には、噴射口７２ａ等にガスを供給するガス供給管７６等が設けられている。これにより、電極本体２０をカバー６０で覆うだけで、溶接箇所にガスを噴射できるようになる。また、カバー６０内にガス供給管７６等及びバルブ９２ａ等を設ける分、カバー６０内のデッドスペースを削減できる。更に、バルブ９２ａ等によって、ガス供給管７６等から噴射口７２ａ等に供給されるガスの流量を調整できる。例えば、異物を吹き飛ばすための適切なガス圧とすることができる。必要以上にガス流量が大きくなりランニングコストが増加することを防ぐこともできる。よって、電極本体２０を覆うカバー６０内のデッドスペースを削減しつつ、ガス噴射の制御性を向上させることができる。
【００６３】
カバー６０内には、ガスを貯蔵するガスタンク９７が更に設けられ、ガス供給管７６等は、ガスタンク９７からのガスを噴射口７２ａ等に供給してもよい。このようにガスタンク９７を設けることによって、ガス供給管７６等から噴射口７２ａ等に供給されるガスの脈動を抑制し、ガス噴射の制御性を更に向上させることができる。また、ガスタンク９７を設ける分、カバー６０内のデッドスペースを更に削減することができる。
【００６４】
ガスタンク９７は、電極本体２０の積層方向から見たときに、電極本体２０の中央よりも噴射口７２ａ等側に位置していてもよい。このようにガスタンク９７を噴射口７２ａ等、つまりタブ積層体２１、２５の溶接箇所に近い位置に設けることで、溶接箇所で発生した熱を利用してガス圧を上昇させることができる。ガス圧が上昇すると、同じガス噴射効果をより少ないガス流量で実現できるので、供給するガスの量を削減できる。
【００６５】
カバー６０内には、電極本体２０を積層方向に押圧する押圧部材９８が更に設けられていてもよい。タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成すると、タブ積層体２１，２５では、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂ同士の間隔が狭くなるように凝固収縮が生じ得る。このような凝固収縮がタブ積層体２１、２５で生じると、電極本体２０では、積層された本体１４ａ，１７ａ同士の間隔を広げるように力が発生する。このような力が発生した場合でも、押圧部材９８を設けることによって、積層された本体１４ａ，１７ａ同士の間隔が広がることを抑制することができる。また、押圧部材９８を設ける分、カバー６０内のデッドスペースを更に削減することができる。
【００６６】
バルブ９２ａ等は、電極本体２０の積層方向から見たときに、電極本体２０の側面Ｓと、噴射口７２ａ等との間に設けられていてもよい。このようにバルブを噴射口７２ａ等の近くに設けることでガス流量調整の応答性を高め、ガス噴射の制御性を更に向上させることができる。
【００６７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００６８】
上記実施形態では、押圧部材９８は、天井部９８１、側壁部９８２、及び、側壁部９８３の３つの部分で構成される例について説明したが、押圧部材９８の形状はこれに限定されるものではない。押圧部材９８は、少なくとも電極本体２０の主面２０ａを押圧するように構成されていればよい。その場合でも、電極本体２０を押圧することができる。一方で、押圧部材９８は、更に、電極本体２０の側面Ｓ及び主面２０ａに交差する面（ＸＺ平面に沿って延在する面）も覆うように構成されてもよい。その場合には、カバー６０内のデッドスペースを更に削減することができる。
【００６９】
上記実施形態では、エネルギービームを照射することでタブ積層体に溶接部を形成する例について説明したが、例えば抵抗溶接、超音波溶接等によってタブ積層体に溶接部を形成してもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、２つのタブ１４ｂ及びタブ１７ｂがそれぞれの本体１４ａ及び本体１７ａの一端から同じ方向に突出している例について説明したが、２つのタブ１４ｂ，１７ｂが異なる方向に突出していてもよい。例えば、積層方向から見たときに、一方の本体１４ａにおけるタブ１４ｂが突出している一端と、他方の本体１７ａにおけるタブ１７ｂが突出している一端とが、電極本体２０の側面Ｓ及び側面Ｓに対向する側面の２つの側面にそれぞれ位置していてもよい。この場合、一方のタブ積層体２１は電極本体２０の一方の側面Ｓから突出し、他方のタブ積層体２５は電極本体２０の他方の（側面Ｓとは反対側の）側面から、一方のタブ積層体２５の突出方向とは反対の方向に突出する。このような構成においては、さらに、各タブ１４ｂ，１７ｂの幅（図３に示される例ではＹ軸方向の長さ）が、本体１４ａ，１７ａの幅と同じであってもよい。この場合、例えば矩形状の金属箔の一部に正極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの正極活物質層を形成した部分を本体１４ａとし、正極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１４ｂとすることができる。同様に、矩形状の金属箔の一部に負極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの負極活物質層を形成した部分を本体１７ａとし、負極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１７ｂとすることができる。
【００７１】
また、上記実施形態では、積層型の電極組立体においてタブ積層体に溶接部を形成する例について説明したが、例えば巻回型の電極組立体において巻回されたタブのうち積層状態となっている部分に溶接部を形成する場合でも、同様の手法により溶接時にガスを供給することができる。
【００７２】
また、上記実施形態では、タブ積層体２１，２５の突出方向に沿った面（端面２１ａ，２１ｂ，２５ａ，２５ｂ）に溶接部を形成する例について説明したが、タブ積層体の突出方向と交差する方向に沿った面に溶接部を形成する場合でも、同様の手法により溶接時にガスを供給することができる。例えば図９に示される例では、電極組立体において、タブ積層体１２１，１２５が、電極本体２０の側面Ｓから突出している。タブ積層体１２１の端面１２１ａ，１２１ｂはＸＺ平面に沿う面であり、端面１２１ｃは、タブ積層体１２１の先端に向かうに連れてタブ積層体１２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。Ｙ軸方向における端面１２１ｃの長さは、Ｘ軸方向における端面１２１ａ，１２１ｂの長さよりも長い。タブ積層体１２５の端面１２５ａ，１２５ｂはＸＺ平面に沿う面であり、端面１２５ｃは、タブ積層体１２５の先端に向かうに連れてタブ積層体１２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。Ｙ軸方向における端面１２５ｃの長さは、Ｘ軸方向における端面１２５ａ，１２５ｂの長さよりも長い。タブ積層体１２１は、集電板１６と保護板１２３との間に配置される。タブ積層体１２５は、集電板１６と保護板１２７との間に配置される。
【００７３】
端面１２１ｃ，１２５ｃの長さが端面１２１ａ，１２１ｂ，１２５ａ，１２５ｂよりも長いので、溶接部は、端面１２１ｃ，１２５ｃに設けることが望ましい。そのため、図９示される例では、電極本体２０を覆うようにカバー１００を設ける。カバー１００は、側壁部１０１〜１０４と、それら４つの側壁部１０１〜１０４を繋ぐ天井部１０５とを有する。側壁部１０１は、カバー６０（図５）の側壁部６１と比較して、開口部６１ａ，６１ｂに代えて開口部１０１ａ，１０１ｂが設けられ、噴射口７２ａ等に代えて噴射口１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ，１１１ｄ（以下、「噴射口１１０ａ等」と言う場合もある）が設けられている点において相違する。側壁部１０２〜１０４及び天井部１０５については、側壁部６２〜６４及び天井部６５と同様であるのでここでは説明を繰り返さない。
【００７４】
開口部１０１ａ，１０１ｂは、タブ積層体１２１，１２４をそれぞれ通すための部分である。噴射口１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄは、タブ積層体１２５の端面１２５ｃの溶接箇所に向かって、導入口７１からカバー６０内に導入されたガスを噴射する。図９には図示されないが、カバー６０と同様に、カバー１００内に、ガス供給管、バルブ、ガスタンク及び押圧部材が設けられる。例えば、ガス供給管は、ガスタンクからのガスを噴射口１１０ａ等に供給できるようにカバー６０内に適宜設けられる。噴射口１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄは、端面１２５ｃの長手方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで設けられる。これにより、端面１２５ｃ全体にわたってガスを噴射することができる。噴射口１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ，１１１ｄは、タブ積層体１２１の端面１２１ｃの溶接箇所に向かって、導入口７１からカバー６０内に導入されたガスを噴射する。噴射口１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ，１１１ｄは、端面１２１ｃの長手方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで設けられる。これにより、端面１２１ｃ全体にわたってガスを噴射することができる。
【符号の説明】
【００７５】
３…電極組立体、１４ａ，１７ａ…本体、１４ｂ，１７ｂ…タブ、２０…電極本体、２１，２５…タブ積層体、６０…カバー，７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ…噴射口、７６，７７，７８，７９…ガス供給管、９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ，９５ａ，９５ｂ…バルブ、９７…ガスタンク、９８…押圧部材、Ｓ…側面、Ｗ…溶接部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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