(57)【要約】【課題】有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に到達する水および酸素を低減することができる表示装置の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態は、有機発光ダイオード層を有する第１の基板１１０および第１の基板に対向する第２の基板１２０を備える表示装置１００の製造方法であって、有機発光ダイオード層を取り囲むように第１の基板の上に形成された第１の突起部１３１と、第２の基板の上に形成された第２の突起部１３２とを互いに向かい合わせて接触させるステップと、接触した第１の突起部および第２の突起部に荷重を加えるとともに振動を印加することによって第１の突起部および第２の突起部を接合するステップと、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード層を有する第１の基板、および前記第１の基板に対向する第２の基板を備える表示装置の製造方法であって、
前記有機発光ダイオード層を取り囲むように前記第１の基板の上に形成された第１の突起部と、前記第２の基板の上に形成された第２の突起部とを互いに向かい合わせて接触させるステップと、
接触した前記第１の突起部および前記第２の突起部に荷重を加えるとともに振動を印加することによって前記第１の突起部および前記第２の突起部を接合するステップと、
を有する表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記振動は超音波振動であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記振動の周波数は２０ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の突起部および前記第２の突起部は同一の大きさおよび形状を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記荷重が加えられる方向は、前記第１の基板および前記第２の基板に対し垂直な方向であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の突起部および前記第２の突起部は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の突起部および前記第２の突起部は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｎの単体または合金を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の突起部および前記第２の突起部の幅は、０μｍより大きく１０μｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の突起部は、前記有機発光ダイオード層を覆うバリア層の上に形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
有機発光ダイオード層を有する第１の基板、および前記第１の基板に対向する第２の基板を載置する支持台と、
前記有機発光ダイオード層を取り囲むように前記第１の基板の上に形成された第１の突起部と、前記第２の基板の上に形成された第２の突起部とを互いに向かい合わせて接触させて荷重を加える固定部と、
前記固定部によって前記荷重が加えられた前記第１の突起部および前記第２の突起部に振動を印加することによって、前記第１の突起部および前記第２の突起部を接合する振動発生部と、
を有する表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）現象を利用した有機ＥＬ素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機ＥＬディスプレイが開発されている。有機ＥＬディスプレイは自発光性であるため従来の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のようなバックライトが不要であり、薄型のディスプレイを実現しやすい。また、ＯＬＥＤは低消費電力、高コントラスト、高応答速度であるという利点がある。しかしながら、ＯＬＥＤは有機材料を発光層に用いているため水や酸素に曝されると劣化し、輝度低下や発光不能等の機能不全が発生する。そのため、ＯＬＥＤの発光層の劣化を抑制する技術が求められている。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、ＯＬＥＤが形成された第１の基板とそれに対向する第２の基板とを、ＯＬＥＤを取り囲むように配置された接着剤によって固定する。第１の基板、第２の基板および接着剤によって区画された空間内には乾燥剤が配置され、水によるＯＬＥＤの劣化を抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２８２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において、基板同士の固定に用いられる接着剤は紫外線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂であるため、水および酸素に対するバリア性は金属や無機化合物に比べて低い。そのため、ＯＬＥＤの近傍に乾燥剤を配置したとしても、水および酸素がＯＬＥＤに到達することを十分に抑制することができず、ＯＬＥＤの発光層の劣化が進行しやすい。特許文献１に記載の技術において接着剤を通過してＯＬＥＤに到達する水および酸素を低減するためには、接着剤の幅を広げて水および酸素の侵入経路を長くする必要がある。この場合には接着剤の端部からＯＬＥＤまでの距離を例えば数ｍｍ程度まで大きくすることになるため、ディスプレイの狭額縁化の妨げとなる。
【０００６】
本発明は、上述の問題に鑑みて行われたものであって、ＯＬＥＤに到達する水および酸素を低減することができる表示装置の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、有機発光ダイオード層を有する第１の基板、および前記第１の基板に対向する第２の基板を備える表示装置の製造方法であって、前記有機発光ダイオード層を取り囲むように前記第１の基板の上に形成された第１の突起部と、前記第２の基板の上に形成された第２の突起部とを互いに向かい合わせて接触させるステップと、接触した前記第１の突起部および前記第２の突起部に荷重を加えるとともに振動を印加することによって前記第１の突起部および前記第２の突起部を接合するステップとを有する。
【０００８】
本発明の第２の態様は、表示装置の製造装置であって、有機発光ダイオード層を有する第１の基板、および前記第１の基板に対向する第２の基板を載置する支持台と、前記有機発光ダイオード層を取り囲むように前記第１の基板の上に形成された第１の突起部と、前記第２の基板の上に形成された第２の突起部とを互いに向かい合わせて接触させて荷重を加える固定部と、前記固定部によって前記荷重が加えられた前記第１の突起部および前記第２の突起部に振動を印加することによって、前記第１の突起部および前記第２の突起部を接合する振動発生部とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＯＬＥＤを有する第１の基板とそれに対向する第２の基板とを、第１の基板および第２の基板にそれぞれ設けられた突起部同士に振動を印加することによって接合する。突起部は表示領域を取り囲むように設けられており、振動によって強固に接合されるため、ＯＬＥＤに到達する水および酸素を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置の上面図および断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置の製造装置の側面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る接合方法のフローチャートを示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は各実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１００の上面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線から見た表示装置１００の断面図である。表示装置１００は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備えるＯＬＥＤ基板１１０（第１の基板）と、封止基板１２０（第２の基板）とを備える。図１（ａ）、１（ｂ）に示す表示装置１００に含まれる各部の大きさおよび構成比率は実際の構成を反映しておらず、実際の実装方法に応じて任意に設計されてよい。本実施形態に係る表示装置１００は、封止基板１２０側から光を取り出すトップエミッション型およびＯＬＥＤ基板１１０側から光を取り出すボトムエミッション型のどちらでもよい。
【００１３】
ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０は互いに平行に配置された矩形の平板であり、接合部１３０によって互いに固定されている。ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０は矩形の平板に限られず、円形、多角形等の任意の形状でよく、また湾曲または屈曲した板でよい。
【００１４】
封止基板１２０は、石英、ガラス、シリコン、金属等の無機物質や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド等の樹脂からなる基板である。表示装置１００がトップエミッション型である場合には、封止基板１２０は光を透過する材料で構成される。
【００１５】
ＯＬＥＤ基板１１０は、基板１１１上に、複層バリア層１１２、薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）１１３、有機発光ダイオード層（ＯＬＥＤ層）１１４、および高バリア層１１５を備える。基板１１１は、石英、ガラス、シリコン、金属等の無機物質や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド等の樹脂からなる基板である。表示装置１００がボトムエミッション型である場合には、基板１１１は光を透過する材料で構成される。
【００１６】
ＴＦＴ層１１３は、ＯＬＥＤ層１１４への電圧供給を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。ＴＦＴは、ｐ型およびｎ型のどちらでもよく、半導体層および電極を含む周知の構成を有する。ＴＦＴの半導体層は、例えばアモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化物のうち少なくとも１つの材料を用いて形成される。ＴＦＴは、不図示の制御装置から電極を介して所定の電圧を与えられると、ＯＬＥＤ層１１４に電圧を供給する。ＴＦＴ層１１３に含まれるＴＦＴの数および配置は、表示装置１００の構成に応じて任意に設計される。特に表示装置１００がボトムエミッション型である場合には、ＴＦＴ層１１３に含まれる電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の光を透過する導電性材料で構成される。
【００１７】
ＯＬＥＤ層１１４は、発光層であって、ＴＦＴ層１１３から供給された電圧に応じて発光するＯＬＥＤ（すなわち、有機ＥＬ素子）を含む。ＯＬＥＤは有機発光層および電極を含む周知の構成を有する。有機発光層は、例えば色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料のうち少なくとも１つを用いて形成される。ＯＬＥＤ層１１４に含まれるＯＬＥＤの数および配置は、表示装置１００の構成に応じて任意に設計される。特に表示装置１００がトップエミッション型である場合には、ＯＬＥＤ層１１４に含まれる電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の光を透過する導電性材料で構成される。
【００１８】
複層バリア層１１２は、酸素および水に対するバリア性を有する金属、無機化合物およびポリマーのうち少なくとも１つからなる膜を２層以上積層した構造を備える。高バリア層１１５は、酸素および水に対するバリア性を有する金属、無機化合物およびポリマーのうち少なくとも１つからなる膜を備える。複層バリア層１１２はＴＦＴ層１１３およびＯＬＥＤ層１１４の基板１１１側を覆っており、高バリア層１１５はＴＦＴ層１１３およびＯＬＥＤ層１１４の封止基板１２０側およびそれらの端面を覆っている。このような構成により、ＴＦＴ層１１３およびＯＬＥＤ層１１４に酸素および水が到達することが抑制されている。
【００１９】
高バリア層１１５上に、第１の突起部１３１が形成されている。第１の突起部１３１は、高バリア層１１５の表面に沿って高バリア層１１５の周縁部を一周してＯＬＥＤ層１１４を取り囲むように設けられている。また、封止基板１２０上に、第２の突起部１３２が形成されている。ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０に垂直な方向から見た際に、第２の突起部１３２は第１の突起部１３１と同一の大きさおよび形状を有している。そのためＯＬＥＤ基板１１０の第１の突起部１３１側の面と封止基板１２０の第２の突起部１３２側の面とを向かい合わせて近付けると、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は互いに完全に重なる。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２が重なった状態で後述の接合方法を用いて第１の突起部１３１および第２の突起部１３２を一体化させることによって、接合部１３０が形成される。
【００２０】
第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は、金属を用いて構成されている。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２を構成する金属は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｎの単体または合金である。
【００２１】
第１の突起部１３１および第２の突起部１３２はそれぞれ薄膜状またはリブ状である。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２はそれぞれ、接合部１３０になった際に酸素および水の侵入を防ぐことができる所定の幅を有する。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は酸素および水に対するバリア性に優れている金属を用いて構成されているため、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の幅が０μｍより大きく１０μｍ未満の狭さであっても、酸素および水を抑制する効果が得られる。より好ましくは、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の幅は１０μｍ以上１００μｍ未満である。
【００２２】
第１の突起部１３１および第２の突起部１３２はそれぞれ、ＯＬＥＤ基板１１０と封止基板１２０との間に所定の距離を設けるための所定の高さを有する。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の高さは、接合部１３０を形成した際に少なくともＯＬＥＤ基板１１０と封止基板１２０とが接触しない高さである。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の高さは互いに異なってよい。
【００２３】
第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は、任意の方法で形成されてよい。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は、例えば物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）等の蒸着法、あるいは金属インクを用いたスクリーン印刷、インクジェット、凸版、ディスペンス等の印刷法によって形成される。
【００２４】
ここに示したＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０の構成は一例であり、表示装置１００の実際の構成に応じて構成要素の追加または除去が行われてよい。本実施形態では第１の突起部１３１は高バリア層１１５上に設けられているが、これに限られず、ＯＬＥＤ層１１４の外周を取り囲んで設けられていればよい。第１の突起部１３１は、例えば基板１１１、複層バリア層１１２あるいは不図示のその他の層の上に設けられてよい。
【００２５】
ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０は外力に応じて変形可能に構成されてよい。より具体的には、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０の少なくとも一方は、変形可能なフレキシブル基板として実装されてよい。その場合には、ＯＬＥＤ基板１１０の基板１１１および封止基板１２０は、ポリイミド等の樹脂からなるフィルムを用いて構成される。
【００２６】
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の製造装置２００の側面図である。製造装置２００は、支持台２１０、振動発生部２２０、および固定部２３０を備える。支持台２１０は、製造中の表示装置１００を載置するための台である。支持台２１０にはモータ、マニピュレータ等の任意の駆動部（不図示）が設けられ、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０を独立して移動させて位置合わせを行うことができる。
【００２７】
振動発生部２２０は、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２が接合される所定の周波数で振動を発生させる装置である。振動発生部２２０が発生させる振動の周波数は、超音波領域、すなわち２０ｋＨｚ以上であることが望ましい。
【００２８】
振動発生部２２０には、製造中の表示装置１００に荷重を加えて固定する固定部２３０が接続される。固定部２３０は、振動発生部２２０からの振動を表示装置１００に伝搬させるホーン２３１と、表示装置１００に荷重を加えるヘッド２３２を含む。ホーン２３１は、振動発生部２２０によって発生された振動をヘッド２３２に効率よく伝搬させるための導波器である。ヘッド２３２は封止基板１２０の上面に接触し、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に対して、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０に垂直な方向に所定の大きさの荷重を加える。ヘッド２３２による荷重の大きさは、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に振動を加える際に、少なくとも第１の突起部１３１および第２の突起部１３２がずれない値以上である。ホーン２３１およびヘッド２３２を介して第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に印加される振動の振動方向は、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０に対して平行な方向である。
【００２９】
固定部２３０によって製造中の表示装置１００を固定している状態で振動発生部２２０から所定の周波数の振動を発生させると、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２が接合され、接合部１３０が形成される。振動発生部２２０から特に超音波領域、すなわち２０ｋＨｚ以上の周波数の振動を発生させることによって、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に大きなエネルギーを与えて超音波接合を行うことができる。これにより、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の界面が強固に接合され、酸素および水の浸入を十分に抑制可能な接合部１３０が形成される。
【００３０】
超音波接合技術では、２つの金属材料の接触部に荷重を加え、かつ振動を印加することにより、接触部の界面の凸凹が振動によって平滑化、清浄化され、接合界面同士が接触して原子間引力等により原子レベルで接合される。すなわち超音波接合によって形成される接合部１３０は従来の接着剤よりも強固であるため、その幅が１０μｍ未満の小ささでも酸素および水の浸入を十分に防ぐことができる。そのため、ＯＬＥＤ層１１４の周囲に酸素および水の浸入を防ぐための余剰領域を設ける必要がなく、狭額縁の表示装置１００を実現することができる。
【００３１】
次に図３（ａ）〜３（ｃ）および図４を参照して本実施形態に係る接合方法を説明する。図３（ａ）〜３（ｃ）は、本実施形態に係る接合方法の各タイミングにおける図１（ａ）のＡ−Ａ線から見た表示装置１００の断面図である。図４は、本実施形態に係る接合方法のフローチャートを示す図である。図４に示す接合方法は、表示装置１００の製造方法に含まれる。図３（ａ）は、図４におけるステップＳ１１に対応する断面図である。図３（ｂ）は、図４におけるステップＳ１２に対応する断面図である。図３（ｃ）は、図４におけるステップＳ１３に対応する断面図である。
【００３２】
まず、製造装置２００は、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０を位置合わせする（ステップＳ１１）。位置合わせは、第１の突起部１３１と第２の突起部１３２とが対向する位置となるように、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０の少なくとも一方を移動させることにより行われる。上述の位置は、例えば、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０に形成された位置合わせ用のマークを製造装置２００に設けられたカメラ等で撮影して画像を取得し、撮影された画像からマークの座標を算出することで取得可能である。位置合わせのための基板の移動、マークの撮影、画像認識、座標算出等の処理は、周知の技術を用いて行うことができる。なお、位置合わせ用のマークを明示的に設けず、基板のエッジ等の形状を位置合わせ用の位置情報の取得に用いてもよい。
【００３３】
次に製造装置２００は、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０を近付け、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２を互いに接触させる（ステップＳ１２）。ステップＳ１１〜Ｓ１２におけるＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０の配置は、ユーザによって手動で行われてもよい。
【００３４】
次に製造装置２００は、固定部２３０（すなわちホーン２３１およびヘッド２３２）を用いて第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に所定の大きさの荷重を加えるとともに、振動発生部２２０によって発生された所定の周波数の振動を第１の突起部１３１および第２の突起部１３２に固定部２３０を介して印加する（ステップＳ１３）。これにより、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は振動によって接合され、接合部１３０が形成される。
【００３５】
ステップＳ１３の接合時において、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２を常温よりも高い温度に加熱してもよい。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の接触部を高温にすることにより、振動の印加等による接合の形成がより促進され得る。しかしながら、加熱をしなくても十分な接合強度が得られる場合には、加熱は必須ではない。なお、上述の加熱においては、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の両方を加熱してもよく、一方のみを加熱してもよい。また、ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０全体を加熱してもよく、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２付近のみを局所的に加熱してもよい。
【００３６】
ステップＳ１３の接合は、仮接合と本接合の２段階の工程に分けて行われてもよい。仮接合は、本接合に先立って、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の少なくとも一部を短時間で接合することで、本接合を行うまでの間に位置合わせした位置がずれないようにするための工程である。本接合は、比較的長い時間をかけて接合を行うことで、接合状態をより確実なものとするための工程である。製造装置２００において、位置合わせおよび仮接合を行う部分と本接合を行う部分とを分けて実装することで、位置合わせおよび仮接合と本接合とを並行して行うことができるため、処理が高速化し得る。
【００３７】
上述の特許文献１に記載の技術はＯＬＥＤを樹脂の接着剤で取り囲む構成であるため、酸素および水の侵入を十分に抑制するためには接着剤の幅を大きくする必要がある。したがって、特許文献１に記載の技術では、ＯＬＥＤに酸素および水の侵入を抑制する効果が十分ではなく、狭額縁の表示装置を実現することは難しかった。それに対して、本実施形態に係る製造方法は、金属を用いて形成された第１の突起部１３１および第２の突起部１３２を振動（特に超音波振動）によって接合するため、ＯＬＥＤ層１１４の周囲を取り囲む強固な接合部１３０を形成する。このような構成により、酸素および水の浸入によるＯＬＥＤ層１１４の劣化を従来よりも効果的に抑制することができる。さらに、接合部１３０の幅を小さくすることができるため、狭額縁の表示装置１００を実現することができる。
【００３８】
（第２の実施形態）
第１の実施形態に係る表示装置１００ではＯＬＥＤ層１１４を覆う高バリア層１１５の上に接合部１３０が形成される。それに対して、本実施形態に係る表示装置３００では高バリア層１１５が省略され、基板１１１上に接合部１３０が直接設けられる。表示装置３００の製造方法は第１の実施形態と同様である。
【００３９】
図５は、本実施形態に係る表示装置３００の断面図である。図５の断面図は、図１（ａ）のＡ−Ａ線から表示装置３００を見たものである。表示装置３００は第１の実施形態と同様にＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０を備えるが、ＯＬＥＤ基板１１０の構成のみ第１の実施形態と異なる。
【００４０】
ＯＬＥＤ基板１１０は、基板１１１上に、ＴＦＴ層１１３およびＯＬＥＤ層１１４を備える。すなわち、第１の実施形態の表示装置１００の構成から複層バリア層１１２および高バリア層１１５が省略されている。さらに基板１１１上に、第１の突起部１３１が直接形成されている。第１の突起部１３１は、基板１１１の表面に沿って基板１１１の周縁部を一周してＯＬＥＤ層１１４を取り囲むように設けられている。また、封止基板１２０上に、第２の突起部１３２が形成されている。ＯＬＥＤ基板１１０および封止基板１２０に垂直な方向から見た際に、第２の突起部１３２は第１の突起部１３１と同一の大きさおよび形状を有している。ＯＬＥＤ基板１１０の第１の突起部１３１側の面と封止基板１２０の第２の突起部１３２側の面とを向かい合わせて近付けると、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は互いに完全に重なる。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２は、第１の実施形態と同様に超音波接合が行われることによって接合部１３０を形成する。
【００４１】
本実施形態において、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の高さは、第１の突起部１３１および第２の突起部１３２が接合部１３０を形成した際に少なくともＯＬＥＤ層１１４と封止基板１２０とが接触しない高さである。第１の突起部１３１および第２の突起部１３２の高さは互いに異なってよい。
【００４２】
本実施形態では、接合部１３０の端面の外側を超音波接合によって形成された接合部１３０が取り囲んでいる。そのため、ＯＬＥＤ基板１１０、封止基板１２０および接合部１３０によって区画された空間に酸素および水が侵入することを抑制することができるため、複層バリア層１１２および高バリア層１１５が省略された構成であってもＯＬＥＤ層１１４の劣化を効果的に抑制することができる。
【００４３】
本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１００、３００  表示装置
１１０  ＯＬＥＤ基板
１１４  ＯＬＥＤ層
１２０  封止基板
１３１  第１の突起部
１３２  第２の突起部
２００  製造装置
２１０  支持台
２２０  振動発生部
２３０  固定部
【図１】
2018018756.tif 000003
【図２】
2018018756.tif 000004
【図３】
2018018756.tif 000005
【図４】
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【図５】
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