(57)【要約】【課題】レーザＣＶＤ法により形成される配線の低抵抗化を実現する配線修正装置および配線修正方法を提供する。【解決手段】ＣＶＤ用原料ガスに表面を晒した修正用基板に、ＣＶＤ用レーザ発振器で発振させたＣＶＤ用のレーザ光を照射して修正用基板のレーザ照射面でＣＶＤ用原料ガスを光分解させ、レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成する配線修正装置であって、改質用レーザ発振器を備え、改質用レーザ発振器は、ＣＶＤ用のレーザ光と波長が異なる、改質用のレーザ光を発振し、修正用金属の溶融させた後に固化させることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ用原料ガスに表面を晒した修正用基板に、ＣＶＤ用レーザ発振器で発振させたＣＶＤ用レーザ光を照射して前記修正用基板のレーザ照射面でＣＶＤ用原料ガスを光分解させ、前記レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成する配線修正装置であって、
改質用レーザ発振器を備え、
前記改質用レーザ発振器は、前記ＣＶＤ用レーザ光と波長が異なる、前記修正用金属の溶融を可能とする改質用レーザ光を、発振する、
配線修正装置。
【請求項２】
前記ＣＶＤ用レーザ光と、前記改質用レーザ光と、を前記修正用基板の同一領域に照射可能とする光学系を備える、
請求項１に記載の配線修正装置。
【請求項３】
前記ＣＶＤ用レーザ光と、前記改質用レーザ光と、が同時に発振されるように設定されている、
請求項１または請求項２に記載の配線修正装置。
【請求項４】
前記ＣＶＤ用レーザ光を照射して前記修正用金属配線を形成した後に、前記改質用レーザ光が前記修正用金属配線を照射するように設定されている、
請求項１または請求項２に記載の配線修正装置。
【請求項５】
前記ＣＶＤ用レーザ光は紫外レーザであり、前記改質用レーザ光はパルス発振される赤外レーザである、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線修正装置。
【請求項６】
前記ＣＶＤ用レーザ発振器と前記改質用レーザ発振器は、２波長出力レーザ発振器に含まれ、前記ＣＶＤ用レーザ光と前記改質用レーザ光とを同時または個別に発振可能である、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の配線修正装置。
【請求項７】
前記ＣＶＤ用原料ガスは、Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６から選ばれる、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の配線修正装置。
【請求項８】
修正用基板の表面をＣＶＤ用原料ガスに晒し、ＣＶＤ用レーザ光を前記修正用基板に照射して前記修正用基板のレーザ照射面で原料ガスを光分解させて、前記レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成するＣＶＤ工程と、
前記ＣＶＤ用レーザ光と波長が異なる改質用レーザ光を、前記修正用金属に照射して前記修正用金属を溶融させる改質工程と、
を備える、
配線修正方法。
【請求項９】
前記ＣＶＤ工程と、前記改質工程と、を同時に行う、
請求項８に記載の配線修正方法。
【請求項１０】
前記ＣＶＤ用レーザ光は紫外レーザであり、前記改質用レーザ光は赤外レーザある、
請求項８または請求項９に記載の配線修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線修正装置および配線修正方法に関し、さらに詳しくは、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、基板表面に修正用金属配線を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどのＦＰＤ（Flat Panel Display）は、例えば、多くの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）や多くの微細な配線パターンなどが形成されたＴＦＴ基板を備える。ＦＰＤの製造工程において、ＴＦＴ基板上の配線パターンに欠陥がある場合には、リペア処理を行っている。このようなリペア処理としては、例えば、特許文献１に開示された断線修正方法を用いた処理が知られている。この断線修正方法では、断線が発生した箇所において、レーザＣＶＤ法により選択的に導電膜を形成して配線を接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１７７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＦＰＤは、高精細化ならびに大画面化が進んでいる。ＦＰＤは、高精細化に伴って画素サイズや配線幅寸法が小さくなっている。ＦＰＤは、大画面化に伴って画素数が増加している。このような画素数の増加などの要因により、ＦＰＤのリフレッシュレートが高周波化している。リフレッシュレートが高周波化すると、ＦＰＤの駆動電流が増大する。例えば、有機ＥＬディスプレイにおいても、駆動方式が電流駆動方式であるため、ＴＦＴ基板の駆動電流が増加する。このような駆動電流の増加に伴い、ＴＦＴ基板の配線には低抵抗化が要求されている。同様に、配線の修正箇所に形成する修正用金属配線も低抵抗化が要求されている。上記のレーザＣＶＤ法によって形成された配線は、粒子状金属塊の集合した状態であるため、金属本来の抵抗値に近づけることが困難であった。
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、レーザＣＶＤ法により形成される修正用金属配線の低抵抗化を実現する配線修正装置および配線修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、ＣＶＤ用原料ガスに表面を晒した修正用基板に、ＣＶＤ用レーザ発振器で発振させたＣＶＤ用レーザ光を照射して修正用基板のレーザ照射面でＣＶＤ用原料ガスを光分解させ、レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成する配線修正装置であって、改質用レーザ発振器を備え、この改質用レーザ発振器は、ＣＶＤ用レーザ光と波長が異なる、修正用金属の溶融を可能とする改質用レーザ光を、発振する構成である。
【０００７】
上記態様としては、ＣＶＤ用レーザ光と、改質用レーザ光と、を修正用基板の同一領域に照射可能とする光学系を備えることが好ましい。
【０００８】
上記態様としては、ＣＶＤ用レーザ光と、改質用レーザ光と、が同時に発振されるように設定されていることが好ましい。
【０００９】
上記態様としては、ＣＶＤ用レーザ光を照射して修正用金属配線を形成した後に、改質用レーザ光が修正用金属配線を照射するように設定されていることが好ましい。
【００１０】
上記態様としては、ＣＶＤ用レーザ光が紫外レーザであり、改質用レーザ光がパルス発振される赤外レーザであることが好ましい。
【００１１】
上記態様としては、ＣＶＤ用レーザ発振器と改質用レーザ発振器が、２波長出力レーザ発振器に含まれ、ＣＶＤ用レーザ光と改質用レーザ光とを同時または個別に発振可能であることが好ましい。
【００１２】
上記態様としては、ＣＶＤ用原料ガスが、Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６から選ばれることが好ましい。
【００１３】
本発明の他の態様は、配線修正方法であって、修正用基板の表面をＣＶＤ用原料ガスに晒し、ＣＶＤ用レーザ光を修正用基板に照射して修正用基板のレーザ照射面で原料ガスを光分解させて、レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成するＣＶＤ工程と、ＣＶＤ用レーザ光と波長が異なる改質用レーザ光を、修正用金属に照射して修正用金属を溶融させる改質工程と、を備える。
【００１４】
上記配線修正方法の態様としては、ＣＶＤ工程と、改質工程と、を同時に行うことが好ましい。
【００１５】
上記配線修正方法の態様としては、ＣＶＤ用レーザ光が紫外レーザであり、改質用レーザ光がパルス発振される赤外レーザであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、レーザＣＶＤ法により形成される修正用金属配線の低抵抗化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置の構成図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置を構成する修正配線形成部（レーザＣＶＤ装置）の断面説明図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置を用いて第１の配線修正方法を適用して修正用金属配線を形成する工程を示す説明図である。
【図４−１】図４−１は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置を用いて第２の配線修正方法を適用して未改質修正用金属配線を形成する工程を示す説明図である。
【図４−２】図４−２は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置を用いて第２の配線修正方法を適用して未改質修正用金属配線を溶融・固化させて修正用金属配線に変化させる工程を示す説明図である。
【図４−３】図４−３は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置を用いて第２の配線修正方法を適用して修正用金属配線を形成する工程を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の第2の実施の形態に係る配線修正装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態に係る配線修正装置および配線修正方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る配線修正装置１を示している。この配線修正装置１は、光学系本体２と、修正配線形成部３と、制御部４と、を備えている。本実施の形態に係る配線修正装置１では、光学系本体２および修正配線形成部３は、位置決め機構としてのガントリステージ５に搭載されている。
【００２０】
この配線修正装置１は、修正用基板６の配線修正を行う。修正用基板６としては、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示デバイスを構成するＴＦＴ基板や、半導体基板などを適用できる。本実施の形態では、修正用金属はタングステン（Ｗ）である。タングステンでなる修正用金属配線６０は、配線修正装置１を用いて、レーザＣＶＤ法により形成される。
【００２１】
ガントリステージ５は、図示しない基台の上に搭載され、この基台の上に、修正用基板６を配置するテーブル７が設けられている。ガントリステージ５は、ガントリステージ駆動部８により、光学系本体２および修正配線形成部３を、テーブル７に対して図示しないＸ−Ｙ方向に移動させる動作を行う。すなわち、光学系本体２および修正配線形成部３は、修正用基板６に対して移動可能となっている。
【００２２】
（光学系本体）
以下、図１を用いて光学系本体２の概略構成を説明する。光学系本体２は、光源９と、光学系１０と、を備えている。
【００２３】
光源９は、ＣＶＤ用レーザ発振器１１と、改質用レーザ発振器１２と、の２つの発振器を備えている。本実施の形態の光学系本体２では、ＣＶＤ用レーザ発振器１１と、改質用レーザ発振器１２とを同時に駆動してもよいし、ＣＶＤ用レーザ発振器１１を駆動してレーザＣＶＤ法を行った後に、改質用レーザ発振器１２を用いて改質工程を行ってもよい。
【００２４】
ＣＶＤ用レーザ発振器１１は、ＣＶＤ用レーザ光として、例えば波長３５５ｎｍの紫外レーザを発振させる。改質用レーザ発振器１２は、改質用レーザ光として、上記紫外レーザと波長が異なる、例えば波長１０６４ｎｍの赤外レーザをパルス発振させる。ＣＶＤ用レーザ発振器１１から発振されるＣＶＤ用レーザビームＬ１と、改質用レーザ発振器１０から発振される改質用レーザビームＬ２は、同一方向に向けて出射される。なお、本発明は、ＣＶＤ用レーザ光としての作用と改質用レーザ光としての作用を有するレーザ光の組み合わせであれば、上記レーザ光の組み合わせに限定されない。
【００２５】
紫外レーザは、ＴＨＧ（Third Harmonic Generation：第３高調波）レーザとも称される。本実施の形態では、この紫外レーザをＣＶＤ用レーザ光として用いるため、修正用基板６上の各部材に熱ストレスをかけずに微細な領域での選択的な修正用金属配線６０の形成を可能としている。
【００２６】
赤外レーザは、透明体を透過するため、後述する修正配線形成部３のガラス窓部３２にダメージを与えることなく修正用基板６の表面に照射できる。なお、赤外レーザは、ＩＲ（infrared）レーザとも称される。この赤外レーザは、パルス発振させることで、後述する改質工程において、修正用金属を瞬間的に溶融させることが可能である。
【００２７】
図１に示すように、光学系１０は、第１ビームエキスパンダ１３と、第１アッテネータ１４と、第２ビームエキスパンダ１５と、第２アッテネータ１６と、第１ミラー１７と、波長選択ミラー１８と、第２ミラー１９と、スリット２０と、無限遠補正レンズ２１と、対物レンズ２２と、を備えている。
【００２８】
第１ビームエキスパンダ１３は、ＣＶＤ用レーザビームＬ１のビーム径を適切に拡大する。第１アッテネータ１４は、第１ビームエキスパンダ１３を通過したＣＶＤ用レーザビームＬ１のパワーレベルを適切に調整する。第２ビームエキスパンダ１５は、改質用レーザビームＬ２のビーム径を適切に拡大する。第２アッテネータ１６は、第２ビームエキスパンダ１５を通過した改質用レーザビームＬ２のパワーレベルを適切に調整する。第１ミラー１７は、第２アッテネータ１６を通過した改質用レーザビームＬ２を反射する。
【００２９】
波長選択ミラー１８は、ＣＶＤ用レーザ発振器１１と改質用レーザ発振器１２とが同時に駆動されたときに、第１ミラー１７で反射された改質用レーザビームＬ２を反射し、ＣＶＤ用レーザビームＬ１を通過させることができる。すなわち、波長選択ミラー１８では、ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２とを混合ビームにすることができる。第２ミラー１９は、波長選択ミラー１８を通過したＣＶＤ用レーザビームＬ１や改質用レーザビームＬ２を、修正配線形成部３側へ向けて反射する。スリット２０は、第２ミラー１９を通過したＣＶＤ用レーザビームＬ１や改質用レーザビームＬ２のビーム径を適切に調整する。無限遠補正レンズ２１は、スリット２０を通過したＣＶＤ用レーザビームＬ１や改質用レーザビームＬ２を無限遠補正する。対物レンズ２２は、ＣＶＤ用レーザビームＬ１や改質用レーザビームＬ２を修正配線形成部３側へ出射する。
【００３０】
なお、対物レンズ２２は、修正用基板６の表面でのＣＶＤ用レーザビームＬ１や改質用レーザビームＬ２のビーム径を最終的に決定する。この対物レンズ２２は、修正用基板６の表面に形成される配線の幅寸法に応じて倍率の異なる他の対物レンズに交換可能である。
【００３１】
（修正配線形成部）
次に、図２を用いて修正配線形成部３の構成について周知の構成も含めて簡単に説明する。この修正配線形成部３は、レーザＣＶＤ装置であり、修正用金属としてのタングステン（Ｗ）でなる修正用金属配線６０をレーザＣＶＤ法により形成する装置である。
【００３２】
修正配線形成部３は、板状の形成部本体３１の中央部にガラス窓部３２が設けられている。形成部本体３１のガラス窓部３２の下面側に、ＣＶＤ用原料ガスを溜める空間を形成する凹部３３が形成されている。この凹部３３を取り囲むように、複数の排気管３４の端部３４Ａが形成部本体３１の下面で開口するように設けられている。これら排気管３４は、矢印Ｅ方向に排気を行う。なお、本実施の形態では、複数の排気管３４を形成部本体３１の下面で端部を開口するように設けたが、凹部３３を周回するように溝を設け、この溝の底部に複数の開口部を設け、これらの開口部が１つの排気管３４に連通するように形成してもよい。図２に示すように、開口部３４Ａから空気を吸い込ませることで、形成部本体３１と修正用基板６との間隙に凹部３３を取り囲む空気層Ａを形成できる。
【００３３】
形成部本体３１の凹部３３内には、ＣＶＤ用原料ガスを供給する原料ガス供給管３５と、パージガスを供給するパージガス供給管３６が連通している。ＣＶＤ用原料ガスとしては、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）を用いる。この配線形成部３では、空気が排気管３４の端部３４Ａから吸い込まれることにより層流が発生して、凹部３３の周囲を空気層Ａで取り囲まれた空間ができるため、ＣＶＤ用原料ガスをガラス窓部３２の下の微細な空間のみに供給できる。このため、修正用基板６が大型なものであっても、大型のＣＶＤ用チャンバを用いる必要がない。
【００３４】
図２に示すように、修正配線形成部３のガラス窓部３２は、光学系本体２の対物レンズ２２の下方に位置するように設定されている。図１に示すように、修正配線形成部３は、このような位置関係を保持して光学系本体２と共にガントリステージ５に設けられている。
【００３５】
（第１の配線修正方法：ＣＶＤ用レーザ発振器と改質用レーザ発振器との同時駆動）
次に、本実施の形態に係る配線修正装置１を用いた第１の配線修正方法およびその作用・効果について説明する。
【００３６】
まず、図１に示すように、テーブル７の上に修正用基板６を配置する。次に、制御部４は、配線欠陥箇所のデータに基づいて修正用基板６上に修正用金属配線６０を形成する始点となる位置の上方に、修正配線形成部３のガラス窓部３２が対応するようにガントリステージ駆動部８を制御してガントリステージ５を移動させる。
【００３７】
次に、制御部４は、ＣＶＤ用レーザ発振器１１および改質用レーザ発振器１２を制御して、ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２を同時に発振させる。ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２とは、波長選択ミラー１８で同じ光路となるように混合ビームとなる。この混合ビームは、第２ミラー１９で下方に反射され、スリット２０、無限遠補正レンズ２１、対物レンズ２２、および修正配線形成部３のガラス窓部３２を通過して修正用基板６の修正用金属配線６０を形成する始点（図３に符号Ｓで示す）位置を照射する。
【００３８】
このとき、修正配線形成部３の排気管３４での排気、原料ガス供給管３５およびパージガス供給管３６からの各ガスの導入が制御されている。この状態で、光学系本体２と修正配線形成部３を移動させて、混合ビームを修正用基板６上で修正用金属配線６０の形成が終了する終点（図３に符号Ｆで示す）位置まで移動させることにより、タングステンが堆積してなる修正用金属配線６０を形成できる。すなわち、図２に示すように、修正配線形成部３の形成部本体３１の下面側の凹部３３付近にＣＶＤ用原料ガスが常時供給されているため、混合ビームの移動軌跡に沿って修正用金属配線６０を形成できる。
【００３９】
本実施の形態に係る配線修正装置１では、対物レンズ２２から修正用基板６へ、ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２とを同時に供給できるため、修正用基板６上に堆積したタングステンを瞬間的に改質用レーザビームＬ２で溶融させることができる。図３は、修正用基板６上の修正用金属配線６０の始点位置ＳにＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２とを同時に供給した後、矢印Ｍで示す方向へこれら混合ビームを移動させた状態を示す。この配線修正方法では、ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２の移動する軌道を一致させることができる。また、この配線修正方法では、同時にＣＶＤ工程と改質工程とを行うため、修正に要する時間を短縮できる。
【００４０】
本実施の形態に係る配線修正装置１によれば、修正用基板６上に形成された修正用金属配線６０は、改質用レーザビームＬ２によって溶融されて緻密な結晶構造となっている。したがって、この配線修正装置１によれば、修正用金属配線６０を低抵抗化することができる。
【００４１】
本実施の形態に係る配線修正装置１によれば、上記構成としたことにより、ＣＶＤ用レーザ光と改質用レーザ光とを光学系１０によって、修正用基板６の同一領域に混合ビームとして照射できる。このため、光学系本体２および修正配線形成部３を設けたガントリステージ５を移動させるだけで、ＣＶＤ加工位置と改質加工位置とがずれることなく、確実に改質処理を施すことができる。
【００４２】
（第２の配線修正方法：ＣＶＤ用レーザ発振器と改質用レーザ発振器とを個別駆動）
第２の配線修正方法は、ＣＶＤ用レーザ発振器１１を単独で駆動してレーザＣＶＤ法によるタングステンの堆積を行った後、改質用レーザ発振器１２を単独で駆動して、タングステンの改質を行う。
【００４３】
図４−１から図４−３は、第２の配線修正方法を示す工程図である。第２の配線修正方法では、図４−１に示すように、ＣＶＤ用レーザビームＬ１のみを照射して始点（符号Ｓで示す）位置から終点（符号Ｆで示す）位置までの軌跡に沿って、未改質修正用金属配線６１を形成する。
【００４４】
次に、図４−２に示すように、改質用レーザビームＬ２のみを上記軌跡に沿って未改質修正用金属配線６１を照射して、未改質修正用金属配線６１を溶融させて結晶構造を緻密化した状態で固化させる。このようにして、図４−３に示すような、緻密で低抵抗なタングステンでなる、修正用金属配線６０を形成できる。
【００４５】
このような第２の配線修正方法では、ＣＶＤ工程を繰り返すことにより、未改質修正用金属配線６１を積み重ねて配線高さを確保した後に、改質工程を施すことも可能である。また、第２の配線修正方法では、未改質修正用金属配線６１に改質用レーザ光を複数回照射してもよい。この場合、タングステンが粒子状に堆積している未改質修正用金属配線６１を確実に溶融・固化することができ、修正用金属配線６０をバルク化することができ、配線抵抗値を大幅に低減させることが可能である。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る配線修正装置１Ａを示している。この配線修正装置１Ａでは、光源としての２波長出力レーザ発振器２３を備えることが、上記第１の実施の形態に係る配線修正装置１と主に異なる構成である。２波長出力レーザ発振器２３は、ＣＶＤ用レーザ発振器と前記改質用レーザ発振器を兼ね備えて含む構成である。２波長出力レーザ発振器２３は、ＣＶＤ用レーザ光と改質用レーザ光を、同時または個別に発振可能なレーザデバイスを用いることができる。本実施の形態においても、ＣＶＤ用レーザ光としては紫外レーザを用い、改質用レーザ光としては赤外レーザを用いる。
【００４７】
図５に示すように、この配線修正装置１Ａは、２波長出力レーザ発振器２３から発振させたＣＶＤ用レーザビームＬ１通過させ、かつ改質用レーザビームＬ２を反射させる波長選択ミラー２４と、波長選択ミラー２４で反射された改質用レーザビームＬ２を反射させてＣＶＤ用レーザビームＬ１と平行な光路とする第３ミラー２５と、を備える。本実施の形態に係る配線修正装置１Ａの他の構成は、上記した第１の実施の形態に配線修正装置１と同一であるため説明を省略する。本実施の形態の配線修正装置１Ａにおいても、ＣＶＤ用レーザビームＬ１と改質用レーザビームＬ２を同時に照射する第１の配線修正方法や、ＣＶＤ工程の後に改質工程を行う第２の配線修正方法を適用することができる。
【００４８】
（その他の実施の形態）
以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、これら実施の形態および実施例の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００４９】
例えば、上記の各実施の形態では、タングステン（Ｗ）を修正用金属として用いたが、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）を適用することも可能である。その場合、ＣＶＤ用原料ガスとしては、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）６）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）６）を用いる。
【００５０】
上記の各実施の形態では、ガントリステージ５を駆動させて光学系本体２および修正配線形成部３をＸ−Ｙ方向に移動させたが、修正用基板６側がＸ−Ｙ方向に移動する構成としてもよい。
【００５１】
上記の各実施の形態では、ＣＶＤレーザ光として紫外レーザを用いたが、ＦＨＧレーザ（第４高調波発生レーザ）を用いてもよい。また、上記の各実施の形態では、改質用レーザ光として赤外レーザを用いたが、ＳＨＧレーザを用いてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１，１Ａ  配線修正装置
２  光学系本体
３  修正配線形成部
５  ガントリステージ
６  修正用基板
８  ガントリステージ駆動部
９  光源
１０  光学系
１１  ＣＶＤ用レーザ発振器
１２  改質用レーザ発振器
２３  ２波長出力レーザ発振器
３１  形成部本体
３２  ガラス窓部
３５  原料ガス供給管
６０  修正用金属配線
６１  未改質修正用金属配線
Ｌ１  ＣＶＤ用レーザビーム
Ｌ２  改質用レーザビーム
【図１】
2018111855.tif 000003
【図２】
2018111855.tif 000004
【図３】
2018111855.tif 000005
【図４−１】
2018111855.tif 000006
【図４−２】
2018111855.tif 000007
【図４−３】
2018111855.tif 000008
【図５】
2018111855.tif 000009