(57)【要約】【課題】薄型化を図りながら、反りを抑制することのできるフレキシブル配線回路基板、その製造方法および撮像装置を提供すること。【解決手段】実装基板１は、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを厚み方向一方側に向かって順に備える。ベース絶縁層４の下面の全ては、下方に向かって露出する。ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚みが、１６μｍ以下である。ベース絶縁層４は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、導体パターンと、第２絶縁層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第１絶縁層の厚み方向他方面の全ては、厚み方向他方側に向かって露出し、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の総厚みが、１６μｍ以下であり、
少なくとも前記第１絶縁層は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。
【請求項２】
前記絶縁材料は、下記式（１）で示される構造単位を含むポリイミドであることを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル配線回路基板。
式（１）：
【化１】
2018190787.tif 000011
【請求項３】
前記導体パターンは、前記第１絶縁層から厚み方向他方側に露出する端子を有することを特徴とする、請求項１または２に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項４】
前記導体パターンの一部は、前記第２絶縁層から厚み方向一方側に露出することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項５】
シールド層と、第３絶縁層とをさらに備え、
前記第１絶縁層と、前記導体パターンと、前記第２絶縁層と、前記シールド層と、前記第３絶縁層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層の総厚みが、１６μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項６】
前記第３絶縁層は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有することを特徴とする、請求項５に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項７】
撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
【請求項８】
請求項７に記載される撮像素子実装基板と、
前記撮像素子実装基板に実装される撮像素子と
を備えることを特徴とする、撮像装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法であって、
金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の厚み方向一方側に、第１絶縁層と、導体パターンと、第２絶縁層とを順に形成する工程、および、
前記金属支持基板を除去する工程
を備えることを特徴とする、フレキシブル配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル配線回路基板、その製造方法および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁層、配線層および被覆層が、この順に積層された配線回路基板が知られている。また、このような配線回路基板としては、絶縁層の裏面に金属支持体が設けられているものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１００４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、配線回路基板の厚み、例えば、絶縁層および被覆層の総厚みが薄くなると、反りが発生し易くなるという不具合がある。
【０００５】
一方、上記した配線回路基板は、金属支持体を絶縁層の裏面に備えるので、金属支持体によって上記した反りを抑制できると考えられる。しかし、絶縁層および被覆層の総厚みが薄い場合には、逆に、上記した反りが顕在化するという不具合を生じる。
【０００６】
本発明の目的は、薄型化を図りながら、反りを抑制することのできるフレキシブル配線回路基板、その製造方法および撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明（１）は、第１絶縁層と、導体パターンと、第２絶縁層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第１絶縁層の厚み方向他方面の全ては、厚み方向他方側に向かって露出し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の総厚みが、１６μｍ以下であり、少なくとも前記第１絶縁層は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有するフレキシブル配線回路基板を含む。
【０００８】
本発明（２）は、前記絶縁材料は、下記式（１）で示される構造単位を含むポリイミドである（１）に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
式（１）：
【０００９】
【化１】
2018190787.tif 000003
【００１０】
本発明（３）は、前記導体パターンは、前記第１絶縁層から厚み方向他方側に露出する端子を有する（１）または（２）に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
【００１１】
本発明（４）は、前記導体パターンの一部は、前記第２絶縁層から厚み方向一方側に露出する（１）〜（３）のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
【００１２】
本発明（５）は、シールド層と、第３絶縁層とをさらに備え、前記第１絶縁層と、前記導体パターンと、前記第２絶縁層と、前記シールド層と、前記第３絶縁層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層の総厚みが、１６μｍ以下である（１）〜（４）のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
【００１３】
本発明（６）は、前記第３絶縁層は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有する（５）に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
【００１４】
本発明（７）は、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板である（１）〜（６）のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含む。
【００１５】
本発明（８）は、（７）に記載される撮像素子実装基板と、前記撮像素子実装基板に実装される撮像素子とを備える、撮像装置を含む。
【００１６】
本発明（９）は、（１）〜（７）のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板の製造方法であって、金属支持基板を用意する工程、前記金属支持基板の厚み方向一方側に、第１絶縁層と、導体パターンと、第２絶縁層とを順に形成する工程、および、前記金属支持基板を除去する工程を備えるフレキシブル配線回路基板の製造方法を含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のフレキシブル配線回路基板では、第１絶縁層および第２絶縁層の総厚みが、１６μｍ以下と薄いので、薄型化を図ることができる。
【００１８】
また、本発明のフレキシブル配線回路基板では、第１絶縁層の厚み方向他方面の全ては、厚み方向他方側に向かって露出し、かつ、少なくとも第１絶縁層は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の低い吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有するので、反りを抑制することができる。
【００１９】
本発明の撮像装置は、上記したフレキシブル配線回路基板を撮像素子実装基板として備えるので、薄型化を図ることができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００２０】
本発明のフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、薄型化が図られ、反りが抑制されたフレキシブル配線回路基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板の底面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す撮像素子実装基板におけるＡ−Ａ断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｄは、図２に示す撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図３Ａが、金属支持体用意工程およびベース絶縁層形成工程、図３Ｂが、導体パターン形成工程、図３Ｃが、カバー絶縁層形成工程、図３Ｄが、金属支持体除去工程を示す。
【図４】図４は、図２に示す撮像素子実装基板を備える撮像装置を示す。
【図５】図５は、図２に示す撮像素子実装基板の変形例（シールド層および第２カバー絶縁層を備える形態）の断面図を示す。
【図６】図６Ａおよび図６Ｂは、実施例における反りの評価方法の正面図であり、図６Ａは、複数の実装基板を備える基板集合体シートを用意する工程、図６Ｂは、基板集合体シートにおける頂点の下端部の高さを測定する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であって、紙面上側が前側（第１方向一方側）、紙面下側が後側（第１方向他方側）である。
【００２３】
図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向と直交する第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。
【００２４】
図１において、紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向の一例、第１方向および第２方向と直交する第３方向）であって、紙面奥側が上側（厚み方向一方側の一例、第３方向一方側）、紙面手前側が下側（厚み方向他方側の一例、第３方向他方側）である。
【００２５】
具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００２６】
＜一実施形態＞
１．撮像素子実装基板
本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板１（以下、単に実装基板１とも略する。）を説明する。
【００２７】
図１に示すように、実装基板１は、撮像素子２１（後述、図４参照）を実装するためのフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）であって、撮像素子２１を未だ備えていない。実装基板１は、前後方向および左右方向（面方向）に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有している。
【００２８】
実装基板１は、ハウジング配置部２、および、外部部品接続部３を備える。
【００２９】
ハウジング配置部２は、ハウジング２２（後述、図４参照）や撮像素子２１が配置される部分である。具体的には、ハウジング２２が実装基板１に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、ハウジング２２と重複する部分である。ハウジング配置部２の略中央部には、撮像素子２１と電気的に接続するための端子の一例としての撮像素子接続端子１０（後述）が複数配置されている。
【００３０】
外部部品接続部３は、ハウジング配置部２以外の領域であって、外部部品と接続するための部分である。外部部品接続部３は、外部部品接続部３の前端縁がハウジング配置部２の後端縁と連続するように、ハウジング配置部２の後側に配置されている。外部部品接続部３の後端縁には、外部部品と電気的に接続するための端子の一例としての外部部品接続端子１１（後述）が複数配置されている。
【００３１】
実装基板１は、図２に示すように、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層４と、導体パターン５と、第２絶縁層の一例としてのカバー絶縁層６とを、上側（厚み方向一方側の一例）に向かって順に備える。
【００３２】
ベース絶縁層４は、実装基板１の外形をなし、底面視略矩形状に形成されている。ベース絶縁層４は、実装基板１の下層を形成する。ベース絶縁層４の下面（厚み方向他方面の一例）は、平坦となるように形成されている。また、ベース絶縁層４の下面の全ては、下方（厚み方向他方側の一例）に向かって露出している。詳しくは、ベース絶縁層４は、実装基板１の最下層に位置し、ベース絶縁層４の下面は、特許文献１に記載されるような金属支持体（図３Ａ〜図３Ｃの符号１９参照）に支持されておらず、従って、実装基板１は、金属支持体１９（金属支持層）を備えない。
【００３３】
ベース絶縁層４には、複数の撮像素子開口部７、および、複数の外部部品開口部８（図１参照）が形成されている。
【００３４】
複数の撮像素子開口部７は、撮像素子接続端子１０を下面から露出するための開口部である。複数の撮像素子開口部７は、図１に示すように、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の撮像素子開口部７のそれぞれは、図２に示すように、ベース絶縁層４を上下方向に貫通し、底面視略円形状を有している。撮像素子開口部７は、下側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有している。
【００３５】
複数の外部部品開口部８は、外部部品接続端子１１を下面から露出するための開口部である。外部部品開口部８は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の外部部品開口部８のそれぞれは、ベース絶縁層４を上下方向に貫通し、底面視略矩形状（長方形状）を有している。外部部品開口部８は、底面視において、外部部品接続部３の後端縁から前側に向かって延びるように、形成されている。
【００３６】
ベース絶縁層４は、絶縁材料を含有する。
【００３７】
絶縁材料としては、次に説明する吸湿膨張係数（ＣＨＥ）を満足する材料が選択される。そのような絶縁材料として、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などから、所望の吸湿膨張係数を有するものが挙げられる。絶縁材料として、好ましくは、絶縁性、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミドが挙げられる。
【００３８】
ポリイミドは、例えば、酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させてなる反応物（硬化物）である。
【００３９】
酸二無水物成分として、例えば、芳香族酸二無水物、脂肪族酸二無水物などが挙げられる。
【００４０】
芳香族酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、例えば、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などのベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などのビフェニルテトラカルボン酸二無水物、例えば、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、４，４’−ビス〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、４，４’−ビス〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルプロパン二無水物、２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−プロパン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００４１】
脂肪族酸二無水物として、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００４２】
酸二無水物成分として、好ましくは、優れた耐熱性を得る観点から、芳香族酸二無水物が挙げられ、より好ましくは、吸湿膨張係数を低減させる観点から、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が挙げられ、さらに好ましくは、ＢＰＤＡが挙げられる。
【００４３】
ジアミン成分としては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンが挙げられる。
【００４４】
芳香族ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミンなどのフェニレンジアミン、例えば、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルなどのジアミノジフェニルエーテル、例えば、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィドなどのジアミノジフェニルスルフィド、例えば、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホンなどのジアミノジフェニルスルホン、例えば、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノンなどのジアミノベンゾフェノン、例えば、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，１−ジ（３−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ジ（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１−（３−アミノフェニル）−１−（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタンなどのジアミノジフェニルアルカン、例えば、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゾニトリル、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ピリジン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフ���ノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］ジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、６，６’−ビス（３−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、６，６’−ビス（４−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンなどが挙げられる。また、芳香環上水素原子の一部または全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換した芳香族ジアミンも挙げられる。また、２つ以上の芳香族環が単結合により結合し、２つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接または置換基の一部として結合している芳香族ジアミンも挙げられ、そのような芳香族ジアミンは、例えば、下記式（Ａ）で示される。（式Ａ）：
【００４５】
【化Ａ】
2018190787.tif 000004
【００４６】
（式中、ａは０または１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）
式（Ａ）で示される芳香族ジアミンとして、例えば、ベンジジンなどが挙げられる。
【００４７】
さらに、上記式（Ａ）において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有する芳香族ジアミンも挙げられ、そのような芳香族ジアミンは、下記式（Ｂ）により示される。
（式Ｂ）：
【００４８】
【化Ｂ】
2018190787.tif 000005
【００４９】
（式中、ａは０または１以上の自然数、Ｒは、置換基を示す。ただし、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）
Ｒで示される置換基は、１価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。Ｒで示される置換基としては、例えば、メチルなどの炭素数３以下のアルキル基、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロプロピルなどの炭素数３以下のハロアルキル基（好ましくは、フルオロアルキル基）、例えば、クロロ、フルオロなどのハロゲン原子などが挙げられる。Ｒで示される置換基として、好ましくは、ハロアルキル基、より好ましくは、フルオロアルキル基が挙げられる。置換基を有し、式（Ｂ）で示される芳香族ジアミンの具体例としては、例えば、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル（別称：２，２’−ビス（トリフルオロメチル、ＴＦＭＢ）−４，４’−ジアミノビフェニル）、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニルが挙げられる。
【００５０】
脂肪族ジアミンとして、例えば、ビス（アミノメチル）エーテル、ビス（２−アミノエチル）エーテル、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、ビス（２−アミノメトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（２−アミノエトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（３−アミノプロトキシ）エチル］エーテル、１，２−ビス（アミノメトキシ）エタン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、１，２−ビス［２−（アミノメトキシ）エトキシ］エタン、１，２−ビス［２−（２−アミノエトキシ）エトキシ］エタン、エチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，２−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，３−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，４−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロへキシル）メタン、２，６−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタンなどが挙げられる。
【００５１】
ジアミン成分として、好ましくは、優れた耐熱性を得る観点から、芳香族ジアミンが挙げられ、より好ましくは、吸湿膨張係数をより低減する観点から、フッ素原子を有する置換基（具体的には、フルオロアルキル基やハロゲン原子）を有する芳香族ジアミンが挙げられ、さらに好ましくは、フルオロアルキル基を置換基として有する芳香族ジアミンが挙げられ、とりわけ好ましくは、ＴＦＭＢが挙げられる。
【００５２】
ジアミン成分は、単独使用または併用することができる。好ましくは、種類の異なる複数の芳香族ジアミンが挙げられ、より好ましくは、フェニレンジアミンとフルオロアルキル基を有するジアミンとの組合せが挙げられる。このような組合せは、例えば、特開２０１３−１００４４１号公報に詳述されている。
【００５３】
フルオロアルキル基を有する芳香族ジアミンのモル割合は、フェニレンジアミンとフルオロアルキル基を有するジアミンとの総モル数に対して、例えば、１５％以上、好ましくは、２０％以上、また、例えば、８０％以下、好ましくは、５０％以下である。
【００５４】
酸二無水物成分とジアミン成分とは、絶縁材料が所望の吸湿膨張係数を有するように、上記した例示から適宜選択される。
【００５５】
また、酸二無水物成分が３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を含有し、ジアミン成分が２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）を含有する場合には、ポリイミドは、下記式（１）で示される構造単位を含む。
式（１）：
【００５６】
【化１】
2018190787.tif 000006
【００５７】
ポリイミドが式（１）で示される構造単位を含む場合には、耐熱性に優れながら、低い吸湿膨張係数を確保して、実装基板１の反りを抑制することができる。
【００５８】
より具体的には、酸二無水物成分がＢＰＤＡを含有し、ジアミン成分がＴＦＭＢを含有する場合には、下記式（２）で示される構造単位を含む。
式（２）：
【００５９】
【化２】
2018190787.tif 000007
【００６０】
（式中、ｘは、１５以上、８０以下である。）
ｘは、好ましくは、２０以上、また、好ましくは、５０以下である。
【００６１】
ｘが、上記した下限以上であれば、低い吸湿膨張係数を確保することができる。ｘが、上記した上限以下であれば、ワニスを調製する際に、溶剤に容易に溶解させることができる。
【００６２】
絶縁材料の吸湿膨張係数は、１５×１０−６／％ＲＨ以下、好ましくは、１３×１０−６／％ＲＨ以下であり、また、例えば、０×１０−６／％ＲＨ以上、好ましくは、１×１０−６／％ＲＨ以上である。
【００６３】
絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限を超えれば、ベース絶縁層４の反り、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができない。一方、絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限以下であれば、ベース絶縁層４の反りを抑制し、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができる。
【００６４】
ベース絶縁層４を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数は、例えば、実装基板１における硬化後のベース絶縁層４の吸湿膨張係数と同一である。
【００６５】
絶縁材料の吸湿膨張係数は、特開２０１３−１００４４１号公報の実施例の記載に従って測定される。
【００６６】
ベース絶縁層４の厚みＴ１は、例えば、１２μｍ以下、好ましくは、８μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。なお、ベース絶縁層４の厚みＴ１は、後述するベース絶縁層４の厚みＴ１およびカバー絶縁層６の厚みＴ２の総計が所望範囲となるように、調整される。
【００６７】
導体パターン５は、ベース絶縁層４の上面と接触するように、ベース絶縁層４の上側に設けられている。導体パターン５は、複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１（図２参照）、および、複数の配線９を備える。
【００６８】
複数の撮像素子接続端子１０は、図１に示すように、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の撮像素子接続端子１０は、図２に示すように、実装される撮像素子２１の複数の端子２５（図４参照）に対応するように、設けられている。また、複数の撮像素子接続端子１０は、複数の撮像素子開口部７に対応して設けられている。撮像素子接続端子１０は、底面視略円形状を有している。撮像素子接続端子１０は、断面視（側断面視および正断面視）において、下側に凸となるように形成されている。具体的には、撮像素子接続端子１０は、撮像素子開口部７の外周に配置される外周部１２と、外周部１２から内側に窪むように撮像素子開口部７内に配置される内側部１３とを一体的に備える。内側部１３の下面（露出面）は、撮像素子開口部７から露出しており、平坦となるように形成されている。また、内側部１３の下面は、ベース絶縁層４の下面と面一となるように形成されている。
【００６９】
複数の外部部品接続端子１１は、図１に示すように、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、外部部品の複数の端子（図示せず）と対応するように設けられている。また、複数の外部部品接続端子１１は、複数の外部部品開口部８に対応して設けられている。外部部品接続端子１１は、平面視略矩形状（長方形状）を有している。外部部品接続端子１１は、外部部品開口部８内に配置され、その下面は、外部部品開口部８から露出している。
【００７０】
複数の配線９は、図２に示すように、複数の接続配線１４および複数のグランド配線１５を備える。
【００７１】
複数の接続配線１４は、複数の撮像素子接続端子１０および複数の外部部品接続端子１１に対応するように設けられている。具体的には、接続配線１４は、図１において図示しないが、撮像素子接続端子１０と外部部品接続端子１１とを接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、接続配線１４の一端は、撮像素子接続端子１０と連続し、接続配線１４の他端は、外部部品接続端子１１と連続して、これらを電気的に接続している。
【００７２】
複数のグランド配線１５は、複数の接続配線１４に対応するように設けられている。具体的には、複数のグランド配線１５は、複数の接続配線１４の外側に、これらに沿うように設けられている。グランド配線１５の一端には、図示しないグランド端子が一体的に接続されている。
【００７３】
導体パターン５の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。
【００７４】
導体パターン５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。配線９の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００７５】
カバー絶縁層６は、図２に示すように、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４および導体パターン５の上側に設けられている。すなわち、カバー絶縁層６は、導体パターン５の上面および側面、および、導体パターン５から露出するベース絶縁層４の上面と接触するように、配置されている。カバー絶縁層６は、実装基板１の上層を形成する。カバー絶縁層６の外形は、外部部品接続端子１１の形成部分を除いて、ベース絶縁層４と同一となるように形成されている。
【００７６】
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層４で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料を含有する。
【００７７】
カバー絶縁層６を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数は、例えば、ベース絶縁層４を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数と同一である。絶縁材料の吸湿膨張係数は、特開２０１３−１００４４１号公報の実施例の記載に従って測定される。具体的には、カバー絶縁層６を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数は、１５×１０−６／％ＲＨ以下、好ましくは、１３×１０−６／％ＲＨ以下であり、また、例えば、０×１０−６／％ＲＨ以上、好ましくは、１×１０−６／％ＲＨ以上である。絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限を超えれば、カバー絶縁層６の反り、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができない。一方、絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限以下であれば、カバー絶縁層６の反りを抑制し、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができる。
【００７８】
カバー絶縁層６の厚みＴ２は、例えば、６μｍ以下、好ましくは、４μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上である。
【００７９】
なお、カバー絶縁層６の厚みＴ２は、次に説明するベース絶縁層４の厚みＴ１およびカバー絶縁層６の厚みＴ２の総計が所望範囲となるように、調整される。
【００８０】
ベース絶縁層４の厚みＴ１およびカバー絶縁層６の厚みＴ２の総計（絶縁層の総厚み、Ｔ１＋Ｔ２）は、１６μｍ以下、好ましくは、１３μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。なお、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚みは、導体パターン５が形成されていない領域において、厚み方向において互いに接触するベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の厚みである。
【００８１】
ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚みが上記した上限を超えれば、実装基板１が反り易いという不具合（本発明の課題）を生じない。
【００８２】
一方、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚みが上記した上限以下であれば、実装基板１が反り易くなるという不具合（本発明の課題）を生じる。しかし、ベース絶縁層４の下面の全てが下方に露出し、かつ、ベース絶縁層４は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有するので、実装基板１の反りを抑制することができる。
【００８３】
ベース絶縁層４の厚みＴ１のカバー絶縁層６の厚みＴ２に対する比（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば、５以下、好ましくは、１．８以下であり、また、例えば、１以上、好ましくは、１．３以上である。
【００８４】
実装基板１の厚み（ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６の総厚み）は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、より好ましくは、２０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。
【００８５】
２．撮像素子実装基板の製造方法
実装基板１は、図３Ａ〜図３Ｄに示すように、例えば、金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、カバー絶縁層形成工程、および、金属支持体除去工程を順に実施することにより、得られる。
【００８６】
図３Ａに示すように、金属支持体用意工程では、金属支持体１９を用意する。
【００８７】
金属支持体１９は、面方向に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有する。
【００８８】
金属支持体１９は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。
【００８９】
金属支持体１９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００９０】
金属支持体１９の上面は、平坦（平滑）となるように形成されている。
【００９１】
続いて、ベース絶縁層形成工程では、ベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。すなわち、撮像素子開口部７および外部部品開口部８を有するベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。
【００９２】
具体的には、まず、感光性の絶縁材料のワニスを調製する。絶縁材料がポリイミドであれば、ワニスは、上記した酸二無水物成分とジアミンとを溶解できる溶剤を適宜の割合で含有することができ、さらには、感光剤、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、レベリング剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤などの添加剤を適宜の割合で含有することができる。
【００９３】
続いて、ワニスを金属支持体１９の上面全面に塗布して、次いで、溶剤を乾燥させる。これによって、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、撮像素子開口部７および外部部品開口部８に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ベース皮膜を現像し、その後、必要により加熱硬化させる。
【００９４】
図３Ｂに示すように、導体パターン形成工程では、導体パターン５を、上記したパターンで、ベース絶縁層４の上面と、撮像素子開口部７および外部部品開口部８から露出する実装基板１の上面とに、形成する。導体パターン５を、例えば、アディティブ法などによって、形成する。
【００９５】
図３Ｃに示すように、カバー絶縁層形成工程では、カバー絶縁層６を、導体パターン５およびベース絶縁層４の上面に配置する。カバー絶縁層形成工程は、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。
【００９６】
これにより、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える実装基板１を、金属支持体１９に支持された状態で得る。なお、この実装基板１は、金属支持体１９を備え、未だ除去されていない。そのため、この実装基板１は、本発明のフレキシブル配線回路基板に包含されない。
【００９７】
図３Ｄに示すように、金属支持体除去工程では、金属支持体１９を除去する。
【００９８】
金属支持体１９の除去方法としては、例えば、金属支持体１９を、ベース絶縁層４の下面と、撮像素子開口部７から露出する撮像素子接続端子１０の下面および外部部品開口部８から露出する外部部品接続端子１１の下面とから剥離する方法、例えば、金属支持体１９に対して、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどのエッチングを施す方法などが挙げられる。好ましくは、エッチング、より好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。ウエットエッチングでは、塩化第二鉄水溶液などをエッチング液として用いて、スプレーまたは浸漬する化学エッチング法が挙げられる。
【００９９】
これにより、金属支持体１９が除去され、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とを備える実装基板１を得る。実装基板１は、金属支持体１９を備えず、好ましくは、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層６とのみからなる。この実装基板１は、金属支持体１９が除去されることによって、次に説明する用途に用いることができるとともに、作用効果を奏することができる。
【０１００】
このような実装基板１は、例えば、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板に用いられる。すなわち、実装基板１は、カメラモジュールなどの撮像装置に備えられる。なお、実装基板１は、次に説明する撮像装置ではなく、撮像装置の一部品、すなわち、撮像装置を作製するための部品であり、撮像素子を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１０１】
３．撮像装置
次に、本発明の撮像装置の一例として、実装基板１を備える撮像装置２０を説明する。
【０１０２】
図４に示すように、撮像装置２０は、実装基板１、撮像素子２１、ハウジング２２、光学レンズ２３、および、フィルター２４を備える。
【０１０３】
実装基板１は、図２に示される実装基板１を上下反転して撮像装置２０に備えられる。すなわち、実装基板１は、ベース絶縁層４を上側（厚み方向他方側）とし、カバー絶縁層６を下側（厚み方向一方側）となるように、配置される。
【０１０４】
撮像素子２１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。撮像素子２１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子２１の下面には、実装基板１の撮像素子接続端子１０と対応する端子２５が複数設けられている。撮像素子２１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【０１０５】
撮像素子２１は、実装基板１に実装されている。具体的には、撮像素子２１の端子２５は、対応する実装基板１の撮像素子接続端子１０と、ソルダーバンプ２６などを介して、フリップチップ実装されている。これにより、撮像素子２１は、実装基板１のハウジング配置部２の中央部に配置され、実装基板１の撮像素子接続端子１０および外部部品接続端子１１と電気的に接続されている。
【０１０６】
撮像素子２１は、実装基板１に実装されることにより、撮像ユニット２７を構成する。すなわち、撮像ユニット２７は、実装基板１と、それに実装される撮像素子２１とを備える。
【０１０７】
ハウジング２２は、撮像素子２１のハウジング配置部２に、撮像素子２１と間隔を隔てて囲むように、配置されている。ハウジング２２は、平面視略矩形状の筒状を有している。ハウジング２２の上端には、光学レンズ２３を固定するための固定部が設けられている。
【０１０８】
光学レンズ２３は、実装基板１の上側に、実装基板１および撮像素子２１と間隔を隔てて配置されている。光学レンズ２３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が、撮像素子２１に到達するように、固定部によって固定されている。
【０１０９】
フィルター２４は、撮像素子２１および光学レンズ２３の上下方向中央に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング２２に固定されている。
【０１１０】
そして、この実装基板１では、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚み（Ｔ１＋Ｔ２）が、１６μｍ以下と薄いので、薄型化を図ることができる。
【０１１１】
また、この実装基板１では、図２に示すように、ベース絶縁層４の下面の全ては、下方に向かって露出し、かつ、ベース絶縁層４は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の低い吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有するので、反りを抑制することができる。
【０１１２】
とりわけ、実装基板１が金属支持体１９を備える場合において、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の総厚みが、金属支持体１９の厚みに対して薄い場合には、金属支持体１９の剛性がベース絶縁層４およびカバー絶縁層６を過度に拘束し、却って、反りの不具合が顕在化される。しかし、この一実施形態では、ベース絶縁層４の下面の全ては、下方に向かって露出している（実装基板１に金属支持体１９が備えられない）ため、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６を金属支持体１９の拘束から解放することができる。また、これにより、ベース絶縁層４の下面の全ては、露出されるが、ベース絶縁層４は、低い吸湿膨張係数を有する絶縁材料からなるので、それらの総厚みが薄くても、湿度の影響を受けにくく、よって、反りを抑制することができる。
【０１１３】
さらに、絶縁材料は、式（１）で示される構造単位を含むポリイミドであれば、耐熱性に優れながら、低い吸湿膨張係数を確保して、実装基板１の反りを抑制することができる。
【０１１４】
また、この実装基板１では、導体パターン５は、ベース絶縁層４から下方に露出する撮像素子接続端子１０および外部部品接続端子１１を備えるので、それらを撮像素子２１および外部部品と確実に電気的に接続することができる。
【０１１５】
また、この実装基板１は、撮像素子２１を実装する撮像素子実装基板１であるので、薄型化が図られた撮像装置を提供することができるとともに、実装基板１の反りが抑制されている。そのため、撮像装置２０では、実装基板１と撮像素子２１との接続信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
上記した図３Ａ〜図３Ｄに示す実装基板１の製造方法によれば、薄型化が図られ、反りが抑制された実装基板１を得ることができる。
【０１１７】
＜変形例＞
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１８】
一実施形態では、カバー絶縁層６を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数を、ベース絶縁層４を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数と同一に設定しているが、これに限定されず、例えば、カバー絶縁層６を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数を、ベース絶縁層４を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数の範囲外であってもよい。要するに、少なくともベース絶縁層４を形成するための絶縁材料が、所望の吸湿膨張係数であれば、よい。
【０１１９】
一実施形態では、本発明のフレキシブル配線回路基板として、撮像素子２１を実装するための撮像素子実装基板１（実装基板１）として説明しているが、フレキシブル配線回路基板の用途は、これに限定されない。例えば、薄型化および反りの抑制が要求される各種用途、具体的には、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、超音波センサ、指紋認証センサなどの実装基板などに好適に用いられる。
【０１２０】
一実施形態の実装基板１では、図２に示すように、配線９は、グランド配線１５を備えるが、例えば、図示しないが、グランド配線１５を備えなくてもよい。すなわち、配線９を、接続配線１４のみから構成することもできる。
【０１２１】
また、一実施形態の撮像装置２０では、図４に示すように、撮像素子２１は、実装基板１にフリップチップ実装されているが、例えば、図示しないが、撮像素子２１は、実装基板１にワイヤボンディングによって実装することもできる。
【０１２２】
一実施形態では、図２に示すように、実装基板１は、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６のみを備えるが、例えば、この変形例では、図５に示すように、実装基板１は、シールド層４０、および、第３絶縁層の一例としての第２カバー絶縁層３１をさらに備える。
【０１２３】
この実装基板１は、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、カバー絶縁層（第１カバー絶縁層）６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを、上側に向かって順に備える。
【０１２４】
シールド層４０は、カバー絶縁層６の上面と接触するように、カバー絶縁層６の上側に配置されている。シールド層４０は、外部からの電磁波を遮蔽する層であって、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。
【０１２５】
シールド層４０は、グランド配線１５と電気的に接続されている。すなわち、シールド層４０は、グランド配線１５と連続している。具体的には、シールド層４０は、グランド配線１５と対向する部分において、下側に凸形状を有し、グランド配線１５の上面に接触する接触部４１を備える。
【０１２６】
接触部４１は、グランド配線１５に直接接触する平坦部４２と、平坦部４２の周囲に連続するように一体的に配置される傾斜部４３とを備える。
【０１２７】
平坦部４２は、面方向に延びる平板状に形成されている。傾斜部４３は、上下方向および面方向に交差（傾斜）する傾斜方向に延びている。
【０１２８】
これにより、シールド層４０は、グランド配線１５を介して、接地されている。
【０１２９】
シールド層４０は、導体からなり、例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられる。好ましくは、銅が挙げられる。シールド層４０の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。
【０１３０】
第２カバー絶縁層３１は、シールド層４０を被覆するように、シールド層４０の上側に設けられている。第２カバー絶縁層３１の外形は、カバー絶縁層６と同一となるように形成されている。
【０１３１】
第２カバー絶縁層３１は、ベース絶縁層４で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料を含有する。第２カバー絶縁層３１を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数は、ベース絶縁層４を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数と同一である。具体的には、第２カバー絶縁層３１を形成するための絶縁材料の吸湿膨張係数は、１５×１０−６／％ＲＨ以下、好ましくは、１３×１０−６／％ＲＨ以下であり、また、例えば、０×１０−６／％ＲＨ以上、好ましくは、１×１０−６／％ＲＨ以上である。絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限を超えれば、第２カバー絶縁層３１の反り、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができない。一方、絶縁材料の吸湿膨張係数が上記した上限以下であれば、第２カバー絶縁層３１の反りを抑制し、ひいては、実装基板１の反りを抑制することができる。
【０１３２】
第２カバー絶縁層３１の厚みＴ３は、例えば、３μｍ以下、好ましくは、２μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上である。
【０１３３】
ベース絶縁層４の厚みＴ１、カバー絶縁層６の厚みＴ２および第２カバー絶縁層３１の厚みＴ３の総計（絶縁層の総厚み、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）は、１６μｍ以下、好ましくは、１３μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。ベース絶縁層４、カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１の総厚みが上記した上限以下であれば、第２カバー絶縁層３１の反りを抑制できる。
【０１３４】
さらに、第２カバー絶縁層３１は、１５×１０−６／％ＲＨ以下の吸湿膨張係数を有する絶縁材料を含有する。
【０１３５】
図５に示す実装基板１は、一実施形態の実装基板１を金属支持体１９で支持された状態で得た後に、シールド層４０および第２カバー絶縁層３１をこの順で、第１カバー絶縁層６の上面に形成し、続いて、金属支持体１９を除去することにより、製造することができる。
【０１３６】
また、図２において図示しないが、導体パターン５の一部が、カバー絶縁層６から露出することもできる。
【０１３７】
さらに、図６Ａに示すように、複数の実装基板１を基板集合体シート５０として構成することもできる。基板集合体シート５０は、面方向において整列状態の、複数の実装基板１を備える。
【０１３８】
上記した各変形例についても、一実施形態と同様の作用効果を奏する。
【実施例】
【０１３９】
以下に製造例、比較製造例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら製造例、比較製造例、実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１４０】
製造例１
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ、ハロアルキル基を置換基として有する芳香族ジアミン）４．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）とｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ、芳香族ジアミン）８．６５ｇ（８０ｍｍｏｌ）とを５００ｍｌのセパラブルフラスコに投入し、２００ｇの脱水されたＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させ窒素気流下、オイルバスによって液温が５０℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、そこへ、３０分かけて３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ、芳香族酸二無水物）２９．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）をセパラブルフラスコに配合した後、５０℃で５時間撹拌した、その後室温まで冷却し、ポリイミド前駆体溶液Ａを得た。
【０１４１】
続いて、ポリイミド前駆体溶液Ａの固形分１００質量部に対して、ニフェジピン（感光剤）３０質量部を配合して、感光性ポリイミド前駆体溶液Ａを調製した。
【０１４２】
比較製造例１
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）４．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）とｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）８．６５ｇ（８０ｍｍｏｌ）とに代えて、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ、4,4'-オキシビス(ベンゼンアミン)、芳香族ジアミン）３．０ｇ（１５ｍｍｏｌ）とパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ、芳香族ジアミン）９．１９ｇ（８５ｍｍｏｌ）とに変更した以外は、製造例１と同様に処理して、ポリイミド前駆体溶液Ｂ、続いて、感光性ポリイミド前駆体溶液Ｂを調製した。
【０１４３】
実施例１
図３Ａに示すように、厚み１８μｍのステンレスからなる金属支持体１９を用意した。
【０１４４】
次いで、製造例１のポリイミド前駆体溶液Ａを金属支持体１９の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、ベース皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃１時間、ベース皮膜を加熱する（硬化させる）ことにより、ポリイミドからなり、撮像素子開口部７および外部部品開口部８を有する厚み１０μｍのベース絶縁層４を形成した。
【０１４５】
図３Ｂに示すように、その後、銅からなる厚み８μｍの導体パターン５を、ベース絶縁層４の上面と、撮像素子開口部７および外部部品開口部８から露出する金属支持体１９の上面に、アディティブ法で形成した。
【０１４６】
図３Ｃに示すように、その後、製造例１のポリイミド前駆体溶液をベース絶縁層４および導体パターン５の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、カバー皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃１時間、カバー皮膜を加熱することにより、ポリイミドからなる、厚み５μｍのカバー絶縁層６を得た。
【０１４７】
その後、図３Ｄに示すように、金属支持体１９を、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を下方からスプレーする化学エッチング法によって、除去した。これによって、ベース絶縁層４の下面の全てを露出させた。
【０１４８】
これにより、下面の全てを露出するベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６を順に備える実装基板１を得た。
【０１４９】
なお、ベース絶縁層４およびカバー絶縁層６のポリイミドは、ともに、式（２）に示す構造単位を有する。
式（２）：
【０１５０】
【化２】
2018190787.tif 000008
【０１５１】
（式中、ｘは、２０である。）
実施例２、３および比較例１
各層の処方、厚み、加熱温度等を表１に記載に基づいて変更した以外は、実施例１と同様にして、実装基板１を得た。
【０１５２】
但し、比較例１のベース絶縁層４およびカバー絶縁層６のポリイミドは、ともに、下記式（３）に示す構造単位を有する。
式（３）：
【０１５３】
【化３】
2018190787.tif 000009
【０１５４】
（式中、ｘは、１５である。）
実施例４
ベース絶縁層４、導体パターン５、カバー絶縁層６、シールド層４０および第２カバー絶縁層３１を順に備える実装基板１を得た。
【０１５５】
ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６は、実施例３と同様にして形成した。
【０１５６】
スパッタによって、厚み０．１μｍの銅からなるシールド層４０を形成し、続いて、
ベース絶縁層４と同様にして、厚み２μｍのポリイミドから第２カバー絶縁層３１を形成した。
【０１５７】
比較例２
金属支持体１９を除去させず、金属支持体１９を備える実装基板１を製造した以外は、実施例２と同様に処理した。
【０１５８】
この実装基板１において、ベース絶縁層４の下面の全ては、金属支持体１９によって被覆されている。
【０１５９】
比較例３
金属支持体１９を除去させず、金属支持体１９を備える実装基板１を製造した以外は、比較例１と同様に処理した。
【０１６０】
この実装基板１において、ベース絶縁層４の下面の全ては、金属支持体１９によって被覆されている。
【０１６１】
各実施例および各比較例の層構成および厚みを表１に記載する。
【０１６２】
［評価］
各実施例および各比較例の実装基板１について、以下の項目を評価した。その結果を表１に記載する。
【０１６３】
＜湿度膨張係数＞
各実施例および各比較例の実装基板１のベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の湿度膨張係数を測定した。
【０１６４】
具体的には、まず、実装基板１のベース絶縁層４およびカバー絶縁層６の積層部分を試料として採取した。
【０１６５】
続いて、試料を充分に乾燥させ、その後、試料を、湿度型熱機械分析装置（ＨＣ−ＴＭＡ４０００ＳＡ、ブルカー・エイエックスエス社製）のチャンバー内３０℃で５％ＲＨの環境下にて３時間保持させて安定させた後、試料に荷重（１９６ｍＮ）を負荷し、続いて、相対湿度を７５％ＲＨに変化させ、３時間保持させて安定させた。そして、湿度型熱機械分析装置の演算処理によって、吸湿膨張係数を、試料伸びと相対湿度の変化量（７０％ＲＨ）とから取得した。
【０１６６】
＜反り＞
実装基板１の反りを測定した。
【０１６７】
具体的には、図６Ａに示すように、まず、９個の実装基板１を備える基板集合体シート５０を用意した。各実装基板１の外形サイズは、１５ｍｍ×１５ｍｍであり、また、基板集合体シート５０の外形サイズは、４５ｍｍ×４５ｍｍであった。
【０１６８】
続いて、基板集合体シート５０を、温度２５℃、湿度６０％ＲＨの環境下において、平板４５の表面に載置した。
【０１６９】
２４時間経過後、図６Ｂに示すように、基板集合体シート５０の４つの頂点における各下端部と、平板４５の表面との高さ（ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４）を測定し、それらの平均値（［ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ４］／４）を反りとして算出した。
【０１７０】
【表１】
2018190787.tif 000010
【符号の説明】
【０１７１】
１     実装基板（撮像素子実装基板）
４     ベース絶縁層
５     導体パターン
６     カバー絶縁層
１０   撮像素子接続端子
１１   外部部品接続端子
２０   撮像装置
２１   撮像素子
３１   第２カバー絶縁層
４０   シールド層
５０   基板集合体シート
Ｔ１   ベース絶縁層の厚み
Ｔ２   カバー絶縁層の厚み
Ｔ３   第２カバー絶縁層の厚み
【図１】
2018190787.tif 000012
【図２】
2018190787.tif 000013
【図３】
2018190787.tif 000014
【図４】
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【図５】
2018190787.tif 000016
【図６】
2018190787.tif 000017