(57)【要約】【課題】レーザー光照射をしてもシャッター部等が破壊されて飛び散らず、シャッター体等の動作に不具合が生じない表示装置等を提供する。【解決手段】表示装置（１）の第１配線（６２０）と第２配線（７２０）と金属膜Ｍ３とは、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に少なくとも一部重なるように配置されている。【選択図】図４
2018063339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャッター部を有する第１基板と上記第１基板に対向する第２基板とを備え、
各画素に配置された上記シャッター部におけるシャッター体の開閉により画像を表示する表示装置であって、
上記第１基板は、第１配線と第２配線と金属膜とを含み、
上記シャッター部と上記第１配線及び上記第２配線とは電気的に接続されており、
上記第１配線と上記第２配線と上記金属膜とは、上記第１基板における上記シャッター部が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されており、
上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜とは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記第１配線と上記第２配線と上記金属膜とのそれぞれは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記第１配線、上記第２配線及び上記金属膜と、上記シャッター部とは、上記第１基板における上記シャッター部が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜との少なくとも一部が重なる領域は、上記シャッター部が配置されている領域以外の位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
上記第１基板は遮光膜をさらに含み、
当該遮光膜と上記第１配線と上記第２配線と上記金属膜とは上記第１基板における上記シャッター部が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されており、
上記遮光膜と、上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜とは、少なくとも一部が重なるように配置されており、
上記遮光膜は、上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜との少なくとも一部が重なる領域において開口を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
上記第１配線は、ゲート配線及び第１駆動用配線のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
上記第２配線は、シャッター配線、第２駆動用配線、及び、修正用配線からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法であって、
遮光膜における、上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜との少なくとも一部が重なる領域に開口を形成する開口形成工程と、
上記遮光膜上にパッシベーション層を介して、上記第１配線を含む第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、
上記第１配線層上に第１絶縁膜を介して、上記第２配線を含む第２配線層を形成する第２配線層形成工程と、
上記第２配線層上に第２絶縁膜を介して、上記金属膜を形成する金属膜形成工程と、
上記第２絶縁膜上に上記シャッター部を配置するシャッター部配置工程と、を備えていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記開口形成工程では、上記シャッター部が配置されている領域以外の位置に上記開口を形成することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置における画素の修正方法であって、上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜との少なくとも一部が重なる領域に、記第１基板における上記シャッター部が配置されている面とは反対側の面の方向からレーザー光を照射して、上記第１配線又は上記第２配線を切断するか、又は、上記第１配線と上記第２配線とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にすることを特徴とする表示装置における画素の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いた表示装置であるＭＥＭＳディスプレイが注目され、これに関する様々な技術が開発されている。ＭＥＭＳディスプレイは、光源からの光を透過させる開口領域を画素ごとに有する対向基板と、開口領域と、トランジスタ等によって移動可能に構成されたシャッター部とを画素ごとに有するアクティブマトリクス基板とを備える。光源から照射される光は対向基板における開口領域を透過する。各画素に設けられたシャッター部の位置によって、対向基板を透過した光は、アクティブマトリクス基板における開口領域を透過する。つまり、シャッター部の位置を制御することにより、アクティブマトリクス基板の開口領域を透過する光量が制御され、各画素における輝度が調整される。
【０００３】
ところで、シャッター部の位置を制御するための信号がシャッター部に正常に入力されない場合、シャッター部は動作せず、アクティブマトリクス基板の開口領域から常に光が透過する状態、又は、開口領域から常に光が透過しない状態となる。そのため、アクティブマトリクス基板の開口領域から常に光が透過する状態で黒色を表示するとその画素は輝点となり、常に光が透過しない状態で白色を表示すると、その画素は黒点となって表示される。
【０００４】
特許文献１及び２には、シャッター部を制御する信号の不良によって生じる輝点や黒点等の表示不良を制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−５７５４８号公報（２０１６年４月２１日公開）
【特許文献２】特開２０１６−８０７２５号公報（２０１６年５月１６日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１及び２に記載の技術では、輝点や黒点等を修正するために、表示装置に光照射した際に、当該光に照射された当該表示装置に含まれるシャッター部等が破壊されて飛び散ることで、当該シャッター部のシャッター体等の動作に不具合が生じることがある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光照射しても、シャッター部等が破壊されて飛び散りにくく、シャッター部等の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、シャッター部を有する第１基板と上記第１基板に対向する第２基板とを備え、各画素に配置された上記シャッター部におけるシャッター体の開閉により画像を表示する表示装置であって、上記第１基板は、第１配線と第２配線と金属膜とを含み、上記シャッター部と上記第１配線及び上記第２配線とは電気的に接続されており、上記第１配線と上記第２配線と上記金属膜とは、上記第１基板における上記シャッター部が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されており、上記第１配線又は上記第２配線と、上記金属膜とは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、レーザー光照射をしても、シャッター部等が破壊されて飛び散りにくく、シャッター体等の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示す表示装置の回路ブロック図である。
【図３】図３は、図１に示すアクティブマトリクス基板の１つの画素におけるシャッター部を示す斜視図である。
【図４】図４の（ａ）は、図３に示すシャッター部を上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター部をＩ−Ｉ線で切断した断面図である。
【図５】図５は、図３に示すシャッター部の駆動回路の等価回路を例示した図である。
【図６】図６は、隣接する画素における駆動回路の配置レイアウトを例示した模式図である。
【図７】図７は、図６に示すＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る表示装置の製造工程を表す図である。
【図９】図９は、第２実施形態に係る表示装置のシャッター部の断面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態における駆動回路の配置レイアウトの一部を拡大した模式図である。
【図１１】図１１は、図５に示した各画素の駆動回路の等価回路における修正用配線を示した図である。
【図１２】図１２の（ａ）は、図１０に示すＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図１２の（ｂ）は、図１０に示すＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１３】図１３の（ａ）は、図１０に示すＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図１３の（ｂ）は、図１３の（ａ）におけるＳ１及びＳ２にレーザー光照射をした後の状態を示す断面図である。
【図１４】図１４の（ａ）は、第１配線、第２配線及び金属膜の全てが重なる形態について示す図であり、図１４の（ｂ）は、第１配線及び金属膜のみが重なる形態について示す図であり、図１４の（ｃ）は、第２配線及び金属膜のみが重なる形態について示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
〔第１実施形態〕
（表示装置１の構成）
図１は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成を示す模式図である。また、図２は、図１に示す表示装置１の等価回路図である。図１に示す表示装置１は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１は、アクティブマトリクス基板（第１基板）１０、対向基板(第２基板)２０、及びバックライト３０が順に積層された構成を有する。図１におけるＺ軸正方向側から表示装置１は視認される。
【００１３】
アクティブマトリクス基板１０は、画像を表示するための画素ＰＩＸが配置される表示領域１００と、各画素ＰＩＸの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１１０及びゲートドライバ１２０とを有する。対向基板２０は、バックライト３０のバックライト面を覆うように設置されている。
【００１４】
バックライト３０は、各画素ＰＩＸにバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び、青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３０は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００１５】
図２に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、複数のゲート線１１と、ゲート線１１と交差して延びる複数のソース線１２とが設けられ、ゲート線１１とソース線１２とによって画素ＰＩＸが形成されている。
【００１６】
各ソース線１２はソースドライバ１１０に接続され、各ゲート線１１はゲートドライバ１２０に接続されている。ゲートドライバ１２０は、各ゲート線１１に、ゲート線１１を選択状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１１を走査する。ソースドライバ１１０は、ゲート線１１の走査に同期して、各ソース線１２にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１１に接続された各画素ＰＩＸのシャッター機構Ｓを含むシャッター部１０３に所望の信号電圧を印加する。
【００１７】
なお、シャッター機構Ｓは、例えば、特表２００８−５３３５１０号公報や特表２００８−５３２０６８号公報に開示されているように、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術により実現されるシャッター（光の透過及び非透過を制御する素子）である。
【００１８】
（シャッター部１０３の構成）
次に、シャッター部１０３について説明する。シャッター部１０３は、シャッター機構Ｓと、シャッター機構Ｓを駆動するための駆動回路とを有する。以下、各構成について具体的に説明する。
【００１９】
図３は、アクティブマトリクス基板１０の１つの画素におけるシャッター機構Ｓを示す斜視図である。また、図４の（ａ）は、図３に示すシャッター機構Ｓを上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター機構ＳをＩ−Ｉ線で切断した断面を表す図である。
【００２０】
図４の（ｂ）に示すように、対向基板２０は、例えば、ガラス等の光の透過性の高い透明な基板２００上に、バックライト３０からの光を透過させる第２開口領域２０００（２００１，２００２）と、光を遮蔽する遮光領域とが形成されるように、所定の間隔で第２遮光膜２０１が設けられている。第２遮光膜２０１は、例えば、カーボンブラックを含む樹脂材料、Ｔｉ、クロム等の金属膜で構成されている。
【００２１】
図３及び図４の（ａ）に示すように、シャッター機構Ｓは、例えば、シャッター体１４１と、シャッター体１４１を挟んで対向するように、第１駆動ビームアンカー１４２１、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、第１駆動ビーム１４２４，１４２５、及び第１シャッタービーム１４２６，１４２７と、第２駆動ビームアンカー１４３１、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、第２駆動ビーム１４３４，１４３５、及び第２シャッタービーム１４３６，１４３７とを備える。
【００２２】
第１駆動ビーム１４２４，１４２５、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、第２駆動ビーム１４３４，１４３５、第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、例えば、リン、ヒ素等がドープされたアモルファスシリコン等、導電性及び弾性を有する材料で構成される。
【００２３】
第１駆動ビームアンカー１４２１と第１駆動ビーム１４２４，１４２５とは電気的に接続されている。第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第１シャッタービーム１４２６，１４２７とはそれぞれ電気的に接続されている。第１シャッタービーム１４２６，１４２７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。また、第２駆動ビームアンカー１４３１と第２駆動ビーム１４３４，１４３５とは電気的に接続されている。第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３と、第２シャッタービーム１４３６，１４３７とはそれぞれ電気的に接続されている。第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。
【００２４】
シャッター体１４１は、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、及び第２シャッタービーム１４３６，１４３７を介して、アクティブマトリクス基板１０上に形成された配線と電気的に接続されている。シャッター体１４１は、略中央部に矩形状の開口部１４１０を有する。
【００２５】
（アクティブマトリクス基板１０の構成）
次に、アクティブマトリクス基板１０の構成について説明する。
【００２６】
図３及び図４の（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板１０は、ガラス等の透過性の基板１０００の上に、第１開口領域１３０２，１３０３及び開口１１００ａが形成されるように、第１遮光膜（遮光膜）１１００が設けられている。第１遮光膜１１００の上には、パッシベーション層１２００が設けられ、パッシベーション層１２００の上に、導電製膜からなる第１配線層Ｍ１が形成されている。第１配線層Ｍ１の上には第１絶縁膜（絶縁膜）１３００が設けられ、第１絶縁膜１３００の上に、導電性膜からなる第２配線層Ｍ２が形成されている。第２配線層Ｍ２の上には、第２絶縁膜１４００が設けられている。第２絶縁膜の上には、金属膜Ｍ３が形成されている。第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及び金属膜Ｍ３は、いずれもレーザー光照射領域Ｒに形成されている。第１配線層Ｍ１及び第２配線層Ｍ２には、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続される配線が形成される。
【００２７】
ここで、本実施形態では、第１遮光膜１１００に設けられている開口１１００ａは、後述するレーザー光照射領域Ｒの位置に２箇所あるが、本発明では、開口はレーザー光照射領域であれば、任意の位置に任意の数だけ設けることができる。
【００２８】
また、第１遮光膜１１００は、レーザー光を遮断する材料を含む。第１遮光膜１１００を形成するための材料としては、例えば、スピンオンガラス（ＳＯＧ）材料及びカーボンブラックのうちの少なくとも一つを含むことが好ましく、ＳＯＧ材料を含むことがより好ましい。第１遮光膜１１００がＳＯＧ材料を含むことで、より好適にレーザー光を遮断することができる。その結果、レーザー光照射をする必要のない箇所に対して、レーザー光を遮り、レーザー光によって第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及びシャッター体１４１が破損されるのをより低減することができる。
【００２９】
また、図４の（ｂ）に示す通り、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向である、レーザー光が照射される方向から見て、この順に配置されており、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と、金属膜Ｍ３とのそれぞれは、少なくとも一部が、アクティブマトリクス基板１０の表面に対して垂直方向に重なるように配置されている。
【００３０】
ここで、図４の（ｂ）に示すように、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが重なる領域をレーザー光照射領域Ｒとして、高い強度のレーザー光照射をしたとする。
【００３１】
レーザー光照射領域Ｒには第１遮光膜１１００が設けられていないため、基板１０００の裏面側から照射したレーザー光を、第１遮光膜１１００によって遮光することはできない。しかし、レーザー光照射領域Ｒには金属膜Ｍ３が設けられているため、金属膜Ｍ３によって当該レーザー光を吸収することができる。
【００３２】
そのため、図４の（ｂ）に示すように、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなる。このように、上述の形態によれば、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減しながら、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にすることができる。
【００３３】
本実施形態では、上述のように、高い強度のレーザー光を照射することにより、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０との重畳部において、これらの配線を電気的に接続することができる場合について説明したが、本発明では、照射するレーザー光の強弱を調整することにより、第１配線、第２配線を電気的に接続したり、切断したりすることができる。
【００３４】
第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及び金属膜Ｍ３は、レーザー光に対する吸収率が高いものが好ましく、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金等からなる金属膜で構成されている。
【００３５】
なお、本実施形態の第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及び金属膜Ｍ３のように、本発明では、第１配線層、第２配線層及び金属膜は、通常、全て金属から構成されているが、例えば、樹脂系材料から構成されていてもよい。
【００３６】
（シャッター部１０３の開閉動作）
次に、シャッター部１０３の開閉動作について説明する。図４の（ａ）（ｂ）に示す例では、第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４，１４２５の間、及び、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４，１４３５の間に電気的な力が働いていない。この場合、シャッター体１４１は、図３及び図４の（ａ）（ｂ）に示すように、シャッター体１４１の開口部１４１０が第１開口領域１３０２と１３０３の略中間の位置に配置される。
【００３７】
本実施形態では、各画素ＰＩＸに設けられたシャッター部１０３の駆動回路によって、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３に対し、例えば周波数６０Ｈｚで、Ｈ（Ｈｉｇｈ）レベル又はＬ（Ｌｏｗ）レベルの固定電位が供給される。また、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１には、一定時間ごとに互いに極性が異なる電位が供給される。
【００３８】
例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３の電位がＨ（Ｈｉｇｈ）レベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＨレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルの場合、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、第２シャッタービーム１４３６，１４３７の電位はＨレベルであるとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＨレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＬレベルとなる。その結果、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４，１４３５とが静電気力により接触する。この場合、シャッター体１４１は、アクティブマトリクス基板１０における第１開口領域１３０２，１３０３を覆う位置である、閉状態の位置に配置される。よって、この場合には、第１開口領域１３０２、１３０３から光が透過しない状態（以下、閉状態）となる。
【００３９】
また、例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３の電位がＨレベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＬレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＨレベルの場合、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、第２シャッタービーム１４３６，１４３７の電位はＨレベルであるとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＬレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＨレベルとなる。その結果、第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４，１４２５とが静電気力により接触する。この場合、シャッター体１４１は、その開口部１４１０と、アクティブマトリクス基板１０における第１開口領域１３０２とが重なり、アクティブマトリクス基板１０における第１開口領域１３０２，１３０３が覆われない位置に配置される。よって、この場合には、第１開口領域１３０２，１３０３から光が透過する状態（以下、開状態）となる。
【００４０】
ここで、シャッター機構Ｓに電圧を供給する駆動回路について具体例を挙げて説明する。図５は、１つのシャッター部１０３における駆動回路の等価回路図である。図５に示す例では、１つの画素について、スイッチング素子１０１、５０１〜５０４が設けられる。スイッチング素子１０１、５０１〜５０４は、例えば、薄膜トランジスタで構成される。薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコンや、低温ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体の構成としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等であってもよい。
【００４１】
スイッチング素子１０１は、ゲート線１１及びソース線１２に接続され、シャッターの開閉状態（オン／オフ）を決めるデータ信号（ＳＤ）の入力を制御する。スイッチング素子５０４は、スイッチング素子１０１と第１駆動ビームアンカー１４２１との間に接続され、アップデート信号（ＳＵ）に基づくタイミングで第１駆動ビームアンカー１４２１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０３は、スイッチング素子５０４と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に接続され、イネーブル信号（ＳＥ）に基づくタイミングで第２駆動ビームアンカー１４３１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０１、５０２は、第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１と、アクチュエイト信号（ＳＡ）を供給する第１及び第２駆動用配線との間にそれぞれ接続され、プリチャージ（pre-charge）制御信号（ＳＰ）に基づいてアクチュエイト信号（ＳＡ）の第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１への供給を制御する。シャッター体１４１は、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３（図３参照）を介して、シャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線に接続される。
【００４２】
スイッチング素子１０１のゲート端子はゲート線１１に、ドレイン端子はソース線１２に、ソース端子は、スイッチング素子５０４のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のドレイン端子は、第１駆動ビームアンカー１４２１、スイッチング素子５０１のソース端子、及びスイッチング素子５０３のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のソース端子は、アップデート信号（ＳＵ）を供給する端子Ａ６に接続される。スイッチング素子５０３のソース端子は、イネーブル信号（ＳＥ）を供給する端子Ａ７に接続される。スイッチング素子５０３のドレイン端子は、スイッチング素子５０２のソース端子及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続される。スイッチング素子５０１、５０２のゲート端子は、プリチャージ制御信号（ＳＰ）を供給する端子Ａ１に接続され、ドレイン端子は、アクチュエイト信号（ＳＡ）を供給する端子Ａ５に接続される。
【００４３】
スイッチング素子１０１とスイッチング素子５０４との間のノード（以下、ストレージノードと称する）と、端子Ａ４からシャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線との間には容量Ｃ１が形成される。容量Ｃ１は、シャッターの開閉状態を示すデータ信号の信号電圧を保持する。第１駆動ビームアンカー１４２１とスイッチング素子５０４、５０１、５０３が接続されるノードＮ１（以下、マスターノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２は、マスターノードＮ１に印加されたマスター駆動電圧を安定化させる。第２駆動ビームアンカー１４３１とスイッチング素子５０２、５０３が接続されるノードＮ２（以下、スレーブノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ３が形成される。容量Ｃ３は、スレーブノードＮ２に印加されたスレーブ駆動電圧を安定化させる。
【００４４】
ゲート線１１に選択状態を示すゲート信号が入力されスイッチング素子１０１がオンになったタイミングで、ソース線１２からデータ信号（ＳＤ）が入力される。シャッターの開閉を決めるデータ信号（ＳＤ）に応じたデータ電圧が容量Ｃ１に蓄えられる。この時、アップデート信号（ＳＵ）がＨレベルであり、スイッチング素子５０４は、データ電圧によらずオフとなっている。スイッチング素子５０１、５０２がプリジャージ制御信号（ＳＰ）に基づいてオンになったタイミングで、アクチュエイト信号（ＳＡ）が第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に印加される。これにより、マスターノードＮ１及びスレーブノードＮ２に駆動電圧（Ｈレベル）が蓄えられる。
【００４５】
アップデート信号（ＳＵ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、ストレージノードのデータ電圧に応じてスイッチング素子５０４のオン／オフが制御される。本例では、データ電圧がＨレベルの場合に、スイッチング素子５０４はオンになりマスターノードＮ１はＬレベルとなり、データ電圧がＬレベルの場合、スイッチング素子５０４がオフのままとなりマスターノードＮ１はＨレベル（駆動電圧）のままとなる。イネーブル信号（ＳＥ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、マスターノードＮ１の電圧に応じてスイッチング素子５０３のオン／オフが制御される。本例では、マスターノードＮ１がＨレベルの場合に、スイッチング素子５０３はオンになりスレーブノードＮ２はＬレベルとなり、マスターノードＮ１がＬレベルの場合、スイッチング素子５０３がオフのままとなりスレーブノードＮ２はＨレベル（駆動電圧）のままとなる。
【００４６】
このように、画素へのデータ書き込み時は、常に、マスターノードＮ１とスレーブノードＮ２の電圧の極性（Ｈ／Ｌ）が逆になる。そのため、シャッター体１４１の極性（Ｈ／Ｌ）と逆の極性のノードの駆動ビームに、電気的な力によってシャッター体１４１が引き寄せられる。なお、シャッター体１４１の極性を所定周期で入れ替えることによりシャッター体１４１の帯電を防止することができる。つまり、以下の表１に示すように、データ信号がＬレベル、マスターノードＮ１がＨレベル、スレーブノードＮ２がＬレベル、シャッター体１４１がＨレベルの場合、シャッター体１４１は閉状態の位置に配置される。また、データ信号がＨレベル、マスターノードＮ１がＬレベル、スレーブノードＮ２がＨレベル、シャッター体１４１がＨレベルの場合、シャッター体１４１は開状態の位置に配置される。また、データ信号がＬレベル、マスターノードＮ１がＨレベル、スレーブノードＮ２がＬレベル、シャッター体１４１がＬレベルの場合、シャッター体１４１は開状態の位置に配置される。また、データ信号がＨレベル、マスターノードＮ１がＬレベル、スレーブノードＮ２がＨレベル、シャッター体１４１がＬレベルの場合、シャッター体１４１は閉状態の位置に配置される。
【００４７】
【表１】
2018063339.tif 000003
【００４８】
（駆動回路１４５の各素子の配置レイアウト）
次に、駆動回路１４５の各素子の配置レイアウトについて説明する。図６は、例えば、ソース線１２に沿って隣接する２つの画素ＰＩＸ（１）（２）における駆動回路１４５の各素子の配置レイアウトを例示した模式図である。なお、図６では、便宜上、第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及び金属膜Ｍ３のみを図示し、第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２及び金属膜Ｍ３以外の図示は省略する。
【００４９】
図６において、コンタクト１４２Ｃと１４３Ｃは、第２配線層Ｍ２の上に形成された第２絶縁膜１４００（図４の（ｂ）参照）に設けられたコンタクトホールである。コンタクト１４２Ｃを介して、第１駆動ビームアンカー１４２１（図３参照）と、第１駆動ビームアンカー１４２１に駆動電圧を供給する駆動用配線とが接続される。また、コンタクト１４３Ｃを介して、第２駆動ビームアンカー１４３１（図３参照）と、第２駆動ビームアンカー１４３１に駆動電圧を供給する駆動用配線とが接続される。なお、各駆動用配線の構成については後述する。
【００５０】
また、図６において、櫛歯状の配線は、シャッター体１４１（図５参照）にシャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線（第２配線）７２０である。シャッター配線７２０は、第２配線層Ｍ２に形成されている。シャッター配線７２０は、コンタクト１４１Ｃを介して、シャッター配線７２０の上に配置されているシャッター体１４１と接続されている。シャッター配線７２０は、コンタクトＡ４からシャッター信号（ＳＳ）が供給される。
【００５１】
ここで、シャッター配線７２０の下には、第１絶縁膜１３００を介して、第１配線層Ｍ１に形成された第１駆動用配線（第１配線）６２０（６２１，６２２）と、電極６３１、６３２が配置されている。
【００５２】
第１駆動用配線６２０は、直線状の第１駆動用配線６２１と、第１駆動用配線６２１から第１駆動用配線６２１に略直交する方向に突出した第１駆動用配線６２２とで構成されている。第１駆動用配線６２０は、シャッター配線７２０と垂直方向において少なくとも一部が重なるように、第１絶縁膜１３００を介してシャッター配線７２０の下に形成されている。図６の例において、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２２とが重なる領域の幅ｗは、略１０μｍである。第１駆動用配線６２０には、図５に示す駆動回路１４５のマスターノードＮ１の電位が供給される。
【００５３】
図６において、第１配線層Ｍ１に形成された電極６３１、６３２は、図５に示すキャパシタＣ２、Ｃ３を構成する一方の電極である。図６に示すように、電極６３１、６３２のそれぞれに対向する位置に設けられたシャッター配線７２０の領域部分が、キャパシタＣ２、Ｃ３を構成する他方の電極として機能する。
【００５４】
また、図６において、コンタクト１４３Ｃには、第２配線層Ｍ２に形成された第２駆動用配線（第２配線）７２１が接続されている。第２駆動用配線７２１は、コンタクト１４３Ｃを介して、図５に示す駆動回路１４５のスレーブノードＮ２の電位を第２駆動ビームアンカー１４３１に供給する。
【００５５】
例えば、表示領域全体に黒色を表示する際、ある画素ＰＩＸにおいて、スイッチング素子の動作不良によって、適切なタイミングで閉状態となるようにシャッター体１４１が移動しない場合、第１開口領域１３０２、１３０３から光が透過し、画素ＰＩＸは輝点となって表示される。
【００５６】
このようにシャッター体１４１の移動が遅れることにより輝点となって表示される表示不良を軽減するには、例えば、シャッター体１４１と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差を生じさせ、表示不良が生じている画素ＰＩＸにおけるシャッター体１４１を閉状態の位置に配置し、不良画素を黒点化する修正を行う。以下に、画素ＰＩＸの修正方法について詳細に説明する。
【００５７】
（画素ＰＩＸの修正方法）
本実施形態において画素ＰＩＸの修正方法は、まず、例えば、表示装置１の製造時における検査の際、表示領域に黒色を表示させて輝点となって表示される不良画素を検出する。そして、不良画素における第１駆動用配線６２０又はシャッター配線７２０にレーザー光を照射して切断し、その後、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とが重なる領域の一部に、基板１０００の裏面からレーザー光照射をし、第１配線層Ｍ１に含まれる第１駆動用配線６２０と第２配線層Ｍ２に含まれるシャッター配線７２０とを導通させる。以下に、不良画素における第１駆動用配線６２０又はシャッター配線７２０にレーザー光を照射して切断した後、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とが重なる領域の一部に、基板１０００の裏面からレーザー光照射をすることについて詳細に説明する。
【００５８】
図６に示すように、画素における第１駆動用配線６２２とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが、基板１０００の裏面から見た方向であるレーザー光が照射される方向から見て、この順に、基板１０００の面に対して垂直方向に重なるように配置されている領域をレーザー光照射領域Ｒとして、レーザー光照射をする。
【００５９】
つまり、図５に示すように、第１駆動ビームアンカー１４２１及びマスターノードＮ１に接続された第１駆動用配線６２０上の位置Ｒ２と、シャッター体１４１に接続されたシャッター配線７２０（図６参照）上のＲ１とを接続する。これにより、シャッター体１４１と第１駆動ビームアンカー１４２１とが同電位となり、第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差が生じる。
【００６０】
なお、金属膜Ｍ３の大きさ及び形状は、任意に設定することができるが、レーザー光照射領域Ｒの大きさ以上であることが好ましい。これにより、仮に基板１０００上に遮光膜１１００を設けない場合であっても、レーザー光照射により、シャッター部１０３等が破壊されて飛び散りにくく、シャッター体１４１等の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００６１】
例えば、図６のように、第１駆動用配線６２２とシャッター配線７２０とを導通させるときに、レーザー光照射領域Ｒの全て覆うように第１駆動用配線６２２の幅Ｗに近い直径の正方形である場合、レーザー光照射領域Ｒの周囲を金属膜Ｍ３によって全て覆うことができ、シャッター部１０３が、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向である、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にレーザー光が照射されず、当該シャッター部１０３が破壊されるのを防ぐことができる。また、レーザー光照射領域Ｒの周囲にピンポイントに金属膜Ｍ３を配置することにより、第１基板の第１開口領域１３０２，１３０３等を塞ぐことがなく、バックライト３０からの光が金属膜Ｍ３によって遮断されるのを防ぐことができる。
【００６２】
図７は、図６に示すレーザー光照射領域Ｒの部分をＡ−Ａ線で切断した断面を示す模式図である。図７の（ａ）に示すように、基板１０００の上に形成された第１駆動用配線６２２を含む第１配線層Ｍ１上には、第１絶縁膜１３００が形成されている。第１絶縁膜１３００の上には、第１駆動用配線６２０と垂直方向に重なるようにシャッター配線７２０を含む第２配線層Ｍ２が形成されている。第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０が重なる領域の一部の領域は、第１遮光膜１１００が形成されていない。すなわち、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０が重なる領域の一部の領域には、第１遮光膜１１００に開口１１００ａが設けられている。図７の（ａ）において、基板１０００の裏面から矢印方向に、第１遮光膜１１００の開口１１００ａを介して、例えば５３２μｍの短波長域のレーザー光を照射する。これにより、図７の（ｂ）に示すように、レーザー光の熱によって、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２０とが接続される。
【００６３】
このように、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２０とが重なる領域の一部を導通させることにより、シャッター体１４１と第１駆動ビームアンカー１４２１とが同電位となり、第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差が生じ、表１及び図５等から明らかなように、不良画素におけるシャッター体１４１を閉状態の位置に配置することができる。つまり、輝点となっている画素を黒点化して表示させることができ、黒色を表示する際に輝点となって表示される表示不良を軽減することができる。また、第１遮光膜１１００のレーザー光照射領域Ｒには開口１１００ａが設けられているので、レーザー光を照射したときに、第１遮光膜１１００はレーザー光によっては破壊されず、飛び散りにくい。このように、レーザー光は第１遮光膜１１００等の構造物を破壊せずに上層までレーザー光を照射することができ、低エネルギーでレーザー光を照射できるようになるため、構造物の飛び散りを最小限に抑えながら点欠陥及び線欠陥等の表示装置１の表示不良の修復が可能になる。その結果、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００６４】
また、第１駆動用配線６２２とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向である、レーザー光が照射される方向から見て、この順に配置されている。また、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とのそれぞれは、少なくとも一部が、アクティブマトリクス基板１０の表面の垂直方向において重なるように配置されている。
【００６５】
ここで、図７に示すように、第１駆動用配線６２２とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが重なる領域をレーザー光照射領域Ｒとして高い強度のレーザー光照射をした場合、金属膜Ｍ３が吸収することができる。そのため、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなる。
【００６６】
このように、上述の形態によれば、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減しながら、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にすることができる。
【００６７】
なお、上記した黒点化の修正において、第１駆動用配線６２０に接続されたスイッチング素子（５０１，５０４）と第１駆動ビームアンカー１４２１との間を切断し、スレーブノードＮ２を第１駆動ビームアンカー１４２１と切り離してもよい。このようにしても、シャッター体１４１と第１駆動ビームアンカー１４２１とを同電位とし、第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差を生じさせることができ、より安定してシャッター体１４１を閉状態の位置に配置させることができる。
【００６８】
また、上述の第１実施形態では、不良画素における第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とが重なる領域の一部にレーザー光照射して導通させる。レーザー光照射領域Ｒは大きいほど好ましく、例えば、第１駆動用配線６２０を第１駆動用配線６２１と第１駆動用配線６２１から突出した第１駆動用配線６２２とで構成し、第１駆動用配線６２２とシャッター配線７２０とが重なるよう領域に配置されていることが好ましい。これにより、第１駆動用配線６２１だけで構成されている場合よりもレーザー光を照射可能な領域が大きいため、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させる位置にレーザー光をより確実に照射することができる。
【００６９】
（第１実施形態に係る表示装置１の製造方法）
次に、図８を用いて、表示装置１の製造方法について説明する。
【００７０】
図８は表示装置１の製造工程を表す図である。なお、図８は、図４の（ｂ）を上下方向逆にした図である。
【００７１】
まず、図８の（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板１０００上に第１遮光膜１１００を形成する。第１遮光膜１１００は、例えば、カーボンブラックにより着色されたスピンオンガラス（ＳＯＧ）材料を、スピンコート法又はスリットコート法で塗布し、低温ベークした後にパターニングすることで形成することができる。
【００７２】
このように、スピンオンガラス（ＳＯＧ）材料を含む材料で第１遮光膜１１００を形成することにより、より好適にレーザー光の光を遮断することができる。その結果、レーザー光を照射する必要のない箇所に対して、レーザー光を遮り、光による悪影響をより抑えることができる。
【００７３】
次に、図８の（ｃ）に示すように、第１遮光膜１１００にバックライト３０からの光を透過させるための第１開口領域１３０２，１３０３を形成し、且つ、第１駆動用配線６２０及びシャッター配線７２０と、金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域に開口１１００ａを形成する（開口形成工程）。開口１１００ａを設けることで、当該領域をレーザー光照射領域Ｒとしてレーザー光を照射しても、第１遮光膜１１００が破壊されて飛び散りにくい。このように、レーザー光は第１遮光膜１１００等の構造物を破壊せずに上層までレーザー光を照射することができ、低エネルギーでレーザー光を照射できるようになるため、構造物の飛び散りを最小限に抑えながら点欠陥及び線欠陥等の表示装置１の表示不良の修復が可能になる。その結果、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００７４】
次に、図８の（ｄ）に示すように、第１遮光膜１１００上にパッシベーション層１２００を介して第１配線層Ｍ１を形成する（第１配線層形成工程）。第１遮光膜１１００上にパッシベーション層１２００を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ等の公知の方法が挙げられる。また、パッシベーション層１２００上に第１配線層Ｍ１を形成する方法としては、例えば、パッシベーション層１２００上に第１駆動用配線６２０等の配線を、スパッタリングを用いて形成する方法が挙げられる。また、当該配線の表面の金属膜は、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等を含む。
【００７５】
次に、図８の（ｅ）に示すように、第１配線層Ｍ１上に第１絶縁膜１３００を介して、第２配線層Ｍ２を形成する（第２配線層形成工程）。第１配線層Ｍ１上に第１絶縁膜１３００を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ等の公知の方法が挙げられる。また、第１絶縁膜１３００上に第２配線層Ｍ２を形成する方法としては、例えば、第１絶縁膜１３００上にシャッター配線７２０等の配線を、スパッタリングを用いて形成する方法が挙げられる。また、当該配線の表面の金属膜は、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等を含む。
【００７６】
次に、図８の（ｆ）に示すように、第２配線層Ｍ２上に第２絶縁膜１４００を形成し、当該第２絶縁膜上に金属膜Ｍ３を形成する（金属膜形成工程）。
【００７７】
このようにして、第１配線層Ｍ１における第１駆動用配線６２２と第２配線層Ｍ２におけるシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向であるレーザー光が照射される方向から見て、この順に配置される。また、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とのそれぞれは、少なくとも一部が、アクティブマトリクス基板１０の表面の垂直方向において重なるように配置される。これにより、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが重なる領域をレーザー光照射領域Ｒとして高い強度のレーザー光照射をした場合に、金属膜Ｍ３がレーザー光を吸収することができる。その結果、図８の（ｇ）に示すように、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなる。そのため、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減しながら、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にすることができる。
【００７８】
ここで、第２配線層Ｍ２上に第２絶縁膜１４００を形成する方法としては、第１絶縁膜１３００と同様に、例えば、ＣＶＤ等の公知の方法を用いることができる。すなわち、第２絶縁膜１４００は、第１絶縁膜１３００と同様のものを用いて同様のものを用いることができる。金属膜Ｍ３を形成する方法としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金を堆積させることによって形成することができる。
【００７９】
次に、図８の（ｇ）に示すように、第２配線層Ｍ２の上に第２絶縁膜１４００（及び金属膜Ｍ３）を介してシャッター部１０３を配置する（シャッター部配置工程）。シャッター部１０３は公知の方法を用いて製造することができ、例えば、スパッタリングによって製造することができる。
【００８０】
〔第２実施形態〕
第１実施形態では、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域をレーザー光照射領域Ｒとし、当該レーザー光照射領域Ｒにシャッター体１４１が配置されていたが、本発明ではこのような形態に限定されない。例えば、図９に示すように、レーザー光照射領域Ｒを、上記シャッター部１０３が配置されている領域以外の位置に設けてもよい。このように、シャッター部１０３が配置されている領域にレーザー光照射領域Ｒが設けられていないことで、レーザー光がシャッター部１０３に照射されて破壊されるのをより好適に防止することができる。ここで、レーザー光照射領域Ｒを、上記シャッター部１０３が配置されている領域以外の位置に設けるとは、例えば、レーザー光照射領域Ｒの端部が、シャッター部１０３の端部である第１駆動ビームアンカー１４２１又は第２駆動ビームアンカーから０μｍ以上離れように設けることを意味する。
【００８１】
また、第２実施形態に係る表示装置１の製造方法としては、シャッター部配置工程において、シャッター部１０３を図９に示すようにレーザー光照射領域Ｒにはないように配置する以外は、上述の第１実施形態に係る表示装置１の製造方法と同様の方法により行うことができる。シャッター部１０３をレーザー光照射領域Ｒにはないように配置する方法としては、例えば、第１遮光膜１１００の開口１１００ａを設ける位置、及び、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域をシャッター部１０３が配置されている領域以外の位置にすることによって実現することができる。
【００８２】
〔第３実施形態〕
第１実施形態及び第２実施形態において、第２駆動ビームアンカー１４３１に接続されたスイッチング素子の動作不良によって、第２駆動ビームアンカー１４３１に正常に駆動電圧が入力されず、シャッター体１４１を閉状態の位置に配置させておくことができない場合がある。本実施形態では、アクティブマトリクス基板１０において、各画素に他の画素の駆動電圧を供給するための修正用配線が設けられ、不良画素に対し、他の画素の駆動電圧を、修正用配線を介して供給する例について説明する。
【００８３】
図１０は、図６に示した画素ＰＩＸ（１）（２）におけるコンタクト１４２Ｃ及びコンタクト１４３Ｃが形成されている領域部分を拡大した模式図である。図１０に示すように、画素ＰＩＸ（１）（２）には、各画素における第２駆動用配線７２１を互いに接続するための修正用配線（第２配線）８１０が設けられている。修正用配線８１０は、第２配線層Ｍ２に形成されている。
【００８４】
つまり、修正用配線８１０は、図１１に示す駆動回路１４５において、画素ＰＩＸ（１）（２）の各スレーブノードＮ２の間を接続するための配線である。
【００８５】
図１２の（ａ）は、図１０に示す修正用配線８１０の部分をＢ−Ｂ線で切断した断面図であり、図１２の（ｂ）は、図１０に示す第２駆動用配線７２１の一部をＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
【００８６】
図１０及び図１２の（ａ）に示すように、修正用配線８１０は、画素ＰＩＸ（１）（２）において、第２配線層Ｍ２に含まれる第２駆動用配線７２１の下側のゲート配線（第１配線）６１１を含む第１配線層Ｍ１の上に、第１絶縁膜１３００を介して形成されている。図１２の（ｂ）に示すように、コンタクト１４３Ｃにおいて、第２駆動用配線７２１は、ゲート配線６１１と接続されている。図１２の（ａ）（ｂ）に示すように、この状態は、修正用配線８１０が、ゲート配線６１１と接続されておらず、画素ＰＩＸ（１）（２）のコンタクト１４３Ｃにおいて、各第２駆動ビームアンカー１４３１が修正用配線８１０と接続されていない。
【００８７】
例えば、画素ＰＩＸ（１）が不良画素であり、第２駆動ビームアンカー１４３１に正常に電圧が供給されない場合、図１０に示すように、第２駆動用配線７２１上のＲ４の位置を、レーザー光（以下、切断用レーザー）によって切断する。つまり、図１１に示すように、第２駆動ビームアンカー１４３１とスレーブノードＮ２との間を切断する。ここで、図１０に示すように、Ｒ４の位置には、アクティブマトリクス基板１０におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向であるレーザー光が照射される方向から見て第２駆動用配線７２１よりも上であって、シャッター部１０３よりも下の位置に金属膜Ｍ３が配置されている。このように、第２駆動用配線７２１を切断するために高い強度のレーザー光照射をした場合に、金属膜Ｍ３が吸収することができる。その結果、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなるため、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００８８】
次に、図１３の（ａ）に示すように、基板１０００の裏面側から第１遮光膜１１００の開口１１００ａを介して、図１０に示す修正用配線８１０の両端Ｓ１，Ｓ２の部分に、所定波長域のレーザー光（以下、接続用レーザー）を照射する。つまり、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における第２駆動用配線７２１と修正用配線８１０とを導通させる。なお、切断用レーザーには、例えば、１０６４μｍの長波長域のレーザー光を用い、接続用レーザーには、例えば、５３２μｍの短波長域のレーザー光を用いてもよい。これにより、レーザー光の熱によって、図１３の（ｂ）に示すように、Ｓ１、Ｓ２の各部において第１配線層Ｍ１と第２配線層Ｍ２とが接続される。
【００８９】
その結果、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動用配線６２０と第２駆動用配線７２１が断線され、修正用配線８１０の両端Ｓ１、Ｓ２とゲート配線６１１とが電気的に接続される。
【００９０】
これにより、画素ＰＩＸ（１）の第２駆動ビームアンカー１４３１には、修正用配線８１０を介して画素ＰＩＸ（２）における第２駆動用配線７２１の電位が供給される。より具体的には、例えば、画素ＰＩＸ（１）が不良画素の場合、不良画素における第２駆動用配線７２１と、隣接の画素ＰＩＸ（２）の第２駆動用配線７２１とを修正用配線８１０で導通させる。この場合、不良画素のスレーブノードＮ２の電位は、隣接画素のスレーブノードＮ２と同電位となる。つまり、不良画素の側のスレーブノードＮ２は、隣接画素のスレーブノードＮ２の電位がＬレベルのときにＬレベルとなり、ＨレベルのときにＨレベルとなる。このとき、隣接する２つの画素のシャッター配線７２０の電位を同じ極性（Ｈ又はＬ）にしておくか、共通の配線としておく。つまり、全てのシャッター配線７２０の電位が同じ極性になっているか、又は、１つおきの画素のシャッター配線７２０の電位が同じ極性になっているように構成される。これにより、隣接画素のシャッター体１４１が閉状態の位置に配置されるとき（例えば、シャッター配線７２０の電位がＨレベル、隣接画素のデータ信号の電位がＬレベルの場合）、不良画素のスレーブノードＮ２の電位もＬレベルとなり、第２駆動ビームアンカー１４３１とシャッター体１４１に電位差が生じてシャッター体１４１が閉状態の位置に配置される。つまり、不良画素が黒点化される。また、隣接画素のシャッター体１４１が開状態の位置に配置されるとき（例えば、シャッター配線７２０の電位がＨレベル、隣接画素のデータ信号の電位がＨレベルの場合）、不良画素のスレーブノードＮ２の電位はＨレベルとなる。その結果、シャッター体１４１、マスターノードＮ１、スレーブノードＮ２の電位が全てＨレベルとなり、シャッター体１４１は動作しない。しかしながら、開閉状態に関わらず、隣接画素のシャッター体１４１が開状態の位置に配置されるので、不良画素の表示不良を目立たなくなる。
【００９１】
ここで、第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、第１遮光膜１１００における、ゲート配線６１１と修正用配線８１０と金属膜Ｍ３とが、基板１０００の垂直方向において重なる領域の一部である、レーザー光照射領域Ｒには開口１１００ａが設けられているので、レーザー光を照射したときに、第１遮光膜１１００はレーザー光によっては破壊されず、飛び散りにくい。このように、レーザー光は第１遮光膜１１００等の構造物を破壊せずに上層までレーザー光を照射することができ、低エネルギーでレーザー光を照射できるようになるため、構造物の飛び散りを最小限に抑えながら点欠陥及び線欠陥等の表示装置１の表示不良の修復が可能になる。その結果、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００９２】
また、ゲート配線６１１と修正用配線８１０と金属膜Ｍ３とが、基板１０００の裏面から見た方向であるレーザー光が照射される方向から見て、この順に配置されていることから、例えば、ゲート配線６１１と修正用配線８１０とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にするために高い強度のレーザー光を照射した場合に、金属膜Ｍ３が吸収することができる。その結果、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなるため、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００９３】
なお、本実施形態の図１０において、第２駆動用配線７２１上のＲ４の位置を、レーザー光によって切断していることからも明らかなように、本発明において配線を切断する場合は、第１実施形態及び第２実施形態で示したような配線同士を導通させる場合と異なり、図１４の（ａ）に示すように、ゲート配線６１１及び第１駆動用配線６２０、６２１、６２２等の第１配線６３０、シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１及び修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０等の第２配線９１０、並びに、金属膜Ｍ３の全てが重なるように配置されている領域にレーザー光を照射する必要はない。
【００９４】
切断する配線が第１配線６３０の場合、図１４の（ｂ）のように、第１配線６３０と金属膜Ｍ３とだけが重なる形態であってもよく、切断する配線が第２配線９１０の場合、図１４の（ｃ）のように、第２配線９１０と金属膜Ｍ３とだけが重なる場合であってもよい。すなわち、第１配線６３０及び第２配線９１０のうち、切断する一方の配線と、金属膜Ｍ３とが重なるように配置されていればよい。
【００９５】
このように、第１配線６３０を切断するために、第１配線６３０及び金属膜Ｍ３のみが重なるように配置されている形態や、第２配線９１０を切断するために、第２配線９１０及び金属膜Ｍ３のみが重なるように配置されている形態も、本発明の権利範囲に属する。
【００９６】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。以下、本発明の変形例について説明する。
【００９７】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る表示装置１は、シャッター部１０３を有する第１基板（アクティブマトリクス基板１０）と上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）に対向する第２基板（対向基板２０）とを備え、各画素（ＰＩＸ、ＰＩＸ（１）、ＰＩＸ（２））に配置された上記シャッター部１０３におけるシャッター体１４１の開閉により画像を表示する表示装置１であって、上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）は、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０）と金属膜Ｍ３とを含み、上記シャッター部１０３と上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）及び上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）とは電気的に接続されており、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と上記金属膜Ｍ３とは、上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）における上記シャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されており、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３とは、少なくとも一部が、重なるように配置されていることを特徴とする。
【００９８】
上記構成によると、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と金属膜Ｍ３とが、第１基板（アクティブマトリクス基板１０）におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向である、レーザー光が照射される方向から見て、この順に配置されている。また、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、金属膜Ｍ３とは、少なくとも一部が、重なるように配置されている。これにより、第１駆動用配線６２０又はシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが重なる領域に高い強度のレーザー光照射をした場合に、金属膜Ｍ３が吸収することができる。そのため、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなる。その結果、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【００９９】
本発明の態様２に係る表示装置１は、上記態様１において、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と上記金属膜Ｍ３とのそれぞれは、少なくとも一部が、重なるように配置されていることが好ましい。
【０１００】
上記構成によると、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にするために、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０と金属膜Ｍ３とが重なる領域にレーザー光を照射する場合に特に好適に利用することができる。この場合も、レーザー光を金属膜Ｍ３が吸収することができるため、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなる。
【０１０１】
本発明の態様３に係る表示装置１は、上記態様１又は２において、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）、上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）及び上記金属膜Ｍ３と、上記シャッター部１０３とは、上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）における上記シャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に配置されていることが好ましい。
【０１０２】
表示装置１は、上記構成のように、シャッター部１０３が、第１基板（アクティブマトリクス基板１０）におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面（基板１０００の裏面）から見た方向である、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されていても、レーザー光を金属膜Ｍ３が吸収することができる。そのため、当該シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて飛び散ることが起こりにくくなる。
【０１０３】
本発明の態様４に係る表示装置１は、上記態様１又は２において、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域は、上記シャッター部１０３が配置されている領域以外の位置に設けられていることが好ましい。
【０１０４】
上記構成により、シャッター部１０３が配置されている領域に第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域がないことで、当該重なる領域にレーザー光を照射した場合には、レーザー光がシャッター部１０３に照射されないため、シャッター部１０３がレーザー光の照射によって破壊されるのをより好適に防止することができる。
【０１０５】
本発明の態様５に係る表示装置１は、上記態様１〜４において、上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）は遮光膜（第１遮光膜１１００）をさらに含み、上記遮光膜（第１遮光膜１１００）と、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部は、重なるように配置されており、上記遮光膜（第１遮光膜１１００）は、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域において開口１１００ａを有していることが好ましい。
【０１０６】
上記構成によると、上記遮光膜（第１遮光膜１１００）の上記開口１１００ａと、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部は、重なるため、この重なる領域にレーザー光照射をしたときに、遮光膜（第１遮光膜１１００）はレーザー光によっては破壊されず、飛び散りにくい。このように、レーザー光は遮光膜（第１遮光膜１１００）等の構造物を破壊せずに上層までレーザー光照射をすることができ、低エネルギーでレーザー光を照射できるようになるため、構造物の飛び散りを最小限に抑えながら点欠陥及び線欠陥等の表示装置１の表示不良の修復が可能になる。その結果、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性をより低減することができる。
【０１０７】
本発明の態様６に係る表示装置１は、上記態様１〜５において、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）は、ゲート配線６１１及び第１駆動用配線６２０のうちの少なくとも１つであってもよい。
【０１０８】
表示装置１は、ゲート配線及び第１駆動用配線を第１配線として好適に利用することができる。
【０１０９】
本発明の態様７に係る表示装置１は、上記態様１〜６において、上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）は、シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、及び、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０からなる群から選ばれる少なくとも１つであってもよい。
【０１１０】
表示装置１は、シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、及び、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０を第２配線として好適に利用することができる。
【０１１１】
本発明の態様８に係る表示装置１の製造方法は、上記態様１〜７の表示装置１の製造方法であって、遮光膜（第１遮光膜１１００）における、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域に開口１１００ａを形成する開口形成工程と、上記遮光膜（第１遮光膜１１００）上にパッシベーション層１２００を介して、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）を含む第１配線層Ｍ１を形成する第１配線層形成工程と、上記第１配線層Ｍ１上に第１絶縁膜１３００を介して、上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）を含む第２配線層Ｍ２を形成する第２配線層形成工程と、上記第２配線層Ｍ２上に第２絶縁膜１４００を介して、上記金属膜Ｍ３を形成する金属膜形成工程と、上記第２絶縁膜１４００上に上記シャッター部１０３を配置するシャッター部配置工程と、を備えていることを特徴とする。
【０１１２】
上記構成によると、第１配線層Ｍ１における第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と、第２配線層Ｍ２における第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、金属膜Ｍ３とが、第１基板（アクティブマトリクス基板１０）におけるシャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面から見た方向であるレーザー光が照射される方向から見て、この順に配置される。また、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と金属膜Ｍ３とは、少なくとも一部が、重なるように配置される。これにより、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と金属膜Ｍ３とが重なる領域に高い強度のレーザー光照射をした場合に、金属膜Ｍ３が吸収することができる。その結果、シャッター部１０３が、レーザー光が照射される方向から見て金属膜Ｍ３の上に配置されている場合でも、シャッター部１０３にレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて、飛び散ることが起こりにくくなるため、シャッター体１４１の動作に不具合が生じる可能性を低減することができる。
【０１１３】
本発明の態様９に係る表示装置１の製造方法は、上記態様８において、上記開口形成工程では、上記シャッター部１０３が配置されている領域以外の位置に上記開口１１００ａを形成することが好ましい。
【０１１４】
上記構成によると、シャッター部１０３が配置されている領域以外の位置に開口１１００ａが設けられているため、当該開口１１００ａの位置をレーザー光照射領域Ｒとすることで、レーザー光照射領域Ｒをシャッター部１０３が配置されている領域以外の位置にすることができる。その結果、レーザー光がシャッター部１０３に照射されて破壊されるのをより好適に防止することができる。
【０１１５】
本発明の態様１０に係る表示装置１における画素ＰＩＸの修正方法は、上記態様１〜７の表示装置１における画素ＰＩＸの修正方法であって、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域に、上記第１基板（アクティブマトリクス基板１０）における上記シャッター部１０３が配置されている面とは反対側の面の方向からレーザー光を照射して、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）を切断するか、又は、上記第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）と上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）とを導通させ、電気的に非接続の状態から電気的に接続された状態にすることを特徴とする。
【０１１６】
上記構成によると、配線を切断又は接続して画素ＰＩＸを修正するときに、第１配線（ゲート配線６１１、第１駆動用配線６２０、６２１、６２２、第１配線６３０）又は上記第２配線（シャッター配線７２０、第２駆動用配線７２１、修正用配線８１０、８２０、８３０、８４０、第２配線９１０）と、上記金属膜Ｍ３との少なくとも一部が重なる領域に、レーザー光を照射することで、レーザー光を金属膜Ｍ３が吸収することができる。そのため、当該シャッター部１０３にはレーザー光が照射されず、シャッター部１０３が破壊されて飛び散ることが起こりにくくなる。
【０１１７】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１  表示装置
１０  アクティブマトリクス基板（第１基板）
２０  対向基板（第２基板）
１０３  シャッター部
１４１  シャッター体
６１１  ゲート配線（第１配線）
６２０、６２１、６２２  第１駆動用配線（第１配線）
６３０  第１配線
７２０  シャッター配線（第２配線）
７２１  第２駆動用配線（第２配線）
８１０、８２０、８３０、８４０  修正用配線（第２配線）
９１０  第２配線
１１００  第１遮光膜（遮光膜）
１１００ａ  開口
１２００  パッシベーション層
１３００  第１絶縁膜
１４００  第２絶縁膜
Ｍ１  第１配線層
Ｍ２  第２配線層
Ｍ３  金属膜
ＰＩＸ、ＰＩＸ（１）、ＰＩＸ（２）  画素
【図１】
2018063339.tif 000004
【図２】
2018063339.tif 000005
【図３】
2018063339.tif 000006
【図４】
2018063339.tif 000007
【図５】
2018063339.tif 000008
【図６】
2018063339.tif 000009
【図７】
2018063339.tif 000010
【図８】
2018063339.tif 000011
【図９】
2018063339.tif 000012
【図１０】
2018063339.tif 000013
【図１１】
2018063339.tif 000014
【図１２】
2018063339.tif 000015
【図１３】
2018063339.tif 000016
【図１４】
2018063339.tif 000017