(57)【要約】【課題】半導体層を含む積層体である基板をプラズマダイシングする方法において、製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】第１層と、半導体層である第２層と、複数の素子領域と、ストリートと、を備える基板を準備する準備工程と、基板を、ステージに第２層を対向させて載置する載置工程と、基板を、素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を具備し、プラズマダイシング工程は、第２層にストリートに対応する溝を形成するエッチングステップと、溝の内壁に保護膜を堆積させる堆積ステップと、を含むサイクルを繰り返すことにより、第１のピッチＰＴ１で、溝の内壁に沿う第１のスキャロップを形成する第１のエッチングと、第１のエッチングの後、第２のピッチＰＴ２で、第２のスキャロップを形成する第２のエッチングと、を備えており、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および第２主面を備え、第１層と、前記第１層の前記第２主面側に形成された半導体層である第２層と、複数の素子領域と、前記素子領域を画定するストリートと、を備える基板を準備する準備工程と、
前記基板を、プラズマ処理装置の処理室に設置されたステージに、前記第２主面を対向させて載置する載置工程と、
前記プラズマ処理装置が備える電極に高周波電力を印加することにより、前記処理室の内部に発生させたプラズマにより、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を具備し、
前記プラズマダイシング工程が、
前記第２層に前記ストリートに対応する溝を形成するエッチングステップと、前記溝の内壁に保護膜を堆積させる堆積ステップと、を含むサイクルを繰り返すことにより、
第１のピッチＰＴ１で、前記溝の前記内壁に沿う第１のスキャロップを形成する第１のエッチングと、
前記第１のエッチングの後、第２のピッチＰＴ２で、第２のスキャロップを形成する第２のエッチングと、を備えており、
ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす、素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記第１のエッチングにおける第１のエッチング時間ＴＥ１と、
前記第２のエッチングにおける第２のエッチング時間ＴＥ２と、が、
ＴＥ１＜ＴＥ２の関係を満たす、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチングの前記エッチングステップにおいて、前記電極に印加される第１の高周波電力Ｐ１と、
前記第２のエッチングの前記エッチングステップにおいて、前記電極に印加される第２の高周波電力Ｐ２と、が、
Ｐ１＜Ｐ２の関係を満たす、請求項１または２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項４】
前記載置工程において、前記基板が、前記第２主面が支持部材で支持された状態で前記ステージに載置されるとともに、静電吸着機構により前記ステージに固定される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項５】
前記プラズマダイシング工程が、さらに、前記第２のエッチングの後、第３のピッチＰＴ３で、第３のスキャロップを形成する第３のエッチングを備えており、
ＰＴ３＜ＰＴ２の関係を満たす、請求項１〜４のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
【請求項６】
前記第２のエッチングの前記エッチングステップにおいて、前記電極に印加される第２の高周波電力Ｐ２と、
前記第３のエッチングの前記エッチングステップにおいて、前記電極に印加される第３の高周波電力Ｐ３と、が、
Ｐ３＜Ｐ２の関係を満たす、請求項５に記載の素子チップの製造方法。
【請求項７】
第１主面および第２主面を備え、第１層と、前記第１層の前記第２主面側に形成された半導体層である第２層と、素子領域と、を備える素子チップであって、
前記第２層の外周には、複数のスキャロップが形成されており、
前記複数のスキャロップは、
前記第１主面側に、第１のピッチＰＴ１で形成された第１のスキャロップと、
前記第１のスキャロップよりも前記第２主面側に、第２のピッチＰＴ２で形成された第２のスキャロップと、備えており、
ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす、素子チップ。
【請求項８】
前記複数のスキャロップは、前記第２のスキャロップよりもさらに前記第２主面側に、第３のピッチＰＴ３で形成された第３のスキャロップを備えており、
ＰＴ３＜ＰＴ２の関係を満たす、請求項７に記載の素子チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子チップおよびその製造方法に関し、詳細には、半導体層を含む積層体である基板をプラズマダイシングして素子チップを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板をダイシングする方法として、マスクを形成した基板にプラズマエッチングを施して個々のチップに分割するプラズマダイシングが知られている。このとき、シリコン等の半導体を含む半導体層に対しては、ボッシュ（ＢＯＳＣＨ）法といわれる方法により、プラズマエッチングが行われ得る（例えば、特許文献１および２）。ボッシュ法は、基板の素子領域を画定するストリートに対して、フッ素系ガスのプラズマによるエッチングステップと、フッ化炭素ガスのプラズマによる保護膜堆積ステップとを、交互に含むサイクルを繰り返すことによって、ストリートに対応する溝を形成し、掘り進める方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１４−５１３８６８号公報
【特許文献２】特開２０１６−１４６３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ボッシュ法におけるエッチングステップは等方性エッチングであるため、プロセス機構上、加工面である溝の内壁には、スキャロップといわれる複数の凹凸が形成される。つまり、図８に示すように、得られる素子チップ２２０の第２層２１２の外周に、スキャロップＳが形成される。基板が、半導体層である第２層２１２と半導体以外の材料を含む第１層２１１との積層体である場合、第１層２１１と第２層２１２との境界面にはアンダーカットＣが生じ易い。これは、第２層２１２に対する１回目のエッチングステップが、保護膜を堆積する保護膜堆積ステップの前に行われるため、第１層２１１の直下に形成されるスキャロップＳａが特に深くなることによる。つまり、１回目のエッチングステップの際、第２層２１２は保護膜によって保護されていないため、水平方向へのエッチングが進みやすい。一方、第１層２１１は半導体以外の材料を含むため、１回目のエッチングステップにおいて、第２層２１２に比べて水平方向へのエッチングが進みにくい。このような、第２層２１２と第１層２１１の水平方向へのエッチングの進み易さの違いから、大きなアンダーカットＣが発生する場合がある。アンダーカットＣが生じると、第１層２１１と第２層２１２とが剥離し易くなる。
【０００５】
また、２回目以降のサイクルは、１回目で形成されたスキャロップＳａの底部を起点にして行われる。スキャロップＳａの底部はアンダーカットＣにより大きく後退しているため、スキャロップＳａ以降に形成されるスキャロップＳの底部も、第１層２１１の端面よりも大きく後退する。その結果、得られる素子チップ２２０における第１主面２０１Ｘと第２主面２０１Ｙとの大きさの違いが大きくなるため、ダイシング後のピックアップ工程における認識不良およびピックアップミスが誘発される。そのため、製品の歩留まりが低下する。
【０００６】
アンダーカットＣを低減する方法として、エッチングステップの時間を短くする方法が考えられる。しかし、この場合、エッチングステップの１回あたりのエッチング量が小さくなるため、基板を分割するために必要なサイクル数（繰り返し回数）が多くなり、生産性が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、第１主面および第２主面を備え、第１層と、前記第１層の前記第２主面側に形成された半導体層である第２層と、複数の素子領域と、前記素子領域を画定するストリートと、を備える基板を準備する準備工程と、前記基板を、プラズマ処理装置の処理室に設置されたステージに、前記第２主面を対向させて載置する載置工程と、前記プラズマ処理装置が備える電極に高周波電力を印加することにより、前記処理室の内部に発生させたプラズマにより、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を具備し、前記プラズマダイシング工程が、前記第２層に前記ストリートに対応する溝を形成するエッチングステップと、前記溝の内壁に保護膜を堆積させる堆積ステップと、を含むサイクルを繰り返すことにより、第１のピッチＰＴ１で、前記溝の前記内壁に沿う第１のスキャロップを形成する第１のエッチングと、前記第１のエッチングの後、第２のピッチＰＴ２で、第２のスキャロップを形成する第２のエッチングと、を備えており、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす、素子チップの製造方法に関する。
【０００８】
本発明の他の一局面は、第１主面および第２主面を備え、第１層と、前記第１層の前記第２主面側に形成された半導体層である第２層と、素子領域と、を備える素子チップであって、前記第２層の外周には、複数のスキャロップが形成されており、前記複数のスキャロップは、前記第１主面側に、第１のピッチＰＴ１で形成された第１のスキャロップと、前記第１のスキャロップよりも前記第２主面側に、第２のピッチＰＴ２で形成された第２のスキャロップと、備えており、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす、素子チップに関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体層と他の層との間のアンダーカットが生じ難くなるため、層間の剥離が抑制されるとともに、ピックアップ性が向上する。その結果、製品の歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板を保持した搬送キャリアを概略的に示す上面図（ａ）およびそのＢ−Ｂ線での断面図（ｂ）である。
【図２】プラズマ処理装置の構造を断面で示す概念図である。
【図３】本発明の実施形態に係る製造方法の要部の工程における基板の一部を、模式的に示す側面図である（（ａ）、（ｂ））。
【図４】本発明の実施形態に係る素子チップを模式的に示す側面図である。
【図５】第１のエッチングにおける基板の一部を、模式的に示す側面図である（（ａ）〜（ｅ））
【図６】本発明の他の実施形態に係る製造方法の要部の工程における基板の一部を、模式的に示す側面図である（（ａ）〜（ｃ））。
【図７】本発明の他の実施形態に係る素子チップを模式的に示す側面図である。
【図８】従来の素子チップを模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本実施形態に係る製造方法は、第１主面および第２主面を備え、第１層と、第１層の第２主面側に形成された半導体層である第２層と、複数の素子領域と、素子領域を画定するストリートと、を備える基板を準備する準備工程と、基板を、プラズマ処理装置の処理室に設置されたステージに、第２主面を対向させて載置する載置工程と、処理室の外部に配置される電極に高周波電力を印加して発生するプラズマにより、基板を、素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を具備する。プラズマダイシング工程は、第２層にストリートに対応する溝を形成するエッチングステップと、溝の内壁に保護膜を堆積させる堆積ステップと、を含むサイクルを繰り返すことにより、第１のピッチＰＴ１で、溝の内壁に沿う第１のスキャロップを形成する第１のエッチングと、第１のエッチングの後、第２のピッチＰＴ２で、第２のスキャロップを形成する第２のエッチングと、を備えている。第１のピッチＰＴ１と第２のピッチＰＴ２とは、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす。ここで、第１のエッチング、第２のエッチング、さらには第３のエッチングは、第２層をエッチングするためのステップであり、第１層を除去するための工程は特に限定されない。
【００１２】
プラズマダイシング工程では、半導体層である第２層にストリートに対応する溝を形成するエッチングステップと、溝の内壁に保護膜を堆積させる堆積ステップと、が交互に繰り返される。これにより、溝の内壁に沿って、スキャロップＳが形成される。本実施形態では、エッチング条件を変化させて、スキャロップＳのピッチＰＴを変える。このとき、スキャロップＳのピッチＰＴとともに、スキャロップＳの深さｄも変わる。つまり、エッチング条件を変化させて、スキャロップＳの深さｄを変える。第１層の直下では、スキャロップＳのピッチＰＴが狭くなるような（つまり、深さｄが小さくなるような）条件でエッチングを行って、アンダーカットの発生を抑制する。一方、その後は、タクトタイムを考慮して、比較的広いスキャロップＳが形成される条件でエッチングを行う。以下、図面を参照しながら、本実施形態を説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
本実施形態では、第１のエッチングおよび第２のエッチングによって、基板の第２主面までをエッチングして、基板を個片化する。
【００１４】
（素子チップの製造方法）
本実施形態に係る製造方法を、図１〜３を参照しながら説明する。図１は、基板を保持した搬送キャリアを概略的に示す上面図（ａ）およびそのＢ−Ｂ線での断面図（ｂ）である。図２は、プラズマ処理装置の構造を断面で示す概念図である。図３は、本実施形態に係る製造方法の要部の工程における基板の一部を、模式的に示す側面図である（（ａ）、（ｂ））。図示例では、便宜上、同じ機能を備える部材に同じ符号を付している。
【００１５】
（１）準備工程
まず、ダイシングの対象となる基板１を準備する。基板１は、第１主面１Ｘおよび第２主面１Ｙを備えており、第１層１１と、第１層１１の第２主面１Ｙ側に形成された半導体層である第２層１２と、を備える。また、基板１は、ストリートＳｔと、ストリートＳｔによって画定される複数の素子領域ＥＡとに区画されている。基板１のストリートＳｔをエッチングすることにより、素子領域ＥＡを有する素子チップ２０（図４参照）が得られる。基板１の素子領域ＥＡには、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層（いずれも図示せず）が形成されていてもよい。
【００１６】
第１層１１は、例えば、絶縁膜、金属材料、樹脂保護層（例えば、ポリイミド）、レジスト層、電極パッド、バンプ等を含む。絶縁膜は、配線用の金属材料との積層体（多層配線層）として含まれてもよい。絶縁膜は、例えば、ポリイミドなどの樹脂膜、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等を含む。レジスト層は、第１層１１の最外に配置され、プラズマダイシング工程においてマスクとして機能する層である。レジスト層は、例えば、ポリイミド等の熱硬化性樹脂、フェノール樹脂等のフォトレジスト、あるいは、アクリル樹脂等の水溶性レジスト等の、いわゆるレジスト材料を含む。第２層１２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等からなる半導体層である。
【００１７】
第１層１１の厚みは特に限定されず、例えば、２〜１０μｍである。第１層１１が２次配線層やバンプを含む場合、その厚みは、例えば最大２００μｍ程度である。レジスト層の厚みも特に限定されず、例えば、５〜２０μｍである。第２層１２の厚みも特に限定されず、例えば、２０〜１０００μｍであり、１００〜３００μｍであってもよい。基板１の大きさも特に限定されず、例えば、最大径５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度である。基板１の形状も特に限定されず、例えば、円形、角型である。また、基板１には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチ等の切欠き（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。
【００１８】
ここで、プラズマダイシング工程は、ハンドリング性の観点から、基板１の第２主面１Ｙが、支持部材３で支持された状態で行われることが好ましい。この場合、準備工程では、基板１とともに搬送キャリア１０を準備する。
【００１９】
支持部材３の材質は特に限定されない。なかでも、基板１が支持部材３で支持された状態でダイシングされることを考慮すると、得られる素子チップ２０がピックアップし易い点で、支持部材３は、柔軟性のある樹脂フィルムであることが好ましい。そのため、ハンドリング性の観点から、支持部材３はフレーム２に固定される。以下、フレーム２と、フレーム２に固定された支持部材３とを併せて、搬送キャリア１０と称する。
【００２０】
樹脂フィルムの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂が挙げられる。樹脂フィルムには、伸縮性を付加するためのゴム成分（例えば、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）等）、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていてもよい。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。
【００２１】
支持部材３は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面３ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面３ｂ）とを備えている。粘着面３ａの外周縁は、フレーム２の一方の面に貼着しており、フレーム２の開口を覆っている。粘着面３ａのフレーム２の開口から露出した部分に、基板１が貼着されて保持される。プラズマダイシング工程において、支持部材３は、プラズマ処理装置の処理室（以下、真空チャンバと称す。）に設置されたステージと非粘着面３ｂとが接するように、ステージに載置される。
【００２２】
粘着面３ａは、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。これにより、プラズマダイシング後に素子チップ２０をピックアップする際、ＵＶ照射を行うことにより、素子チップ２０が粘着面３ａから容易に剥離されて、ピックアップし易くなる。例えば、支持部材３は、樹脂フィルムの片面にＵＶ硬化型アクリル粘着剤を、５〜２０μｍの厚みに塗布することにより得られる。
【００２３】
フレーム２は、基板１の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２は、支持部材３および基板１を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。フレーム２の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム２には、位置決めのためのノッチ２ａやコーナーカット２ｂが設けられていてもよい。フレーム２の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。
【００２４】
搬送キャリア１０は、支持部材３をフレーム２の一方の面に貼着し、固定することにより得られる。このとき、図１（ｂ）に示すように、支持部材３の粘着層３ａをフレームに対向させる。次いで、支持部材３の粘着面３ａに基板１の第２層１２を貼着することにより、基板１を搬送キャリア１０に保持させる。
【００２５】
（２）搬入工程
次に、基板１が保持された搬送キャリア１０を真空チャンバ内に搬入する。
ここで、図２を参照しながら、プラズマダイシング工程に使用されるプラズマ処理装置１００を具体的に説明するが、プラズマ処理装置はこれに限定されるものではない。
【００２６】
プラズマ処理装置１００は、ステージ１１１を備えている。搬送キャリア１０は、支持部材３の基板１を保持している面が上方を向くように、ステージ１１１に搭載される。ステージ１１１は、搬送キャリア１０の全体を載置できる程度の大きさを備える。ステージ１１１の上方には、フレーム２および支持部材３の少なくとも一部を覆うとともに、基板１の少なくとも一部を露出させるための窓部１２４Ｗを有するカバー１２４が配置されている。カバー１２４には、フレーム２がステージ１１１に載置されている状態のとき、フレーム２を押圧するための押さえ部材１０７が配置されている。押さえ部材１０７は、フレーム２と点接触できる部材（例えば、コイルバネや弾力性を有する樹脂）であることが好ましい。これにより、フレーム２およびカバー１２４の熱が互いに影響し合うことを抑制しながら、フレーム２の歪みを矯正することができる。
【００２７】
ステージ１１１およびカバー１２４は、真空チャンバ１０３内に配置されている。真空チャンバ１０３は、上部が開口した概ね円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材１０８により閉鎖されている。真空チャンバ１０３を構成する材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、表面をアルマイト加工したアルミニウム等が例示できる。誘電体部材１０８を構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英（ＳｉＯ2）等の誘電体材料が例示できる。誘電体部材１０８の上方には、上部電極としての第１の電極１０９が配置されている。第１の電極１０９は、第１の高周波電源１１０Ａと電気的に接続されている。ステージ１１１は、真空チャンバ１０３内の底部側に配置される。
【００２８】
真空チャンバ１０３には、ガス導入口１０３ａが接続されている。ガス導入口１０３ａには、プラズマ発生用ガスの供給源であるプロセスガス源１１２およびアッシングガス源１１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ１０３には、排気口１０３ｂが設けられており、排気口１０３ｂには、真空チャンバ１０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構１１４が接続されている。真空チャンバ１０３内にプロセスガスが供給された状態で、第１の電極１０９に第１の高周波電源１１０Ａから高周波電力が供給されることにより、真空チャンバ１０３内にプラズマが発生する。
【００２９】
ステージ１１１は、それぞれ略円形の電極層１１５と、金属層１１６と、電極層１１５および金属層１１６を支持する基台１１７と、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７を取り囲む外周部１１８とを備える。外周部１１８は導電性および耐エッチング性を有する金属により構成されており、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７をプラズマから保護する。外周部１１８の上面には、円環状の外周リング１２９が配置されている。外周リング１２９は、外周部１１８の上面をプラズマから保護する役割をもつ。電極層１１５および外周リング１２９は、例えば、上記の誘電体材料により構成される。
【００３０】
電極層１１５の内部には、静電吸着（Electrostatic Chuck）用電極（以下、ＥＳＣ電極１１９と称す。）と、第２の高周波電源１１０Ｂに電気的に接続された第２の電極１２０とが配置されている。ＥＳＣ電極１１９には、直流電源１２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極１１９および直流電源１２６により構成されている。静電吸着機構によって、支持部材３はステージ１１１に押し付けられて固定される。以下、支持部材３をステージ１１１に固定する固定機構として、静電吸着機構を備える場合を例に挙げて説明するが、これに限定されない。支持部材３のステージ１１１への固定は、図示しないクランプによって行われてもよい。
【００３１】
金属層１１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層１１６内には、冷媒流路１２７が形成されている。冷媒流路１２７は、ステージ１１１を冷却する。ステージ１１１が冷却されることにより、ステージ１１１に搭載された支持部材３が冷却されるとともに、ステージ１１１にその一部が接触しているカバー１２４も冷却される。これにより、基板１や支持部材３が、プラズマ処理中に加熱されることによって損傷されることが抑制される。冷媒流路１２７内の冷媒は、冷媒循環装置１２５により循環される。
【００３２】
ステージ１１１の外周付近には、ステージ１１１を貫通する複数の支持部１２２が配置されている。支持部１２２は、搬送キャリア１０のフレーム２を支持する。支持部１２２は、昇降機構１２３Ａにより昇降駆動される。搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬送されると、所定の位置まで上昇した支持部１２２に受け渡される。支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１の所定の位置に載置される。
【００３３】
カバー１２４の端部には、複数の昇降ロッド１２１が連結しており、カバー１２４を昇降可能にしている。昇降ロッド１２１は、昇降機構１２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構１２３Ｂによるカバー１２４の昇降の動作は、昇降機構１２３Ａとは独立して行うことができる。
【００３４】
制御装置１２８は、第１の高周波電源１１０Ａ、第２の高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、アッシングガス源１１３、減圧機構１１４、冷媒循環装置１２５、昇降機構１２３Ａ、昇降機構１２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置１００を構成する要素の動作を制御する。
【００３５】
搬入工程の際、真空チャンバ１０３内では、昇降ロッド１２１の駆動により、カバー１２４が所定の位置まで上昇している。図示しないゲートバルブが開いて、搬送キャリア１０が搬入される。このとき、複数の支持部１２２は、上昇した状態で待機している。搬送キャリア１０がステージ１１１上方の所定の位置に到達すると、支持部１２２に搬送キャリア１０が受け渡される。搬送キャリア１０は、支持部材３の粘着層３ａが上方を向くように、支持部１２２の上端面に受け渡される。
【００３６】
搬入工程に先立って、ストリートＳｔに形成されている第１層１１を除去してもよい。この場合、第１層１１は、例えば、レーザスクライビング加工によって除去される。あるいは、搬入工程および後述する載置工程の後、第１のエッチングの前にプラズマエッチングを行って、第１層１１を除去してもよい。この場合、第１層１１を除去するためのプラズマを発生させる条件と、第１のエッチングにおけるプラズマ発生条件とは異なり得る。例えば、Ａｒを含むプロセスガスを原料とするプラズマにより第１層１１を除去した後、ボッシュ法が実行される条件に切り替えて、第２層１２のエッチングが行われる。なお、素子領域ＥＡのレイアウトの工夫により、第１層１１がストリートＳｔ上に元々形成されていない場合、第１層１１の除去工程は省略できる。
【００３７】
（３）載置工程
搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡されると、真空チャンバ１０３は密閉状態に置かれる。次に、支持部１２２が降下を開始する。支持部１２２の上端面が、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１に載置される。続いて、昇降ロッド１２１が駆動する。昇降ロッド１２１は、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる。このとき、カバー１２４に配置された押さえ部材１０７がフレーム２に点接触できるように、カバー１２４とステージ１１１との距離は調節されている。これにより、フレーム２が押さえ部材１０７によって押圧されるとともに、フレーム２および支持部材３の基板１を保持していない部分がカバー１２４によって覆われ、基板１はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。押さえ部材１０７は、フレーム２と点接触できる部材（例えば、コイルバネや弾力性を有する樹脂）であることが好ましい。これにより、フレーム２およびカバー１２４の熱が互いに影響し合うことを抑制しながら、フレーム２の歪みを矯正することができる。
【００３８】
カバー１２４は、例えば、略円形の外形輪郭を有したドーナツ形であり、一定の幅および薄い厚みを備えている。カバー１２４の内径（窓部１２４Ｗの直径）はフレーム２の内径よりも小さく、カバー１２４の外径はフレーム２の外径よりも大きい。したがって、搬送キャリア１０をステージの所定の位置に搭載し、カバー１２４を降下させると、カバー１２４は、フレーム２と支持部材３の少なくとも一部を覆うことができる。窓部１２４Ｗからは、基板１の少なくとも一部が露出する。カバー１２４は、例えば、セラミックス（例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなど）や石英などの誘電体や、アルミニウムあるいは表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの金属で構成される。押さえ部材１０７は、上記の誘電体や金属の他、樹脂材料で構成され得る。
【００３９】
搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡された後、直流電源１２６からＥＳＣ電極１１９に電圧を印加する。これにより、支持部材３がステージ１１１に接触すると同時にステージ１１１に静電吸着される。なお、ＥＳＣ電極１１９への電圧の印加は、支持部材３がステージ１１１に載置された後（接触した後）に、開始されてもよい。
【００４０】
（４）プラズマダイシング工程
プラズマダイシング工程は、第１のピッチＰＴ１で、ストリートＳｔに対応する溝の内壁に沿う第１のスキャロップＳ１を形成する第１のエッチングと、第１のエッチングの後、第２のピッチＰＴ２で、第２のスキャロップＳ２を形成する第２のエッチングと、を備える。このとき、各エッチングでは、第１のピッチＰＴ１が、第２のピッチＰＴ２よりも小さくなるような条件で、プラズマ処理が行われる。
【００４１】
スキャロップＳ１およびＳ２の形成に伴って、第２層１２の端面には、第１主面１Ｘあるいは第２主面１Ｙと略平行なラインＬが形成される。このラインＬは、隣接するスキャロップＳ同士の境界に形成されており、スキャロップＳの形状を特徴づける凸部の稜線である。スキャロップＳのピッチＰＴとは、この隣接するラインＬ同士の平均の間隔である。第１のエッチングにおいて、ラインＬが３本以上現われる場合、第１のピッチＰＴ１は、隣接するラインＬ同士の平均の間隔を、さらに平均化することにより算出すればよい。第２のピッチＰＴ２および後述する第３のピッチＰＴ３についても同様である。ここで、隣接する２本のラインＬで挟まれた領域を、１つのスキャロップＳとする。
【００４２】
スキャロップＳの深さｄは、例えば、素子チップ２０の側面から算出し得る。深さｄについて、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、素子チップ２０を模式的に示す側面図である。
最初に形成される第１層１１の直下のスキャロップＳ１ａの深さｄ１は、第１層１１と第２層１２との境界線ＢとスキャロップＳ１ａとの接点を通る第１層１１の法線Ｎ１から、スキャロップＳ１ａの凹部の底部までの長さ（法線Ｎ１とスキャロップＳ１ａの表面との最大の距離）である。
【００４３】
スキャロップＳ１ａの形成以降、ｎ番目（ｎ≧２）に形成されるスキャロップＳｎの深さｄｎは、ｎ−１番目に形成されるラインＬｎ−１とスキャロップＳｎとの接点を通る第１層１１の法線Ｎｎから、スキャロップＳｎの凹部の底部までの長さ（法線ＮｎとスキャロップＳｎの表面との最大の距離）である。
【００４４】
スキャロップＳ１として複数のスキャロップが形成される場合、スキャロップＳ１の深さｄ１は、当該スキャロップの深さを平均化することにより算出すればよい。スキャロップＳ２の深さｄ２および後述するスキャロップＳ３の深さｄ３についても同様である。
【００４５】
プラズマは、以下のようにして発生される。まず、プロセスガス源１１２からガス導入口１０３ａを通って、プロセスガスが真空チャンバ１０３内部に導入される。一方、減圧機構１１４は、真空チャンバ１０３内のガスを排気口１０３ｂから排気し、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。続いて、第１の電極１０９に第１の高周波電源１１０Ａから高周波電力が印加されることで、真空チャンバ１０３内にプラズマが発生する。発生したプラズマは、イオン、電子、ラジカルなどから構成される。ここで、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０に、例えば１００ｋＨｚ以上の高周波電力を投入してもよい。イオンの基板１への入射エネルギーは、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０に印加された高周波電力によって制御することができる。第２の電極１２０に高周波電力が投入されることにより、ステージ１１１の表面にバイアス電圧が発生し、このバイアス電圧によって基板１に入射するイオンが加速され、エッチング速度が増加する。
【００４６】
（４−１）第１のエッチング
載置工程の後、第１層１１の直下から所定の領域までの第２層１２を、プラズマによりエッチングする（図３（ａ））。第１のエッチングでは、第２層１２にストリートＳｔに対応する溝を形成する第１のエッチングステップと、溝の内壁に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップと、を含むサイクル（第１のサイクル）が１回以上、行われる。さらに、第１の堆積ステップと第１のエッチングステップとの間には、第１の保護膜除去ステップが行われる。
【００４７】
第１のエッチングの詳細について、第１のサイクルを４回繰り返す場合を例に挙げて、図５（ａ）〜図５（ｅ）を参照しながら説明する。図５（ａ）〜図５（ｅ）は、第１のエッチングにおける基板の一部を、模式的に示す側面図である。
１回目のサイクルは、第１のエッチングステップから開始される（図５（ａ））。これにより、第２層１２が等方的にエッチングされ、第１層１１の直下にアンダーカットＣが形成されるとともに、１つ目のスキャロップＳ１ａが形成される。このとき、後述するように、スキャロップＳ１ａのピッチＰＴが小さくなる条件でエッチングが行われるため、アンダーカットＣは小さくなる。第１のエッチングステップの後、第１の堆積ステップを行い、第１主面１Ｘ、および、ストリートＳｔの一部が除去されることにより形成された溝の内壁（第１層１１の端面および露出した第２層１２の表面）に、保護膜Ｒを形成する（図５（ｂ））。
【００４８】
続いて、２回目のサイクルが行われる。
２回目のサイクルは、第１の保護膜除去ステップから開始される（図５（ｃ））。第１の保護膜除去ステップでは、異方性エッチングが行われる。つまり、溝の内壁のうち、底部を被覆する保護膜Ｒを除去して、第２層１２を露出させるとともに、側壁（すなわち、１つ目のスキャロップＳ１ａの表面）の保護膜Ｒは残存させる。
【００４９】
続いて、第１のエッチングステップを行う。これにより、溝の底部が等方的にエッチングされ、２つ目のスキャロップＳ１ｂが形成される（図５（ｄ））。このとき、エッチングは、１つ目のスキャロップＳ１ａの表面が保護膜で覆われた状態で開始されるため、アンダーカットＣの拡大が抑制されるとともに、１つ目のスキャロップＳ１ａの深さｄ１ａの増大も抑制される。２つ目のスキャロップＳ１ｂの深さｄ１ｂは、アンダーカットＣよりも小さくなり得る。
第１のエッチングステップの後、第１の堆積ステップを行い、再び、第１主面１Ｘ、および、溝の内壁に保護膜Ｒを形成する（図５（ｅ））。
【００５０】
以降、３回目および４回目のサイクルを２回目のサイクルと同様に繰り返すことで、基板は、図３（ａ）に示す形状になる。ただし、図３（ａ）では保護膜Ｒを省略している。３つ目のスキャロップＳ１と４つ目のスキャロップＳ１の深さは、２つ目のスキャロップＳ１ｂの深さｄ１ｂとほぼ等しくなる。また、上記のとおり、第１のサイクルを繰り返しても、アンダーカットＣの拡大は抑制される。
【００５１】
第１のサイクルの条件は、第２層１２の材質や、所望するスキャロップＳ１のピッチＰＴ（第１のピッチＰＴ１）等に応じて設定される。第１のピッチＰＴ１を十分に小さくすることにより、アンダーカットの発生が抑制される。複数のスキャロップＳ１が形成される場合、第１のピッチＰＴ１は一定でなくてもよい。ただし、アンダーカット抑制の観点から、いずれの第１のピッチＰＴ１も、ＰＴ１＜ＰＴ２を満たすことが好ましい。
【００５２】
第１のエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第１の高周波電力Ｐ１）を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を２０〜５００Ｗ、第１のエッチング時間ＴＥ１を８〜１５秒として、処理する条件で行われる。
【００５３】
第１の堆積ステップは、例えば、原料ガスとしてＣ４Ｆ８を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を１５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を０〜５０Ｗ、第１の堆積時間ＴＤ１を２〜１０秒として、処理する条件で行われる。
【００５４】
第１の保護膜除去ステップは、第２の電極１２０への印加電力を、第１のエッチングステップの印加電力より大きくする。これにより、異方性エッチングが可能になる。例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第１の高周波電力Ｐ１）を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を８０〜８００Ｗ、処理時間を２〜５秒として、処理する条件で行われる。
【００５５】
上記のような条件で第１のサイクルを行うことにより、第２層１２は、３〜１２μｍ／分の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。第１のサイクルは、１回以上行われればよい。剥離抑制の観点から、第１のサイクル数は３回以上であることが好ましい。一方、タクトタイムを考慮すると、第１のサイクル数は８回以下であることが好ましい。
【００５６】
（４−２）第２のエッチング
第１のエッチングの後、第１のエッチングとは異なる条件で、第２のエッチングが行われる（図３（ｂ））。これにより、第１のピッチＰＴ１よりも大きなピッチ（第２のピッチＰＴ２）を有するスキャロップＳ２が形成される。スキャロップＳ２は、第１のエッチングにより形成されたスキャロップＳ１に続いて、スキャロップＳ１よりも第２主面１Ｙ側に形成される。第２のエッチングでは、第２のエッチングステップと、第２の堆積ステップと、を含むサイクル（第２のサイクル）が１回以上、行われる。さらに、第２の堆積ステップと第２のエッチングステップとの間には、第２の保護膜除去ステップが行われる。
【００５７】
第２のエッチングの詳細について説明する。
１回目のサイクルは、第２の保護膜除去ステップから開始される。第２の保護膜除去ステップでは、異方性エッチングが行われる。つまり、溝の内壁のうち、底部を被覆する保護膜Ｒを除去して、第２層１２を露出させる一方、側壁（すなわち、スキャロップＳ１の表面）の保護膜Ｒは残存させる。
【００５８】
続いて、第２のエッチングステップを行う。これにより、第１のエッチングで形成された溝の底部が等方的にエッチングされ、１つ目のスキャロップＳ２が形成される。このとき、スキャロップＳ２のピッチＰＴ２がスキャロップＳ１のピッチＰＴ１よりも大きくなる条件で、エッチングが行われる。その結果、スキャロップＳ２の深さｄ２はスキャロップＳ１の深さｄ１よりも大きくなる。一方、第１のエッチングの最終サイクルにおいて形成された保護膜Ｒは、依然として溝の側壁を覆っているため、第１のエッチングで形成されたアンダーカットＣの拡大は抑制される。さらに、第１のエッチングで形成されたスキャロップＳ１の深さｄ１の増大も抑制される。
【００５９】
第２のエッチングステップの後、第２の堆積ステップを行い、第１主面１Ｘ、および、ストリートＳｔの一部が除去されることにより形成された溝の内壁（第１層１１の端面および露出した第２層１２の表面）に保護膜Ｒを形成する。
【００６０】
以降、２回目のサイクルを１回目のサイクルと同様に繰り返すことで、基板は、図３（ｂ）に示す形状になる。ただし、図３（ｂ）では保護膜Ｒを省略している。各スキャロップＳ２の深さｄ２はほぼ等しい。また、上記のとおり、第２のサイクルを繰り返しても、アンダーカットＣの拡大は抑制される。
【００６１】
第２のピッチＰＴ２は、第１のピッチＰＴ１よりも大きい限り特に限定されない。なかでも、層間剥離の抑制とタクトタイムとを考慮すると、ＰＴ１≦１／２×ＰＴ２の関係を満たすことが好ましく、ＰＴ１≦１／３×ＰＴ２の関係を満たすことがより好ましい。複数のスキャロップＳ２が形成される場合、各スキャロップＳ２のピッチは同じでなくてもよく、平均化して得られる第２のピッチＰＴ２が、第１のピッチＰＴ１より大きければよい。例えば、第１のピッチＰＴ１以下のピッチを備えるスキャロップＳが含まれていてもよい。
【００６２】
ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす第２のスキャロップＳ２は、例えば、第２のエッチングステップにおける第２のエッチング時間ＴＥ２を、第１のエッチングステップにおける第１のエッチング時間ＴＥ１よりも長くする（ＴＥ１＜ＴＥ２）ことにより形成される。特に、第１のピッチＰＴ１と第２のピッチＰＴ２との関係を考慮すると、ＴＥ１≦２／３×ＴＥ２の関係を満たすことが好ましく、ＴＥ１≦１／２×ＴＥ２の関係を満たすことがより好ましい。さらに、第２の堆積ステップの時間（第２の堆積時間ＴＤ２）を、第１の堆積ステップの時間（第１の堆積時間ＴＤ１）よりも長く（ＴＤ１＜ＴＤ２）してもよい。この場合、特に、ＴＤ１≦２／３×ＴＤ２の関係を満たすことが好ましく、ＴＤ１≦１／２×ＴＤ２の関係を満たすことがより好ましい。
【００６３】
ＴＥ１＜ＴＥ２の関係を満たす第２のエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第２の高周波電力Ｐ２）を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を２０〜５００Ｗ、第２のエッチング時間ＴＥ２を１０〜２５秒として、処理する条件で行われる。
【００６４】
ＴＤ１＜ＴＤ２の関係を満たす第２の堆積ステップは、例えば、原料ガスとしてＣ４Ｆ８を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を１５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を０〜５０Ｗ、第２の堆積時間ＴＤ２を３〜１５秒として、処理する条件で行われる。
【００６５】
また、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす第２のスキャロップＳ２は、例えば、第２のエッチングステップにおいて第１の電極１０９に印加される第２の高周波電力Ｐ２を、第１のエッチングステップにおいて第１の電極１０９に印加される第１の高周波電力Ｐ１よりも大きくする（Ｐ１＜Ｐ２）ことにより形成される。特に、第１のピッチＰＴ１と第２のピッチＰＴ２との関係を考慮すると、Ｐ１≦２／３×Ｐ２の関係を満たすことが好ましく、Ｐ１≦１／２×Ｐ２の関係を満たすことがより好ましい。
【００６６】
Ｐ１＜Ｐ２の関係を満たす第２のエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第２の高周波電力Ｐ２）を２５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を２０〜５００Ｗ、第２のエッチング時間ＴＥ２を１０〜２５秒として、処理する条件で行われる。この場合、第２の堆積ステップは、第１の堆積ステップと同じ条件で行ってもよい。
【００６７】
第２の保護膜除去ステップは、第２の電極１２０への印加電力を、第２のエッチングステップの印加電力より大きくする。これにより、異方性エッチングが可能になる。例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第１の高周波電力Ｐ１）を１５００〜５０００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を８０〜８００Ｗ、処理時間を２〜５秒として、処理する条件で行われる。
【００６８】
上記のような条件で第２のサイクルを行うことにより、第２層１２は、１２〜２５μｍ／分の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。第２のサイクルは、１回以上行われればよい。タクトタイムを考慮すると、第２のサイクル数は１０回以上であることが好ましい。
【００６９】
（５）アッシング工程
プラズマダイシング工程によって基板１が個片化された後、アッシングが実行される。アッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス（Ｏ２）や、Ｏ２ガスとフッ素を含むガスとの混合ガス等）を、アッシングガス源１１３から真空チャンバ１０３内に導入する。一方、減圧機構１１４による排気を行い、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。第１の高周波電源１１０Ａからの高周波電力の投入により、真空チャンバ１０３内には酸素プラズマが発生し、カバー１２４の窓部１２４Ｗから露出している個片化された基板１（素子チップ２０）の表面のレジスト層が除去される。
【００７０】
アッシングは、例えば、原料ガスとしてＣＦ４とＯ２との混合ガス（ＣＦ４：Ｏ２＝１：１０）を１５０〜３００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力を１５００〜５０００Ｗとして、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を０〜３００Ｗとする条件により行われる。なお、アッシング工程における第２の電極１２０への印加電力は、プラズマダイシング工程における第２の電極１２０への印加電力よりも小さくなるように設定することが望ましい。
【００７１】
（６）搬出工程
アッシングが終了すると、真空チャンバ１０３内のガスが排出され、ゲートバルブが開く。複数の素子チップ２０を保持する搬送キャリア１０は、ゲートバルブから進入した搬送機構によって、プラズマ処理装置１００から搬出される。搬送キャリア１０が搬出されると、ゲートバルブは速やかに閉じられる。搬送キャリア１０の搬出プロセスは、上記のような搬送キャリア１０をステージ１１１に搭載する手順とは逆の手順で行われてもよい。すなわち、カバー１２４を所定の位置にまで上昇させた後、ＥＳＣ電極１１９への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着を解除し、支持部１２２を上昇させる。支持部１２２が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア１０は搬出される。
【００７２】
（素子チップ）
本実施形態の製造方法により得られる素子チップ２０は、図４に示すように、第２層１２の外周の第１主面１Ｘ側に、第１のピッチＰＴ１で形成された第１のスキャロップＳ１を備えており、第１のスキャロップＳ１よりも第２主面１Ｙ側に、第２のピッチＰＴ２で形成された第２のスキャロップＳ２を備える。このとき、第１のピッチＰＴ１と第２のピッチＰＴ２とは、ＰＴ１＜ＰＴ２の関係を満たす。
【００７３】
素子チップ２０は、第１層２１１と第２層２１２との境界面のアンダーカットＣが低減されているため、第１層２１１と第２層２１２との層間剥離が抑制される。さらに、得られる素子チップ２０における第１主面１Ｘと第２主面１Ｙとの大きさの違いが小さくなるため、ピックアップ性が向上する。
【００７４】
［第２実施形態］
本実施形態では、第１のエッチングと第２のエッチングと第３のエッチングとによって、基板の第２主面までをエッチングして、基板が個片化されること以外、第１実施形態と同様である。第３のエッチングは、第２のエッチングの後に行われ、第２のスキャロップよりも小さなピッチ（第３のピッチＰＴ３）を有するスキャロップＳ３が形成される。
【００７５】
この方法は、特に、第２主面１Ｙを支持部材３で支持させた基板１が、静電吸着機構によりステージ１１１に固定された状態でプラズマダイシング工程に供される場合に適している。この場合、基板１が個片化されるまでは、基板１の全体がほぼ等しい電位を有しているため、基板１のステージ１１１に対する静電吸着力は安定している。しかし、個片化が進行するに従って、基板１を帯電させていた電荷が、個片化された個々の素子領域ＥＡに局在することになる。そのため、個々の素子領域ＥＡの帯電状態がばらつく結果、静電吸着されている領域内で電位差が生じ、上記静電吸着力が不安定になり易い。静電吸着力が不安定になると、所望のエッチングが実行され難くなるため、歩留まりが低下し易い。特に、第２のエッチングのように、第１の電極１０９に比較的大きな高周波電力を印加した状態で基板１が個片化される場合、個片化の進行に伴って生じる電位差が大きくなり易い。個片化の終盤において、第２のスキャロップよりも小さな第３のピッチＰＴ３を有するスキャロップＳ３が形成される条件でエッチングを行うことにより、上記電位差を小さくしながら、基板１を個片化することができる。
【００７６】
本実施形態に係る製造方法の第３のエッチングについて、図６（ｃ）を参照しながら説明する。なお、図６（ａ）および（ｂ）は、図３（ａ）および（ｂ）にそれぞれ対応している。
【００７７】
（４−３）第３のエッチング
第２のエッチングの後、第２のエッチングとは異なる条件で、第３のエッチングが行われる（図６（ｃ））。これにより、第２のピッチＰＴ２よりも小さなピッチ（第３のピッチＰＴ３）を有するスキャロップＳ３が形成される。スキャロップＳ３は、第１のエッチングにより形成されたスキャロップＳ１および第２のエッチングにより形成されたスキャロップＳ２に続いて、スキャロップＳ２よりもさらに第２主面１Ｙ側に形成される。第３のエッチングでは、第３のエッチングステップと、第３の堆積ステップと、を含むサイクル（第３のサイクル）が１回以上、行われる。第３の堆積ステップと第３のエッチングステップとの間には、第３の保護膜除去ステップが行われてもよい。
【００７８】
第３のピッチＰＴ３は、第２のピッチＰＴ２よりも小さい限り特に限定されない。なかでも、電位変化の抑制とタクトタイムとを考慮すると、ＰＴ３≦２／３×ＰＴ２の関係を満たすことが好ましく、ＰＴ３≦１／２×ＰＴ２の関係を満たすことがより好ましい。複数のスキャロップＳ３が形成される場合、第３のピッチＰＴ３は一定でなくてもよい。ただし、静電吸着力の安定化の観点から、いずれの第３のピッチＰＴ３も、ＰＴ３＜ＰＴ２を満たすことが好ましい。なお、第１のピッチＰＴ１と第３のピッチＰＴ３との関係は特に限定されず、ＰＴ１＝ＰＴ３であってもよいし、ＰＴ１＞ＰＴ３であってもよいし、ＰＴ１＜ＰＴ３であってもよい。
【００７９】
ＰＴ３＜ＰＴ２の関係を満たす第３のスキャロップＳ３は、例えば、第３のエッチングステップにおける第３エッチング時間ＴＥ３を、第２のエッチングステップにおける第２のエッチング時間ＴＥ２よりも短くする（ＴＥ３＜ＴＥ２）ことにより形成されてもよいし、第３のエッチングステップにおいて第１の電極１０９に印加される第３の高周波電力Ｐ３を、第２のエッチングステップにおいて第１の電極１０９に印加される第１の高周波電力Ｐ２よりも小さくする（Ｐ３＜Ｐ２）ことにより形成されてもよい。なかでも、上記電位差を小さくできる点で、Ｐ３＜Ｐ２の関係を満たす条件で、第３のエッチングステップが行わることが好ましい。特に、Ｐ３≦２／３×Ｐ２の関係を満たすことが好ましく、Ｐ３≦１／２×Ｐ２の関係を満たすことがより好ましい。
【００８０】
Ｐ３＜Ｐ２の関係を満たす第３のエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理室内の圧力を５〜２５Ｐａに調整し、第１の高周波電源１１０Ａから第１の電極１０９への印加電力（第３の高周波電力Ｐ３）を１２５０〜３５００Ｗ、第２の高周波電源１１０Ｂから第２の電極１２０への印加電力を２０〜５００Ｗ、第３エッチング時間ＴＥ３を１０〜２５秒として、処理する条件で行われる。この場合、第３の堆積ステップは、第１の堆積ステップと同じ条件で行ってもよい。
【００８１】
上記のような条件で第３のサイクルを行うことにより、第２層１２は、３〜１２μｍ／分の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。第３のサイクルは、１回以上行われればよい。上記電位差の低減化を考慮すると、第３のサイクル数は３回以上であることが好ましい。タクトタイムを考慮すると、第３のサイクル数は８回以下であることが好ましい。
【００８２】
（素子チップ）
本実施形態の製造方法により得られる素子チップ２０は、図７に示すように、第２層１２の外周の第１主面１Ｘ側に、第１のピッチＰＴ１で形成された第１のスキャロップＳ１を備えており、第１のスキャロップＳ１よりも第２主面１Ｙ側に、第２のピッチＰＴ２で形成された第２のスキャロップＳ２を備えており、スキャロップＳ２よりもさらに第２主面１Ｙ側に、第３のピッチＰＴ３で形成された第３のスキャロップＳ３を備える。このとき、ＰＴ３＜ＰＴ２の関係を満たす。
【００８３】
素子チップ２０は、第１層２１１と第２層２１２との境界面のアンダーカットＣが低減されているため、第１層２１１と第２層２１２との層間剥離は抑制される。さらに、得られる素子チップ２０における第１主面１Ｘと第２主面１Ｙとの大きさの違いが小さくなるため、ピックアップ性が向上する。加えて、素子チップ２０の外周の凹凸が低減するため、外部要因による欠けが生じ難い。また、これにより、外周の第２主面１Ｙ側の尖り（凸部）が低減するため、欠けが生じ難く、パーティクルの発生が抑制される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の製造方法は、半導体層を含む積層体である基板から素子チップを製造する方法として有用である。
【符号の説明】
【００８５】
１：基板
１Ｘ：第１主面
１Ｙ：第２主面
１１：第１層
１２：第２層
１０：搬送キャリア
２：フレーム
２ａ：ノッチ
２ｂ：コーナーカット
３：支持部材
３ａ：粘着面
３ｂ：非粘着面
２０：素子チップ
１００：プラズマ処理装置
１０３：真空チャンバ
１０３ａ：ガス導入口
１０３ｂ：排気口
１０７：押さえ部材
１０８：誘電体部材
１０９：第１の電極
１１０Ａ：第１の高周波電源
１１０Ｂ：第２の高周波電源
１１１：ステージ
１１２：プロセスガス源
１１３：アッシングガス源
１１４：減圧機構
１１５：電極層
１１６：金属層
１１７：基台
１１８：外周部
１１９：ＥＳＣ電極
１２０：第２の電極
１２１：昇降ロッド
１２２：支持部
１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構
１２４：カバー
１２４Ｗ：窓部
１２５：冷媒循環装置
１２６：直流電源
１２７：冷媒流路
１２８：制御装置
１２９：外周リング
２２０：素子チップ
２０１Ｘ：第１主面
２０１Ｙ：第２主面
２１１：第１層
２１２：第２層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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