(57)【要約】【課題】アイランドレス構造のホールセンサにおいてＧａＡｓホール素子を小型薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止できるようにする。【解決手段】ＧａＡｓ基板１１上に設けられた感磁部１２と、電極１３ａ〜１３ｄと、ＧａＡｓ基板１１の下面側に設けられた保護層４０と、を有するＧａＡｓホール素子１０と、ＧａＡｓホール素子１０の周囲に配置されたリード端子２２〜２５と、電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２２〜２５とをそれぞれ電気的に接続する金属細線３１〜３４と、モールド部材５０と、を備える。リード端子２２及び２４並びにリード端子２３及び２５はＧａＡｓホール素子１０を挟んで対向する。保護層４０及びリード端子２２〜２５の下面はモールド部材５０から露出している。ＧａＡｓ基板１１中の炭素の濃度は１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下である。【選択図】図１
2018137470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に設けられた感磁部と、前記ＧａＡｓ基板上に設けられた第１から第４の電極部と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１から第４の電極部が設けられている面とは反対側の面側に設けられた保護層と、を有するホール素子と、
アイランドレスのリードフレームに形成され、前記ホール素子の周囲に配置された第１から第４のリード端子と、
前記第１から第４の電極部と前記第１から第４のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導体と、
前記ホール素子、前記第１から第４のリード端子、及び前記導体を封止する樹脂封止部と、
を備えたアイランドレス構造のホールセンサであって、
少なくとも前記第１から第４のリード端子のうち何れか２つは、前記ホール素子を挟んで対向するように配置されており、
前記第１から第４のリード端子がそれぞれ有する複数の面のうち、前記導体と接続している面とは反対側の面を前記リード端子の第１面としたときに、前記保護層及び前記第１から第４のリード端子の前記第１面は、前記樹脂封止部の同一の面から露出しており、
前記ＧａＡｓ基板の厚みは、０．１ｍｍ以下であり、
前記ＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物である炭素の濃度は１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下であるホールセンサ。
【請求項２】
前記ＧａＡｓ基板の抵抗率は、５．０×１０７Ω・ｃｍ以上である請求項１に記載のホールセンサ。
【請求項３】
前記ＧａＡｓ基板の抵抗率は、１．０×１０９Ω・ｃｍ以下である請求項２に記載のホールセンサ。
【請求項４】
前記保護層は絶縁体を含む請求項１から３の何れか１項に記載のホールセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホールセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ホールセンサは、携帯電話の開閉スイッチやカメラレンズの位置検出等の様々な分野で使用されている。その中でもＧａＡｓホール素子を用いたホールセンサは、温度依存性が極めて低いホールセンサとして様々な場面で利用されている。例えば特許文献１には、リードフレームと、ＧａＡｓホール素子及び金属細線を備えたホールセンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９７３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では電子機器の薄型化に伴い、ホールセンサの薄型化も進展している。例えば、ホールセンサのパッケージング後の大きさ（即ち、パッケージサイズ）は、縦１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．３８ｍｍを実現している。また、ＧａＡｓホール素子をさらに薄くすることによって、パッケージサイズの厚さを０．３０ｍｍとすることも可能である。また、ホールセンサの小型、薄型化をさらに進展させるために、アイランドを省いた構造（即ち、アイランドレス構造）も考えられる。
【０００５】
図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の比較形態に係るホールセンサ４００の構成例と、課題を説明するための概念図である。図７（ａ）に示すように、アイランドレス構造では、ＧａＡｓホール素子３１０はモールド部材３５０で固定される。また、アイランドレス構造のＧａＡｓホール素子３１０を配線基板４５０に取り付ける場合は、リードフレーム３２０の各リード端子のうち、モールド部材３５０から露出している裏面をハンダ（半田）３７０を介して配線基板４５０の配線パターン４５１に接続する。
【０００６】
ここで、ホールセンサ４００が小型、薄型化し、その投影面積が小さくなると、リードフレーム３２０の各リード端子間の距離が短くなる。これにより、各リード端子の裏面を配線パターン４５１にハンダ付けする際に、リード端子下からハンダ３７０がはみ出して、ＧａＡｓホール素子３１０下に到達する可能性が高くなる。例えば図７（ａ）に示すように、リード端子３２５下からはみ出したハンダ３７０がＧａＡｓホール素子３１０の裏面に接触する可能性が高くなる。
【０００７】
リード端子３２５下からはみ出したハンダ３７０がＧａＡｓホール素子１０の裏面に接触すると、その接触面は半導体と金属のショットキー接合となる。また、図７（ｂ）に示すように、リード端子３２５が電源に接続される端子（即ち、電源端子）の場合、電源端子３２５下からはみ出したハンダ３７０がＧａＡｓホール素子３１０の裏面に接触すると、上記のショットキー接合には順バイアスが印加されることになる。ここで、従来のようにＧａＡｓホール素子３１０が厚いときは、上記のショットキー接合に順バイアスを印加しても電流はほとんど流れなかった。
【０００８】
しかしながら、ＧａＡｓホール素子３１０を薄くしていくと、その厚みの減少分に比例して抵抗値が減少する。このため、ＧａＡｓホール素子３１０の薄型化に伴い、ショットキー接合の順方向に電流が流れ易くなり、電源端子３２５→ハンダ３７０→ＧａＡｓホール素子３１０→金属細線３４３→接地電位に接続されたリード端子（即ち、接地端子）３２７という経路でリーク電流が流れ易くなる。
そこで、本発明は、上記のようにホールセンサの小型、薄型化を進展させる過程で顕在化する課題に鑑みてなされたものであって、アイランドレス構造のホールセンサにおいてＧａＡｓホール素子を小型薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止できるようにしたホールセンサの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るホールセンサは、ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に設けられた感磁部と、前記ＧａＡｓ基板上に設けられた第１から第４の電極部と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１から第４の電極部が設けられている面とは反対側の面側に設けられた保護層と、を有するホール素子と、アイランドレスのリードフレームに形成され、前記ホール素子の周囲に配置された第１から第４のリード端子と、前記第１から第４の電極部と前記第１から第４のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導体と、前記ホール素子、前記第１から第４のリード端子、及び前記導体を封止する樹脂封止部と、を備えたアイランドレス構造のホールセンサであって、少なくとも前記第１から第４のリード端子のうち何れか２つは、前記ホール素子を挟んで対向するように配置されており、前記第１から第４のリード端子がそれぞれ有する複数の面のうち、前記導体と接続している面とは反対側の面を前記リード端子の第１面としたときに、前記保護層及び前記第１から第４のリード端子の前記第１面は、前記樹脂封止部の同一の面から露出しており、前記ＧａＡｓ基板の厚みは、０．１ｍｍ以下であり、前記ＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物である炭素の濃度は１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＧａＡｓホール素子の基板中のアクセプタ型不純物である炭素の濃度を１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上１．０×１０１６ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下としたので、アイランドレス構造のホールセンサにおいてＧａＡｓホール素子を薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るホールセンサ１００の構成例を示す図。
【図２】ＧａＡｓ基板の抵抗値と、ＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物の濃度との関係を示す図。
【図３】ホールセンサ１００の製造方法を示す工程順に示す図。
【図４】ホールセンサ１００の製造方法を示す工程順に示す図。
【図５】本発明の実施形態に係るホールセンサ装置２００の構成例を示す図。
【図６】実施形態の効果を説明するための図。
【図７】本発明の比較形態に係るホールセンサ４００の構成例と、課題を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態に係るホールセンサは、ＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた感磁部と、ＧａＡｓ基板上に設けられた複数の電極部と、ＧａＡｓ基板の複数の電極部が設けられている面とは反対側の面側に設けられた保護層と、を有するＧａＡｓホール素子と、ＧａＡｓホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、複数の電極部と複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する導電性接続部材と、ＧａＡｓホール素子と複数のリード端子と導電性接続部材とをモールドするモールド部材と、を備える。本発明の実施形態に係るホールセンサは、複数のリード端子が有する複数の面のうち、導電性接続部材と接続している面とは反対側の面を複数のリード端子の第１面としたときに、保護層及び複数のリード端子の第１面は、モールド部材の同一の面から露出しており、ＧａＡｓ基板の抵抗率は５．０×１０７Ω・ｃｍ以上である。
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
（構成）
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態に係るホールセンサ１００の構成例を示す断面図と平面図と底面図、及び外観図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）を破線Ａ−Ａ´で切断した断面を示している。また、図１（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド部材（樹脂部材）を省略して示している。
図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、ホールセンサ１００は、ＧａＡｓホール素子１０と、リード端子２０と、複数の金属細線（導電性接続部材）３１〜３４と、保護層４０と、モールド部材５０と、外装めっき層６０とを備える。また、リード端子２０は、複数のリード端子２２〜２５を有する。
【００１４】
ＧａＡｓホール素子１０は、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる感磁部１２と、感磁部１２に電気的に接続する電極１３ａ〜１３ｄと、ＧａＡｓ基板１１の電極１３ａ〜１３ｄが設けられている面とは反対側の面側に設けられた保護層４０と、を有する。感磁部１２は、例えば平面視で十字（クロス）型であり、クロスの４つの先端部上にそれぞれ電極１３ａ〜１３ｄが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極１３ａ、１３ｃがホール素子に電流を流すための入力端子であり、電極１３ａ、１３ｃを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極１３ｂ、１３ｄがホール素子から電圧を出力するための出力端子である。
ＧａＡｓ基板１１の抵抗率は５．０×１０７Ω・ｃｍ以上である。ＧａＡｓ基板１１の抵抗値の上限は特に制限はないが、一例を挙げると、１．０×１０９Ω・ｃｍ以下である。このように本発明の実施形態では高抵抗のＧａＡｓ基板が使用される。
【００１５】
図２は、ＧａＡｓ基板の抵抗値と、ＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物（すなわち、Ｐ型不純物）の濃度との関係を示す図である。図２に示すように、ＧａＡｓ基板の抵抗値はＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物の濃度（例えば、炭素：Ｃの濃度）によって大きく変化する。ＧａＡｓ基板の抵抗値を高くするためには、ＧａＡｓ基板中のアクセプタ型不純物の濃度（例えば、Ｃの濃度）を高くすればよい。例えば、ＧａＡｓ基板１１の抵抗率を５．０×１０７Ω・ｃｍ以上とするためには、ＧａＡｓ基板１１中のＣの濃度を１．５×１０１５ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上にすればよい。ＧａＡｓ基板１１中のＣの濃度の上限は、例えば、１．０×１０１６ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下である。
【００１６】
ホールセンサ１００は、アイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２２〜２５を有する。図１（ｂ）に示すように、リード端子２２〜２５は、ＧａＡｓホール素子１０の周囲（例えば、ホールセンサ１００の四隅近傍）に配置されている。例えば、リード端子２２とリード端子２４とがＧａＡｓホール素子１０を挟んで対向するように配置されている。また、リード端子２３とリード端子２５とがＧａＡｓホール素子１０を挟んで対向するように配置されている。さらに、リード端子２２とリード端子２４とを結ぶ直線（仮想線）と、リード端子２３とリード端子２５とを結ぶ直線（仮想線）とが平面視で交差するように、リード端子２２〜２５はそれぞれ配置されている。リード端子２０（リード端子２２〜２５）は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。また、リード端子２０は、その面側又は裏面の一部がエッチング（即ち、ハーフエッチング）されていてもよい。
【００１７】
なお、図示しないが、リード端子２０の表面で（図１（ａ）における上面側）、金属細線３１〜３４で接続されるリード端子２２〜２５の表面には、Ａｇめっきが施されていることが電気的接続の観点から好ましい。
また、別の態様で、リード端子２０の少なくとも表面及び裏面には、外装めっき層６０に代えて、ニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）等のめっきが施されていてもよい。ホールセンサであるが、アイランドレスのため、磁性体であるＮｉめっき膜の影響を受けにくいため実施が可能となる。
【００１８】
金属細線３１〜３４は、ＧａＡｓホール素子１０が有する電極１３ａ〜１３ｄと、リード端子２２〜２５をそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図１（ｂ）に示すように、金属細線３１はリード端子２２と電極１３ａとを接続し、金属細線３２はリード端子２３と電極１３ｂとを接続している。また、金属細線３３はリード端子２４と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４はリード端子２５と電極１３ｄとを接続している。
【００１９】
保護層４０は、ＧａＡｓ基板１１の電極１３ａ〜１３ｄが設けられている面とは反対側の面側を覆っている。保護層４０は、ＧａＡｓ基板１１を保護可能なものであれば特に限定はなく、導体、絶縁体、又は半導体のうち、少なくとも何れか１つを含んでいてもよい。即ち、保護層４０は、導体、絶縁体、又は半導体の何れか１つからなる膜であってもよいし、これらのうち２つ以上を含む膜であってもよい。導体としては、例えば、銀ペーストなどの導電性樹脂などが考えられる。絶縁体としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）とを含む絶縁ペースト、窒化ケイ素、二酸化ケイ素などが考えられる。半導体としては、例えば、Ｓｉ基板やＧｅ基板などの貼り合わせが考えられる。但し、リーク電流防止の観点から、保護層４０は、絶縁体であることが好ましい。保護層４０を絶縁体を含む膜にすることにより、保護層４０とＧａＡｓ基板１１の両方でリーク電流を防止することが可能となる。また、保護層４０は積層構造でもよい。但し、リードフレーム等のＧａＡｓホール素子１０を支持するための金属製のアイランドは保護層４０には含まれない。
【００２０】
モールド部材５０は、ＧａＡｓホール素子１０と、リード端子２０と、金属細線３１〜３４とをモールドしている。言いかえると、モールド部材５０は、ＧａＡｓホール素子１０と、リード端子２０の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、金属細線３１〜３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）している。モールド部材５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。
【００２１】
図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、ホールセンサ１００の底面側（即ち、配線基板に実装する側）では、各リード端子２２〜２５の第１面（例えば、裏面）の少なくとも一部と、保護層４０の少なくとも一部とが、モールド部材５０の同一の面（例えば、裏面）からそれぞれ露出している。ここで、各リード端子２２〜２５の第１面は、各リード端子２２〜２５がそれぞれ有する複数の面のうち、金属細線３１〜３４と接続している面とは反対側の面である。
また、外装めっき層６０は、モールド部材５０から露出しているリード端子２２〜２５の裏面に形成されている。外装めっき層６０は、例えばスズ（Ｓｎ）等からなる。
【００２２】
（動作）
上記のホールセンサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、例えば、リード端子２２を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２４を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２２からリード端子２４に電流を流す。そして、リード端子２３、２５間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
即ち、リード端子２２は、ＧａＡｓホール素子１０に所定電圧を供給する電源用リード端子である。リード端子２４は、ＧａＡｓホール素子１０に接地電位を供給する接地用リード端子である。リード端子２３、２５は、ＧａＡｓホール素子１０のホール起電力信号を取り出す信号取出用リード端子である。
【００２３】
（製造方法）
本発明の実施形態に係るホールセンサの製造方法は、基材の一方の面に複数のリード端子が形成されたリードフレームを準備する工程と、基材の一方の面の複数のリード端子で囲まれる領域に、保護層を有するＧａＡｓホール素子を載置する工程と、ＧａＡｓホール素子が有する複数の電極部と複数のリード端子とを複数の導電性接続部材でそれぞれ電気的に接続する工程と、基材のＧａＡｓホール素子が載置された面側をモールド部材でモールドする工程と、モールド部材及び保護層から基材を分離する工程と、を備え、基材を分離する工程では、保護層と複数のリード端子とをモールド部材から露出させる。なお、保護層を有するＧａＡｓホール素子とは、ＧａＡｓ基板の複数の電極部が設けられている面とは反対側の面側に保護層が設けられているＧａＡｓホール素子のことである。
【００２４】
図３（ａ）〜（ｅ）及び図４（ａ）〜（ｄ）は、ホールセンサ１００の製造方法を示す工程順に示す平面図と断面図である。なお、図３（ａ）〜（ｅ）において、ダイシングのブレード幅（即ち、カーフ幅）の図示は省略している。
図３（ａ）に示すように、まず、前述のリード端子が形成されたリードフレーム１２０を用意する。このリードフレーム１２０は、図１（ｂ）に示したリード端子２０が平面視で縦方向及び横方向に複数繋がっている基板である。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム１２０の裏面側に、例えば、基材として耐熱性フィルム８０の一方の面を貼付する。この耐熱性フィルム８０の一方の面には例えば絶縁性の粘着層が塗布されている。粘着層は、その成分として、例えばシリコーン樹脂がベースとなっている。この粘着層によって、耐熱性フィルム８０にリードフレーム１２０を貼付し易くなっている。リードフレーム１２０の裏面側に耐熱性フィルム８０を貼付することによって、リードフレーム１２０の貫通している貫通領域を、裏面側から耐熱性フィルム８０で塞いだ状態となる。
【００２６】
なお、基材である耐熱性フィルム８０としては、粘着性を有すると共に、耐熱性を有する樹脂製のテープが用いられることが好ましい。
粘着性については、粘着層の糊厚がより薄いほうが好ましい。また、耐熱性については、約１５０℃〜２００℃の温度に耐えることが必要とされる。このような耐熱性フィルム８０として、例えばポリイミドテープを用いていることができる。ポリイミドテープは、約２８０℃に耐える耐熱性を有している。このような高い耐熱性を有するポリイミドテープは、後のモールドやワイヤーボンディング時に加わる高熱にも耐えることが可能である。また、耐熱性フィルム８０としては、ポリイミドテープの他に、以下のテープを用いることも可能である。
・ポリエステルテープ 耐熱温度、約１３０℃（但し使用条件次第で耐熱温度は約２００℃にまで達する）。
・テフロン（登録商標）テープ  耐熱温度：約１８０℃
・ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）  耐熱温度：約１６０℃
・ガラスクロス  耐熱温度：約２００℃
・ノーメックペーパー  耐熱温度：約１５０〜２００℃
・他に、アラミド、クレープ紙が耐熱性フィルム８０として利用し得る。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、耐熱性フィルム８０の粘着層を有する面のうち、リード端子２２〜２５で囲まれた領域に、保護層４０を有するＧａＡｓホール素子１０を載置する（即ち、ダイボンディングを行う。）。ここでは、保護層４０を耐熱性フィルム８０の粘着層を有する面に対向させてダイボンディングを行う。
次に、図３（ｄ）に示すように、金属細線３１〜３４の一端を各リード端子２２〜２５にそれぞれ接続し、金属細線３１〜３４の他端を電極１３ａ〜１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う。）。そして、図３（ｅ）に示すように、モールド部材５０を形成する（即ち、樹脂モールドを行う。）。この樹脂モールドは、例えばトランスファーモールド技術を用いて行う。
【００２８】
例えば図４（ａ）に示すように、下金型９１と上金型９２とを備えるモールド金型９０を用意し、このモールド金型９０のキャビティ内にワイヤーボンディング後のリードフレーム１２０を配置する。次に、キャビティ内であって、耐熱性フィルム８０の粘着層を有する面（即ち、リードフレーム１２０と接着している面）の側に加熱し溶融したモールド部材５０を注入し、充填する。これにより、ＧａＡｓホール素子１０と、リードフレーム１２０と、金属細線３１〜３４とをモールドする。即ち、ＧａＡｓホール素子１０と、リードフレーム１２０の少なくとも表面側と、金属細線３１〜３４とをモールド部材５０で覆って保護する。モールド部材５０がさらに加熱し硬化したら、該モールド部材５０をモールド金型から取り出す。なお、樹脂封止後は任意の工程で、モールド部材５０の表面に例えば符号等（図示せず）をマーキングしてもよい。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、モールド部材５０から耐熱性フィルム８０を剥離する。これにより、モールド部材５０からＧａＡｓホール素子１０の保護層４０を露出させる。そして、図４（ｃ）に示すように、リードフレーム１２０のモールド部材５０から露出している面（少なくとも、各リード端子２２〜２５のモールド部材５０から露出している裏面）に外装めっきを施して、外装めっき層６０を形成する。
【００３０】
次に、図４（ｄ）に示すように、モールド部材５０の上面（即ち、ホールセンサ１００の外装めっき層６０を有する面の反対側の面）にダイシングテープ９３を貼付する。そして、例えば図３（ｅ）に示した仮想の２点鎖線に沿って、リードフレーム１２０に対してブレードを相対的に移動させて、モールド部材５０及びリードフレーム１２０を切断する（即ち、ダイシングを行う。）。つまり、モールド部材５０及びリードフレーム１２０を複数のＧａＡｓホール素子１０の各々ごとにダイシングして個片化する。図４（ｄ）に示すように、ダイシングされたリードフレームは、リード端子２０となる。
【００３１】
以上の工程を経て、図１（ａ）〜（ｄ）に示したホールセンサ１００が完成する。
図５は、本発明の実施形態に係るホールセンサ装置２００の構成例を示す断面図である。ホールセンサ１００が完成した後は、例えば図５に示すように配線基板２５０を用意し、この配線基板２５０の一方の面にホールセンサ１００を実装する。この実装工程では、例えば、各リード端子２２〜２５のうち、モールド部材５０から露出し且つ外装めっき層６０で覆われている裏面を、ハンダ７０を介して配線基板２５０の配線パターン２５１に接続する。このハンダ付けは、例えばリフロー方式で行うことができる。
【００３２】
リフロー方式は、配線パターン２５１上にハンダペーストを塗布（即ち、印刷）し、その上に外装めっき層６０が重なるように配線基板２５０上にホールセンサ１００を配置し、この状態でハンダペーストに熱を加えてハンダを溶かす方法である。実装工程を経て、図５に示すように、ホールセンサ１００と、ホールセンサ１００が取り付けられる配線基板２５０と、ホールセンサ１００の各リード端子２２〜２５を配線基板２５０の配線パターン２５１に電気的に接続するハンダ７０と、を備えたホールセンサ装置２００が完成する。
【００３３】
（実施形態の効果）
本発明の実施形態は、以下の効果を奏する。
アイランドレス構造のホールセンサ１００において、ＧａＡｓホール素子の基板に抵抗率が５．０×１０７Ω・ｃｍ以上の高抵抗のＧａＡｓ基板を用いている。これにより、ホールセンサ１００を配線基板２５０に取り付ける際に、例えば、電源電位に接続されるリード端子（即ち、電源端子）２２下からＧａＡｓホール素子１０の下方までハンダ７０がはみ出した場合に流れるリーク電流の増大を抑えることができる。つまり、例えば図６に示すように、電源端子２２→金属細線３１→電極１３ａ→感磁部１２→電極１３ｃ→金属細線３３→リード端子２４の方向に電流を流した場合に、ホール素子１０の厚みが薄い場合は、電源端子２２→ハンダ７０→ホール素子１０→金属細線３３→リード端子２４の経路でリーク電流が流れやすくなる。しかし、本発明の実施形態は、ＧａＡｓホール素子の基板に高抵抗のＧａＡｓ基板を用いているので、このリーク電流の増大を防止することができる。
本発明の実施形態は、リーク電流が流れやすくなるＧａＡｓホール素子の基板が０．１ｍｍ以下において特に好適に用いることができる。アイランドレス構造のホールセンサにおいてＧａＡｓホール素子を小型薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止することができる。
【００３４】
＜その他＞
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３５】
１０  ＧａＡｓホール素子
１１  ＧａＡｓ基板
１２  感磁部
１３ａ〜１３ｄ  電極（複数の電極部の一例）
２０  リード端子
２２  リード端子（例えば、電源端子）
２３、２５  リード端子
２４  リード端子（例えば、接地端子）
３１〜３４  金属細線
１３ａ〜１３ｄ  電極
４０  保護層
５０  モールド部材
６０  めっき層
７０  ハンダ
８０  耐熱性フィルム
９０  モールド金型
９１  下金型
９２  上金型
９３  ダイシングテープ
１００、２００  ホールセンサ
１２０  リードフレーム
１５０  配線基板
２５０  配線基板
２５１  配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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