(57)【要約】【課題】アライメント精度の点で有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、型とインプリント材とが接触した状態でインプリント材に振動を与える加振部と、加振部によりインプリント材に振動が与えられた状態で型と基板との位置ずれを検出する検出部とを有する。検出部は、型および基板のそれぞれに設けられているマークからの光を電気信号に変換する撮像素子を含み、加振部により与えられる振動の周波数が、撮像素子の電荷蓄積時間と相関を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材に型を接触させて前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記インプリント材とが接触した状態で前記インプリント材に振動を与える加振部と、
前記加振部により前記インプリント材に振動が与えられた状態で前記型と前記基板との位置ずれを検出する検出部と、
を有し、
前記検出部は、前記型および前記基板のそれぞれに設けられているマークからの光を電気信号に変換する撮像素子を含み、
前記加振部により与えられる前記振動の周波数が、前記撮像素子の電荷蓄積時間と相関を有する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記振動の周波数が、前記電荷蓄積時間の逆数で示される周波数またはその倍数に設定されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記倍数は２又は３であることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記電荷蓄積時間を設定する設定部と、
前記設定部により設定された前記電荷蓄積時間に応じて前記振動の周波数を調整する調整部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記調整部は、前記振動の周波数を、前記設定部により設定された前記電荷蓄積時間の逆数で示される周波数またはその倍数に対して相対誤差の絶対値が０．３以下であるいずれかの値に調整することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記調整部は、前記撮像素子の出力値の変動が許容範囲内に収まるように前記振動の周波数を調整することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記調整部は、前記インプリント材と接触している状態における前記型と前記基板との間の間隔と、前記インプリント材の種類とを含む複数のインプリント条件のうちから選択されたインプリント条件に基づいて前記振動の周波数を仮決定し、該仮決定された周波数を基準にして、前記撮像素子の出力値の変動が前記許容範囲内に収まるように前記振動の周波数を調整することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板に行う第１工程と、
前記第１工程で前記パターン形成を行われた前記基板を処理する第２工程と、
を含み、前記第２工程で前記処理を行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、基板の上に配置されたインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を分離させることによって基板の上に型のパターンを転写する技術である。
【０００３】
インプリント技術を用いて半導体チップを製作する場合、基板上のインプリント材に型を接触させるときに、基板と型との位置合わせ（以下「アライメント」という。）を正確に行うことが要求される。インプリント装置におけるアライメントとして、型に形成されたマークと基板のショット領域毎に形成されたマークとを検出することによってアライメントを行う、いわゆるダイバイダイ方式が知られている。この方式では算出した位置ずれにより、基板と型との相対位置をフィードバック制御する。
【０００４】
インプリント装置において、基板上のインプリント材に型を接触させた時の型と基板との隙間は１μｍ以下であることが想定されており、この隙間に充填されているインプリント材は粘性と弾性の両方の特性を持つ粘弾性を持つ。基板上のインプリント材に型を接触させた時に、アライメントのために型と基板を相対的に動かすと、インプリント材の粘弾性により型と基板との間に力が働く。この力は型のパターンに対しても作用するので、微細なパターンが変形するおそれがある。アライメント時の型と基板の相対移動量はショット領域毎に異なりうる。したがって、型と基板との間に働く力による型のパターンの変形量がショット領域毎にばらつき、例えば半導体チップのインプリントでは不良チップが発生して歩留まりが低下しうる。
【０００５】
特許文献１には、インプリント材の粘弾性を下げるためにインプリント材を加振しながら型と基板のアライメントを行うインプリント装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１４９３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、インプリント材の粘弾性を下げるために印加された振動がマークの検出に影響を及ぼし、アライメントの精度が低下しうる。
【０００８】
本発明は、上記課題を鑑み、アライメント精度の点でより有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材に型を接触させて前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型と前記インプリント材とが接触した状態で前記インプリント材に振動を与える加振部と、前記加振部により前記インプリント材に振動が与えられた状態で前記型と前記基板との位置ずれを検出する検出部とを有し、前記検出部は、前記型および前記基板のそれぞれに設けられているマークからの光を電気信号に変換する撮像素子を含み、前記加振部により与えられる前記振動の周波数が、前記撮像素子の電荷蓄積時間と相関を有することを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、アライメント精度の点で有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】基板ステージの制御ブロック図。
【図３】加振部により与えられる振動の周波数と撮像素子の電荷蓄積時間の組み合わせの影響を説明する図。
【図４】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎず、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１３】
以下、実施形態に係るインプリント装置について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型のパターンが転写された硬化物のパターンを基板上に形成する。
【００１４】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、石英ガラスである。
【００１５】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置の本体１は、空気ばね等を用いた三脚または四脚の除振機構２を介して、床の上に設置される。基板３（ウエハ）は、不図示の基板チャックにより基板ステージ４に保持されている。基板ステージ４は、基板３の全面にインプリント処理を行い、かつ基板３を不図示の基板交換ハンドにて載せ降ろしを行う交換位置まで移動できるのに十分なＸ方向およびＹ方向のストロークを持っている。
【００１６】
図１では基板ステージ４は簡易的に一つの箱と車輪で示されているが、実際は次の構造を有しうる。基板ステージ４としては、Ｘ方向およびＹ方向に長ストロークを持つ粗動ステージ上に、短ストロークで位置決め精度の高い微動ステージを搭載したものが使われる。基板ステージ４の構成はこれに限らず、一般的に半導体露光装置用の基板ステージに用いられている高精度の位置決めのステージを用いることができる。
【００１７】
基板ステージ４のＸ方向の位置は、本体１に設けられたレーザ干渉計５と基板ステージ４に設けられたレーザ光を反射する不図示の反射鏡により計測される。同様に、Ｙ方向を計測するレーザ干渉計も設けられている。基板ステージ４の位置計測は、本体１に設けられたスケール基板と基板ステージ４に設けられた光学素子とを含むエンコーダシステムを用いてもよい。
【００１８】
本体１に設けられた、上記インプリント材供給装置としてのディスペンサ７は、インプリント処理時に用いるインプリント材を基板３上に供給する。
【００１９】
パターンが形成された型８は型保持部９（インプリントヘッド）により保持されている。型保持部９は、型８を保持しながら型８をＺ方向に動かすことができる。ここでは、図１に示すように、型保持部９に保持された型８を、基板３に対して近づけあるいは遠ざける方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に直交する、基板３の表面に平行な方向をＸ方向およびＹ方向とする。
【００２０】
基板３の、型８に対する基板３の表面に平行な方向（Ｘ方向およびＹ方向）の相対的な位置は、本体１に設けられた検出部１０により検出される。基板３には前の処理工程により各ショット領域の位置にアライメントマークが転写されている。型８にもこれに応じたアライメントマークが設けられている。検出部１０は、アライメント光を型８と基板３に照射して、両者のアライメントマークをスコープ１０１により検出する。スコープ１０１は、型８のアライメントマークと基板３のアライメントマークの像をそれぞれ検出してもよいし、型８のアライメントマークと基板３のアライメントマークによって生じるモアレ縞などを検出するものであってもよい。スコープ１０１は、型８および基板３のそれぞれに設けられているアライメントマークからの光を電気信号に変換する撮像素子１０２を含む。制御部Ｃは、スコープ１０１の検出結果を画像処理することにより、型８と基板３との相対的な位置ずれを算出する。硬化部１１は、インプリント材を硬化させるための紫外線を発生する。発生した紫外線は、型８を介して、基板上のインプリント材に照射される。
【００２１】
図２は、基板ステージ４の制御ブロック図である。基板ステージ４の位置制御は基板ステージ制御部１２で行われる。基板ステージ制御部１２は、主制御部１４から送られるステージ位置指令からレーザ干渉計５で計測されたステージ位置を引いた偏差をフィードバックするフィードバック制御系を有する。検出部１０から出力された型８と基板３の位置ずれはステージ位置補正算出器１３に入力され、ステージ位置補正信号として基板ステージ制御部１２に送られる。基板ステージ制御部１２では、前述のステージ位置指令にステージ位置補正信号を加えたものを基板ステージ４の目標位置として制御演算が行われる。この、検出部１０とステージ位置補正算出器１３によるステージ位置補正信号を演算する機構をアライメントフィードバック制御と呼ぶ。制御演算の結果の制御指令は基板ステージ４を駆動するアクチュエータに送られて駆動力となり、基板ステージ４を位置決め制御する。これらの制御系は複雑な演算が行われるので、デジタル計算機にて構成されている。
【００２２】
次に、インプリント処理時の各動作を説明する。基板ステージ４は基板３の交換位置に移動し、不図示の基板交換ハンドにより基板３が基板ステージ４上の不図示の基板チャックに搭載される。制御部Ｃは、基板３上のインプリント処理を行う対象の領域であるショット領域がディスペンサ７の下になるように基板ステージ４を移動し、ディスペンサ７により基板３のショット領域上にインプリント材を供給する。制御部Ｃは、ショット領域が型８の下になるように基板ステージ４を移動した後、型保持部９により型８を降下させ、基板上のインプリント材に型８を接触させる。この接触により型８と基板３の隙間は例えば１μｍ以下とされ、この隙間にインプリント材が充填する。この接触の初期は型８と基板３との水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）における相対位置に位置ずれが生じている。この位置ずれは前述のように検出部１０により検出され、ステージ位置補正算出器１３により生成されたステージ補正信号が基板ステージ制御部１２に送られる。
【００２３】
上記接触時に基板ステージ４を動かすと、型８と基板３との間に充填されたインプリント材の粘弾性に起因して、型８と基板３との間に力が働く。これは、基板ステージ４を動かすことで、基板３とインプリント材との間に力が生じ、インプリント材への反力が型８に伝わるため、型８とインプリント材の間にも力が作用する。このようなインプリント材の粘弾性はアライメントを高速かつ高精度に行う上での障害となりうる。
【００２４】
この粘弾性は、インプリント材に振動を与えることで小さくなることがわかっている。そこで本実施形態におけるインプリント装置は、型８とインプリント材とが接触した状態で基板３上のインプリント材に高周波（例えば１ｋＨｚ以上）の振動を与える加振部６を備える。加振部６は、例えば基板ステージ４内に設けられ、基板ステージ４の位置制御機構を制御して基板ステージ４自体を直接に高周波で加振する。この場合は、主制御部１４は、基板ステージ制御部１２に対して振動周波数および振幅の値を含む指令も出力する。これにより、基板ステージ制御部１２から出力される制御指令には位置決め用の信号に加振用の信号が重ねられる。
【００２５】
かわりに、加振部６は、基板ステージ４上に設けられてもよい。この場合、加振部６は、例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）型の振動子を含み、ボイスコイルモータに入力された信号に対応する振動周波数および振幅で振動子が振動する。主制御部１４は、ボイスコイルモータへの入力信号を生成する。主制御部１４は、この入力信号の周波数および振幅により加振部６がインプリント材に与える振動の振動周波数および強さをそれぞれ制御することができる。主制御部１４からの入力信号に応じて加振部６が振動を発生することにより、インプリント材を加振し、インプリント材の粘弾性を小さくすることができる。加振部６は、振動がインプリント材に伝わるかぎり、基板ステージ４上ではなく型保持部９に設けられてもよい。
【００２６】
振動の周波数および大きさは、インプリント材と接触している状態における型８と基板３との間の間隔と、使用するインプリント材の種類とを含む複数のインプリント条件のうちから選択されたインプリント条件に基づいて仮決定されうる。この仮決定は、事前に振動周波数と大きさを変えながら、型８とインプリント材との間に働く力を基板ステージ制御部１２の駆動力により測定し、実際に用いる値を決めてもよい。周波数の目安としては、例えば１００Ｈｚ以上が効率的である。より詳細な周波数の本決定の方法については後述する。加振している間に基板ステージ４を移動することで、型８と基板３間のアライメントを完了する。アライメント中の加振によりインプリント材の粘弾性が低下するので、型８とインプリント材との間に生じる力が弱まった状態で型８と基板３を相対移動させることができる。アライメントが完了したら加振を止めてよい。
【００２７】
硬化部１１により、紫外線をインプリント材に当ててインプリント材を硬化させた後、型保持部９を上昇させて型８をインプリント材から分離させ、１ショット領域分のインプリント処理を完了する。以降、各ショット領域において、基板上へのインプリント材の供給、型のインプリント材との接触、加振、加振中のアライメント、インプリント材の硬化、型のインプリント材からの分離、のシーケンスを繰り返して行う。各ショット領域で加振中にアライメントを行うので、アライメント完了時に型８とインプリント材との間に働く力が小さくなる。
【００２８】
基板全面のインプリント処理を終えると、基板ステージ４は基板交換位置に移動し、基板交換ハンドによりインプリント済みの基板３が回収される。その後、次の基板３が基板チャックに搭載され、再び基板全面のインプリントシーケンスが実行される。
【００２９】
上述の例においては、型８と基板３のアライメントの際に基板ステージ４を動かす構成としたが、型保持部９にＸＹ方向の移動機構を設けて型８を動かすようにしてもよい。この場合、型保持部９のＸＹ方向の位置制御系があり、ステージ位置補正算出器１３によるステージ位置補正信号は、型保持部９にも送られる。型８と基板３とのアライメントを行うには、基板ステージ４と型保持部９との少なくとも一方を動かせばよい。
【００３０】
次に、加振部６がインプリント材に与える振動の周波数の本決定の方法について説明する。まず、検出部１０の特性について説明する。前述のように、検出部１０では型８と基板３のそれぞれに設けられたアライメントマークにアライメント光を照射して、反射光をスコープ１０１で検出する。上述したようにスコープ１０１は撮像素子１０２（受光素子）を含む。マークのずれを精度良く検出するには、反射光の撮像素子１０２への適切な電荷蓄積時間が必要となる。電荷蓄積時間は、アライメントマークの種類、インプリント材の種類と厚さ、受光素子の特性等に基づいて決定されうる。
【００３１】
図３を用いて、加振部６により与えられる振動の周波数と撮像素子１０２の電荷蓄積時間の組み合わせの影響について説明する。例えば電荷蓄積時間を３ミリ秒とする。型８と基板３との間に相対振動が生じている場合、受光素子は３ミリ秒の電荷蓄積時間で時間平均された信号を出力することになる。検出部１０では受光素子の信号を基に型８と基板３との相対的な位置ずれを算出するので、その算出結果も３ミリ秒の電荷蓄積時間で時間平均された値となる。
【００３２】
図３（ａ）は、振動周波数を４００Ｈｚとした場合の例を示している。実線は型８と基板３の位置ずれが４００Ｈｚの周波数で加振されているようすを示している。丸プロットは、３ミリ秒間隔で算出された検出部１０の出力値であり、破線は分かりやすいように丸プロットを直線で結んだものである。この図で分かるように、型８と基板３は４００Ｈｚの相対振動を生じているが、その中心（基線）は零である。しかし、検出部１０の出力値は零ではなく、振動周波数より低い周波数成分が生じている。この低周波成分がアライメント時の検出誤差であり、誤った位置にアライメントされたり、アライメントフィードバック制御系が発振するおそれがある。
【００３３】
図３（ｂ）は、振動周波数を３３３．３３Ｈｚにした場合の例を示している。３３３．３３Ｈｚとは、３ミリ秒の電荷蓄積時間で時間平均された場合に出力が零となり、不感となる周波数である。この場合、検出部１０の出力値は、加振の影響を受けることなく、加振により与えた実際の振動の中心値である零となる。このように、検出部１０は、撮像素子１０２の電荷蓄積時間に由来する周波数特性を持つ。そこで本実施形態では、加振部６により印加される振動の周波数が撮像素子１０２の電荷蓄積時間と相関を有する値に設定される。具体的には、振動の周波数を、周波数特性のうちで、出力が不感、すなわち零になる周波数またはその高調波を表す倍数に設定するとよい。より具体的には、振動の周波数を、電荷蓄積時間の逆数で示される周波数またはその倍数に設定するとよい。倍数は、例えば２または３でありうる。
【００３４】
制御部Ｃは、図２に示されるように、電荷蓄積時間を設定する設定部１４１を有しうる。設定部１４１は、上記したように、電荷蓄積時間を、アライメントマークの種類、インプリント材の種類と厚さ、受光素子の特性等に基づいて設定することができる。あるいは、設定部１４１は、ユーザからの指示に応じて電荷蓄積時間を設定してもよい。制御部Ｃは更に、図２に示されるように、設定部１４１により設定された電荷蓄積時間に応じて加振部６により与えられる振動の周波数を調整する調整部１４２を有しうる。
【００３５】
振動周波数が不感周波数からわずかにずれていても、アライメント時の検出誤差も極微小でアライメントに影響しない場合もありうる。すなわち、実際に加振された状態での振動周波数は検出部１０の周波数特性から定めた目標周波数の近傍にあればよい。また、インプリント材の特性により目標周波数で加振しても、実際の振動周波数が目標周波数からずれる場合もありうる。この場合は、検出部１０の出力に振動周波数近傍の周波数成分が生じないように、目標周波数を調整すればよい。例えば、調整部１４２は、振動周波数を、設定部１４１により設定された電荷蓄積時間の逆数で示される周波数またはその倍数に対して相対誤差Ｒの絶対値が０．３以下（すなわち３０％以下）のいずれかの値に調整するようにしてもよい。調整部１４２は調整された振動周波数の値を主制御部１４に出力する。なお、相対誤差Ｒは例えば次式により表される。
【００３６】
Ｒ＝（目標周波数−実際の周波数）／目標周波数
具体的には、周波数の誤差の許容範囲は次のように考えるとよい。振動周波数の周期が受光素子の電荷蓄積時間と一致する場合、原理上、加振の影響が検出部１０の出力値に表れない。振動周波数がｘ％ずれると、近似的に、振動の振幅のｘ％が検出部１０に検出誤差として表れる。例えば、図３（ｂ）において、検出誤差を５まで許容するとした場合、加えた振動の振幅が５０であるので１０％の周波数の誤差まで許容できる。実際には、受光素子の電荷蓄積時間はデジタル制御系で制御されているので、極めて正確である。加振を指令する主制御部１４もデジタル制御系で構成されているので、振動周波数も細かく調整できる。よって、前述したように検出部１０の出力を評価しながら目標周波数を調整することにより、所望の誤差範囲に収めることは容易である。
【００３７】
実施形態において、調整部１４２は、例えば、撮像素子１０２の出力値の変動が許容範囲内に収まるように振動周波数を調整する。このとき調整部１４２は、例えば、上述したように、インプリント材と接触している状態における型８と基板３との間の間隔と、インプリント材の種類とを含む複数のインプリント条件のうちから選択されたインプリント条件に基づいて振動の周波数を仮決定する。その後、調整部１４２は、該仮決定された周波数を基準にして、撮像素子１０２の出力値の変動が許容範囲内に収まるように振動の周波数を調整することができる。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態によれば、アライメント時の検出誤差が生じないので誤った位置にアライメントされたり、アライメントフィードバック制御系が発振を生じることが防止され、高精度なアライメントが実現される。
【００３９】
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板上のインプリント材に上記インプリント装置を用いてパターン形成を行う第１工程（インプリント処理を基板に行う工程）を含む。物品製造方法は更に、かかる第１工程でパターンを形成された基板（インプリント処理を行われた基板）を加工（処理）する第２工程を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。以下、具体例を示す。
【００４０】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。
【００４１】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４２】
次に、物品製造方法について説明する。図４（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図４（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４４】
図４（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる（以上、第１工程）。
【００４５】
図４（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる（第２工程）。図４（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１：本体、４：基板ステージ、７：ディスペンサ、１０：検出部、１１：硬化部
【図１】
2018137289.tif 000003
【図２】
2018137289.tif 000004
【図３】
2018137289.tif 000005
【図４】
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