(57)【要約】【課題】発光強度の角度分布が斜め方向にピークを持つ有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、傾斜面を有するバンクと、前記傾斜面に設けられた第１の電極と、前記傾斜面で前記第１の電極と直に接し、発光層を含む有機膜と、前記傾斜面で前記有機膜と直に接する第２の電極と、を備える。【選択図】図３
2018063852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜面を有するバンクと、
前記傾斜面に設けられた第１の電極と、
前記傾斜面で前記第１の電極と直に接し、発光層を含む有機膜と、
前記傾斜面で前記有機膜と直に接する第２の電極と、
を備える有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記傾斜面は、互いに向きが異なる複数の面を含み、
前記第１の電極、前記有機膜、及び前記第２の電極は、前記複数の面のそれぞれに設けられる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記傾斜面は、谷状に並ぶ２つの面を含み、
前記第１の電極、前記有機膜、及び前記第２の電極は、前記２つの面のそれぞれに設けられる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記傾斜面は、山状に並ぶ２つの面を含み、
前記第１の電極、前記有機膜、及び前記第２の電極は、前記２つの面のそれぞれに設けられる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極は、前記傾斜面に設けられると共に前記傾斜面に隣接する平面に設けられ、前記第１の電極の下方に設けられた下層電極に接続される接続部を含み、
前記接続部の前記傾斜面と前記平面との境界に沿った方向の幅は、前記第１の電極の前記傾斜面に設けられた部分よりも小さい、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記傾斜面に設けられた前記第１の電極、前記有機膜、及び前記第２の電極を含む第１の画素と、
平面に設けられた第３の電極、前記第３の電極を覆う有機膜、及び当該有機膜を覆う第４の電極を含む第２の画素と、
を備え、
前記第１の画素と前記第２の画素とが隣り合う、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１の画素と前記第２の画素とを互いに異なる画像の信号により駆動する表示制御装置をさらに備える、
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１の画素と前記第２の画素とを同じ画像の信号により駆動する表示制御装置をさらに備える、
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記第１の画素から出射する光の強度が最も大きい方向と、前記第２の画素から出射する光の強度が最も大きい方向とは、異なっている、
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記傾斜面に設けられた前記第１の電極、前記有機膜、及び前記第２の電極を含む第３の画素をさらに有し、
前記第１の画素の前記第１の電極は、第１の方向に傾斜する傾斜面に設けられ、
前記第３の画素の前記第１の電極は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に傾斜する傾斜面に設けられ、
前記第１の画素から出射する光の強度が最も大きい方向と、前記第３の画素から出射する光の強度が最も大きい方向とは、異なっている、
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
第１の画素と第２の画素とを含む複数の画素と、
前記複数の画素の各々が有する薄膜トランジスタと、
前記複数の画素の各々に設けられ、前記薄膜トランジスタに接続する電極と、
前記複数の画素を区画すると共に、前記複数の画素の各々で前記電極を露出する開口を有するバンクと、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記バンクは、前記開口を囲む傾斜面を有し、
前記第１の画素は、
少なくとも前記傾斜面に位置し、前記開口で前記電極と接続する第１の下部電極と、
前記開口と対向する位置及び前記傾斜面で、前記第１の下部電極と直に接する第１の有機膜と、
前記第１の有機膜と直に接し、前記第１の下部電極を覆う第１の上部電極とを有し、
前記第２の画素は、
前記開口で前記電極と接続する第２の下部電極と、
少なくとも前記開口と対向する位置で、前記第２の下部電極と直に接する第２の有機膜と、
前記第２の有機膜と直に接し、前記第２の下部電極を覆う第２の上部電極とを有し、
前記第１の画素に位置する開口よりも、前記第２の画素に位置する開口の方が大きい、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記第１の画素から出射する光の強度は、第１の方向において最も大きく、
前記第２の画素から出射する光の強度は、前記第１の方向とは異なる第２の方向において最も大きく、
前記第１の方向と前記第２の方向とは、異なっている、
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記第２の下部電極の一部は、前記傾斜面に位置し、
前記第１の下部電極が前記傾斜面に位置する領域は、前記第２の下部電極が前記傾斜面に位置する領域よりも大きい、
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記第１の上部電極と前記第２の上部電極とは一体に配置され、且つ前記複数の画素に跨って位置する、
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記第１の画素と前記第２の画素とは隣接する、
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では、一般に、基板上に有機ＥＬ層が平面的に設けられ、発光強度の角度分布が正面においてピークを持つように構成される（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−５００１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、用途に依っては、発光強度の角度分布が正面ではなく斜め方向にピークを持つように望まれる場合がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、発光強度の角度分布が斜め方向にピークを持つ有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ表示装置は、傾斜面を有するバンクと、前記傾斜面に設けられた第１の電極と、前記傾斜面で前記第１の電極と直に接し、発光層を含む有機膜と、前記傾斜面で前記有機膜と直に接する第２の電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】画素Ａの積層構造例及び発光強度の角度分布を示す図である。
【図３】画素Ｂの積層構造例及び発光強度の角度分布を示す図である。
【図４】画素ＡとＢの配列例を示す図である。
【図５】カモフラージュ用画像の例を示す図である。
【図６】バンク及び下部電極の構造例を示す斜視図である。
【図７】バンク及び下部電極の構造例を示す斜視図である。
【図８】二重バンクの積層構造例を示す断面図である。
【図９】画素Ｂ−１とＢ−２の積層構造例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の断面図である。有機ＥＬ表示装置は、第１基板１０を有する。第１基板１０には、画素を駆動するための集積回路チップ１２が搭載されている。第１基板１０には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１４が接続されている。第１基板１０には、図示しない薄膜トランジスタ、配線及び絶縁層を含む回路層１６が形成されている。回路層１６には、素子層１８が積層されている。素子層１８の詳細については後述する。
【００１０】
有機ＥＬ表示装置は、第２基板２０を有する。第２基板２０は、第１基板１０と間隔をあけて対向するように配置されている。第１基板１０と第２基板２０の間には充填剤２２が設けられ、充填剤２２はシール材２４に囲まれて封止されている。第２基板２０は設けられなくてもよい。
【００１１】
以下の説明では、第１基板１０に対する第２基板２０の方向（図１中の矢印Ｆの方向）を上方とする。本実施形態では、第２基板２０の上面が表示面ＤＳとされ、表示面ＤＳの上方が表示面ＤＳの正面となる。ここで、光が外部に取り出されるとは、光が表示面ＤＳを通って表示面ＤＳよりも上方に到達することをいう。
【００１２】
第１基板１０の素子層１８には、複数の画素がマトリクス状に配列している。本実施形態では、第１基板１０の素子層１８に、以下に説明する２種類の画素Ａ，Ｂが設けられている。
【００１３】
図２（ａ）は、画素Ａの積層構造例を示す断面図である。図２（ｂ）は、画素Ａの発光強度の角度分布を示す図である。横軸は表示面ＤＳに対する角度θを表し、θ＝０が正面に相当する。縦軸は発光強度を表している。なお、画素Ａは、第２の画素の例である。
【００１４】
回路層１６は、平坦化膜３０によって覆われており、平坦化膜３０上にはコンタクト電極４０（単に電極ともいう）が配置されている。平坦化膜３０には、コンタクト電極４０を回路層１６の薄膜トランジスタに接続するためのスルーホール３０ａが形成されている。平坦化膜３０は、例えばアクリル樹脂などの有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有している。コンタクト電極４０は、下層電極の例であり、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料で形成されている。
【００１５】
平坦化膜３０とコンタクト電極４０は、バンク５０によって覆われている。バンク５０には、コンタクト電極４０が底に露出する開口５０ａが形成されている。バンク５０は、画素分離膜又はリブとも呼ばれ、例えばアクリル樹脂などの有機材料で形成されている。
【００１６】
バンク５０の開口５０ａの底に露出したコンタクト電極４０上には下部電極６０と有機膜７０とがこの順に積層されている。下部電極６０は、例えばアノードであり、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの金属、或いは金属と透明導電材料との積層構造で形成されている。下部電極６０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）と銀とインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）との３層を積層した構造でもよい。有機膜７０は、例えば下部電極６０の側から順に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含んでいる。有機膜７０の積層構造はこれに限られず、少なくとも発光層を含んでいればよい。また、発光層の発光色は白色に限られず、例えば赤、緑、青などの色であってもよい。
【００１７】
バンク５０と有機膜７０は、上部電極８０によって覆われている。上部電極８０は、例えばカソードであり、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料、或いは、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）を含む半透明導電材料で形成されている。さらに、上部電極８０は、不図示の封止膜によって覆われる。封止膜は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等の無機絶縁材料で形成され、充填剤２２及びシール材２４（図１を参照）と接触する。
【００１８】
画素Ａにおいては、発光層を含む有機膜７０が平面に設けられている。ここで、平面とは、基板１０，２０の表面や表示面ＤＳと平行な面である。平坦化膜３０の上面は平面であり、その上に形成されたコンタクト電極４０の上面も平面である。そして、コンタクト電極４０の上面には、下部電極６０、有機膜７０及び上部電極８０が積層されている。これにより、有機膜７０は、基板１０，２０の表面や表示面ＤＳと平行になっている。
【００１９】
このように平面的に設けられた有機膜７０からの光は、主に正面に向かって出射され、上部電極８０を透過して外部に取り出される。このため、図２（ｂ）に示されるように、発光強度の角度分布が正面においてピークを持つ。
【００２０】
図３（ａ）は、画素Ｂの積層構造例を示す断面図である。図３（ｂ）は、画素Ｂの発光強度の角度分布を示す図であり、図３（ａ）の切断面上で観察する角度θを変化させたときの発光強度を示している。なお、画素Ｂは、第１の画素の例である。
【００２１】
画素Ｂでは、バンク５０に傾斜面５１，５２が形成されている。ここで、傾斜面とは、平面（すなわち、基板１０，２０の表面や表示面ＤＳと平行な面）に対して傾斜した面である。２つの傾斜面５１，５２は、互いに向きが異なっている。本実施形態では、２つの傾斜面５１，５２が谷状に並んでいる。すなわち、２つの傾斜面５１，５２は、法線方向が互いに近づくように傾斜している。また、傾斜面５１，５２の下端には、コンタクト電極４０が底に露出する開口５０ｂが形成されている。このような傾斜面５１，５２を有するバンク５０は、例えば多階調マスクを用いたパターニング等によって形成することができる。
【００２２】
また、画素Ｂでは、バンク５０の傾斜面５１，５２に発光ユニット１００が設けられている。すなわち、傾斜面５１，５２に下部電極６０が設けられ、下部電極６０を有機膜７０が覆い、有機膜７０を上部電極８０が覆っている。上部電極８０は、バンク５０の上面５９も覆っている。本実施形態において、下部電極６０、有機膜７０及び上部電極８０を含む発光ユニット１００は、谷状に並ぶ傾斜面５１，５２に沿って谷状に折れ曲がった形状を有している。発光ユニット１００は、第１の傾斜面５１に設けられた第１の部分１０１と、第２の傾斜面５２に設けられた第２の部分１０２とを有している。第１の部分１０１は、下部電極６０、有機膜７０及び上部電極８０のうちの第１の傾斜面５１に設けられた第１の部分６１，７１，８１で構成され、第２の部分１０２は、第２の傾斜面５２に設けられた第２の部分６２，７２，８２で構成される。
【００２３】
発光ユニット１００の第１の部分１０１と第２の部分１０２とは、下端部において連続するとともに、バンク５０に形成された開口５０ｂを通じてコンタクト電極４０に接続されている。具体的には、バンク５０の２つの傾斜面５１，５２の間に形成された開口５０ｂには、平坦化膜３０の上面３９に設けられたコンタクト電極４０の上面４９が露出しており、２つの傾斜面５１，５２に隣接している。谷状に折れ曲がった下部電極６０の下端部は接続部６６とされ、開口５０ｂに露出するコンタクト電極４０の上面４９と接続されている。
【００２４】
このように傾斜面５１，５２に設けられた発光ユニット１００からの光は、主に傾斜面５１，５２と垂直な斜め方向に向かって出射され、外部に取り出される。具体的には、発光ユニット１００のうち、第１の傾斜面５１に設けられた第１の部分１０１からは主に第１の傾斜面５１と垂直な斜め方向に向かって光が出射され、第２の傾斜面５２に設けられた第２の部分１０２からは、主に第２の傾斜面５２と垂直な斜め方向に向かって光が出射される。このため、図３（ｂ）に示されるように、発光強度の角度分布は、正面を挟む２つの斜め方向においてピークを持つ。つまり、画素Ａから出射する光の強度が最も大きい方向と、画素Ｂから出射する光の強度が最も大きい方向とが異なっている。
【００２５】
ところで、携帯型表示端末を公共の場で使用する場合、表示内容を他人からのぞき見されるリスクがある。他人からののぞき見を防止するため、視角制御フィルムをディスプレイに貼り付けることがある。しかしながら、この種のフィルムは貼り付けた状態で使い続けることを前提としており、フィルムを貼り付けない状態と貼り付けた状態とを使い分けることはできない。また、フィルムを貼り付けることによって端末全体の厚みが増加してしまう。
【００２６】
そこで、本実施形態では、上述した発光強度の角度分布が正面においてピークを持つ画素Ａと、発光強度の角度分布が斜め方向においてピークを持つ画素Ｂとを利用して、通常表示モードとのぞき見防止モードとの切り替えを可能としている。
【００２７】
図４に示されるように、有機ＥＬ表示装置において、画素Ａと画素Ｂは隣り合うように配置されている。例えば、画素Ａと画素Ｂは、図４（ａ）に示されるように行方向と列方向の両方において１画素ごとに交互に配列してもよいし、図４（ｂ）と図４（ｃ）に示されるように行方向と列方向の一方において１画素ごとに交互に配列してもよい。画素Ａと画素Ｂの配列は、これらの態様に限られない。
【００２８】
通常表示モードにおいては、有機ＥＬ表示装置は画素Ａと画素Ｂとに同じ画像を表示する。すなわち、表示制御装置としての集積回路チップ１２（図１参照）は、画素Ａと画素Ｂとを同じ画像の信号により駆動する。これによると、画素Ａと画素Ｂとに同じ画像が表示されることで、表示面ＤＳの正面には主に画素Ａからの光が到達し、斜め方向には主に画素Ｂからの光が到達するため、画素Ａ単独の場合と比較して広い角度範囲で強い発光強度が得られ、視野角特性を向上させることが可能である。
【００２９】
一方、のぞき見防止モードにおいては、有機ＥＬ表示装置は画素Ａと画素Ｂとに互いに異なる画像を表示する。すなわち、表示制御装置としての集積回路チップ１２（図１参照）は、画素Ａと画素Ｂとを互いに異なる画像の信号により駆動する。ここで、画素Ａには、通常表示モードにおいて表示されるような通常の画像が表示される。一方、画素Ｂには、例えば図５に示されるようなカモフラージュ用画像が表示される。これによると、表示面ＤＳの正面には主に画素Ａに表示された通常の画像の光が到達し、斜め方向には主に画素Ｂに表示されたカモフラージュ用画像の光が到達する。このため、表示面ＤＳを正面から見るユーザには通常の画像が見え、表示面ＤＳを斜め方向からのぞき見る他人にはカモフラージュ用画像が見えることになり、のぞき見を防止することが可能である。
【００３０】
本実施形態では、通常モードとのぞき見防止モードとの切り替えが可能であるため、ユーザは、必要に応じてのぞき見防止モードを実行して斜め方向からののぞき見を防止する一方で、それ以外のときは通常表示モードを実行して視野角特性に優れた通常の画像を見ることが可能である。
【００３１】
なお、図４に示されるように、画素ＡとＢのそれぞれは、複数の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを含んでいる。本実施形態では、例えば赤、緑、青の３色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂが１つの画素を構成している。副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの色はこれに限られない。副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの色は、有機膜７０に含まれる発光層の発光色により実現してもよいし、第２基板２０（図１参照）に設けられるカラーフィルターにより実現してもよい。
【００３２】
画素Ｂの副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれが図３に示されるような傾斜面５１，５２に発光ユニット１００が設けられた構造を有している。第２基板２０にカラーフィルターが設けられる場合、画素Ｂの副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルターは、光の出射方向に応じて正面からオフセットしてもよい。
【００３３】
図６及び図７は、バンク５０及び下部電極６０の構造例を示す斜視図である。
【００３４】
図６（ａ）の例では、上述の図３と同様に、バンク５０は谷状に並ぶ２つの傾斜面５１，５２を有しており、これら傾斜面５１，５２のそれぞれに下部電極６０が設けられている。傾斜面５１，５２の下端には、面内方向のうち、傾斜面５１，５２の傾斜方向と直交する方向に延伸する帯状の開口５０ｂが形成されている。開口５０ｂには、平坦化膜３０の上面３９又はコンタクト電極４０の上面４９が露出しており、傾斜面５１，５２と隣接している。開口５０ｂに露出するコンタクト電極４０の上面４９には、下部電極６０の接続部６６が物理的・電気的に接続されている。下部電極６０の、第１の傾斜面５１に設けられた第１の部分６１と、第２の傾斜面５２に設けられた第２の部分６２とは、接続部６６を介して互いに連結されている。
【００３５】
ここで、開口５０ｂの延伸方向（すなわち、傾斜面５１，５２と上面３９，４９との境界に沿った方向）における接続部６６の幅は、傾斜面５１，５２に設けられた部分６１，６２よりも小さい。図示の例では、開口５０ｂの延伸方向の両端部分のみが接続部６６によって覆われており、その他は下部電極６０で覆われていない。このように接続部６６を開口５０ｂの延伸方向に狭く形成することで、発光ユニット１００の平面に設けられた部分からの発光量を抑制することが可能である。すなわち、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。その結果、２種類の画素Ａ，Ｂに互いに異なる画像を表示したときに、正面において２つの画像が混ざって見えてしまうことを抑制することが可能である。
【００３６】
また、開口５０ｂの延伸方向と直交する方向（すなわち、傾斜面５１，５２の傾斜方向）における接続部６６の幅も、傾斜面５１，５２に設けられた部分６１，６２よりも小さい。これによっても、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。
【００３７】
なお、バンク５０の２つの傾斜面５１，５２によって形成される谷状構造は、その延伸方向に並ぶ複数の画素に跨がっていてもよい。これによれば、バンク５０の形状をより簡易化でき、画素の集積度をより向上させることが可能である。
【００３８】
図６（ｂ）の例では、バンク５０Ｂは、山状に並ぶ２つの傾斜面５３，５４を有している。２つの傾斜面５３，５４は、法線方向が互いに離れるように傾斜している。これら傾斜面５３，５４のそれぞれに下部電極６０Ｂが設けられている。下部電極６０Ｂは、山状に並ぶ傾斜面５３，５４に沿って山状に折れ曲がった形状を有している。この構成によっても、主に傾斜面５３，５４と垂直なそれぞれの方向に光が出射されるので、発光強度の角度分布が正面を挟む２つの斜め方向においてピークを持つようになる。
【００３９】
傾斜面５３，５４の間には、面内方向のうち、傾斜面５３，５４の傾斜方向と直交する方向に延伸する帯状の上面５９が形成されており、傾斜面５３，５４と隣接している。バンク５０Ｂの上面５９には、コンタクト電極４０（図３を参照）を露出させる不図示のスルーホールが形成され、このスルーホールに下部電極６０Ｂの接続部６７が設けられることで、コンタクト電極４０と下部電極６０Ｂとが物理的・電気的に接続されている。下部電極６０Ｂの、第１の傾斜面５３に設けられた第１の部分６３と、第２の傾斜面５４に設けられた第２の部分６４とは、接続部６７を介して互いに連結されている。
【００４０】
ここで、接続部６７の上面５９の延伸方向（すなわち、傾斜面５３，５４と上面５９との境界に沿った方向）の幅は、傾斜面５３，５４に設けられた部分６３，６４よりも小さい。図示の例では、上面５９の延伸方向の両端部分のみが接続部６７によって覆われており、その他は下部電極６０Ｂで覆われていない。このように接続部６７を上面５９の延伸方向に狭く形成することで、発光ユニット１００の平面に設けられた部分からの発光量を抑制することが可能である。すなわち、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。
【００４１】
また、接続部６７の上面５９の延伸方向と直交する方向（すなわち、傾斜面５３，５４の傾斜方向）の幅も、傾斜面５３，５４に設けられた部分６３，６４よりも小さい。これによっても、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。
【００４２】
図７（ａ）の例では、バンク５０Ｃの上部に、下方に向かって窪んだ略四角錐状の凹部が形成されている。バンク５０Ｃは、中央を囲む４つの傾斜面５０１〜５０４を有している。傾斜面５０１〜５０４のそれぞれは、下方に向かうに伴って幅が狭くなる略三角形状になっている。下部電極６０Ｃは、傾斜面５０１〜５０４のそれぞれに設けられている。この構成によると、主に傾斜面５０１〜５０４と垂直なそれぞれの方向に光が出射されるので、発光強度の角度分布が正面を囲む４つの斜め方向においてピークを持つようになる。
【００４３】
下部電極６０Ｃは、第１の傾斜面５０１に設けられた第１の部分６０１と、第２の傾斜面５０２に設けられた第２の部分６０２と、第３の傾斜面５０３に設けられた第３の部分６０３と、第４の斜面５０４に設けられた第４の部分６０４とを有しており、隣り合う部分が互いに連結されている。また、下部電極６０Ｃは、傾斜面５０１〜５０４に設けられた部分６０１〜６０４に囲まれ、これらの部分６０１〜６０４に連結された矩形状の接続部６６を有している。
【００４４】
バンク５０Ｃの傾斜面５０１〜５０４の下端には、傾斜面５０１〜５０４に囲まれた矩形状の開口（不図示）が形成されており、下部電極６０Ｃの接続部６６はこの開口を覆っている。この開口にはコンタクト電極４０の上面４９（図３を参照）が露出しており、下部電極６０Ｃの接続部６６は、この開口を通じてコンタクト電極４０に物理的・電気的に接続されている。
【００４５】
ここで、下部電極６０Ｃの接続部６６の面内方向の幅は、何れの面内方向においても、傾斜面５０１〜５０４に設けられた部分６０１〜６０４よりも小さい。図示の例では、下部電極６０Ｃの中央の僅かな領域のみに接続部６６が設けられている。このように接続部６６を小さく形成することで、発光ユニット１００の平面に設けられた部分からの発光量を抑制することが可能である。すなわち、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。
【００４６】
図７（ｂ）の例では、バンク５０Ｄは、上方に向かって突出した略四角錐状に形成されており、中央を囲む４つの傾斜面５０５〜５０８を有している。傾斜面５０５〜５０８のそれぞれは、上方に向かうに伴って幅が狭くなる略三角形状になっている。下部電極６０Ｄは、傾斜面５０５〜５０８のそれぞれに設けられている。この構成によっても、主に傾斜面５０５〜５０８と垂直なそれぞれの方向に光が出射されるので、発光強度の角度分布が正面を囲む４つの斜め方向においてピークを持つようになる。
【００４７】
下部電極６０Ｄは、第１の傾斜面５０５に設けられた第１の部分６０５と、第２の傾斜面５０６に設けられた第２の部分６０６と、第３の傾斜面５０７に設けられた第３の部分６０７と、第４の斜面５０８に設けられた第４の部分６０８とを有しており、隣り合う部分が互いに連結されている。また、下部電極６０Ｄは、傾斜面５０５〜５０８に設けられた部分６０５〜６０８に囲まれ、これらの部分６０５〜６０８に連結された矩形状の接続部６７を有している。
【００４８】
バンク５０Ｄは、傾斜面５０５〜５０８に囲まれた不図示の上面を有しており、下部電極６０Ｄの接続部６７はこの上面を覆っている。この上面にはコンタクト電極４０の上面４９（図３を参照）を露出させる不図示のスルーホールが形成されており、このスルーホールに下部電極６０Ｄの接続部６７が設けられることで、コンタクト電極４０と下部電極６０Ｄとが物理的・電気的に接続されている。
【００４９】
ここで、下部電極６０Ｄの接続部６７の面内方向の幅は、何れの面内方向においても、傾斜面５０５〜５０８に設けられた部分６０５〜６０８よりも小さい。図示の例では、下部電極６０Ｄの中央の僅かな領域のみに接続部６７が設けられている。このように接続部６７を小さく形成することで、発光ユニット１００の平面に設けられた部分からの発光量を抑制することが可能である。すなわち、斜め方向に向かう光の量を確保し、正面に向かう光の量を抑制することが可能である。
【００５０】
図８は、二重バンクの積層構造例を示す断面図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。同図に示されるように、バンク５０の上方にさらにもう一層のバンク９０が設けられてもよい。図示の例では、バンク９０は上部電極８０を覆うとともに、発光領域に対応する開口が形成されている。これに限られず、バンク９０は、上部電極８０と有機膜７０の間に有機膜７０の周縁部を覆うように設けられてもよいし、有機膜７０と下部電極６０の間に下部電極６０の周縁部を覆うように設けられてもよい。
【００５１】
図９は、画素Ｂ−１とＢ−２の積層構造例を示す断面図である。上記実施形態と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略する。同図に示されるように、２種類の画素Ｂ−１，Ｂ−２が設けられてもよい。画素Ｂ−１では、バンク５０の第１の傾斜面５１に下部電極６０が設けられ、下部電極６０を有機膜７０が覆い、有機膜７０を上部電極８０が覆っている。すなわち、画素Ｂ−１では、上記図３に示した発光ユニット１００の第１の部分１０１が設けられている。一方、画素Ｂ−２では、バンク５０の第２の傾斜面５２に下部電極６０が設けられ、下部電極６０を有機膜７０が覆い、有機膜７０を上部電極８０が覆っている。すなわち、画素Ｂ−２では、上記図３に示した発光ユニット１００の第２の部分１０２が設けられている。
【００５２】
これによると、画素Ｂ−１においては、第１の傾斜面５１に設けられた第１の部分１０１から、主に第１の傾斜面５１と垂直な斜め方向に向かって光が出射されるので、発光強度の角度分布は正面に対して一方の側の斜め方向においてピークを持つ。これに対し、画素Ｂ−２においては、第２の傾斜面５２に設けられた第２の部分１０２から、主に第２の傾斜面５２と垂直な斜め方向に向かって光が出射されるので、発光強度の角度分布は正面に対して他方の側の斜め方向においてピークを持つ。
【００５３】
図２に示される画素Ａと、図９に示される画素Ｂ−１，Ｂ−２とは、隣り合うように配置される。例えば、画素Ａ，Ｂ−１，Ｂ−２は、行方向と列方向の少なくとも一方において所定の順番で代わる代わる現れるように配列してよい。そして、上記実施形態と同様に、のぞき見防止モードにおいて、画素Ａには通常の画像を表示し、画素Ｂ−１，Ｂ−２にカモフラージュ用画像を表示することで、斜め方向からののぞき見を防止することが可能である。
【００５４】
若しくは、画素Ａと画素Ｂ−１，Ｂ−２の一方とに通常の画像を表示し、画素Ｂ−１，Ｂ−２の他方にカモフラージュ用画像を表示してもよい。これによると、例えば車両に搭載される車載型表示端末に本変形例を適用した場合に、車載型表示端末の正面にいる後部座席の乗員と、左右一方の側の斜め方向にいる助手席の乗員とには通常の画像が見え、他方の側の斜め方向にいる運転手にはカモフラージュ用画像が見えるようにすることも可能である。
【００５５】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  フレキシブル配線基板、１６  回路層、１８  素子層、２０  第２基板、２２  充填剤、２４  シール材、３０  平坦化膜、４０  コンタクト電極、５０  バンク、５１  傾斜面、５２  傾斜面、５３  傾斜面、５４  傾斜面、６０  下部電極、６６  接続部、７０  有機膜、８０  上部電極、９０  平坦化膜、１００  発光ユニット。
【図１】
2018063852.tif 000003
【図２】
2018063852.tif 000004
【図３】
2018063852.tif 000005
【図４】
2018063852.tif 000006
【図５】
2018063852.tif 000007
【図６】
2018063852.tif 000008
【図７】
2018063852.tif 000009
【図８】
2018063852.tif 000010
【図９】
2018063852.tif 000011