(57)【要約】【課題】光の伝播損失をさらに小さくすることができる光電気混載基板を提供する。【解決手段】本発明の光電気混載基板Ａ１，Ｂ１は、電気回路基板Ｅと、上記電気回路基板Ｅの片面に積層形成され光路用のコア７を有する光導波路Ｗと、上記電気回路基板Ｅの、上記光導波路Ｗと反対側の面に実装された発光素子１１，受光素子１２とを備え、上記光導波路Ｗのコア７が、光Ｌを反射して上記コア７と上記発光素子１１，受光素子１２との間の光伝播を可能とする光反射面７ａ，７ｂが形成された端部と、上記コア７の端部側から上記発光素子１１，受光素子１２に向かって延設された延設部７Ａ，７Ｂと、その延設元である主部とを有しており、そのコア７の延設部７Ａ，７Ｂと、その延設元であるコア７の主部７Ｄとは、それらの軸方向に直角な断面形状が互いに異なっている。【選択図】図１
2018091890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路基板と、上記電気回路基板の片面に積層形成され光路用のコアを有する光導波路と、上記電気回路基板の、上記光導波路と反対側の面に実装された光素子とを備え、上記光導波路のコアが、光を反射して上記コアと上記光素子との間の光伝播を可能とする光反射面に形成された端部と、そのコアの端部側から上記光素子に向かって延設された延設部と、その延設元である主部とを有する光電気混載基板であって、上記コアの延設部と、上記コアの主部とは、それらの軸方向に直角な断面の形状が互いに異なっていることを特徴とする光電気混載基板。
【請求項２】
上記電気回路基板が、透光性を有する絶縁層と、この絶縁層の片面に形成された電気配線とを備え、上記コアの延設部の先端面が、上記絶縁層に当接している請求項１記載の光電気混載基板。
【請求項３】
上記光素子が発光素子であり、上記コアの延設部の先端面の面積が、その発光素子の発光部の発光面の面積よりも大きくなっている請求項１または２記載の光電気混載基板。
【請求項４】
上記光素子が受光素子であり、上記コアの延設部の先端面の面積が、その受光素子の受光部の受光面の面積よりも小さくなっている請求項１または２記載の光電気混載基板。
【請求項５】
上記コアの延設部の側周面が、上記光導波路のクラッド層に接触した状態になっており、上記コアの延設部における上記クラッド層との界面部分が、上記コアの形成材料に上記クラッド層の形成材料が混合した混合層に形成されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電気混載基板。
【請求項６】
上記コアの延設部が、延設方向にいくにつれて徐々に細くなっている請求項１〜５のいずれか一項に記載の光電気混載基板。
【請求項７】
上記光反射面の、上記光素子側の端部が、上記コアの延設部の領域に位置している請求項１〜６のいずれか一項に記載の光電気混載基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路基板と、この電気回路基板に実装された光素子と、上記電気回路基板に積層形成された光導波路と備えた光電気混載基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて、光配線が採用されている。そのようなものとして、例えば、つぎのような光電気混載基板（第１の従来例）が提案されている。この光電気混載基板は、絶縁層の表面に電気配線が形成されてなる電気回路基板と、この電気回路基板の上記絶縁層の裏面（電気配線の形成面と反対側の面）に積層された光導波路〔第１クラッド層，コア（光配線），第２クラッド層〕と、上記電気配線の形成面のうち上記光導波路の両端部に対応する部分に実装された発光素子および受光素子とを備えている。この光電気混載基板では、光導波路の両端部が、上記コアの長手方向（光の伝播する方向）に対して４５°傾斜した傾斜面に形成され、その傾斜面に位置するコアの部分が光反射面になっている。また、上記絶縁層は、透光性を有しており、上記発光素子と一端部の光反射面との間および上記受光素子と他端部の光反射面との間で、上記絶縁層を通して光が伝播可能となっている。
【０００３】
上記光電気混載基板における光の伝播は、つぎのようにして行われる。まず、発光素子から光が一端部の光反射面に向けて発光される。その光は、上記絶縁層を通過した後、光導波路の一端部の第１クラッド層を通り抜け、コアの一端部の光反射面で反射して（光路を９０°変換して）、コア内を、長手方向に進む。そして、そのコア内を伝播した光は、コアの他端部の光反射面で反射し（光路を９０°変換し）、受光素子に向けて進む。つづいて、その光は、他端部の第１クラッド層を通り抜けて出射され、上記絶縁層を通過した後、受光素子で受光される。
【０００４】
しかしながら、上記発光素子から発光された光、および他端部の光反射面で反射した光は、拡散する。そのため、一般に、上記発光素子の発光部の発光面は狭く、上記受光素子の受光部の受光面は広く形成されているものの、やはり有効に伝播される光の量が少なく、光の伝播損失が大きい。
【０００５】
そこで、光の伝播損失を小さくすべく、光導波路において、上記光反射面に対応するコアの端部側から上記発光素子，受光素子に向かってコアを延設し、その延設部の先端面と上記発光素子の発光部との間の距離、および上記延設部の先端面と上記受光素子の受光部との間の距離を短くした光電気混載基板（第２の従来例）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。すなわち、この光電気混載基板では、上記発光素子の発光部から上記延設部の先端面までの距離を短くしているため、上記発光素子の発光部の発光面から発光された光があまり拡散しないうちに、その光を上記コアの延設部の先端面に入射させることができる。また、同様に、上記延設部の先端面から上記受光素子の受光部までの距離を短くしているため、上記コアの延設部の先端面から出射した光があまり拡散しないうちに、その光を上記受光素子の受光部の受光面で受光することができる。そのため、光の伝播損失を小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１４００５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、最近では、光の伝播損失をさらに小さくすることが求められている。上記特許文献１の光電気混載基板は、その点で改善の予知がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光の伝播損失をさらに小さくすることができる光電気混載基板の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明の光電気混載基板は、電気回路基板と、上記電気回路基板の片面に積層形成され光路用のコアを有する光導波路と、上記電気回路基板の、上記光導波路と反対側の面に実装された光素子とを備え、上記光導波路のコアが、光を反射して上記コアと上記光素子との間の光伝播を可能とする光反射面に形成された端部と、そのコアの端部側から上記光素子に向かって延設された延設部と、その延設元である主部とを有する光電気混載基板であって、上記コアの延設部と、上記コアの主部とは、それらの軸方向に直角な断面の形状が互いに異なっているという構成をとる。
【００１０】
なお、本発明において、上記断面形状が相似形のものは、断面の寸法が互いに異なることになるから、断面の形状が互いに異なっているものとして扱う。
【００１１】
本発明者らは、上記コアの延設部が形成された光電気混載基板において、光の伝播損失をさらに小さくすべく研究を重ねた。その過程で、上記コアの延設部と、その延設元であるコアの主部との、それらの軸方向に直角な断面の形状を互いに異なるようにすることに着想した。従来は、上記コアの延設部の先端面と光素子との間の距離を短くすることに重点をおいていたため、コアの延設部を、その延設元であるコアの主部と同じ寸法に形成しており、上記のように互いの断面形状が異なるようにする発想には至らなかった。そのため、上記コアの延設部も、その延設元であるコアの主部も、同じ断面形状に形成していた。
【００１２】
そこで、本発明者らの上記着想のように、コアの延設部と、その延設元であるコアの主部とで、互いの断面形状が異なるようにすると、上記コアの延設部の形状の自由度を大きくすることができる。そのため、光素子の種類や光電気混載基板の構造等に応じて、光の伝播損失がさらに小さくなるよう、上記コアの延設部の形状を形成することができることを見出し、本発明に到達した。
【００１３】
例えば、光素子が発光素子であれば、発光素子の発光部から発光された光は拡散することから、その光を入射させる延設部の先端面を広く形成することにより、その先端面に、より多くの光を入射させることができるようになるため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。また、光素子が受光素子であれば、その受光素子側の延設部の先端面から出射する光は拡散することから、その光を出射する延設部の先端面を狭く形成することにより、受光素子の受光部の受光面において、光の広がりをより狭くした状態で受光することができるようになるため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光電気混載基板は、コアの端部側から光素子に向かって延設された延設部が形成されているため、コアの延設部の先端面と光素子との間の距離を短くすることができる。これにより、コアの延設部の先端面と光素子との間で、光があまり拡散しないうちに、光の伝播が可能となるため、有効に伝播される光の量が多く、光の伝播損失を小さくすることができる。さらに、本発明の光電気混載基板は、コアの延設部と、その延設元であるコアの主部とは、それらの軸方向に直角な断面の形状が互いに異なっているため、上記コアの延設部の形状の自由度を大きくすることができる。そのため、光素子の種類や光電気混載基板の構造等に応じて、光の伝播損失がさらに小さくなるよう、上記コアの延設部の形状を形成することができる。
【００１５】
例えば、上記延設部が発光素子側の延設部であれば、その延設部の先端面を広く形成することにより、その先端面に、より多くの光を入射させることができ、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。また、上記延設部が受光素子側の延設部であれば、その延設部の先端面を狭く形成することにより、受光素子の受光部の受光面において、光の広がりをより狭くした状態で受光することができるようになるため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００１６】
特に、上記電気回路基板が、透光性を有する絶縁層と、この絶縁層の片面に形成された電気配線とを備え、上記コアの延設部の先端面が、上記絶縁層に当接している場合には、上記延設部の先端面を、上記絶縁層により、物理的にも化学的にも保護することができる。そのため、上記延設部の先端面の状態を適正に維持することができ、光の伝播損失をさらに小さくした状態を維持することができる。
【００１７】
そして、上記光素子が発光素子であり、上記コアの延設部の先端面の面積が、その発光素子の発光部の発光面の面積よりも大きくなっている場合には、発光素子の発光部の発光面から発光された光が拡散しても、上記延設部の先端面（光入射面）が広いことから、その延設部の先端面に、より多くの光を入射させることができるようになる。そのため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００１８】
また、上記光素子が受光素子であり、上記コアの延設部の先端面の面積が、その受光素子の受光部の受光面の面積よりも小さくなっている場合には、上記延設部の先端面から出射された光が拡散しても、その延設部の先端面（光出射面）が狭いことから、受光素子の受光部の受光面において、光の広がりをより狭くした状態で受光することができるようになる。そのため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００１９】
さらに、上記コアの延設部の側周面が、上記光導波路のクラッド層に接触した状態になっており、上記コアの延設部における上記クラッド層との界面部分が、上記コアの形成材料に上記クラッド層の形成材料が混合した混合層に形成されている場合には、上記コアの延設部と上記クラッド層との界面が粗面に形成されていたとしても、上記混合層は粗面に形成されない。そして、上記延設部の中を進む光は、その界面（粗面）で反射するのではなく、上記混合層で反射するため、その反射が適正となる。その結果、光の伝播効率を維持することができ、光の伝播損失をさらに小さくした状態を維持することができる。
【００２０】
そして、上記コアの延設部が、延設方向にいくにつれて徐々に細くなっている場合には、上記延設部の側周面が、傾斜面になっているため、その傾斜面での光の反射により、光を適正に導くことができる。例えば、上記延設部が発光素子側の延設部であれば、その延設部の先端面から入射した光を、上記傾斜面での反射により、効率よくコア端部の光反射面に導くことができる。そのため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。また、上記延設部が受光素子側の延設部であれば、コア端部の光反射面で反射した光を、上記傾斜面での反射により、効率よく上記延設部の先端面に導くことができる。そのため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００２１】
また、上記光反射面の、上記光素子側の端部が、上記コアの延設部の領域に位置している場合には、発光素子側の延設部において、上記光反射面で反射した光を、効率よく上記延設部の先端面に導くことができるため、光の伝播損失をさらに小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を用いた光電気混載モジュールを模式的に示す縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、上記光電気混載基板の電気回路基板の形成工程を模式的に示す説明図であり、（ｄ）は、上記光電気混載基板の金属層の形成工程を模式的に示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、上記光電気混載基板の光導波路の形成工程を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）は、上記光導波路の形成工程を模式的に示す説明図であり、（ｂ）は、上記光電気混載基板の光素子の実装工程を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、上記光電気混載基板の光導波路の形成工程の一部を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図８】本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図９】上記光電気混載基板の光導波路の形成工程の一部を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の光電気混載基板の第５の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】（ａ）は、従来の光電気混載基板の光導波路における、レーザ加工した光反射面を模式的に示す拡大断面図であり、（ｂ）は、本発明の上記第５の実施の形態の光導波路における、レーザ加工した光反射面を模式的に示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００２４】
図１は、本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を用いた光電気混載モジュールを示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板Ａ１，Ｂ１は、図１に示すように、光ファイバＦの両端部に接続されて使用されるものであり、これら光電気混載基板Ａ１，Ｂ１と光ファイバＦとで光電気混載モジュールを形成している。各端部の光電気混載基板Ａ１，Ｂ１は、電気回路基板Ｅと、この電気回路基板Ｅの片面（図１では下面）に積層形成された光導波路Ｗと、上記電気回路基板Ｅの、上記光導波路Ｗと反対側の面（図１では上面）に実装された光素子１１，１２とを備えている。これら光素子１１，１２は、一方の端部（図１では、左端部）の光電気混載基板Ａ１に備えられているのが発光素子１１であり、他方の端部（図１では、右端部）の光電気混載基板Ｂ１に備えられているのが受光素子１２である。さらに、この実施の形態では、上記電気回路基板Ｅと上記光導波路Ｗとの間のうち、上記発光素子１１および上記受光素子１２が実装される実装用パッド２ａに対応する部分に、補強用の金属層Ｍが設けられている。
【００２５】
より詳しく説明すると、上記電気回路基板Ｅは、透光性を有する絶縁層１の表面に、電気配線２と上記実装用パッド２ａとが形成され、その電気配線２がカバーレイ３で被覆されたものとなっている。
【００２６】
上記光導波路Ｗは、光路用のコア７を有しており、そのコア７は、第１クラッド層６と第２クラッド層８とで挟持されている主部７Ｄと、そのコア７の主部７Ｄの一端部側から上記発光素子１１，上記受光素子１２に向かって延設された四角柱状の延設部７Ａ，７Ｂとを備えている。そして、上記発光素子１１および上記受光素子１２に対応する、光導波路Ｗの一端部は、コア７の主部７Ｄの長手方向に対して４５°傾斜した傾斜面に形成されており、その傾斜面に位置するコア７の主部７Ｄの部分は、光反射面７ａ，７ｂになっている。また、上記光導波路Ｗの他端部（光反射面７ａ，７ｂと反対側の端部）は、コア７の長手方向に対して直角な直角面に形成されており、その直角面に位置するコア７の部分は、上記光ファイバＦのコア１０の端面に接続される接続面７ｃとなっている。
【００２７】
そして、上記コア７の、光反射面７ａ，７ｂの形成部分（端部）を除く主部７Ｄも延設部７Ａ，７Ｂも、それらの軸方向に直角な断面は、この実施の形態では、正方形に形成されているものの、主部７Ｄと延設部７Ａ，７Ｂとでは、上記断面（正方形）の寸法（一辺の長さ）が互いに異なっている（断面形状が互いに異なっている）。これが、本発明の大きな特徴の一つである。さらに、この実施の形態では、発光素子１１側（光電気混載基板Ａ１）の延設部７Ａの断面積は、受光素子１２側（光電気混載基板Ｂ１）の延設部７Ｂの断面積よりも、大きくなっている。そして、発光素子１１側（光電気混載基板Ａ１）の延設部７Ａの先端面の面積は、発光素子１１の発光部１１ａの発光面の面積よりも大きくなっており、受光素子１２側（光電気混載基板Ｂ１）の延設部７Ｂの先端面の面積は、受光素子１２の受光部１２ａの受光面の面積よりも小さくなっている。この場合、光Ｌの伝播損失をさらに小さくする観点から、発光素子１１側の光電気混載基板Ａ１では、平面視で、発光素子１１側の延設部７Ａの先端面の領域内に、発光素子１１の発光部１１ａの発光面全体が位置していることが好ましい。同様に、受光素子１２側の光電気混載基板Ｂ１では、平面視で、受光素子１２の受光部１２ａの受光面の領域内に、受光素子１２側の延設部７Ｂの先端面全体が位置していることが好ましい。なお、発光素子１１の発光部１１ａの発光面は、通常、直径１５μｍ程度の円形であり、受光素子１２の受光部１２ａの受光面は、通常、直径３５〜４５μｍ程度の円形である。
【００２８】
また、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの先端面は、この実施の形態では、上記電気回路基板Ｅの絶縁層１の裏面に当接している。さらに、この実施の形態では、上記延設部７Ａ，７Ｂの側周面の周りに、空気で満たされた空洞部２０が形成されており、上記延設部７Ａ，７Ｂおよび空洞部２０は、上記絶縁層１，金属層Ｍ，第１クラッド層６およびコア７の主部７Ｄにより密閉された状態になっている。
【００２９】
上記金属層Ｍは、上記電気回路基板Ｅの絶縁層１と上記光導波路Ｗの第１クラッド層６との間に配置されている。そして、上記発光素子１１と上記光反射面７ａとの間に対応する上記金属層Ｍの部分および上記受光素子１２と上記光反射面７ｂとの間に対応する上記金属層Ｍの部分に、貫通孔５が形成されている。
【００３０】
上記光電気混載モジュールにおける光伝播は、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、一方の端部（図１では、左端部）の光電気混載基板Ａ１において、上記発光素子１１の発光部１１ａの発光面からコア７の延設部７Ａの先端面に向かって、光Ｌが発光される。その光Ｌは、上記絶縁層１を透過し、上記延設部７Ａの先端面から、その延設部７Ａ内に入射する。つづいて、その光Ｌは、上記コア７の主部７Ｄの一端部の光反射面７ａで反射して、光路を９０°変換し、そのコア７の主部７Ｄ内を他端部の接続面７ｃまで伝播した後、その接続面７ｃから出射する。つづいて、その光Ｌは、上記光ファイバＦのコア１０の一端部（図１では、左端部）からその光ファイバＦのコア１０内に入射し、その光ファイバＦのコア１０内を他端部（図１では、右端部）まで伝播した後、その他端部から出射する。つづいて、その光Ｌは、他方の端部（図１では、右端部）の光電気混載基板Ｂ１において、コア７の他端部の接続面７ｃからそのコア７の主部７Ｄに入射する。つづいて、その光Ｌは、上記コア７の主部７Ｄの一端部の光反射面７ｂまで伝播し、その光反射面７ｂで反射して、光路を９０°変換し、コア７の延設部７Ｂに伝播する。つづいて、その光Ｌは、上記延設部７Ｂの先端面から出射し、上記絶縁層１を透過した後、受光素子１２の受光部１２ａの受光面で受光される。
【００３１】
上記光伝播において、一方の端部（図１では、左端部）の光電気混載基板Ａ１では、コア７の一端部側から発光素子１１に向かって延設された延設部７Ａが形成されているため、その延設部７Ａの先端面と発光素子１１の発光部１１ａとの間の距離を短くすることができる。これにより、発光素子１１の発光部１１ａの発光面から発光された光Ｌを、その光Ｌがあまり拡散しないうちに、上記延設部７Ａの先端面から入射させることができる。その結果、有効に入射される光Ｌの量が多くなり、光Ｌの伝播損失を小さくすることができる。さらに、発光素子１１側（光電気混載基板Ａ１）の延設部７Ａの先端面（光入射面）の面積が、発光素子１１の発光部１１ａの発光面の面積よりも大きくなっている。そのため、発光素子１１の発光部１１ａから発光された光Ｌが拡散しても、上記延設部７Ａの先端面（光入射面）に、より多くの光Ｌを入射させることができる。その結果、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００３２】
また、他方の端部（図１では、右端部）の光電気混載基板Ｂ１では、コア７の一端部側から受光素子１２に向かって延設された延設部７Ｂが形成されているため、その先端面７Ｂと受光素子１２の受光部１２ａとの間の距離を短くすることができる。これにより、上記延設部７Ｂの先端面から出射した光Ｌを、その光Ｌがあまり拡散しないうちに、上記受光素子１２の受光部１２ａの受光面で受光することができる。そのため、有効に受光される光Ｌの量が多くなり、光Ｌの伝播損失を小さくすることができる。さらに、受光素子１２側（光電気混載基板Ｂ１）の延設部７Ｂの先端面（光出射面）の面積が、受光素子１２の受光部１２ａの受光面の面積よりも小さくなっている。そのため、その延設部７Ｂの先端面（光出射面）から出射された光Ｌが拡散しても、受光素子１２の受光部１２ａの受光面において、光Ｌの広がりをより狭くした状態で受光することができるようになる。その結果、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００３３】
ここで、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂの側周面は、空気（空洞部２０）に接触している。上記延設部７Ａ，７Ｂの屈折率は１を超える値であり、上記空気の屈折率は１である。この屈折率差により、上記延設部７Ａ，７Ｂを伝播する光Ｌは、延設部７Ａ，７Ｂの側周面を透過せず、その側周面で反射し、延設部７Ａ，７Ｂから漏れないのである。
【００３４】
また、上記光反射面７ａ，７ｂの外側も、空気であることから、コア７の主部７Ｄと空気との屈折率差により、光Ｌは、上記光反射面７ａ，７ｂを透過せず、その光反射面７ａ，７ｂで反射するのである。
【００３５】
そして、上記光電気混載基板Ａ１，Ｂ１では、上記延設部７Ａ，７Ｂおよび空洞部２０が、上記絶縁層１，金属層Ｍ，第１クラッド層６およびコア７の主部７Ｄにより密閉された状態になっているため、上記延設部７Ａ，７Ｂを物理的にも化学的にも保護することができる。特に、上記延設部７Ａ，７Ｂの先端面が、上記絶縁層１の裏面に当接しているため、その延設部７Ａ，７Ｂの先端面も、上記絶縁層１により、物理的にも化学的にも保護することができる。そのため、上記延設部７Ａ，７Ｂの先端面の状態を適正に維持することができ、光Ｌの伝播損失をさらに小さくした状態を維持することができる。
【００３６】
つぎに、上記光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の製法について説明する。なお、上記光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の製法は、いずれの光電気混載基板Ａ１，Ｂ１も同じであるため、その製法を説明する図２〜図４では、受光素子１２が実装されている光電気混載基板Ｂ１について図示する。
【００３７】
〔光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の電気回路基板Ｅの形成〕
まず、上記金属層Ｍを形成するための金属シート材Ｍａ〔図２（ａ）参照〕を準備する。この金属シート材Ｍａの形成材料としては、例えば、ステンレス，４２アロイ等があげられ、なかでも、寸法精度等の観点から、ステンレスが好ましい。上記金属シート材Ｍａ（金属層Ｍ）の厚みは、例えば、１０〜１００μｍの範囲内に設定される。
【００３８】
ついで、図２（ａ）に示すように、上記金属シート材Ｍａの表面に、感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、所定パターンの絶縁層１を形成する。この絶縁層１の形成材料としては、例えば、ポリイミド，ポリエーテルニトリル，ポリエーテルスルホン，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリ塩化ビニル等の合成樹脂、シリコーン系ゾルゲル材料等があげられる。上記絶縁層１の厚みは、例えば、１０〜１００μｍの範囲内に設定される。
【００３９】
つぎに、図２（ｂ）に示すように、上記電気配線２と実装用パッド２ａとを、例えば、セミアディティブ法，サブトラクティブ法等により形成する。
【００４０】
ついで、図２（ｃ）に示すように、上記電気配線２の部分に、ポリイミド樹脂等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ３を形成する。このようにして、上記金属シート材Ｍａの表面に、電気回路基板Ｅを形成する。
【００４１】
〔光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の金属層Ｍの形成〕
その後、図２（ｄ）に示すように、上記金属シート材Ｍａにエッチング等を施すことにより、その金属シート材Ｍａの長手方向の先端部（他端部）側部分Ｓを除去するとともに、その金属シート材Ｍａに貫通孔５を形成する。このようにして、上記金属シート材Ｍａを金属層Ｍに形成する。
【００４２】
〔光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の光導波路Ｗの形成〕
そして、上記電気回路基板Ｅと上記金属層Ｍとの積層体の裏面に光導波路Ｗ（図１参照）を形成するために、まず、図３（ａ）に示すように、上記積層体の裏面（図では下面）に、第１クラッド層６の形成材料である感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、第１クラッド層６に形成する。この第１クラッド層６は、上記金属層Ｍの長手方向の先端部（他端部）側部分Ｓの除去部分を埋めた状態で形成され、上記金属層Ｍの貫通孔５を埋めない状態で形成される。これにより、その貫通孔５と、その貫通孔５に対応する上記第１クラッド層６の部分（貫通孔６ａ）と、上記貫通孔５に対応する上記絶縁層１の部分とで、凹部２１が形成される。上記第１クラッド層６の厚み（金属層Ｍの裏面からの厚み）は、例えば、５〜８０μｍの範囲内に設定される。なお、光導波路Ｗの形成時（上記第１クラッド層６，下記コア７，下記第２クラッド層８の形成時）は、上記積層体の裏面は上に向けられる。
【００４３】
ついで、図３（ｂ）に示すように、上記凹部２１に、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの形成材料である感光性樹脂を充填し、フォトリソグラフィ法により、コア７の延設部７Ａ，７Ｂを形成する。このとき、その延設部７Ａ，７Ｂの側周面と上記凹部２１の周壁との間に、環状の溝２２が形成される。上記延設部７Ａ，７Ｂの長さは、例えば、２０〜３００μｍの範囲内に設定される。
【００４４】
つぎに、図３（ｃ）に示すように、第１クラッド層６の表面（図では下面）に、コア７の主部７Ｄの形成材料である感光性ドライフィルムを積層するか、または感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、コア７の主部７Ｄを形成する。これにより、上記環状の溝２２の開口面が塞がれ、その溝２２が前記空洞部２０となる。また、上記コア７の主部７Ｄの先端部（他端部）は、そのコア７の長手方向に直角な面に形成され、上記光ファイバＦのコア１０（図１参照）の端面に接続される接続面７ｃとなっている。また、上記コア７の主部７Ｄの寸法は、例えば、幅が２０〜１００μｍの範囲内に設定され、厚みが２０〜１００μｍの範囲内に設定され、長さが０．５〜１００ｃｍの範囲内に設定される。上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂの屈折率と主部７Ｄの屈折率は、同じであり、それら屈折率は、上記第１クラッド層６および下記第２クラッド層８〔図３（ｄ）参照〕の屈折率よりも大きくなっている。
【００４５】
そして、図３（ｄ）に示すように、上記コア７の主部７Ｄを被覆するよう、上記第１クラッド層６の表面（図では下面）に、第２クラッド層８の形成材料を塗布し、フォトリソグラフィ法により、第２クラッド層８を形成する。この第２クラッド層８の厚み〔コア７の頂面（図では下面）からの厚み〕は、例えば、３〜５０μｍの範囲内に設定される。上記第２クラッド層８の形成材料としては、例えば、上記第１クラッド層６と同様の感光性樹脂があげられる。
【００４６】
その後、図４（ａ）に示すように、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂに対応する（図では下方に位置する）コア７の主部７Ｄの部分（一端部）を、上記第１クラッド層６および上記第２クラッド層８とともに、例えば、レーザ加工等により、コア７の主部７Ｄの長手方向に対して４５°傾斜した傾斜面に形成する。それら傾斜面に位置する上記コア７の主部７Ｄの部分が光反射面７ａ，７ｂとなる。このようにして、上記金属層Ｍの裏面に、光導波路Ｗを形成する。
【００４７】
〔光電気混載基板Ａ１，Ｂ１の発光素子１１および受光素子１２の実装〕
そして、図４（ｂ）に示すように、電気回路基板Ｅの実装用パッド２ａに、発光素子１１または受光素子１２を実装する。このようにして、発光素子１１を有する光電気混載基板Ａ１と、受光素子１２を有する光電気混載基板Ｂ１とを得る。
【００４８】
その後、光ファイバＦのコア１０の一端部に、発光素子１１を有する光電気混載基板Ａ１のコア７の接続面７ｃを、コネクタ（図示せず）等を介して接続し、その光ファイバＦのコア１０の他端部に、受光素子１２を有する光電気混載基板Ｂ１のコア７の接続面７ｃを、コネクタ（図示せず）等を介して接続する。このようにして、図１に示す光電気混載モジュールを得る。
【００４９】
図５は、本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態を示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板Ａ２，Ｂ２は、図１に示す第１の実施の形態において、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの側周面の周りの空洞部２０（図１参照）に、第１クラッド層６が形成されたものとなっている。すなわち、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの側周面は、第１クラッド層６と接触している。それ以外の部分は上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００５０】
この第２の実施の形態の光電気混載基板Ａ２，Ｂ２の作製は、電気回路基板Ｅの形成工程および金属層Ｍの形成工程までは、上記第１の実施の形態と同様に行われる〔図２（ａ）〜（ｄ）参照〕。そして、それにつづく第１クラッド層６の形成工程では、図６（ａ）に示すように、金属シート材Ｍａに形成された貫通孔５を、コア７の延設部７Ａ，７Ｂ（図５参照）に対応する部分（貫通孔６ａ）を残して第１クラッド層６で埋めた状態となるよう、第１クラッド層６を形成する。これにより、上記貫通孔６ａと、この貫通孔６ａに対応する上記絶縁層１の部分とで、凹部２５が形成される。ついで、図６（ｂ）に示すように、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの形成材料である感光性樹脂を、上記第１クラッド層６の表面（図では下面）に塗布するとともに、上記凹部２５に充填し、フォトリソグラフィ法により、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄを同時に形成する。その後の第２クラッド層８の形成工程以降は、上記第１の実施の形態と同様に行われる〔図３（ｄ），図４（ａ），（ｂ）参照〕。
【００５１】
そして、この第２の実施の形態も、上記第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。また、この第２の実施の形態は、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの側周面が、空洞部２０（図１参照）ではなく、第１クラッド層６と接触しているため、上記延設部７Ａ，７Ｂが第１クラッド層６により補強された状態となっている。
【００５２】
図７は、本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板Ａ３，Ｂ３は、図５に示す第２の実施の形態において、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄにおける上記第１クラッド層６との界面部分が、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの形成材料に上記第１クラッド層６の形成材料が混合した混合層９に形成されたものとなっている。また、上記コア７の主部７Ｄにおける上記第２クラッド層８との界面部分も、上記コア７の形成材料に上記第２クラッド層８の形成材料が混合した混合層９に形成されている。その混合層９の屈折率は、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの屈折率よりも小さく、第１クラッド層６および第２クラッド層８の屈折率よりも大きくなっている。それ以外の部分は上記第２の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００５３】
この第３の実施の形態の光電気混載基板Ａ３，Ｂ３の作製は、電気回路基板Ｅの形成工程および金属層Ｍの形成工程までは、上記第１の実施の形態と同様に行われる〔図２（ａ）〜（ｄ）参照〕。そして、それにつづく第１クラッド層６の形成工程〔図６（ａ）参照〕，コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの形成工程〔図６（ｂ）参照〕ならびに第２クラッド層８の形成工程〔図３（ｄ）参照〕では、第１クラッド層６，コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄならびに第２クラッド層８を完全に硬化させず、軟化状態とする。その後、加熱することにより、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄに、第１クラッド層６および第２クラッド層８の形成材料が染み込み、上記混合層９が形成される。この混合層９の厚みは、上記コア７等の状態が軟化しているほど厚くなる傾向にあり、また、上記加熱温度が高いほど薄くなる傾向にある。その後の光反射面７ａ，７ｂの形成工程以降は、上記第１の実施の形態と同様に行われる〔図４（ａ），（ｂ）参照〕。
【００５４】
そして、この第３の実施の形態も、上記第２の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。また、この第３の実施の形態は、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄにおける上記第１クラッド層６および第２クラッド層８との界面部分が上記混合層９に形成されていることから、上記界面が粗面に形成されていたとしても、上記混合層９は粗面に形成されない。そのため、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの中を進む光Ｌは、その界面（粗面）で反射するのではなく、上記混合層９で反射するため、その反射が適正となる。その結果、光Ｌの伝播効率を維持することができ、光Ｌの伝播損失をさらに小さくした状態を維持することができる。
【００５５】
なお、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの幅に対する上記混合層９の占める割合、ならびにコア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの厚みに対する上記混合層９の占める割合は、５〜２０％の範囲内であることが好ましい。その割合が低すぎると、上記混合層９による光Ｌの適正反射の効果が充分に発揮されない傾向にあり、上記割合が高すぎると、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄにおける光路面積が狭くなり、光Ｌの伝播損失が高くなる傾向にあるからである。
【００５６】
図８は、本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板Ａ４，Ｂ４は、図７に示す第３の実施の形態において、上記コア７の延設部７Ａ，７Ｂが、延設方向（先端面側）にいくにつれて徐々に細くなる四角錘台状に形成されている。それ以外の部分は上記第３の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００５７】
この第４の実施の形態の光電気混載基板Ａ４，Ｂ４の作製は、電気回路基板Ｅの形成工程および金属層Ｍの形成工程までは、上記第１の実施の形態と同様に行われる〔図２（ａ）〜（ｄ）参照〕。そして、それにつづく第１クラッド層６の形成工程では、図９に示すように、コア７の延設部７Ａ，７Ｂ（図８参照）に対応する部分（貫通孔６ａ）が、上記のように延設方向（先端面側）にいくにつれて徐々に細くなるよう、階調露光により、第１クラッド層６を形成する。その際、第１クラッド層６を完全に硬化させず、軟化状態とする。その後のコア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄの形成工程以降は、上記第３の実施の形態と同様に行われる〔図６（ｂ），図３（ｄ），図４（ａ），（ｂ）参照〕。
【００５８】
そして、この第４の実施の形態も、上記第３の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。特に、受光素子１２側の延設部７Ｂでは、先端面（光出射面）をより狭くすることができることから、受光素子１２の受光部１２ａの受光面において、光Ｌの広がりをより狭くした状態で受光することができるようになる。そのため、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００５９】
また、この第４の実施の形態は、上記延設部７Ａ，７Ｂの側周面が、傾斜面になっており、その傾斜面７Ａ，７Ｂでの光の反射により、光Ｌを適正に導くことができる。例えば、発光素子１１側の延設部７Ａでは、その延設部７Ａの先端面から入射した光Ｌを、上記傾斜面での反射により、効率よく、光反射面７ａに導くことができる。そのため、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。また、受光素子１２側の延設部７Ｂでは、光反射面７ｂで反射した光Ｌを、上記傾斜面での反射により、効率よく、上記延設部７Ｂの先端面に導くことができる。そのため、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。
【００６０】
なお、この図８に示す第４の実施の形態では、コア７の延設部７Ａ，７Ｂおよび主部７Ｄにおける上記第１クラッド層６および第２クラッド層８との界面部分が混合層９に形成されているが、その混合層９を形成しない光電気混載基板（図示せず）を、他の実施の形態としてもよい。
【００６１】
図１０は、本発明の光電気混載基板の第５の実施の形態を示す縦断面図である。この実施の形態は、受光素子１２が実装されている側の光電気混載基板Ｂ５である。この光電気混載基板Ｂ５は、図８に示す第４の実施の形態において、光反射面７ｂの、上記受光素子１２側の端部（図１０では上端部）が、上記コア７の延設部７Ｂの領域に位置したものとなっている。それ以外の部分は上記第４の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００６２】
すなわち、前記第２の従来例の光電気混載基板では、図１１（ａ）に要部を拡大して示すように、光反射面５７ｂの上端部がコア５７（第５の実施の形態のコア７の主部７Ｄに相当）に位置しており、延設部５７Ｂに位置していない。その理由は、上記第２の従来例の光電気混載基板では、光反射面５７ｂの中心と受光素子１２の受光部１２ａの受光面の中心とを結ぶ直線Ｐ〔図１１（ａ）では一点鎖線で示す〕に、上記延設部５７Ｂの中心軸Ｑ〔図１１（ａ）では一点鎖線で示す〕を合わせており、しかも、コア５７と延設部５７Ｂとを同じ寸法に形成していたからである。このような第２の従来例の光電気混載基板において、レーザ加工により形成された上記光反射面５７ｂは、より詳しく説明すると、第１クラッド層５６および第２クラッド層５８との界面部分で段部Ｇが形成される。その理由は、上記光反射面５７ｂをレーザ加工で形成する場合、上記界面部分では、材料（屈折率）が変化することから、レーザ光の進路も変化するためである。そして、上記光反射面５７ｂの上部（第１クラッド層５６との界面部分）の段部Ｇでは、光Ｌの反射が適正ならず、その反射した光Ｌは、上記延設部５７Ｂに導かれない。そのため、コア５７に位置する上記段部Ｇが、光Ｌの伝播損失を大きくする原因となる。なお、図１１（ａ）は断面図であるが、光Ｌの進路および光反射面５７ｂを明確にするために、ハッチングを施していない。
【００６３】
そこで、この第５の実施の形態では、図１１（ｂ）に要部を拡大して示すように、コア７の延設部７Ｂの厚み〔図１１（ｂ）では横方向の寸法〕を厚くし、その延設部７Ｂの中心軸Ｒを、光反射面７ｂの中心と受光素子１２の受光部１２ａの受光面の中心とを結ぶ直線Ｐよりも、光電気混載基板Ｂ５の一端側〔図１０，図１１（ｂ）では右側〕にずらしたものとしている。それにより、上記のように、光反射面７ｂの上端部が、上記コア７の延設部７Ｂの領域に位置している。このような光反射面７ｂをレーザ加工で形成する場合、その光反射面７ｂの上端部（第１クラッド層６との界面部分）では段部Ｇが形成されるものの、その段部Ｇは、光Ｌの反射に殆ど影響しないコア７の延設部７Ｂに位置し、光Ｌの反射に影響するコア７の主部７Ｄに位置していない。すなわち、この第５の実施の形態では、上記光反射面７ｂで反射した光Ｌを、効率よく上記延設部７Ｂの先端面に導くことができるため、光Ｌの伝播損失をさらに小さくすることができる。なお、図１１（ｂ）も断面図であるが、光Ｌの進路および光反射面７ｂを明確にするために、ハッチングを施していない。
【００６４】
そして、上記のような作用・効果以外にも、この第５の実施の形態では、上記第４の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。
【００６５】
なお、この図１０に示す第５の実施の形態では、コア７の延設部７Ｂおよび主部７Ｄにおける上記第１クラッド層６および第２クラッド層８との界面部分が混合層９に形成されているが、その混合層９を形成しない光電気混載基板（図示せず）を、他の実施の形態としてもよい。また、この図１０に示す第５の実施の形態では、上記コア７の延設部７Ｂが、延設方向（先端面側）にいくにつれて徐々に細くなる四角錘台状に形成されているが、図１，５，７に示すように、延設方向（先端面側）に一定寸法の四角柱状に形成した光電気混載基板（図示せず）を、他の実施の形態としてもよい。
【００６６】
さらに、上記各実施の形態では、発光素子１１側の延設部７Ａの寸法を、受光素子１２側の延設部７Ｂの寸法よりも大きくしたが、光電気混載基板の構造等により光Ｌの伝播損失をさらに小さくできる場合は、両者の寸法を同じにしてもよいし、発光素子１１側の延設部７Ａの寸法を、受光素子１２側の延設部７Ｂの寸法よりも小さくしてもよい。
【００６７】
そして、上記各実施の形態では、発光素子１１側の延設部７Ａの先端面（光入射面）の面積を、発光素子１１の発光部１１ａの発光面の面積よりも大きくしたが、光電気混載基板の構造等により光Ｌの伝播損失をさらに小さくできる場合は、両者の寸法を同じにしてもよいし、発光素子１１側の延設部７Ａの先端面（光入射面）の面積を、発光素子１１の発光部１１ａの発光面の面積よりも小さくしてもよい。
【００６８】
また、上記各実施の形態では、受光素子１２側の延設部７Ｂの先端面（光入射面）の面積を、受光素子１２の受光部１２ａの受光面の面積よりも小さくしたが、光電気混載基板の構造等により光Ｌの伝播損失をさらに小さくできる場合は、両者の寸法を同じにしてもよいし、受光素子１２側の延設部７Ｂの先端面（光入射面）の面積を、受光素子１２の受光部１２ａの受光面の面積よりも大きくしてもよい。
【００６９】
また、コア７の延設部７Ａ，７Ｂを、上記第１，第２および第３の実施の形態（図１，５，７参照）では、四角柱状に形成し、上記第４および第５の実施の形態（図８，９参照）では、四角錘台状に形成したが、光電気混載基板の構造等により光Ｌの伝播損失をさらに小さくできるのであれば、他の形状でもよく、例えば、円柱状，円錐台状等でもよい。さらに、発光素子１１側の延設部７Ａの形状と、受光素子１２側の延設部７Ｂの形状とが互いに異なるようにしてもよい。
【００７０】
そして、上記各実施の形態では、コア７の延設部７Ａ，７Ｂの先端面を絶縁層１の裏面に当接させているが、上記延設部７Ａ，７Ｂの先端面と絶縁層１の裏面との間に隙間を設けてもよい。また、上記延設部７Ａ，７Ｂに対応する上記絶縁層１の部分に、光路用の貫通孔を形成してもよい。この場合は、上記絶縁層１は透光性を有するものでもよいし、透光性を有さないものでもよい。
【００７１】
さらに、上記各実施の形態では、第１クラッド層６を形成する工程において、コア７の延設部７Ａ，７Ｂを形成するための貫通孔６ａを、フォトリソグラフィ法により形成したが、他の方法でもよく、例えば、上記貫通孔６ａを形成しない状態で第１クラッド層６を形成した後、レーザ加工により、上記貫通孔６ａを形成してもよい。
【００７２】
また、上記各実施の形態では、光ファイバＦの両端部に接続される光電気混載基板Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ５としたが、光ファイバＦを介さないものでもよい。すなわち、１個の電気回路基板に、発光素子と受光素子の両方を実装し、その電気回路基板に積層される光導波路のコアの両端部に光反射面を形成した光電気混載基板としてもよい。
【００７３】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００７４】
〔第１クラッド層および第２クラッド層の形成材料〕
成分ａ：エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１００１）６０重量部。
成分ｂ：エポキシ樹脂（ダイセル社製、ＥＨＰＥ３１５０）３０重量部。
成分ｃ：エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）１０重量部。
成分ｄ：光酸発生剤（サンアプロ社製、ＣＰＩ−１０１Ａ）０．５重量部。
成分ｅ：酸化防止剤（共同薬品社製、Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０）０．５重量部。
成分ｆ：酸化防止剤（三光社製、ＨＣＡ）０．５重量部。
成分ｇ：乳酸エチル（溶剤）５０重量部。
これら成分ａ〜ｇを混合することにより、第１クラッド層および第２クラッド層の形成材料を調製した。
【００７５】
〔コアの形成材料〕
成分ｈ：エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＤＣＮ−７００−３）５０重量部。
成分ｉ：エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１００２）３０重量部。
成分ｊ：エポキシ樹脂（大阪ガスケミカル社製、オグソールＰＧ−１００）２０重量部。
成分ｋ：光酸発生剤（サンアプロ社製、ＣＰＩ−１０１Ａ）０．５重量部。
成分ｌ：酸化防止剤（共同薬品社製、Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０）０．５重量部。
成分ｍ：酸化防止剤（三光社製、ＨＣＡ）０．１２５重量部。
成分ｎ：乳酸エチル（溶剤）５０重量部。
これら成分ｈ〜ｎを混合することにより、コアの形成材料を調製した。
【００７６】
〔実施例１〕
上記形成材料を用いて、光素子を未実装の光電気混載基板を作製した。この光電気混載基板は、図１に示すような、コアの延設部の側周面が空気（空洞部）に接触している構造とした。そして、発光素子側の光電気混載基板と受光素子側の光電気混載基板とを、長さ１００ｃｍの光ファイバ（三喜社製、FFP-GI20-0500 ）を介して、光伝播可能に接続した（図１参照）。また、発光素子側の延設部の断面（厚み３０μｍ×幅３０μｍ）を、受光素子側の延設部の断面（厚み３２μｍ×幅３２μｍ）よりも、僅かに小さく形成した。上記延設部の長さは１５０μｍとした。コアの主部の寸法は、厚み５０μｍ×幅５０μｍ、長さ１０ｃｍとした。そして、ステンレス層（金属層）の厚みを２０μｍ、電気回路基板の絶縁層の厚みを２０μｍとした。また、第１クラッド層の厚み（金属層の裏面からの厚み）を２０μｍ、第２クラッド層の厚み〔コアの頂面（図１では下面）からの厚み〕を３０μｍとした。
【００７７】
〔実施例２〕
上記実施例１において、発光素子側の延設部の断面（厚み４０μｍ×幅４０μｍ）を、受光素子側の延設部の断面（厚み２５μｍ×幅２５μｍ）よりも、大きく形成した（図１参照）。それ以外の部分は、上記実施例１と同様とした。
【００７８】
〔実施例３〕
上記実施例２において、コアの延設部の側周面が第１クラッド層に接触している構造とした（図５参照）。それ以外の部分は、上記実施例２と同様とした。
【００７９】
〔実施例４〜６〕
上記実施例３において、コアの延設部および主部における上記第１クラッド層および第２クラッド層との界面部分が混合層に形成されている構造とした（図７参照）。コアの延設部および主部の幅または厚みに対する上記混合層の占める割合は、下記の表１のようにした。それ以外の部分は、上記実施例３と同様とした。なお、上記混合層の占める割合は、コアの延設部および主部を切断し、その断面における割合について、側長顕微鏡（ミツトヨ社製、BF-3017D）を用いて算出した。
【００８０】
〔実施例７〜９〕
上記実施例６において、コアの延設部が延設方向（先端面側）にいくにつれて徐々に細く形成されている構造とした（図８参照）。上記延設部の先端面の寸法および側周面の傾斜角度（延設部の軸方向に対する傾斜角度）は、下記の表１のようにした。なお、上記傾斜角度は、レーザ顕微鏡（キーエンス社製、VK-X250 ）を用いて測定した。それ以外の部分は、上記実施例６と同様とした。
【００８１】
〔実施例１０，１１〕
上記実施例９において、受光素子が実装されている側の光電気混載基板について、コアの延設部の厚みを厚くし、その延設部の中心軸を、光反射面の中心と受光素子の受光部の受光面の中心とを結ぶ直線よりも、光電気混載基板の一端側にずらした（オフセットした）。それにより、光反射面の上端部が上記コアの延設部の領域に位置している構造とした〔図１０，図１１（ｂ）参照〕。そのオフセット量（μｍ）は、下記の表１のようにした。なお、上記オフセット量は、上記レーザ顕微鏡を用いて測定した。それ以外の部分は、上記実施例９と同様とした。
【００８２】
〔比較例１〕
上記実施例３において、上記コアの延設部が形成されていない構造とした。そして、上記実施例３における延設部に対応する部分を第１クラッド層で埋めた構造とした（第１の従来例）。それ以外の部分は、上記実施例３と同様とした。
【００８３】
〔比較例２〕
上記実施例３において、コアの延設部の寸法（厚み５０μｍ×幅５０μｍ）を、その延設元であるコアの主部と同じ寸法（厚み５０μｍ×幅５０μｍ）とした（第２の従来例）。それ以外の部分は、上記実施例３と同様とした。
【００８４】
〔光伝播損失の測定〕
発光素子（ＵＬＭ社製、ULM850-10-TT-C0104U ）および受光素子（Albis optoelectronics 社製、PDCA04-70-GS）を準備し、上記発光素子で発光された光を直接、上記受光素子で受光した際の光量（Ｍ）を測定した。ついで、上記発光素子および上記受光素子を上記実施例１〜１１および比較例１，２に実装し、その状態で、上記発光素子で発光された光を、上記受光素子で受光した際の光量（Ｎ）を測定した。そして、測定した上記光量から下記の式（１）にしたがって光伝播損失（α）を算出し、下記の表１に示した。
【００８５】
【数１】
2018091890.tif 000003
【００８６】
【表１】
2018091890.tif 000004
【００８７】
上記表１の結果から、実施例１〜１１は、比較例１，２よりも光伝播損失が小さいことがわかる。特に、実施例１〜１１において、発光素子側の延設部の寸法が受光素子側の延設部の寸法よりも大きい実施例２〜１１は、より光伝播損失が小さくなっていることがわかる。なかでも、コアの延設部および主部に混合層が形成されている実施例４〜１１は、より一層光伝播損失が小さく、さらに、コアの延設部が延設方向（先端面側）にいくにつれて徐々に細く形成されている実施例７〜１１は、かなり光伝播損失が小さく、そして、光反射面の上端部がコアの延設部の領域に位置している実施例１０，１１は、特に光伝播損失が小さくなっていることがわかる。
【００８８】
また、上記実施例７〜１１において、コアの延設部および主部に混合層が形成されていないものについても、上記実施例７〜１１と同様の傾向を示す結果が得られた。さらに、上記実施例１０，１１において、コアの延設部が延設方向（先端面側）に一定の寸法に形成されたものについても、上記実施例１０，１１と同様の傾向を示す結果が得られた。
【００８９】
また、１個の電気回路基板に、発光素子と受光素子の両方を実装し、その電気回路基板に積層される光導波路のコアの両端部に光反射面を形成した、光ファイバを介さない光電気混載基板についても、上記実施例１〜１１と同様の傾向を示す結果が得られた。
【００９０】
なお、上記実施例１〜１１では、コアの主部の寸法を厚み５０μｍ×幅５０μｍとしたが、その主部の断面形状を、厚みも幅も２０〜１００μｍの範囲内で変えた正方形または長方形としても、上記実施例１〜１１と同様の傾向を示す結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の光電気混載基板は、光の伝播損失をさらに小さくする場合に利用可能である。
【符号の説明】
【００９２】
Ａ１  光電気混載基板
Ｂ１  光電気混載基板
Ｅ  電気回路基板
Ｌ  光
Ｗ  光導波路
７  コア
７Ａ  延設部
７Ｂ  延設部
７Ｄ  主部
７ａ  光反射面
７ｂ  光反射面
１１  発光素子
１２  受光素子
【図１】
2018091890.tif 000005
【図２】
2018091890.tif 000006
【図３】
2018091890.tif 000007
【図４】
2018091890.tif 000008
【図５】
2018091890.tif 000009
【図６】
2018091890.tif 000010
【図７】
2018091890.tif 000011
【図８】
2018091890.tif 000012
【図９】
2018091890.tif 000013
【図１０】
2018091890.tif 000014
【図１１】
2018091890.tif 000015