(57)【要約】【課題】紫外光にのみ感度を持つ受光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１および第２の半導体受光素子１ａ，１ｂは、Ｎ型の半導体基板１１に形成された第１のＰ型半導体領域２１と、第１のＰ型半導体領域２１内に形成された第１のＮ型半導体層領域２２と、第１のＰ型半導体領域２１内に形成された高濃度のＰ型半導体領域２３と、Ｎ型層領域２２内に設けられた高濃度のＮ型半導体領域２４と、を備え、半導体基板１１上には絶縁酸化膜３１が設けられている。第１および第２の半導体受光素子１ａ，１ｂには異なる膜厚の絶縁酸化膜３１が形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子とを備えた紫外線受光素子を有する半導体装置であって、
前記第１の半導体受光素子は、半導体基板に形成された第１の第１導電型半導体領域と前記第１の第１導電型半導体領域内に形成された第１の第２導電型半導体領域からなるＰＮ接合を有する第１のフォトダイオードを備え、前記第２の半導体受光素子は、前記第１のフォトダイオードと同じ構成を有する第２のフォトダイオードを備え、
前記第１の半導体受光素子は前記第１のフォトダイオード上に膜厚が５０ｎｍ〜９０ｎｍである第１の絶縁酸化膜を有し、前記第２の半導体受光素子は前記第２のフォトダイオード上に前記第１の絶縁酸化膜の膜厚よりも２０〜４０ｎｍ薄い膜厚の第２の絶縁酸化膜を有することを特徴とする紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体受光素子の第１の受光領域の大きさが前記第２の半導体受光素子の第２の受光領域の大きさと異なることを特徴とする請求項１記載の紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項３】
前記第１の受光領域の大きさが前記第２の受光領域の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項４】
前記第１の第２導電型半導体領域と前記半導体基板の表面との間に第２の第１導電型半導体領域を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項５】
前記第１のフォトダイオードのＰＮ接合および前記第２のフォトダイオードのＰＮ接合よりも前記半導体基板の裏面に近い位置に変質層を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項６】
前記変質層が前記半導体基板の裏面に露出していることを特徴とする請求項５に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置。
【請求項７】
第１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子とを備えた紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体受光素子および前記第２の半導体受光素子の形成領域において、
半導体基板に第１の第１導電型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の第１導電型半導体領域内に第１の第２導電型半導体領域を設けて、前記第１の第１導電型半導体領域と前記第１の第２導電型半導体領域とのＰＮ接合を有する第１および第２のフォトダイオードをそれぞれ形成する工程と、
前記第１の半導体受光素子の前記第１のフォトダイオード上に膜厚が５０ｎｍ〜９０ｎｍである第１の絶縁酸化膜を形成する工程と、
前記第２の半導体受光素子の前記第２のフォトダイオード上に前記第１の絶縁酸化膜よりも２０〜４０ｎｍ薄い膜厚の第２の絶縁酸化膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁酸化膜および前記第２の絶縁酸化膜上に配線を形成する工程と、を備えることを特徴とする紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線を形成する工程において、前記第１の半導体受光素子の受光領域の配線開口幅と前記第２の半導体受光素子の受光領域の開口配線幅を異なる寸法で形成することを特徴とする請求項７記載の紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の第１導電型半導体領域内に前記第１の第２導電型半導体領域を設けた後に、前記第１の第２導電型半導体領域と前記半導体基板との間に第２の第１導電型半導体領域を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線を形成する工程の後に、前記第１のフォトダイオードのＰＮ接合および前記第２のフォトダイオードのＰＮ接合よりも前記半導体基板の裏面に近い位置に変質層を設ける工程をさらに備えることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記変質層を設ける工程において、前記半導体基板の裏面から透過性のある波長のレーザ光対物レンズ光学系で前記半導体基板の内部に焦点を結ぶように集光する方法を用いることを特徴とする請求項１０記載の紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記変質層を設ける工程において、前記半導体基板の裏面からイオン注入を行い、その後に結晶性回復工程を伴わないことを特徴とする請求項１０記載の紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線受光素子を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽光に含まれる、波長４００ｎｍ以下の紫外線が人体や環境に与える影響について注目されており、紫外線量の指標であるＵＶインデックスを用いた紫外線情報が提供されている。紫外線は、波長によって、ＵＶ−Ａ(波長３１５〜４００ｎｍ)、 ＵＶ−Ｂ(波長２８０〜３１５ｎｍ)、 ＵＶ―Ｃ(波長２００〜２８０ｎｍ)に分類される。ＵＶ−Ａは皮膚を黒化させ、老化の原因となり、ＵＶ−Ｂは皮膚の炎症を引き起こし皮膚癌の原因となるおそれがあり、ＵＶ−Ｃはオゾン層に吸収され地表には届かないものの強い殺菌作用があり、殺菌灯として活用されている。このような背景のもと、近年、各紫外線領域の強度検出用センサの開発に期待が高まっている。
【０００３】
紫外線の波長領域にのみに検出感度を持たせるため、屈折率の異なる薄膜層を複数積層させた多層膜光学フィルタ（例えば、特許文献１参照）や、紫外光を吸収する有機膜フィルタ（例えば、特許文献２参照）の活用などが提案されている。また、紫外光を透過するＳｉＮ層を積層させた受光素子と紫外光を透過しないＳｉＮ層を積層させた受光素子と
の差分特性により、紫外線の波長領域にのみに感度を持つ素子が提案されている。（例えば、特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３４１１２２号公報
【特許文献２】特開２０１６−１１１１４２号公報
【特許文献３】特開２００８−２５１７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、多層膜光学フィルタや有機膜フィルタの製造プロセスは、通常の半導体製造プロセスとは異なり、工程数が非常に多くコストが高くなる。さらに、有機膜フィルタの場合は、エネルギーの強い短波長紫外光を長時間照射すると組成変化を生じる可能性がある。また、フォトダイオード上に異種の膜が存在すると膜同士の界面で光の反射・干渉が生じ、出力にリップルが生じることがある。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みなされたもので、単層ながらも紫外光に対し耐性のある絶縁膜を有するダイオードタイプの紫外線受光素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明では以下の手段を用いた。
まず、第１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子とを備えた紫外線受光素子を有する半導体装置であって、
前記第１の半導体受光素子は、半導体基板に形成された第１の第１導電型半導体領域と前記第１の第１導電型半導体領域内に形成された第１の第２導電型半導体領域からなるＰＮ接合を有する第１のフォトダイオードを備え、前記第２の半導体受光素子は、前記第１のフォトダイオードと同じ構成を有する第２のフォトダイオードを備え、
前記第１の半導体受光素子は前記第１のフォトダイオード上に膜厚が５０ｎｍ〜９０ｎｍである第１の絶縁酸化膜を有し、前記第２の半導体受光素子は前記第２のフォトダイオード上に前記第１の絶縁酸化膜の膜厚よりも２０〜４０ｎｍ薄い膜厚の第２の絶縁酸化膜を有することを特徴とする紫外線受光素子を有する半導体装置とする。
【０００８】
また、第１の半導体受光素子と第２の半導体受光素子とを備えた紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体受光素子および前記第２の半導体受光素子の形成領域において、
半導体基板に第１の第１導電型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の第１導電型半導体領域内に第１の第２導電型半導体領域を設けて、前記第１の第１導電型半導体領域と前記第１の第２導電型半導体領域とのＰＮ接合を有する第１および第２のフォトダイオードをそれぞれ形成する工程と、
前記第１の半導体受光素子の前記第１のフォトダイオード上に膜厚が５０ｎｍ〜９０ｎｍである第１の絶縁酸化膜を形成する工程と、
前記第２の半導体受光素子の前記第２のフォトダイオード上に前記第１の絶縁酸化膜よりも２０〜４０ｎｍ薄い膜厚の第２の絶縁酸化膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁酸化膜および前記第２の絶縁酸化膜上に配線を形成する工程と、を備えることを特徴とする紫外線受光素子を有する半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記手段を用いることで、単層ながらも紫外光に対し耐性のある絶縁膜を有するダイオードタイプの紫外線受光素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。
【図３】各波長に対するシリコン基板とシリコン酸化膜の屈折率ｎを示す図である。
【図４】各波長に対するシリコン基板とシリコン酸化膜の消衰係数ｋを示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の透過率を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は本発明の第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の平面図、図２は第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。
【００１３】
図１において、紫外線受光素子を有する半導体装置１は第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂとから構成されている。第１の半導体受光素子１ａおよび第２の半導体受光素子１ｂは、共にＮ型の半導体基板１１に形成された第１のＰ型半導体領域２１と、第１のＰ型半導体領域２１内に形成された第１のＮ型半導体層領域２２と、第１のＰ型半導体領域２１内に形成された高濃度のＰ型半導体領域２３と、第１のＮ型半導体層領域２２内に設けられた高濃度のＮ型半導体領域２４と、をそれぞれ備え、半導体基板１１上には例えばシリコン酸化膜より構成される絶縁酸化膜３１が設けられている。
【００１４】
絶縁酸化膜３１中に形成されたカソード電極４１は高濃度のＮ型半導体領域２４を介して第１のＮ型半導体層領域２２に接続され、アノード電極４２は高濃度のＰ型半導体領域２３を介して第１のＰ型半導体領域２１に接続されている。また、アノード電極４２は半導体基板１１と接続されるので、Ｐ型層領域２１は接地端子に接続されることになる。ちなみに、本発明の第１の実施形態においては、第１のＰ型半導体領域２１の接合深さは０．８μｍ、第１のＮ型半導体層領域２２の接合深さは０．３μｍである。
【００１５】
第１の半導体受光素子１ａおよび第２の半導体受光素子１ｂにそれぞれ設けられたフォトダイオード５１は第１のＮ型半導体層領域２２と第１のＰ型半導体領域２１とからなるＰＮ接合形式の構造を有している。アノード電極４２に対しカソード電極４１の電位が高くなるようにバイアスを印加することで、第１のＮ型半導体層領域２２と第１のＰ型半導体領域２１の界面に空乏層が広がり、この空乏層が電荷を取り込むための紫外線感知領域として機能することになる。
【００１６】
ここで、第１の半導体受光素子１ａおよび第２の半導体受光素子１ｂは半導体基板１１内における構造は同じであるが、半導体基板１１上に形成された絶縁酸化膜３１に違いを設けている。すなわち、第１の半導体受光素子１ａでは絶縁酸化膜３１の厚さを９０ｎｍから５０ｎｍとしている。これに対し第２の半導体受光素子１ｂでは絶縁酸化膜３１の厚さを第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さより２０〜４０ｎｍ薄くなるように形成している。
【００１７】
半導体受光素子１に光が入射すると、入射光は、その一部が絶縁酸化膜３１により吸収され、残りの一部は絶縁酸化膜３１と半導体基板１１との界面において反射されるため入射光は幾分減衰したのち半導体基板１１に到達することになる。そして入射光の各波長成分は光エネルギーに従い、半導体基板１１内でキャリアを発生させる。発生したキャリアは半導体基板１１内を拡散し、第１のＰ型半導体領域２１と第１のＮ型半導体層領域２２とからなるＰＮ接合の空乏層領域まで達すると、空乏層内の電界により、高濃度のＰ型半導体領域２３あるいは高濃度のＮ型半導体領域２４である端子へと移動し、配線６１から電圧または電流としての出力となる。なお、半導体基板深部にて発生するキャリアはＰＮ接合の空乏層領域には達せずに基板へ流れるため出力には関与しない。
【００１８】
図３にシリコン基板とシリコン酸化膜の屈折率ｎ、図４にシリコン基板とシリコン酸化膜の消衰係数ｋを示す。この両係数から計算した、８０ｎｍの絶縁酸化膜３１を有する第１の半導体受光素子１ａ及び６０ｎｍの絶縁酸化膜３１を有する第２の半導体受光素子１ｂでの光の透過率の波長依存性、およびそれらの差分特性を図５に示す。差分特性は、絶縁酸化膜３１の薄い第２の半導体受光素子１ｂの透過率から絶縁酸化膜３１の厚い第１の半導体受光素子１ａの透過率を引いた値を示すもので、２５０〜４００ｎｍの紫外線波長領域にピークを有する特性を示す。実際の出力は半導体基板１１に到達した光子が、キャリアを発生させる内部量子効率と透過率との積となるが、第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂは、ＰＮ接合のフォトダイオード構造は同じであるため内部量子効率が等しく、絶縁酸化膜３１の厚さのみが変わっているため、その透過率の差がそのまま出力の差となる。
【００１９】
図５に示すように、８０ｎｍのシリコン酸化膜を絶縁酸化膜３１として有する第１の半導体受光素子１ａは２５０〜４００ｎｍの光を透過しにくく、絶縁酸化膜３１であるシリコン酸化膜が２０ｎｍ薄い第２の半導体受光素子１ｂは、第１の半導体受光素子に比べて、２５０〜４００ｎｍの光を透過しやすいため、その差分をとることで、２５０〜４００ｎｍの紫外線領域の特定光にのみ感度を持つ特性を得ることが出来る。４００ｎｍ以上の可視光の帯域においては、差分はほぼ一様となっている。
【００２０】
また、本構造ではフォトダイオード５１上には絶縁酸化膜３１が単層で形成されるのみであるから光干渉の影響を小さく出来るという効果も有する。そして、絶縁酸化膜３１がシリコン酸化膜という安定した材料であることから紫外線に対し長期の耐性を有する紫外線受光素子を有する半導体装置１とすることができる。
【００２１】
第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さが５０ｎｍ〜９０ｎｍで、これと対となる第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜３１の厚さが第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さより２０〜４０ｎｍ薄くなるような範囲、より好ましくは第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さが６０ｎｍ〜８０ｎｍで、これと対となる第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜３１の厚さが第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さより２０〜４０ｎｍ薄くなるような範囲であれば、図５に示した透過率や差分特性と同様の特性が得られる。
【００２２】
第１の半導体受光素子１ａにおいて絶縁酸化膜３１の厚さを５０ｎｍから９０ｎｍとするのは、９０ｎｍより厚いと干渉の影響により、可視光領域における透過率を示す曲線が平坦でなくなるとともに、膜厚への依存性を示すようになり、２０〜４０ｎｍ薄くした絶縁酸化膜３１との差分を取った場合に、前述したような可視光領域における一様な差分特性を得ることができないためである。５０ｎｍ以上とするのは第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜３１との差分を取れるようにするためである。
【００２３】
さらに、第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜３１の厚さを第１の半導体受光素子１ａの絶縁酸化膜３１の厚さより２０〜４０ｎｍ薄くなるような範囲とするのは、ＵＶ波長帯における差分が大きくなるようにするためである。
【００２４】
次に、本発明の第１の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置１を得るための製造方法について説明する。
まず、半導体基板１１内にイオン注入および熱拡散処理にて第１のＰ型半導体領域２１を形成し、次いで、同様の方法にて第１のＰ型半導体領域２１内に第１のＮ型半導体層領域２２を形成して、第１のＰ型半導体領域２１と第１のＮ型半導体層領域２２とのＰＮ接合を有するフォトダイオード５１を形成する。そして、第１の半導体受光素子１ａを形成する領域には相対的に厚い絶縁酸化膜３１を形成し、第２の半導体受光素子１ｂを形成する領域には相対的に薄い絶縁酸化膜３１を形成する。
【００２５】
このような厚さの異なる絶縁酸化膜３１の形成には様々な方法がある。例えば、まず、第１の半導体受光素子１ａおよび第２の半導体受光素子１ｂの半導体基板上に５０ｎｍ〜８０ｎｍ以下の同一厚さの酸化膜を形成し、次いで、第２の半導体受光素子１ｂの表面の絶縁酸化膜を２０ｎｍ〜４０ｎｍエッチングにより減じるという方法によって異なる膜厚の絶縁酸化膜３１を形成することが可能である。エッチング方法としてはウェットエッチングを用いることで表面にエッチング残渣のない良質な絶縁酸化膜３１とすることができ、好ましい。そして、絶縁酸化膜３１の形成後に配線を形成する工程になるが、その際、受光領域に配線６１が重畳しないようにすることが求められる。
【００２６】
図２は配線工程後に第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜の厚さを減じる処理を行ったときの断面図であり、配線６１の端部下の絶縁酸化膜３１には段差が生じている。これに対し配線工程前に第２の半導体受光素子１ｂの絶縁酸化膜の厚さを減じる処理を行った場合は、配線６１下の絶縁酸化膜自身の膜厚を配線６１間の受光領域の絶縁酸化膜３１の厚さと同じにすることができるので、段差が形成されず、段差部から侵入する斜光の影響を抑制することが可能となる。
【００２７】
配線形成後は、第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂの表面を被覆するシリコン窒化膜等からなる保護膜を形成することになるが、フォトダイオード５１直上以外の領域、すなわち、受光領域外のみに保護膜などを積層すると良い。フォトダイオード５１直上の絶縁酸化膜３１の表面には保護膜は無く、大気と接するように構成されることになる。
【実施例２】
【００２８】
図６は本発明の第２の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。図５では、２５０〜４００ｎｍの紫外線波長領域にピークを有する特性を示すが、一方で、紫外線波長領域外の他の波長領域における差分は負の特性値を示し、同一の特性とはなっていない。第２の実施形態はこの点を解決するためのものである。
【００２９】
図２に示した第１の実施形態では第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂの受光領域の大きさを同一としたが、図６により示す第２実施形態では、第１の半導体受光素子１ａの受光領域の配線開口幅６ａと第２の半導体受光素子１ｂの受光領域の配線開口幅６ｂとを異なる大きさとした。これにより、第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂの受光領域の大きさを異なるものとした。
【００３０】
例えば、図５のように紫外線以外の波長領域における差分が負の特性値である場合には、配線開口幅６ａを配線開口幅６ｂよりも小さくすることで、第１の半導体受光素子１ａの受光領域の大きさは第２の半導体受光素子の受光領域の大きさより小さくなり、紫外線以外の他の波長領域における第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂとの差分をゼロに近づけることが可能となる。
【００３１】
このように、半導体受光素子の受光領域の大きさを調整することで紫外線波長領域外の他の波長領域での透過率を同等とし、目的とする紫外線領域における差分特性のみを得ることが可能となる。
【実施例３】
【００３２】
図７は本発明の第３の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。図２と対応する部分には同じ符号が付してある。図２に示した第１の実施形態と異なる点は、第１のＮ型半導体層領域２２上の半導体基板表面に第２のＰ型半導体領域２５を形成し、半導体基板表面付近で発生するキャリアの取り込みを促進している点である。
【００３３】
この構造においては、フォトダイオード５１は第１のＮ型半導体層領域２２と第１のＰ型半導体領域２１とのＰＮ接合と第２のＰ型半導体領域２５と第１のＮ型半導体層領域２２とのＰＮ接合の両方を有する。前者の第１のＮ型半導体層領域２２と第１のＰ型半導体領域２１とのＰＮ接合付近の空乏層には比較的長波長の紫外線起因のキャリアが捕獲されるのに対し、後者のＰ型半導体領域２５と第１のＮ型半導体層領域２２とのＰＮ接合付近の空乏層には比較的短波長の紫外線起因のキャリアが捕獲され、これにより、半導体基板表面近くで吸収された短波長領域の内部量子効率を向上させることが可能となる。なお、第１のＮ型半導体層領域２２上の半導体基板表面に第２のＰ型半導体領域２５を形成する構造は第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂで同じである。
【実施例４】
【００３４】
図８は本発明の第４の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。図２に示した第１の実施形態と異なる点は、第１のＰ型半導体領域２１を形成せずにＰ型半導体基板１２を用い、これと第１のＮ型半導体層領域２６の接合によるフォトダイオード構造としている点である。
【実施例５】
【００３５】
図９は本発明の第５の実施形態に係る紫外線受光素子を有する半導体装置の断面図である。図２と対応する部分には同じ符号が付してある。図５では、２５０〜４００ｎｍの紫外線波長領域にピークを有する特性を示すが、同時に紫外線波長領域外の他の波長領域における差分は負の特性値を示し、他の波長領域では必ずしも同一の特性ではない。本実施形態はこの問題を解決するためのものである。
【００３６】
図２に示した第１の実施形態と異なる点は、半導体基板１１の深部であり、半導体基板１１の裏面に近い位置に変質層７１を形成した点である。４００ｎｍ以上の可視光領域の光は、半導体基板１１の深くまで達し、半導体基板の深い位置でキャリアを発生させ、このキャリアが拡散して空乏層に捕獲されることで可視光領域における出力を得ることになるが、深部に変質層７１を形成することで可視光領域ではキャリアが発生せず、紫外光領域ではキャリアは発生するという半導体受光素子が得られる。図９では変質層７１が半導体基板１１内に埋め込み形成される構造を図示しているが、この変質層７１が半導体基板１１の裏面に露出する構造でも構わない。
【００３７】
本実施形態では、変質層７１の形成方法にレーザ照射を用いた。半導体ウェハに対して半導体ウェハの裏面から透過性のある波長のレーザ光対物レンズ光学系で半導体ウェハの内部に焦点を結ぶように集光する。集光点を半導体ウェハ内部の所定の深さに合わせることで多光子吸収により変質層７１が形成される。本発明の紫外線受光素子を有する半導体装置１では、第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂの半導体基板１１内の構造を同一とするため、第１の半導体受光素子１ａと第２の半導体受光素子１ｂの両方の領域に同一の変質層７１を設ける構成としている。
【００３８】
図９に示すように広い範囲に変質層７１を形成する場合は半導体ウェハ全面に対しレーザ光を走査すれば良い。変質層７１を形成する深さが広い範囲に及ぶときには焦点の結ぶ集光点を深さ方向に複数設けて複数回走査すれば深さ方向に厚さのある変質層７１が形成されることになる。本発明の実施形態となる紫外線受光素子を有する半導体装置１では、半導体基板１１の深い位置に発生したキャリアは、変質層７１にトラップされ、再結合後に消滅する。長波長成分の内部量子効率が低くなるため、紫外領域のみの感度を選択的に取り出すことが可能となる。
【００３９】
変質層７１の深さは、所望の波長により任意に設定される。例えば、波長４００ｎｍ以下の感度のみを取り出したいときは、変質層７１の深さは、半導体ウェハの表面から１〜１００ｕｍの深さに形成すると良い。この範囲の深さは可視光領域である４００〜１０００ｎｍの光に対して吸収効率の大きく、キャリアの消滅に有効的である。
【００４０】
レーザ照射に代えてイオン注入法を用いて変質層７１を形成しても良いが、その場合は、あらかじめバックグラインドにより半導体ウェハの厚みを薄くした後に、半導体基板の裏面から高エネルギーでイオン注入をして変質層７１を形成すると良い。この際、イオン注入後のアニール等、変質層７１の結晶性回復につながる処理は不要である。
【００４１】
さらには、レーザ照射に代えてバックグラインド法を用いて変質層７１を形成しても良い。バックグラインドを行うと半導体基板の裏面に破砕層が形成されるが、通常のプロセスではこの破砕層を無くすために目の細かい砥石で研削し、化学処理を施したりするが、半導体基板の裏面を目の粗い砥石で研削し洗浄することで、膜厚の厚い破砕層を残すことができ、これが長波長起因で生じるキャリアの消滅に寄与することになる。
【符号の説明】
【００４２】
１    紫外線受光素子を有する半導体装置
１ａ  第１の半導体受光素子
１ｂ  第２の半導体受光素子
１１  Ｎ型半導体基板
１２  Ｐ型半導体基板
２１  第１のＰ型半導体領域
２２、２６  第１のＮ型半導体層領域
２３、２７  高濃度のＰ型半導体領域
２４、２８  高濃度のＮ型半導体領域
２５  第２のＰ型半導体領域
３１  絶縁酸化膜
４１  カソード電極
４２  アノード電極
５１  フォトダイオード
６１  配線
６ａ  第１の受光領域の配線開口幅
６ｂ  第２の受光領域の配線開口幅
７１  変質層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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