(57)【要約】【課題】チップの裏面に所望のダイアタッチフィルム層を形成できるようにする。【解決手段】本発明に係るダイアタッチフィルム１は、サポートシート２と、サポートシート２上に剥離可能に配設されたボンド剤層３とを備え、ボンド剤層３には、貼着されるチップＣの外周縁に対応した位置に分断起点３０が形成されているため、かかる分断起点３０を起点にしてチップＣの裏面に貼着されたボンド剤層３を容易に分断することが可能となり、チップＣの裏面に所望のダイアタッチフィルム層を形成することができる。したがって、加工不良を防止するとともにチップＣの生産性も向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップの裏面にダイアタッチフィルム層を形成するためのダイアタッチフィルムであって、
サポートシートと、
該サポートシート上に剥離可能に配設されたボンド剤層と、を備え、
該ボンド剤層には、貼着される該チップの外周縁に対応した位置に分断起点が形成されたダイアタッチフィルム。
【請求項２】
請求項１に記載のダイアタッチフィルムの使用方法であって、
交差する複数のストリートで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを該ストリートに沿って個々のチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、前記分断起点と該チップとを位置合わせして前記ダイアタッチフィルムの前記ボンド剤層をウェーハの裏面に貼着する貼着ステップと、
該貼着ステップを実施した後、該ボンド剤層を該チップの外周縁に沿って分断することで該チップの裏面に該ボンド剤層を形成するボンド剤層形成ステップと、を備えたダイアタッチフィルムの使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップの裏面にダイアタッチフィルム層を形成するためのダイアタッチフィルム及びダイアタッチフィルムの使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが格子状のストリートによって区画され表面に形成されたウェーハは、ストリートに沿って分割することによってデバイスを有する個々のチップに分割される。個々に分割されたチップを金属フレームや基板上にマウント（ダイボンディング）するために、例えばダイアタッチフィルム（DAF）と称される接着フィルム等の接着フィルム層を形成したチップが広く採用されている。
【０００３】
チップの裏面に接着フィルム層を形成する方法としては、例えば、あらかじめウェーハの裏面に上記のような接着フィルム層が配設された接着フィルムを貼着しておき、切削ブレードをストリートに沿ってウェーハの表面から接着フィルム層に至るまで切り込ませてウェーハとともに接着フィルム層を切断することにより、裏面に接着フィルム層が形成されたチップを得る方法がある（例えば、下記の特許文献１を参照）。また、例えば、拡張装置を利用して、個々のチップに分割されたウェーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着されたエキスパンドテープの表面に貼着した状態で、エキスパンドテープを放射状に拡張することにより、ストリートに沿って接着フィルム層を分割する方法もある（例えば、下記の特許文献２を参照）。さらには、ウェーハを個々のチップに分割してから、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着し、その後レーザビームの照射によるアブレーションを利用して接着フィルム層をフルカットする方法も提案されている（例えば、下記の特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【特許文献２】特開２００６−４９５９１号公報
【特許文献３】特開２００９−１２３８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１の方法において接着フィルムを切削ブレードで切断すると、切削ブレードが目詰まりする上、接着フィルム層にひげ状のバリが発生してしまう。ひげ状のバリが発生すると、デバイス表面に巻き上がってダイボンディング時に断線を発生させてしまう。また、上記特許文献２の方法において接着フィルムをエキスパンドで破断する場合、チップサイズが例えば１ｍｍ角以下の小チップでは未分割領域が発生するおそれがある。さらに、上記特許文献３の方法においては、分割後のウェーハに接着フィルムを貼着するときにチップが動いてしまい、接着フィルム貼着後のチップの配置が僅かにずれるダイシフトと呼ばれる現象が発生することがある。そのため、ダイシフトに追従させてレーザビームを照射する必要があり、チップの生産性に改善の余地がある。
【０００６】
本発明の目的は、上記問題を解決するダイアタッチフィルム及びダイアタッチフィルムの使用方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、チップの裏面にダイアタッチフィルム層を形成するためのダイアタッチフィルムであって、サポートシートと、該サポートシート上に剥離可能に配設されたボンド剤層と、を備え、該ボンド剤層には、貼着される該チップの外周縁に対応した位置に分断起点が形成されている。
【０００８】
また、本発明は、上記ダイアタッチフィルムの使用方法であって、交差する複数のストリートで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを該ストリートに沿って個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、上記分断起点と該チップとを位置合わせして上記ダイアタッチフィルムの上記ボンド剤層をウェーハの裏面に貼着する貼着ステップと、該貼着ステップを実施した後、該ボンド剤層を該チップの外周縁に沿って分断することで該チップの裏面に該ボンド剤層を形成するボンド剤層形成ステップと、を備えた。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係るダイアタッチフィルムは、チップの裏面にダイアタッチフィルム層を形成するためのダイアタッチフィルムであって、サポートシートと、サポートシート上に剥離可能に配設されたボンド剤層と、を備え、ボンド剤層には、貼着されるチップの外周縁に対応した位置に分断起点が形成されているため、チップの裏面に貼着されたボンド剤層を容易に分断することが可能となり、チップの裏面に所望のダイアタッチフィルム層を形成することができる。これにより、加工不良を防止するとともにチップの生産性も向上する。
【００１０】
また、本発明に係るダイアタッチフィルムの使用方法は、交差する複数のストリートで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハをストリートに沿って個々のチップへと分割する分割ステップと、分割ステップを実施した後、上記分断起点とチップとを位置合わせして上記ダイアタッチフィルムの上記ボンド剤層をウェーハの裏面に貼着する貼着ステップと、貼着ステップを実施した後、ボンド剤層をチップの外周縁に沿って分断することでチップの裏面にボンド剤層を形成するボンド剤層形成ステップとを備えたため、例えば個々のチップをピックアップするだけで分断起点を起点にしてチップの裏面に貼着されたボンド剤層を容易に分断することができる。したがって、本発明によれば、例えば切削ブレードやレーザビームの照射によってボンド剤層を分断する必要がなくなり、加工不良を防止するとともにチップの生産性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ダイアタッチフィルムの一例の構成を示す斜視図である。
【図２】分割ステップのうち、（ａ）はウェーハのストリートに沿って切削溝を形成する状態を示す斜視図であり、（ｂ）はウェーハの裏面を研削することにより個々のチップに分割する状態を示す斜視図である。
【図３】貼着ステップを示す斜視図である。
【図４】ボンド剤層形成ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１  ダイアタッチフィルム
図１に示すダイアタッチフィルム１は、チップの裏面にダイアタッチフィルム層を形成するための接着フィルムの一例である。ダイアタッチフィルム１は、サポートシート２と、サポートシート２上に剥離可能に配設されたボンド剤層３とを備え、２層構造となっている。図１の例におけるダイアタッチフィルム１は、軸部材４にロール状に巻回されている。
【００１３】
サポートシート２は、例えば、エキスパンド性を有しないＰＥＴ樹脂からなるペットシートや、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル等のエキスパンドシートからなる。サポートシート２の表面２ａには、サポートシート２からボンド剤層３の剥離を容易にするための加工処理が施されていてもよい。加工処理としては、例えば、コロナ処理、フッ素塗布、テフロン（登録商標）加工等が挙げられる。このような加工処理をサポートシート２の表面２ａに施しておけば、サポートシート２に対するボンド剤層３の接着力を弱めておくことができ、比較的弱い力でサポートシート２からボンド剤層３を剥離することが可能となる。
【００１４】
ボンド剤層３は、サポートシート２の表面２ａに所定の間隔をあけて複数配設されている。ボンド剤層３は、円形状に形成されており、例えば、貼着しようとする図２に示すウェーハＷと略同径の大きさを有している。ボンド剤層３は、例えば、厚さが２０〜１００μｍ程度のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等から構成されている。
【００１５】
ボンド剤層３には、図１に示すように、貼着されるチップの外周縁に対応した位置に分断起点３０が形成されている。本実施形態に示す分断起点３０は、縦横に交差する格子状の分断予定ラインとなっており、この分断起点３０で区画された各領域の縁の位置とチップの外周縁の位置とが対応している。分断起点３０は、例えば、ミシン目（連続する複数の細孔やスリット）や連続する複数の薄肉部（凹状の溝）で構成してもよい。ミシン目や薄肉部からなる分断起点３０は、例えば、レーザビームの照射やパンチングで形成してもよいし、金型を用いて型抜きで形成してもよい。また、ボンド剤層３の全面に細孔からなる分断起点３０を形成してもよい。なお、ボンド剤層３のサイズ（外径）は、ウェーハＷのサイズ（外径）に応じて適宜変更することができる。
【００１６】
このように、本発明に係るダイアタッチフィルム１は、サポートシート２と、サポートシート２上に剥離可能に配設されたボンド剤層３とを備え、ボンド剤層３には、貼着されるチップの外周縁に対応した位置に分断起点３０が形成されているため、分断起点３０を起点にしてボンド剤層３を容易に分断することが可能となる。したがって、例えば切削ブレードやレーザビームの照射によってボンド剤層３を分断することなく、チップの裏面に所望のダイアタッチフィルム層を形成することができ、加工不良を防止するとともにチップの生産性も向上する。
【００１７】
２  ダイアタッチフィルムの使用方法
次に、上記のダイアタッチフィルム１の使用方法について説明する。図２（ａ）に示すウェーハＷは、個々のチップに分割される被加工物の一例である。ウェーハＷは、円形板状の基板を有しており、その表面Ｗａに交差する複数のストリートＳで区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。一方、ウェーハＷの表面Ｗａと反対側の裏面Ｗｂは、例えば研削加工が施される被加工面であり、図１に示したダイアタッチフィルム１のボンド剤層３が貼着される。
【００１８】
（１）分割ステップ
例えば、図２（ａ）に示すように、被加工物を切削する切削手段５を用いてウェーハＷの表面Ｗａ側からストリートＳに沿って切削を行う。切削手段５は、Ｙ軸方向の軸心を有するスピンドル５０と、スピンドル５０を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング５１と、スピンドル５０の先端に装着された切削ブレード５２とを少なくとも備えており、スピンドル５０の回転によって切削ブレード５２も回転する構成となっている。切削手段５には、切削手段５を加工送り方向（Ｘ軸方向）と直交するインデックス送り方向（Ｙ軸方向）に移動させる図示しない移動手段が接続されている。
【００１９】
図示しない保持テーブルでウェーハＷを保持したら、保持テーブルを例えばＸ軸方向に移動させながら、切削手段５は、Ｙ軸方向の軸心を中心としてスピンドル５０を回転させることにより、切削ブレード５２を例えば矢印Ａ方向に所定の回転速度で回転させつつ、ウェーハＷに接近する方向に下降させる。切削ブレード５２をウェーハＷの表面ＷａからＸ軸方向に向く一列分のストリートＳに沿って切り込ませて切削を行うことにより、切削溝Ｇを形成する。切削溝Ｇの深さは、所望の仕上げ厚みに相当する深さに設定されている。
【００２０】
Ｘ軸方向に向く一列分のストリートＳに沿って切削溝Ｇを形成したら、図３（ａ）に示す切削手段５をＹ軸方向にインデックス送りしながら、Ｘ軸方向に向く全てのストリートＳに対して上記の切削を繰り返し行って切削溝Ｇを形成する。その後、保持テーブルが回転することによりウェーハＷを９０°回転させ、Ｙ軸方向に向いているストリートＳをＸ軸方向に向かせて上記同様の切削を繰り返し行い、全てのストリートＳに沿って切削溝Ｇを形成する。
【００２１】
次いで、図２（ｂ）に示すように、ウェーハＷを保持する保持面７ａを有する保持テーブル７にウェーハＷを搬送し、保持テーブル７の上方側に配設された研削手段６によってウェーハＷを研削することにより、ウェーハＷを個々のチップＣへと分割する。研削手段６は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル６０と、スピンドル６０の下部にマウント６１を介して装着された研削ホイール６２と、研削ホイール６２の下部にリング状に固着された研削砥石６３とを備え、研削ホイール６２を回転させながら全体が昇降可能となっている。
【００２２】
ウェーハＷを研削する際には、ウェーハＷの表面Ｗａに表面保護テープＴを貼着してから、表面保護テープＴ側を保持テーブル７の保持面７ａに載置して、ウェーハＷの裏面Ｗｂを上向きに露出させる。続いて、図示しない吸引源の吸引作用を受けた保持面７ａでウェーハＷを吸引保持したら、保持テーブル７を例えば矢印Ｂ方向に回転させる。研削手段６は、研削ホイール６２を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石６３でウェーハＷの裏面Ｗｂを押圧しながら所定の仕上げ厚みに至るまで研削してウェーハＷを薄化する。かかる研削動作により切削溝Ｇが起点となって、ウェーハＷがストリートＳに沿って個々のデバイスＤを有するチップＣへと分割される。
【００２３】
上記分割ステップは、ウェーハＷの表面Ｗａに切削溝Ｇを形成してから、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削することにより個々のチップＣへと分割した場合を説明したが、この分割の仕方に限られない。例えば、切削ブレードによる切削やレーザビームの照射によるアブレーションでウェーハＷの表裏を完全切断（フルカット）することにより分割してもよい。また、ウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射することによりウェーハＷの内部に改質層を形成し、その後エキスパンドテープを介して環状のフレームとウェーハＷと一体に形成した状態で、エキスパンドテープを放射状に拡張させてウェーハＷを個々のチップＣへと分割してもよい。さらには、ウェーハＷの内部に改質層を形成してから、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削することにより、改質層を分割起点にして個々のチップＣへと分割してもよい。この場合は、ウェーハＷの表面Ｗａにあらかじめ保護テープ等を貼着しておく。
【００２４】
（２）貼着ステップ
分割ステップを実施した後、図３に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチフィルム１のボンド剤層３を貼着する。具体的には、分断起点３０とチップＣとの位置合わせをしてから、ボンド剤層３の上にウェーハＷの裏面Ｗｂを貼り合わせる。本実施形態に示す分断起点３０は、チップＣのチップサイズと対応したインデックスでミシン目などにより形成されているが、このインデックスに限定されず、チップＣのチップサイズよりも細かいインデックスで分断起点３０が形成されていてもよい。この場合は、チップＣのマウント時（ダイボンディング時）の加熱によって分断起点３０が埋まるため、分断起点３０とチップＣとの位置合わせは、必ずしも完全に一致させる必要はなく、大まかに位置合わせをすればよい。
【００２５】
ボンド剤層３の上にウェーハＷの裏面Ｗｂを貼り合わせたら、例えば押圧ローラー等を用いてウェーハＷの裏面Ｗｂに対してボンド剤層３を押し付けながら貼着するようにしてもよい。このとき、例えばヒータ等によってボンド剤層３を加熱しながらボンド剤層３の上にウェーハＷの裏面Ｗｂを貼着するとよい。なお、ウェーハＷの表面Ｗａからは、図２（ｂ）に示した表面保護テープＴを除去する。
【００２６】
（３）ボンド剤層形成ステップ
図４に示すように、例えば、コレット８によってチップＣをピックアップする。コレット８は、チップＣを吸着する吸着面８ａを有しており、上下方向に移動可能となっている。コレット８は、チップＣの表面を吸着面８ａで吸着して上昇することにより、チップＣをピックアップするとともに、図３に示した分断起点３０に沿ってボンド剤層３を分断する。つまり、チップＣが上昇する際に、分断起点３０が起点となってボンド剤層３が分断されるとともに、サポートシート２の表面２ａからボンド剤層３が剥離される。このようにして、チップＣをピックアップすることにより、裏面にボンド剤層３からなるダイアタッチフィルム層が形成されたチップＣを取得することができる。ピックアップされたチップＣは、次の工程に移送され、金属フレームや基板上にダイボンディングされる。なお、ボンド剤層３が剥離されたサポートシート２は、例えば図示しない巻き取りローラーに巻き取られて回収される。
【００２７】
上記ボンド剤層形成ステップでは、ピックアップによってチップＣとともにボンド剤層３を分断したが、ダイアタッチフィルム１のサポートシート２をエキスパンド可能なテープで構成し、サポートシート２を放射状にエキスパンドすることにより、ボンド剤層３を分断するようにしてもよい。
【００２８】
このように、本発明に係るダイアタッチフィルムの使用方法は、ウェーハＷをストリートＳに沿って個々のチップＣへと分割する分割ステップと、分断起点３０とチップＣとを位置合わせしてダイアタッチフィルム１のボンド剤層３をウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着する貼着ステップと、ボンド剤層３をチップＣの外周縁に沿って分断することでチップＣの裏面にボンド剤層３を形成するボンド剤層形成ステップとを備えたため、例えば個々のチップＣをピックアップするだけで分断起点３０を起点にしてチップＣの裏面に貼着されたボンド剤層３を容易に分断することが可能となり、チップＣの裏面に所望のダイアタッチフィルム層を形成することができる。したがって、本発明によれば、例えば切削ブレードやレーザビームの照射によってボンド剤層３を分断することがないため、加工不良が発生するおそれがない上、チップＣの生産性も向上する。
【符号の説明】
【００２９】
１：ダイアタッチフィルム  ２：サポートシート  ３：ボンド剤層  ３０：分断起点
４：軸部材
５：切削手段  ５０：スピンドル  ５１：スピンドルハウジング  ５２：切削ブレード６：研削手段  ６０：スピンドル  ６１：マウント  ６２：研削ホイール
６３：研削砥石  ７：保持テーブル  ７ａ：保持面  ８：コレット  ８ａ：吸着面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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