(57)【要約】【課題】高い透磁率を有し、比較的低い圧力での加圧によって製造することが可能な磁性体膜を提供すること。【解決手段】フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーとを含有する磁性体膜であって、  前記フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が１０〜８００ｎｍであり、  前記フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径が１〜１００μｍであり、  前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５であり、  前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部であり、  前記磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上であり、  空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積が前記磁性体膜の全体積の２ｖｏｌ％以下である、ことを特徴とする磁性体膜。【選択図】図１Ａ
2018190777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーとを含有する磁性体膜であって、
前記フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が１０〜８００ｎｍであり、
前記フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径が１〜１００μｍであり、
前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５であり、
前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部であり、
前記磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上であり、
空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積が前記磁性体膜の全体積の２ｖｏｌ％以下である、
ことを特徴とする磁性体膜。
【請求項２】
前記バインダーが樹脂バインダーであることを特徴とする請求項１に記載の磁性体膜。
【請求項３】
平均粒子径が１０〜８００ｎｍのフェライト系磁性ナノ粒子及び平均粒子径が１〜１００μｍのフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーと溶媒とを、前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５となるように、かつ、前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部となるように混合して塗工液を調製する工程と、
前記塗工液を塗工して塗膜を形成する工程と、
前記塗膜を５〜９０ＭＰａで加圧しながら１００〜４００℃で加熱して、請求項１又は２に記載の磁性体膜を得る工程と、
を含むことを特徴とする磁性体膜の製造方法。
【請求項４】
前記塗工液を調製する工程において、前記溶媒中に前記フェライト系磁性ナノ粒子が分散しているスラリーを調製した後、該スラリーに前記バインダーを添加し、次いで、前記バインダーを含有するスラリーに前記フェライト系磁性マイクロ粒子を添加することを特徴とする請求項３に記載の磁性体膜の製造方法。
【請求項５】
前記塗膜の粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載の磁性体膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体膜及びその製造方法に関し、より詳しくは、磁性ナノ粒子と磁性マイクロ粒子とを含有する磁性体膜及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタやトランスのコア材や電磁ノイズ吸収体等には、磁性粒子をバインダーに分散させた磁性体膜が用いられている。このような磁性体膜においては、平均粒径が異なる磁性粒子を混合して充填密度を高めることによって透磁率が向上すると考えられており、ナノメートルオーダーの磁性粒子（磁性ナノ粒子）とマイクロメートルオーダーの磁性粒子（磁性マイクロ粒子）とをバインダーに分散させた磁性体膜は特に高い透磁率を有する磁性体膜として期待されている。また、バインダー樹脂の含有量を低減することによって、磁性粒子同士が近接するため、透磁率が更に向上すると考えられている。
【０００３】
このような磁性ナノ粒子と磁性マイクロ粒子とをバインダーに分散させた磁性体膜は、溶媒に、磁性ナノ粒子と磁性マイクロ粒子と分散させ、バインダーを溶解させた塗布液を、塗布や印刷（例えば、スクリーン印刷）によって塗工し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。しかしながら、このような磁性体膜においては、磁性粒子の充填率が同じものであっても透磁率が大きく異なったり、磁性粒子の充填率から想定される値に比べて透磁率が低くなるという問題があった。
【０００４】
また、国際公開第２０１１／１１８７７４号（特許文献１）には、表面に電気絶縁被膜を有する鉄基軟磁性粉末と低透磁率物質粉末との混合粉末を１０００ＭＰａ程度の高い成形圧で圧縮成形して圧粉体を得た後、この圧粉体を５００℃以上の高温で熱処理することによって圧粉磁心が得られることが記載されており、このようにして得られた圧粉磁心においては、前記鉄基軟磁性粉末間の空隙に前記低透磁率物質粉末が集中して局在しており、前記鉄基軟磁性粉末の占積率が８５〜９５ｖｏｌ％、気孔率が３．５〜１４．９５ｖｏｌ％であることも記載されている。しかしながら、この圧粉磁心にはバインダーが添加されていないため、圧粉磁心の強度を確保するためには、１０００ＭＰａ程度の高い成形圧で圧縮成形する必要があり、また、前記圧粉磁心は気孔率が比較的高く、透磁率を向上させるためには、前記鉄基軟磁性粉末の塑性変形領域という高い圧力で加圧して粉末同士の接触部分を増大させる必要があるが、このような高い圧力での圧縮成形を基板上に磁性体膜を形成する場合に適用すると、基板が破壊されるという問題があった。
【０００５】
特開２００５−１４２５１４号公報（特許文献２）には、金属磁性粒子の表面にフェライト被膜を有する複合磁性粒子の粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ２（約１９６ＭＰａ）の圧力でプレス成形した後、得られた成形体を、フェライト超微粒子を分散させた水溶液に浸漬して前記複合磁性粒子間の空隙にフェライト超微粒子を充填させることによって磁気部材が得られることが記載されている。しかしながら、この磁気部材においてもバインダーが添加されていないため、磁気部材の強度を確保するためには、高い圧力でプレス成形する必要があるが、このような高い圧力でのプレス成形を基板上に磁性体膜を形成する場合に適用すると、基板が破壊されるという問題があった。また、基板上に形成した前記複合磁性粒子の粉末からなる膜を、フェライト超微粒子を分散させた水溶液に浸漬しても、前記複合磁性粒子間の空隙に水溶液が浸入しにくいため、前記複合磁性粒子間の空隙をフェライト超微粒子で充填することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１８７７４号
【特許文献２】特開２００５−１４２５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、高い透磁率を有し、比較的低い圧力での加圧によって製造することが可能な磁性体膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーとを含有する塗工液において、前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比及び前記磁性粒子に対する前記バインダーの含有量を所定の範囲に調整することによって、この塗工液を塗工して形成した塗膜を低い圧力で加圧した場合でも、前記磁性粒子の体積充填率が高く、空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の割合が極めて少ない磁性体膜が得られ、さらに、この磁性体膜が高い透磁率を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の磁性体膜は、フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーとを含有する磁性体膜であって、
前記フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が１０〜８００ｎｍであり、
前記フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径が１〜１００μｍであり、
前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５であり、
前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部であり、
前記磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上であり、
空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積が前記磁性体膜の全体積の２ｖｏｌ％以下である、ことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の磁性体膜において、前記バインダーは樹脂バインダーであることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の磁性体膜の製造方法は、平均粒子径が１０〜８００ｎｍのフェライト系磁性ナノ粒子及び平均粒子径が１〜１００μｍのフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーと溶媒とを、前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５となるように、かつ、前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部となるように混合して塗工液を調製する工程と、
前記塗工液を塗工して塗膜を形成する工程と、
前記塗膜を５〜９０ＭＰａで加圧しながら１００〜４００℃で加熱して、請求項１又は２に記載の磁性体膜を得る工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１２】
前記塗工液を調製する工程においては、前記溶媒中に前記フェライト系磁性ナノ粒子が分散しているスラリーを調製した後、該スラリーに前記バインダーを添加し、次いで、前記バインダーを含有するスラリーに前記フェライト系磁性マイクロ粒子を添加することが好ましい。
【００１３】
また、本発明の磁性体膜の製造方法において、前記塗膜の粘度は１０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００１４】
なお、本発明の磁性体膜の製造方法によって、磁性粒子の体積充填率が高く、空孔が極めて少ない磁性体膜が得られる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、塗布や印刷等の塗工によって形成された磁性体膜においては、図１Ａに示すような空孔のない状態が理想である。しかしながら、従来の塗工法によって形成された磁性体膜内には、塗工液に含まれる泡の残存、塗工時の泡の混入、塗膜乾燥時に溶媒が蒸発して形成された未充填部等が原因となって、図１Ｂに示すように、多くの大きな空孔が生成する。特に、磁性粒子として磁性ナノ粒子と磁性マイクロ粒子とを併用した従来の磁性体膜の製造方法においては、磁性マイクロ粒子のみを用いた製造方法に比べて、使用する塗工液の粘度が高くなりやすいため、塗工に適した粘度に調整するには多量の溶媒を添加する必要があり、その結果、空孔がより生成しやすくなったと推察される。また、磁性ナノ粒子と磁性マイクロ粒子とをバインダーに分散させた従来の磁性体膜においては、磁性マイクロ粒子間の空隙に磁性ナノ粒子とバインダーとの混合体が高密度で充填されていることが理想的であるが、バインダーの量が少ない場合には、磁性ナノ粒子とバインダーとの混合体の流動性が低下するため、磁性マイクロ粒子間の空隙を磁性ナノ粒子とバインダーとの混合体で十分に充填できず、大きな空孔が生成しやすくなると推察される。
【００１５】
これに対して、本発明の磁性体膜の製造方法においては、塗工時に塗膜内に生成した空孔を、加圧することによって、除去及び／又は収縮させ、この状態でバインダーを加熱して硬化又は高粘度化させることによって、図１Ｃに示すような空孔が極めて少ない磁性体膜を形成することが可能になったと推察される。
【００１６】
また、本発明の磁性体膜が高い透磁率を有する理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、従来の磁性体膜においては、磁性粒子間の空隙だけでなく、塗工液に含まれる泡の残存、塗工時の泡の混入、塗膜乾燥時に溶媒が蒸発して形成された未充填部等が原因となって生成する容積の大きな空孔（例えば、空孔容積が１μｍ３以上の空孔）が存在し、この空孔が磁性粒子間の磁気相互作用を大きく低下させるため、大きな磁気抵抗となり、磁性体膜の透磁率が低下すると推察される。
【００１７】
一方、本発明の磁性体膜は、上述したように、磁気抵抗となる空孔が極めて少ないため、高い透磁率を示すと推察される。そして、本発明の磁性体膜の製造方法において、塗膜に印加する圧力を５ＭＰａ以上とすることによって、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合を２ｖｏｌ％以下にすることができたことによって、高い透磁率が得られたと推察される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高い透磁率を有する磁性体膜を、比較的低い圧力での加圧によって製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】本発明の磁性体膜の断面の特に好適な一実施態様を示す模式図である。
【図１Ｂ】従来の塗工法によって形成された磁性体膜の断面を示す模式図である。
【図１Ｃ】本発明の磁性体膜の断面の一実施態様を示す模式図である。
【図２】実施例１で得られた磁性体膜の断面を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】比較例１で得られた磁性体膜の断面を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】磁性体膜の比透磁率と加熱加圧時の圧力との関係を示すグラフである。
【図５】磁性体膜の比透磁率と磁性体膜の全体積に対する空孔容積が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合との関係を示すグラフである。
【図６】磁性体膜の比透磁率と磁性体膜における磁性粒子の体積充填率との関係を示すグラフである。
【図７】磁性体膜の比透磁率と全磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００２１】
〔磁性体膜〕
先ず、本発明の磁性体膜について説明する。本発明の磁性体膜は、フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子とバインダーとを含有する磁性体膜である。このような本発明の磁性体膜において、
前記フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が１０〜８００ｎｍであり、
前記フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径が１〜１００μｍであり、
前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５であり、
前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部であり、
前記磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上であり、
空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積が前記磁性体膜の全体積の２ｖｏｌ％以下である。
【００２２】
本発明に用いられる磁性粒子は、フェライト系磁性ナノ粒子とフェライト系磁性マイクロ粒子との混合粒子である。このようなフェライト系磁性粒子（フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子）としては、保磁力が低く、透磁率が高いフェライト系軟磁性粒子であれば特に制限はないが、例えば、ＭｎＺｎフェライト粒子、ＭｎＣｕフェライト粒子、ＭｎＭｇフェライト粒子、ＭｎＺｎＣｕフェライト粒子、ＭｎＺｎＭｇフェライト粒子、ＭｎＺｎＮｉフェライト粒子、ＮｉＺｎフェライト粒子、ＮｉＣｕフェライト粒子、ＮｉＣｕＺｎフェライト粒子、ＮｉＺｎＭｇフェライト粒子、Ｃｏフェライト粒子、ＣｕＺｎフェライト粒子等が挙げられる。これらのフェライト系磁性粒子は１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。また、これらのフェライト系磁性粒子の中でも、透磁率が特に高く、ナノ粒子のコストが比較的低いという観点から、ＭｎＺｎフェライト粒子、ＮｉＺｎフェライト粒子、ＮｉＣｕＺｎフェライト粒子が好ましい。
【００２３】
本発明において、フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径は１０〜８００ｎｍである。フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が前記下限未満になると、粒子表面の影響が大きくなり、粒子自体の磁気特性が低下する。他方、フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径が前記上限を超えると、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で十分に充填されず、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が低下し、かつ、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が増加するため、磁性体膜の透磁率が低下する。また、粒子自体の磁気特性が十分に確保されるとともに、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で高密度に充填され、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が向上し、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が小さくなることによって、磁性体膜の透磁率が向上するという観点から、フェライト系磁性ナノ粒子の平均粒子径としては、１０〜３００ｎｍが好ましい。
【００２４】
また、本発明において、フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径は１〜１００μｍである。フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径が前記上限を超えると、印刷時に目詰まりやスキージによる引き摺り痕の発生等により印刷性が著しく低下する。また、前記磁性粒子の高分散性や高充填密度の確保という観点から、フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径の上限としては、２０μｍ以下が好ましい。一方、フェライト系磁性ナノ粒子との粒子径差を確保して高充填化を図るという観点から、フェライト系磁性マイクロ粒子の平均粒子径の下限としては、２μｍ以上が好ましい。
【００２５】
本発明の磁性体膜において、前記磁性粒子（フェライト系磁性ナノ粒子とフェライト系磁性マイクロ粒子との合計）に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比は０．１〜０．５である。前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比が前記下限未満になると、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で十分に充填されず、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が低下し、かつ、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が増加するため、磁性体膜の透磁率が低下する。他方、前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比が前記上限を超えると、フェライト系磁性ナノ粒子の体積充填率は高くなるものの、フェライト系磁性マイクロ粒子の体積充填率が著しく低くなるため、磁性体膜における前記磁性粒子全体の体積充填率が低下し、磁性体膜の透磁率が低下する。また、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で高密度に充填され、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が向上し、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が小さくなることによって、磁性体膜の透磁率が向上するという観点から、前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比としては、０．１〜０．３が好ましい。
【００２６】
また、本発明の磁性体膜において、前記磁性粒子（フェライト系磁性ナノ粒子とフェライト系磁性マイクロ粒子との合計）の体積充填率は８０ｖｏｌ％以上である。前記磁性粒子の体積充填率が前記下限未満になると、前記磁性粒子間の距離が長くなるため、粒子間静磁的相互作用が弱くなり、磁性体膜の透磁率が著しく低下する。また、磁性体膜の透磁率がより高くなるという観点から、前記磁性粒子の体積充填率としては、８５ｖｏｌ％以上が好ましい。なお、前記磁性粒子の体積充填率の上限としては、９８ｖｏｌ％以下が好ましい。
【００２７】
本発明に用いられるバインダーとしては特に制限はないが、樹脂バインダーが好ましい。前記樹脂バインダーとしては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、ピロリドン樹脂、セルロース樹脂、ゼラチンが挙げられる。これらの樹脂バインダーは１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。このようなバインダーを添加することによって、空孔の少ない、高い透磁率を有する磁性体膜を形成することが可能となる。
【００２８】
このようなバインダーの含有量は、適用する塗工方法（例えば、スクリーン印刷法）において、塗工液の粘度やレオロジー特性が最適となるように適宜設定することが可能であるが、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が向上し、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が小さくなることによって、磁性体膜の透磁率が向上するという観点から、前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部であることが必要である。バインダーの含有量が前記下限未満になると、磁性体膜の強度が低下して容易に剥離する。他方、バインダーの含有量が前記上限を超えると、樹脂成分が多くなりすぎて磁性体膜の磁性特性が低下する。また、磁性体膜の強度を十分に確保するという観点から、バインダーの含有量としては、前記磁性粒子１００質量部に対して１〜１０質量部が好ましい。
【００２９】
本発明の磁性体膜において、空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積は、磁性体膜の全体積に対して２ｖｏｌ％以下である。前記空孔部の割合が前記上限を超えると、磁性体膜の透磁率が低下する。また、磁気抵抗成分である前記空孔部が少なくなることによって、磁性体膜の透磁率が急激に向上するという観点から、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積としては１．５ｖｏｌ％以下が好ましい。
【００３０】
また、本発明の磁性体膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、界面活性剤、消泡剤、レベリング剤、分散剤、湿潤剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。
【００３１】
〔磁性体膜の製造方法〕
次に、本発明の磁性体膜の製造方法について説明する。本発明の磁性体膜の製造方法は、
平均粒子径が１０〜８００ｎｍのフェライト系磁性ナノ粒子及び平均粒子径が１〜１００μｍのフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子と前記バインダーと溶媒とを、前記磁性粒子に対する前記フェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５となるように、かつ、前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部となるように混合して塗工液を調製する工程（塗工液調製工程）と、
前記塗工液を塗工して塗膜を形成する工程（塗膜形成工程）と、
前記塗膜を５〜９０ＭＰａで加圧しながら１００〜４００℃で加熱して、前記本発明の磁性体膜を得る工程と（加熱加圧工程）、
を含む方法である。
【００３２】
（塗工液調製工程）
本発明の磁性体膜の製造方法においては、先ず、前記溶媒に、フェライト系磁性ナノ粒子及びフェライト系磁性マイクロ粒子からなる磁性粒子が分散し、前記バインダーが溶解している塗工液を調製する。このとき、前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５（好ましくは、０．１〜０．３）となるように、かつ、前記バインダーの含有量が前記磁性粒子１００質量部に対して０．１〜１０質量部（好ましくは、１〜１０質量部）となるように、塗工液を調製する。
【００３３】
前記溶媒（塗工液用溶媒）としては、前記磁性粒子が均一に分散し、前記バインダーが十分に溶解するものであれば特に制限はないが、前記磁性粒子との濡れ性が良好であり、前記磁性粒子の凝集が抑制され、低コストであるという観点から、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エタノール、２−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］エタノールが好ましい。このような溶媒は１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
【００３４】
また、前記塗工液において、前記溶媒の含有量としては特に制限はないが、塗工液全量に対して、１〜３５質量％が好ましく、４〜３０質量％がより好ましい。前記溶媒の含有量が前記下限未満になると、塗工液の粘度が高くなり、塗工が困難となる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、製膜後に前記塗工液用溶媒を除去するための乾燥時間が長くなり、また、所望の厚さの磁性体膜を形成するためには、塗工と乾燥を数多く繰り返す必要があり、製造コストが高くなる傾向にある。
【００３５】
前記塗工液の調製方法としては、前記塗工液用溶媒に前記磁性粒子が均一に分散し、前記バインダーが十分に溶解する方法であれば、特に制限はないが、例えば、先ず、前記塗工液用溶媒にフェライト系磁性ナノ粒子が分散しているスラリーを調製し、次いで、このスラリーに前記バインダーを添加して溶解させ、その後、前記バインダーを含有するスラリーにフェライト系磁性マイクロ粒子を添加して分散させる方法が好ましい。
【００３６】
前記スラリーの調製方法としては、前記塗工液用溶媒にフェライト系磁性ナノ粒子が均一に分散する方法であれば特に制限はなく、例えば、前記塗工液用溶媒にフェライト系磁性ナノ粒子を添加した後、超音波処理等の公知の分散処理を施す方法が挙げられるが、フェライト系磁性ナノ粒子が凝集しやすいことから、フェライト系磁性ナノ粒子が高度に分散したスラリーを得るためには、例えば、先ず、フェライト系磁性ナノ粒子を、高分散させることが可能な溶媒（以下、「高分散用溶媒」という。）に添加して分散液を調製し、その後、前記高分散用溶媒を前記塗工液用溶媒で置換する方法が好ましい。また、フェライト系磁性ナノ粒子は凝集体を形成しやすく、そのまま使用すると、フェライト系磁性ナノ粒子が高度に分散したスラリーが得られないため、前記分散液を調製する際には、フェライト系磁性ナノ粒子の凝集体（粉末）を解砕することが好ましい。
【００３７】
フェライト系磁性ナノ粒子を高分散させることが可能な溶媒（高分散用溶媒）としては、例えば、イソプロパノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ジエチルエーテル、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトンが挙げられる。また、フェライト系磁性ナノ粒子の凝集体（粉末）を解砕する方法としては、フェライト系磁性ナノ粒子の凝集体（粉末）を所定の平均粒子径に解砕できる方法であれば特に制限はなく、例えば、ボールミル、ジェットミル、又は超音波等を用いる方法が挙げられる。
【００３８】
また、前記高分散用溶媒を前記塗工液用溶媒で置換する方法としては特に制限はなく、例えば、フェライト系磁性ナノ粒子が前記高分散用溶媒に分散している分散液に、前記塗工液用溶媒を添加した後、ロータリーエバポレーターを用いて前記高分散用溶媒を留去する方法が挙げられる。このとき、前記塗工液用溶媒が残存し、前記高分散用溶媒が除去されるように、操作条件（温度、圧力等）を設定する。
【００３９】
次に、このようにして調製したスラリーに前記バインダーを添加して溶解させる。このとき、得られる塗工液中の前記磁性粒子１００質量部に対して前記バインダーの含有量が０．１〜１０質量部（好ましくは、１〜１０質量部）となるように、前記バインダーの添加量を設定する。これにより、前記塗工液用溶媒を用いることによって前記磁性粒子の凝集が抑制されるという効果が発揮される。また、バインダーの含有量が前記下限未満になると、磁性体膜の強度が低下して容易に剥離する。他方、バインダーの含有量が前記上限を超えると、樹脂成分が多くなりすぎて磁性体膜の磁性特性が低下する。
【００４０】
次に、このようにして調製した前記バインダーを含有するスラリーにフェライト系磁性マイクロ粒子を添加して分散させる。このとき、得られる塗工液中の前記磁性粒子に対するフェライト系磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５（好ましくは、０．１〜０．３）となるように、フェライト系磁性マイクロ粒子の添加量を設定する。これにより、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で高密度に充填され、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が向上し、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が小さくなるため、高い透磁率を有する磁性体膜を得ることが可能となる。
【００４１】
（塗膜形成工程）
次に、本発明の磁性体膜の製造方法においては、このようにして調製した塗工液を、例えば基板上に塗工し、乾燥することによって塗膜を形成する。塗工方法としては特に制限はなく、例えば、塗布、スクリーン印刷等の公知の方法を採用することができる。また、このような塗工・乾燥は、所望の厚さの塗膜が形成されるまで繰返し行なってもよい。
【００４２】
（加熱加圧工程）
次に、得られた塗膜を加圧しながら加熱して前記バインダーを硬化又は高粘度化（好ましくは、硬化）させた後、圧力を解放することによって、前記本発明の磁性体膜が得られる。塗膜に圧力を印加する方法としては特に制限はなく、例えば、一軸圧力、静水圧力等を印加することができる。
【００４３】
塗膜に印加する圧力は５〜９０ＭＰａ（好ましくは、１０〜５０ＭＰａ）である。印加圧力が前記下限未満になると、フェライト系磁性ナノ粒子が流動しにくいため、フェライト系磁性マイクロ粒子間の空隙がフェライト系磁性ナノ粒子で十分に充填されず、磁性体膜における前記磁性粒子の体積充填率が低下し、かつ、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が増加し、磁性体膜の透磁率が低下する。他方、印加圧力が前記上限を超えると、基板が破壊される場合がある。
【００４４】
また、加熱温度は１００〜４００℃（好ましくは、１００〜３００℃）である。加熱温度が前記下限未満になると、バインダーが十分に硬化又は高粘度化せず、この状態で圧力を解放すると、加圧により収縮していた空孔が再膨張して空孔容量が１μｍ３以上の空孔部が再形成され、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が増加し、磁性体膜の透磁率が低下する。他方、加熱温度が前記上限を超えると、バインダーが分解して磁性粒子間の結合力が減少し、磁性体膜の強度が低下するとともに、粒子間静磁的相互作用が弱くなり、磁性体膜の透磁率が低下する。なお、圧力を解放した後に熱処理を行う場合にも、前記範囲内の温度で加熱することが好ましい。
【００４５】
また、本発明の磁性体膜の製造方法においては、塗膜の粘度が１０００ＭＰａ以下の条件で前記加圧・加熱処理を施すことが好ましい。塗膜の粘度が前記範囲内にあると、加圧・加熱処理によって磁性粒子が流動するため、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が小さくなり、磁性体膜の透磁率が向上する。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、得られた磁性体膜の特性は以下の方法により測定した。
【００４７】
＜磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合＞
本発明の磁性体膜は磁性粒子が一様に分散した膜であるため、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合は、磁性体膜の断面積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総断面積の割合と等しくなる。そこで、磁性体膜の断面を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、得られたＳＥＭ像に基づいて、磁性体膜の断面積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総断面積の割合を求めた。
【００４８】
すなわち、先ず、磁性体膜を形成したシリコン基板を、クリアカップ内に二液混合型エポキシ樹脂を用いて埋め込み、磁性体膜の断面が露出するまで研磨した後、必要に応じて、イオンミリングによる加工を行なった。なお、磁性体膜の断面は、集束イオンビーム又はミクロトームを用いた切削により露出させてもよい。次いで、露出した磁性体膜の断面を、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。観察倍率は、空孔容量が１μｍ３以上の空孔部を検出できるように、５００〜２０００倍に設定した。
【００４９】
次に、市販の画像解析ソフト（例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製「Ａ像くん」）を用いて、得られたＳＥＭ像をグレースケールに変換した後、空孔部が白色系、磁性粒子が黒色系となるように白黒反転処理を行なった。この白黒反転したＳＥＭ像において、前記画像解析ソフトを用いて画像処理を行い、空孔部を粒子として認識させて、円相当径から求められる球の体積が１μｍ３以上となる粒子を抽出した。抽出した各粒子（すなわち、空孔容量が１μｍ３以上の各空孔部）の断面積を求め、前記ＳＥＭ像内における空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の断面積の合計値Ｓｖを算出し、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積Ｓに対する割合Ｓｖ／Ｓを求めた。この測定を無作為に抽出した１０箇所の観察点について行い、その平均値を求め、これを、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合とした。
【００５０】
＜磁性体膜における磁性粒子の体積充填率＞
本発明の磁性体膜は磁性粒子が一様に分散した膜であるため、磁性体膜における磁性粒子の体積充填率は、磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合と等しくなる。そこで、磁性体膜の断面を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、得られたＳＥＭ像に基づいて、磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合を求めた。
【００５１】
すなわち、先ず、前記空孔部の総体積の割合の算出においてグレースケールに変換したＳＥＭ像において、市販の画像解析ソフト（例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製「Ａ像くん」）を用いて画像処理を行い、磁性マイクロ粒子を抽出した。抽出した各磁性マイクロ粒子の断面積を求め、前記ＳＥＭ像内における磁性マイクロ粒子の断面積の合計値Ｓｍを算出した。
【００５２】
次に、以下の手順で、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合を求めた。すなわち、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合は下記式：
磁性粒子の総断面積の割合（％）＝（Ｓｍ＋Ｓｎ）／Ｓ×１００
〔式中、Ｓｍ：磁性マイクロ粒子の断面積の合計値、Ｓｎ：磁性ナノ粒子の断面積の合計値、Ｓ：磁性体膜の断面積〕
で表される。また、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積Ｓは下記式：
Ｓ＝Ｓｍ＋Ｓｎ＋Ｓｂ＋Ｓｖ
〔式中、Ｓｍ：磁性マイクロ粒子の断面積の合計値、Ｓｎ：磁性ナノ粒子の断面積の合計値、Ｓｂ：バインダーの断面積の合計値、Ｓｖ：空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の断面積の合計値〕
で表される。ここで、磁性体膜の断面における磁性ナノ粒子とバインダーの断面積の合計値に対する磁性ナノ粒子の断面積の合計値の割合をＲｓ（＝Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｓｂ））とすると、前記ＳＥＭ像内における磁性ナノ粒子の断面積の合計値Ｓｎは下記式：
Ｓｎ＝Ｒｓ×（Ｓｎ＋Ｓｂ）＝Ｒｓ×（Ｓ−Ｓｍ−Ｓｖ）
〔式中、Ｓｂ：バインダーの断面積の合計値、Ｓ：磁性体膜の断面積、Ｓｍ：磁性マイクロ粒子の断面積の合計値、Ｓｖ：空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の断面積の合計値〕
で表される。なお、前記磁性体膜は磁性粒子が一様に分散した膜であるため、前記Ｒｓは、磁性体膜中の磁性ナノ粒子とバインダーの総体積に対する磁性ナノ粒子の全体積の割合Ｒｖに等しく、塗工液中の磁性ナノ粒子とバインダーとの含有比率から求めることができる。
【００５３】
したがって、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合は下記式：
磁性粒子の総断面積の割合（％）＝｛Ｓｍ＋Ｒｖ×（Ｓ−Ｓｍ−Ｓｖ）｝／Ｓ×１００
〔式中、Ｓｍ：磁性マイクロ粒子の断面積の合計値、Ｓ：磁性体膜の断面積、Ｓｖ：空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の断面積の合計値、Ｒｖ：磁性体膜中の磁性ナノ粒子とバインダーの総体積に対する磁性ナノ粒子の全体積の割合〕
により求めることができる。
【００５４】
そこで、前記ＳＥＭ像において算出したＳｍ及びＳｖ、塗工液中の磁性ナノ粒子とバインダーとの含有比率から求めたＲｖを用いて、前記式に従って、前記ＳＥＭ像内における磁性体膜の断面積に対する磁性粒子の総断面積の割合を求めた。この測定を無作為に抽出した１０箇所の観察点について行い、その平均値を求め、これを、磁性体膜における磁性粒子の体積充填率とした。
【００５５】
＜磁性体膜の比透磁率＞
先ず、シリコン基板上に形成した磁性体膜の膜厚を、触針式段差計を用いて測定した。次に、磁性体膜を形成したシリコン基板から１ｃｍ角の測定用試験片を切出した。また、磁性体膜が形成されていない１ｃｍ角のシリコン基板を準備した。透磁率測定装置（凌和電子株式会社製「ＰＭＦ−００１」）を用い、室温（２３℃）環境下、周波数１ＭＨｚの条件で前記測定用試験片及び前記シリコン基板の比透磁率を測定し、前記測定用試験片と前記シリコン基板の比透磁率の差及び前記磁性体膜の膜厚から、磁性体膜の比透磁率を求めた。
【００５６】
（実施例１）
Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子（平均粒径：３００ｎｍ）の粉末（戸田工業株式会社製）３０ｇをイソプロパノール１７０ｇ中でボールミルを用いて解砕した。得られた分散液に２−（２−エトキシエトキシ）エタノール４０ｇを添加し、ロータリーエバポレーターを用いて４０℃、５０ｍＴｏｒｒ（６．７Ｐａ）の条件でイソプロパノールを留去し、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール中に前記Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子が分散したスラリーを得た。このスラリーにバインダーとしてフェノール樹脂（セメダイン株式会社製「熱硬化型フェノール樹脂１１０」）を樹脂成分が４．８ｇとなるように添加し、自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製「あわとり練太郎ＡＲ−１００）を用いて撹拌して前記フェノール樹脂を完全に溶解した。その後、Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性マイクロ粒子（平均粒径：７μｍ）の粉末（戸田工業株式会社製）９０ｇを添加し、前記自転・公転ミキサーを用いて撹拌して塗工液を得た。
【００５７】
この塗工液をスクリーン印刷法によりシリコン基板上に塗布し、大気中、５０℃で３０分間放置し、この操作を繰り返して厚さ５０μｍの塗膜を形成した。この塗膜を、加熱加圧装置（三庄インダストリー株式会社製「ＴＢＨ−１００Ｈ」）を用いて、６０ＭＰａに加圧しながら１５０℃で３０分間加熱した。その後、圧力を解放し、窒素雰囲気下、２００℃で１時間の熱処理を行い、磁性体膜を得た。
【００５８】
得られた磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合を求めたところ、１．１ｖｏｌ％であった。また、前記磁性体膜における磁性粒子（Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子及びＮｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性マイクロ粒子。以下同じ。）の体積充填率を求めたところ、８６ｖｏｌ％であった。さらに、前記磁性体膜の比透磁率μ’は８３であった。なお、図２には、前記磁性体膜の断面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像、倍率５００倍）を示す。
【００５９】
（比較例１）
加圧せずに加熱した（加熱加圧時の圧力を０ＭＰａに変更した）以外は実施例１と同様にして磁性体膜を得た。この磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合を求めたところ、５．１ｖｏｌ％であった。また、前記磁性体膜における磁性粒子の体積充填率を求めたところ、８２ｖｏｌ％であった。さらに、前記磁性体膜の比透磁率μ’は１５であった。なお、図３には、前記磁性体膜の断面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像、倍率５００倍）を示す。
【００６０】
（実施例２〜６、比較例２〜４）
加熱加圧時の圧力を、１ＭＰａ（比較例２）、２ＭＰａ（比較例３）、３ＭＰａ（比較例４）、５ＭＰａ（実施例２）、１０ＭＰａ（実施例３）、２０ＭＰａ（実施例４）、４０ＭＰａ（実施例５）、又は５０ＭＰａ（実施例６）に変更した以外は実施例１と同様にして磁性体膜を得た。これらの磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合、前記磁性体膜における磁性粒子の体積充填率、及び前記磁性体膜の比透磁率μ’を求めた。
【００６１】
図４には、実施例１〜６及び比較例１〜４で得られた磁性体膜の比透磁率μ’を加熱加圧時の圧力に対してプロットした結果を示す。また、図５には、実施例１〜６及び比較例１〜４で得られた磁性体膜の比透磁率μ’を磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合に対して磁性体膜の比透磁率μ’をプロットした結果を示す。なお、実施例２〜６及び比較例２〜４のいずれの磁性体膜も、磁性粒子の体積充填率は８５ｖｏｌ％以上であった。
【００６２】
図４に示した結果から明らかなように、加熱加圧時の圧力が５ＭＰａ未満の場合、磁性体膜の比透磁率μ’は、加圧せずに加熱した場合に比べて増加しなかったが、加熱加圧時の圧力が５ＭＰａ以上になると、磁性体膜の比透磁率μ’は増加することが確認された。また、図５に示した結果から明らかなように、磁性体膜の比透磁率μ’は、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が２ｖｏｌ％以下（好ましくは、１．５ｖｏｌ％以下）になると、急激に増加するのに対して、２ｖｏｌ％を超えると、ほとんど増加しないことが確認された。
【００６３】
（実施例７〜８、比較例５〜７）
前記フェノール樹脂の添加量を樹脂成分が、４．０ｇ（実施例７）、７．６ｇ（実施例８）、１０．５ｇ（比較例５）、２１．９ｇ（比較例６）、又は３７．２ｇ（比較例７）となるように変更した以外は実施例１と同様にして磁性体膜を得た。これらの磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合、前記磁性体膜における磁性粒子の体積充填率、及び前記磁性体膜の比透磁率μ’を求めた。
【００６４】
図６には、実施例１、７〜８及び比較例５〜７で得られた磁性体膜の比透磁率μ’を磁性体膜における磁性粒子の体積充填率に対してプロットした結果を示す。なお、実施例７〜８及び比較例５〜７のいずれの磁性体膜も、膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合は１．５ｖｏｌ％以下であった。
【００６５】
図６に示した結果から明らかなように、磁性体膜における磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上（好ましくは、８５ｖｏｌ％以上）になると、磁性体膜の比透磁率μ’は高い値を示すのに対して、８０ｖｏｌ％未満になると、磁性体膜の比透磁率μ’は急激に減少することが確認された。
【００６６】
（比較例８）
前記Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子を用いず、前記Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性マイクロ粒子の量を１２０ｇに変更した以外は実施例１と同様にして磁性体膜を得た。この磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合、前記磁性体膜における磁性粒子の体積充填率、及び前記磁性体膜の比透磁率μ’を求めた。
【００６７】
（実施例９〜１１、比較例９〜１０）
前記Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子及び前記Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性マイクロ粒子の量をそれぞれ、１７ｇ及び１０３ｇ（実施例９）、４０ｇ及び８０ｇ（実施例１０）、６０ｇ及び６０ｇ（実施例１１）、６ｇ及び１１４ｇ（比較例９）、又は８０ｇ及び４０ｇ（比較例１０）に変更した以外は実施例１と同様にして磁性体膜を得た。これらの磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合、前記磁性体膜における磁性粒子の体積充填率、及び前記磁性体膜の比透磁率μ’を求めた。
【００６８】
図７には、実施例１、９〜１１及び比較例８〜１０で得られた磁性体膜の比透磁率μ’を全磁性粒子（Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子及びＮｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性マイクロ粒子）に対するＮｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子の質量比に対してプロットした結果を示す。なお、実施例９〜１１のいずれの磁性体膜も、膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合は１．５ｖｏｌ％以下であり、磁性粒子の体積充填率は８５ｖｏｌ％以上であった。
【００６９】
図７に示した結果から明らかなように、全磁性粒子に対するＮｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４磁性ナノ粒子の質量比が０．１〜０．５の範囲内にあると、磁性マイクロ粒子間の空隙が磁性ナノ粒子で充填され、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が２ｖｏｌ％以下（好ましくは、１．５ｖｏｌ％以下）、かつ、磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％以上（好ましくは、８５ｖｏｌ％以上）となるため、磁性体膜の比透磁率μ’は高い値を示すことがわかった。これに対して、前記質量比が０．１未満になると、磁性マイクロ粒子間の空隙を磁性ナノ粒子で充填することができず、磁性体膜の全体積に対する空孔容量が１μｍ３以上の空孔部の総体積の割合が２ｖｏｌ％を超え、また、磁性粒子の体積充填率が８０ｖｏｌ％未満となるため、磁性体膜の比透磁率μ’は急激に減少することがわかった。また、前記質量比が０．５を超えると、体積充填率が低い磁性ナノ粒子の割合が増加し、結果として磁性体膜全体における磁性粒子の体積充填率が低くなるため、磁性体膜の比透磁率μ’は減少することがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上説明したように、本発明によれば、高い透磁率を有する磁性体膜を、比較的低い圧力での加圧によって製造することが可能となる。したがって、本発明の磁性体膜は、高い圧力での加圧が困難な基板上にも形成することができるため、例えば、基板上に形成した磁性体膜によって構成される、インダクタ、トランス、電磁ノイズ吸収体、磁気センサー等に用いられる磁性体材料として有用である。
【符号の説明】
【００７１】
１：フェライト系磁性ナノ粒子
２：フェライト系磁性マイクロ粒子
３：空孔
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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