(57)【要約】      （修正有）【課題】被処理体へのパーティクルの付着を抑える搬送装置及び搬送方法を提供する。【解決手段】搬送装置は、処理室ＰＭ１で処理される被処理体Ｗが搬送される搬送室ＶＴＭと、搬送室ＶＴＭの内壁２２に保持され、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体と、を備える。イオン液体は、液体保持部材２４または凹凸により搬送室ＶＴＭの内壁２２に全面に亘って設けられる。これにより、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを、イオン液体によって良好に吸着し、ウェハＷへのパーティクルの付着が効果的に抑えられる。また、搬送機構としてのハンドリング装置には、筐体の外周面、例えばロボットアームの外周面に、イオン液体が保持された液体保持部材２４が設けられてもよい。【選択図】図２
2018190783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室で処理される被処理体が搬送される搬送室と、
前記搬送室の内壁に保持され、前記搬送室内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体と、
を備える搬送装置。
【請求項２】
前記イオン液体は、前記搬送室内の内壁の全面に保持されている、
請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記搬送室内を大気圧と真空圧とに切り替えるロードロック室を更に備える、
請求項１または２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記搬送室の内壁には、前記イオン液体を保持する液体保持部材が設けられている、
請求項１〜３のいずれか１つに記載の搬送装置。
【請求項５】
前記被処理体を搬送する搬送機構を更に備え、
前記液体保持部材は、前記搬送機構に設けられている、
請求項４に記載の搬送装置。
【請求項６】
前記液体保持部材は、多孔質材料によって形成されている、
請求項４または５に記載の搬送装置。
【請求項７】
前記液体保持部材は、紙またはスポンジシートである、
請求項６に記載の搬送装置。
【請求項８】
前記搬送室の内壁は、前記イオン液体を保持する凹凸を有する、
請求項１〜７のいずれか１つに記載の搬送装置。
【請求項９】
前記イオン液体は、疏水性を有する、
請求項１〜８のいずれか１つに記載の搬送装置。
【請求項１０】
前記イオン液体は、非水溶性、かつ水と反応しない性質を有する、
請求項１〜９のいずれか１つに記載の搬送装置。
【請求項１１】
前記イオン液体は、
チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、
ビス（２−エチルヘキシル）リン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、
メチルトリオクチルアンモニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−メチル−１−プロピルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、
の少なくとも１つである、
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の搬送装置。
【請求項１２】
処理室で処理される被処理体が搬送される搬送室の内壁に、前記搬送室内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体を保持させ、
前記搬送室内で前記被処理体を搬送する、
搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送装置及び搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造装置の処理室内では、ガスの作用により基板（被処理体）に所定の処理が施される。基板の処理中、反応生成物が生成され、処理室の内壁等に付着し、堆積する。その反応生成物が内壁等から剥がれて、パーティクルとなり、基板上に付着することで製品不良を招く。
【０００３】
このため、関連技術としては、処理室内の成膜処理時に成膜材料から放出された粒子が、処理室の内壁に付着することを防ぐために、成膜材料と内壁との間を仕切るように配置された防着板により、処理室の内壁に膜が形成されることを抑える技術が知られている。また、他の関連技術としては、処理室内に沿って液体を流すことにより、処理室の内壁に膜が形成されることを抑える技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−６８０７１号公報
【特許文献２】特開２０１２−６７３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、処理済の基板を処理室から搬送する際に、処理室内部のガスが隣接する搬送室へ向けて拡散される。これにより、反応生成物が徐々に搬送室内部に堆積される。また、搬送中の基板から放出されるガスによっても反応生成物が生成され、その反応生成物が搬送室の内部に堆積される。このように搬送室では、処理室と比較して微量の反応生成物が時間をかけて徐々に搬送室の内壁に堆積し、ひいては、処理室の内壁の反応生成物から生じたパーティクルが飛散し、搬送室内の雰囲気中のパーティクルが、搬送中の基板に付着することによって、基板の搬送中に製品不良を引き起こすおそれがある。
【０００６】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、被処理体へのパーティクルの付着を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、一態様によれば、処理室で処理される被処理体が搬送される搬送室と、前記搬送室の内壁に保持され、前記搬送室内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体と、を備える搬送装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一側面によれば、被処理体へのパーティクルの付着を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図２】一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図３】一実施形態に係る搬送装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図４】一実施形態における搬送室の内壁の一例を模式的に示す拡大図である。
【図５】一実施形態における搬送室の内壁の他の例を模式的に示す拡大図である。
【図６Ａ】参考形態における雰囲気中のパーティクルの総数を説明するための図である。
【図６Ｂ】一実施形態における雰囲気中のパーティクルの総数を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態によって、本願の開示する搬送装置及び搬送方法が限定されるものではない。本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付けて重複した説明を省略する。
【００１１】
［半導体製造装置の全体構成］
図１は、一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成の一例を模式的に示す平面図である。図２は、一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成の一例を模式的に示す側面図である。まず、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置１０の全体構成の一例について、図１及び図２を参照して説明する。図１に示す半導体製造装置１０は、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）のシステムである。
【００１２】
図１及び図２に示すように、実施形態の半導体製造装置１０は、処理室ＰＭ（Process  Module）１〜４、搬送室ＶＴＭ（Vacuum  Transfer  Module）、ロードロック室ＬＬＭ（Load  Lock  Module）１、２、ローダーモジュールＬＭ（Loader  Module）、ロードポートＬＰ（Load  Port）１〜３及び制御部１００を有する。処理室ＰＭでは、被処理体としての半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」ともいう。）に所望の処理が施される。
【００１３】
処理室ＰＭ１〜４は、搬送室ＶＴＭに隣接して配置される。処理室ＰＭ１〜４と搬送室ＶＴＭとは、ゲートバルブＧＶの開閉により連通される。処理室ＰＭ１〜４は、所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてウェハＷにエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等の処理が施される。
【００１４】
図３は、一実施形態に係る搬送装置の内部構成の一例を模式的に示す平面図である。搬送室ＶＴＭの内部には、図３に示すように、ウェハＷを搬送する搬送機構としてのハンドリング装置ＡＲＭ（Advanced  Robot  Module）が配置されている。ハンドリング装置ＡＲＭは、屈伸動作及び回転動作が可能な２つのロボットアームを有する。各ロボットアームの先端部には、ウェハＷを保持可能なピックが設けられている。搬送室ＶＴＭ内の底面部２１ｃには、ハンドリング装置ＡＲＭがスライド移動されるスライド部６０が設けられている。ハンドリング装置ＡＲＭは、ゲートバルブＧＶの開閉動作に連動して、処理室ＰＭ１〜４と搬送室ＶＴＭとの間でスライド移動しながらウェハＷの搬入及び搬出を行う。また、ハンドリング装置ＡＲＭは、ロードロック室ＬＬＭ１、２に対してウェハＷの搬入及び搬出を行う。
【００１５】
図１に示すように、ロードロック室ＬＬＭ１、２は、搬送室ＶＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロック室ＬＬＭ１、２は、大気圧から真空引きすることにより、搬送室ＶＴＭ内を大気圧と真空圧とに切り替える。ロードロック室ＬＬＭ１、２は、搬送室ＶＴＭ内を大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることで、ウェハＷを大気圧側のローダーモジュールＬＭから真空圧側の搬送室ＶＴＭへ搬送したり、真空圧側の搬送室ＶＴＭから大気圧側のローダーモジュールＬＭへ搬送したりする。
【００１６】
ローダーモジュールＬＭの長辺に沿う側壁には、ロードポートＬＰ１〜３が設けられている。ロードポートＬＰ１〜３には、例えば２５枚のウェハＷが収容されたＦＯＵＰ(Front  Opening  Unified  Pod）または空のＦＯＵＰが取り付けられる。ローダーモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ１〜３内のＦＯＵＰから搬出されたウェハＷをロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかに搬入する。また、ローダーモジュールＬＭは、ロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかから搬出されたウェハＷを、ロードポートＬＰ１〜３内のＦＯＵＰへ収容する。
【００１７】
制御部１００は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）１０１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）１０２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）１０３及びＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）１０４を有する。制御部１００は、ＨＤＤ１０４に限らずに、例えば、ＳＳＤ（Solid  State  Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。ＨＤＤ１０４、ＲＡＭ１０３等の記憶領域には、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件が設定された製造情報が格納されている。
【００１８】
ＣＰＵ１０１は、製造情報に基づいて各処理室ＰＭにおけるウェハＷの処理を制御し、ウェハＷの搬送動作を制御する。ＨＤＤ１０４やＲＡＭ１０３には、後述する基板搬送処理を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。基板搬送処理を実行するためのプログラムは、記憶媒体に格納して記憶媒体から提供されてもよいし、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。
【００１９】
処理室ＰＭ、搬送室ＶＴＭ、ロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭ及びロードポートＬＰの個数は、本実施形態で示す個数に限定されず、任意に設定されてよい。実施形態の搬送装置２０は、一例として、搬送室ＶＴＭ、ロードロック室ＬＬＭ及びローダーモジュールＬＭと、ハンドリング装置ＡＲＭと、を備える。言い換えると、実施形態の搬送装置２０は、処理室ＰＭ１〜４に隣接する第１の搬送室と、処理室ＰＭ１〜４に隣接しない第２の搬送室と、を有する。搬送室ＶＴＭは、第１の搬送室の一例である。ロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭは、第２の搬送室の一例である。
【００２０】
［イオン液体の保持状態］
図４は、一実施形態における搬送室ＶＴＭの内壁の一例を模式的に示す拡大図である。
搬送室ＶＴＭは、図２及び図３に示すように、６面を有する箱状に形成されており、天面部２１ａ、側面部２１ｂ及び底面部２１ｃの各内壁２２に、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体２３が保持されている。一例として、イオン液体２３は、図４に示すように、液体保持部材２４に保持された状態で、液体保持部材２４が搬送室ＶＴＭ内の各内壁２２に貼り付けられている。液体保持部材２４は、イオン液体２３が含浸されることによってイオン液体２３を保持している。液体保持部材２４としては、例えば、紙やスポンジシート等の多孔質材料が用いられる。紙としては、例えば、クリーンルーム用として使用されているクリーンペーパ（無塵紙）が用いられる。このようなクリーンペーパとしては、例えば、桜井株式会社製の「スタクリン」（商標）が挙げられる。
【００２１】
例えば、クリーンペーパ等の紙を用いる場合には、紙が適度に微細な孔を有するので、孔内にイオン液体２３を適正に保持することができる。これに加え、紙は、１つの孔が他の孔と網目状に広く連通されているので、孔内にイオン液体２３を充填することができ、紙の表面のイオン液体２３に付着したパーティクルを紙の内部へ取込み、内部の孔内に充分なパーティクル量を取り込むことができる。また、紙を用いる場合には、紙が可撓性を有するので任意の形状に容易に加工することが可能であり、複雑な形状を有する搬送室ＶＴＭの内壁２２に沿って貼り付けることができる。したがって、イオン液体２３が含浸された紙を、搬送室ＶＴＭの内壁２２の全面にわたって容易に貼り付けることが可能になる。
【００２２】
さらに、紙を用いる場合には、紙がイオン液体２３を吸い込む毛管現象による吸着力を利用して、イオン液体２３が含浸された紙を搬送室ＶＴＭの内壁２２へ直接、容易に貼り付けると共に紙を内壁２２から容易に剥がすことが可能であるので、イオン液体２３を容易に取り扱うことができる。イオン液体２３が含浸された紙を天面部２１ａに貼り付けた場合には、軽量な紙が部分的に剥がれたとしても天面部２１ａから紙が落下する可能性も低い。このため、液体保持部材２４として紙を利用することにより、液体保持部材２４を内壁２２に固定するための固定構造が不要となり、液体保持部材２４を簡易に取り付けることが可能になる。また、液体保持部材２４として軽量なスポンジシートを用いる場合には、イオン液体２３の粘度による吸着力を利用してスポンジシートが内壁２２へ貼り付けられてもよい。
【００２３】
図５は、一実施形態における搬送室ＶＴＭの内壁の他の例を模式的に示す拡大図である。あるいは、液体保持部材２４を用いる代わりに、図５に示すように、搬送室ＶＴＭの内壁２２の表面に、イオン液体２３を流動させずに適正に保持可能な凹凸２５が設けられてもよい。例えば、搬送室ＶＴＭの内壁２２の表面にイオン液体２３を塗布することによって、凹凸２５に付着したイオン液体２３が保持される。凹凸２５としては、搬送室ＶＴＭの内壁２２の表面上においてイオン液体２３を適正な量、例えば適正な膜厚で保持されるように、各種の表面処理により所定の面粗度に形成されている。
【００２４】
また、イオン液体２３は、液体保持部材２４または凹凸２５により搬送室ＶＴＭの内壁２２に全面に亘って設けられることが好ましい。これにより、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを、イオン液体２３によって良好に吸着し、ウェハＷへのパーティクルの付着が効果的に抑えられる。なお、搬送室ＶＴＭの内壁２２の一部、例えば、搬送室ＶＴＭ内のゲートバルブＧＶ、排気口１６、排気ポート１７、ガス導入口、各種センサーの取付口等の一部には、イオン液体２３が保持されていない領域が生じるが、ここでいう全面とは、内壁２２のほぼ全面に亘ってイオン液体２３が設けられていることを指す。
【００２５】
イオン液体２３は、搬送室ＶＴＭの内壁２２の位置に応じて、内壁２２の一部に液体保持部材２４が設けられる共に内壁２２の一部に凹凸２５が設けられてもよい。例えば、内壁２２の形状等によりイオン液体２３の塗布が相対的に難しい部分に、イオン液体２３を含浸した液体保持部材２４が貼り付けられ、イオン液体２３の塗布が相対的に容易な部分に設けられた凹凸２５にイオン液体２３が塗布されてもよい。
【００２６】
また、図示しないが、搬送機構としてのハンドリング装置ＡＲＭには、筐体の外周面、例えばロボットアームの外周面に、イオン液体２３が保持された液体保持部材２４が設けられてもよい。これにより、ハンドリング装置ＡＲＭのロボットアームの移動範囲に対応する雰囲気中のパーティクルを、液体保持部材２４に含浸されたイオン液体２３によって効果的に吸着して除去することができる。液体保持部材２４は、搬送室ＶＴＭ内に配置される構造体の外周面に設けられてもよく、ハンドリング装置ＡＲＭ以外の他の装置の外周面に設けられてもよい。
【００２７】
［イオン液体の一例］
イオン液体２３は、真空雰囲気中においても揮発しない性質を有するので、搬送室ＶＴＭ内の真空雰囲気中に液体として留めておくことが可能であり、搬送室ＶＴＭ内で搬送されるウェハＷに対して、液体の揮発成分や分解生成物が付着するといった影響が生じるおそれがない。また、イオン液体２３としては、疎水性、及び非水溶性でかつ水（水分）と反応しない性質を有するものが用いられる。
【００２８】
イオン液体２３は、疎水性、及び非水溶性でかつ水と反応しない性質を有することにより、イオン液体２３の内部への水分の取込みを防ぐことができる。本実施形態のような搬送室ＶＴＭの使用状態によっては、搬送室ＶＴＭの内壁２２が大気雰囲気に晒される場合がある。このような場合、大気雰囲気中に含まれる水分がイオン液体２３に取り込まれ、搬送室ＶＴＭ内が真空引きされたときにイオン液体２３内の水分が真空雰囲気中へ放出され、搬送室ＶＴＭ内の真空度に影響を及ぼすおそれがある。また、イオン液体２３内に取り込まれた水分がイオン液体２３から放出される速度によっては、搬送室ＶＴＭ内の真空引きに要する時間が延びるといった不都合が生じるおそれがある。さらに、処理室ＰＭでの処理前のウェハＷに、イオン液体２３から放出された水分が付着することで、ウェハＷの特性に変化をもたらすおそれがある。加えて、イオン液体２３は、水分が取り込まれることによって、粘度（粘性率）が変化し、搬送室ＶＴＭの内壁２２に保持された状態を適正に維持することが困難になる。例えば、イオン液体２３の粘度が低下することで、搬送室ＶＴＭの側面部２１ｂの内壁２２に配置されたイオン液体２３が、重力により下方へ向かって垂れる等の不都合がある。
【００２９】
また、処理室ＰＭで行う処理によっては、コンタミネーションを防ぐために、例えば、アニオンがハロゲン単体のイオンを避けることが望ましい。また、搬送室ＶＴＭは、大気雰囲気に晒されることがあるので、大気雰囲気中に含まれる水分と化学反応するイオン液体２３の使用を避けることが望ましい。例えば、アニオンとしてＰＦ６−やＢＦ４−を用いたイオン液体２３は、水と反応することでフッ酸（ＨＦ）を発生するので、環境や人体への影響を考慮した観点と、搬送室ＶＴＭの耐久性を確保する観点とから、使用を避けることが望ましい。
【００３０】
したがって、イオン液体２３は、疎水性、及び非水溶性でかつ水と反応しない性質を有するものが用いられることにより、搬送室ＶＴＭ内の真空度の低下を抑えると共に、イオン液体２３の粘度の低下に伴って液体保持部材２４に保持される保持力が低下することが抑えられる。加えて、イオン液体２３と水との反応が避けられることにより、環境や人体への影響を抑えると共に、搬送室ＶＴＭの耐久性が適正に確保される。
【００３１】
また、搬送室ＶＴＭは、常温で使用されることがあるので、常温で液体であるイオン液体２３の使用が望ましい。製造条件の最適範囲（プロセスウィンドウ）を適正に確保するために、融点が可能な限り低いイオン液体２３が好ましく、沸点が可能な限り高いイオン液体２３が好ましい。
【００３２】
好適なイオン液体２３としては、例えば、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、ビス（２−エチルヘキシル）リン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、メチルトリオクチルアンモニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−メチル−１−プロピルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミドのうちの少なくとも１つが用いられる。
【００３３】
搬送室ＶＴＭの内壁２２には、内壁２２の位置に応じて、例えば、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中におけるパーティクルが飛散する分布状態に応じて、粘度が異なる複数種類のイオン液体２３が、液体保持部材２４によって配置されてもよい。例えば、パーティクルの飛散が相対的に多い空間近傍に配置されるイオン液体２３の粘度を相対的に高くし、パーティクルの飛散が相対的に少ない空間近傍に配置されるイオン液体２３の粘度を相対的に低くすることにより、イオン液体２３の粘度に伴うパーティクルの吸着量が過不足なく設定され、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを適正に吸着して除去される。また、イオン液体２３が保持される内壁は、搬送室ＶＴＭの内壁２２に限定されず、ロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭ等の内壁に適用されてもよい。すなわち、イオン液体２３は、真空雰囲気中での使用に限定されず、不揮発性を有するので、内部が大気雰囲気であるローダーモジュールＬＭに適用されても、上述と同様の効果が得られる。
【００３４】
［ウェハＷの搬送動作］
次に、ウェハＷの搬送動作とガスの拡散について説明する。まず、ウェハＷは、ロードポートＬＰ１〜３のいずれかから搬出され、ローダーモジュールＬＭを介してロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかへ搬送される。ウェハＷが搬入されたロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかでは、排気処理（真空引き）が行われ、内部が大気雰囲気から真空雰囲気へと切り替えられる。この真空状態でウェハＷは、ハンドリング装置ＡＲＭによって、ロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかから搬出されると共に処理室ＰＭ１〜４のいずれかへ搬入され、処理室ＰＭ１〜４内のいずれかでウェハＷの処理が開始される。ウェハＷが搬出されたロードロック室ＬＬＭ１、２のいずれかの内部は真空雰囲気から大気雰囲気へと切り替えられる。
【００３５】
ここで、例えば、処理室ＰＭ１にウェハＷが供給され、ウェハＷにプラズマエッチング処理が施される場合の一例について説明する。
【００３６】
＜プロセス条件の一例＞
・ガス：ＣＦ４（四フッ化炭素）、Ｃ４Ｆ８（パーフルオロシクロブタン）、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ２（窒素）、Ｈ２（水素）、Ｏ２（酸素）、ＣＯ２（二酸化窒素）
・圧力：１０［ｍＴ］（１．３３３［Ｐａ］）〜５０［ｍＴ］（６．６６６［Ｐａ］）
・処理時間：一枚のウェハを処理する毎に５分程度
処理室ＰＭ１にてガスからプラズマが生成され、そのプラズマの作用により、図２に示すように、処理室ＰＭ１内の載置台１５に載置されたウェハＷがエッチング処理される。処理後、処理室ＰＭ１内部はＮ２ガスによりパージされる。Ｎ２ガスは、処理室ＰＭ１の排気口１６から排気される。
【００３７】
その後、ゲートバルブＧＶが開き、処理済のウェハＷが搬出され、搬送室ＶＴＭに搬入される。また、未処理ウェハＷが処理室ＰＭ１に搬入される。ウェハＷの搬送中、処理室ＰＭ１の内部のガスが、処理室ＰＭ１に隣接する搬送室ＶＴＭ側へ向かって拡散される。また、搬送室ＶＴＭ内に搬送されたウェハＷからもガスが放出される。
【００３８】
ゲートバルブＧＶが閉じられた後、搬送室ＶＴＭの内部はＮ２ガスによりパージされる。Ｎ２ガスは、図２に示すように、搬送室ＶＴＭの排気ポート１７から排気される。これに応じて、処理室ＰＭ１から拡散されたガスと、ウェハＷから放出されるアウトガスは、排気ポート１７から排気される。しかし、搬送室ＶＴＭの内部にはガスの一部が残留してしまう。このため、搬送室ＶＴＭの内部には、処理室ＰＭ１と比較して微量の反応生成物が時間をかけて徐々に堆積する傾向がある。しかしながら、本実施形態では、搬送室ＶＴＭの内壁２２に堆積した反応生成物からパーティクルが発生した場合であっても、内壁２２にイオン液体２３が保持されていることにより、内壁２２に接触したパーティクルがイオン液体２３によって吸着して除去されるので、ウェハＷへのパーティクルの付着が抑えられる。
【００３９】
搬送室ＶＴＭの構成材料によっては、搬送室ＶＴＭの内壁２２の構成材料自体からパーティクルが発生するおそれもある。このような場合であっても、搬送室ＶＴＭの内壁２２がイオン液体２３によって覆われることで、内壁２２の構成材料からパーティクルが搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中へ飛散することが抑えられると共に、雰囲気中のパーティクルを吸着して除去することが可能になる。
【００４０】
［イオン液体によるパーティクルの吸着効果］
雰囲気中のパーティクルをイオン液体２３によって吸着して除去する効果について、比較実験の結果を説明する。図６Ａは、参考形態における雰囲気中のパーティクルの総数を説明するための図であり、イオン液体２３が無い状態での測定結果である。図６Ｂは、一実施形態における雰囲気中のパーティクルの総数を説明するための図であり、イオン液体２３が有る状態での測定結果である。図６Ａ及び図６Ｂにおいて、縦軸は雰囲気中のパーティクルの総数を示し、横軸は経過時間を示す。
【００４１】
比較実験では、搬送室として直管を用いて、直管の上流側から１［μｍ］程度のパーティクルを意図的に直管内へ流し、直管の下流側に配置された微粒子測定器（パーティクルカウンタ）によってパーティクルの総数を検出した。比較実験では、簡易的な加速試験として、直管の上流側に実験用のパーティクル溜りを設けて、パーティクル溜りを振盪することによって大量のパーティクルを強制的に連続発生させた。図６Ｂに示す一実施形態では、直管の内周面にメチルトリオクチルアンモニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドが含浸されたクリーンペーパを貼り付けた。
【００４２】
図６Ａに示すように、参考形態では、パーティクル溜りの振盪の開始から、振盪を続けている間にわたって、直管内の雰囲気中に発生したパーティクルの総数が１００を超えた。一方、一実施形態では、図６Ｂに示すように、パーティクル溜りの振盪の開始から３０秒程度経過するまでの間にパーティクルが発生せず、その後、パーティクルが間欠的に発生するものの、直管内の雰囲気中のパーティクルの総数が１０程度に抑えられた。すなわち、一実施形態では、パーティクル溜りの振盪によって生じた大量のパーティクルを、イオン液体２３によって吸着して除去された結果であり、直管内の雰囲気中に発生するパーティクルが顕著に抑えられた。
【００４３】
［搬送方法］
上述した搬送装置２０を用いた実施形態に係る搬送方法は、処理室ＰＭで処理されるウェハＷが搬送される搬送室ＶＴＭの内壁２２に、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体２３を保持させ、搬送室ＶＴＭ内でウェハＷを搬送する。
【００４４】
上述した実施形態の搬送装置２０は、処理室ＰＭで処理されるウェハＷが搬送される搬送室ＶＴＭと、搬送室ＶＴＭの内壁２２に保持されて搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルを吸着するためのイオン液体２３と、を備える。これにより、搬送室ＶＴＭの雰囲気中のパーティクルがイオン液体２３によって除去されるので、ウェハＷへのパーティクルの付着を抑えることができる。その結果、ウェハＷの生産性を向上し、ウェハＷの処理状態の品質を高めることが可能になる。
【００４５】
また、実施形態の搬送装置２０において、イオン液体２３は、搬送室ＶＴＭ内の内壁２２の全面に保持されている。これにより、搬送室ＶＴＭの雰囲気中のパーティクルをイオン液体２３によって効果的に吸着し、ウェハＷへのパーティクルの付着を効果的に抑えることができる。
【００４６】
また、実施形態の搬送装置２０が有する搬送室ＶＴＭの内壁２２には、イオン液体２３を保持する液体保持部材２４が設けられている、これにより、例えば、イオン液体２３が含浸された液体保持部材２４を内壁２２に取り付けることで、内壁２２にイオン液体２３を適正に保持させることができる。
【００４７】
また、実施形態の搬送装置２０が有する液体保持部材２４は、ハンドリング装置ＡＲＭに設けられている。これにより、搬送室ＶＴＭ内でウェハＷを搬送するハンドリング装置ＡＲＭの移動に伴って、搬送室ＶＴＭ内の雰囲気中のパーティクルをイオン液体２３で吸着して除去することができるので、ウェハＷへのパーティクルの付着を更に抑えることができる。
【００４８】
また、実施形態の搬送装置２０が有する液体保持部材２４は、多孔質材料によって形成されている。これにより、液体保持部材２４によってイオン液体２３を適正に保持することができる。
【００４９】
また、実施形態の搬送装置２０が有する搬送室ＶＴＭの内壁２２は、イオン液体２３を保持する凹凸２５を有する、これにより、例えば、イオン液体２３を内壁２２に塗布することにより、イオン液体２３を内壁２２の凹凸２５に保持させることができる。
【００５０】
また、実施形態の搬送装置２０は、イオン液体２３は、疏水性を有する。これにより、搬送室ＶＴＭ内の真空度の低下を抑えると共に、イオン液体２３の粘度の低下を抑えて液体保持部材２４にイオン液体２３を適正に保持させることができる。これと同様に、イオン液体２３は、非水溶性、かつ水と反応しない性質を有することにより、搬送室ＶＴＭ内の真空度の低下を抑え、イオン液体２３を液体保持部材２４に適正に保持させることができる。加えて、イオン液体２３と水との反応が避けられることにより、環境や人体への影響を抑えると共に、搬送室ＶＴＭの耐久性を適正に確保することができる。
【００５１】
また、本発明に係る半導体製造装置が有する処理室としては、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:  Capacitively  Coupled  Plasma）装置だけでなく、その他の装置を適用することができる。その他の装置としては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ:Inductively  Coupled  Plasma）、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon  Wave  Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron  Cyclotron  Ｒesonance  Plasma）装置等が適用されてもよい。また、処理室は、反応性ガスと熱によりエッチングや成膜処理を行うプラズマレスの装置であってもよい。
【００５２】
また、本実施形態では、被処理体として、基板である半導体ウェハＷが用いられたが、例えば、ＬＣＤ（Liquid  Crystal  Display）、ＦＰＤ（Flat  Panel  Display）等に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等が用いられてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０  半導体製造装置
２０  搬送装置
２１ａ  天面部
２１ｂ  側面部
２１ｃ  底面部
２２  内壁
２３  イオン液体
２４  液体保持部材
２５  凹凸
Ｗ  半導体ウェハ（被処理体）
ＰＭ  処理室
ＶＴＭ  搬送室
ＬＬＭ  ロードロック室
ＬＭ  ローダーモジュール（搬送室）
ＬＰ  ロードポート
ＧＶ  ゲートバルブ
ＡＲＭ  ハンドリング装置（搬送機構）
【図１】
2018190783.tif 000003
【図２】
2018190783.tif 000004
【図３】
2018190783.tif 000005
【図４】
2018190783.tif 000006
【図５】
2018190783.tif 000007
【図６Ａ】
2018190783.tif 000008
【図６Ｂ】
2018190783.tif 000009