(57)【要約】【課題】封止層にクラック等の欠陥を有する表示装置を早期に発見することができる表示装置を提供する。【解決手段】基板上に配置され、発光素子をそれぞれ含む複数の画素と、基板上に配置された第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層の基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、発光素子は、第１有機絶縁層と封止層との間に配置され、第１有機絶縁層は、複数の画素を囲み、第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、封止層は、基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、第１無機絶縁層は、第１開口部の内側に設けられた第２開口部を有し、第２有機絶縁層は、第２開口部を介して第１有機絶縁層と接し、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、端部が第１開口部より外側に配置され、第２有機絶縁層は、端部が第１開口部と重なる領域に配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置され、第１電極、発光層、第２電極が積層された発光素子をそれぞれ含み、一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、
前記基板上に配置された第１有機絶縁層と、
前記第１有機絶縁層の前記基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、
前記発光素子は、前記第１有機絶縁層と前記封止層との間に配置され、
前記第１有機絶縁層は、前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極の少なくとも一つと一部が接し、
前記第１有機絶縁層は、前記複数の画素を囲み、前記第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、
前記封止層は、前記基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、
前記第１無機絶縁層は、前記第１開口部の内側に設けられた第２開口部を有し、
前記第２有機絶縁層は、前記第２開口部を介して前記第１有機絶縁層と接し、
前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１開口部を覆い、端部が前記第１開口部より外側に配置され、
前記第２有機絶縁層は、端部が前記第１開口部と重なる領域に配置され、
前記第２無機絶縁層は、前記第２有機絶縁層の上面部及び端部、並びに前記第２有機絶縁層の外側領域において前記第１無機絶縁層の上面に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１有機絶縁層は、前記第１電極と前記基板との間の平坦化絶縁層と、前記平坦化絶縁層と、前記第１電極の前記発光層が設けられる側の面の上端部と接するバンク層と、を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１無機絶縁層は、前記バンク層と接し、前記第２開口部は前記バンク層を露出させる、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１無機絶縁層は、前記バンク層及び前記平坦化層と接し、前記第２開口部は前記平坦化層を露出させる、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１開口部は、前記第１有機絶縁層を、前記複数の画素が配列する画素領域と、前記画素領域の外側の周辺領域とを分割する、環状溝を形成する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２開口部は、前記複数の画素の外側であって画素を囲む周状で破断なく連続した形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２開口部は、前記第１開口部に沿って、複数個が離隔されて配列されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２開口部は、複数であり、前記複数の画素の外側であって画素を囲む周状で連続し、少なくとも１箇所で破断した形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２開口部は、前記第１開口部の環状溝に沿った連続する領域を有し、前記連続する領域は一端と他端とを有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２開口部は、複数であり、前記複数の画素間に設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止層は、前記第１開口部の側壁を被覆することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記封止層は、前記第１有機絶縁層の端部を被覆することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１開口部の外側に配置され、前記複数の画素を駆動する駆動回路を更に備えた請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００２】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００３】
例えば特許文献１には、基板と、前記基板上に配置された陽極と、前記陽極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層の配置領域を規定するバンク層と、を有する有機ＥＬデバイスであって、前記バンク層の上面には溝が形成され、前記溝は前記有機発光層の縁を規定する、有機ＥＬデバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８４２０９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。しかしながら、上記の従来技術においては、水分の侵入を防止するための封止層の構成が不明である。
【０００６】
また、封止層にクラック等の欠陥が生じてしまうと、それを介して水分が侵入し、ダークスポットが発生する要因となる。このような、封止層にクラック等の欠陥を含む表示装置は、製品の出荷前に選別され排除されるべきである。しかしながら、封止層内でクラック等の欠陥が発生する場所によっては、製造工程の品質検査時においてはダークスポットが発生せず、製品の出荷後に発生してしまう場合があり得る。
【０００７】
本発明は、封止層にクラック等の欠陥を有する表示装置を早期に発見することができる表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板上に配置され、第１電極、発光層、第２電極が積層された発光素子をそれぞれ含み、一方向及び前記一方向と交差する方向に配列する複数の画素と、前記基板上に配置された第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の前記基板とは反対側の面に配置された封止層と、を有し、前記発光素子は、前記第１有機絶縁層と前記封止層との間に配置され、前記第１有機絶縁層は、前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極の少なくとも一つと一部が接し、前記第１有機絶縁層は、前記複数の画素を囲み、前記第１有機絶縁層を貫通する第１開口部を有し、前記封止層は、前記基板側から、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む層構造を含み、前記第１無機絶縁層は、前記第１開口部の内側に設けられた第２開口部を有し、前記第２有機絶縁層は、前記第２開口部を介して前記第１有機絶縁層と接し、前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１開口部を覆い、端部が前記第１開口部より外側に配置され、前記第２有機絶縁層は、端部が前記第１開口部と重なる領域に配置され、前記第２無機絶縁層は、前記第２有機絶縁層の上面部及び端部、並びに前記第２有機絶縁層の外側領域において前記第１無機絶縁層の上面に沿って設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図５Ａ】従来技術による表示装置において、水分の侵入経路を説明する断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置において、水分の侵入経路を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００１１】
＜第１実施形態＞
［概略構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明する斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、第２基板１０４と、複数の接続端子１０８と、ドライバＩＣ１１２とを有している。
【００１２】
第１基板１０２は、複数の画素１０６及び複数の接続端子１０８の支持体としての役割を果たす。第１基板１０２において、複数の画素１０６が配列される領域が表示領域１０２ａであり、複数の接続端子１０８が配列される領域が端子領域１０２ｂである。
【００１３】
第１基板１０２としては、ガラス基板、アクリル樹脂基板、アルミナ基板等を用いることができる。また、第１基板１０２としては、可撓性を有する基板であってもよい。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、基板として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。
【００１４】
第２基板１０４は、第１基板１０２の表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、第２基板１０４の周辺部を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。なお、第２基板１０４を第１基板１０２に固定する際に、必ずしもシール材１１０を用いなくても他の方法を用いてもよく、その際シール材１１０を設ける必要はない。
【００１５】
第２基板１０４としては、第１基板１０２と同様の基板を用いてもよい。尚、本実施形態に係る表示装置１００は前述のような第２基板１０４を有しているが、板状の部材に限定されず、フィルム基材、樹脂等がコーティングされた封止基材に置換えられてもよい。
【００１６】
複数の画素１０６は、第１基板１０２上の表示領域１０２ａに行列状に配列されている。複数の画素１０６の各々は、画素回路を有している。図示はしないが、画素回路は、少なくとも駆動トランジスタ、選択トランジスタ、発光素子及び保持容量を有している。発光素子は、複数の画素の各々に設けられた第１電極、複数の画素に共通して設けられた発光層、複数の画素に共通して設けられた第２電極を有し、本実施形態においては発光層は単色を発光する例を示す。
【００１７】
複数の接続端子１０８は、第１基板１０２の端子領域１０２ｂに配置されている。端子領域は、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に設けられている。第１基板１０２において、複数の接続端子１０８が配置される領域が端子領域１０２ｂである。複数の接続端子１０８には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が接続される。配線基板と接続される複数の接続端子１０８との接点は、外部に露出している。
【００１８】
ドライバＩＣ１１２は、第１基板１０２上、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。ドライバＩＣ１１２は、接続端子１０８から入力された映像信号を表示領域１０２ａに配列された複数の画素１０６に出力する。
【００１９】
第２基板１０４には、カラーフィルタ、遮光層、偏光板、位相板等が配置されていてもよい。カラーフィルタは、複数の画素１０６の各々に対向した位置に配置される。遮光層（ブラックマトリクスとも呼ばれる）は、複数の画素１０６の各々を区画する位置に配置される。偏光板及び位相板は、複数の画素１０６を覆い、第２基板１０４外側の表面に配置される。偏光板及び位相板は、表示装置１００に入射した外光が、第１電極で反射することによる視認性の劣化を抑制するために配置される。ここでは後述の、発光層が全画素共有に配置され単色を発光する場合を例示したが、発光層が少なくとも複数の画素で各々の画素夫々に配置され、各画素において設計された発光色に発光するように構成してもよく、この場合カラーフィルタ、遮光層は不要である。
【００２０】
次いで、図面を参照して本実施形態に係る表示装置１００の詳細な構成について説明する。
【００２１】
［詳細な構成］
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する平面図である。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する平面図であり、図２に示すＡの領域を拡大した平面図である。図４は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、図３に示すＢ−Ｂ´の断面を示している。
【００２２】
本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、第１有機絶縁層１１４と、封止層１２０と、第２基板１０４と、シール材１１０とを備えている。なお、第２基板１０４を第１基板１０２に固定する際に、必ずしもシール材１１０を用いなくても他の方法を用いてもよく、その際シール材１１０を設ける必要はない。
【００２３】
第１基板１０２は、複数の画素１０６の支持体としての役割を果たす。第１基板１０２上に設けられた表示領域１０２ａには、複数の画素１０６が配列されている。
【００２４】
複数の画素１０６は、第１基板１０２上の表示領域１０２ａに、一方向及び一方向と交差する方向に配列されている。複数の画素１０６の各々は、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ、発光素子１２８及び保持容量を有する画素回路から構成される。図４においては、これらの内、発光素子１２８のみが示されている。
【００２５】
発光素子１２８は、第１基板１０２側から、少なくとも第１電極１３０、発光層１３２及び第２電極１３４が、この順で積層された層構造を有している。発光素子１２８としては、自発光型の発光素子１２８を用いることができる。自発光型の発光素子１２８としては、例えば有機ＥＬ発光素子を用いることができる。なお、発光層は全画素共有して単色発光するように配置してもよく、また少なくとも複数の画素で各々の画素夫々に配置され、各画素において設計された発光色に発光するように構成してもよい（図示せず）。
【００２６】
第１電極１３０は、複数の画素１０６の各々に設けられている。第１電極１３０の材料としては、発光層１３２で発生した光を第２電極１３４側に反射させるために、反射率の高い金属層を含むことが好ましい。反射率の高い金属層としては、例えば銀（Ａｇ）や銀を含有する合金、アルミニウムやアルミニウムを含有する合金などを用いることができる。
【００２７】
更に、前述の反射率の高い金属層に加え、透明導電層が積層されてもよい。透明導電層としては、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることが好ましい。また、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。
【００２８】
本実施例で第２電極１３４は、複数の画素１０６に亘って配置されている。第２電極１３４の材料としては、発光層１３２で発生した光を透過させるために、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、第２電極１３４として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。なお第２電極１３４は各第１電極１３０毎に個別に形成されることがあってもよい。
【００２９】
第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、画素電極及び共通電極とも呼ばれる。また、本実施形態においては、第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、アノード及びカソードとして機能する例を示す。しかし、これに限らず、第１電極１３０及び第２電極１３４はそれぞれ、カソード及びアノードとして機能してもよい。
【００３０】
発光層１３２は、第１電極１３０及び第２電極１３４に挟持されて配置されている。発光層１３２の材料としては、電流が供給されると発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。有機ＥＬ材料としては、低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１３２は発光性の有機材料に加え、発光性の有機材料を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。なお、発光層は全画素共有して単色発光するように配置してもよく、また少なくとも複数の画素で各々の画素夫々に配置され、各画素において設計された発光色に発光するように構成してもよい（図示せず）。
【００３１】
第１有機絶縁層１１４は、第１基板１０２上に配置されている。第１有機絶縁層１１４は、本実施形態においては、平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８を有する。第１有機絶縁層１１４は、第１電極、発光層及び第２電極の少なくとも一つと一部が接する。平坦化絶縁層１１６は、第１電極１３０と第１基板との間に配置されている。平坦化絶縁層１１６は、その下の層に配置されるトランジスタ等（図示せず）に起因する凹凸を平坦化するために設けられている。平坦化絶縁層１１６の材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはそれらの組み合わせ等を用いることができる。
【００３２】
バンク層１１８は、複数の画素１０６の各々を区画する。具体的には、バンク層１１８は平坦化絶縁層１１６と接し、第１電極１３０の発光層が設けられる側の面の上端部と接する。バンク層１１８は、隣接する２つの第１電極１３０間に設けられ、隣接する２つの画素１０６を区画している。バンク層１１８の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁材料としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化珪素、窒化珪素、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはそれらの組み合わせ等を用いることができる。無機絶縁材料と有機絶縁材料との組み合わせを用いてもよい。なおバンク層１１８と平坦化絶縁層１１６とは同一の材料を用いてもよく、同一工程で形成されてもよい。
【００３３】
絶縁材料で形成されたバンク層１１８が配置されることによって、第１電極１３０の端部において、第２電極１３４と第１電極１３０とが短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１０６間を確実に絶縁することができる。
【００３４】
第１有機絶縁層１１４には、複数の画素１０６を囲み、第１有機絶縁層を貫通する第１開口部１１４ａが設けられている。平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８は、周状の第１開口部１１４ａを境に、その内側及び外側に分離される。これによって、表示装置１００において、第１開口部１１４ａは、第１有機絶縁層を、複数の画素が配列する画素領域及びその外側の周辺領域とを分割する環状溝を形成する。有機絶縁層は、水分の侵入経路となりやすいため、このような第１開口部１１４ａを有することによって、第１開口部１１４ａの外部から内部への水分の侵入経路を遮断することができる。これによって、第１開口部１１４ａの内側に配列された画素１０６の劣化を防ぐことができ、表示装置１００の信頼性が向上する。
【００３５】
本実施形態に係る表示装置１００は、第１開口部１１４ａの外側に配置され、複数の画素１０６を駆動する駆動回路を更に備えてもよい。
【００３６】
封止層１２０は、第１有機絶縁層１１４よりも上の層に配置されている。封止層１２０は、第１開口部１１４ａの側壁及び底部を被覆する。更に、封止層１２０は、その端部が第１開口部１１４ａの外側に配置される。更に、封止層１２０は、第１有機絶縁層１１４の端部を被覆する。本実施形態においては、封止層１２０は、第１基板１０２側から、第１無機絶縁層１２２ａ、第２有機絶縁層１２４及び第２無機絶縁層１２２ｂの順で含む層構造を有している。これらの層について、第１基板１０２側の層から順番に説明する。
【００３７】
第１無機絶縁層１２２ａは、その上層に配置され、水分が透過しやすい第２有機絶縁層１２４が発光素子１２８に接しないようにするために設けられている。よって、第１無機絶縁層１２２ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２２ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯx）、窒化珪素（ＳｉＮx）、酸化窒化珪素（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化珪素（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯxＮy）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）等の層を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの層を積層した構造を使用してもよい。第１無機絶縁層１２２ａの、成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。
【００３８】
第１無機絶縁層１２２ａは、第１開口部１１４ａの内側に設けられた第２開口部１３６を有している。本実施形態においては、図２に示すように、第２開口部１３６は、複数の画素１０６の外側であって複数の画素１０６を囲む周状である。また、第２開口部１３６は、破断なく連続した形状である。
【００３９】
本実施形態においては、図４に示すように、第１無機絶縁層は、第１有機絶縁層の内、バンク層１１８のみと接する。そして、第２開口部１３６は、バンク層１１８を露出させる。
【００４０】
しかし、これに限られず、第１無機絶縁層は、第１有機絶縁層の内、バンク層１１８及び平坦化絶縁層１１６の両方と接してもよい。このとき、第２開口部１３６は、平坦化絶縁層１１６を露出させてもよい。
【００４１】
第２開口部１３６を形成する方法としては、第１無機絶縁層１２２ａの成膜後にレーザ照射により形成してもよい。また、第１無機絶縁層１２２ａの成膜後にフォトリソグラフィ工程により形成してもよい。この第２開口部１３６が奏する作用及び効果の詳細については後述する。
【００４２】
第２有機絶縁層１２４は、第１無機絶縁層１２２ａ上に設けられている。第２有機絶縁層１２４は、第１無機絶縁層１２２ａが有する第２開口部１３６を介して第１有機絶縁層１１４に接している。本実施形態においては、第２有機絶縁層１２４は、第２開口部１３６を介して第１有機絶縁層１１４を構成するバンク層１１８に接している。
【００４３】
また、第２有機絶縁層１２４は、その端部が第１開口部１１４ａと重なる領域に配置されている。つまり、第２有機絶縁層１２４は、平面視において、発光層１３２よりも広く、発光層１３２を完全に覆うように設けられている。
【００４４】
第２有機絶縁層１２４は、封止層１２０の下層に配置された複数の発光素子１２８やバンク層１１８等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。このような凹凸が十分に平坦化されず、第１有機絶縁層上に第２無機絶縁層１２２ｂが設けられてしまうと、第２無機絶縁層１２２ｂが凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。
【００４５】
第２有機絶縁層１２４は、膜厚が１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第２有機絶縁層１２４の膜厚がこの範囲よりも小さいと、前述のような凹凸を十分に平坦化することができない場合がある。そのような場合、上層に設けられる第２無機絶縁層１２２ｂの被覆性が十分ではなくなり、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の水分の侵入経路が発生する場合がある。一方、第２有機絶縁層１２４の膜厚がこの範囲よりも大きいと、封止層１２０の透光性が低下し、視認される輝度の低下を招く。
【００４６】
第２有機絶縁層１２４の材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。第２有機絶縁層１２４の成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。
【００４７】
第２無機絶縁層１２２ｂは、第２有機絶縁層１２４上に設けられている。第２無機絶縁層１２２ｂは、第２有機絶縁層の上面部及び端部、並びに第２有機絶縁層の外側領域において第１無機絶縁層の上面に沿って設けられている。つまり、第２有機絶縁層１２４は、第１無機絶縁層１２２ａ及び第２無機絶縁層１２２ｂによって密封されている。このような構成を有することによって、第２有機絶縁層１２４を介した、表示装置１００の外部から内部への水分の侵入経路を遮断することができる。
【００４８】
第２無機絶縁層１２２ｂの材料としては、第１無機絶縁層１２２ａと同様に、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましい。第２無機絶縁層１２２ｂの成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。
【００４９】
有機絶縁層は水分の侵入経路となりやすいため、第２有機絶縁層１２４に水分が侵入すると、第１無機絶縁層１２２ａに到達し、更に発光層１３２に侵入してしまうことが懸念される。本実施形態においては、第２有機絶縁層１２４によって高い平坦性を確保しているため、第２無機絶縁層１２２ｂは被覆性に優れ、そのため水分の侵入経路が発生しにくい。
【００５０】
図５Ａは、本実施形態に係る封止層１２０に対し、第１無機絶縁層１２２ａに第２開口部１３６を設けない従来の封止層を有する表示装置５００において、第２無機絶縁層１２２ｂに生じたクラックに起因した水分の侵入を説明する図である。図５Ｂは、本実施形態に係る封止層１２０において、第２無機絶縁層１２２ｂに生じたクラックに起因した水分の侵入を説明する図である。図５Ａ及び図５Ｂにおいては、共に第２有機絶縁層１２４の端部近傍に異物が付着し、当該異物に起因して第２無機絶縁層１２２ｂにクラックが生じた場合を示している。第２有機絶縁層１２４の端部近傍は、他の領域に比べて膜厚が薄いため、そこに異物が存在すると、当該異物に起因した凹凸が平坦化されにくい。第２有機絶縁層１２４による当該凹凸の平坦化が不十分であると、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥が生じ得る。第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥が生じた表示装置１００は、ダークスポットのような表示不良が発生し得るため、製品の出荷前に選別されるべきである。
【００５１】
図５Ａに示す従来の封止層１２０を有する表示装置５００においては、第２無機絶縁層１２２ｂのクラックを介して第２有機絶縁層１２４に侵入した水分は、第２有機絶縁層１２４内を伝搬する。ここで、第１無機絶縁層１２２ａ内にクラック等の欠陥が存在すると、当該クラックを介して水分が発光素子１２８に侵入することによって、ダークスポットが発生する場合がある。しかしながら、第１無機絶縁層１２２ａ内に発生するクラックの場所は予測不可能であるため、表示装置５００の製造時点からダークスポットの発生までに要する時間も予測不可能である。つまり、製品の出荷後にダークスポットが発生する場合もあり得る。
【００５２】
一方、図５Ｂに示す本実施形態に係る封止層１２０を有する表示装置１００においては、第２無機絶縁層１２２ｂのクラックを介して第２有機絶縁層１２４に侵入した水分は、第１無機絶縁層１２２ａに設けられた第２開口部１３６を介してバンク層１１８を水分通路として発光素子１２８に侵入することができる。これによって、第２開口部１３６に近い発光素子１２８ほど早期に劣化し、ダークスポットが発生する可能性が高くなる。以上のような理由で、本実施形態のような第２開口部１３６のレイアウトのために、第２無機絶縁層１２２ｂのクラックを介して侵入した水分は、ほぼ最短距離の侵入経路を辿って発光素子１２８に到達することができる。これによって、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥を有する表示装置１００を早期に発見することができ、製品の出荷前に選別することができる。
【００５３】
第２基板１０４は、第１基板１０２の表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、シール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。
【００５４】
シール材１１０は、第２基板１０４の周辺部を囲み、第１基板１０２と第２基板１０４とを固定する。第１基板１０２に配列された複数の画素１０６は、第２基板１０４とシール材１１０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により、複数の画素１０６の各々が有する発光素子１２８の劣化を抑制している。なお、第２基板１０４を第１基板１０２に固定する際に、必ずしもシール材１１０を用いなくても他の方法を用いてもよく、その際シール材１１０を設ける必要はない。
【００５５】
本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、封止層１２０にクラック等の欠陥を含む表示装置１００を早期に発見することができる。
【００５６】
＜第２実施形態＞
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置２００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置２００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置１００と同様である。図６は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する平面図であり、図７は、図６に示すＡの領域を拡大した平面図である。図７に示すＢ−Ｂ´の断面は、図４と共通である。
【００５７】
本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、第１無機絶縁層１２２ａが有する第２開口部１３６のレイアウトが異なっている。つまり、本実施形態においては、第１無機絶縁層１２２ａが有する第２開口部１３６は、複数であり、複数の画素１０６の外側に設けられている。換言すると、第２開口部１３６は、第１開口部に沿って、複数個が離隔されて配列されている。また、第２開口部１３６は、画素を囲む周状で連続し、少なくとも１箇所で破断した形状であってもよい。換言すると、２開口部は、第１開口部の環状溝に沿った連続する領域を有し、連続する領域は一端と他端とを有してもよい。
【００５８】
このような構成を有することによって、水分が第１絶縁層に侵入する経路は複数の第２開口部１３６に集中するため、発光素子１２８に侵入する水分量が増加する。これによって、発光素子１２８の劣化を更に早めることができ、封止層１２０にクラック等の欠陥を含む表示装置２００を更に早期に発見することができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置３００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置３００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置１００と同様である。図８は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する平面図であり、図９は、図８に示すＡの領域を拡大した平面図である。図１０は、図９に示すＢ−Ｂ´の断面図である。
【００６０】
本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、第１無機絶縁層１２２ａが有する第２開口部１３６のレイアウトが異なっている。つまり、本実施形態においては、第１無機絶縁層１２２ａが有する第２開口部１３６は、複数であり、複数の画素１０６間にも設けられている。また、複数の第２開口部１３６の各々は矩形状であり、行列状に配列された複数の画素１０６の内、最外周に配列された画素１０６の四方に配列されている。また、複数の第２開口部１３６の内、隣接する画素１０６間に設けられた第２開口部１３６は、平面視においてはバンク層１１８上に設けられ、断面視においては第１無機絶縁層１２２ａ、第２電極１３４、発光層１３２を貫通している。
【００６１】
このような構成を有することによって、水分の侵入経路は、画素の四方に設けられた複数の第２開口部１３６に集中するため、発光素子１２８に侵入する水分量が増加し、発光素子１２８の劣化を更に早めることができる。これによって、発光素子１２８の劣化を更に早めることができ、封止層１２０にクラック等の欠陥を含む表示装置３００を更に早期に発見することができる。
【００６２】
尚、複数の第２開口部１３６のレイアウトについては、上記の例に限られるものではない。例えば、複数の第２開口部１３６は、行列状に配列された複数の画素１０６の内、最外周に配列された画素１０６の四方のみならず、全ての画素１０６において隣接する画素１０６間に設けても構わない。このような構成によれば、ダークスポットを視認しやすくなる。
【００６３】
＜第４実施形態＞
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置４００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置４００の概略構成は、図１に示した第１実施形態に係る表示装置１００と同様であり、平面構成は、図３に示した第１実施形態に係る表示装置１００と同様である。図１１は、図３に示すＢ−Ｂ´の断面図である。本実施形態においては、第１実施形態に係る表示装置と比べると、複数の画素の各々を構成するトランジスタ及び発光層１３２の構成について更に詳細に示している。以下では、これらの構成について詳細に説明する。
【００６４】
複数の画素１０６の各々は、少なくとも、駆動トランジスタ１４２、選択トランジスタ、発光素子及び保持容量を含んでいる。図１１の断面図においては、駆動トランジスタ１４２及び発光素子１２８のみが示されている。
【００６５】
駆動トランジスタ１４２等のトランジスタは、下地絶縁層１４４の上層に配置されている。駆動トランジスタ１４２のドレインは、発光素子の陽極に接続されている。本実施形態においては、駆動トランジスタ１４２は、その半導体層の上層にゲート絶縁層１４８を介してゲートが配置される、所謂トップゲート構造を有している。半導体層の材料としては、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は酸化物半導体等を用いることができる。ゲート絶縁層１４８の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。また、第１開口部１１４ａの外側において、駆動トランジスタ１４２等のトランジスタと同じ層に、駆動回路を構成するトランジスタ１４３が設けられている。
【００６６】
駆動トランジスタ１４２等のトランジスタは、それらの上層に設けられる層間絶縁層１４６によって被覆されている。層間絶縁層１４６の材料としては、無機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。または、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。
【００６７】
発光素子１２８は、自発光型の発光素子である。自発光型の発光素子としては、例えば有機ＥＬ発光素子を用いることができる。有機ＥＬ発光素子は、第１電極１３０、第２電極１３４及び発光層１３２を有している。
【００６８】
また、本実施形態においては、複数の画素１０６の各々において、第１電極１３０よりも下層に絶縁層１４０が配置され、絶縁層１４０よりも下層に導電層１３８が配置される。導電層１３８、絶縁層１４０及び第１電極１３０によって画素１０６毎に容量を設けることができる。
【００６９】
第１有機絶縁層１１４は、本実施形態においても、平坦化絶縁層１１６及びバンク層１１８を有する。平坦化絶縁層１１６は、層間絶縁層１４６の上の層、且つ導電層１３８の下の層に配置されている。平坦化絶縁層１１６は、その下の層に配置されるトランジスタ等（図示せず）に起因する凹凸を平坦化するために設けられている。
【００７０】
バンク層１１８は、複数の画素１０６の各々を区画する。具体的には、バンク層１１８は、第１電極１３０及び発光層１３２の間の層に配置され、第１電極１３０の端部を被覆する。バンク層１１８は、更に、駆動トランジスタ１４２のドレインと第１電極１３０との接続部を覆うように設けられている。バンク層１１８は、隣接する２つの第１電極１３０間に設けられ、隣接する２つの画素１０６を区画している。
【００７１】
絶縁層１４０は、平坦化絶縁層１１６の上層、且つバンク層１１８の下層に配置されている。絶縁層１４０の材料としては、無機絶縁層を用いることができる。絶縁層１４０は、第３開口部１４０ａを有している。本実施形態においては、第３開口部１４０ａは、平坦化絶縁層１１６に重畳する領域において、最外周の画素１０６の外側に設けられているが、これに限られるものではない。第３開口部１４０ａは、複数であってもよく、表示領域１０２ａ内の複数の画素１０６間に設けられてもよい。バンク層１１８と平坦化絶縁層１１６とは、絶縁層１４０の第３開口部１４０ａを介して接触している。このような第３開口部１４０ａを有することによって、表示装置４００の製造工程において、平坦化絶縁層１１６の形成後であっても、平坦化絶縁層１１６に含まれた水分を、第３開口部１４０ａを介して放出することができる。
【００７２】
図１１においては、封止層１２０において、第２無機絶縁層１２２ｂに生じたクラックに起因した水分の侵入経路について示している。本実施形態に係る表示装置４００においては、第２無機絶縁層１２２ｂのクラックを介して第２有機絶縁層１２４に侵入した水分は、第１無機絶縁層１２２ａに設けられた第２開口部１３６を介して第１有機絶縁層１１４に侵入することができる。そして、第１有機絶縁層１１４の内、バンク層１１８を伝搬して発光素子１２８に到達する経路Ｃと、第１有機絶縁層１１４の内、平坦化絶縁層１１６を伝搬して発光素子１２８に到達する経路Ｄとがあり得る。ここで、経路Ｄは、絶縁層１４０の第３開口部１４０ａを介して、バンク層１１８と平坦化絶縁層１１６とを繋ぐ。これによって、第２開口部１３６に近い発光素子１２８ほど早期に劣化し、ダークスポットが発生する場合がある。ここで、本実施形態のような第２開口部１３６のレイアウトのために、第２無機絶縁層１２２ｂのクラックを介して侵入した水分は、ほぼ最短距離の侵入経路を辿って発光素子１２８に到達することができる。これによって、第２無機絶縁層１２２ｂにクラック等の欠陥を有する表示装置１００を早期に発見することができ、製品の出荷前に選別することができる。
【００７３】
以上、本発明の好ましい態様を説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００７４】
表示装置・・・１００、２００、３００、４００、５００、第１基板・・・１０２、表示領域・・・１０２ａ、端子領域・・・１０２ｂ、第２基板・・・１０４、画素・・・１０６、接続端子・・・１０８、シール材・・・１１０、ドライバＩＣ・・・１１２、第１有機絶縁層・・・１１４、第１開口部・・・１１４ａ、平坦化絶縁層・・・１１６、バンク層・・・１１８、封止層・・・１２０、第１無機絶縁層・・・１２２ａ、第２無機絶縁層・・・１２２ｂ、第２有機絶縁層・・・１２４、発光素子・・・１２８、第１電極・・・１３０、発光層・・・１３２、第２電極・・・１３４、第２開口部・・・１３６、導電層・・・１３８、絶縁層・・・１４０、第３開口部・・・１４０ａ、駆動トランジスタ・・・１４２、下地絶縁層・・・１４４、層間絶縁層・・・１４６、ゲート絶縁層・・・１４８
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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