(57)【要約】【課題】浸み出しによってテンプレートのメサ部に堆積したレジストを除去することができるインプリント装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板保持部と、テンプレート保持部と、ノズルと、を備えるインプリント装置が提供される。基板保持部は、基板１００を保持する。また、基板保持部には、基板１００が載置されている第１領域の外周部よりも外側の第２領域に排気機構および給気機構のうち少なくとも一方を含むレジスト除去機構が設けられる。テンプレート保持部は、凹凸パターンを有するテンプレート２００を基板保持部１１に対向して保持し、基板１００上に滴下されるレジスト３００にテンプレート２００を接触可能である。ノズルは、基板１００上にレジスト３００を吐出する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持し、前記基板が載置されている第１領域の外周部よりも外側の第２領域に排気機構および給気機構のうち少なくとも一方を含むレジスト除去機構が設けられる基板保持部と、
凹凸パターンを有するテンプレートを前記基板保持部に対向して保持し、前記基板上に滴下されるレジストに前記テンプレートを接触可能なテンプレート保持部と、
前記基板上に前記レジストを吐出するノズルと、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記テンプレートは、前記凹凸パターンが配置されたメサ部を有し、
前記レジスト除去機構は、前記テンプレートを前記レジストに接触させているときに前記基板上での前記メサ部に対応するショット領域のうち、前記第２領域に位置する前記ショット領域の外周部分に沿って設けられることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
基板を基板保持部上に載置し、
前記基板上にレジストを滴下し、
凹凸パターンを有するテンプレートを前記レジストに接触させ、
前記テンプレートが前記レジストに接触している状態で、前記基板が載置されている第１領域の外周部よりも外側の第２領域に設けられた排気機構および給気機構のうち少なくとも一方を含むレジスト除去機構を用いて、前記第２領域に対向する前記テンプレートの位置のレジストを除去することを特徴とするインプリント方法。
【請求項４】
前記テンプレートは、前記凹凸パターンが配置されたメサ部を有し、
前記レジスト除去機構は、前記テンプレートを前記レジストに接触させているときに前記基板上での前記メサ部に対応するショット領域のうち、前記第２領域に位置する前記ショット領域の外周部分に沿って設けられ、
前記レジストの除去では、前記メサ部の外周部に付着した前記レジストを除去することを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
基板を基板保持部上に載置し、
前記基板上にレジストを滴下し、
凹凸パターンを有するテンプレートを前記レジストに接触させ、
前記基板を保持している第１領域の外周部よりも外側の第２領域に前記凹凸パターンがはみ出している場合に、前記テンプレートを前記レジストに接触させている状態で、前記凹凸パターンがはみ出している領域で前記テンプレートの表面、および前記基板の側面に沿ったガスの層流を形成し、
前記層流を維持したまま前記凹凸パターンに前記レジストを充填させ、
前記層流を維持したまま前記凹凸パターンに充填した前記レジストに紫外線を照射することを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント装置およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント方法では、加工対象上にレジストを滴下し、その後にテンプレートをレジストに接触させ、レジストを硬化させ、マスクパターンを形成する。しかし、インプリント方法では、テンプレートの押印時に、テンプレートがレジスト層と接触するため、余剰なレジストがテンプレートの端から浸み出してしまう。余剰なレジストが加工対象上の次ショットの領域まで達すると、次ショットが正常に押印できなくなってしまう。また、テンプレートのメサ部に余剰なレジストが堆積して加工対象上に落下し、パーティクル源となってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１６１８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、浸み出しによってテンプレートのメサ部に堆積したレジストを除去することができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、基板保持部と、テンプレート保持部と、ノズルと、を備えるインプリント装置が提供される。前記基板保持部は、基板を保持する。また、前記基板保持部には、前記基板が載置されている第１領域の外周部よりも外側の第２領域に排気機構および給気機構のうち少なくとも一方を含むレジスト除去機構が設けられる。前記テンプレート保持部は、凹凸パターンを有するテンプレートを前記基板保持部に対向して保持し、前記基板上に滴下されるレジストに前記テンプレートを接触可能である。前記ノズルは、前記基板上に前記レジストを吐出する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、インプリント装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部上面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、第２の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。
【図７】図７は、第２の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】図８は、第３の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。
【図９】図９は、第３の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部拡大図である。
【図１０】図１０は、第３の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、第４の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。
【図１２】図１２は、第４の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。
【図１３】図１３は、第５の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。
【図１４】図１４は、第５の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。
【図１５】図１５は、比較例によるインプリント処理時の様子を模式的に示す一部断面図である。
【図１６】図１６は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるインプリント装置およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態で用いられるインプリント装置の断面図は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係および各部材の厚みの比率などは現実のものとは異なる場合がある。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、インプリント装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。インプリント装置１０は、基板１００を保持する基板ステージ１１を備える。基板ステージ１１は、基板載置領域１１１と、基板外周部領域１１２と、を有する。基板載置領域１１１は、基板１００が載置される領域である。基板載置領域１１１の平面視上のサイズは、基板１００のサイズと略同じである。基板載置領域１１１には、チャック１２が設けられる。チャック１２は、パターンの形成対象である基板１００を保持する。チャック１２は、基板１００をたとえば真空吸着によって保持する。基板外周部領域１１２は、基板載置領域１１１の外側を囲むように設けられる。基板外周部領域１１２の上面の位置は、基板載置領域１１１の上面の位置よりも、基板１００の厚さ分だけ高くされる。すなわち、基板ステージ１１に基板１００を載置した場合には、基板１００の上面の位置と、基板外周部領域１１２の上面の位置とが略一致する。基板保持部は、基板ステージ１１とチャック１２とを含む。
【０００９】
基板１００は、半導体基板等の基板（ウェハ）、あるいは下地パターンと下地パターン上に形成された被加工レイヤとが形成された基板であり、パターンが転写される基板である。パターン転写時には、さらに、被加工レイヤ上に形成されたレジストを含む。被加工レイヤとしては、絶縁膜、金属膜（導電膜）または半導体膜などを挙げることができる。
【００１０】
基板ステージ１１は、ステージ定盤１３の上に移動可能に設けられる。基板ステージ１１は、ステージ定盤１３の上面１３ａに設けられた２軸に沿ってそれぞれ移動可能な構成を有する。ここで、ステージ定盤１３の上面１３ａに設けられた２軸を、Ｘ軸およびＹ軸とする。基板ステージ１１は、Ｘ軸およびＹ軸と直交する高さ方向のＺ軸にも移動可能に設けられる。基板ステージ１１には、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸のそれぞれを中心として回転可能に設けられていることが望ましい。
【００１１】
基板ステージ１１には、基準マーク台１４が設けられる。基準マーク台１４の上には、インプリント装置１０の基準位置となる図示しない基準マークが設置される。基準マークは、たとえば市松模様状の回折格子で構成される。基準マークは、アライメントスコープ３０の校正およびテンプレート２００の位置決め（姿勢制御・調整）に利用される。基準マークは、基板ステージ１１上の原点である。基板ステージ１１の上に載置される基板１００のＸ，Ｙ座標は、基準マーク台１４を原点とした座標になる。
【００１２】
インプリント装置１０は、テンプレートステージ２１を備える。テンプレートステージ２１は、テンプレート（原版、モールド）２００を固定する。テンプレートステージ２１は、テンプレート２００の周縁部分をたとえば真空吸着によって保持する。テンプレートステージ２１は、テンプレート２００を装置基準に位置決めするように動作する。テンプレートステージ２１は、ベース部２２に取り付けられる。
【００１３】
ベース部２２には、補正機構２３および加圧部２４が取り付けられる。補正機構２３は、たとえばコントローラ５０から指示を受けてテンプレート２００の位置（姿勢）を微調整する調整機構を有する。これによって、テンプレート２００と基板１００との相対的な位置が補正される。
【００１４】
加圧部２４は、テンプレート２００の側面に応力を与えてテンプレート２００の歪みを矯正する。加圧部２４は、テンプレート２００の４つの側面から中心に向けてテンプレート２００を加圧する。これにより、転写するパターンの大きさを補正（倍率補正）する。加圧部２４は、たとえばコントローラ５０から指示を受けてテンプレート２００を所定の応力で加圧する。
【００１５】
ベース部２２は、アライメントステージ２５に取り付けられる。アライメントステージ２５は、テンプレート２００と基板１００との位置合わせを行うため、ベース部２２をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる。アライメントステージ２５は、ベース部２２をＸＹ平面に沿って回転させる機能も備える。ＸＹ平面に沿った回転の方向をθ方向とする。なお、テンプレート保持部は、テンプレートステージ２１を含むが、このほかに、ベース部２２、補正機構２３、加圧部２４およびアライメントステージ２５を含んでもよい。
【００１６】
アライメントスコープ３０は、テンプレート２００に設けられたアライメントマークと、基板１００に設けられたアライメントマークとを検出する。基板１００のアライメントマークおよびテンプレート２００のアライメントマークは、テンプレート２００と基板１００との相対的な位置ずれを計測するために使用される。なお、図１では、アライメントスコープ３０は左右の２つのみ図示されているが、４つ以上あることが好ましい。
【００１７】
インプリント装置１０は、光源４１と、塗布部４２と、を備える。光源４１は、たとえば紫外線域の電磁波を放射する。光源４１は、たとえばテンプレート２００の直上に設置される。別の場合には、光源４１は、テンプレート２００の直上には配置されない。この場合には、光源４１から放出した光をテンプレート２００の直上からテンプレート２００に向けて照射するように、ミラー等の光学部材を用いて光路を設定する。
【００１８】
塗布部４２は、基板１００上にレジストを塗布する部材である。たとえば、塗布部４２はノズルを有し、基板１００の上にノズルからレジストを滴下する。
【００１９】
インプリント装置１０は、コントローラ５０を備える。コントローラ５０は、インプリント装置１０全体を制御する。たとえば、コントローラ５０は、基板ステージ１１の制御処理、光源４１の制御処理、位置ずれ補正処理、テンプレート高さ演算処理、および倍率補正処理などを、それぞれの処理内容が記述されたプログラムにしたがって実行する。
【００２０】
基板ステージ１１の制御処理は、基板ステージ１１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向およびθ方向に制御する信号を生成する処理である。これによって、テンプレート２００と基板ステージ１１との相対的な位置が制御される。光源４１の制御処理は、レジストを硬化させる際に、光源４１による光の照射タイミングまたは照射量を制御する処理である。
【００２１】
位置ずれ補正処理は、テンプレート２００のアライメントマークと、基準マーク台１４の基準マークまたは基板１００のアライメントマークと、を用いて、基準マークに対するテンプレート２００の位置ずれと、テンプレート２００に対する基板１００の位置ずれと、を求める。そして、これらの位置ずれに基づいて、テンプレートステージ２１と基板ステージ１１とのアライメントを行うための演算を行って、位置ずれを補正する。
【００２２】
テンプレート高さ演算処理は、テンプレート２００のアライメントマークと、基板１００のアライメントマークまたは基準マーク台１４の基準マークと、を用いて、テンプレート２００のアライメントマークの形成位置におけるテンプレート高さを演算する。
【００２３】
倍率補正処理は、テンプレート高さに基づいて所定の演算を行い、テンプレート２００の倍率補正を行うための応力を算出する。そして、この応力を発生させるための信号を加圧部２４に与える。
【００２４】
図２は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。図３は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部上面図であり、図２の領域Ｒ１の拡大図である。図４は、第１の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図であり、図２のＡ−Ａ断面図である。なお、図４では、説明の便宜上、テンプレート２００も同時に描いている。
【００２５】
インプリント方法で用いられるテンプレート２００は、凹凸パターンが形成されるメサ部２０１と、それ以外の領域であるオフメサ部２０２と、を有し、メサ部２０１はオフメサ部２０２に対して数十μｍ突出したメサ構造を有する。このメサ部２０１が、テンプレート２００の押印時に、基板１００上のレジスト３００と接触する。インプリント処理時にメサ部２０１が接触する部分をショット領域ＲSという。テンプレート２００は、石英または蛍石などの紫外線を透過する材料で形成される。
【００２６】
基板１００の中央付近のショット領域ＲSは、すべて基板１００内に収まる。しかし、基板１００の外周付近のショット領域ＲSの一部は、基板１００からはみ出してしまう。このように基板１００からパターンがはみ出してしまうショットを欠けショットという。基板ステージ１１に保持された基板１００におけるショット領域ＲSの位置は、予め定められている。そのため、基板ステージ１１の基板外周部領域１１２におけるはみ出したショット領域ＲSの位置も決まっている。
【００２７】
第１の実施形態では、基板ステージ１１の基板外周部領域１１２にはみ出したショット領域ＲSの外周部２５１に沿って、排気孔１２１が設けられる。この例では、排気孔１２１は、基板ステージ１１を厚さ方向に貫通するように設けられる。たとえば、直径が０．５ｍｍの排気孔１２１が１ｍｍ間隔でショット領域ＲSの外周部２５１に沿って設けられる。そして、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、図示しない真空ポンプなどの排気部と接続される。排気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。第１の実施形態において、排気機構は、排気孔１２１と排気部とを含む。また、レジスト除去機構は、排気機構を含む。
【００２８】
このような構造によって、欠けショット領域でテンプレート２００を基板１００上のレジスト３００と接触させているときに、基板１００から基板外周部領域１１２へと浸み出してきたレジスト、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１の端部に堆積したレジストなどの付着物３１０を、排気部からの吸引力によって吸い取る。たとえば、付着物３１０が固まっていない場合には、付着物３１０から揮発するガスを吸引する。また、付着物３１０が固まっている場合には、排気部からの吸引力によって付着物３１０をテンプレート２００から引き剥がし、排気孔１２１から吸い取る。これによって、テンプレート２００に付着した付着物３１０が除去される。
【００２９】
さらに、排気孔１２１は、基板外周部領域１１２に存在するショット領域ＲSの端部に沿って設けられているので、メサ部２０１の端部が排気孔１２１からの吸引力によって吸引されることになる。その結果、メサ部２０１の端部に付着しやすい付着物３１０をテンプレート２００から落とし、排気孔１２１から吸い取ることができる。
【００３０】
つぎに、このようなインプリント装置１０におけるインプリント方法について説明する。図５は、第１の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、基板１００をインプリント装置１０の基板ステージ１１上にロードする（ステップＳ１１）。ついで、基板１００の対象のショット領域ＲSにレジスト３００をインクジェット法で滴下する（ステップＳ１２）。なお、ショット領域ＲSが欠けショットとなる場合には、基板外周部領域１１２のショット領域ＲSにはレジスト３００は滴下されない。
【００３１】
その後、テンプレート２００を下降して基板１００上のレジスト３００に接触させて押印する（ステップＳ１３）。このレジスト３００の押印処理では、位置合わせ処理も行われる。つぎに、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ１４）。対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ１４でＹｅｓの場合）には、レジスト３００の押印処理が開始されると、基板１００の基板ステージ１１の基板外周部領域１１２に設けられた排気孔１２１から排気が行われる（ステップＳ１５）。排気は、たとえば排気孔１２１から２０Ｌ／ｍｉｎの流速で行われる。排気孔１２１の直上にテンプレート２００のメサ部２０１の端部が位置するので、メサ部２０１の端部に浸み出したレジスト３００などの付着物３１０を吸い取ることができる。
【００３２】
その後、あるいはステップＳ１４で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ１４でＮｏの場合）には、所定の時間が経過したかを判定する（ステップＳ１６）。所定の時間は、テンプレート２００のパターン間にレジスト３００が充填される時間以上の時間とされる。所定の時間が経過していない場合（ステップＳ１６でＮｏの場合）には、所定の時間が経過するまで待ち状態となる。
【００３３】
所定の時間が経過した場合（ステップＳ１６でＹｅｓの場合）には、レジスト３００に紫外線照射が行われる（ステップＳ１７）。これによって、テンプレート２００で押印されているレジスト３００が硬化する。その後、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ１８）。対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ１８でＹｅｓの場合）には、排気孔１２１からの排気が停止される（ステップＳ１９）。
【００３４】
その後、あるいはステップＳ１８で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ１８でＮｏの場合）には、テンプレート２００が基板１００から離型される（ステップＳ２０）。ついで、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行ったかを判定する（ステップＳ２１）。すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行っていない場合（ステップＳ２１でＮｏの場合）には、つぎのショット領域ＲSを選択し（ステップＳ２２）、ステップＳ１２へと処理が戻る。また、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行った場合（ステップＳ２１でＹｅｓの場合）には、処理が終了する。
【００３５】
第１の実施形態では、インプリント装置１０の基板外周部領域１１２のショット領域ＲSの外周部２５１に沿って排気孔１２１を設け、テンプレート２００の押印時に排気孔１２１で排気するようにした。これによって、欠けショットでのテンプレート２００の押印時に、基板外周部領域１１２にはみ出しているメサ部２０１の端部に浸み出してきたレジスト３００を吸引することができる。また、メサ部２０１の端部に付着した付着物３１０を基板ステージ１１側に落下させ、吸引することができる。特に、メサ部２０１の端部に中途半端にぶら下がっている付着物３１０、または固着していないレジストからなる付着物３１０などを吸い取ることができる。その結果、押印時のレジスト３００が隣接するショット領域ＲSに浸み出すことを抑制し、またテンプレート２００のメサ部２０１に余剰なレジスト３００が堆積して加工対象上に落下し、パーティクル源となってしまうことも抑制することができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、基板ステージの基板外周部領域内に設けられたショット領域の外周部に沿って、排気孔を設ける場合を説明した。第２の実施形態では、基板外周部領域のショット領域の外周部に沿って給気孔を設ける場合を説明する。
【００３７】
図６は、第２の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図である。第２の実施形態によるインプリント装置１０の構成は、第１の実施形態の排気孔１２１が給気孔１２２で置き換わったものである。そのため、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、給気孔１２２は図示しないガスボンベなどのガス供給部と接続される。ガスとしては、オゾン（Ｏ3）、空気、酸素、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどが用いられる。また、給気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。第２の実施形態において、給気機構は、給気孔１２２とガス供給部とを含む。また、レジスト除去機構は、給気機構を含む。
【００３８】
このような構造によって、テンプレート２００を基板１００の欠けショット領域上のレジスト３００に押印しているときに、基板１００から基板外周部領域１１２へと浸み出してきたレジスト、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１の端部に堆積した未硬化状態のレジストなどの付着物３１０に、給気孔１２２からのガスが吹き付けられる。その結果、付着物３１０を揮発させることができる。なお、ガスとしてオゾンが使用される場合には、オゾンが有するラジカルの化学反応によって、レジスト３００が炭化水素に分解されてガス化される。
【００３９】
なお、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその詳細を省略している。
【００４０】
つぎに、第２の実施形態によるインプリント方法について説明する。なお、ここでは、給気ガスとして、オゾンを用いる場合を例に挙げる。図７は、第２の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。第１の実施形態の図５のステップＳ１１〜Ｓ１４と同様に、基板１００をインプリント装置１０の基板ステージ１１上にロードし、ショット領域ＲSにレジスト３００を滴下し、テンプレート２００を下降させてレジスト３００を押印し、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ３１〜Ｓ３４）。
【００４１】
対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ３４でＹｅｓの場合）には、レジスト３００の押印処理が開始されると、基板１００の基板ステージ１１の基板外周部領域１１２に設けられた給気孔１２２からオゾンガスが供給される（ステップＳ３５）。たとえば給気孔１２２から２０Ｌ／ｍｉｎの流速でオゾンの給気が行われる。給気孔１２２の直上にテンプレート２００のメサ部２０１の端部が位置するので、メサ部２０１の端部に浸み出したレジスト３００にオゾンガスを吹き付けられる。
【００４２】
その後、あるいはステップＳ３４で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ３４でＮｏの場合）には、所定の時間が経過したかを判定する（ステップＳ３６）。所定の時間は、テンプレート２００のパターン間にレジスト３００が充填される時間以上の時間とされる。所定の時間が経過していない場合（ステップＳ３６でＮｏの場合）には、所定の時間が経過するまで待ち状態となる。
【００４３】
所定の時間が経過した場合（ステップＳ３６でＹｅｓの場合）には、レジスト３００に紫外線照射が行われる（ステップＳ３７）。これによって、レジスト３００が硬化する。このとき、波長２５４ｎｍの紫外線を照射すると、オゾンガスが分解し、励起状態の活性酸素Ｏ-が生成する。活性酸素Ｏ-は、テンプレート２００のメサ部２０１に付着したレジスト３００成分と結合し、ＣＯ2等のガスとなる。
【００４４】
その後、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ３８）。対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ３８でＹｅｓの場合）には、給気孔１２２からのオゾンの給気が停止される（ステップＳ３９）。
【００４５】
その後、あるいはステップＳ３８で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ３８でＮｏの場合）には、テンプレート２００が基板１００から離型される（ステップＳ４０）。ついで、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行ったかを判定する（ステップＳ４１）。すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行っていない場合（ステップＳ４１でＮｏの場合）には、つぎのショット領域ＲSを選択し（ステップＳ４２）、ステップＳ３２へと処理が戻る。また、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行った場合（ステップＳ４１でＹｅｓの場合）には、処理が終了する。
【００４６】
なお、上記した説明では、給気孔１２２から給気するガスがオゾンである場合を例に挙げたが、給気するガスはこれに限定されない。給気するガスが、たとえば、空気、酸素、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどであってもよい。この場合には、たとえば欠けショット領域でのテンプレート２００の押印時にテンプレート２００の端部に浸み出してきたレジスト３００が吹き付けられるガスによって揮発され易くなる。
【００４７】
第２の実施形態では、基板外周部領域１１２のショット領域ＲSの外周部２５１に沿って給気孔１２２を設け、テンプレート２００の押印時に給気孔１２２からガスを給気するようにした。これによって、欠けショットでのテンプレート２００の押印時に、メサ部２０１の端部に浸み出してきたレジスト３００、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１の端部に堆積した未硬化状態のレジスト３００などの付着物３１０が揮発され易くなる。また、オゾンを用いることで、紫外線照射時に、励起状態の活性酸素が生成され、この活性酸素によって、メサ部２０１に付着したレジスト３００成分がＣＯ2等のガスに分解される。その結果、押印時のレジスト３００が隣接するショット領域ＲSに浸み出すことを抑制し、またテンプレート２００のメサ部２０１に余剰なレジスト３００が堆積して加工対象上に落下し、パーティクル源となってしまうことも抑制することができる。
【００４８】
（第３の実施形態）
第１の実施形態では、基板ステージの基板外周部領域内に設けられたショット領域の外周部に沿って、排気孔を設ける場合を説明し、第２の実施形態では、基板外周部領域内に設けられたショット領域の外周部に沿って給気孔を設ける場合を説明した。第３の実施形態では、基板外周部領域のショット領域の外周部に沿って排気孔および給気孔を設ける場合を説明する。
【００４９】
図８は、第３の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図であり、図９は、第３の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部上面図である。なお、図９では、説明の便宜上、テンプレート２００も同時に描いている。第３の実施形態によるインプリント装置１０の構成は、第１の実施形態の排気孔１２１が、排気孔１２１と給気孔１２２とで置き換わったものである。この例では、排気孔１２１と給気孔１２２とが、基板外周部領域１１２にはみ出したショット領域ＲSの外周部２５１に沿って交互に設けられる。
【００５０】
排気孔１２１は、基板ステージ１１を厚さ方向に貫通するように設けられる。そして、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、排気孔１２１は図示しない真空ポンプなどの排気部と接続される。排気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
【００５１】
給気孔１２２は、基板ステージ１１を厚さ方向に貫通するように設けられる。そして、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、給気孔１２２は図示しないガスボンベなどのガス供給部と接続される。ガスとしては、オゾン（Ｏ3）、空気、酸素、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどが用いられる。また、給気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。第３の実施形態において、排気機構は、排気孔１２１と排気部とを含み、給気機構は、給気孔１２２とガス供給部とを含む。また、レジスト除去機構は、排気機構と給気機構とを含む。
【００５２】
このような構造によって、テンプレート２００を基板１００の欠けショット領域上のレジスト３００に押印しているときに、基板１００から基板外周部領域１１２へと浸み出してきたレジスト、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１の端部に堆積したレジストなどの付着物３１０に、給気孔１２２からガスが吹き付けられる。付着物３１０が未硬化状態のレジストである場合には、ガスを吹き付けることによって、付着物３１０を揮発させることができる。また、ガスとしてオゾンを使用する場合には、オゾンが有するラジカルの化学反応によって、レジスト３００が炭化水素に分解されてガス化される。このとき、揮発した成分、またはレジスト３００の分解によって生じたガスは、排気孔１２１から排気される。あるいは、給気孔１２２からのガスによる物理的な力で、付着物３１０がメサ部２０１から剥される。剥された付着物３１０は、排気孔１２１へと排出される。このようにして、テンプレート２００に付着したレジスト３００が除去される。
【００５３】
なお、第１および第２の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその詳細を省略している。
【００５４】
つぎに、第３の実施形態によるインプリント方法について説明する。なお、ここでは、給気ガスとして、オゾンを用いる場合を例に挙げる。図１０は、第３の実施形態によるインプリント方法の手順の一例を示すフローチャートである。第１の実施形態の図５のステップＳ１１〜Ｓ１４と同様に、基板１００をインプリント装置１０の基板ステージ１１上にロードし、ショット領域ＲSにレジスト３００を滴下し、テンプレート２００を下降させてレジスト３００を押印し、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ５１〜Ｓ５４）。
【００５５】
対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ５４でＹｅｓの場合）には、レジスト３００の押印処理が開始されると、基板１００の基板ステージ１１の基板外周部領域１１２に設けられた給気孔１２２からオゾンガスが供給されるとともに、排気孔１２１から排気が行われる（ステップＳ５５）。給気は、たとえば給気孔１２２から２０Ｌ／ｍｉｎの流速で行われる。給気孔１２２の直上にテンプレート２００のメサ部２０１の端部が位置するので、メサ部２０１の端部に浸み出したレジスト３００にオゾンガスを吹き付けることができる。また、排気は、たとえば排気孔１２１から２０Ｌ／ｍｉｎの流速で行われる。排気孔１２１の直上にテンプレート２００のメサ部２０１の端部が位置するので、メサ部２０１の端部に浸み出したレジスト３００を吸い取るとともに、オゾンガスの吹き付けによって揮発した成分を排気することができ、あるいはオゾンガスの吹き付けによって落下した成分を排出することができる。
【００５６】
その後、あるいはステップＳ５４で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ５４でＮｏの場合）には、所定の時間が経過したかを判定する（ステップＳ５６）。所定の時間は、テンプレート２００のパターン間にレジスト３００が充填される時間以上の時間とされる。所定の時間が経過していない場合（ステップＳ５６でＮｏの場合）には、所定の時間が経過するまで待ち状態となる。
【００５７】
所定の時間が経過した場合（ステップＳ５６でＹｅｓの場合）には、レジスト３００に紫外線照射が行われる（ステップＳ５７）。これによって、レジスト３００が硬化する。このとき、波長２５４ｎｍの紫外線を照射すると、オゾンガスが分解し、励起状態の活性酸素Ｏ-が生成する。活性酸素Ｏ-は、テンプレート２００のメサ部２０１に付着したレジスト３００成分と結合し、ＣＯ2等のガスとなる。このＣＯ2等のガスは、排気孔１２１から除去される。
【００５８】
その後、対象のショット領域ＲSが欠けショットであるかを判定する（ステップＳ５８）。対象のショット領域ＲSが欠けショットである場合（ステップＳ５８でＹｅｓの場合）には、給気孔１２２からのオゾンガスの給気が停止されるとともに、排気孔１２１からの排気が停止される（ステップＳ５９）。
【００５９】
その後、あるいはステップＳ５８で対象のショット領域ＲSが欠けショットではない場合（ステップＳ５８でＮｏの場合）には、テンプレート２００を基板１００から離型する（ステップＳ６０）。ついで、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行ったかを判定する（ステップＳ６１）。すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行っていない場合（ステップＳ６１でＮｏの場合）には、つぎのショット領域ＲSを選択し（ステップＳ６２）、ステップＳ５２へと処理が戻る。また、すべてのショット領域ＲSについてインプリント処理を行った場合（ステップＳ６１でＹｅｓの場合）には、処理が終了する。
【００６０】
なお、上記した説明では、給気孔１２２から給気するガスがオゾンである場合を例に挙げたが、給気するガスはこれに限定されない。給気するガスが、たとえば、空気、酸素、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどであってもよい。この場合には、たとえばテンプレート２００の押印時にテンプレート２００の端部に浸み出してきたレジスト３００が吹き付けられるガスによって揮発され易くなる。また、吹き付けられたことによって落下した付着物３１０を、排気孔１２１から排出することができる。
【００６１】
第３の実施形態では、基板外周部領域１１２のショット領域ＲSの外周部２５１に沿って給気孔１２２と排気孔１２１とを交互に設け、テンプレート２００の押印時に給気孔１２２からガスを給気するとともに排気孔１２１から排気するようにした。これによって、欠けショットでのテンプレート２００の押印時に、メサ部２０１の端部に浸み出してきたレジスト３００が揮発され易くなり、揮発した成分を周囲の雰囲気中に拡散させることなく排気することができる。また、オゾンを用いることで、紫外線照射時に、励起状態の活性酸素が生成され、この活性酸素によって、メサ部２０１に付着したレジスト３００成分がＣＯ2等のガスに分解される。分解されたガスを、周囲の雰囲気中に拡散させることなく排気することができる。さらに、給気孔１２２からのガスによる物理的な力によって、メサ部２０１の端部に付着した付着物３１０を剥し、剥がれた付着物３１０を排気孔１２１から排出することもできる。その結果、押印時のレジスト３００が隣接するショット領域ＲSに浸み出すことを抑制し、またテンプレート２００のメサ部２０１に余剰なレジスト３００が堆積して加工対象上に落下し、パーティクル源となってしまうことも抑制することができる。
【００６２】
（第４の実施形態）
第１〜第３の実施形態では、基板ステージの基板外周部領域におけるショット領域の外周に沿って、排気孔または給気孔が設けられる場合を説明した。これらの場合は、ショット領域の大きさが一定の場合である。そのため、メサ部の大きさ、あるいは基板上のショット領域の配置が変更される場合には、対応することができない。第４の実施形態では、メサ部の大きさあるいは基板上のショット領域の配置位置が変化する場合でも、欠けショット領域でのショット時にテンプレートの端部に付着した付着物を除去することができるインプリント装置およびインプリント方法について説明する。
【００６３】
図１１は、第４の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。図１２は、第４の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図であり、図１１のＢ−Ｂ断面図である。基板ステージ１１には、基板外周部領域１１２の基板載置領域１１１側に、基板載置領域１１１を取り囲むように溝１１３が設けられている。この溝１１３の幅は、たとえばテンプレート２００のメサ部２０１の幅と略同じサイズを有する。給気孔１２２および排気孔１２１は、溝１１３内に設けられる。ここでは、基板ステージ１１（基板載置領域１１１）の中心から第１半径の距離に、円周方向に所定の間隔をおいて給気孔１２２が設けられ、その中心から第２半径の距離に、円周方向に所定の間隔をおいて排気孔１２１が設けられる。第１半径と第２半径の大小は任意である。図の例では、第２半径の方が第１半径よりも大きい場合を示している。
【００６４】
溝１１３の中に給気孔１２２が配置されることによって、給気孔１２２からのガスは溝１１３に沿って所定の範囲を移動することが可能になる。同様に、溝１１３の中に排気孔１２１が配置されることによって、排気孔１２１は、溝１１３に沿って所定の範囲のガスを排気することができる。その結果、メサ部２０１の形状あるいは基板１００上のショット領域ＲSの配置位置にかかわらず、テンプレート２００のメサ部２０１の端部に浸み出してきたレジスト、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１の端部に堆積したレジストなどの付着物３１０を除去することが可能になる。第４の実施形態において、排気機構は、排気孔１２１と排気部とを含み、給気機構は、給気孔１２２とガス供給部とを含む。また、レジスト除去機構は、排気機構と給気機構とを含む。
【００６５】
なお、第１〜第３の実施形態で説明したものと同一の構成要素には、同一の符号を付して、その説明を省略する。また、インプリント方法についても、第３の実施形態で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
【００６６】
さらに、ここでは、溝１１３内に排気孔１２１および給気孔１２２を設ける場合を説明したが、第１の実施形態のように、排気孔１２１のみを設けてもよいし、第２の実施形態のように給気孔１２２のみを設けてもよい。排気孔１２１のみを設ける場合の動作については、第１の実施形態のインプリント方法と同様となる。また、給気孔１２２のみを設ける場合の動作については、第２の実施形態のインプリント方法と同様となる。
【００６７】
第４の実施形態によれば、メサ部２０１の形状あるいは基板１００上のショット領域ＲSの配置位置が変化した場合でも、テンプレート２００のメサ部２０１の端部に浸み出してきたレジスト、あるいはテンプレート２００のメサ部２０１に堆積したレジストなどの付着物３１０を除去することができるという効果を有する。
【００６８】
なお、第１〜第４の実施形態では、基板外周部領域１１２の上面が基板載置領域１１１の上面よりも基板１００の厚さ分だけＺ方向上方に位置する場合を説明したが、実施形態がこれに限定されない。基板外周部領域１１２の上面と基板載置領域１１１の上面とは同じ高さであってもよい。
【００６９】
（第５の実施形態）
第５の実施形態では、テンプレートの押印中に揮発したレジストによって生じる欠陥を抑制することができるインプリント装置およびインプリント方法について説明する。
【００７０】
図１３は、第５の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す上面図である。図１４は、第５の実施形態による基板ステージの構成の一例を示す一部断面図であり、図１３のＣ−Ｃ断面図である。第５の実施形態では、基板ステージ１１は円板状を有している。すなわち、第１〜第４の実施形態では基板載置領域１１１が周囲より窪んだ構造を有しているが、第５の実施形態では、基板ステージ１１は窪みを有さず、基板１００を載置する側の面は、平坦となっている。基板ステージ１１は、基板平坦部載置領域１１４と、基板外周部領域１１２と、を有する。基板平坦部載置領域１１４は、基板１００の裏面の平坦部分が載置される領域である。図１４に示されるように、基板１００が、周縁部にベベル１０１を有する場合には、ベベル１０１を除いた部分が基板１００の平坦部分１０２である。基板平坦部載置領域１１４に基板１００のすべてが含まれてもよいし、基板平坦部載置領域１１４に基板１００の平坦部が含まれ、ベベル１０１は基板外周部領域１１２にはみ出してもよい。基板平坦部載置領域１１４にチャック１２が設けられる。
【００７１】
また、基板外周部領域１１２に排気孔１２１と給気孔１２２とが設けられる。排気孔１２１は、基板ステージ１１の中心を中心とする所定の半径の円周上に、円周方向に所定の間隔で配置される。この例では、排気孔１２１は、同心円状に３列設けられている。給気孔１２２は、基板ステージ１１の中心を中心とする所定の半径の円周上に、円周方向に所定の間隔で配置される。給気孔１２２は、排気孔１２１よりも外側に配置される。この例では、給気孔１２２は、１列設けられている。排気孔１２１および給気孔１２２は、基板ステージ１１を厚さ方向に貫通するように設けられる。
【００７２】
排気孔１２１は、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、図示しない真空ポンプなどの排気部と接続される。排気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。給気孔１２２は、テンプレート２００が配置される面とは反対側の面で、図示しないガスボンベなどのガス供給部と接続される。ガスとしては、酸素を含有するガス、たとえば空気、酸素などが用いられる。また、給気速度としては、たとえば３〜３０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。第５の実施形態において、排気機構は、排気孔１２１と排気部とを含み、給気機構は、給気孔１２２とガス供給部とを含む。また、レジスト除去機構は、排気機構と給気機構とを含む。
【００７３】
なお、第１〜第４の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその詳細を省略している。
【００７４】
第５の実施形態によるインプリント方法については、第３の実施形態で説明したものと略同様であるので、説明を省略する。以下では、図１４を参照しながら、欠けショットでのインプリント処理中に、テンプレート２００のメサ部２０１の端部に浸み出してきたレジストを除去する処理について説明する。また、ガスとして空気を用いる場合を例に挙げる。
【００７５】
テンプレート２００を基板１００上に滴下したレジスト３００に接触させる押印処理が開始されると、給気孔１２２から空気が供給されるとともに、排気孔１２１から排気が行われる。給気は、たとえば給気孔１２２から２０Ｌ／ｍｉｎの流速で行う。また、排気は、たとえば排気孔１２１から２０Ｌ／ｍｉｎの流速で行う。
【００７６】
給気孔１２２からの空気は、テンプレート２００へと略垂直に当たる。一方、給気孔１２２よりも内側に位置する排気孔１２１から排気が行われるので、テンプレート２００へと当たったガスは、テンプレート２００に沿って基板１００側へと流れ、基板１００の側面、ここではベベル１０１に沿って排気孔１２１へと到達する。すなわち、基板１００の外側近傍では、テンプレート２００の表面と基板１００の側面とに沿ったガスの層流１５１が形成される。一方、押印中にレジスト３００の一部は揮発する。この揮発した成分１６１は、層流１５１に沿って排気孔１２１から排気される。この結果、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１に、揮発した成分が堆積することがない。
【００７７】
また、押印処理でレジストがテンプレート２００のパターン間に充填された後に、紫外線照射処理が行われるが、このときも空気の層流１５１が、テンプレート２００の表面から基板１００のベベル１０１に沿って流れている。そのため、レジスト３００から揮発した成分１６１は、引き続き層流１５１に沿って排気される。なお、酸素によって硬化し難いレジスト３００を使用している場合には、揮発した成分１６１は、層流１５１によって硬化し難い。そのため、テンプレート２００の表面に付着してしまった揮発した成分１６１があったとしても、テンプレート２００の表面への固着、すなわち、テンプレート２００の表面での硬化が抑制される。
【００７８】
なお、上記した説明では、空気を給気する場合を説明したが、酸素を含むガスでも同様に、欠けショットでのインプリント処理中に、テンプレート２００のメサ部２０１の端部に浸み出してきたレジストを除去することができる。
【００７９】
ここで、比較例と比較した第５の実施形態の効果について説明する。図１５は、比較例によるインプリント処理時の様子を模式的に示す一部断面図であり、（ａ）は通常のインプリント処理の様子を示しており、（ｂ）はヘリウムガスをパージした場合のインプリント処理の様子を示している。比較例では、基板ステージ１１に排気孔１２１と給気孔１２２とが設けられていない。
【００８０】
図１５（ａ）に示されるように、テンプレート２００と基板ステージ１１との間にガスを流さない場合には、押印中にレジスト３００から揮発した成分が、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１に付着し、付着物３１１を形成する。この付着物３１１は未硬化状態にある。この状態で紫外線照射を行っても、周囲の雰囲気に酸素が含まれるため、付着部３１１は硬化しない。すなわち、付着物３１１はテンプレート２００に固着しない。
【００８１】
このようなテンプレート２００を用いて、つぎのショット領域ＲSでインプリント処理を行うと、未硬化状態の付着物３１１がテンプレート２００から剥がれ、基板１００へと付着する。その結果、付着物３１１が付着した部分では、所望のレジスト３００の膜厚が得られず、付着物３１１の分だけレジスト３００の膜厚が厚くなるという欠陥が生じてしまう。なお、つぎのショット領域ＲSでのインプリント処理で付着物３１１が剥がれるため、そのつぎのショット領域ＲSでは欠陥は発生しない。
【００８２】
一方、図１５（ｂ）に示されるように、テンプレート２００と基板ステージ１１との間にヘリウムガスをパージする場合には、テンプレート２００と基板ステージ１１との間にヘリウムガス流１５５が生成される。このため、押印処理中に、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１に、レジスト３００から揮発した成分が付着する領域を図１５（ａ）の場合に比して減少させることができる。しかし、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１には、わずかであるがレジスト３００が付着する。
【００８３】
この状態で紫外線照射を行うと、ヘリウムガスがパージされているので、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１の酸素濃度が低く、揮発した成分が硬化する。その結果、テンプレート２００に固着物３１２が形成される。固着物３１２は、テンプレート２００のパターン間に形成されたり、パターン上に形成されたりする。この固着物３１２は、テンプレート２００から剥がれないので、つぎ以降のショット領域ＲSでのインプリント処理で、パターン欠陥を発生させたり、基板１００を破損させたりする原因となる。
【００８４】
一方、第５の実施形態では、基板ステージ１１の基板外周部領域１１２に、排気孔１２１と、排気孔１２１の外側に配置される酸素を含むガスを供給する給気孔１２２と、を設けた。給気孔１２２から供給されるガスがテンプレート２００の上面から基板１００のベベル１０１に沿って基板ステージ１１へと至る層流１５１を形成するので、押印中にレジスト３００から揮発した成分１６１が層流１５１に乗って排気孔１２１から排気される。これによって、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１に、レジスト３００から揮発した成分１６１が付着することが防止される。また、紫外線照射時においても、テンプレート２００の表面から基板１００のベベル１０１に沿って酸素を含むガスの層流１５１が形成されるので、レジスト３００を介して基板１００と接していないテンプレート２００のメサ部２０１に揮発した成分１６１が付着していたとしても、この揮発した成分が硬化されることがない。その結果、つぎのショット以降で、テンプレート２００に付着した成分による欠陥の発生を抑えることができるという効果を有する。
【００８５】
なお、第１〜第５の実施形態で、対象となるショット領域ＲSに対応する排気孔１２１または給気孔１２２のみ動作させて、他のショット領域ＲSの排気孔１２１または給気孔１２２を動作させないように制御してもよい。
【００８６】
つぎに、第１〜第５の実施形態のインプリント装置１０におけるコントローラ５０のハードウェア構成について説明する。図１６は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。コントローラ５０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）５１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）５２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）５３、表示部５４および入力部５５を有している。コントローラ５０では、これらのＣＰＵ５１、ＲＯＭ５２、ＲＡＭ５３、表示部５４、入力部５５がバスライン５６を介して接続されている。
【００８７】
第１〜第５の実施形態のインプリント方法をインプリント装置１０で実行するための制御プログラム５７は、たとえば、ＲＯＭ５２に格納されている。そして、ＣＰＵ５１は、たとえばＲＯＭ５２に格納されている制御プログラム５７をＲＡＭ５３にロードして、制御プログラム５７を実行する。なお、制御プログラム５７は、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ（Compact  Disc  ROM）、フレキシブルディスク（Flexible  Disk：ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ（CD  recordable）、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
【００８８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８９】
１０  インプリント装置、１１  基板ステージ、１２  チャック、１３  ステージ定盤、１４  基準マーク台、２１  テンプレートステージ、２２  ベース部、２３  補正機構、２４  加圧部、２５  アライメントステージ、３０  アライメントスコープ、４１  光源、４２  塗布部、５０  コントローラ、１００  基板、１０１  ベベル、１０２  平坦部分、１１１  基板載置領域、１１２  基板外周部領域、１１３  溝、１１４  基板平坦部載置領域、１２１  排気孔、１２２  給気孔、１５１  層流、１６１  揮発した成分、２００  テンプレート、２０１  メサ部、２０２  オフメサ部、２５１  外周部、３００  レジスト、３１０，３１１  付着物、３１２  固着物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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