(57)【要約】【課題】１５０℃以上の熱を伴う処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープでウエハの処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープを提供する。【解決手段】基材と粘着剤層を有する粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて積層体を作製する粘着テープ貼り付け工程と、前記積層体の半導体ウエハに１５０℃以上の熱を伴う処理を施す半導体ウエハ処理工程と、前記積層体の前記半導体ウエハを個片化して半導体チップを作製するダイシング工程と、前記粘着テープ側から針を突き上げて前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記粘着テープの基材は軟化点が２６０℃以上であり、前記粘着テープを２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下である半導体チップの製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と粘着剤層を有する粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて積層体を作製する粘着テープ貼り付け工程と、
前記積層体の半導体ウエハに１５０℃以上の熱を伴う処理を施す半導体ウエハ処理工程と、
前記積層体の前記半導体ウエハを個片化して半導体チップを作製するダイシング工程と、
前記粘着テープ側から針を突き上げて前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、
前記粘着テープの基材は軟化点が２６０℃以上であり、
前記粘着テープを２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下である
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
粘着テープの基材は特殊ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド又はポリイミドからなることを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
個片化された半導体チップの厚みが３００μｍ〜１．４ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の半導体チップの製造方法に用いられることを特徴とする粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１５０℃以上の熱を伴う処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープでウエハの処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、通常、高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとした後、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いでウエハ裏面を研磨機により研磨して、ウエハの厚さを数十〜数百μｍ程度まで薄くし、最後にダイシングして個片化することにより製造されている。
【０００３】
このような半導体チップの製造工程において、半導体ウエハの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ（半導体ウエハ保護テープ）によって半導体ウエハを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている（例えば、特許文献１）。また、ダイシング工程においては、半導体ウエハは、ダイシングテープと呼ばれる粘着テープに貼付して固定した状態でダイシングされて、個々の半導体チップに成形される（例えば、特許文献２）。
【０００４】
一方、半導体チップの高性能化に伴い、ウエハの表面に薬液処理、高温処理又は発熱を伴う処理を施す工程が行われるようになってきた。例えば、複数の半導体チップを積層させたＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビヤ／Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉ  ｖｉａ）では、製造工程において、１５０℃以上の温度による高温処理が行われる。そのため、半導体ウエハを保護する粘着テープには耐熱性が要求される。しかしながら、従来のダイシングテープは高温処理の熱に耐えることができないため、半導体ウエハ保護テープとダイシングテープを別々に用意する必要があった。そのため、高温処理後に半導体ウエハをダイシングテープに転写しなければならず、製造工程が複雑化して半導体チップの歩留まりが低下するという問題が生じた。
【０００５】
そこで、高温処理時の半導体ウエハの保護と、ダイシング時の半導体ウエハの保護を１つの粘着テープで行うことが検討されている。しかしながら、粘着テープの耐熱性を上げるとピックアップ不良が発生するという問題があった。通常、半導体チップのピックアップ工程では、粘着テープの下から針を突き上げて半導体チップを粘着テープから一部剥離させる（ニードルピックアップ）ため、粘着テープにはある程度の柔軟性が必要となる。しかし、一般的に粘着テープの耐熱性を上げると柔軟性が低くなってしまうため、針を突き上げても半導体チップが粘着テープから充分に剥離されず、ピックアップ不良が発生する。特に近年は、集積回路の微小化によってＴＳＶのような３次元に積層された半導体チップが増えてきており、このような厚い半導体チップでは、薄い半導体チップよりも針を高く突き上げないと粘着テープが充分に剥離されないため問題がより顕著になっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−３４３７９号公報
【特許文献２】特開平０５−１１４６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑み、１５０℃以上の熱を伴う処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープでウエハの処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基材と粘着剤層を有する粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて積層体を作製する粘着テープ貼り付け工程と、前記積層体の半導体ウエハに１５０℃以上の熱を伴う処理を施す半導体ウエハ処理工程と、前記積層体の前記半導体ウエハを個片化して半導体チップを作製するダイシング工程と、前記粘着テープ側から針を突き上げて前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記粘着テープの基材は軟化点が２６０℃以上であり、前記粘着テープを２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下である半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者は、軟化点が一定以上の基材を用い、かつ、高温処理後の粘着テープの１０％伸び時の変形応力を一定の範囲とすることを検討した。その結果、高温処理の熱に耐えて半導体ウエハを保護できるとともに、そのままダイシングテープとして用いてもダイシング後に半導体チップを確実にピックアップできることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明の半導体チップの製造方法は、まず、基材と粘着剤層を有する粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて積層体を作製する粘着テープ貼り付け工程を行う。
本願発明では、上記粘着テープが半導体ウエハ保護テープの機能とダイシングテープの機能を兼ね備えているため、上記粘着テープ貼り付け工程後は、高温を伴う処理とダイシングを経て半導体チップをピックアップするまで粘着テープを貼り替えることなく一貫して製造を行うことができる。従って、製造工程が簡略化されることから、半導体チップの歩留まり及び生産性を向上させることができる。
【００１１】
上記粘着テープの基材は、軟化点が２６０℃以上である。
上記粘着テープの基材の軟化点が２６０℃以上であることで、高温を伴う処理時の熱によって変形することなく半導体ウエハを確実に保護することができる。上記軟化点の好ましい下限は２６５℃、より好ましい下限は２７０℃である。上記軟化点の上限は特に限定されないが、実質４００℃程度である。なお、本明細書において「軟化点」とは、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）で−５０〜４００℃の温度範囲で測定を行った際に、基材が融解し、測定不可能になった温度を意味する。上記軟化点は、ＤＭＡ（動的粘弾性測定  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）によって測定することができる。
【００１２】
上記軟化点を有する基材としては例えば、ポリエチレンナフタレート等の高耐熱性の基材が挙げられる。しかしながら、粘着テープの貼り付けから半導体チップのピックアップまでを一貫して行うためには、後述するように、得られる粘着テープの２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力を４０ＭＰａ以下とする必要がある。そのため、上記粘着テープに用いられる基材は上記軟化点を持つだけでなく、粘着テープとした際に上記変形応力を満たすものを選択する必要がある。上記軟化点と変形応力を満たす基材としては、例えば、特殊ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリイミド等が挙げられる。なかでも、高耐熱性と低変形応力を示すことから特殊ポリエステルが好ましい。なお、ここで特殊ポリエステルとは、フェニレン基やナフタレン基などを含有する芳香族系ポリエステルのことを指す。
【００１３】
上記基材の厚みは特に制限されないが、好ましい下限が１０μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記基材の厚みがこの範囲内にあると、充分に半導体ウエハの補強ができるとともに、ピックアップ時には半導体チップを確実にピックアップすることができる。また、後述する粘着テープを２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力を調節しやすくなる。上記基材の厚みのより好ましい下限は２５μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００１４】
上記粘着テープは、２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下である。
上記粘着テープの２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下であると、ニードルピックアップの際に粘着テープが充分に変形して半導体チップを剥離できるため、半導体チップを確実にピックアップすることができる。上記１０％伸び時の変形応力の好ましい上限は３５ＭＰａ、より好ましい上限は３０ＭＰａである。上記１０％伸び時の変形応力の下限は特に限定されないが、実質１０ＭＰａ程度である。上記１０％伸び時の変形応力を４０ＭＰａ以下とする方法としては、上記の基材を用いることや基材及び粘着剤層の厚さを調節する方法が挙げられる。なお、上記１０％伸び時の変形応力は、ＪＩＳ  Ｋ７１６１に準拠してテンシロン引張試験機（エーアンドディー社製）を用い、つかみ間距離１５ｍｍ、試料幅２．５ｍｍ、試験速度１０ｍｍ／ｍｉｎの条件で引張試験を行うことで測定することができる。
【００１５】
上記粘着テープの粘着剤層を構成する粘着剤は、例えば、アクリル系、エポキシ系、アリル系、シリコーン系、フッ素系粘着剤等が挙げられる。なかでも、耐熱性があり粘着力の調整が容易であることからアクリル系粘着剤が好ましい。
【００１６】
上記粘着剤は、硬化型粘着剤であってもよく非硬化型粘着剤であってもよいが、熱処理前に硬化させることによって熱処理時の高温による接着昂進を抑えて糊残りなく半導体チップをピックアップできることから硬化型粘着剤であることが好ましい。
【００１７】
上記硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
【００１８】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）とを反応させることにより得ることができる。
【００１９】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００２０】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２１】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられる。同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられる。同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられる。同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２３】
上記光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２４】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられる。具体的には、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油社製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２５】
上記光硬化型粘着剤や熱硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性、熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
【００２６】
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
上記硬化型粘着剤は、上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、２００℃以上の加熱を伴う処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することによって上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより半導体チップ上への糊残りを防止する効果も発揮される。
【００２８】
上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がる。このため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、粘着テープを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。
【００２９】
上記粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
【００３０】
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力で半導体ウエハに貼着でき、処理中の半導体ウエハを保護することができる。また、上記変形応力を上記範囲に調節しやすくなる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
【００３１】
本発明の半導体チップの製造方法は、次いで上記積層体の半導体ウエハに１５０℃以上の熱を伴う処理を施す半導体ウエハ処理工程を行う。
本発明に用いられる粘着テープは、軟化点が２６０℃以上の基材を用いているため１５０℃以上の高温に曝されても変形せず、充分に半導体ウエハを保護することができる。上記１５０℃以上の熱を伴う処理としては、例えば、スパッタリング、蒸着、エッチング、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、レジスト塗布・パターンニング、リフロー等が挙げられる。なお、上記粘着剤層が硬化型粘着剤層である場合は、上記粘着テープ貼り付け工程から上記半導体ウエハ処理工程を行う前までの間に粘着剤層を硬化させることによって、半導体ウエハ処理工程時の熱による粘着剤層の溶融や接着昂進を抑えることができる。
【００３２】
本発明の半導体チップの製造方法は、次いで、上記積層体の上記半導体ウエハを個片化して半導体チップを作製するダイシング工程を行う。
上記ダイシングの方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記粘着テープごと上記積層体を個々の半導体チップに分割する方法等が挙げられる。このとき、ダイシングを１段階で行っても２段階（ステップカット）で行ってもよいが、プロセスとして簡便な１段階が望ましい。
【００３３】
上記ダイシング工程は、半導体ウエハと上記粘着剤層を貫通して上記基材の一部に達する深さまで切り込みが行われることが好ましい。これによって、ダイシング後のチップシフトやヒゲ状の切削屑等の汚染を抑制することができる。
【００３４】
上記ダイシング工程において上記積層体をダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記積層体をダイシングする場合、レーザー光は上記基材を貫通しないように照射される。
【００３５】
本発明の半導体チップの製造方法において、個片化された半導体チップの厚みは３００μｍ〜１．４ｍｍであることが好ましい。
本発明の半導体チップの製造方法は、どのような半導体ウエハであっても適用できるが、半導体ウエハ及び得られる半導体チップが厚い場合において特に有効である。本発明に用いられる粘着テープは柔軟性が高いため、ニードルピックアップ時に針を従来よりも高く突き上げた場合であっても、追従して大きく変形する。そのため、粘着テープを剥離するために従来よりも高い突き上げが必要とされる厚い半導体チップも確実にピックアップすることができる。
【００３６】
本発明の半導体チップの製造方法は、次いで、上記粘着テープ側から針を突き上げて上記半導体チップをピックアップするピックアップ工程を行う。
本発明に用いられる粘着テープは、２６０℃で３分間加熱した後の粘着テープの１０％伸び時の変形応力が４０ＭＰａ以下であるため、ニードルピックアップ時に粘着テープが充分に変形して半導体チップが剥離されることから、半導体チップを確実にピックアップすることができる。
【００３７】
本発明の半導体チップの製造方法は、粘着テープが耐熱性と柔軟性に優れるため、１つの粘着テープで半導体ウエハ処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができることから、半導体チップの歩留まりを向上させることができる。このような半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープもまた本発明の１つである。
【００３８】
本発明の粘着テープを製造する方法は特に限定されず、例えば、上記基材上に上記粘着剤層の原料となる粘着剤組成物をドクターナイフやスピンコーター等を用いて塗工する等の従来公知の方法を用いることができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、１５０℃以上の熱を伴う処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープでウエハの処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
（１）特殊ポリエステル基材の製造
ヒドロキシフェニル基、カルボン酸フェニル基を含む芳香族アリルモノマーを溶媒中、５０℃、５時間攪拌下で反応させることにより特殊ポリエステル樹脂を得た。得られた特殊ポリエステル樹脂を延伸処理して厚さ２５μｍの特殊ポリエステル基材を得た。得られた特殊ポリエステル基材についてＤＭＡ測定により軟化点を測定したところ３００℃だった。
【００４２】
（２）アクリル系硬化型粘着剤の調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて重合性ポリマーを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、シリコーンアクリレート２０重量部、シリカフィラー２０重量部、化学架橋剤０．５重量部、光重合開始剤１重量部を混合し、アクリル系硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。なお、シリコーンアクリレート、シリカフィラー、化学架橋剤及び光重合開始剤は以下のものを用いた。
シリコーンアクリレート：ＥＢＥＣＲＹＬ  ３５０、ダイセル・オルネクス社製
シリカフィラー：レオロシール  ＭＴ−１０、トクヤマ社製
化学架橋剤：コロネートＬ−４５、積水フーラー社製
光重合開始剤：エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製
【００４３】
（３）粘着テープの製造
特殊ポリエステル基材の片面にコロナ処理を行った。その後、得られたアクリル系硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、得られた特殊ポリエステル基材のコロナ処理を施した面上に乾燥後の粘着剤層の厚さが４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させ粘着テープを得た。
【００４４】
（４）２６０℃で３分間加熱した後の１０％伸び時の変形応力の測定
次いで、得られた粘着テープを縦０．６ｃｍ、横１．０ｃｍの長方形状に切断して試験片を得た。その後、試験片に２６０℃の熱処理を３分間行った。放冷後、テンシロン引張試験機（エーアンドディー社製）を用いて、つかみ間距離１５ｍｍ、試料幅２．５ｍｍ、試験速度１０ｍｍ／ｍｉｎで測定を行い、１０％伸び時の変形応力を測定したところ２０ＭＰａであった。
【００４５】
（実施例２）
（１）ポリエーテルエーテルケトン基材の製造
ベンゾフェノンジハライド化合物を溶媒中、５０℃、５時間攪拌下で反応させることによりポリエーテルエーテルケトン樹脂を得た。得られた樹脂を延伸処理して厚さ２５μｍのポリエーテルエーテルケトン基材を得た。得られたポリエーテルエーテルケトン基材について実施例１と同様の方法で軟化点の測定を行ったところ、３５０℃であった。
【００４６】
（２）粘着テープの製造
基材に得られたポリエーテルエーテルケトン基材を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。また、得られた粘着テープについて実施例１と同様の方法で２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力の測定を行ったところ、２８ＭＰａであった。
【００４７】
（実施例３）
（１）透明ポリイミド基材の製造
テトラカルボン酸成分及びジアミン成分を反応させてなるポリイミド前駆体と溶剤とを含むポリイミド前駆体含有溶液を、支持基材上に塗布し、１５０℃の温度から２００℃まで温度を上昇させながら加熱し、硬化させ、ポリイミド前駆体フィルムを得た。得られたポリイミド前駆体フィルムを、３００℃で１２０分加熱して２５μｍの透明ポリイミド基材を得た。得られた透明ポリイミド基材について実施例１と同様の方法で軟化点の測定を行ったところ、３５０℃以上であった。
【００４８】
（２）粘着テープの製造
基材に得られた透明ポリイミド基材を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。また、得られた粘着テープについて実施例１と同様の方法で２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力の測定を行ったところ、３５ＭＰａであった。
【００４９】
（実施例４）
（１）ポリアミド基材の製造
芳香環を有する脂肪族ジカルボン酸と溶剤を含むポリアミド前駆体含有溶液を、支持基材上に塗布し、１５０℃の温度から２００℃まで温度を上昇させながら加熱し、硬化させ、ポリアミド前駆体フィルムを得た。得られたポリアミド前駆体フィルムを、３００℃で１２０分加熱して２５μｍのポリアミド基材を得た。得られたポリアミド基材について実施例１と同様の方法で軟化点の測定を行ったところ、２９０℃であった。
【００５０】
（２）粘着テープの製造
基材に得られたポリアミド基材を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。また、得られた粘着テープについて実施例１と同様の方法で２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力の測定を行ったところ、２９ＭＰａであった。
【００５１】
（比較例１）
基材にポリオレフィン（オイディス、クラボウ社製）を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。実施例１と同様の方法で基材の軟化点を測定したところ１６０℃であった。また、粘着テープの２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力については粘着テープが熱に耐えられなかったため測定を行わなかった。
【００５２】
（比較例２）
基材にポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ−２５、帝人社製）を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。実施例１と同様の方法で基材の軟化点を測定したところ２６０℃であった。また、実施例１と同様の方法で粘着テープの２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力を測定したところ、４８ＭＰａであった。
【００５３】
（比較例３）
基材にポリイミド（Ｕｌｔｒａｍｉｄ、ＢＡＳＦ社製）を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープを製造した。実施例１と同様の方法で基材の軟化点を測定したところ３５０℃以上であった。また、実施例１と同様の方法で粘着テープの２６０℃、３ｍｉｎ処理後の変形応力を測定したところ、７０ＭＰａであった。
【００５４】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表１に示した。
【００５５】
（ウエハの処理）
厚さ１００μｍ、２０３．２ｍｍφのシリコンウエハに粘着テープを貼り付け、シリコンウエハのサイズにカットした。次いで、粘着テープ側から超高圧水銀灯を用いて、４０５ｎｍの紫外線を粘着テープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、粘着剤層を架橋、硬化させた。その後、２６０℃で３分間の熱処理を行った。放冷後、ダイサー（ＤＦＤ６３６１、ディスコ社製）を用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズになるようにダイシングを行った。ダイシング後、半導体チップをピックアップした。厚さ７５０μｍのシリコンウエハにおいても同様の方法でウエハの処理を行った。
【００５６】
（耐熱性の評価）
熱処理後の粘着テープを目視にて観察し、粘着テープに変形が見られなかった場合を「〇」、少し変形が見られた場合を「△」、大きく変形が見られた場合を「×」として耐熱性を評価した。
【００５７】
（ピックアップ性の評価）
上記ウエハの処理後にピックアップができなかった半導体チップの割合を計算し、１０％未満の場合を「〇」、１０％以上の場合を「×」としてピックアップ性を評価した。
【００５８】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、１５０℃以上の熱を伴う処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープでウエハの処理から半導体チップのピックアップまでを一貫して行うことができる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いられる粘着テープを提供することができる。