(57)【要約】【課題】簡易な構成でＳＳＤなどの発熱部の温度上昇を抑えることができる電子デバイス及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板１０の一端側に設けられ、電子デバイス１を、金属ネジ１２を用いて金属フレーム２０に取り付けるためのネジ穴３を有し、発熱部であるＮＡＮＤ型メモリ４はネジ穴３側に設けられ、ネジ穴３の上部周縁部とＮＡＮＤ型メモリ４の上部とを覆う伝熱シート６を設け、伝熱シート６とネジ穴３に嵌め込まれる金属ネジ１２とを介してＮＡＮＤ型メモリ４の熱を金属フレーム２０に伝熱する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定形状の基板上に発熱部が配置された電子デバイスであって、
前記基板の一端側に設けられ前記電子デバイスを、金属ネジを用いて金属フレームに取り付けるためのネジ穴を有し、前記発熱部は前記ネジ穴側に設けられ、前記ネジ穴の上部周縁部と前記発熱部の上部とを覆う伝熱シートを設け、前記伝熱シートと前記ネジ穴に嵌め込まれる金属ネジとを介して前記発熱部の熱を前記金属フレームに伝熱することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基板の他端側は、前記電子デバイスが取り付けられる電子機器に接続するコネクタ端子を有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記伝熱シートは、カーボングラファイトであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記伝熱シートの上面に、前記電子デバイスを表記するラベルを設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記電子デバイスは、ＳＳＤデバイスであり、前記基板の一端側の発熱部はＮＡＮＤ型メモリであり、前記基板の他端側にメモリコントローラが配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載された電子デバイスと、
前記電子デバイスが取り付けられる金属フレームと、
前記ネジ穴を介して前記電子デバイスを前記金属フレームに取り付ける金属ネジと、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、簡易な構成でＳＳＤなどの発熱部の温度上昇を抑えることができる電子デバイス及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置に替わり、処理速度の速いＳＳＤ（Solid State Drive）装置が用いられている。例えば、特許文献１には、オーディオ用ネットワークストレージにおいて、オーディオデータ再生時のノイズ発生源となるモータ駆動部を除くため、ストレージの記憶装置としてＳＳＤを使用するとともに、放熱効果の高い金属筐体とすることにより、冷却用のファンを搭載せず、また、ＳＳＤを密閉することで、電源部等との干渉によるノイズ発生を抑制するものが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１５８７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＳＳＤは、ＮＡＮＤ型メモリ素子が高密度で配置されるため、処理動作によって高温になりやすく、例えば８５℃程度以下が動作許容温度である。ＳＳＤを用いるＣＰＵは、ＳＳＤ自体が高温になるのを避けるため、パフォーマンスを自動的に落とすようにしている。特に、装置立ち上がり時は連続アクセスされるのでＮＡＮＤ型メモリ素子の温度上昇が速く、ＮＡＮＤ型メモリ素子が動作許容温度以下となるように、例えばパフォーマンスを２０％ぐらいに落とす処理を繰り返すため、装置立ち上がり時間が長くなる。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易な構成でＳＳＤなどの発熱部の温度上昇を抑えることができる電子デバイス及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる電子デバイスは、所定形状の基板上に発熱部が配置された電子デバイスであって、前記基板の一端側に設けられ前記電子デバイスを、金属ネジを用いて金属フレームに取り付けるためのネジ穴を有し、前記発熱部は前記ネジ穴側に設けられ、前記ネジ穴の上部周縁部と前記発熱部の上部とを覆う伝熱シートを設け、前記伝熱シートと前記ネジ穴に嵌め込まれる金属ネジとを介して前記発熱部の熱を前記金属フレームに伝熱することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明にかかる電子デバイスは、上記の発明において、前記基板の他端側は、前記電子デバイスが取り付けられる電子機器に接続するコネクタ端子を有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる電子デバイスは、上記の発明において、前記伝熱シートは、カーボングラファイトであることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる電子デバイスは、上記の発明において、前記伝熱シートの上面に、前記電子デバイスを表記するラベルを設けたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる電子デバイスは、上記の発明において、前記電子デバイスは、ＳＳＤデバイスであり、前記基板の一端側の発熱部はＮＡＮＤ型メモリであり、前記基板の他端側にメモリコントローラが配置されることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる電子機器は、上記の発明のいずれか一つに記載された電子デバイスと、前記電子デバイスが取り付けられる金属フレームと、前記ネジ穴を介して前記電子デバイスを前記金属フレームに取り付ける金属ネジと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ネジ穴の上部周縁部と発熱部の上部とを覆う伝熱シートを設け、前記伝熱シートと前記ネジ穴に嵌め込まれる金属ネジとを介して前記発熱部の熱を金属フレームに伝熱するようにしているので、簡易な構成でＳＳＤなどの発熱部の温度上昇を抑えることができ、装置立ち上がり時などの連続アクセスにおけるパフォーマンスの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施の形態である電子デバイスの構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した電子デバイスのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、電子デバイスをノートＰＣなどの電子機器筐体内の金属フレームに装着した状態を示す断面図である。
【図４】図４は、ネジ穴近傍の接続状態を示す図である。
【図５】図５は、伝熱シートの上面に電子デバイスを表記するラベルを設けた例を示す図である。
【図６】図６は、伝熱シートを用いた放熱機構を設けた場合と設けない場合における、装置立ち上がり時におけるＮＡＮＤ型メモリの温度上昇時間変化とＣＰＵのパフォーマンスの時間変化とを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照してこの発明を実施するための形態について説明する。
【００１５】
図１は、本実施の形態である電子デバイス１の構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示した電子デバイス１のＡ−Ａ線断面図である。さらに、図３は、電子デバイス１をノートＰＣなどの電子機器筐体内の金属フレームに装着した状態を示す断面図である。なお、電子デバイス１は、ＳＳＤメモリを備えたＳＳＤデバイスである。
【００１６】
図１〜図３に示すように、電子デバイス１は、基板１０上の一端側（Ｙ方向側）に、発熱部であるＮＡＮＤ型メモリ４が配置され、他端側にメモリコントローラ５が配置される。基板１０の一端には、電子デバイス１を金属フレーム２０に固定する金属ネジ１２が嵌め込まれるネジ穴３が形成されている。また、基板１０の他端には、電子デバイス１を電子機器内のＣＰＵ等に接続するためのコネクタ端子２が形成されている。コネクタ端子２は、金属フレーム２０上に形成されたコネクタ１１に差し込むことにより接続される。この電子デバイス１は、コンピュータの内蔵拡張カードの規格であるＭ．２規格を満足している。
【００１７】
ネジ穴３の上部周縁部と前記ＮＡＮＤ型メモリ４の上部とには、伝熱シート６が覆われる。伝熱シート６は、ＮＡＮＤ型メモリ４の上面に貼り付けられる。伝熱シート６は、熱伝導率の高いアルミニウムやカーボングラファイトである。伝熱シート６のネジ穴３側には、ネジ穴３に対応した穴６ａが形成されている。図３及び図４に示すように、コネクタ端子２がコネクタ１１に差し込まれた状態で、金属ネジ１２の軸１２ｂが穴６ａ及びネジ穴３に嵌め込まれ、金属ネジ１２が、金属フレーム２０に形成されたネジきり２１に螺合すると、金属ネジ１２の頭部１２ａによって伝熱シート６及び基板１０が金属フレーム２０側に押圧される。この結果、電子デバイス１が金属フレーム２０に固定される。
【００１８】
図４に示すように、ネジ穴３の上部周縁部Ｅは、金属ネジ１２の頭部１２ａの下面が接する領域である。この上部周縁部Ｅでは、頭部１２ａの下面と伝熱シート６の上面とが接触状態となる。この結果、伝熱シート６及び金属ネジ１２を介して、ＮＡＮＤ型メモリ４と金属フレーム２０との間の伝熱ルートが形成される。すなわち、ＮＡＮＤ型メモリ４の熱は、伝熱シート６、金属ネジ１２を介し、ヒートシンクとして機能する金属フレーム２０に伝熱される。
【００１９】
なお、伝熱シート６は、カーボングラファイトであることが好ましい。カーボングラファイトは、Ｙ方向への熱伝導率が高いからである。
【００２０】
また、メモリコントローラ５も発熱するが、ＮＡＮＤ型メモリ４に比して動作許容温度が高いため、メモリコントローラ５には放熱機構を設けていない。例えば、ＮＡＮＤ型メモリ４の動作許容温度は８５℃であり、メモリコントローラ５の動作許容温度は１２５℃である。
【００２１】
なお、図５に示すように、伝熱シート６の上面に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂などで形成されたシート状のラベル７を貼り付けてもよい。このラベル７は、上面に、電子デバイス１などを表記する所定の印刷がなされ、下面に伝熱シート６を貼り付けて、一体形成することが好ましい。
【００２２】
図６は、伝熱シート６を用いた放熱機構を設けた場合と設けない場合における、装置立ち上がり時におけるＮＡＮＤ型メモリ４の温度上昇時間変化とＣＰＵのパフォーマンスの時間変化とを示す図である。なお、ＮＡＮＤ型メモリ４の動作許容温度は８５℃であるが、５℃のマージンをとって、動作許容温度Ｔｔｈを８０℃としている。
【００２３】
図６に示すように、伝熱シート６を設けない場合における、装置立ち上がり時の温度変化の特性Ｌ２１では、約１分で８０℃に達し、その時点で、特性Ｌ２２に示すように、ＣＰＵのパフォーマンスを１００％から１／５の２０％に落とす。このパフォーマンスの低下によって、ＮＡＮＤ型メモリ４の温度は低下するため、再度、パフォーマンスを１００％に上げるが、ＮＡＮＤ型メモリ４の温度上昇のため、再度、パフォーマンスを２０％に低下させる処理が繰り返される。
【００２４】
一方、伝熱シート６を設けた場合における、装置立ち上がり時の温度変化の特性Ｌ１１では、約１０分後に８０℃に達し、その時点で、特性Ｌ１２に示すように、ＣＰＵのパフォーマンスを１００％から２０％に低下させている。
【００２５】
したがって、伝熱シート６を設けた場合、約１０分までＣＰＵのパフォーマンスは１００％であり、装置立ち上がりが伝熱シート６を設けない場合に比して早くなる。また、１０分後であっても、伝熱シート６を設けた場合の方が、パフォーマンスが２０％に低下する時間が少ないため、装置の処理速度の低下が少ない。
【符号の説明】
【００２６】
１  電子デバイス
２  コネクタ端子
３  ネジ穴
４  ＮＡＮＤ型メモリ
５  メモリコントローラ
６  伝熱シート
６ａ  穴
７  ラベル
１０  基板
１１  コネクタ
１２  金属ネジ
１２ａ  頭部
１２ｂ  軸
２０  金属フレーム
Ｅ  上部周縁部
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２  特性
Ｔｔｈ  動作許容温度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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