(57)【要約】      （修正有）【課題】配線密度が増加し、インピーダンス整合が向上した配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００は、第１面１０１ａ及び第２面１０１ｂを有する第１絶縁層１０１と、第１絶縁層１０１の内部に設けられ、第１ビア１０６を有する第１配線１０３と、第１面１０１ａに設けられ、第２ビア１０８を有する第２配線１０４と、第１面１０２ａに設けられ、第３ビア１０９を有する第３配線１０５と、第２面１０１ｂに設けられた第１ランド１１１及び第２ランド１１３と、を有する。第２配線１０４は、第２ビア１０８を介して第１配線１０３と接続される。第１配線１０３は、第１ビア１０６を介して第１ランド１１１と接続される。第３配線１０５は、第３ビア１０９を介して第２ランド１１３と接続される。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の内部に設けられ、第１ビアを有する第１配線と、
前記第１面に設けられ、第２ビアを有する第２配線と、
前記第１面に設けられ、第３ビアを有する第３配線と、
第２面に設けられた第１ランド及び第２ランドと、を有し、
前記第２配線は、前記第２ビアを介して前記第１配線と接続され、
前記第１配線は、前記第１ビアを介して前記第１ランドと接続され、
前記第３配線は、前記第３ビアを介して前記第２ランドと接続される、配線基板。
【請求項２】
前記第２配線は、前記第１絶縁層の第２トレンチに設けられ、
前記第３配線は、前記第１絶縁層の第３トレンチに設けられる、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２配線の表面及び前記第３配線の表面は、前記第１絶縁層の表面と同一平面上にある、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、抵抗膜によって接続される、請求項1乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、抵抗膜及び第５配線によって接続される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、第６配線によって接続され、
前記第２ランドは、第７配線に接続される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、第６配線によって接続され、
前記第１ランドは、第７配線に接続される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
第１面及び第２面を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面上に設けられた第１面及び第２面を有する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の第２面に設けられた第１ランド及び第２ランドと、
前記第１絶縁層の第１面に設けられ、第１ビアを有する第１配線と、
前記第２絶縁層の第１面に設けられ、第２ビアを有する第２配線と、
前記第２絶縁層の第１面に設けられ、第３ビアを有する第３配線と、を有し、
前記第２配線は、前記第２ビアを介して前記第１配線と接続され、
前記第１配線は、前記第１ビアを介して前記第１ランドと接続され、
前記第３配線は、前記第３ビアを介して前記第２ランドと接続される、配線基板。
【請求項９】
前記第１配線は、前記第１絶縁層の第１トレンチに設けられる、請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１配線の表面は、前記第１絶縁層の表面と同一平面上にある、請求項８又は９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記第２配線は、前記第２絶縁層の第２トレンチに設けられ、
前記第３配線は、前記第２絶縁層の第３トレンチに設けられる、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１２】
前記第２配線の表面及び前記第３配線の表面は、前記第２絶縁層の表面と同一平面上にある、請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、抵抗膜によって接続される、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、抵抗膜及び第５配線によって接続される、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１５】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、第６配線によって接続され、
前記第２ランドは、第７配線に接続される、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１６】
前記第１ランドは、前記第２ランドと、第６配線によって接続され、
前記第１ランドは、第７配線に接続される、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１７】
支持基板上に導電層を形成し、
前記導電層上に、第１絶縁層を形成し、
第１凸部、前記第１凸部上の第２凸部、及び前記第１凸部と離間した第３凸部を有する第１モールドを、前記第１凸部及び前記第２凸部が前記導電層に接するまで前記第１絶縁層に押圧し、
前記第１モールドを除去した後、前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第３凸部の形状を反映した第１トレンチ、第１貫通孔、及び第２貫通孔を有する前記第１絶縁層を硬化し、
前記第１トレンチ及び前記第１貫通孔に、第１ビアを有する第１配線を形成し、
前記第１絶縁層、前記第１配線、及び前記第２貫通孔上に、第２絶縁層を形成し、
第４凸部、前記第４凸部上の第５凸部、並びに前記第４凸部と離間した第６凸部及び前記第６凸部上の第７凸部を有する第２モールドを、前記第５凸部が前記第１配線と接し、かつ前記第７凸部が前記導電層に接するまで前記第２絶縁層に押圧し、
前記第２モールドを除去した後、前記第４乃至第７凸部の形状を反映した第２トレンチ、第３貫通孔、第３トレンチ、及び第４貫通孔を有する第２絶縁層を硬化し、
前記第２トレンチ及び第３貫通孔に、第２ビアを有する第２配線を形成するとともに、前記第３トレンチ及び第４貫通孔に、第３ビアを有する第３配線を形成し、
前記支持基板を、前記導電層が露出するまで除去し、
前記導電層をエッチングで加工することにより、前記第１ビアと接続する第１ランド及び前記第３ビアと接続する第２ランドを形成する、配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第４貫通孔の中心軸は、前記第３貫通孔の中心軸と同じである、請求項１７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１絶縁層の前記第１トレンチ及び前記第１貫通孔に、前記第１配線を形成した後に、
前記第１絶縁層の表面及び前記第１配線の表面に研磨処理を行う、請求項１７又は１８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２絶縁層の前記第２トレンチ及び前記第３貫通孔に、前記第２配線を形成するとともに、前記第３トレンチ及び前記第４貫通孔に前記第３配線を形成した後、
前記第２絶縁層の表面、前記第２配線の表面、及び前記第３配線の表面に研磨処理を行う、請求項１７乃至１９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンやノートパソコンなどの電子機器の小型化や高速化に伴い、電子機器を構成する半導体部品や、半導体部品が搭載される配線基板に関しても、高密度化、高速化が進められている。
【０００３】
信号の高速化により、システム全体の特性インピーダンス整合と、反射損失の低減が求められている。特性インピーダンスが異なると、高周波回路では伝送線路に反射波を生じ、反射波が進行波と重畳して定常波が生じる。定常波の発生は、効率低下、異常動作、故障の原因となる。このため、電気エネルギーの伝送のためには、回路内の各接続部において、特性インピーダンスを一致させる必要がある。
【０００４】
多層配線基板のプロセスにおいて、一般的に、配線を形成する工程と、ビアを形成する工程とは別々の工程で行われる。そのため、上下の配線を確実に接続するためには、配線形成時のズレと、ビア形成時のズレを考慮する必要がある。よって、上下の配線の接続部には、ビア径よりも大きな「受け（ランド）」が必要となる。しかしながら、ランド径が大きくなると、配線密度の低下や、ビアの面積とは異なる寸法となるため特性インピーダンスの不整合が生じる、といった問題が生じる。また、配線と配線との接続部が多くなればなるほど、インピーダンス不整合が多くなるため、多層配線基板全体として、高速信号伝送に適さなくなる。
【０００５】
特許文献１には、ビア配置の高密度及び反射損失抑制を目的として、配線基板の内層に配置されるビアランドを縮小することについて開示されている。また、特許文献２には、ボールランドでの反射損失抑制及びはんだの密着力向上のために、ランドの中央部に円形の抜きパターンを設けることが開示されている。また、特許文献３には、インピーダンス整合を目的として、配線幅とパッド幅とを一致させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８―２１１２４０号公報
【特許文献２】特開２００４−３１９９２８号公報
【特許文献３】特開２００２−１６３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１においては、配線層に配置される接続ランドの面積が縮小されておらず、配線密度を向上させるためには不十分なものであり、特許文献２においては、ボールランドの中央部に形成された抜きパターンが信号伝送を阻害する要因となるおそれがある。また、特許文献３においては、配線の接続部での高さ方向の考慮はない。
【０００８】
上記問題に鑑み、本開示は、配線密度が増加し、インピーダンス整合が向上した配線基板を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一実施形態に係る配線基板は、第１面及び第２面を有する第１絶縁層と、第１絶縁層の内部に設けられ、第１ビアを有する第１配線と、第１面に設けられ、第２ビアを有する第２配線と、第１面に設けられ、第３ビアを有する第３配線と、第２面に設けられた第１ランド及び第２ランドと、を有し、第２配線は、第２ビアを介して第１配線と接続され、第１配線は、第１ビアを介して第１ランドと接続され、第３配線は、第３ビアを介して第２ランドと接続される。
【００１０】
上記構成において、第２配線は、第１絶縁層の第２トレンチに設けられ、第３配線は、第１絶縁層の第３トレンチに設けられる。
【００１１】
上記構成において、第２配線の表面及び第３配線の表面は、第１絶縁層の表面と同一平面上にある。
【００１２】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、抵抗膜によって接続される。
【００１３】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、抵抗膜及び第５配線によって接続される。
【００１４】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、第６配線によって接続され、第２ランドは、第７配線に接続される。
【００１５】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、第６配線によって接続され、第１ランドは、第７配線に接続される。
【００１６】
本開示の一実施形態に係る配線基板は、第１面及び第２面を有する第１絶縁層と、第１絶縁層の第１面上に設けられた第１面及び第２面を有する第２絶縁層と、第１絶縁層の第２面に設けられた第１ランド及び第２ランドと、第１絶縁層の第１面に設けられ、第１ビアを有する第１配線と、第２絶縁層の第１面に設けられ、第２ビアを有する第２配線と、第２絶縁層の第１面に設けられ、第３ビアを有する第３配線と、を有し、第２配線は、第２ビアを介して第１配線と接続され、第１配線は、第１ビアを介して第１ランドと接続され、第３配線は、第３ビアを介して第２ランドと接続される。
【００１７】
上記構成において、第１配線は、第１絶縁層の第１トレンチに設けられる。
【００１８】
上記構成において、第１配線の表面は、第１絶縁層の表面と同一平面上にある。
【００１９】
上記構成において、第２配線は、第２絶縁層の第２トレンチに設けられ、第３配線は、第２絶縁層の第３トレンチに設けられる。
【００２０】
上記構成において、第２配線の表面及び第３配線の表面は、第２絶縁層の表面と同一平面上にある。
【００２１】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、抵抗膜によって接続される。
【００２２】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、抵抗膜及び第５配線によって接続される。
【００２３】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、第６配線によって接続され、第２ランドは、第７配線に接続される。
【００２４】
上記構成において、第１ランドは、第２ランドと、第６配線によって接続され、第１ランドは、第７配線に接続される。
【００２５】
本開示に係る配線基板の製造方法は、支持基板上に導電層を形成し、導電層上に、第１絶縁層を形成し、第１凸部、第１凸部上の第２凸部、及び第１凸部と離間した第３凸部を有する第１モールドを、第１凸部及び第２凸部が導電層に接するまで第１絶縁層に押圧し、第１モールドを除去した後、第１凸部、第２凸部、及び第３凸部の形状を反映した第１トレンチ、第１貫通孔、及び第２貫通孔を有する第１絶縁層を硬化し、第１トレンチ及び第１貫通孔に、第１ビアを有する第１配線を形成し、第１絶縁層、第１配線、及び第２貫通孔上に、第２絶縁層を形成し、第４凸部、第４凸部上の第５凸部、並びに第４凸部と離間した第６凸部及び第６凸部上の第７凸部を有する第２モールドを、第５凸部が第１配線と接し、かつ第７凸部が導電層に接するまで第２絶縁層に押圧し、第２モールドを除去した後、第４乃至第７凸部の形状を反映した第２トレンチ、第３貫通孔、第３トレンチ、及び第４貫通孔を有する第２絶縁層を硬化し、第２トレンチ及び第３貫通孔に、第２ビアを有する第２配線を形成するとともに、第３トレンチ及び第４貫通孔に、第３ビアを有する第３配線を形成し、支持基板を、導電層が露出するまで除去し、導電層をエッチングで加工することにより、第１ビアと接続する第１ランド及び第３ビアと接続する第２ランドを形成する。
【００２６】
上記製造方法において、第４貫通孔の中心軸は、第３貫通孔の中心軸と同じである。
【００２７】
上記製造方法において、第１絶縁層の第１トレンチ及び第１貫通孔に、第１配線を形成した後に、第１絶縁層の表面及び第１配線の表面に研磨処理を行う。
【００２８】
上記製造方法において、第２絶縁層の第２トレンチ及び第３貫通孔に、第２配線を形成するとともに、第３トレンチ及び第４貫通孔に第３配線を形成した後、第２絶縁層の表面、第２配線の表面、及び第３配線の表面に研磨処理を行う。
【発明の効果】
【００２９】
本開示によれば、配線密度が増加し、インピーダンス整合が向上した配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】本開示の一実施形態に係る配線基板の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。
【図１Ｃ】本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図である。
【図２】本開示の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】本開示の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図４】本開示の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図５Ａ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｂ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｃ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｄ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｅ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｆ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｇ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｈ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｉ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｊ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｋ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図である。
【図７】本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図である。
【図８】本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図である。
【図９】本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図である。
【図１０】本開示の一実施形態に係る配線基板の概略図である。
【図１１】本開示の一実施形態に係る配線基板の概略図である。
【図１２】本開示の一実施形態に係る配線基板の概略図である。
【図１３】本開示の一実施形態に係る配線基板の概略図である。
【図１４Ａ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｂ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｃ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｄ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｅ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｆ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ａ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ｂ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ｃ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ｄ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ｅ】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本開示の一実施形態に係る配線基板の概略図である。
【図１７Ａ】本開示の一実施形態に係る半導体装置の外観図である。
【図１７Ｂ】本開示の一実施形態に係る半導体装置の外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
〈第１実施形態〉
本開示に第１実施形態に係る配線基板１００の構成及び配線基板１００の製造方法について、図１乃至図１６を参照して説明する。
【００３２】
［配線基板の構造１］
図１Ａに、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す上面図を示し、図１Ｂに、Ａ１−Ａ２線に沿った断面図を示し、図１Ｃに、本開示の一実施形態に係る配線基板の下面図を示す。
【００３３】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、配線基板１００は、絶縁層１０１と、絶縁層１０２と、配線１０３と、配線１０４と、配線１０５と、はんだランド１１１と、はんだランド１１２と、ビアランド１１３と、を有する。また、配線１０３は、ビア１０６を有し、配線１０４は、ビア１０８を有し、配線１０５は、ビア１０９を有する。また、配線１０４は、ビア１０８を介して、配線１０３と接続され、配線１０３は、ビア１０６を介してはんだランド１１１と接続され、配線１０５は、ビア１０９を介してビアランド１１３と接続されている。
【００３４】
絶縁層１０１の第１面１０１ａにはトレンチ１２１が設けられている。また、絶縁層１０１には、第１面１０１ａから第２面１０１ｂを貫通する貫通孔１２６及び貫通孔１２７が設けられている。トレンチ１２１には、配線１０３が設けられ、貫通孔１２６には、ビア１０６が設けられている。また、絶縁層１０１の第２面１０１ｂには、はんだランド１１１と、はんだランド１１２と、ビアランド１１３と、が設けられている。また、はんだランド１１１及びはんだランド１１２には、はんだバンプ１１４及びはんだバンプ１１５がそれぞれ設けられている。
【００３５】
絶縁層１０１の第１面１０１ａ上には、絶縁層１０２が設けられている。絶縁層１０２は、絶縁層１０１の貫通孔１２７の内部にも設けられている。また、絶縁層１０２には、貫通孔１２７の内部において、絶縁層１０２の第１面１０２ａから絶縁層１０１の第２面１０１ｂまで貫通する貫通孔１２９が設けられている。また、絶縁層１０２の第１面１０２ａには、トレンチ１２２及びトレンチ１２３が設けられている。また、絶縁層１０２には、第１面１０１ａから第２面１０１ｂを貫通する貫通孔１２８が設けられている。トレンチ１２２には、配線１０４が設けられ、貫通孔１２８には、ビア１０８が設けられている。また、トレンチ１２３には、配線１０５が設けられ、貫通孔１２９には、ビア１０９が設けられている。
【００３６】
絶縁層１０１に設けられた配線１０３は、絶縁層１０１のトレンチ１２１に設けられている。そのため、絶縁層１０１の表面及び配線１０３の表面は、同一平面上にある。また、絶縁層１０２に設けられた配線１０４は、トレンチ１２２に設けられており、配線１０５は、トレンチ１２３に設けられている。そのため、絶縁層１０２の表面、配線１０３の表面及び配線１０４の表面は、同一平面上にある。なお、本明細書等において、同一平面とは、配線１０４の表面の高さが、絶縁層１０２の表面の高さと、±１０ｎｍ程度であることを含む。
【００３７】
図１Ｂに示すように、貫通孔１２７及び貫通孔１２９は、同じ中心軸を有するとよい。貫通孔１２９の中心軸が、貫通孔１２７と同じ中心軸を有することにより、配線１０５と、ビアランド１１３とを確実に接続することができる。貫通孔１２７の孔径は、０．５μｍ以上３０μｍとし、貫通孔１２９の孔径は、０．５μｍ以上３０μｍとする。図１Ｂに示す配線基板では、貫通孔１２９の孔径は、貫通孔１２７の孔径よりも大きい場合を示している。
【００３８】
本実施形態において、配線１０３、配線１０４、及び配線１０５の幅は、０．５μｍ以上３０μｍ以下とする。配線１０３、配線１０４、及び配線１０５の幅は、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
【００３９】
また、絶縁層１０２の第１面１０２ａには、トレンチ１２２及びトレンチ１２３が設けられており、トレンチ１２２には配線１０４、トレンチ１２３には配線１０５が、それぞれ設けられている。絶縁層１０２は、絶縁層１０１の貫通孔１２７の内周にも形成されている。絶縁層１０２には、第１面１０２ａから第２面１０２ｂを貫通するビア１０８が設けられている。また、絶縁層１０２には、貫通孔１２７の内部において、絶縁層１０２の第１面１０２ａから絶縁層１０１の第２面１０１ｂを貫通する貫通孔１２９が設けられている。また、配線１０４は、絶縁層１０２に設けられたビア１０８を介して、配線１０３と接続されている。
【００４０】
多層配線基板のプロセスにおいて、一般的に、配線を形成する工程と、ビアを形成する工程とは別々の工程で行われる。そのため、基板の上下の配線を確実に接続するためには、配線形成時のズレと、ビア形成時のズレを考慮する必要がある。よって、上下の配線の接続部には、ビア径よりも大きな「受け（ランド）」が必要となる。しかしながら、ランド径が大きくなると、配線密度の低下や、ビアの面積とは異なる寸法となるため特性インピーダンスの不整合が生じる、といった問題が起こる。また、特性インピーダンスの不整合により、反射損失が増加するおそれがある。
【００４１】
本開示に係る配線基板１００によれば、配線１０５とビアランド１１３とを接続するために、絶縁層１０１の第１面ａにおいてランドを設けることを省略することができる。これにより、絶縁層１０１の第１面１０１ａにおいて、配線をより高密度に配置することができる。また、絶縁層１０１の第１面１０１ａにおいて、ランドを省略することで、搭載する半導体部品からはんだバンプまで、インピーダンス不整合を回避することができる。これにより、伝送する信号の反射損失を低減することができる。よって、信号の伝送を高速に行うことができる。
【００４２】
また、本開示に係る配線基板１００によれば、例えば、貫通孔１２９の上部において、ランドのサイズを小さくすることができる。つまり、図１Ａ示すように、ビア１０９（又は貫通孔１２９）の孔径と配線の幅とを同じ大きさにすることができる。これにより、ビアの密度及び配線密度を高めることができる。
【００４３】
また、多層配線基板において、伝送経路毎に配線の形状、配線の長さが異なることによるインピーダンスのミスマッチが発生する場合がある。例えば、配線と配線とが接続された第１伝送経路と、配線と配線との接続部が省略された配線の第２伝送経路とでは、配線の形状や配線の長さが異なっている。
【００４４】
そこで、本開示の一実施形態に係る配線基板１００では、第１伝送経路又は第２伝送経路に直列終端又は並列終端を設けることにより、第１伝送経路及び第２伝送経路のインピーダンスを調整し、インピーダンス不整合を抑制する。
【００４５】
図１Ｃに、本開示の一実施形態に係る配線基板１００の下面図を示す。図１Ｃにおいては、配線基板１００の裏面側、つまり絶縁層１０１の第２面１０１ｂに、直列終端を設ける例を示す。また、図１Ｃに示すように、絶縁層１０１の第２面１０１ｂには、はんだランド１１１と、はんだランド１１２と、ビアランド１１３と、抵抗膜１４１が設けられている。抵抗膜１４１は、はんだランド１１１とはんだランド１１２の少なくとも一方と、ビアランド１１３とを接続している。図１Ｃにおいては、抵抗膜１４１は、はんだランド１１２とビアランド１１３と接続している例を示す。
【００４６】
図１Ｃに示すように、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを、抵抗膜１４１を介して直列に接続することにより、第１伝送経路及び第２伝送経路のインピーダンスを調整し、インピーダンス不整合を抑制することができる。
【００４７】
図１Ａ乃至図１Ｃに示す絶縁層１０１及び絶縁層１０２として、電気絶縁性を有する材料を使用する。絶縁層１０１及び絶縁層１０２として、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネイト系樹脂等を使用することができる。なお、絶縁層１０１及び絶縁層１０２を、それぞれ単一の層によって構成する例について説明したが、これに限定されず、複数の層が積層された構成であってもよい。また、絶縁層１０１と絶縁層１０２との材料は、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００４８】
また、絶縁層１０１及び絶縁層１０２の厚さとして、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下とする。絶縁層１０１及び絶縁層１０２の厚さが、３μｍ未満となると、層の撓みが大きくなるため、製造工程におけるハンドリングが困難となる。また、絶縁層１０１及び絶縁層１０２の厚さが、３０μｍを超えると、層の重量が増加し、ハンドリングを行う装置への負担が大きくなる。また、配線基板１００を多層配線基板として使用する場合、絶縁層１０１及び絶縁層１０２の厚さが、厚くなるほど、各層間を電気的に接続する層間接続部を形成するための貫通孔がより深くなる。
【００４９】
配線１０３、配線１０４、及び配線１０５としては、導電性を有する材料であればよい。配線１０３、配線１０４、及び配線１０５としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム等を使用することができる。配線１０３、配線１０４、及び配線１０５は同一の材料を使用してもよいし、異なる材料を組み合わせて使用してもよい。配線１０３、配線１０４、及び配線１０５を、同一の材料で形成することにより、特性インピーダンス整合を、さらに向上させることができる。
【００５０】
また、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３としては、配線１０３等と同様の材料を使用することができる。また、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３は同一の材料を使用してもよいし、異なる材料を組み合わせて使用してもよい。
【００５１】
また、はんだランド１１１又ははんだランド１１２と、ビアランド１１３とを接続する抵抗膜１４１としては、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａ−ＳｉＯ2、Ｃｒ−ＳｉＯを使用することができる。
【００５２】
図２に、本開示の他の実施形態に係る配線基板の断面図を示す。図２に示す配線基板においては、図１に示す絶縁層１０１及び絶縁層１０２として同じ材料が用いられている。このように、絶縁層１０１及び絶縁層１０２として同じ材料を使用することにより、絶縁層１０１及び絶縁層１０２が一体化される。そのため、絶縁層１０１及び絶縁層１０２を１つの絶縁層としてみなすことができる。
【００５３】
図２に示すように、絶縁層１０１は、第１面１０１ａ及び第２面１０１ｂを有する。また、絶縁層１０１の内部には、ビア１０６を有する配線１０３が設けられており、絶縁層１０１の第１面１０１ａには、ビア１０８を有する配線１０４と、ビア１０９を有する配線１０５と、が設けられている。また、絶縁層１０１の第２面１０１ｂには、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３が設けられている。
【００５４】
配線１０４は、ビア１０８を介して配線１０３と接続され、配線１０３は、ビア１０６を介してはんだランド１１１と接続され、配線１０５は、ビア１０９を介してビアランド１１３と接続されている。
【００５５】
図３に、本開示の他の実施形態に係る配線基板の断面図を示す。図３に示す配線基板においては、絶縁層１０１上と、絶縁層１０１の側面とに接するように絶縁層１０２が設けられている。絶縁層１０２の第２面１０２ｂは、絶縁層１０１の第２面１０１ｂと同一平面であり、絶縁層１０２の第２面１０２ｂには、ビアランド１１３が設けられている。そして、絶縁層１０２の第１面１０２ａに設けられた配線１０５は、ビア１０９を介して、ビアランド１１３と接続されている。
【００５６】
図４に、本開示の他の実施形態に係る配線基板の断面図を示す。図４に示す配線基板においては、貫通孔１２９の孔径と、貫通孔１２７の孔径と、がほぼ同じ大きさである。ここでいう貫通孔１２９の孔径及び貫通孔１２７の孔径とは、ビアランド１１３側である。
【００５７】
本実施形態では、絶縁層１０１及び絶縁層１０２を２層積層して、各々の絶縁層に配線を設ける例について説明したが、本開示はこれに限定されない。絶縁層を、３層以上積層して各層に配線を設けてもよい。
【００５８】
［配線基板の製造方法１］
次に、本開示に係る配線基板１００の製造方法について、図５Ａ乃至図５Ｋを参照して説明する。なお、図５Ａ乃至図５Ｋにおいて、図１Ａ乃至図１Ｃと同じ構成については、同一の符号を付して説明する。
【００５９】
はじめに、支持基板１３１上に、導電層１３２を成膜する（図５Ａ参照）。支持基板１３１としては、半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などを使用することができる。また、導電層１３２としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解めっき、又は無電解めっき法などにより、金、銀、銅、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム等を使用して形成することができる。
【００６０】
次に、導電層１３２上に、絶縁層１０１を形成する（図５Ｂ参照）。絶縁層１０１としては、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネイト系樹脂を使用することができる。
【００６１】
次に、絶縁層１０１に、トレンチ１２１、貫通孔１２６、及び貫通孔１２７を形成する。絶縁層１０１に、トレンチ１２１、貫通孔１２６、及び貫通孔１２７を形成する方法として、インプリント法を使用する方法について説明する。
【００６２】
まず、絶縁層１０１を軟化させ、その表面（第１面１０１ａ）に、モールド２１０を圧入する（図５Ｃ参照）。モールド２１０は、凸部２１１、凸部２１１上の凸部２１２、及び凸部２１１と離間した凸部２１３を有する。モールド２１０において、凸部２１２の高さと、凸部２１３の高さとは同じである。モールド２１０を、凸部２１２及び凸部２１３側から絶縁層１０１に押圧し、凸部２１２の頂面及び凸部２１３の頂面が、導電層１３２に接するまでモールド２１０を押し込む。その状態で、絶縁層１０１を仮硬化させて、モールド２１０を絶縁層１０１から剥離する。その後、絶縁層１０１を本硬化させる。これにより、絶縁層１０１に、凸部２１１の形状を反映したトレンチ１２１、凸部２１２の形状を反映した貫通孔１２６、凸部２１３の形状を反映した貫通孔１２７を形成することができる（図５Ｄ参照）。なお、インプリント法に限定されず、フォトリソグラフィー法を使用したウェットエッチング又はドライエッチングによって、トレンチ１２１、貫通孔１２６、及び貫通孔１２７を形成してもよい。
【００６３】
なお、インプリント法により形成した絶縁層１０１のトレンチ１２１、貫通孔１２６、貫通孔１２７には、絶縁材料の残渣が残ることがある。この場合には、過マンガン酸塩溶液を使用したウェット処理や、酸素プラズマを使用したドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去することが好ましい。絶縁材料の残渣を除去することによって、後に形成される複数の配線のコンタクトを良好にすることができる。
【００６４】
次に、絶縁層１０１に、配線１０３及びビア１０６を形成する（図５Ｅ参照）。図５Ｄに示す工程において形成されたトレンチ１２１及び貫通孔１２６に導電体を充填することによって、配線１０３及びビア１０６を形成することができる。このとき、貫通孔１２７には、導電体を充填しない。本実施形態においては、絶縁層１０１のトレンチ１２１及び貫通孔１２６に、無電解又は電界めっき法を使用して銅を充填することで配線１０３及びビア１０６を形成する。なお、無電解又は電界めっき法に限定されず、導電ペーストを印刷することによって配線１０３を形成してもよい。
【００６５】
なお、絶縁層１０１の第１面１０１ａ及び配線１０３の表面に対して、化学的機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）または機械研磨法を用いて研磨処理を行うことが好ましい。これにより、絶縁層１０１のトレンチ１２１及び貫通孔１２６以外の領域に形成された導電体を除去することができる。また、絶縁層１０１の第１面１０１ａ及び配線１０３の表面を平坦化することができる。
【００６６】
次に、絶縁層１０１の第１面１０１ａ上に、絶縁層１０２を形成する（図５Ｆ参照）。絶縁層１０２は、絶縁層１０１と同様に、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネイト系樹脂を使用することができる。なお、絶縁層１０２の材料は、絶縁層１０１の材料と、同じ材料を使用してもよいし、異なる材料を使用してもよい。
【００６７】
次に、絶縁層１０２に、トレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９を形成する。絶縁層１０２に、トレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９を形成する方法としては、絶縁層１０１と同様に、インプリント法を使用する。
【００６８】
図５Ｃに示した工程と同様に、絶縁層１０２を軟化させ、その表面（第１面１０２ａ）に、モールド２２０を圧入する（図５Ｇ参照）。モールド２２０は、凸部２２１、凸部２２１上の凸部２２２、並びに凸部２２１と離間した凸部２２３及び凸部２２３上の凸部２２４を有する。モールド２２０において、凸部２２５の高さは、凸部２２２の高さよりも高い。モールド２２０を、凸部２２２及び凸部２２４側から絶縁層１０２に押圧し、凸部２２２の頂面が配線１０３に接し、凸部２２４の頂面が導電層１３２に接するまでモールド２２０を押し込む。その状態で、絶縁層１０２を硬化させて、モールド２２０を絶縁層１０２から剥離する。その後、絶縁層１０２を本硬化させる。これにより、絶縁層１０２に、凸部２２１の形状を反映したトレンチ１２２、凸部２２２の形状を反映した貫通孔１２８、凸部２２３の形状を反映したトレンチ１２３、及び凸部２２４の形状を反映した貫通孔１２９を形成することができる（図５Ｈ参照）。インプリント法を使用することにより、絶縁層１０１に形成された貫通孔１２７の内部に形成され、絶縁層１０２の第１面１０１ａから絶縁層１０１の第２面１０１ｂまで貫通している貫通孔１２９を、容易に形成することができる。このとき、貫通孔１２９の中心軸が、貫通孔１２７の中心軸とずれてしまった場合、後に形成される配線１０５を、導電層１３２と接続することが困難になる場合がある。そこで、貫通孔１２９の中心軸が、貫通孔１２７と同じ中心軸を有するように形成することにより、後に形成される配線１０５を、導電層１３２と、確実に接続することができる。なお、インプリント法に限定されず、フォトリソグラフィー法を使用したウェットエッチング又はドライエッチングによって、トレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９を形成してもよい。
【００６９】
絶縁層１０２から、モールド２２０を剥離した後、絶縁層１０２に、過マンガン酸塩溶液を使用したウェット処理や、酸素プラズマを使用したドライ処理を行ってもよい。これにより、貫通孔１２８及び貫通孔１２９において、絶縁材料の残渣を除去することができる。また、後に形成される複数の配線のコンタクトを良好にすることができる。
【００７０】
次に、絶縁層１０２に、配線１０４及び配線１０５を形成する（図５Ｉ参照）。図５Ｇに示す工程において形成されたトレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９に導電体を充填することによって、絶縁層１０２に、配線１０４、ビア１０８、配線１０５、ビア１０９を形成することができる。本実施形態においては、絶縁層１０２のトレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９に、無電解又は電界めっき法を使用して銅を充填することで配線１０４、ビア１０８、配線１０５、及びビア１０９を形成する。なお、無電解又は電界めっき法に限定されず、導電ペーストを印刷することによって配線１０４、ビア１０８、配線１０５、及びビア１０９を形成してもよい。
【００７１】
ここで、絶縁層１０２の第１面１０２ａ、配線１０４及び配線１０５の表面に対して、化学的機械研磨法または機械研磨法を用いて研磨処理を行うことが好ましい。これにより、絶縁層１０２のトレンチ１２２、貫通孔１２８、トレンチ１２３、及び貫通孔１２９以外の領域に形成された導電体を除去することができる。また、絶縁層１０２の第１面１０２ａ及び配線１０４及び配線１０５の表面を平坦化することができる。
【００７２】
次に、支持基板１３１を除去する（図５Ｊ参照）。化学的機械研磨法または機械研磨法を用いて、導電層１３２が露出するまで研磨処理を行うことによって、支持基板１３１を除去することができる。また、研磨処理にウェットエッチング又はドライエッチングを組み合わせて、支持基板１３１を除去してもよい。
【００７３】
次に、導電層１３２に、フォトリソグラフィー法により、パターニングを行うことで、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３を形成する（図５Ｋ参照）。
【００７４】
最後に、はんだランド１１１及びはんだランド１１２のそれぞれに、はんだバンプ１１４及びはんだバンプ１１５を形成する。以上の工程により、図１Ｂに示す配線基板１００を形成することができる。
【００７５】
本開示に係る配線基板１００の製造方法によれば、配線を形成するためのトレンチと貫通孔とを一括で形成することができる。また、配線を形成するためのフォトリソグラフィー法によるパターニングが不要となる。また、絶縁層１０２に設けられた配線１０５と、ビアランド１１３とを接続するためのビアランドを、絶縁層１０１上に設けることを省略することができる。これにより、コストダウンを図ることができ、配線密度を増加させることができる。また、絶縁層１０１上のビアランドを省略しても、絶縁層の上下の配線を接続するためのアラメント精度を緩和することができ、配線１０５とビアランド１１３とを良好に接続することができる。
【００７６】
また、配線及びビアをインプリント法により形成することで、例えば、ビア１０９の孔径と、配線１０５の幅とを同じにすることができる。これにより、ビア密度及び配線密度を高めることができる。
【００７７】
［終端処理］
次に、本開示に係る配線基板１００の終端処理について、図６乃至図１３を参照して説明する。
【００７８】
高速な信号の伝送を行うためには、伝送経路の末端でのインピーダンス不整合に伴う信号の反射、及び反射による波形の歪みを防止するために、伝送経路を適切な方法で終端する必要がある。
【００７９】
図６及び図７に、伝送経路の末端を、直列に終端する場合について示す。図６及び図７は、配線基板１００の下面図である。図６に、図１Ｃと同様に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂにおいて、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを抵抗膜１４１によって接続する例を示す。
【００８０】
また、図７に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂにおいては、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを、抵抗膜１４１及び配線１４３によって、接続する例を示す。
【００８１】
次に、図８及び図９に、伝送経路の末端を、並列に終端する場合について示す。図８及び図９は、配線基板１００の下面図である。図８に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂにおいて、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを配線１４４によって接続し、ビアランド１１３には、配線１４５が接続されている例を示す。
【００８２】
また、図９に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂにおいて、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを１４４６によって接続し、はんだランド１１２には配線１４５が接続されている例を示す。
【００８３】
図６乃至図９においては、はんだランド１１２とビアランド１１３とを、直列終端又は並列終端する場合について説明したが、本開示の一実施形態はこれに限定されない。はんだランド１１１とビアランド１１３とを、直列終端又は並列終端してもよい。
【００８４】
伝送経路の末端に直列終端又は並列終端を設けることにより、異なる伝送経路のインピーダンスを調整することができるため、インピーダンス不整合を抑制することができる。これにより、信号の伝送を高速に行うことができる。
【００８５】
次に、はんだランド１１２とビアランド１１３とを直列終端又は並列終端する場合のレイアウトについて、図１０乃至図１３を参照して説明する。なお、図１０乃至図１３においては、終端する導電層が設けられる絶縁層のみを示し、当該絶縁層よりも上層に設けられる絶縁層の図示を省略する。
【００８６】
図１０に、直列終端する場合の配線基板１００の外観図を示す。絶縁層３１１の第１面３１１ａには、ＧＮＤ線３１３、信号線３１４、及び信号線３１５が設けられている。また、絶縁層３１１の第２面３１１ｂには、抵抗膜３１２が設けられている。図１０に示すように、絶縁層３１１の第２面３１１ｂに形成される抵抗膜３１２は、マイクロストリップラインとなるように配置することが好ましい。信号線３１４及び信号線３１５に隣接してＧＮＤ線を設けることにより、ノイズ発生を抑制することができる。
【００８７】
また、図１１に、並列終端する場合の配線基板１００の外観図を示す。図１０と同様に、絶縁層３１１の第１面３１１ａには、ＧＮＤ線３１３、信号線３１４、及び信号線３１５が設けられている。また、絶縁層３１１の第２面３１１ｂには、配線３１６が設けられている。図１１に示すように、絶縁層３１１の第２面３１１ｂに形成される配線３１６は、マイクロストリップラインとなるように配置することが好ましい。信号線３１４及び信号線３１５に隣接してＧＮＤ線を設けることにより、ノイズ発生を抑制することができる。
【００８８】
なお、直列終端する場合において、やむをえず、抵抗膜を信号線と交差させる場合には、抵抗膜と信号線とを直交させて、オーバーラップ部分を低減することが好ましい。
【００８９】
直列終端する場合には、例えば、図１２に示すように、絶縁層３１１の第１面３１１ａに、信号線３１９、ＧＮＤ線３１７、及びＧＮＤ線３１８を設け、第２面３１１ｂには、信号線３１９と交差するように、抵抗膜３１２を設ける。信号線３１９は、抵抗膜３１２と直交することがより好ましい。信号線３１９が、抵抗膜３１２と交差するように設けることにより、信号線３１９と、抵抗膜３１２との相互干渉を抑制することができる。
【００９０】
また、並列終端する場合も同様に、例えば、図１３に示すように、絶縁層３１１の第１面３１１ａに、信号線３１９、ＧＮＤ線３１７、ＧＮＤ線３１８を設け、第２面３１１ｂには、信号線３１９と交差するように、配線３１６を設ける。また、信号線３１９は、配線３１６と直交することがより好ましい。信号線３１９が、配線３１６と交差するように設けることにより、信号線３１９と、配線３１６との相互干渉を抑制することができる。
【００９１】
［配線基板の製造方法２］
次に、配線基板の製造方法１とは異なる配線基板の製造方法２について、図１４Ａ乃至図１４Ｆを参照して説明する。なお、図１４Ａ乃至図１４Ｆにおいて、図５Ａ乃至図５Ｋと同様の工程は、適宜省略して説明する。
【００９２】
はじめに、支持基板１３１上に、絶縁層１０１を形成する（図１４Ａ参照）。図１４Ａでは、導電層１３２の成膜を省略する。
【００９３】
次に、図５Ｂ乃至図５Ｉの工程と同様のプロセスを経て、図１４Ｂに示すように、絶縁層１０２に、配線１０４、及び配線１０５を形成する。
【００９４】
次に、支持基板１３１を除去する（図１４Ｃ参照）。化学的機械研磨法または機械研磨法を用いて、絶縁層１０１が露出するまで研磨処理を行うことによって、支持基板１３１を除去することができる。また、研磨処理にウェットエッチング又はドライエッチングを組み合わせて、支持基板１３１を除去してもよい。
【００９５】
次に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３を形成する（図１４Ｄ参照）。はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３は、スパッタリング法、電解めっき法、又は無電解めっき法などにより、金、銀、銅、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム等を使用して形成する。
【００９６】
次に、はんだランド１１２と、ビアランド１１３とを接続する抵抗膜１４１を形成する（図１４Ｅ参照）。抵抗膜１４１として、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａ−ＳｉＯ2、Ｃｒ−ＳｉＯを使用することができる。例えば、Ｎｉ−Ｃｒは、真空蒸着法により形成することができ、Ｔａは、スパッタリング法に形成することができ、Ｃｒ−ＳｉＯは、フラッシュ蒸着法により形成することができる。
【００９７】
最後に、はんだランド１１１及びはんだランド１１２のそれぞれに、はんだバンプ１１４及びはんだバンプ１１５を形成する。以上の工程により、図１４Ｆに示す配線基板１４０を形成することができる。
【００９８】
なお、配線基板の製造方法２において、はんだランド１１１、はんだランド１１２、ビアランド１１３と、抵抗膜１４１の形成順序を逆にしてもよい。例えば、図１５Ａに示すように、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに、抵抗膜１４１を形成する。抵抗膜１４１は、図１４Ｅにて説明した材料及び方法により形成することができる。
【００９９】
次に、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３を形成する（図１５Ｂ参照）。はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３は、図１４Ｄにて説明した材料及び方法により形成することができる。
【０１００】
最後に、はんだランド１１１及びはんだランド１１２のそれぞれに、はんだバンプ１１４及びはんだバンプ１１５を形成する（図１５Ｃ参照）。以上の工程により、図１５Ｃに示す配線基板１５０を形成することができる。
【０１０１】
または、はんだランド１１１、はんだランド１１２、及びビアランド１１３は、図１４Ｄにて説明した方法以外にも、スクリーン印刷法により、形成することができる（図１５Ｄ参照）。スクリーン印刷法を使用することで、はんだランド１１２は、抵抗膜１４１と、第２面１０１ｂとで膜厚が異なる領域が形成される。また、ビアランド１１３についても、抵抗膜１４１と、第２面１０１ｂとで膜厚が異なる領域が形成される。
【０１０２】
最後に、はんだランド１１１及びはんだランド１１２のそれぞれに、はんだバンプ１１４及びはんだバンプ１１５を形成する。以上の工程により、図１５Ｅに示す配線基板１６０を形成することができる。
【０１０３】
［配線基板の構成２］
配線基板の構成１において、絶縁層１０１及び絶縁層１０２を２層積層して、各々の絶縁層に配線を設ける例について説明したが、配線基板の構成２においては、絶縁層を３層積層した場合について、図１６を参照して説明する。なお、図１と同じ構成については、同一の符号を付して説明する。
【０１０４】
図１６に示すように、絶縁層１０１には、さらに貫通孔１２４が設けられており、絶縁層１０２には、さらに貫通孔１２５が設けられている。また、絶縁層１０２上には、絶縁層１５１が設けられており、絶縁層１５１には、トレンチ１５２、貫通孔１５３、トレンチ１５４、貫通孔１５５、トレンチ１５６、及び貫通孔１５７が設けられている。そして、トレンチ１５２には、配線１６２が設けられており、貫通孔１５３には、ビア１６３が設けられている。また、トレンチ１５４には、配線１６４が設けられており、貫通孔１５５には、ビア１６５が設けられている。また、トレンチ１５６には、配線１６６が設けられており、貫通孔１５７には、ビア１６７が設けられている。
【０１０５】
絶縁層１５１に設けられた配線１６２は、ビア１６３を介して、絶縁層１０１に設けられた配線１０３と接続され、配線１０３は、ビア１０６を介して、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに設けられたはんだランド１１１と接続されている。また、絶縁層１５１に設けられた配線１６４は、ビア１６５を介して、絶縁層１０２に設けられた配線１０５と接続されており、配線１０５は、ビア１０９を介して、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに設けられたビアランド１１３と接続されている。また、絶縁層１５１に設けられた配線１６６は、ビア１６７を介して、絶縁層１０１の第２面１０１ｂに設けられたビアランド１１６と接続されている。
【０１０６】
図１６に示すように、絶縁層を３層以上設ける構成であっても、絶縁層と絶縁層との間に、ランドを省略することができるため、配線をより高密度の配置することができる。また、ランドを省略することで、搭載する半導体部品からはんだバンプまで、インピーダンス不整合を回避することができる。これにより、伝送する信号の反射損失を低減することができる。よって、信号の伝送を高速に行うことができる。
【０１０７】
また、異なる伝送経路であっても、直列終端又は並列終端を設けることにより、伝送経路のインピーダンスを設けることにより、インピーダンス不整合を抑制することができる。
【０１０８】
〈第２実施形態〉
本実施形態では、本開示の一実施形態に係る半導体装置４００の外観図について、図１７Ａ及び図１７Ｂを参照して説明する。
【０１０９】
図１７Ａに、本開示の一実施形態に係る半導体装置４００の外観図を示す。配線基板４１０上に、半導体部品４０１が搭載されている。配線基板４１０としては、第１実施形態にて説明した配線基板１００を使用する。また、半導体部品４０１としては、例えば、中央処理装置、不揮発性メモリ、ＤＲＡＭ、ＲＯＭ、センサ、電源回路等が挙げられる。また、半導体部品４０１は、複数の金のワイヤー４０２によって、配線基板４１０とボンディングされている。図１７Ａにおいては、配線基板４１０上に、一つの半導体部品４０１を搭載する例について示すが、本開示はこれに限定されず、複数の半導体部品を搭載することもできる。
【０１１０】
配線基板４１０の下面には、複数個のボール状のはんだバンプ４０３が、グリッド状に配置されている。また、図１７Ｂに示すように、配線基板４１０上の半導体部品４０１は、パッケージ４０４によって包まれている。パッケージ４０４は、樹脂やセラミックスによって構成されている。
【０１１１】
本実施形態に係る半導体装置４００には、本開示の一実施形態に係る配線基板４１０が適用されている。当該配線基板４１０には、配線と配線とを接続するためのランドが省略されている。そのため、配線密度が増加した配線基板３１０となっている。また、配線と配線とを接続するランドが省略されることで、搭載する半導体部品からはんだバンプまで、インピーダンス不整合を回避することができる。これにより、伝送する信号の反射損失を低減することができる。よって、信号の伝送を高速に行うことができる。
【０１１２】
また、異なる伝送経路であっても、直列終端又は並列終端を設けることにより、伝送経路のインピーダンスを設けることにより、インピーダンス不整合を抑制することができる。
【０１１３】
本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。
【０１１４】
また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。
【符号の説明】
【０１１５】
１００：配線基板、１０１：絶縁層、１０１ａ：第１面、１０１ｂ：第２面、１０２：絶縁層、１０２ａ：第１面、１０２ｂ：第２面、１０３：配線、１０４：配線、１０５：配線、１０６：ビア、１０８：ビア、１０９：ビア、１１０：配線基板、１１１：ランド、１１２：ランド、１１３：ビアランド、１１４：バンプ、１１５：バンプ、１１６：ビアランド、１２０：配線基板、１２１：トレンチ、１２２：トレンチ、１２３：トレンチ、１２４：貫通孔、１２５：貫通孔、１２６：貫通孔、１２７：貫通孔、１２８：貫通孔、１２９：貫通孔、１３０：配線基板、１３１：支持基板、１３２：導電層、１４０：配線基板、１４１：抵抗膜、１４３：配線、１４４：配線、１４５：配線、１５０：配線基板、１５１：絶縁層、１５２：トレンチ、１５３：貫通孔、１５４：トレンチ、１５５：貫通孔、１５６：トレンチ、１５７：貫通孔、１６０：配線基板、１６２：配線、１６３：ビア、１６４：配線、１６５：ビア、１６６：配線、１６７：ビア、２１０：モールド、２１１：凸部、２１２：凸部、２１３：凸部、２２０：モールド、２２１：凸部、２２２：凸部、２２３：凸部、２２４：凸部、２２５：凸部、３１０：配線基板、３１１：絶縁層、３１１ａ：第１面、３１１ｂ：第２面、３１２：抵抗膜、３１３：線、３１４：信号線、３１５：信号線、３１６：配線、３１７：線、３１８：線、３１９：信号線、４００：半導体装置、４０１：半導体部品、４０２：ワイヤー、４０３：バンプ、４０４：パッケージ、４１０：配線基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図５Ｊ】
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【図５Ｋ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１４Ｅ】
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【図１４Ｆ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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