(57)【要約】【課題】列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより輝度ムラを改善する。【解決手段】少なくとも画素電極層１１９の行方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に並設された複数の列絶縁層５２２Ｙと、行方向に隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙それぞれに、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部間にわたって列方向に連続して配されている有機発光層１２３と、有機発光層１２３上方に配された透光性の対向電極層１２５とを備え、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部から列方向に所定の長さＬｐｌの第１列区間５２２Ｙｐｌ内には、行方向に隣接する２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙幅Ｗｐｌが、第１列区５２２Ｙｐｌ間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌ内における、２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅Ｗｃｌよりも狭い狭隙部５２２Ｙａが存在する。【選択図】図６
2018018784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配された複数の画素電極層と、
少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、
行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに、前記列絶縁層の列方向端部間にわたり列方向に連続して配されている有機発光層と、
前記有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、
前記複数の列絶縁層の一部には、前記列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内には、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅が、前記第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内における、前記２つの列絶縁層間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部が存在する
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第１列区間における行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅が、前記第２列区間内における前記２つの前記列絶縁層間の間隙幅よりも狭い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記複数の列絶縁層は、
前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されている複数の第１列絶縁層と、
前記第１列区間において、行方向に隣接する２つの前記第１列絶縁層間に、列方向に延伸して配された第２列絶縁層とを含む
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記列絶縁層の表面には、前記第１列区間において基板の平面視方向に突出する凸部を有し、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層上の凸部間の間隔が、前記第２列区間内における前記２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記有機発光層の材料と有機溶媒とを含むインクを前記間隙に充填したときに、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層に基づく前記インクの毛細管力は、当該２つの列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内において、前記第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内よりも大きい
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記列絶縁層は、前記第１列区間において前記第２列区間よりも。前記インクに対する撥液性が低い
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
行列状に配された前記画素電極層のうち、列方向の最も外方にある最外画素電極の列方向外縁は、前記列絶縁層の列方向端部よりも所定の長さ以上前記基板内方に位置する
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
少なくとも前記画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行絶縁層を備え、
前記発光層は、前記行絶縁部上を列方向に連続して配されている
請求項１から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記有機発光層は、前記画素電極層上方であって、前記行絶縁層及び前記列絶縁層が存在しない領域において有機電界発光を生ずる
請求項１から８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記所定の長さは、列方向における前記画素電極のピッチの、２倍以上１０倍以下である
請求項１から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記狭隙部における行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅は、前記第２列区間内における前記２つの列絶縁層間の間隙幅の３０％以上９５％以下である
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記有機発光層には、行方向に順に配された青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層からなり、
前記狭隙部が存在する列絶縁層間の間隙には、青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層から選択される１以上が形成されている
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上に行列状に複数の画素電極層を形成する工程と、
少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列絶縁層を並設する工程と、
行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに、前記列絶縁層の列方向端部間にわたり列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥して有機発光層を形成する工程と、
前記有機機能層上方に透光性の対向電極層を形成する工程とを有し、
前記複数の列絶縁層を並設する工程では、前記列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内には、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅が、前記第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内における、前記２つの列絶縁層間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部が存在するように前記複数の列絶縁層を並設する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の画素を形成し、隣り合うＲＧＢの画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層等の機能膜が配設された素子構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。
【０００４】
ところで、このような基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分では、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きい。その結果、基板中央部分に形成される画素の機能層と基板端部に形成される画素の機能層とは膜厚が互いに異なる傾向がある。このように、基板中央部分の画素と基板周縁部分の画素とで機能層の膜厚が異なると、各機能層の特性も互いに異なるため、有機ＥＬ表示パネルとして輝度ムラの原因となっていた。
【０００５】
これに対して、例えば、特許文献１では、基板中心部を含む表示素子配列領域の周囲の基板上に、インクあるいは溶媒を塗布した非発光領域（ダミー領域）を設けて面内の溶媒蒸気濃度ムラが改善することにより、有機層の形状ムラを改善して輝度ムラを低減する有機ＥＬディスプレイパネルが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２７７９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている、表示素子配列領域において２以上の互いに平行な列状絶縁層間に列状塗布領域を規定して、列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを塗布する構成では、表示素子配列領域の周囲に非発光領域を設けて面内の溶媒蒸気濃度ムラを改善した場合でも、列という形状をとるためにインク対流を発生しやすく、また影響を受けやすいために、列状塗布領域内で機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となるという課題があった。
【０００８】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより輝度ムラを改善する有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、基板上に行列状に配された複数の画素電極層と、少なくとも画素電極層の行方向外縁間に位置する基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、行方向に隣接する列絶縁層間の間隙それぞれに、列絶縁層の列方向端部間にわたり列方向に連続して配されている有機発光層と、有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、複数の列絶縁層の一部には、列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内には、行方向に隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅が、第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内における、２つの列絶縁層間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部が存在することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより輝度ムラを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の模式平面図である。
【図４】図３におけるＸ０部の拡大平面図である。
【図５】有機ＥＬ表示素子１００のサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【図６】図３におけるＸ１部の拡大平面図である。
【図７】図３におけるにおけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図８】図３におけるにおけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１２】有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における、膜厚の測定位置を示す模式平面図である。
【図１３】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における膜厚の測定結果であり、（ｂ）は比較例における膜厚の測定結果である。
【図１４】（ａ）は、比較例における列絶縁層端部付近の模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ２−Ａ２で切った模式側断面図、（ｃ）は、時間経過に伴う膜厚の変化を示す模式側断面図である。
【図１５】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の列絶縁層端部付近の模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切った模式側断面図、（ｃ）は、時間経過に伴う膜厚の変化を示す模式側断面図である。
【図１６】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における膜形状を示す模式図であり、（ｂ）は比較例における膜形状を示す模式図である。
【図１７】有機ＥＬ表示パネル１０Ａにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。
【図１８】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＸ２部の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、基板上に行列状に配された複数の画素電極層と、少なくとも画素電極層の行方向外縁間に位置する基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層と、行方向に隣接する列絶縁層間の間隙それぞれに、列絶縁層の列方向端部間にわたり列方向に連続して配されている有機発光層と、有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、複数の列絶縁層の一部には、列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内には、行方向に隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅が、第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内における、２つの列絶縁層間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部が存在することを特徴とする。係る構成により、基板上の列状塗布領域内に有機発光材料を含むインクを塗布して製造する有機ＥＬ表示パネルにおいて、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより、成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。
【００１３】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第１列区間における行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅が、前記第２列区間内における前記２つの前記列絶縁層間の間隙幅よりも狭い構成としてもよい。係る構成により、第１列区間において、列絶縁層の行方向幅を異ならせる簡易な構成により、第１列区間の行方向に隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅が、第２列区間内の列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部を形成できる。
【００１４】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記複数の列絶縁層は、前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されている複数の第１列絶縁層と、前記第１列区間において、行方向に隣接する２つの前記第１列絶縁層間に、列方向に延伸して配された第２列絶縁層とを含む構成としてもよい。係る構成により、第１列区間において、前記第１列区間において隣接する２つの前記第１列絶縁層間に、列方向に延伸する第２列絶縁層を設けるという簡易な構成により、第１列区間の間隙幅が、第２列区間内の間隙幅よりも狭い狭隙部を形成できる。
【００１５】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記列絶縁層の表面には、前記第１列区間において基板の平面視方向に突出する凸部を有し、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層上の凸部間の間隔が、前記第２列区間内における前記２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い構成としてもよい。係る構成により、第１列区間において、前記第１列区間において基板の平面視方向に突出する凸部を有するという簡易な構成により、第１列区間の間隙幅が、第２列区間内の間隙幅よりも狭い狭隙部を形成できる。
【００１６】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記有機発光層の材料と有機溶媒とを含むインクを前記間隙に充填したときに、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層に基づく前記インクの毛細管力は、当該２つの列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内において、前記第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内よりも大きい構成としてもよい。係る構成により、基板上の列状塗布領域内に有機発光材料を含むインクを塗布して製造する表示パネルにおいて、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和して、列状塗布領域内で機能層の膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
【００１７】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記列絶縁層は、前記第１列区間において前記第２列区間よりも。前記インクに対する撥液性が低い構成としてもよい。係る構成により、第１列区間である狭隙部存在区間において列絶縁層からインクに付勢される毛細管力は、狭隙部存在区間よりも内方の第２列区間である広隙区間において列絶縁層からインクに付勢される毛細管力よりも大きくすることができ、具体的には列状塗布領域内で乾燥に伴い中央部分に集まるインクを周縁部分に引き寄せることが可能となり、機能層の膜厚の均一化を図ることができる。
【００１８】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、行列状に配された前記画素電極層のうち、列方向の最も外方にある最外画素電極の列方向外縁は、前記列絶縁層の列方向端部よりも所定の長さ以上前記基板内方に位置する構成としてもよい。係る構成により、列絶縁層の列方向端部よりも所定の長さ以上の範囲を、各区画に有機ＥＬ表示素子が形成されていない非発光領域とすることができる。
【００１９】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、少なくとも前記画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行絶縁層を備え、前記発光層は、前記行絶縁部上を列方向に連続して配されている構成としてもよい。係る構成により、列絶縁層間の間隙における発光層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御することができる。
【００２０】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記有機発光層は、前記画素電極層上方であって、前記行絶縁層及び前記列絶縁層が存在しない領域において有機電界発光を生ずる構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記所定の長さは、列方向における前記画素電極のピッチの、２倍以上１０倍以下である構成としてもよい。係る構成により、列絶縁層の端部から適切な範囲に狭隙部存在区間を形成できる。
【００２１】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記狭隙部における行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅は、前記第２列区間内における前記２つの列絶縁層間の間隙幅の３０％以上９５％以下である構成としてもよい。係る構成により、列絶縁層に適切な間隙幅の狭隙部存在区間を形成することができ、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和し、列状塗布領域内で機能層の膜厚が均一性の向上することができる。前記第１列区間内を前記第２列区間内における前記２つの列絶縁層間の間隙幅を３０％未満にすると第１列区間内に必要以上の毛細管力が機能し逆に不均一になる可能性がある。
【００２２】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記有機発光層には、行方向に順に配された青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層からなり、前記狭隙部が存在する列絶縁層間の間隙には、青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層から選択される１以上が形成されている構成としてもよい。係る構成により、インク塗布における膜厚変動が相対的に大きい、例えば、赤色発光層形成領域において、狭隙部存在区間を有する構成として、膜厚変動が相対的に大きい発光層色について選択的に膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
【００２３】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極層を形成する工程と、少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列絶縁層を並設する工程と、行方向に隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに、前記列絶縁層の列方向端部間にわたり列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥して有機発光層を形成する工程と、前記有機機能層上方に透光性の対向電極層を形成する工程とを有し、前記複数の列絶縁層を並設する工程では、前記列絶縁層の列方向端部から列方向に所定の長さの第１列区間内には、行方向に隣接する２つの前記列絶縁層間の間隙幅が、前記第１列区間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間内における、前記２つの列絶縁層間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅よりも狭い狭隙部が存在するように前記複数の列絶縁層を並設することを特徴とする。係る構成により、輝度ムラの要因となる列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることができる。
【００２４】
≪実施の形態≫
１．表示装置１の構成
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００２５】
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
【００２６】
２．表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０における、複数の有機ＥＬ素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する３色のサブ画素（不図示）１００ｓｅからなる単位画素１００ｅから構成される。各サブ画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ表示素子１００における回路構成を示す模式回路図である。表示パネル１０においては、単位画素１００ｅを構成する有機ＥＬ表示素子１００がマトリクス状に配されて表示領域を構成している。
【００２７】
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各サブ画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
【００２８】
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
【００２９】
表示パネル１０においては、隣接する複数のサブ画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つのサブ画素１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各サブ画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインＧＬが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各サブ画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインＳＬが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００３０】
また、各サブ画素ｓｅの電源ラインＶａ及び各サブ画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
３．表示パネル１０の全体構成
３．１  概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００３１】
図３は、表示パネル１０の模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ表示素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。
【００３２】
図３に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列絶縁層５２２Ｙの列方向の端部５２２Ｙｅに相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材３００が形成されている。さらに、区画領域１０ａは、基板中心を含む表示素子配列領域１０ｅと、表示素子配列領域１０ｅの周囲に非発光領域１０ｎｅとから構成されている。表示素子配列領域１０ｅは、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されている領域であり、非発光領域１０ｎｅでは、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない領域である。また、Ｘ、Ｙ方向における非発光領域１０ｎｅの長さは、サブ画素１００ｓｅのＸ、Ｙ方向の長さに対し、それぞれ、２倍以上１０倍以下であることが好ましく、さらに３倍以上５倍以下であることがより一層好ましい。本実施の形態では、Ｘ，Ｙ方向とも４倍とした。表示素子配列領域１０ｅ、非発光領域１０ｎｅの詳細については後述する。
【００３３】
３．２  表示素子配列領域１０ｅの構成
図４は、図３におけるＸ０部の拡大平面図である。図５は、有機ＥＬ表示素子１００のサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層の部分を斜め上方から視した斜視図である。
表示パネル１０の表示素子配列領域１０ｅには、有機ＥＬ表示素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図４に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つのサブ画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００３４】
また、図４に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
【００３５】
表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４及び外縁１１９ａ３、１１９ａ４間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列絶縁層５２２Ｙが複数行方向に並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列絶縁層５２２Ｙの行方向外縁により規定される。
【００３６】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、１１９ａ２及び外縁１１９ａ１、１１９ａ２間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行絶縁層１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行絶縁層１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００３７】
隣り合う列絶縁層５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列絶縁層５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【００３８】
また、図４に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【００３９】
図４、５に示すように、１つのサブ画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列絶縁層５２２Ｙと行方向に設けられた行絶縁層１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行絶縁層１２２Ｘと行絶縁層１２２Ｘの間に位置している。
３．３  非発光領域１０ｎｅの構成
図６は、図３におけるＸ１部の拡大平面図である。表示パネル１０では、上述のとおり、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない非発光領域１０ｎｅが形成されている。本実施の形態では、非発光領域１０ｎｅ内において、基板１００ｘ上の各区画に画素電極層１１９が配設されていない構成を採る。
【００４０】
図６に示すように、列絶縁層５２２Ｙは列方向の端部５２２Ｙｅから所定の距離Ｌｐｌまでの第１列区間５２２Ｙｐｌでは行方向の厚みｔｐｌが、第１列区間５２２Ｙｐｌより内方の第２列区間５２２Ｙｃｌにおける厚みｔｃｌに比べて拡幅した構成を採る。これにより、第１列区間５２２Ｙｐｌにおける隣接する列絶縁層５２２Ｙの間隙５２２ｚの幅Ｗｐｌは、第１列区間５２２Ｙｐｌより基板内方の第２列区間５２２Ｙｃｌにおける間隙５２２ｚの幅Ｗｃｌに対し狭く形成されている。寸法の比率では、幅Ｗｐｌは、幅Ｗｃｌに対し３０％以上９５％以下に形成されていることが好ましく、さらに５０％以上８５％以下であることがより一層好ましい。い。本実施の形態では、当該比率は８０％とした。係る構成により、列絶縁層５２２Ｙに適切な間隙幅の狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを形成することができ、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和し、列状塗布領域内で機能層の膜厚が均一性の向上することができる。
【００４１】
また、第１列区間５２２Ｙｐｌの長さは、単位画素１００ｅの列方向長さに対し、２倍以上１０倍以下であることが好ましく、さらに３倍以上５倍以下であることがより一層好ましい。本実施の形態では、当該比率は４倍とした。
係る構成により、列絶縁層５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから適切な範囲に狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを形成できる。なお、本例では、端部５２２Ｙｅから所定の距離Ｌｐｌの範囲は、非発光領域１０ｎｅ内に位置する。その理由は、列絶縁層５２２Ｙの行方向厚み変化位置を非発光領域１０ｎｅ内に設けることにより、列絶縁層５２２Ｙの厚みの変化に起因する輝度変化を生じさせないためである。
【００４２】
なお、第１列区間５２２Ｙｐｌにおける、行方向に隣接する列絶縁層５２２Ｙの間の間隙幅Ｗｐｌが狭い列絶縁層５２２Ｙの部分を狭隙部５２２Ｙｐｌとする。本例では、第１列区間５２２Ｙｐｌ内の列絶縁層５２２Ｙ全部が狭隙部５２２Ｙｐｌである。また、本明細書では、狭隙部５２２Ｙｐｌが形成された状態における第１列区間５２２Ｙｐｌを狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌとし、狭隙部５２２Ｙｐｌが形成された状態における第１列区間５２２Ｙｐｌより基板内方の第２列区間５２２Ｙｃｌを広隙区間５２２Ｙｐｌとする。
【００４３】
４．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ表示素子１００の構成を図７及び図８の模式断面図を用いて説明する。図７は、図４におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図８は、図４におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
【００４４】
４．１  基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
【００４５】
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくともサブ画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００４６】
４．２  有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースＳ1とが接続される。
【００４７】
（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１
画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【００４８】
（３）絶縁層１２２
画素電極層１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなる絶縁層１２２が形成されている。絶縁層１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列絶縁層５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行絶縁層１２２Ｘとがあり、図４に示すように、列絶縁層５２２Ｙは絶縁層１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙを区別しない場合は「絶縁層１２２」とする）。また、列絶縁層５２２Ｙは絶縁層１２２Ｘの上面１２２Ｘｂよりも高い位置に上面５２２Ｙｂを有する。
【００４９】
具体的には、行絶縁層１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９の一部１１９ｂと重なった状態で形成され、行絶縁層１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、ａ２間の距離δＹより所定長さ大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、２を被覆することにより対向電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００５０】
行絶縁層１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行絶縁層１２２Ｘは、各列絶縁層５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列絶縁層５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上１２２Ｘｂを有する。そのため、行絶縁層１２２Ｘと列絶縁層５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００５１】
行絶縁層１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行絶縁層１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動性を高めサブ画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行絶縁層１２２Ｘにより画素電極層１１９は露出することはなく、行絶縁層１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。
【００５２】
絶縁層１２２Ｘの厚みの上限膜厚は、２μｍより厚い場合はインクの濡れ広がりが悪く、１．２μｍ以下の場合には、インクの濡れ広がりが更に良化する。また、下限膜厚は、下限膜厚は、０．１μｍ以上あれば、画素電極層１１９端部が絶縁層１２２で被覆され画素電極層１１９と対向電極層１２５がショートする事なく一定の歩留りで製造可能となる。０．２μｍ以上あれば、膜厚バラつきにともなう上記のショート不良が軽減され安定的に製造可能となる。絶縁層１２２に接続溝部を設ける場合における、溝部の底における膜厚も同様である。
【００５３】
したがって、行絶縁層１２２Ｘの厚み、例えば、０．１μｍ以上２μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上１．２μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約１．０μｍとした。
列絶縁層５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列絶縁層５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。
【００５４】
具体的には、列絶縁層５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成され、列絶縁層５２２Ｙが形成される領域の行方向の幅ＷＸは、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間の距離δＸより所定幅大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆することにより対向電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。そのため、列絶縁層５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
【００５５】
列絶縁層５２２Ｙの厚み、例えば、０．１μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約２．０μｍとした。
絶縁層１２２は、画素電極層１１９の外縁１１９ａ１、ａ２、ａ３、ａ４（以後、区別しない場合には「外縁１１９ａ」とする）と、対向電極層１２５との間における厚み方向（Ｚ方向）の電流リークを防止するために、絶縁層１２２は、体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上の絶縁性を備えていることが必要である。そのために、絶縁層１２２は、は後述するように所定の絶縁材料からなる構成を採る。
【００５６】
（４）発光層１２３
表示パネル１０は、列絶縁層５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列絶縁層５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
【００５７】
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。
発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行絶縁層１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行絶縁層１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００５８】
発光層１２３のうち行絶縁層１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。すなわち、非自己発光領域１００ｂとは、行絶縁層１２２Ｘを平面視方向に投影した領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行絶縁層１２２Ｘの上面及び側面上に位置する。
【００５９】
なお、図７に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行絶縁層１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【００６０】
（５）電子輸送層１２４
絶縁層１２２上及び絶縁層１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列絶縁層５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【００６１】
（６）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
【００６２】
対向電極層１２５は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。
（７）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。
【００６３】
（８）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００６４】
（９）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００６５】
（１０）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
【００６６】
４．３  各部の構成材料
図４、５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
下部基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、、ポリスチレン、、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。  ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
【００６７】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
【００６８】
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２．０μｍ〜８．０μｍ  の範囲とすることができる。
（２）画素電極層１１９
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、層厚を最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００６９】
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００７０】
ホール注入層１２０を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
（４）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
【００７１】
（５）絶縁層１２２
絶縁層１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。絶縁層１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。絶縁層１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００７２】
または、絶縁層１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
上述のとおり、絶縁層１２２Ｘは、約１μｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、０．１μｍ〜２μｍの範囲とすることができる。また、絶縁層５２２Ｙは、約２μｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、０．１μｍ〜５μｍの範囲とすることができる。
【００７３】
さらに、絶縁層１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、絶縁層１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、絶縁層１２２の表面に撥水性を低くするために、絶縁層１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
【００７４】
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７５】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（８）対向電極層１２５
対向電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
【００７６】
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７７】
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００７８】
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００７９】
５．表示パネル１０の製造方法
（１）画素電極層１１９の形成
図９（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する。
画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
【００８０】
（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成
図９（ｂ）に示すように、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成し、その縁部を覆うように絶縁層１２２を形成する。
ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
【００８１】
（３）絶縁層１２２の形成
図９（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うように絶縁層１２２を形成する。絶縁層１２２の形成では、先ず行絶縁層１２２Ｘを形成し、その後、各画素を規定する間隙５２２Ｚを形成するように列絶縁層５２２Ｙを形成し、間隙５２２Ｚ内の行絶縁層１２２Ｘと行絶縁層１２２Ｘとの間にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。
【００８２】
絶縁層１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、スピンコート法などを用い、絶縁層１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙを順に形成する。行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【００８３】
具体的には、絶縁層１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクＰＭが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によって絶縁層１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。
一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。。露光されないマスクパターンの部分は、現像されず絶縁層１２２が約５ｍ程度の厚みで残存する。
【００８４】
列絶縁層５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列絶縁層５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列絶縁層５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列絶縁層５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。このとき、列絶縁層５２２Ｙは列方向の端部５２２Ｙｅから所定の距離Ｌｐｌまでの第１列区間５２２Ｙｐｌでは、第１列区間５２２Ｙｐｌより基板内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌよりも、列絶縁層５２２Ｙの行方向の幅が大きくパターニングされる。これにより、第１列区間５２２Ｙｐｌでは、第１列区間５２２Ｙｐｌより基板内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌよりも、隣接する列絶縁層５２２Ｙの間隙５２２ｚの長さが小さく形成される。
【００８５】
また、列絶縁層５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するため、列絶縁層５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。他方、行絶縁層１２２Ｘは、発光層１２３のインクの列方向への流動を制御するために、行絶縁層１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。
【００８６】
、列絶縁層５２２Ｙの表面に撥水性をもたせるために、列絶縁層５２２Ｙの表面をＣＦ４プラズマ処理することもできる。また、列絶縁層５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料、もしくはフッ素を含有した材料を混合した組成物を用いてもよい。
また、基板１００ｘ上の行絶縁層１２２Ｘはストライプ状となるために、例えば、ダイコート法を用いて基板１００ｘに行絶縁層１２２Ｘ、又は列絶縁層５２２Ｙのペーストをストライプ状に塗布し焼成して絶縁層１２２を製造してもよい。パターンマスクを介した紫外線照射等の工程が不要となり製造コストを低減できる。
【００８７】
製造上、絶縁層１２２の上限膜厚は、５μｍ以上では、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共にボトム線幅の制御が困難となる。また、コスト増大による生産性低下の観点から４μｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ未満では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性に影響する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し２μｍが限界となる。したがって、絶縁層１２２の厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、１μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上４μ以下であることが好ましい。
【００８８】
（４）発光層１２３、電子輸送層１２４の形成
列絶縁層５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３、および電子輸送層１２４を積層形成する。
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列絶縁層５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、この工程では、サブ画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（図９（ｃ））。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【００８９】
次に、真空蒸着法などを用い電子輸送層１２４を形成する。その後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する（図９（ｃ））。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（５）対向電極層１２５および封止層１２６の形成
図９（ｄ）に示すように、間隙５２２Ｚ内、及び列絶縁層５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【００９０】
（６）ＣＦ基板１３１の形成
次に、図１０（ａ）〜（ｄ）を用いてＣＦ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備する（図１０（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図１０（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１０（ｄ））。この図１０（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【００９１】
以上でＣＦ基板１３１が形成される。
（７）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
【００９２】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ））。
６．表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
【００９３】
６．１  膜厚測定結果
発明者は、表示パネル１０における発光層１２３の膜厚の分布を測定した。図１２は、表示パネル１０の実施例における膜厚の測定位置を示す模式平面図である。本試験では、表示パネル１０の実施例における、区画領域１０ａのＸ方向中心線上における基板１００ｘ上の発光層１２３の膜厚の分布を、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部５２２Ｙｅから端部５２２Ｙｅまで測定した。
【００９４】
図１３（ａ）は、表示パネル１０の実施例における膜厚の測定結果であり、（ｂ）は列絶縁層５２２Ｙに狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを設けていない比較例における膜厚の測定結果である。図１３（ｂ）に示すように、比較例では、列絶縁層５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）にて、上端部から約２０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１８ｎｍ減少している。また、下端部（２２０ｍｍ位置）にて、下端部から約４０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１３ｎｍ減少している。これに対し、図１３（ａ）に示すように、表示パネル１０の実施例では、列絶縁層５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）及び下端部（２２０ｍｍ位置）における膜厚の減少は全く観測されなかった。
【００９５】
以上の結果より、表示パネル１０では、比較例に対して隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙５２２ＹＺに沿った列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一性が向上したことが確認できる。
６．２  膜厚測定結果について
表示パネル１０から得られた発光層１２３の膜厚測定結果について考察する。図１４（ａ）−（ｃ）、図１５（ａ）−（ｃ）は、実施例と比較例における時間経過に伴う膜厚の変化を示したものである。また、図１６（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における膜形状を示す模式図であり、（ｂ）は比較例における膜形状を示す模式図である。
【００９６】
（比較例について）
図１４（ａ）は、列絶縁層５２２Ｙ０に狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを設けていない比較例における列絶縁層５２２Ｙ０の端部５２２Ｙｅ０付近の基板１００Ｘ０の模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ２−Ａ２で切った模式側断面図である。（ｃ）は、時間経過に伴う発光層１２３Ｙ０の膜厚の変化を示す（ａ）におけるＡ２−Ａ２で切った模式側断面図である。図１４（ａ）（ｂ）に示すように、基板１００Ｘ０には、列絶縁層５２２Ｙ０及び行絶縁層１２２ＸＯが配設されている。
【００９７】
図１４（ｃ）に示すように、基板１００ｘ上に塗布された発光層１２３Ｙ０のインクは、列絶縁層５２２Ｙ０の端部５２２Ｙｅ０から溶媒の乾燥は始まる。その理由は、ウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。成膜エリアとは、ウエットプロセスによりインクを塗布するエリアであり、図３に示した区画領域１０ａと同じ領域である。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない端部５２２Ｙｅ０付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い端部５２２Ｙｅ０より内方のインクの表面張力が不均一となる。そして、端部５２２Ｙｅ０付近のインクは端部５２２Ｙｅ０より内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じる。その結果、端部５２２Ｙｅ０付近のインクは端部５２２Ｙｅ０より内方へ移動し、端部５２２Ｙｅ０より内方におけるインク膜厚は増加する。
【００９８】
図１４（ｃ）の上段から下段に向けて段階的に示すように、時間経過に伴い端部５２２Ｙｅ０から内方に向けて徐々に溶媒の乾燥が進行し、これに伴い、端部５２２Ｙｅ０から内方に向けたインクの移動により端部５２２Ｙｅ０から内方に向けてインク膜厚も徐々に増加する。最終的には、成膜エリアの中央部分においてインク膜厚が最大となり、図１６（ｂ）に示すように、形成される発光層１２３Ｙ０の膜形状も同様に成膜エリアの中央部分において膜厚が最大となる形状になる。
【００９９】
（実施例について）
図１５（ａ）は、実施例における狭隙部存在区間Ｌｐｌ付近の基板１００Ｘの模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切った模式側断面図である。（ｃ）は、時間経過に伴う発光層１２３Ｙの膜厚の変化を示す（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切った模式側断面図である。図１５（ａ）（ｂ）に示すように、基板１００Ｘには、列絶縁層５２２Ｙ及び行絶縁層１２２Ｘが配設されている。
【０１００】
図１５（ｃ）に示すように、同様に基板１００ｘ上に塗布された発光層１２３Ｙ０のインクは、列絶縁層５２２Ｙ０端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まる。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない端部５２２Ｙｅ付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い端部５２２Ｙｅより内方のインクの表面張力が不均一になる。
【０１０１】
そして、端部５２２Ｙｅ付近のインクは端部５２２Ｙｅより内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じる。すなわち、乾燥等により表面張力の不均一性が発生してインクの対流（マランゴニ対流）が発生する。その結果、端部５２２Ｙｅ付近のインクは端部５２２Ｙｅより内方へ移動し、端部５２２Ｙｅより内方におけるインク膜厚は増加する。
【０１０２】
一方、列絶縁層５２２Ｙには、列方向端部５２２Ｙｅから所定距離Ｌｐｌの範囲には狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌが設けられているので、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌにおいて列絶縁層５２２Ｙからインクに付勢される毛細管力は、内方に位置する広隙区間５２２Ｙｃｌにおいて列絶縁層５２２Ｙからインクに付勢される毛細管力よりも大きい。したがって、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌと広隙区間５２２Ｙｃｌとの境界においてインクには端部５２２Ｙｅ方向に向けた表面張力が発生して、広隙区間５２２Ｙｃｌ内のインクは狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌのインクからの表面張力によって端部５２２Ｙｅ方向に引っ張られて端部５２２Ｙｅ方向に向けたインク対流が生じる。その結果、広隙区間５２２Ｙｃｌ内のインクは狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌへ移動し、境界より端部５２２Ｙｅ方向におけるインク膜厚は増加する。
【０１０３】
図１５（ｃ）の上段から下段に向けて段階的に示すように、時間経過に伴い端部５２２Ｙｅから内方に向けて徐々に溶媒の乾燥が進行し、これに伴い、端部５２２Ｙｅから内方に向けたインクの移動により端部５２２Ｙｅから内方に向けて膜厚も徐々に増加しようとするが、広隙区間５２２Ｙｃｌから狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌに向けた逆方向のインクの移動により、端部５２２Ｙｅから内方に向けたインクの移動は打ち消され、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌにおけるインク膜厚の減少は補われる。その結果、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌにおけるインク膜厚の減少は緩和されるとともに、境界より内方におけるインク膜厚の増加も抑制される。最終的には、図１６（ａ）に示すように、形成される発光層１２３Ｙの膜形状も同様に成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。すなわち、基板上の列状塗布領域内に有機発光材料を含むインクを塗布して製造する際に、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和することができる。その結果、成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。
【０１０４】
５．小  括
以上説明したように、実施の形態１に係る表示パネル１０は、複数のサブ画素１００ｓｅが行列状に配された有機ＥＬ表示パネル１０であって、基板１００ｘと、基板１００ｘ上に行列状に配された複数の画素電極層１１９と、少なくとも画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間に位置する基板１００ｘ上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列絶縁層５２２Ｙと、行方向に隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙それぞれに、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部５２２Ｙｅ間にわたって列方向に連続して配されている有機発光層１２３と、有機発光層１２３上方に配された透光性の対向電極層１２５とを備え、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部５２２Ｙｅから列方向に所定の長さＬｐｌの第１列区間５２２Ｙｐｌ内には、行方向に隣接する２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙幅Ｗｐｌが、第２列区間５２２Ｙｐｌ間よりも基板の平面視内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌ内における、２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層間の間隙幅Ｗｃｌよりも狭い狭隙部５２２Ｙａが存在する構成を採る。
【０１０５】
係る構成により、第１列区間である狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌにおいて列絶縁層５２２Ｙからインクに付勢される毛細管力は、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌよりも内方の第２列区間である広隙区間５２２Ｙｃｌにおいて列絶縁層５２２Ｙからインクに付勢される毛細管力よりも大きくすることができる。そのため、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和して、列状塗布領域内で機能層の膜厚が均一性の向上させて輝度ムラを改善することができる。
【０１０６】
以上説明したとおり、上記実施の形態に係る表示パネル１０によれば、基板上の列状塗布領域内に有機発光材料を含むインクを塗布して製造する表示パネルにおいて、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより、成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。
＜変形例１＞
次に、表示パネル１０の変形例１に係る表示パネル１０Ａについて説明する。
【０１０７】
実施の形態１に係る表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるライン絶縁層状の絶縁層形状を採用した。具体的には、列絶縁層５２２Ｙの列方向端部５２２Ｙｅから列方向に所定の長さＬｐｌの第１列区間５２２Ｙｐｌ内における、行方向に隣接する２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙幅Ｗｐｌが、第１列区間５２２Ｙｐｌよりも基板の平面視内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌ内における同じ２つの列絶縁層間の間隙幅Ｗｃｌよりも狭い構成とした。
【０１０８】
しかしながら、第１列区間５２２Ｙｐｌ内には、行方向に隣接する２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙幅Ｗｐｌが、第１列区間５２２Ｙｐｌよりも基板の平面視内方に位置する第２列区間５２２Ｙｃｌ内における、上記２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙と連通した隣接する２つの列絶縁層５２２Ｙ間の間隙幅Ｗｃｌよりも狭い狭隙部５２２Ｙａが存在していればよく、第１列区間５２２Ｙｐｌ内に狭隙部５２２Ｙａを形成するための絶縁層５２２Ｙの形状は適宜変更してもよい。
【０１０９】
図１７は、変形例１に係る表示パネル１０Ａにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。図１７に示すように、表示パネル１０Ａでは、複数の列絶縁層５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方とに配されている複数の第１列絶縁層５２２ＹＡと、列絶縁層５２２ＹＡの列方向端部５２２Ｙｅから列方向に所定の長さＬｐｌの第１列区間５２２ＹＡｐｌにおいて、行方向に隣接する２つの第１列絶縁層５２２ＹＡ間に、列方向に延伸して配された第２列絶縁層５２３ＹＡとを含む構成を採る。係る構成により、第１列区間５２２ＹＡｐｌにおける、行方向に隣接する第１列絶縁層５２２ＹＡと第２列絶縁層５２３ＹＡとの間隙幅Ｗｐｌは、第１列区間５２２ＹＡｐｌよりも基板内方に位置する第２列区間５２２ＹＡｃｌにおける、上記間隙と連通した行方向に隣接する２つの第１列絶縁層５２２ＹＡの間隙幅Ｗｃｌよりも狭い構成となる。したがって、第１列絶縁層５２２ＹＡ及び第２列絶縁層５２３ＹＡにおいて、第１列絶縁層５２２ＹＡ間に第２列絶縁層５２３ＹＡが存在する列方向の範囲が狭隙部５２２Ｙａとなる。第１列区間５２２ＹＡｐｌの長さＬｐｌ、間隙幅Ｗｐｌと間隙幅Ｗｃｌとの比率における好適な範囲は、第１の実施の形態における好適な範囲と同じである。
【０１１０】
上記構成により、第１列区間において、前記第１列区間において隣接する２つの前記第１列絶縁層間に、列方向に延伸する第２列絶縁層を設ける簡易な構成により、第１列区間の間隙幅が、第２列区間内の間隙幅よりも狭い狭隙部を形成できる。その結果、表示パネル１０Ａでは、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより輝度ムラを改善することができる。
【０１１１】
＜変形例２＞
次に、表示パネル１０の変形例２に係る表示パネル１０Ｂについて説明する。
図１８（ａ）は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＸ２部の拡大平面図である。図１８（ａ）（ｂ）に示すように、表示パネル１０Ｂでは、列絶縁層５２２ＹＢの表面には、第１列区間５２２ＹＢｐｌにおいて基板の平面視方向に突出する凸部５２２ＹＢａを有し（図１８（ａ）一点鎖線の範囲）、行方向に隣接する２つの列絶縁層５２２ＹＢ上の凸部５２２ＹＢａ間の間隔Ｗｐｌが、第１列区間５２２ＹＢｐｌよりも基板内方に位置する第２列区間５２２ＹＢｃｌ内における２つの列絶縁層５２２ＹＢ間の間隙幅Ｗｃｌよりも狭い構成となる。したがって、列絶縁層５２２ＹＢ上の凸部５２２ＹＢａの頂部付近が狭隙部５２２Ｙａとなる。第１列区間５２２ＹＢｐｌの長さＬｐｌ、間隙幅Ｗｐｌと間隙幅Ｗｃｌとの比率における好適な範囲は、第１の実施の形態における好適な範囲と同じである。
【０１１２】
上記構成により、第１列区間において、前記第１列区間において基板の平面視方向に突出する凸部を有する簡易な構成により、第１列区間の間隙幅が、第２列区間内の間隙幅よりも狭い狭隙部を形成できる。その結果、表示パネル１０Ｂでは、列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一化を図ることにより輝度ムラを改善することができる。
≪その他の変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）実施の形態では、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から表示パネル１０を同時に形成する枚数について、枚数を特定した説明は行わなかった。しかしながら、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から複数の表示パネル１０を同時に形成する多面取りを行う場合にも、各表示パネル１０に対するそれぞれの区画領域１０ａが１つの成膜エリアとなることは言うまでもない。多面取りの場合でも隣接する成膜エリア（区画領域１０ａ）が所定の距離以上離間している場合には、各成膜エリアにおいて周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなるからである。この場合、基板の内方に位置する成膜エリアと成膜エリアとの境界付近において、列絶縁層５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから所定の長さＬｐｌにおいて狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを設けることが好ましい。
（２）上記実施の形態では、例えば、図６に示すように、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の形成領域全てにおいて、列絶縁層５２２Ｙは、第１列区間５２２Ｙｐｌにおける隣接する列絶縁層５２２Ｙの間隙５２２ｚの幅Ｗｐｌは、第１列区間５２２Ｙｐｌより基板内方の第２列区間５２２Ｙｃｌにおける間隙５２２ｚの幅Ｗｃｌに対し小さく形成されている狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを有する構成とした。しかしながら、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の形成領域から選択される少なくとも１領域において、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを有する構成としてもよい。例えば、インク塗布における膜厚変動が相対的に大きい赤色発光層形成領域において、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを有する構成としてもよい。その結果、膜厚変動が相対的に大きい発光層色について選択的に膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
（３）上記実施の形態では、例えば、図３に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとが配された区画領域１０ａと、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成される例を示した。しかしながら、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとが配された区画領域１０ａの周囲又は周囲の一部に、格子状の絶縁層により区画された周辺区画領域を設ける構成としてもよい。周辺区画領域では、格子状の絶縁層により区画された部分にも区画領域１０ａと同様に、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を形成するためのインクが塗布される。さらに周辺区画領域の周囲に非区画領域１０ｂを設けててもよい。かかる構成においても、列絶縁層５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから所定の長さＬｐｌにおいて狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを設けることにより、列状塗布領域内で列状という形状によるインク対流の影響を緩和して、列状塗布領域内で機能層の膜厚が均一性を向上させて輝度ムラを改善することができる。
（４）上記実施の形態では、図６に示すように、表示パネル１０では、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない非発光領域１０ｎｅが形成されており、非発光領域１０ｎｅにおいて、列絶縁層５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから所定の長さＬｐｌにおいて狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌを設けた構成とした。しかしながら、列絶縁層５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから所定の長さＬｐｌの狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌも、基板１００ｘ上の各区画に画素電極層１１９を配設して表示素子配列領域１０ｅとしてもよい。基板上の成膜エリアを有効に活用することができ表示素子配列領域１０ｅを拡大することができコスト削減に資する。なお、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌにおいては、広隙区間５２２Ｙｃｌとの間で発光層１２３の膜厚差により輝度変動が生じるが、狭隙部存在区間５２２Ｙｐｌの位置は予め設計的に既定されているので、表示パネル１０を駆動する差異に画像信号の変調等によって制御により補正することができる。
（５）表示パネル１０では、各色サブ画素１００ｓeである間隙５２２ｚの上方に、透光性材料からなる上部基板１３０を備え、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、透光性材料からなる上部基板１３０を設けずに、間隙５２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。
（６）表示パネル１０では、発光層１２３は、行絶縁層上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行絶縁層上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
（７）表示パネル１０では、行方向に隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行絶縁層１２２Ｘ間の間隙に配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
【０１１３】
（８）その他
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１１４】
また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１１５】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１１６】
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つのサブ画素１００ｓeに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
【０１１７】
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１１８】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１１９】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  サブ画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１９  画素電極層
１１９ａ１、ａ２、ａ３、ａ４  外縁
１１９ｂ  コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ  接続凹部
１２０  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  絶縁層
１２２Ｘ、１２２ＡＸ、１２２ＢＸ  行絶縁層
５２２Ｙ、５２２ＡＹ、５２２ＢＹ  列絶縁層
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  対向電極層
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  ＣＦ基板
ＥＬ．ＥＬ素子部
Ｔｒ1．駆動トランジスタ
Ｔｒ2．スイッチングトランジスタ
Ｃ．容量
【図１】
2018018784.tif 000003
【図２】
2018018784.tif 000004
【図３】
2018018784.tif 000005
【図４】
2018018784.tif 000006
【図５】
2018018784.tif 000007
【図６】
2018018784.tif 000008
【図７】
2018018784.tif 000009
【図８】
2018018784.tif 000010
【図９】
2018018784.tif 000011
【図１０】
2018018784.tif 000012
【図１１】
2018018784.tif 000013
【図１２】
2018018784.tif 000014
【図１３】
2018018784.tif 000015
【図１４】
2018018784.tif 000016
【図１５】
2018018784.tif 000017
【図１６】
2018018784.tif 000018
【図１７】
2018018784.tif 000019
【図１８】
2018018784.tif 000020