(57)【要約】【課題】マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができると共に、微調整用の第２トリミング溝による安定して高精度な抵抗値調整を行うことができるチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】抵抗体４に粗調整用の第１トリミング溝５と微調整用の第２トリミング溝６が形成されているチップ抵抗器１において、第１トリミング溝５の形成時に取得した第１横方向カット部５ｂの先端座標に基づいて、トリミング開始点の座標を第１横方向カット部５ｂの先端から一方の表電極３方向へ一定距離Ｌ１だけ離れた位置となるように設定し、当該座標から電極間方向と直交する方向へレーザ光を照射することにより、第１トリミング溝５と逆向きに対向する第２トリミング溝６を形成するようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、
一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の抵抗値を測定しながら、測定抵抗値が初期抵抗値より高く目標抵抗値より低い第１目標抵抗値に達するまで、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる第１の切込みを入れた後、測定抵抗値が前記第１目標抵抗値より高く目標抵抗値より低い第２目標抵抗値に達するまで、前記第１の切込みの終端から電極間方向へ延びる第２の切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、
前記抵抗体の抵抗値を測定しながら、前記第１トリミング溝の先端側の前記抵抗体の一側面から第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、
を含み、
前記第２トリミング溝は、前記第１トリミング溝の前記第２の切込みの終端から一方の電極方向に一定距離だけ隔てた位置をトリミング開始点として、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
この種のチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、大判基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の膜厚のばらつきや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の抵抗値にばらつきを生じることは避け難いため、大判基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。
【０００４】
このような抵抗器の抵抗値調整方法においては、予め抵抗体の抵抗値を目標抵抗値よりも幾分低い抵抗値にて形成しておき、両電極に測定用のプローブを接触させて抵抗体の抵抗値を測定しながら、抵抗体にレーザ光を照射してトリミング溝を形成することにより、抵抗値を切り上げて目標の抵抗値にするのが一般的である。トリミング溝の形状としてはＩカットやＬカット等が知られており、高精度の抵抗値調整を行う場合は、粗調整用と微調整用のトリミング溝を２本組み合わせたＩＩカットやＩＬカットあるいはダブルＬカット等が採用されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００５】
図６は特許文献１に記載されたチップ抵抗器の平面図であり、同図に示すように、抵抗体１００にはＬカット形状の第１トリミング溝１０１とＩカット形状の第２トリミング溝１０２が形成されており、これら粗調整用の第１トリミング溝１０１と微調整用の第２トリミング溝１０２とによって抵抗体の１００の抵抗値が目標抵抗値に調整されている。
【０００６】
かかる抵抗体のトリミング方法について説明すると、まず、一対の電極１０３にプローブを接触させて抵抗体１００の初期抵抗値を測定し、この初期設定値に基づいて目標抵抗値より低い第１目標抵抗値を設定・記憶する。次に、両電極１０３にプローブを接触させて抵抗体１００の抵抗値を測定しながら、抵抗体１００の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射し、第１トリミング溝１０１の縦方向カットを開始する。そして、プローブによる測定抵抗値が第１目標抵抗値に達したなら、レーザ光の照射方向を左方へＬターンして第１トリミング溝１０１の横方向カットを実行する。
【０００７】
次いで、第１トリミング溝１０１の縦方向カット部から右方へ所定距離だけ離れた所定位置において、抵抗体１００の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射し、第２トリミング溝１０２のＩカット（ストレートカット）を開始する。そして、プローブによる測定抵抗値が目標抵抗値に達したら、抵抗体１００に対するレーザ光の照射を停止して第２トリミング溝１０２のＩカットを終了することにより、抵抗体１００の抵抗値調整（トリミング工程）が終了する。このように、抵抗体１００の初期抵抗値を測定し、この初期設定値に基づいて第１トリミング溝１０１の縦方向カット長さを設定することで、第２トリミング溝１０２の長さは、第１トリミング溝１０１のＬターン位置（縦方向カット部の先端）を越えないようになっている。
【０００８】
特許文献１に記載された抵抗体のトリミング方法では、抵抗体１００の初期抵抗値に基づいて第１トリミング溝１０１の横方向カット部分の長さを決定しているため、第２トリミング溝１０２のＩカット部分の長さが極端に長くなったり短くなったりすることはなく、初期抵抗値のばらつきに関係なく安定した高精度のトリミングを行うことができる。しかしながら、第１トリミング溝１０１と第２トリミング溝１０２の先端部にはマイクロクラックが発生し、第１トリミング溝１０１の先端部のマイクロクラックは電極間方向（横方向）へ延長するため抵抗値にほとんど影響しないが、第２トリミング溝１０２の先端部のマイクロクラックは電極間方向と直交する方向（縦方向）へ延長するため、第２トリミング溝１０２の先端部に発生するマイクロクラックは抵抗値に大きく影響し、さらに、このマイクロクラックが抵抗体１００の電気的特性や耐久性に支障をきたすという問題がある。
【０００９】
このようなマイクロクラックの影響を軽減するために、特許文献２に記載された抵抗体のトリミング方法では、図７に示すように、抵抗体１００にＬカット形状の第１トリミング溝１０１とＬカット形状の第２トリミング溝１０４とを向かい合わせに形成している。この場合の抵抗体のトリミング方法について説明すると、まず、両電極１０３にプローブを接触させて抵抗体１００の抵抗値を測定しながら、抵抗体１００の下辺の所定箇所から上方へ向けてレーザ光を照射して第１トリミング溝１０１の縦方向カットを開始する。そして、測定抵抗値が目標抵抗値の数十パーセントに達した時点で、レーザ光の照射方向を左方へＬターンして第１トリミング溝１０１の横方向カットを開始し、測定抵抗値が目標抵抗値から数パーセントを差し引いた抵抗値に達した時点で、レーザ光の照射を停止してＬカット形状の第１トリミング溝１０１を形成する。こうして粗調整用の第１トリミング溝１０１が形成されると、実測抵抗値としての目標抵抗値にある程度まで近づけられた値が得られ、抵抗値の粗調整が完了する。
【００１０】
次に、第１トリミング溝１０１の縦方向カット部から左方へ所定距離Ｌだけ離れた位置において、抵抗体１００の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射し、第２トリミング溝１０４の縦方向カットを開始する。そして、プローブによる測定抵抗値が目標抵抗値から１パーセントを差し引いた抵抗値に達した時点で、レーザ光の照射方向を右方へＬターンして第２トリミング溝１０４の横方向カットを開始し、引き続き測定抵抗値が目標抵抗値に達した時点で、レーザ光の照射を停止してＬカット形状の第２トリミング溝１０４を形成する。こうして抵抗体１００に粗調整用の第１トリミング溝１０１と微調整用の第２トリミング溝１０４が形成されると、実測抵抗値が所期の目標抵抗値にほとんど達した時点でトリミングが終了した状態となり、そうして抵抗値全体の調整が完了する。
【００１１】
特許文献２に記載された抵抗体のトリミング方法では、抵抗体１００にＬカット形状の第１トリミング溝１０１を形成して抵抗値を粗調整した後、この第１トリミング溝１０１と向かい合わせにＬカット形状の第２トリミング溝１０４を形成して抵抗値を微調整しているため、第１トリミング溝１０１と第２トリミング溝１０４の先端部に発生するマイクロクラックが両方共に電極間方向へ延長した状態となって抵抗値に影響が少なくなり、さらに第１トリミング溝１０１の先端部に発生するマイクロクラックの影響が第２トリミング溝１０４によって遮られるため、これらマイクロクラックに起因する電気的特性や耐久性への悪影響を軽減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平４−１９６５０２号公報
【特許文献２】特開２０００−３４０４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献２に記載された抵抗体１００では、抵抗体１００の最終的な目標抵抗値に対する割合に基づいて、第１および第２トリミング溝１０１，１０４の縦方向カット部と横方向カット部の長さがそれぞれ決定されており、例えば、粗調整用の第１トリミング溝１０１の長さについては、目標抵抗値の数十パーセントに達した時点で縦方向カットをＬターンした後、目標抵抗値から数パーセントを差し引いた抵抗値に達した時点で横方向カットを停止するようにしている。しかし、第１トリミング溝１０１の横方向カット部の全長は、最終的な目標抵抗値から数パーセントを差し引いた抵抗値に達するまでの長さであり、抵抗体１００の膜厚や材料等によって様々な長さになるため、第１トリミング溝１０１の横方向カット部の長さによっては、第２トリミング溝１０４による高精度な抵抗値調整をできなくなる事態が発生してしまう。
【００１４】
例えば、図８（ａ）に示すように、第１トリミング溝１０１の横方向カット部の全長が短くなった場合、第２トリミング溝１０４のトリミング開始点が第１トリミング溝１０１の終端から大きく離れてしまうことがあり、その場合、第２トリミング溝１０４の縦方向カットの先端が導通ラインＥＬ１に到達するまでの距離が極端に短くなってしまう。ここで、導通ラインＥＬ１は、抵抗体１００の下辺側に接する図中左側の電極１０３の接点Ｐ１と、第１トリミング溝１０１の終端位置（横方向カットの先端）とを最短距離で結んだ仮想線であり、この導通ラインＥＬ１と第１トリミング溝１０１とで囲まれた領域Ｑ１内に第２トリミング溝１０２が形成されるようになっている。この領域Ｑ１は、第２トリミング溝１０２の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部位であるが、上記したように、第２トリミング溝１０４の縦方向カットの先端が導通ラインＥＬ１に到達するまでの距離が短くなっていると、抵抗値を調整できる距離が短いため、結果的に抵抗値の微調整にならなくなる。
【００１５】
また、図８（ｂ）に示すように、第１トリミング溝１０１の横方向カット部の全長が長くなった場合、第１トリミング溝１０１の終端が第２トリミング溝１０４のトリミング開始点を越えてしまうことがあり、その場合、第２トリミング溝１０４の縦方向カットにおける単位長さ当たりの抵抗値変化が極端に小さくなるため、目標抵抗値から１パーセントを差し引いた抵抗値に達するまで第２トリミング溝１０４の縦方向カットを延ばしていくと、第２トリミング溝１０４の縦方向カットの先端が領域Ｑ１を越えて第１トリミング溝１０１の横方向カットを突き抜けてしまう。その結果、抵抗体１００の抵抗値が急激に上昇して微調整にならず、しかも、第２トリミング溝１０４の縦方向カットの先端部に発生するマイクロクラックの影響が大きくなってしまう。
【００１６】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができると共に、微調整用の第２トリミング溝による安定して高精度な抵抗値調整を行うことができるチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に所定間隔を存して一対の表電極を形成する電極形成工程と、一対の表電極に接続するように長方形状の抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら、測定抵抗値が初期抵抗値より高く目標抵抗値より低い第１目標抵抗値に達するまで、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる第１の切込みを入れた後、測定抵抗値が前記第１目標抵抗値より高く目標抵抗値より低い第２目標抵抗値に達するまで、前記第１の切込みの終端から電極間方向へ延びる第２の切込みを入れてＬ字状の第１トリミング溝を形成する第１トリミング形成工程と、前記抵抗体の抵抗値を測定しながら、前記第１トリミング溝の先端側の前記抵抗体の一側面から第２トリミング溝を形成する第２トリミング形成工程と、を含み、前記第２トリミング溝は、前記第１トリミング溝の前記第２の切込みの終端から一方の電極方向に一定距離だけ隔てた位置をトリミング開始点として、前記抵抗体の一側面から電極間方向と直交する方向へ延びる切込みを入れることを特徴としている。
【００１８】
このようなチップ抵抗器の製造方法では、粗調整用の第１トリミング溝を形成する際に、第１トリミング溝のＬターン後の第２の切込みが、抵抗体の膜厚や材料等により様々な長さになったとしても、微調整用の第２トリミング溝のトリミング開始点が、第２の切込みの終端から常に一定距離だけ隔てた位置に決定されるため、第２トリミング溝のトリミング開始点に対して第１トリミング溝の終端位置が離れ過ぎたり近づき過ぎることがなくなり、安定して高精度な抵抗値調整を行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るチップ抵抗器の製造方法によれば、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができると共に、微調整用の第２トリミング溝による安定して高精度な抵抗値調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図３】該チップ抵抗器のトリミング方法を示す説明図である。
【図４】該チップ抵抗器のトリミング方法を示すフローチャートである。
【図５】該チップ抵抗器のトリミング方法を示すフローチャートである。
【図６】従来例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図７】他の従来例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図８】図７のチップ抵抗器が有する問題点を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、この絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極３と、これら一対の表電極３に接続するように絶縁基板２の表面に設けられた長方形状の抵抗体４と、この抵抗体４を覆うように設けられた保護膜（図示せず）等によって主に構成されており、抵抗体４には抵抗値の粗調整用の第１トリミング溝５と微調整用の第２トリミング溝６とが形成されている。なお、図示省略されているが、絶縁基板２の裏面には表電極３に対応するように一対の裏電極が設けられており、絶縁基板２の長手方向の両端面には対応する表電極と裏電極を橋絡する端面電極が設けられている。
【００２２】
絶縁基板２はセラミック等からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。表電極３はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、図示せぬ裏電極も同じくＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。
【００２３】
抵抗体４はＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、詳細については後述するが、この抵抗体４にＬ字形状の第１トリミング溝５と第２トリミング溝６を向かい合わせに形成することによってチップ抵抗器１の抵抗値が調整されるようになっている。
【００２４】
なお、図示せぬ保護膜はエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護膜は抵抗体４を外部環境から保護する機能を有している。また、端面電極は、絶縁基板２の端面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成させたものや、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒ等をスパッタしたものであり、この端面電極の表面にはＮｉやＡｕあるいはＳｎ等のメッキ層が施されている。
【００２５】
次に、このように構成されたチップ抵抗器１の製造工程について、図２を参照しながら説明する。
【００２６】
まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判基板を準備する。この大判基板には予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図２には１個分のチップ領域に相当する大判基板２Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。
【００２７】
すなわち、図２（ａ）に示すように、この大判基板２Ａの表面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して一対の表電極３を形成する（表電極形成工程）。なお、この電極形成工程と同時あるいは前後して、大判基板２Ａの裏面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して図示せぬ裏電極を形成する（裏電極形成工程）。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、大判基板２Ａの表面にＣｕ−Ｎｉや酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、長手方向の両端部が表電極３に重なる長方形状の抵抗体４を形成する（抵抗体形成工程）。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、抵抗体４の下辺の所定箇所から上方へ向けてレーザ光を照射した後、そのレーザ光の照射方向を左方へＬターンすることにより、抵抗体４にＬカット形状の第１トリミング溝５を形成する（第１トリミング形成工程）。この第１トリミング溝５により、抵抗体４の抵抗値は目標抵抗値よりも若干低い値に粗調整される。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１トリミング溝５の終端から左方へ一定距離だけ離れた位置をトリミング開始点として、抵抗体４の下辺から上方へ向けてレーザ光を照射した後、そのレーザ光の照射方向を右方へＬターンすることにより、抵抗体４に第１トリミング溝５とは逆向きのＬカット形状の第２トリミング溝６を形成する（第２トリミング形成工程）。このように第１トリミング溝５と第２トリミング溝６を形成した時点で抵抗体４の抵抗値調整は完了し、抵抗体４の抵抗値は目標抵抗値にほぼ近い値となる。
【００３１】
次に、第１および第２トリミング溝５，６の上からエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、抵抗体４の全体を覆う図示せぬ保護膜を形成する（保護膜形成工程）。
【００３２】
ここまでの各工程は多数個取り用の大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを１次分割溝に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行うことより、複数個分のチップ領域が設けられた図示せぬ短冊状基板を得る（１次分割工程）。次いで、短冊状基板の分割面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成したり、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、表電極３と裏電極を橋絡する図示せぬ端面電極を形成する（端面電極形成工程）。
【００３３】
しかる後、短冊状基板を２次分割溝に沿って分割するという２次ブレーク加工を行うことにより、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体を得る（２次分割工程）。最後に、個片化された各チップ単体の絶縁基板２の長手方向両端部にＮｉとＡｕやＳｎ等の電解メッキを施し、保護膜から露出する表電極３を覆う図示せぬ外部電極を形成することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が得られる。
【００３４】
次に、上記した第１トリミング形成工程と第２トリミング形成工程について、図３〜図５を参照しつつ詳細に説明する。
【００３５】
図４のフローチャートに示すように、まず、一対の表電極３に図示せぬプローブを接触させて抵抗体４の初期抵抗値Ｒ0を測定した後（Ｓ−１）、そのまま表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値Ｒを測定しながら（Ｓ−２）、レーザ光を図３に示す始点座標（ｘ0，ｙ0）からＹ１方向に沿って走査する（Ｓ−３）。これにより、図３（ａ）に示すように、抵抗体４の下辺から上方へ延びる第１縦方向カット部５ａが形成され、この第１縦方向カット部５ａの切込み量に伴って抵抗体４の測定抵抗値Ｒが次第に上昇していく。
【００３６】
そして、抵抗体４の測定抵抗値Ｒが初期抵抗値Ｒ0より高く目標抵抗値Ｒｔより低い第１目標抵抗値Ｒ１（例えばＲｔｈのマイナス３％）に達したら（Ｓ−４）、レーザ光を左側に９０°方向変換してＸ２方向に沿って走査する（Ｓ−５）。これにより、図３（ｂ）に示すように、第１縦方向カット部５ａの先端から左方向へ延びる第１横方向カット部５ｂが形成され、この第１横方向カット部５ｂの切込み量に伴って抵抗体４の抵抗値がさらに次第に上昇していく。
【００３７】
そして、抵抗体４の測定抵抗値Ｒが第１目標抵抗値Ｒ１より高く目標抵抗値Ｒｔより低い第２目標抵抗値Ｒ２（例えばＲｔｈのマイナス０．８％）に達したら（Ｓ−６）、当該位置でレーザの照射と抵抗体４の抵抗値測定を終了してＬ字状の第１トリミング溝５を形成すると共に、当該位置を第１横方向カット部５ｂの先端座標（ｘ1，ｙ1）として取得する（Ｓ−７）。こうして粗調整用の第１トリミング溝５が形成されると、この時点で、抵抗体４の抵抗値は目標抵抗値Ｒｔよりも若干低い値に粗調整される。なお、抵抗体４の表面をガラスペースト等からなるプリコート層で覆い、このプリコート層の上からレーザ光を照射することにより、抵抗体４に第１トリミング溝５を形成するようにしても良い。
【００３８】
しかる後、図５のフローチャートに示すように、第１トリミング溝５の形成時に取得した第１横方向カット部５ｂの先端座標（ｘ1，ｙ1）に基づいて、第２トリミング溝６のトリミング開始点であるレーザ光の照射開始座標を設定する。その際、レーザ光の照射開始座標は、第１横方向カット部５ｂの先端座標（ｘ1，ｙ1）から左方向（Ｘ２方向）へ一定距離Ｌ１だけ離れた位置（ｘ1＋Ｌ１，ｙ0）となるように設定しておく（Ｓ−８）。
【００３９】
次に、一対の表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値Ｒを測定しながら（Ｓ−９）、レーザ光をこの照射開始座標（ｘ1＋Ｌ１，ｙ0）からＹ１方向に沿って走査する（Ｓ−１０）。これにより、図３（ｃ）に示すように、抵抗体４の下辺から上方へ延びる第２縦方向カット部６ａが形成され、この第２縦方向カット部６ａの切込み量に伴って抵抗体４の測定抵抗値Ｒが次第に上昇していく。
【００４０】
そして、抵抗体４の測定抵抗値Ｒが第２目標抵抗値Ｒ２より高く目標抵抗値Ｒｔより低い第３目標抵抗値Ｒ３（例えばＲｔｈのマイナス０．２％）に達したら（Ｓ−１１）、レーザ光を右側に９０°方向変換してＸ１方向に沿って走査する（Ｓ−１２）。これにより、図３（ｄ）に示すように、第２縦方向カット部６ａの先端から右方向へ延びる第２横方向カット部６ｂが形成され、この第２横方向カット部６ｂの切込み量に伴って抵抗体４の抵抗値がさらに次第に上昇していく。
【００４１】
そして、抵抗体４の測定抵抗値Ｒが目標抵抗値Ｒｔに達したら（Ｓ−１３）、当該位置でレーザの照射を終了することにより（Ｓ−１４）、抵抗体４に対する全てのトリミング工程が完了する。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、粗調整用の第１トリミング溝５を形成する際に、第１トリミング溝５のＬターン後の第１横方向カット部５ｂ（第２の切込み）が、抵抗体４の膜厚や材料等により様々な長さになったとしても、微調整用の第２トリミング溝６のトリミング開始点が、第１横方向カット部５ｂの終端から常に一定距離Ｌ１だけ隔てた位置に決定されているため、第２トリミング溝６のトリミング開始点に対して第１トリミング溝５の終端位置が離れ過ぎたり近づき過ぎることがなくなり、安定して高精度な抵抗値調整を行うことができる。
【００４３】
なお、上記実施形態例では、粗調整用の第２トリミング溝６が第２縦方向カット部６ａと第２横方向カット部６ｂを有するＬカット形状である場合について説明したが、第２トリミング溝６が第２縦方向カット部６ａのみを有するものでも良く、その場合はＩＬカット形状のトリミング溝となる。
【符号の説明】
【００４４】
１  チップ抵抗器
２  絶縁基板
３  表電極
４  抵抗体
５  第１トリミング溝
５ａ  第１縦方向カット部（第１の切込み）
５ｂ  第１横方向カット部（第２の切込み）
６  第２トリミング溝
６ａ  第２縦方向カット部
６ｂ  第２横方向カット部
【図１】
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【図２】
2018190923.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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