(57)【要約】      （修正有）【課題】表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第１の基板と、前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムとを含む。さらに、前記遮断ダムは、第１の遮断ダムと、前記第１の遮断ダムと隣接し、前記第１の遮断ダムと平行な方向に延びる第２の遮断ダムとを有し、前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第１の基板と、
前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、
前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、
前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、
前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムと、
を含み、
前記遮断ダムは、第１の遮断ダムと、前記第１の遮断ダムと隣接し、前記第１の遮断ダムと平行な方向に延びる第２の遮断ダムとを有し、前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間の間隔は、２．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記カラーフィルターは、
赤色物質を含む第１のカラーフィルターと、
前記第１のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第２のカラーフィルターと、
前記第２のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第３のカラーフィルターと、
を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記ギャップ保持パターンは、前記第１のカラーフィルターと同一の物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．５μｍ以上１．８μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ギャップ保持パターンは、前記第３のカラーフィルターと同一の物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．７μｍ以上２．３μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に挟まれる液晶層と、
を更に含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の発展と共に、表示基板に対する様々な形態に対するニーズが増え、それに応じて、液晶表示基板(Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ;ＬＣＤ)、プラズマディスプレイパネル(Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ;ＰＤＰ)、電界放出装置(Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ;ＦＥＤ)、電気泳動表示基板(Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ:ＥＰＤ)、有機エレクトロルミネッセンス発光表示基板(Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ＤＥＶＩＣＥ:ＯＬＥＤ)などにおける表示基板に対する研究が活発に進行されている。
【０００３】
一般に、液晶表示(ＬＣＤ)装置は、表示基板(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ)と対向基板(ｃｏｕｎｔｅｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ)との間に注入した液晶層を含む。前記表示基板には、ゲートライン、及びゲートラインと交差するデータラインが形成され、ゲートラインとデータラインに連結されたスイッチング素子と、スイッチング素子に連結された画素電極とが形成される。前記スイッチング素子は、前記ゲートラインから延びるゲート電極と、前記データラインから延び、半導体パターンを介して、ゲート電極と電気的に連結されたソース電極と、ソース電極と離隔し、チャンネルと電気的に連結されたドレーン電極とを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００４−０１０７９３７号明細書
【特許文献２】韓国特許公開第１０−２０１４−０１０１２１９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術においては、前記表示基板と対向基板は、周辺領域に形成されるシーリング部材によって結合される。しかしながら、前記表示基板と対向基板の合着工程において、シーリング部材の厚さが不均一となることがあり、これによって、表示領域と周辺領域のギャップ差が生じ、ムラなどの不良が生じることがある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラに起因する不良を減少することが可能な、新規かつ改良された表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第１の基板と、前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムと、を含み、前記遮断ダムは、第１の遮断ダムと、前記第１の遮断ダムと隣接し、前記第１の遮断ダムと平行な方向に延びる第２の遮断ダムとを有し、前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される、ことを特徴とする表示装置が提供される。
【０００８】
前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間の間隔は、２．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下であってもよい。
【０００９】
前記カラーフィルターは、赤色物質を含む第１のカラーフィルターと、前記第１のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第２のカラーフィルターと、前記第２のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第３のカラーフィルターと、を含んでもよい。
【００１０】
前記ギャップ保持パターンは、前記第１のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００１１】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．５μｍ以上１．８μｍ以下であってもよい。
【００１２】
前記ギャップ保持パターンは、前記第２のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００１３】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．５μｍ以上１．８μｍ以下であってもよい。
【００１４】
前記ギャップ保持パターンは、前記第３のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００１５】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．７μｍ以上２．３μｍ以下であってもよい。
【００１６】
前記表示装置は、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に挟まれる液晶層と、を更に含んでもよい。
【００１７】
前記表示装置は、前記第２の基板に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極と重ね合わされるソース電極と、前記ゲート電極と重ね合わされ、前記ソース電極と離隔するドレーン電極と、前記ドレーン電極に電気的に連結される画素電極と、を更に含んでもよい。
【００１８】
前記表示装置は、前記カラーフィルターと前記カラムスペーサの間に配置されるオーバーコート層を、更に含んでもよい。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、第１の基板上に、カラーフィルターとギャップ保持パターンを形成する段階と、前記カラーフィルターと重ね合わされるカラムスペーサ、及び前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムを形成する段階とを含み、前記遮断ダムは、第１の遮断ダムと、前記第１の遮断ダムと隣接し、前記第１の遮断ダムと平行な方向に延びる第２の遮断ダムとを有し、前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間に、シーリング部材を形成する段階を更に含む、製造方法が提供される。
【００２０】
前記第１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間の間隔は、２．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下であってもよい。
【００２１】
前記カラーフィルターを形成する段階は、赤色物質を含む第１のカラーフィルターを形成する段階と、前記第１のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第２のカラーフィルターを形成する段階と、前記第２のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第３のカラーフィルターを形成する段階とを含んでもよい。
【００２２】
前記ギャップ保持パターンは、前記第１のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００２３】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．５μｍ以上１．８μｍ以下であってもよい。
【００２４】
前記ギャップ保持パターンは、前記第２のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００２５】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．５μｍ以上１．８μｍ以下であってもよい。
【００２６】
前記ギャップ保持パターンは、前記第３のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【００２７】
前記ギャップ保持パターンの高さは、１．７μｍ以上２．３μｍ以下であってもよい。
【００２８】
前記表示装置の製造方法は、前記第１の基板に対向する第２の基板に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶層を形成する段階を、更に含んでもよい。
【００２９】
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、前記第２の基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、前記ドレーン電極に電気的に連結される画素電極を形成する段階とを、更に含んでもよい。
【００３０】
前記表示装置の製造方法は、前記カラーフィルターと前記カラムスペーサの間に配置されるオーバーコート層を形成する段階を、更に含んでもよい。
【発明の効果】
【００３１】
以上説明したように本発明によれば、表示装置は、第１の遮断ダム及び第２の遮断ダムを含み、第１の遮断ダムと第２の遮断ダムの間にシーリング部材が配置されることから、シーリング部材の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
【図２】図２は、図１のＩ−Ｉ´線に沿って切断した断面図である。
【図３】図３は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】図９は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
【図１３】図１３は、図１２のＩＩ−ＩＩ´線に沿って切断した断面図である。
【図１４】図１４は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１５は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１６は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１８】図１８は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
【図２０】図２０は、図１９のＩＩＩ−ＩＩＩ´線に沿って切断した断面図である。
【図２１】図２１は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２２】図２２は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２３】図２３は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２４】図２４は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２５】図２５は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３４】
以下の説明する本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、パネル枠のムラを減少し、製造コストを減少することができる表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【００３５】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ´線に沿って切断した断面図である。
【００３６】
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態による表示装置１０は、表示領域(ＤＡ)と、前記表示領域（ＤＡ)の周辺領域(ＰＡ)とを含む。前記表示領域(ＤＡ)は、前記表示装置１０に相似している。前記表示領域(ＤＡ)も、四角形である。
【００３７】
前記表示装置１０は、第１の基板２１０と、前記第１の基板２１０に対向する第２の基板１１０と、前記第１の基板２１０と前記第２の基板１１０の間に挟まれる液晶層３００とを含む。
【００３８】
前記第１の基板２１０上には、遮光パターン(ＢＭ)が配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域(ＤＡ)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、光を遮断する。
【００３９】
前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記第１の基板２１０上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層３００を透過する光に、色を提供するためのものである。前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター２１１と、第２のカラーフィルター２１２と、第３のカラーフィルター２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター２１１である。前記第２のカラーフィルター２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター２１２である。前記第３のカラーフィルター２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター２１３である。前記カラーフィルター２１１、２１２、２１３は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター２１１、２１２、２１３は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わせる。前記カラーフィルター２１１、２１２、２１３は、前記表示装置の表示領域(ＤＡ)に配置される。
【００４０】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の高さを有することができる。例えば、前記第３のカラーフィルター２１３の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン２１４の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下である。
【００４１】
前記カラーフィルター２１１、２１２、２１３と、前記ギャップ保持パターン２１４上には、オーバーコート層２２０が形成される。オーバーコート層２２０は、前記第１の基板２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層２２０は、不純物が前記液晶層３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層２２０を省略してもよい。
【００４２】
前記オーバーコート層２２０上には、カラムスペーサ２３１が配置される。前記カラムスペーサ２３１は、前記表示領域(ＤＡ)に配置されて、前記第１の基板２１０と第２の基板１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ２３１は、前記第２基板の表示領域(ＤＡ)に配置され、第１の配向膜(ＡＬ１)によって覆われる。
【００４３】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ２３１が形成された前記第１の基板２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【００４４】
前記周辺領域(ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一の物質を含む。また、前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一の高さに形成されることができる。
【００４５】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム２３２と、第２の遮断ダム２３３とを含む。前記第２の遮断ダム２３３は、前記第１の遮断ダム２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム２３３は、前記第１の遮断ダム２３２と平行な方向に延びる。前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【００４６】
前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間には、シーリング部材２４０が配置される。前記シーリング部材２４０は、前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材２４０は、前記第１の基板２１０と前記第２の基板１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材２４０が、前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間に配置されるので、シーリング部材２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【００４７】
また、前記遮断ダムが一定の高さで形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【００４８】
前記第２の基板１１０上には、アレイ層(ＴＬ)、及び第２の配向膜(ＡＬ２)が配置される。
【００４９】
図１１に示すように、前記アレイ層(ＴＬ)は、ゲート電極(ＧＥ)と、絶縁層１２０と、アクティブパターン(ＡＰ)と、ソース電極(ＳＥ)と、ドレーン電極(ＤＥ)と、有機膜１３０と、画素電極(ＰＥ)とを含む。
【００５０】
前記ゲート電極(ＧＥ)は、前記第２の基板１１０上に配置される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、アルミニウム、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(ＧＥ)は、チタン(Ｔｉ)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Ｃｕ)を含む上部層とを含む。
【００５１】
前記ゲート電極(ＧＥ)上には、前記絶縁層１２０が形成される。前記絶縁層１２０は、前記第２の基板１１０、及び前記ゲート電極(ＧＥ)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層１２０は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)、又はシリコン窒化物(ＳｉＮｘ)を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)を含み、５００Åの厚さを有する。また、前記絶縁層１２０は、互いに異なる物質を含む多層構造を有することができる。
【００５２】
前記絶縁層１２０上には、アクティブパターン(ＡＰ)が形成される。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)が形成された領域の前記絶縁層１２０上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(ＧＥ)と重ね合わされ、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ソース電極(ＳＥ)の間に挟まれ、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ドレーン電極(ＤＥ)の間に挟まれる。
【００５３】
前記アクティブパターン(ＡＰ)上には、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)が形成される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、前記アクティブパターン(ＡＰ)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、データラインと同一層に形成される。
【００５４】
前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)層、及び前記銅(Ｃｕ)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ｔｉ)層を含む。
【００５５】
前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)上には、有機膜１３０が形成される。前記有機膜１３０は、前記第２の基板１１０の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜１３０は、有機物質を含む絶縁層である。
【００５６】
前記画素電極(ＰＥ)は、前記有機膜１３０上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(ＤＥ)と電気的に連結される。前記画素電極(ＰＥ)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(ＰＥ)は、酸化インジウム錫(ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ:ＩＴＯ)、又は酸化亜鉛錫(ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ:ＩＺＯ)を含む。また、前記画素電極(ＰＥ)は、チタン(ｔｉｔａｎｉｕｍ:Ｔｉ)、又はモリブデンチタン合金(ＭｏＴｉ)を含む。
【００５７】
図３〜図１１は、図２の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００５８】
図３に示すように、前記第１の基板２１０上に、遮光パターン(ＢＭ)が形成される。
【００５９】
前記第１の基板２１０上に遮光パターン(ＢＭ)が形成される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域(ＤＡ)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、光を遮断する。
【００６０】
図４に示すように、前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記第１の基板２１０上に、第１のカラーフィルター２１１が形成される。
【００６１】
前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター２１１と、第２のカラーフィルター２１２と、第３のカラーフィルター２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター２１１である。例えば、前記第１のカラーフィルター２１１の高さは、１.５μｍ以上、１.８μｍ以下である。
【００６２】
図５に示すように、前記第１のカラーフィルター２１１が形成された前記第１の基板２１０上に、第２のカラーフィルター２１２が形成される。
【００６３】
前記第２のカラーフィルター２１２は、前記第１のカラーフィルター２１１と隣接して配置される。前記第２のカラーフィルター２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター２１２である。前記第１のカラーフィルター２１１及び前記第２のカラーフィルター２１２は、同一の高さに形成される。例えば、前記第２のカラーフィルター２１２の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【００６４】
図６に示すように、前記第２のカラーフィルター２１２が形成された前記第１の基板２１０上に、第３のカラーフィルター２１３及びギャップ保持パターン２１４が形成される。
【００６５】
前記第３のカラーフィルター２１３は、前記第２のカラーフィルター２１２と隣接して配置される。前記第３のカラーフィルター２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター２１３である。例えば、前記第３のカラーフィルター２１３の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下である。
【００６６】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン２１４は、前記第３のカラーフィルター２１３と同一の高さ(ｄ１)を有する。例えば、前記第３のカラーフィルター２１３の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン２１４の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下である。
【００６７】
図７に示すように、前記第３のカラーフィルター２１３及び前記ギャップ保持パターン２１４が形成された第１の基板２１０上に、オーバーコート層２２０が形成される。
【００６８】
前記カラーフィルター２１１、２１２、２１３及び前記ギャップ保持パターン２１４上には、オーバーコート層２２０が形成される。オーバーコート層２２０は、前記第１の基板２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層２２０は、不純物が前記液晶層３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層２２０を省略することもできる。
【００６９】
図８に示すように、前記オーバーコート層２２０が形成された前記第１の基板２１０上に、カラムスペーサ２３１、第１の配向膜(ＡＬ１)、及び遮断ダムが形成される。
【００７０】
前記オーバーコート層２２０上には、カラムスペーサ２３１が配置される。前記カラムスペーサ２３１は、前記表示領域(ＤＡ)に配置され、前記第１の基板２１０及び第２の基板１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ２３１は、前記第２の基板の表示領域(ＤＡ)に配置され、第１の配向膜(ＡＬ１)によって覆われる。
【００７１】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ２３１が形成された前記第１の基板２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【００７２】
前記周辺領域(ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２３１と同一の高さに形成される。
【００７３】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム２３２と、第２の遮断ダム２３３とを含む。前記第２の遮断ダム２３３は、前記第１の遮断ダム２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム２３３は、前記第１の遮断ダム２３２と平行な方向に沿って延びる。前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【００７４】
前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間には、シーリング部材２４０が配置される。前記シーリング部材２４０は、前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材２４０は、前記第１の基板２１０と前記第２の基板１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材２４０が、前記第１の遮断ダム２３２と前記第２の遮断ダム２３３の間に配置されるので、シーリング部材２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差によるムラ等の不良を減少させることができる。
【００７５】
また、前記遮断ダムが一定の高さで形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【００７６】
図９に示すように、第２の基板１１０上に、ゲート電極(GE)、及び絶縁層１２０が形成される。
【００７７】
前記ゲート電極(ＧＥ)は、前記第２の基板１１０上に配置される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、アルミニウム、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(ＧＥ)は、チタン(Ｔｉ)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Ｃｕ)を含む上部層とを含む。
【００７８】
前記ゲート電極(ＧＥ)上には、前記絶縁層１２０が形成される。前記絶縁層１２０は、前記第２の基板１１０、及び前記ゲート電極(ＧＥ)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層１２０は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)、又はシリコン窒化物(ＳｉＮｘ)を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)を含み、５００Åの厚さを有する。また、前記絶縁層１２０は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【００７９】
図１０に示すように、前記絶縁層１２０が形成された第２の基板１１０上に、アクティブパターン(ＡＰ)、ソース電極(ＳＥ)、及びドレーン電極(ＤＥ)が形成される。
【００８０】
前記絶縁層１２０上には、アクティブパターン(ＡＰ)が形成される。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)が形成された領域の前記絶縁層１２０上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極（ＧＥ）と重ね合わせられ、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ソース電極(ＳＥ)の間に挟まれ、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ドレーン電極(ＤＥ)の間に挟まれる。
【００８１】
前記アクティブパターン(ＡＰ)上には、前記ソース電極(ＳＥ)、及び前記ドレーン電極(ＤＥ)が形成される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極（ＤＥ)は、前記アクティブパターン(ＡＰ)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、データラインと同一層に形成される。
【００８２】
前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)層、及び前記銅(Ｃｕ)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ｔｉ)層を含む。
【００８３】
図１１に示すように、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)が形成された第２の基板１１０上に、有機膜１３０、画素電極(ＰＥ)、及び第２の配向膜(ＡＬ２)が形成される。
【００８４】
前記ソース電極（ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)上には、有機膜１３０が形成される。前記有機膜１３０は、前記第２の基板１１０の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜１３０は、有機物質を含む絶縁層である。
【００８５】
前記画素電極(ＰＥ)は、前記有機膜１３０上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(ＤＥ)と電気的に連結される。前記画素電極（ＰＥ)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(ＰＥ)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極(ＰＥ)は、チタン(ｔｉｔａｎｉｕｍ:Ｔｉ)、又はモリブデンチタン合金(ＭｏＴｉ)を含む。
【００８６】
前記第２の配向膜(ＡＬ２)は、前記有機膜１３０、及び前記画素電極（ＰＥ)上に形成される。前記第２の配向膜(ＡＬ２)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【００８７】
図１２は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図１３は、図１２のＩＩ−ＩＩ´線に沿って切断した断面図である。
【００８８】
図１２及び図１３に示すように、本発明の一実施形態による表示装置２０は、表示領域（ＤＡ）と、前記表示領域(ＤＡ)の周辺領域(ＰＡ)とを含む。前記表示領域(ＤＡ)は、前記表示装置２０に相似している。前記表示領域(ＤＡ)も、四角形を有する。
【００８９】
前記表示装置２０は、第１の基板１２１０と、前記第１の基板１２１０に対向する第２の基板１１１０と、前記第１の基板１２１０と前記第２の基板１１１０の間に挟まれる液晶層１３００とを含む。 
【００９０】
前記第１の基板１２１０上には、遮光パターン(ＢＭ)が配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域(ＤＡ)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、光を遮断する。
【００９１】
前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記１の基板１２１０上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層１３００を透過する光に色を供するためのものである。前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター１２１１と、第２のカラーフィルター１２１２と、第３のカラーフィルター１２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター１２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター１２１１である。前記第２のカラーフィルター１２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター１２１２である。前記第３のカラーフィルター１２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター１２１３である。前記カラーフィルター１２１１、１２１２、１２１３は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター１２１１、１２１２、１２１３は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わされる。前記カラーフィルター１２１１、１２１２、１２１３は、前記表示装置の表示領域(ＤＡ)に配置される。
【００９２】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン１２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の高さを有する。例えば、前記第１のカラーフィルター１２１１の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン１２１４の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【００９３】
前記カラーフィルター１２１１、１２１２、１２１３及び前記ギャップ保持パターン１２１４上には、オーバーコート層１２２０が形成される。オーバーコート層１２２０は、前記第１の基板１２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層１２２０は、不純物が前記液晶層１３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層１２２０を省略することもできる。
【００９４】
前記オーバーコート層１２２０上には、カラムスペーサ１２３１が配置される。前記カラムスペーサ１２３１は、前記表示領域(ＤＡ)に配置され、前記第１の基板１２１０と第２の基板１１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ１２３１は、前記第２の基板の表示領域(ＤＡ)に配置され、第１の配向膜(ＡＬ１)によって覆われる。
【００９５】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ１２３１が形成された前記第１の基板１２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【００９６】
前記周辺領域（ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン１２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一の高さに形成されることができる。
【００９７】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム１２３２と、第２の遮断ダム１２３３とを含む。前記第２の遮断ダム１２３３は、前記第１の遮断ダム１２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム１２３３は、前記第１の遮断ダム１２３２と平行な方向に延びる。前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【００９８】
前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間には、シーリング部材１２４０が配置される。前記シーリング部材１２４０は、前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材１２４０は、前記第１の基板１２１０と前記第２の基板１１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材１２４０が、前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間に配置されるので、シーリング部材１２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【００９９】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【０１００】
前記第２の基板１１１０上には、アレイ層(ＴＬ)、及び第２の配向膜(ＡＬ２)が配置される。
【０１０１】
本実施形態による第２の基板１１１０は、図１〜図１１の表示装置の第２の基板と実質的に同一である。そこで、図１〜図１１の第１の基板と同一の構成要素は、同じ図面符号を付することにする。
【０１０２】
図１１に示すように、前記アレイ層(ＴＬ)は、ゲート電極(ＧＥ)と、絶縁層１２０と、アクティブパターン(ＡＰ)と、ソース電極(ＳＥ)と、ドレーン電極(ＤＥ)と、有機膜１３０と、画素電極(ＰＥ)とを含む。
【０１０３】
前記ゲート電極(ＧＥ)は、前記第２の基板１１０上に配置される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(ＧＥ)は、チタン(Ｔｉ)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Ｃｕ)を有する上部層とを含む。
【０１０４】
前記ゲート電極(ＧＥ)上には、前記絶縁層１２０が形成される。前記絶縁層１２０は、前記第２の基板１１０、及び前記ゲート電極(ＧＥ)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層１２０は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)、又はシリコン窒化物(ＳｉＮｘ)を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)を含み、５００Åの厚さを有する。また、前記絶縁層１２０は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【０１０５】
前記絶縁層１２０上には、アクティブパターン(ＡＰ)が形成される。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)が形成された領域の前記絶縁層１２０上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(ＧＥ)と重ね合わされ、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン（ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ソース電極(ＳＥ)の間に挟まれ、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ドレーン電極(ＤＥ)の間に挟まれる。
【０１０６】
前記アクティブパターン(ＡＰ)上には、前記ソース電極(ＳＥ)、及び前記ドレーン電極(ＤＥ)が形成される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、前記アクティブパターン(ＡＰ)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、データラインと同一層に形成されることができる。
【０１０７】
前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極（ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)層、及び前記銅(Ｃｕ)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ｔｉ)層を含む。
【０１０８】
前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)上には、有機膜１３０が形成される。前記有機膜１３０は、前記第２の基板１１０の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜１３０は、有機物質を含む絶縁層である。
【０１０９】
前記画素電極(ＰＥ)は、前記有機膜１３０上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(ＤＥ)と電気的に連結される。前記画素電極(ＰＥ)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(ＰＥ)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極（ＰＥ)は、チタン(ｔｉｔａｎｉｕｍ:Ｔｉ)、又はモリブデンチタン合金(ＭｏＴｉ)を含む。
【０１１０】
図１４〜図１８は、図１３の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１１１】
図１４に示すように、前記第１の基板１２１０上に、遮光パターン(ＢＭ)が形成される。以後、前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記第１の基板１２１０上に、第１のカラーフィルター１２１１及びギャップ保持パターン１２１４が形成される。
【０１１２】
前記第１の基板１２１０上に、遮光パターン（ＢＭ)が形成される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域(ＤＡ)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、光を遮断する。
【０１１３】
前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター１２１１と、第２のカラーフィルター１２１２と、第３のカラーフィルター１２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター１２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター１２１１である。例えば、前記第１のカラーフィルター１２１１の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１１４】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン１２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン１２１４は、前記第１のカラーフィルター１２１１と同一の高さ(ｄ２)を有する。例えば、前記第１のカラーフィルター１２１１の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン１２１４の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１１５】
図１５に示すように、前記第１のカラーフィルター１２１１及び前記ギャップ保持パターン１２１４が形成された前記第１の基板１２１０上に、第２のカラーフィルター１２１２が形成される。
【０１１６】
前記第２のカラーフィルター１２１２は、前記第１のカラーフィルター１２１１と隣接して配置される。前記第２のカラーフィルター１２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター１２１２である。前記第１のカラーフィルター１２１１及び前記第２のカラーフィルター１２１２は、同一の高さに形成される。例えば、前記第２のカラーフィルター１２１２の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１１７】
図１６に示すように、前記第２のカラーフィルター１２１２が形成された前記第１の基板１２１０上に、第３のカラーフィルター１２１３が形成される。
【０１１８】
前記第３のカラーフィルター１２１３は、前記第２のカラーフィルター１２１２と隣接して配置される。前記第３のカラーフィルター１２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター１２１３である。例えば、前記第３のカラーフィルター１２１３の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下である。
【０１１９】
図１７に示すように、前記第３のカラーフィルター１２１３が形成された第１の基板１２１０上に、オーバーコート層１２２０が形成される。
【０１２０】
前記カラーフィルター１２１１、１２１２、１２１３、及び前記ギャップ保持パターン１２１４上には、オーバーコート層１２２０が形成される。オーバーコート層１２２０は、前記第１の基板１２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層１２２０は、不純物が前記液晶層１３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層１２２０を省略することもできる。
【０１２１】
図１８に示すように、前記オーバーコート層１２２０が形成された前記第１の基板１２１０上に、カラムスペーサ１２３１、第１の配向膜(ＡＬ１)、及び遮断ダムが形成される。
【０１２２】
前記オーバーコート層１２２０上には、カラムスペーサ１２３１が配置される。前記カラムスペーサ１２３１は、前記表示領域（ＤＡ)に配置され、前記第１の基板１２１０と第２の基板１１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ１２３１は、前記第２の基板の表示領域(ＤＡ)に配置され、第１の配向膜(ＡＬ１)によって覆われる。
【０１２３】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ１２３１が形成された前記第１の基板１２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【０１２４】
前記周辺領域(ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン１２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ１２３１と同一の高さに形成されることができる。
【０１２５】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム１２３２と、第２の遮断ダム１２３３とを含む。前記第２の遮断ダム１２３３は、前記第１の遮断ダム１２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム１２３３は、前記第１の遮断ダム１２３２と平行な方向に延びる。前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【０１２６】
前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間には、シーリング部材１２４０が配置される。前記シーリング部材１２４０は、前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材１２４０は、前記第１の基板１２１０と前記第２の基板１１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材１２４０が、前記第１の遮断ダム１２３２と前記第２の遮断ダム１２３３の間に配置されるので、シーリング部材１２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差によるムラ等の不良を減少することができる。
【０１２７】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【０１２８】
本実施形態による第２の基板の製造方法は、図１〜図１１の第２の基板の製造方法と実質的に同一である。従って、ここでは、重複する説明を省略する。
【０１２９】
図１９は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図２０は、図１９のＩＩＩ−ＩＩＩ´線に沿って切断した断面図である。
【０１３０】
図１９及び図２０に示すように、本発明の一実施形態による表示装置３０は、表示領域(ＤＡ)と、前記表示領域(ＤＡ)の周辺領域(ＰＡ)とを含む。前記表示領域（ＤＡ)は、前記表示装置３０に相似している。前記表示領域（ＤＡ）も、四角形を有する。
【０１３１】
前記表示装置３０は、第１の基板２２１０と、前記第１の基板２２１０に対向する第２の基板２１１０と、前記第１の基板２２１０と前記第２の基板２１１０の間に挟まれる液晶層２３００とを含む。
【０１３２】
前記第１の基板２２１０上には、遮光パターン(ＢＭ)が配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域(ＤＡ)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、光を遮断する。
【０１３３】
前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記第１の基板２２１０上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層２３００を透過する光に色を提供するためのものである。前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター２２１１と、第２のカラーフィルター２２１２と、第３のカラーフィルター２２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター２２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター２２１１である。前記第２のカラーフィルター２２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター２２１２である。前記第３のカラーフィルター２２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター２２１３である。前記カラーフィルター２２１１、２２１２、２２１３は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター２２１１、２２１２、２２１３は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わされる。前記カラーフィルター２２１１、２２１２、２２１３は、前記表示装置の表示領域（ＤＡ)に配置される。
【０１３４】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン２２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の高さを有する。例えば、前記第２のカラーフィルター２２１２の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン２２１４の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１３５】
前記カラーフィルター２２１１、２２１２、２２１３及び前記ギャップ保持パターン２２１４上には、オーバーコート層２２２０が形成される。オーバーコート層２２２０は、前記第１の基板２２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層２２２０は、不純物が前記液晶層２３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層２２２０を省略することもできる。
【０１３６】
前記オーバーコート層２２２０上には、カラムスペーサ２２３１が配置される。前記カラムスペーサ２２３１は、前記表示領域(ＤＡ)に配置され、前記第１の基板２２１０と第２の基板２１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ２２３１は、前記第２の基板の表示領域（ＤＡ)に配置され、第１の配向膜(ＡＬ１)によって覆われる。
【０１３７】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ２２３１が形成された前記第１の基板２２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【０１３８】
前記周辺領域(ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン２２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一の高さに形成される。
【０１３９】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム２２３２と、第２の遮断ダム２２３３とを含む。前記第２の遮断ダム２２３３は、前記第１の遮断ダム２２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム２２３３は、前記第１の遮断ダム２２３２と平行な方向に延びる。前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【０１４０】
前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間には、シーリング部材２２４０が配置される。前記シーリング部材２２４０は、前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材２２４０は、前記第１の基板２２１０と前記第２の基板２１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材２２４０が、前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間に配置されるので、シーリング部材２２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【０１４１】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【０１４２】
前記第２の基板２１１０上には、アレイ層(ＴＬ)、及び第２の配向膜(ＡＬ２)が配置される。
【０１４３】
本実施形態による第２の基板２１１０は、図１〜図１１の表示装置の第２の基板と実質的に同一である。そこで、図１〜図１１の第１の基板と同一の構成要素は、同じ図面符号を付することにする。
【０１４４】
図１１に示すように、前記アレイ層(ＴＬ)は、ゲート電極(ＧＥ)と、絶縁層１２０と、アクティブパターン(ＡＰ)と、ソース電極(ＳＥ)と、ドレーン電極(ＤＥ)と、有機膜１３０と、画素電極(ＰＥ)とを含む。
【０１４５】
前記ゲート電極（ＧＥ)は、前記第２の基板１１０上に配置される。前記ゲート電極（ＧＥ)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(ＧＥ)は、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(ＧＥ)は、チタン(Ｔｉ)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Ｃｕ)を含む上部層とを含む。
【０１４６】
前記ゲート電極(ＧＥ)上には、前記絶縁層１２０が形成される。前記絶縁層１２０は、前記第２の基板１１０、及び前記ゲート電極(ＧＥ)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層１２０は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)、又はシリコン窒化物(ＳｉＮｘ)を含む。例えば前記絶縁層１２０は、シリコン酸化物(ＳｉＯｘ)を含み、５００Åの厚さを有する。また、前記絶縁層１２０は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【０１４７】
前記絶縁層１２０上には、アクティブパターン(ＡＰ)が形成される。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)が形成された領域の前記絶縁層１２０上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(ＧＥ)と重ね合わされ、前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(ＡＰ)は、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ソース電極(ＳＥ)の間に挟まれ、前記ゲート電極(ＧＥ)と前記ドレーン電極(ＤＥ)の間に挟まれる。
【０１４８】
前記アクティブパターン(ＡＰ)上には、前記ソース電極(ＳＥ)、及び前記ドレーン電極(ＤＥ)が形成される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)は、前記アクティブパターン(ＡＰ)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極（ＤＥ）は、データラインと同一層に形成される。
【０１４９】
前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅（Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、マンガン(Ｍｎ)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(ＳＥ)及びドレーン電極(ＤＥ)は、銅(Ｃｕ)層、及び前記銅(Ｃｕ)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン（Ｔｉ)層を含む。
【０１５０】
前記ソース電極(ＳＥ)及び前記ドレーン電極(ＤＥ)上には、有機膜１３０が形成される。前記有機膜１３０は、前記第２の基板１１０の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜１３０は、有機物質を含む絶縁層である。
【０１５１】
前記画素電極(ＰＥ)は、前記有機膜１３０上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(ＤＥ)と電気的に連結される。前記画素電極(ＰＥ)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(ＰＥ)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極(ＰＥ)は、チタン(ｔｉｔａｎｉｕｍ:Ｔｉ)、又はモリブデンチタン合金(ＭｏＴｉ)を含む。
【０１５２】
図２１〜図２５は、図２０の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１５３】
図２１に示すように、前記第１の基板２２１０上に、遮光パターン(ＢＭ)が形成される。以後、前記遮光パターン(ＢＭ)が形成された前記第１の基板２２１０上に、第１のカラーフィルター２２１１が形成される。
【０１５４】
前記第１の基板２２１０上に、遮光パターン(ＢＭ)が形成される。前記遮光パターン(ＢＭ)は、前記表示領域（ＤＡ）のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(ＰＡ)に配置される。前記遮光パターン（ＢＭ）は、光を遮断する。
【０１５５】
前記カラーフィルターは、第１のカラーフィルター２２１１と、第２のカラーフィルター２２１２と、第３のカラーフィルター２２１３とを含む。前記第１のカラーフィルター２２１１は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター２２１１である。例えば、前記第１のカラーフィルター２２１１の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１５６】
図２２に示すように、前記第１のカラーフィルター２２１１が形成された前記第１の基板２２１０上に、第２のカラーフィルター２２１２、及びギャップ保持パターン２２１４が形成される。
【０１５７】
前記第２のカラーフィルター２２１２は、前記第１のカラーフィルター２２１１と隣接して配置される。前記第２のカラーフィルター２２１２は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター２２１２である。前記第１のカラーフィルター２２１１及び前記第２のカラーフィルター２２１２は、同一の高さに形成される。例えば、前記第２のカラーフィルター２２１２の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１５８】
前記表示装置の周辺領域(ＰＡ)には、ギャップ保持パターン２２１４が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン２２１４は、前記第２のカラーフィルター２２１２と同一の高さ(ｄ３)を有する。例えば、前記第２のカラーフィルター２２１２の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下であり、前記ギャップ保持パターン２２１４の高さは、１.５μｍ以上１.８μｍ以下である。
【０１５９】
図２３に示すように、前記第２のカラーフィルター２２１２及び前記ギャップ保持パターン２２１４が形成された前記第１の基板２２１０上に、第３のカラーフィルター２２１３が形成される。
【０１６０】
前記第３のカラーフィルター２２１３は、前記第２のカラーフィルター２２１２と隣接して配置される。前記第３のカラーフィルター２２１３は、青色物質を含む青色カラーフィルター２２１３である。例えば、前記第３のカラーフィルター２２１３の高さは、１.７μｍ以上２.３μｍ以下である。
【０１６１】
図２４に示すように、前記第３のカラーフィルター２２１３が形成された第１の基板２２１０上に、オーバーコート層２２２０が形成される。
【０１６２】
前記カラーフィルター２２１１、２２１２、２２１３及び前記ギャップ保持パターン２２１４上には、オーバーコート層２２２０が形成される。オーバーコート層２２２０は、前記第１の基板２２１０の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層２２２０は、不純物が前記液晶層２３００に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層２２２０を省略することもできる。
【０１６３】
図２５に示すように、前記オーバーコート層２２２０が形成された前記第１の基板２２１０上に、カラムスペーサ２２３１、第１の配向膜(ＡＬ１)、及び遮断ダムが形成される。
【０１６４】
前記オーバーコート層２２２０上には、カラムスペーサ２２３１が配置される。前記カラムスペーサ２２３１は、前記表示領域(ＤＡ)に配置され、前記第１の基板２２１０と第２の基板２１１０の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ２２３１は、前記第２の基板の表示領域（ＤＡ）に配置され、第１の配向膜（ＡＬ１）によって覆われる。
【０１６５】
前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、前記カラムスペーサ２２３１が形成された前記第１の基板２２１０上に形成される。前記第１の配向膜(ＡＬ１)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【０１６６】
前記周辺領域(ＰＡ)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン２２１４と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ２２３１と同一の高さに形成される。
【０１６７】
前記遮断ダムは、第１の遮断ダム２２３２と、第２の遮断ダム２２３３とを含む。前記第２の遮断ダム２２３３は、前記第１の遮断ダム２２３２と隣接して配置される。前記第２の遮断ダム２２３３は、前記第１の遮断ダム２２３２と平行な方向に延びる。前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間の間隔は、２.５ｍｍ以上３.５ｍｍ以下である。
【０１６８】
前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間には、シーリング部材２２４０が配置される。前記シーリング部材２２４０は、前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材２２４０は、前記第１の基板２２１０と前記第２の基板２１１０を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材２２４０が前記第１の遮断ダム２２３２と前記第２の遮断ダム２２３３の間に配置されるので、シーリング部材２２４０の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域(ＰＡ)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(ＤＡ)と周辺領域（ＰＡ)のギャップ差によるムラ等の不良を減少することができる。
【０１６９】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【０１７０】
本実施形態による第２の基板の製造方法は、図１〜図１１の第２の基板の製造方法と実質的に同一である。従って、ここでは、重複する説明を省略する。
【０１７１】
本発明の実施形態によると、表示装置は、第１の遮断ダム及び第２の遮断ダムを含み、第１の遮断ダムと第２の遮断ダムの間に、シーリング部材が配置される。前記シーリング部材が、前記１の遮断ダムと前記第２の遮断ダムの間に配置されるので、シーリング部材の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【０１７２】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【０１７３】
また、表示装置は、前記第１の遮断ダム及び前記第２の遮断ダムと重ね合わされるギャップ保持パターンを含む。そこで、前記第１の遮断ダム及び前記第２の遮断ダムが形成される領域を、前記ギャップ保持パターンが支持しており、表示領域と周辺領域のギャップを均一に形成することができる。
【０１７４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１７５】
１０、２０、３０  表示装置
１１０  第２の基板
２１０  第１の基板
２１１  第１のカラーフィルター
２１２  第２のカラーフィルター
２１３  第３のカラーフィルター
２１４  ギャップ保持パターン
２３１  カラムスペーサ
２３２  第１の遮断ダム
２３３  第２の遮断ダム
２４０  シーリング部材
３００  液晶層
ＧＥ  ゲート電極
ＳＥ  ソース電極
ＤＥ  ドレーン電極
ＡＰ  アクティブパターン
ＰＥ  画素電極
【図１】
2018018049.tif 000003
【図２】
2018018049.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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