(57)【要約】【課題】明るさの異なる電極を効率よく検査できる技術の提供。【解決手段】接合状態検査装置は、異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、前記撮像画像において、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、前記第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、前記第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する圧痕検出部と、前記圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査部と、を備える。【選択図】図４
2018137413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、
前記撮像画像において、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、
前記第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、前記第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する圧痕検出部と、
前記圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査部と、
を備える接合状態検査装置。
【請求項２】
前記撮像画像は、微分干渉像である、
請求項１に記載の接合状態検査装置。
【請求項３】
前記第１電極と前記第２電極とは互いに異なる材料によって形成された電極である、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の接合状態検査装置。
【請求項４】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得工程と、
前記撮像画像において、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、
前記第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、前記第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する圧痕検出工程と、
前記圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査工程と、
を含む接合状態検査方法。
【請求項５】
異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得機能と、
前記撮像画像において、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、
前記第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、前記第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する圧痕検出機能と、
前記圧痕の検出結果に基づいて前記電極の接合状態を検査する検査機能と、
をコンピュータに実現させる接合状態検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電粒子が分散した異方性導電フィルムによって圧着される電極の接合状態を検査する接合状態検査装置、接合状態検査方法および接合状態検査プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電極を撮像した画像の明るさに基づいて圧痕の判定を行う技術が知られている（特許文献１、参照）。特許文献１において、平滑化によって同一電極内の明るさの変化の影響を軽減してから圧痕の判定を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−７６１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、明るさが異なる複数の電極において、圧痕を検査することができないという問題があった。特許文献１の段落００２３においては、撮像した画像の濃淡値の平均や照度計を利用して明るさが一定となるように照明を調整することが開示されているが、明るさが異なる複数の電極を検査する場合には、複数の電極のそれぞれに対して照明を調整しなければならない。つまり、明るさが異なる電極ごとに照明を調整して撮像しなければならず、検査の効率が低下する。これに対して、単一の照明条件で撮像された１個の撮像画像で明るさが異なる複数の電極の圧痕を検査しようとすると、一方の電極が明るくなりすぎたり暗くなりすぎて、双方の電極の画像から圧痕を検出することができない。
【０００５】
本発明は、前記の問題を解決せんとするもので、明るさの異なる電極を効率よく検査できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するため、本発明の接合状態検査装置は、異方性導電フィルムによって圧着された電極を撮像した撮像画像を取得する撮像画像取得部と、撮像画像において、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する圧痕検出部と、圧痕の検出結果に基づいて電極の接合状態を検査する検査部と、を備える。
【０００７】
前記の構成において、圧痕検出部は、第２電極よりも暗い第１電極において、明るくなる側に明度が凸となる部分を圧痕として検出する。第２電極よりも暗い第１電極において、圧痕の像のうち暗くなる側に明度が凸となる部分はダイナミックレンジの下限以下となっている可能性（いわゆる黒つぶれの可能性）が高いが、圧痕の像のうち明るくなる側に明度が凸となる部分はダイナミックレンジの下限以下となっている可能性が低い。従って、第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分を圧痕として検出することができる。反対に、第１電極よりも明るい第２電極において、圧痕の像のうち明るくなる側に明度が凸となる部分はダイナミックレンジの上限以上となっている可能性（いわゆる白飛びの可能性）が高いが、圧痕の像のうち暗くなる側に明度が凸となる部分はダイナミックレンジの上限以上となっている可能性が低い。従って、第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分を圧痕として検出することができる。以上のように、明るさが異なる第１電極と第２電極の圧痕を１個の撮像画像で効率よく検査できる。
【０００８】
ここで、撮像画像は、微分干渉像であってもよい。圧痕は、突出した部分であるため、上り勾配の部分と下り勾配の部分とを含んでいる。そのため、微分干渉像においては、上り勾配に対応する部分と下り勾配に対応する部分の明度が、互いに明暗の反対側に凸となる。そのため、撮像画像として微分干渉像を採用することにより、第１電極と第２電極とにおいて互いに反対側に凸となっている部分を圧痕として検出できる。
【０００９】
さらに、第１電極と第２電極とは互いに異なる材料によって形成された電極であってもよい。すなわち、本発明によって、互いに異なる材料によって形成され反射率が異なる２個の電極を効率よく検査できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】接合状態検査装置のブロック図である。
【図２】撮像部の斜視図である。
【図３】図３Ａは基板の断面模式図、図３Ｂは撮像画像である。
【図４】図４Ａは明度のヒストグラム、図４Ｂは明度のグラフ、図４Ｃは圧痕の断面模式図、図４Ｄは圧痕の平面模式図である。
【図５】接合状態検査処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）接合状態検査装置の構成：
（２）接合状態検査処理：
（３）他の実施形態：
【００１２】
（１）接合状態検査装置の構成：
図１は、本実施形態にかかる接合状態検査装置１０の概略構成を示すブロック図である。同図において、接合状態検査装置１０は、制御部２０と記録媒体３０と表示装置４０と入力装置５０と撮像部６０とを備えている。
【００１３】
撮像部６０は、照明６１と微分干渉顕微鏡６２とＸ−Ｙステージ６３とＣＣＤセンサ６４とを備えている。図２は、撮像部６０の斜視図である。Ｘ−Ｙステージ６３は、基板Ｂが載置されるステージであり、制御部２０の制御の下で基板Ｂを当該基板Ｂの面方向に移動させる。Ｘ軸とＹ軸は、Ｘ−Ｙステージ６３が移動する方向の軸であり、基板Ｂと平行な平面上において互いに直交する座標軸である。
【００１４】
基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板に半導体部品を接合した基板である。半導体部品は、例えば液晶ディスプレイの液晶素子を駆動するための駆動信号を生成する液晶ドライバ回路等である。
【００１５】
照明６１はリングライトである。微分干渉顕微鏡６２は、視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させる光学系を有している。微分干渉顕微鏡６２は、近傍の位置にて反射した偏光同士を干渉させることにより、当該偏光の位相差に応じて明度が変化する画像である微分干渉像をＣＣＤセンサ６４に結像する。視野Ｖ内の近傍の位置にて反射した偏光の位相差は、当該偏光の光路長の差に対応するため、微分干渉像は偏光が反射した位置の高さの差を鮮明に示す画像となる。つまり、微分干渉像は、基板Ｂ上に存在する光の反射体の段差や傾きを鮮明に示す画像となる。また、微分干渉像は偏光が反射した位置の高さの差に応じて明度が変化するだけでなく、微分干渉像は偏光が反射した位置の反射率が大きいほど明度が大きくなる。つまり、反射率が高い部分における高さの差に応じた明度の変化は明るい明度域で見られるとともに、反射率が低い部分における高さの差に応じた明度の変化は暗い明度域で見られることとなる。ＣＣＤセンサ６４は、微分干渉顕微鏡６２が結像した微分干渉像（視野Ｖ内）を撮像するイメージセンサである。
【００１６】
図１に示す制御部２０は、図示しないＣＰＵやＲＯＭやＲＡＭで構成されるコンピュータであり、記録媒体３０に記録された各種情報を用いて接合状態の検査に必要な処理を実行する。図１に示すように、制御部２０は、接合状態検査プログラム２１を実行する。
【００１７】
記録媒体３０は、撮像画像３０ａと電極テンプレート画像３０ｂと判定エリア情報３０ｃとを記録する。撮像画像３０ａは、ＣＣＤセンサ６４が撮像した画像であり、微分干渉像である。電極テンプレート画像３０ｂは、接合状態を検査する対象の電極のテンプレート画像である。テンプレート画像は、撮像画像３０ａにてパターンマッチングを行うことにより、撮像画像３０ａ内から電極の像を検出するために使用する画像である。テンプレート画像は、実際に電極を微分干渉顕微鏡６２にて撮像することにより得られた微分干渉像であってもよいし、電極の設計情報に基づいて描画された画像であってもよい。判定エリア情報３０ｃは、検査の対象とする基板Ｂ上の領域である判定エリアを規定した情報である。制御部２０は、判定エリアが視野Ｖ内となるようにＸ−Ｙステージ６３を制御する。
【００１８】
図３Ａは、基板Ｂの構成を説明する断面模式図である。基板Ｂは、液晶ディスプレイのガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとを備える。ガラス基板Ｂ１は複数の電極Ｐ１，Ｐ２を備える。電極Ｐ１を濃いグレーで示し、電極Ｐ２を薄いグレーで示している。電極Ｐ１，Ｐ２は互いに異なる材料によって形成され、電極Ｐ１の方が電極Ｐ２よりも反射率が小さい。反射率は、電極に使用される材料，Ｔａ（タンタル）,Ｍｏ（モリブデン），Ａｌ（アルミニウム）およびその合金によって変化する。例えば、電極Ｐ１はタンタルで形成され、電極Ｐ２はタンタルよりも反射率が大きいモリブデンで形成されている。
【００１９】
ガラス基板Ｂ１は電子部品ＵよりもＺ軸方向の上方に位置し、ガラス基板Ｂ１の電極Ｐ１，Ｐ２が下方に向いている。電子部品Ｕはガラス基板Ｂ１よりもＺ軸方向の下方に位置し、電子部品Ｕの電極Ｉ１，Ｉ２が上方に向いている。Ｚ軸方向において、ガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとの間に異方性導電フィルムＦが挟み込まれている。異方性導電フィルムＦにおいては、熱硬化バインダー中に導電粒子Ｅがほぼ均等に分散している。
【００２０】
加熱しながらガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとの間にＺ軸方向の圧力を加えると、導電粒子Ｅを介して電極Ｐ１，Ｐ２と電極Ｉ１，Ｉ２とが電気的に接続した状態で異方性導電フィルムＦが硬化する。導電粒子Ｅは、表面が絶縁膜によってコーティングされた導電性の粒子である。ガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとの間に挟まれて導電粒子Ｅに圧力が加わると、絶縁膜が破壊され、導電粒子Ｅを介して電極Ｐ１，Ｐ２と電極Ｉ１，Ｉ２とが電気的に接続することとなる。
【００２１】
図３Ａでは電極Ｐ１，Ｐ２と電極Ｉ１，Ｉ２とが異方性導電フィルムＦによって圧着された状態を示している。導電粒子Ｅは、電極Ｐ１，Ｐ２よりも硬く、ガラス基板Ｂ１と電子部品Ｕとを圧着する際に電極Ｐ１，Ｐ２に導電粒子Ｅの圧痕が形成される。
【００２２】
表示装置４０は、制御部２０の制御の下で各種画像を表示するディスプレイである。入力装置５０は、ユーザの操作を受け付ける装置であり、マウスやキーボードやタッチパネル等であってもよい。
【００２３】
次に、接合状態検査プログラム２１のソフトウェア構成について説明する。接合状態検査プログラム２１は、撮像画像取得モジュール２１ａと圧痕検出モジュール２１ｂと検査モジュール２１ｃとを含む。撮像画像取得モジュール２１ａと圧痕検出モジュール２１ｂと検査モジュール２１ｃとを実行する制御部２０は、本発明の撮像画像取得部と圧痕検出部と検査部とを構成する。
【００２４】
撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、異方性導電フィルムＦによって圧着された電極Ｐ１，Ｐ２を撮像した撮像画像３０ａを取得する。この撮像画像３０ａは、微分干渉像である。
【００２５】
図３Ｂは、撮像画像３０ａの模式図である。図３Ｂでは、微分干渉像そのものではなく、説明のため撮像画像３０ａ上に存在する各領域の分布を模式的に示すこととする。電極Ｐ１を濃いグレーで示し、電極Ｐ２を薄いグレーで示し、電極Ｐ１，電極Ｐ２が存在しない領域を黒で示している。現実の撮像画像３０ａにおいては、図３Ｂにて色を塗り分けた領域の境界（電極Ｐ１，Ｐ２の境界等）において強いエッジが見られることとなる。
【００２６】
ガラス基板Ｂ１はほぼ透明であるため、照明光は電極Ｐ１，Ｐ２に到達する。なお、電極Ｐ１と電極Ｐ２は、照明６１の光を反射する反射体となる。電極Ｐ１は、電極Ｐ２よりも反射率が小さいため、撮像画像３０ａにおいて電極Ｐ２よりも暗くなる。電極Ｐ１，Ｐ２が存在しない領域では、電子部品Ｕにて照明光が透過するか吸光される。図３Ｂにおいて、導電粒子Ｅの圧痕の図示を省略している。
【００２７】
撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて電極テンプレート画像３０ｂとのパターンマッチングを行う。電極テンプレート画像３０ｂは、電極Ｐ１，Ｐ２について予め用意されている。パターンマッチングの具体的手法として、公知の手法を採用すればよい。パターンマッチングを行うことにより、制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて電極Ｐ１，Ｐ２が存在する領域を検出できる。
【００２８】
圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａにおいて、第１電極と、当該第１電極よりも明るい第２電極とが存在する場合に、第１電極において明るくなる側に明度が凸となる部分と、第２電極において暗くなる側に明度が凸となる部分のそれぞれを圧痕として検出する。まず、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、撮像画像３０ａに含まれる電極Ｐ１，Ｐ２が第１電極と第２電極のどちらに該当するかを判定する。
【００２９】
図４Ａは、図３Ｂの撮像画像３０ａの明度Ｌのヒストグラムである。図４Ａの横軸は撮像画像３０ａの明度Ｌを示し、縦軸は各明度Ｌの画素数を示す。同図に示すように、暗い電極Ｐ１に対応する明度Ｌの分布が最小明度０の付近に存在している。暗い電極Ｐ１に対応する明度Ｌの分布は、電極Ｐ１，Ｐ２が双方とも存在していない部分（図３Ｂにおいて黒色の部分）に存在する暗い画素の分布と区別不能となっている。一方、明るい電極Ｐ２に対応する明度Ｌの分布が明度Ｌの最大明度Ｌmaxの付近に存在している。本実施形態において、反射率が異なる２種類の電極Ｐ１，Ｐ２が判定エリア内に存在することが既知であり、暗い電極Ｐ１と明るい電極Ｐ２に対応する明度Ｌの分布がそれぞれ最小明度０と最大明度Ｌmaxの付近に分布するように照明６１の出力が設定されている。
【００３０】
圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、電極Ｐ１，Ｐ２のそれぞれについて電極Ｐ１，Ｐ２が存在する領域内の画素の明度Ｌの平均値Ｌaveと標準偏差σを算出する。そして、制御部２０は、標準偏差σに定数ｎを乗じた値を明度Ｌの平均値Ｌaveから減算することにより判定値Ｌrefを算出する。例えば、定数ｎは３であってもよい。そして、制御部２０は、予め決められた閾値Ｌthよりも判定値Ｌrefが小さい電極Ｐ１を第１電極であると判定する。また、制御部２０は、判定値Ｌrefが閾値Ｌth以上の電極Ｐ２を第２電極であると判定する。判定エリアによっては、すべての電極が第１電極であると判定される場合もあるし、すべての電極が第２電極であると判定される場合もある。
【００３１】
まず、第１電極において圧痕を検出する処理を説明する。図４Ｂは、明度Ｌのグラフである。具体的に、図４Ｂは、図３Ｂに示すＸ軸方向の直線Ｓ上の各画素の明度Ｌを示す。図４Ｂにおいて、横軸はＸ軸方向の位置を示し、縦軸は明度Ｌを示す。ここで、最小明度０はＣＣＤセンサ６４が電荷を生じさせる最小の光量に対応し、最大明度ＬmaxはＣＣＤセンサ６４にて電荷が飽和する光量に対応する。例えば、明度Ｌが８ビットのデジタル階調で表される場合、最大明度Ｌmaxは２５５となる。
【００３２】
図４Ｂにて破線Ｗで示すように、最小明度０に対応する光量よりも小さい光量の光がＣＣＤセンサ６４の撮像素子に入射すると、当該撮像素子に対応する画素の明度Ｌは最小明度０となり、いわゆる黒つぶれとなる。また、４Ｂにて破線Ｕで示すように、最大明度Ｌmaxに対応する光量よりも大きい光量の光がＣＣＤセンサ６４の撮像素子に入射すると、当該撮像素子に対応する画素の明度Ｌは最大明度Ｌmaxとなり、いわゆる白飛びとなる。従って、撮像画像３０ａにおいて、図４Ｂの破線Ｗ，Ｕで示す本来の明度Ｌの階調変化の情報は失われることとなる。
【００３３】
圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、第１電極としての電極Ｐ１において、明るくなる側に明度が凸となる部分を圧痕として検出する。具体的に、制御部２０は、第１電極としての電極Ｐ１内の画素の明度Ｌに基づいて基準明度Ｌbaseを算出する。例えば、基準明度Ｌbaseは、電極Ｐ１内の画素の明度Ｌの最頻値であってもよいし、中央値であってもよいし、平均値であってもよい。そして、制御部２０は、第１電極としての電極Ｐ１内の画素のうち、予め決められた差分明度Ｌdifを基準明度Ｌbaseに加算した値よりも明度Ｌが大きい画素群を候補画素群Ｃ（濃いグレー）として抽出する。そして、制御部２０は、候補画素群Ｃによって形成される像の形状が、予め登録された理想的な圧痕の像の形状に合致する場合に、当該候補画素群Ｃを圧痕として検出する。
【００３４】
図４Ｃは直線Ｓにおける圧痕Ｑの断面模式図であり、図４Ｄは図４Ｃの圧痕Ｑの平面模式図である。圧痕Ｑは、ほぼ半球状に突出した形状であるため、上り勾配と下り勾配とがＸ軸方向において連続する形状となる。Ｘ軸方向における上り勾配の大きさが一定値以上となる部分が、第１電極において候補画素群Ｃとして抽出されることとなる。図４Ｃにおいて上り勾配の大きさが一定値以上となる部分を太実線で示す。図４Ｄにおいて右肩上がりのハッチングで示す領域のように、Ｘ軸方向における上り勾配の大きさが一定値以上となる部分の形状を予め理想的な圧痕の像の形状として登録しておくことにより、候補画素群Ｃの形状が圧痕の像に合致するか否かを判定できる。候補画素群Ｃが圧痕の像に合致するか否かは、面積や輪郭線の長さや縦横の幅等の類似度に基づいて判定されてもよい。
【００３５】
図４Ｂに示すように、暗い電極Ｐ１において、圧痕Ｑの像のうち暗くなる側に明度が凸となる部分は破線で示すようにダイナミックレンジの下限（最小明度０）以下となっている可能性（いわゆる黒つぶれの可能性）が高いが、圧痕Ｑの像のうち明るくなる側に明度が凸となる部分はダイナミックレンジの下限以下となっている可能性が低い。従って、暗い電極Ｐ１において明るくなる側に明度が凸となる部分を圧痕Ｑとして検出することができる。
【００３６】
次に、第２電極において圧痕を検出する処理を説明する。圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、第２電極としての電極Ｐ２において、暗くなる側に明度が凸となる部分を圧痕として検出する。具体的に、制御部２０は、第２電極としての電極Ｐ２内の画素の明度Ｌの最頻値や中央値に基づいて基準明度Ｌbaseを算出する。そして、制御部２０は、第２電極としての電極Ｐ２内の画素のうち、予め決められた差分明度Ｌdifを基準明度Ｌbaseから減算した値よりも明度Ｌが小さい画素群を候補画素群Ｃ（薄いグレー）として抽出する。そして、制御部２０は、抽出した候補画素群Ｃによって形成される像の形状が、予め登録された理想的な圧痕の像の形状に合致する場合に、候補画素群Ｃを圧痕Ｑとして検出する。
【００３７】
図４Ｃに示すように、Ｘ軸方向における下り勾配の大きさが一定値以上となる部分が、第２電極において候補画素群Ｃとして抽出されることとなる。図４Ｃにおいて下り勾配の大きさが一定値以上となる部分を太破線で示す。図４Ｄにおいて右肩下がりのハッチングで示す領域のように、Ｘ軸方向における下り勾配の大きさが一定値以上となる部分の形状を予め理想的な圧痕の像の形状として登録しておくことにより、候補画素群Ｃが圧痕Ｑの像に合致するか否かを判定できる。
【００３８】
図４Ｂに示すように、明るい電極Ｐ２において、圧痕Ｑの像のうち明るくなる側に明度Ｌが凸となる部分は破線で示すようにダイナミックレンジの上限（最大明度Ｌmax）以上となっている可能性（いわゆる白飛びの可能性）が高いが、圧痕Ｑの像のうち暗くなる側に明度Ｌが凸となる部分はダイナミックレンジの上限以上となっている可能性が低い。従って、明るい電極Ｐ２において暗くなる側に明度Ｌが凸となる部分を圧痕Ｑとして検出することができる。以上のように、明るさが異なる電極Ｐ１，Ｐ２の圧痕Ｑを、１個の撮像画像３０ａから検出できる。
【００３９】
また、図４Ｂ，図４Ｃに示すように、微分干渉像においては、上り勾配に対応する部分と下り勾配に対応する部分の明度Ｌが、互いに明暗の反対側に凸となる。そのため、撮像画像３０ａとして微分干渉像を採用することにより、電極Ｐ１，Ｐ２において互いに反対側に明度Ｌが凸になっている部分を圧痕Ｑとして検出できる。
【００４０】
検査モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、圧痕Ｑの検出結果に基づいて電極の接合状態を検査する。例えば、検査モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、電極Ｐ１において検出された圧痕Ｑの個数が閾値以上である場合に、電極Ｐ１の接合状態が正常であると判定する。同様に、制御部２０は、電極Ｐ２において検出された圧痕Ｑの個数が閾値以上である場合に、電極Ｐ２の接合状態が正常であると判定する。
【００４１】
（２）接合状態検査処理：
図５は、接合状態検査処理のフローチャートである。まず、検査モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、判定エリアを撮像できる位置にＸ−Ｙステージ６３を移動させる（ステップＳ１００）。すなわち、制御部２０は、判定エリア情報３０ｃに規定された判定エリアが視野Ｖ内に入るようにＸ−Ｙステージ６３を移動させる。次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２とＣＣＤセンサ６４とによって撮像画像３０ａを撮像する（ステップＳ１１０）。次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、微分干渉顕微鏡６２から撮像画像３０ａを取得する（ステップＳ１２０）。
【００４２】
次に、撮像画像取得モジュール２１ａの機能により制御部２０は、電極を検出する（ステップＳ１３０）。具体的に、撮像画像３０ａにおいて、予め用意された電極テンプレート画像３０ｂとのパターンマッチングを行うことにより電極を検出する。
【００４３】
次に、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、処理対象の電極を選択する（ステップＳ１４０）。例えば、図３Ｂに示すように、ステップＳ１３０にて２個の電極Ｐ１，Ｐ２を検出した場合、電極Ｐ１，Ｐ２のうちどちらかを処理対象として選択する。
【００４４】
次に、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、判定値Ｌrefを算出する（ステップＳ１５０）。すなわち、図４Ａに示すように、制御部２０は、処理対象の電極内の画素の明度Ｌの標準偏差σに定数ｎを乗じた値を、明度Ｌの平均値Ｌaveから減算することにより判定値Ｌrefを算出する。
【００４５】
次に、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、判定値Ｌrefが閾値Ｌth以上であるか否かを判定する（ステップＳ１６０）。すなわち、制御部２０は、処理対象の電極が第１電極と第２電極のいずれに該当するかを判定する。
【００４６】
判定値Ｌrefが閾値Ｌth以上であると判定しなかった場合（ステップＳ１６０：Ｎ）、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、明るい側に凸となっている部分を圧痕Ｑとして検出する（ステップＳ１７０）。すなわち、判定値Ｌrefが閾値Ｌth未満となっている第１電極については、図４Ｂに示す電極Ｐ１のように明るい側に凸となっている画素群を候補画素群Ｃとして抽出し、当該候補画素群Ｃのうち、理想的な圧痕Ｑの像の形状に合致するものを、圧痕Ｑとして検出する。
【００４７】
一方、判定値Ｌrefが閾値Ｌth以上であると判定した場合（ステップＳ１６０：Ｙ）、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、暗い側に凸となっている部分を圧痕Ｑとして検出する（ステップＳ１８０）。すなわち、判定値Ｌrefが閾値Ｌth以上となっている第２電極については、図４Ｂに示す電極Ｐ２のように、暗い側に凸となっている画素群を候補画素群Ｃとして抽出し、当該候補画素群Ｃのうち、理想的な圧痕Ｑの像の形状に合致するものを、圧痕Ｑとして検出する。
【００４８】
以上のようにして処理対象の電極において圧痕Ｑを検出すると、検査モジュール２１ｃの機能により制御部２０は、圧痕Ｑの検出結果に基づいて良否判定を行う（ステップＳ１９０）。すなわち、制御部２０は、処理対象の電極における圧痕Ｑの検出結果に基づいて、処理対象の電極の接合状態の正常であるか否かを検査する。例えば、処理対象の電極において検出された圧痕Ｑの個数が閾値以上である場合や、圧痕Ｑの分布が均等である場合に、当該電極の接合状態が正常であると判定してもよい。
【００４９】
処理対象の電極についての検査が完了すると、圧痕検出モジュール２１ｂの機能により制御部２０は、未処理の電極があるか否かを判定する（ステップＳ２００）。すなわち、ステップＳ１３０にて検出された電極のうち、検査が未完了の電極があるか否かを判定する。未処理の電極があると判定した場合（ステップＳ２００：Ｙ）、制御部２０は、ステップＳ１４０に戻り、次の電極についての検査を行う（ステップＳ１４０〜Ｓ１９０）。一方、未処理の電極があると判定しなかった場合（ステップＳ２００：Ｎ）、制御部２０は、接合状態検査処理を終了する。
【００５０】
（３）他の実施形態：
前記実施形態においては、電極Ｐ１，Ｐ２内の画素の明度Ｌに基づいて第１電極であるか第２電極であるかを判定したが、必ずしも第１電極であるか第２電極であるかを判定しなくてもよい。例えば、設計情報等に基づいて判定エリア内の電極Ｐ１，Ｐ２ごとに第１電極であるか第２電極であるかを示す情報が用意されていてもよい。さらに、明度Ｌに基づいて第１電極であるか第２電極であるかを判定する手法は、上述した実施形態の手法に限られない。例えば、明度Ｌの平均値Ｌaveが閾値Ｌth以上であるか否かに基づいて第１電極であるか第２電極であるかを判定してもよい。さらに、電極Ｐ１，Ｐ２の検出方法は、パターンマッチングに限られない。
【００５１】
ここで、撮像画像３０ａは微分干渉像であることが望ましいが、通常の顕微鏡によって撮像された画像に対して微分演算を行うことにより撮像画像３０ａと同等の画像を得てもよい。また、検査対象の電極は明るさが異なる電極であればよい。電極の明るさが異なる要因は、必ずしも電極の材料の差でなくてもよい。例えば、電極の表面処理等によって電極の明るさが異なってもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０…接合状態検査装置、２０…制御部、２１…接合状態検査プログラム、２１ａ…撮像画像取得モジュール、２１ｂ…圧痕検出モジュール、２１ｃ…検査モジュール、３０…記録媒体、３０ａ…撮像画像、３０ｂ…電極テンプレート画像、３０ｃ…判定エリア情報、４０…表示装置、５０…入力装置、６０…撮像部、６１…照明、６２…微分干渉顕微鏡、６３…Ｘ−Ｙステージ、６４…ＣＣＤセンサ、Ｂ…基板、Ｂ１…ガラス基板、Ｃ…候補画素群、Ｅ…導電粒子、Ｆ…異方性導電フィルム、Ｕ…電子部品、Ｉ１，Ｉ２…電極、Ｌ…明度、Ｌave…平均値、Ｌbase…基準明度、Ｌdif…差分明度、Ｌmax…最大明度、Ｌref…判定値、Ｌth…閾値、Ｐ１，Ｐ２…電極、Ｑ…圧痕、Ｖ…視野、ｎ…定数、σ…標準偏差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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