(57)【要約】      （修正有）【課題】スキャンデータの画質を向上させるスキャナーを提供する。【解決手段】スキャナー１は、コントローラー１０と搬送装置４０と通信部７０と操作部８０と２系統の読取部（光源、センサー、光学系等）を備える。第１光学系５１は原稿からの光を反射する凹面を複数備えた第１鏡と、凹面で反射された光を検知するセンサーチップを凹面に１対１で備えた基板と、隣り合うセンサーチップの間に設けられ、基板から光路側に突出した壁と、を備えるスキャナーを構成する。【選択図】図１
2018207438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿からの光を反射する凹面を複数備えた第１鏡と、
前記凹面で反射された光を検知するセンサーチップを前記凹面に１対１で備えた基板と、
隣り合う前記センサーチップの間に設けられ、前記基板から光路側に突出した壁と、
を備えるスキャナー。
【請求項２】
前記センサーチップは、主走査方向に並んで配列されており、
前記センサーチップは、主走査方向に並ぶ複数の光電変換素子を備えており、
前記壁は、前記センサーチップの端部に位置する前記光電変換素子に入射する主光線を遮らない形状で前記基板から突出する、
請求項１に記載のスキャナー。
【請求項３】
前記原稿の主走査ライン上の既定範囲からの光は、第１凹面によって反射され前記第１凹面に対応する第１センサーチップに入射するとともに、第２凹面によって反射され前記第２凹面に対応する第２センサーチップに入射する、
請求項１または請求項２に記載のスキャナー。
【請求項４】
前記壁は当該壁の両側の前記センサーチップに隣接して設けられる、
請求項１〜請求項３のいずれかに記載のスキャナー。
【請求項５】
原稿からの光を反射する凹面を複数備えた第１鏡と、
前記凹面で反射された光を検知するセンサーチップを前記凹面に１対１で備えた基板と、
隣り合う前記センサーチップの間に設けられ、前記基板から光路側に突出した壁と、
を備えるスキャナーを用いて、前記原稿を複数の前記センサーチップで読み取って前記原稿のスキャンデータを生産するスキャンデータの生産方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スキャナー、スキャンデータの生産方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、主走査ライン上の互いに一部重複する部分範囲を当該部分範囲に対応するセンサーチップで読み取り、複数のセンサーチップでそれぞれ読み取った複数の部分範囲の画像データを合成して当該主走査ラインの画像データを生成するスキャナーが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１３１７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
各センサーチップに入射するように設計された原稿の主走査ライン上の部分範囲からの光のみならず、当該光以外の意図しない光（迷光）も当該センサーチップに入射することがある。迷光がセンサーチップに入射するとスキャンデータの画質が低下するという問題がある。
本発明は、スキャンデータの画質向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するためのスキャナーは、原稿からの光を反射する凹面を複数備えた第１鏡と、凹面で反射された光を検知するセンサーチップを凹面に１対１で備えた基板と、隣り合うセンサーチップの間に設けられ、基板から光路側に突出した壁と、を備える。
この構成によると、各センサーチップに入射することが意図された光以外の光（迷光）が当該センサーチップに入射することを壁によって防止することができる。その結果、迷光がセンサーに入射することを防止でき、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。
【０００６】
さらに、上記目的を達成するためのスキャナーにおいて、センサーチップは、主走査方向に並んで配列されており、センサーチップは、主走査方向に並ぶ複数の光電変換素子を備えており、壁は、センサーチップの端部に位置する光電変換素子に入射する主光線を遮らない形状で前記基板から突出する構成であっても良い。
壁は、センサーチップの端の光電変換素子に入射するように設計された光の少なくとも主光線を遮らない形状で設けられているため、当該主光線をセンサーチップに入射させることができる。
【０００７】
さらに、上記目的を達成するためのスキャナーにおいて、原稿の主走査ライン上の既定範囲からの光は、第１凹面によって反射され第１凹面に対応する第１センサーチップに入射するとともに、第２凹面によって反射され第２凹面に対応する第２センサーチップに入射する構成であっても良い。
すなわち、原稿の主走査ライン上において第１センサーチップが読み取る部分範囲と第２センサーチップが読み取る部分範囲とは一部が重複する（重複する範囲が既定範囲に相当する）。したがってこの構成の場合、既定範囲のスキャンデータに基づいて第１センサーチップに対応する部分範囲のスキャンデータと第２センサーチップに対応する部分範囲のスキャンデータとを結合することによって、１主走査ラインのスキャンデータを生成することができる。
【０００８】
さらに、上記目的を達成するためのスキャナーにおいて、壁は当該壁の両側のセンサーチップに隣接して設けられる構成であっても良い。
この構成の場合、各センサーチップに隣接して設けられた壁によって迷光を遮ることができる。
【０００９】
さらに、上記目的を達成するためのスキャンデータの生産方法は、原稿からの光を反射する凹面を複数備えた第１鏡と、凹面で反射された光を検知するセンサーチップを凹面に１対１で備えた基板と、隣り合うセンサーチップの間に設けられ、基板から光路側に突出した壁と、を備えるスキャナーを用いて、原稿を複数のセンサーチップで読み取って原稿のスキャンデータを生産する。
この方法によると、各センサーチップに入射することが意図された光以外の光（迷光）が当該センサーチップに入射することを壁によって防止することができる。その結果、迷光がセンサーに入射することを防止でき、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】スキャナーのブロック図である。
【図２】スキャナーの搬送機構の周辺の構造を示す図である。
【図３】スキャナーの光学系の構成例を示す図である。
【図４】光学系による縮小を模式的に示す図である。
【図５】合成を説明する説明図である。
【図６】第１鏡における壁を示す斜視図である。
【図７】光路と壁とを示す模式図である。
【図８】第１鏡における壁の高さを説明するための斜視図である。
【図９】第１鏡における壁の高さを説明するための模式図である。
【図１０】絞り部材における壁の平面図である。
【図１１】絞り部材における壁の断面図である。
【図１２】絞り部材における壁の断面図である。
【図１３】第２鏡における壁の平面図である。
【図１４】第２鏡における壁の断面図である。
【図１５】第２鏡における壁の断面図である。
【図１６】第２鏡における壁の断面図である。
【図１７】センサー基板における壁の平面図である。
【図１８】センサー基板における壁の断面図である。
【図１９】センサー基板における壁の断面図である。
【図２０】スキャン処理を示すフローチャートである。
【図２１】他の実施形態にかかる模式図である。
【図２２】他の実施形態にかかる模式図である。
【図２３】他の実施形態にかかる模式図である。
【図２４】他の実施形態にかかる模式図である。
【図２５】他の実施形態にかかる模式図である。
【図２６】他の実施形態にかかる模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）スキャナーの構成：
（２）遮光壁の構成：
（２−１）第１鏡における壁：
（２−２）絞り部材における壁：
（２−３）第２鏡における壁：
（２−４）センサー基板における壁：
（３）スキャン処理：
（４）他の実施形態：
【００１２】
（１）スキャナーの構成：
図１は、本発明の一実施例にかかるスキャナー１のブロック図である。スキャナー１は、コントローラー１０と搬送装置４０と通信部７０と操作部８０と２系統の読取部（光源、センサー、光学系等）を備える。コントローラー１０は、図示しない記録媒体と、当該記録媒体からプログラムを読み出して実行するプロセッサー（特定の処理を実行するように回路が構成されたＡＳＩＣ等の専用回路であってもよいし、ＡＳＩＣ等とＣＰＵとが協働していてもよい）を備える。
【００１３】
コントローラー１０はスキャナー１の各部を制御し、読取部の出力に基づいてスキャンデータを生成（生産）する。操作部８０は、利用者に対して種々の情報を提供する出力部と、利用者による入力操作を受け付ける入力部とを備えている。コントローラー１０は、操作部８０を制御して読取条件の選択肢やスキャン指示等を行うための情報を出力部に表示させる。利用者は、当該出力部の出力に基づいて読取条件の選択や読取開始指示等を入力することができる。
【００１４】
読取開始指示が入力されると、コントローラー１０は、スキャナー１の各部を制御し、原稿を読み取るための動作（例えば、原稿の搬送等）を行わせる。この動作により、読取部からスキャンデータが出力されると、コントローラー１０がスキャンデータを生成する。通信部７０は、外部の装置（本実施形態においては、外部のコンピューター９０）と通信を行うための装置であり、コントローラー１０は、任意の情報をコンピューター９０に送信し、コンピューター９０から各種の指示等を受け取ることができる。
【００１５】
本実施形態において、コントローラー１０がスキャンデータを生成すると、コントローラー１０は通信部７０を介してスキャンデータをコンピューター９０に送信する。むろん、スキャンデータは、種々の態様で利用されてよく、スキャナー１が備える図示しない記録媒体に保存されてもよいし、可搬型の記録媒体に保存されてもよいし、通信部７０を介してコンピューター９０以外の装置に提供されてもよい。
【００１６】
本実施形態にかかるスキャナー１は、図示しないＡＤＦ（オートドキュメントフィーダー）と原稿台との双方を備えており、いずれかの方式から選択された方式によって原稿が読取位置で読み取られる。本実施形態にかかるスキャナー１は、第１の読取部と第２の読取部とを備えており、第１の読取部はＡＤＦで搬送される搬送原稿（のおもて面）と、原稿台に載置される載置原稿とのいずれも読み取ることができる。第２の読取部は、搬送原稿（の裏面。おもて面と逆の面）を読み取ることができ、載置原稿を読み取ることはできない。
【００１７】
第１の読取部は、図１に示す第１センサー２１，第１光源３１，副走査装置４１，第１光学系５１を備えている。副走査装置４１は、第１センサー２１、第１光源３１、第１光学系５１を副走査方向に往復移動させることが可能な装置である。第２の読取部は、図１に示す第２センサー２２，第２光源３２，第２光学系５２を備えており、副走査装置４１に類する装置は備えられていない。すなわち、第２センサー２２，第２光源３２，第２光学系５２は、スキャナー１内に固定的に配置される。そして、第２光源３２からの光が搬送原稿の搬送経路内の所定位置に照射され、搬送原稿からの光が第２光学系５２を経て第２センサー２２に検知されることで読み取りが行われる。
【００１８】
第１センサー２１および第２センサー２２は、複数のセンサーチップを備えている。各センサーチップは、１方向に延びるセンサーであり当該１方向に複数の光電変換素子が並べられてラインセンサーを構成している。本実施形態において、各センサーチップには３列の光電変換素子列が構成されており、各列の光電変換素子のそれぞれには赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色のフィルターが設けられている。本実施形態においては、当該光電変換素子列が延びる方向が副走査方向（搬送原稿の搬送方向）に垂直になるように配置される（当該光電変換素子列が延びる方向を主走査方向と呼ぶ）。
【００１９】
なお、第１センサー２１が備える複数のセンサーチップは主走査方向に既定の間隔で並べられている。第２センサー２２が備える複数のセンサーチップは主走査方向に隣接した状態で並べられており、異なるセンサーチップの間で隣り合う光電変換素子の間隔が、他の位置における光電変換素子の間隔と同一である。従って、第２センサー２２においては、複数のセンサーチップが隣接するように並べられて、実質的に主走査方向の１ライン分の読み取りを行うラインセンサーを形成している。
【００２０】
第１光源３１および第２光源３２は、搬送原稿の搬送経路に設けられた読取領域（照射位置）に照明光を照射するランプを備えている。なお、原稿が載置原稿として読み取られる場合、照射位置は副走査方向に移動し得る。照射位置に存在する物体（原稿や白基準板等）にて反射した光は第１センサー２１や第２センサー２２が備える各センサーチップで受光され、各センサーチップは各光電変換素子での光の受光量に応じた信号を生成する。
【００２１】
第１センサー２１および第２センサー２２は、図示しないアナログフロントエンドを備えている。アナログフロントエンドは、光の受光量に応じて光電変換素子が出力した信号にゲインを作用させて出力する回路やＡ／Ｄ変換する回路を含む。本実施形態においてアナログフロントエンドは、当該ゲインを示す情報を記録する記録媒体を備えており、アナログフロントエンドにおいては、当該ゲインを示す情報に基づいて、第１センサー２１および第２センサー２２の黒レベルを最小の出力値、白レベルを最大の出力値にするゲイン調整を行う。
【００２２】
なお、本実施形態において、第１光源３１および第２光源３２は白色光を出力する光源である。第１センサー２１および第２センサー２２が備える光電変換素子列は、ＲＧＢ各色のフィルターを備えているため、白色光が照射された原稿からの光に基づいてＲＧＢ各色のスキャンデータを生成することができる。
【００２３】
搬送装置４０は、原稿を搬送する機構である。搬送装置４０は、搬送原稿を第１光源３１からの光の照射位置および第２光源３２からの光の照射位置に搬送し、さらに、搬送原稿をスキャナー１の外部へ搬送する機構である。
【００２４】
図２は、搬送装置４０の搬送経路を模式的に示す図である。搬送経路は、図示しない樹脂製の部材によって搬送原稿の通路が形成されることによって構成され、経路の複数の位置で搬送原稿が搬送ローラー４０ａ，４０ｂで挟まれることによって搬送原稿が当該経路を搬送される。図２においては、太い実線の曲線によって搬送経路を示している。搬送経路内において光源による照射位置は破線で示されており、当該照射位置内において主走査方向（Ｘ軸，Ｚ軸に垂直な方向）の１ライン分が第１センサー２１および第２センサー２２によって読み取られる。
【００２５】
第１読取部を構成する第１センサー２１，第１光源３１，第１光学系５１は、図２に示す第１ユニットＵ1内に形成されており、原稿台Ｔ上の照射位置を挟んで反対側には基準板６１が配置されている。すなわち、第１センサー２１において複数のセンサーチップは、主走査方向に既定の間隔だけ離れた位置に配置されており、原稿台上の原稿からの光を複数の光路によって複数のセンサーチップに導くことによって１列の読み取りを行うように構成されている。
【００２６】
従って、原稿上の１列の領域からの光は主走査方向の端部が重複する複数の領域からの光に分割され、分割された光のそれぞれが各センサーチップに結像する。このため、本実施形態においては、第１センサー２１が備える各センサーチップの出力を合成して１ライン分のスキャンデータを生成する必要がある。そこで、本実施形態においては、基準板６１に合成の目印となる合成マークが形成されている。合成マークは、隣接する領域の端部において各領域が重複する部位に形成されており、原稿台に原稿が存在しない状態で合成マークが読み取られることにより、各センサーチップの出力において同一の位置が読み取られた光電変換素子が特定される。
【００２７】
また、基準板６１にはゲイン調整のための白基準板および黒基準板が形成されており、白基準板の測定結果によって白レベルが決定され、黒基準板の測定結果によって黒レベルが決定される。なお、基準板６１においては、可動部が形成され、合成マーク、白基準板、黒基準板の中から選択された対象が可動部によって移動されて照射位置に配置されるように構成されていても良い。基準板６２には、基準板６１と同様に白基準板および黒基準板が形成されている。
【００２８】
図２において、副走査装置４１は、副走査方向（Ｘ軸方向）に第１ユニットＵ1を往復動作させることが可能な装置である。搬送原稿を読み取る際には、副走査装置４１は、第１ユニットＵ1を図２に示す既定の位置に配置する。そして、当該既定の位置に第１ユニットＵ1が配置された状態で読取が行われる。原稿台Ｔに載置された載置原稿を読み取る場合（いわゆるフラットベッドでの読み取りが行われる場合）、副走査装置４１は、第１センサー２１、第１光源３１、第１光学系５１を副走査方向に移動させて載置原稿を読み取る。従って、載置原稿においては、図２に示す破線の直線と当該直線に接続された一点鎖線の直線の部分が照射位置（原稿の読取領域）となり、当該照射位置は副走査方向に移動し得る。
【００２９】
第２読取部を構成する第２センサー２２，第２光源３２，第２光学系５２は、図２に示す第２ユニットＵ2内に形成されている。搬送原稿を読み取る際には、第１ユニットＵ1によって一方の面（おもて面）の読取が行われ、裏面の読取を行う必要がある場合には第２ユニットＵ2によって裏面の読取が行われる。本実施形態において、第２読取部（第２ユニットＵ2）はいわゆるＣＩＳ（Contact Image Sensor）である。
【００３０】
第１光学系５１は、第１センサー２１に原稿の画像を縮小しつつ結像させる部材（縮小光学系）を備えている。すなわち、第１光学系５１は、第１光源３１の光が原稿に照射されることで生じる原稿からの光をセンサーチップに導く光路を形成する部材を備える。光路は種々の構造によって提供されて良く、種々の部材、例えば、絞り部材やレンズ、反射鏡等のいずれかまたは組み合わせによって構成可能である。
【００３１】
図３は、本実施形態における第１光学系５１の光路を示す図であり、視線を主走査方向と平行にした状態で示している。図３においては、原稿Ｐに光を照射する第１光源３１と第１光学系５１（５１ａ〜５１ｈ）と第１センサー２１とを示している。第１光学系５１は複数の凹面を備えた第１鏡５１ａと、複数の凹面を備えた第２鏡５１ｂと、絞りとして機能する複数の開口部を備えた絞り部材５１ｃと迷光を遮光するための壁（５１ｄ〜５１ｈ）を備えており、原稿Ｐの主走査方向（Ｘ軸、Ｚ軸に垂直な方向）の１ライン分の光を、主走査方向に一部で重複する複数の領域に分割し、各領域の像を縮小することによってセンサーチップ２１ａに導く構成等が採用されている。なお図３においては、主走査ライン（読み取りライン）上の任意の位置からの反射光である光束を３本の線で示している。具体的には、当該光束の中心の光線である主光線を一点鎖線、当該光束の外側の光線を二点鎖線で示している。
【００３２】
図４は、主走査方向を横方向とした状態で光学系による作用を模式的に示している。図４においては、入射光と出射光とが重畳するとわかりづらいため、第１鏡５１ａの各凹面５１ａｉと第２鏡５１ｂの各凹面５１ｂｉは等価なレンズに置き換えたものとして楕円形で図示され、入射光に対して出射光がレンズの反対側に出る形で表現されている。同図に示すように、第１鏡５１ａの各凹面５１ａｉと絞り部材５１ｃの各絞り５１ｃｉ（開口部）とは１対１に対応している。また、第１鏡５１ａの各凹面５１ａｉと第２鏡５１ｂの各凹面５１ｂｉとは１対１に対応している。また、第１鏡５１ａの各凹面５１ａｉと第１センサー２１の各センサーチップ２１ａとは、１対１に対応している。なお、第１センサー２１の各センサーチップ２１ａは基板２１０に配置されている。
【００３３】
図４においては、原稿Ｐからの光が第１光学系５１を経てセンサーチップ２１ａに導かれる様子が示されており、原稿Ｐからの光の光路を破線および一点鎖線で模式的に示している。すなわち、センサーチップ２１ａは、主走査方向（Ｙ軸方向）に並んでおり、原稿Ｐにおいて主走査方向において一部重複しながら隣接する各領域の像は、原稿Ｐの各領域に対応した第１光学系５１の各部材で縮小される。そして、原稿Ｐの各領域の像は、各領域に対応した各センサーチップ２１ａに結像する。すなわち、主走査方向の長さＬＰの領域の像は長さｄのセンサーチップ２１ａに結像する。
【００３４】
なお、第２光学系５２においては、等倍結像の光学系が採用されており、像が縮小されることなく第２センサー２２に結像される。従って、コントローラー１０は、第２センサー２２の出力に対して合成処理を行う必要はなく、他の画像処理（切り出し処理やエッジ強調等）を実施し、スキャンデータとして取得する。
【００３５】
一方、第１センサー２１においては、原稿Ｐの同一位置を重複して読み取るため、コントローラー１０が、隣接するセンサーチップが出力したデータを一部が重複する位置で合成してスキャンデータを生成する。具体的には、コントローラー１０は、基準板６１に形成された合成マークの読み取り結果に基づいて、センサーチップ２１ａの出力を重ねる。すなわち、第１センサー２１は、図４に示すように、複数個のセンサーチップ２１ａによって構成されており、各センサーチップ２１ａは異なる位置に配置される。
【００３６】
異なるセンサーチップ２１ａで同一位置が読み取られると、各センサーチップ２１ａの端部で当該同一位置が読み取られた状態になる。当該同一位置は、基準板６１の合成マークが配置される位置であるため、原稿が存在しない状態で合成マークが読み取られると、各センサーチップ２１ａは、合成マークを読み取ったデータを出力する。図５は、センサーチップ２１ａが備える光電変換素子を示す模式図であり、光電変換素子を丸で示している。図５において、合成マークは副走査方向に延びる線であり、合成マークの周囲の部分は白色である。
【００３７】
当該合成マークは、隣接するセンサーチップ２１ａの双方で読み取られる。図５においては、合成マークを読み取ったセンサーチップ２１ａの光電変換素子を黒に着色して模式的に示しており、合成マークをハッチングによって模式的に示し、合成マークを読み取った光電変換素子に重ねて示している。また、隣接するセンサーチップ２１ａの一方を上部左側に配置し、他方を下部右側に配置し、合成マークを読み取った光電変換素子が縦方向に並ぶようにセンサーチップ２１ａの模式図を配置している。ここでは、隣接するセンサーチップ２１ａの一方を第１センサーチップ２１ａ１、他方を第２センサーチップ２１ａ２と呼ぶ。
【００３８】
第１センサーチップ２１ａ１、第２センサーチップ２１ａ２は、主走査方向にならぶ各光電変換素子の受光量に対応した出力をシリアルデータとして出力する。そこで、コントローラー１０は、第１センサーチップ２１ａ１の出力を解析し、端部から５個目および６個目の光電変換素子Ｅ5，Ｅ6で合成マークを検出したことを特定する。また、コントローラー１０は、第２センサーチップ２１ａ２の出力を解析し、端部から４個目および５個目の光電変換素子Ｅ4，Ｅ5で合成マークを検出したことを特定する。この場合、コントローラー１０は、第１センサーチップ２１ａ１の５個目および６個目の光電変換素子Ｅ5，Ｅ6と、第２センサーチップ２１ａ２の４個目および５個目の光電変換素子Ｅ4，Ｅ5とが同一位置を読み取ったとみなし、各センサーチップ２１ａに対応づけて各素子の位置を図示しないメモリに記録する。
【００３９】
そして、コントローラー１０は、以上の処理を主走査方向の端に位置するセンサーチップ２１ａから順に実施し、各センサーチップ２１ａで同一位置を読み取った素子の位置を特定する。なお、第１センサー２１を構成する複数のセンサーチップ２１ａにおいて、端に位置するセンサーチップ以外は第１センサーチップ２１ａ１、第２センサーチップ２１ａ２のいずれにもなり得る。例えば、あるセンサーチップ２１ａが第１センサーチップ２１ａ１となり、隣接する第２センサーチップ２１ａ２となった場合において、当該第２センサーチップ２１ａ２を第１センサーチップ２１ａ１と見なすと、逆側に隣接する他のセンサーチップ２１ａが第２センサーチップ２１ａ２となる。以上のようにして同一位置を読み取る光電変換素子の位置が特定されると、原稿Ｐが読み取られた際に、コントローラー１０は、当該位置に基づいて各センサーチップ２１ａが出力を合成することにより、１ライン分のスキャンデータを生成する。
【００４０】
（２）遮光壁の構成：
第１光学系５１は、図３および図４で示した光路の光以外の迷光が各センサーチップ２１ａに入射することを防止するために壁（５１ｄ〜５１ｈ）を備えている。
【００４１】
（２−１）第１鏡における壁：
図３に示す壁５１ｄは、第１鏡５１ａに設けられた遮光壁である。図６に示すように、壁５１ｄは、隣り合う２つの凹面（５１ａｉ）の間に設けられた壁５１ｄｍと、壁５１ｄｍと壁５１ｄｍとをつなぐ壁５１ｄｓと、を備えている。壁５１ｄｍは、隣り合う２つの凹面に隣接して設けられている。壁５１ｄｍは、隣り合う２つの凹面がなす稜線部Ｒから突出しており、稜線部Ｒと壁５１ｄｍとの間に隙間はない（壁５１ｄｍの底部と稜線部Ｒとは密着している）。言い換えると、壁５１ｄは、Ｚ方向から見ると格子形状（あるいは梯子形状）になっており、その壁５１ｄの１つの開口からは１つの凹面が覗くようになっている。壁５１ｄｍの突端部Ｔｏは、稜線部Ｒの形状に沿った凹形状である。壁５１ｄｓは、壁５１ｄｍとともに凹面５１ａｉの縁を囲む。壁５１ｄｓが壁５１ｄｍと接続することにより、壁５１ｄｍの強度が増し壁５１ｄｍの光路に対する角度が安定する。壁５１ｄｍの形状（壁の厚さや高さ）について図７を参照しながら具体的に説明する。
【００４２】
図７は、原稿Ｐからの反射光がセンサーチップ２１ａに入射するまでの光路と壁とを示す模式図である。第１鏡５１ａに設けられている複数の凹面のうち、注目する凹面を第１凹面５１ａ１と呼び、第１凹面５１ａ１の隣の凹面を第２凹面５１ａ２と呼ぶ。また、図７において第１鏡５１ａの凹面と第２鏡５１ｂの凹面は凸レンズとして図示されている。また、図７において、原稿Ｐの主走査ライン（読み取りライン）上の任意の位置からの反射光である光束（円錐形）は３本の線（光束の中心の光線である主光線は一点鎖線、光束の外側の光線は二点鎖線）で示されている。なお、本実施形態において壁５１ｄｍの厚さ（幅Ｗｄｍ）は一定であり、第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ｄ２との間の壁５１ｄｍは第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ｄ２とから等距離の位置に設けられている。
【００４３】
原稿Ｐの主走査ライン上の範囲Ｐ１（端部Ｐ１Ｌから端部Ｐ１Ｒまでの範囲）からの反射光は、第１鏡５１ａの第１凹面５１ａ１、第１絞り５１ｃ１、第２鏡５１ｂの第１凹面５１ｂ１を経て第１センサーチップ２１ａ１に入射する。また、原稿Ｐの主走査ライン上の範囲Ｐ２（端部Ｐ２Ｌから端部Ｐ２Ｒまでの範囲）からの反射光は、第１鏡５１ａの第２凹面５１ａ２、第２絞り５１ｃ２、第２鏡５１ｂの第２凹面５１ｂ２を経て第２センサーチップ２１ａ２に入射する。範囲Ｐ１と範囲Ｐ２との重複部分（以降、既定範囲と呼ぶ）は第１センサーチップ２１ａ１および第２センサーチップ２１ａ２の両方のセンサーチップで読み取られる。当該既定範囲の主走査方向における長さはｑである。
【００４４】
既定範囲の第２凹面５１ａ２側の端部Ｐ１Ｒからの反射光は、第１センサーチップ２１ａ１に対しては第１センサーチップ２１ａ１の端部Ｓ１Ｌ（第２センサーチップ２１ａ２から遠い方の端部）に入射する。既定範囲の第１凹面５１ａ１側の端部Ｐ２Ｌからの反射光は、第２センサーチップ２１ａ２に対しては、第２センサーチップ２１ａ２の第１センサーチップ２１ａ１から遠い方の端部Ｓ２Ｒに位置する光電変換素子に入射する。なお端部Ｐ１Ｒからの反射光は、第２センサーチップ２１ａ２に対しては、端部Ｓ２Ｒより第１センサーチップ２１ａ１側の光電変換素子に入射し、端部Ｐ２Ｌからの反射光は、第１センサーチップ２１ａ１に対しては、端部Ｓ１Ｌより第２センサーチップ２１ａ２側の光電変換素子に入射する。
【００４５】
仮に第１鏡５１ａの凹面と凹面の間の壁５１ｄｍが設けられていない場合、例えば、第１鏡５１ａの第２凹面５１ａ２で反射した光の一部が第２凹面５１ａ２に対応する第２絞り５１ｃ２ではなく隣の第１絞り５１ｃ１を通過してしまう現象を防止できない状況等が発生し、迷光による画質低下を招く。壁５１ｄｍにより、当該現象の発生を防止できる。当該現象の発生を防止するためには壁５１ｄｍの高さは高い方が望ましいが、凹面ごとに決められた主走査ライン上の範囲（Ｐ１やＰ２等）からの光を凹面で反射するためには次のように上限を定めることができる。
【００４６】
すなわち、第１凹面５１ａ１に注目すると、範囲Ｐ１と範囲Ｐ２との重複部である既定範囲の第２凹面５１ａ２側の端部Ｐ１Ｒからの少なくとも主光線が遮られない高さである必要がある。したがって第１鏡５１ａの第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ａ２との間に設けられる壁５１ｄｍは、次式（１）で示される高さＨｄｍで稜線部Ｒの点ｐ０２からから突出している。
０＜Ｈｄｍ＜Ｌ−（ｑ＋Ｗｄｍ）／（２ｔａｎθ２）・・・（１）
【００４７】
ここで、Ｌは第１鏡５１ａを経てセンサーチップ２１ａに結像する像のピントが合う位置である仮想面から第１鏡５１ａまでの距離である。当該仮想面に原稿Ｐが位置するように原稿台Ｔ（図７においては不図示）と第１光学系５１との相対位置が設計されている。以降では、仮想面に原稿Ｐの読み取り面が位置しているとして説明を行う。Ｌは、より具体的には、点ｐ０２から原稿Ｐの端部Ｐ１ＲまでのＸＺ平面と平行な平面における距離である。なお図６に示すように第１鏡５１ａは主走査方向（Ｙ軸方向）に延びるように配置されており、壁５１ｄｍは、第１鏡５１ａの稜線部ＲからＸＺ平面と平行な方向に突出している。点ｐ０２について図８および図９を用いて説明する。
【００４８】
図８は図６に示した第１鏡５１ａの斜視図から理解を容易にするためにＸ軸負方向側の壁５１ｄｓを除いた斜視図である。図９は、第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ａ２の間の壁５１ｄｍをＹ軸負方向からＹ軸正方向に向かって見た模式図である。点ｐ０１は、範囲Ｐ１と範囲Ｐ２の重複部である既定範囲の第２凹面５１ａ２側の端部Ｐ１Ｒ（図７参照）からの反射光の主光線Ｒｃが第１凹面５１ａ１に入射する点である。端部Ｐ１Ｒからの主光線Ｒｃを壁５１ｄｍの第１凹面５１ａ１側の側面（ＸＺ平面に平行な面）に投影した場合の線を図９に示すように線Ｒｃｃとする。点ｐ０２は、第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ｄ２とがなす稜線部Ｒの第１凹面側の稜線（図８、図９参照）と線Ｒｃｃの交点である。
【００４９】
式（１）においてθ２は、図７に示すように、端部Ｐ１Ｒから第１凹面５１ａ１に入射する主光線Ｒｃと原稿Ｐの主走査ラインとを含む平面における主走査ラインの垂線と主光線Ｒｃとのなす角である。Ｗｄｍは、第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ａ２とから等距離の位置に設けられる壁５１ｄｍの主走査方向（Ｙ軸方向）における幅である。点ｐ０５は、線Ｒｃｃと主光線Ｒｃとの交点である。なお、既定範囲ｑのＹ軸方向における中点のＹ座標と、壁５１ｄｍのＹ軸方向における中点のＹ座標とは一致しており、壁５１ｄｍはＸＺ平面に平行である。したがって式（１）における（ｑ＋Ｗｄｍ）／（２ｔａｎθ２）は、線ｋ１の長さを意味している。したがって壁５１ｄｍは、図９に示すように、点ｐ０２から線Ｒｃｃと平行な方向における長さ（高さＨｄｍ）が（Ｌ−ｋ１）より小さくなるように形成されている。壁５１ｄｍの高さＨｄｍが（Ｌ−ｋ１）より小さく形成されていることにより、既定範囲の端部Ｐ１Ｒから第１凹面５１ａ１に入射する主光線Ｒｃを少なくとも遮光しない壁５１ｄｍを構成することができる。
【００５０】
なお、端部Ｐ１Ｒから第１凹面５１ａ１側に入射する光束において主光線Ｒｃが少なくとも壁５１ｄｍによって遮られることがなければ、当該光束において主光線Ｒｃより外側であって最も第２凹面５１ａ２側に近い光線Ｒｅは壁５１ｄｍによって遮られたとしても、合成マークを用いた合成を実現できる。すなわち合成マーク周辺の光量が低下したスキャンデータによって合成マークを用いた合成を実現可能である。また、端部Ｐ１Ｒからの反射光の光束は第２センサーチップ２１ａ２において主光線より外側の光線も含めて検知されるため、端部Ｐ１Ｒに相当する位置の合成後のスキャンデータの画質には影響しない。なお、壁５１ｄｍの点ｐ０２からの高さＨｄｍを光線Ｒｅも遮らない高さとするためには、高さＨｄｍは次式（２）を満たせばよい。
０＜Ｈｄｍ＜Ｌ−（ｑ＋Ｗｄｍ）／（２ｔａｎθ1）・・・（２）
【００５１】
式（２）においてθ１は、図７に示すように、端部Ｐ１Ｒから第１凹面５１ａ１に入射する光束の最も第２凹面５１ａ２側の光線Ｒｅと原稿Ｐの主走査ラインとを含む平面（主走査ラインと主光線Ｒｃとを含む平面と同一平面）における主走査ラインの垂線と光線Ｒｅとのなす角である。点ｐ０４は、線Ｒｃｃ（端部Ｐ１Ｒからの光線Ｒｅを壁５１ｄｍの第１凹面５１ａ１側の側面（ＸＺ平面に平行な面）に投影した場合の線でもある）と光線Ｒｅとの交点である。式（２）における（ｑ＋Ｗｄｍ）／（２ｔａｎθ１）は、線ｋ２の長さを意味している。なお、図７〜図９においては、壁５１ｄｍは点ｐ０２からの高さＨｄｍが式（２）も満たすように形成されていることを示している。すなわちＨｄｍ＜Ｌ−ｋ２であることを図示している。
【００５２】
第１鏡５１ａに設けられている他の壁５１ｄｍについても、上記した第１凹面５１ａ１と第２凹面５１ａ２の間の壁５１ｄｍと同様の形状で形成されている。
【００５３】
なお、壁５１ｄｍ同士をつなぐ壁５１ｄｓは、壁５１ｄｍと壁５１ｄｍとの間の凹面の副走査方向（Ｘ軸方向）における端部と接して設けられている。凹面のＸ軸方向における端部と壁５１ｄｓとの間に隙間はない。壁５１ｄｓは、凹面への入射光の光束と凹面からの反射光の光束に干渉しない高さで形成されていればよく、凹面への入射光側の壁５１ｄｓの高さと凹面からの反射光側の壁５１ｄｓの高さとは同じであっても異なっていても良い。本実施形態では、図６に示すように、入射光側の壁５１ｄｓの方が反射光側の壁５１ｄｓよりも高く形成されている。
【００５４】
以上のように、第１鏡５１ａの各凹面に対応する主走査ライン上の範囲の光以外の意図しない光（迷光）を、凹面と凹面との間に設けられた壁５１ｄｍによって遮光することができる。その結果、迷光がセンサーチップ２１ａに入射することを防止でき、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。
【００５５】
（２−２）絞り部材における壁：
次に、図３に示すように絞り部材５１ｃに設けられている壁５１ｅと壁５１ｆについて説明する。絞り部材５１ｃは主走査方向（Ｙ軸方向）に延びる板状の部材であり、主走査方向に複数の絞り（開口部）が形成されている。図７に示すように、第１凹面５１ａ１に対応する絞りを第１絞り５１ｃ１、第２凹面５１ａ２に対応する絞りを第２絞り５１ｃ２と呼ぶ。図１０は絞り部材５１ｃを光路における原稿Ｐ側から見た図である。図１１は図１０のｆ１１−ｆ１１線における断面図、図１２は図１０のｆ１２−ｆ１２線における断面図である。
【００５６】
壁５１ｅは絞り部材５１ｃから光路において原稿Ｐ側に突出する遮光壁であり、図１０に示すように絞り部材５１ｃに形成された複数の絞りと絞りとの間に設けられた壁５１ｅｍと、壁５１ｅｍ同士をつなぐ壁５１ｅｓとを含んで構成される。壁５１ｅｓが一対の壁５１ｅｍと接続していることにより、壁５１ｅｍの強度が増し、壁５１ｅｍの絞り部材５１ｃの表面に対する角度が安定する。また、壁５１ｆは、絞り部材５１ｃから光路においてセンサーチップ側に突出する遮光壁であり、図１０で示した壁５１ｅと同様に、複数の絞りと絞りの間に設けられた壁５１ｆｍと、壁５１ｆｍ同士をつなぐ壁５１ｆｓとを含んで構成される。壁５１ｆｓが一対の壁５１ｆｍと接続していることにより、壁５１ｆｍの強度が増し、壁５１ｆｍの絞り部材５１ｃの表面に対する角度が安定する。
【００５７】
図１１に示すように、第１絞り５１ｃ１の両側に設けられた壁５１ｅｍは、主光線Ｒｃ（ここでは、第１絞り５１ｃ１に対応する第１センサーチップ２１ａ１の主走査方向における両方の端部の光電変換素子に入射する２つの主光線）を遮らない高さおよび位置で絞り部材５１ｃから突出している。図１１に示すように、第１センサーチップ２１ａ１の主走査方向における両方の端部の光電変換素子に入射する光束において主光線Ｒｃだけでなく最も外側の光線Ｒｅも遮らない高さＨｅｍおよび位置で壁５１ｅｍが設けられてもよい。絞り部材５１ｃに設けられた他の壁５１ｅｍも上記と同様の形状で設けられている。壁５１ｅｍと壁５１ｅｍとをつなぐ壁５１ｅｓは、図１２に示すように、対応するセンサーチップ（第１センサーチップ２１ａ１）に入射する光束を遮らない高さＨｅｓで設けられる。絞り部材５１ｃに設けられた他の壁５１ｅｓも同様の形状で設けられている。
【００５８】
第１絞り５１ｃ１の両側に設けられた壁５１ｆｍは、第１絞り５１ｃ１に対応する第１センサーチップ２１ａ１の主走査方向における両方の端部に入射する主光線Ｒｃを遮らない高さおよび位置で絞り部材５１ｃから突出している。図１１に示すように、第１センサーチップ２１ａ１に入射する光束において主光線Ｒｃだけでなく第２絞り５１ｃ２に最も近い光線Ｒｅも遮らない高さＨｆｍおよび位置に壁５１ｆｍが設けられてもよい。絞り部材５１ｃに設けられた他の壁５１ｆｍも同様の形状で設けられている。壁５１ｆｍと壁５１ｆｍとをつなぐ壁５１ｆｓは、図１２に示すように、対応するセンサーチップ（第１センサーチップ２１ａ１）に入射する光束を遮らない高さＨｆｓで設けられる。絞り部材５１ｃに設けられた他の壁５１ｆｓも同様の形状で設けられている。
【００５９】
以上のように、絞り部材５１ｃに壁５１ｅおよび壁５１ｆが設けられることにより、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。仮に、絞りと絞りの間であって原稿Ｐ側の壁５１ｅｍが設けられていない場合、例えば、第１絞り５１ｃ１に対応する第１鏡５１ａの第１凹面５１ａ１以外の凹面（例えば第２凹面５１ａ２）からの反射光が当該第１絞り５１ｃ１を通過する現象を防止できず、迷光による画質低下を招く場合がある。また仮に、絞りと絞りの間であってセンサー側の壁５１ｆｍが設けられていない場合、例えば、第１絞り５１ｃ１を通過した光の一部が当該第１絞り５１ｃ１に対応する第２鏡５１ｂの第１凹面５１ｂ１以外の凹面（例えば第２凹面５１ｂ２）に入射してしまう現象を防止できず、迷光による画質低下を招く場合がある。しかし、絞り部材５１ｃに壁５１ｅｍや壁５１ｆｍが設けられていることによって上記の現象を防止できる。
【００６０】
（２−３）第２鏡における壁：
次に、第２鏡５１ｂに設けられた壁５１ｇ（図３参照）について説明する。第２鏡５１ｂは、複数の凹面を備えており、第１鏡５１ａの複数の凹面でそれぞれ反射された光を対応する凹面によって対応するセンサーチップ２１ａに向けて反射する。図１３は第２鏡５１ｂの凹面が形成された面を示す図である。図１３には、第１絞り５１ｃ１に対応する第１凹面５１ｂ１と第２絞り５１ｃ２に対応する第２凹面５１ｂ２が図示されている。図１４は図１３のｆ１４−ｆ１４線における断面図、図１５は図１３のｆ１５−ｆ１５線における断面図である。図１６は、図１３のｆ１６−ｆ１６線における断面図である。
【００６１】
図１３に示すように、壁５１ｇは、第２鏡５１ｂの凹面と凹面の間に設けられた壁５１ｇｍ（第２壁に相当する）と、壁５１ｇｍと壁５１ｇｍとをつなぐ壁５１ｇｓとを備えている。第１凹面５１ｂ１と第２凹面５１ｂ２の間に設けられた壁５１ｇｍは、当該壁５１ｇｍの両側の凹面に隣接して設けられている。壁５１ｇｍは、第１凹面５１ｂ１と第２凹面５１ｂ２がなす稜線部Ｒから突出しており、稜線部Ｒと壁５１ｇｍとの間に隙間はない。壁５１ｇｍの突端部Ｔｏは図１６に示すように稜線部Ｒの形状に沿った凹形状である。壁５１ｇｓは、壁５１ｇｍとともに第１凹面５１ｂ１や第２凹面５１ｂ２の縁を囲む。壁５１ｇｓが壁５１ｇｍと接続することにより、壁５１ｇｍの強度が増し光路に対する壁５１ｇｍの角度が安定する。
【００６２】
図１４において、細い一点鎖線は、対応する絞りを通過し第２鏡５１ｂの凹面に入射する入射光の光束における主光線を示しており、細い二点鎖線は、当該光束の外側の光線を示している。また図１４において、太い一点鎖線は、第２鏡５１ｂの凹面から対応するセンサーチップ２１ａに向けて反射する反射光の光束における主光線を示しており、太い二点鎖線は、当該光束の外側の光線を示している。第１凹面５１ｂ１の両端に設けられた壁５１ｇｍは、第１凹面５１ｂ１に対応する第１センサーチップ２１ａ１の主走査方向（Ｙ軸方向）における両方の端部にそれぞれ位置する光電変換素子に入射する光束のうち主光線に干渉しない形状（高さＨｇｍ、幅Ｗｇｍ）で稜線部Ｒから突出するように構成されている。
【００６３】
図１５において、細い一点鎖線は、第１凹面５１ｂ１に対応する第１絞り５１ｃ１を通過し第１凹面５１ｂ１に入射する入射光の光束における主光線を示しており、細い二点鎖線は、当該光束の外側の光線を示している。また図１５において、太い一点鎖線は、第１凹面５１ｂ１から対応する第１センサーチップ２１ａ１に向けて反射する反射光の光束における主光線を示しており、太い二点鎖線は、当該光束の外側の光線を示している。壁５１ｇｍと壁５１ｇｍとをつなぐ壁５１ｇｓは、図１５に示すように、第２鏡５１ｂの凹面への入射光の光束および当該凹面からの反射光の光束を遮らない高さＨｇｓで第２鏡５１ｂに設けられている。
【００６４】
以上のように、第２鏡５１ｂの凹面と凹面との間に壁５１ｇｍが設けられていることにより、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。仮に、第２鏡５１ｂの凹面と凹面との間の壁５１ｇｍが設けられていない場合、例えば、第１凹面５１ｂ１に対応する第１センサーチップ２１ａ１以外のセンサーチップ（例えば第２センサーチップ２１ａ２）に第１凹面５１ｂ１からの反射光の一部が入射する現象を防止できず、迷光による画質低下を招く場合がある。しかし、第２鏡５１ｂに壁５１ｇｍが設けられていることによって上記の現象を防止できる。
【００６５】
（２−４）センサー基板における壁：
次に、センサーチップ２１ａが配置されている基板２１０に設けられた壁５１ｈ（図３参照）について説明する。図１７は、基板２１０を示す平面図である。図１８は、図１７のｆ１８−ｆ１８線における断面図、図１９は、図１７のｆ１９−ｆ１９線における断面図である。図１７に示すように、壁５１ｈは、基板２１０上に主走査方向に平行に配列された複数のセンサーチップ２１ａの間に設けられた壁５１ｈｍと、壁５１ｈｍ同士をつなぐ壁５１ｈｓとを含んで構成される。一対の壁５１ｈｍと、一対の壁５１ｈｓとによって１つのセンサーチップ２１ａが囲まれる。
【００６６】
図１８および図１９において、一点鎖線は、第２鏡５１ｂからセンサーチップ２１ａへの入射光の光束における主光線を示しており、二点鎖線は、当該光束における外側の光線を示している。図１８に示すように、壁５１ｈｍは、対応するセンサーチップ２１ａの主走査方向における両方の端部に位置する光電変換素子に入射する光束の主光線に干渉しない形状で形成されている。すなわち本実施形態においては、壁５１ｈｍは基板２１０に対して垂直に形成されており、センサーチップ２１ａのＹ軸方向の端部においてはセンサーチップ２１ａの内側から外側に向かって入射する主光線は、壁５１ｈｍによって遮られない。また、壁５１ｈｍと壁５１ｈｍとをつなぐ壁５１ｈｓは、図１９に示すように、第１センサーチップ２１ａ１に入射する光束に干渉しない高さＨｈｓで形成されている。なお図１９に示す光束の結像部分Ｓ３には、原稿Ｐの主走査ラインの同じ位置の光を受光するＲＧＢ３色の光電変換素子が位置している。
【００６７】
以上のように、基板２１０に配置されたセンサーチップ２１ａの間において基板２１０から突出する壁５１ｈｍが設けられていることにより、迷光によるスキャンデータの画質低下を防止できる。仮に、壁５１ｈｍが設けられていない場合、例えば、第１センサーチップ２１ａ１に対応する第２鏡５１ｂの第１凹面５１ｂ１以外の凹面（例えば第２凹面５１ｂ２）からの反射光の一部が第１センサーチップ２１ａ１に入射する現象を防止できず、迷光による画質低下を招く。しかし、基板２１０に壁５１ｈｍが設けられていることによって上記の現象を防止できる。
【００６８】
（３）スキャン処理：
次に、スキャン処理の手順を図２０に示すフローチャートに沿って説明する。利用者が操作部８０によって原稿の読取解像度や給紙方法（ＡＤＦ、原稿台のいずれか）を直接的または間接的に指定してスキャン指示を行うと、コントローラー１０は、当該スキャン指示を受け付け、図４に示すスキャン処理を開始する。スキャン処理が開始されると、コントローラー１０は、原稿の読取解像度、給紙方法を含むスキャン設定を取得する（ステップＳ１００）。なお、ここで利用者は、搬送原稿からの光を読み取る場合に設定可能な複数の原稿の読取解像度からいずれかを選択して解像度を設定することができる。
【００６９】
次に、コントローラー１０は、シェーディング測定を行う。すなわち、センサーチップにおいて検知可能な光量の下限は黒レベル、検知可能な光量の上限は白レベルであるが、黒レベルと白レベルはセンサーや光源等の特性に依存して変動し得る。例えば、暗電流等のノイズやセンサー毎の製造誤差、経時変化等によってセンサーの特性が変動し、この変動に応じて黒レベルと白レベルとが変動し得る。そこで、高品質のスキャンを行うためには、原稿の読み取りの前にシェーディング測定が行われ、黒レベルと白レベルの少なくとも一方が特定されていることが好ましい。
【００７０】
本実施形態においてコントローラー１０は、まず、白レベルを測定する（ステップＳ１０５）。すなわち、原稿の読み取りを行う前に、コントローラー１０は、第１読取部（両面スキャンの場合は第２読取部も対象となる）を制御し、基準板６１の白基準板を読み取る。この結果、第１センサー２１（両面スキャンの場合は第２センサー２２も）からは白基準板の測定結果を示す出力が取得されるため、コントローラー１０は、当該出力を白レベルとして取得する。
【００７１】
次に、コントローラー１０は、黒レベルを測定する（ステップＳ１１０）。すなわち、原稿の読み取りを行う前に、コントローラー１０は、第１読取部（両面スキャンの場合は第２読取部も対象となる）を制御し、基準板６１の黒基準板を読み取る。この結果、第１センサー２１（両面スキャンの場合は第２センサー２２も）からは黒基準板の測定結果を示す出力が取得されるため、コントローラー１０は、当該出力を黒レベルとして取得する。
【００７２】
次にコントローラー１０は、合成マークを測定する（ステップＳ１１５）。すなわち、原稿の読み取りを行う前に、コントローラー１０は、第１読取部を制御し、基準板６１の合成マークを読み取る。この結果、第１センサー２１が備える複数のセンサーチップから合成マークを読み取った結果が出力される。なお、本実施形態において第２センサー２２の出力は合成する必要がないため、合成マークの読み取りは行われない。
【００７３】
次に、コントローラー１０は、同一位置を読み取る光電変換素子を特定する（ステップＳ１２０）。例えば、図５に示す例であれば、コントローラー１０は、第１センサーチップ２１ａ１の光電変換素子Ｅ5，Ｅ6と、第２センサーチップ２１ａ２の光電変換素子Ｅ4，Ｅ5とが同一位置を読み取る光電変換素子であると特定する。コントローラー１０は、同様の処理を各センサーチップ２１ａについて実施し、同一位置を読み取る光電変換素子を各センサーチップについて特定する。
【００７４】
次に、コントローラー１０は、白レベルおよび黒レベルを設定する（ステップＳ１２５）。すなわち、コントローラー１０は、ステップＳ１０５において測定された白レベルとステップＳ１１０において測定された黒レベルとに基づいて、各光電変換素子の白レベルおよび黒レベルを設定する。具体的には、コントローラー１０は、ステップＳ１０５において測定された白レベルとステップＳ１１０において測定された黒レベルから、実効検出領域における白レベルと黒レベルの間の強度を測定できるようにゲインを設定する。
【００７５】
次に、コントローラー１０は、給紙方法がＡＤＦであるか否かを判定する（ステップＳ１３０）。すなわち、コントローラー１０は、ステップＳ１００で取得されたスキャン設定を参照し、給紙方法がＡＤＦ、原稿台のいずれであるのかを判定する。ステップＳ１３０において、給紙方法がＡＤＦであると判定されない場合、すなわち原稿台で読み取りを行う場合、コントローラー１０は、副走査を開始する（ステップＳ１３５）。すなわち、コントローラー１０は、副走査装置４１に対して制御信号を出力し、第１センサー２１、第１光源３１、第１光学系５１を副走査方向に移動させる。
【００７６】
副走査が行われている間に、コントローラー１０は原稿の読み取りを行う（ステップＳ１４０）。すなわち、第１センサー２１を制御して読み取りを行わせ、第１センサー２１から各センサーチップ２１ａでの読み取り結果を取得する。次に、コントローラー１０は、各センサーチップ２１ａの出力に対して信号処理を行う（ステップＳ１４５）。すなわち、コントローラー１０は、各センサーチップ２１ａの出力をデジタル化し、ステップＳ１２５で設定した白レベル及び黒レベルに従ったゲイン調整や、ステップＳ１２０において特定された光電変換素子が１画素の出力となるように合成を行う合成処理や、明度や色の変換処理や、原稿の切り出し処理や、エッジ強調処理、等の処理を行う。このような処理は、ステップＳ１４０においてライン順次に読み取られた結果のそれぞれについて実施されたり、全ての読取結果がそろったところで実施されたりする。
【００７７】
次に、コントローラー１０は、スキャンデータを出力する（ステップＳ１５０）。すなわち、コントローラー１０は、ステップＳ１４５において合成されたデータが１ページ分蓄積されると、１ページ分のスキャンデータを生成（生産）し、通信部７０を介してスキャンデータをコンピューター９０に出力する。
【００７８】
ステップＳ１３０において、給紙方法がＡＤＦであると判定された場合、コントローラー１０は、原稿の搬送を開始する（ステップＳ１５５）。すなわち、コントローラー１０は、副走査装置４１に対して制御信号を出力し、第１読取部を既定の読取位置に配置する。そして、コントローラー１０は、搬送装置４０に制御信号を出力し、原稿を搬送経路内で搬送する。
【００７９】
原稿が搬送されている間に、コントローラー１０は原稿の読み取りを行う（ステップＳ１６０）。すなわち、第１センサー２１を制御して読み取りを行わせ、第１センサー２１から各センサーチップ２１ａでの読み取り結果を取得する。なお、ステップＳ１００において両面読み取りが設定されている場合、コントローラー１０は、第２センサー２２を制御して読み取りを行わせ、第２センサー２２から読み取り結果を取得する。次に、コントローラー１０は、出力に対して信号処理を行う（ステップＳ１６５）。すなわち、コントローラー１０は、各センサーチップ２１ａの出力（両面の場合は第２センサー２２の出力も）をデジタル化し、ステップＳ１２５で設定した白レベル及び黒レベルに従ったゲイン調整や、ステップＳ１２０において特定された光電変換素子が１画素の出力となるように合成を行う合成処理や、明度や色の変換処理や、原稿の切り出し処理や、エッジ強調処理、等の処理を行う。このような処理は、ステップＳ１６０においてライン順次に読み取られた結果のそれぞれについて実施されたり、全ての読取結果がそろったところで実施されたりする。なお、第２センサー２２から読み取り結果は合成の必要がないため合成対象とはなっていない。
【００８０】
次に、コントローラー１０は、スキャンデータを出力する（ステップＳ１７０）。すなわち、コントローラー１０は、ステップＳ１６５において合成されたデータが１ページ分蓄積されると、切り出し処理やエッジ強調等の画像処理を行って１ページ分のスキャンデータを生成（生産）し、通信部７０を介してスキャンデータをコンピューター９０に出力する。両面読み取りの場合、コントローラー１０は、１６５において合成された１ページ分のデータとステップＳ１６０において読み取られた裏面１ページ分のデータとによってスキャンデータを生成（生産）し、コンピューター９０に出力する。
【００８１】
（４）他の実施形態：
以上の実施形態は本発明を実施するための一例であり、他にも種々の実施形態を採用可能である。例えば、本発明の一実施形態にかかるスキャナーは、他の目的にも使用される電子機器である複合機等に備えられていても良い。
【００８２】
さらに、合成マークの態様は各種の態様を採用可能であり、２本の線や他の形状の図形であっても良い。さらに、合成の際には、副走査方向におけるセンサーチップのずれ（傾き等）を解消するように合成されても良い。さらに、原稿の同一位置を読み取った光電変換素子の出力を重ねる場合、一方のスキャンデータと他方のスキャンデータとの統計値（平均値等）が取得されても良いし、両画像のいずれか一方が採用されてもよい。
【００８３】
さらに、読み取りを行って生成したスキャンデータは、コンピューター９０に対して出力するほかに、自装置に装着されたＵＳＢメモリ等の記憶媒体に出力してスキャンデータを記憶させたり、印刷機構に出力してスキャンデータを印刷（すなわちコピー）させたり、自装置のモニターに表示出力してもよい。あるいは、エリア検出画像をコンピューター９０に対して出力し、コンピューター９０のドライバプログラム又はアプリケーションプログラムに画像解析を行わせ、合成を行わせることで最終的なスキャンデータを生成させてもよい。この場合、コンピューター９０をスキャナーの一部とみなすことができる。
【００８４】
第１鏡は、原稿からの光を反射する複数の凹面を備えていればよい。すなわち、第１鏡は、原稿からの光の進行方向を反射によって変化させ、センサーに誘導する光路を形成することができればよい。原稿からの光は、光源から光が原稿に照射されることによって原稿から出力される光であれば良く、多くの場合は反射光であるが蛍光等であっても良い。第１鏡は、複数の凹面を備えている。すなわち、各凹面で異なる光路を形成することが可能であり、原稿からの光を複数の光路を通して各光路に対応した複数のセンサーチップに誘導することができればよい。また、凹面は、例えば、平行入射光を焦点に集光させるように反射する面で構成可能であり、原稿からの光が示す像の大きさを変化させる光学系（例えば、像の大きさを縮小する縮小光学系）として構成可能な面であれば良い。
【００８５】
凹面の数は任意であり、少なくとも主走査方向の複数の領域からの光を複数のセンサーチップに導く構成であれば良い。例えば、センサーが備えるセンサーチップの数に対応した数である構成等が採用可能である。また、同一光路内において複数の鏡が設けられていても良い。例えば、２個の凹面による２回の反射を経て光が結像する構成が採用されていてもよい。また、凹面の焦点距離や曲率等は限定されず、スキャナーの大きさや光学系の構成等に応じて変化しても良い。
【００８６】
センサーは、凹面で反射された光を検知する光電変換素子列を有するセンサーチップを複数個備えていれば良い。すなわち、センサーは、複数の凹面で反射した光を複数のセンサーチップで読み取ることができればよい。複数のセンサーチップのそれぞれには複数の光電変換素子を備える光電変換素子列が形成されており、光電変換素子が並ぶ列方向が主走査方向である。
【００８７】
なお、センサーチップにおいては、少なくとも主走査方向に光電変換素子列が並んでいれば良く、副走査方向の複数の位置に光電変換素子が存在しても良い。後者の場合、センサーチップ内で副走査方向の複数の位置に光電変換素子が存在しても良いし、センサーチップが副走査方向に並ぶことによって副走査方向の複数の位置に光電変換素子が存在しても良い。なお、副走査方向の複数の位置に光電変換素子が存在する構成において、副走査方向の複数の位置に存在する光電変換素子は、異なる色の像の形成に利用されても良いし、結合されることによって主走査方向の１ライン分の像を形成するために利用されても良い。
【００８８】
絞り部材は、凹面で反射された光の光路における第１鏡とセンサーとの間に位置し、凹面と一対一で対応する絞りを複数備えていればよい。すなわち、各凹面で反射される各光が形成する各光路に絞りが設けられ、当該光路の光が絞りによって絞られた後にセンサーチップに結像する構成であれば良い。絞りは、凹面と一対一に対応していれば良い。従って、各凹面に対応する絞りが必ず存在するが、各絞りには複数個の凹面が対応していても良い。例えば、光路内に複数個の凹面が存在し、１個の絞りによってセンサーチップに光が結像する構成であっても良い。
【００８９】
縮小光学系によって導かれた光を検知するセンサーは、第１鏡の凹面で反射された光を検知することができればよく、種々の構成を採用可能である。例えば、上記実施形態で示したように、主走査方向に配置された複数のセンサーチップによって構成されていてもよいし、主走査方向に長手方向が平行となるように配置された１つのラインセンサーによって構成されてもよい。
【００９０】
なお、原稿からの光を第１鏡の対応する凹面に向けて反射する凹面を複数備えた第３鏡と、光路における第３鏡と第１鏡との間に位置し壁とは異なる絞りと、を備えても良い。すなわち、上記実施形態における第２鏡５１ｂが第１鏡に相当し、上記実施形態における第１鏡５１ａが第３鏡に相当すると解釈してもよい。
【００９１】
また、上記実施形態において第１鏡の凹面間に設けられた壁や、第２鏡の凹面間に設けられた壁は、当該壁の両側の凹面に隣接する構成であったが、既定範囲の端部からの反射光の主光線を遮らない高さで設けられていればよく、種々の構成を採用可能である。例えば図２１に示すように壁５１ｇｍは両側の凹面５１ｂｉから離れて設けられていてもよいし、図２２に示すように、第１凹面５１ｂ１と第２凹面５１ｂ２との間において、第１凹面５１ｂ１に対する遮光壁として機能する壁５１ｇｍ１と第２凹面５１ｂ２に対する遮光
壁として機能する壁５１ｇｍ２とは別々に構成されてもよい。
【００９２】
また、上記実施形態において第１鏡の凹面と凹面の間の壁の突端部は、第１鏡の凹面同士でなす稜線部の形状に沿った形状であったが、壁の突端部の形状は、既定範囲の端部からの反射光の主光線を遮らない高さであればよくどのような形状であってもよい。例えば突端部の形状は平坦であってもよい。
【００９３】
また、上記実施形態においては、絞り部材の第１絞りと第２絞りとの間に設けられた壁は、第１絞りに対する壁と第２絞りに対する壁とが別々に形成されていたが、既定範囲の端部からの反射光の主光線を遮らない高さで設けられていればよく、種々の構成を採用可能である。例えば、図２３に示すように、第１絞り５１ｃ１と第２絞りｃ２との間にあって第１絞り５１ｃ１に対する遮光壁として機能する壁と第２絞り５１ｃ２に対する遮光壁として機能する壁は、壁５１ｅｍ１として一体に形成されてもよい。また、図２４に示すように、絞りと絞りの間に設けられる壁５１ｅｍ２は、当該壁の両側の絞りに隣接してもよい。
【００９４】
また、上記実施形態においては、基板上の第１センサーチップと第２センサーチップとの間の壁は、第１センサーチップに対する遮光を目的とした壁と第２センサーチップに対する遮光を目的とした壁とが別々に形成されていたが、既定範囲の端部からの反射光の主光線を遮らない形状で設けられていればよく、種々の構成を採用可能である。例えば図２５に示すように、第１センサーチップ２１ａ１に対する遮光を目的とした壁と第２センサーチップ２１ａ２に対する遮光を目的とした壁は、壁５１ｈｍ１として一体に形成されてもよい。また、上記のように一体に形成された壁は、図２６に示す壁５１ｈｍ２のように両側のセンサーチップに隣接して設けられても良い。
【００９５】
なお、上記実施形態で示した壁は、一部が省略されたり、異なる部材の壁が繋がって構成されるなど、種々の変形を加えても良い。例えば、壁５１ｄ、壁５１ｅ、壁５１ｆ、壁５１ｇ、壁５１ｈはいずれか１つ又は複数が省略されていてもよく、壁５１ｄ、壁５１ｅ、壁５１ｆ、壁５１ｇ、壁５１ｈのうちいずれか１つのみを備えて他は備えていないものでもよい。また、壁５１ｄと壁５１ｅは連結していてもよい。また、壁５１ｆと壁５１ｇとは連結していてもよい。また、壁５１ｇと壁５１ｈとは連結していてもよい。また、壁５１ｄｓ、壁５１ｅｓ、壁５１ｆｓ、壁５１ｇｓ、壁５１ｈｓは省略されてもよい。
また、上記実施形態で示した鏡を等価なレンズに置き換えてもよい。鏡を追加して光路を曲げるようにしてもよい。センサーもカラーフィルターを備えておらず、センサー自体は色を識別することはないモノクロセンサーであってもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１…スキャナー、１０…コントローラー、２１…第１センサー、２１ａ…センサーチップ、２１ａ１…第１センサーチップ、２１ａ２…第２センサーチップ、２２…第２センサー、３１…第１光源、３２…第２光源、４０…搬送装置、４０ａ，４０ｂ…搬送ローラー、４１…副走査装置、５１…第１光学系、５１ａ…第１鏡、５１ａ１…第１凹面、５１ａ２…第２凹面、５１ａｉ…凹面、５１ｂ…第２鏡、５１ｂ１…第１凹面、５１ｂ２…第２凹面、５１ｂｉ…凹面、５１ｃ…絞り部材、５１ｄ…壁、５１ｄｍ…壁、５１ｄｓ…壁、５１ｅ…壁、５１ｅｍ…壁、５１ｅｍ１…壁、５１ｅｍ２…壁、５１ｅｓ…壁、５１ｆ…壁、５１ｆｍ…壁、５１ｆｓ…壁、５１ｇ…壁、５１ｇｍ…壁、５１ｇｍ１…壁、５１ｇｍ２…壁、５１ｇｓ…壁、５１ｈ…壁、５１ｈｍ…壁、５１ｈｍ１…壁、５１ｈｍ２…壁、５１ｈｓ…壁、５２…第２光学系、６１…基準板、６２…基準板、７０…通信部、８０…操作部、９０…コンピューター、２１０…基板、Ｐ…原稿、Ｒ…稜線部、Ｒｃ…主光線、Ｒｃｃ…線、Ｒｅ…光線、Ｔ…原稿台、Ｔｏ…突端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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