(57)【要約】【課題】ディスペンサをインプリント装置に搭載後に吐出間隔を変える事で生じる吐出速度および吐出量のずれを抑えて、初期の設定値を維持する事を可能とする。【解決手段】インプリント装置であって、基板上に樹脂を吐出して付与する吐出手段と、前記吐出手段に対する複数の吐出条件を記録する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された吐出条件に基づき、前記吐出手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記樹脂を吐出する吐出間隔に応じて前記複数の吐出条件の中から吐出条件を選択する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に樹脂を吐出して付与する吐出手段と、
前記吐出手段に対する複数の吐出条件を記録する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された吐出条件に基づき、前記吐出手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記樹脂を吐出する吐出間隔に応じて前記複数の吐出条件の中から吐出条件を選択することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記吐出手段は、前記樹脂を吐出する複数のノズルを備え、
前記複数のノズルそれぞれに対して、複数の吐出条件が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記吐出手段は、圧電素子を利用した吐出手段であり、
前記吐出条件は、吐出間隔に対応した圧電素子を駆動させる信号の波形を示すことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記吐出手段による吐出間隔が切り替わる際に吐出条件を切り替えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記複数の吐出条件は、前記基板上に形成すべきパターンの形成を開始する前に、前記吐出手段よる吐出速度および吐出量を計測することで調整されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
基板上に樹脂を吐出して付与する吐出手段と、
前記吐出手段に対する複数の吐出条件を記録する記憶手段と、
を備えるインプリント装置における制御方法であって、
前記基板上に前記樹脂を形成する際に、前記樹脂を吐出する吐出間隔に応じて前記複数の吐出条件の中から吐出条件を選択することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
前記吐出手段は、前記樹脂を吐出する複数のノズルを備え、
前記複数のノズルそれぞれに対して、複数の吐出条件が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置の制御方法。
【請求項８】
前記吐出手段は、圧電素子を利用した吐出手段であり、
前記吐出条件は、吐出間隔に対応した圧電素子を駆動させる信号の波形を示すことを特徴とする請求項６または７に記載のインプリント装置の制御方法。
【請求項９】
吐出条件は、前記吐出手段による吐出間隔が切り替わる際に切り替えられることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載のインプリント装置の制御方法。
【請求項１０】
前記複数の吐出条件は、前記基板上に形成すべきパターンの形成を開始する前に、前記吐出手段よる吐出速度および吐出量を計測することで調整されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載のインプリント装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの微細化に対応して、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂をモールドで成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術がある。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
【０００３】
例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。上記技術を採用したインプリント装置におけるディスペンサでは、基板に対して樹脂を塗布する吐出速度や吐出量に高い精度が求められる。なお、吐出速度がずれると基板に樹脂が付着する位置のずれに繋がる。吐出位置や吐出量がずれるとショット内に塗布した樹脂に厚みムラが出来てしまい、モールドに対する樹脂の充填性が悪化して樹脂のパターンに欠陥が生じる可能性がある。
【０００４】
吐出速度および吐出量の精度を悪化させる要因に、前の吐出の振動あるいは周辺のノズルが吐出動作により発生させた振動がメニスカスやキャビティに残っている残振動が挙げられる。特許文献１は、吐出パターンを変化させた事による吐出量のばらつきを補正する方法を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１８３８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ディスペンサの吐出性能である吐出速度および吐出量はインプリント装置に搭載する前に専用の計測機を使って計測し、適切な数値になるようにピエゾ素子に付加する駆動波形を調整している。しかし、インプリント装置への搭載後はドロップレシピに対応するためにワンショット内でノズルの吐出間隔を変更しながら吐出動作を行う必要がある。例えば、押印時にパターンの外側は外気に触れやすいので乾燥しやすい傾向があるために、ドロップレシピではパターンの内側に比べて外側の吐出密度を高める必要がある。ノズルの吐出間隔が短くなると、変更前よりもノズル単体における吐出の残振動の影響が強く残り、変更前の吐出速度および吐出量と比較して値が変化してしまう。よって、吐出速度および吐出量を変化させずに吐出間隔を変更させる事が求められる。
【０００７】
特許文献１では、残振動の影響を抑えるために、複数のノズルグループにおいて吐出量を補正する手段を提供している。しかしながら、高い精度を求める場合にはノズル個々に対して調整を行う場合と比べて精度を上げる事は困難である。
【０００８】
更に、基板ステージが稼働するインプリント装置においては、吐出量だけでなく吐出速度の精度も求められ、ワンショット内すなわち走査内で吐出間隔を切り替えるタイミングが複数ある。スループットを落とさない為にも走査内の塗布時間は短い事が求められるため、切り替えは早い事が望ましい。吐出量の補正に特許文献１の手法を用いる場合、走査内での吐出パターンが変化する場合は切り替え回数が膨大になってしまう。
【０００９】
本願発明では、ディスペンサをインプリント装置に搭載後に吐出間隔を変える事で生じる吐出速度および吐出量のずれを抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本願発明は以下の構成を有する。すなわち、インプリント装置であって、基板上に樹脂を吐出して付与する吐出手段と、前記吐出手段に対する複数の吐出条件を記録する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された吐出条件に基づき、前記吐出手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記樹脂を吐出する吐出間隔に応じて前記複数の吐出条件の中から吐出条件を選択する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、インプリント装置において、吐出間隔の変更が生じても吐出速度および吐出量の精度を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るインプリント装置の全体構成の例を示す図。
【図２】本発明が解決する吐出速度および吐出量の変動原因を説明するための図。
【図３】本発明に係る駆動波形の切り替え制御を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための一実施形態について図面等を参照して説明する。なお、以下に示す構成等は一例であり、これに限定するものではない。
【００１４】
［装置構成］
本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成例について説明する。
【００１５】
図１は、本願発明に係るインプリント装置１０１の構成例を示す概略図である。インプリント装置１０１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理の基板１１１上に塗布された未硬化樹脂をモールドで成形し、基板１１１上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置を用いて説明を行うが、その他の技術を用いたインプリント装置、例えば熱ナノインプリント技術を採用したインプリント装置にも適用は可能である。また、以下の図においては、基板１１１上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取る。
【００１６】
インプリント装置１０１は、光照射部１０２、モールド保持機構１０３、基板ステージ１０４、吐出手段１０５、制御手段１０６、計測手段１２２、および筺体１２３を備える。
【００１７】
光照射部１０２は、インプリント処理の際に、モールド１０７に対して紫外線１０８を照射する。図１において、紫外線１０８の経路を破線矢印にて示している。光照射部１０２は、光源１０９と、光源１０９から照射された紫外線１０８をインプリントに適切な光に補正するための光学素子１１０とを含んで構成される。なお、本実施形態では光硬化法を採用するために光照射部１０２を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、光照射部１０２に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することになる。
【００１８】
モールド１０７は、外周形状が矩形であり、基板１１１に対する面に回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状で形成されたパターン部１０７ａを含む。また、モールド１０７の材質は、石英など紫外線１０８を透過させることが可能な材料である。さらに、モールド１０７は、紫外線１０８が照射される面に、モールド１０７の変形を容易とするために形状を凹型にしたキャビティ１０７ｂを有する形状としてもよい。キャビティ１０７ｂは、円形の平面形状を有し、深さは、モールド１０７の大きさや材質により適宜設定される。
【００１９】
また、モールド保持機構１０３内の開口領域１１７に、開口領域１１７の一部とキャビティ１０７ｂとで囲まれる空間１１２を密閉空間とする光透過部材１１３を設置し、圧力補正装置（不図示）により空間１１２内の圧力を制御する構成でもよい。例えば、モールド１０７と基板１１１上の樹脂１１４との押し付けに際し、圧力補正装置により空間１１２内の圧力をその外部よりも高く設定する。これにより、パターン部１０７ａは、基板１１１に向かい凸形に撓み、樹脂１１４に対してパターン部１０７ａの中心部から接触する。これにより、パターン部１０７ａと樹脂１１４との間に気体（空気）が閉じ込められるのを抑え、パターン部１０７ａの凹凸部に樹脂１１４を隅々まで充填させることができる。
【００２０】
モールド保持機構１０３は、モールドチャック１１５と、モールド駆動機構１１６とを含んで構成される。モールドチャック１１５は、真空吸着力や静電力によりモールド１０７を引き付けて保持する。モールド駆動機構１１６は、モールドチャック１１５を保持し、モールドチャック１１５に保持されたモールド１０７を移動させる。モールドチャック１１５およびモールド駆動機構１１６は、光照射部１０２の光源１０９から照射された紫外線１０８が基板１１１に向けて照射されるように、中心部に開口領域１１７を有する。
【００２１】
モールド駆動機構１１６は、モールド１０７と基板１１１上の樹脂１１４との押し付け、または引き離しを選択的に行うようにモールド１０７をＺ軸方向に移動させる。モールド駆動機構１１６に採用可能なアクチュエータとしては、例えば、リニアモータまたはエアシリンダがある。また、モールド１０７の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはＺ軸周りの回転であるθ方向の位置補正機能や、モールド１０７の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成であってもよい。
【００２２】
なお、インプリント装置１０１における押し付けおよび引き離し動作は、上述のようにモールド１０７をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいし、基板ステージ１０４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよい。また、その双方を相対的に移動させるような構成であってもよい。
【００２３】
基板１１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、基板１１１の被処理面には、モールド１０７に形成されたパターン部１０７ａにより成形される紫外線硬化する樹脂１１４が塗布される。
【００２４】
基板ステージ１０４は、基板１１１を保持し、モールド１０７と基板１１１上の樹脂１１４との押し付けに際し、モールド１０７と樹脂１１４との位置合わせを実施する。基板ステージ１０４は、基板チャック１１９、基板ステージ駆動手段１２０、およびステージ基準マーク１２１を含んで構成される。基板チャック１１９は、基板１１１を真空吸着により保持する。基板ステージ駆動手段１２０は、基板チャック１１９を機械的手段により保持し、制御手段１０６の制御に基づき、Ｘ−Ｙ平面内で移動可能とする。
【００２５】
基板ステージ駆動手段１２０は、アクチュエータとして、例えばリニアモータを採用し得る。基板ステージ駆動手段１２０は、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、基板ステージ駆動手段１２０は、Ｚ軸方向の位置補正のための駆動系や、基板１１１のθ方向の位置補正機能、または基板１１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成であってもよい。ステージ基準マーク１２１は、基板チャック１１９の表面上にモールド１０７をアライメントする際に利用される。
【００２６】
吐出手段１０５は、未硬化の樹脂１１４を液体の状態でノズルから吐出して基板１１１上に付与する。本実施形態では、ピエゾ素子（圧電素子）の圧電効果を利用して樹脂１１４をノズルから押し出す方式とする。制御手段１０６は、ピエゾ素子を駆動させるための駆動波形を生成して、ピエゾ素子を吐出に適した形状に変形するように駆動させる。吐出手段１０５が有するノズルは複数設けられており、それぞれが独立に制御できるように構成される。樹脂１１４は、紫外線１０８を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、吐出手段１０５のノズルから吐出される樹脂１１４の量も、基板１１１上に形成される樹脂１１４の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。
【００２７】
計測手段１２２は、代表的な計測器として、アライメント計測器１２７と観察用計測器１２８がある。アライメント計測器１２７は、基板１１１上に形成されたアライメントマークと、モールド１０７に形成されたアライメントマークとのＸ軸およびＹ軸の各方向への位置ずれを計測する。観察用計測器１２８は、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）カメラなどの撮像装置であり、基板１１１に吐出された樹脂１１４のパターンを画像情報として取得する。
【００２８】
制御手段１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素の動作および補正などを制御する。制御手段１０６は、例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置１０１の各構成要素に回線を介して接続され、記憶部等に記憶された各種プログラムやデータに従って各構成要素の制御を実行する。本実施形態の制御手段１０６は、計測手段１２２の計測情報を基に、モールド保持機構１０３、基板ステージ１０４、および吐出手段１０５の動作を制御する。なお、制御手段１０６は、インプリント装置１０１の他の部分と一体で構成してもよいし、インプリント装置１０１の他の部分とは別体で構成してもよい。また、１台のコンピュータではなく複数台のコンピュータで構成されていてもよい。
【００２９】
筺体１２３は、基板ステージ１０４を載置するベース定盤１２４と、モールド保持機構１０３を固定するブリッジ定盤１２５と、ベース定盤１２４から延設されブリッジ定盤１２５を支持するための支柱１２６とを備える。さらに、インプリント装置１０１は、図１では不図示ではあるが、モールド１０７を装置外部からモールド保持機構１０３へ搬送するモールド搬送機構と、基板１１１を装置外部から基板ステージ１０４へ搬送する基板搬送機構とを備える。
【００３０】
［インプリント処理］
次に、本実施形態に係るインプリント装置１０１によるインプリント処理について説明する。
【００３１】
制御手段１０６は、基板搬送機構（不図示）により基板ステージ１０４上の基板チャック１１９に基板１１１を載置および固定させ、基板ステージ１０４を吐出手段１０５による塗布位置へ移動させる。次に、吐出手段１０５は、塗布工程として、制御手段１０６によって生成された駆動波形を基に、基板１１１の所定の被処理領域であるパターン形成領域に樹脂１１４を塗布する。
【００３２】
次に、制御手段１０６は、基板１１１上のパターン形成領域がモールド１０７に形成されたパターン部１０７ａの直下に位置するように基板ステージ１０４を移動させる。次に、制御手段１０６は、押型工程として、モールド駆動機構１１６を駆動させ、基板１１１上の樹脂１１４にモールド１０７を押し付ける。この押型工程により、樹脂１１４は、パターン部１０７ａの凹凸部に充填される。この状態で、制御手段１０６は、硬化工程として、光照射部１０２にモールド１０７の上面から紫外線１０８を照射させ、モールド１０７を透過した紫外線１０８により樹脂１１４を硬化させる。そして離型工程として、樹脂１１４が硬化した後に、制御手段１０６は、モールド駆動機構１１６を再駆動させ、モールド１０７を樹脂１１４から引き離す。
【００３３】
以上の一連の動作により、基板１１１上のパターン形成領域の表面には、パターン部１０７ａの凹凸部に倣った３次元形状の樹脂１１４のパターンが成形される。このような一連のインプリント動作を基板ステージ１０４の駆動によりパターン形成領域を変更しつつ複数回実施することで、１枚の基板１１１上に複数の樹脂１１４のパターンを成形することができる。
【００３４】
［吐出速度および吐出量の変動について］
次に、図２を用いて吐出間隔が変化した時に吐出速度および吐出量が変動する原因を説明する。
【００３５】
図２（ａ）は、吐出手段１０５に設けられたノズル２０１のＸ−Ｚ断面を示している。ここでは、吐出手段１０５による樹脂１１４の吐出のイメージを示す。図２（ａ）に示す座標の方向は、図１に準じる。樹脂１１４と外気の界面を液面２０２とし、吐出した樹脂を液滴２０３として示している。
【００３６】
図２（ｂ）の上側のグラフは、吐出手段１０５に設けられたピエゾ素子に与えられる電圧値としての信号である駆動波形を示している。横軸は時間であり、縦軸は電圧を示している。ここでの駆動波形は、駆動波形で最も基本的である台形波を用いて説明を行う。台形波は主に３つの成分に分けられ、引き成分２０４、待機成分２０５、押し成分２０６から構成される。説明で用いる台形波は、ｔ０からｔ３までの３分割した時間で電圧を変化させている。ｔ０からｔ１までが引き成分２０４であり、ｔ１からｔ２までが待機成分２０５であり、ｔ２からｔ３が押し成分２０６となる。
【００３７】
図２（ｂ）の下側のグラフは、ノズル２０１における樹脂１１４の液面２０２の位置を示している。横軸は時間であり、縦軸はノズルにおける液面２０２の位置を示している。時間ｔ１〜ｔ４はそれぞれ、図２（ａ）に示したものに対応している。液面２０２は最初、基準位置２０７の位置にある。そして、吐出時には、一度＋Ｚ方向に引き込まれることで液面２０２が引き込み位置２０８に達し、その後、−Ｚ方向の押し出し位置２０９まで押し出される。押し出し位置２０９に至るまでに液滴２０３が形成されるため、本来の液面の位置はグラフよりも−Ｚ方向側となるタイミングがあるが、説明を簡略化する為に液滴２０３による位置を示さずに液面２０２の代表的な位置を示す。また、本来はピエゾ素子にかける電圧の時間に遅れて液面２０２は動くが、本実施形態ではその遅れ成分を省略して説明を行う。
【００３８】
台形波は、最初の引き成分２０４で基準位置２０７にある液面２０２を、＋Ｚ方向に引き込む。これは、一度引いた液面２０２が元の位置に戻ろうとする力を効率よく利用して吐出を行うためである。引き成分２０４の後は、待機成分２０５で電圧を一定に保つ。ここで、液面２０２は、最も＋Ｚ方向に引き込まれた位置である引き位置２０８に達した後に、−Ｚ方向に動き始める。ここで、押し成分２０６によって一気に液面２０２を−Ｚ方向に押し出す事でノズル２０１から樹脂１１４がノズル２０１外に液注を形成し、その後は自らの表面張力により液滴２０３が形成される。その後、液面２０２は−Ｚ方向に振動を繰り返して収束しながら、ｔ４で基準位置２０７の位置に戻る。液滴２０３を吐出する一連の過程を経た後、再び同様の過程を経て連続的に液滴２０３が形成されていく。
【００３９】
ここで、ｔ３〜ｔ４の間の液面２０２が基準位置２０７に戻る時間は、図示している短期の成分以外にも図示していない長期的な成分もあり、複合の因子で決まる。ｔ３〜ｔ４の間に次の駆動波形が入力されると、液面２０２が基準位置２０７に戻る前に次の吐出動作に移行してしまう。吐出間隔が長い時はこの戻りの影響は無い、あるいは無視できる程小さいが、吐出間隔が短くなるとこの影響が残っている状態で次の吐出を行うことになる。その影響が液滴２０３の吐出速度および吐出量を変動させるため、調整した時との差分が吐出速度および吐出量の変動として現れる。
【００４０】
本実施形態では、この様な変動を考慮して、吐出プロセスの事前に吐出速度および吐出量を適正な値に補正するための複数の駆動波形をノズル毎に調整してライブラリ（記憶手段：不図示）に記憶する。そして、吐出プロセス中に吐出間隔に応じて吐出速度および吐出量が一定に保たれるように、ノズル毎にライブラリに記憶されている複数の駆動波形の中から適切な駆動波形を選択して用いる。つまり、ライブラリに記憶されている複数の駆動波形の中から、ノズルの吐出条件として用いる駆動波形を選択する。
【００４１】
［駆動波形切り替え］
図３を用いて、吐出間隔による吐出速度および吐出量の変動を抑えるための、本実施形態に係る駆動波形切り替えのプロセスを示す。図３（ａ）は、吐出間隔による駆動波形の切り替えにより基板１１１上に液滴３０２の塗布が完了したイメージを示す。図３（ｂ）は、本実施形態のフローチャートを示す。
【００４２】
図３（ａ）は、基板ステージ１０４に保持された基板１１１に対して吐出手段１０５が樹脂１１４の塗布を行っている概略を示す。吐出手段１０５にはノズル３０１が設けられており、ノズル３０１が樹脂１１４を吐出して基板１１１に液滴３０２として塗布する。なお、本実施形態では、ノズル３０１として、ノズル３０１Ａ、３０１Ｂ、３０１Ｃ、３０１Ｄの４つの例を示しているが、この構成に限定するものでは無く、ノズルの数は４つよりも少なく、あるいは４つよりも多くてもよい。また、各ノズルの配置を限定するものでもない。
【００４３】
吐出手段１０５は、制御手段１０６と接続されている。制御手段１０６は、上述したようにコンピュータ（情報処理装置）であり、吐出手段１０５の吐出を制御する。制御手段１０６は、記憶手段としてのライブラリ（不図示）を備えており、吐出間隔による最適な駆動波形の情報を記録している。なお、本実施形態では、吐出手段１０５と制御手段１０６は直接接続された構成として示しているが、制御手段１０６の一部として中継基板（不図示）を介して接続してもよい。中継基板には、前述したライブラリ、ピエゾ素子に対して電圧を供給する手段が備えられていてよい。
【００４４】
図３（ｂ）を用いてノズル３０１に対する本実施形態のプロセスを示す。基板ステージ１０４（基板１１１）が、図３（ａ）に図示した矢印の方向に移動している間に、吐出手段１０５は静止した状態で吐出を行う。図３（ａ）に示す１６の吐出タイミング（Ｔ１〜Ｔ１６）において吐出あるいは不吐出として液滴３０２のパターンを構成している。即ち、Ｔ１〜Ｔ１６の区間を走査して吐出を行っており、本実施形態では、この区間をワンショットとする。なお、本実施形態では、吐出手段１０５は静止している状態として説明しているが、基板ステージ１０４と同様に移動して双方向走査で吐出を行っても構わない。なお、他のノズル３０１Ｂ〜３０１Ｄに対しての発明の適用方法は同じであるため、ここではノズル３０１Ａ単体を例に挙げて説明を行う。
【００４５】
Ｓ３０１にて、制御手段１０６は、ノズル３０１の吐出間隔を変更して吐出速度や吐出量を計測し、適切な駆動波形を求めて、ライブラリに記録する。本工程はインプリント装置１０１の吐出プロセス中に行うのではなく、吐出プロセスを実施する前に予め実行し、適切な駆動波形を記録しておくものとする。吐出間隔は、基板の設計データに基づいて規定されるドロップレシピから時間を割り出して予め使用する値を把握しておく。また、吐出速度や吐出量は、外部の計測器、例えば吐出観察装置等を用いて計測を行う。電圧成分の調整では、吐出量および吐出速度がそれぞれの一定の変化率で変化する。残振動の影響により吐出量と吐出速度の比率にずれが生じた場合は、波形の引き成分と押し成分の比率を変化させる事で吐出速度と吐出量の比を微調整する事が可能である。上述したように、１のノズルに対して、複数の駆動波形が求められることとなる。
【００４６】
この様に、吐出プロセスにて用いられる複数の駆動波形を予めライブラリに記録しておく事で、ワンショット内での波形切り替え時に演算を行わずに駆動波形の参照（ライブラリ内の参照先）を切り替えるだけの短い時間で駆動波形を切り替える事が可能になる。ライブラリに記憶する情報としては、吐出間隔とそれに対応した駆動波形の情報が最低限の情報であり、他にも調整した際の吐出速度および吐出量の情報を記録しておくことが望ましい。吐出速度および吐出量を記録しておく事で、別途補正が必要になった時に有効に情報を利用できる。
【００４７】
Ｓ３０２にて、制御手段１０６は、吐出プロセスの開始前、すなわちノズル３０１Ａに適用する初期設定を行う。本実施形態に係るノズル３０１Ａでは、吐出間隔は３段階に分けられるものとする。つまり、Ｔ１〜Ｔ３の第１の吐出間隔、Ｔ３〜Ｔ７の第２の吐出間隔、Ｔ７〜Ｔ１６の第３の吐出間隔となる。第１の吐出間隔は、図３（ａ）に示す格子毎の吐出である。第２の吐出は格子１つ空きでの吐出であり、吐出間隔は第１の吐出間隔の２倍となる。第３の吐出は格子２つ空きの吐出であり、吐出間隔は第１の吐出間隔の３倍となる。この吐出間隔は、基板１１１上に形成されるべきパターン（塗布パターン）に従って、予め特定することができる。Ｓ３０１でライブラリに記憶した駆動波形は、弟１〜弟３の吐出間隔それぞれにおいて最適な複数の駆動波形となる。Ｓ３０２では、初期設定として第１の吐出波形で調整した駆動波形をライブラリから参照するように設定を行う。
【００４８】
Ｓ３０３にて、制御手段１０６は、ライブラリの参照をノズル３０１Ａの第２の吐出間隔に最適な駆動波形に切り替える。この動作は、吐出手段１０５がＴ３の吐出を終えた段階で行われる。Ｓ３０２からＳ３０３までの動作は連続で行われ、一連の走査による吐出であるものとする。
【００４９】
Ｓ３０４にて、制御手段１０６は、ライブラリの参照をノズル３０１Ａの第３の吐出間隔に最適な駆動波形に切り替える。この動作は、吐出手段１０５がＴ７の吐出を終えた段階で行われる。Ｓ３０３からＳ３０４までの動作は連続で行われ、一連の走査による吐出であるものとする。
【００５０】
この様に、ワンショット内で吐出間隔が切り替わる場合に、最適な駆動波形を複数、予めライブラリに記憶しておく事で、吐出間隔を切り替えと同じタイミングで最適な駆動波形に切り替える事が可能となる。
【００５１】
なお、次のショットに移行する場合は、次のショットに対応した吐出プロセスを実施する。吐出プロセスに変更の必要が無ければ図３（ｂ）に示したＳ３０２〜Ｓ３０４を繰り返し、必要が有れば切り替えを行う。吐出プロセスは、ドロップレシピによって決まるため、予め計画を作成して制御手段１０６のライブラリに記憶させておく。
【００５２】
本実施形態にて述べた駆動波形は、ノズル３０１Ａにおいて吐出間隔を変更した時に最適なものであり、ノズル３０１Ｂ〜ノズル３０１Ｄそれぞれに対する最適な駆動波形は必ずしも同じとはならない。よって、吐出速度および吐出量の精度を高めるためには、各ノズルにおいて各吐出間隔に最適な駆動波形を複数用意する必要がある。よって、吐出手段１０５に設けられているノズル３０１それぞれが設定しうる吐出間隔における複数の駆動波形をライブラリに記憶しておくことが望ましい。
【００５３】
ここでは吐出間隔は３種類（３パターン）を例に挙げて説明しているが、これに限定するものではなく、ワンショットで変更する吐出間隔数は限定されない。したがって、吐出間隔のパターンに応じて、吐出間隔の変更を行うようにしてよい。
【００５４】
また、図３（ａ）に示した例では、第１から第３の吐出間隔が密から粗に一方向に変化している。しかし、例えば、密から粗への変化の後にまた密に吐出するように吐出間隔を設定してもよいし、その逆であってもよい。
【００５５】
なお、残振動の影響が現れ難い長い吐出間隔の場合は吐出速度および吐出量の変動は少ない。よって、調整時に変更の影響が出ないと判断した吐出間隔の切り替えでは駆動波形を切り替える必要はなく、変更の影響が出る吐出間隔にする時に切り替えを行う事でライブラリに登録する駆動波形の数を減らす事ができる。ここでの切り替えを行うか否かについての判断は、例えば、吐出間隔に対する閾値を予め定義しておき、この閾値との比較により決定してもよい。
【００５６】
［物品の製造方法］
物品としての、半導体集積回路素子および液晶表示素子等のデバイスの製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板、ガラスプレート、フィルム状基板等の基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディアや光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【００５８】
＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピューターにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１０４…基板ステージ、１０５…吐出手段、１０６…制御手段、１０７…モールド、１１１…基板、１１４…樹脂、１１６…モールド駆動機構、１２１…ステージ基準マーク、１２４…ベース定盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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