(57)【要約】【課題】入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】無偏波の光を信号光として発生する信号光源３０に入力側光ファイバ１１を接続するとともに、ＳＯＡチップ１０から出力された増幅後の信号光又は自然放出光の光強度を測定する光パワーメータ３１に出力側光ファイバ１２を接続する工程Ｓ３と、信号光源３０からの信号光を入力側光ファイバ１１により伝送させ、信号光がＳＯＡチップ１０に入力されている状態で、光パワーメータ３１により測定された増幅後の信号光の光強度が最大となる位置に入力側光ファイバ１１の一端側を固定する工程Ｓ６，Ｓ７と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された信号光を増幅する半導体光増幅器（１０）と、
前記半導体光増幅器に前記信号光を入力する入力側光ファイバ（１１）と、
前記半導体光増幅器から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバ（１２）と、
前記入力側光ファイバの一端側から出力された前記信号光を前記半導体光増幅器の光入射端面（１０ａ）に向けて集光する入力側レンズ（１３）と、
前記半導体光増幅器の光出射端面（１０ｂ）から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を前記出力側光ファイバの一端側に向けて集光する出力側レンズ（１４）と、
前記入力側光ファイバの一端側と前記入力側レンズとの間に配置され、前記半導体光増幅器から前記入力側光ファイバへの光を遮断するアイソレータ（２４）と、を備える半導体光増幅器モジュール（１）の製造方法であって、
前記半導体光増幅器への駆動電流の供給を開始して、前記半導体光増幅器から自然放出光を発生させる駆動電流供給工程（Ｓ２）と、
前記入力側光ファイバの一端側を、前記アイソレータ及び前記入力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光入射端面に光結合する位置に仮配置するとともに、前記出力側光ファイバの一端側を、前記出力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光出射端面に光結合する位置に仮配置する光ファイバ仮配置工程（Ｓ５）と、
無偏波の光を前記信号光として発生する信号光源（３０）に前記入力側光ファイバの他端側を接続するとともに、前記半導体光増幅器の前記光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光の光強度を測定する光強度測定装置（３１）に前記出力側光ファイバの他端側を接続する工程（Ｓ６）と、
前記信号光源からの前記信号光を前記入力側光ファイバの他端側から一端側に向かって伝送させ、前記信号光が前記半導体光増幅器に入力されている状態で、前記光強度測定装置により測定された増幅後の前記信号光の光強度が最大となる位置に前記入力側光ファイバの一端側を固定する入力側光ファイバ位置固定工程（Ｓ８，Ｓ９）と、を含むことを特徴とする半導体光増幅器モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記入力側光ファイバ位置固定工程の前に、前記光強度測定装置により測定された自然放出光の光強度が最大となる位置に前記出力側光ファイバの一端側を固定する出力側光ファイバ位置固定工程（Ｓ７）を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体光増幅器モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記光ファイバ仮配置工程の前に、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を固定するレンズ位置固定工程（Ｓ４）を更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体光増幅器モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記レンズ位置固定工程の前に、前記半導体光増幅器から発生している自然放出光を用いて前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整するレンズ位置調整工程（Ｓ３）を更に含み、
前記レンズ位置調整工程は、スリットを通過した前記半導体光増幅器から発生している自然放出光の光強度を前記光強度測定装置で測定し、前記光強度測定装置で測定した光強度の変動に基づいて、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置変動を確認することにより、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体光増幅器モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光増幅器モジュールの製造方法に関し、特に、アイソレータを備えた半導体光増幅器モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光を電気信号に変換せずに直接増幅する光増幅器として、主に光ファイバアンプと半導体光増幅器（ＳＯＡ）が知られている。特に、ＳＯＡは、小型で広い波長帯域にわたって光を増幅できるという利点を有している（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＳＯＡを備えた光モジュール（以下、「ＳＯＡモジュール」という）は、例えば、駆動電流が供給された状態で入力側光ファイバを介して入力された信号光を増幅して出力側光ファイバから出力するＳＯＡチップとレンズとが、電子冷却素子（ペルチェ素子）上の同一基板上に固定されてなる。また、ＳＯＡチップと入力側及び出力側光ファイバとの間には、アイソレータが配置されている。
【０００４】
上記のようなＳＯＡモジュールに対しては、製造時には光ファイバの調芯を行い、製造が完了した状態では温度サイクル試験などの環境試験を行う必要がある。いずれの場合においても、入力側及び出力側光ファイバとＳＯＡチップとの光結合率が良好な状態になっているか否かは、ＳＯＡモジュールから出力された光の光強度を測定することによって判断することができる。
【０００５】
出力側光ファイバについては、ＳＯＡチップに対向する側と反対側の端部に光強度を測定するパワーメータを接続して、ＳＯＡチップ自身が発する自然放出光の光強度を測定しながら調芯を行うことが可能である。
【０００６】
しかしながら、ＳＯＡチップ自身が発する自然放出光は、アイソレータにより遮断されて入力側光ファイバには入射しない。そこで、入力側光ファイバについては、ＳＯＡチップに対向する側と反対側の端部から信号光を入力し、ＳＯＡチップを通して増幅されて出力側光ファイバから出力された信号光の光強度を測定しながら調芯を行うことになる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】山田敦史、尾坪利信、浅井昭彦、篠根克典、大貫紳一、芦田将、「半導体光増幅器」、アンリツテクニカル、アンリツ株式会社、１９９４年３月、Ｎｏ．６７、ｐ．２２−２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、一般に環境（外力、温度、圧力）の変化に伴い、光ファイバ内を伝送される光の偏波状態は変化してしまう。例えば、調芯中に作業者が不意に光ファイバを動かしただけでも偏波状態は変化する。入力側光ファイバ側で偏波状態の変化が起こると、ＳＯＡチップが僅かでも偏波依存性を有する場合には、増幅された信号光の光強度にも変化が発生する。
【０００９】
図５のグラフの実線は、入力側光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化が生じていない場合の、ＳＯＡチップと入力側光ファイバとの光結合ロスを示している。ここでは、ＳＯＡチップの光軸と入力側光ファイバの光軸との軸ずれ量が０（ゼロ）の場合を０ｄＢとしている。また、図中の矢印は、入力側光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化により、出力側光ファイバから出力された信号光の光強度が変化して、見掛け上の光結合ロスが例えば１ｄＢ程度変化することを表している。よって、偏波状態の変化がある場合には、（見掛け上の）光結合ロスの値から実際の軸ずれ量を正確に推定することができなくなる。
【００１０】
このように、非特許文献１に開示されたような従来のＳＯＡモジュールにおいては、光ファイバ内での信号光の偏波状態の変化により、本来の光ファイバとＳＯＡチップとの光結合率を反映した光強度を正確に測定できなくなってしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、入力された信号光を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器に前記信号光を入力する入力側光ファイバと、前記半導体光増幅器から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバと、前記入力側光ファイバの一端側から出力された前記信号光を前記半導体光増幅器の光入射端面に向けて集光する入力側レンズと、前記半導体光増幅器の光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光を前記出力側光ファイバの一端側に向けて集光する出力側レンズと、前記入力側光ファイバの一端側と前記入力側レンズとの間に配置され、前記半導体光増幅器から前記入力側光ファイバへの光を遮断するアイソレータと、を備える半導体光増幅器モジュールの製造方法であって、前記半導体光増幅器への駆動電流の供給を開始して、前記半導体光増幅器から自然放出光を発生させる駆動電流供給工程と、前記入力側光ファイバの一端側を、前記アイソレータ及び前記入力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光入射端面に光結合する位置に仮配置するとともに、前記出力側光ファイバの一端側を、前記出力側レンズを介して前記半導体光増幅器の前記光出射端面に光結合する位置に仮配置する光ファイバ仮配置工程と、無偏波の光を前記信号光として発生する信号光源に前記入力側光ファイバの他端側を接続するとともに、前記半導体光増幅器の前記光出射端面から出力された増幅後の前記信号光又は自然放出光の光強度を測定する光強度測定装置に前記出力側光ファイバの他端側を接続する工程と、前記信号光源からの前記信号光を前記入力側光ファイバの他端側から一端側に向かって伝送させ、前記信号光が前記半導体光増幅器に入力されている状態で、前記光強度測定装置により測定された増幅後の前記信号光の光強度が最大となる位置に前記入力側光ファイバの一端側を固定する入力側光ファイバ位置固定工程と、を含む構成である。
【００１３】
上記のように、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバに対して無偏波の信号光を入力して調芯を行うものである。この構成により、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制して、入力側光ファイバに対して安定した調芯を行うことが可能となる。
【００１４】
また、本発明の請求項２の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記入力側光ファイバ位置固定工程の前に、前記光強度測定装置により測定された自然放出光の光強度が最大となる位置に前記出力側光ファイバの一端側を固定する出力側光ファイバ位置固定工程を更に含む構成である。
【００１５】
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、出力側光ファイバについては半導体光増幅器が発する自然放出光を使用した調芯を行うことができる。
【００１６】
また、本発明の請求項３の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記光ファイバ仮配置工程の前に、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を固定するレンズ位置固定工程を更に含む構成である。
【００１７】
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、後述するレンズ位置調整工程で位置調整された入力側レンズ及び出力側レンズを、信号光源と光強度測定装置との間に入力側光ファイバ及び出力側光ファイバが配置されていない状態で固定することができる。
【００１８】
また、本発明の請求項４の半導体光増幅器モジュールの製造方法は、前記レンズ位置固定工程の前に、前記半導体光増幅器から発生している自然放出光を用いて前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整するレンズ位置調整工程を更に含み、前記レンズ位置調整工程は、スリットを通過した前記半導体光増幅器から発生している自然放出光の光強度を前記光強度測定装置で測定し、前記光強度測定装置で測定した光強度の変動に基づいて、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置変動を確認することにより、前記入力側レンズ及び前記出力側レンズの位置を調整する構成である。
【００１９】
この構成により、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法は、信号光源と光強度測定装置との間に入力側光ファイバ及び出力側光ファイバが配置されていない状態で、入力側レンズ及び出力側レンズの位置を最適化することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、入力側光ファイバと半導体光増幅器との間にアイソレータが配置された半導体光増幅器モジュールにおいて、入力側光ファイバ周辺の環境が変化した場合であっても、半導体光増幅器の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制することが可能な半導体光増幅器モジュールの製造方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態におけるＳＯＡモジュールの構成を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態におけるＳＯＡモジュールの構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態におけるＳＯＡモジュールの調芯を行うための構成を示す概略図である。
【図４】本発明の実施形態に係るＳＯＡモジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】従来のＳＯＡモジュールの光結合ロスと光軸からの軸ずれ量の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る半導体光増幅器モジュールの製造方法の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、各図面上の各構成の寸法比は、実際の寸法比と必ずしも一致していない。
【００２３】
まず、本発明の実施形態における半導体光増幅器モジュールの構成について説明する。
【００２４】
図１、図２に示すように、バタフライ型のＳＯＡモジュール１は、入力された信号光を増幅する半導体光増幅器としてのＳＯＡチップ１０と、ＳＯＡチップ１０に信号光を入力する入力側光ファイバ１１と、ＳＯＡチップ１０から出力された増幅後の信号光又は自然放出光を外部に伝送する出力側光ファイバ１２と、を備える。ここで、入力側光ファイバ１１及び出力側光ファイバ１２としては、シングルモード光ファイバを用いることができる。
【００２５】
ＳＯＡチップ１０としては、光通信を行う波長帯において、広い利得帯域にわたって偏波間利得差が１ｄＢ以下の光増幅が可能となるものを用いることが好ましい。
【００２６】
さらに、ＳＯＡモジュール１は、入力側光ファイバ１１の一端側から出力された信号光をＳＯＡチップ１０の光入射端面１０ａに向けて集光する入力側レンズ１３と、ＳＯＡチップ１０の光出射端面１０ｂから出力された増幅後の信号光又は自然放出光を出力側光ファイバ１２の一端側に向けて集光する出力側レンズ１４と、基板１５と、を主に備える。
【００２７】
ＳＯＡチップ１０、入力側レンズ１３、出力側レンズ１４、及び基板１５は、内部が中空の直方体状のパッケージ（筺体）１６に格納されている。入力側光ファイバ１１は、パッケージ１６の背面側の壁面１６ａに接続される。また、出力側光ファイバ１２は、パッケージ１６の正面側の壁面１６ｂに接続され、出力側レンズ１４により集光された光をパッケージ１６の外部に導くようになっている。
【００２８】
なお、図１、図２は、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４がそれぞれ１枚のレンズからなる構成を示しているが、これらのレンズは、２枚レンズ系の構成であってもよい。
【００２９】
図２に示すように、パッケージ１６の両側壁１６ｃ，１６ｄには、ＳＯＡモジュール１の動作を制御するための信号が入出力される複数の端子１７が、所定間隔で取り付けられている。これらの端子１７は、任意のプリント基板上のパターンに半田付けされるようになっている。例えば、これらの複数の端子１７のうち、例えば端子１７ａと端子１７ｂの２つは、ＳＯＡチップ１０に駆動電流を供給するための電極端子となっている。
【００３０】
また、パッケージ１６の前端下部及び後端下部にはフランジ部１８が設けられ、フランジ部１８にはＳＯＡモジュール１を任意の放熱板にネジ止めするための取り付け穴１９が設けられている。
【００３１】
図１に示すように、パッケージ１６内の底壁１６ｅの上面には、ペルチェ素子２０が固定されている。このペルチェ素子２０上に上記の基板１５が固定されている。
【００３２】
基板１５上には、ＳＯＡチップ１０がサブマウント２１を介して固定されている。さらに、基板１５上には、入力側レンズ１３を保持するレンズホルダ２２ａと、出力側レンズ１４を保持するレンズホルダ２２ｂとが固定されている。レンズホルダ２２ａ，２２ｂはステンレスなどの金属からなる。
【００３３】
パッケージ１６の壁面１６ａには、入力側光ファイバ１１からＳＯＡチップ１０に信号光を導くための円筒状の開口部２３ａが形成されている。同様に、パッケージ１６の壁面１６ｂには、ＳＯＡチップ１０から出射される増幅後の信号光を外部に導くための円筒状の開口部２３ｂが形成されている。
【００３４】
円筒状の開口部２３ａ内には、入力側光ファイバ１１の一端側と入力側レンズ１３との間に配置され、ＳＯＡチップ１０から入力側光ファイバ１１への光を遮断するアイソレータ２４と、窓ガラス２５ａが格納されている。一方、円筒状の開口部２３ｂ内には、窓ガラス２５ｂが格納されている。
【００３５】
なお、出力側光ファイバ１２の一端側と出力側レンズ１４との間に、出力側光ファイバ１２からＳＯＡチップ１０への光を遮断するための出力側アイソレータが更に配置されていてもよい。
【００３６】
入力側光ファイバ１１の先端部分には円筒状のフェルール２６ａが取り付けられている。この円筒状のフェルール２６ａは、スリーブ２７ａによってパッケージ１６の壁面１６ａに固定されている。さらに、フェルール２６ａの全体及び入力側光ファイバ１１の一部を取り囲む円筒状のカバー２８ａが、パッケージ１６の壁面１６ａに固定されている。
【００３７】
同様に、出力側光ファイバ１２の先端部分に取り付けられた円筒状のフェルール２６ｂは、スリーブ２７ｂによってパッケージ１６の壁面１６ｂに固定されている。さらに、フェルール２６ｂの全体及び出力側光ファイバ１２の一部を取り囲む円筒状のカバー２８ｂが、パッケージ１６の壁面１６ｂに固定されている。
【００３８】
ここで、カバー２８ａ，２８ｂは、それぞれパッケージ１６の壁面１６ａ，１６ｂと溶接により連結固定される。また、フェルール２６ａ，２６ｂは、溶接によりそれぞれスリーブ２７ａ，２７ｂ内に固定される。パッケージ１６、スリーブ２７ａ，２７ｂ、及びカバー２８ａ，２８ｂは溶接で連結されるため、それぞれステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料で構成されている。
【００３９】
以下、上記のように構成されるＳＯＡモジュール１の製造方法について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００４０】
まず、パッケージ１６内にＳＯＡチップ１０を固定し、入力側レンズ１３と出力側レンズ１４を仮配置する（ステップＳ１）。
【００４１】
次に、ＳＯＡチップ１０への駆動電流の供給を開始する（ステップＳ２：駆動電流供給工程）。これにより、ＳＯＡチップ１０から自然放出光が発生する。
【００４２】
次に、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置調整を行う。入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置調整は、光パワーメータ３１の受光センサにて測定したＳＯＡチップ１０からの自然放出光の光強度の変動を確認して行い、光パワーメータ３１で測定した光強度が最適値になるように入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置をパッケージ１６内で調整する（ステップＳ３：レンズ位置調整工程）。
【００４３】
光パワーメータ３１の受光センサの径が入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置の変動量に対して大きい場合は、光パワーメータ３１の受光センサの直近にスリットを有する部材を設置する。このスリットを通過したＳＯＡチップ１０から発生している自然放出光の光強度の測定を行う。ＳＯＡチップ１０から発生している自然放出光の一部を取り出して光強度の測定を行うことにより、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置の変動に伴う光パワーメータ３１の受光量（すなわち、光パワーメータ３１で測定された自然放出光の光強度）の変動を確認することが可能となり、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置調整を精度良く行うことができる。
【００４４】
その後、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置を固定する。さらに、アイソレータなどのその他の部材をパッケージ１６内に配置する（ステップＳ４：レンズ位置固定工程）。
【００４５】
次に、入力側光ファイバ１１の一端側を、アイソレータ２４及び入力側レンズ１３を介してＳＯＡチップ１０の光入射端面１０ａに光結合する位置に仮配置する。また、出力側光ファイバ１２の一端側を、出力側レンズ１４を介してＳＯＡチップ１０の光出射端面１０ｂに光結合する位置に仮配置する（ステップＳ５：光ファイバ仮配置工程）。
【００４６】
次に、無偏波の光を信号光として発生する信号光源３０に入力側光ファイバ１１の他端側を接続する。例えば、信号光源３０には無偏波の自然放出光を発生させるＳＯＡを用いることができる。この場合は信号光源の構成を簡略化することができる。あるいは、半導体レーザやスーパールミネッセントダイオードなどの発光素子と、前記発光素子から出力される光の偏波状態を無偏波に変換するデポラライザとを含んで構成されたものを信号光源３０としてもよい。例えば、発光素子としてスーパールミネッセントダイオードを用い、デポラライザとしてパンダファイバを用いる場合には、偏波解消に必要なパンダファイバの長さが十μｍ程度で済むという利点がある。また、ＳＯＡチップ１０の光出射端面１０ｂから出力された増幅後の信号光又は自然放出光の光強度を測定する光パワーメータ３１に出力側光ファイバ１２の他端側を接続する（ステップＳ６）。
【００４７】
信号光源３０の他の例としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）や、励起光は入射されているが信号光が入射されていない状態の光ファイバ増幅器が挙げられる。あるいは、２つのＬＤ光源から発生する誘導放出光の偏波面を偏光子によって互いに直交させ、その偏波面が直交する２つの光を偏波カップラで合成して出力する構成を信号光源３０としてもよい。
【００４８】
なお、ＳＯＡチップ１０へ駆動電流が供給されている状態では、ＳＯＡチップ１０から自然放出光が発生するが、ＳＯＡチップ１０の入力側にはアイソレータ２４が配置されているため、自然放出光は入力側光ファイバ１１には入射せず、出力側光ファイバ１２のみに入射する。
【００４９】
次に、光パワーメータ３１により測定された自然放出光の光強度が最大となる位置に出力側光ファイバ１２の一端側を固定する（ステップＳ７：出力側光ファイバ位置固定工程）。すなわち、先端にフェルール２６ｂが取り付けられた出力側光ファイバ１２をＳＯＡチップ１０に対して調芯し、ＳＯＡチップ１０と出力側光ファイバ１２との光結合率が最大となるようにする。この状態で、スリーブ２７ｂとフェルール２６ｂとを溶接により固定する。
【００５０】
次に、信号光源３０からの信号光を入力側光ファイバ１１の他端側から入力させ、一端側に向かって伝送させる（ステップＳ８：入力側光ファイバ位置固定工程）。これにより、信号光は、アイソレータ２４を通過して、ＳＯＡチップ１０により増幅された後に出力側光ファイバ１２に入射する。
【００５１】
次に、信号光がＳＯＡチップ１０に入力されている状態で、光パワーメータ３１により測定された増幅後の信号光の光強度が最大となる位置に入力側光ファイバ１１の一端側を固定する（ステップＳ９：入力側光ファイバ位置固定工程）。すなわち、先端にフェルール２６ａが取り付けられた入力側光ファイバ１１をＳＯＡチップ１０に対して調芯し、ＳＯＡチップ１０と入力側光ファイバ１１との光結合率が最大となるようにする。この状態で、スリーブ２７ａとフェルール２６ａとを溶接により固定する。
【００５２】
次に、カバー２８ａ，２８ｂをそれぞれパッケージ１６の壁面１６ａ，１６ｂに溶接して固定し、モジュール封止等を行なって、本実施形態のＳＯＡモジュール１が完成する。
【００５３】
なお、ステップＳ４で行う入力側レンズ１３や出力側レンズ１４の固定を、ステップＳ７の出力側光ファイバ１２の固定あるいはステップＳ９の入力側光ファイバ１１の固定の後で行ってもよい。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態に係るＳＯＡモジュール１の製造方法は、入力側光ファイバ１１とＳＯＡチップ１０との間にアイソレータ２４が配置されたＳＯＡモジュール１に対して実行されるものである。本実施形態の製造方法によれば、無偏波の信号光を入力側光ファイバ１１に入力することにより、入力側光ファイバ１１周辺の環境が変化した場合であっても、ＳＯＡチップ１０の偏波依存性に起因する増幅後の信号光の光強度の変化を抑制して、入力側光ファイバ１１に対して安定した調芯を行うことが可能となる。
【００５５】
また、本実施形態に係るＳＯＡモジュール１の製造方法は、出力側光ファイバ１２についてはＳＯＡチップ１０が発する自然放出光を使用した調芯を行うことができる。
【００５６】
また、本実施形態に係るＳＯＡモジュール１の製造方法は、信号光源３０と光パワーメータ３１との間に入力側光ファイバ１１及び出力側光ファイバ１２が配置されていない状態で、入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４の位置を最適化することができる。
【００５７】
また、本実施形態に係るＳＯＡモジュール１の製造方法は、レンズ位置調整工程で位置調整された入力側レンズ１３及び出力側レンズ１４を、信号光源３０と光パワーメータ３１との間に入力側光ファイバ１１及び出力側光ファイバ１２が配置されていない状態で固定することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１  ＳＯＡモジュール（半導体光増幅器モジュール）
１０  ＳＯＡチップ（半導体光増幅器）
１０ａ  光入射端面
１０ｂ  光出射端面
１１  入力側光ファイバ
１２  出力側光ファイバ
１３  入力側レンズ
１４  出力側レンズ
１７，１７ａ，１７ｂ  端子
２４  アイソレータ
３０  信号光源
３１  光パワーメータ（光強度測定装置）
【図１】
2018063354.tif 000003
【図２】
2018063354.tif 000004
【図３】
2018063354.tif 000005
【図４】
2018063354.tif 000006
【図５】
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