(57)【要約】【課題】隣り合う半導体基板同士を接触させることなく、複数の半導体基板を洗浄することができる洗浄装置と、洗浄方法とを提供する。【解決手段】洗浄装置１は、ローダ２、洗浄槽３、水洗槽４、乾燥槽５およびアンローダ６を備えている。洗浄槽３の洗浄槽本体３ａの底部に配置されたウェハキャリア設置台２０には、空気をそれぞれ噴出する複数のバブリング配管２２ａ〜２２ｆが設置されている。バブリング配管２２から空気を噴出す際に、バブリング配管２２ａ〜２２ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなる態様で空気が順次噴出される。その状態で、半導体基板Ｗが洗浄された後、バブリング配管２２から空気の噴出しを停止する際には、バブリング配管２２ｆ〜２２ａの順に、空気の噴出しが順次停止される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板が互いに間隔を隔てて収容されるウェハキャリアと、
前記ウェハキャリアを収容し、処理流体によって複数の前記半導体基板のそれぞれに処理を施す処理槽と、
を備え、
前記ウェハキャリアでは、それぞれ第１表面および第２表面を有する複数の前記半導体基板が、互いに隣り合う一方の前記半導体基板の前記第１表面と他方の前記半導体基板の前記第２表面とが対向する態様で収容され、
前記処理槽では、前記半導体基板の前記第１表面の側を流れる前記処理流体の第１流速を、前記半導体基板の前記第２表面の側を流れる前記処理流体の第２流速よりも速くすることにより、前記ウェハキャリアに収容された複数の前記半導体基板のそれぞれに、前記第２表面の側から前記第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら前記処理が施される、洗浄装置。
【請求項２】
前記処理槽では、複数の前記半導体基板のそれぞれに対して、前記第１流速が前記第２流速よりも速い条件のもとで、複数の前記半導体基板における一方の端に位置する半導体基板から他方の端に位置する半導体基板の順に、前記処理流体の流速が徐々に遅くなるように設定される、請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記処理槽は、
前記処理流体として洗浄液が貯留され、複数の前記半導体基板を洗浄する洗浄槽と、
前記洗浄槽の下部に設けられ、前記洗浄槽の前記下部から複数の前記半導体基板へ向けて、空気および不活性ガスの少なくともいずれかを噴出す第１噴出し部と
を有する、請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記処理槽は、
前記処理流体として水洗水が貯留され、洗浄された複数の前記半導体基板を水洗する水洗槽と、
前記水洗槽の下部に設けられ、前記水洗槽の前記下部から複数の前記半導体基板へ向けて、空気および不活性ガスの少なくともいずれかを噴出す第２噴出し部と
を有する、請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記処理槽は、
前記処理流体として洗浄液が貯留され、複数の前記半導体基板を洗浄する洗浄槽と、
前記洗浄槽の下部に設けられ、前記洗浄槽の下部から複数の前記半導体基板へ向けて、前記処理流体を噴出す第３噴出し部と
を有する、請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記処理槽は、
前記処理流体として水洗水が貯留され、洗浄された複数の前記半導体基板を水洗する水洗槽と、
前記水洗槽の下部に設けられ、前記水洗槽の下部から複数の前記半導体基板へ向けて、前記処理流体を噴出す第４噴出し部と
を有する、請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記処理槽は、
洗浄された複数の前記半導体基板を乾燥する乾燥槽と、
前記乾燥槽の上部に設けられ、前記乾燥槽の前記上部から複数の前記半導体基板へ向けて、前記処理流体として他の空気および他の不活性ガスの少なくともいずれかを噴出す第５噴出し部と
を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項８】
複数の前記半導体基板のそれぞれの間隔を計測する計測部を備え、
前記計測部によって計測された前記間隔に基づいて、前記第１流速が前記第２流速よりも速い条件のもとで、前記第１流速および前記第２流速の少なくともいずれかが調整される、請求項１記載の洗浄装置。
【請求項９】
ウェハキャリアに収容された、それぞれ第１表面および第２表面を有する複数の半導体基板に、処理流体によって処理を施す洗浄方法であって、
複数の前記半導体基板が、互いに隣り合う一方の前記半導体基板の前記第１表面と他方の前記半導体基板の前記第２表面とが対向する態様で配置された状態で、前記半導体基板の前記第１表面の側を流れる前記処理流体の第１流速を、前記半導体基板の前記第２表面の側を流れる前記処理流体の第２流速よりも速くすることにより、前記ウェハキャリアに収容された複数の前記半導体基板のそれぞれに、前記第２表面の側から前記第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら処理を施す工程を備えた、洗浄方法。
【請求項１０】
前記処理を施す工程では、前記ウェハキャリアとともに前記処理流体に浸漬された複数の前記半導体基板のそれぞれに対して、前記第１流速が前記第２流速よりも速い条件のもとで、複数の前記半導体基板における一方の端に位置する半導体基板から、他方の端に位置する半導体基板へ向かって、前記処理流体の流速が徐々に遅くなるように設定されて、前記処理が施される、請求項９記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記処理を施す工程は、
前記処理流体の表面の揺れが収まっている状態で、前記ウェハキャリアを前記処理流体に浸漬する工程と、
前記処理が終了して、前記処理流体の前記表面の揺れが収まった時点で、前記ウェハキャリアを前記処理流体から引き上げる工程と
を含む、請求項９または１０に記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄装置および洗浄方法に関し、複数の半導体基板をウェハキャリアに収容した状態で洗浄する洗浄装置と、その洗浄方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程には、半導体基板に処理を行う前後等において、半導体基板を洗浄する工程が含まれている。半導体基板を洗浄する際には、複数の半導体基板がウェハキャリアに収容され、その状態で洗浄液等に浸漬されて洗浄が行われることになる。
【０００３】
半導体基板を洗浄する洗浄装置の洗浄槽では、循環ポンプを用いて、洗浄槽の下部から洗浄液を上方に向けて送り出すことによって、洗浄液を撹拌させている。また、洗浄槽の下部から空気を送り出すことによって、洗浄液を撹拌させている。
【０００４】
ウェハキャリアに収納された複数の半導体基板では、洗浄中に隣り合う半導体基板と半導体基板とが接触しないことが求められる。たとえば、特許文献１に提案されている洗浄装置では、隣り合う半導体基板同士を接触させないために、整流板を用いて洗浄液の流れを制御することで、半導体基板を同じ方向に傾斜させた状態で洗浄が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
洗浄液を撹拌した状態でウェハキャリアを浸漬すると、ウェハキャリアが浸漬された直後では、半導体基板に対して洗浄液の流れを制御することが難しい。このため、隣り合う半導体基板同士が接触するおそれがある。
【０００７】
また、洗浄液を撹拌させない状態でウェハキャリアを洗浄液に浸漬し、その後、洗浄液を撹拌して洗浄しようとすると、撹拌を開始した直後では、半導体基板に対して洗浄液の流れを制御することが難しい。このため、隣り合う半導体基板同士が接触するおそれがある。
【０００８】
半導体基板同士が接触すると、半導体基板が損傷してしまうことがある。また、半導体基板の洗浄が十分に行われないことがある。さらに、半導体基板の表面に滲みが発生することがある。これらは、半導体装置の不良の原因となる。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は、隣り合う半導体基板同士を接触させることなく、複数の半導体基板を洗浄することができる洗浄装置を提供することであり、他の目的は、そのような洗浄方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る洗浄装置は、ウェハキャリアと処理槽とを備えている。ウェハキャリアには、複数の半導体基板が互いに間隔を隔てて収容される。処理槽は、ウェハキャリアを収容し、処理流体によって複数の半導体基板のそれぞれに処理を施す。ウェハキャリアでは、それぞれ第１表面および第２表面を有する複数の半導体基板が、互いに隣り合う一方の半導体基板の第１表面と他方の半導体基板の第２表面とが対向する態様で収容されている。処理槽では、半導体基板の第１表面の側を流れる処理流体の第１流速を、半導体基板の第２表面の側を流れる処理流体の第２流速よりも速くすることにより、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板のそれぞれに、第２表面の側から第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら処理が施される。
【００１１】
本発明に係る洗浄方法は、ウェハキャリアに収容された、それぞれ第１表面および第２表面を有する複数の半導体基板に、処理流体によって処理を施す洗浄方法であって、以下の工程を備えている。複数の半導体基板が、互いに隣り合う一方の半導体基板の第１表面と他方の半導体基板の第２表面とが対向する態様で配置された状態で、半導体基板の第１表面の側を流れる処理流体の第１流速を、半導体基板の第２表面の側を流れる処理流体の第２流速よりも速くすることにより、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板のそれぞれに、第２表面の側から第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら処理を施す。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る洗浄装置によれば、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板のそれぞれに、第２表面の側から第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら処理が施されることで、隣り合う半導体基板同士が接触するのを阻止することができる。
【００１３】
本発明に係る洗浄方法によれば、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板のそれぞれに、第２表面の側から第１表面の側へ向かって揚力を生じさせながら処理を施すことで、隣り合う半導体基板同士が接触するのを阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】各実施の形態に係る洗浄装置の構成を示すブロック図である。
【図２】各実施の形態において、半導体基板が収容されるウェハキャリアを示す第１の斜視図である。
【図３】各実施の形態において、半導体基板が収容されるウェハキャリアを示す第２の斜視図である。
【図４】各実施の形態において、ウェハキャリアに半導体基板が収容された状態を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図５】各実施の形態において、ウェハキャリアに半導体基板が収容された状態を模式的に示す上面図である。
【図６】実施の形態１に係る洗浄装置における洗浄槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図７】同実施の形態において、洗浄装置における洗浄槽を模式的に示す上面図である。
【図８】同実施の形態において、洗浄槽に配置されたウェハキャリア設置台を模式的に示す側面図である。
【図９】同実施の形態にいて、ウェハキャリア設置台と空気供給配管等との接続関係を模式的に示す図である。
【図１０】同施の形態において、洗浄装置における水洗槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図１１】同施の形態において、洗浄装置における乾燥槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図１２】同施の形態において、乾燥槽に配置されたブロー配管固定台を模式的に示す平面図である。
【図１３】同実施の形態において、洗浄装置による洗浄方法の一工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１４】同実施の形態において、図１３に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１５】同実施の形態において、図１４に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１６】同実施の形態において、図１５に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１７】同実施の形態において、図１６に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１８】同実施の形態において、図１７に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図１９】同実施の形態において、図１８に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２０】同実施の形態において、図１９に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２１】同実施の形態において、図２０に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２２】同実施の形態において、図２１に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２３】同実施の形態において、図２２に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２４】同実施の形態において、図２３に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２５】同実施の形態において、図２４に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２６】同実施の形態において、図２５に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２７】同実施の形態において、図２６に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２８】同実施の形態において、図２７に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図２９】同実施の形態において、図２８に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３０】実施の形態２に係る洗浄装置における洗浄槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図３１】同実施の形態において、洗浄槽に配置されたウェハキャリア設置台を模式的に示す上面図である。
【図３２】同実施の形態にいて、ウェハキャリア設置台と循環液配管等との接続関係を模式的に示す図である。
【図３３】同実施の形態において、洗浄装置による洗浄方法の一工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３４】同実施の形態において、図３３に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３５】同実施の形態において、図３４に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３６】同実施の形態において、図３５に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３７】同実施の形態において、図３６に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３８】同実施の形態において、図３７に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図３９】同実施の形態において、図３８に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図４０】同実施の形態において、図３９に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図４１】同実施の形態において、図４０に示す工程の後に行われる工程を示す、一部断面を含む側面図である。
【図４２】実施の形態３に係る洗浄装置における洗浄槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図４３】同実施の形態において、洗浄装置における洗浄槽を模式的に示す上面図である。
【図４４】同実施の形態において、洗浄装置における水洗槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図４５】同実施の形態において、洗浄装置における乾燥槽を模式的に示す、一部断面を含む側面図である。
【図４６】各実施の形態において、半導体基板の周辺に流れる流体の速度の関係と、半導体基板に生じる揚力との関係を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
実施の形態１に係る洗浄装置について説明する。はじめに、洗浄装置の全体構成について説明する。図１に示すように、洗浄装置１は、ローダ２、洗浄槽３、水洗槽４、乾燥槽５およびアンローダ６を備えている。ローダ２では、前の工程から搬送されたウェハキャリアが受け入れられる。ウェハキャリアには、洗浄を施す複数の半導体基板が収容されている。ローダ２に受け入れられたウェハキャリアは、洗浄槽３へ搬送される。
【００１６】
洗浄槽３では、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板が、洗浄液によって洗浄される。洗浄が完了した複数の半導体基板は、水洗槽４へ搬送される。水洗槽４では、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板が、水洗水によって水洗される。水洗が完了した複数の半導体基板は、乾燥槽５へ搬送される。
【００１７】
乾燥槽５では、ウェハキャリアに収容された複数の半導体基板が、空気等によって乾燥される。乾燥が完了した複数の半導体基板は、アンローダ６へ搬送される。アンローダ６へ搬送されたウェハキャリアは、次の工程へ搬送される。
【００１８】
ローダ２からアンローダ６に至るまでの、洗浄、水洗および乾燥の一連の処理と搬送は、いずれも、複数の半導体基板がウェハキャリアに収容された状態で行われる。そのウェハキャリアの一例として、富士ベークライト株式会社製のウェハキャリアについて説明する。図２および図３に示すように、ウェハキャリア９０には、互いに対向する側面部に、一定のピッチをもって櫛歯９１が設けられている。櫛歯９１と櫛歯９１との間がスロット９２として半導体基板Ｗが収容されることになる。
【００１９】
図４および図５に示すように、櫛歯９１と櫛歯９１との間に半導体基板Ｗが収容された状態では、半導体基板Ｗの外周部分が櫛歯９１に接触する。半導体基板Ｗは、洗浄の前に半導体基板Ｗに行われた処理に伴って、湾曲することがある。たとえば、半導体基板Ｗの表面に引っ張り応力を有する膜（図示せず）が形成された場合には、半導体基板Ｗの表面が上に凸になるように湾曲する。一方、半導体基板Ｗの表面に圧縮応力を有する膜（図示せず）が形成された場合には、半導体基板Ｗの裏面が凸になるように湾曲する。
【００２０】
このため、ウェハキャリア９０へは、半導体基板Ｗは湾曲した状態で収納されることになる。複数の半導体基板Ｗは、互いに隣り合う一方の半導体基板Ｗの表面と他方の半導体基板Ｗの裏面とが対向する態様で収納される。このため、図４または図５に示すように、ウェハキャリア９０に収納された状態で、半導体基板Ｗは、いずれも同じ向きに湾曲している。ここでは、半導体基板Ｗの表面が上に凸になるように湾曲している場合を例に挙げる。また、半導体基板Ｗの凸になる面が第１表面に対応し、その反対側の凹になる面が第２表面に対応する。
【００２１】
なお、図１に示す洗浄装置１では、洗浄槽３、水洗槽４および乾燥槽５が、それぞれ１槽づつ配置されている場合について示されているが、洗浄装置１としては、このような配置に限られるものではない。水洗槽４として複数の水洗槽を有し、たとえば、洗浄槽、第１水洗槽、第２水洗槽および乾燥槽を備えた配置にしてもよい。また、さらに、洗浄槽３として複数の洗浄槽を有し、たとえば、第１洗浄槽、第１水洗槽、第２水洗槽、第２洗浄槽、第３水洗槽、第４水洗槽および乾燥槽を備えた配置にしてもよい。
【００２２】
次に、洗浄装置１の洗浄槽３について、詳しく説明する。図６および図７に示すように、洗浄槽３は、洗浄液７１が貯留される洗浄槽本体３ａを備えている。洗浄槽本体３ａに貯留された洗浄液７１は循環される。洗浄液７１を循環させるために、オーバーフロー槽１１、循環ポンプ１２およびフィルター１３を備えている。オーバーフロー槽１１、循環ポンプ１２、フィルター１３および洗浄槽本体３ａは、洗浄液循環ライン１４によって繋がっている。洗浄槽本体３ａからオーバーフロー槽１１へ溢れた洗浄液は、循環ポンプ１２およびフィルター１３を経て、洗浄槽本体３ａへ戻されることになる。
【００２３】
洗浄槽本体３ａの底部には、ウェハキャリア９０が設置されるウェハキャリア設置台２０が配置されている。図８に示すように、ウェハキャリア設置台２０には、ウェハキャリア９０の位置合わせを行う位置決め用突起２１が設けられている。また、ウェハキャリア設置台２０には、第１噴出し部として、空気をそれぞれ噴出する複数のバブリング配管２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ）が設置されている。なお、空気の他に、たとえば、窒素等の不活性ガス等を噴出すようにしてもよい。
【００２４】
複数のバブリング配管２２のそれぞれは、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台２０に設置された状態において、互いに隣り合うスロット９２とスロット９２との間に位置する態様で、配置されている。ここでは、バブリング配管２２は、たとえば、１４本設置されている。なお、図８では、図面の簡略化のために、６本のバブリング配管２２が示されている。また、洗浄槽本体３ａの底部には、排液を行うドレイン１６が配置されている。
【００２５】
図９に示すように、１４本のバブリング配管２２のそれぞれは、空気供給配管１５によって空気供給部２７に繋がっている。空気供給配管１５に設けられたフローメータ２５およびバルブ２６によって、１４本のバブリング配管２２のそれぞれから噴出る空気の量が制御される。後述するように、空気の量を制御し、半導体基板Ｗに一定方向の揚力を生じさせることによって、隣り合う半導体基板Ｗ同士の接触が阻止される。
【００２６】
次に、洗浄装置１の水洗槽４について説明する。図１０に示すように、水洗槽４は、水洗水（純水）７３が貯留される水洗槽本体４ａを備えている。その水洗槽本体４ａに水洗水７３を供給する水洗水供給配管４３が配置されている。水洗槽本体４ａの下部には、ウェハキャリア９０が設置されるウェハキャリア設置台４０が配置されている。ウェハキャリア設置台４０には、ウェハキャリア９０の位置合わせを行う位置決め用突起４１が設けられている。ウェハキャリア設置台４０には、第２噴出し部として、空気をそれぞれ噴出する複数のバブリング配管４２（４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆ）が設置されている。なお、空気の他に、窒素等の不活性ガス等を噴出すようにしてもよい。
【００２７】
複数のバブリング配管４２のそれぞれは、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台４０に設置された状態において、互いに隣り合うスロット９２とスロット９２との間に位置する態様で、配置されている。ここでは、バブリング配管４２は、たとえば、１４本設置されている。なお、図１０では、図面の簡略化のために、６本のバブリング配管４２が示されている。
【００２８】
複数のバブリング配管４２のそれぞれは、空気供給配管１５に繋がっている。また、水洗槽本体４ａの下部およびオーバーフロー槽１１のそれぞれには、排液を行うためのドレイン１６が配置されている。後述するように、バブリング配管４２のそれぞれから噴出る空気の量を制御し、半導体基板Ｗに一定方向の揚力を生じさせることによって、隣り合う半導体基板Ｗ同士の接触が阻止される。
【００２９】
次に、洗浄装置１の乾燥槽５について説明する。図１１に示すように、乾燥槽５は、乾燥槽本体５ａを備えている。その乾燥槽本体５ａの下部には、ウェハキャリア９０が設置されるウェハキャリア設置台６０が配置されている。ウェハキャリア設置台６０には、ウェハキャリア９０の位置合わせを行う位置決め用突起６１が設けられている。
【００３０】
乾燥槽本体５ａの上部には、空気をそれぞれ噴出す複数のブロー配管６３（６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ、６３ｅ、６３ｆ）が配置されている。なお、空気の他に、窒素等の不活性ガス等を噴出すようにしてもよい。複数のブロー配管６３は、ブロー配管固定台６２に固定されている。図１２に示すように、複数のブロー配管６３のそれぞれには、噴出し口６４が形成されている。
【００３１】
複数のブロー配管６３のそれぞれは、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台６０に設置された状態において、互いに隣り合うスロット９２とスロット９２との間に位置する態様で、配置されている。ここでは、ブロー配管６３は、たとえば、１４本設置されている。なお、図１１および図１２では、図面の簡略化のために、６本のブロー配管６３が示されている。
【００３２】
複数のブロー配管６３のそれぞれは、空気供給配管６５に繋がっている。後述するように、ブロー配管６３のそれぞれから噴出る空気の量を制御し、半導体基板Ｗに一定方向の揚力を生じさせることによって、隣り合う半導体基板Ｗ同士の接触が阻止される。実施の形態１に係る洗浄装置１は、上記のように構成される。
【００３３】
次に、上述した洗浄装置１による洗浄方法について説明する。まず、半導体基板Ｗが収納されたウェハキャリア９０（図４参照）が、前の工程からローダ２に搬送される（図１参照）。ローダ２に搬送されたウェハキャリア９０は、洗浄槽３へ搬送される（図１参照）。図１３に示すように、複数の半導体基板Ｗは、ウェハキャリア９０に収納された状態で、洗浄槽本体３ａに貯留された洗浄液７１に浸漬される。このとき、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを防止するために、循環ポンプ１２を停止するとともに、バブリング配管２２からの空気の噴出しを停止し、洗浄液７１の表面の揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が洗浄液７１に浸漬される。
【００３４】
次に、図１４に示すように、ウェハキャリア９０を洗浄液７１に浸漬することによって生じた洗浄液７１の表面の揺れが収まるのを待つ。洗浄液７１の表面の揺れが収まった後、バブリングを開始する。まず、図１５に示すように、バブリング配管２２ａから空気を噴出す（矢印参照）。次に、図１６に示すように、バブリング配管２２ｂから空気を噴出す。バブリング配管２２ｂから噴出す空気の量は、バブリング配管２２ａから噴出す空気の量よりも少なく設定される（矢印参照）。
【００３５】
次に、図１７に示すように、バブリング配管２２ｃから空気を噴出す。バブリング配管２２ｃから噴出す空気の量は、バブリング配管２２ｂから噴出す空気の量よりも少なく設定される（矢印参照）。以下、同じ要領で、図１８に示すように、バブリング配管２２ｄ、２２ｅ、２２ｆの順に空気を順次噴出す。バブリング配管２２ａから噴出す空気の量が最も多く、バブリング配管２２ｆから噴出す空気の量が最も少ない。バブリング配管２２ａ〜２２ｆの順に、噴出す空気の量が徐々に少なくなるように制御される。
【００３６】
複数のバブリング配管２２のそれぞれから空気を噴出しながら、半導体基板Ｗを一定時間洗浄した後、洗浄液７１の循環を停止する。次に、バブリング配管２２からの空気の噴出しを停止する。まず、図１９に示すように、バブリング配管２２ｆからの空気の噴出しを停止する。以下、バブリング配管２２ｅ、２２ｄ、２２ｃ、２２ｂ、２２ａの順に、空気の噴出しを順次停止する。図２０に示すように、洗浄液７１の表面の揺れが収まり、半導体基板Ｗの揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が引き上げられて、洗浄液７１による半導体基板Ｗの洗浄が完了する。
【００３７】
洗浄が完了した半導体基板Ｗを収容したウェハキャリア９０は、次に、水洗槽４へ搬送されて、水洗が行われる（図１参照）。まず、洗浄槽３の場合と同様に、水洗水７３の表面の揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が水洗水７３に浸漬されて、ウェハキャリア設置台４０に設置される（図２１参照）。ウェハキャリア９０を水洗水７３に浸漬することによって生じた水洗水７３の表面の揺れが収まった後、バブリングを開始する。
【００３８】
まず、図２１に示すように、バブリング配管４２ａから空気を噴出す（矢印参照）。以下、洗浄槽３の場合と同様に、バブリング配管４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆの順に空気を順次噴出す。このとき、図２２に示すように、バブリング配管４２ａから噴出す空気の量が最も多く、バブリング配管４２ｆから噴出す空気の量が最も少なく、バブリング配管４２ａ〜４２ｆの順に、噴出す空気の量が徐々に少なくなるように制御される（矢印参照）。
【００３９】
複数のバブリング配管４２のそれぞれから空気を噴出しながら半導体基板Ｗを、一定時間水洗した後、水洗水７３の供給を停止する。次に、バブリング配管４２からの空気の噴出しを停止する。
【００４０】
まず、図２３に示すように、バブリング配管４２ｆからの空気の噴出しを停止する。以下、バブリング配管４２ｅ、４２ｄ、４２ｃ、４２ｂ、４２ａの順に、空気の噴出しを順次停止する。図２４に示すように、水洗水７３の表面の揺れが収まり、半導体基板Ｗの揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が引き上げられて、水洗水７３による半導体基板Ｗの水洗が完了する。
【００４１】
水洗が完了した半導体基板Ｗを収納したウェハキャリア９０は、次に、乾燥槽５へ搬送される（図１参照）。次に、ブロー配管固定台６２（図２５参照）が、ウェハキャリア９０と干渉しない位置に移動される（図示せず）。次に、図２５に示すように、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台６０に設置される。ウェハキャリア９０がウェハキャリア設置台６０に設置された後、ブロー配管固定台６２が乾燥槽本体５ａの直上に配置される。次に、ブロー配管６３からブローを開始する。
【００４２】
まず、図２６に示すように、ブロー配管６３ａから空気を噴出す（矢印参照）。以下、洗浄槽３の場合と同様に、ブロー配管６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ、６３ｅ、６３ｆの順に、空気を順次噴出す。このとき、図２７に示すように、ブロー配管６３ａから噴出す空気の量が最も多く、ブロー配管６３ｆから噴出す空気の量が最も少なく、ブロー配管６３ａ〜６３ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなるように制御される（矢印参照）。
【００４３】
複数のブロー配管６３のそれぞれから空気を一定時間噴出し、半導体基板Ｗを乾燥させた後、ブロー配管６３からの空気の噴出しを停止する。まず、図２８に示すように、ブロー配管６３ｆからの空気の噴出しを停止する。以下、ブロー配管６３ｅ、６３ｄ、６３ｃ、６３ｂ、６３ａの順に、空気の噴出しを順次停止する。図２９に示すように、ブロー配管６３からの空気の噴出しが停止した後、ブロー配管固定台６２が、ウェハキャリア９０と干渉しない位置に移動される（図示せず）。その後、ウェハキャリア９０が引き上げられて、空気による半導体基板Ｗの乾燥が完了する。
【００４４】
乾燥が完了した半導体基板Ｗを収納したウェハキャリア９０は、アンローダ６へ搬送される（図１参照）。アンローダ６へ搬送されたウェハキャリア９０は、次の工程へ搬送される。こうして、洗浄装置１による半導体基板Ｗの一連の洗浄が完了する。
【００４５】
上述した洗浄装置１の洗浄槽３では、複数のバブリング配管２２から空気を噴出す際に、バブリング配管２２ａ〜２２ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなる態様で空気が順次噴出される。このため、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎのそれぞれでは、凸になった表面の側を流れる洗浄液７１の速度は、凹になった表面の側を流れる洗浄液７１の速度よりも大きくなる。これにより、ウェハキャリア９０に収納されている複数の半導体基板Ｗには、紙面に向かって左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に、紙面に向かって右向きの揚力が順次生じることになる。その結果、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。なお、右向きの揚力は、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に弱くなる。この場合、紙面に向かって右向きとは、半導体基板Ｗの裏面の側から表面の側へ向かう向きであり、紙面に向かって左向きとは、半導体基板Ｗの表面の側から裏面の側へ向かう向きである。
【００４６】
また、半導体基板Ｗが洗浄されている状態では、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎに右向きの揚力が生じている状態が維持される。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００４７】
そして、複数のバブリング配管２２から空気の噴出しを停止する際には、バブリング配管２２ｆ〜２２ａの順に、空気の噴出しが順次停止される。これにより、右向きの揚力がそれぞれ生じている状態の複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗｎ〜Ｗ１の順に、右向きの揚力が順次なくなる。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００４８】
また、水洗槽４では、複数のバブリング配管４２から空気を噴出す際に、バブリング配管４２ａ〜４２ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなる態様で空気が順次噴出される。これにより、洗浄槽３について説明したのと同様に、ウェハキャリア９０に収納されている複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に、右向きの揚力が順次生じることになる。その結果、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００４９】
また、半導体基板Ｗを水洗している状態では、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎに右向きの揚力が生じている状態が維持される。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００５０】
そして、複数のバブリング配管４２から空気の噴出しを停止する際には、バブリング配管２２ｆ〜２２ａの順に、空気の噴出しが順次停止される。これにより、右向きの揚力がそれぞれ生じている状態の複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗｎ〜Ｗ１の順に、右向きの揚力が順次なくなる。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００５１】
さらに、乾燥槽５では、複数のブロー配管６３から空気を噴出す際に、ブロー配管６３ａ〜６３ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなる態様で空気が順次噴出される。これにより、洗浄槽３について説明したのと同様に、ウェハキャリア９０に収納されている複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に、右向きの揚力が順次生じることになる。その結果、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００５２】
また、半導体基板Ｗを乾燥させている状態では、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎに右向きの揚力が生じている状態が維持される。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００５３】
そして、複数のブロー配管６３から空気の噴出しを停止する際には、ブロー配管６３ｆ〜６３ａの順に、空気の噴出しが順次停止される。これにより、右向きの揚力がそれぞれ生じている状態の複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗｎ〜Ｗ１の順に、右向きの揚力が順次なくなる。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００５４】
こうして、上述した洗浄装置１では、バブリング配管２２等から噴出す空気の量によって、半導体基板Ｗに生じる揚力を制御することで、ウェハキャリア９０に収納された隣り合う半導体基板Ｗ同士を接触させることなく、洗浄、水洗および乾燥をそれぞれ行うことができる。
【００５５】
なお、上述した洗浄装置１では、半導体基板Ｗの表面が凸になるように湾曲した場合を例に挙げて説明したが、半導体基板Ｗの裏面が凸になるように湾曲した場合には、半導体基板Ｗの表面の側から裏面の側に向かう揚力が生じるように、空気の噴出し量の大小関係を逆にすればよい。
【００５６】
実施の形態２．
実施の形態２に係る洗浄装置について説明する。まず、洗浄装置１の洗浄槽３について説明する。洗浄槽３では、バブリングの替わりに、洗浄液７１の循環が行われる。図３０および図３１に示すように、洗浄槽３の洗浄槽本体３ａの底部には、ウェハキャリア設置台３０が配置されている。ウェハキャリア設置台３０には、ウェハキャリア９０の位置合わせを行う位置決め用突起３１が設けられている。
【００５７】
また、ウェハキャリア設置台３０には、第３噴出し部として、複数の循環液噴出し配管３２（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ）が配置されている。ここでは、循環液噴出し配管３２は、たとえば、１４本設置されている。なお、図３０および図３１では、図面の簡略化のために、６本の循環液噴出し配管３２が示されている。複数の循環液噴出し配管３２のそれぞれは、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台３０に設置された状態において、互いに隣り合うスロット９２とスロット９２との間に位置する態様で、配置されている。
【００５８】
複数の循環液噴出し配管３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆには、循環液噴出し口３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｆがそれぞれ形成されている。循環液噴出し口３３ａ〜３３ｆでは、循環液噴出し口３３ａの開口面積が最も小さく、循環液噴出し口３３ｆの開口面積が最も大きく、循環液噴出し口３３ａ〜３３ｆの順に、開口面積が徐々に大きくなるように形成されている。
【００５９】
洗浄液７１を循環させるために、循環液噴出し配管３２とオーバーフロー槽１１とが、循環液配管３４によって繋がっている。循環液配管３４には、循環ポンプ１２、フィルター１３および循環ライン分岐部３５が設けられている。図３２に示すように、循環液配管３４は、循環ライン分岐部３５とバルブ３６とを介して複数の循環液噴出し配管３２のそれぞれに繋がっている。
【００６０】
次に、洗浄装置１の水洗槽４について説明する。図３３に示すように、水洗槽本体４ａの底部には、ウェハキャリア９０が設置されるウェハキャリア設置台５０が配置されている。ウェハキャリア設置台５０には、ウェハキャリア９０の位置合わせを行う位置決め用突起５１が設けられている。また、ウェハキャリア設置台５０には、第４噴出し部として、水洗水をそれぞれ噴出す複数の水洗水噴出し配管５２（５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅ、５２ｆ）が設置されている。
【００６１】
複数の水洗水噴出し配管５２のそれぞれは、ウェハキャリア９０が、ウェハキャリア設置台５０に設置された状態において、互いに隣り合うスロット９２とスロット９２との間に位置する態様で、配置されている。ここでは、水洗水噴出し配管５２は、たとえば、１４本設置されている。なお、図３３では、図面の簡略化のために、６本の水洗水噴出し配管５２が示されている。複数の水洗水噴出し配管５２のそれぞれは、水洗水供給配管５３に繋がっている。複数の水洗水噴出し配管５２のそれぞれから噴出す水洗水の量は、個々に制御される。
【００６２】
なお、これ以外の構成については、実施の形態１において説明した洗浄装置１と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
【００６３】
次に、上述した洗浄装置１による洗浄方法について説明する。前述した洗浄装置１の場合と同様にして、洗浄槽３の洗浄液７１の表面の揺れが収まった状態で、半導体基板Ｗを収容したウェハキャリア９０が洗浄液７１に浸漬される（図１３および図１４参照）。洗浄液７１の表面の揺れが収まった後、洗浄液７１の循環を開始する。
【００６４】
まず、図３４に示すように、循環液噴出し配管３２ａから洗浄液７１を噴出す。以下、循環液噴出し配管３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆの順に洗浄液７１を噴出す。このとき、循環液噴出し配管３２ａから噴出す洗浄液７１の量が最も多く、循環液噴出し配管３２ｆから噴出す洗浄液７１の量が最も少なく、循環液噴出し配管３２ａ〜３２ｆの順に、噴出す洗浄液７１の量が徐々に少なくなるように制御される。
【００６５】
図３５に示すように、複数の循環液噴出し配管３２のそれぞれから洗浄液７１を噴出しながら、半導体基板Ｗを一定時間洗浄する。その後、循環液噴出し配管３２からの洗浄液７１の噴出しを停止する。まず、図３６に示すように、循環液噴出し配管３２ｆからの洗浄液７１の噴出しを停止する。以下、循環液噴出し配管３２ｅ、３２ｄ、３２ｃ、３２ｂ、３２ａの順に、洗浄液７１の噴出しを順次停止する。図３７に示すように、洗浄液７１の表面の揺れが収まり、半導体基板Ｗの揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が引き上げられて、洗浄液７１による半導体基板Ｗの洗浄が完了する。
【００６６】
洗浄が完了した半導体基板Ｗを収容したウェハキャリア９０は、次に、水洗槽４へ搬送されて、水洗が行われる（図１参照）。まず、洗浄槽３の場合と同様に、水洗水７３の表面の揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が水洗水７３に浸漬される。水洗水７３の表面の揺れが収まった後、水洗水７３の噴出しを開始する。
【００６７】
図３８に示すように、水洗水噴出し配管５２ａから水洗水７３を噴出す。以下、水洗水噴出し配管５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅ、５２ｆの順に水洗水７３を噴出す。このとき、水洗水噴出し配管５２ａから噴出する水洗水７３の量が最も多く、水洗水噴出し配管５２ｆから噴出する水洗水７３の量が最も少なく、水洗水噴出し配管５２ａ〜５２ｆの順に、噴出する水洗水７３の量が徐々に少なくなるように制御される。
【００６８】
図３９に示すように、複数の水洗水噴出し配管５２のそれぞれから水洗水７３を噴出しながら、半導体基板Ｗを一定時間水洗する。その後、水洗水噴出し配管５２からの水洗水７３の噴出しを停止する。まず、図４０に示すように、水洗水噴出し配管５２ｆからの水洗水７３の噴出しを停止する。以下、水洗水噴出し配管５２ｅ、５２ｄ、５２ｃ、５２ｂ、５２ａの順に、水洗水７３の噴出しを順次停止する。図４１に示すように、水洗水７３の表面の揺れが収まり、半導体基板Ｗの揺れが収まった状態で、ウェハキャリア９０が引き上げられて、水洗水７３による半導体基板Ｗの水洗が完了する。
【００６９】
水洗が完了した半導体基板Ｗを収納したウェハキャリア９０は、次に、乾燥槽５へ搬送される（図１参照）。乾燥槽５では、前述した洗浄装置１の乾燥槽５と同じ要領で半導体基板Ｗが乾燥される（図２５参照）。
【００７０】
複数のブロー配管６３から空気を噴出す際には、ブロー配管６３ａ〜６３ｆの順に、空気の量が徐々に少なくなる態様で空気が順次噴出される。半導体基板Ｗを乾燥させた後、複数のブロー配管６３から空気の噴出しを停止する際には、ブロー配管６３ｆ〜６３ａの順に、空気の噴出しが順次停止される（図２６〜図２９参照）。
【００７１】
乾燥が完了した半導体基板Ｗを収納したウェハキャリア９０は、アンローダ６（図１参照）へ搬送された後、次の工程へ搬送される。こうして、洗浄装置１による半導体基板Ｗの一連の洗浄が完了する。
【００７２】
上述した洗浄装置１の洗浄槽３では、複数の循環液噴出し配管３２から洗浄液７１を噴出す際に、循環液噴出し配管３２ａ〜３２ｆの順に、洗浄液７１の噴出し速度が徐々に小さくなる態様で洗浄液７１が順次噴出される。このため、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎのそれぞれでは、凸になった表面の側を流れる洗浄液７１の速度は、凹になった表面の側を流れる洗浄液７１の速度よりも大きくなる。これにより、ウェハキャリア９０に収納されている複数の半導体基板Ｗには、紙面に向かって左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に、紙面に向かって右向きの揚力が順次生じることになる。その結果、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７３】
また、半導体基板Ｗが洗浄されている状態では、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎに右向きの揚力が生じている状態が維持される。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７４】
そして、複数の循環液噴出し配管３２から洗浄液７１の噴出しを停止する際には、循環液噴出し配管３２ｆ〜３２ａの順に、洗浄液７１の噴出しが順次停止される。これにより、右向きの揚力がそれぞれ生じている状態の複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗｎ〜Ｗ１の順に、右向きの揚力が順次なくなる。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７５】
また、水洗槽４では、複数の水洗水噴出し配管５２から水洗水７３を噴出す際に、水洗水噴出し配管５２ａ〜５２ｆの順に、水洗水７３の噴出し速度が徐々に小さくなる態様で水洗水７３が順次噴出される。これにより、洗浄槽３について説明したのと同様に、ウェハキャリア９０に収納されている複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎの順に、右向きの揚力が順次生じることになる。その結果、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７６】
また、半導体基板Ｗを水洗している状態では、半導体基板Ｗ１〜Ｗｎに右向きの揚力が生じている状態が維持される。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７７】
そして、複数の水洗水噴出し配管５２から水洗水７３の噴出しを停止する際には、水洗水噴出し配管５２ｆ〜５２ａの順に、水洗水７３の噴出しが順次停止される。これにより、右向きの揚力がそれぞれ生じている状態の複数の半導体基板Ｗには、左向きの揚力が生じることなく、半導体基板Ｗｎ〜Ｗ１の順に、右向きの揚力が順次なくなる。これにより、隣り合う半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７８】
さらに、乾燥槽５では、前述したとおり、複数のブロー配管６３から空気を噴出す際、半導体基板Ｗを乾燥させている状態および複数のブロー配管６３から空気の噴出しを停止する際のそれぞれにおいて、半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００７９】
なお、上述した洗浄装置１では、半導体基板Ｗの表面が凸になるように湾曲した場合を例に挙げて説明したが、半導体基板Ｗの裏面が凸になるように湾曲した場合には、半導体基板Ｗの表面の側から裏面の側に向かう揚力が生じるように、洗浄液７１の噴出し速度および水洗水７３の噴出し速度の大小関係を逆にすればよい。
【００８０】
実施の形態３．
実施の形態３に係る洗浄装置について説明する。まず、洗浄装置１の洗浄槽３について説明する。図４２および図４３に示すように、洗浄槽３では、複数のレーザ式変位計８１が配置されている。レーザ式変位計８１は、レーザ光を照射する照射部と、レーザ光を受光する受光部とを有する。複数のレーザ式変位計８１は、ウェハキャリア９０の搬送に際して、ウェハキャリア９０と干渉しない位置に配置される。また、複数のレーザ式変位計８１のそれぞれは、ウェハキャリア９０に収納された半導体基板Ｗのそれぞれの位置（スロット）に対応する位置に配置されている。
【００８１】
レーザ式変位計８１のそれぞれの照射部からレーザ光８２が、対応する半導体基板Ｗの中央部へ向けて照射されることになる。半導体基板Ｗに照射されて反射したレーザ光を受光部によって受光することで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離が計測される。なお、これ以外の洗浄槽３の構成については、図３０に示す洗浄槽３と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
【００８２】
次に、水洗槽４について説明する。図４４に示すように、水洗槽４においても、ウェハキャリア９０に収納された半導体基板Ｗのそれぞれの位置（スロット）に対応する位置のそれぞれに、レーザ式変位計８１が配置されている。複数のレーザ式変位計８１は、搬送されるウェハキャリア９０と干渉しない位置に配置されている。
【００８３】
レーザ式変位計８１からレーザ光８２が、対応する半導体基板Ｗの中央部へ向けて照射され、反射したレーザ光をそれぞれ受光することで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離が計測される。なお、これ以外の水洗槽４の構成については、図３３に示す水洗槽４と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
【００８４】
次に、乾燥槽５について説明する。図４５に示すように、乾燥槽５においても、ウェハキャリア９０に収納された半導体基板Ｗのそれぞれの位置（スロット）に対応する位置のそれぞれに、レーザ式変位計８１が配置されている。複数のレーザ式変位計８１は、搬送されるウェハキャリア９０およびブロー配管固定台６２と干渉しない位置に配置されている。
【００８５】
レーザ式変位計８１からレーザ光８２が、対応する半導体基板Ｗの中央部へ向けて照射され、反射したレーザ光をそれぞれ受光することで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離が計測される。なお、これ以外の乾燥槽５の構成については、図１１に示す乾燥槽５と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
【００８６】
次に、上述した洗浄装置１による洗浄方法について説明する。まず、洗浄槽３では、レーザ式変位計８１によって、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離を計測しながら、半導体基板Ｗが洗浄される（図４２参照）。このとき、図４６に示すように、それぞれの半導体基板Ｗでは、一方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ１が、他方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ２よりも大きい条件のもとで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離に応じて流速Ｖ１と流速Ｖ２とが調整される。たとえば、半導体基板Ｗ２と半導体基板Ｗ１とが接近し過ぎた場合には、半導体基板Ｗ１に対する流速Ｖ２（または半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ１）を下げるか、半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ２を上げる制御が行われる。
【００８７】
次に、水洗槽４においても、レーザ式変位計８１によって、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離を計測しながら、半導体基板Ｗが水洗される（図４４参照）。このときも、図４６に示すように、それぞれの半導体基板Ｗでは、一方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ１が、他方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ２よりも大きい条件のもとで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離に応じて流速Ｖ１と流速Ｖ２とが調整される。たとえば、半導体基板Ｗ２と半導体基板Ｗ１とが接近し過ぎた場合には、半導体基板Ｗ１に対する流速Ｖ２（または半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ１）を下げるか、半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ２を上げる制御が行われる。
【００８８】
次に、乾燥槽５においても、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離を計測しながら、半導体基板Ｗが乾燥される（図１１参照）。このときも、図４６に示すように、それぞれの半導体基板Ｗでは、一方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ１が、他方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ２よりも大きい条件のもとで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離に応じて流速Ｖ１と流速Ｖ２とが調整される。たとえば、半導体基板Ｗ２と半導体基板Ｗ１とが接近し過ぎた場合には、半導体基板Ｗ１に対する流速Ｖ２（または半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ１）を下げるか、半導体基板Ｗ２に対する流速Ｖ２を上げる制御が行われる。
【００８９】
上述した洗浄装置１では、洗浄槽３、水洗槽４および乾燥槽５のそれぞれにおいて、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離を計測しながら、半導体基板Ｗに処理（洗浄、水洗、乾燥）が行われる。その処理の際に、それぞれの半導体基板Ｗでは、一方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ１が、他方の表面側を流れる洗浄液の流速Ｖ２よりも大きい条件のもとで、隣り合う半導体基板Ｗ間の距離に応じて流速Ｖ１と流速Ｖ２とが調整される。これにより、それぞれに処理において、半導体基板Ｗ同士が接触するのを阻止することができる。
【００９０】
なお、上述した洗浄装置１では、実施の形態２において説明した洗浄装置１に、レーザ式変位計８１を備えた態様について説明した。レーザ式変位計８１を備えた洗浄装置１としては、バブリングの影響を回避することができるのであれば、実施の形態１において説明した洗浄装置１にレーザ式変位計８１を備えた態様としてもよい。
【００９１】
また、上述した洗浄装置１では、半導体基板Ｗの表面が凸になるように湾曲した場合を例に挙げて説明したが、半導体基板Ｗの裏面が凸になるように湾曲した場合には、半導体基板Ｗの表面の側から裏面の側に向かう揚力が生じるように、洗浄液７１の噴出し速度および水洗水７３の噴出し速度の大小関係を逆にすればよい。
【００９２】
各実施の形態において説明した洗浄装置１の洗浄槽３、水洗槽４および乾燥槽５等については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。
【００９３】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、複数の半導体基板をウェハキャリアに収納した状態で洗浄を行う洗浄装置に有効に利用される。
【符号の説明】
【００９５】
１  洗浄装置、２  ローダ、３  洗浄槽、３ａ  洗浄槽本体、４  水洗槽、４ａ  水洗槽本体、５  乾燥槽、５ａ  乾燥槽本体、６  アンローダ、１１  オーバーフロー槽、１２  循環ポンプ、１３  フィルター、１４  洗浄液循環ライン、１５  空気供給配管、１６  ドレイン、２０  ウェハキャリア設置台、２１  位置決め用突起、２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ  バブリング配管、２３  空気噴出し口、２５  フローメータ、２６  バルブ、２７  空気供給部、３０  ウェハキャリア設置台、３１  位置決め用突起、３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ  循環液噴出し配管、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｆ  循環液噴出し口、３４  循環液配管、３５  循環ライン分岐部、３６  バルブ、８１  レーザ式変位計、８２  レーザ光、４０  ウェハキャリア設置台、４１  位置決め用突起、４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆ  バブリング配管、４３  水洗水供給配管、５０  ウェハキャリア設置台、５１  位置決め用突起、５２、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅ、５２ｆ  水洗水噴出し配管、５３  水洗水供給配管、６０  ウェハキャリア設置台、６１  位置決め用突起、６２  ブロー配管固定台、６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ、６３ｅ、６３ｆ  ブロー配管、６４  空気噴出し口、６５  空気供給配管、７１  洗浄液、７３  水洗水、９０  ウェハキャリア、９１  櫛歯、９２  スロット、Ｗ、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗｎ  半導体基板。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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