(57)【要約】      （修正有）【課題】シングルモードの光ファイバと光デバイスとの間の光結合を、容易に行うことができる光結合モジュールを提供する。【解決手段】光結合モジュールは、第１光導波路２２と、第１光導波路が配置される第１基板２１と、第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部２３と、一対の梁部の端部に配置される一対の当接部２４とを有する第１光素子２０と、第２光導波路３２と、第２光導波路が配置され、一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板３１と、第２基板に配置され、一対の当接部と当接する一対の当接受け部３３とを有する第２光素子３０を備え、第１基板が第２基板上に配置されており、一対の梁部それぞれは、第２基板から離れるように、第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、一対の当接部は、一対の当接受け部間に配置されて、一対の当接受け部と当接しており、一対の梁部は、第１基板を両側から第２基板に向かって押す。【選択図】図２
2018021945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、
を備え、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とが光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置されており、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板から離れるように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、
前記一対の当接部は、前記一対の当接受け部間に配置されて、前記一対の当接受け部と当接しており、
前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって押している光結合モジュール。
【請求項２】
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、
を備え、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とが光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置されており、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板に近づくように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、
前記一対の当接受け部は、前記一対の当接部間に配置されて、前記一対の当接部と当接しており、
前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって引っ張っている光結合モジュール。
【請求項３】
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板に設けられた溝部である請求項１又は２に記載の光結合モジュール。
【請求項４】
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板上から突出している突出部である請求項１に記載の光結合モジュール。
【請求項５】
前記第１基板及び前記一対の当接部の熱膨張係数は、前記第２基板よりも大きい請求項１〜４の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【請求項６】
前記第１基板の熱膨張係数は、前記一対の梁部よりも小さい請求項１〜５の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【請求項７】
前記一対の梁部は、前記第１基板に対して対称に配置される請求項１〜６の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【請求項８】
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、前記一対の当接部間の距離が、前記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、
を用いて、
前記第１の温度において、前記一対の当接受け部間に前記一対の当接部が位置し、前記一対の梁部が、前記第２基板から離れながら前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ前記第１光導波路と前記第２光導波路とが対向するように、前記第１光素子を前記第２光素子上に配置し、
前記一対の梁部を、前記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、前記一対の梁部が熱膨張により延びて、前記一対の当接部が前記一対の当接受け部と当接することにより、前記一対の梁部が前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって押しつけて、前記第１光導波路と前記第２光導波路とを光学的に結合させる光結合モジュールの製造方法。
【請求項９】
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、前記一対の当接部間の距離が、前記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、
を用いて、
前記一対の梁部を、前記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、前記一対の梁部が熱膨張により延びた状態で、前記一対の当接部間に前記一対の当接受け部が位置し、前記一対の梁部が、第２基板に近づきながら前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ前記第１光導波路と前記第２光導波路とが対向するように、前記第１光素子を前記第２光素子上に配置し、
前記一対の梁部を、前記第２の温度よりも低い第３の温度に降温し、前記一対の梁部が熱収縮により縮小して、前記一対の当接部が前記一対の当接受け部と当接することにより、前記一対の梁部が前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって引っ張って、前記第１光導波路と前記第２光導波路とを光学的に結合させる光結合モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光結合モジュール及び光結合モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光通信ネットワーク又は光インターコネクション技術において、光ファイバと、光デバイスとの間の光の入出力において、光ファイバと光デバイスの光導波路とを光学的に結合する光結合モジュールが用いられている。
【０００３】
例えば、シリコン半導体技術を用いて製造されるシリコンフォトニクスデバイスは、光インターコネクト向けの光送受信器を実現する光デバイスとして、盛んに検討されている。
【０００４】
一般にシリコンフォトニクスデバイスは、１μｍ程度のスポットサイズのシリコン光導波路を用いて、デバイス内で光の伝搬を行っている。一方、シングルモードの光ファイバは、１０μｍ程度のスポットサイズを有する。そこで、シリコンフォトニクスデバイスと、シングルモードの光ファイバとの間の光の入出力では、スポットサイズ変換機能を備えた光結合モジュールを用いて、光の入出力において光が損失することを防いでいる。
【０００５】
このような光結合モジュールとして、シリコン基板面の上面方向に光を入出射するグレーティングカプラ、又はシリコン基板の水平方向に光を入出射するスポットサイズ変換導波路等が提案されている。
【０００６】
一般に、シングルモードの光ファイバと光デバイスとの間の光結合では、光ファイバ及び光デバイス等の光学部品の位置決め精度として、平面方向及び高さ方向共に1μｍ程度の精度が求められる。
【０００７】
一方、一般の光学部品を搭載するマウンタの平面方向の搭載精度は数μｍ程度である。また、高さ方向の搭載精度は、光学部品の固定に用いられる接着材の厚み、又は光学部品が搭載される時の傾き等の影響により、数μｍ程度である。
【０００８】
この程度の搭載精度では、マルチモードの光ファイバには対応可能であっても、シングルモードの光ファイバに対しては不足している。
【０００９】
そこで、通常、シングルモードの光ファイバを光デバイスと光学的に結合する時には、光強度を直接監視して、光学部品の搭載位置の最適化を行うアクティブ実装が行われる。
【００１０】
しかし、このような光学部品の搭載方法には高価な実装装置が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２４０７５６号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｔａｉｒａ  ｅｔ  ａｌ．，”Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ”ＩＥＥＥ  ＣＰＭＴ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｊａｐａｎ  （ＩＣＳＪ），２０１４，６３−６６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、図１に示すような光結合モジュールが提案されている。
【００１４】
図１は、従来例の光結合モジュールを示す図である。
【００１５】
光結合モジュール１１０は、複数の第１光導波路１２２と、複数の第１光導波路１２２が配置される第１基板１２１と、一対のプラグ１２３を有する第１光素子１２０を備える。複数の第１光導波路１２２及び第１基板１２１は、樹脂により形成されている。
【００１６】
また、光結合モジュール１１０は、第１光導波路１２２と同じ数の第２光導波路１３２と、各第２光導波路１３２が配置される第２基板１３１と、一対の溝部１３３を有する第２光素子１３０を備える。第２基板１３１は、シリコンにより形成されており、複数の第２光導波路１３２は、シリコン細線光導波路により形成されたスポットサイズ変換導波路である。
【００１７】
複数の第１光導波路１２２が対応する第２光導波路１３２と光学的に結合するように、第１基板１２１が第２基板１３１上に配置される。第１光素子１２０の各第１光導波路１２２は、シングルモードの光ファイバ（図示せず）と光学的に結合している。第１光素子１２０は、第２光素子１３０の各第２光導波路１３２を、シングルモードの光ファイバ（図示せず）と光学的に結合する。
【００１８】
光結合モジュール１１０では、一対のプラグ１２３が一対の溝部１３３と嵌合するように、第１光素子１２０を、第２光素子１３０に向かって押圧することにより、水平方向及び垂直方向の位置合わせが行われる。そのため、数μｍの搭載精度を有するマウンタを用いても、第１光導波路１２２と第２光導波路１３２との間の所望の光学的結合状態を得ることができる。
【００１９】
光結合モジュール１１０では、第１光素子１２０が、第２光素子１３０に向かって押圧されている間は、第１光導波路１２２と第２光導波路１３２との間の所望の光学的結合状態が得られる。
【００２０】
しかし、第１光素子１２０の押圧を止めると、第１光導波路１２２と第２光導波路１３２との位置関係がずれる。特に、高さ方向の位置がずれてしまう。
【００２１】
そこで、第１光素子１２０が、第２光素子１３０に向かって押圧されている間に、第１基板１２１と第２基板１３１とを接着して固定することが行われる。
【００２２】
従って、図１に示す光結合モジュール１１０を製造する時には、第１基板１２１と第２基板１３１とを接着する工程が設けられるので、製造に手間がかかるという問題がある。
【００２３】
そこで、光ファイバと光デバイスとの間の光結合を、容易に行うことができる光結合モジュールが求められている。
【００２４】
本発明では、光ファイバと光デバイスとの間の光結合を、容易に行うことが可能な光結合モジュール及び光結合モジュールの製造方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
１つの態様では、光結合モジュールは、第１光導波路と、上記第１光導波路が配置される第１基板と、上記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、上記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、第２光導波路と、上記第２光導波路が配置され、上記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、上記第２基板に配置され、上記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、を備え、上記第１光導波路と上記第２光導波路とが光学的に結合するように、上記第１基板が上記第２基板上に配置されており、上記一対の梁部それぞれは、上記第２基板から離れるように、上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、上記一対の当接部は、上記一対の当接受け部間に配置されて、上記一対の当接受け部と当接しており、上記一対の梁部は、上記第１基板を両側から上記第２基板に向かって押している。
【００２６】
また、１つの態様では、他の光結合モジュールは、第１光導波路と、上記第１光導波路が配置される第１基板と、上記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、上記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、第２光導波路と、上記第２光導波路が配置され、上記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、上記第２基板に配置され、上記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、を備え、上記第１光導波路と上記第２光導波路とが光学的に結合するように、上記第１基板が上記第２基板上に配置されており、上記一対の梁部それぞれは、上記第２基板に近づくように、上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、上記一対の当接受け部は、上記一対の当接部間に配置されて、上記一対の当接部と当接しており、上記一対の梁部は、上記第１基板を両側から上記第２基板に向かって引っ張っている。
【００２７】
また、１つの態様では、光結合モジュールの製造方法は、第１光導波路と、上記第１光導波路が配置される第１基板と、上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、上記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、第２光導波路と、上記第２光導波路が配置され、上記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、上記第２基板に配置され、上記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、上記一対の当接部間の距離が、上記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、を用いて、上記第１の温度において、上記一対の当接受け部間に上記一対の当接部が位置し、上記一対の梁部が、上記第２基板から離れながら上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ上記第１光導波路と上記第２光導波路とが対向するように、上記第１光素子を上記第２光素子上に配置し、上記一対の梁部を、上記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、上記一対の梁部が熱膨張により延びて、上記一対の当接部が上記一対の当接受け部と当接することにより、上記一対の梁部が上記第１基板を両側から上記第２基板に向かって押しつけて、上記第１光導波路と上記第２光導波路とを光学的に結合させる。
【００２８】
更に、１つの態様では、他の光結合モジュールの製造方法は、第１光導波路と、上記第１光導波路が配置される第１基板と、上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、上記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、第２光導波路と、上記第２光導波路が配置され、上記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、上記第２基板に配置され、上記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、上記一対の当接部間の距離が、上記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、を用いて、上記一対の梁部を、上記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、上記一対の梁部が熱膨張により延びた状態で、上記一対の当接部間に上記一対の当接受け部が位置し、上記一対の梁部が、第２基板に近づきながら上記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ上記第１光導波路と上記第２光導波路とが対向するように、上記第１光素子を上記第２光素子上に配置し、上記一対の梁部を、上記第２の温度よりも低い第３の温度に降温し、上記一対の梁部が熱収縮により縮小して、上記一対の当接部が上記一対の当接受け部と当接することにより、上記一対の梁部が上記第１基板を両側から上記第２基板に向かって引っ張って、上記第１光導波路と上記第２光導波路とを光学的に結合させる。
【発明の効果】
【００２９】
１つの側面として、光結合モジュールは、光ファイバと光デバイスとの間の光結合を、容易に行うことが可能である。
【００３０】
また、１つの側面として、光結合モジュールの製造方法では、光ファイバと光デバイスとの間の光結合を、容易に行うことが可能な光結合モジュールが得られる。
【００３１】
本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。
【００３２】
前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来例の光結合モジュールを示す図である。
【図２】（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の平面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図３】本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の製造方法を説明する図（その１）である。
【図４】本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の製造方法を説明する図（その２）である。
【図５】（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の変形例の平面図であり、（Ｂ）は、図５（Ａ）のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【図６】（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第２実施形態の平面図であり、（Ｂ）は、図６（Ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
【図７】本明細書に開示する光結合モジュールの第２実施形態の製造方法を説明する図（その１）である。
【図８】本明細書に開示する光結合モジュールの第２実施形態の製造方法を説明する図（その２）である。
【図９】（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第３実施形態の平面図であり、（Ｂ）は、図９（Ａ）のＺ−Ｚ線断面図である。
【図１０】本明細書に開示する光結合モジュールの第３実施形態の製造方法を説明する図（その１）である。
【図１１】本明細書に開示する光結合モジュールの第３実施形態の製造方法を説明する図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本明細書で開示する光結合モジュールの好ましい第１実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００３５】
図２（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の平面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【００３６】
本実施形態の光結合モジュール１０は、複数の第１光導波路２２が配置された第１基板２１を有する第１光素子２０と、複数の第２光導波路３２が配置された第２基板３１を有する第２光素子３０を備える。
【００３７】
第２光素子３０は、シリコンフォトニクスデバイスであり、第２基板３１は、シリコンにより形成される。また、各第２光導波路３２は、シリコン細線光導波路により形成されたスポットサイズ変換導波路である。各第２光導波路３２は、例えば、図示しない光生成部又は光検出部又は光変調部等と光学的に結合しており光信号を伝搬する。
【００３８】
第１光素子２０の各第１光導波路２２は、シングルモードの光ファイバ（図示せず）と光学的に結合している。第１光素子２０は、第２光素子３０の各第２光導波路３２を、シングルモードの光ファイバ（図示せず）と光学的に結合する。
【００３９】
第１光素子２０は、複数の第１光導波路２２と、複数の第１光導波路２２が配置される第１基板２１と、第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部２３と、一対の梁部２３の端部に配置される一対の当接部２４と、を有する。
【００４０】
各第１光導波路２２は、所定の間隔をあけて、光を伝搬する向きに延びている。各第１光導波路２２は、第１基板２１の一方の表面に露出するように配置される。以下、本明細書において、第１光導波路２２が延びる方向を長手方向ともいう。また、本明細書において、この長手方向と直交する方向を幅方向ともいう。
【００４１】
一対の梁部２３それぞれは、長手方向に延びる縦長の板状の形状を有している。一対の梁部２３は、第１基板２１の幅方向の中心線（図示せず）に対して、対称に配置される。一対の梁部２３は、可撓性又は弾性を有することが好ましい。各梁部２３は、幅方向の一方の端部が第１基板２１と接合され、幅方向の他方の端部が当接部２４と接合される。
【００４２】
一対の梁部２３それぞれは、第２基板３１から離れるように、第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに延びている。
【００４３】
第２光素子３０は、第１光導波路２２と同じ数の第２光導波路３２と、各第２光導波路３２が配置され、一対の梁部２３よりも熱膨張係数の小さい第２基板３１と、第２基板３１に配置され、一対の当接部２４と当接する一対の当接受け部３３とを有する。
【００４４】
各第２光導波路３２は、所定の間隔をあけて、長手方向に延びている。各第２光導波路３２の間隔及び位置は、対応する第１光導波路２２と対向するように決定される。各第２光導波路３２は、第２基板３１の一方の表面に露出するように配置される。
【００４５】
一対の当接受け部３３は、第２基板３１上に間隔をあけて対向するように配置される。一対の当接受け部３３は、第２基板３１から突出している一対の突出部である。以下、一対の当接受け部３３を、一対の突出部ともいう。
【００４６】
一対の当接部２４は、一対の突出部３３間に配置されて、一対の突出部３３と当接している。
【００４７】
複数の第１光導波路２２は、対応する第２光導波路３２と光学的に結合するように、第１基板２１が第２基板３１上に配置されており、一対の梁部２３は、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押している。一対の梁部２３は、第１基板２１を押すのと同じ大きさの力で、当接部２４を押している。
【００４８】
一対の梁部２３が、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押圧する力は、詳しくは後述するが、一対の梁部２３を含む第１光素子２０の熱膨張係数と、第２基板３１の熱膨張係数との差に基づいて発生する。上述したように、第２基板３１の熱膨張係数は、一対の梁部２３の熱膨張係数よりも小さい。
【００４９】
第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押圧することにより、第１光素子２０の第２光素子３０に対する長手方向及び幅方向への移動と、第２光素子３０の表面に垂直な方向への移動とが規制される。このようにして、各第１光導波路２２と対応する第２光導波路３２との間の位置関係が精度良く決定されている。従って、各第１光導波路２２と対応する第２光導波路３２との間の良好な光学的結合状態が確保される。
【００５０】
上述した観点から、一対の梁部２３の線熱膨張係数と、第２基板３１の線熱膨張係数との差は、１０×１０−６（１／Ｋ）以上、特に４０〜６０×１０−６（１／Ｋ）以上、更には５０〜４００×１０−６（１／Ｋ）以上であることが好ましい。
【００５１】
一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押圧する力を増加させる観点から、第１基板２１及び／又は一対の当接部２４の熱膨張係数は、第２基板３１よりも大きいことが好ましい。
【００５２】
また、各第１光導波路２２の間隔が熱膨張により変化することを低減する観点から、第１基板２１の熱膨張係数は、一対の梁部２３よりも小さいことが好ましい。
【００５３】
一対の梁部２３の形成材料としては、例えば、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂（線熱膨張係数：約５０×１０−６（１／Ｋ））、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂（線熱膨張係数：１７〜４０×１０−５（１／Ｋ））、アクリル樹脂（線熱膨張係数：約７〜８×１０−５（１／Ｋ））、ポリカーボネート樹脂（線熱膨張係数：約７×１０−５（１／Ｋ））、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンプラスチック（ＡＢＳ）（線熱膨張係数：６〜１３×１０−５（１／Ｋ））が挙げられる。
【００５４】
第１基板２１及び一対の当接部２４の形成材料としては、一対の梁部２３と同様のものを用いることができる。また、第１基板２１の形成材料としては、可視光を透過する材料を用いることが、第１光導波路２２と第２光導波路３２との位置関係を確認できる観点から好ましい。
【００５５】
第２基板３１の形成材料としては、例えば、シリコン（線熱膨張係数：約２．４×１０−６（１／Ｋ））、石英ガラス（線熱膨張係数：約０．５×１０−６（１／Ｋ））、ガリウムヒ素（線熱膨張係数：約６．９×１０−６（１／Ｋ））、インジウムリン（線熱膨張係数：約４．５×１０−６（１／Ｋ））が挙げられる。
【００５６】
一対の突出部３３の形成材料としては、第２基板３１と同様のものを用いることができる。
【００５７】
次に、上述した本実施形態の光結合モジュール１０の製造方法を、図３及び図４を参照しながら、以下に説明する。
【００５８】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１の温度において、一対の突出部３３間に一対の当接部２４が位置し、一対の梁部２３が、第２基板３１から離れながら第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ各第１光導波路２２が対応する第２光導波路３２と対向するように、第１光素子２０が第２光素子３０上に配置される。
【００５９】
第１の温度では、第１光素子２０の幅方向の長さ（一対の当接部２４間の距離）Ｌ１は、一対の突出部３３間の長さＬ２よりも短い。従って、各第１光導波路２２が対応する第２光導波路３２と対向するように、第１光素子２０を、第２光素子３０上に容易に配置することができる。
【００６０】
本実施形態では、第１光素子２０を形成する一対の梁部２３、第１基板２１及び一対の当接部２４は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂（線熱膨張係数：約５０×１０−６（１／Ｋ））により形成される。また、第２光素子３０を形成する第２基板３１及び一対の突出部３３は、シリコン（線熱膨張係数：約２．４×１０−６（１／Ｋ））により形成される。一対の梁部２３を含む第１光素子２０の線熱膨張係数は、第２基板３１の線熱膨張係数よりも一桁大きい。
【００６１】
第１の温度を２５℃とすると、第１基板２１の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法は２ｍｍである。梁部２３と当接部２４とをあわせた幅方向の寸法は１ｍｍである。従って、第１光素子２０の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法（長さＬ１）は４ｍｍ（４０００μｍ）である。第１基板２１には、８つの第１光導波路２２が２５０μｍの間隔で配置される。
【００６２】
また、第１の温度（２５℃）において、一対の突出部３３間の長さＬ２は、４．０１０ｍｍ（４０１０μｍ）である。
【００６３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、一対の梁部２３が、第１の温度（２５℃）よりも高い第２の温度（１５０℃）に昇温される。本実施形態では、第１光素子２０及び第２光素子３０の全体が、第２の温度（１５０℃）に昇温された。
【００６４】
そして、一対の梁部２３を含む第１光素子２０が熱膨張により延びて、一対の当接部２４が一対の突出部３３と当接することにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつけて、第１光導波路２２と第２光導波路３２とを光学的に結合させる。
【００６５】
第２の温度（１５０℃）において、第１光素子２０は、自由状態において、幅方向の寸法（長さＬ１）が第１の温度（２５℃）の時よりも約２０μｍ延びる。一方、第２の温度（１５０℃）において、一対の突出部３３間の長さＬ２は、自由状態において、第１の温度（２５℃）の時よりも約１μｍ延びる。
【００６６】
従って、第２の温度（１５０℃）において、第１光素子２０の幅方向の寸法（長さＬ１）は、自由状態において、一対の突出部３３間の長さＬ２よりも１０μｍ弱長くなる。一対の突出部３３間の長さＬ２よりも１０μｍ弱長くなっている部分は、主に一対の梁部２３が撓むことにより吸収される。また、この一対の梁部２３が撓むことにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつける力が生じる。
【００６７】
このようにして、第１光素子２０の第２光素子３０に対する長手方向及び幅方向への移動と、第２光素子３０の表面に垂直な方向への移動とが規制される。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す状態は、図３（Ｂ）の状態に対応する。こうして、本実施形態の光結合モジュール１０が得られる。
【００６８】
例えば、図３（Ａ）の工程では、第２光素子３０上への第１光素子２０の搭載を、位置の搭載精度が数μｍのマウンタを用いて行うことができる。そして、図３（Ｂ）の工程では、第１光素子２０と第２光素子３０との熱膨張係数の差に基づいて、各第１光導波路２２と対応する第２光導波路３２との間の位置関係が、自動的に精度良く決定される。そのため、マウンタを使用する時間を短縮できるので、光結合モジュールを製造するイールドを向上させて、製造コストを低減することが可能となる。
【００６９】
第１光素子２０における各第１光導波路２２の配置は、第２光素子３０における各第２光導波路３２と対応するように決定され得る。
【００７０】
また、第２の温度は、第１の温度、及び熱膨張係数の差、及び一対の梁部２３と一対の突出部３３との位置関係等に基づいて決定され得る。
【００７１】
次に、図４（Ａ）に示すように、第２の温度において、第１基板２１と第２基板３１とが、接着材４０を用いて接着される。接着材４０としては、例えば、光硬化性接着材を用いることができる。また、図３（Ａ）に示す第１の温度において、第１基板２１と第２基板３１との間に熱硬化性接着材を塗布しておき、第２の温度に昇温する過程において、第１基板２１と第２基板３１とを接着してもよい。
【００７２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、光結合モジュール１０が、第２の温度よりも低い温度、例えば、室温（２５℃）に降温される。一対の梁部２３を含む第１光素子２０、及び第２光素子３０は熱収縮する。一対の梁部２３及び一対の当接部２４は、熱収縮により幅方向の寸法が短くなって、一対の当接部２４は、一対の突出部３３とは当接しなくなる場合もある。一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつける力は低減するか又は消滅するが、第１基板２１と第２基板３１とは接着剤４０を用いて接着されているので、室温においても、第１光導波路２２と第２光導波路３２との光学的結合状態は維持される。
【００７３】
上述した本実施形態の光結合モジュール１０によれば、第１光素子２０の第２光導波路３２と光学的に結合されたシングルモードの光ファイバと、光デバイスである第２光素子３０との間の光結合を、精度良く容易に行うことができる。
【００７４】
なお、上述した実施形態では、第１光素子２０は、ポリエーテルイミドを用いて形成されていたが、第１基板２１と他の構成要素とは、別の材料を用いて形成されていてもよい。例えば、第１基板２１がポリエーテルイミドを用いて形成され、一対の梁部２３及び一対の当接部２４を、ポリエチレンテレフタレートを用いて形成してもよい。この場合には、ポリエチレンテレフタレートの線熱膨張係数がポリエーテルイミドよりも大きいので、第２の温度を、上述した実施形態よりも低く設定できる。
【００７５】
また、上述した実施形態では、第１の温度を室温（２５℃）としていたが、第１の温度を低温（例えば、−５０℃）して、第２の温度を室温としてもよい。この場合には、室温において、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつける力が生じるので、第１基板２１と第２基板３１とを接着しなくてもよい。
【００７６】
次に、上述した第１実施形態の光結合モジュール１０の変形例を、図５を参照しながら、以下に説明する。
【００７７】
図５（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第１実施形態の変形例の平面図であり、（Ｂ）は、図５（Ａ）のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【００７８】
本変型例の光結合モジュールでは、第１光素子２０の第１基板２１のモジュールが、上述した第１実施形態とは異なっている。
【００７９】
第１光素子２０において、隣接する第１光導波路２２の間には、スリット２５が配置されている。スリット２５は、長手方向に延びるように、第１光導波路２２と並んで配置される。
【００８０】
一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつけている状態において、第１基板２１には幅方向に圧縮する応力が働く。この時、スリット２５が変形することにより、第１基板２１が歪むことを低減して、各第１光導波路２２の間隔が変化することを抑制できる。
【００８１】
次に、上述した光結合モジュールの他の実施形態を、図６〜図１１を参照しながら以下に説明する。他の実施形態について特に説明しない点については、上述の第１実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【００８２】
図６（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第２実施形態の平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
【００８３】
本実施形態の光結合モジュール１０は、第１光素子２０の一対の当接部と、第２光素子３０の一対の当接受け部が、上述した第１実施形態とは異なっている。
【００８４】
第２光素子３０には、第２基板３１に設けられた一対の溝部３４が配置される。一対の溝部３４は、第２基板３１上に間隔をあけて対向するように配置される。一対の溝部３４は、第１光素子２０が配置される側に開口している。溝部３４は、第１側面３４ａと、第１側面３４ａと間隔をあけて対向する第２側面３４ｂを有する。
【００８５】
第２光素子３０の一対の当接受け部は、第２基板に設けられた一対の溝部の第１側面３４ａである。以下、一対の当接受け部を、一対の溝部の第１側面３４ａともいう。
【００８６】
第１光素子２０における一対の当接部２４それぞれは、長手方向に延びる縦長の板状の形状を有している。当接部２４における幅方向の一方の端部は、梁部２３と接合している。当接部２４における幅方向の他方の端部側の部分は、溝部の第１側面３４ａと当接している。溝部３４の幅方向の寸法は、当接部２４の厚さよりも大きい。当接部２４は、可撓性又は弾性を有することが好ましい。
【００８７】
一対の当接部２４は、一対の溝部の第１側面３４ａ間に配置されて、一対の溝部の第１側面３４ａと当接している。
【００８８】
一対の当接部２４は、溝部の第１側面３４ａと当接する第１側面２４ａと、第２側面２４ｂを有する。
【００８９】
複数の第１光導波路２２は、対応する第２光導波路３２と光学的に結合するように、第１基板２１が第２基板３１上に配置されており、一対の梁部２３は、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押している。一対の梁部２３は、第１基板２１を押すのと同じ大きさの力で、当接部２４を押している。
【００９０】
一対の梁部２３が、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押圧する力は、一対の梁部２３を含む第１光素子２０の熱膨張係数と、第２基板３１の熱膨張係数との差に基づいて発生する。第２基板３１の熱膨張係数は、一対の梁部２３の熱膨張係数よりも小さい。
【００９１】
次に、上述した本実施形態の光結合モジュール１０の製造方法を、図７及び図８を参照しながら、以下に説明する。
【００９２】
まず、図７（Ａ）に示すように、第１の温度において、一対の溝部の第１側面３４ａ間に一対の当接部２４が位置し、一対の梁部２３が、第２基板３１から離れながら第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ各第１光導波路２２が対応する第２光導波路３２と対向するように、第１光素子２０が第２光素子３０上に配置される。
【００９３】
第１の温度では、第１光素子２０の幅方向の長さ（一対の当接部２４間の距離）Ｌ１は、一対の溝部の第１側面３４ａ間の長さＬ２よりも短い。従って、各第１光導波路２２が対応する第２光導波路３２と対向するように、第１光素子２０を、第２光素子３０上に容易に配置することができる。なお、長さＬ１は、一対の当接部の第１側面２４ａ間の距離でもある。
【００９４】
本実施形態では、第１光素子２０を形成する一対の梁部２３、第１基板２１及び一対の当接部２４は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂（線熱膨張係数：約５０×１０−６（１／Ｋ））により形成される。また、一対の溝部３４を含む第２基板３１は、シリコン（線熱膨張係数：約２．４×１０−６（１／Ｋ））により形成される。一対の梁部２３を含む第１光素子２０の線熱膨張係数は、第２基板３１の線熱膨張係数よりも一桁大きい。
【００９５】
第１の温度を２５℃とすると、第１基板２１の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法は２ｍｍである。梁部２３と当接部２４とをあわせた幅方向の寸法は１ｍｍである。従って、第１光素子２０の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法（長さＬ１）は４ｍｍ（４０００μｍ）である。
【００９６】
また、第１の温度（２５℃）において、一対の溝部の第１側面３４ａ間の長さＬ２は、４．０１０ｍｍ（４０１０μｍ）である。
【００９７】
次に、図７（Ｂ）に示すように、一対の梁部２３が、第１の温度（２５℃）よりも高い第２の温度（１５０℃）に昇温される。本実施形態では、第１光素子２０及び第２光素子３０の全体が、第２の温度（１５０℃）に昇温された。
【００９８】
そして、一対の梁部２３を含む第１光素子２０が熱膨張により延びて、一対の当接部２４が一対の溝部の第１側面３４ａと当接することにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつけて、第１光導波路２２と第２光導波路３２とを光学的に結合させる。
【００９９】
当接部２４の第１側面２４ａは、溝部の第１側面３４ａと当接する。
【０１００】
第２の温度（１５０℃）において、第１光素子２０は、幅方向の寸法（長さＬ１）が第１の温度（２５℃）の時よりも約２０μｍ延びる。一方、第２の温度（１５０℃）において、一対の溝部の第１側面３４ａ間の長さＬ２は、第１の温度（２５℃）の時よりも約１μｍ延びる。
【０１０１】
従って、第２の温度（１５０℃）において、第１光素子２０の幅方向の寸法（長さＬ１）は、自由状態において、一対の溝部の第１側面３４ａ間の長さＬ２よりも１０μｍ弱長くなる。一対の溝部の第１側面３４ａ間の長さＬ２よりも１０μｍ弱長くなっている部分は、主に一対の梁部２３及び一対の当接部２４が撓むことにより吸収される。また、この一対の梁部２３及び一対の当接部２４が撓むことにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつける力が生じる。
【０１０２】
このようにして、第１光素子２０の第２光素子３０に対する長手方向及び幅方向への移動と、第２光素子３０の表面に垂直な方向への移動とが規制される。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す状態は、図７（Ｂ）の状態に対応する。こうして、本実施形態の光結合モジュール１０が得られる。
【０１０３】
次に、図８（Ａ）に示すように、第２の温度において、第１基板２１と第２基板３１とが、接着材４０を用いて接着される。接着材４０としては、例えば、光硬化性接着材を用いることができる。
【０１０４】
次に、図８（Ｂ）に示すように、光結合モジュール１０が、第２の温度よりも低い温度、例えば、室温（２５℃）に降温される。一対の梁部２３を含む第１光素子２０、及び第２光素子３０は熱収縮する。一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって押しつける力は低減するか又は消滅するが、第１基板２１と第２基板３１とは接着剤４０を用いて接着されているので、室温においても、第１光導波路２２と第２光導波路３２との光学的結合状態は維持される。
【０１０５】
上述した本実施形態の光結合モジュールによれば、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【０１０６】
次に、本明細書に開示する光導波路の第３実施形態を、以下に説明する。
【０１０７】
図９（Ａ）は、本明細書に開示する光結合モジュールの第３実施形態の平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＺ−Ｚ線断面図である。
【０１０８】
本実施形態の光結合モジュール１０は、第１光素子２０の一対の梁部２３及び一対の当接部２４と、第２光素子３０の一対の当接受け部が、上述した第１実施形態とは異なっている。
【０１０９】
第２光素子３０には、第２基板３１に設けられた一対の溝部３５が配置される。一対の溝部３５は、第２基板３１上に間隔をあけて対向するように配置される。一対の溝部３５は、第１光素子２０が配置される側に開口している。溝部３５は、第１側面３５ａと、第１側面３５ａと間隔をあけて対向する第２側面３５ｂを有する。
【０１１０】
第２光素子３０の一対の当接受け部は、第２基板に設けられた一対の溝部の第２側面３５ｂである。以下、第２光素子３０の一対の当接受け部を、一対の溝部の第２側面３５ｂともいう。
【０１１１】
第１光素子２０の一対の梁部２３それぞれは、第２基板３１に近づくように、第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに延びている。
【０１１２】
第１光素子２０における一対の当接部２４それぞれは、長手方向に延びる縦長の板状の形状を有している。当接部２４における幅方向の一方の端部側の部分は、梁部２３と接合している。当接部２４における幅方向の他方の端部側の部分は、溝部の第２側面３５ｂと当接している。溝部３５の幅方向の寸法は、当接部２４の厚さよりも大きい。当接部２４は、可撓性又は弾性を有することが好ましい。
【０１１３】
一対の溝部の第２側面３５ｂは、一対の当接部２４間に配置されて、一対の当接部２４と当接している。
【０１１４】
一対の当接部２４は、第１側面２４ａと、溝部の第２側面３５ｂと当接する第２側面２４ｂを有する。
【０１１５】
複数の第１光導波路２２は、対応する第２光導波路３２と光学的に結合するように、第１基板２１が第２基板３１上に配置されており、一対の梁部２３は、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かってに引っ張っている。一対の梁部２３は、第１基板２１を引っ張るのと同じ大きさの力で、当接部２４を引っ張っている。
【０１１６】
一対の梁部２３が、第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって引っ張る力は、一対の梁部２３を含む第１光素子２０の熱膨張係数と、第２基板３１の熱膨張係数との差に基づいて発生する。第２基板３１の熱膨張係数は、一対の梁部２３の熱膨張係数よりも小さい。
【０１１７】
次に、上述した本実施形態の光結合モジュール１０の製造方法を、図１０及び図１１を参照しながら、以下に説明する。
【０１１８】
まず、図１０（Ａ）に示すように、第１の温度では、一対の当接部２４間の長さＬ１が、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも短い。そのため、一対の当接部２４を一対の溝部の第２側面３５ｂに当接させて、第１光素子２０を第２光素子３０上に配置することはまだ行われない。なお、長さＬ１は、一対の当接部の第２側面２４ｂ間の距離でもある。
【０１１９】
本実施形態では、第１光素子２０を形成する一対の梁部２３、第１基板２１及び一対の当接部２４は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂（線熱膨張係数：約５０×１０−６（１／Ｋ））により形成される。また、一対の溝部３５を含む第２基板３１は、シリコン（線熱膨張係数：約２．４×１０−６（１／Ｋ））により形成される。一対の梁部２３を含む第１光素子２０の線熱膨張係数は、第２基板３１の線熱膨張係数よりも一桁大きい。
【０１２０】
第１の温度を２５℃とすると、第１基板２１の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法は２ｍｍである。梁部２３と当接部２４とをあわせた幅方向の寸法は１ｍｍである。従って、第１光素子２０の長手方向の寸法は３ｍｍであり、幅方向の寸法は４ｍｍである。一対の当接部２４間の長さＬ１は、３．７ｍｍ（３７００μｍ）であり、当接部２４の厚さは、１５０μｍである。
【０１２１】
また、第１の温度（２５℃）において、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２は、３．７１ｍｍ（３７１０μｍ）である。一対の溝部の第１側面３５ａ間の長さは、４．２１ｍｍである。
【０１２２】
第１の温度では、一対の当接部２４間の長さＬ１は、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも約１０μｍ短い。
【０１２３】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、一対の梁部２３が、第１の温度（２５℃）よりも高い第２の温度（１５０℃）に昇温される。本実施形態では、第１光素子２０及び第２光素子３０の全体が、第２の温度（１５０℃）に昇温された。
【０１２４】
そして、一対の梁部２３を含む第１光素子２０が熱膨張により延びる。
【０１２５】
第２の温度（１５０℃）において、第１光素子２０は、幅方向の寸法が第１の温度（２５℃）の時よりも約２０μｍ延びる。これにより、一対の当接部２４間の長さＬ１も、第１の温度（２５℃）の時よりも約２０μｍ延びる。一方、第２の温度（１５０℃）において、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２は、第１の温度（２５℃）の時よりも約１μｍ延びる。即ち、第２の温度では、一対の当接部２４間の距離Ｌ１は、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも約１０μｍ長くなる。
【０１２６】
次に、図１１（Ａ）に示すように、第２の温度（１５０℃）において、一対の梁部２３が熱膨張により延びた状態で、一対の当接部２４間に一対の溝部の第２側面３５ｂが位置し、一対の梁部２３が、第２基板３１に近づきながら第１基板２１の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ第１光導波路２２と第２光導波路３２とが対向するように、第１光素子２０が第２光素子３０上に配置される。
【０１２７】
上述したように、一対の当接部２４間の距離Ｌ１は、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも長いので、各第１光導波路２２が対応する第２光導波路３２と対向するように、第１光素子２０を、第２光素子３０上に容易に配置することができる。
【０１２８】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、一対の梁部２３が、第２の温度（１５０℃）よりも低い室温（２５℃）に降温される。本実施形態では、第１光素子２０及び第２光素子３０の全体が、室温（２５℃）に降温された。一対の梁部２３を含む第１光素子２０、及び第２光素子３０は熱収縮する。
【０１２９】
そして、一対の梁部２３を含む第１光素子２０が熱収縮により縮小して、一対の当接部２４が一対の溝部の第２側面３５ｂと当接することにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって引っ張って、第１光導波路２２と第２光導波路３２とを光学的に結合させる。
【０１３０】
当接部２４の第２側面２４ｂは、溝部の第２側面３５ｂと当接する。
【０１３１】
室温（２５℃）において、一対の当接部２４間の長さＬ１は、自由状態において、一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも約１０μｍ短い。一対の溝部の第２側面３５ｂ間の長さＬ２よりも約１０μｍ短くなっている部分は、主に一対の梁部２３及び一対の当接部２４が撓むことにより吸収される。また、この一対の梁部２３及び一対の当接部２４が撓むことにより、一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって引っ張る力が生じる。なお、第１光素子２０と第２光素子３０とを接着材を用いて接着してもよい。
【０１３２】
上述した本実施形態の光結合モジュールによれば、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【０１３３】
なお、本実施形態の第１光素子２０の第１基板２１は、図５に示すようなスリットを有していてもよい。
【０１３４】
一対の梁部２３が第１基板２１を両側から第２基板３１に向かって引っ張っている状態において、第１基板２１には幅方向に引っ張る応力が働く。この時、スリット２５が変形することにより、第１基板２１が歪むことを低減して、各第１光導波路２２の間隔が変化することを抑制できる。
【０１３５】
本発明では、上述した実施形態の光結合モジュール及び光結合モジュールの製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態又は変形例が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。
【０１３６】
ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。
【０１３７】
以上の上述した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１３８】
（付記１）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、
を備え、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とが光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置されており、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板から離れるように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、
前記一対の当接部は、前記一対の当接受け部間に配置されて、前記一対の当接受け部と当接しており、
前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって押している光結合モジュール。
【０１３９】
（付記２）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有する第２光素子と、
を備え、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とが光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置されており、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板に近づくように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びており、
前記一対の当接受け部は、前記一対の当接部間に配置されて、前記一対の当接部と当接しており、
前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって引っ張っている光結合モジュール。
【０１４０】
（付記３）
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板に設けられた溝部である付記１又は２に記載の光結合モジュール。
【０１４１】
（付記４）
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板上から突出している突出部である付記１に記載の光結合モジュール。
【０１４２】
（付記５）
前記第１基板の熱膨張係数は、前記第２基板よりも大きい付記１〜４の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【０１４３】
（付記６）
前記第１基板の熱膨張係数は、前記一対の梁部よりも小さい付記１〜５の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【０１４４】
（付記７）
前記一対の梁部は、前記第１基板に対して対称に配置される付記１〜６の何れか一項に記載の光結合モジュール。
【０１４５】
（付記８）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、前記一対の当接部間の距離が、前記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、
を用いて、
前記第１の温度において、前記一対の当接受け部間に前記一対の当接部が位置し、前記一対の梁部が、前記第２基板から離れながら前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ前記第１光導波路と前記第２光導波路とが対向するように、前記第１光素子を前記第２光素子上に配置し、
前記一対の梁部を、前記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、前記一対の梁部が熱膨張により延びて、前記一対の当接部が前記一対の当接受け部と当接することにより、前記一対の梁部が前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって押しつけて、前記第１光導波路と前記第２光導波路とを光学的に結合させる光結合モジュールの製造方法。
【０１４６】
（付記９）
前記第２の温度において、第１基板と第２基板とを接着する付記８に記載の光結合モジュールの製造方法。
【０１４７】
（付記１０）
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板上から突出している突出部である付記８又は９に記載の光結合モジュールの製造方法。
【０１４８】
（付記１１）
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板に設けられた溝部である付記８又は９に記載の光結合モジュールの製造方法。
【０１４９】
（付記１２）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに斜めに延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子と、
第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接する一対の当接受け部とを有し、第１の温度では、前記一対の当接部間の距離が、前記一対の当接受け部間の距離よりも短い第２光素子と、
を用いて、
前記一対の梁部を、前記第１の温度よりも高い第２の温度に昇温して、前記一対の梁部が熱膨張により延びた状態で、前記一対の当接部間に前記一対の当接受け部が位置し、前記一対の梁部が、前記第２基板に近づきながら前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延びるように、且つ前記第１光導波路と前記第２光導波路とが対向するように、前記第１光素子を前記第２光素子上に配置し、
前記一対の梁部を、前記第２の温度よりも低い第３の温度に降温し、前記一対の梁部が熱収縮により縮小して、前記一対の当接部が前記一対の当接受け部と当接することにより、前記一対の梁部が前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって引っ張って、前記第１光導波路と前記第２光導波路とを光学的に結合させる光結合モジュールの製造方法。
【０１５０】
（付記１３）
前記一対の当接受け部それぞれは、前記第２基板に設けられた溝部である付記１２に記載の光結合モジュールの製造方法。
【０１５１】
（付記１４）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子であって、
前記第１光導波路は、第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接可能な一対の当接受け部とを有する第２光素子における前記第２光導波路と光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置され、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板から離れるように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延び、前記一対の当接部は、前記一対の当接受け部間に配置されて、前記一対の当接部と前記一対の当接受け部とは当接し、前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって押しつけ可能になされている第１光素子。
【０１５２】
（付記１５）
第１光導波路と、前記第１光導波路が配置される第１基板と、前記第１基板の対向する端部から延びる一対の梁部と、前記一対の梁部の端部に配置される一対の当接部と、を有する第１光素子であって、
前記第１光導波路は、第２光導波路と、前記第２光導波路が配置され、前記一対の梁部よりも熱膨張係数の小さい第２基板と、前記第２基板に配置され、前記一対の当接部と当接可能な一対の当接受け部とを有する第２光素子における前記第２光導波路と光学的に結合するように、前記第１基板が前記第２基板上に配置され、前記一対の梁部それぞれは、前記第２基板に近づくように、前記第１基板の対向する端部それぞれから反対向きに延び、前記一対の当接受け部は、前記一対の当接部間に配置されて、前記一対の当接部と、前記一対の当接受け部とは当接し、前記一対の梁部は、前記第１基板を両側から前記第２基板に向かって引っ張り可能になされている第１光素子。
【符号の説明】
【０１５３】
１０    光結合モジュール
２０    第１光素子
２１    第１基板
２２    第１光導波路
２３    梁部
２４    当接部
２４ａ    第１側面
２４ｂ    第２側面
２５    スリット
３０    第２光素子
３１    第２基板
３２    第２光導波路
３３    突出部（当接受け部）
３４    溝部
３４ａ    第１側面（当接受け部）
３４ｂ    第２側面
３５    溝部
３５ａ    第１側面
３５ｂ    第２側面（当接受け部）
４０    接着材
１１０    光結合モジュール
１２０    第１光素子
１２１    第１基板
１２２    第１光導波路
１２３    プラグ
１３０    第２光素子
１３１    第２基板
１３２    第２光導波路
１３３    溝部
【図１】
2018021945.tif 000003
【図２】
2018021945.tif 000004
【図３】
2018021945.tif 000005
【図４】
2018021945.tif 000006
【図５】
2018021945.tif 000007
【図６】
2018021945.tif 000008
【図７】
2018021945.tif 000009
【図８】
2018021945.tif 000010
【図９】
2018021945.tif 000011
【図１０】
2018021945.tif 000012
【図１１】
2018021945.tif 000013