(57)【要約】【課題】電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持可能な静電チャックプレートを提供する。【解決手段】板状の基板２の主面側に設定された一対の櫛歯電極３でウエーハＷを保持する双極型の静電チャックプレートであって、櫛歯電極３は、隙間を空けて並列する複数の枝部３１１、３２１と、複数の枝部３１１が連結する幹部３１２、複数の枝部３２１が連結する幹部３２１とを有し、一対の櫛歯電極３は、枝部３１１、３２１が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、枝部３１１は、電極の太さが異なる太幅領域３１１ａと細幅領域３１１ｂとが、延在方向に交互に形成され、枝部３２１は、電極の太さが異なる太幅領域３２１ａと細幅領域３２１ｂとが、延在方向に交互に形成され、一方の櫛歯電極３の太幅領域３１１ａ、３２１ａの両隣に、他方の櫛歯電極３の細幅領域３１１ｂ、３２１ｂが配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の基板の主面側に設定された一対の櫛歯電極で被加工物を保持する双極型の静電チャックプレートであって、
該櫛歯電極は、
隙間を空けて並列する複数の枝部と、
複数の該枝部が連結する幹部と、を有し、
一対の該櫛歯電極は、該枝部が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、
該枝部は、
電極の太さが異なる太幅領域と細幅領域が、延在方向に交互に形成され、
一方の該櫛歯電極の該太幅領域の両隣には、他方の該櫛歯電極の該細幅領域が配置されることを特徴とする静電チャックプレート。
【請求項２】
請求項１記載の静電チャックプレートの製造方法であって、
板状の基板の主面側に絶縁層を被覆する絶縁層被覆ステップと、
該基板の該絶縁層に電極となる金属層を被覆する金属層被覆ステップと、
該櫛歯電極となる領域を残して該金属層をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。
【請求項３】
該絶縁層被覆ステップ又は該金属層被覆ステップでは、該基板の主面側と反対側の裏面側にも絶縁層または金属層を被覆することを特徴とする請求項２記載の静電チャックプレートの製造方法。
【請求項４】
該櫛歯電極形成ステップの後に、該櫛歯電極を覆い被加工物を保持する保持面となる保持面絶縁層を被覆する保持面絶縁層被覆ステップを備えることを特徴とする請求項２又は３記載の静電チャックプレートの製造方法。
【請求項５】
該絶縁層被覆ステップ、該金属層被覆ステップ又は該保持面絶縁層被覆ステップで被覆した表面をバイト工具で切削し平坦化する平坦化ステップを備えることを特徴とする請求項２、３又は４記載の静電チャックプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエーハ等の被加工物をＣＶＤ装置や研削装置、レーザー加工装置、バイト切削装置といった各種加工装置を用いて加工する際に、被加工物に保護部材を取り付け、被加工物の保護部材の取り付け面を保護したり、被加工物の破損を防いだりする技術が知られている。一般に、保護部材は、例えばバックグラインドテープやダイシングテープ等の粘着テープ、またはワックス等により貼着されるガラスやセラミックスといった硬質基板等が用いられる。このように、被加工物に保護部材を粘着剤により貼着する場合、保護部材の被加工物への貼着や剥離に手間がかかる。また、保護部材の一部が使い捨てになる場合がある。
【０００３】
粘着剤を用いない保護部材としては、静電チャックプレートやバキュームチャックプレートがある。例えば、特許文献１には、電極部が埋設された平坦な電気絶縁層を表面に備えるプレート本体と、吸着する被加工物（ウエーハ）の周縁部と対面する電気絶縁層の領域に配設された弾性部材とを備えた静電支持プレートが開示されている。この静電支持プレートは、電極部に電圧を印加することで発生する静電気力により、電気絶縁層上に配置された被加工物を吸着する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−０５１８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
静電チャックプレートは、被加工物の加工時や搬送時等に、その取扱いを容易とするために、電極部への給電停止後にも被加工物に対する吸着力が維持されるように、より強い吸着力を得ることが好ましい。上記特許文献１に記載の静電支持プレートは、被加工物を吸着する電気絶縁層を平坦に形成したり、被加工物の周縁部に対応して配設された弾性部材によって被加工物と静電支持プレートとの隙間に異物が侵入しないようにしたりすることで、強い吸着力を得ている。しかしながら、静電チャックプレートの電極部への給電停止後における被加工物に対する吸着力の維持には、なお改善の余地がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持可能な静電チャックプレートの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、板状の基板の主面側に設定された一対の櫛歯電極で被加工物を保持する双極型の静電チャックプレートであって、該櫛歯電極は、隙間を空けて並列する複数の枝部と、複数の該枝部が連結する幹部と、を有し、一対の該櫛歯電極は、該枝部が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、該枝部は、電極の太さが異なる太幅領域と細幅領域が、延在方向に交互に形成され、一方の該櫛歯電極の該太幅領域の両隣には、他方の該櫛歯電極の該細幅領域が配置されることを特徴とする。
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、上記静電チャックプレートの製造方法であって、板状の基板の主面側に絶縁層を被覆する絶縁層被覆ステップと、該基板の該絶縁層に電極となる金属層を被覆する金属層被覆ステップと、該櫛歯電極となる領域を残して該金属層をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、該絶縁層被覆ステップ又は該金属層被覆ステップでは、該基板の主面側と反対側の裏面側にも絶縁層または金属層を被覆することが好ましい。
【００１０】
また、該櫛歯電極形成ステップの後に、該櫛歯電極を覆い被加工物を保持する保持面となる保持面絶縁層を被覆する保持面絶縁層被覆ステップを備えることが好ましい。
【００１１】
また、該絶縁層被覆ステップ、該金属層被覆ステップ又は該保持面絶縁層被覆ステップで被覆した表面をバイト工具で切削し平坦化する平坦化ステップを備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法は、電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態に係る静電チャックプレートを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の静電チャックプレートを示す平面図である。
【図３】図３は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図４は、静電チャックプレートに含まれる一対の櫛歯電極を示す拡大図である。
【図５】図５は、静電チャックプレートにより保持される被加工物としてのウエーハを示す斜視図である。
【図６】図６は、実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図７】図７は、内側絶縁層が被覆された静電チャックプレートの基板を示す断面図である。
【図８】図８は、内側絶縁層を平坦化する様子を示す断面図である。
【図９】図９は、金属層が被覆された静電チャックプレートの基板を示す断面図である。
【図１０】図１０は、櫛歯電極を形成する様子を示す断面図である。
【図１１】図１１は、静電チャックプレートによりウエーハを保持した様子を示す断面図である。
【図１２】図１２は、変形例にかかる一対の櫛歯電極の形状を示す拡大図である。
【図１３】図１３は、変形例にかかる一対の櫛歯電極の形状を示す拡大図である。
【図１４】図１４は、変形例にかかる一対の櫛歯電極の形状を示す拡大図である。
【図１５】図１５は、変形例にかかる一対の櫛歯電極の形状を示す拡大図である。
【図１６】図１６は、変形例にかかる一対の櫛歯電極の形状を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１５】
本発明の実施形態にかかる静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る静電チャックプレート１を示す斜視図であり、図２は、図１の静電チャックプレート１を示す平面図であり、図３は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図４は、静電チャックプレート１に含まれる一対の櫛歯電極３を示す拡大図である。図５は、図１から図３に示された静電チャックプレート１により保持される被加工物としてのウエーハＷを示す斜視図である。
【００１６】
実施形態に係る静電チャックプレート１は、板状の基板２の主面２ａ（図３参照）側に設定された一対の櫛歯電極３で、図５に示すウエーハＷ（被加工物）を保持する双極型の静電チャックプレートである。ウエーハＷは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図５に示すように、表面ＷＳの交差する複数の分割予定ラインＳによって区画された各領域にデバイスＤが形成されている。デバイスＤとして、ＩＣ（Integrated  Circuit）、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems：微少電気機械システム）等が、各領域に形成される。本実施形態に係る静電チャックプレート１は、ウエーハＷを複数の分割予定ラインＳに沿って複数のデバイスチップに分割するダイシング加工工程を実施する際に、各工程においてウエーハＷを支持する支持部材として用いられる。
【００１７】
実施形態に係る静電チャックプレート１は、図１および図２に示すように、円盤状に形成されている。静電チャックプレート１は、四角形状に形成されてもよい。静電チャックプレート１は、図３に示すように、上記基板２と、上記一対の櫛歯電極（電極回路）３を含み、基板２の主面２ａ側および主面２ａと反対側の裏面２ｂ側に被覆された金属層４と、基板２の表面（主面２ａ、裏面２ｂ）に被覆された内側絶縁層５ａおよび金属層４上に被覆された外側絶縁層（保持面絶縁層）５ｂを含む絶縁層５と、一対の櫛歯電極３に接続される電極端子部６とを備える。なお、図２においては、説明の簡略化のため、外側絶縁層５ａの記載を省略している。
【００１８】
基板２は、シリコン、ガラス、石英、またはセラミックスで形成された比較的硬質の板状の基板である。本実施形態では、基板２は、円盤状に形成される。なお、基板２は、平板上に形成されてもよい。基板２は、例えば径が３００ｍｍ程度であり、基板２は、厚さが１００μｍ〜８００μｍ程度である。
【００１９】
金属層４は、内側絶縁層５ａ上に被覆された金属材料からなる被膜層である。本実施形態において、金属層４は、一方の面に金属箔を施したポリイミドフィルム（例えば、宇部エクシモ株式会社製の銅箔ポリイミドフィルム）を用いて形成される。また、本実施形態において、金属層４は、基板２の表面（主面２ａ、裏面２ｂ）に沿って平坦に形成される。基板２の主面２ａ側における金属層４は、レーザーアブレーションによりパターニング除去されて一対の櫛歯電極３を構成している。また、金属層４は、図３に示すように、基板２の側面２ｃの一部にも被覆されており、側面２ｃに被覆された金属層４は、電極端子部６を形成する。
【００２０】
一対の櫛歯電極３は、正極電極３１および負極電極３２を備える。正極電極３１は、図２に示すように、基板２の主面２ａに沿って一方向に真っ直ぐ延びる複数の枝部３１１と、基板２の外縁部に沿って延びる幹部３１２とを有する。複数の枝部３１１は、基板２の電極端子部６が形成された外縁部２ｄ側から対向する外縁部２ｅ側に向けて、互いに隙間を空けて並列して配置される。各枝部３１１は、一方の端部において幹部３１２に連結される。各枝部３１１は、図２および図４に示すように、櫛歯状に形成されており、電極の太さが異なる太幅領域３１１ａと細幅領域３１１ｂが、延在方向に一定の間隔を空けながら交互に形成される。本実施形態において、太幅領域３１１ａは、細幅領域３１１ｂから円形に膨らんだ形状となっている。
【００２１】
負極電極３２は、図２に示すように、基板２の主面２ａに沿って一方向に真っ直ぐ延びる複数の枝部３２１と、基板２の外縁部に沿って延びる幹部３２２とを有する。複数の枝部３２１は、基板２の外縁部２ｄ側から外縁部２ｅ側に向けて、互いに隙間を空けて並列して配置される。各枝部３２１は、一方の端部（正極電極３１の幹部３１２とは反対側の端部）において幹部３２２に連結される。各枝部３２１は、図２および図４に示すように、櫛歯状に形成されており、電極の太さが異なる太幅領域３２１ａと細幅領域３２１ｂが、延在方向に一定の間隔を空けながら交互に形成される。本実施形態において、太幅領域３１１ａは、細幅領域３１１ｂから円形に膨らんだ形状となっている。
【００２２】
正極電極３１と負極電極３２とは、図２に示すように、枝部３１１、３２１が互い違いに入り組みつつ、間隔を空けて設定される。すなわち、正極電極３１と負極電極３２とは、基板２の外縁部２ｄ側から外縁部２ｅ側に向けて、正極電極３１の枝部３１１と負極電極３２の枝部３２１とが順番に、互いに間隔を空けながら並列に配置される。
【００２３】
また、図２および図４に示すように、一方の櫛歯電極３の太幅領域３１１ａ、３２１ａの両隣には、他方の櫛歯電極３の細幅領域３１１ｂ、３２１ｂが配置される。すなわち、正極電極３１の互いに隣り合う２本の枝部３１１の細幅領域３１１ｂ同士の間に、負極電極３２の枝部３２１の太幅領域３２１ａが配置される。また、負極電極３２の互いに隣り合う２本の枝部３２１の細幅領域３２１ｂ同士の間に、正極電極３１の枝部３１１の太幅領域３１１ａが配置される。これにより、正極電極３１の枝部３１１と負極電極３２の枝部３２１との間隔をより詰めて配置することができる。なお、本実施形態において、太幅領域３１１ａ、３２１ａの幅Ｄ１は、０．３ｍｍとされ、細幅領域３１１ｂ、３２１ｂの幅Ｄ２は、０．１３３ｍｍとされる。また、枝部３１１の中心から隣り合う枝部３２１の中心までの間隔Ｐ１は、０．４ｍｍとされ、隣り合う枝部３１１と枝部５２２との間隔Ｐ２は、０．１３５ｍｍとされる。
【００２４】
絶縁層５は、基板２の周囲において金属層４（一対の櫛歯電極３）を覆う絶縁被膜である。絶縁層５は、例えばポリイミド樹脂により形成される。絶縁層５は、図３に示すように、基板２の主面２ａ、裏面２ｂおよび側面２ｃの一部に被覆された内側絶縁層５ａと、電極端子部６を除く金属層４（一対の櫛歯電極３）上に被覆された外側絶縁層（保持面絶縁層）５ｂとを備える。外側絶縁層５ｂは、一対の櫛歯電極３を覆う。外側絶縁層５ｂは、ウエーハＷを保持する保持面５ｃを形成する。本実施形態において、内側絶縁層５ａおよび外側絶縁層５ｂは、基板２の表面（主面２ａまたは裏面２ｂ）に沿って平坦に形成される。
【００２５】
電極端子部６は、図１および図３に示すように、基板２の側面２ｃに形成されている。電極端子部６は、正極電極端子部６ａと、負極電極端子部６ｂとを備える。正極電極端子部６ａと、負極電極端子部６ｂとは、互いに近接して基板２の側面２ｃに配置される。なお、正極電極端子部６ａと負極電極端子部６ｂとは、基板２の側面２ｃのいかなる位置に配置されてもよく、基板２の主面２ａ側に配置されてもよい。図２に示すように、正極電極端子部６ａは、正極電極３１の幹部３１２に接続され、負極電極端子部６ｂは、負極電極３２の幹部３２２に接続される。正極電極端子部６ａは、図示しない給電装置からプラスの電圧が印加され、負極電極端子部６ｂは、図示しない給電装置からマイナスの電圧が印加される。
【００２６】
静電チャックプレート１によりウエーハＷを保持する際には、まず、外側絶縁層５ｂの保持面５ｃ上にウエーハＷを載置する。そして、図示しない給電装置から正極電極端子部６ａを介して正極電極３１にプラスの電圧が印加されると共に、負極電極端子部６ｂを介して負極電極３２にマイナスの電圧が印加されると、正極電極３１および負極電極３２とウエーハＷとの間で正負の電荷が引き寄せられ、静電気力（グラジエント力）が発生する。この静電気力により、ウエーハＷは、静電チャックプレート１に吸引される。なお、実施形態において、図示しない給電装置から電極端子部６を介して一対の櫛歯電極３に印加される電圧は、１０００Ｖ以上でかつ２０００Ｖ以下であるのが望ましい。
【００２７】
次に、実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法を図面に基づいて説明する。図６は、実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法の流れを示すフローチャートである。図７は、内側絶縁層５ａが被覆された静電チャックプレート１の基板２を示す断面図である。図８は、内側絶縁層５ａを平坦化する様子を示す断面図である。図９は、金属層４が被覆された静電チャックプレート１の基板２を示す断面図である。図１０は、櫛歯電極３を形成する様子を示す断面図である。図１１は、静電チャックプレート１によりウエーハＷを保持した様子を示す断面図である。
【００２８】
実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法は、図示するように、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１と、内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２と、金属層被覆ステップＳＴ３と、櫛歯電極形成ステップＳＴ４と、外側絶縁層被覆ステップＳＴ５と、外側絶縁層平坦化ステップＳＴ６とを備える。
【００２９】
内側絶縁層被覆ステップＳＴ１は、基板２の表面に内側絶縁層５ａを被覆するステップである。内側絶縁層被覆ステップＳＴ１では、図７に示すように、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板２の主面２ａ、裏面２ｂの全体および側面２ｃの一部にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。なお、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１では、絶縁性のポリイミド樹脂をスピンコートにより基板２の主面２ａおよび裏面２ｂに塗布してもよい。
【００３０】
内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２は、内側絶縁層５ａを基板２の表面（主面２ａまたは裏面２ｂ）に沿って平坦化するステップである。内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２では、図８に示すように、切削装置１００のポーラスセラミック等から形成された保持面１０１ａを有するチャックテーブル１０１上に、支持部材１１０を介して静電チャックプレート１の上記主面２ａ側または裏面２ｂ側を載置する。次に、切削装置１００の切削ユニット１０２の円盤状のバイトホイール１０４を図示しない駆動モータにより切削ユニット１０２のスピンドル１０３と共に鉛直方向（図中の上下方向）と平行な軸周りに回転駆動させる。そして、切削ユニット１０２を図示しない加工送り手段によって図中の下方向に移動させると共に、バイトホイール１０４とチャックテーブル１０１とを保持面１０１ａと平行方向に相対移動させて、バイトホイール１０４に設けられたバイト工具１０５により内側絶縁層５ａの表面を切削して平坦化する。静電チャックプレート１の主面２ａ側および裏面２ｂ側の双方に、切削を施すことで、内側絶縁層５ａが平坦化される。なお、内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２では、図示しない研削装置の研削砥石によって内側絶縁層５ａの表面を研削して平坦化してもよい。
【００３１】
金属層被覆ステップＳＴ３は、基板２の内側絶縁層５ａ上に一対の櫛歯電極３となる金属層４を被覆するステップである。金属層被覆ステップＳＴ３では、図９に示すように、基板２の主面２ａ、裏面２ｂおよび側面２ｃの一部に被覆された内側絶縁層５ａ上に、金属箔を施したポリイミドフィルムを加熱圧着により被覆する。本実施形態では、ポリイミドフィルムを用いることで、金属層４の表面（すなわち、金属箔部分）を基板２の表面に沿って平坦とすることができる。
【００３２】
櫛歯電極形成ステップＳＴ４は、基板２の主面２ａ側の金属層４を一対の櫛歯電極３となる領域を残してレーザーアブレーション加工によってパターニング除去し、一対の櫛歯電極３を形成するステップである。櫛歯電極形成ステップＳＴ４は、レーザー加工装置１２０を用いて実施される。櫛歯電極形成ステップＳＴ４では、まず、レーザー加工装置１２０のポーラスセラミック等から形成された保持面１２１ａを有するチャックテーブル１２１上に静電チャックプレート１（基板２）を搬送し、支持部材１１０を介して基板２の裏面２ｂ側をチャックテーブル１２１に吸引保持させる。その後、図１０に示すように、チャックテーブル１２１とレーザー加工装置１２０のレーザー光照射部１２２とを相対移動させながら、レーザー光照射部１２２から静電チャックプレート１の所定箇所にレーザー光を照射する。これにより、図１０に示すように、金属層４がパターンニング除去され、図１および図２に示す一対の櫛歯電極３が形成される。また、基板２の側面２ｃの一部に被覆された金属箔ポリイミドフィルムが電極端子部６を形成する。
【００３３】
外側絶縁層被覆ステップ（保持面絶縁層被覆ステップ）ＳＴ５は、基板２の主面２ａ側および裏面２ｂ側に外側絶縁層５ｂを被覆するステップである。外側絶縁層被覆ステップＳＴ５では、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板２の主面２ａに形成された一対の櫛歯電極３および内側絶縁層５ａ上にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。また、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板２の裏面２ｂに形成された金属層４上にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。これにより、図３に示すように、基板２の主面２ａ側および裏面２ｂ側の双方に外側絶縁層５ｂが被覆される。なお、外側絶縁層被覆ステップＳＴ５では、絶縁性のポリイミド樹脂をスピンコートにより、一対の櫛歯電極３および金属層４上に塗布してもよい。
【００３４】
外側絶縁層平坦化ステップＳＴ６は、外側絶縁層５ｂを基板２の表面（主面２ａまたは裏面２ｂ）に沿って平坦化するステップである。外側絶縁層平坦化ステップＳＴ６では、図示しないが、内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２と同様に、切削装置１００を用いて外側絶縁層５ｂの表面を研削する。これにより、図３に示すように、外側絶縁層５ｂが平坦化される。以上の処理により、本実施形態にかかる静電着プレート１の製造が終了する。このように製造された静電チャックプレート１により、図１１に示すように、外側絶縁層５ｂの保持面５ｃでウエーハＷの裏面ＷＲ側を保持し、ウエーハＷを複数のデバイスチップに分割するダイシング加工や、レーザー光線により内部に改質層を形成するレーザー加工、表面を研削して薄化する研削加工等の各工程を実施することができる。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態にかかる静電チャックプレート１は、一対の櫛歯電極３を構成する正極電極３１の枝部３１１が太幅領域３１１ａと細幅領域３１１ｂとを有し、一対の櫛歯電極３を構成する負極電極３２の枝部３２１が太幅領域３２１ａと細幅領域３２１ｂとを有する。これにより、各枝部３１１、３２１が太幅から細幅に変化する領域に集中的に電荷が蓄積する。この結果、各枝部３１１、３２１が太幅から細幅に変化する領域に強い静電気力（グラジエント力）が発生し、ウエーハＷを吸引する吸引力をより向上させることができる。また、一対の櫛歯電極３への給電を停止しても、一旦発生した電荷をより長い時間を維持することができ、給電停止後にも静電チェックプレート１による吸引力を維持することが可能となる。その結果、ウエーハＷにダイシング加工等を施す後の各工程において、各装置に給電装置を設ける必要がなく、また、ウエーハＷの搬送時にも給電を行う必要がない。従って、ウエーハＷのダイシング加工設備をより簡易化することができ、また、ウエーハＷの加工時や搬送時における取扱いをより容易にすることができる。
【００３６】
また、本実施形態の静電チャックプレート１は、一方の櫛歯電極３の太幅領域３１１ａ、３２１ａの両隣に他方の櫛歯電極３の細幅領域３１１ｂ、３２１ｂが配置される。これにより、上述したように、正極電極３１の枝部３１１と負極電極３２の枝部３２１との間隔をより詰めて配置することができる。このように、正極電極３１と負極電極３２との間隔を狭めることで、正極電極３１および負極電極３２に電圧を印加することで得られる静電気力をさらに高めることが可能となる。この結果、静電チャックプレート１の吸引力をより向上させることが可能となる。
【００３７】
本実施形態にかかる静電チャックプレート１の製造方法は、板状の基板２の主面２ａ側に内側絶縁層５ａを被覆する内側絶縁層被覆ステップＳＴ１と、基板２の内側絶縁層５ａに櫛歯電極３となる金属層４を被覆する金属層被覆ステップＳＴ３と、櫛歯電極３となる領域を残して金属層４をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップＳＴ４と、を備える。このように、金属層４をレーザーアブレーション加工によりパターニング除去して一対の櫛歯電極３を形成することで、一対の櫛歯電極３を所望の構造に容易かつ安価に、また、精度良く形成することができる。
【００３８】
また、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１では、基板２の主面２ａ側と反対側の裏面２ｂ側にも内側絶縁層５ａを被覆し、金属層被覆ステップＳＴ３では、基板２の主面２ａ側と反対側の裏面２ｂ側にも金属層４を被覆し、外側絶縁層被覆ステップＳＴ５では、基板２の主面２ａ側と反対側の裏面２ｂ側にも外側絶縁層５ａを被覆する。これにより、内側絶縁層５ａ、金属層４、外側絶縁層５ｂを基板２の表面２ａだけに被覆する場合に比べて、各層を積層することで基板２に働く応力を主面２ａ側と裏面２ｂ型とで均衡させることができる。この結果、静電チャックプレート１の製造工程において、基板２が変形してしまうことをより良好に抑制することが可能となる。ただし、内側絶縁層５ａ、金属層４および外側絶縁層５ｂは、いずれも基板２の裏面２ｂ側から省略してもよい。
【００３９】
また、櫛歯電極形成ステップＳＴ４の後に、櫛歯電極３を覆いウエーハＷ（被加工物）を保持する保持面５ｃとなる外側絶縁層（保持面絶縁層）５ｂを被覆する外側絶縁層被覆ステップ（保持面絶縁層被覆ステップ）ＳＴ６を備える。これにより、保持面５ｃによってウエーハＷ（被加工物）を良好に保持することが可能となる。
【００４０】
また、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１で基板２に被覆した内側絶縁層５ａの表面をバイト工具で切削し平坦化する内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２、及び外側絶縁層被覆ステップ（保持面絶縁層被覆ステップ）ＳＴ５で被覆した外側絶縁層５ｂの表面をバイト工具で切削し平坦化する外側絶縁層平坦化ステップＳＴ６を備える。また、上述したように、金属層４は、金属箔を施したポリイミドフィルムを用いることで、表面（金属箔部分）を基板２に沿って平坦とすることができる。すなわち、本実施形態の静電チャックプレート１は、内側絶縁層５ａ、金属層４、外側絶縁層５ｂが、基板２の表面に沿って平坦に形成される。これにより、ウエーハＷを静電チャックプレート１に載置したときに、ウエーハＷと保持面５ｃとの間に隙間ができないようにして、静電チャックプレート１によるウエーハＷの吸着力をより高めることができる。特に、ウエーハＷを保持する保持面５ｃを形成する外側絶縁層５ｂを平坦に形成することで、吸着力のより一層の向上を図ることが可能となる。ただし、内側絶縁層平坦化ステップＳＴ２、及び外側絶縁層平坦化ステップＳＴ６は、省略されてもよい。
【００４１】
本実施形態では、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１において基板２に内側絶縁層５ａを被覆した後、金属層被覆ステップＳＴ２において内側絶縁層５ａ上に金属箔を施したポリイミドフィルムを貼着して金属層４を被覆し、櫛歯電極形成ステップＳＴ４において金属層４にレーザーアブレーション加工を施して一対の櫛歯電極３を形成するものとしたが、金属層４や一対の櫛歯電極３を形成する手法は、これに限られない。
【００４２】
例えば、内側絶縁層被覆ステップＳＴ１を省略し（静電チャックプレート１から内側絶縁層５ａを省略し）、両面接着シートを基板２の表面に貼着して、当該両面粘着シートを介して基板２上に金属層４としての金属箔を施したポリイミドフィルムを貼着してもよい。
【００４３】
また、金属層４は、金属材料からなる被膜であれば、金属箔を施したポリイミドフィルムを用いるものでなくてもよい。例えば、金属層被覆ステップＳＴ３において、スパッタリングにより内側絶縁層５上に金属層４を被覆してもよい。また、金属層被覆ステップＳＴ３および櫛歯電極形成ステップＳＴ４を一体の工程とし、金属材料からなる半田材等をスクリーン印刷又はインクジェット方式の印刷によって内側絶縁層５上に被覆することにより、基板２の裏面２ａ側の金属層４、基板２の主面２ａ側の一対の櫛歯電極３、及び電極端子部６を形成してもよい。このように、金属層４を、スパッタリングやスクリーン印刷、インクジェット方式の印刷等によって形成する場合、金属層４の表面を切削装置１００で切削して平坦化する金属層平坦化ステップを実施してもよい。
【００４４】
また、一対の櫛歯電極３は、金属層４にフォトエッチングを施すことで形成されてもよい。すなわち、櫛歯電極形成ステップＳＴ５において、まず、金属層４の表面にレジスト膜を被覆し、一対の櫛歯電極３のパターンに沿って予め形成されたマスクを介してレジスト膜の一部を露光によりパターニング除去し、パターニング除去されたフォトレジスト膜を介して金属層４にドライエッチングやウェットエッチングを施すことにより、一対の櫛歯電極３を形成してもよい。
【００４５】
また、一対の櫛歯電極３の枝部３１１、３２１の形状は、正極電極３１の枝部３１１が太幅領域３１１ａと細幅領域３１１ｂとを有し、負極電極３２の枝部３２１が太幅領域３２１ａと細幅領域３２１ｂとを有し、一方の櫛歯電極３の太幅領域３１１ａ、３２１ａの両隣に他方の櫛歯電極３の細幅領域３１１ｂ、３２１ｂが配置されるものであれば、本実施形態に示したものに限られない。
【００４６】
例えば、本実施形態では、櫛歯電極３の各枝部３１１、３２１は、基板２に沿って一方向に真っ直ぐ延びるものとしたが、各枝部３１１、３２１は、屈曲または湾曲するものであってもよい。また、本実施形態では、太幅領域３１１ａと細幅領域３１１ｂとの形成間隔、および太幅領域３２１ａと細幅領域３２１ｂとの形成間隔を一定としたが、太幅領域と細幅領域との形成間隔は、一定でなくともよい。
【００４７】
図１２から図１６は、変形例にかかる一対の櫛歯電極３の形状を示す拡大図である。正極電極３１の太幅領域３１１ａおよび負極電極３２の太幅領域３２１ａは、図１２から図１４に示すように、楕円形上に形成されてもよい。また、図１２から図１６に示すように、太幅領域３１１ａ、３２１ａの幅Ｄ１、細幅領域３１１ｂ、３２１ｂの幅Ｄ２、枝部３１１の中心から隣り合う枝部３２１の中心までのピッチＰ１、及び隣り合う枝部３１１と枝部３２１とのピッチＰ２は、図４に示した例に限られない。太幅領域３１１ａ、３２１ａの幅Ｄ１は、０．３ｍｍ以上かつ０．６ｍｍ以下であることが望ましく、細幅領域３１１ｂ、３２１ｂの幅Ｄ２は、０．１ｍｍ以上かつ０．６ｍｍ以下であることが望ましい。また、枝部３１１の中心から隣り合う枝部３２１の中心までの間隔Ｐ１は、０．４ｍｍ以上かつ１．０ｍｍ以下であることが望ましく、隣り合う枝部３１１と枝部３２１との間隔Ｐ２は、０．１３５ｍｍ以上かつ０．４ｍｍ以下が望ましい。
【符号の説明】
【００４８】
１  静電チャックプレート
２  基板
２ａ  主面
２ｂ  裏面
２ｃ  側面
２ｄ，２ｅ  外縁部
３  櫛歯電極
３１  正極電極
３１１，３２１  枝部
３１１ａ，３２１ａ  太幅領域
３１１ｂ，３２１ｂ  細幅領域
３１２，３２２  幹部
３２  負極電極
４  金属層
５  絶縁層
５ａ  内側絶縁層
５ｂ  外側絶縁層
５ｃ  保持面
６  電極端子部
６ａ  正極電極端子部
６ｂ  負極電極端子部
１００  切削装置
１０１  チャックテーブル
１０１ａ  保持面
１０２  切削ユニット
１０３  スピンドル
１０４  バイトホイール
１０５  バイト工具
１２０  レーザー加工装置
１２１  チャックテーブル
１２１ａ  保持面
１２２  レーザー光照射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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