(57)【要約】【課題】表示領域の平坦性を損なわずに共通電極の低抵抗化すること。【解決手段】表示装置は、基板の上の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上の樹脂層と、前記樹脂層に設けられた溝部と、前記溝部に埋め込まれた第１導電層と、前記樹脂層の上に設けられ、その一部が前記第１導電層に重畳して接するとともに、前記第１導電層よりも導電率が高い第２導電層と、を備える。第１導電層は、金属材料で構成され、第２導電層は、金属酸化物材料で構成されてもよい。【選択図】図２
2018028575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上の樹脂層と、
前記樹脂層に設けられた溝部と、
前記溝部に埋め込まれた第１導電層と、
前記樹脂層の上に設けられ、その一部が前記第１導電層に重畳して接するとともに、前記第１導電層よりも導電率が高い第２導電層と、
を備える、表示装置。
【請求項２】
さらに、前記第２導電層と絶縁層を介して向かい合って配置され、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記樹脂層と前記第２導電層との間に配置され、かつ、前記画素電極を覆う、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記溝部の内部を覆う、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記第２導電層を覆う、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２導電層は、第１開口部を有し、
前記画素電極は、前記第１開口部の内側において前記樹脂層に設けられた第２開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続される、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、前記第１開口部の内側に第３開口部を有する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタは、行方向に延びるゲート配線及び列方向に延びるソース配線に接続され、
前記第２導電層は、前記ゲート配線又は前記ソース配線に沿って延びる第１部分と、該第１部分に接続され、前記画素電極に重畳する第２部分とを有する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１導電層は、前記第２導電層における前記第１部分に沿って設けられる、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２導電層における前記第２部分は、線状にパターン化された複数の部分を含む、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２導電層は、金属酸化物材料で構成される、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１導電層は、金属材料で構成される、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
基板の上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層に溝部を形成し、
前記溝部の内部を第１導電層で埋め込み、
前記樹脂層の上に、その一部が前記第１導電層に重畳して接する第２導電層を形成すること、
を備える、表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂層に前記溝部を形成すると同時に、前記樹脂層に前記薄膜トランジスタに達する開口部を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記溝部及び前記開口部の形成に、ハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを用いる、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記溝部の内部を第１導電層で埋め込む際に、電解めっき法により前記第１導電層を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２導電層は、金属酸化物材料で構成される、請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１導電層は、金属材料で構成される、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の画素を含む表示装置に関する。特に、アレイ基板に共通電極（コモン電極）を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの開発が進められている。これらの表示装置は、表示領域を構成する複数の画素のそれぞれに液晶素子や発光素子等の光学素子を備え、各画素から出力される光量を制御することにより、画像を画面に表示する。液晶素子や発光素子は、基本的に、２つの電極間に光学材料を挟んだ構造を有している。そして、２つの電極に所定の電位を供給することにより生じる光学材料の変化を利用して、出力される光量が制御される。
【０００３】
ところで、液晶素子や発光素子を構成する２つの電極の一方（特に、共通電極）としては、一般的に透光性を有する電極（透明電極）を用いることが多い。液晶素子であれば、バックライトの光や画素電極での反射光を透過する必要があり、有機ＥＬ素子であれば光学材料から発した光を透過する必要があるからである。
【０００４】
このような透明電極は、通常ＩＴＯ等の透明導電性材料で構成され、抵抗値が金属電極に比べて高いという特性を有する。そのため、透明電極の面積が大きくなると、配線抵抗に起因して電位降下が生じ、電位がばらつくなどの問題を生じる場合がある。そこで、透明電極の電位降下への対策として、より抵抗値の低い導電膜を電気的に接続し、全体として低抵抗化を図る技術が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３３７９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、液晶ディスプレイの駆動方式として、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式やＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が知られている。これらの駆動方式は、画素電極と共通電極との間に形成される横電界によって液晶の配向を制御するものである。そのため、これらの駆動方式は、いずれもアレイ基板に共通電極が形成され、表示領域に高い平坦性が求められるという特長がある。
【０００７】
このような駆動方式の液晶ディスプレイに上述した特許文献１に記載の技術を適用した場合、アレイ基板に設けられた共通電極に対し、さらに補助配線等を積層する構造となる。そのため、アレイ基板側の表面における凹凸（起伏）が大きくなり、表示領域の平坦性が損なわれてしまう虞がある。また、アレイ基板側の表面における凹凸に起因して液晶層に配向乱れが生じ、画像表示の際に光漏れが生じるという問題も起こり得る。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するものであり、表示領域の平坦性を損なわずに共通電極の低抵抗化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、基板の上の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上の樹脂層と、前記樹脂層に設けられた溝部と、前記溝部に埋め込まれた第１導電層と、前記樹脂層の上に設けられ、その一部が前記第１導電層に重畳して接するとともに、前記第１導電層よりも導電率が高い第２導電層と、を備える。
【００１０】
さらに、前記第２導電層と絶縁層を介して向かい合って配置され、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を備えてもよい。
【００１１】
前記絶縁層は、前記樹脂層と前記第２導電層との間に配置され、かつ、前記画素電極を覆うように設けられてもよい。このとき、前記絶縁層は、前記溝部の内部を覆っていてもよい。
【００１２】
また、他の形態として、前記絶縁層は、前記第２導電層を覆うように設けられてもよい。このとき、前記第２導電層は、第１開口部を有し、前記画素電極は、前記第１開口部の内側において前記樹脂層に設けられた第２開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続されてもよい。さらに、前記絶縁層は、前記第１開口部の内側に第３開口部を有していてもよい。
【００１３】
前記薄膜トランジスタは、行方向に延びるゲート配線及び列方向に延びるソース配線に接続され、前記第２導電層は、前記ゲート配線又は前記ソース配線に沿って延びる第１部分と、該第１部分に接続され、前記画素電極に重畳する第２部分とを有するものであってもよい。
【００１４】
前記第１導電層は、前記第２導電層における前記第１部分に沿って設けられていてもよい。
【００１５】
前記第２導電層における前記第２部分は、線状にパターン化された複数の部分を含んでいてもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、基板の上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタの上に樹脂層を形成し、前記樹脂層に溝部を形成し、前記溝部の内部を第１導電層で埋め込み、前記樹脂層の上に、その一部が前記第１導電層に重畳して接する第２導電層を形成すること、を備える。
【００１７】
前記樹脂層に前記溝部を形成すると同時に、前記樹脂層に前記薄膜トランジスタに達する開口部を形成してもよい。その際、ハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを用いてもよい。
【００１８】
前記溝部の内部を第１導電層で埋め込む際に、電解めっき法により前記第１導電層を形成してもよい。
【００１９】
前記第２導電層は、金属酸化物材料で構成されていてもよいし、前記第１導電層は、金属材料で構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態における表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態における表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図３】第１実施形態における表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図４】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】第１実施形態における表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態における表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図１１】第３実施形態における表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図１２】第３実施形態における表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図１３】第４実施形態における表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図１４】第４実施形態における表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００２３】
本明細書において、「上」とは、ある物体の上に直に接するように配置される場合だけでなく、他の物体を間に挟んで配置される場合をも含む。この点については、「下」という用語についても同様である。また、「上」、「下」といった用語は、物体間の相対的な上下関係を示すものであり、絶対的な上下関係を意味するものではない。具体的には、基板の主面（素子等が形成される面）を基準にして、基板の主面から離れる方向がを「上」と定義し、近づく方向を「下」と定義する。
【００２４】
ある薄膜を加工して複数の薄膜パターンを形成した場合、これら複数のパターンはそれぞれ異なる機能又は役割を有する場合がある。これらの複数のパターンは同一の工程で同一層として形成された薄膜に由来し、同一の層構造及び同一の材料で構成される。したがって、本明細書においては、これらの複数のパターンは、同一の層に存在しているものと定義する。
【００２５】
（第１実施形態）
＜表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態における表示装置の構成を示す平面図である。図２は、第１実施形態における表示装置の画素の構成を示す断面図である。図３は、第１実施形態における表示装置の画素の構成を示す平面図である。図２は、図３に示す平面図において、一点鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面に対応する図である。
【００２６】
なお、本実施形態では、表示装置の一例として、液晶表示装置を例示する。具体的には、ＦＦＳ方式で駆動する液晶表示装置を例示する。しかしながら、本発明は、アレイ基板側に共通電極を有する表示装置であれば、液晶表示装置以外の表示装置（例えば、有機ＥＬ表示装置）に対しても適用可能である。
【００２７】
まず、第１実施形態における液晶表示装置１００の全体的な構成について図１を用いて説明する。液晶表示装置１００は、基板１０２上に表示領域１０４を有している。表示領域１０４は、複数の画素１０６によって構成される。すなわち、複数の画素１０６が行方向及び列方向に配列された領域が、表示領域１０４として機能する。各画素１０６は、表示素子として液晶素子を含む。例えば、隣接する画素１０６が赤色、緑色又は青色を与えるように液晶素子やその周辺構造を構築することで、多色表示を行うことができる。画素１０６の配列に制限はなく、ストライプ配列やデルタ配列など公知の配列を採用することができる。
【００２８】
さらに、液晶表示装置１００は、画素１０６に種々の信号を与えるための駆動回路を有する。具体的には、図１に示すように、液晶表示装置１００は、ゲート側駆動回路１０８及び１１０、並びにソース側駆動回路１１２を有する。なお、図１では、２つのゲート側駆動回路１０８及び１１０を表示領域１０４の両側に設けた例を示したが、ゲート側駆動回路の数は、これに限定されるものではない。
【００２９】
また、ゲート側駆動回路１０８及び１１０、並びにソース側駆動回路１１２の一部、又はすべてを基板１０２上に設置する必要はなく、例えば、集積回路（ＩＣ）で構成される駆動回路を基板１０２上、あるいはコネクタ１１４上に配置してもよい。図１では、ゲート側駆動回路１０８及び１１０、並びにソース側駆動回路１１２の一部として、集積回路１１６がコネクタ１１４上に設けられている。
【００３０】
コネクタ１１４は、電源から電力を供給したり、外部回路（図示せず）からの各種信号をゲート側駆動回路１０８及び１１０、並びにソース側駆動回路１１２へ供給したりする機能を有する。コネクタ１１４として、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）を用いてもよい。外部回路からの信号がゲート側駆動回路１０８及び１１０、並びにソース側駆動回路１１２を経由して各画素１０６へ供給され、映像が表示領域１０４上に再現される。
【００３１】
次に、画素１０６の概略の構成について図２及び図３を用いて説明する。図２及び図３において、第１基板１２上には、薄膜トランジスタ５が設けられている。薄膜トランジスタ５は、基本的に、活性層１４、ゲート絶縁膜１６、ゲート配線１８、層間絶縁膜２０、ソース配線２２及びドレイン電極２４で構成される。薄膜トランジスタ５の構造や各部分の材料については、公知のものを採用することができる。
【００３２】
薄膜トランジスタ５の上には、樹脂層２６が設けられている。樹脂層２６は、薄膜トランジスタ５の形成による第１基板１２上の起伏を平坦化する役割を有する。なお、本実施形態では、樹脂層２６としてアクリル系樹脂を用いるが、これに限定されるものではない。
【００３３】
本実施形態に使用する樹脂層２６としては、感光性樹脂組成物を用いて形成できる。このような感光性樹脂組成物としては、解像性が高く、露光及び現像後のパターン形状がその後の熱処理工程おいても変化しにくいものが好ましい。熱処理工程においてもパターン形状に変化を与えにくい感光性樹脂組成物としては、耐熱性の高い樹脂を含む組成物であることが好ましい。耐熱性の高い樹脂としては、環状脂肪族基や芳香族基を含む樹脂又は高いガラス転移温度を与えることができる単量体成分を含む樹脂等があげられる。
【００３４】
このような耐熱性の高い樹脂としては、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテル系樹脂から選ばれる少なくとも一種類の樹脂が好ましい。このような耐熱性の高い樹脂を含む感光性樹脂組成物としては、特許第３２４１３９９号公報、特許第４２０７６０４号公報、特許第４７８４２８３号公報、特許第４７８４２８３号公報、特許第４６３７２０９号公報、特許第４６３７２２１号公報、特許第４２３２５２７号公報、特許第５１７６７６８号公報等に記載の感光性樹脂組成物を適用することができる。
【００３５】
また、感光性樹脂組成物層を露光し、パターン形成を行うときに、フォトマスクとしてハーフトーンマスクやグレートーンマスクと呼ばれる多諧調マスクを使用することが好ましい。これらのマスクを使用することで、一度の露光プロセスで、膜厚の異なるパターンを形成することができる。
【００３６】
さらに、露光及び現像後に、さらに露光をおこない感光性樹脂組成物を用いて形成した樹脂層に存存する感光剤を分解させることができる「ポスト露光」とよばれる工程がある。このポスト露光後に、１００℃程度による１０分間程度の加熱を行うことが好ましい。樹脂層に感光剤が存在したまま、加熱プロセスを行うと感光剤が樹脂の熱硬化性を阻害するとともに樹脂のＴｇを下げてしまうと考えられ、パターン形状を大きく変化させてしまうことがある。したがって、ポスト露光を行い、樹脂層に残存した感光剤を分解させた後、前述の１００℃程度の加熱プロセスを２００℃以上の加熱プロセス（焼成プロセス）の前にあらかじめ施しておくことで、熱によるパターンの形状変化を低減させることができる。このように感光性樹脂組成物とポスト露光後の加熱とを組み合わせることで、所望のパターンを形成することができる。
【００３７】
本実施形態の樹脂層２６には、画素電極３２と薄膜トランジスタ５とを電気的に接続するための開口部２８と、補助電極としての第１導電層３６を埋め込むための溝部３０が設けられている。このとき、樹脂層２６の焼成時に開口部２８及び溝部３０の縁が崩れてしまうと、開口部２８及び溝部３０が大きくなるため、画素の開口率を犠牲にしてしまう虞がある。そのため、本実施形態では、樹脂層２６の焼成時に開口部２８及び溝部３０の縁が崩れないように、ガラス転移点が高めの樹脂材料を用いるのである。
【００３８】
画素電極３２は、樹脂層２６上に設けられるとともに、開口部２８を介して薄膜トランジスタ５のドレイン電極２４に接続される。画素電極３２としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）といった透光性を有する金属酸化物材料を用いることができる。勿論、これに限定されるものではなく、透光性を有する導電性材料であれば使用可能である。
【００３９】
溝部３０は、樹脂層２６に設けられた線状の凹部である。溝部３０は、樹脂層２６をハーフエッチング等の技術により途中まで除去することにより形成することができる。本実施形態では、溝部３０は、ゲート配線１８に沿って線状に配置されている。具体的には、図２において、溝部３０は、ゲート配線１８に沿って図面に向かって奥行き方向に延びている。
【００４０】
溝部３０及び画素電極３２は、絶縁層３４で覆われている。絶縁層３４としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを含む無機材料を用いることができる。この絶縁層３４は、画素電極３２と後述する共通電極としての第２導電層３８との間に配置されることにより、両者を電気的に絶縁する役割を果たす。
【００４１】
溝部３０の内部には、金属材料で構成された第１導電層３６が配置されている。第１導電層３６は、後述する第２導電層３８よりも高い導電率を有する材料で構成され、第２導電層３８の実質的な低抵抗化を図るための補助配線として機能する。本実施形態では、第１導電層３６は、絶縁層３４で覆われた溝部３０の内部を充填するように埋め込まれている。したがって、本実施形態の第１導電層３６の形状は、溝部３０の形状と同じであり、図３に示されるように、ゲート配線１８に沿って線状に延びた構成となる。
【００４２】
本実施形態では、第１導電層３６をゲート配線１８に沿って配置した構成とするため、開口率を犠牲にすることなく、後述する共通電極として機能する第２導電層３８の低抵抗化を図ることができる。ゲート配線１８の上方は、基本的に遮光膜４２で覆われる領域であり、画像の表示に寄与しないからである。
【００４３】
なお、本実施形態では、溝部３０にちょうど収まるように第１導電層３６を設けた例を示しているが、厳密にこのような構造となっている必要はなく、樹脂層２６の上面から大きく突出したり、大きくへこんだりしていなければよい。つまり、第１導電層３６を設けたとしても樹脂層２６による平坦化の効果が大きく損なわれることがなければ、溝部３０の形状と第１導電層３６の形状とは厳密に一致する必要はない。
【００４４】
絶縁層３４の上には、金属酸化物材料で構成された第２導電層３８が配置されている。例えば、第２導電層３８としては、ＩＴＯやＩＺＯといった透光性を有する導電性材料を用いることができる。勿論、これに限定されるものではなく、透光性を有する導電性材料であれば使用可能である。
【００４５】
本実施形態の第２導電層３８は、定電位（共通電位）が与えられる共通電極として機能する。具体的には、図３に示すように、第２導電層３８は、ゲート配線１８に沿って延びる第１部分３８ａと、その第１部分３８ａに接続され、画素電極３２に重畳する第２部分３８ｂとを有する。第１部分３８ａは、第１導電層３６に沿って配置された部分であり、図２に示すように、第１導電層３６と重畳して接する。第２部分３８ｂは、線状にパターン化された複数の部分３８ｃを含み、これら複数の部分３８ｃは、それぞれ画素電極３２に対して絶縁層３４を介して重畳する。つまり、第２部分３８ｂは、共通電極として機能する。
【００４６】
このような構造となっているため、第１部分３８ａは、補助配線として機能する第１導電層３６により実質的に低抵抗化される。すなわち、第１部分３８ａ及び第１導電層３６とで構成される導体部分は、全体として低抵抗化される。そのため、各画素１０６において共通電極として機能する第２部分３８ｂは、第１部分３８ａから定電位を与えられるため、第２導電層３８の配線抵抗に起因する電位のばらつきを低減することができる。
【００４７】
図２に戻って、第１基板１２に向かい合って配置された第２基板４０上には、遮光膜４２及びカラーフィルタ４４が設けられている。遮光膜４２は、クロム等の金属膜で形成してもよいし、黒色顔料を含有させた樹脂材料で構成してもよい。また、カラーフィルタ４４は、特定波長に吸収を有する色素（顔料や染料）を含有させた樹脂材料を用いることができる。
【００４８】
上述した第１基板１２をベースとした構造体を、本明細書中ではアレイ基板と呼ぶ。また、第２基板４０をベースとした構造体を、本明細書中では対向基板と呼ぶ。そして、図２において、アレイ基板１２０と対向基板１３０との間には、液晶層４６が配置される。なお、図２では図示していないが、液晶層４６には、セルギャップを保持するためのスペーサーが設けられている。また、図２では図示していないが、アレイ基板１２０及び対向基板１３０における液晶層４６と接する部分には配向膜が設けられている。
【００４９】
以上説明した本実施形態の液晶表示装置１００は、共通電極として機能する第２導電層３８の低抵抗化を図るために、補助配線として第１導電層３６を設ける構造となっている。そして、樹脂層２６にあらかじめ溝部３０を設け、第１導電層３６をその溝部３０の内部に埋め込むことにより、補助配線に起因する起伏を抑制することが可能である。このように、本実施形態によれば、表示領域の平坦性を損なわずに共通電極の低抵抗化することが可能である。
【００５０】
＜表示装置の製造方法＞
本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。まず、図４に示すように、第１基板１２の上に薄膜トランジスタ５を形成する。本実施形態では、第１基板１２としてガラス基板を用い、公知の製造プロセスにより、活性層１４、ゲート絶縁膜１６、ゲート配線１８、層間絶縁膜２０、ソース配線２２及びドレイン電極２４を形成する。薄膜トランジスタ５の形成方法は、公知の製造プロセスであるため、詳細な説明は省略する。
【００５１】
次に、薄膜トランジスタ５を覆うように、上述した樹脂層２６の原料であるポジ型の感光性樹脂材料２５を塗布した後、ハーフトーンマスク５０１を用いた感光処理を行い、遮光せずに紫外光を照射した第１感光領域２５ａと、遮光部材により紫外光の照射量を低減した第２感光領域２５ｂを形成する。なお、ここではハーフトーンマスクを例示したが、これに限定されるものではなく、同様の機能を有するマスクであればよい。例えば、グレートーンマスクを用いてもよい。
【００５２】
なお、第２感光領域２５ｂは、後に溝部３０となる領域であるため、本実施形態では、ゲート配線１８に沿って線状に形成される。具体的には、図５において、第２感光領域２５ｂは、ゲート配線１８に沿って図面に向かって奥行き方向に延びている。
【００５３】
第１感光領域２５ａ及び第２感光領域２５ｂを形成した後、現像液で第１感光領域２５ａ及び第２感光領域２５ｂを除去し、熱又は紫外線により焼成して樹脂層２６を形成する。このようにして、図６に示されるように、開口部２８及び溝部３０を有する樹脂層２６が形成される。本実施形態では、上述したようにガラス転移点が高めの樹脂材料を用いるため、焼成によって縁が崩れる程度が小さく、急峻な角度で開口部２８や溝部３０を形成することができる。
【００５４】
樹脂層２６を形成したら、図７に示されるように、透明導電膜（本実施形態では、ＩＴＯ膜）をフォトリソグラフィにより加工して画素電極３２を形成する。画素電極３２は、開口部２８を介して薄膜トランジスタ５のドレイン電極２４に接続される。その後、溝部３０及び画素電極３２を覆うように、絶縁層３４を形成する。絶縁層３４としては、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜といった無機絶縁膜を用いる。
【００５５】
次に、図８に示されるように、溝部３０の内部（厳密には、絶縁層３４によって内部が覆われた溝部３０の内部）に、補助配線として機能する第１導電層３６を形成する。第１導電層３６は、後述する第２導電層３８よりも高い導電率の材料で構成される。具体的には、本実施形態の第１導電層３６は、金属材料で構成される。
【００５６】
第１導電層３６の形成は特に限定されないが、溝部３０を埋め込むためには、例えば電解めっき法、スパッタ法で金属膜を形成した後、フォトリソグラフィによりパターン形成を行う方法、導電性インクをインクジェットにより打ち込む方法等を用いることができる。また、第２導電層３８よりも高い導電率を有するという条件さえ満たせば、導電性材料を含有させた樹脂材料で溝部３０を埋め込んで第１導電層３６を形成してもよい。
【００５７】
第１導電層３６を形成した後、共通電極として機能する第２導電層３８を形成する。図９では、ゲート配線１８に沿って配置される第１部分３８ａと、画素電極３２に重畳する第２部分３８ｂ（具体的には、第２部分３８ｂを構成する線状にパターン化された複数の部分３８ｃ）が示されている。なお、第２導電層３８の平面視における形状は、図３に示したとおりである。
【００５８】
このとき、第２導電層３８は、第１導電層３６と重畳する部分で接して電気的に接続される。したがって、第２導電層３８は、より導電率の高い第１導電層３６を補助配線として利用することが可能となり、全体的に低抵抗化する。
【００５９】
以上説明したプロセスを経て、図２に示されるアレイ基板１２０が完成する。この後、図２に示される対向基板１３０をシール材等により貼り合わせ、アレイ基板１２０と対向基板１３０との間に液晶層４６を注入する。これにより、図２に示される液晶表示装置１００が完成する。
【００６０】
（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。第１実施形態との違いは、第２実施形態の液晶表示装置では、第２導電層５２の第２部分５２ｂを構成する複数の部分５２ｃの形状が第１実施形態と異なる点である。なお、その他の点については、第１実施形態と同様の構造であるため、詳細な説明は省略することとする。
【００６１】
図１０において、第２導電層５２は、ゲート配線１８に沿って配置された第１部分５２ａと画素電極３２に重畳して配置された第２部分５２ｂとを有する。第２部分５２ｂは、線状にパターン化された複数の部分５２ｃで構成され、これら複数の部分５２ｃが、それぞれ屈曲部を有する線状パターンとなっている。
【００６２】
このような形状にすると、画素電極３２と共通電極としての第２導電層５２との間で形成される横電界が、複数の方向に向かって形成されるため、より視野角を向上させることが可能である。
【００６３】
なお、本実施形態では、共通電極として、画素電極３２と重畳する位置に屈曲部を有する線状パターンである複数の部分５２ｃを配置する例を示したが、屈曲部を有する線状パターンの他の例として、魚の骨のような形状（一般的に、フィッシュボーン形状と呼ばれる）を採用してもよい。
【００６４】
（第３実施形態）
図１１は、第３実施形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。図１２は、第３実施形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。第１実施形態との違いは、第３実施形態の液晶表示装置では、第２導電層５４の第１部分５４ａが薄膜トランジスタ５のソース配線２２に沿って設けられている点である。なお、その他の点については、第１実施形態と同様の構造であるため、詳細な説明は省略することとする。
【００６５】
図１１において、第２導電層５４の第１部分５４ａは、ソース配線２２に沿って延びている。また、第２導電層５４の第２部分５４ｂは、第１部分５４ａに接続されるとともに、画素電極３２と重畳した構成となっている。つまり、第２部分５４ｂを構成する複数の部分５４ｃは、それぞれゲート配線１８と略平行に延びた構成となっている。
【００６６】
図１２は、図１１に示す平面図をＢ−Ｂ’で切断した断面に対応する。図１２に示されるように、溝部３０に充填された第１導電層３６は、ソース配線２２の上に配置される。ソース配線２２の上方は、最終的に遮光膜４２で遮光されるため、画像の表示には寄与しない。したがって、本実施形態では、第１導電層３６をソース配線に沿って配置することにより、開口率を損ねることなく、共通電極として機能する第２導電層５４の低抵抗化を図ることができる。
【００６７】
なお、本実施形態では、ソース配線２２の上方に第１導電層３６を配置した例を示したが、ゲート配線１８及びソース配線２２の両方に沿って第１導電層３６が延びた構成とすることも可能である。すなわち、この場合は、第１導電層３６が格子状に配置されることとなる。このような構成とすることにより、遮光膜４２で遮光されるデッドスペースをさらに有効に活用することが可能であり、より第２導電層５４の低抵抗化を図ることが可能である。
【００６８】
また、本実施形態の第２導電層５４に対して第２実施形態の構成を適用し、第２導電層５４の第２部分５４ｂを構成する複数の部分５４ｃを、それぞれ屈曲部を有する線状パターンとすることも可能である。このような構成とした場合の効果については、第２実施形態にて説明したとおりである。
【００６９】
（第４実施形態）
図１３は、第４実施形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１４は、第４実施形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。図１３は、図１４に示す平面図をＣ−Ｃ’で切断した断面に対応する。第１実施形態との違いは、第４実施形態の液晶表示装置では、画素電極と共通電極の配置が第１実施形態とは逆になっている点である。なお、その他の点については、第１実施形態と同様の構造であるため、詳細な説明は省略することとする。
【００７０】
図１３において、樹脂層２６には、開口部２８及び溝部３０が設けられている。溝部３０には、第１導電層６２が充填されている。本実施形態では、第１実施形態と同様に、ゲート配線１８に沿って延びるように溝部３０及び第１導電層６２が配置されている。ただし、第１実施形態とは異なり、溝部３０の内部に絶縁層６６は配置されない。
【００７１】
樹脂層２６上には、共通電極として機能する第２導電層６４が設けられる。第１実施形態とは異なり、本実施形態の第２導電層６４は、樹脂層２６の直上に設けられる。そのため、第１導電層６２と重畳する位置に配置された第２導電層６４は、第１導電層６２と接することにより電気的に接続される。これにより、第２導電層６４は、第１導電層６２を補助配線して利用することができる。
【００７２】
なお、第２導電層６４は、樹脂層２６の開口部２８と重畳しないように、やや大きめの開口部６４ａを有する。換言すれば、開口部２８は、第２導電層６４に設けられた開口部６４ａの内側に設けられているとも言える。
【００７３】
第２導電層６４の上には、絶縁層６６が配置される。このとき、絶縁層６６にも開口部６６ａが設けられる。図１３に示されるように、絶縁層６６に設けられる開口部６６ａの径は、樹脂層２６の開口部２８の径よりも大きく、第２導電層６４の開口部６４ａの径よりも小さい。
【００７４】
絶縁層６６の上には、画素電極６８が設けられる。画素電極６８は、開口部６４ａ及び開口部６６ａの内側において樹脂層２６に設けられた開口部２８を介して薄膜トランジスタ５のドレイン電極２４に接続される。また、本実施形態の画素電極６８は、櫛歯形状を有している。具体的には、第１実施形態における第２導電層３８と同様に、ゲート配線１８に沿って延びる第１部分６８ａと、その第１部分６８ａに接続され、第２導電層６４に重畳する第２部分６８ｂとを有する。第２部分６８ｂは、線状にパターン化された複数の部分６８ｃを含み、これら複数の部分６８ｃは、それぞれ第２導電層６４に対して絶縁層６６を介して重畳する。
【００７５】
以上のように、第１実施形態とは画素電極６８と共通電極として機能する第２導電層６４の位置が逆になっているが、特に問題なく液晶層４６に対して横電界を与えることができる。また、この場合も、樹脂層２６に埋め込まれた第１導電層６２を第２導電層６４の補助配線として利用することができ、表示領域の平坦性を損なわずに共通電極の低抵抗化することが可能である。
【００７６】
なお、本実施形態の構成についても第２実施形態または第３実施形態の構成と併用することが可能である。
【００７７】
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置以外の自発光装置、液晶表示装置、または電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特にサイズを限定することなく適用が可能である。
【００７８】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８０】
５…薄膜トランジスタ、１２…第１基板、１４…活性層、１６…ゲート絶縁膜、１８…ゲート配線、２０…層間絶縁膜、２２…ソース配線、２４…ドレイン電極、２４…ドレイン電極、２５…感光性樹脂材料、２５ａ…第１感光領域、２５ｂ…第２感光領域、２６…樹脂層、２８…開口部、３０…溝部、３２…画素電極、３４…絶縁層、３６…第１導電層、３８…第２導電層、３８ａ…第１部分、３８ｂ…第２部分、３８ｃ…複数の部分、４０…第２基板、４２…遮光膜、４４…カラーフィルタ、４６…液晶層、１００…液晶表示装置、１０２…基板、１０４…表示領域、１０６…画素、１０８、１１０…ゲート側駆動回路、１１２…ソース側駆動回路、１１４…コネクタ、１１６…集積回路、１２０…アレイ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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