(57)【要約】【課題】ガラス玉およびボイドの発生を抑制する【解決手段】Ｓ１０の準備工程では、ガラス成分を含むセラミック材料を用いてシート状に成形されたセラミックグリーンシートを準備する。Ｓ２０のレーザ照射工程では、セラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する。Ｓ３０の充填工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する。Ｓ４０の配線形成工程では、セラミックグリーンシートの上に配線パターンを形成する。Ｓ６０の焼成工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストが充填されたセラミックグリーンシートを焼成する。そしてレーザ照射工程では、パルス幅が３０μｓ以下で、且つ、２０００Ｈｚ以上の周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返す。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板の製造方法であって、
ガラス成分を含むセラミック材料を用いてシート状に成形されたグリーンシートを準備する準備工程と、
前記グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成するレーザ照射工程と、
前記貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記グリーンシートの上に配線パターンを形成する配線形成工程と、
前記貫通孔の内部に前記導電性ペーストが充填された前記グリーンシートを焼成する焼成工程とを備え、
前記レーザ照射工程では、パルス幅３０μｓ以下で、且つ、２０００Ｈｚ以上の周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返すセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であって、
前記レーザ照射工程では、パルス幅３０μｓより大きく１００μｓ以下の炭酸ガスレーザを照射した後に、前記パルス幅３０μｓ以下の炭酸ガスレーザの照射を繰り返すセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセラミック基板の製造方法であって、
前記レーザ照射工程で炭酸ガスレーザを照射する前に、前記グリーンシートと保護テープとを積層するテープ積層工程を更に備え、
前記テープ積層工程では、前記グリーンシートの両面のうち少なくとも前記レーザ照射工程で炭酸ガスレーザが照射される面とは反対側の面で前記グリーンシートと前記保護テープとが接触するように前記グリーンシートと前記保護テープとを積層するセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
前記準備工程では、２０体積％以上で且つ８０体積％以下のガラス成分を含む前記グリーンシートを準備し、
前記焼成工程では、１４００℃以下で前記グリーンシートを焼成するセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、セラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１のように、ガラス成分を含むセラミック材料を用いてシート状に成形されたグリーンシートに貫通孔を形成する工程を備えるセラミック基板の製造方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３６０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示すように、セラミック基板中で且つ表面側における貫通孔の周囲には、焼成時において、グリーンシート中に含まれていたガラス成分の流出跡または有機ガス成分の放出跡であるボイドが内包されるという問題があった。
【０００５】
また、グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する場合において、貫通孔の内部にガラス成分が溶融した後冷えて固化したガラス玉が発生したり、貫通孔周囲のグリーンシートがポーラスになり、その結果、焼成時に貫通孔の周囲にボイドが発生したりするという問題があった。特に、ガラス成分を含むセラミック材料において、上記のガラス玉および焼成時のボイドが発生する。
【０００６】
本開示は、グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する工程に起因したガラス玉およびボイドの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、セラミック基板の製造方法であり、準備工程と、レーザ照射工程と、充填工程と、配線形成工程と、焼成工程とを備える。
準備工程では、ガラス成分を含むセラミック材料を用いてシート状に成形されたグリーンシートを準備する。レーザ照射工程では、グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する。充填工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する。配線形成工程では、グリーンシートの上に配線パターンを形成する。焼成工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストが充填されたグリーンシートを焼成する。
【０００８】
そしてレーザ照射工程では、パルス幅３０μｓ以下で、且つ、２０００Ｈｚ以上の周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返す。
このように構成された本開示のセラミック基板の製造方法は、グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射することによりグリーンシートに与えられる熱ダメージを低減することができ、貫通孔の内部におけるガラス玉の発生と、貫通孔の周囲における焼成時のボイドの発生を抑制することができる。
【０００９】
なお、「貫通孔を形成する」とは、単に貫通する孔を形成するのではなく、所望のサイズを有して貫通する孔を形成することをいう。
本開示の一態様は、レーザ照射工程では、パルス幅３０μｓより大きく１００μｓ以下の炭酸ガスレーザを照射した後に、パルス幅３０μｓ以下の炭酸ガスレーザの照射を繰り
返すようにしてもよい。このように構成された本開示のセラミック基板の製造方法は、貫通孔を形成するために、パルス幅が３０μｓより大きい炭酸ガスレーザの照射を部分的に用いている。このため、本開示のセラミック基板の製造方法は、パルス幅が３０μｓ以下である炭酸ガスレーザのみを２０００Ｈｚ以上の周波数で繰り返し照射する場合よりも、同じ処理時間でグリーンシートに与えられる熱エネルギーを多くすることができ、レーザ照射工程の処理時間を短縮することができる。なお、本開示における「パルス幅」とは、パルスの立ち上り時において振幅が最大振幅の５０％になってから、パルスの立ち下り時において振幅が最大振幅の５０％になるまでの時間である。
【００１０】
本開示の一態様は、テープ積層工程を更に備え、グリーンシートの両面のうち少なくともレーザ照射工程で炭酸ガスレーザが照射される面とは反対側の面でグリーンシートと保護テープとが接触するようにグリーンシートと保護テープとを積層するようにしてもよい。テープ積層工程では、レーザ照射工程で炭酸ガスレーザを照射する前に、グリーンシートと保護テープとを積層する。
【００１１】
このように構成された本開示のセラミック基板の製造方法では、グリーンシートと保護テープとが積層された状態で、グリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成することができる。これにより、本開示のセラミック基板の製造方法は、グリーンシートに形成される貫通孔において炭酸ガスレーザが出射する側の開口部で、炭酸ガスレーザを照射した側から反対側へ向かうにつれて径が大きくなるテーパ形状が形成されるのを抑制することができる。
【００１２】
本開示の一態様は、準備工程では、２０体積％以上で且つ８０体積％以下のガラス成分を含むグリーンシートを準備し、焼成工程では、１４００℃以下でグリーンシートを焼成するようにしてもよい。これは、ガラス玉とボイドの発生を抑制するのに好適なガラス成分の割合とグリーンシートの焼成温度とを具体的に例示するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】セラミック基板１の概略構成を示す断面図である。
【図２】セラミック基板１の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】第１実施形態における炭酸ガスレーザの照射条件を説明する断面図である。
【図４】セラミック基板１の製造方法におけるＳ２０の工程で形成された貫通孔の開口部を示す平面図である。
【図５】ガラス玉が発生している状態の貫通孔の開口部を示す平面図である。
【図６】第２実施形態における炭酸ガスレーザの照射条件を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
以下に本開示の第１実施形態を図面とともに説明する。
本実施形態のセラミック基板１は、図１に示すように、３層のセラミック層３と、２層の配線層５と、２層の表面導電層７とを備える。
【００１５】
セラミック層３と配線層５は、積層方向ＳＤに沿って交互に積層される。これにより、２層の配線層５はそれぞれ、互いに隣接する２層のセラミック層３の間に配置される。
２層の表面導電層７はそれぞれ、セラミック基板１の表面１ａ上と裏面１ｂ上に配置される。
【００１６】
セラミック層３内には、積層方向ＳＤに延びてセラミック層３を貫通するビア導体９が形成される。これにより、セラミック層３を挟んでセラミック層３の両面に配置される２層の配線層５が電気的に接続される。また、セラミック層３を挟んでセラミック層３の両
面に配置される配線層５と表面導電層７とが電気的に接続される。
【００１７】
セラミック層３は、積層方向ＳＤに対して垂直な方向沿って広がる板状の絶縁層であり、例えば、ガラス成分とセラミック成分との混合物を、例えば８００〜１０００℃の低温にて焼成した低温焼成のガラスセラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）で構成されている。
【００１８】
配線層５は、セラミック層３上において線状に延びる導電層である。配線層５は、例えば、ガラスセラミックの焼成の際に低温で同時焼成可能なＡｇ、Ａｇ／Ｐｔ合金、Ａｇ／Ｐｄ合金などの導体で構成されている。
【００１９】
表面導電層７は、セラミック基板１の表面１ａと裏面１ｂに形成された電極パッドであり、例えば、Ａｇ層、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を順に積み重ねた構造を有している。ビア導体９は、配線層５と同様の材料で構成されている。
【００２０】
次に、セラミック基板１の製造方法を説明する。
セラミック基板１を製造するためには、図２に示すように、まず、Ｓ１０にて、セラミックグリーンシートを準備する。具体的には、まず、ガラスセラミックからなるセラミック層３を作製するための原料粉末として、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを用意する。また、バインダ成分としてのアクリル系バインダと、成形後のグリーンシートに適度な柔軟性を与える可塑剤成分としてのジ・オチクル・フタレート（以下、ＤＯＰ）と、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせる溶剤としてのメチルエチルケトン（以下、ＭＥＫ）とを用意する。
【００２１】
次に、上記のホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを所定量秤量して、アルミナ製のポットに入れる。これに、バインダ、ＤＯＰおよびＭＥＫを上記のポットに入れて混合することにより、セラミックスラリーを得る。そして、ドクターブレード法により、例えばポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルム上で、得られたセラミックスラリーをシート状とし、セラミックグリーンシートを作製する。
【００２２】
次に、Ｓ１５にて、セラミックグリーンシートからキャリアフィルムを剥がし、セラミックグリーンシートと保護テープとを積層する。具体的には、図３に示すように、まず、セラミックグリーンシートと保護テープ２１とを、少なくともレーザが出射する面２２ａに接触するように積層する。そして、図２に示すように、Ｓ２０にて、セラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する。具体的には、図３に示すように、保護テープ２１上に載せられたセラミックグリーンシート２２について、保護テープ２１と接触している面２２ａとは反対の面２２ｂ側から、セラミックグリーンシート２２の面２２ｂ上における所定の位置に向けて、炭酸ガスレーザＬ１を照射する。この炭酸ガスレーザＬ１は、出力が３６０Ｗであり、パルス幅が３０μｓであり、２０００Ｈｚの周波数で繰り返し照射される。
【００２３】
これにより、セラミックグリーンシート２２に貫通孔２２ｃが形成され、保護テープ２１に貫通孔２１ａが形成される。本実施形態では、貫通孔２１ａおよび貫通孔２２ｃの直径は約１００μｍである。積層方向ＳＤに沿った貫通孔２１ａおよび貫通孔２２ｃの断面形状は、炭酸ガスレーザを照射した側から反対側へ向かうにつれて、炭酸ガスレーザのエネルギー減衰により、径が小さくなるテーパ形状となっている。
【００２４】
そして、Ｓ２０の工程が終了すると、図２に示すように、Ｓ３０にて、貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する。具体的には、まず、セラミックグリーンシートから保護テープを剥離する。そして、セラミックグリーンシートの貫通孔の内部に導電性ペーストを充
填する。導電性ペーストは、銀粉末１００重量部に対して、軟化点が７００℃のホウケイ酸系ガラス粉末を２重量部添加した粉末原料に、エチルセルロース樹脂を加えるとともに、溶剤としてターピネオールを加え、３本ロールミルにて混練して作製したものである。
【００２５】
さらにＳ４０にて、セラミックグリーンシートの表面における必要な箇所に、導電性ペーストを用いて、印刷によって、配線層５となる配線パターンを形成する。
次にＳ５０にて、複数のセラミックグリーンシートを積層して、グリーンシート積層体を作製する。Ｓ５０では、さらに、グリーンシート積層体の表面と裏面に、導電性ペーストを印刷して、表面導電層７となる表面導電パターンを形成する。なお、この導電性ペーストは、配線層５を形成するための導電性ペーストと同様のものである。表面導体パターンの形成は、グリーンシート積層体の表面に行ってもよいし、セラミックグリーンシートを積層する前の工程においてセラミックグリーンシートの表面に行ってもよい。
【００２６】
次にＳ６０にて、グリーンシート積層体を、８００〜１０００℃にて焼成して、積層焼成体を作製する。
さらにＳ７０にて、積層焼成体の表面と裏面に形成されている表面導電パターンの上に、Ｃｕメッキ、ＮｉメッキとＡｕメッキを施して表面導電層７を形成し、セラミック基板１の製造を終了する。
【００２７】
このように構成されたセラミック基板１の製造方法では、Ｓ１０の準備工程と、Ｓ２０のレーザ照射工程と、Ｓ３０の充填工程と、Ｓ４０の配線形成工程と、Ｓ６０の焼成工程とを備える。
【００２８】
準備工程では、ガラス成分を含むセラミック材料を用いてシート状に成形されたセラミックグリーンシートを準備する。レーザ照射工程では、セラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する。充填工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストを充填する。配線形成工程では、セラミックグリーンシートの上に配線パターンを形成する。焼成工程では、貫通孔の内部に導電性ペーストが充填されたセラミックグリーンシートを焼成する。そしてレーザ照射工程では、パルス幅が３０μｓで、且つ、２０００Ｈｚの周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返す。
【００２９】
このように構成されたセラミック基板１の製造方法は、セラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射することによりセラミックグリーンシートに与えられる熱ダメージを低減することができ、貫通孔の内部におけるガラス玉の発生と、貫通孔の周囲における焼成時のボイドの発生を抑制することができる。そして、ガラス玉の発生を抑制することにより、ビア導体９におけるオープン不良の発生を抑制することができる。また、ボイドの発生を抑制することにより、セラミック基板１の機械強度を向上させることができる。
【００３０】
なお、上記のガラス玉は、以下の手順で成長する。まず、照射される炭酸ガスレーザの熱で、セラミックグリーンシートのガラス成分が溶融する。炭酸ガスレーザの照射が一旦終了すると、次のレーザ照射までの間に、溶融したガラス成分が冷却されて固まり、ガラス玉が形成される。そして、レーザ照射が繰り返されることにより、ガラス成分が更に溶融して冷却されて固まり、ガラス玉が大きくなる。
【００３１】
これに対し、セラミック基板１の製造方法では、２０００Ｈｚ以上の周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返すことにより、溶融したガラス成分が冷却されて固まる前に次のレーザ照射を行うことが可能となり、ガラス玉の成長を抑制することができる。なお、例えば、２０００Ｈｚの周波数のレーザを用いた場合においてパルス幅が１５μｓであるときには、冷却期間に相当するパルス間隔は４８５μｓとなる。すなわち、パルス幅を一定として周波数を増加させると、冷却期間が短くなり、ガラス玉の発生を抑制することができ
る。一方、パルス幅が長いレーザを用いると、冷却時間が短くなる一方で照射時間が長くなるため、セラミックグリーンシートに与えられる熱ダメージが大きくなるとともに、セラミックグリーンシートに与えられる熱に起因してガラス玉が発生し易くなる。
【００３２】
図４の画像Ｇ１，Ｇ２は、セラミック基板１の製造方法におけるＳ２０の工程で形成された貫通孔の開口部を示す平面図である。画像Ｇ１は、炭酸ガスレーザが入射する側の開口部を示し、画像Ｇ２は、炭酸ガスレーザが出射する側の開口部を示す。図４の画像Ｇ１，Ｇ２に示すように、セラミックグリーンシートの貫通孔の内部にガラス玉が発生していない。
【００３３】
なお、図５の画像Ｇ３，Ｇ４は、比較例として、ガラス玉が発生している状態の貫通孔の開口部を示す平面図である。画像Ｇ３は、炭酸ガスレーザが入射する側の開口部を示し、画像Ｇ４は、炭酸ガスレーザが出射する側の開口部を示す。図５の画像Ｇ３は、貫通孔の内部にガラス玉Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３が発生している状態を示している。図５の画像Ｇ４は、貫通孔の内部にガラス玉Ｂ４，Ｂ５が発生している状態を示している。
【００３４】
図４の画像Ｇ１，Ｇ２と、図５の画像Ｇ３，Ｇ４とを比較すると明らかなように、セラミック基板１の製造方法は、貫通孔の内部にガラス玉が発生するのを抑制することができる。
【００３５】
また、セラミック基板１の製造方法では、Ｓ１０の準備工程で、ドクターブレード法により、キャリアフィルム上でセラミックスラリーをシート状とすることにより、セラミックグリーンシートを準備する。そして、キャリアフィルムを剥がした後、Ｓ１５の工程でセラミックグリーンシートと保護テープとを積層する。なお、セラミックグリーンシートの両面のうち、少なくともＳ２０のレーザ照射工程で炭酸ガスレーザが照射される面とは反対側の面でセラミックグリーンシートと保護テープとが接触するようにセラミックグリーンシートと保護テープとを積層する。
【００３６】
そして、セラミック基板１の製造方法では、セラミックグリーンシートの少なくともレーザが照射される面とは反対側の面に保護テープが積層された状態で、セラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射して貫通孔を形成する。これにより、セラミック基板１の製造方法は、図３において破線で示す開口部ＯＰのように、セラミックグリーンシート２２に形成される貫通孔２２ｃにおいて炭酸ガスレーザが出射する側の開口部で、炭酸ガスレーザを照射した側から反対側へ向かうにつれて径が大きくなるテーパ形状が形成されるのを抑制することができる。
【００３７】
なお、セラミックグリーンシートはグリーンシートに相当し、Ｓ１０は準備工程に相当し、Ｓ２０はレーザ照射工程に相当し、Ｓ３０は充填工程に相当し、Ｓ４０は配線形成工程に相当し、Ｓ６０は焼成工程に相当し、Ｓ１５はテープ積層工程に相当する。
【００３８】
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態を図面とともに説明する。なお第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。共通する構成については同一の符号を付す。
【００３９】
第２実施形態のセラミック基板１は、製造方法が変更された点が第１実施形態と異なる。
具体的には、Ｓ２０の工程において、炭酸ガスレーザＬ１の照射条件が変更された点が第１実施形態と異なる。
【００４０】
すなわち、Ｓ２０では、図６に示すように、まず、出力が３６０Ｗ（エネルギーは５．
８ｍＪ）であり、パルス幅が５５μｓである長パルスレーザを、２０００Ｈｚの照射周期で、予め設定された回数（本実施形態では、２回）繰り返し照射する。これにより、セラミックグリーンシートと保護テープに所望の貫通孔よりも小さい予備孔が形成される。本実施形態では、長パルスレーザによってセラミックグリーンシートと保護テープに形成される予備孔の直径は約２０μｍである。
【００４１】
長パルスレーザの照射が終了すると、次に、出力が３６０Ｗであり、パルス幅が１５μｓである短パルスレーザを、３０００Ｈｚの周波数で、予め設定された回数（本実施形態では、６回）繰り返し照射する。これにより、セラミックグリーンシートに貫通孔が形成される。実施形態では、短パルスレーザによってセラミックグリーンシートに形成される貫通孔の直径は約１００μｍである。すなわち、短パルスレーザにより形成される貫通孔の径が、長パルスレーザにより形成される予備孔の径より大きくなるように、短パルスレーザの照射条件が設定されている。
【００４２】
なお、パルス幅が３０μｓ以下のレーザを短パルスレーザ、パルス幅が３０〜１００μｓのレーザを長パルスレーザという。
このように構成されたセラミック基板１の製造方法では、パルス幅が５５μｓの炭酸ガスレーザを照射した後に、パルス幅が１５μｓの炭酸ガスレーザの照射を繰り返す。このように第２実施形態におけるセラミック基板１の製造方法は、貫通孔を形成するために、パルス幅が３０μｓより大きい炭酸ガスレーザの照射を部分的に用いている。このため、セラミック基板１の製造方法は、パルス幅が３０μｓ以下である炭酸ガスレーザのみを２０００Ｈｚ以上の周波数で繰り返し照射する場合よりも、同じ処理時間でグリーンシートに与えられる熱エネルギーを多くすることができ、レーザ照射工程の処理時間を短縮することができる。
【００４３】
また、長パルスレーザでセラミックグリーンシートを貫通する予備孔を形成した後に、短パルスレーザで所望の径の貫通孔を形成することにより、レーザ入射側の開口部の径と、レーザ出射側の開口部の径との差を小さくすることができる。
【００４４】
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。
例えば上記実施形態では、パルス幅が３０μｓで、２０００Ｈｚの周波数の炭酸ガスレーザの照射を繰り返すものを示した。しかし、パルス幅および周波数はそれぞれ、３０μｓおよび２０００Ｈｚに限定されるものではなく、３０μｓ以下および２０００Ｈｚ以上であればよい。
【００４５】
また上記実施形態では、パルス幅が５５μｓである長パルスレーザを照射するものを示した。しかし、長パルスレーザのパルス幅は５５μｓに限定されるものではなく、３０μｓより大きく１００μｓ以下であればよい。
【００４６】
また上記実施形態では、長パルスレーザによりセラミックグリーンシートに直径が約２０μｍである予備孔を形成した後に、短パルスレーザによりセラミックグリーンシートに直径が約１００μｍである貫通孔を形成するものを示した。しかし、長パルスレーザの照射によって形成される予備孔を、セラミックグリーンシートを貫通する前に長パルスレーザの照射を終了することにより有底孔とし、その後、短パルスレーザの照射により、セラミックグリーンシートを貫通する貫通孔を形成するようにしてもよい。
【００４７】
また上記実施形態では、セラミックグリーンシート２２の面２２ａ上に保護テープ２１を積層するものを示したが、セラミックグリーンシート２２の面２２ａ上だけではなく面２２ｂ上にも保護テープ２１を積層するようにしてもよい。
【００４８】
また上記実施形態では、セラミック層３が、例えば８００〜１０００℃程度の低温にて焼成した低温焼成のガラスセラミックで構成されているものを示した。しかし、セラミック層３が、２０体積％以上であり且つ８０体積％以下のガラス成分を含むグリーンシートを１４００℃以下で焼成することにより作製されるようにしてもよい。さらに、５０体積％以上であり且つ８０体積％以下のガラス成分を含むグリーンシートではガラス玉が発生しやすい。このようなガラス成分の割合と焼成温度を採用したセラミック基板の製造方法において、上記実施形態に示すように炭酸ガスレーザを照射することにより、ガラス玉の発生とボイドの発生を抑制することができる。
【００４９】
上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００５０】
１…セラミック基板、３…セラミック層、５…配線層、７…表面導電層、９…ビア導体、２２…セラミックグリーンシート、２２ｃ…貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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