(57)【要約】【課題】従来に比べて、ガラス基板への異物の付着が有意に抑制された、マスクブランク用基板の製造方法を提供する。【解決手段】マスクブランク用基板の製造方法であって、（Ｉ）コロイダルシリカを含む研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨する工程と、（ＩＩ）ｐＨが９超１４以下の洗浄液を用いて、前記ガラス基板を洗浄する工程であって、前記ガラス基板の洗浄後に、前記洗浄液のシリカ濃度は、１００ｐｐｍ以下に維持される、工程と、を有する、製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクブランク用基板の製造方法であって、
（Ｉ）コロイダルシリカを含む研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨する工程と、
（ＩＩ）ｐＨが９超１４以下の洗浄液を用いて、前記ガラス基板を洗浄する工程であって、前記ガラス基板の洗浄後に、前記洗浄液のシリカ濃度は、１００ｐｐｍ以下に維持される、工程と、
を有する、製造方法。
【請求項２】
（ＩＩ）の後に、
（ＩＩＩ）前記ガラス基板をｐＨ９以下の水溶液に浸漬する工程、
を有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
（ＩＩＩ）の後に、
（ＩＶ）前記ガラス基板を、過酸化水素を含む水溶液で洗浄する工程
を有する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記（ＩＩ）の工程は、前記ガラス基板を複数の洗浄液で順次洗浄する工程を有し、
最後の洗浄液において、シリカ濃度が１００ｐｐｍ以下に維持される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項５】
前記マスクブランク用基板は、合成石英ガラス基板である、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマスクブランク用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造の分野では、シリコンウェハのような被加工基板にパターンを形成する際に、露光光およびマスクを用いたパターン転写技術が利用される。
【０００３】
このパターン転写技術では、マスクを介して被加工基板に露光光を照射することにより、被加工基板の表面（通常、レジストの表面）に、マスクのパターンを転写することができる。特に、最近では、微細パターン転写を可能とするため、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いたＡｒＦ露光技術や、ＥＵＶ露光光を用いたＥＵＶ露光技術が注目されている。
【０００４】
例えば、ＥＵＶ露光技術では、露光光として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光が用いられる。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線および真空紫外光を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、露光光として１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が主に検討されている。
【０００５】
このような短波長の光を露光光として使用する場合、マスク表面の微細な凹凸が転写パターンの品質に大きな影響を及ぼし得る。特に、マスク表面に付着した異物は、それが微細なものであっても、「凸状欠点」として影響を及ぼすため、転写パターンに欠陥または寸法変化が発生する原因となる。
【０００６】
このため、マスクの基材となるマスクブランク用基板を製造する際には、研磨工程において、基材となるガラス基板の表面をコロイダルシリカ粒子（研磨砥粒として機能する）を含むスラリーで研磨した後に、このガラス基板を洗浄液中で十分に洗浄する工程（洗浄工程）が実施される。洗浄工程を実施することにより、ガラス基板に付着した研磨砥粒を十分に除去することができ、後に「凸状欠点」になり得る異物がガラス基板に残留することを抑制することができる。
【０００７】
なお、特許文献１には、研磨工程で使用される研磨液（研磨スラリー）と、洗浄工程で使用される洗浄液とにおいて、ゼータ電位の極性を一致させることが提案されている。この場合、洗浄工程において、強酸または強アルカリ性の洗浄液を使用しなくても、ガラス基板からコロイダルシリカ粒子を容易に除去できることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２２６５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、本願発明者らの実験によれば、特許文献１に記載の方法を含む、従来のマスクブランク用基板の製造方法を実施した場合、ガラス基板の表面には、依然として相当数の異物が残留し得ることが確認されている。
【００１０】
従って、従来の対応では、マスクブランク用基板の表面における凸状欠点を十分に抑制することは難しいことが予想される。また、これに伴い、今後、マスクブランク用基板の表面から異物をより確実に除去するための対策が要望されることが予想される。
【００１１】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、従来に比べて、ガラス基板への異物の付着が有意に抑制された、マスクブランク用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、マスクブランク用基板の製造方法であって、
（Ｉ）コロイダルシリカを含む研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨する工程と、
（ＩＩ）ｐＨが９超１４以下の洗浄液を用いて、前記ガラス基板を洗浄する工程であって、前記ガラス基板の洗浄後に、前記洗浄液のシリカ濃度は、１００ｐｐｍ以下に維持される、工程と、
を有する、製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、従来に比べて、ガラス基板への異物の付着が有意に抑制された、マスクブランク用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】室温におけるシリカの溶解度のｐＨ依存性を示した図である。
【図２】本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の製造方法の一例を模式的に示したフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明について詳しく説明する。
【００１６】
（従来の問題）
まず、本発明の特徴をより良く理解するため、従来のマスクブランク用基板の製造方法に関する問題について説明する。
【００１７】
一般に、従来のマスクブランク用基板の製造方法は、
（１）研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨する、研磨工程と、
（２）研磨後のガラス基板を洗浄液中で洗浄する、洗浄工程と、
（３）次工程の待機のため、洗浄後のガラス基板を水中に浸漬させる、待機工程と、
を含む。
【００１８】
このうち、（１）の研磨工程は、ガラス基板の表面を十分に平滑にするために実施される。研磨スラリーは、通常、コロイダルシリカ粒子などの研磨砥粒および溶媒を含む。
【００１９】
また、（２）の洗浄工程は、（１）の研磨工程によってガラス基板の表面に付着した研磨砥粒を洗い流したり、溶解したりするために実施される。通常、洗浄液には、アルカリ性の水溶液（ｐＨ＝１１〜１４）が使用される。さらに、（３）の待機工程では、略中性（ｐＨ≒７）の水（以下、「中性水」という）中に、ガラス基板が保持される。
【００２０】
しかしながら、本願発明者らは、このような従来の方法を実施した場合、（３）の工程後に、ガラス基板の表面に、相当数の異物が付着していることに気付いた。また、これらの異物を精密に評価したところ、これらの成分はシリカであることが認められた。
【００２１】
図１には、室温の水溶液のｐＨに及ぼすシリカの溶解度変化のグラフを示す。このグラフは、Tang，M．S．，Su-Fen，H．，"Effect of Ca(OH)2 on Alkali-Silica Reaction"Proceedings of the Eight International Congress of Cement Chemistry，Paris，France，Vol. 2，1980，pp．94-99から引用したものである。
【００２２】
この図から、シリカの溶解度は水溶液のｐＨに依存し、ｐＨが高いほど、シリカの溶解度が急激に上昇する傾向にあることがわかる。逆に水溶液のｐＨが小さくなると、シリカの溶解度は急激に低下し、例えば、ｐＨが９以下になると、溶解度は約２ｍＭ／Ｌ（約１００ｐｐｍ）以下となる。
【００２３】
このような図１に示したシリカの溶解挙動、および本願発明者らの実験結果から、従来の製造方法に関して、以下のことが予想される：
（１）の研磨工程を実施すると、ガラス基板にコロイダルシリカ粒子が付着する；
（２）の洗浄工程では、これらのコロイダルシリカ粒子は、アルカリ性の洗浄液中に溶解される。図１に示した溶解度曲線から、コロイダルシリカ粒子は、アルカリ性の洗浄液中に相当量溶解することがわかる。その結果、洗浄液は、相当量のシリカが溶解された状態（シリカ濃度Ａとする）となる；
次に（３）の待機工程を実施するため、ガラス基板がいったん洗浄液から引き出される。その後、ガラス基板が中性水中に浸漬される。この際に、ガラス基板とともに、該ガラス基板に付着している洗浄液も、水中に取り込まれる。洗浄液は、シリカ濃度Ａのシリカを含む溶液であるため、これにより、中性水中にシリカ（溶解状態）が導入される。
【００２４】
ここで、図１に示した溶解挙動から、アルカリ性の環境（洗浄液中）においては溶解状態で存在し得たシリカは、中性水中では溶解状態を維持できなくなる。そのため、ガラス基板を中性水中に浸漬すると、シリカが中性水中で再析出される。そして、この再析出したシリカが異物として、ガラス基板に付着する。
【００２５】
その後、中性水から取り出されたガラス基板は、再析出したシリカが付着された状態、すなわち表面に異物を有する状態で、後工程に供される。
【００２６】
この考察によれば、従来のマスクブランク用基板の製造方法では、（３）の待機工程中に、ガラス基板の表面に異物が残留してしまうことになる。
【００２７】
なお、この問題は、特許文献１に記載の方法においても同様に生じ得る。特許文献１においても、（２）の洗浄工程においてアルカリ性の洗浄液を使用し、（３）の待機工程において中性の中性水を使用する限り、同じシリカの溶解挙動に従って、同じ再析出現象が生じ得るからである。
【００２８】
このように、従来のマスクブランク用基板の製造方法では、ガラス基板の表面に異物が残留する可能性が高く、従って、マスクブランク用基板の表面に生じ得る凸状欠点を十分に抑制することは難しいという問題がある。
【００２９】
（本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の製造方法）
次に、図２を参照して、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の製造方法について説明する。
【００３０】
図２には、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の製造方法（以下、「第１の製造方法」という）のフローを概略的に示す。
【００３１】
図２に示すように、第１の製造方法は、
（Ｉ）研磨スラリーを用いてガラス基板を研磨する工程（研磨工程：工程Ｓ１１０）と、
（ＩＩ）ｐＨが９超１４以下の洗浄液を用いて、前記ガラス基板を洗浄する工程であって、前記ガラス基板の洗浄後に、前記洗浄液のシリカ濃度は、１００ｐｐｍ以下に維持される、工程（第１洗浄工程：工程Ｓ１２０）と、
（ＩＩＩ）前記ガラス基板をｐＨ９以下の待機用液体中に浸漬する工程（待機工程：工程Ｓ１３０）と、
（ＩＶ）前記ガラス基板を、過酸化水素を含む水溶液で洗浄する工程（第２洗浄工程：工程Ｓ１４０）と、
を有する。
【００３２】
なお、第１の製造方法において、待機工程Ｓ１３０および第２洗浄工程Ｓ１４０は、任意に実施される工程であって、省略されても良い。
【００３３】
以下、各工程について、より詳しく説明する。
【００３４】
（工程Ｓ１１０）
まず、マスクブランク用のガラス基板が準備される。
【００３５】
ガラス基板の形状は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、略矩形状または略ディスク状であっても良い。なお、本工程Ｓ１１０において研磨されるガラス基板の表面を、特に主表面と称する。主表面は、１つ（第１の主表面）であっても、相互に対向する２つ（第１および第２の主表面）であっても良い。
【００３６】
ガラス基板の組成は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス、または低熱膨張性ガラス等であっても良い。
【００３７】
次に、ガラス基板の主表面が研磨される。
【００３８】
通常の場合、ガラス基板の研磨は、研磨パッドが貼付された研磨定盤を用いて実施される。より具体的には、研磨定盤の研磨パッドにガラス基板の主表面を押し付けた状態で、研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板を研磨定盤に対して相対的に移動（回転および／または並進）させることにより、ガラス基板が研磨される。
【００３９】
そのような研磨に使用できる研磨装置として、例えば、遊星歯車方式の研磨装置などがある。
【００４０】
なお、この工程では、両面研磨装置を用いて、ガラス基板の２つの主表面を一度に研磨しても良い。
【００４１】
ここで、研磨スラリーは、研磨砥粒および溶媒を有し、研磨砥粒は、粒径（平均一次粒径。以下同じ）が１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であっても良い。研磨砥粒は、コロイダルシリカ粒子を含む。研磨砥粒には、さらに、酸化セリウム粒子などが含まれても良い。また、溶媒は、水、アルコール、またはこれらの混合物等で構成されても良い。さらに、研磨スラリーを所望のｐＨに調整するため、研磨スラリーの分散媒には、酸性またはアルカリ性の分散媒が用いられる。酸性の分散媒には、塩酸、硝酸、酢酸等を通常使用することができる。アルカリ性の分散媒には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム等を通常使用することができる。
【００４２】
酸性の分散剤を使用した場合、研磨スラリーのｐＨは、例えば、１〜４の範囲であっても良い。
【００４３】
本研磨工程により、ガラス基板の主表面に、例えば、ＲＭＳ（二乗平均粗さ）表記で、０．０５ｎｍ〜０．２ｎｍ程度の平滑性が得られる。
【００４４】
（工程Ｓ１２０）
工程Ｓ１２０では、ガラス基板が洗浄液で洗浄される。
【００４５】
この工程Ｓ１２０は、工程Ｓ１１０においてガラス基板に付着した研磨砥粒（コロイダルシリカ粒子等）を溶解および／または洗い流すために実施される。例えば、この工程Ｓ１２０は、洗浄液を含む浴槽中にガラス基板を浸漬させることにより、実施されても良い。
【００４６】
洗浄液には、アルカリ性の溶液が使用される。洗浄液のｐＨは、９よりも大きく、１４以下である（９＜ｐＨ≦１４）。洗浄液のｐＨは、１１〜１３の範囲であることが好ましい。
【００４７】
洗浄液は、例えば、ｐＨが前記範囲に調整された水溶液であっても良い。そのようなｐＨ調整のため、洗浄液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、およびアンモニア水のうちの少なくとも一つを含んでも良い。
【００４８】
ここで、第１の製造方法では、工程Ｓ１２０におけるガラス基板の洗浄後に、洗浄液中に含まれるシリカ濃度が１００ｐｐｍ以下に維持される。
【００４９】
前述のように、シリカの溶解度はｐＨ依存性を示し、アルカリ性の洗浄液中では、比較的多くのシリカが溶解する。
【００５０】
そのため、その後の工程（例えば工程Ｓ１３０）において、この洗浄液が付着したガラス基板を、例えばｐＨが９以下のような低ｐＨ液体中に導入した場合、溶解状態のシリカが液体中に存在できなくなり、再析出する。前述のように、この再析出したシリカがガラス基板に付着すると、これが異物となり、マスクブランク用基板に凸欠陥が生じる原因となってしまう。
【００５１】
これに対して、第１の製造方法では、工程Ｓ１２０における処理後の洗浄液に含まれるシリカの濃度は、１００ｐｐｍ以下に抑制される。このため、洗浄液からガラス基板を取り出した際に、このガラス基板に付着する洗浄液に含まれるシリカの量も、１００ｐｐｍ以下となる。従って、このガラス基板をその後、例えば待機用液体のような低ｐＨ液体中に導入しても、ｐＨ低下によってシリカが再析出することは生じ難くなる。
【００５２】
従って、第１の製造方法では、ガラス基板の表面でシリカが再析出し、これが異物として残留することを有意に回避または抑制することができる。
【００５３】
なお、洗浄液において、このような１００ｐｐｍ以下のシリカ濃度を実現するための方法は、特に限られない。
【００５４】
例えば、ガラス基板を洗浄液で洗浄する前に、工程Ｓ１１０完了後のガラス基板に対して、風圧によるブロー処理を実施しても良い。
【００５５】
ブロー処理により、ガラス基板に付着したコロイダルシリカ粒子の少なくとも一部は、ガラス基板から吹き飛ばされ、除去される。このため、その後工程Ｓ１２０による洗浄工程を実施した場合、洗浄液に移動し、洗浄液中で溶解するコロイダルシリカ粒子の量を、有意に抑制することができる。
【００５６】
その結果、ガラス基板を洗浄した後の洗浄液中のシリカ濃度を１００ｐｐｍ以下に維持することができる。
【００５７】
あるいは、「吹き飛ばし処理」の別の例として、工程Ｓ１１０完了後のガラス基板に対して、回転（スピン）処理を実施しても良い。ガラス基板を回転（スピン）させることにより、ガラス基板に付着したコロイダルシリカ粒子の少なくとも一部をガラス基板から除去することができる。従って、この場合も、ブロー処理の場合と同様の効果を得ることができる。回転処理は、例えば、ガラス基板を回転装置に設置して、実施しても良い。
【００５８】
また、シリカ濃度が１００ｐｐｍ以下の洗浄液を得るためのさらに別の例として、工程Ｓ１２０において、洗浄液によるガラス基板の洗浄を、複数回繰り返しても良い。
【００５９】
例えば、洗浄液が収容された浴槽を複数準備しておき、第１の浴槽、第２の浴槽、…と、ガラス基板を順番に浸漬させる。これにより、最終浴槽中の、ガラス基板の洗浄後のシリカ濃度を、１００ｐｐｍ以下に維持することができる。
【００６０】
この他にも、１００ｐｐｍ以下のシリカ濃度を実現するための処置として、当業者には各種方法が想定される。
【００６１】
（工程Ｓ１３０）
次に、必要な場合、ガラス基板がｐＨ９以下の待機用液体中に浸漬される。
【００６２】
この工程は、以降に実施される様々な工程に備えて、ガラス基板を「待機」状態にするために実施される。ただし、第１の製造方法では、工程Ｓ１２０までの実施により、その後の液体中でのシリカの再析出、およびガラス基板へのシリカの付着を抑制することができる。従って、第１の製造方法において、工程Ｓ１３０以降の工程は、必ずしも必要な工程ではない。
【００６３】
待機用液体は、ｐＨが９以下の水または水溶液であっても良い。待機用液体のｐＨは、６〜８の範囲であることが好ましい。
【００６４】
待機用液体が水溶液の場合、待機用液体は、ｐＨ調整用添加剤等を含んでも良い。ｐＨ調整用添加剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および／またはアンモニア水であっても良い。
【００６５】
ここで、前述のように、工程Ｓ１２０後の洗浄液中のシリカ濃度は、１００ｐｐｍ以下に抑制されている。このため、洗浄液が付着したガラス基板を、ｐＨ９以下の待機用液体中に浸漬しても、ｐＨの変化によってシリカが再析出することは生じ難くなる。
【００６６】
（工程Ｓ１４０）
工程Ｓ１２０の後または工程Ｓ１３０の後、必要な場合、ガラス基板が過酸化水素を含む水溶液（以下、「過酸化水素含有溶液」という）で洗浄されても良い。
【００６７】
過酸化水素含有溶液は、過酸化水素の他、硫酸、またはアンモニア等を含んでも良い。
【００６８】
この工程Ｓ１４０は、いわゆる最終洗浄工程であり、この工程を経て、ガラス基板が十分に清浄化される。ただし、この工程Ｓ１４０は、第１の製造方法において、必須の工程ではなく、省略されても良い。
【００６９】
以上の工程により、マスクブランク用基板が製造される。
【００７０】
第１の製造方法では、前述の効果により、工程Ｓ１２０の実施後に、ガラス基板と接する各液体中にシリカが再析出することが有意に抑制され、その結果、ガラス基板に再析出シリカが付着することも、回避または抑制することができる。
【００７１】
従って、第１の製造方法では、ガラス基板への異物の付着が有意に抑制された、マスクブランク用基板を製造することができる。
【実施例】
【００７２】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の説明において、例１および例４は実施例であり、例２および例３は比較例である。
【００７３】
（例１）
以下の方法で、マスクブランク用基板を製造した。
【００７４】
（研磨処理）
まず、複数枚（１５枚）のガラス基板を準備した。ガラス基板には、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの合成石英ガラスを使用した。
【００７５】
次に、これらのガラス基板の主表面（相互に対向する、寸法１５２ｍｍ×１５２ｍｍの２つの面）を研磨した。
【００７６】
研磨処理には、両面研磨装置（両面２４Ｂ研磨機：浜井産業株式会社製）を使用した。両面研磨装置の上下の研磨定盤には、研磨パッド（ベラトリクスＮ７５１２：株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製）を貼付した。
【００７７】
研磨処理は、ガラス基板をホルダに保持した状態で実施した。このホルダには、各ガラス基板の両主表面を露出させた状態で、一度に３枚のガラス基板を取り付けることが可能である。１５枚のガラス基板を一度に研磨するため、５つのホルダを使用した。すなわち、各ホルダに３枚ずつ、ガラス基板を取り付けた。
【００７８】
研磨処理は、ホルダと研磨パッドの間に、研磨スラリーを１０リットル／分の供給速度で供給しながら実施した。研磨スラリーは、平均一次粒径２０ｎｍ未満のコロイダルシリカを２０質量％含有し、分散媒として硝酸を含み、ｐＨ２．０に調整された。
【００７９】
研磨荷重は０．５２ｇ重／ｍｍ２とし、研磨定盤の回転数は１０ｒｐｍとし、研磨時間は３０分とした。
【００８０】
これにより、１５枚の研磨済みガラス基板が得られた。
【００８１】
（洗浄処理）
次に、１５枚の研磨済みガラス基板の洗浄工程を実施した。
【００８２】
洗浄工程は、一つのホルダに取り付けられたガラス基板３枚を１組として実施した。より具体的には、同一のホルダに取り付けられたガラス基板を３枚ずつ、第１の浴槽および第２の浴槽に、順次浸漬させることにより、洗浄工程を実施した。なお、２組目の3枚のガラス基板の洗浄処理は、１組目の3枚のガラス基板の洗浄処理が完了後（すなわち、第２の浴槽から取り出した後）に、開始した。
【００８３】
以降、説明の簡素化のため、洗浄後の各組のガラス基板を、洗浄工程に供された順に、第１セットのガラス基板、第２セットのガラス基板、…、第５セットのガラス基板と称する。従って、第５セットのガラス基板の３枚は、最後に洗浄処理されたガラス基板の組である。
【００８４】
第１および第２の浴槽のそれぞれには、ｐＨが１２の洗浄液を５０リットル収容させた。洗浄液は、水酸化カリウム（３％）水溶液とした。いずれの浴槽においても、ガラス基板の浸漬時間は、５分間とした。
【００８５】
第５セットのガラス基板を第２の浴槽で洗浄した後に、該第２の浴槽に含まれるシリカの量を測定した。その結果、第２の浴槽中のシリカ濃度は、１０ｐｐｍであった。
【００８６】
（後処理）
各セットのガラス基板は、第２の浴槽から取り出した後、待機用浴槽中に浸漬させた。待機用浴槽には、ｐＨが約７の超純水（約４０リットル）が収容されている。ガラス基板は、待機用浴槽中で５分間放置した。
【００８７】
その後、各セットのガラス基板を待機用浴槽から取り出し、枚葉式洗浄装置を用いて、スクラブ洗浄、硫酸・過酸化水素水混合溶液、アルカリ洗剤、超純水の各種溶液それぞれにこの順に、超音波を印加した状態で洗浄し、最後にスピン乾燥させた。
【００８８】
なお、第２セットのガラス基板は、第１セットのガラス基板を待機用浴槽から取り出した後に、待機用浴槽中に浸漬させた。以下、第３セット、第４セットおよび第５セットのガラス基板においても同様に実施した。
【００８９】
これにより、合計１５枚のマスクブランク用基板（以下、それぞれ、「サンプル１−１」、…、「サンプル１−１５」という）が得られた。なお、サンプル１−１〜サンプル１−３は、前述の第１セットのガラス基板に相当し、サンプル１−４〜サンプル１−６は、前述の第２セットのガラス基板に相当し、以下同様である。
【００９０】
上記工程を１５枚１バッチとし、２バッチ実施した。
【００９１】
（評価）
サンプル１−１３、サンプル１−１４、およびサンプル１−１５の２バッチ分６枚を用いて、一方の主表面の欠陥状態を評価した。
【００９２】
評価には、欠陥検査機（Ｍ７３６０：レーザテック社）を用い、ガラス基板の主表面うち中央の１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域に含まれる、サイズが４０ｎｍ以上の凸状欠点数を測定した。得られた測定結果から、６枚のガラス基板における凸状欠点数の平均値「（Ａｎ（ａｖｅ）と称する）を求めた。
【００９３】
評価の結果、Ａｎ（ａｖｅ）は、１．２個であり、６枚のサンプル（１−１３、１−１４および１−１５）に含まれる凸状欠点は、極めて少ないことがわかった。
【００９４】
（例２）
例１と同様の方法により、マスクブランク用基板を製造した。ただし、この例２では、１２枚のガラス基板を使用し、研磨処理の際には、１２枚のガラス基板を同時に研磨した（ホルダ数４）。また、洗浄処理には、第１の浴槽のみを使用した。
【００９５】
すなわち、研磨後の第１セットのガラス基板（３枚）を第１の浴槽中に浸漬させ、５分間経過後にこれらを取り出し、これらを待機用浴槽中に浸漬させた。以降、第２セットのガラス基板（３枚）、第３セットのガラス基板（３枚）、および第４セットのガラス基板（３枚）についても、同様の処理を実施した。
【００９６】
なお、第４セットのガラス基板を第１の浴槽で洗浄した後に、該第１の浴槽に含まれるシリカの量を測定したところ、第１の浴槽中のシリカ濃度は、１６７ｐｐｍであった。
【００９７】
これにより、合計１２枚のマスクブランク用基板（以下、それぞれ、「サンプル２−１」、…、「サンプル２−１２」という）が得られた。なお、サンプル２−１〜サンプル２−３は、前述の第１セットのガラス基板に相当し、サンプル２−４〜サンプル２−６は、前述の第２セットのガラス基板に相当し、以下同様である。
【００９８】
上記工程を１２枚１バッチとし、２バッチ実施した。
【００９９】
サンプル２−１０、サンプル２−１１、およびサンプル２−１２の２バッチ分６枚を用いて、前述の評価を実施した。
【０１００】
評価の結果、Ａｎ（ａｖｅ）は、６．５個であり、６枚のサンプル（２−１０、２−１１および２−１２）には、多くの凸状欠点が含まれていることがわかった。
【０１０１】
（例３）
例２と同様の方法により、マスクブランク用基板を製造した。ただし、この例３では、９枚のガラス基板を使用し、研磨処理の際には、９枚のガラス基板を同時に研磨した（ホルダ数３）。
【０１０２】
その後、第１セットのガラス基板（３枚）〜第３セットのガラス基板（３枚）について、前述の洗浄処理および後処理を実施した。
【０１０３】
第３セットのガラス基板を第１の浴槽で洗浄した後に、該第１の浴槽に含まれるシリカの量を測定したところ、第１の浴槽中のシリカ濃度は、１２０ｐｐｍであった。
【０１０４】
これにより、合計９枚のマスクブランク用基板（以下、それぞれ、「サンプル３−１」、…、「サンプル３−９」という）が得られた。なお、サンプル３−１〜サンプル３−３は、前述の第１セットのガラス基板に相当し、サンプル３−４〜サンプル３−６は、前述の第２セットのガラス基板に相当し、以下同様である。
【０１０５】
上記工程を９枚１バッチとし、２バッチ実施した。
【０１０６】
サンプル３−７、サンプル３−８、およびサンプル３−９の２バッチ分６枚を用いて、前述の評価を実施した。
【０１０７】
評価の結果、Ａｎ（ａｖｅ）は、５．８個であり、６枚のサンプル（３−７、３−８および３−９）には、多くの凸状欠点が含まれていることがわかった。
【０１０８】
（例４）
以下の方法で、マスクブランク用基板を製造した。
【０１０９】
まず、例１と同様の研磨処理により、１５枚の研磨済みガラス基板を準備した。
【０１１０】
次に、それぞれの研磨済みガラス基板に対して、回転処理を実施した。回転処理は、ガラス基板を１枚ずつ用いて実施した。より具体的には、１枚のガラス基板を回転器にチャック固定した状態で、回転処理を実施した。回転速度は、１５ｒｐｍとし、処理時間は１０秒とした。
【０１１１】
次に、回転処理後の各ガラス基板に対して、例２の場合と同様の方法により、洗浄処理および後処理を実施した。
【０１１２】
洗浄処理は、同一のホルダで研磨処理されたガラス基板を３枚ずつ、第１の浴槽に浸漬させることにより実施した。
【０１１３】
すなわち、まず、第１セットのガラス基板（３枚）を第１の浴槽中に浸漬させ、５分間経過後にこれらを取り出し、これらを待機用浴槽中に浸漬させた。第１セットのガラス基板の後処理が完了後、第２セットのガラス基板（３枚）、…、および第５セットのガラス基板（３枚）についても、順次、同様の処理を実施した。
【０１１４】
第５セットのガラス基板を第１の浴槽で洗浄した後に、該第１の浴槽に含まれるシリカの量を測定したところ、第１の浴槽中のシリカ濃度は、６３ｐｐｍであった。
【０１１５】
これにより、合計１５枚のマスクブランク用基板（以下、それぞれ、「サンプル４−１」、…、「サンプル４−１５」という）が得られた。なお、サンプル４−１〜サンプル４−３は、前述の第１セットのガラス基板に相当し、サンプル４−４〜サンプル４−６は、前述の第２セットのガラス基板に相当し、以下同様である。
【０１１６】
上記工程を１５枚１バッチとし、２バッチ実施した。
【０１１７】
サンプル４−１３、サンプル４−１４、およびサンプル４−１５の２バッチ分６枚を用いて、前述の評価を実施した。
【０１１８】
評価の結果、Ａｎ（ａｖｅ）は、２．３個であり、６枚のサンプル（４−１３、４−１４および４−１５）に含まれる凸状欠点は、極めて少ないことがわかった。
【０１１９】
以下の表１には、例１〜例４において得られた結果をまとめて示した。
【０１２０】
【表１】
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以上のように、洗浄工程において、ガラス基板の洗浄処理を実施した後の洗浄液中のシリカ濃度を１００ｐｐｍ以下とすることにより、ガラス基板の表面に存在し得る凸状欠点を、有意に抑制できることが確認された。
【図１】
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【図２】
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