(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された遮光性部材と、前記絶縁基板の上方に配置された第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタに並列した第２カラーフィルタと、前記遮光性部材上に配置され、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの間に配置された隔壁と、前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタの上に配置された絶縁膜と、を備え、前記隔壁の上面と、前記絶縁膜の上面は、同一平面上に位置する、表示装置。【選択図】      図６
2018066847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された遮光性部材と、前記絶縁基板の上方に配置された第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタに並列した第２カラーフィルタと、前記遮光性部材上に配置され、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの間に配置された隔壁と、前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタの上に配置された絶縁膜と、を備え、
前記隔壁の上面と、前記絶縁膜の上面は、同一平面上に位置する、表示装置。
【請求項２】
さらに、前記絶縁膜の上に配置された第１透明電極と、前記第１透明電極の上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に配置された第２透明電極と、を備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記遮光性部材は、信号線であり、
さらに、前記絶縁基板上に配置され前記信号線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された中継電極と、を備え、
前記絶縁膜は、前記中継電極に接し、前記中継電極まで貫通するコンタクトホールを有する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記遮光性部材は、信号線であり、
さらに、前記絶縁基板上に配置され前記信号線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された中継電極と、
前記中継電極の上に配置されたアイランド部と、を備え、
前記アイランド部は、前記中継電極まで貫通するコンタクトホールを有する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記アイランド部及び前記隔壁は、同一の高さを有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記隔壁及び前記アイランド部は、同一材料で形成される、請求項４又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記隔壁のエッジは、平面視で前記遮光性部材のエッジと重なる、請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記隔壁は、透明な有機材料によって形成される、請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記隔壁は、黒色の顔料を含む有機材料によって形成される、請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された遮光性部材と、前記絶縁基板の上方に配置された第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタに並列した第２カラーフィルタと、前記遮光性部材上に配置され、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの間に配置された隔壁と、を備え、
前記隔壁の上面と、前記第１及び第２カラーフィルタの上面は、同一平面上に位置する、表示装置。
【請求項１１】
さらに、前記第１及び第２カラーフィルタの上面に接する第１透明電極と、前記第１透明電極の上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に配置された第２透明電極と、を備える請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記遮光性部材は、信号線であり、
さらに、前記絶縁基板上に配置され前記信号線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された中継電極と、を備え、
前記第２カラーフィルタは、前記中継電極まで貫通するコンタクトホールを有する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１透明電極は、前記コンタクトホールを介して前記中継電極と電気的に接続される、請求項３乃至６、及び、１２の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２透明電極は、前記コンタクトホールを介して前記中継電極と電気的に接続される、請求項３乃至６、及び、１２の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
絶縁基板上に、金属層を形成し、
前記金属層上に、第１隔壁及び第２隔壁を形成し、
前記金属層上で前記第１隔壁と前記第２隔壁との間に、前記第１隔壁及び前記第２隔壁から離間したレジストを形成し、
前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記レジストをマスクとして、前記金属層をエッチングすることにより、第１信号線、第２信号線、中継電極を形成し、
前記レジストを除去し、
前記第１隔壁と前記第２隔壁との間にカラーフィルタを形成し、
前記カラーフィルタの上に配置された絶縁膜を形成する、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置等の表示装置は各種分野で利用されており、液晶表示装置はさらなる高精細化が要求されている。高精細化が進むに連れて、隣接する画素の異なる色調の光が混ざる混色が課題となる。カラーフィルタが対向基板に形成された液晶表示装置においては、対向基板とアレイ基板との合わせズレが混色の最大の原因であった。そのため、カラーフィルタをアレイ基板上に形成する技術が知られている。しかし、さらに高精細になると単にカラーフィルタをアレイ基板に配置しただけでは十分な混色対策にはならない。そこで、高精細化されたＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の表示装置において、信号線の上部から液晶層の下部までの距離を所定の距離以下に設定することで、混色を低減する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１４７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された遮光性部材と、前記絶縁基板の上方に配置された第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタに並列した第２カラーフィルタと、前記遮光性部材上に配置され、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの間に配置された隔壁と、前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタの上に配置された絶縁膜と、を備え、前記隔壁の上面と、前記絶縁膜の上面は、同一平面上に位置する、表示装置が提供される。
【０００６】
本実施形態によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された遮光性部材と、前記絶縁基板の上方に配置された第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタに並列した第２カラーフィルタと、前記遮光性部材上に配置され、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの間に配置された隔壁と、を備え、前記隔壁の上面と、前記第１及び第２カラーフィルタの上面は、同一平面上に位置する、表示装置が提供される。
【０００７】
本実施形態によれば、絶縁基板上に、金属層を形成し、前記金属層上に、第１隔壁及び第２隔壁を形成し、前記金属層上で前記第１隔壁と前記第２隔壁との間に、前記第１隔壁及び前記第２隔壁から離間したレジストを形成し、前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記レジストをマスクとして、前記金属層をエッチングすることにより、第１信号線、第２信号線、中継電極を形成し、前記レジストを除去し、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間にカラーフィルタを形成し、前記カラーフィルタの上に配置された絶縁膜を形成する、表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した第１基板を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した第１基板を第２基板側から見たときのカラーフィルタの構成例を示す平面図である。
【図６】図６は、図５のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る第１基板の製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、本実施形態に係る第１基板の他の製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、本実施形態の第１基板の変形例を示す断面図である。
【図２２】図２２は、本実施形態の第１基板の他の変形例を示す断面図である。
【図２３】図２３は、隔壁及び信号線の位置関係を示す平面図である。
【図２４】図２４は、本実施形態の表示パネルの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。本実施形態においては、表示装置ＤＳＰとして液晶表示装置が適用される。
【００１１】
なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【００１２】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動するＩＣチップ１などを備えている。表示パネルＰＮＬは、例えば、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＬと、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。
【００１３】
シールＳＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、シールＳＬによって囲まれた内側に位置している。シールＳＬは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
【００１４】
ＩＣチップ１は、非表示領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。ＩＣチップ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。ここでのディスプレイドライバは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップ１は、別途表示パネルＰＮＬに接続されるフレキシブル基板上に実装されていても良い。また、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路を内蔵していても良い。
【００１５】
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００１６】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。
【００１７】
走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップ１に内蔵されていても良い。また、これらの駆動回路のレイアウトは、図示した例に限られるものではなく、例えば、走査線駆動回路ＧＤは、表示領域ＤＡを挟んだ両側に配置されても良い。
【００１８】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１９】
図３は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。
【００２０】
第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇ１及びＧ２、信号線Ｓ１及びＳ２、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、隔壁ＰＴ１及びＰＴ２などを備えている。なお、一例では、第１基板ＳＵＢ１は共通電極を備えているが、ここでは共通電極の図示を省略する。
【００２１】
走査線Ｇ１及びＧ２は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。信号線Ｓ１及びＳ２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。図示した例では、画素ＰＸは、走査線Ｇ１及びＧ２と信号線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。なお、画素ＰＸの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することが可能である。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有する薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ１と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ１と重なる領域において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ１、及び、信号線Ｓ１及びＳ２の間において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ２を有している。走査線Ｇ２において、チャネル領域ＳＣＣ１及びＳＣＣ２とそれぞれ重畳する領域がゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいて信号線Ｓ１と電気的に接続され、その他端部ＳＣＢにおいて中継電極ＲＥと電気的に接続されている。中継電極ＲＥは、島状に形成され、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって且つ信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。なお、スイッチング素子ＳＷは、シングルゲート構造を有する薄膜トランジスタによって構成されても良い。また、スイッチング素子ＳＷは、一例では半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥを備えたトップゲート構造であるが、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥを備えたボトムゲート構造であっても良い。
【００２３】
画素電極ＰＥは、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって、信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、主電極部ＰＡ及び副電極部ＰＢを備えている。主電極部ＰＡ及び副電極部ＰＢは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。図示した画素電極ＰＥは、副電極部ＰＢから走査線Ｇ１に向かって延出した２本の主電極部ＰＡを備えている。主電極部ＰＡは、それぞれ第２方向Ｙに沿って（あるいは、信号線Ｓ１及びＳ２とほぼ平行に）直線的に延出している。２本の主電極部ＰＡは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。副電極部ＰＢは、中継電極ＲＥと重畳する位置に配置され、中継電極ＲＥと電気的に接続されている。これにより、画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続される。なお、画素電極ＰＥの形状は、図示した例に限定されるものではなく、画素ＰＸの形状などに合わせて適宜変更することができる。
【００２４】
隔壁ＰＴ１及びＰＴ２は、第２方向Ｙに延出し、信号線Ｓ１及びＳ２と略平行に延出している。隔壁ＰＴ１は、信号線Ｓ１の上に位置し、平面視で、信号線Ｓ１と重なっている。隔壁ＰＴ２は、信号線Ｓ２の上に位置し、平面視で、信号線Ｓ２と重なっている。隔壁ＰＴ１及びＰＴ２は、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有しており、信号線Ｓ１及びＳ２のそれぞれの第１方向Ｘに沿った幅と同等である。ここで、隔壁ＰＴ１のエッジＰＴＥ１は、平面視で信号線Ｓ１のエッジＳＥ１と重なり、隔壁ＰＴ２のエッジＰＴＥ２は、平面視で信号線Ｓ２のエッジＳＥ２と重なっている。
【００２５】
遮光層ＢＭは、図中に一点鎖線で示すように、走査線Ｇ１及びＧ２と略平行に延出している。図示した例では、遮光層ＢＭは、第１方向Ｘに延出している。このような遮光層ＢＭは、後述するように、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。遮光層ＢＭは、平面視で、走査線Ｇ１及びＧ２と重なっている。遮光層ＢＭの第２方向Ｙに沿った幅は、走査線Ｇ１及びＧ２のそれぞれの第２方向Ｙに沿った幅と同等以上であることが望ましい。なお、図示した例では、遮光層ＢＭは、平面視で、画素電極ＰＥとスイッチング素子ＳＷとが接続されるコンタクト部ＣＴとも重なっている。このような、遮光層ＢＭは、第２基板ＳＵＢ２側から走査線Ｇ１及びＧ２に向かう光、あるいは、走査線Ｇ１及びＧ２で反射した光を遮光する。
【００２６】
図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。  
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、カラーフィルタ層ＣＦ、下側遮光層ＬＳ、スイッチング素子ＳＷ、中継電極ＲＥ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１、隔壁ＰＴ１などを備えている。
【００２７】
第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。下側遮光層ＬＳは、第１絶縁基板１０の上に位置し、第１絶縁膜１１によって覆われている。下側遮光層ＬＳは、バックライトユニットＢＬから半導体層ＳＣに向かう光を遮光する。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０上に配置されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２等を備えている。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に位置し、第２絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていても良い。
【００２８】
走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、第２絶縁膜１２の上に位置し、第３絶縁膜１３によって覆われている。なお、図示しない走査線Ｇ１も、走査線Ｇ２と同一層に配置される。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。なお、下側遮光層ＬＳは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と対向する位置の半導体層ＳＣの直下に位置していることが望ましい。
【００２９】
中継電極ＲＥ及び信号線Ｓ１は、第３絶縁膜１３の上に位置している。なお、図示しない信号線Ｓ２も、信号線Ｓ１と同一層に配置される。信号線Ｓ１及び中継電極ＲＥは、同一材料によって形成され、上記の金属材料が適用可能である。信号線Ｓ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１を介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。中継電極ＲＥは、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。すなわち、中継電極ＲＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
【００３０】
カラーフィルタ層ＣＦは、第３絶縁膜１３の上に位置している。カラーフィルタ層ＣＦは、その一部が中継電極ＲＥの上に位置している。このようなカラーフィルタ層ＣＦは、着色樹脂によって形成されている。  
第４絶縁膜１４は、カラーフィルタ層ＣＦ、中継電極ＲＥ、第３絶縁膜１３の上に位置している。第４絶縁膜１４は、例えば、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜であるが、無機絶縁膜であっても良い。
【００３１】
隔壁ＰＴ１は、信号線Ｓ１の上に位置している。隔壁ＰＴ１のエッジＰＴＥ１は、カラーフィルタ層ＣＦ及び第４絶縁膜１４に接している。
【００３２】
共通電極ＣＥは、隔壁ＰＴ１及び第４絶縁膜１４の上に配置されている。第５絶縁膜１５は、共通電極ＣＥ及び第４絶縁膜１４の上に配置されている。ここで、第５絶縁膜１５は、層間絶縁膜に相当する。共通電極ＣＥは、走査線Ｇ２、信号線Ｓ１、及び、スイッチング素子ＳＷの直上に位置している。また、共通電極ＣＥは、図示しない他の走査線Ｇ１や他の信号線Ｓ２の直上にも位置しており、コンタクト部ＣＴと対応する位置に開口部ＡＰを有している。画素電極ＰＥは、第５絶縁膜１５の上に配置され、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥの一部は、第５絶縁膜１５を介して共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な酸化物導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥの開口部ＡＰと重畳するコンタクト部ＣＴにおいて、第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して中継電極ＲＥと電気的に接続されている。ここで、図４に示した例においては、共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥのうち、下層側に配置された共通電極ＣＥが第１透明電極に相当し、上層側に配置された画素電極ＰＥが第２透明電極に相当する。
【００３３】
第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第５絶縁膜１５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜であり、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
【００３４】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３５】
第２絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、図３に示したように、第１方向Ｘに沿って延出したストライプ状に形成され、走査線Ｇ及びスイッチング素子ＳＷの直上に位置している。オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３６】
上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。図示しないが、スペーサは、樹脂材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置されている。スペーサは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のうちの一方に形成され、他方の基板に接触している。これにより、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に所定のセルギャップが形成される。但し、スペーサとして、セルギャップを形成するものの他に、表示パネルに対して外部応力が加わっていない定常状態で他方の基板に接触していないサブスペーサが含まれていても良い。セルギャップは、例えば２〜５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシールによって貼り合わせられている。
【００３７】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に設けられ、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００３８】
上記のような構成の表示パネルＰＮＬに対して、第１基板ＳＵＢ１の下方には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２基板ＳＵＢ２の上方には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。一例では、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれの吸収軸がＸ−Ｙ平面において互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて、１／４波長板や１／２波長板などの位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていても良い。
【００３９】
このような構成例においては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、バックライトユニットＢＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子は、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、バックライトユニットＢＬからの光の一部は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００４０】
図５は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板ＳＵＢ２側から見たときのカラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３の構成例を示す平面図である。なお、ここでは、第１基板ＳＵＢ１を構成する部材のうち、説明に必要な部材のみを図示しており、スイッチング素子や画素電極や共通電極などの図示を省略している。  
走査線Ｇ１及びＧ２は、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。隔壁ＰＴ１乃至ＰＴ４は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。平面視において、信号線Ｓ１は隔壁ＰＴ１と重なり、信号線Ｓ２は隔壁ＰＴ２と重なり、信号線Ｓ３は隔壁ＰＴ３と重なり、信号線Ｓ４は隔壁ＰＴ４と重なっている。
【００４１】
中継電極ＲＥ１乃至ＲＥ３は、いずれもゲート線Ｇ１とゲート線Ｇ２との間に位置している。中継電極ＲＥ１は、隔壁ＰＴ１と隔壁ＰＴ２との間に位置している。中継電極ＲＥ２は、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間に位置している。中継電極ＲＥ３は、隔壁ＰＴ３と隔壁ＰＴ４との間に位置している。
【００４２】
カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ第２方向に延出し、第１方向Ｘに並んでいる。また、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、走査線Ｇ１及びＧ２に重なっている。カラーフィルタＣＦ１は、隔壁ＰＴ１と隔壁ＰＴ２との間、あるいは、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に位置している。カラーフィルタＣＦ１は、中継電極ＲＥ１と重なる位置に開口部ＯＰ１を有している。カラーフィルタＣＦ２は、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間、あるいは、信号線Ｓ２と信号線Ｓ３との間に位置している。カラーフィルタＣＦ２は、中継電極ＲＥ２と重なる位置に開口部ＯＰ２を有している。カラーフィルタＣＦ３は、隔壁ＰＴ３と隔壁ＰＴ４との間、あるいは、信号線Ｓ３と信号線Ｓ４との間に位置している。カラーフィルタＣＦ３は、中継電極ＲＥ３と重なる位置に開口部ＯＰ３を有している。
【００４３】
図６は、図５のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。  
第１基板ＳＵＢ１において、主要部分について説明する。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、第１絶縁基板１０の上方に配置されている。カラーフィルタＣＦ２は、カラーフィルタＣＦ１の第１方向Ｘに並列している。第３カラーフィルタＣＦ３は、カラーフィルタＣＦ２の第１方向Ｘに並列している。一例では、カラーフィルタＣＦ１は赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は青色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の色の選択は上記の例に限らない。例えば、カラーフィルタ層ＣＦは、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のいずれとも異なる色のカラーフィルタを備えていても良い。４つめのカラーフィルタとしては、例えば白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずに透明な第４絶縁膜１４が配置されても良い。
【００４４】
信号線Ｓ２及びＳ３は、第１絶縁基板１０の上方に配置されている。ここで、本実施形態においては、信号線Ｓ２及びＳ３は遮光性部材に相当する。隔壁ＰＴ２は、信号線Ｓ２上に配置されている。信号線Ｓ２及び隔壁ＰＴ２は、カラーフィルタＣＦ１とカラーフィルタＣＦ２との間に配置されている。ここでは、例えばカラーフィルタＣＦ１が第１カラーフィルタに相当し、カラーフィルタＣＦ２が第２カラーフィルタに相当する。隔壁ＰＴ３は、信号線Ｓ３上に配置されている。信号線Ｓ３及び隔壁ＰＴ３は、カラーフィルタＣＦ２とカラーフィルタＣＦ３との間に配置されている。隔壁ＰＴ２及びＰＴ３は、例えば、透明な有機材料によって形成される。この場合、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３を形成する際の露光の工程において、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の深部に光が届くため、所望の形状に形成することが容易である。
【００４５】
なお、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３は、黒色の顔料を含む有機材料によって形成されていても良い。この場合、例えば正面方向（図中の第３方向Ｚ）から表示装置を観察した場合のみならず、正面方向から傾斜した斜め方向から表示装置を観察した場合であっても、隣接する他の色のカラーフィルタの透過光を遮光することができ、混色による表示品位の劣化を抑制することができる。
【００４６】
本実施形態においては、隔壁ＰＴ２の第３方向Ｚに沿った高さＨ２は、隔壁ＰＴ３の第３方向Ｚに沿った高さＨ３と同一であり、一例では約４μｍである。また、カラーフィルタ層ＣＦの第３方向Ｚに沿った高さＨ４は、隔壁ＰＴ３の高さＨ３と同等以下であり、一例では約２〜４μｍである。後述するが、第４絶縁膜１４は、形成されていなくても良く、その場合、高さＨ２、Ｈ３、Ｈ４が略等しくなるように形成される。具体的には、後述するように、高さＨ２及び信号線Ｓ２の第３方向Ｚに沿った高さの和と、高さＨ３及び信号線Ｓ３の第３方向Ｚに沿った高さの和と、Ｈ４とが等しくなるように形成される。
【００４７】
第４絶縁膜１４は、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の上に配置されている。第４絶縁膜１４の上面ＵＳ１４と、隔壁ＰＴ２の上面ＵＳ２と、隔壁ＰＴ３の上面ＵＳ３とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定される同一平面上に位置している。つまり、信号線の高さと隔壁の高さとの総和は、カラーフィルタの高さと第４絶縁膜１４の高さとの総和とほぼ等しい。別の観点では、信号線及び隔壁が存在する位置と、カラーフィルタ及び第４絶縁膜が存在する位置とにおいて、第３絶縁膜１３から共通電極ＣＥまでの第３方向Ｚに沿った距離がほぼ等しい。このように第４絶縁膜１４を配置することで、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３と、カラーフィルタＣＦとの間の段差を緩和することができる。なお、第４絶縁膜１４は、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３と同一材料で形成されていても良い。
【００４８】
共通電極ＣＥは、図示した例では、上面ＵＳ２、ＵＳ３、ＵＳ１４に接している。画素電極ＰＥは、第５絶縁膜１５を介して共通電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向するスリットＳＴを有している。
【００４９】
第２基板ＳＵＢ２においては、信号線Ｓ１及びＳ２の直上において、遮光層は配置されず、第２絶縁基板２０とオーバーコート層ＯＣとが接している。
【００５０】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法について、図７から図１２を用いて説明する。図７乃至１２は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の製造方法を示す図である。図７乃至１２のそれぞれの（ａ）は、図１に示した第１基板を第２基板側から見た平面図である。図７乃至１２のそれぞれの（ｂ）は、図７乃至１２の（ａ）のＥ−Ｆ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図１１及び１２のそれぞれの（ｃ）は、図１１及び１２の（ａ）のＧ−Ｈ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。なお、図７乃至１２の（ｂ）、及び、図１１及び１２の（ｃ）において、第３絶縁膜１３より下層の構成の図示を省略している。
【００５１】
図７（ｂ）に示すように、金属層Ｍをスパッタ等の手法によって第３絶縁膜１３の上に形成する。すなわち、金属層Ｍを第１絶縁基板より上方に形成する。次に、金属層Ｍ上に隔壁ＰＴ２及びＰＴ３を形成する。すなわち、有機材料を金属層Ｍ上に塗布し、有機材料の上に所望の形状のマスクを配置し、光を照射した後に、現像処理することによって、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３となる部分以外の有機材料を除去する。その後、例えば、約２３０度で焼成し、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３が形成される。ここで、図７（ａ）に示すように、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３は、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んで形成されている。後述するが、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の材料として、ポジ型もしくはネガ型の有機材料が用いられ、ポジ型の場合は光が照射された領域が現像液に溶解し、ネガ型の場合は光が照射された領域が硬化する。
【００５２】
続いて、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁ＰＴ１と隔壁ＰＴ２との間において、隔壁ＰＴ１及び隔壁ＰＴ２から離間した島状のレジストＲＳを形成する。図８（ｂ）に示すように、レジストＲＳは、金属層Ｍ上に形成されている。一例では、レジストＲＳの厚さは、図示したように、隔壁ＰＴ２などの厚さより薄い。
【００５３】
続いて、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁ＰＴ２、隔壁ＰＴ３、及び、レジストＲＳをマスクとして、金属層Ｍをエッチングすることにより、隔壁ＰＴ２の下に信号線Ｓ２を形成し、隔壁ＰＴ３の下にソース線Ｓ３を形成し、レジストＲＳの下に中継電極ＲＥを形成する。隔壁ＰＴ２をマスクとしてソース線Ｓ２が形成されたため、隔壁ＰＴ２のエッジＰＴＥ２とソース線Ｓ２のエッジＳＥ２とが重なっている。同様に、隔壁ＰＴ３のエッジＰＴＥ３とソース線Ｓ３のエッジＳＥ３とが重なり、また、レジストＲＳのエッジと中継電極ＲＥのエッジとが重なっている。ここでは、例えばソース線Ｓ２が第１信号線に相当し、ソース線Ｓ３が第２信号線に相当する。
【００５４】
続いて、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジストＲＳを除去する。一方で、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３は除去されない。レジストＲＳを除去する条件にもよるが、レジストＲＳを除去する際に、中継電極ＲＥの表層が除去された場合、中継電極ＲＥの厚さは信号線Ｓ２及びＳ３の厚さより薄くなることがあり得る。
【００５５】
続いて、図１１（ａ）乃至（ｃ）に示すように、隔壁ＰＴ２に隣接するカラーフィルタＣＦ１を形成し、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間にカラーフィルタＣＦ２を形成し、隔壁ＰＴ３に隣接するカラーフィルタＣＦ３を形成する。図１１（ｃ）に示すように、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、第３絶縁膜１３の上に形成されている。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のそれぞれの上面の位置は、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の上面の位置よりも下方にある。カラーフィルタＣＦ２は、信号線Ｓ２及びＳ３のそれぞれの側面、及び、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３のそれぞれの側面と接している。また、このとき、図１１（ａ）に示すように、カラーフィルタＣＦ１に開口部ＯＰ１を形成し、カラーフィルタＣＦ２に開口部ＯＰ２を形成し、カラーフィルタＣＦ３に開口部ＯＰ３を形成する。すなわち、図１１（ｂ）に示すように、開口部ＯＰ１乃至ＯＰ３を通る断面においては、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が形成されていない。図示した例では、中継電極ＲＥの上には、カラーフィルタＣＦ２が配置されていない。
【００５６】
続いて、図１２（ａ）乃至（ｃ）に示すように、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の上に第４絶縁膜１４を形成する。図１２（ｂ）に示すように、開口部ＯＰ１乃至ＯＰ３内において、第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３及び中継電極ＲＥに接している。また、開口部ＯＰ２においては、第４絶縁膜１４は、信号線Ｓ２及びＳ３のそれぞれの側面、及び、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３のそれぞれの側面と接している。また、第４絶縁膜１４には、中継電極ＲＥまで貫通するコンタクトホールＣＨ３を形成する。図１２（ｃ）に示すように、第４絶縁膜１４は、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３のそれぞれの側面と接しているが、信号線Ｓ２及びＳ３のそれぞれの側面には接していない。第４絶縁膜１４は、その上面ＵＳ１４が上面ＵＳ２及び上面ＵＳ３と同一平面上に位置するように形成される。つまり、上面ＵＳ２及び上面ＵＳ３は、第４絶縁膜１４から露出している。
【００５７】
本実施形態によれば、カラーフィルタ層ＣＦが互いに異なる色のカラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２を含む構成において、信号線Ｓ２の上に配置された隔壁ＰＴ２は、カラーフィルタＣＦ１とカラーフィルタＣＦ２との間に配置されている。また、カラーフィルタＣＦ２は、隣り合う２つの隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の間に配置されている。このため、隣り合う２つのカラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２を信号線Ｓ２上で重ね合せる比較例と比較して、各カラーフィルタを形成する際に高精度の位置合わせが不要となる。
【００５８】
また、隔壁ＰＴ２は、信号線Ｓ２をパターニングする際のマスクとして機能するため、信号線Ｓ２をパターニングするのとは別に隔壁を形成する場合と比較して、製造工程数の増加を抑制することができる。
【００５９】
また、比較例においては、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２を形成する際のバラツキにより、信号線Ｓ２の上に２つのカラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が重なることで凸状の段差が形成されたり、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が信号線Ｓ２の上で離間したり信号線Ｓ２から脱落することで凹状の段差が形成されたりするおそれがあった。これに対して、本実施形態によれば、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２を形成する際のバラツキに起因した凹凸の形成を抑制することができる。また、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２の各々が所望の領域（信号線間の開口部）からずれることに起因した色純度の低下を抑制することができる。  また、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２の上に配置された第４絶縁膜１４は、その上面ＵＳ１４が、隔壁ＰＴ２の上面ＵＳ２と同一平面上に位置している。そのため、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣとの界面の平坦性を向上することが可能である。したがって、第１基板ＳＵＢ１の凹凸に起因した液晶分子の配向乱れを抑制することができる。
【００６０】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を得ることができる。
【００６１】
次に、本実施形態の表示装置の他の製造方法について、図１３から図１８を用いて説明する。図１３乃至１８は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の他の製造方法を示す図である。図１３乃至１６の（ａ）は、図１に示した第１基板を第２基板側から見た平面図である。図１３乃至１６の（ｂ）は、図１３乃至１６の（ａ）のＥ−Ｆ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図１７及び１８は、図１６（ｂ）の後の工程を示している。
【００６２】
図１３（ａ）及び（ｂ）は、図７に示した工程と比較して、アイランド部ＩＳを形成する点で異なっている。図１３（ａ）に示すように、アイランド部ＩＳは、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間に形成されている。また、図１３（ｂ）に示すように、アイランド部ＩＳは、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３と同様に、金属層Ｍの上に形成されている。アイランド部ＩＳは、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３と同一材料を用いて同一工程で形成されている。ここで、アイランド部ＩＳの高さＨ１と、隔壁ＰＴ２の高さＨ２と、隔壁ＰＴ３の高さＨ３とは、同一である。また、アイランド部ＩＳを形成する際に、ハーフトーン露光もしくはアンダー露光を用いて孔部ＨＬを形成する。すなわち、アイランド部ＩＳにおいて孔部ＨＬは、金属層Ｍまで貫通しておらず、高さＨ１よりも低い高さの底部ＢＴを有している。
【００６３】
続いて、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁ＰＴ２、隔壁ＰＴ３、アイランド部ＩＳをマスクとして、金属層Ｍをエッチングすることにより、隔壁ＰＴ２の下にソース線Ｓ２を形成し、隔壁ＰＴ３の下にソース線Ｓ３を形成し、アイランド部ＩＳの下に中継電極ＲＥを形成する。アイランド部ＩＳをマスクとして中継電極ＲＥが形成されたため、アイランド部ＩＳのエッジＩＳＥと、中継電極ＲＥのエッジＲＥＥが重なっている。
【００６４】
続いて、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁ＰＴ２に隣接するカラーフィルタＣＦ１を形成し、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間にカラーフィルタＣＦ２を形成し、隔壁ＰＴ３に隣接するカラーフィルタＣＦ３を形成する。図１５（ｂ）に示すように、カラーフィルタＣＦ２は、アイランド部ＩＳと隔壁ＰＴ２との間と、アイランド部ＩＳと隔壁ＰＴ３との間にも配置されている。
【００６５】
続いて、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３を覆う第４絶縁膜１４を形成する。第４絶縁膜１４は、アイランド部ＩＳと隔壁ＰＴ２との間においても、カラーフィルタＣＦ２を覆っている。また、第４絶縁膜１４は、アイランド部ＩＳと隔壁ＰＴ３との間においてもカラーフィルタＣＦ２を覆っている。なお、このとき、上面ＵＳ１４、上面ＵＳ２、上面ＵＳ３、及び、アイランド部ＩＳの上面ＵＳ１は、同一平面上に位置している。
【００６６】
続いて、図１７に示すように、共通電極ＣＥを第４絶縁膜１４、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の上に形成する。次に、第５絶縁膜１５を共通電極ＣＥの上に形成する。このとき、第５絶縁膜１５をアイランド部ＩＳの孔部ＨＬの内部にも形成する。第５絶縁膜１５をドライエッチングによって、孔部ＨＬ内の底部ＢＴ上に配置されている第５絶縁膜１５を除去すると同時に、底部ＢＴも一緒に除去する。
【００６７】
図１８に示すように、上記の工程により、アイランド部ＩＳに中継電極ＲＥまで貫通するコンタクトホールＣＨ４が形成される。続いて、画素電極ＰＥを第５絶縁膜１５の上に形成する。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ４を介して中継電極ＲＥと電気的に接続されている。
【００６８】
上記図１３から１８に示した工程においては、アイランド部ＩＳが隔壁ＰＴ２及びＰＴ３と同一工程によって形成されているため、中継電極ＲＥを形成するためのエッチングのマスクとして利用することができ、図７から図１２を参照して説明した製造方法と比較して、レジストを形成する工程を省略することができ、製造コストを削減することが可能である。
【００６９】
次に、本実施形態の表示装置の他の製造方法について、図１９及び図２０を用いて説明する。図１９乃至２０は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の他の製造方法を示す図である。
【００７０】
図１９は、図１０（ａ）及び（ｂ）に示した工程の後の工程を示している。すなわち、図１９に示すように、隔壁ＰＴ２に隣接するカラーフィルタＣＦ１を形成し、隔壁ＰＴ２と隔壁ＰＴ３との間にカラーフィルタＣＦ２を形成し、隔壁ＰＴ３に隣接するカラーフィルタＣＦ３を形成する。このとき、カラーフィルタＣＦ２に、中継電極ＲＥまで貫通するコンタクトホールＣＨ５を形成する。
【００７１】
ここで、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、第３方向Ｚに同一の高さＨ４を有している。また、ソース線Ｓ２は、第３方向Ｚに高さＨ５を有し、ソース線Ｓ３は、第３方向Ｚに高さＨ６を有している。このとき、Ｈ４と、隔壁ＰＴ２及びソース線Ｓ２の高さの和（Ｈ２＋Ｈ５）と、隔壁ＰＴ３及びソース線Ｓ３の高さの和（Ｈ３＋Ｈ６）とは同一である。換言すると、上面ＵＳ２、上面ＵＳ３、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の上面ＵＳ４は同一平面上に位置している。なお、上面ＵＳ２及びＵＳ３は、上面ＵＳ４より上に位置していても良い。
【００７２】
続いて、図２０に示すように、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の上に共通電極ＣＥを形成する。共通電極ＣＥは、上面ＵＳ２、上面ＵＳ３、上面ＵＳ４に接している。次に、共通電極ＣＥを覆う第５絶縁膜１５を形成する。第５絶縁膜１５の上に画素電極ＰＥを形成する。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ５を介して中継電極ＲＥと電気的に接続されている。
【００７３】
上記図１９及び２０に示した工程においては、図７から図１２を参照して説明した製造方法と比較して、第４絶縁膜１４を形成する工程を省略することができ、製造コストを削減することが可能である。
【００７４】
図２１は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の変形例を示す断面図である。図２１は、図１２（ｂ）と比較して、第４絶縁膜１４が隔壁ＰＴ２及びＰＴ３を覆っている点で異なっている。ここで、例えば、隔壁ＰＴ２の上面ＵＳ２及び隔壁ＰＴ３の上面ＵＳ３を覆う部分の第４絶縁膜１４の膜厚は、０．２〜０．３μｍである。  
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。
【００７５】
図２２は、本実施形態の第１基板ＳＵＢ１の他の変形例を示す断面図である。  
図２２（ａ）は、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３がポジ型材料を用いて形成された場合を示している。ここで、隔壁ＰＴ２に着目してその形状について説明する。上面ＵＳ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な略平面状である。また、側面ＳＳ２は、Ｙ−Ｚ平面と平行な略平面状である。
【００７６】
図２２（ｂ）は、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３がネガ型材料を用いて形成された場合を示している。ここで、隔壁ＰＴ２に着目してその形状について説明する。上面ＵＳ２は、略曲面状である。また、側面ＳＳ２は、上面ＵＳ２に近接する側及び底面ＢＳ２に近接する側にそれぞれ曲面を有し、それぞれの中間部にＹ−Ｚ平面と平行な平面を有する形状である。
【００７７】
図２２（ａ）及び（ｂ）において、隔壁ＰＴ２の底面ＢＳ２の第１方向Ｘに沿った幅は、ソース線Ｓ２の第１方向Ｘに沿った幅と等しい。すなわち、底面ＢＳ２のエッジＥ２は、ソース線Ｓ２のエッジＳＥ２と重なっている。
【００７８】
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。
なお、隔壁ＰＴ２及びＰＴ３の材料がポジ型及びネガ型のどちらであっても、例えば、黒鉛などの黒色材を混合して隔壁ＰＴ２及びＰＴ３を形成することが可能である。
【００７９】
図２３は、隔壁ＰＴ及び信号線Ｓの位置関係を示す平面図である。  
なお、上記の例では、いずれも隔壁の幅が信号線の幅と等しく、それぞれのエッジが平面視で重なる場合について説明したが、これに限定されるものではない。上記の例では、隔壁をマスクとして金属層をエッチングすることで信号線を形成したが、エッチングの条件によっては、図２３の（ａ）に示すように、信号線Ｓの幅Ｗ２が隔壁ＰＴの幅Ｗ１よりも小さくなる場合もあり得る。
【００８０】
また、その他の製造方法を適用することで、隔壁ＰＴのエッジが信号線Ｓのエッジと揃わない場合もあり得る。例えば、図２３の（ｂ）に示すように、信号線Ｓの幅Ｗ２が隔壁ＰＴの幅Ｗ１より大きくなる場合があり得る。この場合、隔壁ＰＴのエッジは、信号線Ｓのエッジとは重ならず、信号線Ｓの直上に位置する。このとき、隔壁ＰＴの両側に位置するカラーフィルタは、それぞれ信号線Ｓのエッジと重なる。また、図２３の（ｃ）に示すように、隔壁ＰＴが信号線Ｓに対してずれて重なる場合があり得る。この場合、隔壁ＰＴの一方のエッジは信号線Ｓの直上に位置し、隔壁ＰＴの他方のエッジは信号線Ｓとは重ならない。このとき、隔壁ＰＴの一方のエッジに隣接するカラーフィルタは、信号線Ｓのエッジと重なる。
【００８１】
図２４は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの変形例を示す断面図である。図２３は、図４と比較して、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥより液晶層ＬＣ側に配置されている点で異なっている。
【００８２】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３を介して中継電極ＲＥと電気的に接続されている。第５絶縁膜１５は、画素電極ＰＥを覆っている。第５絶縁膜１５は、第４絶縁膜１４及び隔壁ＰＴ１の上にも配置されている。共通電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に配置されている。第１配向膜ＡＬ１は、共通電極ＣＥを覆っている。ここで、図２４に示した例においては、共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥのうち、下層側に配置された画素電極ＰＥが第１透明電極に相当し、上層側に配置された共通電極ＣＥが第２透明電極に相当する。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を得ることができる。
【００８４】
なお、本実施形態においては、カラーフィルタが第１基板ＳＵＢ１上に備えられ、信号線Ｓが遮光性部材に相当する場合を例に示したが、この例に限らない。例えば、カラーフィルタが第１基板ＳＵＢ１に備えられる構成において、走査線が遮光性部材に相当しても良い。また、カラーフィルタが第２基板ＳＵＢ２に備えられる構成において、第２基板ＳＵＢ２上に配置された遮光層が遮光性部材に相当しても良い。
【００８５】
また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８６】
ＤＳＰ…表示装置、１０…第１絶縁基板、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…信号線、ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３…カラーフィルタ、ＰＴ１、ＰＴ２、ＰＴ３、ＰＴ４…隔壁、１４…第４絶縁膜、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＵＳ１４、ＵＳ２、ＵＳ３、ＵＳ４…上面、ＲＥ…中継電極、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５…コンタクトホール、ＩＳ…アイランド部、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４…高さ、ＳＥ２、ＳＥ３、ＰＴＥ２、ＰＴＥ３…エッジ、Ｍ…金属層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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