(57)【要約】【課題】環境湿度に対する影響を低減し、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、前記封止層は、第１シリコン層と、前記第１シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第２シリコン層と、前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、前記酸化シリコン層は、前記第２シリコン層に覆われることで外部に対して封止されている。【選択図】図１
2018146278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、
第１シリコン層と、
前記第１シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第２シリコン層と、
前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、
前記酸化シリコン層は、前記第２シリコン層に覆われることで外部に対して封止されていることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記酸化シリコン層は、前記第１シリコン層側の主面が前記第１シリコン層で覆われており、前記第２シリコン層側の主面が前記第２シリコン層で覆われており、側面が前記第２シリコン層で覆われている請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記封止層の平面視で、前記酸化シリコン層の外縁は、前記第１シリコン層の外縁の内側に位置し、
前記酸化シリコン層上および前記第１シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第２シリコン層が積層されている請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記基板は、シリコンを含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項５】
ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラム形成領域に対向して配置され、前記空間を封止する封止層を形成する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含み、
前記封止層を形成する工程では、第１シリコン層と、前記第１シリコン層に対して前記空間とは反対側に位置する第２シリコン層と、前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を形成し、前記酸化シリコン層を前記第２シリコン層で覆うことにより外部に対して封止することを特徴とする圧力センサーの製造方法。
【請求項６】
前記封止層を形成する工程は、
前記第１シリコン層を形成する工程と、
前記第１シリコン層上に、前記第１シリコン層の平面視で、前記第１シリコン層が周囲から露出するように前記酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層上および前記第１シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第２シリコン層を形成する工程と、を含んでいる請求項５に記載の圧力センサーの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする圧力センサーモジュール。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、周囲構造体は、圧力基準室を囲む枠状の壁部と、壁部の開口を覆う天井部とを有している。さらに、天井部は、リリースエッチング用の貫通孔を有する被覆層と、被覆層上に積層され、貫通孔を封止する封止層とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１０２７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構成の圧力センサーでは、基板がＳＯＩ基板で構成され、封止層がＡｌ、Ｔｉ等の金属材料で構成されている。そのため、これらの熱膨張係数の差に起因して、環境温度によってダイアフラムの内部応力が大きく変化してしまう。これにより、同じ圧力を受けても環境温度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスを引き起こし、圧力の検出精度が低下するおそれがある。
【０００５】
前述の問題を解決すべく、本願の発明者らは、封止層を第１シリコン層、酸化シリコン層および第２シリコン層の積層構造とすることを考えた。しかしながら、このような構成において、酸化シリコン層が封止層の外周に露出していると、酸化シリコン層が水分を吸着し、それに伴って封止層の内部応力が変化する。また、酸化シリコン層が吸着する水分量は、環境湿度によって異なるため、環境湿度によって封止層の内部応力が変化する。
【０００６】
このように、環境湿度によって封止層の内部応力が変化してしまうと、それに伴ってダイアフラムの内部応力も変化してしまう。そのため、同じ圧力を受けても環境湿度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスを引き起こし、圧力の検出精度が低下するおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、環境湿度に対する影響を低減し、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【０００９】
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、
第１シリコン層と、
前記第１シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第２シリコン層と、
前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、
前記酸化シリコン層は、前記第２シリコン層に覆われることで外部に対して封止されていることを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
【００１０】
本発明の圧力センサーでは、前記酸化シリコン層は、前記第１シリコン層側の主面が前記第１シリコン層で覆われており、前記第２シリコン層側の主面が前記第２シリコン層で覆われており、側面が前記第２シリコン層で覆われているが好ましい。
これにより、簡単な構成で、第１シリコン層および第２シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
【００１１】
本発明の圧力センサーでは、前記封止層の平面視で、前記酸化シリコン層の外縁は、前記第１シリコン層の外縁の内側に位置し、
前記酸化シリコン層上および前記第１シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第２シリコン層が積層されていることが好ましい。
これにより、簡単な構成で、第１シリコン層および第２シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
【００１２】
本発明の圧力センサーでは、前記基板は、シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。また、基板および封止層の熱膨張係数の差が小さくなり、環境温度によるダイアフラムの撓み量の変化を低減することができる。これにより、環境温度に起因した検出圧力値のずれ（温度ヒステリシス）を低減することができる。その結果、優れた圧力検出精度を有する圧力センサーとなる。
【００１３】
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラム形成領域に対向して配置され、前記空間を封止する封止層を形成する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含み、
前記封止層を形成する工程では、第１シリコン層と、前記第１シリコン層に対して前記空間とは反対側に位置する第２シリコン層と、前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を形成し、前記酸化シリコン層を前記第２シリコン層で覆うことにより外部に対して封止することを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
【００１４】
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記封止層を形成する工程は、
前記第１シリコン層を形成する工程と、
前記第１シリコン層上に、前記第１シリコン層の平面視で、前記第１シリコン層が周囲から露出するように前記酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層上および前記第１シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第２シリコン層を形成する工程と、を含んでいることが好ましい。
これにより、簡単な工程で、封止層を形成することができる。
【００１５】
本発明の圧力センサーモジュールは、本発明の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い圧力センサーモジュールが得られる。
【００１６】
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１７】
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す圧力センサーが有する封止層の拡大断面図である。
【図５】図１に示す圧力センサーの変形例を示す断面図である。
【図６】図１に示す圧力センサーの変形例を示す断面図である。
【図７】水分を吸着することによる酸化シリコン膜の応力変化を示すグラフである。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーモジュールの断面図である。
【図１９】図１８に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【図２０】本発明の第３実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【図２１】本発明の第４実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【図２２】本発明の第５実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図３は、図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーが有する封止層の拡大断面図である。図５および図６は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの変形例を示す断面図である。図７は、水分を吸着することによる酸化シリコン膜の応力変化を示すグラフである。図８は、図１に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。図９ないし図１７は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、図１、図４、図５、図６、図９ないし図１７中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、基板の平面視、すなわち、図１中の上下方向から見た平面視を単に「平面視」とも言う。
【００２２】
図１に示すように、圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５の上面側に配置された圧力基準室Ｓ（空洞部）と、基板２と共に圧力基準室Ｓを形成する周囲構造体４と、ダイアフラム２５の上面側に配置されたセンサー部５と、を有している。
【００２３】
基板２は、シリコンで構成された第１層２１と、第１層２１の上側に配置され、シリコンで構成された第３層２３と、第１層２１および第３層２３の間に配置され、酸化シリコンで構成された第２層２２と、を有するＳＯＩ基板で構成されている。すなわち、基板２は、シリコン（Ｓｉ）を含んでいる。これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。ただし、基板２としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、基板２は、シリコン以外の半導体材料、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板（半導体基板）であってもよい。
【００２４】
また、基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。基板２には、下方に開放する有底の凹部２４が形成されており、この凹部２４の上側（凹部２４によって基板２が薄くなっている部分）がダイアフラム２５となっている。また、ダイアフラム２５の下面が、圧力を受ける受圧面２５１となっている。なお、本実施形態では、ダイアフラム２５の平面視形状は、略正方形であるが、ダイアフラム２５の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、円形であってもよい。
【００２５】
ここで、本実施形態では、凹部２４は、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングで形成されている。具体的には、基板２の下面側から等方性エッチング、保護膜成膜および異方向性エッチングという工程を繰り返して、第１層２１を掘ることで凹部２４を形成する。この工程を繰り返し、エッチングが第２層２２まで達すると第２層２２がエッチングストッパーとなってエッチングが終了し、凹部２４が得られる。このような形成方法によれば、凹部２４の内壁側面が基板２の主面に対して略垂直となるため、凹部２４の開口面積を小さくすることができる。そのため、基板２の機械的強度の低下を抑制することができ、また、圧力センサー１の大型化を抑制することもできる。
【００２６】
ただし、凹部２４の形成方法としては、上記の方法に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。また、本実施形態では、ダイアフラム２５の下面側に第２層２２が残っているが、この第２層２２を除去してもよい。すなわち、ダイアフラム２５を第３層２３の単層で構成してもよい。これにより、ダイアフラム２５をより薄くすることができ、より撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。
【００２７】
ダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム２５の大きさ等によっても異なるが、例えば、ダイアフラム２５の幅が１００μｍ以上１５０μｍ以下の場合には、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。このような厚さとすることで、機械的な強度を十分に保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム２５が得られる。
【００２８】
ダイアフラム２５には、ダイアフラム２５に作用する圧力を検出し得るセンサー部５が設けられている。図２に示すように、センサー部５は、ダイアフラム２５に設けられた４つのピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を有している。そして、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、配線５５を介して互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路５０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。ブリッジ回路５０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給（印加）する駆動回路が接続されている。そして、ブリッジ回路５０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の抵抗値変化に応じた検出信号（電圧）を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができる。
【００２９】
特に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、ダイアフラム２５の外縁部に配置されている。受圧によりダイアフラム２５が撓み変形すると、ダイアフラム２５の中でも特にその外縁部に大きな応力が加わるため、外縁部にピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４を配置することで、前述した検出信号を大きくすることができ、圧力検知の感度が向上する。なお、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の配置は、特に限定されず、例えば、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４がダイアフラム２５の外縁を跨いで配置されていてもよい。
【００３０】
ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４は、それぞれ、例えば、基板２の第３層２３にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線５５は、例えば、基板２の第３層２３に、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００３１】
なお、センサー部５の構成としては、ダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路５０を構成していない少なくとも１つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム２５に配置されている構成であってもよい。また、センサー部としては、本実施形態のようなピエゾ抵抗型の他にも、静電容量の変化に基づいて圧力を検出する静電容量型を用いてもよい。
【００３２】
また、図１に示すように、基板２の上面には、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）からなる第１絶縁膜３１と、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）からなる第２絶縁膜３２とが成膜されている。第１絶縁膜３１によって、ピエゾ抵抗素子５１、５２、５３、５４の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、第２絶縁膜３２によって、センサー部５を水分、ガス等から保護することができる。なお、第１、第２絶縁膜３１、３２の少なくとも一方は、省略してもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。
【００３３】
また、図１に示すように、ダイアフラム２５の上側には、圧力基準室Ｓが設けられている。この圧力基準室Ｓは、基板２と周囲構造体４とに囲まれることで形成されている。圧力基準室Ｓは、密閉された空間であり、圧力基準室Ｓ内の圧力が、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる。特に、圧力基準室Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、圧力基準室Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
【００３４】
周囲構造体４は、基板２との間に圧力基準室Ｓを形成している。このような周囲構造体４は、基板２上に配置された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、表面保護膜４５上に配置された端子４７とを有している。
【００３５】
層間絶縁膜４１、４３は、それぞれ、枠状をなし、平面視でダイアフラム２５を囲むように配置されている。そして、これら層間絶縁膜４１、４３によって、側壁部４Ａが構成されている。また、側壁部４Ａの内側には、空間、すなわち圧力基準室Ｓが形成されている。
【００３６】
配線層４２は、圧力基準室Ｓを囲んで配置された枠状のガードリング４２１と、センサー部５の配線５５と接続された配線部４２９とを有している。また、配線層４４は、圧力基準室Ｓを囲んで配置された枠状のガードリング４４１と、配線５５と接続された配線部４４９とを有している。
【００３７】
また、配線層４４は、圧力基準室Ｓの天井（側壁部４Ａの内側に形成された空間の上端面）に位置し、ガードリング４４１と一体形成された被覆層４４４（蓋部）を有している。また、この被覆層４４４には圧力基準室Ｓの内外を連通する複数の貫通孔４４５が形成されている。複数の貫通孔４４５は、製造途中まで圧力基準室Ｓを埋めている犠牲層を除去する際のリリースエッチング用の孔である。また、ガードリング４２１、４４１は、前記リリースエッチング時のエッチングストッパーとして機能する。
【００３８】
そして、被覆層４４４上には封止層４６が配置されており、この封止層４６によって貫通孔４４５が封止され、気密的な圧力基準室Ｓが形成されている。表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ガス、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。表面保護膜４５は、被覆層４４４の貫通孔４４５を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。また、表面保護膜４５上には配線部４２９、４４９を介してセンサー部５と電気的に接続されている複数の端子４７が設けられている。
【００３９】
このような周囲構造体４のうち、層間絶縁膜４１、４３としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４および端子４７としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
【００４０】
次に、封止層４６について詳細に説明する。図１に示すように、封止層４６は、被覆層４４４上に配置された第１シリコン層４６１と、第１シリコン層４６１の上側に配置された第２シリコン層４６３と、第１シリコン層４６１と第２シリコン層４６３との間に配置された酸化シリコン層４６２と、を有する三層構造をなしている。このように、封止層４６を積層構造とすることで、貫通孔４４５をより確実に封止することができる。
【００４１】
より具体的に説明すると、図４に示すように、成膜方法によっては、第１シリコン層４６１に貫通孔４４５と連通する貫通孔４６１ａが形成されてしまい、第１シリコン層４６１だけでは、貫通孔４４５を封止できないおそれがある。なお、貫通孔４６１ａは、第１シリコン層４６１を厚く成膜することでその径を小さくすることができるが、ある程度小さくなるとそれ以上径が小さくなり難くなり、第１シリコン層４６１をいくら厚くしても貫通孔４６１ａが完全に塞がれない場合がある。そこで、第１シリコン層４６１上に酸化シリコン層４６２を配置し、この酸化シリコン層４６２によって貫通孔４４５を塞いでいる。
【００４２】
しかしながら、酸化シリコン層４６２が外部に露出していると、酸化シリコン層４６２が水分を吸着し、環境湿度によって封止層４６の内部応力が変化してしまう。そこで、酸化シリコン層４６２上に第２シリコン層４６３を配置し、酸化シリコン層４６２を第２シリコン層４６３で覆うことで、酸化シリコン層４６２を外部に対して気密的に封止している。これにより、酸化シリコン層４６２を水分から保護することができ、環境湿度による封止層４６の内部応力の変化を抑制することができる。なお、封止層４６は、前述のような第１シリコン層４６１に貫通孔４６１ａが形成されている構成に限定されず、貫通孔４６１ａを有していなくてもよいし、貫通孔４６１ａが第１シリコン層４６１の途中で塞がっていてもよい。
【００４３】
第１シリコン層４６１は、シリコン（Ｓｉ）を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコンで構成されている。また、酸化シリコン層４６２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含んで構成されており、特に、本実施形態では酸化シリコンで構成されている。また、第２シリコン層４６３は、シリコン（Ｓｉ）を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコンで構成されている。このように、各層４６１、４６２、４６３がそれぞれシリコン（Ｓｉ）を含んでいることで、後述する製造方法でも説明するように、封止層４６を半導体プロセスによって容易に形成することができる。
【００４４】
なお、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３は、それぞれ、シリコン以外の材料（例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料）を含んでいてもよい。同様に、酸化シリコン層４６２は、酸化シリコン以外の材料（例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料）を含んでいてもよい。
【００４５】
封止層４６では、第１シリコン層４６１上に配置する層として酸化シリコン層４６２を用いている。そのため、第１シリコン層４６１と酸化シリコン層４６２とのエッチング選択比を大きく確保することができる。これにより、後述する圧力センサー１の製造方法でも説明するように、第１シリコン層４６１上において、エッチング技法を用いた酸化シリコン層４６２のパターニングを容易に行うことができる。
【００４６】
また、封止層４６では、酸化シリコン層４６２上に配置する層として、第１シリコン層４６１と同じ材料で構成された第２シリコン層４６３を用いている。そのため、後述する圧力センサー１の製造方法でも説明するように、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３をエッチング技法を用いて同時に（同じ工程で）パターニングすることができる。そのため、圧力センサー１の製造工程の削減を図ることができ、圧力センサー１の製造が容易となる。
【００４７】
ここで、第１シリコン層４６１の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。これにより、第１シリコン層４６１が過度に厚くならず、かつ、第１シリコン層４６１へのピンホールの発生を抑制することができる。そのため、より確実に、被覆層４４４の貫通孔４４５を封止することができる（または、貫通孔４６１ａの径を十分に小さくすることができ、その上の酸化シリコン層４６２でより確実に封止できるようになる）。
【００４８】
また、酸化シリコン層４６２の厚さとしては特に限定されないが、例えば、０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、第１シリコン層４６１と共に、より確実に、貫通孔４４５を封止することができ、かつ、酸化シリコン層４６２の過度な厚肉化を防止することができる。
【００４９】
また、第２シリコン層４６３の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。これにより、第２シリコン層４６３へのピンホールの発生を抑制することができ、第１シリコン層４６１との間に酸化シリコン層４６２をより確実に封止することができる。そのため、より効果的に、酸化シリコン層４６２を水分から保護することができる。また、第２シリコン層４６３の過度な厚肉化を防止することができる。
【００５０】
また、このような構成の封止層４６によれば、圧力基準室Ｓを挟んで対向する基板２および封止層４６がそれぞれシリコン材料を含むことになる。そのため、基板２および封止層４６の熱膨張係数の差が小さくなり、環境温度によるダイアフラム２５の撓み量の変化を低減することができる。これにより、環境温度に起因した測定値のずれを低減することができ、その結果、優れた圧力検出精度を有する圧力センサー１となる。
【００５１】
また、図１に示すように、酸化シリコン層４６２は、外部に露出し得る面が第２シリコン層４６３によって覆われており、外部に対して気密的に封止されている。すなわち、酸化シリコン層４６２は、外部に露出し得る面の全域が第２シリコン層４６３で覆われており、封止層４６の表面に露出していない。また、酸化シリコン層４６２は、その全域が第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３で覆われており、封止層４６の表面に露出していない（貫通孔４６１ａから圧力基準室Ｓに露出している部分は除く）。これにより、酸化シリコン層４６２を外部の水分（湿気）から保護することができ、酸化シリコン層４６２が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第１シリコン層４６１と酸化シリコン層４６２との界面や第２シリコン層４６３と酸化シリコン層４６２との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層４６の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に起因した測定値のずれを低減することができ、優れた圧力検出精度を有する圧力センサー１となる。
【００５２】
また、酸化シリコン層４６２は、下面（第１シリコン層４６１側の主面）が第１シリコン層４６１で覆われており、上面（第２シリコン層４６３側の主面）が第２シリコン層４６３で覆われており、側面が第２シリコン層４６３で覆われている。これにより、簡単な構成で、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３によって酸化シリコン層４６２を封止することができる。なお、封止層４６の構成としては、これに限定されず、例えば、図５に示すように、酸化シリコン層４６２の側面が、第１シリコン層４６１で覆われていてもよいし、図６に示すように、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３で覆われていてもよい。
【００５３】
また、封止層４６の平面視で、酸化シリコン層４６２の外縁は、第１シリコン層４６１の外縁の内側に位置し、酸化シリコン層４６２上および第１シリコン層４６１の酸化シリコン層４６２から露出している領域（外縁部）上に第２シリコン層４６３が積層されている。これにより、簡単な構成で、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３によって酸化シリコン層４６２を封止することができる。
【００５４】
ただし、これに限定されず、例えば、封止層４６の平面視で、酸化シリコン層４６２の外縁は、第１シリコン層４６１の外縁の外側に位置していてもよい。この場合、酸化シリコン層４６２の下面が第１シリコン層４６１から露出する場合もあるが、酸化シリコン層４６２をその上側から第２シリコン層４６３で覆うことで、酸化シリコン層４６２の外部への露出を阻止することができる。
【００５５】
以上、圧力センサー１について説明した。このような圧力センサー１は、前述したように、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、基板２の上面（一方の面）側に配置され、平面視でダイアフラム２５を囲む側壁部４Ａと、側壁部４Ａに囲まれた圧力基準室Ｓ（空間）を介してダイアフラム２５に対向して配置され、圧力基準室Ｓを封止する封止層４６と、を有している。また、封止層４６は、第１シリコン層４６１と、第１シリコン層４６１に対して基板２と反対側（上側）に位置する第２シリコン層４６３と、第１シリコン層４６１と第２シリコン層４６３との間に位置する酸化シリコン層４６２と、を有している。そして、酸化シリコン層４６２は、第２シリコン層４６３に覆われることで外部に対して封止されている。これにより、酸化シリコン層４６２を水分（湿気）から保護することができ、酸化シリコン層４６２が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第１シリコン層４６１と酸化シリコン層４６２との界面や第２シリコン層４６３と酸化シリコン層４６２との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層４６の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー１となる。
【００５６】
図７に、水分を吸着することによる酸化シリコン膜の応力変化を示すグラフを示す。同図に示すグラフは、シリコンウエハ上に成膜した酸化シリコン膜の膜応力をストーニーの式を用いて算出し、算出した値をプロットしたものである。なお、ここでは、酸化シリコン膜の応力変化の傾向を説明すれば十分であるため、ストーニーの式等、実験の詳細な説明は、省略する。
【００５７】
まず、酸化シリコン膜を成膜後、大気中に１１日間放置した。その結果、酸化シリコン膜が徐々に水分を吸着し、酸化シリコン膜の膜応力が引張応力から圧縮応力へと徐々に変化した。次に、酸化シリコン膜を６０℃の環境下に７２時間放置し、その後、１４日目から２１日目まで大気中に放置した。１４日目の膜応力は、１１日目の膜応力に対して初期値側へ変化しているが、これは、６０℃という高温下に放置されたことで、酸化シリコン膜内の水分が減少したためである。しかしながら、再び大気中に放置されたことで酸化シリコン膜が水分を吸着し、１４日目から２１日目にかけて、酸化シリコン膜の膜応力が圧縮応力側に変化した。次に、酸化シリコン膜を６０℃、湿度９０％の環境下に７２時間放置し、その後、２５日目から３４日目まで大気中に放置した。２５日目の膜応力は、２１日目の膜応力に対して圧縮応力側へ変化しているが、これは、湿度９０％という高湿下に放置されて、酸化シリコン膜内の水分が増加したためである。以上のように、酸化シリコン膜は、環境湿度に対して内部応力が変化し易いことが分かる。
【００５８】
なお、圧力センサー１の構成としては、前述の構成に限定されない。例えば、本実施形態では、封止層４６が第１シリコン層４６１、酸化シリコン層４６２および第２シリコン層４６３の３層が積層した構成となっているが、さらに、別の層を有していてもよい。具体的には、例えば、被覆層４４４と第１シリコン層４６１との間、第１シリコン層４６１と酸化シリコン層４６２との間、酸化シリコン層４６２と第２シリコン層４６３との間および第２シリコン層４６３の上面の少なくとも１つに、少なくとも１層以上の別の層が介在していてもよい。
【００５９】
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、図８に示すように、ダイアフラム形成領域２５０を有する基板２を準備する準備工程と、基板２にセンサー部５を形成するセンサー部形成工程と、基板２に側壁部４Ａおよび被覆層４４４（蓋部）を形成する側壁部／被覆層形成工程と、被覆層４４４上に封止層４６を形成する封止層形成工程と、基板２のダイアフラム形成領域２５０に、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
【００６０】
［準備工程］
まず、図９に示すように、第１層２１、第２層２２および第３層２３が積層してなるＳＯＩ基板からなる基板２を準備する。なお、この段階では、基板２のダイアフラム形成領域２５０にはダイアフラム２５が形成されていない。次に、例えば、第３層２３の表面を熱酸化することで、基板２の上面に酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜３１を成膜する。
【００６１】
［センサー部形成工程］
次に、図１０に示すように、基板２の上面に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部５を形成する。次に、第１絶縁膜３１の上面に第２絶縁膜３２をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜する。
【００６２】
［側壁部／被覆層形成工程］
次に、図１１に示すように、基板２上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４、表面保護膜４５および端子４７をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に所定のパターンで形成する。これにより、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０を囲む枠状の側壁部４Ａと、側壁部４Ａの開口を覆い、側壁部４Ａの内側と外側とを連通する貫通孔４４５を有する被覆層４４４（蓋部）とが得られる。なお、本実施形態では、層間絶縁膜４１、４３を酸化シリコンで構成し、配線層４２、４４をアルミニウムで構成している。
【００６３】
次に、基板２を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、図１２に示すように、被覆層４４４の貫通孔４４５を介してガードリング４２１、４４１内に位置する層間絶縁膜４１、４３が除去され、圧力基準室Ｓが形成される。この際、ガードリング４２１、４４１は、エッチングストッパーとして機能する。
【００６４】
［封止層形成工程］
次に、図１３に示すように、被覆層４４４および表面保護膜４５の上面に、第１シリコン層４６１および酸化シリコン層４６２を、それぞれ、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に形成する。次に、図１４に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、酸化シリコン層４６２をパターニングする。この状態では、酸化シリコン層４６２の周囲から第１シリコン層４６１が露出している。言い換えると、酸化シリコン層４６２の外縁が、第１シリコン層４６１の外縁の内側に位置している。なお、酸化シリコン層４６２のパターニング方法として、バッファードフッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングを利用することで、酸化シリコン層４６２と第１シリコン層４６１とのエッチング選択比を大きく確保することができる。そのため、より確実に、第１シリコン層４６１を残しつつ、酸化シリコン層４６２のみをパターニングすることができる。
【００６５】
次に、図１５に示すように、酸化シリコン層４６２および第１シリコン層４６１の上面に、第２シリコン層４６３をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成する。これにより、第２シリコン層４６３によって、酸化シリコン層４６２の上面および側面が覆われた状態となる。その結果、第２シリコン層４６３によって酸化シリコン層４６２が外部から気密的に封止される。
【００６６】
次に、図１６に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３を同時にパターニングする。これにより、封止層４６が得られる。なお、第１シリコン層４６１および第２シリコン層４６３を互いに同じ材料で構成することで、前述のように、これらを同時にパターニングすることができる。そのため、圧力センサー１の製造工程を削減することができ、圧力センサー１の製造がより容易となる。
【００６７】
［ダイアフラム形成工程］
次に、図１７に示すように、例えば、ドライエッチング（特に、シリコンディープエッチング）法を用いて第１層２１をエッチングし、ダイアフラム形成領域２５０に、下面に開放する凹部２４を形成してダイアフラム２５を得る。以上により、圧力センサー１が得られる。なお、ダイアフラム形成工程の順番は、特に限定されず、例えば、センサー部形成工程に先立って行ってもよいし、センサー部形成工程から封止層形成工程までの間に行ってもよい。
【００６８】
以上、圧力センサー１の製造方法について説明した。圧力センサー１の製造方法は、前述したように、ダイアフラム形成領域２５０を有する基板２を準備する工程と、基板２の上面（一方の面）側に、基板２の平面視でダイアフラム形成領域２５０を囲む側壁部４Ａと、側壁部４Ａに囲まれた圧力基準室Ｓ（空間）を介してダイアフラム形成領域２５０に対向して配置され、圧力基準室Ｓを封止する封止層４６を形成する工程と、ダイアフラム形成領域２５０に、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成する工程と、を含んでいる。そして、封止層４６を形成する工程では、第１シリコン層４６１と、第１シリコン層４６１に対して圧力基準室Ｓとは反対側（上側）に位置する第２シリコン層４６３と、第１シリコン層４６１と第２シリコン層４６３との間に位置する酸化シリコン層４６２と、を形成し、酸化シリコン層４６２を第２シリコン層４６３で覆うことにより外部に対して封止する。これにより、酸化シリコン層４６２を水分（湿気）から保護することができ、酸化シリコン層４６２が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第１シリコン層４６１と酸化シリコン層４６２との界面や第２シリコン層４６３と酸化シリコン層４６２との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層４６の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー１が得られる。
【００６９】
特に、前述したように、封止層４６を形成する工程は、第１シリコン層４６１を形成する工程と、第１シリコン層４６１上に、第１シリコン層４６１が周囲から露出するように酸化シリコン層４６２を形成する工程と、酸化シリコン層４６２上および第１シリコン層４６１の酸化シリコン層４６２から露出している領域上に第２シリコン層４６３を形成する工程と、を含んでいる。このような製法によれば、簡単に、第１シリコン層４６１と第２シリコン層４６３とで酸化シリコン層４６２を封止することができる。すなわち、簡単な工程で、封止層４６を形成することができる。
【００７０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
【００７１】
図１８は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーモジュールの断面図である。図１９は、図１８に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
【００７２】
以下、第２実施形態の圧力センサーモジュールについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７３】
図１８に示すように、圧力センサーモジュール１００は、内部空間Ｓ１を有するパッケージ１１０と、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置された支持基板１２０と、内部空間Ｓ１内で支持基板１２０に支持されている回路素子１３０および圧力センサー１と、内部空間Ｓ１に後述するような充填材を充填することにより形成されている充填部１４０と、を有している。このような圧力センサーモジュール１００によれば、パッケージ１１０および充填部１４０によって圧力センサー１を保護することができる。なお、圧力センサー１としては、例えば、前述した第１実施形態のものを用いることができる。
【００７４】
パッケージ１１０は、ベース１１１およびハウジング１１２を有し、ベース１１１およびハウジング１１２が支持基板１２０を挟み込むようにして互いに接着層を介して接合されている。このようにして形成されているパッケージ１１０は、その上端部に形成された開口１１０ａと、開口１１０ａに連通する内部空間Ｓ１と、を有している。
【００７５】
これらベース１１１およびハウジング１１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスを用いることが特に好ましい。
【００７６】
以上、パッケージ１１０について説明したが、パッケージ１１０の構成としては、その機能を発揮することができれば特に限定されない。
【００７７】
支持基板１２０は、ベース１１１およびハウジング１１２の間に挟まれており、内部空間Ｓ１内からパッケージ１１０の外側に引き出されて配置されている。また、支持基板１２０は、回路素子１３０および圧力センサー１を支持すると共に、回路素子１３０および圧力センサー１を電気的に接続している。このような支持基板１２０は、図１９に示すように、可撓性を有する基材１２１と、基材１２１に配置された複数の配線１２９と、を有している。
【００７８】
基材１２１は、開口１２２ａを有する枠状の基部１２２と、基部１２２から延出する帯状の帯体１２３と、を有している。そして、基部１２２の外縁部においてベース１１１とハウジング１１２とに挟まれ、帯体１２３がパッケージ１１０の外側に延出している。このような基材１２１としては、例えば、一般的に用いられているフレキシブルプリント基板を用いることができる。なお、本実施形態では基材１２１が可撓性を有しているが、基材１２１の全部または一部は、硬質であってもよい。
【００７９】
基材１２１の平面視で、回路素子１３０および圧力センサー１は、開口１２２ａの内側に位置し、並んで配置されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷを介して基材１２１に吊られ、支持基板１２０から浮遊した状態で支持基板１２０に支持されている。また、回路素子１３０および圧力センサー１は、それぞれ、ボンディングワイヤーＢＷおよび配線１２９を介して電気的に接続されている。このように、回路素子１３０および圧力センサー１を支持基板１２０に対して浮遊した状態で支持することで、支持基板１２０から回路素子１３０および圧力センサー１に応力が伝わり難くなり、圧力センサー１の圧力検知精度が向上する。
【００８０】
回路素子１３０は、ブリッジ回路５０に電圧を供給するための駆動回路、ブリッジ回路５０からの出力を温度補償するための温度補償回路、温度補償回路からの出力から受けた圧力を求める圧力検出回路、圧力検出回路からの出力を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路等を有している。
【００８１】
充填部１４０は、回路素子１３０および圧力センサー１を覆うように内部空間Ｓ１に配置されている。このような充填部１４０により、回路素子１３０および圧力センサー１を保護（防塵および防水）すると共に、圧力センサー１に作用した外部応力（例えば、落下衝撃）が回路素子１３０および圧力センサー１に伝わり難くなる。
【００８２】
また、充填部１４０は、液状またはゲル状の充填材で構成することができ、回路素子１３０および圧力センサー１の過剰な変位を抑制することができる点で、特にゲル状の充填材で構成するのが好ましい。このような充填部１４０によれば、回路素子１３０および圧力センサー１を水分から効果的に保護することができると共に、圧力を効率的に圧力センサー１へ伝達することができる。このような充填部１４０を構成する充填材としては、特に限定されず、例えば、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。
【００８３】
以上、圧力センサーモジュール１００について説明した。このような圧力センサーモジュール１００は、圧力センサー１と、圧力センサー１を収納しているパッケージ１１０と、を有している。そのため、パッケージ１１０によって、圧力センサー１を保護することができる。また、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００８４】
なお、圧力センサーモジュール１００の構成としては、前述の構成に限定されず、例えば、充填部１４０は、省略してもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が、ボンディングワイヤーＢＷによって、支持基板１２０に吊られた状態で支持されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が、直接、支持基板１２０上に配置されていてもよい。また、本実施形態では、圧力センサー１および回路素子１３０が横に並んで配置されているが、例えば、圧力センサー１および回路素子１３０が高さ方向に並んで配置されていてもよい。
【００８５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子機器について説明する。
図２０は、本発明の第３実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
【００８６】
図２０に示すように、電子機器としての高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１（圧力センサーモジュール１００）が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
【００８７】
このような電子機器の一例である高度計２００は、圧力センサー１を有している。そのため、高度計２００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００８８】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
【００８９】
図２１は、本発明の第４実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
【００９０】
図２１に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１（圧力センサーモジュール１００）と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【００９１】
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【００９２】
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム３００は、圧力センサー１を有している。そのため、ナビゲーションシステム３００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００９３】
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、ドローン、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９４】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る移動体について説明する。
図２２は、本発明の第５実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
【００９５】
図２２に示すように、移動体としての自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２（タイヤ）と、を有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。また、自動車４００は、車体４０１に搭載されている電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）４０３を有しており、この電子制御ユニット４０３に圧力センサー１が内蔵されている。電子制御ユニット４０３は、圧力センサー１が車体４０１の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪４０２等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車４００は、安全で安定した移動をすることができる。なお、圧力センサー１は、自動車４００に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
【００９６】
このような移動体の一例としての自動車４００は、圧力センサー１を有している。そのため、自動車４００は、前述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
【００９７】
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
１…圧力センサー、２…基板、２１…第１層、２２…第２層、２３…第３層、２４…凹部、２５…ダイアフラム、３１…第１絶縁膜、３２…第２絶縁膜、４…周囲構造体、４Ａ…側壁部、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…ガードリング、４２９…配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…ガードリング、４４４…被覆層、４４５…貫通孔、４４９…配線部、４５…表面保護膜、４６…封止層、４６１…第１シリコン層、４６１ａ…貫通孔、４６２…酸化シリコン層、４６３…第２シリコン層、４７…端子、５…センサー部、５０…ブリッジ回路、５１、５２、５３、５４…ピエゾ抵抗素子、５５…配線、１００…圧力センサーモジュール、１１０…パッケージ、１１０ａ…開口、１１１…ベース、１１２…ハウジング、１２０…支持基板、１２１…基材、１２２…基部、１２２ａ…開口、１２３…帯体、１２９…配線、１３０…回路素子、１４０…充填部、２００…高度計、２０１…表示部、２５０…ダイアフラム形成領域、２５１…受圧面、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、４０３…電子制御ユニット、ＢＷ…ボンディングワイヤー、Ｓ…圧力基準室、Ｓ１…内部空間
【図１】
2018146278.tif 000003
【図２】
2018146278.tif 000004
【図３】
2018146278.tif 000005
【図４】
2018146278.tif 000006
【図５】
2018146278.tif 000007
【図６】
2018146278.tif 000008
【図７】
2018146278.tif 000009
【図８】
2018146278.tif 000010
【図９】
2018146278.tif 000011
【図１０】
2018146278.tif 000012
【図１１】
2018146278.tif 000013
【図１２】
2018146278.tif 000014
【図１３】
2018146278.tif 000015
【図１４】
2018146278.tif 000016
【図１５】
2018146278.tif 000017
【図１６】
2018146278.tif 000018
【図１７】
2018146278.tif 000019
【図１８】
2018146278.tif 000020
【図１９】
2018146278.tif 000021
【図２０】
2018146278.tif 000022
【図２１】
2018146278.tif 000023
【図２２】
2018146278.tif 000024