(57)【要約】【課題】  製造工程における素体（素子や基板など）の劣化が抑制された、素体と表面電極との接合強度が高い電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  セラミックまたはガラスセラミックを主成分とする基板１を準備する工程と、基板１の表面に表面電極２を形成する工程と、を備え、表面電極２を形成している途中、または、表面電極２を形成した後に、表面電極２および基板１を、周波数が１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下のミリ波によって加熱し、表面電極２に含まれる金属成分の一部を基板１に拡散させる工程を更に備えるようにした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックまたはガラスセラミックを主成分とする素体を準備する工程と、
前記素体の表面に表面電極を形成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
前記表面電極を形成している途中、または、前記表面電極を形成した後に、前記表面電極および前記素体を、周波数が１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下のミリ波によって加熱し、前記表面電極に含まれる金属成分の一部を前記素体に拡散させる工程を更に備えた電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記ミリ波の周波数が、２０ＧＨｚ以上、６０ＧＨｚ以下である、請求項１に記載された電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記ミリ波の周波数が、２０ＧＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下である、請求項２に記載された電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記表面電極への前記ミリ波の照射時間が、６０秒以上、６００秒以下である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記表面電極への前記ミリ波の照射時間が、６０秒以上、３００秒以下である、請求項４に記載された電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ミリ波の照射が、不活性雰囲気中または真空中においておこなわれる、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項７】
電解めっき、および、無電解めっき以外の方法によって、前記素体の表面に、前記表面電極の下層部分を形成し、
次に、ミリ波による加熱をおこない、
次に、電解めっき、または、無電解めっきによって、前記表面電極の上層部分を形成する、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記表面電極に含まれる金属が、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる１種以上の金属である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記表面電極が、金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使って形成される、請求項１ないし８のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法に関し、更に詳しくは、製造工程における素体（素子や基板など）の劣化が抑制された、素体と表面電極との接合強度が高い電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ状の素子からなる素体の表面に端子電極等の表面電極が形成された電子部品や、基板状の素体の表面に配線電極、ランド電極等の表面電極が形成された電子部品（基板を使用した基板部品）が、電子機器等に広く使用されている。
【０００３】
近年、電子機器等においては、市場ニーズとして、小型化が求められる傾向にある。そして、この電子機器等への小型化への要求に伴い、電子機器等に使用される電子部品にも小型化が求められている。
【０００４】
電子部品を小型化した場合、素体に対する表面電極の接合強度の不足が問題になる場合があった。すなわち、電子部品を小型化するために、素体を小型化した場合、必然的に表面電極の面積も小さくしなければならならず、素体と表面電極との絶対的な接合面積の不足が問題になる場合があった。
【０００５】
たとえば、素体の表面に実装用の表面電極が形成されたチップ状の電子部品を、リフローはんだ等により基板に実装した実装構造において、従来の大きさの電子部品であれば問題がなかった程度の外力が加わることにより、小型化された電子部品においては、素体から表面電極が剥離してしまう場合があった。すなわち、素体と表面電極との絶対的な接合面積が不足することにより、素体から表面電極が剥離してしまう場合があった。
【０００６】
また、近年、電子部品が過酷な環境（たとえば高温環境）で使用される場合も増えて来ており、温度サイクルを繰り返すことにより、あるいは、極めて高温に曝されることにより、素体と表面電極との絶対的な接合面積が不足し、素体から表面電極が剥離してしまう場合があった。
【０００７】
この問題を解決する方法として、たとえば、特許文献１（ＷＯ２０１２／０５３３１３号公報）には、素体の表面の表面電極（外部電極）を形成する領域を、予め粗面化しておく方法が開示されている。特許文献１の方法は、より具体的には、まず、セラミックからなる素体（セラミック素体）の表面のうち、表面電極を形成する領域のみを、破砕アルミナ粉等からなる研磨剤を噴射することにより粗面化（エッチング）する。そのうえで、粗面化された素体の表面に、表面電極を形成する。
【０００８】
すなわち、特許文献１の方法は、素体と表面電極との接合面積の不足を、素体の表面を粗面化し、素体と表面電極との単位面積当たりの接合強度を高めることによって補い、表面電極が素体から剥離してしまうのを防止している。
【０００９】
また、この問題を解決する別の方法として、素体に表面電極を形成した後に、電子部品をオーブン等に入れて加熱し、素体の表面から内部に熱を伝搬させて、表面電極に含まれる金属成分の一部を素体に拡散させる方法が考えられる。
【００１０】
この方法は、素体と表面電極との接合面積の不足を、表面電極に含まれる金属成分の一部を素体に拡散させ、素体と表面電極との単位面積当たりの接合強度を高めることによって補い、表面電極が素体から剥離してしまうのを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ＷＯ２０１２／０５３３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に開示されたような、素体と表面電極との接合強度を高めるために、素体の表面を予め粗面化（エッチング）する方法には、次のような問題があった。
【００１３】
まず、研磨剤を噴射して素体の表面を粗面化することにより、素体の表面が削られ、電子部品の電気的特性が変動したり、低下したりするという問題があった。たとえば、電子部品がキャパシタである場合には、容量が低下する場合があった。また、素体の表面が損傷し、電子部品の耐湿性等が低下するという問題があった。
【００１４】
更に、粗面化した素体の表面に表面電極を形成することにより、形成された表面電極の表面にピット（微細な窪み）が発生し、外観不良が発生するという問題があった。
【００１５】
一方、素体に表面電極を形成した後に、電子部品をオーブン等に入れて加熱し、素体の表面から内部に熱を伝搬させて、表面電極に含まれる金属成分の一部を素体に拡散させる方法には、次のような問題があった。
【００１６】
素体をオーブン等で加熱した場合、オーブンの熱源から電子部品の表面全体に熱が伝わり、時間の経過とともに、電子部品の内部に熱が伝わってゆく。金属を主成分とする表面電極は熱伝導率が高いため、比較的早い段階で、表面電極と、素体との界面にまで熱が伝わる。しかしながら、その時点においても、既に、セラミックまたはガラスセラミックを主成分とする素体が露出した部分（表面電極が形成されていない部分）にも、大量の熱が蓄積してしまっている。そして、オーブン等による加熱を停止した後も、オーブン内の雰囲気が高温であるため、電子部品の素体が、なかなか冷却しない。
【００１７】
この結果、電子部品をオーブン等で加熱する方法には、素体に長時間、熱が蓄積され、素体が熱劣化してしまうという問題があった。すなわち、この方法には、電子部品が本来の電気的特性を発揮できなくなったり、信頼性が低下したりするという大きな問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、セラミックまたはガラスセラミックを主成分とする素体を準備する工程と、素体の表面に表面電極を形成する工程と、を備え、表面電極を形成している途中、または、表面電極を形成した後に、表面電極および素体を、周波数が１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下のミリ波によって加熱し、表面電極に含まれる金属成分の一部を素体に拡散させる工程を更に備えるようにした。
【００１９】
なお、素体は、通常、たとえば、チップ状の素子や、基板などの形状をしている。
【００２０】
なお、本出願書類においては、ミリ波に、準ミリ波を含ませている。すなわち、一般に、１０〜３０ＧＨｚの周波数の電波を準ミリ波、３０〜３００ＧＨｚの周波数の電波をミリ波と呼ぶ場合が多いが、本出願書類においては、ミリ波に、準ミリ波を含ませて表現している。
【００２１】
ミリ波の周波数は、２０ＧＨｚ以上、６０ＧＨｚ以下であることが好ましい。２０ＧＨｚ以上であれば、表面電極に含まれる金属の素体への拡散が不足する虞がないからである。また、６０ＧＨｚを超えると、素体の表面が過度に高温状態となり、外観に変形をまねく虞があるからである。
【００２２】
ミリ波の周波数は、２０ＧＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下であることがより好ましい。２０ＧＨｚ以上であれば、表面電極に含まれる金属の素体への拡散が不足する虞がないからである。また、３０ＧＨｚ以下であると、良好な外観を保つことができるからである。
【００２３】
ミリ波による加熱時間は、６０秒以上、６００秒以下であることが好ましい。６０秒未満では、表面電極に含まれる金属の素体への拡散が不足する虞があるからである。また、６００秒を超えると、素体の表面が過度に高温状態となり、外観に変形をまねく虞があるからである。
【００２４】
表面電極へのミリ波の照射時間が、６０秒以上、３００秒以下であることがより好ましい。３００秒以下であれば、素体の表面が過度に高温状態となることはなく、良好な外観を保つことができるからである。
【００２５】
ミリ波による加熱は、不活性雰囲気中または真空中においておこなわれることが好ましい。不活性雰囲気中または真空中でミリ波による加熱をおこなうと、表面電極の酸化を抑制することができるからである。
【００２６】
なお、表面電極の形成に、めっき（電解めっき、無電解めっき）を使用する場合には、めっき工程は、ミリ波による加熱をおこなった後に実施することが好ましい。すなわち、電解めっき、および、無電解めっき以外の方法によって、素体の表面に、表面電極の下層部分を形成し、次に、ミリ波による加熱をおこない、次に、電解めっき、または、無電解めっきによって、表面電極の上層部分を形成することが好ましい。めっき工程後にミリ波による加熱をおこなうと、表面電極にボイドが発生する虞があるが、ミリ波により加熱後にめっき工程を実施すれば、ボイドの発生を回避できるからである。なお、上記の電解めっきには、ダイレクトめっき（ダイレクトプレーティング）と呼ばれるめっき方法が含まれる。
【００２７】
表面電極に含まれる金属には、たとえば、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる１種以上の金属を選択することができる。
【００２８】
なお、表面電極は、金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使って形成しても良い。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の電子部品の製造方法は、周波数が１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下のミリ波によって加熱し、表面電極に含まれる金属成分の一部を素子や基板に拡散させるものであるため、素体を劣化させることなく、適切に素体と表面電極との接合強度を高めることができる。なお、ミリ波の周波数を１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下に限定したのは、１０ＧＨｚ未満であると加熱の効果が弱すぎて接合強度が十分に向上せず、１００ＧＨｚを超えると加熱の効果が強すぎて素子や基板にダメージを与える虞があるからである。
【００３０】
たとえば、電子レンジで使用されている、２．４５ＧＨｚのマイクロ波で加熱した場合には、表面電極に含まれる金属成分によってマイクロ波が反射され、十分に温度が上昇せず、アーク放電も発生し、素体と表面電極との接合強度を高めることができない。これに対し、本発明の電子部品の製造方法によれば、表面電極に含まれる金属成分においてもミリ波が吸収され、アーク放電が発生することもなく、ミリ波による加熱を開始すれば急激に温度が上昇する一方、ミリ波による加熱を停止すれば周りの雰囲気が高温でないため短時間で冷却され、素体を劣化させることなく接合強度を高めることができる。すなわち、本発明の電子部品の製造方法によれば、素体と表面電極との界面近傍を、内側から効率的に一気に高温に加熱することができ、短時間で表面電極に含まれる金属成分の一部を素体に拡散させ、素体を劣化させることなく、素子や基板と表面電極との接合強度を向上させる工程を完了することができる。
【００３１】
また、本発明の電子部品の製造方法は、研磨剤の噴射や、あるいは薬品によって、素体の表面を粗面化（エッチング）するものではないため、粗面化に起因して、電子部品の電気的特性が低下したり、耐湿性が低下したりすることもない。
【００３２】
更に、ミリ波による加熱は、電子部品が重なり合った状態でもおこなうことができ、かつ、各電子部品が均一に加熱されるため、本発明の電子部品の製造方法によれば、煩雑な作業を伴うことなく、大量の電子部品を一括して処理することができる。すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、生産性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法で製造したセラミック多層基板１００を示す斜視図である。図１（Ｂ）は、セラミック多層基板１００の使用方法の一例を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態にかかる電子部品の製造方法で実施するミリ波による加熱を示す説明図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、実験１、実験２における基板と表面電極との接合強度の測定方法を示す説明図（正面図）である。
【図４】第２実施形態にかかる電子部品の製造方法で製造した積層セラミックコンデンサ２００を示す斜視図である。
【図５】実験３における素子と表面電極との接合強度の測定方法を示す説明図（斜視図）である。
【図６】図６（Ａ）は、第３実施形態にかかる電子部品の製造方法で製造したセラミック基板３００を示す斜視図である。図６（Ｂ）は、第３実施形態において使用したナノインク３３を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００３５】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００３６】
［第１実施形態］
図１（Ａ）に、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法によって製造された電子部品としてセラミック多層基板１００を示す。まず、このセラミック多層基板１００の構造について説明する。
【００３７】
セラミック多層基板１００は、素体として基板１を備える。基板１は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）を主成分とする複数のセラミック層１ａが積層されたものからなる。
【００３８】
基板１の上側主面の表面には、ランド電極２ａ、配線電極２ｂからなる表面電極２が形成されている。ランド電極２ａとは、セラミック多層基板１００に、他の電子部品を実装するための電極である。配線電極２ｂとは、たとえば、ランド電極２ａどうしを接続する電極である。
【００３９】
また、基板１の下側主面の表面には、図示しないが、実装用電極２ｃからなる表面電極２が形成されている。実装用電極２ｃとは、セラミック多層基板１００を、他の基板等に実装するための電極である。
【００４０】
本実施形態においては、表面電極２は、Ｃｕを主成分とする金属からなり、更に表面に、第１層がＮｉめっき層、第２層がＳｎめっき層からなる２層のめっき層が形成されている。
【００４１】
基板１の内部には、図示しないが、内部電極として、セラミック層１ａの層間に、配線電極、キャパシタ電極、インダクタ電極が形成され、セラミック層１ａを貫通して、ビア電極が形成されている。本実施形態においては、内部電極は、Ｃｕを主成分とする金属からなる。そして、キャパシタ電極によりキャパシタが形成され、インダクタ電極によりインダクタが形成されている。なお、これらのキャパシタやインダクタは必須のものではなく、いずれか一方、あるいは両方を省略することもできる。
【００４２】
次に、セラミック多層基板１００の使用方法の一例について説明する。
【００４３】
セラミック多層基板１００は、たとえば、図１（Ｂ）に示すように、基板１の上側主面に形成されたランド電極２ａに、電子部品３ａ、３ｂ、３ｃが実装されて、電子部品モジュールを作製するのに使用される。作製された電子部品モジュールは、電子部品３ａ、３ｂ、３ｃや、基板１の内部に形成されたキャパシタやインダクタによって、所望の電子回路が構成されている。なお、基板１の内部に形成される素子は、キャパシタやインダクタには限定されず、抵抗やその他の素子であっても良い。また、基板１に実装される電子部品３ａ、３ｂ、３ｃの種類や個数も任意である。
【００４４】
ここから、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法について説明する。上述したとおり、本実施形態においては、電子部品としてセラミック多層基板１００を製造する。
【００４５】
まず、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）を準備する。具体的には、たとえば、アルミナ・セラミックにガラス成分を混合したガラスセラミック粉末を準備する。
【００４６】
次に、低温同時焼成セラミック粉末にバインダ、溶剤等を混合し、セラミックラリーを作製する。
【００４７】
次に、セラミックラリーを使い、たとえばドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００４８】
次に、セラミックグリーンシートに、必要に応じて、たとえばレーザーを照射する等して、ビア電極用の穴を形成する。続いて、セラミックグリーンシートの主面に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、必要に応じて、所望のパターンからなる電極を形成する。このとき、同時に、ビア電極用の穴に導電性ペーストを充填する。なお、導電性ペーストの主成分は、Ｃｕに代えて、Ａｇ、Ｎｉ等、他の種類の金属であっても良い。あるいは、これらの金属を含む合金であっても良い。
【００４９】
次に、複数のセラミックグリーンシートを、所望の順番に積層し、加圧して一体化し、未焼成の積層体を作製する。
【００５０】
次に、未焼成の積層体を、所定のプロファイルで焼成して、基板１を作製する。基板１の上側主面の表面には、ランド電極２ａ、配線電極２ｂからなる表面電極２が形成されている。また、基板１の下側主面の表面には、実装用電極２ｃからなる表面電極２が形成されている。
【００５１】
次に、Ｃｕを主成分とする金属からなる表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきによりめっき層を形成する。まず、第１層としてＮｉめっき層を形成し、続いて、第２層としてＳｎめっき層を形成する。
【００５２】
次に、図２に示すように、表面電極２が形成された基板１を、表面電極が形成されていない多数のダミー基板とともに、比較的加熱されにくいアルミナなどからなる、るつぼ５１に収容し、更に、るつぼ５１を断熱材５３で包囲したうえでチャンバー５０に収容し、ミリ波を照射（励起）して加熱する。ミリ波による加熱は、電子部品（基板や素子）が重なり合った状態でも、均一に加熱することができる。したがって、ミリ波による加熱は、煩雑な作業を伴うことなく、大量の電子部品を一括して処理することができる、量産現場に適した理想的な加熱方法ということができる。
【００５３】
本実施形態においては、周波数が２４．００ＧＨｚのミリ波を、３００秒間、不活性ガスによる還元性雰囲気中において、表面に表面電極２が形成された基板１に対して照射して加熱する。なお、不活性ガスによる還元性雰囲気中としたのは、表面電極１２の酸化を抑制するためである。
【００５４】
本実施形態においては、加熱に用いるミリ波の周波数を、以下に説明する実験１の結果に基づき、２４．００ＭＨｚに設定した。以下に、実験１の内容について説明する。
【００５５】
（実験１）
まず、第１実施形態のセラミックグリーンシートと同じセラミックグリーンシートを複数作製した。次に、複数のセラミックグリーンシートを積層し、加圧して、５個の未焼成の積層体を作製した。なお、各セラミックグリーンシートには、ビア電極用の穴は形成しなかった。また、最上層に積層されたセラミックグリーンシートの上側主面の全面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布したが、他のセラミックグリーンシートには導電性ペーストを塗布しなかった。次に、５個の未焼成の積層体を、第１実施形態と同じプロファイルで焼成し、表面に表面電極１２が形成された基板１１を作製した。次に、表面電極１２上に、更に表面電極１２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層を形成し、続いてＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成し、試料１〜５にかかる５個のセラミック多層基板を得た。完成したセラミック多層基板の基板１１の寸法は、縦が４０ｍｍ、横が４０ｍｍ、厚みが１０ｍｍであった。なお、表面電極１２の、Ｃｕを主成分とする金属部分の厚みは２０μｍ、めっき層の厚みは２層の合計で５．０μｍであった。
【００５６】
次に、試料２にかかるセラミック多層基板に対し、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波によって３００秒加熱した。また、試料３〜５にかかるセラミック多層基板に対し、それぞれ、周波数の異なるミリ波によって３００秒加熱した。なお、試料１にかかるセラミック多層基板に対しては、ミリ波による加熱をおこなわなかった。表１に、各試料にかかるセラミック多層基板に対して加熱に用いたマイクロ波、ミリ波の周波数を示す。なお、マイクロ波、ミリ波による加熱は、不活性ガスによる還元性雰囲気中でおこなった。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
次に、マイクロ波、ミリ波によって加熱した後の、各試料について、基板１１と表面電極１２との接合強度と、セラミック多層基板の基板１１の外観とを評価した。
【００５９】
接合強度の評価は、次のように実施した。まず、図３（Ａ）に示すように、各試料にかかるセラミック基板の基板１１を、支持基板５４にエポキシ樹脂５５によって貼り付けた。次に、図３（Ｂ）に示すように、各試料にかかるセラミック多層基板の表面電極１２に、ワイヤー５６を、はんだ５７によって固定した。次に、図３（Ｂ）に示すように、支持基板５４を固定した状態で、引っ張り試験機（今田製作所製；ＳＶ-５２ＮＡ-２０Ｍ）により、徐々に力を大きくしながらワイヤー５６を引っ張った。そして、基板１１から表面電極１２が剥離したものを×（不可）とし、基板１１から表面電極１２が剥離しなかったものを○（良）とした。なお、表面電極１２が剥離しなかったものとは、先にエポキシ樹脂５５が剥離したり、はんだ５７の固定が外れたりしたものをいう。各試料の評価結果を表１に示す。
【００６０】
基板１１の外観の評価は、外観不良の発生しているものを×（不可）、実用上問題ない程度の変化が見られるものを△（可）、変化が全く見られないものを○（良）とした。各試料の評価結果を表１に示す。
【００６１】
更に、加熱時のアーク放電の有無も評価した。アーク放電の評価は、アーク放電が発生したものを×（不可）、アーク放電が発生しなかったものを○（良）とした。各試料の評価結果を表１に示す。
【００６２】
表１に示すように、ミリ波によって加熱しなかった試料１と、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によって加熱した試料２とにおいては、良好な接合強度は得られなかった。これに対して、２４．００ＧＨｚのミリ波によって加熱した試料３と、２８．００ＧＨｚのミリ波によって加熱した試料４と、６０．００ＧＨｚのミリ波を照射によって加熱した試料５とは、いずれも良好な接合強度が得られた。また、アーク放電については、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によって加熱した試料２において発生し、ミリ波によって加熱した試料３〜５においては発生しなかった。２．４５ＧＨｚのマイクロ波によって加熱した試料２は、マイクロ波が表面電極１２の金属成分に吸収されず、反射されてアーク放電が発生し、基板１１と表面電極１２との界面近傍が高温にならなかったものと考えられる。そして、その結果、表面電極１２に含まれる金属成分が基板１１に拡散されず、基板１１と表面電極１２との接合強度が向上しなかったものと考えられる。
【００６３】
基板１１の外観は、マイクロ波やミリ波を照射しなかった試料１においては、もちろん良好であった。また、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によって加熱した試料２と、２４．００ＧＨｚのミリ波によって加熱した試料３と、２８．００ＧＨｚのミリ波によって加熱した試料４とにおいても、基板１１の外観は良好であった。これに対して、６０．００ＧＨｚのミリ波によって加熱した試料５は、基板１１の外観に、実用上問題ない程度の変化が見られた。試料５は、基板１１の表面が高温状態となり、実用上問題ないものではあるが、外観に変形が現れたものと考えられる。
【００６４】
以上より、基板１に照射するミリ波の周波数は、１０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以下から選択することができるが、２０ＧＨｚ以上、６０ＧＨｚ以下であることが好ましく、２０ＧＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下であることがより好ましいことが分かった。そこで、本実施形態においては、加熱に用いるミリ波の周波数を、上記の特に好ましい範囲に含まれる２４．００ＧＨｚに設定した。
【００６５】
また、本実施形態においては、ミリ波による加熱の時間を、以下に説明する実験２の結果に基づき、３００秒に設定した。以下に、実験２の内容について説明する。
【００６６】
（実験２）
まず、実験１と同じ方法により、試料１１〜１５にかかる５個のセラミック多層基板を作製した。
【００６７】
次に、試料１２〜１５にかかるセラミック多層基板に対し、それぞれ、加熱時間を３０〜６００秒の間で変化させて、周波数２４．０ＧＨｚのミリ波によって加熱する一方、試料１１にかかるセラミック多層基板に対しては、ミリ波による加熱をおこなわなかった。表２に、各試料にかかるセラミック多層基板にミリ波を照射した時間を示す。なお、ミリ波による加熱は、不活性ガスによる還元性雰囲気中でおこなった。
【００６８】
【表２】
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【００６９】
次に、ミリ波によって加熱した後の、各試料にかかるセラミック多層基板の、基板１１と表面電極１２との接合強度と、セラミック多層基板の基板１１の外観とを評価した。評価は、実験１と同じ方法によった。評価結果を表２に示す。また、ミリ波による加熱時のアーク放電の有無も表２に示す。
【００７０】
接合強度は、ミリ波の照射時間によって優劣が発生した。まず、ミリ波を照射しなかった試料１は、良好な接合強度は得られなかった。また、３０秒間、ミリ波によって加熱した試料１２も、良好な接合強度が得られなかった。試料１２は、ミリ波の照射時間が短すぎて、基板１１と表面電極１２との界面近傍が高温にならなかったものと考えられる。そして、その結果、表面電極１２に含まれる金属成分が基板１１に拡散されず、基板１１と表面電極１２との接合強度が向上しなかったものと考えられる。これに対し、６０秒〜６００秒間、ミリ波による加熱をおこなった試料１３〜１５においては、良好な接合強度が得られた。なお、アーク放電は、試料１２〜１５の、いずれのミリ波の照射においても発生しなかった。
【００７１】
一方、基板１の外観は、マイクロ波やミリ波による加熱をおこなわなかった試料１においては、もちろん良好であった。また、３０〜３００秒間、ミリ波によって加熱した試料１２〜１４においても、基板１の外観は良好であった。しかしながら、６００秒間、ミリ波によって加熱した試料１５は、基板１１の外観に、実用上問題ない程度の変化が見られた。試料１５は、基板１１の表面が高温状態となり、実用上問題ないものではあるが、外観に変形が現れたものと考えられる。
【００７２】
以上より、ミリ波により加熱する時間は、６０秒以上、６００秒以下が好ましく、６０秒以上、３００秒以下がより好ましいことが分かった。そこで、本実施形態においては、ミリ波による加熱時間を、上記より好ましい範囲に含まれる３００秒に設定した。
【００７３】
実験１および実験２の結果を踏まえ、本実施形態においては、周波数が２４．００ＧＨｚのミリ波により、３００秒間、不活性ガスによる還元性雰囲気中において、表面に表面電極２が形成された基板１を加熱することとした。
【００７４】
なお、ミリ波による加熱の際に、表面に表面電極２が形成された基板１に対して冷風を吹付け、基板１の受けるダメージを緩和するようにしても良い。
【００７５】
上記ミリ波による加熱を完了することにより、セラミック多層基板１００は完成し、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法は終了する。完成したセラミック多層基板１００は、表面電極２に含まれる金属成分の一部が基板１に拡散しており、基板１と表面電極２との接合強度が十分に高くなっている。また、ミリ波による加熱を適切におこなったため、基板１に劣化が発生していない。
【００７６】
［第１実施形態の変形例１］
上記第１実施形態においては、Ｃｕを主成分とする表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成してから、表面電極２にミリ波の照射をおこなった。
【００７７】
変形例１では、これに代えて、表面電極２のＣｕを主成分とする部分（下層部分）を形成し、ミリ波による加熱をおこなってから、更に、表面電極２のＣｕを主成分とする部分（下層部分）上に、表面電極２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層（上層部分）を形成した。
【００７８】
変形例１においては、めっき層（Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）が、ミリ波を照射することにより影響を受けることを回避することができる。すなわち、めっき層を形成した後に、ミリ波を照射して加熱すると、ミリ波の周波数や照射時間によっては、表面電極２の、Ｃｕを主成分とする下層部分と、めっき層からなる上層部分との間にボイドが発生する虞があるが、変形例１においては、この問題を回避することができる。なお、このボイドは、めっきの際にめっき層に残ってしまった不純物に起因するものと推測される。
【００７９】
［第１実施形態の変形例２］
上記第１実施形態においては、基板１（セラミック層１ａ）の材料に、たとえば、アルミナ・セラミックにガラス成分を混合した、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を使用した。
【００８０】
変形例２では、これに代えて、基板１（セラミック層１ａ）の材料に、アルミナを主成分とするセラミックを使用した。
【００８１】
アルミナを主成分とするセラミックを使用した場合には、低温同時焼成セラミックを使用した場合に比べて高温で焼成する必要があるため、基板１の内部の内部電極に、融点が比較的に低いＣｕを使用することができない。そこで、変形例２においては、基板１の内部の内部電極に、Ｍｏ、Ｗなど、融点が比較的に高いものを使用した。
【００８２】
なお、変形例２においても、基板１の表面の表面電極２には、Ｃｕを主成分として使用した。そのため、変形例２においては、焼成により基板１を作製した後に、基板１の表面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを所望の形状に印刷し、焼付けて、表面電極２を形成した。そして、その後、Ｃｕを主成分とする表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成し、続いて、ミリ波による加熱をおこなった。
【００８３】
なお、第１実施形態の変形例１において上述したとおり、ミリ波による加熱と、電解めっきによるＮｉめっき層、Ｓｎめっき層の形成との順番を入れ替えると、ミリ波により加熱することにより、めっき層（Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）が影響を受けることを回避することができる。
【００８４】
［第２実施形態］
図４に、第２実施形態にかかる電子部品として、積層セラミックコンデンサ２００を示す。
【００８５】
積層セラミックコンデンサ２００は、素体として、直方体からなる素子２１を備える。素子２１は、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックからなる、複数の誘電体セラミック層２１ａが積層されたものからなる。
【００８６】
素子２１の一方の端部の表面に、表面電極（端子電極）２２ａが形成されている。また、素子２１の他方の端部の表面に、表面電極（端子電極）２２ｂが形成されている。
【００８７】
本実施形態においては、表面電極２２ａ、２２ｂは、Ｃｕを主成分とする金属からなり、更に表面に、第１層がＮｉめっき層、第２層がＳｎめっき層からなる２層のめっき層が形成されている。
【００８８】
素子２１の内部においては、誘電体セラミック層２１ａの層間に、図示しないが、たとえばＮｉを主成分とする、複数の内部電極が形成されている。内部電極は、たとえば、交互に、表面電極２２ａと、表面電極２２ｂとに引き出されている。
【００８９】
次に、積層セラミックコンデンサ２００の製造方法の一例について説明する。
【００９０】
まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を準備する。
【００９１】
次に、セラミック粉末にバインダ、溶剤等を混合し、セラミックラリーを作製する。
【００９２】
次に、セラミックラリーを使い、たとえばドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００９３】
次に、セラミックグリーンシートの主面に、Ａｇを主成分とする導電性ペーストを塗布する。
【００９４】
次に、複数のセラミックグリーンシートを、所望の順番に積層し、加圧して一体化し、未焼成の積層体を作製する。
【００９５】
次に、未焼成の積層体を、所定のプロファイルで焼成して、素子２１を作製する。なお、作製された素子の両端には、それぞれ、内部電極（図示せず）が引き出されている。
【００９６】
次に、素子２１の両端に、それぞれ、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布する。続いて、導電性ペーストを所定の温度で焼付けて、素子２１の両端に、表面電極２２ａ、２２ｂを形成する。
【００９７】
次に、Ｃｕを主成分とする金属からなる表面電極２２ａ、２２ｂの上に、更に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきによりめっき層を形成する。まず、第１層としてＮｉめっき層を形成し、続いて、第２層としてＳｎめっき層を形成する。
【００９８】
次に、表面電極２２ａ、２２ｂが形成された素子２１をミリ波によって加熱し、表面電極２２ａ、２２ｂに含まれる金属の一部を、素子２１に拡散させる。
【００９９】
本実施形態においても、周波数が２４．００ＧＨｚのミリ波によって、３００秒間、不活性ガスによる還元性雰囲気中において、表面電極２２ａ、２２ｂが形成された素子２１を加熱する。
【０１００】
以上により、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００が完成する。
【０１０１】
積層セラミックコンデンサ２００の素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合強度を確認するために、次の実験３を実施した。
【０１０２】
（実験３）
比較のために、比較例にかかる積層セラミックコンデンサを準備した。比較例にかかる積層セラミックコンデンサは、上述した第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の製造工程から、ミリ波による加熱工程のみを省略して作製されたものである。
【０１０３】
まず、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を、図５に示すように、テスト基板５１に形成されたランド電極５２にリフローはんだによって実装した。
【０１０４】
次に、テスト基板５１に実装された積層セラミックコンデンサ２００に、横方向から１０Ｎの力を５秒間かけた。
【０１０５】
同様に、比較例にかかる積層セラミックコンデンサを、テスト基板５１に形成されたランド電極５２にリフローはんだによって実装した。続いて、テスト基板５１に実装された比較例にかかる積層セラミックコンデンサに、横方向から１０Ｎの力を５秒間かけた。
【０１０６】
横方向からの力をかけた後の、積層セラミックコンデンサ２００の素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合部分を観察した。素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合部分に、剥離は見られなかった。
【０１０７】
これに対し、横方向からの力をかけた後の、比較例にかかる積層セラミックコンデンサにおいては、素子と表面電極との接合部分に剥離が見られた。
【０１０８】
第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、ミリ波によって加熱したことによって、表面電極２２ａ、２２ｂに含まれる金属の一部が素子２１に拡散し、素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合強度が向上したものと考えられる。
【０１０９】
［第２実施形態の変形例］
上記第２実施形態においては、Ｃｕを主成分とする表面電極２２ａ、２２ｂの上に、更に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成してから、表面電極２２ａ、２２ｂにミリ波による加熱をおこなった。
【０１１０】
変形例では、これに代えて、表面電極２２ａ、２２ｂのＣｕを主成分とする部分（下層部分）を形成し、ミリ波による加熱をおこなってから、更に、表面電極２２ａ、２２ｂのＣｕを主成分とする部分（下層部分）上に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきによりめっき、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層（上層部分）を形成した。
【０１１１】
変形例においては、めっき層（Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）が、ミリ波によって加熱することにより影響を受けることを回避することができる。
【０１１２】
［第３実施形態］
図６に、第３実施形態にかかる電子部品として、セラミック基板３００を示す。
【０１１３】
セラミック基板３００は、素体である、矩形、板状の基板３１の表面に、ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂからなる表面電極３２が形成されたものからなる。
【０１１４】
本実施形態においては、基板３１の材質に、アルミナを主成分とするセラミックを使用した。また、表面電極３２の主成分にＡｇを使用した。
【０１１５】
次に、セラミック基板３００の製造方法の一例について説明する。
【０１１６】
まず、アルミナを主成分とするセラミックからなる基板３１を準備する。アルミナを主成分とするセラミックからなる基板３１は、たとえば、広く市場において流通しているものを使用することができる。
【０１１７】
次に、基板３１の表面に、表面電極３２を形成する。本実施形態においては、図５（Ｂ）に示す、Ａｇナノ微粒子３３ａが、ポリビニルピロリドンからなる保護分子層３３ｂによって被覆されたナノインク３３を用意し、インクジェットノズル（図示せず）によってナノインク３３を基板３１の表面に噴射して塗布し、所望のパターン形状からなる表面電極３２（ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂ）を形成する。
【０１１８】
次に、表面電極３２（ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂ）が形成された基板３１を、所定の温度で加熱し、ナノインク３３を基板３１に定着させる。より具体的には、基板３１を加熱することにより、ナノインク３３の保護分子層３３ｂが分解し、Ａｇナノ微粒子３３ａが基板３１の表面に定着する。
【０１１９】
次に、表面電極３２が形成された基板３１をミリ波によって加熱し、表面電極３２に含まれる金属（Ａｇ）の一部を、基板３１に拡散させる。本実施形態においても、周波数が２４．００ＧＨｚのミリ波によって、３００秒間、不活性ガスによる還元性雰囲気中において、表面電極２２ａ、２２ｂが形成された基板３１を加熱する。
【０１２０】
以上により、第３実施形態にかかるセラミック基板３００が完成する。
【０１２１】
金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使った表面電極の形成方法は、インクジェットノズル等によって、微細なパターン形状や、複雑なパターン形状を形成することができるという長所を備えている。しかしながら、この方法には、基板と表面電極との接合強度が低いという課題があった。本実施形態のように、表面電極３２にミリ波によって加熱し、表面電極３２に含まれる金属の一部を基板３１に拡散させれば、基板３１と表面電極３２との接合強度を、十分に実用に耐える程度にまで向上させることができる。
【０１２２】
以上、第１実施形態にかかるセラミック多層基板１００、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００、第３実施形態にかかるセラミック基板３００について、それぞれ説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。
【０１２３】
たとえば、本発明の電子部品の種類は、セラミック多層基板、積層セラミックコンデンサ、セラミック基板には限定されず、他の種々の電子部品を構成することができる。
【０１２４】
また、表面電極に含まれる金属成分は、ＣｕやＡｇには限定されず、Ｎｉ等、他の種類の金属であっても良い。
【０１２５】
また、外部電極の形成方法も、上述した、導電性ペーストの塗布、焼成や、電解めっきや、ナノインクの塗布、加熱などには限定されず、スパッタリング、蒸着、無電解めっきなど、他の種々の形成方法を採用することができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１・・・基板（素体）
１ａ・・・セラミック層
２・・・表面電極
２ａ・・・ランド電極
２ｂ・・・配線電極
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・基板１に実装された電子部品
２１・・・素子（素体）
２２ａ、２２ｂ・・・表面電極
３１・・・基板（素体）
３２ａ・・・ランド電極
３２ｂ・・・配線電極
３３・・・ナノインク
３３ａ・・・Ａｇナノ微粒子
３３ｂ・・・保護分子層
１００・・・セラミック多層基板（電子部品）
２００・・・積層セラミックコンデンサ（電子部品）
３００・・・セラミック基板（電子部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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