(57)【要約】      （修正有）【課題】高い耐食性、耐電圧性及び耐プラズマ性を有し、かつ従来の表面−多孔性陽極酸化膜の多孔質層の孔により発生する問題点と、母材を形成する添加成分により引き起こされる問題点を同時に解決するディスプレイまたは、半導体製造プロセスに使用されるプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品及びその製造方法及び金属部品を具備するプロセスチャンバーの提供。【解決手段】アルミニウム合金の添加成分のうち、表面に存在する添加成分を除去した後、孔を有しない陽極酸化バリアー層を形成することにより、従来の多孔質層を有する陽極酸化膜によって発生する問題、母材の表面に形成されるパーティクル形態の添加成分によって発生する問題を防止する金属部品の製造方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
添加成分を含む金属合金からなり、表面から前記添加成分の少なくとも一種が除去された母材と、
前記母材の表面に形成された陽極酸化バリアー層と、を含む、ことを特徴とする金属部品。
【請求項２】
前記金属合金はアルミニウム合金であり、前記陽極酸化バリアー層は前記アルミニウム合金を陽極酸化して形成される陽極酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であることを特徴とする、請求項１に記載の金属部品。
【請求項３】
前記アルミニウム合金は６０００系列のアルミニウム合金であり、前記母材の表面から除去された添加成分はシリコン（Ｓｉ）を含む、ことを特徴とする請求項２に記載の金属部品。
【請求項４】
前記アルミニウム合金は５０００系列のアルミニウム合金であり、前記母材の表面から除去された添加成分はマグネシウム（Ｍｇ）を含む、ことを特徴とする請求項２に記載の金属部品。
【請求項５】
前記母材の表面は実質的に平面により形成される平面領域と不規則的に凹んでいる複数の凹部領域とからなり、前記陽極酸化バリアー層は、前記凹部領域と平面領域において、所定の厚さで連続的に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の金属部品。
【請求項６】
前記陽極酸化バリアー層の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間に介在する、ことを特徴とする請求項１に記載の金属部品。
【請求項７】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金からなる母材と、
前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含み、
前記母材の表面にはシリコン（Ｓｉ）が除去されて存在せず、前記母材の表面に形成される凹部領域にも前記表面−非多孔性陽極酸化膜が形成され、前記表面−非多孔性陽極酸化膜の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の所定の厚さで形成される、ことを特徴とする金属部品。
【請求項８】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
前記金属部品はＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金からなる母材と、
前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含み、
前記金属部品の表面に対するエネルギー分散型分光計（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、  ＥＤＳ）の測定成分にはシリコン（Ｓｉ）成分が検出されない、ことを特徴とする金属部品。
【請求項９】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
添加成分として、シリコン（Ｓｉ）が０．４０〜０．８％、鉄（Ｆｅ）が０．７％、銅（Ｃｕ）が０．１５〜０．４０％、マンガン（Ｍｎ）が０．１５％、マグネシウム（Ｍｇ）が０．８〜１．２％、亜鉛（Ｚｎ）が０．２５％、クローム（Ｃｒ）が０．０４〜０．３５％、チタニウム（Ｔｉ）が０．１５％を含有するアルミニウム合金の母材と、
前記母材の表面から前記添加成分のシリコン（Ｓｉ）が除去された前記母材を陽極酸化して形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む、ことを特徴とする金属部品。
【請求項１０】
前記表面−非多孔性陽極酸化膜の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間に介在する、ことを特徴とする請求項９に記載の金属部品。
【請求項１１】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
主な添加成分がシリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）またはシリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうち、いずれか１つを含むアルミニウム合金材質であり、表面から前記主な添加成分のうち、少なくともいずれか１つが除去された母材と、
前記母材の表面の形状に応じて形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む、ことを特徴とする金属部品。
【請求項１２】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、
シリコン（Ｓｉ）とマグネシウム（Ｍｇ）を主な添加成分として含有する熱処理アルミニウム合金の表面から前記シリコン（Ｓｉ）が除去された表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜を含む、ことを特徴とする金属部品。
【請求項１３】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、
前記金属部品は、添加成分としてシリコン（Ｓｉ）０．２〜０．９％を含有するアルミニウム合金からなる母材と、
前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含み、
前記金属部品の表面に対するエネルギー分散型分光計（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）の測定成分には前記シリコン（Ｓｉ）成分が検出されない、ことを特徴とする金属部品。
【請求項１４】
プロセスガスが流入されるプロセスチャンバー内に設けられて、前記プロセスチャンバーの内部に連通される金属部品を製造する製造方法であって、
金属合金材質からなる母材の表面から、前記母材を形成する少なくとも一種の添加成分を除去する段階と、
前記添加成分が除去された前記母材を陽極酸化させて、前記母材の表面に陽極酸化バリアー層を形成する段階と、を含む、ことを特徴とする金属部品の製造方法。
【請求項１５】
プロセスチャンバーであって、添加成分が含まれる金属合金材質からなり、表面から前記添加成分が除去される母材と、前記母材を陽極酸化させて前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む金属部品は、プロセスガスが流入される内部に連通され、または前記プロセスチャンバーの内部に設けられる、ことを特徴とするプロセスチャンバー。
【請求項１６】
前記プロセスチャンバーはＣＶＤプロセスチャンバーであり、
前記金属部品は、前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ライン、または前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ラインである、ことを特徴とする請求項１５に記載のプロセスチャンバー。
【請求項１７】
前記プロセスチャンバーはドライエッチングプロセスチャンバーであり、
前記金属部品は、前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ライン、または前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ラインである、ことを特徴とする請求項１５に記載のプロセスチャンバー。
【請求項１８】
前記プロセスチャンバーは、ＣＶＤプロセスチャンバーであり、
前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部に設けられて基板（Ｓ）を支持するサセプタ（Ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）と、前記ＣＶＤプロセスチャンバーの上部に配置されるバッキングプレート（Ｂａｃｋｉｎｇ  ｐｌａｔｅ）と、前記バッキングプレートの下部に配置されて、基板（Ｓ）によりプロセスガスを供給するディフューザ（Ｄｉｆｆｕｓｅｒ）と、前記サセプタと前記ディフューザの間に配置されて、基板（Ｓ）の周縁をカバーするシャドウフレーム（Ｓｈａｄｏｗ  ｆｒａｍｅ）と、を含み、
前記サセプタ、バッキングプレート、ディフューザ、シャドウフレームのうち少なくともいずれか１つは、前記金属部品からなる、ことを特徴とする請求項１５に記載のプロセスチャンバー。
【請求項１９】
前記プロセスチャンバーは、ドライエッチングプロセスチャンバーであり、
前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部に設けられて、基板（Ｓ）を支持する下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（２２０）と、前記下部電極の上部に配置されて、基板（Ｓ）によりプロセスガスを供給する上部電極（Ｕｐｐｅｒ  ｅｌｅｔｒｏｄｅ）と、前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内壁に設けられる壁ライン（Ｗａｌｌ  ｌｉｎｅｒ）と、を含み、前記上部電極、下部電極、壁ラインのうち、少なくともいずれか１つは前記金属部品からなる、ことを特徴とする請求項１５に記載のプロセスチャンバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は金属部品及びその製造方法、並びに金属部品を備えるプロセスチャンバーに関し、特に、ディスプレイまたは半導体製造プロセスに使用されるプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品及びその製造方法、並びに金属部品を備えるプロセスチャンバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、ドライエッチング装置等（以下、プロセスチャンバーと称する）において、そのプロセスチャンバーの内部は反応ガス、エッチングガス、または、クリーニングガス（以下、プロセスガスと称する）を利用する。このようなプロセスガス炉はＣｌ、ＦまたはＢｒなどの腐食性ガスを主に使用するため、腐食における耐食性が主に要求される。プロセスチャンバー用金属部品としてステンレス鋼を使用する従来技術も存在するが、熱伝導性が充分ではなく、ステンレス鋼の合金成分であるＣｒ、Ｎｉなどの重金属がプロセス中に放出されて汚染源になることもある。従って、ステンレス鋼に比べて軽量で、熱伝導性が優れており、重金属汚染の恐れがない純粋アルミニウムまたはアルミニウム合金を利用するプロセスチャンバー用部品が開発された。
【０００３】
しかし、純粋アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面は耐食性がよくないため、表面処理を行う方法が研究されてきた。純粋アルミニウムまたはアルミニウム合金の母材を陽極酸化処理して陽極酸化膜を形成する方法として、純粋アルミニウムの母材に陽極酸化膜を形成する方法、アルミニウム合金母材に陽極酸化膜を形成する方法を考慮してもよいが、費用の面を考慮すると、純粋アルミニウムではないアルミニウム合金が現実的な考慮対象になっている。
【０００４】
従来のアルミニウム合金母材に陽極酸化膜を形成する方法の１つの例として、図１、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、アルミニウム合金母材（１）を陽極酸化処理して、陽極酸化バリアー層と前記陽極酸化バリアー層の上部に連続的に形成される陽極酸化多孔質層（１２）とで構成される陽極酸化膜を形成する方法が通常使用されている。従来技術はアルミニウム合金母材に複数の空いた孔（ｐｏｒｅ）（１２ａ）を有する陽極酸化多孔質層（１２）からなる表面−多孔性陽極酸化膜を厚く形成させることによって、アルミニウム合金母材（１）の耐食性及び耐電圧性を向上させようとした。ここで、従来の表面−多孔性陽極酸化膜はバリアー層（１３）の厚さが１００ｎｍ以下に形成されるか、耐電圧性のために陽極酸化多孔質層（１２）は数十μｍから数百μｍに形成されている。従来の表面−多孔性陽極酸化膜はその厚さの大部分が陽極酸化多孔質層（１２）からなり、これに伴って、内部応力の変化または熱膨張の影響により、陽極酸化膜にクラック（Ｃｒａｃｋ）が発生、または陽極酸化膜が剥離される問題が発生する。露出された前記アルミニウム合金母材（１）の部位にプラズマが集まるプラズマアーキング（Ｐｌａｓｍａ  Ａｒｃｉｎｇ）が発生して、前記アルミニウム合金母材（１）の表面が部分的に熔解または欠損される問題点が発生する。また、陽極酸化膜の多孔質層（１２）の孔（１２ａ）の内部に蒸着された異質物にガス放出（Ｏｕｔ−ｇａｓｉｎｇ）が生じて、基板にパーティクルが形成され、またはプロセスで使用されるフッ化物（フッ素系列の物質）が前記孔（１２ａ）に残留して、次のプロセスで使用するときに基板表面に落ちることにより、基板にパーティクルが生成する問題を生じ、これによってプロセスでの不良及び生産収率が低下し、プロセスチャンバーのメンテナンスサイクルを短縮させる問題点を引き起す。
【０００５】
このような従来の表面−多孔性陽極酸化膜の問題点を解決するために、本出願人は、アルミニウム合金材質からなる母材表面に陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜を形成するが、陽極酸化膜の厚さを１００ｎｍ以上〜１μｍ未満に成長させる技術を外部へ非公開する状態にして、内部のみで試した。アルミニウム合金材質からなる母材の表面に前述の陽極酸化バリアー層を１００ｎｍ以上〜１μｍ未満に形成する場合、表面に多孔性の多孔質層（１２）が存在しないため、多孔質層（２２）における従来の上述の問題点が解消されることがわかった。
【０００６】
しかし、純粋アルミニウムからなる母材表面に陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜を形成するが、陽極酸化膜の厚さを１００ｎｍ以上〜１μｍ未満に成長させた金属部品の場合は発生しない。しかし、アルミニウム合金材質からなる母材の表面に陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜を形成させ、また陽極酸化膜の厚さを１００ｎｍ以上〜１μｍ未満に成長させる金属部品の場合、ＣＶＤプロセス過程でシリコン（Ｓｉ）が不純物として検出されて不良を引き起こすという新しい問題点が生じることがわかった。一例として、非公開の内部実験結果によれば、図３乃至図５に示された（図５には金属コーティング層（１７）が図示されているが、母材（２）と陽極酸化バリアー層は表面分析（ＳＥＭ）のために任意に形成されたもののみで、母材（２）を陽極酸化処理して形成されたものではない）ように、例えば、シリコン（Ｓｉ）を添加成分として含むアルミニウム合金の母材（２）を陽極酸化して母材（２）の表面に陽極酸化バリアー層を所定の厚さ（１００ｎｍ以上〜１μｍ）に成長させれば、前記母材（２）の表面にパーティクル形態で存在するシリコン（Ｓｉ）により、シリコン（１５）を含む周辺部に陽極酸化が良好に形成されていないことが分かった（図５）。これによって、金属部品を採用して使用するプロセス（例えば、ＣＶＤプロセス）では不純物として作用し、またはこれによりアーキング問題を引き起こす問題点が発見された。
【０００７】
このように、アルミニウム合金からなる母材の表面に表面−多孔性陽極酸化膜を形成する金属部品、または純粋アルミニウムからなる母材の表面に陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜を形成する金属部品である場合、考えられなかった問題として、アルミニウム合金材質からなる母材の表面に陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜を形成する金属部品の場合に認識された新しい問題点を解決する必要性がわかった。
【０００８】
また、近年、半導体製造プロセスでは、１０ｎｍ級の微細プロセスから構成されることにより、プロセスガスを高熱で加熱して高密度プラズマに変換させることができた。これに対して、本出願人は外部へ非公開状態にして内部で実験を行った結果、前記高密度プラズマにより、プロセスチャンバー内部の部品だけではなく、プロセスチャンバーの内部に連通される部品まで影響を及ぼすことになり、前記部品の不純物がプロセスチャンバーの内部に流入されて半導体製造プロセス過程で不純物として作用する問題点を認識することになった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国特許登録第０４８２８６２号公報
【特許文献２】韓国特許公開第２０１１−０１３０７５０号公報
【特許文献３】韓国特許公開第２００８−００００１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は前述した問題を解決するために案出されており、高い耐食性、耐電圧性及び耐プラズマ性を有し、かつ従来の表面−多孔性陽極酸化膜の多孔質層の孔（ｐｏｒｅ）により発生する問題点と、母材を形成する添加成分により引き起こされる問題点を同時に解決するディスプレイまたは、半導体製造プロセスに使用されるプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品及びその製造方法及び金属部品を具備するプロセスチャンバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の１つの特徴における金属部品はプロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品であって、添加成分を含む金属合金からなり、表面から前記添加成分のうち、少なくともいずれか１つが除去された母材と、及び前記母材の表面に形成される陽極酸化バリアー層と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、前記プロセスチャンバーはＣＶＤプロセスチャンバーで、前記金属部品は前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ラインまたは、前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ラインであることを特徴とする。
【００１３】
また、前記プロセスチャンバーはドライエッチングプロセスチャンバーであり、前記金属部品は前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ラインまたは、前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ラインであることを特徴とする。
【００１４】
また、前記金属合金はアルミニウム合金であり、前記陽極酸化バリアー層は前記アルミニウム合金を陽極酸化して形成される陽極酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であることを特徴とする。
【００１５】
また、前記アルミニウム合金は６０００系列のアルミニウム合金であり、前記母材の表面から除去される添加成分はシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする。
【００１６】
また、前記アルミニウム合金は５０００系列のアルミニウム合金であり、前記母材の表面から除去される添加成分はマグネシウム（Ｍｇ）を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、前記母材表面は実質的に平面により形成される平面領域と不規則的に凹んで形成される複数の凹部領域からなり、前記陽極酸化バリアー層は前記凹部領域と平面領域に所定の厚さで連続的に形成されることを特徴とする。
【００１８】
また、前記陽極酸化バリアー層の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間に介在することを特徴とする。
【００１９】
本発明の他の特徴における金属部品は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金からなる母材と、前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む。前記母材の表面にはシリコン（Ｓｉ）が除去されて存在せず、前記母材の表面に形成される凹部領域にも前記表面−非多孔性陽極酸化膜が形成され、前記表面−非多孔性陽極酸化膜の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の所定の厚さで形成されることを特徴とする。
【００２０】
本発明の他の特徴における金属部品は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、前記金属部品はＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金からなる母材と、前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む。前記金属部品の表面に対するエネルギー分散型分光計（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）の測定成分には前記シリコン（Ｓｉ）成分が検出されないことを特徴とする。
【００２１】
本発明の他の特徴における金属部品は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、シリコン（Ｓｉ）が０．４０〜０．８％、鉄（Ｆｅ）が０．７％、銅（Ｃｕ）が０．１５〜０．４０％、マンガン（Ｍｎ）が０．１５％、マグネシウム（Ｍｇ）が０．８〜１．２％、亜鉛（Ｚｎ）が０．２５％、クローム（Ｃｒ）が０．０４〜０．３５％、チタニウム（Ｔｉ）が０．１５％を添加成分として含有するアルミニウム合金母材と、前記母材の表面から前記添加成分のうち、シリコン（Ｓｉ）が除去された前記母材を陽極酸化して形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
また、前記表面−非多孔性陽極酸化膜の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間に介在することを特徴とする。
【００２３】
本発明の他の特徴における金属部品はプロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、主添加成分はシリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはシリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のいずれか１つを含むアルミニウム合金材質であり、表面から前記主添加成分の少なくともいずれか１つが除去された母材と、前記母材の表面の形状に応じて形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明の他の特徴における金属部品は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、シリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）を主添加成分として含有する熱処理アルミニウム合金の表面から前記シリコン（Ｓｉ）が除去された表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜を含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明の他の特徴における金属部品は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品において、前記金属部品は、添加成分としてシリコン（Ｓｉ）を０．２〜０．９％含有するアルミニウム合金から母材と、前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含み、前記金属部品の表面に対するエネルギー分散型分光計（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）の測定成分には前記シリコン（Ｓｉ）成分が検出されないことを特徴とする。
【００２６】
本発明の１つ特徴における金属部品の製造方法は、プロセスガスが流入するプロセスチャンバーの内部に連通される金属部品を製造する製造方法において、金属合金材質からなる母材の表面から前記母材を形成する少なくとも一種の添加成分を除去する段階と、前記添加成分が除去された前記母材を陽極酸化して前記母材の表面に陽極酸化バリアー層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２７】
本発明の１つ特徴におけるプロセスチャンバーは添加成分が含まれた金属合金材質からなり、表面から前記添加成分が除去された母材と、前記母材を陽極酸化して前記母材の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜と、を含む金属部品は、プロセスガスが流入する内部に連通されることを特徴とする。
【００２８】
また、前記プロセスチャンバーはＣＶＤプロセスチャンバーであり、前記金属部品は、前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ライン、または前記ＣＶＤプロセスチャンバーの内部に供給されたプロセスガスを排気する排気ラインであることを特徴とする。
【００２９】
また、前記プロセスチャンバーはドライエッチングプロセスチャンバーであり、前記金属部品は、前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部にプロセスガスを供給する供給ライン、または前記ドライエッチングプロセスチャンバーの内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ラインであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
上述したように、耐食性、耐電圧性及び耐プラズマ性を有し、かつ従来の表面−多孔性陽極酸化膜の多孔質層により発生する問題、及び母材の表面に存在する添加成分により発生する問題を同時に解決できる効果を有する。
【００３１】
また、高密度のプラズマを利用するプロセスチャンバーでもプロセスチャンバー内部に不純物が流入することを防止して、プロセスチャンバーのプロセス効率及び信頼性を向上させる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、表面−多孔性陽極酸化膜が形成される従来技術の金属部品を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、表面−多孔性陽極酸化膜が形成される従来技術の金属部品の表面を撮影した写真を示す。図２（ｂ）は、表面−多孔性陽極酸化膜が形成される従来技術の金属部品の断面を撮影した拡大写真である。
【図３】図３は、本発明の背景技術である陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜が形成される金属部品を示す図である。
【図４】図４は、陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜が形成される金属部品の表面（Ａ）を撮影した拡大写真である。
【図５】図５は、陽極酸化バリアー層のみからなる陽極酸化膜が形成される金属部品の断面（Ｂ）を撮影した写真の断面図である。
【図６】図６は、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品を示す図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品の断面（Ｃ）を撮影した拡大図である。
【図８】図８は、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品がプロセスガスの流入する内部に連通されるＣＶＤプロセスチャンバーを示す図である。
【図９】図９は、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品がプロセスガスの流入する内部に連通されるドライエッチングプロセスチャンバーを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下では図面を用いて本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。本発明の利点と特徴、更にそれを達成するための方法は、図面と共に詳細に後述される実施例により明確になる。しかし、本発明はこの実施例に限定されず、互いに異なる形態により具体化されてもよい。ここで説明される実施例は開示される内容が徹底的、かつ完全になるように、また当業者に本発明の思想を十分に伝えるためであり、本発明は特許請求の範囲によって定義されるべきである。明細書の全体における同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００３４】
本明細書で記述される実施例は、本発明の理想的な例示図である断面図及び／または平面図を参考にして説明される。図面において、膜及び領域の厚さは技術的内容を効果的に説明するために行っているものである。従って、製造技術及び／または許容誤差などにより、例示図の形態が変形される可能性がある。従って、本発明の実施例は図示された特定形態に制限されるものではなく、製造プロセスにより生成される形態の変化も含むことができる。従って、図面により例示された領域は概略的属性を有し、図面により例示された領域の模様は、素子の領域の特定形態を例示するためのものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。
【００３５】
以下、本発明の好ましい実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００３６】
いろんな実施例を説明することにおいて、同じ機能を行う構成要素については実施例が異なっても便宜上同じ名称、同じ番号を付与する。また、他の実施例で説明された構成及び作動に対しては便宜上省略する。
【００３７】
図６は本発明の好ましい実施例に伴う金属部品を示す図であり、図７は本発明の好ましい実施例に伴う金属部品の断面（Ｃ）を撮影した拡大図であり、図８は本発明の好ましい実施例に伴う金属部品がプロセスガスの流入する内部に連通されるＣＶＤプロセスチャンバーを示す図であり、図９は本発明の好ましい実施例に伴う金属部品がプロセスガスの流入する内部に連通されるドライエッチングプロセスチャンバーを示す図である。（図７の場合、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の上面には写真を撮影するための白金（１７）がコーティングされている。）
【００３８】
本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）の母材（１１）は添加成分を含む金属合金材質からなる。本発明の好ましい実施例に伴う母材（１１）は、軽量で、加工が容易で、熱伝導性が優れており、重金属汚染の恐れがないアルミニウム合金（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ａｌｌｏｙ）材質からなることが好ましい。アルミニウム合金の製造において、各種の添加成分を添加することによりアルミニウム合金が製造されるため、本発明の詳細な説明における添加成分は金属合金を製造する際に添加される各種の元素（Ｍｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒなど）を意味する。
【００３９】
母材（１１）の表面は、前記添加成分のうち、少なくともいずれか一種が除去された表面である。
【００４０】
母材（１１）の表面は、実質的に平面から形成される平面領域（１１ｂ）と、母材（１１）の表面に不規則的に凹んでいる複数の凹部領域（１１ａ）と、を含んで構成される。平面領域（１１ｂ）は母材（１１）の表面で凹部領域（１１ａ）を有しない領域であり、実質的は平坦な領域である。凹部領域（１１ａ）は母材（１１）の表面で不規則的に存在する添加成分のうち、いずれか一種の添加成分が除去された領域である。言い換えすれば、凹部領域（１１ａ）は、添加成分を有する領域が、添加成分を除去するプロセスを行った後に生じた領域である。これにより、凹部領域（１１ａ）は、母材（１１）の表面で母材（１１）の内部方向へ凹んでいる形状を有する。
【００４１】
母材（１１）を構成する添加成分がその表面から除去された母材（１１）の表面には、表面−非多孔性陽極酸化膜が形成される（図７の符号１３で表示される部分は白金（ｐｔ）であるが、白金は写真を撮影するために表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の上面に所定の厚さで均一にコーティングされているため、以下では説明の便宜上、符号１３が表面−非多孔性陽極酸化膜を意味する）。母材（１１）を構成する添加成分がその表面から除去された後、その上部に表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）が形成されるため、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品の表面に対するエネルギー分散型分光計（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）の測定成分には、表面から除去された添加成分が検出されない（例えば、母材（１１）の表面からシリコン（Ｓｉ）が除去された場合、母材（１１）の表面に対する前記エネルギー分散型分光計の測定成分にはシリコン（Ｓｉ）が検出されない）。
【００４２】
表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなり、その表面に孔（ｐｏｒｅ）を有しない非多孔性特性を有する。
【００４３】
表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は、母材（１１）の凹部領域（１１ａ）の表面と平面領域（１１ｂ）の表面全体に所定の厚さを有して連続的に形成される。表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）が母材（１１）の凹部領域（１１ａ）の形状に応じて形成されるため、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）には凹部領域（１１ａ）に対応する形状を持つ凹部（１３ａ）が複数個形成される。
【００４４】
表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間の厚さで、母材（１１）の表面全体に所定の厚さを有して連続的に形成される。表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の厚さが１００ｎｍ未満の場合、耐食性、耐電圧性、耐プラズマ性の面から見ると不利であり、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の厚さが１μｍ以上である場合、製造収率が低いので、表面−非多孔性陽極酸化膜の厚さは１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間であることが好ましい。
【００４５】
本発明の好ましい実施例に伴う表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は高い耐食性と耐電圧性の特徴を発揮し、従来の表面−多孔性陽極酸化膜の多孔質層により生じる異質物などの蒸着、ガス放出による問題が発生しない。また、添加成分が除去された母材（１１）の表面には表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）が形成されるため、表面−多孔性陽極酸化膜の多孔質層によって発生する問題点が解決されるとともに、添加成分が除去された母材（１１）の表面に表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）が連続的に形成され、前記添加成分がパーティクル形態で離れて不純物としての作用を防止し、プラズマアーキング（Ｐｌａｓｍａ  ａｒｃｉｎｇ）現象を防止することができる。
【００４６】
以下、本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）の母材（１１）の表面に形成される表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の製造方法の１つの例を説明する。本発明の好ましい実施例に伴う表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）はアルミニウム合金材質の母材（１１）を陽極酸化して形成された陽極酸化バリアー層を所定の厚さに成長して形成させた陽極酸化バリアー層であってもよい。
【００４７】
本発明の好ましい実施例に伴う陽極酸化バリアー層を形成する過程で使用される電解液はホウ酸電解液が好ましい。ホウ酸電解液群で母材（１１）に電流を流せば、母材（１１）の表面に陽極酸化バリアー層が形成される。その後、電流密度を一定に維持して電圧を増加させるが、該電圧が所定の電圧に到達するまでに、陽極酸化バリアー層を所定の厚さに成長させる。時間が経つことによって電圧が線形的に増加される間、電流密度を一定に維持するために電場強度（Ｅｌｅｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）が一定に維持される。
【００４８】
さらに具体的に、母材（１１）でイオン化されたＡｌ３＋イオンにより予め形成された陽極酸化バリアー層方向、即ち、母材（１１）の外側方向に流入され、電解液でイオン化されたＯ２−とＯＨ−イオン、また、予め形成された陽極酸化バリアー層方向、即ち、母材（１１）の内部方向に流入することによって、陽極酸化バリアー層が所定の厚さで継続して成長する。これによって母材（１１）及び陽極酸化バリアー層の結合部分と陽極酸化バリアー層、前記電解液の境界部分、即ち、陽極酸化バリアー層の上部表面は孔（ｐｏｒｅ）を有しない状態が維持されて成長する。
【００４９】
本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）の陽極酸化バリアー層は従来の表面に孔（ｐｏｒｅ）が形成される多孔質層が存在しない非多孔性特性を有する。その表面と内部は孔（ｐｏｒｅ）を有しないように形成され、陽極酸化バリアー層の厚さ（ｔ）はプロセスガスが十分な耐食性、耐電圧性、耐プラズマ性を有するように形成される。
【００５０】
本発明の好ましい実施例に伴う陽極酸化バリアー層の厚さ（ｔ）は、好ましくは、数百ｎｍに形成され、更に好ましくは、１００ｎｍ以上〜１μｍ未満の間に形成される。このような陽極酸化バリアー層の厚さは従来の表面−多孔性陽極酸化膜において、陽極酸化バリアー層の通常の厚さ（１００ｎｍ以下）より十分に厚い。
【００５１】
本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）を製造する製造方法はアルミニウム合金材質の母材（１１）を水酸処理する水酸処理段階と、母材（１１）を水洗処理する水洗処理段階と、母材（１１）を硝酸処理する硝酸処理段階と、母材（１１）をフッ酸処理するフッ酸処理段階と、母材（１１）を陽極酸化して母材（１１）の表面に陽極酸化バリアー層を形成する陽極酸化バリアー層形成段階と、を含む。
【００５２】
水酸処理段階はアルミニウム合金材質の母材（１１）を水酸化ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）溶液に漬けて母材（１１）の表面をエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）することで、母材（１１）の表面を平坦にする段階であるが、このような水酸処理段階が行われた母材（１１）はその表面がエッチングされることにより、母材（１１）の内部に存在する添加成分の一部分が表面の外部に露出され、または表面から離脱された後、表面に接着する形態で存在する。このような添加成分を除去するプロセスを別途に行わないまま表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を形成する場合、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）が均一に形成されないため、本発明の好ましい実施例ではこれを除去するフッ酸処理プロセスが採用される。
【００５３】
フッ酸処理段階は母材（１１）の表面に存在する添加成分を除去する段階であり、フッ酸（Ｎｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ  Ａｃｉｄ）溶液、フッ化アンモニウム（Ａｍｍｏｕｉｕｍ  Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）溶液、フッ酸と硝酸の混合溶液、フッ化アンモニウムと硝酸の混合溶液のうち、いずれか１つの溶液を使用することができる。フッ酸処理段階を実行すると、母材（１１）の表面に存在する添加成分が除去されて、前記添加成分が占有する位置に凹部領域（１１ａ）が形成される。
【００５４】
前記フッ酸処理段階を実行した後、母材（１１）を陽極酸化して母材（１１）の表面に陽極酸化バリアー層を形成する陽極酸化バリアー層形成段階を実行する。ホウ酸電解液群内で母材（１１）に電流を流して母材（１１）の表面に非多孔性の陽極酸化バリアー層を形成した後、電流密度を一定に維持しながら電圧を増加させるが、該電圧が所定の電圧に到達するまでに、陽極酸化バリアー層を所定の厚さに成長させる。陽極酸化バリアー層は母材（１１）の凹部領域（１１ａ）と平面領域（１１ｂ）の全体にかけて所定の厚さで連続的に形成され、これに対する説明は前述したので省略する。
【００５５】
水洗処理段階は、前記水酸処理段階後及び／または前記フッ酸処理段階後に行ってもよく、母材（１１）の表面を水洗して、母材（１１）の表面に残っている異質物と水酸処理に使用される溶液及び／またはフッ酸処理に使用される溶液を除去する段階である。硝酸処理段階は母材（１１）を硝酸（Ｎｉｔｒｉｃ  Ａｃｉｄ）溶液に漬けて母材（１１）の表面に酸（Ａｃｉｄ）処理を行う段階であり、前記フッ酸処理段階の前に行ってもよい。
【００５６】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は６０００系列のアルミニウム合金である。６０００系列のアルミニウム合金の場合、添加成分でのシリコン（Ｓｉ）が主に問題になり、母材（１１）の表面にパーティクル形態で残存するシリコン（Ｓｉ）を母材（１１）の表面から除去することにより、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。母材（１１）の表面から除去されたシリコン（Ｓｉ）はシリコン化合物、例えば、ケイ化マグネシウム（Ｍｇ２Ｓｉ）を含む。
【００５７】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は５０００系列のアルミニウム合金である。５０００系列のアルミニウム合金の場合、添加成分でのマグネシウム（Ｍｇ）が主に問題になり、マグネシウム（Ｍｇ）を母材（１１）の表面から除去することにより、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００５８】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金はアルミニウム（Ａｌ）−マグネシウム（Ｍｇ）−シリコン（Ｓｉ）系アルミニウム合金である。アルミニウム（Ａｌ）−マグネシウム（Ｍｇ）−シリコン（Ｓｉ）系アルミニウム合金の場合、母材（１１）の表面にパーティクル形態で残存するシリコン（Ｓｉ）を、母材（１１）の表面から除去することによって、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００５９】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は、添加成分としてシリコン（Ｓｉ）が０．４０〜０．８％、鉄（Ｆｅ）が０．７％、銅（Ｃｕ）が０．１５〜０．４０％、マンガン（Ｍｎ）が０．１５％、マグネシウム（Ｍｇ）が０．８〜１．２％、亜鉛（Ｚｎ）が０．２５％、クローム（Ｃｒ）が０．０４〜０．３５％、チタニウム（Ｔｉ）が０．１５％含有されるアルミニウム合金である。この場合、母材（１１）の表面にパーティクル形態で残存するシリコン（Ｓｉ）を、母材（１１）の表面から除去することによって、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００６０】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は、主な添加成分がシリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはシリコン（Ｓｉ）とマグネシウム（Ｍｇ）のいずれから１つを含むアルミニウム合金である。この場合、シリコン（Ｓｉ）及び／またはマグネシウム（Ｍｇ）を母材（１１）の表面から除去することにより、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００６１】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は、シリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）を主な添加成分として含有する熱処理アルミニウム合金である。シリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）を主な添加成分として含有する熱処理アルミニウム合金の場合、シリコン（Ｓｉ）を母材（１１）の表面から除去することにより、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００６２】
本発明の好ましい実施例によれば、金属部品（１０）の母材（１１）を形成するアルミニウム合金は、０．２〜０．９％のシリコン（Ｓｉ）を含有するアルミニウム合金であってもよい。０．２〜０．９％のシリコン（Ｓｉ）を含有するアルミニウム合金の場合、シリコン（Ｓｉ）を母材（１１）の表面から除去することによって、表面−非多孔性陽極酸化膜を母材（１１）の表面に全体的に均一な厚さに形成することができる。
【００６３】
以下、図８を用いて、前述した本発明の好ましい実施例の表面−非多孔性陽極酸化膜を含む金属部品（１０）が、プロセスガスの流入する内部に連通されるＣＶＤプロセスチャンバー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｈａｍｂｅｒ）（１００）について説明する。
【００６４】
図８に示すように、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）は、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部にプロセスガスを供給する供給ライン（１１０）と、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に設けられて基板（Ｓ）を支持するサセプタ（Ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）（１２０）と、供給ライン（１１０）に連通されてＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の上部に配置されるバッキングプレート（Ｂａｃｋｉｎｇ  ｐｌａｔｅ）（１３０）と、バッキングプレート（１３０）の下部に配置されて供給ライン（１１０）から供給されたプロセスガスを基板（Ｓ）に供給されるディフューザ（Ｄｉｆｆｕｓｅｒ）（１４０）と、サセプタ（１２０）とディフューザ（１４０）の間に配置されて基板（Ｓ）の周縁をカバーするシャドウフレーム（Ｓｈａｄｏｗ  ｆｒａｍｅ）（１５０）と、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ライン（１６０）と、プロセスガスの流量を制御するガス流量装置（ＭＦＣ．Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）（１７０）と、を含んで構成される。
【００６５】
ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）に使用される基板（Ｓ）はウェハー（Ｗａｆｅｒ）またはガラス（Ｇｌａｓｓ）であってもよい。
【００６６】
ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部にはサセプタ（１２０）、バッキングプレート（１３０）、ディフューザ（１４０）、及びシャドウフレーム（１５０）等が設けられ、プロセスガスによる化学気相蒸着（ＣＶＤ）が起こるように反応空間を提供する。
【００６７】
供給ライン（１１０）はＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の上部でＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通され、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部にプロセスガスを供給する役割をする。
ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の上部にはバッキングプレート（１３０）が配置され、バッキングプレート（１３０）は供給ライン（１１０）に連通されている。
【００６８】
排気ライン（１６０）はＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の下部でＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通され、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部のプロセスガスをＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の外部に排気する役割をする。従って、基板（Ｓ）に化学気相蒸着プロセスを行った後、化学気相蒸着プロセスに使用されるプロセスガスは排気ライン（１６０）を通じて外部に排気される。
【００６９】
サセプタ（１２０）はＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部の下部空間に置けられて、化学気相蒸着プロセスで基板（Ｓ）を支持する役割をする。
【００７０】
サセプタ（１２０）の内部にはプロセス条件に従って基板（Ｓ）を加熱するためのヒーター（図示せず）が具備されてもよい。
【００７１】
バッキングプレート（１３０）は供給ライン（１１０）に連通されるようにＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の上部に配置され、供給ライン（１１０）から供給されるプロセスガスを後述のディフューザ（１４０）に流動させることによって、プロセスガスはディフューザ（１４０）を通じて均一に噴射されるように補助する役割をする。
【００７２】
ディフューザ（１４０）はサセプタ（１２０）と対向してバッキングプレート（１３０）の下部に設けられ、基板（Ｓ）にプロセスガスを均一に噴射する役割をする。
【００７３】
また、ディフューザ（１４０）にはディフューザ（１４０）の上面と下面を貫通する複数の貫通ホール（１４１）が形成される。
貫通ホール（１４１）は上部の直径が下部の直径より大きいオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ）形状を有してもよい。
【００７４】
また、貫通ホール（１４１）はディフューザ（１４０）の全体面積に渡って均一な密度に形成されてもよく、これにより、基板（Ｓ）の全体領域に一定のガスが噴射されることができる。
【００７５】
すなわち、前記ガス供給ラインから供給されるプロセスガスは、バッキングプレート（１３０）を通じてディフューザ（１４０）に流入され、前記プロセスガスはディフューザ（１４０）の貫通ホール（１４１）を通じて基板（Ｓ）に均一に噴射される。
【００７６】
シャドウフレーム（１５０）は、基板（Ｓ）の周縁部分に薄膜が蒸着されることを防止し、サセプタ（１２０）とディフューザ（１４０）の間に配置される。
この場合、シャドウフレーム（１５０）はＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の側面に固定されてもよい。
【００７７】
ガス流量装置（１７０）はＣＶＤプロセスチャンバー（１００）と流路（１７１）に連結され、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部空間で流動するガス、すなわち、プロセスガスの流量を制御する役割をする。
【００７８】
上述の構成を有するＣＶＤプロセスチャンバー（１００）は供給ライン（１１０）から供給されるプロセスガスがバッキングプレート（１３０）に流入された後、ディフューザ（１４０）の貫通ホール（１４１）を通じて基板（Ｓ）に噴射されることにより、基板（Ｓ）に化学気相蒸着プロセスを行う。
【００７９】
この場合、プロセスガスは加熱されてプラズマ状態に変換され、プラズマは強い腐食性と侵食性を有する。従って、前記プラズマと直接接触するＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部面と、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に設けられるサセプタ（１２０）、バッキングプレート（１３０）、ディフューザ（１４０）、シャドウフレーム（１５０）等（以下、内部部品と称する）はプラズマアーキング現象などによって、腐食及び侵食などが発生する可能性がある。
【００８０】
従って、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部面、サセプタ（１２０）、バッキングプレート（１３０）、ディフューザ（１４０）、シャドウフレーム（１５０）のうち、いずれか１つは表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）からなることが好ましく、これを通じて前述した腐食及び侵食などの問題点を解決することができる。
【００８１】
言い換えすれば、前述した本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）は表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を形成する前に、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）の形成において、問題として認識される添加成分を母材（１１）の表面から除去するため、耐食性、耐電圧性及び耐プラズマ性を向上させると同時に、従来の孔（ｐｏｒｅ）によるガス放出及びパーティクルの生成における問題を解消することができる。従って、このような金属部品（１０）をＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部部品として構成させることによって、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）により製造される完成品の収率が向上され、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）のプロセス効率が向上し、維持保守サイクルも更に高くなる。
【００８２】
また、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）を利用した化学気相蒸着が１０ｎｍ級の基板（Ｓ）を製造する微細プロセスの場合、プロセスガスを高熱で加熱して高密度プラズマに変換させる。このような高密度プラズマはＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部部品だけではなく、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通される供給ライン（１１０）、排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）までに影響を及ぼし、これによって、供給ライン（１１０）、排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）の不純物が脱落されてＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に流入され、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の製造プロセスの不良率を高める問題点を引き起こす原因になる。
【００８３】
従って、供給ライン（１１０）、排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）のいずれか１つは表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）からなることが好ましい。
【００８４】
この場合、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通される供給ライン（１１０）の内部面の不純物の脱落を防止するために、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は供給ライン（１１０）の内部面に形成されることが好ましい。また、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通される排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）の内部面の不純物の脱落を防止するために、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）の内部面のそれぞれに形成されることが好ましい。
【００８５】
上述したように、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に連通される部品、即ち、供給ライン（１１０）、排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）を、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）として形成させることにより、供給ライン（１１０）、排気ライン（１６０）、ガス流量装置（１７０）、及び流路（１７１）のそれぞれの内部面の耐プラズマ性を向上させることができ、これを通じて、高密度プラズマによって不純物の脱落を防止することができる。従って、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の微細プロセスのために、高密度プラズマを利用する場合でもＣＶＤプロセスチャンバー（１００）の内部に不純物の流入を防止して、ＣＶＤプロセスチャンバー（１００）のプロセス効率及び信頼性を向上させることができる。
【００８６】
以下、図９に示すように、上述した本発明の好ましい実施例の表面非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）がプロセスガスの流入される内部に連通されるドライエッチングプロセスチャンバー（Ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｈａｍｂｅｒ）（２００）について説明する。
【００８７】
図９に示すように、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部にプロセスガスを供給する供給ライン（２１０）と、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に設けられて基板（Ｓ）を支持する下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（２２０）と、下部電極（２２０）の上部に配置されて供給ライン（２１０）から供給されたプロセスガスを基板（Ｓ）に供給する上部電極（Ｕｐｐｅｒ  ｅｌｅｔｒｏｄｅ）（２３０）と、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内壁に設けられる壁ライン（Ｗａｌｌ  ｌｉｎｅｒ）（２４０）と、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に供給されるプロセスガスを排気する排気ライン（２５０）と、プロセスガスの流量を制御するガス流量装置（２７０）と、を含んで構成される。
ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）で使用される基板（Ｓ）はウェハー（Ｗａｆｅｒ）またはガラス（Ｇｌａｓｓ）であってもよい。
【００８８】
ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部には、下部電極（２２０）、上部電極（２３０）、及び壁ライン（２４０）等が設けられて、プロセスガスによるドライエッチングが起こるように反応空間を提供する。
【００８９】
供給ライン（２１０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の上部でドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通され、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部にプロセスガスを供給する役割をする。
【００９０】
排気ライン（２５０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の下部でドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通され、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部のプロセスガスをドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の外部に排気する役割をする。従って、基板（Ｓ）にドライエッチングプロセスを行った後、ドライエッチングプロセスで使用されるプロセスガスは排気ライン（２５０）を通じて外部に排気される。
【００９１】
下部電極（２２０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部の下部空間に設けられて、ドライエッチングプロセスで基板（Ｓ）を支持する。
また、下部電極（２２０）には基板（Ｓ）の静電気発生を最小化する静電チャック（ＥＳＣ、Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｃｈｕｃｋ）（図示せず）と、基板（Ｓ）の周囲のプロセスガスの流れを一定に維持するバッフル（Ｂａｆｆｌｅ）（図示せず）を有してもよく、これによって、基板（Ｓ）に均一にエッチングすることができる。
【００９２】
上部電極（２３０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の下部にサセプタ（１２０）と対向するように設けられて、基板（Ｓ）にプロセスガスを均一に噴射する。
また、上部電極（２３０）には上部電極（２３０）の上面と下面を貫通する複数の貫通ホール（２３１）が形成される。
【００９３】
貫通ホール（２３１）は上部直径が下部直径より大きいオリフィス形状を有してもよい。
また、貫通ホール（２３１）は上部電極（２３０）の全体面積に均一な密度で形成され、これによって、基板（Ｓ）の全体領域に一定のガスが噴射されることができる。
【００９４】
すなわち、前記ガス供給ラインから供給されるプロセスガスは上部電極（２３０）に流入され、前記プロセスガスは上部電極（２３０）の貫通ホール（２３１）を通じて基板（Ｓ）に均一に噴射される。
【００９５】
壁ライン（２４０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内壁に着脱可能に設けられて、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の汚染を減らすことができる。
【００９６】
すなわち、長期間に渡ってドライエッチングプロセスを行うことで、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に汚染が発生すると、壁ライン（２４０）を分離して洗浄し、または新しい壁ライン（２４０）を設けることによってドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部の環境を改善することができる。
【００９７】
ガス流量装置（２７０）はドライエッチングプロセスチャンバー（２００）と流路（２７１）に連結され、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部空間で流動するガス、すなわち、プロセスガスの流量を制御する。
上述したような構成を有するドライエッチングプロセスチャンバー（２００）は供給ライン（２１０）から供給されるプロセスガスが上部電極（２３０）に流入されて、上部電極（２３０）の貫通ホール（２３１）を通じて基板（Ｓ）に噴射されることにより、基板（Ｓ）にドライエッチングプロセスを行うことができる。
【００９８】
この場合、プロセスガスは加熱されてプラズマ状態に変換され、プラズマは強い腐食性と侵食性を有する。従って、前記プラズマに直接接触するドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部面と、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に設けられる下部電極（２２０）、下部電極（２２０）の静電チャック、下部電極（２２０）のバッフル、上部電極（２３０）、壁ライン（２４０）等（以下、内部部品と称する）はプラズマアーキング現象などによって腐食及び侵食などが発生する可能性がある。
【００９９】
従って、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部面、供給ライン（２１０）、下部電極（２２０）、下部電極（２２０）の静電チャック、下部電極（２２０）のバッフル、上部電極（２３０）、壁ライン（２４０）の少なくともいずれか１つは表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）からなることが好ましく、これを通じて上述した腐食及び侵食などの問題点を解決することができる。
【０１００】
言い換えすれば、上述した本発明の好ましい実施例に伴う金属部品（１０）は表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を形成する前に、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を形成することにおいて、問題として認識される添加成分を母材（１１）の表面から除去するため、耐食性、耐電圧性及び耐プラズマ性を向上させると同時に、従来の孔（ｐｏｒｅ）によるガス放出及びパーティクルの生成における問題を解消することができる。従って、このような金属部品（１０）をドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部部品として形成させることによって、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）により製造される完成品の収率が向上され、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）のプロセス効率が向上されて、維持保守サイクルも更に高まる。
【０１０１】
また、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）を利用するドライエッチングが、１０ｎｍ級の基板（Ｓ）を製造する微細プロセスの場合、プロセスガスを高熱で加熱して高密度プラズマに変換させる。このような高密度プラズマはドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部部品だけではなく、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通される供給ライン（２１０）、排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）までに影響を及ぼし、これによって、供給ライン（２１０）、排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）の不純物が脱落してドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に流入され、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の製造プロセスの不良率が高くなる問題点を引き起こす原因になる。
【０１０２】
従って、供給ライン（２１０）、排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）の少なくともいずれか１つは表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）からなることが好ましい。
【０１０３】
この場合、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通される供給ライン（２１０）の内部面の不純物の脱落を防止するために、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は供給ライン（２１０）の内部面に形成されることが好ましい。また、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通される排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）の内部面の不純物の脱落を防止するために、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）は排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）の内部面のそれぞれに形成されることが好ましい。
【０１０４】
上述したように、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に連通される部品、すなわち、供給ライン（２１０）、排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）を、表面−非多孔性陽極酸化膜（１３）を含む金属部品（１０）に形成させることによって、供給ライン（２１０）、排気ライン（２５０）、ガス流量装置（２７０）、及び流路（２７１）のそれぞれの内部面の耐プラズマ性を向上させることができ、これを通じて、高密度プラズマによる不純物の脱落を防止することができる。従って、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の微細プロセスのために、高密度プラズマを利用する場合でも、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）の内部に不純物が流入されることを防止して、ドライエッチングプロセスチャンバー（２００）のプロセス効率と信頼性を向上させることができる。
上述したように、本発明の好ましい実施例を用いて説明したが、当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から離れない範囲内で本発明を多様に修正または変形して実施することができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１  アルミニウム合金母材
２  母材
１０  金属部品
１１  母材
１１ａ  凹部領域
１１ｂ  平面領域
１２  陽極酸化多孔質層
１２ａ  孔
１３  陽極酸化バリアー層
１３ａ  凹部
１５  シリコン
１７  金属コーティング層
１００  ＣＶＤプロセスチャンバー
１１０  供給ライン
１２０  サセプタ
１３０  バッキングプレート
１４０  ディフューザ
１４１  貫通ホール
１５０  シャドウフレーム
１６０  排気ライン
１７０  ガス流量装置
１７１  流路
２００  ドライエッチングプロセスチャンバー
２１０  供給ライン
２２０  下部電極
２３０  上部電極
２４０  壁ライン
２５０  排気ライン
２７０  ガス流量装置
２７１  流路
Ｓ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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