(57)【要約】【課題】小型化することが可能な電界センサーおよびそれを備えた画像形成装置を提供する。【解決手段】表面電位センサー（電界センサー）５０ａ〜５０ｄは、ｎ型の第１半導体層５１と、第１半導体層５１に積層されたｐ型の第２半導体層５２と、を含む半導体積層体５４と、半導体積層体５４の積層方向一方側に設けられる第１電極５５と、半導体積層体５４の積層方向他方側に設けられる第２電極５６と、を備える。表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、半導体積層体５４に流れる電流に基づいて、積層方向に直交する方向の電界Ｅの強さを検知する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層に積層され、前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型の第２半導体層と、を含む半導体積層体と、
前記半導体積層体の積層方向一方側に設けられる第１電極と、
前記半導体積層体の積層方向他方側に設けられる第２電極と、
を備え、
前記半導体積層体に流れる電流に基づいて、積層方向に直交する方向の電界の強さを検知することを特徴とする電界センサー。
【請求項２】
前記半導体積層体は、前記第２半導体層に積層される前記第１導電型の第３半導体層をさらに含み、
前記第１電極は、前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第３半導体層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電界センサー。
【請求項３】
前記積層方向と直交する方向に前記半導体積層体を振動させる可動部をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電界センサー。
【請求項４】
前記可動部は、圧電素子によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電界センサー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電界センサーと、
前記電界センサーにより表面電位が検知される測定対象物と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記電界センサーは、前記測定対象物から前記半導体積層体に向かう方向に対して前記積層方向が直交するように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記測定対象物は、感光体ドラムであり、
前記電界センサーは、前記感光体ドラムの表面電位を検知することを特徴とする請求項５または６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加する電圧印加部をさらに備え、
前記電圧印加部の前記第１電極および前記第２電極に印加する電圧は、前記電界センサーの特性、取付角度および取付位置の少なくとも１つに基づいて調整可能であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界センサーおよびそれを備えた画像形成装置に関し、特に第１導電型の第１半導体層と第１半導体層に積層された第２導電型の第２半導体層とを含む電界センサーおよびそれを備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子写真方式の画像形成装置においては、帯電装置により均一に帯電された感光体ドラム等の像担持体上に露光装置からレーザー照射を行うことにより静電潜像を形成し、現像装置により静電潜像にトナーを付着させてトナー像とした後、トナー像を用紙（記録媒体）上に転写し、定着処理を行う画像形成プロセスが実行される。
【０００３】
このような画像形成装置では、感光体ドラム、中間転写ベルトおよび現像ローラー等の表面電位を検知するために、表面電位センサーが設けられている。そして、表面電位センサーの検知結果に基づいて、帯電装置の帯電バイアスや現像装置の現像バイアス等が調整される。
【０００４】
一般的な表面電位センサーでは、帯電した物体（測定対象物）に対して導電体を近づけた際に導電体内で移動する電荷の量を測定することによって測定対象物の表面電位を求める。電荷の移動は導電体が帯電した物体から受ける電界の強さの変化によってもたらされるため、電界の強さが変化しない場合（例えば導電体を固定した場合）、電荷のリークによって検出電圧がすぐに低下してしまう。このため、音叉等を用いて電界の強さを周期的に変化させることによって、電流（移動する電荷の量）を検知している。
【０００５】
なお、感光体ドラムの表面電位を検知する表面電位センサーを備えた画像形成装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２３３１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の表面電位センサーでは、電界の強さを周期的に変化させるために音叉等を用いる必要があるので、小型化するのが困難であるという問題点がある。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、小型化することが可能な電界センサーおよびそれを備えた画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の第１の構成の電界センサーは、第１導電型の第１半導体層と、第１半導体層に積層され、第１導電型とは逆導電型の第２導電型の第２半導体層と、を含む半導体積層体と、半導体積層体の積層方向一方側に設けられる第１電極と、半導体積層体の積層方向他方側に設けられる第２電極と、を備える。電界センサーは、半導体積層体に流れる電流に基づいて、積層方向に直交する方向の電界の強さを検知する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１の構成の電界センサーによれば、半導体積層体の積層方向に直交する方向の電界によって、例えば第２半導体層内で電子（または正孔）の偏りが生じて反転層が形成される。そして、第１電極および第２電極間に電圧が印加されるため、反転層を介して半導体積層体に電流が流れる。このため、半導体積層体に流れる電流を検知することによって、積層方向に直交する方向の電界の強さを検知することができる。このように、本発明の電界センサーでは、電界の強さを検知するための音叉等を用いる必要がなく、小型化することができる。
【００１１】
なお、積層方向に直交する方向の電界の強さに応じて、反転層の厚み（積層方向に直交する方向の大きさ）が異なるので、半導体積層体に流れる電流量が異なる。このため、半導体積層体に流れる電流量に基づいて、積層方向に直交する方向の電界の強さを検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態の表面電位センサーを備えたカラープリンターの概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態のカラープリンターの制御経路を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１実施形態の表面電位センサー周辺の構造を示した斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態の表面電位センサー、センサーバイアス電源および電流検知部を含む回路構成を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態の表面電位センサーの第２半導体層に反転層が形成されていない状態を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態の表面電位センサーの第２半導体層に反転層が形成された状態を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態の表面電位センサーの構造を示す断面図である。
【図８】感光体ドラムからの距離と電界の強さとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の表面電位センサー５０ａ〜５０ｄを備えた画像形成装置の概略断面図であり、ここではタンデム方式のカラープリンターについて示している。カラープリンター（画像形成装置）１００本体内には４つの画像形成部Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ及びＰｄが、中間転写ベルト８の進行方向上流側（図１では右側）から順に配設されている。これらの画像形成部Ｐａ〜Ｐｄは、異なる４色（シアン、マゼンタ、イエロー及びブラック）の画像に対応して設けられており、それぞれ帯電、露光、現像及び転写の各工程によりシアン、マゼンタ、イエロー及びブラックの画像を順次形成する。
【００１５】
これらの画像形成部Ｐａ〜Ｐｄには、各色の可視像（トナー像）を担持する感光体ドラム（静電潜像担持体）１ａ、１ｂ、１ｃ及び１ｄがそれぞれ配設されており、さらに図１において時計回り方向に回転する中間転写ベルト８が各画像形成部Ｐａ〜Ｐｄに隣接して設けられている。
【００１６】
パソコン等の上位装置から画像データが入力されると、先ず、帯電器２ａ〜２ｄによって感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面を一様に帯電させる。次いで露光装置４によって画像データに応じて光照射し、各感光体ドラム１ａ〜１ｄ上に画像データに応じた静電潜像を形成する。現像装置３ａ〜３ｄには、トナーコンテナ（図示せず）から供給されるシアン、マゼンタ、イエロー及びブラックの各色のトナーと磁性キャリアとを含む二成分現像剤（以下、単に現像剤ともいう）が所定量充填されている。静電潜像が形成された感光体ドラム１ａ〜１ｄ上に現像装置３ａ〜３ｄによって現像剤中のトナーが供給され、静電的に付着する。これにより、露光装置４からの露光により形成された静電潜像に応じたトナー像が形成される。
【００１７】
そして、一次転写ローラー６ａ〜６ｄにより一次転写ローラー６ａ〜６ｄと感光体ドラム１ａ〜１ｄとの間に所定の転写電圧で電界が付与され、感光体ドラム１ａ〜１ｄ上のシアン、マゼンタ、イエロー及びブラックのトナー像が駆動ローラー１１および従動ローラー１０に張架された中間転写ベルト８上に一次転写される。一次転写後に感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面に残留したトナー等はクリーニング装置５ａ〜５ｄにより除去される。
【００１８】
トナー像が転写される転写紙Ｐは、カラープリンター１００内の下部に配置された用紙カセット１６内に収容されており、給紙ローラー１２ａおよびレジストローラー対１２ｂを介して転写紙Ｐが所定のタイミングで中間転写ベルト８に隣接して設けられた二次転写ローラー９と中間転写ベルト８のニップ部（二次転写ニップ部）へ搬送される。この二次転写ニップ部において、中間転写ベルト８表面のトナー像が用紙Ｐに転写される。転写後に、ベルトクリーニング装置１９が中間転写ベルト８に残存するトナーを清掃する。トナー像が二次転写された転写紙Ｐは定着部７へと搬送される。
【００１９】
定着部７に搬送された転写紙Ｐは、定着ローラー対１３により加熱及び加圧されてトナー像が転写紙Ｐの表面に定着され、所定のフルカラー画像が形成される。フルカラー画像が形成された転写紙Ｐは、そのまま（或いは分岐部１４によって反転搬送路１８に振り分けられ、両面に画像が形成された後）排出ローラー対１５によって排出トレイ１７に排出される。
【００２０】
図２は、本実施形態のカラープリンター１００の制御経路を示すブロック図である。図１と共通する部分には同一の符号を付して説明を省略する。カラープリンター１００は、画像形成部Ｐａ〜Ｐｄ、画像入力部３０、ＡＤ変換部３１、制御部３２、記憶部３３、操作パネル３４、定着部７、中間転写ベルト８、表面電位センサー（電界センサー）５０ａ〜５０ｄ及びバイアス制御回路８１等を含む。
【００２１】
画像入力部３０は、パソコン等の上位装置から送信される画像データを受信する受信部である。画像入力部３０より入力された画像信号はＡＤ変換部３１においてデジタル信号に変換された後、記憶部３３内の画像メモリー４０に送出される。
【００２２】
記憶部３３は、画像メモリー４０、ＲＡＭ４１、及びＲＯＭ４２を備えており、画像メモリー４０は、画像入力部３０から入力され、ＡＤ変換部３１においてデジタル変換された画像信号を記憶し、制御部３２に送出する。ＲＡＭ４１及びＲＯＭ４２は、制御部３２の処理プログラムや処理内容等を記憶する。
【００２３】
また、ＲＡＭ４１（或いはＲＯＭ４２）には、トナー補給制御、後述する帯電バイアス補正制御に必要となるデータ等が格納されている。
【００２４】
操作パネル３４は、複数の操作キーから成る操作部と、設定条件や装置の状態等を表示する表示部（いずれも図示せず）とから構成されており、ユーザーが印字条件等の設定を行う。
【００２５】
制御部３２は、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）であり、設定されたプログラムに従って画像入力部３０、画像形成部Ｐａ〜Ｐｄ、定着部７、及び用紙カセット１６（図１参照）からの用紙Ｐの搬送等を全般的に制御するとともに、画像入力部３０から入力された画像信号を、必要に応じて変倍処理或いは階調処理して画像データに変換する。露光装置４は、処理後の画像データに基づいてレーザー光を照射し、感光体ドラム１ａ〜１ｄ上に潜像を形成する。
【００２６】
さらに制御部３２は、操作パネル３４のキー操作等により、各感光体ドラム（測定対象物）１ａ〜１ｄの表面電位を適正に設定するためのモード（以下、帯電バイアス補正モードという）が設定されると、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄからの出力信号を受信し、記憶部３３に記憶された表面電位データに基づいて感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を決定し、予め設定された表面電位と比較して帯電器２ａ〜２ｄの帯電バイアスを調整することにより、各色について帯電バイアス補正を行う機能を有している。なお、帯電バイアス補正モードは、カラープリンター１００の電源投入時や所定枚数の画像形成処理が終了した時に自動的に設定されるようにしてもよい。
【００２７】
バイアス制御回路８１は、帯電バイアス電源８２、現像バイアス電源８３、転写バイアス電源８４、及びセンサーバイアス電源８５と接続され、制御部３２からの出力信号によりこれらの各電源を作動させるものであり、これらの各電源はバイアス制御回路８１からの制御信号によって、帯電器２ａ〜２ｄ、現像装置３ａ〜３ｄ、一次転写ローラー６ａ〜６ｄ、二次転写ローラー９、及び表面電位センサー５０ａ〜５０ｄに所定のバイアスを印加する。
【００２８】
表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、検知結果に応じた出力信号を制御部３２に送信する。表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは図３に示すように、支持部材６０に取り付けられており、感光体ドラム１ａ〜１ｄのそれぞれの表面に対向配置されている。表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、感光体ドラム１ａ〜１ｄの回転方向において帯電器２ａ〜２ｄよりも下流側で、且つ現像装置３ａ〜３ｄよりも上流側に配置されている。
【００２９】
図４に示すように、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、感光体ドラム１ａ〜１ｄ（図３参照）の表面電位を検知するセンサーであり、ｎ型（第１導電型）の第１半導体層５１と、第１半導体層５１に積層されるｐ型（第２導電型）の第２半導体層５２と、第２半導体層５２に積層されるｎ型の第３半導体層５３と、からなる半導体積層体５４を含んでいる。
【００３０】
また、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、半導体積層体５４の積層方向一方側（図４の下側）に設けられる金属層からなる第１電極５５と、半導体積層体５４の積層方向他方側（図４の上側）に設けられる金属層からなる第２電極５６と、を含んでいる。第１電極５５は第１半導体層５１とオーミック接触しており、第２電極５６は第３半導体層５３とオーミック接触している。
【００３１】
第１電極５５および第２電極５６間には、センサーバイアス電源８５によって所定の電圧が印加されている。なお、センサーバイアス電源８５は、第１電極５５および第２電極５６間に印加する電圧の大きさを調整可能に構成されている。
【００３２】
表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは図５に示すように、感光体ドラム１ａ〜１ｄから半導体積層体５４に向かう方向に対して半導体積層体５４の積層方向（図５の上下方向）が直交するように配置されている。すなわち、半導体積層体５４の側面が感光体ドラム１ａ〜１ｄに対向するように配置されている。表面電位センサー５０ａ〜５０ｄおよび感光体ドラム１ａ〜１ｄ間の距離は、例えば１ｍｍ〜２ｍｍに設定されている。
【００３３】
感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位がゼロの場合、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄには、電流は流れない。その一方、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面がプラスに帯電している場合、図６に示すように、積層方向に直交する方向の電界Ｅによって第２半導体層５２の左端部（感光体ドラム１ａ〜１ｄ側）に電子が引き寄せられ、反転層５２ａが形成される。なお、反転層５２ａの厚み（図６の左右方向の大きさ）は、電界Ｅの強さによって変化する。
【００３４】
そして、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄにはセンサーバイアス電源８５によって所定の電圧が印加されているので、反転層５２ａを介して第１半導体層５１および第３半導体層５３間に、反転層５２ａの厚みに応じた（すなわち、電界Ｅの強さに応じた）電流が流れる。
【００３５】
この電流を電流検知部７０（図４参照）により検知することによって、電界Ｅの強さを検知することができる。電流検知部７０は図４に示すように、抵抗Ｒおよびアンプ７１を有しており、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄに流れる電流量に対応する検知信号を制御部３２に出力する。
【００３６】
制御部３２は、電流検知部７０からの検知信号に基づいて、電界Ｅの強さを求めるように構成されている。また、制御部３２は、求めた電界Ｅの強さと、感光体ドラム１ａ〜１ｄおよび表面電位センサー５０ａ〜５０ｄ間の距離と、に基づいて、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を求めるように構成されている。また、制御部３２は、求めた感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位（実際の表面電位）と予め設定された表面電位とに基づいて、帯電器２ａ〜２ｄに印加する電圧を補正するように構成されている。これにより、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を予め設定された表面電位に補正することが可能である。
【００３７】
なお、各表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの特性、取付角度および取付位置の誤差に起因して、検出誤差が生じる場合がある。この場合、第１電極５５および第２電極５６間に印加する電圧の大きさを調整すれば、検出誤差を低減することが可能である。
【００３８】
本実施形態では、上記のように、半導体積層体５４の積層方向に直交する方向の電界Ｅによって、第２半導体層５２内で電子（または正孔）の偏りが生じて反転層５２ａが形成される。そして、第１電極５５および第２電極５６間に電圧が印加されているため、反転層５２ａを介して半導体積層体５４に電流が流れる。このため、半導体積層体５４に流れる電流を検知することによって、電界Ｅの強さを検知することができる。このように、本発明の表面電位センサー５０ａ〜５０ｄでは、電界Ｅの強さを検知するための音叉等を用いる必要がなく、小型化することができる。
【００３９】
なお、電界Ｅの強さに応じて、反転層５２ａの厚みが異なるので、半導体積層体５４に流れる電流量が異なる。このため、半導体積層体５４に流れる電流量に基づいて、電界Ｅの強さを検知することができる。
【００４０】
また、上記のように、半導体積層体５４は、ｎ型の第１半導体層５１、ｐ型の第２半導体層５２およびｎ型の第３半導体層５３を含み、第１電極５５は、第１半導体層５１に電気的に接続され、第２電極５６は、第３半導体層５３に電気的に接続されている。これにより、簡単な構成で表面電位センサー５０ａ〜５０ｄを実現することができる。
【００４１】
また、上記のように、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは、感光体ドラム１ａ〜１ｄから半導体積層体５４に向かう方向に対して積層方向が直交するように配置されている。これにより、電界Ｅの強さ（表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの検知結果）と半導体積層体５４から感光体ドラム１ａ〜１ｄまでの距離とに基づいて、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を容易に検知することができる。
【００４２】
また、上記のように、センサーバイアス電源８５の第１電極５５および第２電極５６に印加する電圧の大きさは、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの特性、取付角度および取付位置に基づいて調整可能である。これにより、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの特性、取付角度および取付位置の誤差に起因する検出誤差を、第１電極５５および第２電極５６に印加する電圧によって低減することができる。また、第１電極５５および第２電極５６に印加する電圧の大きさを調整することによって、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの感度を調整することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態の表面電位センサー５０ａ〜５０ｄは図７に示すように、半導体積層体５４が搭載され電気的に接続される基板９１と、基板９１の周縁部に立設される枠部９２と、からなる基体９０を含んでいる。半導体積層体５４は、積層方向（図７の左右方向）が基板９１と平行になるように、複数の圧電素子（可動部）９５を介して基板９１に搭載されている。
【００４４】
圧電素子９５は、例えばＭＥＭＳ（微小電気機械システム）技術を用いて形成されている。圧電素子９５は図示しない圧電バイアス印加部により電圧を印加されるように構成されており、圧電素子９５に交流電圧を印加すると、半導体積層体５４が積層方向と直交する方向（図７の上下方向）に振動する。なお、圧電素子９５は高精度で形成されるため、半導体積層体５４の振動幅を高精度で設定することができる。
【００４５】
ここで、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面がプラスに帯電している状態で半導体積層体５４を振動させると、感光体ドラム１ａ〜１ｄから半導体積層体５４までの距離が変化するため、半導体積層体５４に作用する電界Ｅの強さが変化する。このため、反転層５２ａの厚みが変化して、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄに流れる電流量が変化する。すなわち、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄで検知する電界Ｅの強さが変化する。
【００４６】
制御部３２は、電界Ｅの強さの最大値と最小値との差から電界Ｅの強さの変化量を算出するように構成されている。また、制御部３２は、電界Ｅの強さの変化量と、半導体積層体５４の振動幅と、に基づいて、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を求めるように構成されている。具体的には、図８に示すように、半導体積層体５４の振動幅Ｗと、電界Ｅの強さの変化量ΔＥと、に基づいて、電界Ｅの変化率（＝ΔＥ／Ｗ）が制御部３２によって算出される。電界Ｅの変化率は、感光体ドラム１ａ〜１ｄから半導体積層体５４までの距離に依存せず、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位によって決まる。このため、制御部３２は、電界Ｅの変化率に基づいて、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を求めることが可能である。
【００４７】
第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００４８】
本実施形態では、上記のように、積層方向と直交する方向に半導体積層体５４を振動させる圧電素子９５を備える。これにより、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの取付誤差によって表面電位センサー５０ａ〜５０ｄと感光体ドラム１ａ〜１ｄとの間の距離に誤差が生じている場合であっても、電界Ｅの変化率（＝ΔＥ／Ｗ）に基づいて、感光体ドラム１ａ〜１ｄの表面電位を検知することができる。
【００４９】
また、上記のように、半導体積層体５４を振動させる可動部は、圧電素子９５によって形成されている。これにより、可動部（圧電素子９５）を小さく形成することができるので、表面電位センサー５０ａ〜５０ｄの大型化を抑制することができる。
【００５０】
第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５２】
例えば、本発明は画像形成装置以外にも適用可能である。
【００５３】
また、上記実施形態では、第１半導体層５１、第２半導体層５２および第３半導体層５３がそれぞれｎ型、ｐ型及びｎ型の半導体層からなる例について示したが、測定対象物がマイナスに帯電する場合には、第１半導体層５１、第２半導体層５２および第３半導体層５３をそれぞれｐ型、ｎ型およびｐ型の半導体層によって構成してもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、半導体積層体５４が第１半導体層５１、第２半導体層５２および第３半導体層５３によって構成されている例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、半導体積層体５４を第１半導体層５１および第２半導体層５２によって構成し、第１電極５５および第２電極５６をそれぞれ第１半導体層５１および第２半導体層５２に電気的に接続してもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、測定対象物として感光体ドラム１ａ〜１ｄを用いる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、測定対象物として中間転写ベルト８や現像ローラーを用いてもよい。また、画像形成装置以外のものを測定対象物としてもよい。
【００５６】
また、上記第２実施形態では、積層方向と直交する方向に半導体積層体５４を振動させる例について示したが、本発明はこれに限らない。電界Ｅの強さが周期的に変化するのであれば、積層方向と直交する方向以外の方向に半導体積層体５４を振動させてもよい。
【００５７】
また、上記第２実施形態では、可動部を圧電素子９５によって構成する例について示したが、本発明はこれに限らない。可動部を圧電素子９５以外によって構成してもよい。また、可動部をＭＥＭＳ技術以外の方法で形成してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１ａ〜１ｄ  感光体ドラム（測定対象物）
５０ａ〜５０ｄ  表面電位センサー（電界センサー）
５１  第１半導体層
５２  第２半導体層
５２ａ  反転層
５３  第３半導体層
５４  半導体積層体
５５  第１電極
５６  第２電極
８５  センサーバイアス電源（電圧印加部）
９５  圧電素子（可動部）
１００  カラープリンター（画像形成装置）
Ｅ  電界
【図１】
2018146288.tif 000003
【図２】
2018146288.tif 000004
【図３】
2018146288.tif 000005
【図４】
2018146288.tif 000006
【図５】
2018146288.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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