(57)【要約】      （修正有）【課題】スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわの発生を抑制することができる絶縁皮膜積層金属板を提供する。【解決手段】金属板と、当該金属板の少なくとも一方の面側に積層される絶縁皮膜とを有する絶縁皮膜積層金属板において、前記絶縁皮膜に熱硬化性樹脂を含有させ、前記熱硬化性樹脂に、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成され、前記ジカルボン酸由来単位に占める前記テレフタル酸由来単位のモル百分率が４０〜７０％であり、前記ジカルボン酸由来単位に占める前記イソフタル酸由来単位のモル百分率が３０〜６０％であり、下記式１で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下であるポリエステル樹脂を含有させる。2018167552.tif 000006【選択図】図２
2018167552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板と、当該金属板の少なくとも一方の面側に積層される絶縁皮膜とを有し、
前記絶縁皮膜は熱硬化性樹脂を含有し、
前記熱硬化性樹脂は、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成されるポリエステル樹脂を含有し、
前記ジカルボン酸由来単位に占める前記テレフタル酸由来単位のモル百分率が４０〜７０％であり、
前記ジカルボン酸由来単位に占める前記イソフタル酸由来単位のモル百分率が３０〜６０％であり、
下記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下である、前記絶縁皮膜の上に導電性薄膜層を形成するための絶縁皮膜積層金属板。
【数１】
2018167552.tif 000005
【請求項２】
前記絶縁皮膜は顔料をさらに含有する、請求項１に記載の絶縁皮膜積層金属板。
【請求項３】
前記絶縁皮膜の３ｍｍ四方の領域における表面粗さが１０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の絶縁皮膜積層金属板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜の上に導電性薄膜層が積層された、金属基板。
【請求項５】
前記導電性薄膜層の３ｍｍ四方の領域における表面粗さが１００ｎｍ以下である、請求項４に記載の金属基板。
【請求項６】
トップエミッション型有機ＥＬ素子又はサブストレート型薄膜太陽電池に用いられる、請求項４又は５に記載の金属基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁皮膜積層金属板及び金属基板に関する。より詳しくは、トップエミッション型有機ＥＬ素子又はサブストレート型薄膜太陽電池に用いられる絶縁皮膜積層金属板及び金属基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体は、柔軟で薄型化でき、さらに省電力であるためトップエミッション型有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子やサブストレート型薄膜太陽電池といった有機電子デバイスへの応用が期待されている。上記有機ＥＬ素子は、有機半導体を含む発光層を備えるとともに、例えば透明性と導電性を併せ持つＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる陽極と例えばＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）からなる陰極とをさらに備える。一方、上記太陽電池は、有機半導体からなる光電変換層を備えるとともに、例えばそれぞれＩＴＯからなる裏面電極及び表面電極をさらに備える。
【０００３】
有機電子デバイスの基板として、ガラスを用いた場合には割れ易く加工性に乏しい問題があり、他方、プラスチックを用いた場合には透湿性があるためガスバリア層の設置が必要という問題がある。そのため、有機電子デバイスの基板として、絶縁皮膜を金属板上に積層した絶縁皮膜積層金属板の採用が検討されている。
【０００４】
例えば、特許文献１は、表面粗さが３０ｎｍ以下で膜厚が１０〜４０μｍであるとともに熱硬化性樹脂としてポリエステルを含有する皮膜が１層のみ金属板の表面に積層された絶縁皮膜積層金属板を開示している。又、特許文献２は、金属板の片面又は両面に１層以上の熱硬化型樹脂塗膜層を備え、当該樹脂塗膜層は表面粗さが２０ｎｍ以下で総膜厚が１〜３０μｍであるとともに主樹脂がポリエステル樹脂である絶縁皮膜積層金属板を開示している。
【０００５】
上記絶縁皮膜積層金属板の絶縁皮膜上に陽極、発光層及び陰極をこの順で積層することにより、上記有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子を発光回路に設置して電流を流すことで、発光層が発光する。
【０００６】
一方、上記絶縁皮膜積層金属板の絶縁皮膜上に裏面電極、光電変換層及び表面電極をこの順で積層することにより、上記太陽電池が得られる。この太陽電池を発電回路に設置して太陽光を照射することで、光電変換層で電荷の移動が生じて当該太陽電池が発電する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−２０８４７９号公報
【特許文献２】特開２０１６−１９３５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１及び特許文献２に開示された絶縁皮膜積層金属板を用いて上記有機ＥＬ素子を作製して発光させた場合には、当該有機ＥＬ素子は図１に示すように幅５〜１０μｍで長さ２０〜５０μｍの明暗の縞状模様を呈して発光することがある。このような縞状模様を呈して発光する有機ＥＬ素子は、発光層表面が均一に発光する有機ＥＬ素子と比べて、色むらや発光照度不足が生じ、有機ＥＬ素子としての要求性能を満たさない。後述の通り、上記縞状模様を呈した発光は、絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜の上にスパッタリングによって導電性薄膜層が形成される際に、当該導電性薄膜層の表面に生じたしわに起因する。
【０００９】
一方、特許文献１及び特許文献２に開示された絶縁皮膜積層金属板を用いて上記太陽電池を作製して発電させた場合には、導電性薄膜層の表面に生じたしわに起因して発電量が低下し得る。
【００１０】
そのため、導電性薄膜層の表面にしわが発生していない金属基板、及びスパッタリングによる導電性薄膜層形成時に当該しわが発生しない絶縁皮膜積層金属板が求められている。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわの発生を抑制することができる絶縁皮膜積層金属板、及び導電性薄膜層表面でのしわの発生が抑制された金属基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一局面は、金属板と、当該金属板の少なくとも一方の面側に積層される絶縁皮膜とを有し、上記絶縁皮膜は熱硬化性樹脂を含有し、上記熱硬化性樹脂は、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成されるポリエステル樹脂を含有し、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記テレフタル酸由来単位のモル百分率が４０〜７０％であり、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記イソフタル酸由来単位のモル百分率が３０〜６０％であり、下記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下である、上記絶縁皮膜の上に導電性薄膜層を形成するための絶縁皮膜積層金属板である。
【００１３】
【数１】
2018167552.tif 000003
【００１４】
本発明の他の一局面は、上記絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜の上に導電性薄膜層が積層された、金属基板である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわの発生を抑制することができる絶縁皮膜積層金属板、及び導電性薄膜層表面でのしわの発生が抑制された金属基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製されたトップエミッション型有機ＥＬ素子の表面における発光状態の光学顕微鏡像を示す図面代用写真である。
【図２】実施例のＮｏ．１の金属基板におけるＩＴＯ層表面の原子間力顕微鏡像を示す図面代用写真である。
【図３】実施例のＮｏ．２の金属基板におけるＩＴＯ層表面の原子間力顕微鏡像を示す図面代用写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
はじめに、本発明に到達した経緯の概要をトップエミッション型有機ＥＬ素子であるＯＬＥＤ素子（有機発光ダイオード素子）を作製した場合を例にして説明する。
【００１８】
金属板上に絶縁皮膜が積層された絶縁皮膜積層金属板を用いてＯＬＥＤ素子を作製する際、まず当該絶縁皮膜積層金属板を洗浄して、絶縁皮膜上に陽極であるＩＴＯ層をスパッタリングによって積層する。これにより、ＩＴＯ層を導電性薄膜層として有する金属基板が得られる。次に、ＩＴＯ層の上に正孔注入・輸送層、発光層及び電子輸送層をこの順で各層原料組成物を蒸着又は塗布及び加熱することにより積層する。続いて、電子輸送層の上に、陰極であるＩＺＯ層をスパッタリングによって形成する。そして、ＩＺＯ層の上に透明の封止ガラスを積層する。これにより、ＯＬＥＤ素子が得られる。上記正孔注入・輸送層、発光層及び電子輸送層を構成する有機半導体はいずれも電荷移動度が低いため、これら層の厚さはそれぞれ数十ｎｍから数百ｎｍまでの値に設定される。又、陰極を構成するＩＺＯ層の厚さも数十ｎｍから数百ｎｍまでの値に設定される。
【００１９】
このようにして得られたＯＬＥＤ素子を発光させたとき、色むらや発光照度不足が生じることがある。本発明者らは、色むらが生じたＯＬＥＤ素子の表面の発光状態を光学顕微鏡にて観察した。観察結果を図１に示す。図１は、当該色むらが生じたＯＬＥＤ素子の表面における発光状態の光学顕微鏡像を示す図面代用写真である。その結果、色むらは、ＯＬＥＤ素子が幅５〜１０μｍで長さ２０〜５０μｍの明暗の縞状模様を呈して発光することによって生じたことが判明した。又、このような縞状模様を呈して発光するＯＬＥＤ素子は、表面全体が均一に発光するＯＬＥＤ素子と比べて、発光照度が低いだけでなく、発光層中の強く発光する箇所の短寿命化に起因してＯＬＥＤ素子としての寿命が相対的に短くなり易いことも判明した。
【００２０】
本発明者らは、色むらが生じたＯＬＥＤ素子が上記明暗の縞状模様を呈する原因を鋭意検討した。そして、その原因が、ＩＴＯ層の形成時に当該ＩＴＯ層の表面に数十ｎｍから数百ｎｍまでの高低差を有するしわが生じ、当該しわが、層厚の薄い正孔注入・輸送層、発光層、電子輸送層及びＩＺＯ層を介して、素子表面にまで反映されたためであることを突き止めた。
【００２１】
ＩＴＯ層表面の上記しわは、スパッタリングの熱影響を受けて、ＩＴＯ層の下方に位置する絶縁皮膜がエネルギー計算に基づいた推算値によれば約２００〜２５０℃に温度上昇して当該絶縁皮膜が軟化して発生したと推察する。
【００２２】
そこで、ＩＴＯ層形成時のスパッタリングによっても絶縁皮膜が２００〜２５０℃程度の温度下で軟化しない方策を種々検討した。そして、絶縁皮膜が含有する熱硬化性樹脂に、特定組成のポリエステル樹脂を含有させることで、スパッタリングによって生じる絶縁皮膜の温度上昇に起因した軟化が抑制されて導電性薄膜層であるＩＴＯ層のしわ発生が抑制されることを見出し、本発明を完成させた。
【００２３】
尚、本明細書において、しわとは、被観察物の表層に形成された長さ２０〜５０μｍで幅５〜１０μｍで高さ（山と谷の高低差）１００ｎｍ以上の凸群（複数本の稜線）をいい、当該被観察物の表面を原子間力顕微鏡で観察したときに見られる凹凸をいう。しわの一例を図３に示す。図３は、実施例のＮｏ．２の金属基板におけるＩＴＯ層表面の原子間力顕微鏡像を示す図面代用写真である。
【００２４】
又、本明細書において、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率とは、ジカルボン酸由来単位１００モル部に対するテレフタル酸由来単位のモル部の百分率をいう。
【００２５】
［絶縁皮膜積層金属板］
次に、本発明の一局面である絶縁皮膜積層金属板について、説明する。
【００２６】
本発明の絶縁皮膜積層金属板は、金属板と、当該金属板の少なくとも一方の面側に積層される絶縁皮膜とを有する。上記絶縁皮膜は熱硬化性樹脂を含有する。上記熱硬化性樹脂は、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成されるポリエステル樹脂を含有する。上記ジカルボン酸由来単位に占める上記テレフタル酸由来単位のモル百分率は４０〜７０％である。上記ジカルボン酸由来単位に占める上記イソフタル酸由来単位のモル百分率は３０〜６０％である。上記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数は３．４以下である。本発明の絶縁皮膜積層金属板は、上記絶縁皮膜の上に導電性薄膜層を形成するために用いられる。
【００２７】
以下、このように規定した理由を説明する。
１．金属板
本発明の絶縁皮膜積層金属板に用いる金属板は、冷延鋼板、溶融純亜鉛めっき鋼板、合金化溶融Ｚｎ−Ｆｅめっき鋼板、合金化溶融Ｚｎ−５％Ａｌめっき鋼板、溶融５５％Ａｌ−Ｚｎ合金めっき鋼板、電気純亜鉛めっき鋼板、電気Ｚｎ−Ｎｉめっき鋼板、アルミニウム板、又はチタン板等である。当該金属板として、その表面に化学処理を施していない無処理材（いわゆる裸板）を用いることができる。しかし、金属板と絶縁皮膜の化学結合による密着性を向上させる観点から、当該金属板として、その表面にクロメート処理を施したクロメート材、或いは、その表面にノンクロメート処理を施したノンクロメート材を用いることが好ましい。環境保全の観点から、当該金属板としてノンクロメート材を用いることがより好ましい。当該金属板の厚みは特に限定されない。絶縁皮膜積層金属板の用途に応じて、例えば０．３〜２．０ｍｍ程度である。
【００２８】
２．絶縁皮膜
本発明では、絶縁皮膜は電気絶縁性を有する。より具体的には、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機電子デバイスの使用時において、絶縁皮膜はその直上に位置する層から金属板に電流が漏れない電気絶縁性を有する。
【００２９】
絶縁皮膜は、絶縁皮膜積層金属板の用途に応じて、金属板の片面側又は両面側に積層される。絶縁皮膜は、金属板の直上に積層されてもよいし、他の層を介して金属板に積層されてもよい。金属板に絶縁皮膜を積層することにより、金属板と絶縁皮膜の上層側に積層される層（例えば、導電性薄膜層）との間の電気絶縁性が確保される。
【００３０】
絶縁皮膜の厚さは特に限定されないが、絶縁皮膜の電気絶縁性を安定的に確保する観点から、絶縁皮膜の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。一方、絶縁皮膜の厚さが５０μｍを超えた場合には、絶縁皮膜の電気絶縁性が飽和する傾向を示すので、絶縁皮膜の厚さは５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
絶縁皮膜は熱硬化性樹脂を主体的に含有する。
【００３２】
又、絶縁皮膜は、絶縁皮膜積層金属板の用途に応じて、当該絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機電子デバイスの発光色を調整するために、後述するように、例えば、酸化チタン等の白色顔料、カーボンブラック等の黒色顔料等のいろいろな色の顔料を一種又は二種以上含有してもよい。絶縁皮膜が顔料を含有することで、絶縁皮膜の表面側から金属板側に透過する光のうち、特定波長の光を絶縁皮膜にて表面側に反射させることができる。例えば、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いてＯＬＥＤ素子を作製し、当該ＯＬＥＤ素子を発光させた場合、発光層から金属板側に発した光は、絶縁皮膜にて素子表面側に顔料に対応した波長の光を反射させることができる。
【００３３】
２−１．熱硬化性樹脂
本発明では、熱硬化性樹脂は、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成されるポリエステル樹脂であって、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記テレフタル酸由来単位のモル百分率が４０〜７０％であり、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記イソフタル酸由来単位のモル百分率が３０〜６０％であり、上記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下であるポリエステル樹脂を含有する。
【００３４】
２−１−１．ポリエステル樹脂
上記ポリエステル樹脂は、ジカルボン酸とポリオールの縮合反応によって形成されるエステル結合を多数有する高分子物質であり、エステル結合を構成するエステル基は炭素原子と酸素原子のみからなるので、水との親和性が低い。そのため、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて有機電子デバイスを作製する際、当該有機電子デバイスに悪影響を及ぼす水が上記ポリエステル樹脂を含有する絶縁皮膜内部に浸入したとしても、乾燥により除去され易い。例えば、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて有機電子デバイスとして有機ＥＬ素子を作製した場合には、水の浸入に起因するダークスポット（非発光領域）の発生を抑制することができる。
【００３５】
上記ポリエステル樹脂において、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位の合計モル百分率は９０％以上である。テレフタル酸由来単位の原料であるテレフタル酸及びイソフタル酸由来単位の原料であるイソフタル酸は、芳香族ジカルボン酸であり、熱的安定性に優れる。そして、これらは他の芳香族ジカルボンよりも安価である。このため、上記合計モル百分率を９０％以上にすることにより、相対的に低コストでありながら耐熱性を確保して、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわの発生を抑制することができる。製造コストを抑制する観点から、上記合計モル百分率は１００％であることが好ましい。ジカルボン酸由来単位におけるテレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位は、例えば、核磁気共鳴法（ＮＭＲ法）により同定することができる。
【００３６】
上記ポリエステル樹脂において、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率は４０〜７０％である。テレフタル酸由来単位は上記ポリエステル樹脂を直線的に伸長させる構造を呈し、上記ポリエステル樹脂自体の回転（ポリエステル樹脂分子としての回転）を抑制して上記ポリエステル樹脂の硬さを高める構成単位であり、ひいては絶縁皮膜の硬さを高める作用を有する。絶縁皮膜の硬さを確保する観点から、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率は４０％以上とする。好ましくは５０％以上である。一方、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率が高過ぎると、絶縁皮膜が硬くなり過ぎて絶縁皮膜積層金属板の加工性が低下する。そのため、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率は７０％以下とする。好ましくは６０％以下である。
【００３７】
上記ポリエステル樹脂において、ジカルボン酸由来単位に占めるイソフタル酸由来単位のモル百分率は３０〜６０％である。イソフタル酸由来単位は上記ポリエステル樹脂を屈曲させる構造を呈し、上記ポリエステル樹脂自体の回転（ポリエステル樹脂分子としての回転）を容易にして上記ポリエステル樹脂の硬さを低める構成単位であり、ひいては絶縁皮膜を柔らかくする作用を有する。絶縁皮膜の柔らかさを確保する観点から、ジカルボン酸由来単位に占めるイソフタル酸由来単位のモル百分率は３０％以上とする。好ましくは４０％以上である。一方、ジカルボン酸由来単位に占めるイソフタル酸由来単位のモル百分率が高過ぎると、絶縁皮膜が柔らかくなり過ぎる。そのため、ジカルボン酸由来単位に占めるイソフタル酸由来単位のモル百分率は６０％以下とする。好ましくは５０％以下である。
【００３８】
上記ポリエステル樹脂において、ポリオール由来単位に占める炭素数２〜５のポリオール由来単位のモル百分率は９０％以上である。炭素数５を超えるポリオール由来単位は上記ポリエステル樹脂の硬さを低める構成単位であり、そのモル百分率が１０％を超えると絶縁皮膜は要求された硬さを満たさなくなり、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわが発生するからである。上記ポリエステル樹脂の硬さを安定的に確保する観点から、ポリオール由来単位に占める炭素数２〜５のポリオール由来単位のモル百分率は１００％であることが好ましい。ポリオール由来単位における炭素数２〜５のポリオール由来単位は、例えば、核磁気共鳴法により同定することができる。
【００３９】
上記ポリエステル樹脂は、テレフタル酸及びイソフタル酸を含有するジカルボン酸と、炭素数２〜５のポリオールを含有するポリオールとの縮合反応で得られる。そのため、上記ジカルボン酸はテレフタル酸及びイソフタル酸以外のジカルボン酸を含有してもよい。このようなジカルボン酸として、例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のα，β−不飽和二塩基酸や、例えば、オルトフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、コハク酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、１，１０−デカンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、４，４′−ビフェニルジカルボン酸等のテレフタル酸及びイソフタル酸を除いた飽和二塩基酸を挙げることができる。このうち、テレフタル酸及びイソフタル酸と分子構造が似ている２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸及び２，３−ナフタレンジカルボン酸の一種又は二種以上を用いることが好ましい。
【００４０】
一方、上記ポリオールは炭素数２〜５のポリオールを含有するだけでなく、炭素数６以上のポリオールを含有してもよい。上記ポリオールとして、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール等のエチレングリコール類、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール等のプロピレングリコール類、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、ビスフェノールＡとプロピレンオキシド又はエチレンオキシドとの付加物、グリセリン、トリメチロールプロパン、１，３−プロパンジオール、１，２−シクロヘキサングリコール、１，３−シクロヘキサングリコール、１，４−シクロヘキサングリコール、パラキシレングリコール、ビシクロヘキシル−４，４′−ジオール、２，６−デカリングリコール、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート等を挙げることができる。炭素数２〜５のポリオール及び炭素数６以上のポリオールは、それぞれ一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を組合せて用いてもよい。
【００４１】
上記ポリオールはジオールであることが好ましく、上記炭素数２〜５のポリオールは炭素数２〜５のジオールであることが好ましい。そして、上記ポリオールは上記炭素数２〜５のポリオールのみであることがより好ましい。炭素数２のジオールとして、例えば、エチレングリコールを挙げることができる。炭素数３のジオールとして、例えば、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオールを挙げることができる。炭素数４のジオールとして、例えば、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオールを挙げることができる。炭素数５のジオールとして、例えば、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオールを挙げることができる。
【００４２】
上記ポリエステル樹脂において、上記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数は３．４以下である。ポリオール由来単位の調整平均炭素数は、絶縁皮膜の２００〜２５０℃程度の温度下における硬さを調整することができる指標であり、本発明者らが本発明に到達する過程で見出したものである。上記ポリエステル樹脂において、上記ポリオール由来単位は鎖状炭化水素を骨格とするため、上記ジカルボン酸由来単位と比べて上記ポリエステル樹脂を柔らかくする性質を有する。ポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４を超えると、上記ポリエステル樹脂中の鎖状炭化水素の割合が大きくなる結果、２００〜２５０℃程度の温度において絶縁皮膜が柔らかくなり、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時にしわが発生する。ポリオール由来単位の調整平均炭素数が小さい程、スパッタリングによる導電性薄膜層形成時のしわ発生が抑制される。ポリオール由来単位の調整平均炭素数は、３．２以下であることが好ましく、３．０以下であることがより好ましい。但し、炭素数１のポリオールであるメタンジオールは不安定であるため、ポリオール由来単位の調整平均炭素数の実質的な下限値は２．０である。
【００４３】
上記式（１）中のポリオール由来単位の平均炭素数とは、ポリオール由来単位を構成する個別ポリオール由来単位の炭素数に当該個別ポリオール由来単位のモル割合を掛けた値の総和をいう。例えば、ポリオール由来単位Ａが炭素数Ｎ１の個別ポリオール由来単位Ａ１がＸ１モル％と炭素数Ｎ２の個別ポリオール由来単位Ａ２がＸ２モル％によって構成される場合、ポリオール由来単位Ａの平均炭素数Ｎは、（Ｎ１×Ｘ１＋Ｎ２×Ｘ２）／１００で算出される。そして、個別ポリオール由来単位の炭素数とは、個別ポリオール由来単位に含まれる全炭素数をいい、個別ポリオール由来単位の主鎖の炭素数と側鎖の炭素数の和である。
【００４４】
２−メチル−１，３−プロパンジオールと１，４−ブタンジオールは、全炭素数がいずれも４で同一であるものの、主鎖の炭素数が３と４で相違するポリオールである。これらポリオールをそれぞれ個別に含有するポリオールを用いて作製された絶縁皮膜積層金属板では、導電性薄膜層形成時に発生したしわが同程度であることが、本発明者らの実験によって確認された。
【００４５】
２−１−２．架橋剤
本発明では、熱硬化性樹脂は架橋剤を含有する。これにより、絶縁皮膜は熱硬化性を示すだけでなく、耐熱性も向上する。そして、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて有機電子デバイスを作製する際、絶縁皮膜の変形や変質を抑制することができる。
【００４６】
架橋剤は、上記ポリエステル樹脂を架橋できる物質であれば特に限定されないが、上記ポリエステル樹脂との相溶性がよく、液安定性のよい物質が好ましい。このような架橋剤としては、種々の市販品を好適に用いることができる。例えば、イソシアネート系では、ミリオネート（登録商標）Ｎ、コロネート（登録商標）Ｔ、コロネート（登録商標）ＨＬ、コロネート（登録商標）２０３０、スプラセック（登録商標）３３４０、ダルトセック１３５０、ダルトセック２１７０、ダルトセック２２８０（以上、日本ポリウレタン工業株式会社製）等、メラミン系では、ニカラック（登録商標）ＭＳ−１１、ニカラック（登録商標）ＭＳ２１（以上、株式会社三和ケミカル製）、スーパーベッカミン（登録商標）Ｌ−１０５−６０、スーパーベッカミン（登録商標）Ｊ−８２０−６０（以上、ＤＩＣ株式会社製）、エポキシ系では、ハードナーＨＹ９５１、ハードナーＨＹ９５７（以上、ＢＡＳＦ製）、スミキュアーＤＴＡ、スミキュアーＴＴＡ（以上、住友化学株式会社製）等を挙げることができる。
【００４７】
熱硬化性樹脂における上記ポリエステル樹脂及び上記架橋剤の含有比率はそれぞれ特に制限されないが、ポリエステル樹脂の含有比率は５０質量％以上であることが好ましい。
【００４８】
２−２．顔料
白色顔料として、例えば、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、硫酸バリウム、リトポン、鉛白等の無機系顔料や、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアクリレート、尿素樹脂、メラミン樹脂等の有機系顔料を用いることができる。これらの中で、純白色を呈する酸化チタンを用いることが好ましい。絶縁皮膜が白色顔料を含有することにより、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機ＥＬ素子の輝度が向上する。
【００４９】
黒色顔料として、例えば、黒色：アニリンブラック、ニグロシン等の有機系顔料や、例えば、カーボンブラック、鉄黒等の無機系顔料を用いることができる。絶縁皮膜が黒色顔料を含有することにより、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機ＥＬ素子の非発光時の暗度が向上する。
【００５０】
赤色顔料として、例えば、不溶性アゾ系（ナフトール系及びアニライド系）又は溶性アゾ系等の有機系顔料や、例えば、べんがら、カドミウムレッド、鉛丹等の無機系顔料を用いることができる。黄色顔料として、例えば、不溶性アゾ系（ナフトール系及びアニライド系）、溶性アゾ系、キナクリドン系等の有機系顔料や、例えば、クロムエロー、カドミウムイエロー、ニッケルチタンイエロー、黄丹、ストロンチウムクロメート等の無機系顔料を用いることができる。緑色顔料として、例えば有機フタロシアニン系顔料を用いることができる。青色顔料として、例えば、有機フタロシアニン系顔料、ジオキサジン系顔料、紺青、群青、コバルト青、エメラルドグリーン等の無機系顔料を用いることができる。橙色として、例えば、ベンズイミダゾロン系、ピラゾロン系等の有機系顔料を用いることができる。
【００５１】
２−３．絶縁皮膜の表面粗さ
本発明において、絶縁皮膜の好ましい厚さは１０〜５０μｍである。一方、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて有機電子デバイスを作製する際に、絶縁皮膜の上に形成される導電性薄膜層の好ましい厚さは、後述の通り、０．０１〜１μｍである。このように両者の厚さが大幅に異なるため、厚さの小さな導電性薄膜層は厚さが大幅に大きい絶縁皮膜の影響を受けて品質不良が発生し易い。例えば、絶縁皮膜の表面にピンホール等の欠陥が存在すると、水が浸入し易くなり、ダークスポットが出現し易くなる。又、絶縁皮膜に表面凹凸があると、絶縁皮膜の凸部に形成される導電性薄膜層の厚さが絶縁皮膜の凹部に形成される導電性薄膜層の厚さと相違し易くなり、有機電子デバイスの品質や寿命に影響を及ぼし易くなる。このような問題を回避する観点から、絶縁皮膜の３ｍｍ四方の領域における表面粗さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、絶縁皮膜が有するうねりも抑制することができる。
【００５２】
３ｍｍ四方の領域における表面粗さは、後述の測定方法により測定することができる。
【００５３】
絶縁皮膜の３ｍｍ四方の領域における表面粗さを１０ｎｍ以下にする方法として、絶縁皮膜の表面に対して化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）を行うことを挙げることができる。これにより、絶縁皮膜表面を平滑にすることができる。
【００５４】
化学機械研磨方法は特に限定されておらず、研磨剤自体が有する表面化学作用や研磨液に含まれる化学成分の作用によって研磨される公知の研磨方法を用いればよい。研磨剤も特に限定されておらず、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア等を用いることができる。
【００５５】
［絶縁皮膜積層金属板の製造方法］
次に、上記絶縁皮膜積層金属板の製造方法について、説明する。
【００５６】
絶縁皮膜は、金属板表面又は他の層の上に絶縁皮膜作製用組成物を塗布する塗布法により積層することが好ましい。そのため、絶縁皮膜作製用組成物は液状であって溶媒も含むことが望ましい。絶縁皮膜作製用組成物に用いる溶媒は、絶縁皮膜作製用組成物が含有すべき各成分を溶解又は分散させ得るものであれば、特に制限はない。溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、ベンゼン、キシレン、ソルベッソ（登録商標）１００（エクソンモービル社製）、ソルベッソ（登録商標）１５０（エクソンモービル社製）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；等を挙げることができる。絶縁皮膜作製用組成物は、例えば上記溶媒を用いて、固形分を調整することができる。
【００５７】
絶縁皮膜作製用組成物の塗布方法は、特に制限されず、既知の方法を適宜採用することができる。塗布方法として、例えば、バーコーター法、ロールコーター法、カーテンフローコーター法、スプレー法、スプレーリンガー法等によるプレコート法を挙げることができる。これらの中でも、コスト等の観点からバーコーター法、ロールコーター法、スプレー法、スプレーリンガー法が好ましい。焼付け温度は、例えば、プレコート法に用いる場合には１９０℃以上２５０℃以下が好ましく、２００℃以上２４０℃以下がより好ましい。乾燥温度は、絶縁皮膜が熱により劣化しない程度であればよく、例えば、１９０〜２５０℃程度が好ましく、２００〜２４０℃程度がより好ましい。焼付け温度及び乾燥温度は、到達板温（Ｐｅａｋ  Ｍｅｔａｌ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＰＭＴ）である。
【００５８】
ポリエステル樹脂及び絶縁皮膜積層金属板の製造方法は、次の通りである。
【００５９】
テレフタル酸及びイソフタルを合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸と、炭素数２〜５のポリオールを９０モル％以上含有するポリオールとをモル比１：１．５〜２で含有するポリエステル樹脂形成用組成物に触媒としての三酸化アンチモンを加え、大気圧下１８０〜２１０℃で１８０分間加熱して縮合反応を進行させる。続いて、温度を２５０℃まで昇温させるとともに、圧力を１〜５ｍｍＨｇに減圧した後、１８０分間縮合反応をさらに進行させるとともに縮合反応で生じた水を除去する。これにより、ポリエステル樹脂が得られる。後半の水の除去を伴う縮合反応ではポリオールが揮発するため、得られたポリエステル樹脂におけるジカルボン酸由来単位とポリオール由来単位はモル比で略１：１となる。ジカルボン酸及びポリオールの精確な仕込み量は、ジカルボン酸とポリオールの含有比率を変えたポリエステル樹脂形成用組成物から得たポリエステル樹脂におけるジカルボン酸由来単位とポリオール由来単位のモル比に基づいて、決定する。
【００６０】
得られたポリエステル樹脂と、架橋剤と、必要に応じて添加される顔料等とを溶剤に溶解させ、分散させて得た溶液（絶縁皮膜作製用組成物）を金属板に塗布し、加熱する。これにより、金属板上に絶縁皮膜が形成されて、絶縁皮膜積層金属板が得られる。上記溶液の作製に際して、固形分（ポリエステル樹脂、架橋剤、顔料等）の含有量は２０〜７０質量％であることが好ましい。固形分の含有量が２０質量％未満では、溶液の粘度が低くなり過ぎて、絶縁皮膜の目標厚さに達するまで複数回の塗布を繰り返す必要が生じる。一方、固形分の含有量が７０質量％を超えると、溶液の粘度が高くなり過ぎて塗布自体が困難となる。又、固形分の中の顔料比率は６０質量％以下であることが好ましい。固形分の中の顔料比率が６０質量％を超えると、溶液の粘度が高くなり過ぎて塗布自体が困難となる。
【００６１】
［金属基板］
次に、本発明の他の一局面である金属基板について、説明する。
【００６２】
本発明の金属基板は、上記絶縁皮膜積層金属板が有する上記絶縁皮膜の上に導電性薄膜層が積層されたものである。
【００６３】
本発明では、導電性薄膜層は例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｂ等が添加されたＺｎＯ、ＩＴＯ又はＳｎＯ２によって構成される。通常、ＩＴＯによって構成される。
【００６４】
導電性薄膜層の層構造は単層構造でもよいし、２層以上の積層構造でもよい。各層を構成する物質（即ち上記ＺｎＯ、ＩＴＯ又はＳｎＯ２）は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００６５】
導電性薄膜層の厚さは、特に制限されないが、０．０１〜１μｍが好ましい。
【００６６】
導電性薄膜層の３ｍｍ四方の領域における表面粗さは１００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、５ｎｍ以下であることがより一層好ましい。これにより、発電効率が高い太陽電池や発光照度が高い有機ＥＬ素子を作製することができる。３ｍｍ四方の領域における表面粗さは、後述の測定方法により測定することができる。
【００６７】
導電性薄膜層は約２００℃以上の耐熱性を有するので、本発明の金属基板を用いて有機電子デバイスを作製することができる。
【００６８】
本発明の金属基板を用いて作製された有機ＥＬ素子では、導電性薄膜層は陽極として機能する。そして、導電性薄膜層が透明性を有するので、発光層が金属板側に発した光は導電性薄膜層の下に位置する顔料を含有した絶縁皮膜によって反射される。
【００６９】
［金属基板の製造方法］
次に、上記金属基板の製造方法について、説明する。
【００７０】
上記導電性薄膜層はスパッタリングにより形成される。より具体的には、真空容器内に本発明の絶縁皮膜積層金属板を載置するとともに、薄膜として付与したい金属又は金属酸化物をターゲットとして設置する。例えば、導電性薄膜層としてＩＴＯ層を形成する場合には、ＩＴＯからなるターゲットを用いる。そして、例えばアルゴンのような希ガス元素又は窒素に対して高電圧をかけてイオン化させ、ターゲットに衝突させる。これにより、ターゲット表面の原子等がはじき飛ばされ、絶縁皮膜積層金属板に到達して絶縁皮膜上に導電性薄膜層が形成される。
【００７１】
［サブストレート型薄膜太陽電池］
次に、本発明の絶縁皮膜積層金属板を備えたサブストレート型薄膜太陽電池について、説明する。
【００７２】
サブストレート型太陽電池は、本発明の絶縁皮膜積層金属板を備えたものであれば、公知のいずれの構造でもよく、例えば、基本的には本発明の絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜上に、裏面電極、光電変換層、表面電極がこの順で積層された構造である。光電変換層は、透明性の表面電極を通過して到達した光を吸収して電流を発生させる層であり、裏面電極及び表面電極は、いずれも光電変換層で発生した電流を取り出すためのものであり、いずれも導電性材料からなる。光入射側の表面電極は透光性を有する必要がある。裏面電極、光電変換層、表面電極については、公知のサブストレート型薄膜太陽電池と同様の材料を用いることができる。
【００７３】
サブストレート型太陽電池では、太陽光は透明性の表面電極側から入射するため、絶縁皮膜積層金属板の透明性は求められない。
【００７４】
［トップエミッション型有機ＥＬ素子］
次に、本発明の絶縁皮膜積層金属板を備えたトップエミッション型有機ＥＬ素子について、説明する。
【００７５】
トップエミッション型有機ＥＬ素子は、本発明の絶縁皮膜積層金属板を備えたものであれば、公知のいずれの構造でもよく、例えば、基本的には本発明の絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜上に、陽極、発光層、陰極がこの順に積層された構造である。陽極、発光層、陰極については、公知のトップエミッション型薄膜太陽電池と同様の材料を用いることができる。
【００７６】
トップエミッション型有機ＥＬ素子では、光は陰極を透過して（絶縁皮膜積層金属板を透過することなく）取り出されるため、基板として透明でない金属板を用いることができる。
【００７７】
上述したように、本発明の一局面は、金属板と、当該金属板の少なくとも一方の面側に積層される絶縁皮膜とを有し、上記絶縁皮膜は熱硬化性樹脂を含有し、上記熱硬化性樹脂は、テレフタル酸由来単位及びイソフタル酸由来単位を合計で９０モル％以上含有するジカルボン酸由来単位と、炭素数２〜５のポリオール由来単位を９０モル％以上含有するポリオール由来単位とから構成されるポリエステル樹脂を含有し、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記テレフタル酸由来単位のモル百分率が４０〜７０％であり、上記ジカルボン酸由来単位に占める上記イソフタル酸由来単位のモル百分率が３０〜６０％であり、上記式（１）で算出されるポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下である、上記絶縁皮膜の上に導電性薄膜層を形成するための絶縁皮膜積層金属板である。
【００７８】
この構成によれば、絶縁皮膜の上にスパッタリングによって導電性薄膜層を形成する際、絶縁皮膜の温度上昇に起因した軟化が抑制されるので、しわの発生が抑制された導電性薄膜層が形成される。ひいては、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機ＥＬ素子は発光層表面が均一に発光する。
【００７９】
本発明の絶縁皮膜積層金属板において、上記絶縁皮膜は顔料をさらに含有することができる。この構成により、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いて作製された有機ＥＬ素子は、絶縁皮膜において当該顔料に対応した波長の光を素子表面側に反射するので、この波長の光に係る輝度を向上させることができる。
【００８０】
本発明の絶縁皮膜積層金属板は、上記絶縁皮膜の３ｍｍ四方の領域における表面粗さが１０ｎｍ以下であることが好ましい。この構成により、絶縁皮膜の表面が実用的な範囲で平滑となり、ダークスポットの発生を抑制することができる。そして、本発明の絶縁皮膜積層金属板を用いることで、発電効率が高い太陽電池や発光照度が高い有機ＥＬ素子を作製することができる。
【００８１】
本発明の他の一局面は、上記絶縁皮膜積層金属板が有する絶縁皮膜の上に導電性薄膜層が積層された、金属基板である。
【００８２】
この構成によれば、本発明の金属基板を用いて作製された有機ＥＬ素子は、色むらや発光照度不足が生じ難くなり、他方、本発明の金属基板を用いて作製された太陽電池は、発電量が低下し難くなる。
【００８３】
本発明の金属基板において、上記導電性薄膜層の３ｍｍ四方の領域における表面粗さが１００ｎｍ以下であることが好ましい。この構成により、導電性薄膜層の表面が実用的な範囲で平滑となり、品質や寿命の安定した有機ＥＬ素子や太陽電池を作製することができる。
【００８４】
本発明の金属基板は、トップエミッション型有機ＥＬ素子又はサブストレート型薄膜太陽電池に用いることができる。この構成により、発光照度の安定したトップエミッション型有機ＥＬ素子や発電量の安定したサブストレート型薄膜太陽電池を作製することができる。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例によって制限されず、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することは可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００８６】
［ポリエステル樹脂の作製］
撹拌装置及び温度計を有するオートクレーブにて、表１のＮｏ．１に示すポリエステル樹脂の原料モノマー（仕込み量：テレフタル酸８３．０質量部、イソフタル酸８３．０質量部、エチレングリコール１０７．２質量部、ネオペンチルグリコール４４．８質量部）及び三酸化アンチモン０．１質量部を大気圧下１８０〜２１０℃で１８０分間加熱して縮合反応を進行させた。続いて、温度を２５０℃まで昇温させるとともに、圧力を１〜５ｍｍＨｇに減圧した後、１８０分間縮合反応をさらに進行させた。これにより、Ｎｏ．１のポリエステル樹脂を得た。
【００８７】
ＮＭＲ法によるＮｏ．１のポリエステル樹脂の各構成単位の組成比は、ジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率が５０％、ジカルボン酸由来単位に占めるイソフタル酸由来単位のモル百分率が５０％、ポリオール由来単位に占めるエチレングリコール酸由来単位のモル百分率が８０％、ポリオール由来単位に占めるネオペンチルグリコール酸由来単位のモル百分率が２０％であった。
【００８８】
次に、Ｎｏ．１のポリエステル樹脂の作製条件のうち、原料モノマーの仕込み量のみをＮｏ．１のポリエステル樹脂の原料モノマーから表１のＮｏ．２〜９に示すポリエステル樹脂の原料モノマーそれぞれに変更することで、Ｎｏ．２〜９のポリエステル樹脂をそれぞれ得た。そして、ＮＭＲ法により、Ｎｏ．２〜９のポリエステル樹脂の各構成単位の組成比を得た。その結果を表１に示す。
【００８９】
Ｎｏ．１〜９のポリエステル樹脂について、ＮＭＲ法によって得られたポリオール由来単位に占める各由来単位のモル百分率と各由来単位の炭素数とから、ポリオール由来単位の平均炭素数を算出した。そして、ポリオール由来単位の平均炭素数とジカルボン酸由来単位に占めるテレフタル酸由来単位のモル百分率とから、ポリオール由来単位の調整平均炭素数を算出した。これらの算出結果も表１に示す。
【００９０】
［絶縁皮膜作製用組成物の作製］
キシレン（沸点：１４０℃）とシクロヘキサノン（沸点：１５６℃）とを等量ずつ混合した溶媒に、Ｎｏ．１のポリエステル樹脂を固形分換算で４３．４質量部、メラミン樹脂（ＤＩＣ株式会社製スーパーベッカミン（登録商標）Ｊ−８２０−６０）を固形分換算で１４．５質量部、酸化チタン粒子（石原産業株式会社製タイペーク（登録商標）ＣＲ−５０（平均粒子径０．２５μｍ））を固形分換算で１６．０質量部加えて、最後に東京化成工業株式会社製のトリエチレンジアミンを０．３質量部加えて、Ｎｏ．１の絶縁皮膜作製用組成物を得た。尚、ポリエステル樹脂とメラミン樹脂との合計の固形分が５８質量％となるようにキシレンとシクロヘキサノンとの混合溶媒の量を調整した。
【００９１】
次に、Ｎｏ．１の絶縁皮膜作製用組成物の作製条件のうち、配合するポリエステル樹脂のみをＮｏ．１のポリエステル樹脂からＮｏ．２〜９のポリエステル樹脂それぞれに変更することで、Ｎｏ．２〜９の絶縁皮膜作製用組成物をそれぞれ得た。
【００９２】
［絶縁皮膜積層金属板の作製］
金属板として、板厚０．８ｍｍ、金属板両面における各面当たりの亜鉛めっき付着量２０ｇ／ｍ２の電気純亜鉛めっき鋼板を用いて、当該金属板の表面にＮｏ．１の絶縁皮膜作製用組成物を膜厚が１５μｍとなるようにバーコーターで塗布した。そして、到達板温が２２０℃となるように２分間焼付けて乾燥させることにより、Ｎｏ．１の絶縁皮膜積層金属板を得た。
【００９３】
次に、Ｎｏ．１の絶縁皮膜積層金属板の作製条件のうち、塗布する絶縁皮膜作製用組成物のみをＮｏ．１の絶縁皮膜作製用組成物からＮｏ．２〜９の絶縁皮膜作製用組成物それぞれに変更することで、Ｎｏ．２〜９の絶縁皮膜積層金属板をそれぞれ得た。
【００９４】
［絶縁皮膜積層金属板の表面研磨］
研磨装置の基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにＮｏ．１の絶縁皮膜積層金属板をセットし、絶縁皮膜を下にして研磨装置の定盤に取り付けた研磨パッド上にセットした。研磨剤として、粒径が約１００ｎｍのアルミナ粒子を用い、圧力６５ｇｆ／ｃｍ２、１周当たりの回転距離を１ｍ、Ｎｏ．１の絶縁皮膜積層金属板と定盤との各回転速度５０ｒｐｍで１分間化学機械研磨を行った。
【００９５】
次に、Ｎｏ．１の絶縁皮膜積層金属板の表面研磨条件と同一の条件で、Ｎｏ．２〜９の絶縁皮膜積層金属板の表面研磨を行った。
【００９６】
［金属基板の作製］
絶縁皮膜の表面が化学機械研磨されたＮｏ．１の絶縁皮膜積層金属板を次の手順で洗浄した。即ち、Ｎｏ．１の絶縁皮膜積層金属板を、まず超純水による洗浄を行い、次に超純水による超音波洗浄を２３ｋＨｚで３分間行い、次に有機物系不純物除去用洗剤による超音波洗浄を２３ｋＨｚで３分間行い、次に超純水による洗浄を行い、次にイオン系不純物除去用洗剤による超音波洗浄を４３ｋＨｚで３分間行い、次に超純水による洗浄を行い、次に超純水による超音波洗浄を１ＭＨｚで３分間行い、次にイソプロピルアルコール蒸気洗浄を行い、ＩＴＯ層の形成直前にＵＶオゾン洗浄を行った。続いて、スパッタリング条件３００Ｗで絶縁皮膜の上に厚さ１００ｎｍのＩＴＯ層を形成することにより、Ｎｏ．１の金属基板を得た。
【００９７】
次に、Ｎｏ．１の金属基板の作製条件のうち、金属基板のみをＮｏ．１の金属基板からＮｏ．２〜９の金属基板それぞれに変更することで、Ｎｏ．２〜９の金属基板をそれぞれ得た。
【００９８】
［しわ有無の判定］
Ｎｏ．１〜９の金属基板それぞれに対して、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）（セイコー電子工業製ＳＰＩ３８００Ｎ）を用いて、次の判定条件に従ってしわの有無を判定した。
【００９９】
（しわ有無の判定条件）
原子間力顕微鏡を用いて金属基板のＩＴＯ層表面を観察し、ＩＴＯ層表面１００μｍ四方の領域において、長さ２０〜５０μｍで幅５〜１０μｍで高さ１００ｎｍ以上の凸群が観察された場合をしわ有と判定し、観察されなかった場合をしわ無と判定する。
【０１００】
判定結果を表１に示す。
【０１０１】
図２は、Ｎｏ．１の金属基板におけるＩＴＯ層表面の原子間力顕微鏡像であり、ＩＴＯ層表面にしわが無いことを示す。図３は、Ｎｏ．２の金属基板におけるＩＴＯ層表面の原子間力顕微鏡像であり、ＩＴＯ層表面にしわが有ることを示す。
【０１０２】
［３ｍｍ四方の領域における表面粗さの測定］
表面研磨が行われたＮｏ．１〜９の絶縁皮膜積層金属板それぞれの絶縁皮膜に対して、上記原子間力顕微鏡を用いて、次の測定方法に従って３ｍｍ四方の領域における表面粗さＲａ’を測定した。又、Ｎｏ．１〜９の金属基板それぞれのＩＴＯ層に対しても、上記原子間力顕微鏡を用いて３ｍｍ四方の領域における表面粗さＲａ’を測定した。
【０１０３】
（３ｍｍ四方の領域における表面粗さの測定方法）
原子間力顕微鏡を用いて、３ｍｍ四方の領域の四隅及び中央部の５箇所において、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定された算術平均粗さの定義に基づいて、１０μｍ四方の領域の一方向の算術平均粗さＲａ１及びそれに垂直な方向の算術平均粗さＲａ２を測定する。そして、Ｒａ１とＲａ２の平均値を１０μｍ四方の領域の表面粗さＲａ３とする。そして、上記５箇所の１０μｍ四方の領域の表面粗さＲａ３の平均値を３ｍｍ四方の領域における表面粗さＲａ’とする。
【０１０４】
測定結果を表１に示す。
【０１０５】
［Ｎｏ．１〜９の絶縁皮膜積層金属板及び金属基板に対する評価］
Ｎｏ．１、５〜７の絶縁皮膜積層金属板及び金属基板は、本発明で規定する各条件を満足する例である。これらは、ＩＴＯ層表面にしわが無く、３ｍｍ四方の領域における表面粗さＲａ’が１００ｎｍ以下であることを示した。
【０１０６】
一方、Ｎｏ．２〜４、８、９の絶縁皮膜積層金属板及び金属基板は、本発明で規定する条件「ポリオール由来単位の調整平均炭素数が３．４以下であること」を満たさない例である。これらは、ＩＴＯ層表面にしわが有り、３ｍｍ四方の領域における表面粗さＲａ’が１００ｎｍを超えていることを示した。
【０１０７】
【表１】
2018167552.tif 000004
【図１】
2018167552.tif 000007
【図２】
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【図３】
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