(57)【要約】【課題】搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板を提供する。【解決手段】コア基板の表裏面にベース絶縁層を形成し（ベース絶縁層形成ステップＳＴ１）、表裏面のベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化し（表裏平坦化ステップＳＴ２）、レーザー光線またはフォトエッチングによってベース絶縁層に回路パターンとなる溝を形成する（溝形成ステップＳＴ３）。次に、スパッタリング等によりベース絶縁層に金属薄膜を形成し（金属薄膜形成ステップＳＴ４）、金属薄膜を電極としてベース絶縁層の表面に金属をめっき処理により被覆する（金属被覆ステップＳＴ５）。さらに、ベース絶縁層が所定の仕上げ厚さに至るまで金属及びベース絶縁層をバイト工具で削り、金属の回路パターンが露出した平坦な回路パターン層を形成する（回路パターン層形成ステップＳＴ６）。【選択図】図２
2018060906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面に再配線層を備える配線基板の製造方法であって、
コアとなる基板の表裏面に樹脂のベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップと、
表裏面の該ベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化する表裏平坦化ステップと、
レーザー光線またはフォトエッチングによって該ベース絶縁層に回路パターンとなる溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップの後に、該ベース絶縁層の表面に金属を被覆する金属被覆ステップと、
該ベース絶縁層が所定の仕上げ厚さに至るまで該金属及び該ベース絶縁層をバイト工具で削り、該金属の該回路パターンが露出した平坦な回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップと、を備え、
該表裏平坦化ステップと該回路パターン層形成ステップにより平坦な配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
該溝形成ステップの後で該金属被覆ステップの前に、該ベース絶縁層の表面に金属薄膜を被覆し、該金属薄膜を該ベース絶縁層の表面にめっき処理で該金属を被覆する際の電極とすることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
該回路パターン層の上に更に該回路パターン層を積層して形成する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップや各種電気部品を実装して搭載し、これらの電極と他の部品との導通を確保するインターポーザーやプリント配線基板といった再配線層を有する配線基板に関する技術が知られている。例えば、特許文献１には、コア基板の表裏面に導体層と有機絶縁層とを交互に積み上げていくビルドアップ方式のプリント配線板が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、補強材を備えるコア基板の両面に、補強材に樹脂を含浸させてなる第１絶縁層を設け、第１絶縁層でコア基板を補強してから、補強材を含有しない複数の第２絶縁層を積層するプリント配線板が開示されている。このプリント配線板は、コア基板及び第１絶縁層に補強材を含ませたり、第１絶縁層の厚みを各第２絶縁層の厚みよりも厚くしたりすることで、プリント配線板に熱履歴が加わった場合に反りが生じることを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１９６７４３号公開
【特許文献２】特開２０１３−８０８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１、２に記載の配線基板に搭載される半導体チップや各種電気部品は、軽薄短小化が進んでおり、配線基板の電極と接続される電極パッドも小さくなっている。そのため、配線基板が反っていたり平坦でなかったりすると、搭載する半導体チップや各種電気部品の電極と配線基板の電極とを良好に接続することができず、動作不良の要因となってしまう。上述したように、特許文献２に記載のプリント配線板は、熱履歴が加わった際に反りが生じることを抑制しているが、熱履歴による変形を抑制するだけでは、コア基板がもともと反っていたり平坦でなかったりした場合に、配線基板を平坦に形成することができないおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表裏面に再配線層を備える配線基板の製造方法であって、コアとなる基板の表裏面に樹脂のベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップと、表裏面の該ベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化する表裏平坦化ステップと、レーザー光線またはフォトエッチングによって該ベース絶縁層に回路パターンとなる溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの後に、該ベース絶縁層の表面に金属を被覆する金属被覆ステップと、該ベース絶縁層が所定の仕上げ厚さに至るまで該金属及び該ベース絶縁層をバイト工具で削り、該金属の該回路パターンが露出した平坦な回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップと、を備え、該表裏平坦化ステップと該回路パターン層形成ステップにより平坦な配線基板を形成することを特徴とする。
【０００８】
また、該溝形成ステップの後で該金属被覆ステップの前に、該ベース絶縁層の表面に金属薄膜を被覆し、該金属薄膜を該ベース絶縁層の表面にめっき処理で該金属を被覆する際の電極とすることが好ましい。
【０００９】
また、該回路パターン層の上に更に該回路パターン層を積層して形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明にかかる配線基板の製造方法では、コアとなる基板の表面側及び裏面側の双方に形成されたベース絶縁層を平坦化する。この結果、仮にコアとなる基板自体が反っていたり、あるいは、基板の表面に凹凸があったりしても、後に回路パターン層となるベース絶縁層の表面を平坦にすることができる。また、ベース絶縁層上に被覆された金属をベース絶縁層と共に削ることで回路パターンが露出した回路パターン層を形成するため、回路パターン層の表面をより平坦にすることができる。従って、本実施形態にかかる配線基板の製造方法によれば、搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態にかかる配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態にかかる配線基板の製造方法の流れの一部として、各回路パターン層を形成する処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、ベース絶縁層形成ステップによりベース絶縁層を形成したコア基板を示す説明図である。
【図４】図４は、表裏平坦化ステップにおいてベース絶縁層の表面を平坦化する様子を示す説明図である。
【図５】図５は、表裏平坦化ステップにおいてベース絶縁層の表面を平坦化する様子の他の例を示す説明図である。
【図６】図６は、ベース絶縁層が平坦化されたコア基板を示す説明図である。
【図７】図７は、溝形成ステップにおいてベース絶縁層の表面に複数の溝を形成する様子を示す説明図である。
【図８】図８は、金属薄膜形成ステップによりベース絶縁層の表面に金属薄膜を形成したコア基板を示す説明図である。
【図９】図９は、金属被覆ステップによりベース絶縁層上に金属が被覆されたコア基板を示す説明図である。
【図１０】図１０は、回路パターン層形成ステップにおいて金属及びベース絶縁層の一部を切削する様子を示す説明図である。
【図１１】図１１は、第１回路パターン層が形成されたコア基板を示す説明図である。
【図１２】図１２は、変形例にかかる溝形成ステップを実施する様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
本発明の実施形態にかかる配線基板の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態にかかる配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す断面図である。図１に示す配線基板１は、半導体チップや各種電機部品を実装して搭載し、これらの電極と他の部品との導通を確保するインターポーザーやプリント配線基板といった再配線層を有する配線基板である。本実施形態において、配線基板１は、半導体チップを搭載して印刷配線基板に接続されて、半導体チップの電極と印刷配線基板の配線パターンとを予め定められたパターン通りに接続するインターポーザーである。配線基板１は、図１に示すように、コアとなるコア基板１０と、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの双方に形成された再配線層である回路パターン層２０とを備える。
【００１４】
コア基板１０は、例えばガラスエポキシ樹脂やセラミックス、ガラス等で形成される絶縁性（非導電性）の基板である。コア基板１０の厚みは、例えば５０μｍ程度である。本実施形態において、コア基板１０は、図１に示すように、裏面１０ｂ側（図中下側）に凸型を描くように湾曲した形状である。なお、図１を含め、以下に説明する図面においては、コア基板１０が湾曲していることを説明するため、コア基板１０に実際に生じる湾曲度合よりも大きく記載している。
【００１５】
回路パターン層２０は、コア基板１０の表面１０ａ上及び裏面１０ｂ上に形成された第１回路パターン層２１と、第１回路パターン層２１上に形成された第２回路パターン層２２と、第２回路パターン層２２上に形成された第３回路パターン層２３とを有する。なお、回路パターン層２０は、コア基板１０上に少なくとも１層形成されればよく、４層以上形成されてもよい。
【００１６】
第１回路パターン層２１は、絶縁性のベース絶縁層２１ａと、ベース絶縁層２１ａ内に埋め込まれた電極回路としての複数の回路パターン２１ｂとを有する。第２回路パターン層２２は、絶縁性のベース絶縁層２２ａと、ベース絶縁層２２ａ内に埋め込まれた電極回路としての複数の回路パターン２２ｂとを有する。第３回路パターン層２３は、絶縁性のベース絶縁層２３ａと、ベース絶縁層２３ａ内に埋め込まれた電極回路としての複数の回路パターン２３ｂとを有する。
【００１７】
ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａは、樹脂材を含むドライフィルム式の層間絶縁材料であり、味の素ファインテクノ株式会社製の味の素ビルドアップフィルム（以下、「ＡＢＦ」という。）を用いて形成される。本実施形態において、ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａは、ＡＢＦにより構成されるが、ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａを構成するのはＡＢＦに限定されない。ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａは、各回路パターン層２０内において隣り合う回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ同士を絶縁すると共に、各回路パターン層２０間における回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ同士を絶縁する。ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａの厚みは、例えば４０μｍ程度である。
【００１８】
各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂは、例えば銅等の金属で形成される。各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの高さ（回路パターン層の積層方向における高さ）は、例えば１５μｍ〜２０μｍ程度である。各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂは、図１に示すように、所定箇所において電気的に接続されている。最外層に位置する第３回路パターン層２３の回路パターン２３ｂは、配線基板１の外側に露出している。配線基板１の外側に露出した回路パターン２３ｂは、半導体チップの電極又は印刷配線基板の配線パターンに接続されるものである。また、配線基板１は、コア基板１０を表面１０ａから裏面１０ｂまで貫通し、回路パターン層２０に接続する貫通電極を有している。配線基板１は、配線基板１の外側に露出した回路パターン２３ｂが半導体チップの電極又は印刷配線基板の配線パターンに接続され、かつ各回路パターン層２０の回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ同士が所定箇所において電気的に接続されることにより、半導体チップの電極と印刷配線基板の配線パターンとを予め定められたパターンに従って電気的に接続する。
【００１９】
次に、実施形態にかかる配線基板の製造方法について説明する。図２は、実施形態にかかる配線基板の製造方法の流れの一部として、各回路パターン層を形成する処理手順を示すフローチャートである。実施形態にかかる配線基板の製造方法は、図２に示すように、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１と、表裏平坦化ステップＳＴ２と、溝形成ステップＳＴ３と、金属薄膜形成ステップＳＴ４と、金属被覆ステップＳＴ５と、回路パターン層形成ステップＳＴ６とを備える。配線基板１は、図２に示す処理を繰りかえし実施することにより、第１回路パターン層２１、第２回路パターン層２２、及び第３回路パターン層２３が積層して形成される。以下、コア基板１０上に形成される第１回路パターン層２１を形成する場合を例にとって、各回路パターン層の形成手順を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図３は、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１によりベース絶縁層２１ａを形成したコア基板１０を示す説明図であり、図４は、表裏平坦化ステップＳＴ２においてベース絶縁層２１ａの表面を平坦化する様子を示す説明図であり、図５は、表裏平坦化ステップＳＴ２においてベース絶縁層２１ａの表面を平坦化する様子の他の例を示す説明図であり、図６は、ベース絶縁層２１ａが平坦化されたコア基板１０を示す説明図であり、図７は、溝形成ステップＳＴ３においてベース絶縁層２１ａの表面に複数の溝Ｒを形成する様子を示す説明図であり、図８は、金属薄膜形成ステップＳＴ４によりベース絶縁層２１ａの表面に金属薄膜２１ｃを形成したコア基板１０を示す説明図であり、図９は、金属被覆ステップＳＴ５によりベース絶縁層２１ａ上に金属Ｍが被覆されたコア基板１０を示す説明図であり、図１０は、回路パターン層形成ステップＳＴ６において金属Ｍ及びベース絶縁層２１ａの一部を切削する様子を示す説明図であり、図１１は、第１回路パターン層２１が形成されたコア基板１０を示す説明図である。
【００２１】
ベース絶縁層形成ステップＳＴ１は、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂにベース絶縁層２１ａを形成するステップである。ベース絶縁層形成ステップＳＴ１では、図３に示すように、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの双方に味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦを加熱圧着等により固定する。この際、本実施形態のコア基板１０は、裏面１０ｂ側（図中下側）に凸形状を描くように湾曲しているため、図３に示すように、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに固定されたベース絶縁層２１ａのコア基板１０とは反対側の表面２１１ａも、コア基板１０の形状にあわせて湾曲している。
【００２２】
表裏平坦化ステップＳＴ２は、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに形成されたベース絶縁層２１ａの表面２１１ａをバイト工具３１で削り平坦化するステップである。表裏平坦化ステップＳＴ２では、図４に示すように、バイト切削装置３０の金属製のピンチャック等から形成された保持面３２ａを有するチャックテーブル３２に、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの一方側のベース絶縁層２１ａを吸引保持させる。そして、バイト切削装置３０のバイトホイール３３を回転させ、バイトホイール３３を図示しない移動手段により図中下方向に移動させて、バイト工具３１とチャックテーブル３２とを保持面３２ａと平行方向に相対移動させて、バイト工具３１によってベース絶縁層２１ａの表面２１１ａを切削して平坦化する。次に、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの他方側のベース絶縁層２１ａをチャックテーブル３２に吸引保持し、一方側のベース絶縁層２１ａの表面２１１ａをバイト工具３１によって同様に切削して平坦化する。これにより、図６に示すように、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２１ａの表面を平坦に形成することができる。なお、表裏平坦化ステップＳＴ２では、チャックテーブル３１に吸引保持される側のベース絶縁層２１ａの表面に粘着テープ等の保護部材を貼着してもよい。
【００２３】
図４に示す例では、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａをバイト切削装置３０のバイト工具３１で削り平坦化したが、表裏平坦化ステップＳＴ２は、図５に示すように、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａを研削装置５０の研削砥石５１で削り平坦化しても良い。ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａを研削装置５０の研削砥石５１で削り平坦化する場合には、研削装置５０の保持面５２ａを有するチャックテーブル５２にベース絶縁層２１ａを吸引保持し、研削装置５０の研削砥石５１をベース絶縁層２１ａに接触させた状態でチャックテーブル５２を回転させながら、研削ホイール５３を回転させ、研削砥石５１によってベース絶縁層２１ａの表面２１１ａを切削して平坦化する。なお、表裏平坦化ステップＳＴ２において研磨装置５０を用いる場合にも、チャックテーブル５２に吸引保持される側のベース絶縁層２１ａの表面に粘着テープ等の保護部材を貼着してもよい。
【００２４】
また、第１回路パターン層２１を形成する際の表裏平坦化ステップＳＴ２を実施した後には、配線基板１に図示しない貫通電極を形成するため、レーザー光を用いたアブレーション加工をコア基板１０及びベース絶縁層２１ａに施し、コア基板１０自体及びコア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２１ａを貫通する図示しない貫通孔（スルーホール）を形成する。なお、このアブレーション加工は、後述する溝形成ステップＳＴ３において行ってもよい。
【００２５】
溝形成ステップＳＴ３は、レーザー光線によってベース絶縁層２１ａに回路パターン２１ｂとなる溝Ｒを形成するステップである。溝形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０のポーラスセラミック等から形成された保持面４１ａを有するチャックテーブル４１にコア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの一方側のベース絶縁層２１ａを吸引保持させる。そして、図７に示すように、レーザー光線照射部４２から、例えばエキシマレーザー光等のレーザー光線Ｌを予め定められたパターンに従ってベース絶縁層２１ａの所定範囲に照射させ、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａに複数の溝Ｒを形成する。このように、ベース絶縁層２１ａの所定範囲にレーザー光線Ｌを照射することで、複数の溝Ｒをより効率良く形成することができる。また、レーザー加工を用いることで、例えばベース絶縁層２１ａをフォトエッチング可能な樹脂材料で形成し、フォトエッチングにより溝Ｒを形成する場合に比べて、複数の溝Ｒを安価に形成することができる。次に、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの他方側のベース絶縁層２１ａをチャックテーブル４１に吸引保持し、一方側のベース絶縁層２１ａの表面２１１ａに同様にレーザー光線Ｌを照射して複数の溝Ｒを形成する。なお、溝形成ステップＳＴ３においても、チャックテーブル４１に吸引保持される側のベース絶縁層２１ａの表面に粘着テープ等の保護部材を貼着してもよい。
【００２６】
金属薄膜形成ステップＳＴ４は、ベース絶縁層２１ａの表面に金属薄膜２１ｃを形成するステップである。金属薄膜形成ステップＳＴ４では、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２１ａ上に導電性の金属により構成された金属薄膜２１ｃをスパッタリングによって順次被膜する。これにより、図８に示すように、複数の溝Ｒの内部を含めて、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２１ａの表面２１１ａ全体に金属薄膜２１ｃが形成される。この際、図示しない貫通電極用の貫通孔の内面にも金属薄膜２１ｃが形成される。なお、金属薄膜２１ｃは、金属材料からなる半田材等をスクリーン印刷やインクジェット方式の印刷によってベース絶縁層２１ｃ上に形成するものとしてもよい。
【００２７】
金属被覆ステップＳＴ５は、金属薄膜２１ｃを電極として、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａに金属Ｍをめっき処理により被覆するステップである。金属被覆ステップＳＴ５では、溶液内で金属薄膜２１ｃを電極として、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａ上の金属薄膜２１ｃ及び図示しない貫通孔の内面の金属薄膜２１ｃに導電性の金属Ｍを電着させ、図９に示すように、溝Ｒ内に金属Ｍを充填する。この際、図示しない貫通電極用の貫通孔内にも、金属Ｍが充填される。金属被覆ステップＳＴ５では、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２１ａにめっき処理を順次、または同時に施す。これにより、図９に示すように、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方において、複数の溝Ｒの内部を含めて、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａに金属Ｍが被覆される。
【００２８】
回路パターン層形成ステップＳＴ６は、ベース絶縁層２１ａが所定の仕上げ厚さに至るまで金属Ｍ及びベース絶縁層２１ａをバイト工具３１で削り、金属の回路パターン２１ｂが露出した平坦な第１回路パターン層２１を形成するステップである。回路パターン層形成ステップＳＴ６では、図１０に示すように、バイト切削装置３０の金属製のピンチャック等から形成された保持面３２ａを有するチャックテーブル３２に、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの一方側のベース絶縁層２１ａ上に被覆された金属Ｍの表面を吸引保持する。そして、バイト切削装置３０のバイトホイール３３を回転させ、バイトホイール３３とチャックテーブル３２とを保持面３２ａに対して平行方向に相対移動させながら、バイト工具３１によって金属Ｍを切削する。この際、ベース絶縁層２１ａの表層部分を含めて金属Ｍを切削する。次に、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの他方側のベース絶縁層２１ａ上に被覆された金属Ｍの表面をチャックテーブル３２に吸引保持する。そして、一方側のベース絶縁層２１ａに被覆された金属Ｍをバイト工具３１によって同様に切削する。なお、回路パターン層形成ステップＳＴ６においても、チャックテーブル３２に吸引保持される側のベース絶縁層２１ａ上に被覆された金属Ｍの表面に、粘着テープ等の保護部材を貼着してもよい。
【００２９】
これにより、図１１に示すように、コア基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方において、複数の溝Ｒの内部を除いたベース絶縁層２１ａの表面上から金属Ｍ及び金属薄膜２１ｃが除去される。複数の溝Ｒ内に残留した金属Ｍ及び金属薄膜２１ｃは、ベース絶縁層２１ａに埋め込まれた回路パターン２１ｂとなり、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａにおいて露出する。また、図示しない貫通電極用の貫通孔内に残留した金属Ｍ及び金属薄膜２１ｃが貫通電極用の回路パターンとなり、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａにおいて露出する。また、ベース絶縁層２１ａの表面２１１ａと回路パターン２１ｂの露出面２１１ｂとが平坦（面一）に形成される。すなわち、第１回路パターン層２１を平坦に形成することができる。なお、ベース絶縁層２１ａの表層部分の切削量は、複数の溝Ｒの内部を除いたベース絶縁層２１ａの表面２１１ａ上から金属Ｍ及び金属薄膜２１ｃを除去すると共に、第１回路パターン層２１を平坦に形成することさえできれば、できるだけ少ないことが好ましい。それにより、ＡＢＦに含まれるシリカフィラーによって、バイト切削装置３０のバイト工具３１に摩耗やチッピングが発生したり、回路パターン２１ｂの露出面２１１ｂに荒れ（スメア）が発生したりすることを抑制することが可能となる。また、回路パターン層形成ステップＳＴ６は、表裏平坦化ステップＳＴ２と同様に、図５に示す研削装置５０を用いて、ベース絶縁層２１ａが所定の仕上げ厚さに至るまで金属Ｍ及びベース絶縁層２１ａを研削砥石５１で削り、金属の回路パターン２１ｂが露出した平坦な第１回路パターン層２１を形成するものであってもよい。
【００３０】
上記の手順で第１回路パターン層２１を形成した後、再びベース絶縁層形成ステップＳＴ１から回路パターン層形成ステップＳＴ６までの処理を繰り返し実施する。すなわち、第１回路パターン層２１上にＡＢＦを固定してベース絶縁層２２ａを形成し（ベース絶縁層形成ステップＳＴ１）、バイト切削装置３０を用いてベース絶縁層２２ａを平坦化する（表裏平坦化ステップＳＴ２）。次に、レーザー加工装置４０を用いてベース絶縁層２２ａ上に複数の溝Ｒを形成する（溝形成ステップＳＴ３）。そして、スパッタリング等によりベース絶縁層２２ａに金属薄膜を形成し（金属薄膜形成ステップＳＴ４）、金属薄膜を電極としてベース絶縁層２２ａの表面に金属Ｍをめっき処理により被覆する（金属被覆ステップＳＴ５）。さらに、バイト切削装置３０を用いて、ベース絶縁層２２ａの表層部分と共に金属Ｍをバイト工具３１（または研削砥石５１）で削り、第２回路パターン２２ｂが露出した平坦な第２回路パターン層２２を形成する（回路パターン層形成ステップＳＴ６）。これにより、平坦な第１回路パターン層２１上に平坦な第２回路パターン層２２を形成することができる。また、同様の手順により、平坦な第２回路パターン層２２上に平坦な第３回路パターン層２３を形成することができる。その結果、図１に示す平坦な回路パターン層２０を有する配線基板１を形成することができる。
【００３１】
また、図示しない貫通電極用の回路パターン同士を接続する場合を含め、各回路パターン層２０間で回路パターン同士を電気的に接続する際には、図２に示す処理手順において、溝形成ステップＳＴ３でベース絶縁層に下層側の回路パターンが露出する位置まで達する溝Ｒを形成する。それにより、金属薄膜形成ステップＳＴ４において下層側の回路パターンの露出面上に金属薄膜が形成され、金属被覆ステップＳＴ５において当該溝Ｒ内に金属Ｍが充填される。そして、回路パターン層形成ステップＳＴ６により、下層側の回路パターンと接続された回路パターンを形成することができる。また、配線基板１の最外層では、回路パターンの中でも、いわゆる電極パッド部のみが表面において露出する。電極パッド部は、配線基板１と、配線基板１に搭載される半導体チップや配線基板１に接続される他の配線基板とを電気的に接続するための部分である。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態にかかる配線基板の製造方法では、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに形成されたベース絶縁層２１ａを平坦化する（表裏平坦化ステップＳＴ２）。この結果、本実施形態のコア基板１０のようにコア基板１０自体が反って（湾曲して）いたり、あるいは、コア基板１０の表面１０ａまたは裏面１０ｂに凹凸があったりしても、後に回路パターン層２１となるベース絶縁層２１ａの表面を平坦にすることができる。また、ベース絶縁層２１ａ上に被覆された金属Ｍをベース絶縁層２１ａと共に削ることで、回路パターン２１ｂが露出した第１回路パターン層２１を形成するため、第１回路パターン層２１の表面をより平坦にすることができる。従って、本実施形態にかかる配線基板の製造方法によれば、搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板１を得ることが可能となる。
【００３３】
また、溝形成ステップＳＴ３の後で金属被覆ステップＳＴ５の前に、ベース絶縁層２１ａの表面に金属薄膜２１ｃを被覆し（金属薄膜形成ステップＳＴ４）、金属薄膜２１ｃをベース絶縁層２１ａの表面にめっき処理で金属Ｍを被覆する際の電極とする。これにより、ベース絶縁層２１ａ上に回路パターン２１ｂとなる金属Ｍを容易に被覆することができる。
【００３４】
また、回路パターン層の上に更に回路パターン層を積層して形成する。すなわち、図２に示す処理手順を繰り返し実施することにより、平坦な第１回路パターン層２１上に平坦な第２回路パターン層２２を積層して形成し、平坦な第２回路パターン層２２上に平坦な第３回路パターン層２３を積層して形成する。これにより、各層を積層するごとに平坦度が低下してしまうことを良好に抑制することができる。従って、最外層に位置する第３回路パターン層２３の平坦度をより良好に確保して、配線基板１の電極と配線基板１に搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能となる。すなわち、本発明は、配線基板１のような多層配線型の配線基板の製造に好適である。また、各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの表面を平坦化することにより、各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの層間距離（電極高さ）を一定とすることができる。この結果、各回路パターン２１ｂ、２２ｂ、２３ｂにおける抵抗や通信速度の値を一定にすることが可能となる。
【００３５】
本実施形態では、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１においてベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａを味の素ファインテクノ社製のＡＢＦを用いて形成し、溝形成ステップＳＴ３においてベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａにレーザー光線を照射することにより複数の溝Ｒを形成するものとしたが、ベース絶縁層２１ａ、２２ａ、２３ａ及び複数の溝Ｒの形成手法は、これに限られない。図１２は、変形例にかかる溝形成ステップＳＴ３を実施する様子を示す説明図である。
【００３６】
図１２に示すコア基板１０に形成されるベース絶縁層２１ａは、フォトエッチング（フォトリソグラフィ）によってパターニング除去可能な感光性の樹脂材料を含む。例えば、ベース絶縁層２１ａとして、感光性の樹脂材料を含むドライフィルムを用い、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１において、ドライフィルムを加熱圧着によりコア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに固定する。また、ベース絶縁層２１ａとして、例えば感光性を有する液状樹脂を用い、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１において、スピンコートにより液状樹脂をコア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに滴下し、加熱により固定してもよい。第２回路パターン層２２のベース絶縁層２２ａ、第３回路パターン層２３のベース絶縁層２３ａを形成する際も、同様である。
【００３７】
そして、図１２に示す変形例にかかる溝形成ステップＳＴ３では、図中に実線矢印で示すように、複数の溝Ｒに沿ったパターンＰが予め形成されたマスク６０を介して、ベース絶縁層２１ａに光を所定時間に渡って照射する。これにより、マスク６０のパターンＰに沿ってベース絶縁層２１ａの露光した箇所の表面側の一部がパターニング除去され、ベース絶縁層２１ａに複数の溝Ｒが形成される。なお、ベース絶縁層２１ａの露光した箇所以外をパターニング除去するようにフォトエッチング（フォトリソグラフィ）を行う場合は、マスク６０のパターンＰを、複数の溝Ｒ以外の部分に沿った形状に形成しておけばよい。第２回路パターン層２２のベース絶縁層２２ａ、第３回路パターン層２３のベース絶縁層２３ａに複数の溝Ｒを形成する際も、同様である。
【００３８】
このように、ＡＢＦを用いることなく、フォトエッチング（フォトリソグラフィ）によってパターニング除去可能な感光性の樹脂材料でベース絶縁層２１ａ（２２ａ、２３ａ）を形成することにより、回路パターン層形成ステップＳＴ６において、シリカフィラーを含むＡＢＦを切削することでバイト工具３１に摩耗やチッピングが発生したり、回路パターン２１ｂの表面が荒れたりすることを抑制することが可能となる。
【００３９】
なお、本実施形態では、コア基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの双方に回路パターン層２０を形成するものとしたが、本発明は、コア基板１０の何れか一方の面にのみ回路パターン層２０を形成するものにも適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  配線基板
１０  コア基板
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
２０  回路パターン層（再配線層）
２１  第１回路パターン層
２１ａ、２２ａ、２３ａ  ベース絶縁層
２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ  回路パターン
２１１ｂ  露出面
２１ｃ  金属薄膜
２２  第２回路パターン層
２３  第３回路パターン層
３０  バイト切削装置
３１  バイト工具
３２  チャックテーブル
３２ａ  保持面
３３  バイトホイール
４０  レーザー加工装置
４１  チャックテーブル
４１ａ  保持面
４２  レーザー光線照射部
５０  研削装置
５１  切削砥石
５２  チャックテーブル
５２ａ  保持面
６０  マスク
Ｌ  レーザー光線
Ｍ  金属
Ｒ  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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