(57)【要約】【課題】構成を簡素化しつつ検査効率を向上させる。【解決手段】プローブ２１を移動させて基板１００の表面１０１のプロービングポイントにプローブ２１をプロービングさせるプロービング機構１２ａ，１２ｂと、プロービング機構１２ａ，１２ｂを制御すると共にプローブ２１の取り付け誤差および基板１００の位置ずれ量に相当する補正量でプロービングポイントの理論上の座標を補正する補正処理を実行する処理部１７とを備え、処理部１７は、プロービング機構１２ａ，１２ｂを制御して、基板１００の表面１０１にプローブ２１を近接させた状態で表面１０１に形成されている指定導体の理論上の座標を含む領域の上方でプローブ２１を移動させる移動処理を実行し、移動処理の実行中に測定した静電容量Ｃｍの変化に基づいて特定した指定導体の実際の座標と指定導体の理論上の座標との位置ずれ量を補正量として特定して補正処理を実行する。【選択図】図1
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持部と、当該保持部に保持されている前記基板の表面に平行な第１方向および当該表面に対して接離する第２方向にプローブを移動させて当該表面における予め決められたプロービングポイントに当該プローブをプロービングさせるプロービング機構と、当該プロービング機構を制御する制御部と、前記プロービング機構に前記プローブを取り付けたときの取り付け誤差および前記保持部に前記基板を保持させたときの位置ずれ量に相当する補正量で前記プロービングポイントの理論上の座標を補正する補正処理を実行する処理部と、前記プローブを介して入出力した電気信号に基づいて被測定量を測定する測定部と、当該測定部によって測定された前記被測定量を用いて前記基板を検査する検査部とを備えた基板検査装置であって、
前記制御部は、前記プロービング機構を制御して、前記保持部に保持されている検査対象の前記基板の前記表面に前記プローブを近接させた状態で当該表面に形成されている予め指定された指定導体の理論上の座標を含む領域の上方で当該プローブを移動させる移動処理を実行し、
前記測定部は、前記移動処理の実行中に前記被測定量としての静電容量を測定し、
前記処理部は、前記測定部によって測定された前記静電容量の変化に基づいて前記指定導体の実際の座標を特定すると共に、当該特定した実際の座標と前記指定導体の前記理論上の座標との位置ずれ量を前記補正量として特定して前記補正処理を実行する基板検査装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記測定部によって測定された前記静電容量が極大となったときの前記プローブの位置の下方の位置を前記指定導体の実際の座標として特定する請求項１記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記プロービング機構は、前記一対の前記プローブを移動させるように構成され、
前記測定部は、前記移動処理の実行中に前記一対のプローブの間の静電容量を測定する請求項１または２記載の基板検査装置。
【請求項４】
保持部に基板を保持させ、プロービング機構を用いて前記保持部に保持されている前記基板の表面に平行な第１方向および当該表面に対して接離する第２方向にプローブを移動させて当該表面における予め決められたプロービングポイントに当該プローブをプロービングさせる際に、前記プロービング機構に前記プローブを取り付けたときの取り付け誤差および前記保持部に前記基板を保持させたときの位置ずれ量に相当する補正量で前記プロービングポイントの理論上の座標を補正する補正処理を実行し、前記プローブを介して入出力した電気信号に基づいて測定した被測定量を用いて前記基板を検査する基板検査方法であって、
前記プロービング機構を用いて、前記保持部に保持されている検査対象の前記基板の前記表面に前記プローブを近接させた状態で当該表面に形成されている予め指定された指定導体の理論上の座標を含む領域の上方で当該プローブを移動させる移動処理を実行し、
前記移動処理の実行中に測定した前記被測定量としての静電容量の変化に基づいて前記指定導体の実際の座標を特定すると共に、当該特定した実際の座標と前記指定導体の前記理論上の座標との位置ずれ量を前記補正量として特定して前記補正処理を実行する基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にプロービングさせたプローブを介して入出力した電気信号に基づいて測定した被測定量を用いて基板を検査する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板にプロービングさせたプローブを介して入出力する電気信号に基づいて測定した被測定量を用いて基板を検査する基板検査装置では、プロービングポイントにプローブを正確に（確実に）プロービングさせるために、プロービング機構にプローブを取り付けたときの取り付け誤差や基板を保持部に保持させたときの位置ずれ量を補正値として特定し、基板上のプロービングポイントの座標をその補正値で補正する処理が行われる。
【０００３】
プローブの取り付け誤差を特定する基板検査装置として、下記特許文献１において出願人が開示したＸ−Ｙ回路基板検査装置（以下、「第１の基板検査装置」ともいう）が知られている。この第１の基板検査装置では、まず、ボード上に設けられているマークの上方にカメラを移動させてマークを撮像し、次いで、その画像からカメラの取り付け誤差を測定する。続いて、ボード上に打痕シートを配置し、打痕シート上の特定点（予め決められた座標）に向けてプローブを移動させてプロービングさせる。次いで、上記したカメラの取り付け誤差分だけ、カメラの移動量を調整しつつ、特定点の上方にカメラを移動させ、続いて、プロービングによって打痕シートに生じる打痕をカメラで撮像する。続いて、打痕を撮像した画像から打痕の座標を特定すると共に、打痕の座標と特定点の理論上の座標との差分値をプローブの取り付け誤差として特定する。
【０００４】
また、基板の位置ずれ量を特定する基板検査装置として、下記特許文献２において出願人が開示した基板検査装置（以下、「第２の基板検査装置」ともいう）が知られている。この第２の基板検査装置では、まず、検査対象の基板を装置本体に固定し、次いで、基板に設けられているフィデューシャルマークの上方にカメラを配置する。続いて、カメラでフィデューシャルマークを撮像し、その画像からフィデューシャルマークの座標を特定する。次いで、装置本体の規定位置（正しい位置）に基板を固定したときのフィデューシャルマークの理論上の座標と画像から特定したフィデューシャルマークの座標との差分値を基板の位置ずれ量として特定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３３１６５３号公報（第３頁、第１−３図）
【特許文献２】特開２０１０−１６０００６号公報（第４−６頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記した第１の基板検査装置および第２の基板検査装置（従来の基板検査装置）には、改善すべき以下の課題がある。具体的には、第１の基板検査装置では、打痕シートにプローブをプロービングさせて形成した打痕をカメラで撮像し、その画像から特定した打痕の座標と特定点の理論上の座標との差分値をプローブの取り付け誤差として特定している。このように、第１の基板検査装置では、プローブの取り付け誤差を特定するために打痕シート、カメラおよび撮像用の照明を設ける必要があるため、構成が複雑化してコストが上昇することに加えて、プローブの取り付け誤差を特定する処理が煩雑であるため、検査効率の向上が困難であるという課題が存在する。また、第２の基板検査装置では、基板に設けられているフィデューシャルマークを撮像し、その画像から特定したフィデューシャルマークの座標とフィデューシャルマークの理論上の座標との差分値を基板の位置ずれ量として特定している。このように、第２の基板検査装置においても、基板の位置ずれ量を特定するためにカメラおよび撮像用の照明を設ける必要があるため、構成が複雑化してコストが上昇するという課題が存在する。さらに、正確なプロービングを実現するためには、プローブの取り付け誤差および基板の位置ずれ量の双方を特定する必要があり、そのためには、上記した第１の基板検査装置が行う処理および第２の基板検査装置が行う処理の双方を行うこととなり、処理がさらに煩雑となり、検査効率の向上がさらに困難となる。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、構成を簡素化しつつ検査効率を向上し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の基板検査装置は、基板を保持する保持部と、当該保持部に保持されている前記基板の表面に平行な第１方向および当該表面に対して接離する第２方向にプローブを移動させて当該表面における予め決められたプロービングポイントに当該プローブをプロービングさせるプロービング機構と、当該プロービング機構を制御する制御部と、前記プロービング機構に前記プローブを取り付けたときの取り付け誤差および前記保持部に前記基板を保持させたときの位置ずれ量に相当する補正量で前記プロービングポイントの理論上の座標を補正する補正処理を実行する処理部と、前記プローブを介して入出力した電気信号に基づいて被測定量を測定する測定部と、当該測定部によって測定された前記被測定量を用いて前記基板を検査する検査部とを備えた基板検査装置であって、前記制御部は、前記プロービング機構を制御して、前記保持部に保持されている検査対象の前記基板の前記表面に前記プローブを近接させた状態で当該表面に形成されている予め指定された指定導体の理論上の座標を含む領域の上方で当該プローブを移動させる移動処理を実行し、前記測定部は、前記移動処理の実行中に前記被測定量としての静電容量を測定し、前記処理部は、前記測定部によって測定された前記静電容量の変化に基づいて前記指定導体の実際の座標を特定すると共に、当該特定した実際の座標と前記指定導体の前記理論上の座標との位置ずれ量を前記補正量として特定して前記補正処理を実行する。
【０００９】
また、請求項２記載の基板検査装置は、請求項１記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記測定部によって測定された前記静電容量が極大となったときの前記プローブの位置の下方の位置を前記指定導体の実際の座標として特定する。
【００１０】
また、請求項３記載の基板検査装置は、請求項１または２記載の基板検査装置において、前記プロービング機構は、前記一対の前記プローブを移動させるように構成され、前記測定部は、前記移動処理の実行中に前記一対のプローブの間の静電容量を測定する。
【００１１】
また、請求項４記載の基板検査方法は、保持部に基板を保持させ、プロービング機構を用いて前記保持部に保持されている前記基板の表面に平行な第１方向および当該表面に対して接離する第２方向にプローブを移動させて当該表面における予め決められたプロービングポイントに当該プローブをプロービングさせる際に、前記プロービング機構に前記プローブを取り付けたときの取り付け誤差および前記保持部に前記基板を保持させたときの位置ずれ量に相当する補正量で前記プロービングポイントの理論上の座標を補正する補正処理を実行し、前記プローブを介して入出力した電気信号に基づいて測定した被測定量を用いて前記基板を検査する基板検査方法であって、前記プロービング機構を用いて、前記保持部に保持されている検査対象の前記基板の前記表面に前記プローブを近接させた状態で当該表面に形成されている予め指定された指定導体の理論上の座標を含む領域の上方で当該プローブを移動させる移動処理を実行し、前記移動処理の実行中に測定した前記被測定量としての静電容量の変化に基づいて前記指定導体の実際の座標を特定すると共に、当該特定した実際の座標と前記指定導体の前記理論上の座標との位置ずれ量を前記補正量として特定して前記補正処理を実行する。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１記載の基板検査装置、および請求項４記載の基板検査方法によれば、検査対象の基板の表面にプローブを近接させた状態で指定導体の理論上の座標を含む領域の上方でプローブを移動させる移動処理を実行し、移動処理の実行中に測定した静電容量の変化に基づいて指定導体の実際の座標を特定すると共に、指定導体の実際の座標と指定導体の理論上の座標との位置ずれ量を補正量として特定してプロービングポイントの理論上の座標を補正することにより、指定導体を撮像した画像を用いることなく補正量を特定してプロービングポイントの理論上の座標を補正することができる。したがって、この基板検査装置および基板検査方法によれば、指定導体の実際の座標を特定するために指定導体を撮像するカメラや照明を設ける必要がないため、その分、構成を簡素化することができる。また、この基板検査装置および基板検査方法では、プローブを用いて測定した被測定量に基づいて指定導体の実際の座標を特定するため、指定導体の実際の座標と指定導体の理論上の座標との位置ずれ量には、プローブの取り付け誤差と基板の位置ずれ量の双方が含まれている。このため、この基板検査装置および基板検査方法によれば、プローブの取り付け誤差を特定するために、打痕シートにプローブをプロービングさせて形成した打痕を撮像する処理を行うことなく、プローブの取り付け誤差と基板の位置ずれ量の双方が含まれた補正量を特定することができる。したがって、この基板検査装置および基板検査方法によれば、打痕シートを用いてプローブの取り付け誤差を特定する処理を省略することができる結果、その分、検査効率を十分に向上させることができる。
【００１３】
また、この基板検査装置および基板検査方法では、検査のときに実際にプロービングを行うプロービング機構を用いてプローブを移動させ、これによって得た静電容量の変化に基づいて補正量を特定している。つまり、この基板検査装置および基板検査方法では、プロービングの際のプローブの移動条件（移動速度やバックラッシュの量等）と同じ移動条件でプローブを移動させて補正量を特定している。このため、この基板検査装置および基板検査方法では、打痕や指定導体の位置にカメラを移動させて撮像した画像に基づいて補正量を特定する構成および方法のように、カメラの質量とプローブの質量の相違などに起因してプロービングの際のプローブの移動条件と同じ移動条件でカメラを移動させることが困難な構成および方法と比較して、プロービングの際のプローブの移動条件に適合した正確な補正量を特定することができる。したがって、この基板検査装置および基板検査方法によれば、微細な導体パターンやパットにプロービングポイントが規定されている場合であっても、そのプロービングポイントの理論上の座標を補正して実際の座標を正確に算出することができる結果、このような微細な導体パターンやパットに規定されているプロービングポイントにプローブを確実にプロービングさせることができる。
【００１４】
また、請求項２記載の基板検査装置によれば、測定部によって測定された静電容量が極大となったときのプローブの位置の下方の位置を指定導体の実際の座標として特定することにより、指定導体の実際の座標を正確に特定することができる結果、プロービングポイントの座標をより正確に補正することができる。
【００１５】
また、請求項３記載の基板検査装置によれば、プロービング機構が一対のプローブを移動させ、測定部が移動処理の実行中に一対のプローブの間の静電容量を測定することにより、２つのプロービング機構が一対のプローブをそれぞれ移動させてプロービングを行う４端子法で測定した被測定量に基づいて基板を検査する構成において、指定導体の実際の座標を静電容量の変化に基づいて正確に特定することができる。このため、この基板検査装置によれば、４端子法で被測定量を測定する際に一対のプローブをプロービングさせるプロービングポイントの理論上の座標を正確に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】基板検査装置１の構成を示す構成図である。
【図２】補正処理５０のフローチャートである。
【図３】補正処理５０を説明する第１の説明図である。
【図４】補正処理５０を説明する第２の説明図である。
【図５】検査処理を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１８】
最初に、基板検査装置の一例としての図１に示す基板検査装置１の構成について説明する。基板検査装置１は、同図に示すように、保持部１１、プロービング機構１２ａ，１２ｂ（以下、プロービング機構１２ａ，１２ｂを区別しないときには「プロービング機構１２」ともいう）、測定部１３、記憶部１４、表示部１５、操作部１６および処理部１７を備えて、基板１００を検査可能に構成されている。この場合、基板検査装置１は、一例として、基板１００についての被測定量を４端子法で測定し、その測定値を用いて基板１００を検査する。
【００１９】
保持部１１は、図１に示すように、載置面１１ａに載置された基板１００を図外のクランプで固定して保持可能に構成されている。
【００２０】
各プロービング機構１２は、処理部１７の制御に従い、保持部１１に保持されている基板１００の表面１０１（保持部１１の載置面１１ａ）に平行な第１方向（以下、「ＸＹ方向」ともいう：図３参照）、および載置面１１ａに対して接離する第２方向（例えば、載置面１１ａに対して垂直な方向であって、以下、「Ｚ方向」ともいう：同図参照）にプローブ２１を移動させて、基板１００の表面１０１における予め決められたプロービングポイントにプローブ２１をプロービング（接触）させる。
【００２１】
また、この基板検査装置１では、上記したように４端子法で被測定量を測定するため、被測定量の測定には４つのプローブ２１が用いられる。このため、各プロービング機構１２は、図３に示すように、僅かに離間して隣接した状態の一対のプローブ２１をそれぞれ移動させる。なお、以下の説明において、プロービング機構１２ａが移動させる一対のプローブ２１をプローブ２１ａ，２１ｂともいい、プロービング機構１２ｂが移動させる一対のプローブ２１をプローブ２１ｃ，２１ｄともいう。
【００２２】
測定部１３は、処理部１７の指示に従い、プローブ２１を介して入出力した電気信号に基づいて被測定量を測定する測定処理を実行する。具体的には、測定部１３は、処理部１７によって実行される後述する補正処理５０（図２参照）において用いられる静電容量Ｃｍを被測定量として測定する。この場合、測定部１３は、プロービング機構１２によって移動させられる一対のプローブ２１の間の静電容量Ｃｍを測定する。また、測定部１３は、処理部１７によって実行される後述する検査処理において用いられている抵抗値Ｒｍを被測定量として測定する。
【００２３】
記憶部１４は、測定部１３によって測定された静電容量Ｃｍおよび抵抗値Ｒｍを記憶する。また、記憶部１４は、基板１００の表面１０１に予め規定されているプロービングポイントの理論上の座標Ａｐｔを記憶する。この場合、プロービングポイントは、一例として基板１００の表面１０１に形成されている導体パターン１０２（図５参照）上に規定されている。なお、理論上の座標Ａｐｔは、基板１００が保持部１１の載置面１１ａにおける規定位置に正確に配置されて保持されている状態におけるプロービングポイントの位置を示す座標に相当する。また、記憶部１４は、補正処理５０において処理部１７によって補正されたプロービングポイントの座標Ａｐｒを記憶する。また、記憶部１４は、補正処理５０における後述する特定処理において処理部１７によって特定された補正量Ｄｒを記憶する。
【００２４】
また、記憶部１４は、基板１００の表面１０１に形成されている指定導体としてのフィデューシャルマークＭの理論上の座標Ａｆｔを記憶する。この場合、フィデューシャルマークＭは、一例として、平面視円形の導体で構成されている。なお、理論上の座標Ａｆｔは、基板１００が保持部１１の載置面１１ａにおける規定位置に正確に配置されて保持されている状態におけるフィデューシャルマークＭの中心（図心）の位置を示す座標に相当する。
【００２５】
表示部１５は、処理部１７によって実行される検査処理の結果（検査結果）を表示する。操作部１６は、スイッチやキーなどを備えて構成され、これらが操作されたときに操作信号を出力する。
【００２６】
処理部１７は、操作部１６から出力される操作信号に従って基板検査装置１を構成する各部を制御すると共に、各種の処理を実行する。具体的には、処理部１７は、制御部として機能し、プロービング機構１２を制御する。この場合、処理部１７は、後述する補正処理５０において用いる補正量Ｄｒを特定する際に、プロービング機構１２を制御して、保持部１１に保持されている検査対象の基板１００の表面１０１にプローブ２１を近接させた状態で、表面１０１に形成されているフィデューシャルマークＭ（指定導体）の座標Ａｆｔを含む予め決められた大きさの領域Ｂ（例えば、座標Ａｆｔを中心としてフィデューシャルマークＭの半径の５倍程度の領域：図３参照）の上方でプローブ２１を移動させる移動処理を実行する。
【００２７】
また、処理部１７は、プロービング機構１２にプローブ２１を取り付けたときの取り付け誤差（予め決められた取り付け位置からの離間距離）、および保持部１１に基板１００を保持させたときの位置ずれ量（予め決められた保持位置からの離間距離）に相当する補正量Ｄｒだけプロービングポイントの理論上の座標Ａｐｔを補正する補正処理５０を実行する。また、処理部１７は、測定部１３によって測定された被測定量としての静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを特定すると共に、座標Ａｆｒと座標Ａｆｔ（理論上の座標）との位置ずれ量（離間距離）を上記した補正量Ｄｒとして特定する。この場合、処理部１７は、測定部１３によって測定された静電容量Ｃｍが極大となったときのプローブ２１の位置の下方の位置の座標をフィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒ（実際の座標）として特定する。
【００２８】
また、処理部１７は、検査部として機能し、測定部１３によって測定された被測定量を用いて基板１００を検査する（基板１００の良否を判定する）検査処理を実行する。
【００２９】
次に、基板検査装置１を用いて基板１００を検査する基板検査方法について説明する。
【００３０】
まず、図１に示すように、検査対象の基板１００を保持部１１の載置面１１ａに載置し、次いで、図外のクランプで基板１００を固定する。
【００３１】
ここで、この基板検査装置１では、基板１００の表面１０１に規定されているプロービングポイントにプローブ２１をプロービングさせて基板１００の検査を行うが、プロービングポイントにプローブ２１を正確に（確実に）プロービングさせるためには、プロービング機構１２にプローブ２１を取り付けたときの取り付け誤差や基板１００を保持部１１に保持させたときの位置ずれ量に相当する補正量Ｄｒを特定し、プロービングポイントの座標を補正量Ｄｒで補正する必要がある。このため、基板１００の検査に先立ち、操作部１６を操作してプロービングポイントの座標の補正の実行を指示し、これに応じて、処理部１７が図２に示す補正処理５０を実行する。
【００３２】
この補正処理５０では、処理部１７は、まず、基板１００の表面１０１に形成されているフィデューシャルマークＭ（指定導体）の理論上の座標Ａｆｔを記憶部１４から読み出す（ステップ５１）。
【００３３】
続いて、処理部１７は、移動処理を実行すると共に、測定部１３に測定処理の実行を指示する（ステップ５２）。処理部１７は、移動処理において、プロービング機構１２ａ（２つのプロービング機構１２のいずれか一方）を制御して、図３に示すように、プローブ２１ａ，２１ｂをＺ方向に移動させて、基板１００の表面１０１に近接させる（一例として、表面１０１から１ｍｍ程度上方に位置させる）。次いで、処理部１７は、プロービング機構１２ａを制御して、同図に示すように、プローブ２１ａ，２１ｂを表面１０１に近接させた状態で、座標Ａｆｔを含む予め決められた大きさ（例えば、座標Ａｆｔを中心としてフィデューシャルマークＭの半径の５倍程度）の領域Ｂの上方でプローブ２１をＸＹ方向に移動させる。
【００３４】
また、測定部１３は、測定処理において、プロービング機構１２ａによって移動させられているプローブ２１ａ，２１ｂ間に測定用の電気信号（交流電流）を出力すると共に、その際にプローブ２１ａ，２１ｂ間に生じる電気信号（電圧）を入力し、電流の電流値、電圧の電圧値、および電流および電圧の位相差に基づいて、プローブ２１ａ，２１ｂの間の静電容量Ｃｍを測定する。この場合、測定部１３は、処理部１７によって測定処理の終了の指示されるまで（プロービング機構１２ａがプローブ２１ａ，２１ｂを移動させている間）、プローブ２１ａ，２１ｂが予め規定された規定距離だけ移動するごとに静電容量Ｃｍを測定する。また、処理部１７は、規定距離だけ移動するごとに測定された静電容量Ｃｍを記憶部１４に記憶させる。
【００３５】
続いて、処理部１７は、プロービング機構１２ａに対する制御と同様にしてプロービング機構１２ｂ（２つのプロービング機構１２の他方）を制御して、プローブ２１ｃ，２１ｄを基板１００の表面１０１に近接させた状態で、領域Ｂの上方でプローブ２１ｃ，２１ｄを移動させる。また、処理部１７は、測定部１３に対して、プローブ２１ａ，２１ｂの間の静電容量Ｃｍの測定と同様にして、プローブ２１ｃ，２１ｄの間の静電容量Ｃｍを測定させ、プローブ２１ｃ，２１ｄが規定距離だけ移動するごとに測定された静電容量Ｃｍを記憶部１４に記憶させる。
【００３６】
次いで、処理部１７は、補正量Ｄｒを特定する特定処理を実行する（ステップ５３）。この特定処理では、処理部１７は、プロービング機構１２ａによってプローブ２１ａ，２１ｂが規定距離だけ移動するごとに測定された静電容量Ｃｍを記憶部１４から読み出す。続いて、処理部１７は、プローブ２１ａ，２１ｂの移動に伴う静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを特定する。
【００３７】
この場合、測定部１３によって測定されるプローブ２１ａ，２１ｂの間の静電容量Ｃｍは、図４に示すように、プローブ２１ａ，２１ｂがフィデューシャルマークＭに近づくに従い、プローブ２１ａ，２１ｂとフィデューシャルマークＭとの間の静電容量が加わることによって大きくなる。そして、プローブ２１ａ，２１ｂの間の中間位置が、フィデューシャルマークＭの中心（重心）の座標（つまり、実際の座標Ａｆｒ）の上方に位置したときに、測定部１３によって測定される静電容量Ｃｍが極大となる。したがって、処理部１７は、同図に示すように、静電容量Ｃｍが極大となったときのプローブ２１ａ，２１ｂの位置（具体的には、プローブ２１ａ，２１ｂの間の中間位置）の下方の位置の座標をプロービング機構１２ａによるプローブ２１ａ，２１ｂの移動量から算出し、その座標をフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒとして特定する。次いで、処理部１７は、図３に示すように、座標Ａｆｒ（実際の座標：実線のフィデューシャルマークＭの中心（重心）の座標）と座標Ａｆｔ（理論上の座標：破線のフィデューシャルマークＭの中心（重心）の座標）との位置ずれ量（離間距離）をプロービング機構１２ａ用の補正量Ｄｒとして特定して記憶部１４に記憶させる。
【００３８】
続いて、処理部１７は、プロービング機構１２ａ用の補正量Ｄｒの特定と同様にして、プロービング機構１２ｂによってプローブ２１ｃ，２１ｄが規定距離だけ移動するごとに測定された静電容量Ｃｍを記憶部１４から読み出す。次いで、処理部１７は、静電容量Ｃｍが極大となったときのプローブ２１ｃ，２１ｄの位置（プローブ２１ｃ，２１ｄの間の中間位置）の下方の位置の座標を、プロービング機構１２ｂによるプローブ２１ｃ，２１ｄの移動量から算出し、その座標をフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒとして特定する。続いて、処理部１７は、座標Ａｆｒ（実際の座標）と座標Ａｆｔ（理論上の座標）との位置ずれ量（離間距離）をプロービング機構１２ｂ用の補正量Ｄｒとして特定して記憶部１４に記憶させる。これにより、補正量Ｄｒを特定する特定処理が終了する。
【００３９】
この場合、この基板検査装置１および基板検査方法では、上記したように、検査対象の基板１００のフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを、検査用のプローブ２１を用いて測定した被測定量に基づいて特定することができる。このため、この基板検査装置１および基板検査方法では、フィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒを特定するためのカメラや撮像用の照明を設ける必要がないため、その分、構成を簡素化することが可能となっている。また、プローブ２１を用いて測定した被測定量に基づいて座標Ａｆｒを特定しているため、座標Ａｆｒと座標Ａｆｔとの位置ずれ量には、プローブ２１の取り付け誤差と基板１００の位置ずれ量の双方が含まれている。このため、プローブ２１の取り付け誤差を特定するために、打痕シートにプローブ２１をプロービングさせることで形成した打痕を撮像する処理を行う必要がないため、その分、検査効率を十分に向上させることが可能となっている。
【００４０】
次いで、処理部１７は、プロービング機構１２ａによってプローブ２１ａ，２１ｂをプロービングさせるプロービングポイント（以下、「プロービング機構１２ａ用のプロービングポイント」ともいう）の座標Ａｐｔ（理論上の座標）、およびプロービング機構１２ｂによってプローブ２１ｃ，２１ｄをプロービングさせるプロービングポイント（以下、「プロービング機構１２ｂ用のプロービングポイント」ともいう）の座標Ａｐｔを記憶部１４から読み出す（ステップ５４）。
【００４１】
続いて、処理部１７は、特定処理で特定して記憶部１４に記憶されているプロービング機構１２ａ用の補正量Ｄｒを、プロービング機構１２ａ用のプロービングポイントの座標Ａｐｔに増減して座標Ａｐｔを補正して、プロービング機構１２ａ用のプロービングポイントの実際の座標Ａｐｒを算出する。また、処理部１７は、特定処理で特定して記憶部１４に記憶されているプロービング機構１２ｂ用の補正量Ｄｒを、プロービング機構１２ｂ用のプロービングポイントの座標Ａｐｔに増減して座標Ａｐｔを補正して、プロービング機構１２ｂ用のプロービングポイントの実際の座標Ａｐｒを算出する（ステップ５５）。
【００４２】
次いで、処理部１７は、算出した各座標Ａｐｒを記憶部１４に記憶させる（ステップ５６）。以上により、プロービングポイントの座標を補正する補正処理５０が完了する。
【００４３】
続いて、操作部１６を操作して、処理部１７に対して検査処理の実行を指示する。この検査処理では、処理部１７は、プローブ２１ａ，２１ｂをプロービングさせるプロービングポイントの座標Ａｐｒ（補正後の座標）、およびプローブ２１ｃ，２１ｄをプロービングさせるプロービングポイントの座標Ａｐｒを記憶部１４から読み出す。この場合、処理部１７は、例えば、図５に示すように、基板１００に形成されている導体パターン１０２の導通状態を検査するためのプロービングポイントとして２つのプロービングポイントの各座標Ａｐｒ１，Ａｐｒ２を読み出したものとする。なお、同図において、導体パターン１０２の理論上の位置およびプロービングポイントの理論上の座標Ａｐｔ，Ａｐｔを破線で示す。
【００４４】
次いで、処理部１７は、プロービング機構１２ａ，１２ｂを制御して、図５に示すように、各座標Ａｐｒ１，Ａｐｒ２に向けて各プローブ２１をＸＹ方向およびＺ方向に移動させ、各プロービングポイントに各プローブ２１をプロービングさせる。
【００４５】
続いて、処理部１７は、測定部１３に対して測定処理の実行を指示する。この場合、測定部１３は、例えば、プローブ２１ａ，２１ｄ間に電流（直流定電流）を出力すると共に、その際にプローブ２１ｂ，２１ｃ間に生じる電圧を入力し、電流の電流値および電圧の電圧値に基づいて、導体パターン１０２の抵抗値Ｒｍ（被測定量）を測定する。
【００４６】
次いで、処理部１７は、測定部１３によって測定された抵抗値Ｒｍと基準値とを比較して導体パターン１０２の導通状態の良否を判定する。具体的には、処理部１７は、抵抗値Ｒｍが基準値未満のときには、導体パターン１０２の導通状態が良好と判定し、抵抗値Ｒｍが基準値以上のときには、導体パターン１０２の導通状態が不良と判定する。
【００４７】
続いて、処理部１７は、次に検査すべき導体パターン１０２についてのプロービングポイントの座標Ａｐｒを読み出し、次いで、プロービング機構１２ａ，１２ｂを制御して、各プロービングポイントに各プローブ２１をプロービングさせる。続いて、処理部１７は、測定部１３に対して測定処理の実行を指示し、次いで、測定部１３によって測定された抵抗値Ｒｍと基準値とを比較して導体パターン１０２の導通状態の良否を判定する。以下、同様にして、処理部１７は、各導体パターン１０２の導通状態の良否を判定する。
【００４８】
続いて、すべての導体パターン１０２の導通状態の良否を判定が終了したときには、処理部１７は、各導体パターン１０２の導通状態の良否の判定結果に基づいて基板１００の良否を判定する。この場合、処理部１７は、すべての導体パターン１０２の導通状態が良好のときには、基板１００が良好であると判定し、１つ以上の導体パターン１０２の導通状態が不良のときには、基板１００が不良であると判定する。次いで、処理部１７は、判定結果（検査結果）を表示部１５に表示させる。以上により、基板１００の検査が終了する。この場合、上記したように、プロービングポイントの座標を補正したことで、各プロービングポイントにプローブ２１を正確に（確実に）プロービングさせることができる結果、検査を正確に行うことが可能となっている。
【００４９】
このように、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、検査対象の基板１００の表面１０１にプローブ２１を近接させた状態でフィデューシャルマークＭの理論上の座標Ａｆｔを含む領域Ｂの上方でプローブ２１を移動させる移動処理を実行し、移動処理の実行中に測定した静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを特定すると共に、座標Ａｆｒと座標Ａｆｔとの位置ずれ量を補正量Ｄｒとして特定してプロービングポイントの理論上の座標Ａｐｔを補正することにより、フィデューシャルマークＭを撮像した画像を用いることなく補正量Ｄｒを特定してプロービングポイントの座標Ａｐｔを補正することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、フィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒを特定するためにフィデューシャルマークＭを撮像するカメラや照明を設ける必要がないため、その分、構成を簡素化することができる。また、この基板検査装置１および基板検査方法では、プローブ２１を用いて測定した被測定量に基づいて座標Ａｆｒを特定するため、座標Ａｆｒと座標Ａｆｔとの位置ずれ量には、プローブ２１の取り付け誤差と基板１００の位置ずれ量の双方が含まれている。このため、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、プローブ２１の取り付け誤差を特定するために、打痕シートにプローブ２１をプロービングさせて形成した打痕を撮像する処理を行うことなく、プローブ２１の取り付け誤差と基板１００の位置ずれ量の双方が含まれた補正量Ｄｒを特定することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、打痕シートを用いてプローブ２１の取り付け誤差を特定する処理を省略することができる結果、その分、検査効率を十分に向上させることができる。
【００５０】
また、この基板検査装置１および基板検査方法では、検査のときに実際にプロービングを行うプロービング機構１２を用いてプローブ２１を移動させ、これによって得た静電容量の変化に基づいて補正量Ｄｒを特定している。つまり、この基板検査装置１および基板検査方法では、プロービングの際のプローブ２１の移動条件（移動速度やバックラッシュの量等）と同じ移動条件でプローブ２１を移動させて補正量Ｄｒを特定している。このため、この基板検査装置１および基板検査方法では、打痕やフィデューシャルマークＭの位置にカメラを移動させて撮像した画像に基づいて補正量Ｄｒを特定する構成および方法のようにカメラの質量とプローブ２１の質量の相違などに起因してプロービングの際のプローブ２１の移動条件と同じ移動条件でカメラを移動させることが困難な構成および方法と比較して、プロービングの際のプローブ２１の移動条件に適合した正確な補正量Ｄｒを特定することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、微細な導体パターン１０２やパットにプロービングポイントが規定されている場合であっても、そのプロービングポイントの理論上の座標Ａｐｔを補正して実際の座標Ａｐｒを正確に算出することができる結果、このような微細な導体パターン１０２やパットに規定されているプロービングポイントにプローブ２１を確実にプロービングさせることができる。
【００５１】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、測定した静電容量Ｃｍが極大となったときのプローブ２１の位置の下方の位置をフィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒとして特定することにより、フィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを正確に特定することができる結果、プロービングポイントの座標Ａｐｔをより正確に補正することができる。
【００５２】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、プロービング機構１２が一対のプローブ２１を移動させ、測定部１３が移動処理の実行中に一対のプローブ２１の間の静電容量Ｃｍを測定することにより、２つのプロービング機構１２が一対のプローブ２１をそれぞれ移動させてプロービングを行う４端子法で測定した被測定量に基づいて基板１００を検査する構成において、フィデューシャルマークＭの実際の座標Ａｆｒを静電容量Ｃｍの変化に基づいて正確に特定することができる。このため、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、４端子法で被測定量を測定する際に一対のプローブ２１をプロービングさせるプロービングポイントの座標Ａｐｔを正確に補正することができる。
【００５３】
なお、基板検査装置および基板検査方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、４端子法で被測定量の測定を行い、その被測定量に基づいて基板１００を検査する構成および方法に適用した例について上記したが、２端子法で被測定量の測定を行い、その被測定量に基づいて基板１００を検査する構成および方法に適用することもできる。この場合、１つのプロービング機構１２が一対のプローブ２１を移動させる上記の構成および方法（４端子法で測定を行う構成および方法）では、一対のプローブ２１の間の静電容量Ｃｍを測定してその静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒ（実際の座標）を特定するが、１つのプロービング機構１２が１つのプローブ２１を移動させる構成および方法（２端子法で測定を行う構成および方法）では、１つのプローブ２１とフィデューシャルマークＭ（指定導体）との間の静電容量Ｃｍを測定してその静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒを特定することができる。また、１つのプローブ２１を移動させるプロービング機構１２を２つ備えた構成および方法（２端子法で測定を行う構成および方法）では、２つのプロービング機構１２の各プローブ２１の間の静電容量Ｃｍを測定してその静電容量Ｃｍの変化に基づいてフィデューシャルマークＭの座標Ａｆｒを特定してもよい。
【００５４】
また、プローブ２１が規定距離だけ移動するごとに測定された各静電容量Ｃｍと、各静電容量Ｃｍが測定されたときにプローブ２１が位置していた座標とを定量的に処理して得た座標を座標Ａｆｒとして特定することもできる。一例として、静電容量Ｃｍの極大値に予め決められた率（例えば、８０％）を乗じた値以上の静電容量Ｃｍが測定された位置が複数存在するときに、各位置の重心の位置を求め、その重心の位置の座標を座標Ａｆｒとして特定することができる。
【００５５】
また、基板１００に形成されているフィデューシャルマークＭを指定導体として用いる例について上記したが、導体パターン、ビア（スルーホール）およびパットを指定導体として用いる構成および方法を採用することもできる。
【００５６】
また、基板１００の表面１０１（載置面１１ａ）に対して垂直な方向を第２方向としてプローブ２１を移動させる例について上記したが、表面１０１に対して傾斜する方向を第２方向としてプローブ２１を移動させる構成および方法を採用することもできる。
【００５７】
また、処理部１７が制御部および検査部としても機能する例（処理部、制御部および検査部を一体とした構成例）について上記したが、処理部、制御部および検査部を別体とする構成を採用することもできる。また、処理部、制御部および検査部のうちの任意の２つを一体とする構成を採用することもできる。
【００５８】
また、測定部１３が検査に用いる被測定量としての抵抗値Ｒｍを測定し、処理部１７が測定部１３によって測定された抵抗値Ｒｍを用いて基板１００を検査する例について上記したが、検査に用いる被測定量は、抵抗値Ｒｍに限定されない。例えば、電圧値、電流値、インピーダンス値および容量値などを測定部１３が被測定量として測定し、これらの被測定量を用いて処理部１７が基板１００を検査する構成および方法を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５９】
１  基板検査装置
１１  保持部
１２ａ，１２ｂ  プロービング機構
１３  測定部
１７  処理部
２１ａ〜２１ｄ  プローブ
１００  基板
１０１  表面
Ａｆｒ，Ａｆｔ，Ａｐｒ，Ａｐｔ  座標
Ｂ  領域
Ｃｍ  静電容量
Ｄｒ  補正量
Ｍ  フィデューシャルマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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