(57)【要約】【課題】基板を搬送するとともに吐出口から塗布液を吐出するノズルを基板の搬送方向において移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布技術において、基板に塗布された塗布液の厚みを均一化する。【解決手段】静止した基板の搬送開始後に基板の搬送を加速させるとともに静止したノズルの移動開始後にノズルの移動を加速させてノズルに対して基板を相対移動させ、吐出口からの塗布液の吐出開始後に塗布液の吐出を加速してノズルに対して相対移動する基板に塗布液を塗布させ、塗布液の吐出開始時における吐出口から吐出される塗布液の吐出速度の変化特性に応じて基板の搬送開始タイミングおよびノズルの移動開始タイミングを相対的にずらす。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液を基板に向けて吐出する吐出口を有するノズルと、
前記基板を搬送させる基板搬送部と、
前記基板の搬送方向において前記ノズルを移動させるノズル移動部と、
前記ノズルの吐出口から前記塗布液を前記基板に向けて吐出させるポンプと、
前記基板搬送部による前記基板の搬送、前記ノズル移動部による前記ノズルの移動および前記ポンプによる前記吐出口からの前記塗布液の吐出を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
静止した前記基板の搬送開始後に前記基板の搬送を加速させるとともに静止した前記ノズルの移動開始後に前記ノズルの移動を加速させて前記ノズルに対して前記基板を相対移動させ、
前記吐出口からの前記塗布液の吐出開始後に前記塗布液の吐出を加速して前記ノズルに対して相対移動する前記基板に前記塗布液を塗布させ、
前記塗布液の吐出開始時における前記吐出口から吐出される前記塗布液の吐出速度の変化特性に応じて前記基板の搬送開始タイミングおよび前記ノズルの移動開始タイミングを相対的にずらす、
ことを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記制御部は、
前記基板の搬送開始後に前記基板の搬送速度が目標搬送速度に到達した時点で前記基板の搬送の加速を停止させ、
前記ノズルの移動開始後に前記ノズルの移動速度が目標移動速度に到達した時点で前記ノズルの移動の加速を停止させ、
前記塗布液の吐出開始後に前記吐出速度が目標吐出速度に到達した時点で前記塗布液の吐出の加速を停止させ、
前記塗布液の吐出の加速停止時における前記吐出速度の変化特性に応じて前記基板の搬送の加速停止タイミングおよび前記ノズルの移動の加速停止タイミングを相対的にずらす塗布装置。
【請求項３】
塗布液を基板に向けて吐出する吐出口を有するノズルと、
前記基板を移動させる基板搬送部と、
前記基板搬送部による前記基板の搬送方向において前記ノズルを移動させるノズル移動部と、
前記ノズルの吐出口から前記塗布液を前記基板に向けて吐出させるポンプと、
前記基板搬送部による前記基板の搬送、前記ノズル移動部による前記ノズルの移動および前記ポンプによる前記吐出口からの前記塗布液の吐出を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板の搬送速度が目標搬送速度に到達するまで前記基板の搬送が加速するとともに前記ノズルの移動速度が目標移動速度に到達するまで前記ノズルの移動が加速するように前記ノズルに対して前記基板を相対移動させ、前記吐出口からの前記塗布液の吐出速度が目標移動速度に到達するまで前記塗布液の吐出を加速させて前記ノズルに対して相対移動する前記基板に前記塗布液を塗布し、
前記塗布液の吐出の加速停止時における前記吐出速度の変化特性に応じて前記基板の搬送の加速停止タイミングおよび前記ノズルの移動の加速停止タイミングをずらすことを特徴とする塗布装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の塗布装置であって、
前記制御部は、前記基板に塗布される前記塗布液の厚みが増大するにしたがって前記基板の搬送開始タイミングと前記ノズルの移動開始タイミングとのズレ量を増大させる塗布装置。
【請求項５】
請求項２または３に記載の塗布装置であって、
前記制御部は、前記基板に塗布される前記塗布液の厚みが増大するにしたがって前記基板の搬送の加速停止タイミングと前記ノズルの移動の加速停止タイミングとのズレ量を増大させる塗布装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記基板の搬送を加速している間における前記基板の搬送速度の変化を示す搬送速度曲線と、前記ノズルの移動を加速している間における前記ノズルの移動速度の変化を示す移動速度曲線とを合成した曲線を相対移動曲線とし、
前記塗布液の吐出を加速している間における前記塗布液の吐出速度の変化を示す曲線を吐出速度曲線とし、
前記制御部は、前記基板の搬送、前記ノズルの移動および前記塗布液の吐出の少なくとも一つを調整して前記相対移動曲線と前記吐出速度曲線とを一致させる塗布装置。
【請求項７】
静止した基板に対してノズルの吐出口を対向させた状態で前記ノズルを静止させる第１工程と、
静止した前記基板の搬送方向への移動開始後に前記基板の搬送を加速させるとともに静止した前記ノズルの前記搬送方向における移動開始後に前記ノズルの移動を加速させて前記ノズルに対して前記基板を相対移動させる第２工程と、
前記吐出口からの塗布液の吐出を開始した後に前記塗布液の吐出を加速して前記ノズルに対して相対移動する前記基板に前記塗布液を塗布させる第３工程と、を備え、
前記第２工程では、前記塗布液の吐出開始時において前記吐出口から吐出される前記塗布液の吐出速度の変化特性に応じて前記基板の搬送開始と前記ノズルの移動開始とが相対的にずれている、
ことを特徴とする塗布方法。
【請求項８】
静止した基板に対してノズルの吐出口を対向させた状態で前記ノズルを静止させる第１工程と、
前記基板の搬送方向への移動開始後に前記基板の搬送速度が目標搬送速度に到達するまで前記基板の搬送が加速するとともに前記搬送方向における前記ノズルの移動開始後に前記ノズルの移動速度が目標移動速度に到達するまで前記ノズルの移動が加速するように前記ノズルに対して前記基板を相対移動させる第２工程と、
前記吐出口からの塗布液の吐出速度が目標移動速度に到達するまで前記塗布液の吐出を加速させて前記ノズルに対して相対移動する前記基板に前記塗布液を塗布させる第３工程と、を備え、
前記第２工程では、前記塗布液の吐出の加速停止時における前記吐出速度の変化特性に応じて前記基板の搬送の加速停止タイミングと前記ノズルの移動の加速停止タイミングとを相互にずらす、
ことを特徴とする塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を搬送するとともに吐出口から塗布液を吐出するノズルを基板の搬送方向において移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布装置および塗布方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の表面にレジスト液（本発明の「塗布液」の一例に相当）を塗布する塗布装置が用いられている。例えば特許文献１に記載の塗布装置では、基板の裏面に気体を吹き付けて基板を浮上させた状態で当該基板を搬送する。また、この基板の搬送方向において長尺型ノズルを移動させ、当該長尺型ノズルに対して基板を相対的に搬送する。そして、このように相対移動する基板の表面に対して長尺型ノズルからレジスト液を吐出して基板のほぼ全体にレジスト液を塗布する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４５７１５２５号
【特許文献２】特許第５３４６６４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように構成された塗布装置では、静止状態の基板に対して長尺型ノズルを位置決めした後、長尺型ノズルからのレジスト液の吐出を開始するとともに、基板の搬送と長尺型ノズルの移動とが開始される。ここで、基板は長尺型ノズルに対して相対的に搬送され、基板の相対移動速度は基板の搬送速度と長尺型ノズルの移動速度との合成速度となる。例えば静止状態の基板の搬送を開始する場合、基板の搬送速度は搬送開始直後より加速されて、移動開始から一定時間後に目標搬送速度に到達し、その後、定速搬送が行われる（後で説明する図７の（ａ）欄参照）。また、長尺型ノズルも同様のプロファイルで移動する。したがって、それらの合成速度は、基板および長尺型ノズルの移動開始時点および目標移動速度への到達時点において比較的鋭く変化する（同図の（ｂ）欄参照）。これに対し、長尺型ノズルからのレジスト液の吐出速度は比較的緩やかに変化する（同図の（ｃ）欄参照）。したがって、合成速度のプロファイルと吐出速度のプロファイルとが部分的に一致せず、基板に塗布されたレジスト液の膜厚が不均一となることがあった。
【０００５】
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板を搬送するとともに吐出口から塗布液を吐出するノズルを基板の搬送方向において移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布技術において、基板に塗布された塗布液の厚みを均一化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の第１態様は、塗布装置であって、塗布液を基板に向けて吐出する吐出口を有するノズルと、基板を搬送させる基板搬送部と、基板の搬送方向においてノズルを移動させるノズル移動部と、ノズルの吐出口から塗布液を基板に向けて吐出させるポンプと、基板搬送部による基板の搬送、ノズル移動部によるノズルの移動およびポンプによる吐出口からの塗布液の吐出を制御する制御部と、を備え、制御部は、静止した基板の搬送開始後に基板の搬送を加速させるとともに静止したノズルの移動開始後にノズルの移動を加速させてノズルに対して基板を相対移動させ、吐出口からの塗布液の吐出開始後に塗布液の吐出を加速してノズルに対して相対移動する基板に塗布液を塗布させ、塗布液の吐出開始時における吐出口から吐出される塗布液の吐出速度の変化特性に応じて基板の搬送開始タイミングおよびノズルの移動開始タイミングを相対的にずらす、ことを特徴としている。
【０００７】
また、この発明の第２態様は、塗布方法であって、静止した基板に対してノズルの吐出口を対向させた状態でノズルを静止させる第１工程と、静止した基板の搬送方向への移動開始後に基板の搬送を加速させるとともに静止したノズルの搬送方向における移動開始後にノズルの移動を加速させてノズルに対して基板を相対移動させる第２工程と、吐出口からの塗布液の吐出を開始した後に塗布液の吐出を加速してノズルに対して相対移動する基板に塗布液を塗布させる第３工程と、を備え、第２工程では、塗布液の吐出開始時において吐出口から吐出される塗布液の吐出速度の変化特性に応じて基板の搬送開始とノズルの移動開始とが相対的にずれていることを特徴としている。
【０００８】
このように構成された第１態様および第２態様にかかる発明では、ノズルの吐出口から吐出される塗布液を基板に塗布する塗布処理の初期段階では、静止した基板の搬送方向への移動開始後に基板の搬送が加速され、静止したノズルの搬送方向における移動開始後にノズルの移動が加速される。このときのノズルに対する基板の相対移動速度は、基板の搬送速度とノズルの移動速度との合成速度となる。そして、当該合成速度でノズルに対して相対移動される基板に塗布液が塗布される。この初期段階のうちでも、特に吐出開始直後においてノズルからの塗布液の吐出速度は一定ではなく、変化する、つまり変化特性が存在する。そこで、上記第１態様および第２態様にかかる発明では、変化特性に応じて基板の搬送開始タイミングおよびノズルの移動開始タイミングが相対的にずらされることで合成速度が上記変化特性に適合したものとなり、初期段階において基板に塗布された塗布液の厚みが均一化される。
【０００９】
また、この発明の第３態様は、塗布装置であって、塗布液を基板に向けて吐出する吐出口を有するノズルと、基板を移動させる基板搬送部と、基板搬送部による基板の搬送方向においてノズルを移動させるノズル移動部と、ノズルの吐出口から塗布液を基板に向けて吐出させるポンプと、基板搬送部による基板の搬送、ノズル移動部によるノズルの移動およびポンプによる吐出口からの塗布液の吐出を制御する制御部と、を備え、制御部は、基板の搬送速度が目標搬送速度に到達するまで基板の搬送が加速するとともにノズルの移動速度が目標移動速度に到達するまでノズルの移動が加速するようにノズルに対して基板を相対移動させ、吐出口からの塗布液の吐出速度が目標移動速度に到達するまで塗布液の吐出を加速させてノズルに対して相対移動する基板に塗布液を塗布し、塗布液の吐出の加速停止時における吐出速度の変化特性に応じて基板の搬送の加速停止タイミングおよびノズルの移動の加速停止タイミングをずらすことを特徴としている。
【００１０】
さらに、この発明の第４態様は、塗布方法であって、静止した基板に対してノズルの吐出口を対向させた状態でノズルを静止させる第１工程と、基板の搬送方向への移動開始後に基板の搬送速度が目標搬送速度に到達するまで基板の搬送が加速するとともに搬送方向におけるノズルの移動開始後にノズルの移動速度が目標移動速度に到達するまでノズルの移動が加速するようにノズルに対して基板を相対移動させる第２工程と、吐出口からの塗布液の吐出速度が目標移動速度に到達するまで塗布液の吐出を加速させてノズルに対して相対移動する基板に塗布液を塗布させる第３工程と、を備え、第２工程では、塗布液の吐出の加速停止時における吐出速度の変化特性に応じて基板の搬送の加速停止タイミングとノズルの移動の加速停止タイミングとを相互にずらすことを特徴としている。
【００１１】
このように構成された第３態様および第４態様にかかる発明では、ノズルの吐出口から吐出される塗布液を基板に塗布する塗布処理の初期段階では、静止した基板の搬送方向への移動開始後に基板の搬送が目標搬送速度に到達するまで加速され、静止したノズルの搬送方向における移動開始後にノズルの移動が目標移動速度に到達するまで加速される。このときのノズルに対する基板の相対移動速度は、基板の搬送速度とノズルの移動速度との合成速度となる。そして、当該合成速度でノズルに対して相対移動される基板に塗布液が塗布される。この初期段階のうちでも、特に塗布液の吐出速度の加速停止近傍においてノズルからの塗布液の吐出速度の加速度は一定ではなく、変化する、つまり変化特性が存在する。そこで、上記第３態様および第４態様にかかる発明では、変化特性に応じて基板の搬送の加速停止タイミングとノズルの移動の加速停止タイミングとが相対的にずらされることで合成速度が上記変化特性に適合したものとなり、初期段階において基板に塗布された塗布液の厚みが均一化される。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によれば、ノズルの吐出口から吐出される塗布液を基板に塗布する塗布処理の初期段階において、吐出口から吐出される塗布液の吐出速度の変化特性に応じたタイミング制御を行っている。より詳しくは、基板の搬送開始タイミングおよびノズルの移動開始タイミングを相対的にずらす、および／または基板の搬送の加速停止タイミングおよびノズルの移動の加速停止タイミングを相対的にずらしている。したがって、初期段階においてノズルに対する基板の相対移動速度と塗布液の吐出速度とが良好にマッチングし、基板に塗布された塗布液の厚みを均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明にかかる塗布装置の一実施形態を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａから塗布機構を取り外した平面図である。
【図２】図１Ａに示す塗布装置を制御する制御機構を示すブロック図である。
【図３Ａ】浮上機構の平面図である。
【図３Ｂ】浮上機構と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。
【図４】図１Ａに示す塗布装置の側面図である。
【図５】図１Ａに示す塗布装置により実行される塗布処理を示すフローチャートである。
【図６Ａ−６Ｄ】塗布処理中の各段階における各部の位置関係を示す図である。
【図７】基板とノズルの動作開始および加速停止を同時に行ったときの動作の一例を示す図である。
【図８】図１に示す塗布装置で実行される塗布処理の初期段階における動作を示す図である。
【図９】本発明の他の実施形態での塗布処理の初期段階における動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１Ａは本発明にかかる塗布装置の一実施形態を示す図であり、鉛直上方から見た平面図である、また、図１Ｂは図１Ａから塗布機構を取り外した平面図である。また、図２は図１Ａに示す塗布装置を制御する制御機構を示すブロック図である。なお、図１Ａ、図１Ｂおよび後で説明する各図では、装置各部の配置関係を明確にするために、基板Ｓの搬送方向を「Ｘ方向」とし、図１Ａ、図１Ｂの左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「−Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向Ｙのうち、装置の正面側を「−Ｙ方向」と称するとともに、装置の背面側を「＋Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向Ｚにおける上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「−Ｚ方向」と称する。
【００１５】
塗布装置１は、コロコンベア１００から搬送されてくる水平姿勢の矩形基板Ｓを受け入れ、当該基板Ｓの表面Ｓｆに塗布液を塗布するスリットコータである。この塗布装置１では、コロコンベア１００に隣接して移載機構２が設けられている。この移載機構２は、コロコンベア１００から基板Ｓを受け取って浮上機構３に移載する。
【００１６】
浮上機構３は３つの浮上ユニット３Ａ〜３Ｃを有している。これらの浮上ユニット３Ａ〜３Ｃは、図１Ｂに示すように、基板Ｓの搬送方向Ｘに配列されている。より詳しくは、最も上流側、つまり（−Ｘ）方向側に上流浮上ユニット３Ａが移載機構２に隣接して配置され、最も下流側、つまり（＋Ｘ）方向側に下流浮上ユニット３Ｃが配置されている。また、上流浮上ユニット３Ａと下流浮上ユニット３Ｃとの間に中央浮上ユニット３Ｂが配置されている。
【００１７】
図３Ａは浮上機構の平面図であり、図３Ｂは浮上機構と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。なお、これらの図面では、中央浮上ユニット３Ｂの全部と、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃの一部分とを模式的に示している。
【００１８】
上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃは、ともに多数の空気の噴出孔３１が１枚の板状のステージ面３２の全面にわたってマトリックス状に分散して形成されている。そして、各噴出孔３１に対して圧縮空気が与えられることで、各噴出孔３１からの圧縮空気の噴出による気体圧力によって基板Ｓを浮上させる。これによって、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃでは、基板Ｓは上記ステージ面３２から所定の浮上高さ、例えば１０〜５００マイクロメートルだけ浮上する。なお、各噴出孔３１に圧縮空気を供給するために、例えば特許文献２に記載の構成を用いることができる。
【００１９】
また、図３Ａおよび図３Ｂへの図示を省略しているが、下流浮上ユニット３Ｃは上記噴出孔３１以外に複数のリフトピンおよびリフトピン昇降機構を有している。複数のリフトピンは噴出孔３１の合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｓの裏面Ｓｂ全体に対向可能に設けられている。そして、リフトピンはステージ面３２の下方に設置されたリフトピン昇降機構によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。つまり、下降時はリフトピンの先端が下流浮上ユニット３Ｃのステージ面３２よりも（−Ｚ）方向側に下降し、上昇時はリフトピンの先端が基板Ｓを移載ロボット（図示省略）に受け渡す位置まで上昇する。こうして上昇したリフトピンによって基板Ｓの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｓは下流浮上ユニット３Ｃのステージ面３２から上昇する。これによって、移載ロボットによる基板Ｓの塗布装置１からのアンローディングが可能となる。
【００２０】
一方、中央浮上ユニット３Ｂは、次のように構成されて、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃよりも高い浮上精度を有している。すなわち、中央浮上ユニット３Ｂは、矩形形状の板状のステージ面３３を有している。このステージ面３３には、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃに設けられた噴出孔３１よりも狭いピッチで複数の孔がマトリックス状に分散して設けられている。また、上流浮上ユニット３Ａおよび下流浮上ユニット３Ｃと異なり、中央浮上ユニット３Ｂでは、孔のうち半分は圧縮空気の噴出孔３４ａとして機能し、残りの半分は吸引孔３４ｂとして機能する。つまり、噴出孔３４ａから圧縮空気を基板Ｓの裏面Ｓｂに向けて噴出してステージ面３３と基板Ｓの裏面Ｓｂとの間の空間ＳＰ（図３Ｂ）に圧縮空気を送り込む。一方、吸引孔３４ｂを介して空間ＳＰから空気を吸引するように構成されている。このように上記空間ＳＰに対して空気の噴出と吸引とが行われることで、上記空間ＳＰでは各噴出孔３４ａから噴出された圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、当該噴出孔３４ａに隣接する吸引孔３４ｂから吸引されることになり、上記空間ＳＰに広がる空気層（圧力気体層）における圧力バランスは、より安定的となり、基板Ｓの浮上高さを高精度に、しかも安定して制御することができる。なお、各噴出孔３４ａへの圧縮空気の供給および吸引孔３４ｂからの空気の吸引を行うために、例えば特許文献２に記載の構成を用いることができる。
【００２１】
また、上記のように噴出孔３４ａおよび吸引孔３４ｂの配列構造を別の角度から見ると、次のような構造を有していると定義することができる。すなわち、中央浮上ユニット３Ｂは、基板Ｓの搬送方向Ｘに対して直交する水平方向Ｙに延びる帯状に基板Ｓの一部を安定して浮上させる２種類の浮上列３５ａ、３５ｂを有している。浮上列３５ａは、噴出孔３４ａ、吸引孔３４ｂ、噴出孔３４ａ、…、吸引孔３４ｂおよび噴出孔３４ａをこの順序でＹ方向に配列したものである。一方、浮上列３５ｂは、吸引孔３４ｂ、噴出孔３４ａ、吸引孔３４ｂ、…、噴出孔３４ａおよび吸引孔３４ｂをこの順序でＹ方向に配列したものである。そして、これらの浮上列３５ａ、３５ｂを交互にＸ方向に配列したものが中央浮上ユニット３Ｂである。各浮上列３５ａ、３５ｂのＹ方向サイズは基板ＳのＹ方向サイズと同じあるいは若干広いため、Ｙ方向において基板Ｓを安定して浮上させることができる。これに対し、各浮上列３５ａ、３５ｂのＸ方向サイズは基板ＳのＸ方向サイズに比べて大幅に狭いため、単独でＸ方向において基板Ｓを安定して浮上させることは難しい。したがって、Ｘ方向において基板Ｓが安定して浮上される領域は中央浮上ユニット３Ｂの中央部領域である。そこで、本実施形態では、後で説明するようにスリットノズル５１１をＸ方向に移動させる範囲（以下「ノズル移動範囲」という）を中央浮上ユニット３Ｂの中央部領域に制限している。より詳しくは、図３Ａ中の破線で示すように、（−Ｘ）側から数えて２つ目の浮上列３５ａと（＋Ｘ）側から数えて２つ目の浮上列３５ｂとに挟まれたノズル移動範囲でスリットノズル５１１は移動可能となっている。
【００２２】
塗布装置１では、浮上ユニット３Ａ〜３Ｃにより浮上された状態の基板Ｓを搬送方向Ｘに間欠的に搬送するために、搬送機構４が設けられている。以下、図１Ａ、図１Ｂ、図３Ｂおよび図４を参照しつつ搬送機構４の構成について説明する。
【００２３】
図４は図１Ａに示す塗布装置の側面図である。搬送機構４は、浮上機構３により浮上状態で支持されている基板ＳのＹ方向の両側端部を吸引して保持しながら浮上機構３により基板Ｓを浮上させたまま搬送方向Ｘに搬送する機能を有している。搬送機構４は、図１Ｂに示すように、基板Ｓを吸着保持するチャック部４１を複数個備えている。ここでは、２つのチャック部材４１ａをＸ方向に配列して一体的にＸ方向に移動自在なチャック部４１を、（＋Ｙ）側および（−Ｙ）方向側にそれぞれ１個、合計２個設けているが、各チャック部材４１ａをチャック部４１として設けてもよい。本実施形態では、上記した２つのチャック部４１は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｓを吸着保持する。また、搬送機構４は、搬送チャック走行ガイド４２と、搬送チャックリニアモータ４３と、搬送チャックリニアスケール４４と、チャック昇降シリンダ４５とを、備えている。チャック部４１はチャック昇降シリンダ４５の動作により昇降させることが可能となっている。このため、装置全体を制御する制御部９（図２）からの保持指令に応じてチャック昇降シリンダ４５が作動することで、チャック部４１が上昇して（＋Ｙ）側、（−Ｙ）側の基板Ｓの両端部の下面を支持して吸着保持する。また、搬送チャック走行ガイド４２は塗布装置１の基台１０上でＸ方向に延設されており、制御部９からの搬送指令に応じて搬送チャックリニアモータ４３が作動することで、チャック部４１を搬送チャック走行ガイド４２に沿って搬送方向Ｘに往復駆動させる。これによって、チャック部４１により保持された基板Ｓが搬送方向Ｘに搬送される。なお、本実施形態では、搬送方向Ｘにおける基板Ｓの位置を搬送チャックリニアスケール４４によって検出可能となっており、制御部９は搬送チャックリニアスケール４４の検出結果に基づいて搬送チャックリニアモータ４３を駆動制御する。
【００２４】
上記した搬送機構４により基板Ｓは表面Ｓｆを鉛直上方に向けた、いわゆるフェースアップ状態で搬送方向Ｘに搬送されるが、当該搬送中に塗布液を基板Ｓの表面Ｓｆに塗布するために、塗布機構５が設けられている。塗布機構５は、基台１０に対して搬送方向Ｘに移動可能なノズルユニット５１と、搬送方向Ｘにおいて当該ノズルユニット５１の上流側（図１Ａの左手側）で基台１０に固定されたノズル洗浄待機ユニット５２と、塗布液をノズルユニット５１に供給する塗布液供給ユニット５８と、塗布液補充ユニット５９とを有している。
【００２５】
ノズルユニット５１は、図４に示すように、Ｙ方向に基板Ｓの表面Ｓｆに対向して延設されたスリットノズル５１１と、スリットノズル５１１を支持するノズル支持部材５１２と、Ｙ方向において搬送機構４よりも外側に設けられた左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造を有する昇降部５１３とを備えている。この実施形態では、一対の昇降部５１３でノズル支持部材５１２を介してスリットノズル５１１を鉛直方向Ｚに昇降させるように構成されている。より詳しくは、各昇降部５１３は、柱状部材５１４と、鉛直方向Ｚに平行に延びた状態で柱状部材５１４に取り付けられたボールネジ５１５と、ボールネジ５１５の上端部に連結された回転モータ５１６と、ボールネジ５１５に螺合されたブラケット５１７とを備えている。そして、制御部９からの回転指令に応じて回転モータ５１６が作動すると、ボールネジ５１５が回転し、その回転量に応じてブラケット５１７が鉛直方向Ｚに昇降する。このように構成された（＋Ｙ）方向側および（−Ｙ）方向側のブラケット５１７に対してノズル支持部材５１２の両端部がそれぞれ取り付けられ、ノズル支持部材５１２を介して昇降可能に支持されている。
【００２６】
また、各昇降部５１３は、図４に示すように、塗布機構５の移動機構５１８によって搬送方向Ｘに往復移動される。この移動機構５１８は、図４に示すように、昇降部５１３を下方から支持するベース部５１８ａと、走行ガイド５１８ｂと、リニアモータ５１８ｃとを備えている。走行ガイド５１８ｂは、図１Ａや図１Ｂに示すように、塗布装置１の基台１０上でＸ方向に延設されており、制御部９からの移動指令に応じてリニアモータ５１８ｃが作動することで昇降部５１３を走行ガイド５１８ｂに沿って搬送方向Ｘに往復移動させ、昇降部５１３とともにスリットノズル５１１をメンテナンス位置と吐出位置とに位置決め可能となっている。ここで、「メンテナンス位置」とはノズル洗浄待機ユニット５２で予備吐出を含むメンテナンス動作を行う位置を意味し、「吐出位置」とは基板Ｓに向けて塗布液を吐出する動作を行う位置、つまり中央浮上ユニット３Ｂの直上位置を意味している。
【００２７】
ノズル支持部材５１２の下端部にスリットノズル５１１が吐出口５１１ａを下方に向けた状態で取り付けられている。このため、制御部９による回転モータ５１６の制御によってスリットノズル５１１を昇降させて吐出口５１１ａを搬送機構４により搬送される基板Ｓの表面Ｓｆに近接させたり、逆に上方に離間させることが可能となっている。また、後述する浮上高さ検出センサ（図３Ｂ中の符号５３）の出力に基づいて制御部９が回転モータ５１６を制御しており、これによって基板Ｓの表面Ｓｆと吐出口５１１ａとの間隔を高精度に調整可能となっている。そして、吐出口５１１ａを基板Ｓの表面Ｓｆに近接させた状態で塗布液供給ユニット５８から塗布液がスリットノズル５１１に圧送されると、吐出口５１１ａから基板Ｓの表面Ｓｆに向けて吐出される。なお、スリットノズル５１１には、ノズル先端を保護するための保護部材（図３Ｂ中の符号６Ｂ１）、浮上高さ検出センサ（図３Ｂ中の符号５３）および振動センサ（図３Ｂ中の符号６Ｂ２）が取り付けられている。
【００２８】
この塗布液供給ユニット５８は、図４に示すように、塗布液をスリットノズル５１１に圧送するための圧送源として、チューブポンプやベローズポンプ等の、体積変化により塗布液を送液するポンプ５８１を用いている。このポンプ５８１の出力側には、配管５８２の一方端が接続されている。また、この配管５８２の他方端は２本に分岐しており、図４に示すように、そのうちの一方の配管５８３はスリットノズル５１１の（−Ｙ）方向側の端部に接続され、他方の配管５８４はスリットノズル５１１の（＋Ｙ）方向側の端部に接続されている。これらの配管５８３、５８４には、それぞれ開閉弁５８５、５８６が介挿されており、制御部９からの開閉指令に応じて開閉し、これによってスリットノズル５１１への塗布液の送液と送液停止を切替可能となっている。
【００２９】
また、スリットノズル５１１への塗布液の供給によってポンプ５８１に充填されている塗布液の割合、つまりポンプ充填率が減少する。そこで、塗布液補充ユニット５９が設けられている。この塗布液補充ユニット５９は、図３Ｂに示すように、塗布液を貯留する貯留タンク５９１と、当該貯留タンク５９１をポンプ５８１に接続する配管５９２と、配管５９２に介挿された開閉弁５９３とを備えている。この開閉弁５９３は制御部９から補充指令に応じて開成し、貯留タンク５９１内の塗布液をポンプ５８１に補充可能とする。逆に、制御部９から補充停止指令に応じて閉成し、貯留タンク５９１からポンプ５８１への塗布液の補充を規制する。なお、本実施形態では、上記した開閉弁５９３のみならず塗布液供給ユニット５８の開閉弁５８５、５８６の開閉も制御しながら塗布液の補充動作を行う。つまり、補充動作を行わない間、開閉弁５９３は閉成され、貯留タンク５９１からポンプ５８１への塗布液の流入を規制する。これに対し、開閉弁５８５、５８６を閉成する一方、開閉弁５９３を開成した状態でポンプ５８１が作動することで貯留タンク５９１内の塗布液がポンプ５８１に引き込まれて充填される。
【００３０】
ノズル洗浄待機ユニット５２は基板Ｓの表面Ｓｆへの塗布液の供給を行ったスリットノズル５１１の先端部から塗布液を洗浄除去する装置であり、当該洗浄処理によってスリットノズル５１１の吐出口５１１ａは次の塗布処理に適した状態に整えられる。このノズル洗浄待機ユニット５２は、図３Ｂおよび図４に示すように、主にローラ５２１、洗浄ユニット５２２、ローラバット５２３などで構成されてノズル洗浄および予備吐出を行う洗浄待機部５２４を備えている。この洗浄待機部５２４では、塗布処理が行われた後のスリットノズル５１１の吐出口５１１ａの洗浄が行われる。また、ローラ５２１の外周面にスリットノズル５１１を近接させた状態で吐出口５１１ａから一定の塗布液を吐出させると、吐出口５１１ａに塗布液の液だまりが形成される（予備吐出動作）。このように吐出口５１１ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このように、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａは初期化され、次の塗布処理に備える。なお、ローラ５２１の回転は制御部９からの回転指令に応じてローラ回転モータ（図示省略）の駆動により行われる。また、ローラ５２１に付着した塗布液は、ローラ５２１が回転する際にローラバット５２３内に貯留された洗浄液に下端が浸漬されることで、除去される。
【００３１】
上記したように、本実施形態では、スリットノズル５１１を基板Ｓの表面Ｓｆに近接させて塗布処理を行うため、表面Ｓｆに異物が存在すると、異物とスリットノズル５１１との衝突によってスリットノズル５１１が損傷することがある。また、上記衝突によってスリットノズル５１１の位置に誤差が生じると、その後における塗布処理を継続することができなくなる。そこで、本実施形態では、基板Ｓの表面Ｓｆに存在する異物を検出するために、２種類の異物検出機構６Ａ、６Ｂが設けられている。
【００３２】
異物検出機構６Ａは、搬送方向Ｘにおいて塗布機構に設けられたスリットノズル５１１の上流側で上記異物を非接触方式で検出するものであり、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２を有している。投光部６Ａ１および受光部６Ａ２は、図１Ｂに示すように、Ｙ方向において中央浮上ユニット３Ｂを外側から挟み込むように配置されている。投光部６Ａ１および受光部６Ａ２はそれぞれ基台１０の上面から鉛直方向Ｚに立設された支持部材（図示省略）の上端部に取り付けられ、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２の高さ位置が調整されている。より具体的には、図３Ｂに示すように投光部６Ａ１から照射されたレーザ光が基板Ｓの表面Ｓｆ上を通過して受光部６Ａ２に入射されるように、投光部６Ａ１および受光部６Ａ２が配設されている。そして、投光部６Ａ１は受光部６Ａ２に向けてレーザ光を照射する。一方、受光部６Ａ２は投光部６Ａ１から照射されたレーザ光を受光し、その受光量を計測して制御部９に出力する。そして、制御部９は当該受光量に基づいて異物検出を行う。
【００３３】
もう一方の異物検出機構６Ｂは接触方式で上記異物を検出するものであり、本実施形態では、塗布機構５のスリットノズル５１１に取り付けられている。異物検出機構６Ｂは、搬送方向Ｘにおける吐出口５１１ａの上流側でスリットノズル５１１に取り付けられた保護部材６Ｂ１と、スリットノズル５１１の振動を検出する振動センサ６Ｂ２とを有している。保護部材６Ｂ１は、スリットノズル５１１のノズル先端を保護するために水平方向Ｙに延設されたプレート部材であり、プレート面が基板Ｓの表面Ｓｆに対して直交するように配置されている。このため、ノズルユニット５１の直下位置を基板Ｓが搬送される際に、基板Ｓ上に異物が存在した場合、保護部材６Ｂ１は、スリットノズル５１１のノズル先端と異物との接触によるスリットノズル５１１の破損を抑制する。また、異物が存在した場合、保護部材６Ｂ１が異物と接触して当該保護部材６Ｂ１に振動が発生し、スリットノズル５１１に伝達される。この振動を振動センサ６Ｂ２が検出して制御部９に出力する。そして、制御部９は当該振動に基づいて異物検出を行う。なお、スリットノズル５１１には、上記異物検出機構６Ｂ以外に、保護部材６Ｂ１よりも先に基板Ｓの上方領域に進入する位置に、基板Ｓの浮上高さを非接触で検知するための浮上高さ検出センサ５３が設置されている。この浮上高さ検出センサ５３によって、浮上した基板Ｓと、中央浮上ユニット３Ｂのステージ面３３の上面との離間距離を測定することが可能であり、その検出値に伴って、制御部９を介して、スリットノズル５１１が下降する位置を調整することができる。なお、浮上高さ検出センサ５３としては、光学式センサや、超音波式センサなどを用いることができる。
【００３４】
このように、本実施形態では、２種類の異物検出機構６Ａ、６Ｂを設けることで異物検出を確実に行うことができる。しかも、異物検出時には制御部９は基板Ｓの搬送を強制的に停止してスリットノズル５１１の破損や基板Ｓのダメージなどを未然に防止する。
【００３５】
制御部９は上記したように塗布装置１の装置各部を制御する機能を有している。この制御部９には、予め定められた処理プログラムを実行して各部の動作を制御するＣＰＵ９１と、ＣＰＵ９１により実行される処理プログラムや処理中に生成されるデータ等を記憶保存するためのメモリ９２と、処理の進行状況や異物検出などを必要に応じてユーザーに報知するための表示部９３とが設けられている。そして、塗布装置１では、ＣＰＵ９１が処理プログラムにしたがって装置各部を以下のように制御することで塗布処理が実行される。
【００３６】
図５は図１Ａに示す塗布装置により実行される塗布処理を示すフローチャートである。また、図６Ａないし図６Ｄは塗布処理中の各段階における各部の位置関係を示す図である。図５に示す塗布処理は、コロコンベア１００から未処理の基板Ｓを受け取った後で、当該基板Ｓを（＋Ｘ）方向に浮上搬送しながらスリットノズル５１１から塗布液を基板Ｓの表面Ｓｆに吐出して塗布層を形成するものである。この塗布処理は、ＣＰＵ９１が予め記憶された処理プログラムを実行して各部を制御することによりなされる。
【００３７】
制御部９に対して塗布指令が与えられると、移載機構２がコロコンベア１００から基板Ｓを受け取り、浮上ユニット３Ａに移載する（ステップＳ１０１）。また、制御部９は塗布指令に含まれる塗布処理に関する各種情報、つまり吐出口５１１ａから吐出される塗布液の吐出速度の変化特性、基板目標速度、ノズル目標速度、塗布液の厚みなどの塗布条件を取得し、それらに基づいて基板Ｓの搬送タイミングおよびスリットノズル５１１の移動タイミングを演算する（ステップＳ１０２）。というのも、本実施形態では、後で詳述するように塗布処理の初期段階において、吐出口５１１ａから吐出される塗布液の吐出速度の変化特性に応じたタイミング制御によって塗布膜の均一形成を行うためである。
【００３８】
次のステップＳ１０３では、ノズル洗浄待機ユニット５２において、予備吐出を実行する。この予備吐出は、ローラ５２１の外周面にスリットノズル５１１を近接させた状態で吐出口５１１ａから一定の塗布液を吐出させる動作であり、これによって、図６Ａに示すように、吐出口５１１ａに塗布液の液だまりＬＤが形成される。このように吐出口５１１ａに液だまりＬＤが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。こうして、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａは初期化され、次の塗布処理の準備を完了する。
【００３９】
これに続いて、制御部９からの移動指令に応じて昇降部５１３および移動機構５１８が作動してスリットノズル５１１を塗布開始位置ＰＳに移動させ、吐出口５１１ａ（図３Ｂ）を鉛直下方に向けて静止して位置決めする（ステップＳ１０４）。また、スリットノズル５１１の移動と同時あるいは前後して、搬送機構４が制御部９からの搬送指令に応じて基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送させ、基板Ｓの表面Ｓｆのうち最初に塗布すべき領域が塗布開始位置ＰＳに位置した時点で基板搬送を停止して静止させる（ステップＳ１０５）。こうして、図６Ｂに示すように、スリットノズル５１１および基板Ｓの塗布開始位置ＰＳへの位置決めがともに完了すると、図５および図６Ｂないし図６Ｄに示すようにして塗布処理が実行される（ステップＳ１０６）。また、塗布処理と並行して移載機構２が次の基板Ｓをコロコンベア１００から受け取り、浮上ユニット３Ａに移載し（ステップＳ１０７）、次の塗布処理に備える。
【００４０】
塗布処理の開始直前では、図６Ｂに示すようにスリットノズル５１１の吐出口５１１ａおよび基板Ｓの（＋Ｘ）側端部は塗布開始位置ＰＳに静止し（つまり、基板搬送速度、ノズル移動速度はともにゼロ）、基板Ｓの表面Ｓｆの直上位置にスリットノズル５１１が位置している。また、昇降部５１３によりスリットノズル５１１が基板Ｓに近接される。こうして吐出口５１１ａを近接させた状態で一定時間の間に制御部９は塗布液供給ユニット５８を制御して一定量の塗布液をスリットノズル５１１に圧送してビードＢ（基板Ｓ上での液溜り）を形成する。
【００４１】
そして、（＋Ｘ）方向への基板Ｓの搬送と、（−Ｘ）方向へのスリットノズル５１１の移動と、吐出口５１１ａからの塗布液の吐出とが実行される。つまり、静止していた基板Ｓの搬送が開始されると、基板Ｓの搬送が目標搬送速度（図７、図８参照）に到達するまで加速され、その目標搬送速度を一定時間維持した後で減速され、基板Ｓの（−Ｘ）側端部を塗布終了位置ＰＥに静止させる。また、静止していたスリットノズル５１１の移動が開始されると、スリットノズル５１１の移動が目標移動速度（図７、図８参照）に到達するまで加速され、そのノズル目標速度を一定時間維持した後で減速され、スリットノズル５１１の吐出口５１１ａを塗布終了位置ＰＥに静止させる。こうしてスリットノズル５１１に対して基板Ｓが相対的に移動する一方、吐出口５１１ａからの塗布液の吐出が開始され、吐出速度が目標吐出速度（図７、図８参照）に到達するまで加速され、その目標吐出速度を一定時間維持した後で減速され、塗布液の吐出は停止される。こうして所望厚さを有する塗布液の層、つまり塗布層ＣＬを基板Ｓの表面に塗布する塗布処理が実行されるが、特に塗布処理の初期段階では上記ステップＳ１０２で演算されたタイミングで基板Ｓの搬送およびスリットノズル５１１の移動が実行される。この点については後で図７および図８を参照しつつ詳述する。
【００４２】
上記した塗布処理（ステップＳ１０６）が完了した時点では、図６Ｄに示すように、基板Ｓの表面Ｓｆのうち最後に塗布すべき領域とスリットノズル５１１とが塗布終了位置ＰＥに位置している。この後、スリットノズル５１１が塗布終了位置ＰＥからノズル洗浄待機ユニット５２に向けて移動される（ステップＳ１０８）。一方、塗布液が塗布された基板Ｓは次のようにして搬出される（ステップＳ１０９）。すなわち、基板Ｓは下流浮上ユニット３Ｃまで搬送された後でリフトピン（図示省略）を上昇され、下流浮上ユニット３Ｃのステージ面３２から持ち上げられる。さらに、当該基板Ｓは移載ロボット（図示省略）により塗布装置１から搬出される。
【００４３】
ここで、移載機構２により次の未処理基板Ｓが浮上ユニット３Ａに移載されて待機しているとき（ステップＳ１１０で「ＹＥＳ」）には、当該待機中の基板Ｓに対する塗布条件が前回の塗布条件から変更されるか否かをステップＳ１１１で確認した上で上記一連の処理を繰り返す。つまり、塗布条件が変更された場合（ステップＳ１１１で「ＹＥＳ」）にはステップＳ１０２に戻る一方、変更されていない場合（ステップＳ１１１で「ＮＯ」）にはステップＳ１０３に戻って上記処理を繰り返す。
【００４４】
次に、塗布処理の初期段階について図７および図８を参照しつつ説明する。本明細書中の「塗布処理の初期段階」とは、吐出口５１１ａからの塗布液の吐出開始から塗布液の吐出速度が目標吐出速度に到達するまでの期間を意味している。図７は塗布処理の初期段階において基板とスリットノズルの動作開始および加速停止を同時に行ったときの動作の一例を示す図である。一方、図８は図１に示す塗布装置で実行される塗布処理の初期段階における動作を示す図であり、基板とノズルの移動開始および加速停止を異ならせたときの動作の一例を示す図である。図７および図８のいずれにおいても、（ａ）欄ないし（ｃ）欄に以下のプロファイルが図示されている。つまり、（ａ）欄において基板Ｓの搬送速度の変化、つまり搬送速度曲線（１点鎖線）とスリットノズル５１１の移動速度の変化、つまり移動速度曲線（実線）が図示されている。また、（ｂ）欄において基板Ｓの搬送速度とスリットノズル５１１の移動速度の合成速度（つまり、スリットノズル５１１に対する基板Ｓの相対移動速度）の変化が相対移動曲線（破線）として図示されている。さらに、（ｃ）欄においてスリットノズル５１１の吐出口５１１ａから吐出される塗布液の吐出速度の変化、つまり吐出速度曲線（実線）と、上記相対移動曲線とが図示されている。これら吐出速度曲線および相対移動曲線が部分的に乖離すると、塗布層ＣＬ（図６Ｃ、６Ｄ参照）の厚みが不均一となる。一方、吐出速度曲線と相対移動曲線とが近似すると、均一な厚みで塗布層ＣＬを形成することができる。
【００４５】
図７および図８中の符号「Ｔｓ１」、「Ｔｓ２」はそれぞれ基板Ｓの搬送開始タイミングおよび基板Ｓの搬送の加速停止タイミングを示し、符号「Ｔｎ１」、「Ｔｎ２」はそれぞれスリットノズル５１１の移動開始タイミングおよびスリットノズル５１１の移動の加速停止タイミングを示している。従来装置では、図７の（ａ）欄に示すように、基板Ｓの搬送およびスリットノズル５１１の移動を同時に行っている。このため、基板Ｓの搬送速度とスリットノズル５１１の移動速度の合成速度は、図７の（ｂ）欄に示すように、タイミングＴｓ１（Ｔｎ１）、Ｔｓ２（Ｔｎ２）で比較的鋭く変化する。これに対し、塗布液の吐出速度は、図７の（ｃ）欄に示すように、比較的緩やかに変化する。その結果、吐出開始時点と目標吐出速度への到達時点とで、吐出速度曲線と相対移動曲線とが部分的に一致せず、塗布層ＣＬの厚みが不均一になる。
【００４６】
そこで、本実施形態では、図８に示すように、塗布液の吐出開始時点における塗布液の吐出速度の変化特性に応じて基板Ｓの搬送開始タイミングＴｓ１とスリットノズル５１１の移動開始タイミングＴｎ１とを相対的にずらしている。より具体的には、スリットノズル５１１の移動加速度が基板Ｓの搬送加速度よりも小さい、つまり移動速度曲線が搬送速度曲線よりも立ち上がりが緩やかであることから、移動開始タイミングＴｎ１を搬送開始タイミングＴｓ１よりも相対的に早めている。
【００４７】
一方、塗布液の吐出速度が目標吐出速度に到達する近傍における塗布液の吐出速度の変化特性に応じて基板Ｓの搬送の加速停止タイミングＴｓ２とスリットノズル５１１の移動の加速停止タイミングＴｎ２とを相対的にずらしている。より具体的には、上記と同様の理由から、加速停止タイミングＴｎ２を加速停止タイミングＴｓ２よりも相対的に遅くなるように設定している。
【００４８】
このようなタイミング制御を行うべく、本実施形態では、制御部９は上記ステップＳ１０２で基板Ｓの搬送タイミングおよびスリットノズル５１１の移動タイミングを演算し、それらのタイミングで基板Ｓの搬送およびスリットノズル５１１の移動を行っている。これによって、塗布液の吐出開始時点および吐出速度が目標吐出速度に到達する時点における合成速度の変化は緩やかなものとなり、スリットノズル５１１に対する基板Ｓの相対移動速度（上記合成速度）が吐出速度曲線に近似する。その結果、塗布処理の初期段階に形成される塗布層ＣＬを均一な厚みで形成することができる。
【００４９】
以上のように、本実施形態においては、吐出速度の変化特性（吐出速度曲線のプロファイル）に応じて基板Ｓの搬送開始タイミングＴｓ１およびスリットノズル５１１の移動開始タイミングＴｎ１を相対的にずらして合成速度を上記変化特性に適合させている。また、上記変化特性に応じて基板Ｓの搬送の加速停止タイミングＴｓ２とスリットノズル５１１の移動の加速停止タイミングＴｎ２とを相対的にずらして合成速度を上記変化特性に適合させている。さらに、搬送開始タイミングＴｓ１から加速停止タイミングＴｓ２までの間については、図８に示すように、合成速度が吐出速度に一致するように搬送速度および移動速度が設定されている。したがって、塗布処理の初期段階全般にわたってスリットノズル５１１に対する基板Ｓの相対移動速度（上記合成速度）の変化が吐出速度曲線に近似する。その結果、塗布処理の初期段階に形成される塗布層ＣＬを均一な厚みで形成することができる。
【００５０】
また、吐出速度が目標吐出速度に到達した後においては、合成速度が吐出速度に一致するように搬送速度および移動速度が設定されている。このため、塗布処理の初期段階のみならず、塗布処理の全般について塗布層ＣＬを均一な厚みで形成することができる。
【００５１】
このように本実施形態では、搬送機構４および移動機構５１８がそれぞれ本発明の「基板搬送部」および「ノズル移動部」の一例に相当している。
【００５２】
ところで、塗布層ＣＬの膜厚が大きくなるにしたがって、搬送開始タイミングＴｓ１と移動開始タイミングＴｎ１とのズレ量ΔＴ１、および加速停止タイミングＴｓ２と加速停止タイミングＴｎ２とのズレ量ΔＴ２が大きくなるようにタイミング制御するのが望ましい。以下、その理由について図９を参照しつつ説明する。
【００５３】
図９は本発明の他の実施形態での塗布処理の初期段階における動作を示す図である。同図に示すように、塗布層ＣＬの膜厚が比較的薄い場合（膜厚ｔ１）、同図中の吐出速度曲線（１点鎖線）で示すようなプロファイルで塗布液の吐出速度を変化させればよい。ここで、比較的厚い膜厚ｔ２の塗布層ＣＬを形成するために目標吐出速度を目標吐出速度（ｔ１）から目標吐出速度（ｔ２）に増大させると、図８の（ａ）欄の実線で示すように、吐出速度が目標吐出速度（ｔ２）に到達した時点でオーバーシュートが発生し、これが膜厚の不均一化を引き起こす。そこで、オーバーシュートの発生を防止するためには、図８の（ｂ）欄の実線で示すように、塗布液の吐出加速度を膜厚の増大に応じて抑える必要がある。これによって、吐出開始時点および目標吐出速度への到達時点での吐出速度の変化は、より緩やかなものとなる。それに対応するために、ズレ量も大きく設定する必要がある。
【００５４】
このように均一な塗布層ＣＬを形成するためには、膜厚に応じて適切なズレ量を設定する必要がある。そこで、例えば膜厚とズレ量との相関関係を予め実験あるいはシミュレーションなどによって取得し、それに基づいてタイミング制御を行うように構成してもよい。
【００５５】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、搬送開始タイミングＴｓ１と移動開始タイミングＴｎ１とをずらすというタイミング制御と、加速停止タイミングＴｓ２と加速停止タイミングＴｎ２とずらすというタイミング制御とを行っているが、いずれか一方のタイミング制御のみを行った場合にも、同様の効果が得られる。
【００５６】
また、上記実施形態では、上記タイミング制御によって合成速度の変化を示す相対移動曲線を吐出速度曲線に近似させているが、さらに塗布液の吐出を制御することで吐出速度曲線が相対移動曲線に一致するように構成してもよい。また、吐出速度曲線と相対移動曲線とをより高度に一致させるために、上記タイミング制御に加え、基板Ｓの搬送やスリットノズル５１１の移動を制御してもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、スリットノズル５１１の移動を開始した後で基板Ｓの搬送を開始しているが、スリットノズル５１１の移動態様および基板Ｓの搬送態様については、これに限定されるものではない。また、基板Ｓを浮上させて搬送しながら処理液として塗布液を基板Ｓの表面に塗布する塗布装置１に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではない。要は、基板Ｓの搬送方向Ｘにおいて基板Ｓの搬送とスリットノズル５１１の移動とを行う塗布装置全般に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
この発明は、基板を搬送するとともに吐出口から塗布液を吐出するノズルを基板の搬送方向において移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布技術全般に適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１…塗布装置
４…搬送機構（基板搬送部）
５…塗布機構
９…制御部
５１…ノズルユニット
５１１…スリットノズル
５１１ａ…吐出口
５１８…移動機構（ノズル移動部）
Ｓ…基板
Ｔｎ１…（スリットノズルの）移動開始タイミング
Ｔｎ２…（スリットノズルの移動の）加速停止タイミング
Ｔｓ１…（基板の）搬送開始タイミング
Ｔｓ２…（基板の搬送の）加速停止タイミング
Ｘ…搬送方向
ΔＴ１…（搬送開始タイミングと移動開始タイミングとの）ズレ量
ΔＴ２…（加速停止タイミングの）ズレ量
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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