(57)【要約】【課題】導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥の発生を抑制する電子写真感光体を提供すること。【解決手段】下記条件（Ａ）を満たす導電性基体と、下記条件（Ｂ）及び下記条件（Ｃ）を満たし、前記導電性基体上に設けられた金属酸化物粒子を含有する下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有する電子写真感光体。条件（Ａ）：  前記導電性基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときに、最も大きい凹みの開口距離が４００μｍ以下であり、かつ前記凹みの深さが１５μｍ以下である。条件（Ｂ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分が最大となる角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下である。条件（Ｃ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記条件（Ａ）を満たす導電性基体と、
下記条件（Ｂ）及び下記条件（Ｃ）を満たし、前記導電性基体上に設けられた金属酸化物粒子を含有する下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有する電子写真感光体。
条件（Ａ）：  前記導電性基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときに、最も大きい凹みの開口距離が４００μｍ以下であり、かつ前記凹みの深さが１５μｍ以下である。
条件（Ｂ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分が最大となる角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下である。
条件（Ｃ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下である。
【請求項２】
前記下引層が、下記一般式（１Ａ）で表される水酸基を持つアントラキノン構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１】
2018021972.tif 000017
（一般式（１Ａ）中、Ｒ１１は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は置換もしくは未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。ｎは１以上８以下の整数を表す。）
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置は高速でかつ高印字の品質が得られ、複写機およびレーザビームプリンター等の画像形成装置において利用されている。画像形成装置において用いられる電子写真感光体としては、有機の光導電性材料を用いた有機感光体が主流となっている。有機感光体を製造する場合、例えば、アルミニウム等の導電性基体の上に下引層（中間層と呼ばれる場合もある）を形成し、その後、感光層を形成する場合が多い。
【０００３】
導電性基体の製造方法として、例えば、押出し加工後、引抜き加工を施し、さらに作製された円筒管の外周面を切削して、厚み、表面粗さ等を調整する方法が知られている。
一方で、厚みの薄い金属製の容器等を低コストで量産する方法として、ダイス（雌型）に配置した金属塊（スラグ）に対し、パンチで衝撃（インパクト）を加えて筒状体に成形するインパクトプレス加工が知られている。インパクトプレス加工により製造した筒状体の端面を除去することで、低コストで電子写真感光体に使用可能な導電性基体（以下、インパクトプレス管又はＩＰ管とも称する）を製造することが可能である。
また、他方では、押出し加工後、引抜き加工（例えば冷間引抜き加工）のみを施すことで、電子写真感光体に使用可能な導電性基体（以下、引抜管又はＥＤ管とも称する）を製造することも可能である。
例えば、特許文献１には押出し加工により導電性基体を作製する際に、導電性基体上に存在する凹みを、長手方向に直線状形状に制御することで、高精度な導電性基体を作製する技術が開示されている。
特許文献２には、円筒状の導電性基体表面の凹みに対し、開口距離４００μｍ以下かつ深さ８μｍ以下のものの個数を所定の範囲に制御することで、画質欠陥の発生を防止する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０３２７５６号公報
【特許文献２】特開２０１３−２０５４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、導電性基体、下引層及び感光層を有する電子写真感光体において、式（Ａ）を満たさない導電性基体を備える場合、条件（Ｂ）で規定される角周波数ωｍａｘが２５．０ｒａｄを超える下引層を備える場合、又は、条件（Ｃ）で規定される体積抵抗値が７．０×１０７Ω未満の下引層を備える場合に比べ、導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥の発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。
即ち、請求項１に係る発明は、
下記条件（Ａ）を満たす導電性基体と、
下記条件（Ｂ）及び下記条件（Ｃ）を満たし、前記導電性基体上に設けられた金属酸化物粒子を含有する下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有する電子写真感光体である。
条件（Ａ）：  前記導電性基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときに、最も大きい凹みの開口距離が４００μｍ以下であり、かつ前記凹みの深さが１５μｍ以下である。
条件（Ｂ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分が最大となる角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下である。
条件（Ｃ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下である。
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記下引層が、下記一般式（１Ａ）で表される水酸基を持つアントラキノン構造を有する化合物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体である。
【０００８】
【化１】
2018021972.tif 000002
【０００９】
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は置換もしくは未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。ｎは１以上８以下の整数を表す。
【００１０】
請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
【００１１】
請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１、又は２に係る発明によれば、導電性基体、下引層及び感光層を有する電子写真感光体において、式（Ａ）を満たさない導電性基体を備える場合、条件（Ｂ）で規定される角周波数ωｍａｘが２５．０ｒａｄを超える下引層を備える場合、又は、条件（Ｃ）で規定される体積抵抗値が７．０×１０７Ω未満の下引層を備える場合に比べ、導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥の発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
【００１３】
請求項３、又は４に係る発明によれば、導電性基体、下引層及び感光層を有する電子写真感光体において、式（Ａ）を満たさない導電性基体を備える電子写真感光体を適用した場合、条件（Ｂ）で規定される角周波数ωｍａｘが２５．０ｒａｄを超える下引層を備える電子写真感光体を適用した場合、又は、条件（Ｃ）で規定される体積抵抗値が７．０×１０７Ω未満の下引層を備える電子写真感光体を適用した場合に比べ、導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥の発生を抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】抵抗とコンデンサーとの並列回路を表す模式図である。
【図２】コール・コールプロット解析の概念を示す図表である。
【図３】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図４】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図５】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図６】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
【図７】他の本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）は、下記条件（Ａ）を満たす導電性基体と、下記条件（Ｂ）及び下記条件（Ｃ）を満たし、前記導電性基体上に設けられた金属酸化物粒子を含有する下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有する。
条件（Ａ）：  前記導電性基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときに、最も大きい凹みの開口距離が４００μｍ以下であり、かつ前記凹みの深さが１５μｍ以下である。
条件（Ｂ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分が最大となる角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下である。
条件（Ｃ）：  前記下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下である。
【００１７】
本実施形態に係る感光体は、条件（Ａ）を満たす導電性基体と、条件（Ｂ）及び条件（Ｃ）を満たし、金属酸化物粒子を含有する下引層と、を有することで、導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥の発生が抑制される。
従来、導電性基体として、前述のＩＰ管又はＥＤ管を使用すると、導電性基体の表面に、様々な大きさの凹みが特定の箇所に発生する場合があり、凹みの個数にも個体差がある。このような凹みを有する導電性基体の外周面に感光層等を形成して製造した感光体を画像形成装置に設置してトナー画像の形成を行うと、導電性基体の表面に存在する凹みに起因して白点状の画質欠陥（つまり白点）が発生することがある。白点の発生は、出力画像品質の低下を招きやすい。
【００１８】
しかしながら、導電性基体として、ＥＤ管又はＩＰ管を用いた場合、その表面に存在する凹みにより発生する白点状の画質欠陥を防止することは困難である。
表面に凹みが存在する導電性基体を感光体に用いた場合に、以下の原因で上記凹みに起因した白点状の画質欠陥が発生すると考えられる。
所謂電子写真プロセスにおける帯電工程において、帯電時に導電性基体の表面に存在する凹み端部へ電界集中が発生することで、凹み部分の帯電均一性が乱れやすくなる。そして、この帯電均一性の乱れが画像露光により減衰した電位の乱れを生じさせ、結果として、露光電位の乱れが白点状の画質欠陥を生じさせる。すなわち、白点状の画質欠陥は、導電性基体表面の凹みに起因して発生すると考えられる。
ここで、金属酸化物粒子を含有する下引層は、導電性基体から感光層への正電荷の流入を抑制する機能を有するが、下引層中で正電荷が移動しやすくなると、正電荷の流入を抑制することが困難となるだけでなく、帯電時に導電性基体の表面に存在する凹み端部への電界集中が発生しやすくなると考えられる。
【００１９】
そこで、本実施形態に係る感光体では、条件（Ａ）を満たす導電性基体と、条件（Ｂ）及び条件（Ｃ）を満たし、金属酸化物粒子を含有する下引層と、を組み合わせて採用する。これにより、下引層中での正電荷の移動が適正に制御され、導電性基体の表面に存在する凹み端部への電界集中が抑制される。その理由は定かではないが、以下のように考えられる。
まず、条件（Ａ）の意義について説明する。
条件（Ａ）で規定する最も大きい凹みの開口距離及び深さが上記範囲であるとは、導電性基体の表面に、過度に大きい開口距離及び深さを持つ凹みが存在しにくい状態であることを意味する。これにより、凹み自体の形状に起因して生じる凹み端部への電界集中の影響を低減しやすくする。
【００２０】
次に、条件（Ｂ）の意義について説明する。
下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分（後述するインピーダンスＺの虚数成分Ｚ´´）が最大となる角周波数ωｍａｘが２５．０ｒａｄ以下であるとは、条件（Ａ）で規定する上記凹みの開口距離及び深さに対して、下引層中の正電荷が移動しにくい状態であることを意味する。
ここで、下引層中の正電荷の移動のし易さは、詳細は後述するが、インピーダンスＺの虚数成分Ｚ´´が最大となる角周波数ωｍａｘで見積もることができる。すなわち、角周波数ωｍａｘが小さいということは、コール・コールプロット解析において印加される交流電圧に対する電荷の応答速度が遅くなることを意味し、これは下引層中の正電荷が移動し難いことと同義である。
したがって、角周波数ωｍａｘを２５．０ｒａｄ以下にして下引層中の正電荷を移動しにくい状態にする。ただし、画像濃度の低下を抑制する観点から、上記角周波数ωｍａｘの下限値は２ｒａｄとする。
【００２１】
次に、条件（Ｃ）の意義について説明する。
下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が大きいということは、下引層中の正負電荷自体が移動しにくい状態であることを意味する。すなわち、条件（Ｃ）では、下引層の体積抵抗値を７．０×１０７Ω以上にして、下引層中の正負電荷を移動しにくい状態に制御する。ただし、画像濃度の低下を抑制する観点から、上記体積抵抗値の上限値は１．０×１０９Ωとする。
【００２２】
以上のことから、本実施形態に係る感光体によれば、条件（Ａ）を満たす導電性基体と、条件（Ｂ）及び条件（Ｃ）を満たし、金属酸化物粒子を含有する下引層と、を組み合わせることで、下引層中での正電荷が移動しにくくなり（つまり下引層中での正電荷の移動が適正に制御され）、導電性基体から感光層への正電荷の流入が抑制される。これにより、帯電時に導電性基体の表面に存在する凹み端部への電界集中が抑制され、凹み部分の帯電均一性の乱れが生じにくくなる。この結果、導電性基体表面の凹みに起因する白点状の画質欠陥が抑制される。
【００２３】
以下、コール・コールプロット（Ｃｏｌｅ−Ｃｏｌｅ  Ｐｌｏｔ）解析を行った場合の、複素インピーダンス成分（インピーダンスＺの虚数成分Ｚ´´）が最大となる角周波数ωｍａｘについて説明する。
【００２４】
例えば、電子写真感光体の各層を構成する導電性有機膜の等価回路としては、一般的に、抵抗（抵抗値：Ｒ、本実施形態では体積抵抗値に該当する。以下同様。）とコンデンサー（静電容量：Ｃ）の並列回路が適用される。抵抗値Ｒおよび静電容量Ｃが不明な並列回路において、抵抗値Ｒと静電容量Ｃとを解析・算出する方法として、コール・コールプロット（Ｃｏｌｅ−Ｃｏｌｅ  Ｐｌｏｔ）解析が挙げられる。
コール・コールプロット解析とは、抵抗値Ｒおよび静電容量Ｃが不明の並列回路（例えば、導電性有機膜）の両端に電極を取り付け、両電極間に、周波数を変化させながら交流電圧を印加し、印加された電圧と得られた電流の位相関係を解析する方法である。この方法により、上記並列回路の抵抗値Ｒと静電容量Ｃが求められる。
以下に、測定・解析の原理を説明する。
【００２５】
図１で表される並列回路（抵抗（抵抗値：Ｒ）とコンデンサー（静電容量：Ｃ）の並列回路）を考えると、この並列回路のインピーダンスＺは、下記式（Ｉ）で表される。ここで、ｉは虚数を、ωは並列回路に印加される電圧の角周波数（ｒａｄ）を表す。
式（Ｉ）・・・・１／Ｚ＝１／Ｒ＋ｉωＣ
【００２６】
次に、式（Ｉ）を下記式（ＩＩ）に書き換えると以下のようになる。
式（ＩＩ）・・・Ｚ＝Ｒ／（１＋ω２Ｒ２Ｃ２）−ｉ［ωＲ２Ｃ／（１＋ω２Ｒ２Ｃ２）］
【００２７】
ここで、インピーダンスＺをその実数成分Ｚ´と虚数成分Ｚ´´を用いて表すと、インピーダンスＺは、下記式（ＩＩＩ）のように表される。
式（ＩＩＩ）・・・Ｚ＝Ｚ´＋ｉＺ´´
【００２８】
また、実数成分Ｚ´と虚数成分Ｚ´´はそれぞれ、下記式（ＩＶ）と下記式（Ｖ）のように表される。
式（ＩＶ）・・・Ｚ´＝Ｒ／（１＋ω２Ｒ２Ｃ２）
式（Ｖ）・・・・Ｚ´´＝ωＲ２Ｃ／（１＋ω２Ｒ２Ｃ２）
【００２９】
そして、式（ＩＶ）と式（Ｖ）からωを消去すると、最終的には、下記式（ＶＩ）が得られる。
式（ＶＩ）・・・（Ｚ´−Ｒ／２）２＋Ｚ´´２＝（Ｒ／２）２
【００３０】
式（ＶＩ）の意味するところは、縦軸に虚数成分Ｚ´´をとり、横軸に実数成分Ｚ´をとって、図２の概念図で示す図表として表すと、実数成分Ｚ´と虚数成分Ｚ´´は、座標（Ｒ／２、０）を中心とした半円になることを示している。そして、虚数成分Ｚ´´が最大となる点での角周波数がωｍａｘ（ｒａｄ）であり、このωｍａｘは、静電容量成分が最大となる点である。
【００３１】
すなわち、抵抗値Ｒと静電容量Ｃとが、不明の並列回路に、周波数を変化させながら交流電圧を印加すると、得られた電流の絶対値と印加電圧との位相差から、図２のような図表を描くことができる。そして、この図表から抵抗値Ｒ及び角周波数ωｍａｘ、さらに、静電容量Ｃを算出することができる。
本実施形態に係る感光体では、上記図表に基づき、角周波数ωｍａｘ及び抵抗値Ｒ（本実施形態では体積抵抗値に該当）を上記範囲にすることで下引層中での正電荷の移動が適正に制御される。
【００３２】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体について詳細に説明する。
図３は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。図４、図５はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す概略断面図である。
【００３３】
図３に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。
【００３４】
図４に示す電子写真感光体７Ｂは、図３に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図４に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により感光層が構成される。
【００３５】
図５に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６、保護層５が順次形成された構造を有するものである。
【００３６】
そして、図３、図４、及び図５に示す電子写真感光体７Ａ、７Ｂ、及び７Ｃにおいて、保護層５が、導電性基体４から最も遠い側に配置される最表面層となっており、当該最表面層が、上記の構成となっている。
【００３７】
以下、代表例として図３に示す電子写真感光体７Ａの各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００３８】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム（金属円筒体）、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
中でも、金属円筒体が好適に用いられる。金属円筒体としては、インパクト加工で製造されたインパクトプレス管（ＩＰ管）、引き抜き加工で製造された引抜管（ＥＤ管）が好ましい。特に金属円筒体がＩＰ管である場合、アルミニウムを主成分とした金属円筒体が好適に用いられる。なお、主成分とは、金属円筒体中のアルミニウムの含有量が５０質量％を超えることを意味する。
【００３９】
本実施形態の感光体において、導電性基体は、下記条件（Ａ）を満たす。
条件（Ａ）：  前記導電性基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときに、最も大きい凹みの開口距離が４００μｍ以下であり、かつ前記凹みの深さが１５μｍ以下である。
【００４０】
条件（Ａ）で規定される最も大きい凹みの開口距離及び深さは、導電性基体表面の凹みに起因した白点状の画質欠陥を抑制する観点から、以下の範囲であることが好ましい。
【００４１】
−最も大きい凹みの開口距離（条件（Ａ））−
最も大きい凹みの開口距離は４００μｍ以下であるが、好ましくは３８０μｍ以下、より好ましくは３５５μｍ以下である。なお、下限値は１２μｍであることが好ましい。
【００４２】
−最も大きい凹みの深さ（条件（Ａ））−
最も大きい凹みの深さは１５μｍ以下であるが、好ましくは１４μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下である。なお、下限値は３μｍであることが好ましい。
【００４３】
−最も大きい凹みの開口距離及び深さの測定−
最も大きい凹みの開口距離は、以下の方法で測定する。
導電性基体の軸方向において、一方の側から５０ｍｍ離れた位置を中心とする６ｍｍ径の領域、他方の側から５０ｍｍ離れた位置を中心とする６ｍｍ径の領域、導電性基体中央の６ｍｍ径の領域、さらに上記領域に対して、それぞれ周方向に９０°毎離れた領域を光学式顕微鏡により特定する。つまり、導電性基体の表面において、１２の領域を特定する。
次いで、１２の領域に存在する凹み（凹部）をレーザー顕微鏡（オリンパス社製：型番ＯＬＳ１１００）により表面観察して画像を撮影し、凹みごとの開口距離を測定する。条件（Ａ）で規定する最も大きい凹みの開口距離とは、測定された凹みの開口距離の最大値とする。
【００４４】
最も大きい凹みの深さは、以下の方法で測定する。
上記１２の領域に存在する凹みを上記レーザー顕微鏡により断面観察して画像を撮影し、凹みごとの深さを測定する。条件（Ａ）で規定する最も大きい凹みの深さとは、測定された凹みの深さの最大値とする。
なお、凹みの形状は、特に制限されないが、断面形状において、例えば、楕円形状等の円形状；ひし形状、長方形状等の多角形状；不定形状；が挙げられる。
【００４５】
条件（Ａ）を満たす導電性基体を製造する方法としては特に限定されず、例えば、インパクトプレス加工、引き抜き加工等の公知の方法で導電性基体を作製した後、導電性基体の表面に、エッチング、陽極酸化処理、粗切削、センタレス研削、ブラスト（例えばサンドブラスト）、湿式ホーニングなどの加工を施す方法が挙げられる。
特に、導電性基体をインパクトプレス加工で作製する場合には、導電性基体を作製するための金属の塊、つまり被加工材料（以下「スラグ」という場合がある）の表面に予め傷（凹部）を付与することにより、条件（Ａ）を満たす導電性基体を製造することができる。
【００４６】
導電性基体の厚さ（肉厚）は特に限定されないが、導電性基体がＩＰ管である場合、０．２５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以上０．７ｍｍ以下がより好ましく、０．４ｍｍ以上０．５ｍｍ以下がさらに好ましい。
また、導電性基体がＥＤ管である場合、０．２５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以上０．７ｍｍ以下がより好ましく、０．４ｍｍ以上０．５ｍｍ以下がさらに好ましい。
【００４７】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４８】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４９】
（下引層）
本実施形態の感光体において、下引層は、金属酸化物粒子を含有する。例えば、下引層は、金属酸化物粒子と結着樹脂とを含む層である。また、本実施形態における下引層は、前述の通り、下記条件（Ｂ）及び下記条件（Ｃ）を満たす。
条件（Ｂ）：下引層に対してコール・コールプロット解析を行った場合の、複素インピーダンス成分が最大となる角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下である。
条件（Ｃ）：下引層に対してコール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下である。
【００５０】
条件（Ｂ）で規定される上記角周波数ωｍａｘ（以下、単に「角周波数ωｍａｘ」とも称する）及び条件（Ｃ）で規定される上記体積抵抗値（以下、単に「体積抵抗値」とも称する）は、導電性基体表面の凹みに起因した白点状の画質欠陥を抑制する観点から、以下の範囲であることが好ましい。
【００５１】
−角周波数ωｍａｘ（条件（Ｂ））−
角周波数ωｍａｘは２．０ｒａｄ以上２５．０ｒａｄ以下であり、好ましくは２．０ｒａｄ以上１５．０ｒａｄ以下、より好ましくは２．０ｒａｄ以上１４．０ｒａｄ以下である。
角周波数ωｍａｘが２５．０ｒａｄ以下であると、下引層中で正電荷が移動しにくくなり、帯電時に導電性基体の表面に存在する凹み端部への電界集中が抑制されやすくなる。これにより、導電性基体表面の凹みに起因した白点状の画質欠陥（白点）が発生しにくくなる。
角周波数ωｍａｘが２．０ｒａｄ以上であると、下引層中の正電荷の移動が過度に抑制されにくくなり、下引層中に長期使用による電荷の蓄積が生じにくくなる。これにより、画像書込み用露光後の電位が確保され、画像濃度の低下が抑制される。
【００５２】
−体積抵抗値（条件（Ｃ））−
体積抵抗値は７．０×１０７Ω以上１．０×１０９Ω以下であり、好ましくは７．０×１０７Ω以上２．０×１０８Ω以下、より好ましくは７．０×１０７Ω以上１．０×１０８Ω以下である。
体積抵抗値が１．０×１０９Ω以下であると、下引層中の正負電荷の移動が過度に抑制されにくくなり、下引層中に長期使用による電荷の蓄積が生じにくくなる。これにより、画像書込み用露光後の電位が確保され、画像濃度の低下が抑制される。
体積抵抗値が７．０×１０７Ω以上であると、下引層中で正負電荷が移動しにくくなり、帯電時に導電性基体の表面に存在する凹み端部への電界集中が抑制されやすくなる。これにより、導電性基体表面の凹みに起因した白点状の画質欠陥（白点）が発生しにくくなる。
【００５３】
−角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値の測定−
角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値は、以下の方法により測定される。
測定には、電源としてＳＩ１２８７  ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ社製）、電流アンプとしてＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ  ｓｏｌａｒｔｒｏｎ  １２９６（東陽テクニカ社製）、電流計としてＩＭＰＥＤＡＮＣＥ／ＧＡＩＮ−ＰＨＡＳＥ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ  ｓｏｌａｒｔｒｏｎ  ＳＩ１２６０（東陽テクニカ社製）を用い、測定用ソフトウェアとしてＳｏｌａｒｔｒｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ｔｅｓｔ  ｓｏｆｔｗｅｒｅ  Ｖｅｒ．３．０．１（ｓｏｌａｒｔｒｏｎ  ａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製）を用いる。
導電性基体（例えば、アルミニウム基体）を陰極、金電極を陽極として、１Ｖｐ−ｐの交流電圧を周波数１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲で高周波側から印加して交流インピーダンスを測定する。
得られた測定結果を、解析ソフトＺｖｉｅｗ  Ｖｅｒ．３．１ｃ（Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製）を用いてコール・コールプロット解析を行う。具体的には、得られたインピーダンスＺの実数成分Ｚ´と虚数成分Ｚ´´からなる２軸のグラフを作成し、座標（Ｚ´，Ｚ´´）で表した場合に、（０，０）となる点と虚数成分Ｚ´´が最大となる点の間の値を用いて半円形フィッティングを行い、複素インピーダンス成分（インピーダンスＺの虚数成分Ｚ´´）が最大となる角周波数ωｍａｘを求める。また、得られた２軸のグラフから、体積抵抗値、さらに、静電容量Ｃを求める。
なお、上記装置と同等の測定が可能であるならば、他の測定機を用いることも可能である。具体的な角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値の測定方法については実施例の項に記載する。
【００５４】
なお、測定対象となる感光体から、角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値を測定する方法としては、以下のとおりである。
まず、測定対象となる感光体を準備する。次に、例えば、下引層を被覆している電荷発生層、及び電荷輸送層等の感光層をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶剤を用いて除去し、下引層を露出させる。そして、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等の手段により金電極を装着して、測定用試料とする。そして、この測定用試料について、上記の測定装置により、角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値を測定する。
【００５５】
本実施形態に係る感光体において、角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値は、例えば、金属酸化物粒子の粒度分布を調整することによって制御することができる。
また、金属酸化物粒子の粒度分布が広い場合は、金属酸化物粒子間距離の分布が広くなる。そして、金属酸化物粒子間距離に存在するバインダーなどの有機材料の影響により、コール・コールプロット解析における交流電圧に対する応答速度が遅くなりやすい。これは、下引層中の正電荷が移動し難いことと同義である。すなわち、角周波数ωｍａｘは小さくなる傾向があり、体積抵抗値は大きくなる傾向がある。
【００５６】
例えば、金属酸化物粒子を分散させた下引層形成用塗布液の塗膜を形成して下引層を形成する場合、下引層の膜中に、例えば、一次粒子とともに、一次粒子が凝集した状態の二次粒子による金属酸化物粒子が存在していることがある。二次粒子の金属酸化物粒子は、一次粒子に比べて粒径が大きく、この二次粒子の金属酸化物粒子の存在によって、電荷が移動する経路が形成されやすい。そして、この二次粒子の金属酸化物粒子によって、下引層中で電荷が移動しすぎるようになると、感光層への電荷の流入を抑制しにくくなる。一方で、分散が進みすぎ、下引層中で、一次粒子の金属酸化物粒子が増加しすぎると、電荷が移動しにくくなるために、画質濃度が低下しやすい。そのため、粒度分布を調整することで、下引層中での正電荷の移動が適正に調整され、すなわち、本実施形態では、下引層中での正電荷が移動しにくくなるように調整され、角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値を上記範囲に制御することができる。
【００５７】
金属酸化物粒子の粒度分布を調整する方法の一例としては、例えば、第１の金属酸化物粒子を含む第１の下引層形成用塗布液の分散液Ｘ（例えば、後述する実施例における分散液Ａ）と、第２の金属酸化物粒子を含む第２の下引層形成用塗布液の分散液Ｙ（例えば、後述する実施例における分散液Ｂ）とを混合した下引層形成用塗布液を用いる方法が挙げられる。
ここで、分散液Ｘ中の第１の金属酸化物粒子の粒径は、分散液Ｙ中の第２の金属酸化物粒子の粒径よりも小さくされている。
【００５８】
金属酸化物粒子の粒度分布を調整する方法としては、例えば、具体的には、下引層形成用塗布液の金属酸化物粒子の分散工程において、金属酸化物粒子の固形分濃度が既知である下引層形成用塗布液に対し長時間分散を行った分散液Ｘを準備する。次に、分散液Ｘと同じ固形分濃度である下引層形成用塗布液を用意し、分散液Ｘの分散時間よりも短い時間（例えば、分散液Ｘの分散時間の半分）で分散した分散液Ｙを準備する。
なお、分散液Ｘは、長時間分散を行うことにより、分散液Ｘ中の金属酸化物粒子の粒径は小さくされている。一方、分散液Ｙは分散時間が短いために、分散液Ｙ中の金属酸化物粒子の粒径は、分散液Ｘ中の金属酸化物粒子の粒径よりも大きい。
【００５９】
次に、上記分散液Ｘと上記分散液Ｙとを混合し、下記式（ｒ）で表される金属酸化物粒子の固形分含有量の質量比ｒ（％）を調整することによって、金属酸化物粒子の粒度分布を調整することが可能となる。そして、この質量比ｒを調整することで、角周波数ωｍａｘを及び体積抵抗値を上記範囲に制御することができる。
式（ｒ）・・・ｒ＝｛Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）｝×１００
ここで、式（ｒ）において、Ｘは、分散液Ｘ中の金属酸化物粒子の固形分含有量（質量部）、Ｙは、分散液Ｙ中の金属酸化物粒子の固形分含有量（質量部）を表す。
【００６０】
なお、上記では、分散液Ｙの分散時間の一例として、分散液Ｘの半分の時間である場合について説明したが、分散液Ｘの分散時間と、分散液Ｙの分散時間との差は、角周波数ωｍａｘを及び体積抵抗値が上記範囲に制御できれば、特に制限されるものではない。また、分散液Ｘ中の金属酸化物粒子の固形分濃度と、分散液Ｙ中の金属酸化物粒子の固形分濃度とは、同じ固形分濃度である場合について説明したが、同じ理由で、特に制限されるものではない。
さらに、金属酸化物粒子の粒径が小さい下引層形成用塗布液中と、金属酸化物粒子の粒径が大きい下引層形成用塗布液中とを混合する方法を例に挙げて説明したが、この方法に限定されるものではない。
【００６１】
金属酸化物粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の金属酸化物粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００６２】
金属酸化物粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
金属酸化物粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００６３】
金属酸化物粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００６４】
金属酸化物粒子は、表面処理が施されていてもよい。金属酸化物粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００６５】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００６６】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６７】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６８】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００６９】
表面処理剤の処理量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００７０】
ここで、下引層は、金属酸化物粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００７１】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
【００７２】
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００７３】
−水酸基を持つアントラキノン構造を有する化合物−
アントラキノン構造を有する化合物の中でも、下引層中での正電荷の移動を調整する観点から、水酸基（ヒドロキシ基）を持つアントラキノン構造を有する化合物が特に好ましい。水酸基を持つアントラキノン構造を有する化合物は、アントラキノン構造のうちの芳香環の水素原子の少なくとも一つが水酸基で置換された化合物であり、下記一般式（１）で表される化合物、又は下記一般式（２）で表される化合物を用いることがより好ましい。下記一般式（１）で表される化合物がさらに好ましい。
【００７４】
【化２】
2018021972.tif 000003
【００７５】
一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上４以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上４以下の整数を表す（つまり、ｎ１およびｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は置換もしくは未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。
【００７６】
【化３】
2018021972.tif 000004
【００７７】
一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及ｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及ｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及ｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。
【００７８】
ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分岐状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、直鎖状、または分岐状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、オクトキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１以上８以下のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２が表す未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基；アルキルベンゼンから水素原子が１個外れた基（ベンジル基、トリル基、キシリル基、メチシル基等）；ナフチル基；ナフタレンのアルキル基置換体から水素原子が１個外れた基；が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下の置換アリール基における置換基としては、例えば、炭素数１以上６以下のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基等）、上記炭素数６以上３０以下のアリール基、上記炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、アミド基、ヒドロキシ基、エステル基、エーテル基、アルデヒド基が挙げられる。
【００７９】
一般式（１）で表される化合物の中でも、下引層中での正電荷の移動を調整する観点から、下記一般式（１Ａ）で表される化合物を用いることが特に好ましい。
【００８０】
【化４】
2018021972.tif 000005
【００８１】
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は置換もしくは未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。ｎは１以上８以下の整数を表す。
【００８２】
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す未置換の炭素数６以上３０以下のアリール基と同義である。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す炭素数６以上３０以下の置換アリール基における置換基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下の置換アリール基における置換基と同義である。
一般式（１Ａ）中、ｎとしては、好ましくは１以上７以下の整数、より好ましくは２以上５以下の整数である。
【００８３】
ここで、電子受容性化合物の具体的を以下に示す。但し、これらに限定されるものではない。
なお、下記の化合物の具体例において、「例示化合物」と称し、例えば、下記（１−１）の化合物であれば「例示化合物（１−１）」と称す。
また、下記例示化合物中、「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｂｕ」はｎ−ブチル基、「Ｃ５Ｈ１１」はｎ−ペンチル基、「Ｃ６Ｈ１３」はｎ−ヘキシル基、「Ｃ７Ｈ１５」はｎ−ヘプチル基、「Ｃ８Ｈ１７」はｎ−オクチル基、「Ｃ９Ｈ１９」はｎ−ノニル基、「Ｃ１０Ｈ２１」はｎ−デシル基を表す。
【００８４】
【化５】
2018021972.tif 000006
【００８５】
【化６】
2018021972.tif 000007
【００８６】
【化７】
2018021972.tif 000008
【００８７】
【化８】
2018021972.tif 000009
【００８８】
電子受容性化合物は、下引層中に金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００８９】
電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００９０】
乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００９１】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００９２】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００９３】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００９４】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００９５】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００９６】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００９７】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００９８】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００９９】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１００】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１０１】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１０２】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１０３】
下引層の形成は、角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値が上記範囲に制御できれば特に制限されないが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層形成用塗布液としては、一例として、既述の下引層形成用塗布液を用いることがよい。すなわち、第１の金属酸化物粒子を含有する第１の下引層形成用塗布液の分散液Ｘと、第２の金属酸化物粒子を含有する第２の下引層形成用塗布液の分散液Ｙとを混合して調製した下引層形成用塗布液であって、第１の金属酸化物粒子の粒径が第２の金属酸化物粒子の粒径よりも小さい下引層形成用塗布液であることがよい。
【０１０４】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１０５】
下引層形成用塗布液を調製するときの金属酸化物粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１０６】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１０７】
下引層の膜厚は、コール・コールプロット解析により求められる体積抵抗値を上記範囲に制御しやすくする観点から、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以上３５μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１０８】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１０９】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１１０】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１１１】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１１２】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【０１１３】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１１４】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１１５】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１１６】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【０１１７】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【０１１８】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【０１１９】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０１２０】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１２１】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【０１２２】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１２３】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１２４】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２５】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２６】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【０１２７】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２８】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１２９】
【化９】
2018021972.tif 000010
【０１３０】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１３１】
【化１０】
2018021972.tif 000011
【０１３２】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１３３】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１３４】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１３５】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１３６】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１３７】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１３８】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１３９】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１４０】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１４１】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１４２】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１４３】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１４４】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１４５】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１４６】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１４７】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１４８】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１４９】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１５０】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１５１】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１５２】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１５３】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１５４】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１５５】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１５６】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１５７】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１５８】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１５９】
図６は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図６に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１６０】
図６におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１６１】
なお、図６には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１６２】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１６３】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１６４】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１６５】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１６６】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１６７】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１６８】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１６９】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１７０】
図７は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図７に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【０１７１】
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【０１７２】
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
【実施例】
【０１７３】
以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。「ｗｔ％」は質量％を表す。
【０１７４】
（下引層形成用分散液Ａの作製）
酸化亜鉛粒子（商品名：ＭＺ−３００、テイカ社製）：１００質量部、シランカップリング剤として、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（１０質量％のトルエン溶液）：１０質量部、及びトルエン：２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後、１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け表面処理を行った。
【０１７５】
この表面処理後の酸化亜鉛粒子：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、及びメチルエチルケトン：２５質量部を混合し３０分間分散を行った。その後、さらに、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、下記式（Ｘ）で表される化合物（水酸基を持つアントラキノン構造を有する化合物：例示化合物（１−９）に該当）：１質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤として、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて８時間の分散を行い、下引層形成用分散液（以下、「分散液」とも称する）Ａを得た。
【０１７６】
【化１１】
2018021972.tif 000012
【０１７７】
（下引層形成用分散液Ｂの作製）
分散液Ａの作製において、サンドミルでの分散時間を４時間に変更したこと以外は、分散液Ａの作製と同様にして分散液Ｂを得た。
【０１７８】
（下引層形成用分散液Ｃの作製）
分散液Ａの作製において、酸化亜鉛粒子を３０質量部に変更したこと以外は、分散液Ａの作製と同様にして分散液Ｃを得た。
【０１７９】
（下引層形成用分散液Ｄの作製）
分散液Ａの作製において、酸化亜鉛粒子を３０質量部に変更し、サンドミルでの分散時間を４時間に変更したこと以外は、分散液Ａの作製と同様にして分散液Ｄを得た。
【０１８０】
＜実施例１＞
〔下引層の形成〕
導電性基体として、インパクトプレス加工により作製した直径３０ｍｍ、長さ２５２．９ｍｍ、肉厚０．５０ｍｍのアルミニウム基体（ＩＰ管）を準備した。
また、上記で得た分散液Ａを２４質量部と、分散液Ｂを７６質量部と、混合して下引層形成用塗布液を得た。
得られた下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて上記アルミニウム基体上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚２３．５μｍの下引層を得た。
【０１８１】
〔電荷発生層の形成〕
電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料：１８質量部、結着樹脂として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）：１６質量部、及びｎ−酢酸ブチル：１００質量部を混合し、混合物を得た。この混合物を、容量１００ｍＬのガラス瓶中に、１.０ｍｍφガラスビーズを充填率５０％とともに混合し、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層形成用塗布液を得た。得られた電荷発生層形成用塗布液を、上記で形成した下引層上に浸漬塗布し、１００℃、５分の条件で乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１８２】
〔電荷輸送層の形成〕
下記式（ａ−１Ａ）で表される化合物：２質量部、下記式（ａ−２Ａ）で表される化合物：２質量部、及びビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（分子量４万）：６質量部を、テトラヒドロフラン：６０質量部に加えて溶解して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この電荷輸送層形成用塗布液を、上記で形成した電荷発生層上に塗布して、１５０℃、３０分の条件で乾燥を行い、膜厚２６μｍの電荷輸送層を形成して、感光体を作製した。
【０１８３】
【化１２】
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【０１８４】
【化１３】
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【０１８５】
＜実施例２〜２０＞
実施例１において、アルミニウム基体の種類、分散液の種類及び含有量、並びに、下引層の膜厚の組み合わせを、表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【０１８６】
＜比較例１〜２０＞
実施例１において、アルミニウム基体の種類、分散液の種類及び含有量、並びに、下引層の膜厚の組み合わせを、表２に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
【０１８７】
〔評価〕
＜最も大きい凹みの開口距離及び深さ（条件（Ａ））の測定＞
各例の感光体の作製において、下引層の形成に先だって、アルミニウム基体の表面に存在する凹みをレーザー顕微鏡により測定したときの、最も大きい凹みの開口距離及び深さを既述の方法で測定し、アルミニウム基体上に下引層を形成した後も、上記凹みの位置が分かるように記録した。最も大きい凹みの開口距離及び深さの測定結果を表１、２に示す。
【０１８８】
＜角周波数ωｍａｘ（条件（Ｂ））及び体積抵抗値（条件（Ｃ））の測定＞
各例の感光体の作製において、下引層が形成されたアルミニウム基体を用いて、複素インピーダンス成分（インピーダンスＺの虚数成分Ｚ´´）が最大となる角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値を求めた。
まず、アルミニウム基体上に形成された下引層の軸方向の中央部分に、イオンスパッターにて、直径６ｍｍ、厚さ３００オングストロームの円形金電極を作製した。その後は既述の方法と同様にして下引層の角周波数ωｍａｘ及び体積抵抗値を求めた。なお、測定条件は以下の通りである。結果を表１、表２に示す。
−測定条件−
直流印加電圧：０Ｖ
交流印加電圧：１．０Ｖ
Ｓｗｅｅｐ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：１．０ＭＨｚ〜１．０ｍＨｚ
測定ステップ数：５ｐｔｓ／ｄｅｃａｄｅ
【０１８９】
＜画質評価＞
各例で得られた電子写真感光体を、電子写真式画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ  Ｐ４５０ｄ）に搭載し、画質評価を行った。
まず、Ａ４サイズの用紙に３０％濃度の全面ハーフトーン画像を１枚出力し、先に位置を記録しておいた、アルミニウム基体（導電性基体）の表面に存在する最も大きい開口距離を持つ凹み及び最も大きい深さを持つ凹みに該当する場所の画質欠陥（白点）と、全面の出力画像濃度を評価した（初期画質評価）。その後、Ａ４サイズの用紙に３０％濃度の全面ハーフトーン画像１０，０００枚を連続出力し、１０，０００枚目の出力画像を同様に評価した（１０，０００枚出力後の画質評価）。
画質欠陥（白点）及び全面の出力画像濃度の評価は、目視にて判定を行った。判定はＧ０〜Ｇ５の６段階で、Ｇ１刻みで行い、Ｇの数値が小さい方が、評価結果が良好であることを示す（つまり、（優）Ｇ０＞Ｇ１＞Ｇ２＞Ｇ３＞Ｇ４＞Ｇ５（劣）の関係になる）。画質欠陥の評価及び出力画像濃度の評価において、許容範囲はＧ３以下である。
なお、下記の評価基準は、最も大きい開口距離を持つ凹み及び最も大きい深さを持つ凹みに該当する場所が異なる場合には、２つの場所の判定結果をともに満足するときの基準とする。結果を表１、２に示す。
【０１９０】
−評価基準−
Ｇ０：画質欠陥及び画質濃度低下が全く見えない
Ｇ１：画質欠陥及び画質濃度低下が殆ど見えない
Ｇ２：画質欠陥及び画質濃度低下が極僅かに見える
Ｇ３：画質欠陥及び画質濃度低下が僅かに見える
Ｇ４：画質欠陥及び画質濃度低下が明瞭に見える
Ｇ５：画質欠陥及び画質濃度低下が極めて明瞭に見える
【０１９１】
【表１】
2018021972.tif 000015
【０１９２】
【表２】
2018021972.tif 000016
【０１９３】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、画質評価について、良好な結果が得られたことが分かる。
【符号の説明】
【０１９４】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、６  単層型感光層、７  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑材、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材、１３３  繊維状部材、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
2018021972.tif 000018
【図２】
2018021972.tif 000019
【図３】
2018021972.tif 000020
【図４】
2018021972.tif 000021
【図５】
2018021972.tif 000022
【図６】
2018021972.tif 000023
【図７】
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