(57)【要約】【課題】新規な半導体装置又は表示システムの提供。【解決手段】人工知能を利用して映像信号を補正する機能を有する補正回路を信号生成部に設ける。具体的には、補正回路は人工ニューラルネットワークを有し、人工ニューラルネットワークの推論（認知）により、映像の不連続性を補償するように映像信号が補正される。これにより、複数の表示パネルを用いて表示部を構成する場合に、表示パネルのつなぎ目において映像の乱れを視認されにくくすることが可能となり、映像の品質を向上させることができる。【選択図】図１
2018146648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、信号生成部と、を有し、
前記表示部は、複数の表示パネルを有し、
前記信号生成部は、処理回路と、補正回路と、を有し、
前記処理回路は、画像データを、前記複数の表示パネルと同数のデータに分割する機能を有し、
前記補正回路は、ニューラルネットワークを有し、
前記ニューラルネットワークは、前記複数の表示パネルの境界において連続的な映像が表示されるように、前記データを補正する機能を有する表示システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の表示パネルは、可視光を透過する領域と、表示領域と、を有し、
一の前記表示パネルが有する前記領域は、他の前記表示パネルが有する前記表示領域と重畳する領域を有する表示システム。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記補正回路は、前記ニューラルネットワークを複数有し、
前記複数のデータの補正は、前記複数のニューラルネットワークを用いた並列処理によって行われる表示システム。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記ニューラルネットワークには、前記データが順次入力され、
前記データの補正は、前記データごとに異なる重み係数を用いて行われる表示システム。
【請求項５】
請求項４において、
前記信号生成部は、レジスタを有し、
前記レジスタは、第１のスキャンチェーンレジスタ部と、第２のスキャンチェーンレジスタ部と、レジスタ部と、を有し、
前記第１のスキャンチェーンレジスタ部には、第１の重み係数が格納され、
前記第２のスキャンチェーンレジスタ部には、第２の重み係数が格納され、
前記レジスタ部は、前記第１の重み係数又は前記第２の重み係数を選択して前記補正回路に出力する機能を有する表示システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示システムが搭載された電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置、表示システム及び電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、表示システム、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【０００３】
また、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、表示装置、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
テレビジョン（ＴＶ）は、大画面化に伴って高精細度の映像を表示できることが望まれており、超高解像度テレビジョン放送が推進されている。２０１６年には８Ｋデジタルテレビ放送の試験放送が開始され、本放送の開始も予定されている。そのため、８Ｋ放送に対応するための各種の電子機器が開発されている。
【０００５】
また、映像の表示には、液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイが広く用いられている。これらの表示装置を構成するトランジスタの半導体材料には主にシリコンなどが用いられているが、近年、金属酸化物を用いたトランジスタを表示装置の画素に用いる技術も開発されている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、新規な半導体装置又は表示システムの提供を課題とする。又は、本発明の一態様は、高品質の映像の表示を可能とする半導体装置又は表示システムの提供を課題とする。又は、本発明の一態様は、大型の映像の表示を可能とする半導体装置又は表示システムの提供を課題とする。又は、本発明の一態様は、高速動作が可能な半導体装置又は表示システムの提供を課題とする。又は、本発明の一態様は、消費電力が低い半導体装置又は表示システムの提供を課題とする。
【０００８】
なお、本発明の一態様は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一の課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る表示システムは、表示部と、信号生成部と、を有し、表示部は、複数の表示パネルを有し、信号生成部は、処理回路と、補正回路と、を有し、処理回路は、画像データを、複数の表示パネルと同数のデータに分割する機能を有し、補正回路は、ニューラルネットワークを有し、ニューラルネットワークは、複数の表示パネルの境界において連続的な映像が表示されるように、データを補正する機能を有する表示システムである。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る表示システムにおいて、複数の表示パネルは、可視光を透過する領域と、表示領域と、を有し、一の表示パネルが有する領域は、他の表示パネルが有する表示領域と重畳する領域を有していてもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る表示システムにおいて、補正回路は、ニューラルネットワークを複数有し、複数のデータの補正は、複数のニューラルネットワークを用いた並列処理によって行われてもよい。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示システムにおいて、ニューラルネットワークには、データが順次入力され、データの補正は、データごとに異なる重み係数を用いて行われてもよい。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示システムにおいて、信号生成部は、レジスタを有し、レジスタは、第１のスキャンチェーンレジスタ部と、第２のスキャンチェーンレジスタ部と、レジスタ部と、を有し、第１のスキャンチェーンレジスタ部には、第１の重み係数が格納され、第２のスキャンチェーンレジスタ部には、第２の重み係数が格納され、レジスタ部は、第１の重み係数又は第２の重み係数を選択して補正回路に出力する機能を有していてもよい。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る電子機器は、上記の表示システムが搭載された電子機器である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様により、新規な半導体装置又は表示システムを提供することができる。又は、本発明の一態様により、高品質の映像の表示を可能とする半導体装置又は表示システムを提供することができる。又は、本発明の一態様により、大型の映像の表示を可能とする半導体装置又は表示システムを提供することができる。又は、本発明の一態様により、高速動作が可能な半導体装置又は表示システムを提供することができる。又は、本発明の一態様により、消費電力が低い半導体装置又は表示システムを提供することができる。
【００１６】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。また、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。これら以外の効果は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】表示システムの構成例を示す図。
【図２】表示部の構成例を示す図。
【図３】表示部の構成例を示す図。
【図４】表示部の動作例を示す図。
【図５】補正回路の構成例を示す図。
【図６】補正回路の構成例を示す図。
【図７】フローチャート。
【図８】フローチャート。
【図９】補正回路の動作例を示す図。
【図１０】表示システムの構成例を示す図。
【図１１】ニューラルネットワークの構成例を示す図。
【図１２】レジスタの構成例を示す図。
【図１３】レジスタの構成例を示す図。
【図１４】レジスタの構成例を示す図。
【図１５】タイミングチャート。
【図１６】画素の構成例を示す図。
【図１７】表示装置の構成例を示す図。
【図１８】表示装置の構成例を示す図。
【図１９】表示装置の構成例を示す図。
【図２０】表示装置の構成例を示す図。
【図２１】トランジスタの構成例を示す図。
【図２２】トランジスタの構成例を示す図。
【図２３】電子機器の構成例を示す図。
【図２４】電子機器の構成例を示す図。
【図２５】車両の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態における説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
また、本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタのチャネル領域に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。以下、チャネル領域に金属酸化物を含むトランジスタを、ＯＳトランジスタとも表記する。
【００２０】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。金属酸化物の詳細については後述する。
【００２１】
また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも、図又は文章に記載されているものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００２２】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【００２３】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、オン状態、又は、オフ状態になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。又は、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【００２４】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【００２５】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【００２６】
また、図面上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置及び表示システムについて説明する。
【００２８】
＜表示システムの構成例＞
図１に、表示システム１０の構成例を示す。表示システム１０は、外部から受信したデータに基づいて所定の映像を表示するための信号を生成し、当該信号を用いて映像を表示する機能を有する。表示システム１０は、表示部２０、及び信号生成部３０を有する。
【００２９】
なお、表示部２０及び信号生成部３０は、いずれも半導体装置によって構成することができる。また、表示部２０は表示装置によって構成することができる。また、信号生成部３０に含まれる回路は、１つの集積回路に集約することができる。よって、表示部２０は半導体装置又は表示装置と呼ぶことができる。また、信号生成部は半導体装置又は集積回路と呼ぶことができる。
【００３０】
［表示部］
表示部２０は、複数の表示パネルＤＰを有する。表示パネルＤＰはそれぞれ、信号生成部３０から入力される、所定の映像を表示するための信号（以下、映像信号ともいう）に基づいて、映像を表示する機能を有する。図１には、Ｎ行Ｍ列（Ｎ、Ｍは自然数）の表示パネルＤＰを有する表示部２０を示している。なお、表示パネルＤＰはそれぞれ独立に表示を制御することができる。
【００３１】
１つの映像を分割し、分割された映像をそれぞれ表示部２０が有する複数の表示パネルＤＰに表示することにより、映像の表示領域を拡大することができ、表示部２０の大型化を図ることができる。例えば、画面サイズが対角３０インチ以上、４０インチ以上、５０インチ以上、または６０インチ以上の表示部２０を実現することができる。また、解像度がフルハイビジョン以上、例えば、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上である、高解像度の表示部を実現することができる。
【００３２】
また、複数の表示パネルＤＰを用いて映像の表示が行われる場合、１つの表示パネルＤＰの大きさは大型である必要がない。したがって、表示パネルを作製するための製造装置の大型化が不要となる。また、中小型の表示パネルの製造装置を用いることができるため、大型の表示装置用の設備を別途準備する必要がなく、製造コストを抑えることができる。また、表示パネルの大型化に伴う歩留まりの低下を回避することができる。
【００３３】
表示パネルＤＰにはそれぞれ、信号生成部３０から供給された映像信号（データＳＤｄｉｖ´）が入力される。図２（Ａ）に、表示パネルＤＰ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］に映像信号が供給される様子を示す。表示部２０にはＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖ´（ＳＤｄｉｖ´［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］）が入力され、データＳＤｄｉｖ´［ｉ，ｊ］（ｉは１以上Ｎ以下の整数、ｊは１以上Ｍ以下の整数）が表示パネル［ｉ，ｊ］に入力される。
【００３４】
図２（Ｂ）に、表示パネルＤＰの構成例を示す。表示パネルＤＰは、複数の画素２２によって構成された画素部２１、駆動回路２３、及び駆動回路２４を有する。
【００３５】
画素２２はそれぞれ表示素子を有し、所定の階調を表示する機能を有する。そして、駆動回路２３及び駆動回路２４から出力される信号により画素２２の階調が制御され、画素部２１に所定の映像が表示される。
【００３６】
画素２２に設けられる表示素子の例としては、液晶素子、発光素子などが挙げられる。液晶素子としては、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、半透過型の液晶素子などを用いることができる。また、表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した表示素子などを用いることもできる。また、発光素子の例としては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの、自発光性の発光素子が挙げられる。
【００３７】
なお、画素部２１に設けられる画素２２の数は、自由に設定することができる。例えば、表示部２０に４Ｋ２Ｋの映像を表示する場合は、Ｎ×Ｍ個の表示パネルＤＰに合計で３８４０×２１６０個以上、又は４０９６×２１６０個以上の画素を設けることが好ましい。また、８Ｋ４Ｋの映像を表示する場合は、合計で７６８０×４３２０個以上の画素を設けることが好ましい。また、画素部２１にはさらに多くの画素２２を設けることもできる。
【００３８】
画素２２はそれぞれ、配線ＳＬ及び配線ＧＬと接続されている。また、配線ＧＬはそれぞれ駆動回路２３と接続され、配線ＳＬはそれぞれ駆動回路２４と接続されている。
【００３９】
駆動回路２３は、画素２２を選択するための信号（以下、選択信号ともいう）を画素２２に供給する機能を有する。具体的には、駆動回路２３は、配線ＧＬに選択信号を供給する機能を有し、配線ＧＬは、駆動回路２３から出力された選択信号を画素２２に伝える機能を有する。なお、配線ＧＬは、選択信号線、ゲート線などと呼ぶこともできる。
【００４０】
駆動回路２４は、映像信号を画素２２に供給する機能を有する。具体的には、駆動回路２４は、配線ＳＬに映像信号を供給する機能を有し、配線ＳＬは、駆動回路２４から出力された映像信号を画素２２に伝える機能を有する。なお、配線ＳＬは、映像信号線、ソース線などと呼ぶこともできる。選択信号が供給された画素２２に映像信号が供給されることにより、画素２２に選択信号が書き込まれ、所定の階調が表示される。
【００４１】
表示部２０に複数の表示パネルＤＰが設けられる場合、隣接する表示パネルＤＰ間において表示領域が連続するように、複数の表示パネルＤＰが配置されることが好ましい。表示パネルＤＰの構成例及び配置例を、図３に示す。
【００４２】
図３（Ａ）に示す表示パネルＤＰは、表示領域５１と、表示領域５１に隣接して、可視光を透過する領域５２と、可視光を遮光する領域５３と、を備える。また、図３（Ａ）では、表示パネルＤＰにＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）５４が設けられている例を示す。
【００４３】
表示領域５１には、複数の画素２２（図示せず）が含まれる。また、領域５２には、例えば表示パネルＤＰを構成する一対の基板、及び当該一対の基板に挟持された表示素子を封止するための封止材などが設けられていてもよい。このとき、領域５２に設けられる部材には、可視光に対して透光性を有する材料を用いる。また、領域５３には、例えば表示領域５１に含まれる画素２２と接続された配線などを設けることができる。また、領域５３には駆動回路２３又は駆動回路２４が設けられていてもよい。また、領域５３にはＦＰＣ５４と接続された端子や、当該端子と接続された配線等が設けられていてもよい。
【００４４】
図３（Ｂ）に、図３（Ａ）に示す表示パネルＤＰの配置例を示す。ここでは一例として、隣接する４つの表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄを示している。また、図３（Ｃ）は、４つの表示パネルを表示面側とは反対側から見たときの斜視概略図である。
【００４５】
表示パネルＤＰはそれぞれ、他の表示パネルＤＰと重なる領域を有するように配置されている。具体的には、一の表示パネルＤＰが有する可視光を透過する領域５２が、他の表示パネルＤＰが有する表示領域５１の上（表示面側）に重畳する領域を有するように、表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置されている。また、一の表示パネルＤＰが有する可視光を遮光する領域５３が、他の表示パネルＤＰの表示領域５１の上に重畳しないように、表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置されている。
【００４６】
より具体的には、表示パネルＤＰａの表示領域５１ａの短辺に沿った領域と、表示パネルＤＰｂの領域５２ｂの一部が重畳して設けられている。また、表示パネルＤＰａの表示領域５１ａの長辺に沿った領域と、表示パネルＤＰｃの領域５２ｃの一部が重畳して設けられている。また表示パネルＤＰｄの領域５２ｄは、表示パネルＤＰｂの表示領域５１ｂの長辺に沿った領域、及び表示パネルＤＰｃの表示領域５１ｃの短辺に沿った領域に重畳して設けられている。
【００４７】
このように、表示領域５１上に可視光を透過する領域５２を重畳させることにより、表示領域５１の全体を表示面側から視認することが可能となる。これにより、表示領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄが、継ぎ目なく連続的に配置された領域を、表示部２０の表示領域５５として用いることが可能となる。
【００４８】
なお、表示パネルＤＰに用いられる一対の基板が可撓性を有し、表示パネルＤＰが可撓性を有していることが好ましい。これにより、例えば図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ＦＰＣ５４ａが設けられる側の表示パネルＤＰａの一部を湾曲させ、ＦＰＣ５４ａを隣接する表示パネルＤＰｂの表示領域５１ｂの下側にまで重畳するように配置することができる。その結果、ＦＰＣ５４ａを表示パネルＤＰｂの裏面と物理的に干渉することなく配置することができる。また、表示パネルＤＰａと表示パネルＤＰｂとを重ねて接着する際に、ＦＰＣ５４ａの厚さを考慮する必要がないため、表示パネルＤＰｂの領域５２ｂの上面と、表示パネルＤＰａの表示領域５１ａの上面との高さの差を低減できる。その結果、表示領域５１ａ上に位置する表示パネルＤＰｂの端部が視認されてしまうことを抑制できる。
【００４９】
さらに、各表示パネルＤＰに可撓性を持たせることで、表示パネルＤＰｂの表示領域５１ｂにおける上面の高さを、表示パネルＤＰａの表示領域５１ａにおける上面の高さと一致するように、表示パネルＤＰｂを緩やかに湾曲させることができる。そのため、表示パネルＤＰａと表示パネルＤＰｂとが重畳する領域近傍を除き、各表示領域の高さを揃えることが可能で、表示領域５５に表示する画像の表示品位を高めることができる。
【００５０】
なお、隣接する２つの表示パネルＤＰ間の段差を軽減するため、表示パネルＤＰの厚さは薄いことが好ましい。例えば表示パネルＤＰの厚さを１ｍｍ以下、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００５１】
以上のように、表示部２０は複数の表示パネルＤＰを用いて映像を表示することができる。
【００５２】
［信号生成部の構成例］
図１に示す信号生成部３０は、外部から入力されたデータに基づいて映像信号を生成する機能を有する。信号生成部３０は、フロントエンド部ＦＥ、デコーダＤＥＣ、処理回路ＰＣ、受信部ＲＣＶ、インターフェースＩＦ、制御回路ＣＴＲＬ、及び補正回路ＣＣを有する。
【００５３】
フロントエンド部ＦＥは、外部から入力される信号を受信し、適宜信号処理を行う機能を有する。フロントエンド部ＦＥには、例えば、所定の方式で符合化され、変調された放送信号などが入力される。フロントエンド部ＦＥは、受信した映像信号の復調、アナログ−デジタル変換などを行う機能を備えることができる。また、フロントエンド部ＦＥはエラー訂正を行う機能を有していてもよい。フロントエンド部ＦＥによって受信され、信号処理が施されたデータは、デコーダＤＥＣに出力される。
【００５４】
デコーダＤＥＣは、符号化された信号を復号する機能を有する。フロントエンド部ＦＥに入力された放送信号に含まれる画像データが圧縮されている場合、デコーダＤＥＣによって伸長が行われる。例えば、デコーダＤＥＣは、エントロピー復号、逆量子化、逆離散コサイン変換（ＩＤＣＴ）や逆離散サイン変換（ＩＤＳＴ）などの逆直交変換、フレーム内予測、フレーム間予測などを行う機能を備えることができる。
【００５５】
なお、８Ｋ／４Ｋテレビ放送における符号化規格には、Ｈ．２６５／ＭＰＥＧ−Ｈ  Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｖｉｄｅｏ  Ｃｏｄｉｎｇ（以下、ＨＥＶＣという）が採用されている。フロントエンド部ＦＥに入力される放送信号に含まれる画像データがＨＥＶＣに従って符号化されている場合には、デコーダＤＥＣによってＨＥＶＣに従った復号（デコード）が行われる。
【００５６】
デコーダＤＥＣによる復号処理により画像データ（データＳＤ）が生成され、処理回路ＰＣに出力される。
【００５７】
処理回路ＰＣは、データＳＤを複数のデータＳＤｄｉｖに分割する機能を有する。データＳＤｄｉｖはそれぞれ、表示パネルＤＰに表示される画像に対応する画像データである。データＳＤは、表示部２０に設けられた表示パネルＤＰと同数のデータＳＤｄｉｖに分割される。図１においては、データＳＤがＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖに分割され、補正回路ＣＣに出力される。
【００５８】
なお、処理回路ＰＣは、データの分割の他、画像処理を行う機能を有していてもよい。画像処理の例としては、ノイズ除去処理、階調変換処理、色調補正処理、輝度補正処理などが挙げられる。色調補正処理や輝度調整処理は、ガンマ補正などを用いて行うことができる。また、処理回路ＰＣは、解像度のアップコンバートに伴う画素間補間処理や、フレーム周波数のアップコンバートに伴うフレーム間補間処理などを実行する機能を有していてもよい。
【００５９】
ノイズ除去処理としては、文字などの輪郭の周辺に生じるモスキートノイズ、高速の動画で生じるブロックノイズ、ちらつきを生じさせるランダムノイズ、解像度のアップコンバートにより生じるドットノイズなどのさまざまなノイズの除去が挙げられる。
【００６０】
階調変換処理は、データＳＤｄｉｖが示す階調を表示部２０の出力特性に対応した階調へ変換する処理である。例えば階調数を大きくする場合、小さい階調数で入力された画像に対して、各画素に対応する階調値を補間して割り当てることで、ヒストグラムを平滑化する処理を行うことができる。また、ダイナミックレンジを広げる、ハイダミックレンジ（ＨＤＲ）処理も、階調変換処理に含まれる。
【００６１】
色調補正処理は、映像の色調を補正する処理である。また輝度補正処理は、映像の明るさ（輝度コントラスト）を補正する処理である。例えば、表示部２０が設けられる空間の照明の種類や輝度、または色純度などに応じて、表示部２０に表示される映像の輝度や色調が最適となるように補正される。
【００６２】
画素間補間処理は、解像度をアップコンバートした際に、本来存在しないデータを補間する処理である。例えば、目的の画素の周囲の画素を参照し、それらの中間色を表示するようにデータを補間する。
【００６３】
フレーム間補間は、表示する映像のフレーム周波数を増大させる場合に、本来存在しないフレーム（補間フレーム）の画像を生成する。例えば、ある２枚の画像の差分から２枚の画像の間に挿入する補間フレームの画像を生成する。または２枚の画像の間に複数枚の補間フレームの画像を生成することもできる。例えば画像データのフレーム周波数が６０Ｈｚであったとき、複数枚の補間フレームを生成することで、表示部２０に出力される映像信号のフレーム周波数を、２倍の１２０Ｈｚ、または４倍の２４０Ｈｚ、または８倍の４８０Ｈｚなどに増大させることができる。
【００６４】
なお、上記の画像処理は、処理回路ＰＣとは別途設けられた画像処理回路によって行うこともできる。
【００６５】
受信部ＲＣＶは、外部から入力されるデータ又は制御信号を受信する機能を有する。受信部ＲＣＶへのデータ又は制御信号の入力には、リモートコントローラ、携帯情報端（スマートフォンやタブレットなど）、表示部２０に設けられた操作ボタンなどを用いることができる。
【００６６】
インターフェースＩＦは、受信部ＲＣＶが受信したデータ又は制御信号に適宜信号処理を施し、制御回路ＣＴＲＬに出力する機能を有する。
【００６７】
制御回路ＣＴＲＬは、信号生成部３０が有する各回路に制御信号を供給する機能を有する。例えば、制御回路ＣＴＲＬは、デコーダＤＥＣ、処理回路ＰＣ又は補正回路ＣＣに制御信号を供給する機能を有する。制御回路ＣＴＲＬによる制御は、受信部ＲＣＶが受信した制御信号などに基づいて行うことができる。
【００６８】
上記の信号生成部３０によって生成された映像信号が表示部２０に出力され、表示部２０に映像が表示される。ここで、表示部２０に複数の表示パネルＤＰがマトリクス状に配置される場合、図４（Ａ）に示すように、表示パネルＤＰが隣接する領域、すなわち表示パネルＤＰのつなぎ目の領域（図中の領域Ｓ）が存在する。複数の表示パネルＤＰを用いて映像を表示する際は、領域Ｓにおける映像の連続性が確保されることが好ましい。
【００６９】
しかしながら、画素２２が有するトランジスタの特性又は容量素子のサイズ、配線ＳＬの寄生抵抗又は寄生容量、駆動回路２４の駆動能力などには、表示パネルＤＰごとにばらつきが生じ得る。そのため、映像信号が各表示パネルＤＰに供給された際、表示パネルＤＰごとに表示映像に誤差が生じ、これによりつなぎ目の領域において映像が不連続になり得る。また、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、一の表示パネルＤＰの表示領域５１が他の表示パネルＤＰの可視光を透過する領域５２と重なる領域を有する場合、つなぎ目の領域においては表示領域５１に表示された映像が領域５２を介して視認されるため、階調に誤差が生じ得る。よって、処理回路ＰＣによって生成されたデータＳＤｄｉｖを各表示部２０に供給すると、図４（Ｂ−１）に示すように、領域Ｓにおいて不連続な映像が視認され得る。
【００７０】
そこで、本発明の一態様においては、人工知能（ＡＩ：Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ  Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）を利用して映像信号を補正する機能を有する補正回路ＣＣを信号生成部３０に設ける。具体的には、補正回路ＣＣは人工ニューラルネットワーク（ＡＮＮ：Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ  Ｎｅｕｒａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）を有し、当該人工ニューラルネットワークの推論（認知）により、特につなぎ目において映像の不連続性を補償するように映像信号が補正される。これにより、複数の表示パネルＤＰを用いて表示部を構成する場合に、表示パネルＤＰのつなぎ目において映像の乱れを視認されにくくすることが可能となり、映像の品質を向上させることができる。
【００７１】
なお、人工知能とは、人間の知能を模した計算機である。また、人工ニューラルネットワークとは、ニューロンとシナプスで構成される神経網を模した回路であり、人工ニューラルネットワークは人工知能の一種である。本明細書等において「ニューラルネットワーク」と記載する場合、特に人工ニューラルネットワークを指す。
【００７２】
図１に示す補正回路ＣＣは、処理回路ＰＣから入力された映像信号を補正する機能を有する。具体的には、補正回路ＣＣは、表示部２０に複数の表示パネルＤＰが設けられる場合において、表示パネルＤＰの境界において連続的な映像が表示されるように、すなわち、つなぎ目における映像の不連続性を補償するように、Ｎ×ＭのデータＳＤｄｉｖを補正する機能を有する。
【００７３】
データＳＤｄｉｖの補正は、補正回路ＣＣが有するニューラルネットワークＮＮによって行われる。ニューラルネットワークＮＮは、つなぎ目の領域において映像の不連続性を緩和するように、映像信号を適切に補正するための学習が施されている。そして、ニューラルネットワークＮＮにデータＳＤｄｉｖが入力データとして供給されると、ニューラルネットワークＮＮは推論を行い、データＳＤｄｉｖ´を出力する。そして、ニューラルネットワークＮＮによって生成されたＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖ´が表示部２０に供給されると、図４（Ｂ−２）に示すようにつなぎ目が目立たない映像が表示される。以下、ニューラルネットワークＮＮを有する補正回路ＣＣについて詳述する。
【００７４】
＜補正回路の構成例＞
図５に、補正回路ＣＣの構成例を示す。補正回路ＣＣはニューラルネットワークＮＮを有し、データＳＤｄｉｖを補正する機能を有する。なお、ここでは補正回路がＮ×ＭのニューラルネットワークＮＮ（ＮＮ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］）を有する構成例について説明する。ニューラルネットワークＮＮ［ｉ，ｊ］には、データＳＤｄｉｖ［ｉ，ｊ］が入力される。
【００７５】
ニューラルネットワークＮＮは、入力層ＩＬ、出力層ＯＬ、及び隠れ層（中間層）ＨＬを有する。ニューラルネットワークＮＮは、隠れ層ＨＬを複数有するニューラルネットワーク、すなわち、ディープニューラルネットワークによって構成することができる。なお、ディープニューラルネットワークにおける学習を、ディープラーニングと呼ぶことがある。出力層ＯＬ、入力層ＩＬ、隠れ層ＨＬはそれぞれ複数のニューロン回路を有し、異なる層に設けられたニューロン回路同士は、シナプス回路を介して接続されている。
【００７６】
ニューラルネットワークＮＮには、表示部２０に表示される映像の不連続性を緩和するようにデータＳＤｄｉｖを補正する機能が、学習によって付加されている。そして、ニューラルネットワークＮＮにデータＳＤｄｉｖが入力されると、各層において演算処理が行われる。各層における演算処理は、前層が有するニューロン回路の出力と重み係数との積和演算などにより実行される。なお、層と層との結合は、全てのニューロン回路同士が結合する全結合としてもよいし、一部のニューロン回路同士が結合する部分結合としてもよい。そして、演算結果はデータＳＤｄｉｖ´として出力層ＯＬから出力される。これにより、データＳＤｄｉｖがデータＳＤｄｉｖ´に補正される。
【００７７】
図５に示すように、補正回路ＣＣが複数のニューラルネットワークＮＮを有することにより、複数のデータＳＤｄｉｖの補正を並列処理によって行うことができる。これにより、映像信号の補正を高速に行うことができる。また、例えば８Ｋ４Ｋなどの高解像度の映像に対応する画像データが入力される場合、補正回路ＣＣに入力されるデータ量が多くなり、計算量が増大する。しかしながら、図５に示すように信号ＳＤを複数の信号ＳＤｄｉｖに分割し、信号ＳＤｄｉｖごとに補正処理を行うことにより、計算量の増大を抑えることができる。
【００７８】
信号ＳＤは、表示パネルＤＰに対応する領域ごとに分割することができる。また、信号ＳＤｄｉｖが表示パネルＤＰの境界領域に表示される映像の信号を含むように、信号ＳＤを分割してもよい。これにより、表示パネルＤＰの境界における不連続部分の映像信号を含めた学習を行うことが可能となり、ニューラルネットワークによる学習（重み係数などの更新）を効率的に行うことができる。
【００７９】
そして、ニューラルネットワークＮＮ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］の出力層ＯＬから、それぞれデータＳＤｄｉｖ´［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］が出力され、表示部２０に出力される。このように、ニューラルネットワークＮＮで補正した映像信号を用いることにより、表示部２０につなぎ目が目立たない映像を表示することができる。
【００８０】
なお、各ニューラルネットワークＮＮに格納されている重み係数は、それぞれ個別に設定することができる。これにより、映像信号を表示パネルＤＰごとに独立して補正することができ、細粒度の補正を行うことができる。
【００８１】
また、ニューラルネットワークＮＮの数は特に限定されず、Ｎ×Ｍより少なくてもよい。図６に、補正回路ＣＣが一つのニューラルネットワークＮＮを有する例を示す。ニューラルネットワークＮＮにはデータＳＤｄｉｖ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］が順次入力され、推論が行われる。このとき、ニューラルネットワークＮＮにはデータＳＤｄｉｖの補正処理ごとに重み係数が入力され、データＳＤｄｉｖ［ｉ，ｊ］の補正には重み係数［ｉ，ｊ］が用いられる。すなわち、データＳＤｄｉｖごとに異なる重み係数を用いて推論を行うことができる。このように、入力されるデータＳＤｄｉｖに応じて重み係数を切り替えることにより、データＳＤｄｉｖが順次入力される場合にも映像信号を表示パネルＤＰごとに補正することができる。
【００８２】
なお、ここでは一のニューラルネットワークＮＮを用いる場合について説明したが、補正回路ＣＣが複数（Ｎ×Ｍ未満）のニューラルネットワークＮＮを有し、各ニューラルネットワークＮＮに複数のデータＳＤｄｉｖが順次入力される構成を用いることもできる。
【００８３】
図６の構成おいては、データＳＤｄｉｖが順次入力されるため、重み係数の切り替えは高速に行うことが好ましい。重み係数の切り替えに好適な構成については、実施の形態２において説明する。
【００８４】
＜補正回路の動作例＞
次に、補正回路ＣＣの動作例を説明する。図７、図８は、補正回路ＣＣの動作例を表すフローチャートである。また、図９は補正回路ＣＣの動作中の様子を示す。
【００８５】
［学習］
補正回路ＣＣによって、映像の不連続性が補償されるように映像信号を補正するためには、表示試験などを行い、データＳＤｄｉｖの適切な補正が可能となるよう、ニューラルネットワークＮＮの重み係数を設定する。図７に、ニューラルネットワークＮＮの学習時における補正回路ＣＣの動作例を示す。
【００８６】
まず、補正回路ＣＣにＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖが入力される（ステップＳ１）。このとき、ニューラルネットワークＮＮは学習前の状態であり、補正回路ＣＣからは重み係数の初期値に応じたＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖ´が出力される。このときの様子を図９（Ａ）に示す。ここで、Ｎ×ＭのデータＳＤｄｉｖは、映像Ａに対応する映像信号であるとする。
【００８７】
そして、Ｎ×ＭのデータＳＤｄｉｖ´が表示部２０に供給され、表示部２０に映像が表示される（ステップＳ２）。このとき実際に表示部２０に表示される映像を、図９（Ａ）における映像Ｂとする。
【００８８】
ここで、映像Ｂには領域Ｓ付近において映像が不連続になる場合がある。図９（Ａ）には、映像Ｂにおいてつなぎ目が視認されている状態を示している。このとき、表示部２０に実際に表示されている映像Ｂに対応するデータＤＤが取得される。データＤＤは、例えば、表示部２０に表示された映像をイメージセンサなどで撮像することにより取得することができる。そして、データＤＤは、Ｎ×ＭのデータＤＤｄｉｖに分割される（ステップＳ３）。表示パネルＤＰ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］に実際に表示されている映像に対応するデータを、それぞれデータＤＤｄｉｖ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］とする。
【００８９】
映像Ｂにつなぎ目が視認される場合は、ニューラルネットワークＮＮの学習を行う。具体的には、まず、データＳＤｄｉｖ［１，１］と、データＤＤｄｉｖ［１，１］が補正回路ＣＣに入力される（ステップＳ４）。そして、図９（Ｂ）に示すように、ニューラルネットワークＮＮの入力層ＩＬにデータＳＤｄｉｖ［１，１］が供給され、データＳＤｄｉｖ［１，１］とデータＤＤｄｉｖ［１，１］の差分が０になるように、すなわち、実際に画素部２１に表示された映像Ｂが表示を意図した映像（映像Ａ）と等しくなるように、ニューラルネットワークＮＮの重み係数が更新される（ステップＳ５）。重み係数の更新には、誤差逆伝播方式などを用いることができる。
【００９０】
重み係数の更新に伴い、補正回路ＣＣから出力されるデータＳＤｄｉｖ´［１，１］も更新される。また、データＳＤｄｉｖ´［１，１］の更新によってデータＤＤｄｉｖ［１，１］が更新される。そして、更新後のデータＤＤｄｉｖ［１，１］とデータＳＤｄｉｖ［１，１］の差分に基づき、さらに重み係数を更新する。
【００９１】
上記の重み係数の更新が、データＳＤｄｉｖ［１，１］とデータＤＤｄｉｖ［１，１］の誤差が一定以下になるまで繰り返される。なお、差分の算出は、ニューラルネットワークＮＮの内部又は外部のどちらで行われてもよい。また誤差の許容範囲は自由に設定することができる。そして、最終的にデータＳＤｄｉｖ［１，１］とデータＤＤｄｉｖ［１，１］の誤差が一定以下になると、ニューラルネットワークＮＮの学習が終了する（ステップＳ６でＹＥＳ）。そして、このときのニューラルネットワークＮＮの重み係数Ｗ［１，１］が、学習結果として得られる。
【００９２】
なお、ニューラルネットワークＮＮの重み係数の初期値は、乱数によって決定してもよい。なお、重み係数の初期値は学習速度（例えば、重み係数の収束速度、ニューラルネットワークＮＮの予測精度など）に影響を与える場合があるため、学習速度が遅い場合は、重み係数の初期値を変更してもよい。
【００９３】
その後、補正回路ＣＣにデータＳＤｄｉｖ［１，２］とデータＤＤｄｉｖ［１，２］が入力され（ステップＳ７でＮＯ、ステップＳ４）、同様に学習が行われる。そして、最終的にＮ×Ｍ組のデータＳＤｄｉｖとデータＤＤｄｉｖを用いた学習が完了すると（ステップＳ７でＹＥＳ）、学習結果として重み係数Ｗ［１，１］乃至［Ｎ，Ｍ］が得られる。
【００９４】
その後、他の画像を用いて学習を続ける場合は（ステップＳ８でＮＯ）、ステップＳ１以降の動作を繰り返す。そして、すべての画像で学習が完了すると（ステップＳ８でＹＥＳ）、ニューラルネットワークＮＮの学習が終了する。
【００９５】
なお、上記のニューラルネットワークＮＮの学習は、信号生成部３０の外部に設けられた演算処理装置４０（図１）などを用いて行うことができる。演算処理装置４０としては、専用サーバやクラウドなどの演算処理能力の優れた計算機を用いることができる。演算処理装置４０にニューラルネットワークＮＮに対応するソフトウェアを搭載することにより、ニューラルネットワークＮＮの学習を、演算処理装置４０を用いてソフトウェア上で行うことができる。そして、ソフトウェアを用いた学習によって得られたＮ×Ｍの重み係数Ｗを、受信部ＲＣＶを介して補正回路ＣＣに供給することにより、ニューラルネットワークＮＮに学習結果を反映させることができる。
【００９６】
ニューラルネットワークＮＮに対応するソフトウェアを構成するためには、例えば、補正回路ＣＣに設けられたニューラルネットワークＮＮとして階層型パーセプトロンを用い、ニューラルネットワークＮＮと階層数、及び各階層が有するニューロンの個数が等しいニューラルネットワークをソフトウェア上に構築する等の方法を用いることができる。
【００９７】
このように、ニューラルネットワークＮＮの学習を信号生成部３０の外部で行うことにより、信号生成部３０の構成を簡易化することができる。なお、得られたＮ×Ｍの重み係数Ｗは、演算処理装置４０に内蔵された記憶装置などに記憶することができる。
【００９８】
なお、上記のニューラルネットワークＮＮの学習は、複数のニューラルネットワークＮＮにそれぞれデータＳＤｄｉｖ及びデータＤＤｄｉｖを入力する並列処理によって行ってもよいし、一のニューラルネットワークＮＮにデータＳＤｄｉｖ及びデータＤＤｄｉｖを順次入力して行っても良い。
【００９９】
［推論］
画像データを受信して表示部２０に映像を表示する際は、上記の学習が行われたニューラルネットワークＮＮの推論によりデータＳＤｄｉｖの補正を行う。図８に、ニューラルネットワークＮＮの推論時における補正回路ＣＣの動作例を示す。なお、推論の際は、上記の学習によって得られた重み係数ＷがニューラルネットワークＮＮに格納されている。
【０１００】
まず、処理回路ＰＣによって生成されたＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖが補正回路ＣＣに入力される（ステップＳ１１）。そして、ニューラルネットワークＮＮはデータＳＤｄｉｖを入力データとして推論を行い、データＳＤｄｉｖをデータＳＤｄｉｖ´に補正する（ステップＳ１２）。
【０１０１】
ここで、ニューラルネットワークＮＮは、図９（Ａ）に示す映像Ｂのつなぎ目における不連続性を補償するように学習されている。そのため、ニューラルネットワークＮＮの推論によって得られたＮ×ＭのデータＳＤｄｉｖ´が表示部２０に出力されると（ステップＳ１３）、つなぎ目が視認されない映像が表示される（ステップＳ１４）。図９（Ｃ）に、つなぎ目が補償され、連続的な映像Ｂ´が表示部２０に表示されている様子を示す。
【０１０２】
なお、データＳＤｄｉｖの補正は、複数のニューラルネットワークＮＮを用いた並列処理によって行ってもよいし（図５）、一のニューラルネットワークＮＮにデータＳＤｄｉｖを順次入力することによって行ってもよい（図６）。
【０１０３】
以上のように、ニューラルネットワークＮＮを用いて映像信号を補正することにより、つなぎ目が視認されない映像の表示が可能となり、映像の品質を向上させることができる。
【０１０４】
なお、図１には補正回路ＣＣが信号生成部３０に設けられた構成を示しているが、図１０に示すように、補正回路ＣＣは表示部２０に設けられていてもよい。この場合、信号生成部３０を他の表示部２０にも用いることが可能となり、信号生成部３０の汎用性を向上させることができる。
【０１０５】
また、ここではニューラルネットワークＮＮを用いて映像信号を補正する場合について説明したが、代わりに、ニューラルネットワークＮＮを用いてガンマ補正のパラメータを得ることもできる。この場合、ニューラルネットワークＮＮの推論によって得られたパラメータをガンマ補正のパラメータとして用いることにより、表示パネルＤＰのつなぎ目において映像の不連続性が緩和されるように、ガンマ補正の補正曲線が補正される。
【０１０６】
＜ニューラルネットワークの構成例＞
次に、学習機能を有するニューラルネットワークＮＮの構成例について説明する。ニューラルネットワークＮＮの構成例を、図１１に示す。ニューラルネットワークＮＮは、ニューロン回路ＮＣと、ニューロン回路間に設けられたシナプス回路ＳＣによって構成されている。
【０１０７】
図１１（Ａ）に、ニューラルネットワークＮＮを構成するニューロン回路ＮＣとシナプス回路ＳＣの構成例を示す。シナプス回路ＳＣには、入力データｘ１乃至ｘＬ（Ｌは自然数）が入力される。また、シナプス回路ＳＣは、重み係数ｗｋ（ｋは１以上Ｌ以下の整数）を記憶する機能を有する。重み係数ｗｋは、ニューロン回路ＮＣ間の結合の強さに対応する。
【０１０８】
シナプス回路ＳＣに入力データｘ１乃至ｘＬ入力されると、ニューロン回路ＮＣには、シナプス回路ＣＮに入力された入力データｘｋと、シナプス回路ＣＮに記憶された重み係数ｗｋとの積（ｘｋｗｋ）を、ｋ＝１乃至Ｌについて足し合わせた値（ｘ１ｗ１＋ｘ２ｗ２＋…＋ｘＬｗＬ）、すなわち、ｘｋとｗｋを用いた積和演算によって得られた値が供給される。この値がニューロン回路ＮＣの閾値θＯを超えた場合、ニューロン回路ＮＣはハイレベルの信号を出力する。この現象を、ニューロン回路ＮＣの発火と呼ぶ。
【０１０９】
ニューロン回路ＮＣとシナプス回路ＳＣを用いて、階層型パーセプトロンを構成するニューラルネットワークＮＮのモデルを、図１１（Ｂ）に示す。ニューラルネットワークＮＮは、入力層ＩＬ、隠れ層（中間層）ＨＬ、出力層ＯＬを有する。
【０１１０】
入力層ＩＬから、入力データｘ１乃至ｘＬが出力される。隠れ層ＨＬは、隠れシナプス回路ＨＳ、隠れニューロン回路ＨＮを有する。出力層ＯＬは、出力シナプス回路ＯＳ、出力ニューロン回路ＯＮを有する。
【０１１１】
隠れニューロン回路ＨＮには、入力データｘｋと、隠れシナプス回路ＨＳに保持された重み係数ｗｋと、を用いた積和演算によって得られた値が供給される。そして、出力ニューロン回路ＯＮには、隠れニューロン回路ＨＮの出力と、出力シナプス回路ＯＳに保持された重み係数ｗｋを用いた積和演算によって得られた値が供給される。そして、出力ニューロン回路ＯＮから、出力データｙ１乃至ｙｎが出力される。
【０１１２】
このように、所定の入力データが与えられたニューラルネットワークＮＮは、シナプス回路ＳＣに保持された重み係数と、ニューロン回路の閾値θに応じた値を、出力データとして出力する機能を有する。
【０１１３】
また、ニューラルネットワークＮＮは、教師データの入力によって教師あり学習を行うことができる。図１１（Ｃ）に、誤差逆伝播法を利用して教師あり学習を行うニューラルネットワークＮＮのモデルを示す。
【０１１４】
誤差逆伝播法は、ニューラルネットワークの出力データと教師信号の誤差が小さくなるように、シナプス回路の重み係数ｗｋを変更する方式である。具体的には、出力データｙ１乃至ｙｎと教師データｔ１乃至ｔＬに基づいて決定される誤差δＯに応じて、隠れシナプス回路ＨＳの重み係数ｗｋが変更される。また、隠れシナプス回路ＨＳの重み係数ｗｋの変更量に応じて、さらに前段のシナプス回路ＳＣの重み係数ｗｋが変更される。このように、教師データｔ１乃至ｔＬに基づいて、シナプス回路ＳＣの重み係数を順次変更することにより、ニューラルネットワークＮＮの学習を行うことができる。
【０１１５】
図１１に示す構成は、補正回路ＣＣが有するニューラルネットワークＮＮに用いることができる。この場合、誤差δＯは、表示パネルＰＤに実際に表示された映像に対応するデータＤＤｄｉｖ（出力データＳＤｄｉｖ´を反映）と、補正前の画像データ（放送信号をデコードすることにより取得した画像データ）に対応するデータＳＤｄｉｖ（教師データ）に基づいて決定することができる。
【０１１６】
なお、図１１（Ｂ）、（Ｃ）には１層の隠れ層ＨＬを示しているが、隠れ層ＨＬの層数は２以上とすることができる。隠れ層ＨＬを２層以上有するニューラルネットワーク（ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ））を用いることにより、深層学習を行うことができる。これにより、階調の補正の精度を高めることができる。
【０１１７】
以上の通り、本発明の一態様においては、複数の表示パネルＤＰによって映像が表示される表示部２０に、人工知能を用いて補正された映像信号を供給することにより、表示パネルＤＰのつなぎ目の領域における映像の不連続性を補償することができる。これにより、表示部に表示される映像の品質を向上させることができる。
【０１１８】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【０１１９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した補正回路ＣＣに重み係数を出力する機能を有するレジスタについて説明する。
【０１２０】
補正回路ＣＣにおいて、一のニューラルネットワークＮＮを用いて複数のデータＳＤｄｉｖを補正する場合（図６参照）、順次入力されるデータＳＤｄｉｖごとに、ニューラルネットワークＮＮの重み係数Ｗを変更する必要がある。よって、補正回路ＣＣの処理速度を向上させるため、重み係数の更新を高速で行うことが好ましい。
【０１２１】
ここで、重み係数Ｗの高速な更新には、重み係数Ｗを格納したスキャンチェーンレジスタ部を複数有するレジスタを用いる構成が有効である。この場合、ニューラルネットワークＮＮに重み係数を出力するスキャンチェーンレジスタ部を切り替えることにより、重み係数Ｗの出力を素早く切り替えることができる。このような構成を有するレジスタの構成例について、以下説明する。
【０１２２】
＜レジスタの構成例＞
図１２に、レジスタ２００の構成例を示す。レジスタ２００は、複数のスキャンチェーンレジスタ部２１０、レジスタ部２２０を有する。スキャンチェーンレジスタ部２１０には、映像信号の補正に用いられるニューラルネットワークＮＮの重み係数のセットが格納される。なお、レジスタ２００は表示部２０又は信号生成部３０に設けることができる。
【０１２３】
ここでは、２つのスキャンチェーンレジスタ部２１０（２１０ａ、２１０ｂ）が設けられた構成を示すが、スキャンチェーンレジスタ部２１０の数は３以上の任意の数とすることもできる。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂにはそれぞれ、重み係数Ｗを格納することができる。
【０１２４】
レジスタ部２２０は、複数のレジスタ２２１を有する。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａは、複数のレジスタ２１１ａ、ノードＳＣＩＮ１、ＳＣＯＴ１を有する。スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂは、複数のレジスタ２１１ｂ、ノードＳＣＩＮ２、ＳＣＯＴ２を有する。
【０１２５】
レジスタ２１１ａ、２１１ｂは、電源が遮断された状態でもデータが消失しない不揮発性レジスタである。レジスタ２１１ａ、２１１ｂを不揮発化するため、レジスタ２１１ａ、２１１ｂは、ＯＳトランジスタを用いた保持回路を備えている。
【０１２６】
金属酸化物は、シリコンなどの半導体よりもエネルギーギャップが大きく、少数キャリア密度を低くすることができる。そのため、ＯＳトランジスタがオフ状態であるときに、ＯＳトランジスタのソースとドレイン間を流れる電流（以下、オフ電流ともいう）は極めて小さい。よって、レジスタ２１１ａ、２１１ｂにＯＳトランジスタを用いることにより、チャネル領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）などを用いる場合と比較して、長期間にわたってデータを保持することができる。これにより、レジスタ２１１ａ、２１１ｂへの電力の供給が停止された期間においてもデータを保持することができる。
【０１２７】
他方、レジスタ２２１は揮発性レジスタである。レジスタ２２１の回路構成には特段の制約はなく、データを記憶することが可能な回路であればよく、ラッチ回路、フリップフロップ回路などで構成すればよい。レジスタ部２２０から重み係数が出力され、補正回路ＣＣに供給される。
【０１２８】
レジスタ２００に格納しているデータを更新する場合、まず、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂのデータを変更する。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａのデータを変更するには、スキャンクロック信号ＳＣＫ１をトグルさせながら、ノードＳＣＩＮ１よりデータを入力する。ノードＳＣＩＮ１より入力されたデータは、スキャンクロック信号ＳＣＫ１に従い、各レジスタ２１１ａのデータを更新する。最終段のレジスタ２１１ａは、ノードＳＣＯＴ１よりデータを出力する。同様に、スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂのデータを変更するには、スキャンクロック信号ＳＣＫ２をトグルさせながら、ノードＳＣＩＮ２よりデータを入力する。ノードＳＣＩＮ２より入力されたデータは、スキャンクロック信号ＳＣＫ２に従い、各レジスタ２１１ｂのデータを更新する。最終段のレジスタ２１１ｂは、ノードＳＣＯＴ２よりデータを出力する。
【０１２９】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂに重み係数を格納する場合は、例えば、ニューラルネットワークＮＮの学習を行った演算処理装置（専用サーバやクラウドなど）などからノードＳＣＩＮ１、ＳＣＩＮ２に、重み係数Ｗが入力される。
【０１３０】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ａの各レジスタ２１１ａのデータを書き換えた後、各レジスタ２１１ａのデータを、レジスタ部２２０の各レジスタ２２１に一括してロードする。または、スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂの各レジスタ２１１ｂのデータを書き換えた後、各レジスタ２１１ｂのデータを、レジスタ部２２０の各レジスタ２２１に一括してロードする。これにより、補正回路ＣＣは、一括して更新された重み係数Ｗを使用して映像信号の補正を行うことができる。重み係数Ｗの更新に同時性が保たれるため、補正回路ＣＣの安定した動作を実現できる。また、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂとレジスタ部２２０とを備えることで、補正回路ＣＣが動作中でも、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂのデータを更新することができる。
【０１３１】
なお、レジスタ２００へのアクセスがない期間においては、レジスタ２００への電源供給を一時的に遮断することができる（パワーゲーティング）。レジスタ２００のパワーゲーティング実行時には、レジスタ２１１ａ、２１１ｂにおいて、保持回路にデータを格納（セーブ）してから電源を遮断する。電源復帰後、レジスタ２１１ａもしくはレジスタ２１１ｂのデータを、レジスタ２２１に復帰（ロード）して通常動作を再開する。なお、レジスタ２１１ａもしくはレジスタ２１１ｂに格納されているデータと、レジスタ２２１に格納されているデータとが整合しない場合は、レジスタ２２１のデータをレジスタ２１１ａもしくはレジスタ２１１ｂにセーブした後、あらためて、レジスタ２１１ａ、２１１ｂの保持回路にデータを格納する構成が好ましい。データが整合しない場合としては、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂのデータを変更している場合などが挙げられる。
【０１３２】
図１３、図１４を用いて、レジスタ２００の回路構成例を説明する。
【０１３３】
レジスタ部２２０は、ｈ個（ｈは２以上の整数）のレジスタ２２１を有する。レジスタ部２２０には、信号ＬＤＡ１、ＬＤＡ２が入力される。信号ＬＤＡ１、ＬＤＡ２は、データのロードを制御するための信号である。
【０１３４】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂは、それぞれ、ｈ個のレジスタ２１１ａ、２１１ｂを有する。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａには、スキャンクロック信号ＳＣＫ１、信号ＳＶＡ１、ＳＶＢ１、ＬＤＢ１が入力される。スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂには、スキャンクロック信号ＳＣＫ２、信号ＳＶＡ２、ＳＶＢ２、ＬＤＢ２が入力される。信号ＬＤＢ１、ＬＤＢ２はデータのロードを制御するための信号であり、信号ＳＶＡ１、ＳＶＡ２、ＳＶＢ１、ＳＶＢ２は、データのセーブを制御するための信号である。
【０１３５】
レジスタ２２１は、ラッチ回路２２２、ＭＵＸ（マルチプレクサ）２２３を有する。レジスタ２１１ａは、セレクタ２１２ａ、フリップフロップ回路２１３ａ、保持回路２１４ａ、ノードＳＤＩ１、ＳＤＯ１を有する。レジスタ２１１ｂは、セレクタ２１２ｂ、フリップフロップ回路２１３ｂ、保持回路２１４ｂ、ノードＳＤＩ２、ＳＤＯ２を有する。ノードＳＤＩ１、ＳＤＩ２はデータが入力されるノードであり、ノードＳＤＯ１、ＳＤＯ２はデータが出力されるノードである。
【０１３６】
レジスタ２２１は揮発性レジスタである。ノードＱ、Ｒは、ラッチ回路２２２の出力ノードであり、論理が同じデータを出力する。ノードＱは、補正回路ＣＣと接続され、ノードＲは、レジスタ２１１ａ、２１１ｂと接続されている。ラッチ回路２２２に特段の制約はなく、フリップフロップ回路など、他の回路を設けてもよい。
【０１３７】
ＭＵＸ２２３は、ラッチ回路２２２に入力するデータを選択する機能を有する。信号ＬＤＡ１、ＬＤＡ２は、ＭＵＸ２２３の制御信号である。図１３の例では、信号ＬＤＡ１がハイレベルであり、かつＬＤＡ２がローレベルである場合、ノードＳＤＯ１のデータによってラッチ回路２２２のデータが更新される。他方、信号ＬＤＡ１がローレベルであり、かつＬＤＡ２がハイレベルである場合、ノードＳＤＯ２のデータによってラッチ回路２２２のデータが更新される。
【０１３８】
レジスタ２１１ａ、２１１ｂは、不揮発性レジスタである。図１４を用いて、レジスタ２１１ａ、２１１ｂのより具体的な回路構成例を説明する。
【０１３９】
レジスタ２１１ａにおいて、セレクタ２１２ａとフリップフロップ回路２１３ａとで、スキャンフリップフロップ回路が構成されている。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａがシフトレジスタとして動作する場合、レジスタ２１１ａは、ノードＳＤＩ１からデータを取り込み、ノードＳＤＯ１からデータを出力する。ノードＳＤＯ１のデータは、次段のレジスタ２１１ａのノードＳＤＩ１に入力される。
【０１４０】
信号ＳＶＡ１は、セレクタ２１２ａの制御信号である。信号ＳＶＡ１がハイレベルである場合、セレクタ２１２ａは、フリップフロップ回路２１３ａの入力ノードと、レジスタ２２１のノードＲ間を導通し、信号ＳＶＡ１がローレベルである場合、セレクタ２１２ａはフリップフロップ回路２１３ａの入力ノードと、ノードＳＤＩ１間を導通する。
【０１４１】
フリップフロップ回路２１３ａは、図１４の回路構成に限定されず、様々なフリップフロップ回路を適用することができる。フリップフロップ回路２１３ａのノードＮ１、ＮＢ１に、保持回路２１４ａが接続されている。信号ＬＤＢ１、ＳＶＢ１は、保持回路２１４ａの制御信号である。
【０１４２】
保持回路２１４ａは、フリップフロップ回路２１３ａが保持するデータを記憶するための回路であり、２個のメモリ回路２１５ａ、２１６ａを有する。ここでは、メモリ回路２１５ａ、２１６ａは３トランジスタ型のゲインセルで構成されている。メモリ回路２１５ａは、トランジスタＭ１１乃至Ｍ１３、容量素子ＣＳ１、ノードＳＮ１を有し、メモリ回路２１６ａは、トランジスタＭ１４乃至Ｍ１６、容量素子ＣＳ２、ノードＳＮ２を有する。ノードＳＮ１、ＳＮ２は、メモリ回路２１５ａ、２１６ａの保持ノードである。
【０１４３】
メモリ回路２１５ａは、ノードＮ１のデータをバックアップし、バックアップしたデータをノードＮＢ１にロードする機能を有し、メモリ回路２１６ａは、ノードＮＢ１のデータをバックアップし、バックアップしたデータをノードＮ１にロードする機能を有する。信号ＳＶＢ１に従い、メモリ回路２１５ａはノードＮ１のデータをノードＳＮ１に書き込み、メモリ回路２１６ａはノードＮＢ１のデータをノードＳＮ２に書き込む。信号ＬＤＢ１に従い、メモリ回路２１５ａはノードＳＮ１のデータをノードＮＢ１に書き込み、メモリ回路２１６ａはノードＳＮ２のデータをノードＮ１に書き込む。
【０１４４】
トランジスタＭ１１、Ｍ１４がＯＳトランジスタであるので、保持回路２１４ａは、電源が遮断された状態でも長時間データを保持することが可能である。レジスタ２１１ａにおいて、トランジスタＭ１１、Ｍ１４以外のトランジスタは、Ｓｉトランジスタで構成してもよい。
【０１４５】
レジスタ２１１ｂの回路構成は、レジスタ２１１ａと同様のため、レジスタ２１１ｂの詳細な説明はレジスタ２１１ａの説明を援用する。
【０１４６】
レジスタ２１１ｂにおいて、セレクタ２１２ｂとフリップフロップ回路２１３ｂとで、スキャンフリップフロップ回路が構成されている。セレクタ２１２ｂは、信号ＳＶＡ２に従い、ノードＲまたはノードＳＤＩ２の一方を選択し、選択したノードとフリップフロップ回路２１３ｂの入力ノード間を導通する。
【０１４７】
フリップフロップ回路２１３ｂのノードＮ２、ＮＢ２には、保持回路２１４ｂが接続されている。保持回路２１４ｂは、メモリ回路２１５ｂ、２１６ｂを有する。メモリ回路２１５ｂは、トランジスタＭ２１乃至Ｍ２３、容量素子ＣＳ３、ノードＳＮ３を有する。メモリ回路２１６ｂは、トランジスタＭ２４乃至Ｍ２６、容量素子ＣＳ４、ノードＳＮ４を有する。メモリ回路２１５ｂは、信号ＳＶＢ２に従いフリップフロップ回路２１３ｂのデータを格納し、信号ＬＤＢ２に従い、保持しているデータをフリップフロップ回路２１３ｂにロードする。
【０１４８】
トランジスタＭ２１、Ｍ２４がＯＳトランジスタであるので、保持回路２１４ｂは、電源が遮断された状態でも長時間データを保持することが可能である。トランジスタＭ２１、トランジスタＭ２４は、バックゲートを有するトランジスタであってもよい。トランジスタＭ１１、Ｍ１４についても同様である。
【０１４９】
レジスタ２１１ｂにおいて、トランジスタＭ２１、Ｍ２４以外のトランジスタは、Ｓｉトランジスタで構成してもよい。
【０１５０】
なお、図１４には、フリップフロップ回路２１３ｂの前段のインバータループの相補データを保持回路２１４ｂでバックアップする例を示している。フリップフロップ回路２１３ｂの後段のインバータループの相補データをバックアップできるように、保持回路２１４ｂを設けてもよい。これは、レジスタ２１１ａでも同様である。保持回路２１４ａ、２１４ｂをこのような構成とすることで、バックアップしたデータのロードが非同期で行えるため、高速なデータのロードができる。これにより、パワーゲーティング時に、レジスタ２００を電源オフ状態から通常動作状態に復帰させる時間を短縮できる。
【０１５１】
＜レジスタの動作例＞
図１５を参照して、レジスタ２００の動作例を説明する。図１５は、レジスタ２００の動作例を示すタイミングチャートである。ＰＬＤＤはレジスタ２００に電位ＶＤＤを供給する配線である。電位ＶＤＤは電源電位である。また、ノードＮ１等の波形において、ハッチングで示されている箇所は、論理がハイレベルかローレベルか定まらない不定値であることを示している。
【０１５２】
期間Ｔ１１では、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂをスキャン動作させて、それぞれにデータを書き込んでいる。この間、信号ＳＶＡ１、ＳＶＡＢはローレベルであり、スキャンクロック信号ＳＣＫ１、ＳＣＫ２はアクティブである。したがって、セレクタ２１２ａによって、ノードＳＤＩ１とフリップフロップ回路２１３ａの入力ノード間が導通され、セレクタ２１２ｂによって、ノードＳＤＩ２とフリップフロップ回路２１３ｂの入力ノード間が導通される。
【０１５３】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ａのｈ段のレジスタ２１１ａにデータを書き込むため、スキャンクロック信号ＳＣＫ１に同期して、ノードＳＣＩＮ１のデータが更新される。レジスタ２１１ａ［ｇ］（ｇは１以上ｈ以下の整数）において、スキャンクロック信号ＳＣＫ１の立ち上がりエッジに同期して、ノードＳＤＯ１［ｇ］のデータが更新され、スキャンクロック信号ＳＣＫ１の立ち下がりエッジに同期して、ノードＳＤＯ１［ｇ］のデータによって、ノードＮ１［ｇ＋１］が更新される。スキャンクロック信号ＳＣＫ１がトグルを繰り返すことで、ノードＳＣＩＮ１のデータが各段のレジスタ２１１ａをシフトしていく。ノードＳＣＯＴ１から、各段のレジスタ２１１ａに格納されるデータを順次取得することができる。
【０１５４】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂのシフト動作も、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａと同様に実行される。スキャンクロック信号ＳＣＫ２の立ち上がりエッジに同期して、ノードＳＤＯ２のデータが更新される。
【０１５５】
期間Ｔ１２では、レジスタ部２２０のデータの更新動作が行われる。信号ＬＤＡ１がハイレベルに遷移することで、ＭＵＸ２２３［ｇ］によって、ノードＳＤＯ１［ｇ］とラッチ回路２２２［ｇ］の入力ノード間が導通される。ラッチ回路２２２［ｇ］は、レジスタ２１１ａ［ｇ］が保持するデータＤｈを格納する。ノードＱ［ｇ］、Ａ［ｇ］からはデータＤｌが出力される。つまり、信号ＬＤＡ１をハイレベルにすることで、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａが保持しているデータＤ１乃至Ｄｈが、レジスタ部２２０に一括してロードされる。これにより、補正回路ＣＣが使用する重み係数Ｗなどを一括して変更することができる。
【０１５６】
スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂが保持しているデータによって、レジスタ部２２０のデータを更新する場合は、信号ＬＤＡ１をローレベルに維持し、信号ＬＤＡ２をハイレベルにすればよい。
【０１５７】
なお、期間Ｔ１２で、スキャンクロック信号ＳＣＫ１および信号ＳＶＡ１がローレベルになることで、ノードＮ１［１］とノードＳＣＩＮ１間が導通されるため、ノードＮ１［１］の電位は、ノードＳＣＩＮ１の電位に応じて変化する。同様に、スキャンクロック信号ＳＣＫ２および信号ＳＶＡ２がローレベルになることで、ノードＮ１［２］の電位は、ノードＳＣＩＮ２の電位に応じて変換する。
【０１５８】
期間Ｔ１３では、レジスタ２００は通常動作を行っている。ノードＱ［１］乃至Ｑ［ｈ］から、期間Ｔ１２で書き込まれたデータＤ１乃至Ｄｈを出力する。この間、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａをスキャン動作させて、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａのデータ変更を行ってもよい。スキャンチェーンレジスタ部２１０ａのデータを変更した後、信号ＬＤＡ１をハイレベルにすることで、レジスタ部２２０のデータを書き換えてもよい。スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂについても同様である。
【０１５９】
期間Ｔ２０では、レジスタ２００のパワーゲーティング動作が行われる。パワーゲーティング動作は、レジスタ２００のバックアップ動作、電源オフ動作、レジスタ２００のリカバリ動作に大別される。
【０１６０】
期間Ｔ１４では、レジスタ２００のバックアップ動作が行われる。まず、信号ＳＶＡ１をハイレベルにし、その後、スキャンクロック信号ＳＣＫ１をハイレベルにすることで、レジスタ部２２０が格納しているデータＤ１乃至Ｄｈを、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａのフリップフロップ回路２１３ａに書き込む。図１５の例では、信号の制御を簡単化するため、スキャンクロック信号ＳＣＫ２をスキャンクロック信号ＳＣＫ１と共に、ハイレベルにしているが、ローレベルで維持してもよい。
【０１６１】
信号ＳＶＡ１がハイレベルになることで、セレクタ２１２ａはラッチ回路２２２のノードＡとフリップフロップ回路２１３ａの入力ノード間を導通する。スキャンクロック信号ＳＣＫ１がローレベルであるため、フリップフロップ回路２１３ａのノードＮ１にノードＡのデータが書き込まれる。スキャンクロック信号ＳＣＫ１がハイレベルに遷移することで、ノードＮ１とノードＡ間が非導通状態になり、かつノードＮ１［１］とノードＳＣＩＮ１間が非導通状態になる。
【０１６２】
なお、レジスタ部２２０が格納しているデータが、スキャンチェーンレジスタ部２１０ｂからロードされたデータである場合、レジスタ部２２０のデータはスキャンチェーンレジスタ部２１０ｂでバックアップされる。この場合は、信号ＳＶＡ２をハイレベルにし、その後、スキャンクロック信号ＳＣＫ２をハイレベルする。
【０１６３】
次に、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂのバックアップ動作が行われる。この間、信号ＳＶＢ１、ＳＶＢ２をハイレベルにする。信号ＳＶＢ１がハイレベルになることで、フリップフロップ回路２１３ａのノードＮ１、ＮＢ１のデータが保持回路２１４ａのノードＳＮ１、ＳＮ２に書き込まれる。信号ＳＶＢ２がハイレベルになることで、フリップフロップ回路２１３ｂのノードＮ１、ＮＢ１のデータが保持回路２１４ｂのノードＳＮ３、ＳＮ４に書き込まれる。
【０１６４】
信号ＳＶＢ１、ＳＶＢ２をローレベルにすることで、レジスタ２００のバックアップ動作が終了する。
【０１６５】
期間Ｔ１５は、電源オフ動作が行われる。配線ＰＬＤＤへの電位ＶＤＤの供給を停止する。配線ＰＬＤＤは徐々に放電される。配線ＰＬＤＤの電位が低下するため、ラッチ回路２２２、フリップフロップ回路２１３ａ、２１３ｂのデータは消失するが、保持回路２１４ａ、２１４ｂのデータは消失しない。
【０１６６】
期間Ｔ１６は、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａ、２１０ｂのリカバリ動作が行われる。まず、配線ＰＬＤＤに電位ＶＤＤの供給を開始する。配線ＰＬＤＤの電位は上昇し、やがて電位ＶＤＤになる。
【０１６７】
次に、信号ＬＤＢ１、ＬＤＢ２をハイレベルにし、かつスキャンクロック信号ＳＣＫ１、ＳＣＬ２を１クロック入力する。信号ＬＤＢ１がハイレベルになることで、保持回路２１４ａは、ノードＳＮ１、ＳＮ２のデータをフリップフロップ回路２１３ａのノードＮ１、ＮＢ１に書き込む。スキャンクロック信号ＳＣＫ１の立ち上がりエッジに同期して、ノードＮ１のデータがノードＳＤＯ１に入力される。信号ＬＤＢ２がハイレベルになることで、保持回路２１４ｂは、ノードＳＮ３、ＳＮ４のデータを、フリップフロップ回路２１３ｂのノードＮ２、ＮＢ２に書き込む。スキャンクロック信号ＳＣＫ２の立ち上がりエッジに同期して、ノードＮ２のデータはノードＳＤＯ２に入力される。
【０１６８】
信号ＬＤＢ１、ＬＤＢ２をローレベルにすることで、リカバリ動作が終了する。
【０１６９】
期間Ｔ１７では、レジスタ部２２０のリカバリ動作が行われる。期間Ｔ１３の状態にレジスタ部２２０を復帰させるため、信号ＬＤＡ１をハイレベルにする。期間Ｔ７のリカバリ動作は、期間Ｔ１３のレジスタ部２２０のデータ更新動作と同じ動作であり、スキャンチェーンレジスタ部２１０ａが保持しているデータＤ１乃至Ｄｈが、一括してレジスタ部２２０にロードされる。信号ＬＤＡ１をローレベルにすることで、リカバリ動作が終了する。
【０１７０】
期間Ｔ１８ではレジスタ２００は通常動作を行い、ノードＱ［１］乃至Ｑ［ｈ］から、期間Ｔ１７で書き込まれたデータＤ１乃至Ｄｈを出力する。
【０１７１】
上記の動作により、ニューラルネットワークＮＮで用いられる重み係数Ｗの変更を行うことができる。
【０１７２】
なお、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタ上に積層することができる。従って、例えばトランジスタＭ２１、Ｍ２４としてＯＳトランジスタを用い、トランジスタＭ２２、ＭＭ２３、Ｍ２５、Ｍ２６としてＳｉトランジスタを用いる場合、トランジスタＭ２２、ＭＭ２３、Ｍ２５、Ｍ２６上にトランジスタＭ２１、Ｍ２４を積層することができる。これにより、メモリ回路の面積を削減することができる。
【０１７３】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【０１７４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した表示パネルに用いることができる、画素の構成例について説明する。
【０１７５】
図２（Ｂ）に示す画素２２には、様々な表示素子を設けることができる。図１６に、表示素子として液晶素子又は発光素子を用いた画素の構成例を示す。
【０１７６】
図１６（Ａ）に、液晶素子を用いた画素の構成例を示す。図１６（Ａ）に示す画素２２は、トランジスタＴｒ１１、容量素子Ｃ１１、液晶素子ＬＣを有する。なお、ここでは、トランジスタＴｒ１１をｎチャネル型としているが、トランジスタの極性は適宜変更することができる。
【０１７７】
トランジスタＴｒ１１のゲートは配線ＧＬと接続され、ソース又はドレインの一方は液晶素子ＬＣの一方の電極、及び容量素子Ｃ１１の一方の電極と接続され、ソース又はドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。液晶素子ＬＣの他方の電極、及び容量素子Ｃ１１の他方の電極は、それぞれ所定の電位が供給される配線と接続されている。トランジスタＴｒ１１のソース又はドレインの一方、液晶素子ＬＣの一方の電極、及び容量素子Ｃ１１の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ１１とする。
【０１７８】
なお、本明細書等において、トランジスタのソースとは、チャネル領域として機能する半導体層の一部であるソース領域や、当該半導体層と接続されたソース電極などを意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、当該半導体層の一部であるドレイン領域や、当該半導体層と接続されたドレイン電極などを意味する。また、ゲートとは、ゲート電極などを意味する。
【０１７９】
また、トランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの導電型及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係にしたがってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【０１８０】
液晶素子ＬＣの他方の電極の電位は、複数の画素２２で共通の電位（コモン電位）としてもよいし、容量素子Ｃ１１の他方の電極と同電位としてもよい。また、液晶素子ＬＣの他方の電極の電位は、画素２２ごとに異なっていてもよい。また、容量素子Ｃ１１は、ノードＮ３の電位を保持するための保持容量としての機能を有する。
【０１８１】
トランジスタＴｒ１１は、配線ＳＬの電位のノードＮ１１への供給を制御する機能を有する。具体的には、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ１１をオン状態とすることにより、配線ＳＬ電位（映像信号に対応）がノードＮ３に供給され、画素２２の書き込みが行われる。その後、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ１１をオフ状態とすることにより、ノードＮ１１の電位が保持される。
【０１８２】
液晶素子ＬＣは、一対の電極と、一対の電極間の電圧が印加される液晶材料を含んだ液晶層と、を有する。液晶素子ＬＣに含まれる液晶分子の配向は、一対の電極間に印加される電圧の値に応じて変化し、これにより液晶層の透過率が変化する。そのため、配線ＳＬからノードＮ１１に供給する電位を制御することにより、画素２２の階調を制御することができる。
【０１８３】
また、図１６（Ｂ）に、発光素子を用いた画素２２の構成例を示す。図１６（Ｂ）に示す画素２２は、トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３、容量素子Ｃ１２、発光素子ＬＥを有する。なお、ここではトランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３をｎチャネル型としているが、トランジスタの極性は適宜変更することができる。
【０１８４】
トランジスタＴｒ１２のゲートは配線ＧＬと接続され、ソース又はドレインの一方はトランジスタＴｒ１３のゲート、及び容量素子Ｃ１２の一方の電極と接続され、ソース又はドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。トランジスタＴｒ１３のソース又はドレインの一方は容量素子Ｃ１２の他方の電極、及び発光素子ＬＥの一方の電極と接続され、ソース又はドレインの他方は電位Ｖａが供給される配線と接続されている。発光素子ＬＥの他方の電極は、電位Ｖｃが供給される配線と接続されている。トランジスタＴｒ１２のソース又はドレインの一方、トランジスタＴｒ１３のゲート、及び容量素子Ｃ１２の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ１２とする。また、トランジスタＴｒ１３のソース又はドレインの一方、及び容量素子Ｃ１２の他方の電極と接続されたノードを、ノードＮ１３とする。
【０１８５】
ここでは、電位Ｖａを高電源電位とし、電位Ｖｃを低電源電位とした場合について説明する。また、容量素子Ｃ１１は、ノードＮ１２の電位を保持するための保持容量としての機能を有する。
【０１８６】
トランジスタＴｒ１２は、配線ＳＬの電位のノードＮ１への供給を制御する機能を有する。具体的には、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ１２をオン状態とすることにより、映像信号に対応する配線ＳＬの電位（映像信号に対応）がノードＮ１２に供給され、画素２２の書き込みが行われる。その後、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ１２をオフ状態とすることにより、ノードＮ１２の電位が保持される。
【０１８７】
そして、ノードＮ１２、Ｎ１３の間の電圧に応じてトランジスタＴｒ１３のソース−ドレインの間に流れる電流量が制御され、発光素子ＬＥが当該電流量に応じた輝度で発光する。これにより、画素２２の階調を制御することができる。なお、トランジスタＴｒ１３は飽和領域で動作させることが好ましい。
【０１８８】
上記の動作を配線ＧＬごとに順次行うことにより、第１フレーム分の映像を表示することができる。
【０１８９】
なお、配線ＧＬの選択には、プログレッシブ方式を用いてもよいし、インターレース方式を用いてもよい。また、配線ＳＬへの映像信号の供給は、配線ＳＬに順次映像信号を供給する点順次駆動を用いて行ってもよいし、全ての配線ＳＬに一斉に映像信号を供給する線順次駆動を用いて行ってもよい。また、複数の配線ＳＬごとに順に、映像信号を供給してもよい。
【０１９０】
その後、第２のフレーム期間において、第１のフレーム期間と同様の動作により、映像の表示が行われる。これにより、画素部２１に表示される映像が書き換えられる。
【０１９１】
画素２２が有するトランジスタに用いられる半導体としては、シリコン、ゲルマニウムなどの第１４族の元素、ガリウムヒ素などの化合物半導体、有機半導体、金属酸化物などを用いることができる。また、半導体は、非単結晶半導体（非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体など）、であってもよいし、単結晶半導体であってもよい。
【０１９２】
例えば、画素２２が有するトランジスタとして、チャネル形成領域に非晶質半導体、特に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を含むトランジスタを用いることができる。非晶質半導体を用いたトランジスタは、基板の大面積化に対応することが容易であるため、製造工程を簡略化することができる。
【０１９３】
また、画素２２が有するトランジスタとして、チャネル形成領域に金属酸化物を含むトランジスタ、すなわちＯＳトランジスタを用いることもできる。ＯＳトランジスタはオフ電流が極めて小さいため、トランジスタＴｒ１１又はトランジスタＴｒ１２としてＯＳトランジスタを用いる場合、画素２２に映像信号を極めて長期間にわたって保持することができる。これにより、画素部２１に表示される映像に変化がない期間、又は変化が一定以下である期間において、映像信号の更新の頻度を極めて低く設定することができる。映像信号の更新の頻度は、例えば、０．１秒間に１回以下、又は、１秒間に１回以下、又は、１０秒間に１回以下などに設定することができる。また、映像信号の更新の頻度は、表示パネルＤＰごとに設定することができる。
【０１９４】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【０１９５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した表示パネルに用いることが可能な表示装置の構成例について説明する。ここでは特に、表示素子として液晶素子を用いた表示装置について説明する。
【０１９６】
＜表示装置の構成例１＞
図１７に、表示装置４００の断面構造の一例を示す。ここでは、表示素子として透過型の液晶素子４２０を適用した場合の例を示している。図１７において、基板４１２側が表示面側となる。
【０１９７】
表示装置４００は、基板４１１と基板４１２との間に液晶４２２が挟持された構成を有している。液晶素子４２０は、基板４１１側に設けられた導電層４２１と、基板４１２側に設けられた導電層４２３と、これらに挟持された液晶４２２と、を有する。また、液晶４２２と導電層４２１との間に配向膜４２４ａが設けられ、液晶４２２と導電層４２３との間に配向膜４２４ｂが設けられている。
【０１９８】
導電層４２１は、画素電極として機能する。また導電層４２３は、共通電極などとして機能する。また導電層４２１と導電層４２３は、いずれも可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子４２０は、透過型の液晶素子である。
【０１９９】
基板４１２の基板４１１側の面には、着色層４４１と、遮光層４４２が設けられている。着色層４４１と遮光層４４２を覆って絶縁層４２６が設けられ、絶縁層４２６を覆って導電層４２３が設けられている。また着色層４４１は、導電層４２１と重なる領域に設けられている。遮光層４４２は、トランジスタ４３０や接続部４３８を覆って設けられている。
【０２００】
基板４１１よりも外側には偏光板４３９ａが配置され、基板４１２よりも外側には偏光板４３９ｂが配置されている。さらに、偏光板４３９ａよりも外側に、バックライトユニット４９０が設けられている。図１７に示す表示装置４００は、基板４１２側が表示面側となる。
【０２０１】
基板４１１上に半導体層、トランジスタ４３０、容量素子４６０等が設けられている。トランジスタ４３０は、画素の選択トランジスタとして機能する。トランジスタ４３０は、接続部４３８を介して液晶素子４２０と接続されている。
【０２０２】
図１７に示すトランジスタ４３０は、いわゆるボトムゲート・チャネルエッチ構造のトランジスタである。トランジスタ４３０は、ゲート電極として機能する導電層４３１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層４３４と、半導体層４３２と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の導電層４３３ａ及び導電層４３３ｂと、を有する。半導体層４３２の、導電層４３１と重畳する部分は、チャネル形成領域として機能する。半導体層４３２は、導電層４３３ａ及び導電層４３３ｂと接続されている。
【０２０３】
容量素子４６０は、導電層４３１ａと、絶縁層４３４と、導電層４３３ｂにより構成されている。
【０２０４】
トランジスタ４３０等を覆って、絶縁層４８２と絶縁層４８１が積層して設けられている。画素電極として機能する導電層４２１は絶縁層４８１上に設けられている。また接続部４３８において、絶縁層４８１及び絶縁層４８２に設けられた開口を介して、導電層４２１と導電層４３３ｂと電気的に接続されている。絶縁層４８１は、平坦化層として機能することが好ましい。また絶縁層４８２は、トランジスタ４３０等へ不純物等が拡散することを抑制する保護膜としての機能を有することが好ましい。例えば、絶縁層４８２に無機絶縁材料を用い、絶縁層４８１に有機絶縁材料を用いることができる。
【０２０５】
＜表示装置の構成例２＞
図１８では、着色層４４１を基板４１１側に設けた場合の例を示している。これにより、基板４１２側の構成を簡略化することができる。
【０２０６】
なお、着色層４４１を平坦化膜として用いる場合には、絶縁層４８１を設けない構成としてもよい。
【０２０７】
＜表示装置の構成例３＞
上記では、液晶素子として、液晶を挟む一対の電極が上下に配置された、縦電界方式の液晶素子の例を示しているが、液晶素子の構成はこれに限られず、様々な方式の液晶素子を適用することができる。
【０２０８】
図１９には、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された液晶素子を有する表示装置の断面概略図を示す。
【０２０９】
液晶素子４２０は、画素電極として機能する導電層４２１と、導電層４２１と絶縁層４８３を介して重なる導電層４２３と、を有する。導電層４２３は、スリット状または櫛歯状の上面形状を有している。
【０２１０】
また、この構成では、導電層４２１と導電層４２３とが重なる部分に容量が形成され、これを容量素子４６０として用いることができる。そのため、画素の占有面積を縮小できるため、高精細な表示装置を実現できる。また、開口率を向上させることができる。
【０２１１】
図１９では、共通電極として機能する導電層４２３が液晶４２２側に位置する構成としたが、図２０に示すように、画素電極として機能する導電層４２１が、液晶４２２側に位置する構成としてもよい。このとき、導電層４２１がスリット状または櫛歯状の上面形状を有する。
【０２１２】
ここで、表示装置を作製する際、作製工程におけるフォトリソグラフィ工程が少ないほど、すなわちフォトマスクのマスク枚数が少ないほど、作製コストを低くすることができる。
【０２１３】
例えば図１７に示す構成では、基板４１１側の工程のうち、導電層４３１等の形成工程、半導体層４３２の形成工程、導電層４３３ａ等の形成工程、接続部４３８となる開口部の形成工程、及び導電層４２１の形成工程の、計５つのフォトリソグラフィ工程を経ることで作製できる。すなわち、５枚のフォトマスクにより、バックプレーン基板を作製することができる。一方、基板４１２（対向基板）側においては、着色層４４１や遮光層４４２の形成方法として、インクジェット法またはスクリーン印刷法等を用いると、フォトマスクが不要となるため好ましい。例えば、３色の着色層４４１と、遮光層４４２を設けた場合には、これらをフォトリソグラフィ法で形成した場合に比べて、計４つのフォトマスクを削減することができる。
【０２１４】
＜トランジスタの構成例１＞
次に、トランジスタ４３０の具体的な構成例について説明する。図２１（Ａ）乃至（Ｇ）に示すトランジスタの半導体層４３２には、シリコンを含む半導体を用いることができる。シリコンを含む半導体としては、例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、または多結晶シリコン等を用いることができる。特に、水素化アモルファスシリコンを用いると、大型の基板上に歩留り良く形成できるため好ましい。本発明の一態様の表示装置は、電界効果移動度が比較的低いアモルファスシリコンが適用されたトランジスタであっても、良好な表示が可能である。
【０２１５】
図２１（Ａ）に示すトランジスタは、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体層４３５を有する。不純物半導体層４３５は、半導体層４３２と導電層４３３ａの間、及び、半導体層４３２と導電層４３３ｂの間に設けられている。半導体層４３２と不純物半導体層４３５とは接して設けられ、不純物半導体層４３５と導電層４３３ａまたは導電層４３３ｂとは接して設けられる。
【０２１６】
不純物半導体層４３５を構成する不純物半導体膜は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがｎ型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、Ｐ又はＡｓを添加したシリコンが挙げられる。または、トランジスタがｐ型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えばＢを添加することも可能であるが、トランジスタはｎ型とすることが好ましい。なお、不純物半導体層は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。
【０２１７】
図２１（Ｂ）に示すトランジスタは、半導体層４３２と不純物半導体層４３５の間に、半導体層４３７を有する。
【０２１８】
半導体層４３７は、半導体層４３２と同様の半導体膜により形成されていてもよい。半導体層４３７は、不純物半導体層４３５のエッチングの際に、半導体層４３２がエッチングにより消失することを防ぐためのエッチングストッパーとして機能させることができる。なお、図２１（Ａ）において、半導体層４３７が左右に分離している例を示しているが、半導体層４３７の一部が半導体層４３２のチャネル形成領域を覆っていてもよい。
【０２１９】
また、半導体層４３７は、不純物半導体層４３５よりも低濃度の不純物が含まれていてもよい。これにより、半導体層４３７をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域として機能させることができ、トランジスタを駆動させたときのホットチャネル効果を抑制することができる。
【０２２０】
図２１（Ｃ）に示すトランジスタは、半導体層４３２のチャネル形成領域上に、絶縁層４８４が設けられている。絶縁層４８４は、不純物半導体層４３５のエッチングの際のエッチングストッパーとして機能する。
【０２２１】
図２１（Ｄ）に示すトランジスタは、半導体層４３２に代えて、半導体層４３２ｐを有する。半導体層４３２ｐは、結晶性の高い半導体膜を含む。例えば半導体層４３２ｐは、多結晶半導体または単結晶半導体を含む。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタとすることができる。
【０２２２】
図２１（Ｅ）に示すトランジスタは、半導体層４３２のチャネル形成領域に半導体層４３２ｐを有する。例えば図２１（Ｅ）に示すトランジスタは、半導体層４３２となる半導体膜に対してレーザ光などを照射することにより、局所的に結晶化することにより形成することができる。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタを実現できる。
【０２２３】
図２１（Ｆ）に示すトランジスタは、図２１（Ｂ）で示したトランジスタの半導体層４３２のチャネル形成領域に、結晶性の半導体層４３２ｐを有する。
【０２２４】
図２１（Ｇ）に示すトランジスタは、図２１（Ｃ）で示したトランジスタの半導体層４３２のチャネル形成領域に、結晶性の半導体層４３２ｐを有する。
【０２２５】
＜トランジスタの構成例２＞
次に、トランジスタ４３０の他の変形例を説明する。図２２（Ａ）乃至（Ｅ）に示すトランジスタの半導体層４３２に金属酸化物を用いることにより、ＯＳトランジスタを構成することができる。ＯＳトランジスタを用いる場合、映像に変化がない期間、又は変化が一定以下である期間において、映像信号の更新の頻度を極めて低く設定することができ、消費電力の削減を図ることができる。
【０２２６】
図２２（Ａ）に示すトランジスタは、半導体層４３２のチャネル形成領域上に、絶縁層４８４が設けられている。絶縁層４８４は、半導体層４３２のエッチングの際のエッチングストッパーとして機能する。
【０２２７】
図２２（Ｂ）に示すトランジスタは、絶縁層４８４が、半導体層４３２を覆って絶縁層４３４上に延在している構成を有する。この場合、導電層４３３ａ及び導電層４３３ｂは、絶縁層４８４に設けられた開口を介して、半導体層４３２と接続されている。
【０２２８】
図２２（Ｃ）に示すトランジスタは、絶縁層４８５、導電層４８６を有する。絶縁層４８５は、半導体層４３２、導電層４３３ａ、導電層４３３ｂを覆って設けられている。また、導電層４８６は絶縁層４８５上に設けられ、半導体層４３２と重なる領域を有する。
【０２２９】
導電層４８６は、半導体層４３２を挟んで導電層４３１とは反対側に位置している。導電層４３１を第１のゲート電極とした場合、導電層４８６は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層４３１と導電層４８６に同じ電位を与えることで、トランジスタのオン電流を高めることができる。また、導電層４３１と導電層４８６の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
【０２３０】
図２２（Ｄ）に示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタであり、ゲート電極として機能する導電層４３１が、半導体層４３２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、半導体層４３２上には、絶縁層４３４及び導電層４３１が積層して形成されている。また、絶縁層４８２は、半導体層４３２の上面及び側端部、導電層４３１を覆って設けられている。導電層４３３ａ及び導電層４３３ｂは、絶縁層４８２上に設けられている。導電層４３３ａ及び導電層４３３ｂは、絶縁層４８２に設けられた開口を介して、半導体層４３２と接続されている。
【０２３１】
なお、ここでは絶縁層４３４が、導電層４３１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層４３４が半導体層４３２の上面及び側端部を覆って設けられていてもよい。
【０２３２】
図２１（Ｄ）に示すトランジスタは、導電層４３１と導電層４３３ａまたは導電層４３３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。
【０２３３】
図２２（Ｅ）に示すトランジスタは、図２２（Ｄ）と比較して、導電層４８７及び絶縁層４８８を有している点で相違している。導電層４８７は半導体層４３２と重なる領域を有する。また、絶縁層４８８は、導電層４８７を覆って設けられている。
【０２３４】
導電層４８７は、第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。
【０２３５】
なお、図２２（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、半導体層４３２は領域４３２ｎを有していてもよい。領域４３２ｎは、窒素又は水素を有する絶縁層４８２と接する領域を有する。そして、絶縁層４８２中の窒素または水素が領域４３２ｎに添加されることにより、領域４３２ｎがｎ型化される。この場合、領域４３２ｎはソース領域又はドレイン領域として機能する。なお、領域４３２ｎに含まれる窒素又は水素の濃度は、チャネル形成領域よりも高い。また、領域４３２ｎのキャリア密度は、チャネル形成領域よりも高い。
【０２３６】
また、半導体層４３２は領域４３２ｊを有していてもよい。領域４３２ｊは、チャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域との間の接合領域としての機能を有する。領域４３２ｊに含まれる窒素又は水素の濃度は、領域４３２ｎよりも低く、チャネル形成領域よりも高い。また、領域４３２ｊのキャリア密度は、領域４３２ｎよりも低く、チャネル形成領域よりも高い。
【０２３７】
＜構成要素＞
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０２３８】
［基板］
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０２３９】
厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。または、可撓性を有する程度に薄いガラスなどを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０２４０】
［トランジスタ］
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
【０２４１】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０２４２】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０２４３】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウム等）、又は金属酸化物を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む金属酸化物などを適用できる。シリコンを含む半導体としては、例えば水素化アモルファスシリコンを用いることができる。
【０２４４】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０２４５】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該半導体層を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０２４６】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、またはジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０２４７】
半導体層を構成する金属酸化物として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０２４８】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０２４９】
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０２５０】
半導体層を構成する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０２５１】
半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０２５２】
半導体層には、キャリア密度の低い金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上のキャリア密度の金属酸化物を用いることができる。このような半導体層は、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する。
【０２５３】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【０２５４】
半導体層を構成する金属酸化物において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう場合がある。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【０２５５】
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、金属酸化物と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【０２５６】
また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高い。
【０２５７】
非晶質構造の金属酸化物は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
【０２５８】
なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。
【０２５９】
［導電層］
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０２６０】
また、トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【０２６１】
［絶縁層］
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０２６２】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０２６３】
［液晶素子］
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０２６４】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０２６５】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０２６６】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０２６７】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０２６８】
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶素子などがある。
【０２６９】
本発明の一態様では、特に透過型の液晶素子を好適に用いることができる。
【０２７０】
透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
【０２７１】
なお、エッジライト型のバックライトをオフ状態とすることで、シースルー表示を行うことができる。
【０２７２】
［着色層］
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０２７３】
［遮光層］
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０２７４】
なお、本実地の形態では、表示素子として液晶素子を用いた表示装置について説明したが、表示素子として発光素子を用いることもできる。
【０２７５】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【０２７６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる、金属酸化物について説明する。以下では特に、金属酸化物とＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の詳細について説明する。
【０２７７】
ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２７８】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２７９】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２８０】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２８１】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２８２】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０２８３】
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０２８４】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２８５】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２８６】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２８７】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２８８】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２８９】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０２９０】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２９１】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２９２】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０２９３】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０２９４】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０２９５】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０２９６】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２９７】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２９８】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２９９】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０３００】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、さまざまな半導体装置に最適である。
【０３０１】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【０３０２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。
【０３０３】
以下で例示する電子機器には、上記実施の形態で説明した表示システムを搭載することができる。これにより、高品質な映像を表示可能な電子機器を提供することができる。
【０３０４】
また、以下で例示する電子機器の表示部には、上記実施の形態で説明した表示部を用いることができる。これにより、複数の表示パネルを用いて映像の表示を行う機能を有する電子機器を構成することができる。また、本発明の一態様に係る表示パネルは可撓性を有していてもよい。この場合、以下で例示する電子機器に、曲面を有する表示部を設けることができる。
【０３０５】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
【０３０６】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０３０７】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０３０８】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
【０３０９】
図２３（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０３１０】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示部を適用することができる。
【０３１１】
図２３（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【０３１２】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０３１３】
図２３（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
【０３１４】
表示部７０００に、本発明の一態様の半導体装置を適用することができる。
【０３１５】
図２４（Ａ）、（Ｂ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。
【０３１６】
図２４（Ａ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０３１７】
また、図２４（Ｂ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
【０３１８】
図２４（Ａ）、（Ｂ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の表示部を適用することができる。
【０３１９】
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【０３２０】
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
【０３２１】
また、図２４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザーが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
【０３２２】
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザーが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
【０３２３】
また、本発明の一態様に係る表示システムは、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、車両の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。図２５に、本発明の一態様に係る表示システムの車両への搭載例を示す。
【０３２４】
図２５に、表示部５００１を備えた車両の構成例を示す。表示部５００１として、本発明の一態様に係る表示システムの表示部を用いることができる。なお、図２５には表示部５００１が右ハンドルの車両に搭載された例を示すが、特に限定されず、左ハンドルの車両に搭載することもできる。この場合、図２５に示す構成の左右の配置が替わる。
【０３２５】
図２５には、運転席と助手席の周辺に配置されるダッシュボード５００２、ハンドル５００３、フロントガラス５００４などを示している。表示部５００１は、ダッシュボード５００２の所定の位置、具体的には運転者の回りに配置され、概略Ｔ字形状を有する。図２５には、複数の表示パネル５００７（表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、５００７ｄ）を用いて形成される１つの表示部５００１を、ダッシュボード５００２に沿って設けた例を示しているが、表示部５００１は複数箇所に分けて配置してもよい。
【０３２６】
なお、複数の表示パネル５００７は可撓性を有していてもよい。この場合、表示部５００１を複雑な形状に加工することができ、表示部５００１をダッシュボード５００２などの曲面に沿って設ける構成や、ハンドルの接続部分、計器の表示部、送風口５００６などに表示部５００１の表示領域を設けない構成などを容易に実現することができる。
【０３２７】
また、後側方の状況を撮影するカメラ５００５を車外に複数設けてもよい。図２５においてはサイドミラーの代わりにカメラ５００５を設置する例を示しているが、サイドミラーとカメラの両方を設置してもよい。
【０３２８】
カメラ５００５としては、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラなどを用いることができる。また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人や動物等の生体を検知又は抽出することができる。
【０３２９】
カメラ５００５で撮像された画像は、表示パネル５００７のいずれか一または複数に出力することができる。この表示部５００１を用いて主に車両の運転を支援する。カメラ５００５によって後側方の状況を幅広い画角で撮影し、その画像を表示パネル５００７に表示することで、運転者の死角領域の視認が可能となり、事故の発生を防止することができる。
【０３３０】
また、本発明の一態様に係る表示システムを用いることにより、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、及び５００７ｄのつなぎ目における映像の不連続性を補償することができる。これにより、つなぎ目が目立たない映像の表示が可能となり、運転時における表示部５００１の視認性を向上させることができる。
【０３３１】
また、車のルーフ上などに距離画像センサを設け、距離画像センサによって得られた画像を表示部５００１に表示してもよい。距離画像センサとしては、イメージセンサやライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）などを用いることができる。イメージセンサによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを表示部５００１に表示することにより、より多くの情報を運転手に提供し、運転を支援することができる。
【０３３２】
また、表示部５００１は、地図情報、交通情報、テレビ映像、ＤＶＤ映像などを表示する機能を有していてもよい。例えば、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、及び５００７ｄを１つの表示画面として、地図情報を大きく表示することができる。なお、表示パネル５００７の数は、表示される映像に応じて増やすことができる。
【０３３３】
また、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、及び５００７ｄに表示される映像は、運転手の好みによって自由に設定することができる。例えば、テレビ映像、ＤＶＤ映像を左側の表示パネル５００７ｄに表示し、地図情報を中央部の表示パネル５００７ｂに表示し、計器類を右側の表示パネル５００７ｃに表示し、オーディオ類を変速ギア近傍（運転席と助手席の間）の表示パネル５００７ａに表示することができる。また、複数の表示パネル５００７を組み合わせることにより、表示部５００１にフェールセーフの機能を付加することができる。例えば、ある表示パネル５００７が何らかの原因で故障したとしても、表示領域を変更し、他の表示パネル５００７を用いて表示を行うことができる。
【０３３４】
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０３３５】
１０    表示システム
２０    表示部
２１    画素部
２２    画素
２３    駆動回路
２４    駆動回路
３０    信号生成部
４０    演算処理装置
５１    表示領域
５２    領域
５３    領域
５４    ＦＰＣ
５５    表示領域
２００    レジスタ
２１０    スキャンチェーンレジスタ部
２１１    レジスタ
２１２    セレクタ
２１３    フリップフロップ回路
２１４    保持回路
２１５    メモリ回路
２１６    メモリ回路
２２０    レジスタ部
２２１    レジスタ
２２２    ラッチ回路
２２３    ＭＵＸ
４００    表示装置
４１１    基板
４１２    基板
４２０    液晶素子
４２１    導電層
４２２    液晶
４２３    導電層
４２４    配向膜
４２６    絶縁層
４３０    トランジスタ
４３１    導電層
４３２    半導体層
４３２ｊ    領域
４３２ｎ    領域
４３２ｐ    半導体層
４３３    導電層
４３４    絶縁層
４３５    不純物半導体層
４３７    半導体層
４３８    接続部
４３９    偏光板
４４１    着色層
４４２    遮光層
４６０    容量素子
４８１    絶縁層
４８２    絶縁層
４８３    絶縁層
４８４    絶縁層
４８５    絶縁層
４８６    導電層
４８７    導電層
４８８    絶縁層
４９０    バックライトユニット
５００１    表示部
５００２    ダッシュボード
５００３    ハンドル
５００４    フロントガラス
５００５    カメラ
５００６    送風口
５００７    表示パネル
７０００    表示部
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    スタンド
７１１１    リモコン操作機
７２００    ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１    筐体
７２１２    キーボード
７２１３    ポインティングデバイス
７２１４    外部接続ポート
７３００    デジタルサイネージ
７３０１    筐体
７３０３    スピーカ
７３１１    情報端末機
７４００    デジタルサイネージ
７４０１    柱
７４１１    情報端末機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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