(57)【要約】【課題】搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板を提供すること。【解決手段】配線基板の製造方法は、基板にベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップＳＴ１と、ベース絶縁層の表面を平坦化する表裏平坦化ステップＳＴ２と、ベース絶縁層に金属薄膜を被覆する薄膜被覆ステップＳＴ３と、ベース絶縁層に積層したフォトレジスト層に溝を形成する溝形成ステップＳＴ４と、溝に金属を充填する金属充填ステップＳＴ５と、フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去ステップＳＴ７と、露出した金属薄膜を除去する金属薄膜除去ステップＳＴ８と、回路パターン間に絶縁部材を充填して回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップＳＴ９と、回路パターン層の絶縁部材の表面を平坦化する回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０とを備える。【選択図】図２
2018060918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面に再配線層を備える配線基板の製造方法であって、
コアとなる基板の表裏面に樹脂のベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップと、
表裏面の該ベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化する表裏平坦化ステップと、
平坦化した表裏面の該ベース絶縁層の表面に金属薄膜を被覆する薄膜被覆ステップと、
該金属薄膜を介して該ベース絶縁層にフォトレジスト層を積層し、フォトエッチングによって該フォトレジスト層に回路パターンとなる溝を形成し、溝底で該金属薄膜を露出させる溝形成ステップと、
該金属薄膜を電極として、該回路パターンとなる該溝にめっき処理で金属を充填する金属充填ステップと、
該ベース絶縁層の上面から該金属の該回路パターンを残して該フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去ステップと、
該フォトレジスト層除去ステップを実施した後、露出した該金属薄膜を該ベース絶縁層から除去する金属薄膜除去ステップと、
該金属薄膜除去ステップを実施した後、該回路パターンの隙間に樹脂の絶縁部材を充填し、隣接する該回路パターンが絶縁された回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップと、
該回路パターン層の該絶縁部材の表面をバイト工具で削り平坦化する回路パターン層平坦化ステップと、を備え、
該表裏平坦化ステップ及び該回路パターン層平坦化ステップにより平坦な配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
該金属充填ステップの後で、該フォトレジスト層除去ステップの前に、溝に充填された該金属の表面を該フォトレジスト層とともにバイト工具で削り、該金属の回路パターンの表面を平坦化する回路パターン平坦化ステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
該回路パターン層の上に更に該回路パターンを積層して形成する請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップや各種電気部品を実装して搭載し、これらの電極と他の部品との導通を確保するインターポーザーやプリント配線基板といった再配線層を有する配線基板に関する技術が知られている。例えば、特許文献１には、コア基板の表裏面に導体層と有機絶縁層とを交互に積み上げていくビルドアップ方式の配線基板が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、補強材を備えるコア基板の両面に、補強材に樹脂を含浸させてなる第１絶縁層を設け、第１絶縁層でコア基板を補強してから、補強材を含有しない複数の第２絶縁層を積層する配線基板が開示されている。この配線基板は、コア基板及び第１絶縁層に補強材を含ませたり、第１絶縁層の厚みを各第２絶縁層の厚みよりも厚くしたりすることで、熱履歴が加わった場合に反りが生じることを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１９６７４３号公開
【特許文献２】特開２０１３−８０８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１、２に記載の配線基板に搭載される半導体チップや各種電気部品は、軽薄短小化が進んでおり、配線基板の電極と接続される電極も小さくなり、電極間の間隔も狭くなっている。そのため、配線基板が反っていたり平坦でなかったりすると、搭載する半導体チップや各種電気部品の電極と配線基板の電極とを良好に接続することができず、動作不良の要因となってしまう。上述したように、特許文献２に記載の配線基板は、熱履歴が加わった際に反りが生じることを抑制しているが、熱履歴による変形を抑制するだけでは、コア基板がもともと反っていたり平坦でなかったりした場合に、平坦に形成することができないおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表裏面に再配線層を備える配線基板の製造方法であって、コアとなる基板の表裏面に樹脂のベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップと、表裏面の該ベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化する表裏平坦化ステップと、平坦化した表裏面の該ベース絶縁層の表面に金属薄膜を被覆する薄膜被覆ステップと、該金属薄膜を介して該ベース絶縁層にフォトレジスト層を積層し、フォトエッチングによって該フォトレジスト層に回路パターンとなる溝を形成し、溝底で該金属薄膜を露出させる溝形成ステップと、該金属薄膜を電極として、該回路パターンとなる該溝にめっき処理で金属を充填する金属充填ステップと、該ベース絶縁層の上面から該金属の該回路パターンを残して該フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去ステップと、該フォトレジスト層除去ステップを実施した後、露出した該金属薄膜を該ベース絶縁層から除去する金属薄膜除去ステップと、該金属薄膜除去ステップを実施した後、該回路パターンの隙間に樹脂の絶縁部材を充填し、隣接する該回路パターンが絶縁された回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップと、該回路パターン層の該絶縁部材の表面をバイト工具で削り平坦化する回路パターン層平坦化ステップと、を備え、該表裏平坦化ステップ及び該回路パターン層平坦化ステップにより平坦な配線基板を形成することを特徴とする。
【０００８】
また、該金属充填ステップの後で、該フォトレジスト層除去ステップの前に、溝に充填された該金属の表面を該フォトレジスト層とともにバイト工具で削り、該金属の該回路パターンの表面を平坦化する回路パターン平坦化ステップを備えることが好ましい。
【０００９】
また、該回路パターン層の上に更に該回路パターンを積層して形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
そこで、本願発明の配線基板の製造方法では、搭載される電気部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板を提供することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態にかかる配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態１にかかる配線基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、実施形態１に係る配線基板の製造方法のベース絶縁層形成ステップを示す図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップを示す図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップの他の例を示す図である。
【図６】図６は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップ後の基板及びベース絶縁層を示す図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の薄膜被覆ステップを示す図である。
【図８】図８は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の溝形成ステップのフォトレジスト層を形成した状態を示す図である。
【図９】図９は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の溝形成ステップのフォトレジスト層に溝を形成した状態を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の金属充填ステップを示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン平坦化ステップを示す図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン平坦化ステップ後の状態を示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態１に係る配線基板の製造方法のフォトレジスト層除去ステップを示す図である。
【図１４】図１４は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の金属薄膜除去ステップを示す図である。
【図１５】図１５は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層形成ステップを示す図である。
【図１６】図１６は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層平坦化ステップを示す図である。
【図１７】図１７は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層平坦化ステップ後の基板及び回路パターン層を示す図である。
【図１８】図１８は、図１７に示す絶縁部材の一部が除去されて一部の回路パターンが露出された状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
本発明の実施形態にかかる配線基板の製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態にかかる配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す断面図である。図１に示す配線基板１は、半導体チップや各種電気部品を実装して搭載し、これらの電極と他の部品との導通を確保するインターポーザーやプリント配線基板といった再配線層を有する配線基板である。実施形態１において、配線基板１は、半導体チップを搭載して印刷配線基板に接続されて、半導体チップの電極と印刷配線基板の配線パターンとを予め定められたパターン通りに接続するインターポーザーである。
【００１４】
配線基板１は、図１に示すように、コアとなる基板１０と、基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの双方に形成されたベース絶縁層２０と、ベース絶縁層２０上に少なくとも一層形成された再配線層である回路パターン層３０とを備える。配線基板１は、基板１０の表裏面１０ａ，１０ｂに回路パターン層３０を備える。
【００１５】
基板１０は、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス、又はガラス等で形成される絶縁性（非導電性）の基板である。基板１０の厚みは、例えば５０μｍ程度である。実施形態１において、基板１０は、図１に示すように、裏面１０ｂ側（図１中下側）に凸型を描くように湾曲した形状である。なお、図１を含め、以下に説明する図面においては、基板１０が湾曲していることを説明するため、基板１０に実際に生じる湾曲度合よりも大きく記載している。
【００１６】
ベース絶縁層２０は、絶縁性を有する樹脂により構成される。実施形態１において、回路パターン層３０は、各ベース絶縁層２０上に三層形成されているが、各ベース絶縁層２０上に形成される回路パターン層３０の数は、三層に限定されない。回路パターン層３０は、導電性を有する金属により構成された複数の回路パターン３１と、絶縁部材３２とを備える。
【００１７】
ベース絶縁層２０上に形成された回路パターン層３０の複数の回路パターン３１は、ベース絶縁層２０上に予め定められたパターンに従って配置されている。回路パターン層３０上に形成された回路パターン層３０の回路パターン３１は、ベース絶縁層２０寄りの下層側の回路パターン層３０の絶縁部材３２又は回路パターン３１上に配置されている。絶縁部材３２は、絶縁性を有する樹脂により構成され、回路パターン３１間の隙間に充填されて、互いに隣接する回路パターン３１同士を電気的に絶縁している。
【００１８】
実施形態１において、ベース絶縁層２０及び各回路パターン層３０の絶縁部材３２は、樹脂材を含むドライフィルム式の層間絶縁材料により構成され、味の素ファインテクノ株式会社製の味の素ビルドアップフィルム（以下、「ＡＢＦ」という）を用いて形成される。実施形態１において、ベース絶縁層２０及び各回路パターン層３０の絶縁部材３２は、ＡＢＦにより構成されるが、ベース絶縁層２０及び絶縁部材３２を構成するのはＡＢＦに限定されない。ベース絶縁層２０の厚みは、例えば４０μｍ程度である。
【００１９】
各回路パターン３１は、例えば銅等の金属で形成される。各回路パターン３１の高さ（各回路パターン層３０の積層方向における高さ）は、例えば１５μｍ〜２０μｍ程度である。各回路パターン３１は、図１に示すように、所定箇所において電気的に接続されている。回路パターン層３０のうちの最外層の回路パターン層３０の回路パターン３１のうち一部の回路パターン３１は、配線基板１の外側に露出している。配線基板１の外側に露出した回路パターン３１は、半導体チップの電極又は印刷配線基板の配線パターンに接続されるものである。回路パターン３１は、ベース絶縁層２０、下層側の回路パターン層３０の絶縁部材３２又は回路パターン３１上に配置された金属薄膜３１ａと、金属薄膜３１ａ上の金属３１ｂとにより構成されている。
【００２０】
また、配線基板１は、基板１０を表面１０ａから裏面１０ｂまで貫通し、回路パターン層３０と接続する貫通電極を有している。貫通電極は、回路パターン３１と同様に、金属薄膜３１ａと、金属薄膜３１ａ上の金属３１ｂとにより構成される。配線基板１は、配線基板１の外側に露出した回路パターン３１が半導体チップの電極又は印刷配線基板の配線パターンに接続され、かつ複数の回路パターン層３０の回路パターン３１同士が所定箇所において電気的に接続されることにより、半導体チップの電極と印刷配線基板の配線パターンとを予め定められたパターンにしたがって電気的に接続する。
【００２１】
次に、実施形態１にかかる配線基板の製造方法について説明する。図２は、実施形態１にかかる配線基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。図３は、実施形態１に係る配線基板の製造方法のベース絶縁層形成ステップを示す図である。図４は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップを示す図である。図５は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップの他の例を示す図である。図６は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の表裏平坦化ステップ後の基板及びベース絶縁層を示す図である。図７は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の薄膜被覆ステップを示す図である。図８は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の溝形成ステップのフォトレジスト層を形成した状態を示す図である。図９は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の溝形成ステップのフォトレジスト層に溝を形成した状態を示す図である。図１０は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の金属充填ステップを示す図である。図１１は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン平坦化ステップを示す図である。図１２は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン平坦化ステップ後の状態を示す図である。図１３は、実施形態１に係る配線基板の製造方法のフォトレジスト層除去ステップを示す図である。図１４は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の金属薄膜除去ステップを示す図である。図１５は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層形成ステップを示す図である。図１６は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層平坦化ステップを示す図である。図１７は、実施形態１に係る配線基板の製造方法の回路パターン層平坦化ステップ後の基板及び回路パターン層を示す図である。図１８は、図１７に示す絶縁部材の一部が除去されて一部の回路パターンが露出された状態を示す図である。
【００２２】
実施形態１にかかる配線基板の製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図２に示すように、ベース絶縁層形成ステップＳＴ１と、表裏平坦化ステップＳＴ２と、薄膜被覆ステップＳＴ３と、溝形成ステップＳＴ４と、金属充填ステップＳＴ５と、回路パターン平坦化ステップＳＴ６と、フォトレジスト層除去ステップＳＴ７と、金属薄膜除去ステップＳＴ８と、回路パターン層形成ステップＳＴ９と、回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０とを備える。製造方法は、回路パターン層形成ステップＳＴ９後に、全ての回路パターン層３０が形成済でない（ステップＳＴ１１：Ｎｏ）であると、薄膜被覆ステップＳＴ３に戻って、全ての回路パターン層３０が形成済となる（ステップＳＴ１１：Ｙｅｓ）まで、薄膜被覆ステップＳＴ３から回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０までを繰り返し実施することにより、配線基板１の複数の回路パターン層３０を積層して形成する。
【００２３】
ベース絶縁層形成ステップＳＴ１は、コアとなる基板１０の表裏面１０ａ,１０ｂに樹脂のベース絶縁層２０を形成するステップである。ベース絶縁層形成ステップＳＴ１では、図３に示すように、基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂの双方に味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦを加熱圧着等により固定する。この際、本実施形態の基板１０は、裏面１０ｂ側（図中下側）に凸形状を描くように湾曲しているため、図３に示すように、基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂに固定されたベース絶縁層２０の基板１０とは反対側の表面２０ａは、基板１０の形状にあわせて湾曲している。
【００２４】
表裏平坦化ステップＳＴ２は、基板１０の表裏面１０ａ，１０ｂのベース絶縁層２０の表面２０ａをバイト工具４１で削り平坦化するステップである。表裏平坦化ステップＳＴ２は、図４に示すように、バイト切削装置４０の金属製のピンチャック等から形成された保持面４２ａを有するチャックテーブル４２に基板１０の表面１０ａと裏面１０ｂとのうち一方側のベース絶縁層２０を吸引保持する。そして、表裏平坦化ステップＳＴ２は、バイトホイール４３を回転させて、バイトホイール４３を図示しない移動手段により図中下方向に移動させて、図４に示すようにバイト工具４１を他方側のベース絶縁層２０に切り込ませながらチャックテーブル４２とバイト工具４１を保持面４２ａと平行方向に相対移動させて、バイト工具４１によって他方側のベース絶縁層２０の表面２０ａを切削して平坦化する。表裏面平坦化ステップＳＴ２は、他方側のベース絶縁層２０の表面２０ａを平坦化した後、バイト切削装置４０のチャックテーブル４２に平坦化した他方側のベース絶縁層２０を吸引保持し、一方側のベース絶縁層２０の表面２０ａを同様に切削して平坦化する。バイトホイール４３で切削する際、チャックテーブル４２に吸引保持される側のベース絶縁層２０に粘着テープなどの保護部材を貼着しても良い。
【００２５】
図４に示す例では、ベース絶縁層２０の表面２０ａをバイト切削装置４０のバイト工具４１で削り平坦化したが、表裏平坦化ステップＳＴ２は、図５に示すように、ベース絶縁層２０の表面２０ａを研削装置５０の研削砥石５１で削り平坦化しても良い。ベース絶縁層２０の表面２０ａを研削装置５０の研削砥石５１で削り平坦化する場合には、研削装置５０のチャックテーブル５２にベース絶縁層２０を吸引保持し、研削装置５０の研削砥石５１をベース絶縁層２０に接触させた状態でチャックテーブル５２を回転させながら、研削ホイール５３を回転させ、研削砥石５１によってベース絶縁層２０の表面２０ａを切削して平坦化する。表裏平坦化ステップＳＴ２後では、図６に示すように、基板１０の表裏面１０ａ，１０ｂ双方のベース絶縁層２０の表面２０ａを平坦に形成することができる。研削ホイール５３で研削する際、チャックテーブル５２に吸引保持される側のベース絶縁層２０に粘着テープなどの保護部材を貼着しても良い。
【００２６】
また、表裏平坦化ステップＳＴ２において、ベース絶縁層２０の表面２０ａを平坦に形成した後、図示しない貫通電極を形成するために、例えばレーザ光を用いたアブレーション加工によって、基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２０及び基板１０自体を貫通する図示しない貫通孔（スルーホール）を形成する。
【００２７】
薄膜被覆ステップＳＴ３は、平坦化した基板１０の表裏面１０ａ，１０ｂのベース絶縁層２０の表面２０ａに金属薄膜３１ａを被覆するステップである。薄膜被覆ステップＳＴ３では、図７に示すように、基板１０の表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側の双方のベース絶縁層２０上及び図示しない貫通電極用の貫通孔の内面に導電性の金属により構成された金属薄膜３１ａをスパッタリングによって順次被膜する。なお、金属薄膜３１ａは、金属材料からなる半田材等をスクリーン印刷によって形成しても良く、インクジェット方式のノズルから吐出させて形成しても良い。
【００２８】
溝形成ステップＳＴ４は、金属薄膜３１ａを介してベース絶縁層２０にフォトレジスト層６０を積層し、フォトエッチングによってフォトレジスト層６０に回路パターン３１となる溝６１を形成し、溝６１の底で金属薄膜３１ａを露出させるステップである。溝形成ステップＳＴ４は、図８に示すように、各ベース絶縁層２０の表面２０ａに露光されることにより露光された部分が硬化し、現像されることにより露光されなかった部分が除去されるフォトレジスト層６０を積層する。実施形態１では、各ベース絶縁層２０の表面２０ａに感光材であるドライフィルムを積層することによりフォトレジスト層６０を積層する。溝形成ステップＳＴ４は、フォトレジスト層６０を積層した後に、露光、現像（フォトエッチングに相当）することにより、図９に示すように、回路パターン３１が形成される部分に溝６１を形成し、溝６１の底に金属薄膜３１ａを露出させる。
【００２９】
金属充填ステップＳＴ５は、金属薄膜３１ａを電極として、回路パターン３１となる溝６１にめっき処理で金属３１ｂを充填するステップである。金属充填ステップＳＴ５は、導電性の金属を含む溶液内で金属薄膜３１ａを電極にして、図１０に示すように、溝６１内の金属薄膜３１ａ及び貫通孔の内面の金属薄膜３１ａに導電性の金属を電着させて、溝６１内及び貫通孔内に金属３１ｂを充填する。金属充填ステップＳＴ５後の溝６１内の金属３１ｂの表面の位置が不均一となっている。
【００３０】
回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、金属充填ステップＳＴ５の後で、フォトレジスト層除去ステップＳＴ７の前に、溝６１に充填された金属３１ｂの表面をフォトレジスト層６０とともにバイト切削装置４０のバイト工具４１で削り、金属３１ｂにより構成される回路パターン３１の表面を平坦化するステップである。回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、図１１に示すように、バイト切削装置４０の保持面４２ａを有するチャックテーブル４２に、一方側のフォトレジスト層６０を吸引保持する。回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、バイトホイール４３を回転させて、バイトホイール４３を図示しない移動手段により図中下方向に移動させて、図１１に示すようにバイト工具４１を他方側のフォトレジスト層６０に切り込ませながらチャックテーブルとバイト工具を保持面と平行方向に相対移動させて、バイト工具４１によって他方側のフォトレジスト層６０と共に溝６１内に充填された金属３１ｂの表面を切削して平坦化する。
【００３１】
回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、他方側のフォトレジスト層６０側を平坦化した後、バイト切削装置４０のチャックテーブル４２に平坦化した他方側のフォトレジスト層６０を吸引保持し、一方側のフォトレジスト層６０と共に溝６１内に充填された金属３１ｂの表面を切削して平坦化する。なお。回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、表裏面平坦化ステップＳＴ２と同様に、研削装置５０の研削砥石５１を用いて、フォトレジスト層６０及び金属３１ｂの表面を削って、平坦化しても良い。こうして、回路パターン平坦化ステップＳＴ６は、金属薄膜３１ａ上に電着された金属３１ｂの表面を平坦に形成して、金属薄膜３１ａと金属３１ｂとに構成される回路パターン３１の表面を平坦化する。
【００３２】
フォトレジスト層除去ステップＳＴ７は、ベース絶縁層２０の上面から金属薄膜３１ａを残してフォトレジスト層６０を除去するステップである。フォトレジスト層除去ステップＳＴ７は、フォトレジスト層６０を除去する薬液に浸漬することにより、図１３に示すように、各ベース絶縁層２０上の金属薄膜３１ａ上からフォトレジスト層６０を除去する。また、フォトレジスト層除去ステップＳＴ７は、フォトレジスト層６０を金属薄膜３１ａ上から剥がしても良い。フォトレジスト層除去ステップＳＴ７後では、フォトレジスト層６０が積層された部分である回路パターン３１間に位置する金属薄膜３１ａが露出している。
【００３３】
金属薄膜除去ステップＳＴ８は、フォトレジスト層除去ステップＳＴ７を実施した後、露出した金属薄膜３１ａをベース絶縁層２０から除去するステップである。金属薄膜除去ステップＳＴ８は、金属薄膜３１ａを除去する薬液に浸漬することにより、図１４に示すように、回路パターン３１間に位置して露出する金属薄膜３１ａを除去する。
【００３４】
回路パターン層形成ステップＳＴ９は、金属薄膜除去ステップＳＴ８を実施した後、回路パターン３１の隙間に絶縁性を有する樹脂の絶縁部材３２を充填し、隣接する回路パターン３１が絶縁された回路パターン層３０を形成するステップである。回路パターン層形成ステップＳＴ９は、隣接する回路パターン３１間に絶縁部材３２を充填するとともに、回路パターン３１上に絶縁部材３２を被覆する。実施形態１において、回路パターン層形成ステップＳＴ９は、回路パターン３１間、ベース絶縁層２０上及び回路パターン３１上にＡＢＦを加熱圧着等により固定する。この際、ベース絶縁層２０上に回路パターン３１が形成されているために、絶縁部材３２の表面が回路パターン３１に応じて凸凹している。
【００３５】
回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、最外層の回路パターン層３０の絶縁部材３２の表面のみをバイト工具４１で削り平坦化するステップである。回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、図１６に示すように、バイト切削装置４０の保持面４２ａを有するチャックテーブル４２に一方側の絶縁部材３２を吸引保持する。回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、バイトホイール４３を回転させて、バイトホイール４３を図示しない移動手段により図中下方向に移動させて、図１６に示すようにバイト工具４１を他方側の絶縁部材３２に切り込ませながらチャックテーブルとバイト工具を保持面と平行方向に相対移動させて、バイト工具４１によって他方側の絶縁部材３２の表面を切削して平坦化する。
【００３６】
回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、他方側の絶縁部材３２側を平坦化した後、バイト切削装置４０のチャックテーブル４２に平坦化した他方側の絶縁部材３２を吸引保持し、一方側の絶縁部材３２の表面を切削して平坦化する。なお。回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、表裏面平坦化ステップＳＴ２及び回路パターン平坦化ステップＳＴ６と同様に、研削装置５０の研削砥石５１を用いて、絶縁部材３２の表面を削って、平坦化しても良い。こうして、回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０は、絶縁部材３２の表面を平坦化して、回路パターン３１と絶縁部材３２とで構成される回路パターン層３０を形成する。なお、回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０後では、図１７に示すように、回路パターン層３０の絶縁部材３２が回路パターン３１の全てを被覆している。製造方法は、以上のように一層目の回路パターン層３０の形成を完了し、全ての回路パターン層３０を形成済となる（ステップＳＴ１１：Ｙｅｓ）まで、二層目以降の回路パターン層３０を薄膜被覆ステップＳＴ３から回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０を実施して形成する。
【００３７】
また、製造方法は、全ての回路パターン層３０が形成済でない（ステップＳＴ１１：Ｎｏ）と、各回路パターン層３０の回路パターン３１同士を接続させるため、下層となる回路パターン層３０の絶縁部材３２にレーザーアブレーションで、図１８に示すように、回路パターン３１が露出する貫通穴を形成する。そして、製造方法は、薄膜被覆ステップＳＴ３から回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０を繰り返すことにより、貫通穴に金属３１ｂを充填して上層の回路パターン３１となりつつ上下の回路パターン層３０を接続する回路を形成する。
【００３８】
以上説明したように、実施形態１にかかる製造方法では、コアとなる基板１０が反って湾曲していたり基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂが平坦でなかったとしても、基板１０の表裏面１０ａ，１０ｂに積層されたベース絶縁層２０の表面２０ａを表裏平坦化ステップＳＴ２において平坦化する。また、実施形態１にかかる製造方法では、回路パターン３１の隙間に充填された絶縁部材３２の表面が凸凹であっても、最外層の回路パターン層３０の絶縁部材３２の表面を回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０において平坦化する。このために、実施形態１にかかる製造方法は、表裏平坦化ステップＳＴ２及び回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０により平坦な配線基板１を形成するという効果を奏する。その結果、実施形態１にかかる製造方法は、搭載される半導体チップ等の電気部品の電極及び実装される印刷配線基板の配線パターンとの接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板１を提供することができる。
【００３９】
また、実施形態１にかかる製造方法は、回路パターン平坦化ステップＳＴ６において、回路パターン３１を構成する金属３１ｂの表面も平坦化する事で、回路パターン層３０間の距離（即ち、回路パターン３１の高さ）を一定とすることができ、配線基板１により実装される半導体チップ等の電気部品の通信速度が一定になるという効果も奏する。
【００４０】
また、実施形態１にかかる製造方法は、回路パターン平坦化ステップＳＴ６において、回路パターン３１を構成する金属３１ｂの表面も平坦化する事で、より一層平坦な配線基板１を製造することができ、良好に半導体チップ等の電気部品や印刷配線基板等と接続できる、より平坦度が高い配線基板１を提供することができる。
【００４１】
また、実施形態１にかかる製造方法は、回路パターン層３０の上に更に回路パターン層３０を構成する回路パターン３１を積層して形成する。すなわち、実施形態１にかかる製造方法は、全ての回路パターン層３０を形成済となる（ステップＳＴ１１：Ｙｅｓ）となるまで、薄膜被覆ステップＳＴ３から回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０を繰り返すこととなり、回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０において、回路パターン層３０を構成する絶縁部材３２の表面を平坦化する。このために、実施形態１にかかる製造方法は、最外層に位置する回路パターン層３０の表面の平坦度をより良好に確保でき、搭載される半導体チップ等の部品の電極及び実装される印刷配線基板の配線パターンとの接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板１を提供することができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本発明は、回路パターン平坦化ステップＳＴ６で回路パターン３１を平坦化する実施例の他に、回路パターン層平坦化ステップＳＴ１０において、絶縁部材３２に加え回路パターン３１まで削って平坦化しても良い。ただし、この場合、ＡＢＦに含まれるフィラーによってバイト工具４１が摩耗したり欠けたりしやすいため、回路パターン３１の表面に荒れが発生しやすくなる。
【符号の説明】
【００４３】
１  配線基板
１０  基板
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
２０  ベース絶縁層
２０ａ  表面
３０  回路パターン層（再配線層）
３１  回路パターン
３１ａ  金属薄膜
３１ｂ  金属
３２  絶縁部材
４１  バイト工具
５１  研削砥石
６０  フォトレジスト層
６１  溝
ＳＴ１  ベース絶縁層形成ステップ
ＳＴ２  表裏平坦化ステップ
ＳＴ３  薄膜被覆ステップ
ＳＴ４  溝形成ステップ
ＳＴ５  金属充填ステップ
ＳＴ６  回路パターン平坦化ステップ
ＳＴ７  フォトレジスト層除去ステップ
ＳＴ８  金属薄膜除去ステップ
ＳＴ９  回路パターン層形成ステップ
ＳＴ１０  回路パターン層平坦化ステップ 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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