(57)【要約】【課題】効率よくゲッターの活性化を行うことができる電子デバイスおよびその制御方法を提供する。【解決手段】電子デバイスは、真空容器と、前記真空容器内に配置され、ガス分子を吸着するゲッターと、前記ゲッターを加熱することで活性化させる加熱部と、前記加熱部を、前記ゲッターの活性化の度合いである活性化度に基づいて前記加熱部を制御する処理部と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に配置され、ガス分子を吸着するゲッターと、
前記ゲッターを加熱することで活性化させる加熱部と、
前記ゲッターの活性化の度合いである活性化度に基づいて、前記加熱部を制御する処理部と、を含む電子デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記処理部は、前記加熱が行われた時間長および前記加熱が行われない時間長の少なくとも一方に基づいて前記活性化度を算出する電子デバイス。
【請求項３】
請求項２において、
前記処理部は、
前記加熱が行われている場合には、前記加熱が行われた時間長に第１の係数を乗じて前記活性化度に対応する時刻よりも過去の時刻の活性化度に加えることで前記活性化度を算出し、
前記加熱が行われていない場合には、前記加熱が行われない時間長に第１の係数と異なる第２の係数を乗じて前記過去の時刻の活性化度から減ずることで前記活性化度を算出する、電子デバイス。
【請求項４】
請求項３において、
前記処理部は、前記加熱が行われた時間長から前記ゲッターが所定の温度に上昇するまでの時間長を減じた時間長を、前記加熱が行われた時間長として、前記第１の係数を乗ずる電子デバイス。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、
さらに、受電部を介して外部電源により充電される二次電源を含み、
前記処理部は、
前記受電部を介して受電する期間において、前記加熱部による前記加熱を行わせ、
前記活性化度が第１の閾値以上の時、前記加熱部による前記加熱を停止させる電子デバイス。
【請求項６】
請求項５において、
前記処理部は、前記活性化度が前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値以下の時、前記加熱部に前記加熱を開始させる電子デバイス。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記処理部は、前記二次電源による動作中において、
前記活性化度が前記第１の閾値よりも小さい第３の閾値以下の時、前記加熱部による前記加熱を開始させ、
前記活性化度が前記第３の閾値よりも大きく、かつ、前記第１の閾値よりも小さい第４の閾値以上の時、前記加熱部による前記加熱を停止する電子デバイス。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、
前記処理部は、前記活性化度に基づいて、活性化に関する通知を行う電子デバイス。
【請求項９】
請求項８において、
前記活性化に関する通知は、前記電子デバイスの性能および前記活性化度の少なくとも一方に関する通知である電子デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項において、さらに、
前記真空容器内に配置された原子発振器のガスセル部を含む電子デバイス。
【請求項１１】
ガス分子を吸着するゲッターの活性化の度合いに基づいて、前記ゲッターを加熱することで活性化させる加熱部を制御すること、を含む、
電子デバイスの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス分子を吸着するゲッターを備える電子デバイスおよび電子デバイスの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば真空管などのように、気密封止した容器内に機能部品を収納して容器内を真空にした電子デバイスが知られている。このような電子デバイスにおいては、容器（真空容器）内に、その真空度を保つためにガス分子を吸着するゲッターが、機能部品とともに配置されていることがある。
ところで、ゲッターのガス分子吸着効果は、ガス分子がゲッターの表面に吸着されるにつれて低下する。ゲッターのガス分子吸着効果が失われると、真空容器内に配置された部品および封止部材から発生するガス分子や封止部から漏洩する外気などによって真空容器内の真空度が低下し、電子デバイスの性能が低下する恐れがある。そのため、電子デバイスの中には、電子デバイスの使用開始後にゲッターを高温（例えば、３００℃〜４００℃以上）に加熱し、吸着したガス分子をゲッター内部に拡散させてゲッターのガス分子吸着効果を回復させる活性化を行うものがある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、真空状態に抜気された真空パネルアセンブリーを備える電界放射フラット・パネル表示装置が開示されている。真空パネルアセンブリー中にはゲッターが設けられ、ゲッターには電源から通電される。通電によって電力が供給されたゲッターは、自己の抵抗成分により発熱し（つまり、加熱されて）、活性化が行われる。特許文献１の電界放射フラット・パネル表示装置では、ディスプレイが起動するか、またはバッテリーが充電される毎に、活性化が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１７１８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ゲッターの活性化の度合い（活性化度）は、加熱される時間長に対応して増加するが、あるところで、それ以上加熱を続けても活性化度が増加しない状態（飽和状態あるいは活性化度１００％と称する）となる。つまり、活性化度１００％となると、加熱を続けても活性化度の増加には寄与しないため、加熱するためのエネルギー（電力）が無駄に消費されることになる。したがって、特許文献１の電界放射フラット・パネル表示装置のように、ディスプレイが起動するかまたはバッテリーが充電される毎に活性化を行うと、活性化度１００％のゲッターにも通電することになって、不要な熱の発生やエネルギーの消費を招いてしまう。
【０００６】
本発明は、以上のような課題に鑑みて、効率よくゲッターの活性化を行うことができる電子デバイスおよびその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
（適用例１）
本適用例に係る電子デバイスは、真空容器と、前記真空容器内に配置され、ガス分子を吸着するゲッターと、前記ゲッターを加熱することで活性化させる加熱部と、前記ゲッターの活性化の度合いである活性化度に基づいて、前記加熱部を制御する処理部と、を含む。
【０００９】
この構成によれば、電子デバイスは、ゲッターの活性化をゲッターの活性化度に基づいて行う処理部を備える。したがって、ゲッターの活性化度に応じて、ゲッターの活性化を行ったり停止したりする制御が可能なため、ゲッターの活性化度に基づかずに活性化を行う場合よりも不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えた、効率のよいゲッターの活性化を行うことができる。
【００１０】
（適用例２）
上記適用例において、前記処理部は、前記加熱が行われた時間長および前記加熱が行われない時間長の少なくとも一方に基づいて前記活性化度を算出することが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、活性化度が、加熱が行われた時間長（活性化される時間長）および加熱が行われない時間長（ゲッターのガス分子吸着効果が減衰する時間長）の少なくとも一方に基づいて算出される。そのため、正確な活性化度が導き出されるので、効率のよいゲッターの活性化を行うことができる。
【００１２】
（適用例３）
上記適用例において、前記処理部は、前記加熱が行われている場合には、前記加熱が行われた時間長に第１の係数を乗じて前記活性化度に対応する時刻よりも過去の時刻の活性化度に加えることで前記活性化度を算出し、前記加熱が行われていない場合には、前記加熱が行われない時間長に第１の係数と異なる第２の係数を乗じて前記過去の時刻の活性化度から減ずることで前記活性化度を算出する、ことが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、処理部は、加熱が行われた時間長に第１の係数を乗じ、加熱が行われない時間長に第２の係数を乗じて、さらに加減算を行う演算によって活性化度を算出（導出）する。そのため、加熱によって活性化が進行する度合いと加熱されず活性が低下する（ガス分子吸着効果が減衰する）度合いとの間に差異があっても、第１の係数および第２の係数によってその差異が補正でき、第１の係数および第２の係数を用いない場合よりも正確な活性化度が導き出される。
【００１４】
（適用例４）
上記適用例において、前記処理部は、前記加熱が行われた時間長から前記ゲッターが所定の温度に上昇するまでの時間長を減じた時間長を、前記加熱が行われた時間長として、前記第１の係数を乗ずることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、処理部は、加熱が行われた時間長からゲッターの活性化が始まる温度に上昇するまでの時間長を減じた時間長を、加熱が行われた時間長として、第１の係数を乗ずる。ゲッターが所定の温度に上昇するまでは、活性化が進行しないか、進行しにくいため、加熱が活性化に寄与しにくい。そこで、温度上昇のための時間を加熱が行われた時間長から減じて、所定の温度に達した以降の活性化が進行する時間を、加熱が行われた時間長（加熱が行われて活性化に寄与した時間長）として活性化度の導出のための演算に用いる。そのため、加熱開始からの時間長を用いる場合よりも正確な活性化度が導き出される。
【００１６】
（適用例５）
上記適用例において、さらに、受電部を介して外部電源により充電される二次電源を含み、前記処理部は、前記受電部を介して受電する期間において、前記加熱部による前記加熱を行わせ、前記活性化度が第１の閾値以上の時、前記加熱部による前記加熱を停止させることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、処理部は、受電部を介して外部電源から受電する期間において、加熱部に加熱を行わせ、さらに活性化度が第１の閾値以上の時、加熱を停止させる。その結果、加熱を行うための電力は外部電源により充当されるため、二次電源の電力は消費されない。さらに、第１の閾値以上に活性化度が進行すると加熱を停止させるため、不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えることができ、効率のよいゲッターの活性化を行うことができる。
【００１８】
（適用例６）
上記適用例において、前記処理部は、前記活性化度が前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値以下の時、前記加熱部に前記加熱を開始させることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、活性化度が第２の閾値以下の時に加熱を開始させる。そのため、例えば、受電する期間において、ゲッターの活性化度が第２の閾値以下の時には活性化を行い、第２の閾値よりも大きい時には活性化を行わないといった制御ができる。その結果、不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えられる。
【００２０】
（適用例７）
上記適用例において、前記処理部は、前記二次電源による動作中において、前記活性化度が前記第１の閾値よりも小さい第３の閾値以下の時、前記加熱部による前記加熱を開始させ、前記活性化度が前記第３の閾値よりも大きく、かつ、前記第１の閾値よりも小さい第４の閾値以上の時、前記加熱部による前記加熱を停止することが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、処理部は、二次電源による動作中において、第３の閾値および第４の閾値に基づいて加熱を制御する。そのため、処理部は、二次電源による動作中において、第３の閾値および第４の閾値に基づき、活性化の実施有無を活性化度に対応させて決定することができる。例えば、第１の閾値よりも小さい活性化度を第３の閾値に設定し、第１の閾値よりは小さいが第３の閾値よりも大きい活性化度を第４の閾値に設定することで、二次電源からの電力供給を抑えつつ、ゲッターのガス分子吸着効果を維持することができる。
【００２２】
（適用例８）
上記適用例において、前記処理部は、前記活性化度に基づいて、活性化に関する通知を行うことが好ましい。
【００２３】
この構成によれば、処理部は、活性化度に基づいて、活性化度に係る情報を外部に知らせることができる。
【００２４】
（適用例９）
上記適用例において、前記活性化に関する通知は、前記電子デバイスの性能および前記活性化度の少なくとも一方に関する通知であることが好ましい。
【００２５】
この構成によれば、活性化に関する通知として、活性化度の影響を受ける（つまり、ガス分子吸着効果が低下すると影響を受ける）電子デバイスの性能に関する通知および活性化度に関する通知の少なくとも一方を外部に知らせることができる。
【００２６】
（適用例１０）
上記適用例において、前記真空容器内に配置された原子発振器のガスセル部を含むことが好ましい。
【００２７】
この構成によれば、電子デバイスは、真空容器内に配置された原子発振器のガスセル部を含む。ゲッターの活性化が効率よく行われることで、ガスセル部は周囲温度の影響を受けにくくなる。そのため、本適用例の電子デバイスが原子発振器または原子発振器の一部である場合に、高精度なタイミング信号を得ることができる。
【００２８】
（適用例１１）
本適用例に係る電子デバイスの制御方法は、ガス分子を吸着するゲッターの活性化の度合いに基づいて、前記ゲッターを加熱することで活性化させる加熱部を制御すること、を含む。
【００２９】
この構成によれば、電子デバイスの制御方法は、ゲッターの活性化をゲッターの活性化度に基づいて行う。そのため、ゲッターの活性化度の状態に応じて、ゲッターの活性化を行ったり停止したりする制御が可能なため、ゲッターの活性化度に基づかずに活性化を行う場合よりも不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えた、効率のよいゲッターの活性化を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態の電子デバイスの構造の一例を示す側面図。
【図２】電子デバイスのハードウェア構成の一例を示すブロック図。
【図３】処理部のハードウェア構成の一例を示すブロック図。
【図４】処理部の処理の一例を示すフローチャート。
【図５】活性化度の推移の一例を示す図。
【図６】処理部の処理の他の一例を示すフローチャート。
【図７】活性化度の推移の他の一例を示す図。
【図８】処理部の処理のさらに他の一例を示すフローチャート。
【図９】活性化度の推移のさらに他の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
（実施形態）
以下、本発明を適用した電子デバイス１の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態では、原子発振器のガスセル部５０を機能部品として真空容器３０内に収納した電子デバイス１を例に挙げて説明する。
原子発振器は、アルカリ金属原子のエネルギー遷移を利用した発振器であり、例えば、ルビジウム原子やセシウム原子を封入したガスセル部５０を備えた原子発振器が広く知られている。そのような原子発振器としては、例えば、ＥＩＴ（Electromagnetically Induced Transparency）現象（ＣＰＴ（Coherent Population Trapping）現象とも呼ばれる）を利用した原子発振器や、光マイクロ２重共鳴現象を利用した原子発振器が挙げられる。
なお、以下の説明で参照する図面では、説明および図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。また、説明に必要な構成要素以外は、図示を省略する場合がある。
また、本明細書中において、「真空」は、完全真空を指すのではなく、日本工業規格ＪＩＳ  Ｚ  ８１２６−１  ：  １９９９（JIS：Japanese Industrial Standards）で定義されているところの「通常の大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間の状態」を指す語句として使用される。
【００３２】
（電子デバイスの全体構成）
図１は、本実施形態の電子デバイス１の構造の一例を示す側面図である。図１に示すように、電子デバイス１は、基板１００上に、処理部１０（詳細は、後述）、二次電源２０、真空容器３０、およびコネクター６０を備える。二次電源２０は、例えば、充電可能な電気二重層キャパシターなどの大容量キャパシターや蓄電池であり、蓄えた電荷を放出することで電子デバイス１の電源として動作する。コネクター６０は、電子デバイス１を外部装置や外部電源Ｅ（図２参照）に配線で接続するために用いられる接続部品である。
【００３３】
真空容器３０は、内部が真空に抜気された状態で密封される。真空容器３０の内部には、真空容器３０内の真空度を保持するために、ガス分子を吸着するゲッター４０が配置される。ゲッター４０には、ゲッター４０の活性化を行うためのヒーター４２（加熱部の一例）が、接触して配置される。
ヒーター４２は、発熱体であり、例えば、抵抗線（電熱線）やペルチェ素子などを用いることができる。ヒーター４２には、通電端子４１を介して、外部電源Ｅあるいは二次電源２０から電力が供給される。ゲッター４０は、真空容器３０内に浮遊するガス分子や封止部から漏洩する外気などを吸着することで、真空度の低下を抑える。本実施形態におけるゲッター４０は、非蒸発型のガス吸着部材であり、例えば、チタン、ジルコニウム、バナジウム、鉄の合金で形成される。
さらに、真空容器３０内には、ガスセル部５０（電子デバイス１の機能部品の一例）が、断熱材５１に支えられて周囲からの熱の移動が少なくなるように配置される。
【００３４】
コネクター６０は、電子デバイス１が外部装置と行う情報の交換に供され、外部電源Ｅから受電する受電部としても機能する。コネクター６０、二次電源２０、処理部１０、ヒーター４２、およびガスセル部５０は、基板１００に敷設された配線パターン１１０によって、電子デバイス１として動作するように結線される。
【００３５】
（電子デバイスのハードウェア構成）
図２は、電子デバイス１のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。電子デバイス１は、通常、二次電源２０からの電力で動作する。二次電源２０は、コネクター６０（受電部の一例）を介して外部電源Ｅが電子デバイス１に接続された時、外部電源Ｅから受電する電流（電力）により充電される。
【００３６】
処理部１０は、二次電源２０から電力が供給されて動作し、外部電源Ｅが接続されている（外部電源Ｅの接続がある）こと、および接続されていない（外部電源Ｅの接続がない）ことを検出する検出部を備える（不図示）。処理部１０は、本実施形態においては、原子発振器の制御部の一部であり、ガスセル部５０の制御を行うとともに、スイッチ７０のＯＮ／ＯＦＦを行ってヒーター４２に供給する電力を制御する。すなわち、処理部１０はヒーター４２を制御する。
【００３７】
スイッチ７０は、例えば、バイポーラトランジスターやＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）といった電力用の半導体スイッチング素子で構成され、処理部１０からのスイッチ制御信号ＣＮＴＬによって、ＯＮおよびＯＦＦが制御される。スイッチ７０がＯＮすると、ヒーター４２には、配線パターン１１０および通電端子４１を介して、外部電源Ｅあるいは二次電源２０から電流が流れ、発熱する。ヒーター４２が発熱すると、ヒーター４２に接触するゲッター４０が加熱される。
【００３８】
なお、図示はしないが、ヒーター４２の近傍に温度センサーを配置して、当該温度センサーの検出出力を処理部１０が取り込み、当該検出出力に基づいてスイッチ７０のＯＮ／ＯＦＦを制御することによってヒーター４２の発熱温度を制御してもよい。
【００３９】
図３は、処理部１０のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。処理部１０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）１１、ＲＴＣ（Real  Time  clock）１２、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）１３、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）１４、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）１５などにより構成され、ＲＯＭ１３に保持されたプログラムに基づいてＣＰＵが動作することによって、電子デバイス１の各部を制御する。
【００４０】
例えば、処理部１０は、コネクター６０を介して図示しない外部装置からの情報（例えば、指令）を受け付けて、ガスセル部５０の制御を行う。あるいは、外部電源Ｅが接続された場合などに、スイッチ７０をＯＮしてヒーター４２に電流を供給して発熱させ、ゲッター４０を活性化させる制御を行う。
また、処理部１０は、ゲッター４０の活性化の度合いである活性化度αiを算出する。具体的には、加熱が行われた時間長（活性化される時間長）ｔactと、加熱が行われない時間長（ゲッター４０がガス分子を吸着して、ガス分子吸着効果が減衰する時間長）ｔdeactと、の少なくとも一方に基づいて、下記の式１、式２、または式３により活性化度αiを演算して導出（以下、算出）する。なお、本明細書における、ある時点（時刻）における「活性化の度合い」とは、初期状態（使用開始前の状態）においてゲッター４０が吸着可能なガス分子の量に対する、ある時点（時刻）においてゲッター４０が吸着可能なガス分子の量の比率を意味し、例えば％を単位として示すことができる。また、以下において、αiは、ある時刻ｉにおける活性化度である。
【００４１】
式１は、加熱が行われて活性化が進行し、活性化度αiが増加することを示す計算式である。式１においては、加熱が行われる期間に時刻ｉが含まれる場合の活性化度αiが、活性化される時間長ｔactに第１の係数ｍが乗じられて、加熱が開始された時、すなわち活性化度αiに対応する時刻ｉよりも過去の時刻ｉ−１の活性化度αi-1に加算され算出される。なお、式１は、加熱が行われている期間は活性化が進行しているものとみなした式である。
【００４２】
式２は、加熱が行われず、ガス分子吸着効果が減衰し活性化度αiが減少することを示す計算式である。式２においは、加熱が行われない期間に時刻ｉが含まれる場合の活性化度αiが、加熱が行われない時間長ｔdeactに、第１の係数ｍとは異なる第２の係数ｋが乗じられて、減衰が始まった時、すなわち活性化度αiに対応する時刻ｉよりも過去の時刻ｉ−１の活性化度αi-1から減算され算出される。なお、式２は、加熱が行われていない期間はガス分子吸着効果が減衰しているものとみなした式である。
【００４３】
ここで、一般に、単位時間当たりの活性化が進行する度合いは、ガス分子吸着効果が減衰する度合いより大きいため、本実施形態では、ｍ＞ｋを満たす第１の係数ｍおよび第２の係数ｋを用いることによって、それぞれの度合いの差異を補正して活性化度αiを算出する。なお、ｍおよびｋの符号は計算式の形式に応じて適切に設定すればよく、本実施形態ではｍおよびｋは正の値である。
【００４４】
さらに、スイッチ７０をＯＮしてヒーター４２に電流を供給して発熱させた後、ゲッター４０が活性化される温度（所定の温度）まで上昇するためには、所定の時間長ｔpreを要する。そのため、式１に代えて、式３に示すように、ｔactからｔpreを減じて、第１の係数ｍを乗じ、活性化が開始された時、すなわち活性化度αiに対応する時刻ｉよりも過去の時刻ｉ−１の活性化度αi-1に加算することで、より正確に活性化される時間長（ｔact−ｔpre）を算出して活性化度αiを算出することもできる。
ここで、式３を用いる場合は、式２の時間長ｔdeactは、活性化が行われない時間長である。なお、時間長ｔpreは、ゲッター４０およびヒーター４２の特性から予め求めておいてもよいし、図示しない温度センサーによってゲッター４０またはその近傍が所定の温度を測定し、所定の温度に達するまでに要した時間を時間長ｔpreとして処理部１０が計測してもよい。
【００４５】
［式１］
αi＝αi-1  ＋  ｍ・ｔact・・・（１）
［式２］
αi＝αi-1  −  ｋ・ｔdeact・・・（２）
［式３］
αi＝αi-1  ＋  ｍ・（ｔact−ｔpre）・・・（３）
【００４６】
また、処理部１０は、算出した活性化度αiに基づいて、活性化に関する通知ＩＮＦＯ（図３参照）を出力することもできる。活性化に関する通知としては、例えば、活性化度αiの値そのものの通知でもよいし、活性化が充分に進行して飽和状態になったこと（完了）を通知してもよい。また、活性化の完了までの残り時間や、活性化中であるか否かを示す情報などでもよい。さらに、情報を表示可能な液晶パネルなどの表示部を電子デバイス１に持たせ、活性化度αiの状態を出力（表示）させてもよいし、電子デバイス１が搭載される電子機器の表示部に活性化度αiの状態を表示させるための情報を、コネクター６０を介して送信してもよい。なお、活性化度αiは、ゲッター４０の活性化の度合いを示すので、インジケーター表示されると、数値で表示されるよりも直感的に度合いが把握し易く好ましい。表示部に代えて、音などによってこれらの情報を出力してもよい。また、活性化度αiが基準値よりも低下した場合に活性化の処理を促す警告通知をしてもよいし、活性化度αiが低下したことに起因する電子デバイス１としての性能の低下を通知するなどしてもよい。
【００４７】
なお、以上説明した処理部１０における処理は、いずれも、ＲＯＭ１３に保持されたプログラムに基づきＣＰＵ１１が動作して実行されるので、ＣＰＵ１１を動作させるプログラムを変更することによって、適宜変更が可能である。
ＲＡＭ１４は、プログラムによる処理を行う時に、データの一時記憶場所として使用される。具体的には、例えば、式１〜式３の演算を行う時に、右辺第二項をあらかじめ演算してＲＡＭ１４に格納してから、右辺の加減算を行う。また、ＲＡＭ１４の少なくとも一部を、例えばＦｅＲＡＭ（Ferroelectric  ＲＡＭ：強誘電体メモリー）などの不揮発性メモリーとして、後述する閾値τ１〜τ４を記憶させることもできる。
ＲＴＣ１２は、経過時間を計測する部品であり、処理部１０が、加熱が行われた時間長や加熱が行われない時間長を管理するための時間基準を提供する。
ＡＳＩＣ１５は、複数の機能の回路を１つにまとめた集積回路であり、例えば、プログラムに基づいてＣＰＵ１１がソフトウェア処理をするよりも高速に処理を行う必要がある場合などに特定の処理を行う。
【００４８】
（処理部の処理）
次に、処理部１０の処理（制御方法）について、具体的な例を図４〜図９に示し、各図に基づいて詳細に説明する。図４、図６、および図８は、処理部１０の処理の一例を示すフローチャートであり、図５、図７、および図９は、活性化度αiの推移の一例を示す図である。
図５、図７、および図９において、縦軸は活性化度αを示し、横軸は時刻を示す。また、折れ線αiは、式１、式２、または式３を用いて算出した各時刻の活性化度αiである。また、図５、図７、および図９において、白抜きの時刻領域は外部電源Ｅの接続がない期間を示し、網掛けの時刻領域は外部電源Ｅの接続がある期間を示す。なお、以下では、ある時刻ｔｎ（ｎ＝０，１，２…）における活性化度αiを、αtnと表記する。
【００４９】
本実施形態では、処理部１０は、外部電源Ｅの接続があり、電子デバイス１が外部電源Ｅから受電する期間においてゲッター４０の活性化を行い、外部電源Ｅの接続がなくなると、ゲッター４０の活性化を停止する。さらに、処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上の時、活性化を停止する。
【００５０】
以下、図４および図５を参照して、本実施形態における処理部１０の処理を説明する。活性化度αiは、図４のフローチャートに基づく処理部１０の処理によって、図５に示す折れ線αiのように推移する。なお、図４のフローチャートは、本実施形態における処理部１０の処理の骨子を分かり易く示すために、一部の処理については省略して記載する。
なお、本実施形態の説明においては、処理に関する符号（Ｓ１〜Ｓ６）に関しては図４を参照し、時刻に関する符号（時刻ｔ０〜時刻ｔ６）に関しては図５を参照する。
【００５１】
ゲッター４０は、時刻ｔ０においてガス分子の吸着を開始する。処理部１０は、時刻ｔ０から式２に基づき活性化度αiの算出を開始する（Ｓ１）。ゲッター４０の活性化度αiは、時間が経過するにつれてガス分子の吸着が進行するため、減少していく（時刻ｔ０〜時刻ｔ１）。
処理部１０は、活性化度αiの算出を所定の時間間隔（例えば、１０秒毎、１分毎、１時間毎など）で継続して実行する。
さらに、処理部１０は、外部電源Ｅの接続があること、および接続がないことを定期的（例えば、１秒毎、１０秒毎、１分毎など）に検出する（Ｓ２）。例えば、コネクター６０の外部電源Ｅに接続される端子電圧を検出して、外部電源Ｅの電圧が検出されれば外部電源Ｅの接続がありと判定し、検出されなければ外部電源Ｅの接続となしと判定する。
【００５２】
時刻ｔ１において外部電源Ｅが接続されると、処理部１０は、外部電源Ｅの接続があることを検出し（Ｓ２の”Ｙ”）、スイッチ制御信号ＣＮＴＬをアクティブにしてスイッチ７０をＯＮにする。スイッチ７０がＯＮされると、ヒーター４２に電流が流れてゲッター４０が加熱され（Ｓ３）、ゲッター４０の活性化が進行して活性化度αiが増加する。この状態では、処理部１０は、式１または式３に基づいて活性化度αiを算出する（Ｓ４）。なお、ここで、式３に基づいて活性化度αiを算出する場合は、ゲッター４０が活性化される所定の温度に上昇するまでは、式２に基づき活性化度αiの算出を継続する。
処理部１０は、活性化度αiの算出を所定の時間間隔（例えば、１秒毎、１０秒毎、１分毎など）で継続して実行する。
なお、電子デバイス１が原子発振器または原子発振器の一部である場合、ヒーター４２を動作させる期間は、ヒーター４２への通電による磁界や、ヒーター４２の熱が原子発振器の動作に影響を与える場合があるため、原子発振器の動作を停止させることが好ましい。
【００５３】
ゲッター４０の活性化が進行すると、活性化度αiは増加していく。処理部１０は、所定の時間間隔（例えば、１秒毎、１０秒毎、１分毎など）で、活性化度αiを第１の閾値τ１（本実施形態では、活性化度１００％）と比較する（Ｓ５）。
処理部１０は、活性化度αiが、第１の閾値τ１以上でないことを検出する（Ｓ５の”Ｎ”）と、Ｓ２の処理に戻る。この場合は、Ｓ２の判定が”Ｙ”であっても、Ｓ３およびＳ４の処理を省略してＳ５の処理に進む（図４では、不図示）。
一方、処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上であることを検出する（Ｓ５の”Ｙ”）と、スイッチ制御信号ＣＮＴＬを非アクティブとしスイッチ７０をＯＦＦにして、ゲッター４０の加熱を停止し（Ｓ６）、Ｓ１の処理に戻る。そのため、その後、ゲッター４０は、ガス分子の吸着により再び活性化度αiが減少するので、処理部１０は、式２に基づいて活性化度αiの算出を開始する（Ｓ１）。この場合は、Ｓ２の判定が”Ｙ”であっても、いったん外部電源Ｅの接続がなくなり、再び外部電源Ｅが接続されるまでは、Ｓ３およびＳ４の処理を省略してＳ５またはＳ６またはＳ１の処理に進む（図４では、不図示）。
なお、図４に示す通り、Ｓ２における判定が”Ｙ”であった時に、ＳＳおよびＳ４の処理を行ってＳ５に進むこともできるが、この場合は、外部電源Ｅの接続がある期間は、活性化度αiが、第１の閾値τ１付近の値を維持する。
【００５４】
時刻ｔ３において再び外部電源Ｅが接続されると、処理部１０は、Ｓ２〜Ｓ５の処理と同様に、スイッチ７０をＯＮにしてゲッター４０の活性化を行う。処理部１０は、時刻ｔ４において外部電源Ｅの接続がないことを検出すると、スイッチ７０をＯＦＦにしてゲッター４０の活性化を停止する。図５は、時刻ｔ３〜時刻ｔ４において活性化度αiが１００％（第１の閾値τ１）未満である例を示す。
【００５５】
その後、時刻ｔ４〜時刻ｔ５において、ガス分子の吸着が行われ、時刻ｔ５において再び外部電源Ｅが接続され、時刻ｔ６において外部電源Ｅの接続がなくなる。時刻ｔ４〜時刻ｔ６においては、上述した時刻ｔ０〜時刻ｔ２におけるＳ１〜Ｓ６の処理と同様の処理が処理部１０によって行われる。
【００５６】
（作用効果）
上述のように、本実施形態によれば、処理部１０が、電子デバイス１が外部電源Ｅから受電する期間においてゲッター４０の活性化の処理を行い、第１の閾値τ１になった時、活性化を停止する処理を行う。したがって、加熱を行うための電力は外部電源Ｅにより充当されるため、二次電源２０の電力は消費されないので、二次電源２０の電力を消費して活性化の処理を行う場合よりも、二次電源による稼働時間を長くすることができる。さらに、第１の閾値τ１を、電子デバイス１の性能を満たすのに充分な活性度あるいは飽和状態の活性度に設定する（例えば、活性化度１００％に設定する）ことによって、第１の閾値τ１以上では加熱を停止させるため、不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えることができる。また、過度な加熱によるゲッター４０への負担（加熱しすぎることによる劣化など）が軽減される。
【００５７】
（変形例１）
次に、図６および図７を参照して、処理部１０の処理の他の例について説明する。活性化度αiは、図６のフローチャートに基づく処理部１０の処理によって、図７に示す折れ線αiのように推移する。なお、図６のフローチャートは、変形例１における処理部１０の処理の骨子を分かり易く示すために、一部の処理については省略して記載する。
なお、以下の説明において、上述の実施形態と同一の構成、処理、および要件については、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
また、変形例１の説明においては、処理に関する符号（Ｓ１〜Ｓ７）に関しては図６を参照し、時刻に関する符号（時刻ｔ０〜時刻ｔ６）に関しては図７を参照する。
また、図７において、外部電源Ｅの接続がある期間および外部電源Ｅの接続がない期間は、図５と同一である。
【００５８】
変形例１では、処理部１０は、外部電源Ｅが接続され、かつゲッター４０の活性化度αiが第１の閾値よりも小さい第２の閾値τ２以下の時に、ゲッター４０の活性化を開始し、外部電源Ｅの接続がなくなると、ゲッター４０の活性化を停止する。さらに、処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上の時、活性化を停止する。
【００５９】
図７に示すように、時刻ｔ０〜時刻ｔ１において、ゲッター４０は、ガス分子の吸着を行い、それに伴って活性化度αiが減少する。この状態では、処理部１０は、上述の実施形態の説明と同様に、式２に基づいて活性化度αiの算出を開始し（Ｓ１）、外部電源Ｅの接続があること、および接続がないことを定期的に検出する（Ｓ２）。さらに、外部電源Ｅの接続があることを検出した場合（Ｓ２の”Ｙ”）は、処理部１０は、所定の時間間隔（例えば、１０秒毎、１分毎、１時間毎など）で、活性化度αiを第２の閾値τ２（変形例１では、活性化度２０％）と比較する（Ｓ７）。
【００６０】
図７の例では、時刻ｔ１において、外部電源Ｅが接続された時、活性化度αt1が第２の閾値τ２よりも小さくないため（Ｓ７の”Ｎ”）、処理部１０は、スイッチ７０をＯＦＦのままとしゲッター４０の活性化を行わずＳ２の処理に戻る。したがって、活性化度αiの算出は、式２に基づいて継続して実行される。
その後、ガス分子の吸着が進み、時刻ｔ１’において、活性化度αt1’が第２の閾値τ２以下となった時（Ｓ７の”Ｙ”）に、処理部１０は、スイッチ７０をＯＮさせて加熱を開始しゲッター４０の活性化を開始する（Ｓ３）。この状態では、処理部１０は、式１または式３に基づいて活性化度αiを算出する（Ｓ４）。
ここで、第２の閾値τ２は、例えば、ゲッター４０の活性化を行った方がよい活性化度であり、ゲッター４０または電子デバイス１の仕様などに応じて適宜定めることができる。例えば、第２の閾値τ２は、１０％、３０％、５０％などであってもよい。
【００６１】
処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上でないことを検出する（Ｓ５の”Ｎ”）と、Ｓ２の処理に戻る。この場合は、Ｓ２における判定が”Ｙ”であっても、Ｓ７、Ｓ３、およびＳ４の処理を省略してＳ５の処理に進む（図６では、不図示）。
一方、処理部１０は、活性化が進行し活性化度αiが第１の閾値τ１以上であることを検出する（Ｓ５の”Ｙ”）と、スイッチ７０をＯＦＦにしてゲッター４０の活性化を停止し（Ｓ６）、Ｓ１の処理に戻る。そのため、その後、ゲッター４０は、ガス分子の吸着により再び活性化度αiが減少するので、処理部１０は、式２に基づいて活性化度αiの算出を開始する（Ｓ１）。この場合は、Ｓ２の判定が”Ｙ”であっても、いったん外部電源Ｅの接続がなくなり、再び外部電源Ｅが接続されるまでは、Ｓ７、Ｓ３、およびＳ４の処理を省略してＳ５またはＳ６またはＳ１の処理に進む（図６では、不図示）。
【００６２】
次に、時刻ｔ３において、再び外部電源Ｅが接続される。この時、処理部１０は、外部電源Ｅの接続があることおよび活性化度αt3が第２の閾値τ２以下であることを検出し（Ｓ２の”Ｙ”かつＳ７の”Ｙ”）、スイッチ７０をＯＮさせて加熱を開始してゲッター４０の活性化を行う（Ｓ３）。この状態では、処理部１０は、式１または式３に基づいて活性化度αiを算出する（Ｓ４）。
そして、時刻ｔ４において外部電源Ｅの接続がなくなると、処理部１０は、スイッチ７０をＯＦＦにしてゲッター４０の活性化を停止する。この状態では、処理部１０は、式２に基づいて活性化度αiを算出する。（図６では、不図示）
【００６３】
次に、時刻ｔ５〜時刻ｔ６においては、時刻ｔ５の時点では、活性化度αt5が第２の閾値τ２よりも大きいため、時刻ｔ１〜時刻ｔ２と同様に、処理部１０は、スイッチ７０をＯＦＦのままとし、時刻ｔ５’で活性化度αt5’が第２の閾値τ２以下となった時に、スイッチ７０をＯＮにしてゲッター４０の活性化を開始する。
そして、時刻ｔ６において外部電源Ｅの接続がなくなると、処理部１０は、スイッチ７０をＯＦＦにしてゲッター４０の活性化を停止する。この状態では、処理部１０は、式２に基づいて活性化度αiを算出する。（図６では、不図示）
【００６４】
（作用効果）
上述のように、変形例１によれば、処理部１０が、電子デバイス１が外部電源Ｅから受電し、かつゲッター４０の活性化度αiが第２の閾値τ２以下の時に、ゲッター４０の活性化を行い、第１の閾値τ１になった時、活性化を停止する処理を行う。そのため、上述の実施形態で説明した効果に加え、ゲッター４０の状態が、第２の閾値τ２以下の時に活性化を行い、そうでない時には活性化を行わないことができる。その結果、例えば、活性化を行った方がよい活性化度を第２の閾値τ２（変形例１では、２０％）とすることで、例えば活性化を行う回数を少なくできるなど、より適切な制御が可能である。ヒーター４２の温度を活性化に必要な温度まで上昇させるエネルギーは、直接には活性化に寄与しないが、活性化の都度、消費される。そのため、温度上昇の回数を少なくすることで、不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えられ、活性化度の増加に対するエネルギー効率を改善できる。
【００６５】
（変形例２）
次に、図８および図９を参照して、処理部１０の処理の他の例について説明する。活性化度αiは、図８のフローチャートに基づく処理部１０の処理によって、図９に示す折れ線αiのように推移する。なお、図８のフローチャートは、変形例２における処理部１０の処理の骨子を分かり易く示すために、一部の処理については省略して記載する。
なお、以下の説明において、変形例１と同一の構成、処理、および要件については、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
また、変形例２の説明においては、処理に関する符号（Ｓ１〜Ｓ１１）に関しては図８を参照し、時刻に関する符号（時刻ｔ０〜時刻ｔ１２）に関しては図９を参照する。
【００６６】
変形例２では、処理部１０は、二次電源２０の電力による動作中において、活性化度αiが、第１の閾値τ１よりも小さい第３の閾値τ３以下の時、ゲッター４０の活性化を開始させる。そして、活性化度αiが、第３の閾値τ３よりも大きく第１の閾値τ１よりも小さい第４の閾値τ４以上の時、ゲッター４０の活性化を停止する。なお、変形例２では、第３の閾値τ３は、第２の閾値τ２よりも小さい。さらに、処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上の時、活性化を停止する。
【００６７】
図９に示すように、時刻ｔ０〜時刻ｔ７において、ゲッター４０は、ガス分子の吸着を行い、それに伴って活性化度αiが減少する。この時、処理部１０は、変形例１における説明と同様に、式２に基づいて活性化度αiの算出を開始し（Ｓ１）、外部電源Ｅの接続があること、および外部電源Ｅの接続がないことを定期的に検出する（Ｓ２）。
処理部１０は、外部電源Ｅの接続があることを検出した場合（Ｓ２の”Ｙ”）、変形例１のＳ１〜Ｓ７の処理と同様の処理を実行する。
【００６８】
一方、処理部１０は、外部電源Ｅの接続がないことを検出した場合（Ｓ２の”Ｎ”）、活性化度αiを第３の閾値τ３（変形例２では、活性化度５％）と比較する（Ｓ８）。その結果、時刻ｔ７において、活性化度αt7が第３の閾値τ３以下であると（Ｓ８の”Ｙ”）、処理部１０は、Ｓ３と同様に、スイッチ７０をＯＮさせて加熱を開始しゲッター４０の活性化を開始する（Ｓ９）。そして、処理部１０は、Ｓ４と同様に、式１または式３に基づいて活性化度αiを算出する（Ｓ１０）。
ここで、第３の閾値τ３は、例えば、この値以下に活性化度αiが減少すると、ゲッター４０のガス分子吸着効果が消失する値、あるいは電子デバイス１が所望の性能を満たさなくなるといった限界値、に設定される（変形例２では、活性化度５％に設定）。そのため、処理部１０は、活性化度αiが第３の閾値τ３以下となると、スイッチ７０をＯＮさせて二次電源２０からの電流（電力）によってゲッター４０を加熱し活性化を開始する。なお、第３の閾値τ３は、ゲッター４０または電子デバイス１の仕様などに応じて適宜設定することができる。
【００６９】
処理部１０は、二次電源２０の電力消費をできる限り抑えるため、上述の実施形態（図４、図５参照）および変形例１（図６、図７参照）とは異なる処理を行う。つまり、処理部１０は、活性化度αiを第１の閾値τ１以下の第４の閾値τ４（変形例２では、活性化度５０％）と比較する（Ｓ１１）。そして、活性化が進み、時刻ｔ８において、活性化度αt8が第４の閾値τ４以上であることを検出すると（Ｓ１１の”Ｙ”）、スイッチ７０をＯＦＦにしてゲッター４０の活性化を停止し（Ｓ６）、Ｓ１の処理に戻る。この状態では、処理部１０は、式２に基づいて活性化度αiを算出する。
【００７０】
そして、外部電源Ｅが接続されることなくガス分子の吸着が行われると、活性化度αiが減少して、活性化度αt9が再び第３の閾値τ３以下となる（時刻ｔ９）。処理部１０は、活性化度αt9が第３の閾値τ３以下となったことを検出すると、スイッチ７０をＯＮさせて二次電源２０によってゲッター４０の活性化を開始する（Ｓ８の”Ｙ”〜Ｓ１１）。
その後、時刻ｔ１１において外部電源Ｅが接続され、かつ活性化度αt11が第２の閾値τ２以下であることを検出すると（Ｓ７の”Ｙ”）、処理部１０は、活性化度αiが第１の閾値τ１以上になるまで、外部電源Ｅの電力によるゲッター４０の活性化を行い（Ｓ３）、式１または式３に基づいて活性化度αiを算出する（Ｓ４）。
いったん活性化度αiが第１の閾値τ１以上になると、処理部１０は、外部電源Ｅの接続がなくなり（時刻ｔ１２）、再び外部電源Ｅが接続される時まであるいは活性化度αiが第３の閾値τ３以下になるまで、式２に基づいて活性化度αiを算出する（図８では、不図示）。
【００７１】
（作用効果）
上述のように、変形例２によれば、処理部１０が、第３の閾値τ３および第４の閾値τ４を基準としてゲッター４０の活性化の要否を判定する。そのため、処理部１０は、第３の閾値τ３および第４の閾値τ４に基づき、活性化の実施有無を活性化度αiに対応させて決定することができる。つまり、例えば、活性化が行われないとゲッター４０のガス分子吸着効果が消失する活性化度αiを第３の閾値τ３に設定し、第１の閾値τ１よりは低いがガス分子吸着効果が維持可能な活性化度αiを第４の閾値τ４に設定することで、二次電源２０からの電極供給を抑えつつ、ゲッターのガス分子吸着効果を維持することができる。
【００７２】
（その他の変形例）
上記実施形態および変形例では、第１の閾値τ１を活性化度１００％として説明したが、第１の閾値τ１の設定値はこれに限られず、適宜これより小さな活性化度を設定値としてもよい。例えば、第１の閾値τ１を活性化度９５％、活性化度９０％などとしてもよい。これにより、例えば、活性化度１００％に近づくと活性化の度合いが小さくなるようなゲッター４０の場合には、不要な熱の発生やエネルギーの消費を抑えるとともにゲッター４０への過度な加熱による負担を軽減することができる。
【００７３】
また、上述の変形例では、第３の閾値τ３を活性化度５％として説明したが、第３の閾値τ３はこれに限られず、適宜設定することができる。例えば、７％、１０％、２０％などとしてもよい。
【００７４】
また、上述の変形例では、第４の閾値τ４を活性化度５０％として説明したが、第４の閾値τ４はこれに限られず、適宜設定することができる。例えば、６０％、３０％、１５％などとしてもよい。
【００７５】
また、第１の閾値τ１、第２の閾値τ２、第３の閾値τ３、および第４の閾値τ４を異なる設定値として説明したが、これに限られない。例えば、二次電源２０が蓄積する電力に余裕があれば、第４の閾値τ４を第１の閾値τ１と同じ値としてもよい。また、第２の閾値τ２を第３の閾値τ３と同じ設定値とすることもできる。これらにより、閾値の数が減るため、処理部１０の処理の負荷が軽減される。ただし、一連の処理において上限値および下限値となる値は、互いに異なる値である。例えば、第１の閾値τ１と第２の閾値τ２は異なる値である。また、第３の閾値τ３と第４の閾値τ４とは異なる値である。
なお、閾値τ１〜τ４は、あらかじめ電子デバイス１が評価されて、ＲＯＭ１３に保持されるプログラムに組み込まれてもよいし、上述したように、ＲＡＭ１４に記憶させてもよい。さらに、ＲＡＭ１４に記憶させる場合は、電子デバイス１を電子機器に組み込んだ後に、コネクター６０を介して電子デバイス１に閾値τ１〜τ４を送信して記憶させてもよい。
【００７６】
また、上記実施形態および変形例では、活性化度αiの算出は、加熱の有無によって式１または式２をそれぞれ用いる例、および、活性化の有無によって式２および式３をそれぞれ用いる例を説明したが、活性化度αiの算出はこれに限られない。例えば、加熱又は活性度の有無に応じて式を使い分けず、１つの式を用いてもよい。式４または式５のように、活性化度αiの初期値α0と、時間長ｔactおよび時間長ｔdeactの累積の値を用いてもよい。
［式４］
αi＝α0  ＋  ｍ・ｔact−  ｋ・ｔdeact・・・（４）
［式５］
αi＝α0  ＋  ｍ・（ｔact−ｔpre）−  ｋ・ｔdeact・・・（５）
【００７７】
また、上記実施形態および変形例では、活性化度αiに対応する時刻ｉよりも過去の時刻ｉ−１の活性化度αi-1として、ゲッター４０の加熱または活性化が開始された時、あるいはゲッター４０のガス分子吸着効果の減衰が始まった時の活性化度αを用いたが、これに限られない。電子デバイス１の使用開始時点の初期値α0を１００％として計算を開始すれば、以降の活性化度αi-1は活性化度αiに対応する時刻ｉよりも過去の時刻ｉ−１の活性化度αであればよく、αi-1と、時刻ｉ−１からの時間長を用いれば、活性化度αiを算出することができる。例えば、所定時間間隔でαiを算出する場合、αi-1はαiの１つ前の時刻であってもよい。例えば、１秒間隔なら１秒前のαi-1を用いてもよい。
【００７８】
また、上記実施形態および変形例では機能部品として原子発振器のガスセル部５０を例に挙げて説明したが、真空容器３０の内部に収納される機能部品はこれに限られない。原子発振器の光源（例えば、ＣＰＴ方式ならレーザー光源）や、原子発振器の物理パッケージ（少なくとも光源とガスセルとを含む光学ユニット）であってもよい。また、真空容器に収容して使用する部品であれば、原子発振器以外の装置の各種機能部品であってもよい。
【００７９】
また、電子デバイス１は、原子発振器などの各種装置の一部分であってもよいし、原子発振器などの各種装置の全体であってもよい。また、原子発振器など、機能部品を搭載した装置を搭載した装置であってもよい。例えば、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子ゲーム機器、ワークステーション、ＰＯＳ（Point Of Sale）端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、地上デジタル放送、通信基地局などであってもよい。
【００８０】
なお、本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００８１】
１…電子デバイス、１０…処理部、１１…ＣＰＵ、１２…ＲＴＣ、１３…ＲＯＭ、１４…ＲＡＭ、１５…ＡＳＩＣ、２０…二次電源、３０…真空容器、４０…ゲッター、４１…通電端子、４２…ヒーター、５０…ガスセル部、５１…断熱材、６０…コネクター、７０…スイッチ、１００…基板、１１０…配線パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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