(57)【要約】【課題】少なくとも、上額縁領域、左額縁領域および右額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる。【解決手段】表示装置において、第１基板は、表示領域ＤＰＡに隣接しＸ方向に延在する第１の額縁領域（ＦＬＡ１）および第２の額縁領域ＦＬＡ２と、第１の額縁領域および第２の額縁領域ＦＬＡ２と交差しＹ方向に延在する第３の額縁領域ＦＬＡ３および第４の額縁領域（ＦＬＡ４）と、第１乃至第４の額縁領域に形成された第１のシールＡＤＨと、第３の額縁領域ＦＬＡ３において、第１のシールＡＤＨの表示領域とは面していない側に隣接して形成された第３のシールＡＤＨと、を含む。第２基板は、第３の額縁領域ＦＬＡ３において、Ｙ方向に延在した第１のスペーサＳＰ２１が形成され、第１のスペーサＳＰ２１は、第１のシールＡＤＨと第３のシールＡＤＨの形成領域に跨って形成される。【選択図】図７
2018146865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
平面視において略矩形状を有する表示領域と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールと、
を有する表示装置であって、
前記表示領域の１辺が延在する方向をＸ方向、前記表示領域の１辺と延在方向が交差する方向をＹ方向としたとき、
前記第１基板は、
複数の信号線と、
前記表示領域に隣接し前記Ｘ方向に延在する第１の額縁領域、前記表示領域を介して前記第１の額縁領域と対向し前記Ｘ方向に延在する第２の額縁領域、前記第１の額縁領域および前記第２の額縁領域と交差し、前記表示領域を介して対向し前記Ｙ方向に延在する第３の額縁領域および第４の額縁領域と、
前記信号線の端部に形成され、前記第１の額縁領域に形成された複数の端子部と、
前記表示領域の外周であって前記第１乃至第４の額縁領域に形成された第１のシールと、
前記第３の額縁領域において、前記第１のシールの前記表示領域とは面していない側に隣接して形成された第３のシールと、
を含み、
前記第２基板は、前記第３の額縁領域において、前記Ｙ方向に延在した第１のスペーサが形成され、前記第１のスペーサは、前記第１のシールと前記第３のシールの形成領域に跨って形成される、表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記第１基板は、前記第４の額縁領域において、前記第１のシールの前記表示領域とは面していない側に隣接して形成された第４のシールを有し、
前記第２基板は、前記第４の額縁領域において、前記Ｙ方向に延在した第２のスペーサが形成され、前記第２のスペーサは、前記第１のシールと前記第４のシールの形成領域に跨って形成される、表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置において、
前記第１基板は、前記第２の額縁領域において、前記第１のシールの前記表示領域とは面していない側に隣接して形成された第２のシールを有し、
前記第２基板は、前記第２の額縁領域において、前記Ｘ方向に延在した第３のスペーサが形成され、前記第３のスペーサは、前記第１のシールと前記第２のシールの形成領域に跨って形成される、表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置において、
前記第１および第２のスペーサの幅は、前記第３のスペーサの幅よりも大きい、表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の表示装置において、
前記第２の額縁領域と前記第３の額縁領域の交差する領域、および前記第２の額縁領域と前記第４の額縁領域の交差する領域のそれぞれに、第１アライメントマークを有し、
前記第１アライメントマークは、前記第２のスペーサと重畳してＸ方向に延在する部分と、前記第３のスペーサまたは第４のスペーサと重畳してＹ方向に延在する部分とを有する、表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置において、
前記第２の額縁領域と前記第３の額縁領域の交差する領域、および前記第２の額縁領域と前記第４の額縁領域の交差する領域のそれぞれに、第２アライメントマークを有し、
前記第２アライメントマークは、前記第３のスペーサまたは第４のスペーサと重畳する位置に形成され、且つ前記第１のアライメントマークに対して、Ｘ方向およびＹ方向のいずれもずれて配置される、表示装置。
【請求項７】
請求項３に記載の表示装置において、
前記第１の額縁領域と前記第３の額縁領域の交差する領域、および前記第１の額縁領域と前記第４の額縁領域の交差する領域のそれぞれに、第１アライメントマークを有し、
前記第１アライメントマークは、前記第３のスペーサまたは第４のスペーサと重畳してＹ方向に延在する部分を有し、
前記第１アライメントマークは、前記第１基板上であり、且つ前記第２基板が重畳しない位置に形成される、表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置において、
前記第１の額縁領域と前記第３の額縁領域の交差する領域、および前記第１の額縁領域と前記第４の額縁領域の交差する領域のそれぞれに、第２アライメントマークを有し、
前記第２アライメントマークは、前記第３のスペーサまたは第４のスペーサと重畳する位置に形成され、且つ前記第１アライメントマークに対して、Ｘ方向およびＹ方向のいずれもずれて配置される、表示装置。
【請求項９】
請求項６または８に記載の表示装置において、
前記第２アライメントマークは、平面視において、前記第１アライメントマークの形状と異なる形状を有する、表示装置。
【請求項１０】
複数の表示装置に対応する表示領域が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
を有するマザー基板であって、
当該マザー基板に、
個々の前記表示領域を囲む複数の矩形状の第１のシール部と、
前記第１のシール部間に形成され、前記第１のシール部に接するように配置された矩形状の第２のシール部と、
が形成され、
前記第２基板の前記第１のシール部と前記第２のシール部の両方に重畳する位置に、第１のスペーサが形成される、マザー基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載のマザー基板において、
前記第１のシール部と前記第２のシール部は、長辺方向の辺において接しており、
前記第２のシール部の短辺方向の幅は、前記第１のシール部の短辺方向の幅よりも狭い、マザー基板。
【請求項１２】
請求項１０に記載のマザー基板において、
前記第１基板は、前記第１のスペーサと対向する位置に、複数の溝を有する、マザー基板。
【請求項１３】
請求項１０に記載のマザー基板において、
前記第１のシール部の短辺方向の第１の辺と前記第２のシール部の短辺方向の第１の辺の両方に接するように直線状の第３のシール部が形成され、
前記第１のシール部の短辺方向の第２の辺と前記第２のシール部の短辺方向の第２の辺の両方に接するように直線状の第４のシール部が形成され、
前記第２のシール部の前記第１のシール部と接する側と反対の領域に、各表示領域に対応した端子部形成領域が設けられ、
前記第１のシール部と前記第３のシール部の両方に重畳する位置に、第２のスペーサが形成される、マザー基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載のマザー基板において、
前記第１基板は、前記第１のスペーサと対向する位置に、複数の溝を有する、マザー基板。
【請求項１５】
請求項１０に記載のマザー基板において、
前記第１のシール部で囲まれた領域に前記液晶層が充填され、前記第２のシール部で囲まれた領域には、前記液晶層が存在しない、マザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびそのマザー基板に関し、例えば、表示領域の外側に設けられた額縁領域を有する表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置などの表示装置は、表示領域と、表示領域の外側の額縁領域と、を有する。また、このような表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向配置された対向基板と、を有する。表示領域では、アレイ基板に、複数の画素が設けられている。複数の画素は、例えばマトリクス状に配置されている。額縁領域では、アレイ基板と対向基板との間に、シールが設けられている。シールは、アレイ基板と対向基板とを接着する。また、アレイ基板または対向基板には、スペーサが設けられている。スペーサは、アレイ基板と対向基板との間隔を保持する。
【０００３】
例えば、特開２０１４−５２５４６号公報（特許文献１）には、表示パネルにおいて、アレイ基板と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板と、表示領域を囲んだ額縁領域に対向し、アレイ基板及び対向基板を接合するシール材と、を備えた技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−５２５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような表示装置において、額縁領域には、半導体チップが設けられる。半導体チップが配置された額縁領域を下額縁領域と称し、表示領域を挟んで、下額縁領域と反対側に配置された額縁領域を、上額縁領域と称する。このとき、表示領域に対して下額縁領域が配置された方向と交差する方向における両側に配置された額縁領域を、それぞれ左額縁領域および右額縁領域と称する。このような構成において、表示領域のサイズは同じであっても、表示パネルとしての外形寸法が異なるものがある。このような場合、表示領域外部の額縁領域の幅でサイズの調整が行われ、矩形の表示装置の場合は、上額縁領域、左額縁領域、右額縁領域および下額縁領域のうち、端子部が形成される下額縁領域以外の上額縁領域、左額縁領域、右額縁領域の幅が、表示パネルによって異なるように設計される。
【０００６】
通常、表示装置は、ガラスなどからなる一枚のマザー基板上に、複数枚の表示装置が形成され、形成後個別に切り分けられる。例えば、上額縁領域と左右の額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を製造する場合、マザー基板上には全て同じサイズの表示装置のみを形成するのであれば、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がある。そのため、表示装置の製造に要する費用が増加するか、または、表示装置の製造に要する期間が長くなるおそれがあり、上額縁領域、左額縁領域および右額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができない。
【０００７】
このため、どちらのサイズでも切り出せるようにした表示装置のパターンを同一のマザー基板上で形成できれば、製造上非常に効率が良い。
【０００８】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、少なくとも、上額縁領域、左額縁領域および右額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
本発明の一態様としての表示装置は、第１基板と、第１基板と対向配置された第２基板と、平面視において略矩形状を有する表示領域と、第１基板と第２基板との間に設けられ、第１基板と第２基板とを接着するシールと、を有する。表示領域の１辺が延在する方向をＸ方向、表示領域の１辺と延在方向が交差する方向をＹ方向としたとき、第１基板は、  複数の信号線と、表示領域に隣接しＸ方向に延在する第１の額縁領域、表示領域を介して第１の額縁領域と対向しＸ方向に延在する第２の額縁領域、第１の額縁領域および第２の額縁領域と交差し、表示領域を介して対向しＹ方向に延在する第３の額縁領域および第４の額縁領域と、信号線の端部に形成され、第１の額縁領域に形成された複数の端子部と、表示領域の外周であって第１乃至第４の額縁領域に形成された第１のシールと、第３の額縁領域において、第１のシールの表示領域とは面していない側に隣接して形成された第３のシールと、を含む。第２基板は、第３の額縁領域において、Ｙ方向に延在した第１のスペーサが形成され、第１のスペーサは、第１のシールと第３のシールの形成領域に跨って形成される。
【００１１】
また、本発明の一態様としてのマザー基板は、複数の表示装置に対応する表示領域が形成された第１基板と、第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、を有する。当該マザー基板に、個々の表示領域を囲む複数の矩形状の第１のシール部と、第１のシール部間に形成され、第１のシール部に接するように配置された矩形状の第２のシール部と、が形成され、第２基板の第１のシール部と第２のシール部の両方に重畳する位置に、第１のスペーサが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。
【図２】実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。
【図３】実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。
【図４】実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。
【図５】実施の形態の表示装置の平面図である。
【図６】実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。
【図７】実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。
【図８】実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。
【図９】実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。
【図１０】実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。
【図１１】実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。
【図１２】実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。
【図１３】実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。
【図１４】実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。
【図１５】実施の形態の表示装置の製造工程中の断面図である。
【図１６】実施の形態の表示装置の製造工程中の断面図である。
【図１７】実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。
【図１８】実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。
【図１９】実施の形態および実施の形態の変形例の表示装置の製造工程中の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１５】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１６】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００１７】
以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域に設けられた複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。上記のような表示装置には、例えば、液晶表示装置、あるいは有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置など、種々の表示装置が例示できる。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。
【００１８】
また、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明するが、それに制限されるものではない。
【００１９】
（実施の形態）
＜表示装置の構成＞
まず、図１〜図３を参照し、表示装置の構成について説明する。図１は、実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図２および図３は、実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図２のＢ部の拡大断面図である。
【００２０】
なお、図１では見易さのため、表示領域ＤＰＡでは、走査線（走査信号線）ＧＬ（後述する図４参照）および信号線（映像信号線）ＳＬ（後述する図４参照）の図示を省略している。また、図２は、断面であるが、見易さのためにハッチングは省略している。
【００２１】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＬＣＤ１は、画像を表示する表示部ＤＰを有する。表示装置ＬＣＤ１は、アレイ基板とも称される基板ＢＳ（第１基板）と、対向基板とも称される基板ＦＳ（第２基板）と、を有するが、例えばその基板ＢＳのうち、表示部ＤＰが設けられた領域が、表示領域ＤＰＡである。また、表示装置ＬＣＤ１は、平面視において、表示部ＤＰの周囲の部分であって、画像を表示しない額縁部（周辺部）ＦＬを有する。額縁部ＦＬが設けられた領域が、額縁領域ＦＬＡである。すなわち、額縁領域ＦＬＡは、表示領域ＤＰＡの外側の領域（周辺領域）である。
【００２２】
なお、本願明細書において、平面視において、とは、図１に示すように、基板ＢＳの主面となる基板ＦＳに対向する面ＢＳｆ（図２参照）に垂直な方向から視た場合を意味する。また、基板ＢＳの主面ＢＳｆ内で互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とし、基板ＢＳの主面ＢＳｆに垂直な方向を、Ｚ軸方向（図２参照）とする。
【００２３】
また、表示装置ＬＣＤ１は、対向配置される一対の基板の間に、表示機能層である液晶層が形成された構造を備える。すなわち、図２に示すように、表示装置ＬＣＤ１は、表示面側の基板（対向基板）ＦＳ、基板ＦＳの反対側に位置する基板（アレイ基板）ＢＳ、および、基板ＦＳと基板ＢＳとの間に配置される液晶層ＬＣＬ（図３参照）を有する。
【００２４】
また、図１に示す基板ＢＳは、平面視において、Ｘ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ１に平行してＸ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ２、Ｘ軸方向に対して交差、好適には直交するＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ３に平行してＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ４を有する。図１に示す基板ＢＳが有する辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および辺ＢＳｓ４のそれぞれから表示部ＤＰまでの距離は、同程度であって、辺ＢＳｓ１から表示部ＤＰまでの距離よりも短い。
【００２５】
以下、本願明細書において、基板ＢＳの周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの外縁を構成する辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ４のうちのいずれかを意味する。また、単に周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの周縁部を意味する。
【００２６】
表示部ＤＰは、複数の表示素子としての画素Ｐｉｘ（後述する図４参照）を有する。すなわち、複数の画素Ｐｉｘは、基板ＢＳの表示領域ＤＰＡ上に設けられている。複数の画素Ｐｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。本実施の形態では、複数の画素Ｐｉｘの各々は、基板ＢＳの主面ＢＳｆ側の表示領域ＤＰＡに形成された薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：ＴＦＴ）を有する。
【００２７】
表示装置ＬＣＤ１は、後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、を有する。後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続され、複数の信号線ＳＬの各々は、Ｙ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続されている。
【００２８】
また、表示装置ＬＣＤ１は、駆動回路ＣＣを有する。駆動回路ＣＣは、走査線駆動回路ＣＧと、映像線駆動回路ＣＳと、を含む。後述する図４を用いて説明するように、走査線駆動回路ＣＧは、複数の走査線ＧＬを介して、複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続され、映像線駆動回路ＣＳは、複数の信号線ＳＬを介して、複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続されている。
【００２９】
図１に示す例では、額縁領域ＦＬＡは、額縁領域ＦＬＡ１（第１の額縁領域）、額縁領域ＦＬＡ２（第２の額縁領域）、額縁領域ＦＬＡ３（第３の額縁領域）、および額縁領域ＦＬＡ４（第４の額縁領域）を含む。額縁領域ＦＬＡ１は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向における一方の側（図１中下側）に配置された領域であり、半導体チップＣＨＰが配置される領域である。額縁領域ＦＬＡ２は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ１と反対側（図１中上側）に配置された領域である。額縁領域ＦＬＡ３は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｘ軸方向における一方の側（図１中左側）に配置された領域であり、額縁領域ＦＬＡ４は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ３と反対側に配置された領域である。
【００３０】
図１に示す例では、基板ＢＳには、半導体チップＣＨＰが設けられている。半導体チップＣＨＰは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に配置されている。半導体チップＣＨＰ内には、映像線駆動回路ＣＳが設けられている。したがって、映像線駆動回路ＣＳは、基板ＢＳの主面ＢＳｆ側の領域であって、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡに対して一方の側に配置された領域である額縁領域ＦＬＡ１に設けられている。
【００３１】
なお、半導体チップＣＨＰが配置された額縁領域ＦＬＡ１を下額縁領域と称し、表示領域ＤＰＡを挟んで、額縁領域ＦＬＡ１と反対側に配置された額縁領域ＦＬＡ２を、上額縁領域と称することがある。このとき、表示領域ＤＰＡに対して額縁領域ＦＬＡ１が配置された方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）における両側に配置された額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を、それぞれ左額縁領域および右額縁領域と称することがある。
【００３２】
また、半導体チップＣＨＰは、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて額縁領域ＦＬＡ１に設けられてもよく、あるいは、基板ＢＳの外部に設けられ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を介して基板ＢＳと接続されてもよい。額縁領域ＦＬＡ１には、半導体チップＣＨＰやＦＰＣを接続するための複数の端子部が設けられる。
【００３３】
なお、後述する図５〜図１１を用いて説明するように、表示装置ＬＣＤ１は、平面視において、額縁領域ＦＬＡ内に配置されたシールＡＤＨを有する。シールＡＤＨは、表示部ＤＰの周囲を連続的に囲むように形成され、図２に示す基板ＦＳと基板ＢＳとは、シールＡＤＨに設けられるシール材により接着固定される。このように、表示部ＤＰの周囲にシールＡＤＨを設けることで、表示機能層である液晶層ＬＣＬ（図３参照）を封止することができる。
【００３４】
また、図２に示すように、表示装置ＬＣＤ１の基板ＢＳの背面ＢＳｂ側には、光源や拡散板等の光学素子からなるバックライトＬＳと、バックライトＬＳから発生した光を偏光する偏光板ＰＬ２が設けられている。偏光板ＰＬ２は、基板ＢＳに固定されている。一方、基板ＦＳの背面ＦＳｆ側には、偏光板ＰＬ１が設けられている。偏光板ＰＬ１は、基板ＦＳに固定されている。
【００３５】
なお、図２では、表示装置の基本的な構成部品を例示的に示しているが、変形例としては図２に示す構成部品に加えて、タッチパネルや保護層等の他の部品を追加することができる。
【００３６】
また、図３に示すように、表示装置ＬＣＤ１は、基板ＦＳと基板ＢＳとの間に配置される複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥを有する。本実施の形態の表示装置ＬＣＤ１は、上記したように横電界モードの表示装置なので、複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、それぞれ基板ＢＳに形成されている。
【００３７】
基板ＢＳは、ガラス基板などからなり、主として画像表示用の回路が形成されている。基板ＢＳは、基板ＦＳ側に対向する主面ＢＳｆ（図２参照）、および、その反対側に位置する背面ＢＳｂ（図２参照）を有する。基板ＢＳの主面ＢＳｆ側には、ＴＦＴなどの駆動素子と、複数の画素電極ＰＥがマトリクス状に形成されている。また、基板ＢＳは、表示領域ＤＰＡと、表示領域ＤＰＡの外側に設けられた額縁領域ＦＬＡと、を含む。基板ＢＳはガラス基板以外、ポリイミド等の樹脂で形成されたものであってもよい。
【００３８】
図３に示す例は、横電界モード（詳しくはＦＦＳモード）の表示装置ＬＣＤ１を示しているので、共通電極ＣＥは、基板ＢＳの主面ＢＳｆ（図２参照）側に形成され、絶縁層ＯＣ２に覆われる。また、複数の画素電極ＰＥは、絶縁層ＯＣ２を介して共通電極ＣＥと対向するように絶縁層ＯＣ２の基板ＦＳ側に形成される。
【００３９】
また、図３に示す基板ＦＳは、ガラス基板などからなり、カラー表示の画像を形成するカラーフィルタＣＦが形成されている。基板ＦＳは、表示面側である背面ＦＳｆ（図２参照）、および、背面ＦＳｆの反対側に位置する主面ＦＳｂ（図２参照）を有する。基板ＦＳは、基板ＢＳの主面ＢＳｆと、基板ＦＳの主面ＦＳｂとが対向した状態で、基板ＢＳと対向配置されている。なお、基板（アレイ基板）ＢＳをＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタＣＦが形成された基板（対向基板）ＦＳをカラーフィルタ基板と呼ぶこともできる。また、図３に対する変形例としては、カラーフィルタＣＦをＴＦＴ基板としての基板ＢＳに設ける構成を採用してもよい。
【００４０】
尚、図示はされていないが、共通電極ＣＥと基板ＢＳ間には、後述する複数の走査線や信号線、薄膜トランジスタ、複数の絶縁層などが形成される。
【００４１】
対向基板としての基板ＦＳのカラーフィルタＣＦは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂが周期的に配列されたものである。
【００４２】
また、各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂのそれぞれの境界には、遮光膜ＢＭが形成されている。遮光膜ＢＭはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属など、遮光性を有する膜からなる。遮光膜ＢＭは、平面視において、格子状に形成される。
【００４３】
遮光膜ＢＭは表示領域ＤＰＡおよび額縁領域ＦＬＡのいずれにも形成される。一般的に、遮光膜ＢＭに形成され、カラーフィルタＣＦが埋め込まれた開口部のうち、周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＰＡと額縁領域ＦＬＡの境界として規定される。なお、表示領域ＤＰＡの周縁部側にダミーのカラーフィルタを設けてもよい。尚、額縁領域ＦＬＡに形成される遮光膜は、表示領域ＤＰＡから基板ＦＳの端部に亘って設けられている。
【００４４】
また、基板ＦＳは、カラーフィルタＣＦを覆う樹脂層ＯＣ１を有する。各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂの境界には、遮光膜ＢＭが形成されているので、カラーフィルタＣＦの液晶層側は、凹凸面になっている。樹脂層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦの液晶層側の凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。あるいは、樹脂層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦから液晶層に対して不純物が拡散することを防止する保護膜として機能する。樹脂層ＯＣ１は、熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂など、エネルギーを付与することで硬化する成分を含有させることにより、樹脂材料を硬化させることができる。樹脂層ＯＣ１は、額縁領域ＦＬＡにも設けられている。
【００４５】
また、基板ＦＳと基板ＢＳとの間には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥにより形成される電界により駆動される液晶層ＬＣＬが設けられる。
【００４６】
また、基板ＦＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である主面ＦＳｂに、樹脂層ＯＣ１を覆う配向膜ＡＦ１を有する。また、基板ＢＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である主面ＢＳｆに、絶縁層ＯＣ２および複数の画素電極ＰＥを覆う配向膜ＡＦ２を有する。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は、液晶層ＬＣＬに含まれる液晶の初期配向を揃えるために形成された樹脂膜であって、例えばポリイミド樹脂からなる。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は額縁領域ＦＬＡにも設けられており、基板ＦＳの端部にまで設けられていても良い。
【００４７】
図３に示す表示装置ＬＣＤ１では、バックライトＬＳ（図２参照）から出射された光は、偏光板ＰＬ２（図２参照）によってフィルタリングされ、液晶層ＬＣＬに入射する。液晶層ＬＣＬに入射した光は、液晶によって偏光状態を変化させて基板ＦＳから出射される。
【００４８】
このとき、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥに電圧を印加して形成される電界により、液晶の配向が制御され、液晶層ＬＣＬは光学的なシャッターとして機能する。
【００４９】
なお、液晶層ＬＣＬの厚さは、基板ＦＳや基板ＢＳの厚さと比較して極端に薄い。図３に示す例では、液晶層ＬＣＬの厚さは、例えば３〜４μｍ程度である。
【００５０】
＜表示装置の等価回路＞
次に、図４を参照し、表示装置の等価回路について説明する。図４は、実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。
【００５１】
図４に示すように、表示装置ＬＣＤ１の表示部ＤＰは、複数の画素Ｐｉｘを有する。複数の画素Ｐｉｘは、平面視において、表示領域ＤＰＡ内で、基板ＢＳに設けられ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５２】
また、表示装置ＬＣＤ１は、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、を有する。複数の走査線ＧＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳ（例えば図２参照）に設けられ、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳに設けられ、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬと、複数の走査線ＧＬとは、互いに交差する。
【００５３】
複数の画素Ｐｉｘの各々は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各々の色を表示する副画素ＳＰｉｘを含む。副画素ＳＰｉｘの各々は、隣り合う２本の走査線ＧＬと、隣り合う２本の信号線ＳＬとに囲まれた領域に設けられているが、他の構成であってもよい。
【００５４】
各副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＬとソース電極によって接続される薄膜トランジスタからなるトランジスタＴｒｄと、トランジスタＴｒｄのドレイン電極に接続される画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥと液晶層を挟んで対向する共通電極ＣＥと、を有する。なお、図４では、液晶層を等価的に示す液晶容量と、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される保持容量とを、容量Ｃｌｃとして示す。なお、薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とは電位の極性によって適宜入れ替わる。
【００５５】
表示装置ＬＣＤ１の駆動回路ＣＣ（図１参照）は、映像線駆動回路ＣＳと、走査線駆動回路ＣＧと、制御回路ＣＴＬと、共通電極駆動回路ＣＭと、を有する。
【００５６】
Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のソース電極は、信号線ＳＬに接続されている。また、複数の信号線ＳＬの各々は、映像線駆動回路ＣＳに接続される。
【００５７】
また、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。また、各走査線ＧＬは、走査線駆動回路ＣＧに接続されている。
【００５８】
制御回路ＣＴＬは、表示装置の外部から送信されてくる表示データ、クロック信号およびディスプレイタイミング信号等の表示制御信号に基づいて、映像線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭを、制御する。
【００５９】
制御回路ＣＴＬは、表示装置の副画素の配列や、表示方法、ＲＧＢスイッチ（図示は省略）の有無、あるいはタッチパネル（図示は省略）の有無等によって、外部から供給される表示データや表示制御信号を適宜変換して映像線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭに出力する。
【００６０】
＜額縁領域の幅を変更する場合における課題＞
表示装置では、表示領域のサイズは同じであっても、パネルとしての外形寸法は様々なものがある。これは、表示装置の使用者からの要望に様々なものがあるためである。このため、額縁領域（上額縁領域）ＦＬＡ２、額縁領域（左額縁領域）ＦＬＡ３、額縁領域（右額縁領域）ＦＬＡ４および額縁領域（下額縁領域）ＦＬＡ１のうち、例えば、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の各々の幅を変更して、表示装置を設計する場合がある。
【００６１】
従来、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するためには、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意し、異なるマザー基板で製造することが一般的であった。そのため、表示装置の製造に要する費用が増加し、表示装置の製造に要する期間が長くなっていた。
【００６２】
そこで、本実施の形態においては、従来の問題点を解決し、少なくとも額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅、好適には額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１の幅が異なる２種類の表示装置を同じマザー基板上で容易に製造することができるようにする。
【００６３】
＜マザー基板の構成＞
ここでまず、基板集合体（マザー基板）ＳＧの構成について図１２を用いて説明する。矩形太線枠で示したところが、一つの表示装置に相当する部分である。図１２に示すように、マザー基板ＳＧ上には、複数の表示装置が面付けされる。
【００６４】
各表示装置に対応して、複数形状のシール材がマザー基板ＳＧ上に形成される。シール材Ｓ１（第１のシール部）は、表示領域の周囲に矩形状に形成される。液晶層は、このシール材Ｓ１で囲まれた領域に充填される。他の領域には充填されない。シール材Ｓ１は、Ｘ方向（Ｘ軸方向）及びＹ方向（Ｙ軸方向）にマトリクス状にそれぞれ間隔を開けて配置される。Ｘ方向において、シール材Ｓ１の間には、シール材Ｓ２（第２のシール部）が矩形状に形成される。シール材Ｓ２は、Ｙ方向に延設する辺において、シール材Ｓ１と接するように形成される。これにより、シール材Ｓ１のＸ方向の幅をシール材Ｓ２によって、拡幅することができる。
【００６５】
シール材Ｓ１およびシール材Ｓ２のＸ方向に延設する辺では、シール材Ｓ３（第３のシール部）およびシール材Ｓ４（第４のシール部）が直線状に形成される。シール材Ｓ３およびシール材Ｓ４は、シール材Ｓ１およびシール材Ｓ２のＸ方向に延設する辺に接するように形成される。これにより、シール材Ｓ１およびシール材Ｓ２のＹ方向の幅をシール材Ｓ３およびシール材Ｓ４によって、拡幅することができる。
【００６６】
シール材Ｓ４のシール材Ｓ１と接する側と反対の側には、半導体チップＣＨＰやフレキシブル回路基板を接続するための複数の端子部が設けられる。端子部の形成領域に隣接して、Ｘ方向に延設してシール材Ｓ５が形成される。
【００６７】
＜表示装置の額縁領域の構成＞
次に、図５〜図１１を参照し、マザー基板ＳＧから分断された後の各表示装置の額縁領域の構成について説明する。なお、本発明では、各額縁領域において複数の寸法で切り離すことができる構造を示すが、以下では、額縁領域（上額縁領域）ＦＬＡ２、額縁領域（左額縁領域）ＦＬＡ３、および額縁領域（右額縁領域）ＦＬＡ４の幅が大きい場合の表示装置について説明する。
【００６８】
図５は、実施の形態の表示装置の平面図である。図６および図７は、実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。図６および図７は、図５に示す表示装置のうち、領域ＲＧ１を拡大して示す。また、図６は、基板ＢＳの主面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１などを示し、図７は、基板ＦＳの主面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２などを示す。
【００６９】
図８および図９は、実施の形態の表示装置の額縁領域の断面図である。図８は、図６および図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、図９は、図６および図７のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。なお、図６および図７では、理解を簡単にするため、図８および図９に示した部分のうち、説明に必要な部分以外の部分の図示を省略している。また、図８および図９では、液晶層ＬＣＬ（図３参照）の図示を省略する。
【００７０】
なお、図５に示す表示装置のうち、領域ＲＧ２を拡大して示す平面図については、図６および図７を左右反転して図示する以外は、図６および図７と同様であるので、図示を省略する。また、この省略した平面図の断面図についても、図８および図９と同様であるので、図示を省略する。
【００７１】
前述した図１を用いて説明したように、また、図５に示すように、基板ＢＳは、辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４を有する。また、辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４の各々にそれぞれ対応した基板ＢＳの４つの側面を、それぞれ側面ＳＳＢ１、側面ＳＳＢ２、側面ＳＳＢ３および側面ＳＳＢ４と称する。また、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３および辺ＢＳｓ４の各々にそれぞれ対応した基板ＦＳの側面を、それぞれ側面ＳＳＦ２、側面ＳＳＦ３および側面ＳＳＦ４と称する。なお、表示領域ＰＤＡに対して辺ＢＳｓ１側の基板ＦＳの側面を、側面ＳＳＦ１と称する。
【００７２】
額縁領域ＦＬＡ２は、額縁領域ＦＬＡ２１およびＦＬＡ２２を有する。額縁領域ＦＬＡ２１は、額縁領域ＦＬＡ２のうち表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、額縁領域ＦＬＡ２２は、額縁領域ＦＬＡ２のうち表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分である。
【００７３】
額縁領域ＦＬＡ３は、額縁領域ＦＬＡ３１およびＦＬＡ３２を有する。額縁領域ＦＬＡ３１は、額縁領域ＦＬＡ３のうち表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、額縁領域ＦＬＡ３２は、額縁領域ＦＬＡ３のうち表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分である。
【００７４】
額縁領域ＦＬＡ４は、額縁領域ＦＬＡ４１およびＦＬＡ４２を有する。額縁領域ＦＬＡ４１は、額縁領域ＦＬＡ４のうち表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、額縁領域ＦＬＡ４２は、額縁領域ＦＬＡ４のうち表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分である。
【００７５】
額縁領域ＦＬＡ１は、額縁領域ＦＬＡ１１およびＦＬＡ１２を有する。額縁領域ＦＬＡ１１は、額縁領域ＦＬＡ１のうち表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、額縁領域ＦＬＡ１２は、額縁領域ＦＬＡ１のうち表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分である。
【００７６】
図６〜図９に示すように、額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（額縁領域ＦＬＡ４についても同様）において、基板ＢＳの主面ＢＳｆには、配線ＷＧと、絶縁膜ＩＦ１と、配線ＷＳと、層間樹脂膜ＩＬ１と、配向膜ＡＦ２と、が設けられている。図６に示すように、基板ＢＳの主面ＢＳｆには、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が形成されている。
【００７７】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、基板ＢＳの主面ＢＳｆ上には、配線ＷＧが形成されている。配線ＷＧは、例えば走査線ＧＬと同層に形成されており、例えばクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）等の金属またはそれらの合金からなる。すなわち、好適には、配線ＷＧは、金属膜または合金膜などの遮光性を有する導電膜からなる。
【００７８】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、基板ＢＳの主面ＢＳｆ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が設けられている。絶縁膜ＩＦ１は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。
【００７９】
なお、基板ＢＳの主面ＢＳｆと、配線ＷＧおよび絶縁膜ＩＦ１と、の間に、絶縁膜ＩＦ０が形成されていてもよい。
【００８０】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。配線ＷＳは、例えば信号線ＳＬと同層に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。すなわち、好適には、配線ＷＳは、金属膜などの遮光性を有する導電膜からなる。
【００８１】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、保護膜または平坦化膜としての層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。層間樹脂膜ＩＬ１は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。
【００８２】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、層間樹脂膜ＩＬ１には、層間樹脂膜ＩＬ１を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ１が形成されている。開口部ＯＰ１の底部、開口部ＯＰ１の内壁、および、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が設けられている。絶縁膜ＩＦ２は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。
【００８３】
開口部ＯＰ１の底部に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２には、絶縁膜ＩＦ２を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ２が形成されている。開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成されている。前述したように、配向膜ＡＦ２は、例えばポリイミド樹脂からなる。
【００８４】
なお、一部の開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、シールド電極ＳＨＥが形成されていてもよい。シールド電極ＳＨＥは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる。このような場合、配向膜ＡＦ２は、開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上に、シールド電極ＳＨＥを覆うように、形成されることになる。
【００８５】
一方、図６〜図９に示すように、額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（額縁領域ＦＬＡ４についても同様）において、基板ＦＳの主面ＦＳｂには、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタＣＦと、樹脂層ＯＣ１と、スペーサＳＰ１およびＳＰ２と、配向膜ＡＦ１と、が設けられている。図７に示すように、基板ＦＳの主面ＦＳｂには、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２が形成されている。
【００８６】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、基板ＦＳの主面ＦＳｂには、遮光膜ＢＭが形成されている。前述したように、遮光膜ＢＭは、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属からなる。
【００８７】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、遮光膜ＢＭと基板ＢＳとの間には、カラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦとして、例えばＢ（青）のカラーフィルタ画素ＣＦｂが形成されている。
【００８８】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、遮光膜ＢＭとカラーフィルタＣＦとを覆うように、樹脂層ＯＣ１が形成されている。前述したように、樹脂層ＯＣ１は、熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂を含有する。尚、カラーフィルタＣＦを遮光膜と基板ＦＳとの間に設けるものであってもよい。
【００８９】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が形成されている。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＦＳの主面ＦＳｂから基板ＢＳ側に突出している。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳと基板ＦＳとの間の間隔を保持する。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。スペーサＳＰ１およびＳＰ２と基板ＦＳとの間には、カラーフィルタ画素ＣＦｂが設けられており、スペーサＳＰ１およびＳＰ２の高さをコントロールしている。また、スペーサＳＰ１は、円錐形状のスペーサが点在したものであってもよい。あるいは、スペーサＳＰ２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に点在する複数の島状のスペーサであってもよい。
【００９０】
スペーサＳＰ１の基板ＦＳからの高さは、スペーサＳＰ２の基板ＦＳからの高さよりも高い。
【００９１】
なお、スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳの主面ＢＳｆに設けられてもよい。このとき、スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、基板ＢＳの主面ＢＳｆから基板ＦＳ側に突出することになる。
【００９２】
額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）において、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、配向膜ＡＦ１が形成されている。前述したように、配向膜ＡＦ１は、例えばポリイミド樹脂からなる。なお、図８では図示は省略するが、配向膜ＡＦ１は、スペーサＳＰ１およびＳＰ２の各々の側面および上面に形成されていてもよい。
【００９３】
図１０および図１１は、実施の形態の表示装置の額縁領域の平面図である。図１０および図１１は、図５に示す表示装置のうち、領域ＲＧ３を拡大して示す。また、図１０は、基板ＢＳの主面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１などを示し、図１１は、基板ＦＳの主面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２などを示す。
【００９４】
なお、図５に示す表示装置のうち、領域ＲＧ４を拡大して示す平面図については、図１０および図１１を左右反転して図示する以外は、図１０および図１１と同様であるので、図示を省略する。
【００９５】
図１０および図１１に示すように、額縁領域ＦＬＡ１においても、詳細な説明は省略するが、額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ３（ＦＬＡ４）と同様に、基板ＢＳの主面（ＢＳｆ）には、配線（ＷＧ）と、絶縁膜（ＩＦ１）と、配線（ＷＳ）と、層間樹脂膜ＩＬ１と、配向膜（ＡＦ２）と、が設けられ、さらに、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が形成されている。また、基板ＦＳの主面（ＦＳｂ）には、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタ（ＣＦ）と、樹脂層（ＯＣ１）と、スペーサ（ＳＰ１）およびＳＰ２と、配向膜（ＡＦ１）と、が設けられ、さらに、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２が形成されている。
【００９６】
額縁領域ＦＬＡ１においては、アライメントマークＡＭ１１、ＡＭ２１、ＡＭ１２およびＡＭ２２とは別に、基板ＦＳをスクライブ加工するために、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２と同じ形状のアライメントマークＡＭ２１ａおよびＡＭ２２ａも設けられている。
【００９７】
本実施の形態の表示装置は、図８および図９に示すように、配向膜ＡＦ１と配向膜ＡＦ２との間には、シールＡＤＨが設けられている。すなわち、シールＡＤＨは、基板ＢＳと基板ＦＳとの間に設けられ、基板ＢＳと基板ＦＳとを接着する接着部である。また、シールＡＤＨは、図５に示すように、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に設けられた部分ＰＴ１と、額縁領域ＦＬＡ２内に設けられた部分ＰＴ２と、額縁領域ＦＬＡ３内に設けられた部分ＰＴ３と、額縁領域ＦＬＡ４内に設けられた部分ＰＴ４と、を含む。
【００９８】
＜額縁領域におけるシールおよびスペーサの配置＞
本実施の形態の表示装置では、スペーサＳＰ２１（スペーサＳＰ２）が、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１内に配置されている。スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ３内に配置されているスペーサＳＰ２１（第１のスペーサ）、額縁領域ＦＬＡ４内に配置されているスペーサＳＰ２１（第２のスペーサ）、額縁領域ＦＬＡ２内に配置されているスペーサＳＰ２１（第３のスペーサ）、および額縁領域ＦＬＡ１内に配置されているスペーサＳＰ２１（第４のスペーサ）を含む。
【００９９】
本実施の形態の表示装置では、シールＡＤＨ（第１〜第４のシール）が、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１内に配置されている。シールＡＤＨは、額縁領域ＦＬＡ３内に配置されているシールＡＤＨ（第１および第３のシール）、額縁領域ＦＬＡ４内に配置されているシールＡＤＨ（第１および第４のシール）、および額縁領域ＦＬＡ２内に配置されているシールＡＤＨ（第１および第２のシール）を含む。
【０１００】
シールＡＤＨの部分ＰＴ２は、部分ＰＴ２１と、部分ＰＴ２２と、を含む。シールＡＤＨの部分ＰＴ２１は、スペーサＳＰ２１に対して、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡ側に配置され、シールＡＤＨの部分ＰＴ２２は、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ２１と反対側に配置されている。すなわち、第２の額縁領域ＦＬＡ２において、Ｘ軸方向に延在した第３のスペーサＳＰ２１は、第１のシールＡＤＨと第２のシールＡＤＨの形成領域に跨って形成されている（図８および図１５参照）。
【０１０１】
シールＡＤＨの部分ＰＴ３は、部分ＰＴ３１と、部分ＰＴ３２と、を含む。シールＡＤＨの部分ＰＴ３１は、スペーサＳＰ２１に対して、Ｘ軸方向において、表示領域ＤＰＡ側に配置され、シールＡＤＨの部分ＰＴ３２は、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ３１と反対側に配置されている。すなわち、第３の額縁領域ＦＬＡ３において、Ｙ軸方向に延在した第１のスペーサＳＰ２１は、第１のシールＡＤＨと第３のシールＡＤＨの形成領域に跨って形成されている（図９および図１６参照）。第１のスペーサＳＰ２１の幅は、第３のスペーサＳＰ２１の幅よりも大きい（図１３、図１４、図１７および図１８参照）。
【０１０２】
シールＡＤＨの部分ＰＴ４は、図示を省略したが、シールＡＤＨの部分ＰＴ３と同様であり、部分ＰＴ３１に対応する部分（ＰＴ４１）と、部分ＰＴ３２に対応する部分（ＰＴ４２）と、を含む。説明上、部分（ＰＴ４１）、部分（ＰＴ４２）と記載する。すなわち、第４の額縁領域ＦＬＡ４において、Ｙ軸方向に延在した第２のスペーサＳＰ２１は、第１のシールＡＤＨと第４のシールＡＤＨの形成領域に跨って形成されている。第２のスペーサＳＰ２１の幅は、第３のスペーサＳＰ２１の幅よりも大きい。
【０１０３】
シールＡＤＨの部分ＰＴ１は、部分ＰＴ１１と、部分ＰＴ１２と、を含む。シールＡＤＨの部分ＰＴ１１は、スペーサＳＰ２１に対して、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡ側に配置され、シールＡＤＨの部分ＰＴ１２は、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ１１と反対側に配置されている。
【０１０４】
言い換えれば、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１の第１部分としての額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１は、スペーサＳＰ２１に対して表示領域ＰＤＡ側に配置され、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１の第２部分としての額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２は、スペーサＳＰ２１を挟んで額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１と反対側に配置されている。シールＡＤＨは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１、およびＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２に設けられている。スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１と額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２との境界において、基板ＦＳの外縁部を周回して形成されている。そして、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２１、ＰＴ３１、（ＰＴ４１）およびＰＴ１１と接し、スペーサＳＰ２１の額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２側は、シールＡＤＨの部分ＰＴ２２、ＰＴ３２、（ＰＴ４２）およびＰＴ１２と接している。
【０１０５】
このような表示装置を製造する場合には、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、基板集合体（マザー基板）ＳＧを分断する際に、額縁領域ＦＬＡ２においてＸ軸方向に延在するスクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。スクライブラインＬＮ１１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ１２は、スクライブラインＬＮ１１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてスペーサＳＰ２１とシールＡＤＨが設けられていない領域ＲＬ１を通る。
【０１０６】
スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１を用いる場合には、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、例えばスクライブ加工の際に基板集合体ＳＧに加えられる力が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に分布することにより、容易にスクライブ加工を行うことができる。一方、スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１２を用いた場合でも、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、容易にスクライブ加工を行うことができる。したがって、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。
【０１０７】
一方、額縁領域ＦＬＡ３とＦＬＡ４に設けられ、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としても、同様に、スクライブラインＬＮ２１およびスクライブラインＬＮ２２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。スクライブラインＬＮ２１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ２２は、スクライブラインＬＮ２１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ２１またはＬＮ２２のどちらを用いる場合でも、スペーサＳＰ２１上を切ることになるので、スクライブ加工の際に基板集合体ＳＧに加えられる力が、スクライブラインＬＮ２１またはＬＮ２２を中心として対称に分布することにより、容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１０８】
したがって、本実施の形態の表示装置では、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅、および、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を容易に変更することができる。このような額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅の変更は、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の狭幅化と、表示装置の強度の確保との間のバランスを調整する観点から、重要な構成となってきている。
【０１０９】
したがって、本実施の形態の表示装置では、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がない。そのため、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置の製造に要する費用を低減することができる。あるいは、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置の製造に要する期間を短縮することができる。したがって、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置を容易に製造することができる。
【０１１０】
すなわち、本実施の形態によれば、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４に切断可能箇所を２箇所設け、切断位置を変えることで額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４の幅を選択することが可能である。
【０１１１】
スペーサＳＰ２１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延在する。これにより、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１１２】
基板ＢＳの主面ＢＳｆの、Ｙ軸方向における端部ＢＦ２およびＢＦ１、および、基板ＦＳの主面ＦＳｂの、Ｙ軸方向における端部ＦＢ２およびＦＢ１は、シールＡＤＨから露出している。言い換えれば、額縁領域ＦＬＡ２２およびＦＬＡ１２における、基板ＢＳの端部ＢＦ２およびＢＦ１と基板ＦＳの端部ＦＢ２およびＦＢ１とは、シールＡＤＨから露出している。すなわち、シールＡＤＨは、平面視において、基板ＢＳの、Ｙ軸方向における側面ＳＳＢ２およびＳＳＢ１、および、基板ＦＳの、Ｙ軸方向における側面ＳＳＦ２およびＳＳＦ１から離れている。このような場合、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、スクライブラインＬＮ１２において、容易にスクライブ加工を行うことができる。ただし、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１でも、シールＡＤＨが設けられていてもよい。
【０１１３】
一方、基板ＢＳの主面ＢＳｆの、Ｘ軸方向における端部ＢＦ３および（図示を省略したが端部ＢＦ３に対応する端部ＢＦ４）、および、基板ＦＳの主面ＦＳｂの、Ｘ軸方向における端部ＦＢ３および（図示を省略したが端部ＦＢ３に対応する端部ＦＢ４）は、スペーサＳＰ２１およびシールＡＤＨと接している。言い換えれば、額縁領域ＦＬＡ３２およびＦＬＡ４２における、基板ＢＳの端部ＢＦ３および（ＢＦ４）と基板ＦＳの端部ＦＢ３および（ＦＢ４）とは、スペーサＳＰ２１およびシールＡＤＨと接している。すなわち、スペーサＳＰ２１およびシールＡＤＨは、平面視において、基板ＢＳの、Ｘ軸方向における側面ＳＳＢ３およびＳＳＢ４、および、基板ＦＳの、Ｘ軸方向における側面ＳＳＦ３およびＳＳＦ４と接している。このような場合、後述する図１２〜図１８を用いて説明するように、スクライブラインＬＮ２２において、容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１１４】
好適には、本実施の形態の表示装置は、位置合わせのためのアライメントマークＡＭ１（第１アライメントマーク）を有する。アライメントマークＡＭ１は、基板ＢＳまたは基板ＦＳに設けられ、Ｙ軸方向およびＸ軸方向において、スペーサＳＰ２１と同じ位置に配置されている。言い換えれば、アライメントマークＡＭ１は、Ｙ軸方向およびＸ軸方向において、スペーサＳＰ２１と重畳している。そして、アライメントマークＡＭ１は、額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１と額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２との境界において、額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１に設けられている。図６および図７、図１０および図１１に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１２と称する。
【０１１５】
平面視において、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を通るスクライブラインＬＮ１１およびＬＮ２１を用いてスクライブ加工を行うことにより、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【０１１６】
好適には、本実施の形態の表示装置は、位置合わせのためのアライメントマークＡＭ２（第２アライメントマーク）を有する。アライメントマークＡＭ２は、基板ＢＳの主面ＢＳｆの、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における端部ＢＦ２、ＢＦ３、（ＢＦ４）およびＢＦ１、または、基板ＦＳの主面ＦＳｂの、Ｙ軸方向およびＸ軸方向における端部ＦＢ２、ＦＢ３、（ＦＢ４）およびＦＢ１に設けられている。言い換えれば、アライメントマークＡＭ２は、額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２における、端部ＢＦ２、ＢＦ３、（ＢＦ４）およびＢＦ１、または端部ＦＢ２、ＦＢ３、（ＦＢ４）およびＦＢ１に設けられている。図６および図７、図１０および図１１に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２２と称する。アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２は、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２と対応関係にあり、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２よりも表示領域ＤＰＡから離間した位置、すなわちＸ軸方向およびＹ軸方向のいずれもずれて配置されている。
【０１１７】
平面視において、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を通るスクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２を用いてスクライブ加工を行うことにより、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【０１１８】
好適には、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１は、複数の走査線ＧＬまたは複数の信号線ＳＬと同層に形成されている。走査線ＧＬおよび信号線ＳＬの各々は、前述したように、遮光性を有する導電膜からなる。そのため、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１が、複数の走査線ＧＬまたは複数の信号線ＳＬと同層に形成されることにより、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１の視認性を高めることができ、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１による位置合わせの精度を高めることができる。
【０１１９】
好適には、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２は、遮光膜ＢＭと同層に形成されている。遮光膜ＢＭは、前述したように、遮光性を有する膜からなる。そのため、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２が、遮光膜ＢＭと同層に形成されることにより、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２の視認性を高めることができ、アライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２による位置合わせの精度を高めることができる。
【０１２０】
好適には、アライメントマークＡＭ２は、アライメントマークＡＭ１の形状と異なる形状を有する。これにより、アライメントマークＡＭ１とアライメントマークＡＭ２とを誤認することを防止し、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２のうち、また、スクライブラインＬＮ２１およびスクライブラインＬＮ２２のうち、所望のスクライブラインを確実に選択してスクライブ加工を行うことができる。
【０１２１】
好適には、例えば配線ＷＳなどの回路配線は、額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１に配置されている。額縁領域ＦＬＡ２１、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ４１およびＦＬＡ１１は、前述したように、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１のうち、表示領域ＤＰＡ側に位置する部分であり、スペーサＳＰ２１の中心に対して表示領域ＤＰＡ側に位置する部分である。一方、額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２には、ダミーパターンは配置されていてもよいが、例えば配線ＷＳなどの回路配線は配置されていない。額縁領域ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４２およびＦＬＡ１２は、前述したように、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１のうち、表示領域ＤＰＡ側と反対側に位置する部分であり、スペーサＳＰ２１の中心に対して表示領域ＤＰＡ側と反対側に配置された部分である。図８では、額縁領域ＦＬＡ２２にダミーパターンＳＤを配置した例を示しているが、この場合、パターンの面積率を調整するためのものであるため、電気的に浮遊状態（フローティング状態）であることが好ましい。
【０１２２】
このような配置によれば、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ１の幅、および、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を変更した場合でも、例えば配線ＷＳなどの回路配線の配置を変更する必要がないので、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ１の幅、および、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅が変更された２種類の表示装置を容易に設計することができる。
【０１２３】
なお、額縁領域ＦＬＡ２のＹ軸方向における幅ＷＤ１を、例えば１ｍｍ程度とすることができる。さらに、額縁領域ＦＬＡ２のうち、スペーサＳＰ２（スクライブラインＬＮ１１）に対して表示領域ＤＰＡ側に配置された部分（額縁領域ＦＬＡ２１）のＹ軸方向における幅ＷＤ１１を、例えば０．５ｍｍ程度とすることができる。
【０１２４】
また、額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４のＸ軸方向における幅ＷＤ２を、例えば０．７ｍｍ程度とすることができる。また、額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４のうち、スペーサＳＰ２（スクライブラインＬＮ２１）に対して表示領域ＤＰＡ側に配置された部分（額縁領域ＦＬＡ３１およびＦＬＡ４１）のＸ軸方向における幅ＷＤ２１を、例えば０．５ｍｍ程度とすることができる。
【０１２５】
このような寸法の表示装置によれば、額縁領域ＦＬＡ２のＹ軸方向における幅ＷＤ１が１ｍｍ程度で、額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４のＸ軸方向における幅ＷＤ２が０．７ｍｍ程度の外形寸法と、額縁領域ＦＬＡ２のＹ軸方向における幅ＷＤ１が０．５ｍｍ程度で、額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４のＸ軸方向における幅ＷＤ２が０．５ｍｍ程度の外形寸法との２種類の表示装置を容易に製造することができる。この場合に、２種類の表示装置において、額縁領域ＦＬＡ１のＹ軸方向における幅の差異は、例えば０．４５ｍｍ程度とすることができる。
【０１２６】
＜表示装置の製造方法＞
次に、図１２〜図１８を参照し、表示装置の製造方法について説明する。図１２〜図１４は、実施の形態の表示装置の製造工程中の平面図である。図１３および図１４は、図１２に示す基板集合体ＳＧのうち、領域ＲＧ１１を拡大して示す。また、図１３は、マザー基板ＢＳＧおよびマザー基板ＢＳＧの主面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１などを示し、図１４は、マザー基板ＦＳＧおよびマザー基板ＦＳＧの主面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２などを示す。
【０１２７】
図１５および図１６は、実施の形態の表示装置の製造工程中の断面図である。図１５は、図１３および図１４のＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、図１６は、図１３および図１４のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。なお、図１３および図１４では、理解を簡単にするため、図１５および図１６に示した部分のうち、説明に必要な部分以外の部分の図示を省略している。また、図１５および図１６では、液晶層ＬＣＬ（図３参照）の図示を省略する。
【０１２８】
図１７および図１８は、図１２に示す基板集合体ＳＧのうち、領域ＲＧ１３を拡大して示す。また、図１７は、マザー基板ＢＳＧの主面ＢＳｆに形成されたアライメントマークＡＭ１１およびＡＭ２１などを示し、図１８は、マザー基板ＦＳＧの主面ＦＳｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２などを示す。
【０１２９】
まず、マザー基板ＢＳＧの製造について説明する。マザー基板ＢＳＧは、主面ＢＳｆの領域に、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ１が複数個形成される。図１２に示すように、複数の表示パネル形成領域ＡＲ１は、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。後述するシールＡＤＨを形成する工程を行った後、マザー基板ＢＳＧを複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に分断することにより、基板ＢＳが複数個形成される。つまり、マザー基板ＢＳＧが複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に分割されて個片化された基板が、基板ＢＳである。
【０１３０】
図１２に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ１の主面ＢＳｆは、表示領域ＤＰＡと、額縁領域ＦＬＡとしての額縁領域ＦＬＡ１、ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を含む。額縁領域ＦＬＡ１は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対してＹ軸方向における一方の側に配置されている。この表示パネル形成領域ＡＲ１の額縁領域ＦＬＡ１には、半導体チップＣＨＰやフレキシブル回路基板を接続するための複数の端子部が設けられる。額縁領域ＦＬＡ２は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ１と反対側に配置されている。額縁領域ＦＬＡ３は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向と交差、好適には直交するＸ軸方向における一方の側に配置されている。額縁領域ＦＬＡ４は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ３と反対側に配置されている。
【０１３１】
次に、複数の表示パネル形成領域ＡＲ１の各々に、複数の画素を設ける。この際、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１では、図１５および図１６に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ１の主面ＢＳｆ上に、配線ＷＧが形成され、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成される。なお、マザー基板ＢＳＧの主面ＢＳｆと、配線ＷＧおよび絶縁膜ＩＦ１と、の間に、絶縁膜ＩＦ０が形成されてもよい。
【０１３２】
また、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１において、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成され、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、保護膜または平坦化膜としての層間樹脂膜ＩＬ１が形成される。層間樹脂膜ＩＬ１には、層間樹脂膜ＩＬ１を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ１が形成され、開口部ＯＰ１の底部、開口部ＯＰ１の内壁、および、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が設けられる。また、開口部ＯＰ１の底部に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２には、絶縁膜ＩＦ２を貫通して絶縁膜ＩＦ１に達する開口部ＯＰ２が形成される。開口部ＯＰ２の底部、開口部ＯＰ１の内壁に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上、および、層間樹脂膜ＩＬ１上に形成された部分の絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成される。開口部ＯＰ１およびＯＰ２の底部および内壁上に形成された配向膜ＡＦ２の溝の部分は、スペーサＳＰ２１と対向する位置に有する複数の溝となる。
【０１３３】
なお、配線ＷＧを形成する際に、表示パネル形成領域ＡＲ１に、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列された複数の走査線ＧＬ（図４参照）を形成する。また、配線ＷＳを形成する際に、表示パネル形成領域ＡＲ１に、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列された複数の信号線ＳＬ（図４参照）を形成する。
【０１３４】
次に、マザー基板ＦＳＧの製造について説明する。マザー基板ＦＳＧは、主面ＦＳｂの領域に、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ２を複数個有する。図１２に示すように、表示パネル形成領域ＡＲ２は、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。後述するシールＡＤＨを形成する工程を行った後、マザー基板ＦＳＧを複数の表示パネル形成領域ＡＲ２の各々に分断することにより、基板ＦＳが複数個形成される。つまり、マザー基板ＦＳＧが複数の表示パネル形成領域ＡＲ２の各々に分割されて個片化された基板が、基板ＦＳである。
【０１３５】
次に、表示パネル形成領域ＡＲ１の主面ＢＳｆから突出したか、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の主面ＦＳｂから突出したスペーサＳＰ１およびＳＰ２を設ける。スペーサＳＰ１およびＳＰ２は、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧのいずれに形成されてもよいが、以下では、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が、マザー基板ＦＳＧに形成される例について説明する。
【０１３６】
図１５および図１６に示すように、額縁領域ＦＬＡ２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ４およびＦＬＡ１において、表示パネル形成領域ＡＲ２の主面ＦＳｂに、遮光膜ＢＭが形成され、遮光膜ＢＭ上には、カラーフィルタＣＦとして例えばＢ（青）のカラーフィルタ画素ＣＦｂが形成され、遮光膜ＢＭの基板ＢＳ側には、カラーフィルタＣＦを覆うように、樹脂層ＯＣ１が形成される。
【０１３７】
樹脂層ＯＣ１の基板ＢＳ側には、スペーサＳＰ１およびＳＰ２が形成される。なお、前述したように、スペーサＳＰ１の高さ寸法は、スペーサＳＰ２の高さ寸法よりも高く、スペーサＳＰ１の下面は、配向膜ＡＦ２と接触するが、スペーサＳＰ２の下面は、配向膜ＡＦ２と接触しない。また、スペーサＳＰ２１（スペーサＳＰ２）が、設けられる。スペーサＳＰ２１は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、スペーサＳＰ２１が平面視において額縁領域ＦＬＡ２内に配置されるように、設けられる。
【０１３８】
なお、スペーサＳＰ２１は、マザー基板ＢＳＧに設けられてもよい。このとき、スペーサＳＰ２１は、額縁領域ＦＬＡ２内に配置される。
【０１３９】
樹脂層ＯＣ１上には、配向膜ＡＦ１が形成される。前述したように、配向膜ＡＦ１は、例えばポリイミド樹脂からなる。
【０１４０】
次に、表示パネル形成領域ＡＲ１の主面ＢＳｆ、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の主面ＦＳｂに、シール材ＡＤＨ１を形成する。シール材ＡＤＨ１を形成する材料として、例えば紫外線硬化型の樹脂を、印刷や描画により塗布する。シール材ＡＤＨ１は、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧのいずれに形成されてもよいが、ここでは、シール材ＡＤＨ１が、マザー基板ＦＳＧに形成される例について説明する。
【０１４１】
次に、図１５および図１６に示すように、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する。マザー基板ＢＳＧの主面ＢＳｆと、マザー基板ＦＳＧの主面ＦＳｂとが対向した状態で、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する。この際、表示パネル形成領域ＡＲ２に形成されたスペーサＳＰ１が、表示パネル形成領域ＡＲ１に形成された配向膜ＡＦ２と接触することにより、表示パネル形成領域ＡＲ１と表示パネル形成領域ＡＲ２との間の間隔を保持することができる。
【０１４２】
次に、シール材ＡＤＨ１を硬化させることにより、硬化したシール材ＡＤＨ１からなる、接着部としてのシールＡＤＨを形成し、シールＡＤＨによりマザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを接着する。例えばシール材ＡＤＨ１に紫外線を照射してシール材を硬化させ、さらに熱硬化処理を施し、シール材を本硬化させる。これにより、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとがシールＡＤＨにより接着され（貼り合わされ）、マザー基板ＢＳＧと、シールＡＤＨによりマザー基板ＢＳＧと接着されたマザー基板ＦＳＧと、を有する基板（表示パネル）集合体ＳＧが形成される。この時点で各表示パネル内に液晶が封止されていても良いが、この後に液晶を注入するものであってもよい。
【０１４３】
この工程では、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に設けられた部分ＰＴ１と、額縁領域ＦＬＡ２内に設けられた部分ＰＴ２と、額縁領域ＦＬＡ３内に設けられた部分ＰＴ３と、額縁領域ＦＬＡ４内に設けられた部分ＰＴ４と、を含むシールＡＤＨを形成する。シールＡＤＨの部分ＰＴ２、ＰＴ３、ＰＴ４およびＰＴ１は、部分ＰＴ２１、ＰＴ３１、ＰＴ４１およびＰＴ１１と、部分ＰＴ２２、ＰＴ３２、ＰＴ４２およびＰＴ１２と、を含む。また、部分ＰＴ２１、ＰＴ３１、ＰＴ４１およびＰＴ１１を、スペーサＳＰ２１に対して一方の側、すなわち表示領域ＤＰＡ側に配置し、部分ＰＴ２２、ＰＴ３２、ＰＴ４２およびＰＴ１２を、スペーサＳＰ２１を挟んで部分ＰＴ２１、ＰＴ３１、ＰＴ４１およびＰＴ１１と反対側に配置する。なお、シールＡＤＨのうち、表示パネル形成領域ＡＲ１およびＡＲ２の外部に設けられた部分を、部分ＰＴ５と称する。また、Ｘ軸方向において、隣接する表示パネル形成領域ＡＲ１およびＡＲ２の間に設けられた部分を、部分ＰＴ６と称する。
【０１４４】
次に、基板集合体ＳＧを分断し、マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧの各々を分断することにより、表示パネル形成領域ＡＲ１からなる基板ＢＳと、表示パネル形成領域ＡＲ２からなり、シールＡＤＨにより基板ＢＳと接着された基板ＦＳと、を形成する。
【０１４５】
マザー基板ＢＳＧおよびＦＳＧの各々を分断して基板ＢＳおよびＦＳを形成する際に、表示領域ＤＰＡに対してＹ軸方向における両側（額縁領域ＦＬＡ２とＦＬＡ１）に設けられ、Ｘ軸方向に延在するスクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。このとき、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で規定する第１の大きさでスクライブするか、或いは、第１の大きさよりも大きい第２の大きさでスクライブするか、を決定することになる。スクライブラインＬＮ１１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ１２は、スクライブラインＬＮ１１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてシールＡＤＨが設けられていない領域ＲＬ１を通る。
【０１４６】
スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１１を用いる場合には、スペーサＳＰ２１上を切断することになる。切断後のスペーサＳＰ２１は、スクライブラインＬＮ１１に対して両側にそれぞれ配置された２つのスペーサＳＰ２２およびＳＰ２３となり、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に配置される。そのため、例えばスクライブ加工の際にマザー基板ＢＳＧまたはマザー基板ＦＳＧに加えられる力が、スペーサＳＰ２１によって、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称に分布することにより、マザー基板ＢＳＧまたはマザー基板ＦＳＧが割れるなどの悪影響をなくし、安全にスクライブ加工を行うことができる。
【０１４７】
一方、スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ１２を用いる場合には、平面視においてシールＡＤＨが形成されていない位置で分断されることを示している。シールＡＤＨの幅は、シール材を描画するディスペンサのサイズで一義的に決まるが、大きな額縁領域を必要とする場合は、このようにシールＡＤＨの形成外でスクライブラインを設定することになる。この場合は、図１５で示すように、スクライブラインＬＮ１２を２列並んで形成されたスペーサＳＰ２３の間に設定する。そのため、スクライブラインＬＮ１２を用いた場合でも、スペーサＳＰ２３がストッパとなることで、マザー基板ＢＳＧまたはマザー基板ＦＳＧが割れるなどの悪影響をなくし、容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１４８】
すなわち、スクライブラインＬＮ１として、スクライブラインＬＮ１１およびＬＮ１２のいずれを用いる場合でも、容易にスクライブ加工を行うことができる。したがって、基板ＢＳの、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。また、基板ＦＳにおいても、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。
【０１４９】
一方、表示領域ＤＰＡに対してＸ軸方向における両側（額縁領域ＦＬＡ３とＦＬＡ４）に設けられ、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２としても、同様に、スクライブラインＬＮ２１およびスクライブラインＬＮ２２からなる２種類のスクライブラインのいずれかを用いることができる。このとき、基板形成領域としての表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で規定する第１の大きさでスクライブするか、或いは、第１の大きさよりも大きい第２の大きさでスクライブするか、を決定することになる。スクライブラインＬＮ２１は、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。スクライブラインＬＮ２２は、スクライブラインＬＮ２１を挟んで表示領域ＤＰＡと反対側に設けられており、平面視においてスペーサＳＰ２１を通る。
【０１５０】
スクライブラインとして、スクライブラインＬＮ２１を用いる場合には、スペーサＳＰ２１のうちスクライブラインＬＮ２１に対して両側にそれぞれ配置された２つのスペーサＳＰ２４およびＳＰ２５が、スクライブラインＬＮ２１を中心として配置される。一方、スクライブラインＬＮ２２を用いる場合にも、スペーサＳＰ２１のうちスクライブラインＬＮ２２に対して両側にそれぞれ配置された２つのスペーサＳＰ２５およびＳＰ２６が、スクライブラインＬＮ２２を中心として配置される。そのため、例えばスクライブ加工の際にマザー基板ＢＳＧまたはマザー基板ＦＳＧに加えられる力が、スクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２を中心として対称に分布することにより、容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１５１】
すなわち、スクライブラインＬＮ２として、スクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２のいずれを用いる場合でも、同様に、容易にスクライブ加工を行うことができる。したがって、基板ＢＳの、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４側の側面ＳＳＢ３およびＳＳＢ４（図１２参照）の位置を、２つの位置の間で容易に変更することができるので、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。また、基板ＦＳの、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４側の側面ＳＳＦ３およびＳＳＦ４（図１２参照）の位置を、２つの位置の間で容易に変更することができるので、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を、２種類の幅の間で容易に変更することができる。
【０１５２】
したがって、本実施の形態では、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ１の幅、および、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅を変更することができる。このような場合、Ｙ軸方向における額縁領域ＦＬＡ２およびＦＬＡ１の幅、および、Ｘ軸方向における額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４の幅が異なる２種類の表示装置の各々を製造するために、各表示装置の製造工程でフォトリソグラフィ用としてそれぞれ用いられる複数のフォトマスクからなる組を、別々に用意する必要がない。
【０１５３】
好適には、スペーサＳＰ２１は、Ｘ軸方向に延在する。これにより、Ｘ軸方向におけるいずれの位置でも、スクライブラインＬＮ１１が平面視においてスペーサＳＰ２１と重なるため、Ｘ軸方向におけるいずれの位置でも、例えばスクライブ加工の最適な条件が同じになる。また、スペーサＳＰ２１が、スクライブラインＬＮ１１を挟んで両側に跨って配置されることにより、基板集合体ＳＧの剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ１１を中心として対称性を有する。したがって、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。スクライブラインＬＮ１１のスペーサＳＰ２１は、分断された島状のものがＸ軸方向に点在するものであってもよい。スペーサＳＰ２１は対向する基板に接していない構成となっているが、接していてもよい。また、スペーサＳＰ２１自体を設けない構成であってもよい。
【０１５４】
また、スクライブラインＬＮ１２を用いてスクライブ加工が行われる場合、好適には、基板ＢＳの主面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの主面ＦＳｂの端部ＦＢ２は、シールＡＤＨから露出する。シールＡＤＨが設けられている領域に比べ、シールＡＤＨが設けられていない領域の方が、スクライブ加工が容易な場合がある。このような場合には、基板ＢＳの主面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの主面ＦＳｂの端部ＦＢ２が、シールＡＤＨから露出していることにより、スクライブラインＬＮ１２において、容易にスクライブすることができる。
【０１５５】
このとき、さらに好適には、基板集合体ＳＧには、平面視において、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１で、スクライブラインＬＮ１２を挟んで両側に配置された２つのスペーサＳＰ２３（スペーサＳＰ２）が設けられていてもよい。２つのスペーサＳＰ２３が、スクライブラインＬＮ１２を挟んで両側に配置されることにより、基板集合体の剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ１２を中心として対称性を有する。したがって、スクライブラインＬＮ１２を用いてさらに容易にスクライブすることができる。
【０１５６】
ただし、スクライブラインＬＮ１２を内包する領域ＲＬ１で、シールＡＤＨが設けられていないことは必須ではなく、領域ＲＬ１でも、シールＡＤＨが設けられていてもよい。したがって、基板ＢＳの主面ＢＳｆの端部ＢＦ２、および、基板ＦＳの主面ＦＳｂの端部ＦＢ２が、シールＡＤＨにより覆われていてもよい。
【０１５７】
好適には、基板集合体ＳＧは、スペーサＳＰ２１としてのスペーサＳＰ２４、ＳＰ２５およびＳＰ２６を有する。スペーサＳＰ２４、ＳＰ２５およびＳＰ２６は、Ｙ軸方向に延在する。Ｙ軸方向におけるいずれの位置でも、スクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２が平面視においてスペーサＳＰ２１と重なる。これにより、Ｙ軸方向におけるいずれの位置でも、例えばスクライブ加工の最適な条件が同じになる。また、スペーサＳＰ２４およびＳＰ２５がスクライブラインＬＮ２１を挟んで両側に跨って配置され、スペーサＳＰ２５およびＳＰ２６がスクライブラインＬＮ２２を挟んで両側に跨って配置されることにより、基板集合体ＳＧの剛性または硬度の分布が、スクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２を中心として対称性を有する。したがって、さらに容易にスクライブ加工を行うことができる。
【０１５８】
好適には、基板集合体ＳＧは、アライメントマークＡＭ１を有する。アライメントマークＡＭ１は、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１またはマザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２に設けられる。また、アライメントマークＡＭ１は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、アライメントマークＡＭ１が、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と同じ位置に配置されるように、設けられる。すなわち、アライメントマークＡＭ１は、Ｙ軸方向において、スペーサＳＰ２１と重畳するように、設けられる。表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第１の大きさでスクライブする際は、アライメントマークＡＭ１近傍を切断することになる。また、表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第１の大きさでスクライブする際は、スペーサＳＰ２１に沿ってスクライブすることになる。図１３および図１４、および、図１７および図１８に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ１を、アライメントマークＡＭ１２と称する。
【０１５９】
Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１１は、平面視において、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を通る。これにより、アライメントマークＡＭ１１およびＡＭ１２を用いてスクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工を行うことができるので、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【０１６０】
好適には、基板集合体ＳＧは、アライメントマークＡＭ２を有する。アライメントマークＡＭ２は、マザー基板ＢＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ１またはマザー基板ＦＳＧの表示パネル形成領域ＡＲ２に設けられる。表示パネル形成領域ＡＲ１またはＡＲ２を、前述した第２の大きさでスクライブする際は、アライメントマークＡＭ１よりも複数の画素から離間したアライメントマークＡＭ２近傍を切断することになる。また、アライメントマークＡＭ２は、マザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを対向配置する際に、アライメントマークＡＭ２が、表示パネル形成領域ＡＲ１の主面ＢＳｆの端部ＢＦ２、または、表示パネル形成領域ＡＲ２の主面ＦＳｂの端部ＦＢ２と重なるように、設けられる。図１３および図１４、および、図１７および図１８に示すように、基板ＢＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２１と称し、基板ＦＳに形成されたアライメントマークＡＭ２を、アライメントマークＡＭ２２と称する。
【０１６１】
Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２は、平面視において、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を通る。これにより、アライメントマークＡＭ２１およびＡＭ２２を用いてスクライブラインＬＮ２１でスクライブ加工を行うことができるので、スクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【０１６２】
好適には、アライメントマークＡＭ１の形状と異なる形状を有するアライメントマークＡＭ２が設けられる。これにより、アライメントマークＡＭ１とアライメントマークＡＭ２とを誤認することを防止し、スクライブラインＬＮ１１およびスクライブラインＬＮ１２のうち、所望のスクライブラインを確実に選択してスクライブ加工を行うことができる。
【０１６３】
図１３および図１７に示すように、アライメントマークＡＭ２１には、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ１１と、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ２１とが形成され、アライメントマークＡＭ１１には、溝部は形成されていないが、Ｘ軸方向に突出する頂部ＴＰ１１と、Ｙ軸方向に突出する頂部ＴＰ２１とが形成されている。これにより、アライメントマークＡＭ２１の形状を、アライメントマークＡＭ１１の形状と異ならせることができる。
【０１６４】
また、平面視において、スクライブラインＬＮ１２が溝部ＴＲ１１を通るように配置し、スクライブラインＬＮ１１が頂部ＴＰ１１を通るように配置することができる。溝部ＴＲ１１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、頂部ＴＰ１１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。
【０１６５】
また、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２についても、同様に、スクライブラインＬＮ２２が溝部ＴＲ２１を通るように配置し、スクライブラインＬＮ２１が頂部ＴＰ２１を通るように配置することができる。溝部ＴＲ２１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、頂部ＴＰ２１が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。
【０１６６】
図１４および図１８に示すように、アライメントマークＡＭ２２には、例えば、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ１２と、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ２２とが形成され、アライメントマークＡＭ１２には、溝部は形成されていないが、Ｘ軸方向に突出する頂部ＴＰ１２と、Ｙ軸方向に突出する頂部ＴＰ２２とが形成されている。これにより、アライメントマークＡＭ２２の形状を、アライメントマークＡＭ１２の形状と異ならせることができる。
【０１６７】
また、平面視において、スクライブラインＬＮ１２が溝部ＴＲ１２を通るように配置し、スクライブラインＬＮ１１が頂部ＴＰ１２を通るように配置することができる。溝部ＴＲ１２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、頂部ＴＰ１２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ１１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。
【０１６８】
また、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２１およびＬＮ２２についても、同様に、スクライブラインＬＮ２２が溝部ＴＲ２２を通るように配置し、スクライブラインＬＮ２１が頂部ＴＰ２２を通るように配置することができる。溝部ＴＲ２２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２２でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。また、頂部ＴＰ２２が形成されることにより、スクライブラインＬＮ２１でスクライブ加工する際の位置精度を容易に向上させることができる。
【０１６９】
なお、アライメントマークＡＭ１およびＡＭ２を用いて形状精度よく位置合わせができればよく、アライメントマークＡＭ１およびＡＭ２の形状として、図１３および図１４、および、図１７および図１８に例示した形状以外の各種の形状を用いることができる。
【０１７０】
＜表示装置の変形例＞
図１９は、実施の形態および実施の形態の変形例の表示装置の製造工程中の平面図である。図１９において、（ａ）は実施の形態を示し、（ｂ）は実施の形態の変形例を示す。図１９（ａ）および（ｂ）は、図１８に示す基板集合体ＳＧのうち、マザー基板ＦＳＧのアライメントマークＡＭ２２ａおよびスクライブラインＬＮ１２ａの部分を示す。また、図１９（ａ）および（ｂ）は、アライメントマークＡＭ３およびＡＭ４などを示す。
【０１７１】
図１９（ａ）に示すように、本実施の形態では、マザー基板ＦＳＧには、アライメントマークＡＭ３が形成される。アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２２ａと間隔を空けて配置される。すなわち、アライメントマークＡＭ３は、Ｘ軸方向において、アライメントマークＡＭ２２ａと同じ位置に配置される。
【０１７２】
Ｘ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２ａは、平面視において、アライメントマークＡＭ２２ａおよびアライメントマークＡＭ３を通る。これにより、Ｘ軸方向に互いに間隔を空けて配置されたアライメントマークＡＭ２２ａおよびＡＭ３を用いてスクライブラインＬＮ１２ａでスクライブ加工を行うことができるので、アライメントマークＡＭ２２ａのみが設けられている場合に比べ、スクライブ加工の位置精度をさらに向上させることができる。
【０１７３】
好適には、アライメントマークＡＭ３は、アライメントマークＡＭ２２ａの形状と異なる形状を有する。これにより、スクライブラインＬＮ１２ａでスクライブ加工を行う際に、アライメントマークＡＭ３がアライメントマークＡＭ２２ａとして誤認されることを防止または抑制することができる。なお、このとき、アライメントマークＡＭ３がアライメントマークＡＭ１２およびＡＭ２２として誤認されることも防止または抑制することができる。
【０１７４】
アライメントマークＡＭ３は、マザー基板ＦＳＧをＸ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２ａで切断する際に、切断寸法を目視判定するためのマークとして使用される。すなわち、基板集合体ＳＧを第１の大きさで分断するために、Ｙ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２１で切断した際には、アライメントマークＡＭ２２ａの主要部分が残らないため、この代わりにアライメントマークＡＭ３を用いて、マザー基板ＦＳＧをＸ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２ａで切断する際の切断寸法を目視判定する。
【０１７５】
この切断寸法の目視判定は、図１９（ｂ）に示すような変形例でも可能である。図１９（ｂ）に示すように、本変形例では、アライメントマークＡＭ３がない代わりに、アライメントマークＡＭ２２ａの大きさを工夫している。アライメントマークＡＭ２２ａは、例えば、寸法を大きくして、Ｘ軸方向に延在する溝部ＴＲ１２の長さと、Ｙ軸方向に延在する溝部ＴＲ２２の長さとを長くする。図１９（ｂ）では、図１９（ａ）と比較して、溝部ＴＲ１２の長さをＬＸからＬＸａに長くし、溝部ＴＲ２２の長さをＬＹからＬＹａに長くしている。これにより、基板集合体ＳＧをＹ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ２１で切断した際にも、アライメントマークＡＭ２２ａの主要部分が残るため、このアライメントマークＡＭ２２ａを用いて、マザー基板ＦＳＧをＸ軸方向に延在するスクライブラインＬＮ１２ａで切断する際の切断寸法を目視判定することができる。
【０１７６】
なお、本実施の形態および本変形例においては、図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示すアライメントマークＡＭ４は、基板集合体ＳＧのマザー基板ＢＳＧとマザー基板ＦＳＧとを重ね合わせる際に、この重ね合わせの位置ずれを調整するためのマークとして使用される。
【０１７７】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１７８】
例えば、前記実施の形態においては、開示例として、少なくとも、上額縁領域、左額縁領域および右額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置を１種類のフォトマスクを用いて製造可能な場合を例示したが、その他の適用例として、少なくとも、上額縁領域、左額縁領域および右額縁領域の幅が異なる３種類以上の表示装置を１種類のフォトマスクを用いて製造可能な場合にも適用可能である。好適には、上額縁領域、左額縁領域、右額縁領域および下額縁領域の幅が異なる２種類の表示装置、さらには３種類以上の表示装置を１種類のフォトマスクを用いて製造可能な場合にも適用可能である。
【０１７９】
また、前記実施の形態では、それぞれの基板は四角形（矩形）であるが、多角形、円形、楕円形、或いは、多角形のいくつかの辺が弧を描いている形状であってもよい。例えば、円形のパネルと、円形の一部が直線となったパネルとを、本願発明により、１種類のマスクで形成することが可能となる。
【０１８０】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０１８１】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１８２】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８３】
ＡＤＨ  シール
ＡＤＨ１  シール材
ＡＦ１、ＡＦ２  配向膜
ＡＭ１、ＡＭ１１、ＡＭ１２、ＡＭ２、ＡＭ２１、ＡＭ２１ａ、ＡＭ２２、ＡＭ２２ａ、ＡＭ３、ＡＭ４  アライメントマーク
ＡＲ１、ＡＲ２  表示パネル形成領域
ＢＦ１、ＢＦ２、ＢＦ３  端部
ＢＭ  遮光膜
ＢＳ、ＦＳ  基板
ＢＳｂ、ＦＳｆ  背面
ＢＳｆ、ＦＳｂ  主面
ＢＳＧ、ＦＳＧ  マザー基板
ＢＳｓ１〜ＢＳｓ４  辺
ＣＣ  駆動回路
ＣＥ  共通電極
ＣＦ  カラーフィルタ
ＣＦｂ、ＣＦｇ、ＣＦｒ  カラーフィルタ画素
ＣＧ  走査線駆動回路
ＣＨＰ  半導体チップ
Ｃｌｃ  容量
ＣＭ  共通電極駆動回路
ＣＳ  映像線駆動回路
ＣＴＬ  制御回路
ＤＰ  表示部
ＤＰＡ  表示領域
ＦＢ１、ＦＢ２、ＦＢ３  端部
ＦＬ  額縁部
ＦＬＡ、ＦＬＡ１、ＦＬＡ１１、ＦＬＡ１２、ＦＬＡ２、ＦＬＡ２１、ＦＬＡ２２、ＦＬＡ３、ＦＬＡ３１、ＦＬＡ３２、ＦＬＡ４、ＦＬＡ４１、ＦＬＡ４２  額縁領域
ＧＬ  走査線
ＩＦ０、ＩＦ１、ＩＦ２  絶縁膜
ＩＬ１  層間樹脂膜
ＬＣＤ１  表示装置
ＬＣＬ  液晶層
ＬＮ１、ＬＮ１１、ＬＮ１２、ＬＮ１２ａ、ＬＮ２、ＬＮ２１、ＬＮ２２  スクライブライン
ＬＳ  バックライト
ＯＣ１  樹脂層
ＯＣ２  絶縁層
ＯＰ１、ＯＰ２  開口部
ＰＤＡ  表示領域
ＰＥ  画素電極
Ｐｉｘ  画素
ＰＬ１、ＰＬ２  偏光板
ＰＴ１、ＰＴ１１、ＰＴ１２、ＰＴ２、ＰＴ２１、ＰＴ２２、ＰＴ３、ＰＴ３１、ＰＴ３２、ＰＴ４、ＰＴ５、ＰＴ６  部分
ＲＧ１〜ＲＧ４、ＲＧ１１、ＲＧ１３、ＲＬ１  領域
Ｓ１〜Ｓ５  シール材
ＳＤ  ダミーパターン
ＳＧ  基板集合体
ＳＨＥ  シールド電極
ＳＬ  信号線
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ２１〜ＳＰ２６  スペーサ
ＳＰｉｘ  副画素
ＳＳＢ１〜ＳＳＢ４、ＳＳＦ１〜ＳＳＦ４  側面
ＴＰ１１、ＴＰ１２、ＴＰ２１、ＴＰ２２  頂部
ＴＲ１１、ＴＲ１２、ＴＲ２１、ＴＲ２２  溝部
Ｔｒｄ  トランジスタ
ＷＤ１、ＷＤ１１、ＷＤ２、ＷＤ２１  幅
ＷＧ、ＷＳ  配線
【図１】
2018146865.tif 000003
【図２】
2018146865.tif 000004
【図３】
2018146865.tif 000005
【図４】
2018146865.tif 000006
【図５】
2018146865.tif 000007
【図６】
2018146865.tif 000008
【図７】
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【図８】
2018146865.tif 000010
【図９】
2018146865.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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