(57)【要約】【課題】色むらの少ない表示装置を提供する。【解決手段】ゲート線１１１の並び方向であるＹ方向に隣り合う複数種類の副画素ＳＰＸによって一つの画素が構成される。第二の基板には、Ｙ方向に延びる複数の第一の遮光部ＢＭ１と、Ｘ方向に延びる複数の第二の遮光部ＢＭ２と、を有する金属製の遮光層ＢＭが設けられる。第一の基板において複数の第一の遮光部ＢＭ１と重畳する位置には、複数の副画素ＳＰＸにそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタ１３０が設けられる。薄膜トランジスタ１３０は、アモルファスシリコンからなる半導体層１２２を有する。遮光層ＢＭと液晶層との間には、Ｙ方向に延びる複数のストライプ状の赤色透過層ＲＴが、複数の第一の遮光部ＢＭ１とそれぞれ重畳する位置に設けられている。【選択図】図２
2018021973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、
前記第一の基板と対向配置された第二の基板と、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置された縦電界型の液晶層と、を有し、
前記第一の基板には、第一の方向に並ぶ複数のゲート線と、前記第一の方向と交差する第二の方向に並ぶ複数のソース線と、が設けられ、
前記複数のゲート線と前記複数のソース線との各交差部に対応して複数の副画素が設けられ、
前記第一の方向には、互いに異なる色を表示する複数種類の前記副画素が交互に配置され、
前記第一の方向に隣り合う前記複数種類の副画素によって一つの画素が構成され、
前記第二の基板には、前記第一の方向に延びる複数の第一の遮光部と、前記第二の方向に延びる複数の第二の遮光部と、を有する金属製の遮光層が設けられ、
前記第一の基板の前記複数の第一の遮光部と重畳する位置には、前記複数の副画素にそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンからなる半導体層を有し、
前記遮光層と前記液晶層との間には、前記第一の方向に延びる複数のストライプ状の赤色透過層が、前記複数の第一の遮光部とそれぞれ重畳する位置に設けられている
表示装置。
【請求項２】
前記半導体層は、前記赤色透過層からはみ出さないように設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第一の基板には、前記第一の方向に並ぶ複数の容量線が設けられ、
前記複数のゲート線と前記複数の容量線は前記第一の方向に交互に配置され、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート線から、前記ゲート線の一方側に配置された前記容量線に向けて分岐したゲート電極と、前記ゲート線を跨いで前記ゲート線の前記一方側から他方側に延び、前記ゲート線の前記他方側に配置された前記容量線と重畳するドレイン電極と、を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記半導体層は、前記ゲート線および前記ゲート電極からはみ出さないように設けられている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数種類の副画素には、互いに異なる色のカラーフィルターが設けられ、
各カラーフィルターは、複数の副画素に跨って、前記第一の方向と直交する第二の方向に延びており、
前記赤色透過層は、前記複数種類のカラーフィルターのうちの少なくとも一種類の前記カラーフィルターと重畳して配置されている
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一画素を構成する三つの副画素がソース線に沿って配置された表示装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この種の表示装置では、三つの副画素がゲート線に沿って並ぶ通常の機種に比べてソース線の本数が１／３となる。そのため、ソースドライバが簡素化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２７２２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の表示装置では、通常の機種に比べてゲート信号の書き込み時間が１／３となる。そのため、書き込み不足を解消するために、通常の機種に比べて薄膜トランジスタのチャネル部が大きくなっている。しかし、この構造では、光リークが発生しやすい。特に、チャネル部がアモルファスシリコンで形成され、対向基板側の遮光層（ブラックマトリクス）がクロムなどの金属で形成された縦電界型の表示装置では、光リークが大きくなる。例えば、高温環境下での通電試験（信頼性試験）を行った場合には、画像が赤っぽくなる「赤むら」と呼ばれる色むらが発生することがある。
【０００５】
本発明の目的は、色むらの少ない表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る表示装置は、第一の基板と、前記第一の基板と対向配置された第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置された縦電界型の液晶層と、を有し、前記第一の基板には、第一の方向に並ぶ複数のゲート線と、前記第一の方向と交差する第二の方向に並ぶ複数のソース線と、が設けられ、前記複数のゲート線と前記複数のソース線との各交差部に対応して複数の副画素が設けられ、前記第一の方向には、互いに異なる色を表示する複数種類の前記副画素が交互に配置され、前記第一の方向に隣り合う前記複数種類の副画素によって一つの画素が構成され、前記第二の基板には、前記第一の方向に延びる複数の第一の遮光部と、前記第二の方向に延びる複数の第二の遮光部と、を有する金属製の遮光層が設けられ、前記第一の基板の前記複数の第一の遮光部と重畳する位置には、前記複数の副画素にそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタが設けられ、前記薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンからなる半導体層を有し、前記遮光層と前記液晶層との間には、前記第一の方向に延びる複数のストライプ状の赤色透過層が、前記複数の第一の遮光部とそれぞれ重畳する位置に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第一の実施形態に係る表示装置の画素構造を示す平面図である。
【図２】図２は、副画素の境界部を示す拡大平面図である。
【図３】図３は、赤色層の構成を示す平面図である。
【図４】図４は、図１のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図１のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。
【図６】図６は、アモルファスシリコンの分光感度を示す図である。
【図７】図７は、カラーフィルターの透過率の波長依存性を示す図である。
【図８】図８は、照明光のスペクトルを示す図である。
【図９】図９は、第二の実施形態に係る表示装置のカラーフィルター層の構成を示す平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＣ−Ｃ′線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
［第一の実施形態］
図１は、第一の実施形態に係る表示装置１の画素構造を示す平面図である。図２は、副画素ＳＰＸの境界部を示す拡大平面図である。図３は、赤色層の構成を示す平面図である。図４は、図１のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。図５は、図１のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。以下、表示装置１の構成をＸＹＺ直交座標系を用いて説明する。Ｚ方向は、液晶層３００の層厚方向である。
【００１０】
図４および図５に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、バックライト２０と、を有する。表示パネル１０は、第一の基板１００と、第二の基板２００と、液晶層３００と、を有する。第二の基板２００は、第一の基板１００と対向配置されている。液晶層３００は、第一の基板１００と第二の基板２００との間に配置されている。液晶層３００は、第一の基板１００と第二の基板２００との間に発生する電界（縦電界）によって液晶分子の配向が制御される縦電界型の液晶層である。本実施形態では、液晶層３００として、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶層が用いられている。第一の基板１００と第二の基板２００との間隔は、スペーサー３１０によって保持されている。
【００１１】
第一の基板１００は、第一の基材１１０と、回路層１５０と、複数の画素電極１２５と、第一の配向膜１２６と、を有する。第一の基材１１０は、ガラスなどの透明部材で形成されている。回路層１５０は、複数の画素電極１２５に画像信号を供給するための複数のゲート線１１１（図１参照）、複数のソース線１１２、複数の容量線１１３および薄膜トランジスタ１３０などを含む。薄膜トランジスタ１３０は、アモルファスシリコンからなる半導体層１２２（図２参照）を有する。画素電極１２５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で形成されている。第一の配向膜１２６は、ポリイミドなどの樹脂膜によって形成されている。第一の配向膜１２６には、ラビング処理などの配向処理が施されている。
【００１２】
第二の基板２００は、第二の基材２１０と、カラーフィルター層２１１と、共通電極２１２と、第二の配向膜２１３と、を有する。第二の基材２１０は、ガラスなどの透明部材で形成されている。カラーフィルター層２１１には、遮光層ＢＭと、複数のカラーフィルターＣＦと、赤色透過層ＲＴと、が設けられている。第二の配向膜２１３は、ポリイミドなどの樹脂膜によって形成されている。第二の配向膜２１３には、ラビング処理などの配向処理が施されている。
【００１３】
遮光層ＢＭは、クロムなどによって形成された金属製の遮光層である。遮光層ＢＭは、部分的に酸化されていてもよい。例えば、本実施形態では、遮光層ＢＭの第一の基板１００側の第一の面はクロムで構成されている。遮光層ＢＭの第一の基板１００側とは反対側の第二の面（第二の基材２１０側の面）は、酸化クロムで構成されている。第一の面は第二の面よりも光の反射率が大きい。金属製の遮光層ＢＭは、樹脂製の遮光層に比べて厚みが薄い。遮光層ＢＭの厚みは、例えば、０．１μｍ程度である。そのため、共通電極２１２の表面には、遮光層ＢＭに起因した段差が生じにくい。
【００１４】
カラーフィルター層２１１は、互いに異なる色の光を透過する複数種類のカラーフィルターＣＦを有する。例えば、本実施形態では、複数種類のカラーフィルターＣＦとして、赤色の光を透過する赤色カラーフィルターＣＦｒと、緑色の光を透過する緑色カラーフィルターＣＦｇと、青色の光を透過する青色カラーフィルターＣＦｂと、が設けられている。
【００１５】
赤色透過層ＲＴは、バックライト２０から照射された白色の照明光Ｌ０を半導体層１２２に吸収されにくい赤色の光に変換する色変換層である。赤色透過層ＲＴは、半導体層１２２に吸収されやすい青色および緑色の光を吸収し、半導体層１２２に吸収されにくい赤色の光を透過する。赤色透過層ＲＴは、例えば、赤色カラーフィルターＣＦｒと同じ材料で同一層内に一体に形成されている。赤色透過層ＲＴは、Ｙ方向にストライプ状に設けられている。同一色のカラーフィルターＣＦは、赤色透過層ＲＴを挟んでＸ方向に隣り合うように配置されている。
【００１６】
図３に示すように、第二の基板２００には、赤色透過層ＲＴと赤色カラーフィルターＣＦｒとが格子状に設けられている。赤色透過層ＲＴと赤色カラーフィルターＣＦｒとにより、格子状の赤色層ＲＬが形成されている。赤色層ＲＬによって区画された個々の単位領域ＵＡには、図に示した緑色カラーフィルターＣＦｇおよび青色カラーフィルターＣＦｂが配置されている。
【００１７】
図１および図２に示すように、第一の基板１００には、複数のゲート線１１１と、複数のソース線１１２と、複数の容量線１１３と、が設けられている。ゲート線１１１は、薄膜トランジスタ１３０にゲート信号を供給する。ソース線１１２は、薄膜トランジスタ１３０に、画像信号を供給する。複数のゲート線１１１は、Ｙ方向（第一の方向）に並んで配置されている。複数のソース線１１２は、Ｘ方向（第二の方向）に並んで配置されている。複数の容量線１１３は、Ｙ方向（第一の方向）に並んで配置されている。複数のゲート線１１１と複数の容量線１１３はＹ方向に交互に配置されている。
【００１８】
複数のゲート線１１１と複数のソース線１１２との各交差部に対応して複数の副画素ＳＰＸが設けられている。各副画素ＳＰＸには、複数のカラーフィルターＣＦのうちのいずれか一色のカラーフィルターＣＦが配置されている。各副画素ＳＰＸには、画素電極１２５が設けられている。画素電極１２５は、薄膜トランジスタ１３０を介してゲート線１１１およびソース線１１２と電気的に接続されている。
【００１９】
Ｙ方向には、互いに異なる色を表示する複数種類の副画素ＳＰＸが交互に配置されている。副画素ＳＰＸは、Ｘ方向に長い矩形形状を有する。Ｙ方向に隣り合う複数種類の副画素ＳＰＸによって一つの画素ＰＸが構成されている。例えば、本実施形態では、複数種類の副画素ＳＰＸとして、赤色の表示を行う赤色副画素ＳＰＸｒと、緑色の表示を行う緑色副画素ＳＰＸｇと、青色の表示を行う青色副画素ＳＰＸｂと、が設けられている。一つの画素ＰＸを構成する三つの副画素ＳＰＸがソース線１１２に沿って並ぶことにより、ソースドライバが簡素化されている。
【００２０】
第二の基板２００には、金属製の遮光層ＢＭが設けられている。遮光層ＢＭは、複数の副画素ＳＰＸの境界部に沿って格子状に設けられている。遮光層ＢＭは、Ｙ方向に延びる複数の第一の遮光部ＢＭ１と、Ｘ方向に延びる複数の第二の遮光部ＢＭ２と、を有する。第一の基板１００の複数の第一の遮光部ＢＭ１と重畳する位置には、複数の副画素ＳＰＸにそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタ１３０が設けられている。
【００２１】
遮光層ＢＭと液晶層３００（図４参照）との間には、Ｙ方向に延びる複数のストライプ状の赤色透過層ＲＴが、複数の第一の遮光部ＢＭ１とそれぞれ重畳する位置に設けられている。赤色透過層ＲＴは、遮光層ＢＭからはみ出さないように設けられている。赤色透過層ＲＴは、緑色カラーフィルターＣＦｇおよび青色カラーフィルターＣＦｂのＸ方向の端部と重畳している。図２において符号Ｗ１およびＷ２は、緑色カラーフィルターＣＦｇと赤色透過層ＲＴとの重畳部のＸ方向の幅を示している。例えば、幅Ｗ１および幅Ｗ２は、それぞれ４μｍである。青色カラーフィルターＣＦｂと赤色透過層ＲＴとの重畳部のＸ方向の幅も同様である。
【００２２】
薄膜トランジスタ１３０は、ゲート電極１２１と、半導体層１２２と、ソース電極１２３と、ドレイン電極１２４と、を有する。ゲート電極１２１は、ゲート線１１１から、ゲート線１１１の一方側（例えば、−Ｙ側）に配置された容量線１１３に向けて分岐している。半導体層１２２は、ゲート線１１１およびゲート電極１２１が形成された領域内に部分的に設けられている。半導体層１２２は、ゲート線１１１およびゲート電極１２１からはみ出さないように設けられている。半導体層１２２は、赤色透過層ＲＴからはみ出さないように設けられている。
【００２３】
ソース電極１２３は、ソース線１１２から分岐した分岐部１２３ｂと、分岐部１２３ｂの先端に設けられたＵ字状の湾曲部１２３ａと、を有する。分岐部１２３ｂは、ゲート線１１１と、ゲート線１１１の一方側に配置された容量線１１３との間に位置するソース線１１２からゲート電極１２１に向けてＬ字状に分岐している。湾曲部１２３ａは、開放部がゲート線１１１と対向するように半導体層１２２の縁に沿ってＵ字状に設けられている。
【００２４】
ドレイン電極１２４は、ゲート線１１１を跨いでゲート線１１１の一方側から他方側（例えば、＋Ｙ側）に延び、ゲート線１１１の他方側に配置された容量線１１３と重畳する。ドレイン電極１２４は、ゲート線１１１を跨いでＹ方向に延びる第一の直線部１２４ａと、第一の直線部１２４ａからＸ方向に屈曲して容量線１１３と重畳する第二の直線部１２４ｂと、第二の直線部１２４ｂから画素電極１２５（図４参照）に向けてＹ方向に分岐した分岐部１２４ｃと、を有する。
【００２５】
第一の直線部１２４ａは、湾曲部１２３ａとの間に一定の隙間をあけた状態で、湾曲部１２３ａによってＵ字状に囲まれた領域に挿入されている。第二の直線部１２４ｂは、図示略の絶縁層を介して容量線１１３と電気的に絶縁されている。容量線１１３と第二の直線部１２４ｂとが重畳する部分が容量部１６０である。分岐部１２４ｃは、画素電極１２５と部分的に重畳する。分岐部１２４ｃと画素電極１２５との重畳部において、分岐部１２４ｃと画素電極１２５とが電気的に接続されている。薄膜トランジスタ１３０が上述のように構成されることで、副画素間の狭い空間を効率よく使って、大きな薄膜トランジスタを形成することができる。
【００２６】
各副画素ＳＰＸの半導体層１２２と画素電極１２５は、ゲート線１１１の一方側と他方側に分離して配置されている。これにより、赤色副画素ＳＰＸｒの薄膜トランジスタ１３０の半導体層１２２は、緑色副画素ＳＰＸｇの画素電極１２５とＸ方向において隣り合う位置に配置されている。緑色副画素ＳＰＸｇの薄膜トランジスタ１３０の半導体層１２２は、青色副画素ＳＰＸｂの画素電極１２５とＸ方向において隣り合う位置に配置されている。青色副画素ＳＰＸｂの薄膜トランジスタ１３０の半導体層１２２は、赤色副画素ＳＰＸｒの画素電極１２５とＸ方向において隣り合う位置に配置されている。
【００２７】
以下、図４ないし図８を用いて表示装置１の作用を説明する。図６は、アモルファスシリコンの分光感度を示す図である。図７は、カラーフィルターの透過率の波長依存性を示す図である。図８は、照明光Ｌ０のスペクトルを示す図である。図４および図５において、符号Ｌ１ないしＬ６は、カラーフィルター層２１１によって反射された照明光Ｌ０のうち波長が５２０ｎｍの緑色の光の光量を示す。
【００２８】
図６に示すように、アモルファスシリコンの分光感度は、５２０ｎｍ付近で最大になる。アモルファスシリコンは、緑色の光に対する感度が大きく、赤色の光および青色の光に対する感度が小さい。吸収エネルギーは緑色の波長領域が大きく、青色および赤色の波長領域では、吸収エネルギーは小さい。図８に示すように、照明光Ｌ０の明るさは、波長が４５０ｎｍと５５０ｎｍにおいて極大値をとる。よって、緑色の光がアモルファスシリコンの光リークに最も大きく影響する。
【００２９】
図７に示すように、赤色カラーフィルターＣＦｒおよび青色カラーフィルターＣＦｂは、アモリファスシリコンの感度が大きい５２０ｎｍ付近の波長領域の透過率が小さい。緑色カラーフィルターＣＦｇは、５２０ｎｍ付近の波長領域の透過率が大きい。よって、アモルファスシリコンは、緑色カラーフィルターＣＦｇを透過した照明光Ｌ０を最も吸収しやすい。赤色カラーフィルターＣＦｒおよび青色カラーフィルターＣＦｂを透過した照明光Ｌ０は、ほとんどアモルファスシリコンに吸収されない。
【００３０】
図４に示すように、画素ＰＸの中央部では、カラーフィルター層２１１によって反射された緑色の光の明るさは、緑色副画素ＳＰＸｇで最も大きく、赤色副画素ＳＰＸｒで最も小さい。一方、図５に示すように、画素ＰＸの境界部では、カラーフィルターＣＦの代わりに赤色透過層ＲＴが遮光層ＢＭの上に配置されるので、カラーフィルター層２１１によって反射された緑色の光の明るさは、全ての副画素ＳＰＸにおいて互いに等しい。赤色透過層ＲＴは、光リークに影響する緑色の光を吸収するので、光リークが抑制される。
【００３１】
以上のように、本実施形態の表示装置１では、第二の基板２００の薄膜トランジスタ１３０と重畳する位置に、表示色の異なる複数種類の副画素ＳＰＸの並び方向に沿って、ストライプ状の赤色透過層ＲＴが設けられている。赤色透過層ＲＴは、アモルファスシリコンの感度の高い波長領域の光（緑色の光）を吸収するため、光リークの大きさが、全ての副画素ＳＰＸにおいて小さくなる。また、光リークの大きさは、全ての副画素ＳＰＸで均一化されるため、色むらも生じにくい。よって、高画質な表示装置１が提供される。
【００３２】
前述のように、カラーフィルター層２１１上に共通電極２１２が配置される縦電界型の表示装置１では、共通電極２１２の断線を抑制するために、遮光層ＢＭの厚みは薄いほうがよい。そのため、遮光層ＢＭには、クロムなどの金属製の遮光層が用いられる。カラーフィルターＣＦと共通電極２１２との間にオーバーコート層（平坦化層）を設ければ、遮光層ＢＭを樹脂で形成した場合でも、共通電極２１２の断線は抑制される。しかし、この構成では、高温環境下でオーバーコート層からガスが発生し、共通電極２１２がダメージを受ける可能性がある。また、オーバーコート層を設けることにより、コストが増大する。
【００３３】
そのため、本実施形態では、遮光層ＢＭを金属で形成している。しかし、この構成では、遮光層ＢＭの反射率が大きくなるため、遮光層ＢＭでの反射光によって、薄膜トランジスタ１３０に光リークが生じやすい。特に、赤色副画素ＳＰＸｒでは、半導体層１２２がゲート線１１１を挟んで緑色副画素ＳＰＸｇ側に配置されるため、緑色の光が入射しやすい。そのため、赤色副画素ＳＰＸｒの薄膜トランジスタ１３０の光リークが顕著になり、画像が赤っぽくなる。そのため、本実施形態では、赤色透過層ＲＴによって、薄膜トランジスタ１３０の光リークを引き起こしやすい波長の光を選択的に吸収している。この構成では、色むらが少なく、信頼性に優れた表示装置１を低コストで提供することができる。
【００３４】
［第二の実施形態］
図９は、第二の実施形態に係る表示装置２のカラーフィルター層２１１の構成を示す平面図である。図１０は、図１のＣ−Ｃ′線に沿う断面図である。本実施形態において第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
本実施形態において第一の実施形態と異なる点は、各カラーフィルターＣＦが、複数の副画素ＳＰＸに跨って、Ｘ方向にストライプ状に延びている点である。赤色透過層ＲＴは、複数種類のカラーフィルターＣＦのうちの少なくとも一種類のカラーフィルターＣＦと重畳して配置されている。本実施形態では、例えば、赤色透過層ＲＴは、緑色カラーフィルターＣＦｇと青色カラーフィルターＣＦｂと重畳して配置されている。
【００３６】
この構成では、赤色透過層ＲＴとカラーフィルターＣＦとが積層された部分においてバックライト２０からの光がより吸収される。よって、光リークがより抑制される。
【００３７】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した発明を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての発明も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の技術的範囲に属する。
【００３８】
例えば、上記の実施形態では、一つの画素ＰＸを構成する副画素ＳＰＸの数を三つとしたが、副画素ＳＰＸの数はこれに限られない。二つまたは四つ以上の副画素ＳＰＸによって一つの画素ＰＸが構成されてもよい。
【００３９】
また、上記の実施形態では、一つの画素ＰＸが、赤色副画素ＳＰＸｒ、緑色副画素ＳＰＸｇおよび青色副画素ＳＰＸｂの三つの副画素ＳＰＸによって構成されたが、一つの画素ＰＸを構成する副画素ＳＰＸの数はこれに限られない。二つまたは四つ以上の副画素ＳＰＸによって一つの画素ＰＸが構成されてもよい。また、副画素ＳＰＸが表示する色も、赤色、緑色および青色に限られない。
【００４０】
また、上記の実施形態では、液晶層３００として、ＴＮ型の液晶層が用いられたが、液晶層３００の構成はこれに限られない。例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型などのＴＮ型以外の縦電界型の液晶層３００が用いられてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１  表示装置
１００  第一の基板
１１１  ゲート線
１１２  ソース線
１１３  容量線
１２１  ゲート電極
１２２  半導体層
１２４  ドレイン電極
１３０  薄膜トランジスタ
２００  第二の基板
３００  液晶層
ＢＭ  遮光層
ＢＭ１  第一の遮光部
ＢＭ２  第二の遮光部
ＰＸ  画素
ＲＴ  赤色透過層
ＳＰＸ  副画素
【図１】
2018021973.tif 000003
【図２】
2018021973.tif 000004
【図３】
2018021973.tif 000005
【図４】
2018021973.tif 000006
【図５】
2018021973.tif 000007
【図６】
2018021973.tif 000008
【図７】
2018021973.tif 000009
【図８】
2018021973.tif 000010
【図９】
2018021973.tif 000011
【図１０】
2018021973.tif 000012