(57)【要約】【課題】窒化物半導体層に対してドライエッチングにより形成された変質層を効率的に除去できる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。また、該製造方法により製造された窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体素子用基板は、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層を備え、該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層の表面をＸＰＳで測定したＡｌ含有量（ＭＡ）とＧａ含有量（ＭＧ）との比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５であることを特徴とする。また、本発明に係るＡｌＧａＮ層のエッチング方法は、ドライエッチングした後にウエットエッチングを行うことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層を備え、
該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層の表面をＸＰＳで測定したＡｌ含有量（ＭＡ）とＧａ含有量（ＭＧ）との比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５である、半導体素子用基板。
【請求項２】
蛍光Ｘ線で測定したＡｌ  ｌｏｓｓの比率が５％以上である、ＡｌＧａＮ層のエッチング方法。
【請求項３】
ドライエッチングした後にウエットエッチングを行うことを特徴とするＡｌＧａＮ層のエッチング方法。
【請求項４】
水に接触させた後に、酸またはアルカリ性水溶液に接触させることを特徴とするＡｌＧａＮ層のエッチング方法。
【請求項５】
ｐＨ調整剤として、硫酸、フッ酸、アンモニアから選ばれる少なくとも一種を含有するＡｌＧａＮ層のエッチング液。
【請求項６】
さらに酸化剤を含む、請求項５に記載のＡｌＧａＮ層のエッチング液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子用基板、エッチング方法、及びエッチング液に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）（以下、単に「ＡｌＧａＮ」ともいう。）で表される窒化物半導体素子を用いた電子デバイスは、高い破壊電解強度と二次元電子ガスチャネルの高い移動度から、モータ駆動や電源回路に用いるパワー半導体デバイスとして期待されている。
【０００３】
このような窒化物半導体素子を製造する場合、その素子を形成するために、窒化物系化合物半導体層をエッチングにより加工することが多い。一般に、エッチングには、ウエットエッチングとドライエッチングがあるが、窒化物半導体層は物理的・化学的に安定なため、この半導体層に対してウエットエッチングを行うことは困難である。そのため、従来、窒化物半導体素子を製造する場合には、Ｃｌ２やＨＣｌなどの反応性ガス雰囲気下やプラズマ雰囲気下においてエッチングを行うドライエッチングが使用される（例えば特許文献１〜２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−１７８０３号公報
【特許文献２】特開２０００−２３２０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、窒化物半導体層に対してドライエッチングを行うと、窒化物半導体層の表面がダメージを受けて、変質層が形成されるという問題があった。この変質層は、結晶構造の欠陥部である。この変質層の電気的特性及びバンドギャップなどの光学的特性は、内部の窒化物半導体層の電気的特性及び光学的特性とは異なる挙動を示す。そのため、窒化物半導体層に対してドライエッチングにより形成された変質層を効率的に除去することにより、窒化物半導体素子を製造する方法が要求されていた。
【０００６】
そこで、本発明に係る幾つかの態様は、前記課題の少なくとも一部を解決することで、窒化物半導体層に対してドライエッチングにより形成された変質層を効率的に除去できる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。また、本発明に係る幾つかの態様は、前記製造方法により製造された窒化物半導体素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本発明に係る半導体素子用基板の一態様は、
ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層を備え、
該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層の表面をＸＰＳで測定したＡｌ含有量（ＭＡ）とＧａ含有量（ＭＧ）との比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５であることを特徴とする。
【０００９】
［適用例２］
本発明に係るＡｌＧａＮ層のエッチング方法の一態様は、
蛍光Ｘ線で測定したＡｌ  ｌｏｓｓの比率が５％以上であることを特徴とする。
【００１０】
［適用例３］
本発明に係るＡｌＧａＮ層のエッチング方法の一態様は、
ドライエッチングした後にウエットエッチングを行うことを特徴とする。
【００１１】
［適用例４］
本発明に係るＡｌＧａＮ層のエッチング方法の一態様は、
水に接触させた後に、酸またはアルカリ性水溶液に接触させることを特徴とする。
【００１２】
［適用例５］
本発明に係るＡｌＧａＮ層のエッチング液の一態様は、
ｐＨ調整剤として、硫酸、フッ酸、アンモニアから選ばれる少なくとも一種を含有することを特徴とする。
【００１３】
［適用例６］
適用例５のエッチング液において、
さらに酸化剤を含むことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法によれば、窒化物半導体層に対してドライエッチングして形成された変質層を効率的に除去できるので、生産性が向上するとともに、電気的特性及び光学的特性に優れた窒化物半導体素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の製造工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に記載された実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含むものとして理解されるべきである。なお、以下の図面の説明において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付す。
【００１７】
本発明において「窒化物半導体層」とは、未だ素子の構造や形状が形成されていない窒化物半導体からなる層のことをいう。
【００１８】
本発明において「窒化物半導体素子」とは、窒化物半導体層にエッチング等の加工処理を施すことにより素子の構造や形状が形成されたものをいう。
【００１９】
１．窒化物半導体素子の製造方法
本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層に対してドライエッチングを行って素子及び変質層を形成する工程と、前記変質層をウエットエッチングによって除去する工程と、を含むことを特徴とする。以下、本実施
形態に係る窒化物半導体素子の製造方法について、図１〜図３の製造工程断面図を参照しながら説明する。
【００２０】
まず、図１に示すように、基板１０上にＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２を形成する。基板１０には、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｎＢ２、ＧａＮ、Ｇａ２Ｏ３、ＭｇＡｌＯ２、ＺｎＯなどの基板を用いることができる。基板１０上にＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２を形成する方法としては、例えば、昇華法、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ハイドライド気相成長）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシ）法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属化学気相堆積）法などの気相成長法、フラックス法、高窒素圧溶液法などの液相法などが挙げられる。
【００２１】
ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２は、基板１０の表面の全部もしくは一部に形成されていればよく、また単層でも複層でもよい。また、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２は、例えば｛１０００｝面（ｃ面）、｛１１−２０｝面（ａ面）または｛１−１００｝面（ｍ面）のいずれかであることが好ましい。なお、｛｝は、集合面を示し、負の指数については、結晶学上、“−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
【００２２】
また、基板１０とＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２との間には、窒化物半導体層としてＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及びそれらの混晶の少なくともいずれかからなる層を形成してもよい。
【００２３】
次に、必要に応じて、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２上にドライエッチングマスク層を形成してもよい。このドライエッチングマスク層は、後続のドライエッチングを行う際にマスクとして作用する。そのため、ドライエッチングマスク層は、ドライエッチングのエッチング剤に対して耐性を示す材質であれば特に限定されない。ドライエッチングマスク層の材質としては、例えばニッケル、タングステン、モリブデン、ＳｉＯ２等が挙げられる。なお、このドライエッチングマスク層は、ドライエッチング工程の後に除去される。
【００２４】
次に、図２に示すように、塩素ガス（Ｃｌ２）などの塩素原子を含むガスを用いたＥＣＲプラズマやＩＣＰプラズマなどにより、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２に対してドライエッチングを行う。このドライエッチング工程により、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２に半導体素子が形成されるとともに、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２の表面に変質層１４が形成される。
【００２５】
この変質層１４は、結晶構造の欠陥部であり、１〜３０ｎｍ程度の厚みを有していることが確認されている。この変質層１４の電気的特性及びバンドギャップなどの光学的特性などは、内部のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層の電気的特性及び光学的特性などとは異なる挙動を示す。したがって、この変質層１４を除去することなくＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層の部分を半導体素子として使用すると、半導体素子としての性能が損なわれるおそれがある。また、この変質層１４の表面にさらに別の窒化物半導体層を再成長させて半導体素子を製造する場合、再成長させた別の窒化物半導体層が変質層１４の影響を受けて欠陥性の高い結晶構造を形成し、半導体素子としての性能が損なわれるおそれがある。そのため、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層に形成された半導体素子に影響を及ぼすことなく、変質層１４を除去することが望ましい。
【００２６】
そこで、次に、ドライエッチング工程において形成された変質層１４を除去するために
ウエットエッチングを行う。ウエットエッチング工程では、窒化物半導体素子をエッチング液に浸漬させ、必要に応じて超音波照射させながら行うことができる。
【００２７】
ウエットエッチング工程では、変質層１４の除去速度（エッチング速度）を向上させるために、エッチング液の温度を３０〜１００℃とすることが好ましく、３５〜９０℃とすることがより好ましく、４０〜８５℃とすることが特に好ましい。また、浸漬時間は特に制限されないが、例えば１０秒以上１０００秒以下が好ましく、２０秒以上６００秒以下がより好ましい。
【００２８】
ウエットエッチングにより変質層１４を除去する場合、その除去速度は１〜１００ｎｍ／分であることが好ましく、５〜５０ｎｍ／分であることがより好ましい。前記範囲の除去速度で変質層１４を除去することにより、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層に形成された半導体素子への影響を大幅に抑制することができ、良好な電気的特性及び光学的特性を示す半導体素子を作製することができる。
【００２９】
エッチング液としては、ｐＨが１〜４の酸性水溶液あるいはｐＨ９〜１４のアルカリ性水溶液を用いることができる。エッチング液は、ｐＨ調整剤を含有することができる。エッチング液として酸性水溶液を用いる場合には、酸性水溶液はｐＨ調整剤として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸及びリン酸の少なくともいずれかを含有することが好ましく、硫酸及びフッ酸の少なくともいずれかを含有することがより好ましい。エッチング液としてアルカリ性水溶液を用いる場合には、アルカリ性水溶液はｐＨ調整剤として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（塩）、メタノールアミン、トリエチレンテトラミン及びコリンの少なくともいずれかを含有することが好ましく、アンモニア及び水酸化テトラメチルアンモニウム（塩）の少なくともいずれかを含有することがより好ましく、アンモニアを含有することが特に好ましい。エッチング液がこれらの成分を含有することにより、エッチング液を所望のｐＨに調整することが容易となり、被エッチング面を純水等で洗浄することにより清浄な窒化物半導体素子を容易に作製することができる。
【００３０】
エッチング液中のｐＨ調整剤の含有量は、特に制限されず、所望のｐＨとなるようにｐＨ調整剤を含有させることができる。
【００３１】
また、エッチング液には、さらに酸化剤を含有させることが好ましい。酸化剤を含有させることで、変質層１４の除去速度が向上する。このような酸化剤としては、過酸化水素及び過硫酸アンモニウムが挙げられ、これらの少なくともいずれかを含有することが好ましい。エッチング液中の酸化剤の含有量は、特に制限されないが、エッチング液の全質量を１００質量部としたときに、好ましくは１〜２０質量部、より好ましくは３〜１５質量部、特に好ましくは５〜１０質量部である。
【００３２】
ウエットエッチング工程は、１段階で行ってもよく、２段階以上の多段階で行ってもよいが、ドライエッチング工程後に窒化物半導体素子を水に浸漬させる第１ウエットエッチング工程と、前記第１ウエットエッチング工程後に窒化物半導体素子をエッチング液に浸漬させる第２ウエットエッチング工程とを含む２段階ウエットエッチングを行うことが好ましい。
【００３３】
第１ウエットエッチング工程では、ドライエッチング工程後に窒化物半導体素子を所定時間水に浸漬させるだけであるが、エッチングガスに含まれているＦ、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲンが水と反応することにより、変質層１４に対するエッチング作用が生じるとともに、変質層１４の表面を酸化させて酸化物層を形成できることが明らかとなった。これにより、後続する第２ウエットエッチング工程において、変質層１４の除去速度（エッチング速度）が向上するとともに、エッチング処理後のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）
層１２の表面ラフネスが良好となる。
【００３４】
このようにして、図３に示すように、基板１０の上に半導体素子が形成されたＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２を備えた窒化物半導体素子１００を製造することができる。
【００３５】
このようにして得られた窒化物半導体素子１００は、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２の表面をＸＰＳで測定したＡｌ含有量（ＭＡ）とＧａ含有量（ＭＧ）との比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５となる。この比ＭＡ／ＭＧは、０．４７〜０．５２であることが好ましい。比ＭＡ／ＭＧの値が前記範囲であると、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２中の元素比が維持されることにより、所定のバンドギャップ値を得られるようになり、所望の性能の良好な半導体素子を作製することができる。
【００３６】
また、このようにして得られた窒化物半導体素子１００は、１ｍｍ以上の厚みを有することが好ましく、２ｍｍ以上の厚みを有することがより好ましい。窒化物半導体素子１００が１ｍｍ以上の厚みを有することで、破損し難くなるので好ましい。
【００３７】
本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法において、蛍光Ｘ線で測定したＡｌ  ｌｏｓｓの比率は５％以上となる。ここで、「Ａｌ  ｌｏｓｓ」とは、エッチング処理前後のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層上のＡｌ量を蛍光Ｘ線で定量したＡｌ減少量であり、下記計算式により算出することができる。
Ａｌ  ｌｏｓｓ＝（（エッチング前のＡｌ量）−（エッチング後のＡｌ量）／（エッチング前のＡｌ量））×１００
Ａｌ  ｌｏｓｓの比率が小さい場合、エッチング処理前後のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層の元素組成に変動がないため、エッチング前後でＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層の電気特性の変化が抑制されているという指標となる。
【００３８】
このようにして得られた窒化物半導体素子１００は、たとえば発光ダイオード、レーザダイオードなどの発光素子；整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；高電子移動度トランジスタ）などの電子素子；温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器などの半導体センサ；ＳＡＷデバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｄｅｖｉｃｅ；表面弾性波素子）、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）部品、圧電アクチュエータ等のデバイス用の基板などに好適に用いることができる。
【００３９】
２．実施例
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例中の「部」および「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【００４０】
２．１．実施例１
＜エッチング液の調製＞
イオン交換水５０質量部、５５質量％フッ酸水溶液をフッ酸に換算して０．５質量部に相当する量（０．９１質量部）、３０質量％過酸化水素水を過酸化水素に換算して１０質量部に相当する量（３３．３質量部）を添加し、これらを１５分間撹拌した。最後に、全成分の合計量が１００質量部となるようにイオン交換水を加えた後、孔径１μｍのフィルターで濾過することにより、エッチング液を調製した。
【００４１】
＜窒化物半導体素子の作製＞
ＮＴＴアドバンステクノロジ株式会社製のシリコンウエハ上に２μｍのＧａＮ膜を形成し、さらにその上にＡｌＧａＮ膜を３０ｎｍの厚さとなるようにエピタキシャル成長させたＡｌＧａＮ膜付きウエハを、圧力１０ｍＴｏｒｒのＢＣｌ３とＣｌ２の１：１混合ガスプラズマに暴露し、ドライエッチングを行った。その後、ＡｌＧａＮ膜付きウエハを、液温４０℃の上記で調製したエッチング液に５分間浸漬しウエットエッチングを行った。その後、ＡｌＧａＮ膜付きウエハを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、窒化物半導体素子を作製した。
【００４２】
＜窒化物半導体素子の評価＞
作製した窒化物半導体素子を３ｃｍ角にカットし、走査型Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ、アルバックファイ社製、製品名「ＰＨＩ  Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＩＩ」）を用いてＡｌＧａＮ膜表面の組成を評価した。その結果を表１に示す
【００４３】
作製した窒化物半導体素子を５ｃｍ角にカットし、波長分散型蛍光Ｘ線（ＷＤＸＲＦ）ウェハーアナライザ（パナリティカル社製、製品名「２８３０ＺＴ」）を用いて、ＡｌＧａＮ膜の任意の箇所の膜厚を３点測定し、その平均値を求めてエッチング液処理後のＡｌＧａＮ膜厚を算出した。そして、エッチング液処理前後のＡｌＧａＮ膜厚の変化とエッチング液への浸漬時間からＡｌＧａＮ膜の除去速度を算出した。ＡｌＧａＮ膜の除去速度は、５ｎｍ／分以上であれば良好であると判断することができる。その結果を表１に示す。
【００４４】
２．２．実施例２〜４、比較例１〜５
表１に記載の組成のエッチング液を調製して使用し、ウエットエッチング温度を表１の温度に変更した以外は実施例１と同様にして窒化物半導体素子を作製して評価した。その結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
2018060854.tif 000002
【００４６】
２．３．実施例５
＜エッチング液の調製＞
表２に記載のエッチング液組成に変更した以外は実施例１と同様にしてエッチング液を
調製した。
【００４７】
＜窒化物半導体素子の作製及び評価＞
ＮＴＴアドバンステクノロジ株式会社製のシリコンウエハ上に２μｍのＧａＮ膜を形成し、さらにその上にＡｌＧａＮ膜を３０ｎｍの厚さとなるようにエピタキシャル成長させたＡｌＧａＮ膜付きウエハを、圧力１０ｍＴｏｒｒのＢＣｌ３とＣｌ２の１：１混合ガスプラズマに暴露し、ドライエッチングを行った。その後、ＡｌＧａＮ膜付きウエハを、１８ＭΩジーメンスの超純水に５分間浸漬しウエットエッチングを行った。その後、上記で調製したエッチング液を用いて、エッチング温度を表２の温度に変更した以外は実施例１と同様にして窒化物半導体素子を作製して評価した。その結果を表２に示す。
【００４８】
２．４．実施例６〜８、比較例６〜１０
表２に記載の組成のエッチング液を調製して使用し、ウエットエッチング温度を表２の温度に変更した以外は実施例５と同様にして窒化物半導体素子を作製して評価した。その結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
2018060854.tif 000003
【００５０】
２．５．評価結果
ＡｌＧａＮ膜をエッチング液に浸漬させてウエットエッチングを行っても、ＡｌＧａＮ膜は物理的・化学的に安定なため、エッチングすることは困難である。しかしながら、実
施例１〜８で示されるように、ドライエッチングを行った後、所定の組成を有するエッチング液を用いたウエットエッチングを行うことにより、ドライエッチングにより形成されたＡｌＧａＮ膜の変質層を除去できることが判明した。
【００５１】
また、ＡｌＧａＮ膜の変質層をより効率的に除去するためには、まず変質層が形成されたＡｌＧａＮ膜を水に浸漬させる第１ウエットエッチング工程を行い、その後該ＡｌＧａＮ膜をエッチング液に浸漬させる第２ウエットエッチング工程を行う、２段階ウエットエッチング（表２の実施例５〜８）の方が１段階ウエットエッチング（表１の実施例１〜４）よりも優れていることが判明した。
【００５２】
実施例１〜８の製造方法により得られた窒化物半導体素子は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層の表面のＡｌ含有量（ＭＡ）とＧａ含有量（ＭＧ）との比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５の範囲内にあった。ＡｌＧａＮ膜中の元素比が前記範囲であることにより、所定のバンドギャップ値を得られるようになり、所望の性能のパワー半導体デバイスを得られると推測される。また、実施例１〜８で使用した本願発明に係るエッチング液により、蛍光Ｘ線で測定したＡｌ  ｌｏｓｓの比率を５％以上とすることができ、変質層を除去することにより、ウエハ上の結晶欠陥を低減し、パワー半導体に適した電気特性を有する比ＭＡ／ＭＧの値が０．４５〜０．５５の窒化物半導体素子を作製することができた。
【００５３】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を包含する。また本発明は、上記の実施形態で説明した構成の本質的でない部分を他の構成に置き換えた構成を包含する。さらに本発明は、上記の実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成をも包含する。さらに本発明は、上記の実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成をも包含する。
【符号の説明】
【００５４】
１０…基板、１２…ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）層、１４…変質層、１００…窒化物半導体素子
【図１】
2018060854.tif 000004
【図２】
2018060854.tif 000005
【図３】
2018060854.tif 000006