(57)【要約】【課題】優れた防汚性を低コストで付与することができるガラス物品、および、その製造方法の提供。【解決手段】板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成されたガラス物品であって、前記酸化スズ膜は、膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、前記Ｒａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下である、ことを特徴とするガラス物品。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成されたガラス物品であって、前記酸化スズ膜は、
膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、
膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、
膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、前記Ｒａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下である、ことを特徴とするガラス物品。
【請求項２】
前記板ガラスと、前記酸化スズ膜と、の間に、アルカリバリア層が形成されている、請求項１に記載のガラス物品。
【請求項３】
ＪＩＳ試験用粉体（２種）（ＪＩＳ  Ｚ８９０１）を用いた汚れ付着試験実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％以下である、請求項１または２に記載のガラス物品。
【請求項４】
汚染物質懸濁水（ＪＳＴＭ  Ｊ７６０２：２００３）を用いた汚れ付着試験実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％以下である、請求項１〜３のいずれか記載のガラス物品。
【請求項５】
前記酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合の遮蔽係数（ＳＣ値）（ＩＳＯ９０５０）が０．６〜０．９５である、請求項１〜４のいずれか記載のガラス物品。
【請求項６】
前記酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合の可視光線透過率（ＩＳＯ９０５０）が４０〜８０％である、請求項１〜５のいずれか記載のガラス物品。
【請求項７】
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成するガラス物品の製造方法であって、前記酸化スズ膜は、
膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、
膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、
膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、前記Ｒａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下であり、
常圧ＣＶＤ装置を用いて、板ガラスの一方の主表面上に前記酸化スズ膜を形成するガラス物品の製造方法。
【請求項８】
原料ガスとして、モノブチルスズトリクロライド（ＭＢＴＣ）を２モル％以下含有するものを用いる、請求項７に記載のガラス物品の製造方法。
【請求項９】
前記原料ガスが塩化水素（ＨＣｌ）をＨＣｌと、ＭＢＴＣとのモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）で０〜４含有する請求項８に記載のガラス物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス物品、および、その製造方法に関する。
本発明のガラス物品は、板ガラスの一方の主表面上に、所定の厚さ、および、所定の表面性状を有する酸化スズ膜を設けたものである。
本発明のガラス物品は、酸化スズ膜を設けた側の主表面が防汚性に優れるため、過酷な環境下で使用される住宅用窓ガラスや、透光性を付与した公共施設等の屋根や高速道路遮音壁等に使用される建築用防汚ガラスに好適である。
【背景技術】
【０００２】
板ガラス等のガラス基材表面に撥水性、撥油性を付与した防汚性ガラス物品が知られている（特許文献１参照）。特許文献１に記載の防汚性ガラス物品は、ガラス基材表面に、２ＭΩ／□以下の電気抵抗を有する透明導電膜を形成し、該透明導電膜上にオルガノシランおよび／またはオルガノシロキサンの層が形成したものである。２ＭΩ／□以下の電気抵抗を有する透明導電膜としては、酸化錫膜が挙げられている。特許文献１に記載の防汚性ガラス物品では、オルガノシランおよび／またはオルガノシロキサンの層が撥水性、撥油性を発揮する。一方、２ＭΩ／□以下の電気抵抗を有する透明導電膜が、ホコリの付着の原因となる静電気の発生を防止する。
しかしながら、特許文献１に記載の防汚性ガラス物品は、ガラス基材表面に２ＭΩ／□以下の電気抵抗を有する透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上にオルガノシランおよび／またはオルガノシロキサンの層を形成する工程と、が必要になるため、低コスト化が困難である。
また、特許文献１に記載の防汚性ガラス物品は、オルガノシランおよび／またはオルガノシロキサンからなる撥水剤で、２ＭΩ／□以下の電気抵抗を有する透明導電膜が形成されたガラス基材表面を処理することにより防汚層を形成するため、耐久性、耐候性が十分ではなく、時間の経過により防汚層が剥離し、長期にわたって防汚性を発揮することができない。
【０００３】
一方、板ガラス等の板状基体表面に、防汚性を付与する目的で超親水性の皮膜を形成する試みもなされている。超親水性皮膜としては触媒機能を有する酸化チタン皮膜が広く知られている。
しかしながら、酸化チタン系の超親水性皮膜は、酸化チタンの光触媒作用を利用しているため日光の当たらない場所又は夜間等にあっては防汚性が発揮できないという短所がある。また、初期段階では防汚性を発揮するものの、酸化チタンの触媒機能の低下により、防汚性が損なわれるという短所がある。
【０００４】
防汚性を付与する目的で超親水性の皮膜を形成する別の試みとしては、シリカ微粒子を含有する塗布液に用いて、板ガラス等の板状基体表面をコーティングする試みがある（特許文献２〜４）。
しかしながら、これらのコーティングは、防汚性が十分ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−８１９７９号公報
【特許文献２】特開平１０−１５８５８５号公報
【特許文献３】特開平１０−３３０６４６号公報
【特許文献４】特開２００４−１７４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した従来技術における問題点を解決するため、優れた防汚性を低コストで付与することができるガラス物品、および、その製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するため、本発明は、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成されたガラス物品であって、前記酸化スズ膜は、
膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、
膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、
膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、前記Ｒａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下である、ことを特徴とするガラス物品、を提供する。
【０００８】
本発明のガラス物品において、前記板ガラスと、前記酸化スズ膜と、の間に、アルカリバリア層が形成されていることが好ましい。
【０００９】
本発明のガラス物品は、ＪＩＳ試験用粉体（２種）（ＪＩＳ  Ｚ８９０１）を用いた汚れ付着試験実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％以下であることが好ましい。
【００１０】
本発明のガラス物品は、汚染物質懸濁水（ＪＳＴＭ  Ｊ７６０２：２００３）を用いた汚れ付着試験実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明のガラス物品は、前記酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合の遮蔽係数（ＳＣ値）（ＩＳＯ９０５０）が０．６〜０．９５であることが好ましい。
【００１２】
本発明のガラス物品は、前記酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合の可視光線透過率（ＩＳＯ９０５０）が４０〜８０％であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成するガラス物品の製造方法であって、前記酸化スズ膜は、
膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、
膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、
膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、前記Ｒａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下であり、
常圧ＣＶＤ装置を用いて、板ガラスの一方の主表面上に前記酸化スズ膜を形成する、ガラス物品の製造方法を提供する。
【００１４】
本発明のガラス物品の製造方法において、原料ガスとして、モノブチルスズトリクロライド（ＭＢＴＣ）を２モル％以下含有するものを用いることが好ましい。
【００１５】
本発明のガラス物品の製造方法において、前記原料ガスが塩化水素（ＨＣｌ）をＨＣｌと、ＭＢＴＣとのモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）で０〜４含有してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、過酷な環境下で使用される住宅用窓ガラスや、透光性を付与した公共施設等の屋根や高速道路遮音壁等に使用される建築用防汚ガラスとして用いられるガラス物品に対し、優れた防汚性を低コストで付与することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のガラス物品について説明する。
本発明のガラス物品では、板ガラスの一方の主表面上に（具体的には、主表面上の最表面に）後述する条件を満たす酸化スズ膜が形成されている。本発明のガラス物品は、酸化スズ膜を設けた側の主表面が防汚性に優れるため、過酷な環境下で使用される住宅用窓ガラスや、透光性を付与した公共施設等の屋根や高速道路遮音壁等に使用される建築用防汚ガラスに好適である。
【００１８】
本発明のガラス物品において、板ガラスの一方の主表面上に形成される酸化スズ膜は、膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
酸化スズ膜の膜厚が１０ｎｍ未満だと、膜表面の算術平均粗さＲａ、および、膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）が後述する条件を満たさないため、酸化スズ膜形成による防汚性が不十分になる。
住宅用窓ガラスとして使用されるＬｏｗ−Ｅ（低放射）ガラスでは、放射率を低くして、放射伝熱による熱移動量を少なくすることにより、断熱性を向上させる目的で、窓ガラスの室内側の主表面上に酸化スズ等、体積抵抗率が小さい金属酸化物の薄膜が形成されている。酸化スズ膜の場合、その放射率を小さくするため、膜厚は１５０ｎｍを超えている。
本発明のガラス物品では、板ガラスの主表面上に形成された酸化スズ膜は防汚性を発揮するため、酸化スズ膜が形成された側の主表面が屋外側となる。本発明のガラス物品において、酸化スズ膜の膜厚が１５０ｎｍ超だと、酸化スズ膜の放射率が小さくなるので、住宅用窓ガラスや公共施設等の屋根として使用すると、放射伝熱による熱移動量を少なくなることにより、かえって遮熱性が悪化するため問題となる。
また、酸化スズ膜の膜厚が１５０ｎｍ超だと、ヘイズ値が増加して外観が悪化するので問題となる。
また、常圧ＣＶＤ装置を用いて酸化スズ膜を形成する場合に、スズ原料として好ましく用いられるモノブチルトリクロライド（ＭＢＴＣ）やその他の有機スズ原料は比較的高価であるため、酸化スズ膜の膜厚が１５０ｎｍ超だと、酸化スズ膜の形成時に使用する原料の増加によるコスト増も問題となる。
本発明のガラス物品において、板ガラスの一方の主表面上に形成される酸化スズ膜の膜厚は、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、４０ｎｍ以上９５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００１９】
本発明のガラス物品において、板ガラスの一方の主表面上に形成される酸化スズ膜は、膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ未満である。膜表面の算術平均粗さＲａが上記範囲であると、膜表面に適度に凹凸が存在するため、酸化スズ膜を設けた側の主表面が防汚性に優れる。膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満だと、膜表面に凹凸がほとんど存在せず、平滑な状態になるため、防汚性が不十分になる。
一方、膜表面の算術平均粗さＲａが１３ｎｍ超だと、膜表面の凹凸が大きくなるため、ヘイズ値の増加による外観の悪化や、光線透過率の低下が問題となる。
本発明のガラス物品において、板ガラスの一方の主表面上に形成される酸化スズ膜は、膜表面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２０】
本発明のガラス物品において、板ガラスの一方の主表面上に形成される酸化スズ膜は、膜表面のＰｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ値（ＰＶ値）と、膜表面の算術平均粗さＲａと、の比（ＰＶ／Ｒａ）が１５以下である。膜表面のＰＶ値とＲａとの比（ＰＶ／Ｒａ）が上記範囲であると、膜表面に適度に凹凸が存在するため、酸化スズ膜を設けた側の主表面が防汚性に優れる。膜表面のＰＶ値とＲａとの比（ＰＶ／Ｒａ）が１５超の場合、空孔が存在する膜となり、かつ、空孔以外の膜表面は、凹凸がほとんど存在せず、平滑な状態になると考えられる。酸化スズ膜の表面性状がこのような場合、防汚性が不十分になる。
【００２１】
本発明のガラス物品は、板ガラスの主表面のうち、膜厚、膜表面の算術平均粗さＲａ、および、膜表面のＰＶ値が上述した条件を満たす酸化スズ膜が形成された側の主表面が防汚性に優れている。
本明細書では、後述する実施例に記載する、２種類の汚れ付着試験実施前後でのヘイズ値の変化によって防汚性を評価する。
ＪＩＳ試験用粉体（２種）（ＪＩＳ  Ｚ８９０１）を用いた汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％以下であることが好ましく、２％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。
一方、汚染物質懸濁水（ＪＳＴＭ  Ｊ７６０２：２００３）を用いた汚れ付着試験（２）実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％以下である、４％以下であることがより好ましく、３％以下であることがさらに好ましい。
【００２２】
本発明のガラス物品は、板ガラス一方の主表面上に形成される酸化スズ膜の膜厚が、Ｌｏｗ−Ｅ（低放射）ガラスの主表面上に形成される酸化スズ膜の膜厚に比べて小さいため、酸化スズ膜が形成された側の主表面を屋外側として、住宅用窓ガラスや公共施設等の屋根として使用しても、酸化スズ膜の放射率が小さくなることがなく、放射伝熱による熱移動量を少なくなることにより、かえって遮熱性が悪化することがない。
放射率は０．７５以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましく、０．８５以上であることがさらに好ましい。室外面に放射質の低い膜が形成された場合、ガラスの吸収した熱が室内側に反射されてしまい、遮熱性能が悪化する。放射率の高い膜が形成された場合、ガラスの吸収した熱が反射されないので、遮熱性能は悪化しない。
本明細書では、断熱性の指標として、ＩＳＯ９０５０に基づいて算出される遮蔽係数（ＳＣ値）を用いる。以下、本明細書において、ＳＣ値と記載した場合、ＩＳＯ９０５０に基づいて算出される遮蔽係数を指す。
本発明のガラス物品は、酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合のＳＣ値が０．６〜０．９５であることが好ましく、０．６〜０．８であることがより好ましく、０．６〜０．７であることがさらに好ましい。
なお、酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合のＳＣ値を上記の範囲内で調節する目的で、ドーパントとして、アンチモンを酸化スズ膜中に含有させてもよい。ドーパントとして、アンチモンを酸化スズ膜中に含有させる場合、酸化スズ（ＳｎＯ2）１ｍｏｌに対して、アンチモンを０．０２〜０．３ｍｏｌ％含有することが好ましく、０．０５〜０．２ｍｏｌ％含有することがより好ましく、０．１〜０．１５ｍｏｌ％含有することがさらに好ましい。
【００２３】
本発明のガラス物品は、住宅用窓ガラスや公共施設等の屋根として使用するのに十分な可視光透過性を有する。具体的には、酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合に、ＩＳＯ９０５０に基づいて算出される可視光線透過率が４０〜８０％であることが好ましく、５０〜７０％であることがより好ましく、６０〜７０％であることがさらに好ましい。
住宅用窓ガラスや公共施設等の屋根として使用する場合、酸化スズ膜が形成された面を光の入射側とした場合のヘイズ値が低いことが好ましい。具体的には、ヘイズ値が１．０以下であることが好ましく、０．６以下であることがより好ましく、０．４以下であることがさらに好ましい。
【００２４】
本発明のガラス物品に用いる板ガラスのガラス組成は特に限定されず、ガラス物品の用途に応じて適宜選択することができる。過酷な環境下で使用される住宅用窓ガラスや、透光性を付与した公共施設等の屋根や高速道路遮音壁等に使用される建築用防汚ガラスとして使用する場合、以下のガラス組成が例示できる。
酸化物基準の質量％表示で、ガラス母組成として、
ＳｉＯ2                    ６８〜７５％、
Ａｌ2Ｏ3                 ０．１〜７％、
ＣａＯ                      ６〜１１％、
ＭｇＯ                      ２〜７％、
Ｎａ2Ｏ3                   １０〜１６％、
Ｋ2Ｏ                    ０．１〜３％、
Ｆｅ2Ｏ3                ０．０１〜０．２％、
ＳＯ3                         ０〜１％、
を含有する。
なお、ガラス母組成が上記の板ガラスは、微量成分として、上記以外の成分を含有してもよい。このような微量成分の具体例としては、たとえば、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2が挙げられる。これら微量成分は、酸化物基準の質量％表示で、１％以下含有してもよい。
【００２５】
本発明のガラス物品に用いる板ガラスが、アルカリ成分を含有する場合、板ガラスから酸化スズ膜へのアルカリ成分の拡散を最小限にするために、板ガラスと、酸化スズ膜と、の間にアルカリバリア膜を形成することが、防汚性が向上するため好ましい。
上記の目的で形成するアルカリバリア膜としては、ＳｉＯ2膜、または、ＳｉＯＣ膜が挙げられる。中でも、ＳｉＯ2膜がアルカリバリア性に優れるため好ましい。
上記の目的でアルカリバリア膜を形成する場合、その膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましく、２０〜５０ｎｍであることがより好ましく、２０〜４０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２６】
膜厚、膜表面の算術平均粗さＲａ、および、膜表面のＰＶ値が上述した条件を満たす酸化スズ膜は、常圧ＣＶＤ装置を用いて、板ガラスの一方の主表面上に形成することができる。常圧ＣＶＤ装置としては、搬送型常圧ＣＶＤ装置の使用が、本発明のガラス物品を量産的に製造するのに適しているため好ましい。
なお、常圧ＣＶＤ装置を用いた酸化スズ膜の形成は、板ガラスの製造に引き続いて酸化スズ膜の形成を行うオンラインＣＶＤとして実施してもよく、板ガラスの製造とは別個の工程で酸化スズ膜の形成を行うオフラインＣＶＤ法として実施してもよい。
【００２７】
常圧ＣＶＤ装置を用いて、酸化スズ膜を形成する場合、高温（例えば、５５０℃）に加熱した板ガラスの一方の主表面上に、スズ原料を含有する原料ガスを吹き付ける。スズ原料としては、モノブチルスズトリクロライド（ＭＢＴＣ）の使用が、入手しやすく、取り扱いが容易であるという理由から好ましい。
スズ原料としては、モノブチルスズトリクロライド（ＭＢＴＣ）を使用する場合、副原料として、水（Ｈ2Ｏ）、および、酸素（Ｏ2）を同時に板ガラスの一方の主表面上に吹き付ける。酸化スズ膜表面の算術平均粗さＲａ、および、膜表面のＰＶ値を調節する目的で、副原料として、塩化水素（ＨＣｌ）を同時に吹き付けてもよい。
スズ原料としては、モノブチルスズトリクロライド（ＭＢＴＣ）を使用する場合、原料ガス中のＭＢＴＣ含有量は２モル％以下であることが好ましい。副原料として使用するＨ2Ｏ、Ｏ2、ＨＣｌについては、原料ガス中のＨ2Ｏ含有量は２０モル％以下であることが好ましく、Ｏ2含有量は２０モル％以下であることが好ましく、ＨＣｌ含有量は１．５モル％以下であることが好ましい。
酸化スズ膜表面の算術平均粗さＲａ、および、膜表面のＰＶ値は、原料ガスにおけるＨＣｌと、ＭＢＴＣと、のモル比や、原料ガスにおけるＨ2Ｏと、ＭＢＴＣと、のモル比により調節できる。原料ガスにおけるＨＣｌと、ＭＢＴＣと、のモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）は０〜４であることが好ましく、０．０１〜３であることがより好ましく、０．０１〜２であることがさらに好ましい。原料ガスにおけるＨ2Ｏと、ＭＢＴＣと、のモル比（Ｈ2Ｏ／ＭＢＴＣ）は０．１〜１００であることが好ましく、１〜７０であることがより好ましく、１０〜６０であることがさらに好ましい。
また、原料ガスにおけるＯ2と、ＭＢＴＣと、のモル比（Ｏ2／ＭＢＴＣ）は１〜１００であることが好ましく、５〜７０であることがより好ましく、１０〜５０であることがさらに好ましい。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、例１〜１２は実施例であり、例１３〜例１９は比較例である。
（例１）
搬送型常圧ＣＶＤ装置（ベルトコンべア炉）を用いて、オフラインＣＶＤ法により、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成した。具体的には以下の通り。
ベルトコンべア炉を５８０℃に加熱し、板厚２ｍｍの板ガラス（ソーダライムシリケートガラス板、商品名ＡＳ、旭硝子株式会社製）を一定方向に搬送し、この板ガラスの一方の主表面上に、ＭＢＴＣ、Ｈ2Ｏ、および、Ｏ2を同時に吹き付けて、酸化スズ膜９３ｎｍを形成した。ＭＢＴＣの供給量は０．２３モル％であり、Ｈ2Ｏ、および、Ｏ2は、それぞれ、ＭＢＴＣに対するモル比（Ｈ2Ｏ／ＭＢＴＣ、Ｏ2／ＭＢＴＣ）が、２０．０１、１７．９５である。
形成した酸化スズ膜表面を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＩ−３８００Ｎ／ＳＰＡ４００（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製）を用いて、操作エリア２．０μｍ、加振電圧０．５Ｖで測定して、膜表面の算術平均粗さＲａとＰＶ値を求めた。
酸化スズ膜形成後の板ガラスを５ｃｍ×５ｃｍにカットした後、酸化スズ膜が形成された面を光の入射側として、ヘイズメータＨＺ−Ｖ３（スガ試験機株式会社製）を用いてヘイズ値（初期ヘイズ値）を測定した後、このサンプルを用いて、汚れ付着試験（１）を実施した。
汚れ付着試験（１）
酸化スズ膜が形成された面に、ＪＩＳ試験粉体１（ＪＩＳ  Ｚ８９０１）の２種０．５ｇを、茶漉しを使用して、均等に振りかけた。１０秒静置後、サンプルを１３５°傾け、３ｃｍの高さからサンプルの端部を１０ｃｍ／秒の勢いで２回地面に接触させ、粉体を落とし、再度ヘイズ値を測定した。これを１０回繰り返し、８、９、１０回目のヘイズ値を平均した値から初期ヘイズ値を引いた値を、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）とした。
また、酸化スズ膜形成後の板ガラスについて、以下の手順で放射率を求めた。
放射率測定器ＴＳＳ−５Ｘ（ジャパンセンサー株式会社製）を使用し、酸化スズ膜表面にプローブを当てて放射率を測定した。
この手順で得られる放射率は、Ｌｏｗ−Ｅガラスの断熱性を指標として用いられるものである。酸化スズ膜が形成された側の主表面が、室内側となるＬｏｗ−Ｅガラスの場合、放射率が小さいほど、放射伝熱による熱移動量を少なくなることにより、断熱性を向上する。しかしながら、本発明のガラス物品では、酸化スズ膜が形成された側の主表面が屋外側となるため、放射率が小さいと、放射伝熱による熱移動量を少なくなることにより、かえって遮熱性が悪化する。
【００２９】
（例２）
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成し、酸化スズ膜９０ｎｍを形成した以外は、例１と同様の手順を実施した。
ベルトコンべア炉を５８０℃に加熱し、板ガラス（ソーダライムシリケートガラス板、商品名ＡＳ、旭硝子株式会社製）を一定方向に搬送し、この板ガラスの一方の主表面に、シラン（ＳｉＨ4）、および、Ｏ2を同時に吹き付けて、ＳｉＯ2膜３０ｎｍを形成した。
【００３０】
（例３）
酸化スズ膜の形成時に、ＭＢＴＣ、Ｈ2Ｏ、Ｏ2に加えて、ＨＣｌを同時に吹き付け、酸化スズ膜９０ｎｍを形成した以外は、例１と同様の手順を実施した。
ＭＢＴＣの供給量は０．２３モル％であり、Ｈ2Ｏ、ＨＣｌ、および、Ｏ2は、それぞれ、ＭＢＴＣに対するモル比（Ｈ2Ｏ／ＭＢＴＣ、ＨＣｌ／ＭＢＴＣ、Ｏ2／ＭＢＴＣ）が、２０．０１、０．９３、１７．９５である。
【００３１】
（例４）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成し、酸化スズ膜８８ｎｍを形成した以外は、例３と同様の手順を実施した。
【００３２】
（例５）
ＭＢＴＣに対するＨＣｌのモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）を３．０３に変えて、酸化スズ膜７３ｎｍを形成した以外は、例３と同様の手順を実施した。
【００３３】
（例６）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成し、酸化スズ膜７４ｎｍを形成した以外は、例５と同様の手順を実施した。
【００３４】
（例７）
ＭＢＴＣの供給量を０．０９モル％とし、ＭＢＴＣに対する、Ｈ2Ｏ、および、Ｏ2のモル比（Ｈ2Ｏ／ＭＢＴＣ、Ｏ2／ＭＢＴＣ）を、それぞれ、５４．０、４８．５として、酸化スズ膜４１ｎｍを形成した以外は例１と同様の手順を実施した。
さらに、例７、および、以下に記載する例８〜例１３、および、例１８については汚れ付着試験（２）を実施した。
汚れ付着試験（２）
酸化スズ膜が形成された面に、汚染物質懸濁水（ＪＳＴＭ  Ｊ７６０２：２００３）
を５秒間噴霧した。３０秒間乾燥させた後、再度ヘイズ値を測定した。これを８回繰り返した後のヘイズ値を、汚れ付着試験（２）実施後のヘイズ値（Ｈｚ）とした。
【００３５】
（例８）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成した以外は、例７と同様の手順を実施した。
【００３６】
（例９）
ＭＢＴＣの供給量を０．０９モル％とし、ＭＢＴＣに対する、Ｈ2Ｏ、ＨＣｌ、および、Ｏ2のモル比（Ｈ2Ｏ／ＭＢＴＣ、ＨＣｌ／ＭＢＴＣ、Ｏ2／ＭＢＴＣ）を、それぞれ、５４．０、１．３、４８．５として、酸化スズ膜４０ｎｍを形成した以外は例３と同様の手順を実施した。
【００３７】
（例１０）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成した以外は、例９と同様の手順を実施した。
【００３８】
（例１１）
ＭＢＴＣに対するＨＣｌのモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）を２．５に変えた以外は、例９と同様の手順を実施した。
【００３９】
（例１２）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成した以外は、例１１と同様の手順を実施した。
【００４０】
（例１３）
板ガラスの表面に酸化スズ膜を形成することなしに、該板ガラスの表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察し、得られる顕微鏡写真から、膜表面の算術平均粗さＲａとＰＶ値を求めた。また、この板ガラスを５ｃｍ×５ｃｍにカットした後、ヘイズメータを用いてヘイズ値（初期ヘイズ値）を測定した後、このサンプルを用いて、例１と同様の手順で２種類の汚れ付着試験を実施した。
【００４１】
（例１４）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成した後、該ＳｉＯ2膜を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察し、得られる顕微鏡写真から、膜表面の算術平均粗さＲａとＰＶ値を求めた。また、ＳｉＯ2膜形成後の板ガラスを５ｃｍ×５ｃｍにカットした後、ＳｉＯ2膜が形成された面を光の入射側として、ヘイズメータを用いてヘイズ値（初期ヘイズ値）を測定した後、このサンプルを用いて、例７と同様の手順で２種類の汚れ付着試験を実施した。
【００４２】
（例１５）
ＭＢＴＣに対するＨＣｌのモル比（ＨＣｌ／ＭＢＴＣ）を６．９９に変えた以外は、例３と同様の手順を実施した。板ガラスの一方の主表面上に、酸化スズ膜はほとんど形成されなかった。
【００４３】
（例１６）
例２と同様の手順で、板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜を形成する前に、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜を形成した以外は、例１５と同様の手順を実施した。板ガラスの一方の主表面上に、酸化スズ膜はほとんど形成されなかった。
【００４４】
（例１７〜１９）
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成された市販のＬｏｗ−Ｅガラスについて、酸化スズ膜表面の算術平均粗さＲａとＰＶ値を例１と同様の手順で求めた。なお、例１７では、板ガラスの一方の主表面と、酸化スズ膜と、の間にアルカリバリア膜として、ＳｉＯＣ膜が形成されている。例１９では、板ガラスの一方の主表面と、酸化スズ膜と、の間にアルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜が形成されている。
また、例１と同様の手順で、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）、および、放射率を測定した。例１８については、例７と同様の手順で、汚れ付着試験（２）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）を測定した。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
酸化スズ膜の膜厚が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、膜表面のＲａが１ｎｍ以上１３ｎｍ以下であり、ＰＶ／Ｒａが１５以下である、例１〜１２は、いずれも、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％以下あり、防汚性に優れていた。板ガラスと、酸化スズ膜と、の間にアルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜が形成された例２、４、６、８、１０、１２は、特に防汚性に優れていた。なお、例７〜１２は、汚れ付着試験（２）実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％以下であり、防汚性が優れていることが確認された。また、例１〜１２はいずれも、放射率が高く、０．７５以上であるため、酸化スズ膜が形成された側の主表面を屋外側として使用した場合でも、遮熱性が悪化することがない。
板ガラスの表面に酸化スズ膜を形成しなかった例１３、アルカリバリア膜として、ＳｉＯ2膜のみを形成した例１４は、膜表面のＲａが１ｎｍ未満であるため、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％超であり、防汚性に劣っていた。例１３では、汚れ付着試験（２）実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％超であり、防汚性に劣ることが確認された。
板ガラスの表面に酸化スズ膜がほとんど形成されず、Ｒａが１ｎｍ未満の例１５、例１６は、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％超であり、防汚性に劣っていた。
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成された市販のＬｏｗ−Ｅガラスを用いた例１７、１９は、酸化スズ膜の膜厚が１５０ｎｍ超であるため、放射率が小さく、０．３未満となるため、酸化スズ膜が形成された側の主表面を屋外側として使用した場合に、遮熱性が悪化する。
板ガラスの一方の主表面上に酸化スズ膜が形成された市販のＬｏｗ−Ｅガラスを用いた例１８は、膜表面のＰＶ／Ｒａが１５超であるため、汚れ付着試験（１）実施前後でのヘイズ値の変化（ΔＨｚ）が３％超、汚れ付着試験（２）実施後のヘイズ値（Ｈｚ）が５％超であり、防汚性に劣っていた。