(57)【要約】【課題】本発明の１つの目的は、励起ビームによってプラズマに励起された燃料から高パワーでＥＵＶ放射等の放射を発生させるための方法及び装置を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置のための放射を発生させる方法。この方法は、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出することと、を備えている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を発生させる方法であって、
連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、
前記連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、前記連続波励起ビームを前記プラズマ形成位置に向けることと、を含む、方法。
【請求項２】
連続的に補給される燃料ターゲットを提供することが、第１位置から第２位置に噴射を向けることを含み、前記噴射が前記第１位置と前記第２位置との間で連続的であり、前記噴射が、前記放射発生プラズマを発生させるのに用いられる燃料を含み、前記噴射が前記プラズマ形成位置に少なくとも部分的に交差する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記連続的に補給される燃料ターゲットが、燃料容器から前記プラズマ形成位置に燃料を移送する回転体によって提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記連続励起ビームが、連続波レーザによって提供される連続波レーザビームであり、前記レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で前記連続波レーザビームを発生させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
連続的に補給される燃料ターゲットを前記プラズマ形成位置に提供する燃料ターゲット発生器と、
使用時に前記連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、前記連続波励起ビームを前記プラズマ形成位置に向ける励起ビーム源と、を備える、放射源。
【請求項６】
前記燃料ターゲット発生器が、第１位置から第２位置に噴射を向けるためのノズルを備え、前記噴射が、前記第１位置と前記第２位置との間で連続的であり、前記放射発生プラズマを発生させるのに用いられる燃料を含み、前記連続的に補給される燃料ターゲットが、前記プラズマ形成位置における前記噴射の一部である、請求項５に記載の放射源。
【請求項７】
前記燃料ターゲット発生器が、燃料容器から前記プラズマ形成位置に燃料を移送するために回転する本体を備える、請求項５に記載の放射源。
【請求項８】
前記励起ビーム源が、連続波レーザビームの形態で前記連続励起ビームを提供する連続波レーザを備え、前記連続波レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で前記連続波レーザビームを発生させる、請求項５〜７のいずれか１項に記載の放射源。
【請求項９】
燃料ターゲットを前記ターゲット位置に提供する燃料ターゲット発生器と、
使用時に前記燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、複数の励起ビームをターゲット位置に向けて前記ターゲット位置で前記第１合成励起ビームを形成する励起ビーム源と、を備え、
前記励起ビーム源が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節するための少なくとも１つの位相調節器を備える、放射源。
【請求項１０】
前記励起ビーム源が、第１特性を測定する第１センサ配置をさらに備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、
前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相によって少なくとも部分的に決定される、請求項９に記載の放射源。
【請求項１１】
前記第１センサ配置が、前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を向けて第２合成励起ビームを形成する第１光学要素を備え、励起放射の前記第１部分が前記第２合成励起ビームである、請求項１０に記載の放射源。
【請求項１２】
リソグラフィ装置用の放射を発生させる方法であって、
プラズマ形成位置に燃料ターゲットを提供することと、
前記燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、複数の励起ビームをプラズマ形成位置に向けて前記プラズマ形成位置で前記第１合成励起ビームを形成することと、
前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することと、を含む方法。
【請求項１３】
前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することが、前記複数の励起ビームの各々が前記第１合成励起ビームにコヒーレントに合成されるように前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第１センサ配置において第１特性を測定することをさらに備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、
前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相によって少なくとも部分的に決定される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１２年１１月７日に出願された米国仮出願第６１／７２３，５４１号、及び２０１２年１１月８日に出願された米国仮出願第６１／７２３，９５５号の利益を主張する。これらはその全体が参照により本願に組み入れられる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  本発明は、放射を発生させる方法及び装置に関する。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは、小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００５】
[0005]  パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
【数１】
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但し、λは使用される放射の波長、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷される特徴のフィーチャサイズ（すなわちクリティカルディメンション）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成することができることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。
【０００６】
[0006]  露光波長を短縮し、印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更に、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍのように５〜１０ｎｍの範囲内の、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることが提案されている。このような放射は極端紫外線放射、又は軟ｘ線放射と呼ばれている。可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングにより与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射源は、プラズマを得るために燃料を励起するレーザ等の励起ビームと、プラズマを収容するための閉鎖部（enclosure）と、を含むことができる。プラズマを生成するには、例えば、適切な燃料材料（例えば、現時点でＥＵＶ放射源の燃料として最も有望で、従って可能性の高い選択肢であると考えられているスズ）の液滴等の燃料（すなわち液滴）、又はＸｅガス又はＬｉ蒸気等の適切な気体もしくは蒸気の流れに、レーザビーム（すなわちプラズマを開始するための放射を与える励起ビーム）を送出すればよい。その結果生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、これは放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタは、プラズマからの放射を受けて放射をビームに合焦する鏡像化垂直入射放射コレクタ（近垂直入射放射コレクタと称されることもある）であってもよい。放射源は、プラズマを支える真空環境を提供するように構成された閉鎖部又はチャンバを含んでもよく、典型的に、放射コレクタはこの閉鎖部内に配置される。このような放射システムは、レーザを用いて励起放射ビームを与える場合、典型的にはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。レーザの使用も用い得る代替的なシステムでは、放射は、放電を用いて形成したプラズマによって発生させることができる。すなわち、これは放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源である。
【０００８】
[0008]  本出願は、特にリソグラフィにおいて用いられるＥＵＶ放射のような放射の放射源及び放射発生方法を対象とし、典型的には赤外線レーザビーム等のレーザビームとすることができる励起ビームによって燃料を励起することで発生させたプラズマから、放射を生成する。このような放射源にはＬＰＰ放射源が含まれ、簡潔さのためにそのような放射源を以下ではＬＰＰ放射源と称するが、励起ビームは必ずしもレーザビームに限定されるわけではなく、他のいずれかの適切な励起ビーム（又は複数の励起ビームの組み合わせ）も使用可能であることは理解されよう。プラズマから、放射は典型的に放射コレクタの第１焦点で発生され、放射コレクタによって合焦されて第２焦点で像を形成する。第２焦点は中間焦点と呼ばれることが多い。
【０００９】
[0009]  本明細書で特定されているか他で特定されているかに関わらず、従来技術の少なくとも１つの問題を除去もしくは軽減すること、又は、既存の装置もしくは方法に対する代替案を提供することが望ましい。特に、本発明の１つの目的は、とりわけ、励起ビームによってプラズマに励起された燃料から高パワーでＥＵＶ放射等の放射を発生させるための方法及び装置を提供することである。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  ＬＰＰ源の性質は、発生するデブリ（debris）の量を制御するために、プラズマ発生中にＬＰＰ源内に存在し循環している燃料の量を減らすことが一般に望ましいというものである。デブリは、プラズマ発生中に発生し、イオン及び高速で移動する粒子状物質を含み得る。例えばＬＰＰ源で用いられるタイプの垂直入射コレクタは、デブリによって生じる損傷を特に受けやすいが、ＬＰＰ源内で用いられる他のコンポーネントも、デブリによる損傷を受けやすい。
【００１１】
[0011]  更に、励起ビームの発生に用いるパワーを増大させることなく、燃料プラズマ形成位置に送出する励起ビームの強度を高めることも望まれている。このため、励起ビームは時間及び空間の双方において合焦される。すなわち、励起ビームは、比較的小さい領域上に合焦され、連続波でなくパルス状に発せられる。例えば典型的な励起ビームは、パルス長が約１００ｎｓである４０〜８０ｋＨｚのパルスを提供することができる。
【００１２】
[0012]  合焦されたパルス状の励起ビームを用いることで、所与のパワーについて照射が増大することに加えて、液滴燃料ターゲットの使用が可能となる。燃料液滴を使用すると、放射源内で用いる燃料の量を厳密に制御することができる。使用する燃料の量を減らすことによって、プラズマ生成中に発生するデブリの量を制御及び／又は低減することができる。従って、パルス状放射及び液滴燃料ターゲットの同期した組み合わせにより、ＬＰＰ源内の多数の問題が相乗的に解決される。このため、ＬＰＰ放射源においてパルス状励起ビーム及び液滴燃料ターゲットを利用することは一般に受け入れられている。
【００１３】
[0013]  既知のＬＰＰ放射源において、燃料液滴の流れは、励起ビームパルスの焦点を通るか又は焦点の近傍を通る軌道（trajectory）を移動するように構成されている。液滴が励起ビームパルスの焦点近傍の経路を横断すると、燃料液滴は、合焦された励起ビームパルスによって極めて高温に加熱され、燃料材料の高エネルギイオン及び電子からプラズマが形成される。プラズマ内では、燃料材料の原子からそれらの外側の電子が失われる。電子がイオンに戻る際に、ＥＵＶ放射のフォトンが放出される。励起ビームパルスが燃料に入射する箇所を、プラズマ形成位置と呼ぶことができる。
【００１４】
[0014]  典型的な構成において、燃料液滴は（例えばスズの）ほぼ球形の溶融液滴で、直径は約３０μｍとすることができ、合焦させた励起源（通常は赤外線レーザビーム）のウエスト（waist）は、その焦点において直径を６０〜４５０μｍとすることができる。液滴は通常、４０〜８０ｋＨｚの周波数で発生させ、典型的に４０〜１２０ｍ／ｓの速度でパルス状励起ビームの合焦領域へと送出される。
【００１５】
[0015]  放射源の出力パワーを増大させるため、多数の手法が研究されている。
【００１６】
[0016]  レーザプレパルスを用いて燃料液滴をパンケーキ状に整形することで、変換効率を上げることができる。しかしながら、燃料粒子の存在が励起ビームのパルスをトリガする構成では、溶融燃料液滴の光沢のある（shiny）表面を使用可能であることが望ましい。この構成は、ＮｏＭｏ構成（No Master Oscillator）と称されることがある。このようなＮｏＭｏ構成では、球形の液滴に比べ、パンケーキ状の液滴はトリガとしての使用に適していない。また、液滴流の軌道が放射コレクタの第１焦点を通るか又はその近傍を通ることを維持するため、更に燃料液滴の位置を測定するため、プレパルスレーザ及びメイン励起ビームの双方をトリガするために、パンケーキ構成では追加のメトロロジが必要となる。
【００１７】
[0017]  燃料液滴サイズを大きくすることで放射出力を増大させることも可能である。しかしながら、燃料液滴を大きくすると、完全な気化及びプラズマ発生を達成するために適当な電離温度まで必ずしも全体が加熱又は励起されないことがあり、また、これによって更にデブリ液滴が形成されて、放射源の内部及び放射コレクタ光学部品を汚染させる可能性がある。
【００１８】
[0018]  また、励起放射のパルス当たりのエネルギを増大させることによって放射出力を大きくすることも可能である。しかしながら、エネルギを増大させると燃料液滴の照射が増大し、従ってプラズマが過熱する。これは変換効率の低下を招く。過熱を回避するため、燃料液滴のサイズを大きくすることができるが、燃料液滴を大きくしすぎると、結果として上述のような不完全な気化という問題が生じ得る。更に、燃料液滴のサイズを大きくすると、プラズマサイズが大きくなり、対応してエタンデュ（etendue）が増大して、放射コレクタの中間焦点における像サイズの望ましくない拡大が起こる。像サイズが大きすぎると、像はリソグラフィ装置の残りの段階で用いるのに適切でなくなる可能性がある。
【００１９】
[0019]  また、励起ビーム焦点における液滴間の分離距離を充分に大きく維持して、発生されたプラズマが後続の燃料液滴をそれらの経路から逸脱させるのを回避しながら、全体的な燃料消費率を高めるために燃料流における燃料粒子速度及び燃料粒子周波数の双方を上げることで、放射出力を増大させることが可能となり得る。しかしながら、ノズルを通る流れを維持するために必要な圧力はノズルを通過する速度の２乗に比例するので、燃料流速度を２倍に上げるには圧力を４倍にする必要がある。このような高圧は、燃料流発生装置の寿命を縮めたり、不具合を起こしたりする恐れがある。
【００２０】
[0020]  また、噴射速度を上げると合体が発生する領域が長くなり、この結果として、流れの中の合体しない衛星液滴（satellite droplets）の数が増えて、発生させた放射ビームが不均質となり得る。
【００２１】
[0021]  空間内で本質的に自由である燃料液滴は、先行する燃料液滴から生成されたプラズマ及びデブリとの相互作用に特に影響されやすい。このような相互作用によって燃料液滴のタイミングにばらつきが生じることがある。更に、各レーザパルス及び各燃料液滴によって発生したプラズマは予測することができない形で変動する可能性があり、これが燃料液滴タイミングの予測することができないばらつきを引き起こし得る。燃料液滴タイミングのばらつきは、各レーザパルスの高精度のタイミング調節を難しくする可能性がある。各励起ビームパルスが各液滴に衝突する精度を向上させるために、複雑な液滴及びパルスタイミング機構が提案されている。
【００２２】
[0022]  上述の手法によってＬＰＰ放射源が出力するパワーの増大は実現しているものの、ＥＵＶ放射等の放射を発生させるための方法及び装置であって、例えば発生させる放射パワーを増大させる従来技術の手段に比べ、更に高パワーであるが、そのような高パワー発生に伴う前述の問題が軽減されたものを提供することが望まれている。
【００２３】
[0023]  本明細書全体を通して、「備えている（comprising）」又は「備える（comprise）」という用語は、指定されたコンポーネント（複数のコンポーネント）を含むが、他のものの存在を排除するわけではないことを意味する。「本質的に〜から成っている（consisting essentially of）」又は「本質的に〜から成る（consists essentially of）」という用語は、指定されたコンポーネントを含むことを意味し、他のコンポーネントは除外するが、ただし、不純物として存在する材料、コンポーネントを提供するために用いられるプロセスの結果として存在する不可避的な材料、及び本発明の技術的効果を達成すること以外の目的で追加されるコンポーネントは例外である。適切な場合はいつでも、「備える」又は「備えている」という用語の使用は、「本質的に〜から成る」又は「本質的に〜から成っている」という意味を含むものとして解釈され得るものであり、また、「〜から成る」又は「〜から成っている」という意味を含むものとして解釈され得る。
【００２４】
[0024]  本明細書で述べるような任意選択の特徴及び／又は好適な特徴は、適宜、個別に又は相互に組み合わせて、特に添付の特許請求の範囲において述べるような組み合わせで、使用可能である。本発明の各態様についての任意の特徴及び／又は好適な特徴は、適宜、本発明の他のいずれの態様にも適用可能である。
【００２５】
[0025]  本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置のための放射を発生させる方法が提供される。この方法は、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出することと、を備える。
【００２６】
[0026]  連続波励起ビーム及び連続的に補給される燃料ターゲットの双方を組み合わせて提供することによって、従来技術に見られる問題の多くが克服され得ることが認められている。例えば、液滴燃料ターゲット及びパルス状励起ビーム放射発生器において発生させる放射の強度を増大させようとする際に直面する問題を克服することができる。更に、連続波励起ビーム及び連続的に補給される燃料ターゲットの双方を組み合わせて提供すると、液滴燃料ターゲット及びパルス状励起ビームを必要とすると長く考えられていた問題が防止及び／又は軽減されることが予想外に見出されている。
【００２７】
[0027]  連続的に補給される燃料ターゲットを提供することは、第１位置から第２位置に噴射を送出することを含み得る。この噴射は第１位置と第２位置との間で連続的であり、噴射は放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含み、噴射はプラズマ形成位置と少なくとも部分的に交差する。
【００２８】
[0028]  連続的に補給される燃料ターゲットは、燃料容器からプラズマ形成位置に燃料を移送するように配置された回転体によって提供され得る。
【００２９】
[0029]  回転体は回転ディスクとすることができる。
【００３０】
[0030]  燃料容器は液体燃料槽であり得る。回転体は、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転し得る。
【００３１】
[0031]  連続励起ビームは、連続波レーザによって提供される連続波レーザビームであり得る。
【００３２】
[0032]  連続波レーザは、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で連続波レーザビームを発生させるように配置され得る。
【００３３】
[0033]  第２反射器は、プラズマ形成位置において連続的に補給される燃料ターゲットの表面によって与えることができる。連続的に補給される燃料ターゲットの表面は、実質的に平坦な表面及び／又は実質的に反射性の表面であり得る。
【００３４】
[0034]  連続波レーザは、少なくとも１つの増幅チャンバを備えるガスレーザであり得る。ガスレーザが複数の増幅チャンバを備える場合、増幅チャンバの各々を実質的に同一の圧力に維持することができる。これは、複数の増幅チャンバを備える従来技術のパルス状レーザにおいて各増幅チャンバを異なる圧力に維持する必要があることに比べ、特に有利である。
【００３５】
[0035]  放射を発生させるプラズマから発生した放射は、かすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタの形態の放射コレクタによって収集することができる。
【００３６】
[0036]  放射を発生させるプラズマから発生したデブリは、回転ホイルトラップによって低減され得る。より一般的には、放射源は、放射源内及び／又はリソグラフィ装置の他の部分内でのデブリ伝搬を低減させるために、１以上の汚染トラップの形態でデブリ低減デバイスを備えることができる。そのような汚染トラップは、回転ホイルトラップ、静的ホイルトラップ、又はガスバリアの１以上を含み得る。
【００３７】
[0037]  本発明の第２の態様によれば、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、前出の請求項のいずれかに記載の方法に従って放射を発生させることと、発生させた放射を用いて基板にパターンを適用することと、を備える。
【００３８】
[0038]  本発明の第３の態様によれば、放射源が提供される。この放射源は、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、使用時に連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出するように配置された励起ビーム源と、を備える。
【００３９】
[0039]  燃料ターゲット発生器は、第１位置から第２位置に噴射を送出するためのノズルを備え得る。この噴射は、第１位置と第２位置との間で連続的であり、放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含む。連続的に補給される燃料ターゲットは、プラズマ形成位置における前記噴射の一部とすることができる。
【００４０】
[0040]  燃料ターゲット発生器は、燃料を燃料容器からプラズマ形成位置に移送するために回転するように配置された本体を備えることができる。
【００４１】
[0041]  本体はディスクとすることができる。
【００４２】
[0042]  燃料容器は液体燃料槽を含み得る。本体は、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転するように配置することができる。
【００４３】
[0043]  励起ビーム源は、連続波レーザビームの形態で連続励起ビームを提供するように配置された連続波レーザを備え得る。
【００４４】
[0044]  連続波レーザは、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で連続波レーザビームを発生させるように配置することができる。
【００４５】
[0045]  連続波レーザは、第１反射器を備え、プラズマ形成位置における連続的に補給される燃料ターゲットの表面を第２反射器として用いるように配置することができる。例えば、連続波レーザが放射源の分離したコンポーネントと見なされる場合、連続波レーザは光共振器を生成するのに用いられる単一の反射器を含み得る。燃料は溶融スズ等の溶融金属とすればよい。溶融スズは、ＥＵＶ放射を発生させるために極めて効率が高く、連続的に補給される燃料ターゲットが第２反射器として機能することを可能とする反射性表面を提供する。
【００４６】
[0046]  放射源は、放射発生させるプラズマにより発生した放射を収集するための放射コレクタを更に備え得る。放射コレクタは、例えばかすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタとすればよい。放射コレクタは他のいずれかの適切な形態をとることも可能である。
【００４７】
[0047]  放射源は、デブリ低減手段を更に備えることができる。例えば、デブリ低減手段は回転ホイルトラップを備え得る。デブリ低減手段は、これに加えて又はこの代わりに、静的ホイルトラップ、又はガスバリア等の他のコンポーネントを備えている。
【００４８】
[0048]  本発明の第４の態様によれば、第３の態様の放射源を備えるか又はこの放射源に接続されたリソグラフィ装置が提供される。
【００４９】
[0049]  リソグラフィ装置は、放射を発生させるプラズマにより発生した放射を調節して調節済み放射ビームを形成するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を更に備え得る。
【００５０】
[0050]  本発明の第５の態様によれば、第１態様の方法を用いて放射を発生させることと、第４の態様のリソグラフィ装置を用いて基板をパターニングすることと、を備えるデバイス製造方法が提供される。放射はＥＵＶ放射であると好ましい。
【００５１】
[0051]  連続的に補給される燃料ターゲットによって、燃料は個々の塊でプラズマ形成位置に提供されるのではないことが理解されよう。例えば燃料は、液滴又は個々の粒子で提供されない。例えば、連続的に補給される燃料ターゲットとは、連続励起ビームの動作期間中に燃料が中断なしでプラズマ形成位置に補給されるようなものである。連続励起ビームが動作していない間（例えば放射源の洗浄中又は保守中）は、連続的に補給される燃料ターゲットも停止され得ることは認められよう。本発明のいくつかの実施形態では、例えば燃料が溶融スズ等の溶融金属である場合、燃料の固化を防ぐため、連続励起ビームが停止した際に連続的に補給される燃料ターゲットを提供し続けることがある。
【００５２】
[0052]  本発明の第６の態様によれば、装置が提供される。この装置は、複数の励起ビームをターゲット位置に送出してターゲット位置で第１合成励起ビームを形成するように配置された励起ビーム源を備え、前記励起ビーム源が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節するための少なくとも１つの位相調節器を備える。
【００５３】
[0053]  これは、位相調節器の制御によって第１合成励起ビームの品質を制御し得るという利点を有する。
【００５４】
[0054]  この装置は放射源とすることができる。
【００５５】
[0055]  複数の励起ビームは、同一の波長を有する複数のレーザビームを含み得る。
【００５６】
[0056]  励起ビーム源は、第１特性を測定するように構成された第１センサ配置を更に備え得る。前記第１特性は放射の第１部分の特性であり、前記第１特性は第２特性を示し、前記第２特性は前記第１合成励起ビームの特性である。第１特性は、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する位相によって少なくとも部分的に決定され得る。このように、少なくとも１つの励起ビームの位相は、第１センサ配置により与えられるフィードバックに基づいていっそう高精度に調節することができる。
【００５７】
[0057]  第１センサ配置は、前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を送出して第２合成励起ビームを形成するように配置された第１光学要素を備えることができる。放射の第１部分は前記第２合成励起ビームであり得る。第１特性は、前記第１合成励起ビームの強度、前記第１合成励起ビームの位置、前記合成励起ビームの焦点、及び前記合成励起ビームの干渉パターンの少なくとも１つを示し得る。これは、第１部分が第１合成励起ビームの特性の代替物（proxy）を与えるという利点を有する。
【００５８】
[0058]  この装置は、コントローラを更に備えることができる。第１センサ配置は第１センサ信号をコントローラに提供し、コントローラは、少なくとも部分的に前記第１センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を制御するように構成されている。
【００５９】
[0059]  この装置は、第２特性を測定するように構成された第２センサ配置を更に備えることができる。前記第２特性は放射の少なくとも１つの第２部分の特性であり、前記第２特性は第３特性を示し、前記第３特性は前記複数の励起ビームの少なくとも１つの特性である。第２センサを提供することで、位相調節器のいっそう精度の高い制御が可能となる。
【００６０】
[0060]  第２センサ配置は、複数の励起ビームの各々について第２特性を測定するように構成され得る。このようにして、第２センサ、従って励起ビームの位相の制御を、いっそう正確に行うことができる。
【００６１】
[0061]  第３特性は、前記複数の励起ビームの前記少なくとも１つの位相であり得る。
【００６２】
[0062]  この装置は、第２コントローラを更に備えることができる。第２センサ配置は第２センサ信号を第２コントローラに提供し、第２コントローラは、少なくとも部分的に前記第２センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を制御するように構成されている。第２コントローラは、第１コントローラによって提供することができる。
【００６３】
[0063]  第１センサ配置及び／又は第２センサ配置は、フォトダイオード、分割フォトダイオード、電荷結合素子アレイ、及びアクティブピクセルセンサの少なくとも１つを備え得る。
【００６４】
[0064]  少なくとも１つの位相調節器は、前記複数の励起ビームの各々についてそれぞれ位相調節器を含み得る。
【００６５】
[0065]  励起ビーム源は、前記複数の励起ビームを前記プラズマ形成位置に送出するように構成された少なくとも１つの合焦要素を備え得る。少なくとも１つの位相調節器は、前記複数の励起ビームの少なくとも１つのビーム源と前記少なくとも１つの合焦要素との間の経路長を変化させるための手段を備えることができる。
【００６６】
[0066]  この装置は、使用時に燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように、燃料ターゲットを前記ターゲット位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器を更に備え得る。このように、上述の態様の有利な装置を用いて、リソグラフィ装置内で使用可能な放射源（ＥＵＶ放射源等）を提供することができる。
【００６７】
[0067]  本発明の第７の態様によれば、上述の態様の１つ以上を備えるか又はそれに接続されたリソグラフィ装置が提供される。
【００６８】
[0068]  リソグラフィ装置は、放射を発生させるプラズマにより発生した放射を調節して調節済み放射ビームを形成するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を備え得る。
【００６９】
[0069]  本発明の第８の態様によれば、リソグラフィ装置用の放射を発生させる方法が提供される。この方法は、燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように複数の励起ビームをプラズマ形成位置に送出してプラズマ形成位置で第１合成励起ビームを形成することと、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することと、を備える。
【００７０】
[0070]  前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することは、前記複数の励起ビームの各々が前記第１合成励起ビームにコヒーレントに合成されるように前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することを含み得る。
【００７１】
[0071]  この方法は、第１センサ配置において第１特性を測定することを更に備え得る。前記第１特性は放射の第１部分の特性であり、前記第１特性は第２特性を示し、前記第２特性は前記第１合成励起ビームの特性であり、前記第１特性は、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する位相によって少なくとも部分的に決定される。
【００７２】
[0072]  この方法は、前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を送出して第２合成励起ビームを形成することを更に備え得る。放射の前記第１部分は前記第２合成励起ビームである。
【００７３】
[0073]  第１特性は、前記第１合成励起ビームの強度、前記第１合成励起ビームの位置、前記第１合成励起ビームの焦点、及び前記合成励起ビームの干渉パターンの少なくとも１つを示し得る。
【００７４】
[0074]  この方法は、前記第１センサ配置から第１センサ信号を受信することと、前記第１センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を調節することと、を更に備えることができる。
【００７５】
[0075]  この方法は、第２センサ配置において第３特性を測定することを更に備え得る。前記第３特性は放射の少なくとも１つの第２部分の特性であり、前記第３特性は第４特性を示し、前記第４特性は前記複数の励起ビームの少なくとも１つの特性である。
【００７６】
[0076]  第２センサ配置において測定することは、前記複数の励起ビームの各々について放射の各第２部分の第３特性を測定することを含み得る。
【００７７】
[0077]  前記第３特性は前記複数の励起ビームの前記少なくとも１つの位相を示し得る。
【００７８】
[0078]  前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起の少なくとも１つの他のビームに対して調節することは、前記複数の励起ビームの各々について各位相調節器の位相を調節することを含み得る。
【００７９】
[0079]  前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することは、前記複数の励起ビームの少なくとも１つのビーム源と前記複数の励起ビームを前記プラズマ形成位置に送出するように配置された少なくとも１つの合焦要素との間の経路長を変化させることを含み得る。
【００８０】
[0080]  本発明の第９の態様によれば、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、前述の方法の態様のいずれかに従って放射を発生させることと、発生させた放射を用いて基板にパターンを適用することと、を備える。
【００８１】
[0081]  本発明の１つ以上の態様は、当業者にとって適切な場合、本明細書に記載する他のいずれかの１つ以上の態様と、及び／又は本明細書に記載するいずれかの１つ以上の特徴と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
[0082]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００８３】
【図１】[0083]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。
【図２】[0084]  垂直入射放射コレクタを備えたＬＰＰ放射源を含む、本発明の一実施形態による図１の装置の更に詳細な概略図である。
【図３】[0085]  従来技術のＬＰＰ放射源において用いられるパルス状レーザの概略図である。
【図４】[0086]  本発明の一実施形態によるＬＰＰ放射源において用いられる連続波レーザの概略図である。
【図５】[0087]  本発明の一実施形態によるＬＰＰ放射源において用いられる代替的な連続波レーザの概略図である。
【図６】[0088]  図５のＬＰＰ放射源の一部を更に詳しく示す概略図である。
【図７】[0089]  かすめ入射放射コレクタを備えたＬＰＰ放射源を含む、本発明の異なる実施形態による図１の装置の概略図である。
【図８】[0090]  図７の装置の代替的な構成の概略図である。
【図９】[0091]  本発明の別の実施形態によるレーザ配置を概略的に示す。
【図１０Ａ】[0092]  図９のレーザ配置において用いられる第１センサの使用を概略的に示す。
【図１０Ｂ】[0092]  図９のレーザ配置において用いられる第１センサの使用を概略的に示す。
【図１１】[0093]  本発明の別の実施形態によるレーザ配置を概略的に示す。
【図１２】[0001]  本発明の別の実施形態によるレーザ配置を概略的に示す。
【図１３】[0002]  図１のリソグラフィ装置の多層ミラーを概略的に示す。
【図１４】[0003]  上部にＳｉ３Ｎ４層を有する多層ミラーの反射率を示すグラフである。
【図１５】[0004]  図１３の多層ミラーの一実施形態の反射率を示すグラフである。
【図１６】[0005]  図１３の多層ミラーの一実施形態を示す。
【図１７】[0006]  図１６の多層ミラーの実施形態の変形を示す。
【００８４】
[0094]  本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことでさらに明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。
【発明を実施するための形態】
【００８５】
[0095]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ複数の実施形態を開示する。開示される複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００８６】
[0096]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【００８７】
[0097]  図１は、本発明の一実施形態による放射源ＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築されると共にパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構築されると共に基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイから成る）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を備えている。
【００８８】
[0098]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００８９】
[0099]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
【００９０】
[00100]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００９１】
[00101]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００９２】
[00102]  照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。ガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を設けてもよい。
【００９３】
[00103]  本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。
【００９４】
[00104]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００９５】
[00105]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ光を生成するための方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズ等の、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称されることが多いそのような１つの方法においては、必要な輝線を発する元素を有する材料の液滴、流れ、クラスタ、又は噴射等の燃料にレーザビームを照射することで、必要なプラズマを生成することができる。
【００９６】
[00106]  放射源ＳＯは、燃料の流れを発生させるための燃料流発生器及び／又は燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（どちらも図１には示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。その結果生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、これは放射源内に配置された放射コレクタを用いて収集される。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザ及び／又は燃料流発生器及びコレクタモジュール（放射源と呼ばれることが多い）は別個の構成要素であり得る。
【００９７】
[00107]  そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えたビームデリバリシステムを利用することで、レーザから放射源へと渡される。他の場合、例えば放射源が、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶ発生器である場合、これは放射源の一体的な部分とすることができる。
【００９８】
[00108]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えていてもよい。通常、少なくとも、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスのような他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００９９】
[00109]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２ポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１ポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせしてもよい。
【０１００】
[00110]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【０１０１】
[00111]  １．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
【０１０２】
[00112]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
【０１０３】
[00113]  ３．別のモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【０１０４】
[00114]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、若しくは、全く異なる使用モードも利用することができる。
【０１０５】
[00115]  図２は、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む本発明の一態様によるリソグラフィ装置ＬＡＰを更に詳細に示す。放射源ＳＯは、この放射源の閉鎖構造２内に真空環境を維持することができるように構築及び配置されている。
【０１０６】
[00116]  レーザ４は、燃料噴射発生器８の形態の燃料流発生器から供給されるスズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）等の燃料に、レーザビーム６によってレーザエネルギを堆積させるように配置されている。液体（すなわち溶融）スズ、又は液体の別の金属は、現在、ＥＵＶ放射源の燃料として最も有望な、従って可能性の高い選択肢と考えられている。燃料噴射トラップ９は、プラズマ生成中に消費されない燃料を受容するように配置されている。燃料にレーザエネルギを堆積することで、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離されたプラズマ１０をプラズマ形成位置１２に生成する。これらのイオンの下方遷移及び再結合の間に発生した高エネルギ放射が、プラズマ１０から放出され、近垂直入射放射コレクタ１４（より一般的には垂直入射放射コレクタと呼ばれることが多い）によって収集されて合焦される。コレクタ１４は多層構造を有することができ、例えば特定の波長の放射（例えば特定のＥＵＶ波長の放射）の反射、更に容易な反射、又は優先的な反射を行うように調整されたものである。コレクタ１４は、２つの自然楕円焦点を有する楕円形の構成とすることができる。一方の焦点はプラズマ形成位置１０にあり、他方の焦点は以下で述べる中間焦点にある。
【０１０７】
[00117]  レーザ４及び／又は放射源及び／又はコレクタ１４が共に、放射源、具体的にはＥＵＶ放射源を構成すると考えることができる。ＥＵＶ放射源をレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ぶ場合がある。閉鎖構造２内のコレクタ１４は、（この例では）放射源の一部を形成することができる。
【０１０８】
[00118]  図示しないが、燃料噴射発生器８は、プラズマ形成位置１２へと向かう軌道に沿って燃料を送出するように構成されたノズルを備えているか、又はそのようなノズルに接続される。
【０１０９】
[00119]  放射コレクタ１４により反射された放射Ｂは、放射コレクタの第２焦点１６で像を形成するように合焦される。第２焦点１６は一般に中間焦点と呼ばれ、放射源ＳＯは、中間焦点１６が閉鎖構造２の開口部１８に又は開口部１８の近傍に位置するように構成されている。中間焦点１６に、放射を発するプラズマ１０の像が形成される。
【０１１０】
[00120]  この後、放射Ｂは照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームＢの所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２０及びファセット瞳ミラーデバイス２２を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビームが反射すると、パターニングビーム２４が形成され、このパターニングビーム２４は、投影システムＰＳによって、反射要素２６、２８を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【０１１１】
[00121]  一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。更に、図に示すよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示すものに対して１〜６の追加の反射要素が存在することがある。
【０１１２】
[00122]  上述のように、パルス状レーザ及び液滴燃料ターゲットの組み合わせについて多数の改良が行われており、研究は継続中であるが、本発明の実施形態は、連続波レーザとプラズマ形成位置において連続的に補給される燃料ターゲットとを用いることを対象とする。このため本発明の実施形態では、図２のレーザ４は、レーザビーム６が連続ビームであるように構成された連続波レーザである。すなわち、レーザ４はパルス状レーザビームを提供するようには構成されていない。これは、ＥＵＶリソグラフィ機械向けの放射源においてパルス状レーザの使用が受け入れられていることからの意外な逸脱であるが、本発明者等は、連続波レーザの使用が多数の利点をもたらすことを認識している。一般に、リソグラフィ装置と共に用いられるＥＵＶ放射源向けの従来技術のパルス状レーザでは、直列に接続された複数の増幅チャンバの第１ものに、「シード（seed）」レーザビームを放出する。増幅チャンバの各々は光学利得媒体を包含し、これをシードレーザビームが通過することで、レーザビームのパルスの出力パワーを所望の量だけ順次増大させる。レーザビームのパワーが各段で増大するので、各増幅チャンバは異なる入力及び出力の要求を有し、従って、異なる圧力に維持された異なるガス混合物を含む光学利得媒体を包含する。
【０１１３】
[00123]  図３は、パルス状レーザビームを供給するように構成された従来技術のＣＯ２レーザ３０を概略的に示す。レーザ３０は、３つの増幅チャンバＰＡ１、ＰＡ２、及びＰＡ３を備えている。上述のように、増幅チャンバＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３の各々は異なる光学利得媒体を含み、それぞれの圧力に維持する必要がある。各増幅チャンバＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３をそれぞれの圧力に維持するため、各増幅チャンバは相互に及び周囲から分離されている。具体的には、増幅チャンバＰＡ１及びＰＡ２はウィンドウ３１によって分離され、増幅チャンバＰＡ２及びＰＡ３はウィンドウ３２によって分離されている。増幅チャンバＰＡ３は、ウィンドウ３３によって周囲（例えば放射源ＳＯ）から分離されている。
【０１１４】
[00124]  動作において、増幅チャンバＰＡ１にシードレーザビームパルス３４が与えられ、ここでレーザビームパルス３４が増幅チャンバＰＡ１内の光学利得媒体と相互作用することで、誘導放出によってパワーが増大する。チャンバＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３の各々内の光学利得媒体及びレーザビームパルス３４の経路を制御することにより、レーザビームパルス３４は増幅チャンバＰＡ１、ＰＡ２、及びＰＡ３を進んでいき、ウィンドウ３３から所望のパワーで出射する。レーザビームパルス３４は、合焦光学部品３５によって燃料ターゲット３６上に送出される。最大パワーが４０ｋＷのレーザの場合、各レーザビームパルスは約３００μｍの領域上に合焦されて、約２ｘ１０１０Ｗ／ｃｍ２の所望の放射照度を達成する。図３の矢印３７は、個別の各レーザビームパルスがレーザ３０から燃料ターゲット３６まで通る経路を示す。
【０１１５】
[00125]  レーザ３０内での放射量が大きいために、ウィンドウ３１、３２、３３の変形及び劣化が生じる可能性がある。このためレーザ３０の寿命が短くなることがあり、一方でコストは増大する（修理を行う必要があるため、及びそのような修理を実行している間のリソグラフィ機械の「ダウンタイム」のため）。更に、パルス状レーザ３０は励起パルスを単一方向に送出するように構成されている（すなわちパルスは増幅チャンバ内で単一方向に伝搬する）ので、後方反射（例えば増幅チャンバとウィンドウ３１、３２、３３との界面において、又は燃料ターゲット３６の反射面から発生し得る）により、「利得ストリップ（gain stripping）」と称されることがあるプロセスで、光学利得媒体を伴う更に別の望ましくない挙動が起こる。この結果、以降のパルスに利用することができる光学利得媒体の量が減ってしまう。
【０１１６】
[00126]  図４は、本発明の一実施形態による図２のレーザ４の例示的な構成を概略的に示す。図４の構成において、レーザ４はＣＯ２レーザから成り、共に光共振器を形成するミラー４１と部分反射出力カプラ４２との間に、３つの増幅チャンバＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６を備えている（しかしながら、いかなる数の増幅チャンバを追加又は減少させて設けてもよいことは認められよう）。チャンバＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６の各々は、同じガス混合物から成る光学利得媒体を含むことができ、従って同じ圧力に維持することができる。単一のウィンドウ４２が、レーザ４を放射源ＳＯの他の部分から分離している。使用の際、レーザ４内で放出されたフォトンは、ミラー４１、４２間で増幅チャンバＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６を通って移動し、所望の閾値パワーに達するまでパワーを増大させる（光学利得媒体との相互作用によって）。この閾値パワーにおいて、レーザ光の一部はウィンドウ４１からレーザ４０を出射する。矢印４２は、ミラー４１と出力カプラ４１との間のレーザビーム４０内のフォトンの伝搬を示す。矢印４３は、合焦項部品３５及び燃料ターゲット３６へ向かうレーザ４０の出力ビームの伝搬を示す。
【０１１７】
[00127]  図５は、図１及び図２の放射源ＳＯと共に用いられるレーザ４の代替的な例を概略的に示す。図５の構成において、レーザ４は図４のレーザ４と同様に構成され、同様のコンポーネントには同じ参照番号を付している。しかしながら、図５のレーザ４では、部分反射出力カプラ４１の代わりに、燃料ターゲット３６の反射面が第２ミラーとして作用する。すなわち、燃料ターゲット３６及びミラー４１は共に光共振器を提供する。このようにして、ウィンドウ４２のように比較的高い放射レベルにさらされるために経時的な劣化の恐れがある出力カプラを別個に設ける必要性を回避する。矢印４６は、ミラー４１から燃料ターゲット３６への、及びその逆へのレーザの伝搬を示す。
【０１１８】
[00128]  図４及び図５の双方の構成において、チャンバＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６は同じ圧力に維持することができるので、それらを相互に分離する必要はない。チャンバＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６は、劣化及び変形の可能性があるウィンドウによって分離する必要がないので、レーザ３０に比べてレーザ４の寿命を改善することができる。更に、レーザ３０に比べ、増幅チャンバを分離するウィンドウが存在しないので、レーザ４の修理は単純になる。また、レーザ４０はレーザ３０に比べ、後方反射による混乱、特に利得ストリップの影響を受けにくい。
【０１１９】
[00129]  図４及び図５を参照して記載したレーザは連続波レーザであるので、プラズマ形成位置において必要な照射を達成するために、連続レーザビームは図３のレーザが生成するレーザパルスよりも狭く合焦される。例えば１００ｋＷのパワーを有する連続波レーザ４の場合、レーザビーム６は、直径が約１００μｍの領域に合焦させて、約２ｘ１０１０Ｗ／ｃｍ２の放射照度を達成することができる。パルス状レーザビームの場合に一般的であるよりも狭く連続波レーザビーム６を合焦する必要があるが、このためにプラズマ直径１０が小さくなり、従って中間焦点１６におけるエタンデュが小さくなるという利点がある。
【０１２０】
[00130]  図６は、本発明の一実施形態による図２の放射源ＳＯを更に詳しく概略的に示す。図６の実施形態において、燃料流発生器８は、燃料を液滴の形態で与えるのではなく、ノズル５１から噴射５０を与えるように構成されている。噴射５０は、ノズル５１と燃料噴射トラップ９との間で連続的である（すなわち複数の液滴から形成されるのではない）。ノズル５１は、例えばタングステン、モリブデン、又はその合金から構成すればよい。ノズルは、スズデブリによって生じる損傷に耐えることができ、高い動作温度（例えば最高で１０００℃）を可能とする。プラズマ形成位置の近傍における高温のため起こり得るノズル５１の劣化を防ぐために、高い動作温度の公差が必要とされることがある。これに加えて、又はこの代わりに、ノズル５１は、スズコーティング等の使い捨てコーティングで被覆してもよい。更に、プラズマ形成位置はノズル５１から最小距離にあるように選択することができる。例えば、プラズマ形成位置で発生したプラズマ及びスズデブリのエネルギからの熱がある程度ノズル５１の位置に放散するように、プラズマ形成位置はノズル５１から最小距離で１０ｍｍとすることができる。
【０１２１】
[00131]  燃料噴射トラップ９は、未消費の燃料（すなわちレーザビーム６によってプラズマ状態に変換されなかった燃料）を受容するように配置されている。燃料噴射トラップ９に達した未消費の燃料は、燃料ポンプ５３を介して燃料噴射発生器８へと再循環させることができる。代替的な実施形態では、燃料噴射トラップ９によって捕獲された燃料は、放射源ＳＯの外部で処理した後、放射源ＳＯ内に再循環させることができる。コレクタ１４は垂直入射コレクタとして示すが、他の実施形態では、かすめ入射コレクタ又は他のいずれかの適切な形態のコレクタである場合がある。
【０１２２】
[00132]  噴射５０は、プラズマ形成位置に常に新しい燃料を供給するために充分な速度でノズル５１から放出される。一般に、噴射速度は典型的に２５ｍ／ｓから１００ｍ／ｓの範囲内とすればよいが、正確な噴射速度は、プラズマ形成位置における燃料噴射の所望のサイズに依存する。噴射４０の連続的な性質を維持するため、噴射は、発生させたプラズマによってこの噴射４０が溶かされないことを保証するような寸法で形成すればよい。
【０１２３】
[1000]  更に、燃料噴射５０等の連続的に補給される燃料ターゲットを用いると、連続波レーザビーム６により連続的に発生する熱は、未消費の燃料が燃料噴射トラップ９に運ばれることで効率的に除去される。従って、連続波レーザビーム６と連続的に補給される燃料ターゲットとの組み合わせは、リソグラフィ機械向けに発生させたＥＵＶ放射のパワー増大に伴う多数の問題を相乗的に解決し、更に、この解決は、パルス状レーザや液滴流発生器の品質の改善、及び／又はパルス状レーザを液滴燃料ターゲットへ送出する精度の向上のための過去に認められた手法から逸脱することによって行われる。
【０１２４】
[0100]  図７は、図２に示したものの代替的な実施形態によるリソグラフィ装置ＬＡＰを更に詳しく概略的に示す。放射源ＳＯを除いて、図７のリソグラフィ装置ＬＡＰは図２に示したものに相当し、同様のコンポーネントには同様の参照番号を付している。図２の実施形態とは異なり、連続的に補給される燃料ターゲットは燃料噴射ターゲットから供給されない。図７の実施形態では、放射源ＳＯは、液体燃料（例えば液体スズ）を収容した燃料槽６０を備えている。ディスク６１が軸６２を中心として回転するように配置され、ディスク６１の縁の一部は燃料槽６０に浸っている。ディスク６１が回転すると、ディスク６１の縁に薄い液体燃料層が堆積し、これによって、連続的に補給される燃料ターゲットがディスク６１の縁においてプラズマ形成位置１２に生成される。
【０１２５】
[0101]  レーザ４は、レーザビーム６を介して、プラズマ形成位置１２における連続的に補給される燃料ターゲット上にレーザエネルギを堆積するように配置されている。ディスク６１の縁の液体燃料層にレーザエネルギを堆積することで、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離したプラズマ１０をプラズマ形成位置１２に生成する。これらのイオンの下方遷移及び再結合の間に発生した高エネルギ放射が、プラズマ１０から放出され、プラズマ形成位置１２の前方に位置決めされたかすめ入射コレクタ６３によって収集されて合焦される。かすめ入射コレクタ６３は入れ子式のコレクタであり、複数のかすめ入射反射器が光軸Ｏを中心として軸方向に対称的に配置されている。
【０１２６】
[0102]  プラズマ形成位置とかすめ入射コレクタ６３との間に、デブリ低減デバイス６４が設けられている。例示した実施形態では、デブリ低減デバイスは回転ホイルトラップの形態をとっている。回転ホイルトラップは、プラズマ１０においてプラズマが発生させたＥＵＶ放射の光軸３６と実質的に平行な中心軸を中心として配置された複数の羽根を備えている。これらの羽根は、プラズマ１０の生成により発生した粒子デブリを捕獲するのに充分な速度で軸を中心としてモータ（図示せず）によって回転可能である。これによって、捕獲されたデブリが、かすめ入射コレクタ６３及び放射源ＳＯの他のコンポーネント、及びリソグラフィ装置ＬＡＰの更に下流のコンポーネントに衝突することを防ぐ。回転の結果、捕獲されたデブリは、デブリ捕獲器（図示せず）へと噴射することができる。
【０１２７】
[0103]  放射コレクタ１４によって反射された放射Ｂは、反射器６４によって反射され、中間焦点１６に合焦される。
【０１２８】
[0104]  図２を参照して上述したように、放射Ｂは照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームＢの所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２０及びファセット瞳ミラーデバイス２２を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビームが反射すると、パターニングビーム２４が形成され、このパターニングビーム２４は、投影システムＰＳによって、反射要素２６、２８を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【０１２９】
[0105]  図７の実施形態において、レーザ４はプラズマ形成位置１２の直上にあるものとして図示しているが、レーザ４はいずれかの都合のよい位置に配置すればよい。例えば図８が示す代替的な実施形態では、レーザ４は、かすめ入射コレクタとミラー６４との間に位置決めされたミラーに連続波レーザビーム６を送出するように配置され、このミラー６５は、レーザをディスク６１の方へ送出して合焦させるように適合されている。このように、レーザビーム６の伝搬方向は、ディスク６１の回転軸６２に対して垂直ではなく、ディスク６１の回転軸に対して平行であり、レーザビーム６は回転軸に対して垂直な平面内でディスク６１に入射するようになっている。この構成では、発生させたプラズマは、レーザビーム６が入射するディスク６１の面によって、ＥＵＶ放射の所望の伝搬方向の反対方向において少なくとも部分的に制約される。
【０１３０】
[0106]  回転ホイルストラップ等のデブリ低減デバイスは、プラズマ１０により発生するＥＵＶ放射の一部を吸収する可能性があるが、より大量のデブリを許容する能力があれば、更に大量の燃料及び更に高パワーのレーザを用いることができる。例えば、４０ｋＷのパルス状レーザビームを供給するように構成し得るレーザを、大幅な変更を行うことなく、８０ｋＷの連続波レーザビームを供給するように構成することができる。連続的に補給される燃料ターゲット（噴射又は回転ディスク等）の使用によって、レーザをいっそう効果的に連続波モードで用いることができ、同等のパルス状ビームレーザに比べ、レーザが出力するパワーの増大が可能となる。回転ホイルトラップ等のデブリ低減デバイスは、連続波レーザ及び連続的に補給される燃料ターゲットの組み合わせにより達成されるＥＵＶ放射の増大分の全てを吸収するわけではないことがわかっている。このため、デブリ低減デバイスを利用する実施形態であっても、連続的に補給される燃料ターゲットに入射する連続波レーザを用いて、ＥＵＶ放射の正味の（net）増大を得ることができる。
【０１３１】
[0107]  上述の１つの実施形態を参照して説明されるコンポーネントは、別の実施形態を参照して説明されるコンポーネントと組み合わせてもよい。例えば、上述の図２の実施形態を参照してデブリ低減デバイスの説明は行わなかったが、図２に示すコンポーネントと組み合わせていずれかの適切なデブリ低減デバイスを設けてもよいことは認められよう。例えば、回転ホイルトラップ、静的ホイルトラップ、又はガスバリアを設けることができる。同様に、図２の実施形態では垂直入射コレクタ１４を利用しているが、図２の実施形態によって、かすめ入射コレクタを含むいかなる適切なコレクタも使用可能であることは理解されよう。
【０１３２】
[0108]  すなわち、連続的に補給される燃料ターゲットをどんなふうに設けるにしても（連続噴射、回転ディスク、又は他の方法でも）、放射コレクタ、デブリ低減デバイス、及び光学コンポーネントのいかなる組み合わせでも使用可能である。
【０１３３】
[0109]  更に、上述の実施形態においてレーザ４はＣＯ２レーザであるが、いずれかの適切なレーザを使用可能であることは認められよう。例えば本発明のいくつかの実施形態では他のガスレーザを用いることができ、本発明の他の実施形態では例えばＹＡＧレーザ等の固体レーザを使用可能である。
【０１３４】
[0110]  液滴ターゲットを提供するように配置された燃料流発生器を含む放射源に比べ、噴射ターゲットを使用する場合は、著しく大量の液体燃料を所与の期間にわたってポンプで汲み出す必要がある。このため、燃料噴射発生器８、燃料噴射トラップ９、及び燃料ポンプ４３等のコンポーネントの動作温度を低下させることができれば、これらのコンポーネントの動作及び長寿命にとって有益であり得る。従って、噴射の形成に用いる燃料の組成を選択する際には、動作温度の低下を目的とすることがある。例えば燃料は共晶合金とすることができる。例えば、スズ及びガリウムの合金、又はスズ及びインジウムの合金を含む燃料では、室温動作が可能となる。
【０１３５】
[0111]  本発明のいくつかの実施形態では、燃料ターゲットに入射する放射のパワーを増大させるために、複数のレーザビームを燃料ターゲットに送出することができる。燃料ターゲットに入射する放射のパワーを増大させることで、パワーが増大したＥＵＶ放射を得ることができる。一例として、燃料ターゲットに３００ｋＷのレーザパワーを与えるために、各々が１０ｋＷのパワーを有する３０のレーザを組み合わせることができる。しかしながら、各レーザが同じ波長を有する場合、結果として生じるビームのウエストが干渉を起こしやすい。具体的には、各レーザ間の相互作用は、各レーザにより生成されるビームを単に重ね合わせた結果、燃料に入射する領域が過度に大きくなるので、燃料ターゲットに入射する放射を所望のパワー密度で得ることができない。
【０１３６】
[0112]  図９を参照すると、燃料ターゲットに複数のレーザビームを送出するのに適した代替的なレーザ配置７０が概略的に示されている。シードレーザ７１（これは例えばＣＯ２レーザとすればよい）は、シードレーザビーム７２をビームスプリッタ７３に提供し、ビームスプリッタ７３はシードレーザビーム７２を複数のレーザビーム７４に分離させる。各レーザビーム７４は同一の周波数を有する。図９はシードレーザビーム７２を４つのレーザビームに分割することを示すが、特定用途の要件によって決まるようないかなる数のレーザビームも使用可能であることは理解されよう。シードレーザ７１は、連続波レーザとすることができるか、又は一般的に「準連続波」モードと称されるモードで動作することができる。このモードでは、レーザは特定の時間期間のみ動作するが、この時間期間は、レーザが動作時間期間中に実質的に連続波モードとなるのに充分な長さである。
【０１３７】
[0113]  レーザビーム７４は各々、複数の位相調節器７５の１つに提供される。各位相調節器７５は、各レーザビーム７４を変調して、各変調済みレーザビーム７６を与えるように構成されている。特に、各位相調節器７５は、コントローラ７８が与える命令に従って各レーザビーム７４の位相を変調するように構成されている。コントローラ７８の動作については以下で詳述する。しかしながら、一般的に言えば、コントローラ７８は、燃料ターゲットに入射するレーザ放射の所望の特性を得るために位相調節器７５を制御するように動作可能である。
【０１３８】
[0114]  各変調済みレーザビーム７６は、複数の増幅器７７の各々に提供される。図９に示す実施形態では、各変調済みレーザビーム７６は単一の増幅器７７に提供されるが、各変調済みレーザビーム７６と関連付けていかなる数の増幅器も使用可能であることは理解されよう。本発明のいくつかの実施形態では、増幅器はファイバ増幅器とすればよい。
【０１３９】
[0115]  増幅器７７から、各変調済みレーザビーム７６は、複数のレーザ調節コンポーネント７９の各々に送出される。各レーザ調節コンポーネント７９は、変調済みレーザビーム７６を更に調節するために必要ないずれかの適切なコンポーネントを備えることができる。例えばレーザ調節コンポーネント７９は、各変調済みレーザビーム７６を合焦要素８０に送出するように構成されたデリバリ光学部品を備えることができる。この代わりに、又はこれに加えて、レーザ調節コンポーネント７９は、増幅器、光アイソレータ、及び／又は位相回転器等のコンポーネントを備えることも可能である。
【０１４０】
[0116]  合焦要素８０は、個々の変調済みレーザビーム７６を組み合わせて、それらをターゲットポイント８１（これはＥＵＶ放射発生のために燃料が供給される場所とすることができ、本明細書ではプラズマ形成位置と称することがある）に送出する。多くの場合、ターゲットポイント８１は合焦要素８０の焦点にあるか又は焦点の近傍にある。合焦要素８０はいずれかの適切な形態ととることができ、例えば複数の合焦要素とすることも可能である。例えば合焦要素８０は、変調済みレーザビーム７６の各々について１つの合焦要素を含むことができる。他の実施形態では、合焦要素の各サブセットが、レーザビームの各サブセットをターゲットポイント８１に合焦させるように機能することも可能である。
【０１４１】
[0117]  図９のレーザ配置は更に、第１センサ配置を備えている。第１センサ配置は複数のビームスプリッタ８２を備え、各ビームスプリッタ８２は、レーザ調節コンポーネント７９と合焦要素８０との間で変調済みレーザビーム７６の各々の経路に位置決めされている。第１センサ配置は更に、第２合焦要素８４及び第１センサ８５を備えている。
【０１４２】
[0118]  ビームスプリッタ８２の各々は、変調済みレーザビーム７６の各々の第１部分８３を第２合焦要素８４へと送出するように構成されている。第２合焦要素８４は、個々の第１部分を組み合わせて、それらを第１センサ８５上のポイントに送出するように構成されている。第１センサ８５は、この第１センサ８５に入射する組み合わせレーザ放射の１つ以上の特性を明らかにするように構成されている。入射した組み合わせレーザ放射に関する第１センサ８５が明らかにした情報は、ターゲットポイント８１に入射する組み合わせ変調済みレーザビーム７６に類似したものである。例えばセンサ８５は、入射した組み合わせレーザ放射の強度を求めて、ターゲットポイント８１に入射する組み合わせレーザ放射の代替物を与えるように構成することができる。第１センサ８５は、いずれかの適切な方法で実施可能であり、いくつかの例示的な実施形態では、単一のフォトダイオード、分割フォトダイオード、アクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）、及び／又は電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサ等の光検出器を含むことができる。第１センサ８５は、入射した放射の周波数以下である周波数により放射を測定することができる。いくつかの実施形態では、第１センサ８５は、レーザビーム７６の相対的な位相を検出することができる。
【０１４３】
[0119]  第１センサ８５は、信号８６をコントローラ７８に提供するように構成されている。信号８６は、コントローラ７８によって位相調節器７５を制御するために使用可能な情報を含む。例えば第１センサ８５は、強度情報をコントローラ７８に提供するように構成することができる。経時的に強度を分析することで、コントローラ７８は、放射の第１部分８３のそれぞれの間の位相差を求め、ひいては、変調済みレーザビーム７６の対応するものの間の位相差を求めることができる。次いでコントローラ７８は、変調済みレーザビーム７６のそれぞれの間の位相差に関する情報を用いて位相調節器７５を制御することで、ターゲットポイント８１に入射する組み合わせレーザ放射の１つ以上の所望の特性を達成することができる。
【０１４４】
[0120]  変調済みレーザビーム７６のそれぞれの間の位相差を調節することで、ターゲットポイント８１で受信される組み合わせレーザ放射の波面の調節が可能となる。変調済みレーザビーム７６のそれぞれの位相を制御した結果は、ターゲットポイント８１における合成（merged）レーザビームの干渉のパターンを制御することであると考えられる。言い換えれば、レーザビーム７６の相対的な位相を調節することで、建設的干渉及び相殺的干渉のパターンを制御して所望の放射分布を得ることができる。このように、レーザ配置７０は、燃料ターゲットの表面上での放射分布を制御して所望の効果を達成することができる。
【０１４５】
[0121]  図９の配置の１つの有利な使用においては、位相調節器７５を制御することにより、変調済みレーザビーム７６の各々をコヒーレントに結合することができる。これによって、変調済みレーザビーム７６がインコヒーレントに空間的に合成された場合に可能であるよりもターゲットポイント８１におけるパワー密度が高く安定した合成ビームを変調済みレーザビーム７６により提供することができる。具体的には、実質的に同じ位相の（すなわち所定の許容可能な公差内で位相差がゼロの）各変調済みレーザビーム７６を提供するように位相調節器７５を制御することにより、ターゲットポイント８１において最大のパワー密度を得ることができる。ターゲットポイント８１における燃料ターゲット上のパワー密度を高くすることで、発生させるＥＵＶ放射のパワーを増大させることが可能となる。実質的に位相差がゼロの変調済みレーザビーム７６の供給は、「フラットな」干渉パターンを与えることと見なすことができる。本発明の実施形態を用いて、他の干渉パターンを発生させることも可能である。更に別の例として、隣接する変調済みビーム７６間の位相差が等しくなるように位相調節器７５を制御することで、ターゲットポイント８１において「傾斜」干渉パターンを与えることができる。
【０１４６】
[0122]  燃料ターゲットに入射する放射分布のプロファイルを調節することで、デブリ伝搬方向の制御が可能となり、更に、燃料ターゲットから反射されるレーザ放射の角度分布に対する制御が可能となる。例えば、変調済みビーム７６間の位相差は、ターゲットポイント８１において双極又は４部構成（quadruple）のパターンを与えるように構成することができる。このようなパターンを用いて、ターゲットポイント８１から基板方向のレーザ放射の反射を低減することができる。
【０１４７】
[0123]  別の例として、「フラットな」パターンを用いて最大パワーを有するＥＵＶ放射を提供可能であることは上述したが、位相調節器７５の制御によって燃料ターゲット８１におけるレーザ放射のパワー密度を変化させることで、ＥＵＶパワーの量を制御して、最大でない所望のパワーを有する所望のＥＵＶ放射を得ることも可能である。例えば、発生させるＥＵＶ放射量を低減させることが望ましい場合、燃料ターゲットの焦点面における変調済みレーザビーム７６のコヒーレンスを低減させるように位相調節器７５を制御すればよい。本発明のいくつかの実施形態では、発生させたＥＵＶ放射のパワー密度を適切なセンサにより測定し、その情報をコントローラ７８に提供することができる。次いでコントローラ７８は、所望のパワー密度を有するＥＵＶ放射を発生させるために、ターゲットポイントの合成レーザビームにおいて適切なレベルのコヒーレンスを得るように、位相調節器７５を制御することができる。従って、ＥＵＶ放射強度の低下は、合焦要素８１（又は配置７０の他のいずれかの段）を介して送出されるレーザ放射のパワーを変化させることなく達成可能であり、このため、放射強度の変化から生じ得る熱膨張／歪みによって最終焦点が変化することもない。
【０１４８】
[0124]  レーザ配置７０の更に別の有利な使用は、例えば合焦要素８０における熱的な変化によって生じる焦点のシフトを補正することである。変調済みレーザビーム７６の１つ以上の位相の調節を用いると、合焦要素８０の機械的な再位置決めを必要とすることなく、しかもそれよりも迅速に、そのような焦点シフトを補償することができる。
【０１４９】
[0125]  本発明のいくつかの実施形態では、第１センサ８５は、この第１センサ８５に入射する組み合わせた第１部分８３の焦点位置、従って、ターゲットポイント８１に入射する組み合わせ変調済みレーザビーム７６の焦点に関する情報を与えるように構成することができる。図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、いくつかの実施形態では、センサ８５は、４つの四分円９１、９２、９３、９４を有する分割フォトダイオードから成る。図１０Ａにおいて、レーザスポット９５（すなわち合成された第１部分８３により照明される分割フォトダイオードの表面の部分）は、分割フォトダイオードの中心にある。すなわち図１０Ａの配置では、各四分円９１、９２、９３、９４は、組み合わせた第１部分８３から実質的に同一の量の放射を受光する。光学要素８０が熱膨張／収縮を生じていない場合、変調済みレーザビーム７６の位相を整合させることによって、図１０Ａの配置を達成することができる。
【０１５０】
[0126]  図１０Ｂに示すように、中心位置に対するレーザスポット９５の位置（従って、ターゲットポイント８１に対する合成された変調済みレーザビーム７６の位置）は、変調済みレーザビーム７６の各位相の調節によって調節することができる。同様に、レーザスポット９５が中心スポットから遠ざかったことが検出された場合（例えば光学要素８０、８４において熱により誘発された変化の結果として）、適切な信号をコントローラ７８に与えて、変調済みレーザビーム７６の１つ以上の位相を調節すればよい。
【０１５１】
[0127]  図１１に、本発明の代替的な実施形態を概略的に示す。図１１は、図９に示したレーザ配置７０と同様に構成されたレーザ配置７０’を示す。レーザ配置７０のものと同一であるレーザ配置７０’のコンポーネントには、同様の参照番号を付している。レーザ配置７０’がレーザ配置７０と異なる点は、各ビームスプリッタ８２と合焦要素８４との間で第１部分８３の各々の経路に各ビームスプリッタ４００が設けられていることである。ビームスプリッタ４００の各々は、放射の第２部分４０１の各々を第２センサ４０２に送出するように配置されている。
【０１５２】
[0128]  第１センサ８５が、この第１センサ８５に入射する合成ビームの強度を求めるように構成されているのに対して、第２センサ４０２は、第２部分４０１の各々の特性を求めるように構成されている。第２センサは、いずれかの適切な方法で実施可能であり、例えばＣＣＤアレイとすればよい。いくつかの実施形態では、第２センサ４０２は、ビーム４０１のいずれか２つの間、又はビーム４０１の中の特定の基準ビームと他のいずれかとの間で、位相差を求めるように動作する。センサ８５と同様に、センサ４０２は信号４０３をコントローラ７８に提供するように構成されている。
【０１５３】
[0129]  図１１において、第２センサ４０２はビームスプリッタ８２及びビームスプリッタ４００を介して放射を受信するように示しているが、他の構成も使用可能である。例えばいくつかの実施形態では、第２センサ４０２をレーザ調節コンポーネント７９と合焦要素８０との間に位置決めすることができる。そのような実施形態では、第２センサ４０２は少なくとも部分的に透過性であり、レーザビーム７６の少なくとも一部が第２センサ４０２を通過して合焦要素８０に到達するようになっている。
【０１５４】
[0130]  ここで、変調済みレーザビーム７６が矩形又は方形のアレイに配置されて、変調済みレーザビーム７６のＭｘＮの２次元アレイが図１１の線Ｓ−Ｓによって画定される平面上に入射する一例について説明する。平面Ｓ−Ｓに入射する変調済みレーザビーム７６は、相互に対して実質的に平行な方向に伝搬することができ、変調済みレーザビーム７６の中心は、相互から実質的に等距離とすることができる。平面Ｓ−Ｓは、レーザビーム７６の伝搬方向に対して実質的に垂直とすることができる。しかしながら、この配置は単なる例示であり、変調済みレーザビーム７６の他の構成も使用可能であることは理解されよう。
【０１５５】
[0131]  平面Ｓ−Ｓに入射するレーザビーム７６の位相差を、第２センサ４０２によって測定することができる。第２センサ４０２によって与えられるレーザビーム７６間の位相差の測定値は、次元ＭｘＮを有し式（２）で与えられる２次元位相行列Ｐを形成すると見なすことができる。
【０１５６】
【数２】
2018146977.tif 000004
【０１５７】
[0132]  位相行列Ｐの各要素は、平面Ｓ−Ｓに入射するレーザビーム７６の１つに相当する。位相行列Ｐの各要素の指数（ｉ，ｊ）は、平面Ｓ−Ｓに入射する各レーザビーム７６の相対的な位置を表す。各要素Ｐｉ，ｊの値は、位置（ｉ，ｊ）におけるレーザビームと位置（１，１）におけるレーザビームの位相との位相差に等しい。従って、要素Ｐ１，１の値は「０」である。
【０１５８】
[0133]  位相行列Ｐは、第２センサ４０２によって測定され、信号４０３を介してコントローラ７８に提供することができる。次いでコントローラ７８は、所望の位相行列Ｐを与えるために変調済みレーザビーム７６の１つ以上の位相を調節することができる。ターゲットポイント８１に又はその近傍に入射する合成放射の１つ以上の所望の特性を制御するために、位相行列Ｐを制御することができる。上述のように、変調済みレーザビーム７６は、ターゲットポイント８１で合成されるように合焦要素８０によって合焦される。合成されたビームは、ｘ−ｙ平面においてｚ＝０で、ターゲットポイント８１において強度分布を与える。図１０を参照して上述したように、レーザビーム７６はターゲットポイント８１においてコヒーレントに組み合わせることができる。レーザビーム７６のコヒーレントな組み合わせを達成するには、レーザビーム７６の全ての位相が相互に実質的に等しくなるように、従って位相行列Ｐの全ての要素がＰ１，１に実質的に等しくなるようにレーザビーム７６の位相を制御すればよい。これは、ターゲットポイント８１に中心があるｘ−ｙ平面において最もタイトな強度分布を与える。
【０１５９】
[0134]  位相行列Ｐは、合焦要素８０の焦点に対する強度分布の中心点を制御するために制御することができる。強度分布の中心点は、式（３）に従って位相行列Ｐを制御することで、ｘ方向及びｙ方向において制御することができる。
【０１６０】
[0135]
【数３】
2018146977.tif 000005
【０１６１】
[0136]  組み合わせレーザビーム７６は、合焦要素８０から角度βでｘ軸に伝搬し、角度αでｙ軸に伝搬する単一のガウスのビーム（Gaussian beam）としてモデル化することができる。式（３）に従って制御された位相行列の強度分布の中心は、ｘ−ｙ平面内の位置にあり、β＝ａλＮ／（２πＹ）及びα＝ｂλＭ／（２πＸ）である。ここで、Ｘは最も外側のレーザビーム７６間のｘ方向の距離であり、Ｙは最も外側のレーザビーム７６のｙ方向の距離であり、λはレーザビーム７６の波長である。従って、角度α及びβを制御するために式（３）における係数ａ及びｂを制御することで、式（３）に従って位相行列Ｐを制御することにより、強度分布の中心点の位置を制御することができる。
【０１６２】
[0137]  レーザビーム７６は、合焦要素８０を通過した後で相互に干渉する場合がある。従って、合成ビームが実質的にｚ方向に伝搬するにつれて、ガウス強度分布の幅が小さくなり、その後で大きくなることがある。合成ビームの電力束（power flux）が最大となり、これに対応して強度分布が最小となり、従って単一のビームが最も合焦されるｚ軸上の位置は、位相行列Ｐを制御することで制御可能である。具体的には、位相行列Ｐの中央の要素が位相行列Ｐの最大値又は最小値となるように位相行列Ｐを制御することができる。位相行列Ｐは更に、式（４）により与えられる放物線関数に従って制御することができる。
【０１６３】
[0138]
【数４】
2018146977.tif 000006
【０１６４】
[0139]  ここで、ｃ、ｄ、ｅ、及びｆは、ラジアンの単位の固定角度であり、正の値又は負の値をとり得る。角度ｅ、ｆは、合焦要素８１における合成レーザビーム７６の最大電力密度のｘ−ｙ平面内の位置を決定する。角度ｃ、ｄは、組み合わせたレーザビーム７６の集束／発散の量を決定する。Ｍ＝Ｎかつｃ＝ｄである場合、球形の波面の近似を達成することができる。
【０１６５】
[0140]  合焦要素８０の熱膨張又は熱収縮を補償するために、位相行列Ｐを制御することができる。合焦要素８０の合焦特性の変化を補償するため、式（５）により規定されるパターンを位相行列Ｐに適用することができる。
【０１６６】
[0141]  
【数５】
2018146977.tif 000007
【０１６７】
[0142]  合焦要素８０の焦点又はその近傍における放射の強度分布の形状を制御するために、位相行列Ｐを制御することができる。例えば、ｉ＜Ｋ＜Ｎ／２かつｊ＜Ｌ＜Ｍ／２である位相行列内の位置について、式（６）に従ってＰｉ，ｊにおける要素の位相を制御することで、中心の暗いスポットの周りに放射のリングを含む、焦点又はその近傍における放射の強度分布を与えることができる。
【０１６８】
[0143]
【数６】
2018146977.tif 000008
【０１６９】
[0144]  Ｎ／２＞ｉ＞ＫかつＭ／２＞ｊ＞Ｌである位相行列Ｐ内の位置については、式（７）に従って位相行列Ｐを制御することができる。
【０１７０】
[0145]
【数７】
2018146977.tif 000009
【０１７１】
[0146]  ここで、Ｋ及びＬは、放射のリングの直径及び暗いスポットのサイズを制御する値である。中心の暗いスポットの周りに放射のリングを含む、合焦要素８０の焦点又はその近傍における放射の強度分布を用いて、プラズマにより放出されるデブリの方向及び組成（イオン、蒸気、又は液滴）を制御することができる。
【０１７２】
[0147]  上述の位相行列Ｐを制御する例のいかなるものも、本発明の単一の実施形態において組み合わせることができる。本発明の他の実施形態では、レーザビーム７６及び位相行列Ｐの代替的な配置も使用可能である。一般に、レーザビーム７６における任意の位相遅延の導入は、自由形式のレンズを使用することと同様であると見なされ得る。ターゲットポイント８１におけるパワー分布及び焦点位置の更に別の構成も利用可能であることは認められよう。
【０１７３】
[0148]  本発明のいくつかの実施形態では、レーザ調節コンポーネント７９は、第２センサ４０２からの信号４０３に応じて調節可能な位相回転器等のコンポーネントを備えることができる。このように、変調済みレーザビーム７６のそれぞれの間の位相差に対して追加の制御を行うことも可能である。
【０１７４】
[0149]  本発明のいくつかの実施形態では第１センサ８５及び第２センサ４０２の一方のみを設けるが、本発明の他の実施形態では、センサ８５及びセンサ４０２の双方を設ける。更に、本発明の他の実施形態では、センサ８５もセンサ４０２も設けない。例えば本発明のいくつかの実施形態では、合成ビームが燃料ターゲットに入射した場合に発生するＥＵＶ放射の量を測定するセンサを設けることができ、このセンサはコントローラ７８にフィードバックを与えることができる。
【０１７５】
[0150]  図１２は代替的なレーザ配置５００を示す。ここでは、複数のレーザの相対的な位相を調節して、図９及び図１１を参照して述べた利点を達成することができる。図１２の配置は、シードレーザ５１１、ビームスプリッタ５１２、及び複数の増幅チャンバ５１３を備えている。シードレーザ５１１により生成されたシードレーザビームは、ビームスプリッタ５１２によって３つのレーザビーム５１４に分割され（いかなる数のレーザビームも提供可能であることは認められよう）、レーザビーム５１４の各々は増幅チャンバ５１３のそれぞれに提供される。
【０１７６】
[0151]  レーザ配置５００は更に、各レーザビーム５１４を光学要素５１７に送出するように構成された３つの光学要素５１５を備えている。光学要素５１７は、各ビームを合焦要素５１８に送出するように構成されている。合焦要素５１８は、レーザビーム５１４をターゲットポイント８１に送出して合成するように配置されている。ターゲットポイント８１は、例えば燃料ターゲットとすればよい。
【０１７７】
[0152]  光学要素５１５の各々はプラットフォーム５１６上に設けられ、レーザビーム５１４の相対的な位相を変化させるためにプラットフォーム５１６に対して可動となっている。例えば、レーザビーム５１４の１つのレーザ源と光学要素５１８との間の経路を短縮又は延長することで、そのレーザビーム５１４の他のレーザビーム５１４に対する位相を動的に調節することができる。各光学要素５１５を動かすことで、レーザビーム５１４の全てを他のレーザビーム５１４に対して同様に変化させることができる。
【０１７８】
[0153]  また、光学要素５１５の各々を個別に傾斜させて、各レーザビーム５１４を異なる経路に沿って送出することにより、生成される合成レーザビームが送出されるポイント８１の位置を調節することも可能である。
【０１７９】
[0154]  光学要素５１５と光学要素５１７との間の、レーザビーム５１４の各々の経路に、光学要素５１９が設けられている。光学要素５１９は、各レーザビーム５１４の部分５２０をチルトセンサ、更に別の光学要素５２５へ送出するように配置されている。光学要素５１９は、いずれかの適切な方法で実施可能であり、例えば入射する放射の一部を反射するが残りの放射を通過させることができるように配置されたミラー要素（mirrored element）を含むことができる。光学要素５２５は、部分５２０の第１部分をチルトセンサ５２１に、部分５２０の第２部分をコリメーションセンサ５２６に送出するように配置されている。光学要素５２５は、例えば、部分５２０の第１部分を反射し部分５２０の第２部分を透過させるミラーとすればよい。チルトセンサ５２１は、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）とすればよいが、これも当業者に明らかであるようないずれかの適切な方法で実施可能である。チルトセンサ５２１は、各レーザビーム５１４が傾斜している量を求め、フィードバック情報をコントローラ（図示せず）に提供するように構成されている。コントローラは、光学要素５１５の作動を制御し、続いてレーザビーム５１４の傾斜を調節するように構成されている。
【０１８０】
[0155]  光学要素５１５と光学要素５１７との間の、レーザビーム５１４の各々の経路に、更に別の光学要素５２２が設けられている。光学要素５２２は、各レーザビーム５１４の部分を相対波面センサ５２３に送出するように配置されている。波面センサ５２３は、いずれかの適切な方法で実施可能である。本発明のいくつかの実施形態では、波面センサ５２３は基準レーザ５２４から基準信号を受信し、これをレーザビーム５１４の波面と比較することができる。
【０１８１】
[0156]  図１０から図１２を参照して上述した実施形態では、シードレーザにより与えられるレーザビームを分割して複数のレーザビームを与え、これらを後に合成する。本発明の他の実施形態では、複数のレーザがそれぞれレーザビームを与え、これらを後に合成してもよい。例えば複数のファイバレーザがそれぞれレーザビームを与え、これらを後に合成することができる。実際、後に合成される複数のレーザビームを、いずれかの適切なレーザ又は複数のレーザによって提供可能であることは認められよう。
【０１８２】
[0157]  図１３は、多層ミラー２０１の実施形態を示す。多層ミラー２０１は、２〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射を反射するように構築及び配置されている。多層ミラーは、基板２０８によって支持された交互の層２０４、２０６を有する第１部分２０２を備えている。多層ミラー１は更に、交互の層２０５、２０７を備えた第２部分２０３を含む。第２部分２０３は、第１部分２０２の上にキャッピング層を形成する。
【０１８３】
[0158]  交互の層２０４、２０６は、典型的にはシリコン層２０４及びモリブデン層２０６である。第２部分２０３の交互の層２０５、２０７は、それぞれダイヤモンド状炭素層２０５及びシリコン層２０７、炭化ホウ素層２０５及び窒化シリコン層２０７、ダイヤモンド状炭素層２０５及び窒化シリコン層２０７、及び／又は炭化ホウ素層２０５及び窒化シリコン層２０７とすることができる。炭化ホウ素の一例はＢ４Ｃである。別の例はＢ９Ｃである。窒化シリコンの一例はＳｉ３Ｎｉ４である。
【０１８４】
[0159]  従来、図１３に開示する第２部分２０３の代わりにＳｉ３Ｎｉ４層を用いることが提案されている。図１４は、反射率Ｒを層の厚さの関数として示すグラフである。Ｓｉ３Ｎｉ４層の厚さが４０ｎｍの厚さに達する前であっても反射率が４０％未満に低下することがわかる。
【０１８５】
[0160]  図１５は、前述の第１部分２０２及び第２部分２０３を有する多層ミラー２０１の一実施形態の反射率を示すグラフである。更に具体的には、第２部分２０３はダイヤモンド状炭素層２０５及びシリコン層２０７を含む。図１４及び図１５を比較するとわかるように、反射率は、ダイヤモンド状炭素層／シリコンの多層では、Ｓｉ３Ｎｉ４層よりも悪化していない。
【０１８６】
[0161]  図１６に、多層ミラー１の実施形態を示す。この実施形態は反射性レチクルである。図３の多層ミラーの特徴に加えて、図１５の実施形態には、その表面のパターンを画定するように配置された吸収性材料を有する構造１０を設けることができる。吸収性材料として用いるのに適切な材料は、クロム、チタン、シリコン、ルテニウム、モリブデン、タンタル、アルミニウム、又はそれらのいずれかの組み合わせであり得る。
【０１８７】
[0162]  典型的に、ミラー１の第１部分２は、３０から２００周期の交互の層、すなわち合計数が６０から４００の層によって形成される。第２部分２０３は、例えば約１０周期、すなわち合計数が約２０の層で形成することができる。この点で、これらの図は単に例示として機能する概略図であり、一定の縮尺通りの図ではないことに留意すべきである。
【０１８８】
[0163]  図１７に別の実施形態を示す。図１７の実施形態は図１６の実施形態と同様である。しかしながら図１７の実施形態では、ミラー２０１にキャッピング層２１２が設けられている。キャッピング層２１２は、ルテニウム、タンタル、チタン、ロジウム、又はそれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。このようなキャッピング層は、多層ミラー２０１の層状構造を化学攻撃から保護するように適切に配置することができる。キャッピング層に適切な厚さは、０．５ｎｍから１０ｎｍの範囲内のいずれかであり得る。
【０１８９】
[0164]  本発明がこれまで開示してきた実施形態に限定されないことは、当業者には明らかであろう。例えば、多層ミラーは垂直入射コレクタミラーとすることができる。典型的に、そのようなミラーは楕円表面を有し、第１焦点及び第２焦点を有する。第１焦点から発してミラーにより反射された放射は、次いで第２焦点へと送出される。第１焦点から発した放射が表面に垂直に入射するミラー上の位置において２つの後続の放射に面した表面間の距離がｄである場合、第１焦点から発した放射が表面の垂線に対して角度αで入射するミラー上の位置において２つの後続の放射に面した表面間の距離は、約ｄ／コサインαに等しい。例えば、第１焦点から発した放射が表面の垂線に対してゼロ度の角度で入射するミラー上の位置において２つの後続の放射に面した表面間の距離ｄは、６．９ｎｍであり得る。そして、第１焦点から発した放射が表面の垂線に対して３０度の角度で入射するミラー上の位置において、この距離は６．９ｎｍ／コサイン（３０度）≒８ｎｍである。
【０１９０】
[0165]  また、例えば第１部分と第２部分との間、又は第１部分の連続したモリブデン層とシリコン層との間に、拡散防止層を設けることも可能である。このような層は、炭化ホウ素を含むか又は炭化ホウ素から成ることができる。
【０１９１】
[0166]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。
【０１９２】
[0167]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１９３】
[0168]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【０１９４】
[0169]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【０１９５】
１．２〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射を反射するように構築及び配置された多層ミラーであって、第１部分及び第２部分を有し、これらの部分の各々が交互の層を有し、第１部分の交互の層が第１層及び第２層から成り、第１層がモリブデン層であって第２層がシリコン層であり、第２部分の交互の層が、１つ以上の誘電材料で形成された層及びシリコン及び／又は窒化シリコンの層から成る、多層ミラー。
【０１９６】
２．誘電材料の少なくとも１つが、ダイヤモンド状炭素及び炭化ホウ素から成る群から選択される、条項１に記載の多層ミラー。
【０１９７】
３．第２部分が第１部分の上に位置し、１つ以上の誘電材料で形成された層の１つが第１部分のシリコン層に当接するか、又は窒化シリコンの層の１つがモリブデン層の１つに当接する、条項１又は２に記載の多層ミラー。
【０１９８】
４．第１部分において、隣接するシリコン層とモリブデン層との間に拡散防止層が設けられている、条項１、２、又は３に記載の多層ミラー。
【０１９９】
５．ミラーにおいて、第１部分と第２部分との間に拡散防止層が設けられている、条項１から４のいずれか１項に記載の多層ミラー。
【０２００】
６．誘電材料で形成された層の各々が、放射に面する表面及び内側に面する表面を有すると共に、２つの後続の放射に面する表面間の距離の約０．４倍から０．６倍の厚さを有する、条項１から５のいずれか１項に記載の多層ミラー。
【０２０１】
７．誘電材料で形成された層の各々が放射に面する表面及び内側に面する表面を有し、２つの後続の放射に面する表面間の距離が約６．９ｎｍ以上である、条項１から５のいずれか１項に記載の多層ミラー。
【０２０２】
８．ミラーが第１焦点及び第２焦点を有し、ミラーが第１焦点から発した放射を第２焦点上へ反射するように構築及び配置され、誘電材料で形成された層の各々が放射に面する表面及び内側に面する表面を有する、条項１から５のいずれか１項に記載の多層ミラー。
【０２０３】
９．第１焦点から発した放射が表面の垂線に対してゼロ度の角度で入射するミラー上の位置において、２つの後続の放射に面する表面間の距離ｄは約６．９ｎｍから約７．０ｎｍである、条項８に記載の多層ミラー。
【０２０４】
１０．第１焦点から発した放射が表面の垂線に対してαの角度で入射するミラー上の位置において、２つの後続の放射に面する表面間の距離がｄ／コサインαに等しい場合、ｄは、第１焦点から発した放射が表面の垂線に対してゼロ度の角度で入射するミラー上の位置における２つの後続の放射に面する表面間の距離である、条項８又は９に記載の多層ミラー。
【０２０５】
１１．２〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射を発生させるように構築及び配置された放射源であって、条項１から１０のいずれか１項に記載の多層ミラーを備えた放射源。
【０２０６】
１２．パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムであって、請求項１から１０のいずれか１項に記載の多層ミラーを備えた投影システム。
【０２０７】
１３．放射ビームを調節するように構成された照明システムであって、条項１から１０のいずれか１項に記載の多層ミラーを備えた照明システム。
【０２０８】
１４．パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように配置されたリソグラフィ投影装置であって、条項１から１０のいずれか１項に記載の多層ミラーを備えたリソグラフィ装置。
【０２０９】
１５．放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを保持するように構築された支持構造であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持構造と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を更に備える、条項１４に記載のリソグラフィ装置。
【０２１０】
１６．例えばリソグラフィ装置用の、放射を発生させる方法であって、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出することと、を備える、方法。
【０２１１】
１７．連続的に補給される燃料ターゲットを提供することが、第１位置から第２位置に噴射を送出することを含み、噴射が第１位置と第２位置との間で連続的であり、噴射が放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含み、噴射がプラズマ形成位置と少なくとも部分的に交差する、条項１６に記載の方法。
【０２１２】
１８．連続的に補給される燃料ターゲットが、燃料容器からプラズマ形成位置に燃料を移送するように配置された回転体によって提供される、条項１に記載の方法。
【０２１３】
１９．回転体が回転ディスクである、条項１８に記載の方法。
【０２１４】
２０．燃料容器が液体燃料槽であり、回転体が、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転する、請求項１８又は１９に記載の方法。
【０２１５】
２１．連続励起ビームが連続波レーザによって提供される連続波レーザビームである、条項１６から２０のいずれか１項に記載の方法。
【０２１６】
２２．レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で連続波レーザビームを発生させるように配置されている、条項２１に記載の方法。
【０２１７】
２３．第２反射器が、プラズマ形成位置において連続的に補給される燃料ターゲットの表面によって与えられる、条項２２に記載の方法。
【０２１８】
２４．レーザが少なくとも１つの増幅チャンバを備えるガスレーザであり、ガスレーザが複数の増幅チャンバを備える場合、増幅チャンバの各々が実質的に同一の圧力に維持される、条項２１から２３のいずれか１項に記載の方法。
【０２１９】
２５．放射を発生させるプラズマから発生した放射が、かすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタの形態の放射コレクタによって収集される、条項１６から２４のいずれか１項に記載の方法。
【０２２０】
２６．放射を発生させるプラズマから発生したデブリが回転ホイルトラップによって低減される、条項１６から２５のいずれか１項に記載の方法。
【０２２１】
２７．条項１６から２５のいずれか１項に記載の方法に従って放射を発生させることと、発生させた放射を用いて基板にパターンを適用することと、を備える、リソグラフィ方法。
【０２２２】
２８．連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、使用時に連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出するように配置された励起ビーム源と、を備える、放射源。
【０２２３】
２９．前記燃料ターゲット発生器が、第１位置から第２位置に噴射を送出するためのノズルを備え、噴射が、第１位置と第２位置との間で連続的であり、放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含み、連続的に補給される燃料ターゲットがプラズマ形成位置における噴射の一部である、条項２８に記載の放射源。
【０２２４】
３０．前記燃料ターゲット発生器が、燃料を燃料容器からプラズマ形成位置に移送するために回転するように配置された本体を備える、条項２８に記載の放射源。
【０２２５】
３１．前記本体がディスクである、条項３０に記載の放射源。
【０２２６】
３２．燃料容器が液体燃料槽であり、前記本体が、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように前記液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転するように配置されている、条項３０又は３１に記載の放射源。
【０２２７】
３３．励起ビーム源が、連続波レーザビームの形態で連続励起ビームを提供するように配置された連続波レーザを備える、条項２８から３２のいずれか１項に記載の放射源。
【０２２８】
３４．連続波レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で前記連続波レーザビームを発生させるように配置されている、条項３３に記載の放射源。
【０２２９】
３５．連続波レーザが、第１反射器を備え、プラズマ形成位置における前記連続的に補給される燃料ターゲットの表面を前記第２反射器として用いるように配置されている、条項３４に記載の放射源。
【０２３０】
３６．前記放射を発生させるプラズマにより発生した放射を収集するための放射コレクタを更に備え、放射コレクタがかすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタである、条項２８から３５のいずれか１項に記載の放射源。
【０２３１】
３７．デブリ低減手段を更に備え、デブリ低減手段が回転ホイルトラップを備える、条項２８から３６のいずれか１項に記載の放射源。
【０２３２】
３８．条項２８から３７のいずれかに記載の放射源を備えるか又はこの放射源に接続された、リソグラフィ装置。
【０２３３】
３９．放射を発生させるプラズマにより発生した放射を調節して調節済み放射ビームを形成するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を更に備える、条項３８に記載のリソグラフィ装置。
【０２３４】
４０．条項１６から２７のいずれかに記載の方法を用いて放射を発生させることと、条項３８又は３９に記載のリソグラフィ装置を用いて基板をパターニングすることと、を備える、デバイス製造方法。
【０２３５】
４１．リソグラフィ装置用の放射を発生させる方法であって、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出することと、を備える、方法。
【０２３６】
４２．連続的に補給される燃料ターゲットを提供することが、第１位置から第２位置に噴射を送出することを含み、噴射が第１位置と第２位置との間で連続的であり、噴射が放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含み、噴射がプラズマ形成位置と少なくとも部分的に交差する、条項４１に記載の方法。
【０２３７】
４３．連続的に補給される燃料ターゲットが、燃料容器からプラズマ形成位置に燃料を移送するように配置された回転体によって提供される、条項４１に記載の方法。
【０２３８】
４４．回転体が回転ディスクである、条項４３に記載の方法。
【０２３９】
４５．燃料容器が液体燃料槽であり、回転体が、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転する、条項４３に記載の方法。
【０２４０】
４６．連続励起ビームが連続波レーザによって提供される連続波レーザビームである、条項４１に記載の方法。
【０２４１】
４７．レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で連続波レーザビームを発生させるように配置されている、条項４６に記載の方法。
【０２４２】
４８．第２反射器が、プラズマ形成位置において連続的に補給される燃料ターゲットの表面によって与えられる、条項４７に記載の方法。
【０２４３】
４９．レーザが少なくとも１つの増幅チャンバを備えるガスレーザであり、ガスレーザが複数の増幅チャンバを備える場合、増幅チャンバの各々が実質的に同一の圧力に維持される、条項４８に記載の方法。
【０２４４】
５０．放射を発生させるプラズマから発生した放射が、かすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタの形態の放射コレクタによって収集される、条項４１に記載の方法。
【０２４５】
５１．放射を発生させるプラズマから発生したデブリが回転ホイルトラップによって低減される、条項５０に記載の方法。
【０２４６】
５２．連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出することと、発生させた放射プラズマを用いて基板にパターンを適用することと、を備える、リソグラフィ方法。
【０２４７】
５３．連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出するように配置された励起ビーム源と、を備える、放射源。
【０２４８】
５４．前記燃料ターゲット発生器が、第１位置から第２位置に噴射を送出するためのノズルを備え、噴射が、第１位置と第２位置との間で連続的であり、放射を発生させるプラズマを発生するのに用いられる燃料を含み、連続的に補給される燃料ターゲットがプラズマ形成位置における噴射の一部である、条項３８に記載の放射源。
【０２４９】
５５．前記燃料ターゲット発生器が、燃料を燃料容器からプラズマ形成位置に移送するために回転するように配置された本体を備える、条項５３に記載の放射源。
【０２５０】
５６．前記本体がディスクである、条項５５に記載の放射源。
【０２５１】
５７．燃料容器が液体燃料槽であり、前記本体が、液体燃料のコーティングを施されてこの液体燃料のコーティングをプラズマ形成位置に移送するように前記液体燃料槽及びプラズマ形成位置を通って回転するように配置されている、条項５５に記載の放射源。
【０２５２】
５８．励起ビーム源が、連続波レーザビームの形態で連続励起ビームを提供するように配置された連続波レーザを備える、条項５３に記載の放射源。
【０２５３】
５９．連続波レーザが、第１反射器及び第２反射器を備える光共振器内で前記連続波レーザビームを発生させるように配置されている、条項５８に記載の放射源。
【０２５４】
６０．連続波レーザが、第１反射器を備え、プラズマ形成位置における前記連続的に補給される燃料ターゲットの表面を前記第２反射器として用いるように配置されている、条項５９に記載の放射源。
【０２５５】
６１．前記放射を発生させるプラズマにより発生した放射を収集するための放射コレクタを更に備え、放射コレクタがかすめ入射コレクタ又は垂直入射コレクタである、条項５３に記載の放射源。
【０２５６】
６２．デブリ低減手段を更に備え、デブリ低減手段が回転ホイルトラップを備える、条項５３に記載の放射源。
【０２５７】
６３．放射源であって、連続的に補給される燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、連続的に補給される燃料ターゲット内の燃料を連続波励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように連続波励起ビームをプラズマ形成位置に送出するように配置された励起ビーム源と、を備える放射源と、放射を発生させるプラズマにより発生した放射を調節して調節済み放射ビームを形成するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を備える、リソグラフィ装置。
【０２５８】
６４．条項４８に記載のリソグラフィ装置を用いて放射を発生させて基板をパターニングすることを備える、デバイス製造方法。
【０２５９】
６５．燃料ターゲットを前記ターゲット位置に提供するように配置された燃料ターゲット発生器と、使用時に燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように複数の励起ビームをターゲット位置に送出してターゲット位置で第１合成励起ビームを形成するように配置された励起ビーム源と、を備え、前記励起ビーム源が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節するための少なくとも１つの位相調節器を備える、放射源。
【０２６０】
６６．前記励起ビーム源が、第１特性を測定するように構成された第１センサ配置を更に備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する位相によって少なくとも部分的に決定される、条項６５に記載の放射源。
【０２６１】
６７．前記第１センサ配置が、前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を送出して第２合成励起ビームを形成するように配置された第１光学要素を備え、励起放射の前記第１部分が前記第２合成励起ビームである、条項６６に記載の放射源。
【０２６２】
６８．前記第１特性が、前記第１合成励起ビームの強度、前記第１合成励起ビームの位置、前記合成励起ビームの焦点、及び前記合成励起ビームの干渉パターンの少なくとも１つを示す、条項６６又は６７に記載の放射源。
【０２６３】
６９．コントローラを更に備え、前記第１センサ配置が第１センサ信号を前記コントローラに提供し、前記コントローラが少なくとも部分的に前記第１センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を制御するように構成されている、条項６５から６８のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６４】
７０．第２特性を測定するように構成された第２センサ配置を更に備え、前記第２特性が励起放射の少なくとも１つの第２部分の特性であり、前記第２特性が第３の特性を示し、前記第３の特性が前記複数の励起ビームの少なくとも１つの特性である、条項６５から６９のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６５】
７１．前記第２センサ配置が、前記複数の励起ビームの各々について第２特性を測定するように構成されている、条項６５から７０のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６６】
７２．前記第３の特性が前記複数の励起ビームの前記少なくとも１つの位相である、条項６５から７１のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６７】
７３．第２コントローラを更に備え、前記第２センサ配置が第２センサ信号を前記第２コントローラに提供し、前記第２コントローラが少なくとも部分的に前記第２センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を制御するように構成されている、条項５０から５７のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６８】
７４．前記第１センサ配置及び／又は第２センサ配置が、フォトダイオード、分割フォトダイオード、電荷結合素子アレイ、及びアクティブピクセルセンサの少なくとも１つを備える、条項６５から７３のいずれか１項に記載の放射源。
【０２６９】
７５．前記少なくとも１つの位相調節器が、前記複数の励起ビームの各々についてそれぞれ位相調節器を含む、条項６５から７４のいずれか１項に記載の放射源。
【０２７０】
７６．前記励起ビーム源が、前記複数の励起ビームを前記プラズマ形成位置に送出するように構成された少なくとも１つの合焦要素を備え、前記少なくとも１つの位相調節器が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つのビーム源と前記少なくとも１つの合焦要素との間の経路長を変化させるための手段を備える、条項６５から７５のいずれか１項に記載の放射源。
【０２７１】
７７．条項６５から７６のいずれかに記載の放射源を備えるか又はこの放射源に接続された、リソグラフィ装置。
【０２７２】
７８．放射を発生させるプラズマにより発生した放射を調節して調節済み放射ビームを形成するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を更に備える、条項７７に記載のリソグラフィ装置。
【０２７３】
７９．リソグラフィ装置用の放射を発生させる方法であって、燃料ターゲットをプラズマ形成位置に提供することと、燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射を発生させるプラズマを発生するように複数の励起ビームをプラズマ形成位置に送出してプラズマ形成位置で第１合成励起ビームを形成することと、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することと、を備える、方法。
【０２７４】
８０．前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することが、前記複数の励起ビームの各々が前記第１合成励起ビームにコヒーレントに合成されるように前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節することを含む、条項７９に記載の方法。
【０２７５】
８１．第１センサ配置において第１特性を測定することを更に備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する位相によって少なくとも部分的に決定される、条項７９又は８０に記載の方法。
【０２７６】
８２．前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を送出して第２合成励起ビームを形成することを更に備え、励起放射の前記第１部分が前記第２合成励起ビームである、条項８１に記載の方法。
【０２７７】
８３．前記第１特性が、前記第１合成励起ビームの強度、前記第１合成励起ビームの位置、前記第１合成励起ビームの焦点、及び前記合成励起ビームの干渉パターンの少なくとも１つを示す、条項８２に記載の方法。
【０２７８】
８４．前記第１センサ配置から第１センサ信号を受信することと、前記第１センサ信号に基づいて前記少なくとも１つの位相調節器を調節することと、を更に備える、条項８１から８３のいずれか１項に記載の方法。
【０２７９】
８５．第２センサ配置において第３の特性を測定することを更に備え、前記第３の特性が励起放射の少なくとも１つの第２部分の特性であり、前記第３の特性が第４の特性を示し、前記第４の特性が前記複数の励起ビームの少なくとも１つの特性である、条項６４から６９のいずれか１項に記載の方法。
【０２８０】
８６．第２センサ配置において測定することが、前記複数の励起ビームの各々について励起放射の各第２部分の第３の特性を測定することを含む、条項７９から８５のいずれか１項に記載の方法。
【０２８１】
８７．前記第３の特性が前記複数の励起ビームの前記少なくとも１つの位相を示す、条項７９から８６のいずれか１項に記載の方法。
【０２８２】
８８．前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することが、前記複数の励起ビームの各々について各位相調節器の位相を調節することを含む、条項６４から７２のいずれか１項に記載の方法。
【０２８３】
８９．前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することが、前記複数の励起ビームの少なくとも１つのビーム源と前記複数の励起ビームを前記プラズマ形成位置に送出するように配置された少なくとも１つの合焦要素との間の経路長を変化させることを含む、条項６４から７３のいずれか１項に記載の方法。
【０２８４】
９０．条項７９から８９のいずれかに記載の方法に従って放射を発生させることと、発生させた放射を用いて基板にパターンを適用することと、を備える、リソグラフィ方法。
【０２８５】
[0170]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、太陽電池などの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０２８６】
[0171]  リソグラフィ装置について記載する場合、「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ又は組み合わせを指すことがある。
【０２８７】
[0172]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は限定でなく例示であることが意図される。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年6月27日(2018.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ターゲットをターゲット位置に提供するように構成された燃料ターゲット発生器と、
使用時に前記燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、複数の励起ビームを前記ターゲット位置に向けて前記ターゲット位置で前記第１合成励起ビームを形成するように構成された励起ビーム源と、を備え、
前記励起ビーム源が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節するように構成された少なくとも１つの位相調節器を備える、放射源。
【請求項２】
前記励起ビーム源が、第１特性を測定するように構成された第１センサ配置をさらに備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、
前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相によって少なくとも部分的に決定される、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記第１センサ配置が、前記複数の励起ビームの少なくとも２つの各部分を向けて第２合成励起ビームを形成するように構成された第１光学要素を備え、励起放射の前記第１部分が前記第２合成励起ビームである、請求項２に記載の放射源。
【請求項４】
前記第１特性は、前記第１合成励起ビームの強度、前記第１合成励起ビームの位置、前記合成励起ビームの焦点、及び前記合成励起ビームの干渉パターンの少なくとも１つを示す、請求項２又は３に記載された放射源。
【請求項５】
前記励起ビーム源は、
シードレーザビームを提供するように構成されたシードレーザと、
前記シードレーザビームを複数のさらなるレーザビームに分離させるように構成されたビームスプリッティングシステムと、
前記さらなるレーザビームの各々を増幅するように構成された増幅システムと、
を備え、
前記さらなるレーザビームの各々は、前記複数の励起ビームの各々を代表し、
前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を調節するように構成された前記少なくとも１つの位相調節器が、前記ビームスプリッティングシステム及び前記増幅システムの間に配置されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射源。
【請求項６】
リソグラフィ装置用の放射を発生させる方法であって、
プラズマ形成位置に燃料ターゲットを提供することと、
前記燃料ターゲット内の燃料を第１合成励起ビームによって励起して放射発生プラズマを発生させるように、複数の励起ビームを前記プラズマ形成位置に向けて前記プラズマ形成位置で前記第１合成励起ビームを形成することと、
前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相を前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対して調節することと、を含む方法。
【請求項７】
前記複数の励起ビームの少なくとも１つの前記位相を調節することが、前記複数の励起ビームの各々が前記第１合成励起ビームにコヒーレントに合成されるように前記複数の励起ビームの少なくとも１つの前記位相を調節することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１特性を測定することをさらに備え、前記第１特性が励起放射の第１部分の特性であり、前記第１特性が第２特性を示し、前記第２特性が前記第１合成励起ビームの特性であり、
前記第１特性が、前記複数の励起ビームの少なくとも１つの他のビームに対する前記複数の励起ビームの少なくとも１つの位相によって少なくとも部分的に決定される、請求項６又は７に記載の方法。
【外国語明細書】
2018146977000001.pdf