(57)【要約】【課題】設計時における特性調整が容易なフラックスゲート型の磁気センサを提供する。【解決手段】第１の軟磁性材料からなり、接続面Ｓ１，Ｓ２を有する第１のコア２１と、第２の軟磁性材料からなり、接続面Ｓ１と対向する接続面Ｓ３及び接続面Ｓ２と対向する接続面Ｓ４を有する第２のコア２２と、第１のコア２１の接続面Ｓ１接続面Ｓ２との間に巻回されたコイル３０とを備える。第１のコア２１は、第２のコア２２よりも磁気飽和に達する磁場強度が大きく、第２のコア２２は、第１のコア２１よりも透磁率が大きく、且つ、少なくとも一部がメアンダ形状を有している。本発明によれば、第２のコアの少なくとも一部がメアンダ形状を有していることから、全体のサイズを変化させることなく磁路長を任意に変更することができる。これにより、設計時における特性調整が容易となる。【選択図】図１
2018066651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の軟磁性材料からなり、第１及び第２の接続面を有する第１のコアと、
前記第１の軟磁性材料とは異なる第２の軟磁性材料からなり、前記第１の接続面と対向する第３の接続面及び前記第２の接続面と対向する第４の接続面を有する第２のコアと、
前記第１のコアの前記第１の接続面と前記第２の接続面との間に巻回されたコイルと、を備え、
前記第１のコアは、前記第２のコアよりも磁気飽和に達する磁場強度が大きく、
前記第２のコアは、前記第１のコアよりも透磁率が大きく、且つ、少なくとも一部がメアンダ形状を有していることを特徴とする磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項２】
前記第２のコアは、前記第３の接続面と前記第４の接続面の間に位置する閉磁路部がメアンダ形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項３】
前記第２のコアは、前記第３の接続面と前記第４の接続面の間に位置する閉磁路部と、前記第３又は第４の接続面からみて前記閉磁路部とは反対側に位置する突出部とを有し、前記閉磁路部及び前記突出部の少なくとも一方がメアンダ形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項４】
前記第１のコアは、前記コイルが巻回された巻芯部と、前記巻芯部の軸方向における両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の鍔部を有するドラム型コアであり、
前記第１の鍔部は、前記コイルの一端が継線される第１の端子電極を有し、
前記第２の鍔部は、前記コイルの他端が継線される第２の端子電極を有し、
前記軸方向と平行な前記第１の鍔部の表面は、前記第１の接続面を構成し、
前記軸方向と平行な前記第２の鍔部の表面は、前記第２の接続面を構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項５】
前記第２のコアは、厚み方向に積層構造を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項６】
前記第１のコアと前記第２のコアは、接着剤を介することなく互いに位置決めされていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項７】
前記第２のコアを前記第１のコアに位置決めする支持部材をさらに備え、
前記支持部材は、前記第２のコアを収容する凹部が設けられた接着面を有し、
前記支持部材の接着面は前記第１のコアの前記第１及び第２の接続面に接着されており、これにより前記第２のコアは、前記支持部材の前記凹部と前記第１のコアに挟まれて位置決めされることを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項８】
前記第１の軟磁性材料はフェライトであり、前記第２の軟磁性材料はアモルファス磁性金属であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気センサ用インダクタンス素子。
【請求項９】
計測対象となる電流が流れるバスバーと、
前記バスバーの近傍に配置された請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁気センサ用インダクタンス素子と、
前記コイルの両端に現れる電圧をモニタする検出回路と、を備えることを特徴とする電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサに関し、特に、フラックスゲート型の磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
外部磁場を検出する磁気センサとして、フラックスゲート型の磁気センサが知られている。特許文献１，２には、フラックスゲート型の磁気センサの例が示されている。
【０００３】
特許文献１に記載されたフラックスゲート型の磁気センサは、アモルファス磁性金属などからなるフラックスゲートコアにコイルを巻回した構成を有しており、バスバーに流れる電流に応じて発生する磁界を検出することができる。しかしながら、特許文献１に記載されたフラックスゲート型の磁気センサは、開磁路構造のため、十分なインダクタンスを得るためにはコイルの巻き数を増やす必要があり、小形化に適さないという問題がある。
【０００４】
特許文献２には、閉磁路構造を有するフラックスゲート型の磁気センサが開示されている。特許文献２に記載されたフラックスゲート型の磁気センサは、パーマロイからなる低抵抗部とフェライトからなる高抵抗部をリング状に接合することによって、閉磁路構造としている。そして、特許文献２においては、パーマロイからなる低抵抗部にコイルを巻回することによって、フラックスゲート型の磁気センサを構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９３１７８号
【特許文献２】特開２０１１−１１２６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載されたフラックスゲート型の磁気センサでは、パーマロイからなる低抵抗部にコイルが巻回されていることから、低抵抗部の飽和磁束密度によって磁気センサの計測範囲が制限されてしまい、計測範囲が狭いという問題があった。
【０００７】
しかも、特許文献２に記載されたフラックスゲート型の磁気センサでは、パーマロイからなる低抵抗部及びフェライトからなる高抵抗部がいずれも直線的な形状を有していることから、特性調整のために磁路長などを変更すると、磁気センサ自体のサイズも変更する必要があり、設計が煩雑であるという問題もあった。
【０００８】
したがって本発明は、閉磁路構造を有し、計測範囲が広く、且つ、設計時における特性調整が容易なフラックスゲート型の磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による磁気センサ用インダクタンス素子は、第１の軟磁性材料からなり、第１及び第２の接続面を有する第１のコアと、前記第１の軟磁性材料とは異なる第２の軟磁性材料からなり、前記第１の接続面と対向する第３の接続面及び前記第２の接続面と対向する第４の接続面を有する第２のコアと、前記第１のコアの前記第１の接続面と前記第２の接続面との間に巻回されたコイルとを備え、前記第１のコアは、前記第２のコアよりも磁気飽和に達する磁場強度が大きく、前記第２のコアは、前記第１のコアよりも透磁率が大きく、且つ、少なくとも一部がメアンダ形状を有していることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明による電流センサは、計測対象となる電流が流れるバスバーと、前記バスバーの近傍に配置された上記の磁気センサ用インダクタンス素子と、前記コイルの両端に現れる電圧をモニタする検出回路とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、第１及び第２のコアが閉磁路構造であるとともに、第２のコアよりも磁気飽和に達する磁場強度の大きい第１のコアにコイルが巻回されていることから、第２のコアが磁気飽和するような磁場中であっても磁気特性を維持することができる。しかも、第２のコアの少なくとも一部がメアンダ形状を有していることから、全体のサイズを変化させることなく磁路長を任意に変更することができる。これにより、高いインダクタンスを有し、計測範囲が広く、且つ、設計時における特性調整が容易な磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサを提供することが可能となる。
【００１２】
本発明において、前記第２のコアは、前記第３の接続面と前記第４の接続面の間に位置する閉磁路部がメアンダ形状を有していても構わない。これによれば、全体のサイズを変化させることなく、閉磁路部の磁路長を拡大することができる。
【００１３】
本発明において、前記第２のコアは、前記第３の接続面と前記第４の接続面の間に位置する閉磁路部と、前記第３又は第４の接続面からみて前記閉磁路部とは反対側に位置する突出部とを有し、前記閉磁路部及び前記突出部の少なくとも一方がメアンダ形状を有していても構わない。第２のコアに突出部を設けると、検出感度が高められるとともに、磁場強度の変化に対するインダクタンスの変化がよりリニアになる。そして、このような構造において閉磁路部及び突出部の少なくとも一方をメアンダ形状とすれば、全体サイズの大型化を抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記第１のコアは、前記コイルが巻回された巻芯部と、前記巻芯部の軸方向における両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の鍔部を有するドラム型コアであり、前記第１の鍔部は、前記コイルの一端が継線される第１の端子電極を有し、前記第２の鍔部は、前記コイルの他端が継線される第２の端子電極を有し、前記軸方向と平行な前記第１の鍔部の表面は、前記第１の接続面を構成し、前記軸方向と平行な前記第２の鍔部の表面は、前記第２の接続面を構成することが好ましい。これによれば、表面実装型のコイル部品において広く使用されるドラム型コアを使用することができることから、低コスト化を図ることが可能となる。
【００１５】
本発明において、前記第２のコアは、厚み方向に積層構造を有していても構わない。これによれば、渦電流損を抑えつつ、磁界を高感度に計測できる範囲を拡大することが可能となる。
【００１６】
本発明において、前記第１のコアと前記第２のコアは、接着剤を介することなく互いに位置決めされていることが好ましい。これによれば、接着剤の収縮などによる応力が第２のコアにかからないことから、設計通りの磁気特性を得ることが可能となる。
【００１７】
この場合、前記第２のコアを前記第１のコアに位置決めする支持部材をさらに備え、前記支持部材は、前記第２のコアを収容する凹部が設けられた接着面を有し、前記支持部材の接着面は前記第１のコアの前記第１及び第２の接続面に接着されており、これにより前記第２のコアは、前記支持部材の前記凹部と前記第１のコアに挟まれて位置決めされても構わない。
【００１８】
本発明において、前記第１の軟磁性材料はフェライトであり、前記第２の軟磁性材料はアモルファス磁性金属であることが好ましい。これによれば、低コストで感度の高い磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサを提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明によれば、閉磁路構造によって高いインダクタンスを有し、計測範囲が広く、且つ、設計時における特性調整が容易なフラックスゲート型の磁気センサ用インダクタンス素子及びこれを備える電流センサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの構成を示す図であり、（ａ）は外観を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ面に沿って切断した場合の側面図、（ｃ）は分解斜視図である。
【図２】図２は、コイル３１，３２をバイファイラ巻きした例を示す図である。
【図３】図３は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの第１の変形例を示す斜視図である。
【図４】図４は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの第２の変形例を示す斜視図である。
【図５】図５は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの第３の変形例を示す斜視図である。
【図６】図６は、第１のコア２１及び第２のコア２２の磁気特性を示すグラフである。
【図７】図７は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの磁気特性を示すグラフである。
【図８】図８は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの使用例を示す等価回路図である。
【図９】図９は、外部磁場４０と検出コイル３２に現れる検出電圧Ｖ２との関係を示す波形図である。
【図１０】図１０は、励磁コイル３１と検出コイル３２の巻き数比と検出電圧Ｖ２との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１は、磁気結合係数ｋと検出電圧Ｖ２との関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの別の使用例を示す等価回路図である。
【図１３】図１３は、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａを用いた電流センサの構成を示す略斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂの構成を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｃの構成を示す斜視図である。
【図１６】図１６は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｄの構成を示す斜視図である。
【図１７】図１７は、本発明の第５の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｅの構成を示す斜視図である。
【図１８】図１８は、本発明の第６の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｆの構成を示す斜視図である。
【図１９】図１９は、支持部材８０を接着面側から見た斜視図である。
【図２０】図２０（ａ）はサンプルＡ１の構造を示す斜視図であり、図２０（ｂ）はサンプルＢ１の構造を示す斜視図である。
【図２１】図２１は、サンプルＡ１，Ｂ１の磁気特性を示すシミュレーション結果である。
【図２２】図２２（ａ）はサンプルＡ１の構造を示す斜視図であり、図２２（ｂ）はサンプルＡ２の構造を示す斜視図であり、図２２（ｃ）はサンプルＢ２の構造を示す斜視図である。
【図２３】図２３は、サンプルＡ１，Ａ２，Ｂ２の磁気特性を示すシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの構成を示す図であり、（ａ）は外観を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ面に沿って切断した場合の側面図、（ｃ）は分解斜視図である。
【００２３】
本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、表面実装が可能なフラックスゲート型の磁気センサ用インダクタンス素子であり、図１に示すように、ドラム型である第１のコア２１と、メアンダ形状を有する板状の第２のコア２２と、第１のコア２１に巻回されたコイル３０（３１，３２）とを備える。
【００２４】
第１のコア２１は、フェライトなどの軟磁性材料からなり、コイル３０が巻回された巻芯部２１ａと、巻芯部２１ａの軸方向（ｘ方向）における両端にそれぞれ設けられた第１及び第２の鍔部２１ｂ，２１ｃを有する。鍔部２１ｂ，２１ｃは、軸方向から見て巻芯部２１ａよりも径、つまりｙ方向及びｚ方向のサイズが大きく、これによりコイル３０の巻回作業が容易となるとともに、コイル３０の脱落が防止される。鍔部２１ｂ，２１ｃには、それぞれ１又は２以上の端子電極が設けられており、コイル３０の一端及び他端は、対応する端子電極に継線される。図１に示す例では、コイル３０が２本のコイル３１，３２からなり、これらの一端が鍔部２１ｂに設けられた端子電極Ｅ１，Ｅ２にそれぞれ継線され、これらの他端が鍔部２１ｃに設けられた端子電極Ｅ３，Ｅ４にそれぞれ継線される。
【００２５】
コイル３０が２本のコイル３１，３２からなる場合、これら２本のコイル３１，３２のターン数は同じであっても構わないし、異なっていても構わない。２本のコイル３１，３２のターン数を同じとする場合、図２に示すように、これらコイル３１，３２をバイファイラ巻きすることが好ましい。これによれば、コイル３１，３２との磁気結合を高めることができる。
【００２６】
第１のコア２１の鍔部２１ｂ，２１ｃは、第２のコア２２と対向する第１及び第２の接続面Ｓ１，Ｓ２をそれぞれ有する。接続面Ｓ１，Ｓ２は、巻芯部２１ａの軸方向と平行なｘｙ平面であり、端子電極Ｅ１〜Ｅ４が形成される底面と反対側に位置する上面である。尚、端子電極Ｅ１〜Ｅ４は、表面実装時にハンダのフィレットが形成されるよう、底面のみならず、軸方向と直交するｙｚ側面にも形成されている。第１のコア２１の接続面Ｓ１と接続面Ｓ２は、ダイヤモンド研磨やバフ研磨によって鏡面研磨処理が施されていても構わない。接続面Ｓ１，Ｓ２を鏡面研磨処理すれば、後述する第２のコア２２の接続面Ｓ３と接続面Ｓ４に接続する際に微小な空気層が生じるのを防ぐことができ、より密着して接触させることが可能となる。
【００２７】
第２のコア２２は、アモルファス磁性金属などの軟磁性材料からなり、ｘｙ平面を有する板状体である。図１に示すように、第２のコア２２は、接続面Ｓ３を構成する接続部２２ａと、接続面Ｓ４を構成する接続部２２ｂと、接続部２２ａと接続部２２ｂとの間に位置する閉磁路部２２ｃを有する。接続面Ｓ３，Ｓ４は、それぞれ接続面Ｓ１，Ｓ２と対向しており、本実施形態においては、エポキシ系などの樹脂系接着剤からなる接着層Ｇを介して互いに固定されている。したがって、本実施形態においては、接続面Ｓ１と接続面Ｓ３との間に接着層Ｇが介在し、接続面Ｓ２と接続面Ｓ４との間に接着層Ｇが介在する。
【００２８】
閉磁路部２２ｃは、メアンダ形状を有している。具体的には、ｘ方向に延在する第１の部分２２ｘと、ｙ方向に延在する第２の部分２２ｙが交互に設けられた構成を有している。図１に示す例では、第１の部分２２ｘが６箇所設けられ、第２の部分２２ｙが５箇所設けられているが、本発明がこれに限定されるものではない。このような構成により、接続面Ｓ３と接続面Ｓ４の直線的な距離よりも、閉磁路部２２ｃに沿った磁路長が長くなるため、第１のコア２１のｘ方向におけるサイズを変えることなく、第２のコア２２の磁路長を調整することが可能となる。
【００２９】
尚、本発明におけるメアンダ形状とは、図１に示す閉磁路部２２ｃの形状に限定されるものではなく、磁束が蛇行する形状であれば、どのような形状であっても構わない。したがって、図３に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａ１のように、閉磁路部２２ｃが斜め方向に延在する形状であっても構わないし、図４に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａ２のように、第１の部分２２ｘと第２の部分２２ｙの接続部が曲面であっても構わないし、図５に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａ３のように、第１の部分２２ｘが逆方向に折り返す形状を有していても構わない。
【００３０】
かかる構成により、第１のコア２１と第２のコア２２は閉磁路を構成し、第１のコア２１にコイル３０が巻回された構成となる。第２のコア２２にはコイル３０は巻回されていない。このように、第１のコア２１と第２のコア２２は閉磁路を構成していることから、特許文献１のような開磁路構造に比べ、少ない巻き数でも高いインダクタンスを得ることが可能となる。逆に言えば、同じインダクタンスを得るためには、閉磁路構造の方が少ないターン数で足りる。
【００３１】
第１のコア２１は、第２のコア２２よりも磁気飽和に達する磁場強度が大きく、且つ、透磁率の低い軟磁性材料からなる。すなわち、飽和磁束密度に達するまでに印加できる磁場が第２のコア２２よりも大きな磁性材料が選択される。特に限定されるものではないが、第１のコア２１を構成する軟磁性材料として、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、センダスト、パーマロイなどを用いることができ、特に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いることが好ましい。Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは絶縁抵抗が高いため、コイル３０を直接巻回しても電気的に短絡することがない。一方、絶縁抵抗の低いＭｎ−Ｚｎ系フェライト等を用いる場合には、コイル３０の皮膜が何らかの原因ではがれた場合に短絡する可能性があるため、パリレンコーティングなど、絶縁性を高める処理を第１のコア２１の表面に施すことが好ましい。
【００３２】
第２のコア２２は、第１のコア２１よりも磁気飽和に達する磁場強度が小さく、且つ、透磁率の大きい軟磁性材料からなる。特に限定されるものではないが、第２のコア２２の材料としては、Ｆｅ系／Ｃｏ系のアモルファス磁性金属を用いることが好ましい。Ｆｅ系／Ｃｏ系のアモルファス磁性金属を用いる場合、ロールツーロール法によって５０μｍ厚以下の薄板とすることが好ましい。ロールツーロール法を用いると、加熱されたアモルファス磁性板の原料は、熱容量の大きなロールに接することで急冷される。このときロールの接する面とロールに接しない面では、温度履歴が異なるため組成に差が生じる。そのため、一方の表面が高光沢面となり、他方の表面が低光沢面になる。そして、本実施形態においては、低光沢面が第１のコア２１と対向するよう、第２のコア２２を配置することが好ましい。このようにすると、第１のコア２１と第２のコア２２の磁気結合が良好となり、インダクタンスの低下を抑えることが可能となる。
【００３３】
Ｆｅ系／Ｃｏ系のアモルファス磁性金属は比較的脆いため、Ｆｅ系／Ｃｏ系のアモルファス磁性金属にコイル３０を巻回することは困難であるが、本実施形態においては比較的機械的強度の高い第１のコア２１にコイル３０を巻回し、第２のコア２２にはコイル３０を巻回していないことから、Ｆｅ系／Ｃｏ系のアモルファス磁性金属の厚さを例えば５０μｍ以下に薄くすることができる。
【００３４】
図６は、第１のコア２１及び第２のコア２２の磁気特性を示すグラフである。
【００３５】
図６に示すように、横軸を磁場強度Ｈ（Ａ／ｍ）、縦軸を磁束密度Ｂ（Ｔ）とすると、ヒステリシス性を考慮しない理想磁化のみを考えた場合、第１のコア２１の飽和磁束密度Ｂ２１と第２のコア２２の飽和磁束密度Ｂ２２との関係は、
Ｂ２１＜Ｂ２２
である。一方、飽和磁束密度に達する磁場強度は、第２のコア２２よりも第１のコア２１の方が十分に大きい。このため、第１のコア２１及び第２のコア２２からなる閉磁路の磁束密度は、第２のコア２２が磁気飽和しない磁場強度においては急峻な変化を示し、第２のコア２２が磁気飽和する磁場強度においては緩やかな変化を示す。
【００３６】
本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの大きな特徴の一つは、コイル３０を第１のコア２１にのみ巻回している点である。逆に、第２のコア２２にコイル３０を巻回すると、第２のコア２２の磁気飽和によって磁気センサの計測範囲が制限されてしまい、計測可能な磁場強度範囲が狭くなってしまう。このような問題は、特許文献２に記載された磁気センサにおいて生じる問題である。これに対し、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、磁気飽和に達する磁場強度の大きい第１のコア２１にコイル３０を巻回していることから、第２のコア２２が完全に飽和しない弱い磁場中においては、第２のコア２２によって高感度な検出を行うことができるとともに、第２のコア２２が完全に飽和するような強い磁場中であっても、第１のコア２１が完全に飽和しない限り、第１のコア２１の磁気特性を利用して検出を行うことが可能となる。
【００３７】
また、磁気飽和量は、第１のコア２１と第２のコア２２との間のギャップによって調整することもできる。ギャップの大きさは、接着層Ｇの厚さにより制御してもよい。所望の大きさを持ったギャップを形成するためには、接着層Ｇの元になる樹脂接着剤を液体から固化させる過程で、第１のコア２１と第２のコア２２の位置関係を固定しておけばよい。
【００３８】
図７は、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの磁気特性を示すグラフである。
【００３９】
図７に示すように、横軸を磁束密度Ｂ（ｍＴ）、縦軸をコイル３０の１ターンあたりのインダクタンス（ＡＬ−Ｖａｌｕｅ）とすると、磁束密度に応じた３つの領域を定義することができる。第１の領域（Ｉ）はインダクタンスの変化が急峻な領域であり、第２のコア２２が磁気飽和しない範囲に相当する。第２の領域（ＩＩ）はインダクタンスの変化が緩やかな領域であり、第２のコア２２が磁気飽和し、且つ、第１のコア２１が磁気飽和しない範囲に相当する。第３の領域（ＩＩＩ）はインダクタンスがほとんど変化しない領域であり、第１のコア２１が磁気飽和する範囲に相当する。磁気センサとして機能するのは、第１の領域（Ｉ）と第２の領域（ＩＩ）であり、このうち、第１の領域（Ｉ）においてより高感度な測定を行うことができる。
【００４０】
第１の領域（Ｉ）は、第１のコア２１及び第２のコア２２がいずれも磁気飽和していない領域であるが、フェライトなどからなる第１のコア２１の透磁率に比べ、アモルファス磁性金属などからなる第２のコア２２は透磁率（＝ｄＢ／ｄＨ）が著しく高いため、第１のコア２１よりも第２のコア２２の磁気特性が顕著に現れる。インダクタンスの定義より、インダクタンスは透磁率に比例するため、透磁率が高い条件の方がインダクタンスも大きくなる。上述の通り、アモルファス磁性金属などからなる第２のコア２２は透磁率が高く、磁気飽和しやすいことから、第１の領域（Ｉ）では非常に感度良く磁場（磁束密度）を検出することが可能となる。ところが、アモルファス磁性金属は、磁気飽和しやすいため、直ぐに透磁率が低くなり、変化が少なくなる。
【００４１】
第２の領域（ＩＩ）は、アモルファス磁性金属などからなる第２のコア２２の透磁率が十分に落ちた領域ではあるが、フェライトなどからなる第１のコア２１の透磁率は維持している領域である。この領域では、第１のコア２１の磁気特性が支配的である。フェライトは、低磁場領域中の透磁率についてはアモルファス磁性金属に比べて低いが、そのトレードオフとして、透磁率を維持できる磁場範囲が広い。したがって、第２の領域（ＩＩ）では、フェライトの磁気特性によって、磁界（磁束密度）を検出することが可能となる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、フェライトなどからなる第１のコア２１と、Ｆｅ系／Ｃｏ系アモルファス磁性金属などからなる第２のコア２２をリング状に接続することで閉磁路を形成し、磁気飽和しにくい第１のコア２１にコイル３０を巻回している。このため、低磁束密度領域においては第２のコア２２の磁気特性によって非常に高感度な検出を行うことができるとともに、中磁束密度領域においても第１のコア２１の磁気特性によってインダクタンス（ＡＬ−Ｖａｌｕｅ）の変化を維持することができる。
【００４３】
しかも、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、第１のコア２１としてフェライトなどからなるドラム型コアを用いていることから、表面実装型コイル部品を転用することによって安価に製造することが可能となる。例えば、コモンモードフィルタ、パルストランス、トランスポンダコイル、ノーマルモード（ディファレンシャルモード）コイル等を転用することができる。いずれの場合も、ドラム型コアの巻芯部にコイル３０を巻回した後、フェライトなどからなる板状コアをドラム型コアに接着する代わりに、アモルファス磁性金属などからなる第２のコア２２を接着すればよく、他のコイル部品の製造ラインをほぼそのまま使用することができる。
【００４４】
さらに、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、第２のコア２２の閉磁路部２２ｃがメアンダ形状を有していることから、第１のコア２１のｘ方向におけるサイズを変えることなく、第２のコア２２の磁路長を調整することができる。このため、設計時における特性調整が容易となる。
【００４５】
図８は、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの使用例を示す等価回路図である。
【００４６】
図８に示す例では、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａに２本のコイル３１，３２が巻回されており、その一方が励磁コイル３１、他方が検出コイル３２として用いられる。励磁コイル３１のインダクタンス成分と、検出コイル３２のインダクタンス成分は、所定の磁気結合係数ｋにて磁気結合している。厳密には、コイル３１，３２及びコア２１，２２の抵抗成分である銅損、鉄損（ヒステリシス損、渦電流損、残留損）や、寄生容量などのキャパシタンス成分も存在するが、説明を簡便にするため、これらの成分は図８に示す等価回路には示されていない。
【００４７】
励磁コイル３１には信号発生回路４１が接続される。信号発生回路４１は、矩形波、正弦波、三角波などの入力電圧Ｖ１を発生させることができる回路である。一方、検出コイル３２の一端は接地されるとともに、他端は検出回路４２に接続されている。したがって、検出回路４２には、検出コイル３２の両端にかかる検出電圧Ｖ２が入力される。
【００４８】
励磁コイル３１と検出コイル３２の巻数比については特に限定されないが、図８に示す例では、励磁コイル３１よりも検出コイル３２のターン数が多い場合を想定している。励磁コイル３１と検出コイル３２は、所定の磁気結合係数ｋにて互いに磁気結合している。磁気結合係数ｋが大きいほど、励磁コイル３１に入力された電気信号が大きく減衰することなく、検出コイル３２に伝播する。
【００４９】
そして、外部磁場４０が印加されると、図７に示した特性に従って、励磁コイル３１のインダクタンスと検出コイル３２のインダクタンスが低下する。その結果、外部磁場４０の強度に応じて検出コイル３２に出力される電圧波形が変化する。
【００５０】
図９は、外部磁場４０と検出コイル３２に現れる検出電圧Ｖ２との関係を示す波形図である。
【００５１】
図９に示す例では、信号発生回路４１から矩形波である入力電圧Ｖ１が生成され、これが励磁コイル３１に印加されている。
【００５２】
まず、外部磁場４０がない場合、検出コイル３２に現れる検出電圧Ｖ２は、図９の点線で示すように、平坦部分のレベルが時間とともにやや低下する矩形波となる。磁気飽和の傾向が全くなければ、この低下自体も生じないが、信号発生回路４１からの電流により、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａが磁気飽和気味になることで、この低下が生じる。
【００５３】
次に、外部磁場４０が小さい場合、外部磁場４０によって磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの飽和が早まるので、外部磁場４０がない場合に比べてインダクタンス値が低下し、図９の破線に示す波形となる。
【００５４】
さらに、外部磁場４０が大きい場合、外部磁場４０と信号発生回路４１からの電流によって、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａはより強く飽和する。このため、図９の一点鎖線で示すように、立ち上がりの直後に急峻に立下がる波形となる。
【００５５】
このように、検出コイル３２に現れる検出電圧Ｖ２の波形は、外部磁場４０の強度によって変化する。かかる変化は検出回路４２によって検出され、検出電圧Ｖ２の波形を解析することによって外部磁場４０のレベルを測定することができる。
【００５６】
検出回路４２としては、コンパレータ（比較器）を用いることができる。コンパレータは、入力される電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに対して大きいか小さいかを判別する回路あるいは素子である。コンパレータによって基準電圧Ｖｒｅｆと検出電圧Ｖ２を比較すると、外部磁場４０がない場合は、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超える期間と、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超えない期間が半周期ごとに交互に現れる。したがって、コンパレータから出力される信号のデューティは約５０％となる。
【００５７】
一方、外部磁場４０が小さい場合、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超える期間が短くなり、その分、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超えない期間が長くなる。この場合、コンパレータから出力される信号のデューティは５０％よりも低くなる。
【００５８】
さらに、外部磁場４０が大きい場合、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超える期間がさらに短くなり、その分、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超えない期間がさらに長くなる。この場合、コンパレータから出力される信号のデューティは５０％よりもさらに低くなる。
【００５９】
このように、外部磁場４０が大きいほど、検出電圧Ｖ２が基準電圧Ｖｒｅｆを超える期間が短くなるため、コンパレータから出力される信号のデューティもこれに応じて低くなる。したがって、コンパレータから出力される信号のデューティを解析すれば、外部磁場４０のレベルを推測することが可能となる。
【００６０】
図１０は、励磁コイル３１と検出コイル３２の巻き数比と検出電圧Ｖ２との関係を示すグラフである。
【００６１】
図１０に示すように、励磁コイル３１と検出コイル３２の巻き数比（検出コイル３２のターン数／励磁コイル３１のターン数）が大きいほど、検出電圧Ｖ２の立ち上がり電圧が大きく、且つ、変化量も大きいことが分かる。すなわち、巻き数比が大きいほど、検出電圧Ｖ２の変化を検出回路４２にて検出しやすくなる。そのため、励磁コイル３１のターン数よりも、検出コイル３２のターン数を多くすることが好ましい。
【００６２】
図１１は、磁気結合係数ｋと検出電圧Ｖ２との関係を示すグラフである。
【００６３】
図１１には、磁気結合係数ｋが０．５であるケースと、磁気結合係数ｋが０．８５であるケースが示されている。図１１から明らかなように、磁気結合係数ｋが大きいほど、検出コイル３２に現れる検出電圧Ｖ２の変化量ΔＶが大きくなる。したがって、磁気結合係数ｋは大きいことが好ましい。高い磁気結合係数ｋを得るためには、励磁コイル３１と検出コイル３２を図２のようにバイファイラ巻きすることが好ましい。励磁コイル３１と検出コイル３２のターン数が異なる場合には、励磁コイル３１と検出コイル３２が同じターン数の範囲でバイファイラ巻きすればよい。
【００６４】
本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａを用いた回路は、図８に示した回路に限定されるものではなく、他の回路構成を採用することも可能である。例えば、検出コイル３２に発生する検出電圧Ｖ２の二次高調波を測定する回路を設けても構わない。二次高調波を測定する回路は、電圧波形の非線形性特性の有無を検出するものであり、非線形性を有さない場合に、励磁コイル３１に入力電圧Ｖ１を印加すると、検出コイル３２には奇数次の高調波成分、すなわち、一次、三次、五次、七次・・・の高調波成分が出現するが、非線形性である場合には、励磁コイル３１に入力電圧Ｖ１を印加すると、検出コイル３２には奇数次の高調波成分だけでなく、二次、四次、六次・・・の偶数次の高調波成分が出現する。ここでいう非線形性とは、主に磁性体の磁気飽和特性による非線形性のことである。すなわち、磁気飽和現象により生じる偶数の高調波成分の二次を検出する。高次の偶数次の高調波成分も出現するが、高次ほど変化が少なくなる傾向があるので、二次の高調波成分のみが一般的に使われる。
【００６５】
より具体的には、信号発生回路４１によって正弦波である入力電圧Ｖ１を印加すると、その正弦波の周波数の偶数倍の周波数が検出コイル３２の検出電圧Ｖ２に出現し、この二次高調波を検出する。検出には、周波数が十分低ければ、ＤＳＰ（ディジタルシグナルプロセッサ）などを用いてＦＦＴ（高速フーリエ変換）を行うことで実現できるが、そうでなければ、二次高調波成分だけを帯域通過フィルタで抽出し、平均化（平滑化）することで電圧に変換し、この電圧をＤＡコンバータで読むことでも実現できる。信号発生回路４１から出力される入力電圧Ｖ１は、正弦波であれば二次高調波成分が分かりやすいが、必ずしも正弦波である必要はなく、矩形波や三角波であっても構わない。
【００６６】
さらに、コイル３０が１本のコイルからなる場合、つまり、励磁コイル３１が存在しない場合であっても、外部磁場４０を検出することができる。例えば、図１２に示すように、シュミットトリガインバータ４３の入力端と出力端の間に、磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａのコイル３０を接続し、さらに、抵抗４４を介してシュミットトリガインバータ４３の入力端を接地した回路を用いることもできる。図１２に示す回路を用いた場合、コイル３０のインダクタンスの変化によって、シュミットトリガインバータ４３から出力される信号の周波数が変化することから、これを解析することによって外部磁場４０の強度を測定することができる。
【００６７】
図１３は、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａを用いた電流センサの構成を示す略斜視図である。
【００６８】
図１３に示す電流センサは、計測対象となる電流が流れるバスバー４５と磁気シールド４６とを備え、磁気シールド４６内に本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａが収容された構成を有している。バスバー４５は略Ｕ字状に折り曲げられており、バスバー４５の折り曲げ部分を囲うように磁気シールド４６が設けられている。磁気シールド４６はフェライトなどの磁性材料からなり、外部磁場を遮断する役割を果たす。
【００６９】
そして、計測対象となる電流をバスバー４５に流すと、電流量に応じた磁界が発生し、これが磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａによって検出される。磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａの検出コイル３２は、例えば図８に示した検出回路４２に接続されており、これにより検出コイル３２に現れる電圧がモニタされる。かかる構成により、バスバー４５に流れる電流の電流量を磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａによって検出することが可能となる。このように、本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａは、電流センサの一部として用いることが可能である。
【００７０】
以下、本発明の他の実施形態による磁気センサについて説明する。
【００７１】
図１４は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂの構成を示す斜視図である。
【００７２】
図１４に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂは、軸方向（ｘ方向）における第２のコア２２の長さが第１のコア２１よりも長い点において、図１に示した第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａと相違する。つまり、本実施形態においては、第２のコア２２が接続部２２ａ，２２ｂ及び閉磁路部２２ｃだけでなく、接続部２２ａ，２２ｂからみて閉磁路部２２ｃとは逆方向に位置する突出部２２ｄ，２２ｅを有している。その他の点については、第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７３】
本実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂは、第２のコア２２の長さが軸方向に延長されていることから、外部磁場をより効率的に取り込むことができる。これにより、より高感度な測定が可能となる。しかも、軸方向における指向性が強くなることから、磁場を発生する被測定物の方向を特定しやすいという利点も有する。
【００７４】
図１５は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｃの構成を示す斜視図である。
【００７５】
図１５に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｃは、第２のコア２２の突出部２２ｄ，２２ｅがメアンダ形状である点において、図１４に示した第２の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂと相違する。その他の点については、第２の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７６】
第２のコア２２をこのような形状とすれば、突出部２２ｄ，２２ｅのｘ方向における突出量を抑えつつ、突出部２２ｄ，２２ｅの磁路長を長くすることができる。突出部２２ｄ，２２ｅの磁路長が長くなると、第１のコア２１よりも第２のコア２２の影響度がより強くなることから、図７に示した第１の領域（Ｉ）におけるインダクタンスの変化がより急峻となり、検出感度が高められる。しかも、第１のコア２１の影響度が相対的に弱くなることから、図７に示した第２の領域（ＩＩ）と第３の領域（ＩＩＩ）との境界におけるインダクタンスの急激な落ち込みも緩和され、計測がしやすくなる。このような効果を十分に得るためには、突出部２２ｄ，２２ｅの磁路長を十分に確保する必要があるが、本実施形態においては、突出部２２ｄ，２２ｅがメアンダ形状を有していることから、ｘ方向におけるサイズの拡大を最小限に抑えつつ、上述した効果を得ることが可能となる。
【００７７】
図１６は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｄの構成を示す斜視図である。
【００７８】
図１６に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｄは、第２のコア２２の閉磁路部２２ｃがメアンダ形状ではなく、単純な板状である点において、図１５に示した第３の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｃと相違する。その他の点については、第３の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｃと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７９】
第２のコア２２をこのような形状とすれば、閉磁路部２２ｃの磁路長を拡大することなく、突出部２２ｄ，２２ｅの磁路長を長くすることができる。本実施形態が例示するように、本発明において閉磁路部２２ｃをメアンダ形状とすることは必須でなく、第２のコア２２の少なくとも一部がメアンダ形状を有していれば足りる。どの部分をメアンダ形状とするかは、目的とする特性やサイズに応じて適宜決定すればよい。
【００８０】
図１７は、本発明の第５の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｅの構成を示す斜視図である。
【００８１】
図１７に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｅは、第２のコア２２が厚み方向に積層構造を有している点において、図１に示した第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａと相違する。その他の点については、第１の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８２】
磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｅによれば、第２のコア２２が積層構造を有していることから感度ｄＬ／ｄＢは低下するが、そのトレードオフとして飽和しにくくなるため、センシング可能な外部磁場（磁束密度）の範囲が広くなる。これは、Ｆｅ系／Ｃｏ系アモルファス磁性金属の断面積が、積層したことで等価的に広くなるためである。また、珪素鋼板などの応用でよく知られているように、複数の磁性体を積層すると、磁性体間に微小なギャップが発生し、渦電流が分断される。このため、渦電流損による損失を低下させることが可能となる。
【００８３】
図１８は、本発明の第６の実施形態による磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｆの構成を示す斜視図である。
【００８４】
図１８に示す磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｆは、第２のコア２２を覆う支持部材８０をさらに備えており、支持部材８０と第１のコア２１の上面２１Ｔが接着剤によって接着されている。支持部材８０は、例えば樹脂からなる。支持部材８０は、反転させて接着面側から見た図１９に示すように、第２のコア２２を収容する凹部８１が設けられている。凹部８１の深さは、第２のコア２２の厚さと同等か、やや深く設定される。さらに、本実施形態においては、第２のコア２２における接続面Ｓ３，Ｓ４のｙ方向における幅が第１のコア２１における接続面Ｓ１，Ｓ２の幅よりも狭くなっており、幅の差分に相当するエリアにおいては、第２のコア２２が介在することなく、支持部材８０と第１のコア２１の鍔部２１ｂ，２１ｃが直接対向する。そして、この部分に接着剤を塗布することによって両者を接着すれば、接着剤を介在させることなく、第１のコア２１と第２のコア２２を互いに位置決めすることができる。
【００８５】
このような構成により、本実施形態においては、係合部などを設けることなく、且つ、接着剤を介在させることなく、第１のコア２１と第２のコア２２を互いに位置決めすることが可能となる。しかも、本実施形態においては、第２のコア２２の閉磁路部２２ｃがメアンダ形状を有し、且つ、支持部材８０の凹部がこれに沿った形状を有しているため、支持部材８０を第１のコア２１に接着した後、第２のコア２２が脱落することもない。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００８７】
例えば、図１４〜図１６に示した磁気センサ用インダクタンス素子１０Ｂ〜１０Ｄは、ｘ方向における長さの等しい突出部２２ｄ，２２ｅを有しているが、突出部２２ｄ，２２ｅのｘ方向における長さが等しい必要はなく、両者の長さに差があっても構わない。さらには、突出部２２ｄ，２２ｅの一方を省略しても構わない。
【実施例１】
【００８８】
図２０（ａ）に示すサンプルＡ１及び図２０（ｂ）に示すサンプルＢ１を想定し、それぞれの磁気特性をシミュレーションした。サンプルＡ１，Ｂ１ともに、ドラム型である第１のコアのサイズは、ｘ＝４．０ｍｍ、ｙ＝３．０ｍｍ、ｚ＝１．５ｍｍであり、鍔部のｘ方向における厚みは０．８ｍｍである。そして、サンプルＡ１においては第２のコアが板状であるのに対し、サンプルＢ１においては第２のコアがメアンダ形状である。第２のコアのｚ方向における厚みについては、外部磁場が存在しない場合のインダクタンスを一致させるべく、サンプルＡ１については０．０２５ｍｍ、サンプルＢ１については０．４ｍｍとした。これにより、１ターンあたりのインダクタンス（ＡＬ−Ｖａｌｕｅ）は、いずれのサンプルも約１μＨ／Ｎ２である（Ｎはターン数）。
【００８９】
図２１は、サンプルＡ１，Ｂ１の磁気特性を示すシミュレーション結果である。
【００９０】
図２１に示すように、サンプルＡ１では外部磁場が約３００００Ｈ（Ａ／ｍ）で完全に磁気飽和したのに対し、サンプルＢ１では外部磁場が約４００００Ｈ（Ａ／ｍ）まで磁気飽和しなかった。このように、サンプルＢ１は外部磁場が比較的強い場合であっても、磁気飽和を起こすことなく測定可能であることが分かる。
【実施例２】
【００９１】
図２２（ａ）に示すサンプルＡ１、図２２（ｂ）に示すサンプルＡ２及び図２２（ｃ）に示すサンプルＢ２を想定し、それぞれの磁気特性をシミュレーションした。サンプルＡ１は、図２０（ａ）に示したサンプルＡ１と同一である。サンプルＡ１，Ａ２，Ｂ２における第１のコアのサイズは、実施例１と同様である。つまり、ｘ＝４．０ｍｍ、ｙ＝３．０ｍｍ、ｚ＝１．５ｍｍであり、鍔部のｘ方向における厚みは０．８ｍｍである。そして、サンプルＡ１においては第２のコアが板状であり、突出部を備えていないのに対し、サンプルＡ２においては第２のコアが突出部を備えており、サンプルＢ２においては第２のコアに設けられた突出部がメアンダ形状を有している。サンプルＡ２，Ｂ２における第２のコア２２のｘ方向におけるサイズは８．０ｍｍである。各サンプルとも、第２のコアのｚ方向における厚みは０．０２５ｍｍである。
【００９２】
図２３は、サンプルＡ１，Ａ２，Ｂ２の磁気特性を示すシミュレーション結果である。
【００９３】
図２３に示すように、突出部を備えないサンプルＡ１において外部磁場が約３００００Ｈ（Ａ／ｍ）近辺で現れるインダクタンスの急激な落ち込みは、突出部を備えるサンプルＡ２，Ｂ２においては現れない。そして、突出部がメアンダ形状であるサンプルＢ２は、突出部が平板状であるサンプルＡ２よりもインダクタンスの変化がより急峻、且つ、リニアである。このように、サンプルＢ２は、良好且つリニアな検出感度が得られることが分かる。
【符号の説明】
【００９４】
１０Ａ〜１０Ｆ    磁気センサ
２１      第１のコア
２１ａ    巻芯部
２１ｂ，２１ｃ    鍔部
２１Ｔ    鍔部の上面
２１Ｓ１，２１Ｓ２    鍔部の側面
２２      第２のコア
２２ａ，２２ｂ    接続部
２２ｃ    閉磁路部
２２ｄ，２２ｅ    突出部
２２ｘ    第１の部分
２２ｙ    第２の部分
３０      コイル
３１      励磁コイル
３２      検出コイル
４０      外部磁場
４１      信号発生回路
４２      検出回路
４３      シュミットトリガインバータ
４４      抵抗
４５      バスバー
４６      磁気シールド
８０      支持部材
８１      凹部
Ｅ１〜Ｅ４，Ｅ１１〜Ｅ１３    端子電極
Ｇ        接着層
Ｓ１〜Ｓ４    接続面
Ｖ１      入力電圧
Ｖ２      検出電圧
Ｖｒｅｆ  基準電圧
【図１】
2018066651.tif 000003
【図２】
2018066651.tif 000004
【図３】
2018066651.tif 000005
【図４】
2018066651.tif 000006
【図５】
2018066651.tif 000007
【図６】
2018066651.tif 000008
【図７】
2018066651.tif 000009
【図８】
2018066651.tif 000010
【図９】
2018066651.tif 000011
【図１０】
2018066651.tif 000012
【図１１】
2018066651.tif 000013
【図１２】
2018066651.tif 000014
【図１３】
2018066651.tif 000015
【図１４】
2018066651.tif 000016
【図１５】
2018066651.tif 000017
【図１６】
2018066651.tif 000018
【図１７】
2018066651.tif 000019
【図１８】
2018066651.tif 000020
【図１９】
2018066651.tif 000021
【図２０】
2018066651.tif 000022
【図２１】
2018066651.tif 000023
【図２２】
2018066651.tif 000024
【図２３】
2018066651.tif 000025