(57)【要約】【課題】  液晶表示装置に備えられた静電容量型近接センサが、その周囲の電子部品、回路配線等にＥＭＩを生じさせることを効果的に抑制すること。【解決手段】  液晶表示装置は、液晶表示パネル１と、その表示面を覆う透明部材２と、液晶表示パネル１の反表示面側に設置されたバックライト４と、液晶表示パネル１を嵌め込むための開口部を有するフレーム３と、バックライト４の液晶表示パネル１と反対側の主面に設置された保護基板５と、を有し、透明部材２、フレーム３及び保護基板５の少なくとも一つに、その主面の周縁部分に給電部７ａ，８ａ，９ａから互いに反対方向に伸びる、導体線７ｂ，７ｂ，８ｂ，８ｂ，９ｂ，９ｂから成る線状の静電容量型近接センサ７，８，９が設けられている。【選択図】  図１
2018060796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、その表示パネルの表示面を覆う透明部材と、前記表示パネルの反表示面側に設置された保護基板と、前記表示パネルを嵌め込むための開口部を有するフレームと、を有しており、前記透明部材、前記フレーム及び前記保護基板の少なくとも一つに、その主面に給電部から互いに反対方向に伸びる静電容量型近接センサが設けられており、外部の導電体の近接を前記静電容量型近接センサによって検知したときに前記表示パネルの表示を制御可能とした表示装置。
【請求項２】
前記静電容量型近接センサは、その中央部に前記給電部が位置している請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記静電容量型近接センサが設けられる、前記透明部材、前記フレーム及び前記保護基板の少なくとも一つは、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺のそれぞれに前記静電容量型近接センサが設けられており、前記給電部は、前記静電容量型近接センサの中央部に位置している請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記保護基板は前記静電容量型近接センサが設けられており、前記透明部材は、その主面の周縁部分における平面視で前記静電容量型近接センサと重ならない部位に静電容量型近接センサが設けられている請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、人の指等が近接したときに画面表示を起動させたり、静止画表示を動画表示に切り替えるための近接センサを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば自動車のナビゲーションシステム、タブレット端末、スマートフォン等に用いられる液晶表示装置においては、液晶表示装置に備えられたタッチパネル等を操作するために人の指が表示画面に近づいたときに、画面表示を起動させたり、静止画表示を動画表示に切り替えるための近接センサを設けることがある。この近接センサとしては、静電容量型センサ、インダクタンス型センサ等があるが、静電的な導電体である人の指等の近接を、静電容量の変化として非接触で検知できる静電容量型センサが好適に用いられている。
【０００３】
従来の近接センサを備えた液晶表示装置の１例を図６に示す。図６は液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図であり、液晶表示装置は、液晶表示パネル２１と、その液晶表示パネル２１の表示面を覆うガラス板等から成る透明部材２２と、液晶表示パネル２１の反表示面側に設置された平板状のバックライト２４と、そのバックライト２４の液晶表示パネル２１と反対側の主面に設置されたプラスチック板等から成る保護基板２５と、を有している。そして、透明部材２２は、その観察者側の主面に液晶表示パネル２１の周囲を囲むように、銀等の金属、合金、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透明導電体等の材料から成る導体線２６ｂから構成された静電容量型近接センサ２６が形成されている。図６において、２６ａは静電容量型近接センサ２６にパルス電圧を供給する給電部、２３は液晶表示パネル２１を嵌め込んで位置を固定するための開口部２３ａを有する、プラスチック等から成るフレームである。
【０００４】
図７は、図６に示す主要部品を組み立てて構成された液晶表示装置の断面図である。図７に示すように、視認者側（図７で白抜き矢印で示す側）から、透明部材２２、液晶表示パネル２１、バックライト２４、バックライトのフレーム２４ａと、液晶表示パネル２１を嵌め込むための開口部２３ａを有するフレーム２３、保護基板２５が配置されている。フレーム２４ａはフレーム２３に嵌めこみ、ねじ止め等の手段で固定され、保護基板２５はフレーム２３にねじ止め等の手段で固定される。
【０００５】
そして、図６の液晶表示装置の静電容量型近接センサ２６は、例えば以下のように動作する。まず、導体線２６ｂに人の指等の外部の導電体が近接すると、導体線２６ｂと外部の導電体との間に容量結合が発生する。このとき、導体線２６ｂに新たな電気的容量が付加されるために、給電部２６ａに接続された外部の制御ＩＣ，ＬＳＩ等へ導体線２６ｂから反射してくる電流値（電荷量）が変化する。その変化した電流値を電圧値の変化として制御ＩＣ，ＬＳＩ等によって検知することによって、外部の導電体の近接を検知することができる。
【０００６】
また、他の従来例として、誘導アンテナから成る近接センサであって、その形状が線状、リング状、帯状、蛇腹状（ジグザグ状）、渦巻き状または波状である近接センサを有する電子装置が提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２２９０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図６、図７に示した上記従来の液晶表示装置においては以下のような問題点があった。図８に示すように、給電部２６ａから導体線部26b1,26b2に入力された電流は、右螺子の法則により電流方向（図８で矢印で示す方向）に右螺子が進むように磁界（図８で白抜き矢印で示す）を発生させる。この動的な磁界が電界を誘起し、それに基づいて導体線部26b1,26b2のそれぞれの周囲に電磁波が放射される。導体線部26b3,26b4,26b5,26b6においても同様にそれらの周囲に電磁波が放射される。このとき、導体線部26b1に流れる電流の方向と導体線部26b2に流れる電流の方向が反対方向であるため、導体線部26b1から放射される電磁波の位相と、導体線部26b2から放射される電磁波の位相とが逆位相になり、それらの電磁波が相殺されて電磁波が殆ど放射されなくなる。また、導体線部26b1と導体線部26b5との間、導体線部26b2と導体線部26b6との間でも同様の現象が起こり、電磁波が相殺されて殆ど放射されない。
【０００９】
しかしながら、導体線部26b3に流れる電流の方向と導体線部26b4に流れる電流の方向とは同じであるために、導体線部26b3から放射される電磁波の位相と、導体線部26b4から放射される電磁波の位相とが同位相になり、それらの電磁波が強め合って放射される。その結果、強め合って放射された電磁波が周囲の電子部品、回路配線等にＥＭＩ（Electromagnetic  Interference：電磁気妨害）を生じさせるという問題点があった。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、表示装置に備えられた静電容量型近接センサが、その周囲の電子部品、回路配線等にＥＭＩを生じさせることを効果的に抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、表示パネルと、その表示パネルの表示面を覆う透明部材と、前記表示パネルの反表示面側に設置された保護基板と、前記表示パネルを嵌めこむための開口部を有するフレームと、を有しており、前記透明部材、前記フレーム及び前記保護基板の少なくとも一つに、その主面に給電部から互いに反対方向に伸びる静電容量型近接センサが設けられており、外部の導電体の近接を前記静電容量型近接センサによって検知したときに前記表示パネルの表示を制御可能とした構成である。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、前記静電容量型近接センサは、その中央部に前記給電部が位置している。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、前記静電容量型近接センサが設けられる、前記透明部材、前記フレーム及び前記保護基板の少なくとも一つは、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺のそれぞれに前記静電容量型近接センサが設けられており、前記給電部は、前記静電容量型近接センサの中央部に位置している。
【００１４】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、前記保護基板は前記静電容量型近接センサが設けられており、前記透明部材は、その主面の周縁部分における平面視で前記静電容量型近接センサと重ならない部位に静電容量型近接センサが設けられている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の表示装置は、表示パネルと、その表示パネルの表示面を覆う透明部材と、前記表示パネルの反表示面側に設置された保護基板と、前記表示パネルを嵌めこむための開口部を有するフレームと、を有しており、前記透明部材、前記フレーム及び前記保護基板の少なくとも一つに、その主面に給電部から互いに反対方向に伸びる静電容量型近接センサが設けられており、外部の導電体の近接を前記静電容量型近接センサによって検知したときに前記表示パネルの表示を制御可能とした構成であることから、給電部から静電容量型近接センサに供給される電流の方向は、給電部からみて互いに反対方向になる。その結果、給電部から一方に伸びる静電容量型近接センサから放射される電磁波の位相と、給電部から他方に伸びる静電容量型近接センサから放射される電磁波の位相とが逆位相になり、それらの電磁波が相殺されて電磁波が殆ど放射されなくなる。
【００１６】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、静電容量型近接センサは、その中央部に給電部が位置していることから、給電部から一方に伸びる静電容量型近接センサから放射される電磁波の強度及び放射範囲と、給電部から他方に伸びる静電容量型近接センサから放射される電磁波の強度及び放射範囲とが同じになり、それらの電磁波の相殺がより効果的に行われる。
【００１７】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、静電容量型近接センサが設けられる、透明部材、フレーム及び保護基板の少なくとも一つは、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺のそれぞれに静電容量型近接センサが設けられており、給電部は、静電容量型近接センサの中央部に位置していることから、例えば、表示装置の周囲の全方位に対してセンシングを行うことが可能となる。
【００１８】
また、本発明の表示装置は、好ましくは、保護基板は静電容量型近接センサが設けられており、透明部材は、その主面の周縁部分における平面視で静電容量型近接センサと重ならない部位に静電容量型近接センサが設けられていることから、表示装置の周囲の全方位に対してセンシングを行うことが可能となり、また、保護基板に設けられた静電容量型近接センサと透明部材に設けられた静電容量型近接センサとは同一面にないため、それらから放射される電磁波が干渉して強め合うことが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の一例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の液晶表示装置の保護基板に形成された静電容量型近接センサにおける電磁波の相殺を説明するための平面図、（ｂ）は、図１の液晶表示装置の透明部材に形成された他の静電容量型近接センサにおける電磁波の相殺を説明するための平面図である。
【図３】図３は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の他例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の他例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の他例を示す図であり、（ａ）は先端側を積層構造として電気的な抵抗を低減させた静電容量型近接センサの断面図、（ｂ）は先端側を低抵抗の材料で構成して電気的な抵抗を低減させた静電容量型近接センサの断面図である。
【図６】図６は、従来の液晶表示装置の一例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示す主要部品を組み立てて構成された液晶表示装置の断面図である。
【図８】図８は、図６の液晶表示装置の透明部材に形成された静電容量型近接センサにおける電磁波の放射を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の表示装置としての液晶表示装置（Liquid  Crystal  Display：ＬＣＤ）の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の液晶表示装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の液晶表示装置を説明するための主要部を示している。従って、本発明に係る液晶表示装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備え得る。
【００２１】
図１は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の一例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。本発明の液晶表示装置は、液晶表示パネル１と、その液晶表示パネル１の表示面を覆うガラス板、プラスチック板等から成る透明部材２と、液晶表示パネル１の反表示面（表示面と反対側の面）側に設置された平板状等の形状のバックライト４と、液晶表示パネル１を嵌め込むための開口部３ａを有するプラスチック等の絶縁体、金属等から成るフレーム３と、バックライト４の液晶表示パネル１と反対側の主面に設置されたプラスチック基板、ガラス基板等から成る保護基板５と、を有している。そして、透明部材２、フレーム３及び保護基板５の少なくとも一つに、その主面の周縁部分に給電部７ａ，８ａ，９ａから互いに反対方向に伸びる、導体線７ｂ，７ｂ，８ｂ，８ｂ，９ｂ，９ｂから成る線状の静電容量型近接センサ７，８，９が設けられている。なお、図１において、４ａはバックライト４の外周部を保護するアルミニウム等から成る枠体（フレーム）、７ｃ，８ｃ，９ｃは給電線、１０は制御ＩＣ，ＬＳＩ等を有する静電容量型近接センサ７，８，９制御用の回路基板である。
【００２２】
この構成により、給電部７ａから静電容量型近接センサ７の導体線７ｂ，７ｂに供給される電流の方向は、給電部７ａからみて互いに反対方向になる結果、給電部７ａから一方に伸びる導体線７ｂから放射される電磁波の位相と、給電部７ａから他方に伸びる導体線７ｂから放射される電磁波の位相とが逆位相になり、それらの電磁波が相殺されて電磁波が殆ど放射されなくなる。静電容量型近接センサ８，９においても同様の効果を奏する。このような効果を奏するためには、給電部７ａ，８ａ，９ａから互いに反対方向に伸びる、導体線７ｂ，７ｂ，８ｂ，８ｂ，９ｂ，９ｂから成る線状の静電容量型近接センサ７，８，９は、一方の導体線７ｂ，８ｂ，９ｂと他方の導体線７ｂ，８ｂ，９ｂが、電流方向が同じとなる平行部分を実質的に含まない構成とする。例えば、一方の導体線７ｂ，８ｂ，９ｂと他方の導体線７ｂ，８ｂ，９ｂとが、ほぼ１つの直線を成すように構成する。
【００２３】
本発明の液晶表示パネル１は、例えば以下のような構成である。薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor）素子を含む画素電極部が多数形成されたＴＦＴアレイ側基板と、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたカラーフィルタ側基板とを互いに対向させて、それらの基板を所定の間隔でもって貼り合わせ、それらの基板間に液晶を充填、封入させることによって作製される。また、一般的に、カラーフィルタ側基板は、ＴＦＴ素子及び画素電極に対向する側の主面の全面に、画素電極との間で液晶に印加する垂直電界を形成するための共通電極（基準電極）が形成されている。さらに、カラーフィルタ側基板の前記主面には、それぞれの画素に対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタが形成されており、それぞれの画素を通過する光が相互に干渉することを防ぐブラックマトリクスがカラーフィルタの外周を囲むように形成されている。
【００２４】
この液晶表示パネル１としては、ＴＮ（Twisted  Nematic）型、ＩＰＳ（In-Plane  Switching）型、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）型等の種々のタイプのものが採用できる。
【００２５】
このような液晶表示装置は、視認者側と反対側に、液晶表示パネル１に画像を形成するための透過光を、液晶表示パネル１の裏面側から入射するバックライト４が設けられている。このバックライト４には２つの方式がある。１つの方式は、発光素子としてのＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）素子が液晶表示パネル１の画面の端に配置されているエッジライト方式である。このエッジライト方式においては、液晶表示パネル１の画面の端に配置されたＬＥＤ素子からの光を導光板によって画面全体に導いて均一に分散させる。エッジライト方式は、最大６０インチ程度までの画面において良好な光学的均一性を保持することができ、５〜１０ｍｍ程度の厚さのバックライト４が実現できる。
【００２６】
もう１つの方式は、直下型方式であり、液晶の画素の直下に多数のＬＥＤ素子を配置して、ＬＥＤ素子からの光を画素に直接入射させる方式である。この直下型方式は、それが適用される液晶表示パネル１の画面サイズに制限はなく、低消費電力、良好な熱放散性を有している。また、直下型方式は、エッジライト方式に比べてバックライト装置が厚くなる傾向があるが、１０ｍｍ程度以下の厚さに抑えることもできる。なお、ＬＥＤ素子の発光の駆動方法としては、一般にＰＷＭ（Pulse  Width  Modulation）方式によってパルス電流をＬＥＤ素子に入力する駆動方法が用いられる。
【００２７】
導体線７ｂ，７ｂ，８ｂ，８ｂ，９ｂ，９ｂから成る静電容量型近接センサ７，８，９は、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ）等の金属、これらの金属を含む合金、ＩＴＯ等の透明導電体などの材料から成る。例えば、静電容量型近接センサ７，８，９が銀から成る場合、アルコール，液状樹脂等を含むペーストに銀粒子を所定量混入させた銀ペーストを塗布し、乾燥、焼成することによって、静電容量型近接センサ７，８，９を設けることができる。また、この塗布・焼成法の他に、メッキ法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法、スパッタリング法等の薄膜形成法によっても設けることができる。さらには、静電容量型近接センサ７，８，９は、導体線、板金加工によって作製された金属部材であってもよい。また、給電線７ｃ，８ｃ，９ｃも静電容量型近接センサ７，８，９と同様にして設けることができる。
【００２８】
本発明の液晶表示装置の静電容量型近接センサ７，８，９は、例えば以下のように動作する。まず、導体線７ｂ，８ｂ，９ｂに人の指等の外部の導電体が近接すると、導体線７ｂ，８ｂ，９ｂと外部の導電体との間に電気的な容量結合が発生する。このとき、導体線７ｂ，８ｂ，９ｂに新たな電気的な容量が付加されるために、給電部７ａ，８ａ，９ａに給電線７ｃ，８ｃ，９ｃを通じて接続された回路基板１０の制御ＩＣ，ＬＳＩ等へ、導体線７ｂ，８ｂ，９ｂから反射してくる電流値（電荷量）が変化する。その変化した電流値を電圧値の変化として制御ＩＣ，ＬＳＩ等によって検知することによって、外部の導電体の近接を検知することができる。
【００２９】
図２（ａ）は、図１の液晶表示装置の保護基板５に設けられた静電容量型近接センサ７，８，９における電磁波の相殺を説明するための平面図、（ｂ）は、図１の液晶表示装置の透明部材２に設けられた他の静電容量型近接センサ６における電磁波の相殺を説明するための平面図である。図２（ａ）に示すように、静電容量型近接センサ７において、給電部７ａから導体線７ｂ，７ｂに入力された電流は、右螺子の法則により電流方向（図２で矢印で示す方向）に右螺子が進むように磁界（図２で白抜き矢印で示す）を発生させる。この動的な磁界が電界を誘起し、それに基づいて導体線７ｂ，７ｂのそれぞれの周囲に電磁波が放射される。このとき、一方の導体線７ｂに流れる電流の方向と他方の導体線７ｂに流れる電流の方向が反対方向であるため、一方の導体線７ｂから放射される電磁波の位相と、他方の導体線７ｂから放射される電磁波の位相とが逆位相になり、それらの電磁波が相殺されて電磁波が殆ど放射されなくなる。静電容量型近接センサ８，９においても静電容量型近接センサ７と同様の効果を奏する。また図２（ｂ）に示すように、静電容量型近接センサ６においても静電容量型近接センサ７と同様の効果を奏する。
【００３０】
図２（ｂ）に示す静電容量型近接センサ６は、二つの給電部６ａ，６ａのそれぞれから互いに反対方向に伸びる導体線６ｂ，６ｂを有しており、それらの導体線６ｂ，６ｂに同時的に電流を入力することによって、上述した本発明の効果が得られる。
【００３１】
静電容量型近接センサ８，９は、一方の導体線８ｂ，９ｂに流れる電流の方向と他方の導体線８ｂ，９ｂに流れる電流の方向が正反対方向でなくてもよく、実質的に反対方向であればよい。即ち、一方の導体線８ｂ，９ｂに流れる電流の方向と他方の導体線８ｂ，９ｂに流れる電流の方向とのなす角度（θとする）は１８０度ではないが、このように必ずしも角度θが１８０度である必要はない。上記の本発明の効果を奏するためには、角度θは１５０度〜１８０度程度の範囲内であればよい。
【００３２】
また、給電線８ｃ，９ｃについても、上記の本発明の効果を得ることができる。即ち、図２（ａ）に示すように、給電線８ｃに流れる電流の方向と給電線９ｃに流れる電流の方向がほぼ反対方向（実質的に反対方向）となっていればよい。ただし、図２（ａ）に示す給電線７ｃのように、流れる電流の方向が反対方向になっている２つの給電線が存在しないものの場合、給電線７ｃの長さは、流れる電流の方向が反対方向になっている２つの給電線８ｃ，９ｃよりも短いことが好ましい。これにより、給電線７ｃから電磁波が放射されたとしても、その強度、放射範囲を抑えることができる。
【００３３】
また、本発明の液晶表示装置は、静電容量型近接センサ７，８，９は、その中央部に給電部７ａ，８ａ，９ａが位置していることが好ましい。この場合、給電部７ａ，８ａ，９ａから一方に伸びる導体線７ｂ，８ｂ，９ｂから放射される電磁波の強度及び放射範囲と、給電部７ａ，８ａ，９ａから他方に伸びる導体線７ｂ，８ｂ，９ｂから放射される電磁波の強度及び放射範囲とが同じになり、それらの電磁波の相殺がより効果的に行われる。
【００３４】
また、本発明の液晶表示装置は、静電容量型近接センサが設けられる、透明部材２、フレーム３及び保護基板５の少なくとも一つは、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺のそれぞれに静電容量型近接センサが設けられており、給電部は、静電容量型近接センサの中央部に位置していることが好ましい。図２（ａ）はその１例を示すものであり、保護基板５は、その外形形状が略四角形状であるとともに隣接する３つの辺のそれぞれに静電容量型近接センサ７，８，９が形成されており、給電部７ａ，８ａ，９ａは、静電容量型近接センサ７，８，９の中央部に位置している。この場合、液晶表示装置の周囲の３方位に対してセンシングを行うことが可能となる。
【００３５】
また、本発明の液晶表示装置は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、保護基板５は静電容量型近接センサ７，８，９が設けられており、透明部材２は、その主面の周縁部分における平面視で静電容量型近接センサ７，８，９と重ならない部位に静電容量型近接センサ６が設けられていることが好ましい。この場合、液晶表示装置の周囲の全方位に対してセンシングを行うことが可能となり、また、保護基板５に設けられた静電容量型近接センサ７，８，９と透明部材２に設けられた静電容量型近接センサ６とは同一面にないため、それらから放射される電磁波が干渉して強め合うことが抑えられる。
【００３６】
また、本発明の液晶表示装置は、静電容量型近接センサが設けられる、透明部材２、フレーム３及び保護基板５の少なくとも一つは、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺にわたって静電容量型近接センサが設けられており、給電部は、辺のそれぞれにおいて静電容量型近接センサの中央部に位置していることが好ましい。この場合、液晶表示装置の周囲の全方位に対してセンシングを行うことが可能となる。図３はその１例を示す図であり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。図３の例は、静電容量型近接センサ７，８，９が設けられる保護基板５は、その外形形状が略四角形状であるとともに隣接する３つの辺にわたって静電容量型近接センサ７，８，９が設けられており、給電部７ａ，８ａ，９ａは、上記の辺のそれぞれにおいて静電容量型近接センサ７，８，９の中央部に位置している構成である。即ち、静電容量型近接センサ７，８，９が繋がって一連のものとなっている構成である。この場合、給電部７ａ，８ａ，９ａに入力される電流の入力タイミングを同時にすることにより、上記の本発明の効果を得ることができる。
【００３７】
また、本発明の液晶表示装置は、フレーム３は、その外形形状が多角形状であるとともに隣接する複数の辺にわたって静電容量型近接センサが設けられ、辺のそれぞれにおいて静電容量型近接センサの中央部に電流供給部が設けられており、保護基板５は、電流供給部に対応する位置に給電部が設けられているとともにその給電部が電流供給部と接続されていることが好ましい。この場合、例えば、線状の静電容量型近接センサを給電部と別個に幅広に形成することが可能となり、静電容量型近接センサの電極面積を大きくしてセンシングの感度を向上させることができる。図４はその１例を示すものであり、液晶表示装置の主要部品を分解して示す平面図である。図４に示す液晶表示装置は、フレーム３は、その外形形状が略四角形状であるとともに隣接する複数の辺にわたって静電容量型近接センサ１１が設けられ、辺のそれぞれにおいて静電容量型近接センサ１１の中央部に電流供給部１２，１３，１４が設けられており、保護基板５は、電流供給部１２，１３，１４に対応する位置に給電部７ａ，８ａ，９ａが設けられているとともにその給電部７ａ，８ａ，９ａが電流供給部１２，１３，１４と接続されている構成である。この構成により、例えば、線状の静電容量型近接センサ１１を給電部７ａ，８ａ，９ａと別個に幅広に形成することが可能となり、静電容量型近接センサ１１の電極面積を大きくしてセンシングの感度を向上させることができる。
【００３８】
図１〜図４に示した液晶表示装置において、バックライト４の保護基板５側の主面にアルミニウム等の金属から成る導体板、あるいは金属板，金属シート，金属フィルム等を主面に貼り付けて構成された金属面を有するプラスチック板等の絶縁板を設置することが好ましい。この場合、静電容量型近接センサ７，８，９、給電線７ｃ，８ｃ，９ｃから漏れ出た僅かな電磁波が、ＰＷＭ方式で駆動されるＬＥＤ素子へのＥＭＩを抑えることができる。
【００３９】
図１、図３、図４に示す本発明の液晶表示装置及び図６に示す従来の液晶表示装置について、液晶表示装置から放射される電磁波の強度を測定した。本発明の液晶表示装置における静電容量型近接センサ６〜９として、銅線を樹脂絶縁材料で被覆して成る導体線６ｂ〜９ｂを用い、その線径は０．５ｍｍとした。従来の液晶表示装置における静電容量型近接センサ２６として、スパッタリング法によって形成したものを用い、その厚みは１００ｎｍ程度とした。静電容量型近接センサ６〜９，２６に入力されるパルス電圧のピーク値は１Ｖ、パルス幅は１μｓ（ｓ：秒）、入力周波数は１ＭＨｚである。この条件における、本発明の液晶表示装置から放射される電磁波の強度は、従来の液晶表示装置から放射される電磁波の強度に対して、−１０ｄＢ（１／１０）であった。
【００４０】
図５（ａ），（ｂ）は、本発明の液晶表示装置について実施の形態の他例を示す図であり、（ａ）は先端側を積層構造として電気的な抵抗を低減させた静電容量型近接センサ３２の断面図、（ｂ）は先端側を低抵抗の材料で構成して電気的な抵抗を低減させた静電容量型近接センサ３３の断面図である。図５（ａ）に示すように、静電容量型近接センサ３２の導体線３２ｂの先端側を積層構造として断面積を増大させて電気的な抵抗を低減させることにより、静電容量型近接センサ３２の先端側でパルス電圧の波高値（ピーク値）が抵抗によって若干低下することを抑えることができる。これにより、静電容量型近接センサ３２のセンシングの感度の低下を抑えることができる。静電容量型近接センサ３２の先端側を２層以上の積層構造とするには、例えば、銀ペーストの塗布、焼成を複数回繰り返すことによって行う、またはスパッタリング法等による薄膜形成を複数回繰り返すことによって行うことができる。なお、図５（ａ）において３２ａは給電部である。静電容量型近接センサ３２の給電部３２ａ側の１層部分の厚みは、スパッタリング法によって形成した場合、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００４１】
図５（ｂ）に示すように、静電容量型近接センサ３３の先端側を給電部３３ａ側よりも低抵抗の材料で構成して電気的な抵抗を低減させることにより、静電容量型近接センサ３３の先端側でパルス電圧の波高値（ピーク値）が抵抗によって若干低下することを抑えることができる。これにより、静電容量型近接センサ３３のセンシングの感度の低下を抑えることができる。静電容量型近接センサ３３の先端側を給電部３３ａ側よりも低抵抗の材料で構成するには、例えば、銀ペーストの塗布、焼成によって静電容量型近接センサ３３を設ける際に、静電容量型近接センサ３３の先端側に塗布する銀ペーストに含まれる銀粒子の割合を、静電容量型近接センサ３３の給電部３３ａ側に塗布する銀ペーストに含まれる銀粒子の割合よりも高くすることによって行うことができる。
【００４２】
本発明の液晶表示装置は、上述した静電容量型近接センサによって、人の指等が液晶表示パネル１に近接したときに画面表示を起動させたり、静止画表示を動画表示に切り替えることができる。また、表示画面の明るさを明るくすることもできる。また、液晶表示装置にタッチパネルが備えられている場合、タッチパネルを操作休止状態から操作可能状態にすることもできる。
【００４３】
液晶表示装置にタッチパネルが備えられている場合、タッチパネルとしては、マトリクススイッチ方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式（超音波方式）、赤外線方式、電磁誘導方式、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等の各種方式のものを採用できる。そのうち、表面型静電容量方式は、１０インチ型以上のタッチパネルに好適に使用される。表面型静電容量方式のタッチパネルにおける静電容量検出部は、例えば、透明被覆層、透明導電膜、ガラス基板の３層から成り、透明導電膜はガラス基板の４つの偶部に設けられた電極に接続される。透明導電膜によってガラス基板上の透明被覆層の表面に均一な電界が形成される。人の指等の静電的な導電体が静電容量検出部の表面に触れると、駆動回路からの微弱な電流が４つの隅部の電極、透明導電膜、透明被覆層及び指等を経由して、大地等の周辺環境と駆動回路との間で等価回路的に閉回路を形成する。駆動回路によって、４つの隅部の電極における電流の比率を算出することにより、指等の位置を判別できる。表面型静電容量方式のタッチパネルは、構成が簡易なため低コストに製作でき、大型のタッチパネルに好適に用いられる。
【００４４】
投影型静電容量方式のタッチパネルは、指等による接触部の多点検出が可能である。例えば、投影型静電容量方式のタッチパネルにおける静電容量検出部は、透明絶縁体層、その下の透明電極層を有し、制御ＩＣ、制御ＬＳＩ等の駆動回路を搭載したガラス基板等の基板を含んで成る。透明電極層は、所定の方向に伸びるように形成された、ＩＴＯ等から成るモザイク状の第１の検出電極パターンを有する第１の層と、その第１の層の下方に所定の方向と直交する方向に伸びるように形成された、ＩＴＯ等から成るモザイク状の第２の検出電極パターンを有する第２の層と、を含む。人の指等の静電的な導電体が静電容量検出部の表面に触れると、その付近の第１及び第２の検出電極パターンにおける１ｐＦ程度の静電容量の変化を検出することによって、接触部の位置を２次元的に高精度に検出できる。第１及び第２の検出電極パターンに接続される電極端子の数が多いために、製造コストが高くなる。また、ＩＴＯ等から成る第１及び第２の検出電極パターンは、長くなると電気的な抵抗が高くなるため、金属配線に接続することによって抵抗を小さくし、大型化に対応できる。この投影型静電容量方式のタッチパネルは、接触部の位置検出を行う制御ＩＣ、制御ＬＳＩ等によって多点検出が可能であり、実用性が高いので、タブレット型携帯端末等に好適に用いることができる。
【００４５】
また、投影型静電容量方式のタッチパネルは、第１及び第２の検出電極パターンにおける静電容量の変化を検出するので、人の指等の静電的な導電体が静電容量検出部の表面に直接触れずに近接した場合であっても、近接部の位置を２次元的に高精度に検出できる。
【００４６】
本発明の液晶表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含むことはいうまでもない。例えば、上記実施の形態の例においては、略四角形状の液晶表示装置に含まれる略四角形状の保護基板等の辺部に、直線状の静電容量型近接センサを設ける例を示したが、液晶表示装置の形状によっては、本発明の効果を損なわない程度に曲線状の静電容量型近接センサ、途中に屈曲部を有する静電容量型近接センサを設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
上記実施の形態の例においては液晶表示装置について説明したが、その他の表示装置に本発明の静電容量型近接センサを適用してもよい。例えば、有機ＥＬ（Electro  Luminescence）表示装置、無機ＥＬ表示装置、ＦＥＤ（Field  Emitting  Display）表示装置、ＳＥＤ（Surface-conduction  Electron-emitter  Display）表示装置、ＧＬＶ（Grating  Light  Valve）表示装置、ＰＤＰ（Plasma  Display）表示装置、電子ペーパーディスプレイ装置、ＤＭＤ（Digital  micro  Mirror  Device）表示装置、圧電セラミックディスプレイ装置などの表示装置を用いることができる。
【００４８】
本発明の液晶表示装置は各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、デジタル表示式腕時計、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などがある。
【符号の説明】
【００４９】
１  液晶表示パネル
２  透明部材
３  フレーム
４  バックライト
５  保護基板
６，７，８，９  静電容量型近接センサ
６ａ，７ａ，８ａ，９ａ  給電部
６ｂ，７ｂ，８ｂ，９ｂ  導体線
７ｃ，８ｃ，９ｃ  給電線
１０  回路基板
１１  静電容量型近接センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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