(57)【要約】【課題】チッピングの発生を抑制することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、表面側の複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物を所定の厚みに薄化するとともに、薄化された該被加工物の外周の除去予定領域を除去する。被加工物の加工方法は、被加工物の表面側にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程ＳＴ２と、サブストレートが貼着された被加工物の裏面を研削して被加工物を所定の厚さにする裏面研削工程ＳＴ３と、切削ブレードの切削方向と被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に切削ブレードを位置づける位置づけ工程ＳＴ４と、被加工物及びサブストレートに切削ブレードを切り込ませつつ被加工物を回転させて除去予定領域を除去する切削工程ＳＴ５とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物を所定の厚みに薄化するとともに、薄化された該被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の表面側にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、
該サブストレートが貼着された該被加工物の裏面を研削して該被加工物を所定の厚さにする裏面研削工程と、
切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける位置づけ工程と、
該被加工物及び該サブストレートに該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて該除去予定領域を除去する切削工程と、を含む被加工物の加工方法。
【請求項２】
該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とのなす角度が、５度以上である請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とのなす角度が、９０度である請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄化後の工程で被加工物に成膜を形成するプロセス等を実施した際に、薄化後の被加工物のエッジが欠ける若しくはサブストレートに接合された被加工物のエッジが剥がれるといった問題があった。そこで、従来は、切削ブレードを円盤状の被加工物の接線方向、すなわち、切削ブレードの切削方向と被加工物の周縁部の接線とが０度となる位置に位置づけて、切削ブレードを切り込ませつつ被加工物を回転させて被加工物の外周部を除去するエッジトリミングを行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されたエッジトリミング方法を行っても、依然として、チッピングが生じていた。また、成膜プロセス前に、特許文献１に示されたエッジトリミング方法によりエッジトリミングを行うと、被加工物の外周部が略直角になるため、薬液が段差部に均一に広がらずに加工品質が悪化するといった問題があった。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、チッピングの発生を抑制することができる被加工物の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面側の複数のデバイスが形成された円盤状の被加工物を所定の厚みに薄化するとともに、薄化された該被加工物の外周の除去予定領域を除去する被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面側にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、該サブストレートが貼着された該被加工物の裏面を研削して該被加工物を所定の厚さにする裏面研削工程と、切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とが０度を超える角度に該切削ブレードを位置づける位置づけ工程と、該被加工物及び該サブストレートに該切削ブレードを切り込ませつつ該被加工物を回転させて該除去予定領域を除去する切削工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とのなす角度が、５度以上であることが望ましい。
【０００８】
該切削ブレードの切削方向と該被加工物の周縁部の接線とのなす角度が、９０度であることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
そこで、本願発明の被加工物の加工方法は、チッピングの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程を示す側面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程を示す平面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図８】図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法のサブストレート貼着工程を示す側断面図である。
【図９】図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の裏面研削工程を示す側断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の裏面研削工程後の被加工物を示す側断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の切削工程を示す側断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態１の変形例１に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１の変形例２に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。
【図１５】図１５は、実施形態１に係る加工方法において角度を変化させた時に発生するチッピングの大きさを示す図である。
【図１６】図１６は、角度を０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図１７】図１７は、角度を１度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図１８】図１８は、角度を２度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図１９】図１９は、角度を３度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図２０】図２０は、角度を５度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図２１】図２１は、角度を１０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図２２】図２２は、角度を４５度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【図２３】図２３は、角度を９０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態１〕
実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【００１３】
実施形態１では、被加工物の加工方法の加工対象の被加工物Ｗは、図１に示すように、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、円盤状であり、平坦な表面ＷＳに格子状に形成される複数の分割予定ラインＬよって区画された領域にデバイスＤが形成されている。被加工物Ｗは、表面ＷＳに複数のデバイスＤが形成されている。また、被加工物Ｗの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲは、図２に示すように、平坦に形成されている。被加工物Ｗは、図２に示すように、凸に湾曲した湾曲面ＣＦを外周に設けている。このために、被加工物Ｗは、平坦な表面ＷＳと裏面ＷＲと凸に湾曲した湾曲面ＣＦとを備える。また、被加工物Ｗは、複数のデバイスＤが設けられた領域を囲繞する外周の除去予定領域ＥＲを備える。除去予定領域ＥＲは、被加工物Ｗの外周に設けられ、かつデバイスＤが形成されていない領域をいい、少なくとも湾曲面ＣＦを含んでいる。
【００１４】
実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。図５は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程を示す側面図である。図６は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程を示す平面図である。図７は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の研削前エッジトリミング工程後の被加工物を示す側断面図である。図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法のサブストレート貼着工程を示す側断面図である。図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の裏面研削工程を示す側断面図である。図１０は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の裏面研削工程後の被加工物を示す側断面図である。図１１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。図１２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の切削工程を示す側断面図である。
【００１５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、被加工物Ｗを所定の厚みＴ（図１０に示す）に薄化するとともに、薄化された被加工物Ｗの外周の除去予定領域ＥＲを除去する方法である。加工方法は、図３に示すように、研削前エッジトリミング工程ＳＴ１と、サブストレート貼着工程ＳＴ２と、裏面研削工程ＳＴ３と、位置づけ工程ＳＴ４と、切削工程ＳＴ５とを含む。加工方法は、研削前エッジトリミング工程ＳＴ１と位置づけ工程ＳＴ４と切削工程ＳＴ５とにおいて、図４に示す加工装置である切削装置１を用いる。
【００１６】
切削装置１は、図４に示すように、被加工物Ｗを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに切削加工を施す切削手段２０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とを水平方向と平行なＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動手段３０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とを水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動手段４０と、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動手段５０と、撮像手段６０と、制御手段１００とを備えている。
【００１７】
チャックテーブル１０は、加工前の被加工物Ｗが保持面１０ａ上に載置されて、被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル１０は、保持面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１０ａに載置された被加工物Ｗを吸引することで保持する。また、チャックテーブル１０は、回転駆動源１１によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。
【００１８】
Ｘ軸移動手段３０は、チャックテーブル１０を回転駆動源１１とともにＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動手段４０は、切削手段２０をＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｚ軸移動手段５０は、切削手段２０をＺ軸方向に移動させることで、切削手段２０を切り込み送りする切り込み送り手段である。Ｘ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０及びＺ軸移動手段５０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１，５１、ボールねじ３１，４１，５１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２，５２及びチャックテーブル１０又は切削手段２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３，５３を備える。
【００１９】
切削手段２０は、Ｙ軸方向と平行な軸心回りに回転する図示しないスピンドルモータと、スピンドルモータを収容しかつＹ軸移動手段４０及びＺ軸移動手段５０によりＹ軸方向とＺ軸方向とに移動されるスピンドルハウジング２１と、スピンドルモータに取り付けられた切削ブレード２２とを備える。切削ブレード２２は、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、Ｙ軸方向と平行な軸心回りにスピンドルモータにより回転されることで、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを切削加工するものである。実施形態１において、切削ブレード２２の厚みは、１ｍｍ以上でかつ３ｍｍ以下程度である。
【００２０】
撮像手段６０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するものであり、切削手段２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像手段６０は、スピンドルハウジング２１に取り付けられている。撮像手段６０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するＣＣＤカメラにより構成される。
【００２１】
制御手段１００は、切削装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。制御手段１００は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段１００の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、切削装置１を制御するための制御信号を生成する。制御手段１００の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して切削装置１の各構成要素に出力する。また、制御手段１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００２２】
研削前エッジトリミング工程ＳＴ１は、オペレータが被加工物Ｗの裏面ＷＲを切削装置１のチャックテーブル１０の保持面１０ａに載置し、入力手段を介して制御手段１００に切削装置１の加工開始指示を入力することにより実施される。研削前エッジトリミング工程ＳＴ１では、切削装置１の制御手段１００が、撮像手段６０にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像させ、切削手段２０と被加工物Ｗとのアライメントを実施し、図６に示すように、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上に位置付ける。研削前エッジトリミング工程ＳＴ１では、切削装置１の制御手段１００が、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する図６中に点線で示す直線ＳＬと、被加工物Ｗの周縁部の図６中に一点鎖線で示す接線ＴＧとなす角度θ（図１１に示す）が０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付ける。即ち、研削前エッジトリミング工程ＳＴ１では、制御手段１００は、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２と被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとを平行に位置付ける。
【００２３】
切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと、被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θとは、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと、被加工物Ｗの周縁部のうちの切削ブレード２２の刃先と重なる位置における接線ＴＧとのなす角度をいう。研削前エッジトリミング工程ＳＴ１では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図５に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を少なくとも所定の厚みＴ分被加工物Ｗの除去予定領域ＥＲに切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗの表面ＷＳ側の湾曲面ＣＦを除去するエッジトリミングを被加工物Ｗに施す。
【００２４】
サブストレート貼着工程ＳＴ２は、図８に示すように、被加工物Ｗの表面ＷＳ側にサブストレートＳＢを貼着する工程である。サブストレートＳＢは、硬質な材料により構成された円盤状に形成されている。サブストレートＳＢの外径は、加工前の被加工物Ｗの外径よりも若干大きい。
【００２５】
裏面研削工程ＳＴ３は、サブストレートＳＢが貼着された被加工物Ｗの裏面ＷＲを研削して、被加工物Ｗを所定の厚みＴにする工程である。裏面研削工程ＳＴ３は、図９に示すように、サブストレートＳＢを研削装置７０のチャックテーブル７１の保持面７１ａに吸引保持し、被加工物Ｗの裏面ＷＲに研削砥石７２を当接させて、チャックテーブル７１及び研削砥石７２を軸心回りに回転して、被加工物Ｗの裏面ＷＲに研削加工を施す。裏面研削工程ＳＴ３は、所定の厚みＴになるまで被加工物Ｗを薄化する。裏面研削工程ＳＴ３後の被加工物Ｗは、図１０に示すように、外周の湾曲面ＣＦが全周に亘って除去されて、所定の厚みＴとなっている。
【００２６】
位置づけ工程ＳＴ４は、切削ブレード２２の切削方向である切削ブレード２２の厚みを二等分する図１１中に点線で示す直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の図１１中に一点鎖線で示す接線ＴＧとが、０度を超える角度θに切削ブレード２２を位置づける工程である。実施形態１において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θは、５度以上である。
【００２７】
位置づけ工程ＳＴ４は、オペレータが図１１の切削装置１の平面視において示される、被加工物Ｗの表面ＷＳに貼着されたサブストレートＳＢをチャックテーブル１０の保持面１０ａに載置し、入力手段を介して制御手段１００に切削装置１の加工開始指示を入力することにより実施される。位置づけ工程ＳＴ４では、切削装置１の制御手段１００が、撮像手段６０にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像させ、切削手段２０と被加工物Ｗとのアライメントを実施し、切削ブレード２２を被加工物Ｗの周縁部上において、切削装置１の制御手段１００が、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付ける。
【００２８】
切削工程ＳＴ５は、被加工物Ｗ及びサブストレートＳＢに切削ブレード２２を切り込ませつつ被加工物Ｗを回転させて、除去予定領域ＥＲを被加工物Ｗから除去する工程である。切削工程ＳＴ５では、制御手段１００が、切削手段２０の切削ブレード２２を回転させて、図１２に示すように、Ｚ軸移動手段５０に切削ブレード２２をＺ軸方向に移動させて、切削ブレード２２を被加工物Ｗの除去予定領域ＥＲ及びサブストレートＳＢに切り込ませながら回転駆動源１１にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させることにより、被加工物Ｗから除去予定領域ＥＲを全周に亘って除去する。
【００２９】
実施形態１に係る加工方法は、位置づけ工程ＳＴ４で切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置付けて、切削工程ＳＴ５において切削ブレード２２を除去予定領域ＥＲに切り込ませて、被加工物Ｗから除去予定領域ＥＲを除去する。このために、除去予定領域ＥＲを除去した後の被加工物Ｗの外周に発生するチッピングを抑制できる。特に、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超えかつ５度以上である場合には、被加工物Ｗの外周にチッピングが発生することが殆ど無い。
【００３０】
その結果、加工方法は、被加工物Ｗにチッピングを生じさせることなく除去予定領域ＥＲを除去することができる。また、裏面研削工程ＳＴ３後のサブストレートＳＢからの被加工物Ｗのめくれを抑制することができる。したがって、実施形態１に係る加工方法は、裏面研削工程ＳＴ３後のサブストレートＳＢからの被加工物Ｗのめくれを抑制することを図りながらも、被加工物Ｗのチッピングの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３１】
加えて、実施形態１に係る加工方法は、切削工程ＳＴ５において被加工物ＷとサブストレートＳＢとに切削ブレード２２を切り込ませて、被加工物Ｗから除去予定領域ＥＲを除去するので、被加工物ＷからサブストレートＳＢに亘りスロープ状に除去予定領域ＥＲを除去でき、成膜プロセス時において、薬液を均一に広げることができる。
【００３２】
〔変形例〕
実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法を図面に基いて説明する。図１３は、実施形態１の変形例１に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。図１４は、実施形態１の変形例２に係る被加工物の加工方法の位置づけ工程を示す平面図である。図１３及び図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３３】
実施形態１に係る加工方法の位置づけ工程ＳＴ４では、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが５度以上となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付けた。図１３に示す変形例１の位置づけ工程ＳＴ４は、角度θが４５度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付け、図１４に示す変形例２の位置づけ工程ＳＴ４は、角度θが９０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０の切削ブレード２２とを位置付ける。このように、本発明の被加工物の加工方法は、位置づけ工程ＳＴ４で、切削装置１の平面視において、切削ブレード２２の厚みを二等分する直線ＳＬと被加工物Ｗの周縁部の接線ＴＧとのなす角度θが０度を超える位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置付け、望ましくは角度θが５度以上でかつ９０度以下となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置付け、さらに望ましくは角度θが９０度となる位置にチャックテーブル１０と切削手段２０とを位置付ける。
【００３４】
次に、本発明の発明者らは、本発明に係る被加工物の加工方法のチッピングの抑制効果を確認した。確認においては、被加工物Ｗの表面ＷＳ側から除去予定領域ＥＲを除去した際に切削した領域Ｒ１と未切削の表面Ｒ２との境界Ｂに発生するチッピングの大きさを測定した。図１５は、実施形態１に係る加工方法において角度を変化させた時に発生するチッピングの大きさを示す図である。図１５は、チッピングの大きさの平均値を菱形で示している。
【００３５】
図１６は、角度を０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図１７は、角度を１度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図１８は、角度を２度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図１９は、角度を３度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図２０は、角度を５度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図２１は、角度を１０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図２２は、角度を４５度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。図２３は、角度を９０度とした時の被加工物の表面の切削した領域と未切削の領域の境界を撮像した画像を拡大して示す図である。
【００３６】
図１５から図２３によれば、位置づけ工程ＳＴ４において、角度θが０度よりも徐々に大きくなるのにしたがってチッピングの大きさを抑制できることが明らかとなった。したがって、図１５から図２３によれば、位置づけ工程ＳＴ４において、角度θを０度を超える角度にすることにより、チッピングを抑制できることが明らかとなった。また、図１５から図２３によれば、位置づけ工程ＳＴ４において、角度θを５度以上にするとチッピングが発生しないことが明らかとなった。したがって、図１５から図２３によれば、位置づけ工程ＳＴ４において、角度θを５度以上にすることにより、チッピングをより確実に抑制できることが明らかとなった。また、図１５から図２３によれば、位置づけ工程ＳＴ４において、角度θを９０度にすることにより、チッピングをより一層確実に抑制できることが明らかとなった。
【００３７】
なお、本発明は上記実施形態１及び変形例１、変形例２に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明は、研削前エッジトリミング工程ＳＴ１においても、角度θが０度を超え、望ましくは５度以上、更に望ましくは９０度となる位置にチャックテーブル１０と切削ブレード２２とを位置付けて、エッジトリミングを施しても良い。
【符号の説明】
【００３８】
１  切削装置
１０  チャックテーブル
２０  切削手段
２２  切削ブレード
３０  Ｘ軸移動手段（移動手段）
４０  Ｙ軸移動手段（移動手段）
５０  Ｚ軸移動手段（移動手段）
１００  制御手段
ＥＲ  除去予定領域
Ｄ  デバイス
ＳＢ  サブストレート
ＳＬ  直線（切削方向）
Ｔ  所定の厚み
ＴＧ  接線
Ｗ  被加工物
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
ＳＴ２  サブストレート貼着工程
ＳＴ３  裏面研削工程
ＳＴ４  位置づけ工程
ＳＴ５  切削工程
θ  角度
【図１】
2018114581.tif 000003
【図２】
2018114581.tif 000004
【図３】
2018114581.tif 000005
【図４】
2018114581.tif 000006
【図５】
2018114581.tif 000007
【図６】
2018114581.tif 000008
【図７】
2018114581.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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