(57)【要約】【課題】  半導体ウエハの傾斜面に起因する問題を改善する。【解決手段】  半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。【選択図】図９
2018060983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する半導体ウエハであって、
前記半導体ウエハの一方の主面は、前記中央領域と前記厚肉領域との間に位置する傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記中央領域側に位置する内周縁と前記厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、前記内周縁から前記外周縁に向かうにつれて、前記半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜しており、
前記傾斜面は、前記内周縁を含む内周部分と、前記外周縁を含む外周部分と、前記内周部分と前記外周部分との間に位置する中間部分とを有し、
前記外周部分と前記内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、前記中間部分の傾斜角度よりも小さい、
半導体ウエハ。
【請求項２】
前記外周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項３】
前記内周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度に等しい、請求項２に記載の半導体ウエハ。
【請求項４】
前記内周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項５】
前記外周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度に等しい、請求項４に記載の半導体ウエハ。
【請求項６】
前記内周部分及び前記外周部分の両者の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項７】
半導体素子の製造方法であって、
半導体ウエハの中央領域に、前記半導体素子の一部の構造を形成する工程と、
前記半導体ウエハを一方の主面側から研削することにより、前記半導体ウエハの外周縁に沿って前記中央領域よりも厚みのある厚肉領域を形成する工程と、
前記半導体ウエハの前記一方の主面側から、前記半導体ウエハの前記中央領域に前記半導体素子の一部の構造を形成する工程と、を備え、
前記厚肉領域を形成する工程では、前記半導体ウエハの前記一方の主面において、前記中央領域と前記厚肉領域との間に傾斜面をさらに形成し、
前記傾斜面は、前記中央領域側に位置する内周縁と前記厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、前記内周縁から前記外周縁に向かうにつれて、前記半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜しており、
前記傾斜面は、前記内周縁を含む内周部分と、前記外周縁を含む外周部分と、前記内周部分と前記外周部分との間に位置する中間部分とを有し、
前記内周部分と前記外周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、前記中間部分の傾斜角度よりも小さい、
半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体ウエハと半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する半導体ウエハが開示されている。このような半導体ウエハは、半導体素子を製造する過程で生じる半製品である。半導体素子の製造では、先ず、一様な厚みを有する半導体ウエハが用意され、その中央領域に半導体素子の一部の構造が形成される。次いで、半導体素子が所望の厚さとなるように、半導体ウエハの中央領域が一方の主面側から研削される。このとき、半導体ウエハの強度を確保するために、半導体ウエハの外周面に沿う領域を研削せずに残すことで、前述した厚肉領域を有する半導体ウエハが製造される。その後、半導体ウエハの中央領域に半導体素子の残りの構造が形成され、半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体ウエハから個々の半導体素子が切り出される。
【０００３】
上述した半導体ウエハでは、中央領域と厚肉領域との間で半導体ウエハの厚みが急激に変化していると、中央領域と厚肉領域との間の境界で高い応力が発生しやすく、半導体ウエハが破損するおそれがある。この点に関して、特許文献１に記載の半導体ウエハでは、中央領域と厚肉領域との間に一又は複数の傾斜面が設けられており、中央領域と厚肉領域との間で半導体ウエハの厚みが徐々に変化するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９―２７９６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らの研究により、中央領域と厚肉領域との間の傾斜面は、半導体ウエハのチッピングを抑制し得るとともに、傾斜面の傾斜角度が小さくなるほど、チッピングを抑制する効果が高くなることが判明した。さらに、中央領域と厚肉領域との間の傾斜面は、半導体素子を製造する過程で使用される薬液の残留を抑制し得るとともに、傾斜面の傾斜角度が小さくなるほど、薬液の残留を抑制する効果が高くなることも判明した。しかしながら、上記した効果を高めるために、傾斜面の傾斜角度を小さくしていくと、傾斜面の幅寸法（半導体ウエハの径方向における傾斜面の寸法）も広くなり、中央領域又は厚肉領域の面積は減少してしまう。中央領域の面積が減少すると、一枚の半導体ウエハから製造し得る半導体素子の数が減少する。厚肉領域の面積が減少すれば、半導体ウエハの強度が低下する。特許文献１に記載の半導体ウエハでは、各々の傾斜面において傾斜角度が一定であることから、上記したトレードオフの問題を解決することができない。本明細書は、このようなトレードオフの問題を少なくとも部分的に解決し得る技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らの更なる研究によると、半導体ウエハのチッピングは、主に、傾斜面の外周部分で発生する。そのことから、傾斜面の外周部分における傾斜角度を小さくすれば、傾斜面の他の部分の傾斜角度を比較的に大きくしても、半導体ウエハのチッピングを有意に抑制することができる。一方、薬液の残留は、主に、傾斜面の内周部分で発生する。そのことから、傾斜面の内周部分における傾斜角度を小さくすれば、傾斜面の他の部分の傾斜角度を比較的に大きくしても、薬液の残留を有意に抑制することができる。このように、傾斜面の傾斜角度を一定とせず、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度を、それらの間に位置する中間部分の傾斜角度よりも小さくすることで、傾斜面の幅寸法が拡大することを抑制しつつ、傾斜面による前述した効果の少なくとも一方を向上させることができる。
【０００７】
上記した知見に基づいて、本明細書は半導体ウエハを開示する。この半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。
【０００８】
本明細書が開示する半導体ウエハは、半導体素子を製造する過程で生じる半製品である。この半導体素子の製造方法は、半導体ウエハの中央領域に半導体素子の一部の構造を形成する工程と、半導体ウエハを一方の主面側から研削することにより、半導体ウエハの外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を形成する工程と、半導体ウエハの前記一方の主面側から、半導体ウエハの中央領域に半導体素子の一部の構造を形成する工程とを備える。そして、厚肉領域を形成する工程では、半導体ウエハの一方の主面において、中央領域と厚肉領域との間に、上述した構成を有する傾斜面をさらに形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体素子の製造方法の一工程を示す図であって、用意された半導体ウエハ１０を示す。
【図２】半導体素子の製造方法の一工程を示す図であって、半導体ウエハ１０の第１の主面１０ａ側から、半導体素子の一部の構造を形成する様子を示す。
【図３】半導体素子の製造方法の一工程を示す図であって、半導体ウエハ１０を第２の主面１０ｂ側から研削する様子を示す。
【図４】半導体素子の製造方法の一工程を示す図であって、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂ側から、半導体素子の一部の構造を形成する様子を示す。
【図５】半導体素子の製造方法の一工程を示す図であって、薬液６が使用される様子を示す図。
【図６】傾斜面２０の構造を説明する図。
【図７】傾斜面２０の傾斜角度θとチッピングの数との関係を示す実験データ。
【図８】傾斜面２０の傾斜角度θと薬液６の残量との関係を示す実験データ。
【図９】傾斜面２０の一例を示す図であり、外周部分２０ａの傾斜角度θ１を、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくしたもの。
【図１０】傾斜面２０の一例を示す図であり、内周部分２０ｂの傾斜角度θ２を、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくしたもの。
【図１１】傾斜面２０の一例を示す図であり、外周部分２０ａと内周部分２０ｂの両者の傾斜角度θ１、θ２を、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくしたもの。
【図１２】図９に示す傾斜面２０の一例について、チッピングの抑制効果を示す実験データ。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
一実施形態の半導体ウエハでは、傾斜面の外周部分の傾斜角度が、傾斜面の中間部分の傾斜角度よりも小さくてもよい。このような構成によると、傾斜面の幅寸法が拡大することを抑制しつつ、傾斜面によるチッピングの抑制効果を高めることができる。
【００１１】
上記した実施形態において、傾斜面の内周部分の傾斜角度は、傾斜面の中間部分の傾斜角度に等しくてもよい。このような構成によると、例えば内周部分と中間部分を同じ砥石で形成することができるので、半導体素子の製造工程が複雑となることを避けることができる。
【００１２】
他の一実施形態の半導体ウエハでは、傾斜面の内周部分の傾斜角度が、傾斜面の中間部分の傾斜角度よりも小さくてもよい。このような構成によると、傾斜面の幅寸法が拡大することを抑制しつつ、傾斜面による薬液残留の抑制効果を高めることができる。
【００１３】
上記した実施形態において、傾斜面の外周部分の傾斜角度は、傾斜面の中間部分の傾斜角度に等しくてもよい。このような構成によると、例えば外周部分と中間部分を同じ砥石で形成することができるので、半導体素子の製造工程が複雑となることを避けることができる。
【００１４】
他の一実施形態の半導体ウエハでは、傾斜面の外周部分及び内周部分の両者の傾斜角度が、傾斜面の中間部分の傾斜角度よりも小さいてもよい。このような構成によると、傾斜面の幅寸法が拡大することを抑制しつつ、傾斜面によるチッピングの抑制効果と、傾斜面による薬液残留の抑制効果との両者を高めることができる。
【実施例】
【００１５】
図面を参照して、実施例の半導体ウエハ１０について説明する。半導体ウエハ１０は、半導体素子を製造する過程で生じる半製品である。従って、先ずは半導体素子の製造方法について説明し、その後に半導体ウエハ１０について詳細に説明する。製造される半導体素子は、特に限定されないが、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）又はダイオードの少なくとも一つを含むとよい。
【００１６】
先ず、図１に示すように、半導体ウエハ１０が準備される。半導体ウエハ１０は、ステージ２に載置される。半導体ウエハ１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）といった、半導体材料で構成されている。半導体ウエハ１０は、円板形状を有しており、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂと外周面１０ｅを有する。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂは、互いに平行な平面であり、それぞれ円形形状を有する。外周面１０ｅは、円筒状に湾曲した面であって、第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとの間を伸びている。この段階で、半導体ウエハ１０は、全体に亘って一定の厚みを有する。半導体ウエハ１０には、通常、ｎ型又はｐ型の導電性不純物が含まれている。
【００１７】
次に、図２に示すように、半導体ウエハ１０の中央領域１０ｃに、半導体素子の一部の構造が形成される。この工程では、主に半導体ウエハ１０の第１の主面１０ａ側から、例えば、ｎ型又はｐ型の導電性不純物のイオン注入や、半導体素子の主電極となる第１電極層１２の形成が行われる。なお、この工程で行われる具体的な処理は特に限定されず、半導体素子の構造に応じて、必要な処理が行われるよい。図２中の矢印Ｐ１は、この工程で行われ得る各種の処理を模式的に示すものであり、特定の工程を意図するものではない。
【００１８】
次に、図３に示すように、半導体ウエハ１０が裏返され、例えば複数の砥石４ａを有する研削ヘッド４によって、半導体ウエハ１０が第２の主面１０ｂ側から研削される。これにより、半導体ウエハ１０の中央領域１０ｃの厚みが、半導体素子に必要とされる厚みに調整される。ここで、半導体ウエハ１０の強度を確保するために、半導体ウエハ１０の外周面１０ｅに沿う領域は、研削されずに残される。その結果、半導体ウエハ１０の外周面１０ｅに沿って、中央領域１０ｃよりも厚みのある厚肉領域１０ｔが設けられる。このとき、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂには、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に傾斜面２０がさらに形成される。傾斜面２０の詳細については後段において説明する。この段階において、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂでは、厚肉領域１０ｔが枠状に突出しており、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に高低差が生じている。そして、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間には、半導体ウエハ１０の周方向に沿って、傾斜面２０がリング状に伸びている。
【００１９】
次に、図４に示すように、半導体ウエハ１０の中央領域１０ｃに、半導体素子の他の一部の構造をさらに形成する。この工程では、主に半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂ側から、例えば、ｎ型又はｐ型の導電性不純物のイオン注入や、半導体素子の他の主電極となる第２電極層１４の形成が行われる。なお、この工程で行われる具体的な処理は特に限定されず、半導体素子の構造に応じて、必要な処理が行われるよい。図４中の矢印Ｐ２は、この工程で行われ得る各種の処理を模式的に示すものであり、特定の工程を意図するものではない。ここで、図５に示すように、半導体素子の製造では、例えばフォトレジストによるマスクの形成において、様々な薬液６が使用される。薬液６は、ステージ２を回転させることにより、遠心力を利用して半導体ウエハ１０から除去される。
【００２０】
最後に、半導体ウエハ１０をダイシングすることにより、半導体ウエハ１０から個々の半導体素子が切り出される。
【００２１】
上述したように、半導体素子を製造する過程において、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂには、外周面１０ｅに沿って中央領域１０ｃよりも厚みのある厚肉領域１０ｔが形成される。厚肉領域１０ｔが形成されることで、半導体ウエハ１０の強度を確保しつつ、半導体ウエハ１０の中央領域１０ｃが薄く加工することができる。しかしながら、半導体ウエハ１０に厚肉領域１０ｔを形成しながら半導体ウエハ１０を研削すると（図３参照）、半導体ウエハ１０にチッピングが生じやすくなるという問題がある。また、半導体ウエハ１０に厚肉領域１０ｔを形成すると、半導体素子を製造する過程で薬液６を使用したときに（図５参照）、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂに薬液６が残留しやすいという問題がある。
【００２２】
上記の問題に関して、半導体ウエハ１０の第２の主面１０ｂには、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に傾斜面２０が形成される。図６に示すように、傾斜面２０は、中央領域１０ｃ側に位置する内周縁２０ｆと、厚肉領域１０ｔ側に位置する外周縁２０ｅとを有している。そして、傾斜面２０は、内周縁２０ｆから外周縁２０ｅに向かうにつれて、半導体ウエハ１０の厚みが増加するように傾斜している。図６に示す傾斜面２０では、内周縁２０ｆから外周縁２０ｅまで、傾斜角度θが一定となっている。なお、図６に示される微小な段差１６は、中央領域１０ｃの表面を平滑に仕上げる際に生じる段差である。
【００２３】
本発明者らの研究によると、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に傾斜面２０を設けることで、半導体ウエハ１０のチッピングが抑制されるとともに、傾斜面２０の傾斜角度θが小さくなるほど、チッピングを抑制する効果が高くなることが判明した。図７は、本発明者らによる実験結果の一例であり、傾斜面２０の傾斜角度θと発生したチッピングの数との関係を示す。この実験では、傾斜角度θを３０度、４５度、６０度、７５度、９０度の間で変化させた結果、傾斜角度θが小さくなるほど、チッピングの数が減少することが確認された。
【００２４】
また、本発明者らの研究によると、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に傾斜面２０を設けることで、薬液６の残留が抑制されるとともに、傾斜面２０の傾斜角度θが小さくなるほど、薬液６の残留を抑制する効果が高くなることも判明した。図８は、本発明者らによる実験結果の一例であり、傾斜面２０の傾斜角度θと薬液６の残量の関係を示す。この実験では、傾斜角度θを４５度、６０度、７５度、９０度の間で変化させた結果、傾斜角度θが小さくなるほど、薬液６の残量が減少することが確認された。なお、この実験では、傾斜角度θを７５度以下としたときに、薬液６の残量がゼロとなることが確認されている。但し、薬液６の残量がゼロとなる傾斜角度θは、薬液６の種類、性質及び供給量や、ステージ２の回転速度及び回転時間、並びに半導体ウエハ１０の材料やサイズに応じて変化し得る。
【００２５】
上記した実験結果によると、傾斜面２０の傾斜角度θは小さい方が好ましく、それによって、上記した傾斜面２０による効果を高めることができる。しかしながら、傾斜面２０の傾斜角度θを小さくしていくと、傾斜面２０の幅寸法Ｗ（半導体ウエハ１０の径方向における傾斜面２０の寸法）も広くなり、中央領域１０ｃ又は厚肉領域１０ｔの面積は減少してしまう。中央領域１０ｃの面積が減少すると、一枚の半導体ウエハ１０から製造し得る半導体素子の数が減少する。厚肉領域１０ｔの面積が減少すれば、半導体ウエハ１０の強度が低下する。
【００２６】
上記したトレードオフの問題について本発明者らはさらに研究を進め、以下の知見を得た。半導体ウエハ１０のチッピングは、主に、傾斜面２０の外周縁２０ｅとその近傍（即ち、外周縁２０ｅを含む外周部分２０ａ）で発生する。そのことから、傾斜面２０の外周部分２０ａにおける傾斜角度θ１を小さくすれば、傾斜面２０の他の部分２０ｂ、２０ｃの傾斜角度θ２、θ３を比較的に大きくしても、半導体ウエハ１０のチッピングを有意に抑制することができる。一方、薬液６の残留は、主に、傾斜面２０の内周縁２０ｆとその近傍（即ち、内周縁２０ｆを含む内周部分２０ｂ）で発生する。そのことから、傾斜面２０の内周部分２０ｂにおける傾斜角度θ２を小さくすれば、傾斜面２０の他の部分２０ａ、２０ｃの傾斜角度θ１、θ３を比較的に大きくしても、薬液６の残留を有意に抑制することができる。このように、傾斜面２０の傾斜角度θを一定とせず、外周部分２０ａと内周部分２０ｂの少なくとも一方の傾斜角度θ１、θ２を、それらの間に位置する中間部分２０ｃの傾斜角度θ２よりも小さくすることで、傾斜面２０の幅寸法Ｗが拡大することを抑制しつつ、傾斜面２０による前述した効果の少なくとも一方を向上させることができる。
【００２７】
図９に示す一例の傾斜面２０では、外周部分２０ａの傾斜角度θ１が、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくなっている。このような構成によると、傾斜面２０の幅寸法Ｗが拡大することを抑制しつつ、傾斜面２０によるチッピングの抑制効果を高めることができる。また、内周部分２０ｂの傾斜角度θ２は、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３に等しくすることができる。このような構成によると、例えば内周部分２０ｂと中間部分２０ｃを同じ形状の砥石４ａで形成することができるので、半導体素子の製造工程が複雑となることを避けることができる。但し、他の実施形態として、内周部分２０ｂの傾斜角度θ２は、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３より大きくてもよい。
【００２８】
図１０に示す他の一例の傾斜面２０では、内周部分２０ｂの傾斜角度θ２が、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくなっている。このような構成によると、傾斜面２０の幅寸法Ｗが拡大することを抑制しつつ、傾斜面２０による薬液６の残留の抑制効果を高めることができる。また、外周部分２０ａの傾斜角度θ１は、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３に等しくすることができる。このような構成によると、例えば外周部分２０ａと中間部分２０ｃを同じ形状の砥石４ａで形成することができるので、半導体素子の製造工程が複雑となることを避けることができる。但し、他の実施形態として、外周部分２０ａの傾斜角度θ１は、中間部分２０ｃの傾斜角度θ３より大きくてもよい。
【００２９】
図１１に示す他の一例の傾斜面２０では、傾斜面２０の外周部分２０ａ及び内周部分２０ｂの両者の傾斜角度θ１、θ２が、傾斜面２０の中間部分２０ｃの傾斜角度θ３よりも小さくなっている。このような構成によると、傾斜面２０の幅寸法Ｗが拡大することを抑制しつつ、傾斜面２０によるチッピングの抑制効果と、傾斜面２０による薬液６の残留の抑制効果との両者を高めることができる。
【００３０】
図１２は、図９に示す態様の傾斜面２０について、チッピングの抑制効果を確認した実験データを示すグラフである。この実験では、傾斜面２０の外周部分２０ａの傾斜角度θ１を３４度とし、内周部分２０ｂ及び中間部分２０ｃの傾斜角度θ２、θ３を９０度とした。本来、内周部分２０ｂ及び中間部分２０ｃの傾斜角度θ２、θ３は９０度未満であるが、外周部分２０ａの傾斜角度θ１のみを小さくした場合の効果が明らかとなるように、今回の実験では、内周部分２０ｂ及び中間部分２０ｃの傾斜角度θ２、θ３を、最も不利な条件である９０度に設定している。上記した条件下で、１２個の半導体ウエハ１０のサンプルＳ１〜Ｓ１２を製造し、それぞれのサンプルＳ１〜Ｓ１２について、５０マイクロメートル以上の大きさを有するチッピングが発生した数を測定した。図１２に示すように、１２個のサンプルＳ１〜Ｓ１２で発生したチッピングの数の平均値は７個であり、許容範囲内の値となることが確認された。なお、図１２に示す実験データは一例であり、例えば半導体ウエハ１０の材料やサイズによって、発生するチッピングの数は変化し得る。
【００３１】
図９、図１０、図１１に例示された傾斜面２０において、傾斜角度θ１、θ２、θ３の具体的な角度は特に限定されない。傾斜角度θ１、θ２、θ３のそれぞれは、９０度未満の範囲において任意の値とすることができる。また、図９、図１０、図１１の例示では、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間に一つの傾斜面２０のみが設けられているが、中央領域１０ｃと厚肉領域１０ｔとの間には、二以上の傾斜面２０が互いに間隔をあけて設けられてもよい。この場合、少なくとも一つの傾斜面２０において、図９、図１０、図１１のいずれかに例示された構造を採用するとよい。また、図９、図１０、図１１に例示された傾斜面２０では、外周部分２０ａと中間部分２０ｃと内周部分２０ｂが連続して形成されているが、外周部分２０ａと中間部分２０ｃとの間や、中間部分２０ｃと内周部分２０ｂの間に、他の傾斜角度を有する部分をさらに有してもよい。
【００３２】
以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。以下に、本明細書の開示内容から把握される技術的事項を列記する。なお、以下に記載する技術的事項は、それぞれが独立した技術的事項であり、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。
【符号の説明】
【００３３】
１０：半導体ウエハ
１０ａ：半導体ウエハの第１の主面
１０ｂ：半導体ウエハの第２の主面
１０ｃ：半導体ウエハの中央領域
１０ｅ：半導体ウエハの外周面
１０ｔ：半導体ウエハの厚肉領域
１２：第１電極層
１４：第２電極層
２０：傾斜面
２０ａ：傾斜面の外周部分
２０ｂ：傾斜面の内周部分
２０ｃ：傾斜面の中間部分
２０ｅ：傾斜面の外周縁
２０ｆ：傾斜面の内周縁
Ｗ：傾斜面の幅寸法
θ：傾斜面の傾斜角度
θ１：傾斜面の外周部分の傾斜角度
θ２：傾斜面の内周部分の傾斜角度
θ３：傾斜面の中間部分の傾斜角度
【図１】
2018060983.tif 000003
【図２】
2018060983.tif 000004
【図３】
2018060983.tif 000005
【図４】
2018060983.tif 000006
【図５】
2018060983.tif 000007
【図６】
2018060983.tif 000008
【図７】
2018060983.tif 000009
【図８】
2018060983.tif 000010
【図９】
2018060983.tif 000011
【図１０】
2018060983.tif 000012
【図１１】
2018060983.tif 000013
【図１２】
2018060983.tif 000014