(57)【要約】【課題】簡易な構造でかつ広帯域低損失な構成で、実装部損失を評価できる実装基板の評価方法及び評価基板モデル群を提供することを目的としている。【解決手段】基板上に実装されるチップの接続状態を評価する実装基板の評価方法であって、評価基板モデルを用いて基板上の線路の伝送特性を求める工程（ステップＳ１）と、チップが実装された評価基板モデルを用いて基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める工程（ステップＳ２）と、実装基板全体の伝送特性を計測する工程（ステップＳ３）と、実装基板全体の伝送特性から、基板上の線路の伝送特性と、チップ配線の伝送特性を除去して、チップの接続状態の伝送特性を求める工程とを備える。【選択図】図４
2018060936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に実装されるチップの接続状態を評価する実装基板の評価方法であって、
評価基板モデルを用いて基板上の線路の伝送特性を求める工程と、
チップが実装された評価基板モデルを用いて基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める工程と、
実装基板全体の伝送特性を計測する工程と、
当該実装基板全体の伝送特性から、基板上の線路の伝送特性と、チップ配線の伝送特性を除去して、チップの接続状態の伝送特性を求める工程と
を含む実装基板の評価方法。
【請求項２】
前記基板上の線路の伝送特性を求める工程及び前記チップ配線の伝送特性を求める工程では、ディエンベディング法を用いて伝送特性を求める、請求項１に記載の実装基板の評価方法。
【請求項３】
前記基板上の配線は、コプレーナ線路である、請求項１に記載の実装基板の評価方法。
【請求項４】
前記チップ配線は、チップ上のシリコン配線である、請求項１に記載の実装基板の評価方法。
【請求項５】
基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルと、基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルとからなり、
前記基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルには、線路長の異なる線路が形成されており、
前記基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルには、線路長の異なるチップ線路のチップが実装される、
実装基板を評価するための評価基板モデル群。
【請求項６】
前記基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルとしては、基板上の線路の長さの関係が整数倍となる２種類の線路長のものを用いる、請求項５に記載の評価基板モデル群。
【請求項７】
基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルとしては、所望の反射特性が得られる２種類の線路長を選定して用いる、請求項５に記載の評価基板モデル群。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板の評価方法及び評価基板モデル群に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信が多用され、通信の高速化及びそれを行う電子機器に対する高性能化が求められている。また、携帯のし易さ等から、電子機器の小型化が急進している。また、近年は無線による通信容量が急激に大容量化し、それに伴う伝送信号の使用周波数の広帯域化、高周波化が急速に進行している。そのため、従来使用されてきたマイクロ波帯（０．３〜３０ＧＨｚ）だけでは対応できず、電子機器の使用周波数帯はミリ波帯（３０〜３００ＧＨｚ）まで拡大されつつある。ミリ波のような高い周波数では波長が短い為、配線やＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）との接続部の形状や寸法のμｍオーダーの微細な変動による損失がマイクロ波に比べて大きい。とりわけＲＦＩＣとの接続はワイヤボンドやフリップチップボンドのような高周波に適した接続形態が用いられる。特にフリップチップボンドはＩＣと配線部までの引き回しが短く、低損失に接続できるため、ミリ波モジュールを構成する上で優位な実装方法である。
【０００３】
フリップチップ実装を行う際、一般にバンプを形成するが、バンプの接続した際の損失を評価する事が必要となる。その際、損失を評価するための評価基板が必要となる。実装にかかる各部の損失を抽出するために評価基板には低反射動作が一般に求められる。また、広帯域動作も求められる項目と言える。また、ＲＦＩＣを評価する場合、多くはキャリア基板側とＲＦＩＣのグランドを共通化するためにコプレーナ線路が用いられる。例えば特許文献１では基板による不要放射を抑圧するために、基板にビアホールを長手方向に形成したり、キャビティにより不要な電磁波漏えいを防ぎ、特性を改善したコプレーナ線路の基板を実現している。また、特許文献２では、フリップチップ実装したＩＣ上をコプレーナ線路で遷移する構造が記載されており、バンプの組成を高周波において低損失動作しかつ安定した接続を可能にする構成について記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９９５０３号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特性を実現する上で、特許文献１に記載されているものは、多層化や外付け部品を使用するため複雑な構成といえる。また、特許文献２に記載されているものでは、構造に起因する損失への対策が記載されておらず、他のバンプの組成や寸法に関する制約がある場合に対処が困難になる。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、簡易な構造でかつ広帯域低損失な構成で、実装部損失を評価できる実装基板の評価方法及び評価基板モデル群を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る実装基板の評価方法は、基板上に実装されるチップの接続状態を評価する実装基板の評価方法であって、評価基板モデルを用いて基板上の線路の伝送特性を求める工程（ステップＳ１）と、チップが実装された評価基板モデルを用いて基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める工程（ステップＳ２）と、実装基板全体の伝送特性を計測する工程（ステップＳ３）と、当該実装基板全体の伝送特性から、基板上の線路の伝送特性と、チップ配線の伝送特性を除去して、チップの接続状態の伝送特性を求める工程（ステップＳ４、ステップＳ５）とを含む。
一態様によれば、簡易な構造でかつ広帯域低損失な構成で、実装部損失を評価できる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る実装基板の評価方法において、前記基板上の線路の伝送特性を求める工程及び前記チップ配線の伝送特性を求める工程では、ディエンベディング法を用いて伝送特性を求めるようにしてもよい。
一態様によれば、基板上の線路の伝送特性及びチップ配線の伝送特性を容易に求めることができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る実装基板の評価方法において、前記基板上の配線は、コプレーナ線路としてもよい。
一態様によれば、高周波の実装基板に用いられるコプレーナ線路の評価を行うことができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る実装基板の評価方法において、前記チップ配線は、チップ上のシリコン配線としてもよい。
一態様によれば、高周波集積回路のチップ配線の評価を行うことができる。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る評価基板モデル群は、基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルと、基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルとからなり、前記基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルには、線路長の異なる線路が形成されており、前記基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルには、線路長の異なるチップ線路のチップが実装される実装基板を評価するための評価基板モデル群である。
一態様によれば、評価基板モデル群により、実装基板の基板上の線路の伝送特性と、実装基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求めることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る評価基板モデル群において、前記基板上の線路の伝送特性を求める評価基板モデルとしては、基板上の線路の長さの関係が整数倍となる２種類の線路長のものを用いてもよい。
一態様によれば、基板上の線路の長さの関係が整数倍となる２種類の線路長の評価モデルにより、基板の線路の特性を評価できる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る評価基板モデル群において、基板上に実装されるチップのチップ配線の伝送特性を求める評価基板モデルとしては、所望の反射特性が得られる２種類の線路長を選定して用いてもよい。
一態様によれば、所望の反射特性が得られる２種類の線路長のチップ配線の評価モデルにより、所望の反射特性を維持して、チップ配線の特性を評価できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、評価基板モデルを用いて基板上の線路の伝送特性やチップのチップ配線の伝送特性を求め、実装基板全体の伝送特性から、基板上の線路の伝送特性とチップ配線の伝送特性を除去して、チップの接続状態の伝送特性を求めるようにしている。これにより、簡易な構造でかつ広帯域低損失な構成で、実装部損失を評価できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】Ｌ−２Ｌディエンベディング法の概要の説明図である。
【図２】伝送線路上のアドミタンスの近似を説明する図である。
【図３】基板上のＲＦＩＣの伝送特性評価の説明図である。
【図４】伝送特性を評価するための処理を示すフローチャートである。
【図５】本実施形態におけるＲＦＩＣチップの実装基板の一例の上面図である。
【図６】本実施形態におけるＲＦＩＣチップの実装基板の一例の射視図である。
【図７】本実施形態で用いられる評価基板モデル群の一例の説明図である。
【図８】実装基板におけるチップ配線の反射特性の線路長依存性を示すグラフである。
【図９】本実施形態で取得される各部の伝送特性の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、実装部の損失を計算するために、伝送線路の特性抽出手法であるＬ−２Ｌディエンベディング法を用いている。以下に、Ｌ−２Ｌディエンベディング法の概要について説明する。なお、Ｌ−２Ｌディエンベディング法については、例えば、以下の参考文献１に記載されている。
【００１７】
参考文献１：“Ｄｅ−Ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌｉｎｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  ｆｏｒ  Ａｃｃｕｒａｔｅ  Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  ｏｆ  ＩＣ  Ｄｅｓｉｇｎｓ”、Ａｌａｉｎ  Ｍ．  Ｍａｎｇａｎ，  Ｓｏｒｉｎ  Ｐ．  Ｖｏｉｎｉｇｅｓｃｕ，  Ｓｅｎｉｏｒ  Ｍｅｍｂｅｒ，  ＩＥＥＥ，  Ｍｉｎｇ−Ｔａ  Ｙａｎｇ，  ａｎｄ  Ｍｉｈａｉ  Ｔａｚｌａｕａｎｕ、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｖｏｌ．５３，ｎｏ．２，ｐｐ．２３５−２４１，  Ｆｅｂ．２００６
【００１８】
図１は、Ｌ−２Ｌディエンベディング法の概要の説明図である。図１（Ａ）に示すように、線路１０１と、ポート１０２ａ及び１０２ｂからなる伝送線路１００を想定する。ポート１０２ａ及び１０２ｂの伝送特性は、同一であるとする。伝送線路１００の両端の回路１２０ａ及び１２０ｂは、固定特性であっても良いし、遷移特性であっても良い。
【００１９】
線路１０１の伝送特性行列をＴＬとし、ポート１０２ａ及び１０２ｂの伝送特性行列をＴＦとすると、伝送線路１００の伝送特性行列ＴＬａｍは、次式（１）のように示すことができる。なお、上付きｍは、計測値を表す。
【００２０】
ＴＬａｍ＝ＴＦＴＬＴＦ  …（１）
【００２１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、線路１１１と、ポート１１２ａ及び１１２ｂからなる伝送線路１１０を想定する。線路長Ｌｂは線路長Ｌａの２倍であり（Ｌｂ＝２Ｌａ）であり、線路長が異なる以外、伝送線路１００と伝送線路１１０は同一であるとする。また、ポート１１２ａ及び１１２ｂの伝送特性は、ポート１０２ａ及び１０２ｂと同一であるとする。この場合、線路１１１の長さＬｂは線路１０１の長さＬａの２倍であるから、線路１１１中の伝送特性行列は、ＴＬＴＬとなる。よって、図１（Ｂ）に示す伝送線路１１０の伝送特性行列ＴＬｂｍは、次式（２）のように示すことができる。
【００２２】
ＴＬｂｍ＝ＴＦＴＬＴＬＴＦ  …（２）
【００２３】
ここで、伝送線路１１０の伝送特性行列ＴＬｂと、伝送線路１００の伝送特性行列ＴＬａの逆行列とを掛け算すると、次式（３）の式が導出される。
【００２４】
ＴＬａ−Ｌｂ＝ＴＬｂｍＴＬａｍ−１
＝ＴＦＴＬＴＦ−１  …（３）
【００２５】
式（３）より、距離Ｌａと距離Ｌｂとの間の伝送特性行列ＴＬａ−Ｌｂは、伝送線路１１０の全体の伝送特性行列ＴＬｂと、伝送線路１００の全体の伝送特性行列ＴＬａの逆行列との掛け算により求められることが分かる。伝送線路１００の全体の伝送特性ＴＬａや、伝送線路１１０全体の伝送特性ＴＬｂは、例えば、ネットワークアナライザにより、Ｓパラメータとして、計測可能である。
【００２６】
ポートの伝送特性行列ＴＦにおいて、次式（４）のアドミタンス行列に適用できる関係式を用いることで、伝送特性行列ＴＬが求まる。図１の回路１２０ａ、伝送線路１００又は１１０、回路１２０ｂの従属接続が集中定数なら、並列接続のアドミタンスの和で近似できる。
【００２７】
【数１】
2018060936.tif 000003
【００２８】
したがって、式（３）をアドミタンス行列で近似すると、次式（５）のようになる。ｈはアドミタンスの縦列接続をＦｉｘｕｔｕｒｅとしてモデル化した行列を示す。
【００２９】
【数２】
2018060936.tif 000004
【００３０】
よって、式（５）より、次式（６）が得られる。
【００３１】
【数３】
2018060936.tif 000005
【００３２】
式（６）から、線路のアドミタンス行列ＹＬが次式（７）のように求められる。
【００３３】
【数４】
2018060936.tif 000006
【００３４】
式（７）において、Ｓｗａｐは、次式（８）の演算を示す。
【００３５】
【数５】
2018060936.tif 000007
【００３６】
以上のように、Ｌ−２Ｌディエンベディング法を用いることで、線路長Ｌと２Ｌの２種類の線路長のモデルから、線路の伝送特性を求めることができる。
【００３７】
なお、図１において、Ｆｉｘｔｕｒｅの縦列接続が集中定数の場合は、図２と次式（９）、次式（１０）のように並列接続のアドミタンスＹＬの和で近似することができる（上述した参考文献１参照）。
図２は、伝送線路上のアドミタンスの近似を説明する図である。
【００３８】
【数６】
2018060936.tif 000008
【００３９】
【数７】
2018060936.tif 000009
【００４０】
なお、式（９）、式（１０）において、ｌ１とｌ２は、線路の長さであり、ｌ２の法がｌ１より長い。
【００４１】
次に、このようなＬ−２Ｌディエンベディング法を用いて、基板上のＲＦＩＣの伝送特性評価を行う場合について、図３を参照して説明する。
図３において、実装基板２００は、ＲＦＩＣ２０１をバンプ２０３ａ及び２０３ｂによりコプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂ上に実装して構成されるものとする。ＲＦＩＣ２０１には、チップ配線２０４が設けられる。
【００４２】
ここで、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列をＴＣＰＷ、バンプ２０３ａ及び２０３ｂの伝送特性行列をＴＦ、ＲＦＩＣ２０１のチップ配線２０４の伝送特性行列をＴＬとすると、実装基板２００の伝送特性行列Ｔｃｈｉｐは、次式（１１）のように示すことができる。
【００４３】
Ｔｃｈｉｐ＝ＴＣＰＷＴＦＴＬＴＦＴＣＰＷ  …（１１）
【００４４】
ここで、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列ＴＣＰＷは、線路長が２倍の長さの関係となる２種類の線路長（Ｌと２Ｌ）のコプレーナ線路の伝送特性から、上述のＬ−２Ｌディエンベディング法を用いて取得することができる。ここで、一方の線路長をＬ１（＝Ｌ）、他方の線路長をＬ２（＝２Ｌ）とする。これにより、各線路長のＴＣＰＷは、次式（１２）、次式（１３）のように表される。
【００４５】
ＴＣＰＷＬ１＝ＴＦ＿ＣＰＷＴＣＰＷＴＦ＿ＣＰＷ  …（１２）
【００４６】
ＴＣＰＷＬ２＝ＴＦ＿ＣＰＷＴＣＰＷＴＣＰＷＴＦ＿ＣＰＷ  …（１３）
【００４７】
なお、式（１２）、式（１３）において、ＴＦ＿ＣＰＷは、ＸＸＸの伝送特性行列（ＸＸＸ：プローブ端子コプレーナ線路への給電部）である。
【００４８】
式（１１）に、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列ＴＣＰＷの逆行列をその前後に掛け算すると、次式（１４）のようになる。
【００４９】
ＴＣＰＷ−１ＴｃｈｉｐＴＣＰＷ−１＝ＴＦＴＬＴＦ  …（１４）
【００５０】
また、ＲＦＩＣ２０１のチップ配線２０４の伝送特性行列ＴＬは、線路長が２倍の関係となる２種類の線路長のチップ配線の伝送特性から、上述のＬ−２Ｌディエンベディング法を用いて取得することができる。
【００５１】
式（１４）に、チップ配線２０４の伝送特性行列ＴＬの逆行列を掛け算すると、次式（１５）のようになる。
【００５２】
ＴＦＴＬＴＬ−１ＴＦ＝ＴＦＴＦ  …（１５）
【００５３】
式（１５）より、バンプ２０３ａ及び２０３ｂの伝送特性行列ＴＦだけが抽出されたことになる。このバンプ２０３ａ及び２０３ｂの伝送特性行列ＴＦがチップの接続状態を示す評価値となる。
【００５４】
図４は、実装基板２００のバンプ２０３ａ及び２０３ｂの伝送特性を評価するための処理を示すフローチャートである。
【００５５】
（ステップＳ１）線路長が２倍の長さの関係となる２種類の線路長のコプレーナ線路のモデルを用いて、Ｌ−２Ｌディエンベディング法を用いて、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列ＴＣＰＷを取得する。
【００５６】
（ステップＳ２）線路長が２倍の関係となる２種類の線路長のチップ配線のＲＦＩＣのモデルを用いて、Ｌ−２Ｌディエンベディング法を用いて、ＲＦＩＣ２０１のチップ配線２０４の伝送特性行列ＴＬを取得する。
【００５７】
（ステップＳ３）ＲＦＩＣ２０１をバンプ２０３ａ及び２０３ｂによりコプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂ上に実装して実装基板２００を構成し、この実装基板２００の全体の伝送特性行列Ｔｃｈｉｐ（Ｓパラメータ）を、ネットワークアナライザで計測する。
【００５８】
（ステップＳ４）実装基板２００の伝送特性行列Ｔｃｈｉｐに、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列ＴＣＰＷの逆行列を掛け算して、コプレーナ線路２０２ａ及び２０２ｂの伝送特性行列ＴＣＰＷの成分を除去する。
【００５９】
（ステップＳ５）伝送特性行列ＴＣＰＷの成分を除去した実装基板２００の伝送特性行列に、ＲＦＩＣ２０１のチップ配線２０４の伝送特性行列ＴＬの逆行列を掛け算して、チップ配線２０４の成分を除去する。
【００６０】
（ステップＳ６）これにより、バンプ２０３ａ及び２０３ｂの伝送特性行列ＴＦを取得することができる。
【００６１】
なお、ステップＳ４、ステップＳ５において、伝送特性行列の逆行列を掛け算する処理は、デシベルを用いる場合には、減算となる。
【００６２】
このように、本発明では、Ｌ−２Ｌディエンベディング法により、コプレーナ線路の伝送特性やチップ配線の伝送特性を求めておき、実装基板全体で計測される伝送特性から、Ｌ−２Ｌディエンベディング法により求めたコプレーナ線路の伝送特性やチップ配線の伝送特性を除去することで、バンプの伝送特性を求めるようにしている。これにより、フリップチップ実装を行う際に、バンプ接続した部分の損失を評価することができる。
【００６３】
次に、実装基板の具体例について説明する。図５は、本発明の第１の実施形態におけるＲＦＩＣチップの実装基板の一例の上面図である。また、図６は、本実施形態におけるＲＦＩＣチップの実装基板の一例の射視図である。図５および図６に示すように、実装基板１０は、液晶ポリマー基板（ＬＣＰ）からなる基板１１上に形成されたコプレーナ線路１２に、ＲＦＩＣ２０をフリップチップ接続したものである。コプレーナ線路１２は、信号線１３ａ及び１３ｂと、接地線１４ａ及び１４ｂとからなる。接地線１４ａ及び１４ｂは、信号線１３ａ及び１３ｂを挟むように形成されている。
【００６４】
また、基板１１には、４つのＬ字形のエッチングパターン１６ａ〜１６ｄが形成されている。これらのＬ字形のエッチングパターン１６ａ〜１６ｄは、基板１１とＲＦＩＣ２０との接続時に生じる不連続部の反射を抑圧している。ＲＦＩＣ２０には、チップ配線２１が設けられている。チップ配線２１は、ＲＦＩＣ２０内に形成されたシリコン線路である。
【００６５】
ＲＦＩＣ２０は、ピラー型のバンプ１７ａ及び１７ｂにより、信号線１３ａ及び１３ｂに接続される。また、シリコンは誘電率が高く、ＲＦＩＣ２０のシリコン上の導体パターンがアンテナとして機能するのを抑圧するために、ＲＦＩＣ２０は、バンプ１８ａ〜１８ｄにより、接地線１４ａ及び１４ｂに接続されている。また、ＲＦＩＣ２０が装着される接地線１４ａ及び１４ｂの部分は、複数のスルーホール２２が形成されている。
【００６６】
図６は、本実施形態で用いられる評価基板モデル群の一例である。図６に示すように、評価基板群としては、評価基板３０Ａから評価基板３０Ｅの評価基板モデルが用意される。評価基板３０Ａは、実際の基板１１を模擬した評価基板モデルであり、ＲＦＩＣ２０までの引き出し線の線幅のテーパ部とギャップを有する。評価基板３０Ｂ及び３０Ｃは、コプレーナ線路１２のみのパターンの評価基板モデルで、評価基板３０Ｃの線路長Ｌ２は、評価基板３０Ｂの線路長Ｌ１の２倍の関係になっている。評価基板３０Ｄ及び３０Ｅは、ＲＦＩＣ２０を実装した評価基板モデルで、評価基板３０Ｅのチップ配線の長さＬ４は、評価基板３０Ｄのチップ配線の長さＬ３の略２倍（厳密には、０．２５９λと０．３３７λ）の関係になっている。コプレーナ線路１２の伝送特性は、評価基板３０Ｂと評価基板３０Ｃとを用いることで、Ｌ−２Ｌディエンベディング法により求めることができる。また、コプレーナ線路１２のテーパ部の伝送特性は、評価基板３０Ａ〜評価基板３０Ｃを用いることで求めることができる。また、チップ配線２１の伝送特性は、評価基板３０Ｄと評価基板３０Ｅとを用いることで、求めることができる。
【００６７】
ここで、ＲＦＩＣ２０のチップ配線２１の長さについて考察する。チップ配線２１の長さは、チップ配線２１の反射特性が線路長依存性を示すことから、反射特性を考慮して選定する必要がある。図７に実装基板におけるチップ配線の反射特性の線路長依存性を示す。この例では、６０ＧＨｚの実効波長で規格化している。また、チップ配線長はＲＦＩＣの中心部の長さである。図７において、横軸は周波数を示し、縦軸はＳパラメータの反射特性｜Ｓ１１｜を示している。図７において、ｇ１はチップ線路長が０．１０４λであり、ｇ２はチップ線路長が０．１８１λであり、ｇ３はチップ線路長が０．２５９λであり、ｇ４はチップ線路長が０．３３７λであり、ｇ５はチップ線路長が０．４１５λである。なお、λは波長である。
【００６８】
図７に示す伝送特性から、線路長により、Ｓ１１が−１０ｄＢ以下（ＶＳＷＲが２以下に相当する）となる帯域が大きく異なることが示される。ディエンベディング法を用いる場合には、２種類の線路水準を選定する必要がある。図７より、線路長０．２５９λと線路長０．３３７λが他に比べて６０ＧＨｚ付近でＳ１１が−１０ｄＢ以下となる帯域が広い。本結果を基に、チップ配線の線路長には、０．２５９λと、０．３３７λを使用する。すなわち、図６の評価基板３０Ｄのチップ配線の線路長Ｌ３として０．２５９λのものを用い、評価基板３０Ｅのチップ配線の線路長Ｌ４として０．３３７λのものを使用する。また、ＲＦＩＣ２０のチップ配線２１の長さは、０．２５９λとする。
【００６９】
なお、０．２５９λと０．３３７λとの関係は、２倍の線路長の関係にはなっていないが、線路の両端のポートとチップ線路長の伝送行列、すなわちＴＣＰＷＴＦの内ＴＦの長さを調整することで、線路長の長さを２倍の線路長の関係にすることができる。
【００７０】
この例では、図６に示した評価基板３０Ａ〜３０Ｅを用いて、Ｌ−２Ｌディエンベディング法により、コプレーナ線路１２の伝送特性と、チップ配線２１の伝送特性を求めておく。そして、実装基板１０の全体の伝送特性を計測し、この実装基板１０の全体の伝送特性の計測値から、コプレーナ線路１２の伝送特性とチップ配線２１の伝送特性を除去することで、バンプの伝送特性を求めている。
【００７１】
図８は、本実施形態で取得される各部の伝送特性を示している。図８において、＃１は実装基板１０全体から取得される伝送特性であり、＃２はＲＦＩＣ２０のチップ配線２１の伝送特性であり、＃３はコプレーナ線路１２の伝送特性である。ここで、各伝送特性は、Ｓパラメータで示される損失特性であり、デシベルで示されるとする。フリップチップ実装した際のＧＳＧ（Ｇｒｏｕｎｄ−Ｓｉｇｎａｌ−Ｇｒｏｕｎｄ）のバンプ伝送特性は、伝送特性＃１の値から、伝送特性＃３の値と、伝送特性＃１に含まれる伝送特性＃２の値を減算することで求められる。ここで、伝送特性＃１に含まれる伝送特性＃２の値を減算しているのは、図６に示した評価基板３０Ｄのチップ配線の線路長と、評価基板３０Ｅのチップ配線の線路長との関係は、２倍の線路長の関係になっていないためである。（チップ配線の線路長を６８段落のように調整しており＃１から差し引く事でバンプ単体の伝送特性を得るからである）ＲＦＩＣ２０のチップの接続状態を示すバンプ伝送特性は、次式（１２）のようになる。
【００７２】
バンプ伝送特性＝＃１−＃３−（ｌｓｉ×＃２）  …（１２）
【００７３】
なお、式（１２）において、ｌｓｉは、＃１に含まれるチップ配線２１の線路長である。
実測の結果としては、実装基板１０全体の伝送特性（＃１）は、周波数６０ＧＨｚの前後で、例えば−１．５ｄＢ〜−２ｄＢ程度であり、バンプの伝送特性は、例えば−０．５ｄＢ〜−１ｄＢ程度である。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００７５】
１０…実装基板，１１…基板，１２…コプレーナ線路，１３ａ，１３ｂ…信号線，１４ａ，１４ｂ…接地線，１６ａ〜１６ｄ…Ｌ字形のエッチングパターン，１７ａ，１７ｂ…バンプ，１８ａ〜１８ｄ…バンプ，２０…ＲＦＩＣ，２１…チップ配線，３０Ａ〜３０Ｅ…評価基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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