(57)【要約】【課題】無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を１工程で除去できる技術を提供する。【解決手段】酸およびチオ尿素化合物を含有することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液および無電解銅めっきを設けた基板を、前記除去液で処理することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸およびチオ尿素化合物を含有することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液。
【請求項２】
電解銅めっきを除去しないものである請求項１記載の除去液。
【請求項３】
電解錫めっきおよび電解錫合金めっきを除去しないものである請求項１または２記載の除去液。
【請求項４】
更に、陰イオン界面活性剤を含有するものである請求項１〜３の何れかに記載の除去液。
【請求項５】
無電解銅めっきの析出に用いられた触媒が、パラジウム触媒である請求項１〜４の何れかに記載の除去液。
【請求項６】
電解錫合金めっきが、電解錫銀合金めっきである請求項１〜５の何れかに記載の除去液。
【請求項７】
酸が、硫酸、塩酸、燐酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、１−プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、１−ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、イセチオン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、グリコール酸、グルコン酸、リンゴ酸、クエン酸および酒石酸からなる群から選ばれる１種または２種以上である請求項１〜６の何れかに記載の除去液。
【請求項８】
チオ尿素化合物が、チオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、１，３−ジエチルチオ尿素、１，３−ジブチルチオ尿素、１，１，３−トリブチルチオ尿素、チオアセトアミド、４−メチルチオセミカブバジド、１−アリル２−チオ尿素、１−アセチル−２−チオ尿素、１−アリル−３−（２−ヒドロキシエチル）−２−チオ尿素、１，３−ビス（ジメチルアミノポロピル）−２−チオ尿素、１−フェニル−２−チオ尿素、１，３−ジフェニルチオ尿素、１−アセチル−２−チオ尿素、１−アリル−３−（２−ヒドロキシエチル）−２−チオ尿素、Ｎ−ベンゾイルチオ尿素、グアニルチオ尿素および２，５−ジチオビチオ尿素からなる群から選ばれる１種または２種以上である請求項１〜７の何れかに記載の除去液。
【請求項９】
陰イオン界面活性剤が、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルファオレフィンスルホン酸塩、エーテルカルボン酸塩およびアルキルリン酸塩からなる群から選ばれる１種または２種以上である請求項４〜８の何れかに記載の除去液。
【請求項１０】
基板に設けられた無電解銅めっき上に、電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきからなる群から選ばれる金属の１種または２種以上を用いてパターンを形成した後、
請求項１〜９の何れかに記載の除去液で無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することを特徴とする基板上へのパターン形成方法。
【請求項１１】
パターンの形成をセミアディティブ法で行う請求項１０記載の基板上へのパターン形成方法。
【請求項１２】
無電解銅めっきを設けた基板を、
請求項１〜９の何れかに記載の除去液で処理することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造に用いられる、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液およびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造において、無電解銅めっきをシード層とした一般的なセミアディティブ法では、無電解銅めっき上に電解銅めっきを行った後、フラッシュエッチング（Ｆ／Ｅ）液により無電解銅めっきを除去し、次に無電解銅めっきの析出に用いられたパラジウム触媒を除去する、というこれらの２工程を通してパターンが形成されている。またパターンは電解銅めっきで形成されるのが一般的だが、特殊な工法では電解銅めっき上に電解錫または錫合金めっきを行ってパターンが形成される場合、電解錫または電解錫合金めっきのみでパターンが形成される場合がある。
【０００３】
これらの工程を１工程にすることはプリント配線板の製造において、有利ではあるが、従来より無電解銅めっきの除去に用いられている硫酸、過酸化水素系のＦ／Ｅ液（特許文献１）は、錫めっきや錫合金めっきを溶解してしまい、またパラジウム触媒の除去もできない。これ以外の技術としては、アルカリエッチング（特許文献２、３）が知られており、錫めっきや錫合金めっきを溶解せず無電解銅めっきを溶解可能なため適用が考えられるが、電解銅めっきもある程度溶解してしまい、またパラジウム触媒の除去もできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４３０９９０号公報
【特許文献２】特開２０１５−２２２８０５号公報
【特許文献３】特許第４１２９２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明は無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を１工程で除去できる技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、酸およびチオ尿素化合物を組み合わせることにより、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を１工程で除去できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、酸およびチオ尿素化合物を含有することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液である。
【０００８】
また、本発明は、基板に設けられた無電解銅めっき上に、電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきからなる群から選ばれる金属の１種または２種以上を用いてパターンを形成した後、上記除去液で無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することを特徴とする基板上へのパターン形成方法である。
【０００９】
更に、本発明は、無電解銅めっきを設けた基板を、上記除去液で処理することを特徴とする無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の除去液は、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができ、また、電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきを除去しない。
【００１１】
本発明の基板上へのパターン形成方法は、上記性質を有する本発明の除去液を用いることにより、パターン形成において不要な無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができるため、正確なパターンを形成することができる。
【００１２】
本発明の無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去方法は、上記性質を有する本発明の除去液を用いることにより、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液（以下、「本発明の除去液」という）は、酸およびチオ尿素化合物を含有するものである。
【００１４】
本発明の除去液に用いられる酸は、特に限定されず、無機酸または有機酸の何れでもよい。無機酸としては、例えば、硫酸、塩酸、燐酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸等が挙げられる。また、有機酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、１−プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、１−ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、イセチオン酸等のスルホン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、グリコール酸、グルコン酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらの酸は１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらの酸の中でも硫酸、塩酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸、ギ酸、酢酸、グルコン酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸が好ましく、特に硫酸、塩酸、メタンスルホン酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸が好ましい。
【００１５】
本発明の除去液における酸の含有量は、特に限定されず、例えば、本発明の除去液の規定度が０.１〜１３Ｎ、好ましくは０.５〜１０Ｎとなるように含有させればよい。
【００１６】
本発明の除去液に用いられるチオ尿素化合物は、特に限定されないが、例えば、チオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、１，３−ジエチルチオ尿素、１，３−ジブチルチオ尿素、１，１，３−トリブチルチオ尿素、チオアセトアミド、４−メチルチオセミカブバジド、１−アリル２−チオ尿素、１−アセチル−２−チオ尿素、１−アリル−３−（２−ヒドロキシエチル）−２−チオ尿素、１，３−ビス（ジメチルアミノポロピル）−２−チオ尿素、１−フェニル−２−チオ尿素、１，３−ジフェニルチオ尿素、１−アセチル−２−チオ尿素、１−アリル−３−（２−ヒドロキシエチル）−２−チオ尿素、Ｎ−ベンゾイルチオ尿素、グアニルチオ尿素、２，５−ジチオビチオ尿素等が挙げられる。これらのチオ尿素化合物は１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらのチオ尿素化合物の中でもチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、１，３−ジエチルチオ尿素が好ましく、特にチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素が好ましい。
【００１７】
本発明の除去液におけるチオ尿素化合物の含有量は、特に限定されず、例えば、１〜２００ｇ／Ｌが好ましく、特に３０〜１５０ｇ／Ｌが好ましい。
【００１８】
本発明の除去液には、更に、電解銅めっきの溶解を抑制するために陰イオン界面活性剤を含有させることが好ましい。陰イオン界面活性剤は、特に限定されないが、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルファオレフィンスルホン酸塩、エーテルカルボン酸塩、アルキルリン酸塩等が挙げられる。塩の種類としては、例えば、カリウム塩、ナトリウム塩等が挙げられる。これらの陰イオン界面活性剤は１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらの陰イオン界面活性剤の中でもアルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルファオレフィンスルホン酸塩が好ましく、特にアルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩が好ましい。
【００１９】
本発明の除去液における陰イオン界面活性剤の含有量は、特に限定されず、例えば、０.００１〜５０ｇ／Ｌが好ましく、特に０.０１〜１０ｇ／Ｌが好ましい。
【００２０】
本発明の除去液は、上記成分のみを含有するものでもよいが、上記成分の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、更に、非イオン界面活性剤、還元剤等を含有させてもよい。
【００２１】
本発明の除去液に用いられる非イオン界面活性剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル（ステアリル）エーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル等が挙げられる。本発明の除去液に非イオン界面活性剤を含有させることにより浸透性を向上させることができる。
【００２２】
本発明の除去液に用いられる還元剤としては、特に限定されないが、例えば、レゾルシノール、ヒドロキノン、カテコール等が挙げられる。本発明の除去液に還元剤を含有させることにより沈殿を抑制することができる。
【００２３】
本発明の除去液は、上記した各成分を水と混合することにより調製することができる。
【００２４】
以上説明した本発明の除去液は、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができる。無電解銅めっきの析出に用いられる触媒は、通常公知であり、例えば、パラジウム触媒等が挙げられる。
【００２５】
本明細書において、本発明の除去液が、無電解銅めっきを除去するとは、例えば、無電解銅めっきと他の金属を設けた試験片等で、無電解銅めっきが他の金属よりも優先して溶解することをいう。
【００２６】
また、本発明の除去液が無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去するとは、無電解銅めっきを設けた試験片に含まれる触媒量と、無電解銅めっきを設けた試験片を除去液中に浸漬した後に除去液中に溶出した触媒量をそれぞれ測定し、除去液中に溶出した触媒量が、浸漬前の触媒量の８０質量％（以下、単に「％」という）以上、好ましくは９０％以上であることをいう。
【００２７】
更に、本発明の除去液は電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきを除去しないものである。錫合金は、特に限定されず、例えば、錫銀合金、錫ビスマス合金、錫銅合金等が挙げられる。これらの錫合金の中でも錫銀合金が好ましい。
【００２８】
本発明の除去液が電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきを除去しないとは、例えば、無電解銅めっきを設けた試験片と、電解銅めっき、電解錫めっき、電解錫合金めっきからなる群から選ばれる金属の１種または２種以上を設けた試験片を、除去液中に同じ時間浸漬した後に測定される無電解銅めっきの溶解量が、前記金属の溶解量の２００％（２倍）以上、好ましくは５００％（５倍）以上であることをいう。
【００２９】
本発明の除去液は、上記性質を有するため、これで無電解銅めっきを設けた基板を処理することにより、無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができる。ここで基板の材料は特に限定されず、例えば、電子回路基板で絶縁層やソルダーレジストに使用されるエポキシ樹脂等が挙げられる。前記基板に無電解銅めっきを設ける方法は触媒を用いる公知の無電解銅めっき等でよい。また、本発明の除去液を用いた処理の方法や条件は特に限定されず、例えば、本発明の除去液を１０〜５５℃の液温にし、それを１０秒〜３０分間、浸漬、噴霧、塗布等で基板へ接触させればよい。
【００３０】
本発明の除去液は、上記のように無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができるため、特に、基板に設けた無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去する工程を含むプリント配線板等のパターン形成方法に用いることが好ましい。
【００３１】
具体的には、基板に設けられた無電解銅めっき上に、電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫合金めっきからなる群から選ばれる金属の１種または２種以上を用いてパターンを形成した後、本発明の除去液で無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去すればよい。パターンのめっきは電解銅めっき、電解錫めっきまたは電解錫合金めっきの１種類、または電解銅めっきに次いで電解錫めっきまたは電解錫合金めっきの２種類が好ましい。なお、電解銅めっきと、電解錫めっきまたは電解錫合金めっきとの間には、錫と銅が拡散しないように、電解ニッケルめっき、電解ニッケルリンめっき等の拡散防止層を設けてもよい。これらの拡散防止層があっても、本発明の除去液の効果は変わらない。パターンの形成方法は、基板に設けた無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去する工程を含むものであれば特に限定されないが、セミアディティブ法が好ましい。また、形成されるパターンとしては特に限定されず、ライン、ピラー等が挙げられる。
【００３２】
以上説明した本発明のパターン形成方法は、パターン形成において不要な無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒を除去することができるため、正確なパターンを形成することができる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００３４】
実  施  例  １
試験液の調製：
下記表１に示す成分を水に混合して各試験液を調製した。
【００３５】
【表１】
2018076560.tif 000002
【００３６】
試  験  例  １
性能評価：
実施例１で調製した各試験液を表２に記載の所定の液温に加温し、これに各試験片を表２に記載の所定の時間浸漬し、下記の方法により無電解銅めっき、電解銅めっき、電解錫めっき、電解錫銀めっきのエッチング量、触媒除去性を評価した。結果を表３に示した。
【００３７】
【表２】
2018076560.tif 000003
【００３８】
＜エッチング量＞
大きさ５×５ｃｍのエポキシ樹脂製の基材に、以下の工程で無電解銅めっきを約０.６μｍ形成し、これを無電解銅めっきのエッチング速度測定用試験片とした。この試験片を各試験液で１５秒間処理し、処理前後の重量変化より無電解銅めっきのエッチング速度を算出した。次に大きさ５×５ｃｍの銅張積層板上に電解銅めっき、電解錫めっき、電解錫銀めっきを約２０μｍ形成し、これを電解銅めっき、電解錫めっき、電解錫銀めっきのエッチング量測定用試験片とした。この試験片を先の無電解銅めっきエッチング速度よりそのエッチング量として１.２、２.４μｍとなる時間分処理し処理前後の重量変化より電解銅めっき、電解錫めっき、電解錫銀めっきエッチング量を算出した。
【００３９】
＜試験片の無電解銅めっき処理工程＞
クリーナー／コンディショナー（ＰＢ−１１７Ｓ）５０℃、５分
↓
水洗
↓
ソフトエッチング（ＰＢ−２２８）３０℃、２分
↓
水洗
↓
プリディップ（塩酸）３０℃、１分
↓
触媒付与（ＰＢ−３１８）３０℃、５分
↓
水洗
↓
アクセラレーター（ＰＢ−４４５）３０℃、５分
↓
水洗
↓
無電解銅めっき（ＰＢ−５０３Ｆ）３０℃、１５分
（塩酸以外の薬品は何れも（株）ＪＣＵ製）
【００４０】
＜触媒除去性＞
大きさ５×１０ｃｍのエポキシ樹脂製の基材に、無電解銅めっきを上記と同様の工程で約０.６μｍ形成し、これを試験片とした。この試験片を各試験液処理後、触媒残留量を測定し、未処理の試験片との触媒残留量の差を、触媒除去率として算出し評価した。触媒残留量の測定は、試験片を、３７質量％ＨＣｌと６８％ＨＮＯ３を３：１の容量比で混合し作成した王水約５０ｍＬに５分間浸漬して、その王水を１００ｍＬメスフラスコにサンプリングし、次に試験片をイオン交換水で洗浄し、その洗浄水も１００ｍＬメスフラスコにサンプリングして、最後に１００ｍＬに正確にメスアップした水溶液中のパラジウム濃度を、原子吸光分析装置（ＡＡ２４０ＦＳ；Ｖａｒｉａｎ社製）により分析した。
【００４１】
【表３】
2018076560.tif 000004
【００４２】
実施例１〜５の試験液は、無電解銅めっきを、電解銅めっき、電解錫めっきおよび電解錫銀合金めっきよりも５倍以上溶解することが分かった。また、実施例１〜５の試験液は触媒を９０％以上除去できることが分かった。一方、比較例１、２の試験液は、電解銅めっきよりも無電解銅めっきを溶解するもののその差はあまりなく、電解錫めっき、電解錫銀合金めっきを無電解銅めっきよりも溶解してしまい、触媒は全く除去できないことが分かった。また、比較例３、４の試験液は、電解錫めっき、電解錫銀合金めっきを無電解銅めっきよりも溶解しないが、電解銅めっきと無電解銅めっきが同じくらい溶解し、触媒はほとんど除去できないことが分かった。
【００４３】
試  験  例  ２
性能評価：
実施例１で調製した各試験液を表２に記載の所定の液温に加温し、これに各試験片を表２に記載の所定の時間浸漬し、下記の方法によりＣｕ／Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｕパターンの腐食性、無電解銅めっきの除去性を評価した。結果を表４に示した。
【００４４】
＜Ｃｕ／Ｓｎ−Ａｇ腐食性、無電解銅めっき除去性＞
大きさ５×５ｃｍのエポキシ樹脂製の基材に、無電解銅めっきを上記と同様の工程で約０．６μｍ形成した。その後セミアディティブ法によりエポキシ樹脂製の基材上に、Ｃｕ膜厚７０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ膜厚１５μｍ、直径１００μｍの円柱形状のＣｕ／Ｓｎ−Ａｇパターンを電解銅めっきおよび電解錫銀合金めっきで形成し、これを試験片とした。この試験片を各試験液処理後、Ｃｕ／Ｓｎ−Ａｇパターン部の断面研磨によるＣｕの断面形状、Ｓｎ−Ａｇの表面状態、無電解銅めっき残留状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、処理前の試験片と比較して以下の評価基準で評価した。
【００４５】
＜Ｃｕ／Ｓｎ−Ａｇ腐食性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    変化なし
△      ：    やや腐食あり
×      ：    腐食あり
＜無電解銅めっき除去性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    残渣なし
△      ：    やや残渣あり
×      ：    残渣あり
【００４６】
＜Ｓｎ腐食性、無電解銅めっき除去性＞
大きさ５×５ｃｍのエポキシ樹脂製の基材に、無電解銅めっきを上記と同様の工程で約０.６μｍ形成した。その後セミアディティブ法によりエポキシ樹脂製の基材上に、Ｓｎ配線高さ約１５μｍ、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝２０／２０（μｍ）のＳｎパターンを電解錫めっきで形成し、これを試験片とした。この試験片を各試験液処理後、Ｓｎパターンの状態、無電解銅めっき残留状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、処理前の試験片と比較して以下の評価基準で評価した。
【００４７】
＜Ｓｎ腐食性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    変化なし
△      ：    やや腐食あり
×      ：    腐食あり
＜無電解銅めっき除去性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    残渣なし
△      ：    やや残渣あり
×      ：    残渣あり
【００４８】
＜Ｃｕ腐食性、無電解銅めっき除去性＞
大きさ５×５ｃｍのエポキシ樹脂製の基材に、無電解銅めっきを上記と同様の工程で約０.６μｍ形成した。その後セミアディティブ法によりエポキシ樹脂製の基材上に、Ｃｕ配線高さ約１５μｍ、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝２０／２０（μｍ）のＣｕパターンを電解銅めっきで形成し、これを試験片とした。この試験片を各試験液処理後、Ｃｕパターンの状態、無電解銅めっき残留状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、処理前の試験片と比較して以下の評価基準で評価した。
【００４９】
＜Ｃｕ腐食性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    変化なし
△      ：    やや腐食あり
×      ：    腐食あり
＜無電解銅めっき除去性評価基準＞
（評  価）        （状  態）
○      ：    残渣なし
△      ：    やや残渣あり
×      ：    残渣あり
【００５０】
【表４】
2018076560.tif 000005
【００５１】
実施例１〜５の試験液は、何れのパターンでも電解錫銀合金めっき、電解錫めっき、電解銅めっきを溶解せず、無電解銅めっきおよび触媒を除去可能であった。特に、試験液に陰イオン界面活性剤を含有させた実施例２〜５の試験液は電解銅めっきへのアタックが抑制されていた。
一方、比較例１、２の試験液は、Ｃｕ／Ｓｎ−Ａｇパターン、Ｓｎパターンでは電解錫銀合金めっき、電解錫めっきへのアタックが強く、且つ溶解した電解錫銀合金めっき、電解錫めっきがパターン間に付着し無電解銅めっきの除去も阻害していた。また、Ｃｕパターンに対してはややアタックが強かった。更に、何れのパターンでも触媒除去性がなかった。
また、比較例３、４の試験液は、Ｃｕ／Ｓｎ−Ａｇパターンでは電解錫銀合金めっきを溶解せず、無電解銅めっきが除去されたが電解銅めっきへのアタックが強かった。Ｓｎパターンでは電解錫めっきは溶解しないが、無電解銅めっきの除去性が悪かった。Ｃｕパターンでは電解銅めっきのアタックが強く、無電解銅めっきの除去性も悪かった。また何れのパターンでも触媒除去性がほぼなかった。
【００５２】
実  施  例  ６
除去液１：
メタンスルホン酸７０ｇ／Ｌ、チオ尿素１００ｇ／Ｌ、ドデシルベンゼンスルホン酸Na０．１５ｇ／Ｌの組成の除去液１を調製した。この除去液１を５０℃にしたものに、試験例２で使用したのと同じＣｕ／Ｓｎ−Ａｇパターン、Ｓｎパターン、Ｃｕパターンを２５０秒浸漬したところ、何れのパターンでも電解錫銀合金めっき、電解錫めっき、電解銅めっきを溶解せず、無電解銅めっきおよび触媒を除去可能であった。
【００５３】
実  施  例  ７
除去液２：
メタンスルホン酸１６０ｇ／Ｌ、チオ尿素６０ｇ／Ｌ、トリメチルチオ尿素３０ｇ／Ｌ、ドデシルベンゼンスルホン酸Na０．１５ｇ／Ｌの組成の除去液２を調製した。この除去液２を５０℃にしたものに、試験例２で使用したのと同じＣｕ／Ｓｎ−Ａｇパターン、Ｓｎパターン、Ｃｕパターンを２５０秒浸漬したところ、何れのパターンでも電解錫銀合金めっき、電解錫めっき、電解銅めっきを溶解せず、無電解銅めっきおよび触媒を除去可能であった。
【００５４】
実  施  例  ８
除去液３：
メタンスルホン酸１６０ｇ／Ｌ、チオ尿素９０ｇ／Ｌ、ドデシルベンゼンスルホン酸Na０．１５ｇ／Ｌの組成の除去液３を調製した。この除去液２を４０℃にしたものに、試験例２で使用したのと同じＣｕ／Ｓｎ−Ａｇパターン、Ｓｎパターン、Ｃｕパターンを３００秒浸漬したところ、何れのパターンでも電解錫銀合金めっき、電解錫めっき、電解銅めっきを溶解せず、無電解銅めっきおよび触媒を除去可能であった。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の除去液は、プリント配線板の製造に利用できる。
以    上