(57)【要約】【課題】表示の更新制御による応答性の向上と、消費電力を低減する電子機器を提供。【解決手段】制御部と、ディスプレイアダプタと、表示部と、を有する電子機器であって、制御部は、メモリと、無線通信モジュールと、ＧＰＳモジュールと、ＣＰＵとを有し、ディスプレイアダプタは、第１及び第２のディスプレイコントローラと、選択回路とを有し、表示部が、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有している。無線通信モジュールによる表示情報と、ＧＰＳモジュールにる位置情報を取得し、表示する領域を指定するためのフラグを付与した表示データを生成する機能を有している。付与されたフラグにより、ディスプレイコントローラは選択され、表示データを、第１の表示領域と、第２の表示領域とのいずれかに表示することができる電子機器。【選択図】図１
2018028586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御部と、ディスプレイアダプタと、表示部と、を有する電子機器であって、
前記制御部は、メモリと、無線通信モジュールと、ＧＰＳモジュールと、ＣＰＵとを有し、
前記ディスプレイアダプタは、第１のディスプレイコントローラと、第２のディスプレイコントローラと、第１のドライバー回路と、第２のドライバー回路と、選択回路とを有し、
前記表示部が、第１の表示領域と、第２の表示領域と、を有し、
前記制御部は、前記ディスプレイアダプタと、電気的に接続され、
前記ディスプレイアダプタは、前記表示部と、電気的に接続され、
前記制御部は、前記無線通信モジュールと、前記ＧＰＳモジュールと、前記メモリと、前記ＣＰＵとが、電気的に接続され、
前記制御部は、前記無線通信モジュールによって表示情報を取得する機能を有し、
前記制御部は、前記ＧＰＳモジュールによって位置情報を取得する機能を有し、
前記制御部は、前記第１の表示領域と、前記第２の表示領域を選択して表示するためのフラグを付与する機能を有し、
前記制御部は、前記フラグが付与された第１の表示データを生成する機能を有し、
前記制御部は、前記第１の表示データを、前記ディスプレイアダプタに与える機能を有し、
前記選択回路は、前記フラグにより、前記第１又は第２のディスプレイコントローラを選択する機能を有し、
前記ディスプレイアダプタは、前記第１の表示データを表示部に与える機能を有する電子機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御部の有する前記メモリは、プログラムを記憶し、
前記プログラムは、前記位置情報と、前記表示情報と、を用いて、前記ＣＰＵにて演算処理することで前記第１の表示データを生成する機能を有し、
前記プログラムは、前記フラグに、複数の条件を与える機能を有し、
前記フラグは、第１のフラグ条件として、前記選択回路に前記第１のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、
前記フラグは、第２のフラグ条件として、前記選択回路に前記第２のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、
前記フラグは、第３のフラグ条件として、前記選択回路に前記第１及び第２のディスプレイコントローラと、を同時に選択させる機能を与え、
前記プログラムは、前記第１の表示データを、前記ＣＰＵを介して前記ディスプレイアダプタに与える機能を有することを特徴とする電子制御システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれか一において、
前記ディスプレイアダプタが有する前記選択回路は、前記フラグの条件により前記ディスプレイコントローラを選択して前記ドライバー回路を駆動する機能を有し、
前記選択回路は、前記第１のフラグ条件により、前記第１のディスプレイコントローラを選択し、前記第１の表示領域の表示を更新する機能を有し、
前記選択回路は、前記第２のフラグ条件により、前記第２のディスプレイコントローラを選択し、前記第１の表示領域の表示を更新する機能を有し、
前記選択回路は、前記第３のフラグ条件により、前記第１及び第２のディスプレイコントローラと、を選択し、前記第１及び第２の表示領域の表示を同時に更新する機能を有する電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記表示部は、複数の画素を有し、
前記画素は、液晶素子を有する画素回路と、発光素子を有する画素回路と、を有し、
前記液晶素子によって、前記第１の表示領域を表示する機能を有し、
前記発光素子によって、前記第２の表示領域を表示する機能を有し、
前記画素は、前記第２の表示領域を囲むように、前記第１の表示領域が配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記プログラムは、ソースコード、エディタ、コンパイラ、デバッガ、又はシミュレータのいずれかのソフトウェア開発の環境を有し、
前記プログラムは、表示領域の条件パラメータに、表示領域を選択する前記フラグを与える機能を有し、
前記プログラムは、前記フラグを前記ＣＰＵを介して前記ディスプレイアダプタに与えることで、前記第１の表示領域及び第２の表示領域の表示を更新する機能を有する電子制御システム。
【請求項６】
請求項１、請求項３、又は請求項４のいずれか一に記載の電子機器が有するトランジスタにおいて、
前記トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項６において、
半導体層に金属酸化物を有する前記トランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１、請求項３、又は請求項４のいずれか一において、
前記発光素子は、有機化合物層を有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１、請求項３、又は請求項４のいずれか一に記載の電子機器と、
操作キー又はバッテリと、
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置、電子機器、及び、電子制御システムに関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法に関する。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる素子、回路、又は装置等を指す。一例としては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子は半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路は、半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路を備えた装置は、半導体装置である。
【背景技術】
【０００４】
スマートフォン、タブレット、電子ブック等のモバイル機器が普及している。モバイル機器は、屋外環境や室内環境など利用する環境の明るさに適した表示をすることが求められている。さらに電子ブック、タブレットなどで、電子書籍を読む場合、長時間使用できることが求められている。
【０００５】
自然光や室内照明光など、十分な明るさの外光がある環境では反射光を利用した表示を行い、十分な明るさを得られない環境では発光素子を利用した表示を行うことで、低電力化を実現する表示装置が提案されている。
【０００６】
例えば特許文献１では、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路とが設けられている、ハイブリッド（複合型）表示装置が開示されている。
【０００７】
例えば特許文献２では、モバイル機器の消費電力を削減するために、デコーダ回路により特定の領域の表示を選択的に更新することが開示されている。
【０００８】
トランジスタに適用可能な半導体材料として酸化物半導体が注目されている。例えば、金属酸化物として酸化亜鉛、又はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献３に開示されている。半導体層に、金属酸化物を有するトランジスタをＯＳトランジスタという。
【０００９】
ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減する技術が特許文献４に開示されている。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、アイドリングストップ駆動と呼称する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２００７／０４１１５０号公報
【特許文献２】特開２０１１−０８５９１８号公報
【特許文献３】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献４】特開２０１１−１４１５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
外光を利用して表示を行う方法として、反射型液晶表示装置がある。反射型液晶表示装置ではバックライトを必要としないため低消費電力であるが、明るい外光が得られる場所でないと良好な表示を行えない。ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は自発光素子であるため、発光表示装置は暗い場所で良好な表示ができる一方、明るい場所では、外光に対して輝度が固定されるため、視認性が低下してしまう課題がある。
【００１２】
明るい外光が得られる場所でスマートフォン、タブレット、電子ブック、及びパーソナルコンピュータなどが使用されることが多くなってきた。その中でも、スマートフォン、タブレットなど、明るい外光が得られる場所で使用されるモバイル機器は、視認性を上げるために高輝度で表示される。そのため電力を消費しやすい。したがって、長時間の使用に耐えられるようにバッテリの容量を大きくする必要がある。ただしバッテリの容量を大きくすると、モバイル機器が重くなる課題がある。
【００１３】
スマートフォン、タブレット、及び電子ブックなどで長時間の使用をするとき、消費電力を小さくする必要がある。消費電力を制御する代表的な方法としてパワーゲーティングやクロックゲーティングなどの制御方法がある。表示装置の場合は、表示の更新回数を減らすなどの方法が提案されている。しかしながら表示の更新間隔が長くなると、データを保持するスイッチトランジスタで電荷のリークが発生する。電荷のリークによって保持されているデータが劣化しちらつきが発生することで、視認性が低下する課題がある。
【００１４】
また、表示の制御はプログラムにより管理され、制御回路、ディスプレイアダプタにより表示が制御される。スマートフォン、タブレット、電子ブック、及びパーソナルコンピュータなど使用する環境に応じて、表示の方法を適宜切り替えるために、プログラムの実行ステップ数と、プログラムを保持するメモリ領域が大きくなる課題がある。また、プログラムの実行ステップ数の増大は、表示の更新に対して応答性が低下する課題がある。またメモリ領域の増大は、回路規模の増大と電力を多く消費する課題がある。
【００１５】
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで表示の応答性を向上する電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで消費電力を低減させる電子機器を提供することを課題の一とする。
【００１６】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【００１７】
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様は、制御部と、ディスプレイアダプタと、表示部と、を有する電子機器であって、制御部は、メモリと、無線通信モジュールと、ＧＰＳモジュールと、ＣＰＵとを有し、ディスプレイアダプタは、第１のディスプレイコントローラと、第２のディスプレイコントローラと、第１のドライバー回路と、第２のドライバー回路と、選択回路とを有し、表示部が、第１の表示領域と、第２の表示領域と、を有し、制御部は、ディスプレイアダプタと、電気的に接続され、ディスプレイアダプタは、表示部と、電気的に接続され、制御部は、無線通信モジュールと、ＧＰＳモジュールと、メモリと、ＣＰＵとが、電気的に接続され、制御部は、無線通信モジュールによって表示情報を取得する機能を有し、制御部は、ＧＰＳモジュールによって位置情報を取得する機能を有し、制御部は、第１の表示領域と、第２の表示領域を選択して表示するためのフラグを付与する機能を有し、制御部は、フラグが付与された第１の表示データを生成する機能を有し、制御部は、第１の表示データを、ディスプレイアダプタに与える機能を有し、選択回路は、フラグにより、第１又は第２のディスプレイコントローラを選択する機能を有し、ディスプレイアダプタは、第１の表示データを表示部に与える機能を有する電子機器である。
【００１９】
上記各構成において、制御部の有する前記メモリは、プログラムを記憶し、プログラムは、位置情報と、表示情報と、を用いて、ＣＰＵにて演算処理することで第１の表示データを生成する機能を有し、プログラムは、フラグに、複数の条件を与える機能を有し、フラグは、第１のフラグ条件として、選択回路に第１のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、フラグは、第２のフラグ条件として、選択回路に第２のディスプレイコントローラを選択させる機能を与え、フラグは、第３のフラグ条件として、選択回路に第１及び第２のディスプレイコントローラと、を同時に選択させる機能を与え、プログラムは、第１の表示データを、ＣＰＵを介してディスプレイアダプタに与える機能を有することを特徴とする電子制御システムが好ましい。
【００２０】
上記各構成において、ディスプレイアダプタが有する選択回路は、フラグの条件によりディスプレイコントローラを選択してドライバー回路を駆動する機能を有し、選択回路は、第１のフラグ条件により、第１のディスプレイコントローラを選択し、第１の表示領域の表示を更新する機能を有し、選択回路は、第２のフラグ条件により、第２のディスプレイコントローラを選択し、第１の表示領域の表示を更新する機能を有し、選択回路は、第３のフラグ条件により、第１及び第２のディスプレイコントローラと、を選択し、第１及び第２の表示領域の表示を同時に更新する機能を有する電子機器が好ましい。
【００２１】
上記各構成において、表示部は、複数の画素を有し、画素は、液晶素子を有する画素回路と、発光素子を有する画素回路を有し、液晶素子によって、第１の表示領域を表示する機能を有し、発光素子によって、第２の表示領域を表示する機能を有し、画素は、第２の表示領域を囲むように、第１の表示領域が配置されていることを特徴とする電子機器が好ましい。
【００２２】
上記各構成において、プログラムは、ソースコード、エディタ、コンパイラ、デバッガ、又はシミュレータのいずれかのソフトウェア開発の環境を有し、プログラムは、表示領域の条件パラメータに、表示領域を選択するフラグを与える機能を有し、プログラムは、フラグをＣＰＵを介して前記ディスプレイアダプタに与えることで、第１の表示領域及び第２の表示領域の表示を更新する機能を有する電子制御システムが好ましい。
【００２３】
上記各構成の電子機器が有するトランジスタにおいて、トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有することを特徴とする電子機器が好ましい。
【００２４】
上記各構成において、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする電子機器が好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで表示の応答性を向上する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、プログラムによって表示の更新制御をすることで消費電力を低減させる電子機器を提供することができる。
【００２６】
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。したがって本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】電子機器を説明するブロック図。
【図２】（Ａ）：電子機器が有する表示部の表示例。（Ｂ）：表示領域を指定するプログラム記述例。
【図３】（Ａ）：状態遷移図。（Ｂ）：（Ａ）の詳細なフローチャート。
【図４】表示装置の構成例を示す。
【図５】表示装置の構成例を示す。
【図６】表示装置の画素の構成例を示す図。
【図７】表示装置の画素の構成例を示す図。
【図８】表示装置の画素の構成例を示す図。
【図９】表示装置の画素の構成例を示す図。
【図１０】表示装置の断面構造の一例を示す図。
【図１１】表示装置の外観の一例を示す図。
【図１２】表示モジュールの例を示す図。
【図１３】タッチパネルの構成例を示す模式図。
【図１４】（Ａ）：電子部品の作製方法例を示すフローチャート。（Ｂ）：半導体ウエハの上面図。（Ｃ）：図１４（Ｂ）の部分拡大図。（Ｄ）：チップの構成例を示す模式図。（Ｅ）：電子部品の構成例を示す斜視模式図。
【図１５】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）：電子機器の構成例を示す図。
【図１６】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）：電子機器の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２９】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
【００３０】
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００３１】
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００３２】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００３３】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３４】
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
【００３５】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００３６】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３７】
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
【００３８】
トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、又は、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
【００３９】
一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、又は、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−２２Ａ以下である、と言う場合がある。
【００４０】
また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。
【００４１】
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、又は１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４２】
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、又は２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４３】
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
【００４４】
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
【００４５】
なお、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
【００４６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、２つの表示領域を有する表示装置において、表示領域を選択するパラメータを与えることで表示領域を切り替える機能を有する電子制御システムについて、図１乃至図３を用いて説明する。
【００４７】
図１に、電子機器１０のブロック図を示す。電子機器１０は制御部１００と、ディスプレイアダプタ１１０と、表示装置２００と、を有している。制御部１００は、ＣＰＵ１０１と、メモリ１０２と、無線通信モジュール１０３と、ＧＰＳモジュール１０４と、タッチパネルコントローラ１０５と、撮像モジュール１０６とを有している。
【００４８】
ディスプレイアダプタ１１０は、第１のディスプレイコントローラ１１１と、第２のディスプレイコントローラ１１２と、第１のドライバー１１１Ａと、第２のドライバー１１２Ａと、選択回路１１３と、を有している。
【００４９】
表示装置２００は、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２と、タッチパネル１２３とを有している。
【００５０】
ＣＰＵ１０１は、メモリ１０２と、無線通信モジュール１０３と、ＧＰＳモジュール１０４と、タッチパネルコントローラ１０５と、撮像モジュール１０６と電気的に接続されている。さらに、ＣＰＵ１０１は、ディスプレイアダプタ１１０とも電気的に接続されている。
【００５１】
ディスプレイアダプタ１１０は、選択回路１１３と、第１のディスプレイコントローラ１１１と、第２のディスプレイコントローラ１１２とが電気的に接続している。第１のディスプレイコントローラ１１１は、第１のドライバー１１１Ａを介して、表示装置２００の有する第１の表示領域１２１と電気的に接続されている。第２のディスプレイコントローラ１１２は、第２のドライバー１１２Ａを介して、表示装置２００の有する第２の表示領域１２２と電気的に接続されている。
【００５２】
表示装置２００の有しているタッチパネル１２３は、制御部１００の有するタッチパネルコントローラ１０５を介して、ＣＰＵ１０１と電気的に接続されている。
【００５３】
表示装置２００は二つの表示領域を有し、第１の表示領域１２１は発光素子により表示を行う複数の画素を有し、第２の表示領域１２２は液晶素子により表示を行う複数の画素を有している。第２の表示領域１２２の画素は、画素電極に反射率の高い金属膜を有し、画素電極で外光を反射させることで階調を制御して表示する。画素が有する液晶素子が反射光を用いて表示される構造を反射型液晶構造とする。
【００５４】
発光素子は、画素電極、対向電極、及びこれらに挟まれている有機化合物層を有する発光素子である。画素電極は、陽極又は陰極のいずれか一方であり、対向電極は、陽極又は陰極のいずれか他方である。有機化合物層は、発光層を含んでいる。
【００５５】
画素回路の詳細な説明は図６にて行うが、第２の表示領域１２２を表示する画素回路は、トランジスタ３０３、容量素子３０４、及び液晶素子３０１を有する。階調データは電圧で画素回路が有する容量素子３０４に書き込まれる。容量素子３０４には階調信号が電荷として保持されることで電圧を生成する。生成された電圧が液晶素子に与えられることで階調が制御されている。
【００５６】
しかしながら、容量素子３０４に保持された電荷は、トランジスタ３０３のオフ電流や、液晶素子の抵抗性によるリーク（以降、リークと記す）などにより、液晶素子に与える電圧が変動することで階調も変動する。表示が更新される間隔内で容量素子３０４の電圧が変動すると階調も変動し、フリッカと呼ばれるちらつきが発生する。
【００５７】
なお、リークを小さくする方法として、オフ電流が著しく小さいトランジスタを用いることができる。オフ電流が著しく小さいトランジスタとして、シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体でなるトランジスタを用いることができる。シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体としては化合物半導体があり、例えば、金属酸化物などがある。
【００５８】
例えば、半導体層に金属酸化物を有するトランジスタを用いることで、トランジスタ３０３のオフ電流を小さくすることができ、先述のアイドリングストップ駆動が可能になる。なお、酸化物半導体の一例については、実施の形態６にて詳細に説明する。
【００５９】
例えば、チャネルが形成される半導体層に結晶性シリコンを用いたトランジスタ（「結晶性Ｓｉトランジスタ」ともいう。）は、ＯＳトランジスタよりも比較的高い移動度を得やすい。一方で、結晶性Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタのように極めて少ないオフ電流の実現が困難である。よって、半導体層に用いる半導体材料は、目的や用途に応じて適宜使い分けることが肝要である。
【００６０】
容量素子３０４に保持される電荷のリークなどによる電圧の変動が小さければ、階調の変動量も小さいため、視認性の影響を小さく抑えられる。したがって、表示が更新される間隔が短い場合は、リークなどによる電圧の変動は小さく抑えられるので表示の品質は保たれる。しかし、消費電力を小さくするために表示の更新間隔を長くしたときは、リークによる電圧の変動量が大きくなり、フリッカなどが発生する。
【００６１】
フリッカの発生は、容量素子３０４に保持される電荷のリークに起因する電圧の変動を抑えることで改善することができる。トランジスタのオフ電流は、ＯＳトランジスタを用いることで低減することができる。しかしながら、液晶素子の抵抗性によるリークなど、その他のリークに対しては改善が必要になる。
【００６２】
制御部１００が有するＣＰＵ１０１は、ＧＰＳモジュール１０４から位置情報を受け取る機能を有し、また、無線通信モジュール１０３から表示情報を受け取る機能を有し、また、撮像モジュール１０６から取得した撮像情報として受け取る機能を有し、タッチパネルコントローラ１０５から表示部への接触情報をタッチ座標として受け取る機能を有している。
【００６３】
メモリ１０２は、表示を制御するプログラムを記憶している。プログラムはＣＰＵ１０１を介して、無線通信モジュール１０３、ＧＰＳモジュール１０４、タッチパネルコントローラ１０５、及び撮像モジュール１０６などから、情報を収集し、表示装置２００の第１の表示データを生成する機能を有している。よって、プログラムはＣＰＵ１０１を介してディスプレイアダプタ１１０に、第１の表示データを与える機能を有している。さらに、第１の表示領域１２１又は第２の表示領域１２２を選択して表示するフラグを付与する機能を有している。
【００６４】
ディスプレイアダプタ１１０は、第１の表示データに与えられたフラグの情報により選択回路１１３が切り替わり、第１のディスプレイコントローラ１１１又は第２のディスプレイコントローラ１１２が選択される機能を有している。フラグの情報によって選択された、第１のディスプレイコントローラ１１１又は第２のディスプレイコントローラ１１２は、ドライバーを制御して表示を更新することができる。フラグの情報は、第１の表示領域１２１を更新するステータスと、第２の表示領域１２２を更新するステータスと、第１の表示領域１２１及び第２の表示領域１２２を更新するステータスを有していてもよい。
【００６５】
図２（Ａ）は、図１の表示装置２００が有する第１の表示領域１２１及び第２の表示領域１２２に表示をした例を示す。第１の表示を２００Ａとし、第２の表示を２００Ｂとして示す。表示装置２００で示す例は、ＧＰＳモジュール１０４からは利用者の位置情報を取得し、無線通信モジュール１０３からは位置情報に応じた２次元、もしくは３次元の地図情報を取得し、地図情報を表示した中に、利用者の現在位置を表示するアプリケーションの一つである。さらに、アプリケーションは地図情報上に、乱数などにより発生させた仮想のオブジェクトをアイテムとして表示することができる。例に示したアプリケーションは、表示された地図上にランダムに発生するアイテムを、利用者がアイテムの位置まで実際に移動して集めるゲームとして説明を進める。
【００６６】
第１の表示２００Ａは、３つの表示範囲を有している。表示部の区切られた表示範囲のことを、表示部品として説明する。表示部品１４１は、無線通信のためのアンテナ強度、時刻、バッテリの残量等を表示している。
【００６７】
表示部品１４３は、利用者の名前、利用者のゲームレベル、さらに利用者が表示されたオブジェクトをアイテムとして獲得するための表示ボタン１６３、ゲームの設定や獲得アイテムに関する表示ボタン１６４が表示されている。
【００６８】
表示部品１４１及び表示部品１４３は、アプリケーションの実行中の変化は少ない。よって、表示の内容に変更があった場合に、表示を更新することが望ましい。したがって、表示部品１４１及び表示部品１４３は、第２の表示領域１２２が有する液晶素子によって表示することが望ましい。
【００６９】
さらに、本実施例で示したようなアプリケーションを実行する場合は、明るい外光を得られる環境であることが多い。そのため、第２の表示領域１２２の反射型表示素子は、外光を利用した表示が有効に機能する。よって、消費電力を小さくすることができ、明るい外光下においても十分な視認性を得ることができる。
【００７０】
表示部品１４２は、地図情報と、位置情報とから、第１の表示データを生成する。地図情報には、利用者の現在位置を示す記号１６２と、乱数により発生したオブジェクトが示すアイテム１６１とが、地図情報に追加され表示されている。利用者は、表示されている地図情報と、記号１６２を確認しながら実際に移動し、表示されているアイテム１６１の位置へ移動をすることでアイテム１６１をゲームの中のアイテムとして集めることができる。
【００７１】
アイテム１６１の位置と、ＧＰＳモジュール１０４の位置が示す利用者の現在位置が表示上重なった場合、表示ボタン１６３をタッチすることで、アイテム１６１を、アプリケーションのデータベースにアイテムデータとしてメモリに保持することができる。
【００７２】
さらにゲーム性を向上させるために、表示されたオブジェクトの位置と、ＧＰＳモジュール１０４の位置が重なった場合に、撮像モジュール１０６を起動して撮像をすることで、表示部品１４２に撮像データを表示することができる機能を有している。アイテム１６１を取得するために、対象をクリックするか、フリックの長さで取得するように設定することができる。アイテム１６１の種類に応じて、設定を変えてもよい。利用者の動作は、タッチパネル１２３にて検出し、タッチパネルコントローラ１０５を介してＣＰＵで処理される。
【００７３】
撮像データにオブジェクトを追加する処理をＣＰＵ１０１が行うことで、地図上でアイテム１６１を取得するゲームから、あたかも、道路や木の茂などにアイテム１６１が存在しているように合成した第１の表示データを作成することができる。撮像データに合成されるオブジェクトは、アイテム１６１とは異なる表示内容であってもよい。
【００７４】
表示部品１４２は、表示の更新が利用者の実際の移動や行動に対して高い応答性が求められる。そのため第１の表示領域１２１が有するＥＬ素子によって表示するのが望ましい。
【００７５】
第２の表示２００Ｂは、表示部品１４２をさらに３つの表示範囲に分けて表示している。表示部品１５１は、表示部品１４２を縮小して表示することができる。表示スケールについては、アプリケーションによって決めてもよいし、利用者が決めてもよい。またタッチパネルを用いて、ピンチインもしくはピンチアウトによって、縮小、拡大の表示スケールを決めてもよい。また、表示部品１４２は、表示部品１５１と同じ機能を有してもよい。
【００７６】
表示部品１５２は、獲得したアイテムを表示した例である。一例として、表示部品１５２は、獲得したアイテムの数だけ表示領域１７２がアレイ状に表示されている。最大６つのアイテムを表示した例である。
【００７７】
しかし、ゲーム性を向上させるために、獲得アイテムに上限を設けることは好ましくない。しかし、表示部品１５２の領域が、取得済のアイテムを表示するための十分な領域を確保が難しい場合がある。したがって、アイテムの表示スケールを小さくするか、もしくは、表示部品１５２の領域でフリック動作することで表示の内容をスクロールし、順次更新させてもよい。フリック動作は、タッチパネル１２３によって検出されタッチパネルコントローラ１０５を介して、ＣＰＵ１０１に情報が与えられ、タッチ動作とタッチの種類を検出することができる。
【００７８】
表示部品１５３は、設定項目の表示領域１７１が複数の項目にとして表示されている。したがって、表示部品１５２及び表示部品１５３は、表示の更新に高い応答性は求められない。よって、表示部品１４１及び表示部品１４３と同じように、第２の表示領域１２２が有する液晶素子によって表示することが望ましい。
【００７９】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）で示した表示を、プログラムで管理する方法について説明する。プログラムでは、表示部の画面設計を行うときに、表示領域を様々なパラメータで管理する機能を有している。図２（Ｂ）は、一例として管理したい表示領域を表示部品として設定する方法を示す。
【００８０】
表示部品を設定するには、表示部品の起点になる位置情報と、表示部品の表示範囲を示す範囲情報とを、ＣＰＵ１０１を介してディスプレイアダプタ１１０に与えることができる。図２（Ｂ）に示したプログラムの例では、表示部品の起点になる位置情報をＬｏｃａｔｉｏｎとして与えることができる。Ｌｏｃａｔｉｏｎには、表示部の第１のパラメータｘ座標と、第２のパラメータｙ座標と、座標を表す２つのパラメータを与えることで管理することができる。
【００８１】
さらに、表示部品の範囲情報をＳｉｚｅとして与えることができる。Ｓｉｚｅには、Ｌｏｃａｔｉｏｎで与えられた座標（ｘ、ｙ）を起点としてｘ方向の幅の大きさと、ｙ方向の幅の大きさとを与えることができる。ＬｏｃａｔｉｏｎとＳｉｚｅのパラメータによって、表示部品の位置情報と、範囲情報を指定することができる。
【００８２】
図２（Ａ）の第１の表示２００Ａと、第２の表示２００Ｂの表示部品を、図２（Ｃ）のプログラムで管理することができる。表示部の第１の表示領域１２１、もしくは第２の表示領域１２１のいずれかで表示する電子機器であれば、ＣＰＵ１０１を介してディスプレイアダプタ１１０にＬｏｃａｔｉｏｎとＳｉｚｅのパラメータを与えることで、指定された表示部品を選択的に更新することができる。図２（Ｃ）の座標（ｘ、ｙ）は、例としてＦｕｌｌ−ＨＤ（１９２０×１０８０）の左上を原点に、ｘ軸、ｙ軸を構成した場合の座標とサイズである。したがって、ｘ、ｙは、Ｓｉｚｅで指定された最大範囲に従い、正の数で設定される座標と、Ｓｉｚｅで表すことができる。
【００８３】
本実施の形態では、表示の視認性と、消費電力の低減とを最適化した表示部は、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２とを有している。そのため第１の表示２００Ａから第２の表示２００Ｂに表示を移行するときに、第２の表示部品１４２は、表示部品１５１、表示部品１５２、及び表示部品１５３に分割され、さらに第１の表示領域１２１から、第２の表示領域１２２に表示を移行することができる。
【００８４】
プログラムは、第１の表示領域１２１から、第２の表示領域１２２に表示領域を移行するために、Ｌｏｃａｔｉｏｎの位置情報に、第３のパラメータを付与することができる。第３のパラメータは複数のステータスを有することができる。
【００８５】
図２（Ｂ）に、ステータスの一例を示す。第１のステータスは、第１の表示領域１２１を選択し、ディスプレイアダプタ１１０が有する選択回路１１３が、第１の表示領域１２１の表示を更新させる機能を有している。第２のステータスは選択回路１１３が第２の表示領域１２２の表示を更新させる機能を有している。第３のステータスは、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２と、両方の表示を更新させる機能を有している。
【００８６】
したがって、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２の表示領域を選択する第３のパラメータを付与することで、プログラムは、表示部を選択的に更新することができ、利用者の周辺環境、バッテリの残量などに応じて表示を変更することができる。
【００８７】
プログラムは、表示領域を指定する第３のパラメータを有しており、プログラム開発時のソースコードでは、表示部品ごとに第３のパラメータを付与することができる。ソースコードは、コンパイラによって、ＣＰＵ１０１が解釈できる機械語のプログラム（アセンブラ言語）に変換され、プログラムはメモリ１０２に記憶され、ＣＰＵ１０１を介して第３のパラメータを含む第１の表示データを、ディスプレイアダプタ１１０に与えることができる。ディスプレイアダプタ１１０は、第３のパラメータによって選択回路を切り替えて、表示領域を更新することができる。
【００８８】
Ｌｏｃａｔｉｏｎの位置情報に、第３のパラメータを付与する例を示したが、第３のパラメータが付与されるのは、Ｌｏｃａｔｉｏｎの位置情報に限定されない。Ｓｉｚｅの範囲情報に付与されてもよいし、その他のパラメータでもよい。もしくは独立したパラメータでもよい。
【００８９】
図３（Ａ）は、図２の（Ａ）の第１の表示２００Ａと、第２の表示２００Ｂの表示が切り替わることを状態遷移図で示した。表示部品１４３の表示領域に設けた表示ボタン１６４と、ボタン表示１７３をタッチもしくは、フリックすることで、表示が交互に切り替わることができる。
【００９０】
図３（Ｂ）は図３（Ａ）の詳細なフローチャートを示す。表示部品１４１、１４３、１５２、及び１５３は、第２の表示領域１２２によって表示され、表示部品１４２及び１５１は第１の表示領域１２１によって表示される。
【００９１】
ステップＦ０１は、図３（Ａ）におけるクリック又はフリックを表示ボタン１６４もしくは、１７３の範囲でタッチパネル１２３が検出したことを示す。よって、第１の表示２００Ａを表示していたときは、第２の表示２００Ｂに移行し、第２の表示２００Ｂを表示していたときは、第１の表示２００Ａに移行することができる。
【００９２】
ステップＦ０２は、第２の表示領域１２２に表示する、無線通信モジュール１０３、ＧＰＳモジュール１０４、タッチパネルコントローラ１０５、撮像モジュール１０６等から、ＣＰＵ１０１はレジスタを読むことができる。
【００９３】
ステップＦ０３は、プログラムによって、無線通信のためのアンテナ強度、現時刻、バッテリの残量等のパラメータが、ステップＦ０２で読み込んだ各レジスタの値と比較して更新されていないか、検出をすることができる。
【００９４】
ステップＦ０４は、パラメータの変化を検出した場合に、第２の表示領域１２２の表示を新しい情報に更新することができる。
【００９５】
ステップＦ０５は、無線通信モジュール１０３、ＧＰＳモジュール１０４などから、表示部品１４２又は表示部品１５１に表示するためのデータを取得することができる。
【００９６】
ステップＦ０６は、無線通信モジュール１０３、ＧＰＳモジュール１０４から取得したデータから、地図情報に利用者の位置情報、オブジェクト情報などを加えて第１の表示データを作成することができる。
【００９７】
ステップＦ０７は、地図情報に、利用者の位置情報、オブジェクト情報などを加えて第１の表示データを第１の表示領域１２１に表示することができる。
【００９８】
ステップＦ０８は、Ｆ０２からＦ０７の処理の期間に、クリック又はフリックを表示ボタン１６４又は１７３の範囲でタッチパネル１２３が検出したかを判断することができる。クリック又はフリックを検出しているならば、ステップＦ０１に戻り、第１の表示２００Ａと第２の表示２００Ｂを切り替えることができる。ただしタッチパネルの検出結果は、リアルタイムに割り込みを処理してもよい。その場合は、ステップＦ０８の判断をスキップしてもよい。
【００９９】
ステップＦ０９は、第２の表示領域１２２を更新する期間をタイマー監視している。タイマー監視の機能は、ＣＰＵ１０１が有しており、プログラムでは前回のステップＦ０９からＦ０２へ移行したときの時間ｔ１を保持することができる。プログラムがステップＦ０９を実行したときの時間ｔ０と差分を検出し、ｔ０−ｔ１＞ｂであるならば、ｔ１にｔ０を代入し、ステップＦ０２に戻り、処理を繰り返す。ｔ０−ｔ１＜ｂであるならば、ステップＦ１０に移行する。
【０１００】
タイマー監視の期間は、１６ｍｓより大きく、１秒よりも小さい期間に設定するのが望ましい。ただし、表示の更新間隔は長ければ、表示の更新に消費する電力を小さくできるので１秒より大きくしてもよい。タイマー監視の期間は、利用者が設定することができる。
【０１０１】
ステップＦ１０は、第１の表示領域１２１を更新する期間をタイマー監視している。プログラムでは前回のステップＦ１０からＦ０５へ移行したときの時間ｔ２を保持することができる。プログラムがステップＦ１０を実行したときの時間ｔ０と差分を検出し、ｔ０−ｔ２＞ａであるならば、ｔ２にｔ０を代入し、ステップＦ０５に戻り、処理を繰り返す。ｔ０−ｔ２＜ａであるならば、ｔ０−ｔ２＞ａになるまで、処理を待機することができる。もしくは待機せずに、ステップＦ０１に戻ってもよい。
【０１０２】
ステップＦ１０の、タイマー監視期間は、第１の表示領域１２１の表示内容の応答性によって変えてもよい。そしてステップＦ０５に戻り、処理を繰り返す。利用者が、速い動きをする場合は、監視期間を短く設定し、遅い動きの場合は、監視期間を長くしてもよい。利用者によって複数の検出期間を設定できるようにしてもよい。利用者の動きに応じて、消費する電力を小さくすることができるので望ましい。利用者の移動速度は、ＧＰＳモジュール１０４によって検出することができる。
【０１０３】
プログラムから、第３のパラメータを付与することで、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２を、利用者の環境に応じて視認性を上げることができる。また、利用者の動作に応じて表示領域の更新期間を変えることで、利用者の位置が正しく第１の表示データに反映させることができる。また、表示部品の表示範囲を選択的、かつ更新周期を最適化することで、消費する電力を小さくすることができる。
【０１０４】
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子としてＥＬ材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、表示装置の構成例について説明する。
【０１０６】
図４（Ａ）に、本発明の一態様に係る表示装置２００の断面の構造を一例として示す。図４（Ａ）に示す表示装置２００は、発光素子２０３と、液晶素子２０４と、発光素子２０３への電流の供給を制御する機能を有するトランジスタ２０５と、液晶素子２０４への電圧の供給を制御する機能を有するトランジスタ２０６とを有する。そして、発光素子２０３と、液晶素子２０４と、トランジスタ２０５と、トランジスタ２０６とは、基板２０１と基板２０２の間に位置する。
【０１０７】
また、表示装置２００において液晶素子２０４は、画素電極２０７と、共通電極２０８と、液晶層２０９とを有する。画素電極２０７は、トランジスタ２０６に電気的に接続されている。そして、画素電極２０７と共通電極２０８の間に印加される電圧にしたがって液晶層２０９の配向が制御される。なお、図４（Ａ）では、画素電極２０７が可視光を反射する機能を有し、共通電極２０８が可視光を透過する機能を有する場合を例示しており、基板２０２側から入射した光が白抜きの矢印で示すように画素電極２０７において反射し、再び基板２０２側から放射される。
【０１０８】
また、発光素子２０３は、トランジスタ２０５に電気的に接続されている。発光素子２０３から発せられる光は、基板２０２側に放射される。なお、図４（Ａ）では、画素電極２０７が可視光を反射する機能を有し、共通電極２０８が可視光を透過する機能を有する場合を例示しているため、発光素子２０３から発せられる光は、白抜きの矢印で示すように画素電極２０７と重ならない領域を通過し、共通電極２０８が位置する領域を通過して、基板２０２側から放射される。
【０１０９】
そして、図４（Ａ）に示す表示装置２００では、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが同一の層２１０に位置しており、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが含まれる層２１０は、液晶素子２０４と発光素子２０３の間の領域を有する。なお、少なくとも、トランジスタ２０５が有する半導体層と、トランジスタ２０６が有する半導体層とが同一の絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが同一の層２１０に含まれていると言える。
【０１１０】
上記構成により、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とを共通の作製工程で作製することができる。
【０１１１】
次いで、図４（Ｂ）に、本発明の一態様に係る表示装置２００の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図４（Ｂ）に示す表示装置２００は、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが異なる層に含まれている点において、図４（Ａ）に示す表示装置２００と構成が異なる。
【０１１２】
具体的に、図４（Ｂ）に示す表示装置２００では、トランジスタ２０５が含まれる層２１０ａと、トランジスタ２０６が含まれる層２１０ｂとを有し、層２１０ａと層２１０ｂとは、液晶素子２０４と発光素子２０３の間の領域を有する。そして、図４（Ｂ）に示す表示装置２００では、層２１０ａが層２１０ｂよりも発光素子２０３側に近い。なお、少なくとも、トランジスタ２０５が有する半導体層と、トランジスタ２０６が有する半導体層とが異なる絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが異なる層に含まれていると言える。
【０１１３】
上記構成により、トランジスタ２０５と、トランジスタ２０５に電気的に接続される各種配線とを、トランジスタ２０６と、トランジスタ２０６に電気的に接続される各種配線とを、部分的に重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示装置２００の高精細化を実現することができる。
【０１１４】
次いで、図５（Ａ）に、本発明の一態様に係る表示装置２００の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図５（Ａ）に示す表示装置２００は、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが異なる層含まれている点において、図４（Ａ）に示す表示装置２００と構成が異なる。そして、図５（Ａ）に示す表示装置２００は、トランジスタ２０５が含まれる層２１０ａが、発光素子２０３よりも基板２０１側に近い点において、図４（Ｂ）に示す表示装置２００と構成が異なる。
【０１１５】
具体的に、図５（Ａ）に示す表示装置２００では、トランジスタ２０５が含まれる層２１０ａと、トランジスタ２０６が含まれる層２１０ｂとを有する。そして、層２１０ａは、発光素子２０３と基板２０１との間の領域を有する。また、層２１０ｂは、液晶素子２０４と発光素子２０３の間の領域を有する。
【０１１６】
上記構成により、トランジスタ２０５と、トランジスタ２０５に電気的に接続される各種配線とを、トランジスタ２０６と、トランジスタ２０６に電気的に接続される各種配線とを、図４（Ｂ）の場合よりもより多く重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示装置２００の高精細化を実現することができる。
【０１１７】
次いで、図５（Ｂ）に、本発明の一態様に係る表示装置２００の別の構成について、断面の構造を一例として示す。図５（Ｂ）に示す表示装置２００は、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが同一の層に含まれている点では、図４（Ａ）に示す表示装置２００と構成は同じである。ただし、図５（Ｂ）に示す表示装置２００は、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが含まれている層が、発光素子２０３よりも基板２０１側に近い点において、図４（Ａ）に示す表示装置２００と構成が異なる。
【０１１８】
具体的に、図５（Ｂ）に示す表示装置２００では、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とが含まれる層２１０を有する。そして、層２１０は、発光素子２０３と基板２０１との間の領域を有する。また、液晶素子２０４は、発光素子２０３よりも基板２０２側に近い。
【０１１９】
上記構成により、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とを共通の作製工程で作製することができる。また、液晶素子２０４とトランジスタ２０６の電気的な接続を行う配線と、発光素子２０３とトランジスタ２０５の電気的な接続を行う配線とが、層２１０に対して同一の側に設ければよい。具体的には、上記配線を、液晶素子２０４とトランジスタ２０６の電気的な接続を行う配線を、トランジスタ２０６の半導体層上に形成でき、なおかつ、発光素子２０３とトランジスタ２０５の電気的な接続を行う配線を、トランジスタ２０５の半導体層上に形成することができる。よって、図４（Ａ）に示す表示装置２００の場合に比べて作成工程を簡素化することができる。
【０１２０】
なお、図４及び図５では、２つの液晶素子２０４に対して１つの発光素子２０３が対応している断面構造を例示しているが、本発明の一態様に係る表示装置は、１つの液晶素子２０４に対して１つの発光素子２０３が対応している断面構造を有していても良いし、１つの液晶素子２０４に対して複数の発光素子２０３が対応している断面構造を有していても良い。
【０１２１】
また、図４及び図５では、液晶素子２０４が有する画素電極２０７が、可視光を反射する機能を有する場合を例示しているが、画素電極２０７は可視光を透過する機能を有していても良い。この場合、バックライトやフロントライトなどの光源を表示装置２００に設けても良いし、液晶素子２０４を用いて画像を表示する際に発光素子２０３を光源として用いても良い。
【０１２２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置が有する、画素の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子としてＥＬ材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、本発明の一態様に係る画素３００の構成例について説明する。
【０１２４】
図６（Ａ）に示す画素３００は、画素３５０と画素３５１とを有する。そして、画素３５０は液晶素子３０１を有し、画素３５１は発光素子３０２を有する。
【０１２５】
具体的に、画素３５０は、液晶素子３０１と、液晶素子３０１に印加する電圧を制御する機能を有するトランジスタ３０３と、容量素子３０４とを有する。そして、トランジスタ３０３は、ゲートが配線ＧＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＳＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が液晶素子３０１の画素電極に電気的に接続されている。また、液晶素子３０１の共通電極は、所定の電位が供給される配線又は電極に電気的に接続されている。また、容量素子３０４は、一方の電極が、液晶素子３０１の画素電極に電気的に接続され、他方の電極が、所定の電位が供給される配線又は電極に電気的に接続されている。
【０１２６】
また、具体的に、画素３５１は、発光素子３０２と、発光素子３０２に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ３０５と、トランジスタ３０５のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ３０６と、容量素子３０７とを有する。そして、トランジスタ３０６は、ゲートが配線ＧＥに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＤＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ３０５のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ３０５は、ソース又はドレインの一方が配線ＡＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子３０２に電気的に接続されている。容量素子３０７は、一方の電極が配線ＡＬに電気的に接続され、他方の電極がトランジスタ３０５のゲートに電気的に接続されている。
【０１２７】
図６（Ａ）に示す画素３００では、液晶素子３０１に対応した画像信号を配線ＳＬに供給し、発光素子３０２に対応した画像信号を配線ＤＬに供給することで、液晶素子３０１によって表示される階調と、発光素子３０２によって表示される階調とを個別に制御することができる。
【０１２８】
なお、図６（Ａ）では、液晶素子３０１を有する画素３５０と、発光素子３０２を有する画素３５１とを一つずつ有する画素３００の構成例を示したが、画素３００が複数の画素３５０を有していても良いし、或いは画素３００が複数の画素３５１を有していても良い。
【０１２９】
図６（Ｂ）に、画素３００が一の画素３５１と、４つの画素３５１を有している場合の、画素３００の構成例を示す。
【０１３０】
具体的に図６（Ｂ）に示す画素３００は、液晶素子３０１を有する画素３５１と、発光素子３０２をそれぞれ有する画素３５１ａ乃至画素３５１ｄとを有する。
【０１３１】
図６（Ｂ）に示す画素３５０の構成については、図６（Ａ）に示す画素３５０の構成を参照することができる。
【０１３２】
また、図６（Ｂ）に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄは、図６（Ａ）に示す画素３５１と同様に、発光素子３０２と、発光素子３０２に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ３０５と、トランジスタ３０５のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ３０６と、容量素子３０７とをそれぞれ有する。そして、画素３５１ａ乃至画素３５１ｄがそれぞれ有する発光素子３０２から発せられる光が、異なる領域の波長を有することで、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
【０１３３】
また、図６（Ｂ）に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０６のゲートと、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０６のゲートとが、配線ＧＥｂに電気的に接続されている。また、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０６のゲートと、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０６のゲートとが、配線ＧＥａに電気的に接続されている。
【０１３４】
また、図６（Ｂ）に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方と、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方とが、配線ＤＬａに電気的に接続されている。また、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方と、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方とが、配線ＤＬｂに電気的に接続されている。
【０１３５】
また、図６（Ｂ）に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、全てのトランジスタ３０５のソース又はドレインの一方が、配線ＡＬに電気的に接続されている。
【０１３６】
上述したように、図６（Ｂ）に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｂでは、画素３５１ａと画素３５１ｃが配線ＧＥｂを共有し、画素３５１ｂと画素３５１ｄが配線ＧＥａを共有しているが、画素３５１ａ乃至画素３５１ｂの全てが一の配線ＧＥを共有していても良い。この場合、画素３５１ａ乃至画素３５１ｂは、互いに異なる４つの配線ＤＬに電気的に接続されるようにすることが望ましい。
【０１３７】
次いで、図７（Ａ）に、図６（Ａ）とは異なる画素３００の構成例を示す。図７（Ａ）に示す画素３００は、画素３５１が有するトランジスタ３０５がバックゲートを有する点において、図６（Ａ）に示す画素３００と構成が異なる。
【０１３８】
具体的に、図７（Ａ）に示す画素３００では、トランジスタ３０５のバックゲートがゲート（フロントゲート）に電気的に接続されている。図７（Ａ）に示す画素３００は、上記構成を有することにより、トランジスタ３０５の閾値電圧がシフトするのを抑えることができ、トランジスタ３０５の信頼性を高めることができる。また、図７（Ａ）に示す画素３００は、上記構成を有することにより、トランジスタ３０５のサイズを小さく抑えつつ、トランジスタ３０５のオン電流を高めることができる。
【０１３９】
なお、本発明の一態様に係る表示装置では、画素３００が、図７（Ａ）に示す画素３５０を複数有していても良いし、或いは図７（Ａ）に示す画素３５１を複数有していても良い。具体的には、図６（Ｂ）に示した画素３００と同様に、図７（Ａ）に示す１つの画素３５０と、４つの画素３５１とを有していても良い。その場合、各種配線と４つの画素３５１との接続関係は、図６（Ｂ）に示した画素３００を参照することができる。
【０１４０】
次いで、図７（Ｂ）に、図６（Ａ）とは異なる画素３００の構成例を示す。図７（Ｂ）に示す画素３００は、画素３５１が有するトランジスタ３０５がバックゲートを有する点において、図６（Ａ）に示す画素３００と構成が異なる。そして、図７（Ｂ）に示す画素３００では、トランジスタ３０５のバックゲートがゲートではなく発光素子３０２に電気的に接続されている点において、図７（Ａ）に示す画素３００と構成が異なる。
【０１４１】
図７（Ｂ）に示す画素３００は、上記構成を有することにより、トランジスタ３０５の閾値電圧がシフトするのを抑えることができ、トランジスタ３０５の信頼性を高めることができる。
【０１４２】
なお、本発明の一態様に係る表示装置では、画素３００が、図７（Ｂ）に示す画素３５０を複数有していても良いし、或いは図７（Ｂ）に示す画素３５１を複数有していても良い。具体的には、図６（Ｂ）に示した画素３００と同様に、図７（Ｂ）に示す１つの画素３５０と、４つの画素３５１とを有していても良い。その場合、各種配線と４つの画素３５１との接続関係は、図６（Ｂ）に示した画素３００を参照することができる。
【０１４３】
次いで、図８に、図６（Ａ）とは異なる画素３００の構成例を示す。図８に示す画素３００は、画素３５０と画素３５１とを有し、画素３５１の構成が図６（Ａ）とは異なる。
【０１４４】
具体的に、図８に示す画素３５１は、発光素子３０２と、発光素子３０２に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ３０５と、トランジスタ３０５のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ３０６と、発光素子３０２の画素電極に所定の電位を供給する機能を有するトランジスタ３０８と、容量素子３０７とを有する。また、トランジスタ３０５と、トランジスタ３０６と、トランジスタ３０８とは、それぞれバックゲートを有する。
【０１４５】
そして、トランジスタ３０６は、ゲート（フロントゲート）が配線ＭＬに電気的に接続され、バックゲートが配線ＧＥに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＤＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ３０５のゲート及びフロントゲートに電気的に接続されている。トランジスタ３０５は、ソース又はドレインの一方が配線ＡＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子３０２に電気的に接続されている。
トランジスタ３０８は、ゲート（フロントゲート）が配線ＭＬに電気的に接続され、バックゲートが配線ＧＥに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＭＬに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子３０２に電気的に接続されている。容量素子３０７は、一方の電極が配線ＡＬに電気的に接続され、他方の電極がトランジスタ３０５のゲートに電気的に接続されている。
【０１４６】
なお、図８では、液晶素子３０１を有する画素３５０と、発光素子３０２を有する画素３５１とを一つずつ有する画素３００の構成例を示したが、画素３００が複数の画素３５０を有していても良いし、或いは画素３００が複数の画素３５１を有していても良い。
【０１４７】
図９に、画素３００が一の画素３５１と、４つの画素３５１を有している場合の、画素３００の構成例を示す。
【０１４８】
具体的に図９に示す画素３００は、液晶素子３０１を有する画素３５１と、発光素子３０２をそれぞれ有する画素３５１ａ乃至画素３５１ｂとを有する。
【０１４９】
図９に示す画素３５０の構成については、図８に示す画素３５０の構成を参照することができる。
【０１５０】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄは、図８に示す画素３５１と同様に、発光素子３０２と、発光素子３０２に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ３０５と、トランジスタ３０５のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジスタ３０６と、発光素子３０２の画素電極に所定の電位を供給する機能を有するトランジスタ３０８と、容量素子３０７とをそれぞれ有する。そして、画素３５１ａ乃至画素３５１ｄがそれぞれ有する発光素子３０２から発せられる光が、異なる領域の波長を有することで、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
【０１５１】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０６のゲートと、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０６のゲートとが、配線ＭＬａに電気的に接続されている。また、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０６のゲートと、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０６のゲートとが、配線ＭＬｂに電気的に接続されている。
【０１５２】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０６のバックゲートと、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０６のバックゲートとが、配線ＧＥｂに電気的に接続されている。また、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０６のバックゲートと、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０６のバックゲートとが、配線ＧＥａに電気的に接続されている。
【０１５３】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方と、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方とが、配線ＤＬａに電気的に接続されている。また、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方と、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０６のソース又はドレインの一方とが、配線ＤＬｂに電気的に接続されている。
【０１５４】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０８のバックゲートと、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０８のバックゲートとが、配線ＧＥｂに電気的に接続されている。また、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０８のバックゲートと、画素３５１ｄの有するトランジスタ３０８のバックゲートとが、配線ＧＥａに電気的に接続されている。
【０１５５】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａの有するトランジスタ３０８のゲートとソース又はドレインの一方とが配線ＭＬａに電気的に接続され、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０８のゲートとソース又はドレインの一方とが、配線ＭＬａに電気的に接続されている。また、画素３５１ｃの有するトランジスタ３０８のゲートとソース又はドレインの一方とが配線ＭＬｂに電気的に接続され、画素３５１ｂの有するトランジスタ３０８のゲートとソース又はドレインの一方とが、配線ＭＬｂに電気的に接続されている。
【０１５６】
また、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、全てのトランジスタ３０５のソース又はドレインの一方が、配線ＡＬに電気的に接続されている。
【０１５７】
上述したように、図９に示す画素３５１ａ乃至画素３５１ｄでは、画素３５１ａと画素３５１ｃが配線ＧＥｂを共有し、画素３５１ｂと画素３５１ｄが配線ＧＥａを共有しているが、画素３５１ａ乃至画素３５１ｂの全てが一の配線ＧＥを共有していても良い。この場合、画素３５１ａ乃至画素３５１ｂは、互いに異なる４つの配線ＤＬに電気的に接続されるようにすることが望ましい。
【０１５８】
なお、画素３５０に、オフ電流が低いトランジスタを用いることで、表示画面を書き換える必要がない場合（すなわち静止画を表示する場合）、一時的に駆動回路を停止することができる。アイドリングストップ駆動によって、表示装置２００の消費電力を低減することができる。
【０１５９】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図５（Ａ）に示した表示装置２００を例に挙げて、反射型表示素子と発光型表示素子とを用いた表示装置２００の具体的な構成例について説明する。
【０１６１】
図１０に、表示装置２００の断面構造の一例を示す。
【０１６２】
図１０に示す表示装置２００は、基板２５０と基板２５１の間に、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２とが積層された構成を有する。具体的に図１０では、第１の表示領域１２１と、第２の表示領域１２２とが接着層２５２により接着されている。
【０１６３】
そして、図１０では、第１の表示領域１２１の画素が有する発光素子３０２、トランジスタ３０５、及び容量素子３０７と、第１の表示領域１２１の駆動回路が有するトランジスタ３０９とを図示している。また、図１０では、第２の表示領域１２２の画素が有する液晶素子３０１と、トランジスタ３０３と、容量素子３０４と、第２の表示領域１２２の駆動回路が有するトランジスタ３１０とを図示している。
【０１６４】
トランジスタ３０５は、バックゲートとしての機能を有する導電層３１１と、導電層３１１上の絶縁層３１２と、絶縁層３１２上において導電層３１１と重なる半導体層３１３と、半導体層３１３上の絶縁層３１６と、絶縁層３１６上に位置し、ゲートとしての機能を有する導電層３１７と、導電層３１７上に位置する絶縁層３１８のさらに上に位置し、半導体層３１３と電気的に接続されている導電層３１４及び導電層３１５と、を有する。
【０１６５】
また、導電層３１５は、導電層３１９と電気的に接続され、導電層３１９は導電層３２０に電気的に接続されている。導電層３１９は導電層３１７と同一の層に形成されており、導電層３２０は導電層３１１と同一の層に形成されている。
【０１６６】
また、導電層３１１及び導電層３２０と同一の層に、トランジスタ３０６（図示せず）のバックゲートとしての機能を有する導電層３２１が位置している。導電層３２１上には絶縁層３１２が位置し、絶縁層３１２上には導電層３２１と重なる領域を有する半導体層３２２が位置する。半導体層３２２にはトランジスタ３０６（図示せず）のチャネル形成領域が含まれる。半導体層３２２上には絶縁層３１８が位置し、絶縁層３１８上には導電層３２３が位置する。導電層３２３は半導体層３２２に電気的に接続されており、導電層３２３はトランジスタ３０６（図示せず）のソース電極又はドレインとしての機能を有する。
【０１６７】
トランジスタ３０９は、トランジスタ３０５と同様の構成を有するので、詳細な説明は割愛する。
【０１６８】
トランジスタ３０５、導電層３２３、トランジスタ３０９上には、絶縁層３２４が位置し、絶縁層３２４上には絶縁層３２５が位置する。絶縁層３２５上には導電層３２６及び導電層３２７が位置する。導電層３２６は導電層３１４と電気的に接続されており、導電層３２７は導電層３２７と電気的に接続されている。導電層３２６及び導電層３２７上には絶縁層３２８が位置し、絶縁層３２８上には導電層３２９が位置する。導電層３２９は導電層３２６に電気的に接続されており、発光素子３０２の画素電極としての機能を有する。
【０１６９】
導電層３２７と絶縁層３２８と導電層３２９とが重なる領域が、容量素子３０７として機能する。
【０１７０】
導電層３２９上には絶縁層３３０が位置し、絶縁層３３０上にはＥＬ層３３１が位置し、ＥＬ層３３１上には対向電極としての機能を有する導電層３３２が位置する。導電層３２９とＥＬ層３３１と導電層３３２とは、絶縁層３３０の開口部において電気的に接続されており、導電層３２９とＥＬ層３３１と導電層３３２とが電気的に接続された領域が発光素子３０２として機能する。発光素子３０２は、導電層３３２側から破線の矢印で示す方向に光を放射する、トップエミッション構造を有する。
【０１７１】
導電層３２９と導電層３３２とは、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。導電層３２９と導電層３３２の間に、発光素子３０２の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層３３１に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層３３１において再結合し、ＥＬ層３３１に含まれる発光物質が発光する。
【０１７２】
なお、半導体層３１３、３２２に酸化物半導体を用いる場合、表示装置の信頼性を高めるには、絶縁層３１８は酸素を含む絶縁材料を用いることが望ましく、絶縁層３２４には水又は水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが望ましい。
【０１７３】
絶縁層３２５又は絶縁層３３０として有機材料を用いる場合、絶縁層３２５又は絶縁層３３０が表示装置の端部に露出していると、絶縁層３２５又は絶縁層３３０を介して発光素子３０２等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子３０２が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図１０に示すように、絶縁層３２５及び絶縁層３３０が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。
【０１７４】
発光素子３０２は、接着層３３３を介して着色層３３４と重なる。スペーサ３３５は、接着層３３３を介して遮光層３３６と重なる。図１０では、導電層３３２と遮光層３３６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。
【０１７５】
着色層３３４は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。
【０１７６】
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。
【０１７７】
第２の表示領域１２２において、トランジスタ３０３は、バックゲートとしての機能を有する導電層３４０と、導電層３４０上の絶縁層３４１と、絶縁層３４１上において導電層３４０と重なる半導体層３４２と、半導体層３４２上の絶縁層３４３と、絶縁層３４３上に位置し、ゲートとしての機能を有する導電層３４４と、導電層３４４上に位置する絶縁層３４５のさらに上に位置し、半導体層３４２と電気的に接続されている導電層３４６及び導電層３４７と、を有する。
【０１７８】
また、導電層３４０と同一の層に導電層３４８が位置する。導電層３４８上には絶縁層３４１が位置し、絶縁層３４１上には導電層３４８と重なる領域に導電層３４７が位置する。導電層３４７と絶縁層３４１と導電層３４８とが重なる領域が、容量素子３０４として機能する。
【０１７９】
トランジスタ３１０は、トランジスタ３０３と同様の構成を有するので、詳細な説明は割愛する。
【０１８０】
トランジスタ３０３、容量素子３０４、トランジスタ３１０上には、絶縁層３６０が位置し、絶縁層３３０上には導電層３４９が位置する。導電層３４９は導電層３４７と電気的に接続されており、液晶素子３０１の画素電極としての機能を有する。導電層３４９上には配向膜３６４が位置する。
【０１８１】
基板２５１には、共通電極としての機能を有する導電層３６１が位置する。具体的に、図１０では、基板２５１上に接着層３６２を介して絶縁層３６３が接着されており、絶縁層３６３上に導電層３６１が位置する。そして、導電層３６１上には配向膜３６５が位置し、配向膜３６４と配向膜３６５の間には液晶層３６６が位置する。
【０１８２】
図１０では、導電層３４９が可視光を反射する機能を有し、導電層３６１が可視光を透過する機能を有することで、破線の矢印で示すように基板２５１側から入射した光を、導電層３４９において反射させ、基板２５１側から放射させることができる。
【０１８３】
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。
【０１８４】
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、又はこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。
【０１８５】
なお、図１０では、バックゲートを有するトップゲート方のトランジスタを用いた表示装置の構成について説明したが、本発明の一態様に係る表示装置はバックゲートを有さないトランジスタを用いていても良いし、バックゲート型のトランジスタを用いていても良い。
【０１８６】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１８７】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、酸化物半導体を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【０１８８】
特にシリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１８９】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０１９０】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０１９１】
半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０１９２】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０１９３】
なお、本実施の形態では、反射型表示素子として液晶素子を用いた表示装置の構成を例示したが、反射型表示素子として、液晶素子のほかに、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した表示素子などを用いることができる。
【０１９４】
また、発光型表示素子として、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。
【０１９５】
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０１９６】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０１９７】
なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０１９８】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０１９９】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０２００】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２０１】
（実施の形態５）
次いで、図１１（Ａ）に、本発明の一態様に係る表示装置２００の、外観の一例を示す。図１１（Ａ）に示す表示装置２００は、基板５００上に画素部５０１と、反射型表示素子を有する画素用の走査線駆動回路５０２と、発光型表示素子を有する画素用の走査線駆動回路５０３と、を有する。また、ＩＣ５０４は反射型表示素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線５０６を介して画素部５０１に電気的に接続されている。また、ＩＣ５０５は発光型表示素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線５０６を介して画素部５０１に電気的に接続されている。
【０２０２】
また、ＦＰＣ５０８はＩＣ５０４に電気的に接続されており、ＦＰＣ５０９はＩＣ５０５に電気的に接続されている。ＦＰＣ５１０は配線５１１を介して走査線駆動回路５０２に電気的に接続されている。また、ＦＰＣ５１０は配線５１２を介して走査線駆動回路５０３に電気的に接続されている。
【０２０３】
次いで、反射型表示素子として液晶素子を用い、発光型表示素子として発光素子を用いる場合を例に挙げて、画素部５０１が有する画素５１３における、液晶素子の表示領域のレイアウトと、発光素子の表示領域のレイアウトとを、図１１（Ｂ）に示す。
【０２０４】
具体的に図１１（Ｂ）では、画素５１３が、液晶素子の表示領域５１４と、黄色に対応する発光素子の表示領域５１５と、緑色に対応する発光素子の表示領域５１６と、赤色に対応する発光素子の表示領域５１７と、青色に対応する発光素子の表示領域５１８とを有する。
【０２０５】
なお、緑色、青色、赤色、黄色にそれぞれ対応する発光素子を用いて色再現性の良い黒を表示する際、発光素子の面積あたりに流れる電流量は、黄色に対応する発光素子が最も小さいことが求められる。図１１（Ｂ）では、緑色に対応する発光素子の表示領域５１６と、赤色に対応する発光素子の表示領域５１７と、青色に対応する発光素子の表示領域５１８とが、ほぼ同等の面積を有し、それらに対して黄色に対応する発光素子の表示領域５１５の面積はやや小さいため、色再現性の良い黒を表示することが可能である。
【０２０６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２０７】
（実施の形態６）
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ又は単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【０２０８】
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【０２０９】
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、又は材料の構成の一例を表す。
【０２１０】
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２１１】
また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２１２】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、又は金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２１３】
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ−ＯＳの構成について説明する。
【０２１４】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。
【０２１５】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。
【０２１６】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、又はインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、又はガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、又はＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２１７】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２１８】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、又はＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２１９】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、又はＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２２０】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２２１】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０２２２】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２２３】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２２４】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０２２５】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０２２６】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０２２７】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０２２８】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２２９】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２３０】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２３１】
したがって、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、又はＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０２３２】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとする様々な半導体装置に最適である。
【０２３３】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２３４】
（実施の形態７）
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図１２を用いて説明を行う。
【０２３５】
図１２に示す表示モジュール８００は、上部カバー８０１と下部カバー８０２との間に、ＦＰＣ８０３に接続されたタッチパネル８０４、ＦＰＣ８０５に接続された表示パネル８０６、フレーム８０９、プリント基板８１０、バッテリ８１１を有する。なお、バッテリ８１１、タッチパネル８０４などは、設けられない場合もある。
【０２３６】
上記実施の形態で説明した表示パネルは、図１２における表示パネル８０６に用いることができる。
【０２３７】
上部カバー８０１及び下部カバー８０２は、タッチパネル８０４及び表示パネル８０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２３８】
タッチパネル８０４は、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８０６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８０６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。又は、表示パネル８０６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。又は、表示パネル８０６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも可能である。この場合、タッチパネル８０４を省略することも可能である。
【０２３９】
上部カバー８０１は光路を有してもよい。プリント基板８１０に実装された光源もしくは光源モジュールから照射された光が、上部カバー８０１に設けられた光路を通り、上部カバーの１辺より照射され、光を照射する１辺とは異なる他の一辺の光路に入射される光の有無をプリント基板８１０に実装された光センサもしくは光センサモジュールによって判断することで、指やペンなどのタッチなどによる画面タッチの有無を検出することも可能である。この場合、表示パネル８０６又は表示パネル８０６の対向基板にタッチパネル機能を持たせなくてもよく、さらにタッチパネル８０４を省略することも可能である。
【０２４０】
図１３（Ａ）は、タッチパネル８０４の一例として相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示す模式図である。なお図１３（Ａ）では、一例として、パルス電圧が与えられる配線ＣＬｘをＸ１−Ｘ６の６本の配線、電流の変化を検知する配線ＣＬｙをＹ１−Ｙ６の６本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図１３（Ａ）は、配線ＣＬｘ及び配線ＣＬｙが重畳すること、又は、配線ＣＬｘ及び配線ＣＬｙが近接して配置されることで形成される容量素子８５４を図示している。
【０２４１】
配線ＣＬｘ及び配線ＣＬｙはＩＣ８５０に電気的に接続されている。ＩＣ８５０は、駆動回路８５１及び検出回路８５２を含む。
【０２４２】
駆動回路８５１は、一例としては、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量素子８５４を形成する配線ＣＬｘ及び配線ＣＬｙの間に電界が生じる。そしてパルス電圧によって容量素子８５４に電流が流れる。この電極間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量素子８５４の容量値が変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
【０２４３】
検出回路８５２は、容量素子８５４での容量値の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接又は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接又は接触により容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。
【０２４４】
図１３（Ａ）において、駆動回路８５１と検出回路８５２は同一のＩＣで形成されているが、それぞれの回路を異なるＩＣに形成してもよい。検出回路８５２は、ノイズの影響を受けて誤動作し易い。一方で、駆動回路８５１はノイズの発生源になり得る。駆動回路８５１と検出回路８５２を異なるＩＣで形成することで、検出回路８５２の誤動作を防ぐことができる。
【０２４５】
また、駆動回路８５１、検出回路８５２及び表示パネル８０６の駆動回路を１つのＩＣで形成してもよい。その場合、表示モジュール全体に占めるＩＣのコストを低減させることができる。
【０２４６】
図１３（Ａ）においてＩＣ８５０はタッチパネル８０４に配置されているが、ＩＣ８５０はＦＰＣ８０３に配置されてもよい。その場合の模式図を図１３（Ｂ）に示す。
【０２４７】
再び、図１２に戻る。
【０２４８】
フレーム８０９は、表示パネル８０６の保護機能の他、プリント基板８１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８０９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２４９】
プリント基板８１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。さらに、タッチ検出のための光源及び光センサを有してもよい。光源の波長域は、７８０ｎｍより大きい波長域が望ましく、１．６ｕｍより大きな波長域がより望ましい。光センサは、光源の波長域の光を検出する機能を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８１１による電源であってもよい。バッテリ８１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２５０】
また、表示モジュール８００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０２５１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ＩＣチップ、電子部品、電子機器等について説明する。
【０２５２】
＜電子部品の作製方法例＞
図１４（Ａ）は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、又はＩＣ用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
【０２５３】
トランジスタで構成される半導体装置は、組み立て工程（後工程）を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。後工程については、図１４（Ａ）に示す各工程を経ることで完成させることができる。具体的には、前工程で得られる素子基板が完成（ステップＳＴ７１）した後、基板の裏面を研削する。この段階で基板を薄膜化して、前工程での基板の反り等を低減し、部品の小型化を図る。次に、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う（ステップＳＴ７２）。
【０２５４】
図１４（Ｂ）は、ダイシング工程が行われる前の半導体ウエハ７１００の上面図である。図１４（Ｃ）は、図１４（Ｂ）の部分拡大図である。半導体ウエハ７１００には、複数の回路領域７１０２が設けられている。
回路領域７１０２には、本発明の形態に係る半導体装置（例えば、記憶装置、撮像装置、ＭＣＵ等）が設けられている。
【０２５５】
複数の回路領域７１０２は、それぞれが分離領域７１０４に囲まれている。分離領域７１０４と重なる位置に分離線（「ダイシングライン」ともいう。）７１０６が設定される。ダイシング工程７２では、分離線７１０６に沿って半導体ウエハ７１００切断することで、回路領域７１０２を含むチップ７１１０を半導体ウエハ７１００から切り出す。図１４（Ｄ）にチップ７１１０の拡大図を示す。
【０２５６】
分離領域７１０４に導電層や半導体層を設けてもよい。分離領域７１０４に導電層や半導体層を設けることで、ダイシング工程時に生じうるＥＳＤを緩和し、ダイシング工程に起因する歩留まりの低下を防ぐことができる。また、一般にダイシング工程は、基板の冷却、削りくずの除去、帯電防止などを目的として、炭酸ガスなどを溶解させて比抵抗を下げた純水を切削部に供給しながら行なう。分離領域７１０４に導電層や半導体層を設けることで、当該純水の使用量を削減することができる。よって、半導体装置の生産コストを低減することができる。また、半導体装置の生産性を高めることができる。
【０２５７】
ステップＳＴ７２を行った後、分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う（ステップＳＴ７３）。ダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着方法は製品に適した方法を選択すればよい。例えば、接着は樹脂やテープによって行えばよい。ダイボンディング工程は、インターポーザ上にチップを搭載し接合してもよい。ワイヤーボンディング工程で、リードフレームのリードとチップ上の電極とを金属の細線（ワイヤー）で電気的に接続する（ステップＳＴ７４）。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。ワイヤーボンディングは、ボールボンディングとウェッジボンディングの何れでもよい。
【０２５８】
ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程が施される（ステップＳＴ７５）。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。リードフレームのリードをメッキ処理する。そしてリードを切断及び成形加工する（ステップＳＴ７６）。めっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。パッケージの表面に印字処理（マーキング）を施す（ステップＳＴ７７）。検査工程（ステップＳＴ７８）を経て、電子部品が完成する（ステップＳＴ７９）。上掲した実施の形態の半導体装置を組み込むことで、低消費電力で、小型な電子部品を提供することができる。
【０２５９】
完成した電子部品の斜視模式図を図１４（Ｅ）に示す。図１４（Ｅ）では、電子部品の一例として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視模式図を示している。図１４（Ｅ）に示すように、電子部品７０００は、リード７００１及びチップ７１１０を有する。
【０２６０】
電子部品７０００は、例えばプリント基板７００２に実装される。このような電子部品７０００が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板７００２上で電気的に接続されることで電子機器に搭載することができる。完成した回路基板７００４は、電子機器等の内部に設けられる。電子部品７０００を搭載することで、電子機器の消費電力を削減することができる。又は、電子機器を小型化することが容易になる。
【０２６１】
電子部品７０００は、デジタル信号処理、ソフトウェア無線、アビオニクス（通信機器、航法システム、自動操縦装置、飛行管理システム等の航空に関する電子機器）、ＡＳＩＣのプロトタイピング、医療用画像処理、音声認識、暗号、バイオインフォマティクス（生物情報科学）、機械装置のエミュレータ、及び電波天文学における電波望遠鏡等、幅広い分野の電子機器の電子部品（ＩＣチップ）に適用することが可能である。このような電子機器としては、カメラ（ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等）、表示装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯型情報端末（スマートフォン、タブレット型情報端末など）、電子書籍端末、ウエアラブル型情報端末（時計型、ヘッドマウント型、ゴーグル型、眼鏡型、腕章型、ブレスレット型、ネックレス型等）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、家庭用電化製品などが挙げられる。
【０２６２】
図１５（Ａ）及び図１６（Ｅ）に、電子機器の構成例を示す。図１５（Ａ）等の電子機器の表示部には、タッチセンサを有するタッチパネル装置を用いることが好ましい。タッチパネル装置を用いることで、表示部を電子機器の入力部としても機能させることができる。
【０２６３】
図１５（Ａ）に示す情報端末２０１０は、筐体２０１１に組み込まれた表示部２０１２の他、操作ボタン２０１３、外部接続ポート２０１４、スピーカ２０１５、マイクロフォン２０１６を有する。ここでは、表示部２０１２の表示領域は、湾曲している。情報端末２０１０は、バッテリで駆動する携帯型情報端末であり、タブレット型情報端末、あるいはスマートフォンとして使用することができる。情報端末２０１０は、電話、電子メール、手帳、インターネット接続、音楽再生、撮像モジュールによる撮像等の機能を有する。指などで表示部２０１２に触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、文字を入力する、表示部２０１２の画面切り替え動作などの各種の操作は、指などで表示部２０１２に触れることで行われる。また、マイクロフォン２０１６から音声を入力することで、情報端末２０１０を操作することもできる。操作ボタン２０１３の操作により、電源のオン／オフ動作や、表示部２０１２の画面切り替え動作などの各種の操作を行うこともできる。表示部２０１２は、本明細書の表示装置２００を用いることができる。したがって、外光下において携帯型情報端末を使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
【０２６４】
図１５（Ｂ）に腕時計型の情報端末の一例を示す。情報端末２０３０は、筐体２０３１、表示部２０３２、リュウズ２０３３、ベルト２０３４、検知部２０３５を有する。リュウズ２０３３を回転することで情報端末２０３０を操作することができる。表示部２０３２を指で触れることで、情報端末２０３０を操作することができる。
【０２６５】
検知部２０３５は、例えば、使用環境の情報、生体情報を取得する機能を備える。マイクロフォン、撮像素子、加速度センサ、方位センサ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサ、照度センサ、測位センサ（例えば、ＧＰＳ（全地球測位システム））等を検知部２０３５に設けてもよい。
【０２６６】
情報端末２０１０及び情報端末２０３０に同じ規格の無線通信装置を組み込み、無線信号２０２０により双方向の通信を行うようにしてもよい。表示部２０３２は、本明細書の表示装置２００を用いることができる。時間表示をするとき、時針、分針、もしくは、時及び分を表すセグメントの表示は、反射型の液晶素子によって表示をする。また、秒針や、秒を表すセグメントの表示は、ＥＬ素子によって表示をすることで、消費電力を小さくすることができる。
【０２６７】
反射型液晶素子によって情報表示時に、ＥＬ素子を用いてスケジュールの通知、メールの着信、心拍などのバイタル情報の変動など、表示を重ね合わせて表示することができる。表示データはそれぞれ個別に管理できるので、画像処理部の演算量を減らすことで、消費電力を小さくすることができる。
【０２６８】
図１５（Ｃ）に、眼鏡型の情報端末の例を示す。情報端末２０４０は、装着部２０４１、筐体２０４２、ケーブル２０４５、バッテリ２０４６、表示部２０４７、撮像モジュール２０４８を有する。バッテリ２０４６は装着部２０４１に収納されている。表示部２０４７は筐体２０４２に設けられている。筐体２０４２は、プロセッサ、無線通信装置、記憶装置、各種の電子部品を内蔵する。ケーブル２０４５を介してバッテリ２０４６から筐体２０４２内の表示部２０４７及び電子部品に電力が供給される。
【０２６９】
表示部２０４７には無線もしくは、撮像モジュール２０４８から得られた撮像データに、無線からの情報を付与して作成された表示データが表示される。撮像データは、ＥＬ素子により表示をし、無線などから得られた情報は、反射型液晶素子により表示されるなど、利用者の状況に応じた表示をすることができる。
【０２７０】
筐体２０４２に撮像モジュールを設けてもよい。撮像モジュールによって、使用者の眼球やまぶたの動きを検知し知ることで、情報端末２０４０を操作することができる。
【０２７１】
装着部２０４１に、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ、生体センサ等の各種センサを設けてもよい。例えば、生体センサによって、使用者の生体情報を取得し、筐体２０４２内の記憶装置に記憶させる。例えば、無線信号２０２１によって、情報端末２０１０と情報端末２０４０間で双方向の通信可能にする。情報端末２０４０は、記憶している生体情報を情報端末２０１０に送信する。情報端末２０１０は、受信した生体情報から使用者の疲労度、活動量などを算出する。
【０２７２】
図１６（Ａ）に示すノート型パーソナルコンピュータ２０５０は、筐体２０５１、表示部２０５２、キーボード２０５３、ポインティングデバイス２０５４を有する。表示部２０５２のタッチ操作で、ノート型パーソナルコンピュータ２０５０を操作することができる。表示部２０５２は、本明細書の表示装置２００を用いることができる。したがって、外光下においてノート型パーソナルコンピュータを使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
【０２７３】
図１６（Ｂ）示すビデオカメラ２０７０は、筐体２０７１、表示部２０７２、筐体２０７３、操作キー２０７４、レンズ２０７５、接続部２０７６を有する。表示部２０７２は筐体２０７１に設けられ、操作キー２０７４及びレンズ２０７５は筐体２０７３に設けられている。筐体２０７１と筐体２０７３とは、接続部２０７６により接続されており、筐体２０７１と筐体２０７３間の角度は、接続部２０７６により変更が可能である。接続部２０７６における筐体２０７１と筐体２０７３間の角度にしたがって、表示部２０７２の映像を切り替える構成としてもよい。表示部２０７２のタッチ操作によって、録画の開始及び停止の操作、倍率ズーム調整、撮影範囲の変更などの各種の操作を実行できる。
【０２７４】
図１６（Ｃ）に示す携帯型遊技機２１１０は、筐体２１１１、表示部２１１２、スピーカ２１１３、ＬＥＤランプ２１１４、操作キーボタン２１１５、接続端子２１１６、カメラ２１１７、マイクロフォン２１１８、記録媒体読込部２１１９を有する。表示部２１１２は、本明細書の表示装置２００を用いることができる。したがって、外光下においてノート型ＰＣを使用する場合、視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
【０２７５】
図１６（Ｄ）に示す電気冷凍冷蔵庫２１５０は、筐体２１５１、冷蔵室用扉２１５２、及び冷凍室用扉２１５３等を有する。冷蔵室用扉２１５２に表示部２１５４を有したる例を示したが、冷凍室用扉２１５３に、表示部２１５４を有してもよい。筐体２１５１は、無線通信機能を有してもよい。表示部２１５４は、冷蔵庫の中身の管理情報や、無線通信機能を用いて、半径１０ｋｍ圏内、もしくは登録された店舗からの広告情報の表示、もしくは、動画や、ポスターなどの絵を表示させてもよい。したがって表示部２０５２は、本明細書の表示装置２００を用いることができる。したがって、広告や食材リストなどは、蛍光灯下において反射型液晶素子によって表示することで、消費電力を小さくすることができる。
【０２７６】
また室外に設置される、自動販売機は、室外に設置した冷蔵庫と同じと考えてよい。外光下において広告などの表示の視認性を向上させ、かつ消費電力を小さくすることができる。
【０２７７】
図１６（Ｅ）に示す自動車２１７０は、車体２１７１、車輪２１７２、ダッシュボード２１７３、及びライト２１７４等を有する。実施の形態２のプロセッサは、自動車２１７０内の各種のプロセッサに用いられる。
【０２７８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０２７９】
ＡＬ    配線
ＣＬｘ    配線
ＣＬｙ    配線
ＤＬ    配線
ＤＬａ    配線
ＤＬｂ    配線
ＧＥ    配線
ＧＥａ    配線
ＧＥｂ    配線
ＧＬ    配線
ＭＬ    配線
ＭＬａ    配線
ＭＬｂ    配線
ＳＬ    配線
１０    電子機器
７２    ダイシング工程
１００    制御部
１０１    ＣＰＵ
１０２    メモリ
１０３    無線通信モジュール
１０４    ＧＰＳモジュール
１０５    タッチパネルコントローラ
１０６    撮像モジュール
１１０    ディスプレイアダプタ
１１１    ディスプレイコントローラ
１１１Ａ    ドライバー
１１２    ディスプレイコントローラ
１１２Ａ    ドライバー
１１３    選択回路
１２１    表示領域
１２２    表示領域
１２３    タッチパネル
１４１    表示部品
１４２    表示部品
１４３    表示部品
１５１    表示部品
１５２    表示部品
１５３    表示部品
１６１    アイテム
１６２    記号
１６３    表示ボタン
１６４    表示ボタン
１７１    表示領域
１７２    表示領域
１７３    ボタン表示
２００    表示装置
２００Ａ    表示
２００Ｂ    表示
２０１    基板
２０２    基板
２０３    発光素子
２０４    液晶素子
２０５    トランジスタ
２０６    トランジスタ
２０７    画素電極
２０８    共通電極
２０９    液晶層
２１０    層
２１０ａ    層
２１０ｂ    層
２３２    表示領域
２５０    基板
２５１    基板
２５２    接着層
３００    画素
３０１    液晶素子
３０２    発光素子
３０３    トランジスタ
３０４    容量素子
３０５    トランジスタ
３０６    トランジスタ
３０７    容量素子
３０８    トランジスタ
３０９    トランジスタ
３１０    トランジスタ
３１１    導電層
３１２    絶縁層
３１３    半導体層
３１４    導電層
３１５    導電層
３１６    絶縁層
３１７    導電層
３１８    絶縁層
３１９    導電層
３２０    導電層
３２１    導電層
３２２    半導体層
３２３    導電層
３２４    絶縁層
３２５    絶縁層
３２６    導電層
３２７    導電層
３２８    絶縁層
３２９    導電層
３３０    絶縁層
３３１    ＥＬ層
３３２    導電層
３３３    接着層
３３４    着色層
３３５    スペーサ
３３６    遮光層
３４０    導電層
３４１    絶縁層
３４２    半導体層
３４３    絶縁層
３４４    導電層
３４５    絶縁層
３４６    導電層
３４７    導電層
３４８    導電層
３４９    導電層
３５０    画素
３５１    画素
３５１ａ    画素
３５１ｂ    画素
３５１ｃ    画素
３５１ｄ    画素
３６０    絶縁層
３６１    導電層
３６２    接着層
３６３    絶縁層
３６４    配向膜
３６５    配向膜
３６６    液晶層
５００    基板
５０１    画素部
５０２    走査線駆動回路
５０３    走査線駆動回路
５０４    ＩＣ
５０５    ＩＣ
５０６    配線
５０８    ＦＰＣ
５０９    ＦＰＣ
５１０    ＦＰＣ
５１１    配線
５１２    配線
５１３    画素
５１４    表示領域
５１５    表示領域
５１６    表示領域
５１７    表示領域
５１８    表示領域
８００    表示モジュール
８０１    上部カバー
８０２    下部カバー
８０３    ＦＰＣ
８０４    タッチパネル
８０５    ＦＰＣ
８０６    表示パネル
８０９    フレーム
８１０    プリント基板
８１１    バッテリ
８５０    ＩＣ
８５１    駆動回路
８５２    検出回路
８５４    容量素子
２０１０    情報端末
２０１１    筐体
２０１２    表示部
２０１３    操作ボタン
２０１４    外部接続ポート
２０１５    スピーカ
２０１６    マイクロフォン
２０２０    無線信号
２０２１    無線信号
２０３０    情報端末
２０３１    筐体
２０３２    表示部
２０３３    リュウズ
２０３４    ベルト
２０３５    検知部
２０４０    情報端末
２０４１    装着部
２０４２    筐体
２０４５    ケーブル
２０４６    バッテリ
２０４７    表示部
２０４８    撮像モジュール
２０５０    ノート型パーソナルコンピュータ
２０５１    筐体
２０５２    表示部
２０５３    キーボード
２０５４    ポインティングデバイス
２０７０    ビデオカメラ
２０７１    筐体
２０７２    表示部
２０７３    筐体
２０７４    操作キー
２０７５    レンズ
２０７６    接続部
２１１０    携帯型遊技機
２１１１    筐体
２１１２    表示部
２１１３    スピーカ
２１１４    ＬＥＤランプ
２１１５    操作キーボタン
２１１６    接続端子
２１１７    カメラ
２１１８    マイクロフォン
２１１９    記録媒体読込部
２１５０    電気冷凍冷蔵庫
２１５１    筐体
２１５２    冷蔵室用扉
２１５３    冷凍室用扉
２１５４    表示部
２１７０    自動車
２１７１    車体
２１７２    車輪
２１７３    ダッシュボード
２１７４    ライト
７０００    電子部品
７００１    リード
７００２    プリント基板
７００４    回路基板
７１００    半導体ウエハ
７１０２    回路領域
７１０４    分離領域
７１０６    分離線
７１１０    チップ
【図１】
2018028586.tif 000003
【図２】
2018028586.tif 000004
【図３】
2018028586.tif 000005
【図４】
2018028586.tif 000006
【図５】
2018028586.tif 000007
【図６】
2018028586.tif 000008
【図７】
2018028586.tif 000009
【図８】
2018028586.tif 000010
【図９】
2018028586.tif 000011
【図１０】
2018028586.tif 000012
【図１１】
2018028586.tif 000013
【図１２】
2018028586.tif 000014
【図１３】
2018028586.tif 000015
【図１４】
2018028586.tif 000016
【図１５】
2018028586.tif 000017
【図１６】
2018028586.tif 000018