(57)【要約】【課題】研磨した後速やかにゲッタリング層形成に移行でき、設計通りのウエーハに加工できるウエーハの加工方法及び研磨装置を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、研磨パッドを使用してウエーハの裏面にゲッタリング層を形成する方法であり、チャックテーブルにウエーハの表面に貼着されたＢＧテープを保持するウエーハ保持工程ＳＴ１と、研磨パッドに研磨液を供給しつつ研磨パッドとチャックテーブルを回転させながらウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程ＳＴ４と、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給して残存研磨液を除去する研磨液除去工程ＳＴ５と、研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ研磨パッドとチャックテーブルを回転させながらウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程ＳＴ６とを含む。【選択図】図４
2018060872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハよりモース硬度が高い砥粒を有する研磨パッドを使用し、該ウエーハの表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着し、チャックテーブルの保持面に保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、
該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、
該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含むウエーハの加工方法。
【請求項２】
該ゲッタリング層形成工程は、該チャックテーブルを該研磨パッドに対して水平移動させながら行う請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
ウエーハを研磨する研磨装置であって、
ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨し、該研磨したウエーハにゲッタリング層を形成する研磨パッドを有する研磨手段と、
ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給源と、
ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液とは異なる砥粒を含まない液を供給する液供給源と、
少なくとも該研磨手段と該チャックテーブルとを制御して、研磨液を供給しつつウエーハを研磨し、次いで該砥粒を含まない液を供給しつつゲッタリング層を形成する制御手段と、
該チャックテーブルに隣接して設けられ、研磨液を除去するためのリンス液を該研磨パッドに向かって供給するノズルと、を備え、
該制御手段はさらにウエーハを研磨した後ゲッタリング層形成に移行する際、該ノズルから該研磨パッドに向かってリンス液を供給して該研磨パッドに残存する研磨液を除去するよう制御する、研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法及び研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス製造工程においては、略円板状であるシリコン基板等の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域を区画し、該領域の各々にＩＣ（Integrated  Circuit）、ＬＳＩ（Large-Scale  Integration）等のデバイスを形成する。このように複数のデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、ウエーハをストリートに沿って切断して個々の領域を分割するのに先立って、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。
【０００３】
上述したようなウエーハの裏面を研削すると、デバイスの裏面にマイクロクラックからなる１μｍ程度の研削歪層が生成される。また、研削歪層によりデバイスの抗折強度が低下するため、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後に、ウエーハの裏面に研磨加工、エッチング加工等を施し、ウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去し、デバイスの抗折強度の低下を防いでいる。
【０００４】
一方、裏面の歪層が除去されるとゲッタリング効果が低下してウエーハの内部に含有した銅等の金属イオンがデバイスが形成された表面側に移動することで電流リークが発生する虞が生じる。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面に研削歪層（ゲッタリング層）を形成することが行われる。
【０００５】
しかしながら、上記を実施するには研磨手段とゲッタリング層形成手段が必要となり、装置構成が複雑になるという問題がある。この問題点に対し、特許文献１では、研磨機能とゲッタリング層形成機能とをかね備えた研磨パッドを備える研磨装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−０４６５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
生産性向上の観点からは研磨した後すぐにゲッタリング層形成に移行したいが、研磨後の研磨パッドには、研磨液が含まれており、すぐさまゲッタリング層の形成が行われるわけではない。さらに、設計通りの値に研磨完了しても研磨液を含む研磨パッドがウエーハに接することにより、設計値を超えてウエーハが浸食される虞がある。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、研磨した後速やかにゲッタリング層形成に移行でき、設計通りのウエーハに加工できるウエーハの加工方法及び研磨装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハよりモース硬度が高い砥粒を有する研磨パッドを使用し、該ウエーハの表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、チャックテーブルの保持面に保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、該研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
前記ゲッタリング層形成工程は、該チャックテーブルを該研磨パッドに対して水平移動させながら行っても良い。
【００１１】
本発明の研磨装置は、ウエーハを研磨する研磨装置であって、ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨し、該研磨したウエーハにゲッタリング層を形成する研磨パッドを有する研磨手段と、ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給源と、ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液とは異なる砥粒を含まない液を供給する液供給源と、少なくとも該研磨手段と該チャックテーブルとを制御して、研磨液を供給しつつウエーハを研磨し、次いで該砥粒を含まない液を供給しつつゲッタリング層を形成する制御手段と、該チャックテーブルに隣接して設けられ、研磨液を除去するためのリンス液を該研磨パッドに向かって供給するノズルと、を備え、該制御手段はさらにウエーハを研磨した後ゲッタリング層形成に移行する際、該ノズルから該研磨パッドに向かってリンス液を供給して該研磨パッドに残存する研磨液を除去するよう制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、研磨からゲッタリング層形成へ移行する時間を短縮することで生産性を向上させるとともに設計した通りに加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。
【図３】図３は、図２に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のウエーハ保持工程の表面にＢＧテープが貼着されたウエーハの断面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。
【図７】図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。
【図８】図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。
【図１２】図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１５】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。図３は、図２に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。
【００１６】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、ウエーハＷの裏面ＷＲにゲッタリング層Ｇを形成するとともに、ウエーハＷをデバイスチップＤＴ（図１中に点線で示す）に分割する方法である。ウエーハＷは、図１に示すように、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、表面ＷＳに格子状に形成される複数のストリートＳによって区画された領域にデバイスＤＶが形成されている。即ち、ウエーハＷは、表面ＷＳに複数のデバイスＤＶが形成されている。ウエーハＷは、表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに研削加工などが施されて、所定の厚みまで薄化された後に、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成される。ゲッタリング層Ｇは、ウエーハＷの裏面ＷＲ即ち各デバイスＤＶの裏面ＷＲに結晶欠陥、歪みなど（ゲッタリングサイトという）が形成された層であり、このゲッタリングサイトに金属汚染を引き起こす不純物を捕獲、固着する層である。実施形態１において、ウエーハＷは、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成された後、デバイスＤＶを含むデバイスチップＤＴに分割されるが、研削研磨装置１により研削加工される前に表面ＷＳ側から裏面ＷＲに至らない溝が形成され、研削研磨装置１によりデバイスチップＤＴに分割された後に、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成されても良い。
【００１７】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、少なくとも図２に示す研磨装置としての研削研磨装置１を用いる。研削研磨装置１は、ウエーハＷの裏面ＷＲを薄型化のために研削加工するとともに、研削加工されたウエーハＷの裏面ＷＲを高精度に平坦化しかつウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを形成するために研磨加工するものである。研削研磨装置１は、図２に示すように、装置本体２と、第１の研削手段３と、第２の研削手段４と、研磨手段５と、ターンテーブル６上に設置された例えば４つのチャックテーブル７と、カセット８，９と、位置合わせ手段１０と、搬入手段１１と、洗浄手段１３と、搬出入手段１４と、制御手段１００とを主に備えている。
【００１８】
第１の研削手段３は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール３１が回転されながら粗研削位置Ｂのチャックテーブル７に保持されたウエーハＷの裏面ＷＲに鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを粗研削加工するためのものである。同様に、第２の研削手段４は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール４１が回転されながら仕上げ研削位置Ｃに位置するチャックテーブル７に保持された粗研削済みのウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを仕上げ研削加工するためのものである。
【００１９】
研磨手段５は、チャックテーブル７に保持されたウエーハＷを研磨し、ウエーハＷにゲッタリング層Ｇを形成する研磨パッド５１を有するものである。実施形態１において、研磨手段５は、図３に示すように、スピンドル５４の下端に装着された研磨パッド５１をチャックテーブル７の保持面７ａに対向して配置させる。研磨手段５は、研磨パッド５１が回転されながら、研磨位置Ｄに位置するチャックテーブル７の保持面７ａに保持された仕上げ研削済みのウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って研磨送り手段５３によって押圧される。研磨手段５は、研磨パッド５１がウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを研磨加工するためのものである。
【００２０】
研磨手段５の研磨パッド５１は、平均粒径０．３５〜１．７（μｍ）［中央値］の砥粒を２０〜５０重量％含む。平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。積算値５０％での粒径とは、粒子サイズが小さいものから粒子数をカウントして、全粒子数の５０％になったところでの粒径を意味する。研磨パッド５１に含まれる砥粒は、ウエーハＷを構成するシリコンよりもモース硬度が高いものであり、ゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒として、例えば、ＧＣ（緑色炭化ケイ素）、ＷＡ（ホワイトアランダム）、ダイヤモンドを用いることができる。また、研磨パッド５１に含まれる砥粒は、研磨加工に好適な砥粒として、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）またはセリア（ＣｅＯ２）を用いることができる。実施形態１において、研磨パッド５１は、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との双方を含んでいる。
【００２１】
研磨手段５は、切換え弁１２を介して研磨液供給源１５からのアルカリ性を有する研磨液ＧＬを研磨パッド５１とは別体のノズル１６からウエーハＷの裏面ＷＲに供給しながら、研磨パッド５１を用いて研磨加工をウエーハＷの裏面ＷＲに施した後、切換え弁１２を介して液供給源１７からの砥粒を含有しない液Ｌ（実施形態１においては、純水）をノズル１６からウエーハＷの裏面ＷＲに供給しながら、研磨パッド５１を用いてウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを形成する。その際、ウエーハＷの抗折強度が維持される。実施形態１において、ウエーハＷの抗折強度は、１０００ＭＰａ以上に維持されるが、本発明は、これに限定されず、所望のデバイス強度が得られるような値を設定すればよい。ここで、砥粒を含有しない液としては、ウエーハＷと反応しない液体であればよく、ウエーハＷがシリコンからなる場合には、純水や純水に添加物を含んでもよく実質的にウエーハＷと反応しない液体であればよい。
【００２２】
前述したように、研磨液供給源１５は、ウエーハＷ及び研磨パッド５１に研磨液ＧＬを供給するものである。液供給源１７は、ウエーハＷ及び研磨パッド５１に研磨液ＧＬとは異なる砥粒を含まない液Ｌを供給するものである。
【００２３】
研磨手段５は、研磨加工をウエーハＷの裏面ＷＲに施した後、リンス液供給源１９からの研磨パッド５１から研磨液ＧＬを除去するためのリンス液ＣＬ（実施形態１においては、純水）をノズル２０から回転中の研磨パッド５１に供給する。リンス液ＣＬとしては、ウエーハＷと反応しない液体であればよく、ウエーハＷがシリコンからなる場合には、純水や純水に添加物を含んでもよく実質的にウエーハＷと反応しない液体であればよい。また、研磨手段５は、図３に示すように、研磨パッド５１をスピンドル５４とともに、Ｚ軸方向と直交しかつ装置本体２の幅方向と平行なＸ軸方向に移動させるＸ軸移動手段５２を備える。ノズル２０は、研磨位置Ｄのチャックテーブル７に隣接して設けられ、リンス液ＣＬを研磨パッド５１に向かって供給するものであり、吐出形状がスリット状である。
【００２４】
実施形態１において、研磨パッド５１が、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との双方を含んでいるが、本発明では、研磨パッド５１が、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との少なくとも一方を含んでいれば良い。研磨パッド５１が、砥粒としてＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒のみを含んでいる場合には、研磨液供給源１５から供給される研磨液ＧＬにシリカ等の研磨加工に好適な砥粒を含有させても良く、研磨パッド５１が、砥粒としてシリカ等の研磨加工に好適な砥粒のみを含んでいる場合には、液供給源１７から供給される液ＬにＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒を含有させれば良い。
【００２５】
また、実施形態１において、リンス液供給源１９から供給するリンス液ＣＬは、純水であるが、本発明では、純水と高圧気体とを混合した２流体であっても良い。
【００２６】
ターンテーブル６は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル６上には、例えば４つのチャックテーブル７が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。これら４つのチャックテーブル７は、ウエーハＷを回転可能に保持するものであり、保持面７ａに真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、保持面７ａ上に載置されたウエーハＷを真空吸着して保持する。これらチャックテーブル７は、研削加工時及び研磨加工時には、鉛直方向と平行な軸を回転軸として、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このように、チャックテーブル７は、被加工物としてのウエーハＷを回転可能に保持する保持面７ａを有している。このようなチャックテーブル７は、ターンテーブル６の回転によって、搬入搬出位置Ａ、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ、搬入搬出位置Ａに順次移動される。
【００２７】
カセット８，９は、複数のスロットを有するウエーハＷを収容するための収容器である。一方のカセット８は、研削研磨加工前の表面ＷＳに保護部材であるＢＧ（Back  Grind）テープＴ（図５に示す）が貼着されたウエーハＷを収容し、他方のカセット９は、研削研磨加工後のウエーハＷを収容する。また、位置合わせ手段１０は、カセット８から取り出されたウエーハＷが仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。
【００２８】
搬入手段１１は、吸着パッドを有し、位置合わせ手段１０で位置合わせされた研削研磨加工前のウエーハＷを吸着保持して搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入する。搬入手段１１は、搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に保持された研削研磨加工後のウエーハＷを吸着保持して洗浄手段１３に搬出する。
【００２９】
搬出入手段１４は、例えばＵ字型ハンド１４ａを備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド１４ａによってウエーハＷを吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入手段１４は、研削研磨加工前のウエーハＷをカセット８から位置合わせ手段１０へ搬出するとともに、研削研磨加工後のウエーハＷを洗浄手段１３からカセット９へ搬入する。洗浄手段１３は、研削研磨加工後のウエーハＷを洗浄し、研削及び研磨された加工面に付着している研削屑及び研磨屑等のコンタミネーションを除去する。
【００３０】
制御手段１００は、研削研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御手段１００は、ウエーハＷに対する加工動作を研削研磨装置１に実行させるものであり、少なくとも研磨手段５とチャックテーブル７とを制御して、研磨液ＧＬを供給しつつウエーハＷを研磨し、次いで砥粒を含まない液Ｌを供給しつつゲッタリング層Ｇを形成するものである。制御手段１００は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段１００は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御手段１００のＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研削研磨装置１を制御するための制御信号を生成する。制御手段１００のＣＰＵは、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置１の各構成要素に出力する。また、制御手段１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３１】
次に、実施形態１に係るウエーハの加工方法について説明する。図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のウエーハ保持工程の表面にＢＧテープが貼着されたウエーハの断面図である。図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。図９は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。
【００３２】
ウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図４に示すように、ウエーハ保持工程ＳＴ１と、粗研削工程ＳＴ２と、仕上げ研削工程ＳＴ３と、歪層除去工程ＳＴ４と、研磨液除去工程ＳＴ５と、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６と、個片化工程ＳＴ７とを含む。
【００３３】
ウエーハ保持工程ＳＴ１は、ウエーハＷの表面ＷＳにＢＧテープＴを貼着し、チャックテーブル７の保持面７ａにＢＧテープＴ側を吸引保持する工程である。ウエーハ保持工程ＳＴ１では、オペレータは、図５に示すように、研削研磨加工前のウエーハＷの表面ＷＳにＢＧテープＴを貼着し、ＢＧテープＴを下向きにして、ウエーハＷをカセット８内に収容する。オペレータは、研削研磨加工前のウエーハＷを収容したカセット８と、ウエーハＷを収容していないカセット９を装置本体２に取り付け、加工情報を制御手段１００に登録する。オペレータは、研削研磨装置１に加工動作の開始指示を入力し、制御手段１００が、研削研磨装置１の加工動作を開始する。
【００３４】
ウエーハ保持工程ＳＴ１では、研削研磨装置１の制御手段１００は、搬出入手段１４がカセット８からウエーハＷを取り出し、位置合わせ手段１０へ搬出し、位置合わせ手段１０が、ウエーハＷの中心位置合わせを行い、搬入手段１１が位置合わせされたウエーハＷの表面ＷＳ側を搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入し、チャックテーブル７がウエーハＷを吸引保持する。こうして、ウエーハ保持工程ＳＴ１では、ＢＧテープＴをチャックテーブル７で吸引保持することにより、ウエーハＷの裏面ＷＲを露出させる。研削研磨装置１の制御手段１００は、ターンテーブル６でウエーハＷを粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ及び搬入搬出位置Ａに順に搬送する。なお、研削研磨装置１の制御手段１００は、ターンテーブル６が９０度回転する度に、研削研磨加工前のウエーハＷが搬入搬出位置Ａのチャックテーブル７に搬入される。
【００３５】
粗研削工程ＳＴ２では、研削研磨装置１の制御手段１００は、粗研削位置ＢでウエーハＷの裏面ＷＲに第１の研削手段３を用いて粗研削加工し、仕上げ研削工程ＳＴ３では、仕上げ研削位置ＣでウエーハＷの裏面ＷＲに第２の研削手段４を用いて仕上げ研削加工する。
【００３６】
歪層除去工程ＳＴ４は、研磨パッド５１に研磨液ＧＬを供給しつつ研磨パッド５１を回転するとともにチャックテーブル７を回転させながら研磨パッド５１によってウエーハＷの裏面ＷＲを研磨することによりウエーハＷの裏面ＷＲから歪層を除去する工程である。歪層除去工程ＳＴ４では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図６に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して研磨液供給源１５からの研磨液ＧＬをノズル１６から供給しながら研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させて、ウエーハＷの裏面ＷＲを研磨加工する。なお、実施形態１において、歪層除去工程ＳＴ４では、研削研磨装置１の制御手段１００は、チャックテーブル７を５０５ｒｐｍの回転数で回転させ、研磨パッド５１を５００ｒｐｍの回転数でチャックテーブル７と同じ向きに回転させるとともに、研磨送り手段５３にウエーハＷの裏面ＷＲに３００ｇ／ｃｍ２の研磨圧力が作用するように研磨パッド５１を押圧させるが、研磨加工の加工条件はこれに限定されない。
【００３７】
研磨液除去工程ＳＴ５は、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給し研磨パッド５１に含まれる残存研磨液ＧＬを除去する工程である。研磨液除去工程ＳＴ５では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図７に示すように、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲからはみ出した部分にリンス液供給源１９から供給されたリンス液ＣＬをノズル２０から供給するとともに、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して液供給源１７から供給された液Ｌをノズル１６から供給しながら、研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させる。
【００３８】
ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、研磨パッド５１及びウエーハＷに砥粒を含まない液Ｌを供給しつつ研磨パッド５１を回転するとともにチャックテーブル７を回転させながら研磨パッド５１によってウエーハＷの裏面ＷＲを研磨することにより裏面ＷＲにゲッタリング層Ｇを形成する工程である。
【００３９】
ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図８に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して液供給源１７から供給された砥粒を含有しない液Ｌをノズル１６から供給するとともに、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲからはみ出した部分にリンス液供給源１９から供給されたリンス液ＣＬをノズル２０から供給しながら、研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させて、ウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを生成する。ゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施した後のウエーハＷの裏面ＷＲの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．８〜４．５ｎｍである。
【００４０】
このように、制御手段１００は、研磨液除去工程ＳＴ５とゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、リンス液ＣＬを供給することにより、ウエーハＷを研磨した後ゲッタリング層Ｇの形成に移行する際、ノズル２０から研磨パッド５１に向かってリンス液ＣＬを供給して研磨パッド５１に残存する研磨液ＧＬを除去するように研削研磨装置１を制御する。なお、実施形態１において、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、チャックテーブル７を５０５ｒｐｍの回転数で回転させ、研磨パッド５１を５００ｒｐｍの回転数でチャックテーブル７と同じ向きに回転させるとともに、研磨送り手段５３にウエーハＷの裏面ＷＲに５０ｇ／ｃｍ２の研磨圧力が作用するように研磨パッド５１を押圧させるが、ゲッタリング層Ｇを形成するための加工条件はこれに限定されない。
【００４１】
実施形態１において、研磨液除去工程ＳＴ５は、液ＬをウエーハＷの裏面ＷＲに供給したが、本発明では液Ｌを供給しなくても良い。また、実施形態１では、ウエーハＷの外径が、３００ｍｍであり、研磨パッド５１の外径が、４５０ｍｍである。歪層除去工程ＳＴ４及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研磨パッド５１の外周がウエーハＷの中心を覆い、かつウエーハＷの外縁からはみ出すように研磨パッド５１を位置付ける。
【００４２】
研削研磨装置１の制御手段１００は、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６後に、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６が実施されたウエーハＷを搬入搬出位置Ａに位置付け、搬入手段１１により洗浄手段１３に搬入し、洗浄手段１３で洗浄し、洗浄後のウエーハＷを搬出入手段１４でカセット９へ搬入する。
【００４３】
個片化工程ＳＴ７では、カセット９内からウエーハＷを取り出し、表面ＷＳからＢＧテープＴを剥がした後、ウエーハＷの表面ＷＳにポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等を含む水溶性樹脂により構成される図示しない保護膜を形成し、ウエーハＷの裏面ＷＲ側を図９に示すレーザ加工機３０のチャックテーブル３３に保持する。個片化工程ＳＴ７は、図９に示すように、レーザ加工機３０のレーザ光照射ユニット３２をストリートＳに沿って相対的に移動させながらレーザ光照射ユニット３２からレーザ光ＬＲをストリートＳに照射して、ストリートＳにアブレーション加工を施して、ウエーハＷをストリートＳに沿って個々のデバイスチップＤＴに個片化する。個片化工程ＳＴ７は、ウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化した後、図示しない保護膜を除去し、ウエーハＷの表面ＷＳを洗浄し、保護膜を洗浄してデブリとともに除去する。なお、実施形態１において、ウエーハＷは、裏面ＷＲが直接チャックテーブル３３に吸引保持されたが、本発明では、裏面ＷＲに図示しないリングフレームの内周に固定されたダイシングテープに貼着されて、ダイシングテープを介してチャックテーブル３３に吸引保持されても良い。
【００４４】
実施形態１において、個片化工程ＳＴ７は、レーザ光ＬＲを用いたアブレーション加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化したが、本発明では、個片化工程ＳＴ７は、レーザ光を照射してウエーハＷの内部に改質層を形成してウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化しても良いし、レーザ光ＬＲを用いたアブレーション加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化する場合において、アブレーション加工によりハーフカットした後、外力を加えて個々のデバイスチップＤＴに個片化しても良い。切削ブレードを用いた切削加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化してもよい。
【００４５】
以上のように、実施形態１に係る加工方法は、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、研磨パッド５１に残留した研磨液ＧＬを効率的に除去できるので、研磨液ＧＬによるウエーハＷの裏面ＷＲの過剰な浸食を抑制することができ、速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行することができる。
【００４６】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。図１０から図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、歪層除去工程ＳＴ４、研磨液除去工程ＳＴ５及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施する研磨手段５の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態１と同じである。
【００４８】
実施形態２に係る加工方法は、歪層除去工程ＳＴ４、研磨液除去工程ＳＴ５及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施する研磨手段５は、図１０、図１１及び図１２に示すように、研磨液供給源１５からの研磨液ＧＬ又は液供給源１７からの液Ｌを、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲに当接する研磨面の中央に供給する供給通路１８を中心に設けている。また、実施形態２に係る加工方法では、ウエーハＷの外径は、３００ｍｍであり、研磨パッド５１の外径は、３００ｍｍ以上であればよく、この例では、４５０ｍｍである。歪層除去工程ＳＴ４及び研磨液除去工程ＳＴ５において、研磨パッド５１の全体でウエーハＷの裏面ＷＲ全体を覆うように、研磨パッド５１を位置付ける。
【００４９】
また、実施形態２に係る加工方法では、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、図１２に示すように研磨パッド５１の外縁部がウエーハＷの外縁からはみ出る位置と、図１１に示すように研磨パッド５１の全体でウエーハＷの裏面ＷＲ全体を覆う位置とに亘って、チャックテーブル７を研磨パッド５１に対して水平移動させながら行う。実施形態２において、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、Ｘ軸移動手段５２に研磨パッド５１をスピンドル５４とともに水平方向であるＸ軸方向に移動させて、チャックテーブル７を研磨パッド５１に対して水平移動させる。
【００５０】
実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、研磨パッド５１に残留した研磨液ＧＬを抑制できるので、研磨液ＧＬによるウエーハＷの裏面ＷＲの過剰な浸食を抑制することができ、速やかにゲッタリング層Ｇを形成することができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、研磨した後速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行でき、設計通りのゲッタリング層Ｇを形成できて、設計通りのウエーハＷに加工することができる。
【００５１】
〔変形例〕
本発明の実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図１３は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００５２】
実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、研磨液除去工程ＳＴ５において、図１３に示すように、研磨パッド５１に供給通路１８を通して吸引源４０の吸引力を作用させて、研磨パッド５１の残存研磨液ＧＬを吸引する以外、実施形態２と同じである。
【００５３】
実施形態２の変形例１に係る加工方法は、実施形態２と同様に、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、研磨した後速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行でき、設計通りのゲッタリング層Ｇを形成できて、設計通りのウエーハＷに加工することができる。
【００５４】
また、図１３の構成の更に変形例２として、供給通路１８に連通するバイパスラインを設けて、液供給源１７から液Ｌを供給し研磨液ＧＬをバイパスラインから押し出し、さらにリンス液供給源１９からリンス液ＣＬを研磨パッド５１に供給して研磨液を研磨パッド５１から除去するように構成しても良い。
【００５５】
各実施形態によれば、以下のデバイスチップの製造方法を得ることができる。
【００５６】
（付記）
研磨装置の研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該研磨装置のチャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによって研削加工後のウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、
該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、
該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
ウエーハをストリートに沿って個々のデバイスチップに個片化する個片化工程と、を含む、
デバイスチップの製造方法。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１  研削研磨装置（研磨装置）
５  研磨手段
７  チャックテーブル
７ａ  保持面
１５  研磨液供給源
１７  液供給源
２０  ノズル
５１  研磨パッド
１００  制御手段
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
ＤＶ  デバイス
Ｇ  ゲッタリング層
Ｔ  ＢＧテープ（保護部材）
ＧＬ  研磨液
ＣＬ  リンス液
Ｌ  液
ＳＴ１  ウエーハ保持工程
ＳＴ４  歪層除去工程
ＳＴ５  研磨液除去工程
ＳＴ６  ゲッタリング層形成工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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