(57)【要約】【課題】デバイスチップのコンタミネーションを抑制することができるデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】デバイスチップの製造方法は、デバイスウエーハを個片化し個々のデバイスチップを製造する方法であり、デバイスウエーハの表面のストリートに沿って表面から少なくとも仕上り厚みに相当する深さの溝を形成する溝形成工程ＳＴ１と、デバイスウエーハの表面側に貼着された保護部材を保持して裏面を露出させる保持工程ＳＴ２と、保持工程ＳＴ２の後にデバイスウエーハの裏面を研削し溝を表出させ、個々のデバイスチップに分割する分割工程ＳＴ３と、複数のデバイスチップの裏面を研磨パッドを用いて研磨する研磨工程ＳＴ４とを備える。研磨パッドが含む不織布を構成する繊維の繊維径は、溝の幅より大きく、研磨工程ＳＴ４中にデバイスチップ間に分離した繊維が入り込まない。【選択図】図４
2018060871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の交差する複数のストリートによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハを個片化し個々のデバイスチップを製造する製造方法であって、
該デバイスウエーハの表面のストリートに沿って該表面から少なくとも仕上り厚みに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該デバイスウエーハの表面側に保護部材を貼着して該保護部材を保持することにより裏面を露出させる保持工程と、
該保持工程の後に該デバイスウエーハの裏面を研削し該溝を表出させ、該デバイスを含む個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該複数のデバイスチップの裏面を研磨パッドを用いて研磨する研磨工程と、を備え、
該研磨パッドは不織布と結合剤を含み、該不織布を構成する繊維の繊維径は該溝の幅より大きく、該研磨工程中にデバイスチップ間に分離した繊維が入り込まない、デバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該溝形成工程は外周に環状の切刃を有する切削ブレードにより行われる請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所望の厚さに加工した後、その平坦性やチップの強度を高めるために研磨処理がおこなわれる。この研磨処理には、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを所定圧力で押圧しながら回転する研磨パッドを有する研磨ヘッドとを備える研磨装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、デバイスウエーハの分割には所謂「先ダイシング法」という方法が用いられている。具体的には、デバイスが形成されたデバイスウエーハ表面側から少なくともデバイスの仕上り厚さに相当する深さの溝を形成し、表面側を保護テープで保護した状態でデバイスウエーハの裏面を研削して溝の底部を表出させることにより分割し、その後も研削・研磨を続けることが記載されている（ＤＢＧ（Dicing  Before  Grinding）プロセスともいい、例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
研削されたデバイスウエーハの裏面に対して、不織布に砥粒を含む液状結合剤を含浸させ乾燥させてなる研磨パッドを用いて研磨（およびゲッタリング層の形成）工程を行うことが記載されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１６６２７４号公報
【特許文献２】特開２００３−００７６５３号公報
【特許文献３】特開２０１５−０４６５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、研磨する際に研磨パッドに含まれる不織布を構成する繊維が分離し先の工程で分割されたデバイスチップの壁面（側面）に付着してコンタミネーションの原因となる虞があった。
【０００７】
よって、本発明は、デバイスチップのコンタミネーションを抑制することができるデバイスチップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの製造方法は、表面の交差する複数のストリートによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハを個片化し個々のデバイスチップを製造する製造方法であって、該デバイスウエーハの表面のストリートに沿って該表面から少なくとも仕上り厚みに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、該デバイスウエーハの表面側に保護部材を貼着して該保護部材を保持することにより裏面を露出させる保持工程と、該保持工程の後に該デバイスウエーハの裏面を研削し該溝を表出させ、該デバイスを含む個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該複数のデバイスチップの裏面を研磨パッドを用いて研磨する研磨工程と、を備え、該研磨パッドは不織布と結合剤を含み、該不織布を構成する繊維の繊維径は該溝の幅より大きく、該研磨工程中にデバイスチップ間に分離した繊維が入り込まないことを特徴とする。
【０００９】
前記溝形成工程は、外周に環状の切刃を有する切削ブレードにより行われても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、分割されたデバイスチップ間に研磨パッドを構成する繊維が入り込みデバイスチップの側壁に付着することが防止できるので、コンタミネーションを抑制したデバイスチップの製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の溝形成工程を示す図である。
【図６】図６は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程、分割工程、及び研磨工程で用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。
【図８】図８は、図７に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。
【図９】図９は、図８に示された研削研磨装置の研磨手段の研磨パッドの構成例を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、図９に示された研磨パッドの要部の断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程において表面にＢＧテープが貼着されたデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の分割工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の研磨工程を示す図である。
【図１５】図１５は、図１４に示された研磨工程の要部を示す図である。
【図１６】図１６は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の研磨工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１７】図１７は、比較例のデバイスチップの製造方法の研磨工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１８】図１８は、実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法の測定工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。
【００１４】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、図１及び図２に示すデバイスウエーハＷを図３に示すデバイスチップＤＴに分割する方法である。デバイスウエーハＷは、図１に示すように、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。デバイスウエーハＷは、表面ＷＳの交差する複数のストリートＳによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤＶが形成されている。即ち、デバイスウエーハＷは、表面ＷＳに複数のデバイスＤＶが形成されている。デバイスウエーハＷは、表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに研削加工などが施されて仕上り厚みＴ（図３に示す）まで薄化されて、デバイスＤＶを含むデバイスチップＤＴに分割される。
【００１５】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法について説明する。図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図５は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の溝形成工程を示す図である。図６は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。図７は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程、分割工程、及び研磨工程で用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。図８は、図７に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。図９は、図８に示された研削研磨装置の研磨手段の研磨パッドの構成例を示す斜視図である。図１０は、図９に示された研磨パッドの要部の断面図である。
【００１６】
デバイスチップの製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、デバイスウエーハＷを個片化し個々のデバイスチップＤＴを製造する製造方法であって、図４に示すように、溝形成工程ＳＴ１と、保持工程ＳＴ２と、分割工程ＳＴ３と、研磨工程ＳＴ４とを含む。
【００１７】
溝形成工程ＳＴ１は、デバイスウエーハＷの表面ＷＳのストリートＳに沿って表面ＷＳから少なくとも仕上り厚みＴに相当する深さＤＰ（図６に示す）の溝ＤＤ（図６に示す）を形成する工程である。溝形成工程ＳＴ１は、図５に示すように、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲ側を切削装置２０のチャックテーブル２１に吸引保持し、切削装置２０の切削手段２２の切削ブレード２３をスピンドルにより回転させながら切削ブレード２３とチャックテーブル２１とをストリートＳに沿って相対的に移動させながら切削ブレード２３をストリートＳに仕上り厚みＴに相当する深さＤＰ切り込ませる。切削ブレード２３は、外周に環状の切刃２３ａを有するものである。また、切削装置２０は、アライメント用の撮像手段２４を切削手段２２に取り付けている。実施形態１において、溝ＤＤの幅は、切削ブレード２３の厚みと略等しい。溝ＤＤの幅は、例えば、１０μｍ以上でかつ６０μｍ以下程度である。なお、実施形態１において、デバイスウエーハＷは、裏面ＷＲが直接チャックテーブル２１に吸引保持されたが、本発明では、裏面ＷＲに図示しないリングフレームの内周に固定されたダイシングテープに貼着されて、ダイシングテープを介してチャックテーブル２１に吸引保持されても良い。
【００１８】
実施形態１において、溝形成工程ＳＴ１は、切削ブレード２３により行われるが、本発明では、プラズマエッチングをストリートＳに施すことにより溝ＤＤを形成しても良く、レーザ加工機からのレーザ光をストリートＳに照射してストリートＳにアブレーション加工を施すことにより溝ＤＤを形成しても良い。この場合は、デバイスウエーハＷ表面ＷＳ側に保護膜を形成して加工を施すとよい。
【００１９】
保持工程ＳＴ２、分割工程ＳＴ３及び研磨工程ＳＴ４は、図７に示す研削研磨装置１により行われる。研削研磨装置１は、図７に示すように、装置本体２と、第１の研削手段３と、第２の研削手段４と、研磨手段５と、ターンテーブル６上に設置された例えば４つのチャックテーブル７と、カセット８，９と、位置合わせ手段１０と、搬入手段１１と、洗浄手段１３と、搬出入手段１４と、図示しない制御手段とを主に備えている。
【００２０】
第１の研削手段３は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール３１が回転されながら粗研削位置Ｂのチャックテーブル７に保持されたデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って押圧されることによって、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲを粗研削加工するためのものである。同様に、第２の研削手段４は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール４１が回転されながら仕上げ研削位置Ｃに位置するチャックテーブル７に保持された粗研削済みのデバイスウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲを仕上げ研削加工するためのものである。
【００２１】
実施形態１において、研磨手段５は、図８に示すように、スピンドル５１の下端に設けられたホイールマウント５２と、ホイールマウント５２に装着された研磨工具５３とを備え、研磨工具５３の研磨パッド５４をチャックテーブル７の保持面に対向して配置させる。研磨手段５は、研磨パッド５４が回転されながら、研磨位置Ｄに位置するチャックテーブル７の保持面に保持された仕上げ研削済みのデバイスウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧される。研磨手段５は、研磨パッド５４がデバイスウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲを研磨パッド５４により研磨加工するためのものである。
【００２２】
研磨手段５の研磨工具５３は、図８及び図９に示すように、樹脂又は金属により構成されるプラテン５５と、研磨パッド５４とを備える。プラテン５５と研磨パッド５４とは、同じ大きさの円盤状に形成されている。プラテン５５は、ホイールマウント５２に装着される。研磨パッド５４は、プラテン５５の下面に取り付けられ、図１０に示すように、不織布ＮＦと、砥粒ＴＴと、不織布ＮＦと砥粒ＴＴを固定する結合材ＢＭとを含む。また、不織布ＮＦを構成する繊維Ｆの繊維径Ｒ（繊維の直径）は、溝ＤＤの幅より大きい。
【００２３】
また、実施形態１の研磨パッド５４は、粒径０．３５〜１．７（μｍ）［中央値］の砥粒ＴＴを２０〜５０重量％含む。即ち、研磨パッド５４は、平均粒径が０．３５μｍ以上でかつ１．７μｍ以下の砥粒ＴＴを２０重量％以上でかつ５０重量％以下含んでいる。平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。積算値５０％での粒径とは、粒子サイズが小さいものから粒子数をカウントして、全粒子数の５０％になったところでの粒径を意味する。研磨パッド５４に含まれる砥粒ＴＴは、所謂ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）研磨加工に好適な砥粒として、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）を用いることができる。
【００２４】
研磨手段５は、図示しない研磨液供給源からアルカリ性を有する研磨液をデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに供給しながら、研磨パッド５４を用いてＣＭＰ研磨加工をデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに施す。また、研磨手段５は、図８に示すように、研磨パッド５４をスピンドルとともに、Ｚ軸方向と直交しかつ装置本体２の幅方向と平行なＸ軸方向に移動させるＸ軸移動手段５６を備える。実施形態１においては、砥粒を含む研磨パッド５４を用い、研磨液供給源から供給される微粒子を含まない研磨液を供給して、研磨工程ＳＴ４を行うが、砥粒ＴＴを含まない研磨パッド５４を用いて、シリカ（ＳｉＯ２）等の固相反応微粒子を含む研磨液を供給しながら研磨工程ＳＴ４を行っても良い。
【００２５】
ターンテーブル６は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル６上には、例えば４つのチャックテーブル７が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。これら４つのチャックテーブル７は、上面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、載置されたデバイスウエーハＷを真空吸着して保持する。これらチャックテーブル７は、研削加工時及び研磨加工時には、鉛直方向と平行な軸を回転軸として、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このように、チャックテーブル７は、被加工物としてのデバイスウエーハＷを回転可能に保持する保持面を有している。このようなチャックテーブル７は、ターンテーブル６の回転によって、搬入搬出位置Ａ、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ、搬入搬出位置Ａに順次移動される。
【００２６】
カセット８，９は、複数のスロットを有するデバイスウエーハＷを収容するための収容器である。一方のカセット８は、研削研磨加工前の表面ＷＳに保護部材であるＢＧ（Back  Grind）テープＰＴ（図１１に示す）が貼着されたデバイスウエーハＷを収容し、他方のカセット９は、研削研磨加工後のデバイスウエーハＷを収容する。また、位置合わせ手段１０は、カセット８から取り出されたデバイスウエーハＷが仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。
【００２７】
搬入手段１１は、吸着パッドを有し、位置合わせ手段１０で位置合わせされた研削研磨加工前のデバイスウエーハＷを吸着保持して搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入する。搬入手段１１は、搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に保持された研削研磨加工後のデバイスウエーハＷを吸着保持して洗浄手段１３に搬出する。
【００２８】
搬出入手段１４は、例えばＵ字型ハンド１４ａを備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド１４ａによってデバイスウエーハＷを吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入手段１４は、研削研磨加工前のデバイスウエーハＷをカセット８から位置合わせ手段１０へ搬出するとともに、研削研磨加工後のデバイスウエーハＷを洗浄手段１３からカセット９へ搬入する。洗浄手段１３は、研削研磨加工後のデバイスウエーハＷを洗浄し、研削及び研磨された加工面に付着している研削屑及び研磨屑等のコンタミネーションを除去する。
【００２９】
制御手段は、研削研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御手段は、デバイスウエーハＷに対する加工動作を研削研磨装置１に実行させるものである。制御手段は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御手段のＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研削研磨装置１を制御するための制御信号を生成する。制御手段のＣＰＵは、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置１の各構成要素に出力する。また、制御手段は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３０】
次に、実施形態１に係る製造方法の保持工程ＳＴ２、分割工程ＳＴ３及び研磨工程ＳＴ４について説明する。図１１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程において表面にＢＧテープが貼着されたデバイスウエーハの要部の断面図である。図１２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の保持工程を示す断面図である。図１３は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の分割工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。図１４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の研磨工程を示す図である。図１５は、図１４に示された研磨工程の要部を示す図である。図１６は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の研磨工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。図１７は、比較例のデバイスチップの製造方法の研磨工程後のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【００３１】
保持工程ＳＴ２は、デバイスウエーハＷの表面ＷＳ側にＢＧテープＰＴを貼着してＢＧテープＰＴをチャックテーブル７で吸引保持することによりデバイスウエーハＷの裏面ＷＲを露出させる工程である。
【００３２】
保持工程ＳＴ２では、オペレータは、図１１に示すように、研削研磨加工前のデバイスウエーハＷの表面ＷＳに保護部材であるＢＧテープＰＴを貼着し、ＢＧテープＰＴを下向きにして、デバイスウエーハＷをカセット８内に収容する。オペレータは、研削研磨加工前のデバイスウエーハＷを収容したカセット８と、デバイスウエーハＷを収容していないカセット９を装置本体２に取り付け、加工情報を制御手段に登録する。オペレータは、研削研磨装置１に加工動作の開始指示を入力し、研削研磨装置１の加工動作を開始する。
【００３３】
保持工程ＳＴ２では、研削研磨装置１は、搬出入手段１４がカセット８からデバイスウエーハＷを取り出し、位置合わせ手段１０へ搬出し、位置合わせ手段１０が、デバイスウエーハＷの中心位置合わせを行い、搬入手段１１が位置合わせされたデバイスウエーハＷの表面ＷＳ側を搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入し、図１２に示すように、チャックテーブル７がデバイスウエーハＷを吸引保持する。こうして、保持工程ＳＴ２では、ＢＧテープＰＴをチャックテーブル７で吸引保持することにより、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲを露出させる。研削研磨装置１は、ターンテーブル６でデバイスウエーハＷを粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ及び搬入搬出位置Ａに順に搬送する。なお、研削研磨装置１は、ターンテーブル６が９０度回転のたびに、研削研磨加工前のデバイスウエーハＷが搬入搬出位置Ａのチャックテーブル７に搬入される。
【００３４】
分割工程ＳＴ３は、保持工程ＳＴ２の後にデバイスウエーハＷの裏面ＷＲを粗研削加工及び仕上げ研削加工により研削し、溝ＤＤを裏面ＷＲ側に露出させ、デバイスウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに分割する工程である。分割工程ＳＴ３では、研削研磨装置１は、粗研削位置ＢでデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに第１の研削手段３を用いて粗研削加工し、仕上げ研削位置ＣでデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに第２の研削手段４を用いて仕上げ研削加工し、図１３に示すように、デバイスウエーハＷを仕上り厚みＴまで薄化して、裏面ＷＲ側に溝ＤＤを露出させる。
【００３５】
研磨工程ＳＴ４は、デバイスウエーハＷから分割された個々のデバイスチップＤＴの裏面ＷＲを研磨パッド５４を用いて研磨する工程である。研磨工程ＳＴ４では、研削研磨装置１は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５４とを回転させるとともに、図１４及び図１５に示すように、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲに研磨液供給源から研磨液を供給しながら研磨パッド５４をデバイスウエーハＷの裏面ＷＲに当接して、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲをＣＭＰ研磨加工する。
【００３６】
研削研磨装置１は、研磨工程ＳＴ４後に、ＣＭＰ研磨加工されたデバイスウエーハＷを搬入搬出位置Ａに位置付け、搬入手段１１により洗浄手段１３に搬入し、洗浄手段１３で洗浄し、洗浄後のデバイスウエーハＷを搬出入手段１４でカセット９へ搬入する。
【００３７】
以上のように、実施形態１に係る製造方法は、図１６に示すように、溝形成工程ＳＴ１で形成される溝ＤＤの幅よりも研磨パッド５４が含む不織布ＮＦを構成する繊維Ｆの繊維径Ｒが大きい。このために、実施形態１に係る製造方法は、図１６に示すように、研磨工程ＳＴ４中にデバイスチップＤＴ間に研磨パッド５４から分離した繊維Ｆが入り込まない。このような実施形態１に係る製造方法に対して、図１７に示す繊維Ｆの繊維径Ｒが溝ＤＤの幅よりも小さい比較例は、研磨工程ＳＴ４中にデバイスチップＤＴ間に研磨パッド５４から分離した繊維Ｆが入り込んでしまう。
【００３８】
その結果、実施形態１に係る製造方法は、分割されたデバイスチップＤＴ間に研磨パッド５４を構成する繊維Ｆが入り込み、デバイスチップＤＴの側壁に付着することを抑制できるので、コンタミネーションを抑制したデバイスチップＤＴの製造が可能になり、デバイスチップＤＴのコンタミネーションを抑制することができる。このように、本発明は、溝ＤＤの幅即ち切削ブレード２３の幅よりも大きな繊維径Ｒの繊維Ｆを含む研磨パッド５４を選択して、選択した研磨パッド５４で研磨工程ＳＴ４を行うものである。
【００３９】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１８は、実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法の測定工程を示す図である。
【００４０】
実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法（以下、単に製造方法と記す）は、図１８に示す測定工程を実施する。測定工程は、溝形成工程ＳＴ１において形成された溝ＤＤの幅を測定し、研磨工程ＳＴ４において用いる研磨パッド５４を測定工程の測定結果に応じて選択すること以外、実施形態１と同じである。なお、切削ブレード２３で切削している最中に切削された溝ＤＤを撮像することにより計測してもよい。
【００４１】
実施形態１の変形例に係る製造方法の測定工程は、切削装置２０の撮像手段２４で溝形成工程ＳＴ１後のデバイスウエーハＷの表面ＷＳを撮像して、溝ＤＤの幅を測定する。実施形態１の変形例において、溝ＤＤの幅を測定する際には、デバイスウエーハＷの表面ＷＳの予め定められた位置を撮像手段２４で撮像して、溝ＤＤの幅の平均値を制御手段で算出して、平均値を溝ＤＤの幅とするが、本発明では、これに限定されない。また、実施形態１の変形例に係る製造方法の測定工程は、切削装置２０の撮像手段２４で溝形成工程ＳＴ１後のデバイスウエーハＷの表面ＷＳを撮像するが、溝形成工程ＳＴ１がプラズマエッチングにより溝ＤＤを形成する場合には、プラズマエッチング用のマスクから露出したストリートＳの幅を測定して、溝ＤＤの幅としても良い。
【００４２】
実施形態１の変形例に係る製造方法は、測定工程の測定結果に応じて、溝ＤＤの幅よりも繊維Ｆの繊維径Ｒが大きな研磨パッド５４を備える研磨工具５３を研磨手段５のホイールマウント５２に取り付ける。
【００４３】
実施形態１の変形例に係る製造方法は、実施形態１と同様に、溝形成工程ＳＴ１で形成される溝ＤＤの幅よりも研磨パッド５４が含む不織布ＮＦを構成する繊維Ｆの繊維径Ｒが大きいので、デバイスチップＤＴ間に繊維Ｆが入り込むことがなくデバイスチップＤＴの側壁に付着することを抑制できるので、コンタミネーションを抑制したデバイスチップＤＴの製造が可能になる。
【００４４】
また、実施形態１の変形例に係る製造方法は、測定工程で測定した溝ＤＤの幅に応じて、溝ＤＤの幅よりも繊維径Ｒが大きな繊維Ｆを含む研磨パッド５４を選択するので、デバイスチップＤＴのコンタミネーションをより確実に抑制することができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４６】
２３  切削ブレード
２３ａ  切刃
５４  研磨パッド
Ｗ  デバイスウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｓ  ストリート
ＤＶ  デバイス
ＤＴ  デバイスチップ
Ｔ  仕上り厚み
ＤＰ  深さ
ＤＤ  溝
ＰＴ  ＢＧテープ（保護部材）
ＮＦ  不織布
ＢＭ  結合材
Ｆ  繊維
Ｒ  繊維径
ＳＴ１  溝形成工程
ＳＴ２  保持工程
ＳＴ３  分割工程
ＳＴ４  研磨工程
【図１】
2018060871.tif 000003
【図２】
2018060871.tif 000004
【図３】
2018060871.tif 000005
【図４】
2018060871.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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