(57)【要約】【課題】粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼りつける貼付工程と、プラズマアッシングを行うプラズマアッシング工程と、粘着テープを半導体から剥離する剥離工程とを有する半導体製造方法。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼りつける貼付工程と、プラズマアッシングを行うプラズマアッシング工程と、
粘着テープを半導体から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
粘着剤層が硬化型粘着剤層であり、貼付工程とプラズマアッシング工程の間に、刺激によって前記硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体製造方法。
【請求項３】
硬化型粘着剤層を硬化させる刺激が光又は熱であることを特徴とする請求項２記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程において、半導体チップの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ（半導体ウエハ保護テープ）によって半導体チップを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている。また、粘着テープでウエハを補強したまま、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することも行われている。
このような半導体ウエハ保護テープとしては、例えば、特許文献１には基材フィルムの片面に架橋されたポリマー層が形成され、この架橋されたポリマー層が形成された面に、剥離可能に調整されているウエハ貼付用の粘着剤層が積層されているバックグラインドテープであって、基材フィルムの引っ張り弾性率がフィルムの長手方向と幅方向の平均値で２ＧＰａ以上であり、該バックグラインドテープの反りが４ｍｍ以下であるバックグラインドテープが開示されている。
【０００３】
近年、半導体装置の製造において表面処理層の表面を滑らかにするためにプラズマアッシングが行われることがある。プラズマアッシングとは、酸素ガスを可視光線やマイクロ波等の非電離放射線を用いてプラズマ化し、それによって生じる酸素ラジカルによって、有機物を二酸化炭素、水等に酸化、蒸発させて除去する手法である。プラズマアッシングによって、半導体装置のウエハにダメージを与えることなく表面処理層に用いられるポリアミド樹脂やポリイミド樹脂等を除去、研削することができる。しかしながら、従来の粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが剥離してしまうという問題があった。
【０００４】
粘着テープの剥離や糊残りの問題は、薬液処理や高温処理を行う工程において従来から発生しており、種々の対策が提案されてきた。例えば、特許文献２には、高弾性率層と低弾性率層の複合体からなる基材を有することで、エッチング工程に用いても剥離不良や糊残りを防止できる半導体ウエハ表面保護用粘着テープが開示されている。しかしながら、このような従来の耐薬品性、耐熱性粘着テープは、薬液処理や高温処理を行う工程においては高い効果を発揮するものの、プラズマアッシング工程に対しては粘着テープの剥離や糊残りを防止することができなかった。
【０００５】
また、粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが白濁し、透明度が低下するという問題もあった。プラズマアッシング処理を行った半導体装置は、後に基板等に接続されるが、その際、光によって接続位置を調整するアライメントが行われる。しかし、粘着テープが白濁すると光が透過しにくくなるため、位置合わせが充分に行えず、アライメント不良となる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−３４３７９号公報
【特許文献２】特開２０１３−２２５６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼りつける貼付工程と、プラズマアッシングを行うプラズマアッシング工程と、粘着テープを半導体から剥離する剥離工程とを有する半導体製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者らは、プラズマアッシング工程において粘着テープの白濁及び剥離が起こる問題について検討したところ、プラズマによる粘着テープの基材の分解が原因であることを見出した。
図１（ａ）に示すように、プラズマアッシング前の半導体装置２は片方の面に表面処理層３が積層されており、もう一方の面には基材１１と粘着剤層１２からなる粘着テープ１が貼り付けられている。粘着テープによって補強された半導体装置は、半導体装置の損傷を防ぐ目的で接触面積の小さな橋脚４の上に置かれている（以下、橋脚４の上に半導体装置が置かれている状態を「中空状態」と言う。）。
このような半導体装置にプラズマアッシングが行われると、図１（ｂ）に示すように、ポリプロピレンやポリエチレンテレフタレート等の有機物が用いられている基材１１は、プラズマによる分解を受ける。このとき分解は一様には起こらず、基材表面では分解の程度の違いによって微細な凹凸が形成される。微細な凹凸構造は光を散乱させて光の透過を妨げるため、その結果、透明度が低下し白濁が起こっていた。また、基材１１が分解を受けると基材１１の応力が変化し、基材１１が収縮する。そのため粘着テープ１に反りが発生し、剥離の原因となっていた。特にプラズマアッシングが中空状態で行われる場合は、橋脚４の隙間からプラズマが侵入し、基材１１と接触しやすくなるため、基材１１の分解が顕著になっていた。
【００１０】
上記知見をもとに、本発明者らは更に検討を進めた結果、プラズマによる分解を受けない無機物を基材に用いた粘着テープを使用することで、粘着テープを半導体装置に貼り付けたままプラズマアッシングを行った場合でも粘着テープの白濁を防ぐことができ、粘着テープの剥離も防止できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
本発明の半導体製造方法では、まず、少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼り付ける貼付工程を行う。半導体装置を粘着テープで補強することにより、半導体装置の処理時の取扱いを容易にし、破損を防止することができる。また、上記粘着テープの基材が無機物質であると、プラズマによって基材が分解されないため、中空状態でプラズマアッシングを行った場合でも粘着テープの白濁や剥離を抑えることができる。
【００１２】
上記無機基材層を構成する無機物質は特に限定されず、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等の金属酸化物などが挙げられる。なかでも、光によって硬化型粘着剤層を硬化することができ、プラズマアッシング後に粘着テープを貼り付けたままアライメントを行えることから、光透過性の無機物質を用いることが好ましい。上記光透過性の無機物質としては、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等が挙げられる。
【００１３】
上記無機基材層は、紫外線透過率が１％以上であることが好ましい。
上記無機基材層の紫外線透過率が１％以上であることで、十分に紫外線による粘着剤層が硬化できる。紫外線透過率が１％以上である上記無機物質としては、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等が挙げられる。
【００１４】
上記無機基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記無機基材層の厚みがこの範囲内にあると、適度な屈曲性のため粘着テープの基材として半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。
【００１５】
上記粘着テープは、無機基材層のほかにプラスチックからなる基材層を有していてもよい。粘着テープが無機基材層に加えてプラスチックからなる基材層を有することによって、粘着テープの強度と柔軟性をより高めることができる。なお、粘着テープがプラスチックからなる基材層を有する場合、プラズマアッシングによる基材の分解を防止するという本発明の効果を得るためには、無機基材層が粘着テープの最外層となる。
【００１６】
上記プラスチックからなる基材層は耐熱性のプラスチックによって構成されることが好ましい。上記プラスチックからなる基材層が耐熱性を有すると、後述する熱硬化性の硬化型粘着剤を粘着剤層に用いた場合に、熱によるテープの剥がれや反りが発生し難い。上記耐熱性のプラスチックとしては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート等が挙げられる。
【００１７】
上記プラスチックからなる基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記プラスチックからなる基材層の厚みがこの範囲内にあると、充分に半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。
【００１８】
上記粘着剤層に使用される粘着剤は特に限定されないが、外部からの刺激によって硬化する硬化型粘着剤であることが好ましい。硬化型粘着剤を用いた硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることによって、硬化型粘着剤層はプラズマに対する耐性を獲得し、プラズマによって硬化型粘着剤層の周縁部が分解されることにより生じる、剥離や残渣を防止することができる。
【００１９】
上記硬化型粘着剤を架橋、硬化する刺激としては、光、熱、電磁波、電子線、超音波等が挙げられる。なかでも、熱又は光であることが好ましい。
上記硬化型粘着剤が光硬化性である場合の粘着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化成分が挙げられる。
上記硬化型粘着剤が熱硬化性である場合の粘着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化成分が挙げられる。
【００２０】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００２１】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００２２】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２３】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２４】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２５】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
上記硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは、硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
【００２８】
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２９】
上記硬化型粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。上記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。特に、基材に対する密着安定性に優れるため、イソシアネート系架橋剤が好ましい。上記イソシアネート系架橋剤として、例えば、コロネートＨＸ（日本ポリウレタン工業社製）、コロネートＬ（日本ポリウレタン工業社製）、マイテックＮＹ２６０Ａ（三菱化学社製）等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３０】
上記硬化型粘着剤は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤が上記気体発生剤を含有する場合には、後述する粘着テープ剥離工程において、粘着剤層に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく半導体装置から粘着テープを剥離することができる。
【００３１】
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができるが、ケトプロフェンや２−キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩等の耐熱性に優れる気体発生剤を用いることが好ましい。
【００３２】
上記硬化型粘着剤中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。
【００３３】
上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がる。このため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、半導体ウェハ保護用フィルムを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。
【００３４】
上記粘着剤層は、更に、シリコーン化合物を含有してもよい。なかでも上記粘着剤層が光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分を含有する場合には、該光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐薬品性、耐熱性に優れることから、リフロー工程における高温処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有する場合には、光照射又は加熱することにより上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と化学反応して上記光硬化型粘着剤成分中又は熱硬化型粘着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。
【００３５】
上記硬化型粘着剤は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
【００３６】
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力で半導体装置に貼着でき、かつ、処理後の半導体装置に反りが発生するのを防止することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００３７】
上記粘着剤層が硬化型粘着剤層である場合、本発明の半導体装置の製造方法では、上記貼付工程と後述するプラズマアッシング工程の間に、刺激によって硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を行うことが好ましい。
架橋、硬化した硬化型粘着剤層はプラズマによって分解されにくくなるため、粘着剤層の周縁部が分解されることで生じる剥離や残渣を防止することができる。
【００３８】
上記硬化型粘着剤層が光硬化性であり、例えば側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることができる。
このような硬化型粘着剤層に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
【００３９】
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、粘着テープと半導体装置とを貼り合わせた状態でプラズマアッシングを行うアッシング工程を行う。
プラズマアッシング工程によって表年処理層の表面を平滑化、微細加工等の処理ができる。また、本発明の半導体装置の製造方法は、無機基材層を有する粘着テープを用いているため、基材がプラズマによって分解されることがない。そのため、中空状態でプラズマアッシングを行っても粘着テープの白濁や剥離を防止することができる。なお、プラズマアッシングは、例えば、ＰＣ−３００（ＳＵＭＣＯ社製）を用いて出力３００Ｗ、Ｏ２ガス流量１２ｓｃｃｍ、真空度１０Ｐａ等の条件下にて行うことができる。
【００４０】
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、上記処理後の半導体装置から粘着テープを剥離する粘着テープ剥離工程を行う。この際、上記硬化工程を行っていた場合は、上記硬化工程によって上記硬化型粘着剤層が架橋、硬化し、粘着テープ全体の弾性率が高くなっているため、半導体装置からの粘着テープの剥離は、比較的容易に、かつ、糊残りなく行うことができる。
【００４１】
上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、粘着テープ剥離工程において処理後の粘着テープに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、更に容易に半導体装置から粘着テープを剥離することができる。
例えば、上記気体発生剤として３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、粘着テープを半導体装置から容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長２５４ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長２５４ｎｍの光を１０００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、１０００ｍＪ以上、２０Ｊ以下の積算照度で照射することがより好ましく、１５００ｍＪ以上、１５Ｊ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、２０００ｍＪ以上、１０Ｊ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】プラズマアッシングによる粘着テープの白濁及び剥離の原因を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００４５】
（実施例１）
（光硬化型粘着剤の合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
【００４６】
（粘着テープの製造）
得られた光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−５５００）２０重量部、及び、架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ−４５）０．５重量部を混合して粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
得られた粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、厚み１００μｍの超薄板ガラス(Ｇ−ｌｅａｆ、日本電気硝子社製)上に、乾燥後の硬化型粘着剤層の厚さが４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、粘着テープを得た。
【００４７】
（プラズマアッシング処理）
粘着テープの硬化型粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍのミラーウエハに貼り付けた。その後、ＰＣ−３００（ＳＵＭＣＯ社製）を用いて出力３００Ｗ、Ｏ２ガス流量１２ｓｃｃｍ、真空度１０Ｐａの条件下にて１０分間プラズマアッシング処理を行った。このときステージとウェハを橋脚で固定し、橋脚の高さはおよそ５ｍｍとした。アッシング処理後、４０５ｎｍの波長の光を粘着テープ表面の積算照度が２０００ｍＪ／ｃｍ２となるよう照射し、粘着テープを剥離した。
【００４８】
（アッシング時の剥がれの評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハを目視にて観察し、粘着テープの剥がれが見られなかった場合を「○」、粘着テープの剥がれが一部見られた場合を「△」、粘着テープの剥がれが見られた場合を「×」、としてアッシング時の剥がれを評価した。
結果を表１に示した。
【００４９】
（残渣付着性の評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。シリコンウエハの表面を、電子顕微鏡を用いて１００倍率で観察し、粘着テープの残渣が認められなかった場合を「○」、粘着テープの残渣が一部認められた場合を「△」、粘着テープの残渣が認められた場合を「×」として残渣付着性を評価した。
結果を表１に示した。
【００５０】
（粘着テープの白濁の評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。剥離後の粘着テープの基材表面を、目視で観察し、白濁しておらず透明な場合を「○」、白濁が認められた場合を「×」として粘着テープの白濁を評価した。
結果を表１に示した。
【００５１】
（実施例２）
基材として、厚み１００μｍの柔軟性のあるサファイア板を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
【００５２】
（実施例３）
基材として、厚み１００μｍの柔軟性のあるガラス基材（日本電気硝子社製、Ｇ−ｌｅａｆ）と厚み２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基材との積層体を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
【００５３】
（実施例４）
実施例１で作製した粘着テープの硬化型粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍのミラーウエハに貼り付けた。その後、４０５ｎｍの波長の光を粘着テープ表面の積算照度が２０００ｍＪ／ｃｍ２となるよう照射した後、実施例１と同様にプラズマアッシング処理を行い、粘着テープを剥離した。評価は実施例１と同様の方法で行った。
【００５４】
（比較例１）
基材として、厚み５０μｍのＰＥＮ基材を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
【００５５】
（比較例２）
基材として、厚み５０μｍのＰＥＮ基材を用いた以外は実施例４と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
【００５６】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１    粘着テープ
１１  基材
１２  粘着剤層
２    半導体装置
３    表面処理層
４    橋脚
【図１】
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