(57)【要約】【課題】一次放射器製造時の負担を比較的小さくする。【解決手段】一次放射器が、誘電体基板と、前記誘電体基板の第一面に設けられたグランドの導電体層と、前記誘電体基板の前記第一面とは異なる第二面に設けられ、前記グランドの導電体層よりも面積が小さいマイクロストリップの導電体層と、前記第二面側から配線され、外周側の導電体が前記マイクロストリップの導電体層に接続され、中心側の導電体が前記誘電体基板を貫通して前記グランドの導電体層に接続された同軸ケーブルと、を備える。【選択図】図４
2018067842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板の第一面に設けられたグランドの導電体層と、
前記誘電体基板の前記第一面とは異なる第二面に設けられ、前記グランドの導電体層よりも面積が小さいマイクロストリップの導電体層と、
前記第二面側から配線され、外周側の導電体が前記マイクロストリップの導電体層に接続され、中心側の導電体が前記誘電体基板を貫通して前記グランドの導電体層に接続された同軸ケーブルと、
を備える一次放射器。
【請求項２】
２本の前記同軸ケーブルが配線され、これら２本の同軸ケーブルにてそれぞれ送信信号の入力を受け、入力を受けた２つの送信信号を直交偏波の無線信号にて放射する、請求項１に記載の一次放射器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の一次放射器と、
前記一次放射器が放射した無線信号を反射する反射鏡と、
を備えるアンテナ。
【請求項４】
前記一次放射器は、前記誘電体基板と一体に構成されたアームによって前記反射鏡に対して一定の位置に支持される、請求項３に記載のアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一次放射器およびアンテナに関する。
【背景技術】
【０００２】
リフレクトアレーアンテナまたはパラボラアンテナ等の開口面アンテナに用いられる一次放射器の構造に関連して幾つかの技術が提案されている。
例えば、特許文献１には、バックファイヤー・ヘリカルアンテナを備えるパラボラアンテナが示されている。バックファイヤー・ヘリカルアンテナは、螺旋状の導体を有しており、この螺旋状の導体は、反射鏡に近い側の端部を給電点として後方（給電端側）へ電磁波を放射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−３２７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
バックファイヤー・ヘリカルアンテナでは、導体を螺旋状に形成する必要がある点が製造の際に負担となる。一次放射器製造時の負担がより小さいことが好ましい。
【０００５】
本発明は、製造時の負担が比較的小さい一次放射器およびアンテナを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、一次放射器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の第一面に設けられたグランドの導電体層と、前記誘電体基板の前記第一面とは異なる第二面に設けられ、前記グランドの導電体層よりも面積が小さいマイクロストリップの導電体層と、前記第二面側から配線され、外周側の導電体が前記マイクロストリップの導電体層に接続され、中心側の導電体が前記誘電体基板を貫通して前記グランドの導電体層に接続された同軸ケーブルと、を備える。
【０００７】
２本の前記同軸ケーブルが配線され、これら２本の同軸ケーブルにてそれぞれ送信信号の入力を受け、入力を受けた２つの送信信号を直交偏波の無線信号にて放射するようにしてもよい。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、アンテナは、前記した何れかの一次放射器と、前記一次放射器が放射した無線信号を反射する反射鏡と、を備える。
【０００９】
前記一次放射器は、前記誘電体基板と一体に構成されたアームによって前記反射鏡に対して一定の位置に支持されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、一次放射器製造時の負担が比較的小さい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るリフレクトアレーアンテナの外形図である。
【図２】同実施形態に係る一次放射器の外形図である。
【図３】同実施形態に係る一次放射器を第二面側から見た外形図である。
【図４】同実施形態に係る一次放射器をセミリジッドケーブルを通る平面で切った断面図である。
【図５】同実施形態に係るリフレクトアレーアンテナを横から見た外形図である。
【図６】同実施形態に係る一次放射器の反射特性を示すグラフである。
【図７】同実施形態に係る一次放射器の電界面における指向性を示すグラフである。
【図８】同実施形態に係る一次放射器の磁界面における指向性を示すグラフである。
【図９】同実施形態に係る誘電体基板の直径とＦＢ比、ゲインの各々との関係を示すグラフである。
【図１０】同実施形態に係る誘電体基板の直径と半値幅との関係を示すグラフである。
【図１１】同実施形態に係る反射鏡における反射素子の配置例を示す図である。
【図１２】同実施形態に係る方形リング型反射素子の例を示す図である。
【図１３】同実施形態に係る方形リング型反射素子の設計方法の例を示す図である。
【図１４】同実施形態に係るリフレクトアレーアンテナの反射特性を示すグラフである。
【図１５】同実施形態に係る中心周波数２８ギガヘルツにおける電界面での指向性を示すグラフである。
【図１６】同実施形態に係る中心周波数２８ギガヘルツにおける磁界面での指向性を示すグラフである。
【図１７】同実施形態に係る一次放射器における同軸ケーブルの配線例を示す図である。
【図１８】同実施形態に係る誘電体基板、第一導電体及び第二導電体を支持するアームを備えるリフレクトアレーアンテナの外形図である。
【図１９】同実施形態に係る一次放射器を用いたパラボラアンテナの外形図である。
【図２０】同実施形態に係る直交偏波のパラボラアンテナの外形図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
なお、以下で説明する各部のサイズ及び特性は、一次放射器１１０を２８ギガヘルツ（ＧＨｚ）帯に用いる場合のサイズ及び特性の例である。
２８ギガヘルツ帯は、次世代移動通信システム（５Ｇ）での使用が検討されている。このように、高い周波数帯を利用することで帯域幅を確保することが可能となる。一方、高周波数の電波は遠くまで到達しにくい性質があるため、基地局アンテナが高利得であることが必要となる。また、小セル化に伴い基地局の数が増えるため、基地局アンテナが薄型かつ低コストであることが好ましい。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係るリフレクトアレーアンテナ（Reflect-Array Antenna）の外形図（斜視図）である。図１に示すリフレクトアレーアンテナ１００は、一次放射器１１０と、反射鏡１２０とを備える。
一次放射器１１０は、電磁波（無線信号）を反射鏡１２０へ向けて放射する。反射鏡１２０は指向性を有し、一次放射器１１０が放射した電磁波をおよそ正面（一次放射器１１０の側）へ反射する。
反射鏡１２０の大きさ及び形状は、送信周波数などの条件に応じていろいろな大きさ及び形状とすることができる。例えば、反射鏡１２０は、１辺の長さ（図１のｌ＿ｒｅｆ）が８１ミリメートル（ｍｍ）の正方形に構成されていてもよい。
【００１４】
図２は、一次放射器１１０の外形図（斜視図）である。図２に示す一次放射器１１０は、誘電体基板１１１と、第一導電体１１２と、第二導電体１１３と、セミリジッドケーブル（Semi-Rigid Cable）１１４とを備える。
第一導電体１１２は、誘電体基板１１１の第一面に設けられて導電体層を形成している。誘電体基板１１１の第一面は、反射鏡１２０と反対側の面である。第一導電体１１２は、一次放射器１１０におけるグランド（Ground）を構成する。第一導電体１１２が形成する導電体層をグランドの導電体層とも称する。
【００１５】
第二導電体１１３は、誘電体基板１１１の第二面に設けられて導電体層を形成している。誘電体基板１１１の第二面は、反射鏡１２０側の面である。第二導電体１１３は、一次放射器１１０におけるマイクロストリップ（Microstrip）を構成する。ここでいうマイクロストリップは、誘電体基板の表面に設けられた導電体層で構成されて電磁波を伝達（放射を含む）する伝送路である。第二導電体１１３の面積は第一導電体１１２の面積よりも小さい。第二導電体１１３が形成する導電体層をマイクロストリップの導電体層とも称する。
【００１６】
セミリジッドケーブル１１４は、誘電体基板１１１の第二面側から配線されている。ここでいうセミリジッドケーブルは、外周側の導電体が銅、ニッケル又はステンレスなど比較的硬い導電性素材のパイプで構成された同軸ケーブルである。セミリジッドケーブル１１４の外周側の導電体は、第二導電体１１３に接続されている。また、セミリジッドケーブル１１４の中心側の導電体は、誘電体基板１１１を貫通して第一導電体に接続されている。
【００１７】
かかる構成により、セミリジッドケーブル１１４は、第一導電体１１２及び第二導電体１１３に給電を行う。具体的には、セミリジッドケーブル１１４は、通信機本体から出力される送信信号を第一導電体１１２及び第二導電体１１３に伝達し、第一導電体１１２と第二導電体１１３との間の電位差を変化させる。この電位差の変化に応じて第二導電体１１３が電磁波を放射する。
また、セミリジッドケーブル１１４は、その長手方向を誘電体基板１１１の第二面に垂直に配置され、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を支持する。
【００１８】
具体的には、セミリジッドケーブル１１４は、反射鏡１２０に垂直に貫通して配置されることで、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を反射鏡１２０に平行に、かつ、反射鏡１２０から一定の距離を保って支持する。そのために、セミリジッドケーブル１１４の長さ（図２の「ｌｓｅｍｉ」）は、誘電体基板１１１と反射鏡１２０との距離に反射鏡１２０の厚さを加えた距離以上の長さとなっている。例えば、誘電体基板１１１と反射鏡１２０との距離が３０ミリメートル、反射鏡１２０の厚さが約０．８ミリメートルである場合、セミリジッドケーブル１１４の長さは、３２ミリメートルなど３０．８ミリメートル（３０ミリメートル＋０．８ミリメートル）以上の長さとなる。
【００１９】
図３は、一次放射器１１０を第二面側（第二導電体１１３側）から見た外形図である。図３の例で、第二導電体１１３は、誘電体基板１１１よりも小さい。具体的には、誘電体基板１１１、第二導電体１１３共に円形に構成されており、第二導電体１１３の直径（図３の「ｒｐａｔｃｈ」）は、誘電体基板１１１の直径（図３の「ｒｓｕｂ」）よりも小さい。
【００２０】
また、第二導電体１１３の中心はゼロ電位となるため、セミリジッドケーブル１１４は、第二導電体１１３の中心からずれて配置されている。図３の例ではセミリジッドケーブル１１４が第二導電体１１３の外周付近に接続されているが、セミリジッドケーブル１１４の接続位置は第二導電体１１３の外周付近に限らず、送信周波数等の条件によって適切な接続位置が異なる。セミリジッドケーブル１１４は、第二導電体１１３の中心からずれた位置で第二導電体１１３に接続されるので、接続位置と第二導電体１１３の中心との距離をｄｆｅｅｄとすると、０＜ｄｆｅｅｄ≦ｒｐａｔｃｈ／２となる。
また、図３に示されるように、セミリジッドケーブル１１４は、中心側の導電体１１４ａと外周側の導電体１１４ｃとの間を絶縁体１１４ｂで絶縁して構成されている。
【００２１】
図４は、一次放射器１１０をセミリジッドケーブル１１４を通る平面で切った断面図である。図４に示すように、セミリジッドケーブル１１４のうち中心側の導電体１１４ａは第一導電体１１２に接続され、外周側の導電体１１４ｃは第二導電体１１３に接続されている。
セミリジッドケーブル１１４の直径（図４の「ｒｓｅｍｉ」）は、例えば３．２ミリメートルである。また、誘電体基板１１１の厚さ（図４の「ｈ」）は、例えば０．７８７ミリメートルである。第一導電体１１２の厚さ（図４の「ｔ」）は例えば０．０１７ミリメートルである。
【００２２】
図５は、リフレクトアレーアンテナ１００を横（セミリジッドケーブル１１４に直交する方向）から見た外形図である。上述したように、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３がセミリジッドケーブル１１４に支持されて、反射鏡１２０と距離を保って反射鏡１２０と並行に配置されている。誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３とセミリジッドケーブル１１４との距離（図５の「ｄ＿ｒｅｆ」）は、例えば３０ミリメートルである。
【００２３】
次に、図６〜図１０を参照して、一次放射器１１０の特性について説明する。
図６は、一次放射器１１０の反射特性を示すグラフである。図６のグラフの横軸は送信周波数を示し、縦軸は反射係数（Ｓｌｌ）を示す。
図６で、送信周波数２８ギガヘルツ付近で比較的広帯域に反射振幅が小さくなっており、２８ギガヘルツ帯での使用に適した特性を示している。
【００２４】
図７は、一次放射器１１０の電界面（Ｅ面）における指向性を示すグラフである。図７で、０°の方向にセミリジッドケーブル１１４の接続位置がある。セミリジッドケーブル１１４の影響で０°の方向（第二導電体１１３の中心から見てセミリジッドケーブル１１４の接続位置がある方向）に指向性がチルトしている。
図８は、一次放射器１１０の磁界面（Ｈ面）における指向性を示すグラフである。図８で、９０°の方向が誘電体基板１１１の第二面の正面方向（第二面に直交する方向）であり、反射鏡１２０へ向けて集中的に電磁波が放射されることが示されている。
【００２５】
図９は、誘電体基板１１１の直径（ｒｓｕｂ）とＦＢ比（Front Back Ratio、前方対後方比）、ゲイン（Gain、利得）の各々との関係を示すグラフである。図９のグラフの横軸は誘電体基板１１１の直径を示し、縦軸はＦＢ比、ゲインの各々を示す。線Ｌ１１は、誘電体基板１１１の直径とＦＢ比との関係を示す。線Ｌ１２は、誘電体基板１１１の直径とゲインとの関係を示す。
図９では、誘電体基板１１１の直径が１０ミリメートル程度でＦＢ比、ゲインのいずれも最大となっている。誘電体基板１１１の直径が１０ミリメートルの場合、例えば平面反射板付きダイポールアンテナ等よりも大きいＦＢ比を得られると考えられる。
【００２６】
図１０は、誘電体基板１１１の直径（ｒｓｕｂ）と半値幅（Half-Power Beamwidth；ＨＰＢＷ）との関係を示すグラフである。図１０のグラフの横軸は誘電体基板１１１の直径を示し、縦軸は半値幅を示す。線Ｌ２１は、電界面（Ｅ面）における半値幅を示す。線Ｌ２２は、磁界面（Ｈ面）における半値幅を示す。
誘電体基板１１１の直径が１０ミリメートルの場合、例えば平面反射板付きダイポールアンテナ等よりも狭い半値幅を得られると考えられる。
このように、誘電体基板１１１の直径１０ミリメートル付近で一次放射器１１０による電磁波のスピルオーバーは小さく、２８ギガヘルツ帯での使用に適していると考えられる。
【００２７】
次に、図１１〜図１３を参照して反射鏡１２０の構成について説明する。
以下では、方形リング型反射素子を用いて反射鏡１２０を構成する場合を例に説明するが、反射鏡１２０に用いる反射素子は特定のものに限定されない。方形リング型反射素子に限らずいろいろな反射素子を用いて反射鏡１２０を構成することができる。
【００２８】
図１１は、反射鏡１２０における反射素子の配置例を示す図である。図１１は、反射鏡１２０を表側（一次放射器１１０がある側）から見た場合の例を示している。
図１１に示すように、反射鏡１２０では、多数の方形リング型反射素子が縦横に並べて配置されている。
【００２９】
図１２は、方形リング型反射素子の例を示す図である。図１２に示すように、方形リング型反射素子１２１は、誘電体基板１２１ａの表面（一次放射器１１０がある側の面）に方形のリング形状の導電体を配置し、裏面（一次放射器１１０と反対側の面）全体にグランドとなる導電体を配置して構成されている。
誘電体基板１２１ａの厚さ（図１２の「ｄ」）は方形リング型反射素子１２１の反射位相特性及び効率周波数特性に影響を及ぼす。誘電体基板１２１ａとして、例えば厚さが０．７８７ミリメートルのものを用いる。また、リング形状の導電体の厚さ（図１２の「ｔ」）は、例えば０．０１７ミリメートルである。
【００３０】
また、方形リング型反射素子１２１ひとつあたりの大きさが大きいほど、ひとつの方形リング型反射素子１２１がカバーできる位相範囲が大きくなる。一方、方形リング型反射素子１２１ひとつあたりの大きさが大きくなると、反射鏡１２０上の反射素子数が減少するため、反射鏡１２０全体での位相誤差は増加する。もっとも、この場合の位相誤差が反射鏡１２０の利得に与える影響は小さい。
方形リング型反射素子１２１のサイズとして、例えば方形リング型反射素子１２１の方形の一辺の長さ（図１２の「ｌ」）を３ミリメートルとする。以下では、この一辺の長さをユニットサイズと称する。
【００３１】
図１３は、方形リング型反射素子１２１の設計方法の例を示す図である。
図１３に示す設計方法では、まずリングの幅（図１２の「ｗ」）０．２ミリメートルに固定し、リングの外辺の長さ（図１２の「ａｏ」）を増加させていく（設計手法（Ａ））。リングの外辺の長さａｏの増減は、例えば０．０５ミリメートル毎に行う。
リングの外辺の長さａｏがある程度以上に長くなった後、リングの外辺の長さａｏをさらに増加させるとともに、リング内の穴の辺の長さ（図１２の「ａｉ」を減少させる（設計手法（Ｂ））。設計手法（Ｂ）では、リングの幅ｗが増加していく。リング内の穴の辺の長さａｉの増減は、例えば０．０５ミリメートル毎に行う。
リングの外辺の長さａｏが最大になった後は、リングの外辺の長さａｏを固定し、リング内の穴の辺の長さａｉを増加させる（設計手法（Ｃ））。設計手法（Ｃ）では、リングの幅ｗが減少していく。
【００３２】
これらの設計手法を用いて反射鏡１２０に方形リング型反射素子１２１を配置することで、反射鏡１２０の指向性を調整することができる。
但し、上述したように反射鏡１２０に用いる反射素子は方形リング型反射素子１２１に限らず、公知のいろいろな反射素子を用いることができ、反射素子の設計手法についても、公知のいろいろな設計手法を用いることができる。
【００３３】
リフレクトアレーアンテナ１００全体の設計に際しては、一次放射器１１０の放射パターンが非対称であり、かつ、位相中心点が不明であることから、論理的に位相分布を得ることは困難である。そこで、例えば電磁界のシミュレーションを行って位相分布を求めて、リフレクトアレーアンテナ１００の設計を行う。
具体的には、まず、一次放射器１１０、方形リング型反射素子１２１の設計を個々に行う。また、リフレクトアレーアンテナ１００に所望の利得及びサイズなどに基づいて反射鏡１２０の大きさ及び焦点距離を決定する。そして、反射鏡１２０の位相分布を電磁界のシミュレーションにて求め、得られた位相分布に応じて方形リング型反射素子１２１の配置を決定する。
【００３４】
次に、図１４〜図１６を参照してリフレクトアレーアンテナ１００の特性について説明する。
図１４は、リフレクトアレーアンテナ１００の反射特性を示すグラフである。図１４のグラフの横軸は送信周波数を示し、縦軸は反射係数を示す。図１４では、送信周波数２８メガヘルツの近傍でサイドローブレベルが小さくなっている。リフレクトアレーアンテナ１００をさらに調整することで、送信周波数２８メガヘルツにおけるサイドローブレベルをさらに低下させることができる。
【００３５】
図１５は、中心周波数２８ギガヘルツにおける電界面（Ｅ面）での指向性を示すグラフである。図１５のグラフの横軸は角度（方向）を示し、縦軸は指向性を示す。
図１６は、中心周波数２８ギガヘルツにおける磁界面（Ｈ面）での指向性を示すグラフである。図１６のグラフの横軸は角度（方向）を示し、縦軸は指向性を示す。
図１５及び図１６では、利得は２４．９ｄＢｉである。また、電界面でのサイドローブレベルは−１７．０デシベル（ｄＢ）、磁界面でのサイドローブレベルは−１９．３デシベルである。また、半値幅は、電界面で７．７°、磁界面で８．０°である。このときの開口効率は４２．９％であった。
また、電界面の放射パターンにおいてｘ方向に４°のビームチルトが見られた。ここでのビームチルトは小さく、例えばリフレクトアレーアンテナ１００をビームチルトの分だけ斜めに設置することで調整できる。
【００３６】
以上のように、一次放射器１１０では、グランドの導電体層を構成する第一導電体１１２が、誘電体基板１１１の第一面（反射鏡１２０と反対側の面）に設けられている。また、マイクロストリップの導電体層を構成する第二導電体１１３が、誘電体基板１１１の第二面（反射鏡１２０側の面）に設けられている。そして、同軸ケーブルであるセミリジッドケーブル１１４が、第二面側から配線されている。セミリジッドケーブル１１４の外周側の導電体は、第二導電体１１３（マイクロストリップの導電体層）に接続されている。セミリジッドケーブル１１４の中心側の導電体１１４ａは、誘電体基板１１１を貫通してグランドの導電体層に接続されている。
【００３７】
この一次放射器１１０では、バックファイヤー・ヘリカルアンテナとの比較では、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を立体的に構成する必要がない。この点で、一次放射器１１０を簡単な構造とすることができ、製造時の負担が小さい。
また、一次放射器における同軸ケーブルの配線方法として図１７に示される方法も考えられるが、一次放射器１１０の構造の方が簡単である。
【００３８】
図１７は、一次放射器における同軸ケーブルの配線例を示す図である。図１７の例では、誘電体基板１００１の両側に、それぞれにグランドの導電体層１００２と、マイクロストリップの導電体層１００３とが設けられた素子に、同軸ケーブル１００４が接続されている。同軸ケーブル１００４は、中心側の導電体１００４ａと外周側の導電体１００４ｃとの間が絶縁体１００４ｂで絶縁されている。
【００３９】
図１７の例では、外周側の導電体１００４ｃがグランドの導電体層１００２に接続され、中心側の導電体１００４ａがマイクロストリップの導電体層１００３に接続されている。かかる接続を行うために、マイクロストリップの導電体層１００３側から配線された同軸ケーブルがマイクロストリップの導電体層１００３及び誘電体基板１００１を貫通している。同軸ケーブル１００４がグランドの導電体層１００２に達したところで、外周側の導電体１００４ｃがグランドの導電体層１００２に接続されている。
【００４０】
中心側の導電体１００４ａは、さらに、グランドの導電体層１００２よりも外側を通った後、グランドの導電体層１００２及び誘電体基板１００１を再び貫通している。中心側の導電体１００４ａは、マイクロストリップの導電体層１００３に達したところで、マイクロストリップの導電体層１００３に接続されている。
図１７に示す構造では、中心側の導電体１００４ａを折り曲げる必要がある点、及び、中心側の導電体１００４ａをグランドの導電体層１００２の側からマイクロストリップの導電体層１００３の側へ貫通させる必要がある点で、構造が複雑である。
【００４１】
これに対し、図４を参照して説明した一次放射器１１０の構造では、中心側の導電体１１４ａを折り曲げる必要は無く、また、中心側の導電体１１４ａを第一導電体１１２側から第二導電体１１３側へ貫通させる必要もない。
このように、一次放射器１１０の構造は、図１７に示す構造よりも簡単である。セミリジッドケーブル１１４を流れる信号が交流信号であることから、中心側の導電体１１４ａを第一導電体１１２に接続し、外周側の導電体１１４ｃを第二導電体１１３に接続してもよく、これによって図４を参照して説明した構造とすることができる。
【００４２】
このように、一次放射器１１０は、誘電体基板の両面それぞれに導電体層を設け、各導電体層にセミリジッドケーブル１１４を接続した簡単な構造となっており、この点で、低コストで製造することができる。また、誘電体基板の両面それぞれに導電体層を設けた平面的な構造である点で、アンテナを薄型化することができる。
【００４３】
なお、リフレクトアレーアンテナのサイズが大きい場合や、リフレクトアレーアンテナの使用環境等の条件により強度が必要な場合、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３をアームで支持するようにしてもよい。この場合、誘電体基板１１１と一体的にアームを構成するようにしてもよい。
図１８は、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を支持するアームを備えるリフレクトアレーアンテナの外形図（斜視図）である。
【００４４】
図１８のリフレクトアレーアンテナ１０１は、上述した誘電体基板１１１、第一導電体１１２、第二導電体１１３、セミリジッドケーブル１１４及び反射鏡１２０に加えて、ケース１３０及びアーム１１５を備えている。ケース１３０は、リフレクトアレーアンテナ１０１の横側を覆っている。アーム１１５は、ケース１３０に固定されて誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を支持している。
アーム１１５は、誘電体基板１１１と一体的に構成されている。これにより、誘電体基板１１１及びアーム１１５を製造する際の切削等の処理が比較的少なくて済む。また、誘電体基板１１１をアーム１１５に固定する処理が不要である。この点で、リフレクトアレーアンテナ１０１を比較的容易に、また、比較的低コストで製造することができる。
【００４５】
以上では、一次放射器１１０をリフレクトアレーアンテナに用いる場合を例に説明したが、一次放射器１１０をパラボラアンテナに用いるようにしてもよい。一次放射器１１０をパラボラアンテナに用いる場合も、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３をセミリジッドケーブル１１４のみで支持するようにしてもよいし、これらを支持するためのアームが設けられていてもよい。
図１９は、一次放射器１１０を用いたパラボラアンテナの外形図（斜視図）である。図１９に示すパラボラアンテナ１０２は、一次放射器１１０、アーム２１５、反射鏡２２０及びケース２３０を含んで構成される。
【００４６】
一次放射器１１０は、上述したリフレクトアレーアンテナの場合と同様、誘電体基板１１１、第一導電体１１２及、第二導電体１１３及びセミリジッドケーブル１１４で構成される。反射鏡２２０は、二次曲線を回転させた形状を有しており、一次放射器１１０が放射した電磁波をおよそ正面（一次放射器１１０の側）へ反射する。ケース２３０は、パラボラアンテナ１０２の横側を覆っている。アーム２１５は、ケース２３０に固定されて誘電体基板１１１、第一導電体１１２及び第二導電体１１３を支持している。特に、アーム２１５は、一次放射器１１０（誘電体基板１１１、第一導電体１１２、第二導電体１１３及びセミリジッドケーブル１１４）を反射鏡１２０に対して一定の位置に支持している。
アーム２１５は、誘電体基板１１１と一体に構成されている。これにより、誘電体基板１１１及びアーム２１５を製造する際の切断等の処理が比較的少なくて済む。また、誘電体基板１１１をアーム２１５に固定する処理が不要である。この点で、パラボラアンテナ１０２を比較的容易に、また、比較的低コストで製造することができる。
【００４７】
なお、一次放射器１１０にもう１本のセミリジッドケーブル１１４を接続して直交偏波アンテナに用いるようにしてもよい。
図２０は、直交偏波のパラボラアンテナの外形図（斜視図）である。図２０のパラボラアンテナ１０３は、一次放射器３１０と、反射鏡２２０とを含んで構成されている。一次放射器３１０は、誘電体基板１１１、第一導電体１１２、第二導電体１１３及び２本のセミリジッドケーブル１１４を含んで構成されている。２本のセミリジッドケーブル１１４それぞれに送信信号を入力すると、第二導電体１１３は、直交偏波の電磁波を放射する。そのために、２本のセミリジッドケーブル１１４それぞれが第二導電体１１３に接続する位置を予め（一次放射器１１０の設計時に）調整しておく。
それ以外の点では、一次放射器３１０は、一次放射器１１０の場合と同様である。
反射鏡２２０は、図１９の場合と同様、反射鏡２２０は、二次曲線を回転させた形状を有しており、一次放射器３１０が放射した電磁波をおよそ正面（一次放射器１１０の側）へ反射する。
【００４８】
以上のように、一次放射器３１０には、２本のセミリジッドケーブル１１４が配線されている。一次放射器３１０は、これら２本のセミリジッドケーブル１１４にてそれぞれ送信信号の入力を受ける。そして、一次放射器３１０は、入力を受けた送信信号を直交偏波の無線信号にて放射する。
このように、一次放射器３１０が、２つの送信信号の入力を受けて直交偏波の無線信号にて送信することで、通信帯域を確保することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１００、１０１  リフレクトアレーアンテナ
１０２、１０３  パラボラアンテナ
１１０、３１０  一次放射器
１１１  誘電体基板
１１２  第一導電体
１１３  第二導電体
１１４  セミリジッドケーブル
１１４ａ  中心側の導電体
１１４ｂ  絶縁体
１１４ｃ  外周側の導電体
１１５  アーム
１２０、２２０  反射鏡
１２１  方形リング型反射素子
１３０、２３０  ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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