(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池モジュールの製造方法は、ｐ−ｎ接合が形成された半導体基板１１０の背面に形成される複数の第１電極Ｃ１４１と複数の第２電極Ｃ１４２を備える複数の太陽電池を形成するセル形成段階と、熱処理工程により、複数の太陽電池に備えられた複数の第１電極に導電性接着剤ＣＡで第１導電性配線Ｐ１を接続させ、複数の第２電極に導電性接着剤で第２導電性配線Ｐ２を接続させる接続段階と、複数の太陽電池が、第１方向に直列接続されたストリングを形成するために熱処理工程を実行して、いずれか１つの太陽電池の第１導電性配線といずれか１つの太陽電池と隣接する太陽電池の第２導電性配線をインターコネクタに接続させるストリング形成段階の内の少なくとも１つを含むタビング段階とを含み、接続段階と、タビング段階は、最高温度が互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の太陽電池それぞれの半導体基板に形成された複数の第１電極または第２電極の上に導電性接着剤を形成する導電性接着剤形成段階と、
前記複数の太陽電池それぞれに備えられた第１、２電極に交差する方向に複数の第１、２導電性配線を前記複数の第２電極に仮接合して固定する仮接合段階と、
前記複数の第１導電性配線と前記複数の第１電極の間及び前記複数の第２導電性配線と前記複数の第２電極の間が電気的に接続されるように、本接合する本接合段階と、
を含み、
前記仮接合段階においては、
前記複数の第１電極と前記複数の第１導電性配線が交差する複数の第１接続ポイントの内、一部の第１接続ポイントのみに仮接合を実施し、
前記複数の第２電極と前記複数の第２導電性配線が交差する複数の第２接続ポイントの内、一部の第２接続ポイントのみに仮接合を実施し、
前記本接合段階では、前記複数の第１、第２接続ポイントの全てに対して、本接合を実施する、太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記仮接合段階により前記複数の太陽電池が直列に接続されるストリングが形成される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記本接合段階は、前記複数の太陽電池の前面に順に、第１封止材と、前面透明基板を配置し、前記複数の太陽電池の背面に順に、第２封止材と背面シートを配置して熱圧着するラミネート工程により実行される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記仮接合段階以降前記本接合段階以前に、
前記複数の太陽電池の内、互いに隣接した第１，２太陽電池の間にインターコネクタを配置し、前記第１太陽電池の第１電極に固定された複数の第１導電性配線と前記第２太陽電池の第２電極に固定された複数の第２導電性配線を前記インターコネクタに接続させるストリング形成段階とをさらに含む、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記ストリング形成段階の最高温度は、前記本接合段階の最高温度より高い、請求項４に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記ストリング形成段階の最高温度は２４０℃〜２８０℃である、請求項４に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記仮接合段階の最高温度は７０℃〜１５０℃である、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記本接合段階の最高温度は前記仮接合段階の最高温度より高く、１４０℃〜１８０℃である、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記仮接合段階以前に、
前記複数の第１電極と前記複数の第２導電性配線の交点と、前記複数の第２電極と前記複数の第１導電性配線の交点には絶縁層が形成される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層のそれぞれの形成面積は前記導電性接着剤のそれぞれの形成面積より大きい、請求項９に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記ストリング形成段階において、
前記インターコネクタは前記第１、２太陽電池のそれぞれの半導体基板と離隔され、前記第１、第２導電性配線のそれぞれの長さ方向と交差する方向に長く配置される、請求項４に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な太陽電池は、ｐ型とｎ型のように、互いに異なる導電型（conductive type）の半導体からなる基板（substrate）とエミッタ部（emitter）、そして基板とエミッタ部にそれぞれ接続された電極を備える。この時、基板とエミッタ部の界面にはｐ−ｎ接合が形成されている。
【０００３】
特に、太陽電池の効率を高めるために、シリコン基板の受光面に電極を形成することなく、シリコン基板の裏面だけでｎ電極およびｐ電極を形成した裏面電極型太陽電池セルの研究開発が進められている。このような裏面電極型太陽電池セルを複数接続して電気的に接続するモジュール化技術も進んでいる。
【０００４】
このようなモジュールと技術は、複数本の太陽電池セルを金属インターコネクタで電気的に接続する方法と、あらかじめ配線が形成された配線基板を用いて電気的に接続する方法が代表的である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る太陽電池の製造方法はｐ−ｎ接合が形成された半導体基板の背面に互いに並行に形成される複数の第１電極と複数の第２電極を形成して、複数の太陽電池のそれぞれを形成するセル形成段階と、熱処理工程を実行して、複数の太陽電池のそれぞれに備えられた複数の第１電極に導電性接着剤を介して第１導電性配線を接続させ、複数の第２電極に導電性接着剤を介して第２導電性配線を接続させる接続段階と、複数の太陽電池が、第１方向に直列接続されたストリングを形成するために熱処理工程とを実行して、いずれか１つの太陽電池に備えられた第１導電性配線といずれか１つの太陽電池と隣接する太陽電池に備えられた第２導電性配線とをインターコネクタに接続させるストリングの形成段階の内の少なくとも１つを含むタビング（tabbing）段階とを含み、接続段階とストリングの形成段階の内の少なくとも１つを含むタビング段階は、最高温度が互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含む。
【０００７】
ここで、複数の第１電極と第１導電性配線が交差したり、重畳する複数の第１接続ポイントと複数の第２電極と第２導電性配線が交差したり、重畳する複数の第２接続ポイントがあり、接続段階は、複数の第１接続ポイントと、複数の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理する工程と、第１最高温度と異なる第２最高温度で熱処理する工程を含むことができる。
【０００８】
ここで、接続段階は、複数の第１接続ポイントの内の少なくとも一部の第１接続ポイントと複数の第２接続ポイントの内の少なくとも一部の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理する仮接合工程と、少なくとも一部の第１、２接続ポイントを含む複数の第１、２接続ポイントのすべてを第１最高温度より高い第２最高温度で熱処理する本接合工程を含むことができる。
【０００９】
このような接続段階において、仮接合工程の第１最高温度は７０℃〜１５０℃の間であり、本接合工程の第２最高温度は、第１最高温度より高い範囲の中で１４０℃〜４００℃の間で有り得る。
【００１０】
併せて、これと異なって接続段階は、複数の第１接続ポイントの内の一部の第１接続ポイントと複数の第２接続ポイントの内の一部の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理する高融点熱処理工程と、複数の第１、２接続ポイントの内の残りの第１、２接続ポイントを第１温度より低い第２最高温度で熱処理する低融点熱処理工程を含むことができる。
【００１１】
ここで、高融点熱処理工程の第１最高温度は１５０℃〜４００℃の間であり、低融点熱処理工程の第２最高温度は、第１最高温度より低い範囲の内で１４０℃〜１８０℃の間で有り得る。
【００１２】
ここで、第１、２導電性配線は、１つの絶縁性部材に予めパターニングされて備えられ、接続段階で、第１、２導電性配線が備えられた絶縁性部材と、第１、２電極が形成された半導体基板がそれぞれ個々に接続され１つの個別素子で形成することができる。
【００１３】
さらに、接続段階において、第１電極と第２電極との間、及び第１導電性配線と第２導電性配線の間には、絶縁層が形成されることができる。
【００１４】
また、これと異なって、第１、２導電性配線のそれぞれは、第１方向に長く伸びた複数本の導電性ワイヤまたは導電性リボンで形成され、接続段階で導電性ワイヤまたは導電性リボン形状を有する複数の第１、２導電性配線のそれぞれが各太陽電池に備えられた複数の第１、２の電極のそれぞれに接続することができる。
【００１５】
また、第１、２導電性配線のそれぞれは、２つの太陽電池のそれぞれに備えられた２つの半導体基板と、重畳され、 接続段階により、互いに隣接する２つの太陽電池が互いに直列接続されるストリングが形成され、ストリング形成段階は省略されることも可能である。
【００１６】
さらに、タビング段階は、接続段階とストリング形成段階を含み、接続段階の熱処理工程の最高温度は、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度と異なることがある。
【００１７】
ここで、接続段階の熱処理工程の最高温度は１４０℃〜４００℃の間であり、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度は１４０℃〜４００℃の間の範囲で接続段階の熱処理工程の最高温度と異なることがある。
【００１８】
一例として、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度は、接続段階の熱処理工程の最高温度より高いことがある。
【００１９】
さらに具体的には、接続段階の熱処理工程の最高温度は１４０℃〜１８０℃の間であり、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度は、接続段階の熱処理工程の最高温度より高い範囲で１５０℃〜３００℃の間で有り得る。
【００２０】
一例として、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度は２４０℃〜２８０℃の間で有り得る。
【００２１】
また、ストリングの形成段階の熱処理工程は、仮接合工程と仮接合工程より高い最高温度で熱処理する本接合工程を含み、ストリングの形成段階での仮接合工程の最高温度は８０℃〜１００℃間であり、ストリングの形成段階での本接合工程の最高温度は１７０℃〜１９０℃の間で有り得る。
【００２２】
さらに、タビング段階は、互いに隣接した２つのストリングを互に接続するために、熱処理工程を実行して、第１方向と交差する第２方向に長く伸びているボシンリボン（bussing ribbon）に第１方向に長く形成されたいずれか１つのストリングの端に位置した最後の太陽電池に接続された第１導電性配線と、いずれか１つのストリングと隣接して第１方向に長く形成されたストリングの端に位置した最後の太陽電池に接続された第２導電性配線を接続させるストリング接続段階とをさらに含み、ストリング接続段階の熱処理工程の最高温度は、ストリング形成段階の熱処理工程の最高温度とは異なることがある。
【００２３】
一例として、ストリング接続段階の熱処理工程の最高温度とストリング形成段階の熱処理工程の最高温度は１４０℃〜４００℃の間の範囲で互いに異なることがある。
【００２４】
本発明の一例に従った太陽電池モジュールは、半導体基板及び半導体基板の背面に互いに離隔して形成される複数の第１電極と複数の第２電極を含む複数の太陽電池と、複数の太陽電池の内いずれか１つの太陽電池に備えられた複数の第１電極及びいずれかの太陽電池と隣接する太陽電池に備えられた複数の第２電極に接続される複数の導電性配線とを含み、複数の導電性配線の長さ方向は、複数の第１、２電極のそれぞれの長さ方向と交差する。
【００２５】
ここで、複数の導電性配線のそれぞれといずれか１つの太陽電池に備えられた複数の第１電極のそれぞれの間及び複数の導電性配線のそれぞれと隣接する太陽電池に備えられた複数の第２電極のそれぞれの間は導電性接着剤を介して接続されることができる。
【００２６】
さらに、複数の導電性配線のそれぞれといずれか１つの太陽電池において備えられた複数の第２電極のそれぞれの間と複数の導電性配線のそれぞれと隣接する太陽電池において備えられた複数の第１電極のそれぞれの間には絶縁層が位置することができる。
【００２７】
ここで、半導体基板の背面において絶縁層の形成面積と導電性接着剤の形成面積は互いに異なることがありえる。さらに具体的には、半導体基板の背面において絶縁層の形成面積は導電性接着剤の形成面積より大きくすることができる。
【００２８】
また、複数の導電性配線においていずれか１つの太陽電池と隣接する太陽電池間に露出される部分には、第１、２電極の長さ方向と同じ方向に長く伸びている金属パッドを接続することができる。
【００２９】
さらに、導電性配線は、いずれか１つの方向に長く伸びたストライプ形態の導電性ワイヤまたは導電性リボンが用いることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る太陽電池モジュールは、各半導体基板の背面に第１、２導電性配線が接続され形成されるので、太陽電池モジュールの製造工程をさらに容易にすることができる。
【００３１】
さらに、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、タビング段階で最高温度が互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含むことにより、太陽電池モジュールの製造工程をさらに容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【図２】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【図３】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【図４】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【図５】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【図６】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第２例を説明するための図である。
【図７】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第２例を説明するための図である。
【図８】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図９】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１０】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１１】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１２】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１３】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１４Ａ】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１４Ｂ】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１４Ｃ】本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【図１５】本発明に係る太陽電池モジュールを製造する方法を説明するためのフローチャートである。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２０Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２０Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の変更例を説明するための図である。
【図３２】本発明の第４の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について詳細に説明する。
以下では、添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、さまざまな形で実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分には同様の符号を付与した。
【００３４】
以下において、前面とは、直射光が入射される半導体基板の一面または前面ガラス基板の一面で有り得、背面とは、直射光が入射されないか、または、直射光ではなく、反射光が入射することができる半導体基板及び前面ガラス基板の一面の反対面で有り得る。
【００３５】
以下では、添付した図面を参考にして、本発明の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
【００３６】
そのために、まず、本発明の太陽電池モジュールの様々な実施の形態について説明した後に、これを製造する方法の様々な実施の形態について説明する。
【００３７】
図１〜図５は、本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第１の例を説明するための図である。
【００３８】
ここで、図１は、本発明に係る太陽電池モジュールの第１の例を背面から見た形状であり、図２は、図１に適用される太陽電池の一例を示す一部斜視図であり、図３は図２に示された太陽電池の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の背面パターンを示したものであり、図４は、図１にＣｘ１−Ｃｘ１ラインに沿った断面図を示したものであり、図５は、図１および４に示された複数の太陽電池が直列接続されたストリングがモジュール化された断面を説明するための図である。
【００３９】
図１に示すように、本発明に係る太陽電池モジュールの第１の例は、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれに接続される複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を互に接続するインターコネクタ（ＩＣ）を含む。
【００４０】
このような複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）は、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）とインターコネクタ（ＩＣ）によって、第１方向（ｘ）に直列接続されるストリングを形成することができる。
【００４１】
ここで、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれは、半導体基板１１０と、半導体基板１１０の背面に形成される複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）を備え、複数の第１導電性配線（Ｐ１）は、複数の第１電極（Ｃ１４１）に接続され、複数の第２導電性配線（Ｐ２）は、複数の第２電極（Ｃ１４２）に接続することができる。
【００４２】
ここで、太陽電池は、少なくとも半導体基板１１０と半導体基板１１０の背面に互いに離隔して形成される複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）を備えることができる。
【００４３】
さらに具体的に説明すると、図２及び図３に示すように、本発明に係る太陽電池は、一例として、半導体基板１１０、反射防止膜１３０、エミッタ部１２１、背面電界部１７２（back surface field; BSF、172）、複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）を含むことができる。
【００４４】
ここで、反射防止膜１３０と背面電界部１７２は、省略されることもあるが、以下では、図２及び図３に示すように反射防止膜１３０と背面電界部１７２が含まれたものを一例として説明する。
【００４５】
半導体基板１１０は、第１導電型、例えば、ｎ型導電型のシリコンからなる半導体基板１１０で有り得る。このような半導体基板１１０は、結晶シリコン材質で形成される半導体ウエハに第１導電型の不純物、一例としてｎ型導電型の不純物がドーピングされて形成することができる。
【００４６】
エミッタ部１２１は、前面と向き合っている半導体基板１１０の背面内に複数本が互いに離隔して位置しており、第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に長く伸びて形成されることがある。このような複数のエミッタ部１２１は、半導体基板１１０の導電型と反対の第２導電型、例えばｐ型導電型の不純物を含むことができる。
【００４７】
これにより、半導体基板１１０とエミッタ部１２１によってｐ−ｎ接合が形成されることができる。
【００４８】
背面電界部１７２は、半導体基板１１０の背面内部に複数本が互いに離隔して位置し、複数のエミッタ部１２１と並行する第２方向（ｙ）に伸びて形成することができる。したがって、図２及び図３に示したように、半導体基板１１０の背面において複数のエミッタ部１２１と、複数の背面電界部１７２は、交互に位置することができる。
【００４９】
複数の背面電界部１７２は、半導体基板１１０と同じの第１導電型の不純物が半導体基板１１０より高濃度で含有したｎ＋＋不純物部で有り得る。
【００５０】
参考として、図面の理解の便宜上、図１及び図４ではエミッタ部１２１と背面電界部１７２の図示は省略した。
【００５１】
複数の第１電極（Ｃ１４１）は、エミッタ部１２１と、それぞれ物理的及び電気的に接続されてエミッタ部１２１に沿って、半導体基板１１０の背面に形成することができる。
【００５２】
また、複数の第２電極（Ｃ１４２）は、複数の背面電界部１７２に沿って、半導体基板１１０の背面に形成され、 背面電界部１７２を介して半導体基板１１０と、それぞれ物理的及び電気的に接続することができる。
【００５３】
ここで、複数の第１電極（Ｃ１４１）のそれぞれは、図３に示すように、第２方向（ｙ）に伸ばすことができ、複数の第１電極（Ｃ１４１）のそれぞれは、第２方向（ｙ）と交差する第１方向（ｘ）に互いに離隔して配列することができる。
【００５４】
さらに、複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれも、図３に示すように、第２方向（ｙ）に伸びることがあり、複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれは、第２方向（ｙ）と交差する第１方向（ｘ）に互いに離隔して配列することができる。
【００５５】
また、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）は、互いに離隔して、交互に配置することができる。
【００５６】
ここで、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの厚さ（ＴＣ）対幅（ＷＣ）の比が１：２００〜１５００の間で有り得る。つまり、一例として、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの厚さ（ＴＣ）は、０．２μｍ〜１μｍ間で形成することがあり、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの幅（ＷＣ）は２００μｍ〜３００μｍ間で形成することができる。
【００５７】
このように、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの厚さ（ＴＣ）対幅（ＷＣ）の比が１：２００〜１５００の間になるようにすることで、太陽電池の製造コストを最小化することができる。
【００５８】
このような場合、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の各断面積が過度に減って、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの抵抗が問題になることがありうるが、このような抵抗は、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれに接続される第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の数と幅を適切に設定することにより、解消することができる。このような複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）は、一例として、スパッタリング方式で製造することができる。
【００５９】
このような構造で製造された本発明に係る太陽電池において、第１電極（Ｃ１４１）を介して収集された正孔と第２電極（Ｃ１４２）を介して収集された電子は、外部の回路装置を介して外部装置の電力として用いることができる。
【００６０】
本発明に係る太陽電池モジュールに適用された太陽電池は、必ず図２及び図３にのみに限定することなく、太陽電池に備えられる第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が半導体基板１１０の背面のみに形成される点を除外し、他の構成要素は、いくらでも変更が可能である。
【００６１】
例えば、本発明の太陽電池モジュールには、第１電極（Ｃ１４１）の一部とエミッタ部１２１が、半導体基板１１０の前面に位置し、第１電極（Ｃ１４１）の一部が半導体基板１１０に形成されたホールを介して半導体基板１１０の背面に形成された第１電極（Ｃ１４１）の残りの一部と接続されるＭＷＴタイプの太陽電池も適用が可能である。
【００６２】
このような太陽電池は、図１及び図４に示すように、複数本が第１方向（ｘ）に沿って長く配列することができる。この時、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）に備えられる複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向が第２方向（ｙ）に向くように配置することができる。
【００６３】
さらに、図１〜図３においては、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれが第２方向（ｙ）に長くストライプ（stripe）形態に配列された場合を一例に説明して示したが、これと違って、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれは、第２方向（ｙ）に長く配列されるが、途中が切断された形態に配列することもできる。
【００６４】
すなわち、図１と違って、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれで絶縁層（ＩＬ）が形成された部分に第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成されないことがある。つまり、複数の第１電極（Ｃ１４１）のそれぞれは、第２方向（ｙ）に長く配列されるが、複数の第２導電性配線（Ｐ２）と交差する部分には、第１電極（Ｃ１４１）が形成されず、離隔されることがある。
【００６５】
さらに、複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれも第２方向（ｙ）に長く配列されるが、複数の第２導電性配線（Ｐ２）と交差する部分には、第２電極（Ｃ１４２）が形成されず、離間して形成されることができる。
【００６６】
さらに、図１において、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）は、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）と交差する方向である第１方向（ｘ）に長く配置されることができる。
【００６７】
このような第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、一例として、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌの内の少なくともいずれか１つを含むコアと、コアの表面にスズ（Ｓｎ）を含むはんだ材質のコーティング層がコーティングされて形成され、何れか一方向に長く伸びたストライプ形態の導電性ワイヤまたは導電性リボンを用いることができる。
【００６８】
また、図１及び図４に示すように、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、各太陽電池に備えられた複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれに導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続することができる。
【００６９】
さらに具体的には、図１及び図４に示すように、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれにおいて複数の第１導電性配線（Ｐ１）は、複数の第１電極（Ｃ１４１）と交差する部分で導電性接着剤（ＣＡ）を介して、複数の第１電極（Ｃ１４１）に接続することができ、複数の第２導電性配線（Ｐ２）は、複数の第２電極（Ｃ１４２）と交差する部分で 導電性接着剤（ＣＡ）を介して複数の第２電極（Ｃ１４２）に接続することができる。
【００７０】
ここで、導電性接着剤（ＣＡ）は、少なくともスズ（Ｓｎ）のような金属物質を含むはんだぺースト型であるか、エポキシ（epoxy）またはシリコン（silicone）の内の少なくともいずれか１つのレジン（resin）内に、少なくともスズ（Ｓｎ）のような金属物質を含む導電性ぺースト型または導電性フィルムのいずれか１つを用いることができる。
【００７１】
このような導電性接着剤（ＣＡ）は、図１及び図４に示すように、複数の第１導電性配線（Ｐ１）と、複数の第１電極（Ｃ１４１）が交差する各部分の第１導電性配線（Ｐ１）と第１電極（Ｃ１４１）との間に位置するか、複数の第２導電性配線（Ｐ２）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）が交差する各部分の第２導電性配線（Ｐ２）と第２電極（Ｃ１４２）との間に位置することができる。
【００７２】
さらに、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれにおいて複数の第１導電性配線（Ｐ１）は、複数の第２電極（Ｃ１４２）と交差する部分で絶縁層（ＩＬ）により複数の第２電極（Ｃ１４２）と絶縁することがあり、複数の第２導電性配線（Ｐ２）は、複数の第１電極（Ｃ１４１）と交差する部分で絶縁層（ＩＬ）により複数の第１電極（Ｃ１４１）と絶縁することがある。
【００７３】
ここで、絶縁層（ＩＬ）は、絶縁性材質であればどのようなものでも構わず、例えば、エポキシ（epoxy）系やシリコン（silicon）系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００７４】
さらに、図１に示すように、本発明の第１例に係る太陽電池モジュールは、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、各太陽電池に含まれた１つの半導体基板１１０と重畳することができ、併せて、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれの先端は、半導体基板１１０よりさらに突出するように接続することができる。
【００７５】
したがって、ストリングを形成するために 第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の半導体基板１１０を背面から見たとき、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の先端は、別のインターコネクタ（ＩＣ）に接続することができる。図４では明確に示されていないが、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）がインターコネクタ（ＩＣ）に接続されるときにも導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続することができる。
【００７６】
さらに具体的な一例として、図１に示すように、第１太陽電池（Ｃ１）で半導体基板１１０の外に突出した第１導電性配線（Ｐ１）の先端と第２太陽電池（Ｃ２）で半導体基板１１０の外に突出した第２導電性配線（Ｐ２）の先端は、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の間に位置するインターコネクタ（ＩＣ）に接続することができる。
【００７７】
図１及び図４に示すように、第１太陽電池（Ｃ１）の第１導電性配線（Ｐ１）と第２太陽電池（Ｃ２）の第２導電性配線（Ｐ２）は、インターコネクタ（ＩＣ）の背面に接続することができる。
【００７８】
ここで、第１太陽電池（Ｃ１）は、複数の太陽電池のいずれか１つの太陽電池であり得、第２太陽電池（Ｃ２）は、いずれか１つの第１太陽電池（Ｃ１）に隣接する太陽電池で有り得る。
【００７９】
この時、図１及び図４に示すように、インターコネクタ（ＩＣ）の長さ方向は第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれの長さ方向と交差し、各太陽電池の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向と同じ第２方向（ｙ）に長く形成することができる。ここで、インターコネクタ（ＩＣ）は、金属パッドに形成することができる。
【００８０】
これにより、第１方向（ｘ）に長く伸びて配列される複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）は、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）によって直列接続されて１つのストリングを形成することができる。
【００８１】
このように、図１及び４に示された複数の太陽電池が直列接続されたストリングは、図５に示すようにモジュール化することができる。
【００８２】
すなわち、図５に示すように、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）によって互いに直列接続された複数の太陽電池は、前面透明基板（ＦＧ）上に塗布された第１封止材（ＥＣ１）の上に位置させた後に、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の上に第２封止材（ＥＣ２）と背面シート（ＢＳ）を配置した状態で熱圧着するラミネート工程によってモジュール化することができる。この時、ラミネート工程での熱処理温度は、１４５℃〜１７０℃の間で有り得る。
【００８３】
ここで、透明基板（ＦＧ）は、光透過性のガラスまたはプラスチック材質で有り得、 第１、２封止材（ＥＣ１、ＥＣ２）は弾性力と絶縁性を備えた材質であり、一例として、ＥＶＡを含むことができる。さらに、背面シート（ＢＳ）は、防湿機能を有する絶縁性材質で形成することができる。
【００８４】
これまでは、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれが１つの太陽電池または１つの半導体基板１１０にのみ重畳され、各太陽電池の背面に接続され、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）に別のインターコネクタ（ＩＣ）が接続される太陽電池モジュールについてのみ説明した。
【００８５】
しかし、これと違って、図１に示された別のインターコネクタ（ＩＣ）が省略され、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれが２つの太陽電池または２つの半導体基板１１０に重畳及び接続されインターコネクタ（ＩＣ）の役割の代わりをすることもできる。
【００８６】
これに対し、本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第２例を一例として説明する。
【００８７】
図６〜図７は、本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第２例を説明するための図である。
【００８８】
ここで、図６は、本発明に係る太陽電池モジュールの第２例を背面から見た形状であり、図７は、図６でＣｘ２−Ｃｘ２ラインに沿った断面図を示したものである。
【００８９】
図６及び図７においては、本発明の第１例に係る太陽電池モジュールと同じの部分の説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
【００９０】
図６及び図７においては、先で説明した本発明の第１例に係る太陽電池モジュールと同じ太陽電池、同じ材質の導電性接着剤（ＣＡ）、同じ材質の絶縁層（ＩＬ）、同じ材質と同じ方向に配置される第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を用いることができる。
【００９１】
ただし、前述のように、本発明の第２例に係る太陽電池モジュールにおいては、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の長さを、前述の第１例に適用された第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の長さより長く形成することができる。
【００９２】
したがって、本発明の第２例に係る太陽電池モジュールでは、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が互いに隣接する２つの太陽電池のそれぞれに含まれる２つの半導体基板１１０と重畳することができる。
【００９３】
ここで、複数の太陽電池は、第１方向（ｘ）に長く伸びている複数の導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）によって、直列接続することができる。このため、複数の導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、複数の太陽電池のいずれか１つの太陽電池に備えられた複数の第１電極（Ｃ１４１）といずれかの太陽電池と隣接する太陽電池に備えられた複数の第２電極（Ｃ１４２）に接続することができる。
【００９４】
一例として、図６及び図７に示すように、複数の第１、２、３の太陽電池（Ｃ１〜Ｃ３）が第１方向（ｘ）に順次配列され、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）が互いに隣接し、第２、３太陽電池（Ｃ２、Ｃ３）が互いに隣接したとき、第２太陽電池（Ｃ２）に備えられたそれぞれの第１電極（Ｃ１４１）に接続された第１導電性配線（Ｐ１）は、第１太陽電池（Ｃ１）に備えられたそれぞれの第２電極（Ｃ１４２）にも導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続されることができる。
【００９５】
さらに、第２太陽電池（Ｃ２）に備えられたそれぞれの第２電極（Ｃ１４２）に接続された第２導電性配線（Ｐ２）は、第３太陽電池に備えられたそれぞれの第１電極（Ｃ１４１）にも導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続することができる。
【００９６】
さらに、複数の導電性配線（Ｐ１）のそれぞれと、いずれか１つの太陽電池［例えば、第２太陽電池（Ｃ２）］に備えられた複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれの間及び複数の導電性配線（Ｐ１）のそれぞれと隣接する太陽電池［例えば、第１太陽電池（Ｃ１）］に備えられた複数の第１電極（Ｃ１４１）のそれぞれの間には、絶縁層（ＩＬ）が位置し、絶縁層（ＩＬ）によって絶縁することができる。
【００９７】
したがって、このように、本発明の第２形態に係る太陽電池モジュールにおいては、一例として、第２太陽電池（Ｃ２）に基づいて、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれを区分して説明したが、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれが互いにいずれか１つの太陽電池の第１電極（Ｃ１４１）または第２電極（Ｃ１４２）と隣接する太陽電池の第２電極（Ｃ１４２）または第１電極（Ｃ１４１）に全て接続されるので、第２実施の形態においては、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれの区別は不要であり、併せて、導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、互いに隣接する太陽電池を直列接続するインターコネクタ（ＩＣ）としての役割をすることができる。したがって、このような場合には、別のインターコネクタ（ＩＣ）を省略することができる。
【００９８】
ここで、図６に示すように、半導体基板１１０の背面から絶縁層（ＩＬ）の形成面積と導電性接着剤（ＣＡ）の形成面積は互いに異なることができる。さらに具体的には、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の整列に誤差が発生しても、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）と第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の間に所望しない短絡をさらに確実に防止するために、半導体基板１１０の背面において絶縁層（ＩＬ）の形成面積は、導電性接着剤（ＣＡ）の形成面積より大きく形成することができる。
【００９９】
さらに、半導体基板１１０の背面において絶縁層（ＩＬ）の形成面積と導電性接着剤（ＣＡ）の形成面積が互いに異なる場合は、先に説明した図１を例に説明した太陽電池モジュールにも同様に適用することができる。
【０１００】
これまで、本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールでは、複数の導電性ワイヤまたは複数の導電性リボンが第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）で使用された場合を一例として説明したが、これと違って、本発明に係る製造方法によって製造される太陽電池モジュールは、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が絶縁性部材２００の上にあらかじめパターニングされた状態で、各太陽電池の半導体基板１１０に形成された第１、２太陽電池に接続されることもできる。これについて説明すると、次の通りである。
【０１０１】
図８〜図１４Ｃは、本発明の製造方法により製造される太陽電池モジュールの第３の例を説明するための図である。
【０１０２】
以下の図８〜図１４Ｃには、先に説明した本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールと重複する内容の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。
【０１０３】
ここで、図８は、太陽電池モジュールに含まれる複数の太陽電池がインターコネクタ（ＩＣ）に接続された形状を上から見た形状であり、図９は、図８でＡ領域の断面を示したものである。
【０１０４】
図８及び図９に示すように、本発明に係る太陽電池モジュールの第３例は、第１、２太陽電池、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）、絶縁性部材２００及びインターコネクタ（ＩＣ）を含むことができる。
【０１０５】
ここで、第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成された半導体基板１１０と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が形成された絶縁性部材２００がそれぞれ個々に接続されて１つの一体型太陽電池、個別素子で形成することができる。しかし、これに必ずしも限定されず、一体型太陽電池、個別素子のそれぞれで絶縁性部材２００のみを省略することもできる。
【０１０６】
ここで、半導体基板１１０は、先に説明した本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールで説明した太陽電池と同じ構造を有することができるが、各太陽電池に含まれた第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向が第２方向（ｙ）でなく、第１方向（ｘ）に向くように、太陽電池を配置されることができる。これに対するより具体的な説明は別に後述する。
【０１０７】
さらに、絶縁性部材２００は、複数の第１電極（Ｃ１４１）に接続される第１導電性配線（Ｐ１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）に接続される第２導電性配線（Ｐ２）を備えることができる。
【０１０８】
ここで、図９に示すように、第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）のそれぞれは、各太陽電池の第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）に導電性接着剤（ＣＡ）によって接続することができる。
【０１０９】
これにより、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれは、１つの絶縁性部材２００に予めパターニングされて備えられた状態で、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が備えた絶縁性部材２００と、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成された半導体基板１１０がそれぞれ個々に接続されて１つの個別素子で形成することができる。
【０１１０】
さらに、インターコネクタ（ＩＣ）は、先に説明した本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールで説明したものと同じものとできる。したがって、図８に示すように、互いに隣接した第１太陽電池（Ｃ１）と第２太陽電池（Ｃ２）は、インターコネクタ（ＩＣ）によって、第１方向（ｘ）に直列接続することができる。
【０１１１】
具体的には一例として、図９に示すように、インターコネクタ（ＩＣ）の両端それぞれは、第１太陽電池（Ｃ１）の第１導電性配線（Ｐ１）と第２太陽電池（Ｃ２）の第２導電性配線（Ｐ２）に接続することができる。しかし、これと違って、インターコネクタ（ＩＣ）の両端のそれぞれは、第１太陽電池（Ｃ１）の第２導電性配線（Ｐ２）と第２太陽電池（Ｃ２）の第１導電性配線（Ｐ１）に接続されることも可能である。
【０１１２】
このとき、インターコネクタ（ＩＣ）と、第１導電性配線（Ｐ１）、及びインターコネクタ（ＩＣ）と第２導電性配線（Ｐ２）は、導電性材質の導電性接着剤（ＣＡ）によって互に接続することができる。
【０１１３】
このような第１、２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）に対してさらに具体的に説明すると、次の通りである。
【０１１４】
図１０及び図１１は、図８に示すように、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成された半導体基板１１０と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が形成された絶縁性部材２００がそれぞれ個々に接続された一体型太陽電池、個別素子を示したもので、図１０は、本発明の一例に従った一体型太陽電池、個別素子の一部斜視図での一例であり、図１１は、図１０に示した一体型の太陽電池、個別素子をライン１１−１１に沿って切断した断面図である。
【０１１５】
併せて、図１２は、図１０及び図１１において半導体基板１１０に形成された第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のパターンと絶縁性部材２００の第１、２導電性パターンの一例を説明するための図である。
【０１１６】
ここで、図１２の（ａ）は、半導体基板１１０の背面に配置される第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）のパターンの一例を説明するための図であり、図１２の（ｂ）は、図１２の（ａ）において１２（ｂ）−１２（ｂ）ラインに沿った断面図であり、図１２の（ｃ）は、絶縁性部材２００の前面に配置される第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）のパターンの一例を説明するための図であり、図１２の（ｄ）は、図１２の（ｃ）で１２（ｄ）−１２（ｄ）ラインに沿った断面図である。
【０１１７】
図１０及び図１１を参考にすれば、本発明に係る一体型太陽電池の個別素子の一例は、半導体基板１１０、反射防止膜１３０、エミッタ部１２１、背面電界部１７２（back surface field; BSF、１７２）、複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）を含む太陽電池と、第１導電性配線（Ｐ１）及び第２導電性配線（Ｐ２）が備えた状態で、各太陽電池の背面に個々に接続された絶縁性部材２００を含むことができる。
【０１１８】
ここで、太陽電池の構造は、先に説明した本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールの太陽電池とほぼ同様することができる。
【０１１９】
ただし、本発明の第３の例に係る太陽電池モジュールにおいては、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの長さ方向が第１方向（ｘ）に向くように、各太陽電池が配置されるので、先の第１、２例で説明した太陽電池とは異なり、各太陽電池のエミッタ部１２１、背面電界部１７２と、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれの長さ方向を第１方向（ｘ）に長く形成することができる。
【０１２０】
このほか、残りの太陽電池の構造は、本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールの太陽電池と同様であるので、これに対する説明は省略する。
【０１２１】
図１２の（ｃ）に示すように、絶縁性部材２００の前面には、第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）がパターニングされ、あらかじめ形成することができる。
【０１２２】
ここで、第１導電性配線（Ｐ１）は、図１２の（ｃ）に示すように、第１接続部（Ｐ１ｆ）と、第１パッド部（Ｐ１ｂ）を含み、第２導電性配線（Ｐ２）は、図１２の（ｃ）に示すように、第２接続部（Ｐ２ｆ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）を含むことができる。
【０１２３】
このような第１導電性配線（Ｐ１）及び第２導電性配線（Ｐ２）の材質はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌの内の少なくともいずれか１つを含んで形成することができる。
【０１２４】
さらに、図１１の（ａ）に示すように、第１導電性配線（Ｐ１）は、導電性材質の導電性接着剤（ＣＡ）を介して第１電極（Ｃ１４１）に電気的に接続することができ、第２導電性配線（Ｐ２）は、導電性材質の導電性接着剤（ＣＡ）を介して第２電極（Ｃ１４２）に電気的に接続することができる。
【０１２５】
また、前述した第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）との間及び第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）との間には、短絡を防止する絶縁層（ＩＬ）が位置することができる。
【０１２６】
ここで、導電性接着剤（ＣＡ）と絶縁層（ＩＬ）のそれぞれの材質は、本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールで説明したものと同様で有り得る。
【０１２７】
絶縁性部材２００は、絶縁性材質であれば特に制限はないが、相対的にに融点が高いものが望ましく、一例として、高温に耐熱性があるポリイミド（polyimide）、エポキシ・ガラス（epoxy-glass）、ポリエステル（polyester）、ＢＴ（bismaleimide triazine）レジンの内の少なくとも１つの材質を含んで形成することができる。
【０１２８】
このような絶縁性部材２００は、柔軟な（flexible）フィルム状に形成されるか、または柔軟でなく硬いプレート（plate）形態で形成することがある。
【０１２９】
このような本発明に係る一体型太陽電池、個別素子は、絶縁性部材２００の前面に第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）が予め形成され、半導体基板１１０の背面に複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）が予め形成された状態で、絶縁性部材２００と半導体基板１１０がそれぞれ個々に接続されて１つの太陽電池、個別素子に形成されることがある。
【０１３０】
つまり、１つの絶縁性部材２００に接続されて接続される半導体基板１１０は、１つで有り得、１つの半導体基板１１０の背面に形成された複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれは、１つの絶縁性部材２００の前面に形成された第１導電性配線（Ｐ１）及び第２導電性配線（Ｐ２）のそれぞれに導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続されて太陽電池、個別素子を形成することができる。
【０１３１】
このような本発明に係る一体型太陽電池、個別素子において、第１導電性配線（Ｐ１）及び第２導電性配線（Ｐ２）のそれぞれの厚さ（Ｔ２）は、第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）それぞれの厚さ(Ｔ１)より大きくなることがある。
【０１３２】
このような絶縁性部材２００は、第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）を半導体基板１１０の背面に形成された第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）に接着させる際に、工程をさらに容易に助ける役割をする。
【０１３３】
すなわち、半導体製造工程で、第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）が形成された半導体基板１１０の背面に第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）が形成された絶縁性部材２００の前面を付着させ接続させる際に、絶縁性部材２００は、整列工程や接続段階をさらに容易に助けることができる。
【０１３４】
したがって、このような絶縁性部材２００は、接続段階により第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）がそれぞれ接続された後に、除去することができる。
【０１３５】
したがって、最終的な一体型太陽電池の個別素子では、絶縁性部材２００を省略することができる。以下では、今までと同じように、絶縁性部材２００が備えられた場合を一例として説明する。
【０１３６】
このような構造で製造された本発明に係る一体型太陽電池の個別素子において、第１導電性配線（Ｐ１）を介して収集された正孔と第２導電性配線（Ｐ２）を介して収集された電子は、外部の回路装置を介して外部装置の電力として用いられる。
【０１３７】
これまでは、半導体基板１１０が結晶質シリコン半導体基板１１０であり、エミッタ部１２１と背面電界部１７２が拡散工程によって形成された場合を例に説明した。
【０１３８】
しかし、これと違って非晶質シリコン材質で形成されたエミッタ部１２１と背面電界部１７２が、結晶質半導体基板１１０と接合する異種接合太陽電池や、エミッタ部１２１が、半導体基板１１０の前面に位置し、半導体基板１１０に形成された複数のビアホールを介して半導体基板１１０の背面に形成された第１電極（Ｃ１４１）と接続される構造の太陽電池も、本発明が同様に適用することができる。
【０１３９】
このような構造を有する一体型太陽電池、個別素子は、インターコネクタ（ＩＣ）によって互いに隣接する一体型太陽電池、個別素子を接続することができ、これにより、複数の一体型太陽電池、個別素子が直列に接続することができる。
【０１４０】
一方、このような構造で、半導体基板１１０の背面に形成される第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）のパターンと、絶縁性部材２００の前面に形成される第１導電性配線（Ｐ１）及び第２導電性配線（Ｐ２）のパターンにさらに具体的に説明すると、次の通りである。
【０１４１】
図１２の（ａ）及び（ｂ）に示された１つの半導体基板１１０の背面に図１２の（ｃ）及び（ｄ）に示された１つの絶縁性部材２００の前面が付着され、接続されることにより、１つの一体型太陽電池、個別素子を形成することができる。つまり、絶縁性部材２００と半導体基板１１０は、１：１で結合または付着することができる。
【０１４２】
このとき、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の背面には、複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）が互いに離隔して、第１方向（ｘ）に長く形成することができる。
【０１４３】
さらに、図１２の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、本発明に係る絶縁性部材２００の前面には、第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）を形成することができる。
【０１４４】
ここで、前述したように、第１導電性配線（Ｐ１）は、図１２の（ｃ）に示すように、第１接続部（Ｐ１ｆ）と、第１パッド部（Ｐ１ｂ）を含むことができる。
【０１４５】
ここで、第１接続部（Ｐ１ｆ）は、複数本形成され、第１電極（Ｃ１４１）の長さ方向と同じ第１方向（ｘ）に長く形成され、複数の第１電極（Ｃ１４１）のそれぞれに導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続することもできる。
【０１４６】
第１パッド部（Ｐ１ｂ）は、図１２の（ｃ）に示すように、第２方向（ｙ）に長く形成して一端が第１接続部（Ｐ１ｆ）の先端に接続されており、他端がインターコネクタ（ＩＣ）と接続することができる。
【０１４７】
さらに、第２導電性配線（Ｐ２）も、図１２の（ｃ）に示すように、第２接続部（Ｐ２ｆ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）を含むことができる。
【０１４８】
第２接続部（Ｐ２ｆ）も複数本形成され、第２電極（Ｃ１４２）の長さ方向と同じ第１方向（ｘ）に長く形成されて、複数の第２電極（Ｃ１４２）のそれぞれに導電性接着剤（ＣＡ）を介して接続することもできる。
【０１４９】
第２パッド部（Ｐ２ｂ）もまた、図１２の（ｃ）に示すように、第２方向（ｙ）に長く形成されて一端が第２接続部（Ｐ２ｆ）の先端に接続され、他端がインターコネクタ（ＩＣ）と接続することができる。
【０１５０】
ここで、第１接続部（Ｐ１ｆ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）は、互いに離隔され、第２接続部（Ｐ２ｆ）と、第１パッド部（Ｐ１ｂ）も互いに離隔することができる。
【０１５１】
したがって、絶縁性部材２００の前面において、第１方向（ｘ）の両端のうち一端には、第１パッド部（Ｐ１ｂ）が形成され、他端には、第２パッド部（Ｐ２ｂ）が形成されることができる。
【０１５２】
しかし、ここで、第１、２接続部（Ｐ１ｆ、Ｐ２ｆ）のそれぞれは、前述したところと違って、１つのシート電極(sheet electrode)に形成され、１つのシート電極に形成される第１接続部（Ｐ１ｆ）に複数の第１電極（Ｃ１４１）が接続され、１つのシート電極に形成される第２接続部（Ｐ２ｆ）に複数の第２電極（Ｃ１４２）が接続されることもある。
【０１５３】
さらに、図１２においては、第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）の第１接続部（Ｐ１ｆ）の長さ方向が互いに同一であり、第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）の第２接続部（Ｐ２ｆ）の長さ方向が互いに同一の場合のみ示しているが、もし第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向が第２方向（ｙ）になるように太陽電池が配置されている場合、第１、２接続部（Ｐ１ｆ、Ｐ２ｆ）は、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向に交差して配置することもあり、このとき、第１、２接続部（Ｐ１ｆ、Ｐ２ｆ）は、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）（Ｃ１４２）のそれぞれと交差して、重畳される部分で導電性接着剤（ＣＡ）を介して互いに電気的に接続することができる。
【０１５４】
さらに、この時、第１電極（Ｃ１４１）と第２接続部（Ｐ２ｆ）が互いに重畳することができ、第２電極（Ｃ１４２）と第１接続部（Ｐ１ｆ）が互いに重畳することがあるが、このような場合、第１電極（Ｃ１４１）と第２接続部（Ｐ２ｆ）との間及び第２電極（Ｃ１４２）と第１接続部（Ｐ１ｆ）との間にも短絡を防止する絶縁層（ＩＬ）が位置することができる。
【０１５５】
このように、本発明に係る一体型太陽電池、個別素子は、１つの半導体基板１１０に１つの絶縁性部材２００だけが結合されて一体に形成されることにより、太陽電池モジュールの製造工程をさらに容易にすることができ、太陽電池モジュールの製造工程中のいずれか１つの太陽電池、個別素子が破損したり、欠陥が発生しても、太陽電池、個別素子のみを交換することができ、工程の歩留まりをさらに向上させることができる。
【０１５６】
ここで、絶縁性部材２００の面積を半導体基板１１０の面積と同じか大きくすることにより、互いに隣接する一体型太陽電池、個別素子を互いに直列接続する際に、絶縁性部材２００の前面にインターコネクタ（ＩＣ）が付着することができる領域を十分に確保することができる。このため、絶縁性部材２００の面積は、半導体基板１１０の面積よりも大きくなることがある。
【０１５７】
このため、絶縁性部材２００の第１方向（ｘ）への長さを、半導体基板１１０の第１方向（ｘ）への長さより長くすることができる。
【０１５８】
このような半導体基板１１０の背面と絶縁性部材２００の前面は互いに接続されて、第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）が互いに接続され、第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）を互いに接続することができる。
【０１５９】
図１３は、図１２に示された半導体基板１１０と絶縁性部材２００が互いに接続された状態を説明するための図であり、図１４Ａは、図１３において１４a−１４aラインの断面を示したものであり、図１４Ｂは、図１３で１４b−１４bラインの断面を示したものであり、図１４Ｃは、図１３で14c-14cラインの断面を示したものである。
【０１６０】
前述したように、太陽電池の半導体基板１１０と絶縁性部材２００が互いに接続されると、図１３に示すように、１つの半導体基板１１０と１つの絶縁性部材２００に完全に重畳された１つの一体型太陽電池、個別素子を形成することができる。
【０１６１】
例えば、図１４Ａに示すように、半導体基板１１０の背面に形成された第１電極（Ｃ１４１）と絶縁性部材２００の前面に形成された第１接続部（Ｐ１ｆ）は互いに、重畳され、導電性接着剤（ＣＡ）によって互いに電気的に接続することができる。
【０１６２】
さらに、半導体基板１１０の背面に形成された第２電極（Ｃ１４２）と絶縁性部材２００の前面に形成された第２接続部（Ｐ２ｆ）も互いに重畳され、導電性接着剤（ＣＡ）によって互いに電気的に接続することができる。
【０１６３】
また、第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）との間の互いに離隔された空間には、絶縁層（ＩＬ）を満たすことができ、第１接続部（Ｐ１ｆ）と第２接続部（Ｐ２ｆ）との間の離隔された空間にも絶縁層（ＩＬ）を満たすことができる。
【０１６４】
さらに、図１４Ｂに示すように、第２接続部（Ｐ２ｆ）と、第１パッド部（Ｐ１ｂ）との間の離隔された空間にも絶縁層（ＩＬ）を満たされることができ、図１４Ｃに示すように、第１接続部（Ｐ１ｆ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）との間の離隔された空間にも絶縁層（ＩＬ）を満たすことができる。
【０１６５】
さらに、図１３に示すように、第１パッド部（Ｐ１ｂ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）のそれぞれは、半導体基板１１０と重畳される第１領域（P１b−S１、P２b−S１）と、半導体基板１１０と重畳しない第２領域（P１b−S２、P２b−S２）を含むことができる。
【０１６６】
このように、インターコネクタ（ＩＣ）と接続することができるスペースを確保するために設けられた第１パッド部（Ｐ１ｂ）の第２領域（P１b−S２）及び第２パッド部（Ｐ２ｂ）の第２領域（P２b−S２）にインターコネクタ（ＩＣ）を接続することができる。
【０１６７】
本発明に係る第１パッド部（Ｐ１ｂ）と第２パッド部（Ｐ２ｂ）のそれぞれは、第２領域（P１b−S２、P２b−S２）を備えることにより、インターコネクタ（ＩＣ）をさらに容易に接続することができ、併せて、インターコネクタ（ＩＣ）を接続する際に、半導体基板１１０の熱膨張ストレスを最小化することができる。
【０１６８】
さらに、前述したように、複数の一体型太陽電池、個別素子を接続するためにこのような第１パッド部（Ｐ１ｂ）または第２パッド部（Ｐ２ｂ）にインターコネクタ（ＩＣ）を接続することができる。
【０１６９】
さらに、図１０〜図１４Ｃは、本発明に係る一体型太陽電池、個別素子で絶縁性部材２００が備えられた場合を一例として示して説明したが、これと違って、絶縁性部材２００は、第１、２電極（C１４１、C１４２）と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が互いに接続された後に除去することができ、このように、絶縁性部材２００が除去された状態で、インターコネクタ（ＩＣ）を第１導電性配線（Ｐ１）または第２導電性配線（Ｐ２）に接続することができる。
【０１７０】
これまでは本発明に係る太陽電池モジュールの様々な一例について説明したが、以下では、前述した太陽電池モジュールを製造する方法の一例について説明する。
【０１７１】
図１５は、本発明に係る太陽電池モジュールを製造する方法を説明するためのフローチャートである。
【０１７２】
図１５に示すように、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、セルの形成段階（ＳＦ）とタビング段階（ＳＴ）を含むことができる。
【０１７３】
ここで、セルの形成段階（ＳＦ）は、先に説明した太陽電池モジュールの第１〜第３の例で説明したように、ｐ−ｎ接合が形成された半導体基板１１０の背面に互いに並行となるように複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第２電極（Ｃ１４２）が形成され、複数の太陽電池のそれぞれを形成することができる。
【０１７４】
このようなセルの形成段階（ＳＦ）によって、本発明の第１〜第３の例に係る太陽電池モジュールに適用される太陽電池を形成することができる。
【０１７５】
本発明に係るタビング段階（ＳＴ）は、セルの形成段階（ＳＦ）の後に実行することができ、このようなタビング段階（ＳＴ）は、接続段階（ＳＴＡ）とストリング形成段階（ＳＴＢ）のうち少なくとも１つを含むことができ、図１５に示すように、ストリング接続段階（ＳＴＣ）を含むことができる。
【０１７６】
接続段階（ＳＴＡ）は、複数の太陽電池のそれぞれに備えられた複数の第１電極（Ｃ１４１）に導電性接着剤（ＣＡ）を介して、第１導電性配線（Ｐ１）を接続させ、複数の第２電極（Ｃ１４２）の導電性接着剤（ＣＡ）を介して、第２導電性配線（Ｐ２）を接続させることができる。
【０１７７】
このため、接続段階（ＳＴＡ）は、各太陽電池の半導体基板１１０の背面上に導電性接着剤（ＣＡ）を形成するペーストと絶縁層（ＩＬ）を形成するペーストを塗布した後、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を半導体基板１１０の背面上に整列して配置する工程（ＳＴＡａ）と、熱処理して第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を半導体基板１１０の背面に形成された第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれに接続させる熱処理工程（ＳＴＡｂ）を含むことができる。
【０１７８】
ストリング形成段階（ＳＴＢ）においては、いずれか１つの太陽電池に備えられた第１導電性配線（Ｐ１）と、いずれか１つの太陽電池と隣接する太陽電池に備えられた第２導電性配線（Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続させ、複数の太陽電池が第１方向（ｘ）に直列接続されたストリングを形成することができる。
【０１７９】
このため、ストリング形成段階（ＳＴＢ）は、第１方向（ｘ）に沿って互いに隣接する２つの太陽電池のそれぞれに接続された第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）の表面（一例として、背面）上に配置する工程（ＳＴＢａ）と、熱処理して第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続させる熱処理工程（ＳＴＢｂ）を含むことができる。
【０１８０】
さらに、ストリング接続段階（ＳＴＣ）は、第２方向（ｙ）に長く伸びているボシンリボン（bussing ribon）に第１方向（ｘ）に長く形成されたいずれか１つのストリングの端に位置する最後の太陽電池に接続された第１導電性配線（Ｐ１）と、いずれか１つのストリングと隣接して第１方向（ｘ）に長く形成されたストリングの端に位置する最後の太陽電池に接続された第２導電性配線（Ｐ２）を接続させ、互いに隣り合う２つのストリングを互に接続することができる。
【０１８１】
このため、ストリング接続段階（ＳＴＣ）は、互いに隣接する２つのストリングのそれぞれの最後の太陽電池にそれぞれに接続された第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をボシンリボンの表面（一例として、背面）上に配置する工程（ＳＴＣａ）と熱処理して、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続させる熱処理工程（ＳＴＣｂ）を含むことができる。
【０１８２】
このようなセルの形成段階（ＳＦ）とタビング段階（ＳＴ）によって太陽電池モジュールが完成することができる。
【０１８３】
ここで、本発明に係るタビング段階（ＳＴ）は、場合によっては、ストリング形成段階（ＳＴＢ）が除外された接続段階（ＳＴＡ）を含むこともあり、接続段階（ＳＴＡ）とストリング形成段階（ＳＴＢ）を含むこともあり、接続段階（ＳＴＡ）、ストリング形成段階（ＳＴＢ）及びストリング接続段階（ＳＴＣ）の全てを含むことができる。
【０１８４】
さらに具体的には、本発明の第２例に係る太陽電池モジュールを形成しようとする場合、別のインターコネクタ（ＩＣ）を備えないため、ストリング形成段階（ＳＴＢ）が除外されることができ、本発明の第１、３例に係る太陽電池モジュールを形成するためには接続段階（ＳＴＡ）とストリング形成段階（ＳＴＢ）の全てを含むことができる。
【０１８５】
このような本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法において接続段階（ＳＴＡ）とストリング形成段階（ＳＴＢ）の内の少なくとも１つを含むタビング段階（ＳＴ）は、 熱処理工程条件が互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含むことができる。
【０１８６】
ここで 熱処理工程条件は熱処理工程の温度領域、熱処理工程の最高温度、熱処理工程の最低温度、熱処理工程の温度プロファイル、熱処理期間及び熱処理方法の内の少なくともいずれか１つで有り得る。これにより、熱処理工程時の熱が加わる期間を異にするか、又は、熱処理工程時のタビング領域に加わる最低温度、最高温度、平均温度を異にするか、又は、熱処理期間中の熱処理温度の変化である温度プロファイルを異にするか、通常の熱処理方法であるホットプレートやオーブン、ＩＲランプなどを用いる熱処理方法の内の互いに異なる方法で行うことができる。
【０１８７】
したがって、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、タビング段階（ＳＴ）において熱処理工程の温度領域、熱処理工程の最高温度、熱処理工程の最低温度、熱処理工程の温度プロファイル、熱処理期間及び熱処理方法の内の少なくともいずれかの１つが互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含むことができる。
【０１８８】
一例として、本発明において熱処理工程の条件の内のタビング段階（ＳＴ）は、 最高温度が互いに異なる少なくとも２つの熱処理工程を含むことができる。
【０１８９】
一例として、接続段階（ＳＴＡ）の最高温度が互いに異なる２つの熱処理工程を含むか、接続段階（ＳＴＡ）で一度の熱処理工程が実行され、ストリング形成段階（ＳＴＢ）において一度の熱処理工程が実行されるようにするか、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程の最高温度とストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程の最高温度が異なるようにすることもある。
【０１９０】
または、本発明は、接続段階（ＳＴＡ）で最高温度が互いに異なる２つの熱処理工程を含むようにし、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の一回の熱処理工程が行われるようにするが、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程の最高温度が接続段階（ＳＴＡ）に実行される２つの熱処理工程の温度と異なるようにすることができる。
【０１９１】
さらに、本発明がストリング接続段階（ＳＴＣ）をさらに含む場合、ストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程の最高温度が接続段階（ＳＴＡ）やストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程の最高温度とは異なるようにすることもある。
【０１９２】
さらに、本発明に係るタビング段階（ＳＴ）は、接続段階（ＳＴＡ）、ストリング形成段階（ＳＴＢ）、及びストリング接続段階（ＳＴＣ）が順次行われることもあるが、接続段階（ＳＴＡ）において熱処理工程が一部実行された後に、ストリング形成段階（ＳＴＢ）とストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程を実行した後、再度接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程が実行されることもあり、またはストリング形成段階（ＳＴＢ）とストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程が実行された後に、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程が実行されることもある。
【０１９３】
以下においては、このような本発明の太陽電池モジュールの製造方法の様々な一例について、さらに具体的に説明する。
【０１９４】
以下においては、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法において接続段階（ＳＴＡ）が複数の第１接続ポイントと、複数の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理する工程と、第１最高温度と異なる第２最高温度で熱処理工程を含む場合について説明する。
【０１９５】
ここで、複数の第１接続ポイントは、複数の第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）が交差するか重畳されるポイントまたは領域を意味し、複数の第２接続ポイントは、複数の第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）が交差したり、重畳されるポイントまたは領域を意味する。
【０１９６】
図１６〜図２４は、本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
【０１９７】
第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法において接続段階（ＳＴＡ）は、最高温度が互いに異なる仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）を含むことができる。
【０１９８】
本発明の第１実施の形態に係る製造方法は、半導体基板１１０の背面上に導電性接着剤（ＣＡ）を形成する導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と絶縁層（ＩＬ）を形成する絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布した後、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置する工程と、少なくとも一部の第１、２接続ポイントを第１最高温度で熱処理する仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と少なくとも一部の第１、２接続ポイントを含むすべての第１、２接続ポイントを第１最高温度より高い第２最高温度で熱処理する本接合工程（ＳＴＡｂ２）を含むことができる。
【０１９９】
さらに具体的には、本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールを例にとると、図１７のように、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）が形成された半導体基板１１０の背面に塗布するときは、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）と交差するように配置されるので、複数の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）で第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）と電気的に接続される部分には、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布し、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）と電気的に絶縁される部分には、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布することができる。
【０２００】
ここで、半導体基板１１０の背面に形成される絶縁層（ＩＬ）のそれぞれの形成面積が導電性接着剤（ＣＡ）のそれぞれの形成面積より大きく形成されるようにするために、図１７に示すように、絶縁層ペースト（ＩＬＰ）のそれぞれの塗布面積を導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）のそれぞれの塗布面積より大きく形成することができる。
【０２０１】
以降、図１８のように、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に交差するように配置することができる。
【０２０２】
ここで、図１８において、複数の第１接続ポイントは、複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第１導電性配線（Ｐ１）が交差された部分を意味し、複数の第２接続ポイントは、複数の第２電極（Ｃ１４２）と、複数の第２導電性配線（Ｐ２）が交差された部分を意味することができる。
【０２０３】
このように、複数の第１、２接続ポイントが形成された状態で、図１６の仮接合工程（ＳＴＡｂ１）段階においては、複数の第１接続ポイントの内の少なくとも一部の第１接続ポイントと、複数の第２接続ポイントの内の少なくとも一部の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理することができる。
【０２０４】
ここで、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）の第１最高温度は７０℃〜１５０℃の間で有り得る。
【０２０５】
一例として、図１８において、レーザーのようなポイント接合装置を用いて、Ａ１領域及びＡ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを７０℃〜１５０℃の間の第１最高温度で熱処理する仮接合工程（ＳＴＡｂ１）を実行することができる。しかし、これとは違って、Ａ１、Ａ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを含む全体の複数の第１、２接続ポイントについて接合工程（ＳＴＡｂ１）を実行することも可能である。
【０２０６】
このような仮接合工程（ＳＴＡｂ１）により、Ａ１、Ａ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントの導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）は、一部が硬化されて、Ａ１、Ａ２領域で、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）は、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に接着されて固定することができる。
【０２０７】
以降、このように仮接合工程（ＳＴＡｂ１）が行われた後、図１６の本接合工程（ＳＴＡｂ２）段階においては、少なくとも一部の第１、２接続ポイントを含むすべての複数の第１、２接続ポイントを第１最高温度より高い第２最高温度で熱処理することができる。
【０２０８】
このような本接合工程（ＳＴＡｂ２）により、Ａ１、Ａ２の領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを含むすべての複数の第１、２接続ポイントに位置する導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）は、すべての硬化された導電性接着剤（ＣＡ）で形成することができ、併せて、絶縁性のペーストもまたすべて硬化した絶縁層（ＩＬ）で形成することができる。
【０２０９】
ここで、本接合工程（ＳＴＡｂ２）の第２最高温度は、第１最高温度より高い範囲の中で１４０℃〜４００℃の間で有り得る。
【０２１０】
ここで、一例として、本接合工程（ＳＴＡｂ２）が１４５℃〜１７０℃の間の第２最高温度で実行される場合、図１９に示すように、前面透明基板（ＦＧ）上に塗布された第１封止材（ＥＣ１）の上に、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が仮接合された複数の太陽電池を位置させた後に、複数の太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の上に第２封止材（ＥＣ２）と背面シート（ＢＳ）を配置した状態で熱圧着するラミネート工程で本接合工程（ＳＴＡｂ２）を一緒に行うことができる。
【０２１１】
このとき、接続段階（ＳＴＡ）を仮接合工程（ＳＴＡｂ１）を介して、まず第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を半導体基板１１０に備えられた第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に固定された後に、本接合工程（ＳＴＡｂ２）を介して、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に完全に電気的に接続させるが、ラミネート工程で本接合工程（ＳＴＡｂ２）が行われるようにすることにより、半導体基板１１０と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）との間の熱膨張係数の差によって、半導体基板１１０がバンディングされる現象を最小化することができる。
【０２１２】
さらに、ここで、本発明の第２例に係る太陽電池モジュールの図２０Ａのように、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれが２つの太陽電池のそれぞれに備えられた２つの半導体基板１１０と重畳される場合、図１６のような接続段階（ＳＴＡ）によって互いに隣接する２つの太陽電池が互いに直列接続されるストリングが形成され、図１５で説明したストリング形成段階（ＳＴＢ）は、省略することができる。
【０２１３】
さらに、本発明の第２例に係る太陽電池モジュールの場合、図２０Ｂに示すように、太陽電池の間に入射される光を反射するために、先に説明した本発明の第１、３例で説明したインターコネクタ（ＩＣ）としての機能をすることはないが、互いに隣接する太陽電池の半導体基板１１０との間に離隔されて位置し、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の長さ方向と同じ第２方向（ｙ）に長く形成された金属パッド（ＩＣＰ）が導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）に接続されることもできる。
【０２１４】
このような金属パッド（ＩＣＰ）もまた前述した仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）を介して一緒に複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）に接続することができる。
【０２１５】
さらに、第１実施の形態に係る製造方法においては、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を別々に塗布する工程が含まれる場合を一例として説明したが、導電性接着剤（ＣＡ）が予め第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の表面にコーティングされて備えられた場合、接続段階（ＳＴＡ）で導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布する工程が省略されることもある。
【０２１６】
これまでは図１６で説明した第１実施の形態に係る製造方法が本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールに適用された場合を一例として説明したが、本発明の第３例に係る太陽電池モジュールにも適用することができる。
【０２１７】
さらに具体的に説明すると、第１の実施の形態に係る製造方法において、接続段階（ＳＴＡ）のＳＴＡａ工程においては、図２１の（ａ）に示すように、半導体基板１１０の背面に形成された第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）の上に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布し、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）との間に露出される半導体基板１１０の背面上には絶縁層ペースト（ＩＬＰ ）を塗布することができる。
【０２１８】
ここで、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）の厚さは、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）の厚さより大きくなることがあり、図２１の（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の背面から絶縁層のペースト（ＩＬＰ）端までの高さは、半導体基板１１０の背面から導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）端までの高さより高いことがある。
【０２１９】
このとき、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）は、導電性金属粒子（ＣＡ−Ｐ）と絶縁性樹脂（ＣＡ−Ｉ）を含むペースト形で備えられる導電性のペースト（conductive paste）を用いることができ、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）も樹脂を含むことができる。
【０２２０】
さらに、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）に含まれる絶縁性樹脂（ＣＡ−Ｉ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）の樹脂は、熱可塑性樹脂で有り得、例えば、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、シリコン系の樹脂の内の少なくとも１つで有り得る。
【０２２１】
また、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）に含まれる絶縁性樹脂（ＣＡ−Ｉ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）の樹脂は、同じ材質の樹脂で有り得る。
【０２２２】
したがって、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）に含まれる絶縁性樹脂（ＣＡ−Ｉ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）の樹脂は、ほぼ同じ熱膨張係数を有することができる。
【０２２３】
これにより、熱処理工程を行うとき、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）に含まれる絶縁性樹脂（ＣＡ−Ｉ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）との間に化学反応を抑制することができ、気泡が発生しないようすることができ、熱膨張係数の差により、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）と第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）との間の配列（すなわち、整列）が歪むことを防止することができる。
【０２２４】
以降、図２２に示すように、絶縁性部材２００に備えられたそれぞれの第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を半導体基板１１０に形成されたそれぞれの第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に重畳されるように整列して位置させた後、絶縁性部材２００を矢印の方向に圧着して図２３のように、半導体基板１１０の背面上に絶縁性部材２００を配置することができる。
【０２２５】
このように、半導体基板１１０と絶縁性部材２００が配置された状態を平面で見ると、図２４に示すように、複数の第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）が互いに重畳され、複数の第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）が互いに重畳することができる。
【０２２６】
これにより、複数の第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）が互いに重畳する複数の第１接続ポイントと、複数の第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）が互いに重畳する複数の第２接続ポイントを形成することができる。
【０２２７】
さらに、第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）との間には、導電性接着剤（ＣＡ）が位置し、第２電極（Ｃ１４２）と第１導電性配線（Ｐ１）との間には、導電性接着剤（ＣＡ）が位置することができる。
【０２２８】
このように、複数の第１、２接続ポイントが形成された状態で、図２４に示すように、Ａ１領域とＡ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを７０℃〜１５０℃の間の第１最高温度で熱処理する仮接合工程（ＳＴＡｂ１）を実行することができる。
【０２２９】
しかし、これとは違って、Ａ１、Ａ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを含む全体の複数の第１、２接続ポイントについて仮接合工程（ＳＴＡｂ１）を実行することも可能である。
【０２３０】
このような仮接合工程（ＳＴＡｂ１）により、Ａ１、Ａ２領域に位置する一部の第１、２接続ポイントの導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）は、一部硬化されて、Ａ１ 、Ａ２領域で、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）は、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に接着されて固定することができる。
【０２３１】
以降、このように仮接合工程（ＳＴＡｂ１）が行われた後、図１６の本接合工程（ＳＴＡｂ２）段階においては、少なくとも一部の第１、２接続ポイントを含む複数の第１、２接続ポイントのすべてを第１最高温度より高い第２最高温度で熱処理することができる。
【０２３２】
このような本接合工程（ＳＴＡｂ２）により、図２４でＡ１、Ａ２の領域に位置する一部の第１、２接続ポイントを含むすべての複数の第１、２接続ポイントに位置する導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）はすべて硬化して導電性接着剤（ＣＡ）で形成することができ、さらに、絶縁性のペーストもまたすべて硬化して絶縁層（ＩＬ）で形成することができる。
【０２３３】
ここで、本接合工程（ＳＴＡｂ２）の第２最高温度は、第１最高温度より高い範囲の中で１４０℃〜４００℃の間で有り得る。
【０２３４】
これまでは接続段階（ＳＴＡ）が仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）を含む場合について説明したが、以下では、接続段階（ＳＴＡ）が高融点熱処理工程と低融点熱処理工程を含む場合について説明する。
【０２３５】
図２５〜図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
【０２３６】
ここで、第２の実施の形態に係る製造方法は、接続段階（ＳＴＡ′）の最高温度が互いに異なる低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）と高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）を含むことができる。
【０２３７】
本発明の第２の実施の形態に係る接続段階（ＳＴＡ′）は、図２５に示すように、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置する工程（ＳＴＡａ）と、高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）及び低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）を含むことができる。
【０２３８】
ここで、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置する工程（ＳＴＡａ）は、半導体基板１１０の背面上に導電性接着剤（ＣＡ）を形成する導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と絶縁層（ＩＬ）を形成する絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布した後に実行され、図２６または図２７のように、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を半導体基板１１０の背面上に配置することができる。
【０２３９】
これにより、図２６及び図２７において、複数の第１電極（Ｃ１４１）と、複数の第１導電性配線（Ｐ１）が交差されたり重畳された部分に複数の第１接続ポイントが形成され、複数の第２電極（Ｃ１４２）と、複数の第２導電性配線（Ｐ２）が交差したり、重畳された部分に複数の第２接続ポイントが形成されることができる。
【０２４０】
ここで、導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）塗布工程（ＳＴＡａ）は先に説明した第１の実施の形態で説明したことと同じなので、具体的な説明は省略する。
【０２４１】
ただし、第２の実施の形態に係る接続段階（ＳＴＡ′）では一例で、図２６及び図２７のＡ１領域及びＡ２領域で第１導電性配線（Ｐ１）と第１電極（Ｃ１４１）との間及び第２導電性配線（Ｐ２）と第２電極（Ｃ１４２）との間には、融点が相対的に高い高融点の第１はんだ材質が含まれた導電性接着剤ペースト（ＣＡＰ）が塗布されることがあり、図２６及び図２７のＡ３領域で第１導電性配線（Ｐ１）と第１電極（Ｃ１４１）との間及び第２導電性配線（Ｐ２）と第２電極（Ｃ１４２）との間には、融点が相対的に低い低融点の第２はんだ材質が含まれた導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）が塗布されることができる。
【０２４２】
ここで、高融点の第１はんだ材質には、一例として、ＳｎＰｂを使用することができ、低融点の第２はんだ材質には、一例として、ＳｎＩｎまたはＳｎＢｉを用いることができる。
【０２４３】
以降、高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）では、複数の第１接続ポイントの一部の第１接続ポイントと複数の第２接続ポイントの一部の第２接続ポイントを第１最高温度で熱処理することができる。
【０２４４】
すなわち、一例で、図２６及び図２７において、レーザーのようなポイント接合装置を用いて、複数の第１、２接続ポイントのＡ１領域とＡ２領域内に位置する一部の第１、２接続ポイントを第１最高温度で熱処理することができる。
【０２４５】
ここで、高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）の第１最高温度は１５０℃〜４００℃で有り得、好ましくは１５０℃〜３００℃の間で有り得る。
【０２４６】
以降、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）では、複数の第１、２接続ポイントの残り第１、２接続ポイントを第１温度よりも低い第２最高温度で熱処理することができる。
【０２４７】
一例として、図２６及び図２７において、複数の第１、２接続ポイントのＡ３領域内に位置する残りの第１、２接続ポイントを第２最高温度で熱処理することができる。
【０２４８】
ここで、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）の第２最高温度は、第１最高温度より低い範囲の中で１４０℃〜１８０℃の間で有り得る。
【０２４９】
したがって、本発明に係る接続段階（ＳＴＡ）の第２の実施の形態は、工程の最高温度が高い高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）の熱処理領域を最小化することにより、熱処理工程により、半導体基板１１０に加えられる影響を最小化することができる。これにより、半導体基板１１０の曲がりまたは破損することを最小化することができる。
【０２５０】
このような高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）の後低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）を実行する場合、既に高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）により、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の少なくとも一部が、第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれに接続されている状態なので、このような低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）で、高融点材質である第１はんだ材質の導電性接着剤（ＣＡ）は、再び溶融されず、低融点材質である第２はんだ材質の導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）のみ硬化することができる。
【０２５１】
したがって、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）中に第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が熱膨張ストレスによって乱れることを防止することができる。
【０２５２】
さらに、このような第２の実施の形態においては、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）中に、残りの第１、２接続ポイントを熱処理する場合を一例として説明したが、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）中に、残りの第１、２接続ポイントを含む第１、２接続ポイントのすべてを１４０℃〜１８０℃の間の第２最高温度で熱処理することも可能である。
【０２５３】
このような場合、低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）は、ラミネート工程の温度と同じにすることができ、ラミネート工程中に低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）が実行されることも可能である。
【０２５４】
このような接続段階（ＳＴＡ′）によって、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が導電性ワイヤや導電性リボンの形態を有する場合、本発明の第１、２例に係る太陽電池モジュールで説明したように、各太陽電池に形成された第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）のそれぞれに第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）のそれぞれを交差して接続することができる。
【０２５５】
さらに、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）が絶縁性部材２００の上にパターニングされて形成された場合、本発明の第３例に係る太陽電池モジュールで説明したように、接続段階（ＳＴＡ）によって太陽電池の半導体基板１１０と絶縁性部材２００がそれぞれ個々に接続されて１つの個別素子で形成することができる。
【０２５６】
これまでは接続段階（ＳＴＡ）が、最高温度が互いに異なる２つの熱処理工程を含む場合の様々な一例について説明したが、前述したように、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理の最高温度とストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理の最高温度は互いに異なることができる。以下では、これについて説明する。
【０２５７】
図２８〜図３０は、本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【０２５８】
このような第３の実施の形態に係る製造方法は、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡＢ）温度とストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程の温度が異なることがある。
【０２５９】
本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池の製造方法は、図２８に示すように、接続段階（ＳＴＡ）とストリング形成段階（ＳＴＢ）を含むことができる。
【０２６０】
ここで、接続段階（ＳＴＡ）は、半導体基板１１０の背面に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布した後、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置する工程（ＳＴＡａ）以降、一定時間の間熱処理する熱処理工程（ＳＴＡｂ）を含むことができる。
【０２６１】
以降、ストリング形成段階（ＳＴＢ）は、各太陽電池の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布した後、インターコネクタ（ＩＣ）を配置する工程（ＳＴＢａ）と接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度と異なる温度で一定時間熱処理する熱処理工程（ＳＴＢｂ）を含むことができる。
【０２６２】
このように、本発明は、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度は、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度と異なることがある。
【０２６３】
さらに具体的に接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）は１４０℃〜４００℃の間の最高温度で５〜３０分間実行することができ、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）は１４０℃〜４００℃の間の範囲で接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度と他の最高温度で１秒〜１分間行うことができる。
【０２６４】
さらに、図２８においては、接続段階（ＳＴＡ）が実行された後、ストリング形成段階（ＳＴＢ）が実行される場合を一例として示したが、これと違ってストリング形成段階（ＳＴＢ）と接続段階（ＳＴＡ）内の順序が変わることもある。
【０２６５】
また、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）が先に説明した接続段階（ＳＴＡ）の第１、２の実施の形態を含むこともできるが、以下では、先に説明した接続段階（ＳＴＡ）の第１、２の実施の形態と異なる場合を一例として説明する。
【０２６６】
これに対するさらに具体的一例を説明すると、次の通りである。
【０２６７】
まず、接続段階（ＳＴＡ）において、半導体基板１１０の背面に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布し、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置する工程（ＳＴＡａ）は先に説明した第１、２の実施の形態に係る製造方法で説明したことと同じなので、これに対する具体的な説明は省略する。
【０２６８】
ここで、一例として、ＳＴＡａ工程で導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）ではんだペーストを用いた場合、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）は、１４０℃〜１８０℃の間の最高温度で１０分〜２０分の間行うことができる。
【０２６９】
このように、接続段階（ＳＴＡ）において相対的に低い温度で熱処理工程を行うことにより、半導体基板１１０の熱膨張ストレスを最小化することができる。
【０２７０】
このような接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）により、複数の第１電極（Ｃ１４１）と第１導電性配線（Ｐ１）、及び複数の第２電極（Ｃ１４２）と第２導電性配線（Ｐ２）は、導電性接着剤（ＣＡ）によって互いに接続され、第１電極（Ｃ１４１）と第２電極（Ｃ１４２）との間及び第１導電性配線（Ｐ１）と第２導電性配線（Ｐ２）との間は絶縁層（ＩＬ）によって互いに絶縁することができる。
【０２７１】
次に、ストリング形成段階（ＳＴＢ）は、図２９に示すように、各太陽電池の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布した後、矢印の方向にインターコネクタ（ＩＣ）を配置（ＳＴＢａ）することができる。
【０２７２】
このような導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）は、導電性材質であればどのような材質でも構わないが、一例として、はんだペースト、導電性金属粒子と絶縁性樹脂を含む導電性ペーストまたは導電性接着フィルムで有り得る。
【０２７３】
さらに、図２９においては、本発明の第３例に係る太陽電池モジュールを一例として説明したが、第１例に係る太陽電池モジュールも適用可能であり、第１例に係る太陽電池モジュールの場合、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の幅が相対的に狭いので、インターコネクタ（ＩＣ）に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）を塗布した状態で、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）が塗布されたインターコネクタ（ＩＣ）の表面（一例として、背面）に配置させることができる。
【０２７４】
以降、ストリング形成段階（ＳＴＢ）での熱処理工程（ＳＴＢｂ）では接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度と異なる温度で一定時間の間熱処理工程を実行して、図３０に示されたように、１つのストリングを形成することができる。
【０２７５】
一例として、ストリング形成段階（ＳＴＢ）熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度は、接続段階（ＳＴＡ）熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度より高いことがある。
【０２７６】
一例として、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度は、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）最高温度より高い範囲で１５０℃〜３００℃の間で有り得る。しかし、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度が接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）最高温度より必ず高くする必要はなく、インターコネクタ（ＩＣ）を接着するための導電性接着剤（ＣＡ）の材質に応じてストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）最高温度がさらに低く形成することもできる。
【０２７７】
一例として、インターコネクタ（ＩＣ）を接着するための導電性接着剤（ＣＡ）ではんだペーストを用いた場合、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度は接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度より高くなることがあるが、インターコネクタ（ＩＣ）を接着するための導電性接着剤（ＣＡ）で導電性金属粒子と絶縁性樹脂がフィルム状で備える導電性接着フィルム（conductive adhesive film）を用いる場合は、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度は接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）の最高温度より低いことがある。
【０２７８】
さらに、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の実行時間は、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）実行時間より短いことがある。一例として、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の実行時間は１秒〜１分の間で有り得る。
【０２７９】
さらに具体的一例として、インターコネクタ（ＩＣ）を接着するための導電性接着剤（ＣＡ）ではんだペーストを用いる場合、熱と圧力を同時に加えられることができ、このとき、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）は１秒〜４秒の間の約２４０℃〜２８０℃の温度で行うことができる。
【０２８０】
さらに、インターコネクタ（ＩＣ）接着剤（ＩＣＡ）に導電性接着フィルム（conductive adhesive film）を用いる場合は、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）は、５秒〜２５秒の間で有り得、場合によっては１分まで行うことができる。
【０２８１】
また、図２８には、記載されたところと違って、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）が仮接合工程と仮接合工程より高い最高温度で熱処理する本接合工程を含むことも可能である。
【０２８２】
このような場合、仮接合工程では、インターコネクタ（ＩＣ）が複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）にそれぞれに固定することができ、このような仮接合工程により、複数の太陽電池が直列に接続されるストリング状を構成することができる。
【０２８３】
本接合工程は、仮接合工程の後に実行され、本接合工程によりインターコネクタ（ＩＣ）と、複数の第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）との間の接触抵抗をさらに向上することができる。
【０２８４】
このような本接合工程により、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）とインターコネクタ（ＩＣ）との間の接触抵抗をさらに格段に下げることができる。このような本接合工程は、一例として、太陽電池モジュールの製造工程の１つである、ラミネーション工程によって行うことができる。
【０２８５】
さらに具体的には、仮接合工程は、約１秒以内の時間の間、８０℃〜１００℃の温度で０．２ ＭＰａ（Pascal）の圧力と共に実行することができ、本接合工程は、約１０秒〜２０秒程度の時間の間、１７０℃〜１９０℃の間の温度で２ＭＰａ（Pascal）の圧力と共に行うことができる。
【０２８６】
このように、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）時間を接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂの）実行時間より短くすることにより、インターコネクタ（ＩＣ）を接続するとき、半導体基板１１０の熱膨張ストレスを最小化することができ、導電性接着剤（ＣＡ）の接着力や接触抵抗が低下することを最小化することができる。
【０２８７】
図２８〜図３０においては、本発明の第３例に従う太陽電池モジュールを一例として、第３の実施の形態に係る製造方法について説明したが、本発明の第１例に係る太陽電池モジュールにも第３の実施の形態に係る製造方法を適用することができる。
【０２８８】
このような第３の実施の形態に係る太陽電池の製造方法は、前述した第１、２の実施の形態に係る太陽電池の製造方法と併合することもある。これについて説明すると、次の通りである。
【０２８９】
図３１は、本発明の第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の変更例を説明するための図である。
【０２９０】
本発明に係る第３の実施の形態の変更例は、図３１に示すように、接続段階（ＳＴＡ）の熱処理工程（ＳＴＡｂ）が仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）または高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）と低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）を含み、ストリング形成段階（ＳＴＢ）が仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）の間、または高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）と低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）との間に行うことができる。
【０２９１】
さらに具体的に説明すると、本発明に係る第３の実施の形態の変更例は、半導体基板１１０の背面上に導電性接着剤のペースト（ＣＡＰ）と、絶縁層のペースト（ＩＬＰ）を塗布した後、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）を配置（ＳＴＡａ）した後、少なくとも一部の第１、２接続ポイントについて、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）や高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）を実行することができる。
【０２９２】
ここで、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）や高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）は、先に説明した本発明の第１、２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法で説明した内容をそのまま適用することができるので、具体的な説明は省略する。
【０２９３】
以降、ストリング形成段階（ＳＴＢ）では、互いに隣接する２つの太陽電池のそれぞれに固定された第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）の表面上に配置し、熱処理工程を実行して、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続することができる。
【０２９４】
このようなストリング形成段階（ＳＴＢ）の説明は、先に説明した第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法で説明した内容がそのまま適用されることがあるので、具体的な説明は省略する。
【０２９５】
以降、すべての第１、２接続ポイントまたは残りの第１、２接続ポイントについて、本接合工程（ＳＴＡｂ２）または低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）を実行することができる。
【０２９６】
このような本接合工程（ＳＴＡｂ２）または低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）は、前述したように、ラミネート工程で実行することができる。
【０２９７】
このような第３の実施の形態の変更例では、一例として、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）及びストリング形成段階（ＳＴＢ）での熱処理工程それぞれの最高温度が互いに異なることがある。
【０２９８】
一例として、第３の実施の形態の変更例の接続段階（ＳＴＡ）で、接合工程（ＳＴＡｂ１）と本接合工程（ＳＴＡｂ２）を用いる場合、ストリング形成段階（ＳＴＢ）での熱処理工程が仮接合工程（ＳＴＡｂ１）や、本接合工程（ＳＴＡｂ２）より高い最高温度を有することができる。
【０２９９】
一例として、ストリング形成段階（ＳＴＢ）での熱処理工程の最高温度は一例として、２４０℃〜２８０℃で有り得、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）の最高温度は７０℃〜１５０℃の間で有り得る。
【０３００】
さらに、本接合工程（ＳＴＡｂ２）の最高温度は、仮接合工程（ＳＴＡｂ１）の最高温度より高く、ストリング形成段階（ＳＴＢ）での熱処理工程の最高温度より低い範囲で１４０℃〜１８０℃の間で有り得、本接合工程（ＳＴＡｂ２）がラミネート工程中に行うことができる。
【０３０１】
さらに、先に説明した第２の実施の形態で説明したように、接続段階（ＳＴＡ）の高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）と低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）の各最高温度は互いに異なることがあり、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）最高温度が高融点熱処理工程（ＳＴＡｂ１′）と低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）の最高温度と異なることがある。
【０３０２】
このような変更例に係る製造方法は、まず、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）の少なくとも一部が、各太陽電池の第１、２電極（Ｃ１４１、Ｃ１４２）に固定された状態で、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続させ、ラミネート工程を介して、本接合工程（ＳＴＡｂ２）または低融点熱処理工程（ＳＴＡｂ２′）を実行するので、各太陽電池の半導体基板１１０の曲がりを最小化することができる。
【０３０３】
さらに、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、先に説明した図１６で述べたように、ストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）最高温度とストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程最高温度を互いに異なるようにすることがある。
【０３０４】
図３２は、本発明の第４の実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【０３０５】
先に説明した図１５で既に説明したように、タビング段階（ＳＴ）は、ストリング接続段階（ＳＴＣ）をさらに含むことができ、このようなストリング接続段階（ＳＴＣ）は、互いに隣接する２つのストリングのそれぞれの最後の太陽電池のそれぞれに接続された第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をボシンリボンの表面（一例として、背面）上に配置する工程と熱処理して、第１、２導電性配線（Ｐ１、Ｐ２）をインターコネクタ（ＩＣ）に接続させる熱処理工程を含むことができる。
【０３０６】
したがって、このようなストリング接続段階（ＳＴＣ）により、図３２に示すように、第１方向（ｘ）に長く伸びた第１ストリング（ＳＴ１）の先端に位置する最後の太陽電池（Ｃ１）に備えられた第１導電性配線（Ｐ１）と、第１ストリング（ＳＴ１）と隣接して位置し、第１方向（ｘ）に長く伸びた第２ストリング（ＳＴ２）の先端に位置する最後の太陽電池（Ｃ２）に備えられた第２導電性配線（Ｐ２）が第２方向（ｙ）に長く伸びているボシンリボン（ＢＲ）に接続され、互いに隣接する第１ストリング（ＳＴ１）と第２ストリング（ＳＴ２）が互いに電気的に直列接続することができる。
【０３０７】
このとき、ストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程（ＳＴＣｂ）最高温度はストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）最高温度と異なることがある。
【０３０８】
一例として、ストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程（ＳＴＣｂ）最高温度とストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）最高温度は１４０℃〜４００℃の間の範囲で互いに異なることがある。
【０３０９】
しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、ストリング接続段階（ＳＴＣ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度とストリング形成段階（ＳＴＢ）の熱処理工程（ＳＴＢｂ）の最高温度が１４０℃〜４００℃の間の範囲で互いに同様であることも可能である。
【０３１０】
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したものに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲内で多様な修正、変更、及び置換が可能である。したがって、本発明に開示された実施の形態及び添付の図面は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施の形態及び添付の図面によって、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は、以下の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０３１１】
１１０    半導体基板
１２１    エミッタ部
１３０    反射防止膜
１７２    背面電界部
２００    絶縁性部材
ＢＳ    背面シート
Ｃ１    第１太陽電池
Ｃ２    第２太陽電池
Ｃ３    第３太陽電池
Ｃ１４１    第１電極
Ｃ１４２    第２電極
ＣＡ    導電性接着材
ＥＣ１    第１封止剤
ＥＣ２    第２封止材
ＦＧ    前面透明基板
ＩＣ    インターコネクタ
ＩＬ    絶縁層
ＩＬＰ    絶縁性ペースト
Ｐ１    第１導電性配線
Ｐ２    第２導電性配線
【図１】
2018113463.tif 000003
【図２】
2018113463.tif 000004
【図３】
2018113463.tif 000005
【図４】
2018113463.tif 000006
【図５】
2018113463.tif 000007
【図６】
2018113463.tif 000008
【図７】
2018113463.tif 000009
【図８】
2018113463.tif 000010
【図９】
2018113463.tif 000011
【図１０】
2018113463.tif 000012
【図１１】
2018113463.tif 000013
【図１２】
2018113463.tif 000014
【図１３】
2018113463.tif 000015
【図１４Ａ】
2018113463.tif 000016
【図１４Ｂ】
2018113463.tif 000017
【図１４Ｃ】
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【図１５】
2018113463.tif 000019
【図１６】
2018113463.tif 000020
【図１７】
2018113463.tif 000021
【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
2018113463.tif 000024
【図２０Ｂ】
2018113463.tif 000025
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
2018113463.tif 000030
【図２６】
2018113463.tif 000031
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2018113463.tif 000035
【図３１】
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【図３２】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の太陽電池それぞれの半導体基板に形成された複数の第１電極または第２電極の上に導電性接着剤を形成する導電性接着剤形成段階と、
前記複数の太陽電池それぞれに備えられた第１、２電極に交差する方向に複数の第１、２導電性配線を前記複数の第２電極に仮接合して固定する仮接合段階と、
前記複数の第１導電性配線と前記複数の第１電極の間及び前記複数の第２導電性配線と前記複数の第２電極の間が電気的に接続されるように、本接合する本接合段階と、
を含み、
前記仮接合段階においては、
前記複数の第１電極と前記複数の第１導電性配線が交差する複数の第１接続ポイントの内、前記半導体基板の第１エッジ領域に位置した一部の第１接続ポイントのみに仮接合を実施し、
前記複数の第２電極と前記複数の第２導電性配線が交差する複数の第２接続ポイントの内、前記第１エッジ領域と向い側に位置する前記半導体基板の第２エッジ領域に位置した一部の第２接続ポイントのみに仮接合を実施し、
前記本接合段階では、前記複数の第１、第２接続ポイントの全てに対して、本接合を実施する、太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記仮接合段階において、
前記第１エッジ領域で前記複数の第１電極と前記複数の第２導電性配線が交差する部分及び前記第２エッジ領域で前記複数の第２電極と前記複数の第１導電性配線が交差する部分が共に仮接合される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記仮接合段階により前記複数の太陽電池が直列に接続されるストリングが形成される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記本接合段階は、前記複数の太陽電池の前面に順に、第１封止材と、前面透明基板を配置し、前記複数の太陽電池の背面に順に、第２封止材と背面シートを配置して熱圧着するラミネート工程により実行される、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記仮接合段階以降前記本接合段階以前に、
前記複数の太陽電池の内、互いに隣接した第１，２太陽電池の間にインターコネクタを配置し、前記第１太陽電池の第１電極に固定された複数の第１導電性配線と前記第２太陽電池の第２電極に固定された複数の第２導電性配線を前記インターコネクタに接続させるストリング形成段階とをさらに含む、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記ストリング形成段階の最高温度は、前記本接合段階の最高温度より高い、請求項５に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記ストリング形成段階の最高温度は２４０℃〜２８０℃である、請求項５に記載の
太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記仮接合段階の最高温度は７０℃〜１５０℃である、請求項１に記載の太陽電池モ
ジュールの製造方法。
【請求項９】
前記本接合段階の最高温度は前記仮接合段階の最高温度より高く、１４０℃〜１８０
℃である、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記仮接合段階以前に、
前記複数の第１電極と前記複数の第２導電性配線の交点と、前記複数の第２電極と前
記複数の第１導電性配線の交点には絶縁層が形成される、請求項１に記載の太陽電池モ
ジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層のそれぞれの形成面積は前記導電性接着剤のそれぞれの形成面積より大き
い、請求項１０に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記ストリング形成段階において、
前記インターコネクタは前記第１、２太陽電池のそれぞれの半導体基板と離隔され、
前記第１、第２導電性配線のそれぞれの長さ方向と交差する方向に長く配置される、請
求項５に記載の太陽電池モジュールの製造方法。