(57)【要約】【課題】センサチップの出力値を調整する調整工程において、調整時間の短縮と調整精度との両立を図ることができる圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】封止工程では、センサチップ１０の他端部１９及び回路チップ２０が金属フレーム３０に実装された状態でモールド樹脂部４０を形成すると共に、モールド樹脂部４０の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ５０を設ける。封止工程の後、モールド樹脂部４０を基準温度に加熱した状態で温度検出用プローブ５０によってモールド樹脂部４０の中心部の中心温度を検出すると共にセンサ信号を取得し、中心温度に基づいてセンサ信号の信号値を調整することにより信号処理値を調整し、調整後の信号処理値を回路チップ２０に設定する調整工程を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力媒体の圧力が印加されるダイヤフラム（１１）と、前記ダイヤフラムに形成された複数のゲージ抵抗（１２）と、を有し、前記ダイヤフラムの歪みに応じた前記複数のゲージ抵抗の抵抗変化をセンサ信号として出力する板状のセンサチップ（１０）と、
前記センサチップから前記センサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて前記センサ信号の信号処理を行う回路チップ（２０）と、
一面（３１）を有する板状であり、前記センサチップのうち前記ダイヤフラム側の一端部（１８）とは反対側の他端部（１９）と前記回路チップとが前記一面に実装された金属フレーム（３０）と、
前記センサチップのうち前記ダイヤフラムが露出するように、前記センサチップの前記他端部、前記回路チップ、及び前記金属フレームを封止したモールド樹脂部（４０）と、
を備えた圧力センサの製造方法であって、
前記センサチップの前記他端部及び前記回路チップが前記金属フレームに実装された状態で前記モールド樹脂部を形成すると共に、前記モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ（５０）を設ける封止工程と、
前記封止工程の後、前記モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で前記温度検出用プローブによって前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出すると共に前記センサ信号を取得し、前記中心温度に基づいて前記センサ信号の信号値を調整することにより前記信号処理値を調整し、調整後の前記信号処理値を前記回路チップに設定する調整工程と、
を含んでいる圧力センサの製造方法。
【請求項２】
前記封止工程では、前記モールド樹脂部に穴部（４１）を設け、前記穴部に前記温度検出用プローブを配置する請求項１に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項３】
前記調整工程の後、前記温度検出用プローブを前記穴部から取り出し、前記穴部を埋める後工程を含んでいる請求項２に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項４】
前記封止工程では、前記回路チップにおいて前記センサチップとは反対側に前記穴部を設ける請求項２または３に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項５】
前記封止工程では、前記回路チップと前記センサチップとの間に前記穴部を設ける請求項２または３に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項６】
前記封止工程では、前記穴部の入口側の平面サイズが底部側の平面サイズよりも大きくなるように前記穴部の壁面（４２）をテーパ状に形成する請求項２ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサの製造方法。
【請求項７】
前記封止工程では、前記穴部を前記金属フレームが露出しない深さに形成する請求項２ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサの製造方法。
【請求項８】
前記封止工程では、前記金属フレームとして、前記センサチップの前記他端部及び前記回路チップが実装されるアイランド部（３２）と、前記アイランド部に一体化されているダム部（３４）と、を有するものを用意し、前記ダム部を露出させるように前記モールド樹脂部を形成し、
前記調整工程では、前記モールド樹脂部から露出した前記ダム部に前記温度検出用プローブを接触させた状態で前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出する請求項１に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項９】
前記封止工程では、前記金属フレームとして、前記センサチップの前記他端部及び前記回路チップが実装されるアイランド部（３２）と、前記アイランド部から分離されていると共に前記回路チップに電気的に接続されるターミナル（３３）と、を有するものを用意し、前記ターミナルの一部を露出させるように前記モールド樹脂部を形成し、
前記調整工程では、前記モールド樹脂部から露出した前記ターミナルの一部に前記温度検出用プローブを接触させた状態で前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出する請求項１に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項１０】
前記封止工程では、前記温度検出用プローブを前記モールド樹脂部に封止し、
前記調整工程では、前記信号処理値の調整後、前記温度検出用プローブの配線（５１）を切断する請求項１に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項１１】
圧力媒体の圧力が印加されるダイヤフラム（１１）と、前記ダイヤフラムに形成された複数のゲージ抵抗（１２）と、を有し、前記ダイヤフラムの歪みに応じた前記複数のゲージ抵抗の抵抗変化をセンサ信号として出力する板状のセンサチップ（１０）と、
前記センサチップから前記センサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて前記センサ信号の信号処理を行う回路チップ（２０）と、
一面（３１）を有する板状であり、前記センサチップのうち前記ダイヤフラム側の一端部（１８）とは反対側の他端部（１９）と前記回路チップとが前記一面に実装された金属フレーム（３０）と、
前記センサチップのうち前記ダイヤフラムが露出するように、前記センサチップの前記他端部、前記回路チップ、及び前記金属フレームを樹脂材料で封止したモールド樹脂部（４０）と、
を備え、
前記モールド樹脂部は、前記信号処理値を調整するための調整工程時に前記モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ（５０）を配置する穴部（４１）を有している圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、圧力媒体の圧力を検出するセンサチップを備えたセンサデバイスが、例えば特許文献１で提案されている。センサチップは、一方の基板と他方の基板とが接合されて構成されている。他方の基板は、局所的に肉厚の薄くなったダイヤフラムを有し、ダイヤフラムに形成された圧電素子を有している。圧電素子は、４つのゲージ抵抗がブリッジ回路を構成するように形成されている。
【０００３】
また、一方の基板は、ダイヤフラムに対応する部分に圧電素子を気密封止するための凹部を有している。そして、各基板が接合されることで圧電素子が各基板で囲まれた空間に封止されている。
【０００４】
さらに、センサデバイスは、センサチップのうちダイヤフラムが形成された部分が露出するようにセンサチップの一部を封止したモールド樹脂部を備えている。すなわち、センサデバイスは、モールド樹脂部によるセンサデバイスの片持ち梁構造になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１９１２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のセンサデバイスにおいて、ブリッジ回路の温度特性を利用して圧力媒体の温度を検出することが可能である。また、センサチップの信号を処理する回路チップを備えた構成が考えられる。この場合、回路チップが金属フレームに実装されると共にセンサチップのうちダイヤフラム側とは反対側が金属フレームに固定され、センサチップの一部、回路チップ、及び金属フレームがモールド樹脂部に封止される。
【０００７】
しかしながら、上記の構成では、センサデバイスの製造時にセンサチップの出力値を調整する調整工程において、回路チップにデータを記憶する際の回路チップの発熱によって、回路チップの熱が金属フレームやモールド樹脂部を介してセンサチップに伝わる。これにより、センサチップの温度は測定対象に自己昇温分の温度が加算された値、すなわちモールド樹脂部の内部温度と同一になる。このため、自己昇温分の温度を補正することができず、出力値の調整精度を確保することができない。
【０００８】
なお、調整工程ではセンサチップの検出部の実温度を正確に測定することが必要であるが、センサチップへの接触での温度測定はセンサチップの破壊及び温度測定プローブへの熱逃げがあり、測定が困難である。赤外線検出での非接触で温度検出も考えられるが、検出精度が悪く、調整工程に適さない。
【０００９】
また、センサデバイスに対して外部から熱を印加し、測定設定温度に向けて温度上昇させた場合、モールド樹脂部の熱容量の影響により、測定対象温度とセンサチップの温度とにずれが発生し、センサチップの温度が安定するまでに時間を要する。したがって、調整時間が掛かってしまう。
【００１０】
本発明は上記点に鑑み、センサチップの出力値を調整する調整工程において、調整時間の短縮と調整精度との両立を図ることができる圧力センサの製造方法を提供することを第１の目的とする。また、当該製造方法によって得られた圧力センサを提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
発明者らは、センサチップの一部はモールド樹脂部に封止されていると共に、センサチップとモールド樹脂部との間の熱抵抗は低く、センサチップの温度はモールド樹脂部の温度と同一温度になる、という点に着目した。
【００１２】
そこで、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、圧力媒体の圧力が印加されるダイヤフラム（１１）と、ダイヤフラムに形成された複数のゲージ抵抗（１２）と、を有し、ダイヤフラムの歪みに応じた複数のゲージ抵抗の抵抗変化をセンサ信号として出力する板状のセンサチップ（１０）と、センサチップからセンサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいてセンサ信号の信号処理を行う回路チップ（２０）と、一面（３１）を有する板状であり、センサチップのうちダイヤフラム側の一端部（１８）とは反対側の他端部（１９）と回路チップとが一面に実装された金属フレーム（３０）と、センサチップのうちダイヤフラムが露出するように、センサチップの他端部、回路チップ、及び金属フレームを封止したモールド樹脂部（４０）と、を備えた圧力センサの製造方法であって、以下の工程を含んでいる。
【００１３】
すなわち、センサチップの他端部及び回路チップが金属フレームに実装された状態でモールド樹脂部を形成すると共に、モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ（５０）を設ける封止工程を行う。
【００１４】
封止工程の後、モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で温度検出用プローブによってモールド樹脂部の中心部の中心温度を検出すると共にセンサ信号を取得し、中心温度に基づいてセンサ信号の信号値を調整することにより信号処理値を調整し、調整後の信号処理値を回路チップに設定する調整工程を行う。
【００１５】
請求項１１に記載の発明では、モールド樹脂部は、信号処理値を調整するための調整工程時にモールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ（５０）を配置する穴部（４１）を有している。
【００１６】
これによると、調整工程において、モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で温度検出用プローブによってモールド樹脂部の中心温度を検出している。このため、モールド樹脂部と同一温度のセンサチップの温度を間接的に精度良く検出することができる。したがって、センサ信号の信号値の調整精度を確保することができる。
【００１７】
また、モールド樹脂部を加熱する測定温度設定時の過渡時、センサチップの温度変化途中においてもセンサチップの温度と同一のモールド樹脂部の温度を検出できる。このため、センサチップの温度が安定するまで待つ必要がなく、調整時間を短縮することができる。以上により、調整時間の短縮と調整精度との両立を図ることができる。
【００１８】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図２】圧力センサの製造工程のうちの調整工程を示した断面図である。
【図３】第２実施形態において、後工程を示した断面図である。
【図４】第３実施形態に係る調整工程を示した断面図である。
【図５】第３実施形態に係る調整工程の変形例を示した断面図である。
【図６】第４実施形態に係る調整工程を示した断面図である。
【図７】第５実施形態に係る封止工程及び調整工程を示した断面図である。
【図８】第６実施形態に係る調整工程を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２１】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力センサは、例えば、車両のエンジン内へ取り入れられる吸入空気の圧力の検出等で使用される。図１に示されるように、圧力センサ１は、センサチップ１０、回路チップ２０、金属フレーム３０、及びモールド樹脂部４０を備えている。
【００２２】
センサチップ１０は、圧力媒体の圧力を検出する板状のセンサＩＣとして構成されている。センサチップ１０は、ダイヤフラム１１、複数のゲージ抵抗１２、第１基板１３、及び第２基板１４を有している。ダイヤフラム１１は圧力媒体の圧力が印加されることで歪む薄肉層として構成されている。
【００２３】
複数のゲージ抵抗１２は、ダイヤフラム１１に形成されていると共に、ダイヤフラム１１の歪みに応じて抵抗値が変化する素子である。各ゲージ抵抗１２は、ホイートストンブリッジ回路を構成するように電気的に接続されている。これにより、各ゲージ抵抗１２のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム１１の歪みに応じた電圧を圧力として検出することができる。
【００２４】
また、各ゲージ抵抗１２は温度によって抵抗値が変化する温度特性を有している。ブリッジ回路の温度は、センサチップ１０の温度と同一になる。各ゲージ抵抗１２は、例えば、ダイヤフラム１１に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。各ゲージ抵抗１２はダイヤフラム１１の上に形成された薄膜抵抗として構成されていても良い。
【００２５】
第１基板１３は、ダイヤフラム１１のうち各ゲージ抵抗１２が設けられたセンシング領域に対応する開口部１５を有する。第２基板１４は、センシング領域に対応した部分が凹んだ凹部１６を有する。第１基板１３及び第２基板１４は、半導体基板やガラス基板等で構成されている。第２基板１４には、各ゲージ抵抗１２に接続された図示しない配線部やパッド等が形成されている。
【００２６】
そして、センサチップ１０は、第１基板１３及び第２基板１４はダイヤフラム１１を挟んだ積層体として構成されている。これにより、ダイヤフラム１１のセンシング領域が第１基板１３の開口部１５に露出する。また、第２基板１４の凹部１６とダイヤフラム１１とで密閉された空間部１７は真空室になっている。なお、各ゲージ抵抗１２はダイヤフラム１１のうちの空間部１７側に設けられている。センサチップ１０は、ダイヤフラム１１の歪みに応じた複数のゲージ抵抗１２の抵抗変化をセンサ信号として出力する。
【００２７】
なお、上記のセンサチップ１０の構成は一例であり、他の構成でも良い。例えば、第１基板１３にダイヤフラム１１が形成され、第２基板１４が第１基板１３に積層される構成でも良い。
【００２８】
回路チップ２０は、メモリ等の半導体集積回路が形成されたＩＣチップである。回路チップ２０は、半導体基板等を用いて形成されている。回路チップ２０は、センサチップ１０からセンサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいてセンサ信号の信号処理を行う。信号処理値とは、センサ信号の信号値を増幅や演算等するための調整値である。回路チップ２０は、図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されている。
【００２９】
金属フレーム３０は、一面３１を有する板状であり、センサチップ１０及び回路チップ２０を支持するためのアイランド部３２を有する。アイランド部３２は、センサチップ１０のうちダイヤフラム１１側の一端部１８とは反対側の他端部１９と回路チップ２０とが一面３１に実装される。本実施形態では、センサチップ１０及び回路チップ２０はアイランド部３２に接着固定されている。
【００３０】
金属フレーム３０は、金属板が所定の形状にプレス加工されて形成されている。なお、金属フレーム３０は、アイランド部３２から分離されていると共に、図示しないボンディングワイヤによって回路チップ２０に電気的に接続されたターミナルも有している。
【００３１】
モールド樹脂部４０は、センサチップ１０のうちダイヤフラム１１が露出するように、センサチップ１０の他端部１９、回路チップ２０、及び金属フレーム３０を樹脂材料で封止した封止部品である。モールド樹脂部４０は、熱伝導性を良くするためにセラミックス等のフィラーが配合されている。
【００３２】
また、モールド樹脂部４０は穴部４１を有している。穴部４１は、回路チップ２０の信号処理値を調整するための調整工程時にモールド樹脂部４０の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブを配置する部分である。本実施形態では、穴部４１は、金属フレーム３０の一面３１側であって、回路チップ２０においてセンサチップ１０とは反対側に設けられている。また、穴部４１の底部にはアイランド部３２が露出している。
【００３３】
以上が、本実施形態に係る圧力センサ１の全体構成である。センサチップ１０は、圧力媒体の圧力に応じたセンサ信号を出力する。また、センサチップ１０は、ブリッジ回路の温度特性を利用して、圧力媒体である測定対象の温度を検出する。回路チップ２０は信号処理値に基づいてセンサ信号を処理し、外部装置に出力する。
【００３４】
次に、圧力センサ１の製造方法について説明する。まず、センサチップ１０、回路チップ２０、金属フレーム３０を用意し、センサチップ１０の他端部１９及び回路チップ２０を金属フレーム３０のアイランド部３２に実装する準備工程を行う。
【００３５】
続いて、封止工程を行う。具体的には、図示しない金型を用意し、金属フレーム３０を固定する。ここで、金型としてモールド樹脂部４０の穴部４１に対応した部分を持つものを用いる。
【００３６】
そして、樹脂材料を金型に流し込み、樹脂材料を硬化させる。これにより、センサチップ１０の他端部１９及び回路チップ２０が金属フレーム３０に実装された状態でモールド樹脂部４０を形成する。また、モールド樹脂部４０のうち、回路チップ２０においてセンサチップ１０とは反対側に穴部４１を設ける。
【００３７】
続いて、回路チップ２０に信号処理値を設定する調整工程を行う。このため、図２に示されるように、モールド樹脂部４０の穴部４１に、モールド樹脂部４０の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ５０を設ける。
【００３８】
温度検出用プローブ５０は、小型な測温抵抗体あるいはサーミスタ式のものである。これにより、熱容量が小さく、モールド樹脂部４０及び金属フレーム３０への温度変化を少なくし、かつ、温度検出用プローブ５０自体の温度安定までの時間短縮に有効である。
【００３９】
また、モールド樹脂部４０をヒータ１００で挟み、モールド樹脂部４０を基準温度に加熱する。ヒータ１００は測定温度設定用加熱装置である。モールド樹脂部４０の温度とセンサチップ１０の温度は温度変動の過渡においても一致しており、温度変化の過渡の途中で温度とセンサ出力の測定が可能になっている。金属フレーム３０はセンサチップ１０と接続固定されているため、よりセンサチップ１０の温度が反映されている。つまり、温度検出用プローブ５０によってセンサチップ１０の温度を間接的に精度良く検出できる。
【００４０】
したがって、モールド樹脂部４０を加熱した状態で温度検出用プローブ５０によってモールド樹脂部４０の中心部の中心温度を検出する。穴部４１に温度検出用プローブ５０を配置しているので、ヒータ１００の温度の影響が大きいモールド樹脂部４０の表面と比較し、センサチップ１０の温度を正確に測定できる。
【００４１】
また、各ゲージ抵抗１２によって測定対象の温度を測定する。つまり、センサ信号を取得する。そして、センサ信号の信号値に含まれるセンサチップ１０の自己昇温分を補正する。すなわち、モールド樹脂部４０の中心温度に基づいてセンサ信号の信号値を調整することにより信号処理値を調整し、調整後の信号処理値を回路チップ２０のメモリに書き込む。信号処理値はセンサ信号のゲインやオフセット等の調整値である。調整後、穴部４１から温度検出用プローブ５０を取り出し、圧力センサ１が完成する。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、温度検出用プローブ５０によってモールド樹脂部４０の中心温度を検出している。すなわち、各ゲージ抵抗１２によって検出される測定対象の温度を基準にセンサ信号の信号値を調整するのではなく、センサチップ１０と同一温度のモールド樹脂部４０の温度（中心温度）を基準に信号値を調整している。このため、センサチップ１０に外部から熱を印加し、基準温度に向けて温度上昇させた場合、モールド樹脂部４０の熱容量の影響による、測定対象の温度とセンサチップ１０の温度とにずれは発生しない。つまり、センサチップ１０の自己昇温分の温度差が影響しない。したがって、センサ信号の信号値の調整精度を確保することができる。
【００４３】
また、モールド樹脂部４０を加熱する際、センサチップ１０の温度が変化する途中においてもセンサチップ１０の温度と同一のモールド樹脂部４０の温度を検出可能になっている。このため、モールド樹脂部４０の熱容量の影響によってセンサチップ１０の温度が安定するまで時間を必要とせず、調整時間を短縮することができる。
【００４４】
したがって、圧力センサ１の調整工程において、調整時間の短縮と調整精度の両立を図ることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、調整工程の後、図３に示されるように、別のモールド樹脂部６０によって穴部４１を埋める後工程を行う。これにより、圧力センサ１の耐環境性を向上させることができる。
【００４６】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図４に示されるように、封止工程では、回路チップ２０とセンサチップ１０との間に穴部４１を設ける。これにより、温度検出用プローブ５０がセンサチップ１０に近い位置に配置されるので、よりセンサチップ１０の温度と近い温度を検出することができる。
【００４７】
変形例として、図５に示されるように、穴部４１の入口側の平面サイズが底部側の平面サイズよりも大きくなるように穴部４１の壁面４２をテーパ状に形成しても良い。つまり、穴部４１の挿入口を広げた形状に形成する。これにより、温度検出用プローブ５０を穴部４１に容易に挿入することができる。また、穴部４１に対する温度検出用プローブ５０の位置合わせ時間を短縮することができ、さらなる調整時間の短縮が可能になる。
【００４８】
さらに、金属フレーム３０が露出しない深さの穴部４１を形成する。つまり、穴部４１の底部にモールド樹脂部４０を薄くした部分を残し、アイランド部３２の保護を実施する。これにより、別のモールド樹脂部６０を形成することなく耐環境性を向上させることができる。また、後工程が不要になるので、製造コストの低減が可能である。
【００４９】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、準備工程において、金属フレーム３０として、アイランド部３２に一体化されているダム部及びターミナルを有するものを用意する。ダム部は、例えば、モールド樹脂部４０の形成時において各部品の位置決めに使用される部分である。
【００５０】
また、封止工程において、図６に示されるように、ターミナル３３の一部及びダム部３４を露出させるようにモールド樹脂部４０を形成する。そして、調整工程では、モールド樹脂部４０から露出したダム部３４に温度検出用プローブ５０を接触させ、この状態でモールド樹脂部４０の中心部の中心温度を検出する。モールド樹脂部４０の中心部の熱はアイランド部３２からダム部３４を介して温度検出用プローブ５０に伝わる。
【００５１】
調整工程の後、ダム部３４を切断する。本実施形態では、穴部４１の形成が不要になると共に、圧力センサ１の耐環境性を向上させることができる。
【００５２】
（第５実施形態）
本実施形態では、第１〜第４実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、準備工程において、金属フレーム３０として、アイランド部３２から分離されていると共に回路チップ２０に電気的に接続されるターミナル３３と、を有するものを用意する。
【００５３】
また、封止工程では、図７に示されるように、ターミナル３３の一部を露出させるようにモールド樹脂部４０を形成する。そして、調整工程では、モールド樹脂部４０から露出したターミナル３３の一部に温度検出用プローブ５０を接触させ、この状態でモールド樹脂部４０の中心部の中心温度を検出する。モールド樹脂部４０の中心部の熱はターミナル３３を介して温度検出用プローブ５０に伝わる。
【００５４】
本実施形態では、ダム部３４が金属フレーム３０に設けられていないため、調整工程での測定対象のハンドリングを向上させることができる。
【００５５】
（第６実施形態）
本実施形態では、第１〜第５実施形態と異なる部分について説明する。封止工程では、図８に示されるように、温度検出用プローブ５０をモールド樹脂部４０に封止する。また、調整工程では、信号処理値の調整後、温度検出用プローブ５０の配線５１を切断する。このような方法により、温度検出用プローブ５０はモールド樹脂部４０に接触しているので、モールド樹脂部４０の中心温度をより正確に測定することができる。
【００５６】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示されたモールド樹脂部４０の構成や調整工程は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、穴部４１は、金属フレーム３０の一面３１とは反対側に設けられていても良い。
【００５７】
また、可能な限り、上記各実施形態を組み合わせて実施することができる。例えば、穴部４１のテーパ形状や穴部４１の底部にモールド樹脂部４０の一部を残す構成を第１実施形態に係る穴部４１に適用することができる。また、第６実施形態のように温度検出用プローブ５０をモールド樹脂部４０に埋める場合、センサチップ１０と回路チップ２０との間に埋めても良い。
【符号の説明】
【００５８】
１０  センサチップ
１１  ダイヤフラム
１２  ゲージ抵抗
１８  一端部
１９  他端部
２０  回路チップ
３０  金属フレーム
３１  一面
４０  モールド樹脂部
５０  温度検出用プローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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