(57)【要約】      （修正有）【課題】基板と、基板上に位置し、トランジスタと発光素子を有する複数の画素と、基板上に位置し、トランジスタと電気的に接続される第１の配線と、基板の第１の側面と、第１の側面に対向する第２の側面をそれぞれ覆い、第１の配線と電気的に接続される一対の第１の接続パッドを有する表示パネルが提供される。【解決手段】第１の側面と第２の側面は、一対の第１の接続パッドに覆われる凹部を有することができる。発光素子はそれぞれ画素電極を有し、画素電極上の対向電極を共有してもよく、表示パネルは、隣接する画素の間に位置し、対向電極と電気的に接続される第２の配線を有してもよい。【選択図】図４
2018067507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記基板上に位置し、前記発光素子と電気的に接続される第１の配線と、
前記基板の第１の側面を覆い、前記第１の配線と電気的に接続される第１の接続パッドを有する表示パネル。
【請求項２】
前記第１の側面は、前記第１の接続パッドに覆われる凹部を有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１の接続パッドは、前記第１の配線を覆う、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１の配線と電気的に接続され、前記第１の側面と対向する第２の側面を覆う第２の接続パッドを有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記基板は、前記第１の側面と前記第２の側面に垂直な第３の側面を有し、
前記第３の側面と前記第１の接続パッド間の距離は、前記第３の側面と前記第２の接続パッド間の距離と異なる、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第１の配線と交差する第２の配線と、
前記第２の配線と電気的に接続され、前記第１の側面に垂直な第３の側面を覆う第３の接続パッドをさらに有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第１の配線と前記第２の配線は、トランジスタを介して前記発光素子と電気的に接続される、請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する複数の表示パネルを有し、
前記複数の表示パネルはそれぞれ、
基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記基板上に位置し、前記発光素子と電気的に接続される第１の配線と、
前記基板の第１の側面を覆い、前記第１の配線と電気的に接続される第１の接続パッドを有する表示装置。
【請求項９】
前記複数の表示パネルは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置され、
前記ｍと前記ｎは、１より大きい自然数である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ｍと前記ｎは、２よりも大きく、
前記複数の表示パネルは、互いに同一の構造を有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ベース基板は
互いに積層する複数の配線と、
前記複数の配線の一つと電気的に接続される第１の導電バンプを有し、
前記複数の表示パネルの一つの第１の接続パッドは、前記第１の導電バンプと電気的に接続される、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数の表示パネルの各々において、前記第１の側面は、前記第１の接続パッドに覆われる凹部を有する請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記複数の表示パネルはそれぞれ、前記第１の配線と電気的に接続され、前記第１の側面と対向する第２の側面を覆う第２の接続パッドを有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記複数の表示パネルの各々において、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドは、前記第１の配線を覆う、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記複数の表示パネルの各々において、
前記基板は、前記第１の側面と前記第２の側面に垂直な第３の側面を有し、
前記第３の側面と前記第１の接続パッド間の距離は、前記第３の側面と前記第２の接続パッド間の距離と異なる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数の表示パネルの各々は、
前記第１の配線と交差する第２の配線と、
前記第２の配線と電気的に接続され、前記第１の側面に垂直な第３の側面を覆う第３の接続パッドをさらに有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記複数の表示パネルの各々は、前記第１の側面と、前記第１の側面に最も近い画素の間に第３の配線を有し、
前記複数の表示パネルの各々において、
前記発光素子は画素電極を有し、前記画素電極上の対向電極を共有し、
前記第３の配線は、前記対向電極と電気的に接続される、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１８】
互いに隣接する表示パネルの前記第１の配線は、異なる直線上に伸びるように配置される、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１の側面は、第１の接続パッドに覆われる凹部を有し、
前記第１の導電バンプは、前記凹部に位置し、
隣接する二つの前記表示パネルは互いに接し、前記第１の導電バンプを挟む、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１の配線と前記第２の配線は、トランジスタを介して前記発光素子と電気的に接続される、請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態の一つは表示装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として、液晶素子や発光素子などの表示素子を各画素に有する液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などが挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に液晶素子あるいは有機発光素子（以下、単に発光素子とも記す）を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極間に液晶あるいは発光材料を含む層をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
【０００３】
大型の表示装置を作製するための一つの方法として、表示素子が形成された有機ＥＬパネルなどの中小型の表示パネルを複数用い、これらを大型基板上に並べることが知られている。この手法によって作製される発光装置は、パネル接合型表示装置と呼ばれる。例えば特許文献１から４には、有機ＥＬパネルを基板上にマトリクス状に配置した、パネル接合型表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１１３２０号公報
【特許文献２】特開２００６−１６３３２５号公報
【特許文献３】特開２０１１−８１９４５号公報
【特許文献４】特開２０１４−１５７２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の課題の一つは、大型の表示装置、例えば発光素子が搭載された大型の表示装置を低コストで作製するための構造、方法を提供することである。あるいは、本開示の課題の一つは、複数の表示パネルを有し、かつ、高い表示品質を有する大型の表示装置を作製するための構造、方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の実施形態の一つは、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、基板上に位置し、発光素子と電気的に接続される第１の配線と、基板の第１の側面を覆い、第１の配線と電気的に接続される第１の接続パッドを有する表示パネルである。
【０００７】
第１の側面は、第１の接続パッドに覆われる凹部を有してもよい。表示パネルは、第１の配線と電気的に接続され、第１の側面と対向する第２の側面を覆う第２の接続パッドを有してもよい。第１の接続パッドと第２の接続パッドは、第１の配線を覆うことができる。基板は、第１の側面と第２の側面に垂直な第３の側面を有し、第３の側面と第１の接続パッド間の距離は、第３の側面と第２の接続パッド間の距離と異なってもよい。
【０００８】
表示パネルはさらに、第１の配線と交差する第２の配線と、第２の配線と電気的に接続され、第１の側面に垂直な第３の側面を覆う第３の接続パッドをさらに有することができる。第１の配線と第２の配線は、トランジスタを介して発光素子と電気的に接続してもよい。
【０００９】
本開示の実施形態の一つは、ベース基板と、ベース基板上に位置する複数の表示パネルを有し、複数の表示パネルはそれぞれ、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、基板上に位置し、発光素子と電気的に接続される第１の配線と、基板の第１の側面を覆い、第１の配線と電気的に接続される第１の接続パッドを有する表示装置である。
【００１０】
複数の表示パネルは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置されてもよい。ここで、ｍとｎは、１より大きい自然数である。また、ｍとｎは２よりも大きくてもよく、複数の表示パネルは互いに同一の構造を有してもよい。
【００１１】
ベース基板は、互いに積層する複数の配線と、複数の配線の一つと電気的に接続される第１の導電バンプを有し、複数の表示パネルの一つの第１の接続パッドは第１の導電バンプと電気的に接続されてもよい。
【００１２】
複数の表示パネルの各々において、第１の側面は、第１の接続パッドに覆われる凹部を有してもよい。複数の表示パネルはそれぞれ、第１の配線と電気的に接続され、第１の側面と対向する第２の側面を覆う第２の接続パッドを有することができる。第１の接続パッドと第２の接続パッドは、第１の配線を覆ってもよい。基板は、第１の側面と第２の側面に垂直な第３の側面を有し、第３の側面と第１の接続パッド間の距離は、第３の側面と第２の接続パッド間の距離と異なってもよい。
【００１３】
複数の表示パネルの各々は、第１の配線と交差する第２の配線と、第２の配線と電気的に接続され、第１の側面に垂直な第３の側面を覆う第３の接続パッドをさらに有してもよい。第１の配線と第２の配線は、トランジスタを介して発光素子と電気的に接続してもよい。
【００１４】
複数の表示パネルの各々は、第１の側面と、第１の側面に最も近い画素の間に第３の配線を有することができ、複数の表示パネルの各々において、発光素子は画素電極を有し、画素電極上の対向電極を共有し、第３の配線は、対向電極と電気的に接続されてもよい。
【００１５】
互いに隣接する表示パネルの前記第１の配線は、異なる直線上に伸びるように配置してもよい。
【００１６】
第１の側面は、第１の接続パッドに覆われる凹部を有し、第１の導電バンプは、凹部に位置し、隣接する二つの表示パネルは互いに接し、第１の導電バンプを挟むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示の一実施形態の表示装置の上面模式図。
【図２】本開示の一実施形態の表示装置の断面模式図。
【図３】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図４】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの側面模式図。
【図５】本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の上面模式図。
【図６】本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の断面模式図。
【図７】本開示の一実施形態の表示装置の模式的斜視図。
【図８】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図９】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１０】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１１】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１２】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１３】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１４】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１５】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１６】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１７】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１８】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。
【図１９】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図２０】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図２１】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図２２】本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。
【図２３】本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の作製方法を示す図。
【図２４】本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の作製方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省くことがある。
【００２０】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００２１】
本明細書および特許請求の範囲において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００２２】
（第１実施形態）
本実施形態の表示装置１００の構造を、図１乃至図７を用いて説明する。以下では、表示装置１００はアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置として説明を行うが、本実施形態はパッシブマトリクス型の表示装置に対しても適用することができる。また、表示素子としては液晶素子、発光素子のいずれを用いてもよい。発光素子を用いる場合、発光素子は有機ＥＬ素子でも無機ＥＬ素子でも良い。無機ＥＬ素子は、直流電流で駆動される無機ＥＬダイオードでも良く、交流電圧を印加して駆動される、いわゆる真正エレクトロルミネッセンス素子でも良い。
【００２３】
［１．全体構造］
図１は表示装置１００の上面模式図であり、鎖線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図を図２に示す。図１に示すように、表示装置１００は、ベース基板１０２と、ベース基板１０２上に設けられる複数の表示パネル２００を有している。図２に示す表示装置１００では、３行３列に配置された９枚の表示パネル２００がベース基板１０２上に設けられているが、表示パネル２００の数に制限はなく、ベース基板１０２上には表示パネル２００をｍ行ｎ列のマトリクス状に設けることができる。ここでｍとｎは１よりも大きい自然数である。
【００２４】
ベース基板１０２上には、駆動回路を設けることができ、図１は二つの駆動回路１０４、１０６が設けられた例を示している。表示パネル２００は、それぞれ独立して、駆動回路１０４、および／または１０６によって駆動される。なお、表示装置１００に必ずしも駆動回路を二つ設ける必要はなく、単一の駆動回路をベース基板１０２上に設けてもよい。あるいは、駆動回路をベース基板１０２に形成せず、異なる基板上に設けられる駆動回路を別途ベース基板１０２上に設けてもよい。
【００２５】
図２に示すように、表示パネル２００は、互いに封止材２１０によって固定された第１の基板２０２と第２の基板２０４の間に、複数の画素を有する表示領域２０６を有する。
【００２６】
駆動回路１０４、１０６は、ベース基板１０２に設けられ、封止材１３４によって封止基板１３０で覆われる。封止基板１３０の厚さを適宜選択し、第２の基板２０４と封止基板１３０の上面がほぼ同一平面内に位置するようにしてもよい。
【００２７】
駆動回路１０４、１０６は、配線１０８を介して表示パネル２００と電気的に接続される。図２に示すように、配線１０８はベース基板１０２内で多層構造を有することができる。例えば最上層の配線１０８aは、複数の表示パネル２００のうちの一つを駆動回路１０４に接続する。一方、配線１０８aの下に重なる配線１０８ｂは、配線１０８aが接続される表示パネル２００に隣接する表示パネル２００を駆動回路１０４に接続する。同様に、配線１０８ｃは配線１０８ｂが接続される表示パネル２００に隣接する表示パネル２００を駆動回路１０６に接続する。配線１０８a、１０８ｂ、１０８ｃは、表示パネル２００の側面に設けられる接続パッド２０８、およびベース基板１０２に設けられる導電バンプ１２０（後述）によって、それぞれ対応する表示パネル２００と電気的に接続される。
【００２８】
なお、配線１０８の層の数や積層構造は表示パネル２００の数や配置によって適宜変更することができる。また、一つの表示パネル２００が二つの駆動回路１０４、１０６の両方に接続されてもよい。
【００２９】
ベース基板１０２にはさらに、駆動回路１０４、１０６が設けられていない側面へ伸びる複数の配線１１０が設けられる（図１）。配線１０８と同様、複数の配線１１０もベース基板１０２内で積層構造を有することができる。例えば図２に示す配線１１０のうち最も上の層に設けられる配線１１０aは、２行目に位置する表示パネル２００と電気的に接続されることができる。一方、配線１１０ａの下層に位置する配線１１０ｂは、例えば三行目に位置する表示パネル２００と電気的に接続されることができる。配線１１０は、ベース基板１０２の端部でフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）などのコネクタ１１４と電気的に接続される。外部回路（図示せず）からコネクタ１１４を経由して供給される信号が配線１１０によって表示パネル２００に入力され、駆動回路１０４、１０６から入力される信号と連動して画素が制御される。
【００３０】
表示装置１００にはさらに、表示パネル２００と電気的に接続される配線１１２を設けることができる。後述するように、配線１１２は、画素が有する電極の一つと接続される。配線１１２も配線１１０が設けられる側へ伸びるように配置することができ、ベース基板１０２の端部で外部回路と接続される。
【００３１】
［２．表示パネル］
表示パネル２００の構造を、図３、４を用いて説明する。図３、４はそれぞれ、表示パネルの上面と側面の模式図である。表示パネル２００は第１の基板２０２上に複数の画素２１４を有している。複数の画素２１４が設けられる領域が、図２における表示領域２０６に相当する。画素２１４には互いに異なる色を与える発光素子や液晶素子などの表示素子を設けることができ、これにより、フルカラー表示を行うことができる。例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を三つの画素２１４にそれぞれ設けることができる。あるいは、全ての画素２１４で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素２１４ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素２１４の配列にも制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、ペンタイル配列などを採用することができる。図３に示す表示装置１００では、画素２１４はマトリクス状に配置される。
【００３２】
第１の基板２０２上にはさらに、配線１０８、１１０を経由して供給される信号を各画素２１４に供給するための種々の配線が設けられる。図３では三種類の配線２１６、２１８、２２０が設けられる例を示しているが、配線の数に制限はなく、四種類以上の配線が設けられていてもよい。配線２１６、２１８、２２０は各画素２１４に設けられるトランジスタなどの半導体素子と電気的に接続され、たとえば走査線、信号線、電流供給線などとして機能する。
【００３３】
本実施形態をパッシブマトリクス型の表示装置に適用する場合、上記配線２１６、２１８、２２０のうち、例えば配線２１６と２２０はビット線やワード線として利用することができる。この場合、配線２１６や２２０はトランジスタを介さずに、発光素子が有する一対の電極と接続される、あるいはこれらの電極として機能する。
【００３４】
各配線２１６、２１８、２２０は、少なくとも第１の基板２０２の一つの側面において、導電性を有する接続パッドと接続される。具体的には、例えば配線２１６は、第１の基板２０２の側面の一つ（第１の側面２２２）において、接続パッド２０８と電気的に接続される。接続パッド２０８は、ベース基板１０２に設けられる配線１０８を介して駆動回路１０４、あるいは１０６に電気的に接続される。図３に示した例では、配線２１６は、第１の側面２２２とそれに対向する第２の側面２２４に設けられる接続パッド２０８のいずれかに接続される。図３では、奇数行目の配線２１６は第１の側面２２２に設けられる接続パッド２０８と接続され、偶数行目の配線２１６が第２の側面２２４に設けられる接続パッド２０８と接続される例が示されている。この場合、奇数行目の配線２１６と偶数行目の配線２１６を異なる駆動回路（１０４、１０６）に接続してもよい。なお、全ての配線２１６の両端に接続パッド２０８を設けてもよい。このような構成は第３実施形態で述べる。
【００３５】
同様に配線２１８、２２０も、第１の側面２２２、第２の側面２２４に対して垂直な側面（第３の側面２２６、第４の側面２２８）において、導電性を有する接続パッド２１２と接続することができる。接続パッド２１２は、ベース基板１０２に設けられる配線１１０を介して外部回路に電気的に接続される。図３では、配線２１８、２２０の両端が接続パッド２１２と接続されているが、配線２１６のように、片一方の端部のみが接続パッド２１２と接続されるように表示パネル２００を構成してもよい。このような構成は第３実施形態で述べる。
【００３６】
図３に示すように、一つの配線に二つの接続パッドが接続される場合、これらの接続パッドの位置が互いにずれていてもよい。つまり、配線が伸びる方向に対して平行な側面から接続パッドまでの距離は、互いに異なるよう、接続パッド、あるいは配線を構成することができる。具体的には、例えば図３に示す配線２１８では、その伸びる方向に平行な側面である第１の側面２２２（あるいは第２の側面２２４）から接続パッド２１２までの距離が互いに異ってもよい。ここでは、配線２１８は折れ曲がり構造を有し、これにより、第１の側面２２２と接続パッド２１２までの距離が互いに相違する。このように接続パッド２０８や２１２を配置することで、隣接する表示パネル２００同士で、対応する配線同士が電気的に接続されることを防ぎ、各表示パネル２００を独立して駆動することができる。一つの配線内における一対の接続パッドの位置関係に関して、配線２１８、２２０も同様の関係を有することができる。
【００３７】
表示パネル２００はさらに、配線２３０を有することができる。配線２３０は、後述する発光素子２８２の電極の一つ、例えば対向電極２５０と電気的に接続される。配線２３０は、一つの表示パネル２００内に少なくとも一つ設置されればよく、隣接する画素２１４の間に設けてもよい。あるいは図３に示すように、第１の基板２０２のいずれかの側面とそれに最も近い画素２１４の間に設けてもよい。配線２１６、２１８、２２０と同様、配線２３０も第１の基板２０２のいずれかの側面において導電性を有する接続パッド２３２と接続され、接続パッド２３２によってベース基板１０２に設けられる配線１１２と電気的に接続される。
【００３８】
接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２が形成される領域、すなわち、第１の基板２０２の各側面（第１の側面２２２、第２の側面２２４、第３の側面２２６、第４の側面２２８）には凹部が形成される。そして図４に例示するように、凹部は接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２に覆われる。
【００３９】
表示パネル２００の画素２１４のうち、一つの側面とそれに最も近い画素２１４の端部との距離は、隣接する画素の端部間の距離の１／２となるように、画素２１４を配置することが好ましい。より具体的には、例えば第２の側面２２４に最も近い画素２１４の端部と第２の側面２２４との距離Ｌ１は、第２の側面２２４に直交する方向において隣接する画素２１４の端部間の距離Ｌ２の１／２であることが好ましい（図３参照）。同様に、第３の側面２２６に最も近い画素２１４の端部と第３の側面２２６との距離Ｌ３は、第３の側面２２６と直交する方向において隣接する画素の端部間の距離Ｌ４の１／２であることが好ましい。これにより、複数の表示パネル２００にわたり、等間隔で画素２１４を配置することができる。その結果、隣接する表示パネル２００の間の領域が目立たず、ユーザによって認識しにくくなり、高品質な画像を提供することができる。
【００４０】
［３．ベース基板］
ベース基板１０２の構造を図５、図６を用いて説明する。図５はベース基板１０２の上面模式図であり、ここでは明瞭化のため、表示パネル２００が設置される領域では配線１０８、１１０は図示していない。図６は図５の鎖線Ｂ−Ｂ’に沿った断面模式図である。
【００４１】
図５に示すように、ベース基板１０２は、その上に設置される表示パネル２００の側面（第１の側面２２２、第２の側面２２４、第３の側面２２６、第４の側面２２８）と重なる位置に、複数の導電バンプ１２０を有する。導電バンプ１２０は、マトリクス状に配置することができる。各導電バンプ１２０は、対応する一つの表示パネル２００の接続パッド２０８、２１２、２３２のいずれかと接続される。したがって、一つの表示パネル２００と接続される導電バンプ１２０の数は、配線２１６、２１８、２２０、２３０に設けられる接続パッド２０８、２１２、２３２の数と同じである。例えば表示パネル２００がｐ本の配線２１６、ｑ本の配線２１８、ｒ本の配線２２０、ｓ本の配線２３０を有し、それぞれが一つの接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２を有する場合、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ個の導電バンプ１２０が一つの表示パネル２００と接続されるように、導電バンプ１２０が設けられる。
【００４２】
一つの表示パネル２００に接続される複数の導電バンプ１２０の配置は、互いに同一にすることができる。これにより、複数の表示パネル２００の構造も同一にすることができる。この場合、例えば表示パネル２００をｍ行ｎ列のマトリクス状に配置する場合、１行目、ｍ行目、１列目、あるいはｎ列目に位置する表示パネル２００（以下、周辺パネルと記す）、ならびにそれ以外の（２行目からｍ−１行目、あるいは２列目からｎ−１列目に位置する）表示パネル２００（以下、内部パネルと記す）は、全て同じ構造を有することができる。
【００４３】
図６に示すように、ベース基板１０２は多層に配線が設けられた、所謂多層配線基板を含むことができる。具体的には、ベース基板１０２は、複数の絶縁部材１４０（１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ、１４０ｅ、１４０ｆ、１４０ｇ）と、それらに挟まれる複数の配線層（１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１０８ａ、１０８ｂ）などを有している。絶縁部材１４０と配線層の層数や構造は、表示パネル２００の数や配置パターンによって適宜変更することができる。
【００４４】
図６に例示した配線１１０は三層構造（１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有しており、それぞれ異なる行に位置する表示パネル２００と接続される。同様に、配線１０８は、図示しない一つの層を含む三層構造（１０８ａ、１０８ｂ）を有しており、それぞれ異なる列に位置する表示パネル２００と接続される。各配線１０８、１１０は、絶縁部材１４０に設けられるビア１４２において、対応する導電バンプ１２０と接続される。導電バンプ１２０は表示パネル２００の側面に設けられる接続パッド２０８、２１２、２３２を介し、対応する配線２１６、２１８、２２０、２３０と接続される。
［４．接続］
【００４５】
図７に、表示パネル２００とベース基板１０２との接続態様を模式的に示す。ここでは表示パネル２００の第２の基板２０４などは図示していない。図７に示すように、ベース基板１０２上の導電バンプ１２０の側面が接続パッド２０８に囲まれるように、ベース基板１０２上に表示パネル２００を配置する。接続パッド２０８、導電バンプ１２０、ビア１４２を介して表示パネル２００の配線（例えば図７に示した配線２１６）がベース基板１０２内の配線１０８と接続され、駆動回路１０４、１０６、あるいは外部回路から種々の信号が各表示パネル２００に供給される。これにより、各表示パネル２００を独立して駆動することができる。
【００４６】
上述したように、第１の基板２０２の側面には凹部が設けられており、凹部を覆うように接続パッド２０８、２１２、２３２が設けられる。したがって、接続パッドも凹部を有しており、その凹部内に導電バンプ１２０が位置するように、表示パネル２００が配置される。このため、図２に示すように、隣接する表示パネル２００の側面（例えば、第１の基板２０２の側面同士）が互いに接するように、表示パネル２００を配置することが可能となる。このため、隣接する表示パネル２００間に隙間を設ける必要がなく、表示パネル２００間のつなぎ目を目立たなくすることができる。その結果、高品質の画像を提供することができる。
【００４７】
さらに上述したように、全て同じ構造の表示パネル２００を用いて表示装置１００を作製することができる。したがって、低コストで大型の表示パネルを形成することが可能であり、ベース基板１０２の大きさと、そこに設けられる配線の積層構造を変えるだけで、任意のサイズの表示装置１００を提供することが可能である。
【００４８】
（第２実施形態）
本実施形態では、表示パネル２００の作製方法を、図８乃至図１８を用いて説明する。図８は画素２１４の上面模式図であり、図９乃至図１５は、図８に示す鎖線Ｅ−Ｅ’、Ｆ−Ｆ’に沿った断面に相当する。図１６乃至図１８は、表示パネル２００の上面模式図である。第１実施形態で述べた構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００４９】
図８に示すように、各画素２１４は、トランジスタや発光素子などの半導体素子を有する。図８は、一つの画素２１４に二つのトランジスタ２４２、２４４と発光素子２８２が設けられる例を示すが、各画素２１４のトランジスタの数に制限はなく、また、容量素子などの他の半導体素子が設けられていてもよい。
【００５０】
図８に示すように、トランジスタ２４２は半導体膜２５４を有している。配線２１６の一部は半導体膜２５４と重なり、トランジスタ２４２のゲート電極の一部を形成する。換言すると、配線２１６はトランジスタ２４２のゲート電極と電気的に接続されている。配線２１６は、例えば、トランジスタ２４２に走査信号を供給することができる。配線２１８はトランジスタ２４２のソース／ドレイン電極の一部を形成し、トランジスタ２４２と電気的に接続される。配線２１８は、例えば、トランジスタ２４２に映像信号を供給することができる。配線２２０もトランジスタ２４４のソース／ドレイン電極の一部を形成し、トランジスタ２４４と電気的に接続される。配線２２０は、例えばトランジスタ２４４を介して発光素子２８２の画素電極２４６に電流を供給することができる。
【００５１】
発光素子２８２は画素電極２４６、およびその上に設けられる対向電極２５０を有し、後述するＥＬ層２８０が画素電極２４６と対向電極２５０との間に設けられる。図８に示すように、対向電極２５０は複数の画素２１４にわたって形成される。すなわち、対向電極２５０は複数の画素２１４に共有される。以下、表示パネル２００の作製方法を具体的に示す。
【００５２】
まず、第１の基板２０２上に下地膜２５２を形成する（図９（Ａ））。第１の基板２０２は、トランジスタ２４２、２４４や発光素子２８２などの半導体素子を支持する機能を有する。したがって第１の基板２０２には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、第１の基板２０２はガラスや石英、プラスチック、セラミックなどを含むことができる。
【００５３】
下地膜２５２は任意の構成の一つであり、第１の基板２０２からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ２４２、２４４などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜である。下地膜２５２は、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜２５２は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる
【００５４】
次に下地膜２５２上に半導体膜２５４を形成する。半導体膜２５４は例えばケイ素などの１４族元素、あるいは酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、第１３族元素や第１４族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）やインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜２５４がケイ素を含む場合、半導体膜２５４は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜２５４が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００５５】
次に半導体膜２５４を覆うようにゲート絶縁膜２５６を形成する。ゲート絶縁膜２５６は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜２５２と同様の手法で形成することができる。あるいは、酸化ハフニウムやハフニウムシリケートなどの高い誘電率を有する無機化合物を用いてもよい。
【００５６】
引き続き、ゲート絶縁膜２５６上に、配線２１６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する。その際、半導体膜２５４が重なる配線２１６の一部がゲート電極２５８として機能する（図９（Ｂ））。この時、トランジスタ２４４のゲート電極２６０も同時に形成する。したがって、配線２１６とゲート電極２６０は同一の層に存在する。配線２１６やゲート電極２６０はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００５７】
次に配線２１６（ゲート電極２５８）上に層間膜２６２を形成する（図９（Ｂ））。層間膜２６２は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜２５２と同様の手法で形成することができる。
【００５８】
次に、層間膜２６２とゲート絶縁膜２５６に対してエッチングを行い、半導体膜２５４に達する開口部を形成する（図１０（Ａ））。開口部は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。この際、接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２が形成される領域の下地膜２５２、ゲート絶縁膜２５６、層間膜２６２を除去することができる（Ｆ−Ｆ’断面参照）。
【００５９】
引き続き、開口部を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、配線２１８を形成する（図１０（Ｂ））。半導体膜２５４と重なる配線２１８の一部がトランジスタ２４２のソース／ドレイン電極として機能する。この際、配線２２０やトランジスタ２４４の半導体膜（図８参照）と重なるソース／ドレイン電極、トランジスタ２４２のソース／ドレイン電極２６４も形成される。金属膜は配線２１６と同様の構造を有することができ、配線２１６の形成と同様の方法を用いて形成することができる。以上の工程により、トランジスタ２４２、２４４が形成される。なお、本開示では、トランジスタ２４２、２４４の構造に制限はなく、トップゲート型、ボトムゲート型いずれの構造を有してもよい。また、半導体膜とソース／ドレイン電極との上下関係にも制限はない。
【００６０】
次に平坦化膜２６６を、配線２１８や２２０、ソース／ドレイン電極２６４を覆うように形成する（図１１（Ａ））。平坦化膜２６６は、トランジスタ２４２、２４４やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜２６６は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、スピンコート法やディップコーティング法、インクジェット法、印刷法などの湿式成膜法などによって形成することができる。
【００６１】
次に平坦化膜２６６に対してエッチングを行い、トランジスタ２４４のソース／ドレイン電極の一方に達する開口部２４８を形成する（図８参照）。この際、接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２が形成される領域の平坦化膜２６６を除去してもよい（図１１（Ｂ））。その後開口部２４８を覆うように、平坦化膜２６６上に画素電極２４６をスパッタリング法や蒸着法などを用いて形成する（図８、１２（Ａ））。この時、同時に配線２３０を形成する。画素電極２４６は透光性を有する導電性酸化物、あるいは金属などを含有することができる。発光素子から得られる光を第１の基板２０２とは逆方向に取り出す場合、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を画素電極２４６に用いることができる。この場合、上記金属や合金、および透光性を有する導電性酸化物との積層構造、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造（導電性酸化物／銀／導電性酸化物）を採用してもよい。導電性酸化物としては、インジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることができる。配線２３０は画素電極２４６と同じ構造を有することもでき、あるいは画素電極２４６が含む金属だけを用いて形成してもよい。
【００６２】
引き続き、画素電極２４６の端部を覆うように、隔壁２６８を形成する（図１２（Ｂ））。隔壁２６８により、画素電極２４６などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素２１４の画素電極２４６を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁２６８は絶縁膜であり、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜２６６で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００６３】
次に、接続パッド２０８、２１２、２３２を形成する領域において、第１の基板２０２に貫通孔２７０を形成する（図１３（Ａ））。貫通孔２７０はサンドブラスト加工、レーザー加工などの物理的方法や、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、あるいはフッ酸などを用いるウエットエッチングによって形成すればよい。あるいは、これらの方法を用いて第１の基板２０２に窪みを形成し、その後第１の基板２０２の底面を研磨して貫通孔２７０を形成してもよい。貫通孔２７０の形状に制限はなく、第１の基板２０２の上面における形状は、円形、楕円形、多角形、いずれでもよい。また、貫通孔２７０の内壁は常に第１の基板２０２の上面に対して垂直である必要は無く、貫通孔２７０の第１の基板２０２の上面に平行な面における面積は、一定でなくてもよい。この段階における表示パネル２００の上面模式図を図１６に示す。
【００６４】
次に、導電層２７２を、貫通孔２７０の内部、およびその周辺に形成する（図１３（Ｂ））。導電層２７２は、例えば蒸着法、あるいはスパッタリング法などによって形成することができる。導電層２７２には、チタンやクロム、アルミニウム、銅、あるいはこれらの合金などを使用することができる。なお、導電層２７２の形成前に、例えば酸化ケイ素などを含む絶縁膜で導電層２７２が形成される領域をコーティングしてもよい。また、任意の構成として、導電層２７２の形成後、さらに導電層を蒸着法などによって形成してもよい。この場合、例えば銅や銀、金などの金属を導電層に使用することができる。
【００６５】
次に、接続パッド２０８、２１２、あるいは２３２を形成する領域、すなわち貫通孔２７０の内部とその周辺をマスクで覆う。例えば感光性のフィルム状レジストを第１の基板２０２の両面に形成し、フォトリソグラフィーによって貫通孔２７０の内部とその周辺のレジストを除去する。この状態で導電層２７２に給電して電解めっきを行う。これにより、導電層２７２の表面に接続パッド２０８、２１２、２３２が形成される（図１４（Ａ））。接続パッド２０８、２１２、２３２は、配線２１６、２１８、２２０、２３０の一部を覆うように形成される。接続パッド２０８、２１２、２３２は、例えば銅や銀、金などを含むことができる。この段階における表示パネル２００の上面模式図を図１７に示す。なお、図示しないが、電解めっきは、接続パッド２０８、２１２、２３２が貫通孔２７０の内部を埋めるように行ってもよい。
【００６６】
次に発光素子２８２を形成する。具体的には、画素電極２４６、隔壁２６８上にＥＬ層２８０を形成する（図１４（Ｂ））。図１４（Ｂ）では、ＥＬ層２８０は単一の層として描かれているが、ＥＬ層２８０の構造に制約はない。ＥＬ層２８０は複数の層から形成されてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層など適宜を組み合わせてＥＬ層２８０を形成することができる。隣接する画素２１４間でＥＬ層２８０の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素２１４間で発光層が異なり、他の層が同一の構造を有するようにＥＬ層２８０を形成してもよい。逆に全ての画素２１４において同一のＥＬ層２８０を用いてもよい。ＥＬ層２８０は上述したインクジェット法やスピンコーティング法、あるいは蒸着法などによって形成することができる。なお、ＥＬ層２８０を設置しない領域は、メタルマスクで覆うことで形成することができる。
【００６７】
引き続きＥＬ層２８０上に対向電極２５０を形成する（図１４（Ｂ））。これにより、発光素子２８２が形成される。対向電極２５０は、その一部が配線２３０と接続されるように形成される。対向電極２５０は、例えばマグネシウムや銀、アルミニウムなどの金属、もしくはこれらの合金を用いることができる。あるいはＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いてもよい。あるいは上記金属を含有する層と導電性酸化物を有する層を積層してもよい。対向電極２５０は蒸着法やスパッタリング法などによって形成することができる。画素電極２４６とＥＬ層２８０が直接接する領域が各画素２１４の発光領域である。
【００６８】
次に封止材２１０を用い、第２の基板２０４を第１の基板２０２上に接着し、発光素子２８２を封止する（図１５（Ａ））。封止は窒素などの不活性ガスの雰囲気下で行えばよい。封止材２１０としては、熱硬化型、あるいは光硬化型の樹脂を使用することができる。第２の基板２０４は、第１の基板２０２で使用可能な材料を含むことができる。封止する際、第１の基板２０２と第２の基板２０４の間に乾燥剤を封入してもよい。
【００６９】
次に、貫通孔２７０に沿って第１の基板２０２を切断する（図１７中の鎖線参照）。切断はレーザ照射、あるいはカッターなどを用いて行えばよい。これにより、第１の基板２０２の側面に凹部が形成されるとともに、これらを覆う接続パッド２０８、２１２、２３２が形成される（図１５（Ｂ））。この段階における上面図を図１８に示す。
【００７０】
以上のプロセスにより、表示パネル２００を作製することができる。接続パッド２０８、２１２、２３２の凹部内に導電バンプ１２０を配置するように表示パネル２００をベース基板１０２上に設置することで（図７）、表示装置１００を作製することができる。
【００７１】
（第３実施形態）
本実施形態では、表示パネル２００と異なる構造を有する表示パネルに関し、図１９乃至図２２を用いて説明する。第１、第２実施形態で述べた構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００７２】
図１９に示す表示パネル３００は、全ての配線２１６に接続される接続パッド２０８が一つの側面（図１９では第１の側面２２２）に位置する点が表示パネル２００と相違する。例えばベース基板１０２上に駆動回路を一つだけ設置する場合、このような構造を採用することで、ベース基板１０２内に設けられる配線の構造を簡潔にすることができる。
【００７３】
図２０に示す表示パネル３０２は、一つの配線２１６に接続される一対の接続パッド２０８が、互いにその位置がずれている点で表示パネル３００と相違する。具体的には、各配線２１６において、配線２１６が伸びる方向（第１の側面２２２に垂直な方向）に対して平行な側面である第３の側面２２６（あるいは第４の側面２２８）から接続パッド２０８までの距離が互いに異なる。ここでは、配線２１６は折れ曲がり構造を有する。このように接続パッド２０８を配置することで、隣接する表示パネル２００間で、配線２１６が電気的に接続されることを防ぐことができる。
【００７４】
図２１に示す表示装置３０４は、配線２１８、２２０の各々に接続される一対の接続パッド２１２が、互いにその位置が一致している点で表示パネル３０２と相違する。具体的には、各配線２１８、２２０において、これらの配線が伸びる方向に平行な側面（例えば第１の側面２２２、あるいは第２の側面２２４）から接続パッド２１２までの距離が互いに同じである。図示していないが、接続パッド２０８も同様の構成を有していてもよい。
【００７５】
この場合、図２２に示すように、隣接する表示パネル３０４が互いにずれるように、複数の表示パネル３０４を配置することで、隣接する表示パネル３０４間で対応する配線同士の接続を防止することができる。より具体的には、互いに隣接する表示パネル３０４の配線（例えば配線２１８）が、異なる直線上に位置するように、表示パネル３０４を配置する。互いに隣接する表示パネル３０４の対応する配線２１８が形成する二つの直線間の距離Ｌ５は、画素２１４のピッチよりも小さくすることができ、例えばピッチの１／２とすればよい。
【００７６】
（第４実施形態）
本実施形態では、図５、６で示したベース基板１０２の作製方法に関し、図２３、２４を用いて説明する。図２３、２４は図６の断面に相当する。
【００７７】
まず、絶縁部材１４０ａ上に、第一層目の配線１１０ｃを形成する（図２３（Ａ））。絶縁部材１４０ａとしては第１の基板２０２と同様の材料を含むことができる。高分子材料を含む場合には、高分子材料はエポキシ樹脂、ポリカーボナート、ポリイミド、フェノール樹脂などから選択してもよい。また、これらの高分子材料にガラス繊維などの補強材が含まれてもよい。なお、絶縁部材１４０ａをガラス基板上に形成し、その後配線１１０ｃを形成してもよい。配線１１０ｃは、金、銀、銅、アルミニウムなどの金属、あるいはこれらを含む合金などを含むことができ、電解めっき法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、印刷法、インクジェット法、ラミネート法などによって形成することができる。インクジェット法や印刷法を用いる場合、上記金属の微粒子と樹脂が混合された金属ペーストを用いることができる。
【００７８】
この後、上述した高分子材料を用いて絶縁部材１４０ｂを形成する（図２３（Ｂ））。絶縁部材１４０ｂは印刷法、インクジェット法、ラミネート法、スピンコート法、ディップコーティング法などを用いて形成することができる。
【００７９】
引き続き、配線１１０ｃ、絶縁部材１４０ｂの形成と同様に、配線１０８ｂ、絶縁部材１４０ｃなどを順次形成する（図２３（Ｃ））。
【００８０】
次に、絶縁部材１４０に対し、レーザー加工や、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、あるいはウエットエッチングを行い、各配線層へ達する開口部１４４を形成する（図２４（Ａ））。
【００８１】
引き続ぎ、開口部１４４にビア１４２を形成する。ビア１４２は電解めっき法により形成することができ、銅や銀、金、アルミニウム、あるいはこれらの合金を含むことができる。ビア１４２は、最上層の絶縁部材１４０ｇの上面にも形成することが好ましい。
【００８２】
次に、例えば印刷法を用いて金属ペーストをビア１４２上に塗布し、加熱・硬化し、導電バンプ１２０が形成される（図６）。
【００８３】
以上の工程により、ベース基板１０２を作製することができる。この後、必要となる枚数の表示パネル２００をベース基板１０２上に配置することにより、表示装置１００を作製することができる。
【００８４】
なお、ベース基板１０２上に形成される駆動回路１０４、１０６は、ビア１４２の形成前、あるいは導電バンプ１２０の形成後に行うことができるが、導電バンプ１２０やビア１４２からの金属の転位による半導体膜の汚染を防ぐため、ビア１４２の形成前に駆動回路１０４、１０６を形成することが好ましい。駆動回路１０４、１０６にはトランジスタなどの種々の半導体素子が含まれるが、これらは表示パネル２００の作製方法を援用することで形成することが可能である。あるいは上述したように、異なる基板上に駆動回路１０４、１０６を形成し、最上層の絶縁部材１４０ｇへ固定してもよい。
【００８５】
本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。
【００８６】
また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。
【符号の説明】
【００８７】
１００：表示装置、１０２：ベース基板、１０４：駆動回路、１０６：駆動回路、１０８：配線、１０８ａ：配線、１０８ｂ：配線、１０８ｃ：配線、１１０：配線、１１０ａ：配線、１１０ｂ：配線、１１０ｃ：配線、１１２：配線、１１４：コネクタ、１２０：導電バンプ、１３０：封止基板、１３４：封止材、１４０：絶縁部材、１４０ａ：絶縁部材、１４０ｂ：絶縁部材、１４０ｃ：絶縁部材、１４０ｄ：絶縁部材、１４０ｅ：絶縁部材、１４０ｆ：絶縁部材、１４０ｇ：絶縁部材、１４２：ビア、１４４：開口部、２００：表示パネル、２０２：第１の基板、２０４：第２の基板、２０６：表示領域、２０８：接続パッド、２１０：封止材、２１２：接続パッド、２１４：画素、２１６：配線、２１８：配線、２２０：配線、２２２：第１の側面、２２４：第２の側面、２２６：第３の側面、２２８：第４の側面、２３０：配線、２３２：接続パッド、２４２：トランジスタ、２４４：トランジスタ、２４６：画素電極、２４８：開口部、２５０：対向電極、２５２：下地膜、２５４：半導体膜、２５６：ゲート絶縁膜、２５８：ゲート電極、２６０：ゲート電極、２６２：層間膜、２６４：ドレイン電極、２６６：平坦化膜、２６８：隔壁、２７０：貫通孔、２７２：導電層、２８０：ＥＬ層、２８２：発光素子、３００：表示パネル、３０２：表示パネル、３０４：表示パネル
【図１】
2018067507.tif 000003
【図２】
2018067507.tif 000004
【図３】
2018067507.tif 000005
【図４】
2018067507.tif 000006
【図５】
2018067507.tif 000007
【図６】
2018067507.tif 000008
【図７】
2018067507.tif 000009
【図８】
2018067507.tif 000010
【図９】
2018067507.tif 000011
【図１０】
2018067507.tif 000012
【図１１】
2018067507.tif 000013
【図１２】
2018067507.tif 000014
【図１３】
2018067507.tif 000015
【図１４】
2018067507.tif 000016
【図１５】
2018067507.tif 000017
【図１６】
2018067507.tif 000018
【図１７】
2018067507.tif 000019
【図１８】
2018067507.tif 000020
【図１９】
2018067507.tif 000021
【図２０】
2018067507.tif 000022
【図２１】
2018067507.tif 000023
【図２２】
2018067507.tif 000024
【図２３】
2018067507.tif 000025
【図２４】
2018067507.tif 000026