(57)【要約】【課題】初期酸素濃度によらず、容易な方法でウエハの欠陥領域の判定を行うことができるシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウエハの欠陥領域を判定する方法であって、前記シリコン単結晶ウエハを熱処理することなく、前記シリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定し、該測定により得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウエハの欠陥領域を判定する方法であって、前記シリコン単結晶ウエハを熱処理することなく、前記シリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定し、該測定により得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法。
【請求項２】
前記判定される欠陥領域を、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域のいずれか１つ以上とすることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法。
【請求項３】
前記ＬＳＴによりサイズ別にＶｏｉｄ欠陥分布を測定するサイズを、２５ｎｍを超えるサイズと１２−２５ｎｍのサイズとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デバイス設計の要求からウエハには低酸素化、低欠陥化が求められており、ＮＰＣ（Ｎｅａｒｌｙ  Ｐｅｒｆｅｃｔ  Ｃｒｙｓｔａｌ）の需要が高い。ＮＰＣはＶｏｉｄ（ボイド）欠陥とＬＥＰ（Ｌａｒｇｅ  Ｅｔｃｈ  Ｐｉｔ）が発生しない領域と定義づけられており、Ｎｉ領域とＮｖ領域に分けることができる。Ｖｏｉｄ欠陥は、格子点のＳｉ原子が欠落したＶａｃａｎｃｙ（空孔）と呼ばれる点欠陥が凝集して形成されたものである。
【０００３】
チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ：ＣＺ）法で引き上げ速度を変えながら結晶を引き上げた場合、結晶引き上げ条件によって、欠陥分布は高速側からＶ−ｒｉｃｈ／ＯＳＦ／Ｎｖ／Ｎｉ／Ｉ−ｒｉｃｈの順に並ぶ。ここで、Ｖ−ｒｉｃｈ領域（以下、Ｖ領域ともいう。）とは、引き上げ条件が高速側で、シリコン原子の不足から発生するＶｏｉｄ（ボイド）が多い領域であり、Ｉ−ｒｉｃｈ領域（以下、Ｉ領域ともいう。）とは、引き上げ条件が低速側で、余分なシリコン原子である格子間シリコン（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ）が存在することにより発生する転位や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことである。また、ＯＳＦ領域とは、Ｖ−ｒｉｃｈ領域よりもすぐ低速側で、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）と呼ばれる欠陥が、結晶成長軸に対する垂直方向の断面（ウェーハ面内）で見た時に、リング状に分布する領域である。Ｎｉ領域とＮｖ領域は上述した通りである。
【０００４】
酸素濃度が比較的高いシリコン単結晶を用いた場合、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域、及びＩ領域と、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態（シリコン単結晶棒を引き上げた後、全く熱処理が行われていない状態）のシリコン単結晶ウエハ及び熱処理後のウエハとの関係をまとめると下記表１のようになる。
【０００５】
【表１】
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【０００６】
Ｖｏｉｄは赤外線レーザートモグラフィー（ＬＳＴ、Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）で測定することが一般的であり、ＬＳＴ（ＭＯ４４１）等の従来用いられてきた装置では、直径が２５ｎｍを超えるＶｏｉｄを測定することができる。
【０００７】
ＮＰＣの判定方法として、Ｅｎｈａｎｃｅｄ−ＯＳＦ検査（特許文献１や特許文献２）が行われているが、この方法は熱処理で発生するＢＭＤ起因のｉ−Ｓｉが放出されることで発生するＯＳＦを測定している。この場合、ＢＭＤが発生しない場合、ＯＳＦもできないため、１２ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下の低酸素濃度品の測定は難しく、初期酸素濃度によって、例えば低酸素濃度結晶の場合にはより長時間処理にする等、熱処理条件も変える必要がある。そのための条件出しや、密度判定の設定等に多くの労力がかかる。
【０００８】
ＮＰＣはＮｖ領域とＮｉ領域に分けられ、Ｎｖ領域の一部にＶｏｉｄが発生する場合があるが、一般的にはＶｏｉｄはＮｖ領域にはないとされている。ＮＰＣ中のＮｖ領域と、Ｎｉ領域の判定は熱処理を行って、ＢＭＤが発生するか否か（酸素が析出するかどうか）で判定される。この判定も、初期酸素濃度によって、熱処理条件を変更する必要がある。
【０００９】
一方で、ＶｏｉｄをＬＳＴで直接測定することで、ＮＰＣを判定する方法があり、この方法は、初期酸素濃度によらず、Ｖｏｉｄがあれば、ＮＰＣではないという、ＮＰＣの判定ができる。しかしながら、Ｎｖ領域の大部分と、Ｎｉ領域はＶｏｉｄが無いため、この方法ではＮｖ領域、Ｎｉ領域の判定はできない。
【００１０】
低酸素結晶（１２ｐｐｍａ以下）を用いた場合、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域、及びＩ領域と、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハ及び熱処理後のウエハとの関係をまとめると下記表２のようになる。
【００１１】
【表２】
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【００１２】
上記のように低酸素結晶の場合も、ＬＳＴ（ＭＯ４４１）等の従来用いられてきた装置では、Ｎｖ領域とＮｉ領域の判定ができない。更に、熱処理後にＢＭＤが発生しないので、上記Ｅｎｈａｎｃｅｄ−ＯＳＦ検査ではＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域の判定もできない。
【００１３】
特許文献３の段落［００２５］には、ＬＳＴ（ＭＯ４４１）では低酸素結晶中のＶｏｉｄ測定が可能と記載しており、この場合、ＯＳＦ領域と、Ｎｖ、Ｎｉ領域（合わせてＮＰＣ）との判別が可能であった。そして、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域の判別は熱処理後のＢＭＤの測定によって行っていた。このとき、低酸素結晶の場合は、熱処理後にＢＭＤが発生しないのでＮｖ領域とＮｉ領域の判別ができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平６−９７２５１号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２０１４／１２９１２３号パンフレット
【特許文献３】特開２０１２−７９９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、初期酸素濃度によらず、容易な方法でウエハの欠陥領域の判定を行うことができるシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明では、シリコン単結晶ウエハの欠陥領域を判定する方法であって、前記シリコン単結晶ウエハを熱処理することなく、前記シリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定し、該測定により得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法を提供する。
【００１７】
このようなシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法であれば、初期酸素濃度によらず、容易な方法でウエハの欠陥領域の判定を行うことができる。
【００１８】
また、前記判定される欠陥領域を、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域のいずれか１つ以上とすることが好ましい。
【００１９】
本発明であれば、これらの欠陥領域の判定を容易に行うことができる。
【００２０】
また、前記ＬＳＴによりサイズ別にＶｏｉｄ欠陥分布を測定するサイズを、２５ｎｍを超えるサイズと１２−２５ｎｍのサイズとすることが好ましい。
【００２１】
これにより、特に、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域の判定を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
従来、ＮＰＣを判定するために、熱処理＋選択エッチング＋顕微鏡観察を行い、ＯＳＦ密度を測定していたが、本発明であれば、ＬＳＴで測定するのみという容易な方法でＮＰＣ判定が行える。従来法では初期酸素濃度によってＯＳＦ密度や熱処理条件を変更しなければならず、条件出しが必要であったり、場合によっては、酸素濃度測定値によって測定条件を変える必要もあった。しかしながら、本発明では測定条件を変える必要はない。また、従来のＬＳＴによる測定法ではＮｖ領域とＮｉ領域の判定ができず、一括りにＮＰＣ領域という判定であったが、本発明であればＮｖ領域とＮｉ領域の確定をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１における結晶の引き上げ速度を徐々に変化させて得られたシリコン単結晶インゴットを軸方向に切り出したシリコン単結晶ウエハの熱処理後のライフタイムと、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハでのＬＳＴ測定結果を示す図である。
【図２】実施例２における結晶の引き上げ速度を徐々に変化させて得られたシリコン単結晶インゴットを軸方向に切り出したシリコン単結晶ウエハの熱処理後のライフタイムと、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハでのＬＳＴ測定結果を示す図である。
【図３】赤外線レーザートモグラフィー法によるシリコン単結晶ウエハの結晶欠陥の検出方法を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００２５】
上記のように、初期酸素濃度によらず、容易な方法でウエハの欠陥領域の判定を行うことができるシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法が求められている。
【００２６】
特に、低酸素結晶（１２ｐｐｍａ以下）を用いた場合、上記表２に示すように、Ｅｎｈａｎｃｅｄ−ＯＳＦ検査等の従来法では熱処理前後の評価で判定しているが、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域の違いは判定できない。ＬＳＴ（ＭＯ４４１）を用いた場合も同様である。
【００２７】
上記のように、従来法においてＶｏｉｄの測定はＬＳＴ（ＭＯ４４１）で行われていた。Ａｓ−ＧｒｏｗｎＬＥＰは例えば選択エッチングで測定されていた。ＢＭＤは例えば８００℃４時間＋１０００℃１６時間の熱処理後、選択エッチングで測定されていた。ＯＳＦは例えば１１５０℃６０分の熱処理後、選択エッチングで測定されていた。
【００２８】
表２に示すように、従来Ｎｖ領域にはＶｏｉｄが検出されないと思われていたため、Ｖｏｉｄが発生していない領域をＮＰＣとしてきた（実際には、ＮＰＣ領域の高速側の一部にはＶｏｉｄが存在する）。この判定方法は初期酸素濃度によらない判定方法である。
【００２９】
今回、より小さなＶｏｉｄまで測定したところ、ＮＰＣのかなりの部分に小さなＶｏｉｄ（１２〜２５ｎｍのサイズ）が発生していることが確認された、言い換えれば、小さなＶｏｉｄのみ発生している領域はＮＰＣ（特にはＮｖ領域）であるということになる。このように、本発明者らは、Ｖｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定すること、特には小さなＶｏｉｄまで測定することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００３０】
すなわち、本発明は、シリコン単結晶ウエハの欠陥領域を判定する方法であって、前記シリコン単結晶ウエハを熱処理することなく、前記シリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定し、該測定により得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法である。
【００３１】
本発明であれば、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハのＶｏｉｄ欠陥密度とサイズから、欠陥領域判定、特にはＮＰＣ判定を行うことができる。具体的には、サイズの小さいＶｏｉｄのみが発生している領域はＮＰＣ領域（特にはＮｖ領域）であると判定することができる。このようなＮＰＣ判定方法であれば、Ｖｏｉｄサイズ情報等によってＮｖ領域とＮｉ領域を区別するという目的にも応用できる。すなわち、今まで、Ｎｖ領域とＮｉ領域の総称としてＮＰＣとしてきたが、この方法では小さなＶｏｉｄだけが発生するのはＮｖ領域に限られるため、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域の判定にも応用可能である。
【００３２】
本発明では、まず、シリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定する。例えば、ＬＳＴによりサイズ別にＶｏｉｄ欠陥分布を測定するサイズを、２５ｎｍを超えるサイズと１２−２５ｎｍのサイズとすることが好ましい。直径が２５ｎｍを超えるサイズのＶｏｉｄ（大Ｖｏｉｄ）の欠陥分布と直径が１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下のサイズのＶｏｉｄ（小Ｖｏｉｄ）の欠陥分布とを測定することにより、特に、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域の判定を容易に行うことができる。なお、大Ｖｏｉｄのサイズの上限値は特に限定されないが、例えば、２００ｎｍとすることができる。以下、ＬＳＴにより小Ｖｏｉｄと大Ｖｏｉｄを測定する方法を中心に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００３３】
小Ｖｏｉｄを測定することができる装置としては、従来のＬＳＴであるＭＯ４４１に比較してより高感度なＬＳＴ、たとえばＲａｙｔｅｘ製ＭＯ４７１やＳｅｍｉｌａｂ製ＬＳＴ３００のような装置が挙げられる。大Ｖｏｉｄは従来と同様にＭＯ４４１で測定することもできるし、小Ｖｏｉｄと同様にＭＯ４７１で測定することもできる。
【００３４】
以下、ＬＳＴによりＶｏｉｄ欠陥サイズが１２ｎｍまで測定するための方法、測定原理について説明する。上記の通り、小さなＶｏｉｄが測定可能な装置としてはＭＯ４７１やＬＳＴ３００が挙げられる。これらの測定原理は従来から用いられていたＭＯ４４１等と変わっていない。９０度散乱ＬＳＴである。高感度のカメラが開発され、それを応用できたため本発明のようにシリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定することができるようになった。１２ｎｍのＶｏｉｄサイズまで測定できる具体的な測定方法の具体例としては、ＭＯ４７１で測定し、ノイズの少ないエリアを測定する方法が挙げられる。
【００３５】
より具体的には、図３に示すようにしてシリコン単結晶ウエハ表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定することができる。図３は赤外線レーザートモグラフィー法によるシリコン単結晶ウエハの結晶欠陥の検出方法を模式的に示す図である。図３に示すように、シリコン単結晶ウエハ１の主表面２から赤外線４を入射し、劈開面３からの散乱光５を検出器（ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）６によって検出して劈開面３の表面層に存在する欠陥を検出する。
【００３６】
次に、上記測定により得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定する。まず、上記の図３等に示す方法を用いることにより、サイズ別にＶｏｉｄ欠陥分布が得られる。これにより、サイズ別にＶｏｉｄ欠陥の密度分布が得られる。次に、得られたＶｏｉｄ欠陥密度分布からＶｏｉｄの有無を判定する。小Ｖｏｉｄと大Ｖｏｉｄの欠陥分布を得た場合は、小Ｖｏｉｄの有無、大Ｖｏｉｄの有無をそれぞれ判定することができる。この場合、下記表３に示すように、欠陥領域を判定することができる。Ｖｏｉｄの有無に関しては、例えば、Ｖｏｉｄ欠陥密度が１×１０６／ｃｍ３以上である場合を有り、それ以下の場合を無しと判定することができる。なお、このＶｏｉｄ欠陥密度の判定基準値は適宜設定できる。
【００３７】
【表３】
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小Ｖｏｉｄ：サイズ２５−１２ｎｍのＶｏｉｄ
大Ｖｏｉｄ：サイズ２５ｎｍ超のＶｏｉｄ
【００３８】
表３に示すように、本発明では初期酸素濃度によらず、Ｎｖ領域とＮｉ領域、ＯＳＦ領域の判別ができる。特に、ＭＯ４７１やＬＳＴ３００のような装置を使うことで、小さなＶｏｉｄのみ発生している結晶（ウエハ）をＮＰＣのＮｖ領域の結晶（ウエハ）と特定することができる。またその判定方法は、熱処理のチューニング等を必要とせずかつ、初期酸素濃度にも依存しない判定方法である。従来のＬＳＴであるＭＯ４４１ではカメラの感度が低かったため、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域共に小Ｖｏｉｄが検出されなかったが、高感度のカメラを有するＭＯ４７１やＬＳＴ３００を用いることにより、小Ｖｏｉｄの有無が分かり、Ｎｖ領域とＮｉ領域の確定をすることができる。
【００３９】
本発明では、判定される欠陥領域を、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域のいずれか１つ以上とすることが好ましい。本発明であれば、Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域の判定を容易に行うことができる。ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、及びＮｉ領域の判定方法は上記表３に示す通りである。一方、サイズが２５ｎｍを超えるＶｏｉｄの欠陥密度が１×１０７／ｃｍ３を超える場合、Ｖ領域であると判定することができる。なお、ＬＥＰを有する場合、Ｉ領域であると判定することができ、Ａｓ−ＧｒｏｗｎＬＥＰは例えば選択エッチングで測定することができる。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
まず、ＣＺ法で引き上げ速度を変えながら（具体的には漸減しながら）結晶を引き上げ、シリコン単結晶インゴットを得た。次に、得られたシリコン単結晶インゴットを軸方向に切断した。すなわち、シリコン単結晶インゴットを縦割りした。縦割り後、形状加工処理を行い、サンプルとしてＡｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハを得た。このサンプルの直径は３００ｍｍ、酸素濃度は１３．５ｐｐｍａであった。次に、このサンプルを図３に示すように劈開し、図３に示す方法で、このサンプル表面のＶｏｉｄ欠陥分布をＬＳＴによりサイズ別に測定した。ＬＳＴは２５ｎｍを超えるサイズと１２〜２５ｎｍのサイズの２種類の感度で測定した。測定装置としてはＭＯ４４１とＭＯ４７１を用いた。ＭＯ４４１では２５ｎｍを超えるサイズのＶｏｉｄ欠陥分布を測定した。ＭＯ４７１では１２〜２５ｎｍのサイズのＶｏｉｄ欠陥分布を測定した。測定間隔はＭＯ４４１は２ｍｍ、ＭＯ４７１は５ｍｍ間隔とした。この測定により、熱処理前Ｖｏｉｄの面内分布として、図１に示すようなＶｏｉｄ欠陥密度分布が得られた。次に、上記Ｖｏｉｄ欠陥密度分布と比較するために、上記劈開後のサンプルに、６５０℃２時間＋８００℃４時間＋１０００℃１６時間の熱処理を施し、熱処理後のサンプルについてライフタイム測定を行い、ライフタイムマップを得た。
【００４２】
図１に結晶の引き上げ速度を徐々に変化させて得られたシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコン単結晶ウエハの熱処理後のライフタイムと、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハでのＬＳＴ測定結果を示す。図１の上部にあるのが熱処理後のウエハのライフタイムマップであり、下部にあるのがＡｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハのＶｏｉｄ欠陥密度分布である。図１においてライフタイムマップとＶｏｉｄ欠陥密度分布は測定位置が一致するようにして並べられている。上記Ｖｏｉｄ欠陥密度分布図において、横軸はウエハ中心を０とした場合のウエハ位置（ｍｍ）であり（左側が高速成長、右側が低速成長）、縦軸はＶｏｉｄ欠陥密度である。また、Ｖｏｉｄ欠陥密度分布図における塗りつぶしプロットは１２〜２５ｎｍのサイズのＶｏｉｄ欠陥密度分布であり、白抜きプロットは２５ｎｍを超えるサイズのＶｏｉｄ欠陥密度分布である。Ｖｏｉｄ欠陥密度分布図の上部には、Ｖｏｉｄ欠陥密度分布に基づいた欠陥領域の判定結果が図示されている。なお、下記表４及び図１では、Ｖｏｉｄ欠陥密度が１×１０６／ｃｍ３以上である場合を有り、それ以下の場合を無しとした。図１に示すように、当該判定結果が比較のために測定したライフタイムマップとよく一致していることが分かる。なお、Ｎｉ領域とＩ領域の間に挟まれたＢ領域はＢ−ｂａｎｄと呼ばれ、熱処理によって析出が多く発生する領域である。
【００４３】
ライフタイムマップと、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎ  Ｖｏｉｄのサイズ別分布を比較すると、Ｎｖ領域には２５ｎｍを超えるＶｏｉｄ欠陥は存在しないが、１２−２５ｎｍのＶｏｉｄ欠陥は存在する。またＮｉ領域にはＡｓ−Ｇｒｏｗｎ  Ｖｏｉｄは存在せず、熱処理後ＢＭＤは少ない（Ｌｉｆｅｔｉｍｅマップからの推定）。このことから、下記表４及び図１に示すようにＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することができるということが分かる。
【００４４】
【表４】
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【００４５】
（実施例２）
サンプルとして用いるＡｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハの酸素濃度を中酸素濃度（１３．５ｐｐｍａ）から低酸素濃度（１１．５ｐｐｍａ）に変えた以外は、実施例１と同様の方法でライフタイムマップとＡｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハでのＬＳＴ測定結果を得た。結果を図２に示す。図２に示すように、低酸素濃度結晶から切り出されたＡｓ−Ｇｒｏｗｎ状態のシリコン単結晶ウエハであっても本発明の方法は適用可能であり、実施例１と同様、実施例２においても上記表４及び図２に示すようにＶｏｉｄ欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することができるということが分かる。特に、本発明の方法であれば、初期酸素濃度によらず、Ｎｖ領域とＮｉ領域、ＯＳＦ領域の判別ができる。なお、Ｎｖ領域とＮｉ領域の境界はＶ濃度がほとんど０になる場所であり、つまりＶｏｉｄサイズもほとんど０になるということであり、これを測定できる装置は無い。本発明ではＮｖ領域とＮｉ領域の境界近傍を検出でき、これからＮｉ領域、Ｎｖ領域を判定することが可能となる。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４７】
１…シリコン単結晶ウエハ、  ２…主表面、  ３…劈開面、
４…赤外線、  ５…散乱光、  ６…検出器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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