(57)【要約】【課題】面内方向に複数形成されるダイアフラム構造体間で、ダイアフラム形状を可及的に均一化する。【解決手段】半導体基板（２１）に凹部（２５）を形成することで構成されるダイアフラム構造体（２）の製造方法であって、ウエハ（６０）におけるダイアフラム構造体に対応する有効素子領域（６０１）内に、凹部に対応した位置に設けられていて凹部に対応した形状を有するメイン開口部（７０２）を複数形成するとともに、ウエハにおける有効素子領域よりもエッチングガスの通流方向下流側の無効素子領域（６０２）内に、ダミー開口部（７０３）を形成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（２１）に凹部（２５）を形成することで構成されるダイアフラム構造体（２）の製造方法であって、
前記凹部に対応した位置に設けられていて前記凹部に対応した形状を有するメイン開口部（７０２）を複数有するエッチングマスク（７０）を、前記半導体基板を構成するウエハ（６０）上に形成するマスク形成工程と、
エッチングガスを前記ウエハの面内方向に沿って通流させることで、前記ウエハに複数の前記凹部を形成するドライエッチング工程と、
を有し、
前記マスク形成工程は、前記ウエハにおける前記ダイアフラム構造体に対応する有効素子領域（６０１）内に前記メイン開口部を形成するとともに、前記ウエハにおける前記有効素子領域よりも前記エッチングガスの通流方向下流側の無効素子領域（６０２）内にダミー開口部（７０３，７０４，７０５，７０６，７０８）を形成する、
ダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項２】
前記マスク形成工程は、少なくとも、前記無効素子領域における前記有効素子領域に隣接する部分（６０３）に、前記ダミー開口部を形成する、請求項１に記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項３】
前記ダミー開口部は、複数の前記メイン開口部のうちの１つにおける開口面積以上の開口面積を有する、請求項１又は２に記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項４】
前記マスク形成工程は、複数の前記ダミー開口部を断続的に形成する、請求項１〜３のいずれか１つに記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項５】
前記マスク形成工程は、
前記メイン開口部と前記ダミー開口部とを同一形状に形成し、
複数の前記メイン開口部と、前記有効素子領域に隣接する前記ダミー開口部とを、前記面内方向に等間隔に配列する、請求項４に記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項６】
前記マスク形成工程は、
前記有効素子領域に隣接する前記ダミー開口部である第一ダミー開口部（７０３）と、前記第一ダミー開口部よりも大きな開口面積を有し前記第一ダミー開口部よりも平面視にて外側に配置された前記ダミー開口部である第二ダミー開口部（７０４）とを形成する、請求項４に記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項７】
前記ドライエッチング工程は、平面視にて略円形状の前記ウエハにおける中央部から外周部に向かって前記エッチングガスを通流させ、
前記マスク形成工程は、前記ダミー開口部を前記外周部に形成する、請求項１〜６のいずれか１つに記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【請求項８】
前記ドライエッチング工程は、厚さ方向に継目無く一体に形成された前記ウエハに、前記厚さ方向に非貫通の前記凹部を形成する、請求項１〜７のいずれか１つに記載のダイアフラム構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアフラム構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上にマスクパターン層を形成した後にエッチングを行うことで、半導体基板にダイアフラム構造体を形成する方法が、従来知られている（例えば特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３４２８１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一枚の半導体基板における面内方向に複数のダイアフラム構造体を形成する際に、面内方向位置に応じてダイアフラム形状がバラつく場合がある。この場合、複数のダイアフラム構造体間に特性のバラつきが生じる。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、面内方向に複数形成されるダイアフラム構造体間で、ダイアフラム形状を可及的に均一化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の製造方法は、半導体基板（２１）に凹部（２５）を形成することで構成されるダイアフラム構造体（２）の製造方法である。具体的には、請求項１に記載の製造方法は、前記半導体基板を構成するウエハ（６０）上にエッチングマスク（７０）を形成するマスク形成工程と、エッチングガスを前記ウエハの面内方向に沿って通流させることで前記ウエハに複数の前記凹部を形成するドライエッチング工程とを有する。ここで、前記エッチングマスクは、メイン開口部（７０２）を複数有する。複数の前記メイン開口部の各々は、前記凹部に対応した形状を有していて、前記凹部に対応した位置に設けられている。
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の製造方法は、前記マスク形成工程が、前記ウエハにおける前記ダイアフラム構造体に対応する有効素子領域（６０１）内に前記メイン開口部を形成するとともに、前記ウエハにおける前記有効素子領域よりも前記エッチングガスの通流方向下流側の無効素子領域（６０２）内にダミー開口部（７０３，７０４，７０５，７０６，７０８）を形成することを特徴とする。
【０００７】
上記製造方法においては、前記メイン開口部が設けられた前記有効素子領域よりも、前記通流方向下流側の前記無効素子領域内に、前記ダミー開口部が設けられる。これにより、前記有効素子領域を通流する前記エッチングガスの通流状態が、可及的に均一化され得る。したがって、上記製造方法によれば、前記面内方向に複数形成される前記ダイアフラム構造体間で、ダイアフラム形状を可及的に均一化することが可能となる。
【０００８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る製造方法によって製造されたダイアフラム構造体を備えた、圧力センサの概略構成を示す側断面図である。
【図２】図１に示されたダイアフラム構造体の製造に使用されるドライエッチング装置の概略構成を示す側面図である。
【図３】図２に示されたドライエッチング装置の内部の平面図である。
【図４】図３の一部を拡大した平面図である。
【図５Ａ】実施形態の製造方法によって製造されたダイアフラム構造体の側断面図である。
【図５Ｂ】比較例の製造方法によって製造されたダイアフラム構造体の側断面図である。
【図６】図４に示されたエッチングマスクの一変形例を示す平面図である。
【図７】図４に示されたエッチングマスクの他の一変形例を示す平面図である。
【図８】図４に示されたエッチングマスクの他の一変形例を示す平面図である。
【図９】図４に示されたエッチングマスクの他の一変形例を示す平面図である。
【図１０】図４に示されたエッチングマスクの他の一変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には同一符号が付されているものとする。
【００１１】
（圧力センサの構成）
図１を参照すると、圧力センサ１は、ダイアフラム構造体２と、絶縁膜３と、配線部４とを備えている。ダイアフラム構造体２は、半導体基板２１を主体として構成されている。本実施形態においては、半導体基板２１は、シリコン系の半導体材料によって形成された薄板状の部材であって、厚さ方向（即ち図中Ｚ軸方向）に継目無く一体に形成されている。なお、以下の説明において、厚さ方向と直交する方向（即ち図中ＸＹ平面と平行な方向）を「面内方向」と称する。「厚さ方向」は「面直方向」とも称される。また、図中Ｚ軸負方向の視線で対象物を見ることを「平面視」と称する。これに対し、図中Ｙ軸正方向の視線で対象物を見ることを「側面視」と称する。
【００１２】
半導体基板２１に形成された表裏一対の主面における一方である第一主面２２は、面内方向と平行で平滑な平面状に形成されている。第一主面２２上には、絶縁膜３が設けられている。絶縁膜３上には、金等の良導体金属によって形成された配線部４が設けられている。ダイアフラム構造体２には、素子部２３が設けられている。素子部２３は、拡散抵抗であって、第一主面２２側からイオン注入することによって形成されている。素子部２３は、配線部４と電気的に接続されている。
【００１３】
半導体基板２１における他方の主面である第二主面２４には、凹部２５が設けられている。本実施形態においては、凹部２５は、厚さ方向に半導体基板２１を貫通しないように形成されている。即ち、ダイアフラム構造体２は、半導体基板２１に第二主面２４側から非貫通の凹部２５を形成して、ダイアフラム２６を面内方向における略中央部に配設することによって構成されている。
【００１４】
薄肉部であるダイアフラム２６は、厚肉部であるダイアフラム支持部２７と継目無く一体的に接続されている。即ち、ダイアフラム２６の、面内方向における端部は、ダイアフラム支持部２７によって支持されている。第二主面２４側のダイアフラム２６の表面であるダイアフラム底面２８は、凹部２５の底面に設けられている。ダイアフラム底面２８は、面内方向と平行な平面状に形成されている。凹部側面２９は、凹部２５の側壁面であって、凹部２５の内側の四角柱状の空間を囲むように形成されている。
【００１５】
（製造方法の概略）
以下、図１及び図２を参照しつつ、ダイアフラム構造体２を製造するためのドライエッチング装置５０の概略構成、及び圧力センサ１の製造方法の概要を説明する。ドライエッチング装置５０は、チャンバ５１と、支持台５２と、ガス供給口５３と、ガス排出口５４とを備えている。
【００１６】
支持台５２は、半導体基板２１を構成するウエハ６０を支持するように、チャンバ５１内に配置されている。即ち、半導体基板２１は、切断によりウエハ６０を複数個のチップに分割したもののうちの１個に相当する。
【００１７】
ガス供給口５３は、平面視にて略円形状のウエハ６０における中央部に向けてエッチングガスを吐出するように設けられている。即ち、ガス供給口５３は、面直方向のエッチングガス流Ｇ１を形成するように、支持台５２におけるウエハ６０を支持する面と対向配置されている。ガス排出口５４は、チャンバ５１内の気体を排気するように設けられている。即ち、ガス排出口５４は、ウエハ６０の平面視における中央部から外周部に向かうエッチングガス流Ｇ２を形成するように、支持台５２における端面と対向配置されている。エッチングガスは、ドライエッチング用のガスであって、例えばＳＦ６等を用いることが可能である。
【００１８】
ウエハ６０上には、エッチングマスク７０が形成される。エッチングマスク７０は、ドライエッチングによってウエハ６０に複数のダイアフラム２６を形成するためのマスクパターンを有している。即ち、エッチングマスク７０は、ウエハ６０に複数のダイアフラム構造体２を形成するために、ウエハ６０における表裏一対の主面のうちのガス供給口５３に対向する側の上に設けられる。
【００１９】
図１に示されたダイアフラム構造体２は、マスク形成工程とドライエッチング工程とによって形成される。マスク形成工程は、ウエハ６０上にエッチングマスク７０を形成する工程である。ドライエッチング工程は、エッチングガスをウエハ６０の面内方向に沿って通流させることで、ウエハ６０に複数の凹部２５を形成する工程である。そして、ダイアフラム２６、素子部２３、絶縁膜３、及び配線部４を複数形成したウエハ６０をダイシング工程にてチップ単位に切断することによって、複数個の圧力センサ１を製造することができる。
【００２０】
（エッチングマスクの詳細）
以下、図１〜図４を参照しつつ、本実施形態に用いられるエッチングマスク７０について詳細に説明する。なお、図４においては、エッチングマスク７０における開口部（即ちレジスト膜が除去されてウエハ６０の表面が露出する部分）が黒で示されている。
【００２１】
ウエハ６０は、有効素子領域６０１と無効素子領域６０２とを有する。有効素子領域６０１は、圧力センサ１を形成するためのダイアフラム構造体２に対応する領域である。即ち、ドライエッチング工程を経た有効素子領域６０１内には、複数のダイアフラム構造体２が面内方向に二次元配列される。
【００２２】
無効素子領域６０２は、圧力センサ１を形成するためのダイアフラム構造体２に対応しない領域である。無効素子領域６０２は、有効素子領域６０１よりもエッチングガスの通流方向（即ち図２における矢印Ｇ２方向）における下流側に設けられる。本実施形態においては、無効素子領域６０２は、有効素子領域６０１よりも、平面視にて、ウエハ６０の径方向における外側に設けられる。即ち、無効素子領域６０２は、ウエハ６０の平面視における外周部に設けられる。なお、無効素子領域６０２における、有効素子領域６０１に隣接する部分を、隣接領域６０３と称する。
【００２３】
エッチングマスク７０は、ダイシングラインパターン７０１と、メイン開口部７０２と、ダミー開口部７０３とを有する。ダイシングラインパターン７０１は、ウエハ６０をダイシング工程にてチップ単位に切断するために用いられるダイシングラインを形成するための開口部パターンであって、網目状に形成される。即ち、有効素子領域６０１内には、ダイシングラインパターン７０１によって区切られた複数の平面視矩形状の単位セルＣが、面内方向に二次元配列する。１つの単位セルＣは、１つのダイアフラム構造体２に対応する。
【００２４】
メイン開口部７０２は、平面視にて凹部２５に対応した形状を有する、矩形状の開口部である。メイン開口部７０２は、有効素子領域６０１内にて、凹部２５即ちダイアフラム２６に対応した位置に設けられる。即ち、複数の単位セルＣの各々には、メイン開口部７０２が１つずつ設けられる。本実施形態においては、メイン開口部７０２は、単位セルＣの平面視略中央部に配置される。
【００２５】
ダミー開口部７０３は、平面視にてメイン開口部７０２と同一形状を有する、矩形状の開口部である。即ち、１つのダミー開口部７０３は、１つのメイン開口部７０２と同一の開口面積を有する。ダミー開口部７０３は、ウエハ６０の外周部に位置する無効素子領域６０２内に設けられる。即ち、ダミー開口部７０３は、圧力センサ１を形成するためのダイアフラム構造体２に対応する単位セルＣ内には設けられない。
【００２６】
図４に示されているように、平面視にて、面内方向に二次元配列した複数のメイン開口部７０２の集合体を外側から囲むように、複数のダミー開口部７０３が断続的に（即ち離散的に）設けられる。本実施形態においては、ダミー開口部７０３は、無効素子領域６０２における、隣接領域６０３及びその外側を含むほぼ全体にわたって設けられる。また、複数のメイン開口部７０２及び複数のダミー開口部７０３は、面内方向に等間隔に配列する。即ち、隣接領域６０３内に形成されたダミー開口部７０３とこれに隣接するメイン開口部７０２との間隔は、隣接する２つのメイン開口部７０２の間隔と同一である。
【００２７】
（実施形態の効果）
本実施形態の製造方法においては、マスク形成工程は、ウエハ６０上にエッチングマスク７０を形成する。具体的には、マスク形成工程は、有効素子領域６０１内にダイシングラインパターン７０１とメイン開口部７０２とを形成する。また、マスク形成工程は、無効素子領域６０２内に、複数のダミー開口部７０３を形成する。無効素子領域６０２は、ウエハ６０の外周部であって、有効素子領域６０１よりもエッチングガスの通流方向下流側である。各ダミー開口部７０３は、各メイン開口部７０２と同一の開口面積を有する。
【００２８】
マスク形成工程の後に行われるドライエッチング工程は、平面視にて略円形状のウエハ６０における中央部から外周部に向かって、エッチングガスを通流させる。これにより、厚さ方向に継目無く一体に形成されたウエハ６０に、厚さ方向に非貫通の凹部２５が形成される。即ち、ウエハ６０の厚さ方向における一部分によって、ダイアフラム２６が形成される。
【００２９】
ところで、圧力センサ１を用いた圧力検出は、流体圧力によるダイアフラム２６の撓み変形に伴う素子部２３の電気抵抗の変化に基づいて行われる。このため、ダイアフラム２６の形状（即ち厚さ及びダイアフラム底面２８の平面形状）のバラつきは、圧力検出精度の低下をもたらす。
【００３０】
この点、図５Ａに示されているように、本実施形態の製造方法によって製造されたダイアフラム構造体２においては、面内方向の位置にかかわらず、凹部２５の内側に、四角柱状の空間が良好に形成される。即ち、面内方向の位置にかかわらず、ダイアフラム底面２８が良好に平面化されるとともに、凹部側面２９が良好に四角柱面化される。故に、本実施形態の製造方法によれば、面内方向に複数形成されるダイアフラム構造体２間で、ダイアフラム２６の形状を可及的に均一化することが可能となる。
【００３１】
一方、図５Ｂは、比較例として、エッチングマスク７０にダミー開口部７０３を形成しなかった場合の、ダイアフラム構造体２の断面形状を示す。この比較例の製造方法によって製造されたダイアフラム構造体２においては、ダイアフラム底面２８が凹面化している。具体的には、ダイアフラム２６の中央部の厚さが、その周囲よりも薄くなっている。また、凹部側面２９におけるエッチングガスの通流方向下流側の部分が、傾斜面となっている。
【００３２】
上記のような、ダイアフラム底面２８の凹面化及び凹部側面２９の傾斜面化は、エッチングガスの通流方向下流側において顕著である。より詳細には、これらの凹面化及び傾斜面化は、有効素子領域６０１における外周部寄りの位置の単位セルＣ（即ち隣接領域６０３に隣接する最外周の単位セルＣ、及び最外周の単位セルＣに隣接する単位セルＣ）にて顕著に発生する。但し、比較例においても、ウエハ６０の中央部では、良好な形状のダイアフラム２６が形成される。故に、比較例においては、有効素子領域６０１における中央部と外周部寄りの位置とで、エッチングレートに差が生じていたこととなる。このような、比較例における、有効素子領域６０１における中央部と外周部寄りの位置との間のエッチングレートの差について、以下考察する。
【００３３】
ドライエッチング工程において、エッチングガスは、図２における矢印Ｇ１で示されるように、ウエハ６０の表面における中央部にまず供給される。その後、エッチングガスは、図２における矢印Ｇ２で示されるように、ウエハ６０の表面上を中央部から外周部に向かって通流しつつ、エッチングマスク７０の開口部に対応する位置にてウエハ６０を侵食する。
【００３４】
ここで、比較例においては、有効素子領域６０１よりも下流側の無効素子領域６０２内には、エッチングマスク７０に開口部が設けられない。また、有効素子領域６０１における中央部寄りの位置で消費しきれなかったエッチングガスが、排気作用により、ウエハ６０の外周部に向けて供給される。故に、比較例においては、有効素子領域６０１における中央部寄りの位置では適切なエッチングレートであったとしても、外周部寄りの位置では、相対的にガス濃度が高くなるためにエッチングレートも相対的に高くなる。したがって、比較例においては、有効素子領域６０１における外周部寄りの位置にて、ダイアフラム底面２８の凹面化及び凹部側面２９の傾斜面化が発生する。特に、圧力センサ１用のダイアフラム構造体２を製造する場合、ダイアフラム２６を形成するための侵食量（即ち凹部２５の深さ）は、半導体回路パターン等のような微細パターンを形成するための侵食量よりも非常に大きい。このため、圧力センサ１用のダイアフラム構造体２を製造する場合、比較例によれば、面内方向位置の違いに伴う形状バラつきの影響が非常に大きくなる。
【００３５】
これに対し、本実施形態の製造方法においては、メイン開口部７０２が設けられた有効素子領域６０１よりもエッチングガス通流方向下流側の無効素子領域６０２内に、ダミー開口部７０３が設けられる。これにより、有効素子領域６０１における外周部寄りの位置でのエッチングレートが改善されたものと考えられる。即ち、有効素子領域６０１よりも下流側にて有効素子領域６０１に隣接する位置にダミー開口部７０３を設けることで、有効素子領域６０１を通流するエッチングガスの通流状態が均一化され、故に有効素子領域６０１における中央部と外周部寄りの位置とでエッチングレートが均一化されたものと考えられる。
【００３６】
また、本実施形態の製造方法においては、マスク形成工程は、無効素子領域６０２内に、複数のダミー開口部７０３を断続的に形成する。これにより、ドライエッチング工程後且つダイシング工程前のウエハ６０の強度が良好に確保される。
【００３７】
また、本実施形態の製造方法においては、マスク形成工程は、メイン開口部７０２とダミー開口部７０３とを同一形状に形成する。また、マスク形成工程は、複数のメイン開口部７０２と、これらに隣接する複数のダミー開口部７０３とを、面内方向に等間隔に配列する。したがって、メイン開口部７０２の形成とダミー開口部７０３の形成とを、ステッパ露光によって連続的に行うことが可能となる。
【００３８】
（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的に矛盾しない限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
【００３９】
図６〜図９においては、図４と同様に、エッチングマスク７０における開口部が黒ベタで示されている。ダミー開口部７０３は、少なくとも隣接領域６０３に形成されればよい。即ち、図６に示されているように、ダミー開口部７０３は、隣接領域６０３のみに設けられていてもよい。
【００４０】
ダミー開口部７０３は、メイン開口部７０２の開口面積よりも若干小さな開口面積（例えばメイン開口部７０２の開口面積の０．５倍〜０．９倍）であってもよい。但し、ダミー開口部７０３は、メイン開口部７０２の開口面積以上の開口面積を有することが好適である。
【００４１】
図７に示されているように、メイン開口部７０２と同一形状のダミー開口部７０３が設けられた隣接領域６０３の外側には、隣接領域６０３内のダミー開口部７０３よりも開口面積が大きいダミー開口部７０４が形成されてもよい。同様に、ダミー開口部７０４の外側にも、ダミー開口部７０４よりも開口面積が大きいダミー開口部が形成されてもよい。即ち、エッチングガス通流方向下流側に向かうにしたがって開口面積が大きくなる、複数のダミー開口部７０３、７０４…が形成されてもよい。
【００４２】
図８に示されているように、有効素子領域６０１に隣接する位置（即ち隣接領域６０３内）に、連続的なリング状の単一の開口部であるダミー開口部７０５が形成されてもよい。但し、ドライエッチング工程後且つダイシング工程前のウエハ６０の強度を良好に確保する観点から、図９に示されているように、ダミー開口部７０５を、複数の非開口部７０６によって複数に分割してもよい。即ち、有効素子領域６０１の外縁に沿ってダミー開口部７０５と非開口部７０６とが交互に配列したダミーパターン７０７が、有効素子領域６０１に隣接する位置（即ち隣接領域６０３内）に形成されてもよい。
【００４３】
図１０においては、図示の都合上、エッチングマスク７０における開口部のうち、ダミー開口部７０８に対応する部分が、斜線のハッチングで示されている。図１０に示されているように、無効素子領域６０２の全体がダミー開口部７０８とされてもよい。
【００４４】
ダミー開口部は、メイン開口部よりも大きな開口率で設けられることが好適である。ここで、「開口率」は、開口部面積の総和の、エッチングマスク７０が形成されるウエハ６０の表面積に対する割合である。具体的には、例えば、図８に示されている例において、ウエハ６０の外径が２００ｍｍ、単位セルＣのサイズが３．１８ｍｍ×３．１８ｍｍ、ウエハ６０内の単位セルＣの数が２６００個、メイン開口部７０２のサイズが８８０μｍ×８８０μｍ、ダミー開口部７０５の幅が３．１８ｍｍである場合、メイン開口部７０２の開口率は６．４％となり、ダミー開口部７０５の開口率は７．７％となる。
【００４５】
ダイアフラム構造体２は、圧力センサ１用に限定されない。即ち、本発明は、ダイアフラム２６を有するダイアフラム構造体２の製造に対して広く適用され得る。本発明は、厚さ方向に継目のない半導体層に対して非貫通の凹部２５を形成して、非侵食部分によりダイアフラム２６を得る場合に、特に好適に適用される。但し、本発明の適用対象は、このような場合に限定されない。即ち、半導体基板２１及びウエハ６０は、厚さ方向に継目無く一体に形成されたものではなくてもよい。具体的には、ウエハ６０は、いわゆるＳＯＩウエハであってもよい。ＳＯＩはSilicon  On  Insulatorの略である。
【００４６】
変形例も、上記の例示に限定されない。また、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。更に、上記実施形態の全部又は一部と、変形例の全部又は一部とが、互いに組み合わされ得る。
【符号の説明】
【００４７】
２      ダイアフラム構造体
２１    半導体基板
２５    凹部
６０    ウエハ
６０１  有効素子領域
６０２  無効素子領域
７０    エッチングマスク
７０２  メイン開口部
７０３  ダミー開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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