(57)【要約】【課題】水分などの不純物の侵入を防止する表示装置及び当該表示装置の製造工程における負荷を低減する製造方法を提供する。【解決手段】複数の画素によって構成された表示領域を備えた表示装置の製造方法であって、前記複数の画素の各々に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上層に発光層を形成する工程と、前記発光層の上層に上部電極を形成する工程と、前記上部電極の上層に、前記上部電極に接して、有機材料から成る第１キャップ層を形成する工程と、前記第１キャップ層を形成した後に、前記第１キャップ層を加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成された表示領域を備えた表示装置の製造方法であって、
前記複数の画素の各々に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上層に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上層に上部電極を形成する工程と、
前記上部電極の上層に、前記上部電極に接して、有機材料から成る第１キャップ層を形成する工程と、
前記第１キャップ層を形成した後に、前記第１キャップ層を加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記下部電極の上層に、前記複数の画素を区画するリブを形成する工程と、
前記リブに、前記下部電極の一部を露出する開口を形成する工程と、を含み、
前記リブは前記下部電極よりも厚く、かつ、テーパ形状を有するように形成され、
前記第１キャップ層の厚さは、前記下部電極の前記一部と重畳する領域よりも前記テーパ形状と重畳する領域の方が厚いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程によって、前記第１キャップ層の厚さが、前記下部電極の前記一部と重畳する領域よりも前記テーパ形状と重畳する領域の方が厚くなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数の画素は、それぞれ波長の異なる光を発する複数の副画素で構成され、
前記第１キャップ層は、前記副画素の発する光の波長に応じて、前記副画素毎に異なる厚さで形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１キャップ層は、１５０ｎｍ以下の厚さで形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記第１キャップ層の上層に、前記第１キャップ層に接して、無機材料から成る第２キャップ層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記第２キャップ層と接して、前記複数の画素に跨って位置する封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止膜は、無機層、有機層、無機層が順に積層されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２キャップ層の材料は、ＬｉＦ又はＭｇＦ２であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記加熱工程は、前記第１キャップ層の材料のガラス転移温度より高く、前記発光層の材料のガラス転移温度より低い温度で行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の画素と、
前記複数の画素の各々に配置された下部電極と、
前記複数の画素を区画し、前記下部電極の一部を露出する開口を備えたリブと、
前記下部電極と接し、前記リブの上層に位置する発光層と、
前記発光層の上層に位置する上部電極と、
前記上部電極の上層に前記上部電極に接して位置する、有機材料からなる第１キャップ層と、を有し、
前記リブは、前記開口を囲うと共に、前記下部電極から離れるにつれて前記開口が大きくなるテーパ形状を備える側壁を有し、
前記第１キャップ層の厚さは、前記下部電極の前記一部と重畳する領域よりも前記テーパ形状と重畳する領域の方が厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記複数の画素は、それぞれ波長の異なる光を発する複数の副画素を含み、
前記第１キャップ層は、前記複数の副画素毎に、前記下部電極の前記一部と重畳する前記領域の厚さが異なることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１キャップ層の上層に、前記複数の画素に跨って位置し、前記発光層を覆う封止膜を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１キャップ層の上層に前記第１キャップ層に接して位置する第２キャップ層を有することを特徴とする請求項１１乃至１３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro-luminescent）素子を用いた有機ＥＬ表示装置や、液晶表示装置等の表示装置が実用化されている。しかしながら、有機ＥＬ表示装置は、水分に対して脆弱であるため、ダークスポット等の点灯不良が生じるおそれがある。また、液晶表示装置は、水分が侵入すると薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）の特性が変動し、表示品位が劣化するおそれがある。そのため、表示装置に対する水分等の侵入を防止するために、表示装置に封止膜を形成する必要がある。
【０００３】
しかし、封止膜を形成する際に異物が混入すると、封止膜に欠陥が生じるおそれがある。その為、封止膜が形成された表示装置であっても、欠陥から侵入した水分等によって表示品位が劣化するおそれがある。そこで、例えば、特許文献１は、分子を１層ずつ積み上げ、非常に薄い封止膜を等方的に形成するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて、封止膜を形成することによって、異物に対して高い被覆率で封止膜を形成する点を開示している。
【０００４】
また、例えば、特許文献２は、プラズマの放射光を用いて重合硬化させた有機膜と、シリコン化合物からなる無機膜と、を積層したバリア膜によって、水分の侵入を防止する点を開示している。
【０００５】
さらに、例えば、特許文献３及び特許文献４は、発光層に対する水分を防止する封止膜の下層に、さらに光学調整層を設ける構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１７６７１７号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４４５２号公報
【特許文献３】特開２００９−１８７７４８号公報
【特許文献４】特開２０１３−５１１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１が開示するＡＬＤ法は、封止膜を厚く形成することが困難である。従って、大きな異物が混入した場合、異物が被覆されず水分が侵入するおそれがある。
【０００８】
また、特許文献２のように、水分の侵入を防止する為に、新たに有機膜を堆積し、有機膜を重合硬化させた上で、無機膜を形成した場合、製造工程に負荷がかかる。さらに、有機膜の下層に段差がある場合や無機膜の下層に異物が混入した場合には、無機膜に欠陥が生じ、発光層に水分が侵入するおそれがある。
【０００９】
また、特許文献３及び特許文献４のように、封止膜の下層にさらに光学調整層を設けたとしても、光学調整層自体は、水分の透過を防止する材料で形成されていないため、水分の侵入を防止できない。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、水分などの不純物の侵入を防止する表示装置及び当該表示装置の製造工程における負荷を低減する製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、複数の画素によって構成された表示領域を備えた表示装置の製造方法であって、前記複数の画素の各々に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上層に発光層を形成する工程と、前記発光層の上層に上部電極を形成する工程と、前記上部電極の上層に、前記上部電極に接して、有機材料から成る第１キャップ層を形成する工程と、前記第１キャップ層を形成した後に、前記第１キャップ層を加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の一態様は、複数の画素と、前記複数の画素の各々に配置された下部電極と、前記複数の画素を区画し、前記下部電極の一部を露出する開口を備えたリブと、前記下部電極と接し、前記リブの上層に位置する発光層と、前記発光層の上層に位置する上部電極と、前記上部電極の上層に前記上部電極に接して位置する、有機材料からなる第１キャップ層と、を有する表示装置であって、前記リブは、前記開口を囲うと共に、前記下部電極から離れるにつれて前記開口が大きくなるテーパ形状を備える側壁を有し、前記第１キャップ層の厚さは、前記下部電極の前記一部と重畳する領域よりも前記テーパ形状と重畳する領域の方が厚いことを特徴とする表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】表示パネルを概略的に示す図である。
【図３】画素の断面構造について概略的に示す一例である。
【図４】表示パネルの積層構造について説明するための図である。
【図５】表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図６】表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図７】異物が混入した場合について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。
【００１６】
図２は、図１の表示パネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。また、表示パネル２００は、複数の画素２０８によって構成された表示領域２１０を備える。複数の画素２０８は、それぞれ波長の異なる光を発する複数の副画素で構成される。アレイ基板２０２は、後述する発光層３０８や発光層３０８に対する不純物の侵入を防止する封止膜３１６等が形成される。
【００１７】
駆動ＩＣ２０６は、例えば、各副画素に配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加する。また、駆動ＩＣ２０６は、各画素トランジスタデータ信号線に対して階調値に対応する電流を流す。表示パネル２００は、当該駆動ＩＣ２０６によって、表示装置１００に入力された映像信号に応じた画像を、表示領域２１０に表示する。
【００１８】
保護フィルム２０４は、例えば、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムである。保護フィルム２０４は、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。
【００１９】
図３は、本発明の実施形態における表示領域２１０の断面について概略的に示す図の一例である。図３に示すように、表示パネル２００は、基板３００と、アレイ層３０２と、下部電極３０４と、リブ３０６と、発光層３０８と、上部電極３１０と、第１キャップ層３１２と、第２キャップ層３１４と、封止膜３１６と、を含む。
【００２０】
基板３００は、例えば、ガラス基板であるが、樹脂で形成された可撓性を有する基板３００であってもよい。アレイ層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極や半導体層等を含んで構成される画素トランジスタを有する。画素トランジスタは、各副画素に形成され、副画素が発する光の輝度を制御する。アレイ層３０２の詳細な構造については、従来技術と同様である為説明を省略する。
【００２１】
下部電極３０４は、複数の画素の各々に形成される。具体的には、例えば、下部電極３０４は、発光層３０８が発した光が取り出される副画素の開口部３１８及びリブ３０６端部の下層に、透過性及び導電性を有する材料で形成される。また、下部電極３０４は、アレイ層３０２に形成された画素トランジスタのドレイン電極またはソース電極と電気的に接続するように形成される。
【００２２】
リブ３０６は、複数の副画素を区画すると共に、下部電極３０４の一部を露出する開口を副画素の各々に備えている。具体的には、例えば、リブ３０６は、複数の副画素を区画するように、副画素の開口部３１８の周囲に樹脂材料で形成される。また、リブ３０６は、開口を囲うと共に、下部電極３０４から離れるにつれて開口が大きくなるテーパ形状を備える側壁を有する。具体的には、リブ３０６は、非開口部３２０と開口部３１８の境界付近で、非開口部３２０から開口部３１８に向かって徐々に薄くなるテーパ形状を有するように形成される。
【００２３】
発光層３０８は、下部電極３０４と接し、リブ３０６の上層に位置するように形成される。具体的には、例えば図４に示すように、下部電極３０４及びリブ３０６の上層において、発光層３０８は、ホール注入層４００、ホール輸送層４０２、ＥＬ層４０４、電子輸送層４０６、及び、電子注入層４０８が順に積層されることによって形成される。
【００２４】
ホール注入層４００及びホール輸送層４０２は、下部電極３０４から供給されるホールをＥＬ層４０４に輸送する。電子注入層４０８及び電子輸送層４０６は、上部電極３１０から供給される電子をＥＬ層４０４に輸送する。ＥＬ層４０４は、下部電極３０４から注入されたホールと、上部電極３１０から注入された電子とが再結合することにより発光する。なお、ＥＬ層４０４は、1個の画素２０８を構成する副画素ごとに、それぞれ波長の異なる光を発する材料で形成される。
【００２５】
第１キャップ層３１２（光学調整層、光路調整層ともいう）は、上部電極３１０の上層に上部電極３１０に接して位置するように、有機材料によって形成される。具体的には、例えば、第１キャップ層３１２は、発光層３０８の材料よりもガラス転移温度ＴＧが低い有機材料で、上部電極３１０と接して、かつ、上部電極３１０を覆うように形成される。
【００２６】
また、第１キャップ層３１２の厚さは、下部電極３０４の一部と重畳する領域よりもテーパ形状と重畳する領域の方が厚くなるように形成される。具体的には、リブ３０６のテーパ形状を備える側壁の上層に形成された第１キャップ層３１２の厚さｔ１は、下部電極３０４中央部の上層に形成された第１キャップ層３１２の厚さｔ２の１．１倍以上の厚さとなるように形成される。
【００２７】
なお、第１キャップ層３１２は、発光層３０８で発光した光が第１キャップ層３１２の内部で共振して強度を強めるような厚さで形成されてもよい。具体的には、例えば、下部電極３０４中央部の上層に形成された第１キャップ層３１２は、１５０ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。
【００２８】
また、第１キャップ層３１２は、複数の副画素毎に、下部電極３０４の一部と重畳する領域の厚さが異なるように形成されてもよい。具体的には、例えば、下部電極３０４中央部の領域において、緑色の光を発する発光層３０８の上層に形成された第１キャップ層３１２は、最も厚く形成され、青色の光を発する発光層３０８の上層に形成された第１キャップ層３１２は、最も薄く形成されてもよい。
【００２９】
上部電極３１０は、発光層３０８の上層に位置するように形成される。具体的には、上部電極３１０は、光の透過性及び導電性を有する材料で、発光層３０８の上層に発光層３０８を覆うように形成される。また、上部電極３１０は、発光層３０８に電子を供給することで、発光層３０８を発光させる。
【００３０】
第２キャップ層３１４（光学調整層、光路調整層ともいう）は、第１キャップ層３１２の上層に無機材料によって形成される。具体的には、第２キャップ層３１４は、第１キャップ層３１２の上層に接して、ＬｉＦ又はＭｇＦ２で形成される。なお、第２キャップ層３１４は、不純物の侵入を防止する材料で形成されるため、第１キャップ層３１２の上層に形成されることが望ましいが、第２キャップ層３１４は省略されてもよい。
【００３１】
封止膜３１６は、第２キャップ層３１４の上層に形成される。具体的には、例えば、封止膜３１６は、第２キャップ層３１４と接して、無機層、有機層、無機層が順に積層されて形成される。なお、第２キャップ層３１４を設けない構成の場合には、封止膜３１６は、第１キャップ層３１２と接して形成される。
【００３２】
上記のような構成によれば、水分の侵入を防止する無機膜の欠陥を防止した表示装置１００を提供することができる。具体的には、図３に示すｔ１がｔ２よりも厚くなるように形成されることによって、第１キャップ層３１２の表面の段差を緩和することができる。従って、段差によって、第１キャップ層３１２の上層に形成される第２キャップ層３１４又は封止膜３１６に生じる欠陥を防止することができる。
【００３３】
続いて、図５及び図６を用いて、上記表示装置１００の製造方法について説明する。まず、図５（ａ）に示すように、基板３００上にアレイ層３０２を形成する。次に、複数の画素の各々に下部電極３０４を形成する。また、下部電極３０４の上層に、複数の画素２０８を区画するリブ３０６を形成した後、リブ３０６に下部電極３０４の一部を露出する開口を形成する。ここで、リブ３０６は下部電極３０４よりも厚く、かつ、テーパ形状を有するように形成される。
【００３４】
次に、下部電極３０４及びリブ３０６を覆うように発光層３０８を形成する。具体的には、図５（ｂ）に示すように、下部電極３０４及びリブ３０６の上層に、ホール注入層４００、ホール輸送層４０２、ＥＬ層４０４、電子注入層４０８、及び、電子輸送層４０６が順に積層される。次に、図５（ｃ）に示すように、発光層３０８の上層に上部電極３１０を形成する。
【００３５】
次に、上部電極３１０の上層に、上部電極３１０に接して、有機材料から成る第１キャップ層３１２を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、第１キャップ層３１２は、上部電極３１０と接して形成される。また、第１キャップ層３１２は、上部電極３１０を覆うように、かつ、リブ３０６によって生じた発光層３０８及び上部電極３１０の段差が残るように、リブ３０６の高さよりも低い厚さで形成する。例えば、第１キャップ層３１２は、１５０ｎｍ以下の厚さで形成される。なお、第１キャップ層３１２は、例えば蒸着によって製膜される。例えば、坩堝を用いた蒸着によって、有機材料から成る第１キャップ層３１２を形成する場合、成膜工程時の温度は２０℃から３０℃程度である。
【００３６】
ここで、第１キャップ層３１２は、副画素の発する光の波長に応じて、副画素毎に異なる厚さで形成されてもよい。この場合であっても、第１キャップ層３１２は、各副画素においては、開口部３１８とテーパ形状の上層に同じ厚さで形成される。
【００３７】
第１キャップ層３１２を成膜後に加熱する。具体的には、アレイ基板２０２全体を加熱する。図６（ｂ）に示すように、当該加熱工程によって、第１キャップ層３１２の厚さは、下部電極３０４の一部と重畳する領域よりもテーパ形状と重畳する領域の方が厚くなるように変化する。
【００３８】
なお、加熱工程は、第１キャップ層３１２の材料のガラス転移温度ＴＧより高く、発光層３０８の材料のガラス転移温度ＴＧより低い温度で行われる。例えば、第１キャップ層３１２の材料のガラス転移温度ＴＧよりも、１０℃から３０℃程度高い温度で加熱することが望ましい。従って、発光層３０８に与える影響を抑えながら、第１キャップ層３１２の形状を変化させることが出来る。
【００３９】
次に、第１キャップ層３１２の上層に、第１キャップ層３１２に接して、無機材料から成る第２キャップ層３１４を形成する。具体的には、図６（ｃ）に示すように、第１キャップ層３１２と接して、ＬｉＦ又はＭｇＦ２によって第２キャップ層３１４を形成する。なお、第１キャップ層３１２を設けない場合には、当該工程は省略してもよい。
【００４０】
次に、第２キャップ層３１４と接して、複数の画素２０８に跨って位置する封止膜３１８を形成する。具体的には、第２キャップ層３１４と接して、複数の画素２０８に跨って無機層、有機層、無機層が順に積層されて成る封止膜３１６を形成する。
【００４１】
以上のように、第１キャップ層３１２によってリブ３０６によって生じる段差が緩和され、第２キャップ層３１４または封止膜３１６の欠陥を防止した表示装置１００が形成される。また、封止膜３１６の下層で反射した光を効率的に取り出すために第１キャップ層３１２のような光路長調整層を設けている表示装置１００においては、新たな層を追加せず、リフロー工程を追加するだけで第２キャップ層３１４または封止膜３１６の欠陥を防止することが出来る。従って、負荷が少ない製造方法で表示装置１００を製造することができる。
【００４２】
従来技術によれば、表示パネルの製造工程において異物が混入すると、異物によって封止膜に欠陥が生じるおそれがある。従って、製造工程において表示パネルの内部に異物が混入しないことが望ましいが、表示装置の製造工程において、異物の混入を完全に防止することは困難である。しかしながら、本発明によれば、異物が混入した場合であっても第１キャップ層３１２によって、第２キャップ層３１４や封止膜３１６に欠陥が生じることを防止することができる。
【００４３】
以下、上部電極３１０の表面に異物７００が混入した場合における、上記製造方法について説明する。図７（ａ）乃至（ｅ）は、上部電極３１０と第１キャップ層３１２の間に異物７００が混入した場合における、第１キャップ層３１２乃至封止膜３１６の構造を説明する為の図である。なお、説明を簡略化するため、図７においては、リブ３０６が形成されていない領域について説明する。また、アレイ層３０２、下部電極３０４、及び、発光層３０８の記載は省略する。
【００４４】
図７（ａ）に示すように、上部電極３１０まで形成された状態において、上部電極３１０の表面に異物７００が付着している。次に、上部電極３１０及び異物７００の上層に、第１キャップ層３１２が堆積される。具体的には、図７（ｂ）に示すように、異物７００の大きさが堆積する第１キャップ層３１２の厚さよりも大きい場合には、第１キャップ層３１２は、異物７００の頂部の上層と、上部電極３１０の上層と、に分離して堆積される。
【００４５】
次に、第１キャップ層３１２を加熱する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、加熱工程によって、第１キャップ層３１２は、異物７００を覆うような形状に変化し、異物７００は、第１キャップ層３１２に被覆される。
【００４６】
次に、第１キャップ層３１２の上層に無機材料から成る第２キャップ層３１４を形成する。具体的には、第１キャップ層３１２と接して、ＬｉＦ又はＭｇＦ２によって第２キャップ層３１４を形成する。ここで、加熱工程によって、第２キャップ層３１４の下地がなだらかに形成されていることから、図７（ｄ）に示すように、第２キャップ層３１４は、異物７００による欠陥を生じることなく第１キャップ層３１２を覆うように形成することが出来る。
【００４７】
次に、第２キャップ層３１４と接して、封止膜３１６を形成する。具体的には、図７（ｅ）に示すように、封止膜３１６の下地である第２キャップ層３１４はなだらかに形成されていることから、封止膜３１６も異物７００による欠陥を生じることなく第２キャップ層３１４を覆うように形成される。
【００４８】
以上のように、異物７００が存在する場合であっても、加熱工程によって、第２キャップ層３１４及び封止膜３１６の下地をなだらかにすることにより、第２キャップ層３１４及び封止膜３１６に欠陥が生じる事態を防止することができる。
【００４９】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  表示パネル、２０２  アレイ基板、２０４  保護フィルム、２０６  駆動ＩＣ、２０８  画素、２１０  表示領域、３００  基板、３０２  アレイ層、３０４  下部電極、３０６  リブ、３０８  発光層、３１０  上部電極、３１２  第１キャップ層、３１４  第２キャップ層、３１６  封止膜、３１８  開口部、３２０  非開口部、４００  ホール注入層、４０２  ホール輸送層、４０４  ＥＬ層、４０６  電子輸送層、４０８  電子注入層、７００  異物。 
【図１】
2018067520.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018067520.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018067520.tif 000009