(57)【要約】【課題】高い屈折率を有し、光透過性および耐熱性に優れ、且つ射出成形に適した物性（ゲル化しにくく、金型離型性に優れる）の有機無機複合組成物を提供する。【解決手段】所定構造のカルボキシル基含有ポリカーボネート、無機微粒子、および所定構造の表面処理剤を含む有機無機複合組成物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）を含む、有機無機複合組成物：
成分（Ａ）：下記一般式（１−３）および（１−４）からなる群から選択される繰り返し単位Ｙ１を含む、ポリカーボネート
ただし、上記ポリカーボネートの少なくとも一部は、下記一般式（１−１）および（１−２）からなる群から選択される繰り返し単位Ｘ１を含み、有機無機複合組成物における繰り返し単位Ｘ１の総モル数ｍと繰り返し単位Ｙ１の総モル数ｎとの比が０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２を満たす；
【化１】
2018138624.tif 000015
上記一般式（１−１）および（１−２）において、Ｘ２１およびＸ２２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、炭素数１以上３０以下の脂肪族基、炭素数４以上３０以下の脂環式基、炭素数６以上３０以下の芳香族基および複素環基からなる群から選択される基を表し；
【化２】
2018138624.tif 000016
上記一般式（１−３）および（１−４）において、Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し；ｐは１≦ｐ＜ｎの関係を満たす整数である；
成分（Ｂ）：無機微粒子；
成分（Ｃ）：下記一般式（２）で示される表面処理剤
【化３】
2018138624.tif 000017
上記一般式（２）において、Ｒ２１はフェニル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基およびピリジル基からなる群から選択される基であり；Ｒ２２は単結合、または炭素数１以上６以下のアルキレン基であり；Ｒ２３はカルボキシル基、およびチオール基からなる群から選択される基であり；Ｒ２４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基、および炭素数６以上２４以下のアリール基からなる群から選択される基である。
【請求項２】
前記Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３が、それぞれ独立に下記一般式（３）で示される芳香族基である、請求項１に記載の有機無機複合組成物：
【化４】
2018138624.tif 000018
上記一般式（３）において、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立に、炭素数１以上６以下のアルキレン基、炭素数１以上６以下のアルキレンオキシ基、炭素数３以上１２以下のシクロアルキレン基、および炭素数６以上２０以下のアリーレン基からなる群から選択され；Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、炭素数６以上２０以下のシクロアルキル基、炭素数６以上２０以下のアリール基、炭素数６以上２０以下のシクロアルコキシ基、および炭素数６以上２０以下のアリールオキシ基からなる群から選択される基であり；ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上３以下の整数である。
【請求項３】
前記ポリカーボネートの屈折率が、１．６以上１．８以下である、請求項１または２に記載の有機無機複合組成物。
【請求項４】
前記ポリカーボネートのガラス転移温度が、１１０℃以上１８０℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項５】
前記Ｒ２３がカルボキシル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項６】
前記ポリカーボネートの重量平均分子量が１０，０００以上５００，０００以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項７】
前記無機微粒子の屈折率が１．８以上３．０以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項８】
前記無機微粒子が、酸化ジルコニウム、酸化チタン、およびチタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも一種の粒子を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項９】
前記無機微粒子の個数基準のメジアン径が、１ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項１０】
前記ポリカーボネートの含有量に対する、前記無機微粒子および前記表面処理剤の含有量が、重量比で５／９５以上８０／２０未満（前記無機微粒子および前記表面処理剤の合計量／前記ポリカーボネート）である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物を含む、成形品。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機無機複合組成物を含む、光学部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機無機複合組成物、ならびにこれを含む成形品および光学部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光学材料の研究が盛んに行われており、カメラ、ビデオカメラ等の各種カメラや、スマートフォン用レンズ等の光学系に使用される光学レンズ用の材料として、高い屈折率を有し、且つ耐熱性、光透過性（透明性）、易成形性にも優れた材料の開発が求められている。樹脂製レンズはガラス製のレンズに比べて軽量で割れにくく、材料コストが安く、レンズ成形に適した射出成形により様々な形状に加工できるという利点を持つ。しかしながら、近年、製品の薄型化やカメラの高画素化へのニーズにこたえるため、素材自体を高屈折率化することが求められている。例えば、特許文献１には、所定の割合で構成単位を有し、比粘度０．１２〜０．４０であるポリエステルカーボネート共重合体に係る発明が記載されている。特許文献１に記載のポリエステルカーボネート共重合体は、高透明、高屈折率および低複屈折であって且つ高流動性であるとされている。
【０００３】
一方、樹脂材料のみで屈折率を向上させることは難しく、屈折率の高い無機材料を樹脂中に分散させた高屈折率の有機無機複合組成物を製造する試みがなされている。しかしながら、無機酸化物微粒子のような無機材料を組成物中で透明に分散させるためにはレイリー散乱による透過光の減衰を抑制する必要があり、粒子サイズを１５ｎｍ以下にし、樹脂中に一次粒子の状態で均一に分散させる必要がある。しかしながら、無機微粒子は粒子サイズが小さくなるにつれて凝集しやすくなるため、均一に分散させることは非常に難しい。樹脂中における無機微粒子の分散性を向上させる目的で、樹脂の分子構造に酸性基を導入する手法が考えられる。しかしながら、酸性基としてスルホン酸基を導入した場合、スルホン酸基自体が強酸性であるため、金型が腐食されて射出成形には適応できなかった。また、リン酸基を分子構造に導入した場合、リン酸基の金属への親和性が高いため、金型離型性が悪く、組成物が金型に残存することがあり、歩留まりが非常に悪くなるという問題があった。特許文献２には、少なくとも高分子鎖末端または側鎖にカルボキシル基を有する熱可塑性樹脂と、数平均分子量が５０〜１００００の少なくとも一つのカルボキシル基を有する分散剤と、数平均粒子サイズが１〜１５ｎｍの無機微粒子とを含み、該熱可塑性樹脂中に該無機微粒子が分散していることを特徴とする有機無機複合材料が開示されている。特許文献２には、カルボキシル基を有する熱可塑性樹脂としてはカルボキシル基を含むビニルモノマーを重合単位として含むランダム共重合体が記載されており、当該有機無機複合材料では無機微粒子が樹脂マトリックス中に均一に分散され、耐湿性が良好で、優れた透明性と高い屈折率を有するとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２２１８６５号公報
【特許文献２】特開２００９−０２９９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機無機複合組成物をカメラ用レンズやスマートフォン用レンズに使用する場合は、高温にさらされることが多く、耐熱性が必要となる。しかしながら、特許文献２に記載されるようなビニルポリマーは耐熱性が十分でなく、実際に製品として適用した場合、樹脂の熱劣化が著しいという問題があった。また、かようなビニルポリマーは、屈折率、透過率（透明性）、および金型離型性の点においても、さらなる向上が必要である。
【０００６】
一方、特許文献１に記載のようなポリカーボネートは耐熱性に優れるものの、無機微粒子の分散性向上の目的で分子構造にカルボキシル基を導入した場合、樹脂のゲル化が進行するため射出成形特性の観点から改善の必要があることを本発明者らは見出した。
【０００７】
したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高い屈折率を有し、光透過性および耐熱性に優れ、且つ射出成形に適した物性（ゲル化しにくく、金型離型性に優れる）を有する有機無機複合組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、所定構造のポリカーボネート（成分（Ａ））、無機微粒子（成分（Ｂ））、および後述の一般式（２）で示される表面処理剤（成分（Ｃ））を含む有機無機複合組成物によって上記課題が解決されることを見出し、本発明の完成に至った。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高い屈折率を有し、光透過性および耐熱性に優れ、且つ射出成形に適した物性（ゲル化しにくく、金型離型性に優れる）を有する有機無機複合組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一側面は、下記成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）を含む、有機無機複合組成物に関する。なお、本明細書において、下記「成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）を含む、有機無機複合組成物」を、単に「本発明に係る組成物」とも称する。
【００１１】
（１）成分（Ａ）：下記一般式（１−３）および（１−４）からなる群から選択される繰り返し単位Ｙ１を含む、ポリカーボネート：
ただし、上記ポリカーボネートの少なくとも一部は、下記一般式（１−１）および（１−２）からなる群から選択される繰り返し単位Ｘ１を含み、有機無機複合組成物における繰り返し単位Ｘ１の総モル数ｍと繰り返し単位Ｙ１の総モル数ｎとの比が０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２を満たす；
【００１２】
【化１】
2018138624.tif 000002
【００１３】
上記一般式（１−１）および（１−２）において、Ｘ２１およびＸ２２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、炭素数１以上３０以下の脂肪族基、炭素数４以上３０以下の脂環式基、炭素数６以上３０以下の芳香族基および複素環基からなる群から選択される基を表し；
【００１４】
【化２】
2018138624.tif 000003
【００１５】
上記一般式（１−３）および（１−４）において、Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族基を表し；ｐは１≦ｐ＜ｎの関係を満たす整数である；
（２）成分（Ｂ）：無機微粒子；
（２）成分（Ｃ）：下記一般式（２）で示される表面処理剤
【００１６】
【化３】
2018138624.tif 000004
【００１７】
上記一般式（２）において、Ｒ２１はフェニル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基およびピリジル基からなる群から選択される基であり；Ｒ２２は単結合、または炭素数１以上６以下のアルキレン基であり；Ｒ２３はカルボキシル基、およびチオール基からなる群から選択される基であり；Ｒ２４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基、および炭素数６以上２４以下のアリール基からなる群から選択される基である。
【００１８】
本発明に係る組成物は、高い屈折率を有し、光透過性および耐熱性に優れ、且つ射出成形に適した物性（ゲル化しにくく、金型離型性に優れる）を有する有機無機複合組成物を提供することができる。本発明の技術的範囲を制限するものでは無いが、かような効果が得られ得るメカニズムは、以下のように推測される。
【００１９】
本発明に係る組成物は、成分（Ａ）としてポリカーボネートを含む。ポリカーボネートは、ビニルポリマーのような熱可塑性樹脂と比較して耐熱性に優れるだけでなく、屈折率も高いという利点がある。本発明に係る組成物はかような高屈折率のポリカーボネートに加えて、更に成分（Ｂ）として無機微粒子を含むため、より一層屈折率が高いものとなる。
【００２０】
また、成分（Ａ）のポリカーボネートは、一般式（１−１）および（１−２）で示されるように側鎖にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有ポリカーボネートであるため、組成物中での無機微粒子の分散性が向上し、光透過性に優れたものとなることが期待される。また、ポリカーボネートの側鎖に含まれる酸性基がカルボキシル基であるため、硫酸基の場合のような金型腐食や、リン酸基の場合のような金型離型性の低下といった問題も生じにくい。一方、ポリカーボネートの側鎖に含まれるカルボキシル基の数を増やすことで無機微粒子の分散性向上が期待されるものの、カルボキシル基数が過度に多いとポリカーボネートのゲル化が進行するという課題が存在することを本発明者らは見出した。かような問題点に対し、本発明者らは、ポリカーボネートの側鎖に含まれるカルボキシル基の数を一定程度に抑え、更に成分（Ｃ）として上記一般式（２）で示される表面処理剤を配合することにより、無機微粒子の優れた分散性を達成しつつもポリカーボネートのゲル化進行を抑制できることを見出した。具体的には、ポリカーボネートを、繰り返し単位Ｘ１の総モル数ｍと繰り返し単位Ｙ１の総モル数ｎとの比が０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２を満たす関係にすることで、かような効果が得られることを見出した。成分（Ｃ）は、無機微粒子との相互作用点であるＲ２３や、置換基であるＲ２４として硫酸基やリン酸基を含まないため、上記の金型腐食や金型離型性の低下といった問題も生じにくい。
【００２１】
さらに、本発明者らは、ポリカーボネート、無機微粒子および表面処理剤を含む組成物において、ポリカーボネートとしてカルボキシル基含有ポリカーボネートが含まれることで、側鎖にカルボキシル基を含まないポリカーボネートのみを用いた場合と比べて、ポリカーボネートのガラス転移温度が同程度であっても組成物としての耐熱性がより一層優れたものになるという利点があることをも見出した。これは、わずかではあるが、カルボキシル基が存在することにより、３次元の架橋構造を形成することによるものと推測される。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００２３】
本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件で行う。
【００２４】
＜成分（Ａ）＞
成分（Ａ）は、上記一般式（１−３）および（１−４）からなる群から選択される繰り返し単位Ｙ１を含む、ポリカーボネートである。かような繰り返し単位Ｙ１を含むポリカーボネートの少なくとも一部は、上記一般式（１−１）および（１−２）からなる群から選択される繰り返し単位Ｘ１をさらに含む。すなわち、本発明に係る組成物は、（１）繰り返し単位Ｘ１および繰り返し単位Ｙ１を含む共重合体、（２）繰り返し単位Ｙ１を含む重合体と、繰り返し単位Ｘ１および繰り返し単位Ｙ１を含む共重合体とを含むブレンド、のいずれのポリカーボネートを含んでいてもよい。また、本発明に係る有機無機複合組成物では、組成物に含まれるポリカーボネートの繰り返し単位Ｘ１の総モル数ｍ（すなわち、一般式（１−１）および（１−２）で表される構成単位の総モル数）と、繰り返し単位Ｙ１の総モル数ｎ（すなわち、一般式（１−３）および（１−４）で表される構成単位の総モル数）との比が０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２を満たすことを特徴の一つとする。（ｍ／ｎ）の関係が０を超えることで、無機微粒子の分散性が向上し、組成物としての耐熱性が優れたものとなる。（ｍ／ｎ）が０．１２を超えると、ポリカーボネートのゲル化が進行しやすくなるため好ましくない。ｍおよびｎは、好ましくは０．００５≦（ｍ／ｎ）≦０．１の関係を満たし、ゲル化を抑制しつつより一層金型離型性が優れたものになるという観点から、より好ましくは０．０１＜（ｍ／ｎ）≦０．０８の関係を満たす。なお、（ｍ／ｎ）の関係は、Ｘ１の原料モノマーとＹ１の原料モノマーとの仕込み比（モル比）を調整することにより制御することができる。
【００２５】
Ｘ１は上記一般式（１−１）および（１−２）からなる群から選択される繰り返し単位である。組成物に含まれるポリカーボネートにおけるＸ１の存在率は、無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、Ｘ１とＹ１との合計１００モル％に対して、一実施形態では０モル％を超えて１２モル％以下であり、好ましくは０．５モル％以上１０モル％以下であり、より好ましくは１モル％を超えて８モル％以下である。
【００２６】
上記一般式（１−１）および（１−２）において、Ｘ２１およびＸ２２は、それぞれ独立に、炭素数１以上３０以下の脂肪族基、炭素数４以上３０以下の脂環式基、炭素数６以上３０以下の芳香族基および複素環基からなる群から選択される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。かような置換基としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１以上２０以下のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基）、炭素水１〜２０のアルコキシル基等が例示できる。
【００２７】
上記炭素数１以上３０以下の脂肪族基としては、例えば、Ｘ２１としてはカルボキシル基で２置換された、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、テトラメチレン基、メチルトリメチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等の、直鎖または分岐鎖の脂肪族基が例示できる。また、例えば、Ｘ２２としてはカルボキシル基で１置換された、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、テトラメチレン基、メチルトリメチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等の、直鎖または分岐鎖の脂肪族基が例示できる。
【００２８】
上記炭素数４以上３０以下の脂環式基としては、例えば、Ｘ２１としてはカルボキシル基で２置換された、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等の脂環式基が例示できる。また、例えば、Ｘ２２としてはカルボキシル基で１置換された、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等の脂環式基が例示できる。
【００２９】
上記炭素数６以上３０以下の芳香族基としては、例えば、Ｘ２１としてはカルボキシル基で２置換された、フェニレン基、ナフチレニル基等の芳香族基が例示できる。また、例えば、Ｘ２２としてはカルボキシル基で１置換された、フェニレン基、ナフチレニル基等の芳香族基が例示できる。
【００３０】
上記複素環基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子および窒素原子から選択されるヘテロ原子を環構成原子として１個以上３個以下含む６員以上３０員以下の環式基が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｘ２１としてはカルボキシル基で２置換された、ピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾイミダソリレン基、ベンゾフリレン基、ベンゾチエニレン基、カルバゾリレン基等の複素環基が例示できる。また、例えば、Ｘ２２としてはカルボキシル基で１置換された、ピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾイミダソリレン基、ベンゾフリレン基、ベンゾチエニレン基、カルバゾリレン基等の複素環基が例示できる。
【００３１】
上記のうち、Ｘ２１としてはカルボキシル基で２置換された、置換基を有していてもよい、炭素数６以上３０以下の、脂環式基または芳香族基であることが好ましい。Ｘ２２としてはカルボキシル基で１置換された、置換基または非置換の、炭素数４以上３０以下の脂環式基または炭素数６以上３０以下の芳香族基であることが好ましい。
【００３２】
無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、一般式（１−１）は、好ましくは下記式（１−１ａ）、式（１−１ｂ）、および式（１−１ｃ）および式（１−１ｄ）で表される基からなる群から選択され、より好ましくは下記式（１−１ａ）で表される基である：
【００３３】
【化４】
2018138624.tif 000005
【００３４】
無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、一般式（１−２）は、好ましくは下記式（１−２ａ）、式（１−２ｂ）および式（１−２ｃ）で表される基からなる群から選択され、より好ましくは下記式（１−２ａ）で表される基である：
【００３５】
【化５】
2018138624.tif 000006
【００３６】
Ｙ１は上記一般式（１−３）および（１−４）からなる群から選択される繰り返し単位である。組成物に含まれるポリカーボネートにおけるＹ１の存在率は、無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、Ｘ１とＹ１との合計１００モル％に対して、一実施形態では８８モル％以上１００モル％未満であり、好ましくは９０モル％以上９９．５モル％以下であり、より好ましくは９２モル％以上９９モル％未満である。
【００３７】
組成物に含まれるポリカーボネートの全構成単位中、Ｘ１とＹ１との合計は、例えば５０モル％以上であり、好ましくは８０モル％以上であり、より好ましくは９０モル％以上であり、特に好ましくは１００モル％である。
【００３８】
一実施形態では、組成物に含まれるポリカーボネートの構成単位は、０モル％を超えて１２モル％以下のＸ１と、８８モル％以上１００モル％未満のＹ１（ただし、Ｘ１とＹ１との合計量は１００モル％である。）とからなる。好ましい別の実施形態では、組成物に含まれるポリカーボネートの構成単位は、０．５モル％以上１０モル％以下のＸ１と、９０モル％以上９９．５モル％以下のＹ１（ただし、Ｘ１とＹ１との合計量は１００モル％である。）とからなる。より好ましい別の実施形態では、組成物に含まれるポリカーボネートの構成単位は、１モル％を超えて８モル％以下のＸ１と、９２モル％以上９９モル％未満のＹ１（ただし、Ｘ１とＹ１との合計量は１００モル％である。）とからなる。
【００３９】
上記一般式（１−３）および（１−４）において、Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３は、それぞれ独立に芳香族基を表し、当該芳香族基は置換基を有していてもよい。かような置換基としては、炭素数１以上２０以下のアルキル基（例えば、メチル基、トリメチレン基、イソプロピル基、テトラメチレン基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、第３級アミル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基など）、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基など）、炭素数６以上２０以下のシクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロオクチル基など）、炭素数６以上２０以下のアリール基（例えば、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、第３級ブチルフェニル基、ナフチル基、トリル基など）、炭素数６以上２０以下のシクロアルコキシ基（例えば、シクロヘキシルオキシ基など）、および炭素数６以上２０以下のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基など）等が例示できる。
【００４０】
Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３としては、例えば、フェニレン基、ナフチレニル基、アントラセニレン基、フェナントレニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基、９，９−ジフェニルフルオレニレン基、９，９’−スピロビフルオレニレン基等の芳香族連結基を含む構造である。好ましい一実施形態では、Ｙ２１、Ｙ２２およびＹ２３が、それぞれ独立に下記一般式（３）で示される芳香族基である。これにより、ポリカーボネート単独での屈折率が向上し、一方複屈折が低下するため、レンズとして好ましく使用できるという利点がある。
【００４１】
【化６】
2018138624.tif 000007
【００４２】
上記一般式（３）において、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立に、炭素数１以上６以下のアルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、テトラメチレン基、メチルトリメチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等）、炭素数１以上６以下のアルキレンオキシ基（すなわち、−（ＣＨ２）１〜６−Ｏ−＊（＊はジフェニルフルオレン骨格との連結部を示す。）で表される基であり、より具体的には、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、トリメチレンオキシ基、イソプロピレンオキシ基、テトラメチレンオキシ基、メチルトリメチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基等）、炭素数３以上１２以下のシクロアルキレン基（例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等）、および炭素数６以上２０以下のアリーレン基（例えば、フェニレン基、ナフチレニル基等）からなる群から選択され；Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、炭素数６以上２０以下のシクロアルキル基、炭素数６以上２０以下のアリール基、炭素数６以上２０以下のシクロアルコキシ基、および炭素数６以上２０以下のアリールオキシ基からなる群から選択される基であり；ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上３以下の整数である。
【００４３】
好ましい一実施形態では、一般式（３）において、Ｌ１およびＬ２が、それぞれ独立に、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、トリメチレンオキシ基、およびイソプロピレンオキシ基からなる群から選択され；Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４が、それぞれ独立して水素原子、メチル基、トリメチレン基、イソプロピル基、テトラメチレン基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、およびシクロヘキシル基からなる群から選択される基であり；ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上２以下の整数である。
【００４４】
別の好ましい一実施形態では、一般式（３）において、Ｌ１およびＬ２が、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、トリメチレンオキシ基、およびイソプロピレンオキシ基からなる群から選択され；Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４が水素原子であり；ａおよびｂは、それぞれ独立して０または１である。
【００４５】
好ましい一実施形態では、組成物は、Ｘ１が一般式（１−１）で表され且つＹ１が上記一般式（１−３）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネート、および／またはＸ１が一般式（１−２）で表され且つＹ１が上記一般式（１−４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネートを含む。
【００４６】
成分（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば４，０００以上２００，０００以下であり、好ましくは６，０００以上１００，０００以下であり、より好ましくは１０，０００以上５０，０００以下である。上記数値範囲とすることにより、組成物の透過率（透明性）が特に優れたものとなり、また、組成物から得られた成形品の機械的強度が優れるという利点がある。なお、本明細書において、成分（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は、実施例に記載のゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した値である。
【００４７】
成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば１０，０００以上５００，０００以下であり、好ましくは１５，０００以上２００，０００以下であり、より好ましくは２０，０００以上１００，０００以下である。上記数値範囲とすることにより、組成物の透過率（透明性）が特に優れたものとなり、また、組成物から得られた成形品の機械的強度が優れるという利点がある。なお、本明細書において、成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、実施例に記載のゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した値である。
【００４８】
成分（Ａ）の屈折率は、例えば１．５以上２．０以下であり、アッベ数とのバランスを考慮すると、ポリカーボネートの屈折率は１．６以上１．８以下であることが好ましく、１．６を超えて１．７以下であることがより好ましい。成分（Ａ）の屈折率は、例えば合成の原料モノマーとして用いるテトラカルボン酸二無水物（例えば、ピロメリット酸無水物等）の配合割合や、一般式（３）におけるａやｂの値を制御することで調整することができ、より具体的には、合成の原料モノマーとして用いるテトラカルボン酸二無水物（例えば、ピロメリット酸無水物等）の配合割合を減少させたり、一般式（３）におけるａやｂの値を小さくしたりすることで、成分（Ａ）の屈折率を高くすることができる。なお、本明細書において、成分（Ａ）の屈折率は、実施例に記載の手法により測定された値である。
【００４９】
成分（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば１００℃を超えて２５０℃以下であり、射出成形時のハンドリングと組成物の耐熱性とを考慮すると、ポリカーボネートのＴｇは１１０℃以上１８０℃以下であることが好ましい。組成物から得られた成形品の機械的強度を考慮すると、ポリカーボネートのＴｇは１５５℃以上１８０℃以下であることがより好ましい。成分（Ａ）のＴｇは、例えば合成の原料モノマーとして用いるテトラカルボン酸二無水物（例えば、ピロメリット酸無水物等）の配合割合や、一般式（３）におけるａやｂの値を制御することで調整することができ、より具体的には、合成の原料モノマーとして用いるテトラカルボン酸二無水物（例えば、ピロメリット酸無水物等）の配合割合を増加させたり、一般式（３）におけるａやｂの値を小さくしたりすることで、成分（Ａ）のＴｇを高くすることができる。なお、本明細書において、成分（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、実施例に記載の示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定した値である。
【００５０】
成分（Ａ）の各繰り返し単位はいずれの形態であってもよく、例えば、ブロック状またはランダム状であり得る。
【００５１】
一般式（１−１）で表される繰り返し単位および一般式（１−３）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネートは、芳香族ジオール成分とカーボネート原料との反応物であるポリカーボネート前駆体と、テトラカルボン酸二無水物とを反応させることにより、製造することができる。
【００５２】
芳香族ジオール成分としては特に制限されないが、例えば下記一般式（３ａ）で示される芳香族ジオール成分（例えば、９，９−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス−４−ヒドロキシフェニルフルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等のフルオレン化合物）、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−エチリデンビスフェノール、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、４，４’−ジヒドロキシテトラフェニルメタン、４，４’−（α−メチルベンジリデン）ビスフェノール等が例示できる。芳香族ジオール成分は１種を単独で、または２種以上を混合して用いることができる。屈折率とガラス転移温度との観点から、好ましくは、下記一般式（３ａ）で示される芳香族ジオール成分が例示できる。
【００５３】
【化７】
2018138624.tif 000008
【００５４】
上記一般式（３ａ）において、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、ａ、およびｂは、上記一般式（３）と同様であり、一般式（３）についての記載が適宜適用される。
【００５５】
本発明の目的効果が阻害されない程度において、成分（Ａ）の合成には、芳香族ジオール成分以外の他のジオール成分を用いてもよい。他のジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール等の脂肪族ジオール；シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、デカリン−２，６−ジメタノール、ノルボルナンジメタノール、ペンタシクロペンタデカンジメタノール、シクロペンタン−１，３−ジメタノール、スピログリコール等の脂環式ジオールが例示できる。
【００５６】
カーボネート原料としては特に制限されないが、例えば、ジフェニルカーボネート、ジトルイルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ジナフチルカーボネートなどのジアリールカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのジアルキルカーボネート、ホスゲン、ブロムホスゲンなどのカルボニルハライド、２価フェノールのジハロホルメートなどのハロホルメートなどを用いることができる。カーボネート原料は１種を単独で、または２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５７】
ポリカーボネート前駆体の合成には界面重合法やエステル交換法等の従来公知の手法を採用することができ、例えば、必要に応じて重合触媒の存在下、上記の芳香族ジオール成分とカーボネート原料との重合反応によって得られる。反応温度は特に制限されないが、エステル交換法の場合、例えば１３０℃以上３５０℃以下であり、好ましくは１６０℃以上３００℃以下である。反応は窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、必要に応じて減圧下で行ってもよい。上記の重合触媒としては、酸化亜鉛、酢酸亜鉛等の亜鉛化合物、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン等のチタン化合物、酸化スズ、ジ−ｎ−ブチルスズラウレート、ジ−ｎ−ブチルスズオキサイド、ジブチルスズジアセテート等のスズ化合物、酸化ゲルマニウム等のゲルマニウム化合物などが挙げられる。こうして得られたポリカーボネート前駆体の少なくとも一部をテトラカルボン酸二無水物とのエステル化反応に供する。
【００５８】
上記で得られたポリカーボネート前駆体の水酸基と、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基とをエステル化することで、一般式（１−１）で表される繰り返し単位および一般式（１−３）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネートを得ることができる。エステル化反応においては、テトラカルボン酸二無水物とポリカーボネート前駆体との仕込み比率（モル比）を、０／１００を超えて１２／８８以下（テトラカルボン酸二無水物／ポリカーボネート前駆体）とする。これにより、（ｍ／ｎ）を０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２とすることができる。無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、好ましい別の実施形態では、エステル化反応の仕込み比率（モル比）は、０．５／９９．５以上１０／９０以下（テトラカルボン酸二無水物／ポリカーボネート前駆体）である。より好ましい別の実施形態では、エステル化反応の仕込み比率は、エステル化反応の仕込み比率（モル比）は、１／９９を超えて８／９２以下（テトラカルボン酸二無水物／ポリカーボネート前駆体）である。
【００５９】
テトラカルボン酸二無水物としては特に制限されないが、例えば下記式（１−１ｅ）で表されるテトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。テトラカルボン酸二無水物は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６０】
【化８】
2018138624.tif 000009
【００６１】
上記式（１−１ｅ）において、Ｘ３は炭素数１以上３０以下の脂肪族基、炭素数６以上３０以下の脂環式基、炭素数６以上３０以下の芳香族基および複素環基からなる群から選択される基であり、これらの基は、一般式（１−１）について説明した置換基を有していてもよい。Ｘ３は、置換基または非置換の、炭素数６以上３０以下の、脂環式基または芳香族基であることが好ましい。より好ましくは、Ｘ３は、
【００６２】
【化９】
2018138624.tif 000010
【００６３】
からなる群から選択される基である。
【００６４】
より具体的には、テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、などが挙げられる。
【００６５】
テトラカルボン酸成分二無水物とポリカーボネート前駆体とのエステル化反応は、７０℃以上１５０℃以下、好ましくは８０℃以上１３０℃以下で行う。反応時間は特に制限されないが、例えば１時間以上２０時間以下、好ましくは３時間以上１２時間以下である。反応溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ニトロベンゼン、シクロヘキサン、イソホロン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、クロロホルムおよび塩化メチレン等を挙げることができるが、これらに制限されない。エステル化反応触媒としては、アミン（例えば、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン等）、ピリジン（例えば、４−ジメチルアミノピリジン等）、四級アンモニウム塩、イミダゾール、アミド、ホスフィン（トリフェニルホスフィン等）、有機金属塩などが挙げられる。
【００６６】
一般式（１−２）で表される繰り返し単位および一般式（１−４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネートは、モノカルボン酸ジオール成分、芳香族ジオール成分、およびカーボネート原料を重合反応させることにより製造することができる。重合反応においては、モノカルボン酸ジオール成分と芳香族ジオール成分との仕込み比率（モル比）を、０／１００を超えて１２／８８以下（モノカルボン酸ジオール成分／芳香族ジオール成分）とする。これにより、（ｍ／ｎ）を０＜（ｍ／ｎ）≦０．１２とすることができる。無機微粒子の分散性および組成物としての耐熱性と、ポリカーボネートのゲル化進行抑制とのバランスの観点から、好ましい別の実施形態では、エステル化反応の仕込み比率（モル比）は、０．５／９９．５以上１０／９０以下（モノカルボン酸ジオール成分／芳香族ジオール成分）である。より好ましい別の実施形態では、エステル化反応の仕込み比率は、エステル化反応の仕込み比率（モル比）は、１／９９を超えて８／９２以下（モノカルボン酸ジオール成分／芳香族ジオール成分）である。
【００６７】
モノカルボン酸ジオール成分としては、例えば、２，２−ジメチロール酢酸、２，２−ジメチロール乳酸、２，２−ジメチロールプロピオン酸、２，２−ジメチロールブタン酸、２，２−ジメチロールヘプタン酸、２，２−ジメチロールノナン酸、２，２−ジメチロール酪酸、２，２−ジメチロール吉草酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２，４−ジヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸、３，４−ジヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸等のカルボキシル基を有するジオール成分が例示できる。モノカルボン酸ジオール成分は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６８】
一般式（１−２）で表される繰り返し単位および一般式（１−４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネートの合成に用いられる芳香族ジオール成分およびカーボネート原料は、上記ポリカーボネート前駆体で説明した内容と同様である。また、当該ポリカーボネートの重合反応についても、上記ポリカーボネート前駆体で説明した内容に準じて行うことができ、上記の重合方法に関する記載が適宜適用される。
【００６９】
上記によって得られたポリカーボネートは、再沈澱法、透析法、限外濾過法、抽出法など一般的な精製法により精製してもよい。
【００７０】
＜成分（Ｂ）＞
成分（Ｂ）である無機微粒子としては、金属酸化物、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物等が挙げられる。
【００７１】
金属酸化物としては、特に限定されず、例えば、酸化ジルコニウム、イットリア添加酸化ジルコニウム、ジルコン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸スズ、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化ニオブ、酸化タンタル、タンタル酸カリウム、酸化タングステン、酸化セリウム、酸化ランタン、酸化ガリウム等、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。
【００７２】
これらの中でも、有機無機複合組成物を光学用途に用いる場合には、無機微粒子は、屈折率が高いことが好ましく、屈折率が１．８以上の無機微粒子を用いることが好ましい。具体的には、無機微粒子は、酸化チタン、チタン酸バリウム（屈折率＝約２．４）、酸化ジルコニウム（屈折率＝約２．１）であることが好ましい。すなわち、本発明の好ましい一実施形態は、無機微粒子として、酸化ジルコニウム、酸化チタン、およびチタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも一種の粒子を含む。本発明のより好ましい一実施形態は、無機微粒子が、酸化ジルコニウム、酸化チタン、およびチタン酸バリウムからなる群から選択される。酸化チタンは、主にルチル型（屈折率＝約２．７）とアナターゼ型（屈折率＝約２．５）の２種類の結晶構造を有するが、アナターゼ型の酸化チタンは光触媒活性が高く、光学的な用途への使用にはあまり適さないためルチル型の酸化チタンであることが好ましい。また、酸化チタンの光触媒活性を低下させるために表面がシリカなどでコーティングされた酸化チタン粒子を用いてもよい。
【００７３】
無機微粒子は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７４】
上記無機微粒子の表面には、通常、水酸基、メルカプト基等の１６族元素を含む基が存在する。後述するように、本発明に係る組成物においては、これらの基と化学結合を形成することが可能な官能基（より具体的には、カルボキシル基、およびチオール基からなる群から選択される基）を有する表面修飾剤を含むため、無機微粒子の表面が表面修飾剤により修飾されて分散性が向上する。
【００７５】
無機微粒子のメジアン径は、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。無機微粒子のメジアン径が１５ｎｍ以下であることで、粒子径が小さいため得られる組成物の透明性が高まる。一方、無機微粒子のメジアン径は、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましい。無機微粒子のメジアン径が１ｎｍ以上であることで、結晶性が高まり、屈折率がバルクの状態に近くなる。なお、無機微粒子のメジアン径は、動的光散乱法による個数基準のメジアン径である。無機微粒子のメジアン径は、１ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００７６】
無機微粒子は、屈折率が高いほうが好ましく、具体的には屈折率が１．８以上であることが好ましく、１．９以上であることがより好ましく、２．０以上であることがさらに好ましい。このような無機微粒子を用いることにより、屈折率が高い樹脂組成物を得ることができる。また、無機微粒子の屈折率は高ければ高いほど好ましいが、通常３．０以下である。無機微粒子の屈折率の好ましい範囲は、アッベ数とのバランスを考慮すると、１．８以上３．０以下であり、より好ましくは１．９以上３．０以下である。
【００７７】
無機微粒子の屈折率は、例えば、濃度の異なる無機微粒子分散液の屈折率差を測定することにより、算出することができる。
【００７８】
無機微粒子は、特開２０１１−２１３５０５号公報、特開２０１２−１８０２４１号公報等に記載の公知の方法を用いて製造することができる。
【００７９】
また、無機微粒子は市販品を用いてもよく、この際、溶媒分散体であってもよい。かような市販品としては、ＳＺＲ−Ｗ、ＳＺＲ−ＣＷ、ＳＺＲ−Ｍ、ＳＺＲ−Ｋ（酸化ジルコニウム分散液、堺化学工業社製）；タイノック（登録商標）ＲＡ−６、ＮＲＡ−１０Ｍ（酸化チタン分散液、多木化学社製）などが挙げられる。
【００８０】
＜成分（Ｃ）＞
成分（Ｃ）である表面修飾剤（以下、単に「修飾剤」とも称する。）は、無機微粒子を表面修飾するために用いられる。本発明においては、表面修飾剤は、上記の一般式（２）で表される化合物が採用される。
【００８１】
表面修飾剤は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８２】
一般式（２）において、Ｒ２１はフェニル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基およびピリジル基からなる群から選択される。無機微粒子の分散性の観点から、好ましくは、Ｒ２１はフェニル基、チエニル基、およびフリル基からなる群から選択される。組成物から得られた成形品の機械的強度が優れるという観点から、Ｒ２１はチエニル基であることがより好ましい。
【００８３】
一般式（２）において、Ｒ２２は単結合、または炭素数１〜６のアルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピレン基、テトラメチレン基、メチルトリメチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基などの、直鎖または分岐鎖のアルキレン基）である。好ましくは、Ｒ２２は単結合、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、およびイソプロピレン基からなる群から選択される。
【００８４】
一般式（２）において、Ｒ２３はカルボキシル基、およびチオール基からなる群から選択される基である。金型成形性（特に、金型離型性）に優れるという観点から、Ｒ２３はカルボキシル基であることが好ましい。
【００８５】
一般式（２）において、Ｒ２４は水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数１以上６以下のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基など）、炭素数１以上６以下のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペントキシ基、ｎ−ヘキソキシ基、シクロヘキシルオキシ基など）、および炭素数６以上２４以下のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナントリル基など）からなる群から選択される基である。これらのうち、好ましくは、Ｒ２４は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基からなる群から選択される。
【００８６】
一実施形態では、一般式（２）において、Ｒ２１はフェニル基、チエニル基、およびフリル基からなる群から選択され；Ｒ２２は単結合、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、およびイソプロピレン基からなる群から選択され；Ｒ２３はカルボキシル基、およびチオール基からなる群から選択され；Ｒ２４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基、および炭素数６以上２４以下のアリール基からなる群から選択される。好ましい別の実施形態では、一般式（２）において、Ｒ２１はフェニル基、およびチエニル基、からなる群から選択され；Ｒ２２は単結合、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、およびイソプロピレン基からなる群から選択され；Ｒ２３はカルボキシル基であり；Ｒ２４は水素原子である。
【００８７】
本発明において好適な表面修飾剤としては、具体的には、２−チオフェンカルボン酸、３−チオフェンカルボン酸、２−フランカルボン酸、安息香酸、ビフェニル４−カルボン酸、４−メチル安息香酸、ピコリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、２−チオフェンチオール、２−チオフェンエタンチオール、ベンゼンチオール、ベンゼンメタンチオール、４−メチルベンゼンメタンチオール、フェニルエタンチオール、シクロヘキサンチオール、シクロヘキサンメタンチオール、２−ピリジンチオールなどが挙げられる。
【００８８】
中でも、透明性、屈折率および透過率のバランスに優れることから、表面修飾剤は、３−チオフェンカルボン酸、安息香酸、およびフェニルエタンチオールからなる群から選択される１種以上が好ましい。
【００８９】
表面修飾剤の無機微粒子への表面修飾方法は、特に限定されず、例えば、湿式法で修飾してもよいし、乾式法で修飾してもよい。無機微粒子をより効率よく修飾し、さらに、無機微粒子の二次凝集を防止する観点からは、湿式法を用いることが好ましい。無機微粒子を湿式法で修飾する場合には、例えば、無機微粒子の分散液に表面修飾剤を添加・撹拌することにより、無機微粒子の表面を修飾することができる。かような手法により調製した表面修飾剤と無機微粒子との混合物を、成分（Ａ）と混合することが好ましい。
【００９０】
無機微粒子の分散液に用いる溶媒は特に限定されないが、無機微粒子を良好に分散させる観点からは、水；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどのアルコール；およびこれらの混合物が好ましく用いられる。また、分散液の安定化のために、例えば、ギ酸、酢酸、塩酸、硝酸などの酸やアルカリなどの他の成分を分散液に添加してもよい。これらの成分は、成分（Ａ）と混合する前に、洗浄や乾燥によって除去してもよい。
【００９１】
表面修飾剤の添加量は表面修飾が適切に行われるように適宜設定されるが、表面修飾剤：無機微粒子＝１：１以上１００以下（重量比）であることが好ましく、１：２以上２０以下（重量比）であることがより好ましい。
【００９２】
無機微粒子を修飾剤で修飾させるための反応時間は、特に限定されず、通常、１時間以上４８時間以下、好ましくは、２時間以上２４時間以下である。実施例５時間また、反応温度も特に限定されず、通常、１０℃以上１００℃以下、好ましくは１０℃以上６０℃以下、より好ましくは１０℃以上４０℃以下である。
【００９３】
上記反応後、得られた分散液を濃縮してもよい。また、洗浄や濾過により、過剰な修飾剤や他の成分を除去してもよい。
【００９４】
＜組成物の調製方法＞
本発明に係る組成物は、成分（Ａ）、成分（Ｂ）、および成分（Ｃ）を同時に混合してもよいが、表面修飾剤により無機微粒子が効果的に修飾されるという観点から、上述のように成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との混合物を調製した後、当該混合物と成分（Ａ）とを合一することが好ましい。組成物の調製には、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの溶媒を用いてもよい。
【００９５】
組成物中における各成分の含有量は特に制限されないが、例えば、ポリカーボネートの含有量に対する、無機微粒子および表面処理剤の含有量が、重量比で１／９９以上９９／１以下（無機微粒子および表面処理剤の合計量／ポリカーボネート）である。組成物から得られた成形品の機械的強度が優れるという観点から、ポリカーボネートの含有量に対する、無機微粒子および表面処理剤の含有量が、重量比で５／９５以上８０／２０未満（無機微粒子および表面処理剤の合計量／ポリカーボネート）であることが好ましく、５／９５以上７０／３０以下（無機微粒子および表面処理剤の合計量／ポリカーボネート）であることがより好ましい。透過率の観点から、ポリカーボネートの含有量に対する、無機微粒子および表面処理剤の含有量は、重量比で１０／９０以上４５／５５以下（無機微粒子および表面処理剤の合計量／ポリカーボネート）であることがさらに好ましい。
【００９６】
一実施形態では、ポリカーボネートの含有量は、組成物全体に対して、１重量％以上９９重量％以下である。別の実施形態では、ポリカーボネートの含有量は、組成物全体に対して、２０重量％超９５重量％以下である。
【００９７】
一実施形態では、無機微粒子および表面処理剤の合計量は、組成物全体に対して、１重量％以上９９重量％以下である。別の実施形態では、無機微粒子および表面処理剤の合計量は、組成物全体に対して、５重量％以上８０重量％未満である。
【００９８】
本発明に係る組成物は、任意に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、耐光安定剤、熱安定化剤、可塑剤、着色剤、ブルーイング剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、可塑剤、耐衝撃改良剤、補強剤、分散剤、帯電防止剤、発泡剤、抗菌剤、その他の樹脂、エラストマー等の添加剤を含んでいてもよい。
【００９９】
＜成形品、光学部品＞
本発明の一実施形態は、上記の有機無機複合組成物を含む、成形品に関する。本発明の別の実施形態は、上記の有機無機複合組成物を含む、光学部品に関する。成形品の形状は、特に制限されず、例えば、レンズ状（球面レンズ、非球面レンズ、フレネルレンズ等）、フィルム状、シート状、板状、棒状、繊維状、プリズム状など任意の形態であってよい。成形品の製造に際しては、例えば、射出成形、圧縮成形、押出成形、トランスファー成形法、ブロー成形法、加圧成形法、塗布法（スピンコーティング法、ロールコーティング法、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、キャスティング成形法等）などの公知の成形方法を利用できるが、本発明に係る組成物は、射出成形に特に適している。成形前に、ヘンシェルミキサー、ニーダ、バンバリーミキサー、押出機などの混練機を用いて原料を混合してもよい。射出成形により成形を行う場合は、例えば、シリンダー温度が２６０〜３３０℃、金型温度が８０〜１４０℃である。
【０１００】
上記の光学部品は、ディスプレイ（例えば、スマートフォン用ディスプレイ、液晶ディスプレイおよびプラズマディスプレイ等）、撮影装置（例えば、カメラおよびビデオ等）、光ピックアップ、プロジェクタ、光ファイバー通信装置（例えば、光増幅器等）、自動車用ヘッドランプなどにおける、光を透過する光学部品（パッシブ光学部品）として好適に利用することができる。かようなパッシブ光学部品としては、例えば、レンズ、フィルム、光導波路、プリズム、プリズムシート、パネル、光ディスク、ＬＥＤの封止剤等を挙げることができる。かような光学部品は、必要に応じて、反射防止層、光線吸収層、ハードコート層、アンチグレア層等の各種の機能層を有していてもよい。
【実施例】
【０１０１】
以下、実施例により詳細に本発明を説明するが、これらは何ら本発明を限定するものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」はすべて「重量部」を意味する。
【０１０２】
＜評価方法＞
（数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ））
熱可塑性樹脂濃度が０．１重量％となるようにテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させ、孔径０．２μｍのポリ４フッ化エチレン製メンブレンフィルターでろ過したものを測定試料とした。数平均分子量および重量平均分子量の測定は、テトラヒドロフランを移動相とし、示差屈折計を検出器とするゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により行った。分子量の標準物質としては、単分散ポリスチレンを使用した。
【０１０３】
（ガラス転移点（Ｔｇ））
示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して１０分間保持したサンプルを、降温速度１０℃／分で２５℃まで冷却して１０分間保持した後、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して測定を行った。測定終了後は１０℃／分で室温（２５℃）まで冷却した。
【０１０４】
（屈折率の測定）
組成物の屈折率は以下の手法によって測定した。組成物にジクロロメタンを加え、固形分濃度を１０重量％にしたゾルをポリイミド基板にキャストした。その後、キャスト膜を乾燥させてフィルム（膜厚２００μｍ±１０μｍ）を作製した。得られたフィルムをアタゴ社製「ＤＭ−Ｍ４」でナトリウムＤ線（ｎＤ、波長：５８９ｎｍ）の屈折率を測定した。樹脂の屈折率についても、組成物の場合に準じて屈折率を測定した。
【０１０５】
（透過率、測定）
透過率（測定波長：３８０〜７８０ｎｍ）、は前記屈折率の測定と同様の手法で作製したフィルムを用いて、スガ試験機製Ｈａｚｅ  Ｍｅｔｅｒ  ＮＤＨ  ５０００Ｗを用いて測定した。
【０１０６】
（ＹＩの測定）
ＹＩ（ＡＳＴＭ  Ｅ３１３−７３／ＡＳＴＭ  Ｄ１９２５）は前期屈折率の測定と同様の手法で作製したフィルムを用いて、コニカミノルタ製分光測色計ＣＭ−３６１０Ａ（測定波長：３６０ｎｍ〜７４０ｎｍ）を用いて測定した。
【０１０７】
（碁盤目剥離試験）
組成物にジクロロメタンを添加して固形分濃度を５重量％に調整したゾルを、スピンコート（１，０００ｒｐｍ×３０秒）でＳＵＳ基板上に塗布した。次いで、塗膜をホットプレート上で３５℃×５分、次いで５０℃×１０分で乾燥させた後、乾燥塗膜を基板ごとオーブンに入れて１５０℃×３ｈｒで加熱した。その後、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６：１９９９に準拠し、温度２３℃×相対湿度５０％ＲＨの条件で試験を行った。１ｍｍ間隔で１０マス×１０マスの１００マスのクロスカットを形成し、セロハンテープ剥離後の残存する被膜の様子を目視で確認し、以下のように評価した。なお、剥離テープはニチバン株式会社製を用いた：
Ａ：残存するマスの数が１０以下である
Ｂ：残存するマスの数が１１以上２５以下である
Ｃ：残存するマスの数が２６以上５０以下である
Ｄ：残存するマスの数が５１以上である。
【０１０８】
残存するマスの数が２５以下（すなわち判定がＡまたはＢ）であれば実用上問題なく射出成形に使用できるが、製品歩留まりや金型の洗浄等を考慮すると１０以下（判定がＡ）であると好ましい。
【０１０９】
（耐熱性試験）
前記手法でＹＩ（初期ＹＩ）を測定したサンプルを２５０℃のオーブンに入れ、１５分加熱した後のＹＩ（加熱後ＹＩ）を再度測定し、以下の計算式（１）でＹＩ変化率を求めた。
【０１１０】
【数１】
2018138624.tif 000011
【０１１１】
耐熱性は、以下のように評価した：
Ａ：ＹＩ変化率が５０%未満
Ｂ：ＹＩ変化率５０％以上１００％未満
Ｃ：ＹＩ変化率が１００%以上
Ｄ：加熱時に膜が劣化し、加熱後ＹＩを測定できない。
【０１１２】
スマートフォンのカメラ等に使用されるレンズへ組成物を適用するためには高い耐熱性が必要であるため、加熱後ＹＩの変化率は５０%未満（すなわちＡ判定）であることが必要である。
【０１１３】
（強度試験）
組成物にジクロロメタンを加えて固形分濃度を１０重量％にしたゾルを、８０℃×５時間、次いで１５０℃×８時間乾燥させた後、ジェットミルで粉砕して組成物の粉末を得た。得られた２．５ｇの粉末を、縦３０ｍｍ、横３０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍに圧縮成形（圧力：１０ＭＡａＰａ）した。圧縮成形したサンプルをＳＵＳ基板上に配置し、サンプルに対して直径１０ｍｍの鉄球を高さ２００ｍｍから落下させた。サンプルを目視で確認し、以下のように強度を評価した：
Ａ：無傷
Ｂ：表面に傷が発生するが、ひび割れは無し
Ｃ：ひび割れがあり。
【０１１４】
表面に傷がつく程度（Ｂ判定）であれば実用上問題なく射出成形に使用できるが、射出成形時のエジェクタピンで傷がつく可能性を考慮すると、無傷（Ａ判定）であることが好ましい。
【０１１５】
＜各成分の合成＞
（合成例１  酸化ジルコニウム微粒子／３−チオフェンカルボン酸（表面処理剤）／ジクロロメタン分散液の調製）
攪拌機および温度計を装備したセパラブルフラスコに、酸化ジルコニウム／メタノール／酢酸分散液（堺化学工業株式会社製、ＳＺＲ−Ｍ、一次粒子の個数基準のメジアン径（直径）３ｎｍ、酸化ジルコニウムの屈折率：２．１、固形分（酸化ジルコニウムとして）２０重量％）１００．００部と、表面処理剤として３−チオフェンカルボン酸（以下、「ＴＡ」とも称する。）４．００部を加え、３５℃で５時間撹拌した。その後、分散液をエバポレーターで濃縮し、メタノールと酢酸とを留去して白色の粉末を得た。さらに、得られた粉末をヘキサンで洗浄し、ろ過することにより過剰の酢酸およびＴＡを除去した白色の粉末を得た。得られた粉末をジクロロメタンに分散させ、酸化ジルコニウム微粒子／３−チオフェンカルボン酸との合計量（固形分）が１０重量％であるジクロロメタン分散液を作製した。
【０１１６】
（合成例２  酸化ジルコニウム微粒子／安息香酸（表面処理剤）／ジクロロメタン分散液の調製）
合成例１において、表面処理剤を３−チオフェンカルボン酸から安息香酸に変更した以外は同様の手法で、酸化ジルコニウム微粒子と安息香酸とを含むジクロロメタン分散液を作製した。
【０１１７】
（合成例３  酸化ジルコニウム微粒子／フェニルエタンチオール（表面処理剤）／ジクロロメタン分散液の調製）
合成例１において、表面処理剤を３−チオフェンカルボン酸からフェニルエタンチオールに変更した以外は同様の手法で、酸化ジルコニウム微粒子とフェニルエタンチオールとを含むジクロロメタン分散液を作製した。
【０１１８】
（合成例４  酸化ジルコニウム微粒子／ジクロロメタン分散液の調製）
酸化ジルコニウム／メタノール／酢酸分散液（堺化学工業株式会社製、ＳＺＲ−Ｍ、酸化ジルコニウムの屈折率：２．１、固形分２０重量％）をエバポレーターで濃縮した後、ヘキサンで洗浄し、ろ過することにより白色の粉末（酸化ジルコニウム粉末）を得た。得られた粉末をジクロロメタンに分散させ、酸化ジルコニウム微粒子が１０重量％であるジクロロメタン分散液を作製した。
【０１１９】
【表１】
2018138624.tif 000012
【０１２０】
（合成例５  カルボキシル基含有ポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器に９，９−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）フルオレン（以下、「ＢＰＥＦ」とも称する。）２１．１７部（０．０４８ｍｏｌ）、９，９−ビス−４−ヒドロキシフェニルフルオレン（以下、「ＢＰＦ」とも称する。）７．２５部（０．０２１ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート１４．４９部（０．０６８ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．３×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、１時間反応を行い、ポリカーボネート前駆体を合成した。
【０１２１】
撹拌容器および温度計を装備した１０００ｍｌの４つ口フラスコに、得られたポリカーボネート前駆体全量をγ−ブチロラクトン３４５部に溶解させ、テトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸無水物０．３０部を加えた。ここに触媒として４−ジメチルアミノピリジン０．０１２部を添加し、窒素雰囲気下で、１００℃×６時間反応させた。その後室温まで冷却した。得られたポリマーを１Ｌのメタノールに滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過により触媒を除去した後、乾燥してペレット化したカルボキシル基含有ポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：１８，６００、重量平均分子量：３７，５００、Ｔｇ：１６２℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６５２であった。
【０１２２】
（合成例６  カルボキシル基含有ポリカーボネートの合成）
ポリカーボネート前駆体に対するピロメリット酸無水物の量を０．７５部とした以外は合成例５と同様の手法で、カルボキシル基含有ポリカーボネートを合成した。得られたポリカーボネートは数平均分子量：２１，４００、重量平均分子量：４３，０００、Ｔｇ：１６８℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６４８であった。
【０１２３】
（合成例７  カルボキシル基含有ポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＥＦ  ３０．０５部（０．０６９ｍｏｌ）、２，４−ジヒドロキシ安息香酸（以下、「ＤＨＢＡ」とも称する。）０．１１部（０．００１ｍｏｌ）部、ジフェニルカーボネート１４．８４部（０．０６９ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．５×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、３時間反応を行った。得られたポリマーを３００ｇのジクロロメタンに溶解させた後、１Ｌのメタノールに滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過によって触媒を除去した後、乾燥してペレット状のカルボキシル基含有ポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：２０，８００、重量平均分子量：３８，９００、Ｔｇ：１５３℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６３２であった。
【０１２４】
（合成例８  カルボキシル基含有ポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＥＦ  １６．２１部（０．０３７ｍｏｌ）、ＢＰＦ  １２．９５部（０．０３７ｍｏｌ）、ＤＨＢＡ  ０．３４部（０．００２ｍｏｌ）部、ジフェニルカーボネート１６．２８部（０．０７６ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．５×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、３時間反応を行った。得られたポリマーを３００ｇのジクロロメタンに溶解させた後、１Ｌのメタノールに滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過によって触媒を除去した後、乾燥してペレット状のカルボキシル基含有ポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：１８，２００、重量平均分子量：３７，４００、Ｔｇ：１７８℃、５８９ｎｍ屈折率（ｎＤ）：１．６５６であった。
【０１２５】
（合成例９  カルボキシル基含有ポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＦ  ２７．３７部（０．０７８ｍｏｌ）、ＤＨＢＡ  ０．３７部（０．００２ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート１７．２６部（０．０８１ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．５×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、３時間反応を行った。得られたポリマーを３００ｇのジクロロメタンに溶解させた後、１Ｌのメタノールに滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過によって触媒を除去した後、乾燥してペレット状のカルボキシル基含有ポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：９，２００、重量平均分子量：１９，３００、Ｔｇ：１８５℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６７２であった。
【０１２６】
（合成例１０  比較例）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＥＦ  ２８．０６部（０．０６４ｍｏｌ）、ＤＨＢＡ  １．３５部（０．００９ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート１５．５９部（０．０７３ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．５×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、３時間反応を行った。得られたポリカーボネートはゲル状の物質が大量に発生しており、ジクロロメタンに溶解せず、また均一なペレットが製造できなかった。
【０１２７】
（合成例１１  カルボキシル基を含有しないポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＥＦ  １５．６７部（０．０３６ｍｏｌ）、ＢＰＦ  １２．５２部（０．０３６ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート１５．３２部（０．０７２ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．５×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、３ｈｒ反応を行った。得られたポリマーを３００ｇのジクロロメタンに溶解させた後、１Ｌのメタノールに滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させたろ過によって触媒を除去した後、乾燥してペレット状のポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：１７，６００、重量平均分子量：３４，１００、Ｔｇ：１６２℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６５３であった。
【０１２８】
（合成例１２  カルボキシル基を含有しないポリカーボネートの合成）
攪拌機および流出装置付きの１００ｍｌの反応容器にＢＰＥＦ  ２１．１７部（０．０４８ｍｏｌ）、ＢＰＦ  ７．２５部（０．０２１ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート１４．４９部（０．０６８ｍｏｌ）、触媒として酸化亜鉛（和光純薬工業株式会社製、粒径：１μｍ以上）４．３×１０−３部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて１８０℃まで加温し、溶融状態になった時点で撹拌を開始した。２００℃まで昇温した後、減圧を開始し、反応容器内圧力を２０ｋＰａに調整し、さらに２４０℃まで加温した。次いで真空度を１ｋＰａまで上げて１時間反応させた。次いで２７０℃に昇温し、真空度を２００Ｐａまで上げ、１時間反応を行った。得られたポリマーを５００ｍｌのナス型フラスコ中でテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２７０部に完全に溶解させた。次にトリエチルアミン２．７ｍｌを加え、窒素雰囲気下で０℃まで冷却した。冷却後、塩化ホスホリル１．８ｍｌを３０分かけて滴下し、そのまま氷冷下１時間撹拌した後、室温に戻しさらに３時間撹拌した。その後純水１０ｍｌを加え、１Ｌのメタノール溶液に少量ずつ滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過によって触媒を除去した後、乾燥しペレット状のリン酸基含有ポリカーボネートを得た。得られたポリカーボネートは数平均分子量：１７，８００、重量平均分子量：３５，９００、Ｔｇ：１６２℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．６５０であった。
【０１２９】
（合成例１３  カルボキシル基含有ビニルポリマーの合成）
窒素導入管、攪拌機および冷却管付きの３００ｍｌの反応容器にスチレン８０．０９部（０．７６ｍｏｌ）、β−カルボキシエチルアクリレート２．７部（０．０１ｍｏｌ）、トルエン７０部を加え、撹拌しながら窒素置換を３０分行い、溶媒中の酸素を除去した。その後、撹拌したままアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．８０部を加え、窒素雰囲気下で３０分かけて７０℃まで加温し、そのまま８時間撹拌を行いポリマーを得た。得られたポリマーを２Ｌのメタノール溶液に少量ずつ滴下し、ポリマーの沈殿物を析出させた。ろ過によって触媒を除去した後、乾燥してペレット状のカルボキシル基含有ビニルポリマーを得た。得られたポリマーは数平均分子量：１５，４００、重量平均分子量：３５，６００、Ｔｇ：１００℃、屈折率（ｎＤ、５８９ｎｍ）：１．５７６であった。
【０１３０】
【表２】
2018138624.tif 000013
【０１３１】
＜実施例１＞
合成例５で得たカルボキシル基含有ポリカーボネート０．８５部をジクロロメタン７．６５部に溶解させ、そこに合成例１で製造した酸化ジルコニウム微粒子／３−チオフェンカルボン酸との合計量（固形分）が１０重量％であるジクロロメタン分散液を１．５０部加え、室温で１時間撹拌して有機無機複合組成物のゾルを得た。得られたゾルを用いて上記手法により各種の評価を行った。結果を下記表に示す。
【０１３２】
＜実施例２〜９、比較例１〜４＞
樹脂および無機微粒子含有分散液の配合を下記表のように変更した以外は実施例１と同様にして、有機無機複合組成物を得た。結果を下記表に示す。
【０１３３】
【表３】
2018138624.tif 000014
【０１３４】
上記のように、本発明に係る有機無機複合組成物は、屈折率が高く、光透過性に優れ、且つ耐熱性にも優れるため、スマートフォン用レンズ等の耐熱性が要求される用途に特に適している。また、本発明に係る有機無機複合組成物はＳＵＳ基板からの剥離性に優れ、含有するポリカーボネートのＴｇが高く、且つゲル化しにくい性質を有することから、射出成形に適している。さらに、本発明に係る有機無機複合組成物から得られた成形品は、機械的強度にも優れるという利点を有する。