(57)【要約】【課題】１つの画素内に配された複数の制御素子を、それぞれ識別するのに有利な技術を提供する。【解決手段】それぞれ基板の上に配された、光電変換素子と、光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、光電変換素子の上で第１の方向に延びる配線パターンと、を含む画素を含む撮像装置の製造方法であって、複数の制御素子は、基板に対する正射影おいて、光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第１および第２の制御素子を含み、配線パターンは、第１の制御素子および第２の制御素子をそれぞれ識別するために、配線パターンの一部から第１の方向と交差する方向に突出する識別部を含み、製造方法は、識別部を用いて複数の制御素子のうち加工が必要な制御素子を識別する識別工程と、識別工程によって特定された制御素子に対して加工を行う工程と、を含む。【選択図】図１
2018064071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ基板の上に配された、光電変換素子と、前記光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、前記光電変換素子の上で第１の方向に延びる配線パターンと、を含む画素を含む撮像装置の製造方法であって、
前記複数の制御素子は、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第１および第２の制御素子を含み、
前記配線パターンは、前記第１および第２の制御素子をそれぞれ識別するために、前記配線パターンの一部から前記第１の方向と交差する方向に突出する識別部を含み、
前記製造方法は、
前記識別部を用いて前記複数の制御素子のうち加工が必要な制御素子を識別する識別工程と、
前記識別工程によって特定された制御素子に対して前記加工を行う工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第１および第２の制御素子が、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央に対して点対称の位置に配されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンが、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央を通ることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記光電変換素子が、前記複数の制御素子を覆うように配されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記画素は、前記複数の制御素子のそれぞれと前記光電変換素子とを電気的に接続する複数のコンタクト部を更に含み、
前記複数のコンタクト部の上に、前記識別部が位置しないことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記複数のコンタクト部のうち前記第１および第２の制御素子に配されるコンタクト部のそれぞれが、前記基板に対する正射影において、前記光電変換素子の中央に対して点対称の位置に配されることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記基板に対する正射影において、前記複数のコンタクト部のそれぞれのコンタクト部と、当該コンタクト部の外縁と接し、前記第１の方向と直交する方向に延びる２つの接線と、前記配線パターンと、によって囲まれる領域に、前記識別部が位置しないことを特徴とする請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記加工を行う工程が、前記識別工程によって特定された制御素子に対してレーザ光を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記複数の制御素子のそれぞれがトランジスタを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記配線パターンが、前記光電変換素子にバイアスを供給するための配線パターンであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記画素において、前記識別部が、前記配線パターンの前記第１の方向の中心から離れた部分から突出することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
基板の上に配された複数の画素を含む撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、光電変換素子と、前記光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、前記光電変換素子の上で第１の方向に延びる配線パターンと、を含み、
前記複数の制御素子は、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第１および第２の制御素子を含み、
前記配線パターンは、前記第１および第２の制御素子をそれぞれ識別するために、前記配線パターンの一部から前記第１の方向と交差する方向に突出する識別部を含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】
基板の上に配された複数の画素と、前記複数の画素の上に配され、放射線を光に変換するシンチレータと、を含む放射線撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、光電変換素子と、前記光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、前記光電変換素子の上で第１の方向に延びる配線パターンと、を含み、
前記複数の制御素子は、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第１および第２の制御素子を含み、
前記配線パターンは、前記第１および第２の制御素子をそれぞれ識別するために、前記配線パターンの一部から前記第１の方向と交差する方向に突出する識別部を含むことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、撮像装置の製造方法、撮像装置、放射線検出装置および放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の上に、光や放射線を電気信号に変換する変換素子を用いた画素をアレイ状に配した撮像装置が実用化されている。特許文献１には、それぞれの画素に、変換素子で生じた信号を転送するための転送用素子と変換素子をリセットするためのリセット用素子とを配することによって、読出動作を高速化することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２１８３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
それぞれの画素に配されたすべての転送用素子やリセット用素子など、変換素子を制御するための制御素子の欠損を零にすることは難しい。製品の歩留まり向上のために、欠損を有する制御素子に対して欠損を無害化するための加工を行う場合がある。この加工を行う際、画素に含まれるそれぞれの制御素子を識別し、欠損を有する制御素子を特定する必要がある。特許文献１に示されるような画素の中央に対して対称性の高い位置にそれぞれの制御素子が配される画素では、基板が１８０度回転した場合でも類似する位置に制御素子が存在するため、画像識別などを用いてそれぞれの制御素子を識別できない可能性がある。
【０００５】
本発明は、１つの画素内に配された複数の制御素子を、それぞれ識別するのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る撮像装置の製造方法は、それぞれ基板の上に配された、光電変換素子と、光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、光電変換素子の上で第１の方向に延びる配線パターンと、を含む画素を含む撮像装置の製造方法であって、複数の制御素子は、基板に対する正射影おいて、光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第１および第２の制御素子を含み、配線パターンは、第１の制御素子および第２の制御素子をそれぞれ識別するために、配線パターンの一部から第１の方向と交差する方向に突出する識別部を含み、製造方法は、識別部を用いて複数の制御素子のうち加工が必要な制御素子を識別する識別工程と、識別工程によって特定された制御素子に対して加工を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記手段によって、１つの画素内に配された複数の制御素子を、それぞれ識別するのに有利な技術を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線撮像装置の画素の平面図および断面図。
【図２】図１の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
【００１０】
以下の実施形態では、撮像装置の一例として放射線撮像装置を扱う。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。本発明は放射線撮像装置だけでなく、他の撮像装置、例えばカメラにも適用されうる。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
【００１１】
図１（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置およびその製造方法について説明する。図１（ａ）は、本発明の実施形態における放射線撮像装置に配される１つの画素１００の平面図を示す。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示される画素１００の平面図のＡ−Ｂ間の断面図を示す。
【００１２】
本実施形態において、図１（ａ）に示すように１つの画素１００には、入射した光を電気信号に変換するための光電変換素子１０１と、光電変換素子１０１を制御するための複数の制御素子と、を含む。複数の制御素子は、具体的には、光電変換素子１０１で光から変換された電気信号の転送を制御するための転送用スイッチ素子１０２と、光電変換素子１０１のリセットを制御するためのリセット用スイッチ素子１０３と、を含む。それぞれのスイッチ素子には、例えばトランジスタが用いられる。転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３にトランジスタを用いる場合、トランジスタは、基板に形成された通常のトランジスタであってもよいし、基板の上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。それぞれの画素１００において、光電変換素子１０１に対して、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３の２つのスイッチ素子を設ける。これによって、複数の画素１００が配された放射線撮像装置において、特許文献１に示されるように読み取り速度を向上させることが可能となる。
【００１３】
本実施形態において、光電変換素子１０１は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３をそれぞれ覆うように配される。転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３の上に光電変換素子１０１を配する積層型を採用することによって、光電変換素子１０１の画素１００全体に対する開口面積を大きくし、感度を向上させることが可能となる。また、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３を確認しやすくするために、光電変換素子１０１がそれぞれの制御素子を覆わない構成であってもよい。
【００１４】
それぞれの画素１００は、バイアス配線１０４、ゲート配線１０５、１０７、信号配線１０６、および、リセット配線１０８を含む。バイアス配線１０４は、図１（ｂ）に示されるように、光電変換素子１０１の上に配される配線パターンで、バイアス電位を供給するための端子（不図示）に接続され、光電変換素子１０１にバイアスを印可する。ゲート配線１０５は、転送用スイッチ素子１０２に駆動信号を与える。信号配線１０６は、光電変換素子１０１で生成された信号を、転送用スイッチ素子１０２が駆動した際、信号を処理するための処理部（不図示）へ転送する。ゲート配線１０７は、リセット用スイッチ素子１０３に駆動信号を与える。リセット配線１０８はリセット電位を供給する端子（不図示）に接続され、リセット用スイッチ素子１０３が駆動した際、光電変換素子１０１がリセット電位にリセットされる。
【００１５】
次に、本実施形態における画素１００の断面構造について、図１（ｂ）を用いて説明する。本実施形態において、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３には、絶縁性の基板１１０の上に形成されたＴＦＴが用いられる。基板１１０は、例えばガラス基板やプラスチック基板であってもよいし、導電体基板や半導体基板の上に絶縁層を設けたものでもよい。また、本実施形態では絶縁性基板上にＴＦＴが形成される例を示すが、例えば半導体基板にトランジスタを形成し、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３として用いてもよい。
【００１６】
転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３は、導電層１１１、絶縁層１１２、半導体層１１３、不純物半導体層１１４、導電層１１５を含む。導電層１１１は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のゲート電極、ゲート配線１０５、１０７として用いられる。絶縁層１１２は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のゲート絶縁膜として用いられる。半導体層１１３は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のチャネルとして用いられる。不純物半導体層１１４は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のオーミックコンタクト層として用いられる。導電層１１５は、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のソース・ドレイン電極、信号配線１０６、リセット配線１０８として用いられる。導電層１１１、１１５には、アルミニウムやクロム、銅などの金属や透明導電体などの導電材料が用いられうる。絶縁層１１２には、酸化シリコンや窒化シリコンなどの半導体の酸化物や窒化物、酸化ハフニウムなどの金属の酸化物や窒化物などの絶縁材料が用いられうる。半導体層１１３には、シリコンやゲルマニウム、ヒ化ガリウム、酸化物半導体などの半導体材料が用いられうる。不純物半導体層１１４には、ボロンやリン、ヒ素などの不純物を含む半導体層１１３と同様の半導体材料が用いられうる。また、以下で説明する絶縁層や半導体層、導電層においても、上述と同様の材料が用いられてもよい。
【００１７】
転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３の上には、層間絶縁層１１６が配される。また、層間絶縁層１１６には、上述の無機の材料だけでなく、有機材料が用いられてもよい。
【００１８】
層間絶縁層１１６の上には、光電変換素子１０１が配される。本実施形態において、光電変換素子１０１にはＭＩＳ型光電変換素子が用いられる。光電変換素子１０１を構成するＭＩＳ型光電変換素子は、導電層１１７、絶縁層１１８、半導体層（光電変換層）１１９、不純物半導体層１２０、導電層１２１を含む。導電層１１７はＭＩＳ型光電変換素子の基板側電極として用いられる。絶縁層１１８は、ＭＩＳ型光電変換素子の絶縁層として用いられる。半導体層１１９はＭＩＳ型光電変換素子の光電変換層として用いられる。不純物半導体層１２０は、ＭＩＳ型光電変換素子のホールブロッキング効果を有するオーミックコンタクト層として用いられる。導電層１２１は、ＭＩＳ型光電変換素子の上部電極として用いられ、上述のバイアス配線１０４として機能する。本実施形態では、光電変換素子１０１にＭＩＳ型光電変換素子を用いるが、ＰＮ型やＰＩＮ型の光電変換素子を用いてもよい。
【００１９】
光電変換素子１０１の上には、絶縁層（保護層）１２２、パッシベーション層１２３、結合層１２４、シンチレータ１２５が、それぞれ形成される。結合層１２４は、パッシベーション層１２３とシンチレータ１２５とを結合し、例えば接着剤などが用いられる。シンチレータ１２５は、放射線を光電変換素子１０１で検出可能な光に変換し、酸硫化ガドリニウム（ＧＯＳ）やタリウム活性化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ（Ｔｌ））などが用いられうる。本実施形態において、シンチレータ１２５によって放射線から変換された光を光電変換素子１０１で電気信号に変換する放射線撮像装置を例として示すが、これに限られることはない。シンチレータ１２５および光電変換素子１０１を用いずに、直接、放射線を電気信号に変換する変換素子が用いられてもよい。シンチレータ１２５の上には、保護層（不図示）などが更に配されうる。
【００２０】
光電変換素子１０１の基板側電極である導電層１１７と転送用スイッチ素子１０２のソース・ドレイン電極である導電層１１５とは、層間絶縁層１１６に開口したコンタクトホール１０９を介してコンタクト部１９９で電気的に互いに接続される。同様に、光電変換素子１０１の基板側電極である導電層１１７とリセット用スイッチ素子１０３のソース・ドレイン電極である導電層１１５とは、層間絶縁層１１６に開口したコンタクトホール１０９を介してコンタクト部１９９で電気的に互いに接続される。コンタクト部１９９は、導電層１１５と導電層１１７とが互いに接している部分のことをいう。
【００２１】
本実施形態において、光電変換素子１０１の上に配された配線パターンであるバイアス配線１０４には、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３のそれぞれを識別するための識別部１５１が設けられる。識別部１５１は、図１（ａ）に示すように、バイアス配線１０４の一部から、バイアス配線１０４の延びる方向１７１と交差する方向に突出する。本実施形態において、識別部１５１は、方向１７１と直交する方向１７２にバイアス配線１０４から突出する。
【００２２】
放射線撮像装置において、撮像領域には多数の画素が配され、配されたすべての転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３などの制御素子の欠損を零にすることは難しい。製品の歩留まり向上のために、それぞれの画素１００を形成した後、欠損を有する制御素子に対して欠損を修復し、無害化するための加工を行う場合がある。ここで、無害化とは、欠損を有する転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３などの制御素子の一部または全部に対して、例えばレーザ光を照射し焼き切るなどの加工を行うことによって、無害な状態にすることでありうる。また例えば、断線状態の配線を接続する加工を行うことによって、無害な状態にすることであってもよい。断線状態の配線を接続する加工は、例えばレーザ光の照射を用いてもよいし、導電材料を塗布し固化することによって行ってもよい。
【００２３】
この加工を行う際に、画素１００に含まれる制御素子のそれぞれを識別し、欠損を有する制御素子を特定するために、画像認識などが用いられる。本実施形態において、図１（ａ）に示すように、制御素子である転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３は、基板１１０に対する正射影おいて、光電変換素子１０１の中央を通る仮想線１５０を挟みその両側に配される。このように、制御素子が、光電変換素子１０１の中央を通る仮想線に対して一方および他方の側にそれぞれ配された場合、画素１００の対称性が高く、画素１００が回転した場合も同様の位置に制御素子が配されうる。ここで、仮想線１５０は、方向１７１と平行な仮想線１５０ａであってもよいし、方向１７２と平行な仮想線１５０ｂであってもよいし、更に方向１７１、１７２と平行でなくてもよい。
【００２４】
更に、図１（ａ）に示されるように、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３は、光電変換素子１０１の中央に対して点対称の位置に配される場合がある。この場合、例えば画素１００が図１（ａ）の状態から１８０度回転していた場合であっても、同様の位置に制御素子が配される。また、本実施形態において、バイアス配線１０４も、光電変換素子１０１の中央を通り、基板１１０に対する正射影おいて、光電変換素子１０１の中央に対して点対称の関係となる。このため、画像認識を用いて転送用スイッチ素子１０２またはリセット用スイッチ素子１０３の何れか一方を識別する際、それぞれの制御素子を特定することが難しく、判断を誤る可能性がある。判断を誤った場合、欠損を有する制御素子に対して欠損を修復する加工を行わないだけでなく、正常な制御素子に対して加工を行ってしまい、製品の歩留まりを低下させる要因となりうる。
【００２５】
そこで、本実施形態において、識別部１５１を配することによって、画素１００内に複数の制御素子が配された場合であっても、画像認識を用いてそれぞれの制御素子を識別し、特定することが可能となる。図１（ａ）に示す構成の場合、制御素子である転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３は、光電変換素子１０１に覆われているため、例えば、画素１００の中で高低差が大きい、それぞれのコンタクト部１９９を識別に用いてもよい。まず、光電変換素子１０１の中央に対して点対称の位置に配された制御素子のそれぞれのコンタクト部１９９、および、識別部１５１を含むバイアス配線１０４の位置関係がそれぞれ識別される。次いで、識別されたコンタクト部１９９を含む２つの制御素子のうち識別部１５１が配される側の制御素子が、転送用スイッチ素子１０２であると特定される。
【００２６】
例えば、放射線撮像装置を製造する製造工程のうち画素１００の形成後の検査工程において、制御素子の欠損が発見された場合、識別部１５１を用いて修復が必要な制御素子を識別し特定することができる。この検査工程に、カメラ、画像処理を行う回路やソフトウエアなどを有し、パターンの形を自動認識し位置決めするレーザリペア装置を用いた場合、この識別部１５１を認識させることによって、修復する制御素子に対する位置決めを行う識別工程の自動化が図れる。レーザリペア装置は、次いで、この識別工程で特定された欠損を有する制御素子に対して、欠損を修復する加工の工程を行いうる。識別工程を自動化できることによって、放射線撮像装置の製造を省力化することができる。
【００２７】
ここで、上述の光電変換素子１０１の中央とは、基板１１０に対する正射影おいて、例えば、光電変換素子１０１の幾何学的重心の位置であってもよい。また例えば、光電変換素子１０１が矩形である場合、対角線の交点であってもよい。また例えば、上述の幾何学的重心または交点を中心として、光電変換素子１０１の面積の１０％の範囲内に入る位置であってもよい。
【００２８】
識別部１５１は、バイアス配線１０４を形成するために成膜された金属などの導電材料層からバイアス配線１０４を、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程などを用いて形成する際に同時に形成されうる。このとき識別部１５１は、バイアス配線１０４から突出するように形成され、識別部１５１とバイアス配線１０４とは互いに接続される。
【００２９】
識別部として、例えば、光電変換素子１０１の制御素子を覆う部分の上に、孤立パターンを設けることもできる。識別部が光電変換素子１０１の上に配される場合、識別部は、入射する光を遮らないように、より小さく形成されうる。小さな孤立パターンは、識別部を形成後の放射線撮像装置の製造工程において、大きなパターンと比較して剥がれやすい。識別部を形成後の工程で識別部が剥がれてしまった場合、識別部として機能しないだけでなく、製造中の異物となり放射線撮像装置の製造歩留まりを低下させてしまう可能性がある。一方、本実施形態において、識別部１５１は、バイアス配線１０４から突出するように形成されるため、識別部１５１の形成後に剥がれてしまう可能性が抑制される。
【００３０】
また、図１（ａ）に示すように、コンタクト部１９９の上に、識別部１５１が位置しないとよい。コンタクト部１９９の上の部分において、光電変換素子１０１の不純物半導体層１２０の表面に段差ができる可能性がある。段差が生じた部分に識別部１５１が配された場合、識別部１５１の形状が不安定になってしまう可能性がある。識別部１５１の形状が安定しない場合、上述の識別工程で制御素子を正しく識別できなくなる可能性がある。また、コンタクト部１９９と、コンタクト部１９９の外縁と接する方向１７１と直交する２つの接線１６１と、バイアス配線１０４と、によって囲まれる領域に、識別部１５１が位置しなくてもよい。図１（ｂ）に示すように、コンタクト部１９９の周囲にはコンタクトホール１０９のテーパー形状が形成される可能性があり、光電変換素子１０１の不純物半導体層１２０の表面に段差が生じる可能性があるためである。このように、識別部１５１をコンタクト部１９９の上部から離して配することによって、識別部１５１の形状が安定し、識別部１５１を用いてそれぞれの制御素子を識別する際の判定エラーが抑制されうる。
【００３１】
また、識別部１５１が、図１（ａ）に示すように、それぞれの画素１００において、バイアス配線１０４の方向１７１の中心から離れた部分から突出してもよい。識別部１５１が画素１００の中心から離れた位置から突出することによって、画素１００の対称性がより崩れ、それぞれの制御素子を判別しやすくなる。また例えば、画素１００において、更に、転送用スイッチ素子１０２およびリセット用スイッチ素子１０３と仮想線１５０ａに対して線対称の位置に制御素子が配された場合であっても、それぞれの制御素子を特定することが容易となる。
【００３２】
本実施形態において、識別部１５１は、図１（ａ）に示すようにバイアス配線１０４から直交する方向１７２に矩形状に突出しているが、識別部１５１の形状は、これに限られることはない。識別部１５１は、バイアス配線１０４と交差する方向に斜めに突出していてもよいし、三角形や五角形以上の多角形、半円形、楕円形など任意の形状であってよい。また、識別部１５１が、矩形など角を有する形状の場合、角が面取りされていてもよい。識別部１５１の角を面取りすることによって、識別部１５１が剥がれることをより抑制することが可能となる。
【００３３】
以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【００３４】
以下、図２を参照しながら本発明の画素１００を用いた放射線撮像装置６０４０が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線に患者又は被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置６０４０において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータ１２５が発光し、これが光電変換素子で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【符号の説明】
【００３５】
１００：画素、１０１：光電変換素子、１０４：配線パターン、１１０：基板、１５０ａ，１５０ｂ：仮想線、１５１：識別部
【図１】
2018064071.tif 000003
【図２】
2018064071.tif 000004