(57)【要約】      （修正有）【課題】ＦｅＰｔの粒子成長に大きく寄与し、高容量化を促進することが期待されているＦｅＰｔ層の下地層としてのＭｇＯ−Ｃ層を、ＤＣスパッタリングで形成可能なＭｇＯ−Ｃスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】ＭｇＯ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｃ量が２０〜８５ｍｏｌ％で、相対密度が６５％以上で、比抵抗が１．１Ω・ｃｍ以下である、スパッタリングターゲット。粒径５μｍ以上のＣ粒子が１ｍｍ２当たり、０〜１００００個であることが好ましい、スパッタリングターゲット。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分からなり、
ＭｇＯ；
Ｃ；及び
不可避的不純物；、
比抵抗が１．１Ω・ｃｍ以下である、
スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｃ量が２０以上８５ｍｏｌ％以下であるスパッタリングターゲット。
【請求項３】
相対密度が６５％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
粒径５μｍ以上のＣ粒子が、１ｍｍ2あたり０から１００００個であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１〜４のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
以下の粉末を混合する工程と、
ＭｇＯ；並びに
粒径５μｍ以上のＣ粉末及び／又は粒径０．１μｍ以下のＣ粉末；
混合物を成形及び焼結する工程と
を含む、該方法。
【請求項６】
磁気媒体の製造方法であって、請求項１〜４のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行う工程を含む、該方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲットに関する。より具体的には、ＭｇＯ含有スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ハードディスクドライブ等の磁気記録は高容量化が進んでいる。これを実現すべく、Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。この技術においては、ＦｅＰｔ層を含む磁気記録層と基板との間に下地層を設け、この下地層が、ＦｅＰｔ層の配向の促進及び保磁に寄与する。
【０００３】
そしてＦｅＰｔ層を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅＰｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。ＦｅＰｔ薄膜に磁気異方性を付与するためには、結晶方向を制御することが必要とされるが、これは単結晶基板を選択することで容易に可能となる。磁化容易軸を垂直に配向させるには、ＦｅＰｔ層の下地層として酸化マグネシウム膜が適していることが報告されている。
【０００４】
国際公開２０１３／０９９８３２号明細書においては、高純度化及び密度化の期待の要求にこたえるべく、原料粉の選択、焼結条件を最適に設定することを提案している。
【０００５】
また、Ｖａｒａｐｒａｓａｄらは、ＭｇＯ層とＦｅＰｔＣ層との間に、ＭｇＯ−Ｃ層を設けることを提案している。そして、ＭｇＯ−Ｃ層の状態によって、ＭｇＯ粒子とＦｅＰｔ粒子の１対１の成長を可能にすることが記載されている。また、ＭｇＯ−Ｃ層の炭素濃度を制御することで、ＦｅＰｔ粒子のサイズを制御できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２０１３／０９９８３２号
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｂ．Ｓ．Ｄ．Ｃｈ．Ｓ．Ｖａｒａｐｒａｓａｄ  ｅｔ  ａｌ．  ＡＩＰ  ＡＤＶＡＮＣＥＳ  ７，０５６５０３（２０１７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、ＭｇＯ−Ｃ層は、ＦｅＰｔの粒子成長に大きく寄与し、高容量化を促進することが期待されている。ＭｇＯ−Ｃ層を形成するための技術としてスパッタリングが挙げられる。
【０００９】
スパッタリングには、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング等が挙げられる。この中で効率の良い手法はＤＣスパッタリングである。しかし、ターゲット材が絶縁性である場合、又は抵抗が大きい場合には、ＤＣスパッタリングを適用することが困難である。特にＭｇＯ自体は絶縁性であるため、そのままではＤＣスパッタリングが困難である。実際、非特許文献１（Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ欄）においては、共スパッタリングをおこなっており、ＭｇＯをＲＦスパッタ、ＣをＤＣスパッタリングしている。
【００１０】
本発明は、以上の事情に鑑み、ＤＣスパッタリングすることが可能なＭｇＯ−Ｃ含有スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者が鋭意研究した結果、特定の炭素粉末を適切に配合することで、比抵抗が低くなり、ＤＣスパッタリングが可能になることを見出した。こうした知見により、本発明は以下のように特定される。
【００１２】
（発明１）
以下の成分からなり、
ＭｇＯ；
Ｃ；及び
不可避的不純物；、
比抵抗が１．１Ω・ｃｍ以下である、
スパッタリングターゲット。
（発明２）
Ｃ量が２０以上８５ｍｏｌ％以下であるスパッタリングターゲット。
（発明３）
相対密度が６５％以上であることを特徴とする発明１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
（発明４）
粒径５μｍ以上のＣ粒子が、１ｍｍ2あたり０から１００００個であることを特徴とする発明１〜３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
（発明５）
発明１〜４のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
以下の粉末を混合する工程と、
ＭｇＯ；並びに
粒径５μｍ以上のＣ粉末及び／又は粒径０．１μｍ以下のＣ粉末；
混合物を成形及び焼結する工程と
を含む、該方法。
（発明６）
磁気媒体の製造方法であって、発明１〜４のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行う工程を含む、該方法。
【発明の効果】
【００１３】
一側面において、本発明のターゲット材は、比抵抗が低く、これによりＤＣスパッタリングが可能となる。また、一側面において、特定のサイズの炭素を含めることで更に比抵抗が低くなり、一層効率的なＤＣスパッタリングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】Ｃ粒子の計測方法を説明するための電子顕微鏡写真及びＥＤＳ分析によるＣの面分析像を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための具体的な実施形態について説明する。以下の説明は、本発明の理解を促進するためのものである。即ち、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【００１６】
１．  ターゲット材の特性及び組成
（１）組成
本発明の一実施形態において、ターゲット材は、ＭｇＯ、Ｃ及び不可避的不純物からなる。
【００１７】
本発明の一実施形態において、ＭｇＯの含有量は、１５〜８０ｍｏｌ％、好ましくは、より好ましくは６０ｍｏｌ％以下、更に好ましくは４０ｍｏｌ％以下であってもよい。８０ｍｏｌ％超になると比抵抗が高くなりＤＣスパッタリングが困難になる。１５ｍｏｌ％未満だと、ＦｅＰｔ層とＭｇＯ層との中間層としての機能が低下し好ましくない。
【００１８】
本発明の一実施形態において、Ｃの合計含有量は、２０〜８５ｍｏｌ％、より好ましくは４０ｍｏｌ％以上、更に好ましくは６０ｍｏｌ％以上であってもよい。８５ｍｏｌ％超になると、相対的にＭｇＯの含有量が低くなり、ＦｅＰｔ層とＭｇＯ層との中間層としての機能が低下し好ましくない。２０ｍｏｌ％未満だと、ＦｅＰｔ層の粒子の制御が困難となる。
【００１９】
本発明の一実施形態において、上記以外の成分として、以下の元素を含んでもよい： Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｃｄ及びこれらの組合せ。これらの元素は、本発明の目的を損なわない範囲で含むことができる。あるいは、本発明の一実施形態において、これらの元素は不可避的不純物として含まれてもよい。不可避的不純物としての含有量は、１０００質量ｐｐｍ以下、好ましくは５００質量ｐｐｍ以下（全ての不可避的不純物元素の合計量）である。下限値については特に規定されず、０質量ｐｐｍ以上であってもよい。
【００２０】
ターゲット材の元素分析は、当分野で公知の手法で行うことができる。例えば、以下の手法で行うことができる。例えば、ターゲット材自身、又は焼結体の端材（ターゲット形状に加工する際に余った切れ端）を試料として利用することができる。まず、なるべくターゲット中心に近い箇所から採取した５ｇ程度の試料を粉末化する。Ｏ及びＣについては粉末を加熱しガス化した後に赤外吸光法（ＬＥＣＯ社製、Ｏについては、ＴＣ６００、Ｃについては、ＣＳＬＳ６００）を用いて測定を行う。Ｍｇなどの金属元素については粉末を酸などで溶解し、ＩＣＰ発光分光分析装置（日立ハイテクサイエンス社製のＳＰＳ３１００ＨＶ）を用いて分析をする。そして、Ｍｇの量を測定することで、ＭｇＯの量を算出することができる。
【００２１】
（２）比抵抗
一実施形態において、本発明のターゲット材は、比抵抗が、１．１Ω・ｃｍ以下、好ましくは０．２Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは、０．０３Ω・ｃｍ以下である。上記比抵抗であることにより、ＤＣスパッタリングが可能となる。そして、ＤＣスパッタリングが可能であることにより効率よく薄膜を生成することができる。下限値について特に規定されないが、典型的には０．００１ｍΩ・ｃｍ以上である。本発明における比抵抗は、薄膜の場合も含めて、四探針法により測定した値とする。
【００２２】
（３）相対密度
一実施形態において、本発明のターゲット材は、相対密度が６５％以上、好ましくは、８５％以上、更に好ましくは、９０％以上である。これにより、スパッタ時のアーキングの発生が抑制される。相対密度が高いと、アーキングの発生が更に抑制される。上限値については、特に規定されないが、典型的には、１００％以下、又は９９％以下であってもよい。なお、本明細書で言及する相対密度は、実測密度と理論密度との比を指す。実測密度については、純水を溶媒として用いたアルキメデス法にて測定を行った値を指す。理論密度は、下記の通り、原料の単体密度それぞれに混合質量比を掛け、得られた値の総和とする。
理論密度＝Σ｛（成分ｎの理論密度×混合質量比）｝
【００２３】
（４）粒子の個数
一実施形態において、本発明のターゲット材は、直径５μｍ以上の粗大なＣ粒子の１平方ｍｍあたりの個数が、０から１００００個である。より好ましくは５００〜７９００個である。
【００２４】
なお、上記Ｃ粒子の個数は、以下のように測定した値をさす：即ち、ターゲット材の一部又は焼結材の端材を試料として採取し、平坦な鏡面が得られるまで研磨する。そして、研磨した面をＳＥＭで観察したときの二次電子像やＥＤＳによる面分析画像（図１）の視野内において、粒子断面の面積を円に換算した時の直径を粒径とし、視野内で観察された５μｍ以上の粗大なＣ粒子の数を数える。次に、二次電子像やＥＤＳによる面分析画像のスケールに基づき視野の面積を算出し、１ｍｍ2当たりのＣの個数に換算する。
【００２５】
２．  ターゲット材の製造方法
（１）原料
一実施形態において、本発明のターゲット材は、原料として、ＭｇＯ、及びＣ粉末を使用することができる。
【００２６】
ＭｇＯについては、特に限定されず、一般的に入手可能な粉末を利用することができる。含有量については、上述した組成になるようＭｇＯの量を調整すればよい。また、ＭｇＯについては、粉末の粒径は特に限定されないが、典型的には、１〜５μｍの範囲の物を使用することができる。
【００２７】
Ｃ粉末については、粗大Ｃ粉末及び／又は微細Ｃ粉末を用いることができる。なお、本明細書で述べる粗大Ｃ粉末は、粒径５μｍ以上の粗大なＣ粒子を指す。粗大Ｃ粉末の粒径の上限値については特に規定されないが、典型的には、３０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下である。
【００２８】
また、本明細書で述べる微細Ｃ粉末は、粒径０．１μｍ以下の微細なＣ粒子を指す。微細Ｃ粉末の粒径の下限値については、特に限定されないが、典型的には、０．０１μｍ以上、より好ましくは、０．０５μｍ以上である。この微細Ｃ粉末を添加することで、ターゲット材の比抵抗を下げることができる。
【００２９】
なお、本明細書で述べるＭｇＯ粉末及びＣ粉末の粒径は、レーザー回折法（ＨＯＲＩＢＡ社製ＬＡ−９２０）によって測定されたメジアン径をさす。
【００３０】
粗大Ｃ粉末の量は、特に限定されないが、好ましくは、０ｍｏｌ％〜８５ｍｏｌ％、より好ましくは、４０ｍｏｌ％以上である。粗大Ｃ粉末の量が０ｍｏｌ％である場合には、後述する微細Ｃ粉末を添加することが好ましい。
【００３１】
微細Ｃ粉末の量は、特に限定されないが、好ましくは、０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％、より好ましくは、４０ｍｏｌ％以上である。微細Ｃ粉末の量が０ｍｏｌ％である場合には、上述する粗大Ｃ粉末を添加することが好ましい。
【００３２】
（２）製造工程
ＭｇＯ粉末及び所定のサイズのＣ粉末を混合する。原料粉末の混合処理は、特に限定されないが、典型的には乳鉢で混合することができる。この方法だと、Ｃ粉末の粒径サイズに大きく影響を与えることなく混合することができる。
【００３３】
次に、混合粉末を金型に充填し、面圧４００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2、１〜３分保持の条件で一軸プレスして、成型体を得る。面圧４００ｋｇｆ／ｃｍ2未満であると十分な密度の成形体を得ることができない。また、過度な面圧を加えても成形体の密度はある一定の値以上は向上しにくくなること、及び一軸プレスでは原理的に成形体内に密度分布が生じやすく、焼結時の変形や割れの原因となることから、１０００ｋｇｆ／ｃｍ2超の面圧は生産上特に必要とされない。
【００３４】
次に、成形体を温度１３００〜１５００℃、保持時間５〜２４時間、大気雰囲気又は酸素雰囲気で焼結を行い、焼結体を得ることができる。また成形・焼結工程においては、上述した方法以外にも、ＨＰ（ホットプレス）やＨＩＰ（熱間等方圧加圧法）を用いることができる。ホットプレスの条件は特に限定されないが、温度１３００〜１５００℃、圧力を、２００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2の条件で行うことができる。
【００３５】
以上のようにして得られた焼結体は、研削、研磨などの機械加工によりターゲットの形状に加工することができる。
【００３６】
更には、ボンディング剤によりバッキングプレートと焼結体を結合させることで、スパッタリングターゲットを作成することができる。
【００３７】
３．  ターゲット材の使用
上記方法で得られたターゲット材は、比抵抗が充分に低い。従って、生産性の高いＤＣスパッタリングなどで利用することができる。
【００３８】
また、一実施形態において、本発明は、上記ターゲット材を用いた、磁気媒体の製造方法を含む。例えば、前記製造方法は、基板（例：シリコン／ガラス基板）の上にＭｇＯを含む層（典型的にはＭｇＯから成る層）を形成する工程を含む。層を形成する際には、当分野で公知の技術を利用することができ、例えば、スパッタリングなどが挙げられる。
【００３９】
更に前記製造方法は、本発明のターゲット材を用いてＤＣスパッタリングを行う工程を含むことができる。これにより、上述したＭｇＯを含む層の上に、ＭｇＯ−Ｃ層を形成することができる。スパッタリングの条件は特に限定されないが、スパッタパワー：０．５ｋＷ、Ａｒガス圧：５Ｐａで行うことができる。
【００４０】
更に前記製造方法は、Ｆｅ及びＰｔを含む層（典型的にはＦｅ−Ｐｔ−Ｃ層）を形成する工程を含むことができる。層を形成する際には、当分野で公知の技術を利用することができ、例えば、スパッタリングなどが挙げられる。
【００４１】
以上の方法で、基板と、磁気記録層Ｆｅ及びＰｔを含む層（典型的にはＦｅ−Ｐｔ−Ｃ層）と、下地層（ＭｇＯを含む層（典型的にはＭｇＯから成る層））と、中間層（本発明のスパッタリングターゲットの組成と同じ組成を有するＭｇＯ−Ｃ層）を含む磁気媒体が製造される。
【実施例】
【００４２】
表１に記載の条件に従って、ＭｇＯ原料粉と、粒径５〜２０μｍのＣ粉末（粗粒Ｃ）と、粒径０．１μｍのＣ粉末（微細粒Ｃ）とを乳鉢で混合した。得られた造粒粉を金型プレスで成形することにより、スパッタリングターゲットの成形体を得た。該成形体を、ホットプレス焼結（１３００〜１４００℃、３３０ｋｇｆ／ｃｍ2）して焼結体を得た。その後、四探針法により比抵抗を測定した。更に、アルキメデス法に基づいて相対密度を測定した。また、焼結体を加工した際の余りを用いて研磨し、ＳＥＭ観察及びＥＤＳ分析を行い、１ｍｍ2あたりの粗粒Ｃの個数を測定した。その後、スパッタパワー：０．５ｋＷ、Ａｒガス圧：５Ｐａの条件でＤＣスパッタリングを行った。アーキングが発生しないものをスパッタ可とし、それ以外をスパッタ不可と判定した。結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
2018193598.tif 000002
【００４４】
実施例１〜１２のスパッタリングターゲットでは、いずれも比抵抗が充分低くなっていた。従って、ＤＣスパッタリングが可能であった。また、相対密度も充分高く、アーキングの発生も十分抑制できた。また、実施例３〜６を比較し、或いは、実施例７〜８を比較し、或いは実施例１０〜１１を比較することにより、微細Ｃ粉末を添加することで、比抵抗を低下させることができることが示された。
【００４５】
一方で、比較例１〜２では、Ｃ粉末の量が少なく、比抵抗が大きすぎてＤＣスパッタリングを行うことができなかった。比較例３は、ＭｇＯ自体の量が不充分であったため、焼結しなかった。
【００４６】
本明細書において、「又は」や「若しくは」という記載は、選択肢のいずれか１つのみを満たす場合や、全ての選択肢を満たす場合を含む。例えば、「Ａ又はＢ」「Ａ若しくはＢ」という記載の場合、Ａを満たしＢを満たさない場合と、Ｂを満たしＡを満たさない場合と、Ａを満たし且つＢを満たす場合のいずれも包含することを意図する。
【００４７】
以上、本発明の具体的な実施形態について説明してきた。上記実施形態は、本発明の具体例に過ぎず、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、上述の実施形態の１つに開示された技術的特徴は、他の実施形態に提供することができる。また、特定の方法については、一部の工程を他の工程の順序と入れ替えることも可能であり、特定の２つの工程の間に更なる工程を追加してもよい。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
2018193598.tif 000003