(57)【要約】【課題】新しい電気泳動方式を有する表示装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】電気泳動方式の表示モードと、有機ＥＬ素子を用いた自発光表示モードとを同じ表示領域で切り替える構成とする。即ち、電気泳動方式の表示領域の一部を有機ＥＬ素子を用いた自発光表示領域に切り替える表示装置を提供する。外光の多い環境では、電気泳動方式の表示モードとし、表示面積を確保でき、外光の少ない環境では表示面積の一部を透過領域に切り替え、透過領域の下方に配置した発光素子の発光により表示ができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の電極と、
透光性を有する第２の電極と、
前記第２の電極と同じ材料である第３の電極と、
透光性を有する分散媒と、
正または負に帯電した複数種類の粒子群と、
発光素子を有し、
前記分散媒及び前記粒子群は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置され、
前記発光素子は、前記第１の電極及び前記第２の電極と重なり、
前記第１の電極、前記第２の電極、または前記第３の電極のいずれか一または複数に印加される電圧により前記第１の電極と前記第２の電極の間の透過率が変化し、
前記発光素子の光は、前記第１の電極及び前記第２の電極及び前記分散媒を通過する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の電極または前記第２の電極または前記第３の電極に印加される電圧により前記粒子群が移動する表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記発光素子は、前記第２の電極と重なる第４の電極と、前記第４の電極と重なる第５の電極と、前記第４の電極と前記第５の電極の間に有機化合物層を有する有機発光素子である表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記複数種類の粒子群は、黒色表示用の帯電粒子と白色表示用の帯電粒子を含む表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記複数種類の粒子群は、赤色表示用の帯電粒子と、緑色表示用帯電粒子と、青色表示用の帯電粒子とを少なくとも有する表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、黄色表示用の帯電粒子と、マゼンダ色表示用の帯電粒子と、シアン色表示用の帯電粒子とを少なくとも有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様は、表示装置、半導体装置、発光装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置としては、薄型化ができ、製造コスト、消費電力の点で有利な液晶表示装置が他のディスプレイ方式の表示装置（ＣＲＴ、プラズマテレビなど）に比べ普及している。また、液晶表示装置は、バックライトを使用する透過型が一般的に普及しているが、他のディスプレイ方式に比べ表示の鮮やかさや、視野角の問題があり、いろいろ改善するために日々開発が続けられている。
【０００３】
液晶表示装置に代わる画像表示装置として、電気泳動方式、エレクトロクロミック方式などの技術を用いた表示装置も特許文献１に提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２８２１８１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電気泳動方式を用いた表示装置は、紙のような画面であり、電源がなくても文字が消えないメモリ機能を有するといったメリットを有している。一方、白や黒に着色された帯電粒子を用いているため、階調表示に限界がある。また、屋外のような十分な外光がある環境では視認しやすいが、表示装置への光量の少ない環境、例えば天井に数少ない照明が設けられた広い室内、曇天下の屋外などでは視認困難となってしまう。
【０００６】
また、光源の向きによっても視認性が左右されるため、屋外であれば太陽の向きと表示装置の表示面の向きを使用者が調節する手間がかかる。また、車や電車などの移動体の車内で表示装置を見ていると、移動体が向きを変えて光源との位置関係が変わるため継続して視認することが困難である。このため、電気泳動方式を用いた表示装置は、使用する環境、状況が限られている。
【０００７】
このように、さらなる電気泳動方式を用いた表示装置の改良が望まれている。
【０００８】
従って、新しい電気泳動方式を有する表示装置およびその作製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一つの表示装置で電気泳動方式だけでなく、複数の表示方法を切り替えることのできる構成とする。
【００１０】
具体的には、電気泳動方式の表示モードと、有機発光素子を用いた自発光表示モードとを同じ表示領域で切り替える構成とする。即ち、電気泳動方式の表示領域の一部を有機ＥＬ素子を用いた自発光表示領域に切り替える表示装置を提供する。外光の多い環境では、電気泳動方式の表示モードとし、表示面積を確保でき、外光の少ない環境では表示面積の一部を透過領域に切り替え、透過領域の下方に配置した発光素子の発光により表示ができる。
【００１１】
表示装置は、使用者の目から近い側に電気泳動方式で用いる帯電粒子を配置し、遠い側に有機ＥＬ素子を配置する。自発光表示モードとする場合には、複数の電極に与える電圧を調節して帯電粒子を移動させ、透光性を有する領域を有機ＥＬ素子上に形成し、有機ＥＬ素子からの光は、透光性を有する領域を通過させて表示を行う。
【００１２】
電気泳動方式の表示モードの場合は、透光性を有する領域が小さくなるように複数の電極に与える電圧を調節して帯電粒子を移動させるため、高精細な表示が可能である。
【００１３】
有機ＥＬ素子を使用して表示しない場合には、その有機ＥＬ素子と重なる位置に帯電粒子を移動させることは信頼性上においても有用である。直射日光などの光が照射されることによる有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子に電気的に接続されているトランジスタへのダメージを帯電粒子で低減することができる。従って、帯電粒子が有機ＥＬ素子及びトランジスタの外光保護シャッターとしても機能するとも言える。
【００１４】
また、同時に電気泳動方式の表示モードと、有機ＥＬ素子を用いた自発光表示モードとを同じ表示領域で駆動させることもできる。この場合には混合した表示となり、外部の環境を選ぶことなく、使用者が表示を視認することができる。即ち、外光が強くとも電気泳動方式の表示領域により表示が視認でき、外光が弱く暗い場所であっても自発光表示モードにより表示が視認できる。
【００１５】
また、外光が多い環境において表示装置の節電を行う場合には、電気泳動方式の表示モードとしておけば、電源がなくとも静止画像を維持できる。また、電源オフ時や節電時においては、帯電粒子が有機ＥＬ素子やトランジスタと重なるようにしておけば入射光を低減し、有機ＥＬ素子及びトランジスタの信頼性も向上する。従来のＥＬ表示装置においては、外光（紫外線）などが発光素子に入射される構成となっており、電源オフの状態のＥＬ表示装置を外光に長時間曝してしまうと発光素子が劣化する恐れがあった。本明細書で開示する表示装置においては、帯電粒子を移動させることによって外光の入射を低減し、電源オフ時に外光に長時間曝しても発光素子の劣化を低減することができる。
【００１６】
本明細書で開示する構成の一つは、透光性を有する第１の電極と、透光性を有する第２の電極と、第２の電極と同じ材料である第３の電極と、透光性を有する分散媒と、正または負に帯電した複数種類の粒子群と、発光素子を有し、分散媒及び粒子群は、第１の電極と第２の電極の間に配置され、発光素子は、第１の電極及び第２の電極となり、第１の電極、第２の電極、または第３の電極のいずれか一または複数に印加される電圧により第１の電極と第２の電極の間の透過率が変化し、発光素子の光は、第１の電極及び第２の電極及び分散媒を通過する表示装置である。
【００１７】
粒子は、アクリル粒子、ブラックカーボンなどから形成された帯電粒子であり、その粒径は０．１μｍ以上１０μｍ以下である。帯電粒子は正または負の帯電性を有する。一対の電極間に配置された分散媒に分散された粒子群は、一対の電極間に電圧を印加することで一方の電極の近くに移動させる。白黒表示を行うには白色の帯電粒子と、該帯電粒子と帯電性が異なる黒色の帯電粒子を用いる。フルカラー表示を行うには、着色された帯電粒子を複数種類（例えば、赤、緑、青の組み合わせ、黄色、マゼンダ色、シアン色の組み合わせ）用いる。また、下方に配置されている有機ＥＬ素子の発光を取り出す場合には、帯電粒子を移動させて透光性を有する表示領域を形成し、その表示領域に発光表示を得る。
【００１８】
上記構成において、第３の電極の位置は特に限定されないが、第３の電極に所定の電圧を印加することで第１の電極と第２の電極の間に位置する粒子群を移動させ、第１の電極と第２の電極の間が分散媒のみとなり、第１の電極と第２の電極の間が透光性を有するような位置に設置すればよい。
【００１９】
また、上記表示装置は、帯電粒子を用いた表示モードと、有機ＥＬ素子を用いた表示モードとを外部の環境（周りの明るさ）に合わせて自動または手動で切り替えて使用することができる。さらに、帯電粒子を用いた表示モードと、有機ＥＬ素子を用いた表示モードとの両方を組み合わせた表示も可能である。
【発明の効果】
【００２０】
電気泳動方式だけでなく、複数の表示方法を切り替えることのできる構成を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様を示す断面図である。
【図２】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図３】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図４】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図５】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図６】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図７】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図８】本発明の一態様を示す断面工程図である。
【図９】表示モジュールを説明する図。
【図１０】電子機器を説明する図。
【図１１】表示装置を説明する斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及びその作製方法について説明する。
【００２４】
本発明の一態様の表示装置は、電気泳動方式の表示素子と発光素子とが、積層して設けられた構成を有する。電気泳動方式の表示素子は、帯電性及び色の異なる２種類以上の帯電粒子の集まり具合を１画素ごとに制御することにより階調を表現することができる。また、電気泳動方式の表示素子は、面積階調によって階調を表示することもできる。発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。
【００２５】
電気泳動方式の表示素子は視認側（使用者の観察位置側）に設けられ、発光素子は視認側とは反対側に設けられる。発光素子の発光は、電気泳動方式の粒子群を移動させて得られる透光性を有する領域を通過させて、視認側に光を射出することができる。
【００２６】
また表示装置は、電気泳動方式の表示素子及び発光素子が、それぞれトランジスタと電気的に接続されるアクティブマトリクス型の表示装置とすることができる。
【００２７】
このとき、表示装置は、発光素子と電気的に接続する第１のトランジスタを含む第１の素子層、発光素子を含む第２の素子層、電気泳動方式の表示素子と電気的に接続する第２のトランジスタを含む第３の素子層、及び電気泳動方式の表示素子を含む第４の素子層を有する。そして、視認とは反対側から、第１の素子層、第２の素子層、第３の素子層、第４の素子層の順で積層されている。
【００２８】
ここで、第４の素子層よりも視認側と、第１の素子層の視認側とは反対側に、それぞれ樹脂層（第１の樹脂層、第２の樹脂層）を設けることが好ましい。これにより、表示装置を極めて軽くすることが可能で、また表示装置を割れにくくすることが可能となる。
【００２９】
第１の樹脂層及び第２の樹脂層（以下、まとめて樹脂層とも表記する）は、極めて薄いことを特徴とする。より具体的には、それぞれ厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。そのため、２つの表示パネルを積層した構成であっても、厚さを薄くすることができる。また、発光素子が発する光の経路上に樹脂層が配置される場合であっても、当該樹脂層が薄いため光の吸収が抑制され、より高い効率で光を取り出すことができ、消費電力を小さくすることができる。
【００３０】
樹脂層は、例えば以下のように形成することができる。すなわち、支持基板上に低粘度の熱硬化性の樹脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。そして樹脂層上に、構造物を形成する。その後、樹脂層と、支持基板との間で剥離を行うことにより、樹脂層の一方の面を露出させる。
【００３１】
支持基板と樹脂層とを剥離する際、これらの密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射してもよい。例えば、レーザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。
【００３２】
樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられる。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。
【００３３】
また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光及び現像処理を施すことで、樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術などを用いればよい。
【００３４】
なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハードマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。
【００３５】
また、発光素子からの光の経路上に位置する樹脂層を、部分的に除去することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層に、発光素子と重なる開口部を設ける。これにより、発光素子からの光の一部が樹脂層に吸収されることに伴う色再現性の低下や、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００３６】
または、樹脂層の発光素子からの光の経路上に位置する部分が、他の部分よりも薄くなるように、樹脂層に凹部が形成された構成としてもよい。すなわち、樹脂層は厚さの異なる２つの部分を有し、厚さの薄い部分が発光素子と重なる構成とすることもできる。この構成としても、樹脂層による発光素子からの光の吸収を低減できる。
【００３７】
または、以下の方法を用いることもできる。支持基板上に光吸収層を形成し、当該光吸収層上に開口部を有する樹脂層を形成し、さらに開口部を覆う透光性の層を形成する。光吸収層は、光を吸収して加熱されることで、水素または酸素などのガスを放出する層である。したがって、支持基板側から光を照射し、光吸収層からガスを放出させることで、光吸収層と支持基板の界面、または光吸収層と透光性の層との間の密着性が低下し、剥離を生じさせることができる。または、光吸収層自体が破断して、剥離させることができる。
【００３８】
また、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタには、チャネルを形成する半導体として、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体はトランジスタの作製工程にかかる最高温度を低温化（例えば４００℃以下、好ましくは３５０℃以下）しても、高いオン電流を実現でき、また高い信頼性を確保することができる。また、酸化物半導体を用いることで、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層に用いる材料として、高い耐熱性が要求されないため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、平坦化膜として用いる樹脂材料と兼ねることもできる。
【００３９】
一方、酸化物半導体を用いた場合では、耐熱性の高い特殊な材料が不要で、且つ厚く形成する必要があるため、表示パネル全体に対する当該樹脂層にかかるコストの割合を小さくできる。
【００４０】
また、酸化物半導体は、バンドギャップが広く（例えば２．５ｅＶ以上、または３．０ｅＶ以上）、光を透過する性質を有する。そのため、支持基板と樹脂層の剥離工程において、レーザ光が酸化物半導体に照射されても吸収しにくいため、その電気的特性への影響を抑制できる。したがって、上述のように樹脂層を薄く形成することが可能となる。
【００４１】
本発明の一態様は、感光性のポリイミドに代表される低粘度な感光性樹脂材料を用いて薄く形成した樹脂層と、低温であっても電気特性に優れたトランジスタを実現できる酸化物半導体と、を組み合わせることにより、極めて生産性に優れた表示装置を実現できる。
【００４２】
続いて、画素の構成について説明する。表示装置は、発光素子と第１のトランジスタを有する第１の画素と、電気泳動方式の表示素子と第２のトランジスタを有する第２の画素と、を有する構成とすることができる。第１の画素及び第２の画素は、それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。また、表示装置は、第１の画素を駆動する第１の駆動部と、第２の画素を駆動する第２の駆動部を有することが好ましい。
【００４３】
本発明の一態様は、第１の画素で画像を表示する第１のモード、第２の画素で画像を表示する第２のモード、及び第１の画素及び第２の画素で画像を表示する第３のモードを切り替えることができる。
【００４４】
続いて、表示装置に用いることのできるトランジスタについて説明する。第１のトランジスタと、第２のトランジスタとは、同じ構成のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なるトランジスタであってもよい。
【００４５】
トランジスタの構成としては、例えばボトムゲート構造のトランジスタが挙げられる。ボトムゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも下側（被形成面側）にゲート電極を有する。また、例えばソース電極及びドレイン電極が、半導体層の上面及び側端部に接して設けられていることを特徴とする。
【００４６】
また、トランジスタの他の構成としては、例えばトップゲート構造のトランジスタが挙げられる。トップゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも上側（被形成面側とは反対側）にゲート電極を有する。また、例えば第１のソース電極及び第１のドレイン電極が、半導体層の上面の一部及び側端部を覆う絶縁層上に設けられ、且つ当該絶縁層に設けられた開口を介して半導体層と電気的に接続されることを特徴とする。
【００４７】
また、トランジスタとして、半導体層を挟んで対向して設けられる第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有していることが好ましい。
【００４８】
以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。
【００４９】
なお、以下では「上」、「下」などの向きを示す表現は、基本的には図面の向きと合わせて用いるものとする。しかしながら、説明を容易にするためなどの目的で、明細書中の「上」または「下」が意味する向きが、図面とは一致しない場合がある。一例としては、積層体等の積層順（または形成順）などを説明する場合に、図面において当該積層体が設けられる側の面（被形成面、支持面、接着面、平坦面など）が当該積層体よりも上側に位置していても、その向きを下、これとは反対の向きを上、などと表現する場合がある。
【００５０】
図１（Ａ）に、表示装置１０の断面概略図を示す。表示装置１０は、素子層１００、素子層２００が、この順で積層された構成を有する。また、表示装置１０は、裏側（視認側とは反対側）に基板１１と、表側（視認側）に基板１２と、を有する。また、基板１１と素子層１００との間に樹脂層１０１と、基板１２と素子層２００との間に接着層５２とを有する。樹脂層１０１と基板１１とは接着層５１により貼り合わされている。また基板１２は接着層５２により貼り合わされている。
【００５１】
素子層１００は、樹脂層１０１上にトランジスタ１１０を有する。素子層１００は、トランジスタ１１０と電気的に接続された発光素子１２０を有する。素子層２００は、トランジスタ２１０を有する。素子層２００は、トランジスタ２１０と電気的に接続された電気泳動方式の表示素子２４０を有する。
【００５２】
〔素子層１００〕
樹脂層１０１上には、トランジスタ１１０、発光素子１２０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５等が設けられている。
【００５３】
トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。
【００５４】
半導体層１１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。
【００５５】
絶縁層１３３及び絶縁層１３４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３４は、平坦化層として機能する。
【００５６】
発光素子１２０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は可視光を透過する機能を有する。したがって、発光素子１２０は、被形成面とは反対側に光を射出する上面射出型（トップエミッション型ともいう）の発光素子である。
【００５７】
導電層１２１は、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に設けられた開口を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、且つ導電層１２１の表面の一部が露出するように開口が設けられている。ＥＬ層１２２及び導電層１２３は、絶縁層１３５及び導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。
【００５８】
発光素子１２０は、接着層１５１によって封止されている。また、素子層２００ａと素子層１００ｂとは、接着層１５１により貼り合わされている。
【００５９】
ここで、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、トランジスタ１１０、絶縁層１３５及び発光素子１２０を含む積層構造を、素子層１００と呼ぶこととする。なお、素子層１００は、後述する着色層１５２、及び遮光層１５３を含んでいてもよい。
【００６０】
〔素子層２００〕
素子層２００は、トランジスタ２１０と、電気泳動方式の表示素子２４０とを少なくとも有する。一つの電気泳動方式の表示素子２４０は、導電層２２１ａ、導電層２２３ａ、分散媒２４３、第１の帯電粒子２４１、及び第２の帯電粒子２４２を有する。分散媒２４３は透光性を有する分散流体であり、非極性の有機溶媒、例えばパラフィン系炭化水素、芳香族炭化水素、シリコーンオイルなどを用い、帯電粒子群が移動できる領域を形成している。本明細書において分散媒とは、電流または電圧で移動する帯電粒子を除いた部分の液体を指しており、帯電粒子を分散させるための分散剤や帯電制御剤などを含むものを指す。導電層２２１ａと導電層２２３ａとの間隔は間隙材で保持すればよく、球状スペーサや、ガラスロッドや、樹脂膜をパターニングした柱状スペーサなどを用いればよい。これらの構成要素は、分散媒に含まれないものとする。
【００６１】
第１の帯電粒子２４１と第２の帯電粒子２４２は異なる色を有しており、ここでは２種類、白色と黒色の例を示す。帯電粒子としては平均粒径が０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、材料として樹脂粒子、セラミック粒子、金属酸化物粒子、顔料粒子、染料粒子などを用いる、或いは、これらの複合粒子を用いる。なお、複合粒子とは、樹脂粒子の表面を顔料で被覆させたもの、或いは顔料と樹脂材料を混合した混合物である。例えば、白色表示用の帯電粒子としては、酸化アルミニウム、酸化チタンなどの金属酸化物の固体粒子を用いることができる。黒色表示用の帯電粒子としてはアニリンブラック、カーボンブラック、チタンブラックなどの固体粒子を用いることができる。
【００６２】
また、フルカラーとする場合には、白色表示用の帯電粒子に代えて黄色表示用の帯電粒子、赤色表示用の帯電粒子、緑色表示用の帯電粒子、または青色表示用の帯電粒子を用いればよい。また、フルカラーとする場合には、黄色表示用の帯電粒子、シアン色表示用の帯電粒子、またはマゼンダ色表示用の帯電粒子を用いればよい。例えば、黄色表示用の帯電粒子としてクロムイエロー、赤色表示用の帯電粒子としてはキナクリドンレッド、青色表示用の帯電粒子としてはフタロシアニン系の青色顔料を用いればよい。
【００６３】
また分散媒２４３は、その周囲を図示しない領域で接着層により封止されている。
【００６４】
導電層２２１ａを覆って絶縁層２３１が設けられている。トランジスタ２１０は、絶縁層２３１の導電層２２１ａ側とは反対側の面を被形成面として形成されている。
【００６５】
導電層２２１ａと同一材料であり、且つ同一工程で導電層２２１ｃが形成され、導電層２２１ｃと重なる導電層２２３ｃとの間に電圧を印加して第１の帯電粒子２４１や第２の帯電粒子２４２の位置制御が行われ、表示がなされる。
【００６６】
また、発光素子１２０の発光を透過させるために、導電層２２１ｂは透光性を有する導電材料で形成する。また、導電層２２１ｂの上方に重なる帯電粒子を移動させるため、導電層２２１ｂには負、或いは正の電圧を印加する。また、隣合う導電層と短絡を防ぐために、絶縁層２４４で覆う構成としている。また、分散媒２４３を介して重なる導電層２２３ｂとも短絡の恐れがあるため、絶縁層２４４で覆う構成は有用である。また、導電層２２３ｂは、隣り合う導電層２２３ａや導電層２２３ｃと異なる電圧を印加する場合があり、短絡の恐れがあるため、絶縁層２４５で覆う構成としている。
【００６７】
トランジスタ２１０は、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。
【００６８】
半導体層２１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。
【００６９】
絶縁層２３３及び絶縁層２３４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層２３４は、平坦化層として機能する。
【００７０】
導電層２１３ｂは、絶縁層２３２及び絶縁層２３１に設けられた開口を介して導電層２２１ａと電気的に接続されている。
【００７１】
絶縁層２３４の基板１１側の面には、着色層１５２と遮光層１５３が設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０と重なる位置に設けられている。また遮光層１５３は、発光素子１２０と重なる部分に開口を有する。
【００７２】
〔表示装置１０〕
図１（Ａ）に示す表示装置１０は、上面から見たときに、導電層２２３ａと重なる領域が白色表示、領域３１が黒色表示、２２３ｃと重なる領域が白色表示とする一例を示している。図１（Ａ）に示すように外光が第１の帯電粒子２４１に反射された反射光２２ａが使用者の目に入り、導電層２２３ａと重なる領域を白色と認識する。領域３１においても、外光が第１の帯電粒子２４１に反射された反射光２２ｂが使用者の目に入り、導電層２２３ｂと重なる領域を白色と認識する。黒色とする場合には、導電層２２３ａの電圧または電圧の印加シーケンスによって第２の帯電粒子２４２を制御して導電層２２３ａに接するように第２の帯電粒子２４２を集めればよい。なお、発光素子１２０から発光があったとしても第１の帯電粒子２４１及び第２の帯電粒子２４２によって遮光される。
【００７３】
また、図１（Ｂ）に示すように、導電層２２３ｂと導電層２２１ｂに電圧または電圧の印加シーケンスによって領域３１を、帯電粒子の存在しない領域とすることによって、発光素子１２０から発光され、且つ、着色層１５２によって着色された発光２１が透光性を有する分散媒２４３を通過し、視認側に射出される。また、図１（Ｂ）において、図１（Ａ）と同様に、導電層２２３ａと重なる領域において、外光が第１の帯電粒子２４１に反射された反射光２２ａが使用者の目に入り、導電層２２３ａと重なる領域を白色と認識する。
【００７４】
即ち、領域３１においては、電気泳動方式の表示と、発光素子１２０から発光表示の２種類を切り替えることができる。
【００７５】
また、基板１１及び基板１２は、ガラス基板等を用いてもよいが、樹脂を含む材料を用いることが好ましい。樹脂材料を用いると、同じ厚さであってもガラス等を用いた場合に比べて、表示装置１０を軽量化できる。また、可撓性を有する程度に薄い材料（ガラス基板等を含む）を用いると、より軽量化できるため好ましい。また、樹脂材料を用いることで、表示装置の耐衝撃性を向上させることができ、割れにくい表示装置を実現できる。
【００７６】
また、基板１１は視認側とは反対側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有していなくてもよい。そのため、金属材料を用いることもできる。金属材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置１０の局所的な温度上昇を抑制することができる。
【００７７】
以上が構成例についての説明である。
【００７８】
［作製方法例］
以下では、図１で例示した表示装置１０の作製方法の例について、図面を参照して説明する。
【００７９】
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法を使ってもよい。
【００８０】
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【００８１】
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上に感光性のレジスト材料を塗布し、これをフォトマスク用いて露光した後、現像することによりレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
【００８２】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、光や電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【００８３】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【００８４】
まず、素子層１００の形成方法を説明する。
【００８５】
〔支持基板の準備〕
まず、支持基板６１を準備する。支持基板６１としては、搬送が容易となる程度に剛性を有する材料であり、且つ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
【００８６】
〔樹脂層の形成〕
続いて、支持基板６１上に、樹脂層１０１を形成する（図２（Ｂ））。
【００８７】
まず、樹脂層１０１となる材料を支持基板６１上に塗布する。塗布は、スピンコート法を用いると大型の基板に均一に薄い樹脂層１０１を形成できるため好ましい。
【００８８】
他の塗布方法として、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法を用いてもよい。
【００８９】
当該材料は、熱により重合が進行する熱硬化性（熱重合性ともいう）を発現する重合性モノマーを有する。さらに、当該材料は、感光性を有することが好ましい。また当該材料は、粘度を調整するための溶媒が含まれていることが好ましい。
【００９０】
当該材料には、重合後にポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂となる、重合性モノマーを含むことが好ましい。すなわち、形成された樹脂層１０１は、これら樹脂材料を含む。特に当該材料に、イミド結合を有する重合性モノマーを用いることで、ポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層１０１に用いると、耐熱性や耐候性を向上させることができるため好ましい。
【００９１】
塗布に用いる当該材料の粘度は、５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは粘度が１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下であることが好ましい。材料の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、材料の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。また材料の粘度が低いほど、薄く均一に塗布することが可能なため、より薄い樹脂層１０１を形成することができる。
【００９２】
ここで、樹脂層１０１に感光性の材料を用いた場合、フォトリソグラフィ法により、一部を除去することが可能となる。例えば、材料を塗布した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行い、その後露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。
【００９３】
より具体的に、開口部を有する樹脂層１０１の形成方法について説明する。まず感光性の材料を塗布して薄膜を形成し、溶媒等を除去するための加熱処理（プリベーク処理）を行う。続いて、フォトマスクを用いて当該材料を露光し、現像処理を行うことで、開口部または凹部を有する樹脂層１０１を形成することができる。
【００９４】
続いて、塗布した材料を重合させるための加熱処理（ポストベーク処理）を行うことで樹脂層１０１を形成する。加熱は、後のトランジスタ１１０の作製工程にかかる最高温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば３００℃以上６００℃以下、好ましくは３５０℃以上５５０℃以下、より好ましくは４００℃以上５００℃以下、代表的には４５０℃で加熱することが好ましい。樹脂層１０１の形成時に、表面が露出した状態でこのような温度で加熱することにより、樹脂層１０１から脱離しうるガスを除去することができるため、トランジスタ１１０の作製工程中にガスが脱離することを抑制できる。
【００９５】
樹脂層１０１の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層１０１を薄く均一に形成することが容易となる。
【００９６】
また、樹脂層１０１の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層１０１の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
【００９７】
また、トランジスタ１１０の半導体層１１２に酸化物半導体膜を用いる場合には、低温で形成できるため、樹脂層１０１に高い耐熱性が要求されない。そのため、材料のコストを低減することができる。樹脂層１０１等の耐熱性は、例えば加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等により評価できる。樹脂層１０１等の５％重量減少温度は、４５０℃以下、好ましくは４００℃以下、より好ましくは４００℃未満、さらに好ましくは３５０℃未満とすることができる。また、トランジスタ１１０等の形成工程にかかる最高温度を、３５０℃以下とすることが好ましい。
【００９８】
上記方法で樹脂層１０１に開口部を設けることにより、以下のような構成を実現できる。例えば、開口部を覆うように導電層を配置することで、後述する剥離工程後に、裏面側に一部が露出した電極（裏面電極、貫通電極とも言う）を形成することができる。当該電極は、外部接続端子として用いることもできる。また、例えば２つの支持基板等を貼り合せるためのマーカー部と重なる位置の樹脂層１０１を除去することで、位置合わせ精度を高めることができる。
【００９９】
〔絶縁層１３１の形成〕
続いて、樹脂層１０１上に絶縁層１３１を形成する（図２（Ｂ））。
【０１００】
絶縁層１３１は、樹脂層１０１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
【０１０１】
バリア性の高い材料としては、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、樹脂層１０１側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。
【０１０２】
また、樹脂層１０１の表面に凹凸がある場合、絶縁層１３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層１３１が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層１３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることができる。
【０１０３】
絶縁層１３１は、例えば室温以上４００度以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。
【０１０４】
〔トランジスタの形成〕
続いて、図２（Ｃ）に示すように、絶縁層１３１上にトランジスタ１１０を形成する。ここではトランジスタ１１０の一例として、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合の例を示している。
【０１０５】
絶縁層１３１上に導電層１１１を形成する。導電層１１１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０１０６】
続いて、絶縁層１３２を形成する。絶縁層１３２は、絶縁層１３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。
【０１０７】
続いて、半導体層１１２を形成する。半導体層１１２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０１０８】
半導体膜は、成膜時の基板温度を室温以上３００℃以下、好ましくは室温以上２２０℃以下、より好ましくは、室温以上２００℃以下、さらに好ましくは室温以上１７０℃以下の温度で形成する。ここで成膜時の基板温度が室温であるとは、基板を意図的に加熱しないことを指す。このとき、成膜時に基板が受けるエネルギーにより、室温よりも高い温度になる場合も含む。また、室温とは例えば１０℃以上３０℃以下の温度範囲を指し、代表的には２５℃とする。
【０１０９】
半導体膜としては、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１１０】
また、酸化物半導体として、バンドギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは２．８ｅＶ以上、より好ましくはバンドギャップが３．０ｅＶ以上の材料を用いることが好ましい。このような酸化物半導体を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射において、当該光が半導体膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が生じにくくなる。
【０１１１】
特に、本発明の一態様に用いる半導体膜は、不活性ガス（例えばＡｒ）及び酸素ガスのいずれか一方または両方を含む雰囲気下にて、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。
【０１１２】
成膜時の基板温度は室温以上２００℃以下、好ましくは室温以上１７０℃以下の温度とすることが好ましい。基板の温度を高めることにより、配向性を有する結晶部がより多く形成され、電気的な安定性に優れた半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、電気的な安定性に優れたトランジスタを実現できる。また、基板温度を低くする、または意図的に加熱しない状態で成膜することで、配向性を有する結晶部の割合が小さく、キャリア移動度の高い半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。
【０１１３】
また、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、０％以上１００％未満、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上３３％以下、さらに好ましくは０％以上１５％以下とすることが好ましい。酸素流量を低減することにより、キャリア移動度の高い半導体膜を形成でき、より高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。一方、酸素の流量比を高めることにより、結晶性の高い半導体膜を形成でき、電気的な安定性に優れた半導体膜とすることができる。
【０１１４】
成膜時の基板温度と、成膜時の酸素流量を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した半導体膜を得ることができる。また、基板温度と酸素流量を上述の範囲内で最適化することにより、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。
【０１１５】
半導体膜の成膜に用いることの可能な酸化物ターゲットとしては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物に限られず、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。
【０１１６】
また、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いて、半導体膜である結晶部を含む半導体膜を成膜すると、多結晶酸化物を含まないスパッタリングターゲットを用いた場合に比べて、結晶性を有する半導体膜が得られやすい。
【０１１７】
特に、膜の厚さ方向（膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向ともいう）に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶部が混在した半導体膜を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チャネル長を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、配向性を有さない結晶部のみで構成される半導体膜を適用したトランジスタは、電界効果移動度を高めることができる。なお、後述するように、酸化物半導体中の酸素欠損を低減することにより、高い電界効果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現することができる。
【０１１８】
このように、酸化物半導体膜を用いることで、ＬＴＰＳで必要であった高い温度での加熱処理や、レーザ結晶化処理が不要であり、極めて低温で半導体層１１２を形成できる。そのため、樹脂層１０１を薄く形成することが可能となる。
【０１１９】
続いて、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂを形成する。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０１２０】
なお、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない半導体層１１２の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。半導体層１１２として配向性を有する結晶部を含む酸化物半導体膜を用いると、この薄膜化を抑制できるため好ましい。
【０１２１】
以上のようにして、トランジスタ１１０を作製できる。トランジスタ１１０は、チャネルが形成される半導体層１１２に、酸化物半導体を含むトランジスタである。またトランジスタ１１０において、導電層１１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層１３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれソース又はドレインのいずれか一方として機能する。
【０１２２】
〔絶縁層１３３の形成〕
続いて、トランジスタ１１０を覆う絶縁層１３３を形成する。絶縁層１３３は、絶縁層１３２と同様の方法により形成することができる。
【０１２３】
絶縁層１３３は例えば室温以上４００度以下、好ましくは１００℃以上３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上３００℃以下の温度で形成することが好ましい。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。
【０１２４】
また、絶縁層１３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。また当該酸化シリコンや酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層して形成することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で低温で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素をする酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、半導体層１１２に酸素を供給することができる。その結果、半導体層１１２中の酸素欠損、及び半導体層１１２と絶縁層１３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【０１２５】
以上の工程により、可撓性を有する樹脂層１０１上にトランジスタ１１０と、これを覆う絶縁層１３３を形成することができる。なお、この段階において、後述する方法を用いて樹脂層１０１と支持基板６１とを分離することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することもできる。例えば、トランジスタ１１０や、トランジスタ１１０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成することで、半導体回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。
【０１２６】
〔絶縁層１３４の形成〕
続いて、絶縁層１３３上に絶縁層１３４を形成する。絶縁層１３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層１３４は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０１２７】
絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３４と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３４と樹脂層１０１の材料や、これらを形成するための装置を共通化することが可能となる。
【０１２８】
また、絶縁層１３４は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３４を薄く均一に形成することが容易となる。
【０１２９】
〔発光素子１２０の形成〕
続いて、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に、導電層１１３ｂ等に達する開口を形成する。
【０１３０】
その後、導電層１２１を形成する。導電層１２１は、その一部が画素電極として機能する。導電層１２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【０１３１】
続いて、図２（Ｄ）に示すように、導電層１２１の端部を覆う絶縁層１３５を形成する。絶縁層１３５は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０１３２】
絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層１３５と樹脂層１０１とに、同じ材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層１３５と樹脂層１０１の材料や、これらを形成するための装置を共通化することが可能となる。
【０１３３】
また、絶縁層１３５は、樹脂層１０１と同様に、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層１３５を薄く均一に形成することが容易となる。
【０１３４】
続いて、図２（Ｅ）に示すように、ＥＬ層１２２及び導電層１２３を形成する。
【０１３５】
ＥＬ層１２２は、有機化合物層であり、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層１２２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。ここでは、メタルマスクを用いない蒸着法により形成した例を示している。
【０１３６】
導電層１２３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【０１３７】
以上のようにして、発光素子１２０を形成することができる。発光素子１２０は、一部が画素電極として機能する導電層１２１、ＥＬ層１２２、及び一部が共通電極として機能する導電層１２３が積層された構成を有する。
【０１３８】
なお、導電層１２３を覆って、水等の不純物に対するバリア層として機能する絶縁層を形成してもよい。
【０１３９】
絶縁層に無機絶縁膜を用いる場合、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法などの成膜方法を好適に用いることができる。また、無機絶縁膜を成膜する際に発光素子１２０がダメージを受けることを防ぐため、無機絶縁膜と発光素子１２０との間、具体的には無機絶縁膜と導電層１２３との間に、有機絶縁膜を形成することが好ましい。このとき、有機絶縁膜は薄くてもよく（例えば１００ｎｍ以下）、例えば蒸着法などを用いて形成することもできる。
【０１４０】
以上により、素子層１００を形成することができる。図２（Ｅ）に示す時点では、素子層１００が、支持基板６１に支持された状態である。
【０１４１】
続いて、素子層２００の形成方法について説明する。
【０１４２】
〔樹脂層２０１の形成〕
支持基板６３を準備し、支持基板６３上に樹脂層２０１を形成する（図３（Ａ））。支持基板６３は、支持基板６１の記載を援用できる。樹脂層２０１の形成方法及び材料については、樹脂層１０１と同様の方法を用いることができる。
【０１４３】
なお、樹脂層２０１上に、バリア膜として機能する絶縁層を形成してもよい。当該絶縁層の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０１４４】
〔導電層２５１、導電層２２１ａ、導電層２２１ｃの形成〕
続いて、導電層２５１上に導電層２２１ａ及び導電層２２１ｃを形成する（図３（Ｂ））。
【０１４５】
まず、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより導電層２５１を形成する。続いて、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより導電層２２１ａ、導電層２２１ｃを形成する。
【０１４６】
〔絶縁層２３１の形成〕
続いて、導電層２２１ａ、導電層２２１ｃ及び樹脂層２０１を覆って絶縁層２３１を形成する（図３（Ｃ））。絶縁層２３１の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０１４７】
〔トランジスタ２１０の形成〕
続いて、図３（Ｄ）に示すように、絶縁層２３１上に、トランジスタ２１０を形成する。
【０１４８】
まず、絶縁層２３２上に導電層２１１を形成し、導電層２１１及び絶縁層２３１を覆って絶縁層２３２を形成し、絶縁層２３２上に半導体層２１２を形成する。導電層２１１、絶縁層２３２、及び半導体層２１２は、それぞれ上記導電層１１１、絶縁層１３２、または半導体層１１２と同様の方法により形成できる。
【０１４９】
続いて、絶縁層２３２及び絶縁層２３１に、導電層２２１ａに達する開口を形成する。
【０１５０】
その後、導電層２１３ａ及び導電層２１３ｂを形成する。導電層２１３ａ及び導電層２１３ｂは、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂと同様の方法により形成できる。
【０１５１】
ここで、導電層１１３ｂを、絶縁層２３１及び絶縁層２３２の開口を埋めるように形成することで、導電層１１３ｂと導電層２２１ａとが電気的に接続される。
【０１５２】
以上の工程により、トランジスタ２１０を形成することができる。
【０１５３】
トランジスタ２１０は、チャネルが形成される半導体層２１２に、酸化物半導体を含むトランジスタである。またトランジスタ２１０において、導電層２１１の一部はゲートとして機能し、絶縁層２３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２１３ａ及び導電層２１３ｂは、それぞれソース又はドレインのいずれか一方として機能する。
【０１５４】
〔絶縁層２３３、絶縁層２３４の形成〕
続いて、トランジスタ２１０を覆って絶縁層２３３及び絶縁層２３４を順に形成する（図３（Ｅ））。絶縁層２３３及び絶縁層２３４は、それぞれ上記絶縁層１３３または絶縁層１３４と同様の方法により形成できる。
【０１５５】
続いて、絶縁層２３４上に遮光層１５３及び着色層１５２を形成する（図３（Ｆ））。
【０１５６】
遮光層１５３は、例えば金属材料または樹脂材料を用いることができる。金属材料を用いる場合には、導電膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法等を用いて不要な部分を除去することにより形成できる。また金属材料、顔料または染料を含む感光性の樹脂材料を用いた場合は、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。
【０１５７】
着色層１５２は、感光性の材料を用いることで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工することができる。
【０１５８】
このとき、遮光層１５３は、着色層１５２と重なる開口部を有する構成とする。
【０１５９】
また遮光層１５３は、トランジスタ２１０を覆って設けることが好ましい。特に、トランジスタ２１０としてボトムゲート型のトランジスタを用いた場合には、遮光層１５３によって外光や、発光素子１２０からの光が半導体層２１２に到達することを抑制でき、信頼性を向上させることができる。
【０１６０】
〔貼り合せ〕
続いて、図４（Ａ）に示すように、支持基板６１と支持基板６３とを、素子層１００ａと素子層１００ｂとが向かい合うように、接着層１５１を用いて貼り合せる。そして、接着層１５１を硬化させる。これにより、発光素子１２０を接着層１５１で封止することができる。
【０１６１】
接着層１５１は、硬化型の材料を用いることが好ましい。例えば光硬化性を示す樹脂、反応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まない樹脂材料を用いることが好ましい。
【０１６２】
このとき、支持基板６１と支持基板６３の位置ずれが生じてしまうと、発光素子１２０からの光が、素子層１００ｂ等の遮光性の部材や、遮光層１５３等に遮られてしまう場合がある。そのため、支持基板６３上、及び支持基板６１上には、それぞれ位置合わせ用のマーカーが形成されていることが好ましい。
【０１６３】
〔支持基板６１の分離〕
続いて、図４（Ｂ）に示すように、支持基板６１側から、支持基板６１を介して樹脂層１０１に光７０を照射する。
【０１６４】
光７０としては、好適にはレーザ光を用いることができる。特に、線状のレーザを用いることが好ましい。
【０１６５】
なお、レーザ光と同等のエネルギーを照射可能であれば、フラッシュランプ等を用いてもよい。
【０１６６】
光７０は、少なくともその一部が支持基板６１を透過し、且つ樹脂層１０１に吸収される波長の光を用いることが好ましい。特に、光７０の波長としては、可視光線から紫外線の波長領域の光を用いることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以上の光を用いることが好ましい。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。また、レーザとして、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｗａｖｅ）レーザを用いてもよいし、パルスレーザを用いてもよい。パルスレーザとしては、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等の短時間のパルスレーザ、またはそれよりも長時間（例えば数１００Ｈｚ以下）のパルスレーザを用いることができる。
【０１６７】
光７０として、線状のレーザ光を用いる場合には、支持基板６１と光源とを相対的に移動させることで光７０を走査し、剥離したい領域に亘って光７０を照射する。この段階では、樹脂層１０１が配置される全面に亘って照射すると、樹脂層１０１全体が剥離可能となり、後の分離の工程で支持基板６１の外周部をスクライブ等により分断する必要がない。または、樹脂層１０１が配置される領域の外周部に光７０を照射しない領域を設けると、当該領域は、密着性は高いままであるため、光７０の照射時に樹脂層１０１と支持基板６１とが分離してしまうことを抑制できるため好ましい。
【０１６８】
光７０の照射により、樹脂層１０１の支持基板６１側の表面近傍、または樹脂層１０１の内部の一部が改質され、支持基板６１と樹脂層１０１との密着性が低下し、容易に剥離可能な状態とすることができる。
【０１６９】
続いて、支持基板６１と樹脂層１０１とを分離する（図４（Ｃ））。
【０１７０】
分離は、支持基板６３をステージに固定した状態で、支持基板６１に垂直方向に引っ張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板６１の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、支持基板６３を固定できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機構を有していてもよいし、支持基板６３を物理的に留める機構を有していてもよい。または、支持基板６１をステージに固定した状態で、支持基板６３に垂直方向に引っ張る力をかけることで分離してもよい。
【０１７１】
また、分離は表面に粘着性を有するドラム状の部材を支持基板６１または支持基板６３の上面に押し当て、これを回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向にステージを動かしてもよい。
【０１７２】
また、樹脂層１０１の外周部に光７０を照射しない領域を設けた場合、樹脂層１０１に光を照射した部分の一部に切欠き部を形成し、剥離のきっかけとしてもよい。切欠き部は、例えば鋭利な刃物または針状の部材を用いることや、支持基板６１と樹脂層１０１を同時にスクライブにより切断すること等により形成することができる。
【０１７３】
なお、光７０の照射条件によっては、樹脂層１０１の内部で分離（破断）が生じることにより、樹脂層１０１の一部が支持基板６１側に残存する場合がある。図４（Ｃ）では、樹脂層１０１内部で破断し、支持基板６１側に樹脂層１０１の一部である樹脂層１０１ａが残存している場合を示している。
【０１７４】
または、樹脂層１０１の表面の一部が融解する場合にも、同様に支持基板６１側に樹脂層１０１の一部が残存することがある。なお、支持基板６１と樹脂層１０１の界面で剥離する場合、支持基板６１側に樹脂層１０１の一部が残存しないことがある。
【０１７５】
支持基板６１側に残存する樹脂層１０１の厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的は４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。残存した樹脂層１０１ａを除去することで、支持基板６１は再利用が可能である。例えば、支持基板６１にガラスを用い、樹脂層１０１にポリイミド樹脂を用いた場合は、アッシング処理や、発煙硝酸等により残存した樹脂層１０１ａを除去することができる。
【０１７６】
〔基板１１の貼り合せ〕
続いて、図５（Ａ）に示すように、接着層５１を用いて樹脂層１０１と基板１１とを貼り合せる。
【０１７７】
接着層５１は、上記接着層１５１の記載を援用できる。
【０１７８】
基板１１及び後述する基板１２としては、樹脂材料を用いると、同じ厚さであってもガラス等を用いた場合に比べて、表示装置を軽量化できる。また、可撓性を有する程度に薄い材料を用いると、より軽量化できるため好ましい。また、樹脂材料を用いることで、表示装置の耐衝撃性を向上させることができ、割れにくい表示装置を実現できる。
【０１７９】
また、基板１１は視認側とは反対側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有していなくてもよい。そのため、金属材料を用いることもできる。金属材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができる。
【０１８０】
〔支持基板６３の分離〕
続いて、支持基板６３側から、支持基板６３を介して樹脂層２０１に光７０を照射する（図５（Ｂ））。光７０の照射方法については、上記の記載を援用できる。
【０１８１】
その後、図５（Ｃ）に示すように支持基板６３と樹脂層２０１とを分離する。図５（Ｃ）では、樹脂層２０１の内部で破断し、支持基板６３側に樹脂層２０１の一部である樹脂層２０１ａが残存している例を示している。
【０１８２】
〔樹脂層２０１の薄膜化〕
続いて、樹脂層２０１の一部を除去し、樹脂層２０１を薄膜化する。薄膜化後の樹脂層２０１の厚さは、例えば樹脂層１０１よりも薄くすることができる。より具体的には例えば１ｎｍ以上３μｍ未満、好ましくは５ｎｍ以上１μｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【０１８３】
薄膜化は、樹脂層２０１をエッチング可能な方法であればよく、プラズマ処理、ドライエッチング法またはウエットエッチング法などを用いることができる。特にドライエッチング法を用いると、均一性が高いため好ましい。また、樹脂層２０１は有機物を含むため、酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理ともいう）を用いることが特に好ましい。また、ウエットエッチング法を用いる場合には、樹脂層２０１が完全に除去されることを防ぐため、希釈したエッチング液等を用いてエッチングすることが好ましい。または、樹脂層２０１となる薄膜の形成時に用いる材料を、溶媒で十分に希釈して粘度を低くするなどし、樹脂層２０１を薄く形成することにより薄膜化を行わない方法を用いてもよい。
【０１８４】
図６（Ａ）では、樹脂層２０１の上面に、プラズマ８０を照射することで、樹脂層２０１の上部の一部をエッチングし、薄膜化している様子を示している。
【０１８５】
なお、ここでは図示しないが、基板１１の貼り合せ以降の工程において、搬送を容易にするため、基板１１側を他の支持基板に固定することが好ましい。例えば、基板１１と当該支持基板とを粘着性の材料、両面テープ、シリコーンシート、または水溶性の接着剤などにより固定することができる。また、後述の支持基板６４の貼り合せ工程以降においても、同様に基板１１側を他の支持基板に固定した状態とすることが好ましい。
【０１８６】
続いて、樹脂層２０１上に透光性を有する導電膜を形成し、選択的にエッチングして導電層２２１ｂを形成する。導電層２２１はインクジェット法により形成してもよい。
【０１８７】
次いで、導電層２２１を覆う絶縁膜を形成し、選択的にエッチングして絶縁層２４４を形成する。なお、このエッチングの際には、樹脂層２０１がエッチングストッパーとして機能する。ここまでの断面図が図６（Ｂ）に相当する。
【０１８８】
続いて、絶縁層２４４をマスクとして樹脂層２０１を選択的に除去する。
【０１８９】
続いて、支持基板６４を準備する。支持基板６４は、支持基板６１の記載を援用することができる。
【０１９０】
続いて、支持基板６４上に、光吸収層１０３を形成する。光吸収層１０３は、後の光７０の照射工程において、当該光７０を吸収し、発熱することにより、水素または酸素等を放出する層である。
【０１９１】
光吸収層１０３としては、例えば加熱により水素が放出される、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いることができる。水素化アモルファスシリコン膜は、例えばＳｉＨ４を成膜ガスに含むプラズマＣＶＤ法により成膜することができる。また、さらに水素を多く含有させるため、成膜後に水素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
【０１９２】
または、光吸収層１０３として、加熱により酸素が放出される酸化物膜を用いることもできる。特に、酸化物半導体膜または酸化物導電体膜は、酸化シリコン膜等の絶縁膜に比べてバンドギャップが狭く、光を吸収しやすいため好ましい。なお、酸化物導電体膜は、酸化物半導体膜の欠陥準位または不純物準位を高めることで形成することができる。酸化物半導体を用いる場合、上述した半導体層１１２の形成方法、及び後述する半導体層に用いることのできる材料を援用できる。酸化物膜は、例えば酸素を含む雰囲気下でプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により成膜することができる。特に酸化物半導体膜を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により成膜することが好ましい。また、さらに酸素を含有させるため、成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。
【０１９３】
または、光吸収層１０３に用いることのできる酸化物膜として、酸化物絶縁膜を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることもできる。例えば、このような酸化物絶縁膜を、酸素を含む雰囲気下にて、低温（例えば２５０℃以下、好ましくは２２０℃以下）で成膜することで、酸素を過剰に含有した酸化物絶縁膜を形成することができる。成膜は、例えばスパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法等を用いることができる。
【０１９４】
続いて、光吸収層１０３上に導電層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃを形成する。導電層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃは可視光を透過する材料（透光性を有する導電膜）を用いることができる。導電層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃは、導電膜を成膜した後にフォトリソグラフィ法等により不要な部分をエッチングにより除去する。
【０１９５】
続いて、導電層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃ上に絶縁層を形成し、選択的にエッチングして導電層２２３ｂの上面及び側面を覆う絶縁層２４５を形成する（図７（Ａ））。絶縁層２４５は、光吸収層１０３上に接して形成し、導電層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃが形成されていない領域を覆うようにする。
【０１９６】
絶縁層２４５の形成方法及び材料については、絶縁層１３１の記載を援用できる。
【０１９７】
〔基板１１と支持基板６４との貼り合せ〕
続いて、図７（Ｂ）に示すように、基板１１と支持基板６４とを、分散媒２４３を挟んで貼り合せる。
【０１９８】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、支持基板６４側から、支持基板６４を介して光吸収層１０３に光７０を照射する。光７０の照射方法については、上記の記載を援用できる。
【０１９９】
ここでは、光７０は、少なくともその一部が支持基板６１を透過し、且つ光吸収層１０３に吸収される波長の光を選択して用いる。
【０２００】
光７０の照射により、光吸収層１０３が加熱され、光吸収層１０３から水素または酸素等が放出される。このとき放出される水素または酸素等は、ガス状となって放出される。放出されたガスは光吸収層１０３と樹脂層２０２の界面近傍、または光吸収層１０３と支持基板６４の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生じる。その結果、光吸収層１０３と樹脂層２０２の密着性、または光吸収層１０３と支持基板６４の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態とすることができる。
【０２０１】
また、光吸収層１０３から放出されるガスの一部が、光吸収層１０３中に留まる場合もある。そのため、光吸収層１０３が脆化し、光吸収層１０３の内部で分離しやすい状態となる場合がある。
【０２０２】
また、光吸収層１０３として、酸素を放出する膜を用いた場合、光吸収層１０３から放出された酸素により、樹脂層２０２の一部が酸化され、脆化する場合がある。これにより、樹脂層２０２と光吸収層１０３との界面で剥離しやすい状態とすることができる。
【０２０３】
続いて、支持基板６４と樹脂層２０２とを分離する（図８（Ａ））。上記の記載を援用することができる。図８（Ａ）では、導電層２２３ａと樹脂層２０２との界面、及び光吸収層１０３と絶縁層２４５の界面で分離が生じている例を示している。また、樹脂層２０２と基板１１との密着性を上げるため、分散媒２４３として粘度の高くゲル化できる材料を用いてもよいし、導電層２２３ａと導電層２２１ａとの間にポリマーネットワークを形成してもよい。
【０２０４】
〔基板１２の貼り合せ〕
続いて、接着層５２を用いて樹脂層２０２と基板１２とを貼り合せる（図８（Ｂ））。接着層５２は、上記接着層１５１の記載を援用できる。
【０２０５】
基板１２は、視認側に位置する基板であるため、可視光に対して透光性を有する材料を用いることができる。また、基板１２に代えて、液状材料をスプレー装置で塗布した後、硬化させて基板を形成してもよく、この場合には接着層５２を不要とすることができる。
【０２０６】
図８（Ｂ）に示すように作製直後の段階では分散媒２４３中にランダムに２種類の帯電粒子が配置されている状態となる。この状態から分散媒２４３へ電圧を印加することで、導電層表面近傍に移動させる。一度でも分散媒２４３へ電圧を印加すれば、帯電粒子群が移動し、図１（Ａ）または図１（Ｂ）に示す断面構造とすることができる。
【０２０７】
以上の工程により、図１に示す表示装置１０を作製することができる。
【０２０８】
なお、図では帯電粒子の断面における形状を円として図示しているが、特に限定されず、断面形状が楕円、矩形、或いは針状としてもよい。
【０２０９】
また、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す表示装置１０は、導電層２２３ａと導電層２２１ａとの間に電界を与える、或いは電界を印加するシーケンスを制御することで表示領域に表示される情報の記入、消去、書き換えができる。例えば、導電層２２３ｂに正の電圧を加えると負の帯電性を有する白色表示用の帯電粒子が集まり、図１（Ａ）に示すように外光を反射して白色表示となる。また、導電層２２３ｂに負の電圧を加えると正の帯電性を有する黒色表示用の帯電粒子が集まり、外光を吸収する。また、導電層２２３ｂ及び導電層２２１ｂの両方に接地電位（０Ｖ）を印加し、且つ、導電層２２３ａに正の電圧を印加し、導電層２２１ｂに負の電圧を印加すると、帯電粒子群がそれぞれ移動し、図１（Ｂ）に示すように領域３１が透光領域とすることができる。
【０２１０】
また、本実施の形態では発光素子１２０として有機ＥＬ素子を用いる例を示したが特に限定されず、ＬＥＤ、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどを用いてもよい。
【０２１１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図９、図１０及び図１１を用いて説明を行う。
【０２１２】
図９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３が接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５が接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
【０２１３】
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０２１４】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２１５】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【０２１６】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２１７】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２１８】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０２１９】
図１０（Ａ）乃至図１０（Ｅ）、及び図１１（Ａ）乃至図１１（Ｅ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、カメラ９００２、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８等を有する。
【０２２０】
図１０（Ａ）乃至図１０（Ｅ）、及び図１１（Ａ）乃至図１１（Ｅ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｅ）、及び図１１（Ａ）乃至図１１（Ｅ）に示す電子機器が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
【０２２１】
図１０（Ａ）乃至図１０（Ｅ）、及び図１１（Ａ）乃至図１１（Ｅ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０２２２】
図１０（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９１００は、表示部９００１を大画面、例えば、５０インチ以上、８０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
【０２２３】
図１０（Ｂ）は携帯情報端末９１０１を、図１０（Ｃ）は携帯情報端末９１０２を、図１０（Ｄ）は携帯情報端末９１０３を、図１０（Ｅ）は携帯情報端末９１０４を、それぞれ示す斜視図である。
【０２２４】
図１０（Ｂ）に示す携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、図示していないが、携帯情報端末９１０１には、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面（例えば、側面）に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、受信信号の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。また、携帯情報端末９１０１が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
【０２２５】
図１０（Ｃ）に示す携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。また、携帯情報端末９１０２が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
【０２２６】
図１０（Ｄ）に示す携帯情報端末９１０３は、先に示す携帯情報端末９１０１、９１０２と異なり、表示部９００１が曲面を有さない構成である。
【０２２７】
また、図１０（Ｅ）に示す携帯情報端末９１０４は、表示部９００１が湾曲している。また、図１０（Ｅ）に図示するように、携帯情報端末９１０４にカメラ９００２を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部９００１に表示する機能等を有すると好ましい。
【０２２８】
図１１（Ａ）は腕時計型の携帯情報端末９２００を、図１１（Ｂ）は腕時計型の携帯情報端末９２０１を、それぞれ示す斜視図である。
【０２２９】
図１１（Ａ）に示す携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０２３０】
また、図１１（Ｂ）に示す携帯情報端末９２０１は、図１１（Ａ）に示す携帯情報端末と異なり、表示部９００１の表示面が湾曲していない。また、携帯情報端末９２０１の表示部の外形が非矩形状（図１１（Ｂ）においては円形状）である。
【０２３１】
図１１（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０２を示す斜視図である。なお、図１１（Ｃ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態の斜視図であり、図１１（Ｄ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図１１（Ｅ）が携帯情報端末９２０２を折り畳んだ状態の斜視図である。
【０２３２】
携帯情報端末９２０２は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０２が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０２を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０２は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０２３３】
携帯情報端末においては、主電源を入れた状態で表示画面を使用していない待機状態における待機画面の消費電力がバッテリー消耗に寄与しており問題となっている。また、待機画面での表示が画面の焼き付きや、表示素子の劣化に繋がる恐れがある。従来の携帯情報端末では、液晶のバックライトや、有機ＥＬ素子を少なからず一部発光させている。本実施の形態の構成とすることで、待機画面は電気泳動方式の表示モードとすることで静止画を維持するのであれば、電源がなくても文字が消えないメモリ機能を有するといったメリットを生かせる。また、待機画面から即座に時計などを表示したい場合には、有機ＥＬ素子を用いた表示に切り替えることで瞬時に時間を視認できる。この場合、同時に電気泳動方式の表示モードと、有機ＥＬ素子を用いた自発光表示モードとを同じ表示領域で駆動させることもでき、静止画面と時計表示が同時にでき、組み合わせた画像となる。
【０２３４】
静止画面と数字表示とを組み合わせた画面は、数字表示のみの表示に比べて視認しにくい場合もあるが、数字のみを記憶することに比べて画像として記憶することができるため人間の記憶にとって覚えやすくなるという効果もある。
【０２３５】
なお、本発明の一態様である表示装置は、表示部９００１に好適に用いることができる。
【０２３６】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０２３７】
１０    表示装置
１１    基板
１２    基板
２１    発光
２２ａ    反射光
２２ｂ    反射光
３１    領域
５１    接着層
５２    接着層
６１    支持基板
６３    支持基板
６４    支持基板
７０    光
８０    プラズマ
１００    素子層
１００ａ    素子層
１００ｂ    素子層
１０１    樹脂層
１０１ａ    樹脂層
１０３    光吸収層
１１０    トランジスタ
１１１    導電層
１１２    半導体層
１１３ａ    導電層
１１３ｂ    導電層
１２０    発光素子
１２１    導電層
１２２    ＥＬ層
１２３    導電層
１３１    絶縁層
１３２    絶縁層
１３３    絶縁層
１３４    絶縁層
１３５    絶縁層
１５１    接着層
１５２    着色層
１５３    遮光層
２００    素子層
２００ａ    素子層
２０１    樹脂層
２０１ａ    樹脂層
２０２    樹脂層
２１０    トランジスタ
２１１    導電層
２１２    半導体層
２１３ａ    導電層
２１３ｂ    導電層
２２１    導電層
２２１ａ    導電層
２２１ｂ    導電層
２２１ｃ    導電層
２２３ａ    導電層
２２３ｂ    導電層
２２３ｃ    導電層
２３１    絶縁層
２３２    絶縁層
２３３    絶縁層
２３４    絶縁層
２４０    表示素子
２４１    帯電粒子
２４２    帯電粒子
２４３    分散媒
２４４    絶縁層
２４５    絶縁層
２５１    導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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