(57)【要約】【課題】  薄型化を図ることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置Ａ１は、厚さ方向を向く素子機能面３１Ａ、および素子機能面３１Ａに設けられた複数の電極パッド３２を有するホール素子３と、厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂表面５１および樹脂裏面５２を有し、ホール素子３の一部を覆う樹脂パッケージ５と、複数の電極パッド３２に導通し、かつ樹脂裏面５２から露出する複数の実装面１２と、を備え、ホール素子３は、素子機能面３１Ａとは反対側を向き、かつ樹脂表面５１および樹脂裏面５２のいずれかから当該面と面一となるように露出する素子露出面３１Ｂを有する。【選択図】  図１
2018113429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向を向く素子機能面、および前記素子機能面に設けられた複数の電極パッドを有するホール素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂表面および樹脂裏面を有し、前記ホール素子の一部を覆う樹脂パッケージと、
複数の前記電極パッドに導通し、かつ前記樹脂裏面から露出する複数の実装面と、を備え、
前記ホール素子は、前記素子機能面とは反対側を向き、かつ前記樹脂表面および前記樹脂裏面のいずれかから当該面と面一となるように露出する素子露出面を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
各々が前記実装面、および前記実装面とは反対側を向く端子表面を有するとともに、金属からなる複数の端子をさらに備え、
前記電極パッドは、導通接合材により前記端子表面に接合され、
前記素子露出面が、前記樹脂表面から露出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ホール素子は、厚さ方向視において矩形状であるとともに、厚さ方向に対して直交する第１方向に沿う一対の辺と、厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向に沿う一対の辺と、を有し、
前記樹脂パッケージは、厚さ方向視において矩形状であるとともに、前記第２方向を向く一対の樹脂第１側面と、前記第１方向を向く一対の樹脂第２側面と、を有する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ホール素子は、厚さ方向視において前記樹脂パッケージと相似である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ホール素子および前記樹脂パッケージは、厚さ方向視において正方形状である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
各々の前記端子は、前記第１方向において互いに反対側を向く第１側面および第３側面と、前記第２方向において互いに反対側を向く第２側面および第４側面と、を有し、
前記第１方向において、隣り合う前記端子の各々の前記第１側面が相互に対向し、
前記第２方向において、隣り合う前記端子の各々の前記第２側面が相互に対向している、請求項３ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３側面は、前記樹脂第１側面から露出しており、かつ前記樹脂第１側面と面一である、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第４側面は、前記樹脂第２側面から露出しており、かつ前記樹脂第２側面と面一である、請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３側面は、前記樹脂パッケージに覆われており、
前記端子は、前記第３側面から延び、かつ前記樹脂第１側面から露出する第３延出部を有する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第４側面は、前記樹脂パッケージに覆われており、
前記端子は、前記第４側面から延び、かつ前記樹脂第２側面から露出する第４延出部を有する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記端子は、前記第１側面に沿って形成されているとともに、厚みが前記素子機能面と前記素子露出面との間の距離よりも薄く、かつ前記樹脂裏面から前記樹脂パッケージに覆われた第１薄肉部を有する、請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
厚さ方向視において、前記電極パッドの一部が、前記第１薄肉部に重なる、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記端子は、前記第２側面に沿って形成されているとともに、厚みが前記素子機能面と前記素子露出面との間の距離よりも薄く、かつ前記樹脂裏面から前記樹脂パッケージに覆われた第２薄肉部を有する、請求項６ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
厚さ方向視において、前記電極パッドの一部が、前記第２薄肉部に重なる、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
厚さ方向において互いに反対側を向く基材表面および基材裏面を有する基材と、前記基材表面に形成された表面部、前記基材裏面に形成された裏面部、および前記基材を貫通し、かつ前記表面部および前記裏面部を相互に接続する貫通部を有する配線と、を構成要素として含む基板を備え、
前記樹脂裏面と前記基材表面とが対向しており、
前記電極パッドは、導通接合材により前記配線の前記表面部に接合され、
前記素子露出面が、前記樹脂表面から露出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
厚さ方向視において、前記基板の周縁と前記樹脂パッケージの周縁とが互いに一致する、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
厚さ方向視において、前記基板、前記ホール素子および前記樹脂パッケージは、いずれも矩形状であり、
厚さ方向視において、前記ホール素子の辺は、前記基板および前記樹脂パッケージの辺に対して傾いている、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記素子露出面および前記樹脂表面の双方を覆う保護層をさらに備える、請求項２ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
厚さ方向視において互いに離間し、かつ各々が厚さ方向において互いに反対側を向く端子表面および実装面を有する複数の端子を含むリードフレームを用意する工程と、
ホール素子の素子機能面に設けられた複数の電極パッドを導通接合材により各々の前記端子表面に接合する工程と、
前記ホール素子の全体、および前記端子表面を覆う樹脂材料を形成する工程と、
前記樹脂材料および前記ホール素子を、前記素子機能面とは反対側から研削することにより、互いに面一である前記ホール素子の素子露出面、および前記樹脂材料の樹脂表面を形成する工程と、を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子がホール素子である半導体装置と、その製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がホール素子である半導体装置は、携帯電話など様々な電子機器に用いられている。たとえば、携帯電話のディスプレイの光源を制御する場合において、当該半導体装置を用いれば、携帯電話の本体の開閉により光源を点灯または消灯するといった制御を行うことができる。
【０００３】
特許文献１には、ホール素子を搭載した半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、ホール素子と導通するリードと、ホール素子とリードの一部とを覆う樹脂パッケージとを備える。
【０００４】
ホール素子を搭載した半導体装置については、薄型化の要請がますます強まっている。同文献の半導体装置の厚さには、ホール素子と、当該ホール素子の上方を覆う樹脂パッケージとの厚さが含まれることから、さらなる薄型化が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１９７３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上述の事情に鑑み、薄型化を図ることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することをその主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によれば、厚さ方向を向く素子機能面、および前記素子機能面に設けられた複数の電極パッドを有するホール素子と、厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂表面および樹脂裏面を有し、前記ホール素子の一部を覆う樹脂パッケージと、複数の前記電極パッドに導通し、かつ前記樹脂裏面から露出する複数の実装面と、を備え、前記ホール素子は、前記素子機能面とは反対側を向き、かつ前記樹脂表面および前記樹脂裏面のいずれかから当該面と面一となるように露出する素子露出面を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の側面によれば、厚さ方向視において互いに離間し、かつ各々が厚さ方向において互いに反対側を向く端子表面および実装面を有する複数の端子を含むリードフレームを用意する工程と、ホール素子の素子機能面に設けられた複数の電極パッドを導通接合材により各々の前記端子表面に接合する工程と、前記ホール素子の全体、および前記端子表面を覆う樹脂材料を形成する工程と、前記樹脂材料および前記ホール素子を、前記素子機能面とは反対側から研削することにより、互いに面一である前記ホール素子の素子露出面、および前記樹脂材料の樹脂表面を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。
【図２Ａ】図１に示す半導体装置の平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図３Ａ】図１に示す半導体装置の底面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の正面図である。
【図５】図２ＡのＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置を用いた回路のブロック図である。
【図７Ａ】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図８Ａ】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図９】図８ＡのＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例を説明する断面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例を説明する断面図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の変形例にかかる断面図である。
【図１６Ａ】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図１７Ａ】図１６ＡのＸＶＩＩＡ−ＸＶＩＩＡ線に沿う断面図である。
【図１７Ｂ】図１６ＢのＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ線に沿う断面図である。
【図１８Ａ】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の底面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図１９Ａ】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の底面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図２０Ａ】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の底面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図２１Ａ】本発明の第６実施形態にかかる半導体装置の底面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図２２】本発明の第７実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図２３】図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図２４】本発明の第８実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図２５】本発明の第９実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図２６】図２５に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図２７】図２５に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図２８】本発明の第１０実施形態にかかる半導体装置の斜視図（封止樹脂を透過）である。
【図２９】図２８に示す半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図３０】図２８に示す半導体装置の底面図である。
【図３１】図２８に示す半導体装置の底面図（絶縁膜を省略）である。
【図３２】図２９のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図３３】本発明の第１１実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図３４】図３３に示す半導体装置の底面図である。
【図３５】図３３に示す半導体装置の底面図（絶縁膜を省略）である。
【図３６】図３３のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。
【図３７】本発明の第１２実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図３８】図３７に示す半導体装置の第１基板などの平面図である。
【図３９】図３７に示す半導体装置の底面図である。
【図４０】図３７のＸＬ−ＸＬ線に沿う断面図である。
【図４１Ａ】本発明の第１３実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図４１Ｂ】図４１Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図４２Ａ】図４１Ａに示す半導体装置の底面図である。
【図４２Ｂ】図４２Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図４３Ａ】図４１Ａに示す半導体装置の左側面図（封止樹脂を透過）である。
【図４３Ｂ】図４３Ａに対して、より実物に則った左側面図である。
【図４４Ａ】本発明の第１４実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図４４Ｂ】図４４Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図４５Ａ】図４４Ａに示す半導体装置の底面図である。
【図４５Ｂ】図４５Ａに対して、より実物に則った底面図である。
【図４６Ａ】図４４Ａに示す半導体装置の左側面図（封止樹脂を透過）である。
【図４６Ｂ】図４６Ａに対して、より実物に則った左側面図である。
【図４７Ａ】本発明の第１５実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。
【図４７Ｂ】図４７Ａに対して、より実物に則った平面図である。
【図４８Ａ】図４７ＡのＸＬＶＩＩＩＡ−ＸＬＶＩＩＩＡ線に沿う断面図である。
【図４８Ｂ】図４７ＢのＸＬＶＩＩＩＢ−ＸＬＶＩＩＩＢ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００１３】
〔第１実施形態〕
図１〜図５に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１について説明する。半導体装置Ａ１は、４つの端子１、ホール素子３および樹脂パッケージ５を備える。
【００１４】
ここで、「ｘ方向」が特許請求の範囲に記載された発明の「第１方向」であり、「ｙ方向」が特許請求の範囲に記載された発明の「第２方向」であり、「ｚ方向」が特許請求の範囲に記載された発明の「厚さ方向」である。ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向は、半導体装置Ａ１と、後述する半導体装置Ａ２〜半導体装置Ａ９の説明において適用する。
【００１５】
半導体装置Ａ１は、ｚ方向視においてｘ方向およびｙ方向に沿う四辺を有する矩形状である。半導体装置Ａ１では、ｘ方向寸法が０．３〜１．０ｍｍ、ｙ方向寸法が０．３〜１．０ｍｍ、ｚ方向寸法（厚さ）が０．１〜０．３ｍｍとされる。なお、半導体装置Ａ１の寸法は、これに限定されない。
【００１６】
４つの端子１は、たとえばエッチングによるパターンニングが施された金属製のリードフレームを適宜切断することにより形成されたものである。端子１の組成は特に限定されず、たとえばＣｕまたはＣｕ合金である。端子１の厚さは特に限定されず、半導体装置Ａ１０では、０．０６ｍｍ〜０．１ｍｍとされている。また、端子１の表面の適所に、めっき層が設けられていてもよい。めっき層の組成としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどが挙げられる。なお、端子１は、リードフレームから形成されるもの以外に、たとえば所定の支持基板上に電解めっきなどにより形成された金属層でもよい。
【００１７】
４つの端子１は、ｚ方向視において互いに離間している。半導体装置Ａ１では、端子１は、ｚ方向視において略矩形状である。端子１は、端子表面１１、実装面１２、第１側面１３Ａ、第２側面１３Ｂ、第３側面１３Ｃおよび第４側面１３Ｄを有する。
【００１８】
端子表面１１は、ｚ方向の上方を向く。実装面１２は、ｚ方向の下方を向く。実装面１２は、樹脂パッケージ５から露出しており、半導体装置Ａ１を配線基板に実装する際に用いられる。端子表面１１および実装面１２は、ｚ方向に対して直交している。
【００１９】
第１側面１３Ａ、第２側面１３Ｂ、第３側面１３Ｃおよび第４側面１３Ｄは、いずれもｚ方向に起立し、かつ端子表面１１につながっている。半導体装置Ａ１では、第１側面１３Ａ、第２側面１３Ｂ、第３側面１３Ｃおよび第４側面１３Ｄは、いずれも実装面１２につながっている。
【００２０】
第１側面１３Ａおよび第３側面１３Ｃは、ｘ方向において互いに反対側を向く。第２側面１３Ｂおよび第４側面１３Ｄは、ｙ方向において互いに反対側を向く。
【００２１】
ｘ方向において、隣り合う端子１の各々の第１側面１３Ａが相互に対向している。また、ｙ方向において、隣り合う端子１の各々の第２側面１３Ｂが相互に対向している。第１側面１３Ａおよび第２側面１３Ｂは、樹脂パッケージ５により覆われている。
【００２２】
半導体装置Ａ１では、第３側面１３Ｃは、樹脂パッケージ５から露出している。また、第４側面１３Ｄは、樹脂パッケージ５から露出している。
【００２３】
図２Ｂおよび図３Ｂに示すように、半導体装置Ａ１では、端子１は、第１湾曲部１６Ａを有する。第１湾曲部１６Ａは、端子１の面取り部であり、かつ第１側面１３Ａと第２側面１３Ｂとの境界に位置する。
【００２４】
ホール素子３は、素子本体３１、４つの電極パッド３２、感磁層３３および絶縁層３４を有しており、ｚ方向視において矩形状である。半導体装置Ａ１では、ホール素子３は、ｘ方向に沿う一対の辺と、ｙ方向に沿う一対の辺とを有する。ホール素子３のこれらの辺の長さはいずれも等しく、その長さは、たとえば０．１９ｍｍである。
【００２５】
素子本体３１は、ＧａＡｓなどの半導体材料からなり、かつホール素子３の基礎となる部位である。素子本体３１は、素子機能面３１Ａおよび素子露出面３１Ｂを有する。素子機能面３１Ａおよび素子露出面３１Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子機能面３１Ａおよび素子露出面３１Ｂは、ｚ方向に対して直交している。素子機能面３１Ａには、感磁層３３が形成されている。感磁層３３は、たとえばＧａＡｓなどの半導体材料からなり、ホール効果が発揮される部位である。４つの電極パッド３２は、感磁層３３に導通しており、感磁層３３への駆動電流を入力ための２つの電極パッド３２と、出力電圧（ホール電圧）を出力するための２つの電極パッド３２とから構成される。絶縁層３４は、感磁層３３を保護するものであり、電気絶縁性を有する材料からなる。
【００２６】
半導体装置Ａ１では、４つの電極パッド３２と、４つの端子１の端子表面１１とが、ｚ方向視においてそれぞれ互いに重なり、かつ導通接合材３９によって接合されている。このような接合形態は、フリップチップボンディングと称される。導通接合材３９は、導電性を有する接合材であり、たとえば半田やＡｇペーストなどである。
【００２７】
樹脂パッケージ５は、４つの端子１の一部ずつと、ホール素子３の一部とを覆っている。樹脂パッケージ５は、電気絶縁性を合成樹脂からなり、たとえばフィラーが混入されたエポキシ樹脂からなる。樹脂パッケージ５は、樹脂表面５１、樹脂裏面５２、一対の樹脂第１側面５３、および一対の樹脂第２側面５４を有する。樹脂パッケージ５は、ｚ方向視においてｘ方向およびｙ方向のいずれかに沿った四辺を有する矩形状である。
【００２８】
樹脂表面５１は、ｚ方向のうち端子表面１１および素子露出面３１Ｂが向く方向と同方向を向く。樹脂裏面５２は、ｚ方向において樹脂表面５１とは反対側を向く。一対の樹脂第１側面５３は、ｚ方向に起立し、かつｘ方向において互いに反対側を向く。一対の樹脂第２側面５４は、ｚ方向およびｘ方向に沿っており、ｙ方向において互いに反対側を向いている。
【００２９】
半導体装置Ａ１では、ホール素子３の素子本体３１の素子露出面３１Ｂが、樹脂パッケージ５の樹脂表面５１から露出している。また、素子露出面３１Ｂと樹脂表面５１とは、互いに面一である。
【００３０】
半導体装置Ａ１では、４つの端子１の実装面１２が、樹脂パッケージ５の樹脂裏面５２から露出している。また、実装面１２と樹脂裏面５２とは、互いに面一である。
【００３１】
半導体装置Ａ１では、端子１の第３側面１３Ｃが、樹脂パッケージ５の樹脂第１側面５３から露出している。第３側面１３Ｃは、樹脂第１側面５３と面一である。
【００３２】
半導体装置Ａ１では、端子１の第４側面１３Ｄが、樹脂パッケージ５の樹脂第２側面５４から露出している。第４側面１３Ｄは、樹脂第２側面５４と面一である。
【００３３】
半導体装置Ａ１では、ホール素子３は、ｚ方向視において樹脂パッケージ５と相似である。半導体装置Ａ１では、ホール素子３および樹脂パッケージ５は、ｚ方向視において正方形状である。
【００３４】
次に、図６に基づき、半導体装置Ａ１を用いた回路の一例について説明する。
【００３５】
図６に示すように、当該回路は、半導体装置Ａ１、集積回路６１および制御対象６２によって構成されている。制御対象６２は、たとえば携帯電話のディスプレイの光源や、ＤＣモータなどが挙げられる。集積回路６１は、装置駆動領域６１１、電圧検出領域６１２および制御領域６１３を備える。装置駆動領域６１１は、半導体装置Ａ１のホール素子３の感磁層３３にホール電流を流す領域である。電圧検出領域６１２は、ホール効果により感磁層３３に現れた起電力（ホール電圧）を検出する領域である。制御領域６１３は、制御対象６２の動作を制御する領域である。いま、半導体装置Ａ１に磁石６３を近づけたとき、磁束密度が変化するためホール効果によりホール素子３に起電力が現れる。当該起電力は、電圧検出領域６１２により検出される。電圧検出領域６１２は、この検出結果を制御領域６１３に伝達する。制御領域６１３は、伝達された当該検出結果に基づき、制御対象６２の動作を制御（起動や停止など）する。
【００３６】
次に、図７Ａ〜図１１に基づき、半導体装置Ａ１の製造方法の一例について説明する。
【００３７】
まず、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、リードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は、たとえばＣｕ、Ｃｕ合金からなる。リードフレーム１０は、４つの端子１となるべき部位を有しており、端子表面１１、実装面１２、第１側面１３Ａおよび第２側面１３Ｂを有する。また、図７Ｂに示すリードフレーム１０は、第１湾曲部１６Ａをさらに有する。
【００３８】
次いで、図８Ａ、図８Ｂおよび図９に示すように、リードフレーム１０にホール素子３を搭載する。このホール素子３の素子本体３１は、図１〜図５に示した半導体装置Ａ１のホール素子３の素子本体３１よりも厚さが厚いものである。ホール素子３の搭載は、ホール素子３の４つの電極パッド３２を、４つの端子１となる部位の端子表面１１に、それぞれ導通接合材３９によって接合することにより行う。また、半導体装置Ａ１の製造方法では、支持部材７１が用いられる。支持部材７１は、リードフレーム１０の実装面１２にテープなどの接合材（図示略）によって接合されたものである。
【００３９】
次いで、図１０に示すように、樹脂材料５０を形成する。樹脂材料５０は、たとえば液状の樹脂材料を硬化させることにより行う。樹脂材料５０は、ホール素子３の全体を覆っている。すなわち、樹脂材料５０は、ホール素子３をｚ方向上方から覆っている。
【００４０】
次いで、図１１に示すように、樹脂材料５０およびホール素子３を研削する。具体的には、たとえば研磨パッドあるいは研削工具に基づく研削手段７２によって、樹脂材料５０およびホール素子３をｚ方向において素子機能面３１Ａとは反対側から研削する。これにより、樹脂材料５０およびホール素子３の素子本体３１のｚ方向寸法が縮小し、樹脂材料５０に樹脂表面５１が形成され、ホール素子３の素子本体３１に素子露出面３１Ｂが形成される。素子露出面３１Ｂは、樹脂表面５１から露出しており、樹脂表面５１と面一である。この研削においては、素子本体３１の厚さをたとえば６５μｍ〜１２０μｍ程度とすることが好ましい。
【００４１】
この後は、たとえば、リードフレーム１０および樹脂材料５０の切断および支持部材７１の除去を行うことにより、半導体装置Ａ１が得られる。
【００４２】
次に、半導体装置Ａ１（その製造方法も含む）の作用効果について説明する。
【００４３】
半導体装置Ａ１では、ホール素子３の素子露出面３１Ｂが樹脂パッケージ５から露出している。このため、樹脂パッケージ５は、素子露出面３１Ｂをｚ方向から覆う部分を有していない。これにより、半導体装置Ａ１の薄型化を図ることができる。
【００４４】
半導体装置Ａ１の厚さは、端子１、導通接合材３９およびホール素子３の厚さによって決定される。このため、半導体装置Ａ１の厚さの決定因子に、樹脂パッケージ５は含まれない。したがって、半導体装置Ａ１の構成は、薄型化という目的に合致している。
【００４５】
半導体装置Ａ１の製造方法では、図１０に示す工程までは、比較的厚さが厚いホール素子３を用いることが可能である。これは、ホール素子３の製造からリードフレーム１０への搭載に至る工程をより確実に行うのに好ましい。一方、図１１に示す研削工程により、ホール素子３の素子本体３１のうちホール素子３の機能を果たすのに不要である部分を除去することができる。また、完成した半導体装置Ａ１のホール素子３の素子本体３１の厚さは、半導体装置Ａ１を製造する際に求められる強度を発揮する厚さとする必要がない。これは、半導体装置Ａ１の薄型化を図るのに有利である。
【００４６】
４つの端子１は、ｚ方向視においてホール素子３と重なっている。このため、半導体装置Ａ１のｚ方向視における寸法（たとえばｘ方向寸法およびｙ方向寸法）を縮小することができる。
【００４７】
次に、図１２〜図１４に基づき、半導体装置Ａ１の製造方法の他の例について説明する。
【００４８】
まず、図１２に示すように、リードフレーム１０にホール素子３を搭載し、樹脂材料５０を形成する。この際、ホール素子３および樹脂材料５０の厚さやリードフレーム１０の厚さは、最終的に製造される半導体装置Ａ１におけるホール素子３、樹脂パッケージ５および端子１の厚さよりも十分に厚くてよい。
【００４９】
次いで、図１３に示すように、研削手段７２を用いて樹脂材料５０およびホール素子３を研削する。これにより、樹脂材料５０に樹脂表面５１が形成され、ホール素子３の素子本体３１に素子露出面３１Ｂが形成される。本変形例においても樹脂表面５１と素子露出面３１Ｂとは互いに面一である。
【００５０】
次いで、図１４に示すように、研削手段７２と類似の研削手段７３を用いて、樹脂材料５０およびリードフレーム１０を研削する。この際、樹脂表面５１および素子露出面３１Ｂに支持部材７１と類似の支持部材を接合しておいてもよい。この研削により、互いに面一である実装面１２と樹脂裏面５２とが形成される。
【００５１】
本例によって製造された半導体装置Ａ１も、薄型化が図られたものとなる。特に、本例の製造方法によれば、リードフレーム１０を研削することにより端子１を形成するため、端子１の厚さをより薄くすることが可能であり、半導体装置Ａ１の薄型化により有利である。
【００５２】
次に、図１５に基づき、半導体装置Ａ１の変形例について説明する。
【００５３】
本変形例の半導体装置Ａ１は、保護層５９を備える。保護層５９は、樹脂パッケージ５の樹脂表面５１およびホール素子３の素子本体３１の素子露出面３１Ｂを覆っている。保護層５９の組成は特に限定されず、たとえば紫外線硬化性のシリコーン樹脂、またはポリイミドなどである。
【００５４】
本変形例によっても、半導体装置Ａ１の薄型化を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、素子露出面３１Ｂは、樹脂パッケージ５から外部に露出している場合や、保護層５９に覆われた場合でもよい。
【００５５】
〔第２実施形態〕
図１６Ａ〜図１７Ｂに基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００５６】
半導体装置Ａ２では、端子１は、第１薄肉部１５Ａおよび第２薄肉部１５Ｂを有する。第１薄肉部１５Ａは、第１側面１３Ａに沿って形成されている。第１薄肉部１５Ａの厚みは、素子機能面３１Ａと素子露出面３１Ｂとの間における距離よりも薄い。第１薄肉部１５Ａは、樹脂裏面５２から樹脂パッケージ５に覆われている。
【００５７】
第２薄肉部１５Ｂは、第２側面１３Ｂに沿って形成されている。第２薄肉部１５Ｂの厚みは、素子機能面３１Ａと素子露出面３１Ｂとの間における距離よりも薄い。第２薄肉部１５Ｂは、樹脂裏面５２から樹脂パッケージ５に覆われている。
【００５８】
半導体装置Ａ２では、ｚ方向視において電極パッド３２の一部は、第１薄肉部１５Ａに重なっている。また、ｚ方向視において電極パッド３２の一部は、第２薄肉部１５Ｂに重なっている。ｚ方向視において第１薄肉部１５Ａおよび第２薄肉部１５Ｂに重ならない電極パッド３２の一部は、実装面１２に重なっている。
【００５９】
図１６Ｂおよび図１７Ｂに示すように、半導体装置Ａ２では、端子１は、第１内側面１５Ｃ、第１中間面１５Ｄ、第２内側面１５Ｅおよび第２中間面１５Ｆを有する。第１内側面１５Ｃは、実装面１２のｙ方向に沿った辺からｚ方向に向けて起立している。第１中間面１５Ｄは、第１内側面１５Ｃおよび第１側面１３Ａの相互につながっている。第１内側面１５Ｃと第１中間面１５Ｄとの境界が、第１薄肉部１５Ａの付け根に該当する。また、第１中間面１５Ｄが、第１薄肉部１５Ａの下面に該当する。
【００６０】
第２内側面１５Ｅは、実装面１２のｘ方向に沿った辺からｚ方向に向けて起立している。第２中間面１５Ｆは、第２内側面１５Ｅおよび第２側面１３Ｂの相互につながっている。第２内側面１５Ｅと第２中間面１５Ｆとの境界が、第２薄肉部１５Ｂの付け根に該当する。また、第２中間面１５Ｆが、第２薄肉部１５Ｂの下面に該当する。
【００６１】
図１６Ｂに示すように、半導体装置Ａ２では、端子１は、第２湾曲部１６Ｂを有する。第２湾曲部１６Ｂは、端子１の面取り部であり、かつ第１内側面１５Ｃと第２内側面１５Ｅとの境界に位置する。
【００６２】
次に、半導体装置Ａ２の作用効果について説明する。
【００６３】
半導体装置Ａ２によっても、半導体装置Ａ２の薄型化を図ることができる。また、端子１に第１薄肉部１５Ａおよび第２薄肉部１５Ｂが形成されていることにより、端子１が樹脂パッケージ５の樹脂裏面５２から抜け出すことを防止できる。なお、第１薄肉部１５Ａおよび第２薄肉部１５Ｂのいずれか一方のみを形成した構成であってもよい。また、後述する半導体装置Ａ３〜半導体装置Ａ６でも、第１薄肉部１５Ａおよび第２薄肉部１５Ｂの少なくともいずれかを適宜採用してもよい。半導体装置Ａ３〜半導体装置Ａ６において、第３側面１３Ｃが樹脂パッケージ５により覆われている構成では、第３側面１３Ｃに沿って第１薄肉部１５Ａと同様な部位を形成してもよい。同様に、半導体装置Ａ３〜半導体装置Ａ６において、第４側面１３Ｄが樹脂パッケージ５により覆われている構成では、第４側面１３Ｄに沿って第２薄肉部１５Ｂと同様な部位を形成してもよい。
【００６４】
ｚ方向視において電極パッド３２の一部が第１薄肉部１５Ａに重なっていることにより、ｘ方向において隣り合う電極パッド３２の間隔よりも、ｘ方向において隣り合う端子１の実装面１２の間隔を長くすることができる。また、ｚ方向視において電極パッド３２の一部が第２薄肉部１５Ｂに重なっていることにより、ｙ方向において隣り合う電極パッド３２の間隔よりも、ｙ方向において隣り合う端子１の実装面１２の間隔を長くすることができる。隣り合う電極パッド３２の間隔は、ホール素子３を製造する際の薄膜形成技術などの精度に依存するため、当該間隔を極力短くすることができる。一方、隣り合う実装面１２の間隔は、半導体装置Ａ２が実装される配線基板の配線パターンの最小間隔や、樹脂パッケージ５を形成する際のモールド内における樹脂流動が可能とされる最小間隔に依存する。このため、隣り合う実装面１２の間隔は、隣り合う電極パッド３２の間隔よりも長いことが好ましい。これにより、ホール素子３をより小型化にしつつ、樹脂パッケージ５に空隙などの欠陥が現れることなく、かつ適切な実装を行うことが可能な半導体装置Ａ２とすることができる。
【００６５】
〔第３実施形態〕
図１８Ａおよび図１８Ｂに基づき、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００６６】
半導体装置Ａ３では、端子１の第１側面１３Ａ、第２側面１３Ｂおよび第３側面１３Ｃが樹脂パッケージ５により覆われている。端子１の第４側面１３Ｄは、樹脂パッケージ５から露出しており、樹脂第２側面５４と面一である。
【００６７】
図１８Ｂに示すように、半導体装置Ａ３では、端子１は、第３湾曲部１６Ｃを有する。第３湾曲部１６Ｃは、端子１の面取り部であり、かつ第２側面１３Ｂと第３側面１３Ｃとの境界に位置する。
【００６８】
次に、半導体装置Ａ３の作用効果について説明する。
【００６９】
半導体装置Ａ３によっても、半導体装置Ａ３の薄型化を図ることができる。また、端子１の第３側面１３Ｃが樹脂パッケージ５により覆われていることによって、第１方向ｘにおいて端子１が樹脂パッケージ５から抜け出すことを防止できる。
【００７０】
〔第４実施形態〕
図１９Ａおよび図１９Ｂに基づき、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００７１】
半導体装置Ａ４では、端子１の第１側面１３Ａ、第２側面１３Ｂおよび第４側面１３Ｄが樹脂パッケージ５により覆われている。端子１の第３側面１３Ｃは、樹脂パッケージ５から露出しており、樹脂第１側面５３と面一である。
【００７２】
図１９Ｂに示すように、半導体装置Ａ４では、端子１は、第４湾曲部１６Ｄを有する。第４湾曲部１６Ｄは、端子１の面取り部であり、かつ第１側面１３Ａと第４側面１３Ｄとの境界に位置する。
【００７３】
次に、半導体装置Ａ４の作用効果について説明する。
【００７４】
半導体装置Ａ４によっても、半導体装置Ａ４の薄型化を図ることができる。また、端子１の第４側面１３Ｄが樹脂パッケージ５により覆われていることによって、ｙ方向において端子１が樹脂パッケージ５から抜け出すことを防止できる。
【００７５】
〔第５実施形態〕
図２０Ａおよび図２０Ｂに基づき、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００７６】
半導体装置Ａ５では、端子１の構成が先述した半導体装置Ａ１と異なる。半導体装置Ａ５では、端子１は、第３延出部１４Ｃを有する。第３延出部１４Ｃは、第３側面１３Ｃから延びている。第３側面１３Ｃは、樹脂パッケージ５により覆われている。第３延出部１４Ｃは、樹脂パッケージ５の樹脂第１側面５３から露出している。第３延出部１４Ｃの端面は、樹脂パッケージ５の樹脂第１側面５３と面一である。
【００７７】
図２０Ｂに示すように、半導体装置Ａ５では、端子１は、第５湾曲部１６Ｅを有する。第５湾曲部１６Ｅは、端子１の面取り部であり、かつ第３側面１３Ｃと第３延出部１４Ｃとの境界に位置する。
【００７８】
次に、半導体装置Ａ５の作用効果について説明する。
【００７９】
半導体装置Ａ５によっても、半導体装置Ａ５の薄型化を図ることができる。また、第３延出部１４Ｃは、半導体装置Ａ５を製造する際に、端子１となるべき部位を周辺のフレーム部分に連結する部分として利用できる。
【００８０】
〔第６実施形態〕
図２１Ａおよび図２１Ｂに基づき、本発明の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００８１】
半導体装置Ａ６では、端子１の構成が先述した半導体装置Ａ１と異なる。半導体装置Ａ６では、端子１は、第４延出部１４Ｄを有する。第４延出部１４Ｄは、第４側面１３Ｄから延びている。第４側面１３Ｄは、樹脂パッケージ５により覆われている。第４延出部１４Ｄは、樹脂パッケージ５の樹脂第２側面５４から露出している。第４延出部１４Ｄの端面は、樹脂パッケージ５の樹脂第２側面５４と面一である。
【００８２】
図２１Ｂに示すように、半導体装置Ａ６では、端子１は、第６湾曲部１６Ｆおよび第７湾曲部１６Ｇを有する。第６湾曲部１６Ｆおよび第７湾曲部１６Ｇは、端子１の面取り部である。第６湾曲部１６Ｆは、第３側面１３Ｃと第４側面１３Ｄとの境界に位置する。第７湾曲部１６Ｇは、第４側面１３Ｄと第４延出部１４Ｄとの境界に位置する。
【００８３】
次に、半導体装置Ａ６の作用効果について説明する。
【００８４】
半導体装置Ａ６によっても、半導体装置Ａ６の薄型化を図ることができる。また、第４延出部１４Ｄは、半導体装置Ａ６を製造する際に、端子１となるべき部位を周辺のフレーム部分に連結する部分として利用できる。
【００８５】
〔第７実施形態〕
図２２および図２３に基づき、本発明の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００８６】
半導体装置Ａ７は、基板２、ホール素子３および樹脂パッケージ５を備える。
【００８７】
基板２は、基材２１および配線２２をその構成要素として含む。基板２は、ｚ方向視矩形状であり、各々の辺がｘ方向およびｙ方向のいずれかに沿っている。また、ｚ方向視において、基板２の周縁と樹脂パッケージ５の周縁とが互いに一致している。基板２は、ｚ方向視において正方形状であり、かつホール素子３と相似である。
【００８８】
基材２１は、基材表面２１Ａおよび基材裏面２１Ｂを有する。基材表面２１Ａおよび基材裏面２１Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く。半導体装置Ａ７では、基材表面２１Ａおよび基材裏面２１Ｂは、ｚ方向に対して直交している。基材２１は、たとえばガラスエポキシ樹脂やセラミックスなどの電気絶縁性を有する材料からなる。
【００８９】
配線２２は、半導体装置Ａ７が実装された配線基板とホール素子３との導通経路を構成している。半導体装置Ａ７では、配線２２は、表面部２３、裏面部２４および貫通部２５を有する。表面部２３は、基材２１の基材表面２１Ａに４箇所形成されている。裏面部２４は、基材２１の基材裏面２１Ｂに４箇所形成されている。貫通部２５は、基材２１をｚ方向に貫通しており、表面部２３および裏面部２４を相互に接続している。配線２２は、たとえば電解めっきにより形成された複数の金属層から構成される。複数の金属層の構成は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層である。ホール素子３の電極パッド３２は、導通接合材３９より表面部２３に接合されている。また、図２３において下方を向く裏面部２４の面は、実装面２４Ａとされている。実装面２４Ａは、半導体装置Ａ７を配線基板に実装する際に用いられる。
【００９０】
ホール素子３の素子露出面３１Ｂは、樹脂パッケージ５の樹脂表面５１から露出している。素子露出面３１Ｂと樹脂表面５１とは、互いに面一である。
【００９１】
次に、半導体装置Ａ７の作用効果について説明する。
【００９２】
半導体装置Ａ７によっても、半導体装置Ａ７の薄型化を図ることができる。基板２を用いることにより、半導体装置Ａ７の機械的強度を増加させることができる。
【００９３】
〔第８実施形態〕
図２４に基づき、本発明の第８実施形態にかかる半導体装置Ａ８について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００９４】
半導体装置Ａ８は、半導体装置Ａ７と同様に、基板２、ホール素子３および樹脂パッケージ５を備える。基板２および樹脂パッケージ５は、ｚ方向視において矩形状であり、四辺がｘ方向およびｙ方向に沿っている。一方、ホール素子３は、ｚ方向視矩形状であるものの、四辺がｘ方向およびｙ方向に対して傾斜している。半導体装置Ａ８では、ホール素子３は、ｚ方向視において正方形状であり、四辺がｘ方向およびｙ方向に対して４５度傾いている。
【００９５】
基板２の配線２２の表面部２３は、電極パッド３２の直下からｚ方向視において裏面部２４と十分に重なる領域に設けられている。なお、半導体装置Ａ８でも、貫通部２５が表面部２３および裏面部２４を相互に接続している。
【００９６】
次に、半導体装置Ａ８の作用効果について説明する。
【００９７】
半導体装置Ａ８によっても、半導体装置Ａ８の薄型化を図ることができる。基板２を用いることにより、ホール素子３の配置の自由度が増す。
【００９８】
〔第９実施形態〕
図２５に基づき、本発明の第９実施形態にかかる半導体装置Ａ９について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００９９】
半導体装置Ａ９は、４つの端子１、ホール素子３、４つのワイヤ４および樹脂パッケージ５を備える。
【０１００】
半導体装置Ａ９では、４つの端子１がｚ方向視においてホール素子３から離間した位置に設けられている。端子１の実装面１２は、樹脂パッケージ５の樹脂裏面５２から露出しており、樹脂裏面５２と面一である。また、半導体装置Ａ９では、ホール素子３の素子本体３１の素子露出面３１Ｂは、樹脂パッケージ５の樹脂裏面５２から露出しており、樹脂裏面５２と面一である。一方、素子機能面３１Ａは、端子１の端子表面１１と同じ側を向いている。
【０１０１】
ワイヤ４は、端子１の端子表面１１とホール素子３の電極パッド３２とに接続されている。ワイヤ４の組成は、たとえばＡｕである。ワイヤ４は、第１ボンディング部４１および第２ボンディング部４２を有する。第１ボンディング部４１は、ワイヤ４の形成おいて最初に対象物に接合された部位であり、半導体装置Ａ９では端子表面１１に接合されている。第２ボンディング部４２は、ワイヤ４の形成において２番目に接合された部位であり、半導体装置Ａ９では電極パッド３２に接合されている。ワイヤ４は、樹脂パッケージ５により覆われている。
【０１０２】
次に、図２６および図２７に基づき、半導体装置Ａ９の製造方法の一例について説明する。
【０１０３】
まず、図２６に示すように、端子１を形成するためのリードフレーム１０を用意する。このリードフレーム１０は、アイランド１９を有している。アイランド１９は、ｚ方向視において４つの端子１に囲まれた位置に設けられている。次いで、アイランド１９にホール素子３をボンディングする。このボンディングは、たとえばホール素子３の素子本体３１のうち素子機能面３１Ａとは反対側の部位を接合材３７によって接合することによって行う。接合材３７は、導電性を有するもの、または電気絶縁性を有するものの、どちらでもよい。次いで、電極パッド３２と端子表面１１とにワイヤ４をボンディングする。次いで、リードフレーム１０の一部、ホール素子３およびワイヤ４を覆うように樹脂材料５０を形成する。なお、リードフレーム１０を支持するための図示しない支持部材を用いてもよい。
【０１０４】
次いで、図２７に示すように、研削工程を行う。この検索工程においては、たとえば上述した研削手段７２を用いて、リードフレーム１０および樹脂材料５０を、素子機能面３１Ａとは反対側から研削する。この研削により、リードフレーム１０のアイランド１９を完全に除去する。そして、素子本体３１に素子露出面３１Ｂを形成する。また、リードフレーム１０の端子１となる部位に実装面１２を形成し、樹脂材料５０に樹脂裏面５２を形成する。この研削の結果、ホール素子３の素子本体３１の素子露出面３１Ｂは、樹脂パッケージ５の樹脂裏面５２から露出し、樹脂裏面５２と面一となる。また、端子１の実装面１２は、樹脂裏面５２から露出し、樹脂裏面５２と面一となる。この後は、リードフレーム１０および樹脂材料５０を切断することにより、半導体装置Ａ９が得られる。
【０１０５】
次に、半導体装置Ａ９の作用効果について説明する。
【０１０６】
半導体装置Ａ９によっても、半導体装置Ａ９の薄型化を図ることができる。なお、本発明では、素子露出面３１Ｂが樹脂パッケージ５から面一の状態でｚ方向に露出する構成であれば良く、素子露出面３１Ｂが樹脂表面５１および樹脂裏面５２のいずれか一方から露出すればよい。また、ホール素子３と端子１とを導通させる手段として、半導体装置Ａ１〜半導体装置Ａ８のように導通接合材３９を用いる方法の他に、半導体装置Ａ９のようなワイヤ４を用いる方法をとることができる。
【０１０７】
〔第１０実施形態〕
図２８〜図３２に基づき、本発明の第１０実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、基板１００、端子２００、第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０、第４配線３４０、ホール素子４００および封止樹脂５００を備える。これらの図のうち、図２８および図２９は、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図２８においては、透過した封止樹脂５００の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３１は、絶縁膜３９０（詳細は後述）を省略している。
【０１０８】
ここで、半導体装置Ａ１０の説明において、ホール素子４００の厚さ方向ｚ（以下、単に「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。）に対して直交する半導体装置Ａ１０の長手方向を、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に直交する半導体装置Ａ１０の短手方向を、「第２方向ｙ１」および「第３方向ｙ２」と呼ぶ。第３方向ｙ２は、第２方向ｙ１とは反対方向である。厚さ方向ｚ、第１方向ｘ、第２方向ｙ１および第３方向ｙ２は、後述する半導体装置Ａ１１〜半導体装置Ａ１５の説明においても適用する。なお、半導体装置Ａ１１〜半導体装置Ａ１５の説明において、厚さ方向ｚ視は、単に「平面視」と呼ぶ。
【０１０９】
基板１００は、図２８〜図３２に示すように、端子２００が配置され、かつホール素子４００が搭載される電気絶縁部材である。基板１００は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。基板１００は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１０および裏面１２０を有する。主面１１０は、図３２に示す基板１００の上面である。主面１１０にホール素子４００が搭載される。裏面１２０は、図３２に示す基板１００の下面である。裏面１２０に端子２００が配置される。
【０１１０】
図２９〜図３２に示すように、基板１００には、主面１１０から裏面１２０に至って貫通する貫通孔１４０が設けられている。半導体装置Ａ１０では、貫通孔１４０は、円柱状である。貫通孔１４０には、貫通配線３８０が配置されている。貫通配線３８０の組成は、たとえばＣｕである。
【０１１１】
端子２００は、図２８〜図３２（図２９を除く）に示すように、ホール素子４００に導通する導電部材である。半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、当該配線基板における配線（図示略）に端子２００が接続される。端子２００は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の例として、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＳｎ合金層が挙げられる。端子２００は、第１端子２１０、第２端子２２０、第３端子２３０および第４端子２４０を含む。第１端子２１０、第２端子２２０、第３端子２３０および第４端子２４０は、いずれも平面視において矩形状である。
【０１１２】
第１配線３１０は、図２８〜図３１に示すように、ホール素子４００に設けられた第１電極４１０（詳細は後述）と、第１端子２１０とを相互に導通させる導電部材である。半導体装置Ａ１０では、第１配線３１０の構成要素として、第１ワイヤ３１１、第１主面配線３１２および貫通配線３８０を含む。第１ワイヤ３１１は、第１電極４１０と第１主面配線３１２とを接続するボンディングワイヤである。第１ワイヤ３１１の組成は、たとえばＡｕである。図２８および図２９に示すように、第１ワイヤ３１１のボールボンディング部３１１Ａは、第１主面配線３１２に接続される。第１主面配線３１２は、主面１１０に配置され、かつ平面視において矩形状である。第１主面配線３１２は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の例として、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｇ層が挙げられる。貫通配線３８０は、第１主面配線３１２と第１端子２１０とを相互に導通させる。
【０１１３】
第２配線３２０は、図２８〜図３１に示すように、ホール素子４００に設けられた第２電極４２０（詳細は後述）と、第２端子２２０とを相互に導通させる導電部材である。半導体装置Ａ１０では、第２配線３２０の構成要素として、第２ワイヤ３２１、第２主面配線３２２、第２裏面配線３２３および貫通配線３８０を含む。第２ワイヤ３２１は、第２電極４２０と第２主面配線３２２とを接続するボンディングワイヤである。第２ワイヤ３２１の組成は、第１ワイヤ３１１の組成と同一である。図２８および図２９に示すように、第２ワイヤ３２１のボールボンディング部３２１Ａは、第２主面配線３２２に接続される。
【０１１４】
第２主面配線３２２は、主面１１０に配置されている。第２主面配線３２２は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の構成は、第１主面配線３１２の構成と同一である。図２８および図２９に示すように、第２主面配線３２２は、パッド部３２２Ａ、接続部３２２Ｂおよび連結部３２２Ｃを有する。パッド部３２２Ａには、第２ワイヤ３２１のボールボンディング部３２１Ａが接続される。パッド部３２２Ａは、平面視において矩形状である。接続部３２２Ｂには、貫通配線３８０が接続される。接続部３２２Ｂは、貫通配線３８０が接続された位置から第２方向ｙ１に延びている。連結部３２２Ｃは、平面視において第１方向ｘに延びる帯状であり、かつパッド部３２２Ａと接続部３２２Ｂとを相互に連結している。なお、図２９において、連結部３２２Ｃに該当する領域を二点鎖線で囲んでいる。
【０１１５】
第２裏面配線３２３は、裏面１２０に配置されている。第２裏面配線３２３は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の例として、Ｃｕ層およびＮｉ層が挙げられる。図３１に示すように、第２裏面配線３２３は、接続部３２３Ａおよび連結部３２３Ｂを有する。接続部３２３Ａは、貫通配線３８０が接続されるとともに、貫通配線３８０が接続された位置から第３方向ｙ２に延びている。連結部３２３Ｂは、平面視において第１方向ｘに延びる帯状であり、かつ第２端子２２０と接続部３２３Ａとを相互に連結している。なお、図３１において、連結部３２３Ｂに該当する領域を二点鎖線で囲んでいる。貫通配線３８０は、第２主面配線３２２の接続部３２２Ｂと、第２裏面配線３２３の接続部３２３Ａとを相互に導通させる。
【０１１６】
第３配線３３０は、図２８〜図３１に示すように、ホール素子４００に設けられた第３電極４３０（詳細は後述）と、第３端子２３０とを相互に導通させる導電部材である。半導体装置Ａ１０では、第３配線３３０の構成要素として、第３ワイヤ３３１、第３主面配線３３２および貫通配線３８０を含む。第３ワイヤ３３１は、第３電極４３０と第３主面配線３３２とを接続するボンディングワイヤである。第３ワイヤ３３１の組成は、第１ワイヤ３１１の組成と同一である。図２８および図２９に示すように、第３ワイヤ３３１のボールボンディング部３３１Ａは、第３主面配線３３２に接続される。第３主面配線３３２は、主面１１０に配置されかつ平面視において矩形状である。第３主面配線３３２は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の構成は、第１主面配線３１２の構成と同一である。貫通配線３８０は、第３主面配線３３２と第３端子２３０とを相互に導通させる。
【０１１７】
第４配線３４０は、図２８〜図３１に示すように、ホール素子４００に設けられた第４電極４４０（詳細は後述）と、第４端子２４０とを相互に導通させる導電部材である。半導体装置Ａ１０では、第４配線３４０の構成要素として、第４ワイヤ３４１、第４主面配線３４２、第４裏面配線３４３および貫通配線３８０を含む。第４ワイヤ３４１は、第４電極４４０と第４主面配線３４２とを接続するボンディングワイヤである。第４ワイヤ３４１の組成は、第１ワイヤ３１１の組成と同一である。図２８および図２９に示すように、第４ワイヤ３４１のボールボンディング部３４１Ａは、第４主面配線３４２に接続される。
【０１１８】
第４主面配線３４２は、主面１１０に配置されている。第４主面配線３４２は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の構成は、第１主面配線３１２の構成と同一である。第４主面配線３４２は、パッド部３４２Ａ、接続部３４２Ｂおよび連結部３４２Ｃを有する。パッド部３４２Ａには、第４ワイヤ３４１のボールボンディング部３４１Ａが接続される。パッド部３４２Ａは、平面視において矩形状である。接続部３４２Ｂには、貫通配線３８０が接続される。接続部３４２Ｂは、貫通配線３８０が接続された位置から第３方向ｙ２に延びている。連結部３４２Ｃは、平面視において第１方向ｘに延びる帯状であり、かつパッド部３４２Ａと接続部３４２Ｂとを相互に連結している。なお、図２９において、連結部３４２Ｃに該当する領域を二点鎖線で囲んでいる。
【０１１９】
第４裏面配線３４３は、裏面１２０に配置されている。第４裏面配線３４３は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の構成は、第２裏面配線３２３の構成と同一である。図３１に示すように、第４裏面配線３４３は、接続部３４３Ａおよび連結部３４３Ｂを有する。接続部３４３Ａは、貫通配線３８０が接続され、かつ貫通配線３８０が接続された位置から第２方向ｙ１に延びている。連結部３４３Ｂは、平面視において第１方向ｘに延びる帯状であり、かつ第４端子２４０と接続部３４３Ａとを相互に連結している。なお、図３１において、連結部３４３Ｂに該当する領域を二点鎖線で囲んでいる。貫通配線３８０は、第４主面配線３４２の接続部３４２Ｂと、第４裏面配線３４３の接続部３４３Ａとを相互に導通させる。
【０１２０】
図３０に示すように、裏面１２０には、第２裏面配線３２３および第４裏面配線３４３を覆う絶縁膜３９０が設けられている。絶縁膜３９０は、たとえばソルダーレジストフィルムである。
【０１２１】
ホール素子４００は、半導体装置Ａ１０に搭載された半導体素子である。図２８および図２９に示すように、ホール素子４００は、平面視において矩形状である。ホール素子４００は、厚さ方向ｚを向く素子主面４０１を有する。素子主面４０１は、図３２に示すホール素子４００の上面である。半導体装置Ａ１０では、素子主面４０１には、第１電極４１０、第２電極４２０、第３電極４３０および第４電極４４０が設けられている。第１電極４１０および第２電極４２０には、ホール電流が流れる。第３電極４３０および第４電極４４０には、ホール効果によって生じた起電力（ホール電圧）が印加される。第１電極４１０は、第１配線３１０を介して第１端子２１０に導通している。第２電極４２０は、第２配線３２０を介して第２端子２２０に導通している。第３電極４３０は、第３配線３３０を介して第３端子２３０に導通している。第４電極４４０は、第４配線３４０を介して第４端子２４０に導通している。また、ホール素子４００には、磁束密度の変化を検出する感磁層（図示略）が設けられている。
【０１２２】
ホール素子４００は、図２８、図２９および図３２に示すように、接合層４９０を介して主面１１０に搭載されている。半導体装置Ａ１０では、ホール素子４００は、第２主面配線３２２の接続部３２２Ｂと、第４主面配線３４２の接続部３４２Ｂとのそれぞれ一部に搭載されている。接合層４９０は、電気絶縁性を有する。接合層４９０の組成は、たとえばエポキシ樹脂、またはポリイミドである。
【０１２３】
封止樹脂５００は、図３２に示すように、ホール素子４００を覆っている。封止樹脂５００は、電気絶縁性および熱硬化性を有する合成樹脂である。当該合成樹脂の例として、黒色のエポキシ樹脂が挙げられる。半導体装置Ａ１０では、封止樹脂５００は、主面１１０に接して形成され、かつ主面１１０に配置された第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０および第４配線３４０の各要素を覆っている。
【０１２４】
図２９および図３１に示すように、平面視において、第１方向ｘに平行であり、かつホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して、第１端子２１０および第２端子２２０が第２方向ｙ１に位置し、かつ第３端子２３０および第４端子２４０が第３方向ｙ２に位置する。なお、ホール素子４００の中心Ｃとは、図２９に示されるホール素子４００の対角線（二点鎖線）の交点である。
【０１２５】
図２９および図３１に示すように、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１２６】
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
【０１２７】
半導体装置Ａ１０では、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。第１端子２１０および第２端子２２０は、ホール素子４００にホール電流を供給する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。第３端子２３０および第４端子２４０には、ホール効果によりホール素子４００に現れた起電力が印加される。これにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装した際、中心軸ＣＬを境界として、装置駆動領域６１１（図６参照）に導通する端子２００が一方に集約され、かつ電圧検出領域６１２（図６参照）に導通する端子２００が他方に集約される。したがって、半導体装置Ａ１０によれば、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１２８】
また、このような構成により、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板において、装置駆動領域６１１に導通する配線に流れる電流により発生したノイズによって、電圧検出領域６１２の検出精度が低下することを抑制できる。
【０１２９】
なお、このような構成は、平面視において、第２配線３２０および第４配線３４０が、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置することによって実現される。
【０１３０】
裏面１２０には、第２裏面配線３２３および第４裏面配線３４３を覆う絶縁膜３９０が設けられている。絶縁膜３９０を設けることによって、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装した際、第２裏面配線３２３および第４裏面配線３４３が半田により相互に導通することを回避できる。
【０１３１】
〔第１１実施形態〕
図３３〜図３６に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ１１について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。また、これらの図のうち、図３３は、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図３５は、絶縁膜３９０を省略している。
【０１３２】
半導体装置Ａ１１では、第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０、第４配線３４０およびホール素子４００の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。図３３および図３６に示すように、半導体装置Ａ１１では、素子主面４０１とは反対側を向くホール素子４００の素子裏面４０２に、第１電極４１０、第２電極４２０、第３電極４３０および第４電極４４０が設けられている。ホール素子４００は、フリップチップボンディングにより主面１１０に搭載されている。第１電極４１０は、接合層４９０を介して第１主面配線３１２に接続される。第２電極４２０は、接合層４９０を介して第２主面配線３２２に接続される。第３電極４３０は、接合層４９０を介して第３主面配線３３２に接続される。第４電極４４０は、接合層４９０を介して第４主面配線３４２に接続される。接合層４９０は、導電性を有する。接合層４９０の組成は、たとえば半田である。このため、半導体装置Ａ１１では、第１ワイヤ３１１、第２ワイヤ３２１、第３ワイヤ３３１および第４ワイヤ３４１が省略されている。
【０１３３】
図３３に示すように、半導体装置Ａ１１の第１主面配線３１２は、パッド部３１２Ａおよび接続部３１２Ｂを有する。パッド部３１２Ａは、第１電極４１０が接続され、かつ平面視においてＬ字状である。接続部３１２Ｂは、貫通配線３８０が接続され、かつ平面視において矩形状である。また、半導体装置Ａ１１の第３主面配線３３２は、パッド部３３２Ａおよび接続部３３２Ｂを有する。パッド部３３２Ａは、第３電極４３０が接続され、かつ平面視においてＬ字状である。接続部３３２Ｂは、貫通配線３８０が接続され、かつ平面視において矩形状である。なお、図３３において、パッド部３１２Ａと接続部３１２Ｂとの境界と、パッド部３１２Ａと接続部３１２Ｂとの境界と、パッド部３３２Ａと接続部３３２Ｂとの境界とを、ともに二点鎖線で示している。
【０１３４】
図３３に示すように、半導体装置Ａ１１の第２主面配線３２２では、パッド部３２２Ａは、連結部３２２Ｃとの境界から第３方向ｙ２に延びている。パッド部３２２Ａには、第２電極４２０が接続される。なお、図３３において、連結部３２２Ｃに該当する領域を二点鎖線で囲んでいる。また、半導体装置Ａ１１の第４主面配線３４２では、パッド部３４２Ａは、接続部３４２Ｂとの境界から第１方向ｘに延びている。パッド部３４２Ａには、第４電極４４０が接続される。半導体装置Ａ１１の第４主面配線３４２では、連結部３４２Ｃが省略されている。なお、図３３において、パッド部３４２Ａと接続部３４２Ｂとの境界を二点鎖線で示している。
【０１３５】
図３５に示すように、半導体装置Ａ１１の第２裏面配線３２３では、連結部３２３Ｂが省略されている。あわせて、半導体装置Ａ１１の第４裏面配線３４３では、連結部３４３Ｂが省略されている。なお、図３５において、第２裏面配線３２３の接続部３２３Ａと第２端子２２０との境界と、第４裏面配線３４３の接続部３４３Ａと第４端子２４０との境界を、ともに二点鎖線で示している。また、図３４に示すように、半導体装置Ａ１１の絶縁膜３９０は、平面視において第１方向ｘに延びる帯状である。
【０１３６】
図３３および図３５に示すように、半導体装置Ａ１１でも、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１３７】
次に、半導体装置Ａ１１の作用効果について説明する。
【０１３８】
半導体装置Ａ１１では、先述した半導体装置Ａ１０と同じく、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。したがって、半導体装置Ａ１１によっても、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１３９】
半導体装置Ａ１１では、第１ワイヤ３１１、第２ワイヤ３２１、第３ワイヤ３３１おおよび第４ワイヤ３４１が省略され、ホール素子４００はフリップチップボンディングにより主面１１０に搭載されている。これにより、半導体装置Ａ１１の寸法を、半導体装置Ａ１０の寸法よりも縮小することができる。
【０１４０】
〔第１２実施形態〕
図３７〜図４０に基づき、本発明の第１２実施形態にかかる半導体装置Ａ１２について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。また、これらの図のうち、図３７は、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図３８は、第１基板１０１に加え、貫通配線３８０、第１貫通配線３８１、第２貫通配線３８２、第２中間配線３２４および第４中間配線３４４（貫通配線３８０を除き、いずれも詳細は後述）を図示している。
【０１４１】
半導体装置Ａ１２では、基板１００、第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０および第４配線３４０の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。半導体装置Ａ１２では、基板１００の構成要素として、第１基板１０１および第２基板１０２を含む。第１基板１０１および第２基板１０２は、ともに電気絶縁性を有する。第１基板１０１および第２基板１０２は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。図３８〜図４０に示すように、第１基板１０１は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く第１中間面１３１および裏面１２０を有する。また、図３８に示すように、第１中間面１３１には、第２配線３２０の構成要素に含まれる第２中間配線３２４と、第４配線３４０の構成要素に含まれる第４中間配線３４４とが配置されている。第２中間配線３２４および第４中間配線３４４は、ともに平面視において、中心軸ＣＬが通る位置から第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に延びる帯状である。また、第２中間配線３２４および第４中間配線３４４の組成は、たとえばＣｕである。
【０１４２】
図３８〜図４０に示すように、第１基板１０１には、第１中間面１３１から裏面１２０に至って貫通する第１貫通孔１４１が設けられている。第１貫通孔１４１には、第１貫通配線３８１が配置されている。第１貫通配線３８１の組成は、貫通配線３８０の組成と同一である。第１貫通配線３８１は、第２配線３２０の構成要素に含まれ、第２中間配線３２４と第２端子２２０とを相互に導通させる。また、第１貫通配線３８１は、第４配線３４０の構成要素にも含まれ、第４中間配線３４４と第４端子２４０とを相互に導通させる。
【０１４３】
図３９に示すように、裏面１２０には、第１端子２１０、第２端子２２０、第３端子２３０および第４端子２４０が配置されている。半導体装置Ａ１２では、第２裏面配線３２３、第４裏面配線３４３および絶縁膜３９０が省略されている。
【０１４４】
図３７および図４０に示すように、第２基板１０２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１０および第２中間面１３２を有する。第２中間面１３２は、第１基板１０１の第１中間面１３１に対向している。半導体装置Ａ１２では、第１基板１０１に第２基板１０２が圧着されることにより、第１中間面１３１および第２中間面１３２が相互に接合された基板１００を構成している。第２中間配線３２４および第４中間配線３４４は、ともに第１中間面１３１と第２中間面１３２とに挟まれている。第２基板１０２には、主面１１０から第２中間面１３２に至って貫通する第２貫通孔１４２が設けられている。第２貫通孔１４２には、第２貫通配線３８２が配置されている。第２貫通配線３８２の組成は、貫通配線３８０の組成と同一である。第２貫通配線３８２は、第２配線３２０の構成要素に含まれ、第２主面配線３２２と第２中間配線３２４とを相互に導通させる。また、第２貫通配線３８２は、第４配線３４０の構成要素にも含まれ、第４主面配線３４２と第４中間配線３４４とを相互に導通させる。
【０１４５】
図３７および図４０に示すように、主面１１０から第２中間面１３２に至って貫通する搭載孔１５０が設けられている。搭載孔１５０から第１基板１０１の第１中間面１３１が露出している。ホール素子４００は、搭載孔１５０から露出した第１中間面１３１に接合層４９０を介して搭載されている。半導体装置Ａ１２では、接合層４９０の導電性の有無は問わない。接合層４９０が導電性を有する場合では、その組成は、たとえばＡｇペーストである。接合層４９０が電気絶縁性を有する場合では、その組成は、半導体装置Ａ１０の接合層４９０の組成と同一である。
【０１４６】
図３７に示すように、第１主面配線３１２、第２主面配線３２２、第３主面配線３３２および第４主面配線３４２は、いずれも平面視において矩形状である。また、第１ワイヤ３１１のボールボンディング部３１１Ａは、第１電極４１０に接続され、第２ワイヤ３２１のボールボンディング部３２１Ａは、第２電極４２０に接続される。同様に、第３ワイヤ３３１のボールボンディング部３３１Ａは、第３電極４３０に接続され、第４ワイヤ３４１のボールボンディング部３４１Ａは、第４電極４４０に接続される。
【０１４７】
図３７および図３８に示すように、半導体装置Ａ１２でも、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１４８】
次に、半導体装置Ａ１２の作用効果について説明する。
【０１４９】
半導体装置Ａ１２では、先述した半導体装置Ａ１０と同じく、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。したがって、半導体装置Ａ１２によっても、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１５０】
半導体装置Ａ１２では、基板１００は、第１基板１０１および第２基板１０２をその構成要素に含む。第１基板１０１の第１中間面１３１には、第２中間配線３２４および第４中間配線３４４が配置されている。また、第１基板１０１の第１貫通孔１４１には、第２中間配線３２４および第４中間配線３４４のいずれかに導通する第１貫通配線３８１が配置されている。あわせて、第２基板１０２の第２貫通孔１４２には、第２中間配線３２４および第４中間配線３４４のいずれかに導通する第２貫通配線３８２が配置されている。これにより、第２主面配線３２２および第４主面配線３４２の形状を、半導体装置Ａ１１の第２主面配線３２２および第４主面配線３４２の形状よりも単純にできる。あわせて、裏面１２０において、第２裏面配線３２３、第４裏面配線３４３および絶縁膜３９０を省略することができる。
【０１５１】
また、第２基板１０２には、主面１１０から第２中間面１３２に至って貫通する搭載孔１５０が設けられている。搭載孔１５０から第１基板１０１の第１中間面１３１が露出しており、この第１中間面１３１にホール素子４００が搭載されている。これにより、半導体装置Ａ１２の厚さ方向ｚにおける寸法（高さ）が過度に大きくなることを抑制できる。
【０１５２】
〔第１３実施形態〕
図４１Ａ〜図４３Ｂに基づき、本発明の第１３実施形態にかかる半導体装置Ａ１３について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。また、これらの図のうち、図４１Ａ、図４１Ｂ、図４３Ａおよび図４３Ｂは、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図４１Ａ、図４１Ｂ、図４３Ａおよび図４３Ｂにおいては、透過した封止樹脂５００の外形を想像線で示している。
【０１５３】
図４１Ａ〜図４３Ｂに示すように、半導体装置Ａ１３では、半導体装置Ａ１１〜半導体装置Ａ１３が備える基板１００が省略されている。半導体装置Ａ１３は、ホール素子４００が搭載されるダイパッド１９０を備える。また、半導体装置Ａ１３では、端子２００、第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０および第４配線３４０の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。ダイパッド１９０および端子２００は、ともに同一のリードフレームから構成される。また、第１配線３１０は第１ワイヤ３１１のみを、第２配線３２０は第２ワイヤ３２１のみを、第３配線３３０は第３ワイヤ３３１のみを、第４配線３４０は第４ワイヤ３４１のみを構成要素に含む。第１ワイヤ３１１、第２ワイヤ３２１、第３ワイヤ３３１および第４ワイヤ３４１は、いずれもボンディングワイヤである。ダイパッド１９０は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向くパッド主面１９１およびパッド裏面１９２を有する。パッド主面１９１は、内装めっき層６１０により覆われている。内装めっき層６１０の組成は、たとえばＡｇである。ホール素子４００は、内装めっき層６１０に覆われたパッド主面１９１に、接合層４９０を介して搭載されている。半導体装置Ａ１３では、接合層４９０の導電性の有無は問わない。接合層４９０が導電性を有する場合では、その組成は、たとえばＡｇペーストである。接合層４９０が電気絶縁性を有する場合では、その組成は、半導体装置Ａ１０の接合層４９０の組成と同一である。また、パッド主面１９１は、外装めっき層６２０により覆われている。端子２００は、たとえば積層された複数の金属層から構成される。これらの金属層の例として、Ｎｉ層およびＳｎ合金層が挙げられる。
【０１５４】
図４３Ａおよび図４３Ｂに示すように、第１端子２１０、第２端子２２０、第３端子２３０および第４端子２４０のいずれにおいても、パッド主面１９１と同方向を向く面は、内装めっき層６１０により覆われている。また、第１端子２１０、第２端子２２０、第３端子２３０および第４端子２４０のいずれにおいても、パッド裏面１９２と同方向を向く面は、外装めっき層６２０により覆われている。
【０１５５】
図４１Ａおよび図４１Ｂに示すように、半導体装置Ａ１３では、平面視において第２ワイヤ３２１と第４ワイヤ３４１との双方が中心軸ＣＬに交差している。このため、半導体装置Ａ１３でも、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１５６】
図４１Ａおよび図４１Ｂに示すように、第１ワイヤ３１１のボールボンディング部３１１Ａは、第１端子２１０に接続される。第３ワイヤ３３１のボールボンディング部３３１Ａは、第３端子２３０に接続される。第４ワイヤ３４１のボールボンディング部３４１Ａは、第４端子２４０に接続される。ただし、第２ワイヤ３２１のボールボンディング部３２１Ａは、第２電極４２０に接続される。これにより、図４３Ａおよび図４３Ｂに示すように、第２ワイヤ３２１が第４ワイヤ３４１を跨ぐ構成をなしている。
【０１５７】
図４１Ｂ、図４２Ｂおよび図４３Ｂに示すように、半導体装置Ａ１３では、各々の端子２００は、第１湾曲部２００Ａ、第２湾曲部２００Ｂおよび第３湾曲部２００Ｃを有する。第１湾曲部２００Ａ、第２湾曲部２００Ｂおよび第３湾曲部２００Ｃは、いずれも端子２００の面取り部である。第１湾曲部２００Ａは、ホール素子４００に対向する凸面をなしている。第２湾曲部２００Ｂは、平面視において端子２００の内方に陥入する凹面をなしている。第１湾曲部２００Ａおよび第２湾曲部２００Ｂは、パッド主面１９１と同方向を向く端子２００の面と、パッド裏面１９２と同方向を向く端子２００の面との双方につながっている。第３湾曲部２００Ｃは、厚さ方向ｚにおいて、パッド主面１９１と同方向を向く端子２００の面と、パッド裏面１９２と同方向を向く端子２００の面との間に位置する凹面をなしている。
【０１５８】
図４１Ｂ、図４２Ｂおよび図４３Ｂに示すように、半導体装置Ａ１３では、ダイパッド１９０は、第１湾曲部１９０Ａ、第２湾曲部１９０Ｂ、第３湾曲部１９０Ｃおよび第４湾曲部１９０Ｄを有する。第１湾曲部１９０Ａ、第２湾曲部１９０Ｂ、第３湾曲部１９０Ｃおよび第４湾曲部１９０Ｄは、いずれも端子２００の面取り部である。第１湾曲部１９０Ａは、端子２００に対向する凸面をなしている。第２湾曲部１９０Ｂは、平面視においてダイパッド１９０の内方に陥入する凹面をなしている。第１湾曲部１９０Ａおよび第２湾曲部１９０Ｂは、ともにパッド主面１９１につながっている。第３湾曲部１９０Ｃは、端子２００に対向する凸面である。第３湾曲部１９０Ｃは、パッド裏面１９２につながっている。第４湾曲部１９０Ｄは、厚さ方向ｚにおいて、パッド主面１９１とパッド主面１９１との間に位置する凹面をなしている。
【０１５９】
次に、半導体装置Ａ１３の作用効果について説明する。
【０１６０】
半導体装置Ａ１３では、先述した半導体装置Ａ１０と同じく、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。したがって、半導体装置Ａ１３によっても、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１６１】
半導体装置Ａ１３は、基板１００が省略され、その代わりにホール素子４００が搭載されるダイパッド１９０を備える。ダイパッド１９０および端子２００は、ともに同一のリードフレームから構成される。これにより、第１配線３１０、第２配線３２０、第３配線３３０および第４配線３４０の構成を、ボンディングワイヤのみとすることができる。したがって、半導体装置Ａ１３の構成を、半導体装置Ａ１１の構成よりも簡略にできる。
【０１６２】
〔第１４実施形態〕
図４４Ａ〜図４６Ｂに基づき、本発明の第１４実施形態にかかる半導体装置Ａ１４について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。また、これらの図のうち、図４４Ａ、図４４Ｂ、図４６Ａおよび図４６Ｂは、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図４４Ａ、図４４Ｂ、図４６Ａおよび図４６Ｂにおいては、透過した封止樹脂５００の外形を想像線で示している。
【０１６３】
図４４Ａ〜図４６Ｂに示すように、半導体装置Ａ１４は、半導体装置Ａ１３に対してダイパッド１９０が省略されている。封止樹脂５００から接合層４９０が露出している。半導体装置Ａ１４では、接合層４９０の導電性の有無は問わない。接合層４９０が導電性を有する場合では、その組成は、たとえばＡｇペーストである。接合層４９０が電気絶縁性を有する場合では、その組成は、半導体装置Ａ１０の接合層４９０の組成と同一である。
【０１６４】
なお、図４４Ａ、図４４Ｂ、図４６Ａおよび図４６Ｂに示すように、第１ワイヤ３１１、第２ワイヤ３２１、第３ワイヤ３３１および第４ワイヤ３４１の接続形態は、半導体装置Ａ１３におけるこれらの接続形態と同一である。このため、半導体装置Ａ１４でも、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１６５】
次に、半導体装置Ａ１４の作用効果について説明する。
【０１６６】
半導体装置Ａ１４では、先述した半導体装置Ａ１０と同じく、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。したがって、半導体装置Ａ１４によっても、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１６７】
半導体装置Ａ１４は、半導体装置Ａ１３に対してダイパッド１９０が省略されている。このため、半導体装置Ａ１４の構成を、半導体装置Ａ１３の構成よりもさらに簡略にできる。また、半導体装置Ａ１４の厚さ方向ｚにおける寸法（高さ）を、半導体装置Ａ１３の寸法よりも縮小できる。
【０１６８】
〔第１５実施形態〕
図４７Ａ〜図４８Ｂに基づき、本発明の第１５実施形態にかかる半導体装置Ａ１５について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。また、これらの図のうち、図４７Ａおよび図４７Ｂは、理解の便宜上、封止樹脂５００を透過している。図４８Ａおよび図４８Ｂにおいては、透過した封止樹脂５００の外形を想像線で示している。
【０１６９】
図４７Ａ〜図４８Ｂに示すように、半導体装置Ａ１５は、半導体装置Ａ１３に対して第４配線３４０およびホール素子４００の構成が異なる。半導体装置Ａ１５では、第４配線３４０の構成要素として、第４ワイヤ３４１および素子主面配線３４５を含む。第４ワイヤ３４１は、ボンディングワイヤである。素子主面配線３４５は、ホール素子４００の素子主面４０１に設けられ、かつ第４電極４４０に連結されている。素子主面配線３４５の組成は、たとえばＡｌである。
【０１７０】
図４７Ａおよび図４７Ｂに示すように、素子主面配線３４５は、第１延出部３４５Ａおよび第２延出部３４５Ｂを有する。第１延出部３４５Ａは、第４電極４４０から第１方向ｘに延びている。第２延出部３４５Ｂは、第１延出部３４５Ａに連結され、かつ中心軸ＣＬが通る位置から第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に延びている。第４ワイヤ３４１の一端は、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２側に位置する第２延出部３４５Ｂに接続される。半導体装置Ａ１５では、平面視において第２ワイヤ３２１は、第４ワイヤ３４１に交差せず、素子主面配線３４５に交差している。また、ホール素子４００には、素子主面配線３４５が設けられているため、平面視における半導体装置Ａ１５のホール素子４００の寸法は、半導体装置Ａ１３のホール素子４００の寸法よりも大である。
【０１７１】
図４７Ａおよび図４７Ｂに示すように、第１ワイヤ３１１のボールボンディング部３１１Ａは、第１端子２１０に接続される。第２ワイヤ３２１のボールボンディング部３２１Ａは、第２端子２２０に接続される。第３ワイヤ３３１のボールボンディング部３３１Ａは、第３端子２３０に接続される。第４ワイヤ３４１のボールボンディング部３４１Ａは、第４端子２４０に接続される。
【０１７２】
図４７Ａおよび図４７Ｂに示すように、半導体装置Ａ１５でも、平面視において第２配線３２０および第４配線３４０は、ともに中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１および第３方向ｙ２の双方に位置する。
【０１７３】
次に、半導体装置Ａ１５の作用効果について説明する。
【０１７４】
半導体装置Ａ１５では、先述した半導体装置Ａ１０と同じく、第１電極４１０に導通する第１端子２１０と、第２電極４２０に導通する第２端子２２０とは、ともに平面視において、ホール素子４００の中心Ｃを通る中心軸ＣＬに対して第２方向ｙ１に位置する。また、第３電極４３０に導通する第３端子２３０と、第４電極４４０に導通する第４端子２４０とは、ともに平面視において、中心軸ＣＬに対して第３方向ｙ２に位置する。したがって、半導体装置Ａ１５によっても、その実装対象となる配線基板における配線の簡略化を図ることが可能となる。
【０１７５】
半導体装置Ａ１５は、半導体装置Ａ１３および半導体装置Ａ１４と異なり、平面視において第２ワイヤ３２１と第４ワイヤ３４１とが交差しない。このため、第４ワイヤ３４１に対する第２ワイヤ３２１の近接の度合いが低減される。したがって、半導体装置Ａ１５によれば、半導体装置Ａ１４および半導体装置Ａ１５よりも装置の信頼性を向上させることができる。
【０１７６】
本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１７７】
本発明は、以下の付記に関する実施形態を含む。
［付記１Ａ］
厚さ方向を向く素子機能面、および前記素子機能面に設けられた複数の電極パッドを有するホール素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂表面および樹脂裏面を有し、前記ホール素子の一部を覆う樹脂パッケージと、
複数の前記電極パッドに導通し、かつ前記樹脂裏面から露出する複数の実装面と、を備え、
前記ホール素子は、前記素子機能面とは反対側を向き、かつ前記樹脂表面および前記樹脂裏面のいずれかから当該面と面一となるように露出する素子露出面を有することを特徴とする、半導体装置。
［付記２Ａ］
各々が前記実装面、および前記実装面とは反対側を向く端子表面を有するとともに、金属からなる複数の端子をさらに備え、
前記電極パッドは、導通接合材により前記端子表面に接合され、
前記素子露出面が、前記樹脂表面から露出している、付記１Ａに記載の半導体装置。
［付記３Ａ］
前記ホール素子は、厚さ方向視において矩形状であるとともに、厚さ方向に対して直交する第１方向に沿う一対の辺と、厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向に沿う一対の辺と、を有し、
前記樹脂パッケージは、厚さ方向視において矩形状であるとともに、前記第２方向を向く一対の樹脂第１側面と、前記第１方向を向く一対の樹脂第２側面と、を有する、付記２Ａに記載の半導体装置。
［付記４Ａ］
前記ホール素子は、厚さ方向視において前記樹脂パッケージと相似である、付記３Ａに記載の半導体装置。
［付記５Ａ］
前記ホール素子および前記樹脂パッケージは、厚さ方向視において正方形状である、付記４Ａに記載の半導体装置。
［付記６Ａ］
各々の前記端子は、前記第１方向において互いに反対側を向く第１側面および第３側面と、前記第２方向において互いに反対側を向く第２側面および第４側面と、を有し、
前記第１方向において、隣り合う前記端子の各々の前記第１側面が相互に対向し、
前記第２方向において、隣り合う前記端子の各々の前記第２側面が相互に対向している、付記３Ａないし５Ａのいずれかに記載の半導体装置。
［付記７Ａ］
前記端子の前記第３側面は、前記樹脂第１側面から露出しており、かつ前記樹脂第１側面と面一である、付記６Ａに記載の半導体装置。
［付記８Ａ］
前記端子の前記第４側面は、前記樹脂第２側面から露出しており、かつ前記樹脂第２側面と面一である、付記６Ａまたは７Ａに記載の半導体装置。
［付記９Ａ］
前記第３側面は、前記樹脂パッケージに覆われており、
前記端子は、前記第３側面から延び、かつ前記樹脂第１側面から露出する第３延出部を有する、付記６Ａに記載の半導体装置。
［付記１０Ａ］
前記第４側面は、前記樹脂パッケージに覆われており、
前記端子は、前記第４側面から延び、かつ前記樹脂第２側面から露出する第４延出部を有する、付記６Ａに記載の半導体装置。
［付記１１Ａ］
前記端子は、前記第１側面に沿って形成されているとともに、厚みが前記素子機能面と前記素子露出面との間の距離よりも薄く、かつ前記樹脂裏面から前記樹脂パッケージに覆われた第１薄肉部を有する、付記６Ａないし１０Ａのいずれかに記載の半導体装置。
［付記１２Ａ］
厚さ方向視において、前記電極パッドの一部が、前記第１薄肉部に重なる、付記１１Ａに記載の半導体装置。
［付記１３Ａ］
前記端子は、前記第２側面に沿って形成されているとともに、厚みが前記素子機能面と前記素子露出面との間の距離よりも薄く、かつ前記樹脂裏面から前記樹脂パッケージに覆われた第２薄肉部を有する、付記６Ａないし１１Ａのいずれかに記載の半導体装置。
［付記１４Ａ］
厚さ方向視において、前記電極パッドの一部が、前記第２薄肉部に重なる、付記１３Ａに記載の半導体装置。
［付記１５Ａ］
厚さ方向において互いに反対側を向く基材表面および基材裏面を有する基材と、前記基材表面に形成された表面部、前記基材裏面に形成された裏面部、および前記基材を貫通し、かつ前記表面部および前記裏面部を相互に接続する貫通部を有する配線と、を構成要素として含む基板を備え、
前記樹脂裏面と前記基材表面とが対向しており、
前記電極パッドは、導通接合材により前記配線の前記表面部に接合され、
前記素子露出面が、前記樹脂表面から露出している、付記１Ａに記載の半導体装置。
［付記１６Ａ］
厚さ方向視において、前記基板の周縁と前記樹脂パッケージの周縁とが互いに一致する、付記１５Ａに記載の半導体装置。
［付記１７Ａ］
厚さ方向視において、前記基板、前記ホール素子および前記樹脂パッケージは、いずれも矩形状であり、
厚さ方向において、前記ホール素子の辺は、前記基板および前記樹脂パッケージの辺に対して傾いている、付記１６Ａに記載の半導体装置。
［付記１８Ａ］
前記素子露出面および前記樹脂表面の双方を覆う保護層をさらに備える、付記２Ａないし１７Ａのいずれかに記載の半導体装置。
【０１７８】
さらに、本開示は、以下の付記に関する技術的構成を含む。
［付記１Ｂ］
ホール素子と、
前記ホール素子に導通する端子と、を備える半導体装置であって、
前記ホール素子には、ホール電流が流れる第１電極および第２電極と、ホール効果によって生じた起電力が印加される第３電極および第４電極と、が設けられ、
前記端子は、前記第１電極に導通する第１端子と、前記第２電極に導通する第２端子と、前記第３電極に導通する第３端子と、前記第４電極に導通する第４端子と、を含み、
平面視において、第１方向に平行であり、かつ前記ホール素子の中心を通る中心軸に対して、前記第１端子および前記第２端子が前記第１方向に直交する第２方向に位置し、かつ前記第３端子および前記第４端子が前記第２方向とは反対方向である第３方向に位置することを特徴とする、半導体装置。
［付記２Ｂ］
前記第２電極と前記第２端子とを相互に導通させる第２配線と、前記第４電極と前記第４端子とを相互に導通させる第４配線と、をさらに備え、
平面視において、前記第２配線および前記第４配線は、ともに前記中心軸に対して前記第２方向および前記第３方向の双方に位置する、付記１Ｂに記載の半導体装置。
［付記３Ｂ］
前記ホール素子の厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板をさらに備え、
前記端子は、前記裏面に配置されている、付記２Ｂに記載の半導体装置。
［付記４Ｂ］
前記第２配線は、前記主面に配置された第２主面配線と、前記裏面に配置された第２裏面配線と、を含み、
前記第４配線は、前記主面に配置された第４主面配線と、前記基板に配置された第４裏面配線と、を含む、付記３Ｂに記載の半導体装置。
［付記５Ｂ］
前記基板には、前記主面から前記裏面に至って貫通する貫通孔が設けられ、
前記貫通孔には、前記第２主面配線と前記第２裏面配線とを相互に導通させ、かつ前記第４主面配線と前記第４裏面配線とを相互に導通させる貫通配線が配置されている、付記４Ｂに記載の半導体装置。
［付記６Ｂ］
前記裏面には、前記第２裏面配線および前記第４裏面配線を覆う絶縁膜が設けられている、付記４Ｂまたは５Ｂに記載の半導体装置。
［付記７Ｂ］
前記基板は、前記ホール素子の厚さ方向において互いに反対側を向く第１中間面および前記裏面を有する第１基板と、前記ホール素子の厚さ方向において互いに反対側を向く前記主面および第２中間面とを有し、かつ前記第２中間面が前記第１中間面に対向する第２基板と、を構成要素として含み、
前記第２配線は、前記主面に配置された第２主面配線と、前記第１中間面に配置された第２中間配線と、を含み、
前記第４配線は、前記主面に配置された第４主面配線と、前記第１中間面に配置された第４中間配線と、を含む、付記３Ｂに記載の半導体装置。
［付記８Ｂ］
前記第１基板には、前記第１中間面から前記裏面に至って貫通する第１貫通孔が設けられ、
前記第２基板には、前記主面から前記第２中間面に至って貫通する第２貫通孔が設けられ、
前記第１貫通孔には、前記第２中間配線と前記第２端子とを相互に導通させ、かつ前記第４中間配線と前記第４端子とを相互に導通させる第１貫通配線が配置され、
前記第２貫通孔には、前記第２主面配線と前記第２中間配線とを相互に導通させ、かつ前記第４主面配線と前記第４中間配線とを相互に導通させる第２貫通配線が配置されている、付記７Ｂに記載の半導体装置。
［付記９Ｂ］
前記第２基板には、前記主面から前記第２中間面に至って貫通する搭載孔が設けられ、
前記搭載孔から前記第１基板の前記第１中間面が露出し、
前記ホール素子は、前記第１中間面に搭載されている、付記８Ｂに記載の半導体装置。
［付記１０Ｂ］
前記第２配線は、前記第２電極と前記第２主面配線とを接続する第２ワイヤをさらに含み、
前記第４配線は、前記第４電極と前記第４主面配線とを接続する第４ワイヤをさらに含む、付記４Ｂないし９Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
［付記１１Ｂ］
前記ホール素子は、フリップチップボンディングにより前記主面に搭載されている、付記４Ｂないし６Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
［付記１２Ｂ］
前記第２配線および前記第４配線は、ともにボンディングワイヤである、付記２Ｂに記載の半導体装置。
［付記１３Ｂ］
前記ホール素子は、厚さ方向を向く素子主面を有し、
前記第４配線は、前記素子主面に設けられるとともに、前記第４電極に連結され、かつ前記第１方向に延びる第１延出部と、前記第１延出部に連結され、かつ前記第２方向および前記第３方向の双方に延びる第２延出部と、を有する素子主面配線を含む、付記２Ｂに記載の半導体装置。
［付記１４Ｂ］
前記第２配線は、ボンディングワイヤであり、前記第４配線は、前記素子主面配線の前記第２延出部と前記第４端子とを接続する第４ワイヤをさらに含む、付記１３Ｂに記載の半導体装置。
［付記１５Ｂ］
前記ホール素子を搭載するダイパッドをさらに備える、付記１２Ｂないし１４Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
［付記１６Ｂ］
前記ホール素子を覆う封止樹脂をさらに備える、付記１Ｂないし１５Ｂのいずれかに記載の半導体装置。
【符号の説明】
【０１７９】
Ａ１０〜Ａ１５：半導体装置
１：端子
１０：リードフレーム
１１：端子表面
１２：実装面
１３Ａ：第１側面
１３Ｂ：第２側面
１３Ｃ：第３側面
１３Ｄ：第４側面
１４Ｃ：第３延出部
１４Ｄ：第４延出部
１５Ａ：第１薄肉部
１５Ｂ：第２薄肉部
１５Ｃ：第１内側面
１５Ｄ：第１中間面
１５Ｅ：第２内側面
１５Ｆ：第２中間面
１６Ａ：第１湾曲部
１６Ｂ：第２湾曲部
１６Ｃ：第３湾曲部
１６Ｄ：第４湾曲部
１６Ｅ：第５湾曲部
１６Ｆ：第６湾曲部
１６Ｇ：第７湾曲部
１９：アイランド
２：基板
２１：基材
２１Ａ：基材表面
２１Ｂ：基材裏面
２２：配線
２３：表面部
２４：裏面部
２４Ａ：実装面
２５：貫通部
３：ホール素子
３１：素子本体
３１Ａ：素子機能面
３１Ｂ：素子露出面
３２：電極パッド
３３：感磁層
３４：絶縁層
３７：接合材
３９：導通接合材
４：ワイヤ
４１：第１ボンディング部
４２：第２ボンディング部
５：樹脂パッケージ
５０：樹脂材料
５１：樹脂表面
５２：樹脂裏面
５３：樹脂第１側面
５４：樹脂第２側面
５９：保護層
６１：集積回路
６１１：装置駆動領域
６１２：電圧検出領域
６１３：制御領域
６２：制御対象
６３：磁石
７１：支持部材
７２：研削手段
７３：研削手段
１００：基板
１０１：第１基板
１０２：第２基板
１１０：主面
１２０：裏面
１３１：第１中間面
１３２：第２中間面
１４０：貫通孔
１４１：第１貫通孔
１４２：第２貫通孔
１５０：搭載孔
１９０：ダイパッド
１９１：パッド主面
１９２：パッド裏面
１９０Ａ：第１湾曲部
１９０Ｂ：第２湾曲部
１９０Ｃ：第３湾曲部
１９０Ｄ：第４湾曲部
２００：端子
２００Ａ：第１湾曲部
２００Ｂ：第２湾曲部
２００Ｃ：第３湾曲部
２１０：第１端子
２２０：第２端子
２３０：第３端子
２４０：第４端子
３１０：第１配線
３１１：第１ワイヤ
３１１Ａ：ボールボンディング部
３１２：第１主面配線
３１２Ａ：パッド部
３１２Ｂ：接続部
３２０：第２配線
３２１：第２ワイヤ
３２１Ａ：ボールボンディング部
３２２：第２主面配線
３２２Ａ：パッド部
３２２Ｂ：接続部
３２２Ｃ：連結部
３２３：第２裏面配線
３２３Ａ：接続部
３２３Ｂ：連結部
３２４：第２中間配線
３３０：第３配線
３３１：第３ワイヤ
３３１Ａ：ボールボンディング部
３３２：第３主面配線
３３２Ａ：パッド部
３３２Ｂ：接続部
３４０：第４配線
３４１：第４ワイヤ
３４１Ａ：ボールボンディング部
３４２：第４主面配線
３４２Ａ：パッド部
３４２Ｂ：接続部
３４２Ｃ：連結部
３４３：第４裏面配線
３４３Ａ：接続部
３４３Ｂ：連結部
３４４：第４中間配線
３４５：素子主面配線
３４５Ａ：第１延出部
３４５Ｂ：第２延出部
３８０：貫通配線
３８１：第１貫通配線
３８２：第２貫通配線
３９０：絶縁膜
４００：ホール素子
４０１：素子主面
４０２：素子裏面
４１０：第１電極
４２０：第２電極
４３０：第３電極
４４０：第４電極
４９０：接合層
５００：封止樹脂
６１０：内装めっき層
６２０：外装めっき層
Ｃ：中心
ＣＬ：中心線
【図１】
2018113429.tif 000003
【図２Ａ】
2018113429.tif 000004
【図２Ｂ】
2018113429.tif 000005
【図３Ａ】
2018113429.tif 000006
【図３Ｂ】
2018113429.tif 000007
【図４】
2018113429.tif 000008
【図５】
2018113429.tif 000009
【図６】
2018113429.tif 000010
【図７Ａ】
2018113429.tif 000011
【図７Ｂ】
2018113429.tif 000012
【図８Ａ】
2018113429.tif 000013
【図８Ｂ】
2018113429.tif 000014
【図９】
2018113429.tif 000015
【図１０】
2018113429.tif 000016
【図１１】
2018113429.tif 000017
【図１２】
2018113429.tif 000018
【図１３】
2018113429.tif 000019
【図１４】
2018113429.tif 000020
【図１５】
2018113429.tif 000021
【図１６Ａ】
2018113429.tif 000022
【図１６Ｂ】
2018113429.tif 000023
【図１７Ａ】
2018113429.tif 000024
【図１７Ｂ】
2018113429.tif 000025
【図１８Ａ】
2018113429.tif 000026
【図１８Ｂ】
2018113429.tif 000027
【図１９Ａ】
2018113429.tif 000028
【図１９Ｂ】
2018113429.tif 000029
【図２０Ａ】
2018113429.tif 000030
【図２０Ｂ】
2018113429.tif 000031
【図２１Ａ】
2018113429.tif 000032
【図２１Ｂ】
2018113429.tif 000033
【図２２】
2018113429.tif 000034
【図２３】
2018113429.tif 000035
【図２４】
2018113429.tif 000036
【図２５】
2018113429.tif 000037
【図２６】
2018113429.tif 000038
【図２７】
2018113429.tif 000039
【図２８】
2018113429.tif 000040
【図２９】
2018113429.tif 000041
【図３０】
2018113429.tif 000042
【図３１】
2018113429.tif 000043
【図３２】
2018113429.tif 000044
【図３３】
2018113429.tif 000045
【図３４】
2018113429.tif 000046
【図３５】
2018113429.tif 000047
【図３６】
2018113429.tif 000048
【図３７】
2018113429.tif 000049
【図３８】
2018113429.tif 000050
【図３９】
2018113429.tif 000051
【図４０】
2018113429.tif 000052
【図４１Ａ】
2018113429.tif 000053
【図４１Ｂ】
2018113429.tif 000054
【図４２Ａ】
2018113429.tif 000055
【図４２Ｂ】
2018113429.tif 000056
【図４３Ａ】
2018113429.tif 000057
【図４３Ｂ】
2018113429.tif 000058
【図４４Ａ】
2018113429.tif 000059
【図４４Ｂ】
2018113429.tif 000060
【図４５Ａ】
2018113429.tif 000061
【図４５Ｂ】
2018113429.tif 000062
【図４６Ａ】
2018113429.tif 000063
【図４６Ｂ】
2018113429.tif 000064
【図４７Ａ】
2018113429.tif 000065
【図４７Ｂ】
2018113429.tif 000066
【図４８Ａ】
2018113429.tif 000067
【図４８Ｂ】
2018113429.tif 000068