(57)【要約】      （修正有）【課題】調整可能な抵抗デバイス及び調整可能な容量素子を有するアクティブバンドパスフィルタ回路を含む装置を提供する。【解決手段】装置は、アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）のオペアンプ（１０６、１３６）を含む。装置は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた中心周波数を調節するように構成された調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０）を含む。装置は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節するように構成された調節可能な容量素子（１１２、１１４、１３２、１３８）を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）のオペアンプ（１０６、１３６）と、
前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた中心周波数
を調節するように構成された調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）と、
前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた前記中心周波数及び帯域幅を調節するように構成された調節可能な容量素子（１１２、１１４、１３２、１３８、３００）と
を備える装置。
【請求項２】
前記調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）は更に、前記帯域幅を実質的に変えることなく、前記中心周波数を調節するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）は、１組のレジスタ（２２４、２２６、２２８、２３０）と、１組のスイッチ（２０４、２０６、２０８、２１０）とを含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記１組のスイッチ（２０４、２０６、２０８、２１０）が前記調節可能な抵抗デバイス（２００）の入力端子（２０２）に接続されており、前記１組のレジスタ（２２４、２２６、２２８、２３０）が前記調節可能な抵抗デバイス（２００）の出力端子（２３２）に接続されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記１組のスイッチ（２０４、２０６、２０８、２１０）が、１組の制御信号（２１４、２１６、２１８、２２０）に基づいて前記入力端子（２３２）に前記１組のレジスタ（２２４、２２６、２２８、２３０）を選択的に接続させるように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記調節可能な容量素子（３００）は、バラクタ（３１６、３１８）と、前記バラクタ（３１６、３１８）に接続されたレジスタ（３２６）とを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記レジスタ（３２６）は、前記バラクタ（３１６、３１８）に前記中心周波数を調節させるために、バイアス電圧（３２８）を受けるように構成されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記調節可能な容量素子（３００）は更に、前記バラクタ（３１６、３１８）に並列接続された一又は複数のコンデンサ（３０８、３１０）を含む、請求項６又は７に記載の装置。
【請求項９】
前記調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）は、前記中心周波数を第１の量だけ調節するように構成されており、前記調節可能な容量素子（１１２、１１４、１３２、１３８、３００）は更に、前記中心周波数を前記第１の量よりも少ない第２の量だけ調節するように構成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）に並列接続され、前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の動作を安定させるように構成されたコンデンサ（４０６）を更に備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記コンデンサ（４０６）が、前記中心周波数及び前記帯域幅の調節中に前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の振動を低減する又は防止することによって、前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の動作を安定させるように構成されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の第１のバイカッドセル（１５０）を更に備え、前記第１のバイカッドセル（１５０）は、前記オペアンプ（１０６、１３６）、前記調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０）、及び前記調節可能な容量素子（１１２、１１４、１３２、１３８）を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の少なくとも第２のバイカッドセル（５０２）を更に備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のバイカッドセル（１５０）と前記第２のバイカッドセル（５０２）は、前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）の伝達関数を設定するように構成されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
調節可能な抵抗デバイス（１１８、１２２、１２８、１３０、２００、４０４）を使用して、アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた中心周波数を調節することと、
調節可能な容量素子（１１２、１１４、１３２、１３８、３００）を使用して前記アクティブバンドパスフィルタ回路（１００）に関連付けられた前記中心周波数及び帯域幅を調節することと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は概して、電子装置用の回路に関する。
【０００２】
電子装置は、特定周波数の信号を選択するフィルタを含みうる。例えば、広域フィルタは、高周波数及び低周波数を有する入力信号を受信し得、入力信号よりも低い低周波数を有する出力信号を生成しうる。別の実施例として、低域フィルタは、高周波数及び低周波数を有する入力信号を受信し得、入力信号よりも低い高周波数を有する出力信号を生成しうる。フィルタの別の実施例は、バンドパスフィルタである。バンドパスフィルタは、特定の周波数帯域の信号を選択しうる。例えば、無線通信プロトコルは、特定の周波数帯域を使用して送信されるべき無線（ＲＦ）メッセージを明示しうる。受信機は、バンドパスフィルタを使用してメッセージを処理し、特定の周波数帯域外の信号成分（例：ノイズ又は干渉）を低減しうる。
【０００３】
幾つかの装置において、バンドパスフィルタに関連付けられた周波数帯域は調節可能でありうる。例えば、アクティブバンドパスフィルタは、周波数帯域を選択するように調節可能でありうる。幾つかの設計において、周波数帯域を調節するために使用される構成要素は、大型で高価でありうる、又は高消費電力に関連付けられうる。構成要素のサイズ又は数が低減することで、周波数帯域の調節の有効性が低下しうる。更に、構成要素は、例えば幾つかの回路ループが原因で、アクティブバンドパスフィルタ回路の動作中に回路の挙動が不安定になる（例：振動）等の幾つかの状況における不安定性に関連付けられうる。
【発明の概要】
【０００４】
示される実施例では、装置は、アクティブバンドパスフィルタ回路のオペアンプを含む。装置は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられる中心周波数を調節するように構成された調節可能な抵抗デバイスを含む。装置は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節するように構成された調節可能な容量素子を含む。
【０００５】
別の示される実施例では、方法は、調節可能な抵抗デバイスを使用してアクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節することを含む。本方法は更に、調節可能な容量素子を使用してアクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節することを含む。
【０００６】
別の示される実施例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プロセッサによって実行された時に、プロセッサに工程を起動させる命令を含む。工程は、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節するために、調節可能な抵抗デバイスに１組の制御信号を供給することを含む。工程は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた帯域幅を調節し、中心周波数を調節するために、調節可能な容量素子にバイアス電圧を供給することを含む。
【０００７】
上述の特徴、機能、及び利点は、様々な実施形態で個別に実現されうるか、又は、後述の説明及び図面を参照して更なる詳細が理解可能な、更に別の実施形態において組み合わされうる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】調節可能な抵抗デバイス及び調節可能な容量素子を含むアクティブバンドパスフィルタ回路の特定の態様を示す図である。
【図２】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路に含まれうる調節可能な抵抗デバイスの一例を示す図である。
【図３】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路に含まれうる調節可能な容量素子の一例を示す図である。
【図４】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路に含まれうる回路の一例を示す図である。
【図５】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路の一例を示す図である。
【図６】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路の操作に関連づけられうる表の一例を示す図である。
【図７】図１のアクティブバンドパスフィルタ回路の操作方法の一例を示すフロー図である。
【図８】本開示に係るコンピュータで実装される方法及びコンピュータで実行可能なプログラム命令（又はコード）の実施形態をサポートするよう構成された汎用コンピュータデバイスを含む、コンピュータ環境を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
アクティブバンドパスフィルタ回路は、調節可能な抵抗デバイスと調節可能な容量素子を含む。調節可能な抵抗デバイスの中心周波数は、調節可能な抵抗デバイスの抵抗を調節することによって、また調節可能な容量素子の静電容量を調節することによって、決定（例：調整）されうる。調節可能な抵抗デバイスの帯域幅は、調節可能な容量素子の静電容量を調節することによって決定（例：調整）されうる。
【００１０】
示される実施例では、中心周波数の粗調整は、調節可能な抵抗デバイスを使用して実施され、中心周波数の微調節は、調節可能な容量素子のバラクタを使用して実施される。示される実施例のように、帯域幅は、調節可能な容量素子の切替可能なコンデンサを使用して調節されうる。
【００１１】
更に、幾つかの実装態様において、帯域幅は中心周波数とは関係なく調節可能であり、中心周波数の微調節によって、帯域幅が実質的に変わることはない。例えば、幾つかの実装態様において、帯域幅の調節は中心周波数に影響せず、中心周波数を実質的に変えることなく、比較的広い範囲にわたって帯域幅を調節することが可能である。その結果、アクティブバンドパスフィルタ回路は、（例えばスイッチ、レジスタ、コンデンサ、及びバラクタ等の低複雑度構成要素を使用することによって）比較的コスト効率が高く、電力効率が良い一方、（例えば帯域幅とは実質的に関係なく中心周波数を調節することを可能にすることによって、及びその逆によって）高い精度の周波数帯域の選択も可能にする。
【００１２】
幾つかの実装態様では、アクティブバンドパスフィルタ回路は、アクティブバンドパスフィルタ回路の安定性を向上させるように構成された安定性コンデンサを含む。示された実施例では、安定性コンデンサは、調節可能な抵抗デバイスに並列接続される。安定性コンデンサは、中心周波数及び帯域幅の調節中にアクティブバンドパスフィルタ回路の振動を低減する、あるいは防止することによって、アクティブバンドパスフィルタ回路の安定性を向上させるように構成されうる。
【００１３】
全体的に１００で指定されたアクティブバンドパスフィルタ回路の実施例の具体的な例示の態様を示す図１を参照する。アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、例えば実施例のようなＲＦフロントエンド構成要素等の無線（ＲＦ）装置に含まれうる。
【００１４】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、オペアンプ１０６を含む。オペアンプ１０６は、レジスタ１０３、及びレジスタ１０５に接続されうる。レジスタ１０３は第１の入力端子１０２に接続され得、レジスタ１０５は第２の入力端子１０４に接続されうる。第１の入力端子１０２は、第１の入力信号Ｖｉｐを受信するように構成され得、第２の入力端子１０４は、第２の入力信号Ｖｉｎを受信するように構成されうる。入力信号Ｖｉｐ、Ｖｉｎは、異なる信号に対応しうる。
【００１５】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、フィードバックレジスタ１０８とフィードバックレジスタ１１０も含みうる。フィードバックレジスタ１０８は、オペアンプ１０６の入力部、及びオペアンプ１０６の出力部に接続され得、フィートバックレジスタ１１０は、オペアンプ１０６の別の入力部、及びオペアンプ１０６の別の出力部に接続されうる。
【００１６】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は更に、調節可能な容量素子１１４を含む。調節可能な容量素子１１４は、例えばノード１１５を介して、及びノード１１６を介してオペアンプ１０６に接続されうる。
【００１７】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は更に、調節可能な抵抗デバイス１１８を含む。調節可能な抵抗デバイス１１８は、ノード１１６を介してオペアンプ１０６に接続されうる。調節可能な抵抗デバイス１１８は、ノード１２０に接続されうる。
【００１８】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は更に、調節可能な抵抗デバイス１２２を含む。調節可能な抵抗デバイス１２２は、例えばノード１２４等を介してオペアンプ１０６に接続されうる。
【００１９】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は更に、調節可能な容量素子１３２を含む。調節可能な容量素子１３２は、例えばノード１２６等を介して調節可能な抵抗デバイス１２２に接続されうる。
【００２０】
図１に、オペアンプ１３６を更に含みうるアクティブバンドパスフィルタ回路１００も示す。オペアンプ１３６は、例えばノード１２６等を介して調節可能な抵抗デバイス１２２、及び調節可能な容量素子１３２に接続されうる。オペアンプ１３６は、ノード１３４を介して調節可能な容量素子１３２にも接続されうる。
【００２１】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は更に、オペアンプ１０６、１３６に接続された調節可能な抵抗デバイス１２８を含みうる。図１に、調節可能な抵抗デバイス１３０がオペアンプ１０６、１３６に接続されうるところも示す。調節可能な容量素子１１２は、オペアンプ１０６に接続されうる。調節可能な容量素子１３８は、調節可能な抵抗デバイス１２８、１３０に、またオペアンプ１３６に接続されうる。
【００２２】
オペアンプ１０６、１３６、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０、調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８、及びレジスタ１０３、１０５、１０８、及び１１０は、例えばアクティブバンドパスフィルタ回路１００のバイカッドセル１５０等の装置に含まれうる。バイカッドセル１５０は更に、第１の出力端子１４０及び第２の出力端子１４２も含み得る。第１の出力端子１４０は、第１の出力信号Ｖｏｐを生成するように構成され得、第２の出力端子１４２は、第２の出力信号Ｖｏｎを生成するように構成されうる。出力信号Ｖｏｐ、Ｖｏｎは、異なる信号に対応しうる。
【００２３】
動作中、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を調節（例：調整）するように構成される。例えば、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８及び１３０はそれぞれ、調節可能な抵抗デバイス１１８の抵抗を設定して中心周波数を変えるために、１組の制御信号を受信しうる。非限定的に示される実施例では、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数は、約７００メガヘルツ（ＭＨｚ）から約３ギガヘルツ（ＧＨｚ）の範囲内で調節可能である。調節可能な抵抗デバイスの示される実装態様を、図２を参照しながら更に説明する。
【００２４】
加えて、調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数及び帯域幅を調節（例：調整）するように構成される。例えば、各調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、調節可能な容量素子１１４の静電容量を設定して中心周波数及び帯域幅を変えるために、１組の制御信号を受信しうる。調節可能な容量素子の示される実装態様を更に、図３を参照しながら説明する。
【００２５】
示される実施例では、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８及び１３０は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅を変えることなく、又は実質的に変えることなく、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を調節するように構成される。この場合、中心周波数は、帯域幅とは無関係に調節されうる。更に、幾つかの実装態様では、中心周波数を実質的に変えることなく、比較的広範囲にわたって帯域幅を調節することが可能である。本書で使用する、中心周波数又は帯域幅を「実質的に変える」とは、無線ネットワーク（例：無線ネットワークにおける通信チャネル）の特定の態様に適合する第１の値から、特定の態様に適合しない第２の値への変更を意味しうる。例示として、第１の値と第２の値が両方とも無線ネットワークの特定の通信チャネルを使用する無線通信に適合する場合は、中心周波数（又は帯域幅）を第１の値から第２の値へ調節することによっては中心周波数（又は帯域幅）が実質的に変わることはない。
【００２６】
更に例示するために、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を数学的にｋ１／（Ｒｆ＊Ｃｆ）で表すことができ、上記式においてｋ１は、第１の比例値を示し、Ｒｆは調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０の抵抗に基づく抵抗を示し、Ｃｆは、調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８の静電容量に基づく静電容量を示す。アクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅を数学的にｋ２／（Ｒｑ＊Ｃｆ）で表すことができ、上記式においてｋ２は第２の比例値を示し、Ｒｑはフィードバックレジスタ１０８、１１０の抵抗を示す。従って、ＲｑとＣｆを変えずに（従ってアクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅を変えることなく）アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を調節するために、（調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０を使用して）Ｒｆを変えることができる。更に、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数及び帯域幅を調節するために、Ｃｆを（調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８を使用して）変えることができる。
【００２７】
示される実施例では、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８及び１３０は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を第１の量だけ調節するように構成され、調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を第１の量よりも少ない第２の量だけ調節するように構成される。例えば、調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数の粗調節を実施するように構成され得、調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数の微調節を実施するように構成されうる。アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数の粗調節、また微調節の示される態様を、図６を参照しながら更に説明する。
【００２８】
図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００により、電子装置の性能が改善されうる。例えば、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、（例えばスイッチ、レジスタ、コンデンサ、及びバラクタ等の低複雑度構成要素を使用することによって）比較的コスト効率が高く、電力効率が良い一方、（例えば中心周波数を帯域幅とは実質的に無関係に調節すること、又はその逆を可能にすることによって）周波数帯域の高精度の選択も可能にしうる。
【００２９】
調節可能な抵抗デバイスの具体例が図示され、全体として２００に指定される、図２を参照する。例えば、調節可能な抵抗デバイス２００は、図１の一又は複数の調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０に対応しうる。示される実施例では、各調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０は、調節可能な抵抗デバイス２００に対応する回路を含む。
【００３０】
調節可能な抵抗デバイス２００は、１組のスイッチを含む。例えば図２は、調節可能な抵抗デバイス２００が、スイッチ２０４、スイッチ２０６、スイッチ２０８、及びスイッチ２１０を含みうることを示す図である。スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０は、１組の制御信号、例えば制御信号２１４、制御信号２１６、制御信号２１８、及び制御信号２２０を受信するように構成されうる。スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０は、調節可能な抵抗デバイス２００の入力端子２０２に接続されうる。示される実装態様では、スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０は各々、示される実施例のように、モス電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）等のトランジスタを含む。別の実装態様では、スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０は各々、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む。あるいは、スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０は、別のデバイスを含みうる。
【００３１】
調節可能な抵抗デバイス２００は更に、１組のレジスタを含む。例えば、調節可能な抵抗デバイス２００は、レジスタ２２４、レジスタ２２６、レジスタ２２８、及びレジスタ２３０を含みうる。レジスタ２２４はスイッチ２０４に接続され、レジスタ２２６はスイッチ２０６に接続される。更に、レジスタ２２８はスイッチ２０８に接続され、レジスタ２３０はスイッチ２１０に接続される。レジスタ２２４、２２６、２２８、及び２３０は、調節可能な抵抗デバイス２００の出力端子２３２に接続される。
【００３２】
調節可能な抵抗デバイス２００は、レジスタ２４０も含みうる。図２に、レジスタ２４０の第１の端子が入力端子２０２に接続され、レジスタ２４０の第２の端子が出力端子２３２に接続されたところを示す。
【００３３】
示される実施例では、入力端子２０２は図１のノード１１６に対応し、出力端子２３２は図１のノード１２０に対応する。別の示される実施例では、入力端子２０２は図１のノード１２４に対応し、出力端子２３２は図１のノード１２６に対応する。あるいは又はそれに加えて、端子２０２、２３２は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の他のノードに対応しうる。
【００３４】
動作中に、スイッチ２０４、２０６、２０８及び２１０は、調節可能な抵抗デバイス２００の抵抗を設定するために、制御信号２１４、２１６、２１８、２２０に基づいてレジスタ２２４、２２６、２２８、及び２３０を入力端子２０２に選択的に接続するように構成される。示される実施例では、制御信号２１４の第１の値によりスイッチ２０４が起動され、レジスタ２２４が入力端子２０２に接続されうる。別の実施例として、制御信号２１４の第２の値によりスイッチ２０４が動作停止して、レジスタ２２４が入力端子２０２から接続解除されうる。示される非限定的な実施例では、調節可能な抵抗デバイス２００は、３００オームから２０００オームまでの調節可能な抵抗範囲を有する。制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は、（調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、１３０の抵抗が等しく又はほぼ等しくなるように）各調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０に供給されうることに留意されたい。
【００３５】
それに応じて、図２に、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０を使用して制御されうる調節可能な抵抗デバイス２００の抵抗を示す。図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を決定するために、調節可能な抵抗デバイス２００の抵抗が調節されうる。
【００３６】
図２の実施例において、調節可能な抵抗デバイス２００は、４つのスイッチと、４つのレジスタを含む。この実施例では、調節可能な抵抗デバイス２００は、選択可能な１６の異なる抵抗のうちの１つを有しうる。他の実装態様では、調節可能な抵抗デバイス２００は、２つのスイッチ及び２つのレジスタ、３つのスイッチ及び３つのレジスタ、５つのスイッチ及び５つのレジスタ、又は別の数のスイッチ及びレジスタ等の異なる数のスイッチ及びレジスタを含みうる。
【００３７】
調節可能な容量素子の実施例が図示され、全体として３００で指定される図３を参照する。例えば、調節可能な容量素子３００は、図１の一又は複数の調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８に対応しうる。あるいは、又はそれに加えて、調節可能な容量素子３００は、図１の調節可能な容量素子１３２に対応しうる。示される実施例では、各調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、調節可能な容量素子３００に対応する回路を含む。
【００３８】
調節可能な容量素子３００は、例えばバラクタ３１６及びバラクタ３１８等の一又は複数のバラクタを含む。バラクタ３１６、３１８は、レジスタ３２６（例：チョーク抵抗）に接続される。例えば、バラクタ３１６、３１８の陰極端子は、レジスタ３２６に接続されうる。調節可能な容量素子の陽極端子は、調節可能な容量素子３００の入力端子３０２に接続されうる。
【００３９】
レジスタ３２６は、バイアス電圧３２８（例：正バイアス電圧）を受け、バイアス電圧３２８に基づいてバラクタ３１６、３１８へ制御信号３３０を供給するように構成される。バラクタ３１６、３１８は、バラクタ３１６、３１８の比較的小さな静電容量の変化による帯域幅の変化が小さい又は取るに足らないものとなるように、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅を実質的に変えることなく、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を調節するように構成されうる。
【００４０】
調節可能な容量素子は更に、例えばコンデンサ３１０及びコンデンサ３０８（例：切替可能なコンデンサ）等の一又は複数のコンデンサを含む。コンデンサ３０８、３１０は、バラクタ３１６、３１８に並列接続されうる。調節可能な容量素子３００は更に、コンデンサ３２０を含みうる。
【００４１】
調節可能な容量素子３００は、スイッチ３０４も含みうる。スイッチ３０４は、調節可能な容量素子３００の入力端子３０２に接続される。スイッチ３０４は、制御信号３０６を受信するように構成されうる。制御信号３０６により、コンデンサ３０８を入力端子３０２に選択的に接続させることができる。例えば、制御信号３０６の第１の値により、スイッチ３０４を起動して、コンデンサ３０８を入力端子３０２に接続させることができる。別の例として、制御信号３０６の第２の値により、スイッチ３０４を動作停止させて、入力端子３０２からコンデンサ３０８を接続解除することができる。示される実装態様では、スイッチ３０４は、例えば示される実施例としてＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタを含む。別の実装態様では、スイッチ３０４はＭＥＭＳデバイスを含む。あるいは、スイッチ３０４は別のデバイスを含みうる。
【００４２】
図３に、コンデンサ３０８を、調節可能な容量素子３００の出力端子３２４に接続できることも図示する。レジスタ３１２は、入力端子３０２に接続され得る。レジスタ３１２は、接地ノード３１４に接続され得る。
【００４３】
示される実施例では、図３の入力端子３０２は、図１のノード１１６に対応し、出力端子３２４は図１のノード１１５に対応する。別の実施例では、入力端子３０２はノード１２６に対応し、出力端子３２４はノード１３４に対応する。あるいは、又はそれに加えて、端子３０２、３２４は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の他のノードに対応しうる。
【００４４】
動作中に、バイアス電圧３２８を調節して、バラクタ３１６、３１８の動作を制御することができる。例えば、レジスタ３２６はバイアス電圧３２８を受けることができ、バイアス電圧３２８に基づいて制御信号３３０を生成しうる。レジスタ３２６は、バラクタ３１６、３１８に制御信号３３０を供給して、調節可能な容量素子３００の静電容量を決定しうる。示される非限定的な例では、バイアス電圧３２８は、（例えば示される実施例として分圧器ネットワークを使用して）０．５ボルト（Ｖ）と３Ｖの間で調節されうる。示される非限定的な例では、バイアス電圧３２８は、０．２Ｖの単位（例：０．５Ｖから０．７Ｖ、又は３Ｖから２．８Ｖ）で調節されうる。
【００４５】
あるいは、又はそれに加えて、調節可能なコンデンサ装置３００の静電容量を設定するために、制御信号３０６の値を調節して、スイッチ３０４を制御することが可能である。例えば、制御信号３０６の第１の値により、スイッチ３０４がコンデンサ３０８を入力端子３０２に選択的に接続させるようにすることができる。別の実施例として、制御信号３０６の第２の値により、スイッチ３０４がスイッチ３０４を入力端子３０２から接続解除させるようにすることができる。制御信号３０６及びバイアス電圧３２８が、（例えば調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８の静電容量が等しくなる、又はほぼ等しくなるように）各調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８に印加されうることに留意されたい。
【００４６】
示される実施例では、バラクタ３１６、３１８は、（例えばアクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅を実質的に変えることなく）アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数の微調節を実施するように構成されうる。微調節は、例えば調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、１３０、及び２００のうちのいずれか等の調節可能な抵抗デバイスによって実施される中心周波数の粗調節と関連して実施されうる。更に、スイッチ３０４は、コンデンサ３０８を入力端子３０２に選択的に接続することによって、中心周波数の個別の調節を実施するように構成されうる。
【００４７】
従って、図３に、調節可能な容量素子３００の静電容量が、バイアス電圧３２８、制御信号３０６、又はその両方を使用して制御可能であることを示す。図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数及び帯域幅を決定するために、調節可能な容量素子３００の静電容量が調節されうる。
【００４８】
図３の例には１つのスイッチ（スイッチ３０４）が図示されるが、複数のコンデンサを入力端子３０２に選択的に接続するために複数のスイッチを使用することができることを認識すべきである。例えば、スイッチ３０４は複数のスイッチに対応し得、コンデンサ３０８は、直列接続された複数のコンデンサ、並列接続された複数のコンデンサ、又はこれらの組み合わせに対応しうる。
【００４９】
回路の示される実施例が図示され、全体として４００に指定される図４を参照する。回路４００は、調節可能な抵抗デバイス４０４を含む。調節可能な抵抗デバイス４０４は、一又は複数の調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、１３０、及び２００に対応しうる。
【００５０】
調節可能な抵抗デバイス４０４は、コンデンサ４０６に接続される。例えば、調節可能な抵抗デバイス４０４は、例えば入力端子４０２を介して、また出力端子４０８を介してコンデンサ４０６に並列接続されうる。
【００５１】
示される実施例では、入力端子４０２は一又は複数のノード１１６、ノード１２４、又は入力端子２０２に対応する。示される実施例では、出力端子４０８は一又は複数のノード１２０、ノード１２６、又は出力端子２３２に対応する。
【００５２】
動作中、コンデンサ４０６は、図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００の動作を安定させるように構成される。例えば、コンデンサ４０６は、アクティブバンドパス回路１００の中心周波数及び帯域幅の調節中に、アクティブバンドパスフィルタ回路の振動を低減させる又は防止するように構成されうる。コンデンサ４０６は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００に関連付けられる位相余裕を決定しうる。示される非限定的な例では、コンデンサ４０６は、１０フェムトファラド（ｆＦ）と４５ｆＦとの間の静電容量を有する。
【００５３】
図４の実施例は、安定化コンデンサ（例：コンデンサ４０６）により、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の安定性が高まりうることを示すものである。この結果、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の動作が改善しうる。
【００５４】
図５に、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の実施例の態様を示す。アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、バイカッドセル１５０を含む。
【００５５】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、一又は複数の他のバイカッドセルを含みうる。例えば、図５に、アクティブバンドパスフィルタ回路１００が、第２のバイカッドセル５０２と第３のバイカッドセル５０４とを含みうることを示す。バイカッドセル５０２、５０４の一方又は両方の構成要素及び動作を、バイカッドセル１５０を参照しながら説明しうる。
【００５６】
アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、１組のレジスタを含みうる。一例として、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４に接続されたレジスタ５１０を含みうる。本明細書に記載されたレジスタの抵抗値は、特定用途に基づいて選択されうることに留意すべきである。更に、幾つかの場合には、バンドパスフィルタ回路は、本書に記載されるよりも多い又は少ないレジスタを含みうる。例えば、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の抵抗値及び特定数のレジスタは、特定の安定性、特定の帯域阻止、特定の雑音指数、特定の減衰、別の特徴、又はこれらの組み合わせが可能となるように選択されうる。
【００５７】
バイカッドセル１５０、第２のバイカッドセル５０２、及び第３のバイカッドセル５０４は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の伝達関数を設定するように構成される。図５の実施例を示すために、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、３つのバイカッドセルを含むことにより、第３の順序構成を有する。他の実装態様では、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、例えば第１の順序構成、第２の順序構成、第４の順序構成、又は別の構成等の別の構成を有しうる。
【００５８】
動作中に、バイカッドセル１５０は、図２及び３の制御信号２１４、２１６、２１８、２２０、及び３０６と、バイアス電圧３２８を受けうる。例えば、各調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、及び１３０は、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０を受けうる。別の実施例として、各調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、及び１３８は、制御信号３０６及びバイアス電圧３２８を受けうる。
【００５９】
示される実装態様では、バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４の静電容量は他とは無関係に調節可能であり、バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４の抵抗は他とは無関係に調節可能である。例えば、第２のバイカッドセル５０２は、制御信号２１４、２１６、２１８、２２０及び３０６及びバイアス電圧３２８とは異なる値を有する制御信号とバイアス電圧を受けうる。別の例として、第３のバイカッドセル５０４は、制御信号２１４、２１６、２１８、２２０及び３０６及びバイアス電圧３２８とは異なる値を有する制御信号とバイアス電圧を受けうる。
【００６０】
バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４により、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の一又は複数の中心周波数又は帯域幅が決定しうる。実施例として、バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４の中心周波数の値は、バイカッドセル１５０の第１の中心周波数が、第２のバイカッドセル５０２の第２の中心周波数と異なる場合、（また第２の中心周波数が第３のバイカッドセル５０４の第３の中心周波数と異なる場合）等に、「不適合」でありうる。この実施例では、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅は、バイカッドセル１５０、５０２、及び５０４の中心周波数を調節することによって、調節（例：調整）されうる。
【００６１】
図５の例は、特定用途に基づいてアクティブバンドパスフィルタ回路１００の構成を選択しうることを示すものである。例えば、特定用途に基づく特定の伝達関数に達するように、いくつかのアクティブバンドパスフィルタ回路１００のバイカッドセルが選択されうる。
【００６２】
図６に、表６００の一例を示す。表６００は、制御信号２１４、２１６、２１８、２２０、及び３０６の値の実施例を図示したものである。表６００の態様を、一又は複数の調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、１３０、２００、及び４０４、一又は複数の調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、１３８、及び３００、又はこれらの組み合わせの動作に関連して使用することができる。
【００６３】
表６００に、第１のモード６０２及び第２のモード６０４の例を示す。第１のモード６０２は状態１＿ｃｆ、２＿ｃｆ、・・・７＿ｃｆに関連付けられ、第２のモード６０４は状態４、５、・・・１６に関連付けられうる。示される実施例では、第１のモード６０２はアクティブバンドパスフィルタ回路１００の第１の帯域幅に対応し、第２のモード６０４は第１の帯域幅よりも大きい、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の第２の帯域幅に対応する。
【００６４】
第１のモード６０２による動作中に、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は第１の値（例：論理値「０」）又は第２の値（例：論理値「１」）を有し、制御信号３０６は第２の値を有する。例示するため、状態１＿ｃｆによる動作中に、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は論理値「０」を有し、制御信号３０６は論理値「１」を有する。
【００６５】
第２のモード６０４による動作中に、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は第１の値（例：論理値「０」）又は第２の値（例：論理値「１」）を有し、制御信号３０６は第１の値を有する。例示するため、状態１６による動作中に、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は論理値「１」を有し、制御信号３０６は論理値「０」を有する。
【００６６】
図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数及び帯域幅を調節するために、表６００の一又は複数の態様に従って動作しうる。例示するため、状態３＿ｃｆから状態４＿ｃｆへ動作を変更するために、制御信号２１４が第１の値から第２の値へ調節されうる。状態３＿ｃｆから状態４＿ｃｆへ動作を変更することによって、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数を第１のヘルツ（Ｈｚ）数だけ変えることができる。
【００６７】
状態４＿ｃｆによる動作中に、状態４＿ｃｆから状態４へ動作を変更するために、制御信号３０６の値を第２の値から第１の値へ調節することができる。状態４＿ｃｆから状態４へ動作を変更することにより、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の帯域幅が変わりうる。
【００６８】
例えば表６００の隣接する状態間で調節することによって、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数の微調整が可能である。例えば、バラクタ３１６、３１８の容量を変えるために、図３のバイアス電圧３２８を調節することができる。示される実施例として、バラクタ３１６、３１８の静電容量を変えることによって、表６００の状態４から表６００の状態５へアクティブバンドパスフィルタ回路１００の動作を変更することが可能である。状態４から状態５へ動作を変更することによって、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の中心周波数が、第１のＨｚ数よりも小さい第２のＨｚ数に変わりうる。
【００６９】
図６の実施例は、図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００の動作を制御するために、中心周波数及び帯域幅を調節しうることを示すものである。例えば、表６００の態様を使用して中心周波数の微調節を実施する、帯域幅の調節を実施する、あるいはこれらの組み合わせを実施することができる。
【００７０】
方法の実施例が図示され、全体として７００に指定される図７を参照する。方法７００は、図１のアクティブバンドパスフィルタ回路１００、図２の調節可能な抵抗デバイス２００、図３の調節可能な容量素子３００、図４の回路４００、図５のアクティブバンドパスフィルタ回路１００の一又は複数の構成要素、又はこれらの組み合わせを使用して実施されうる。あるいは、又は更に、方法７００は、図６の表６００の一又は複数の態様に従って実施されうる。
【００７１】
方法７００は、７０２において、調節可能な抵抗デバイスを使用して、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節することを含む。例えば、アクティブバンドパスフィルタ回路は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００に対応していてよく、調節可能な抵抗デバイスは調節可能な抵抗デバイス１１８、調節可能な抵抗デバイス１２２、調節可能な抵抗デバイス１２８、調節可能な抵抗デバイス１３０、調節可能な抵抗デバイス２００、調節可能な抵抗デバイス４０４、又はこれらの組み合わせに対応していてよい。
【００７２】
方法７００は更に、７０４において、調節可能な容量素子を使用してアクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節することを含む。例えば、調節可能な容量素子は、調節可能な容量素子１１２、調節可能な容量素子１１４、調節可能な容量素子１３２、調節可能な容量素子１３８、調節可能な容量素子３００、又はこれらの組み合わせに対応しうる。
【００７３】
方法７００は、調節可能な抵抗デバイスの１組のスイッチにおいて１組の制御信号を受信することを含みうる。例えば、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０は、スイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０において受信することができる。この実施例では、中心周波数を調節することは、制御信号２１４、２１６、２１８、及び２２０に基づいてスイッチ２０４、２０６、２０８、及び２１０を使用して、入力端子２０２にレジスタ２２４、２２６、２２８、及び２３０を選択的に接続させることを含む。
【００７４】
方法７００は、調節可能な容量素子のレジスタでバイアス電圧を受けることを含みうる。例えば、バイアス電圧３２８は、調節可能な容量素子３００のレジスタ３２６で受けることができる。方法７００は更に、バイアス電圧に基づいて中心周波数及び帯域幅を調節するために、調節可能な容量素子のバラクタに制御信号を供給することを含みうる。例えば、中心周波数及び帯域幅を調節するために、バラクタ３１６、３１８の一方あるいは両方が、バイアス電圧３２８に基づく制御信号をレジスタ３２６から受信することができる。
【００７５】
図８は、本開示によりコンピュータで実装される方法及びコンピュータで実行可能なプログラム命令（又はコード）の実施形態をサポートするよう構成された、汎用コンピュータデバイス８１０を含むコンピュータ環境８００のブロック図を示している。例えば、コンピュータデバイス８１０、又はその一部分は、図７の方法７００に対して本書に記載される工程を実施するために、命令を実行しうる。コンピュータデバイス８１０又はその一部分は更に、本書で説明している方法のうちの任意のものにより、命令を実行しうる。
【００７６】
コンピュータデバイス８１０は、一又は複数の無線周波（ＲＦ）構成要素８９０を含みうる。一又は複数のＲＦ構成要素８９０は、アクティブバンドパスフィルタ回路１００を含みうる。示される実施例では、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、一又は複数のＲＦ構成要素８９０のＲＦフロントエンド構成要素に含まれうる。
【００７７】
コンピュータデバイス８１０は、プロセッサ８２０を含み得る。プロセッサ８２０は、システムメモリ８３０、一又は複数の記憶デバイス８４０、一又は複数の入出力インターフェース８５０、一又は複数の通信インターフェース８６０、或いはそれらの組み合わせと通信しうる。システムメモリ８３０は、揮発性メモリデバイス（例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）デバイス）、不揮発性メモリデバイス（例えば、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）デバイス、プログラマブル読出し専用メモリ、及びフラッシュメモリ）、又はその両方を含みうる。システムメモリ８３０は、コンピュータデバイス８１０をブート処理するための基本入出力システムを含みうるオペレーティングシステム８３２、並びに、コンピュータデバイス８１０が、ユーザ、他のプログラム、及び他のデバイスと相互作用しあうことを可能にするためのフルオペレーティングシステムを記憶しうる。システムメモリ８３０は、システムデータ８３６を記憶し得る。
【００７８】
システムメモリ８３０は、プロセッサ８２０によって実行可能でありうる一又は複数のアプリケーション８３４を含みうる。一例として、一又は複数のアプリケーション８３４は、本書に記載される一又は複数の工程、例えば図７の方法７００の一又は複数の工程の制御又は実施を起動するために、プロセッサ８２０によって実行可能な命令を含みうる。示される実施例では、一又は複数のアプリケーション８３４は、一又は複数のＲＦ構成要素８９０の工程に関連して（例えば無線通信ネットワークの無線通信に関連して）、制御信号２１４、２１６、２１８、２２０、及び３０６を生成するために、プロセッサ８２０によって実行可能な命令を含みうる。あるいは、又は更に、命令は、例えばバイアス電圧３２８を含むある範囲のバイアス電圧を生成するように構成された制御回路８９２（例：アナログ制御回路）に制御信号を供給すること等によって、バイアス電圧３２８の生成を起動するために、プロセッサ８２０によって実行可能である。制御回路８９２は、例えば制御信号３３０を生成するために、図３のレジスタ３２６にバイアス電圧３２８を供給すること等によって、アクティブバンドパスフィルタ回路１００にバイアス電圧３２８を供給するように構成されうる。
【００７９】
プロセッサ８２０はまた、一又は複数の記憶デバイス８４０とも通信しうる。例えば、一又は複数の記憶デバイス８４０は、磁気ディスク、光学ディスク、又はフラッシュメモリデバイスなどの不揮発性記憶デバイスを含み得る。記憶デバイス８４０は、着脱可能な及び着脱不可能なメモリデバイスの両方を含み得る。記憶デバイス８４０は、オペレーティングシステム、オペレーティングシステムの画像、アプリケーション、及びプログラムデータを保存するように構成されうる。特定の実施形態において、システムメモリ８３０、記憶デバイス８４０、又はその両方は、有形のコンピュータ可読媒体を含む。
【００８０】
プロセッサ８２０は、コンピュータデバイス８１０がユーザ相互作用を促進するために一又は複数の入出力デバイス８７０と通信することを可能にする、一又は複数の入出力インターフェース８５０とも通信し得る。プロセッサ８２０は、入出力インターフェース８５０を介して受信したユーザ入力に基づいて相互作用イベントを検出しうる。加えて、プロセッサ８２０は、入出力インターフェース８５０を介して、ディスプレイデバイスに表示を送信しうる。プロセッサ８２０は、一又は複数の通信インターフェース８６０を介して、デバイス又はコントローラ８８０と通信しうる。
【００８１】
示される実施例では、非一過性のコンピュータ可読記憶媒体（例：システムメモリ８３０）は、プロセッサ（例：プロセッサ８２０）によって実行されたときに、プロセッサに工程を起動させる命令を含む。工程は、アクティブバンドパスフィルタ回路（例：アクティブバンドパスフィルタ回路１００）に関連付けられた中心周波数を調節するために、調節可能な抵抗デバイス（例：調節可能な抵抗デバイス１１８、１２２、１２８、１３０、２００、及び４０４のいずれか）に１組の制御信号（例：制御信号２１４、２１６、２１８、２２０、及び３０６）を供給することを含む。工程は更に、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた帯域幅を調節し、また中心周波数を調節するために、調節可能な容量素子（例：調節可能な容量素子１１２、１１４、１３２、１３８、及び３００のいずれか）にバイアス電圧（例：バイアス電圧３２８）を供給することを含む。示される実施例では、調節可能な抵抗デバイスを使用して中心周波数を調節しても、帯域幅は実質的に変わらない。
【００８２】
本書に記載される構成要素は、一又は複数のプロセスを使用して製造されうる。    一例として、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、例えばバイポーラ相補型金属酸化膜半導体（ＢｉＣＭＯＳ）プロセス、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）プロセス、又はその両方等の半導体プロセスを使用して（すなわち、ＳｉＧｅ  ＢｉＣＭＯＳプロセスを使用して）製造されうる。いくつかの実装態様では、アクティブバンドパスフィルタ回路１００は、モノリシック集積回路等のモノリシック素子内に製造される。幾つかの状況において、ＳｉＧｅプロセスを使用してアクティブバンドパスフィルタ回路１００を製造することにより、アクティブバンドパスフィルタ回路１００の性能、直線性、回路密度、又は出力効率が他のプロセスに比べて改善されうる。他の実装態様では、別のプロセスを使用して、アクティブバンドパスフィルタ回路１００を製造してもよい。
【００８３】
更に、本開示は、下記の条項による実施形態を含む。
【００８４】
条項１．アクティブバンドパスフィルタ回路のオペアンプと、
アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節するように構成された調節可能な抵抗デバイスと、
アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節するように構成された調節可能な容量素子と
を備える装置。
【００８５】
条項２．調節可能な抵抗デバイスは更に、帯域幅を実質的に変えることなく、中心周波数を調節するように構成される、条項１に記載の装置。
【００８６】
条項３．調節可能な抵抗デバイスは、１組のレジスタと、１組のスイッチとを含む、条項１又は２に記載の装置。
【００８７】
条項４．１組のスイッチは調節可能な抵抗デバイスの入力端子に接続され、１組のレジスタのセットは調節可能な抵抗デバイスの出力端子に接続される、条項３に記載の装置。
【００８８】
条項５．１組のスイッチは、１組の制御信号に基づいて１組のレジスタを入力端子に選択的に接続させるように構成される、条項４に記載の装置。
【００８９】
条項６．調節可能な容量素子は、バラクタと、バラクタに接続されたレジスタとを含む、条項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【００９０】
条項７．レジスタは、バラクタに中心周波数を調節させるために、バイアス電圧を受けるように構成される、条項６に記載の装置。
【００９１】
条項８．調節可能な容量素子は更に、バラクタに並列接続された一又は複数のコンデンサを含む、条項６又は７に記載の装置。
【００９２】
条項９．調節可能な抵抗デバイスは、中心周波数を第１の量だけ調節するように構成され、調節可能な容量素子は更に、中心周波数を第１の量よりも少ない第２の量だけ調節するように構成される、条項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【００９３】
条項１０．調節可能な抵抗デバイスに並列接続され、アクティブバンドパスフィルタ回路の動作を安定させるように構成されたコンデンサを更に備える、条項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【００９４】
条項１１．コンデンサが、中心周波数及び帯域幅の調節中にアクティブバンドパスフィルタ回路の振動を低減する又は防止することによって、アクティブバンドパスフィルタ回路の動作を安定させるように構成される、条項１０に記載の装置。
【００９５】
条項１２．オペアンプ、調節可能な抵抗デバイス、及び調節可能な容量素子を含む、アクティブバンドパスフィルタ回路の第１のバイカッドセルを更に備える、条項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【００９６】
条項１３．アクティブバンドパスフィルタ回路の少なくとも第２のバイカッドセルを更に備える、条項１２に記載の装置。
【００９７】
条項１４．第１のバイカッドセルと第２のバイカッドセルは、アクティブバンドパスフィルタ回路の伝達関数を設定するように構成される、条項１３に記載の装置。
【００９８】
条項１５．調節可能な抵抗デバイスを使用して、アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節することと、
調節可能な容量素子を使用してアクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数及び帯域幅を調節することと
を含む方法。
【００９９】
条項１６．調節可能な抵抗デバイスの１組のスイッチにおいて、１組の制御信号を受信することを更に含む、条項１５に記載の方法。
【０１００】
条項１７．中心周波数を調節することは、１組の制御信号に基づいて、１組のスイッチを使用して調節可能な抵抗デバイスの１組のレジスタを調節可能な抵抗デバイスの入力端子に選択的に接続することを含む、条項１６に記載の方法。
【０１０１】
条項１８．調節可能な容量素子のレジスタでバイアス電圧を受けることと、バイアス電圧に基づいて中心周波数及び帯域幅を調節するために、調節可能な容量素子のバラクタに制御信号を供給することとを更に含む、条項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【０１０２】
条項１９．命令を含むコンピュータ可読記憶媒体であって、命令は、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに
アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた中心周波数を調節するために、１組の制御信号を調節可能な抵抗デバイスに供給することと、
アクティブバンドパスフィルタ回路に関連付けられた帯域幅を調節し、また中心周波数を調節するために、調節可能な容量素子にバイアス電圧を供給することと
を含む工程を起動させる、コンピュータ可読記憶媒体。
【０１０３】
条項２０．調節可能な抵抗デバイスを使用して中心周波数を調節することによって は、帯域幅は実質的に変わらない、条項１９に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【０１０４】
上述の実施形態は例示的なものであり、本開示を限定するものではない。本発明の開示の原則による複数の修正例及び変形例が可能であることを理解されたい。
【０１０５】
本書で説明している実施形態の図は、様々な実施形態の構造の概略的な理解を提供することを目的としている。これらの図は、本書で説明している構造又は方法を利用する装置及びシステムの、全ての要素及び特徴の網羅的な説明としての役割を果たすものではない。本開示を精査することで、当業者には、他の多くの実施形態が明らかになりうる。本開示の範囲を逸脱することなく構造的及び論理的な置換及び変更がなされうるように、他の実施形態が、利用され、本開示から導かれうる。例えば、方法ステップは図に示されているものとは異なる順序で実行されうる、或いは、一又は複数の方法ステップを省略することが可能である。従って、本開示及び図は、限定的というよりも、むしろ例示的なものと見なされる。
【０１０６】
更に、具体的な実施形態を本書で例示し、説明してきたが、示された具体的な実施形態を、同一又は類似の結果を実現するよう設計されたいずれかの後続の構成に置換えることができることを、認識すべきである。この開示は、様々な実施形態の、いずれかの、またあらゆる後続の応用形態又は変形形態をカバーすることを目的としている。本明細書を精査することで、上述の実施形態の組み合わせ、及び本書で具体的に説明していない他の実施形態が、当業者には明らかになろう。
【０１０７】
本開示の「要約」は、特許請求の範囲又は意味を解釈する、又は限定するために使用されるものではないとの理解のもとに、提出される。加えて、上記の「発明を実施するための形態」においては、本開示を簡潔にする目的で、様々な特徴がグループ化されうる、又は、単一の実施形態内で説明されうる。この開示が、特許請求される実施形態は各請求項に明示的に記載される特徴以外の特徴を要求するという意図を反映していると、解釈するべきではない。むしろ、下記の特許請求の範囲に反映されるように、特許請求される主題は、開示されたいずれかの実施形態の全ての特徴よりも、少ない特徴を有するものを対象としうる。
【図１】
2018067907.tif 000003
【図２】
2018067907.tif 000004
【図３】
2018067907.tif 000005
【図４】
2018067907.tif 000006
【図５】
2018067907.tif 000007
【図６】
2018067907.tif 000008
【図７】
2018067907.tif 000009
【図８】
2018067907.tif 000010
【外国語明細書】
2018067907000001.pdf
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