(57)【要約】      （修正有）【課題】ケーシング内のセンサ素子にを導入された被測定ガスの測定精度を向上させたガスセンサを提供する。【解決手段】配線基板５０と、センサ素子４０と、配線基板を収容するケーシング１０であって、被測定ガスＧを導入する導入口１０ｇ、及び被測定ガスを排出する排出口１０ｈが形成され、導入口及び排出口の一端１０ｇ１、１０ｈ１が収容空間に連通するケーシングと、を備えたガスセンサであって、導入口の一端は、センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、配線基板よりも高位又は低位に配置される一方、排出口の一端は、センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、センサ素子を隔てて導入口とは異なる位置に配置され、ケーシングは、導入口と収容空間とを繋ぐガス流路１０ｃであって、導入口の一端と向かい合い、導入口から導入されたガスの進行経路を収容空間に向けて変換させる内壁１０ｗ２を含むガス流路を有する。【選択図】図４
2018013355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなし、板厚方向に貫通する開口部が形成された配線基板と、
特定ガスを検出する検出部がベース基板上に設けられたセンサ素子であって、複数の通電部材によって前記開口部内に宙吊り固定されると共に、前記配線基板と電気的に接続されるセンサ素子と、
前記配線基板を収容する収容空間を形成するケーシングであって、前記配線基板の外周縁を取り囲むケーシング側壁に、前記収容空間に被測定ガスを導入する導入口、及び、前記収容空間から前記被測定ガスを排出する排出口が形成され、前記導入口及び前記排出口の一端が前記収容空間に連通するケーシングと、を備えたガスセンサであって、
前記配線基板の板厚方向が鉛直方向と沿うように前記配線基板を前記ケーシング内に設置した状態において、前記導入口の前記一端は、前記センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、前記配線基板よりも高位又は低位に配置される一方、前記排出口の前記一端は、前記センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、前記センサ素子を隔てて前記導入口とは異なる位置に配置されており、
前記ケーシングは、前記導入口と前記収容空間とを繋ぐガス流路であって、前記導入口の前記一端と向かい合い、前記導入口から導入されたガスの進行経路を前記収容空間に向けて変換させる内壁を含むガス流路を有する
ことを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のガスセンサであって、
前記配線基板の板厚方向が鉛直方向と沿うように前記配線基板を前記ケーシング内に設置した状態において、前記排出口の前記一端は、前記鉛直方向に前記配線基板よりも前記導入口の前記一端と同じ側に配置されているガスセンサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のガスセンサであって、
前記導入口の他端側、及び、前記排出口の他端側は、それぞれ、前記ケーシング側壁から外側に向かって突出する筒状部の内部空間によって構成されており、前記筒状部には、被測定ガスを流通させる流通管が接続されてなるガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定ガスの濃度を検知するガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、金属酸化物センサとして、配線基板の開口部内にセンサ素子をワイヤボンディング等で宙吊り固定し、配線基板毎ケース（ハウジング）内に収容する構成が知られている（特許文献１）。
この技術では、センサ素子の周囲に配置されるケース（ケースキャップ）内のガス流路を迷路状にすることで、空気の流れを生じさせ、センサ素子を外部から断熱し、周囲温度が変化してもセンサ素子の動作温度を一定に保っている。又、センサ素子を宙吊り固定することで、センサ素子の熱容量や周囲の熱的影響を減らしてガスの検知精度や応答性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平9-184817号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ケーシング内に導入される被測定ガスの流れによっては、配線基板に保持されたセンサ素子の表面のガスの流れが不均一になり、センサ素子の位置によってはガスがほとんど供給されず、測定精度が低下するという問題がある。
そこで、本発明は、ケーシング内のセンサ素子に被測定ガスを導入するガスセンサにおいて、被測定ガスの測定精度を向上させたガスセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明のガスセンサは、板状をなし、板厚方向に貫通する開口部が形成された配線基板と、特定ガスを検出する検出部がベース基板上に設けられたセンサ素子であって、複数の通電部材によって前記開口部内に宙吊り固定されると共に、前記配線基板と電気的に接続されるセンサ素子と、前記配線基板を収容する収容空間を形成するケーシングであって、前記配線基板の外周縁を取り囲むケーシング側壁に、前記収容空間に被測定ガスを導入する導入口、及び、前記収容空間から前記被測定ガスを排出する排出口が形成され、前記導入口及び前記排出口の一端が前記収容空間に連通するケーシングと、を備えたガスセンサであって、
前記配線基板の板厚方向が鉛直方向と沿うように前記配線基板を前記ケーシング内に設置した状態において、前記導入口の前記一端は、前記センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、前記配線基板よりも高位又は低位に配置される一方、前記排出口の前記一端は、前記センサ素子よりも水平方向外側に位置すると共に、前記センサ素子を隔てて前記導入口とは異なる位置に配置されており、
前記ケーシングは、前記導入口と前記収容空間とを繋ぐガス流路であって、前記導入口の前記一端と向かい合い、前記導入口から導入されたガスの進行経路を前記収容空間に向けて変換させる内壁を含むガス流路を有する。
【０００６】
このガスセンサによれば、導入口の一端がガス流路に形成され、さらにガス流路内で導入口の一端と向かい合う内壁が形成されている。これにより、導入口から導入された被測定ガスは、まずガス流路を通って内壁に衝突し、その進行経路を収容空間に向けて変換させられる。
このとき、導入口の一端は配線基板よりも高位又は低位に配置されている、つまり、導入口の一端は配線基板（＝センサ素子）と同一平面上に存在しないので、内壁で進行経路を変換させられた被測定ガスが、センサ素子の表面に衝突し、センサ素子の表面に沿って流れるようになる。そして、センサ素子の表面に沿って流れた被測定ガスは、導入口の一端と向かい合うガス流路とは異なる位置に配置される排出口から排出される。
これにより、センサ素子の表面に沿う被測定ガスの流れは層流となり、センサ素子の表面上の位置による流速の差が低減し、被測定ガスがセンサ素子全体に均一に供給される。このため、被測定ガスの測定精度を向上させることができる。
【０００７】
本発明のガスセンサであって、前記配線基板の板厚方向が鉛直方向と沿うように前記配線基板を前記ケーシング内に設置した状態において、前記排出口の前記一端は、前記鉛直方向に前記配線基板よりも前記導入口の前記一端と同じ側に配置されていてよい。
このガスセンサによれば、内壁で進行経路を変換させられた被測定ガスは、センサ素子の表面に衝突した後、排出口へ流れるので、被測定ガスがスムースに排出口から排出され、被測定ガスの測定精度がさらに向上する。
【０００８】
本発明のガスセンサであって、前記導入口の他端側、及び、前記排出口の他端側は、それぞれ、前記ケーシング側壁から外側に向かって突出する筒状部の内部空間によって構成されており、前記筒状部には、被測定ガスを流通させる流通管が接続されていてよい。
このガスセンサによれば、流通管から導入管の内孔（内部空間）をガイドとして被測定ガスが導入されるので、被測定ガスがガス流路に導入され易くなる。同様に、排出口から排出された被測定ガスが、排出管の内孔（内部空間）をガイドとして排出されるので、被測定ガスが排出され易くなる。このため、センサ素子の表面に沿う被測定ガスの流れがより均一になり、被測定ガスの測定精度がさらに向上する。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、ケーシング内のセンサ素子に被測定ガスを導入するガスセンサにおいて、被測定ガスの測定精度を向上させたガスセンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係るガスセンサの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係るガスセンサの上面図である。
【図３】本発明の実施形態に係ガスセンサの下面図である。
【図４】ケーシング内に収容された配線基板を示す斜視図である。
【図５】ケーシングの斜視図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７】ケーシングの別の斜視図である。
【図８】ケーシングの上面図である。
【図９】比較例のケーシングの斜視図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るガスセンサにおけるセンサ素子表面のガス流の流体解析シミュレーションを示す図である。
【図１１】図９のケーシングを用いたガスセンサにおけるセンサ素子表面のガス流の流体解析シミュレーションを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態におけるガスセンサ１の分解斜視図、図２、図３はそれぞれガスセンサ１の上面図及び下面図、図４はケーシング１０内に収容された配線基板５０を示す斜視図、図５はケーシング１０の斜視図、図６は図５のＡ−Ａ線に沿う断面図、図７はケーシング１０の別の斜視図、図８はケーシング１０の上面図である。
図１において、ガスセンサ１は、略矩形箱状で上面（図１の上方に向く面）が開口する下ケース１０と、下ケース１０の開口を閉塞する蓋部２０と、下ケース１０に収容されるセラミック配線基板（以下、単に「配線基板」という）５０と、矩形枠状のシール材（ガスケット）３１、３２と、配線基板５０の開口部５０ｈ内に配置されるセンサ素子４０と、センサ素子４０を開口部５０ｈ内に宙吊り固定する通電部材６１、６３と、を備えている。なお、通電部材６１は４本存在しているが、図１では、それらのうちの１本がシール材３１の下に配置されている関係から図示していない。また、通電部材６３は、２本存在している。
下ケース１０と蓋部２０が特許請求の範囲の「ケーシング」に相当する。
【００１２】
下ケース１０は、収容空間１０ｒと、上端から下方に延びる矩形の切欠き１０ｎと、配管の接続口となるパイプ状の導入管１０ａ及び排出管１０ｂとを備えている。導入管１０ａ及び排出管１０ｂは、下ケース１０の一方の側面（図１の右側面）からそれぞれ右に突出すると共に、その内孔（図４の導入口１０ｇ及び排出口１０ｈ）が収容空間１０ｒに連通している。
配線基板５０は、矩形枠状の先端部５０ａと、先端部５０ａの一方の辺から先端部５０ａよりも狭幅とされて外側（図１の左側）へ延びる基端部５０ｅとを備えている。
シール材３１、３２、及び配線基板５０の先端部５０ａは、下ケース１０の収容空間１０ｒに丁度収容される寸法とされ、下ケース１０側から順にシール材３１、先端部５０ａ及びシール材３２が収容空間１０ｒに収容されている。又、切欠き１０ｎから配線基板５０の基端部５０ｅが下ケース１０の外側に突出するようになっている。
【００１３】
そして、この状態で、シール材３２の上から蓋部２０をボルト２５にて下ケース１０にボルト締めすることで、下ケース１０と蓋部２０の間でシール材３１、３２が押圧されて下ケース１０と配線基板５０の隙間を気密にシールするようになっている。
これにより、導入管１０ａから収容空間１０ｒに導入された被測定ガスＧがセンサ素子４０に接触して特定ガスの濃度が検出された後、排出管１０ｂから外部に排出される。
【００１４】
なお、センサ素子４０は略矩形板状をなし、ベース基板４１の上面（図１の上方に向く面）側にヒータ部４２が配置され、ベース基板４１の下面側に検出部４３が配置されており、検出部４３とヒータ部４２がベース基板４１の上下に積層された一体構造となっている。
検出部４３は特定ガス成分の濃度に応じて電気的特性が変化し、その変化した電気信号を検知することで特定ガス成分の濃度を検出する。又、ヒータ部４２は通電加熱により、検出部４３を動作温度に加熱する。そして、検出部４３の出力端子、及びヒータ部４２の通電端子は配線基板５０に通電部材６１、６３にて宙吊り固定されると共に電気的に接続されている。
ベース基板４１は例えばセラミック基板とすることができる。又、検出部４３は例えば酸化物半導体にて形成することができる。ヒータ部４２は例えばベース基板４１の表面に形成されて発熱抵抗体となる回路とすることができる。
【００１５】
ここで、配線基板５０の基端部５０ｅの表裏面には検出部４３及びヒータ部４２に上記通電部材６１、６３及びリード部５０Ｌを介して電気的に接続された導電パッド部５０ｐが複数配置されている。そして、検出部４３から出力された電気信号は配線基板５０の導電パッド部５０ｐを介して外部に出力され、導電パッド部５０ｐを介して外部から供給された電力によりヒータ部４２が通電加熱する。
【００１６】
ここで、図２に示すように、センサ素子４０は平面視四角形状に形成されており、そのうち第１辺４０ａ（図２の左側の辺）を跨ぐようにして、２本の通電部材６１ａ、６１ｂがセンサ素子４０の両端側と配線基板５０とに接合されている。同様に、第１辺４０ａと対向する第２辺４０ｂ（図２の右側の辺）を跨ぐようにして、別の２本の通電部材６１ｃ、６１ｄがセンサ素子４０の両端側と配線基板５０とに接合されている。
【００１７】
なお、配線基板５０の表面には、開口部５０ｈを囲むように複数（図２では４つ）の素子周辺パッド５０ｓが形成されており、各素子周辺パッド５０ｓはリード部５０Ｌを介して導電パッド部５０ｐ（図２では３つ）に接続されている。
又、ヒータ部４２をなす発熱抵抗体の両端にはそれぞれ通電用パッド４２ｐが形成されており、各通電用パッド４２ｐにそれぞれ対向するように２つの素子周辺パッド０ｓが配置されている。通電部材６１ａ、６１ｄは、それぞれ各素子周辺パッド５０ｓと対向する各通電用パッド４２ｐとを接続している。
さらに、ヒータ部４２に沿って温度センサ４４が配置されており、温度センサ４４の両端にもそれぞれ通電用パッド４４ｐが形成されている。各通電用パッド４４ｐにそれぞれ対向するように２つの素子周辺パッド５０ｓが配置されており、通電部材６１ｂ、６１ｃは、それぞれ各素子周辺パッド５０ｓと対向する各通電用パッド４４ｐとを接続している。
なお、図２の右下の素子周辺パッド５０ｓには、Ｕ字状の導電部材５５が接続されており、この導電部材５５は配線基板５０の反対面の素子周辺パッド５０ｓに接続している（図３参照）。
【００１８】
一方、図３に示すように、センサ素子４０の反対面においても、配線基板５０の裏面には、開口部５０ｈを囲むように複数（図３では３つ）のランド５０ｓが形成されており、各ランド５０ｓはリード部５０Ｌを介して導電パッド部５０ｐ（図３では３つ）に接続されている。
そして、２本の通電部材６３ａ、６３ｂが、センサ素子４０の検出部４３に繋がる２つの通電用パッド４３ｐと、対向する配線基板５０のランド５０ｓとの間に接合されている。
【００１９】
通電部材６１及び導電部材５５は例えばＰｔで形成することができ、また、通電部材６３は例えばＡｕで形成することができ、対応する通電用パッド及び素子周辺パッドに溶接等により電気的に接続することができる。又、各通電用パッドはＰｔペースト等をセンサ素子４０のベース基板４１に印刷後、焼成して形成することができる。素子周辺パッド５０ｓ、リード部５０Ｌ及び導電パッド部５０ｐは、Ａｕペースト等を配線基板５０に印刷後、焼成して形成することができる。
【００２０】
次に、図４〜図８を参照し、本発明の特徴部分について説明する。
図４〜図７に示すように、ケーシング１０のうち、配線基板５０の外周縁を取り囲むケーシング側壁１０ｓ（図４、図５のケーシング１０の上側の辺）に導入管１０ａ及び排出管１０ｂが取り付けられ、これらの内孔が導入口１０ｇ、排出口１０ｈになっている。
又、ケーシング（下ケース）１０の底壁の中央部には周囲より盛り上がった平面視矩形の隆起部１０Ｌが形成され（図５）、隆起部１０Ｌの両端寄り部位（図４における左右に位置する部位）には、隆起部１０Ｌの表面からみてそれぞれ長円形に凹む導入側ガス流路１０ｃ、排出側ガス流路１０ｄが形成されている。導入側ガス流路１０ｃには導入口１０ｃが臨む一方で排出口１０ｈは臨んでおらず、導入側ガス流路１０ｃは、導入口１０ｇの延長線上に延びるように形成されている。また、排出側ガス流路１０ｄには排出口１０ｈが臨み、排出側ガス流路１０ｄは、排出口１０ｈの延長線上に延びるように形成されている。
なお、隆起部１０Ｌの外周縁より外側の収容空間１０ｒ(図５のハッチング部分)はシール材３１で閉塞されるので、導入側ガス流路１０ｃおよび排出側ガス流路１０ｄの直上部分、および、隆起部１０Ｌのうち両ガス流路１０ｃ、１０ｄの間の部位の直上部分が実質的な有効な収容空間１０ｒとなる。導入側ガス流路１０ｃは、収容空間１０ｒに対して上流側に配置されるガス流路であり、特許請求の範囲の「ガス流路」に相当する。
【００２１】
そして、導入側ガス流路１０ｃ、排出側ガス流路１０ｄのうち、導入管１０ａ及び排出管１０ｂ側の第１側壁１０ｗ１に、導入管１０ａ及び排出管１０ｂからそれぞれ延びる導入口１０ｇ、排出口１０ｈが開口している。導入口１０ｇ、排出口１０ｈのうち、第１側壁１０ｗ１に臨み、導入側ガス流路１０ｃないしは排出側ガス流路１０ｄのいずれかを介して収容空間１０ｒに連通する部位を、それぞれ導入口１０ｇの一端１０ｇ１、排出口１０ｈの一端１０ｈ１とする。
一方、導入側ガス流路１０ｃ内には、導入口１０ｇの一端１０ｇ１と向かい合う第２側壁１０ｗ２が形成されている（図７）。
導入管１０ａ及び排出管１０ｂが特許請求の範囲の「筒状部」に相当し、第２側壁１０ｗ２が特許請求の範囲の「内壁」に相当する。
【００２２】
又、図４、図８に示すように、配線基板５０の板厚方向Ｔが鉛直方向と沿うように配線基板５０をケーシング（下ケース）１０内に設置した状態において、導入口１０ｇの一端１０ｇ１及び排出口１０ｈの一端１０ｈ１は、センサ素子４０よりも水平方向外側に位置する。又、排出口１０ｈはセンサ素子４０を隔てて導入口１０ｇとは異なる位置に配置されている。
ここで、「センサ素子を隔てて異なる位置」とは、導入口１０ｇの一端１０ｇ１と排出口１０ｈの一端１０ｈ１を結んだ線ＬＸ（図８参照）がセンサ素子４０を跨ぐ位置関係を満たすことをいい、線ＬＸ上にセンサ素子４０が必ず存在する必要はなく、線ＬＸとずれた位置にセンサ素子４０が配置されていてもよい。なお、本実施形態では、センサ素子４０は、線ＬＸに対してわずかにずれている（図８では、センサ素子４０の右側の辺が線ＬＸに対して左側にわずかにずれている）。
又、図６に示すように、導入口１０ｇの一端１０ｇ１及び排出口１０ｈの一端１０ｈ１は、鉛直方向の配線基板５０の位置ＬＥよりも低位（下側）に配置されている。
【００２３】
以上のように、導入口１０ｇの一端１０ｇ１がガス流路１０ｃの第１側壁１０ｗ１に形成され、さらに導入側ガス流路１０ｃ内で導入口１０ｇの一端１０ｇ１と向かい合う第２側壁１０ｗ２が形成されている。これにより、図６に示すように、導入口１０ｇから導入された被測定ガスＧは、まず導入側ガス流路１０ｃを通って導入口１０ｇの一端１０ｇ１と向かい合う第２側壁１０ｗ２に衝突し、その進行経路を収容空間１０ｒに向けて（つまり、図６の上方のセンサ素子４０へ向けて）変換させられる。
【００２４】
このとき、導入口１０ｇの一端１０ｇ１は配線基板５０の位置ＬＥよりも低位（下側）に配置されている、つまり、導入口１０ｇの一端１０ｇ１は配線基板５０（＝センサ素子４０）と同一平面上に存在しないので、導入側ガス流路１０ｃの第２側壁１０ｗ２で進行経路を図６の上方に変換させられた被測定ガスＧが、第２側壁１０ｗ２よりさらに上方にあるセンサ素子４０の表面（本例ではベース基板４１の下面側の検出部４３）に衝突し、センサ素子４０の表面に沿って流れるようになる。
これにより、図８に示すように、センサ素子４０の表面に沿う被測定ガスＧの流れは層流となり、センサ素子４０の表面上の位置による流速の差が低減し、被測定ガスＧがセンサ素子４０全体に均一に供給される。このため、被測定ガスＧの測定精度を向上させることができる。
【００２５】
又、上記実施形態においては、排出口１０ｈの一端１０ｈ１は、配線基板５０よりも導入口１０ｇの一端１０ｇ１と鉛直方向の同じ側（低位）に配置されている。これにより、第２側壁１０ｗ２で進行経路を変換させられた被測定ガスＧは、センサ素子４０の表面に衝突した後、下側の排出口１０ｈへ流れるので、被測定ガスＧがスムースに排出口１０ｈから排出され、被測定ガスＧの測定精度がさらに向上する。
【００２６】
又、上記実施形態においては、導入口１０ｇ及び排出口１０ｈの他端側は、それぞれ、ケーシング１０側壁から外側に向かって突出する導入管１０ａ及び排出管１０ｂの内部空間によって構成されている。そして、図４に示すように、導入管１０ａ及び排出管１０ｂには、被測定ガスＧを流通させるゴム管等の流通管７０がそれぞれ接続されている。
このようにすると、流通管７０から導入管１０ａの内孔（内部空間）をガイドとして被測定ガスＧが導入されるので、被測定ガスＧが導入側ガス流路１０ｃに導入され易くなる。同様に、排出口１０ｈから排出された被測定ガスＧが、排出管１０ｂの内孔（内部空間）をガイドとして排出されるので、被測定ガスＧが排出され易くなる。このため、センサ素子４０の表面に沿う被測定ガスＧの流れがより均一になり、被測定ガスＧの測定精度がさらに向上する。
【００２７】
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。
ケーシング、導入口、排出口、ガス流路、センサ素子の形状等は上記実施形態に限定されない。ヒータ部及び検知部の構造、種類等も限定されない。
【実施例】
【００２８】
実施例：図４、図５に示すケーシング（下ケース）１０に、図１〜図３に示すようにセンサ素子４０を宙吊り固定した配線基板５０を設置し、蓋部２０で閉塞した構造のモデルにつき、導入口１０ｇからガスＧを導入したときのセンサ素子４０下面（検知部４３側）を流れるガス流につき、ＳＴＡＲ−ＣＣＭ＋（ＣＤ−ａｄａｐｃｏ社）で流体解析シミュレーションを実施した。なお、導入口１０ａ、排出口１０ｂの内径は１．５ｍｍとし、導入口１０ａより空気を流量１６０ｃｃ／ｍｉｎにてケーシング１０内に流入させるようにして、流体解析シミュレーションを実施した。
比較例：図９に示すケーシング（下ケース）１００を用いたこと以外は、実施例と同様にして流体解析シミュレーションを実施した。下ケース１００は、実施例の下ケース１０の２つの導入側ガス流路１０ｃ、排出側ガス流路１０ｄの間を削り取り、収容空間１００ｒに対して上流側及び下流側にガス流路が配置されていない、大きな収容空間１００ｒとしたものである。そして、隆起部１００Ｌの外周縁より外側の収容空間１００ｒ(図９のハッチング部分)はシール材で閉塞される。これにより、下ケース１００はガス流路を有さず、導入口１００ｇから被測定ガスＧが収容空間１００ｒに直接導入され、排出口１００ｈから外部に排出されるようになっている。
【００２９】
得られた結果を図１０、図１１に示す。
実施例を示す図１０の場合、センサ素子４０の下面に、図１０の左上から右下へ向かう層流が形成され、これによりセンサ素子４０の表面上の位置による流速の差が低減し、ガスＧがセンサ素子４０全体に均一に供給されることがわかる。
一方、比較例を示す図１１の場合、センサ素子４０の左上隅部及び上方に強い流れが生じ、これによりセンサ素子４０の表面上に渦流が発生し、センサ素子４０の位置によってはガスＧがほとんど供給されず、ガスの流れが不均一なことがわかる。
【符号の説明】
【００３０】
１    ガスセンサ
１０、２０    ケーシング
１０ａ、１０ｂ    筒状部
１０ｃ    導入側ガス流路（ガス流路）
１０ｄ    排出側ガス流路
１０ｗ２    内壁
１０ｒ    収容空間
１０ｇ    導入口
１０ｇ１    導入口の一端
１０ｈ    排出口
１０ｈ１    排出口の一端
１０ｓ    ケーシング側壁
４０    センサ素子
４１    ベース基板
４３    検出部
５０    配線基板
５０ｈ    開口部
６１、６３    通電部材
７０    流通管
Ｇ    被測定ガス
Ｔ    板厚方向
【図１】
2018013355.tif 000003
【図２】
2018013355.tif 000004
【図３】
2018013355.tif 000005
【図４】
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【図５】
2018013355.tif 000007
【図６】
2018013355.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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