(57)【要約】【課題】基板を載置台に載置する際に基板がずれるのを抑制することができる基板載置方法を提供する。【解決手段】各リフトピン１３に支持されるウエハＷに向けてサセプタ１２が上昇する基板処理装置１０において、ウエハＷのエッジ部がサセプタ１２の載置面に当接した後、サセプタ１２の上昇を停止し、所定の時間に亘ってサセプタ１２の上昇を停止した後に、サセプタ１２の上昇を再開し、その後、サセプタ１２の所定の時間に亘る上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開が、ウエハＷと載置面の当接が進行してウエハＷの全面が載置面に完全に当接するまで繰り返される。【選択図】図３
2018022822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物の前記載置面からの突出量を相対的に減少させることによって前記基板を前記載置台へ近接させて載置させる基板載置方法であって、
前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記基板の前記載置台への近接動作を停止し、
前記基板の前記載置台への近接動作を停止した後に、前記基板の前記載置台への近接動作を再開することを特徴とする基板載置方法。
【請求項２】
前記基板の前記載置台への近接動作の停止、及び前記基板の前記載置台への近接動作の再開を繰り返すことを特徴とする請求項１記載の基板載置方法。
【請求項３】
最初の前記基板の前記載置台への近接動作の停止における停止時間は、その後の前記基板の前記載置台への近接動作の停止における停止時間よりも長いことを特徴とする請求項２記載の基板載置方法。
【請求項４】
前記載置台が前記複数の突起物に支持された前記基板へ向けて上昇することによって前記基板を前記載置台へ近接させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板載置方法。
【請求項５】
前記複数の突起物が前記載置台へ向けて下降することによって前記基板を前記載置台へ近接させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板載置方法。
【請求項６】
減圧環境下で前記基板を前記載置台へ近接させて載置させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板載置方法。
【請求項７】
載置台と、前記載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物とを備え、前記載置台が前記複数の突起物に支持された前記基板へ向けて上昇することによって前記基板を前記載置台へ載置させる基板載置装置において、
前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記載置台の上昇を停止し、
前記載置台の上昇を停止した後に、前記載置台の上昇を再開することを特徴とする基板載置装置。
【請求項８】
載置台と、前記載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物とを備え、前記複数の突起物が前記載置台へ向けて下降することによって前記基板を前記載置台へ載置させる基板載置装置において、
前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記複数の突起物の下降を停止し、
前記複数の突起物の下降を停止した後に、前記複数の突起物の下降を再開することを特徴とする基板載置装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を載置台に載置する基板載置方法及び基板載置装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）をチャンバ内に収容し、チャンバ内に導入した処理ガスやチャンバ内で生じさせたプラズマを用いてウエハに所望の処理、例えば、成膜処理やプラズマ処理を施す基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、ウエハに所望の処理を施す際、ウエハをチャンバ内に配置されたステージとしてのサセプタに載置する。
【０００３】
ウエハはサセプタにおけるウエハの載置面（以下、単に「載置面」という。）の所定の位置へ載置する必要があるが、載置されたウエハが載置面の所定の位置からずれる場合がある。この場合、例えば、ウエハへ成膜処理としての熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）処理を施す際、ウエハがサセプタに内蔵されるヒータからずれてウエハを均等に加熱することができず、ウエハに形成される膜の厚さが均一とならない。また、例えば、ウエハへプラズマ処理としてのエッチング処理を施す際、ウエハのエッジ部においてウエハのずれに起因するインピーダンスの偏りが生じ、ウエハの表面上に形成されるシースの厚みが不均一となり、ウエハの各部におけるエッチング量を均一にすることができない。
【０００４】
そこで、載置面にウエハの直径よりもやや大きい直径の窪みからなるポケットを設け、ポケットの側面にウエハの位置決め用の突起を設け、ポケットにウエハを収容する際に各突起に形成されたテーパ面に沿ってウエハを下降させることにより、ポケット内の適切な位置にウエハを収める技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
ところで、通常、ウエハをサセプタに載置する場合、まず、サセプタの載置面から上方へ突出する複数のリフトピンによってウエハを搬送アームから受け取り、搬送アームがチャンバ内から退出した後、リフトピンが下降し、若しくは、サセプタが上昇することにより、ウエハをサセプタに載置させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２６０８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ウエハをサセプタに載置する際、ウエハが載置面に均等に当接せず、片当たりすることがある。この場合、例え、載置面にポケットが形成されていても、載置面からの抗力がウエハの垂直方向に対して微小に傾斜してウエハへ作用し、当該抗力のウエハと平行な方向における分力が移動力としてウエハに作用し、ウエハがサセプタの載置面における所定の位置からずれるという問題がある。特に、ウエハが大口径化した場合、ウエハと載置面の当接面積の増加に伴い、抗力、ひいては分力も増加してウエハのずれが顕著となるおそれがある。
【０００８】
本発明の目的は、基板を載置台に載置する際に基板がずれるのを抑制することができる基板載置方法及び基板載置装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の基板載置方法は、載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物の前記載置面からの突出量を相対的に減少させることによって前記基板を前記載置台へ近接させて載置させる基板載置方法であって、前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記基板の前記載置台への近接動作を停止し、前記基板の前記載置台への近接動作を停止した後に、前記基板の前記載置台への近接動作を再開することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の少なくとも一部が載置面に当接した後、基板の載置台への近接動作を停止し、基板の載置台への近接動作を停止した後に、基板の載置台への近接動作を再開するので、基板は一旦静止され、基板と載置面の当接に起因する抗力によって生じる基板の振動を基板のダンピング効果によって減衰させることができる。これにより、抗力を消滅させて該抗力が基板の移動力として作用するのを防止することができる。その結果、基板を載置台に載置する際に基板がずれるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図１（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図１（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
【図２】ウエハをサセプタに載置する際、ウエハが載置面の所定の位置からずれる理由を説明するための工程図である。
【図３】本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図である。
【図４】図３の基板載置方法のシーケンス図である。
【図５】図３の基板載置方法の変形例のシーケンス図であり、図５（Ａ）は第１の変形例を示し、図５（Ｂ）は第２の変形例を示す。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図６（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図６（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
【図７】本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図である。
【図８】図７の基板載置方法のシーケンス図である。
【図９】図７の基板載置方法の変形例のシーケンス図であり、図９（Ａ）は第１の変形例を示し、図９（Ｂ）は第２の変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板載置装置及び基板載置方法について説明する。
【００１４】
図１は、本実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図１（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図１（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
【００１５】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）において、基板処理装置１０は、ウエハを収容する筐体状のチャンバ１１と、チャンバ１１内の下方に配置される台状のサセプタ１２（載置台）と、サセプタ１２の上面からなるウエハの載置面から上方へ向けて突出する複数、例えば、３本のリフトピン１３（突起物）（２本のみを図示する）とを備える。なお、サセプタ１２及び各リフトピン１３は、本実施の形態に係る基板載置装置を構成する。チャンバ１１の側壁には開口であるゲート１４が設けられ、該ゲート１４を介してウエハＷを保持する搬送アーム１５がチャンバ１１内へ進入する。ゲート１４の高さは各リフトピン１３の先端の高さとほぼ一致するため、搬送アーム１５に保持されたウエハＷはチャンバ１１内において各リフトピン１３の先端の近傍且つ上方に位置し、搬送アーム１５が微量に下降、または、リフトピン１３が微量に上昇することにより、ウエハＷが各リフトピン１３へ受け渡される。ウエハＷを各リフトピン１３へ受け渡した搬送アーム１５はチャンバ１１内から退出する。また、チャンバ１１の側方にはゲート１４を開閉自在なゲートバルブ１６が設けられ、搬送アーム１５がチャンバ１１内から退出すると、ゲートバルブ１６はゲート１４を塞ぐ。
【００１６】
各リフトピン１３はチャンバ１１の底部から立設し、サセプタ１２を上下方向に貫通する。各リフトピン１３は移動しないように構成される一方、サセプタ１２は上下方向に移動可能に構成され、各リフトピン１３がウエハＷを支持した後、サセプタ１２は上方へ移動（上昇）することにより、支持されたウエハＷをサセプタ１２の載置面へ近接させ、そのまま載置面へウエハＷを載置させる。サセプタ１２はヒータや冷媒流路（いずれも図示しない）を内蔵し、載置されたウエハＷの温度を制御する。なお、各リフトピン１３は上下動可能に構成してもよい。
【００１７】
また、基板処理装置１０は処理ガス導入機構、排気機構やプラズマ発生機構（いずれも図示しない）を備え、例えば、チャンバ１１内を減圧した上で、処理ガスやプラズマによってウエハＷへ所望の処理、例えば、成膜処理やプラズマ処理を施す。
【００１８】
ところで、基板処理装置１０では、ウエハＷをサセプタ１２の載置面へ安定的に載置させるために、載置面と、各リフトピン１３の先端によって形成される仮想平面（以下、「ウエハ支持面」という。）とは平行をなすように、各リフトピン１３やサセプタ１２が配置される。しかしながら、各リフトピン１３やサセプタ１２の機械的公差、さらにはサセプタ１２の移動時のがたつきにより、載置面とウエハ支持面は完全に平行とはならず、例えば、ウエハ支持面が載置面に対して微小に傾斜する場合がある（図２（Ａ））。この場合、サセプタ１２が上昇してウエハＷを載置面に近接させる、すなわち、近接動作を行うと、ウエハＷは全体が同時に載置面へ当接することなく、ウエハＷの一部、例えば、ウエハＷのエッジ部が最初に載置面へ当接する（図２（Ｂ））。このとき、ウエハＷのエッジ部には当接に起因する抗力Ｎが作用するが、抗力Ｎは載置面に対して垂直に作用する。一方、上述したように、ウエハ支持面は載置面に対して微小に傾斜するため、ウエハＷも載置面に対して傾斜する。したがって、抗力ＮはウエハＷに対して垂直に作用せず、ウエハＷの垂直方向に対して微小に傾斜して作用するため、ウエハＷに対して抗力Ｎの分力Ｆが水平方向に移動力として作用し、ウエハＷは水平方向にずれる。
【００１９】
さらに、サセプタ１２の上昇が継続してウエハＷと載置面の当接が進行する間、進行する当接に伴って抗力ＮがウエハＷに作用しつづけるため、ウエハＷに対して分力Ｆが水平方向に移動力として作用し続ける（図２（Ｃ））。また、ウエハＷと載置面の当接の進行が途切れることなく継続されると、ガス、例えば、処理ガスや希釈ガスがウエハＷと載置面の間に残留する場合がある。この場合、特にウエハＷへ所望の処理を施すためにチャンバ１１内が減圧されていると、ウエハＷと載置面の間、及びチャンバ１１内の圧力差が大きくなり、ウエハＷが載置面から浮いてずれやすくなるため、上述した移動力によるウエハＷの水平方向のずれをさらに助長する。その結果、ウエハＷが水平方向に大きく移動し、ウエハＷが載置面の所定の位置からずれることがある。
【００２０】
本実施の形態では、これに対応して、サセプタ１２が上昇する際、ウエハＷに対して分力Ｆが作用するのを防止する。
【００２１】
図３は、本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図であり、図４は、図３の基板載置方法のシーケンス図である。
【００２２】
まず、ウエハＷが各リフトピン１３へ受け渡され、各リフトピン１３がウエハＷを支持すると、サセプタ１２は、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接するまで上昇する（図３（Ａ））。ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、ウエハＷには載置面からの抗力Ｎが作用する（図３（Ｂ））。通常、板状物に外力が加わると、当該板状物は振動する。すなわち、板状物において外力が振動へ変換されるが、本実施の形態では、ウエハＷに作用する抗力ＮがウエハＷの振動へ変換される（図３（Ｃ））。一方、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、サセプタ１２は一旦、上昇を停止する。通常、板状物を静止させ続けると、当該板状物の振動は板状物のダンピング効果によって減衰されるが、サセプタ１２が一旦、上昇を停止すると、ウエハＷと載置面の当接の進行が途切れてウエハＷは静止する。また、本実施の形態では、サセプタ１２の上昇の停止が所定の時間、例えば、０．５秒間に亘って継続される。すなわち、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎから変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部と載置面の当接に起因する抗力Ｎが、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
【００２３】
次いで、サセプタ１２の上昇の停止が所定の時間に亘って継続された後、サセプタ１２の上昇が再開されるが、サセプタ１２は所定量、例えば、０．１ｍｍほど上昇すると、再度、上昇を所定の時間に亘って停止する。このとき、ウエハＷには、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って抗力ＮがウエハＷに作用し（図３（Ｄ））、ウエハＷに作用する抗力ＮがウエハＷの振動へ変換される（図３（Ｅ））が、ここでも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎから変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態では、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って生じる抗力Ｎが、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
【００２４】
その後、サセプタ１２の所定の時間に亘る上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開が、ウエハＷと載置面の当接が進行してウエハＷの全面が載置面に完全に当接するまで繰り返される（図４）。なお、サセプタ１２の上昇の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間、例えば、０．５秒間に設定される。
【００２５】
本実施の形態によれば、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後、サセプタ１２の上昇を停止し、所定の時間に亘ってサセプタ１２の上昇を停止した後に、サセプタ１２の上昇を再開する。すなわち、サセプタ１２の上昇を停止した際にウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、ウエハＷと載置面の当接に起因する抗力Ｎによって生じるウエハＷの振動をウエハＷのダンピング効果によって減衰し、抗力Ｎを消滅させることができる。さらに、ウエハＷと載置面の当接が進行する間、サセプタ１２の上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開を繰り返すので、ウエハＷと載置面の当接が進行して抗力Ｎが生じる度、当該抗力Ｎによって生じるウエハＷの振動を減衰することにより、抗力Ｎを消滅させることができる。これにより、抗力ＮがウエハＷの水平方向の移動力として作用するのを防止することができる。その結果、ウエハＷをサセプタ１２に載置する際にウエハＷが載置面の所定の位置からずれるのを抑制することができる。
【００２６】
また、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後やウエハＷと載置面の当接が進行する間、所定の時間に亘ってサセプタ１２の上昇が停止されるため、ウエハＷと載置面の近接動作が所定の時間に亘って停止されてウエハＷと載置面の間からガスを十分に拡散させることができる。その結果、ウエハＷと載置面の間にガスが残留するのを防止することができ、チャンバ１１内が減圧環境下であっても、ウエハＷが載置面から浮いてずれるのを防止することができる。
【００２７】
上述した本実施の形態では、サセプタ１２の上昇の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間に設定されたが、最初にウエハＷと載置面が当接したときの抗力Ｎは、その後のウエハＷと載置面の当接の進行に起因する抗力Ｎよりも大きいと考えられることから、最初にウエハＷと載置面が当接したときのサセプタ１２の上昇の停止時間を、その後のサセプタ１２の上昇の停止における停止時間よりも長く設定するのが好ましい（図５（Ａ））。これにより、最初にウエハＷと載置面が当接したときの大きい抗力Ｎによって生じるウエハＷの大きな振動を確実に減衰することができる。また、最初にウエハＷと載置面が当接した後のウエハＷと載置面の当接の進行に起因する抗力Ｎは非常に小さいと考えられることから、最初にウエハＷと載置面が当接したときのみ、サセプタ１２の上昇を所定の時間に亘って停止してもよい（図５（Ｂ））。これにより、ウエハＷのサセプタ１２への載置に要する時間を短縮することができ、もって、スループットを向上することができる。
【００２８】
さらに、上述した本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後に初めてサセプタ１２の上昇を停止するが、ウエハＷやサセプタ１２の熱膨張によって想定よりも早くウエハＷのエッジ部が載置面に当接する場合もあるため、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接する前から、サセプタ１２の所定の時間に亘る上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開を繰り返してもよい。
【００２９】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板載置装置及び基板載置方法について説明する。
【００３０】
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００３１】
図６は、本実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図６（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図６（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
【００３２】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）において、基板処理装置６０は、チャンバ１１内の下方に配置される台状のサセプタ６１（載置台）と、サセプタ６１の載置面から上方へ向けて突出する複数、例えば、３本のリフトピン６２（突起物）（２本のみを図示する）とを備える。なお、サセプタ６１及び各リフトピン６２は、本実施の形態に係る基板載置装置を構成する。突出時の各リフトピン６２の先端の高さはゲート１４の高さとほぼ一致するため、搬送アーム１５に保持されたウエハＷはチャンバ１１内において各リフトピン６２の先端の近傍且つ上方に位置し、搬送アーム１５が微量に下降、または、リフトピン６２が微量に上昇することにより、ウエハＷが各リフトピン６２へ受け渡される。
【００３３】
サセプタ６１は上下方向に移動しないように構成される一方、各リフトピン６２は、サセプタ６１に内蔵された上下機構によって上下方向に移動可能に構成され、各リフトピン６２はウエハＷを支持した後に下方へ移動（下降）することにより、支持されたウエハＷをサセプタ６１の載置面へ近接させ、そのまま載置面へウエハＷを載置させる。
【００３４】
図７は、本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図であり、図８は、図７の基板載置方法のシーケンス図である。
【００３５】
まず、ウエハＷが各リフトピン６２へ受け渡され、各リフトピン６２はウエハＷを支持すると、支持したウエハＷのエッジ部が載置面に当接するまで下降する（図７（Ａ））。
【００３６】
次いで、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、ウエハＷには載置面からの抗力Ｎ１が作用し（図７（Ｂ））、当該抗力Ｎ１はウエハＷの振動へ変換される（図７（Ｃ））。ここで、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、各リフトピン６２は一旦、下降を停止してウエハＷを静止させ、下降の停止を所定の時間に亘って継続する。すなわち、本実施の形態でも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、ウエハＷのエッジ部と載置面の当接に起因する抗力Ｎ１が、ウエハＷの振動に変換された後、ウエハＷのダンピング効果によって減衰されて消滅する。
【００３７】
次いで、各リフトピン６２の下降の停止が所定の時間に亘って継続された後、各リフトピン６２の下降が再開されるが、各リフトピン６２は所定量下降すると、再度、下降を所定の時間に亘って停止する。このとき、ウエハＷには、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って抗力Ｎ１がウエハＷに作用し（図７（Ｄ））、ウエハＷに作用する抗力Ｎ１がウエハＷの振動へ変換される（図７（Ｅ））が、ここでも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎ１から変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態でも、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って生じる抗力Ｎ１が、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
【００３８】
その後、各リフトピン６２の所定の時間に亘る下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開が、ウエハＷと載置面の当接が進行してウエハＷの全面が載置面に完全に当接するまで繰り返される（図８）。なお、各リフトピン６２の下降の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間も、第１の実施の形態と同様に、全て同じ時間に設定される。
【００３９】
本実施の形態によれば、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後、各リフトピン６２の下降を停止してウエハＷを所定の時間に亘って静止させ続けるため、抗力Ｎ１によって生じるウエハＷの振動を減衰させることにより、抗力Ｎ１を消滅させることができる。さらに、ウエハＷと載置面の当接が進行する間、各リフトピン６２の下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開を繰り返すので、ウエハＷと載置面の当接が進行して抗力Ｎ１が生じる度、当該抗力Ｎ１によって生じるウエハＷの振動を減衰させることにより、抗力Ｎ１を消滅させることができる。これにより、抗力Ｎ１がウエハＷの水平方向の移動力として作用するのを防止することができる。
【００４０】
また、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後やウエハＷと載置面の当接が進行する間、所定の時間に亘って各リフトピン６２の下降が停止されるため、ウエハＷと載置面の間にガスが残留するのを防止することができる。
【００４１】
上述した本実施の形態では、各リフトピン６２の下降の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間に設定されたが、最初にウエハＷと載置面が当接したときの各リフトピン６２の下降の停止時間を、その後の各リフトピン６２の下降の停止における停止時間よりも長く設定してもよく（図９（Ａ））、また、最初にウエハＷと載置面が当接したときのみ、各リフトピン６２の下降を所定の時間に亘って停止してもよい（図９（Ｂ））。さらに、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接する前から、各リフトピン６２の所定の時間に亘る下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開を繰り返してもよい。
【００４２】
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
【００４３】
例えば、上記各実施の形態では、ウエハＷがサセプタ１２（６１）に載置されたが、上述した各実施の形態に係る基板載置方法は、板状物の種類を問わず、当該板状物を台状物に載置する際に適用することができる。特に、板状物がＦＰＤ（Flat Panel Display）である場合、ＦＰＤはウエハよりも遙かに大きく、台状物に片当たりして位置ずれを起こす可能性が高いため、上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用することによって位置ずれを抑制することによって得られる利得は、ウエハに上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用する場合よりも遙かに大きい。
【００４４】
また、上記各実施の形態では、チャンバ１１内が減圧されたが、チャンバ１１内が減圧されていなくても、上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用することにより、ウエハＷが水平方向にずれるのを抑制することができる。
【００４５】
さらに、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、基板処理装置１０，６０の制御部（図示しない）に供給し、該制御部のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【００４６】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【００４７】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによって上記制御部に供給されてもよい。
【００４８】
また、ＣＰＵが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００４９】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、上記制御部に接続された機能拡張カードや機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張カードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００５０】
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【符号の説明】
【００５１】
Ｗ  ウエハ
１０，６０  基板処理装置
１２，６１  サセプタ
１３，６２  リフトピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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