(57)【要約】      （修正有）【課題】充填された状態でもクラック等が生じにくく、しかも、導通性も損なわれにくい導電性粒子、並びに、この導電性材料を備える導通検査装置用部材及び導通検査装置の提供。【解決手段】基材粒子２１及び基材粒子２１の表面上に配置された金属部２２を備える導電性粒子２。直径６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔にシリコーン共重合体１０重量部、導電性粒子（２）９０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む導電材料を充填した後、硬化させることで導電性粒子２の充填率が９０±５％である充填体を形成し、該充填体に対して（１）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％〜３０％、（２）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５〜１００ｍΩをもたらす導電性粒子２。【選択図】図１
2018067537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子及び前記基材粒子の表面上に配置された金属部を備えた導電性粒子であって、
直径６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔にシリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む導電材料を充填した後、硬化させることで導電性粒子の充填率が９０±５％である充填体を形成した場合に該充填体に対して下記（１）及び（２）
（１）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％以上、３０％以下であり、
（２）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下、
をもたらす、導電性粒子。
【請求項２】
基材粒子及び前記基材粒子の表面上に配置された金属部を備えた導電性粒子であって、
直径６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔にシリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子６０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む導電材料を充填した後、硬化させることで導電性粒子の充填率が６０±１０％である充填体を形成した場合に該充填体に対して下記（１）及び（２）
（１）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％以上、３０％以下であり、
（２）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下、
をもたらす、導電性粒子。
【請求項３】
前記金属部は、外表面に複数の突起を有する、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記金属部は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、錫、ゲルマニウム、インジウム、テルル、タリウム、ビスマス、ヒ素、セレン、リン及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子を含む導通検査装置用部材であり、
基体、孔、及び導電部を備え、
前記孔は前記基体に複数配置され、
前記導電部は前記孔内に収容されており、
前記導電部は前記導電性粒子を含む、導通検査装置用部材。
【請求項６】
前記導電部に含まれる導電性粒子は、前記金属部の外表面に複数の突起を有していない第１の導電性粒子と、前記金属部の外表面に複数の突起を有する第２の導電性粒子を含む、請求項５に記載の導通検査装置用部材。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子若しくは請求項５又は６に記載の導通検査装置用部材を備える、導通検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性粒子、導通検査装置用部材及び導通検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性粒子は、電子部材、半導体装置等、各種分野において広く使用されており、極めて利用価値の高い材料である。近年では、導通検査用プローブカードに導電性微粒子を適用することも提案されている（例えば、特許文献１，２等を参照）。ここでいう導通検査用プローブカードは、電子回路デバイス等の導通検査をするために使用される部材である。一般には、プローブカードは検査用プローブが多数集積して束ねられ、この導通検査用プローブカードのコンタクトプローブ（接触探針）を半導体集積回路の電極パッドに接触させ、電極パッドの電気信号を取り出すことができる。コンタクトプローブから入った電気信号が多層配線基板の配線を通じて、多層配線基板に所定の間隔に配置された外部端子に導かれる。半導体集積回路等の電子回路デバイスの高度な微細化、集積化の技術が発展する中、電子回路デバイスの電気的諸特性を検査するための検査装置にも、より高度な微細ピッチ化技術が要求されている。
【０００３】
図８には、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置用部材によって検査している様子を模式的に示している。図８では、電子回路デバイスを、ＢＧＡ基板５０（ボールグリッドアレイ基板）としている。ＢＧＡ基板５０は、接続パッドが格子状に多層基板５２に配列され、各パッドに半田ボール５１が配設された構造を有する基板である。また、図８では、導通検査装置用部材は、プローブカード１００である。このプローブカード１００は、基板に複数の貫通孔１１０が形成されており、貫通孔１１０には導電材料１２０が充填されている。図８（ａ）のように、ＢＧＡ基板５０と、プローブカード１００とを準備し、図８（ｂ）のように、ＢＧＡ基板５０をプローブカード１００に接触させて圧縮させる。このとき、半田ボール５１は、貫通孔１１０の導電材料１２０と接触する。この状態において図８（ｃ）のように、電流計６０を接続して導通検査を実施し、ＢＧＡ基板５０の合否を判定する。
【０００４】
プローブカードとしては種々の提案がなされており、接触不良を起こしにくいプローブカード部材や、ＢＧＡ基板のような電子回路デバイスに対して好適に使用できる部材が提案されている（例えば、特許文献３〜５等を参照）。また、従来のプローブは、先端が硬質で鋭利に尖ったものであり、電極を傷つけやすいため、このような問題を防止すべく、上記した特許文献１，２のように、プローブとして圧縮弾性率が調節された導電性微粒子を備える導通検査用プローブカードも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１６４５０１号公報
【特許文献２】特開２０１２−２８４７１号公報
【特許文献３】特開２００４−１５２５５４号公報
【特許文献４】特開２００６−２２８７４３号公報
【特許文献５】特開２００８−３４１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導通検査装置用部材をＢＧＡ基板等の電子回路デバイスに圧縮接触させると、この圧縮応力によってプローブカードの貫通孔内に充填された導電材料にクラックが発生する。これにより、導電材料の導通性が損なわれて、プローブカードによる導通検査ができないという課題があった。また、導通検査による圧縮が繰り返し行われることで、導電材料中にボイド等の空隙が徐々に生じ、これによっても導電材料の導通性が損なわれて、プローブカードによる正常な導通検査ができないという課題があった。また、特許文献１，２に開示される導電粒子を使用する方法であっても、導電性粒子の設計が不十分であるため、これらの導電性粒子でプローブカードの導電部を形成したとしても、上記問題点を解決するに至っていなかった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、充填された状態でもクラック等が生じにくく、しかも、導通性も損なわれにくい導電性粒子、並びに、この導電性材料を備える導通検査装置用部材及び導通検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた。その結果、導電性粒子を含む充填体を形成した場合に、該充填体に圧縮荷重を加えたときの変形率と、該充填体に圧縮荷重を加えたときの抵抗値とを特定の範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、例えば、以下の項に記載の発明を包含する。
項１
基材粒子及び前記基材粒子の表面上に配置された金属部を備えた導電性粒子であって、
直径６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔にシリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む導電材料を充填した後、硬化させることで導電性粒子の充填率が９０±５％である充填体を形成した場合に該充填体に対して下記（１）及び（２）
（１）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％以上、３０％以下であり、
（２）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下、
をもたらす、導電性粒子。
項２
基材粒子及び前記基材粒子の表面上に配置された金属部を備えた導電性粒子であって、
直径６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔にシリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子６０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む導電材料を充填した後、硬化させることで導電性粒子の充填率が６０±１０％である充填体を形成した場合に該充填体に対して下記（１）及び（２）
（１）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％以上、３０％以下であり、
（２）前記充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下、
をもたらす、導電性粒子。
項３
前記金属部は、外表面に複数の突起を有する、項１又は２に記載の導電性粒子。
項４
前記金属部は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、錫、ゲルマニウム、インジウム、テルル、タリウム、ビスマス、ヒ素、セレン、リン及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む、項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
項５
項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子を含む導通検査装置用部材であり、
基体、孔、及び導電部を備え、
前記孔は前記基体に複数配置され、
前記導電部は前記孔内に収容されており、
前記導電部は前記導電性粒子を含む、導通検査装置用部材。
項６
前記導電部に含まれる導電性粒子は、前記金属部の外表面に複数の突起を有していない第１の導電性粒子と、前記金属部の外表面に複数の突起を有する第２の導電性粒子を含む、項５に記載の導通検査装置用部材。
項７
項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子若しくは項５又は６に記載の導通検査装置用部材を備える、導通検査装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の導電性粒子は、導通検査装置用基体の導電部に適用することで、その導電部にクラック等を生じにくくすることができ、しかも、導通性の低化も引き起こしにくい。特に、本発明の導電性粒子は、貫通孔に充填されて導通検査装置用部材の充填体を形成した場合において、この充填体に圧縮荷重を加えたときの変形率が特定の範囲である。これにより、導電性粒子が導通検査装置用基体の導電部に含まれる場合において、導電部が接触した検査対象物に対して傷を付けにくくすることができる。また、前記充填体に圧縮荷重を加えたときの抵抗値が特定の範囲であることにより、導電性粒子が導通検査装置用基体の導電部に含まれる場合において、導電部に荷重がかけられた状態及び荷重がかけられた後においても導電部の導通性が損なわれにくい。
【００１１】
本発明の導通検査装置用部材は、導電部に上記導電性粒子を含むので、クラック及びボイドが発生しにくく、繰り返し導通検査を行っても導通性能が損なわれにくく、しかも、検査対象部材に接触した部分に対して接触痕を残しにくい。そのため、本発明の導通検査装置用部材は、精度及び耐久性に優れる導通検査装置を提供するための部材として適している。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る導電性粒子の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明に係る導通検査装置用部材の実施の形態の一例を示し、（ａ）はその一部の平面図、（ｂ）は（ａ）の平面図におけるａ−ａ線断面図である。
【図３】本発明に係る導電性粒子の他の形態を示し、その構造を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明に係る導電性粒子の他の形態を示し、その構造を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明に係る導電性粒子の他の形態を示し、その構造を模式的に示す断面図である。
【図６】導通検査の様子の一例を示し、（ａ）は本発明に係る導通検査装置用部材を使用した導通検査を示す模式図であり、（ｂ）及び（ｃ）は従来の導通検査装置用部材を使用した導通検査を示す模式図である。
【図７】本発明に係る導通検査装置用部材の実施の形態の他例を示し、一部の断面を模式的に表した図である。
【図８】従来技術を示し、電子回路デバイスの電気特性を導通検査装置用部材によって検査している様子を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。
【００１４】
１．導電性粒子
図１は、導電性粒子２の断面構造を模式的に示している。図１に示すように、導電性粒子２は、基材粒子２１及び基材粒子２１の表面上に配置された金属部２２を備える。
【００１５】
本発明の導電性粒子２は、下記（１）及び（２）で規定される要件をもたらすことができる。
（１）充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の変形率が０．１％以上、３０％以下であり、
（２）充填体に１５ｇｆの荷重をかけたときの前記充填体の抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下である。
【００１６】
ここで、前記充填体は、導電性粒子２を含む導電材料を、貫通孔を複数有する導通検査装置用基体の前記貫通孔に充填した後、充填された導電材料を硬化させることで形成する。前記貫通孔は、直径６００μｍ、高さ８３０μｍである。前記充填体は、導電性粒子の充填率が９０±５％となるように形成する。このような充填率とすべく、前記導電材料は、シリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む構成とする。前記導電材料は、通常、シリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部のみで構成される。
【００１７】
前記充填体は、導電性粒子の充填率が６０±１０％となるように形成することもできる。前記充填体の充填率を６０±１０％とするには、前記導電材料は、シリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子６０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部含む構成とする。前記導電材料は、通常、シリコーン共重合体１０重量部、前記導電性粒子６０重量部、エポキシシランカップリング剤１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部のみで構成される。
【００１８】
なお、本発明において規定される（１）、（２）の数値範囲は、充填体の初期の試験値（例えば、試験１回目〜１００回目）を示すものであって、後記の実施例に記載の繰り返し試験を行った後の充填体の測定値ではない。
【００１９】
本発明の導電性粒子２が上記（１）、（２）の数値範囲を満たすか否かを評価するために用いる導通検査装置用基体は、後記の導通検査装置用部材の構成要素である基体と同様の構成とすることができる。特に、複数の貫通孔が形成された導通検査装置用基体が使用される。貫通孔は、導通検査装置用基体の厚み方向に貫通して形成される。
【００２０】
貫通孔に充填される充填体は、導電性粒子を含む。導電性粒子は、充填率９０±５％又は６０±１０％の範囲となるように充填体に含まれ得る。充填体は、導電性粒子を含む導電材料を貫通孔に充填した後、硬化させることで形成される。
【００２１】
シリコーン共重合体としては、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート及び片末端アミノ基変性ポリジメチルシロキサンとの反応生成物を使用することができる。例えば、後記の実施例に記載のシリコーン系共重合体Ａとすることができる。
【００２２】
エポキシシランカップリング剤としては、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。エポキシシランカップリング剤としては、例えば、信越化学工業社製の「ＫＢＥ−３０３」等が挙げられる。
【００２３】
貫通孔に導電性粒子を含む導電材料を充填する方法としては特に限定されない。例えば、ナイフコーターを用いて導電材料を導通検査装置用基体に塗布することで、貫通孔に導電材料を充填できる。貫通孔に導電材料を充填した後、この導通検査装置用基体を５０℃、１０分間乾燥した後、更に続けて１００℃、２０分間乾燥することで、充填体を形成することができる。
【００２４】
充填体における充填率の確認は次のように行うことができる。まず、貫通孔に導電性粒子が充填された導通検査装置用基体をＫｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に固定し、検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中に固定した導通検査装置用基体の充填体の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて切り出して、無作為に選択した１０個の充填体断面をそれぞれ観察する。観察された１０個の充填体断面について、充填体の断面積に対する導電性粒子の断面積の割合をそれぞれ算出して平均値をとることで、充填率を導き出すことができる。導電性粒子の断面積は、例えば、導電性粒子の円相当径をノギス等で測定し、これらの円相当径から面積を計算することで算出できる。充填体及び導電性粒子の断面積は、自動解析ソフトを使用して算出することができ、その他、充填体の断面積は、その断面を四角形と見立ててその寸法から断面積を計測してもよい。
【００２５】
また、導電材料を調製するにあたって導電材料の総体積に対する導電性粒子の体積率をあらかじめ算出すれば、導電性粒子の充填率を所望の範囲（９０±５％又は６０±１０％）に調整しやすい。この場合、後記する導電性粒子のＣＶ値が低いほど（例えば、５０％以下）、充填率を所望の範囲に調整しやすい。
【００２６】
充填体に１５ｇｆの荷重をかけるには、Φ０．５ｍｍの白金プローブにて充填体を圧縮する方法で行うことができる。充填体は略円柱状に形成されているので、充填体の頂面を白金プローブにて圧縮すればよい。
【００２７】
充填体は、１５ｇｆの荷重がかけられたときの変形率が０．１％以上、３０％以下であることで、充填体及び導通検査装置用基体にクラック等が発生しにくく、また、充填体に他の部材（検査対象物）が接触したとしても、その対象物に傷を付けにくい。変形率の下限は、１％であることが好ましく、１０％であることがより好ましい。変形率の上限は、２０％であることが好ましい。
【００２８】
充填体に１５ｇｆの荷重をかけた後の充填体の変形率は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定できる。充填体に荷重をかける前の導位置を基準点（ゼロ点）にし、充填体に荷重をかけた後の変位を計測し、充填体の全長（高さ）に対する変位の割合を算出する。この算出を無作為に選択した５個の充填体に対して行い、その平均値を充填体の変形率として導き出すことができる。
【００２９】
充填体は、１５ｇｆの荷重がかけられたときの（荷重がかけられた状態における）抵抗値が０．０５ｍΩ以上、１００ｍΩ以下である。これにより、充填体は、荷重がかけられた状態及び荷重がかけられた後においても導通性が損なわれにくい。抵抗値の下限は、０．１ｍΩであることが好ましく、０．５ｍΩであることがより好ましく、また、抵抗値の上限は、５０ｍΩであることが好ましい。
【００３０】
充填体に１５ｇｆの荷重をかけた状態における充填体の抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定できる。充填体にΦ０．５ｍｍの白金プローブにて１５ｇｆの荷重をかけた際に、低抵抗計（鶴賀電機株式会社製「MODEL３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗測定システムにより接触抵抗値を測定する。ここでいう接触抵抗値は、複数の貫通孔に充填されている充填体のうち、無作為に５個選択したそれぞれの抵抗値を平均した値を意味する。
【００３１】
上記導電性粒子２は、種々の用途に適用することができる。特に、上記導電性粒子２は、前記（１）及び（２）を満たすことから、後記の導通検査装置用部材への使用に好適である。ここで、導電性粒子２を好適に使用できる導通検査装置用部材の概略について、説明する。なお、導通検査装置用部材の詳細については、後記「２．導通検査装置用部材」の項でも詳述する。
【００３２】
図２は、導通検査装置用部材１０の実施の形態の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の平面図におけるａ−ａ線断面図である。
【００３３】
図２に示すように、本実施形態の導通検査装置用部材１０は、基体１３、孔１１、及び導電部１２を備える。孔１１は基体１３に複数配置される。導電部１２は孔１１内に収容されている。導電部１２に、上記導電性粒子２が含まれる。基体１３は、前記導通検査装置用基体と同一とすることができる。導電部１２は、前記充填体と同様の構成であってもよい。
【００３４】
導通検査装置用部材１０には、例えば、図８等で示される電流計６０を電気的に接続することで、導通検査を実施することができる。電流計６０は、例えば、導通検査装置用部材１０における任意の２個の導電部１２に接続させればよい。そして、電流計６０が接続された２個の導電部１２に接触するように電子回路デバイスを接続することで（ＢＧＡ基板５０であれば、半田ボール５１を導電部１２に接続）、当該電子回路デバイスの導通検査を実施することができる。
【００３５】
上記導通検査装置用部材１０は、導電部１２に前記（１）及び（２）をもたらす導電性粒子２が含まれることで、導電部１２に圧縮応力が加わっても、その応力が緩和されやすい。そのため、本実施形態の導通検査装置用部材１０は、導電部１２にクラック及びボイドが発生しにくく、繰り返し導通検査を行っても導通性能が損なわれにくく、しかも、検査対象部材に接触した部分に対して接触痕を残しにくい。
【００３６】
本発明の導電性粒子は前記（１）及び（２）で規定される要件をもたらすものであるが、以下では、導電性粒子のその他の構成について説明する。
【００３７】
基材粒子２１の種類は特に限定的ではないが、例えば、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子２１は、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００３８】
基材粒子２１が樹脂粒子である場合、樹脂粒子を形成するための材料として、種々の有機物が好適に用いられる。そのような材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹脂、飽和ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及び、ポリエーテルスルホン、尿素樹脂等が挙げられる。
【００３９】
また、樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させることにより得ることもできる。この場合、基材粒子２１の硬度を好適な範囲に容易に制御できる。このような観点から、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００４０】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体及び／又は架橋性の単量体が挙げられる。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
【００４１】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、ビニル化合物として、スチレン、α−メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン系単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；塩化ビニル、フッ化ビニル、等のハロゲン含有単量体；（メタ）アクリル化合物として、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート等のハロゲン含有（メタ）アクリレート類；α−オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン類；共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。
【００４２】
上記架橋性の単量体としては、例えば、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、１，４−ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル系単量体；（メタ）アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；アリル化合物として、トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル；シリコーン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエチルシラン、ｔ−ブチルジメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド類；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキジメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルジビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド；デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン；片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性（反応性）シリコーンオイル；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。
【００４３】
架橋性及び非架橋性単量体は、上記例示列挙した単量体に限定されず、その他の重合性単量体、例えば、公知の重合性単量体であってもよい。
【００４４】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子が得られる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法（いわゆる、シード重合法）等が挙げられる。これらの重合方法の条件は特に制限されず、公知の条件とすることができる。
【００４５】
上記基材粒子２１が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子２１の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。この無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されず、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００４６】
上記基材粒子２１の材料の他例として、ポリロタキサンを含む樹脂が挙げられる。ポリロタキサンは、鎖状高分子が環状分子の開口部を貫通して形成されている構造をいう。ポリロタキサンの種類は特に限定されず、例えば、公知のポリロタキサンが挙げられる。
【００４７】
基材粒子２１を構成する材料がポリロタキサンを含む樹脂である場合、ポリロタキサンは架橋体であることが好ましい。具体的には、ポリロタキサンにおける環状分子と他のポリロタキサンにおける環状分子とが高分子鎖で架橋された構造であることが好ましい。このような架橋ポリロタキサンであれば、基材粒子２１の柔軟性が高くなるので、応力緩和効果が発揮されやすく、これにより、導電部１２のクラックの発生を抑制しやすくなる。このような架橋体であるポリロタキサンにあっても、その種類は特に限定されず、例えば、公知の架橋ポリロタキサンが挙げられる。
【００４８】
上記ポリロタキサンは、例えば、公知の方法で製造され得る。例えば、重合性の官能基を有する環状分子を備えるポリロタキサンと、重合性単量体との混合物とを反応させることで、架橋構造を有するポリロタキサンが製造される。この反応は、例えば、公知の方法で行うことができる。
【００４９】
重合性の官能基を有する環状分子を備えるポリロタキサンの種類は特に制限がない。例えば、アドバンスト・ソフトマテリアルズ株式会社から市販されている、「セルム（登録商標）スーパーポリマーＳＭ３４０５Ｐ」、「セルム（登録商標）キー・ミクスチャーＳＭ３４００Ｃ」、「セルム（登録商標）スーパーポリマーＳＡ３４０５Ｐ」、「セルム（登録商標）スーパーポリマーＳＡ２４０５Ｐ」、「セルム（登録商標）キー・ミクスチャーＳＡ３４００Ｃ」、「セルム（登録商標）キー・ミクスチャーＳＡ２４００Ｃ」、「セルム（登録商標）スーパーポリマーＳＡ３４０５Ｐ」、「セルム（登録商標）スーパーポリマーＳＡ２４０５Ｐ」等である。
【００５０】
基材粒子２１の平均粒子径は０．１μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。この場合、導電性粒子２は、孔１１内に収容されやすく、導電部１２の導通性が損なわれにくく、また、繰り返し導通検査を行っても導電部１２のクラック及びボイドも発生しにくい。基材粒子２１の平均粒子径は、より好ましくは０．５μｍ以上、１０μｍ以上であり、また、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは７５μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。
【００５１】
上記基材粒子２１の平均粒子径とは、形状が真球状である場合には直径を意味し、真球状以外の形状である場合には、最大径と最小径の平均値を意味する。そして、基材粒子２１の平均粒子径は、基材粒子２１を走査型電子顕微鏡で観察し、無作為に選択した５０個の基材粒子２１の粒径をノギスで測定した平均値を意味する。なお、基材粒子２１が上述のように他の材料（例えば、金属部）で被覆されている場合の平均粒子径は、その被覆層も含める。
【００５２】
基材粒子２１の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、例えば、５０％以下である。上記変動係数（ＣＶ値）は下記式で表される。
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：粒子の粒子径の平均値
【００５３】
導電部１２のクラック及びボイドの発生をより一層抑える観点からは、基材粒子２１の粒子径のＣＶ値は、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。基材粒子２１の粒子径のＣＶ値の下限は特に限定されない。上記ＣＶ値は０％以上であってもよく、５％以上であってもよく、７％以上であってもよく、１０％以上であってもよい。
【００５４】
基材粒子２１の硬さは、特に制限されず、例えば、１０％Ｋ値で１０Ｎ／ｍｍ２以上、３０００Ｎ／ｍｍ２以下である。導電部１２のクラック及びボイドの発生をより一層抑える観点からは、上記１０％Ｋ値は、好ましくは１００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ２以上、好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以下、特に好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００５５】
ここでいう１０％Ｋ値は、基材粒子２１を１０％圧縮したときの圧縮弾性率である。以下のようにして測定できる。まず、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、最大試験荷重２０ｍＮを６０秒かけて負荷する条件下で基材粒子２１を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。
１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：粒子の半径（ｍｍ）
【００５６】
上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。なお、３０％Ｋ値を求める場合も、粒子を３０％圧縮変形させたときの上記各パラメータを求めることで算出できる。
【００５７】
基材粒子２１は、粒子１００万個あたり、凝集している粒子が１００個以下であることが好ましい。上記凝集している粒子は、１つの粒子が少なくとも１つの他の粒子と接している粒子である。例えば、基材粒子２１の１００万個あたり、３つの粒子が凝集している粒子（３個の粒子の凝集体）が３個含まれる場合に、基材粒子２１の１００万個あたり、凝集している粒子の数は９個である。上記凝集粒子の測定方法としては、１視野に５万個程度の粒子が観察されるように倍率を設定した顕微鏡を用いて凝集粒子をカウントし、２０視野の合計として凝集粒子を測定する方法等が挙げられる。
【００５８】
金属部２２は、例えば、基材粒子２１の表面を被覆するように存在している。
【００５９】
金属部２２は、金属を含む材料で形成される。該金属としては、例えば、金、銀、錫、銅、銅、ゲルマニウム、インジウム、パラジウム、テルル、タリウム、ビスマス、亜鉛、ヒ素、セレン、鉄、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、カドミウム、ケイ素、ニッケル、クロム、白金、ロジウム等が例示される。金属部２２は、これらの各々の金属のいずれか１種のみであってもよいし、あるいは、２種以上を含んでもよい。また、金属部２２は、上記例示列挙した各々の金属のうちの２種以上の金属の合金であってもよい。
【００６０】
金属部２２は、金、銀、錫、銅、ゲルマニウム、インジウム、ニッケル、パラジウム、テルル、タリウム、ビスマス、亜鉛、ヒ素及びセレンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。この場合、導電部１２の導通性が損なわれにくく、また、繰り返し導通検査を行っても導電部１２のクラック及びボイドも発生しにくい。
【００６１】
金属部２２は、１つの層（単層）に形成されていてもよいし、あるいは、複数の層（多層）に形成されていてもよい。
【００６２】
金属部２２の厚みは、好ましくは０．５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下である。金属部２２の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、導電部１２の導通性が十分に確保され、また、繰り返し導通検査を行っても導電部１２のクラック及びボイドも発生しにくい。金属部２２の厚みは、金属部２２が多層である場合には各層の厚みの合計、つまり、金属部２２全体の厚みをいう。
【００６３】
基材粒子２１の表面上に金属部２２を形成する方法は特に限定されない。金属部２２を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子２１の表面にコーティングする方法等が挙げられる。金属部２２の形成が簡便であるという観点から、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。金属部２２が多層構造である場合も同様の方法で金属部２２を形成することができる。例えば、上記の金属部２２の形成方法を採用することによって基材粒子２１表面に第１層目の金属部２２を形成し、この第１層目の表面にさらに次の層を順次形成することで、多層構造の金属部２２を形成することができる。
【００６４】
導電性粒子２が金属部２２を備えることで導電性粒子２は導通性を発揮し、また、二以上の導電性粒子２が接触することで粒子間の導通性が発揮される。
【００６５】
導電性粒子２の硬さは、特に制限されず、例えば、１０％Ｋ値が１０Ｎ／ｍｍ２以上、２５０００Ｎ／ｍｍ２以下である。導電部１２のクラック及びボイドの発生をより一層抑える観点からは、上記１０％Ｋ値は、好ましくは１００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ２以上、好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以下、特に好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００６６】
導電性粒子２の平均粒子径は０．１μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。この場合、導電性粒子２は、孔１１（例えば、貫通孔）内に収容されやすく、導電部１２の導通性が損なわれにくく、また、繰り返し導通検査を行っても導電部１２のクラック及びボイドも発生しにくい。導電性粒子２の平均粒子径は、より好ましくは０．５μｍ以上、１０μｍ以上であり、また、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは７５μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。
【００６７】
金属部２２は、外表面に複数の突起を有していてもよい。
【００６８】
図３は、金属部２２の外表面に複数の突起２３を有する導電性粒子２の断面構造を模式的に示している。
【００６９】
図３の形態の導電性粒子２は、図１の導電性粒子２と同様に基材粒子２１と、金属部２２とを備える。金属部２２は、基材粒子２１の表面を覆うように配置されている。
【００７０】
金属部２２の外表面には、複数の突起２３が形成されている。突起２３は、基部を底面として、この基部から表面側に突出するように形成されている。上記基部は、金属部２２の最表層に位置する。
【００７１】
金属部２２の外表面に複数の突起２３が形成されていることで、導電性粒子２どうしがより接触しやすくなる。この結果、導電性粒子２を導通検査装置用部材１０の導電部１２に使用した場合に、導電部１２の導通性が十分に確保され、また、圧縮応力をより緩和させやすくできるので、繰り返し導通検査を行っても導電部１２のクラック及びボイドも発生しにくい。
【００７２】
突起２３を形成する方法としては、特に限定的ではなく、例えば、公知の方法を採用することができる。具体的には、基材粒子２１の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより金属部２２を形成する方法が挙げられる。あるいは、基材粒子２１の表面に無電解めっきにより金属部２２を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより金属部２２を形成する方法等が挙げられる。さらに、上記突起２３を形成する他の方法としては、基材粒子２１の表面上に第１の金属部２２を形成した後、該第１の金属部２２上に芯物質を配置し、次に第２の金属部２２を形成する方法が挙げられる。その他、突起２３を形成する方法としては、基材粒子２１の表面上に金属部２２を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。
【００７３】
上記基材粒子２１の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子２１の分散液中に芯物質を添加し、基材粒子２１の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法が挙げられる。また、基材粒子２１の表面に芯物質を付着させる方法として、基材粒子２１を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子２１の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいという観点から、分散液中の基材粒子２１の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。芯物質が金属部２２中に埋め込まれていれば、金属部２２の外表面に突起を容易に形成することが可能である。
【００７４】
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。芯物質は金属粒子であることが好ましい。この場合の金属としては、金属部２２を構成することができる上述の各種金属が例示される。より好ましくは金属部２２の最外層を構成する金属の種類と同様とすることである。従って、突起２３を構成する金属は、金、銀及び銅からなる群より選ばれる１種以上を含むことが特に好ましい。
【００７５】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【００７６】
上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下とすることができる。上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。導電性粒子２において、芯物質の平均径を測定する場合には、例えば、以下のようにして、芯物質の平均径を測定することができる。導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起２０個を観察する。得られた導電性粒子における芯物質の径を計測し、それを算術平均して芯物質の平均径とする。
【００７７】
突起２３の形状は特に限定的ではなく、例えば、断面が球状又は楕円形状となるように形成されていてもよいし、先端に向かうほど尖っていくような針状に形成されていてもよい。このような突起の形状は、例えば、芯物質の材料等に応じて制御することが可能である。
【００７８】
突起の平均高さは、１ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とすることができ、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは９００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子２どうしがより接触しやすくなる。
【００７９】
突起２３の平均高さは、例えば以下のように測定することができる。導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起５０個を観察する。突起の底面である基部から突起の頂部までの高さを突起の高さとし、算術平均して上記突起の平均高さとする。
【００８０】
突起２３の基部の平均径は、３ｎｍ以上、５０００ｎｍ以下とすることができ、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。ここでいう基部の平均径は、上記の突起２３の平均高さの測定方法と同様の手順で、埋め込み樹脂を用いたＦＥ−ＳＥＭ観察によって無作為に選択した２０個の導電性粒子の突起をそれぞれ観察し、各基部の両端間距離を計測し、それらを算術平均して求めた値をいう。
【００８１】
金属部２２の外表面の全表面積１００％中、前記突起２３は３０％以上を占めることができる。この場合、導電性粒子どうしがより接触しやすくなる。金属部２２の外表面に対する突起の占有面積は、例えば、以下のように測定することができる。まず、導電性粒子の正投影面図を電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で撮影する。ＦＥ−ＳＥＭで撮影した６０００倍の写真を市販の画像解析ソフトにより解析する。平坦化等の画像処理を施した後、突起部分の面積（平面視における面積）を求め、導電性粒子の面積に対する突起部分の面積の割合を突起の占有面積とする。２０個の導電性粒子について金属部２２の外表面に対する突起の占有面積を求める。
【００８２】
導電性粒子２の他の形態として、凹部を有する基材粒子２１と、基材粒子２１の表面上に配置された金属部２２とを備えてもよい。この形態の導電性粒子２では、凹部にも金属部２２が形成され得る。以下、具体例を挙げて説明する。
【００８３】
図４には、凹部２４を有する基材粒子２１と、基材粒子２１の表面上に配置された金属部２２とを備えた導電性粒子２の一例を示しており、この導電性粒子２の外観を模式的に表している。なお、導電性粒子２の一部断面構造を示すために、図４において、破線部で囲まれている部分を破断させて表記している。
【００８４】
図４の形態の導電性粒子２において、基材粒子２１の表面には複数の凹部２４が形成されている。金属部２２は、基材粒子２１の表面を覆うように配置されている。この形態では、金属部２２は、第１の金属部２２ａと、第２の金属部２２ｂとで二層構造に形成されており、第１の金属部２２ａが内側、第２の金属部２２ｂが外側に配置している。つまり、第１の金属部２２ａが基材粒子２１の表面に接触しており、第２の金属部２２ｂが第１の金属部２２ａの表面を覆うように存在している。
【００８５】
凹部２４の表面にも金属部２２が形成されている。図４の形態では、凹部２４には第１の金属部２２ａが形成されている。
【００８６】
上記のような複数の凹部２４を有する基材粒子２１の表面に金属部２２が形成された導電性粒子２では、導電性粒子２どうしがより接触しやすくなることに加えて、導電部１２にかかる応力を緩和させる作用が高くなる。つまり、導電性粒子２が凹部２４を有していることで、導電性粒子２が変形に対して追従しやすくなり、その結果として、導電部１２に応力が加えられたとしても、クラックがより一層起こりにくくなる。
【００８７】
凹部２４を有する基材粒子２１を調製する方法は特に限定されない。例えば、上述の基材粒子２１を後処理することで、基材粒子２１に凹部２４を形成することができる。
【００８８】
上記後処理による凹部２４の形成方法は特に限定的ではなく、例えば、公知の方法を採用することができる。具体的には、基材粒子２１の表面をエッチング処理する方法、酸素雰囲気でプラズマ処理、オゾン処理及び加熱処理をする方法、加湿処理する方法、真空中で熱処理する方法、加圧及び加湿条件下で熱処理する方法等が挙げられる。その他、凹部２４の形成方法として、酸化剤で湿式処理する方法、ボールミル等で物理的に処理する方法等が挙げられる。
【００８９】
凹部２４の平均深さは特に限定されない。例えば、凹部２４の平均深さは、基材粒子２１の平均半径の０．１％以上、８０％以下とすることができる。なお、ここでいう凹部２４の深さとは、凹部２４を有する基材粒子２１を球状と見立てて、その球状の基材粒子２１の表面から凹部２４の最も底面となる点との距離を示す。具体的には、上記の突起の平均高さの測定方法と同様の手順で、埋め込み樹脂を用いたＦＥ−ＳＥＭ観察によって無作為に選択した２０個の導電性粒子の突起をそれぞれ観察し、各凹部２４の深を算術平均して求めた値をいう。
【００９０】
図５には、導電性粒子２のさらなる変形例を示しており、この導電性粒子２の外観を模式的に表している。なお、導電性粒子２の一部断面構造を示すために、図５において、破線部で囲まれている部分を破断させて表記している。
【００９１】
具体的に図５の導電性粒子２は、複数の凹部２４を有する基材粒子２１と、基材粒子２１の表面上に配置された金属部２２とを備え、金属部２２の外表面には複数の突起２３が形成されている。金属部２２は、第１の金属部２２ａと、第２の金属部２２ｂとで二層構造に形成されている。つまり、図５の形態の導電性粒子２は、図３及び図４の導電性粒子２の両方の特徴を備えている。
【００９２】
図５の形態の導電性粒子２であれば、複数の突起２３が存在することで、導電性粒子２どうしがより接触しやすくなり、また、基材粒子２１が複数の凹部２４を有することで、導電性粒子２が変形に対して追従しやすくなる。そのため、図５の形態の導電性粒子２を含む導電部１２では、クラックが特に抑制されやすくなる。
【００９３】
図５の形態の導電性粒子２は、図３の形態の導電性粒子２において、基材粒子２１として複数の凹部２４を有する基材粒子２１に代えれば、その他は同様の方法によって製造され得る。
【００９４】
導電性粒子２は、上記（１）で規定される変形率及び上記（２）で規定される抵抗値が特定の範囲であることで、例えば、導電性粒子２を含む充填体（導電性粒子２の粒子群）が繰り返し圧縮されたとしても、充填体にボイドやクラックが発生しにくい。これにより、充填体の導通性も損なわれにくくなる。導電性粒子２は、このような性能を有することで、導通検査装置用部材の導電部を形成するための材料、すなわち、導通検査装置用部材用として適している。
【００９５】
上記（１）で規定される変形率は、基材粒子２１の種類（材料種等）、重合条件、金属部２２に用いる金属の種類、金属部２２の厚み等を調節することにより、所望の範囲に調整することができる。あるいは、上記（１）で規定される変形率は、導電性粒子の１０％Ｋ値等を制御することで調整できる。
【００９６】
また、上記（２）で規定される抵抗値は、導電性粒子の金属部の種類、導電性粒子の金属部の厚み、導電性粒子への突起付与によるバインダー樹脂排除性等を制御することで調整することができる。これらのパラメータを制御することにより、上記（１）で規定される変形率と上記（２）で規定される抵抗値を満たす導通検査装置用部材の導電部を形成することができる。
【００９７】
導電性粒子２は、導通検査装置用部材の導電部へ使用できる他、電子部材、半導体装置等、各種の分野に使用することができる。
【００９８】
２．導通検査装置用部材
次に、導通検査装置用部材の構成について説明する（図２の導通検査装置用部材１０を参照）。
【００９９】
基体１３は、導通検査装置用部材１０の基板となる部材である。基体１３は絶縁性の材料によって形成されていることが好ましい。絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性樹脂を挙げることが得ることができる。
【０１００】
絶縁性樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂が例示される。熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、シリコン系樹脂、フェノール系樹脂が例示される。シリコン系樹脂としては、シリコーンゴムが例示される。
【０１０１】
基体１３が絶縁性樹脂で形成される場合は、１種の絶縁性樹脂のみで形成されていてもよいし、あるいは、２種以上の絶縁性樹脂で形成されていてもよい。
【０１０２】
基体１３は、例えば、板状、シート状、フィルム状等に形成される。基体１３の厚みは、導通検査装置用部材１０の種類に応じて適宜設定することができ、例えば、０．００５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の厚みとすることができる。基体１３の平面視における大きさも目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０１０３】
基体１３は、例えば、上記の絶縁性樹脂等の絶縁性材料を原料として、所望の形状に成形することで得ることができる。
【０１０４】
孔１１は、基体１３に複数配置される。孔１１は、例えば、導通検査装置用基体の厚み方向に貫通して形成された貫通孔であってもよい。また、孔１１が貫通孔でなく、底部を有する凹部として形成されている場合、孔１１の底部と、導通検査装置用基体の裏面側とは導通可能に形成される。孔１１は、基体１３の厚み方向で貫通するように形成されている。
【０１０５】
図２に示されるように、孔１１は、円柱状に形成され得るが、これに限らず、その他の形状、例えば、多角柱状に形成されていてもよい。また、孔１１は、一方の方向に先細りなるテーパー状に形成されていてもよいし、その他、歪んだ形状に形成されていてもよい。
【０１０６】
孔１１の大きさ、例えば、平面視における孔１１の見かけ面積も適宜の大きさに形成することができ、例えば、導電部を収容でき、かつ、保持できる程度の大きさに形成されていればよい。孔１１が例えば円柱状であれば、その直径は０．０１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすることができる。
【０１０７】
なお、複数の孔１１がすべて同じ形状、同じ大きさであってもよいし、一部が異なっていてもよい。
【０１０８】
孔１１の個数も適宜の範囲で設定することができ、導通検査が可能な程度の個数を有していればよく、目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。また、孔１１の配置場所も目的の検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０１０９】
孔１１を基体１３に形成させる方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、レーザー加工）で孔１１を形成させることが可能である。
【０１１０】
導電部１２は導電性を有する部材であり、孔１１内に収容されている。
【０１１１】
具体的に導電部１２は、上記導電性粒子２を含む。例えば、導電部１２は、多数の導電性粒子２が孔１１内に収容されて形成される。つまり、導電部１２は、導電性粒子２の集合体（粒子群）を含む。
【０１１２】
導電部１２は、導電性粒子２以外の材料が含まれていてもよい。例えば、導電部１２は、導電性粒子２以外にバインダーを含むことができる。導電部１２がバインダーを含むことで、導電性粒子２がより強固に集合し、これにより導電部１２が孔１１に保持されやすくなる。
【０１１３】
バインダーとしては特に限定されず、例えば、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂が挙げられる。上記光硬化性樹脂は、光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダーとしては、例えば、シリコーン系共重合体、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１４】
なお、バインダーは、前記導電材料と同様の構成であってもよい。
【０１１５】
導電部１２は、孔１１に密に充填されていることが好ましく、この場合、導通検査装置用部材１０よってより確実な導通検査を行うことができる。導電部１２は、少なくとも導通検査装置用部材１０の表裏にわたって導通できる程度に孔１１に収容されていることが好ましい。
【０１１６】
導電部１２において、導電性粒子２は、導電部１２の表面から裏面（又は孔１１の底部）にわたって連続して導電性粒子２が互いに接触しながら存在していることが好ましい。この場合、導電部１２の導通性が向上する。
【０１１７】
導電部１２を、孔１１に収容する方法は特に限定されない。例えば、導電性粒子２とバインダーを含む材料を基体に塗工することで孔１１内に充填し、次いで、適宜の条件で硬化させることで、導電部１２を孔１１内に形成させることができる。これにより、導電部１２が孔１１に収容される。導電性粒子２とバインダーを含む材料には必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。
【０１１８】
導電性粒子２とバインダーを含む材料は、１００重量部の導電性粒子２に対してバインダーを固形分換算で５〜９９重量部、好ましくは１０〜５０重量部とすることができる。
【０１１９】
以上のようにして、基体１３、孔１１及び導電部１２を少なくとも備える導通検査装置用部材１０を、いわゆるプローブカードとして得ることができる。なお、導通検査装置用部材１０は、本発明の効果が阻害されない程度であれば、その他の構成要素を備えていてもよい。
【０１２０】
図６，７は、上記構成を有する導通検査装置用部材１０を使用して導通検査を実施している様子を示す模式図である。ここでは、検査対象として、半田ボール５１が配設された構造を有するＢＧＡ基板を想定している（図８参照）。
【０１２１】
図６（ａ）のように、導通検査では半田ボール５１を導通検査装置用部材１０の導電部１２に接触させ、圧縮させて導通性を検査する。導電部１２は本発明の導電性粒子２を含むことで、半田ボール５１が導電部１２に圧縮応力をかけた後においても、半田ボール５１に導電部１２の接触痕が残りにくい。導電部１２が柔軟な導電性粒子２を有していることで、応力が加わってもその応力が緩和されるからである。一方、導電部１２が従来のような硬い材料（例えばＮｉ金属粉４５等）で形成されていると、半田ボール５１が導電部１２に圧縮応力をかけた後、図６（ｂ）のように、半田ボール５１に接触痕４４が残る。その結果、検査対象部材である回路（ＢＧＡ基板）がダメージを受けて性能の低下の原因となる。
【０１２２】
また、導電部１２が硬い材料で形成されている場合、半田ボール５１が導電部１２に圧縮応力が繰り返しかけられることで、図６（ｃ）のように、導電部１２にクラック４１やボイド４２が発生する。これにより、導電部１２の導通性が損なわれて、導通検査の精度の低下あるいは検査の実施不能をもたらす。これに対し、導電部１２は導電性粒子２が含まれることで、繰り返し導通検査を行っても導電部１２の導通性が損なわれるおそれが小さく、導通検査の精度の低下が起こりにくい。これは、半田ボール５１が導電部１２に圧縮応力をかけた後においても、その応力が緩和されることで、導電部１２にクラック４１やボイド４２が発生しにくいからである。
【０１２３】
図７は、上記構成を有する導通検査装置用部材１０を使用して導通検査を実施している様子の他例を示す模式図である。この形態では、導電部１２に異なる種類の導電性粒子２が含まれる。
【０１２４】
具体的に図７の形態では、導電部１２に含まれる導電性粒子２は、前記金属部２２の外表面に複数の突起２３を有していない第１の導電性粒子２ａと、前記金属部２２の外表面に複数の突起２３を有する第２の導電性粒子２ｂを含む。つまり、この形態の導電性粒子２は、第１の導電性粒子２ａ及び第２の導電性粒子２ｂを含む混合物である。図７の形態では、導電性粒子２は、硬化したバインダー３０中に分散するように配置されている。なお、第１の導電性粒子２ａ及び第２の導電性粒子２ｂをまとめて表記する場合は、導電性粒子２ということがある。図７において、導電性粒子２は、一部破断させて断面構造（第１の導電性粒子２ａのみ）がわかるように表記している。
【０１２５】
この場合、例えば、第１の導電性粒子２ａ間に第２の導電性粒子２ｂが入り込んで両者と接触するように存在する形態となり得る。第２の導電性粒子２ｂは突起２３を有していることで、第１の導電性粒子２ａとより接触しやすくなり、導電性粒子２どうしの密着性がより高まる。これにより、導電部１２の導通性が特に向上し、また、応力緩和効果も特に高くなるので、クラック４１やボイド４２がより一層発生しにくくなり、導通検査装置用部材１０の耐久性が特に向上する。なお、第１の導電性粒子２ａは、上記した図２の形態と同様の構成であり、第２の導電性粒子２ｂは、上記した図３の形態と同様の構成とすることができる。
【０１２６】
なお、導電部１２に含まれる導電性粒子２は１種単独であってもよいし、図７の形態のように、異なる２種の混合物であってもよいし、さらには異なる３種以上の混合物であってもよい。
【０１２７】
導電部１２は、導電性粒子２以外のその他の導電性材料が含まれていてもよい。例えば、その他の導電性材料として、金属粉が挙げられる。金属粉の具体例としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の粉末を挙げることができる。また、金属は２種以上の金属の合金であってもよい。
【０１２８】
その他の導電性材料が金属粉である場合、金属粉は、その表面がさらに他の金属で被覆された構造を有していてもよい。例えば、金属粉の表面を金属メッキ処理することで、金属粉の表面を他の金属で被覆することができる。
【０１２９】
導電部１２が、導電性粒子２とこれ以外のその他の導電性材料との混合物であることによっても、導電部１２の導通性を高めることができ、精度の高い導通検査の実施が可能となる。
【０１３０】
また、導通検査装置用部材１０の導通性を更に高めるべく、孔１１の内面が金属メッキ処理されていてもよい。この場合、仮に何らかの要因で導電部１２内部に欠損が生じたとしても、孔１１内面の金属メッキによって導通可能になるので、導通検査を正常に行うことが可能となる。
【０１３１】
本発明に係る導通検査装置用部材１０は、各種の導通検査装置に組み入れることができる。導通検査装置用部材１０が適用され得る導通検査装置の種類は特に限定されない。導通検査装置の構成も、導通検査装置用部材１０が組み込まれること以外は同様とすることができる。
【０１３２】
導通検査装置は、導通検査装置用部材１０を備えることで、あるいは、上記導電性粒子２を備えることで、精度良くＢＧＡ基板等の電子回路デバイスの導通検査を行うことができる。特に、導通検査装置が導通検査装置用部材１０、あるいは、上記導電性粒子２を備えることで、繰り返し試験を行ってもその検査精度を持続することができ、耐久性にも優れる。
【実施例】
【０１３３】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の態様に限定されるものではない。
【０１３４】
（導電性粒子の合成例１−１）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１３５】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１）を得た。
【０１３６】
懸濁液（Ａ１）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１）を得た。
【０１３７】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７５ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｃ１）を用意した。
【０１３８】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ１）を用意した。
【０１３９】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ１）に上記銅めっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ１）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ１）を得た。
【０１４０】
その後、粒子混合液（Ｅ１）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に銅金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ１）を得た。
【０１４１】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ１）に上記銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に銅及び銀金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１４２】
（導電性粒子の合成例１−２）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。また、合成例１−１の懸濁液（Ａ１）と同様の懸濁液（Ａ２）を用意した。
【０１４３】
次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ２）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む懸濁液（Ｂ２）を得た。
【０１４４】
懸濁液（Ｂ２）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ２）を得た。
【０１４５】
また、合成例１−１の銅めっき液（Ｃ１）と同様の銅めっき液（Ｄ２）を用意した。
【０１４６】
また、合成例１−１の銀めっき液（Ｄ１）と同様の銀めっき液（Ｅ２）を用意した。
【０１４７】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ２）に上記銅めっき液（Ｄ２）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ２）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅金属部が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｆ２）を得た。
【０１４８】
その後、粒子混合液（Ｆ２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に銅金属部が配置されており、表面に突起を有する金属部を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｇ２）を得た。
【０１４９】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｇ２）に上記銀めっき液（Ｅ２）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ２）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に銅及び銀金属部（突起が無い部分における金属部全体の厚み：０．１μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する金属部を備える導電性粒子を得た。
【０１５０】
（導電性粒子の合成例１−３）
基材粒子Ｓ２として、粒子径が３５．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２３５」）を用意した。
【０１５１】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ２を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ２を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ２をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ２の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ２を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ３）を得た。
【０１５２】
次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（Ａ３）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ｓ１を含む懸濁液（Ｂ３）を得た。
【０１５３】
懸濁液（Ｂ３）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ３）を得た。
【０１５４】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ３）を用意した。
【０１５５】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド７５ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ３）を用意した。
【０１５６】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ３）に上記銅めっき液（Ｄ３）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ３）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｆ３）を得た。
【０１５７】
その後、粒子混合液（Ｆ３）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に銅金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｇ３）を得た。
【０１５８】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｇ３）に上記銀めっき液（Ｅ３）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ３）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ２の表面上に銅及び銀金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１５９】
（導電性粒子の合成例１−４）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１６０】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ４）を得た。
【０１６１】
懸濁液（Ａ４）を、硫酸ニッケル1０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ４）を得た。
【０１６２】
また、硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及び次亜リン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ６．０に調整したニッケルめっき液（Ｃ４）を用意した。
【０１６３】
また、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ４）を用意した。
【０１６４】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ４）に上記ニッケルめっき液（Ｃ４）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ４）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）としてニッケル金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ４）を得た。
【０１６５】
その後、粒子混合液（Ｅ４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ４）を得た。
【０１６６】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ４）に上記銀めっき液（Ｄ４）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ４）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル及び銀金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１６７】
（導電性粒子の合成例１−５）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１６８】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ５）を得た。
【０１６９】
懸濁液（Ａ５）を、硫酸ニッケル1０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ５）を得た。
【０１７０】
また、硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及び次亜リン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ６．０に調整したニッケルめっき液（Ｃ５）を用意した。
【０１７１】
また、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン２ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した金めっき液（Ｄ５）を用意した。
【０１７２】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ５）に上記ニッケルめっき液（Ｃ５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ５）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）としてニッケル金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ５）を得た。
【０１７３】
その後、粒子混合液（Ｅ５）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ５）を得た。
【０１７４】
次に、４５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ５）に上記金めっき液（Ｄ５）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ５）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル及び金金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１７５】
（導電性粒子の合成例１−６）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１７６】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ６）を得た。
【０１７７】
懸濁液（Ａ６）を、硫酸ニッケル1０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ６）を得た。
【０１７８】
硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、硫酸コバルト１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及びジメチルアミンボラン２５ｇ／Ｌを含む混合液を準備した。この混合液を、アンモニアにてｐＨ５．０に調整したニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）を用意した。
【０１７９】
硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ６）を用意した。
【０１８０】
６５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ６）に上記ニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）を徐々に滴下し、無電解ニッケル−コバルト合金めっきを行った。ニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケル−コバルト合金めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）としてニッケル−コバルト合金金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ６）を得た。
【０１８１】
その後、粒子混合液（Ｅ６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル−コバルト合金金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ６）を得た。
【０１８２】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ６）に上記銀めっき液（Ｄ６）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ６）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上にニッケル−コバルト合金及び銀金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１８３】
（導電性粒子の合成例１−７）
基材粒子Ｓ１として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１８４】
過マンガン酸カリウム１０重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。
【０１８５】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、１０重量部の基材粒子Ｓ１を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ｓ１を取り出した。次いで、基材粒子Ｓ１をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ｓ１の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ｓ１を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ７）を得た。
【０１８６】
懸濁液（Ａ７）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ７）を得た。
【０１８７】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７５ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｃ７）を用意した。
【０１８８】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ７）を用意した。
【０１８９】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ７）に上記銅めっき液（Ｃ７）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ７）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の金属部（１層目）として銅金属部を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ７）を得た。
【０１９０】
その後、粒子混合液（Ｅ７）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ｓ１の表面上に銅金属部が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ７）を得た。
【０１９１】
次に、６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｆ７）に上記銀めっき液（Ｄ７）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ７）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ｓ１の表面上に凹部、銅及び銀金属部（金属部全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子を得た。
【０１９２】
（導電性粒子の合成例１−８）
エチレングリコールジメタクリレート１００ｇと、イソボルニルアクリレート８００ｇと、シクロヘキシルメタクリレート１００ｇと、過酸化ベンゾイル３５ｇとを混合し、均一に溶解させて、モノマー混合液を得た。５ｋｇのポリビニルアルコール１重量％水溶液を作製し、反応釜にて入れた。この中に前述したモノマー混合液を入れ、２〜４時間攪拌することで、モノマーの液滴が所定の粒子径になるように、粒子径を調整した。この後９０℃の窒素雰囲気下で９時間反応を行い、粒子を得た。得られた粒子を熱水にて数回洗浄した後、分級操作を行った。得られた重合体粒子の平均粒子径は７０．１μｍ、ＣＶ値は３．１％であった。得られた基材粒子Ｓ３を基材粒子Ｓ１の代わりに用いたこと以外は導電性粒子の合成例１−１と同様にして導電性粒子を得た。
【０１９３】
（導電性粒子の合成例１−９）
（１）シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ−トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。
【０１９４】
（２）シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ−ブチル−２−エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコールの５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。なお、ポリビニルアルコールは、重合度が約２０００、鹸化度が８６．５〜８９モル％である日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ−２０」）を使用した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ  Ｐｏｒｏｕｓ  Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、分級操作を行った。得られた重合体粒子の平均粒子径は７０．４μｍ、ＣＶ値は３．８％であった。得られた基材粒子Ｓ４を基材粒子Ｓ１の代わりに用いたこと以外は導電性粒子の合成例１−１と同様にして導電性粒子を得た。
【０１９５】
（金属粉の合成例１−１０）
粒子径が７２．５ｍである純ニッケル金属粒子を用意した。この金属粒子を塩酸１０重量％溶液１００重量部に添加し、表面を活性化させた。これを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１０）を得た。
【０１９６】
懸濁液（Ａ１０）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１０）を得た。
【０１９７】
また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン２ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した金めっき液（Ｃ１０）を用意した。
【０１９８】
次に、４５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ１０）に上記金めっき液（Ｃ１０）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｃ１０）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面が金メッキ処理された純ニッケル金属粉Ｓ５（金メッキの厚み：０．０５μｍ）を得た。
【０１９９】
（金属粉の合成例１−１１）
粒子径が７４．２μｍである純銅金属粒子を用意した。この金属粒子を硫酸１０重量％溶液１００重量部に添加し、表面を活性化させた。これを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１１）を得た。
【０２００】
懸濁液（Ａ１１）を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１１）を得た。
【０２０１】
また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム２０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン２ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した金めっき液（Ｃ１１）を用意した。
【０２０２】
次に、４５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ１１）に上記金めっき液（Ｃ１１）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｃ１１）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面が金メッキ処理された純銅金属粉Ｓ６（金メッキの厚み：０．０５μｍ）を得た。
【０２０３】
（金属粉の合成例１−１２）
粒子径が７３．１μｍである純銀金属粒子Ｓ７を用意した。
【０２０４】
（金属粉の合成例１−１３）
粒子径が７２．５μｍである純ニッケル金属粒子Ｓ８を用意した。
【０２０５】
（実施例１）
シリコーン系共重合体１０重量部、合成例１−１で得られた導電性粒子９０重量部、エポキシシランカップリング剤（信越化学工業社製、商品名：ＫＢＥ−３０３）１重量部及びイソプロピルアルコール３６重量部を準備した。これらを配合し、ホモディスパーを用いて１０００ｒｐｍで２０分撹拌させた後、シンキー社製練太郎ＡＲＥ２５０を用いて脱泡することで、導電性粒子とバインダーとを含む導電材料を調製した。
【０２０６】
上記のシリコーン系共重合体は、次の方法で重合した。内容量２Ｌの金属混練機内に４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（デグサ社製）１６２ｇ（６２８ｍｍｏｌ）、片末端アミノ基変性ポリジメチルシロキサン９００ｇ（９０ｍｍｏｌ）を投入し、７０〜９０℃で溶解後、撹拌を２時間行った。なお、ポリジメチルシロキサンは、モメンティブ社製「ＴＳＦ４７０９」（分子量１００００）を使用した。その後、ネオペンチルグリコール（三菱ガス化学社製）６５ｇ（６２５ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、３０分混練し、続けて未反応のネオペンチルグリコールを減圧除去した。得られたシリコーン系共重合体Ａは２０重量％になるようにイソプロピルアルコールに溶解させて使用した。なお、イソシアネート基の消失はＩＲスペクトルにて確認した。得られたシリコーン系共重合体Ａ中のシリコーン含有量は８０重量％、重量平均分子量は２５０００であり、ＳＰ値は７．８、極性基を有する構造（ポリウレタン）からなる繰り返し単位のＳＰ値は１０であった。
【０２０７】
次に、導通検査装置用部材の絶縁材料からなるシート状の基材としてシリコーンゴムを準備した。シリコーンゴムのサイズは、横幅２５ｍｍ−縦幅２５ｍｍ−厚み８３０μｍであり、シリコーンゴムにレーザー加工で円柱状に形成したΦ６００μｍ、高さ８３０μｍの貫通孔が縦２０個、横２０個で総数４００個形成されていた。このシリコーンゴムは、導通検査装置用基体に相当する。
【０２０８】
上記導電材料を円柱状の貫通孔が形成されたシリコーンゴム上にナイフコーターを用いて塗工し、各々の貫通孔に導電材料を充填した。次に、導電材料が貫通孔に充填されたシリコーンゴムをオーブンにて５０℃、１０分間乾燥した後、更に続けて１００℃、２０分間乾燥することで、貫通孔に充填体を形成させ、厚さ１ｍｍの導通検査装置用部材を得た。導通検査装置用部材の充填体は導電部に相当する。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２０９】
（実施例２）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−２で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１０】
（実施例３）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−３で得られた導電性粒子６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。導通検査装置用部材の導電部（充填体）の断面を切り出して充填率を確認した所、充填率は８５％であった。
【０２１１】
（実施例４）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−４で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１２】
（実施例５）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−５で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１３】
（実施例６）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−６で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１４】
（実施例７）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−７で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１５】
（実施例８）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−８で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１６】
（実施例９）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−９で得られた導電性粒子９０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１７】
（実施例１０）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−３で得られた導電性粒子２０重量部及び合成例１−８で得られた導電性粒子７０重量部の混合物に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９０％であった。
【０２１８】
（実施例１１）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１で得られた導電性粒子４０重量部及び合成例１−１０で得られた金属粉５０重量部の混合物に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９５％であった。
【０２１９】
（実施例１２）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１で得られた導電性粒子４０重量部及び合成例１−１１で得られた金属粉５０重量部の混合物に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９５％であった。
【０２２０】
（実施例１３）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１で得られた導電性粒子４０重量部及び合成例１−１２で得られた金属粉５０重量部の混合物に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９５％であった。
【０２２１】
（実施例１４）
導電材料の調製において、合成例１−１で得られた導電性粒子に使用量を６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様の方法で導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は６０％であった。
【０２２２】
（実施例１５）
導電材料の調製において、合成例１−１で得られた導電性粒子の代わりに合成例１−３で得られた導電性粒子に変更したこと以外は実施例１４と同様の方法で導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は６０％であった。
【０２２３】
（実施例１６）
導電材料の調製において、合成例１−１で得られた導電性粒子の代わりに合成例１−３で得られた導電性粒子１３重量部及び合成例１−８で得られた導電性粒子４７重量部の混合物に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は６０％であった。
【０２２４】
（比較例１）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１０で得られた金属粉９０重量部に変更した（すなわち、導電性粒子を使用していない）こと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９５％であった。
【０２２５】
（比較例２）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１３で得られた金属粉９０重量部に変更した（すなわち、導電性粒子を使用していない）こと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は９５％であった。
【０２２６】
（比較例３）
導電材料の調製において、導電性粒子を合成例１−１０で得られた金属粉７５重量部に変更した（すなわち、導電性粒子を使用していない）こと以外は実施例１と同様にして、導通検査装置用部材を得た。充填体中の導電性粒子の充填率を確認したところ、充填率は８５％であった。
【０２２７】
【表１】
2018067537.tif 000003
【０２２８】
表１には、各実施例及び比較例で得られた導通検査装置用部材の構成及び評価結果を示している。導通検査装置用部材の構成としては、導電性粒子における基材粒子の種類、導電部の構成、金属粉を併用した場合のその種類、導電性粒子の突起の構成、凹部の有無、導電性粒子の平均粒子径及び１０％Ｋ値を示している。導通検査装置用部材の評価としては、初期特性及び繰り返し信頼性試験の結果を示している。なお、表１中、「抵抗値」は後記する評価方法の（５）の評価結果であり、初期特性の欄の「半田ボールの表面状態」は後記する評価方法の（９）の評価結果である。表１中、繰り返し信頼性試験の欄の「抵抗値」は後記する評価方法の（６）の評価結果であり、繰り返し信頼性試験の欄の「導電部の断面外観」は後記する評価方法の（８）の評価結果である。
【０２２９】
表１から、導電部が前記（１）及び（２）をもたらす導電性粒子が含む場合、導電部のクラック及びボイドが発生しにくく、繰り返し導通検査を行っても導通性能が損なわれにくく、また、検査対象部材に接触した部分に対して接触痕を残しにくいことがわかる。特に、凹部を有する導電性粒子（実施例７）、柔軟性を有する導電性粒子（実施例８，９）、並びに突起を有する導電性粒子及び突起を有しない導電性粒子の混合物を含む場合は、繰り返し信頼性がいっそう向上していることがわかる。
【０２３０】
（評価方法）
（１）突起の高さの測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０２３１】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起を観察した。得られた導電性粒子における突起の高さを計測し、それらを算術平均して突起の平均高さとした。
【０２３２】
（２）突起の基部の平均径の測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０２３３】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起を観察した。得られた導電性粒子における突起の基部径を計測し、それを算術平均して突起の基部の平均径とした。
【０２３４】
（３）突起が無い部分における金属部全体の厚みの測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０２３５】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起が無い部分における金属部を観察した。得られた導電性粒子における突起が無い部分における金属部全体の厚みを計測し、それを算術平均して突起が無い部分における金属部全体の厚みとした。
【０２３６】
（４）導電性粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値）
得られた導電性粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を、２３℃の条件で、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定し、１０％Ｋ値を求めた。
【０２３７】
（５）導通検査装置用部材の抵抗測定
得られた導通検査装置用部材の抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定した。接触抵抗測定は、Φ０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで得られた導通検査装置用部材の導電部（すなわち、充填体）に垂直方向から加圧した。その際に、低抵抗計（鶴賀電機株式会社製−ＭＯＤＥＬ３５６６）で５Ｖを印加し、抵抗値を測定した。無作為に選択した５か所の導電部（すなわち、充填体）について上記測定をして抵抗値の平均値を算出し、下記の基準で判定した。
［抵抗値の判定基準］
○○：抵抗値の平均値が５０．０ｍΩ以下である。
○：抵抗値の平均値が５０．０ｍΩを超え、１００．０ｍΩ以下である。
×：抵抗値の平均値が１００．０ｍΩを超える。
【０２３８】
（６）導通検査装置用部材の繰り返し信頼性試験
得られた導通検査装置用部材の繰り返し信頼性試験及び接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定した。繰り返し信頼性試験は、Φ０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで得られたプローブシートの導電部に垂直方向から５００００回繰り返し加圧した。５００００回繰り返し加圧した後に、低抵抗計（鶴賀電機株式会社製−ＭＯＤＥＬ３５６６）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。無作為に選択した５か所の導電部について上記測定をして接触接続抵抗値の平均値を算出し、下記の基準で判定した。
［繰り返し加圧後の接触抵抗値の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩ以下である。
○：接続抵抗の平均値が１００．０ｍΩを超え、５００．０ｍΩ以下である。
△：接続抵抗の平均値が５００．０ｍΩを超え、１０００．０ｍΩ以下である。
×：接続抵抗の平均値が１０００．０ｍΩを超える。
【０２３９】
（７）導通検査装置用部材に荷重をかけたときの変形率
得られた導通検査装置用部材に荷重をかけたときの変形率は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定した。変形率は、導通検査装置用部材に荷重をかける前の導電部（すなわち、充填体）の位置を基準点（ゼロ点）にし、Φ０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで導電部に垂直方向から加圧し、得られた変位から変形率を算出した。具体的に、充填体の全長（高さ）に対する変位の割合を算出することで、変形率を導き出した。無作為に選択した５個の導電部（すなわち、充填体）について上記測定をして変形率の平均値を算出した。
【０２４０】
（８）導通検査装置用部材の繰り返し信頼性試験後の断面外観
得られた導通検査装置用部材の繰り返し信頼性試験は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ株式会社製−ＭＳ７５００）を用いて測定した。繰り返し信頼性試験は、Φ０．５ｍｍの白金プローブにて荷重１５ｇｆで得られたプローブシートの導電部に垂直方向から５００００回繰り返し加圧した。
【０２４１】
得られた繰り返し信頼性試験後の導通検査装置用部材は、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に固定し、検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に固定した導通検査装置用部材の導電部の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導通検査装置用部材の導電部の断面を切り出した。そして、光学顕微鏡を用いて、１０個の導電部を無作為に観察し、下記判定基準で評価した。
【０２４２】
［繰り返し試験後の導電部の断面状態の判定基準］
Ａ：導電性粒子又は金属粒子とバインダー間にクラックが発生していない。
Ｂ：導電性粒子又は金属粒子とバインダー間にクラックが発生している。
【０２４３】
（９）ＢＧＡ基板の半田ボール接触後の半田ボール表面外観
合金組成Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５ＣｕのΦ１００μｍ半田ボール（千住金属株式会社製）が実装されたＢＧＡ基板を準備した。各実施例及び比較例で得られた導通検査装置用部材の導電部上に、ＢＧＡ基板の半田ボールが配置するようにＢＧＡ基板を位置設定し、次いで、ＢＧＡ基板の上面に加圧ヘッドを乗せ、１５ｇｆの荷重で圧力をかけて接触させた。その後、導通検査装置用部材の導電部との半田ボール表面を光学顕微鏡によって２０個の半田ボールを無作為に観察し、下記判定基準で評価した。
【０２４４】
［接触部の半田ボール表面状態の判定基準］
Ａ：半田ボール表面に接触痕が発生していない。
Ｂ：半田ボール表面に接触痕が発生している。
【０２４５】
（１０）導通検査装置用部材の導電性粒子の充填率
得られた導通検査装置用部材は、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に固定し、検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用埋め込み樹脂中に固定した導通検査装置用部材の導電部の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導通検査装置用部材の導電部の断面を切り出した。そして、光学顕微鏡を用いて、１０個の導電部（すなわち、充填体）を無作為に観察し、充填体の断面積に対する、導電性粒子の総断面積の割合を充填率として算出した。導電性粒子の断面積は、導電性粒子の円相当径（長径）をノギス等で測定し、円相当径から面積を計算することで算出した。
【符号の説明】
【０２４６】
１０：導通検査装置用部材
１１：孔
１２：導電部
１３：基体
２：導電粒子
２１：基材粒子
２２：金属部
２３：突起
２ａ：第１の導電粒子
２ｂ：第２の導電粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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