(57)【要約】【課題】複数のパターン領域のそれぞれに凹凸パターンが形成されてなり、凹凸パターンを優れた位置精度で転写可能なインプリントモールドを提供する。【解決手段】インプリントモールド１は、第１面２１及び当該第１面２１に対向する第２面２２を有する基部２と、基部２の第１面２１側に設定される複数のパターン領域３１を含むパターン領域群３３と、複数のパターン領域３１のそれぞれに形成されている凹凸パターン３とを具備し、複数のパターン領域３１のそれぞれは、所定の表面積分布を有しており、複数のパターン領域３１は、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が対称性を示すようにパターン領域群３３内に配置されている。【選択図】図１
2018022732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、
前記基部の前記第１面側に設定される複数のパターン領域を含むパターン領域群と、
前記複数のパターン領域のそれぞれに形成されている凹凸パターンと
を具備し、
前記複数のパターン領域のそれぞれは、所定の表面積分布を有しており、
前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されている
ことを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布がｎ回対称性（ｎは２以上の整数である。）を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド。
【請求項３】
前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布が線対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド。
【請求項４】
前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布がｎ回対称性（ｎは２以上の整数である。）、かつ線対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド。
【請求項５】
前記複数のパターン領域のそれぞれは、少なくとも、表面積が相対的に大きい第１領域と表面積が相対的に小さい第２領域とを含み、
前記複数のパターン領域のそれぞれの前記第１領域により構成される第１領域群が前記パターン領域群内の全体において対称性を示すように、前記複数のパターン領域は前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項６】
前記複数のパターン領域は、前記複数のパターン領域のうちの少なくとも一のパターン領域が他のパターン領域に囲まれるようにして前記パターン領域群内に配置されており、
前記一のパターン領域を囲む他のパターン領域は、当該他のパターン領域により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項７】
前記複数のパターン領域のそれぞれは、略方形状であり、
前記複数のパターン領域のうちの少なくとも一のパターン領域は、隣接パターン領域と３辺を対向しており、
前記複数のパターン領域は、前記隣接パターン領域と３辺を対向させるパターン領域以外のパターン領域により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項８】
前記基部の前記第２面側における平面視略中央に、窪み部が形成されてなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のインプリントモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス（例えば、半導体メモリ等）、光学素子（例えば、ホログラム、偏光子、回折格子、拡散板等）、バイオチップ等の製品の製造工程において、ナノインプリント技術が利用されている。ナノインプリント技術は、基板の表面に凹凸パターンを形成した型部材（モールド）を用い、凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術である。
【０００３】
かかるナノインプリント技術においては、基板の被転写面（モールドの凹凸パターンが転写される面）上に光硬化性樹脂等を塗布し、当該樹脂にモールドの凹凸パターンを接触させる。この状態で樹脂を硬化させた後、モールドを樹脂から剥離する。これにより、樹脂にモールドの凹凸パターンが転写される。上記製品の製造にあたっては、通常、基板上の複数の被転写領域上の樹脂にモールドの凹凸パターンが転写された後、一製品ごとに個片化される。
【０００４】
そのため、スループットの向上を目的として、従来、基材の一面上に設定された複数のパターン領域のそれぞれに凹凸パターンが形成されてなるモールドを用い、基板上の複数の被転写領域のそれぞれの上に塗布された樹脂に、モールドの各パターン領域に形成されている凹凸パターンを各被転写領域上の樹脂に同時に転写するインプリント方法及び当該インプリント方法に用いられるインプリントモールドが提案されている（特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９１０８９号公報
【特許文献２】特開２０１６−２１５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１及び２において用いられるインプリントモールドは、各パターン領域に凹凸パターンが形成されていることで、各パターン領域に形成された凹凸パターンを各被転写領域上の樹脂に同時に転写することができるため、スループットの向上に寄与され得る。
【０００７】
ここで、一般に、インプリントモールドのパターン領域に形成される凹凸パターンは、インプリント技術を用いて製造される製品の設計に基づいて設計される。当該製品によっては、パターン領域内に形成されるべき凹凸パターンのパターン密度や、パターンピッチが均一でない場合もあるため、パターン領域内において表面積分布を有することがある。
【０００８】
複数のパターン領域のそれぞれが表面積分布を有する場合、複数のパターン領域が並列配置されてなるパターン領域群もまた、表面積分布を有することになる。かかるインプリントモールドを基板上の樹脂から剥離する際に、パターン領域群の中で樹脂から剥離しやすい部分と剥離し難い部分とが生じ得る。
【０００９】
通常、パターン領域（パターン領域群）において表面積分布を有しないインプリントモールドを用いたインプリント処理において、当該インプリントモールドを樹脂から剥離しようとすると、まず、パターン領域群の周縁部から樹脂との剥離が開始される。その後、パターン領域群と樹脂との接触している面（接触面）が平面視略円形状（又は略楕円形状）となるようにして剥離され、当該略円形状（略楕円形状）の接触面が、その略円形状を維持したままパターン領域群の中心に向かって小さくなっていく。最後には、パターン領域群の中心が樹脂から剥離される。このように、インプリントモールド（パターン領域群）と樹脂との接触面を略円形状に維持するようにしてインプリントモールドを樹脂から剥離することで、インプリントモールドの凹凸パターンが転写された樹脂に歪みが生じるのを抑制することができるため、優れた位置精度で樹脂に凹凸パターンを転写することができる。
【００１０】
しかしながら、パターン領域群の中に樹脂から剥離しやすい部分と剥離し難い部分とが含まれると、インプリントモールドの樹脂からの剥離の過程で、インプリントモールド（パターン領域群）と樹脂との接触面を略円形状に維持することが困難となり、インプリントモールドの凹凸パターンが転写された樹脂に歪みを生じさせてしまう。その結果、樹脂に転写される凹凸パターンの位置精度が低下してしまうという問題がある。
【００１１】
上記課題に鑑みて、本発明は、複数のパターン領域のそれぞれに凹凸パターンが形成されてなり、凹凸パターンを優れた位置精度で転写可能なインプリントモールドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面側に設定される複数のパターン領域を含むパターン領域群と、前記複数のパターン領域のそれぞれに形成されている凹凸パターンとを具備し、前記複数のパターン領域のそれぞれは、所定の表面積分布を有しており、前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていることを特徴とするインプリントモールドを提供する（発明１）。
【００１３】
上記発明（発明１）において、前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布がｎ回対称性（ｎは２以上の整数である。）を示すように前記パターン領域群内に配置されていてもよいし（発明２）、前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布が線対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていてもよいし（発明３）、前記複数のパターン領域は、前記パターン領域群内の全体における表面積分布がｎ回対称性（ｎは２以上の整数である。）、かつ線対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていてもよい（発明４）。
【００１４】
上記発明（発明１〜４）において、前記複数のパターン領域のそれぞれは、少なくとも、表面積が相対的に大きい第１領域と表面積が相対的に小さい第２領域とを含み、前記複数のパターン領域のそれぞれの前記第１領域により構成される第１領域群が前記パターン領域群内の全体において対称性を示すように、前記複数のパターン領域は前記パターン領域群内に配置されているのが好ましい（発明５）。
【００１５】
上記発明（発明１〜５）において、前記複数のパターン領域は、前記複数のパターン領域のうちの少なくとも一のパターン領域が他のパターン領域に囲まれるようにして前記パターン領域群内に配置されており、前記一のパターン領域を囲む他のパターン領域は、当該他のパターン領域により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていてもよいし（発明６）、前記複数のパターン領域のそれぞれは、略方形状であり、前記複数のパターン領域のうちの少なくとも一のパターン領域は、隣接パターン領域と３辺を対向しており、前記複数のパターン領域は、前記隣接パターン領域と３辺を対向させるパターン領域以外のパターン領域により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性を示すように前記パターン領域群内に配置されていてもよい（発明７）。上記発明（発明１〜７）において、前記基部の前記第２面側における平面視略中央に、窪み部が形成され得る（発明８）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、複数のパターン領域のそれぞれに凹凸パターンが形成されてなり、凹凸パターンを優れた位置精度で転写可能なインプリントモールドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図１（Ｂ）は同インプリントモールドの概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態におけるパターン領域の概略構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１）の概略構成を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その２）の概略構成を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その３）の概略構成を示す平面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その４）の概略構成を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その５）の概略構成を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その６）の概略構成を示す平面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その７）の概略構成を示す平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その８）の概略構成を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その９）の概略構成を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１０）の概略構成を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１１）の概略構成を示す平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１２）の概略構成を示す平面図である。
【図１５】図１５は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１３）の概略構成を示す平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の一実施形態におけるパターン領域群（その１４）の概略構成を示す平面図である。
【図１７】図１７は、実施例１におけるパターン領域群内のパターン領域の配置例を概略的に示す平面図である。
【図１８】図１８は、比較例１におけるパターン領域群内のパターン領域の配置例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図（図１（Ａ））及び平面図（図１（Ｂ））であり、図２は、本実施形態におけるパターン領域の概略構成を示す平面図である。
【００１９】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１面２１及び当該第１面２１に対向する第２面２２を有する基部２と、基部２の第１面２１に形成されている微細凹凸パターン３とを有する。
【００２０】
本実施形態に係るインプリントモールド１の基部２の第２面２２側の略中央には、第１面２１側に形成されてなる微細凹凸パターン３に対向する窪み部４が形成されており、基部２における窪み部４の形成されている部分が薄板部２３として構成される。窪み部４が形成されていることで、微細凹凸パターン３の形成されている第１面２１（薄板部２３）を容易に湾曲させることができる。
【００２１】
基部２を構成する材料は、特に限定されるものではなく、インプリントモールド用基材として一般的なものである。例えば、当該基部２は、インプリントモールドを製造する際に一般的に用いられている基板（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等）により構成され得る。
【００２２】
基部２の厚さＴ2は、強度や取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。
【００２３】
基部２の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、当該基部２が石英ガラスにより構成される場合、例えば、当該基部２の平面視における大きさは、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。
【００２４】
基部２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。本実施形態に係るインプリントモールド１が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラスにより構成される場合、通常、当該基部２の平面視形状は略矩形状である。
【００２５】
微細凹凸パターン３の形状、寸法等は、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて製造される製品において要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、微細凹凸パターン３の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、微細凹凸パターン３の寸法としては、例えば、１０〜２００ｎｍ程度である。
【００２６】
図１（Ｂ）に示すように、基部２の第１面２１上には、所定のパターン領域群３３内に複数のパターン領域３１が設定され、上記微細凹凸パターン３は、各パターン領域３１に形成されている。なお、図１（Ｂ）において、４つのパターン領域３１が２行×２列のマトリックス状に並列するように基部２の第１面２１上に設定されており、各パターン領域３１に形成されている微細凹凸パターン３の図示は省略されている。パターン領域３１の大きさは、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて製造される製品に応じて適宜設定され得る。
【００２７】
各パターン領域３１は、略長方形状をなしており、所定の表面積分布を有する。例えば、図２に示すように、本実施形態におけるパターン領域３１は、第１〜第４領域３１１〜３１４を含み、第１〜第４領域３１１〜３１４のそれぞれに所定の寸法及びピッチの微細凹凸パターン３が形成されている。第１〜第４領域３１１〜３１４に形成されている微細凹凸パターン３は、互いに異なる形状であってもよいし、いずれも同一形状であるが、寸法やピッチ等が異なるものであってもよい。これにより、第１〜第４領域３１１〜３１４のそれぞれの表面積が異なり、それらを含むパターン領域３１は、表面積分布を有することになる。なお、図２に示す態様においては、第１領域３１１には寸法及びピッチが相対的に小さいピラー状の微細凹凸パターン３が形成され、第１領域３１１は相対的に大きい表面積を有する領域である。第２領域３１２には寸法及びピッチが相対的に大きいピラー状の微細凹凸パターン３が形成され、第２領域３１２は相対的に小さい表面積を有する領域である。第３領域３１３及び第４領域３１４のそれぞれにはラインアンドスペース状の微細凹凸パターン３が形成され、第３領域３１４及び第４領域３１４は同一の表面積を有する領域であって、第１領域３１１及び第２領域３１２の表面積の中間の表面積を有する領域である。
【００２８】
本実施形態において、パターン領域群３３内における複数のパターン領域３１の配置は、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が対称性を示すような配置である。例えば、図３及び図４に示す態様においては、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が２回対称性を示すように各パターン領域３１が配置されている。また、図５に示す態様においては、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が線分Ｌ１を対称軸とする線対称性を示すように各パターン領域３１が配置されている。さらに、図６に示す態様においては、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が線分Ｌ２を対称軸とする線対称性を示すように各パターン領域３１が配置されている。さらにまた、図７に示す態様においては、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が２回対称性、かつ線分Ｌ１及び線分Ｌ２のそれぞれを対称軸とする線対称性を示すように各パターン領域３１が配置されている。なお、図３〜図７において、各パターン領域３１内の塗り潰し色の濃さにより表面積が表されており、各パターン領域３１内の塗り潰し色の濃い部分が相対的に表面積の大きい領域を、塗り潰し色の薄い部分が相対的に表面積の小さい領域を表している。例えば、図３に示すパターン領域群３３内の紙面上の右上に位置するパターン領域３１においては、当該パターン領域３１の左下の領域が相対的に表面積の大きい領域であり、右上の領域が相対的に表面積の小さい領域である。
【００２９】
このように、パターン領域群３３内の全体における表面積が対称性を示すように各パターン領域３１が配置されていることで、インプリントモールド１と樹脂との接触面を略円形状（略楕円形状）に維持したまま、インプリントモールド１を樹脂から剥離することができるため、微細凹凸パターン３を優れた位置精度で樹脂に転写することができる。
【００３０】
本実施形態においては、図８に示すように、パターン領域群３３内に６つ（２行×３列）のパターン領域３１が配置されていてもよい。この場合において、少なくとも、６つのパターン領域３１のうちのパターン領域群３３の４つの角部に位置するパターン領域３１によって定義される領域内における表面積分布が対称性を示すように、それらの４つのパターン領域３１はパターン領域群３３内に配置され得る（図９参照）。パターン領域群３３内の表面積分布による位置精度への影響は、パターン領域群３３の外周縁の近傍において相対的に大きいため、パターン領域群３３の４つの角部に位置するパターン領域３１によって定義される領域内における表面積分布が対称性を示すことで、優れた位置精度にて転写が可能なインプリントモールド１とすることができる。
【００３１】
例えば、図１０に示す態様においては、パターン領域群３３内の６つのパターン領域３１は、２回対称性を示すように配置される。また、図１１に示す態様においては、パターン領域群３３の４つの角部に位置するパターン領域３１は、線分Ｌ２を対称軸とする線対称性を示すように配置される。さらに、図１２に示す態様においては、パターン領域群３３の４つの角部に位置するパターン領域３１は、２回対称性、かつ線分Ｌ１を対称軸とする線対称性を示すように配置され、さらに６つのパターン領域３１は、線分Ｌ２を対称軸とする線対称性を示すように配置される。
【００３２】
なお、図９〜図１２において、図３〜図７と同様に、各パターン領域３１内の塗り潰し色の濃さにより表面積が表されており、各パターン領域３１内の塗り潰し色の濃い部分が相対的に表面積の大きい領域を、塗り潰し色の薄い部分が相対的に表面積の小さい領域を表している。
【００３３】
また、図１３に示すように、パターン領域群３３内に９つ（３×３）のパターン領域３１が配置されていてもよいし、図１４及び図１５に示すように、７つのパターン領域３１が配置されていてもよい。図１３及び図１４に示す態様において、パターン領域群３３の中心に位置するパターン領域３１以外のパターン領域３１（当該中心に位置するパターン領域３１を取り囲むパターン領域３１）は、それらのパターン領域３１により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性（２回対称性）を示すように配置される。また、図１５に示す態様において、パターン領域群３３の中心に位置するパターン領域３１以外のパターン領域３１（当該中心に位置するパターン領域３１を取り囲むパターン領域３１）は、それらのパターン領域３１により定義される領域内の全体における表面積分布が対称性（線分Ｌ１を対称軸とする線対称性）を示すように配置される。
【００３４】
上述したように、本実施形態に係るインプリントモールド１によれば、パターン領域群３３内に含まれる複数のパターン領域３１のそれぞれが表面積分布を有し、パターン領域群３３の全体としても表面積分布を有するものの、パターン領域群３３の全体における表面積分布が対称性を示すように各パターン領域３１が配置されているため、当該インプリントモールド１を用いたインプリント処理により、優れた位置精度で微細凹凸パターン３を転写することができる。
【００３５】
上述した本実施形態に係るインプリントモールド１は、以下のようにして製造され得る。
まず、インプリントモールド１の基部２上に設定されるパターン領域群３３内における複数のパターン領域３１の配置を決定する。複数のパターン領域３１の配置を決定するにあたり、各パターン領域３１に形成されるべき微細凹凸パターン３の設計データに基づいて、各パターン領域３１内の表面積分布を求める。具体的には、図２に示すように、各パターン領域３１に第１〜第４領域３１１〜３１４が含まれる場合、第１〜第４領域３１１〜３１４のそれぞれの表面積を算出することで、各パターン領域３１内の表面積分布を求めることができる。また、パターン領域３１が複数の領域に区分されていない場合、当該パターン領域３１を任意の複数の領域に区分し、区分された各領域の表面積を算出することで、各パターン領域３１内の表面積分布を求めることができる。
【００３６】
次に、各パターン領域３１内の表面積分布に基づき、パターン領域群３３内の全体における表面積分布が対称性（２回対称性及び／又は線対称性）を示すように、複数のパターン領域３１をパターン領域群３３内に配置する。これにより、本実施形態に係るインプリントモールド１のパターン設計データを生成することができる。
【００３７】
続いて、インプリントモールド１を製造するために用いられる基板を準備し、当該パターン設計データに基づいて、インプリントモールド製造用基板の第１面上に、電子線描画装置等を用いてレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたエッチング処理により、当該基板の第１面上に微細凹凸パターン３を形成する。これにより、基部２の第１面２１上に、パターン領域群３３内の全体において表面積分布に対称性を示すように微細凹凸パターン３が形成されてなるインプリントモールド１を製造することができる。
【００３８】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００３９】
上記実施形態におけるインプリントモールド１は、基部２の第１面２１側にメサ構造を有するものであってもよい。インプリントモールド１がメサ構造を有する場合、当該メサ構造の上面に複数のパターン領域３１を含むパターン領域群３３が設定され、各パターン領域３１に微細凹凸パターン３が形成され、当該パターン領域群３３内の全体において表面積分布が対称性を示すように各パターン領域３１が配置される。
【００４０】
上記実施形態において、各パターン領域３１が略長方形状である態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、インプリントモールド１を用いて製造される製品に応じた形状のパターン領域３１を有していればよい。例えば、各パターン領域３１は、多角形状（例えば、三角形状、五角形状、六角形状等）であってもよい。
【００４１】
また、各パターン領域３１は、略正方形状であってもよい。この場合において、図１７に示すように、略正方形状の４つのパターン領域３１が２行×２列でパターン領域群３３内に配置されていれば、パターン領域群３３内の全体の表面積分布が４回対称性を示し得る。すなわち、上記実施形態１に係るインプリントモールド１において、パターン領域群３３内の全体の表面積分布がｎ回対称性（ｎは２以上の整数である。）を示すように、パターン領域群３３内に複数のパターン領域３１が配置されていればよい。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、下記の実施例等により何ら限定されるものではない。
【００４３】
〔実施例１〕
石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）からなる基部を備えるインプリントモールドと、石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）からなる基部を備えるインプリントモールド用基板とを準備した。図１７に示すように、インプリントモールドの基部の第１面上のパターン領域群３３内には、４つのパターン領域３１（２０ｍｍ×２５ｍｍ）を２行×２列で配置し、各パターン領域内３１に微細凹凸パターンを形成した。各パターン領域３１内における一の長辺及び短辺に沿う略Ｌ字状の領域３１２内における表面積がそれ以外の領域３１１内における表面積よりも小さくなるように、領域３１１，３１２に微細凹凸パターンを形成した。具体的には、領域３１１内にはハーフピッチ４０ｎｍのラインアンドスペース状の微細凹凸パターンを形成し、領域３１２内には領域３１１内の微細凹凸パターンよりもハーフピッチの大きいラインアンドスペース状の微細凹凸パターン（ダミーパターン）を形成した。そして、パターン領域群３３内の全体の表面積分布が４回対称性を示し得るように、各パターン領域３１を配置した。また、各パターン領域３１内に、位置精度を計測するための計測用パターンを７行×６列の４２点配置した。
【００４４】
上記インプリントモールド用基板上に、インクジェット装置を用いて、光硬化性のインプリント樹脂を供給し、上記インプリントモールドを用いたインプリント処理を行い、レジストパターンを形成した。形成したレジストパターンの残膜を除去し、インプリントモールド用基板にドライエッチング処理を施した。
【００４５】
そして、インプリントモールド用基板に転写された微細凹凸パターンの位置精度を、座標測定装置（ケーエルエー・テンコール社製，ＩＰＲＯ  Ｓｅｒｉｅｓ）を用いて計測・評価した。その結果、位置精度（３σ）は、Ｘ方向で２．３５ｎｍ、Ｙ方向で３．１７ｎｍであった。位置ずれ量の絶対値の最大値は、Ｘ方向で２．４５ｎｍ、Ｙ方向で２．４８ｎｍであった。
【００４６】
〔比較例１〕
図１８に示すように、パターン領域群３３内の全体の表面積分布が対称性を示さないように２行×２列で４つのパターン領域３１を配置した以外は、実施例１と同様のインプリントモールドを準備し、当該インプリントモールドを用いたインプリント処理を経て、インプリントモールド用基板に微細凹凸パターンを転写した。
【００４７】
インプリントモールド用基板に転写された微細凹凸パターンの位置精度を、座標測定装置（ケーエルエー・テンコール社製，ＩＰＲＯ  Ｓｅｒｉｅｓ）を用いて計測・評価した。その結果、位置精度（３σ）は、Ｘ方向で２．４７ｎｍ、Ｙ方向で３．２４ｎｍであった。位置ずれ量の絶対値の最大値は、Ｘ方向で２．６６ｎｍ、Ｙ方向で３．３３ｎｍであった。
【００４８】
上記実施例１及び比較例１の結果から、インプリントモールドのパターン領域群内における表面積分布が対称性を示し得るように当該パターン領域群内にパターン領域を配置することで、優れた位置精度で微細凹凸パターンをインプリントモールド用基板に転写可能であることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、半導体デバイスの製造過程において半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためのナノインプリント工程にて用いられるインプリントモールドとして有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１…インプリントモールド
２…基部
２１…第１面
２２…第２面
３…微細凹凸パターン
３１…パターン領域
３３…パターン領域群
４…窪み部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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