(57)【要約】【課題】略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極に対する各第１内部電極層の接続と第２外部電極に対する各第２内部電極層の接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】コンデンサ本体１１０の各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁が、各第１内部電極層１１１ａの幅と同等の接続幅にて接続された第１中継層１１４の導電性部分１１４ａを介して、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に設けられた第１外部電極１２０に接続され、各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁が、各第２内部電極層１１１ｂの幅と同等の接続幅にて接続された第２中継層１１５の導電性部分１１５ａを介して、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に設けられた第２外部電極１３０に接続されている。【選択図】図４
2018113469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に略矩形状の第１外部電極と略矩形状の第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（１）誘電体層を介して交互に配された複数の第１内部電極層と複数の第２内部電極層とを内包する略直方体状の容量素子と、（２）前記容量素子の幅方向一面を覆う第１被覆層と、（３）前記容量素子の幅方向他面を覆う第２被覆層と、（４）前記容量素子の長さ方向一面を覆い、前記第１被覆層の長さ方向一端縁と前記第２被覆層の長さ方向一端縁とに接する第１中継層と、（５）前記容量素子の長さ方向他面を覆い、前記第１被覆層の長さ方向他端縁と前記第２被覆層の長さ方向他端縁とに接する第２中継層と、（６）前記第１中継層の外面を覆う第３被覆層と、（７）前記第２中継層の外面を覆う第４被覆層と、を備えており、
前記第１中継層は、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分と、前記導電性部分の高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分とを有し、前記第２中継層は、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分と、前記導電性部分の高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分とを有しており、
前記第１中継層の前記導電性部分には、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれが接続され、前記第２中継層の前記導電性部分には、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれが接続されており、
前記第１中継層と前記第３被覆層は、前記容量素子の高さ方向一面から突出する突出部分をそれぞれ有し、前記第２中継層と前記第４被覆層は、前記容量素子の高さ方向一面から突出する突出部分をそれぞれ有しており、
前記第１中継層の前記突出部分の前記導電性部分には、前記第１外部電極の長さ方向一端縁が接続され、前記第２中継層の前記突出部分の前記導電性部分には、前記第２外部電極の長さ方向他端縁が接続されている、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第１中継層と前記第２中継層それぞれの前記難導電性部分は、導電性を低下させるための成分を含んでいる、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記導電性を低下させるための成分は、前記第１中継層の前記導電性部分と前記第２中継層の前記導電性部分それぞれの主成分である金属の酸化物である、
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
後記特許文献１の図１〜図７には、前掲に関連する積層セラミックコンデンサが開示されている。この積層セラミックコンデンサは、誘電体層を介して幅方向に交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層と略矩形状の複数の内部電極層とを内包した略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の高さ方向一面に設けられた略矩形状の第１外部電極と略矩形状の第２外部電極とを備えている。各第１内部電極層はコンデンサ本体の高さ方向一面に至る略矩形状の第１引出部を有していて、各第１引出部の端縁を第１外部電極に接続されている。各第２内部電極層はコンデンサ本体の高さ方向一面に至る略矩形状の第２引出部を有していて、各第２引出部の端縁を第２外部電極に接続されている。
【０００３】
前記積層セラミックコンデンサは、各第１内部電極層と各第２内部電極層が第１外部電極及び第２外部電極と略直角となる向きで配された構造であるため、各第１引出部の長さ方向寸法（幅）は各第１内部電極層の高さ方向寸法（幅）よりも狭くなり、且つ、各第２引出部の長さ方向寸法（幅）は各第２内部電極層の高さ方向寸法（幅）よりも狭くなる。依って、前記積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じようとすると、第１外部電極に対する各第１引出部の接続と第２外部電極に対する各第２引出部の接続が不安定になる懸念がある。
【０００４】
即ち、前記積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じるには、各第１内部電極層の高さ方向寸法（幅）及び長さ方向寸法と各第２内部電極層の高さ方向寸法（幅）及び長さ方向寸法の縮小が必要となるが、とりわけ長さ方向寸法の縮小に伴って各第１引出部の長さ方向寸法（幅）と各第２引出部の長さ方向寸法（幅）が極端に狭くなってしまうため、第１外部電極に対する各第１引出部の接続と第２外部電極に対する各第２引出部の接続が不安定になり易い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１１６５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極に対する各第１内部電極層の接続と第２外部電極に対する各第２内部電極層の接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に略矩形状の第１外部電極と略矩形状の第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、（１）誘電体層を介して交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層と略矩形状の複数の第２内部電極層とを内包する略直方体状の容量素子と、（２）前記容量素子の幅方向一面を覆う第１被覆層と、（３）前記容量素子の幅方向他面を覆う第２被覆層と、（４）前記容量素子の長さ方向一面を覆い、前記第１被覆層の長さ方向一端縁と前記第２被覆層の長さ方向一端縁とに接する第１中継層と、（５）前記容量素子の長さ方向他面を覆い、前記第１被覆層の長さ方向他端縁と前記第２被覆層の長さ方向他端縁とに接する第２中継層と、（６）前記第１中継層の外面を覆う第３被覆層と、（７）前記第２中継層の外面を覆う第４被覆層と、を備えており、前記第１中継層は、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分と、前記導電性部分の高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分とを有しており、前記第２中継層は、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分と、前記導電性部分の高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分とを有しており、前記第１中継層の前記導電性部分には、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれが前記複数の第１内部電極層それぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、前記第２中継層の前記導電性部分には、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれが前記複数の第２内部電極層それぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、前記第１外部電極には、前記第１中継層の前記導電性部分の高さ方向一端縁が前記第１中継層の前記導電性部分の幅と同等の接続幅にて接続され、前記第２外部電極には、前記第２中継層の前記導電性部分の高さ方向一端縁が前記第２中継層の前記導電性部分の幅と同等の接続幅にて接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極に対する各第１内部電極層の接続と第２外部電極に対する各第２内部電極層の接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサを容量素子の第６面ｆ６側から見た図である。
【図２】図２は図１に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第３面ｆ３側から見た図である。
【図３】図３は図１に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第５面ｆ５側から見た図である。
【図４】図４は図１のＳ１−Ｓ１線に沿う断面図である。
【図５】図５（Ａ）は図２のＳ２−Ｓ２線に沿う断面図、図５（Ｂ）は図２のＳ３−Ｓ３線に沿う断面図である。
【図６】図６（Ａ）と図６（Ｂ）それぞれは図４の部分拡大図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの製法例を説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）と図８（Ｂ）それぞれは図１に示した積層セラミックコンデンサの変形例を示す図６対応図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
先ず、図１〜図６を用いて、本発明を適用した積層セラミックコンデンサの構造について説明する。この説明では、図１の左右方向を長さ方向と言い、図１の上下方向を幅方向と言い、図２の上下方向を高さ方向と言うと共に、各構成要素の長さ方向、幅方向及び高さ方向それぞれに沿う寸法を長さ、幅及び高さと言う。
【００１１】
この積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体１１０と、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に設けられた略矩形状の第１外部電極１２０と略矩形状の第２外部電極１３０とを備えていて、全体寸法が長さＬと幅Ｗと高さＨによって規定されている。ちなみに、図１〜図６に示した積層セラミックコンデンサの長さＬと幅Ｗと高さＨそれぞれは、例えば１０００μｍと５００μｍと５００μｍや、６００μｍと３００μｍと３００μｍである。なお、図１〜図６には、長さＬと幅Ｗと高さＨそれぞれが長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨである積層セラミックコンデンサを描いているが、これら長さＬと幅Ｗと高さＨの関係は長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨや、長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの他、幅Ｗ＞長さＬ＝高さＨや、幅Ｗ＞長さＬ＞高さＨや、幅Ｗ＞高さＨ＞長さＬであってもよい。
【００１２】
コンデンサ本体１１０は、容量素子１１１と、第１被覆層１１２と、第２被覆層１１３と、第１中継層１１４と、第２中継層１１５と、第３被覆層１１６と、第４被覆層１１７と、によって構成されている。
【００１３】
容量素子１１１は、略直方体状を成していて、長さ方向で向き合う第１面ｆ１及び第２面ｆ２と、幅方向で向き合う第３面ｆ３及び第４面ｆ４と、高さ方向で向き合う第５面ｆ５及び第６面ｆ６とを有している。容量素子１１１は、誘電体層（符号省略）を介して高さ方向に交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層１１１ａと略矩形状の複数の第２内部電極層１１１ｂを内包している。各第１内部電極層１１１ａの幅、長さ及び厚さと各第２内部電極層１１１ｂの幅、長さ及び厚さは略同じであり、各誘電体層の厚さは略同じである。ちなみに、各第１内部電極層１１１ａの厚さと各第２内部電極層１１１ｂの厚さは、例えば０．５〜２μｍの範囲内で設定されており、各誘電体層の厚さは、例えば０．５〜２μｍの範囲内で設定されている。また、図７（Ａ）からも分かるように、容量素子１１１の幅は第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂそれぞれの幅と略同じであり、容量素子１１１は第５面ｆ５側と第６面ｆ６側それぞれにマージン部分（符号省略）を有している。なお、図１〜図６には、第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂそれぞれを１０層ずつ描いているが、これらは図示の都合によるものであって、第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂの数は１１層以上であってもよい。
【００１４】
容量素子１１１の各第１内部電極層１１１ａと各第２内部電極層１１１ｂを除く部分には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックスが使用できる。また、各第１内部電極層１１１ａと各第２内部電極層１１１ｂには、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。
【００１５】
第１被覆層１１２は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第３面ｆ３を密着状態で覆っている。第１被覆層１１２の長さ及び高さは、第３面ｆ３の長さ及び高さと略同じである。第１被覆層１１２の厚さは、コンデンサ本体１１０の幅に関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１被覆層１１２の厚さは、例えば後記第３被覆層１１６の厚さ又は第４被覆層１１７の厚さの１〜２０倍の範囲内で設定されており、好ましくは５〜２０μｍの範囲内で設定されている。また、第１被覆層１１２には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００１６】
第２被覆層１１３は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第４面ｆ４を密着状態で覆っている。第２被覆層１１３の長さ及び高さは、第４面ｆ４の長さ及び高さと略同じである。第２被覆層１１３の厚さは、コンデンサ本体１１０の幅に関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２被覆層１１３の厚さは、例えば後記第３被覆層１１６の厚さ又は第４被覆層１１７の厚さの１〜２０倍の範囲内で設定されており、好ましくは５〜２０μｍの範囲内で設定されている。また、第２被覆層１１３には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００１７】
第１中継層１１４は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第１面ｆ１を密着状態で覆い、第１被覆層１１２の長さ方向一端縁と、第２被覆層１１３の長さ方向一端縁とに接している。第１中継層１１４の幅は、容量素子１１１の第１面ｆ１の幅と第１被覆層１１２の厚さと第２被覆層１１３の厚さとの和と、略同じである。第１中継層１１４の高さは、容量素子１１１の第１面ｆ１の高さと略同じである。第１中継層１１４の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１中継層１１４の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。
【００１８】
図４及び図５（Ａ）に示したように、第１中継層１１４は、容量素子１１１の各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁と向き合う略矩形状の導電性部分１１４ａと、この導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む略Ｕ字状の難導電性部分１１４ｂとを有している。ここでの「難導電性」は導電性部分１１４ａよりも導電性が低いことを意味する他、導電性が殆どないこと意味する。導電性部分１１４ａには、ニッケル、銅、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１２ａそれぞれの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。また、難導電性部分１１４ｂには、導電性を低下させるための成分、好ましくは導電性部分１１４ａの主成分である金属の酸化物、具体的には酸化ニッケル、ニッケルマグネシウム複合酸化物等を含むものが使用できる。この第１中継層１１４の導電性部分１１４ａには、各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁が各第１内部電極層１１１ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１中継層１１４の導電性部分１１４ａに対する各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁の接続幅は理想的には各第１内部電極層１１１ａの幅となるが、実際のものでは各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁の幅に各第１内部電極層１１１ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第１内部電極層１１１ａの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第１内部電極層１１１ａの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００１９】
第２中継層１１５は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第２面ｆ２と、第１被覆層１１２の長さ方向他端縁と、第２被覆層１１３の長さ方向他端縁とを密着状態で覆っている。第２中継層１１５の幅は、容量素子１１１の第２面ｆ２の幅と第１被覆層１１２の厚さと第２被覆層１１３の厚さとの和と、略同じである。第２中継層１１５の高さは、容量素子１１１の第２面ｆ２の高さと略同じである。第２中継層１１５の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２中継層１１５の厚さは、例えば第２内部電極層１１１ｂの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。
【００２０】
図４及び図５（Ｂ）に示したように、第２中継層１１５は、容量素子１１１の各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁と向き合う略矩形状の導電性部分１１５ａと、この導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む略Ｕ字状の難導電性部分１１５ｂとを有している。ここでの「難導電性」は導電性部分１１５ａよりも導電性が低いことを意味する他、導電性が殆どないことを意味する。導電性部分１１５ａには、ニッケル、銅、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１２ａそれぞれの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。また、難導電性部分１１５ｂには、導電性を低下させるための成分、好ましくは導電性部分１１５ａの主成分である金属の酸化物、具体的には酸化ニッケル、ニッケルマグネシウム複合酸化物等を含むものが使用できる。この第２中継層１１５の導電性部分１１５ａには、各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁が各第２内部電極層１１１ｂの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２中継層１１５の導電性部分１１５ａに対する各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁の接続幅は理想的には各第２内部電極層１１１ｂの幅となるが、実際のものでは各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁の幅に各第１内部電極層１１１ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第２内部電極層１１１ｂの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第２内部電極層１１１ｂの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００２１】
第３被覆層１１６は、略矩形状を成していて、第１中継層１１４の外面を密着状態で覆っている。第３被覆層１１６の幅及び高さは、第１中継層１１４の外面の幅及び高さと略同じである。第３被覆層１１６の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第３被覆層１１６の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されている。また、第３被覆層１１６には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００２２】
第４被覆層１１７は、略矩形状を成していて、第２中継層１１５の外面を密着状態で覆っている。第４被覆層１１７の幅及び高さは、第２中継層１１５の外面の幅及び高さと略同じである。第４被覆層１１７の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第４被覆層１１７の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されている。また、第４被覆層１１７には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００２３】
第１外部電極１２０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に相当する容量素子１１１の第５面ｆ５の第３被覆層１１６側に密着状態で設けられている。第１外部電極１２０の幅は、容量素子１１１の第５面ｆ５の幅と第１被覆層１１２の厚さと第２被覆層１１３の厚さとの和と、略同じである。第１外部電極１２０の長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第１外部電極１２０の長さ方向一端縁は、第３被覆層１１６の外面下まで達している。この第１外部電極１２０には、第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁が第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１外部電極１２０に対する第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅となるが、実際のものでは第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁の幅に第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅と同じ接続幅」と表現せずに「第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００２４】
第２外部電極１３０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に相当する容量素子１１１の第５面ｆ５の第４被覆層１１７側に密着状態で設けられている。第２外部電極１３０の幅は、容量素子１１１の第５面ｆ５の幅と第１被覆層１１２の厚さと第２被覆層１１３の厚さとの和と、略同じである。第２外部電極１３０の長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第２外部電極１３０の長さ方向他端縁は、第４被覆層１１７の外面下まで達している。この第２外部電極１３０には、第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁が第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２外部電極１３０に対する第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅となるが、実際のものでは第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁の幅に第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅と同じ接続幅」と表現せずに「第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００２５】
ここで、図５及び図６を用いて、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の態様について補足する。
【００２６】
図６（Ａ）に示した第１外部電極１２０は、（１）容量素子１１１の第５面ｆ５に密着し、第１被覆層１１２の高さ方向一端縁と第２被覆層１１３の高さ方向一端縁と第１中継層１１４の高さ方向一端縁と第３被覆層１１６の高さ方向一端縁とに接した下地膜１２１と、（２）下地膜１２１の外面に密着した中間膜１２２と、（３）中間膜１２２の外面に密着した表面膜１２３と、を有する３層構造である。また、図６（Ｂ）に示した第２外部電極１３０は、（１）容量素子１１１の第５面ｆ５に密着し、第１被覆層１１２の高さ方向一端縁と第２被覆層１１３の高さ方向一端縁と第２中継層１１５の高さ方向一端縁と第４被覆層１１７の高さ方向一端縁とに接した下地膜１３１と、（２）下地膜１３１の外面に密着した中間膜１３２と、（３）中間膜１３２の外面に密着した表面膜１３３と、を有する３層構造である。
【００２７】
下地膜１２１及び１３１は例えば焼き付け膜からなり、この焼き付け膜には好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。中間膜１２２及び１３２は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。表面膜１２３及び１３３は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは銅、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。なお、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０は必ずしも３層構造である必要はなく、中間膜１２２及び１３２を除外した２層構造や、中間膜１２２及び１３２を２層以上とした多層構造や、表面膜１２３及び１３３のみとした単層構造であってもよい。
【００２８】
次に、前述の積層セラミックコンデンサに適した製造方法の例を、図７を用い、且つ、図１〜図６に示した符号等を適宜用いて説明する。
【００２９】
製造に際しては、誘電体セラミックス粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有した第１セラミックスラリーと、第１セラミックスラリーに０．１〜３０ａｔ％の範囲内でＭｇＯ等の酸化促進剤を添加した第２セラミックスラリーと、良導体粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有した電極ペーストと、良導体粉末、有機バインダ及び有機溶剤のみを含有した導体ペーストを用意する。
【００３０】
続いて、キャリアフィルムの表面に第１セラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、第１シートを作製する。また、第１シートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。さらに、第１シートの表面に導体ペーストを印刷して乾燥することにより、導体層パターン群が形成された第３シートを作製する。さらに、キャリアフィルムの表面に第２セラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、第４シートを作製する。
【００３１】
続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の高さ方向一方のマージン部分に対応する部位を形成する。続いて、第２シートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａ及び第２内部電極層１１１ｂが存在する部分に対応する部位を形成する。続いて、第４シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の高さ方向他方のマージン部分に対応する部位を形成する。最後に、積み重ねられた全体を本熱圧着することにより、未焼成シートを作製する。
【００３２】
続いて、未焼成シートを格子状に切断することにより、容量素子１１１に対応した未焼成素子ＣＥを作製する（図７（Ａ）を参照）。この未焼成素子ＣＥは、第１内部電極層１１１ａ及び第２内部電極層１１１ｂとなる複数の未焼成内部電極層ＩＥＬ１及びＩＥＬ２を有する他、酸化促進剤を含有した未焼成マージン部分ＣＥａを高さ方向他面側に有している。
【００３３】
続いて、図７（Ａ）に示した未焼成素子ＣＥの向きを揃えてから、各々の幅方向一面と幅方向他面に第４シートを押し付けて熱圧着し、熱圧着後に第４シートを切断することにより、未焼成素子ＣＥの幅方向一面に第１被覆層１１２となる未焼成被覆層ＤＬ１を形成すると共に幅方向他面に第２被覆層１１３となる未焼成被覆層ＤＬ２を形成する（図７（Ｂ）を参照）。この未焼成被覆層ＤＬ１及びＤＬ２は酸化促進剤を含有している。
【００３４】
続いて、図７（Ｂ）に示したものの向きを揃えてから、各々の長さ方向一面と長さ方向他面に第３シートの導体層パターン群側を押し付けて熱圧着し、熱圧着後に第３シートを切断することにより、図７（Ｂ）に示したものの長さ方向一面に第１中継層１１４及び第３被覆層１１６となる未焼成導体層ＣＬ１及び未焼成被覆層ＤＬ３を形成すると共に、長さ方向他面に第２中継層１１５及び第４被覆層１１７となる未焼成導体層ＣＬ２及び未焼成被覆層ＤＬ４を形成する（図７（Ｃ）を参照）。
【００３５】
続いて、図７（Ｃ）に示したものをこれに含まれている誘電体セラミックス粉末と良導体粉末に応じた雰囲気下、並びに、温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行い、必要に応じて多数個一括でバレル研磨を行う。これによりコンデンサ本体１１０が作製される。
【００３６】
前記焼成工程では、図７（Ｃ）に示した未焼成導体層ＣＬ１及びＣＬ２それぞれに含まれる良導体粉末が例えばニッケル粉末である場合、未焼成導体層ＣＬ１及びＣＬ２のうちの未焼成マージン部分ＣＥａと未焼成被覆層ＤＬ１と未焼成被覆層ＤＬ２それぞれに接する部分にニッケル酸化物が積極的に生成され、これにより同部分が難導電性部分に変化する。即ち、図７（Ｃ）に示した未焼成導体層ＣＬ１と未焼成導体層ＣＬ２は、前記焼成工程を経て、導電性部分１１４ａ及び難導電性部分１１４ｂを有する第１中継層１１４（図５（Ａ）を参照）と、導電性部分１１５ａ及び難導電性部分１１５ｂを有する第２中継層１１５（図５（Ｂ）を参照）となる。
【００３７】
続いて、コンデンサ本体１１０の向きを揃えてから、各々の高さ方向一面に電極ペースト（前記電極ペーストと同じペースト、或いは、前記電極ペーストと良導体粉末の種類が異なる別のペースト）を塗布又は印刷して乾燥した後、焼き付け処理を行って下地膜１２１及び１３１を形成する。続いて、下地膜１２１及び１３１を覆う中間膜１２２及び１３２と表面膜１２３及び１３３をメッキ処理で形成して、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０を作製する。
【００３８】
次に、前述の積層セラミックコンデンサによって得られる主たる効果（効果ｅ１及び効果ｅ２）について説明する。
【００３９】
（ｅ１）コンデンサ本体１１０は、（１）誘電体層を介して交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層１１１ａと略矩形状の複数の第２内部電極層１１１ｂとを内包する略直方体状の容量素子１１１と、（２）容量素子１１１の幅方向一面を覆う第１被覆層１１２と、（３）容量素子１１１の幅方向他面を覆う第２被覆層１１３と、（４）容量素子１１１の長さ方向一面を覆い、第１被覆層１１２の長さ方向一端縁と第２被覆層１１３の長さ方向一端縁とに接する第１中継層１１４と、（５）容量素子１１１の長さ方向他面を覆い、第１被覆層１１２の長さ方向他端縁と第２被覆層１１３の長さ方向他端縁に接する第２中継層１１５と、（６）第１中継層１１４の外面を覆う第３被覆層１１６と、（７）第２中継層１１５の外面を覆う第４被覆層１１７と、によって構成されている。
【００４０】
また、第１中継層１１４は、複数の第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分１１４ａと、導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分１１４ｂとを有しており、第２中継層１１５は、複数の第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁それぞれと向き合う略矩形状の導電性部分１１５ａと、導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分１１５ｂとを有している。さらに、第１中継層１１４の導電性部分１１４ａには、複数の第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁それぞれが複数の第１内部電極層１１１ａそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、第２中継層１１５の導電性部分１１５ａには、複数の第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁それぞれが複数の第２内部電極層１１１ｂそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続されている。さらに、第１外部電極１２０には、第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁が第１中継層１１４の導電性部分１１４ａの幅と同等の接続幅にて接続され、第２外部電極１３０には、第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁が第２中継層１１５の導電性部分１１５ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。
【００４１】
即ち、コンデンサ本体１１０に、各第１内部電極層１１１ａを各々の幅を活かして第１外部電極１２０に接続する役目を果たす第１中継層１１４の導電性部分１１４ａと、各第２内部電極層１１１ｂを各々の幅を活かして第２外部電極１３０に接続する役目を果たす第２中継層１１５の導電性部分１１５ａが設けられているため、各第１内部電極層１１１ａの幅及び長さと各第２内部電極層１１１ｂの幅及び長さが縮小されても、第１外部電極１２０に対する各第１内部電極層１１１ａの接続と第２外部電極１３０に対する各第２内部電極層１１１ｂの接続が不安定になることを極力回避することができる。依って、略直方体状のコンデンサ本体１１０の高さ方向一面に第１外部電極１２０と第２外部電極１３０が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極１２０に対する各第１内部電極層１１１ａの接続と第２外部電極１３０に対する各第２内部電極層１１１ｂの接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる。
【００４２】
また、コンデンサ本体１１０は、第１中継層１１４の外面を覆う第３被覆層１１６と、第２中継層１１５の外面を覆う第４被覆層１１７を有していると共に、第１中継層１１４は導電性部分１１４ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分１１４ｂを有し、第２中継層１１５は導電性部分１１５ａの高さ方向一端縁を除く周縁を囲む難導電性部分１１５ｂを有している。即ち、回路基板に実装するときに積層セラミックコンデンサが倒れても、第１中継層１１４の導電性部分１１４ａと第２中継層１１５の導電性部分１１５ａが回路基板の導体ラインや隣接する電子部品等に接触してショート等の問題を生じることを確実に防止できる。
【００４３】
（ｅ２）コンデンサ本体１１０の第１中継層１１４と第２中継層１１５それぞれの難導電性部分１１４ｂ及び１１５ｂは導電性を低下させるための成分、好ましくは第１中継層１１４と第２中継層１１５それぞれの導電性部分１１４ａ及び１１５ａの主成分である金属の酸化物を含んでいるため、この金属の酸化物によって難導電性部分１１４ｂ及び１１５ｂの導電性を導電性部分１１４ａ及び１１５ａの導電性よりも簡単、且つ、確実に低下させることができる。
【００４４】
《変形例》
次に、前述の積層セラミックコンデンサの変形例（変形例ｍ１及び変形例ｍ２）について説明する。
【００４５】
（ｍ１）図１〜図６には第１被覆層１１２としてその高さが容量素子１１１の第３面ｆ３の高さと略同じものを示し、且つ、第２被覆層１１３としてその高さが容量素子１１１の第４面ｆ５の高さと略同じものを示したが、第１被覆層１１２の高さ方向一端縁の長さ方向両端部に第１外部電極１２０と第２外部電極１３０それぞれの幅方向一端縁に及ぶ略矩形状の張り出し部分を設け、且つ、第２被覆層１１３の高さ方向一端縁の長さ方向両端部に第１外部電極１２０と第２外部電極１３０それぞれの幅方向他端縁に及ぶ略矩形状の張り出し部分を設けるようにしてもよい。このようにすれば、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０それぞれの幅が多少狭くなるものの、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の幅方向一端縁の少なくとも厚さ方向一部分を第１被覆層１１２の各張り出し部分で覆うことも可能であり、且つ、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の幅方向他端縁の少なくとも厚さ方向一部分を第２被覆層１１３の各張り出し部分で覆うことも可能である。
【００４６】
（ｍ２）図１〜図６には第１外部電極１２０の長さ方向一端縁が第３被覆層１１６の外面下まで達し、第２外部電極１３０の長さ方向他端縁が第４被覆層１１７の外面下まで達しているものを示したが、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示したように、第１中継層１１４と第３被覆層１１６それぞれの高さを増加して増加分を容量素子１１１の第５面ｆ５よりも図中下側に突出させ、且つ、第２中継層１１５と第４被覆層１１７それぞれの高さを増加して増加分を容量素子１１１の第５面ｆ５よりも図中下側に突出させるようにしてもよい。このようにすれば、第１外部電極１２０の長さ方向一端縁の少なくとも厚さ方向一部分を第１中継層１１４と第３被覆層１１６それぞれの突出部分で覆うことができ、且つ、第２外部電極１３０の長さ方向他端縁の少なくとも厚さ方向一部分を第２中継層１１５と第４被覆層１１７それぞれの突出部分で覆うことも可能である。また、この変形例ｍ２に前記変形例ｍ１を組み合わせれば、第１外部電極１２０の幅方向両端縁及び長さ方向一端縁の少なくとも厚さ方向一部分を覆うことも可能となり、且つ、第２外部電極１３０の幅方向両端縁及び長さ方向他端縁の少なくとも厚さ方向一部分を覆うことも可能となる。
【符号の説明】
【００４７】
１１０…コンデンサ本体、１１１…容量素子、１１１ａ…第１内部電極層、１１１ｂ…第２内部電極層、１１２…第１被覆層、１１３…第２被覆層、１１４…第１中継層、１１４ａ…第１中継層の導電性部分、１１４ｂ…第１中継層の難導電性部分、１１５…第２中継層、１１５ａ…第２中継層の導電性部分、１１５ｂ…第２中継層の難導電性部分、１１６…第３被覆層、１１７…第４被覆層、１２０…第１外部電極、１３０…第２外部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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