(57)【要約】【課題】電子部品の誤動作を抑えるためのシールドキャップ及びその製造方法の提供。【解決手段】本実施形態の電子部品９２を保護するためのシールドキャップ１０は、側壁部１３と天井部１２とからなるキャップ部材１１と、キャップ部材１１上に形成されている導電膜３０とからなる。側壁部１３は空間１１Ａ側に位置している第５面１１Ｆと第５面１１Ｆと反対側の第６面１１Ｇと天井部と側壁部との間に位置する第３面１１Ｄと、第３面１１Ｄと反対側の第４面１１Ｅとを有している。第６面１１Ｇは第３面１１Ｄから第４面１１Ｅに向かって、空間１１Ａと第６面１１Ｇとの間の距離が大きくなるように傾いている第１傾斜面１３１Ｇと、第４面１１Ｅから第３面１１Ｄに向かって、空間１１Ａと第６面１１Ｇとの間の距離が大きくなるように傾いている第２傾斜面１３２Ｇで形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁部と天井部とからなるキャップ部材と、
前記キャップ部材上に形成されている導電膜と、を有する電子部品を保護するためのシールドキャップであって、
前記側壁部と前記天井部で前記電子部品を収容する空間が形成されていて、
前記側壁部は前記空間を向いている第５面と、前記第５面と反対側の第６面と、前記天井部と前記側壁部との間に位置する第３面と、前記第３面と反対側の第４面とを有し、
前記第６面は前記第３面から前記第４面に向かって、前記空間と前記第６面との間の距離が大きくなるように傾いている第１傾斜面と、前記第４面から前記第３面に向かって、前記空間と前記第６面との間の距離が大きくなるように傾いている第２傾斜面で形成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のシールドキャップであって、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面は屈曲部で交わり、
前記第６面のうち前記屈曲部と前記空間との間の距離が最も大きい。
【請求項３】
請求項１に記載のシールドキャップであって、前記天井部は樹脂と補強材で形成されている。
【請求項４】
請求項３に記載のシールドキャップであって、前記補強材は前記天井部の上面と略平行に形成されている。
【請求項５】
請求項２に記載のシールドキャップであって、前記側壁部は樹脂と補強材で形成されていて、前記補強材は前記天井部の上面と略平行に形成されている。
【請求項６】
請求項３に記載のシールドキャップであって、前記補強材はガラスクロスである。
【請求項７】
請求項１に記載のシールドキャップであって、前記側壁部と前記天井部はプリプレグから形成されている。
【請求項８】
請求項１に記載のシールドキャップであって、さらに、前記天井部と前記側壁部の間に第１金属層を有する。
【請求項９】
請求項８に記載のシールドキャップであって、前記天井部は前記空間を向いている第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１金属層は前記第１面側に形成されている。
【請求項１０】
請求項１に記載のシールドキャップであって、前記天井部は前記空間を向いている第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、
さらに、前記第２面上に形成されていて、前記天井部と前記導電膜の間に形成されている第２金属層を有している。
【請求項１１】
請求項１に記載のシールドキャップであって、さらに、前記第４面上に第３金属層が形成されている。
【請求項１２】
請求項１に記載のシールドキャップであって、前記天井部は多角形であって、前記天井部の上面の少なくとも一つの対角線の長さは、前記天井部の厚みの１００倍以上である。
【請求項１３】
第１面を有する天井部を形成するための第１プリプレグを準備することと、
第３面を有する側壁部を形成するための第２プリプレグを準備することと、
前記第１面と前記第３面が向かい合うように、前記第２プリプレグ上に前記第１プリプレグを積層することで積層体を形成することと、
前記積層体に電子部品を収容するための空間を形成することで、前記側壁部と前記天井部とからなるキャップ部材を形成することと、
前記空間の周りに前記側壁部が形成されるように、前記積層体を切断することと、
前記キャップ部材上に導電膜を形成することと、を有する電子部品を保護するためのシールドキャップの製造方法であって、
前記切断することは、前記第１プリプレグ側から第１レーザーを照射することと、
前記第２プリプレグ側から第２レーザーを照射することと、を含む。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記天井部は樹脂と補強材で形成されていて、前記補強材は前記天井部の上面と略平行に形成されている。
【請求項１５】
請求項１３に記載のシールドキャップの製造方法であって、さらに、第１金属箔を準備することと、前記第３面上に前記第１金属箔を積層することと、前記第１金属箔から第１金属層を形成すること、とを有し、
前記第１プリプレグを積層することは前記第２プリプレグと前記第１金属層上に前記第1プリプレグを積層することを含み、前記空間を形成することは、前記第１金属層に至る開口をレーザーで前記積層体に形成することを含む。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記第１金属層に至る前記開口は枠の形状を有していて、前記第１金属層に至る前記開口で囲まれる前記積層体はルーターで除去される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の電子部品を保護するシールドキャップに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は金属箔テープとその金属箔テープ上に塗布されているポリアミドイミドからなる金属キャップを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３７５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の金属キャップで半導体素子が保護されていても、その半導体素子が誤動作することがあると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子部品を保護するためのシールドキャップは、側壁部と天井部とからなるキャップ部材と、前記キャップ部材上に形成されている導電膜、とからなる。そして、前記側壁部と前記天井部で前記電子部品を収容する空間が形成される。また、前記側壁部は前記空間を向いている第５面と、前記第５面と反対側の第６面と、前記天井部と前記側壁部との間に位置する第３面と、前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記第６面は前記第３面から前記第４面に向かって、前記空間と前記第６面との間の距離が大きくなるように傾いている第１傾斜面と、前記第４面から前記第３面に向かって、前記空間と前記第６面との間の距離が大きくなるように傾いている第２傾斜面で形成されている。
【０００６】
本発明の電子部品を保護するためのシールドキャップの製造方法は、第１面を有する天井部を形成するための第１プリプレグを準備することと、第３面を有する側壁部を形成するための第２プリプレグを準備することと、前記第１面と前記第３面が向かい合うように、前記第２プリプレグ上に前記第１プリプレグを積層することで積層体を形成することと、前記積層体に前記電子部品を収容するための空間を形成することで、前記側壁部と前記天井部とからなるキャップ部材を形成することと、前記空間の周りに前記側壁部が形成されるように、前記積層体を切断することと、前記キャップ部材上に導電膜を形成することと、を有する。そして、前記切断することは、前記第１プリプレグ側から第１レーザーを照射することと、前記第２プリプレグ側から第２レーザーを照射することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るシールドキャップの斜視図
【図２】シールドキャップの拡大断面図
【図３】（Ａ）ガラスクロスの平面図（Ｂ）ガラスクロスの拡大断面図
【図４】キャップ部材の拡大断面図
【図５】シールドキャップの応用例
【図６】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図７】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図８】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図９】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１０】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１１】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１２】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の第２実施形態に係るシールドキャップの拡大断面図
【図１４】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１５】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１６】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１７】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１８】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図１９】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図２０】本発明の第３実施形態に係るシールドキャップの拡大断面図
【図２１】シールドキャップの製造工程を示す断面図
【図２２】（Ａ）シールドキャップの製造工程を示す断面図（Ｂ）導体部の平面図
【図２３】導体部の平面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態が図１〜図１２に基づいて説明される。図１に示されるように、第１実施形態のシールドキャップ１０は、樹脂製のキャップ部材１１と、キャップ部材１１上に形成されている導電膜３０とを有する。キャップ部材１１は、天井部１２と側壁部１３とを有する。キャップ部材１１は、ＩＣチップ等の電子部品を保護するための筐体である。従って、キャップ部材１１は電子部品を収容するための空間１１Ａを備えている。そして、側壁部１３は空間１１Ａを囲んでいて、天井部１２は空間１１Ａを覆っている。図１では、側壁部１３は空間１１Ａを完全に囲んでいて、天井部１２は空間１１Ａを完全に覆っている。また、側壁部１３と天井部１２は天井部１２の外周で繋がっている。
【０００９】
天井部１２は厚みｔ１を有する。厚みｔ１は５０μｍ以上、３００μｍ以下である。好ましくは、厚みｔ１は６０μｍ以上、１５０μｍ以下である。このとき、天井部１２の強度と重さが適切である。なお、天井部１２の対角線Ｗ１は厚みｔ１の１００倍以上の長さを有する。
【００１０】
図２に示されるように、天井部１２は樹脂１７と補強材１６で形成されている。天井部１２が補強材１６を含むので、天井部１２の強度が高い。従って、天井部１２の撓みを抑えることができる。
【００１１】
天井部１２の樹脂１７は、例えばエポキシである。エポキシ以外の樹脂の例は、ポリイミドやフェノールである。天井部１２の補強材１６の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。ガラスクロスが好ましい。ガラスクロスの例が図３に示される。図３に示されるように、ガラスクロスはガラス繊維からなる縦糸１５Ｇ２とガラス繊維からなる横糸１５Ｇ１を有する。縦糸１５Ｇ２と横糸１５Ｇ１が交差するように、それらは織られている。
【００１２】
図２に示されるように、天井部１２は第１面１１Ｃと第１面１１Ｃと反対側の第２面１１Ｂを有する。第１面１１Ｃは空間１１Ａと対向している。第１面１１Ｃと第２面１１Ｂは略平行に形成されている。空間１１Ａに上面ＵＳを有する電子部品９２が収容されると、第１面１１Ｃは電子部品９２の上面ＵＳと対向している。電子部品９２の上面ＵＳは図２や図５に示されている。
【００１３】
図２に示されるように、補強材１６と天井部１２の第２面１１Ｂは略平行に配置されている。第２面１１Ｂと天井部１２の上面は同じ面である。図２では、補強材１６は１枚のガラスクロスである。しかしながら、天井部１２は複数のガラスクロスを有しても良い。補強材１６が１枚の場合、補強材１６は天井部１２の厚さ方向の略中央に配置される。
【００１４】
図２に示されるように、側壁部１３は第３面１１Ｄと第３面１１Ｄと反対側の第４面１１Ｅを有する。なお、第１面１１Ｃと第３面１１Ｄが対向する。第１面１１Ｃと第３面１１Ｄは略平行な関係を有している。側壁部１３は、第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間に第５面１１Ｆと第５面１１Ｆと反対側の第６面１１Ｇを有している。第５面１１Ｆは空間１１Ａと対向している。
【００１５】
図４に示されるように、側壁部１３は厚みｔ２を有する。図４では、厚みｔ２は第３面１１Ｄから第４面１１Ｅに向かって、変化している。但し、側壁部１３の厚みｔ２の平均値は、天井部１２の厚みｔ１と略同一である。また、側壁部１３の厚みｔ２は、側壁部１３の高さｈ（第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間の距離）の１／５倍以下である。
【００１６】
側壁部１３は、天井部１２と同様に、樹脂１７と補強材１６で形成される。側壁部１３の樹脂１７の例は、天井部１２の樹脂１７の例と同様である。側壁部１３の補強材１６の例は、天井部１２の補強材１６の例と同様である。なお、側壁部１３の樹脂１７は、天井部１２の樹脂１７と異なっていてもよい。側壁部１３の補強材１６は、天井部１２の補強材１６と異なっていてもよい。側壁部１３の補強材１６は天井部１２の第２面１１Ｂに平行に形成されている。側壁部１３は複数の補強材１６を有し、それらは略平行に積層される。
【００１７】
図４に示されるように、側壁部１３の厚みｔ２は一定でない。側壁部１３は第３面１１Ｄを含む第１側壁部１３１と第４面１１Ｅを含む第２側壁部１３２で形成される。第１側壁部１３１と第２側壁部１３２は一体的に形成されている。第１側壁部１３１と第２側壁部１３２の交点が屈曲部１０Ｒとなっている。第１側壁部１３１の厚みｔ２は第３面１１Ｄから屈曲部１０Ｒに向かって厚くなっている。従って、第３面１１Ｄから屈曲部１０Ｒに向かって、第１側壁部１３１の第６面１１Ｇと空間１１Ａとの間の距離が大きくなるように、第１側壁部１３１の第６面１１Ｇは傾いている。なお、これによって側壁部１３の強度が高くなる。
【００１８】
第２側壁部１３２の厚みｔ２は第４面１１Ｅから屈曲部１０Ｒに向かって厚くなっている。従って、第４面１１Ｅから屈曲部１０Ｒに向かって、第２側壁部１３２の第６面１１Ｇと空間１１Ａとの間の距離が大きくなるように、第２側壁部１３２の第６面１１Ｇは傾いている。
【００１９】
第３面１１Ｄと第１側壁部１３１の第６面１１Ｇとの間の第１角度θ１と第４面１１Ｅと第２側壁部１３２の第６面１１Ｇとの間の第２角度θ２は同じであっても異なっても良い。異なることが好ましい。例えば、角度θ１、θ２の大きさは９５度以上、１２０度以下である。
【００２０】
図２に示されるように、第１側壁部１３１は長さＳ１を有し、第２側壁部１３２は長さＳ２を有する。長さＳ１と長さＳ２は同じであっても異なっても良い。異なることが好ましい。これにより、側壁部１３の強度が高くなる。例えば、長さＳ１と長さＳ２との比（Ｓ１／Ｓ２）は０．７以上、１．３以下である。なお、厚みｔ２を一定にすることは可能である。
【００２１】
キャップ部材１１の面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇのうち、外を向いている第２面１１Ｂと第６面１１Ｇ上に導電膜３０が形成されていることが好ましい。導電膜３０はめっきで形成され、第２面１１Ｂ上の導電膜３０と第６面１１Ｇ上の導電膜３０は同時に形成されることが好ましい。導電膜３０は、さらに、空間１１Ａを向いている第１面１１Ｃと第５面１１Ｆ上に形成されてもよい。さらに、導電膜３０は第４面１１Ｅ上に形成されてもよい。導電膜３０は各面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇを完全に覆うことが好ましい。その場合、各面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ上の導電膜３０は同時に形成される。導電膜３０を形成することで、シールドキャップ１０内に収容される電子部品９２のシールド効果を高くすることができる。導電膜３０は開口を有しても良い。
【００２２】
天井部１２の第２面１１Ｂ上に第２金属層２０を形成することができる。第２面１１Ｂの略全面が第２金属層２０で覆われる。例えば、第２金属層２０は第２金属箔から形成される。導電膜３０は第２金属層２０上に形成され、第２金属層２０は第２面１１Ｂと導電膜３０で挟まれる。
【００２３】
側壁部１３の第４面１１Ｅ上に第３金属層２１を形成することができる。第４面１１Ｅの略全面が第３金属層２１で覆われる。例えば、第３金属層２１は第３金属箔から形成される。導電膜３０は第３金属層２１上に形成され、第３金属層２１は第４面１１Ｅと導電膜３０で挟まれる。
【００２４】
天井部１２の第１面１１Ｃと側壁部１３の第３面１１Ｄとの間に第１金属層２２を形成することができる。例えば、第１金属層２２は第１金属箔から形成される。第１金属層２２は、空間１１Ａにより露出される第１面１１Ｃ上まで延びても良い。第１金属層２２は第１面１１Ｃと第３面１１Ｄで挟まれている部分（第１金属層２２の第１部分２２Ａ）と空間１１Ａ上の第１面１１Ｃ上に形成されている部分（第１金属層２２の第２部分２２Ｂ）で形成される。第１金属層２２の第１部分２２Ａと第１金属層２２の第２部分２２Ｂは連続している。第１金属層２２は第３面１１Ｄを部分的に覆うことが好ましい。それにより、天井部１２の第１面１１Ｃと側壁部１３の第３面１１Ｄが天井部１２の樹脂１７と側壁部１３の樹脂１７を介して接合される。これにより、天井部１２と側壁部１３が強く接合される。第１金属層２２は空間１１Ａ上の第１面１１Ｃの全面を覆っても良い。空間１１Ａ上の第１面１１Ｃ上に導電膜３０が形成される場合、第１金属層２２は第１面１１Ｃと導電膜３０で挟まれる。なお、第１金属層２２の第１部分２２Ａは第３面１１Ｄを完全に覆っても良い。第１金属層２２の第２部分２２Ｂは空間１１Ａ上の第１面１１Ｃを部分的に覆っても良い。各金属層２０，２１，２２を形成するための金属箔の例は、銅箔やニッケル箔やアルミニウム箔である。銅箔が好ましい。金属箔の厚みは３μｍ以上、３０μｍ以下である。
【００２５】
第５面１１Ｆ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第５面１１Ｆの直上に形成される。第６面１１Ｇ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第６面１１Ｇの直上に形成される。導電膜３０は無電解めっき膜３１と無電解めっき膜３１上の電解めっき膜３２で形成される。無電解めっき膜３１と電解めっき膜３２は、例えば、銅めっき膜で形成される。なお、導電膜３０は無電解めっき膜３１のみで形成することができる。
【００２６】
第２面１１Ｂに垂直な光で第３金属層２１が第２面１１Ｂに投影されると、第３金属層２１の形はフレーム形状である。第１金属層２２が空間１１Ａ上の第１面１１Ｃを部分的に覆う場合、第２面１１Ｂに垂直な光で第１金属層２２が第２面１１Ｂに投影されると、第１金属層２２の形はフレーム形状である。
【００２７】
図２に示されるように、導電膜３０は、厚みｔ３を有する。各金属層２０，２１，２２は厚みｔ４を有する。各金属層２０，２１，２２の厚みは異なっても良い。天井部１２の第１面１１Ｃ上に形成されている導電膜３０の厚みｔ３と第１金属層２２の厚みｔ４との合計は厚みｔ５である。天井部１２の第２面１１Ｂ上に形成されている導電膜３０の厚みｔ３と第２金属層２０の厚みｔ４との合計は厚みｔ６である。厚みｔ５と厚みｔ６との和は和ｔ７である。和ｔ７は天井部１２の厚みｔ１より小さい。和ｔ７を小さくすることで、シールドキャップ１０の高さを小さくすることができる。和ｔ７と厚みｔ１との比（ｔ７／ｔ１）は０．０５以上、０．４以下であることが好ましい。天井部１２の比重が小さくなる。天井部１２の重さが軽くなる。天井部１２の撓みを抑えることができる。例えば導電膜３０の厚みｔ３は３μｍ以上、２５μｍ以下である。厚みｔ１は天井部１２を挟む導体間の距離である。図２では、厚みｔ１は第１金属層２２と第２金属層２０との間の距離である。
【００２８】
第１実施形態のシールドキャップ１０の応用例１１０が図５に示される。応用例１１０は、プリント配線板９０とプリント配線板９０上に実装されている半導体チップ等の電子部品９２と電子部品９２を保護する各実施形態のシールドキャップ１０で形成されている。電子部品９２の例はＣＰＵやメモリである。また、プリント配線板９０の上面からの電子部品９２の突出量は、例えば、０．２ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下である。シールドキャップ１０は、電子部品９２が空間１１Ａ内に収容されるように、プリント配線板９０に固定される。側壁部１３の第４面１１Ｅが接着剤でプリント配線板９０に固定される。接着剤の例は、半田や樹脂製の接着剤、導電性ペーストである。シールドキャップ１０は、例えばマウンターによってプリント配線板９０に搭載される。シールドキャップ１０の側壁部１３が第１側壁部１３１と第２側壁部１３２を有すると、第６面１１Ｇが外に突出する部分を有する（図４参照）。そのため、シールドキャップ１０の側壁部１３がマウンターにより掴まれ、シールドキャップ１０が移動する時、突出する部分が滑り止め効果を有すると考えられる。シールドキャップ１０の搭載が安定に行われる。シールドキャップ１０をプリント配線板９０に固定する接着剤の量が過剰であると、接着剤がプリント配線板９０上にはみ出る。しかしながら、第２側壁部１３２がプリント配線板９０に向かって細くなっているとその突出量を抑えることができる。
【００２９】
第１実施形態のシールドキャップ１０は、図２に示されるように、第１導電膜３０１（第１面１１Ｃと第５面１１Ｆ上に形成されている導電膜３０）と第２導電膜３０２（第２面１１Ｂと第６面１１Ｇ上に形成されている導電膜３０）とを有する。それによって、電子部品９２が二重に覆われている。高いシールド効果が期待される。シールドキャップ１０内の電子部品９２は、天井部１２に至る電磁波から大きな影響を受けると考えられる。例えば、天井部１２の第２面１１Ｂ上に第２金属層２０と導電膜３０が形成される。これにより、導電性材料からなる層の厚みｔ６が厚くなる。従って、天井部１２を通り抜ける電磁波の量を小さくすることができる。なお、放熱性も高くなる。
【００３０】
第１導電膜３０１と第２導電膜３０２は、側壁部１３の第４面１１Ｅ上の導電膜３０、または、第３金属層２１で繋げられる。それらは両方で繋げられても良い。そのため、シールド性や放熱性が改善される。
【００３１】
第１実施形態のシールドキャップ１０は第１側壁部１３１と第２側壁部１３２とを有する。第１側壁部１３１の第６面１１Ｇと第２側壁部１３２の第６面１１Ｇは第１面１１Ｃに対し傾いている。そして、その２つの面は平行でない。その場合、第６面１１Ｇは屈曲する。第１側壁部１３１の第６面１１Ｇと第２側壁部１３２の第６面１１Ｇが第１面１１Ｃと略垂直に交わると第６面１１Ｇは平面で形成される。前者と後者で第６面１１Ｇの面積が比較されると、前者は後者より大きい。そのため、シールドキャップ１０が第１側壁部１３１と第２側壁部１３２を有すると、第６面１１Ｇでより多くの電磁波を反射することができる。また、電磁波を乱反射することができると考えられる。シールド性が改善されると予想される。第６面１１Ｇの面積が大きいと、放熱性も改善されると予想される。これにより、電子部品９０の誤動作の低減を図ることができる。
【００３２】
キャップ部材１１が樹脂１７のみで形成されると、キャップ部材１１の強度不足が予想される。そのため、天井部１２が撓むことが予想される。シールドキャップ１０の空間１１Ａが狭くなることが予想される。例えば、キャップ部材１１とプリント配線板９０の上面との間の間隔が小さくなる。空間１１Ａ内に電子部品９２を収容することが難しくなると予想される。また、側壁部１３が曲がることが予想される。例えば、シールドキャップ１０をプリント配線板９０に固定することが難しくなると予想される。シールド性が低下することが考えられる。衝撃等でシールドキャップ１０が電子部品９２に衝突することが推察される。半導体チップ等の電子部品の機能が劣化することが予想される。
【００３３】
これに対し、第１実施形態のシールドキャップ１０のキャップ部材１１では、天井部１２が補強材１６を有する。側壁部１３が補強材１６を有する。補強材１６により天井部１２や側壁部１３が強化される。従って、第１実施形態のシールドキャップ１０は形状を維持しやすい。第１実施形態のシールドキャップ１０によれば、天井部１２の撓みや側壁部１３の曲がりに起因する不具合を抑えることができる。補強材１６が第２面１１Ｂに平行に配置されると、シールドキャップ１０の耐久性が向上すると考えられる。衝撃等でシールドキャップ１０が電子部品９２に衝突しがたいと考えられる。キャップ部材１１にクラックが入りがたい。半導体素子の性能が劣化しがたい。
【００３４】
第３金属層２１は金属箔から形成される。キャップ部材１１の第４面１１Ｅに金属箔からなる第３金属層２１が形成されると、プリント配線板９０に接合される面（シールドキャップ１０の下面）１０Ｂの平坦度を高くすることができる。これにより、プリント配線板９０とシールドキャップ１０の下面１０Ｂとの間に隙間が生じ難い。下面１０Ｂは図２に示されている。また、シールドキャップ１０が半田でプリント配線板に固定されると、第４面１１Ｅ上の導電膜３０が半田内に拡散することがある。しかしながら、第４面１１Ｅ上に第３金属層２１が存在すると、半田でシールドキャップ１０をプリント配線板９０に確実に接合することができる。また、第３金属層２１が形成されることで、放熱性も高まる。これにより、電子部品９０の誤動作の低減を図ることができる。
【００３５】
第１実施形態のシールドキャップ１０の製造方法の例が以下に示される。
（１）図６に示されるように、両面銅張積層板１００が準備される。両面銅張積層板１００は、第１絶縁層１０１と、第１絶縁層１０１を挟む銅箔１０２Ａと、銅箔１０２Ｂと、を有する。銅箔１０２Ａは第１金属箔である。第１絶縁層１０１は、第３面１１Ｄと第３面１１Ｄと反対側の第７面１０１Ｂと、を有する。銅箔１０２Ａは、第１絶縁層１０１の第３面１１Ｄ上に積層されている。銅箔１０２Ｂは、第１絶縁層１０１の第７面１０１Ｂ上に積層されている。第１絶縁層１０１は複数の補強材１６と樹脂１７で形成されている。第１絶縁層１０１は第２プリプレグから形成されている。また、第１絶縁層１０１の厚みｔ１０１は、４００μｍ以上、７００μｍ以下である。銅箔１０２Ａ，１０２Ｂの厚みは、それぞれ３μｍ以上、３０μｍ以下である。
【００３６】
（２）次いで、図７に示されるように、サブトラクティブ法で銅箔１０２Ａから第３面１１Ｄ上に第１金属層２２が形成される。また、銅箔１０２Ｂは全て除去される。
【００３７】
（３）次いで、図８に示されるように、第３面１１Ｄと第１金属層２２上に第１プリプレグが重ねられる。さらに、第２金属箔としての銅箔１０４Ａが第１プリプレグ上に重ねられる。第７面１０１Ｂ上にプリプレグが重ねられる。さらに、第３金属箔としての銅箔１０４Ｂがプリプレグ上に重ねられる。その後、加熱プレスで第３面１１Ｄ上の第１プリプレグから第２面１１Ｂと第２面１１Ｂと反対側の第１面１１Ｃを有する第２絶縁層１０３Ａが形成される。第１面１１Ｃと第３面１１Ｄが対向する。第７面１０１Ｂ上のプリプレグから第８面１０６Ｂと第８面１０６Ｂと反対側の第４面１１Ｅとを有する第３絶縁層１０３Ｂが形成される。第８面１０６Ｂと第７面１０１Ｂが対向する。これにより、第３面１１Ｄと第１金属層２２上に第２絶縁層１０３Ａと銅箔１０４Ａが順に形成される。第７面１０１Ｂ上に第３絶縁層１０３Ｂと銅箔１０４Ｂが順に形成される。第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂと第１金属層２２と銅箔１０４Ａ，１０４Ｂで形成される積層体が得られる。第３絶縁層１０３Ｂは必須でない。その場合、第７面１０１Ｂは第４面１１Ｅである。そして、銅箔１０４Ｂは第４面１１Ｅ上に直接形成される。第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂは、１枚の補強材１６と樹脂１７で形成されている。第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂの厚みは、それぞれ、５０μｍ以上、３００μｍ以下である。銅箔１０４Ａ，１０４Ｂの厚みは、それぞれ３μｍ以上、３０μｍ以下である。
【００３８】
（４）次いで、図９に示されるように、サブトラクティブ法で銅箔１０４Ａから第２面１１Ｂ上に第１導体部２０１と第２導体部２０２が形成される。また、サブトラクティブ法で銅箔１０４Ｂから第４面１１Ｅ上に第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６が形成される。図１６（Ｂ）に第２面１１Ｂ上に形成されている第１導体部２０１と第２導体部２０２の平面形状が示される。例えば、第１導体部２０１は四角形であり、第２導体部２０２で囲まれる。第１導体部２０１と第２導体部２０２の間にスペースＳＰ１が存在している。第１導体部２０１の形と天井部１２の形は略同じである。第１導体部２０１が第２金属層２０に相当する。図１５（Ｂ）に第１金属層２２の平面形状が示される。第１金属層２２は例えば枠形状の第３導体部２２３を含む。図１６（Ａ）に第４面１１Ｅ上に形成されている第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６の平面形状が示される。例えば、第４導体部２１４は枠形状であり、枠形状の第５導体部２１５で囲まれる。第５導体部２１５は枠形状の第６導体部２１６で囲まれる。第５導体部２１５が第３金属層２１に相当する。第４導体部２１４はスペースＳＰ４を囲んでいる。第４導体部２１４と第５導体部２１５の間にスペースＳＰ２が存在している。第５導体部２１５と第６導体部２１６の間にスペースＳＰ３が存在している。図１５（Ａ）は各導体部２０１，２０２，２２３，２１４，２１５，２１６の位置関係を模式的に表している。図１５（Ａ）に示されるように、第４導体部２１４と第５導体部２１５が第３面１１Ｄに垂直な光で、第３面１１Ｄに投影されると、第４導体部２１４は第３導体部２２３に部分的に重なる。また、第５導体部２１５は第３導体部２２３に部分的に重なる。第４導体部２１４と第５導体部２１５の間のスペースＳＰ２は第３導体部２２３と重なる。即ち、第３導体部２２３は、スペースＳＰ２の上に位置していて、スペースＳＰ２を完全に覆っている。そして、第３導体部２２３の外周部分は第５導体部２１５上に位置する。第３導体部２２３の内周部分は第４導体部２１４上に位置する。図１５（Ａ）に示されるように、第５導体部２１５と第６導体部２１６の間のスペースＳＰ３が第２面１１Ｂに垂直な光で第２面１１Ｂに投影されると、スペースＳＰ３と第１導体部２０１と第２導体部２０２の間のスペースＳＰ１はほぼ重なる。なお、図１５（Ａ）は断面の簡略図である。
【００３９】
（５）次いで、図１０に示されるように、第４導体部２１４と第５導体部２１５をマスクとして使って、第４導体部２１４と第５導体部２１５の間のスペースＳＰ２にレーザーが照射される。第３絶縁層１０３Ｂ及び第１絶縁層１０１を貫通し、第１金属層２２に至る開口１０８が形成される。開口１０８は第３導体部２２３に至る。開口１０８の始点と終点は繋がっている。例えば、開口１０８の平面形状は枠形状である。なお、加工条件により、第５面１１Ｆの内、第３面１１Ｄから延びている所定の長さ（３０μｍ下）は側壁部１３が細くなるように曲がってもよい。
【００４０】
（６）次いで、図１１に示されるように、開口１０８に囲まれている第３絶縁層１０３Ｂ及び第１絶縁層１０１がルーターによって切削される。これにより、空間１１Ａが形成される。具体的には、ルーターは、開口１０８に挿入される。そして、その先端部が第１金属層２２に触れると、進入が止まる。その後、ルーターが横方向に移動させられる。それによって、開口１０８に囲まれている第３絶縁層１０３Ｂ及び第１絶縁層１０１が除去される。
【００４１】
（７）次いで、図１２に示されるように、第１導体部２０１と第２導体部２０２をマスクとして使って、第１導体部２０１と第２導体部２０２の間のスペースＳＰ１に第１レーザーが照射される。これにより、第２面１１Ｂから屈曲部１０Ｒに向かって細くなる第１開口１１０１が形成される。その後、第５導体部２１５と第６導体部２１６をマスクとして使って、第５導体部２１５と第６導体部２１６の間のスペースＳＰ３に第２レーザーが照射される。これにより、第４面１１Ｅから屈曲部１０Ｒに向かって細くなる第２開口１１０２が形成される。第１開口１１０１と第２開口１１０２が繋がり、第６面１１Ｇが形成される。天井部１２と側壁部１３が形成される。積層体から１つのキャップ部材１１が得られる。
【００４２】
（８）次いで、無電解めっき処理が行われ、キャップ部材１１に無電解めっき膜３１が形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、キャップ部材１１に電解めっき膜３２が形成される。無電解めっき膜３１と無電解めっき膜３１上の電解めっき膜３２からなる導電膜３０がキャップ部材１１を覆う。図１に示されるシールドキャップ１０が完成する。
【００４３】
キャップ部材１１は積層体を切削することで製造される。そのため、第１実施形態の製造方法によれば、射出成形法やプレス成型法で用いられる金型が不要である。これにより、高い金型費を抑えることができる。製造コストを抑えることができる。製造が簡単になる。なお、図１１と図１２では、第１導体部２０１と第２導体部２０２との間の領域がスペースＳＰ１に用いられている。しかしながら、第２導体部２０２を削除することができる。その場合、例えば、隣り合うキャップ部材１１，１１の第１導体部２０１と第１導体部２０１との間をスペースＳＰ１に用いることができる。また、第５導体部２１５と第６導体部２１６との間のスペースＳＰ３を削除することができる。隣り合うキャップ部材１１，１１の第５導体部２１５と第５導体部２１５との間をスペースＳＰ３に用いることができる。
【００４４】
［第２実施形態］
第２実施形態が図１３〜図２０に基づいて説明される。図１３に示されるように、第２実施形態のシールドキャップ１０Ｚは、第３金属層２１及び第１金属層２２を備えていない。また、第２実施形態は屈曲部１０Ｒを有していない。そのような点で第２実施形態が第１実施形態と異なる。以下、第２実施形態のシールドキャップ１０Ｚの製造方法について、第１実施形態との相違点が主に説明される。
【００４５】
（１）図１４に示されるように、補強材１６と樹脂１７からなる第１絶縁層１０１が準備される。第１実施形態と同様に補強材１６の枚数は複数である。第１絶縁層１０１の厚みは、４００μｍ以上、７００μｍ以下である。
【００４６】
（２）図１５に示されるように、ＣＯ２レーザー又はドリルによって、第１絶縁層１０１を貫通する開口１０１Ｈが形成される。
【００４７】
（３）図１６に示されるように、第１絶縁層１０１の第４面１１Ｅに接着層を有するテープ１２０が張り付けられる。テープ１２０の接着層は第４面１１Ｅを向いている。開口１０１Ｈがテープ１２０で覆われる。
【００４８】
（４）図１７に示されるように、開口１０１Ｈに樹脂ブロック１２５が挿入される。なお、テープ１２０によって樹脂ブロック１２５が開口１０１Ｈ内で固定されている。樹脂ブロック１２５はテープ１２０の接着層にくっついている。
【００４９】
（５）図１８に示されるように、第１絶縁層１０１の第３面１１Ｄと樹脂ブロック１２５上に片面銅張積層板１０５Ａが積層される。
【００５０】
（６）片面銅張積層板１０５Ａの銅箔１０４Ａからサブトラクティブ法で第１導体部２０１と第２導体部２０２が形成される。なお、第１導体部２０１が第２金属層２０に相当する。第１導体部２０１と第２導体部２０２の間にスペースＳＰ１が存在している。第１導体部２０１の形状と天井部１２の形状は略同じである。
【００５１】
（７）図１９に示されるように、第１絶縁層１０１の第４面１１Ｅからテープ１２０が除去される。そして、樹脂ブロック１２５が開口１０１Ｈから取り除かれる。空間１１ＡＺが形成される。
【００５２】
（８）第１実施形態の製造方法における（７）及び（８）の工程と同様の工程が行われる。これにより、図１３に示される第２実施形態のシールドキャップ１０Ｚが完成する。
【００５３】
［第３実施形態］
第３実施形態が図２０〜図２１に基づいて説明される。図２０に示されるように、第３実施形態のシールドキャップ１０Ｘと第１実施形態のシールドキャップ１０では第１金属層２２Ｘの形状が異なる。図２０に示されるように、第３実施形態の第１金属層２２Ｘは、第１面１１Ｃと第３面１１Ｄの間、及び、空間１１ＡＸ上に形成されている。第１金属層２２Ｘは第２金属層２０と略同じ形と大きさを有する。第１金属層２２Ｘが空間１１ＡＸを完全に覆っている。第１金属層２２Ｘは第３面１１Ｄを完全に覆っている。
【００５４】
また、第３実施形態のシールドキャップ１０Ｘでは、ブラスト処理により空間１１ＡＸが形成される。そのような点が、第１実施形態と第３実施形態のシールドキャップ１０の製造方法において異なる。具体的には、ルーターの代わりに、図２１に示される矢印の方向からブラスト処理が行われる。これにより、空間１１ＡＸが形成される。
【００５５】
各実施形態では、シールドキャップ１０が樹脂１７を含む。そして、樹脂１７を含むキャップ部材１１がシールドキャップ１０の主要部分を占める。シールドキャップ１０の主要部分が金属で形成されるとシールドキャップの重さが重くなりやすい。それに対し、各実施形態では、シールドキャップ１０の重さを小さくすることができる。さらに、各実施形態では、シールドキャップ１０が補強材を含むので天井部１２の強度が高い。従って、天井部１２の撓みを抑えることができる。そして、天井部１２の厚みを小さくすることができる。これにより、さらに、シールドキャップ１０の重さを小さくすることができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０，１０Ｚ，１０Ｘ    シールドキャップ
１１    キャップ部材
１１Ａ，１１ＡＺ，１１ＡＸ    空間
１２    天井部
１３    側壁部
１６    補強材
１７    樹脂 
２０    第２金属層
２１    第３金属層
２２    第１金属層
３０    導電膜
１３１    第１側壁部
１３２    第２側壁部
θ１，θ２    角度
【図１】
2018064042.tif 000003
【図２】
2018064042.tif 000004
【図３】
2018064042.tif 000005
【図４】
2018064042.tif 000006
【図５】
2018064042.tif 000007
【図６】
2018064042.tif 000008
【図７】
2018064042.tif 000009
【図８】
2018064042.tif 000010
【図９】
2018064042.tif 000011
【図１０】
2018064042.tif 000012
【図１１】
2018064042.tif 000013
【図１２】
2018064042.tif 000014
【図１３】
2018064042.tif 000015
【図１４】
2018064042.tif 000016
【図１５】
2018064042.tif 000017
【図１６】
2018064042.tif 000018
【図１７】
2018064042.tif 000019
【図１８】
2018064042.tif 000020
【図１９】
2018064042.tif 000021
【図２０】
2018064042.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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