(57)【要約】【課題】タッチパネルを内蔵した有機ＥＬ表示装置を実現する。【解決手段】走査線が第１の方向に延在し、映像信号線が第２の方向に延在して、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に、アノード１１０と有機ＥＬ層１１２とカソード１１３を有する画素が形成されたＴＦＴ基板１００を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素の上方に絶縁膜１１４，１１５を介して第１の検出電極Ｔｘが前記第１の方向に延在し、前記第１の検出電極Ｔｘを覆って対向基板２００が接着材２０１を介して配置し、前記対向基板２００の外側には、第２の検出電極Ｒｘが第２の方向に延在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】図８
2018022606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線が第１の方向に延在して、映像信号線が第２の方向に延在して、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に、アノードと有機ＥＬ層とカソードを有する画素が形成されたＴＦＴ基板を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素の上方に絶縁膜を介してタッチパネルの第１の電極が前記第１の方向に延在し、
前記タッチパネルの第１の電極を覆って対向基板が配置され、
前記対向基板の外側には、タッチパネルの第２の電極が第２の方向に延在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記タッチパネルの第１の電極は、平面で視て、前記走査線と前記走査線の間を前記第１の方向に延在していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記タッチパネルの第１の電極は前記有機ＥＬ層に対応する部分には開口が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記タッチパネルの第１の電極は、前記カソードを覆う無機絶縁膜で形成された保護膜と前記保護膜を覆う平坦化膜の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記タッチパネルの第１の電極は、前記カソードを覆う無機絶縁膜で形成された保護膜の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記タッチパネルの第２の電極はオーバーコート膜によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記オーバーコート膜は樹脂で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記オーバーコート膜は無機膜で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
走査線が第１の方向に延在し、映像信号線が第２の方向に延在して、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に、アノードと有機ＥＬ層とカソードを有する画素が形成されたＴＦＴ基板を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素の上方に絶縁膜を介してタッチパネルの第１の電極が前記第１の方向に延在し、
前記タッチパネルの第１の電極を覆って対向基板が配置され、
前記対向基板の内側には、タッチパネルの第２の電極が第２の方向に延在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記タッチパネルの第１の電極は、平面で視て、前記走査線と前記走査線の間を前記第１の方向に延在していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記タッチパネルの第１の電極は前記有機ＥＬ層に対応する部分には開口が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記タッチパネルの第１の電極は、前記カソードを覆う無機絶縁膜で形成された保護膜と前記保護膜を覆う平坦化膜の上に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記タッチパネルの第１の電極は、前記カソードを覆う無機絶縁膜で形成された保護膜の上に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記タッチパネルの第２の電極は接着材を介して前記タッチパネルの第１の電極と対向していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記タッチパネルの第２の電極は前記ＴＦＴ基板から検出信号が供給されていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
前記ＴＦＴ基板はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
前記対向基板はガラスで形成されていることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に、タッチパネルが有機ＥＬ表示装置に組み込まれた表示領域に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の表面を指等でタッチして入力する方式が、いわゆるスマートフォンやタブレット表示装置で一般化されている。一般には、表示領域の上にタッチパネルを配置する方式がとられているが、液晶表示装置等では、液晶表示パネル内にタッチパネル機能を内蔵したものが開発されている。
【０００３】
液晶表示パネル内にタッチパネル機能を内蔵させた方式を記載したものとして特許文献１が挙げられる。この方式は、対向基板の外側にタッチパネルの一方の電極を配置し、液晶表示パネル内のコモン電極をタッチパネルの他方の電極として使用するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ表示装置は自発光であるので、高いコントラストを有する画像を形成することが出来る。また、バックライトを必要としないので、表示装置全体を薄くすることが出来るという利点もある。一方、有機ＥＬ表示装置においても、タッチパネル方式で使用したいという要請もある。
【０００６】
有機ＥＬ表示装置にタッチパネルを積層した場合、有機ＥＬ表示装置の厚さがその分大きくなり、薄型を可能にするという有機ＥＬ表示装置の特徴を減殺してしまう。本発明の課題は、タッチパネル機能を内蔵した有機ＥＬ表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
【０００８】
（１）走査線が第１の方向に延在し、映像信号線が第２の方向に延在して、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に、アノードと有機ＥＬ層とカソードを有する画素が形成されたＴＦＴ基板を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素の上方に絶縁膜を介して第１の検出電極が前記第１の方向に延在し、前記第１の検出電極を覆って対向基板が接着材を介して配置し、前記対向基板の外側には、第２の検出電極が第２の方向に延在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【０００９】
（２）前記第２の電極は前記対向基板の外側に形成されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１０】
（３）前記第２の電極は、前記対向基板の内側に形成されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図２】本発明によるＴＦＴ基板の平面図である。
【図３】本発明による対向基板の平面図である。
【図４】検出電極Ｙ（Ｒｘ）の例を示す平面図である。
【図５】検出電極Ｙ（Ｒｘ）の他の例を示す平面図である。
【図６】検出電極Ｘ（Ｔｘ）の例を示す平面図である。
【図７】静電容量方式のタッチパネルの原理を示す断面図である。
【図８】実施例１の構成を示す断面図である。
【図９】実施例１におけるＴＦＴ基板の断面図である。
【図１０】ＴＦＴ基板に対して対向基板を貼りつけた状態を示す断面図である。
【図１１】対向基板を研磨して薄くした状態を示す断面図である。
【図１２】研磨後の対向基板に検出電極Ｙ（Ｒｘ）を形成し、オーバーコート膜で覆った状態を示す断面図である。
【図１３】画素の等価回路である。
【図１４】図１３に対応する画素の層構成を示す平面図である。
【図１５】検出電極Ｘ（Ｔｘ）の第１の形態を示す平面図である。
【図１６】検出電極Ｘ（Ｔｘ）の第２の形態を示す平面図である。
【図１７】実施例２の構成を示す断面図である。
【図１８】実施例２において、対向基板を取り付けた状態を示す断面図である。
【図１９】対向基板を研磨して薄くした状態を示す断面図である。
【図２０】実施例３の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は本発明によるタッチパネルを内蔵した有機ＥＬ表示装置の斜視図である。図１において、有機ＥＬ素子、電源線、走査線、映像信号線等が形成されたＴＦＴ基板１００の上に対向基板２００が配置している。対向基板２００はガラスで形成され、外部からの水分に対して有機ＥＬ素子を保護する。対向基板２００にはタッチパネル用フレキシブル配線基板６０が接続している。
【００１４】
ＴＦＴ基板１００には、映像信号線等を駆動するドライバＩＣ４０が搭載され、フレキシブル配線基板５０が接続している。フレキシブル配線基板５０から、電源、映像信号、クロック信号等が供給される。図１において、Ｒｘはタッチパネル検出電極Ｙであり、対向基板２００の外側に形成されている。なお、Ｒｘは対向基板の内側に形成される場合もある。Ｔｘはタッチパネル検出電極Ｘであり、ＴＦＴ基板１００の上に形成されている。Ｔｘは平面で視てＲｘと交差している。図１に示すように、本発明の構成では、タッチパネルが有機ＥＬ表示装置に組み込まれている。
【００１５】
図２は有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板１００の平面模式図である。図２において、ＴＦＴ基板１００の両側に走査線駆動回路２０が形成され、走査線駆動回路２０から走査線が横方向に延在している。走査線駆動回路２０のさらに外側にタッチパネル検出電極Ｘ（以後検出電極Ｘ、またはＴｘという）を駆動するＴｘ駆動回路３０が配置している。Ｔｘは横方向に延在し、縦方向にｎ本配列している。
【００１６】
図２の下側にドライバＩＣ４０が配置し、ドライバＩＣ４０から映像信号線が縦方向に延在している。図２においてＴＦＴ基板１００にはフレキシブル配線基板５０が接続している。フレキシブル配線基板５０からは、ドライバＩＣ５０に映像信号、クロック信号、電源等が供給される。
【００１７】
ＴＦＴ基板１００には画素がマトリクス状に形成されているが、図２では、画素が走査線の延在方向と同じ方向に配列した画素列をＰｉｘで表している。すなわち、各画素列Ｐｉｘは走査線によって一括して選択される。Ｐｉｘ１乃至Ｐｉｘｎは画素列がｎ本配置されていることを示している。図２において、検出電極Ｘ（Ｔｘ）にはＴｘ駆動回路から信号が供給される。Ｔｘ１乃至ＴｘｎはＴｘがｎ本配列していることを示している。
【００１８】
図２では、図をわかりやすくするためにＴｘとＰｉｘは並列して記載されているが、実際には、ＴｘとＰｉｘは平面で視て、重なって形成されている。また、図２では、Ｔｘの数とＰｉｘの数は同じｎであるが、必ずしも同じである必要はない。
【００１９】
図３は対向基板２００の平面図である。図３において、タッチパネル検出信号Ｙ（以後検出信号Ｙ、またはＲｘという）が縦方向に延在し、横方向にｍ本配列している。Ｒｘを駆動する信号はタッチパネル用フレキシブル配線基板６０から供給される。図２におけるＴｘと図３におけるＲｘの間に形成される容量は、画面を指等でタッチすることによって値が変化するが、この容量の変化を感知してタッチ位置を検出する。
【００２０】
図４はＲｘの例である。図４において、対向基板２００の上に細いストライプ状のＲｘが所定のピッチで配列している。ＲｘはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜、あるいは金属膜等で形成される。Ｒｘは必ずしも直線である必要はない。つまり、ＴＦＴ基板１００に形成された映像信号線や電源線等と干渉してモアレを発生する場合がある。このような場合、図５に示すように、Ｒｘの平面形状をジグザクあるいは波型にすることによってモアレを軽減することが出来る。ただし、Ｒｘの延在方向は図４も図５も同じである。
【００２１】
図６はＴｘの例を示す平面図である。図６において、走査線１０が横方向に延在して縦方向に配列している。また、映像信号線１１が縦方向に延在し、横方向に配列している。そして、映像信号線１１と並んで電源線１２が縦方向に延在し、横方向に配列している。映像信号線１１、電源線１２、走査線１０で囲まれた領域が画素となっている。あるいは、走査線１０と映像信号線１１とで囲まれた領域に画素１４が存在していると言うこともできる。Ｔｘは平面で視て画素と重なる部分をもって形成されている。Ｔｘは走査線１０と走査線１０の間を横方向に延在して検出電極Ｘを構成している。ＴｘはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜、あるいは金属膜等で形成される。
【００２２】
図７は本発明における静電方式のタッチパネルの原理を示す断面図である。図７において、ＴＦＴ基板１００の上にＴｘが横方向に延在している。ＴＦＴ基板１００の上に接着材２０１を介して対向基板２００が配置している。対向基板２００の上にＲｘが紙面垂直方向に延在し、所定のピッチで配列している。図７に示すように、図４等に示すＲｘと図６で示すＴｘとの交差領域に容量Ｃｔが発生している。指等で画面をタッチすると容量Ｃｔが変化する。この容量変化を検出することによってタッチ位置を検出する。
【００２３】
図８は有機ＥＬ表示装置の断面図である。図８において、左側は画素部分の断面図であり、右側は、Ｔｘへの信号供給部の断面図である。図８において、ＴＦＴ基板１００は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の樹脂で形成される。中でもポリイミドは、機械的強度、耐熱性等に優れているので好適である。ＴＦＴ基板１００の厚さは１０μｍ乃至２０μｍであり、フレキシブルな基板となっている。このような薄い基板では、製造プロセスを通すのは困難なので、後で説明するように、ガラス基板に樹脂でＴＦＴ基板１００を形成し、その後、ガラス基板を剥離する。
【００２４】
ＴＦＴ基板１００の上に下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１はＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜等の積層膜で形成され、ＴＦＴ基板１００からの不純物が半導体層１０２を汚染することを防止する。なお、水分等に対するバリア特性をより確実にするために、さら酸化アルミニウム（ＡｌＯ）膜が下地膜として形成される場合もある。
【００２５】
なお、本明細書におけるＡＢ(例：ＳｉＯ)等の表記はそれぞれＡ及びＢを構成元素とする化合物であることを示すものであって、Ａ，Ｂがそれぞれ等しい組成比であることを意味するのではない。それぞれに基本となる組成比が存在するが、一般には製造条件等によりその基本組成から乖離することが多い。
【００２６】
下地膜１０１の上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する半導体層１０２が形成される。半導体層１０２は当初はＣＶＤによってａ-Ｓｉ(非晶質シリコン)を形成し、その後、エキシマレーザによってＰｏｌｙ-Ｓｉ(多結晶シリコン)に変換したものである。半導体層１０２を覆って、ＴＥＯＳ(Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料とするＳｉＯによってゲート絶縁膜１０３が形成され、その上にゲート電極１０４が形成される。その後、リンあるいはボロン等をイオンインプランテーションすることによって、ゲート電極１０４で覆われていない部分の半導体層１０２に導電性を付与してドレイン１０２１およびソース１０２２を形成する。
【００２７】
ゲート電極１０４を覆って層間絶縁膜１０５がＳｉＮ等によって形成される。層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０４にスルーホールを形成し、ドレイン電極１０６および、ソース電極１０７を接続する。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成される。有機パッシベーション膜１０８の材料としては、ポリイミド、アクリル等が使用される。有機パッシベーション膜１０８は感光性の樹脂で形成される。感光性の樹脂は、露光された部分が現像液に溶解するものであり、レジストを用いずに、スルーホール等の形成を行うことが出来る。
【００２８】
その後、有機パッシベーション膜１０８の上に反射電極１０９を形成する。反射電極１０９は、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介してソース電極１０７と接続する。反射電極１０９はＡｌ合金で形成される。
【００２９】
反射電極１０９の上にはＩＴＯ等でアノード１１０が形成されている。その後、アクリル等の有機材料によってバンク１１１が形成される。バンク１１１は、後で形成される有機ＥＬ膜１１２が段切れを生ずることを防止する、あるいは、画素間を区画する、等の役割を有している。バンク１１１に形成されたスルーホール内に有機ＥＬ層１１２を形成する。有機ＥＬ層１１２は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層から形成される。
【００３０】
その後、カソード１１３を透明導電膜である、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等のいずれかによって形成する。カソード１１３は表示領域全面に共通に形成される。カソードは金属薄膜によって形成される場合もある。光透過率と電気抵抗の兼ね合いで決められる。
【００３１】
カソード１１３を覆って、ＳｉＮ、ＳｉＯ等によって保護膜１１５がＣＶＤ等によって形成される。バリア特性をより確実にするために、さらに、ＡｌＯ膜が形成される場合もある。ＡｌＯ膜はスパッタリングによって形成される。つまり、保護膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯの積層膜で形成される場合もある。
【００３２】
図８において、保護膜の上にポリイミドあるいはアクリル等によって平坦化膜１１５が形成される。平坦化膜１１５の上にタッチパネル用検出電極Ｘ（Ｔｘ）が形成される。ＴｘはＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜、あるいは、金属膜で形成される。
【００３３】
図８の右側において、表示領域から表示領域の周辺にＴｘが延在しており、周辺において、スルーホールを介してＴｘ用配線１２０と接続している。Ｔｘ用配線１２０は、表示領域におけるドレイン電極１０６、ソース電極１０７、映像信号線１１等と同じ層で、同じ材料で形成されている。Ｔｘ用配線１２０を介してＴｘ用信号が供給される。これでＴＦＴ基板１００が完成する。
【００３４】
図８において、タッチパネル用検出電極Ｙ（Ｒｘ）が形成された対向基板２００が接着材２０１を介して接着している。対向基板２００はガラスで形成されており、厚さは２０μｍ乃至１５０μｍである。対向基板２００の外側にタッチパネル用検出電極Ｙ（Ｒｘ）が紙面垂直方向に延在し、所定にピッチで形成されている。
【００３５】
Ｒｘのピッチはタッチパネルの解像度に応じて決めればよく、図８に示すような細かいピッチで形成する必要はない。Ｒｘを覆って保護のためにオーバーコート膜２０２がアクリル、エポキシ等の樹脂によって形成されている。なお、オーバーコート膜２０２は、耐湿性が要求される場合はＳｉＯ等の無機膜で形成してもよい。また、オーバーコート膜２０２は、無機膜と有機膜の積層構造とすることも出来る。
【００３６】
オーバーコート膜２０２は対向基板２００の端子部を避けて形成されている。対向基板２００の端部において、タッチパネル用フレキシブル配線基板６０が接続しており、フレキシブル配線基板６０からＲｘ用信号が供給される。図８におけるＲｘとＴｘの間に形成される検出容量Ｃｔの変化を検出することによってタッチ位置を検出する。
【００３７】
図８の構成は、対向基板２００がガラスで形成されているので、有機ＥＬ層を水分から保護するための保護層としても、極めて優れた特性を有している。また、図８の構成は、ガラスで形成された対向基板は２０μｍ〜１５０μｍであり、有機ＥＬ表示装置全体としても非常に薄く出来るので、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置とすることが出来る。
【００３８】
図９乃至図１２は実施例１におけるタッチパネル内蔵有機ＥＬ表示装置を形成するプロセスを示す断面図である。図９は、ＴＦＴ基板１００が完成した状態を示している。つまり、ポリイミドあるいはアクリル等で形成された平坦化膜の上に検出電極Ｘ（Ｔｘ）が形成されている。Ｔｘは、平坦化膜１１５、保護膜１１４、バンク１１１、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介してＴｘ用配線と接続している。
【００３９】
図１０は、ＴＦＴ基板１００に対して接着材２０１を介して対向基板２００となるガラス基板を接着した状態を示している。ＴＦＴ基板１００はポリイミド等の樹脂で形成されているが、図１０の状態では、ＴＦＴ基板１００はガラス基板９９の上に形成された状態となっている。なお、対向基板２００となるガラス基板も、図１０の状態では、市場で容易に調達可能であり、また、取扱いが容易な、厚さが０．５ｍｍ程度のガラス基板である。
【００４０】
その後、対向基板２００となるガラス基板を機械研磨と化学研磨の併用によって研磨し、２０μｍ乃至１５０μｍ程度に薄くする。図１１はこの状態を示すものである。
【００４１】
その後、図１２に示すように、薄くなった対向基板２００の上に検出電極Ｙ（Ｒｘ）を形成する。ＲｘはＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜あるいは金属薄膜によって形成する。そして、Ｒｘを覆ってオーバーコート膜２０２をエポキシ、アクリル等の樹脂、あるいはＳｉＯ、ＳｉＮ等の無機膜によって形成する。Ｒｘを保護するためである。
【００４２】
その後、レーザアブレージョン等によって、ＴＦＴ基板１００側のガラス基板９９と樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００を分離することによって、ＴＦＴ基板１００とガラス基板９９を分離して、図８に示すようなタッチパネル内蔵の有機ＥＬ表示装置を形成することが出来る。これによって、厚さの薄い、フレキシブルなタッチパネル内蔵の有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【００４３】
図１３は画素の構成を示す等価回路である。図１３において、走査線１０、映像信号線１１、電源線１２で囲まれた領域に画素が形成されている。画素内には、有機ＥＬ層１１２で形成される有機ＥＬ素子ＥＬとこれを駆動する駆動ＴＦＴ（Ｔ２）が直列に接続している。駆動ＴＦＴ（Ｔ２）のゲートとドレインの間には蓄積容量Ｃｓが配置している。蓄積容量Ｃｓの電位にしたがって、駆動ＴＦＴ（Ｔ２）からＥＬに電流が供給される。
【００４４】
図１３において、選択ＴＦＴ（Ｔ１）のゲートに走査線１０が接続し、走査線１０のＯＮ、ＯＦＦ信号にしたがって、Ｔ１が開閉される。Ｔ１がＯＮになると、映像信号線１１から映像信号が供給され、映像信号によって蓄積容量Ｃｓに電荷が蓄積され、蓄積容量Ｃｓの電位によって、駆動ＴＦＴ（Ｔ２）が駆動され、有機ＥＬ（ＥＬ）に電流が流れる。
【００４５】
図１４は、図１３に対応する画素部の平面図である。図１４において、走査線１０が横方向に延在し、映像信号線１１と電源線１２が縦方向に延在している。走査線１０、映像信号線１１、電源線１２で囲まれた領域が画素になっている。あるいは、走査線１０と映像信号線１１とで囲まれた領域が画素になっているということも出来る。映像信号線１１と接続する半導体層１０２が走査線１０と交差する部分に選択ＴＦＴ（Ｔ１）が形成されている。
【００４６】
電源線１２と接続する半導体層１０２が蓄積容量Ｃｓを構成する一方の電極と交差する部分において駆動ＴＦＴ（Ｔ２）が形成される。蓄積容量Ｃｓの他方の電極、つまり、導電性が付与された半導体層はスルーホール１５において、アノードと接続する。なお、カソードは各画素共通に図１４全面に形成されているので、図１４では特に図示されていない。
【００４７】
図１５は、各画素を覆って、検出電極Ｘ（Ｔｘ）が横方向に延在している状態を示す平面図である。図１５において、左側に配置しているＴｘ走査回路３０からＴｘ用配線１２０を介して検出電極Ｘ（Ｔｘ）に検出信号が供給される。Ｔｘは平面で視て画素を覆って右方向に延在している。Ｔｘ走査回路３０よりも表示領域側には走査線駆動回路２０が縦方向に延在している。
【００４８】
図１５は、各画素列に対応してＴｘが形成されているが、各画素列毎に形成する必要はなく、２画素列毎、あるいはそれ以上の間隔で形成してもよい。タッチパネルの解像度は、映像の解像度ほどは必要ないからである。
【００４９】
図１６は、Ｔｘに開口部７０を形成し、この部分にはＴｘを形成しないようにした構成である。すなわち、Ｔｘは導電性透明電極あるいは金属薄膜で形成されるので、この影響によって若干透過率が減少する。これを防止するために、各画素において、実際に光が放出される領域にＴｘの開口部７０を設ければＴｘを形成したことによる輝度の低下を免れることが出来る。
【実施例２】
【００５０】
図１７は本発明の実施例２を示す断面図である。図１７の特徴は、対向基板２００の内側に検出電極Ｙ（Ｒｘ）が形成されていることである。すなわち、内側に検出電極Ｙ（Ｒｘ）が形成された対向基板２００が接着材２０１を介してＴＦＴ基板１００に形成された平坦化膜１１５および検出電極Ｘ（Ｔｘ）に接着している。
【００５１】
図１７の構成ではＲｘが対向基板２００の内側に形成されているので、Ｔｘとの間隔が小さくなり、容量を大きくすることが出来るので、タッチパネルの感度を上げることが出来る。さらに、Ｒｘが対向基板２００の内側に形成されているので、Ｒｘを保護するためのオーバーコート膜も必要ない。
【００５２】
さらに、Ｒｘを対向基板２００の内側に形成するので、タッチパネル用フレキシブル配線基板を接続する必要がない。つまり、図１７に示すように、基板の周辺において、平坦化膜１１５、保護膜１１４、バンク１１１、有機パッシベーション膜１０８等にスルーホールを形成し、このスルーホール内に導電性粒子１４０を有する導電性ペースト１５０等を形成することによって、ＴＦＴ基板１００側からＲｘ用配線１３０を介してＲｘに信号を供給することが出来る。
【００５３】
図１７の導電性粒子１４０の断面は縦長の楕円になっているが、これは模式図であり、実際は、導電性粒子１４０は球状であるか、あるいは、球状の導電粒子が複数積層されたものである。導電性ペースト１５０の樹脂媒体は例えばエポキシ樹脂が使用される。図１７におけるＴＦＴ基板１００のその他の構成は図８と同様である。
【００５４】
図１８乃至図１９は、図１７の構成のタッチパネル内蔵の有機ＥＬ表示装置を製造するプロセスを示す断面図である。図１８は、Ｒｘが形成された対向基板２００を、Ｒｘを内側にして、接着材２０１によってＴＦＴ基板１００と接着した状態を示す断面図である。この状態は、対向基板２００の厚さは０．５ｍｍ程度なので、強度は充分であり、Ｒｘを形成するプロセスを通過させることが出来る。
【００５５】
本実施例では、実施例１と異なり、Ｒｘを対向基板に形成した後、ＴＦＴ基板側と接着することが出来るという利点を有している。なお、図１８の状態では、樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００はガラス基板９９の上に配置した状態である。
【００５６】
図１９は、機械研磨および化学研磨を併用して、対向基板を２０μｍから１５０μｍの厚さまで研磨して薄くした状態を示す断面図である。図１９では、ＴＦＴ基板１００はまだ、ガラス基板９９の上に配置した状態である。その後、レーザアブレージョン等によって、樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００をガラス基板９９から剥離することによって、図１７に示すタッチパネル内蔵の有機ＥＬ表示装置を形成することが出来る。
【実施例３】
【００５７】
図２０は本発明の実施例３を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。図２０が実施例１の図８と異なる点は、検出電極Ｘ（Ｔｘ）と対向基板２００との間に平坦化膜が存在しない点である。平坦化膜が存在しないことによって、保護膜１１４の上に直接検出電極Ｘ（Ｔｘ）が形成されることになる。保護膜表面の段差が大きいと検出電極Ｘ（Ｔｘ）の断線が問題になる。
【００５８】
一方、保護膜１１４はＳｉＮ膜で形成する場合、ＳｉＯ膜で形成する場合、さらにＡｌＯ膜で形成する場合、あるいはそれらの積層膜で形成する場合等がある。また、保護膜１１４の表面凹凸は、膜厚、あるいは、ＣＶＤ、スパッタリング等による形成方法等によっても影響を受ける。
【００５９】
したがって、平坦化膜１１５の要否は、保護膜１１４の表面形状、Ｔｘの平面形状、例えば、より断線の生じにくい図１５のような形状であるか、あるいは、明るさを重視した図１６のような形状であるか等も勘案して決めることになる。
【００６０】
なお、図２０等では、ＴｘとＴｘ用配線１２０とを接続するスルーホールの側壁はテーパが急峻に見えるが、これは、模式図であり、実際にはこのスルーホールの側壁は図２０で示すよりもはるかになだらかにすることが出来る。すなわち、ＴｘとＴｘ用配線１２０を接続するスルーホールは表示領域外に形成することが出来るので、比較的大きな面積にスルーホールを形成することが出来るからである。
【００６１】
図２０は、実施例１の構成の断面形状に適用した場合について説明したものであるが、実施例２の構成の断面形状に対しても同様に適用することが出来る。
【００６２】
以上の説明は、ＴＦＴがＰｏｌｙ-Ｓｉを用いたＴＦＴの構成で説明したが、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物半導体を用いたＴＦＴの場合にも適用することが出来る。また、以上の説明では、ＴＦＴがトップゲートの場合を例にとっているが、本発明は、ＴＦＴがボトムゲートの場合についても適用することが出来る。
【符号の説明】
【００６３】
１０…走査線、  １１…映像信号線、  １２…電源線、  １３…アース線、  １４…画素、  １５…スルーホール、  ２０…走査線駆動回路、  ３０…Ｔｘ走査回路、  ４０…ドライバＩＣ、  ５０…有機ＥＬ表示装置用フレキシブル配線基板、  ６０…タッチパネル用フレキシブル配線基板、  ６０…Ｔｘ開口、  ９９…ガラス基板、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…下地膜、  １０２…半導体層、  １０３…ゲート絶縁膜、  １０４…ゲート電極、  １０５…層間絶縁膜、  １０６…ドレイン電極、  １０７…ソース電極、  １０８…有機パッシベーション膜、  １０９…反射電極、  １１０…アノード、  １１１…バンク、  １１２…有機ＥＬ層、  １１３…カソード、  １１４…保護膜、  １１５…平坦化膜、  １２０…Ｔｘ用配線、  １３０…Ｒｘ用配線、  １４０…導電ビーズ、  １５０…導電ペースト、  ２００…対向基板、  ２０１…接着材、  ２０２…オーバーコート膜、  １０２１…ドレイン、  １０２２…ソース  ＥＬ…有機ＥＬ発光層、  Ｃｓ…蓄積容量、  Ｃｔ…検出容量、  Ｔ１…選択ＴＦＴ、  Ｔ２…駆動ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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