(57)【要約】【課題】シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３を、この順で含む。下地層２は、基板１の側から、第１の下地層４と、第２の下地層５を、この順で含む。第１の下地層４は、Ｗを主成分とする結晶質の層である。第２の下地層５は、Ｗを主成分とする材料および酸化物を含有し、かつ、酸化物の含有量が２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層である。酸化物は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の酸化物である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、下地層と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を、この順で含み、
前記下地層は、前記基板の側から、第１の下地層と、第２の下地層を、この順で含み、
前記第１の下地層は、Ｗを主成分とする結晶質の層であり、
前記第２の下地層は、Ｗを主成分とする材料および酸化物を含有し、かつ、前記酸化物の含有量が２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層であり、
前記酸化物は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の酸化物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記酸化物が、Ｗの酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第２の下地層が非グラニュラ構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記下地層と前記磁性層との間に、バリア層をさらに含み、
前記バリア層は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、
前記配向制御層は、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層もしくは、Ｃｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置に対する大容量化の要求は、益々強くなっている。
【０００３】
しかしながら、現行の記録方式では、ハードディスク装置の記録密度の向上が難しくなってきている。
【０００４】
熱アシスト磁気記録方式は、次世代の記録方式として盛んに研究され、注目されている技術の１つである。熱アシスト磁気記録方式は、磁気ヘッドから磁気記録媒体に近接場光を照射し、磁気記録媒体の表面を局所的に加熱することにより、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込む記録方式である。
【０００５】
熱アシスト磁気記録方式では、磁性層を構成する材料として、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ（Ｋｕ〜７×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３）、Ｌ１０型結晶構造を有するＣｏＰｔ（Ｋｕ〜５×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３）のような高Ｋｕ材料が用いられている。
【０００６】
磁性層を構成する材料として、高Ｋｕ材料を用いると、ＫｕＶ／ｋＴが大きくなる。ここで、Ｋｕは、磁性粒子の磁気異方性定数であり、Ｖは、磁性粒子の体積であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度である。このため、熱ゆらぎを悪化させることなく、磁性粒子の体積を小さくすることができる。このとき、磁性粒子を微細化することにより、熱アシスト磁気記録方式では、遷移幅を狭くすることができるので、ノイズを低減することができ、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）を改善することができる。
【０００７】
また、垂直磁気異方性が高い熱アシスト磁気記録媒体を得るには、磁性層を構成する材料として用いられるＬ１０型結晶構造を有する合金を（００１）配向させる必要がある。ここで、磁性層の（００１）配向性は、下地層によって制御されるものであるため、下地層を構成する材料を適切に選択する必要がある。
【０００８】
熱アシスト磁気記録媒体の下地層を構成する材料としては、従来から、ＭｇＯ、ＣｒＮ、ＴｉＮなどが知られている。
【０００９】
例えば、特許文献１には、ＭｇＯを主成分とする下地層を作製し、更にＦｅＰｔ合金からなるＬ１０形規則合金層を作製する情報記録媒体の製造方法が開示されている。
【００１０】
また、特許文献２には、の下地層として、Ｗを主成分とし、かつ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、または、酸化物を含有する結晶質下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層と、を有する磁気記録媒体が開示されている。
【００１１】
また、特許文献３には、熱アシスト磁気記録媒体の温度制御層として、膜厚を貫通して延在する低熱伝導率材料の領域と、低熱伝導率材料の領域を分離する高熱伝導率材料の領域としての、連続するマトリックスとを含む薄膜を用いることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−３５３６４８号公報
【特許文献２】特開２０１４−２２００２９号公報
【特許文献３】特開２００６−１９６１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
熱アシスト磁気記録媒体において、良好な磁気記録特性を得るためには、前述のように、特定の下地層を用いて、磁性層を構成するＬ１０型結晶構造を有する合金を（００１）配向させることが必要である。
【００１４】
しかしながら、従来の技術では、磁性層の（００１）配向性が不十分であるため、熱アシスト磁気記録媒体の磁性層の（００１）配向性を向上させることが可能な下地層が求められていた。
【００１５】
また、熱アシスト磁気記録媒体の下地層には、温度制御層としての機能が求められる。すなわち、熱アシスト磁気記録媒体に近接場光を照射し、熱アシスト磁気記録媒体の表面を局所的に加熱するのに際し、加熱スポットの拡がりを抑制することで、平面方向における磁化遷移領域を狭くし、ノイズを低減すること、すなわち、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）を高くすることが求められていた。
【００１６】
本発明は、上記の事情に鑑み、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
（１）基板と、下地層と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を、この順で含み、前記下地層は、前記基板の側から、第１の下地層と、第２の下地層を、この順で含み、前記第１の下地層は、Ｗを主成分とする結晶質の層であり、前記第２の下地層は、Ｗを主成分とする材料および酸化物を含有し、かつ、前記酸化物の含有量が２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層であり、前記酸化物は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の酸化物であることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記酸化物が、Ｗの酸化物であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記第２の下地層が非グラニュラ構造であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記下地層と前記磁性層との間に、バリア層をさらに含み、前記バリア層は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、前記配向制御層は、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層もしくは、Ｃｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）が高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態の磁気記録媒体の一例を示す模式図である。
【図２】本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す模式図である。
【図３】図２の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００２１】
（磁気記録媒体）
図１に、本実施形態の磁気記録媒体の一例を示す。
【００２２】
磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３を、この順で含む。下地層２は、基板１の側から、第１の下地層４と、第２の下地層５を、この順で含む。第１の下地層４は、Ｗを主成分とする結晶質の層である。第２の下地層５は、Ｗを主成分とする材料および酸化物を含有し、かつ、酸化物の含有量が２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内である結晶質の層である。酸化物は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の酸化物である。
【００２３】
磁気記録媒体１００は、このような構成を採用することで、ＳＮＲが高くなる。
【００２４】
磁気記録媒体１００のＳＮＲが高くなる理由を以下に説明する。
【００２５】
まず、下地層２に含まれるＷが体心立方格子（ＢＣＣ）構造であり、（１００）配向性が高いため、磁性層３を構成するＬ１０型結晶構造を有する合金の（００１）配向性を高めることが可能である。また、第２の下地層５に含まれる酸化物は、Ｗの結晶性、（１００）配向性を損なうことなく、第２の下地層５と磁性層３との格子整合性を高めることができることが可能である。さらに、磁気記録媒体１００の表面を局所的に加熱することで磁性層３の保磁力を低下させて書き込むのに際し、下地層２は、加熱スポットの拡がりを抑制することで、平面方向における磁化遷移領域を狭くすることができる。
【００２６】
磁気記録媒体１００についてより詳細に説明する。
【００２７】
磁気記録媒体１００では、下地層２を２層構造とし、基板１の側から、第１の下地層４と、第２の下地層５が、この順で設けられている。前述のように、第２の下地層５は、Ｗを主成分とする材料を含有する結晶質の層であり、（１００）配向性が高いため、その上に形成するＬ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層３と格子整合する。そして、第２の下地層５の下に、第１の下地層４として、Ｗを主成分とする結晶質の層を設けることで、第２の下地層５の結晶性、（１００）配向性をより高めることができる。
【００２８】
熱アシスト方式の磁気記録媒体では、平面方向における磁化遷移領域を狭くし、磁気記録媒体のノイズを低減するために、加熱スポットの拡がりを抑制することが必要である。このため、下地層を、例えば、特許文献３に記載されているように、基板の表面に対して垂直な柱状の高熱伝導率材料（例えば、金属）の領域と、それを分離する低熱伝導率材料（例えば、酸化物）の領域のいわゆるグラニュラ構造で構成した場合、柱状の領域の界面部で熱の滞留が生じるため、加熱スポットの横方向の拡がりを抑制することが可能となる。
【００２９】
これに対し、第２の下地層５は、グラニュラ構造のように、大きな柱状の高熱伝導率材料の領域を厚い低熱伝導率材料の領域で分離した構造ではなくてもよく、薄い酸化物粒界を介して、柱状結晶粒同士が部分的につながった非グラニュラ構造であることが好ましい。
【００３０】
このような非グラニュラ構造では、同じ体積の酸化物を含む場合、従来のグラニュラ構造と比較すると、熱の滞留が生じる酸化物層が薄くなった分、酸化物粒界のピッチが細かくなり、柱状結晶粒と酸化物の粒界部を単位長さあたりに多く含む構成となるため、加熱スポットの拡がりを抑制する効果が高くなる。このような構成を採用する場合、柱状結晶粒の比表面積が大きくなるため、成膜時に酸化物が部分還元する影響が一般的なグラニュラ構造より顕著になるが、第２の下地層５に含まれる酸化物を構成する金属元素は、Ｗを主成分とする材料の結晶粒に全率固溶することが可能なものであるため、結晶粒の結晶性の低下を防ぐことができる。
【００３１】
本明細書及び特許請求の範囲において、Ｗを主成分とする結晶質の層とは、Ｗの含有量が５０ａｔ％以上である結晶質の層を意味する。このとき、Ｗを主成分とする結晶質の層のＷの含有量は、好ましくは８０ａｔ％以上であり、より好ましくは１００ａｔ％である。
【００３２】
Ｗを主成分とする結晶質の層としては、特に限定されないが、Ｗ層、ＷＭｏ層、ＷＣｕ層、ＷＮｉ層、ＷＦｅ層、ＷＲｅ層、ＷＣ層などが挙げられる。
【００３３】
また、本明細書及び特許請求の範囲において、Ｗを主成分とする材料とは、Ｗの含有量が５０ａｔ％以上である材料を意味する。このとき、Ｗを主成分とする材料のＷの含有量は、好ましくは７０ａｔ％以上であり、より好ましくは９０ａｔ％以上である。
【００３４】
第２の下地層５に含まれるＷを主成分とする材料としては、特に限定されないが、Ｗ、ＷＭｏ、ＷＣｕ、ＷＮｉ、ＷＦｅ、ＷＲｅ、ＷＣなどが挙げられる。
【００３５】
第２の下地層５は、酸化物を２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内で含有する結晶質の層である。
【００３６】
酸化物は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗからなる群から選択される１種以上の元素の酸化物である。
【００３７】
酸化物としては、特に限定されないが、ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ３、ＶＯ２、ＷＯ２、ＷＯ３、ＷＯ６などが挙げられる。これらの中でも、Ｗの酸化物が最も好ましい。それは、Ｗの酸化物が部分還元されて生成するＷは、第２の下地層５を構成するＷを主成分とする材料の結晶粒に特に容易に全率固溶することができるからである。
【００３８】
なお、酸化物は、これらに限定されず、これらの還元物、混合物、複合酸化物であってもよい。
【００３９】
本実施形態では、第２の下地層５の酸化物の含有量は、２ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％の範囲内であり、１０ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましい。第２の下地層５の酸化物の含有量が３０ｍｏｌ％を超えると、第２の下地層５の（１００）配向性が低下し、また、２ｍｏｌ％未満であると、磁性層３の（００１）配向性を高める効果を発揮できなくなる。
【００４０】
本実施形態では、磁性層３に含まれるＬ１０型結晶構造を有する合金は、磁気異方性定数Ｋｕが高い。
【００４１】
Ｌ１０型結晶構造を有する合金としては、例えば、ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金等が挙げられる。
【００４２】
磁性層３を形成する時に、Ｌ１０型結晶構造を有する合金の規則化を促進するために、加熱処理することが好ましい。この場合、加熱温度（規則化温度）を低減するために、Ｌ１０型結晶構造を有する合金に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等を添加してもよい。
【００４３】
また、磁性層３に含まれるＬ１０型結晶構造を有する合金の結晶粒は、磁気的に孤立していることが好ましい。このため、磁性層３は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｃ、Ｂ、ＢＮからなる群から選択される１種以上の物質をさらに含有していることが好ましい。これにより、結晶粒間の交換結合をより確実に分断し、磁気記録媒体１００のＳＮＲをより高めることができる。
【００４４】
本実施形態では、第２の下地層５を非グラニュラ構造とするのが好ましい。前述のように、第２の下地層５は、加熱スポットの横方向の拡がりを抑制する機能を有する層である。そのためには、いわゆるグラニュラ構造のように、大きな柱状の金属結晶粒を厚い酸化物層で分離した構造ではなく、薄い酸化物粒界を介して柱状結晶粒同士が部分的につながった構造とするのが好ましい。
【００４５】
スパッタリング法を用いて、非グラニュラ構造の第２の下地層５を成膜する方法としては、スパッタガスに酸素を導入して反応性スパッタとする方法、ターゲットに含まれる酸化物の量を減らし、酸化物の粒径を小さくする方法、還元されやすい酸化物を用いる方法などが挙げられる。
【００４６】
本実施形態では、下地層２と磁性層３との間に、バリア層６が設けられている。
【００４７】
バリア層６は、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣからなる群から選択される１種以上を含み、ＮａＣｌ型構造を有する。
【００４８】
本実施形態では、磁性層３として、Ｌ１０型結晶構造を有する合金が（００１）配向している磁性層を用いるが、Ｌ１０型結晶構造を有する合金の規則化を促進するため、磁性層３を形成する時に、基板１を加熱する場合がある。バリア層６は、この際の下地層２と磁性層３との間の界面拡散を抑制するために設けられる層である。
【００４９】
バリア層６の厚さは、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とするのが好ましい。バリア層６の厚さが０．５ｎｍ以上であることにより、基板１を加熱する際の下地層２と磁性層３との間の界面拡散を抑制しやすくなる。また、バリア層６の厚さが１０ｎｍ以下であることにより、磁性層３から第２の下地層５に熱が伝導しやすくなる。
【００５０】
本実施形態では、基板１と下地層２との間に、配向制御層７として、ＢＣＣ構造を有する、Ｃｒ層、もしくは、Ｃｒを主成分とする合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層が設けられている。配向制御層７は、その上に設ける下地層２の配向をより確実に（１００）配向とするために設ける層である。そのため、配向制御層７も（１００）配向しているのが好ましい。
【００５１】
本明細書及び特許請求の範囲において、Ｃｒを主成分とする合金とは、Ｃｒの含有量が５０ａｔ％以上である合金を意味する。このとき、Ｃｒを主成分とする合金のＣｒの含有量は、好ましくは７０ａｔ％以上であり、より好ましくは９０ａｔ％以上である。
【００５２】
Ｃｒを主成分とする合金としては、特に限定されないが、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＭｏ合金、ＣｒＷ合金、ＣｒＶ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＲｕ合金等が挙げられる。
【００５３】
また、Ｃｒを主成分とする合金に、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ等の元素を添加すれば、下地層２の結晶粒子サイズ、分散度等をより改善することができる。ただし、これらの元素を添加する場合、配向制御層７の結晶性が劣化しない範囲で添加することが好ましい。
【００５４】
また、Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、ＲｕＡｌ合金、ＮｉＡｌ合金等が挙げられる。
【００５５】
磁性層３の上には、炭素保護層８およびパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑層９が設けられている。
【００５６】
炭素保護層８および潤滑層９としては、公知のものを用いることができる。
【００５７】
なお、バリア層６、配向制御層７、炭素保護層８、潤滑層９は、必要に応じて、省略してもよい。
【００５８】
また、磁性層３を速やかに冷却するために、磁気記録媒体１００にヒートシンク層をさらに設けても良い。
【００５９】
ヒートシンク層には、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の熱伝導率の高い金属や、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の熱伝導率の高い金属を主成分とする合金を用いることができる。
【００６０】
ヒートシンク層は、例えば、配向制御層７の下、または、配向制御層７とバリア層６の間に設けることができる。
【００６１】
また、書込み特性を改善するために、磁気記録媒体１００に軟磁性層をさらに設けてもよい。
【００６２】
軟磁性層を構成する材料としては、特に限定されないが、ＣｏＴａＺｒ合金、ＣｏＦｅＴａＢ合金、ＣｏＦｅＴａＳｉ合金、ＣｏＦｅＴａＺｒ合金等の非晶質合金、ＦｅＴａＣ合金、ＦｅＴａＮ合金等の微結晶合金、ＮｉＦｅ合金等の多結晶合金を用いることができる。
【００６３】
軟磁性層は、単層膜であってもよいし、適切な膜厚のＲｕ層を挟んで反強磁性結合している積層膜であってもよい。
【００６４】
また、上述した層以外にも、シード層、接着層等を、必要に応じて、磁気記録媒体１００にさらに設けることができる。
【００６５】
（磁気記憶装置）
本実施形態の磁気記憶装置の構成例について説明する。
【００６６】
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の磁気記録媒体を含む。
【００６７】
磁気記憶装置は、例えば、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子を備えた磁気ヘッドとを有する構成とすることができる。また、磁気記憶装置は、磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、レーザー発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系をさらに有することができる。
【００６８】
図２に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。
【００６９】
図２に示す磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００と、磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を含む。
【００７０】
図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。
【００７１】
磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を備えている。
【００７２】
記録ヘッド２０８は、主磁極２０１、補助磁極２０２、磁界を発生させるためのコイル２０３、レーザー発生部となるレーザーダイオード（ＬＤ）２０４、ＬＤから発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝達するための導波路２０７を有する。
【００７３】
再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれた再生素子２１０を有する。
【００７４】
図２に示す磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００が用いられているため、ＳＮＲを高めることが可能となり、高記録密度の磁気記憶装置を提供することが可能となる。
【実施例】
【００７５】
以下に、具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００７６】
（実施例１）
磁気記録媒体１００（図１参照）を作製した。以下に、磁気記録媒体１００の製造工程を説明する。
【００７７】
外径２．５インチのガラス製の基板１上に、シード層として、膜厚２５ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ（Ｃｒの含有量５０ａｔ％、Ｔｉの含有量５０ａｔ％の合金）膜を形成した後、３００℃で基板１を加熱した。そして、配向制御層７として、膜厚２０ｎｍのＣｒ−５ａｔ％Ｍｎ（Ｃｒの含有量９５ａｔ％、Ｍｎの含有量５ａｔ％の合金）膜を形成した。次いで、第１の下地層４として膜厚２０ｎｍのＷ層を形成し、第１の下地層４の上に、第２の下地層５として、膜厚２０ｎｍの非グラニュラ構造のＷ−３．２ＷＯ３（Ｗの含有量９６．８ｍｏｌ％、ＷＯ３の含有量３．２ｍｏｌ％の合金）膜を形成した。さらに、バリア層６として、膜厚２ｎｍのＭｇＯ膜を形成した。その後、５８０℃で基板１を加熱し、磁性層３として、膜厚１０ｎｍの（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ）−１２ｍｏｌ％ＳｉＯ２−６ｍｏｌ％ＢＮ（Ｆｅの含有量５５ａｔ％、Ｐｔの含有量４５ａｔ％の合金の含有量８２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量１２ｍｏｌ％、ＢＮの含有量６ｍｏｌ％の合金）膜を形成した。さらに、膜厚３ｎｍの炭素保護層８を形成した後、炭素保護層８の表面にパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑層９を形成し、磁気記録媒体１００を作製した。
【００７８】
（実施例２〜４）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−６．９ＷＯ３、Ｗ−１６．５ＷＯ３、Ｗ−２５ＷＯ３に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００７９】
（実施例５〜９）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−１６．５Ｃｒ２Ｏ３、Ｗ−１６．５ＭｏＯ２、Ｗ−１６．５Ｎｂ２Ｏ５、Ｗ−１６．５Ｔａ２Ｏ５、Ｗ−１６．５Ｖ２Ｏ３に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８０】
（実施例１０）
第１の下地層４の組成を、それぞれＷ−１０Ｍｏ（Ｗの含有量９０ａｔ％、Ｍｏの含有量１０ａｔ％の合金）に変更した以外は、実施例３と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８１】
（実施例１１、１２）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−１０Ｍｏ−１６．５ＷＯ３（Ｗの含有量７３．５ｍｏｌ％、Ｍｏの含有量１０ｍｏｌ％、ＷＯ３の含有量１６．５ｍｏｌ％の合金）、Ｗ−８ＷＯ２−８ＷＯ３（Ｗの含有量８４ｍｏｌ％、ＷＯ２の含有量８ｍｏｌ％、ＷＯ３の含有量８ｍｏｌ％の合金）に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８２】
（比較例１）
第２の下地層５を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８３】
（比較例２）
第１の下地層４を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８４】
（比較例３、４）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−１．６ＷＯ３、Ｗ−３０．７ＷＯ３に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８５】
（比較例５）
第２の下地層５の組成をＷ−８ＳｉＯ２（Ｗの含有量９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有量８ｍｏｌ％の合金）に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８６】
（比較例６）
第１の下地層４を形成しなかった以外は、比較例５と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８７】
（比較例７〜９）
第２の下地層５の組成を、それぞれＷ−１５ＴｉＯ、Ｗ−１５Ｂ２Ｏ３、Ｗ−１５Ａｌ２Ｏ３に変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８８】
次に、Ｗ（１００）ピークの半値幅、ＦｅＰｔ（００１）ピークの半値幅、ＣＴＴＧおよびＳＮＲを評価した。
【００８９】
（Ｗ（１００）ピークの半値幅）
Ｘ線回折装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、下地層２まで形成した磁気記録媒体の中間サンプルのＸ線回折スペクトルを測定し、Ｗ（１００）ピークの半値幅を求めた。
【００９０】
（ＦｅＰｔ（００１）ピークの半値幅）
Ｘ線回折装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、磁性層３まで形成した磁気記録媒体の中間サンプルのＸ線回折スペクトルを測定し、ＦｅＰｔ（００１）ピークの半値幅を求めた。
【００９１】
（ＣＴＴＧ）
リードライトアナライザＲＷＡ１６３２およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰ（以上、ＧＵＺＩＫ社製）を用いて、磁気記録媒体のＣＴＴＧ（Ｃｒｏｓｓ−Ｔｒａｃｋ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ）を測定した。ここで、ＣＴＴＧは、トラック方向に垂直な方向の熱勾配［Ｋ／ｎｍ］であり、値が大きいほど、熱勾配が急峻であること、すなわち、記録ビット間の記録温度の差が大きく、書きにじみが少ないことを示している。
【００９２】
なお、比較例２、６の磁気記録媒体は、記録された信号強度が弱く、書き込み線幅を特定することができなかったため、ＣＴＴＧを測定することができなかった。
【００９３】
（ＳＮＲ）
磁気ヘッド１０２（図３参照）を用いて、線記録密度１５００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を磁気記録媒体に記録し、ＳＮＲを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅ＭＷＷが６０ｎｍとなるように調整した。
【００９４】
表１に、Ｗ（１００）ピークの半値幅、ＦｅＰｔ（００１）ピークの半値幅、ＣＴＴＧおよびＳＮＲの評価結果を示す。
【００９５】
【表１】
2018113092.tif 000003
【００９６】
表１から、比較例１〜３、６〜９の磁気記録媒体に対して、実施例１〜１２の磁気記録媒体は、ＣＴＴＧが高く、ＳＮＲも高いことがわかる。また、実施例１〜４、１０〜１２の磁気記録媒体は、Ｗの酸化物を含む第２の下地層５を有するため、ＣＴＴＧ、ＳＮＲが特に高い。
【００９７】
一方、酸化物の粒界が多くなるほど、熱が広がりにくくなるので、酸化物の量や種類によっては、比較例４、５の磁気記録媒体のように、ＣＴＴＧが高くなることがある。しかしながら、ＳＮＲは、ＣＴＴＧ以外に、下地層２、磁性層３の配向性などの要因も含む。このため、比較例４、５の磁気記録媒体は、下地層、磁性層の配向性が崩れ、ＳＮＲが低い。
【符号の説明】
【００９８】
１    基板
２    下地層
３    磁性層
４    第１の下地層
５    第２の下地層
６    バリア層
７    配向制御層
８    炭素保護層
９    潤滑層
１００    磁気記録媒体
１０１    磁気記録媒体駆動部
１０２    磁気ヘッド
１０３    磁気ヘッド駆動部
１０４    記録再生信号処理系
２０１    主磁極
２０２    補助磁極
２０３    コイル
２０４    レーザーダイオード
２０５    レーザー光
２０６    近接場光発生素子
２０７    導波路
２０８    記録ヘッド
２０９    シールド
２１０    再生素子
２１１    再生ヘッド
２１２    磁気記録媒体
【図１】
2018113092.tif 000004
【図２】
2018113092.tif 000005
【図３】
2018113092.tif 000006