(57)【要約】【課題】所定の厚みに揃った積層チップを製造できる新たな積層チップの製造方法を提供する。【解決手段】複数のチップが積層された積層チップの製造方法であって、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、ウェーハを複数のチップへと分割するチップ形成ステップと、チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する測定ステップと、複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、測定ステップで測定した各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層するチップ積層ステップと、を含む。【選択図】図３
2018064078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップが積層された積層チップの製造方法であって、
ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、ウェーハを複数のチップへと分割するチップ形成ステップと、
該チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する測定ステップと、
複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、該測定ステップで測定した各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層するチップ積層ステップと、を備えることを特徴とする積層チップの製造方法。
【請求項２】
該チップ形成ステップでは、交差する複数の分割予定ラインに沿ってウェーハに分割用の構造を形成した後、ウェーハの裏面を研削することで、ウェーハを薄くして複数のチップへと分割することを特徴とする請求項１に記載の積層チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップが積層されてなる積層チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の更なる小型化、高集積化を実現するために、複数の半導体チップを厚み方向に重ねて貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）等で接続する３次元実装技術が実用化されている。この技術では、最終的に製造される積層チップの厚みを抑えるために、研削等の方法で薄くなった半導体チップが使用される。
【０００３】
ところで、積層チップを構成する半導体チップの厚みにばらつきがあると、所定の厚みに揃った積層チップを形成するのが難しくなる。そこで、半導体チップとなるウェーハを研削等の方法で薄くする前に、表面側の樹脂層を平坦化して、研削に起因する厚みのばらつきを抑える方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８２０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の方法では、研削装置とは別にバイト切削用の切削装置（バイト切削装置）を用意する必要があるので、製造コストが高くなり易い。また、この方法でも、厚みのばらつきを完全に抑えることはできなかった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、所定の厚みに揃った積層チップを製造できる新たな積層チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、複数のチップが積層された積層チップの製造方法であって、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、ウェーハを複数のチップへと分割するチップ形成ステップと、該チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する測定ステップと、複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、該測定ステップで測定した各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層するチップ積層ステップと、を備える積層チップの製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の一態様において、該チップ形成ステップでは、交差する複数の分割予定ラインに沿ってウェーハに分割用の構造を形成した後、ウェーハの裏面を研削することで、ウェーハを薄くして複数のチップへと分割すると良い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る積層チップの製造方法では、複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層するので、所定の厚みに揃った積層チップを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、チップ形成ステップにおいてウェーハの表面側に分割用の溝が形成される様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、チップ形成ステップにおいてウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す一部断面側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、複数のチップへと分割されたウェーハを模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、測定ステップにおいて各チップの厚みが測定される様子を模式的に示す一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）は、チップ積層ステップにおいて選択された複数のチップを模式的に示す側面図であり、図４（Ｂ）は、チップ積層ステップにおいて複数のチップが積層された様子を模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る積層チップの製造方法は、チップ形成ステップ（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）参照）、測定ステップ（図３（Ｂ）参照）及びチップ積層ステップ（図４（Ａ）、図４（Ｂ）参照）を含む。
【００１２】
チップ形成ステップでは、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、また、ウェーハを複数のチップへと分割する。測定ステップでは、チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する。チップ積層ステップでは、各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層する。以下、本実施形態に係る積層チップの製造方法について詳述する。
【００１３】
図１は、本実施形態で用いられるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態のウェーハ１１は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料を用いて円盤状に形成されている。ウェーハ１１の表面１１ａ側は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１４】
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ１１を用いるが、ウェーハ１１の材質、形状、大きさ、構造等に制限はない。例えば、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハ１１を用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、大きさ、配置等にも制限はない。
【００１５】
本実施形態に係る積層チップの製造方法では、まず、上述したウェーハ１１を分割して複数のチップを形成するチップ形成ステップを行う。図２（Ａ）は、チップ形成ステップにおいてウェーハの表面側に分割用の溝（分割用の構造）が形成される様子を模式的に示す一部断面側面図である。分割用の溝は、例えば、図２（Ａ）に示す切削装置２を用いて形成される。
【００１６】
切削装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この加工送り機構によって加工送り方向（水平な第１方向）に移動する。
【００１７】
チャックテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４ａとなっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。
【００１８】
チャックテーブル４の上方には、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット６が配置されている。切削ユニット６は、水平方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル８を備えている。スピンドル８の一端側には、環状の切削ブレード１０が装着されている。スピンドル８の他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル８に装着された切削ブレード１０は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。
【００１９】
切削ユニット６は、昇降機構（不図示）及び割り出し送り機構（不図示）に支持されており、昇降機構によって鉛直方向に移動（昇降）し、割り出し送り機構によって加工送り方向に垂直な割り出し送り方向（水平な第２方向）に移動する。
【００２０】
この切削装置２を用いて分割用の溝を形成する際には、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂには、予めダイシングテープ等を貼付しておいても良い。
【００２１】
次に、チャックテーブル４を回転させて、任意の分割予定ライン１３を加工送り方向に対して平行にする。更に、チャックテーブル４と切削ユニット６とを相対的に移動させて、切削ブレード１０を、任意の分割予定ライン１３の延長線上に合わせる。その後、回転させた切削ブレード１０の下端を、ウェーハ１１の表面１１ａより低く裏面１１ｂより高い位置まで下降させて、チャックテーブル４を加工送り方向に移動させる。
【００２２】
これにより、切削ブレード１０をウェーハ１１に切り込ませて、対象の分割予定ライン１３に沿う分割用の溝（分割用の構造）１７を形成できる（ハーフカット）。なお、上述の動作は、全ての分割予定ライン１３に沿って分割用の溝１７が形成されるまで繰り返される。
【００２３】
分割用の溝１７を形成した後には、裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄くし、複数のチップへと分割する。図２（Ｂ）は、チップ形成ステップにおいてウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す一部断面側面図である。裏面１１ｂの研削は、例えば、図２（Ｂ）に示す研削装置２２を用いて行われる。
【００２４】
研削装置２２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル２４を備えている。チャックテーブル２４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構によって水平方向に移動する。
【００２５】
チャックテーブル２４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。保持面２４ａは、チャックテーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル２４に吸引、保持される。
【００２６】
チャックテーブル２４の上方には、研削ユニット２６が配置されている。研削ユニット２６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル２８が収容されており、スピンドル２８の下端部には、円盤状のマウント３０が固定されている。
【００２７】
マウント３０の下面には、マウント３０と概ね同径の研削ホイール３２が装着されている。研削ホイール３２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台３４を備えている。ホイール基台３４の下面には、複数の研削砥石３６が環状に配列されている。
【００２８】
スピンドル２８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール３２は、この回転駆動源から伝わる力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研削ユニット２６の内部又は近傍には、純水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００２９】
この研削装置２２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する前には、上述したウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を貼付しておく。保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と同等の径を持つ円形のフィルム（テープ）であり、その表面２１ａ側には、粘着力を有する糊層が設けられている。
【００３０】
そのため、この表面２１ａ側を被加工物１１の表面１１ａ側に密着させれば、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付できる。被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付することで、研削等の際に加わる衝撃を緩和して、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されたデバイス１５等を保護できる。なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂにダイシングテープ等が貼付されている場合には、これらを除去しておく。
【００３１】
ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付した後には、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１の裏面２１ｂをチャックテーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル２４に吸引、保持される。
【００３２】
次に、チャックテーブル２４を研削ユニット２６の下方に移動させる。そして、図２（Ｂ）に示すように、チャックテーブル２４と研削ホイール３２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル２８、研削ホイール３２）を下降させる。
【００３３】
スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石３６の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。この研削は、例えば、非接触式の厚み測定器３８（図３（Ｂ）参照）を用いてウェーハ１１の厚みを測定しながら、ウェーハ１１が所定の厚み（仕上げ厚み）に薄くなるまで続けられる。なお、非接触式の厚み測定器３８の代わりに、接触式の厚み測定器を用いても良い。
【００３４】
ウェーハ１１が所定の厚み（仕上げ厚み）まで薄くなると、裏面１１ｂ側には、分割用の溝１７が露出し、ウェーハ１１は、この分割用の溝１７を境に複数のチップへと分割される。図３（Ａ）は、複数のチップへと分割されたウェーハ１１を模式的に示す斜視図である。図３（Ａ）に示すように、ウェーハ１１を分割して複数のチップ１９が得られると、チップ形成ステップは終了する。
【００３５】
チップ形成ステップの後には、各チップ１９の厚みを測定するための測定ステップを行う。図３（Ｂ）は、測定ステップにおいて各チップ１９の厚みが測定される様子を模式的に示す一部断面側面図である。この測定ステップは、引き続き研削装置２２を用いて行われる。
【００３６】
上述のように、チャックテーブル２４の上方には、光を利用した非接触式の厚み測定器３８が配置されている。厚み測定器３８は、測定用の光を放射する光源（不図示）を備えている。この光源は、例えば、ＳＬＤ（スーパールミッセントダイオード）や、ＬＥＤ、ハロゲンランプ等であり、ウェーハ１１を透過する所定の波長範囲で強度分布を持つ光を放射する。
【００３７】
上述のように、測定用の光はウェーハ１１を透過するので、ウェーハ１１に照射された測定用の光の一部がウェーハ１１の裏面１１ｂ側で反射される一方で、ウェーハ１１に照射された測定用の光の別の一部はウェーハ１１の表面１１ａ側で反射される。よって、裏面１１ｂ側で反射された光と表面１１ａ側で反射された光との干渉光は、裏面１１ｂと表面１１ａとの光路差（ウェーハ１１の厚みに相当）等に応じた複数の波長で強め合うことになる。
【００３８】
上述した干渉光は、例えば、厚み測定器３８の内部に設けられた回折格子等でなる分光ユニット（不図示）に入射する。分光ユニットの近傍には、分光ユニットで分光された光の強度分布を検出するラインセンサ（不図示）が配置されている。ラインセンサで取得される干渉光の強度分布に関する情報は、例えば、厚み測定器３８の制御ユニット（不図示）に送られる。
【００３９】
上述のようにしてラインセンサで取得された情報には、複数の波長で強め合う干渉光の分光スペクトルに相当する情報が含まれている。よって、ラインセンサで取得された情報（干渉光の分光スペクトル）を、例えば、制御ユニットでフーリエ変換（代表的には、高速フーリエ変換）等することで、表面１１ａに対する裏面１１ｂの高さ（すなわち、ウェーハ１１の厚み）に関する情報を取得できる。
【００４０】
この厚み測定器３８を用いてチップ１９の厚みを測定する際には、例えば、厚み測定器３８からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けて測定用の光を照射しながら、チャックテーブル２４と厚み測定器３８とを相対的に移動させる。これにより、各チップ１９に測定用の光を照射して、その厚みを測定できる。なお、接触式の厚み測定器や、厚み測定器３８とは測定の原理が異なる非接触式の厚み測定器等を用いても良い。例えば、全てのチップ１９の厚みが測定、記録されると、測定ステップは終了する。
【００４１】
測定ステップの後には、各チップ１９の厚みに基づき積層すべき複数のチップ１９を選択して積層するチップ積層ステップを行う。図４（Ａ）は、チップ積層ステップにおいて選択された複数のチップを模式的に示す側面図であり、図４（Ｂ）は、チップ積層ステップにおいて複数のチップが積層された様子を模式的に示す側面図である。
【００４２】
なお、本実施形態では、３個のチップ１９ａ，１９ｂ，１９ｃを厚み方向に重ねて積層チップ３１を製造する場合について説明するが、重ねるチップ１９の数に制限はない。すなわち、２個のチップ１９を重ねて積層チップを製造しても良いし、４個以上のチップ１９を重ねて積層チップを製造しても良い。
【００４３】
例えば、積層チップ３１の厚みがＴに設定されている場合には、測定ステップで測定、記録された各チップ１９の厚みに基づいて、図４（Ａ）に示すように、それぞれの厚みｔ１，ｔ２，ｔ３の和がＴとなる３個のチップ１９ａ，１９ｂ，１９ｃを選択する。これら３個のチップ１９ａ，１９ｂ，１９ｃを重ねて固定することで、図４（Ｂ）に示すように、厚みがＴの積層チップ３１を製造できる。
【００４４】
なお、本実施形態では、チップ１９ａ，１９ｂ，１９ｃの厚みのみを考慮する例について説明しているが、積層チップがチップ以外の構成要素（例えば、各チップを接続する接着剤等）を含む場合には、その構成要素の厚みを考慮した上で、積層すべき複数のチップを選択する。
【００４５】
以上のように、本実施形態に係る積層チップの製造方法では、複数のチップ１９を積層した際に所定の厚みＴになるように、各チップ１９の厚みに基づき積層すべき複数のチップ１９ａ，１９ｂ，１９ｃを選択して積層するので、所定の厚みＴに揃った積層チップ３１を製造できる。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態のチップ形成ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に分割用の溝１７を形成し、その後、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削することで、ウェーハ１１を薄くするとともに複数のチップ１９へと分割しているが、他の方法を用いてウェーハを複数のチップへと分割しても良い。
【００４７】
例えば、透過性のあるレーザービームをウェーハの内部に集光させて、分割の起点となる改質層（分割用の構造）を形成し、その後、ウェーハの裏面を研削することで、ウェーハを薄くするとともに、研削の際に加わる力を利用してウェーハを複数のチップへと分割できる。
【００４８】
同様に、透過性のあるレーザービームをウェーハの内部に集光させて、分割の起点となる改質層を形成し、その後、研削以外の方法で力を付与してウェーハを複数のチップへと分割しても良い。この場合には、分割の起点となる改質層を形成する前に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くすることもできる。
【００４９】
また、吸収性のあるレーザービームや切削ブレードを用いてウェーハを切断し、複数のチップへと分割しても良い。なお、この場合には、ウェーハを切断して複数のチップへと分割する前に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くすると良い。
【００５０】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５１】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  分割用の溝（分割用の構造）
１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ  チップ
２１  保護部材
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
３１  積層チップ
２  切削装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
６  切削ユニット
８  スピンドル
１０  切削ブレード
２２  研削装置
２４  チャックテーブル
２４ａ  保持面
２６  研削ユニット
２８  スピンドル
３０  マウント
３２  研削ホイール
３４  ホイール基台
３６  研削砥石
３８  厚み測定器
【図１】
2018064078.tif 000003
【図２】
2018064078.tif 000004
【図３】
2018064078.tif 000005
【図４】
2018064078.tif 000006