(57)【要約】【課題】チップのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハを確実に分割すること。【解決手段】テープ（Ｔ）を介してリングフレーム（Ｆ）に支持されたウエーハ（Ｗ）をテープの拡張によって改質層（５１）を起点にウエーハを分割する分割装置（１）であり、テープを介してウエーハを保持するテーブル（１０）と、ウエーハの周囲のリングフレームを保持するフレーム保持手段（２０）と、テーブルとフレーム保持手段とを相対的に接近および離間させる昇降手段（２６）と、ウエーハの分割後にチップの間隔を予め設定した間隔になるように昇降手段を制御する制御手段（４０）と、チップの間隔を予め設定した間隔に維持した状態で、ウエーハの外周とリングフレームの内周との間の弛んだテープを収縮させてチップの間隔を固定する収縮手段（３０）とを備える構成にした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リングフレームの開口を塞いで貼着したテープに分割起点が形成されたウエーハを貼着し該リングフレームと該テープとウエーハとを一体化させたワークセットの該テープを拡張させ該分割起点を起点にウエーハを分割する分割装置であって、
該リングフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段が保持したワークセットの該テープを介してウエーハを保持する保持面を有するテーブルと、
該テーブルと該フレーム保持手段とを相対的に該保持面に対して直交する方向で接近および離間させる昇降手段と、
該テーブルと該フレーム保持手段とを離間する方向に移動させ該テープを拡張し該分割起点を起点にウエーハを分割させた後、該テーブルと該フレーム保持手段とを接近する方向に移動させ隣接するチップを近づけて予め設定した狭めた間隔を形成する制御手段と、
該制御手段により該間隔を形成し拡張された該テープを該保持面で吸引保持し該間隔を維持し、該テーブルと該フレーム保持手段とをさらに接近させ、ウエーハの外周とリングフレームの内周との間の弛んだ該テープを収縮させ、隣接するチップの間隔を固定する収縮手段と、を備える分割装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを個々のチップに分割する分割装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の分割装置として、リングフレームにテープを介して支持されたウエーハを、テープを拡張することで、ウエーハに形成された分割起点に沿って分割するものが知られている（例えば、特許文献１−３参照）。これら分割装置では、ウエーハが分割テーブルに保持されると共にリングフレームがリング状テーブルに保持されて、リングフレームに対してウエーハが相対的に押し上げられることで、テープが径方向に拡張されてウエーハが個々のチップに分割される。分割後のチップは、次工程においてピッカー等によってテープからピックアップされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−００４８３２号公報
【特許文献２】特開２００７−０２７２５０号公報
【特許文献３】特開２０１５−２０４３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、チップサイズが小さなウエーハを分割するためにはテープを大きく拡張する必要がある。テープが大きく拡張されると、チップ同士の間隔が広がり過ぎて、次工程でチップをピックアップできなかったり、ピックアップ時間が長くなったりする。一方で、テープの拡張を抑えてチップ同士の間隔を小さくすることで、チップのピックアップ性を向上させることも考えられるが、チップサイズが小さなウエーハを適切に分割することができない。このように、テープを大きく拡張するとピックアップに不具合が生じ、テープの拡張を抑えるとウエーハを適切に分割できないという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、チップのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハを確実に分割することができる分割装置を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の分割装置は、リングフレームの開口を塞いで貼着したテープに分割起点が形成されたウエーハを貼着し該リングフレームと該テープとウエーハとを一体化させたワークセットの該テープを拡張させ該分割起点を起点にウエーハを分割する分割装置であって、該リングフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段が保持したワークセットの該テープを介してウエーハを保持する保持面を有するテーブルと、該テーブルと該フレーム保持手段とを相対的に該保持面に対して直交する方向で接近および離間させる昇降手段と、該テーブルと該フレーム保持手段とを離間する方向に移動させ該テープを拡張し該分割起点を起点にウエーハを分割させた後、該テーブルと該フレーム保持手段とを接近する方向に移動させ隣接するチップを近づけて予め設定した狭めた間隔を形成する制御手段と、該制御手段により該間隔を形成し拡張された該テープを該保持面で吸引保持し該間隔を維持し、該テーブルと該フレーム保持手段とをさらに接近させ、ウエーハの外周とリングフレームの内周との間の弛んだ該テープを収縮させ、隣接するチップの間隔を固定する収縮手段と、を備える。
【０００７】
この構成によれば、ウエーハの分割時にはテーブルとフレーム保持手段が離間することで、テープが大きく拡張されてウエーハが分割起点を起点にして確実に分割される。ウエーハの分割後にはテーブルとフレーム保持手段が接近することで、テープの拡張が解除されて隣接するチップの間隔が狭められる。そして、隣接するチップの間隔が予め設定した間隔まで狭められた状態で、ウエーハの周囲のテープの弛みが除去されることでチップの間隔が固定される。よって、チップのピックアップ位置にバラツキが生じたり、ピックアップ時間が長くなったりすることがない。このように、チップのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハを確実に分割することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ウエーハの分割後にテープの拡張が緩められ、隣接するチップの間隔が予め設定した間隔で固定されるようにウエーハの周囲のテープの弛みが除去される。よって、チップのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハを確実に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態の分割装置の斜視図である。
【図２】比較例のウエーハの分割動作及びピックアップ動作の説明図である。
【図３】本実施の形態のチップ間隔の調整処理を示す図である。
【図４】本実施の形態の分割装置による分割動作の説明図である。
【図５】変形例のチップ間隔の調整処理を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の分割装置について説明する。図１は、本実施の形態の分割装置の斜視図である。図２は、比較例のウエーハの分割動作及びピックアップ動作の説明図である。なお、分割装置は、図１に記載された構成に限定されず、適宜変更することが可能である。
【００１１】
図１に示すように、分割装置１は、リングフレームＦにテープＴを介して支持されたウエーハＷを、テープＴの拡張によって個々のチップＣ（図３Ａ参照）に分割するように構成されている。また、分割装置１は、テープＴの拡張の解除時にウエーハＷの外周とリングフレームＦの内周の間に生じるテープＴの弛みを熱収縮（ヒートシュリンク）によって除去するように構成されている。このように、テープＴが引き伸ばされて弛んだ箇所だけを熱収縮させて、ウエーハＷの分割後のチップＣ同士が接触して破損しないようにチップＣの間隔が維持されている。
【００１２】
ウエーハＷの表面には格子状の分割予定ラインＬが設けられており、分割予定ラインＬによって区画された各領域に各種デバイス（不図示）が形成されている。なお、ウエーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。ウエーハＷはリングフレームＦに貼られたテープＴに貼着され、ウエーハＷとリングフレームＦとテープＴを一体化させたワークセットＷＳが分割装置１に搬入される。
【００１３】
ワークセットＷＳのリングフレームＦは熱収縮性を有するテープＴによって開口部が塞がれており、開口部の内側のテープＴにウエーハＷが貼着されている。ウエーハＷの内部には、分割予定ラインＬに沿った分割起点として改質層（不図示）が形成されている。なお、改質層は、レーザーの照射によってウエーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００１４】
また、以下の説明では、分割起点としてウエーハＷの内部に形成された改質層を例示するが、この構成に限定されない。分割起点は、ウエーハＷの分割時の起点になればよく、例えば、レーザー加工溝、切削溝、スクライブラインで構成されてもよい。さらに、テープＴは、伸縮性を有すると共に熱収縮性を有するものであればよく、特に材質は限定されない。なお、テープ基材は、例えば、ＰＯ（Polyolefin）、ＰＶＣ（Polyvinyl  Chloride）で形成されることが好ましい。
【００１５】
分割装置１には、ワークセットＷＳのテープＴを介してウエーハＷを吸引保持可能なテーブル１０が配置され、テーブル１０の周囲にはワークセットＷＳのリングフレームＦを保持するフレーム保持手段２０が配置されている。テーブル１０は、複数の支柱部１１によって支持されており、テーブル１０の上面には多孔質のポーラス板１２が配置されている。この多孔質のポーラス板１２によってテーブル１０の上面にウエーハＷを吸引保持する保持面１３が形成されている。保持面１３にはテーブル１０内の流路を通じて吸引源１６（図４Ａ参照）に接続され、保持面１３に生じる負圧によってウエーハＷが吸引保持される。
【００１６】
また、保持面１３から吸引源１６に連なる流路には開閉バルブ１４（図４Ａ参照）が設けられており、開閉バルブ１４によってウエーハＷに対する保持面１３の吸引保持と吸引解除が切り替えられている。テーブル１０の外周エッジには、全周に渡って複数のローラ部１５が回転可能に設けられている。複数のローラ部１５は、保持面１３にウエーハＷが保持された状態で、ウエーハＷの周囲のテープＴに下側から転接されている。複数のローラ部１５がテープＴに転接されることで、テープＴの拡張時にテーブル１０の外周エッジで生じるテープＴの摩擦が抑えられている。
【００１７】
フレーム保持手段２０は、載置テーブル２１上のリングフレームＦを、カバープレート２２で上方から挟み込むようにして、載置テーブル２１上にリングフレームＦを保持している。載置テーブル２１及びカバープレート２２の中央には、テーブル１０よりも大径の円形開口２３、２４がそれぞれ形成されている。載置テーブル２１上にカバープレート２２が被せられると、カバープレート２２と載置テーブル２１によってリングフレームＦが保持されると共に、載置テーブル２１及びカバープレート２２の円形開口２３、２４からウエーハＷとテープＴの一部とが外部に露出される。
【００１８】
フレーム保持手段２０は、載置テーブル２１上のリングフレームＦにカバープレート２２が被せられた状態で、例えば、不図示のクランプ部によってカバープレート２２が載置テーブル２１に固定される。フレーム保持手段２０は、テーブル１０とフレーム保持手段２０を、相対的に保持面１３に対して直交する方向で離間及び接近させる昇降手段２６に支持されている。昇降手段２６は、載置テーブル２１の四隅を支持する４つの電動シリンダで構成されている。昇降手段２６のシリンダロッド２７の突出量が制御されることで、テーブル１０上のウエーハＷとフレーム保持手段２０との距離が調節される。
【００１９】
フレーム保持手段２０の上方には、テープＴに生じた弛みを収縮させる収縮手段３０が設けられている。収縮手段３０はウエーハＷの中心軸上に設けられており、ウエーハＷの中心を挟んで対向するように旋回アーム３１の両端に一対のヒータ３２を配置している。ヒータ３２は、例えば、金属材料に吸収され難い３μｍ〜２５μｍをピーク波形とする遠赤外線をスポット照射するように構成されている。これにより、装置各部の加熱を抑えてウエーハＷの外周とリングフレームＦの内周との間のテープＴの弛みが部分的に加熱されて熱収縮される。
【００２０】
また、収縮手段３０の旋回アーム３１には、一対のヒータ３２を上下動させる上下動作部３３と、一対のヒータ３２をウエーハＷの中心軸回りに回転させる回転モータ３４とが設けられている。上下動作部３３は、フレーム保持手段２０の昇降動作に合わせて、テープＴに対する一対のヒータ３２の高さを調整する。回転モータ３４は、ウエーハＷの周囲のテープＴの弛みが全周に亘って加熱されるように一対のヒータ３２を旋回する。上下動作部３３及び回転モータ３４によって一対のヒータ３２がテープＴに対して適切に位置付けられることで、ウエーハＷの周囲のテープＴが良好に加熱される。
【００２１】
また、分割装置１には、装置各部を統括制御する制御手段４０が設けられている。制御手段４０は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御手段４０によってテーブル１０とフレーム保持手段２０が相対移動されてテープＴの拡張動作が制御されると共に、収縮手段３０の一対のヒータ３２でテープＴの弛みが除去されてテープＴの収縮動作が制御される。さらに、制御手段４０によって後述するチップ間隔の調整処理が制御される。
【００２２】
このような分割装置１では、フレーム保持手段２０がリングフレームＦを保持した状態で下降されることで、カバープレート２２及び載置テーブル２１の円形開口２３、２４からテーブル１０が突出される。フレーム保持手段２０に対してテーブル１０が相対的に突き上げられることで、テープＴが径方向に拡張されてウエーハＷが個々のチップＣに分割される。また、フレーム保持手段２０が上昇されてテープＴの拡張が解除されると、テープＴのテンションが緩められる。このとき、ウエーハＷの周囲のテープＴが弛まないように、ヒータ３２によってテープＴが加熱されて熱収縮される。
【００２３】
ところで、図２に示すように、一般的な分割装置６１ではウエーハＷを分割する度にチップＣの間隔にバラツキが生じて、次工程においてピッカー６５でチップＣをピックアップする際にチップＣの位置を認識しなければならない。また、チップサイズの小さなウエーハＷを分割するためには、チップＣ同士が擦れて破損しないようにテープＴを大きく拡張する必要があり、ピッカー６５でチップＣをピックアップする際の移動距離が長くなってピックアップ時間が増大する。さらに、ピッカー６５の移動範囲外にチップＣが位置付けられると、チップＣをピックアップすることができない。
【００２４】
そこで、本実施の形態の分割装置１（図１参照）では、テープＴを大きく拡張させてウエーハＷを個々のチップＣに分割した後に、隣接するチップＣの間隔が予め設定した間隔になるようにテープＴを緩めている。この場合、テーブル１０の上方に設けた外周撮像手段４５によって分割後のウエーハＷの外周を撮像しながら、撮像画像のウエーハＷの外周位置を所定の外周位置に一致させてチップＣの間隔を調整している。そして、ウエーハＷの周囲のテープＴの弛みを熱収縮によって除去することで、隣接するチップＣをピックアップ動作に適した間隔で固定するようにしている。
【００２５】
以下、図３を参照して、制御手段によるチップ間隔の調整処理について説明する。図３は、本実施の形態のチップ間隔の調整処理を示す図である。
【００２６】
図３Ａに示すように、フレーム保持手段２０に対してテーブル１０が相対的に突き上げられると、テープＴが拡張されてウエーハＷが個々のチップＣに分割される。分割後のウエーハＷが外径Ｄ１まで広げられることで、隣接するチップＣの間に間隔Ｓ１が形成される。ウエーハＷの分割後には、フレーム保持手段２０がテーブル１０に近づけられてテープＴの拡張が解除される。これにより、テープＴの弾性回復によって分割後のウエーハＷの外径が小さくなり始め、隣接するチップＣが徐々に近づけられて、隣接するチップＣの間隔が狭められる。
【００２７】
このとき、テーブル１０の上方には外周撮像手段４５が設けられており、外周撮像手段４５によって分割後のウエーハＷの外周が撮像されている。外周撮像手段４５は制御手段４０に接続されており、外周撮像手段４５から制御手段４０にウエーハＷの外周の撮像画像が入力されている。制御手段４０では、撮像画像に対してエッジ検出処理等の各種画像処理が施されて、撮像画像の輝度差等からウエーハＷの外周位置が検出される。上記したように、ウエーハＷの分割時にはテープＴが拡張されており、外周撮像手段４５によってウエーハＷの外周位置として外周位置Ｐ１が検出される。
【００２８】
図３Ｂに示すように、テーブル１０に対するフレーム保持手段２０の接近によって、外周撮像手段４５で撮像されたウエーハＷの外周が外周位置Ｐ２まで移動すると、テーブル１０の保持面１３にテープＴが吸引保持されてチップＣの間隔が維持される。このとき、ウエーハＷが外径Ｄ２まで狭められて、隣接するチップＣの間に予め設定された間隔Ｓ２が形成される。なお、間隔Ｓ２は、次工程のピックアップ動作に適した間隔である。このように、隣り合うチップＣの間隔に応じて変化するウエーハＷの外周位置を外周撮像手段４５でモニタして、チップＣの間隔を間接的に測定しながらチップＣの間隔を調整している。
【００２９】
なお、図３Ｃに示すように、ウエーハＷの外周位置Ｐ２は、制御手段４０（図３Ｂ参照）に接続された算出手段４６（図１参照）によって事前に算出されている。より詳細には、ウエーハＷのチップサイズによってウエーハＷの分割予定ラインの数が決定され、分割予定ラインの数だけチップＣを間隔Ｓ２まで広げたときのウエーハＷの外径Ｄ２が算出される。このウエーハＷの外径Ｄ２に基づいて、チップＣの間隔Ｓ２に対応したウエーハＷの外周位置Ｐ２が算出される。なお、算出手段４６は、制御手段４０と同様に、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。
【００３０】
また、図３Ｄに示すように、ウエーハＷの外周位置Ｐ２には、一点鎖線に示すような許容範囲Ｒが設定されていてもよい。この場合、テーブル１０に対するフレーム保持手段２０の接近によって、外周撮像手段４５で撮像されたウエーハＷの外周が許容範囲Ｒ内に収まると、隣接するチップＣの間隔が予め設定された間隔Ｓ２に一致されたと判断される。このようにしてチップＣの間隔が調整されると、ウエーハＷの周囲のテープＴの弛みが熱収縮によって除去されることで、チップＣが予め設定した間隔Ｓ２を維持した状態で固定される。
【００３１】
続いて、図４を参照して、本実施の形態の分割装置による分割動作について説明する。図４は、本実施の形態の分割装置による分割動作の説明図である。図４Ａは分割工程の一例、図４Ｂはチップ間隔調整工程の一例、図４Ｃはテープ吸引保持工程の一例、図４Ｄはテープ収縮工程の一例をそれぞれ示している。
【００３２】
図４Ａに示すように、先ず分割工程が実施される。分割工程では、テーブル１０上にテープＴを介してウエーハＷが載置され、ウエーハＷの周囲のリングフレームＦがフレーム保持手段２０に保持される。このとき、開閉バルブ１４が閉じられており、吸引源１６からのテーブル１０への吸引力が遮断されている。そして、制御手段４０の制御によってフレーム保持手段２０が下降されて、テーブル１０とフレーム保持手段２０が離間される。これにより、テープＴが放射方向に拡張されて、テープＴを介して強度が低下した改質層を起点にしてウエーハＷが個々のチップＣに分割される。
【００３３】
図４Ｂに示すように、分割工程の後にチップ間隔調整工程が実施される。チップ間隔調整工程では、制御手段４０の制御によってフレーム保持手段２０が上昇されて、テーブル１０とフレーム保持手段２０が接近される。これにより、テープＴの拡張が解除されて、テープＴの弾性回復によって隣接するチップＣが徐々に近づけられる。このとき、テーブル１０の上方に外周撮像手段４５が位置付けられており、分割されたウエーハＷの外周が外周撮像手段４５によって撮像されている。この撮像画像からウエーハＷの外周位置が検出され、算出手段４６（図１参照）によって予め算出されたウエーハＷの外周位置と比較される。
【００３４】
撮像画像から検出されたウエーハＷの外周位置が、予め算出されたウエーハＷの外周位置に一致するまで、制御手段４０によってテーブル１０とフレーム保持手段２０が接近される。隣接するチップＣが徐々に近づけられて、チップＣの間隔が予め設定した間隔に調整される。チップＣの間隔調整時には開閉バルブ１４が閉じられているため、テーブル１０によってテープＴの変形が阻害されることがない。また、テーブル１０とフレーム保持手段２０の接近によって、ウエーハＷの外周とリングフレームＦの内周の間のテープＴのテンションが緩んでウエーハＷの周囲のテープＴに弛みが発生する。
【００３５】
図４Ｃに示すように、チップ間隔調整工程の後にテープ吸引保持工程が実施される。テープ吸引保持工程では、制御手段４０によってチップＣの間に予め設定した間隔が形成されると、開閉バルブ１４が開かれてテーブル１０に吸引力が発生する。テーブル１０によってテープＴを介してチップＣが吸引保持されるため、テープＴが弾性回復によって収縮することなく隣接するチップＣが予め設定した間隔を空けて維持される。また、ウエーハＷの上方に収縮手段３０が位置付けられ、回転モータ３４によって一対のヒータ３２が旋回されてテープＴの弛みの熱収縮が開始される。
【００３６】
図４Ｄに示すように、テープ吸引保持工程の後にテープ収縮工程が実施される。テープ収縮工程では、制御手段４０によってテーブル１０とフレーム保持手段２０がさらに接近されることで、ウエーハＷの外周とリングフレームＦの内周の間のテープＴの弛みが発生する。このとき、フレーム保持手段２０の移動に合わせて、上下動作部３３によってヒータ３２の高さが調整されながら一対のヒータ３２によってウエーハＷの周囲のテープＴの弛みが熱収縮される。ウエーハＷの周囲のテープＴだけが熱収縮されるため、テーブル１０の吸引保持が解除されても隣接するチップＣの間隔が維持された状態で固定される。
【００３７】
そして、テープ収縮工程後は開閉バルブ１４が閉じられ、テーブル１０によるテープＴの吸引が解除されてワークセットＷＳの搬送を可能にしている。このように、ウエーハＷの分割後に隣接するチップＣの間隔が予め設定した間隔で固定されるため、チップＣの間隔が広すぎることがなく、次工程のピックアップ動作時にピッカーの移動距離を短くしてピックアップ時間を短縮することができる。また、ウエーハＷの分割後にチップＣのバラツキが生じないため、ピッカーを規定の動作プログラムに従って動かすことで、全てのチップＣを適切にピックアップさせることができる。
【００３８】
以上のように、本実施の形態の分割装置１では、ウエーハＷの分割時にはテーブル１０とフレーム保持手段２０が離間することで、テープＴが大きく拡張されてウエーハＷが改質層を起点にして確実に分割される。ウエーハＷの分割後にはテーブル１０とフレーム保持手段２０が接近することで、テープＴの拡張が解除されて隣接するチップＣの間隔が狭められる。そして、隣接するチップＣの間隔が予め設定した間隔まで狭められた状態で、ウエーハＷの周囲のテープＴの弛みが除去されることでチップＣの間隔が固定される。よって、チップＣのピックアップ位置にバラツキが生じたり、ピックアップ時間が長くなったりすることがない。このように、チップＣのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハＷを確実に分割することができる。
【００３９】
なお、本実施の形態では、分割されたウエーハの外周位置を撮像して、ウエーハの外周位置を基準に隣接するチップの間隔を調整する構成にしたが、この構成に限定されない。隣接するチップの間隔が予め設定された間隔に調整される構成であれば、どのようにチップの間隔が調整されてもよい。例えば、分割されたウエーハを撮像して、撮像画像から隣接するチップの間隔を測定しながら、チップの間隔を調整する構成にしてもよい。
【００４０】
具体的には、図５Ａに示すように、テープＴの拡張によってウエーハＷが分割されると、隣接するチップＣの間に間隔Ｓ１が形成される。ウエーハの分割後には、テープＴの拡張が解除されて、テープＴの弾性回復によって隣接するチップＣが徐々に近づけられる。このとき、テーブル１０の上方には撮像手段４８が設けられており、撮像手段４８によって分割後のウエーハＷが撮像されている。撮像手段４８には測定手段４９が接続されており、撮像手段４８から入力された撮像画像に対して各種画像処理が施されて、測定手段４９によって隣接するチップＣの間隔が測定される。
【００４１】
そして、図５Ｂに示すように、テーブル１０に対するフレーム保持手段２０の接近によって、測定手段４９が測定したチップＣの間隔が予め設定された間隔Ｓ２に一致すると、テーブル１０によってテープＴが吸引保持されてチップＣの間隔が維持される。このように、隣り合うチップＣの間隔を撮像手段４８でモニタして、チップＣの間隔を直接的に測定しながらチップＣの間隔を調整している。なお、測定手段４９は、制御手段４０と同様に、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。
【００４２】
また、本実施の形態では、昇降手段がテーブルに対してフレーム保持手段を昇降させる構成にしたが、この構成に限定されない。昇降手段は、テーブルとフレーム保持手段とを相対的に接近及び離間させる構成であればよく、例えば、フレーム保持手段に対してテーブルを昇降させる構成にしてもよい。また、昇降手段は電動シリンダに限定されず、他のアクチュエータで構成されていてもよい。
【００４３】
また、本実施の形態では、外周撮像手段はウエーハの外周を撮像可能な構成であればよく、例えば、ＣＣＤ（Charged  Coupled  Device）、ＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等の撮像素子が用いられてもよい。また、変形例の撮像手段はウエーハを撮像可能な構成であればよく、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子が用いられてもよい。
【００４４】
また、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４５】
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００４６】
また、本実施の形態では、本発明を分割装置に適用した構成について説明したが、テープを適切に拡張する他のエキスパンド装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上説明したように、本発明は、チップのピックアップ性を悪化させることなく、ウエーハを確実に分割することができるという効果を有し、特に、半導体ウエーハを分割する分割装置に有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１  分割装置
１０  テーブル
１３  保持面
２０  フレーム保持手段
２６  昇降手段
３０  収縮手段
４０  制御手段
５１  改質層（分割起点）
Ｃ  チップ
Ｆ  リングフレーム
Ｔ  テープ
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  ワークセット
【図１】
2018113349.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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