(57)【要約】【課題】本発明は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる基板パターン倒壊抑制用処理材と、これを用いた基板の処理方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられ、熱又は光の作用により高分子量化する第１化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記第１化合物が、架橋基を有するとよい。上記架橋基が、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換若しくは非置換の環状エーテル基又はこれらの組み合わせであるとよい。上記第１化合物の有する上記架橋基の数としては、２以上が好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられる基板パターン倒壊抑制用処理材であって、
熱又は光の作用により高分子量化する第１化合物と、
溶媒と
を含有することを特徴とする基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項２】
上記第１化合物が、架橋基を有する請求項１に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項３】
上記架橋基が、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換若しくは非置換の環状エーテル基又はこれらの組み合わせである請求項２に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項４】
上記架橋基が、アルケニル基、ビニロキシ基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エチニル基、プロパルギル基、プロパルギルオキシ基、置換若しくは非置換のオキシラニル基、置換若しくは非置換のオキセタニル基又はこれらの組み合わせである請求項３に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項５】
上記第１化合物の有する上記架橋基の数が２以上である請求項２、請求項３又は請求項４に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項６】
上記第１化合物が、上記架橋基以外の極性基を有する請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項７】
上記極性基が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基又はこれらの組み合わせである請求項６に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項８】
上記第１化合物以外の化合物であって、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基又はこれらの組み合わせを有する分子量３００以上の第２化合物をさらに含有する請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項９】
酸発生剤、ラジカル開始剤又はこれらの組み合わせをさらに含有する請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項１０】
上記溶媒が、極性溶媒である請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項１１】
上記第１化合物の含有割合が０．１質量％以上５０質量％以下である請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項１２】
界面活性剤をさらに含有する請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項１３】
基板パターンの間隙への埋め込み用である請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材。
【請求項１４】
一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程と、
この基板パターン倒壊抑制膜を加熱又は光照射する工程と
を備える基板の処理方法。
【請求項１５】
上記基板が、ケイ素原子又は金属原子を含む請求項１４に記載の基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や、微小電気機械素子（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ：ＭＥＭＳ）等の製造工程において、基板（処理物）が液体で処理される。例えば基板、積層膜、レジスト膜等が液体処理などによりパターニング加工され、微細な構造体が基板上に形成される。また、基板に残存する不純物や残渣等が、液体を用いた洗浄により除去される。さらに、これらの工程が組み合わせて実施される。そして、液体処理の後、その液体を除去する際に、液体の表面張力により基板上に形成されている微細な構造体が倒壊することがある。
【０００３】
一方で、ネットワークやデジタル家電用の半導体デバイスにおいて、さらなる小型化、高集積化、あるいは高速化が進むに従い、基板パターンの微細化が進行している。基板パターンの微細化の進行に伴ってアスペクト比が高くなると、洗浄又はリンス後、ウェハの乾燥時に気液界面がパターンを通過する時に生じる基板パターンの倒壊が起こり易いという不都合がある。この不都合に対する有効な対応策が見当たらないため、半導体装置やマイクロマシンの小型化、高集積化、あるいは高速度化にあたっては、パターンの倒壊が生じないようなパターンの設計を行うこと等が必要となり、パターン設計の自由度が著しく阻害される状況にある。
【０００４】
特許文献１には、基板パターンの倒壊を抑制する手法として気液界面がパターンを通過する前に洗浄液を水から２−プロパノールへ置換する技術が開示されている。しかし、対応できるパターンのアスペクト比が５以下である等の限界があるとされている。
【０００５】
また、特許文献２には、シリコンを含む膜により凹凸形状パターンを形成したウェハ表面を酸化等により表面改質し、この表面に水溶性界面活性剤又はシランカップリング剤を用いて撥水性保護膜を形成することで毛細管力を低減し、これによりパターンの倒壊を防止する洗浄方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３及び４には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランを始めとするシリル化剤及び溶剤を含む処理液を用いて疎水化処理を行うことにより、基板パターンの倒壊を防ぐ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１９８９５８号公報
【特許文献２】特許第４４０３２０２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１２９９３２号公報
【特許文献４】国際公開第１０／４７１９６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の方法では、半導体装置や微小電気機械素子といった微細構造体の分野においては、基板パターンの倒壊を十分に抑制できないという課題がある。
【０００９】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる基板パターン倒壊抑制用処理材と、これを用いた基板の処理方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するためになされた発明は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられる基板パターン倒壊抑制用処理材であって、熱又は光の作用により高分子量化する第１化合物（以下、「［Ａ］化合物」ともいう）と、溶媒（以下、「［Ｃ］溶媒」ともいう）とを含有することを特徴とする基板パターン倒壊抑制用処理材である。
【００１１】
上記課題を解決するためになされた別の発明は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、上述の基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程と、この基板パターン倒壊抑制膜を加熱又は光照射する工程とを備える基板の処理方法である。
【００１２】
ここで「基板パターン」とは、基板上に形成されるレジストパターン以外のパターンを意味する。「熱又は光の作用による高分子量化」とは、熱又は光の直接的な作用による高分子量化だけでなく、熱又は光の作用により周囲に生じた酸、ラジカル等の媒介物質の作用による高分子量化を含む概念である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法は、基板パターンの倒壊抑制性に優れる。また、例えば上記基板パターン倒壊抑制膜を除去する工程（除去工程）で基板パターン倒壊抑制膜の残渣が生じると基板パターンの欠陥の原因となるが、本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法は、処理時における基板パターンの欠陥抑制性に優れる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に属することが理解されるべきである。
【００１５】
＜基板パターン倒壊抑制用処理材＞
本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられ、熱又は光の作用により高分子量化する［Ａ］化合物と、［Ｃ］溶媒とを含有する。
【００１６】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、基板パターンの間隙への埋め込み用に用いるとよい。具体的には、一方の面に基板パターンが形成された基板を洗浄等した後に、上記基板の基板パターン側の面に当該基板パターン倒壊抑制用処理材を塗工する。その結果、基板上の洗浄液、リンス液等の液体が当該基板パターン倒壊抑制用処理材で置換され、基板パターンの間隙を埋め込む塗膜（基板パターン倒壊抑制膜）が形成される。この方法によれば、液体を乾燥させる操作を用いることなく上記液体を除去できるため、基板パターンの側面を気液界面が通過することによるパターン倒壊が抑制される。この基板パターン倒壊抑制膜は、必要に応じてドライエッチング等により基板上から除去することができる。
【００１７】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、［Ａ］化合物及び［Ｃ］溶媒を含有することで、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる。当該基板パターン倒壊抑制用処理材が上記構成を有することで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、熱又は光の作用により高分子量化する［Ａ］化合物を含有するため、形成される基板パターン倒壊抑制膜に加熱又は光照射することで［Ａ］化合物を高分子量化でき、その結果、上記基板パターン倒壊抑制膜に耐熱性を付与できる。このような基板パターン倒壊抑制膜は、基板上からドライエッチング等で除去する際に一部又は全体が高温化したとしても熱融解を抑制して強度を維持し易いため、基板パターンの倒壊を抑制しつつ確実にドライエッチング等で除去できる。これにより、当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れると考えられる。
【００１８】
［［Ａ］化合物］
［Ａ］化合物としては、熱又は光の作用により高分子量化する成分であれば特に限定されないが、架橋基を有する化合物（以下、「［ａ］架橋基含有化合物」ともいう）が好ましい。このように、［Ａ］化合物として［ａ］架橋基含有化合物を用いることで、熱又は光の作用によって容易かつ確実に高分子量化させることができる。［Ａ］化合物は１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。［ａ］架橋基含有化合物は、１種の架橋基のみを含んでもよく、２種以上の架橋基を含んでもよい。
【００１９】
ここで「架橋基」とは、加熱条件下、活性エネルギー線照射条件下、酸性条件下等における反応により、同士間（同一構造を有する別部位の基と自身との間）で共有結合を形成することができる基をいう。
【００２０】
上記架橋基としては、１価の架橋基及び２価の架橋基が好ましい。
【００２１】
上記架橋基としては、例えば重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換又は非置換の環状エーテル基、アルコキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、メチロール基（−ＣＨ２ＯＨ）、ジアルキルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基等が挙げられる。
【００２２】
上記重合性炭素−炭素二重結合を含む基としては、例えばビニル基、２−プロパニル基等のアルケニル基、ビニロキシ基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基などが挙げられる。
【００２３】
上記重合性炭素−炭素三重結合を含む基としては、例えばエチニル基、プロパルギル基、プロパルギルオキシ基、プロパルギルアミノ基等が挙げられる。
【００２４】
上記置換の環状エーテル基における置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基等、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基等が挙げられる。
【００２５】
上記置換又は非置換の環状エーテル基としては、例えばオキシラニル基、グリシジル基、２−メチルグリシジル基、グジシジルオキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル基等の置換又は非置換のオキシラニル基；
オキセタニル基、オキセタニルオキシ基、３−エチルオキセタン−３−イル基等の置換又は非置換のオキセタニル基等が挙げられる。
【００２６】
上記シクロブタン環が縮環したアリール基としては、例えばシクロブタン環が縮環したフェニル基、シクロブタン環が縮環したナフチル基等が挙げられる。なお、上記シクロブタン環が縮環したアリール基同士は、加熱条件下、共有結合が形成される。
【００２７】
上記アルコキシメチル基としては、例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基等が挙げられる。
【００２８】
上記架橋基としては、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合含有基、置換又は非置換の環状エーテル基及びこれらの組み合わせが好ましく、アルケニル基、ビニロキシ基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エチニル基、プロパルギル基、プロパルギルオキシ基、置換又は非置換のオキシラニル基、置換又は非置換のオキセタニル基及びこれらの組み合わせがより好ましい。
【００２９】
［ａ］架橋基含有化合物が有する上記架橋基の数としては、２以上が好ましい。このように、［ａ］架橋基含有化合物が上記架橋基を複数有することで、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性がより向上すると考えられる。当該基板パターン倒壊抑制用処理材が上記構成を有することで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、［ａ］架橋基含有化合物が上記架橋基を複数有することで高分子量化が促進されると考えられる。また、［ａ］架橋基含有化合物同士の架橋や、［ａ］架橋基含有化合物及び後述する［Ｂ］特定基含有化合物の架橋によって上記基板パターン倒壊抑制膜に三次元網目構造が形成され、ドライエッチング等で除去する際の熱融解がより効果的に抑制されると考えられる。
【００３０】
［ａ］架橋基含有化合物は、上記架橋基以外の極性基をさらに有することが好ましい。ここで、基板の洗浄液又はリンス液には一般的に水等の極性の高い溶液が用いられるため、基板上に保持された上記洗浄液又はリンス液を当該基板パターン倒壊抑制用処理材で置換する際に、［ａ］架橋基含有化合物の分散不良等を抑制できる。［ａ］架橋基含有化合物は、１種の上記極性基のみを含んでもよく、２種以上の上記極性基を含んでもよい。
【００３１】
上記極性基としては、例えばヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、イソシアネート基、スルホ基、スルファニル基、アルデヒド基等の１価の極性基や、カルボニル基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ’−等の２価の極性基などが挙げられる。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である。なお、上記極性基は、イオン性基及びカウンターイオンに解離した状態で［ａ］架橋基含有化合物に含まれていてもよい。
【００３２】
ここで「炭化水素基」とは、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が含まれる。この「炭化水素基」は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でもよい。「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基をいい、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の両方を含む。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基をいい、単環の脂環式炭化水素基及び多環の脂環式炭化水素基の両方を含む。但し、脂環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基をいう。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環構造を含んでいてもよい。
【００３３】
上記極性基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基及びこれらの組み合わせが好ましい。これらの極性基は、極性が比較的高く、かつ熱又は光の作用により上記架橋基と反応して架橋することができる。そのため、［ａ］架橋基含有化合物が上述の極性基をさらに有することで、［ａ］架橋基含有化合物の親水性を効果的に向上でき、また熱又は光の作用による［ａ］架橋基含有化合物の高分子量化を促進することができる。
【００３４】
［ａ］架橋基含有化合物は、上記架橋性基としての置換又は非置換の環状エーテル基を有する場合、上記極性基としてのヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基又はこれらの組み合わせをさらに有することが好ましい。このように、［ａ］架橋基含有化合物が上記組み合わせを有することで、熱又は光の作用による［ａ］架橋基含有化合物の高分子量化を促進することができる。
【００３５】
［ａ］架橋基含有化合物としては、例えば上記架橋基を有する重合体（以下、「［ａ１］重合体」ともいう）や、重合体以外の化合物であって上記架橋基を有するもの（以下、「［ａ２］化合物」ともいう）などが挙げられる。以下、［ａ１］重合体及び［ａ２］化合物について説明する。
【００３６】
［［ａ１］重合体］
［ａ１］重合体としては、例えば上記架橋基を含む構造単位（Ｕ１）を有する重合体等が挙げられる。構造単位（Ｕ１）は、上記架橋基を主鎖に含んでも側鎖に含んでもよい。構造単位（Ｕ１）に含まれる上記架橋基の数としては、特に限定されないが、１個以上１０個以下が好ましく、１個以上３個以下がより好ましい。なお、構造単位（Ｕ１）は、上記極性基をさらに有してもよく、この場合、構造単位（Ｕ１）に含まれる上記極性基の数としては、特に限定されないが、１個以上１０個以下が好ましく、１個以上３個以下がより好ましい。
【００３７】
［ａ１］重合体は、上記極性基を含む構造単位（Ｕ２）（構造単位（Ｕ１）に該当するものを除く。）をさらに有することが好ましい。構造単位（Ｕ２）は、上記極性基を主鎖に含んでも、側鎖に含んでもよい。構造単位（Ｕ２）に含まれる上記極性基の数としては、特に限定されないが、１個以上１０個以下が好ましく、１個以上３個以下がより好ましい。
【００３８】
［ａ１］重合体が構造単位（Ｕ１）を有し、かつ構造単位（Ｕ２）を有しない場合、［ａ１］重合体を構成する全構造単位に対する構造単位（Ｕ１）の含有割合の下限としては、１モル％が好ましく、２０モル％がより好ましく、５０モル％がさらに好ましく、８０モル％が特に好ましい。上記含有割合を上記下限以上とすることで、熱又は光の作用による［ａ１］重合体の高分子量化を促進でき、その結果、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をより向上できる。
【００３９】
［ａ１］重合体が構造単位（Ｕ１）及び構造単位（Ｕ２）を有する場合、［ａ１］重合体を構成する全構造単位に対する構造単位（Ｕ１）の含有割合の下限としては、０．５モル％が好ましく、５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、１５モル％が特に好ましい。一方、上記含有割合の上限としては、９５モル％が好ましく、７０モル％がより好ましく、５０モル％がさらに好ましく、３０モル％が特に好ましい。上記含有割合を上記範囲とすることで、熱又は光の作用による［ａ１］重合体の高分子量化を促進でき、その結果、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をより向上できる。
【００４０】
［ａ１］重合体が構造単位（Ｕ２）を有する場合、［ａ１］重合体を構成する全構造単位に対する構造単位（Ｕ２）の含有割合の下限としては、５モル％が好ましく、３０モル％がより好ましく、５０モル％がさらに好ましく、７０モル％が特に好ましい。一方、上記含有割合の上限としては、９９．５モル％が好ましく、９５モル％がより好ましく、９０モル％がさらに好ましく、８５モル％が特に好ましい。上記含有割合を上記範囲とすることで、［ａ１］重合体の親水性をより向上し、また熱又は光の作用による［ａ１］重合体の高分子量化をより促進できる。
【００４１】
［ａ１］重合体は、架橋基及び極性基をいずれも含まない構造単位を有していてもよい。また、［ａ１］重合体は、上記架橋基及び／又は上記極性基を含む末端基を有していてもよい。
【００４２】
［ａ１］重合体としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、具体的には、上記架橋基を導入した樹脂（以下、「［ａｘ］樹脂」ともいう）、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート樹脂、ホリブタジエン系液状樹脂、ウレタン系液状樹脂などが挙げられる。［ａｘ］樹脂としては、基本となる樹脂の種類から分類すると、例えば上記架橋基を導入した（メタ）アクリル系樹脂、上記架橋基を導入したフェノール樹脂、上記架橋基を導入したナフトール樹脂、上記架橋基を導入したフルオレン樹脂、上記架橋基を導入したスチレン樹脂、上記架橋基を導入したアセナフチレン樹脂、上記架橋基を導入したインデン樹脂、上記架橋基を導入したアリーレン樹脂、上記架橋基を導入したトリアジン樹脂、上記架橋基を導入したピレン樹脂、上記架橋基を導入したカリックスアレーン樹脂等が挙げられる。
【００４３】
（上記架橋基を導入した（メタ）アクリル系樹脂）
上記架橋基を導入した（メタ）アクリル系樹脂としては、下記式（Ｉ）で表される構造単位を有する重合体等が挙げられる。この構造単位は、構造単位（Ｕ１）に相当する。
【００４４】
【化１】
2018067696.tif 000002
【００４５】
上記式（Ｉ）中、Ｒ１は、上記架橋基を含む炭素数１〜２０の１価の有機基である。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
【００４６】
Ｒ１で表される１価の有機基としては、例えば一部又は全部の水素原子が上記架橋基で置換された１価の炭化水素基等が挙げられる。上記炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基等が挙げられ、これらの中で、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒ１で表される１価の有機基が有する架橋基の数としては、例えば１個以上１０個以下とすることができ、１個以上５個以下が好ましく、１個以上２個以下がより好ましい。
【００４７】
Ｒ１に含まれる架橋基としては、置換又は非置換の環状エーテル基が好ましく、置換又は非置換のオキシラニル基、及び置換又は非置換のオキセタニル基がより好ましい。
【００４８】
Ｘ１としては、上記構造単位を与えるモノマーの重合性の観点から、水素原子及びメチル基が好ましい。
【００４９】
上記架橋基を導入した（メタ）アクリル系樹脂は、下記式（ＩＩ）で表される構造単位をさらに有することが好ましい。この構造単位は、構造単位（Ｕ２）に相当する。
【００５０】
【化２】
2018067696.tif 000003
【００５１】
上記式（ＩＩ）中、Ｒ２は、上記極性基を含む炭素数１〜２０の１価の有機基である。Ｘ２は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
【００５２】
Ｒ２で表される１価の有機基としては、例えば一部又は全部の水素原子が上記極性基で置換された１価の炭化水素基等が挙げられる。上記１価の炭化水素基としては、例えば上記式（Ｉ）におけるＲ１で例示した基と同様のもの等が挙げられ、これらの中で、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましい。
【００５３】
Ｒ２で表される１価の有機基が有する極性基の数としては、例えば１個以上１０個以下とすることができ、１個以上５個以下が好ましく、１個以上２個以下がより好ましい。
【００５４】
Ｒ２で表される１価の有機基が有する極性基としては、ヒドロキシ基が好ましい。
【００５５】
Ｘ２としては、上記構造単位を与えるモノマーの重合性の観点から、水素原子及びメチル基が好ましい。
【００５６】
（上記架橋基を導入したフェノール樹脂）
上記架橋基を導入したフェノール樹脂は、フェノール化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したフェノール樹脂は、例えば上記フェノール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００５７】
フェノール化合物としては、例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−オクチルフェノール等が挙げられる。
【００５８】
アルデヒド化合物としては、例えば
ホルムアルデヒド等のアルデヒド；
パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源などが挙げられる。
【００５９】
（上記架橋基を導入したナフトール樹脂）
上記架橋基を導入したナフトール樹脂は、ナフトール化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したナフトール樹脂は、例えば上記ナフトール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のナフトール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。ナフトール化合物としては、例えばα−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。
【００６０】
（上記架橋基を導入したフルオレン樹脂）
上記架橋基を導入したフルオレン樹脂は、フルオレン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したフルオレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するフルオレン化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のヒドロキシアリール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６１】
フルオレン化合物としては、例えば９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（６−ヒドロキシナフチル）フルオレン等が挙げられる。
【００６２】
（上記架橋基を導入したスチレン樹脂）
上記架橋基を導入したスチレン樹脂は、芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したスチレン樹脂は、例えばフェノール性ヒドロキシ基を有する芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６３】
（上記架橋基を導入したアセナフチレン樹脂）
上記架橋基を導入したアセナフチレン樹脂は、アセナフチレン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したアセナフチレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するアセナフチレン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６４】
（上記架橋基を導入したインデン樹脂）
上記架橋基を導入したインデン樹脂は、インデン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が上記架橋基を有する樹脂である。上記架橋基を導入したインデン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するインデン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のヒドロキシアリール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６５】
（上記架橋基を導入したアリーレン樹脂）
上記架橋基を導入したアリーレン樹脂は、上記架橋基を有するアリーレン骨格を有する樹脂である。上記架橋基を導入したアリーレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するアリーレン骨格を有する樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。アリーレン骨格としては、例えばフェニレン骨格、ナフチレン骨格、ビフェニレン骨格等が挙げられる。
【００６６】
（上記架橋基を導入したトリアジン樹脂）
上記架橋基を導入したトリアジン樹脂は、上記架橋基を有するトリアジン骨格を有する樹脂である。上記架橋基を導入したトリアジン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するトリアジン骨格を有する樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６７】
（上記架橋基を導入したピレン樹脂）
上記架橋基を導入したピレン樹脂は、上記架橋基を有するピレン骨格を有する樹脂である。上記架橋基を導入したピレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するピレン骨格を有する樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。ヒドロキシアリール構造を有するピレン骨格を有する樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有するピレン化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒を用いて反応させることで得られる。
【００６８】
（上記架橋基を導入したカリックスアレーン樹脂）
上記架橋基を導入したカリックスアレーン樹脂は、フェノール性水酸基が結合する芳香環が炭化水素基を介して複数個環状に結合し、かつ上記架橋基を有する環状オリゴマーである。上記架橋基を有するカリックスアレーン樹脂は、例えばカリックスアレーン樹脂のフェノール構造から上記架橋基を形成することにより合成することができる。
【００６９】
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００７０】
［ａ１］重合体としては、［ａｘ］樹脂が好ましい。
【００７１】
［ａ１］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、１，０００が好ましく、１，３００がより好ましく、２，０００がさらに好ましく、４，０００が特に好ましい。一方、上記Ｍｗの上限としては、１，０００，０００が好ましく、２００，０００がより好ましく、５０，０００がさらに好ましく、１０，０００が特に好ましい。上記Ｍｗを上記範囲とすることで、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗布性、埋め込み性、並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をバランスよく向上できる。ここで「Ｍｗ」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量線を用いて測定される値をいう。
【００７２】
［［ａ２］化合物］
［ａ２］化合物としては、分子量が比較的小さい化合物（例えば分子量５０以上１，０００以下の化合物）や、分子量が比較的大きい化合物（例えば分子量１，０００超１０，０００以下の化合物）等が挙げられる。［ａ２］化合物が有する上記架橋基の数としては、２個以上２０個以下が好ましく、２個以上１０個以下がより好ましく、２個以上５個以下がさらに好ましい。［ａ２］化合物が有する上記架橋基の数を上記範囲とすることで、熱又は光の作用による高分子量化を促進でき、その結果、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をより向上できる。
【００７３】
［ａ２］化合物が上記極性基をさらに有する場合、［ａ２］化合物が有する上記極性基の数としては、１個以上２０個以下が好ましく、１個以上１０個以下がより好ましく、１個以上５個以下がさらに好ましい。［ａ２］化合物が有する上記極性基の数を上記範囲とすることで、親水性をより向上させ、その結果、塗布性を向上させることができる。
【００７４】
［ａ２］化合物としては、重合性炭素−炭素二重結合を含む化合物、重合性炭素−炭素三重結合を含む化合物、多官能オキシラン化合物、多官能オキセタン化合物等が挙げられる。
【００７５】
（重合性炭素−炭素二重結合を含む化合物）
上記重合性炭素−炭素二重結合を含む化合物としては、例えば多官能（メタ）アクリレート化合物、２個以上のアルケニルオキシ基を有する化合物、２個以上のアルケニル基を有する化合物等が挙げられる。
【００７６】
上記多官能（メタ）アクリレートとしては、２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば脂肪族ポリヒドロキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを反応させて得られる多官能（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性された多官能（メタ）アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能（メタ）アクリレート、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートと多官能イソシアネートとを反応させて得られる多官能ウレタン（メタ）アクリレート、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートと酸無水物とを反応させて得られるカルボキシ基を有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００７７】
具体的な上記多官能（メタ）アクリレートとしては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００７８】
上記２個以上のアルケニルオキシ基を有する化合物としては、例えばエチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ポリアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００７９】
２個以上のアルケニル基を有する化合物としては、例えばジビニルベンゼン等の炭化水素化合物などが挙げられる。
【００８０】
上記重合性炭素−炭素二重結合を含む化合物としては、多官能（メタ）アクリレート化合物が好ましく、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート及びペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００８１】
（多官能オキシラン化合物）
多官能オキシラン化合物としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。
【００８２】
【化３】
2018067696.tif 000004
【００８３】
（多官能オキセタン化合物）
多官能オキセタン化合物としては、例えばキシリレンビスオキセタン、１−ブトキシ−２，２−ビス〔（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシメチル〕ブタン、３−エチル−３｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン、１，１，１−トリス〔（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシメチル〕プロパン等が挙げられる。
【００８４】
上記多官能オキセタン化合物としては、キシリレンビスオキセタン、３−エチル−３｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン及び上記式で表される化合物が好ましい。
【００８５】
［ａ２］化合物としては、重合性炭素−炭素二重結合を含む化合物、多官能オキシラン化合物及び多官能オキセタン化合物が好ましく、多官能（メタ）アクリレート化合物、多官能オキシラン化合物及び多官能オキセタン化合物がより好ましい。
【００８６】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材における［Ａ］化合物の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、５質量％がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。［Ａ］化合物の含有量を上記範囲とすることで、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗布性、埋め込み性、並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をバランスよく向上できる。
【００８７】
［［Ｂ］特定基含有化合物］
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、［Ａ］化合物以外の化合物であって、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基又はこれらの組み合わせを有する分子量３００以上の第２化合物（以下、「［Ｂ］特定基含有化合物」ともいう）をさらに含有することが好ましい。［Ｂ］特定基含有化合物が有する上述の基は、［ａ］架橋基含有化合物の有する上記架橋基と反応して共有結合を形成できる。そのため、当該基板パターン倒壊抑制用処理材が［Ｂ］特定基含有化合物を含有することで、熱又は光の作用による［ａ］架橋基含有化合物の高分子量化を促進することができる。また、［Ｂ］特定基含有化合物は、上述の極性が比較的高い基を有するため、［Ｃ］溶媒の極性が比較的高い場合においても容易に溶解又は分散できる。［Ｂ］特定基含有化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８８】
［Ｂ］特定基含有化合物としては、重合体であっても重合体以外の化合物であってもよく、例えばヒドロキシ基を有する重合体、カルボキシ基を有する重合体、アミノ基を有する重合体等が挙げられる。
【００８９】
［Ｂ］特定基含有化合物が重合体である場合、上記重合体は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基、アミノ基又はこれらの組み合わせを含む構造単位のみを有してもよく、他の構造単位をさらに有してもよい。また、上記重合体は、上述の基を含む末端基を有していてもよい。
【００９０】
（ヒドロキシ基を有する重合体）
上記ヒドロキシ基を有する重合体としては、例えば多糖類、ポリヒドロキシ酸類及びその塩、ポリアルキレングリコール類、ヒドロキシ基含有ビニル系重合体、フェノール樹脂、タンニン酸等が挙げられる。
【００９１】
上記多糖類としては、例えばアルギン酸、ペクチン酸、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロ−ス、寒天、カ−ドラン、プルラン等が挙げられる。
【００９２】
上記ポリヒドロキシ酸類及びその塩としては、ポリリンゴ酸、ポリリンゴ酸アンモニウム等が挙げられる。
【００９３】
上記ポリアルキレングリコール類としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等が挙げられる。
【００９４】
上記ヒドロキシ基含有ビニル系重合体としては、例えばポリビニルアルコ−ル、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル系樹脂等が挙げられる。
【００９５】
上記ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル系樹脂としては、例えばポリ（２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート）、ポリ（２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート）、ポリ（２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート）等が挙げられる。
【００９６】
上記フェノール樹脂としては、例えばフェノール化合物とアルデヒド化合物及び／又はジビニル化合物類等とを酸性触媒等を用いて反応させて得られるノボラック系樹脂や、上記フェノール化合物と上記アルデヒド化合物とをアルカリ性触媒を用いて反応させて得られるレゾール系樹脂などが挙げられる。
【００９７】
上記フェノール化合物としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール及びｐ−オクチルフェノールが好ましい。上記フェノール化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９８】
上記アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド等のアルデヒドや、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源等が挙げられる。上記アルデヒド化合物としては、アルデヒドが好ましく、ホルムアルデヒドがより好ましい。上記アルデヒド化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９９】
上記ジビニル化合物類としては、例えばジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、５−ビニルノボルナ−２−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネン、５−ビニルノルボルナジエン等が挙げられる。ジビニル化合物類は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
（カルボキシ基を有する重合体）
上記カルボキシ基を有する重合体としては、例えばポリアミノ酸類及びその塩、上記ポリヒドロキシ酸類及びその塩、ポリアミド酸類及びその塩、カルボキシ基含有ビニル系重合体及びその塩等が挙げられる。
【０１０１】
上記ポリアミノ酸類及びその塩としては、例えばポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリジン等が挙げられる。
【０１０２】
上記ポリアミド酸類及びその塩としては、例えばポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩等が挙げられる。
【０１０３】
上記カルボキシ基含有ビニル系重合体及びその塩としては、例えばポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）等が挙げられる。
【０１０４】
（アミノ基を有する重合体）
上記アミノ基を有する重合体としては、例えばアミノ基含有ビニル系重合体、ポリエチレンイミン、ポリオキサゾリン等が挙げられる。
【０１０５】
上記アミノ基含有ビニル系重合体としては、例えばポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
【０１０６】
上記ポリエチレンイミンとは、エチレンイミンの重合により得られる分岐構造を有する水溶性ポリマーであり、１級アミン、２級アミン及び／又は３級アミンを複数含む。
【０１０７】
上記ポリオキサゾリンとしては、例えばポリメチルオキサゾリン、ポリエチルオキサゾリン、ポリヒドロキシプロピルオキサゾリン等が挙げられる。
【０１０８】
上記スルファニル基を有する重合体としては、例えばスルファニル基含有ビニル系重合体等が挙げられる。
【０１０９】
タンニン酸としては、例えば「タンニン酸エキスＡ」、「Ｂタンニン酸」、「Ｎタンニン酸」、「工用タンニン酸」、「精製タンニン酸」、「Ｈｉタンニン酸」、「Ｆタンニン酸」、「局タンニン酸」（以上、日本製薬社製）、「タンニン酸：ＡＬ」（以上、富士化学工業社製）、「Ｇタンニン酸」、「Ｆタンニン酸」、「Ｈｉタンニン酸」（以上、ＤＳＰ五協フード＆ケミカル社製）等が挙げられる。
【０１１０】
［Ｂ］特定基含有化合物が重合体である場合、［Ｂ］特定基含有化合物の分子量とはＭｗを意味し、このＭｗの下限としては、１，０００が好ましく、１，５００がより好ましい。一方、上記Ｍｗの上限としては、特に限定されないが、１，０００，０００が好ましく、３００，０００がより好ましく、１００，０００がさらに好ましく、２０，０００が特に好ましい。このように、上記Ｍｗを上記範囲とすることで、塗布性、埋め込み性、並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をバランスよく向上できる。
【０１１１】
［Ｂ］特定基含有化合物としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基又はこれらの組み合わせを有する化合物が好ましく、ヒドロキシ基を有する重合体、カルボキシ基を有する重合体、及びアミノ基を有する重合体がより好ましく、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル系樹脂、フェノール樹脂、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール及びポリエチレンイミンがさらに好ましい。
【０１１２】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材が［Ｂ］特定基含有化合物を含有する場合、当該基板パターン倒壊抑制用処理材における［Ｂ］特定基含有化合物の含有量の下限としては、［Ａ］重合体１００質量部に対し、１０質量部が好ましく、５０質量部がより好ましく、１２０質量部がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限としては、５００質量部が好ましく、３００質量部がより好ましく、２００質量部がさらに好ましい。［Ｂ］特定基含有化合物の含有量を上記範囲とすることで、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗布性、埋め込み性並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性をバランスよく向上できる。
【０１１３】
［［Ｃ］溶媒］
当該基板パターン倒壊抑制用処理材に用いる［Ｃ］溶媒としては、特に限定されないが、例えば水、極性有機溶媒等の極性溶媒を用いることができる。［Ｃ］溶媒の分子量は、３００未満が好ましい。［Ｃ］溶媒は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１４】
上記極性有機溶媒としては、特に限定されないが、基板パターンへの埋め込み性の観点から、アルコール類、エステル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、ヒドロキシケトン類、カルボン酸類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類、アミド類、アミン類等が挙げられる。
【０１１５】
上記アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、イソプロパノール等のモノアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール類などが挙げられる。これらの中で、メタノール及びイソプロパノールが好ましく、イソプロパノールがより好ましい。
【０１１６】
上記エステル類としては、例えば酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、グリコール酸メチル、グリコール酸エチル、ヒドロキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酪酸メチル、ヒドロキシ酪酸エチル等のヒドロキシカルボン酸エステル類；酢酸プロピレングリコール等の多価アルコールカルボキシレート類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート類；シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル類；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート類などが挙げられる。
【０１１７】
上記多価アルコールのアルキルエーテル類としては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノアルキルエーテル類；エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等の多価アルコールのポリアルキルエーテル類などが挙げられる。
【０１１８】
上記ヒドロキシケトン類としては、例えばヒドロキシアセトン、１−ヒドロキシ−２−ブタノン、１−ヒドロキシ−２−ペンタノン、３−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−ヒドロキシ−３−ペンタノン等のα−ヒドロキシケトン類；４−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−メチル−４−ヒドロキシ−２−ブタノン、ジアセトンアルコール、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−２−ヘキサノン等のβ−ヒドロキシケトン類；５−ヒドロキシ−２−ペンタノン、５−ヒドロキシ−２−ヘキサノンなどが挙げられる。
【０１１９】
上記カルボン酸類としては、例えばギ酸、酢酸等が挙げられる。
【０１２０】
上記エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ポリエチレンオキサイド等が挙げられる。
【０１２１】
上記ケトン類としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン等が挙げられる。
【０１２２】
上記ニトリル類としては、例えばアセトニトリル等が挙げられる。
【０１２３】
上記アミド類としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
【０１２４】
上記アミン類としては、例えばトリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
【０１２５】
［Ｃ］溶媒としては、基板パターンへの塗布性及び埋め込み性の観点から、極性溶媒が好ましく、水、アルコール類及びエステル類がより好ましく、水、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがさらに好ましい。
【０１２６】
上記極性有機溶媒としては、基板パターンへの塗布性及び埋め込み性の観点から、２０℃において、１質量％以上の水溶液を形成できるものが好ましい。
【０１２７】
［Ｃ］溶媒の誘電率の下限としては、基板パターンへの埋め込み性の観点から、６．０が好ましい。ここで［Ｃ］溶媒の誘電率は、液体用誘電率計を用いて測定した値をいう。
【０１２８】
［［Ｄ１］酸発生剤及び［Ｄ２］ラジカル開始剤］
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、熱又は光の作用により酸を発生させる［Ｄ１］酸発生剤、熱又は光の作用によりラジカルを発生させる［Ｄ２］ラジカル開始剤又はこれらの組み合わせをさらに含有することが好ましい。このように、当該基板パターン倒壊抑制用処理材が［Ｄ１］酸発生剤及び／又は［Ｄ２］ラジカル開始剤を含有することで、［Ａ］化合物の高分子量化を促進できる。［Ｄ１］酸発生剤及び［Ｄ２］ラジカル開始剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２９】
（［Ｄ１］酸発生剤）
［Ｄ１］酸発生剤としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類、ジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物などが挙げられる。
【０１３０】
上記スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウム塩化合物としては、例えば
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムトリシクロ［３．３．１．１３，７］デカニルジフルオロメタンスルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩；
４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩；
４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−ｔ−ブチルフェニルフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩；
トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリ（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムカンファースルホネート等のトリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム塩などが挙げられる。
【０１３１】
上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば
１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩；
１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム塩などが挙げられる。
【０１３２】
上記ヨードニウム塩としては、例えば
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のジフェニルヨードニウム塩；
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート等のビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩などが挙げられる。
【０１３３】
上位Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド等のスクシンイミド化合物；
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等のビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド化合物などが挙げられる。
【０１３４】
［Ｄ１］酸発生剤としては、ヨードニウム塩が好ましく、ジフェニルヨードニウム塩がより好ましく、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートがさらに好ましい。
【０１３５】
（［Ｄ２］ラジカル開始剤）
［Ｄ２］ラジカル開始剤としては、例えば有機過酸化物、ジアゾ系化合物、アルキルフェノン系化合物、カルバゾールオキシム系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、イミドスルホナート系化合物等が挙げられる。
【０１３６】
有機過酸化物の具体例としては、ジベンゾイルパーオキサイド、ジイソブチロイルパーオキサイド、ビス（２，４−ジクロロベンゾイル）パーオキサイド、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジオクタノイルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、ジステアロイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類；
過酸化水素、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類；
ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジラウリルパーオキサイド、パーオキサイド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン等のジアルキルパーオキサイド類；
ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシマレエート、ｔ−ブチルパーオキシ３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、α，α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−へキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−へキシルパーオキシネオドデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−へキシルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシｍ−トルオイルベンゾエート、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等のパーオキシエステル類；
１，１−ビス（ｔ−へキシルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−へキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）ピロパン等のパーオキシケタール類；
ｔ−へキシルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシアリルカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシカーボネート、ジ−２−メトキシブチルパーオキシカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。
【０１３７】
ジアソ系ラジカル重合開始剤の具体例としては、アゾイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル、２，２−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２−（カルボモイルアゾ）イソブチロニトリル、２，２−アゾビス〔２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシルメチル）−２−ヒドロキシルエチル］プロピオンアミド〕、２，２−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシルエチル）プロピオンアミド）、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−プロペニル）２−メチルプロピオンアミド〕、２，２−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス〔２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２−アゾビス〔２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン〕ジサルフェート・ジハイドレート、２，２−アゾビス〔２−（３，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−２−イル）プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２−アゾビス〔２−［１−（２−ヒドロキシエチル）２−イミダゾリン−２−イル］プロパン〕ジハイドロクロライド、２，２−アゾビス（２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン）、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジハイドロクロライド、２，２−アゾビス〔Ｎ−（２−カルボキシエチル）２−メチルプロピオンアミジン〕、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドキシム）、ジメチル２，２’−アゾビスブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【０１３８】
アルキルフェノン系化合物としては、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１等が挙げられる。
【０１３９】
［Ｄ２］ラジカル開始剤としては、アルキルフェノン系化合物が好ましく、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンがより好ましい。
【０１４０】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材が［Ｄ１］酸発生剤及び／又は［Ｄ２］ラジカル開始剤を含有する場合、当該基板パターン倒壊抑制用処理材における［Ｄ１］酸発生剤及び［Ｄ２］ラジカル開始剤の合計含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対し、０．０１質量部が好ましく、０．１質量部がより好ましく、０．２質量部がさらに好ましい。一方、上記合計含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対し、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましく、２質量部がさらに好ましい。上記合計含有量を上記範囲とすることで、［Ａ］化合物の高分子量化をより促進できる。
【０１４１】
［添加剤］
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて任意成分である添加剤をさらに含有してもよい。上記添加剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４２】
上記添加剤としては、界面活性剤が好ましい。当該基板パターン倒壊抑制用処理材が界面活性剤をさらに含有することで、塗布性及び基板パターンへの埋め込み性を向上できる。上記界面活性剤としては、例えばノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤等が挙げられる。
【０１４３】
上記ノニオン界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル等のエーテル型ノニオン界面活性剤；グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル等のエーテルエステル型ノニオン界面活性剤；ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ソルビタンエステル等のエステル型ノニオン界面活性剤などが挙げられる。また、上記ノニオン界面活性剤の市販品としては、例えば「Ｎｅｗｃｏｌ  ２３２０」、「Ｎｅｗｃｏｌ  ７１４−Ｆ」、「Ｎｅｗｃｏｌ  ７２３」、「Ｎｅｗｃｏｌ  ２３０７」、「Ｎｅｗｃｏｌ  ２３０３」（以上、日本乳化剤社製）、「パイオニンＤ−１１０７−Ｓ」、「パイオニンＤ−１００７」、「パイオニンＤ−１１０６−ＤＩＲ」、「ニューカルゲンＴＧ３１０」（以上、竹本油脂社製）、「ダイナフロー」（以上、ＪＳＲ社製）等が挙げられる。
【０１４４】
上記カチオン界面活性剤としては、例えば脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。
【０１４５】
上記アニオン界面活性剤としては、例えば脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩；アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩；高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩；アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩などが挙げられる。
【０１４６】
上記界面活性剤としては、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗布性及び基板への埋め込み性の観点から、ノニオン界面活性剤が好ましい。
【０１４７】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材が上記界面活性剤を含有する場合、当該基板パターン倒壊抑制用処理材における上記界面活性剤の含有量の下限としては、０．０００１質量％が好ましく、０．００１質量％がより好ましく、０．０１質量％がさらに好ましく、０．０５質量％が特に好ましい。一方、上記含有量の上限としては、１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、０．２質量％がさらに好ましい。
【０１４８】
［金属含有量］
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、基板パターンの汚染を低減する観点から、金属をなるべく含有しないことが好ましい。上記金属としては、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、銅、アルミニウム、鉄、マンガン、スズ、クロム、ニッケル、亜鉛、鉛、チタン、ジルコニウム、銀、白金等が挙げられる。上記金属の形態としては、特に限定されないが、例えば金属カチオン、金属錯体、金属メタル、イオン性化合物等が挙げられる。
【０１４９】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材における金属の合計含有量の上限としては、３０質量ｐｐｂが好ましく、２０質量ｐｐｂがより好ましく、１０質量ｐｐｂがさらに好ましい。上記金属の合計含有量の下限としては、特に限定されず小さい方が好ましいが、例えば１質量ｐｐｂである。
【０１５０】
なお、当該基板パターン倒壊抑制用処理材における金属の種類及び含有量は、ＩＣＰ−ＭＳ法（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）等によって測定することができる。
【０１５１】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材により形成される基板パターン倒壊抑制膜の表面における水接触角（２５℃、５０％ＲＨ）としては、９０°未満が好ましく、７０°以下がより好ましい。上記水接触角が９０°以上である場合には、基板パターンへの埋め込み性が低下するおそれがある。ここで、上記水接触角の測定に用いる基板パターン倒壊抑制膜は、大気下、１２０℃、１分のベーク条件でシリコン基板上に形成するものとする。
【０１５２】
＜基板パターン倒壊抑制用処理材の製造方法＞
当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、［Ａ］化合物、［Ｃ］溶媒及び必要に応じて配合される任意成分を混合した後、得られた溶液を例えば孔径０．０２μｍ程度のフィルターでろ過することにより製造することができる。当該基板パターン倒壊抑制用処理材の固形分濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、３質量％がさらに好ましく、１０質量％が特に好ましい。上記固形分濃度の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。ここで当該基板パターン倒壊抑制用処理材における「固形分」とは、［Ｃ］溶媒以外の成分をいう。
【０１５３】
また、得られた当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、ナイロンフィルター（例えばナイロン６６膜をろ過メディアに用いたフィルター）、イオン交換フィルター、又はゼータ電位による吸着作用を利用したフィルターによりさらに濾過することが好ましい。このように、ナイロンフィルター、イオン交換フィルター、又はゼータ電位による吸着作用を利用したフィルターにより濾過することによって、簡便かつ確実に当該基板パターン倒壊抑制用処理材中の金属の含有量を低減することができ、金属含有量の比較的少ない当該基板パターン倒壊抑制用処理材を低コストで得られる。なお、当該基板パターン倒壊抑制用処理材は、例えば水洗、液々抽出等の化学的精製法や、化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せなどの公知の方法による精製によっても上記金属含有量を低減できる。
【０１５４】
＜基板の処理方法＞
当該基板の処理方法は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程（基板パターン倒壊抑制膜形成工程）と、この基板パターン倒壊抑制膜を加熱又は光照射する工程（加熱又は光照射工程）とを備える。なお、加熱又は光照射工程は、基板パターン倒壊抑制膜形成工程後に行ってもよいが、基板パターン倒壊抑制膜形成工程と同時に行ってもよい。
【０１５５】
当該基板の処理方法で処理する基板としては、少なくとも一方の面に基板パターンが形成されている限り特に限定されないが、ケイ素原子又は金属原子を含む基板が好ましく、金属、金属窒化物、金属酸化物、シリコン酸化物、シリコン又はこれらの混合物を主成分とする基板がより好ましい。ここで「主成分」とは、最も含有量の多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分を指す。
【０１５６】
上記基板パターンを構成する材質としては、例えば上記基板の材質として例示したものと同様のもの等が挙げられる。
【０１５７】
上記基板パターンの形状としては、特に限定されないが、ライン・アンド・スペースパターン、ホールパターン、ピラーパターン等が挙げられる。上記ライン・アンド・スペースパターンの平均間隔の上限としては、３００ｎｍが好ましく、１５０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましく、５０ｎｍが特に好ましい。上記ホールパターン及びピラーパターンの平均間隔としては、３００ｎｍが好ましく、１５０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。このような微小間隔のパターンが形成された基板に当該基板の処理方法を適用することで、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性の高さを最大限に発揮できる。
【０１５８】
上記基板パターンの平均高さの下限としては、１００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましく、３００ｎｍがさらに好ましい。上記基板パターンの平均幅（例えば高さ方向中央部基準）の上限としては、５０ｎｍが好ましく、４０ｎｍがより好ましく、３０ｎｍがさらに好ましい。上記基板パターンのアスペクト比（パターンの平均高さ／パターンの平均幅）の下限としては、３が好ましく、５がより好ましく、１０がさらに好ましい。このような微細かつ高アスペクト比のパターンが形成された基板に当該基板の処理方法を適用することで、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性の高さを最大限に発揮できる。
【０１５９】
［基板パターン倒壊抑制膜形成工程］
本工程では、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する。これにより、基板上に洗浄液やリンス液等の液体が保持されていたとしても、これらの液体を乾燥させることなく除去できる。本工程後、後述する除去工程までの間、上記基板パターンは、その少なくとも一部が基板パターン倒壊抑制膜に埋没し、各パターンが基板パターン倒壊抑制膜に支持された状態となるため、隣接するパターン同士の接触等のパターン倒壊が抑制される。
【０１６０】
上記基板上には、通常、洗浄液、リンス液等の液体が保持されている。そのため、本工程では、上記洗浄液又はリンス液と置換しながら当該基板パターン倒壊抑制用処理材を塗工する。
【０１６１】
当該基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工方法としては、特に限定されず、例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の方法を採用できる。上記塗工後、必要に応じて当該基板パターン倒壊抑制用処理材を乾燥させてもよい。
【０１６２】
上記乾燥方法としては、特に限定されないが、例えば大気雰囲気下で加熱する方法が挙げられる。この場合、加熱温度の下限としては、特に限定されないが、２０℃が好ましく、４０℃がより好ましく、６０℃がさらに好ましい。一方、加熱温度の上限としては、１００℃が好ましく、８０℃がより好ましい。加熱時間の下限としては、１５秒が好ましく、３０秒がより好ましく、４５秒がさらに好ましい。一方、加熱時間の上限としては、１，２００秒が好ましく、６００秒がより好ましく、３００秒がさらに好ましい。
【０１６３】
本工程では、形成する基板パターン倒壊抑制膜の平均厚さを基板パターンの最高高さよりも大きくし、基板パターン倒壊抑制膜によって基板パターンを完全に埋没させてもよい。このように、基板パターン倒壊抑制膜によって基板パターンを完全に埋没させることで、基板パターンの倒壊をより抑制し易くなる。この場合、基板パターン倒壊抑制膜の平均厚さと基板パターンの最高高さとの差（基板パターン倒壊抑制膜の平均厚さ−基板パターンの最高高さ）の下限としては、０．０１μｍが好ましく、０．０２μｍがより好ましく、０．０５μｍがさらに好ましい。上記差の上限としては、５μｍが好ましく、３μｍがより好ましく、２μｍがさらに好ましく、０．５μｍが特に好ましい。
【０１６４】
一方、本工程では、形成する基板パターン倒壊抑制膜の平均厚さを基板パターンの最高高さよりも同じにするか又は小さくし、基板パターンの一部を基板パターン倒壊抑制膜から露出させてもよい。この場合でも、基板パターンの底部付近は基板パターン倒壊抑制膜に埋没しているため、基板パターンの倒壊は十分に抑制される。
【０１６５】
［加熱又は光照射工程］
本工程では、上記基板パターン倒壊抑制膜形成工程で形成された基板パターン倒壊抑制膜を加熱光照射することで、上記基板パターン倒壊抑制膜に含まれる［Ａ］化合物を高分子量化させる。これにより、上記基板パターン倒壊抑制膜を熱融解し難くできる。また、［Ａ］化合物が高分子量化に伴って三次元架橋構造を形成する場合、この三次元架橋構造によって上記基板パターン倒壊抑制膜をより熱融解し難くできる。
【０１６６】
本工程で加熱する場合、加熱温度の下限としては、１００℃が好ましく、１２０℃がより好ましく、１４０℃がさらに好ましい。一方、加熱温度の上限としては、４００℃が好ましく、３００℃がより好ましく、２５０℃がさらに好ましい。加熱時間の下限としては、１５秒が好ましく、３０秒がより好ましい。一方、加熱時間の上限としては、１０分が好ましく、５分がより好ましく、２分がさらに好ましい。加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、［Ａ］化合物を確実に高分子量化できる。
【０１６７】
本工程で光照射する場合、照射する光としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線等が挙げられ、これらの中で紫外線が好ましい。本工程における積算照射量（露光量）の下限としては、１００Ｊ／ｍ２が好ましく、２００Ｊ／ｍ２がより好ましい。一方、上記積算照射量の上限としては、２，０００Ｊ／ｍ２が好ましく、１，０００Ｊ／ｍ２がより好ましい。積算照射量を上記範囲とすることで、［Ａ］化合物を確実に高分子量化できる。なお、「積算照射量」とは、照度計により測定される積算値をいう。
【０１６８】
なお、本工程では、加熱及び光照射の両方を行ってもよい。
【０１６９】
［除去工程］
当該基板の処理方法は、通常、加熱又は光照射工程後に上記基板パターン倒壊抑制膜を除去する工程（除去工程）をさらに備える。上記基板パターン倒壊抑制膜の除去には、例えば加熱処理、プラズマ処理、ドライエッチング（アッシング）、紫外線照射、電子線照射等を用いることができる。これらの方法によれば、上記基板パターン倒壊抑制膜を固相から直接気相にすることができるため、上記基板パターンの側面を気液界面が通過することによるパターン倒壊を抑制できる。
【０１７０】
ドライエッチングは、公知のドライエッチング装置を用いて行うことができる。ドライエッチングで用いるエッチングガスとしては、エッチングされる上記基板パターン倒壊抑制膜の元素組成等により適宜選択することがでるが、例えばＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６等のフッ素系ガス、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ等の酸素系ガス、Ｈ２、ＮＨ３、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ４、Ｃ３Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、ＨＦ、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ３、ＢＣｌ３等の還元性ガス、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス等を用いることができる。なお、これらのガスは、混合して用いることもできる。
【０１７１】
ドライエッチングにおける基板温度の下限としては、特に限定されないが、−１２０℃が好ましく、−５０℃がより好ましく、２０℃がさらに好ましく、８０℃が特に好ましく、１８０℃がさらに特に好ましい。一方、上記基板温度の上限としては、８００℃が好ましく、４００℃がより好ましく、３５０℃がさらに好ましく、３００℃が特に好ましい。
【０１７２】
当該基板の処理方法は、基板を洗浄する工程（洗浄工程）と、洗浄後の基板を処理する工程（処理工程）とを備える基板の洗浄方法の上記処理工程に好適に用いることができる。この洗浄方法は、ウェットエッチング後又はドライエッチング後の基板の洗浄に好適に用いることができる。
【０１７３】
上記洗浄工程では、洗浄液を用いた基板の洗浄と、リンス液を用いた基板のリンスとの少なくとも一方を行う。上記洗浄液としては、硫酸イオン含有剥離液、塩素イオン含有洗浄液、フッ素イオン含有洗浄液、窒素化合物含有アルカリ性洗浄液、リン酸含有洗浄液等が挙げられる。上記基板の洗浄では、２種以上の洗浄液による洗浄を連続して行ってもよい。上記洗浄液は過酸化水素を含有することが好ましい。硫酸イオン含有洗浄液としては、過酸化水素及び硫酸を混合した硫酸過水（ＳＰＭ）が好ましく、これによりレジスト等の有機物を好適に除去できる。塩素イオン含有洗浄液としては、過酸化水素及び塩酸の混合水溶液（ＳＣ−２）が好ましく、これにより金属を好適に除去できる。フッ素イオン含有洗浄液としては、フッ化水素酸及びフッ化アンモニウムの混合水溶液が挙げられる。窒素化合物含有アルカリ性洗浄液としては、過酸化水素及びアンモニアの混合水溶液（ＳＣ−１）が好ましく、これによりパーティクルを好適に除去できる。リンス液としては、超純水等が挙げられる。
【実施例】
【０１７４】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１７５】
［Ｍｗ及びＭｎ］
実施例の各重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、東ソー社のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」１本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本、及び「Ｇ４０００ＨＨＲ」）を用い、流量：１．００ｍＬ／分、溶出溶媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、ポリスチレン標準試料（アジレント・テクノロジー社の「ＥａｓｉｃａｌＰＳ−１」）を標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ（東ソー社の「ＨＬＣ−８２２０」）を用いて測定した。
【０１７６】
＜［Ａ］化合物の合成＞
［合成例１］（化合物（Ａ−２）の合成）
窒素雰囲気下において、１００ｍＬの三口フラスコに、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１１．８ｇ（８０モル％）及びグリシジルメタクリレート３．２ｇ（２０モル％）と、重合体末端への水溶性官能基の導入と分子量調節を行うための化合物としての１−チオグリセロール０．８７ｇとを市販のイソプロパノール（ＩＰＡ）３５ｇに溶解させ、重合開始剤としてのジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート０．０６ｇをさらに添加し、８０℃に加熱し重合を開始した。そのまま７時間撹拌した後、加熱を止めて冷却し、後述する下記式（Ａ−２）で表される化合物（Ａ−２）のイソプロパノール溶液を得た。得られた化合物（Ａ−２）のＭｗは２，８００、Ｍｗ／Ｍｎは１．９であった。
【０１７７】
［合成例２］（化合物（Ａ−３）の合成）
窒素雰囲気下において、１００ｍＬの三口フラスコに、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１１．１ｇ（８０モル％）、及び３−エチル−３−オキセタニルメチルメタクリレート３．９ｇ（２０モル％）と、重合体末端への水溶性官能基の導入と分子量調節を行うための化合物としての１−チオグリセロール０．８１ｇとを市販のイソプロパノール（ＩＰＡ）３５ｇに溶解させ、重合開始剤としてのジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート０．０６ｇをさらに添加し、８０℃に加熱し重合を開始した。そのまま７時間撹拌した後、加熱を止めて冷却し、後述する式（Ａ−３）で表される化合物（Ａ−３）のイソプロパノール溶液を得た。得られた化合物（Ａ−３）のＭｗは８，５００、Ｍｗ／Ｍｎは４．７であった。
【０１７８】
［合成例３］（化合物（Ａ−７）の合成）
コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、２，７−ジヒドロキシナフタレン１００質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００質量部及びパラホルムアルデヒド５０質量部を仕込み、シュウ酸２質量部をさらに添加し、脱水しながら１２０℃に昇温して、５時間反応させることで中間体Ｘを得た。得られた中間体Ｘの重量平均分子量（Ｍｗ）は２，０００であった。
【０１７９】
次に、温度計を備えたセパラブルフラスコに、上記中間体Ｘ１０質量部、プロパルギルブロマイド１０質量部、トリエチルアミン１０質量部、及びテトラヒドロフラン４０質量部を仕込み、攪拌しつつ５０℃で１２時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水冷により３０℃以下に冷却した。冷却後、この反応溶液を多量のｎ−ヘプタンに投入した。その後、析出した固体をデカンテーション法により分離し、分離した固体を多量のｎ−ヘプタンにて洗浄した。続いて、この固体をメチルイソブチルケトンに溶解させ、１質量％のシュウ酸、及び純水で順次洗浄することで残存するトリエチルアミンを除去した。その後、得られた有機層を濃縮した後、得られた濃縮物を５０℃にて１７時間乾燥させ、下記式（Ａ−７）で表される化合物（Ａ−７）を得た。なお、化合物（Ａ−７）におけるプロパルギル基の導入率は、９０％であった。
【０１８０】
【化４】
2018067696.tif 000005
【０１８１】
＜［Ｂ］特定基含有化合物の合成＞
［合成例４］（化合物（Ｂ−１）の合成）
窒素雰囲気下において、１００ｍＬの三口フラスコに、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１５ｇと、重合体末端への水溶性官能基の導入及び分子量調節を行うための化合物としての１−チオグリセロール０．８７ｇとを市販のイソプロパノール（ＩＰＡ）３５ｇに溶解させ、重合開始剤としてのジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート０．０６ｇを添加し、８０℃に加熱することで重合を開始した。そのまま７時間撹拌した後、加熱を止めて冷却し、下記式（Ｂ−１）で表される化合物（Ｂ−１）のイソプロパノール溶液を得た。得られた化合物（Ｂ−１）のＭｗは３，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．９であった。
【０１８２】
【化５】
2018067696.tif 000006
【０１８３】
［合成例５］（化合物（Ｂ−６）の合成）
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた１，０００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、フェノール５００ｇ、８６％パラホルムアルデヒド１０６ｇ及び３７％ホルムアルデヒド１３ｇを仕込み、酢酸亜鉛１．４６ｇを加えて４時間還流反応を行った。次に、反応溶液を静置して有機相及び水層に分離させた後、上層の水層を除いた。その後、残る下層の有機層を１５０℃で２ｍｍＨｇまで減圧し、水分及び未反応モノマーを除くことにより、下記式（Ｂ−６）で表される構造単位を有するフェノール樹脂である化合物（Ｂ−６）を得た。得られた化合物（Ｂ−６）のＭｗは１，５００であった。
【０１８４】
【化６】
2018067696.tif 000007
【０１８５】
＜基板パターン倒壊抑制用処理材の調製＞
基板パターン倒壊抑制用処理材の調製に用いた各成分を以下に示す。
【０１８６】
［［Ａ］化合物］
各［Ａ］化合物の名称及び構造式を以下に示す。
Ａ−１：ペンタエリトリトールテトラアクリレート
Ａ−２：合成例１で得たメタクリル樹脂（Ａ−２）
Ａ−３：合成例２で得たメタクリル樹脂（Ａ−３）
Ａ−４：下記式（Ａ−４）で表されるオキシラン化合物
Ａ−５：３−エチル−３｛［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル｝オキセタン
Ａ−６：キシリレンビスオキセタン
Ａ−７：合成例３で得た化合物（Ａ−７）
【０１８７】
【化７】
2018067696.tif 000008
【０１８８】
上記式中、ｎは、１〜３の整数である。
【０１８９】
化合物（Ａ−６）は、上記式（Ａ−６）におけるｎが１である化合物と、ｎが２である化合物とｎが３である化合物との混合物である。
【０１９０】
（［Ｂ］特定基含有化合物）
Ｂ−１：合成例４で得たメタクリル樹脂（Ｂ−１）
Ｂ−２：ポリアクリル酸（Ｍｗ５，０００）（和光純薬工業社製）
Ｂ−３：ポリビニルアルコール（重合度５００）（和光純薬工業社製）
Ｂ−４：ポリエチレンイミン（Ｍｗ１０，０００）（和光純薬工業社製）
Ｂ−５：下記式（Ｂ−５）で表される化合物（タンニン酸）
Ｂ−６：合成例５で得たフェノール樹脂（Ｂ−６）
【０１９１】
【化８】
2018067696.tif 000009
【０１９２】
（［Ｃ］溶媒）
Ｃ−１：水
Ｃ−２：イソプロパノール（ＩＰＡ）
Ｃ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１９３】
（［Ｄ１］酸発生剤）
Ｄ−１：下記式（Ｄ−１）で表されるジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート
【０１９４】
【化９】
2018067696.tif 000010
【０１９５】
（［Ｄ２］ラジカル開始剤）
Ｄ−２：下記式（Ｄ−２）で表される１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
【０１９６】
【化１０】
2018067696.tif 000011
【０１９７】
（［Ｅ］界面活性剤）
Ｅ−１：ノニオン界面活性剤（ＪＳＲ社の「ダイナフロー」）
【０１９８】
［実施例１］
［Ａ］化合物としての（Ａ−１）２５質量部及び［Ｄ２］化合物としての（Ｄ−２）１質量部を［Ｃ］溶媒としての（Ｃ−３）１００質量部に溶解して、実施例１の基板パターン倒壊抑制用処理材を調製した。
【０１９９】
［実施例２］
合成例１で得られた化合物（Ａ−２）のイソプロパノール溶液を表１に示す組成となるようにイソプロパノールで希釈した以外は、実施例１と同様に操作し、実施例２の基板パターン倒壊抑制用処理材を調製した。表１中、「−」は該当する成分を使用しなかったことを示す。
【０２００】
［実施例３〜１４及び比較例１〜３］
下記表１に記載の組成となるように［Ａ］化合物若しくはそのイソプロパノール溶液、［Ｂ］特定基含有化合物、［Ｃ］溶媒、［Ｄ１］酸発生剤、［Ｄ２］ラジカル開始剤、及び／又は［Ｅ］界面活性剤を配合し、それ以外の点は実施例１又は２と同様に操作することで、実施例３〜１４及び比較例３の基板パターン倒壊抑制用処理材を調整した。また、溶媒（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）をそれぞれ比較例１及び２の基板パターン倒壊抑制用処理材とした。
【０２０１】
＜基板の処理＞
［塗布膜の形成］
一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、実施例１〜１４及び比較例１〜３で調製した各基板パターン倒壊抑制用処理材に簡易スピンコーター（ミカサ社の「１Ｈ−ＤＸ２」）で塗工することで、パターン倒壊防止抑制用処理膜が形成された基板を得た。塗工条件は、大気下、回転数５００ｒｐｍの条件とした。上記基板としては、密なピラーパターンが形成されたシリコンウエハを用いた。このピラーパターンは、ピラーの平均高さが３８０ｎｍ、ピラーの上面（頂部）の平均幅が３５ｎｍ、ピラーの高さ方向中央部における平均断面幅が２０ｎｍ、各ピラー間の平均ピッチが１００ｎｍ（ピラー幅方向中央部基準）である。
【０２０２】
［加熱］
上記塗工後のシリコンウエハをホットプレートにて１８０℃で６０秒間ベークすることで、パターン倒壊防止抑制用処理膜に含まれる［Ａ］化合物の高分子量化を行った。
【０２０３】
＜評価＞
実施例１〜１４及び比較例１〜３の各基板パターン倒壊抑制用処理材について、以下の方法により塗布性、埋め込み性、並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性を評価した。評価結果を表１に示す。
【０２０４】
［塗布性］
上記パターン倒壊防止抑制膜が形成された各シリコンウエハ基板について、中心から円周方向に向かう筋状の欠陥（ストリエーション）の有無を目視にて観察した。塗布性は、筋状の欠陥（ストリエーション）がない場合には「Ａ」（極めて良好）、欠陥が部分的にあった場合には「Ｂ」（良好）、欠陥が全面にあった場合には「Ｃ」（不良）と評価した。比較例１〜２においては、パターン倒壊防止抑制膜が形成されなかったため、塗布性の評価は行わなかった。
【０２０５】
［埋め込み性］
上記基板パターン倒壊防止抑制膜が形成された各シリコンウエハ基板の断面を切出し、ＦＥ−ＳＥＭ（日立ハイテクノロジーズ社の「Ｓ４８００」）を用いて各パターン倒壊抑制膜の埋め込み性を評価した。埋め込み性は、パターン倒壊抑制膜がパターン底部まで埋め込まれ、かつパターン頂部の露出が無い場合を「Ａ」（極めて良好）、パターン倒壊抑制膜がパターン底部まで埋め込まれているが、ボイド等が観察される場合を「Ｂ」（良好）、パターン倒壊抑制膜がパターン底部まで埋め込まれておらず、頂部の露出がある場合を「Ｃ」（不良）と評価した。比較例１〜２においては、パターン倒壊防止抑制膜が形成されなかったため、埋め込み性の評価を行わなかった。
【０２０６】
［基板パターンの倒壊抑制性］
上記パターン倒壊抑制膜が形成された各シリコンウエハ基板に対し、アッシング装置（ＵＬＶＡＣ社の「Ｌｕｍｉｎｏｕｓ  ＮＡ−１３００」）を用いてＮ２／Ｈ２（＝９７／３（体積％））混合ガスにてドライエッチング（アッシング）処理し、パターン倒壊抑制膜を除去した。ドライエッチング時の基板温度は２５０℃とした。除去後の各基板における倒壊せずに残存しているピラー数を上記ＦＥ−ＳＥＭの観察画面上で求めた。基板パターンの倒壊抑制性は、倒壊せずに残存しているピラーの割合が９０％超の場合を「Ａ」（極めて良好）、倒壊せずに残存しているピラーの割合が７０％超９０％以下の場合を「Ｂ」（良好）、倒壊せずに残存しているピラーの割合が７０％以下の場合を「Ｃ」（不良）と評価した。
【０２０７】
［基板パターンの欠陥抑制性］
上記基板パターン倒壊抑制膜を除去した基板を上記ＦＥ−ＳＥＭで観察し、観察画面の視野（２，５００ｎｍ×２，５００ｎｍ）中のピラー上面（頂部）に付着する残渣の有無を測定した。基板パターンの欠陥抑制性は、残渣が残っていなかった場合を「Ａ」（良好）、残渣が１箇所以上に残っていた場合を「Ｂ」（不良）と評価した。
【０２０８】
【表１】
2018067696.tif 000012
【０２０９】
表１の結果から分かるように、実施例の基板パターン倒壊抑制用処理材は、塗布性、埋め込み性、並びに基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる。
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法は、基板パターンの倒壊抑制性に優れる。また、例えば上記基板パターン倒壊抑制膜を除去する工程（除去工程）で基板パターン倒壊抑制用処理材の残渣が生じると基板パターンの欠陥の原因となるが、本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法は、処理時における基板パターンの欠陥抑制性に優れる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。