(57)【要約】【課題】キャビティ部内の電子部品の位置ずれなどの抑制。【解決手段】実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法は、第１面１０Ｆと第２面１０Ｓとの間を貫通する貫通孔１０ａを有する絶縁基板１０を用意することと、貫通孔１０ａの第１面１０Ｆ側の開口部を塞ぐベース部材を絶縁基板１０に貼り付けることによりキャビティ部を形成することと、キャビティ部内のベース部材上に電子部品２ａ〜２ｃを電子部品の電極２１ａ〜２１ｃをベース部材側に向けて配置することと、キャビティ部内に部分的に第１封止材を充填することと、第１封止材の充填の後に第１封止材の充填手法と異なる手法を用いてキャビティ部内に第２封止材を充填することと、ベース部材を絶縁基板１０から剥離することにより電極２１ａ〜２１ｃを露出させることと、を含んでいる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、かつ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有する絶縁基板を用意することと、
前記貫通孔の前記第１面側の開口部を塞ぐベース部材を前記絶縁基板に貼り付けることにより前記ベース部材からなる底面を有するキャビティ部を形成することと、
前記キャビティ部内の前記ベース部材上に電子部品を前記電子部品の電極を前記ベース部材側に向けて配置することと、
前記キャビティ部内に部分的に第１封止材を充填することと、
前記第１封止材の充填の後に前記第１封止材の充填手法と異なる手法を用いて前記キャビティ部内に第２封止材を充填することと、
前記ベース部材を前記絶縁基板から剥離することにより前記電極を露出させることと、
を含んでいる電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記第２封止材を充填することは、フィルム状の前記第２封止材を前記キャビティ部内または前記絶縁基板の第２面側に配置することを含んでいる。
【請求項３】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記第１封止材を充填することは、粉末状または液状の前記第１封止材を前記キャビティ部内に流し込むことを含んでいる。
【請求項４】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記第１封止材を充填する工程において、前記第１封止材により形成される第１封止部の厚さの前記キャビティ部の深さに対する比が０．３以上になるように、前記第１封止材が充填される。
【請求項５】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記第１封止材を充填することは、１０μｍ以下の最大粒径を有する粉末状の前記第１封止材を前記キャビティ部内に流し込むことを含んでいる。
【請求項６】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記第１封止材および前記第２封止材は、それぞれ無機フィラーを含んでおり、前記第１封止材の無機フィラーの含有率は、前記第２封止材の無機フィラーの含有率よりも小さい。
【請求項７】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、さらに、前記第２封止材の充填の後に、前記第２封止材からなる第２封止部の前記貫通孔からの突出部分を研磨することを含んでいる。
【請求項８】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記絶縁基板を用意することは、前記貫通孔を囲む前記絶縁基板の内壁面上ならびに前記第１面および前記第２面上に第１金属膜を形成することを含んでいる。
【請求項９】
請求項８記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、さらに、前記絶縁基板の第２面上の前記第１金属膜に接するように、前記キャビティ部を覆う第２金属膜を形成することを含んでいる。
【請求項１０】
請求項８記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記電子部品は、前記電極の前記ベース部材側に向けられる端面と、前記絶縁基板の第１面上の前記第１金属膜の前記絶縁基板と反対側の表面とがほぼ面一となるように前記ベース部材上に配置される。
【請求項１１】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記ベース部材は粘着性を有する粘着面を有し、かつ、前記粘着面を前記絶縁基板側に向けて前記絶縁基板に貼り付けられ、前記電子部品は前記粘着面上に配置される。
【請求項１２】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、さらに、前記ベース部材の前記絶縁基板からの剥離により露出する前記電子部品の電極の露出面上に表面保護膜または金属バンプを形成することを含んでいる。
【請求項１３】
請求項１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記絶縁基板を用意することは、
複数の前記絶縁基板を含む大判の絶縁基板に複数の前記貫通孔を形成することを含み、
前記ベース部材を前記絶縁基板に貼り付けることは、前記複数の貫通孔それぞれの開口部を塞ぐことにより複数の前記キャビティ部を形成することを含み、
前記電子部品を前記ベース部材上に配置することは、前記複数のキャビティ部それぞれに電子部品を配置することを含み、
前記キャビティ部内に前記第１封止材を充填しさらに前記第２封止材を充填することは、前記複数のキャビティ部それぞれに第１封止材および第２封止材を充填することを含み、
前記製造方法は、さらに、前記複数のキャビティ部同士の間で前記大判の絶縁基板を切断することにより前記複数のキャビティ部を個片に分割することを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、絶縁層内に埋め込まれた電子部品を有する部品内蔵基板が開示されている。この部品内蔵基板の製造工程では、電子部品がはんだによって金属箔上に接続される。そして、補強材を含むプリプレグが、電子部品の上に配置され、加熱およびプレスされる。加熱により流動体状となるプリプレグが電子部品の周囲に流れ込み、電子部品はプリプレグにより形成される絶縁層内に埋め込まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０４９２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の製造方法では、電子部品の実装のために金属箔が使用される。電子部品の電極は、金属箔を介して外部の電気回路と接続される。このような金属箔の使用は、電子部品の電極と外部の回路との間の導通抵抗の上昇、および、接続箇所の増加による信頼性の低下といった不利益をもたらすことがある。一方、電子部品が金属箔などに接続されていないと、電子部品の周囲へのプリプレグの流入時に電子部品の浮きや位置ずれが生じ易いと推察される。電子部品を部品内蔵基板内の正確な位置に固定することが困難であると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、かつ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有する絶縁基板を用意することと、前記貫通孔の前記第１面側の開口部を塞ぐベース部材を前記絶縁基板に貼り付けることにより前記ベース部材からなる底面を有するキャビティ部を形成することと、前記キャビティ部内の前記ベース部材上に電子部品を前記電子部品の電極を前記ベース部材側に向けて配置することと、前記キャビティ部内に部分的に第１封止材を充填することと、前記第１封止材の充填の後に前記第１封止材の充填手法と異なる手法を用いて前記キャビティ部内に第２封止材を充填することと、前記ベース部材を前記絶縁基板から剥離することにより前記電極を露出させることと、を含んでいる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、電子部品の電極と外部の電気回路とを直接接続することが可能になる。電子部品の電極と外部の電気回路との間の導通抵抗が小さくなり、かつ、接続部の信頼性が向上すると考えられる。また、第１および第２の封止材それぞれについての適切な充填手法の選択により、たとえば、電子部品を正確な位置に固定することができ、なおかつ、電子部品内蔵基板の表面を適切な手法で形成することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板の一例を示す断面図。
【図２Ａ】図１の電子部品内蔵基板の一例の平面図。
【図２Ｂ】図１の電子部品内蔵基板の絶縁基板の第１面側の表面の一例を示す図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｋ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｌ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｍ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｎ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４】本発明の一実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板の他の例を示す断面図。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板の一例を示す断面図。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板の他の例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法が説明される。まず、一実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板が、その一例である電子部品内蔵基板１を示す図１、２Ａおよび２Ｂを参照しながら説明される。なお、図１は、図２Ｂに示されるＩ−Ｉ線での断面図である。
【０００９】
図１、２Ａおよび２Ｂに示されるように、電子部品内蔵基板１は、貫通孔１０ａを備えている絶縁基板１０と、貫通孔１０ａ内に収容されている電子部品２ａ〜２ｃと、貫通孔１０ａ内に充填される封止材からなる封止部５とを有している。封止部５は、電子部品２ａ〜２ｃを覆っている。貫通孔１０ａ内の空間が封止部５によって埋められている。絶縁基板１０は、絶縁基板１０の厚さ方向と直交する２つの表面のうちの一方の面である第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆと反対側の表面である第２面１０Ｓとを有している。貫通孔１０ａは、第１面１０Ｆと第２面１０Ｓとの間を貫通している。封止部５は、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側に露出する一面５Ｆを有している。封止部５は、一面５Ｆ側の第１封止部５ａと、第１封止部５ａを覆う第２封止部５ｂとを含んでいる。電子部品２ａ〜２ｃは、それぞれ、他の電気的要素と電気的に接続される電極２１ａ〜２１ｃを有している。電子部品２ａは電極２１ａを、電子部品２ｂは電極２１ｂを、そして、電子部品２ｃは電極２１ｃを、それぞれ封止部５の一面５Ｆ側に向けて配置されている。電子部品２ａ〜２ｃは、封止部５によって貫通孔１０ａ内の所定の位置に固定されている。
【００１０】
第１封止部５ａは、後述の第１封止材６ａ（図３Ｆ参照）からなり、第２封止部５ｂは、後述の第２封止材６ｂ（図３Ｉ参照）からなる。第１封止材６ａと第２封止材６ｂとは、異なる手法によって貫通孔１０ａ内に充填される。たとえば、第１封止部５ａは、電子部品２ａ〜２ｃの周囲を適切に第１封止材６ａで充填するのに適した手法を用いて形成される。そして、第２封止部５ｂは、たとえば、貫通孔１０ａの絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側の開口部を適切に塞ぎ、かつ、封止部５の第２面１０Ｓ側の表面を形成するのに適した手法を用いて第２封止材６ｂから形成される。
【００１１】
図１の例では、電子部品２ａ〜２ｃは具体的には第１封止部５ａで覆われている。第２封止部５ｂは、第１封止部５ａで充填されていない貫通孔１０ａ内の領域に形成されている。貫通孔１０ａ内における第１封止部５ａおよび第２封止部５ｂそれぞれの形成領域は、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの大きさや形状、絶縁基板１０の厚さ、および、貫通孔１０ａの貫通方向の長さに応じて任意に選択され得る。たとえば、図１と異なり、電子部品２ａ〜２ｃの封止部５の一面５Ｆから所定の高さまでの部分が第１封止部５ａにより覆われていてもよい。そして、第２封止部５ｂが、電子部品２ａ〜２ｃの残りの部分の周囲を含む、第１封止部５ａで充填されていない貫通孔１０ａ内の残りの領域に形成されていてもよい。
【００１２】
図１の例では、貫通孔１０ａを囲む絶縁基板１０の内壁面上ならびに第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓ上に第１金属膜３１が形成されている。絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓと第１金属膜３１との間には、金属箔１０ｂが介在している。絶縁基板１０の第１面１０Ｆ上の第１金属膜３１の第１面１０Ｆと反対側の表面３１ｃと、封止部５の一面５Ｆとは、ほぼ面一である。また、封止部５の一面５Ｆと、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃ（電極２１ａ〜２１ｃの封止部５の一面５Ｆ側の面）とは、ほぼ面一である。すなわち、各電子部品の電極の端面２２ａ〜２２ｃと、第１金属膜３１の表面３１ｃとは、ほぼ面一である。各電子部品の電極の端面２２ａ〜２２ｃ、および、第１金属膜３１の表面３１ｃは、封止部５内に埋め込まれずに一面５Ｆにおいて封止部５から露出している。図１の例では、露出している各電子部品の電極の端面２２ａ〜２２ｃおよび第１金属膜３１の表面３１ｃに、外部の電気回路との間の接合材となるバンプ７が形成されている（図２Ｂでは、各電子部品の電極の端面２２ａ〜２２ｃや第１金属膜３１の表面３１ｃが図中に示され得るようにバンプ７の記載が省略されている）。
【００１３】
一実施形態の製造方法により製造され得る電子部品内蔵基板１では、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃが電子部品内蔵基板１の外面に露出している。そのため、バンプ７が電子部品２ａ〜２ｃの電極の端面２２ａ〜２２ｃ上に直接形成され得る。電子部品２ａ〜２ｃの電極２１ａ〜２１ｃと外部の電気回路とをバンプ７で直接接続することができる。すなわち、電極２１ａ〜２１ｃと外部の電気回路との間の導通抵抗を小さくすることができる。また、電子部品内蔵基板１では、電極２１ａ〜２１ｃと外部の電気回路との間に介在する接続箇所が少ないので、外部の電気回路との接続の信頼性が高いと考えられる。たとえば、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃ、および、第１金属膜３１の表面３１ｃは、バンプ７を介して外部のマザーボードなどに接続される。バンプ７は、たとえば、はんだなどの導電性の材料で形成される。
【００１４】
図１の例では、さらに、封止部５の一面５Ｆ側と反対側（絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側）の表面である他面５Ｓ上に第２金属膜３２が形成されている。第２金属膜３２は、第２金属膜３２の外周部で第１金属膜３１と接しており、絶縁基板１０の貫通孔１０ａの第２面１０Ｓ側を塞いでいる。一方、図２Ａおよび図２Ｂに示されるように、第１金属膜３１は貫通孔１０ａを囲む絶縁基板１０の内壁上に形成され、電子部品２ａ〜２ｃを囲んでいる。すなわち、図１、２Ａおよび２Ｂの例では、第１金属膜３１および第２金属膜３２によって、封止部５の一面５Ｆ側を除いて電子部品２ａ〜２ｃを取り囲む、電気的に一体的な構造のシールド層３が形成されている。電子部品２ａ〜２ｃから放射される電磁波の電子部品内蔵基板１の外部への放出が抑制されると考えられる。図１の例では、さらに、第２金属膜３２の保護などに有益な被覆層３３が第２金属膜３２上に形成されている。なお、符号３４は、後述の第２封止部５ｂの形成に伴って形成される、貫通孔１０ａ外の封止材部である。貫通孔１０ａ外の封止材部３４は必ずしも形成されていなくてもよい。
【００１５】
つぎに、一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法が、図１に示される電子部品内蔵基板１を製造する場合を例に、図３Ａ〜３Ｎを参照して説明される。
【００１６】
図３Ａに示されるように、第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｓを有する絶縁基板１０が用意される。絶縁基板１０は、電子部品内蔵基板１に適度な剛性を与え、貫通孔１０ａ（図１参照）の形成領域を提供する。絶縁基板１０の材料は、これらの機能および絶縁性を有するものであれば特に限定されない。たとえば、絶縁基板１０の材料はエポキシ樹脂である。絶縁基板１０の材料はシリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。また、絶縁基板１０はガラスクロスなどの補強材を含んでいてもよい。たとえば、プリプレグを本硬化させてなるガラスエポキシ板や、プリプレグに金属層を積層してなる積層板が、絶縁基板１０として用いられる。図１に示される電子部品内蔵配線板１が製造される場合は、図３Ａに示されるように、金属箔１０ｂとして絶縁基板１０の両面に銅箔を備える両面銅張積層板が用意される。絶縁基板１０および金属箔１０ｂが、個別に用意されて熱圧着されてもよい。絶縁基板１０の表面に金属箔１０ｂを有さない電子部品内蔵基板が製造される場合は、金属箔１０ｂを備えない絶縁基板１０が用意されてもよい。
【００１７】
絶縁基板１０の厚さは、貫通孔１０ａ内に収容される電子部品の厚さに応じて適宜選択され得る。たとえば、０．５ｍｍ以上、１．６ｍｍ以下の厚さの絶縁基板１０が用いられる。
【００１８】
図３Ａに示される２つの二点鎖線Ｃの間の領域が除去され、図３Ｂに示されるように、絶縁基板１０に貫通孔１０ａが形成される。図３Ｂには、電子部品内蔵基板１（図１参照）よりも大きな大判の絶縁基板１００が示されている。大判の絶縁基板１００は、それぞれ電子部品内蔵基板１の構成要素となる複数の絶縁基板１０を含んでいる。大判の絶縁基板１００に複数の貫通孔１０ａが形成されている。大判の絶縁基板１００を用いると、複数の電子部品内蔵基板１が同時に製造され得る。そして、後述のように、大判の絶縁基板１００が個々の貫通孔１０ａの外周に沿って切断されることにより、連結状態の複数の電子部品内蔵基板１が個片化される。電子部品内蔵基板１が、短い時間で、安価かつ大量に製造され得る。しかし、電子部品内蔵基板１は、貫通孔１０ａの形成から完成まで個片状態で製造されてもよい。なお、図３Ａ、３Ｃ〜３Ｆおよび３Ｈ〜３Ｍは、１つの貫通孔１０ａの周辺部分の断面を示している。
【００１９】
貫通孔１０ａは、たとえば、レーザー光の照射、ルーターによる切断、ドリルによる切削、金型などによる打ち抜きなど、絶縁基板１０に過度なストレスを与えない任意の適切な加工方法を用いて形成され得る。なお、貫通孔１０ａの形成領域の銅箔１０ｂは、絶縁基板１０の貫通孔１０ａの形成領域内の部分と共にドリルによる切削などで除去され得る。貫通孔１０ａの形成領域の銅箔１０ｂは、レーザー加工による貫通孔１０ａの形成に先行してエッチングなどで除去されてもよい。
【００２０】
図３Ｂに示される例では、貫通孔１０ａは、略正方形の平面形状（絶縁基板１０の厚さ方向と直交する平面への投影形状、以下、「平面形状」は同じ意味で用いられる）を有するように形成されている。しかし、貫通孔１０ａの形状や大きさ、および、絶縁基板１０内もしくは大判の絶縁基板１００内での位置は、図３Ｂに示される例に限定されない。貫通孔１０ａは、内部に収容すべき電子部品に応じた大きさおよび形状に形成される。
【００２１】
図３Ｃに示されるように、貫通孔１０ａを囲む絶縁基板１０の内壁面上に第１金属膜３１が形成される。第１金属膜３１は、絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓの上の金属箔１０ｂ上にも形成されている。第１金属膜３１は、下層膜３１ａおよび上層膜３１ｂによって構成されている。たとえば、下層膜３１ａが、無電解めっき、スパッタリング、または蒸着などにより、絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓ上の金属箔１０ｂの全面、ならびに、貫通孔１０ａの周囲の内壁面全体に形成される。続いて、下層膜３１ａ上に、たとえば電解めっきにより上層膜３１ｂが形成される。上層膜３１ｂは、下層膜３１ａ上の全面に形成されてもよく、必要な領域だけにパターンめっき法により形成されてもよい。下層膜３１ａおよび上層膜３１ｂからなる２層構造の第１金属膜３１が形成される。
【００２２】
下層膜３１ａおよび上層膜３１ｂの材料には、好ましくは銅が用いられる。ニッケルなどの他の金属材料が用いられてもよい。第１金属膜３１は、３μｍ以上、１５μｍ以下、好ましくは、５μｍ以上、１０μｍ以下の厚さに形成される。第１金属膜３１がこのような適切な厚さを有していると、前述のように、電磁波の放射が効果的に抑制されると考えられる。しかも、第１金属膜３１がめっき法などにより比較的短い時間で形成される。なお、第１金属膜３１は、１層の金属膜だけを有していてもよく、３層以上の多層構造を有するように形成されてもよい。図３Ｃを除く各図面では、第１金属膜３１は簡略化して１つの層だけで示されている。
【００２３】
絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓ上に積層されている金属箔１０ｂ、および、金属箔１０ｂの全面に形成されている第１金属膜３１は、必要に応じて、テンティング法などによりパターニングされる。図３Ｃの例では、金属箔１０ｂ、および、金属箔１０ｂ上の第１金属膜３１は、貫通孔１０ａの近傍部分を除いてエッチングにより除去されている。
【００２４】
図３Ｃでは、貫通孔１０ａの周囲の壁面は絶縁基板１０の厚さ方向とほぼ平行である。しかし、たとえば、貫通孔１０ａの周囲の壁面は、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側に向かうほど貫通孔１０ａの中心側に向かうように傾斜していても、その逆方向に傾斜していてもよい。すなわち、貫通孔１０ａは絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓのいずれかに向って広がっていてもよい。
【００２５】
つぎに、図３Ｄに示されるように、貫通孔１０ａの絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側の開口部を塞ぐベース部材８が、絶縁基板１０に貼り付けられる。貫通孔１０ａ内に露出するベース部材８の一面８ａからなる底面を有するキャビティ部１１が形成される。図示されていないが、大判の絶縁基板１００（図３Ｂ参照）に形成されている複数の貫通孔１０ａそれぞれの第１面１０Ｆ側の開口部が、１つまたは複数のベース部材８で塞がれる。それにより複数のキャビティ部１１が形成される。好ましくは、複数の貫通孔１０ａの開口部を塞ぎ得る大きさのベース部材８が用意され、複数の貫通孔１０ａの開口部が１つのベース部材８で塞がれる。より好ましくは、大判の絶縁基板１００の大きさに相当する大きさを有する１つのベース部材８によって全ての貫通孔１０ａの第１面１０Ｆ側の開口部が塞がれる。
【００２６】
ベース部材８は、絶縁基板１０と密着するように貼り合わされる。ここで「密着」は、後の工程でキャビティ部１１内に充填される第１および第２の封止材６ａ、６ｂ（図３Ｆおよび図３Ｉ参照）がキャビティ部１１内から漏出しない程度に密接に付着することを意味している。図３Ｄの例では、ベース部材８は、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ上の第１金属膜３１に貼り付けられている。ベース部材８は、その柔軟性に応じて、第１金属膜３１上だけでなく、絶縁基板１０の露出部にも貼り付けられてもよい。
【００２７】
ベース部材８には、好ましくは、一面８ａに粘着性を有するフィルム、テープ、または板材などが用いられる。ベース部材８は、一面（粘着面）８ａを絶縁基板１０に向けて、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側に貼り付けられる。好ましくは、ベース部材８は、一面８ａの粘着性によって絶縁基板１０に固定される。
【００２８】
ベース部材８の一面８ａには、予め接着剤の塗布などにより粘着性が付加されていてもよく、絶縁基板１０への貼り付け時に接着剤が新規にまたは追加的に供給されてもよい。ベース部材８は、後述のように、後の工程で、絶縁基板１０から剥離される。従って、ベース部材８の一面８ａに粘着性を付与する接着剤には、絶縁基板１０や第１金属膜３１などとの間に良好な密着性を有するものの、強固な接着性を発現しないものが好ましい。このような接着剤としては、アクリル系やシリコン系の接着剤が例示される。また、ベース部材８の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が例示されるが、ＰＥＴ以外の材料が用いられてもよい。
【００２９】
図３Ｅに示されるように、キャビティ部１１内のベース部材８上の所定の位置に電子部品２ａ〜２ｃが、たとえばチップマウンタやダイボンダなどを用いて配置される。図示されていないが、大判の絶縁基板１００（図３Ｂ参照）に形成されている複数のキャビティ部１１それぞれの内部に、電子部品２ａ〜２ｃが配置される。電子部品２ａ〜２ｃは、電極２１ａ〜２１ｃをベース部材８側に向けて配置される。ベース部材８は、好ましくは、前述のように粘着性を有する一面（粘着面）８ａを有しており、電子部品２ａ〜２ｃは、この粘着面上に配置される。工程内での絶縁基板１０の搬送時の振動や絶縁基板１０の傾きなどによる電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれが、ベース部材８の粘着性によって防止され得る。
【００３０】
電子部品２ａ〜２ｃは、電極２１ａ〜２１ｃそれぞれの端面２２ａ〜２２ｃをベース部材８側に向けて、ベース部材８の一面８ａ上に配置される。ベース部材８の一面８ａは、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ上の第１金属膜３１の表面３１ｃに貼り付けられている。すなわち、電子部品２ａ〜２ｃは、電極２１ａ〜２１ｃそれぞれの端面２２ａ〜２２ｃと第１金属膜３１の表面３１ｃとが、ほぼ面一となるようにベース部材８上に配置される。電子部品２ａ〜２ｃの電極２１ａ〜２１ｃおよび第１金属膜３１の表面３１ｃが、それぞれ、外部のマザーボード上の接続パッド（図示せず）などと接続される場合に、この接続パッドからの浮きが生じ難いと考えられる。
【００３１】
電子部品２ａ〜２ｃは、受動部品であっても、能動部品であってもよい。また、受動部品および能動部品の両方が、１つのキャビティ部１１内に配置されてもよい。その場合、電子部品２ａ〜２ｃ間の配線長が短縮されることがある。受動部品としては、表面実装型もしくは他の形態のインダクタ、コンデンサ、抵抗などが例示される。また、能動部品としては、ベアチップ、ＷＬＰ、もしくは他の形態の集積回路装置、トランジスタ、またはダイオードなどが例示される。しかし、受動部品および能動部品のいずれも、これらに限定されない。なお、キャビティ部１１内に配置される電子部品の数は、図３Ｅの例に限定されない。すなわち、３個よりも多いまたは少ない数の電子部品がキャビティ部１１内に配置されてもよい。
【００３２】
図３Ｅに示されるように、電子部品内蔵基板１の製造においては、電子部品２ａおよび電子部品２ｂと、電子部品２ａおよび電子部品２ｂの高さと異なる高さを有する電子部品２ｃとが、キャビティ部１１内に配置される。後述の第１封止材６ａ（図３Ｆ参照）からなる第１封止部５ａ（図３Ｈ参照）の形成領域が、高さの異なる複数の電子部品のいずれかの高さに基づいて選択されてもよい。
【００３３】
電子部品２ａ〜２ｃのキャビティ部１１内への配置後、キャビティ部１１内にキャビティ部１１の封止材が充填される。本実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法では、少なくとも２つの異なる手法を用いてキャビティ部１１内に封止材が充填される。図３Ｆには、粉末状の第１封止材６ａをキャビティ部１１内に充填する第１の充填プロセスの例が示されている。キャビティ部１１は、第１封止材６ａによって部分的に充填される。
【００３４】
図３Ｆに示されるように、粉末状の第１封止材６ａが、ディスペンサ（図示せず）などで吐出されることによりキャビティ部１１内に流し込まれる。キャビティ部１１内に吐出された第１封止材６ａは、キャビティ部１１内を流動し、各電子部品同士のすき間や各電子部品とベース部材８との間に流れ込む。第１封止材６ａの材料としては、粉末状態に加工されたエポキシ樹脂が例示される。エポキシ樹脂は、シリカなどの無機フィラーを３０質量％以上、９０質量％以下程度の含有率で含んでいてもよい。
【００３５】
電子部品２ａ〜２ｃは、前述のように、軽微な外力による位置ずれをベース部材８の粘着性によって防がれている。しかし、ベース部材８の粘着力を超える力が作用すると、電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれや浮きが生じることがある。たとえば、高粘度を有するペースト状の封止材によりキャビティ部１１が充填されると、電子部品２ａ〜２ｃが、高粘度の封止材の流動に基づく比較的大きな外力を受けることがある。その場合、電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれや浮きが生じるおそれがある。
【００３６】
一方、図３Ｆに示される例のように、第１封止材６ａが粉末状態でキャビティ部１１内に流し込まれると、電子部品２ａ〜２ｃには、位置ずれや浮きを招くような大きな外力は作用し難いと考えられる。電子部品２ａ〜２ｃがはんだなどで金属箔などに強固に固定されていなくても、電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれや浮きが生じ難いと考えられる。所定の位置に配置された電子部品２ａ〜２ｃが位置ずれしたり、浮いたりすることなく、適正な位置への各電子部品の配置が維持されると考えられる。
【００３７】
図３Ｆの例示のように、第１の充填プロセスは、好ましくは、電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれや浮きが生じ難い態様の封止材および充填手法を用いて行われる。加えて、または代替的に、第１の充填プロセスは、好ましくは、各電子部品同士のすき間や各電子部品とベース部材８とのすき間への良好な流入性を有し、従ってボイドなどを生じさせ難い態様の封止材および充填手法を用いて行われる。従って、第１の充填プロセスでは、好ましくは、粉末状の他、液状や、流動性の高い低粘度のペースト状の封止材が第１封止材６ａとしてキャビティ部１１内に流し込まれる。
【００３８】
粉末状の第１封止材６ａが用いられる場合、小さい粒子径を有する封止材が、第１封止材６ａとして好ましい。電子部品２ｃとベース部材８とのすき間の部分（図３ＦのIIIＧ部）の拡大図である図３Ｇに示されるように、粒子径の小さい粉末状の第１封止材６ａは、電子部品２ｃとベース部材８とのすき間のような小さな空間内にも十分に流れ込むことができる。また、このような空間内に存在するエアが、流入してくる粒子状の第１封止材６ａと入れ替わりに各粒子同士の間を通って外部に逃げ易いと考えられる。各電子部品同士のすき間や各電子部品とベース部材８とのすき間が隈なく、たとえばボイドの生成を招くことなく、充填され得る。このように、良好な充填性の観点から、第１封止材６ａには、好ましくは、１０μｍ以下の最大粒径を有する粉末状の封止材が用いられる。なお、第１封止材６ａとして用いられる封止材は、図３Ｆに示されるような粉末状や、液状の封止材に限定されない。たとえば、電子部品２ａ〜２ｃの位置ずれ防止や良好な充填性とは異なる観点において有益性を有する他の態様の封止材が、第１封止材６ａとして用いられてもよい。たとえば、第２封止材６ｂ（図３Ｉ参照）として後述されるフィルム状の封止材が第１封止材６ａとして用いられてもよい。その場合、加熱などにより十分に溶融し、電子部品２ｃとベース部材８とのすき間の部分に流れ込むような封止材が、第１封止材６ａとして好ましい。
【００３９】
第１封止材６ａが粉末状である場合、たとえば、恒温槽やベーク炉などで加熱されることにより第１封止材６ａが一旦溶融し、さらに加熱および／または除熱されることにより硬化する。その結果、図３Ｈに示されるように、硬化した第１封止材６ａからなる第１封止部５ａが形成される。電子部品２ａ〜２ｃが第１封止部５ａに被覆されることにより、キャビティ部１１内の所定の位置に固定される。
【００４０】
第１封止部５ａのキャビティ部１１内での形成領域は、たとえば電子部品２ａ〜２ｃの形状や大きさに応じて選択される。図３Ｈの例では、第１封止部５ａは、電子部品２ａ〜２ｃのうちで高さの高い電子部品２ａおよび電子部品２ｂの上面（電極２１ａ、２１ｂと反対側の端面）をも覆うように形成されている。電子部品２ａ〜２ｃが完全に第１封止部５ａに被覆されるので、電子部品２ａ〜２ｃが外力から確実に保護されると考えられる。
【００４１】
第１封止部５ａは、図３Ｈの例と異なり、電子部品２ａおよび電子部品２ｂの一部が第１封止部５ａに覆われずに露出するように形成されてもよい。たとえば、電子部品２ｃの上面（電極２１ｃと反対側の端面）までだけを覆うように第１封止部５ａが形成されてもよい。電子部品２ｃが電子部品２ａや電子部品２ｂよりも小さく、そのため位置ずれや浮きを起こし易い場合など、電子部品２ｃの上面までの被覆だけでも位置ずれ防止に関して十分なことがあるからである。
【００４２】
このように、第１封止部５ａの形成領域は、キャビティ部１１内に配置される電子部品の大きさや形状に応じて選択され得る。好ましくは、キャビティ部１１の深さＤに対する第１封止部５ａの厚さＴ（第１封止部５ａの絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側の表面から第２面１０Ｓ側の表面までの距離）の比が０．３以上となるように、第１封止材６ａがキャビティ部１１内に充填される。第１封止部５ａがこのような厚さＴを有するように形成されることにより、キャビティ部１１内に配置される多くの電子部品が第１封止部５ａで確実に固定されると考えられる。後述の第２封止材６ｂ（図３Ｉ参照）の充填時の各電子部品の位置ずれが確実に防止されると考えられる。また、後述のように、たとえばフィルム状の形態で供給される第２封止材６ｂ（図３Ｉ参照）に、比較的薄い樹脂フィルムなどを用いることができると考えられる。第１封止材６ａは、より好ましくは、キャビティ部１１の深さＤに対する第１封止部５ａの厚さＴの比が０．７以下となるようにキャビティ部１１内に充填される。それにより、第２封止部５ｂ（図３Ｊ参照）を形成した後の平坦性を損なわない程度の第１封止部５ａの形成が可能となる。なお、キャビティ部１１の「深さＤ」は、絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓ上に金属箔１０ｂおよび第１金属膜３１が設けられない場合は絶縁基板１０の厚さである。金属箔１０ｂおよび第１金属膜３１が設けられる場合は、キャビティ部１１の「深さＤ」は、金属箔１０ｂおよび第１金属膜３１の厚さも含めた絶縁基板１０の厚さである。
【００４３】
第１封止材６ａによるキャビティ部１１内の部分的な充填の後、第２の充填プロセスとして、第２封止材がキャビティ部１１内に充填される。本実施形態の方法では、第２封止材は、第１封止材６ａと異なる手法でキャビティ部１１内に充填される。図３Ｉには、第１封止部５ａの形成領域以外のキャビティ部１１内の残りの空間をフィルム状の第２封止材６ｂを用いて充填する第２の充填プロセスの例が示されている。
【００４４】
図３Ｉに示されるように、フィルム状に成形されている第２封止材６ｂが、貫通孔１０ａを覆うように絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側に配置される。第２封止材６ｂは、加熱されることにより流動性を有するように軟化し、キャビティ部１１の内部に入り込む。キャビティ部１１内の第１封止部５ａの形成領域以外の空間が、第２封止材６ｂで充填される。ボイドなどが発生しないように、真空または減圧雰囲気中で第２の充填プロセスが行われてもよい。また、キャビティ部１１の周囲の絶縁基板１０の第２面１０Ｓも軟化した第２封止材６ｂに覆われてもよい。第２封止材６ｂは、所定の硬化温度で加熱されることにより本硬化する。なお、フィルム状の第２封止材６ｂは、予め、キャビティ部１１の開口サイズよりも小さいサイズにカットされ、キャビティ部１１内の第１封止部５ａの上に配置されてもよい。
【００４５】
図３Ｊに示されるように、硬化後の第２封止材６ｂからなる第２封止部５ｂが、第１封止部５ａ上に形成される。キャビティ部１１内の第１封止部５ａの形成領域以外の空間が第２封止部５ｂで充填される。第１封止部５ａおよび第２封止部５ｂからなる封止部５が形成される。第１封止部５ａに一部を覆われていない電子部品が存在する場合でも、そのような電子部品は第２封止部５ｂによって被覆される。図３Ｊの例では、第２封止部５ｂは、キャビティ部１１の周囲の絶縁基板１０の第２面１０Ｓも覆っている。
【００４６】
第２封止材６ｂの材料としては、第１封止材６ａと同様に、エポキシ樹脂が例示される。エポキシ樹脂はシリカなどの無機フィラーを３０質量％以上、９０質量％以下程度含んでいてもよい。第１封止材６ａと第２封止材６ｂの一方だけが、無機フィラーを含有していてもよい。第１および第２の封止材６ａ、６ｂの両方が無機フィラーを含有する場合、第１封止材６ａの無機フィラーの含有率と、第２封止材６ｂの無機フィラーの含有率とが異なっていてもよい。たとえば、第１封止材６ａの流動性が考慮され、第１封止材６ａの無機フィラーの含有率が、第２封止材６ｂの無機フィラーの含有率よりも小さくされてもよい。前述の図３Ｉの例では、第２封止材６ｂとしてフィルム状に成形された封止材が用いられている。予めフィルム状に成形された封止材を用いることにより、封止部５の絶縁基板１０の一面５Ｆと反対側の表面として、比較的凹凸の少ない表面が得られると考えられる。後述の第２封止部５ｂの表面の研磨が容易になると考えられる。しかし、第２封止材６ｂとして用いられる封止材は、図３Ｉに示されるようなフィルム状に成形された封止材に限定されない。たとえば、ペースト状の封止材がキャビティ内に注入もしくは塗布されてもよい。また、凹凸の少ない表面の確保とは異なる観点において有益性を有する任意の態様の封止材が、第２封止材６ｂとして用いられてもよい。
【００４７】
第１および第２の封止材６ａ、６ｂは、それぞれ、キャビティ部１１内の互いに異なる領域を充填するにあたって、それぞれの充填領域において求められる好ましい作用を及ぼし得る適切な形態で準備され、かつ、適切な手法でキャビティ部１１内に供給される。たとえば、各電子部品が配置されているキャビティ部１１の底面側の領域を充填する第１封止材６ａは、前述のように、電子部品間などへの良好な充填性やボイドの発生し難さが求められるため、好ましくは粉末状や液状の形態で準備され、キャビティ部１１内に注入される。一方、たとえば、キャビティ部１１の開口部側の領域を充填し、封止部５の表面を構成する第２封止材６ｂは、前述のように、第２封止部５ｂに転じた後の表面の平坦性が求められるため、好ましくは、フィルム状の形態で準備される。フィルム状の第２封止材６ｂは、キャビティ部１１の開口部に積層後、溶融してキャビティ部１１内を充填するように加熱される。このように、第１封止材６ａおよび第２封止材６ｂが、各々に求められる特性に応じた適切な形態で準備され、キャビティ部１１内を充填することにより、キャビティ部１１の内部が適切に充填される。なお、図示されていないが、大判の絶縁基板１００（図３Ｂ参照）に形成されている複数のキャビティ部１１それぞれの内部が第１封止材６ａおよび第２封止材６ｂで充填される。
【００４８】
第２封止部５ｂの形成後、必要に応じて、第２封止部５ｂの第１封止部５ａ側と反対側の表面（封止部５の絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側の表面）が研磨される。たとえば、第２封止部５ｂの第１封止部５ａ側と反対側の表面が貫通孔１０ａの開口部よりも突出している場合、その突出部分が研磨される。ベルトサンダによる研磨、バフ研磨、または化学機械研磨などにより、第２封止部５ｂの表面が研磨される。
【００４９】
図３Ｋに示されるように、第２封止部５ｂは、封止部５の絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側の表面（封止部５の他面）５Ｓが絶縁基板１０の第２面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面とほぼ面一となるように研磨される。第２封止部５ｂの貫通孔１０ａの周囲の部分は、第１封止部５ａ上の部分と分離されて貫通孔１０ａ外の封止材部３４となる。
【００５０】
封止部５の他面５Ｓ上に、キャビティ部１１（図３Ｉ参照）を覆う第２金属膜３２が形成される。第２金属膜３２は、たとえば、無電解めっきにより形成される。第２金属膜３２は、スパッタリングや蒸着により形成されてもよい。無電解めっきなどに加えて、電解めっきが行われてもよい。第２金属膜３２は、第１金属膜３１と接するように、絶縁基板１０の第２面１０Ｓ上の第１金属膜３１上にも形成されている。第１金属膜３１と第２金属膜３２とにより、電子部品２ａ〜２ｃを囲むシールド層３が形成される。封止部５の他面５Ｓが絶縁基板１０の第２面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面とほぼ面一となるように研磨されていると、均一な膜厚を有し、安定したシールド効果をもたらす第２金属膜３２が形成されると考えられる。第２金属膜３２は、絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側の全面に形成された後、機能的に特に必要のない部分をエッチングなどで除去されてもよい。図３Ｋの例では、貫通孔１０ａの上方でも第１金属膜３１上でもない部分の第２金属膜３２は除去されている。また、大判の絶縁基板１００（図３Ｂ参照）に複数の電子部品内蔵基板１が製造される場合は、個片化のための切断線Ｓ（図３Ｎ参照）の近傍の第２金属膜３２が除去されてもよい。
【００５１】
図１に示される電子部品内蔵基板１が製造される場合は、図３Ｌに示されるように、第２金属膜３２の形成後、第２金属膜３２を覆う被覆層３３が形成される。たとえば、フィルム状に成形された樹脂が第２金属膜３２上に積層され、加熱される。加熱により一旦溶融した樹脂材料が第２金属膜３２と密着する。更なる加熱により樹脂材料が本硬化し、それにより被覆層３３が形成される。樹脂材料からなる被覆層３３により第２金属膜３２が外部の導電体から絶縁され得る。被覆層３３の材料としては、エポキシ樹脂が例示される。封止部５の材料と同等の線膨張率を有する材料が、被覆層３３の材料として好ましい。第２金属膜３２に生じる熱応力が少ないと考えられるからである。なお、図示されていないが、被覆層３３とは別に、第２金属膜３２の表面に、電解めっき法もしくは無電解めっき法により、耐食性の良好なニッケルなどの金属材料による被膜が形成されてもよい。
【００５２】
ベース部材８は、第２封止部５ａの形成後、任意のタイミングで絶縁基板１０から剥離される。たとえば、被覆層３３の形成後、ベース部材８が剥離される。ベース部材８の剥離により、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃが、それぞれ封止部５の一面５Ｆに露出する。また、第１金属膜３１の表面３１ｃもベース部材８の剥離により露出する。ベース部材８の一面８ａに接触していた、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃ、封止部５の一面５Ｆ、および第１金属膜３１の表面３１ｃは、ほぼ面一である。前述のように、ベース部材８は、絶縁基板１０や第１金属膜３１との間に強固な接着性を発現しない接着剤で絶縁基板１０に貼り付けられているので、単にベース部材８を引き剥がすだけで、容易にベース部材８を絶縁基板１０から剥離することができる。溶剤などを用いて溶融させることによりベース部材８が除去されてもよい。
【００５３】
図１に示される電子部品内蔵基板１が製造される場合は、図３Ｍに示されるように、バンプ７が形成される。バンプ７は、ベース部材８の除去により露出する各電子部品それぞれの電極の端面２２ａ〜２２ｃ上、および、絶縁基板１０の第１面１０Ｆ上の第１金属膜３１の表面３１ｃ上に形成される。バンプ７に代えて、Ｎｉ−Ａｕまたは、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕなどのめっき膜やＯＳＰ膜からなる表面保護膜が形成されてもよい。バンプ７は、たとえば、はんだペーストの印刷またははんだボールの配置、およびはんだリフローにより形成される。はんだ以外の銅などの金属がバンプ７に用いられてもよい。バンプ７の材料および形成方法は、特にこれらに限定されない。
【００５４】
大判の絶縁基板１００（図３Ｂ参照）に複数の貫通孔１０ａが形成され、複数の電子部品内蔵基板１が製造されている場合は、連結状態の複数の電子部品内蔵基板１が個片化される。たとえば、図３Ｍに二点鎖線Ｓで示される位置などで、絶縁基板１０がルーターなどで切断される。それにより、図１に示される最終形態の電子部品内蔵基板１が得られる。すなわち、図３Ｎに示されるように、大判の絶縁基板１００に形成された複数のキャビティ部１１同士の間で、大判の絶縁基板１００が切断される。たとえば、図３Ｎに二点鎖線で示される、個々のキャビティ部１１の周囲の切断線Ｓの位置で、大判の絶縁基板１００が切断される。それにより、複数のキャビティ部１１が個片に分割される。大判の絶縁基板１００を出発材料として連結状態で同時に製造された複数の電子部品内蔵基板１が、最終的な外形を有する個々の電子部品内蔵基板１に個片化される。以上の工程により、図１に示される電子部品内蔵基板１が完成する。
【００５５】
電子部品内蔵基板１は、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示される例と全く同じ形状や構造を有していなくてもよい。たとえば、絶縁基板１０の平面形状は、図２Ａおよび図２Ｂに示される略正方形の形状に限定されず、たとえば、長方形や円形など、任意の形状であってよい。また、第１金属膜３１は貫通孔１０ａの周囲の内壁全体に形成されなくてもよい。また、第１金属膜３１は、貫通孔１０ａの周囲の内壁だけに形成されてもよい。すなわち、絶縁基板１０の第１面１０Ｆや第２面１０Ｓ上に第１金属膜３１が形成されなくてもよい。また、第１封止材６ａおよび第２封止材６ｂの材料は、エポキシ樹脂に限定されず、たとえば、フェノール樹脂やウレタン樹脂など、任意の絶縁性材料が、第１封止材６ａおよび／または第２封止材６ｂの材料として用いられ得る。
【００５６】
さらに、一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法により製造される電子部品内蔵基板は、図１に示される電子部品内蔵基板１に限定されない。たとえば、第１金属膜３１、第２金属膜３２、被覆層３３は、必ずしも形成されなくてもよい。金属箔１０ｂも、必ずしも備えられていなくてもよく、また、バンプ７も形成されなくてもよい。図４には、一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法により製造され得る電子部品内蔵基板の他の例である、シンプルな構造の電子部品内蔵基板１ａが示されている。なお、図１の電子部品内蔵基板１の構成要素と同一の要素については、同じ符号が付され、その説明は適宜省略される。
【００５７】
図４に示されるように、電子部品内蔵基板１ａでは、図１の電子部品内蔵基板１と異なり、第１金属膜３１、第２金属膜３２、および被覆層３３が形成されていない。また金属箔１０ｂも、絶縁基板１０の第１面１０Ｆおよび第２面１０Ｓのいずれの面上にも設けられていない。従って、絶縁基板１０の第２面１０Ｓ側に封止部５の他面５Ｓが露出している。封止部５の他面５Ｓは、絶縁基板１０の第２面１０Ｓとほぼ面一となるように研磨されている。また、電子部品２ａ〜２ｃの電極２１ａ〜２１ｃの端面２２ａ〜２２ｃおよび封止部５の一面５Ｆは、絶縁基板１０の第１面１０Ｆとほぼ面一である。第１金属膜３１や銅箔１０ｂのない絶縁基板１０の第１面１０Ｆにベース部材８（図３Ｄ参照）が貼り付けられ、ベース部材８の一面８ａ上に、電子部品２ａ〜２ｃが配置される。そのため、各電子部品の電極の端面２２ａ〜２２ｃおよび封止部５の一面５Ｆが、絶縁基板１０の第１面１０Ｆとほぼ面一になる。一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法により、図４に示されるようにシンプルな構造の電子部品内蔵基板１ａが製造されてもよい。なお、電子部品内蔵基板１ａでは、第１封止部５ａは、電子部品２ｃの上面（電極２１ｃと反対側の端面）までを覆うように形成されている。前述のように、第１封止部５ａの形成領域は、たとえば、キャビティ部１１内の電子部品の形状や大きさに応じて選択され得る。
【００５８】
図１の電子部品内蔵基板１や図４の電子部品内蔵基板１ａでは、第１封止部５ａは、キャビティ部１１内において、電子部品２ａ〜２ｃの電極側（ベース部材側または絶縁基板１０の第１面１０Ｆ側）の全面に所定の厚さで形成されている。しかし、第１封止部５ａは、キャビティ部１１内において平面視で部分的に形成されてもよい。たとえば、一部の電子部品の周囲にだけ第１封止部５ａが形成されてもよい。なお「平面視」は、電子部品内蔵基板を外部から見るときの見方に関し、電子部品内蔵基板の厚さ方向と平行な視線で電子部品内蔵基板を見ることを意味している。
【００５９】
図５Ａおよび図５Ｂには、他の実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板の例が示されている。図５Ａおよび図５Ｂに示される電子部品内蔵基板１ｂ、１ｃでは、第１封止部５ａは、キャビティ部１１内に配置される複数の電子部品のうちの一部である電子部品２ｄの周囲にだけ形成されている。すなわち、電子部品内蔵基板１ｂ、１ｃでは、電子部品２ａ、２ｂと共に、電子部品２ａ、２ｂよりも遥かに小さい電子部品２ｄがキャビティ部１１内に配置される。そして、前述の図３Ｆを参照して説明された工程において、第１封止材６ａが電子部品２ｄの周囲にだけ供給され、電子部品２ｄの周囲にだけ第１封止部５ａが形成される。
【００６０】
電子部品２ｃとしては、チップコンデンサ、チップ抵抗およびチップインダクタの他、トランジスタやダイオードなどの個別半導体素子が例示される。このような電子部品には、その外形の各辺の長さが１ｍｍにも満たないものがある。そのため、キャビティ部１１内を充填する封止材の流動によって位置ずれや浮きが生じ易いと考えられる。一方、電子部品２ａや電子部品２ｂのように比較的大きな部品では、位置ずれや浮きは生じ難いと考えられる。従って、そのような場合は、電子部品２ｄのような小型の部品の周囲だけを第１封止材６ａで充填するだけでも、電子部品の位置ずれや浮きの防止効果が得られると考えられる。
【００６１】
図５Ａに示される一例の電子部品内蔵基板１ｂでは、キャビティ部１１内の第１封止部５ａの形成領域以外の空間は、全て、第２封止部５ｂで埋められている。一方、図５Ｂに示される他の例の電子部品内蔵基板１ｃでは、第２封止部５ｂは、図１の電子部品内蔵基板１と同様に、キャビティ部１１の開口部付近だけに形成されている。すなわち、第１封止部５ａと第２封止部５ｂとの間に、第３封止部５ｃが形成されている。図５Ａに示されるようにキャビティ部１１内の第１封止部５ａの形成領域以外の空間を全て第２封止部５ｂで埋めるには、フィルム状の第２封止材６ｂ（図３Ｉ参照）を用いる場合、相当に厚い第２封止材６ｂが必要になる。しかし、たとえば、第３封止材（図示せず）を用いて第３封止部５ｃを形成することにより、比較的薄い第２封止材６ｂを用いることが可能になると考えられる。第３封止材としては、たとえば、第１封止材６ａほどには電子部品の位置ずれ防止作用を有さないものの、充填作業やコストなどの面で第１封止材６ａよりも有利な任意の態様のエポキシ樹脂などが例示される。
【００６２】
以上のように、実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法によれば、電子部品の位置ずれや浮き、および、ボイドなどの発生を抑制しながら、キャビティ部内を封止材で適切に充填することができる。また、実施形態の製造方法により製造される電子部品内蔵基板では、内蔵する電子部品の電極を小さい導通抵抗で外部の電気回路などと接続することができる。なお、実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法は、図３Ａ〜３Ｎを参照して説明された方法に限定されない。実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法には、前述の各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述の説明で説明された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ  電子部品内蔵基板
２ａ〜２ｄ      電子部品
２１ａ〜２１ｃ  電極
２２ａ〜２２ｃ  電極の端面
３    シールド層
３１  第１金属膜
３２  第２金属膜
３３  被覆層
５    封止部
５ａ  第１封止部
５ｂ  第２封止部
５ｃ  第３封止部
６ａ  第１封止材
６ｂ  第２封止材
７    バンプ
８    ベース部材
８ａ  一面（粘着面）
１０    絶縁基板
１０ａ  貫通孔
１０Ｆ  絶縁基板の第１面
１０Ｓ  絶縁基板の第２面
１１    キャビティ部
１００  大判の絶縁基板
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図３Ｌ】
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【図３Ｍ】
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【図３Ｎ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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