(57)【要約】【課題】装置の製造工程において、装置と接続された後に、半導体集積回路の電位差の影響を検証できる半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体集積回路１は、第１ドメイン１１と、第２ドメイン１２と、第３ドメイン１３と、第１端子１４と、第２端子１５とを備える。第１ドメイン１１は、データ信号を出力する。第１端子１４は、第１ドメイン１１に電源からの電力を供給する。第２ドメイン１２には、データ信号が入力される。第２端子１５は、第２ドメイン１２に電源からの電力を供給する。第３ドメイン１３は、第２端子１５に対して第２ドメイン１２と並列に接続される。第３ドメイン１３は、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を増加させて、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差を生じさせる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ信号を出力する第１回路領域と、
前記第１回路領域に電源からの電力を供給する第１端子と、
前記データ信号が入力される第２回路領域と、
前記第２回路領域に前記電源からの電力を供給する第２端子と、
前記第２端子に対して前記第２回路領域と並列に接続された第３回路領域と
を備え、
前記第３回路領域は、前記第２端子に流れ込む電流の電流値を増加させて、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間に電位差を生じさせる、半導体集積回路。
【請求項２】
前記第３回路領域は、複数の抵抗と、前記複数の抵抗に流れ込む電流を遮断可能な複数の第１遮断部とを有し、
前記複数の抵抗の各々は、前記第２端子に対して、前記第１遮断部を介して前記第２回路領域と並列に接続される、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記第２端子に流れ込む前記電流の電流値を調整するように、前記第１遮断部を制御する第１制御部を更に備える、請求項２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体集積回路と、
前記電源から前記第２端子に流れ込む前記電流を遮断可能な第２遮断部と
を備え、
前記第２端子は、前記電源に対して、前記第２遮断部を介して前記第１端子と並列に接続される、画像処理回路。
【請求項５】
請求項４に記載の画像処理回路と、
記録媒体に画像を形成する画像形成部と
を備える、画像形成装置。
【請求項６】
前記第２端子に流れ込む前記電流の電流値を調整するように、前記第３回路領域を制御する第２制御部を更に備える、請求項５に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、画像処理回路、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置は、画像処理に用いるＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）のような半導体集積回路を備える。一方、特許文献１には、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｄｉｅ  Ｓｏｒｔｉｎｇ）解析装置が開示される。ＥＳＤ解析装置は、半導体集積回路の製造工程において、接続された半導体集積回路のＥＳＤ耐量を評価する。この結果、半導体集積回路の歩留まりが向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１０８０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体集積回路は、画像形成装置のような電子機器に組み込まれた後に、異常動作を起こしたり、動作を停止したりする場合がある。したがって、電子機器の製造工程において、半導体集積回路が正常に動作するか否かを検証する必要がある。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子機器の製造工程において、半導体集積回路の動作を容易に検証できる半導体集積回路を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、半導体集積回路を備える画像処理回路、及び画像処理回路を備える画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体集積回路は、第１回路領域と、第２回路領域と、第３回路領域と、第１端子と、第２端子とを備える。前記第１回路領域は、データ信号を出力する。前記第１端子は、前記第１回路領域に電源からの電力を供給する。前記第２回路領域には、前記データ信号が入力される。前記第２端子は、前記第２回路領域に前記電源からの電力を供給する。前記第３回路領域は、前記第２端子に対して前記第２回路領域と並列に接続される。前記第３回路領域は、前記第２端子から流れ込む電流値を増加させて、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間に電位差を生じさせる。
【０００８】
本発明に係る画像処理回路は、上記半導体集積回路と、第２遮断部とを備える。前記第２遮断部は、前記電源から前記第２端子に供給される電力を遮断可能である。前記第２端子は、前記電源に対して、前記第２遮断部を介して前記第１端子と並列に接続される。
【０００９】
本発明に係る画像形成装置は、上記画像処理回路と、画像形成部とを備える。前記画像形成部は、記録媒体に画像を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体集積回路によれば、電子機器の製造工程において、半導体集積回路の動作を容易に検証できる。
【００１１】
また、本発明の画像処理回路、及び画像形成装置によれば、画像形成装置の製造工程において、半導体集積回路の動作を容易に検証できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る画像処理回路を示す図である。
【図２】図１の画像処理回路を備える画像形成装置の構成を示す図である。
【図３】図２の画像形成装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る画像処理回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、図中、同一、又は相当部分については、同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【００１４】
図１を参照して、本実施形態の半導体集積回路１、及び画像処理回路２について説明する。図１は、本実施形態に係る画像処理回路２を示す。図１に示すように、画像処理回路２は、半導体集積回路１と、基板２１と、遮断部２３とを備える。
【００１５】
半導体集積回路１は、例えば、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｏｎ  ａ  Ｃｈｉｐ）である。半導体集積回路１は、入力された処理データに基づいて、出力データを出力する。半導体集積回路１は、第１ドメイン１１と、第２ドメイン１２と、第３ドメイン１３と、第１端子１４〜第６端子１９とを備える。
【００１６】
第１端子１４は、電源ラインからの電力を第１ドメイン１１に供給する。第２端子１５は、電源ラインからの電力を第２ドメイン１２に供給する。電源ラインには、電源から電力が供給される。
【００１７】
第１ドメイン１１は、本発明の第１回路領域である。第１ドメイン１１には、データ信号Ｄ、及びクロック信号ＣＬＫが入力される。第１ドメイン１１は、所定の処理を実行する。第１ドメイン１１は、所定の処理が実行されたデータ信号Ｄを、第２ドメイン１２へ出力する。
【００１８】
第１ドメイン１１は、例えば、フリップフロップ１１ａと、論理回路１１ｃとを有する。フリップフロップ１１ａは、クロック信号ＣＬＫに同期して、データ信号Ｄを保持する。フリップフロップ１１ａに保持されたデータ信号Ｄは、論理回路１１ｃを介して出力される。論理回路１１ｃは、データ信号Ｄに所定の処理を実行する。
【００１９】
第２ドメイン１２は、本発明の第２回路領域である。第２ドメイン１２には、第１ドメイン１１からデータ信号Ｄ、及びクロック信号ＣＬＫが入力される。第２ドメイン１２は、所定の処理を実行する。第２ドメイン１２は、所定の処理が実行されたデータ信号Ｄを出力する。
【００２０】
第２ドメイン１２は、例えば、フリップフロップ１２ａと、論理回路１２ｃとを有する。フリップフロップ１２ａは、クロック信号ＣＬＫに同期して、論理回路１２ｃを介して入力されたデータ信号Ｄを保持する。論理回路１２ｃは、データ信号Ｄに所定の処理を実行する。
【００２１】
第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間には、電位差が生じるおそれがある。第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差は、半導体集積回路１の動作に不具合を生じさせるおそれがある。具体的には、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差に応じて、第１ドメイン１１から第２ドメイン１２へのデータ信号Ｄの伝播時間が、規定された伝播時間の条件を満たさなくなるおそれがある。この結果、半導体集積回路１は、後述する画像形成装置３のような電子機器に組み込まれた後に、異常動作を起こしたり、動作を停止したりする場合がある。
【００２２】
第３ドメイン１３は、本発明の第３回路領域である。第３ドメイン１３は、第２端子１５に対して、第２ドメイン１２と並列に接続される。第３ドメイン１３は、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を増加させる。この結果、第３ドメイン１３は、第１ドメイン１１と第２ドメインとの間に電位差を生じさせる。
【００２３】
半導体集積回路１は、電子機器に組み込まれた後に、第３ドメイン１３によって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差を生じさせることができる。したがって、電子機器の製造工程において、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差の影響を受けて変化する半導体集積回路１の動作を容易に検証できる。換言すると、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を容易に検証できる。この結果、電子機器の使用時に生じる不具合を抑制できる。
【００２４】
第３ドメイン１３は、複数の抵抗１３ａ〜１３ｄと、複数の遮断部１３ｅ〜１３ｈとを有する。複数の遮断部１３ｅ〜１３ｈは、本発明の複数の第１遮断部の一例である。複数の遮断部１３ｅ〜１３ｈは、複数の抵抗１３ａ〜１３ｄに流れ込む電流を遮断可能である。遮断部１３ｅは、抵抗１３ａ〜１３ｄに流れ込む電流を遮断可能である。遮断部１３ｆは、抵抗１３ｂ〜１３ｄに流れ込む電流を遮断可能である。遮断部１３ｇは、抵抗１３ｃ、１３ｄに流れ込む電流を遮断可能である。遮断部１３ｈは、抵抗１３ｄに流れ込む電流を遮断可能である。複数の遮断部１３ｅ〜１３ｈの各々は、第３端子１６〜第６端子１９を介して外部から制御されて電流を遮断する。遮断部１３ｅ〜１３ｈは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００２５】
複数の抵抗１３ａ〜１３ｄの各々は、第２端子１５に対して、第２ドメイン１２と並列に接続される。詳しくは、複数の抵抗１３ａ〜１３ｄは、第２端子１５に対して、抵抗１３ａ〜１３ｄの順に接続される。具体的には、抵抗１３ａは、遮断部１３ｅを介して第２ドメイン１２と並列に接続される。したがって、遮断部１３ｅが導通することによって、抵抗１３ａが第２端子１５に対して並列に接続される。抵抗１３ｂは、遮断部１３ｅ、１３ｆを介して第２ドメイン１２と並列に接続される。したがって、遮断部１３ｅ、１３ｆが導通することによって、抵抗１３ａ、１３ｂが第２端子１５に対して並列に接続される。抵抗１３ｃは、遮断部１３ｅ〜１３ｇを介して第２ドメイン１２と並列に接続される。したがって、遮断部１３ｅ〜１３ｇが導通することによって、抵抗１３ａ〜１３ｃが第２端子１５に対して並列に接続される。抵抗１３ｄは、遮断部１３ｅ〜１３ｈを介して第２ドメイン１２と並列に接続される。したがって、遮断部１３ｅ〜１３ｈが導通することによって、抵抗１３ａ〜１３ｄが第２端子１５に対して並列に接続される。
【００２６】
半導体集積回路１は、第３ドメイン１３の抵抗１３ａ〜１３ｄを順に第２端子１５に接続することによって、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を段階的に調整可能である。すなわち、半導体集積回路１が電子機器に組み込まれた後に、遮断部１３ｅ〜１３ｈを外部から制御することによって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に所望の電位差を生じさせることができる。この結果、電子機器の製造工程において、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を容易に検証できる。したがって、電子機器の使用時に生じる不具合を抑制できる。
【００２７】
続いて、本実施形態の画像処理回路２について説明する。基板２１は、例えば、プリント基板である。基板２１上には、半導体集積回路１、及び遮断部２３が配される。
【００２８】
基板２１が有する電源ラインは、第１端子１４、及び第２端子１５に電力を供給する。電力は、供給経路Ｒ１を介して第１端子１４に供給される。電力は、供給経路Ｒ１から分岐する分岐経路Ｒ２を介して第２端子１５に供給される。電源ラインの電圧は、例えば、１．００Ｖである。
【００２９】
遮断部２３は、本発明の第２遮断部の一例である。遮断部２３は、分岐経路Ｒ２上に配置される。遮断部２３は、電源ラインから第２ドメイン１２に流れ込む電流を遮断可能である。また、遮断部２３は、例えば、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のような半導体スイッチである。したがって、遮断部２３は、微小なＯＮ抵抗を有する。遮断部２３のＯＮ抵抗は、例えば、２０ｍΩである。
【００３０】
続いて、画像処理回路２に組み込まれた半導体集積回路１において、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差が生じるメカニズムについて説明する。第１ドメイン１１には、供給経路Ｒ１を介して電源ラインから電力が供給される。したがって、第１ドメイン１１の電位は、１．００Ｖである。
【００３１】
第２ドメイン１２には、分岐経路Ｒ２を介して電源ラインから電力が供給される。第２ドメイン１２に供給される電力は、分岐経路Ｒ２上に配された遮断部２３を介して供給される。したがって、第２ドメイン１２の電位は、遮断部２３のＯＮ抵抗によって、１．００Ｖ未満となる。
【００３２】
具体的には、分岐経路Ｒ２に、例えば１．００Ａの電流が流れる場合に、２０ｍΩのＯＮ抵抗を有する遮断部２３において、０．０２Ｖの電圧を損失する。したがって、分岐経路Ｒ２に１．００Ａの電流が流れる場合に、第２ドメイン１２の電位は０．９８Ｖである。この結果、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間には、０．０２Ｖの電位差が生じる。
【００３３】
分岐経路Ｒ２を流れる電流は、例えば、第２ドメイン１２に動作が集中した場合に増加する。したがって、第２ドメイン１２に動作が集中した場合に、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差は拡大する。
【００３４】
続いて、画像処理回路２において、第３ドメイン１３によって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差を拡大させるメカニズムについて説明する。第３ドメイン１３は、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を増加させることによって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差を拡大させる。
【００３５】
具体的には、例えば、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅが外部から制御されて、第３ドメイン１３の抵抗１３ａに第２端子１５から電力が供給される。第２端子１５に流れ込む電流の電流値は、抵抗１３ａの値が、例えば１．９４Ωの場合に０．５０Ａ増加する。すなわち、分岐経路Ｒ２を流れる電流の電流値が、１．００Ａから１．５０Ａへと増加する。したがって、２０ｍΩのＯＮ抵抗を有する遮断部２３において、０．０３Ｖの電圧を損失する。この結果、第２ドメイン１２の電位は０．９８Ｖから０．９７Ｖに減少して、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差が０．０２Ｖから０．０３Ｖに拡大する。
【００３６】
本実施形態の第３ドメイン１３は、各抵抗１３ａ〜１３ｄに電流が流れ込むように、遮断部１３ｅ〜１３ｈを外部から制御することによって、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を段階的に変化させる。具体的には、抵抗１３ａ、１３ｂを第２端子１５に接続することによって、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を２．００Ａへと増加して、電位差を０．０４Ｖに拡大する。抵抗１３ａ〜１３ｃを第２端子１５に接続することによって、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を２．５０Ａへと増加して、電位差を０．０５Ｖに拡大する。抵抗１３ａ〜１３ｄを第２端子１５に接続することによって、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を３．００Ａへと増加して、電位差を０．０６Ｖに拡大する。
【００３７】
画像処理回路２では、画像処理回路２が電子機器に組み込まれた後に、第３ドメイン１３によって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差を生じさせることができる。したがって、電子機器の製造工程において、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を容易に検証できる。この結果、電子機器の使用時の不具合を抑制できる。
【００３８】
また、画像処理回路２は、電子機器に組み込まれた後に、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御することによって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に段階的に電位差を生じさせることができる。したがって、電子機器の製造工程において、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を段階的に検証できる。この結果、例えば、第２ドメイン１２に動作が集中する際の半導体集積回路１の動作を検証でき、電子機器の使用時の不具合をより一層抑制できる。
【００３９】
図２を参照して、本実施形態の画像形成装置３について説明する。図２は、本実施形態の画像形成装置３の構成を示す図である。図２に示すように、本実施形態の画像形成装置３は、複合機である。なお、画像形成装置３は、コピー、プリンター、又はファクシミリであってもよい。複合機は、例えば、コピー機能、プリンター機能、及びファクシミリ機能のうち少なくとも２つの機能を有する。
【００４０】
画像形成装置３は、用紙Ｓに画像を形成する。画像形成装置３は、画像読取部４と、画像形成部６と、制御部９とを備える。また、画像形成装置３は、制御部９の構成要素として、画像処理回路２を備える。
【００４１】
用紙Ｓは、記録媒体の一例である。用紙Ｓは、例えば、普通紙、コピー紙、再生紙、薄紙、厚紙、光沢紙、又はＯＨＰ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｐｒｏｊｅｃｔｏｒ）用紙である。
【００４２】
画像読取部４は、原稿を読み取って読取データを生成する。画像読取部４は、読取データを制御部９に出力する。画像読取部４は、例えば、スキャナーである。
【００４３】
画像形成部６は、画像データに基づいて、用紙Ｓにトナー画像を形成する。画像形成部６は、感光体ドラム６１と、帯電部６２と、露光部６３と、現像部６４と、転写部６５とを有する。
【００４４】
図３を参照して、本実施形態の制御部９について説明する。図３は、本実施形態の画像形成装置３の構成を示すブロック図である。図３に示すように、制御部９は、予め記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、画像読取部４、及び画像形成部６を制御する。制御部９は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）９１と、画像処理回路２とを含んで構成される。ＣＰＵ９１は、本発明の第２制御部の一例である。画像処理回路２が備える半導体集積回路１は、例えば、ＡＳＩＣである。
【００４５】
制御部９は、画像形成装置３のコピー機能が使用される場合に、画像読取部４を制御して読取データを取得する。制御部９は、処理データとして読取データを、半導体集積回路１に入力する。半導体集積回路１は、読取データに対して、所定の画像処理を実行する。この結果、画像データが生成される。画像データは、出力データとして半導体集積回路１から出力される。制御部９は、画像データに基づく画像を用紙Ｓに形成するように、画像形成部６を制御する。
【００４６】
また、ＣＰＵ９１は、画像形成装置３の製造工程において、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を検証する際に、第３ドメイン１３の複数の抵抗１３ａ〜１３ｄのうち、抵抗１３ａから順次第２端子１５と接続するように、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御する。この結果、画像形成装置３の製造工程において、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を段階的に検証でき、画像形成装置３の使用時の不具合を抑制できる。
【００４７】
ＣＰＵ９１は、例えば、所定の時間内に画像形成装置３が使用されない場合に、画像形成装置３のスリープモードを起動する。ＣＰＵ９１は、画像形成装置３のスリープモードを起動した際に、第２ドメイン１２への電力の供給を遮断するように遮断部２３を制御する。この結果、スリープモードにおいて、画像形成装置３の消費電力が低減される。
【００４８】
続いて、電位差に対する半導体集積回路１の耐性を検証する検証試験について説明する。検証試験は、画像形成装置３の製造工程において実施される。検証試験は、画像形成装置３の製造工程において、例えば、画像形成装置３が組み立てられた後に実施される。
【００４９】
検証試験では、第３ドメイン１３によって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差を生じさせる。また、検証試験では、例えば、電位差を段階的に拡大させる。電位差は、第２ドメイン１２に動作が集中した際に生じる第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差よりも大きくなる程度にまで拡大されることが望ましい。
【００５０】
検証試験では、ＣＰＵ９１は、まず、第３ドメイン１３の抵抗１３ａが第２端子１５に接続するように、遮断部１３ｅを制御する。次に、ＣＰＵ９１は、試験画像を読み取った読取データを半導体集積回路１に入力して、半導体集積回路１から試験画像の画像データを取得する。そして、ＣＰＵ９１は、試験画像の画像データに基づく画像を用紙Ｓに形成するように画像形成部６を制御する。用紙Ｓに形成された試験画像は、例えば、試験官の目視によって確認される。この結果、試験官によって、試験画像に色ずれのような不具合が確認された場合に、電位差の影響によって半導体集積回路１の動作に不具合が生じていることが認定される。
【００５１】
また、検証試験では、ＣＰＵ９１は、第２端子１５に接続される第３ドメイン１３の抵抗１３ａ〜１３ｄを順次接続して、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差を段階的に拡大させる。ＣＰＵ９１は、電位差の段階毎に、試験画像の画像データに基づく画像を用紙Ｓに形成するように画像形成部６を制御する。電位差の段階毎に用紙Ｓに形成された試験画像は、試験官によって確認される。電位差の影響によって半導体集積回路１の動作に不具合が生じていることが認定された場合には、半導体集積回路１が他の半導体集積回路１に交換されて、検証試験が再度実施される。この結果、画像形成装置３の使用時の不具合が抑制される。あるいは、電位差の影響によって半導体集積回路１の動作に生じる不具合は、遮断部２３のＯＮ抵抗の値が、所定の値よりも大きい場合にも生じるおそれがある。したがって、電位差の影響によって半導体集積回路１の動作に不具合が生じていることが認定された場合には、遮断部２３も他の遮断部２３に交換されて、検証試験が再度実行されてもよい。
【００５２】
なお、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差を生じさせる第３ドメイン１３の機能は、検証試験の終了後に、例えば、使用者によって操作ができないように停止される。この結果、画像形成装置３の使用時に、例えば、使用者の誤操作によって、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間に電位差が生じることを回避できる。
【００５３】
以上、図１から図３を参照して、本発明の実施形態に係る半導体集積回路１、画像処理回路２、及び画像形成装置３について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。
【００５４】
例えば、本発明の実施形態では、ＣＰＵ９１によって、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御して、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を段階的に増加させていたが、本発明はこれに限定されない。第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈが制御されればよい。
【００５５】
図４を参照して、本発明の他の実施形態の半導体集積回路１について説明する。図４は、本発明の他の実施形態の画像処理回路２を示す図である。図４に示すように、半導体集積回路１は、ＣＰＵ１０を更に備える。ＣＰＵ１０は、例えば、本発明の第１制御部の一例である。ＣＰＵ１０は、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を調整するように、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御する。
【００５６】
ＣＰＵ１０は、例えば、プログラムカウンター、及びスタックポインタのような自身が動作するための内部レジスターによって、予め記憶された検証用プログラムを読み込んで、第３ドメイン１３の遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御する。この結果、検証試験において、予め記憶された検証用プログラムに基づいて、第２端子１５に流れ込む電流の電流値が段階的に調整される。また、第１ドメイン１１と第２ドメイン１２との間の電位差が段階的に調整される毎に、用紙Ｓに試験画像が形成される。図４に示す半導体集積回路１では、図１を参照して説明した半導体集積回路１に比して、端子の数を削減することができる。
【００５７】
また、例えば、本発明の実施形態では、第３ドメイン１３の抵抗１３ａ〜１３ｄは、第２端子１５に対して、抵抗１３ａ〜１３ｄの順に接続されていたが、本発明はこれに限定されない。第３ドメイン１３の抵抗１３ａ〜１３ｄは、第２端子１５に流れ込む電流の電流値が段階的に調整されるように、第２端子１５に接続されればよい。
【００５８】
図４に示す各抵抗１３ａ〜１３ｄは、各遮断部１３ｅ〜１３ｈによって、分岐経路Ｒ３に個別に接続される。分岐経路Ｒ３は、第２端子１５と第２ドメイン１２との間に接続される。この結果、遮断部１３ｅ〜１３ｈを制御することによって、第２端子１５に流れ込む電流の電流値をより多くの段階に調整することができる。
【００５９】
また、例えば、本発明の実施形態では、第３ドメイン１３の複数の抵抗１３ａ〜１３ｄによって、第２端子１５に流れ込む電流の電流値を段階的に調整していたが、本発明はこれに限定されない。第２端子１５に流れ込む電流の電流値は、無段階に調整されてもよい。第３ドメイン１３は、例えば、複数の抵抗１３ａ〜１３ｄに替えて、可変抵抗を有してもよい。この結果、第２端子１５から流れ込む電流の電流値を無段階に調整できる。
【００６０】
なお、図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、半導体集積回路１を備えた画像形成装置のような電子機器に有用である。
【符号の説明】
【００６２】
１        半導体集積回路
２        画像処理回路
３        画像形成装置
１１      第１ドメイン
１２      第２ドメイン
１３      第３ドメイン
１４      第１端子
１５      第２端子
Ｓ        用紙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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