(57)【要約】【課題】支持体の変形に伴うモアレの発生を抑制したタッチセンサフィルムおよびタッチパネルを提供する。【解決手段】タッチセンサフィルムは、厚さ８０μｍ未満の透明な支持体と、支持体の表面上に配置され、金属細線からなるメッシュパターンを有するメッシュ電極とを備え、メッシュ電極を設けた支持体が、機械流れ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つ機械流れ方向に直交する横方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であると共に、表面凹凸形状の１０点平均粗さが６．１μｍ以下である。【選択図】図１
2018022512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ８０μｍ未満の透明な支持体と、
前記支持体の表面上に配置され、金属細線からなるメッシュパターンを有するメッシュ電極と、を備え、
前記メッシュ電極を設けた支持体が、機械流れ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つ前記機械流れ方向に直交する横方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であると共に、表面凹凸形状の１０点平均粗さが６．１μｍ以下であることを特徴とするタッチセンサフィルム。
【請求項２】
表面凹凸形状の１０点平均粗さが４．５μｍ以下である請求項１に記載のタッチセンサフィルム。
【請求項３】
前記支持体の厚さは、５０μｍ未満である請求項１または２に記載のタッチセンサフィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチセンサフィルムを有することを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチセンサフィルムおよびタッチパネルに係り、特に、支持体の表面上に金属細線からなるメッシュパターンを形成するタッチセンサフィルムおよびタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、画面に接触することにより電子機器への入力操作を行うタッチパネルの普及が進んでいる。このタッチパネルに用いられる電極として、応答速度を向上させるために、電気抵抗が低い金属細線からなるメッシュ電極を用いることが提案されている。
【０００３】
ここで、メッシュ電極を用いたタッチパネルでは、メッシュ電極のメッシュパターンと、ディスプレイの画素配列パターン（ＲＧＢカラーフィルタの配列パターンおよびブラックマトリックスパターンなど）との干渉によりモアレ（干渉縞）が生じるといった問題があった。このため、モアレの視認性を抑制したタッチパネルの開発が行われている。
例えば、特許文献１には、メッシュパターンの透過率画像データ及び画素配列パターンの透過率画像データの両２次元フーリエスペクトルのピーク周波数及びピーク強度からそれぞれ算出されるモアレの周波数情報及び強度情報に人間の視覚応答特性を作用させて得られたモアレの周波数及び強度に対し、モアレの周波数が視覚応答特性に応じて定まる所定の周波数範囲に入るモアレの強度の和が所定値以下であるメッシュパターンに対して不規則性を付与したタッチセンサフィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１４５４５号公報
【特許文献２】特開２００９−０５９６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のメッシュパターンでタッチパネルの支持体上にメッシュ電極を形成した場合でも、薄い支持体を使用して、ロール搬送により製造をする際には特に顕著に変形が生じてメッシュ電極の位置がずれることによりモアレが発生するといった問題が発生することがわかった。
タッチパネルを薄く形成するためにタッチセンサフィルムの支持体厚みを薄くすると、これに応じて支持体の剛性が低下して支持体の熱収縮率が悪化（熱収縮率の絶対値が増大）する。このため、厚みが薄い支持体を用いる場合には、支持体を高い温度でアニール処理する、いわゆる収縮化処理を施すことにより、支持体を低熱収縮化することが検討されている（特許文献２参照）。低熱収縮化していない支持体でタッチセンサフィルムを形成した場合、温度または湿度による支持体の寸法変形が顕著に起こるため、高精度な寸法設計で作成されたメッシュ電極パターンの寸法が変わりやすい。本発明者らは、収縮化処理を長尺な状態の支持体を複数のパスローラを用いてロール搬送しつつ施す場合には、図１２に示すように、支持体３１上に機械流れ方向（ＭＤ方向；Machine Direction）に延びる複数のスジ状のシワＷが形成されてしまうという新たな課題を見出した。この支持体３１に生じたスジ状のシワＷは、パスローラに接触して冷やされることで固定されて、支持体３１にトタン板に似た形状の塑性変形を生じてしまう。
【０００６】
このようにして、支持体３１に固定されたスジ状のシワＷは、酸化インジウムスズなどを用いて平板状の透明電極を支持体上に形成する場合には、ディスプレイの視認性に影響を与えることはないが、図１３に示すように、金属細線３２からなるメッシュ電極を形成する場合には、支持体３１を表示装置等（カバーガラスへの貼合もありうる）の平滑面上に搭載する際にスジ状のシワＷが引き伸ばされるため、これに応じて支持体３１上に形成された金属細線３２からなるメッシュ電極の位置がずれてモアレが生じる。
【０００７】
この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、支持体の変形に伴うモアレの発生を抑制したタッチセンサフィルムおよびタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るタッチセンサフィルムの製造方法は、厚さ８０μｍ未満の長尺の透明な支持体を複数のパスローラを用いてロール搬送し、支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で支持体にアニール処理を施し、アニール処理が施された支持体の表面上に金属細線からなるメッシュパターンを形成するものである。
【０００９】
ここで、支持体にアニール処理を施した後、１本目のパスローラに至るまでは、支持体が支持体の静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満の温度で搬送され、１本目のパスローラから２本目のパスローラに至る間に支持体を静的ガラス転移温度未満に降温するのが好ましい。
また、１本目のパスローラと２本目のパスローラとの間隔は、３０ｃｍ以内であることが好ましく、２０ｃｍ以内であることがより好ましい。
また、アニール処理は、動的ガラス転移温度から１０℃を引いた温度以上の温度で行うことが好ましく、動的ガラス転移温度に２５℃を加えた温度以下の温度で行うことがより好ましい。
また、支持体の厚さは、５０μｍ未満であることが好ましい。
【００１０】
この発明に係るタッチセンサフィルムは、厚さ８０μｍ未満の透明な支持体と、支持体の表面上に配置され、金属細線からなるメッシュパターンを有するメッシュ電極とを備え、メッシュ電極を設けた支持体が、機械流れ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つ機械流れ方向に直交する横方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であると共に、表面凹凸形状の１０点平均粗さが６．１μｍ以下であるものである。
【００１１】
ここで、表面凹凸形状の１０点平均粗さが４．５μｍ以下であることが好ましい。
また、支持体の厚さは、５０μｍ未満であることが好ましい。
【００１２】
この発明に係るタッチパネルは、上記のいずれかに記載のタッチセンサフィルムを有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、厚さ８０μｍ未満の支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で支持体にアニール処理を施すので、支持体の変形に伴うモアレの発生を抑制したタッチセンサフィルムおよびタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明に係るタッチセンサフィルムの製造方法を示す図である。
【図２】支持体上に複数の金属細線を形成した様子を示す断面図である。
【図３】金属細線からなるメッシュパターンを示す平面図である。
【図４】支持体上に複数のメッシュ電極を形成する様子を示す平面図である。
【図５】支持体上に外部接続端子と周辺配線を形成する様子を示す平面図である。
【図６】保護層を形成したタッチセンサフィルムを示す断面図である。
【図７】この発明に係るタッチセンサフィルムを示す平面図である。
【図８】この発明に係るタッチパネルを示す断面図である。
【図９】静的ガラス転移温度の算出方法を示すグラフである。
【図１０】Ｙ軸位置に対する表面高さの平均値の変化を示すグラフである。
【図１１】Ｙ軸位置に対するスジ状のシワの高さの変化を示すグラフである。
【図１２】アニール処理により支持体に生じた複数のスジ状のシワを示す平面図である。
【図１３】支持体上に形成された金属細線の位置がスジ状のシワを引き伸ばすことによりずれる様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
この発明に係るタッチセンサフィルムの製造方法は、厚さ８０μｍ未満の長尺の透明な支持体を複数のパスローラを用いてロール搬送し、支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で支持体にアニール処理を施し、アニール処理が施された支持体の表面上に金属細線からなるメッシュパターンを形成するものである。
【００１６】
［タッチセンサフィルムの製造方法］
（支持体の製造方法）
図１に、タッチセンサフィルムの製造方法の一例を示す。
まず、厚さ８０μｍ未満の長尺な透明の支持体１が、所定の間隔を空けて配置された送り出しローラ２と巻き取りローラ３にロール状に巻かれた状態で取り付けられる。この送り出しローラ２と巻き取りローラ３の間には、３つのパスローラ４，５および６が配置されると共に支持体１にアニール処理を施すための加熱器７が配置されており、支持体１は、送り出しローラ２から加熱器７を介して巻き取りローラ３に向かうようにパスローラ４，５および６により搬送される。
【００１７】
支持体１は、可撓性を有する透明な材料から構成され、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等のポリオレフィン類、ビニル系樹脂、その他、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）から構成することができる。なお、支持体１は、光透過性、熱収縮性および加工性などの観点から、ポリエチレンテレフタレートから構成することが好ましい。
なお、支持体１は、８０μｍ未満の厚みにすると下記に示すアニール処理においてスジ状のシワＷが発生しやすく、５０μｍ以下の厚みにするとスジ状のシワＷがより発生しやすく、３８μｍ以下の厚みにするとスジ状のシワＷがさらに発生しやすいものである。
なお、支持体１の厚みの下限値は、表面上に金属細線からなるメッシュパターンを形成することができ、複数のパスローラを用いてロール搬送できれば、特に制限的ではなく、支持体の強度などに応じて適宜設定すればよい。
【００１８】
支持体１は、支持体１の機械流れ方向（ＭＤ方向；Machine Direction）に対して加熱器７の上流側に配置されたパスローラ４に搬送されて加熱器７内に導入される。加熱器７内には、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下に保たれたアニール処理室Ｎが形成されており、アニール処理室Ｎに搬送された支持体１にアニール処理が施される。
このように、支持体１にアニール処理を施すことにより支持体１が低熱収縮化され、厚さ８０μｍ未満の支持体１を所定の熱収縮率に抑えることができる。
【００１９】
この時、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度より高い温度でアニール処理を施すと支持体１が過剰に柔らかくなり、フィルムとしての剛性が大幅に低下する。このため、ロール搬送において支持体１にシワが強く発生し、アニール処理後に冷却する際に、支持体１のシワ形状が固定されて、図１１に示すように、支持体１に大きなスジ状のシワＷが生じる。そこで、支持体１のアニール処理の温度を、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度に設定することにより、支持体１の過剰な剛性低下が抑制でき、ロール搬送中の支持体１に生じるシワ強度を低く抑えて、アニール処理後の冷却で支持体１に固定されるシワ形状の強度を低く抑えることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートから構成されるコスモシャインＡ４３００（東洋紡株式会社製）の動的粘弾性測定（ＤＭＡ）すると動的ガラス転移温度は１１５℃であり、アニール処理温度は１５０℃以下に設定することができる。
ところで、一般的には、ＰＥＴ等の支持体１では、静的ガラス転移温度を超えるあたりから熱収縮が起きるようになるが、動的ガラス転移温度より低い温度では、熱収縮の速度が遅く、所定の熱収縮率までに熱収縮を起こさせるためにはアニール時間を伸ばす必要がある。このため、低めの温度でアニールを行う場合、アニール処理速度の低下が顕著となるので、生産効率的には好ましくない。このため、アニール処理を動的ガラス転移温度より１０℃低い温度（動的ガラス転移温度−１０℃）以上で行うのが好ましい。
すなわち、動的ガラス転移温度を超えるあたりから熱収縮の速度が上がるので、アニール処理温度の範囲は、動的ガラス転移温度−１０℃から動的ガラス転移温度＋３５℃までの温度範囲であることが好ましい。
ここで、アニール処理温度は、支持体１の動的ガラス転移温度に２５℃を加えた温度以下に設定することがより好ましく、支持体１の動的ガラス転移温度に１５℃を加えた温度以下に設定することがさらに好ましい。
【００２０】
このように、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で支持体１にアニール処理を施すことにより、表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が６．１μｍ以下の支持体１を得ることができる。ここで、表面凹凸形状の１０点平均粗さは、後述する表面凹凸形状の測定方法により算出したものである。
また、アニール処理を施すことにより、ＭＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つＭＤ方向に直行する横方向（ＴＤ方向；Transverse Direction）の熱収縮率の絶対値が０．２％以内である支持体１を得ることができる。ここで、支持体１の熱収縮率は、後述する熱収縮率の評価方法により算出したものである。
【００２１】
アニール処理が施された支持体１は、加熱器７から導出されてパスローラ５および６により搬送される。
この時、支持体１にアニール処理を施した後、１本目のパスローラ５に至るまでは、支持体１が支持体１の静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満の温度で搬送され、１本目のパスローラ５から２本目のパスローラ６に至る間に支持体１が静的ガラス転移温度未満に降温されることが好ましい。
【００２２】
具体的には、支持体１は、加熱器７のアニール処理室Ｎからパスローラ５の間の区間Ｌ１について、支持体１の静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満の温度で搬送される。パスローラ４とパスローラ５の間は距離が長いため、上記のようにアニール処理の温度を支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下に設定しても支持体１にスジ状のシワＷが生じる場合がある。そこで、区間Ｌ１において静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満の温度に保つことで、支持体１にスジ状のシワＷが生じた場合でも、支持体１が静的ガラス転移温度より低い温度に降温されてスジ状のシワＷが支持体１に固定されることを抑制することができる。区間Ｌ１の温度制御は、支持体１が搬送される雰囲気温度を調節しても良く、支持体１に対して温度調節機能を備えた加熱装置により加温することで調節しても良い。
また、パスローラ５の温度が支持体１の静的ガラス転移温度以下であると、区間Ｌ１の温度を上記のとおり制御していても支持体１がパスローラ５に接触した時にスジ状のシワＷが固定されるため、パスローラ５の温度は、支持体１の静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満に保つことが好ましい。このように、温度調節されたパスローラ５により、支持体１に生じたスジ状のシワＷは順次引き伸ばされて、シワＷが除かれた平滑な支持体１を形成することができる。
【００２３】
さらに、支持体１は、パスローラ５からパスローラ６の間の区間Ｌ２において、支持体１の静的ガラス転移温度未満の温度まで降温される。この区間Ｌ２は、支持体１に多くのスジ状のシワＷが生じないように３０ｃｍ以内に設定されていることが好ましい。このため、パスローラ５を通過した支持体１は、平滑な状態のまま静的ガラス転移温度未満の温度まで降温され、静的ガラス転移温度未満の温度に設定されたパスローラ６により支持体１の形状を平滑な状態で固定することができる。なお、隣接するパスローラ５及び６の間の区間Ｌ２は、間隔が狭い方が好ましいが、少なくとも両パスローラ同士が干渉しないように配置する必要があるので、両パスローラの直径が等しい場合その直径よりも大きいことが好ましい。両パスローラの直径が異なる場合には、それらの半径の和よりも大きいことが好ましい。
ここで、パスローラ５とパスローラ６との間隔を２０ｃｍ以内とすることがより好ましく、これにより支持体１に生じるスジ状のシワＷをより抑制することができる。
【００２４】
このように、パスローラ５からパスローラ６の間の区間Ｌ２において支持体１を平滑な状態で固定することにより、表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が４．５μｍ以下の支持体１を得ることができる。ここで、表面凹凸形状の１０点平均粗さは、後述する表面凹凸形状の測定方法により算出したものである。
【００２５】
このようにして、平滑化された支持体１は、パスローラ６を通過して巻き取りローラ３に向かって搬送される。
【００２６】
（メッシュパターンの形成方法）
続いて、巻き取りローラ３により巻き取られた後、または、巻き取りローラ３に向かって搬送される途中において、図２に示すように、支持体１の表面上に複数の金属細線８ａが形成されると共に支持体１の裏面上に複数の金属細線８ｂが形成される。これにより、支持体１の表面上および裏面上には、図３に示すように、金属細線８ａおよび８ｂからなるメッシュパターンが形成される。
このようにして、図４に示すように、支持体１の表面上には、金属細線８ａからなる複数の第１のメッシュ電極９が形成され、支持体１の裏面上には、金属細線８ｂからなる複数の第２のメッシュ電極１０が形成される。ここで、第１のメッシュ電極９は、フィルム形成領域Ａ内に、それぞれＴＤ方向に沿って延び且つＭＤ方向に並列配置するように形成され、第２のメッシュ電極１０は、フィルム形成領域Ａ内に、それぞれＭＤ方向に沿って延び且つＴＤ方向に並列配置するように形成される。
【００２７】
ここで、第１のメッシュ電極９と第２のメッシュ電極１０の形成方法は特に制限されず、例えば、特開２０１１−１２９５０１号公報、特開２０１３−１４９２３６号公報、特開２０１４−１１２５１２号公報等に開示されている方法を用いることができる。
例えば、第１のメッシュ電極９と第２のメッシュ電極１０は、感光性ハロゲン化銀塩を含有する乳剤層を有する感光材料を支持体１の表面および裏面にそれぞれ塗布し、この支持体１に塗布された感光材料を露光して現像処理を施すことによって形成することができる。また、支持体１の表面および裏面に金属箔を形成し、各金属箔上にレジストをパターン状に印刷または全面塗布し、このレジストを露光して現像することでパターン化すると共にパターン化により形成された開口部の金属をエッチングすることにより第１のメッシュ電極９と第２のメッシュ電極１０をそれぞれ形成することもできる。さらに、第１のメッシュ電極９と第２のメッシュ電極１０は、電極材料の微粒子を含むペーストを印刷してペーストに金属めっきを施す方法、および電極材料の微粒子を含むインクを用いたインクジェット法を用いる方法などにより形成することもできる。
【００２８】
なお、金属細線８ａおよび８ｂの幅は、視認性の観点から、７μｍ未満であることが好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、金属細線８ａおよび８ｂは、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）などの材料から構成することができる。また、金属細線８ａおよび８ｂは、曲げ耐性を向上させるために、バインダ成分を含むことが好ましい。バインダ成分としては、例えば、特開２０１３−１４９２３６号公報に記載されているものを用いることができる。
【００２９】
続いて、それぞれの第１のメッシュ電極９の両端に第１のコネクタ部１１が形成されると共に、それぞれの第２のメッシュ電極１０の両端に第２のコネクタ部１２が形成される。さらに、支持体１の表面上には、図５に示すように、フィルム形成領域Ａ内に、第１のメッシュ電極９の両端に形成された第１のコネクタ部１１の一方に対応する第１の外部接続端子１３が形成され、一方の第１のコネクタ部１１とこれに対応する第１の外部接続端子１３とを接続する第１の周辺配線１４が形成される。
同様に、支持体１の裏面上には、フィルム形成領域Ａ内に、第２のメッシュ電極１０の両端に形成された第２のコネクタ部１２の一方に対応する第２の外部接続端子１５が形成され、一方の第２のコネクタ部１２とこれに対応する第２の外部接続端子１５とを接続する第２の周辺配線１６が形成される。
【００３０】
ここで、第１のコネクタ部１１、第１の外部接続端子１３および第１の周辺配線１４は、第１のメッシュ電極９と同様の方法により形成することができ、第１のメッシュ電極９と同時に形成してもよい。同様に、第２のコネクタ部１２、第２の外部接続端子１５および第２の周辺配線１６は、第２のメッシュ電極１０と同様の方法により形成することができ、第２のメッシュ電極１０と同時に形成してもよい。
【００３１】
そして、フィルム形成領域Ａで裁断することによりタッチセンサフィルムを得ることができる。上記のように、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で支持体１をアニール処理することで、支持体１に複数のスジ状のシワＷが生じることを抑制することができ、これに伴うメッシュ電極の位置ずれを抑制してモアレの発生を防ぐことができる。
【００３２】
なお、タッチセンサフィルムの表面上および裏面上には、図６に示すように、保護層１７ａおよび１７ｂを形成することが好ましい。ここで、保護層１７ａおよび１７ｂは、第１のメッシュ電極９および第２のメッシュ電極１０などの導電部分を保護するためのもので、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの材料から構成することができる。さらに、保護層１７ａおよび１７ｂの表面には、ハードコート層および反射防止層などを設けることもできる。
【００３３】
［タッチセンサフィルム］
この発明に係るタッチセンサフィルムは、厚さ８０μｍ未満の透明な支持体と、支持体の表面上に配置され、金属細線からなるメッシュパターンを有するメッシュ電極とを備え、支持体は、ＭＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つＴＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であると共に、表面凹凸形状の１０点平均粗さが６．１μｍ以下である。
図７に、タッチセンサフィルムの一例を示す。このタッチセンサフィルムは、上記のタッチセンサフィルムの製造方法により得られたもので、矩形状の可撓性を有する透明な支持体１を有し、上述したように、支持体１の表面上に第１のメッシュ電極９、第１のコネクタ部１１、第１の外部接続端子１３および第１の周辺配線１４が配置されると共に、支持体１の裏面上に第２のメッシュ電極１０、第２のコネクタ部１２、第２の外部接続端子１５および第２の周辺配線１６が配置されている。
【００３４】
ここで、支持体１は、支持体１の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度でアニール処理が施されているため、ＭＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つＴＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であると共に表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が６．１μｍ以下で形成されている。
このように、支持体１のＭＤ方向の熱収縮率の絶対値を０．６％以内で且つＴＤ方向の熱収縮率の絶対値を０．２％以内とすると共に表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）を６．１μｍ以下とすることにより、支持体１に複数のスジ状のシワＷが生じることを抑制することができる。これにより、タッチセンサフィルムにおけるメッシュ電極の位置ずれを抑制し、モアレの発生を防ぐことができる。
なお、支持体１は、表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が４．５μｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
［タッチパネル］
次に、この発明に係るタッチパネルについて詳細に説明する。
このタッチパネルは、上述したタッチセンサフィルムを有するもので、例えば、図８に示すように、保護層１７ａおよび１７ｂが形成されたタッチセンサフィルム２１と、タッチセンサフィルム２１の第１のメッシュ電極９および第２のメッシュ電極１０に第１の外部接続端子１３および第２の外部接続端子１５を介して接続された検出部２２とから構成することができ、タッチセンサフィルム２１の裏面側に表示装置Ｌを取り付けて用いられる。
【００３６】
検出部２２は、タッチセンサフィルム２１に指などが接触した際に、静電容量の変化を捉えて接触位置を検出する電子回路から構成されている。
なお、表示装置Ｌは、カラー画像およびモノクロ画像などを表示するためのもので、例えば、液晶ディスプレイなどから構成される。この表示装置Ｌにタッチセンサフィルム２１は張られた状態で取り付けられるため、タッチセンサフィルム２１の支持体１に複数のスジ状のシワＷが生じていると、第１のメッシュ電極９および第２のメッシュ電極１０に位置ずれが生じる。本発明のタッチセンサフィルム２１では、支持体１の表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が６．１μｍ以下となるように形成されており、支持体１に生じる複数のスジ状のシワＷが抑制されている。このため、第１のメッシュ電極９および第２のメッシュ電極１０の位置ずれが抑制され、タッチパネルにおけるモアレの発生を防ぐことができる。
【実施例】
【００３７】
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００３８】
（実施例１）
＜支持体のアニール処理＞
支持体には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなり且つ動的ガラス転移温度が１１５℃である７５μｍの厚みの長尺なシート（コスモシャインＡ４３００、東洋紡株式会社製）を用いた。支持体は、図１に示すように、送り出しローラ２、乾燥炉前のパスローラ４、乾燥炉（加熱器）７、乾燥炉後の第１のパスローラ５、乾燥炉後の第２のパスローラ６とを順次配置した搬送装置により搬送しつつアニール処理を施した。
より詳細には、支持体を速度６０ｍ／ｍｉｎで搬送しつつ、１５０℃に設定された全長１６ｍのアニール処理室Ｎを有する乾燥炉７において支持体に１０秒〜３０秒のアニール処理を施した。この時、パスローラ４とパスローラ５の間の区間において、支持体は４０Ｎ／ｍのテンションで搬送した。続いて、支持体は、パスローラ５および６により、室温に保たれた区間Ｌ１およびＬ２を搬送された。この時、パスローラ５に支持体が到達する直前（すなわち区間Ｌ１）に支持体の温度を測定して、その温度が支持体の静的ガラス転移温度の７５℃を下回っていることを確認した。なお、パスローラ５および６は、温度制御されることなく、区間Ｌ１の距離が１ｍで且つ区間Ｌ２の距離が５０ｃｍとなるように設置されている。
このようにして、支持体にアニール処理を施した後、その両面をコロナ放電処理により表面親水化処理した。なお、図１は、支持体にアニール処理を施すにあたって必要最小限の機能部位を図示したものであり、実際には塗工機能などの他の機能を有する機能部位および他のパスローラなどを組み込むことができる。また、後述する実施例２〜２８において、パスローラ４からパスローラ５の間で支持体にかかるテンションと、搬送速度については、アニール処理後の支持体面状が最もよい条件に適時調整を行った。
【００３９】
＜メッシュ電極の形成＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて下記の４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．２１μｍまで成長させた。さらに、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し粒子形成を終了した。
【００４０】
１液：
水                                        ７５０ｍｌ
ゼラチン                                        ９ｇ
塩化ナトリウム                                  ３ｇ
１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−チオン  ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム            １０ｍｇ
クエン酸                                    ０．７ｇ
２液：
水                                        ３００ｍｌ
硝酸銀                                      １５０ｇ
３液：
水                                        ３００ｍｌ
塩化ナトリウム                                ３８ｇ
臭化カリウム                                  ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ  ２０％水溶液）        ８ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ  ２０％水溶液）  １０ｍｌ
４液：
水                                        １００ｍｌ
硝酸銀                                        ５０ｇ
５液：
水                                        １００ｍｌ
塩化ナトリウム                                １３ｇ
臭化カリウム                                  １１ｇ
黄血塩                                        ５ｍｇ
【００４１】
その後、常法に従い、フロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第一水洗）。さらに３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第二水洗）。第二水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第三水洗）、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン３．９ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇと塩化金酸１０ｍｇを加え５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径０．２２μｍ、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
【００４２】
（感光性層形成用組成物の調製）
上記乳剤に１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１．２×１０−４モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０−２モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０−４モル／モルＡｇ、２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−１，３，５−トリアジンナトリウム塩０．９０ｇ／モルＡｇを添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整して、感光性層形成用組成物を得た。
【００４３】
（感光性層形成工程）
アニール処理を施した支持体の両面に、下塗層として厚み０．１μｍのゼラチン層、さらに下塗層上に光学濃度が約１．０で現像液のアルカリにより脱色する染料を含むアンチハレーション層を設けた。上記アンチハレーション層の上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、さらに厚み０．１５μｍのゼラチン層を設け、両面に感光性層が形成された支持体を得た。両面に感光性層が形成された支持体をフィルムＡとする。形成された感光性層は、銀量６．０ｇ／ｍ２、ゼラチン量１．０ｇ／ｍ２であった。
【００４４】
（露光現像工程）
上記フィルムＡの両面に、上述の図４の電極パターンに対応するフォトマスクを介し、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ−Ｒ、富士フィルム社製）を用いて定着処理を行った。さらに、純水でリンスし、乾燥することで、両面にＡｇ細線からなる電極パターンとゼラチン層とが形成された支持体を得た。ゼラチン層はＡｇ細線間に形成されていた。得られたフィルムをフィルムＢとする。
【００４５】
（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン                    ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール        ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム              ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム                  ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム                    ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム              ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
【００４６】
（加熱工程）
上記フィルムＢに対して、１２０℃の過熱蒸気槽に１３０秒間静置して、加熱処理を行った。加熱処理後のフィルムをフィルムＣとする。
【００４７】
（ゼラチン分解処理）
フィルムＣに対して、タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼＡＬ−１５ＦＧ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％、液温：４０℃）に１２０秒浸漬した。フィルムＣを水溶液から取り出し、温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬し、洗浄した。ゼラチン分解処理後のフィルムをフィルムＤとする。このフィルムＤがタッチセンサフィルムである。
【００４８】
（実施例２）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００４９】
（実施例３）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１３０℃とした以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５０】
（実施例４）
５０μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５１】
（実施例５）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５２】
（実施例６）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１３０℃とした以外は、実施例４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５３】
（実施例７）
３８μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５４】
（実施例８）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例７と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５５】
（実施例９）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１３０℃とした以外は、実施例７と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５６】
（実施例１０）
２５μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５７】
（実施例１１）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１０と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５８】
（実施例１２）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１３０℃とした以外は、実施例１０と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００５９】
（実施例１３）
支持体として用いたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなり且つ動的ガラス転移温度が１１５℃である７５μｍの厚みの長尺なシート（コスモシャインＡ４３００、東洋紡株式会社製）の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）と動的粘弾性測定（ＤＭＡ）を下記に示す方法で行ったところ、静的ガラス転移温度が７５℃で動的ガラス転移温度が１１５℃であった。そこで、支持体のアニール処理工程において、乾燥炉７を通過した後、１本目のパスローラ５に至るまでは支持体を静的ガラス転移温度（７５℃）以上で且つ動的ガラス転移温度（１１５℃）未満の温度で搬送し、１本目のパスローラ５から２本目のパスローラ６に至る間に支持体の温度を静的ガラス転移温度（７５℃）未満に降温させた以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。上記の条件によるアニール処理を実施するに当たり、区間Ｌ１、区間Ｌ２に温調環境を整え、上記の温度履歴とる制御を実施した。
【００６０】
ＤＳＣの測定は、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のＤＳＣ７２００等を用いて行った。測定条件としては、支持体を２５℃から３００℃まで１０℃／１分で昇温し、続いて支持体の温度を１０分間３００℃で保持した後、３００℃から−５０℃まで−５０℃／１分で降温して、支持体の温度を１０分間−５０℃で保持した。続いて、支持体を−５０℃から３００℃まで１０℃／１分で昇温し、この時の支持体の示差熱量（ＤＳＣ）を０．５秒間隔で測定した。測定により得られたＤＳＣの温度依存曲線を図９に示す。図９に示すように、支持体の昇温に伴って温度依存曲線Ｄに変曲点Ｆ（上に凸の曲線が下に凸の曲線に変わる点）が現れる。そこで、この変曲点Ｆより低温側の温度依存曲線に接するように引いたベースラインＥ１と、変曲点Ｆの接線Ｅ２との交点Ｓを求め、この交点Ｓに対応する温度を静的ガラス転移温度（静的Ｔｇ）とした。
【００６１】
また、ＤＭＡの測定は、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のＤＭＳ６２００等を用いて、支持体を正弦波モードで引っ張ることで行った。測定条件としては、支持体を２５℃から２２０℃まで５℃／１分で昇温した後、２２０℃で５分間保持した。支持体への応力の印加は、１Ｈｚとし、３０秒ごとに測定データをサンプリングした。測定結果として、貯蔵弾性率、損失弾性率、ｔａｎδ(＝損失弾性率÷貯蔵弾性率)の温度依存性がえられた。ｔａｎδが上に凸となるピーク温度を動的ガラス転移温度（動的Ｔｇ）とした。
【００６２】
（実施例１４）
５０μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６３】
（実施例１５）
３８μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６４】
（実施例１６）
２５μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例１３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６５】
（実施例１７）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６６】
（実施例１８）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６７】
（実施例１９）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１５と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６８】
（実施例２０）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例１６と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００６９】
（実施例２１）
支持体のアニール処理において、搬送装置のパスローラ５とパスローラ６との間隔を２０ｃｍとした以外は、実施例１３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作成した。
【００７０】
（実施例２２）
５０μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例２１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７１】
（実施例２３）
３８μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例２１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７２】
（実施例２４）
２５μｍの厚みの支持体を用いた以外は、実施例２１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７３】
（実施例２５）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例２１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７４】
（実施例２６）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例２２と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７５】
（実施例２７）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例２３と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７６】
（実施例２８）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１４０℃とした以外は、実施例２４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７７】
（比較例１）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１７０℃とした以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７８】
（比較例２）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１６０℃とした以外は、実施例１と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００７９】
（比較例３）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１７０℃とした以外は、実施例４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８０】
（比較例４）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１６０℃とした以外は、実施例４と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８１】
（比較例５）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１７０℃とした以外は、実施例７と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８２】
（比較例６）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１６０℃とした以外は、実施例７と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８３】
（比較例７）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１７０℃とした以外は、実施例１０と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８４】
（比較例８）
支持体のアニール処理において、乾燥炉の温度を１６０℃とした以外は、実施例１０と同様の方法により、タッチセンサフィルムを作製した。
【００８５】
＜評価方法＞
（表面凹凸形状の測定）
タッチセンサフィルムを２０ｃｍ角に裁断して、平滑な測定台の上にシワが生じないように平置きした。この時、タッチセンサフィルムは、縁部などを固定せずに測定台の上に平置きする。続いて、タッチセンサフィルムの中央を中心とした１０ｃｍ角の範囲を走査型レーザー変位計（三谷商事株式会社製、ＮＡＺＣＡ−３Ｄ）で高さ測定することにより、タッチセンサフィルムの表面凹凸形状を定量化する。ここで、走査型レーザー変位計の測定条件は、互いに直交するＸ軸とＹ軸の２方向に走査方向を設定し、レーザー光の直径が０．０７ｍｍで且つ測定ピッチを１ｍｍとした。また、タッチセンサフィルムに生じたＭＤ方向に延びる複数のスジ状のシワに沿う方向にＸ軸方向を設定すると共に複数のスジ状のシワに直交する方向にＹ軸を設定した。
【００８６】
このようにして得られた任意の測定位置（Ｘｉ，Ｙｊ）における表面高さ測定値をＦ（Ｘｉ，Ｙｊ）とすると、測定点Ｙｊを通るＸ軸上の表面高さ測定値Ｆ（Ｘ１，Ｙｊ）、Ｆ（Ｘ２，Ｙｊ）、・・・Ｆ（ＸＮｘ，Ｙｊ）の平均値Ｆ（Ｙｊ）を下記式（１）に基づいて算出する。ここで、Ｎｘは、Ｘ軸上の測定点数であり、本測定では１００となる。
【００８７】
【数１】
2018022512.tif 000003
【００８８】
Ｙ軸の各測定点Ｙ１、Ｙ２、・・・Ｙ１００について上記の表面高さの平均値Ｆ（Ｙ１）、Ｆ（Ｙ２）、・・・Ｆ（Ｙ１００）を算出することにより、平均的なＹ軸方向の表面高さの変化を得ることができる。図１０に、Ｙ軸位置に対する表面高さの平均値Ｆ（Ｙｊ）の変化を表したグラフの一例を示す。ここで、約５０ｍｍのピッチＰで表面高さの平均値Ｆ（Ｙｊ）が上下に大きく変化しているが、これはタッチセンサフィルムを測定台の上に平置きする際に測定台とタッチセンサフィルムとの間に空気が入るなどの外乱に起因して測定値に大きな変化が生じたものであり、タッチセンサフィルムに実際に生じたスジ状のシワＷを表すものではない。そこで、測定上の外乱を排除するために、移動平均処理を施した。
【００８９】
具体的には、Ｙ軸上の測定点Ｙｊの前後７つの測定点（１５ｍｍ幅に存在する測定点）の移動平均値Ｆａ（Ｙｊ）、例えば測定点Ｙ１０について求める場合には測定点Ｙ３〜Ｙ１７の移動平均値Ｆａ（Ｙ１０）を下記式（２）に基づいて算出する。
【００９０】
【数２】
2018022512.tif 000004
【００９１】
Ｙ軸上の各測定点Ｙ７、Ｙ２、・・・Ｙ９３について１５ｍｍ幅の移動平均値Ｆａ（Ｙ７）、Ｆａ（Ｙ８）、・・・Ｆａ（Ｙ９３）を算出することにより、外乱に起因する表面高さの大きな変化のみを取り出すことができる。すなわち、タッチセンサフィルムに生じるスジ状のシワＷの幅をほとんど含むような１５ｍｍ幅について移動平均値Ｆａ（Ｙｊ）を算出することにより、スジ状のシワＷに起因する凹凸の変化が打ち消されて、外乱に起因する表面高さの大きな変化のみを取り出すことができる。
【００９２】
図１０に、Ｙ軸位置に対する表面高さの移動平均値Ｆａ（Ｙｊ）の変化を表したグラフの一例を示す。このようにして求められた表面高さの平均値Ｆ（Ｙｊ）と表面高さの移動平均値Ｆａ（Ｙｊ）との差分を算出することにより、タッチセンサフィルムのスジ状のシワＷに起因する表面高さの変化を抽出した。図１１に、表面高さの平均値Ｆ（Ｙｊ）と表面高さの移動平均値Ｆａ（Ｙｊ）との差分を算出して得られたシワＷの高さＨｙ（Ｙ）の変位を表したグラフの一例を示す。ここでは、スジ状のシワに起因する凹凸が１０ｍｍ〜２０ｍｍピッチで生じていることがわかる。
【００９３】
続いて、得られたスジ状のシワＷに起因する表面凹凸形状の１０点平均粗さ（Ｒｚ）を算出することにより、タッチセンサフィルムに生じたスジ状のシワＷの度合いを求める。ここで、１０点平均粗さＲｚは、下記式（３）で表すことができる。
Ｒｚ＝｜Ｈｙｐ１＋Ｈｙｐ２＋Ｈｙｐ３＋Ｈｙｐ４＋Ｈｙｐ５｜／５＋｜Ｈｙｖ１＋Ｈｙｖ２＋Ｈｙｖ３＋Ｈｙｖ４＋Ｈｙｖ５｜／５        ・・・（３）
ここで、図１１のシワＷの高さＨｙ（Ｙ）を所定の基準範囲について平均したシワＷの高さの平均値Ｖを算出し、この基準範囲に含まれるシワの高さＨｙ（Ｙ）のうち、最も高い値から５番目に高い値をＨｙｐ１〜Ｈｙｐ５で示し、最も低い値から５番目に低い値をＨｙｖ１〜Ｈｙｖ５で示している。
この結果を下記第１表および第２表に示す。
【００９４】
（熱収縮率の評価）
タッチセンサフィルムを１５０℃のドライオーブン内に平置き状態で３０分間の加熱処理を行い、ドライオーブンから取り出して室温に１分間放置した後、２３℃の温度で５５％の湿度に調節された環境で１時間載置することによりタッチセンサフィルムを調湿した後、加熱処理前後の寸法比較により熱収縮率を測定した。具体的には、支持体の機械流れ方向（ＭＤ方向）および横方向（ＴＤ方向）に対して、それぞれの熱収縮率を測定した。ここで、タッチセンサフィルムの熱収縮率は低いほど剛性が高いことを示し、実用上ＭＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以下、ＴＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以下であることが求められる。なお、寸法測定は、ピンゲージ法により行った。
この結果を下記第１表および第２表に示す。
【００９５】
（モアレの視認性評価）
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）上に光学用透明接着剤（ＯＣＡ）を介して評価対象であるタッチセンサフィルムを貼合してタッチパネルを作製し、周辺の光環境を暗くすると共にＬＣＤを白色表示した状態でディスプレイをさまざまな角度から観察することでモアレの視認性を評価する。ＬＣＤの画素パターンに対し最適にパターン設計したメッシュパターンからなるタッチセンサフィルムを貼合した場合、ほとんどモアレが視認できない場合の評価点数を５点、極わずかに視認される場合を４点、視認しやすい場合を３点、容易に視認できる場合を２点、即時に視認できる場合を１点とし、１０人の観察者の評価結果を平均した点数を、それぞれのタッチセンサフィルムのモアレ視認性の評価点数とした。すなわち、評価点数が４点以上であれば、実用上モアレが問題にならないと評価される。
この結果を下記第１表および第２表に示す。
【００９６】
【表１】
2018022512.tif 000005
【００９７】
第１表に示す結果から、支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で厚さ８０μｍ未満の支持体をアニール処理した実施例１〜１２は、支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度より高い温度で厚さ８０μｍ未満の支持体をアニール処理した比較例１〜８と比較して、表面凹凸形状のＲｚが６．１μｍ以下の低い値を示し、これに伴うモアレの視認性が４．０以上の高い値を示すことがわかった。
【００９８】
また、支持体の動的ガラス転移温度に３５℃を加えた温度以下の温度で厚さ８０μｍ未満の支持体をアニール処理した実施例１〜１２は、ＭＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．６％以内で且つＴＤ方向の熱収縮率の絶対値が０．２％以内であり、所定の剛性が得られることがわかった。
【００９９】
【表２】
2018022512.tif 000006
【０１００】
第２表に示す結果から、アニール処理後に１本目のパスローラに至るまでは支持体の静的ガラス転移温度以上で且つ動的ガラス転移温度未満の温度で支持体を搬送すると共に１本目のパスローラと２本目のパスローラの間で支持体を静的ガラス転移温度未満に降温させた実施例１３〜２０は、上記の処理を施していない第１表の実施例１、２、４、５、７、８、１０および１１と比較して、表面凹凸形状のＲｚが５．３μｍ以下の低い値を示し、これに伴うモアレの視認性も４．７以上の高い値を示すことがわかった。
【０１０１】
【表３】
2018022512.tif 000007
【０１０２】
第３表に示す結果から、１本目のパスローラと２本目のパスローラとの間隔を２０ｃｍとした実施例２１〜２８は、１本目のパスローラと２本目のパスローラとの間隔を５０ｃｍとした第２表の実施例１３〜２０と比較して、表面凹凸形状のＲｚが４．５μｍ以下の低い値を示し、これに伴うモアレの視認性もその全てにおいて５．０と高い値を示すことがわかった。
【符号の説明】
【０１０３】
１  支持体、２  送り出しローラ、３  巻き取りローラ、４，５，６  パスローラ、７  加熱器、８ａ，８ｂ  金属細線、９  第１のメッシュ電極、１０  第２のメッシュ電極、１１  第１のコネクタ部、１２  第２のコネクタ部、１３  第１の外部接続端子、１４  第１の周辺配線、１５  第２の外部接続端子、１６  第２の周辺配線、１７ａ，１７ｂ  保護層、２１  タッチセンサフィルム、２２  表示装置、２３  検出部、Ｎ  アニール処理室、Ｌ１，Ｌ２  区間、Ｄ  温度依存曲線、Ｆ  変曲点、Ｅ１  ベースライン、Ｅ２  変曲点の接線、Ｓ  交点、Ｐ  ピッチ。
【図１】
2018022512.tif 000008
【図２】
2018022512.tif 000009
【図３】
2018022512.tif 000010
【図４】
2018022512.tif 000011
【図５】
2018022512.tif 000012
【図６】
2018022512.tif 000013
【図７】
2018022512.tif 000014
【図８】
2018022512.tif 000015
【図９】
2018022512.tif 000016
【図１０】
2018022512.tif 000017
【図１１】
2018022512.tif 000018
【図１２】
2018022512.tif 000019
【図１３】
2018022512.tif 000020