(57)【要約】【課題】シリコン単結晶製造後の早い段階で、ＬＰＤの発生状況を推定できるシリコン単結晶の評価方法を提供すること。【解決手段】シリコン単結晶の評価方法は、ＣＯＰを含むシリコン単結晶の酸素濃度を測定する酸素濃度測定工程と、酸素濃度の測定結果に基づいて、シリコン単結晶のＬＰＤの発生状況を推定するＬＰＤ発生状況推定工程とを備えている。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＰを含むシリコン単結晶の酸素濃度を測定する酸素濃度測定工程と、
前記酸素濃度の測定結果に基づいて、前記シリコン単結晶のＬＰＤの発生状況を推定するＬＰＤ発生状況推定工程とを備えていることを特徴とするシリコン単結晶の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコン単結晶の評価方法において、
前記酸素濃度測定工程は、直胴部における固化率が１５％以下の領域における酸素濃度を測定することを特徴とするシリコン単結晶の評価方法。
【請求項３】
坩堝と、
前記坩堝を加熱することでシリコン融液を生成するヒータと、
種結晶を前記シリコン融液に接触させた後に引き上げる引き上げ部とを備えた単結晶引き上げ装置を利用したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
ＣＯＰを含む第１のシリコン単結晶を製造する製造工程と、
請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶の評価方法を用いて、前記第１のシリコン単結晶のＬＰＤの発生状況を推定する評価工程と、
前記評価工程における推定結果に基づいて、ＣＯＰを含む第２のシリコン単結晶の製造条件を設定する製造条件設定工程とを備えていることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの基板として用いられるシリコンウェーハ（以下、「ウェーハ」と言う場合がある）は、一般にチョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」と言う場合がある）により育成されたシリコン単結晶から切り出され、研磨、熱処理等の工程を経て製造される。
図１は、引き上げられたシリコン単結晶の縦断面図であり、欠陥分布とＶ／Ｇの関係の一例を模式的に示す。Ｖはシリコン単結晶の引き上げ速度であり、Ｇは引き上げ直後におけるシリコン単結晶の成長方向の温度勾配である。温度勾配Ｇは、ＣＺ炉のホットゾーン構造の熱的特性により、シリコン単結晶の引き上げの進行中において、概ね一定とみなされる。このため、引き上げ速度Ｖを調整することにより、Ｖ／Ｇを制御することができる。
【０００３】
図１において、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）は、シリコン単結晶育成時に結晶格子を構成すべき原子が欠けた空孔の凝集体である。
ＯＳＦ（Oxidation induced Stacking Fault：酸素誘起積層欠陥）領域は、高温（一般的には１０００℃から１２００℃）で熱酸化処理した場合、ＯＳＦ核がＯＳＦとして顕在化する。
ＰＶ領域とＰＩ領域は、ＣＯＰも転位クラスターも含まず、ＰＶ領域は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態で酸素析出核を含んでおり、熱処理を施した場合、酸素析出物（ＢＭＤ）が発生し易い。図２に示すように、Ｖ／Ｇが大きくなると、Ｐｖ領域における空孔型点欠陥の濃度は高くなる。
ＰＩ領域は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態でほとんど酸素析出核を含んでおらず、熱処理を施してもＢＭＤが発生し難い。
【０００４】
このようなシリコン単結晶の製造に際し、ＣＯＰの個数を評価する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、シリコン単結晶から切り出したウェーハを鏡面研磨してから、ＣＯＰの個数を評価する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８１０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のような方法では、シリコン単結晶製造後、鏡面研磨を経てＣＯＰ評価が終了するまでの期間が長いため、ＣＯＰに起因するＬＰＤ（Light Point Defect：ライト・ポイント・デフェクト）の発生状況を評価する場合、評価結果を得るまでに時間を要するおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、シリコン単結晶製造後の早い段階で、ＬＰＤの発生状況を推定できるシリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のシリコン単結晶の評価方法は、ＣＯＰを含むシリコン単結晶の酸素濃度を測定する酸素濃度測定工程と、前記酸素濃度の測定結果に基づいて、前記シリコン単結晶のＬＰＤの発生状況を推定するＬＰＤ発生状況推定工程とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
シリコン単結晶の酸素濃度の測定は、一般的に、シリコン単結晶引上後のブロック分割時にサンプリングされたサンプルウェーハに対して行われる。このため、酸素濃度の測定結果は、鏡面研磨されたウェーハの評価結果と比べて、早い段階で得ることができる。
本発明によれば、酸素濃度の測定結果に基づいて、シリコン単結晶製造後の早い段階でＬＰＤの発生状況を推定できる。
【００１０】
本発明のシリコン単結晶の評価方法において、前記酸素濃度測定工程は、直胴部における固化率が１５％以下の領域における酸素濃度を測定することが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、酸素濃度の測定位置を選択するだけの簡単な方法で、ＬＰＤの発生状況を精度良く推定できる。
なお、固化率とは、シリコン単結晶を引き上げる前のシリコン融液の総重量に対する固化した重量の割合を意味する。
【００１２】
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、坩堝と、前記坩堝を加熱することでシリコン融液を生成するヒータと、種結晶を前記シリコン融液に接触させた後に引き上げる引き上げ部とを備えた単結晶引き上げ装置を利用したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＯＰを含む第１のシリコン単結晶を製造する製造工程と、上述のシリコン単結晶の評価方法を用いて、前記第１のシリコン単結晶のＬＰＤの発生状況を推定する評価工程と、前記評価工程における推定結果に基づいて、ＣＯＰを含む第２のシリコン単結晶の製造条件を設定する製造条件設定工程とを備えていることを特徴とする。
【００１３】
第１のシリコン単結晶がＬＤＰが多く発生している不良品の場合、製造条件を変更するまでは、その後に製造される全てのシリコン単結晶が不良品となる。
本発明によれば、第１のシリコン単結晶製造後の早い段階で得られたＬＰＤの発生状況の推定結果に基づいて、第２のシリコン単結晶の製造条件を設定するため、不良品の数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】シリコン単結晶における欠陥分布とＶ／Ｇとの関係の一例を示す説明図。
【図２】シリコン単結晶におけるＶ／Ｇと空孔型点欠陥濃度との関係を示すグラフ。
【図３】本発明を導くために行った実験１，２および本発明の一実施形態で用いる単結晶引き上げ装置の概略構成を示す模式図である。
【図４】前記単結晶引き上げ装置の概略構成を示す模式図であり、図３の状態よりも引き上げが進行した状態を示す。
【図５】前記実験１におけるヒータバッチ数と第１領域の酸素濃度の移動平均値との関係を示すグラフ。
【図６】前記実験１におけるヒータバッチ数と第１領域のＬＰＤの移動平均値との関係を示すグラフ。
【図７】前記実験１における第１領域の酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との関係を示すグラフ。
【図８】前記実験２における第２領域の酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との関係を示すグラフ。
【図９】前記実験２における第３領域の酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との関係を示すグラフ。
【図１０】前記実験２における第４領域の酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との関係を示すグラフ。
【図１１】前記実験２における固化率と酸素濃度の移動平均値およびＬＰＤの移動平均値の相関係数の絶対値との関係を示すグラフ。
【図１２】前記一実施形態におけるシリコン単結晶の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】前記一実施形態の効果の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［本発明を導くに至った経緯］
〔実験１：シリコン単結晶の酸素濃度とＬＰＤの発生状況との関係調査〕
まず、本実験で用いた単結晶引き上げ装置について説明する。
図３に示すように、単結晶引き上げ装置１は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）に用いられる装置であって、引き上げ装置本体２と、メモリ３と、制御部４とを備えている。
引き上げ装置本体２は、チャンバ２１と、このチャンバ２１内の中心部に配置された坩堝２２と、この坩堝２２を加熱するヒータ２３と、引き上げ部２４と、熱遮蔽体２５とを備えている。
チャンバ２１の上部には、Ａｒガスなどの不活性ガスをチャンバ２１内に導入するガス導入口２１Ａが設けられている。チャンバ２１の下部には、チャンバ２１内の気体を排出するガス排気口２１Ｂが設けられている。
坩堝２２は、ウェーハの原料である多結晶のシリコンを融解し、シリコン融液Ｍとするものである。坩堝２２は、所定の速度で回転および昇降が可能な支持軸２６に支持されている。
ヒータ２３は、坩堝２２の周囲に配置されており、坩堝２２内のシリコンを融解する。
引き上げ部２４は、一端に種結晶ＳＣが取り付けられる引き上げケーブル２４１と、この引き上げケーブル２４１を昇降および回転させる引き上げ駆動部２４２とを備えている。
熱遮蔽体２５は、ヒータ２３から上方に向かって放射される輻射熱を遮断する。
メモリ３には、チャンバ２１内のガス流量や炉内圧、ヒータ２３に投入する電力、坩堝２２やシリコン単結晶ＳＭの回転数など、シリコン単結晶ＳＭの製造に必要な各種情報を記憶している。
【００１６】
上述の単結晶引き上げ装置１を用いて、直径が２００ｍｍのシリコン単結晶ＳＭを製造した。具体的に、新品のヒータ２３をチャンバ２１に取り付けた。そして、チャンバ２１内を減圧下の不活性ガス雰囲気に維持し、種結晶ＳＣをシリコン融液Ｍに着液させた後に、Ｖ／Ｇの値が図１のＡに相当する値よりも大きくなるように引き上げることで、ネック部ＳＭ１、肩部ＳＭ２、直胴部ＳＭ３、および、図示しないテール部を有し、直胴部ＳＭ３にＣＯＰを含むシリコン単結晶ＳＭを製造した。この引き上げ中、坩堝２２は、回転しつつ、図３および図４に示すように、シリコン融液Ｍの液面と熱遮蔽体２５の下端との距離ＧＰ（ギャップＧＰ）がほぼ一定になるように上昇した。
その後、ヒータ２３を交換せずに、同じ単結晶引き上げ装置１を用いて複数のシリコン単結晶ＳＭを製造した。
【００１７】
上述のように製造したシリコン単結晶ＳＭにおける酸素濃度と、ＬＰＤの発生状況とを評価した。
評価用のウェーハは、直胴部ＳＭ３における固化率が１５％以下の領域（以下、第１領域という）から取得した。このウェーハに対してミラーエッチングを行った後、ＦＴＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectrometer：フーリエ変換赤外分光光度計）を用いてＡＳＴＭ  Ｆ−１２１（１９７９）により酸素濃度を測定した。１枚のウェーハの酸素濃度測定結果を１バッチの測定結果とした。
ＬＰＤの測定は、第１領域における評価用ウェーハの取得領域よりも引き上げ方向下端側の領域から得たウェーハに対し、面取り、ラッピング、平面研削、エッチング、鏡面面取り、一次研磨など経て鏡面研磨を行い、表面検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＳＰ−１）を用いて、表面で観察される１枚あたりのＬＰＤをカウントした。サイズが１２０ｎｍ以上のＬＰＤを測定対象とし、１００枚〜２００枚程度のウェーハにおけるＬＰＤ測定結果の平均値を１バッチの測定結果とした。
【００１８】
バッチ数（以下、「ヒータバッチ数」という）と酸素濃度の移動平均値との関係を図５に示す。また、ヒータバッチ数とＬＰＤの移動平均値との関係を図６に示す。
図５および図６において、Ｎバッチ目の移動平均値とは、Ｎバッチ目を含む直近４バッチの平均値を意味する。なお、同じ単結晶引き上げ装置１を用いて、本実験の対象（ＣＯＰを含むシリコン単結晶）と異なる品質のシリコン単結晶も製造したため、移動平均値は、品質が本実験の対象と異なるシリコン単結晶を含まない直近４バッチの平均値である。
【００１９】
図５および図６に示すように、ヒータバッチ数が１００バッチとなるあたりを境にして、酸素濃度が低下するとともにＬＰＤが増加する傾向が見られた。
本発明者は、この理由を以下のように推測した。
【００２０】
シリコン単結晶ＳＭの製造中、シリコン融液ＭからはＳｉＯガスが発生し、このＳｉＯガスは、坩堝２２とヒータ２３との間を通過してチャンバ２１下方に導かれる。このとき、ＳｉＯガスとヒータ２３のカーボンとが反応し、ヒータ２３のカーボンが減肉する。ＳｉＯガスは上方から下方に導かれるため、上記反応はヒータ２３の上部の方が下部よりも顕著に発生し、ヒータ２３の上部が下部よりも劣化することになる。このようにヒータ２３の上部が劣化すると、当該上部の抵抗率が下部よりも高くなり、上部の加熱比率が増加し、下部の加熱比率が減少する。
また、シリコン融液Ｍへの酸素のメインの供給元は坩堝２２の底部であるため、ヒータ２３下部の加熱比率が減少すると、坩堝２２の底部の加熱量も減少し、シリコン融液Ｍへの酸素の供給量も減少する。以上のことから、ヒータバッチ数が増加すると、ヒータ２３上部の劣化も進行し、その結果、シリコン単結晶ＳＭの酸素濃度が低下すると推測した。
【００２１】
また、ヒータバッチ数の増加に伴いヒータ２３上部の加熱比率が増加すると、シリコン融液Ｍから引き上げられたシリコン単結晶ＳＭの冷却が抑制され、ヒータ２３上部の加熱比率が増加しない場合と比べてＶ／Ｇの値も大きくなる。その結果、図２に示すように、空孔型点欠陥濃度が高くなり、空孔型点欠陥が凝集して形成されるＣＯＰが増加し、ＬＰＤが増加すると推測した。
【００２２】
図５および図６の結果から得られる酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値の関係を調べると、図７に示すように、両者の間に相関があることがわかった。
図７のデータに基づく近似直線ＬＡ１の式は、酸素濃度の移動平均値をＸ（×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、ＬＰＤの移動平均値をＹ（個／枚）とした場合、以下の式（１）で表される。
Ｙ＝−１０３．７２×Ｘ＋１６８０．３  …  （１）
【００２３】
図７に示す関係から、本実験で用いた単結晶引き上げ装置１においては、シリコン単結晶ＳＭの酸素濃度が１３．４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の場合に、当該シリコン単結晶ＳＭから得られるウェーハ１枚あたりのＬＰＤが３００個以上になり、１３．４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超える場合に、ＬＰＤが３００個未満になると推定できる。
したがって、酸素濃度の測定結果に基づいて、シリコン単結晶ＳＭの製造後の早い段階でＬＰＤの発生状況を推定できることが確認できた。そして、酸素濃度測定に用いたシリコン単結晶ＳＭを第１のシリコン単結晶とした場合、酸素濃度の測定結果に基づいて、当該第１のシリコン単結晶以降に製造される第２のシリコン単結晶の製造条件を設定する、具体的に、引き上げ速度を遅くすることで、不良品の数を減らすことができる。
【００２４】
〔実験２：直胴部の固化率と酸素濃度およびＬＰＤ発生状況の相関との関係調査〕
実験１のシリコン単結晶ＳＭにおける固化率が１５％を超え３０％以下の領域（以下、第２領域という）、３０％を超え５０％以下の領域（以下、第３領域という）、５０％を超える領域（以下、第４領域という）からウェーハを得た。そして、これらのウェーハにおけるヒータバッチ数と酸素濃度の移動平均値との関係、ヒータバッチ数とＬＰＤの移動平均値との関係を求め、これらの関係から酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との関係を調べた。
第２領域の関係を図８に、第３領域の関係を図９に、第４領域の関係を図１０にそれぞれ示す。
図８〜図１０に示すように、各図のデータに基づく近似直線ＬＡ２〜ＬＡ４を参照すると、第２〜第４領域においても、第１領域と同様に、酸素濃度の移動平均値が大きくなると、ＬＰＤの移動平均値が小さくなることが確認できた。
【００２５】
また、第１〜第４領域における、酸素濃度の移動平均値とＬＰＤの移動平均値との相関係数の絶対値を算出した。その結果を図１１に示す。
図１１に示すように、第１領域における相関が他の領域と比べて高かった。
本発明者は、この理由を以下のように推測した。
【００２６】
固化率が低いほど、シリコン融液Ｍの量は多い。シリコン単結晶ＳＭの引き上げ中、ギャップＧＰはほぼ一定のため、固化率が低いほど坩堝２２の位置が低くなり、当該坩堝２２の底部とヒータ２３の下部との距離が短くなる。このため、ヒータ２３上部の劣化に伴い下部の加熱比率が減少し、坩堝２２底部の加熱量が減少したときの影響は、固化率が低いほど大きくなる。以上のことから、固化率が１５％以下の領域における酸素濃度を測定することによって、他の領域の測定を行う場合と比べて、ＬＰＤの発生状況を精度よく推定できると推測した。
【００２７】
なお、図５〜図１１に示す実験１，２の結果は、単結晶引き上げ装置の各構成部材のサイズや配置位置により異なるが、酸素濃度とＬＰＤ発生状況との相関関係は、各構成部材のサイズや配置位置によらず実験１，２の結果と同じであると考えられる。
【００２８】
［実施形態］
次に、本発明の一実施形態として、ＣＯＰを含むシリコン単結晶ＳＭの製造方法について図面を参照して説明する。
本実施形態では、抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１２Ω・ｃｍ以下、外周研削後の直胴部ＳＭ３の直径が２００ｍｍとなるようなｐ型のシリコン単結晶ＳＭを製造する場合を例示する。また、シリコン単結晶ＳＭの第１領域における酸素濃度とＬＰＤ発生状況との関係が、図７に示す関係となるような単結晶引き上げ装置１を用いる場合を例示する。さらに、メモリ３には、図７に示すような関係を示すＬＰＤ発生状況推定用情報が記憶されている。
なお、直胴部ＳＭ３の外周研削後の直径は、３００ｍｍ、４５０ｍｍなど他の大きさであってもよい。
【００２９】
まず、単結晶引き上げ装置１の制御部４は、シリコン単結晶ＳＭの製造条件、例えばヒータ電力、Ａｒ流量、炉内圧、坩堝２２やシリコン単結晶ＳＭの回転数などを設定する。
次に、制御部４は、坩堝２２を加熱することで、当該坩堝２２内のポリシリコン素材（シリコン原料）およびドーパントを融解させ、シリコン融液Ｍを生成する。その後、制御部４は、図１２に示すように、チャンバ２１内を減圧下の不活性雰囲気に維持し、坩堝２２を回転させつつ、ギャップＧＰがほぼ一定になるように上昇させながら、直胴部ＳＭ３にＣＯＰを含む第１のシリコン単結晶ＳＭを製造する（ステップＳ１：製造工程）。
【００３０】
次に、作業者は、第１のシリコン単結晶ＳＭにおける直胴部ＳＭ３の酸素濃度を測定する（ステップＳ２：酸素濃度測定工程（評価工程））。このステップＳ２において、作業者は、第１のシリコン単結晶における直胴部ＳＭ３から評価用ウェーハを取得する。評価用ウェーハは、直胴部ＳＭ３における固化率が１５％以下の領域から取得することが好ましい。そして、作業者は、実験１と同様に、ミラーエッチング後の評価用ウェーハの酸素濃度を、ＦＴＩＲで測定する。なお、作業者は、酸素濃度の他に、抵抗率やカーボン濃度も測定してもよい。
【００３１】
この後、制御部４は、作業者によって酸素濃度が入力されると、この酸素濃度と、メモリ３の図７に示すようなＬＰＤ発生状況推定用情報とに基づいて、ＬＰＤの発生状況を推定する（ステップＳ３：ＬＰＤ発生状況推定工程（評価工程））。
このステップＳ３において、制御部４は、酸素濃度が判断閾値以下の場合、ウェーハ１枚あたりのＬＰＤが品質基準値以上であると推定し、判断閾値未満の場合、品質基準値未満であると推定する。本実施形態では、判断閾値は、１３．４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、品質基準値は、３００個である。
【００３２】
そして、制御部４は、ＬＰＤが品質基準値以上であると推定した場合、製造条件を変更し（ステップＳ４：製造条件設定工程）、この変更した製造条件で、直胴部ＳＭ３にＣＯＰを含む第２のシリコン単結晶ＳＭを製造する（ステップＳ５）。ステップＳ４において、制御部４は、第２のシリコン単結晶ＳＭにおけるＬＰＤの発生個数を減らすために、引き上げ速度を遅くする。この場合、ＣＯＰ濃度と引き上げ速度との関係を予め求めておき、この関係に基づいて、減らしたいＬＰＤの個数に対応する引き上げ速度を求めればよい。
ここで、ステップＳ４における製造条件変更は、ステップＳ３の工程中にシリコン単結晶ＳＭが製造されている場合には、当該シリコン単結晶ＳＭについて行うのではなく、その次のバッチの第２のシリコン単結晶ＳＭについて行われる。また、ステップＳ３の工程中にシリコン単結晶ＳＭが製造されていない場合には、次のバッチの第２のシリコン単結晶ＳＭについて行われる。
【００３３】
一方、制御部４は、ＬＰＤが品質基準値未満であると推定した場合、製造条件を維持し（ステップＳ６：製造条件設定工程）、第１のシリコン単結晶ＳＭと同じ製造条件で第２のシリコン単結晶ＳＭを製造する（ステップＳ５）。
【００３４】
［実施形態の作用効果］
上記実施形態によれば、以下のような作用効果を奏することができる。
従来、ＬＰＤの発生状況に基づく製造条件設定は、図１３に示すように、本実施形態のステップＳ１，Ｓ２の工程を行った後、直胴部ＳＭ３の残りの部分に対して、スライスから鏡面研磨にかけての工程を行う（ステップＳ１１）。そして、鏡面研磨後のウェーハのＬＰＤを測定し（ステップＳ１２）、ＬＰＤが品質基準値以上か否かに基づいて、製造条件を変更あるいは維持していた（ステップＳ１３）。このような方法では、特にステップＳ１１の工程に時間を要するため、第１のシリコン単結晶ＳＭの製造バッチの次バッチを１バッチ目とした場合、例えば７バッチ目の途中でしかＬＰＤの測定結果を得ることができず、８バッチ目からしか製造条件を設定することができない。この場合、１バッチ目から７バッチ目のシリコン単結晶ＳＭが不良品になってしまうおそれがある。
これに対し、本実施形態では、ステップＳ１１，Ｓ１２の工程を行わずに、評価用ウェーハの酸素濃度測定結果に基づきＬＰＤの発生状況を推定し（ステップＳ３）、この推定結果に基づいて、製造条件を変更あるいは維持する（ステップＳ４，Ｓ６）。このように、時間を要するステップＳ１１の工程を行わないため、例えば、２バッチ目の途中でＬＰＤの推定結果を得ることができる。また、このＬＰＤの推定結果に基づいて、３バッチ目（第２のシリコン単結晶ＳＭ）の製造条件を設定することができる。したがって、１バッチ目のシリコン単結晶ＳＭが不良品であっても、２バッチ目以降のシリコン単結晶ＳＭを良品にすることができ、不良品の数を減らすことができる。
【００３５】
［変形例］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
例えば、判断閾値、品質基準値は、上記値に限らずニーズに応じて他の値にしてもよい。
第１領域に加えて、あるいは、第１領域に代えて、第２〜第４領域のうち少なくとも１つの領域のＬＰＤ発生状況推定用情報をメモリ３に記憶してもよい。この場合、制御部４は、作業者によって酸素濃度および評価用ウェーハの取得領域が入力されると、この取得領域に対応するＬＰＤ発生状況推定用情報と、酸素濃度とに基づいて、ＬＰＤの発生状況を推定してもよい。
ステップＳ３〜Ｓ６の処理を作業者が行ってもよい。
酸素濃度およびＬＰＤの移動平均値に基づいて、酸素濃度とＬＰＤ発生状況との関係を求めたが、各バッチのデータをそのまま用いて求めてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１…単結晶引き上げ装置、２２…坩堝、２３…ヒータ、２４…引き上げ部、ＳＭ…シリコン単結晶、ＳＭ３…直胴部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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