(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミック焼結体及び電子部品の提供。【解決手段】低抵抗体部２と誘電体部３とを備え、低抵抗体部２は、Ｔｉと、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１と、を含み、誘電体部３は、前記Ｔｉと、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ２と、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３と、を含み、低抵抗体部２および誘電体部３は、いずれもルチル型の結晶構造を有するセラミック焼結体１。及び、セラミック焼結体１により構成された誘電体層３と内部電極層とが交互に積層された積層体と、該積層体の外表面にに設けられる前記内部電極層にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極を備えた電子部品。【選択図】図１
2018070403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
いずれもルチル型の結晶構造を有する低抵抗体部と誘電体部とを備え、
前記低抵抗体部は、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１およびＴｉの酸化物により構成され、
前記誘電体部は、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ２、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３、およびＴｉの酸化物により構成される、セラミック焼結体。
【請求項２】
前記Ｍ１が、ＮｂおよびＴａのうち少なくともいずれか一方であり、
前記低抵抗体部の前記Ｍ１とＴｉとの合量に対する前記Ｍ１の原子比率をｘとしたとき、該ｘが０．００５〜０．０５の範囲である、請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項３】
前記Ｍ２が、ＮｂおよびＴａのうち少なくともいずれか一方であり、
前記Ｍ３が、ＭｇおよびＮｉのうち少なくともいずれか一方であり、
前記誘電体部および前記低抵抗体部のＴｉ、前記Ｍ１、前記Ｍ２および前記Ｍ３の合量に対する、前記Ｍ３の原子比率をｚとしたとき、該ｚが０．００１〜０．０５の範囲である、請求項１または２に記載のセラミック焼結体。
【請求項４】
前記誘電体部が、常誘電性を有する、請求項１〜３のうちいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項５】
前記低抵抗体部の電気抵抗率が、１×１０２Ω・ｃｍ以下であるとともに、前記誘電体部の電気抵抗率が、１×１０８Ω・ｃｍ以上である、請求項１〜４のうちいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項６】
前記低抵抗体部からなる層と、前記誘電体部からなる層とが、交互に積層されてなる、請求項１〜５のうちいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれかに記載のセラミック焼結体と、外部電極と、を備え、
前記誘電体部のうち少なくとも一部は、前記低抵抗体部と前記外部電極との間に位置している、電子部品。
【請求項８】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体と、
該積層体の外表面に設けられ、異なる前記内部電極層にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極と、を備え、
前記積層体が、請求項１〜６のうちいずれかに記載のセラミック焼結体により構成されている、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック焼結体および電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサ、圧電素子、ヒーター、電池などの電子部品は、種々の電子機器に用いられており、その多くは、セラミックスなどの誘電体と金属の内部電極とを積層した積層構造を有している。このような電子部品は、例えばセラミックグリーンシートおよび内部電極を同時焼成することで作製されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２０１２／０２３３３４号
【発明の概要】
【０００４】
本開示のセラミック焼結体は、いずれもルチル型の結晶構造を有する低抵抗体部と誘電体部とを備え、前記低抵抗体部は、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１およびＴｉの酸化物により構成され、前記誘電体部は、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ２、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３、およびＴｉの酸化物により構成される。
【０００５】
本開示の電子部品は、上述のセラミック焼結体と、外部電極と、を備え、前記誘電体部のうち少なくとも一部は、前記低抵抗体部と前記外部電極との間に配置されている、または、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体と、該積層体の外表面に設けられ、異なる前記内部電極層にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極と、を備え、前記積層体が、上述のセラミック焼結体により構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】セラミック焼結体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、別の例を模式的に示す断面図、（Ｂ）は、（Ａ）に端子電極を設けた場合の断面図である。
【図３】セラミック焼結体のさらに別の例であり、（Ａ）は円柱状、（Ｂ）および（Ｃ）は円筒状のセラミック焼結体を模式的に示した斜視図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、電子部品の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、電子部品の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
【図６】第２実施形態において、ダミー電極層を有する場合の断面図である。
【図７】電子部品の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
【図８】第３実施形態において、ダミー電極層を有する場合の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
セラミック焼結体の具体的な実施形態について、図を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本実施形態のセラミック焼結体１は、低抵抗体部２と誘電体部３とを備えている。低抵抗体部２と誘電体部３とは、いずれもルチル型の結晶構造を有しており、一体化している。結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により確認できる。なお、結晶の格子定数（回折ピークの回折角）は、構成元素の種類、価数変化、酸素欠陥の量などにより変動する場合がある。したがって、低抵抗体部２と誘電体部３とで結晶の格子定数が若干異なっていてもよい。
【０００８】
ここで、低抵抗体部２は、電気抵抗率が１×１０２Ω・ｃｍ以下であるものとし、誘電
体部３は、電気抵抗率が、１×１０８Ω・ｃｍ以上であるものとする。なお、誘電体部３の電気抵抗率は１×１０１１Ω・ｃｍ以上の範囲とすることが好ましい。また、低抵抗体部２と誘電体部３との間に電気抵抗率が１×１０２Ω・ｃｍよりも大きく、１×１０８Ω・ｃｍよりも小さい領域が介在していてもよい。
【０００９】
このようなセラミック焼結体１においては、一つのセラミック焼結体１中に、いずれもルチル型の結晶構造を有する低抵抗体部２と誘電体部３とが共存しており、低抵抗体部２の電気抵抗率が低いため、低抵抗体部２を電極として用いることができる。
【００１０】
たとえば、従来の積層型電子部品は、誘電体であるセラミックス材料と、電極として用いる金属材料とを同時焼成することで得られる。しかし、セラミックス材料と金属材料というような異種材料を同時焼成した場合、両者の焼結温度の違いに起因する変形や不均一、欠陥の発生や、異種材料間の反応や元素拡散による特性の変動などの不具合が生じる。一方、本実施形態のセラミック焼結体１では、誘電体部３と同じルチル型の結晶構造を有する低抵抗体部２を電極として用いることができるため、上述のような不具合を低減できる。すなわち、低抵抗体部２および誘電体部３の主たる成分がいずれも酸化チタンであることから、同時焼成が容易である。また、低抵抗体部２と誘電体部３との熱膨張係数差がごく小さいことから、デラミネーションや変形が生じることがない。このように、低抵抗体部２と誘電体部３とは、構成成分が若干異なっていても、いずれもルチル型の酸化チタンであるため、焼結性に大きな差異はなく、焼成により容易に接合一体化できる。
【００１１】
低抵抗体部２と誘電体部３とは、その構成成分として、Ｔｉ以外の金属元素を含んでいる。低抵抗体部２は、Ｔｉ以外に５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１を含んでいる。Ｔｉ、Ｍ１およびＯを、低抵抗体部２の構成元素と称する。誘電体部３は、Ｔｉ以外に５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ２と、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３と、を含んでいる。Ｔｉ、Ｍ２、Ｍ３およびＯを、誘電体部３の構成元素と称する。金属元素Ｍ１と金属元素Ｍ２は、同じ元素であってもよいし、互いに異なる元素であってもよい。低抵抗体部２は、Ｔｉ、Ｍ１およびＯ以外の元素を含まないことが好ましいが、不純物としてＴｉ、Ｍ１、Ｏ以外の元素を含む場合もある。誘電体部３は、Ｔｉ、Ｍ２、Ｍ３およびＯ以外の元素を含まないことが好ましいが、不純物としてＴｉ、Ｍ２、Ｍ３、Ｏ以外の元素を含む場合もある。
【００１２】
金属元素の組成は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を用いることで、厚さ数ｎｍの薄層部の評価が可能である。結晶構造は、薄膜Ｘ線回折（小角散乱）を利用することで、厚さ１００ｎｍ程度の薄層部の結晶構造を分析することができる。
【００１３】
このような構造を実現できる材料としては、金属元素の総量に対して、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３を合計で１０原子％以下程度含み、ルチル型の結晶構造を有するチタニア系の材料が挙げられる。
【００１４】
低抵抗体部２は、Ｔｉと、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１と、を含む酸化物（チタニア系材料）により構成される。αは酸素量の変動を表している。Ｍ１を含むチタニア系の材料は、ルチル型の結晶構造を有しながらも電気抵抗率が１×１０２Ω・ｃｍよりも小さいものとなる。Ｍ１を含むチタニア系材料とＭ１を含まないチタニア系材料との、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）分析では、Ｍ１を含むチタニア系材料の方がＭ１を含まないチタニア系材料よりも多くのＴｉ３＋を含有している。これは、チタニア中に価数の大きいＭ１が含まれることで、低抵抗体部２を構成するＴｉ４＋が還元されてＴｉ３＋が増加するためと考えられる。このようにＴｉ３＋を多く含むチタニア系材料では、酸素空孔も多く含まれるため、電気抵抗率が小さくなると考えられる。また、このようなチタニア系材料は、上述のように電気抵抗率が小さいことから、誘電損失（ｔａｎδ）も小さいもの
となる。
【００１５】
誘電体部３は、Ｔｉと、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ２と、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３と、を含む酸化物（チタニア系材料）により構成される。Ｍ２とＭ３とを同時に含むチタニア系の材料は、Ｔｉ４＋が還元されにくく、電気抵抗率が１×１０８Ω・ｃｍよりも大きいものとなる。誘電体部３に含まれるＭ２とＭ３との原子比率（Ｍ２／Ｍ３）は、電荷バランスの点から０．５〜２の範囲とすることが好ましい。たとえば、５価のＭ２と２価のＭ３とを用いる場合はＭ２／Ｍ３を２とし、５価のＭ２と３価のＭ３とを用いる場合、または６価のＭ２と２価のＭ３とを用いる場合はＭ２／Ｍ３を１とし、６価のＭ２と３価のＭ３とを用いる場合はＭ２／Ｍ３を０．５とすることが好ましい。なお、上述のＭ２／Ｍ３の数値はおよその目安であり、元素分析の結果、Ｍ２／Ｍ３の値がこれらの数値からずれる場合もある。
【００１６】
５価または６価の価数をとる金属元素であるＭ１、Ｍ２としては、たとえば、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、およびＳｂが挙げられる。２価または３価の金属元素であるＭ３としては、たとえばＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＢｉが挙げられる。
【００１７】
Ｍ１は、特に、Ｎｂ、Ｔａのうち少なくともいずれか一方であるのが好ましい。Ｍ１がＮｂ、Ｔａのうち少なくともいずれか一方であることで、低抵抗体部２の電気抵抗率をより小さくし、誘電損失を小さくすることができる。低抵抗体部２の組成は、組成式Ｍ１ｘＴｉ１−ｘＯ２＋αで表すことができる。組成式中のｘは、低抵抗体部２に含まれるＴｉとＭ１との合量に対するＭ１の原子比率であり、αは酸素量の変動を表す。ｘを特に０．００５〜０．０５の範囲とすることにより、低抵抗体部２の電気抵抗率を特に小さくすることができる。
【００１８】
Ｍ２は、Ｎｂ、Ｔａのうち少なくともいずれか一方であり、Ｍ３はＭｇおよびＮｉのうち少なくともいずれか一方であるのが好ましい。Ｍ２がＮｂ、Ｔａのうち少なくともいずれか一方であるとともに、Ｍ３がＭｇおよびＮｉのうち少なくともいずれか一方であることにより、誘電体部３を、より比誘電率が高く、誘電損失の小さいものとすることができる。低抵抗体部２および誘電体部３に含まれる金属元素Ｔｉ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の合量に対するＭ３の原子比率（すなわち、セラミック焼結体１全体に含まれる金属元素Ｔｉ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の合量に対するＭ３の原子比率）をｚとしたとき、ｚを特に０．００１〜０．０５の範囲とすることにより、電規抵抗率が高く、高い比誘電率を有するとともに誘電損失の小さい誘電体部３とすることができる。なお、Ｍ２は、Ｍ１と同じ金属元素であってもよいし、異なる金属元素であってもよい。
【００１９】
このような誘電体部３は、常誘電性を有しており、誘電特性の周波数依存性が小さく、特に高周波対応のコンデンサとして用いるのに好適である。
【００２０】
セラミック焼結体１の低抵抗体部２および誘電体部３の特性は、例えばセラミック焼結体１を低抵抗体部２と誘電体部３とに分離加工してそれぞれの特性を評価すればよい。また、低抵抗体部２または誘電体部３のいずれかが非常に薄く、分離加工が困難な場合は、低抵抗体部２と誘電体部３とが一体となった状態で評価すればよい。
【００２１】
例えば、電気抵抗率を評価する場合、まず、低抵抗体部２と誘電体部３とが一体となったセラミック焼結体１全体の電気抵抗率を測定し、次いでセラミック焼結体１から誘電体部３を研削加工などにより除去し、残った低抵抗体部２の電気抵抗率を測定する。得られたセラミック焼結体１全体の電気抵抗率と、低抵抗体部２の電気抵抗率とを用いて、誘電体部３の電気抵抗率を求めればよい。なお、セラミック焼結体１から低抵抗体部２を除去
して誘電体部３の電気抵抗率を測定し、得られた測定値を用いて低抵抗体部２の電気抵抗率を求めてもよい。
【００２２】
金属元素の組成は、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＳ）またはによる評価が可能である。特に、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を用いることで、厚さ数ｎｍの薄層部の評価が可能である。結晶構造は、薄膜Ｘ線回折（小角散乱）を利用することで、厚さ１００ｎｍ程度の薄層部の結晶構造を分析することができる。
【００２３】
誘電体部３は、たとえば図２（Ａ）に示すように、低抵抗体部２を被覆していてもよい。すなわち、セラミック焼結体１の外表面が誘電体部３により構成されていてもよい。
【００２４】
たとえば、図２（Ｂ）に示すように、表面および側面が誘電体部３により構成された平板状のセラミック焼結体１の、一方の表面（または側面）の一部に、端子電極４を設け、この端子電極４を、セラミック焼結体１の内部に存在する低抵抗体部２に電気的に接続する。このようなセラミック焼結体１は、電子部品として、他方の表面（または両表面）を吸着面とする静電吸着装置に用いることができる。
【００２５】
なお、セラミック焼結体１は、平板状に限らず、棒状、柱状、筒状、箱状等、他の種々の形状を有していても構わない。例えば、図３（Ａ）のように柱状の低抵抗体部２の外周面に誘電体部３を備えるもの、図３（Ｂ）のように筒状の低抵抗体部２の外周面に誘電体部３を備えるもの、図３（Ｃ）のように筒状の低抵抗体部２の外周面および内周面に誘電体部３を備えるもの、なども用いることができる。これらは、低抵抗体部２と、誘電体部３上に設けた外部電極とを、外部回路に接続することにより、例えばコンデンサ、フィルタ、またはアンテナ等として利用される。
【００２６】
＜製法＞
このようなセラミック焼結体１は、例えば、次のようにして作製できる。酸化チタンの粉末に、５価または６価の価数をとる金属元素Ｍ１の酸化物粉末を所定量配合して混合粉末とする。金属元素Ｍ１の酸化物は、例えばＶ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、Ｓｂ２Ｏ５などを用いればよい。混合粉末を大気雰囲気中にて８００〜１１００℃で仮焼することで、ルチル型結晶構造を有する低抵抗体部２となる仮焼粉末が得られる。仮焼粉末をボールミルで粉砕処理した後、バインダを加え、所定の形状に成形して成形体を作製する。
【００２７】
次いで、２価または３価の価数をとる金属元素Ｍ３の酸化物や炭酸塩の粉末と、溶媒に溶解したバインダとを混合してＭ３含有スラリーを得る。金属元素Ｍ３の酸化物や炭酸塩としては、例えばＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＯ、ＣａＣＯ３、ＳｒＯ、ＳｒＣＯ３、ＮｉＯ、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３などを用いればよい。得られたＭ３含有スラリーを、上述の成形体の表面に塗布し、Ｍ３被覆成形体とする。Ｍ３被覆成形体をジルコニアなどのセッター上に配置し、匣鉢に収納した状態で、まず大気雰囲気中にて３００〜６００℃でバインダ除去処理を行い、次いで、大気雰囲気中において１３００〜１４００℃で２〜１０時間焼成してセラミック焼結体１を得る。得られたセラミック焼結体１は、焼成中に塗布したＭ３が成形体の表面に拡散し、焼結体の表面に誘電体部３、内部に低抵抗体部２を有し、表面・内部いずれもルチル型結晶構造を有するチタニア系の焼結体である。なお、Ｍ３含有スラリーは、Ｔｉ及びＭ２の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。また、Ｍ３含有スラリーは、Ｍ３を含む酸化チタン、Ｍ２およびＭ３を含む酸化チタンを含むスラリーであってもよい。匣鉢の材質としては、例えばアルミナ、マグネシア、ムライトなどを用いればよい。
【００２８】
なお、Ｍ１とＴｉとを含む成形体の厚さ、およびＭ３含有スラリーの塗布量、および焼成条件等の各種作製条件は、上述の記載に限定されるものではなく、Ｍ１とＴｉとを含む成形体（以下、単に成形体ともいう）の表面近傍にのみＭ３が拡散し、成形体の内部にはＭ３が拡散しない条件であればよい。
【００２９】
このようにして得られたセラミック焼結体１は、表面に電気抵抗率が１００Ｍ（１×１０８）Ω・ｃｍ以上の誘電体部３、内部に電気抵抗率が１００（１×１０２）Ω・ｃｍ以下の低抵抗体部２を有する構造を備え、低抵抗体部２および誘電体部３がいずれもルチル型結晶構造を有するチタニア系の焼結体となる。
【００３０】
また、上述の仮焼粉末をシート状に成形して第１シートとし、Ｍ３含有スラリーをシート状に成形して第２シートとして用いてもよい。得られた第１シートと第２シートとを交互に積層し、焼成することにより、後述するような、低抵抗体部２からなる層と誘電体部３からなる層とが交互に積層されたセラミック焼結体１を得ることができる。また、Ｍ３を含む第２シートを仮焼粉末の成形体上に積層して焼成してもよい。
【００３１】
Ｍ３含有スラリーに替えて、成形体または第１シートの表面にＭ３またはＭ３を含む化合物をスパッタ、蒸着などの方法で形成したのち、焼成してもよい。
【００３２】
＜電子部品の第１実施形態＞
また、このようなセラミック焼結体１は、図４に示すように、その外表面を構成する誘電体部３上に外部電極４を設け、誘電体部３を低抵抗体部２と外部電極３との間に配置することで、電子部品として種々の用途に適用できる。例えば、平板状のセラミック焼結体１の場合、誘電体部３の特性に応じて、単層または積層型のコンデンサ、抵抗等の電子部品として用いることができる。なお、図４（Ａ）は、断面視した時、外部電極４の面積が低抵抗体部２の面積よりも大きい場合を示し、図４（Ｂ）は外部電極４と低抵抗体部２の面積が同じ場合を示すが、外部電極４および低抵抗体部２の面積の比率や配置は、電子部品の用途に応じて適宜設定すればよい。
【００３３】
＜電子部品の第２実施形態＞
図５は、本体５と外部電極４ａ、４ｂとを備える電子部品を示している。積層体５は、誘電体部３からなる複数の誘電体層３と、積層体５の積層方向において誘電体層３間に位置する内部電極層６ａ、６ｂとを有している。
【００３４】
図５（Ａ）に示す電子部品では、低抵抗体部２からなる内部電極層６ａ、６ｂが、積層体５の積層方向の面５ｐに隣接する側面５ｓａ、５ｓｂにそれぞれ露出し、当該側面においてそれぞれ外部電極４ａ、４ｂに電気的に接続されている。すなわち、内部電極層６ａと内部電極層６ｂとは、誘電体層３を介して交互に積層されており、内部電極層６ａは、積層体５の側面５ｓａに露出して外部電極４ａに接続され、内部電極６ｂは、積層体５の側面５ｓｂに露出して外部電極４ｂに接続されている。また、側面５ｓａと側面５ｓｂとは、積層体５の対向する一対の面である。
【００３５】
内部電極層６ａと内部電極層６ｂとは、それぞれ積層体５の側面の異なる部位に露出していれば良く、たとえば同一の側面の異なる部位に露出するものであってもよい。外部電極４ａおよび４ｂは、それぞれ積層体５の側面の異なる部位に設けられ、内部電極層６ａおよび６ｂにそれぞれ接続されていればよく、たとえば同一の側面の異なる部位に設けられていてもよい。
【００３６】
また、積層体５は、図５（Ａ）に示すように、低抵抗体部２と誘電体部（誘電体層）３とが交互に積層一体化されたセラミック焼結体１であってもよいし、図５（Ｂ）に示すよ
うに、低抵抗体部２の両面に誘電体部３を備えたセラミック焼結体１ａと１ｂとが交互に積層されたものであってもよい。セラミック焼結体１ａの低抵抗体部２は、積層体５の側面５ｓａに露出して外部電極４ａと接続された内部電極６ａであり、セラミック焼結体１ｂの低抵抗体部２は、積層体５の側面５ｓｂに露出して外部電極４ｂに接続された内部電極６ｂである。また、図５（Ｃ）に示すように、低抵抗体部２の片面にのみ誘電体部３を備えるセラミック焼結体１ａと１ｂとが積層されたものであってもよい。低抵抗体部２の片面にのみ誘電体部３を備えるセラミック焼結体１が積層されている場合は、たとえばセラミック焼結体１ａの低抵抗体部２側の面と、セラミック焼結体１ｂの誘電体部３側の面とが対向し、セラミック焼結体１ａの誘電体部３側の面と、セラミック焼結体１ｂの低抵抗体部２側の面とが対向するように積層されていることが好ましい。
【００３７】
図５（Ｂ）および図５（Ｃ）においては、複数のセラミック焼結体１ａおよび１ｂは、外部電極４により側面で接合され積層体５として一体化している。各セラミック焼結体１ａ、１ｂの積層面と、対向する他のセラミック焼結体１ａ、１ｂの積層面とは、例えばガラスまたは樹脂などの絶縁性材料からなる接着剤等により接合されていてもよい。
【００３８】
なお、積層体５の積層方向の表面には、低抵抗体部２と誘電体部３のどちらが露出していてもよい。電子部品の用途によって、低抵抗体部２と誘電体部３のどちらを露出させるかを選択すればよい。なお、積層体５の積層方向の表面は、両方が低抵抗体部２であるか、または両方が誘電体部３であることが好ましいが、用途により一方の表面を低抵抗体部２とし、他方の表面を誘電体部３としてもよい。
【００３９】
また、内部電極層６ａと内部電極層６ｂとの間に位置する誘電体層３の内部に、外部電極４ａ、４ｂと電気的に接続されないダミー電極層６ｃを有していてもよい（図６）。ダミー電極層６ｃを有することにより、本実施形態の電子部品の耐電圧を高めることができる。なお、図６においては、ダミー電極層６ｃを構成する材料は、Ｍ１とＴｉとを含む低抵抗部２と同じ材料である。
【００４０】
＜電子部品の第３実施形態＞
図７では、平板状のセラミック焼結体１ａが複数、導電性材料７を介して積層され、内部電極層６ａは低抵抗体部２からなり、内部電極層６ｂは導電性材料７からなる。これらの内部電極層６ａ、６ｂは積層体５の側面５ｓａおよび５ｓｂにそれぞれ露出し、当該側面においてそれぞれ外部電極４ａ、４ｂに電気的に接続されている。なお、内部電極層６ａと内部電極層６ｂとは、誘電体部３を介して交互に積層されており、内部電極層６ｂと外部電極４ａとの間には、ガラスまたは樹脂などの絶縁性材料８が配置されている。
【００４１】
すなわち、内部電極層６ａは、積層体５の側面５ｓａに露出して外部電極４ａに接続され、内部電極層６ｂは、積層体５の側面５ｓｂに露出して外部電極４ｂに接続されている。また、側面５ｓａと側面５ｓｂは、積層体５の対向する一対の面である。
【００４２】
内部電極層６ａと内部電極層６ｂは、それぞれ積層体５の側面の異なる部位に露出していれば良く、たとえば同一側面の異なる部位に露出するものであってもよい。
【００４３】
本実施形態においては、セラミック焼結体１ａが、低抵抗体部２の両面に誘電体部３を備えていることが好ましい。
【００４４】
また、内部電極層６ａと内部電極層６ｂとの間に位置する誘電体部３の内部に、外部電極４ａ、４ｂと電気的に接続されないダミー電極層６ｃを有していてもよい。図８に、低抵抗体部２と同じ材料からなるダミー電極層６ｃを有する場合の一例を示す。図８では、内部電極層６ａとダミー電極層６ｃとを有するセラミック焼結体１ｃが、導電性材料７か
らなる内部電極層６ｂを挟んで積層され、ダミー電極層６ｃが内部電極層６ａと内部電極層６ｂとの間に配置されている。なお、ダミー電極層６ｃが、導電性材料７で形成され、ダミー電極６ｃと外部電極４ａ、４ｂとの間にガラスまたは樹脂などの絶縁性材料８が配置されていてもよい。
【００４５】
なお、導電性材料７としては、導電性接着剤、ガラスを含む導体ペーストを焼き付けたものなどを用いればよい。導電性材料７に含まれる導体としては、例えば銀、金、白金、パラジウムなどを用いればよい。
【００４６】
また、積層体５におけるセラミック焼結体１ａ〜１ｃの積層数や組合せ、積層順等は、上述の第２実施形態または第３実施形態で示した例に限定されるものではなく、目的に応じて適宜変更可能なことは言うまでもない。
【実施例】
【００４７】
酸化チタン、五酸化タンタル、および酸化マグネシウムの粉末を準備した。酸化チタンと五酸化タンタルの粉末とを表１に示す原子比率ｘで配合した。原子比率ｘは、ＴｉとＴａとの合量に対するＴａの原子比率である。配合した粉末をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とともにボールミルを用いて１２時間混合し、乾燥させて混合粉末を得た。得られた混合粉末を、大気雰囲気中にて１０００℃で４時間仮焼し仮焼粉末を得た。得られた仮焼粉末は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とともにボールミルにより粉砕した。粉砕した仮焼粉末にバインダとして加えて顆粒を作製し、プレス成形により円板状の成形体を作製した。
【００４８】
次に、酸化マグネシウムと、溶剤であるテルピネオールと、バインダとを混合し、酸化マグネシウムのスラリー（以下、単にＭｇスラリーという）を作製し、円板状の成形体の表面（円形状の両表面および側面）に塗布し、乾燥させた。Ｍｇスラリーの塗布量は、原子比率ｚが表１に示す比率となるよう調整した。原子比率ｚは、成形体に含まれるＴｉ、Ｔａ、および塗布したＭｇスラリー中のＭｇの合量に対する、Ｍｇの原子比率である。
【００４９】
Ｍｇスラリーを表面に塗布した成形体を、大気雰囲気中にて５００℃でバインダ除去処理を行った後、大気雰囲気中において１３５０℃で２時間焼成し、直径１２．５ｍｍ、厚さ２．７ｍｍの円板状のセラミック焼結体を得た。
【００５０】
得られたセラミック焼結体について、以下のような分析を行った。未加工の円板状のセラミック焼結体の両表面（円形状の表面、以下、単に表面という場合は円形状の表面をさすものとする）にＩｎ−Ｇａを塗布して電極とし、セラミック焼結体の電気抵抗率およびセラミック焼結体のインピーダンスを測定した。得られた電気抵抗率をセラミック焼結体の表層の電気抵抗率として表１に示した。また、インピーダンス測定結果より得られた、周波数１ｋＨｚにおけるセラミック焼結体全体の比誘電率εｒおよび誘電損失（ｔａｎδ）を表１に記載した。なお、試料Ｎｏ．２および１０の表面は黒色、他の試料の表面は白色であった。
【００５１】
セラミック焼結体の両表面をそれぞれ１００μｍ研削加工し、研削面にＩｎ−Ｇａを塗布して電極とし、セラミック焼結体の内部の電気抵抗率を測定した。なお、試料Ｎｏ．７の研削面は白色、他の試料の研削面は黒色であった。結果を表１に示す。
【００５２】
波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＳ）を用いて、セラミック焼結体の断面の組成分布を調べた。セラミック焼結体の表面（表層部）で検出された金属元素、および表面から１００μｍ離れた部位（内部）で検出された金属元素を表１に示す。
【００５３】
セラミック焼結体の結晶相は、薄膜Ｘ線回折測定により確認した。セラミック焼結体の表面（表層部）と、表面から１００μｍを研削加工により除去した研削面（内部）とについて測定を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
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【００５５】
資料Ｎｏ．１〜５は、セラミック焼結体の内部に低抵抗体部、表面に誘電体部を有し、いずれもルチル型の結晶構造を有しており、誘電損失が１０％よりも小さいものであった。
【符号の説明】
【００５６】
１    ：セラミック焼結体
２    ：低抵抗体部
３    ：誘電体部、誘電体層
４、４ａ、４ｂ：端子電極、外部電極
５    ：積層体
５ｐ  ：積層体の積層方向の面
５ｓａ、５ｓｂ：積層体の側面
６、６ａ、６ｂ：内部電極層
６ｃ  ：ダミー電極層
７    ：導電性材料
８    ：絶縁性材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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