(57)【要約】      （修正有）【課題】形状適合的被覆コーティング膜の製造方法及び該被覆コーティング膜を有するオプトエレクトロニクス半導体部品の提供。【解決手段】材料源４を設けるステップと、上面１ａを有する基板ホルダ１を設けるステップと、基板ホルダ１とは反対側のコーティング面２ａを有する少なくとも１層のベース層２を基板ホルダ１の上面１ａに設けるステップと、基板ホルダ１を回転アーム３に取り付けるステップであって、回転アーム３は回転アーム３の主延在方向の長さ３Ｌを有するステップと、法線角φが本方法の全体を通して少なくとも３０°最大でも７５°であるように回転アーム３の長さ３Ｌを設定するステップと、少なくとも１層のコーティング膜をベース層２のコーティング面２ａ側に材料源４で被着するステップとを含み、コーティング膜のコーティングプロセス中基板ホルダ１は回転アーム３の主延在方向の基板回転軸を中心に回転されるコーティング膜の製造方法。【選択図】図１
2018193617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  蒸発面（４ａ）および主コーティング方向（Ｚ）を有する材料源（４）を設けるステップと、
−  上面（１ａ）を有する基板ホルダ（１）を設けるステップと、
−  前記基板ホルダ（１）とは反対側のコーティング面（２ａ）を有する少なくとも１層のベース層（２）を前記基板ホルダ（１）の前記上面（１ａ）に設けるステップと、
−  前記基板ホルダ（１）を回転アーム（３）に取り付けるステップであって、前記回転アーム（３）は、前記回転アーム（３）の主延在方向の長さ（３Ｌ）を有する、ステップと、
−  前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）の、前記コーティング面（２ａ）の上のサンプル点（２ｐ）を通る面法線と、前記材料源（４）の前記蒸発面（４ａ）の点（４ｍ）から前記コーティング面（２ａ）の上の前記サンプル点（２ｐ）までの接続ベクトル（４２）から導かれるサンプルベクトルとが囲む法線角（φ）が本方法の全体を通して少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°であるように前記回転アーム（３）の前記長さ（３Ｌ）を調節するステップであって、前記長さ（３Ｌ）は、前記回転アーム（３）の前記基板ホルダ（１）とは反対側の端部が固定されるロータリージョイント（５３）を前記基板ホルダ（１）とは反対方向に変位することによってか、または前記回転アーム（３）の前記ロータリージョイント（５３）への固定箇所を変位することによって調節されるステップと、
−  少なくとも１層のコーティング膜（２２）を、前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）を含む側に前記材料源（４）を用いて被着するステップと、を含み、
−  前記コーティング膜（２２）のコーティングプロセス中、前記基板ホルダ（１）は、前記回転アーム（３）の前記主延在方向に沿って延びる基板回転軸を中心に回転される、
コーティング膜の製造方法。
【請求項２】
−  前記基板ホルダ（１）は追加的に、製造公差の範囲内で前記材料源（４）の前記主コーティング方向（Ｚ）に延びる全体回転軸を中心に回転され、
−  前記基板回転軸を中心とした前記回転は第１の回転数（ω１）で行われ、前記全体回転軸を中心とした前記回転は第２の回転数（ω２）で行われ、前記第１の回転数（ω１）は前記第２の回転数（ω２）よりも大きく、
−  少なくとも２つの基板ホルダ（１）が設けられ、
−  前記少なくとも２つの基板ホルダ（１）と前記材料源（４）とは、球体の共通の面には配置されない、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板ホルダ（１）は追加的に、製造公差の範囲内で前記材料源（４）の前記主コーティング方向（Ｚ）に延びる全体回転軸を中心に回転される、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板回転軸を中心とした前記回転は第１の回転数（ω１）で行われ、前記全体回転軸を中心とした前記回転は第２の回転数（ω２）で行われ、前記第１の回転数（ω１）は前記第２の回転数（ω２）よりも大きい、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記コーティング面（２ａ）の上の任意の点が前記コーティング面（２ａ）の上の前記サンプル点（２ｐ）として選択される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
複数のコーティング面（２ａ）を有する複数のベース層（２）が前記基板ホルダ（１）の前記上面（１ａ）に配置される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記回転アーム（３）の前記長さ（３Ｌ）は、少なくとも１００ｍｍでありかつ最大でも７００ｍｍである、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記回転アーム（３）の前記長さ（３Ｌ）は、少なくとも２００ｍｍでありかつ最大でも４００ｍｍである、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記コーティング膜（２２）は、前記ベース層（２）の前記基板ホルダ（１）とは反対側の全縁部および全角部を完全に被覆する、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板ホルダ（１）は円板状に設計され、基板ホルダ（１）の上面および／または底面の形は円形であって、前記基板ホルダ（１）の円形上面および／または円形底面の半径は、少なくとも３０ｍｍでありかつ最大でも３５０ｍｍである、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板ホルダ（１）は、少なくとも１つの寸法において、少なくとも３０ｍｍおよび最大でも３５０ｍｍの広がりを有する、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも２つの基板ホルダ（１）が設けられる、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも２つの基板ホルダ（１）と前記材料源（４）とは、球体の共通の面には配置されない、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３の１つの方法によって製造されるオプトエレクトロニクス半導体部品であって、
−  少なくとも１層のベース層（２）と、
−  少なくとも１層のコーティング膜（２２）と、を備える、オプトエレクトロニクス半導体部品であって、
前記少なくとも１層のベース層（２）は、
−  コーティング面（２ａ）と、
−  互いに反対側の２つの径方向側面（２ｒ１，２ｒ２）と、
−  互いに反対側の２つの接線方向側面（２ｔ１，２ｔ２）であって、製造公差の範囲内で前記径方向側面（２ｒ１，２ｒ２）に対して横方向にまたは直交して延びる接線方向側面（２ｔ１，２ｔ２）と、
−  底面（２ｃ）と、
−  前記底面（２ｃ）とは反対側の縁部および角部と、を有し、
前記コーティング膜（２２）は、前記ベース層（２）の前記縁部および角部を完全に被覆し、かつ、外面を有し、前記外面から前記ベース層（２）の少なくとも１つの径方向側面（２ｒ１，２ｒ２）までの最小距離が前記外面から前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）までの最小距離の少なくとも２５％であり、および／または、前記外面から前記ベース層（２）の少なくとも１つの接線方向側面（２ｔ１，２ｔ２）までの最小距離が前記外面から前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）までの最小距離の少なくとも２５％である、
オプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１５】
前記ベース層（２）の前記径方向側面（２ｒ１，２ｒ２）および／または前記接線方向側面（２ｔ１，２ｔ２）の領域の前記コーティング膜（２２）には、前記コーティング膜（２２）を完全に貫通するクラック（２２１）が存在しない、
請求項１４に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１６】
前記ベース層（２）の接線方向側面の上のコーティング膜厚は、外面からベース層（２）のコーティング面（２ａ）までの最小距離の少なくとも３０％である、
請求項１４または１５に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００１】
形状適合的被覆コーティング膜（conformably covering coating）の製造方法を提供することが達成すべき目的の１つである。形状適合的被覆コーティング膜を有するオプトエレクトロニクス半導体部品を提供することが達成すべき他の目的である。
【０００２】
コーティング膜の製造方法を特定する。コーティング膜は例えば、オプトエレクトロニクス半導体部品の金属層、半導体層、または絶縁層でありうる。コーティング膜は好ましくは、薄層（すなわち、厚さが例えば最大でも１０μｍの層）であって、好ましくは不純物をほとんど含まない材料の薄層である。すなわち、この層は好ましくは当該層の材料からなり、かつ例えば最大でも３％、特に最大でも１％の異物を含む。好ましくは、コーティング膜は、材料源としての蒸発源によって設けることができる材料で形成される。
【０００３】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、蒸発面および主コーティング方向を有する材料源を最初に設ける。材料源は例えば、この材料源の内部にコーティング膜用材料を含む。コーティング膜が複数の材料または複数の材料成分を含む場合、複数の材料源を使用することも、複数の材料を用いた１つの材料源を使用することもできる。少なくとも１種類のコーティング膜用材料は、加熱または荷電粒子衝撃等によって材料源から放出される。
【０００４】
材料源の主放射は、主コーティング方向に沿って行われる。換言すれば、材料源によって放出された材料フローは、主コーティング方向において最大である。材料フローは、材料源の蒸発面の少なくとも１つの延在方向（すなわち、主コーティング方向に対する垂直方向）において最小でありうる。
【０００５】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、上面を有する基板ホルダが設けられる。好ましくは、上面は平坦な設計である。換言すれば、上面の進路は、この上面を通って延びる仮想の数学的平面から、回転円板のこの平面に直交する厚さの最大でも＋／−１０％、好ましくは最大でも＋／−５％逸脱する。
【０００６】
基板ホルダの上面は、材料源に対向している。この上面の仮想の広がりは、主コーティング方向と共に９０°未満の角を囲む。本発明において、基板ホルダは、例えば回転円板でありうる。基板ホルダは概して、機械的自己支持材料から形成可能である。換言すれば、基板ホルダの搬送には、基板ホルダをダメージから保護するさらなる支持要素が必要ない。ここで、基板ホルダを複数の層から形成してもよく、この場合、基板ホルダの上面は半導体材料で形成されうる。基板ホルダの上面は、例えばシリコンを含む。
【０００７】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、ベース層が基板ホルダの上面に配置される。ベース層は、基板ホルダとは反対側のコーティング面を備える。ベース層は、コーティング対象の要素、例えばコーティング対象の基板でありうる。コーティング面は、材料源に対向する。その結果、材料源から蒸発した材料をコーティング面に被着可能である。さらに、ベース層は好ましくは、４つの側面を備える。ここで、「コーティング面」という用語を選択していることによって、このコーティング面のみがコーティングされることを意味しない。むしろ、好ましくはベース層の側面もコーティングされる。むしろコーティング面とは、主コーティング面（すなわち、コーティング面の材料源に対する位置およびコーティング面の幾何学的寸法により、量的に最大量の材料が材料源から堆積される面）である。
【０００８】
ベース層の形状は例えば、直方体、角錐台、または円錐台に設計される。ここで、４つの側面は、コーティング面と、ベース層の基板ホルダの上面に対向する底面とを接続しうる。ベース層は例えば、未完成のオプトエレクトロニクス半導体部品でありうる。これは、ベース層がオプトエレクトロニクス半導体部品の諸層および／または諸構造を備えうることを意味する。
【０００９】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、基板ホルダは、主延在方向を有する回転アームに取り付けられる。回転アームは、基板ホルダとは反対側の基板ホルダの底面に取り付けられる。回転アームは好ましくは、基板ホルダの底面に固定して接続される。回転アームの主延在方向は、基板の底面に対して垂直に延びる。回転アームは、主延在方向の長さを有する。例えば、回転アームの基板ホルダとは反対側の端部は、ロータリージョイントに固定される。この取付けは例えば、ねじ接続によって機械的に行われる。
【００１０】
基板ホルダの基板回転軸が仮想上伸長するのは好ましくは、回転アームの主延在方向である。ここで、基板回転軸は、基板の上面から底面まで伸長する。好ましくは、基板回転軸は、基板の質量中心を通って延びる。本明細書において、「質量中心」という用語は、幾何学的に正確な質量中心として理解されるべきではなく、製造公差の範囲内での質量中心としてのみ理解されるべきである。例えば、質量中心は、幾何学的に正確な質量中心から基板の直径に対して最大１５％、好ましくは最大１０％逸脱する。
【００１１】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、回転アームの長さは調節される。例えば、対応する長さの回転アームを選択することによって調節を行ってもよい。さらに、ロータリージョイントを基板ホルダとは反対方向に変位することによってか、または回転アームのロータリージョイントへの固定箇所を変位することによって長さ調節を行ってもよい。
【００１２】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、回転アームの長さは、法線角が本方法の全体を通して少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°であるように調節される。法線角は好ましくは、少なくとも４０°でありかつ最大でも６０°である。ここで、法線角とは、ベース層のコーティング面の、コーティング面の上のサンプル点を通る面法線と、サンプルベクトルとが囲む角をいう。サンプルベクトルは、材料源の蒸発面の上の任意の点からベース層のコーティング面の上のサンプル点までの接続ベクトルから導かれる。好ましくは、任意の点ではなく、主コーティング方向が通る点が材料源の蒸発面の上の点として選択される。
【００１３】
例えば、法線角は、回転アームの材料源方向への仮想の広がりと、材料源から回転アームの固定箇所までの接続ベクトルとが囲む角でありうる。
【００１４】
ここで、本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも１層のコーティング膜がベース層のコーティング面を有する側に被着される。以下において、被着することを「コーティングプロセス」ともいい、コーティング時間中に行う。コーティング膜には、コーティング膜厚がある。本明細書において、コーティング膜厚という用語は、コーティング膜のベース層とは反対側の外面から、コーティング膜の下方に位置するベース層の上面または側面の１つまでの最小距離に関する。
【００１５】
コーティング膜を被着することは、材料源を介して行われる。例えば、コーティング膜は、材料源を用いた蒸着によって被着される。コーティングはコーティング時間に行われ、この場合、コーティング時間は好ましくは、ベース層のコーティング面および／または側面が完全に被覆される長さであるように選択される。本明細書において、ベース層の「完全な被覆」という用語は、コーティング後には、ベース層の基板ホルダとは反対側の露出した全外面にもはや自由にアクセスできないこと、および表面全体がコーティング膜によって被覆されることを意味する。したがって、コーティング膜は特に、閉じた層であり、コーティング膜の材料と相互に結合されていない複数の材料を含まない。
【００１６】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、基板ホルダは、少なくとも１層のコーティング膜のコーティング中に基板回転軸を中心に回転される。回転は好ましくは一定の回転数で行われる。換言すれば、回転数はコーティング時間およびコーティングプロセスの間には、それぞれ、変更されない。基板回転軸は、回転アームの主延在方向に延びる。回転アームは好ましくは、自軸を中心に回転される。回転アームの自転は、例えば回転アームが取り付けられるロータリージョイントによって実現可能である。
【００１７】
この場合、基板ホルダの回転によるコーティングプロセス中の法線角の変化が観察されるはずである。回転の中心となる基板回転軸が概して、ベース層を通らないからである。例えば、ベース層は本製造方法の開始時には、基板回転軸の位置よりも材料源に近い。ベース層はコーティングプロセス中の後の時点において、回転によって基板回転軸の位置よりも材料源から遠くに位置する。ベース層から材料源までの距離は、基板回転軸を中心とした回転によって経時的に変化する。その結果、サンプルベクトルが変化し、それにより法線角が変化する。この可変性にもかかわらず、法線角は、本製造方法の全体を通して少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°である。
【００１８】
コーティング膜を製造するための本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、  −  蒸発面（４ａ）および主コーティング方向（Ｚ）を有する材料源（４）を設けるステップと、
−  上面（１ａ）を有する基板ホルダ（１）を設けるステップと、
−  前記基板ホルダ（１）とは反対側のコーティング面（２ａ）を有する少なくとも１層のベース層（２）を前記基板ホルダ（１）の前記上面（１ａ）に設けるステップと、
−  前記基板ホルダ（１）を回転アーム（３）に取り付けるステップであって、前記回転アーム（３）は、前記回転アーム（３）の主延在方向の長さ（３Ｌ）を有する、ステップと、
−  前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）の、前記コーティング面（２ａ）の上のサンプル点（２ｐ）を通る面法線と、前記材料源（４）の前記蒸発面（４ａ）の点（４ｍ）から前記コーティング面（２ａ）の上の前記サンプル点（２ｐ）までの接続ベクトル（４２）から導かれるサンプルベクトルとが囲む法線角（φ）が本方法の全体を通して少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°であるように前記回転アーム（３）の前記長さ（３Ｌ）を調節するステップであって、前記長さ（３Ｌ）は、前記回転アーム（３）の前記基板ホルダ（１）とは反対側の端部が固定されるロータリージョイント（５３）を前記基板ホルダ（１）とは反対方向に変位することによってか、または前記回転アーム（３）の前記ロータリージョイント（５３）への固定箇所を変位することによって調節されるステップと、
−  少なくとも１層のコーティング膜（２２）を、前記ベース層（２）の前記コーティング面（２ａ）を含む側に前記材料源（４）を用いて被着するステップと、を含み、
−  前記コーティング膜（２２）のコーティングプロセス中、前記基板ホルダ（１）は、前記回転アーム（３）の前記主延在方向に沿って延びる基板回転軸を中心に回転される。
【００１９】
本明細書において説明した本法の基礎を成すアイディアは特に、法線角が少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°であるように回転アームの長さを正確に調節することによってベース層の均一なコーティングが実現可能であることである。その結果、ベース層の縁部および／または角部の形状適合的コーティングが可能になる。さらに、クラックが存在せず、ひいては密封されたコーティングの製造が可能になる。
【００２０】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、基板ホルダは追加的に、製造公差の範囲内で材料源の主コーティング方向に延びる全体回転軸（overall axis of rotation）を中心に回転される。好ましくは、回転はコーティングプロセス全体を通して実施される。材料源から蒸発した材料フローのばらつきは、全体回転軸を中心とした回転によって補償可能である。
【００２１】
基板回転軸と全体回転軸とを中心に同時に回転することによって、本発明では形状適合的コーティングが実現される。基板回転軸を中心とした回転によって、特に、ベース層の側面を均一にコーティングすることができる。回転に応じた法線角の変化に関して既に説明したように、ベース層の材料源までの距離は、基板回転軸を中心とした回転中に変化する。したがって、例えば、最初は材料源までの距離が異なりうる２層のベース層をコーティングする場合に、距離が異なることに起因するコーティング膜厚のばらつきを補償可能である。
【００２２】
そのようなコーティング膜厚のばらつきは、材料源によって放出された材料フローが、材料源までの距離の増加につれて２次関数的に減少すること（いわゆる距離２乗則（distance-square law））に由来する。したがって、最初は第２のベース層よりも材料源に近い第１のベース層が、後の時点では第２のベース層よりも材料源から離れる。さらに、回転によって、ベース層の側面の均一なコーティングが可能である。基板回転軸を中心とした回転中にいずれかの側面が材料源に対向するからである。したがって、各側面の材料源に対する、特に材料源の主コーティング方向に対する向きは、基板回転軸を中心とした回転によってコーティングプロセス中に変化する。
【００２３】
さらに、全体回転軸を中心とした回転によって、材料源によって放出された材料フローのばらつきが補償される。理想的には、材料フローは、主コーティング方向に対して、ひいては全体回転軸に対して回転対称でありうる。しかしながら、実際の材料源の材料フローは、回転対称から逸脱する。この逸脱は、全体回転軸を中心とした回転によって補償される。
【００２４】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、基板回転軸を中心とした回転は第１の回転数で行われ、全体回転軸を中心とした回転は第２の回転数で行われる。ここで、第１の回転数は、第２の回転数よりも大きい。例えば、第１の回転数は、第２の回転数よりも少なくとも４倍、好ましくは５．２５倍大きい。換言すれば、基板回転軸を中心とした回転は、全体回転軸を中心とした回転よりも大幅に速い。異なる回転数を選択することは、材料源に対する側面の向きが異なる結果として生じうるコーティング膜厚のばらつきが、材料源の材料フローが不均等である結果として生じうるコーティング膜厚のばらつきよりも大幅に大きいことの説明になっている。
【００２５】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、コーティング面の上の任意の点がサンプル点として選択される。換言すれば、法線角を規定するコーティング面の面法線は、ベース層のコーティング面の上の任意の点を通りうる。その結果、コーティング面の上の任意のサンプル点を通る、コーティング面の任意の面法線とサンプルベクトルとの各法線角は、法線角が少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°であるという上記条件をコーティング時間に亘って満たす。
【００２６】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、それぞれが１つのコーティング面を有する複数のベース層が基板ホルダの上面に配置される。複数のベース層のそれぞれのコーティング面の各法線角は、少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°である。
【００２７】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、回転アームの長さは、この長さが少なくとも１００ｍｍでありかつ最大でも７００ｍｍであるように調節される。回転アームの長さの選択は、コーティング装置の大きさに依存し、そのコーティング装置の尺度で設計される。好ましくは、この長さは少なくとも２００ｍｍでありかつ最大でも４００ｍｍであり、また、さらに好ましくは少なくとも２２０ｍｍでありかつ最大でも３００ｍｍである。この場合、この領域の回転アームの長さを選択することによって、少なくとも３０°の法線角を設定することも、多数の基板を設けることもでき、これらは、空間が限られていることから基板同士が互いに接触すること、および／または基板ホルダの上面が材料源からの材料フローによって陰になることなく可能である。
【００２８】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、コーティング膜は、ベース層の基板ホルダとは反対側の全縁部および全角部を完全に被覆する。換言すれば、ベース層は、コーティング膜によって形状適合的におよび隙間なく被覆される。コーティング膜のコーティング後、ベース層の基板ホルダとは反対側の外面（すなわち、ベース層のコーティング面および全側面）には、もはや自由にアクセスできない。同様に、ベース層の縁部および角部は、完全に被覆される。本明細書において、ベース層の縁部とは、側面がコーティング面に突き当たる場所である。本明細書において、ベース層の角部とは、２つの側面とコーティング面とが重なる場所である。例えば正方形のベース層は、基板ホルダとは反対側の４つの縁部、および基板ホルダとは反対側の４つの角部を備える。例えば円錐台形状のベース層は、外殻面が円錐台の上面と突き当たる箇所である、基板ホルダとは反対側の１つの縁部のみを備える。ここで、「縁部」および／または「角部」という用語は、厳密に幾何学用語として理解されるべきではなく、むしろ製造公差の範囲内で丸みのある縁部および／または角部を含む。
【００２９】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、基板ホルダは円板状に設計される。この場合、基板ホルダの上面および／または底面の形は円形である。ここで、基板ホルダの円形上面および／または円形底面の半径は、少なくとも３０ｍｍでありかつ最大でも３５０ｍｍである。好ましくは、この半径は、少なくとも４０ｍｍでありかつ最大でも２００ｍｍであり、特に好ましくは最大でも１２０ｍｍである。ここで、基板回転軸は、円形上面および／または円形底面の中心点を通って延びる。ここで、「円形」、「円形の」、「円板」、「円板状」、「半径」、および「中心点」という用語は、正確に幾何学用語として理解されるべきではなく、むしろ製造公差の範囲内で解釈されるべき情報として理解されるべきである。例えば、これら上面および／または底面の形状は略円形の楕円であってもよく、この楕円の数値的な離心率は最大でも１０％でありうる。
【００３０】
ここで、平面視における基板ホルダの外形は、円形に近づけることができるのみである。例えば、基板ホルダは平面視において、クローバーの葉の形、特に四葉のクローバーの形を有しうる。この場合、クローバーの葉の形を、平面視における円で囲むことができる。ここで、平面視において、基板ホルダは少なくとも１本の対称軸、好ましくは少なくとも２本の対称軸、特に好ましくは少なくとも４本の対称軸を有しうる。基板ホルダは、少なくとも１つの空間的寸法において、少なくとも３０ｍｍでありかつ最大でも３５０ｍｍの広がりを有しうる。
【００３１】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも２つの基板および少なくとも２つの回転アームが設けられる。好ましくは、複数のベース層が、各基板に配置される。これら２つの基板のそれぞれは１本の回転アームに配置され、この場合、各基板ホルダは独自に１つの回転アームに割り当てられる。２つの回転アームの長さは好ましくは、製造公差の範囲内で等しい。しかしながら、回転アームの長さが異なることも可能である。これにより、例えば、２つの基板に配置されたベース層の異なるコーティングが可能になる。
【００３２】
２つの基板は、それぞれ、基板回転軸を中心に回転し、各回転アームの主延在方向はこれら基板回転軸のそれぞれを通る。両基板は好ましくは、同一の第１の回転数で回転する。しかしながら、２つの基板の回転数は互いに異なることもできる。例えば、２つの基板のベース層に構造的に異なるコーティング膜を被着する場合に、２つの基板の回転数は異なりうる。
【００３３】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも２つの基板と材料源とは、球体の共通の面には配置されない。例えば、材料源を球体の共通の面には配置せずに、２つの基板を球体の共通の面に配置してもよい。したがって、２つの基板と材料源との両方が表面の少なくとも所々に配置された、球体を空間内に定義することはできない。
【００３４】
対称的に、いわゆるクヌーセン歯車（Knudsen gear）または遊星歯車の基板および材料源が球体の共通の面に配置される。本明細書に記載の方法とは異なり、そのようなクヌーセン歯車または遊星歯車のそれぞれを用いたコーティング方法には、ベース層の縁部がコーティング膜によって均一に被覆されず、むしろ基板ホルダ上のベース層の向きおよび位置による過度なコーティングの非対称性が生じる欠点が伴う。さらに、そのようなクヌーセン歯車または遊星歯車のそれぞれを使用したコーティングプロセス中、コーティング対象の縁部領域において、コーティング膜に間隙およびクラックが形成される。
【００３５】
さらに、オプトエレクトロニクス半導体部品を提供する。本オプトエレクトロニクス半導体部品のコーティング膜は好ましくは、本明細書に記載の方法で製造されている。すなわち、本方法について開示した特徴の全ては本オプトエレクトロニクス半導体部品のコーティング膜についても開示されており、その逆も同様である。
【００３６】
オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、この部品は、コーティング面と、互いに反対側に配置された２つの径方向側面とを有する少なくとも１層のベース層を備える。さらに、ベース層は、互いに反対側の２つの接線方向側面を備え、これら接線方向側面は製造公差の範囲内で径方向側面に対して横方向にまたは直交して延びている。好ましくは、２つの径方向側面のそれぞれは、１つの接線方向側面に隣接しており、逆も同様である。例えば、ベース層の形状は、直方体または角錐台に設計されている。この場合、径方向側面は、製造公差の範囲内で互いに平行に配置されうる。同様に、接線方向側面は、製造公差の範囲内で互いに平行に配置されうる。ここで、径方向側面は、それぞれ、基板回転軸側または基板回転軸とは反対側に面する側面であることができる。接線方向側面は、第１の回転数の回転方向に延びる少なくとも１本の面法線を含む側面であることができる。
【００３７】
ベース層は、底面ならびに、底面とは反対側の縁部および角部であって、接線方向側面または径方向側面がコーティング面と突き当たる箇所である縁部および角部をさらに備える。
【００３８】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、この部品は、少なくとも１層のコーティング膜を備える。コーティング膜は、ベース層の縁部および角部を完全に被覆している。換言すれば、コーティング膜は形状適合的にベース層を被覆している。例えば、コーティング膜は、オプトエレクトロニクス半導体部品の絶縁層でありうる。さらに、コーティング膜は、オプトエレクトロニクス半導体部品の反射層および／または電気接続層でありうる。また、コーティング膜は、オプトエレクトロニクス半導体部品の半導体層であることもできる。形状適合的コーティング膜によって、例えば、ベース層を外部に対して密封可能であり、かつ気体および／または液体の侵入から保護可能である。さらに、形状適合的コーティング膜は、高反射性層の製造用に使用可能である。
【００３９】
コーティング膜の材料は、高純度でありうる。例えば、コーティング膜の不純物原子の量の比率は、コーティング膜の材料の原子の最大でも３％、好ましくは最大でも１％である。特に、蒸着による製造は、コーティング膜の材料の純度によって実証可能である。したがって、コーティング膜が蒸着によって製造されたという特徴は、完成した部品において検証可能な客観的特徴である。
【００４０】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、この部品は、コーティング面、互いに反対側の２つの径方向側面、製造公差の範囲内で径方向側面に対して横方向にまたは直交して延びる互いに反対側の２つの接線方向側面、底面、ならびに、底面とは反対側の縁部および角部を有する少なくとも１層のベース層と、少なくとも１層のコーティング膜とを備え、コーティング膜はベース層の縁部および角部を完全に被覆している。
【００４１】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、コーティング膜は外面を備える。ベース層の少なくとも１つの径方向側面の上のコーティング膜厚は、ベース層のコーティング面の上のコーティング膜厚の少なくとも２５％である。換言すれば、コーティング膜のコーティング膜厚は均一に設計されている。本明細書において、ベース層の径方向側面および／または接線方向側面および／またはコーティング面の上のコーティング膜厚は、コーティング膜の外面の少なくとも１つから径方向側面および／またはコーティング面までの最小距離である。
【００４２】
さらに、少なくとも１つの径方向側面の上のコーティング膜厚と、コーティング面の上のコーティング膜厚との比較によって、本方法において選択された法線角が検証可能である。径方向側面の上のコーティング膜厚は、法線角の増大に伴って増加する。７５°＋／−５°の法線角において、少なくとも１つの径方向側面の上のコーティング膜厚は、コーティング面の上のコーティング膜厚に一致しうる。したがって、最適で均一なコーティング膜が、上記角度によって形成されうる。しかしながら、本発明において、基板ホルダに取り付けられたベース層の数および／または基板ホルダの大きさ等のさらなる要因を考慮すると、均一性の最適条件が３０°の法線角で既に実現可能であることが分かった。
【００４３】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、ベース層の接線方向側面の上のコーティング膜厚は、外面からベース層のコーティング面までの最小距離の少なくとも３０％である。したがって、接線方向側面は、径方向側面よりも均一にコーティング可能である。
【００４４】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、ベース層の径方向側面および／または接線方向側面の領域のコーティング膜には、層を完全に貫通するクラックが存在しない。換言すれば、クラックの存在しないコーティング膜および／または密封コーティング膜が、本明細書において提供されるコーティング膜の製造方法によって製造可能である。
【００４５】
以下、本明細書に記載のコーティング膜の製造方法、および一方法で製造したコーティング膜を有する本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を、例示的実施形態および関連する各図を参照して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本明細書に記載の方法を実行するための配置構造の例示的実施形態を示す概略側面図である。
【図２】本明細書に記載の方法を詳細に説明するための概略図である。
【図３】本明細書に記載の方法を詳細に説明するための概略スケッチである。
【図４】本明細書に記載の方法を詳細に説明するための概略スケッチである。
【図５】本明細書に記載の方法を説明するためにコーティング膜のコーティング膜厚の角度依存性を示す図である。
【図６】本明細書に記載の方法を説明するために回転アームの長さに応じたコーティング膜のコーティング膜厚を示す図である。
【図７】本明細書に記載の方法を説明するために幾何学的関係およびコーティング膜厚の経時的変化を示す図である。
【図８】本明細書に記載の方法を説明するために幾何学的関係およびコーティング膜厚の経時的変化を示す図である。
【図９Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的実施形態を概略断面図および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像によって表した図である。
【図９Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的実施形態を概略断面図および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像によって表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
同一、類似、または同等の要素には、各図において同一の参照番号を付す。各図、および図面に例示された要素の寸法関係は、正しい縮尺ではないものと理解される。むしろ、より良い例示のために、および／またはより理解されるように、個々の要素は、誇張して例示されうる。
【００４８】
図１の概略側面図によって、コーティング膜の製造方法を詳細に説明する。この側面図は、コーティング膜２２の製造のための配置構造をスケッチした図である。この配置構造には、蒸発面４ａを有する材料源４が含まれる。材料源４は、主コーティング方向Ｚを含む。主コーティング方向Ｚは、蒸発面４ａの平面に延びる２つの方向Ｘ，Ｙと共にデカルト座標系Ｘ，Ｙ，Ｚを形成する。
【００４９】
さらに、この配置構造には、回転ホルダ５１、固定アーム５２、およびロータリージョイント５３が含まれる。ロータリージョイント５３は、固定アーム５２によって回転ホルダ５１に固定される。回転アーム３がロータリージョイント５３に取り付けられる。回転アーム３は、回転アーム３の主延在方向の長さ３Ｌを有する。基板ホルダ１が回転アーム３に取り付けられる。回転アーム３が基板ホルダ１を通って仮想的に伸長する場合、好ましくは基板ホルダ１の質量中心を通って延びる。第２の回転アーム３の第２の基板ホルダ１が図１の右側に例示されている。ここで、構造は、図１の左側の基板ホルダ１と同一である。
【００５０】
回転ホルダ５１、固定アーム５２、ロータリージョイント５３、回転アーム３、および基板ホルダ１を含む配置構造全体は、材料源４の主コーティング方向Ｚに延びる全体回転軸を中心に第２の回転数ω２で回転する。さらに、回転アーム３は、回転アーム３の主延在方向に延びる基板回転軸１１を中心に第１の回転数ω１で自転する。
【００５１】
基板ホルダ１は、上面１ａを含む。ベース層２が上面１ａに取り付けられる。サンプル点２ｐのマークがベース層２のコーティング面２ａに付される。本発明では、サンプル点２ｐは、回転アーム３に沿って延びる基板回転軸１１が仮想上伸長するのがサンプル点２ｐを通るように選択される。しかしながら、サンプル点２ｐは、ベース層２のコーティング面２ａの上で任意に選択可能である。
【００５２】
材料源４の蒸発面４ａの上の点４ｍからサンプル点２ｐまでの接続ベクトルがサンプルベクトル４２を形成する。サンプルベクトル４２と、サンプル点２ｐを通る面法線２９１とが法線角φを囲む。法線角φは、回転アーム３の長さ３Ｌの変化によって設定される。ここで、法線角φは、少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°である。法線角φは好ましくは、少なくとも４０°でありかつ最大でも６０°である。
【００５３】
図２の概略的なスケッチを参照して、コーティング膜の製造方法を詳細に説明する。図２は、蒸発面４ａを有する材料源４、および材料源４の蒸発面４ａの上の点４ｍを示す。材料源４の主コーティング方向Ｚは、蒸発面４ａの上の点４ｍを通る。このスケッチはまた基板ホルダ１を示す。基板ホルダ１は、回転アーム３に配置されており、この回転アーム３の主延在方向に沿って基板回転軸１１が延びる。回転アーム３は、基板回転軸１１を中心に第１の角速度ω１で回転する。
【００５４】
ベース層２は、基板ホルダ１の上面１ａに配置される。ベース層２は、コーティング面２ａならびに、径方向側面２ｒ１，２ｒ２および接線方向側面２ｔ１，２ｔ２を備える。正の径方向側面２ｒ１は、ベース層２の回転アーム３側に、負の径方向側面２ｒ２は、ベース層２の回転アーム３とは反対側に存在することができる。正の接線方向側面２ｔ１は、基板回転軸１１を中心とした回転方向において負の接線方向側面２ｔ２（図２では図示せず）の前に配置されている。換言すれば、正の接線方向側面２ｔ１の少なくとも１本の面法線が上記回転方向に対して平行に延び、負の接線方向側面２ｔ２の少なくとも１本の面法線が上記回転方向に対して逆平行に延びている。径方向側面２ｒ１，２ｒ２は、互いに反対側に位置している。同様に、接線方向側面２ｔ１，２ｔ２は、互いに反対側に位置している（図２では図示せず）。製造公差の範囲内で、接線方向側面２ｔ１，２ｔ２は、径方向側面２ｒ１，２ｒ２に直交している。
【００５５】
サンプル点２ｐがベース層２のコーティング面２ａに位置している。サンプル点２ｐは、回転アーム３からの距離３２を有する。さらに、ベース層２は、材料源までの中間距離Ｄを有する。
【００５６】
材料源４の蒸発面４ａの上の点４ｍからベース層２のコーティング面２ａの上のサンプル点２ｐまでの接続ベクトルから導かれるサンプルベクトル４２は、主コーティング方向Ｚと共に材料角θを囲む。同様に、サンプルベクトル４２は、サンプル点２ｐを通る面法線２９１と共に法線角φを囲む。
【００５７】
径方向ベクトル２９２は、コーティング面２ａに沿って延びる。径方向ベクトル２９２は、サンプル点２ｐを通る面法線２９１に直交する。径方向ベクトル２９２は、サンプルベクトル４２と共に径方向角αを囲む。面法線２９１、径方向ベクトル２９２、および接線方向ベクトル２９３（図示せず）は、材料源４によって規定されるデカルト座標系Ｘ，Ｙ，Ｚに対して回転された３次元のデカルト座標系を形成する。接線方向ベクトル２９３は、面法線２９１および径方向ベクトル２９２に直交しており、また、図２の描写の平面から外側方向に延びる。
【００５８】
コーティングプロセス中の、図２に表される時点において、負の径方向側面２ｒ２は、材料源４の方向を向いていることにより、直接的にコーティング可能である。一方、正の径方向面２ｒ１は、材料源４とは反対方向を向いていることにより、不十分にのみコーティング可能であるか、または全くコーティング不可能である。したがって、負の径方向側面２ｒ２は、材料源４の材料でより多くコーティング可能である。後の時点（例えば、基板ホルダ１が基板回転軸１１を中心に半回転した後の時点）では、正の径方向側面２ｒ１が材料源４の方向を向き、負の径方向側面２ｒ２が材料源４とは反対方向を向く。したがって、基板回転軸１１を中心とした回転によって、径方向側面２ｒ１，２ｒ２の均一なコーティングが可能となる。
【００５９】
図３の概略図を参照して、本明細書に記載のコーティング膜２２の製造方法を詳細に説明する。材料源４によって規定される座標系Ｘ，Ｙ，Ｚにおけるベース層２のコーティング面２ａの上のサンプル点２ｐ１，２ｐ２の計算上の経時的位置を示す。原点は、材料源４の蒸発面４ａの上の点４ｍから導かれる。
【００６０】
第１のサンプル点２ｐ１は、基板回転軸１１までの距離３２が大きくなるように配置される。第２のサンプル点２ｐ２は、第２のサンプル点２ｐ２が基板回転軸１１の位置からわずかに逸脱するのみである（すなわち、第２のサンプル点２ｐ２の基板回転軸１１までの距離３２が限りなく小さくなる）ように配置される。したがって、第１のサンプル点２ｐ１の時間依存位置は、基板回転軸１１を中心とした回転および全体回転軸を中心とした回転の両方に影響される。第２のサンプル点２ｐ２の時間依存位置は、全体回転軸を中心とした回転のみに影響される。
【００６１】
この影響の違いは例えば、第２のサンプル点２ｐ２の位置の時間的変化よりも第１のサンプル点２ｐ１の位置の時間的変化が大きいことから識別可能である。第１のサンプル点２ｐ１は、材料源４を中心に２軸で回転する。したがって、第１のサンプル点２ｐ１は、第２のサンプル点２ｐ２よりも複雑に移動し、サンプルベクトル４２との法線角φをより大きく変化させる。
【００６２】
さらに、図３は、面法線２９１、径方向ベクトル２９２、および接線方向ベクトル２９３によって張られた回転されたデカルト座標系２９１，２９２，２９３をスケッチした３次元の図を示す。接線方向ベクトル２９３は、基板回転軸１１を中心に第１の回転数ω１で回転する回転方向に対して平行である。径方向ベクトル２９２は、サンプル点２ｐ１，２ｐ２が位置するコーティング面２ａに対して平行である。
【００６３】
図４のスケッチを参照して、コーティング膜の製造方法を詳細に説明する。このスケッチは、コーティングプロセス中の任意の時点におけるサンプル点２ｐを示す。さらに、回転アーム３、および回転アーム３に一致する基板回転軸１１が示されている。回転されたデカルト座標系２９１，２９２，２９３がサンプル点２ｐの位置に例示されている。
【００６４】
面法線２９１は、サンプルベクトル４２と共に法線角φを囲む。径方向ベクトル２９２は、サンプルベクトル４２と共に径方向角αを囲む。接線方向ベクトル２９３は、サンプルベクトル４２と共に接線方向角βを囲む。
【００６５】
基板回転軸および／または全体回転軸を中心とした回転によって、径方向角α、接線方向角β、および法線角φは、基板ホルダ１の回転中に変化する。
【００６６】
図５の正規化されたコーティング膜厚６１，６２の計算上の角度依存性を参照して、コーティング膜の製造方法を詳細に説明する。例示されているのは、コーティング面２ａの上のコーティング膜厚に対して正規化された、法線角φの角度に応じたコーティング膜厚｜ｄ｜である。図５は、コーティング面２ａの上の正規化されたコーティング膜厚６１、およびベース層２の側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化された中間コーティング膜厚６２を示し、このコーティング膜厚６２は、各側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化された各コーティング膜厚の中間値を表す。
【００６７】
コーティング膜厚の計算のために、材料源４によって放出された材料フローＩが材料角θと、材料源４からベース層２までの中間距離Ｄとに以下のように比例して依存することが仮定される。
Ｉ（θ，Ｄ）〜ｃｏｓ（θ）ｎ＊Ｄ−２ 
この場合、材料パラメータｎは、材料源４の材料に依存する。例えば、金の場合にｎ＝３が当てはまる。したがって、材料フロー４には、距離２乗則と共に回転対称のコサイン依存性が想定される。
【００６８】
側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化された中間コーティング膜厚６２は、法線角φの増大に伴って大きくなる。最大限均一なコーティング膜が、約７２．４°の法線角φを用いて実現される。この角度では、側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化された中間コーティング膜厚６２と、コーティング面２ａの上の正規化されたコーティング膜厚６１とが同じ大きさである。したがって、７２．４°の角度においては、ベース層２の最大限に形状適合的および一様なコーティングを期待することができる。
【００６９】
しかしながら、ベース層２の十分に一様なおよび形状適合的なコーティングが少なくとも３０°の法線角φから既に実現可能であることが分かった。さらに、より小さい法線角φでより多数のベース層２とすることができる。基板ホルダ１が材料源４からより遠くに配置可能であり、したがってより多くの基板ホルダ１および／またはより大型の基板ホルダ１が単一の材料源４と共に使用可能だからである。
【００７０】
図６の計算上の正規化されたコーティング膜厚７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２を参照して、本明細書に記載のコーティング膜の製造方法を詳細に説明する。図５とは対照的に、図６では、各側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化されたコーティング膜厚が用いられている。正規化されたコーティング膜厚７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２は、回転アーム３の長さ３Ｌに応じて示されている。
【００７１】
各点は、正の径方向側面２ｒ１の上の正規化されたコーティング膜厚７１１，７１２、負の径方向側面２ｒ２の上の正規化されたコーティング膜厚７２１，７２２、接線方向側面２ｔ１，２ｔ２の上の正規化されたコーティング膜厚７３１，７３２、およびコーティング面２ａの上の正規化されたコーティング膜厚６１を表す。接線方向側面２ｔ１，２ｔ２の正規化されたコーティング膜厚７３１，７３２は、正の接線方向側面２ｔ１および負の接線方向側面２ｔ２について別々に表されてはいない。２つの接線方向側面２ｔ１，２ｔ２の正規化されたコーティング膜厚が同一だからである。塗りつぶされたデータ点７１１，７２１，７３１は、それぞれ、直径１５０ｍｍの基板ホルダの場合の正規化されたコーティング膜厚を表し、塗りつぶされていない点７１２，７２２，７３２は、それぞれ、直径５０ｍｍの基板ホルダの場合の正規化されたコーティング膜厚の計算結果を表す。
【００７２】
長さ３Ｌが大きくなるにつれて法線角φは大きくなり、したがって、各側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上の正規化されたコーティング膜厚も同様に大きくなる。その結果、コーティング膜厚の均一性が向上する。特に、接線方向側面２ｔ１，２ｔ２には、一様な、および形状適合的なコーティングが可能である。約４６０ｍｍの長さ３Ｌで、約７２．４°の最適な法線角φが実現される。
【００７３】
図７に例示する時間依存経過図を参照して、本明細書に記載の方法を詳細に説明する。秒単位の回転時間ｔに応じた法線角φ、接線方向角β１，β２、径方向角α１，α２、および材料角θが示されている。ここで、基板ホルダの回転は、第１の接線方向角β１、第２の接線方向角β２、第２の径方向角α１、および第２の径方向角α２が特定されることによって説明される。サンプルベクトル４２は、接線方向ベクトル２９３または径方向ベクトル２９２と共に、それぞれ、第１の接線方向角β１または第１の径方向角α１を囲む。さらに、サンプルベクトル４２は、数学的に逆の（すなわち負の）接線方向ベクトル２９３または数学的に逆の（すなわち負の）径方向ベクトル２９２と共に、それぞれ、第２の接線方向角β２または第２の径方向角α２を囲む。
【００７４】
さらに、図７の時間依存経過図において、サンプルベクトル４２の時間依存長さをミリメートル単位で示す。基板回転軸１１を中心とした回転は、１２０秒で終止する。したがって、第１の回転数ω１は１／１２０Ｈｚである。したがって、時間依存経過図は１２０秒後繰り返される。
【００７５】
角度φ，α１，α２，β１，β２，θ、およびサンプルベクトル４２の長さは、回転中に変化する。法線角φは、回転中に亘って少なくとも３０°でありかつ最大でも７５°である。法線角φは例えば、鋭角３５°および６５°に対応して１２５°〜１５５°の間で変化する。
【００７６】
図８の時間依存成膜速度を参照して、本明細書に記載のコーティング膜２２の製造方法を詳細に説明する。ここで、成膜速度とは、材料源４の材料がベース層２の各面２ａ、２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の上に成膜される速度である。ベース層２への時間依存成膜速度（任意単位（ａ．ｕ．））を回転時間（秒単位）の関数として例示する。図８は、コーティング面２ａへの成膜速度８１、正の径方向側面２ｒ１への成膜速度８２１、負の径方向側面２ｒ２への成膜速度８２２、正の接線方向側面２ｔ１への成膜速度８３１、および負の接線方向側面２ｔ２への成膜速度８３２を表す。
【００７７】
コーティングの各成膜速度は、経時的に変化する。したがって、最初、コーティング面２ａへの成膜速度８１および正の径方向側面２ｒ１への成膜速度８２１は、最大になっている。基板回転軸１１を中心とした回転に伴い、側面２ｒ１，２ｒ２，２ｔ１，２ｔ２の材料源４に対する向きが変化する。したがって、例えば、負の接線方向側面２ｔ２への成膜速度８３２が大きくなる一方、コーティング面２ａへの成膜速度８１が小さくなっている。半回転後、時間ｔ＝６０ｓで負の径方向面２ｒ２への成膜速度８２２が最大になっている。ｔ＝約８０ｓの時点から、正の接線方向側面２ｔ１への成膜速度８３１およびコーティング面２ａへの成膜速度８１が増加している。回転の終了前、ｔ＝約１００ｓの時点から、正の径方向面２ｒ１への成膜速度８２１が再度増加している。この場合、各曲線の積分が図５および図６のコーティング膜厚を表す。
【００７８】
図９Ａおよび図９ＢのＳＥＭ画像を参照して、本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的実施形態を詳細に説明する。図９Ａは、本明細書に記載の方法で製造されたのではないコーティング２２を有するオプトエレクトロニクス半導体部品の図である。図９Ｂは、本明細書に記載の方法で製造されたコーティング２２を有するオプトエレクトロニクス半導体部品の図である。
【００７９】
図９Ａのオプトエレクトロニクス部品では、コーティング対象のベース層２の縁部にクラック２２１を識別することができる。コーティング膜２２内のこれらクラックは、図９Ｂのオプトエレクトロニクス半導体部品には存在しない。さらに、図９Ｂでは、オプトエレクトロニクス半導体部品またはコーティング膜２２が本明細書に記載の方法で製造されたことがはっきりと認められる。したがって、側面２ｒ１，２ｒ２の上のコーティング２２のコーティング膜厚２２３は、ベース層２のコーティング面２ａの上のコーティング膜厚２２４の約半分の厚さである。このことによって、約４５°の法線角φが使用されたという結論が導かれる。
【００８０】
本発明は、例示的実施形態に関する説明によって、これら例示的実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明は、新規な特徴および特徴の組合せ（特に請求項中の特徴の任意の組合せを含む）のそれぞれを、当該特徴または特徴の当該組合せ自体が請求項または例示的実施形態に明示的に特定されていないとしても包含するものである。
【００８１】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１４１０８３４８．２号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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