(57)【要約】【課題】本発明は、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる絶縁電線を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記１又は複数の絶縁層の少なくとも１層が、樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを備え、上記樹脂マトリックスがポリイミド及びポリエーテルスルホンを含有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線であって、
上記１又は複数の絶縁層の少なくとも１層が、樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを備え、
上記樹脂マトリックスがポリイミド及びポリエーテルスルホンを含有する絶縁電線。
【請求項２】
上記樹脂マトリックスが海島構造を有し、
上記海島構造の海相の主成分が上記ポリイミド、島相の主成分が上記ポリエーテルスルホンである請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
上記樹脂マトリックス中のポリエーテルスルホンの含有量が５質量％以上３０質量％以下である請求項１又は請求項２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
上記気泡が、複数の熱分解性樹脂粒子に由来する請求項１、請求項２又は請求項３に記載の絶縁電線。
【請求項５】
上記気泡の含有率が５体積％以上７０体積％以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の絶縁電線。
【請求項６】
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニス。
【請求項７】
上記気泡形成粒子が、熱分解性樹脂粒子である請求項６に記載の樹脂ワニス。
【請求項８】
線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線の製造方法であって、
上記導体の外周側に、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを塗布する塗布工程と、
上記塗布された樹脂ワニスを加熱する加熱工程と
を備える絶縁電線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線、樹脂ワニス及び絶縁電線の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
適用電圧が高い電気機器、例えば高電圧で使用されるモータ等では、電気機器を構成する絶縁電線に高電圧が印加され、その絶縁被膜表面で部分放電（コロナ放電）が発生し易くなる。コロナ放電の発生によって、局部的な温度上昇、オゾンの発生、イオンの発生等が引き起こされると、早期に絶縁破壊を生じ、絶縁電線ひいては電気機器の寿命が短くなる。このため、適用電圧が高い電気機器に使用される絶縁電線には、優れた絶縁性、機械的強度等に加えてコロナ放電開始電圧を高めることも求められる。
【０００３】
コロナ放電開始電圧を上げるためには、導体の外周面に積層される絶縁被膜の誘電率を小さくすることが有効である。このような低い誘電率の絶縁被膜として、気泡を有する発泡樹脂層が用いられる絶縁電線が提案されている（特開平１０−１６８２４８号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１６８２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記公報に記載の絶縁電線は、発泡樹脂層が気泡を有するため、この気泡に起因して発泡樹脂層の密着力が低下するおそれがある。つまり、従来の絶縁電線にあっては、絶縁層の低誘電率化と密着力とはトレードオフの関係にある。
【０００６】
本発明は以上のような事情に基づいたものであり、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる絶縁電線、樹脂ワニス及び絶縁電線の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記１又は複数の絶縁層の少なくとも１層が、樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを備え、上記樹脂マトリックスがポリイミド（以下、「ＰＩ」ともいう。）及びポリエーテルスルホン（以下、「ＰＥＳ」ともいう。）を含有する。
【０００８】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る樹脂ワニスは、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する。
【０００９】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る絶縁電線の製造方法は、線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線の製造方法であって、上記導体の外周側に、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを塗布する塗布工程と、上記塗布された樹脂ワニスを加熱する加熱工程とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の絶縁電線及び樹脂ワニスは、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる。また、本発明の絶縁電線の製造方法は、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる絶縁電線を容易かつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る絶縁電線を示す模式的断面図である。
【図２】図１の絶縁電線の模式的部分拡大図である。
【図３】図１の絶縁電線とは異なる実施形態に係る絶縁電線を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明の実施形態の説明］
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記１又は複数の絶縁層の少なくとも１層が、樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを備え、上記樹脂マトリックスがポリイミド及びポリエーテルスルホンを含有する。
【００１３】
当該絶縁電線は、上記樹脂マトリックスがＰＩと共にＰＥＳを含有するので、この絶縁層の密着力の低下を抑制することができる。そのため、当該絶縁電線は、絶縁層に比較的多くの気泡を分散することができる。従って、当該絶縁電線は、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる。なお、上記樹脂マトリックスがＰＩ及びＰＥＳを含有することによって絶縁層の密着力の低下を抑制することができる理由は定かではないが、ＰＥＳが接着剤として機能することで絶縁層の密着性の低下を抑制しているものと考えられる。
【００１４】
上記樹脂マトリックスが海島構造を有し、上記海島構造の海相の主成分が上記ポリイミド、島相の主成分が上記ポリエーテルスルホンであるとよい。このように、上記海島構造の海相の主成分がＰＩ、島相の主成分がＰＥＳであることによって、絶縁層の密着力の向上に寄与するＰＥＳが樹脂マトリックス中に均一に分散され易い。そのため、絶縁層の密着力の低下を容易かつ確実に抑制することができる。
【００１５】
上記樹脂マトリックス中のポリエーテルスルホンの含有量としては、５質量％以上３０質量％以下が好ましい。このように、上記樹脂マトリックス中のＰＥＳの含有量が上記範囲内であることで、絶縁層の機械的特性を維持しつつこの絶縁層の密着力の低下を抑制することができる。
【００１６】
上記気泡が、複数の熱分解性樹脂粒子に由来するとよい。このように、上記気泡が、複数の熱分解性樹脂粒子に由来することによって、絶縁層の密着力の低下を容易かつ確実に抑制することができる。つまり、上述の従来技術のように、発泡剤を発泡させることで絶縁層に気泡を形成する場合、気泡形成時の発泡剤の発泡に起因して絶縁層が膨張する。これに対し、気泡が熱分解性樹脂に由来する場合、絶縁層が不用意に変形しないので、この絶縁層の密着力の低下を抑制し易い。
【００１７】
上記気泡の含有率としては、５体積％以上７０体積％以下が好ましい。このように、上記気泡の含有率が上記範囲内であることによって、密着力の低下が抑制されると共に低誘電率化が図られる絶縁層を確実に形成できる。
【００１８】
本発明の一態様に係る樹脂ワニスは、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する。
【００１９】
当該樹脂ワニスは、上記ポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び気泡形成粒子を含有するので、当該樹脂ワニスを用いて導体の外周面に積層される絶縁層を形成すると、ＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散される気泡とを備える絶縁層を形成することができる。このように形成された絶縁層は、上記樹脂マトリックスがＰＩと共にＰＥＳを含有するので、この絶縁層の密着力の低下を抑制することができる。そのため、この絶縁層は比較的多くの気泡を分散することができる。従って、当該樹脂ワニスは、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることができる。
【００２０】
上記気泡形成粒子が、熱分解性樹脂粒子であるとよい。このように、上記気泡形成粒子が熱分解性樹脂粒子であることによって、絶縁層の密着力の低下を容易かつ確実に抑制することができる。
【００２１】
本発明の一態様に係る絶縁電線の製造方法は、線状の導体と、この導体の外周面に積層される１又は複数の絶縁層とを備える絶縁電線の製造方法であって、上記導体の外周側に、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを塗布する塗布工程と、上記塗布された樹脂ワニスを加熱する加熱工程とを備える。
【００２２】
当該絶縁電線の製造方法は、導体の外周側にＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散される気泡とを備える絶縁層を形成することができる。このように形成された絶縁層は、上記樹脂マトリックスがＰＩと共にＰＥＳを含有するので、この絶縁層の密着力の低下を抑制することができる。そのため、この絶縁層は比較的多くの気泡を分散することができる。従って、当該絶縁電線の製造方法は、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層の低誘電率化を図ることが可能な絶縁電線を容易かつ確実に製造することができる。
【００２３】
なお、本発明において、「海島構造」とは、海相を形成する樹脂相中に、島相を形成する樹脂相（ドメイン）が分散した構造をいう。「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば５０質量％以上含有される成分をいい、好ましくは７０質量％以上含有される成分をいう。「熱分解性樹脂粒子」とは、加熱によって分解することで、加熱前に占めていた領域で少なくとも１部が消失する樹脂粒子をいう。「気泡の含有率」とは、気泡を有する絶縁層の体積に対するこの絶縁層内の気泡の容積の百分率である。この気泡の含有率は、気泡を有する絶縁層の固体分の質量と密度とから算出される実体積をＶ０、気泡を有する絶縁層の気泡を含むみかけの体積をＶ１とするとき、（Ｖ１−Ｖ０）／Ｖ１×１００で算出することができる。
【００２４】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係る絶縁電線の一つの実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
【００２５】
［第一実施形態］
図１の絶縁電線１は、線状の導体２と、この導体２の外周面に積層される１つの絶縁層３とを備える。当該絶縁電線１は、例えばコイルに使用される。
【００２６】
＜導体＞
導体２は例えば断面が円形状の丸線とされるが、断面が方形状の角線であってもよい。
【００２７】
導体２の材質としては、導電率が高くかつ機械的強度が大きい金属が好ましい。このような金属としては、例えば銅、銅合金、アルミニウム、ニッケル、銀、軟鉄、鋼、ステンレス鋼等が挙げられる。導体２は、これらの金属を線状に形成した材料や、このような線状の材料にさらに別の金属を被覆した多層構造のもの、例えばニッケル被覆銅線、銀被覆銅線、銅被覆アルミ線、銅被覆鋼線等を用いることができる。
【００２８】
導体２の平均断面積（軸と垂直な断面の平均断面積）の下限としては、０．０１ｍｍ２が好ましく、０．１ｍｍ２がより好ましい。一方、導体２の平均断面積の上限としては、１００ｍｍ２が好ましく、５０ｍｍ２がより好ましい。導体２の平均断面積が上記下限未満であると、導体２に対する絶縁層３の体積が大きくなり、当該絶縁電線１を用いて形成されるコイル等の体積効率が低くなるおそれがある。一方、導体２の平均断面積が上記上限を超えると、当該絶縁電線１が不必要に大径化するおそれがある。なお、「導体の平均断面積」とは、導体の軸と垂直な任意の１０個の断面における断面積の平均値をいう。
【００２９】
＜絶縁層＞
絶縁層３は、樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを備える。上記気泡は、樹脂マトリックス中に均一に分散している。絶縁層３は、ポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び複数の気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを導体２の外周面に塗布した後、この樹脂ワニスを加熱することで導体２の外周側に焼付けられる。
【００３０】
（樹脂マトリックス）
上記樹脂マトリックスは、ＰＩ及びＰＥＳを含有する。当該絶縁電線１は、上記樹脂マトリックスがＰＩと共にＰＥＳを含有するので、この絶縁層３の密着力の低下を抑制することができる。そのため、当該絶縁電線１は、絶縁層２に比較的多くの気泡を分散することができる。従って、当該絶縁電線１は、絶縁層３の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層３の低誘電率化を図ることができる。なお、上記樹脂マトリックスがＰＩ及びＰＥＳを含有することによって絶縁層３の密着力の低下を抑制することができる理由は定かではないが、ＰＥＳが接着剤として機能することで絶縁層３の密着性の低下を抑制しているものと考えられる。
【００３１】
上記ＰＩは、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応して得られるポリイミド前駆体（ポリアミック酸）の加熱によって得られる。具体的には、上記ＰＩは、上記ポリイミド前駆体を含有する樹脂ワニスを導体２の外周側に塗布した上、この樹脂ワニスを加熱することによって得られる。また、上記ポリイミド前駆体は、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮合重合によって得られる。この縮合重合反応は従来のポリイミド前駆体の合成と同様の条件にて行うことができる。例えば芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを有機溶剤中で混合し、この混合液を加熱することにより芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとが縮合重合してポリイミド前駆体を含む溶液が得られる。
【００３２】
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えばピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物は、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物のうち、ＰＭＤＡは剛直な構造を有するため、イミド化後のＰＩの耐熱性を向上できる点で好ましい。
【００３４】
上記芳香族ジアミンとしては、例えば４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、２，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、２，４’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、２，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、２，２’−ジアミノジフェニルスルフィド、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、１，５−ジアミノナフタレン、４，４’−ベンゾフェノンジアミン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。これらの芳香族ジアミンは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
これらの芳香族ジアミンのうち、ＯＤＡ、ＢＡＰＰ及びこれらの組み合わせが好ましい。中でも、上記芳香族ジアミンとしてＯＤＡを配合すると、ＰＩの靱性を向上させることができる点で特に好ましい。また、上記芳香族ジアミンとして分子鎖が比較的長いＢＡＰＰを配合すると、加工時等の応力を受けた際の絶縁層３の損傷を抑制できる点で特に好ましい。
【００３６】
なお、上記ポリイミド前駆体を形成する成分としては、上述の本実施形態の効果を損なわない限り、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族テトラカルボン酸二無水物や、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミンが配合されてもよい。
【００３７】
上記マトリックス中のＰＩの含有量の下限としては、７０質量％が好ましく、８０質量％がより好ましい。一方、上記マトリックス中のＰＩの含有量の上限としては、９５質量％が好ましく、９２質量％がより好ましい。上記マトリックス中のＰＩの含有量が上記下限に満たないと、絶縁層３の耐熱性が不十分となるおそれがある。逆に、上記マトリックス中のＰＩの含有量が上記上限を超えると、マトリックス中のＰＥＳの含有量が不十分となり、絶縁層３の密着力が低下するおそれがある。
【００３８】
ポリイミド前駆体の重量平均分子量の下限としては、１０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましい。一方、上記ＰＩの重量平均分子量の上限としては、３００，０００が好ましく、１００，０００がより好ましい。上記ＰＩの重量平均分子量が上記下限に満たないと、絶縁層３の機械的強度が不十分となるおそれがある。逆に、上記ＰＩの重量平均分子量が上記上限を超えると、樹脂ワニスを用いた絶縁層３の形成が困難になるおそれがある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置を使用して、展開溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用い、単分散ポリスチレンを標準として測定した値である。
【００３９】
上記ＰＥＳは、構成分子中にスルホニル基を有する熱可塑性ポリマーであり、例えばジハロゲノジフェニルスルホンとジヒドロキシジフェニルスルホンとを縮合重合させることにより得られる。ＰＥＳは、耐熱性が高く、ポリイミド前駆体と適度に相溶するため、上記ポリイミド前駆体を含有する樹脂ワニスに配合するのに適している。
【００４０】
上記マトリックス中のＰＥＳの含有量の下限としては、５質量％が好ましく、８質量％がより好ましい。一方、上記マトリックス中のＰＥＳの含有量の上限としては、３０質量％が好ましく、２５質量％がより好ましい。上記マトリックス中のＰＥＳの含有量が上記下限に満たないと、絶縁層３の密着力が十分に高まらないおそれがある。逆に、上記マトリックス中のＰＥＳの含有量が上記上限を超えると、絶縁層３の耐熱性が不十分となるおそれがある。
【００４１】
上記ＰＥＳの重量平均分子量の下限としては、１０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましい。一方、上記ＰＥＳの重量平均分子量の上限としては、１００，０００が好ましく、８０，０００がより好ましい。上記ＰＥＳの重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、絶縁層３の耐熱性の低下を抑制できる。一方、上記ＰＥＳの重量平均分子量が上記上限を超えると、樹脂ワニスの塗布性が低下するおそれがある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置を使用し、展開溶媒としてＮＭＰを用い、単分散ポリスチレンを標準として測定した値である。
【００４２】
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを縮合重合させる際の反応条件は使用するモノマー等により適宜設定すればよく、例えば反応温度を１０℃以上８０℃以下とし、反応時間を０．５時間以上２４時間以下とすればよい。
【００４３】
縮合重合させる際、芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量（当量）と芳香族ジアミンの合計量（当量）とを約１：１とすることが好ましい。これにより、縮合重合反応を良好に進行させることができる。
【００４４】
有機溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性有機溶剤が使用できる。これらの有機溶剤は単独で用いても２種以上を組み合わせても良い。
【００４５】
有機溶剤の量は、芳香族テトラカルボン酸二無水物及び芳香族ジアミンを均一に分散させることができる量であれば特に制限されないが、例えばこれらのモノマー成分の合計量１００質量部に対して１００質量部以上１０００質量部以下の範囲となるように使用すればよい。
【００４６】
なお、上記樹脂マトリックスは、上述の本実施形態の効果を損なわない範囲で、上記ＰＩ及びＰＥＳ以外の樹脂を含有していてもよい。上記樹脂マトリックスに含有可能な樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルホルマール、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリエステルアミドイミド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニルサルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、共重合ポリエステル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルケトン等が挙げられる。
【００４７】
さらに、上記樹脂マトリックスには、上記成分以外に、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、密着向上剤等の各種添加剤や反応性低分子、相溶化剤などを添加してもよい。中でも、密着向上剤としてメラミンを添加すると、導体２と絶縁層３との密着力を向上できる。
【００４８】
また、上記樹脂マトリックスは、海島構造を有するのが好ましい。さらに、上記海島構造の海相の主成分が上記ＰＩ、島相の主成分が上記ＰＥＳであることが好ましい。海島構造とは、海相中に島相が点在する構造であり、本実施形態においては海相中に複数の島相が均一に分散している。当該絶縁電線１は、上記樹脂マトリックスが海島構造を有し、上記海島構造の海相の主成分がＰＩ、島相の主成分がＰＥＳであることによって、絶縁層３と導体２との密着力の向上に寄与するＰＥＳが樹脂マトリックス中に均一に分散され易い。そのため、上記樹脂マトリックスが海島構造を有することで、絶縁層３の密着力の低下を容易かつ確実に防止することができる。
【００４９】
上記海相におけるＰＩの含有量の下限としては、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましい。上記海相におけるＰＩの含有量が上記下限に満たないと、絶縁層３における耐熱性、絶縁性等の機械的特性が低下するおそれがある。なお、上記海相におけるＰＩの含有量の上限としては、特に限定されるものではなく、例えば１００質量％とすることができる。
【００５０】
上記島相におけるＰＥＳの含有量の下限としては、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましい。上記島相におけるＰＥＳの含有量が上記下限に満たないと、絶縁層３の密着力が不十分となるおそれがある。なお、上記島相におけるＰＥＳの含有量の上限としては、特に限定されるものではなく、例えば１００質量％とすることができる。
【００５１】
上記海相に対する島相の存在割合の下限としては、０．２が好ましく、０．３がより好ましい。一方、上記海相に対する島相の存在割合の上限としては、０．５が好ましく、０．４がより好ましい。上記海相に対する島相の存在割合が上記下限に満たないと、絶縁層３の密着力が不十分となるおそれがある。逆に、上記海相に対する島相の存在割合が上記上限を超えると、絶縁層３における耐熱性、絶縁性等の機械的特性が低下するおそれがある。
【００５２】
上記島相の形状としては、球状、紡錘形状、針状、棒状、立方状、板状、鱗片状、繊維状等が挙げられる。中でも、上記島相の形状としては、絶縁層３における均一分散性を高めて絶縁層３の密着力を向上し易い球状が好ましい。
【００５３】
（気泡）
上記気泡の平均径の下限としては、１μｍが好ましく、３μｍがより好ましい。一方、上記気泡の平均径の上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。上記気泡の平均径が上記下限に満たないと、絶縁層３の低誘電率化が十分に促進されないおそれがある。逆に、上記気泡の平均粒径が上記上限を超えると、複数の気泡が連結されるおそれがあり、これによって絶縁層３の機械的強度が低下するおそれがある。なお、上記気泡が複数の熱分解性樹脂に由来する場合、上記気泡の平均径は、上記熱分解性樹脂粒子の平均粒径と略等しい。また、「気泡の平均径」とは、絶縁電線を軸に対して垂直に切断し、その切断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した際の、任意の２０個の気泡の径の平均値をいう。
【００５４】
絶縁層３における上記気泡の含有率の下限としては、５体積％が好ましく、１０体積％がより好ましい。一方、上記気泡の含有率の上限としては、７０体積％が好ましく、５０体積％がより好ましい。上記気泡の含有率が上記下限に満たないと、絶縁層３の低誘電率化が十分に促進されないおそれがある。逆に、上記気泡の含有量が上記上限を超えると、絶縁層３の密着力が低下するおそれがある。
【００５５】
上記気泡は、複数の気泡形成粒子に由来している。上記気泡は、上記ポリイミド前駆体及びＰＥＳに加え、複数の気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを導体２の外周面に塗布した上、この樹脂ワニスを加熱して導体２の外周面に絶縁層３を焼付けることで得られる。
【００５６】
上記気泡形成粒子としては、例えば熱分解性樹脂粒子や、化学発泡剤、熱膨張マイクロカプセル等の発泡剤や、シラスバルーン、ガラスバルーン、セラミックバルーン、有機樹脂バルーン等の中空フィラーなどが挙げられる。
【００５７】
上記熱分解性樹脂粒子の材質としては、例えばポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の片方若しくは両方の末端又は一部をアルキル化、（メタ）アクリレート化若しくはエポキシ化した化合物；
ポリ（メタ）アクリル酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル酸プロピル、ポリ（メタ）アクリル酸ブチル等の炭素数１以上６以下のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルの重合体；
ウレタンオリゴマー、ウレタンポリマー、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレート等の変性（メタ）アクリレートの重合物；
ポリ（メタ）アクリル酸；
これらの架橋物；
ポリスチレン、架橋ポリスチレンなどが挙げられる。上記熱分解性樹脂粒子は、絶縁層３に独立気泡を形成できるよう、樹脂マトリックス中に均一分散されることが好ましい。かかる点から、上記熱分解性樹脂粒子の材質として上記架橋物、架橋ポリスチレン等の架橋樹脂を用いることが好ましい。
【００５８】
上記熱分解性樹脂粒子の熱分解温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、上記熱分解性樹脂粒子の熱分解温度の上限としては、３３０℃が好ましく、３００℃がより好ましい。上記熱分解性樹脂粒子の熱分解温度が上記下限に満たないと、当該絶縁電線１の製造時等に意図せず熱分解してしまうおそれがある。逆に、上記熱分解性樹脂粒子の熱分解温度が上記上限を超えると、熱分解性樹脂粒子を熱分解させるために必要となるエネルギーコストが過大となるおそれがある。なお、「熱分解温度」とは、窒素雰囲気下で室温から１０℃／ｍｉｍで昇温し、質量減少率が５０％となるときの温度をいい、例えばエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社の示差熱熱重量同時測定装置「ＴＧ／ＤＴＡ」を用いて熱重量を測定することで測定できる。
【００５９】
上記熱分解性樹脂粒子の平均粒径の下限としては、１μｍが好ましく、３μｍがより好ましい。一方、上記熱分解性樹脂粒子の平均粒径の上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。上記熱分解性樹脂粒子の平均粒径が上記下限に満たないと、絶縁層３の低誘電率化が十分に促進されないおそれがある。逆に、上記熱分解性樹脂粒子の平均粒径が上記上限を超えると、複数の気泡が連結されるおそれがあり、これにより絶縁層３の機械的強度が低下するおそれがある。なお、「平均粒径」とは、累積分布における５０％径（メジアン径）を意味する。
【００６０】
上記化学発泡剤は、加熱することにより分解して、例えば窒素ガス、炭酸ガス、一酸化炭素、アンモニアガス等を発生し、このガスにより気泡を形成するもので、有機発泡剤又は無機発泡剤が使用できる。
【００６１】
上記有機発泡剤としては、例えばアゾジカルボンアミド（Ａ．Ｄ．Ｃ．Ａ）、アゾビスイソブチロニトリル（Ａ．Ｉ．Ｂ．Ｎ）等のアゾ系発泡剤、例えばジニトロソペンタメチレンテトラミン（Ｄ．Ｐ．Ｔ）、Ｎ，Ｎ’ジニトロソ−Ｎ，Ｎ’−ジメチルテレフタルアミド（Ｄ．Ｎ．Ｄ．Ｍ．Ｔ．Ａ）等のニトロソ系発泡剤、例えばＰ−トルエンスルホニルヒドラジド（Ｔ．Ｓ．Ｈ）、Ｐ，Ｐ−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド（Ｏ．Ｂ．Ｓ．Ｈ）、ベンゼンスルホニルヒドラジド（Ｂ．Ｓ．Ｈ）等のヒドラジド系、他にはトリヒドラジノトリアジン（Ｔ．Ｈ．Ｔ）、アセトン−Ｐ−スルホニルヒドラゾンなどが例示され、これらを単独で、又は二種類以上合わせて使用できる。
【００６２】
また、上記無機発泡剤としては、例えば重炭酸ナトリウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、ホウ化水素ナトリウム、ソジウムボロンハイドライド、シリコンオキシハイドライド等が例示される。一般的に無機発泡剤は、ガス発生速度が有機発泡剤より緩慢でありガス発生の調整が難しい。そのため、上記化学発泡剤としては、有機発泡剤が好ましい。
【００６３】
上記熱膨張マイクロカプセルは、内部発泡剤からなる芯材（内包物）と、この芯材を包む外殻とを有し、芯材の膨張によって外殻が膨張する。
【００６４】
上記熱膨張性マイクロカプセルの内部発泡剤は、加熱により膨張又は気体を発生するものであればよく、その原理は問わない。上記熱膨張性マイクロカプセルの内部発泡剤としては、例えば低沸点液体、化学発泡剤及びこれらの混合物を使用することができる。
【００６５】
上記低沸点液体としては、例えばブタン、ｉ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ネオペンタン等のアルカンや、トリクロロフルオロメタン等のフレオン類などが好適に用いられる。
【００６６】
上記化学発泡剤としては、加熱によりＮ２ガスを発生するアゾビスイソブチロニトリル等の熱分解性を有する物質が好適に用いられる。
【００６７】
上記熱膨張性マイクロカプセルの内部発泡剤の発泡開始温度、つまり低沸点液体の沸点又は化学発泡剤の熱分解温度としては、熱膨張性マイクロカプセルの外殻の軟化温度以上とされる。
【００６８】
上記気泡形成粒子としては、熱分解性樹脂粒子が好ましい。当該絶縁電線１は、上記気泡が複数の熱分解性樹脂粒子に由来することによって、絶縁層３の密着力の低下を容易かつ確実に抑制することができる。つまり、上述の従来技術のように、発泡剤を発泡させることで絶縁層に気泡を形成する場合、気泡形成時の発泡剤の発泡に起因して絶縁層が膨張する。これに対し、気泡が上記熱分解性樹脂に由来する場合、絶縁層３が不用意に変形しないので、この絶縁層３の密着力の低下を抑制し易い。
【００６９】
絶縁層３は、一回の焼付けによって形成することも可能であるが、複数回の焼付けによって形成することが好ましい。つまり、絶縁層３は、１層の焼付層から構成することも可能であるが、図２に示すように複数の焼付層３ａから構成されることが好ましい。絶縁層３を複数の焼付層３ａから構成することで、絶縁層３を容易かつ確実に所望の厚さに形成することができ、さらに絶縁層の厚さ方向における気泡の均一分散性が高くなる。また、絶縁層３を複数の焼付層３ａから構成することで、上記ＰＥＳが焼付層３ａ間の接着剤としての機能を奏し、各焼付層３ａの層間密着力が向上する。
【００７０】
各焼付層３ａの平均厚さの下限としては、０．２μｍが好ましく、０．８μｍがより好ましい。一方、各焼付層３ａの平均厚さの上限としては、３０μｍが好ましく、２０μｍがより好ましく、１０μｍがさらに好ましい。各焼付層３ａの平均厚さが上記下限に満たないと、各焼付層３ａ中に気泡を分散させ難くなるおそれがある。逆に、各焼付層３ａの平均厚さが上記上限を超えると、焼付層の製造が困難になるおそれがある。なお、「焼付層の平均厚さ」とは、上記島相を有しない部分における焼付層の任意の１０点における厚さの平均値をいう。
【００７１】
焼付層３ａの平均厚さに対するこの焼付層３ａに含まれる上記島相の焼付層３ａ厚さ方向における径の比の下限としては、０．８が好ましく、０．９がより好ましく、０．９５がさらに好ましい。上記比が上記下限以上であることによって、隣接する焼付層３ａの界面とＰＥＳとの接触面積が大きくなるため、焼付層３ａ間の密着力をより向上させることができる。一方、上記島相を均一に分散させる観点から、上記比の上限としては、１．５が好ましく、１．２がより好ましい。なお、上記島相の焼付層３ａ厚さ方向における径は、例えばＰＥＳの重量分子量、塗工工程前の樹脂ワニスの攪拌速度や攪拌時間を調整することにより制御できる。
【００７２】
１層の焼付層３ａの平均厚さに対する気泡の平均径の比の下限としては、０．３が好ましく、０．４がより好ましい。一方、１層の焼付層３ａの平均厚さに対する気泡の平均径の比の上限としては、０．９が好ましく、０．７がより好ましい。１層の焼付層３ａの平均厚さに対する気泡の平均径の比が上記下限に満たないと、絶縁層３の低誘電率化が十分に促進されないおそれがある。逆に、１層の焼付層３ａの平均厚さに対する気泡の平均径の比が上記上限を超えると、１層の焼付層３ａ中に気泡を形成し難くなると共に、隣接する焼付層３ａに存在する気泡同士が連結するおそれがある。
【００７３】
絶縁層３の平均厚さの下限としては、１５μｍが好ましく、３０μｍがより好ましい。一方、絶縁層３の平均厚さの上限としては、３００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましい。絶縁層３の平均厚さが上記下限に満たないと、コロナ放電開始電圧を高める効果が不十分となるおそれがある。逆に、絶縁層３の平均厚さが上記上限を超えると、当該絶縁電線１が不必要に大径化するおそれがある。
【００７４】
絶縁層３の比誘電率の上限としては、３．３が好ましく、３がより好ましい。絶縁層３の比誘電率が上記上限を超えると、コロナ放電開始電圧が十分に高まらないおそれがある。一方、絶縁層３の比誘電率の下限としては、特に限定されるものではないが、例えば１．５とすることができる。絶縁層３の比誘電率が上記下限に満たないと、絶縁層３の破壊強度が不十分となるおそれがある。なお、「絶縁層の比誘電率」とは、絶縁層の誘電率と真空の誘電率との比をいう。
【００７５】
＜絶縁電線の製造方法＞
当該絶縁電線１の製造方法は、導体２の外周側に、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応させて得られるポリイミド前駆体、ポリエーテルスルホン及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを塗布する塗布工程と、上記塗布された樹脂ワニスを加熱する加熱工程とを備える。当該絶縁電線の製造方法は、導体２の外周側にＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散される気泡とを備える絶縁層３を形成することができる。従って、当該絶縁電線の製造方法は、絶縁層３の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層３の低誘電率化を図ることが可能な絶縁電線１を容易かつ確実に製造することができる。
【００７６】
（塗布工程）
上記塗布工程では、上記ポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び気泡形成粒子を含有する樹脂ワニスを導体２の外周側に塗布する。まず、上記塗布工程で用いられる上記樹脂ワニスについて説明する。
【００７７】
（樹脂ワニス）
上記樹脂ワニスは、上述のように芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応（縮合重合）させて得られるポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び気泡形成粒子を含有する。上記芳香族テトラカルボン酸二無水物及び芳香族ジアミンとしては、当該絶縁電線１の構成において説明した上述の化合物が挙げられる。また、上記気泡形成粒子としては、当該絶縁電線１の構成において説明した上述の気泡形成粒子が挙げられ、好ましくは上記熱分解性樹脂粒子が挙げられる。当該樹脂ワニスは、上記気泡形成粒子が上記熱分解性樹脂粒子であることによって、絶縁層３の密着力の低下を容易かつ確実に防止することができる。
【００７８】
上記樹脂ワニスは、通常有機溶剤をさらに含む。当該絶縁電線の製造方法では、絶縁層３が所望の厚さになるまで上記塗布工程及び加熱工程を繰り返し行い、順次積層される複数の焼付層によって絶縁層３が構成されてもよい。この点、上記樹脂ワニスが有機溶剤を含む場合、２回目以降の塗布工程において樹脂ワニス中の有機溶剤が前回の工程で形成された絶縁層中のＰＥＳを若干溶解するため、焼付層間の密着力をより向上させることができる。
【００７９】
上記有機溶剤としては非プロトン性極性有機溶剤が好ましい。ポリイミド前駆体は非プロトン性極性有機溶剤に対する溶解性が高いため、上記有機溶剤として非プロトン性極性有機溶剤を用いることにより、例えば塗布性を向上させることができる。また、非プロトン性極性有機溶剤を用いることにより、上記２回目以降の塗布工程において焼付層中のＰＥＳが適度に非プロトン性極性有機溶剤に溶解するため、焼付層間の密着力をさらに向上させることができる。
【００８０】
上記非プロトン性極性有機溶剤としては、ポリイミド前駆体の溶解性の観点から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン及びこれらの組み合わせが好ましく、ＮＭＰがより好ましい。
【００８１】
有機溶剤は、ポリイミド前駆体の縮合重合反応に使用した有機溶剤をそのまま使用してもよく、ポリイミド前駆体を得た後、別途添加してもよいが、作業性の観点から、ポリイミド前駆体の縮合重合反応に使用した有機溶剤をそのまま使用することが好ましい。有機溶剤の含有量は、例えばポリイミド前駆体１００質量部に対して１００質量部以上１０００質量部以下の範囲とすればよい。
【００８２】
上記樹脂ワニスは、上述した成分以外に顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、密着向上剤等の各種添加剤や反応性低分子、相溶化剤などを添加してもよい。さらに本発明の趣旨を損ねない範囲で他の樹脂を混合して使用してもよい。
【００８３】
当該樹脂ワニスは、上記ポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び気泡形成粒子を含有するので、当該樹脂ワニスを用いて導体２の外周面に積層される絶縁層を形成すると、ＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散される気泡とを備える絶縁層を形成することができる。従って、当該樹脂ワニスは、従って、絶縁層３の密着力の低下を抑制しつつ、絶縁層３の低誘電率化を図ることができる。
【００８４】
上記樹脂ワニスの塗布方法としては、特に限定されないが、例えば樹脂ワニスを貯留した樹脂ワニス槽と塗布ダイスとを備える塗布装置を用いた方法等が挙げられる。この塗布装置によれば、導体２が樹脂ワニス槽内を挿通することで樹脂ワニスが導体２の外周面に付着し、その後塗布ダイスを通過することで樹脂ワニスが導体２の外周面に均一な厚さで塗布される。
【００８５】
（加熱工程）
上記加熱工程では、上記塗布工程で塗布された樹脂ワニスを加熱する。上記加熱工程によって、上記樹脂ワニスを導体２の外周面に焼付けることで、導体２の外周面に絶縁層３が形成される。上記加熱工程における加熱方法としては、特に限定されないが、熱風加熱、赤外線加熱、高周波加熱等、従来公知の方法が挙げられる。また、加熱温度としては、通常３５０℃以上７００℃以下である。加熱時間としては、通常５秒以上１００秒以下である。
【００８６】
［第二実施形態］
図３の絶縁電線１１は、線状の導体２と、この導体２の外周面に積層される複数の絶縁層とを備える。具体的には、当該絶縁電線１１は、上記複数の絶縁層として、導体２の外周面に直接積層される第１絶縁層１２ａと、この第１絶縁層１２ａの外周面に直接積層される第２絶縁層１２ｂとを備える。図３の絶縁電線１１において、導体２及び第１絶縁層１２ａは、図１の導体２及び絶縁層３と同様の構成を有する。そのため、当該絶縁電線１１にあっては、第１絶縁層１２ａは、ＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックス中に気泡が分散する構造を有するので、上述のように密着力の低下を抑制しつつ、低誘電率化を図ることができる。なお、導体２及び第１絶縁層１２ａの具体的説明は、上述のように第一実施形態の説明と重複するため省略する。
【００８７】
第２絶縁層１２ｂは、第１絶縁層１２ａと異なり気泡を有していない。第２絶縁層１２ｂは、気泡を有していない点以外は第１絶縁層１２ａと同様の構成を有する。つまり、第２絶縁層１２ｂは、第１絶縁層１２ａと同様にＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスを備える。この樹脂マトリックスの具体的構成は、第１絶縁層１２ａと同様とすることができる。なお、第２絶縁層１２ｂの樹脂マトリックスの説明は、第一実施形態の説明と重複するため省略する。
【００８８】
第２絶縁層１２ｂの平均厚さの下限としては、０．５μｍが好ましく、１μｍがより好ましい。一方、第２絶縁層１２ｂの平均厚さの上限としては、４０μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。第２絶縁層１２ｂの平均厚さが上記下限に満たないと、第１絶縁層１２ａと第２絶縁層１２ｂとの密着力を十分に高められないおそれがある。逆に、第２絶縁層１２ｂの平均厚さが上記上限を超えると、当該絶縁電線１１が不必要に大径化するおそれがある。
【００８９】
＜絶縁電線の製造方法＞
当該絶縁電線１１の製造方法は、導体２の外周側に第１絶縁層形成用樹脂ワニスを塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程によって塗布された第１絶縁層形成用樹脂ワニスを加熱する第１加熱工程と、上記第１加熱工程によって形成された第１絶縁層１２ａの外周側に第２絶縁層形成用樹脂ワニスを塗布する第２塗布工程と、上記第２塗布工程によって塗布された第２絶縁層形成用樹脂ワニスを加熱する第２加熱工程とを備える。当該絶縁電線の製造方法は、当該絶縁電線１１を容易かつ確実に製造することができる。
【００９０】
（第１塗布工程及び第１加熱工程）
上記第１塗布工程は、図１の絶縁電線１の製造方法における上記塗布工程と同様に行われる。上記第１加熱工程は、図１の絶縁電線１の製造方法における上記加熱工程と同様に行われる。当該絶縁電線の製造方法は、上記第１塗布工程及び第２塗布工程を複数回繰り返し行ってもよい。
【００９１】
（第２塗布工程）
上記第２塗布工程では、第２絶縁層１２ｂを形成する第２絶縁層形成用樹脂ワニスを第１絶縁層１２ａの外周側に塗布する。上記第２絶縁層形成用樹脂ワニスとしては、気泡形成粒子を含有しないこと以外、第１絶縁層形成用樹脂ワニスと同様とすることができる。
【００９２】
（第２加熱工程）
上記第２加熱工程では、上記第２塗布工程で塗布された第２絶縁層形成用樹脂ワニスを加熱する。上記第２加熱工程により、第２絶縁層形成用樹脂ワニスを第１絶縁層１２ａの外周面に焼付けることで、第１絶縁層１２ａの外周面に第２絶縁層１２ｂが形成される。上記第２加熱工程における加熱方法、加熱温度及び加熱時間としては、図１の絶縁電線１の製造方法における上記加熱工程と同様とすることができる。なお、当該絶縁電線の製造方法は、上記第２塗布工程及び第２加熱工程を第２絶縁層１２ｂが所望の厚さになるまで繰り返し行ってもよい。
【００９３】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００９４】
例えば、当該絶縁電線は、絶縁層の少なくとも１層が、ＰＩ及びＰＥＳを含有する樹脂マトリックスと、この樹脂マトリックス中に分散する気泡とを有する限り、３層以上の絶縁層を有していてもよい。また、当該絶縁電線は、例えば導体と上記気泡を有する絶縁層との間に気泡を有しない絶縁層が介在してもよい。
【実施例】
【００９５】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９６】
［実施例］
［Ｎｏ．１］
銅を鋳造、延伸、伸線及び軟化し、断面が円形で直径が１ｍｍの導体を得た。次に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応して得られるポリイミド前駆体、ＰＥＳ、熱分解性樹脂粒子及び有機溶剤を含む第１絶縁層形成用樹脂ワニスを作成した。なお、この第１絶縁層形成用樹脂ワニスにおけるＰＥＳとポリイミド前駆体との質量比は３０：７０であった。この第１絶縁層形成用樹脂ワニスを上記導体の外周面に塗布し、線速４．０ｍ／ｍｉｎ、加熱炉入口温度２５０℃、加熱炉出口温度３５０℃の条件で加熱する工程を繰り返し行うことで導体の外周面に平均厚さ２５μｍ、気泡の含有率５０体積％の第１絶縁層を形成した。また、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを反応して得られるポリイミド前駆体、ＰＥＳ及び有機溶剤を含む第２絶縁層形成用樹脂ワニスを作成した。なお、この第２絶縁層形成用樹脂ワニスにおけるＰＥＳとポリイミド前駆体との質量比は３０：７０であった。この第２絶縁層形成用樹脂ワニスを上記第１絶縁層の外周に塗布し、線速４．０ｍ／ｍｉｎ、加熱炉入口温度２５０℃、加熱炉出口温度３５０℃の条件で加熱することで第１絶縁層の外周面に平均厚さ５μｍの第２絶縁層を形成し、Ｎｏ．１の絶縁電線を得た。なお、この絶縁電線を軸に対して垂直に切断し、その切断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察したところ、第１絶縁層中の気泡の平均径は３．０μｍであった。
【００９７】
［Ｎｏ．２］
第１絶縁層の気泡の含有率を１０体積％とした以外はＮｏ．１と同様にして、Ｎｏ．２の絶縁電線を得た。
【００９８】
［比較例］
［Ｎｏ．３］
第１絶縁層形成用樹脂ワニス及び第２絶縁層形成用ワニスにＰＥＳを配合しなかったこと以外は、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．３の絶縁電線を得た。
【００９９】
第１絶縁層形成用樹脂ワニス及び第２絶縁層形成用ワニスにＰＥＳを配合しなかったこと以外は、Ｎｏ．２と同様にしてＮｏ．４の絶縁電線を得た。
【０１００】
＜層間密着力＞
絶縁電線にカッターで長さ２ｃｍ程度の切込みを２本、０．５ｍｍ間隔で入れた。この２本の切込みによって区画される帯状部分の短辺側の一端からオートグラフ（株式会社東洋精機製作所製の「ＳＴＲＯＧＲＡＰＨ−Ｍ２」）を用いて１８０°方向にピール試験を実施し、出力された値を短辺の長さで除することによって絶縁層の層間密着力［Ｎ／ｍｍ］を測定した。この測定結果を表１に示す。なお、表１における「Ａ」は密着力が高く層間で剥離しないため、層間密着力を測定できなかったことを意味する。
【０１０１】
＜部分放電開始電圧＞
絶縁電線２本を撚り合わせたツイストペア片を用い、絶縁電線の両端に５０Ｈｚ正弦波の交流電圧を印加した。電圧を５０Ｖ／ｓｅｃの速さで上昇し、放電量が１００ｐＣに達した時の電圧を測定し、交流電圧の最大値（ピーク値）を部分放電開始電圧（ＰＤＩＶ）［Ｖｐ］として測定した。この測定結果を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
2018067516.tif 000003
【０１０３】
［評価結果］
表１に示すように、第１絶縁層及び第２絶縁層が共にＰＥＳを含まないＮｏ．３及びＮｏ．４の絶縁電線は、第１絶縁層及び第２絶縁層の層間密着力が不十分であることが分かる。特に、Ｎｏ．４の絶縁電線は、第１絶縁層の気泡含有量が５０体積％と高いため、層間密着力の低下が大きくなっていることが分かる。これに対し、Ｎｏ．１及びＮｏ．２の絶縁電線は、第１絶縁層及び第２絶縁層が共にＰＥＳを含むことで、部分放電開始電圧を十分に高めつつ、第１絶縁層及び第２絶縁層の層間密着力を十分に高めることができることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明に係る絶縁電線及び樹脂ワニスは、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、この絶縁層の低誘電率化を図ることができるので、高電圧で使用されるモータ等の適用電圧が高い電気機器に適用できる。また、本発明に係る絶縁電線の製造方法は、絶縁層の密着力の低下を抑制しつつ、この絶縁層の低誘電率化を図ることができる当該絶縁電線の製造に適している。
【符号の説明】
【０１０５】
１，１１  絶縁電線
２  導体
３  絶縁層
３ａ  焼付層
１２ａ  第１絶縁層
１２ｂ  第２絶縁層
【図１】
2018067516.tif 000004
【図２】
2018067516.tif 000005
【図３】
2018067516.tif 000006