(57)【要約】      （修正有）【課題】微細化、薄型化及び低反化の要求が高い半導体装置を効率的且つ低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、半導体素子１が配置されている基材３の表面３ｆに、半導体素子１を覆うように樹脂層５を形成する工程と、半導体素子１が樹脂層５の上面に露出した状態になるまで樹脂層５を薬液で除去する工程と、活性光線の照射によって樹脂層５に露光部５Ａを形成する工程と、樹脂層５の未露光部の少なくとも一部を薬液で除去することによって樹脂層５に開口部を形成する工程とを含む。樹脂層５を薬液で除去する工程において、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように樹脂層５の厚さを減じる。Ｈ１−Ｈ２＜１０μｍ・・・（１）［Ｈは基材の表面から半導体素子１の上面までの高さを示し、Ｈ２は半導体素子１が配置されていない領域における基材３の表面から樹脂層５の最も薄い部分の上面までの高さを示す。］【選択図】図４
2018067659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）半導体素子が配置されている基材の表面に、前記半導体素子を覆うように感光性樹脂組成物からなる封止用樹脂層を形成する工程と、
（Ｂ）前記半導体素子が前記封止用樹脂層の上面に露出した状態になるまで前記封止用樹脂層を薬液で除去することによって前記封止用樹脂層の厚さを減じる工程と、
（Ｃ）（Ｂ）工程における処理によって厚さが減じられた前記封止用樹脂層の所定の領域に活性光線を照射することによって前記封止用樹脂層に前記感光性樹脂組成物が硬化した露光部と未露光部とを形成する工程と、
（Ｄ）前記封止用樹脂層における前記未露光部の少なくとも一部を、薬液で除去することによって前記封止用樹脂層の前記露光部に開口部を形成する工程と、
を含み、
（Ｂ）工程において、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように前記封止用樹脂層の厚さを減じる、半導体装置の製造方法。
Ｈ１−Ｈ２＜１０μｍ・・・（１）
［Ｈ１は前記基材の表面から前記半導体素子の上面までの高さを示し、Ｈ２は前記半導体素子が配置されていない領域における前記基材の表面から前記封止用樹脂層の最も薄い部分の前記封止用樹脂層の上面までの高さを示す。］
【請求項２】
露光前における前記感光性樹脂組成物の最低溶融粘度は１０〜５００Ｐａ・ｓであり、
前記最低溶融粘度は昇温速度１０℃／分及び周波数１Ｈｚで２５〜２００℃の条件で測定されるものである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
（Ａ）工程において、前記感光性樹脂組成物として、予めフィルム状に形成されたものを使用する、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記開口部に導電材料を充填する工程を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記封止用樹脂層の前記露光部によって封止された状態の前記半導体素子と前記基材とを分離する工程と、
前記基材から分離された前記半導体素子に、前記開口部に充填された前記導電材料と電気的に接続された配線パターンを形成する工程と、
を更に含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記基材の表面に複数の半導体素子が配置されており、当該複数の半導体素子を対象として（Ａ）工程及び（Ｂ）工程を実施するとともに、
（Ｃ）工程よりも後に、隣り合う二つの前記半導体素子の間の露光部を切断することによって前記複数の半導体素子を個片化する工程を更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能のチップを一つのパッケージに混載する実装形態が提案されており、これに伴ってコスト面に優れた実装技術が求められている。例えば、チップ間の高密度インターコネクト、並びにパッケージ上に異なるパッケージをフリップチップ実装によって積層するパッケージ・オン・パッケージを低コストで実現する技術が重要になっている（例えば非特許文献１，２参照）。
【０００３】
パッケージ・オン・パッケージに関し、今後ウェハレベルプロセスを利用してパッケージの多段積層構造が主流になるとされている（例えば非特許文献３参照）。このようなパッケージの多段積層化に伴い、パッケージ全体の薄型化及び低反化が求められる。これらの実現のためには各段の封止材の厚さを研削等の方法で減じるなどの方法が行われており、特に半導体素子を封止材から露出させる、エクスポーズド・ダイ構造がしばしば用いられている（例えば特許文献１）。
【０００４】
エクスポーズド・ダイ構造を実現するためのもう一つの方法として以下のものが提案されている。すなわち、感光性樹脂を封止材として使用し、これを半導体素子上の樹脂のみが未露光部となるように、他の領域を露光した後、現像液を用いて当該未露光部の感光性樹脂を除去する方法が提案されている（例えば特許文献第２）。
【０００５】
更に、パッケージ・オン・パッケージは、半導体装置の樹脂部分（封止材層）にレーザーを用いて微細な開口部を形成するプロセスを経て製造される場合がある。すなわち、下段の半導体装置と、上段の半導体装置を接続するために、下段の半導体装置の封止材に開口部を設け、これに導電材料を充填する、いわゆるＴＭＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｍｏｌｄ  Ｖｉａ）構造の半導体装置が台頭してきた。このＴＭＶを有する半導体パッケージの製造過程では、開口部を設けるために、熱硬化性樹脂からなる封止材層に接続用ビアがレーザーで設けられる（例えば特許文献３〜６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１５／０１４５１３８号明細書
【特許文献２】特許第５７３６７１４号明細書
【特許文献３】米国特許第７６７１４５７号明細書
【特許文献４】米国特許第７６３３７６５号明細書
【特許文献５】米国特許第８０２６５８７号明細書
【特許文献６】米国特許第８０１８０６８号明細書
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】本多進、「半導体素子の２Ｄ〜３Ｄ実装技術動向と狙うべき方向」、エレクトロニクス実装学会誌、Ｖｏｌ．１８、Ｎｏ．３、（２０１５）、ｐｐ．１３０
【非特許文献２】ＳｅｕｎｇＪａｅ  Ｌｅｅ，ｅｔ  ａｌ．、Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｆａｎ−Ｏｕｔ  （ＷＬＦＯ）  Ｕｓｉｎｇ  Ｆｉｌｍ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｆｏｒ  Ｌｏｗ  Ｃｏｓｔ  Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ  Ｗａｖｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ、ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、２０１０、ｐ．１４６１
【非特許文献３】一般社団法人電子情報技術産業界編、「２０１５年度版  実装技術ロードマップ」、２０１５
【非特許文献４】Ｊ．  Ｏｓｅｎｂａｃｈ、ｅｔ  ａｌ．、Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｅｘｐｏｓｅｄ  Ｄｉｅ  Ｌａｒｇｅ  Ｂｏｄｙ  ｔｏ  Ｄｉｅ  Ｓｉｚｅ  Ｒａｔｉｏ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、２０１４、ｐ．９５２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２に記載の方法は、半導体素子を露出させたパッケージを比較的簡便に生産できる利点を有する。しかし、当該方法は、封止材が液状であることから、これを注入及び成型するための型が必要でありパッケージの小型化を実現させる手法としては不十分であった。また、今後多段積層型のパッケージを実現するためにはパッケージの上下両面に半導体素子の配線を引出すための再配線層を形成する必要がある。したがって、半導体素子の上面は封止材と均一になる形で露出していることが望ましいが、半導体素子の上面を封止材の厚さと均一にして露出させるためには、液状封止材を用いた従来の手法では、研削が必要であったり、封止のための特別な型が必要など、工程の煩雑化につながるという問題があった（例えば非特許文献４）。
【０００９】
半導体パッケージの製造方法においては、上段パッケージ及び下段パッケージの少なくとも一方に開口部を形成し、これに導電材料を充填することで両者の電気的接続を確保することができる。従来、炭酸ガスレーザーによって上記開口部を形成するのが一般的である。しかし、レーザーによる開口部の形成は以下の点において改善の余地があった。
・複数の開口部をレーザーで形成するには多大な時間がかかる点。
・例えば厚さ１００μｍの封止材層に対して開口可能な開口の直径は１００μｍ程度（アスペクト比１程度）が限界であり、これよりも小さい径の開口を形成することが困難である点。
・開口の形成に伴って残渣が生じやすい点。
・封止材層に開口を形成するための装置（少なくともレーザー装置）の導入の必要があり、製造コストが抑えにくい点。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、微細化、薄型化及び低反化の要求が高い半導体装置を十分に効率よく且つ低コストで製造できる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）半導体素子が配置されている基材の表面に、半導体素子を覆うように感光性樹脂組成物からなる封止用樹脂層を形成する工程と、（Ｂ）半導体素子が封止用樹脂層の上面に露出した状態になるまで封止用樹脂層を薬液で除去することによって封止用樹脂層の厚さを減じる工程と、（Ｃ）（Ｂ）工程における処理によって厚さが減じられた封止用樹脂層の所定の領域に活性光線を照射することによって封止用樹脂層に感光性樹脂組成物が硬化した露光部と未露光部とを形成する工程と、（Ｄ）封止用樹脂層における未露光部の少なくとも一部を、薬液で除去することによって封止用樹脂層の前記露光部に開口部を形成する工程とを含み、上記（Ｂ）工程において、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように封止用樹脂層の厚さを減じる。
Ｈ１−Ｈ２＜１０μｍ・・・（１）
［Ｈ１は基材の表面から半導体素子の上面までの高さを示し、Ｈ２は半導体素子が配置されていない領域における基材の表面から封止用樹脂層の最も薄い部分の封止用樹脂層の上面までの高さを示す。］
【００１２】
上記製造方法によれば、以下の効果が奏される。まず、封止用樹脂層の上面に半導体素子を薬液によって露出させるために、封止用樹脂層を研削する作業が不要であり且つ特別な型も不要である。また、封止用樹脂層における開口部の形成を微細配線形成に有利なフォトリソグラフィ（露光及び現像プロセス）を適用したため、封止用樹脂層に複数の開口部を一括して形成でき且つ複数の半導体素子の接続部の高密度化を実現可能である。更に、上記製造方法によれば、上記感光性樹脂組成物として必ずしも液状の封止材を使用しなくてもよいため、コンプレッション装置を必要とせず、また開口部形成のためのレーザー装置も必要としない。つまり、高価な装置を必ずしも使用しなくてもよいため、十分に低コストで半導体装置を製造することができる。
【００１３】
封止用樹脂層の上面の高い平坦性を確保し且つこれによりアスペクト比の大きい開口部を形成する観点から、露光前における感光性樹脂組成物の最低溶融粘度は１０〜５００Ｐａ・ｓであることが好ましい。ここでいう「最低溶融粘度」は昇温速度１０℃／分及び周波数１Ｈｚで２５〜２００℃の条件で測定される値を意味する。
【００１４】
上記（Ａ）工程において、感光性樹脂組成物として、予めフィルム状に形成されたものを使用することができる。例えばフィルム状の感光性樹脂組成物を基材の表面にラミネートすることにより厚さが十分に均一の封止用樹脂層を容易に形成することができる。
【００１５】
上記製造方法は、開口部に導電材料を充填する工程を更に含んでもよく、また、封止用樹脂層の露光部によって封止された状態の半導体素子と基材とを分離する工程と、基材から分離された半導体素子に、開口部に充填された導電材料と電気的に接続された配線パターンを形成する工程とを更に含んでもよい。
【００１６】
複数の半導体素子が配置された一つの基材から複数の半導体装置を一括して製造するのに本発明の製造方法を適用してもよい。すなわち、本発明の製造方法は、基材の表面に複数の半導体素子が配置されており、当該複数の半導体素子を対象として上記（Ａ）工程及び上記（Ｂ）工程を実施するとともに、上記（Ｃ）工程よりも後に、隣り合う二つの半導体素子の間の露光部を切断することによって複数の半導体素子を個片化する工程を更に含んでもよい。ここでいう「（Ｃ）工程よりも後」とは、（Ｃ）工程後であって（Ｄ）工程を実施するまでの間又は（Ｄ）工程後を意味する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、微細化、薄型化及び低反化の要求が高い半導体装置を十分に効率よく且つ低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は基材の表面に複数の半導体素子が固定部材を介して配置された状態を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は上面が平坦な封止用樹脂層で複数の半導体素子が封止された状態を模式的に示す断面図であり、図２（ｂ）は上面に段差がある封止用樹脂層で複数の半導体素子が封止された状態を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は図２（ａ）及び図２（ｂ）にそれぞれ示す封止用樹脂層の厚さを減ずる操作を実施している様子を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は半導体素子を封止用樹脂層から露出させた状態を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は露光処理及び現像処理を施して封止用樹脂層に複数の開口部を設けた状態を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は複数の開口部に導電材料を充填した状態を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は半導体素子と封止用樹脂層基材とを含む構造体であって固定部材及び固定部材から分離された構造体を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は図７に示す構造体に再配線絶縁層を形成した状態を模式的に示す断面図である。
【図９】図９は図８に示す構造体に配線パターンを更に形成した状態を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は図９に示す構造体に再配線絶縁層を更に形成し且つハンダボールを搭載した状態を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１１は図１０に示す構造体を個片化する操作を実施している様子を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明に係る半導体装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００２０】
本実施形態に係る半導体パッケージ（半導体装置）１００の製造方法について説明する。本実施形態は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において好適であり、ＦＯ−ＷＬＰ（Ｆａｎ−ｏｕｔ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）を三次元化する形態において特に好適である。
【００２１】
まず、複数の半導体素子１を固定するための基材３を準備する（図１参照）。基材３は、特に限定されるものではないが、ガラスクロスに樹脂を含浸させたガラスクロス入り基材、シリコンウェハ、ガラス、ＳＵＳ（ステンレス）板等の高剛性材料が好適である。基材３の厚さは例えば０．２〜０．８ｍｍである。基材３の厚さが０．２ｍｍ以上である場合、組立てプロセスにおける反りを抑制することができ、ハンドリングが容易になる傾向がある。基材３の厚さ０．８ｍｍ以下である場合、基材３の取り外しが工業的に容易になるうえ、経済的恩恵を得やすくなる傾向にある。なお、ここでは複数の半導体素子１を基材３上に固定する場合を例示するが、一つの半導体素子１を基材上に固定してもよい。
【００２２】
基材３の室温（２５℃）から１５０℃までの平均熱膨張係数は１×１０−６／℃から１５×１０−６／℃の範囲であることが好ましい。この値が１×１０−６／℃以上であることで、経済的恩恵を得やすくなる傾向があり、他方、１５×１０−６／℃以下である場合はチップ実装後に発生し得る反りを充分に抑制できる傾向にある。基材３の室温（２５℃）における弾性率は２０ＧＰａから４０ＧＰａの範囲であることが好ましい。この値が２０ＧＰａ以上である場合、チップ実装後に発生し得る反りを充分に抑制できる傾向があり、他方、４０ＧＰａ以下であることで工業的に作製が容易になる傾向がある。
【００２３】
図１に示すように、基材３の一方の表面に固定部材４を介して半導体素子１を固定する。半導体素子１の基材３への搭載はダイボンダ等の搭載機を用いて実施すればよい。固定部材４としてフィルム状のものが好適である。フィルム状の固定部材４は、基材３に対する半導体素子１の貼り付けと、固定部材４からの半導体素子１の剥離とを良好に行うことができるという利点がある。なお、ウェハの裏面にラミネート等で固定部材を設け、その後、半導体素子１を個片化することで各半導体素子１の裏面にそれぞれ固定部材４が設けられた状態としてもよい。
【００２４】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、半導体素子１が配置されている基材３の表面３ｆ側に、半導体素子１を覆うように感光性樹脂組成物からなる封止用樹脂層５を形成する（（Ａ）工程）。感光性樹脂組成物による封止はラミネート方式でもコンプレッション方式でも構わない。
【００２５】
半導体素子１を封止するための感光性樹脂組成物の最低溶融粘度は、好ましくは１０〜５００Ｐａ・ｓであり、より好ましくは１０〜３００Ｐａ・ｓである。最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であれば、半導体素子１を封止する際に感光性樹脂組成物の流出等を抑制しやすい。他方、最低溶融粘度が３００Ｐａ・ｓ以下であれば、十分に上面が平らな封止用樹脂層５を形成することができるという利点がある。すなわち、図２（ａ）に示すように、基材３の表面３ｆ側の半導体素子１がある領域と、半導体素子１がない領域とにおける封止用樹脂層５の高さの差（段差）を十分に小さくできる。これに対し、図２（ｂ）は両領域に高さの差がある程度生じた状態を模式的に示している。この高さの差を十分に小さくすることで、半導体素子１の上面１ａを露出させる後述の工程において、封止用樹脂層５の上面５ａの平坦性をより向上させた状態での露出が可能となり、アスペクトが大きい開口部を形成しやすくなる。
【００２６】
次いで、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように薬液吐出部６０から薬液６０ａを封止用樹脂層５の上方からその上面５ａに供給する。この薬液により、封止用樹脂層５の上側を溶解させ、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように半導体素子１の上面１ａが封止用樹脂層５の上面５ａに露出した状態になるまで封止用樹脂層５の厚さを減じる（（Ｂ）工程）。ここでいう「露出」とは半導体素子１の上面１ａ（半導体素子１の基材３側の面と反対側の面）が大気中に現れている状態を意味する。
【００２７】
上記薬液としては、例えば、２０〜５０℃のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１〜５質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッビング等の公知の方法により処理することで、封止用樹脂層５を溶解し、その厚さを減じることができる。
【００２８】
上記（Ｂ）工程において、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように封止用樹脂層５を除去する。
Ｈ１−Ｈ２＜１０μｍ・・・（１）
式（１）において、Ｈ１は基材３の表面３ｆから半導体素子１の上面１ａまでの高さ（図４（ｂ）における高さＨ１）を示し、Ｈ２は基材３の表面３ｆのうち半導体素子１が配置されていない領域における封止用樹脂層５の最も薄い部分の上面５ａまでの高さ（図４（ｂ）における高さＨ２）を示す。不等式（１）で示される条件を満たすように（Ｂ）工程を実施することで、後述する開口部６を形成するために、封止用樹脂層５の上面５ａにマスクをコンタクトさせて露光した場合であっても、より高いアスペクトの開口部６を形成することができる。上記（Ｂ）工程において満たすべき条件は、より好ましくは不等式（２）であり、更に好ましくは不等式（３）である。なお、図４（ａ）は高さＨ１と高さＨ２が等しい場合（Ｈ１＝Ｈ２）を図示したものである。
Ｈ１−Ｈ２＜７μｍ・・・（２）
Ｈ１−Ｈ２＜５μｍ・・・（３）
【００２９】
次いで、封止用樹脂層５の所定の領域に活性光線を照射することによって封止用樹脂層５に露光部及び未露光部を形成する（（Ｃ）工程）。露光処理については、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、封止用樹脂層５の所定部分を露光し、光硬化させる。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができ、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものを使用できる。また、  ＬＤＩ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｉｍａｇｉｎｇ）露光法及びＤＬＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）露光法等の直接描画露光法により活性光線を画像状に照射する方法を採用してもよい。露光量は使用する装置及び感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、好ましくは１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2であり、より好ましくは６００〜８００ｍＪ／ｃｍ2である。露光量が１００ｍＪ／ｃｍ2以上であれば光硬化が充分となり成型しやすくなる傾向にあり、他方、１０００ｍＪ／ｃｍ2以下であれば開口部６を封止用樹脂層５の上面５ａから固定部材４上まで貫通させた状態で形成させることに有利となる。
【００３０】
次いで、図５に示すように、封止用樹脂層５の未露光部を現像によって除去することで、固定部材４を露出させる。現像処理に用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１〜５質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッビング等の公知の方法により現像する。これにより所定のパターンが形成される。現像液に対する封止用樹脂層５の未露光部の溶解速度は好ましくは３．０μｍ／ｓ以下であり、より好ましくは１．０μｍ／ｓ〜２．０μｍ／ｓである。この値が３．０μｍ／ｓ以下であれば露光操作によって形成したパターン形状を比較的良好に保持することができ、他方、３．０μｍ／ｓよりも大きい場合は、未露光部のみならず露光部５Ａにおいての溶解度も大きくなり、開口部６の形成不良を起こすという不具合が生じる傾向にある。
【００３１】
封止用樹脂層５の露光部５Ａに開口部６を設けた後、１５０℃前後で１時間程度にわたって封止用樹脂層５（露光部５Ａ）を加熱し、露光部５Ａを熱硬化処理してもよい。なお、硬化後の封止用樹脂層５の厚さは例えば５０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは１００〜１５０μｍである。この値が５０μｍ以上であれば半導体素子１を封止した状態を十分に維持でき、他方、２００μｍ以下であれば封止後の反り発生を抑制し且つアスペクト比が２．５以上の開口部６を形成できる傾向にある。なお、開口部６のアスペクト比は、開口部６の長さ（封止用樹脂層５の厚さ）を開口部６の開口径で除すことによって算出される値を意味する。
【００３２】
硬化後の封止用樹脂層５のガラス転移温度以下での平均熱膨張係は、１０×１０−６／℃から１００×１０−６／℃の範囲であることが好ましい。この値が１０×１０−６／℃以上の場合はフィラーを増量する必要があまりなく封止用樹脂層５の解像性を低下させる懸念が少ない傾向があり、他方、１００×１０−６／℃以下の場合はパッケージの反りを抑制しやすくなる傾向となる。同様の理由から、硬化後の封止用樹脂層５の室温（２５℃）における貯蔵弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００３３】
次いで、図６に示すように、硬化後の封止用樹脂層５の開口部６に導電材料７を充填する。導電材料７としては、導電性を有し且つ開口部６に充填可能なものであればよく、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ及びこれらの合金等の金属などが挙げられる。充填方法としてはスパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ，電解めっき、無電解めっき等が挙げられる。特に電解めっきを施す場合、予めスパッタリングなどによって金属のシード層を形成することで、その後、電解めっきによって開口部６に金属を充填することができる。開口部６に導電材料７を充填する前に（例えば金属めっきを形成する前に）固定部材４上の残渣を除去する目的で、酸洗処理又はプラズマ処理を施しても構わない。
【００３４】
次いで、図７に示すように、基材３及び固定部材４を除去する。除去方法については特に制限するものではないが、例えば固定部材４として熱剥離性のものを使用すれば、加熱によって基材３及び固定部材４を除去することができる。
【００３５】
図８に示すように、封止用樹脂層５に再配線絶縁層８ａを形成する。再配線絶縁層８ａの形成は、感光性及び／又は熱硬化性を有する材料を使用すればよく、その材料は液状でもフィルム状でもよい。液状の感光性材料を用いる場合、スピンコーターで所定の厚さの層を形成し、その後、露光及び現像処理により所定のパターンを形成し、窒素雰囲気で熱硬化させる。その後、必要に応じて、無電解めっき又はスパッタ処理等によりシード層を形成する（図示省略）。その後、配線形成用レジストを形成し、露光、現像処理によりパターンを形成する。
【００３６】
次いで、図９に示すように、電解めっき等により配線パターン９を形成する。次いで、レジストをはく離し、シード層を除去する（図示省略）。その後、感光性材料で再配線絶縁層８ｂを形成する（図１０参照）。多層化が必要な場合は、これらサイクルを再度繰り返せばよい。無電解銅めっき法によりシード層を形成する場合、シード層の厚さは特に制限はないが、通常０．１〜１．０μｍが好ましい。配線パターン９を形成する前にシード層を形成することにより、電解銅めっき法が可能となり、選択的に配線パターン９を形成することができる。シード層の形成は無電解銅めっき法の他に、スパッタ法によっても形成できる。ターゲットは適宜選択できるが、Ｔｉ／Ｃｕが一般的である。Ｔｉ又はＣｕの層の厚さは特に制限はないが、Ｔｉで２０〜１００ｎｍ、Ｃｕで１００〜５００ｎｍ程度が好適である。最外層の電極には市販の無電解ニッケル／金めっき液等を用いてめっき処理を施すこともできる。
【００３７】
次いで、図１０に示すように、電極にはんだボール１０を搭載する。はんだボール１０の搭載は市販のＮ２リフロー装置等を用いて容易に行うことができる。はんだボール１０の搭載のタイミングは特に限定するものではなく、必要に応じて個片化後でもかまわない。最後に、図１１に示すように、例えばダイシングソー７０を用いて個片化することで、図１２に示す半導体パッケージ１００を得ることができる。半導体パッケージ１００は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において好適であり、ＦＯ−ＷＬＰ（Ｆａｎ−ｏｕｔ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）を三次元化する形態において特に好適である。
【００３８】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
【実施例】
【００３９】
まず、半導体素子を固定するための基材としてＳＵＳ板（ＳＵＳ３０４を直径２２０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍに加工したもの）を準備した。ＳＵＳ板の表面には厚さ１８μｍの固定部材（日東電工株式会社製、商品名：リバアルファ；熱はく離シート）をロールラミネーター（株式会社ラミーコーポレーション製、商品名：ＨＯＴＤＯＧ  １２ＤＸ、温度６０℃、線圧４ｋｇｆ／ｃｍ（３９．２Ｎ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分）を用いて貼付した。その際、固定部材（リバアルファ）フィルムの加熱によって発泡する面（発泡面）とは反対側を、上記ＳＵＳ板と貼り合わせた。
【００４０】
＜半導体素子用シリコンウェハの準備＞
８ｉｎｃｈウェハの半導体素子（株式会社ウォルツ製、商品名：ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＣＣ８０−０１０１ＪＹ＿（ＰＩ）＿ＭｏｄｅｌＩ）を準備した。ウェハに対してバックグラインド加工を行い、その厚さを４０μｍとした。
【００４１】
＜ダイシングテープの半導体素子用シリコンウェハへの貼付＞
ダイシングテープ（日立化成株式会社製、商品名：ＨＡＥ−１５０４）を準備した。上記半導体素子用ウェハの能動面とは反対側の面にダイシングテープを、保護フィルムのポリエチレンフィルムをはく離して、プレス式真空ラミネータ（株式会社名機製作所製、商品名：ＭＶＬＰ−５００）を用いて貼付した。プレス条件は、プレス熱板温度４０℃、真空引き時間３０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．５ＭＰａの下で行った。
【００４２】
＜半導体素子の準備＞
上記のダイシングテープ貼付済み半導体素子用シリコンウェハを縦１０ｍｍ、横１０ｍｍのサイズに個片化した。個片化にはシリコンウェハ用ダイシングソー（株式会社ディスコ製、商品名：ＤＡＤ−３３５０）を用いた。ダイシングブレードには２７ＨＥＦＦを用い、一分間あたりの回転数は３００００回転／分、切削速度は２０ｍｍ／秒で行なった。
【００４３】
＜半導体素子の実装＞
個片化した上記半導体素子を能動面が上記固定部材に貼り合わさるように実装した（図２参照）。実装にはフリップチップボンダー（パナソニック株式会社製、商品名：ＦＣＢ３  ＮＭ−ＳＢ５０Ａ）を用いた。ステージ上に固定部材を貼付したＳＵＳ板を、吸引によって固定した。ステージ設定温度を５０℃、フリップチップボンダーのヘッド温度が５０℃、圧着時間１秒間の設定で実装した。圧着時の荷重は１０Ｎで行った。
【００４４】
＜封止用感光性樹脂組成物の合成：アルカリ可溶性樹脂ＰＩ−１＞
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた３００ｍＬ丸底フラスコ内に、ジアミンである２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子株式会社製、商品名：ＢＩＳ−ＡＰ−ＡＦ、分子量：３６６）を３９ｇ（０．１１ｍｏｌ）、Ｄ−４００（ポリオキシアルキレンジアミン、ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｄ−４００、分子量：４３３）を４６ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ＢＹ１６−８７１ＥＧ（シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＢＹ１６−８７１ＥＧ、分子量：２４８．５）を６．６ｇ（０．０２７ｍｏｌ）、ｍ−ＡＰ（メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級）を１３．１ｇ（０．１２ｍｏｌ）、及び溶媒であるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水）２００ｇを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
【００４５】
上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ＯＤＰＡ（４，４´−オキシジフタル酸二無水物、東京化成工業株式会社製）を９３ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を１８０℃に昇温させて３時間保温して、アルカリ可溶性樹脂である、ポリイミド樹脂ＰＩ−１を得た。得られたポリイミド樹脂をアルミカップ上に薄く塗布し、熱風対流式乾燥機（株式会社二葉科学製、商品名：ＭＳＯ−８０ＴＰＳ）を用いて１８０℃で３時間乾燥させた後の質量減少から、ポリイミドの加熱残分を測定したところ、７５質量％であった。
【００４６】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−１）の調製＞
上記で得られたアルカリ可溶性樹脂、及び、以下に示すその他の化合物を用いて、下記に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−１）を得た。
（Ｉ）イソシアヌル酸ＥＯ変性ジ及びトリアクリレート（東亜合成株式会社製、商品名：Ｍ−３１３）：２９．８質量％
（ＩＩ）ビスフェノールＦ型ビスグリシジルエーテル（東都化成工業株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８７０ＧＳ）：１８．２４質量％
（ＩＩＩ）トリスフェノール化合物（α，α，α’−トリス（４−ヒドロキシフェノル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼン）（本州化学工業株式会社製、商品名：ＴｒｉｓＰ−ＰＡ）：４．３質量％
（ＩＶ）疎水性フュームドシリカ（平均粒径：約１６ｎｍ）（日本アエロジル株式会社製、商品名：Ｒ−９７２）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製、特級）中に２０質量％分散）：４．３質量％
（Ｖ）上記アルカリ可溶性樹脂（ポリイミド樹脂ＰＩ−１）：４２．５質量％
（ＶＩ）光重合開始剤（ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｉ−８１９））：１．２４質量％
（ＶＩＩ）ジクミルパーオキサイド（日油株式会社製、商品名：パークミルＤ）０．４３質量％
（ＶＩＩＩ）硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：２Ｐ４ＭＨＺ）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製、特級）中に１０質量％溶解）：０．４３質量％
（ＩＸ）溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）（関東化学株式会社製、特級）:１０ｍＬ
【００４７】
＜封止用感光性樹脂組成物の合成：アルカリ可溶性樹脂ＰＩ−２＞
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた３００ｍＬ丸底フラスコ内に、ジアミンである２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子株式会社製、商品名：ＢＩＳ−ＡＰ−ＡＦ、分子量：３６６）を５４ｇ（０．１５ｍｏｌ）、Ｄ−４００（ポリオキシアルキレンジアミン、ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｄ−４００、分子量：４３３）を２２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）、ＢＹ１６−８７１ＥＧ（シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＢＹ１６−８７１ＥＧ、分子量：２４８．５）を６．６ｇ（０．０２７ｍｏｌ）、ｍ−ＡＰ（メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級）を１３．１ｇ（０．１２ｍｏｌ）、及び溶媒であるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水）２００ｇを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
【００４８】
上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ＯＤＰＡ（４，４´−オキシジフタル酸二無水物、東京化成工業株式会社製）を９３ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を１８０℃に昇温させて３時間保温して、アルカリ可溶性樹脂である、ポリイミド樹脂ＰＩ−２を得た。得られたポリイミド樹脂をアルミカップ上に薄く塗布し、熱風対流式乾燥機（株式会社二葉科学製、商品名：ＭＳＯ−８０ＴＰＳ）を用いて１８０℃で３時間乾燥させた後の質量減少から、ポリイミドの加熱残分を測定したところ７５質量％であった。
【００４９】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−２）の調製＞
アルカリ可溶性樹脂（ＰＩ−１）の代わりに、アルカリ可溶性樹脂（ＰＩ−２）を用いた以外は、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−１）と同様の方法で、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−２）を得た。
【００５０】
＜封止用感光性樹脂組成物の合成：アルカリ可溶性樹脂ＰＩ−３＞
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた３００ｍＬ丸底フラスコ内に、ジアミンである２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子株式会社製、商品名：ＢＩＳ−ＡＰ−ＡＦ、分子量：３６６）を３９ｇ（０．１１ｍｏｌ）、Ｄ−４００（ポリオキシアルキレンジアミン、ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｄ−４００、分子量：４３３）を４６ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ＢＹ１６−８７１ＥＧ（シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＢＹ１６−８７１ＥＧ、分子量：２４８．５）を６．６ｇ（０．０２７ｍｏｌ）、ｍ−ＡＰ（メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級）を１３．１ｇ（０．１２ｍｏｌ）、及び溶媒であるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水）２００ｇを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
【００５１】
上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ＯＤＰＡ（４，４´−オキシジフタル酸二無水物、東京化成工業株式会社製）を９３ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を１８０℃に昇温させて３時間保温して、アルカリ可溶性樹脂である、ポリイミド樹脂ＰＩ−３を得た。得られたポリイミド樹脂をアルミカップ上に薄く塗布し、熱風対流式乾燥機（株式会社二葉科学製、商品名：ＭＳＯ−８０ＴＰＳ）を用いて１８０℃で３時間乾燥させた後の質量減少から、ポリイミドの加熱残分を測定したところ７５質量％であった。
【００５２】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−３）の調製＞
上記で得られたアルカリ可溶性樹脂、及び、以下に示すその他の化合物を用いて、下記に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−３）を得た。
（Ｉ）イソシアヌル酸ＥＯ変性ジ及びトリアクリレート（東亜合成株式会社製、商品名：Ｍ−３１３）：３３．４質量％
（ＩＩ）ビスフェノールＦ型ビスグリシジルエーテル（東都化成工業株式会社製、商品名：ＹＤＦ−８７０ＧＳ）：９．５質量％
（ＩＩＩ）トリスフェノール化合物（α，α，α’−トリス（４−ヒドロキシフェノル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼン）（本州化学工業株式会社製、商品名：ＴｒｉｓＰ−ＰＡ）：２．３９質量％
（ＩＶ）疎水性フュームドシリカ（平均粒径：約１６ｎｍ）（日本アエロジル株式会社製、商品名：Ｒ−９７２）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製、特級）中に２０質量％分散）：４．７７質量％
（Ｖ）上記アルカリ可溶性樹脂（ポリイミド樹脂ＰＩ−３）：４７．７質量％
（ＶＩ）光重合開始剤（ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｉ−８１９））：１．４３質量％
（ＶＩＩ）ジクミルパーオキサイド（日油株式会社製、商品名：パークミルＤ）０．４８質量％
（ＶＩＩＩ）硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：２Ｐ４ＭＨＺ）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製、特級）中に１０質量％溶解）：０．２４質量％
（ＩＸ）溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）（関東化学株式会社製、特級）：１０ｍＬ
【００５３】
＜封止用感光性脂組成物の合成：アルカリ可溶性樹脂ＰＩ−４＞
撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた３００ｍＬ丸底フラスコ内に、ジアミンである２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子株式会社製、商品名：ＢＩＳ−ＡＰ−ＡＦ、分子量：３６６）を４３．８ｇ（０．１２ｍｏｌ）、Ｄ−４００（ポリオキシアルキレンジアミン、ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｄ−４００、分子量：４３３）を５１．９ｇ（０．１２ｍｏｌ）、ＢＹ１６−８７１ＥＧ（シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＢＹ１６−８７１ＥＧ、分子量：２４８．５）を７．４７ｇ（０．０３０ｍｏｌ）、ｍ−ＡＰ（メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級）を６．５４ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、及び溶媒であるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水）２００ｇを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
【００５４】
上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ＯＤＰＡ（４，４´−オキシジフタル酸二無水物、東京化成工業株式会社製）を９３ｇ（０．３０ｍｏｌ）、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を１８０℃に昇温させて３時間保温して、アルカリ可溶性樹脂である、ポリイミド樹脂ＰＩ−４を得た。得られたポリイミド樹脂をアルミカップ上に薄く塗布し、熱風対流式乾燥機（株式会社二葉科学製、商品名：ＭＳＯ−８０ＴＰＳ）を用いて１８０℃で３時間乾燥させた後の質量減少から、ポリイミドの加熱残分を測定したところ７５質量％であった。
【００５５】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−４）の調製＞
アルカリ可溶性樹脂（ＰＩ−１）の代わりに、アルカリ可溶性樹脂（ＰＩ−４）を用いた以外は、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−１）と同様の方法で、封止用感光性樹脂組成物溶液（Ｓ−４）を得た。
【００５６】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（ＳＥ−１）の調製＞
下記に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、封止用感光性樹脂組成物溶液（ＳＥ−１）を得た。
（Ｉ）酸変性クレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＰ−２８１０）：４８．４質量％。
（ＩＩ）光反応性化合物（ジペンタエリスリトールペンタアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物、日本化薬株式会社製、商品名：ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ）：８．５質量％。
（ＩＩＩ）光重合開始剤として、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ＢＡＳＦ社製、商品名：ＤＡＲＯＣＵＲＥ−ＴＰＯ）：１．７質量％、及び２，４−ジエチルチオキサントン（日本化薬株式会社製、商品名：カヤキュアＤＥＴＸ−Ｓ）：０．２質量％。
（ＩＶ）熱硬化樹脂（ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）：５．７質量％、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である（新日鉄住金化学株式会社製、商品名：ＹＳＬＶ−８０）：１１質量％。
（Ｖ）無機フィラー成分：硫酸バリウム（堺化学工業株式会社製、商品名：Ｂ３０）：８．５質量％、シリカ（株式会社アドマテックス社製、サンプル名：ＭＥＫスラリー（１））：１４質量％。無機充填材の感光性樹脂組成物中に分散した状態における平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計（日機装株式会社製、商品名：ＭＴ−３１００）を用いて測定した。Ｂ３０の平均粒径が０．３μｍ、ＭＥＫスラリー（１）の平均粒径が０．５μｍであった。また、Ｂ３０及びＭＥＫスラリーを含む無機充填材の最大粒径は３μｍ以下であった。また、フィルム化後の無機充填材の粒径はフィルムを硬化後に断面を電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名：ＳＵ−１５１０）で観察して確認した。フィルム中に分散されている無機充填材の最大粒径が５μｍ以下であることを確認した。
（ＶＩ）  その他成分としては以下のものを用いた。ブタジエン系エラストマ（株式会社ダイセル製、商品名：エポリードＰＢ３６００）：１．７質量％、重合禁止剤（川口化学工業株式会社製、商品名：アンテージ５００）：０．３質量％
【００５７】
＜封止用感光性樹脂組成物溶液（ＳＥ−２）の調製＞
下記に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し、封止用感光性樹脂組成物溶液（ＳＥ−２）を得た。
（Ｉ）酸変性クレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＰ−２８１０）：３９．２質量％。
（ＩＩ）光反応性化合物（ジペンタエリスリトールペンタアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物、日本化薬株式会社製、商品名：ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ）：６．９質量％。
（ＩＩＩ）光重合開始剤として、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ＢＡＳＦ社製、商品名：ＤＡＲＯＣＵＲＥ−ＴＰＯ）：１．４質量％、及び２，４−ジエチルチオキサントン（日本化薬株式会社製、商品名：カヤキュアＤＥＴＸ−Ｓ）：０．１質量％。
（ＩＶ）熱硬化樹脂（ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）：４．６質量％、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である（新日鉄住金化学株式会社製、商品名：ＹＳＬＶ−８０）：９．２質量％。
（Ｖ）無機フィラー成分：硫酸バリウム（堺化学工業株式会社製、商品名：Ｂ３０）：１４質量％、シリカ（株式会社アドマテックス社製、サンプル名：ＭＥＫスラリー（１））：２３質量％。無機充填材の感光性樹脂組成物中に分散した状態における平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計（日機装株式会社製、商品名：ＭＴ−３１００）を用いて測定した。Ｂ３０の平均粒径が０．３μｍ、ＭＥＫスラリー（１）の平均粒径が０．５μｍであった。また、Ｂ３０及びＭＥＫスラリーを含む無機充填材の最大粒径は３μｍ以下であった。また、フィルム化後の無機充填材の粒径はフィルムを硬化後に断面を電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名：ＳＵ−１５１０）で観察して確認した。フィルム中に分散されている無機充填材の最大粒径が５μｍ以下であることを確認した。
（ＶＩ）  その他成分としては以下のものを用いた。ブタジエン系エラストマ（株式会社ダイセル製、商品名：エポリードＰＢ３６００）：１．４質量％、重合禁止剤（川口化学工業株式会社製、商品名：アンテージ５００）：０．２質量％
【００５８】
＜封止用感光性樹脂フィルムの作製＞
上記で得られた封止用感光性樹脂組成物溶液を用いて下記に示す操作により、実施例１〜９及び比較例１〜３でそれぞれ使用する封止用感光性樹脂フィルムを作製した。すなわち、支持フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２−１６）上に、上記で得られた封止用感光性樹脂組成物溶液をコーター（株式会社康井精機製、商品名：βコーターＳＮＣ２８０）を使用して塗布することにより封止用感光性樹脂組成物層を形成した。塗布速度は３．０ｍｍ／ｍｉｎとした。続いて、熱風対流式乾燥機（株式会社二葉科学製、商品名：ＭＳＯ−８０ＴＰＳ）を用いて８０℃で２０分間乾燥したのち、更に１２０℃で２０分間乾燥した。塗布時の厚さについては、下記の手順で半導体素子を封止した後に、下記の測定方法にて測定した際に所定の厚さが得られるよう、コーターのナイフと塗布面との間隔を設定することで調整した。
【００５９】
続いて、封止用感光性樹脂フィルムの支持フィルムと接している側とは反対側の表面上に、ポリエチレンフィルム（タマポリ株式会社製、商品名：ＮＦ−１５）を保護フィルムとしてロールラミネーター（株式会社ラミーコーポレーション製、商品名：ＨＯＴＤＯＧ  １２ＤＸ、温度６０℃、線圧４ｋｇｆ／ｃｍ（３９．２Ｎ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分）貼り合わせた。
【００６０】
＜封止用感光性樹脂フィルムによる半導体素子の封止＞
上記のようにして得た封止用感光性樹脂フィルムを用いて、固定部材を介して基材に配置されている半導体素子を以下のようにして封止した。すなわち、半導体素子上に封止用感光性樹脂フィルムを、保護フィルムのポリエチレンフィルムをはく離して、プレス式真空ラミネータ（ニッコー・マテリアルズ株式会社製、商品名：Ｖ１３０）を用いて貼付した。ラミネート条件は、プレス用熱板温度１００℃、真空引き時間１８秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰで行なった。
【００６１】
＜封止用感光性樹脂フィルムによる半導体素子封止後の平坦性評価方法＞
半導体素子封止後の封止用感光性樹脂フィルムの上面の平坦性を、半導体素子上部と半導体素子のない部分の封止後の段差で評価した。段差は膜厚計（株式会社ミツトヨ製、商品名：デジマチックインジケータＩＤ−Ｈ）にて測定した（図２（ａ）及び図２（ｂ）参照）。
【００６２】
＜アルカリ現像液を用いた封止用感光性樹脂フィルムの溶解による半導体素子の露出及び段差測定＞
スピン現像機（ミカサ株式会社製、商品名：ＡＤ−３０００、スプレー圧力０．２ＭＰａ、スキャン幅４．０ｃｍ、スキャン速度５．０ｃｍ／秒）を用いて２６℃の２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（多摩化学工業株式会社製）をスプレーし、次いで３０秒間純水で洗浄、更に１０秒間の風乾を行ない、半導体素子が露出するまで上記操作を続けた。
【００６３】
半導体素子の基材と接する面（下面）から基材とは反対側の面（上面）までの高さ（Ｈ１）と、半導体素子が配置されていない領域における基材の表面から封止用感光性層の最も薄い部分の当該層の上面までの高さ（Ｈ２）との差を、膜厚計（株式会社ミツトヨ製、商品名：デジマチックインジケータＩＤ−Ｈ）にて測定した（図４（ａ）及び図４（ｂ）参照）。この差の値（段差の大きさ）が目的の段差になるように上記の溶解操作を継続した。
【００６４】
封止用感光性樹脂フィルムの厚さの減少速度は、樹脂の組成によって一義的に決定され、上記処理時間によって調整することができる。従って、上記封止後に生じた段差は、上記半導体素子の露出後も保たれることになり、小さくなることはない。また、半導体素子露出後は、上記処理時間を長くするにつれて半導体素子の無い部分の封止用感光性樹脂組成物が除去され、露出した半導体素子との段差が大きくなる。封止後に段差が生じていない場合でも、上記処理時間が長くなることで、半導体素子の露出後に段差がより大きくなる。
【００６５】
＜封止用感光性樹脂フィルムの溶融粘度測定方法＞
溶融粘度は低粘度粘弾性測定装置（株式会社アントンパール・ジャパン（ＡｎｔｏｎＰａａｒ社）製、商品名：ＭＣＲ−３０１）を用いて測定した。直径４ｃｍ、深さ５ｍｍのアルミニウム製円形プレート（株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名：ディスポーザブルプレートＥＭＳ／ＣＴＤ６００）の底部中央に、縦３０ｍｍ、横３０ｍｍ、厚さ３００μｍの封止用感光性樹脂フィルムを貼付し、円形プレートを装置のステージに固定した。測定セル（株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名：Ｍｅｓｓｋｏｒｐｅｒａｃｈｓｅ  Ｄ−ＣＰ／ＰＰ７）を装置に取り付けた後、セルの先端には治具（株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名：ＳＰＰＹＵ０８−０７）を装着した。治具の先端が上記円形プレートの底面から２００μｍの高さに来るように、上記測定セルを下降し、上記治具の先端を上記封止用感光性樹脂フィルム内に埋没させた。測定条件は昇温１０℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚに設定し、２５〜２００℃の範囲で溶融粘度の測定を行なった。当該温度範囲での溶融粘度の最低値を、最低溶融粘度とした。
【００６６】
＜開口部の形成＞
封止用感光性樹脂フィルムを貼り付けることによって形成した封止用樹脂層に、パターンを形成したフォトマスクを密着させ、平行露光機（株式会社オーク製作所製、商品名：ＥＸＭ−１２０１）を使用して、８００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光を行った。次いで、ホットプレート（アズワン株式会社製、商品名：Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｈｏｔｐｌａｔｅ  ＴＨ−９００）の上に置き、８０℃で１分間加熱した。封止用感光性樹脂フィルム上のポリエチレンテレフタレートを剥離し、現像機（ミカサ株式会社製、商品名：ＡＤ−３０００、スプレー圧力０．２ＭＰａ、スキャン幅４．０ｃｍ、スキャン速度５．０ｃｍ／秒）を用いて２６℃の２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（多摩化学工業株式会社製）を１８０秒間スプレーし、次いで２０秒間純水で洗浄、更に１０秒間の風乾を行なうことで封止用樹脂層に開口部を設けた。続いて、平行露光機（株式会社オーク製作所製、商品名：ＥＸＭ−１２０１）を使用して２０００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー量で紫外線照射を行い、オーブン（エスペック株式会社製、商品名：ＰＶＣ−２１２）で１７５℃、２時間で熱硬化した（図５参照）。
【００６７】
＜電解銅めっきの形成＞
上記のようにして形成した開口部に、スパッタ装置（芝浦プレシジョン株式会社製、商品名：ＣＦＳ−１２Ｐ−１００）によってシード層を形成した。スパッタは、まず接着層としてＴｉを１００ｎｍ成膜し、次いでＣｕを３００ｎｍ積層させた。スパッタ時の圧力は１０−５Ｐａ、電圧印加時間はそれぞれＴｉが１０分、Ｃｕが３０分で行った。次いで上記開口部に、電解銅めっき法で、金属材料（銅）をめっきし付与（充填）した（図６参照）。以下に示す組成を純水中に溶解させ、全体を１Ｌとすることによって電解めっき液を得た。
（電解めっき液組成）
硫酸銅（和光純薬工業株式会社製、特級）    ５．０ｇ、
濃硫酸（和光純薬工業株式会社製、特級）  １２０ｇ、
塩酸（和光純薬工業株式会社製、特級）    ０．２ｇ
【００６８】
電解銅めっきを以下のようにして形成した。まず陽極を銅板に接続し、陰極を上記封止用樹脂層上に形成したスパッタ銅に接続し、上記めっき液内に浸潤させた。電流密度を１．０Ａ／ｄｍ２とし、４時間処理することで開口部内にめっき銅を付与（充填）させた。
【００６９】
＜基材及び固定部材の分離＞
次いで、基材の面をテープリムーバー（アズワン株式会社製、商品名：ＮＥＯ  ＨＯＴＰＬＡＴＥ  ＨＩ−１０００）に真空吸着して１５０℃に加熱することで、固定部材を発泡させ、半導体素子及びめっき銅を含む封止用感光性樹脂層と、基材及び固定部材とを分離した（図７参照）。
【００７０】
＜再配線絶縁層の形成＞
封止用感光性樹脂層の上に再配線絶縁層を形成した（図８〜１０参照）。具体的には、スピンコーターで感光性絶縁材料（日立化成株式会社製、商品名：ＡＨ−１１７０Ｔ）を塗布し、マスクを装着し露光（ミカサ株式会社製、商品名：マスクアライナー  ＭＡ−２００、３００ｍＪ／ｃｍ２）した後、現像機（ミカサ株式会社製、商品名：ＡＤ−３０００）を用い、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（多摩化学工業株式会社製）でディップ現像（３５秒浸潤後、スピンで廃液）を行なった。
【００７１】
次いで、２００℃で窒素雰囲気（酸素濃度５０体積ｐｐｍ以下）下、オーブン（エスペック株式会社製、商品名：ＰＶＣ−２１２）で１時間の熱硬化を行った。その後、スパッタ装置（芝浦プレシジョン株式会社製、商品名：ＣＦＳ−１２Ｐ−１００）により、Ｔｉを１００ｎｍの厚さ蒸着し、連続してＣｕを３００ｎｍの厚さ蒸着し、シード層を形成した。次いで、ドライフィルムレジスト（日立化成株式会社製、商品名：Ｐｈｏｔｅｃ  ＲＹ−３５２５）をロールラミネーター（株式会社ラミーコーポレーション製、商品名：ＨＯＴＤＯＧ  １２ＤＸ、温度６０℃、線圧４ｋｇｆ／ｃｍ（３９．２Ｎ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分）で貼着し、パターンを形成したフォトマスクを密着させ、露光機（株式会社オーク製作所製、商品名：ＥＸＭ−１２０１、１００ｍＪ／ｃｍ２）で露光を行った。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、ドライフィルムレジストを開口させた。次いで、電解銅めっき法により、シード層上に、厚さ５μｍの銅めっきを形成した。次いで、はく離液により、ドライフィルムレジストを剥離した。次いでシード層をエッチング液より除去した。次いで、スピンコーターで再度、感光性絶縁材料（日立化成株式会社製、商品名：ＡＨ−１１７０Ｔ）を塗布し、露光処理及び現像処理を行った。次いで、所定温度２００℃で窒素雰囲気（酸素濃度５０体積ｐｐｍ以下）下、１時間の熱硬化を行った。
【００７２】
＜はんだボール搭載及び個片化＞
リフロー装置（株式会社タムラ製作所製、商品名：ＴＮＰ２５−３３７ＥＭ）を用いて、窒素雰囲気（酸素濃度１００体積ｐｐｍ以下）ではんだボールを搭載した（図９参照）。最後に、ダイサー（株式会社ディスコ製、商品名：ＤＡＤ−３３５０）を用いて個片化することによって、パッケージサイズが縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの半導体装置を得た（図１１，１２参照）。ダイシングブレードとして２７ＨＥＦＦ（株式会社ディスコ製）を用い、一分間あたりの回転数３００００回転／分及び切削速度２０ｍｍ／秒の条件で個片化を行った。
【００７３】
＜開口部のアスペクト比の評価方法＞
封止用感光性樹脂層の開口可能アスペクト比（膜厚／開口径）については以下の基準に基づいて評価した。
「Ａ」：アスペクト比が２．５以上のもの
「Ｂ」：アスペクト比が１．０以上、２．５未満のもの
「Ｃ」：アスペクト比が１．０未満のもの
【００７４】
表１に示す封止用感光性樹脂組成物をそれぞれ使用し、実施例１〜１０に係る半導体装置を作製した。実施例１〜１０に係る封止用感光性樹脂組成物の最低溶融粘度、封止後の平坦性及び露光処理開始時の段差（Ｈ１−Ｈ２）の評価結果を表１に示す。なお、実施例１〜５において同じ樹脂組成物Ｓ−１を使用しているにも関わらず、「段差Ｈ１−Ｈ２」の値が異なるのは溶解処理の時間が長くなると段差が大きくなることに起因するものである。
【００７５】
【表１】
2018067659.tif 000003
【００７６】
表２に示す封止用感光性樹脂組成物をそれぞれ使用し、比較例１〜４に係る半導体装置を作製した。比較例１〜４に係る封止用感光性樹脂組成物の最低溶融粘度、封止後の平坦性及び露光処理開始時の段差（Ｈ１−Ｈ２）の評価結果を表２に示す。
【００７７】
【表２】
2018067659.tif 000004
【００７８】
表１に示す通り、実施例１〜１０に係る半導体装置の製造方法によれば、アルカリ現像液で封止用感光性樹脂層の厚さを減じ、半導体素子を露出した後の段差を１０μｍ以下に抑えることができる。また、アルカリ現像液で封止用感光性樹脂層の厚さを減じる工程を適用することで、従来の液状封止材の研削工程等を経て行うよりも簡便に半導体素子を露出させた構造を持つ半導体パッケージを製造可能である。露光処理開始時における封止用感光性樹脂層の上面の段差を１０μｍ以下に抑えることで、露光及び現像による開口部形成において、アスペクト比１．０以上の開口部を感光性樹脂層に形成することができた。なお、例えば、感光性樹脂組成物として最低溶融粘度３００Ｐａ・ｓ以下のものを使用することは、封止後におけるフィルム上面の高い平坦性を確保するのに有用であり、露光処理開始時における上記段差（Ｈ１−Ｈ２）を１０μｍ以下とするのに有用である。
【００７９】
表２に示す通り、最低溶融粘度が３００Ｐａ・ｓ以下であっても、封止用感光性樹脂層の厚さを減じる時間が過度に長いと、露光処理開始時における上記段差（Ｈ１−Ｈ２）が１０μｍよりも大きくなり、その結果、露光及び現像で形成される開口部のアスペクト比は１．０よりも小さくなった。
【符号の説明】
【００８０】
１…半導体素子、１ａ…半導体素子の上面、３…基材、３ｆ…基材の表面、５…封止用樹脂層、５ａ…封止用樹脂層の上面、５Ａ…露光部、６…開口部、７…導電材料、８ａ，８ｂ…再配線絶縁層、９…配線パターン、１０…はんだボール、７０…ダイシングソー、１００…半導体パッケージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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