(57)【要約】【課題】より薄型で、かつよりメンテナンス性の高い電気的な接続を行うことのできる回路基板を提供する。【解決手段】回路基板１００は、板厚方向に貫通する穴部１１０を有する基板１０１と、穴部１１０の一方を塞ぐ第１導体層２０２と、穴部１１０及び第１導体層２０２により形成される凹部２０１に配置される液体金属２１０と、液体金属２１０の液面側が硬化した封止膜２１２を有するコネクタ領域を備える。液体金属２１０は、凹部２０１に製膜された第２導体層２０４に接していてもよい。【選択図】  図２
2018064063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に貫通する穴部を有する基板と、
前記穴部の一方を塞ぐ第１導体層と、
前記穴部及び前記第１導体層により形成される凹部に配置される液体金属と、
前記液体金属の表面を被覆する封止膜とを有するコネクタ領域を備える回路基板。
【請求項２】
前記封止膜は、前記液体金属の液面側が酸化した膜である
請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記凹部に前記液体金属が接触する第２導体層を有する
請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記第２導体層は、Ｎｉ（ニッケル）層からなる
請求項３記載の回路基板。
【請求項５】
前記穴部における前記第２導体層と前記液体金属との間に第３導体層を有する
請求項３又は４記載の回路基板。
【請求項６】
前記第３導体層は、Ａｕ（金）層からなる
請求項５記載の回路基板。
【請求項７】
前記液体金属は、Ｇａ及びＳｎを含む
請求項１〜６何れか１項記載の回路基板。
【請求項８】
前記液体金属は、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎを含む
請求項１〜７何れか１項記載の回路基板。
【請求項９】
前記基板の前記第１導体層側に更に別の基板を有する
請求項１〜８何れか１項記載の回路基板。
【請求項１０】
前記第１導体層の前記凹部の反対側に第４導体層を有する
請求項１〜９何れか１項記載の回路基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０何れか１項記載の回路基板と、
前記液体金属に接触する導電性の凸形接触部を有する回路配線部と、
を備える回路装置。
【請求項１２】
前記回路配線部を前記回路基板に保持するばね部材を有する
請求項１１記載の回路装置。
【請求項１３】
前記回路配線部を前記回路基板に保持する粘着テープを有する
請求項１１記載の回路装置。
【請求項１４】
前記凸形接触部は前記回路基板に向かって細くなる錐形状である
請求項１１〜１３何れか１項記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板及び回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を回路基板に実装するために、はんだ付け、超音波溶接等の様々な実装技術が知られている。そして、電子機器の小型化が求められるに伴って、電子機器を構成する電子部品や回路基板に対して益々の小型化が求められてきている。その一方で、例えば検査等において不良と判断された電子機器において、検査された電子機器すべてを廃棄するのではなく、電子機器内の不良となった部品のみを交換することができる等のメンテナンス性も求められている。
【０００３】
特許文献１は、はんだ付けによる実装技術の一例であり、表面に複数個の電極が１又は複数の列に沿って配置されたプリント配線基板と、このプリント配線基板に対向して配置され対向面上の電極に対応する位置にはんだボールが形成されたＢＧＡ（Ball Grid Array）型電子部品と、プリント配線基板の電極の列とＢＧＡ型電子部品との間に設けられ電極の列の方向に延びる角柱状をなす弾性体の周囲に電極の配置間隔で離隔するように複数の導体層が形成された接続部品と、を有し、プリント配線基板の各電極とＢＧＡ型電子部品のはんだボールとが接続部品の導体層により接続されているＢＧＡ型半導体装置について開示している。
【０００４】
特許文献２は、メンテナンス性を考慮した実装技術の一例であり、スルーホールに挿入されて電気的に接続されるアウタリードが複数本封止体に突設された挿入実装形パッケージを備えている半導体装置において、封止体の少なくとも互いに対向する一対の位置に、スルーホール側の構造体に反力をとって挿入実装形パッケージを付勢しスルーホールからアウタリード群を引き抜く抜き具がそれぞれ装着されている半導体装置について開示している。
【０００５】
特許文献３もメンテナンス性を考慮した実装技術の他の例である。即ち、電子部品搭載モジュールのピン保持スリーブ（211）が一対の接触手段（212）を備えており、各接触手段（212）は上側部分が鉤状をなす金属ばねとして形成されており、ピン（148、163）の先端部を挟持するようになっている。したがって、ピン（148、163）は各接触手段（212）により着脱可能に保持されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５８０２４号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５８２９号公報
【特許文献３】特開２０１２−２１２５５６号公報、段落００８５、図９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記特許文献１で例示するＢＧＡによる半導体素子と回路基板とのコネクタ構造は、小型化には寄与するものの、原則として取り外すことについては考慮されていないため、メンテナンス性が低くなってしまう。また、前記特許文献２、３で例示するようなねじや金属ばね等を備えたソケット（例えばＰＧＡ（Pin Grid Array）等）では、半導体素子と回路基板との脱着は容易であるためメンテナンス性は高いものの、ばね構造やねじ穴を有する必要があり、コネクタ構造が大型化してしまう。
【０００８】
以上のような従来技術を背景になされたのが本発明である。その目的は、より小型で、かつよりメンテナンス性の高い電気的な接続を行うことのできる回路基板の接続技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく本発明は以下のように構成される。
すなわち本発明は、板厚方向に貫通する穴部を有する基板と、前記穴部の一方を塞ぐ第１導体層と、前記穴部及び前記第１導体層により形成される凹部に配置される液体金属と、前記液体金属の表面を被覆する封止膜とを有するコネクタ領域を備える回路基板を提供する。
【００１０】
これによれば、基板に形成した穴部に液体金属を充填したコネクタ領域を接続対象物との接続領域としているため、より小型のコネクタ構造を実現することができる。そして、接続対象物との導通接続は、接続対象物が封止膜を貫通して液体金属と接触することにより達成され、導通接続を解除するには接続対象物を抜き去れば良いことから、よりメンテナンス性の高い電気的な接続を行うことができる。
【００１１】
前記封止膜は前記液体金属の液面側が酸化した膜とすることができる。これによれば、液体金属の気化や漏出を防止する封止用の部材を用意しなくても、液体金属の液面側に形成される酸化皮膜を封止膜として利用することができる。また、酸化皮膜は液体金属の液面側に薄皮状に形成されたものとすることができる。これによれば、軽い挿入力（例えば液体金属から酸化皮膜が受ける浮力に抗する程度の挿入力）で酸化皮膜を破ることができ、破った後も接続対象物を液体金属に低挿入力で挿入して導通接触させることができる。
【００１２】
前記凹部には、前記液体金属が接触する第２導体層を有することができる。これによれば、例えば第１導体層が直接液体金属に触れることにより拡散してしまう場合に、第２導体層を成膜することにより拡散を抑制することができる。
【００１３】
前記第２導体層はＮｉ（ニッケル）層とすることができ、拡散されにくいＮｉを第２導体層の材料として選択することにより、第１導体層、第２導体層及び液体金属の改質を抑制することができる。また前記第２導体層は、厚さ０．３μｍ以上５μｍ以下とすることができる。これにより、導電性を高く保ちつつ、第１導体層の拡散を抑えることができる。
【００１４】
前記穴部における前記第２導体層と前記液体金属との間には第３導体層を有することができる。この場合には、例えば第２導体層を成膜してから液体金属を充填する間に、第２導体層の表面に酸化被膜が形成されるのを効率的に防ぐと共に、第２導体層に形成されたピンホールを埋めることができる。また第３導体層には、Ａｕ（金）層を用いることができ、これにより酸化被膜の形成を抑えることができる。更に前記第３導体層は、厚さ０．００１μｍ以上０．５μｍ以下とすることができる。これにより、第２導体層を効率的に機能させると共に、より安価に第３導電膜を下地層として形成することができる。
【００１５】
前記穴部は、直径０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。これにより、コネクタ領域は十分な電気的な接続を提供することができ、またコネクタ領域における接続対象物との接続密度を高めることができる。このため結果として基板の実装効率を高くすることができる。また、半導体素子やフラットケーブル等との接続を可能とすることができる。
【００１６】
前記液体金属はＧａ及びＳｎを含むものとすることができ、特に、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎを含むことができる。これにより、コネクタ領域に電気的な接続を行う際に液体の状態である液体金属を用いることができる。
【００１７】
前記基板の前記第１導体層側には、更に別の基板を有することができる。これにより、複雑な回路を形成する多層基板においても、より薄型のコネクタ領域を利用することができる。
【００１８】
前記第１導体層の前記凹部の反対側には、第４導体層を有することができる。例えば回路基板をはんだ付けする場合には、はんだの濡れ性を考慮した第４導体層とすることができ、第１導体層の前記凹部の反対側において、十分な電気的接続を行うことができる。
【００１９】
また、前記目的を達成する他の本発明は、前記いずれかの本発明による回路基板と、前記液体金属に接触する導電性の凸形接触部を有する回路配線部とを備える回路装置を提供する。これによれば、より小さく薄型で、かつよりメンテナンス性の高い電気的接続の回路装置を実現することができる。
【００２０】
前記回路配線部は、ばね部材や粘着テープにより前記回路基板に保持されていてもよい。これによれば簡易な保持構造でありながら、安定した電気的接続とすることができる。
【００２１】
前記凸形接触部は前記回路基板に向かって細くなる錐形状とすることできる。これによれば、液体金属に挿入しやすく、また液体金属の表面が、例えば電気抵抗がより高い酸化被膜となっている場合にも、酸化被膜を破って液体金属に確実に導通接触させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、より小型で、かつよりメンテナンス性の高い電気的な接続を行うことのできる回路基板を提供することができる。また、本発明によれば、より小さく薄型で、かつよりメンテナンス性の高い電気的接続の回路装置を提供することができる。したがって、メンテナンス性に優れるとともに低背であり高密度化が容易な新しい導通接続形態によるコネクタ構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】一実施形態による回路基板を示す説明図。
【図２】図１のII−II線における断面図。
【図３】図２の第２導体層と液体金属との間に更に第３導体層を有する他の実施形態の断面図。
【図４】図１の回路基板と配線回路部との電気的接続を示す図２相当の断面図。
【図５】図４に続く回路基板と配線回路部との電気的接続を示す断面図。
【図６】一実施形態による回路基板の製造工程を示す説明図。
【図７】一実施形態による配線基板を有する回路基板の断面図。
【図８】液体金属のコネクタ領域を有する一実施形態の回路基板を示す外観斜視図。
【図９】図８のコネクタ領域に半導体素子を接続した状態を示す外観斜視図。
【図１０】図９の半導体素子をばね部材により固定した状態を示す外観斜視図。
【図１１】液体金属のコネクタ領域を有する他の実施形態の回路基板を示す外観斜視図。
【図１２】図１１のコネクタ領域にフラットケーブルを接続した状態を示す外観斜視図。
【図１３】一つの基板に複数のコネクタ領域を形成する実施形態を示す説明図。
【図１４】配線回路部を載置するソケットとして回路基板を利用する実施形態を示す説明図。
【図１５】第１導体層の凹部側とは反対側に第４導体層を有する回路基板と、その回路基板に接続される配線基板を示す説明図。
【図１６】第１導体層の凹部側とは反対側に第４導体層を有する回路基板と、配線基板とが接続された状態を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。以下の各実施形態で共通する構成については、同一の符号を付して重複説明を省略する。また共通する使用方法、作用効果等についても重複説明を省略する。
【００２５】
実施形態〔図１〜図６〕：
〔回路基板１００の構成〕
回路基板１００は、図１で示すように、基板１０１を有し、液体金属２１０が配置されたコネクタ領域１０３を有している。コネクタ領域１０３には、液体金属２１０が複数整列して配置されているが、液体金属２１０の数や配置の実施形態はこれに限られない。基板１０１の材料には、ポリイミド、エポキシ樹脂積層板やＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）等の繊維強化樹脂その他の材料を用いることができる。また、基板１０１の表面及び／又は裏面に導体が印刷されることにより電気回路が形成されたものとすることができる。
【００２６】
図２は、図１のII−II線における断面の例を示す図である。基板１０１のコネクタ領域１０３には板厚方向に貫通する穴部１１０を有し、穴部１１０の一方は第１導体層２０２により塞がれている。穴部１１０は、直径０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。ここで第１導体層２０２は金属材により形成することができ、例えばＣｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属や、異なる金属を積層したものや合金を用いることができる。穴部１１０及び第１導体層２０２により形成される凹部２０１には液体金属２１０が充填されて配置されている。ここで液体金属２１０には、例えばＧａ（ガリウム）及びＳｎ（スズ）を含む材料を用いることができる。より好ましくはＧａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）及びＳｎ（スズ）の共晶合金であるガリンスタン（商標）が用いられる。液体金属２１０の用語は、例えば基板１０１に用いられる材料の融点よりも低い融点を有する金属として定義することができ、更に５〜３５℃の間において液体である金属であってもよく、更に１５〜２５℃の間において液体である金属であってもよい。前述のガリンスタンは、沸点１３００℃以上、融点は約−１９℃であり、これらの温度範囲のいずれにも該当する材料である。
【００２７】
コネクタ領域１０３には、更に、凹部２０１に製膜され、液体金属２１０に接する第２導体層２０４が形成されている。この第２導体層２０４は、第１導体層２０２が液体金属２１０に拡散してしまうことを防ぐ金属を用いることができる。例えば、液体金属２１０としてガリンスタンを用いる場合、第２導体層２０４をＣｕ層とするとガリンスタンに拡散してしまうため、そうした不都合のないＮｉ層とすることができる。また第２導体層２０４は、厚さ０．３μｍ以上５μｍ以下とすることができ、これにより導電性を高く保ちつつ、第１導体層２０２の拡散を抑えることができる。
【００２８】
また、図３に示されるように、第２導体層２０４と液体金属２１０との間には、更に第３導体層２０６の膜が形成されていてもよい。第３導体層２０６は、例えば、第２導体層２０４の表面に対する酸化被膜の形成を防ぐ役割を有するものとすることができる。例えば、第３導体層２０６はＡｕ層とすることができる。また第３導体層２０６は、厚さ０．００１μｍ以上０．５μｍ以下とすることができる。この場合には、第３導体層２０６は、第２導体層２０４の表面の酸化被膜の形成を効率的に防ぐと共に、第２導体層２０４に形成されたピンホールを埋めることができる。ここで第３導体層２０６は、液体金属２１０と接触することにより、液体金属２１０に拡散してしまうものであってもよい。
【００２９】
図２及び図３に示されるように、液体金属２１０には、空気との接触面付近に「封止膜」としての酸化被膜２１２を有する。この酸化被膜２１２によって液体金属２１０の気化や漏出を抑えることができる。例えば、液体金属２１０が通電による発熱等により気化したり、回路基板１００が傾いて漏出したりしてしまうと、後述する凸形接触部８０５（図４参照）と液体金属２１０との接触面積が減少し、電気的接続に影響を与える恐れがある。しかしながら、液体金属２１０それ自体に酸化被膜２１２が形成されることにより気化や漏出による減少を最小限に抑えられるため、安定的な電気的接続を維持することができる。酸化皮膜２１２は、液体金属２１０の液面側に薄皮状に形成されている。例えば液体金属２１０としてガリンスタンを用いる場合、酸化皮膜２１２を凸形接触部８０５で破るのに必要な挿入力は酸化皮膜２１２が液体金属２１０から受ける浮力に抗する程度の低挿入力で足りる。したがって、酸化皮膜２１２を低い挿入力で凸形接触部８０５により破ることができ、破った後は液体金属２１０の内部に低挿入力で挿入し導通接触させることができる。
【００３０】
〔回路基板１００と配線回路部８００との接続〕
図４及び図５は、回路基板１００と配線回路部８００との液体金属２１０を介した電気的に接続について説明するための、図２相当の断面図である。図４に示されるように、配線回路部８００は、例えば基板や樹脂フィルム等からなる基材部８０１と、基材部８０１に形成された配線や回路と接続される接続端子８０２とを有している。また更に接続端子８０２と液体金属２１０との間の接続を行う凸形接触部８０５を有している。
【００３１】
このような配線回路部８００を、図５で示すように回路基板１００のコネクタ領域１０３に導通接続させるには、凸形接触部８０５を酸化被膜２１２を破って凹部２０１に入り込ませる。これにより、凸形接触部８０５の周囲が液体金属２１０と接触して、回路基板１００と配線回路部８００とが導通接続することで回路装置９００を形成する。このように、固体である凸形接触部８０５と、接触時に液体である液体金属２１０を接触させることにより、同じ接触領域を有する固体同士を接触させる場合よりも、隙間なく接触させることができるため、接触面積を大きくすることができ、通電の際の抵抗をより減少させることができる。
【００３２】
凸形接触部８０５は、先端に向かって細くなる円錐、角錐等の錐形状とするのが好ましい。こうした錐形状は、例えば接続端子８０２に接触させた金属の一部を残して引きちぎるようにすることにより形成することができる。錐形状とすることにより、例えばより電気抵抗の高い酸化被膜２１２を確実に破って、酸化されていない液体金属２１０の領域で凸形接触部８０５を接触させることができる。凸形接触部８０５には例えば、ＡｕやＮｉのめっきを有するＣｕその他の金属を用いることができる。
【００３３】
このように本実施形態に係る回路基板１００では、コネクタ領域１０３における電気的な接続において、基板１０１内の液体金属２１０を用いるため、回路装置９００をより薄型とすることができる。また、液体金属２１０により電気的接続を実現しているため、取り外すことが容易であり、メンテナンス性を高くすることができる。はんだ等のように熱処理によるロウ付け工程を必要とせず、製造工程を簡略化することができる。また、凹部２０１は高密度で配置することができるため、実装面積をより小さくすることができる。また、ねじやばね等の接続具を用いずに配線回路部８００を接続することができるため、省面積化を実現でき、基板１０１の実装密度を向上させることができる。
【００３４】
〔回路基板１００の製造工程〕
図６は、一実施形態による回路基板１００の製造工程のフローチャートである。先ずステップＳ１において、表面にマスク導体層２５１が形成され、裏面に第１導体層２０２が形成された基板１０１を用意する。ここで第１導体層２０２は基板１０１の裏面全面に形成され、マスク導体層２５１は液体金属２１０が充填される穴部１１０を形成する部分を除いて形成する。第１導体層２０２及びマスク導体層２５１は、箔、印刷、めっき等によるＣｕ層で形成されていてもよい。次にステップＳ２において、エッチングにより基板１０１に穴部１１０を形成する。ここで穴部１１０は、一方を第１導体層２０２により塞がれているため、凹部２０１が同時に形成される。ステップＳ３において、第２導体層２０４を成膜する。第２導体層２０４は、例えばＮｉ層で形成することができる。
【００３５】
次にステップＳ４において、第１導体層２０２、第２導体層２０４及びマスク導体層２５１をエッチング処理するためのマスク２５５を形成する。具体的には、表面側及び裏面側の両方において隣り合う凹部２０１の電気的な接続が切断されるように、表面側ではマスク２５５は例えばレジストフィルムにより各凹部２０１を覆うように形成され、裏面側においても、凹部２０１に対応する部分においてマスク２５５が形成される。引き続き、ステップＳ５においてエッチングを行い、これにより、第１導体層２０２及び第２導体層２０４が、それぞれ隣り合う凹部２０１のそれらと切断される。ステップＳ６においてマスク２５５を取り除く処理を行い、ステップＳ７において、凹部２０１に例えばガリンスタン等の液体金属２１０を充填すると、その液面側には酸化被膜２１２による封止膜が形成される。これにより回路基板１００が得られる。図６の製造工程による回路基板１００によれば、マスク導体層２５１が一部に残っているが、マスク導体層２５１は残っていなくてもよい。また回路基板１００の製造工程は上述した製造工程はこれに限られるものではない。
【００３６】
実施形態の変形例及び適用例〔図７〜１４〕：
〔配線基板が積層された回路基板１００の実施形態〕
図７は、基板１０１の裏面側に、更に配線基板１０５及び配線基板１０６が積層された例について示す図である。この図に示されるように、配線基板１０５及び配線基板１０６は、基板１０１の第１導体層２０２と共に回路を形成する配線１０８を有している。更に例えば配線基板１０５を貫通するビア１０９を備えていてもよい。このように回路基板１００は、基板１０１に加えて、更に一層以上の配線基板１０５，１０６が積層された回路基板１００とすることができる。これにより、複雑な回路を形成する多層基板においても、より薄型のコネクタ領域１０３を用いることができる。
【００３７】
〔半導体素子８１０が実装される回路基板１００の実施形態〕
図８及び図９は、液体金属２１０が配置されたコネクタ領域１０３に半導体素子８１０を実装する回路基板１００について示す図である。図８に示されるように、回路基板１００は、配線回路部８００の一例である半導体素子８１０の接続端子の配置に合わせて、液体金属２１０が配置されたコネクタ領域１０３を有している。図９で示すように、このコネクタ領域１０３に半導体素子８１０を実装することにより、回路基板１００に形成された回路と、半導体素子８１０に形成された回路とが電気的に接続された回路装置９００とすることができる。図１０は、半導体素子８１０をばね部材２１１により固定する場合の例について示す図である。ばね部材２１１は、一端側が基板１０１に固定する固定端を有し、そこから半導体素子８１０の上縁に係止する屈曲係止部が形成されている。そして屈曲係止部からは半導体素子８１０の上縁の斜め上方の外方に向けて誘い込み部が形成されており、半導体素子８１０を装着する際に誘い込み部のガイドによりスムーズに装着できるようにしている。この図に示されるように、例えば基板１０１に固定された一組のばね部材２１１の山形の屈曲係止部により半導体素子８１０の上縁を押さえることにより、半導体素子８１０を基板１０１に、よりしっかりと固定することができる。ここで、ばね部材２１１は、半導体素子８１０を回路基板１００の面に対して垂直方向に配置及び取り外しできるものとすることができる。また、ばね部材２１１の代わりに粘着テープにより固定させることとしてもよい。
【００３８】
〔フラットケーブル８２０が接続される回路基板１００の実施形態〕
図１１及び図１２は、液体金属２１０が配置されたコネクタ領域１０３にフラットケーブル８２０を導通接続する回路基板１００について示す図である。図１１に示されるように、回路基板１００は、配線回路部８００の一例であるフラットケーブル８２０の接続端子８０２の配置に合わせて、液体金属２１０が配置されたコネクタ領域１０３を有している。図１２に示すように、このコネクタ領域１０３にフラットケーブル８２０を取り付けることにより、回路基板１００に形成された回路と、フラットケーブル８２０に形成された配線とが電気的に接続された回路装置９００とすることができる。図８〜図１２では、配線回路部８００が、半導体素子８１０及びフラットケーブル８２０である場合について示したが、配線回路部８００はこれらに限られず、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等その他の配線回路を用いることができる。
【００３９】
〔配線基板３００に実装される回路基板１００の実施形態〕
図１３は、コネクタ領域１０３が一つの基板１０１に複数形成される例について示す図である。この例においては、一つの基板１０１に１０のコネクタ領域１０３が形成されている。切断線１３０に沿って分割することにより、１０個の回路基板１００を製造することができる。このように製造された回路基板１００は、例えば、図１４に示されるように、配線基板３００上に、電気的な接続と共に実装することができる。この場合には配線回路部８００が実装されると、回路基板１００は、配線基板３００と配線回路部８００との間に配置されることとなる。このように回路基板１００は、配線回路部８００を実装するためのソケットとして利用することができる。
【００４０】
図１３のように一つの基板１０１に複数の回路基板１００を形成する場合に限らず、回路基板１００は、配線基板３００等の配線基板へ実装することができる。図１５及び図１６は、例えば第１導体層２０２の凹部２０１側とは反対側には第４導体層２０８を有する回路基板１００について示している。第４導体層２０８には、例えば、はんだとの濡れ性が高い材料を用いることができる。このようにすることにより、図１６に示されるように、配線基板３００に形成された端子３０３は、はんだ３０５を介して第４導体層２０８と電気的に接続されることができる。ここで第４導体層２０８には例えばＡｕ等を用いることができる。この例に限られず、第４導体層２０８は、ＢＧＡ等その他の電気的接続に適した形態としてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１００  回路基板
１０１  基板
１０３  コネクタ領域
１０５  配線基板
１０６  配線基板
１０８  配線
１０９  ビア
１１０  穴部
１３０  切断線
２０１  凹部
２０２  第１導体層
２０４  第２導体層
２０６  第３導体層
２０８  第４導体層
２１０  液体金属
２１１  ばね部材
２１２  酸化被膜
２５１  マスク導体層
２５５  マスク
３００  配線基板
３０３  端子
８００  配線回路部
８０１  基材部
８０２  接続端子
８０５  凸形接触部
８１０  半導体素子
８２０  フラットケーブル
９００  回路装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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