(57)【要約】【課題】小型化が可能な弾性波デバイスを提供すること。【解決手段】圧電基板１０と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極２２と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極を挟んで設けられた１対の反射器３０と、前記圧電基板上に、前記１対の反射器を覆って設けられ、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間の領域に側面６２を有する誘電体膜６０と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極を覆い、前記第１誘電体膜の前記側面に接して設けられた誘電体膜７０と、を備える、弾性波デバイス。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上に、前記櫛型電極を挟んで設けられた１対の反射器と、
前記圧電基板上に、前記１対の反射器を覆って設けられ、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間の領域に側面を有する第１誘電体膜と、
前記圧電基板上に、前記櫛型電極を覆い、前記第１誘電体膜の前記側面に接して設けられた第２誘電体膜と、を備える、弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極と前記第１誘電体膜とを覆って設けられ、
前記１対の反射器上における前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜の合計の厚さは、前記櫛型電極上における前記第２誘電体膜よりも厚い、請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間に側面を有する、請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第２誘電体膜の前記側面は、前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な面である、請求項３記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１誘電体膜の前記側面と前記第２誘電体膜の前記側面とは、前記圧電基板の上面に垂直な方向で重ならない位置に設けられている、請求項３または４記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極を覆い且つ前記第１誘電体膜を覆わずに設けられ、
前記第１誘電体膜の厚さは、前記第２誘電体膜よりも厚い、請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜は異なる材料からなる、請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１誘電体膜の音響インピーダンスは前記第２誘電体膜の音響インピーダンスよりも高い、請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第１誘電体膜の前記側面は、前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な面である、請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上に、前記櫛型電極を挟んで設けられた１対の反射器と、
前記圧電基板上に、前記櫛型電極と前記１対の反射器とを覆って設けられ、前記１対の反射器上における厚さが前記櫛型電極上における厚さよりも厚く、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間の領域に前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な側面を有する誘電体膜と、を備える、弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板上に１対の櫛型電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられ、圧電基板の上面に設けられた段差の端面によって弾性波が反射する端面反射型の１ポート型共振子が知られている（例えば、特許文献１）。また、圧電基板上にＩＤＴを挟む１対の反射器が設けられ、ＩＤＴと反射器とが絶縁膜で覆われた反射器付きの１ポート型共振子も知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８６８９号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６７２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波デバイスは、携帯電話などの移動体通信機器に用いられることから、小型化が求められている。本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、小型化が可能な弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極を挟んで設けられた１対の反射器と、前記圧電基板上に、前記１対の反射器を覆って設けられ、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間の領域に側面を有する第１誘電体膜と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極を覆い、前記第１誘電体膜の前記側面に接して設けられた第２誘電体膜と、を備える、弾性波デバイスである。
【０００６】
上記構成において、前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極と前記第１誘電体膜とを覆って設けられ、前記１対の反射器上における前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜の合計の厚さは、前記櫛型電極上における前記第２誘電体膜よりも厚い構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間に側面を有する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２誘電体膜の前記側面は、前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な面である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１誘電体膜の前記側面と前記第２誘電体膜の前記側面とは、前記圧電基板の上面に垂直な方向で重ならない位置に設けられている構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２誘電体膜は、前記櫛型電極を覆い且つ前記第１誘電体膜を覆わずに設けられ、前記第１誘電体膜の厚さは、前記第２誘電体膜よりも厚い構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜は異なる材料からなる構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１誘電体膜の音響インピーダンスは前記第２誘電体膜の音響インピーダンスよりも高い構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１誘電体膜の前記側面は、前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な面である構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極を挟んで設けられた１対の反射器と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極と前記１対の反射器とを覆って設けられ、前記１対の反射器上における厚さが前記櫛型電極上における厚さよりも厚く、前記櫛型電極と前記１対の反射器との間の領域に前記櫛型電極の電極指の配列方向に略垂直な側面を有する誘電体膜と、を備える、弾性波デバイスである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、弾性波デバイスを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施例１及び比較例１に係る弾性波共振器の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｅ）は、比較例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｅ）は、実施例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例３に係る弾性波共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施例３の変形例１及び変形例２に係る弾性波共振器の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施例４に係る弾性波共振器の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例５に係る弾性波共振器の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１１】図１１は、温度補償型の弾性波表面波共振器の断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例６に係るラダー型フィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、実施例６の変形例１に係るラダー型フィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１４】図１４は、ダブルモード型弾性表面波フィルタの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波共振器１００は、圧電基板１０上に、１対の櫛型電極２２からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）２０と、ＩＤＴ２０を挟む１対の反射器３０と、が設けられている。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板が用いられる。ＩＤＴ２０及び反射器３０は、例えばアルミニウム、銅、又は銅が添加されたアルミニウムなどの金属膜で形成される。
【００１９】
櫛型電極２２は、複数の電極指２４と、複数の電極指２４が接続されるバスバー２６と、を備える。１対の櫛型電極２２は、電極指２４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。電極指２４が励振する弾性波は、主に電極指２４の配列方向に伝搬する。１対の反射器３０は、弾性波の伝搬方向でＩＤＴ２０を挟んで設けられ、弾性波を反射する。電極指２４の周期がほぼ弾性波の波長となる。
【００２０】
圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０及び反射器３０よりも厚い膜厚を有し、ＩＤＴ２０及び反射器３０を覆う誘電体膜４０が設けられている。誘電体膜４０は、反射器３０上における厚さＴ１がＩＤＴ２０上における厚さＴ２よりも厚くなっている。反射器３０上における誘電体膜４０の厚さＴ１は、例えば４０ｎｍ程度以上である。ＩＤＴ２０上における誘電体膜４０の厚さＴ２は、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００２１】
誘電体膜４０は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに、圧電基板１０の上面及び電極指２４の配列方向に対して略垂直な側面４２を有する。なお、領域Ｘには、１対の反射器３０の最もＩＤＴ２０側の端面上及びＩＤＴ２０の最も反射器３０側の端面上も含まれる。また、略垂直とは、９０°の場合に限らず、例えば８０°〜１００°の場合も含まれる。誘電体膜４０は、例えば酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、フッ素添加酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ膜）、又は酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）などが用いられる。誘電体膜４０は、ＩＤＴ２０及び反射器３０への水分などの侵入を抑制し、ＩＤＴ２０及び反射器３０が腐食することを抑制する保護膜としての機能を有する。
【００２２】
図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、圧電基板１０上に金属膜を堆積した後、当該金属膜を所望の形状にパターニングする。これにより、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０とが形成される。金属膜の堆積は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いることができる。金属膜のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いることができる。
【００２３】
図２（ｂ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０及び反射器３０よりも厚い膜厚の誘電体膜４０を堆積する。これにより、ＩＤＴ２０及び１対の反射器３０は、誘電体膜４０で覆われる。誘電体膜４０の堆積は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はＣＶＤ法などを用いることができる。
【００２４】
図２（ｃ）のように、誘電体膜４０上に、１対の反射器３０を覆い且つＩＤＴ２０上に開口５０を有し、圧電基板１０の上面及び電極指２４の配列方向に対して略垂直な側面５８を有するマスク層５２を形成する。マスク層５２の側面５８は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間に位置する。マスク層５２は、例えばレジスト膜を用いることができる。
【００２５】
図２（ｄ）のように、マスク層５２をマスクとして、開口５０で露出した誘電体膜４０を異方性エッチングすることで、誘電体膜４０に凹部を形成する。凹部は、１対の反射器３０のうちの一方の反射器とＩＤＴ２０との間の領域から他方の反射器とＩＤＴ２０との間の領域にわたって形成される。これにより、ＩＤＴ２０上における誘電体膜４０の厚さは、１対の反射器３０上における誘電体膜４０の厚さよりも薄くなる。異方性エッチングによって形成された凹部は、側面が略垂直な面となる。すなわち、誘電体膜４０は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域に、圧電基板１０の上面及び電極指２４の配列方向に対して略垂直な側面４２が形成される。例えば、酸化シリコン膜からなる誘電体膜４０を９０°程度の角度で形成されたレジストを用いて１００ｎｍ程度エッチングした場合、誘電体膜４０に形成される側面４２の圧電基板１０の上面に対する角度はレジスト形状と同じ９０°程度となる。
【００２６】
図２（ｅ）のように、マスク層５２を除去する。以上により、実施例１の弾性波共振器１００が形成される。
【００２７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施例１及び比較例１に係る弾性波共振器の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の通過帯域近傍を拡大した図である。シミュレーションを行った実施例１の弾性波共振器の構造は、圧電基板１０をタンタル酸リチウム基板とし、ＩＤＴ２０及び反射器３０をチタンとアルミニウムとの積層膜で厚さを３８０ｎｍとし、誘電体膜４０を酸化シリコン膜とした。ＩＤＴ２０の電極指２４の対数を１２．５対、ピッチ間隔を４．７５６ｎｍとした。ＩＤＴ２０の開口長を４８８μｍとした。反射器３０のピッチ間隔を４．８７４ｎｍとした。ＩＤＴ２０上における誘電体膜４０の厚さを１５ｎｍとし、反射器３０上における誘電体膜４０の厚さを４０ｎｍとした。シミュレーションを行った比較例１の弾性波共振器の構造は、ＩＤＴ２０上及び反射器３０上における誘電体膜４０の厚さを１５ｎｍと同じにし、反射器３０のピッチ間隔を４．８８５ｎｍとした点以外は、実施例１の弾性波共振器と同じにした。
【００２８】
図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、実施例１の弾性波共振器は、比較例１の弾性波共振器に比べて、通過帯域が広がり、挿入損失が低減された結果となった。これは以下の理由によるものと考えられる。すなわち、実施例１では、ＩＤＴ２０上における誘電体膜４０の厚さを周波数特性の劣化を抑制するために比較的薄くしつつ、反射器３０上における誘電体膜４０の厚さを比較的厚くしている。反射器３０上における誘電体膜４０を厚くすることで、反射器３０が設けられた領域を伝搬する弾性波の伝搬速度が質量負荷効果によって遅くなる。このため、反射器３０による反射特性を向上させることができる。また、誘電体膜４０は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに、電極指２４の配列方向に対して略垂直な側面４２を有する。図１（ｂ）の矢印のように、電極指２４で励振された弾性波の一部は誘電体膜４０内を伝搬することから、側面４２で反射されるようになる。側面４２は電極指２４の配列方向に略垂直であることから、弾性波を効率的に反射させることができ、その結果、反射特性がさらに向上する。このような反射特性の向上によって、通過帯域が広がり、挿入損失が低減されたものと考えられる。
【００２９】
図４（ａ）から図４（ｅ）は、比較例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図４（ａ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０とを形成する。ＩＤＴ２０及び１対の反射器３０の形成は、図２（ａ）で説明した方法を用いることができる。
【００３０】
図４（ｂ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０及び１対の反射器３０よりも厚い膜厚の誘電体膜４０ａを堆積する。誘電体膜４０ａの膜厚は、図２（ｄ）において誘電体膜４０をエッチングした後にＩＤＴ２０上に残存する誘電体膜４０の厚さと同程度の厚さである。
【００３１】
図４（ｃ）のように、誘電体膜４０ａ上に、ＩＤＴ２０を覆い且つ１対の反射器３０上に開口５４を有するマスク層５６を形成する。マスク層５６の側面は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間に位置する。マスク層５６は、例えばレジスト膜を用いることができる。
【００３２】
図４（ｄ）のように、マスク層５６をマスクとして、開口５４で露出した誘電体膜４０ａ上に、誘電体膜４０ｂを堆積する。誘電体膜４０ｂは、誘電体膜４０ａと同じ材料からなる。誘電体膜４０ｂの堆積は、例えば真空蒸着法又はスパッタリング法などを用いることができる。誘電体膜４０ｂの側面は、圧電基板１０の上面に対して傾いた面となる。これは、図４（ｅ）で説明するように、マスク層５６をリフトオフ法によって除去することを可能とするためである。例えば、酸化シリコン膜からなる誘電体膜４０ｂを真空蒸着法を用いて堆積した場合、誘電体膜４０ｂの側面の圧電基板１０の上面に対する角度は、堆積の厚さに関係なく蒸着の入射角に影響される。９０°の入射角で蒸着した場合でもマスクの影の影響により９０°にはならない。
【００３３】
図４（ｅ）のように、マスク層５６上に堆積された誘電体膜４０ｂをマスク層５６と共にリフトオフ法によって除去する。これにより、ＩＤＴ２０上にはＩＤＴ２０を覆う誘電体膜４０ａが形成され、１対の反射器３０上には反射器３０を覆う誘電体膜４０ａと誘電体膜４０ｂとの積層膜が形成される。すなわち、１対の反射器３０上における誘電体膜の厚さは、ＩＤＴ２０上における誘電体膜の厚さよりも厚くなる。
【００３４】
比較例２によれば、誘電体膜の厚さがＩＤＴ２０上よりも反射器３０上で厚くなるように、リフトオフ法を用いて誘電体膜４０ｂを追加形成している。リフトオフ法を用いて誘電体膜４０ｂを形成する場合、マスク層５６の除去を可能とするために、誘電体膜４０ｂの側面は電極指２４の配列方向に対して傾いた面となる。このため、弾性波が誘電体膜４０ｂの側面で反射され難く、その結果、反射特性の改善効果が小さくなる。
【００３５】
以上のように、実施例１によれば、図１（ｂ）のように、ＩＤＴ２０及び１対の反射器３０を覆って誘電体膜４０が設けられている。誘電体膜４０は、１対の反射器３０上における厚さがＩＤＴ２０上における厚さよりも厚くなっていて、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに電極指２４の配列方向に略垂直な側面４２を有する。これにより、上述したように、反射特性を向上させることができる。反射特性が向上することから、反射器３０の対数を少なく及び／又は反射器３０のピッチ間隔を狭くできるため、反射器３０を小型化できる。つまり、弾性波共振器を小型化することができる。
【００３６】
誘電体膜４０の側面４２の角度は、弾性波を効率的に反射させる点から、電極指２４の配列方向に対して８０°〜１００°である場合が好ましく、８５°〜９５°である場合がより好ましく、８８°〜９２°である場合がさらに好ましい。
【実施例２】
【００３７】
図５（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）のように、実施例２の弾性波共振器２００では、誘電体膜４０の代わりに、誘電体膜６０、７０が設けられている。誘電体膜６０は、ＩＤＴ２０及び反射器３０よりも厚い膜厚を有し、１対の反射器３０を覆って設けられている。誘電体膜６０は、ＩＤＴ２０を覆ってはいない。誘電体膜６０の側面６２は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに位置している。誘電体膜７０は、ＩＤＴ２０及び反射器３０よりも厚い膜厚を有し、誘電体膜６０とＩＤＴ２０とを覆って設けられている。誘電体膜７０は、誘電体膜６０の側面６２と接して設けられている。誘電体膜６０は、例えばＡｌ２Ｏ３膜、酸化タンタル膜（Ｔａ２ＯＸ）、ガラス、酸化テルル膜（ＴｅＯＸ）、酸化ニオブ膜（Ｎｂ２ＯＸ）、又はＳｉＮ膜などが用いられる。誘電体膜７０は、例えばＳｉＯ２膜又はＳｉＯＦ膜などが用いられる。誘電体膜６０と誘電体膜７０とは異なる音響インピーダンスを有し、例えば誘電体膜６０の音響インピーダンスは誘電体膜７０よりも高い。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００３８】
図６（ａ）から図６（ｅ）は、実施例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図６（ａ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０とを形成する。ＩＤＴ２０及び１対の反射器３０の形成は、図２（ａ）で説明した方法を用いることができる。
【００３９】
図６（ｂ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０を覆い且つ１対の反射器３０上に開口８０を有するマスク層８２を形成する。マスク層８２の側面は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間に位置する。マスク層８２は、例えばレジスト膜を用いることができる。
【００４０】
図６（ｃ）のように、マスク層８２をマスクとして、開口８０で露出した圧電基板１０上に１対の反射器３０を覆う誘電体膜６０を堆積する。誘電体膜６０は、例えば真空蒸着法又はスパッタリング法などを用いることができる。これにより、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域に側面６２を有する誘電体膜６０が形成される。誘電体膜６０の側面６２は、マスク層８２をリフトオフ法によって除去することを可能とするため、圧電基板１０の上面に対して傾いた面となっている。
【００４１】
図６（ｄ）のように、マスク層８２上に堆積された誘電体膜６０をマスク層８２と共にリフトオフ法によって除去する。
【００４２】
図６（ｅ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０及び反射器３０よりも厚い膜厚の誘電体膜７０を堆積する。これにより、誘電体膜７０は、誘電体膜６０の側面６２に接してＩＤＴ２０と誘電体膜６０とを覆って設けられる。以上により、実施例２の弾性波共振器２００が形成される。
【００４３】
実施例２によれば、図５（ｂ）のように、１対の反射器３０を覆い、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに側面６２を有する誘電体膜６０が設けられている。ＩＤＴ２０は、誘電体膜６０の側面６２に接して設けられた誘電体膜７０で覆われている。これにより、誘電体膜６０の側面６２は圧電基板１０の上面に近い所に位置している（例えば圧電基板１０の上面に直接接して位置している）ため、電極指２４で励振された弾性波を効率的に反射させることができ、反射特性を向上させることができる。よって、反射器３０を小型化することができ、その結果、弾性波共振器を小型化することができる。
【００４４】
また、実施例２によれば、図５（ｂ）のように、誘電体膜７０は、ＩＤＴ２０と誘電体膜６０とを覆って設けられている。そして、反射器３０上における誘電体膜６０と誘電体膜７０との合計の厚さは、ＩＤＴ２０上における誘電体膜６０の厚さよりも厚くなっている。これにより、周波数特性の劣化を抑制しつつ、質量負荷効果によって反射器３０の反射特性を向上させることができる。
【００４５】
また、実施例２によれば、図５（ｂ）のように、誘電体膜７０は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに側面７２を有する。これにより、電極指２４で励振された弾性波の反射効率が向上する。
【００４６】
また、実施例２によれば、誘電体膜６０と誘電体膜７０とは異なる材料で形成されている。これにより、誘電体膜６０の音響インピーダンスと誘電体膜７０の音響インピーダンスとを異ならせることができる。このため、電極指２４で励振された弾性波を誘電体膜６０の側面６２で効率的に反射させることができる。誘電体膜６０の側面６２での弾性波の反射効率を向上させる点から、誘電体膜６０の音響インピーダンスは誘電体膜７０の音響インピーダンスよりも高い場合が好ましい。
【実施例３】
【００４７】
図７（ａ）は、実施例３に係る弾性波共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、実施例３の弾性波共振器３００では、誘電体膜７０の側面７２は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに位置し、圧電基板１０の上面及び電極指２４の配列方向に対して略垂直な面となっている。誘電体膜７０の側面７２は、誘電体膜６０の側面６２と圧電基板１０の上面に垂直な方向で重なる位置に設けられている。その他の構成は、実施例２と同じであるため説明を省略する。
【００４８】
実施例３によれば、誘電体膜７０は、ＩＤＴ２０と１対の反射器３０との間の領域Ｘに電極指２４の配列方向に略垂直な側面７２を有する。これにより、電極指２４で励振された弾性波を効率的に反射させることができる。
【００４９】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施例３の変形例１及び変形例２に係る弾性波共振器の断面図である。図８（ａ）の実施例３の変形例１の弾性波共振器３１０のように、誘電体膜７０の側面７２は、反射器３０の最もＩＤＴ２０側の端面と同一面を形成して設けられていてもよい。図８（ｂ）の実施例３の変形例２の弾性波共振器３２０のように、誘電体膜６０の側面６２と誘電体膜７０の側面７２とが圧電基板１０の上面に垂直な方向で重ならない位置に設けられていてもよい。誘電体膜６０の側面６２と誘電体膜７０の側面７２とが圧電基板１０の上面に垂直な方向で重ならないことで、電極指２４で励振された弾性波を効率的に反射させることができる。
【実施例４】
【００５０】
図９（ａ）は、実施例４に係る弾性波共振器の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）のように、実施例４の弾性波共振器４００では、誘電体膜７０はＩＤＴ２０を覆っているが、誘電体膜６０は覆っていない。誘電体膜６０の厚さは、誘電体膜７０の厚さよりも厚くなっている。その他の構成は、実施例２と同じであるため説明を省略する。
【００５１】
実施例４のように、誘電体膜７０は、誘電体膜６０の側面６２に接してＩＤＴ２０を覆っていれば、誘電体膜６０を覆っていない場合でもよい。この場合、質量負荷効果によって反射器３０の反射特性が向上するために、誘電体膜６０の厚さは、誘電体膜７０の厚さよりも厚い場合が好ましい。
【実施例５】
【００５２】
図１０（ａ）は、実施例５に係る弾性波共振器の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、実施例５の弾性波共振器５００では、誘電体膜６０の側面６２が圧電基板１０の上面及び電極指２４の配列方向に対して略垂直な面となっている。このような側面６２を有する誘電体膜６０は、例えばエッチング法を用いて形成することができる。その他の構成は、実施例２と同じであるため説明を省略する。
【００５３】
実施例５によれば、誘電体膜６０の側面６２は電極指２４の配列方向に対して略垂直な面となっている。これにより、電極指２４で励振された弾性波を効率的に反射させることができる。
【００５４】
なお、実施例２から実施例５では、誘電体膜６０と誘電体膜７０とは異なる材料で形成されている場合を例に示したが、これに限られず、同じ材料で形成されていてもよい。誘電体膜６０と誘電体膜７０とが同じ材料で形成されている場合でも、電極指２４で励振された弾性波は、誘電体膜６０と誘電体膜７０との界面で反射される。
【００５５】
なお、実施例１から実施例５では、弾性表面波共振器の場合を例に示したが、これに限られず、ラブ波共振器や弾性境界波共振器などの場合でもよい。例えば、図１１のように、誘電体膜７０として厚膜の酸化シリコン膜を用いた、温度補償型の弾性波表面波共振器の場合でもよい。
【実施例６】
【００５６】
図１２（ａ）は、実施例６に係るラダー型フィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）のように、実施例６のラダー型フィルタ６００は、圧電基板１０に、１又は複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ３と、１又は複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２と、が設けられている。直列共振器Ｓ１〜Ｓ３は、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１、Ｐ２は、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３を接続する配線とグランドパッドＧＮＤとの間に接続されている。
【００５７】
直列共振器Ｓ１〜Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２において、１対の反射器３０を覆って誘電体膜６０が設けられ、且つ、ＩＤＴ２０を覆い且つ誘電体膜６０の端部のみを覆って誘電体膜７０が設けられている。誘電体膜７０が誘電体膜６０の端部を覆っていることで、実施例４のように誘電体膜６０と誘電体膜７０との互いの側面が接している場合に比べて、耐湿性を向上させることができる。また、誘電体膜６０は、パッドが設けられた領域を除き、共振器が設けられていない領域の圧電基板１０上にも設けられている。これによっても耐湿性を向上させることができる。
【００５８】
図１３（ａ）は、実施例６の変形例１に係るラダー型フィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）のように、実施例６の変形例１のラダー型フィルタ６１０では、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２において、１対の反射器３０を覆って誘電体膜６０が設けられ、ＩＤＴ２０及び誘電体膜６０を覆って誘電体膜７０が設けられている。誘電体膜７０は、パッドが設けられた領域を除き、共振器が設けられていない圧電基板１０上にも設けられている。これにより、耐湿性を向上させることができる。
【００５９】
なお、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２は上記の場合に限られず、実施例１から実施例５の弾性波共振器のいずれかを用いてもよい。
【００６０】
なお、実施例６では、ラダー型フィルタの場合を例に示したが、これに限られず、例えばダブルモード型弾性鏡面はフィルタ（ＤＭＳ）などの他のフィルタの場合でもよい。図１４は、ダブルモード型弾性表面波フィルタの平面図である。図１４のように、ダブルモード型弾性波フィルタは、ＩＤＴ２０ａ〜２０ｃが、弾性波の伝搬方向で並んで配置され、１対の反射器３０はＩＤＴ２０ａ〜２０ｃをまとめて挟んで設けられている。
【００６１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  圧電基板
２０〜２０ｃ  ＩＤＴ
２２  櫛型電極
２４  電極指
２６  バスバー
３０  反射器
４０〜４０ｂ  誘電体膜
４２  側面
５０、５４  開口
５２、５６  マスク層
６０  誘電体膜
６２  側面
７０  誘電体膜
７２  側面
８０  開口
８２  マスク層
Ｓ１〜Ｓ３  直列共振器
Ｐ１、Ｐ２  並列共振器
１００〜４００  弾性波共振器
５００、５１０  ラダー型フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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