(57)【要約】【課題】冷却風の流速をより均一にして、冷却性能を向上させることができる電子機器冷却装置を得る。【解決手段】第１面１１、第１面１１に対向する第２面１２および幅方向に離れて設けられ第１面１１と第２面１２とに渡って設けられた一対の側面１３が形成されたメイン風路１と、メイン風路１に沿って流れる主流１７を発生させるメイン送風機１６と、板形状のベース３１およびベース３１の一方の面に立てられたフィン３２を有し、ベース３１の他方の面と第１面１１との間に素子２が挟まれる冷却装置３と、第２面１２に設けられ、第２面１２から第１面１１に向かう副流４３を送るサブ送風装置とを備え、サブ送風装置は、メイン風路１における冷却装置３よりも上流側の部分に対向する第２面１２の部分に設けられている。【選択図】図１
2018022868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面、前記第１面に対向する第２面および幅方向に離れて設けられ前記第１面と前記第２面とに渡って設けられた一対の側面が形成されたメイン風路と、
前記メイン風路に沿って流れるメイン冷却風を発生させるメイン送風機と、
板形状のベースおよび前記ベースの一方の面に立てられたフィンを有し、前記ベースの他方の面と前記第１面との間に冷却対象部材が挟まれる冷却装置と、
前記第２面に設けられ、前記第２面から前記第１面に向かうサブ冷却風を送るサブ送風装置と
を備え、
前記サブ送風装置は、前記メイン風路における前記冷却装置よりも上流側の部分に対向する前記第２面の部分に設けられている電子機器冷却装置。
【請求項２】
前記サブ送風装置の吹出口は、前記第２面に配置されている請求項１に記載の電子機器冷却装置。
【請求項３】
前記サブ送風装置は、前記サブ冷却風を発生させるサブ送風機を有し、
前記サブ送風機の吹出口は、前記第２面に形成された開口部に直結されている請求項１または請求項２に記載の電子機器冷却装置。
【請求項４】
前記サブ送風装置は、前記サブ冷却風を発生させるサブ送風機と、前記第２面に設けられ、前記サブ送風機によって発生した前記サブ冷却風を前記メイン風路に送るサブ風路とを有し、
前記サブ風路は、サブ風路本体と、前記サブ風路本体の下流側に設けられ、前記サブ風路本体を通過した前記サブ冷却風を分岐させる分岐サブ風路とを含み、
前記分岐サブ風路は、前記分岐サブ風路から吹き出される前記サブ冷却風が前記フィンの先端部に向かうように配置されている請求項１または請求項２に記載の電子機器冷却装置。
【請求項５】
前記側面に設けられ、前記側面から前記ベースの上流側端部および下流側端部に向かう側面サブ冷却風を送る側面サブ送風装置をさらに備えている請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の電子機器冷却装置。
【請求項６】
前記サブ送風装置の吹出口の幅方向寸法は、前記冷却装置の幅方向寸法と一致する請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の電子機器冷却装置。
【請求項７】
前記側面に設けられ、前記メイン風路における前記冷却装置よりも上流側の部分に向かう側面サブ冷却風を送る側面サブ送風装置をさらに備えている請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の電子機器冷却装置。
【請求項８】
前記メイン風路に沿って間隔をおいて設けられた複数の前記冷却装置の間の領域に対向する前記第２面の部分に設けられ、前記第２面から前記第１面に向かう冷却装置間サブ冷却風を送る冷却装置間サブ送風装置をさらに備えた請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の電子機器冷却装置。
【請求項９】
一対の前記メイン送風機に前記冷却対象部材および前記冷却装置が挟まれており、
それぞれの前記メイン送風機と前記冷却対象部材および前記冷却装置との間の領域に対向する前記第２面の部分に別々に前記サブ送風装置が設けられており、
前記第２面における前記冷却装置に対向する部分には、開口部が形成されている請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の電子機器冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、電子機器内に組み込まれた半導体素子を冷却する電子機器冷却装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および高出力化にともない電子機器内に組み込まれた半導体素子の発熱密度が増加し、半導体素子を冷却する冷却装置のさらなる高性能化の要望が高まっている。ファンを用いた強制空冷式冷却装置では、ファンによって発生する冷却風の風量の増加であるファン性能向上、ヒートシンクにおける冷却風が当たる面積である放熱面積の増加、衝突噴流などにより、冷却性能向上が図られている。
【０００３】
従来、冷却風を発生させるファンと、ファンに対向するベース、このベースに立てられたピンフィンおよびピンフィンに隣り合うようにベースに立てられたフィンを有する冷却装置とを備え、ファンによって発生する冷却風が、ピンフィンに沿ってピンフィンの先端部からベースに向かうように送られ、ピンフィンを通過した冷却風がフィンに向かって送られる電子機器冷却装置が知られている。この電子機器冷却装置では、ファンの直近で流速が大きい冷却風をピンフィンの根基およびベースに導いて、冷却性能を向上させている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１６６９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ファンによって発生する冷却風の風速は、軸方向成分と旋回成分とが混合している。したがって、冷却風の速度分布は、ファンの外周部における冷却風が最も速く、ファンの中心部における冷却風は、ファンの外周部における冷却風よりも遅い。その結果、冷却風の流速が不均一となり、ベースにおけるファンの中心部に対向する部分には、他の部分よりも温度が高いホットスポットが発生するという課題があった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、冷却風の流速をより均一にして、冷却性能を向上させることができる電子機器冷却装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る電子機器冷却装置は、第１面、第１面に対向する第２面および幅方向に離れて設けられ第１面と第２面とに渡って設けられた一対の側面が形成されたメイン風路と、メイン風路に沿って流れるメイン冷却風を発生させるメイン送風機と、板形状のベースおよびベースの一方の面に立てられたフィンを有し、ベースの他方の面と第１面との間に冷却対象部材が挟まれる冷却装置と、第２面に設けられ、第２面から第１面に向かうサブ冷却風を送るサブ送風装置とを備え、サブ送風装置は、メイン風路における冷却装置よりも上流側の部分に対向する第２面の部分に設けられている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係る電子機器冷却装置によれば、サブ送風装置がメイン風路における冷却装置よりも上流側の部分に対向する第２面の部分に設けられ、サブ送風装置が第２面から第１面に向かうサブ冷却風を送るので、冷却装置の上流側におけるサブ冷却風の干渉によって、メイン冷却風の流れに乱れが発生する。これにより、冷却装置のベースにおいて、メイン冷却風の速度境界層の厚みを全面に渡って均一にすることができる。その結果、冷却風の流速をより均一にして、冷却性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置を示す斜視図である。
【図２】図１の電子機器冷却装置を示す平面図である。
【図３】図１の電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機の配置パターンの変形例を示す平面図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機の配置パターンの変形例を示す平面図である。
【図６】図３のサブ風路の吹出口を説明するための図である。
【図７】図６のサブ風路の吹出口の変形例を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ風路の吹出口の突出長さを説明するための図である。
【図９】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置における副流の吹出角度の変形パターンを説明するための図である。
【図１０】図９の電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図１１】圧電素子を用いたマイクロピエゾファンの動作原理を説明する図である。
【図１２】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機としてマイクロピエゾファンを用いた状態を示す斜視図である。
【図１３】図１２の電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図１４】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機としてマイクロ軸流ファンを用いた状態を示す側面図である。
【図１５】実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機として軸流ファンを用いた状態を示す斜視図である。
【図１６】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機としてマイクロ遠心ファンを用いた状態を示す側面図である。
【図１７】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置の変形例を示す側面図である。
【図１８】図１７のサブ送風機の変形例を示す斜視図である。
【図１９】図１７のサブ送風機の変形例を示す側面図である。
【図２０】主流のみを用いた場合の通風冷却する場合の数値解析モデルを説明するための図である。
【図２１】この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置を用いた場合の通風冷却する場合の数値解析モデルを説明するための図である。
【図２２】モデルＡおよびモデルＢにおける熱抵抗比（−）の比較結果を示す棒グラフである。
【図２３】モデルＡおよびモデルＢにおけるベース面温度（℃）の比較結果を表す棒グラフである。
【図２４】モデルＡおよびモデルＢのヒートシンクのフィン間の断面速度分布を表す速度コンター図である。
【図２５】主流の流れ方向についてサブ送風機の配置の位置を変化させた場合の数値解析モデルを説明する図である。
【図２６】図２５の数値解析モデルを用いた数値解析結果を示すグラフである。
【図２７】素子としてマイクロ波発信器を用いた場合に素子を冷却する電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図２８】この発明の実施の形態２に係る電子機器冷却装置を示す平面図である。
【図２９】図２８の電子機器冷却装置を示す断面図である。
【図３０】この発明の実施の形態３に係る電子機器冷却装置を示す平面図である。
【図３１】図３０の電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図３２】この発明の実施の形態４に係る電子機器冷却装置を示す平面図である。
【図３３】この発明の実施の形態５に係る電子機器冷却装置を示す平面図である。
【図３４】図３３の電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図３５】この発明の実施の形態６に係る電子機器冷却装置を示す側面図である。
【図３６】この発明の実施の形態７に係る電子機器冷却装置を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置について、図面を参照して説明する。図１はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置を示す斜視図、図２は図１の電子機器冷却装置を示す平面図、図３は図１の電子機器冷却装置を示す側面図である。メイン風路１の長手方向をＸ軸方向、メイン風路１の幅方向をＹ軸方向、メイン風路１の高さ方向をＺ軸方向として示している。
【００１１】
メイン風路１は、Ｚ軸方向に離れて配置される２つのＸＹ平面と、Ｙ軸方向に離れて配置される２つのＺＸ平面との４つのメインで囲まれた矩形型の風路となっている。メイン風路１を構成する４つの壁面の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル板、ボール紙、アルミニウム板、鉄板、ステンレス板などの平坦な板を形成することができる材質であればよい。
【００１２】
この例では、２つのＸＹ平面の中の一方を第１面１１とし、他方を第２面１２とする。第２面１２は、第１面１１に対向して配置されている。また、この例では、２つのＺＸ平面を側面１３とする。それぞれの側面１３は、第１面１１と第２面１２とに渡って設けられている。言い換えれば、メイン風路１には、第１面１１、第２面１２および一対の側面１３が形成されている。
【００１３】
メイン風路１には、メイン風路流入口１４と、メイン風路流出口１５とが形成されている。メイン風路流入口１４には、メイン送風機１６が設けられている。メイン送風機１６は、メイン風路流入口１４からメイン風路流出口１５へ向かう冷媒気体、主に空気の流れが生じるように駆動される。言い換えれば、メイン送風機１６は、メイン風路１に沿って流れるメイン冷却風を発生させる。以下、メイン送風機１６によって、メイン風路１において発生する気流を主流１７と呼ぶ。メイン送風機１６としては、特に限定されるものではなく、例えば、遠心ファン、軸流ファンなどが挙げられる。
【００１４】
メイン風路１の第１面１１には、冷却対象部材である素子２が配置されている。素子２には、熱伝導グリス、熱伝導シート、熱拡散性の高いヒートスプレッダなどを介して、冷却装置３が貼付または圧力印加により取り付けられている。素子２に発生した熱は、冷却装置３を経由して、主流１７の空気と熱交換され、メイン風路流出口１５から排出される。ここで、冷却装置３は、素子２と密着される平板形状のベース３１と、ベース３１に立てられ、主流１７の流れ方向に平行に延びる複数のフィン３２とを有している。冷却装置３は、櫛型ヒートシンクから構成されている。フィン３２は、ベース３１の一方の面から高さ方向に延びるようにベース３１に立てられている。複数のフィン３２は、幅方向に並べて配置されている。ベース３１の他方の面と第１面１１との間に素子２が挟まれている。なお、冷却装置３は、櫛型ヒートシンクに限らず、例えば、ピン型ヒートシンクなどであってもよい。冷却装置３の材質としては、例えば、アルミニウム、銅などの熱伝導率が高いものが使用される。
【００１５】
メイン風路１の第２面１２には、２つのサブ風路４１が設けられている。サブ風路４１は、サブ風路４１の長手方向がメイン風路１の長手方向に直交するように配置されている。また、サブ風路４１は、メイン送風機１６よりも下流側であって、素子２および冷却装置３よりも上流側の区間であるＡ区間における第２面１２に取り付けられている。
【００１６】
サブ風路４１には、サブ冷却風を発生させるサブ送風機４２が直結されている。サブ風路４１およびサブ送風機４２からサブ送風装置が構成されている。サブ送風機４２は、主流１７に対して鉛直方向下向きの冷媒気体を噴射する。サブ送風機４２によって発生するサブ冷却風は、サブ風路４１を通り、第２面１２から第１面１１に向かう。サブ送風機４２によってサブ風路４１を経由してメイン風路１に噴射される気流を副流４３と呼ぶ。サブ送風機４２としては、特に限定されるものではなく、例えば、マイクロピエゾファン、マイクロ軸流ファン、マイクロ遠心ファンなどが挙げられる。また、サブ風路４１の断面形状は、メイン風路１に接続できれば、特に限定されるものではなく、例えば、円形、楕円形、四角形、三角形、菱形、星形など適宜変更可能である。
【００１７】
主流１７の風速をＶメイン（ｍ／ｓ）とし、副流４３の風速をＶサブ（ｍ／ｓ）とすると、Ｖメイン＞Ｖサブの場合には、副流４３は主流１７の流れに対してほとんど影響しないため、副流４３による主流１７の流れを乱すためには、Ｖメイン＜Ｖサブの関係が成立することが望ましい。
【００１８】
図１〜図３では、１つのサブ送風機４２に対して１つのサブ風路４１が対応して直列に繋がれた構成について示しているが、１つのサブ送風機４２に２つのサブ風路４１が並列に繋がれた構成であってもよい。
【００１９】
サブ風路４１およびサブ送風機４２は、メイン風路１の第２面１２の外部であれば、どこに設けてもよく、ＸＹ平面上において配置パターンを変更してもよい。図４および図５はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機４２の配置パターンの変形例を示す平面図である。サブ風路４１およびサブ送風機４２の配置パターンは、ＸＹ平面上で、図４のような碁盤目状パターン、図５のような千鳥配列パターンで配置されてもよく、適宜変更可能である。ただし、サブ送風機４２の外寸サイズに対応して、隣接するサブ送風機４２同士が干渉しないような間隔で、サブ風路４１およびサブ送風機４２を配置する必要がある。
【００２０】
図６は図３のサブ風路４１の吹出口を説明するための図である。サブ風路４１の吹出口は、メイン風路１の第２面１２と同じ平面内に配置されている。したがって、サブ風路４１の吹出口は、第２面１２より第１面１１側へ突出していない。副流４３の吹き出しの起点が第２面１２となっている。サブ風路４１の吹出口は、第２面１２から突出せず、第２面１２に配置されることにより、メイン風路１の第２面１２から第１面１１までのＺ軸方向における全ての主流１７の流れを第１面１１側へ押し付ける効果が最も高い。
【００２１】
図７は図６のサブ風路４１の吹出口の変形例を示す図である。サブ風路４１の吹出口は、メイン風路１の第２面１２より第１面１１側へ突出してもよい。すなわち、副流４３の吹き出しの起点が第２面１２ではなく、第２面１２よりも第１面１１側へ突出してもよい。サブ風路４１の吹出口が第２面１２から第１面１１側に突出することにより、サブ風路４１の吹出口から第１面１１までのＺ軸方向における主流１７の流れを第１面１１側に押し付けるが、一方で、第２面１２から突出したサブ風路４１の部分では、副流４３が主流１７の流れには干渉しない。したがって、サブ風路４１の吹出口の突出長さに反比例して、主流１７の流れを第１面１１側へ押し付ける効果が減少する。
【００２２】
図８はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ風路４１の吹出口の突出長さを説明するための図である。冷却装置３のフィン３２の先端からメイン風路１の第１面１１までの高さをＨ冷却装置とすると、サブ風路４１の吹出口の突出長さは、サブ風路４１の吹出口と第１面１１との間の距離が４／５Ｈ冷却装置、つまり、Ｈ冷却装置の８０％となる場合を最大突出長さとして、調整することが望ましい。
【００２３】
実施の形態１では、サブ風路４１から吹き出される副流４３が、水平方向に流れる主流１７に対して鉛直方向下向きに直交して流入するが、ＸＹ平面に対する副流４３の吹出角度を適宜変更してもよい。図９はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置における副流４３の吹出角度の変形パターンを説明するための図、図１０は図９の電子機器冷却装置を示す側面図である。ＸＹ平面に対する副流４３の吹出角度を変更する方法としては、ＸＹ平面に対するサブ風路４１の傾き角度を変更する方法、サブ風路４１の吹出口に風向制御リブ４４を設ける方法などが挙げられる。ＸＹ平面に対するサブ風路４１の傾き角度θは、０°＜θ＜１８０°の範囲内で変更することができ、実施の形態１に係る発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、特に限定されない。
【００２４】
図１１は圧電素子を用いたマイクロピエゾファンの動作原理を説明する図である。マイクロピエゾファン４２１の外径寸法は、２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み２ｍｍであり、非常に小型である。また、マイクロピエゾファン４２１には、圧電体４２２が内蔵されている。圧電体４２２に電圧が印加されると、上下方向に高速振動し、内部の空気が膨張と収縮とを繰り返して、ノズル４２３から副流４３が放出される。ノズル直径が１ｍｍ以下のマイクロピエゾファン４２１を用いるメリットとしては、小型デバイスであるため、実装スペースが小さくて済むこと、１０００Ｐａ〜２０００Ｐａの高い昇圧特性により１０ｍ／ｓ以上の非常に流速の大きい副流４３を放出することができることなどが挙げられる。マイクロピエゾファン４２１は、デバイスの小型化によるサブ送風機４２の圧力特性および風量特性の低下を抑制したデバイスであると言える。
【００２５】
図１２はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機４２としてマイクロピエゾファン４２１を用いた状態を示す斜視図、図１３は図１２の電子機器冷却装置を示す側面図である。マイクロピエゾファン４２１は、副流４３を噴出するノズル４２３を有している。メイン風路１の第２面１２に、ノズル４２３のサイズに対応するサイズの開口部を形成することにより、サブ風路４１を形成することなく、マイクロピエゾファン４２１をメイン風路１に実装することが可能である。言い換えれば、サブ送風装置は、サブ風路４１を有しなくてもよい。
【００２６】
図１４はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機４２としてマイクロ軸流ファンを用いた状態を示す側面図である。マイクロ軸流ファン４２４は、メイン送風機１６と比較して、外径寸法が小さく、静圧および風量が小さいため、副流４３の吹出速度を大きく確保することができない。流速の大きな副流４３を流すために、複数のマイクロ軸流ファン４２４を直列に連結して、静圧および風量を増加させる。図示していないが、マイクロ軸流ファン４２４の静圧および風量を増加させる手段としては、例えば、並列に複数のマイクロ軸流ファン４２４を配置する方法も挙げられる。
【００２７】
マイクロ軸流ファン４２４からメイン風路１の第２面１２に接続されるサブ風路４１のＸ軸方向の長さを、第２面１２に近づくにつれて一定の割合で小さくしている。すなわち、サブ風路４１の断面積を、第２面１２に近づくにつれて一定の割合で小さくしている。これにより、サブ風路４１において、縮流が発生して、大きな流速を有する副流４３が噴射される。図示していないが、サブ風路４１の断面積を小さくする手段としては、サブ風路４１のＹ軸方向の長さを、第２面１２に近づくにつれて小さくする方法、または、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の２つの長さを、第２面１２に近づくにつれて同時に小さくする方法であってもよい。
【００２８】
メイン風路１の第２面１２の外側に設置スペースの制約が無い場合には、メイン送風機１６の外径寸法と同等またはそれ以上の外径寸法を有する軸流ファンを用いてもよい。図１５は実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機４２として軸流ファンを用いた状態を示す斜視図である。軸流ファン４２５からメイン風路１の第２面１２に近づくにつれて、サブ風路４１のＸ軸方向の長さを一定の割合で小さくし、すなわちサブ風路４１の断面積を小さくしている。これにより、サブ風路４１において、縮流が発生して、大きな流速を有する副流４３が噴射される。図示していないが、サブ風路４１の断面積を小さくする手段として、サブ風路４１のＹ軸方向の長さを、第２面１２に近づくにつれて小さくする方法、または、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の２つの長さを、第２面１２に近づくにつれて同時に小さくする方法であってもよい。
【００２９】
図１６はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置におけるサブ送風機４２としてマイクロ遠心ファンを用いた状態を示す側面図である。マイクロ遠心ファン４２６は、マイクロ遠心ファン４２６の吹出口が、サブ風路４１が直結されている。マイクロ遠心ファン４２６の吹出口の寸法は、サブ風路４１の流入口の寸法と一致している。マイクロ遠心ファン４２６は、マイクロ軸流ファン４２４と比較して、静圧および風量が大きく、単体で流速の大きい副流４３を発生させることができる。サブ送風機４２の例として、マイクロピエゾファン４２１、マイクロ軸流ファン４２４、軸流ファン４２５およびマイクロ遠心ファン４２６を説明したが、この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置の趣旨を逸脱しなければ、サブ送風機４２は特に限定されるものではなく、例えば、斜流ファン、横断流ファン、反転軸流ファンなどであってもよい。
【００３０】
なお、サブ送風機４２とメイン風路１との間に設けられたサブ風路４１は、サブ風路装置の設置スペースの確保が困難な場合には、削除してもよい。図１７はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置の変形例を示す側面図、図１８は図１７のサブ送風機の変形例を示す斜視図、図１９は図１７のサブ送風機の変形例を示す側面図である。図１７ではサブ送風機４２としてマイクロ軸流ファン４２４を用いた構成について示し、図１８では、サブ送風機４２として軸流ファン４２５を用いた構成を示し、図１９ではサブ送風機としてマイクロ遠心ファン４２６を用いた構成を示している。サブ送風機４２は、メイン風路１の第２面１２に直接取り付けられている。サブ送風機４２を第２面１２に取り付ける際に、メイン風路１の第２面１２に形成されサブ送風機４２の吹出口が挿入される開口部と、サブ送風機４２の吹出口との間の隙間から副流４３の漏れを防止するために、シール部材で、第２面１２の開口部とサブ送風機４２の吹出口との直結部を補強する。シール部材としては、特に限定されるものではなく、例えば、ガスケット、パッキンなどが挙げられる。
【００３１】
なお、メイン送風機１６と前述した種々のサブ送風機４２は、それぞれ電源コントローラに接続されており、電圧可変制御により独立して送風量を制御することが可能である。
【００３２】
次に、この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置の効果について説明する。この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置のメイン風路１の主流１７および副流４３の流れを把握するために、３次元数値熱流体解析を行った。図２０は主流１７のみを用いた場合の通風冷却する場合の数値解析モデルを説明するための図である。数値解析ソフトは、ＦＬＯＷ−ＤＥＳＩＧＮＥＲ（ｖｅｒ１３）（登録商標）を使用し、数値解析の条件としては、メイン風路１の寸法として、幅方向寸法Ｗを５０ｍｍ、高さ方向寸法Ｈを２５ｍｍ、奥行方向寸法Ｌを７０ｍｍとした。メイン風路流出口１５は、圧力規定０Ｐａとし、メイン風路流入口１４からメイン風路流出口１５にかけて、２５℃の冷却風が通風される。
【００３３】
冷却装置３は、櫛型ヒートシンクを用いている。ヒートシンク全体の寸法は、幅方向寸法を５０ｍｍ、高さ方向寸法を２５ｍｍ、奥行方向寸法を５０ｍｍとした。ヒートシンクのベースの厚さ方向寸法を５ｍｍ、フィン３２の厚み方向寸法を１ｍｍ、フィンピッチを５．４ｍｍ、フィン枚数を１０枚、材質をアルミニウムとしている、アルミニウムの熱伝導率は、２２０Ｗ／ｍ・Ｋである。また、ヒートシンクのベース３１の底面には、ヒータを配置し、ヒータの入力を１０Ｗとして加熱し、素子２の発熱を模擬している。なお、メッシュ数は３５０万メッシュ、層流モデルで計算を行った。
【００３４】
図２１はこの発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置を用いた場合の通風冷却する場合の数値解析モデルを説明するための図である。この電子機器冷却装置では、冷却装置３よりも上流側のメイン風路１の第２面１２にサブ風路４１が設けられている。サブ風路４１の開口部の大きさを１ｍｍ×１ｍｍとし、風速が１０ｍ／ｓの吹出流速を規定して、サブ風路４１からメイン風路１への鉛直方向下向きの副流４３を流入させた。以下、図２０のモデルをモデルＡ（主流のみ）と呼び、図２１のモデルをモデルＢ（実施の形態１）と呼ぶ。
【００３５】
ヒートシンクの冷却性能は、メイン風路流入口１４の流入空気温度Ｔ空気を２５℃、ヒートシンクのベース３１のベース面温度をＴベース面、ヒータ熱量Ｑを１０Ｗとして、下記の式（１）で表され、モデルＡおよびモデルＢのそれぞれの熱抵抗Ｒ（℃／Ｗ）を比較した。
【００３６】
【数１】
2018022868.tif 000003
【００３７】
図２２はモデルＡおよびモデルＢにおける熱抵抗比（−）の比較結果を示す棒グラフ、図２３はモデルＡおよびモデルＢにおけるベース面温度（℃）の比較結果を表す棒グラフである。ヒートシンクの熱抵抗比（−）は、モデルＡ（主流のみ）の熱抵抗値を１００％の基準値として設定した。モデルＢ（実施の形態１）の熱抵抗比は７６％となり、ヒートシンクの熱抵抗が低減されていることが確認できた。また、モデルＡ（主流のみ）と比較して、モデルＢ（実施の形態１）のベース面温度が４℃低下していることが確認できた。したがって、副流４３の付与によって、熱抵抗の低減すなわち熱伝達率の向上が可能となり、素子２からの発熱のヒートシンクへの伝熱促進に寄与することができる。
【００３８】
図２４はモデルＡおよびモデルＢのヒートシンクのフィン間の断面速度分布を表す速度コンター図である。モデルＡ（主流のみ）においては、主流１７の流れがヒートシンク内を通過する際に、ヒートシンクのベース３１の表面の壁面摩擦の影響を受け、ベース３１の表面の近傍の速度が遅くなる領域、つまり、境界層が発生する。境界層内の空気の速度は粘性の影響によりベース３１の個体壁である表面に引きずられて減少し、ベース３１の表面と接する位置で０となる。その速度の減少は、ベース３１の表面から離れるにつれて小さくなり、次第に主流１７の速度に近づいてくる。この境界層の厚みは、ベース３１の表面における上流から下流に進むにつれて増加しており、ベース３１の表面近傍の速度は、遅くなっていることが分かる。したがって、ベース３１の表面近傍の速度減少により熱伝達が悪化していると言える。
【００３９】
一方、モデルＢ（実施の形態１）においては、水平方向に流れる主流１７に対向して、メイン風路１の第２面１２に配置したサブ風路４１から鉛直方向下向きに速度の大きい副流４３が流入している。この主流１７に向かって流入する副流４３により、境界層の発達を上から押し付けるような流が形成される。したがって、境界層厚みの増加が抑制され、ベース３１の表面近傍の速度が大きくなっていることが分かる。この境界層厚みの増加抑制、すなわちベース３１の表面近傍の速度増加が熱伝達向上に寄与している。
【００４０】
また、副流４３により主流１７の流れが第１面１１に押し付けられ、速度分布を変化させる効果がある。副流４３が無い場合には、メイン風路１の主流１７は、Ｚ軸方向についての中間位置が最も速く、第２面１２および第１面１１に近づくにつれて速度が減少する。一方、副流４３がある場合には、主流１７が第１面１１側に押し付けられ、最も速い速度分布の位置が中心から第１面１１側にシフトされる。
【００４１】
また、主流１７の流れ方向についてのサブ送風機４２が配置される位置によって変化する電子機器冷却装置の効果を把握するために、数値解析を行った。図２５は主流１７の流れ方向についてサブ送風機４２の配置の位置を変化させた場合の数値解析モデルを説明する図である。図２５の（ａ）はヒートシンクとメイン風路流入口１４との間にサブ送風機４２を配置した場合、図２５の（ｂ）はヒートシンクにおける上流側部分にサブ送風機４２を配置した場合、図２５の（ｃ）はヒートシンクにおける中流側部分にサブ送風機４２を配置した場合、図２６の（ｄ）はヒートシンクにおける下流側部分にサブ送風機４２を配置した場合である。
【００４２】
図２６は図２５の数値解析モデルを用いた数値解析結果を示すグラフである。図２６には、図２５における（ａ）から（ｄ）までのヒートシンクの熱抵抗と、サブ送風機４２を配置していない場合（現行）におけるヒートシンクの熱抵抗とを示している。図２６からわかるように、ヒートシンクよりも上流にサブ送風機４２が配置された場合は、熱抵抗値が最小値となる。これは、サブ送風機４２を下流側に配置した場合に、主流１７の流れをヒートシンク側へ押し付ける領域がベース３１の下流側部分のみの局所的となり、一方、サブ送風機４２を上流側に配置した場合に、主流１７の流れをヒートシンク側へ押し付ける領域がベース３１の上流側部分から下流側部分までのベース３１の全面となるためである。この結果から、サブ送風機４２は、ヒートシンクよりも上流側に配置することが望ましい。
【００４３】
図２７は素子２としてマイクロ波発信器を用いた場合に素子２を冷却する電子機器冷却装置を示す側面図である。マイクロ波とは、周波数３０ＭＨｚ〜３ＴＨｚの電波を指している。マイクロ波が応用される分野としては、衛星テレビ、レーダー、マイクロ波加熱、無線などの分野が挙げられる。マイクロ波の電波強度は、マイクロ波の伝送距離が長くなるにつれて小さくなるため、増幅器５を用いてマイクロ波の電波強度を増幅する必要がある。この増幅器５の代表的なものとして、固体素子増幅器（ＳＳＰＡ）が挙げられる。
【００４４】
増幅器５は、基板４と、基板４の上に配置された半導体素子である素子２とを備えている。半導体素子としては、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）などが広く使われている。素子２が発する熱は、基板４の底面に配置された冷却装置３を介して行われる。図２７では、増幅器５がメイン風路１における天井面である第１面１１に配置され、ベース３１がフィン３２よりも第１面１１側に配置されているため、サブ送風機４２は、メイン風路１における底面である第２面１２に配置されている。サブ送風機４２は、副流４３をメイン風路１の底面から天井面に向かって吹き付ける形となっている。
【００４５】
以上説明したように、この発明の実施の形態１に係る電子機器冷却装置によれば、第１面１１、第１面１１に対向する第２面１２および幅方向に離れて設けられ第１面１１と第２面１２とに渡って設けられた一対の側面１３が形成されたメイン風路１と、メイン風路１に沿って流れる主流１７を発生させるメイン送風機１６と、板形状のベース３１およびベース３１の一方の面に立てられたフィン３２を有し、ベース３１の他方の面と第１面１１との間に素子２が挟まれる冷却装置３と、第２面１２に設けられ、第２面１２から第１面１１に向かう副流４３を送るサブ送風装置とを備え、サブ送風装置は、メイン風路１における冷却装置３よりも上流側の部分に対向する第２面１２の部分に設けられているので、冷却装置３の上流側における副流４３の干渉によって、主流１７の流れに乱れが発生する。これにより、冷却装置３のベース３１において、主流１７の速度境界層の厚みを全面に渡って均一にすることができる。その結果、冷却風の流速をより均一にして、冷却性能を向上させることができる。また、副流４３による主流１７の境界層厚みの増加を抑制することができ、ベース３１の表面近傍の速度増加による熱伝達向上を図ることができる。
【００４６】
また、サブ送風装置の吹出口は、第２面１２に配置されているので、副流４３により、メイン風路１の第１面１１から第２面１２までの間を流れる主流１７を第１面１１側に近づけることができる。
【００４７】
また、サブ送風装置は、副流４３を発生させるサブ送風機４２を有し、サブ送風機４２の吹出口は、第２面１２に形成された開口部に直結されているので、サブ風路４１の設置スペース削除による電子機器冷却装置の省スペース化を図ることができる。
【００４８】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図２８はこの発明の実施の形態２に係る電子機器冷却装置を示す平面図、図２９は図２８の電子機器冷却装置を示す断面図である。サブ風路４１は、メイン風路１に合流する際に分岐した分岐サブ風路４１２を経由して、冷却装置３のフィン３２の先端部であるフィン先端部に副流４３を吹きつけるという点で、実施の形態１と異なる。つまり、サブ風路４１は、サブ風路本体４１１と、サブ風路本体４１１の下流側に設けられた分岐サブ風路４１２とを有している。
【００４９】
実施の形態１では、サブ風路４１およびサブ送風機４２による副流４３の流入箇所は、メイン送風機１６からみて下流側、かつ素子２および冷却装置３からみて上流側のＡ区間の第２面１２に設けられている。一方、実施の形態２では、実施の形態１に加えて、副流４３の流入箇所が素子２および冷却装置３の上流側部分から下流側部分までのＢ区間の第２面１２にも設けられている。図２８では、Ｂ区間の上流側部分にサブ送風機４２およびサブ風路４１が設定されているが、Ｂ区間内であれば配置は特に限定されない。分岐サブ風路４１２は、２分岐で表されているが、この分岐数は、特に限定されるものではなく、例えば、３分岐、４分岐であってもよい。
【００５０】
Ｂ区間におけるメイン風路１に接続されたサブ風路４１は、隣り合うフィン３２の間の中心に配置されている。サブ風路４１とメイン風路１との合流部において、分岐サブ風路４１２で分岐され、フィン３２の先端部に副流４３が流れるように分岐サブ風路４１２が第２面１２に対して傾斜している。この分岐サブ風路４１２の傾斜角は、一概には決まらず、冷却装置３のフィンピッチ、フィン高さに合わせて、適宜調整すればよい。フィンピッチが１ｍｍ以下と極めて小さい場合には、分岐サブ風路４１２で分岐せず、サブ風路４１を単一風路にした方がよい。
【００５１】
図２４のモデルＢ（実施の形態１）の断面速度分布の結果より、冷却装置３のベース３１の表面近傍の速度分布が大きくなっている反面、メイン風路１の天井部近傍、すなわちフィン先端部の主流１７の速度が小さいことが確認できる。また、一般的に、ヒートシンクのフィン温度は、ベース３１の表面から先端に近づくにしたがって低くなることから、フィン先端部は主流１７の空気との温度差が小さい。したがって、フィン先端部において、主流１７の空気の流速が小さく、主流１７の空気との温度差も小さいことから、ベース３１の表面に比べてフィン先端部では、主流１７との熱交換効率が低下する。
【００５２】
実施の形態２では、この流速が小さいフィン先端部に分岐サブ風路４１２を経由して、速度の大きい副流４３を吹きつけることで、流れを乱し、熱伝達を向上させ、フィン先端部の熱交換効率の向上が実現される。また、Ｂ区間で流入する副流４３により、フィン先端部とメイン風路１の第２面１２との間に形成される空間へのバイパス流れも抑制され、冷却装置３のフィン間を通過する主流１７の空気の風量を増加させるため、冷却装置３の冷却性能向上にも寄与する。
【００５３】
以上説明したように、この発明の実施の形態２に係る電子機器冷却装置によれば、サブ送風装置は、副流４３を発生させるサブ送風機４２と、第２面１２に設けられ、サブ送風機４２によって発生した副流４３をメイン風路１に送るサブ風路４１とを有し、サブ風路４１は、サブ風路本体４１１と、サブ風路本体４１１の下流側に設けられ、サブ風路本体４１１を通過した副流４３を分岐させる分岐サブ風路４１２とを含み、分岐サブ風路４１２は、分岐サブ風路４１２から吹き出される副流４３がフィン３２の先端部に向かうように配置されているので、フィン先端部の周囲の主流１７の流れを乱して熱伝達を向上させることができ、また、第２面１２とフィン先端部との間を通過する主流１７の空気の風量を増加させることができる。
【００５４】
実施の形態３．
以下、実施の形態３に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１および実施の形態２に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図３０はこの発明の実施の形態３に係る電子機器冷却装置を示す平面図、図３１は図３０の電子機器冷却装置を示す側面図である。実施の形態３では、側面サブ風路装置がメイン風路１の両側面１３に取り付けられ、冷却装置３のベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２に副流５３を吹きつける点で、実施の形態１と異なる。言い換えれば、実施の形態３に係る電子機器冷却装置は、メイン風路１の両側面１３に設けられた側面サブ風路装置をさらに備え、冷却装置３のベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２に副流５３を吹きつける点で、実施の形態１と異なる。側面サブ風路装置は、側面サブ風路５１および側面サブ送風機５２を有している。側面サブ送風機５２によって側面サブ風路５１を経由してメイン風路１に噴射される気流である側面サブ冷却風を副流５３と呼ぶ。
【００５５】
実施の形態１では、サブ送風機４２およびサブ風路４１による副流４３の流入箇所がメイン送風機１６からみて下流側、かつ素子２および冷却装置３からみて上流側のＡ区間の第２面１２に設けられている。一方、実施の形態３では、実施の形態１の構成に加えて、副流５３の流入箇所が、冷却装置３のベース３１の上流側端部３１１より上流側の両側面１３、ベース３１の下流側端部３１２より下流側の両側面１３である。
【００５６】
副流５３をベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２に吹きつけるようにするため、側面サブ風路５１は、上流側端部３１１および下流側端部３１２に向けて、側面１３に対して傾斜して配置されている。側面１３に対する側面サブ風路５１の噴射角度である傾斜角は、側面サブ送風機５２および側面サブ風路５１の配置位置に依存し、適宜調整すればよい。
【００５７】
ここで、両側面１３に配置された側面サブ送風機５２および側面サブ風路５１は、高さ方向つまりＺ軸方向についてベース３１の上端より低い位置に配置しなければならない。ベース３１の上端より高い位置に側面サブ送風機５２および側面サブ風路５１が配置されると、副流５３が主流１７の流れに干渉するからである。
【００５８】
図２４のモデルＢ（実施の形態１）の断面速度分布の結果より、メイン風路１のベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２では、主流１７の速度が小さく、淀んだ空気の領域が形成される。したがって、ベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２において、主流１７の空気の流速が小さく、主流１７との熱交換効率が低下する。
【００５９】
実施の形態３では、この流速が小さいベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２に対して、流速の大きい副流５３を吹きつけることで、淀んだ空気の領域の流れを乱し、熱伝達が向上され、ベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２の熱交換効率の向上が実現できる。
【００６０】
以上説明したように、この発明の実施の形態３に係る電子機器冷却装置によれば、側面１３に設けられ、側面１３からベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２に向かう副流５３を送る側面サブ送風装置をさらに備えているので、ベース３１の上流側端部３１１および下流側端部３１２における主流１７の流れを乱して、熱伝達を向上させることができる。
【００６１】
実施の形態４．
以下、実施の形態４に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１、実施の形態２および実施の形態３に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図３２はこの発明の実施の形態４に係る電子機器冷却装置を示す平面図である。実施の形態４では、サブ風路４１の幅方向寸法Ｗサブは、冷却装置３の幅方向寸法Ｗ冷却装置と同じ長さとなっている。言い換えれば、サブ送風装置の吹出口の幅方向寸法Ｗサブは、冷却装置３の幅方向寸法Ｗ冷却装置と一致する。
【００６２】
サブ風路４１の幅方向寸法Ｗサブを冷却装置３の幅方向寸法Ｗ冷却装置と同じ長さにすることにより、主流１７の境界層厚みの発達を、冷却装置３の幅方向つまりＹ軸方向において均一に抑制することができ、副流４３による冷却装置３の幅方向における均一冷却が可能となる。
【００６３】
以上説明したように、この発明の実施の形態４に係る電子機器冷却装置によれば、サブ送風装置の吹出口の幅方向寸法Ｗサブは、冷却装置３の幅方向寸法Ｗ冷却装置と一致するので、冷却装置３の幅方向において均一に、境界層発達の抑制を図ることができる。
【００６４】
実施の形態５．
以下、実施の形態５に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図３３はこの発明の実施の形態５に係る電子機器冷却装置を示す平面図、図３４は図３３の電子機器冷却装置を示す側面図である。実施の形態５では、側面サブ風路装置は、メイン風路１の両側面１３に取り付けられており、メイン風路１における冷却装置３よりも上流側の部分に副流５３を吹き付ける。側面サブ風路装置は、側面サブ風路５１および側面サブ送風機５２を有している。側面サブ送風機５２によって側面サブ風路５１を経由してメイン風路１に噴射される気流である側面サブ冷却風を副流５３と呼ぶ。
【００６５】
副流５３は、エアーカーテン効果の役割を果たす。これにより、側面１３と冷却装置３との間の領域である側面バイパス領域への主流１７の流れを遮り、熱交換効率の低下を抑制する効果がある。実施の形態３では、側面サブ風路装置はベース３１の上端より低い位置に配置されているが、実施の形態５では、側面風路装置はメイン風路１の高さ方向全域に渡って配置されている。
【００６６】
以上説明したように、この発明の実施の形態５に係る電子機器冷却装置によれば、側面サブ風路装置は、メイン風路１の両側面１３に取り付けられ、メイン風路１における冷却装置３よりも上流側の部分に向かう副流５３を送るので、側面バイパス領域への主流１７の流れを遮ることができる。その結果、冷却装置３の熱交換効率の低下を抑制することができる。
【００６７】
実施の形態６．
以下、実施の形態６に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４および実施の形態５に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図３５はこの発明の実施の形態６に係る電子機器冷却装置を示す側面図である。実施の形態６では、メイン風路１には、複数の素子２および冷却装置３が、メイン風路１に沿って間隔をおいて設けられている。したがって、複数の素子２および冷却装置３は、メイン風路１を流れる主流１７の流れに沿って並べて配置されている。図３５では、２個の素子２および２個の冷却装置３がメイン風路１に沿って間隔をおいて設けられている構成を示している。
【００６８】
また、実施の形態６では、電子機器冷却装置は、複数の冷却装置３の間の領域に対向する第２面１２の部分に取り付けられた冷却装置間サブ送風装置をさらに備えている。冷却装置間サブ送風装置は、第２面１２から第１面１１に向かう冷却装置間サブ冷却風を送る。冷却装置間サブ送風装置から送られた冷却装置間サブ冷却風は、隣り合う冷却装置３の間の領域に送られる。この冷却装置間サブ送風装置は、隣り合う冷却装置３と冷却装置３との間の領域に対向する第２面１２の部分に取り付けられたサブ風路４５と、このサブ風路４５に取り付けられたサブ送風機４６とを有している。サブ送風機４６によってサブ風路４５を経由してメイン風路１に噴射される気流である冷却装置間サブ冷却風を副流４７と呼ぶ。
【００６９】
隣り合う冷却装置３と冷却装置３との間の領域に対向する第２面１２の部分に冷却装置間サブ送風装置が取り付けられることによって、隣り合う素子２における上流側の素子２の放熱で暖められたベース３１の近傍から流出する熱交換効率の高い（暖かい）主流空気１７１と、フィン３２の先端部の近傍および第２面１２と冷却装置３との間の領域であるバイパス領域から流出する熱交換効率の低い（冷たい）主流空気１７２とが撹拌される。これにより、隣り合う冷却装置３における下流側の冷却装置３に流入する冷媒気体の温度上昇に伴う熱交換効率の低下が抑制される。その結果、メイン風路１における下流側に向かうにつれて、冷媒気体の温度上昇に伴う熱交換効率の低下が抑制される。なお、図示していないが、メイン風路１における下流側に向かうにつれて主流１７は温度上昇することから、隣り合う冷却装置３の間の冷却装置間サブ送風装置の配置数、配置箇所は、適宜変更可能である。
【００７０】
以上説明したように、この発明の実施の形態６に係る電子機器冷却装置によれば、第２面１２における隣り合う冷却装置３の間の領域に対向する部分に冷却装置間サブ送風装置が取り付けられているので、隣り合う素子２の間において、主流空気１７１と主流空気１７２とが撹拌されて、隣り合う素子２における下流側の素子２に流入する冷媒気体の温度上昇に伴う熱交換効率の低下を抑制することができる。
【００７１】
実施の形態７．
以下実施の形態７に係る電子機器冷却装置について説明する。なお、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実施の形態５および実施の形態６に係る電子機器冷却装置と重複する説明は、適宜簡略化または省略している。図３６はこの発明の実施の形態７に係る電子機器冷却装置を示す側面図である。実施の形態７では、一対のメイン送風機に素子２および冷却装置３が挟まれている。また、実施の形態７では、それぞれのメイン送風機と素子２および冷却装置３との間の領域に対向する第２面１２の部分に別々にサブ送風装置が設けられている。第２面１２における冷却装置３に対向する部分には、開口部１２１が形成されている。冷却装置３を通過した主流１７は、第２面１２に形成された開口部１２１から流出するようになっている。
【００７２】
実施の形態１から実施の形態６までは、１つのメイン送風装置を用いて冷却装置３を冷却していたが、実施の形態７では、一対のメイン送風装置によって冷却装置３を挟み、それぞれのメイン送風装置から主流１７が冷却装置３に流入する。冷却装置３に流入した主流１７は、冷却装置３の中心で衝突することで乱流が促進され、冷却装置３の冷却性能が向上する。また、冷却装置３に流入する主流１７の方向が１方向ではなく２方向であるので、主流１７における流れ方向下流の温度上昇が抑制される。
【００７３】
なお、第２面１２に形成された開口部１２１の大きさは、特に限定されるものではなく、例えば、冷却装置３の長さ方向および幅方向のそれぞれの寸法と一致させてもよい。また、冷却装置３の長さ方向および幅方向のそれぞれの寸法に対して大きい開口部１２１を形成すると、ショートサイクルして冷却装置３を通過する冷却風が減少するため、冷却装置３の長さ方向および幅方向の寸法と同じまたはそれ以下に、開口部１２１の長さ方向および幅方向のそれぞれの寸法をするのが望ましい。一対のメイン送風装置は、制御装置６によって、送風量が等しく制御される。
【００７４】
以上説明したように、この発明の実施の形態７に係る電子機器冷却装置によれば、一対のメイン送風装置によって冷却装置３を挟み、それぞれのメイン送風装置から主流１７が冷却装置３に流入するので、冷却装置３の冷却性能を向上させることができる。
【符号の説明】
【００７５】
１  メイン風路、２  素子、３  冷却装置、４  基板、５  増幅器、６  制御装置、１１  第１面、１２  第２面、１３  側面、１４  メイン風路流入口、１５  メイン風路流出口、１６  メイン送風機、１７  主流、３１  ベース、３２  フィン、４１  サブ風路、４２  サブ送風機、４３  副流、４４  風向制御リブ、４５  サブ風路、４６  サブ送風機、４７  副流、５１  側面サブ風路、５２  側面サブ送風機、５３  副流、１２１  開口部、１７１  主流空気、１７２  主流空気、３１１  上流側端部、３１２  下流側端部、４１１  サブ風路本体、４１２  分岐サブ風路、４２１  マイクロピエゾファン、４２２  圧電体、４２３  ノズル、４２４  マイクロ軸流ファン、４２５  軸流ファン、４２６  マイクロ遠心ファン。
【図１】
2018022868.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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