(57)【要約】【課題】界磁巻線の回路時定数が小さいときの界磁電流の制御安定性の確保と、回路時定数が大きいときのスイッチング損失の低減と、を両立させる回転電機の制御装置を提供する。【解決手段】回転電機は、ステータと、ステータに径方向内側に対向配置されるロータと、を備える。ロータは、ボス部とディスク部と爪状磁極部とを有する界磁コアと、ボス部と爪状磁極部との間に配置される界磁巻線と、爪状磁極部の間に配置される永久磁石と、を有する。界磁巻線の起磁力によるｄ軸磁気回路と、永久磁石の磁力による磁石磁気回路と、は少なくとも一部で互いに共通している。ロータの負荷時、ｄ軸磁気回路のパーミアンスは、ｑ軸磁気回路のパーミアンスに比べて小さい。回転電機の制御装置は、界磁巻線の通電を制御するスイッチ回路と、界磁電流が閾値に比して大きい場合は、閾値以下である場合に比して、スイッチング周波数を高くする制御部と、を備える。【選択図】図７
2018113816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステータコア（２１）にステータ巻線（２２）が巻装されている環状のステータ（２０）と、前記ステータに対して径方向内側に対向して配置されるロータ（３０）と、を備える回転電機（１）の制御装置であって、
前記ロータは、
回転軸に固定される筒状のボス部（３２１，３２１ａ，３２１ｂ）と、前記ボス部の軸方向端部から径方向外側に広がるディスク部（３２２，３２２ａ，３２２ｂ）と、前記ディスク部の径方向先端部から軸方向に延在し、前記ボス部の径方向外側に配置され、回転周方向に交互に異なる極性の磁極が形成される複数の爪状磁極部（３２３，３２３ａ，３２３ｂ）と、を有する界磁コア（３２）と、
前記ボス部と前記爪状磁極部との間に配置され、通電により起磁力を発生する界磁巻線（３３）と、
回転周方向に隣接する２つの前記爪状磁極部の間に磁化容易軸が回転周方向に向けられて配置され、前記界磁巻線の起磁力により該２つの前記爪状磁極部に現れる極性と一致するように磁極が形成されている永久磁石（３４）と、
を有し、
前記界磁巻線の起磁力により形成される磁束が前記ボス部、前記ディスク部、前記爪状磁極部、及び前記ステータコアを経由して流れるｄ軸磁気回路（６０）と、前記永久磁石の磁力により形成される磁束が流れる磁石磁気回路（６２，６３）と、は少なくとも一部で互いに共通した共通回路部を有し、
前記ロータの負荷時、前記ｄ軸磁気回路のパーミアンスＰｒｔ、及び、前記ステータ巻線の通電時に形成される磁束がｄ軸に対して電気角で９０°ずれた位置にあるｑ軸を通るｑ軸磁気回路（６１）のパーミアンスＰｓｔは、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立するように設定されており、
前記界磁巻線の通電を制御するスイッチ回路（４３）と、
前記界磁巻線に流れる界磁電流が閾値に比して大きい場合は、前記閾値以下である場合に比して、前記スイッチ回路のオンとオフとを切り替えるスイッチング周波数を高くする制御部（４５）と、
を備える、回転電機の制御装置。
【請求項２】
前記閾値は、前記スイッチング周波数を高いものから低いものへ変更するための第１閾値（Ａｄ０，Ａｄ１０，Ａｄ１１）と、前記スイッチング周波数を低いものから高いものへ変更するための第２閾値（Ａｕ０，Ａｕ１０，Ａｕ１１）と、を有し、
前記第１閾値は、前記第２閾値に比べて小さい、請求項１記載の回転電機の制御装置。
【請求項３】
前記スイッチ回路は、前記界磁巻線に直列に接続されたスイッチング素子（４３１）と、前記界磁巻線に並列に接続された還流ダイオード（４３２）と、を有する、請求項１又は２記載の回転電機の制御装置。
【請求項４】
前記スイッチ回路は、前記界磁巻線に直列に接続された第１スイッチング素子（４３１）と、前記界磁巻線に並列に接続された第２スイッチング素子（４３３）と、を有し、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を相補的に導通制御する同期整流方式の回路である、請求項１又は２記載の回転電機の制御装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴである、請求項３又は４記載の回転電機の制御装置。
【請求項６】
前記スイッチ回路に並列に接続されたコンデンサ（４４，５４）を備える、請求項１乃至５の何れか一項記載の回転電機の制御装置。
【請求項７】
前記ステータ巻線は、多相巻線であり、
前記多相巻線の通電を制御するインバータ（５０）を備え、
前記スイッチ回路の前記スイッチング周波数は、前記インバータのオンとオフとを切り替えるスイッチング周波数に比べて低い、請求項１乃至６の何れか一項記載の回転電機の制御装置。
【請求項８】
前記スイッチ回路は、前記インバータの正極端子と負極端子との間に並列接続されている、請求項７記載の回転電機の制御装置。
【請求項９】
Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係は、前記界磁コアの少なくとも一部の磁路断面積の調整により実現される、請求項１乃至８の何れか一項記載の回転電機の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転電機の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ステータと、ロータと、を備える回転電機が知られている（例えば、特許文献１など）。特許文献１記載の回転電機において、ロータは、界磁コアと、界磁巻線と、永久磁石と、を備えている。界磁コアは、回転軸に固定される筒状のボス部と、ボス部の軸方向端部から径方向外側に広がるディスク部と、ディスク部の径方向先端から軸方向に延在し、ボス部の径方向外側に配置される爪状磁極部と、を有している。爪状磁極部は、回転軸回りに所定角度ごとに設けられており、回転周方向に交互に異なる極性の磁極が形成されるように複数設けられている。界磁巻線は、ボス部と爪状磁極部との間に配置されており、通電により起磁力を発生する。また、永久磁石は、回転周方向に隣接する２つの爪状磁極部の間に磁化容易軸が回転周方向に向けられて配置されており、その永久磁石の磁極は、界磁巻線の起磁力により回転周方向に隣接する２つの爪状磁極部に現れる極性と一致するように形成されている。
【０００３】
永久磁石は、ステータに鎖交する磁束が流れる第１磁石磁気回路と、ボス部を通りロータ内で磁束の流れが完結する第２磁石磁気回路との２つの磁石磁気回路を形成する。また、ロータに負荷が掛けられたときすなわち界磁巻線に界磁電流が通電されたとき、界磁巻線の起磁力により形成される磁束が界磁コアのボス部、ディスク部、一対の爪状磁極部、ステータコアを経由して流れるｄ軸磁気回路が形成される。上記２つの磁石磁気回路のうち第２磁石磁気回路を流れる磁石磁束は、ｄ軸磁気回路の磁束と逆方向に流れるので、抵抗が大きく流れ難い状態になる。
【０００４】
ｄ軸磁気回路のパーミアンスＰｒｔ及びｑ軸磁気回路のパーミアンスＰｓｔがＰｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立するように設定されれば、上記第１磁石磁気回路を流れる磁石磁束が増大するので、永久磁石の磁石磁束を有効利用して発電能力を大幅に向上させることが可能である。この具体的な実現手段としては、爪状磁極部、ディスク部、及びボス部を同一の軟磁性材料により一体形成したものを２ピース突き合わせたうえで、ボス部若しくはディスク部の一部若しくは全部を細くし磁路断面積を小さくして界磁電流の増強時に磁気飽和し易くすることが考えられる。これらの手法によれば、永久磁石の磁石磁束が、ボス部側を通過し難くなり、ステータに鎖交し易くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−２５５４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、インダクタンスは、略パーミアンスに比例して定義される量である。この点、ｄ軸磁気回路のパーミアンスＰｒｔが、負荷が大きい場合（Ｐｓｔ＞Ｐｒｔ）と小さい場合（Ｐｓｔ≒Ｐｒｔ）とで一桁近くダイナミックに変化する磁気回路においては、ｄ軸側のインダクタンスすなわち界磁巻線のインダクタンスが負荷状態に応じて一桁近くダイナミックに変化することを意味する。つまり、負荷が大きい場合にはインダクタンスが小さくなり、負荷が小さい場合にはインダクタンスが大きくなる。
【０００７】
一般的に抵抗−コイルのＬＲ回路の時定数τは、τ＝Ｌ／Ｒで表される。界磁巻線では、抵抗値Ｒは負荷状態で大きく変化しない（すなわち、自己発熱による変化はインダクタンス変化に比べれば微小な範囲である。）ので、インダクタンスＬがダイナミックに変化すると、回路の時定数がダイナミックに変化することになる。このため、界磁電流の制御安定性が損なわれ、発電電圧の制御が安定せず、電圧変動が激しくなることが予想される（図参照）。
【０００８】
時定数が小さい回路を制御する場合に、界磁電流の制御安定性を確保するうえでは、スイッチング周波数を上げることが最も簡易な対策として用いられる。しかし、上記の如く回路時定数が随時変化する構成において、スイッチング周波数を常時高いものとすると、回路時定数が大きいときにスイッチング損失が発生することとなり、スイッチング素子に与えるストレスが大きくなるので、放熱対策や耐力向上などの別途の措置が必要となってしまう。
【０００９】
本発明は、界磁巻線の回路時定数が小さいときの界磁電流の制御安定性の確保と、回路時定数が大きいときのスイッチング損失の低減と、を両立させた回転電機の制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ステータコアにステータ巻線が巻装されている環状のステータと、前記ステータに対して径方向内側に対向して配置されるロータと、を備える回転電機の制御装置であって、前記ロータは、回転軸に固定される筒状のボス部と、前記ボス部の軸方向端部から径方向外側に広がるディスク部と、前記ディスク部の径方向先端部から軸方向に延在し、前記ボス部の径方向外側に配置され、回転周方向に交互に異なる極性の磁極が形成される複数の爪状磁極部と、を有する界磁コアと、前記ボス部と前記爪状磁極部との間に配置され、通電により起磁力を発生する界磁巻線と、回転周方向に隣接する２つの前記爪状磁極部の間に磁化容易軸が回転周方向に向けられて配置され、前記界磁巻線の起磁力により該２つの前記爪状磁極部に現れる極性と一致するように磁極が形成されている永久磁石と、を有し、前記界磁巻線の起磁力により形成される磁束が前記ボス部、前記ディスク部、前記爪状磁極部、及び前記ステータコアを経由して流れるｄ軸磁気回路と、前記永久磁石の磁力により形成される磁束が流れる磁石磁気回路と、は少なくとも一部で互いに共通した共通回路部を有し、前記ロータの負荷時、前記ｄ軸磁気回路のパーミアンスＰｒｔ、及び、前記ステータ巻線の通電時に形成される磁束がｄ軸に対して電気角で９０°ずれた位置にあるｑ軸を通るｑ軸磁気回路のパーミアンスＰｓｔは、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立するように設定されており、前記界磁巻線の通電を制御するスイッチ回路と、前記界磁巻線に流れる界磁電流が閾値に比して大きい場合は、前記閾値以下である場合に比して、前記スイッチ回路のオンとオフとを切り替えるスイッチング周波数を高くする制御部と、を備える、回転電機の制御装置である。
【００１１】
この構成によれば、回転周方向に隣接する爪状磁極部の間に配置された永久磁石の磁力により、ステータに鎖交する磁束が流れる磁石磁気回路と、ボス部を通りロータ内で完結する磁束が流れる磁石磁気回路との２つの磁石磁気回路が形成される。そして、ロータに負荷が掛けられた時、すなわち、界磁巻線に界磁電流が通電された時に、界磁巻線の起磁力により形成される磁束が界磁コアのボス部、一対の爪状磁極部及びステータコアを経由して流れるｄ軸磁気回路が形成される。このとき、２つの磁石磁気回路のうちステータに鎖交する磁束が流れる磁石磁気回路を流れる磁石磁束は、ｄ軸磁気回路の磁束と逆方向に流れているので、抵抗が大きく流れ難い状態となる。また、ｄ軸磁気回路のパーミアンスＰｒｔは、ｑ軸磁気回路のパーミアンスＰｓｔに比べて小さいため、２つの磁石磁気回路のうちステータに鎖交する磁束が流れる磁石磁気回路の磁石磁束が増大する。これにより、磁石磁束を有効活用して、発電能力を大幅に向上させることができる。また、界磁巻線側のスイッチング周波数が、界磁電流が閾値に比して大きい場合は閾値以下である場合に比して高く設定されるので、界磁電流が大きく時定数の小さい過飽和状態において界磁電流の制御安定性を確保することができると共に、界磁電流が小さく時定数の大きい軽飽和状態においてスイッチング損失を低減することができる。
【００１２】
上記した回転電機の制御装置において、前記閾値は、前記スイッチング周波数を高いものから低いものへ変更するための第１閾値と、前記スイッチング周波数を低いものから高いものへ変更するための第２閾値と、を有し、前記第１閾値は、前記第２閾値に比べて小さい。この構成によれば、界磁電流の閾値近傍での変動に起因するスイッチング周波数の切替ハンチングを防止することができ、その切替時の電圧ハンチング現象を抑止することができる。
【００１３】
上記した回転電機の制御装置において、前記スイッチ回路は、前記界磁巻線に直列に接続されたスイッチング素子と、前記界磁巻線に並列に接続された還流ダイオードと、を有する。この構成によれば、界磁巻線に蓄積されていた磁気エネルギを還流ダイオードを通じて電流として外部へ放出することができるので、スイッチング素子のオフ時に回転電機の出力電圧を確保することができる。
【００１４】
上記した回転電機の制御装置において、前記スイッチ回路は、前記界磁巻線に直列に接続された第１スイッチング素子と、前記界磁巻線に並列に接続された第２スイッチング素子と、を有し、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を相補的に導通制御する同期整流方式の回路である。この構成によれば、上記の還流ダイオードが用いられる構成に比べて、還流電流が流れる際すなわち界磁巻線に蓄えられていた磁気エネルギを電流として放出する際における導通損失を低減することができるので、熱的ストレスを抑えることができる。
【００１５】
上記した回転電機の制御装置において、前記スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴである。この構成によれば、スイッチング素子がバイポーラ系の例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（すなわちＩＧＢＴ）などにより構成されている場合に比べて導通時の損失を低減することができると共に、高速スイッチングに対応可能であるので、スイッチング周波数の切替を適切に行うことができる。
【００１６】
上記した回転電機の制御装置において、前記スイッチ回路に並列に接続されたコンデンサを備える。この構成によれば、界磁巻線の界磁電圧が変動するのを抑えることができ、その界磁電圧を安定化させることができる
【００１７】
上記した回転電機の制御装置において、前記ステータ巻線は、多相巻線であり、前記多相巻線の通電を制御するインバータを備え、前記スイッチ回路の前記スイッチング周波数は、前記インバータのオンとオフとを切り替えるスイッチング周波数に比べて低い。この構成によれば、界磁によるインバータへの電磁干渉を防止することができると共に、界磁巻線側のスイッチング損失を減らすことができるので、インバータへの熱的負担を軽減することができる。
【００１８】
上記した回転電機の制御装置において、前記スイッチ回路は、前記インバータの正極端子と負極端子との間に並列接続されている。この構成によれば、回転電機のシステム全体をコンパクトな構成とすることができる。
【００１９】
上記した回転電機の制御装置において、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係は、前記界磁コアの少なくとも一部の磁路断面積の調整により実現される。この構成によれば、界磁コアの少なくとも一部の形状変更によりＰｓｔ＞Ｐｒｔの関係を実現できるので、その関係を比較的簡易な手法で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る回転電機を軸線を含む面で切断した際の断面図である。
【図２】本実施形態の回転電機が備えるロータの斜視図である。
【図３】本実施形態の回転電機が備えるロータの、軸線を含む面で切断した際の斜視図である。
【図４】本実施形態の回転電機が備えるロータ及びステータの部分的な平面図である。
【図５】本実施形態の回転電機において形成されるｄ軸磁気回路の界磁コア側での磁束の流れを表した図である。
【図６】本実施形態の回転電機において永久磁石により形成される２つの磁石磁気回路を表した図である。
【図７】本実施形態の回転電機の制御装置における回路図である。
【図８】本実施形態の回転電機の制御装置における界磁電流又は界磁デューティとスイッチング周波数との関係を表した図である。
【図９】本実施形態の回転電機の制御装置における界磁電流の時間変化波形の一例を表した図である。
【図１０】対比例における界磁電流の時間変化波形の一例を表した図である。
【図１１】ロータが有する界磁巻線における界磁電流又は界磁デューティとインダクタンス又は時定数との関係を表した図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る回転電機の制御装置における界磁電流又は界磁デューティとスイッチング周波数との関係を表した図である。
【図１３】本発明の更に他の実施形態に係る回転電機の制御装置における回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る回転電機の制御装置の具体的な実施形態について、図１〜図１３を参照しつつ説明する。
【００２２】
本実施形態において、回転電機１は、例えば、車両などに搭載されており、バッテリなどの電源から電力が供給されることで車両を駆動するための駆動力を発生すると共に、車両のエンジンから動力が供給されることでバッテリを充電するための電力を発生する車両用発電電動機である。回転電機１は、図１に示す如く、ハウジング１０と、ステータ２０と、ロータ３０と、界磁巻線給電装置４０と、整流装置５０と、を備えている。
【００２３】
ハウジング１０は、フロントハウジング１１と、リアハウジング１２と、を有している。フロントハウジング１１及びリアハウジング１２はそれぞれ、一端が開口した有底円筒状に形成されている。フロントハウジング１１及びリアハウジング１２は、開口部同士が接合された状態でボルト１３により締結されている。
【００２４】
ステータ２０は、ステータコア２１と、ステータ巻線２２と、を有している。ステータコア２１は、円環状に形成されている。ステータコア２１は、ティース２３と、スロット２４と、を有している。ティース２３は、円環部の径方向内面から径方向内側に向けて延びており、回転周回りに複数配置されている。スロット２４は、回転周方向に隣接する２つのティース２３の間に設けられた孔部である。ステータコア２１は、フロントハウジング１１及びリアハウジング１２により軸方向に挟持されつつその内周壁面に固定されている。
【００２５】
ステータ巻線２２は、ステータコア２１（具体的には、そのティース２３）に巻装されている。ステータ巻線２２は、ステータコア２１のスロット２４に収容される直線状のスロット収容部と、ステータコア２１の軸方向端から軸方向外側に突出する湾曲状のコイルエンド部と、を有している。ステータ巻線２２は、回転電機１の相数（本実施形態では三相）に対応した数だけ設けられた多相巻線である。
【００２６】
ロータ３０は、ステータ２０（具体的には、ティース２３の先端）に対して径方向内側に対向して配置されている。ロータ３０とステータ２０との間には、所定の空隙が空けられている。ロータ３０は、ステータ２０の径方向内側において回転可能に設けられている。
【００２７】
ロータ３０は、いわゆるランデル型回転子である。ロータ３０は、回転軸３１と、界磁コア３２と、界磁巻線３３と、永久磁石３４と、を有している。回転軸３１は、ハウジング１０に一対の軸受１４，１５を介して回転可能に支持されている。ロータ３０は、回転軸３１に締め付け固定されたプーリ３６を介して、車両のエンジンにより回転駆動される。界磁巻線３３は、界磁コア３２のボス部３２１の外周側に巻装されている。
【００２８】
界磁コア３２は、軸方向に２分割された一対のポールコア３２ａ，３２ｂよりなるランデル型の界磁コアである。以下、一対のポールコア３２ａ，３２ｂを第１ポールコア３２ａ及び第２ポールコア３２ｂと称す。第１ポールコア３２ａ及び第２ポールコア３２ｂはそれぞれ、軟磁性体からなり、例えば鍛造成形される。第１ポールコア３２ａ及び第２ポールコア３２ｂは、互いに同一形状をなしている。第１ポールコア３２ａは、回転軸３１の一端側（図１における左側）に固定されている。第２ポールコア３２ｂは、回転軸３１の他端側（図１における右側）に固定されている。
【００２９】
第１ポールコア３２ａは、第１ボス部３２１ａと、第１ディスク部３２２ａと、第１爪状磁極部３２３ａと、を有している。第２ポールコア３２ｂは、第２ボス部３２１ｂと、第２ディスク部３２２ｂと、第２爪状磁極部３２３ｂと、を有している。第１ボス部３２１ａ及び第２ボス部３２１ｂは、回転軸３１が挿入可能なシャフト孔が開いた円筒状の部材であって、回転軸３１の外周側に嵌合固定される部位である。第１ボス部３２１ａ及び第２ボス部３２１ｂには、界磁束が界磁巻線３３の径方向内側にて軸方向に流れる。
【００３０】
第１ディスク部３２２ａは、第１ボス部３２１ａの軸方向一端部から径方向外側に広がる円盤状の部位であって、周方向の所定角度ピッチで径方向外側へ延在する部位である。第２ディスク部３２２ｂは、第２ボス部３２１ｂの軸方向他端部から径方向外側に広がる円盤状の部位であって、周方向の所定角度ピッチで径方向外側に延在する部位である。第１ディスク部３２２ａ及び第２ディスク部３２２ｂには、界磁束が径方向に流れる。
【００３１】
第１爪状磁極部３２３ａは、第１ディスク部３２２ａの径方向先端部から軸方向他端側に延在し、第１ボス部３２１ａの径方向外側に配置される部位である。第２爪状磁極部３２３ｂは、第２ディスク部３２２ｂの径方向先端部から軸方向一端側に延在し、第２ボス部３２１ｂの径方向外側に配置される部位である。第１爪状磁極部３２３ａ及び第２爪状磁極部３２３ｂは、界磁巻線３３の径方向外側において軸方向に延在するように配置されている。第１爪状磁極部３２３ａ及び第２爪状磁極部３２３ｂは、ステータコア２１との間で磁束を授受することが可能である。
【００３２】
第１爪状磁極部３２３ａ及び第２爪状磁極部３２３ｂは、ロータ３０の回転周方向において複数の同じ数（例えば、８個）ずつ設けられている。第１ポールコア３２ａと第２ポールコア３２ｂとは、第１爪状磁極部３２３ａと第２爪状磁極部３２３ｂとが互い違いに向かい合うように軸方向端面同士が接した状態に組み付けられる。第１爪状磁極部３２３ａと第２爪状磁極部３２３ｂとは、図２及び図３に示す如く、回転周方向に隙間空間３７を空けて交互に配置されている。第１爪状磁極部３２３ａと第２爪状磁極部３２３ｂとは、ディスク部３２２ａ，３２２ｂに連接する軸方向根元側（又は軸方向先端側）が互いに軸方向逆側となるように回転周方向に交互に配置されている。第１爪状磁極部３２３ａ及び第２爪状磁極部３２３ｂには、互いに異なる極性（具体的には、Ｎ極及びＳ極）の磁極が形成される。
【００３３】
各爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂは、回転周方向において所定の幅（すなわち、周方向幅）を有すると共に、径方向において所定の厚さ（すなわち、径方向厚さ）を有するように形成されている。各爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂは、ディスク部３２２ａ，３２２ｂとの連接部近傍の根元側から軸方向先端側にかけて、周方向幅が徐々に小さくなりかつ径方向厚さが徐々に小さくなるように形成されている。すなわち、各爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂは、軸方向先端側ほど回転周方向及び径方向の双方において細くなるように形成されている。尚、各爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂは、回転周方向にその周方向中心を挟んで左右対称となるように形成されていることが好ましい。
【００３４】
上記した隙間空間３７は、互いに回転周方向に隣接する第１爪状磁極部３２３ａと第２爪状磁極部３２３ｂとの間ごとに設けられている。隙間空間３７は、軸方向斜めに延在しており、ロータ３０の回転軸に対して軸方向端部から反対側の軸方向端部にかけて所定角度で傾斜している。各隙間空間３７は、その回転周方向の大きさ（すなわち、寸法）が軸方向位置に応じて変化することがほとんど無いように、すなわち、その周方向寸法が一定若しくはその一定値を含む極僅かな範囲内に維持されるように設定されている。各隙間空間３７には、永久磁石３４が配置される。
【００３５】
界磁コア３２は、飽和磁束密度の異なる２種類の材料により形成されている。界磁コア３２のうち爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂは、第１材料により形成されている。界磁コア３２のうち爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂ以外のボス部３２１ａ，３２１ｂ及びディスク部３２２ａ，３２２ｂは、上記の第１材料に比べて飽和磁束密度が低い第２材料により形成されている。
【００３６】
第１材料としては、例えばＳ１０Ｃなどの炭素量０．１％程度のものが挙げられる。また、第２材料としては、例えばＳ４５Ｃなどの炭素量が比較的多いものが挙げられる。尚、ＳＵＳ４３０や電磁鋼板なども、Ｓ１０Ｃに比べて飽和磁束密度の低いものである。また、第２材料は、第１材料に比べて透磁率が高い材料である。透磁率が高い材料としては、例えばパーマロイやニッケルコバルトを添加した鉄などが挙げられるが、第２材料としてはパーマロイが最適である。
【００３７】
一般的に、磁気回路のパーミアンスＰは、磁気回路材料の透磁率μ、磁路断面積Ａ、磁路長さＬを用いて次式（１）で表される。透磁率μは、磁気回路の磁気飽和度合いにより変化し、低飽和状態であれば空気の透磁率に対して数千〜１万倍程度の大きさであるが、過飽和状態では空気の透磁率に対して数倍程度の大きさである。
Ｐ＝μ×Ａ／Ｌ                                              ・・・（１）
【００３８】
界磁巻線３３は、ポールコア３２ａ，３２ｂのボス部３２１ａ，３２１ｂの外周側に界磁コア３２と絶縁された状態で巻装されている。界磁巻線３３は、第１ポールコア３２ａの第１ボス部３２１ａと第１爪状磁極部３２３ａとの径方向に空いた隙間及び第２ポールコア３２ｂの第２ボス部３２１ｂと第２爪状磁極部３２３ｂとの径方向に空いた隙間に配置されている。界磁巻線３３は、直流の界磁電流（すなわち励磁電流）Ｉｆの通電によりボス部３２１ａ，３２１ｂに起磁力を発生させるコイル部材である。界磁巻線３３により発生した磁束は、ボス部３２１ａ，３２１ｂからディスク部３２２ａ，３２２ｂを介して爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂに導かれる。界磁巻線３３は、発生磁束により第１爪状磁極部３２３ａをＮ極に磁化させかつ第２爪状磁極部３２３ｂをＳ極に磁化させる。
【００３９】
界磁コア３２のボス部３２１ａ，３２１ｂ、ディスク部３２２ａ，３２２ｂ、及び一対の第１及び第２爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂを通る磁束は、ｄ軸磁気回路６０を形成する。このｄ軸磁気回路６０は、図４及び図５に破線で示す如く、磁束が、ステータコア２１のｄ軸のティース２３から界磁コア３２の第１爪状磁極部３２３ａに入り、第１ディスク部３２２ａ→第１ボス部３２１ａ→第２ボス部３２１ｂ→第２ディスク部３２２ｂ→第２爪状磁極部３２３ｂを経由して、ステータコア２１の１磁極分ずれた位置にあるティース２３からステータコア２１に戻った後、バックコア２５を通り１磁極分ずれた位置にあるｄ軸のティース２３に至る磁気回路である。このｄ軸磁気回路６０は、ロータ３０の逆起電力を生む磁気回路である。
【００４０】
また、ｄ軸磁気回路６０及び後述の第１磁石磁気回路６２のステータ２０に鎖交する磁束によりステータ巻線２２に電流が流れることによって、ｑ軸磁気回路６１が形成される。ｑ軸磁気回路６１は、図４に実線で示す如く、ステータコア２１のｄ軸から電気角で９０°ずれた位置にあるｑ軸を通る磁束により形成される磁気回路である。ｄ軸磁気回路６０のパーミアンスＰｒｔ及びｑ軸磁気回路６１のパーミアンスＰｓｔは、ロータ３０に負荷が掛けられた時に次式（２）の関係が成立するように設定されている。尚、パーミアンスＰｒｔ，Ｐｓｔは、磁気抵抗の逆数のことである。
Ｐｓｔ＞Ｐｒｔ                                                  ・・・（２）
【００４１】
ここで、ロータ３０に負荷が掛けられた時とは、定格電流として界磁巻線３３に通電される界磁電流Ｉｆが、車両用ブラシの能力として一般的であるＩｆ＝４［Ａ］〜２０［Ａ］の間にある状態のことをいう。尚、ブラシの進歩があればその時の界磁電流Ｉｆが例えば３０［Ａ］でもよいし、ブラシレスのように界磁電流Ｉｆに制限のない構成であれば界磁電流Ｉｆがこの範囲より大きいものでもよく、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立すればよい。
【００４２】
図２及び図３に示す如く、永久磁石３４は、第１爪状磁極部３２３ａと第２爪状磁極部３２３ｂとの間の隙間空間３７ごとに一つずつ配置されており、隙間空間３７の数と同数だけ設けられている。各永久磁石３４は、概ね直方体形状に形成されている。各永久磁石３４は、軸方向斜めに傾斜して延在するように配置されており、ロータ３０の回転軸に対して軸方向端部から反対側の軸方向端部にかけて所定角度で傾斜している。永久磁石３４は、回転周方向に隣接する爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂ間における磁束の漏れを低減して爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂとステータ２０のステータコア２１との間の磁束を強化する機能を有している。
【００４３】
永久磁石３４は、爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂの間の漏れ磁束を減少させる向きの磁極が形成されるように配置されている。各永久磁石３４は、磁化容易軸が回転周方向（具体的には、永久磁石３４の回転軸３１に対する傾斜角度分だけその回転周方向に対して傾いた方向）に向けられて配置されている。各永久磁石３４は、周方向両側それぞれの磁極部が第１及び第２爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂの周方向側面に対向した状態或いは当接した状態に保持されている。各永久磁石３４は、界磁巻線３３の起磁力によって第１及び第２爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂに現れる極性と一致するように磁極が形成されている磁石である。すなわち、各永久磁石３４は、Ｎ極に磁化される第１爪状磁極部３２３ａに対向する回転周方向の面の磁極がＮ極となり、かつ、Ｓ極に磁化される第２爪状磁極部３２３ｂに対向する回転周方向の面の磁極がＳ極となるように配置形成されている。
【００４４】
このように永久磁石３４が配置形成されることにより、各永久磁石３４それぞれにおいて２つの磁石磁気回路６２，６３が形成される。第１磁石磁気回路６２は、図６に一点鎖線で示す如く、磁石磁束のうちステータ２０に鎖交する磁束が流れる磁気回路である。第２磁石磁気回路６３は、図６に二重線で示す如く、磁石磁束のうちボス部３２１ａ，３２１ｂやディスク部３２２ａ，３２２ｂを通りロータ３０内で完結する磁束が流れる磁気回路である。これらの磁石磁束から見れば、ボス部３２１ａ，３２１ｂを通る第２磁石磁気回路６３は、ステータ２０にとって無効となる磁石磁束が流れる磁気回路である。これに対して、第１磁石磁気回路６２は、ステータ２０に鎖交して逆起電力やトルクになる磁石磁束が流れる磁気回路である。
【００４５】
第１磁石磁気回路６２とｄ軸磁気回路６０とは、少なくとも一部で互いに共通した共通回路部を有している。具体的には、第２爪状磁極部３２３ｂからステータ２０を経由して第１爪状磁極部３２３ａに至るまでの磁気回路は、第１磁石磁気回路６２とｄ軸磁気回路６０とで共有されている。第２磁石磁気回路６３とｄ軸磁気回路６０とは、少なくとも一部で互いに共通した共通回路部を有している。具体的には、ロータ３０のボス部３２１ａ，３２１ｂ及びディスク部３２２ａ，３２２ｂにおける磁気回路は、第２磁石磁気回路６３とｄ軸磁気回路６０とで共有されている。
【００４６】
界磁巻線給電装置４０は、界磁巻線３３に給電するための制御装置である。界磁巻線給電装置４０は、図１及び図７に示す如く、スリップリング４１と、ブラシ４２と、レギュレータ４３と、を有している。スリップリング４１は、回転軸３１の軸方向一端（図１における右側端）に嵌合固定されている。スリップリング４１は、ロータ３０の界磁巻線３３に直流電流を供給するための機能を有している。ブラシ４２は、２個一対設けられており、ハウジング１０に取り付け固定されたブラシホルダに保持されている。スリップリング４１は、ブラシ４２に対応して２個一対設けられている。
【００４７】
一対のブラシ４２はそれぞれ、その径方向内側の先端が回転軸３１側に押圧された状態でスリップリング４１の表面に摺動するように配置されている。一対のブラシ４２は、スリップリング４１を介して界磁巻線３３に直流電流を流す給電を行う。レギュレータ４３は、界磁巻線３３に流れる界磁電流を制御することによって回転電機１の出力電圧を調整する装置である。
【００４８】
レギュレータ４３は、スイッチング素子４３１と、還流ダイオード４３２と、を有するスイッチ回路である。スイッチング素子４３１は、界磁巻線３３に直列に接続されている。スイッチング素子４３１は、ＭＯＳＦＥＴである。還流ダイオード４３２は、界磁巻線３３に並列に接続されている。還流ダイオード４３２は、アノード端がスイッチング素子４３１のドレイン端に接続されると共に、カソード端が電源正極端子に接続されたダイオードである。レギュレータ４３には、スイッチング素子４３１がオンしている際に外部の電源から電流が供給される。そしてその後、スイッチング素子４３１がオフされると、界磁巻線３３に蓄積されていた磁気エネルギが還流ダイオード４３２を通じて電流として外部に放出される。
【００４９】
レギュレータ４３には、コンデンサ４４が並列に接続されている。コンデンサ４４は、還流ダイオード４３２のカソード端とスイッチング素子４３１のソース端との間に接続されている。コンデンサ４４は、電気エネルギを蓄えると共に、その蓄えた電気エネルギを電流として出力することが可能であり、界磁巻線３３の界磁電圧が変動するのを抑える機能を有している。
【００５０】
界磁巻線給電装置４０は、また、マイクロコンピュータを主体に構成された制御部４５を有している。制御部４５は、上記のスイッチング素子４３１に接続されている。制御部４５は、スイッチング素子４３１のオン／オフを制御することで界磁電流を制御して、レギュレータ４３による回転電機１の出力電圧を調整する。制御部４５は、界磁電流を制御するうえで、一周期中における界磁電流を流すためにスイッチング素子４３１をオンする期間の割合（以下、界磁デューティと称す。）を制御する。尚、この界磁デューティは、スイッチング素子４３１の（オン期間）／（（オン期間）＋（オフ期間））に略一致する。
【００５１】
整流装置５０は、ステータ２０のステータ巻線２２に電気的に接続されている。整流装置５０は、ステータ巻線２２で生じた交流電流を直流電流に整流して出力する装置である。整流装置５０は、複数のダイオード（すなわち、整流素子）５１により構成されている。ダイオード５１は、相ごとに２個一対設けられている。各相の一対のダイオード５１は、電源端子間に直列接続されている。以下、正極電源端子側のダイオード５１を上ダイオード５１ｕと、負極電源端子側のダイオード５１を下ダイオード５１ｄと、それぞれ称す。各相それぞれのステータ巻線２２は、一端が互いに共通接続されており、他端が上ダイオード５１ｕと下ダイオード５１ｄとの間に接続されている。
【００５２】
このような構成を有する回転電機１においては、車両のエンジンからベルトなどを介してプーリ３６に回転トルクが付与されると、回転軸３１の回転によりロータ３０が所定方向に回転する。この状態で界磁巻線給電装置４０のブラシ４２からスリップリング４１を介してロータ３０の界磁巻線３３に励磁電圧が印加されると、ポールコア３２ａ，３２ｂの爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂが励磁されて、ロータ３０の回転周方向に沿って交互にＮＳ磁極が形成される。
【００５３】
爪状磁極部３２３ａ，３２３ｂにＮＳ磁極が形成されると、ステータ２０のステータ巻線２２に回転磁界が付与されることで、ステータ巻線２２に交流の起電力が発生する。ステータ巻線２２で発生した交流起電力は、整流装置５０を通って直流に整流された後、出力端子から取り出されてバッテリに供給される。従って、回転電機１を、ステータ巻線２２の起電力発生によりバッテリを充電させる発電機として機能させることができる。
【００５４】
また、回転電機１において、界磁コア３２は、部分的（具体的には、ボス部３２１及びディスク部３２２）に飽和磁束密度の低い材料（具体的には、第２材料）により形成されている。このため、界磁コア３２は界磁電流が所定量通電された場合に容易に磁気飽和状態になるので、パーミアンスＰｒｔが小さくなる。界磁電流が所定量に比して大きい負荷状態では、界磁コア３２が過飽和状態になり、磁気回路の回路時定数が小さくなる（すなわち、短くなる；図１１参照）。
【００５５】
磁気回路の回路時定数が小さくパーミアンスが小さい状態において、仮にスイッチング素子４３１のスイッチング周波数が低いままであると、電流変動が激しくなり、発電電圧の変動が激しくなる。例えば、界磁デューティが５０％である時（すなわち、界磁電流が比較的小さい時）と７５％である時（すなわち、界磁電流が比較的大きい時）とで、スイッチング周波数が切り替わらないもの（図１０において１００Ｈｚ）とすると、図１０に示す如く、界磁デューティ７５％の時における電流の変動幅（約３．５アンペア）が、界磁デューティ５０％の時における電流の変動幅（約０．４アンペア）に比べて著しく大きくなる。
【００５６】
これに対して、制御装置としての界磁巻線給電装置４０において、制御部４５は、予め規定された界磁電流（或いは界磁デューティ）とスイッチング周波数との関係を記憶している。この界磁電流とスイッチング周波数との関係は、界磁電流又は界磁デューティが大きいほどスイッチング周波数が高くなるものである。具体的には、界磁電流又は界磁デューティが閾値以下であるときはスイッチング周波数が低い値ｆ２（例えば１００Ｈｚ程度）に設定され、一方、界磁電流又は界磁デューティが閾値に比して大きいときはスイッチング周波数が高い値ｆ１（例えば１０００Ｈｚ程度）に設定される。
【００５７】
また、上記した界磁電流とスイッチング周波数との関係には、図８に示す如くヒステリシスが設けられている。すなわち、スイッチング周波数を高いものｆ１から低いものｆ２へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｄ０と、スイッチング周波数を低いものｆ２から高いものｆ１へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｕ０と、は互いに異なる。具体的には、閾値Ａｄ０は、閾値Ａｕ０に比べて小さい。この場合は、スイッチング周波数が低めのｆ２であるとき、スイッチング周波数を高めのｆ１へ切り替えるためには、界磁電流又は界磁デューティが大きめの閾値Ａｕ０に比して大きくなることが必要である。また、スイッチング周波数が高めのｆ１であるとき、スイッチング周波数を低めのｆ２へ切り替えるためには、界磁電流又は界磁デューティが小さめの閾値Ａｄ０以下となることが必要である。かかるヒステリシスによれば、界磁電流又は界磁デューティが一つの閾値近傍で変動した場合に生じるスイッチング周波数の切替ハンチングを防止することができ、その切替時の電圧ハンチング現象を抑止することが可能である。
【００５８】
制御部４５は、上記の界磁電流とスイッチング周波数との関係に基づいてスイッチング周波数を切り替える。具体的には、界磁電流の通電のためのスイッチング素子４３１の界磁デューティが大きいことで界磁巻線３３に流す界磁電流が大きいとき、すなわち、時定数が小さく界磁コア３２が過飽和状態にあるとき（高負荷時）は、スイッチング周波数を高めのｆ１に設定する。また、界磁デューティが小さいことで界磁電流が小さいとき、すなわち、時定数が大きく界磁コア３２が軽飽和状態にあるとき（低負荷時）は、スイッチング周波数を低めのｆ２に設定する。
【００５９】
かかる構成によれば、界磁電流が大きく時定数の小さい過飽和状態においてスイッチング周波数が高めのｆ１に設定されるので、界磁電流の制御安定性を確保することができ、発電電圧の制御を安定させることができる。また、界磁電流が小さく時定数の大きい軽飽和状態においてスイッチング周波数が低めのｆ２に設定されるので、スイッチング回数を減らしてスイッチング損失を抑えることができ、発熱機会の低減などスイッチング素子４３２への負担を軽減することができ、エミッションノイズなどの低減を図ることができる。
【００６０】
例えば、上記の如く、界磁デューティが５０％である時にスイッチング周波数が低めのｆ２（図８及び図９において１００Ｈｚ）に設定され、界磁デューティが７５％である時にスイッチング周波数が高めのｆ１（図８及び図９において１０００Ｈｚ）に設定されると、図９に示す如く、パーミアンスが小さい界磁デューティ７５％の時における電流の変動幅（約０．４アンペア）が、パーミアンスが大きい界磁デューティ５０％の時における電流の変動幅（約０．４アンペア）と同等となる。従って、このようにスイッチング周波数を界磁電流又は界磁デューティに応じて切り替える構成によれば、その切り替えを行わない構成とは異なり、界磁デューティ７５％の時における電流の変動幅を約１／１０程度に抑えることができる。
【００６１】
（作用及び効果）
本実施形態の回転電機１では、回転周方向に隣接する爪状磁極部３２３の間に配置された永久磁石３４の磁力により、ステータ２０に鎖交する磁束が流れる第１磁石磁気回路６２と、ボス部３２１を通りロータ３０内で完結する磁束が流れる第２磁石磁気回路６３との２つの磁石磁気回路が形成される。そして、ロータ３０に負荷が掛けられた時、すなわち、界磁巻線３３に界磁電流Ｉｆが通電された時に、界磁巻線３３の起磁力により形成される磁束が界磁コア３２のボス部３２１、一対の爪状磁極部３２３及びステータコア２１を経由して流れるｄ軸磁気回路６０が形成される。このとき、２つの磁石磁気回路６２，６３のうちの第２磁石磁気回路６３を流れる磁石磁束は、ｄ軸磁気回路６０の磁束と逆方向に流れているので、抵抗が大きく流れ難い状態となる。
【００６２】
本実施形態では、ｄ軸磁気回路６０のパーミアンスＰｒｔ及びｑ軸磁気回路６１のパーミアンスＰｓｔは、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立するように設定されている。すなわち、ｄ軸磁気回路６０のパーミアンスＰｒｔは、ｑ軸磁気回路６１のパーミアンスＰｓｔに比べて小さい。このため、２つの磁石磁気回路６２，６３のうちステータ２０に鎖交する磁束が流れる第１磁石磁気回路６２の磁石磁束が増大する。これにより、磁石磁束を有効活用して、発電能力を大幅に向上させることができる。
【００６３】
また、本実施形態では、界磁巻線３３の通電を制御するレギュレータ４３のスイッチング素子４３１のオンとオフとを切り替えるスイッチング周波数が、界磁電流又は界磁デューティが閾値に比して大きい場合はその閾値以下である場合に比して高い値に設定される。具体的には、そのスイッチング周波数は、界磁電流又は界磁デューティが比較的大きい時は高めの値ｆ１に設定され、界磁電流又は界磁デューティが比較的小さい時は低めの値ｆ２に設定される。このため、界磁電流が大きく時定数の小さい過飽和状態において界磁電流の制御安定性を確保することができると共に、界磁電流が小さく時定数の大きい軽飽和状態においてスイッチング損失を低減することができる。また、エミッションノイズなどの低減効果を確保することができる。
【００６４】
また、本実施形態では、界磁電流や界磁デューティとスイッチング周波数との関係には、ヒステリシスが設けられている。すなわち、スイッチング周波数を高いものｆ１から低いものｆ２へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｄ０は、スイッチング周波数を低いものｆ２から高いものｆ１へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｕ０に比べて小さい。このため、界磁電流又は界磁デューティの閾値近傍での変動に起因するスイッチング周波数の切替ハンチングを防止することができ、その切替時の電圧ハンチング現象を抑止することができる。従って、制御安定性を向上させることができると共に、ひいては車載電装機器の動作不安定を回避することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、界磁巻線３３に流れる界磁電流を制御するレギュレータ４３が、界磁巻線３３に直列に接続されたスイッチング素子４３１と、界磁巻線３３に並列に接続された還流ダイオード４３２と、を有している。このため、界磁巻線３３に蓄積されていた磁気エネルギを還流ダイオード４３２を通じて電流として外部へ放出することができるので、スイッチング素子４３１のオフ時に回転電機１におけるレギュレータ４３の出力電圧を確保することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、レギュレータ４３のスイッチング素子４３１が、ＭＯＳＦＥＴである。このため、スイッチング素子がバイポーラ系の例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（すなわちＩＧＢＴ）などにより構成されている場合に比べて導通時の損失を低減することができると共に、高速スイッチングに対応可能であるので、スイッチング周波数の切替を適切に行うことができる。
【００６７】
また、本実施形態では、レギュレータ４３に並列接続されたコンデンサ４４が設けられている。コンデンサ４４は、電気エネルギを蓄えると共に、その蓄えた電気エネルギを電流として出力することが可能である。このため、界磁巻線３３の界磁電圧が変動するのを抑えることができ、その界磁電圧を安定化させることができると共に、界磁スイッチングによるエミッションノイズの低減を図ることができる。
【００６８】
（他の実施形態）
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【００６９】
例えば、上記の実施形態では、界磁電流又は界磁デューティに応じたスイッチング周波数の切替を、高低の２段階で行うものとしている（ｆ１，ｆ２）。しかし、そのスイッチング周波数の切替を、３以上の多段階で或いはリニアに行うものとしてもよい。例えば、図１２に示す如く、高中低の３段階で行うものとしてもよい（ｆ１１，ｆ１２，ｆ１３）。この構成によれば、スイッチング周波数の切替を木目細かく行うことができるので、小さい時定数の時における界磁電流の制御安定性の確保と大きい時定数の時におけるスイッチング損失の低減との両立性を向上させることができる。
【００７０】
また、図１２に示す如くスイッチング周波数の切替が３段階で行われる構成においても、界磁電流や界磁デューティとスイッチング周波数との関係には、ヒステリシスが設けられているのが好適である。すなわち、スイッチング周波数を最も高いものｆ１１から中程度のものｆ１２へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｄ１０は、スイッチング周波数を中程度のものｆ１２から最も高いものｆ１１へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｕ１０に比べて小さい。同様に、スイッチング周波数を中程度のものｆ１２から最も低いものｆ１３へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｄ１１は、スイッチング周波数を最も低いものｆ１３から中程度のものｆ１２へ変更するための界磁電流又は界磁デューティの閾値Ａｕ１１に比べて小さい。尚、閾値Ａｕ１１は、閾値Ａｄ１０に比べて小さいことが好ましい。この構成においても、界磁電流又は界磁デューティの閾値近傍での変動に起因するスイッチング周波数の切替ハンチングを防止することができ、その切替時の電圧ハンチング現象を抑止することができる。従って、制御安定性を向上させることができると共に、ひいては車載電装機器の動作不安定を回避することができる。
【００７１】
また、上記の実施形態では、界磁巻線３３に蓄えられた磁気エネルギを放出するうえで、その界磁巻線３３に並列に接続された還流ダイオード４３２を用いることとしている。しかし、還流ダイオード４３２に代えて、図１３に示す如く、スイッチング素子４３３を用いることとしてもよい。このスイッチング素子４３３は、界磁巻線３３に並列に接続されており、界磁巻線３３に直列に接続されたスイッチング素子４３１と相補的に導通制御されるＭＯＳＦＥＴである。レギュレータ４３は、スイッチング素子４３１とスイッチング素子４３３とを相補的に導通制御する同期整流方式の回路である。この構成によれば、還流電流が流れる際すなわち界磁巻線３３に蓄えられていた磁気エネルギを電流として放出する際における導通損失を低減することができるので、熱的ストレスを抑えることができる。
【００７２】
また、上記の実施形態では、ステータ巻線２２に接続する整流装置５０を複数のダイオード５１で構成することとした。しかし、図１３に示す如く、整流装置５０をインバータで構成することとしてもよい。この整流装置５０は、スイッチング素子５２と還流ダイオード素子５３とが並列接続された構成を有している。スイッチング素子５２は、相ごとに２個一対設けられている。還流ダイオード素子５３は、スイッチング素子５２ごとに並列に接続されている。各相の一対のスイッチング素子５２は、電源端子間に直列接続されている。各相の一対の還流ダイオード素子５３は、電源端子間に直列接続されている。以下、正極電源端子側のスイッチング素子５２を上スイッチング素子５２ｕと、負極電源端子側のスイッチング素子５２を下スイッチング素子５２ｄと、それぞれ称す。また、正極電源端子側の還流ダイオード素子５３を上ダイオード５３ｕと、負極電源端子側の還流ダイオード素子５３を下ダイオード５３ｄと、それぞれ称す。各相それぞれのステータ巻線２２は、一端が互いに共通接続されており、他端が上スイッチング素子５２ｕと下スイッチング素子５２ｄとの間すなわち上ダイオード５３ｕと下ダイオード５３ｄとの間に接続されている。
【００７３】
上スイッチング素子５２ｕと下スイッチング素子５２ｄとは、相補的に導通制御されるまた、還流ダイオード素子５３は、上記のダイオード５１と同様の機能を有している。この構成によれば、各相のスイッチング素子５２のスイッチング駆動により各相のステータ巻線２２に印加する電圧を制御することができる。
【００７４】
また、上記の如くインバータで構成された整流装置５０の電源端子間に界磁巻線３３とスイッチング素子４３１と還流ダイオード４３２又はスイッチング素子４３３とを介在させることとしてもよい。例えば、図１３に示す如く、界磁巻線３３とスイッチング素子４３３とを互いに並列接続させると共に、その界磁巻線３３に直列にスイッチング素子４３１を接続させたうえで、その回路をその整流装置５０の電源端子間に接続させてその整流装置５０と並列接続させるものとしてもよい。
【００７５】
この構成によれば、界磁巻線３３への電源供給をインバータの直流端子から直接に引き込むことができ、界磁巻線３３側の回路をインバータ側の回路に近接或いは組み込むことができるので、バスバー等を削減することができ、界磁巻線３３側とステータ巻線２２側との連携制御を容易にすることができる。また、この構成によれば、界磁巻線３３側のコンデンサ４４とインバータ側のコンデンサとを共通化することができ、例えば、図１３に示す如くコンデンサ５４を共用することができる。また、界磁巻線３３側のスイッチング素子４３１，４３２を冷却するヒートシンク（すなわち、放熱器）と、インバータ側のスイッチング素子５２を冷却するヒートシンクと、を共通で用いることができる。また、スイッチング素子４３１，４３２を収容する筐体と、スイッチング素子５２を収容する筐体と、を共通で用いることができる。このため、回転電機１のシステム全体をコンパクトな構成とすることができる。
【００７６】
また、上記の如く整流回路５０がインバータで構成された構成では、界磁巻線３３の通電を制御するスイッチング素子４３１のスイッチング周波数は、整流回路５０のインバータのスイッチング周波数（すなわち、制御周波数）に比べて低いことが好適である。すなわち、スイッチング素子４３１のスイッチング周波数の最も高いものｆ１でも、インバータのスイッチング周波数よりも低いことが好適である。この構成によれば、界磁によるインバータへの電磁干渉を防止することができると共に、界磁巻線３３側のスイッチング損失を減らすことができるので、インバータへの熱的負担を軽減することができる。尚、一般に、ステータ巻線２２側の回路時定数は、界磁巻線３３側の回路時定数に比して小さい。このため、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔの関係が成立する場合でも界磁巻線３３側の回路時定数が界磁巻線３３側の回路時定数を下回ることはないので、ステータ巻線２２側のスイッチング周波数よりも界磁巻線３３側のスイッチング周波数を高くすることは不要である。従って、制御系全体のリソースの最適化を図ることができると共に、経済的な制御系を確保することができる。
【００７７】
また、上記の実施形態では、ロータ３０の負荷作用時におけるｄ軸磁気回路６０のパーミアンスｒｔとｑ軸磁気回路６１のパーミアンスＰｓｔとの関係（具体的には、Ｐｓｔ＞Ｐｒｔ）は、界磁コア３２を飽和磁束密度の異なる２種類の材料により形成することにより実現されている。しかし、このパーミアンスＰｒｔ，Ｐｓｔの関係は、界磁コア３２を高飽和磁束密度の一種類の材料により形成したうえで、界磁コア３２の形状調整により実現されてもよい。例えば、ボス部３２１の外径を小さくし或いはディスク部３２２の厚みを小さくして、界磁コア３２の磁路断面積の少なくとも一部を小さくすることとしてもよい。
【００７８】
この構成によれば、パーミアンスＰｒｔ，Ｐｓｔの関係を界磁コア３２の部品寸法により実現することができるので、製造品質を安定させることができると共に、比較的簡易な手法でその関係を実現することができる。また、パーミアンスを高く維持することが要求される部分（具体的には、爪状磁極部３２３）を高飽和磁束密度すなわち高透磁率に維持しつつ、それ以外の部分（具体的には、ボス部３２１及びディスク部３２２）について局所的にパーミアンスを変更することができるので、性能への影響を極小化することができる。
【００７９】
また、上記の実施形態では、レギュレータ４３のスイッチング素子４３１（更には、スイッチング素子４３３）がＭＯＳＦＥＴである。しかし、スイッチング素子４３１（更には、スイッチング素子４３３）が例えばバイポーラ系のＩＧＢＴなどであってもよい。
【００８０】
また、上記の実施形態では、回転電機１を車両用発電電動機に適用した例を説明した。しかし、回転電機１は、車両に搭載される回転電機としての発電機、電動機、又は発電機と電動機を選択的に使用し得る回転電機にも適用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１：回転電機、１０：ハウジング、２０：ステータ、２１：ステータコア、２２：ステータ巻線、３０：ロータ、３１：回転軸、３２：界磁コア、３２ａ，３２ｂ：ポールコア、３３：界磁巻線、３４：永久磁石、４３：レギュレータ、４４：コンデンサ、４５：制御部、５０：整流装置、５１：ダイオード、５２：スイッチング素子、５３：還流ダイオード素子、５４：コンデンサ、６０：ｄ軸磁気回路、６１：ｑ軸磁気回路、６２，６３：磁石磁気回路、３２１，３２１ａ，３２１ｂ：ボス部、３２２，３２２ａ，３２２ｂ：ディスク部、３２３，３２３ａ，３２３ｂ：爪状磁極部、４３１：スイッチング素子、４３２：還流ダイオード、４３３：スイッチング素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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