(57)【要約】【課題】電力変換器においてスイッチング時のサージを抑制しつつ、回路損失を低減する。【解決手段】  スイッチング素子に、スナバコンデンサを並列に接続し、スイッチング素子とスナバコンデンサとの接続を導通又は遮断する切替スイッチを設ける。スイッチング素子の温度が閾値値以下の場合には、切替スイッチを導通状態とし、スイッチング素子の温度が閾値値を超えた場合には、切替スイッチを遮断状態とする。上記制御により、サージ電圧が高い場合は、スナバコンデンサを作用させることで、サージ・エネルギを吸収し、サージ電圧が低い場合は、スナバコンデンサを作用させないことで、回路損失を低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子のターンオフ時に生じる過渡的な高電圧を吸収するコンデンサを含むスナバ回路と、
を備えた電力変換器において、
前記スイッチング素子の温度を取得する素子温度取得手段と、
前記スナバ回路と前記スイッチング素子との電気的接続を導通・遮断する切替スイッチと、
前記素子温度取得手段によって取得した前記スイッチング素子の温度が閾値以下のとき、前記スナバ回路と前記スイッチング素子の電気的接続を導通し、前記スイッチング素子の温度が閾値を超えたとき、前記スナバ回路と前記スイッチング素子の電気的接続を遮断するよう、前記切替スイッチを制御する、制御装置と、
を設けた電力変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示される技術は、電力変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング素子は、様々な用途で必要とされており、例えば、直流電圧を変圧する電圧コンバータ装置、直流電圧と交流電圧の間で変換するインバータ装置に用いられる。スイッチング素子の一例には、絶縁ゲートを備えるスイッチング素子が知れられている。この種のスイッチング素子では、絶縁ゲートに電荷が充放電されることによって、オンとオフが切換わるように構成されている。この種のスイッチング素子の一例には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を含むパワー半導体素子が挙げられる。
【０００３】
スイッチング素子には、短時間のうちにオフ状態からオン状態に切り換わることが求められている。すなわち動作速度が速いことが求められている。動作速度が速いと、スイッチング損失を減少することができる。それと同時に、電力用スイッチング素子には、過大なサージ電圧が発生しないように電力をオン・オフ制御することが求められる。電力のオン・オフ制御に伴って発生するサージ電圧が高ければ、スイッチング素子に求められる耐圧が高くなってしまう。
スイッチング素子の動作速度を早くすることと、サージ電圧を抑制することは、トレードオフの関係にあり、一般には、動作速度を早くすると、サージ電圧が高くなる関係にある。動作速度を早くしながら、サージ電圧を抑制することは難しい。
【０００４】
特許文献１に記載された電力変換器では、スイッチング素子がターンオフ動作を開始し、スイッチング素子のコレクタ電流が急激に減少すると、それまでスイッチング素子に流れていた主電流がスナバコンデンサに転流する。すなわち、スイッチング素子のターンオフ動作時に発生するサージ・エネルギをスナバコンデンサに吸収させる。従って、スナバコンデンサの作用によりサージ電圧を抑制することで、スイッチング素子の動作速度を速くすることができ、スイッチング損失を低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２３０１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スイッチング素子のターンオフ動作時にスナバコンデンサに吸収されたサージ・エネルギは、その後、スイッチング素子がターンオンすると、スナバコンデンサの電荷がゼロになるまで、回路上の抵抗やスイッチング素子にて消費されることになる。そのため、特許文献１に記載された電力変換器では、スナバ回路によって回路損失が発生する。
【０００７】
本発明は、スイッチング時のサージを抑制しつつ、回路損失を低減する電力変換器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電力変換器は、スイッチング素子と、スイッチング素子のターンオフ時に生じる過渡的な高電圧を吸収するコンデンサを含むスナバ回路と、を備えており、さらに、スイッチング素子の温度を取得する素子温度取得手段と、スナバ回路と前記スイッチング素子との電気的接続を導通・遮断する切替スイッチと、素子温度取得手段によって取得したスイッチング素子の温度が閾値以下のとき、スナバ回路と前記スイッチング素子の電気的接続を導通し、スイッチング素子の温度が閾値を超えたとき、スナバ回路と前記スイッチング素子の電気的接続を遮断するよう、切替スイッチを制御する、制御装置と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
スイッチング素子は、素子温度が低いほど、電流がゼロとなるまでのｄｉ／ｄｔが高くなる。ターンオフ時に発生するサージ電圧は、配線インダクタンス値との積となるため、ｄｉ／ｄｔが高くなるほどサージ電圧が高くなる。
上記の構成によれば、素子温度が閾値以下である場合には、スイッチング時に発生するサージ・エネルギをスナバコンデンサに吸収させることで、過大なサージ電圧が発生することを抑制し、スイッチング素子を所定の耐圧の範囲で動作させる。
一方で、素子温度が閾値を超える場合には、サージ電圧が低いため、スナバコンデンサを使用しなくても、スイッチング素子を所定の耐圧の範囲で動作させることができる。さらに、スナバコンデンサを使用しないため、スナバコンデンサにサージ・エネルギが吸収されず、吸収したサージ・エネルギを、回路上の抵抗やスイッチング素子にて消費する必要がなく、回路損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る電力変換器１０を説明するである。
【図２】第１の実施形態に係る電力変換器１０における電圧コンバータ回路１２のスイッチング部Ｔ７、Ｔ８を説明する図である。
【図３】第１の実施形態に係る電力変換器１０におけるインバータ回路１６のスイッチング部Ｔ１〜Ｔ６を説明する図である。
【図４】第１実施形態に掛かる制御装置１５が実行するルーチンの一例である。
【図５】第２実施形態に係る電力変換器２０を説明する図である。
【図６】第２の実施形態に係る電力変換器２０における電圧コンバータ回路１２のスイッチング部Ｔ７、Ｔ８を説明する図である。
【図７】第２の実施形態に係る電力変換器１０におけるインバータ回路１６のスイッチング部Ｔ１〜Ｔ６を説明する図である。
【図８】第２実施形態に掛かる制御装置１５が実行するルーチンの一例である。
【００１１】
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
本明細書が開示する第１の実施形態に係る電力変換器１０について説明する。
図１に示すように、第１の実施形態に係る電力変換器１０は、バッテリ１４と接続されている。電力変換器１０は、バッテリ電圧を昇圧する電圧コンバータ回路１２と、昇圧後の直流電力を交流に変換するインバータ回路１６と、を含んでいる。
【００１３】
電圧コンバータ回路１２の回路構成について説明する。電圧コンバータ回路１２の高電位側のラインにおける出力側と入力側の間には、リアクトル２及びスイッチング素子Ｔ７ａが接続されている。そして、低電位側のラインは、電圧コンバータ回路１２の入力側と出力側を直結している。低電位側のラインはグランド線に相当する。即ち、電圧コンバータ回路１２の入力側（バッテリ１４側）の低電位端と出力側（インバータ回路１６の側）の低電位端を直結するラインがグランド線に相当する。
【００１４】
リアクトル２の一端は、入力側（バッテリ１４側）の高電位端に接続され、その他端（出力側）にはスイッチング素子Ｔ７ａ（図２参照）が接続されている。また、リアクトル２の他端（スイッチング部Ｔ７の低電位端）とグランド線の間に別のスイッチング素子Ｔ８ａ（図２参照）が接続されている。すなわち、電圧コンバータ回路１２には、２個のスイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の直列回路が含まれており、その中点にリアクトル２が接続されている。
【００１５】
リアクトル２の中点側のライン側とグランド線の間には、フィルタコンデンサ３が接続されている。他方、電圧コンバータ回路１２のインバータ回路側の高電位側のラインとグランド線の間には平滑化コンデンサ４が接続されている。フィルタコンデンサ３は、電圧コンバータ回路１２の昇圧動作／降圧動作の際に電気エネルギを一時的に蓄えるデバイスであり、平滑化コンデンサ４は、インバータ回路１６に入力される電流の脈動を抑制するデバイスである。
【００１６】
図２に示すように、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）は、２つの主電極と、１つの制御電極を有している。制御電極には、制御装置１５からパルス信号が送られ、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）のオン・オフが制御される。また、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）には、それぞれ、ダイオード（Ｄ７ａ、Ｄ８ａ）が逆並列に接続されている。
【００１７】
各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の２つの主電極間には、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）に対して並列となるよう、スナバコンデンサ（Ｃ７、Ｃ８）が接続されている。さらに、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）とスナバコンデンサ（Ｃ７、Ｃ８）との接続を導通又は遮断する切替スイッチ（Ｔ７ｂ、Ｔ８ｂ）が設けられている。各切替スイッチ（Ｔ７ｂ、Ｔ８ｂ）には、それぞれ、ダイオード（Ｄ７ｂ、Ｄ８ｂ）が逆並列に接続されている。以下では、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）、ダイオード（Ｄ７ａ、Ｄ８ａ）、切替スイッチ（Ｔ７ｂ、Ｔ８ｂ）、ダイオード（Ｄ７ｂ、Ｄ８ｂ）、スナバコンデンサ（Ｃ７、Ｃ８）を総称し、スイッチング部（Ｔ７、Ｔ８）と呼称する。また、スナバコンデンサＣ７、切替スイッチＴ７ｂ及びダイオードＤ７ｂ（スナバコンデンサＣ８、切替スイッチＴ８ｂ及びダイオードＤ８ｂ）から構成される回路をスナバ回路と称呼する。
【００１８】
インバータ回路１６の回路構成について説明する。インバータ回路１６は、図３に示すように、２個のスイッチング素子の直列回路が３セット並列に接続された構成を有している（Ｔ１ａとＴ４ａ、Ｔ２ａとＴ５ａ、Ｔ３ａとＴ６ａ）。３セットの直列回路の高電位側がインバータ回路１６の高電位側の入力端に接続されており、３セットの直列回路の低電位側がインバータ回路１６の低電位側の入力端に接続されている。
【００１９】
各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）は、２つの主電極と、１つの制御電極を有している。制御電極には、制御装置１５からパルス信号が送られ、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）のオン・オフが制御される。これにより、３セットの直列回路の中点から三相交流が出力される。また、また、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）には、それぞれ、ダイオードＤ１ａ〜Ｄ６ａが逆並列に接続されている。
【００２０】
図３に示すように、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）の２つの主電極間には、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）に対して並列となるよう、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ６）が接続されている。さらに、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）とスナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ６）との接続を導通又は遮断する切替スイッチ（Ｔ１ｂ〜Ｔ６ｂ）が設けられている。各切替スイッチ（Ｔ１ｂ〜Ｔ６ｂ）には、それぞれ、ダイオード（Ｄ１ｂ〜Ｄ６ｂ）が逆並列に接続されている。以下では、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）、ダイオード（Ｄ１〜Ｄ６）、切替スイッチ（Ｔ１ｂ〜Ｔ６ｂ）、ダイオード（Ｄ１ｂ〜Ｄ６ｂ）、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ６）を総称し、スイッチング部（Ｔ１〜Ｔ）６と呼称する。また、電圧コンバータ回路１２と同様に、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ６）、切替スイッチ（Ｔ１ａ〜Ｔ６ａ）及びダイオード（Ｄ１ｂ〜Ｄ６ｂ）から構成される回路をスナバ回路と称呼する。
【００２１】
図２及び図３に示すように、電力変換器１０は、各スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ８）の温度を検出するために、素子温度取得手段（Ｓ１〜Ｓ８）を有している。素子温度取得手段（Ｓ１〜Ｓ８）には、スイッチング素子のチップの温度を検出するもの（例えば、センスダイオード）や、スイッチング素子の放熱用媒体（冷却水や放熱フィン）の温度を検出するもの（例えば、サーミスタや熱電対）がある。
【００２２】
電圧コンバータ回路１２及びインバータ回路１６に含まれる各スイッチング部（Ｔ１〜Ｔ８）の動作について説明する。以下では、電圧コンバータ回路１２のスイッチング部Ｔ８を例に説明するが、その他のスイッチング部（Ｔ１〜Ｔ７）についても同様である。
【００２３】
図４は、制御装置１５が実行するルーチンの一例である。制御装置１５は、素子温度取得手段Ｓ８によって取得したスイッチング素子Ｔ８ａの温度が閾値Ｔｔｈ以下か否かを定期的に監視している（ステップ１１）。制御装置１５は、スイッチング素子Ｔ８ａの温度が閾値Ｔｔｈを超える場合には、スイッチング素子Ｔ８ａとスナバコンデンサＣ８の接続が遮断するよう切替スイッチＴ８ｂを制御する（ステップ１２）。
【００２４】
一方、制御装置１５は、スイッチング素子Ｔ８ａの温度が閾値Ｔｔｈ以下である場合には、スイッチング素子Ｔ８ａとスナバコンデンサＣ８の接続が導通するよう切替スイッチＴ８ｂを制御する。（ステップ１３）スイッチング素子Ｔ８ａがオフ動作を開始すると、スイッチング素子Ｔ８ａのリアクトル側２の端子の電位は、グランド電位からバッテリ１４の電位まで持ち上がる。このとき、スナバコンデンサＣ８に電荷が流入し、サージ・エネルギが吸収されるため、スイッチング素子Ｔ８ａのサージ電圧を抑制することができる。この後、スイッチング素子Ｔ８ａがオン動作を開始すると、スナバコンデンサＣ８からスイッチング素子Ｔ８ａに電荷が流れ、スイッチング素子Ｔ８ａのリアクトル側の端子の電位がグランド電位まで下がる。
【００２５】
スイッチング素子Ｔ８ａは、素子温度が低いほど、電流がゼロとなるまでのｄｉ／ｄｔが高くなる。ターンオフ時に発生するサージ電圧は、配線インダクタンス値との積となるため、ｄｉ／ｄｔが高くなるほどサージ電圧が高くなる。また、一派的に、スイッチング素子の耐圧は、低温時に低くなる。このため、低温時のサージ電圧が低温時の耐圧（常温時より低い）を超えないよう、スイッチング素子の動作速度（駆動速度）を設定する必要があり、動作速度（駆動速度）を早めてスイッチング損失を減少するには、限界があった。
また、スイッチング素子Ｔ８ａのオフ動作時にスナバコンデンサＣ８に吸収されたサージ・エネルギは、その後、スイッチング素子がオン動作を開始すると、スナバコンデンサＣ８の電荷がゼロになるまで、回路上の抵抗やスイッチング素子にて消費されることになるので、スナバ回路によって回路損失が発生することになる。
【００２６】
第１の実施形態によれば、スイッチング素子Ｔ８ａの温度が閾値Ｔｔｈ以下である場合には、スイッチング時に発生するサージ・エネルギをスナバコンデンサＣ８に吸収させることで、スイッチング素子の動作速度（駆動速度）を早めて、スイッチング損失を減少しても、過大なサージ電圧が発生することを抑制し、スイッチング素子Ｔ８ａを所定の耐圧の範囲で動作させることができる。
一方で、スイッチング素子Ｔ８ａの温度が閾値Ｔｔｈを超えた場合には、スイッチング素子Ｔ８ａの耐圧も比較的高く、且つ、サージ電圧も低いため、スナバコンデンサＣ８を使用しなくても、スイッチング素子Ｔ８ａを所定の耐圧の範囲で動作させることができる。さらに、スナバコンデンサＣ８を使用しないため、スナバコンデンサＣ８にサージ・エネルギが吸収されず、吸収したサージ・エネルギを、スイッチング素子Ｔ８ａにて消費する必要がなく、スナバ回路による回路損失の発生を抑制することができる。
上記の通り、第１の実施形態では、温度によって変化するサージ電圧の大きさと、温度よって変化するスイッチング素子の耐圧に着目し、スイッチング素子の温度が閾値Ｔｔｈ以下のときに、スナバ回路とスイッチング素子の電気的接続を導通し、スイッチング素子の温度が閾値Ｔｔｈを超えたときには、スナバ回路とスイッチング素子の電気的接続を遮断するようにしている。この閾値Ｔｔｈは、例えば、スナバ回路が遮断されたときに発生するサージ電圧が、閾値Ｔｔｈを超えた素子温度において、素子の耐圧を超えないよう、実験等によって求め、設定することができる。
【００２７】
（第２の実施形態）
本明細書が開示する第２の実施形態に係る電力変換器２０について説明する。
図４は、本発明の第２の実施形態の電力変換器の回路図である。なお、図４において、図１における構成要素と同一ないし均等の物は同一符号を用いて示している。
第１の実施形態では、電圧コンバータ回路１２及びインバータ１６回路において、上下アームいずれのスイッチング素子にも並列にスナバ回路が接続されているのに対し、第２の実施形態では、上下アームのうち、何れか一方のスイッチング素子にスナバ回路が接続されている点で相違する。図４では、上アームのスイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ３ａ、Ｔ７ａ）にのみスナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ７）が接続されている。
【００２８】
第１の実施形態と同様に、図５及び図６に示すように、電力変換器２０は、各スイッチング素子（１〜Ｔ８）の温度を検出するために、素子温度取得手段（Ｓ１〜Ｓ８）を有している。素子温度取得手段（Ｓ１〜Ｓ８）には、スイッチング素子のチップの温度を検出するもの（例えば、センスダイオード）や、スイッチング素子の放熱用媒体（冷却水や放熱フィン）の温度を検出するもの（例えば、サーミスタや熱電対）がある。
【００２９】
電圧コンバータ回路１２及びインバータ回路１６に含まれる各スイッチング部（Ｔ１〜Ｔ８）の動作について説明する。スナバコンデンサを有するスイッチング部（Ｔ１〜Ｔ３、Ｔ７）では、第１の実施形態と同様に、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ７）を用いて、スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ３ａ、Ｔ７a）のサージ電圧を抑制する。スナバコンデンサを有しないスイッチング部（Ｔ４〜Ｔ６、Ｔ８）では、対向アームのスナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ７）を用いて、スイッチング素子（Ｔ４ａ〜Ｔ６ａ、Ｔ８a）のサージ電圧を抑制する。以下では、電圧コンバータ回路１２のスイッチング部（Ｔ７・Ｔ８）を例に説明するが、その他のスイッチング部（Ｔ１・Ｔ４、Ｔ２・Ｔ５、Ｔ３・Ｔ６）についても同様である。
【００３０】
図８は、制御装置１５が実行するルーチンの一例である。制御装置１５は、素子温度取得手段（Ｓ７、Ｓ８）によって取得したスイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の温度が閾値Ｔｔｈ以下か否かを定期的に監視している（ステップ２１、ステップ２３）。制御装置１５は、スイッチング素子（Ｓ７、Ｓ８）の両方の温度が閾値Ｔｔｈを超える場合には、スイッチング素子Ｔ７ａとスナバコンデンサＣ７の接続が遮断するよう切替スイッチＴ７ｂを制御する（ステップ２５）。
【００３１】
一方、制御装置１５は、スイッチング素子（Ｓ７、Ｓ８）の少なくとも一方の温度が閾値Ｔｔｈ以下である場合には、スイッチング素子Ｔ７ａとスナバコンデンサＣ７の接続が導通するよう切替スイッチＴ７ｂを制御する。（ステップ２２、ステップ２３）
【００３２】
スイッチング素子（Ｓ７、Ｓ８）の少なくとも一方の温度が閾値Ｔｔｈ以下である場合における、各スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）のオフ動作について説明する。
スイッチング素子Ｔ７ａのオフ動作については、第１実施例と同様である。スイッチング素子Ｔ７ａがオフ動作を開始すると、スイッチング素子Ｔ７ａのリアクトル側２の端子の電位は、バッテリ１４の電位からグランド電位まで下がる。このとき、スナバコンデンサＣ７に電荷が流入し、サージ・エネルギが吸収されるため、スイッチング素子Ｔ７ａのサージ電圧を抑制することができる。この後、スイッチング素子Ｔ７ａがオン動作を開始すると、スナバコンデンサＣ７からスイッチング素子Ｔ７ａに電荷が流れ、スイッチング素子Ｔ７ａのリアクトル側の端子の電位がバッテリ１４の電位まで持ち上がる。
【００３３】
次に、スイッチング素子Ｔ８ａのオフ動作について説明する。スイッチング素子Ｔ８ａがオフ動作を開始すると、スイッチング素子Ｔ８ａのリアクトル側の端子の電位は、グランド電位からバッテリ１４の電位まで持ち上がる。このとき、スナバコンデンサＣ７に電荷が流入し、サージ・エネルギが吸収されるため、スイッチング素子Ｔ８ａのサージ電圧を抑制することができる。この後、スイッチング素子Ｔ８ａがオン動作を開始すると、スナバコンデンサＣ７からスイッチング素子Ｔ８ａに電荷が流れ、スイッチング素子Ｔ８ａのリアクトル側の端子の電位がグランド電位まで下がる。
【００３４】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の少なくとも一方の温度が閾値Ｔｔｈ以下である場合には、スイッチング時に発生するサージ・エネルギをスナバコンデンサＣ７に吸収させることで、スイッチング素子の動作速度（駆動速度）を早めて、スイッチング損失を減少しても、過大なサージ電圧が発生することを抑制し、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）を所定の耐圧の範囲で動作させることができる。
一方で、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の両方の温度が閾値Ｔｔｈを超えた場合には、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）の耐圧も比較的高く、且つ、サージ電圧も低いため、スナバコンデンサＣ７を使用しなくても、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）を所定の耐圧の範囲で動作させることができる。さらに、スナバコンデンサＣ７を使用しないため、スナバコンデンサＣ７にサージ・エネルギが吸収されず、吸収したサージ・エネルギを、スイッチング素子（Ｔ７ａ、Ｔ８ａ）にて消費する必要がなく、スナバ回路による回路損失の発生を抑制することができる。
【００３５】
第１の実施形態、第２の実施形態では、スナバ回路として、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ８）と切替スイッチ（Ｔ１ａ〜Ｔ８ａ）が直列に接続された場合について説明したが、スナバ回路として、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ８）および切替スイッチ（Ｔ１ａ〜Ｔ８ａ）に直列にスナバ抵抗が接続されていてもよい。これによれば、スナバコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ８）に吸収したサージ・エネルギが、スナバ抵抗においても消費され、サージ・エネルギを消費する際に生じる発熱を分散することができる。
【００３６】
第１の実施形態、第２の実施形態では、各スイッチング素子（Ｔ１ａ〜Ｔ８ａ）にスナバ回路が並列に接続された場合について説明したが、２個のスイッチング素子（Ｔ１ａ・Ｔ４ａ、Ｔ２ａ・Ｔ５ａ、Ｔ３ａ・Ｔ６ａ、Ｔ７ａ・Ｔ８ａ）の直列回路と並列にスナバ回路（一括スナバ）を接続してもよい。これによれば、回路を簡素化することができる。
【００３７】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載した発明には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した構成は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３８】
２：リアクトル
３：フィルタコンデンサ
４：平滑化コンデンサ
１０、２０：電力変換器
１２：電圧コンバータ回路
１４：バッテリ
１５：制御装置
１６：インバータ回路
Ｓ１〜Ｓ８：素子温度取得手段
Ｔ１〜Ｔ８：スイッチング部
Ｔ１ａ〜Ｔ８ａ：スイッチング素子
Ｔ１ｂ〜Ｔ８ｂ：切替スイッチ
Ｃ１〜Ｃ８：スナバコンデンサ
Ｄ１ａ〜Ｄ８ａ、Ｄ１ｂ〜Ｄ８ｂ：ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018007310.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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