(57)【要約】      （修正有）【課題】成膜チャンバのコーナーに洗浄ガス流を向けるシャドーフレームサポートを有する処理チャンバを提供する。【解決手段】シャドーフレームサポート５０８、５１２、５１６、５２０は、チャンバ壁の一部に沿って、コーナーを空けたままにして配置される。洗浄中、シャドーフレーム１３３は、基板支持体１３０及びシャドーフレームサポートの両方に載るように配置される。したがって、チャンバ壁に沿って流れる洗浄ガスは、シャドーフレームサポートによって遮断され、シャドーフレームサポートがコーナーまで延びていないために、洗浄ガスが処理チャンバのコーナーに向けられる。【選択図】図５
2018113461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコーナーを有するチャンバ本体と、
チャンバ本体に結合された複数のシャドーフレームサポートとを備え、複数のシャドーフレームサポートは洗浄ガスラジカルをチャンバ本体の複数のコーナーに向ける、処理装置。
【請求項２】
チャンバ本体は複数の壁を備え、複数のシャドーフレームサポートの各々のシャドーフレームサポートは複数の壁の対応する壁に結合される請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
複数の壁は第１壁、第２壁、第３壁及び第４壁を含む請求項２記載の処理装置。
【請求項４】
複数のシャドーフレームサポートは、第１シャドーフレームサポート、第２シャドーフレームサポート、第３シャドーフレームサポート及び第４シャドーフレームサポートを含む請求項３記載の処理装置。
【請求項５】
第１シャドーフレームサポートは第１壁に結合され、第２シャドーフレームサポートは第２壁に結合され、第３シャドーフレームサポートは第３壁に結合され、第４シャドーフレームサポートは第４壁に結合される請求項４記載の処理装置。
【請求項６】
第１シャドーフレームサポートは第１壁の長さより小さい長さを有し、第２シャドーフレームサポートは第２壁の長さより小さい長さを有し、第３シャドーフレームサポートは第３壁の長さより小さい長さを有し、第４シャドーフレームサポートは第４壁の長さより小さい長さを有する請求項５記載の処理装置。
【請求項７】
第１シャドーフレームサポートは第１壁に沿って中央に配置され、第２シャドーフレームサポートは第２壁に沿って中央に配置され、第３シャドーフレームサポートは第３壁に沿って中央に配置され、第４シャドーフレームサポートは第４壁に沿って中央に配置される請求項６記載の処理装置。
【請求項８】
第１壁、第２壁、第３壁及び第４壁によって画定される内部を有するチャンバ本体であって、第１壁、第２壁、第３壁及び第４壁は４個のコーナーを形成するチャンバ本体と、
第１壁に結合された第１シャドーフレームサポートと、
第２壁に結合された第２シャドーフレームサポートと、
第３壁に結合された第３シャドーフレームサポートと、
第４壁に結合された第４シャドーフレームサポートを備え、
第１、第２、第及び第４シャドーフレームサポートは洗浄ガスラジカルをチャンバ本体の４個のコーナーに向ける処理装置。
【請求項９】
第１シャドーフレームサポートは第１壁の長さより小さい長さを有する請求項８記載の処理装置。
【請求項１０】
第２シャドーフレームサポートは第２壁の長さより小さい長さを有する請求項８記載の処理装置。
【請求項１１】
第３シャドーフレームサポートは第３壁の長さより小さい長さを有する請求項８記載の処理装置。
【請求項１２】
第４シャドーフレームサポートは第４壁の長さより小さい長さを有する請求項８記載の処理装置。
【請求項１３】
第１シャドーフレームサポートは第１壁に沿って中央に配置され、第２シャドーフレームサポートは第２壁に沿って中央に配置され、第３シャドーフレームサポートは第３壁に沿って中央に配置され、第４シャドーフレームサポートは第４壁に沿って中央に配置される請求項８記載の処理装置。
【請求項１４】
複数の壁によって画定される内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁は第１壁、第２壁、第３壁及び第４壁を含むチャンバ本体と、
第１壁から延在する第１シャドーフレームサポートであって、第１シャドーフレームサポートは第１端部と、第１端部に対向する第２端部を備える第１シャドーフレームサポートと、
第２壁から延在する第２シャドーフレームサポートであって、第２シャドーフレームサポートは第３端部と、第３端部に対向する第４端部を備える第２シャドーフレームサポートと、
第３壁から延在する第３シャドーフレームサポートであって、第３シャドーフレームサポートは第５端部と、第５端部に対向する第６端部を備える第３シャドーフレームサポートと、
第４壁から延在する第４シャドーフレームサポートであって、第４シャドーフレームサポートは第７端部と、第７端部に対向する第８端部を備える第４シャドーフレームサポートとを備え、
第２端部、第３端部、第１壁及び第２壁は第１ギャップを画定し、第４端部、第５端部、第２壁及び第３壁は第２ギャップを画定し、第６端部、第７端部、第３壁及び第４壁は第３ギャップを画定し、第８端部、第１端部、第４壁及び第１壁は第４ギャップを画定する処理装置。
【請求項１５】
第１シャドーフレームサポートは第１壁の長さより小さい長さを有し、第２シャドーフレームサポートは第２壁の長さより小さい長さを有し、第３シャドーフレームサポートは第３壁の長さより小さい長さを有し、第４シャドーフレームサポートは第４壁の長さより小さい長さを有する請求項１４記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概して、処理チャンバ及び洗浄方法に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
基板処理チャンバは、多種多様な機能を提供する。しばしば、基板上に誘電体層を堆積
する場合、堆積プロセスからの残留物は、処理チャンバの壁及び他の表面上に集まる。こ
れらの堆積物はもろくなり、基板の表面を汚染する可能性がある。チャンバは、通常、迅
速に基板を処理するための統合ツールの一部であるので、チャンバのメンテナンス及び洗
浄が最小時間を必要とすることが必須である。汚染の可能性を低減し、こうしてチャンバ
のスループットを向上させるために、効果的かつタイムリーなチャンバ表面の洗浄が望ま
しい。
【０００３】
現在、チャンバの表面からケイ素又は炭素含有堆積物を除去するための機構は、リモー
トプラズマ洗浄、インサイチューＲＦプラズマ洗浄、又はＲＦ援用リモートプラズマ洗浄
を含む。フッ素含有ガスを有するリモートプラズマは、チャンバ表面を洗浄するために使
用することができる。例えば、洗浄ガスＮＦ３は、遠隔で点火してプラズマにすることが
でき、プラズマからのラジカルがチャンバ内に導入され、これによってチャンバ表面上に
堆積された膜をエッチング除去する。
【０００４】
しかしながら、チャンバ表面の洗浄速度は、ラジカルがチャンバ内部へ流れる方法に起
因して均一ではない。したがって、処理チャンバの洗浄速度を高めるために、改良された
装置及び洗浄方法が必要とされる。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、概して、チャンバのコーナー（隅部）に洗浄ガス流を向けるシャドーフレー
ムサポートを有する処理チャンバを提供する。シャドーフレームサポートは、チャンバ壁
の一部に沿って、すなわちコーナーを空けたままにして、配置される。洗浄中、シャドー
フレームは、それが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に載るように配置さ
れる。したがって、チャンバ壁に沿って流れる洗浄ガスは、シャドーフレームサポートに
よって遮断され、シャドーフレームサポートがコーナーまで延びていないので、洗浄ガス
はコーナーに強いられる。
【０００６】
一実施形態では、処理装置が開示される。処理装置は、複数の壁によって画定された内
部を有するチャンバ本体であって、少なくとも１つの壁は、貫通する開口を有するチャン
バ本体と、複数の壁のうちの第１壁から延在し、第１壁の長さよりも小さい第１長さを有
する第１シャドーフレームサポートと、複数の壁のうちの第２壁から延在し、第２壁の長
さよりも小さい第２長さを有する第２シャドーフレームサポートと、複数の壁のうちの第
３壁から延在し、第３壁の長さよりも小さい第３長さを有する第３シャドーフレームサポ
ートと、複数の壁のうちの第４壁から延在し、第４壁の長さよりも小さい第４長さを有す
る第４シャドーフレームサポートを含む。
【０００７】
別の一実施形態では、処理装置が開示される。処理装置は、複数の壁によって画定され
た内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第１壁は第１長さを有し、複数
の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体を含む。処理装置はまた、第２長さを有す
る第１シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートを含み、第１シ
ャドーフレームサポートは、壁の第１長さに沿って第１壁に取り付けられる。第２長さは
、第１長さよりも短く、第１シャドーフレームサポートは、第１シャドーフレームサポー
トがコーナーに接触しないように第１壁の長さに沿った方法で配置される。
【０００８】
別の一実施形態では、洗浄方法が開示される。洗浄方法は、処理チャンバ内でシャドー
フレームサポートの上にシャドーフレームを配置する工程と、シャドーフレームが基板支
持体及びシャドーフレームサポートの両方に接触するような位置まで基板支持体を上昇さ
せる工程と、処理チャンバ内に洗浄ガスを流す工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本
発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に
示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎ
ず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく
有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを有する処理チャンバの断面図である。
【図２】基板支持体及びシャドーフレームを有する一実施形態に係る処理チャンバの上面図である。
【図３】シャドーフレームサポート、シャドーフレーム、及び基板支持体の斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポート、シャドーフレーム、及び基板支持体の斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを備えた基板支持体及びシャドーフレームを有する処理チャンバの上面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係る洗浄位置における基板支持体の概略側面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態に係る処理位置における基板支持体の概略側面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態に係る下降位置における基板支持体の概略側面図である。
【００１０】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照
番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施
形態で有益に利用してもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１１】
本発明は、概して、チャンバのコーナーに洗浄ガス流を向けるシャドーフレームサポー
トを有する処理チャンバを提供する。シャドーフレームサポートは、チャンバ壁の一部に
沿って、すなわちコーナーを空けたままにして、配置される。洗浄中、シャドーフレーム
は、それが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に載るように配置される。し
たがって、チャンバ壁に沿って流れる洗浄ガスは、シャドーフレームサポートによって遮
断され、シャドーフレームサポートがコーナーまで延びていないので、洗浄ガスはコーナ
ーに強いられる。
【００１２】
本発明が、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）の一部門であるＡＫＴアメリカから入手可能なプ
ラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムなどの処理システム内で使用され、例示的に
以下に説明される。しかしながら、本発明は、他のメーカーから販売されているものを含
めた他のシステム構成において有用性を有することを理解すべきである。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係るＰＥＣＶＤ装置の断面図である。本装置は、内部で
１以上の膜を基板１４０上に堆積させることのできるチャンバ１００を含む。図１に示す
ように、基板は、処理を起こすことのできない下降位置にある。本装置は、半導体基板、
フラットパネルディスプレイ基板、及び太陽電池パネル基板を含む１以上の基板を処理す
るために使用することができる。
【００１４】
チャンバ１００は、概して、壁１０２、底部１０４、シャワーヘッド１１０、及び基板
支持体又はサセプタ１３０を含み、これらは処理容積１０６を画定する。処理容積１０６
は、開口１０８を通ってアクセスされ、これによって基板１４０は、チャンバ１００の内
外へと搬送させることができる。基板支持体１３０は、基板１４０を支持するための基板
受け面１３２を含む。１以上のステム１３４は、基板支持体１３０を上下動させるための
リフトシステム１３６に結合させることができる。リフトピン１３８は、基板支持体１３
０を貫通して移動自在に配置され、これによって基板１４０を基板受け面１３２へ、及び
基板受け面１３２から移動する。基板支持体１３０はまた、基板支持体１３０を所望の温
度に維持するための加熱及び／又は冷却要素１３９を含むことができる。基板支持体１３
０はまた、基板支持体１３０の周辺部でＲＦ接地を提供するための接地ストラップ１３１
を含むことができる。基板受け面１３２上に配置された基板１４０の上面とシャワーヘッ
ド１１０との間の間隔は、約４００ミル〜約１２００ミルであることができる。一実施形
態では、間隔は、約４００ミル〜約８００ミルであることができる。
【００１５】
シャワーヘッド１１０は、サスペンション１１４によってその周辺部でバッキングプレ
ート１１２に結合させることができる。シャワーヘッド１１０はまた、１以上のカップリ
ングサポート１６０によってバッキングプレート１１２に結合させ、これによってシャワ
ーヘッド１１０の垂下を防止し、真直度／曲率を制御するのを支援することができる。一
実施形態では、１２個のカップリングサポート１６０が使用され、これによってシャワー
ヘッド１１０をバッキングプレート１１２に結合させることができる。カップリングサポ
ート１６０は、締結機構（例えば、ナット及びボルトアセンブリ）を含むことができる。
追加的に及び／又は代替的に、中央連結機構が存在し、これによってバッキングプレート
１１２をシャワーヘッド１１０に結合させることができる。中央連結機構は、リング１４
８（後述）を囲み、ブリッジアセンブリから懸架させることができる。更に別の一実施形
態では、カップリングサポート１６０は、シャワーヘッド１１０内へネジ止めされる締結
具を含むことができる。締結具は、バッキングプレート１１２に結合されるロッドを受け
るためのスロット開口部を有してもよい。ロッドは、真空シールによってバッキングプレ
ート１１２に結合させることができる。
【００１６】
ガス源１２０がバッキングプレート１１２に結合され、これによってバッキングプレー
ト１１２内のガス出口１４２を通って、シャワーヘッド１１０内のガス通路１１１を通っ
て、基板受け面１３２へとガスを供給することができる。真空ポンプ１０９がチャンバ１
００に結合され、これによって処理容積１０６を所望の圧力に制御させることができる。
ＲＦ電源１２２がバッキングプレート１１２及び／又はシャワーヘッド１１０に結合され
、これによってシャワーヘッド１１０にＲＦ電力を供給する。ＲＦ電力は、シャワーヘッ
ド１１０と基板支持体１３０との間に電界を生成し、これによってシャワーヘッド１１０
と基板支持体１３０との間のガスからプラズマを生成することができる。様々な周波数（
例えば、約０．３ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数）を用いることができる。一実施形態
では、ＲＦ電源は、１３．５６ＭＨｚの周波数で供給される。
【００１７】
リモートプラズマ源１２４（例えば、誘導結合リモートプラズマ源）もまた、ガス源１
２０とバッキングプレート１１２との間に結合させることができる。基板を処理する間に
は、洗浄ガスがリモートプラズマ源１２４に供給され、これによってチャンバコンポーネ
ントを洗浄するためにリモートプラズマが生成され供給される。洗浄ガスは、シャワーヘ
ッドに供給されるＲＦ電源１２２によって更に励起させることができる。適切な洗浄ガス
としては、ＮＦ３、Ｆ２、及びＳＦ６を含むが、これらに限定されない。
【００１８】
バッキングプレート１１２は、ブリッジアセンブリ１４４によって支持されることがで
きる。１以上のアンカーボルト１４６が、ブリッジアセンブリ１４４から支持リング１４
８へと下方へ延在することができる。支持リング１４８は、１以上のボルト１５０によっ
てバッキングプレート１１２に結合することができる。支持リング１４８は、バッキング
プレート１１２の実質的に中央で、バッキングプレート１１２と結合することができる。
バッキングプレート１１２の中央は、支持リング１４８が存在しない場合に、最小の支持
量を有するバッキングプレート１１２の領域である。したがって、バッキングプレート１
１２の中央領域を支持することによって、バッキングプレートの垂下を減少させる及び／
又は防止することができる。
【００１９】
シャドーフレーム１３３は、基板１４０の周辺部の上に配置することができる。基板支
持体１３０が下降すると、シャドーフレーム１３３は、シャドーフレームサポート１６２
上に載ることができる。一実施形態では、シャドーフレームサポート１６２は、チャンバ
と同じ材料を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポート１６２
は、誘電体材料を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポート１
６２は、ステンレス鋼を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポ
ート１６２は、アルミニウムを含むことができる。シャドーフレーム１３３は、基板１４
０の縁部での堆積、及び基板１４０によって覆われていない基板支持体１３０の領域上で
の堆積を低減することができる。基板１４０が最初にチャンバ内に挿入されると、シャド
ーフレーム１３３は、シャドーフレームサポート１６２上に載せることができる。基板支
持体１３０が処理位置まで上昇すると、シャドーフレーム１３３は、シャドーフレームサ
ポート１６２から離れて基板１４０及び基板支持体１３０によって上昇させることができ
る。
【００２０】
洗浄プロセスの間、シャドーフレーム１３３は、シャドーフレームサポート１６２の上
に載せることができ、基板受け面１３２は、シャドーフレームサポート１６２から離れて
シャドーフレーム１３３を持ち上げることなく、それがシャドーフレーム１３３に接触す
る高さまで上昇する。
【００２１】
図２は、チャンバの内部の基板支持体及びシャドーフレームの上面図である。シャドー
フレーム１３３は、基板支持体１３０の上に配置される。洗浄ガスが通過するために、ポ
ンピングギャップ２０８が、シャドーフレーム１３３とチャンバ本体２０６との間に形成
される。洗浄ガスは、ＮＦ３、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、ＨＣｌ又はそれらの組み合わせである
ことができる。一実施形態では、洗浄ガスＮＦ３は、遠隔で点火されプラズマとなり、プ
ラズマからのラジカルがチャンバ内に導入され、これによって基板支持体１３０、シャド
ーフレーム１３３、及びチャンバ壁の表面上に堆積された膜をエッチング除去する。真空
ポンプ１０９は、チャンバ１００の底部に向かってラジカルを引く。ラジカルは基板支持
体１３０に到達し、ラジカルは中実の基板支持体１３０を通過することができないので、
チャンバ壁の方へ向かう。真空ポンプは、ポンピングギャップ２０８を通して基板支持体
１３０の下方の領域へとラジカルを引く。ラジカルは、図２の矢印で示される方向へ流れ
る。チャンバのコーナーへ流れるラジカルの量は、側部に流れるラジカルの量よりも少な
く、したがって、シャドーフレーム１３３及びチャンバ１００のコーナーは、たとえ他の
表面が清浄であったとしても、完全には洗浄されない場合がある。
【００２２】
図３は、シャドーフレーム１３３を上に配置したシャドーフレームサポート３０６の斜
視図である。洗浄中、シャドーフレーム１３３は、基板支持体１３０とシャドーフレーム
サポート３０６の両方の上に載る。シャドーフレームサポート３０６は、チャンバ壁３０
８から延在する複数のブロックを含み、各ブロックは、次のブロックから離間している。
したがって、シャドーフレーム１３３が、シャドーフレームサポート３０６と基板支持体
１３０の上に配置されたとき、ポンピングギャップ３１０が、隣接するブロック間に存在
する。このように、より多くの洗浄ガスラジカルが、コーナーよりも側部へと流れる。
【００２３】
図４は、本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポート４０６の斜視図である。
一実施形態では、シャドーフレームサポート４０６は、チャンバ壁３０８から延在する単
一のブロックを含む。シャドーフレームサポート４０６は、誘電体材料、ステンレス鋼、
又はアルミニウムで作られ、チャンバ壁３０８の長さ４０４よりも短い長さ４０２を有す
ることができる。シャドーフレームサポート４０６は、シャドーフレームサポート４０６
の両端部とチャンバ壁３０８に隣接する壁の間にポンピングギャップ４１０ができるよう
に配置される。一実施形態では、シャドーフレームサポート４０６は、チャンバ壁３０８
の中央に配置され、そのため、ポンピングギャップ４１０は、チャンバ壁３０８に沿って
同じ長さを有する。こうして洗浄ガスラジカルは、基板支持体１３０の下方に配置された
真空ポンプへとポンピングギャップ４１０を通して引かれる。ラジカルは、チャンバのコ
ーナーに均等に向かい、したがって、シャドーフレーム１３３のコーナーの洗浄速度を改
善する。
【００２４】
図５は、本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを有する基板支持体及び
シャドーフレームの上面図である。図５に示されるように、チャンバ本体２０６は、複数
の壁によって画定された内部を有する。一実施形態では、第１シャドーフレームサポート
５０８は、複数の壁の第１壁５１０から延在しており、第１壁の長さよりも小さい第１長
さを有する。いくつかの実施形態では、第１シャドーフレームサポート５０８は、第１シ
ャドーフレームサポート５０８の端部と第１壁５１０に隣接した壁との間にギャップが存
在するように配置される。
【００２５】
第２シャドーフレームサポート５１２は、複数の壁の第２壁５１４から延在しており、
第２壁５１４の長さよりも短い第２長さを有する。いくつかの実施形態では、第２シャド
ーフレームサポート５１２は、第２シャドーフレームサポート５１２の端部と第２壁５１
４に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
【００２６】
第３シャドーフレームサポート５１６は、複数の壁の第３壁５１８から延在しており、
第３壁５１８の長さよりも短い第３長さを有する。いくつかの実施形態では、第３シャド
ーフレームサポート５１６は、第３シャドーフレームサポート５１６の端部と第３壁５１
８に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
【００２７】
第４シャドーフレームサポート５２０は、複数の壁の第４壁５２２から延在しており、
第４壁５２２の長さよりも短い第４長さを有する。いくつかの実施形態では、第４シャド
ーフレームサポート５２０は、第４シャドーフレームサポート５２０の端部と第４壁５２
２に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
【００２８】
図５の構成に基づくと、洗浄ガスラジカルが基板支持体１３０の下の領域へと通って流
れることができる存在する唯一のギャップ５３０は、処理チャンバのコーナーにある。シ
ャドーフレーム１３３は、基板支持体１３０とシャドーフレームサポート５０８、５１２
、５１６、及び５２０の両方の上に配置されるので、全てのラジカルは、ギャップ５３０
を通過しなければならない。こうして、ポンピングギャップ５３０は、処理チャンバのコ
ーナーに位置し、洗浄ガスラジカルがチャンバ壁に沿ってチャンバのコーナーへと流れる
ことを強いるので、チャンバのコーナーは効果的に洗浄される。
【００２９】
一実施形態では、シャドーフレームサポート５０８は、シャドーフレームサポート５０
８の両端に長さ「Ａ」を有するギャップを残して、チャンバ壁５１０の中央に配置される
。シャドーフレームサポート５１２はまた、チャンバ壁５１４の中央に配置され、こうし
てシャドーフレームサポート５１２の両端に長さ「Ｂ」を有するギャップを残す。一実施
形態では、チャンバ壁５１０及び５１８は同じ長さを有し、シャドーフレームサポート５
０８及び５１６は同じ長さを有する。チャンバ壁５１４及び５２２は同じ長さを有し、シ
ャドーフレームサポート５１２及び５２０は同じ長さを有する。その結果、４つのポンピ
ングギャップ５３０は、同一の面積を有する。図５中の矢印が示すように、洗浄ガスラジ
カル流は、ポンピングギャップ５３０に均等に向けられ、こうして、シャドーフレーム１
３３のコーナー上に堆積された膜の洗浄速度を改善する。
【００３０】
図６Ａは、本発明の一実施形態に係る洗浄位置における基板支持体１３０の概略側面図
である。洗浄ガスが処理チャンバのコーナーに流れるようにするために、シャドーフレー
ム１３３は、基板支持体１３０とシャドーフレームサポート４０６との間のギャップを塞
ぐことができる。洗浄中、シャドーフレーム１３３は、シャドーフレームサポート４０６
の上に配置される。シャドーフレーム１３３が基板支持体１３０とシャドーフレームサポ
ート４０６の両方に触れるような洗浄位置において基板支持体１３０が図示される。洗浄
ガスラジカルが、処理チャンバ内に導入される。一実施形態では、洗浄ガスは、ＮＦ３を
含む。シャドーフレーム１３３は、基板支持体１３０とシャドーフレームサポート４０６
との間のギャップを塞ぎ、ラジカルを処理チャンバのコーナーへと強いる。一実施形態で
は、処理チャンバは、４つの壁から延在する４つのシャドーフレームサポート４０６を有
する４つの壁を有する。シャドーフレームサポート４０６は、洗浄ガスが壁の長さに沿っ
て流れるのを遮断し、４つのコーナーへと洗浄ガスの流れを導く。
【００３１】
図６Ｂは、本発明の一実施形態に係る処理位置における基板支持体１３０の概略側面図
である。基板処理中、基板（図示せず）を載置した基板支持体１３０は、シャドーフレー
ム１３３が、シャドーフレームサポート４０６から離間されるような位置まで上昇される
。シャドーフレーム１３３は、基板支持体１３０によって持ち上げられ、こうして処理ガ
スは、シャドーフレーム１３３とチャンバ壁との間のギャップを介して、基板支持体１３
０とシャドーフレームサポート４０６との間に形成されたギャップを通って流れることが
できる。したがって、処理ガスは、処理チャンバのコーナーに強いられない。
【００３２】
図６Ｃは、本発明の一実施形態に係る、基板の挿入及び除去のための下降位置における
基板支持体１３０の概略側面図である。基板支持体１３０は、シャドーフレーム１３３が
、シャドーフレームサポート４０６上に載り、こうしてシャドーフレーム１３３と基板支
持体１３０との間にギャップを作るようなシャドーフレームサポート４０６の下方の位置
まで下降される。ギャップは、ガスがチャンバ壁の長さに沿って通って流れることを可能
にする。この構成では、ガスは、洗浄するか処理するかに関係なく、処理チャンバのコー
ナーに強いられない。
【００３３】
以下の表は、一実施形態に係るシャドーフレームサポートによる洗浄時間の効果を示し
ている。一実施形態では、ＳｉＮ膜がいくつかの基板上に堆積され、洗浄プロセスがそれ
に続き、その間、エッチングの終点がシャドーフレームのコーナーで監視された。従来の
シャドーフレームサポートと本発明の実施形態のうちの１つに係るシャドーフレームサポ
ートとの間で、エッチング時間が比較された。チャンバの４つの領域（Ｓ／Ｖ（第１面）
、Ｓ／Ｖ（第２面）、Ｗｉｎ（第１面）、及びＷｉｎ（第２面））での洗浄時間が記録さ
れた。総洗浄時間は、従来のシャドーフレームサポートに対する５４７秒から、一実施形
態に係るシャドーフレームサポートに対する３１５秒へと減少し、これは４２％の減少を
示した。
【表１】
2018113461.tif 000003
【００３４】
洗浄時間が減少すると、必要とされる洗浄ガスの量も低減される。その結果、製造コス
トも最小化され、基板コストの低下につながる。一実施形態では、基板は、液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）パネルである。
【００３５】
要約すると、チャンバ洗浄時間は、処理チャンバのコーナーに洗浄ガスを向けることに
よって最小限に抑えることができる。改良されたシャドーフレームサポートは、コーナー
のみを開放したままにして、チャンバ壁に沿った基板支持体とシャドーフレームとの間の
ポンピングギャップを遮断するために使用される。洗浄中、基板支持体は、シャドーフレ
ームがシャドーフレームサポート及び基板支持体の両方に接触する位置まで上昇される。
【００３６】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発
明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範
囲に基づいて定められる。
【図１】
2018113461.tif 000004
【図２】
2018113461.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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