(57)【要約】【課題】複数の金属層のそれぞれを貫通する開口を重ね易い光学デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のデバイス１０の製造方法は、絶縁性基材１２の表裏の両面に金属箔１４，１４を備え、表裏のＦ面３０ＦとＢ面３０Ｂを有する第２基板３０を準備すること、Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４に複数の開口１４Ａを形成すること、開口１４Ａを有する金属箔１４をマスクに用いてＦ面３０Ｆ側から第２基板３０にレーザーを照射し、各開口１４Ａから露出する絶縁性基材１２を除去すること、各開口１４Ａから露出するＢ面３０Ｂ側の金属箔１４を除去して第２基板３０に複数の第２貫通孔３０Ａを形成すること、第２基板３０のＦ面３０ＦとＢ面３０Ｂに絶縁層２２，２２を形成すること、Ｆ面３０Ｆ側及びＢ面３０Ｂ側の絶縁層２２の上に、複数の第２貫通孔３０Ａと重なる複数の開口２３Ａを有する外側金属層２３，２３を形成すること、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の表裏の両面に第１金属層を備えてなり、表裏の一方側の面である第１面と他方側の面である第２面を有する基板を準備することと、
前記第１面側の前記第１金属層に複数の第１開口を形成することと、
前記第１開口を有する前記第１金属層をマスクに用いて前記第１面側から前記基板にレーザーを照射し、各前記第１開口から露出する前記絶縁性基材を除去することと、
各前記第１開口から露出する前記第２面側の前記第１金属層を除去して、前記基板に複数の貫通孔を形成することと、
前記基板の前記第１面と前記第２面に絶縁層を形成することと、
前記第１面側の前記絶縁層と前記第２面側の前記絶縁層の上に、前記複数の貫通孔と重なる複数の第２開口を有する第２金属層を形成することと、を含む光学デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学デバイスの製造方法において、
セミアディティブ法で前記第２開口を有する前記第２金属層を形成する。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学デバイスの製造方法において、
前記絶縁層と前記第２金属層を形成する前に、前記貫通孔の内面にめっき膜を形成することをさらに含む。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載の光学デバイスの製造方法において、
エッチングにより前記第１面側の前記第１金属層に前記第１開口を形成する。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の光学デバイスの製造方法において、
前記貫通孔を形成するにあたり、エッチングにより前記第２面側の前記第１金属層を除去する。
【請求項６】
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載の光学デバイスの製造方法において、
前記絶縁層を形成するときに、前記絶縁層を構成する材料の一部で前記貫通孔の内部を充填する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の金属層のそれぞれに形成された開口が重なるように配置されている光学デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、開口が形成された銅張積層板を２枚準備し、それら２枚の銅張積層板を絶縁層の表側と裏側に貼り合わせ、絶縁層に貫通孔を形成して２枚の基板の開口同士を連絡する方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−７７６６３号公報（段落［００１１］〜［００１６］、図１，２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の方法では、銅張積層板に開口が形成された後に絶縁層に貼り合されるため、貼り合わせ時に２枚の銅張積層板の開口同士が重なり難いという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、複数の金属層のそれぞれを貫通する開口を重ね易い光学デバイスの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学デバイスの製造方法は、絶縁性基材の表裏の両面に第１金属層を備えてなり、表裏の一方側の面である第１面と他方側の面である第２面とを有する基板を準備することと、前記第１面側の前記第１金属層に複数の第１開口を形成することと、前記第１開口を有する前記第１金属層をマスクに用いて前記第１面側から前記基板にレーザーを照射し、各前記第１開口から露出する前記絶縁性基材を除去することと、各前記第１開口から露出する前記第２面側の前記第１金属層を除去して、前記基板に複数の貫通孔を形成することと、前記基板の前記第１面と前記第２面に絶縁層を形成することと、前記第１面側の前記絶縁層と前記第２面側の前記絶縁層の上に、前記複数の貫通孔と重なる複数の第２開口を有する第２金属層を形成することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るデバイスの側断面図
【図２】デバイスの製造工程を示す断面図
【図３】デバイスの製造工程を示す断面図
【図４】デバイスの製造工程を示す断面図
【図５】デバイスの製造工程を示す断面図
【図６】デバイスの製造工程を示す断面図
【図７】デバイスの製造工程を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１に示されるように、本実施形態のデバイス１０は、第１基板１１と絶縁層２２，２２と外側金属層２３，２３を備えている。第１基板１１は表裏の一方の面であるＦ面１１Ｆと他方の面であるＢ面１１Ｂとを有する。絶縁層２２，２２は第１基板１１のＦ面１１ＦとＢ面１１Ｂに積層されている。外側金属層２３，２３（本発明の「第２金属層」に相当する。）は絶縁層２２，２２上に形成されている。
【０００９】
第１基板１１は、絶縁性基材１２と内側金属層１３，１３を備えている。内側金属層１３，１３は絶縁性基材１２の表裏の両面にそれぞれ形成されている。また、内側金属層１３，１３は、絶縁性基材１２の直上に形成されている金属箔１４，１４（本発明の「第１金属層」に相当する。）と、金属箔１４，１４上に形成されているめっき層１５，１５からなる。
【００１０】
絶縁性基材１２は、例えば、ガラス繊維等の芯材に無機フィラーを含有する樹脂を含浸させたプリプレグから構成されている。金属箔１４及びめっき層１５は、例えば、銅から構成されている。なお、絶縁性基材１２は芯材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムから構成されてもよいし、芯材や無機フィラーを含まない樹脂フィルムから構成されてもよい。
【００１１】
内側金属層１３，１３は、第１基板１１を貫通する金属連絡部１６によって連絡されている。金属連絡部１６は筒状をなし、金属連絡部１６の内側部分は第１基板１１を貫通する第１貫通孔１１Ａを構成する。第１貫通孔１１Ａの両端開口は、内側金属層１３を貫通する開口１３Ａを構成する。なお、金属連絡部１６は、めっき層１５と同じ金属で構成されている。
【００１２】
絶縁層２２，２２は、例えば、芯材や無機フィラーを有しない透明な樹脂フィルム等で構成されている。絶縁層２２，２２を構成する樹脂の一部は、金属連絡部１６の内側を充填している。
【００１３】
外側金属層２３，２３は複数の開口２３Ａ（本発明の「第２開口」に相当する。）を有している。開口２３Ａは、第１基板１１の厚み方向で第１貫通孔１１Ａと重なるように配置されている。開口２３Ａの内径は第１貫通孔１１Ａの内径より小さくなっている。外側金属層２３は、例えば、銅から構成されている。なお、開口２３Ａの内径は第１貫通孔１１Ａの内径より大きくてもよいし、第１貫通孔１１Ａの内径と同じ大きさでもよい。また、Ｆ面１１Ｆ側の開口２３Ａの内径の大きさがＢ面１１Ｂ側の開口２３Ａの内径の大きさと異なっていてもよい。
【００１４】
本実施形態では、デバイス１０は、光を利用して情報を伝達する光学デバイスである。第１貫通孔１１Ａ及び開口２３Ａは、デバイス１０における光透過部を構成する。
【００１５】
次に、本実施形態のデバイス１０の製造方法について説明する。
（１）図２（Ａ）に示されるように、絶縁性基材１２の表裏の両面に金属箔１４，１４を備えてなる第２基板３０が準備される。第２基板３０は、表裏の一方側と他方側にＦ面３０ＦとＢ面３０Ｂを有する。なお、第２基板３０は本発明の「基板」に、Ｆ面３０Ｆは本発明の「第１面」に、Ｂ面３０Ｂは本発明の「第２面」に相当する。
【００１６】
（２）図２（Ｂ）に示されるように、Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４の上に所定パターンのエッチングレジスト１７が形成されると共に、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４の上に全面的にエッチングレジスト１７が形成される。
【００１７】
（３）Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４のうちエッチングレジスト１７で覆われていない部分がエッチングにより除去される。そして、図２（Ｃ）に示されるように、エッチングレジスト１７，１７が除去され、Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４に複数の開口１４Ａ（本発明の「第１開口」に相当する。）が形成される。なお、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４はエッチングにより除去されない。
【００１８】
（４）Ｆ面３０Ｆ側から第２基板３０にレーザーが照射される。このとき、Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４がマスクに用いられ、図３（Ａ）に示されるように、絶縁性基材１２のうち開口１４Ａから露出する部分が除去される。また、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４のうち、開口１４Ａから露出する部分がレーザーによって削られて、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４に複数の薄部１４Ｂが形成される。なお、レーザーは、例えば、ＣＯ２レーザーである。
【００１９】
（５）図３（Ｂ）に示されるように、金属箔１４，１４がクイックエッチングされ、金属箔１４，１４の厚みが全体的に薄くなる。このとき、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４の薄部１４Ｂが除去されて、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４に開口１４Ｃが形成される。そして、開口１４Ａと開口１４Ｃを両端開口として備える第２貫通孔３０Ａ（本発明の「貫通孔」に相当する。）が第２基板３０に形成される。なお、クイックエッチングの際にＦ面３０Ｆ側の金属箔１４の開口１４Ａが拡径されてもよい。
【００２０】
（６）図３（Ｃ）に示されるように、無電解めっき処理及び電解めっき処理が行われ、第２貫通孔３０Ａの内面と金属箔１４，１４の上にめっき膜が形成される。このとき、金属箔１４，１４上のめっき膜によってめっき層１５，１５が形成され、金属箔１４，１４とめっき層１５，１５とからなる内側金属層１３，１３が形成される。そして、絶縁性基材１２と内側金属層１３，１３を備えてなる第１基板１１が形成される。また、第２貫通孔３０Ａの内面に形成されるめっき膜によって内側金属層１３，１３同士を連絡する金属連絡部１６が形成される。そして、金属連絡部１６の内側部分によって第１貫通孔１１Ａが形成される。
【００２１】
（７）図４に示されるように、２枚の絶縁層２２，２２が準備される。絶縁層２２，２２は、例えば、熱硬化性樹脂フィルムからなる。
【００２２】
（８）第１基板１１のＦ面１１ＦとＢ面１１Ｂの上に絶縁層２２，２２が重ねられた状態で加熱ラミネートが行われる。すると、図５に示されるように、第１基板１１のＦ面１１ＦとＢ面１１Ｂの上に絶縁層２２，２２が積層される。このとき、絶縁層２２の樹脂の一部で第１基板１１の第１貫通孔１１Ａの内側が充填される。
【００２３】
（９）絶縁層２２，２２上に、複数の第１貫通孔１１Ａと重なる複数の開口２３Ａ，２３Ａを有する外側金属層２３，２３が形成される。外側金属層２３，２３の形成はセミアディティブ法で行われる。具体的には、まず、無電解めっき処理が行われて、絶縁層２２，２２上に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジスト２４が形成される（図６参照）。めっきレジスト２４は、第１基板１１の厚み方向で第１貫通孔１１Ａと重なるように形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、図７に示されるように、めっきレジスト２４の非形成部分に電解めっき膜２３Ｍ，２３Ｍが形成される。そして、めっきレジスト２４が除去されると共に、めっきレジスト２４の直下の無電解めっき膜が除去される。そして、残された無電解めっき膜と電解めっき膜２３Ｍにより、第１基板１１の厚み方向で第１貫通孔１１Ａと重なる開口２３Ａを有する外側金属層２３，２３が形成される。以上により、図１に示されるデバイス１０が完成する。
【００２４】
本実施形態の構成及び製造方法に関する説明は以上である。本実施形態では、第１基板１１に絶縁層２２を積層してから、絶縁層２２上に開口２３Ａを有する外側金属層２３が形成されるので、開口２３Ａが予め形成された外側金属層２３が第１基板１１に積層される場合と比べて、開口２３Ａが第１基板１１の第１貫通孔１１Ａと重なり易くなる。即ち、外側金属層２３，２３を貫通する開口２３Ａ，２３Ａが内側金属層１３，１３を貫通する開口１３Ａ，１３Ｃと重なり易くなる。
【００２５】
また、レーザー照射によってＢ面３０Ｂ側の金属箔１４に薄部１４Ｂが形成されてから金属箔１４がクイックエッチングされるので、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４にＦ面３０Ｆ側の金属箔１４の開口１４Ａと重なる開口１４Ｃを設けることができる。また、Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４の開口１４Ａはエッチングによって形成されるので、開口１４Ａがレーザー照射によって形成される場合と比べて、開口１４Ａの形成にかかる時間の短縮化が図られる。
【００２６】
また、外側金属層２３の形成はセミアディティブ法によって行われるので、開口２３Ａの小径化が図られる。さらに、第２貫通孔３０Ａの内面に金属連絡部１６が形成されるので、第１貫通孔１１Ａの小径化が図られる。また、第１貫通孔１１Ａの内部が絶縁層２２の樹脂の一部で充填されるので、第１基板１１の強度の安定化が図られる。
【００２７】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００２８】
（１）上記実施形態では、開口２３Ａを有する外側金属層２３をセミアディティブ法によって形成していたが、絶縁層２２上に銅箔を積層してエッチング又はレーザーを照射することで形成してもよい。
【００２９】
（２）上記実施形態では、金属箔１４の薄部１４Ｂの除去がクイックエッチングによって行われていたが、レーザーで行われてもよい。
【００３０】
（３）Ｂ面側３０Ｂの金属箔１４に薄部１４Ｂが形成されずに開口１４Ｃが形成されてもよい。具体的には、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４上に所定パターンのエッチングレジストが形成され、その金属箔１４のうちエッチングレジストで覆われていない部分がエッチングで除去されることによって開口１４Ｃが形成されてもよい。なお、このとき、エッチングレジストを形成しなくてもよい。エッチングレジストを形成しない場合であっても、Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４のうち開口１４Ａから露出する部分は表裏の両方が露出していて、開口１４Ａから露出していない部分は表裏の片方だけが露出しているので、開口１４Ａから露出する部分が先に除去される。
【００３１】
（４）Ｆ面３０Ｆ側の金属箔１４の開口１４Ａはレーザー照射によって形成されてもよい。このとき、開口１４Ａを形成するためのレーザーで絶縁性基材１２及び第Ｂ面３０Ｂ側の金属箔１４が除去されて第２貫通孔３０Ａが形成されてもよい。
【００３２】
（５）絶縁層２２，２２を形成するときに、絶縁層２２の樹脂で第１基板１１の第１貫通孔１１Ａの内側が充填されなくともよい。また、Ｆ面３０Ｆ側の外側金属層２３の開口２３ＡとＢ面３０Ｂ側の外側金属層２３の開口２３Ａとの間の絶縁層２２，２２がレーザー等で除去されてもよい。
【００３３】
（６）外側金属層２３の形成は、ＭＳＡＰ（modified semi additive process）によって行ってもよい。
【００３４】
（７）絶縁層２２，２２の形成前に、第２基板３０に無電解めっき処理及び電解めっき処理が行われなくてもよい。このとき、めっき層１５及び金属連絡部１６は形成されず、内側金属層１３は金属箔１４のみで形成される。また、開口１３Ａと開口２３Ａが光透過部を構成する。
【００３５】
（８）第１貫通孔１１Ａ及び第２貫通孔３０Ａはストレート形状であってもよいし、Ｆ面１１Ｆ側からＢ面１１Ｂ側に向かって徐々に縮径したテーパー状であってもよい。
【００３６】
（９）絶縁層２２，２２の形成は、樹脂シートではなく、樹脂製のペーストを用いてもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１０    デバイス
１１    第１基板
１１Ａ    第１貫通孔
１２    絶縁性基材
１３    内側金属層
１４    金属箔（第１金属層）
１４Ａ    開口（第１開口）
１５    めっき層
１６    金属連絡部
２２    絶縁層
２３    外側金属層（第２金属層）
２３Ａ    開口（第２開口）
３０    第２基板（基板）
３０Ａ    第２貫通孔（貫通孔）
３０Ｂ    Ｂ面（第２面）
３０Ｆ    Ｆ面（第１面）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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