(57)【要約】      （修正有）【課題】加熱環境下であっても量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材、このような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置および画像表示装置の提供。【解決手段】量子ドットと、酸素原子を含む複素環基を有する化合物と、カルボン酸と、を含む、光波長変換組成物であって、好ましくは、酸素原子を含む複素環基を有する化合物が、脂環式エポキシ化合物、およびシリコーン骨格を有するエポキシ化合物の少なくともいずれかである、光波長変換組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子ドットと、酸素原子を含む複素環基を有する化合物と、カルボン酸とを含む、光波長変換組成物。
【請求項２】
前記複素環基を有する化合物が、エポキシ化合物である、請求項１に記載の光波長変換組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物が、脂環式エポキシ化合物、およびシリコーン骨格を有するエポキシ化合物の少なくともいずれかである、請求項２に記載の光波長変換組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の光波長変換組成物の硬化物からなる、光波長変換部材。
【請求項５】
発光素子と、
前記発光素子からの光を受ける、請求項４に記載の光波長変換部材と、
を備える、発光装置。
【請求項６】
前記発光素子が、ＬＥＤ素子である、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っている、請求項５に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備える、請求項５に記載の発光装置。
【請求項９】
前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっている、請求項５に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の発光装置を備える、バックライト装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のバックライト装置と、
前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、
を備える、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の表示パネルの背面側に配置され、表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。
【０００３】
現在、色再現性を高めるために、量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材を、バックライト装置に組み込むことが検討されている（例えば、特許文献１参照）。量子ドットは、光（一次光）を吸収して異なる波長の光（二次光）を放出することができるとともに、量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの粒子径に依存する。したがって、光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置においては、単一の波長域の光を投射する発光素子を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、光波長変換部材が青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することができる。このような光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた画像表示装置においては色再現性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１８９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
量子ドットは、水分や酸素によって劣化して、発光効率が低下してしまう傾向がある。量子ドットの劣化は、特に、加熱環境下において生じやすい。一方で、光波長変換部材をバックライト装置に組み込む方式として、光源中に光波長変換部材を組み込むオンチップ方式がある。しかしながら、オンチップ方式において、ＬＥＤ素子等の発光素子の封止樹脂として用いられる通常のシリコーン樹脂に量子ドットを含有させた場合、量子ドットは発光素子の近傍に位置するので、高温に晒されるおそれがある。シリコーン樹脂自体は耐熱性に優れるものの、シリコーン樹脂自体は水分や酸素の透過を抑制できないので、量子ドットの劣化を抑制できないおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、加熱環境下であっても量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変換部材、このような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題に対して鋭意研究を重ねたところ、光波長変換組成物に量子ドットの他、酸素原子を含む複素環基を有する化合物および硬化剤としてのカルボン酸を含ませることにより、加熱環境下であっても量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物が得られることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。
【０００８】
本発明の一の態様によれば、量子ドットと、酸素原子を含む複素環基を有する化合物と、カルボン酸とを含む、光波長変換組成物。
【０００９】
上記光波長変換組成物において、前記複素環基を有する化合物が、エポキシ化合物であってもよい。
【００１０】
上記光波長変換組成物において、前記エポキシ化合物が、脂環式エポキシ化合物およびシリコーン構造を有するエポキシ化合物の少なくともいずれかであってもよい。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、上記光波長変換組成物の硬化物からなる、光波長変換部材が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、発光素子と、前記発光素子からの光を受ける、上記光波長変換部材と、を備える、発光装置が提供される。
【００１３】
上記発光装置において、前記発光素子が、ＬＥＤ素子であってもよい。
【００１４】
上記発光装置において、前記光波長変換部材が、前記発光素子を覆っていてもよい。
【００１５】
上記発光装置において、前記発光装置が、前記発光素子と前記光波長変換部材の間に設けられ、かつ前記発光素子を封止する封止部材をさらに備えていてもよい。
【００１６】
上記発光装置において、前記光波長変換部材の出光側の表面がレンズ面となっていてもよい。
【００１７】
本発明の他の態様によれば、上記発光装置を備えるバックライト装置が提供される。
【００１８】
本発明の他の態様によれば、上記バックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、を備える、画像表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一の態様によれば、酸素原子を含む複素環基を有する化合物およびカルボン酸を含んでいるので、加熱環境下であっても量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物を提供することができる。本発明の他の態様によれば、このような光波長変換組成物の硬化物からなる光波長変部材、およびこのような光波長変換部材を備えた発光装置、バックライト装置、ならびに画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る発光装置の概略構成図である。
【図２】実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。
【図３】実施形態に係る画像表示装置の概略構成図である。
【図４】図３に示されるレンズシートの斜視図である。
【図５】実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係る光波長変換組成物、光波長変換部材、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図２は本実施形態に係る他の発光装置の概略構成図である。
【００２２】
＜＜＜光波長変換組成物＞＞＞
光波長変換組成物は、入射する光を他の波長の光に変換するための組成物である。光波長変換組成物は、量子ドットと、酸素原子を含む複素環基を有する化合物と、カルボン酸とを含んでいる。光波長変換組成物は、量子ドット等の他、溶剤、光散乱性粒子等を含んでいてもよい。例えば、光波長変換組成物を光波長変換シートとして用いる場合には、光波長変換組成物は、光散乱性粒子を含むことが好ましい。なお、本明細書において、「シート」とは、フィルムとも呼ばれるような部材も含む概念である。
【００２３】
光波長変換組成物の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。光波長変換組成物の粘度が、１０ｍＰａ・ｓ以上であると、充分な厚膜で塗布を容易に行うことができ、また１００００ｍＰａ・ｓ以下であると、光波長変換組成物の塗布を容易に行うことができ、また良好なレベリング性を得ることができる。光波長変換組成物の粘度の下限は１０ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましく、光波長変換組成物の粘度の上限は１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００２４】
＜＜量子ドット＞＞
量子ドットは、量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドットの粒子径および平均粒子径は、例えば、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。量子ドットは、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドットのエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドットの粒子径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドットは、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。
【００２５】
具体的には、量子ドットは粒子径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドットの粒子径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットが後述するＣｄＳｅ／ＺｎＳから構成されている場合には、量子ドットの粒子径が２．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒子径が３．０ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒子径が４．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の場合は赤色光を発する。本明細書における「青色光」とは、３８０ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、４８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、５９０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長域を有する光である。なお、上記においては、青色光を発する量子ドットの粒子径と緑色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しており、また緑色光を発する量子ドットの粒子径と赤色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しているが、同じ粒子径を有する量子ドットであっても、量子ドットのコアの大きさによっても発光色が異なる場合があるので、何ら矛盾するものではない。量子ドット１８の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による光波長変換粒子の断面観察において量子ドット２０個の粒子径を測定し、その平均値を算出することで求めることができる。
【００２６】
量子ドットとしては、１種類の量子ドットを用いてもよいが、粒子径または材料等が異なることにより、それぞれ単独の波長域の発光帯を有する２種類以上の量子ドットを用いることも可能である。具体的には、光波長変換組成物は、第１の量子ドットと、第１の量子ドットとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドットとを含んでいてもよい。
【００２７】
量子ドットは、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、光波長変換部材を用いたバックライト装置は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネルを照明することができる。この場合、表示パネルは、優れた色再現性を有することになる。
【００２８】
量子ドットは、例えば、第１の半導体化合物からなるコアと、およびこのコアを覆い、かつ第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、シェルの表面に結合したリガンドとから構成されている。
【００２９】
コアを構成する第１の半導体化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＴｉＮ、ＴｉＰ、ＴｉＡｓ及びＴｉＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、Ｓｉ、Ｇｅ及びＰｂのようなＩＶ族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、ＩｎＧａＰのような３元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中でも、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒子径の制御性等の観点から、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ等の半導体結晶が好適である。
【００３０】
シェルを構成する第２の半導体化合物としては、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを構成する第１の半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることが好ましい。これにより、量子ドットの発光効率を高めることができる。シェルを構成する第２の半導体化合物としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＧａＮ、ＣｄＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＡｌＰ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
【００３１】
コアとシェルからなるコアシェル構造（コア／シェル）の具体的な組み合わせとしては、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、Ｇａｐ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＺｎＳ、ＩｎＮ／ＧａＮ、ＩｎＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＡｌＰ、ＩｎＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
【００３２】
リガンドは、不安定な量子ドットを安定化させるためのものである。リガンドとしては、チオール等の硫黄系化合物、ホスフィン系化合物またはホスフィン酸化物等のリン系化合物、アミン等の窒素系化合物、カルボン酸等が挙げられる。
【００３３】
量子ドットの形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。量子ドットの粒子径は、量子ドットの形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
【００３４】
量子ドットの粒子径、平均粒子径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡により得ることができる。量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による観察により測定された２０個の量子ドットの直径の平均値として求めることができる。また、量子ドットは粒子径によって発光色が変化するので、量子ドットの発光色の確認から量子ドットの粒子径を求めることも可能である。また、量子ドットの結晶構造、結晶子サイズについては、Ｘ線結晶回折（ＸＲＤ）により知ることができる。さらには、紫外−可視（ＵＶ−Ｖｉｓ）吸収スペクトルによって、量子ドットの粒子径等に関する情報を得ることもできる。
【００３５】
光波長変換組成物の全固形分質量に対する量子ドットの含有量は、０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上１質量％以下であることがより好ましい。量子ドットの含有量が０．０１質量％以上であれば、充分な発光強度を得ることができ、また、量子ドットの含有量が２質量％以下であれば、充分な励起光の透過光強度を得ることができる。
【００３６】
＜＜酸素原子を含む複素環基を有する化合物＞＞
上記複素環基を有する化合物は、酸素原子を含む複素環基を有するものである。酸素原子は、複素環基中に１以上含まれていればよく、２以上含まれていてもよい。また、複素環基は、１分子中に１以上含まれていればよい。
【００３７】
上記複素環基を有する化合物としては、例えば、環状エーテル基（エポキシ基、オキセタニル基、オキサシクロペンチル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、オキソラニル基等）、環状アセタール基（１，３−ジオキソラニル基、１，３，５−トリオキサニル基、１，３−ジオキセパニル基、１，３，６−トリオキサシクロオクタニル基等）、または環状イミノエーテル基（例えば、オキサゾリン基等）を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、反応性の容易さから、環状エーテル基を有する化合物が好ましく、環状エーテル基を有する化合物の中でも、高い反応性を示し、また入手容易であることからエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましい。
【００３８】
エポキシ化合物は、１以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ化合物は、エポキシ基を２以上含んでいてもよく、またエポキシ基以外の官能基を含んでいてもよい。
【００３９】
上記エポキシ化合物の重量平均分子量は、粘度が適切で加工が容易であることから、１００以上１００００以下であることが好ましい。本明細書において、「重量平均分子量」は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒に溶解して、従来公知のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算により得られる値である。上記複素環基を有する化合物の重量平均分子量の下限は２００以上であることがより好ましく、上限は２０００以下であることがより好ましい。
【００４０】
上記エポキシ化合物のエポキシ基当量（重量平均分子量／エポキシ基数）は、硬化反応を充分に進行させることが容易であることから、５０以上５０００以下であることが好ましい。上記エポキシ化合物のエポキシ基当量の下限は１００以上であることがより好ましく、上限は１０００以下であることがより好ましい。
【００４１】
上記エポキシ化合物としては、脂環式エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、芳香族エポキシ化合物、およびシリコーン骨格を有するエポキシ化合物の少なくともいずれかが挙げられる。これらの中でも、バリア性をより高める観点から、脂環式エポキシ化合物、シリコーン骨格を有するエポキシ化合物、またはこれらの混合物が好ましい。
【００４２】
脂環式エポキシ化合物は、環を構成する隣り合う２個の炭素原子の間でエポキシドを形成する脂環式基を有する化合物である。脂環式エポキシ化合物としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４-エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート等が挙げられる。これらの中でも、入手が容易である点から、リモネンジオキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４-エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、またはこれらの混合物が好ましい。
【００４３】
脂肪族エポキシ化合物としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオールおよび１，６−ヘキサンジオール等のアルキレングリコールのジグリシジルエーテル；ポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコールのジグリシジルエーテル；ネオペンチルグリコール、ジブロモネオペンチルグリコール及びそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル；トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、グリセリン及びそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はトリグリシジルエーテル、並びにペンタエリスリトール及びそのアルキレンオキサイド付加体のジ、トリ又はテトラグリジジルエーテル等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル；水素添加ビスフェノールＡおよびそのアルキレンオキシド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル；テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエーテル；ハイドロキノンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００４４】
芳香族エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、ノボラックフェノール型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、これらの変性物等が挙げられる。
【００４５】
シリコーン骨格を有するエポキシ化合物は、同一分子中にシリコーン骨格（Ｓｉ−Ｏ結合を主とする骨格）とエポキシ基を含有する化合物である。シリコーン骨格を含有するエポキシ化合物としては、例えばエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物とメチル基やフェニル基を有するアルコキシシランとの加水分解縮合物や、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物とシラノール基を有するポリジメチルシロキサン、シラノール基を有するポリジメチルジフェニルシロキサン、シラノール基を有するポリフェニルシロキサンとの縮合物、またはそれらを併用し得られた縮合化合物が挙げられる。エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物としては、例えば２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。メチル基やフェニル基を有するアルコキシシラン化合物としては、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００４６】
エポキシ化合物以外の酸素原子を含む複素環基を有する化合物としては、例えば、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルアクリレート、（３−エチルオキセタン−３−イル）メチルメタクリレート、（２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン−４−イル)メチルアクリレート、２，２−ビス（２−オキソラニル）プロパン、２，４，４−トリメチル−２−オキサゾリン、４−（４−オキサニル）−３−ブテン−２−オン、キシリレンビスオキセタン等が挙げられる。
【００４７】
光波長変換組成物中に上記複素環基を有する化合物が含まれているか否かは、（１）赤外分光分析（ＩＲ）、（２）ガスクロマトグラフィー分析（ＧＣＭＳ）、（３）ゲル浸透クロマトグラフィー分析（ＧＰＣ）、核磁気共鳴分光分析（ＮＭＲ分光分析）を複合的に用いることによって確認することができる。具体的には、赤外分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を大まかに特定でき、ガスクロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の分子量を特定でき、ゲル浸透クロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を分離でき、核磁気共鳴分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の構造式を特定できるので、これらを複合的に用いることで光波長変換組成物中に上記複素環基を有する化合物が含まれているか確認することができる。
【００４８】
光波長変換組成物中の上記複素環基を有する化合物の含有量は、５質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。上記複素環基を有する化合物の含有量が５質量％以上であると、光波長変換組成物を容易に硬化させることができ、また上記複素環基を有する化合物の含有量が８０質量％以下であると、硬化物の硬度が脆くなるので加工が困難になる。上記複素環基を有する化合物の含有量は、下記の方法によって確認することができる。具体的には、例えば、核磁気共鳴分光分析によって光波長変換組成物中に含まれる上記複素環基を有する化合物を特定（同定）し、その後、上記複素環基を有する化合物に該当するガスクロマトグラフィー分析やゲル浸透クロマトグラフィー分析によって得られたピーク面積比から、光波長変換組成物中の上記複素環基を有する化合物の含有量を求めることができる。なお、上記複素環基を有する化合物が複数種類用いられている場合には、上記含有量は複数種類の上記複素環基を有する化合物の合計の含有量を意味するものとする。光波長変換組成物中の上記複素環基を有する化合物の含有量の下限は、１０質量％以上であることがより好ましく、上限は６０質量％以下であることがより好ましい。
【００４９】
＜＜カルボン酸＞＞
カルボン酸は、上記複素環基を有する化合物の硬化剤として機能するものである。カルボン酸は、カルボキシル基を１以上含む化合物である。カルボン酸は、カルボキシル基を２以上含んでいてもよく、またカルボキシル基以外の官能基を含んでいてもよい。
【００５０】
上記カルボン酸の重量平均分子量は、揮発し難く、分散性に優れ、また作業性が容易である観点から、１００以上１００００以下であることが好ましい。上記カルボン酸の重量平均分子量の下限は１５０以上であることがより好ましく、上限は１０００以下であることがより好ましい。
【００５１】
上記カルボン酸のカルボキシル基当量（重量平均分子量／カルボキシル基数）は、量子ドットの周囲にカルボン酸を存在させやすくする観点から、５０以上５０００以下であることが好ましい。上記カルボン酸のカルボキシル基当量の下限は６０以上であることがより好ましく、上限は１０００以下であることがより好ましい。
【００５２】
上記カルボン酸の具体例としては、安息香酸、サリチル酸、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、フタル酸、アコニット酸、トリメリット酸、メリト酸等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ化合物の硬化を充分に進行させることができる点から、安息香酸、トリメリット酸、メリト酸等が好ましい。
【００５３】
光波長変換組成物中に上記カルボン酸が含まれているか否かは、上記複素環基を有する化合物の欄で説明した方法によって確認することができる。
【００５４】
＜＜溶剤＞＞
溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ−ル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、シクロヘキサン等が挙げられる。
【００５５】
＜＜光散乱性粒子＞＞
光散乱性粒子は、光波長変換組成物や光波長変換部材に進入した光を散乱させることによって光の進行方向を変化させる作用を有する粒子である。
【００５６】
光散乱性粒子の平均粒子径は、量子ドットの平均粒子径の２０倍以上２０００倍以下であることが好ましく、５０倍以上１０００倍以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０倍未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０００倍を超えると、添加量が同じであっても光散乱性粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られないおそれがある。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。
【００５７】
また、光散乱性粒子の平均粒子径は、後述する光波長変換部材の平均膜厚の１／３００以上１／２０以下であることが好ましく、１／２００以上１／３０以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／３００未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／２０を超えると、添加量が同じであっても光波長変換部材に対する光散乱性粒子の割合が低下するため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
【００５８】
具体的には、光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光散乱性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が１０μｍを超えると、添加量（質量％）が同じであっても光散乱粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
【００５９】
光散乱性粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状（真球状、略真球状、楕円球状等）、多面体状、棒状（円柱状、角柱状等）、平板状、りん片状、不定形状等が挙げられる。なお、光散乱性粒子の粒子径は、光散乱性粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
【００６０】
光散乱性粒子は、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、およびウレタン樹脂粒子等の有機粒子であってもよいが、耐熱性試験時の前後における輝度変化率を小さくことができ、また光波長変換シートへの入射光を好適に散乱させることが可能となり、この入射光に対する光波長変換効率の向上を好適に図ることできることから、無機粒子が好ましい。
【００６１】
無機粒子は、Ａｌ２Ｏ３等のアルミニウム含有化合物、ＺｒＯ２等のジルコニウム含有化合物、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等のスズ含有化合物、ＭｇＯやＭｇＦ２等のマグネシウム含有化合物、ＴｉＯ２やＢａＴｉＯ３等のチタン含有化合物、Ｓｂ２Ｏ５等のアンチモン含有化合物、ＳｉＯ２等のケイ素含有化合物、およびＺｎＯ等の亜鉛含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、バインダ樹脂との屈折率差を大きくすることができるので、大きなミー散乱強度を得ることができる観点からも好ましい。光波長変換部材による入射光に対する光波長変換効率の向上をより好適に図ることができることから、光散乱性粒子は、２種以上の材料からなるものであってもよい。
【００６２】
光波長変換組成物の全固形分質量に対する光散乱性粒子の含有量は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の含有量が１質量％未満であると、光散乱効果が充分に得られないおそれがあり、また、光散乱性粒子の含有量が５０質量％を超えると、ミー散乱が起こり難くなるので、光散乱効果を充分に得られないおそれがあり、さらに光散乱性粒子が多すぎるために加工性が低下するおそれがある。
【００６３】
＜＜＜光波長変換部材＞＞＞
光波長変換部材は、上記光波長変換組成物の硬化物からなる部材である。光波長変換部材は、光波長変換部材が組み込まれる箇所等によって、適宜、形状を変えることができる。
【００６４】
＜＜＜発光装置＞＞＞
図１に示される発光装置１０は、発光素子パッケージであり、凹部１１Ａを有するパッケージ本体１１と、パッケージ本体１１の凹部１１Ａ内に配置された発光素子１２と、発光素子１２からの光を受ける光波長変換部材１３と、電極層１４と、ワイヤ１５とを備えている。なお、発光装置１０は、発光素子１２および光波長変換部材１３を備えていればよく、他の部材は備えていなくともよい。また、発光装置１０は、表面実装型の発光装置となっているが、例えば、砲弾型の発光装置であってもよい。発光装置は、１以上の発光素子を備えていればよく、複数の発光素子を備えていてもよい。
【００６５】
＜＜パッケージ本体＞＞
パッケージ本体１１は、基板１１Ｂと、基板１１Ｂの発光素子１２側の面側に配置され、かつ発光素子１２を取り囲むように配置された反射部材１１Ｃとを備えている。反射部材１１Ｃは、主として波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光波長域の光に対して高い反射性を有するものである。反射部材１１Ｃは、発光素子１２からの光を反射し、所定の方向へ導くための反射面を持つ部材であれば、特に限定されないが、発泡タイプの白色ポリエステル、白色ポリエチレン樹脂、銀蒸着ポリエステル等から形成することが可能である。
【００６６】
＜＜発光素子＞＞
発光素子１２としては、例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ素子）やレーザーダイオード素子（ＬＤ素子）等が挙げられる。発光素子は、単一の波長域の光を放出する発光素子を用いることができる。例えば、発光素子１２とし、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）を用いることができる。発光素子１２は、ワイヤ１５を介して電極層１４と電気的に接続されている。
【００６７】
＜＜光波長変換部材＞＞
光波長変換部材１３は、上記光波長変換組成物の硬化物である。したがって、光波長変換部材１３は、量子ドット１８と、上記酸素原子を含む複素環基を有する化合物およびカルボン酸の硬化物からなるバインダ樹脂１９とを含んでいる。図１に示される量子ドット１８は、第１の量子ドット１８Ａと、第１の量子ドット１８Ａとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドット１８Ｂとを含んでいる。例えば、発光素子１２として青色発光ダイオードを用いた場合には、色域を広げる観点から、第１の量子ドット１８Ａとして、青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第２の量子ドット１８Ｂとして、青色光を赤色光に変換する量子ドットを用いることが好ましい。量子ドット１８、上記エポキシ化合物、および上記カルボン酸は、光波長変換組成物の欄で説明した量子ドット、上記エポキシ化合物、および上記カルボン酸と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
【００６８】
光波長変換部材１３は、凹部１１Ａに充填され、発光素子１２を覆うことによって発光素子１２を封止している。すなわち、光波長変換部材１３は、発光素子１２を封止する封止部材としても機能している。
【００６９】
光波長変換部材１３の厚みは、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。光波長変換部材１３の厚みが、０．５ｍｍ以上であれば、発光素子１２からの光の波長変換を確実に行うことができるとともに、発光素子１２を確実に封止することができ、また５ｍｍ以下であれば、発光装置を薄型化することが可能である。光波長変換部材１３の厚みは、光波長変換部材１３を切断した断面を測長機能のついた光学顕微鏡にて撮影し、その断面の画像において光波長変換部材１３の厚みを２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。
【００７０】
光波長変換部材１３は、発光素子１２を覆っているので、発光素子１２と接しているが、発光装置において発光素子からの光を受ける位置であれば、発光素子と接していなくともよい。また、図１に示される光波長変換部材１３の出光側の表面１３Ａは、平坦面となっているが、後述するようなレンズ面であってもよい。
【００７１】
＜＜＜他の発光装置＞＞＞
発光装置は、図２に示されるような発光素子１２と、発光素子１２からの光を受ける光波長変換部材２１と、発光素子１２と光波長変換部材２１の間に位置する封止部材２２とを備える発光装置２０であってもよい。発光素子１２と光波長変換部材１３との間に封止部材２１を介在させることにより、発光素子２１から光波長変換部材１３を離すことができるので、熱による量子ドット１８の劣化をより抑制することができる。なお、図２において、図１と同じ符号が付されている部材は、図１で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。
【００７２】
発光素子１２の表面１２Ａから光波長変換部材２１までの距離は、０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。この距離が０．２ｍｍ以上であれば、発光素子１２から量子ドット１８を遠ざけることができるので、発光素子１２からの熱による影響は少なくなり、量子ドット１８の劣化を抑制できるとともに、５ｍｍ以下であれば、発光装置２０を薄型化することが可能である。本明細書における「発光素子の表面から光波長変換部材までの距離」とは、発光素子の表面から光波長変換部材の発光素子側の面までの距離を意味するものとする。
【００７３】
＜＜光波長変換部材＞＞
光波長変換部材２１は、上記光波長変換組成物の硬化物である。光波長変換部材２１の出光側の表面２１Ａは、レンズ面となっている。本明細書における「レンズ面」とは、レンズとして作用する面を意味する。レンズ面としては、集光機能を有するレンズ面および光拡散機能を有するレンズ面のいずれであってもよい。光波長変換部材２１の表面２１Ａを、集光機能を有するレンズ面とすることにより、前面への光取り出し効率を向上させることができる。また、直下型のバックライト装置の場合、輝度ムラを低減させるために、発光装置の光拡散性を向上させることが望まれるが、光波長変換部材２１の表面２１を、光拡散機能を有するレンズ面とすることにより、光拡散性を向上させることができるので、直下型のバックライト装置に特に好適である。
【００７４】
光波長変換部材２１の表面２１Ａは、例えば半球状のような椀状であってもよい。この場合、光波長変換部材２１は、マイクロレンズ等として機能する。
【００７５】
＜＜封止部材＞＞
封止部材２２は、発光素子１２の熱が加わるので、耐熱性に優れた樹脂から構成されることが好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、シリコーン樹脂が好ましい。
【００７６】
封止部材２２の厚みは、０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。封止部材２２の厚みが、０．２ｍｍ以上であれば、発光素子１２から量子ドット１８を遠ざけることができるので、発光素子１２からの熱による影響は少なくなり、量子ドット１８の劣化をより抑制できるとともに、５ｍｍ以下であれば、発光装置２０を薄型化することが可能である。
【００７７】
発光装置１０、２０は、光源として、バックライト装置および画像表示装置に組み込んで使用することができる。以下、発光装置１０をバックライト装置および画像表示装置に組み込んだ例について説明する。図３は本実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図であり、図４は図１に示されるレンズシートの斜視図であり、図５は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。
【００７８】
＜＜＜画像表示装置＞＞＞
図３に示される画像表示装置３０は、バックライト装置４０と、バックライト装置４０の出光側に配置された表示パネル１００とを備えている。画像表示装置３０は、画像を表示する表示面３０Ａを有している。図３に示される画像表示装置３０においては、表示パネル１００の表面が表示面３０Ａとなっている。
【００７９】
バックライト装置４０は、表示パネル１００を背面側から面状に照らすものである。表示パネル１２０は、バックライト装置４０からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面３０Ａに像を表示するように構成されている。
【００８０】
＜＜表示パネル＞＞
図３に示される表示パネル１００は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板１０１と、出光側に配置された偏光板１０２と、偏光板１０１と偏光板１０２との間に配置された液晶セル１０３とを備えている。偏光板１０１、１０２は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分（Ｓ偏光およびＰ偏光）に分解し、一方の方向（透過軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向（吸収軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収する機能を有している。
【００８１】
＜＜バックライト装置＞＞
図３に示されるバックライト装置４０は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、発光装置１０と、発光装置１０の側方に配置された導光板としての光学板５０と、光学板９５の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６０の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート７０と、光学板７０の出光側とは反対側に配置された反射シート８０とを備えている。バックライト装置４０は、光学板５０、レンズシート６０、６５、反射型偏光分離シート７０、反射シート８０を備えているが、これらのシート等は備えられていなくともよい。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。
【００８２】
バックライト置４０は、面状に光を発光する発光面４０Ａを有している。図３に示されるバックライト装置４０においては、反射型偏光分離シート８０の出光面がバックライト装置４０の発光面４０Ａとなっている。
【００８３】
＜発光装置＞
発光装置１０は、光波長変換部材１３の表面１３Ａが、光学板５０の後述する入光面５０Ｃ側となるように配置されている。なお、発光装置１０は、光学板５０の後述する入光面５０Ｃに沿って線状に複数設けられている。
【００８４】
＜光学板＞
導光板としての光学板５０は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板９５は、表示パネル１００側の一方の主面によって構成された出光面５０と、出光面５０Ａに対向するもう一方の主面からなる裏面５０Ｂと、出光面５０Ａおよび裏面５０Ｂの間を延びる側面とを有している。側面のうちの発光装置１０側の側面が、発光装置１０からの光を受ける入光面５０Ｃとなっている。入光面５０Ｃから光学板５０内に入射した光は、入光面５０Ｃと、入光面５０Ｃと対向する反対面とを結ぶ方向（導光方向）に光学板内を導光され、出光面５０Ａから出射される。
【００８５】
光学板５０を構成する材料としては、画像表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂（電離放射線硬化型樹脂等）が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、光学板７５中に光を拡散させる機能を有する光拡散材を添加することもできる。光拡散材としては、例えば、平均粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下のシリカ（二酸化珪素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。
【００８６】
＜＜レンズシート＞＞
レンズシート６０、６５は、入射した光の進行方向を変化させて出光側から出射させる機能を有する。本実施形態においては、入射角度が大きい光の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能（集光機能）とともに、入射角度が小さい光を反射させて、光学板５０側に戻す機能（再帰反射機能）を有している。レンズシート６０、６５は、光透過性基材６１と、光透過性基材６１の一方の面に設けられたレンズ層６２とを備えている。
【００８７】
＜光透過性基材＞
光透過性基材６１の構成原料としては、例えば、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００８８】
＜レンズ層＞
レンズ層６２は、図４に示されるように、シート状の本体部６３、および本体部６３の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ６４を備えている。
【００８９】
単位レンズ６４は、本体部６３の出光側面６３Ａ上に並べて配列されている。図４に示されるように単位レンズ６４は、単位レンズ６４の配列方向ＡＤと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート６０、６５に含まれる多数の単位レンズ６４は、互いに平行に延びている。また、レンズシート６０、６５の単位レンズ６４の長手方向ＬＤは、レンズシート６０、６５における単位レンズ６４の配列方向ＡＤと直交している。
【００９０】
単位レンズ６４は、三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。具体的には、単位レンズとしては、単位プリズム、単位シリンドリカルレンズ、単位マイクロレンズ等が挙げられる。なお、そのような単位レンズ形状を有するレンズシートとしては、プリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズシート等が挙げられる。単位レンズ６４は、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状の単位プリズムとなっている。
【００９１】
単位レンズ６４は、光の利用効率を向上させる観点から、８０°以上１００°以下の頂角を有することが好ましく、約９０°の頂角を有することがより好ましい。ただし、光波長変換シートの巻き取りの際における単位レンズの先端の破損を考慮すると、単位レンズ６４の先端は曲面であってもよい。
【００９２】
図３から理解され得るように、レンズシート６０の単位レンズ６４の配列方向とレンズシート６５の単位レンズ６４の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。
【００９３】
＜反射型偏光分離シート＞
反射型偏光分離シート７０は、レンズシート６５から出射される光のうち、第１の直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）のみを透過し、かつ第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート７０で反射された第２の直線偏光成分は再度反射され、偏光が解消された状態（第１の直線偏光成分と第２の直線偏光成分とを両方含んだ状態）で、再度、反射型偏光分離シート７０に入射する。よって、反射型偏光分離シート７０は再度入射する光のうち第１の直線偏光成分を透過し、第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、レンズシート６５から出光した光の７０〜８０％程度が第１の直線偏光成分となった光源光として出光される。したがって、反射型偏光分離シート７０の第１の直線偏光成分（透過軸成分）の偏光方向と表示パネル１００の偏光板１０１の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置４０からの出射光は全て表示パネル１００で画像形成に利用可能となる。したがって、発光装置１０から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート７０を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となり、又発光装置１０のエネルギー利用効率も向上する。
【００９４】
反射型偏光分離シート７０としては、３Ｍ社から入手可能な「ＤＢＥＦ」（登録商標）を用いることができる。また、「ＤＢＥＦ」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「ＷＲＰＳ」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート９０として用いることができる。
【００９５】
＜反射シート＞
反射シート８０は、光学板５０の裏面５０Ｂから漏れ出した光を反射して、再び光学板５０内に入射させる機能を有する。反射シート８０は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜（例えば金属薄膜）を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート８０での反射は、正反射（鏡面反射）でもよく、拡散反射でもよい。反射シート８０での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。
【００９６】
＜＜他のバックライト装置＞＞
発光装置１０を組み込むバックライト装置は、図５に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図５に示されるバックライト装置１１０は、発光装置１０と、発光装置１０の光を受け、かつ光拡散板として機能する光学板１１１と、光学板１１１の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６５の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート８０とを備えている。本実施形態においては、発光装置１０は、光学板１１１の側方ではなく、光学板１１１の直下に配置されている。図５において、図３と同じ符号が付されている部材は、図５で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。なお、バックライト装置１１０においては、反射シート９０は備えられていない。
【００９７】
量子ドットが加熱環境下によって劣化しやすいのは、以下のことが原因であると考えられる。まず、上記したように、量子ドットの表面には硫黄系化合物、リン系化合物やカルボン酸等からなるリガンドが配位しているが、このリガンドは光や熱で脱離しやすい。リガンドが量子ドットから脱離すると、量子ドットに水分や酸素が付着しやすくなるので、量子ドットは、酸化され、劣化してしまう。これにより、量子ドットが加熱環境下によって劣化してしまうものと考えられる。これに対し、本実施形態においては、光波長変換組成物が、量子ドットの他に、酸素原子を含む複素環基を有する化合物を含んでいるので、発光素子の封止樹脂として通常用いられるシリコーン樹脂に比べて水分や酸素を透過しにくいので、量子ドットに水分や酸素が付着するのを抑制できる。また、酸素原子を含む複素環基を有する化合物の硬化剤として、カルボン酸を用いているので、量子ドットの近傍にカルボン酸成分を存在させることができ、量子ドットの劣化を抑制することができる。これは、リガンドが量子ドットから脱離した場合であっても、バインダ樹脂中に存在するカルボン酸成分がリガンドの役割を補助するような機能（例えば、リガンドの代わりに量子ドットに結合して、リガンドを代替する機能および酸素を捕捉する機能の少なくともいずれかの機能）を発揮するので、量子ドットの劣化が抑制されるためであると考えられる。これにより加熱環境下であっても量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物を得ることができる。
【００９８】
上記実施形態においては、光波長変換部材１３を発光装置１０に組み込んでいるが、発光装置からの光を受ける位置であれば、光波長変換部材の配置位置は特に限定されない。例えば、層状の光波長変換部材を備える光波長変換シートを、光学板よりも観察者側の位置に組み込んでもよい。
【実施例】
【００９９】
本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。
【０１００】
＜光波長変換組成物の調製＞
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、光波長変換組成物を得た。
＜実施例１＞
（光波長変換組成物１）
・３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４-エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（製品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、ダイセル社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０１】
＜実施例２＞
（光波長変換組成物２）
・非エステル系水添ビスフェノール型ジグリシジル化合物（製品名「ＹＸ８０００」、三菱化学社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０２】
＜実施例３＞
（光波長変換組成物３）
・１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル（製品名「リカレジンＤＭＥ−１００」、新日本理化社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０３】
＜実施例４＞
（光波長変換組成物４）
・シリコーンハイブリッド型エポキシ化合物（製品名「セルビーナスＷ０９２５」、ダイセル社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０４】
＜実施例５＞
（光波長変換組成物５）
・キシリレンビスオキセタン（製品名「アロンオキセタンＯＸＴ−１２１」、東亞合成社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０５】
＜実施例６＞
（光波長変換組成物６）
・ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（製品名「８２８」、三菱化学社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０６】
＜実施例７＞
（光波長変換組成物７）
・ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（製品名「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、ＤＩＣ社製）：５０質量部
・トリメリット酸（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０７】
＜比較例１＞
（光波長変換組成物８）
・３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４-エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（製品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、ダイセル社製）：５０質量部
・４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（製品名「リカシッドＭＨ」、新日本理化社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０８】
＜比較例２＞
（光波長変換組成物９）
・３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４-エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（製品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、ダイセル社製）：５０質量部
・トリエチレンテトラミン（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０９】
＜比較例３＞
（光波長変換組成物１０）
・シリコーンハイブリッド型エポキシ化合物（製品名「セルビーナスＷ０９２５」、ダイセル社製）：５０質量部
・４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（製品名「リカシッドＭＨ」、新日本理化社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１１０】
＜比較例４＞
（光波長変換組成物１１）
・シリコーンハイブリッド型エポキシ化合物（製品名「セルビーナスＷ０９２５」、ダイセル社製）：５０質量部
・トリエチレンテトラミン（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１１１】
＜比較例５＞
（光波長変換組成物１２）
・ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（製品名「８２８」、三菱化学社製）：５０質量部
・４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（製品名「リカシッドＭＨ」、新日本理化社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１１２】
＜比較例６＞
（光波長変換組成物１３）
・ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（製品名「８２８」、三菱化学社製）：５０質量部
・トリエチレンテトラミン（東京化成工業社製）：５０質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１１３】
＜比較例７＞
（光波長変換組成物１４）
・フェニルシリコーン（製品名「ＯＥ−６６３１」、東レ・ダウコーニング社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１１４】
＜実施例８＞
まず、基板と反射部材からなる縦３．２ｍｍ、横３．２ｍｍ、深さ０．８ｍｍの凹部を有する縦５ｍｍ、横５ｍｍおよび高さ１．６ｍｍのパッケージ本体と、パッケージ本体内に配置され、かつ発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色ＬＥＤ素子と、ワイヤを介して青色ＬＥＤ素子が電気的に接続された電極層とを備える発光装置を用意した。次いで、パッケージ本体の凹部内に光波長変換組成物１を充填した。そして、１００℃で５時間加熱することによって、光波長変換組成物を硬化させて、凹部に充填され、かつ青色ＬＥＤ素子を覆った光波長変換部材を備える実施例８に係る発光装置を得た。
【０１１５】
＜実施例９〜１４および比較例８〜１４＞
実施例９〜１４および比較例１〜においては、光波長変換組成物１の代わりに表１に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、発光装置を得た。
【０１１６】
＜耐熱性試験後における輝度維持率測定＞
上記実施例および比較例に係る発光装置において、発光装置を８０℃の環境下に５００時間放置する耐熱性試験を行い、発光装置における耐熱性試験前の輝度に対する耐熱性試験後における輝度の維持率を調べた。具体的には、まず、Kindle Fire（登録商標）HDX7のバックライト装置を用意した。そして、このバックライト装置の光源として用いられている発光装置を実施例および比較例に係る耐熱性試験前の発光装置に代えることによって、バックライト装置に実施例および比較例に発光装置を組み込んだ。なお、上記実施例および比較例に係る発光装置は、Kindle Fire（登録商標）HDX7のバックライト装置の発光装置と同数および同様に配置された。
【０１１７】
そして、実施例および比較例に係る発光装置を組み込んだバックライト装置において、青色発光ダイオードを点灯させて、バックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
【０１１８】
次いで、バックライト装置から耐熱性試験前の発光装置を外し、この発光装置に、発光装置を８０℃の環境下に５００時間放置する耐熱性試験を行った。そして、耐熱性試験後の発光装置を上記と同様に上記バックライト装置に組み込んだ。この状態で、上記と同様に、青色発光ダイオードを点灯させて、バックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
【０１１９】
測定したこれらの輝度から、耐熱性試験前の輝度に対する耐熱性試験後の輝度の維持率をそれぞれ求めた。輝度維持率は、輝度維持率をＡとし、耐熱性試験前のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＢとし、耐熱性試験後のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＣとし、下記式によって求めた。
Ａ＝Ｃ／Ｂ×１００
【０１２０】
＜色味評価＞
上記実施例および比較例に係る発光装置において、目視により耐熱性試験後の光波長変換部材の色味を評価した。評価基準は、以下の通りとした。
○：光波長変換部材の着色が観察されなかった。
×：光波長変換部材の着色が観察された。
【０１２１】
以下、結果を表１に示す。
【表１】
2018135428.tif 000002
【０１２２】
以下、結果について述べる。表１から分かるように、実施例８〜１４に係る発光装置においては、エポキシ化合物とカルボン酸を用いていたので、エポキシ化合物とカルボン酸の少なくともいずれかを用いない比較例８〜１４に係る発光装置によりも耐熱性試験後の輝度維持率が高かった。
【０１２３】
上記実施例においては、緑色発光量子ドットや赤色発光量子ドットのコア材料としてＣｄＳｅを用いているが、コア材料としてＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の非Ｃｄ系材料を用いても、上記実施例と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…発光装置
１２…発光素子
１３…光波長変換部材
１８…量子ドット
１９…バインダ樹脂
３０…画像表示装置
４０…バックライト装置
１００…表示パネル
【図１】
2018135428.tif 000003
【図２】
2018135428.tif 000004
【図３】
2018135428.tif 000005
【図４】
2018135428.tif 000006
【図５】
2018135428.tif 000007