(57)【要約】【課題】実装位置のズレを抑制して検出精度を向上させることができる位置検出装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】レバースイッチ装置１の製造方法は、ディマ検出センサ８５の間に溝６０１を形成して溝６０１の側面６０２である第２の面６２、及び底面６０３である第３の面６３を形成し、第１の面６１〜第３の面６３の予め定められた領域に原子層堆積法に基づいて導電性部材による導電膜８７を形成し、第３の面６３を切断してディマ検出センサ８５と導電膜８７を有する２つの基体６を形成し、磁石５０の回転を検出するターン検出センサ８０が配置された基板１００に、切断面６４が上になるように当該基体６を配置することを含む。【選択図】図５
2018022651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作部に連結され、前記操作部になされた操作によって回転軸の周りを回転すると共に前記回転軸に沿って複数の操作位置に移動する磁石と、
前記磁石と対向するように取付部材の表面に配置され、前記磁石の回転軸周りの回転位置を検出する第１の磁気検出部と、
前記回転軸に沿って移動する前記磁石の前記複数の操作位置を検出し、前記第１の磁気検出部の感磁面と交差する感磁面を有する第２の磁気検出部と、
前記取付部材の表面に配置され、前記取付部材の表面と交差する第１の面、前記第１の面と交差する第２の面、及び前記第２の面と交差する第３の面が連続するように形成され、前記第２の磁気検出部が前記第１の面に配置されると共に前記第１の面乃至前記第３の面に亘って前記第２の磁気検出部と電気的に接続する導電膜が設けられた基体と、
を備えた位置検出装置。
【請求項２】
前記第１の磁気検出部の第１の出力信号に基づいて前記回転位置を判定すると共に前記第２の磁気検出部の第２の出力信号に基づいて前記複数の操作位置を判定する判定部を備える、
請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記第２の磁気検出部と前記第１の面の前記導電膜とが電気的に接続され、前記取付部材の表面に設けられた配線と前記第２の面の前記導電膜とが電気的に接続された、
請求項１又は２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記基体は、シリコン基板である、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置検出装置。
【請求項５】
前記操作部は、操作レバーであり、
車両の上下方向の前記操作レバーの操作によって前記磁石が回転し、前記車両の前後方向の操作によって前記磁石が前記回転軸に沿って前記複数の操作位置に移動する、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の位置検出装置。
【請求項６】
加工前の基体を準備し、
前記加工前の基体の第１の面に磁石の移動を検出可能な２つの第２の磁気検出部を形成し、
前記第２の磁気検出部の間に溝を形成して前記溝の側面である第２の面、及び底面である第３の面を形成し、
前記第１の面乃至前記第３の面の予め定められた領域に原子層堆積法に基づいて導電性部材による導電膜を形成し、
前記第３の面を切断して前記第２の磁気検出部と前記導電膜を有する２つの基体を形成し、
前記磁石の回転を検出する第１の磁気検出部が配置された取付部材に、切断面が上になるように当該基体を配置する、
位置検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置検出装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、操作レバーの操作ノブの回転方向の操作を検出する第１位置検出部と、操作レバーの車両の上下方向の操作を検出する第２位置検出部と、操作レバーの車両の前後方向の操作を検出する第３位置検出部と、を備えたコンビネーションスイッチが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この第２位置検出部及び第３位置検出部は、円筒形状のマグネットと、基板に立てるように取り付けられ、マグネットの内部に挿入されるホールセンサと、を有している。第２位置検出部のマグネットは、操作レバーの回転と共にホールセンサを中心として回転する。また第３位置検出部のマグネットは、車両の前後方向の操作によってホールセンサに対して上下方向に移動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１９２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来のコンビネーションスイッチは、基板にホールセンサを立てて配置するので、実装位置がズレ易く、検出精度が低下する問題がある。
【０００６】
従って本発明の目的は、実装位置のズレを抑制して検出精度を向上させることができる位置検出装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、加工前の基体を準備し、加工前の基体の第１の面に磁石の移動を検出可能な２つの第２の磁気検出部を形成し、第２の磁気検出部の間に溝を形成して溝の側面である第２の面、及び底面である第３の面を形成し、第１の面乃至第３の面の予め定められた領域に原子層堆積法に基づいて導電性部材による導電膜を形成し、第３の面を切断して第２の磁気検出部と導電膜を有する２つの基体を形成し、磁石の回転を検出する第１の磁気検出部が配置された取付部材に、切断面が上になるように基体を配置する位置検出装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、実装位置のズレを抑制して検出精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の一例が搭載された車両内部の概略図であり、図１（ｂ）は、レバースイッチ装置の外観の一例を示す概略図であり、図１（ｃ）は、レバースイッチ装置の一例を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の一例の分解斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の基体の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、基体の取り付けの一例を示す概略図である。
【図４】図４（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の磁石の着磁方向などの一例を示す概略図であり、図４（ｂ）は、磁石を側面から見た一例を示す概略図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｄ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の製造工程の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態の要約）
実施の形態に係る位置検出装置の製造方法は、加工前の基体を準備し、加工前の基体の第１の面に磁石の移動を検出可能な２つの第２の磁気検出部を形成し、第２の磁気検出部の間に溝を形成して溝の側面である第２の面、及び底面である第３の面を形成し、第１の面乃至第３の面の予め定められた領域に原子層堆積法に基づいて導電性部材による導電膜を形成し、第３の面を切断して第２の磁気検出部と導電膜を有する２つの基体を形成し、磁石の回転を検出する第１の磁気検出部が配置された取付部材に、切断面が上になるように基体を配置することを含んでいる。
【００１１】
この方法で製造された基体には、第２の磁気検出部及び導電膜が形成されているので、基体を基板上に取り付けることで第２の磁気検出部を基板に縦置きして配置することができる。従って位置検出装置は、磁気検出部のリード端子を基板に立てなければ配置できない場合と比較して、基体の倒れや曲りなどによる実装位置のズレを抑制して検出精度を向上させることができる。
【００１２】
[実施の形態]
（レバースイッチ装置１の概要）
図１（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の一例が搭載された車両内部の概略図であり、図１（ｂ）は、レバースイッチ装置の外観の一例を示す概略図であり、図１（ｃ）は、レバースイッチ装置の一例を示すブロック図である。図２は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の一例の分解斜視図である。図３（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の基体の一例を示す概略図であり、図３（ｂ）は、基体の取り付けの一例を示す概略図である。図４（ａ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の磁石の着磁方向などの一例を示す概略図であり、図４（ｂ）は、磁石を側面から見た一例を示す概略図である。
【００１３】
なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また図１（ｃ）では、主な信号や情報の流れを矢印で示している。
【００１４】
位置検出装置としてのレバースイッチ装置１は、例えば、図１（ａ）に示すように、車両９のウインカー（方向指示器）やヘッドランプの操作ができるように構成されている。このレバースイッチ装置１は、図１（ａ）に示すように、車両のステアリング９１の近傍のステアリングコラムカバー９０から突出するように配置されている。
【００１５】
図１（ａ）の紙面において右側に突出して配置されたレバースイッチ装置１は、例えば、方向指示器及びヘッドランプなどが操作可能である。また図１（ａ）の紙面において左側に突出して配置されたレバースイッチ装置１は、例えば、ワイパ装置などが操作可能である。本実施の形態では、一例として、右側に突出した方向指示器などを操作することが可能なレバースイッチ装置１について説明する。
【００１６】
このレバースイッチ装置１は、図１（ｂ）〜図２に示すように、操作部としての操作レバー１０に連結され、操作レバー１０になされた操作によって回転軸Ｌ３の周りを回転すると共に回転軸Ｌ３に沿って複数の操作位置に移動する磁石５０を備えている。なお変形例として操作部は、操作レバー１０に限定されず、回転及び回転軸に沿って移動可能なダイヤルなどであっても良い。
【００１７】
またレバースイッチ装置１は、磁石５０と対向するように取付部材としての基板１００の表面１０１に配置され、磁石５０の回転軸Ｌ３周りの回転位置を検出する第１の磁気検出部としてのターン検出センサ８０と、回転軸Ｌ３に沿って移動する磁石５０の複数の操作位置を検出し、ターン検出センサ８０の感磁面８００と交差する感磁面８５０を有する第２の磁気検出部としてのディマ検出センサ８５と、を備えている。なお変形例として取付部材は、基板１００に限定されず、リードフレームのようにターン検出センサ８０、及びディマ検出センサ８５が配置された基体６が配置できるものであれば良い。
【００１８】
さらにレバースイッチ装置１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板１００の表面１０１に配置され、基板１００の表面１０１に交差する第１の面６１、第１の面６１と交差する第２の面６２、及び第２の面６２と交差する第３の面６３が連続するように形成され、ディマ検出センサ８５が第１の面６１に配置されると共に第１の面６１〜第３の面６３に亘ってディマ検出センサ８５と電気的に接続する導電膜８７が設けられた基体６を備えている。
【００１９】
またさらにレバースイッチ装置１は、ターン検出センサ８０の第１の出力信号Ｓ１に基づいて回転位置を判定すると共にディマ検出センサ８５の第２の出力信号Ｓ２に基づいて複数の操作位置を判定する判定部としての制御部１０５を備えている。
【００２０】
後述するように、このレバースイッチ装置１は、車両９の上下方向の操作レバー１０の操作によって磁石５０が回転し、車両９の前後方向の操作によって磁石５０が第３の回転軸Ｌ３に沿って複数の操作位置に移動するように構成されている。
【００２１】
操作レバー１０は、図２に示すように、第１の回転軸Ｌ１を軸とする矢印ＴＬ方向及び矢印ＴＲ方向のターン操作、及び第１の回転軸Ｌ１と交差する第２の回転軸Ｌ２を軸とする矢印Ｐ方向のパッシング操作及び矢印Ｄ方向のディマ操作が可能となっている。以下では、特に断らない限り、矢印ＴＬ方向及び矢印ＴＲ方向のターン操作をターン操作と記載し、矢印Ｐ方向のパッシング操作及び矢印Ｄ方向のディマ操作を単にディマ操作と記載する。
【００２２】
またレバースイッチ装置１は、操作レバー１０になされたターン操作を磁石５０の第３の回転軸Ｌ３の周りの回転に変換するブラケット３０と、操作レバー１０になされたディマ操作を第３の回転軸Ｌ３に沿った磁石５０の移動に変換するホルダ４０と、を備えている。
【００２３】
そしてレバースイッチ装置１は、図２に示すように、筐体２０と、磁石ホルダ７０と、を備えている。
【００２４】
ここで矢印ＴＬ方向の操作は、例えば、車両９の左側のウインカーを点滅させるターン操作である。また矢印ＴＲ方向の操作は、例えば、右側のウインカーを点滅させるターン操作である。磁石５０は、このターン操作に応じた回転位置を取る。
【００２５】
矢印Ｄ方向の操作は、例えば、車両９のヘッドランプの光軸を上向きに切り替えるディマ操作である。また矢印Ｐ方向の操作は、例えば、操作を維持している間、ヘッドライトの光軸を上向きに切り替えるパッシング操作である。磁石５０は、ディマ操作及びパッシング操作に応じた操作位置を取る。
【００２６】
ターン操作方向は、図１（ｂ）に示すレバースイッチ装置１の上部筐体２１が、操作者に向くように車両９に配置されるので、操作者から見て車両９の上下方向に操作する方向となる。またディマ操作方向及びパッシング操作方向は、操作者から見て車両９の前後方向に操作する方向となる。
【００２７】
なおこの矢印ＴＬ方向及び矢印ＴＲ方向の操作により操作レバー１０が形成する操作面と、矢印Ｄ方向及び矢印Ｐ方向の操作により操作レバー１０が形成する操作面とは、交差し、実質的に直交する。従ってターン検出センサ８０の感磁面８００を含む面とディマ検出センサ８５の感磁面８５０を含む面は、交差し、実質的に直交する。
【００２８】
（基体６の構成）
基体６は、一例として、シリコン基板である。基体６は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、下面６５側が基板１００の表面１０１に取り付けられている。従ってディマ検出センサ８５は、基板１００に対して縦置きとなるように配置されている。
【００２９】
基体６は、例えば、銀ペーストによって基板１００に取り付けられる。そして基体６は、ディマ検出センサ８５の感磁面８５０が磁石５０と対向するのではなく、９０°回転して配置されている。
【００３０】
導電膜８７は、例えば、層間絶縁膜８６が形成された基体６の第１の面６１〜第３の面６３に形成される。この導電膜８７は、一例として、アルミニウム膜である。導電膜８７は、ディマ検出センサ８５に応じて少なくとも１つ形成される。
【００３１】
本実施の形態では、後述するようにディマ検出センサ８５が４つの磁気抵抗素子によって形成されたブリッジ回路を有している。従って基体６には、例えば、図３（ｂ）に示すように、電圧を印加する端子、接地される端子、ハーフブリッジ回路の中点電位が出力される２つの端子に接続する４つの導電膜８７が形成されている。
【００３２】
ディマ検出センサ８５の４つの磁気抵抗素子は、一例として、層間絶縁膜８６によって覆われ、保護されている。導電膜８７の端部は、磁気抵抗素子の端部上の層間絶縁膜８６に重なるように形成されている。また層間絶縁膜８６には、この磁気抵抗素子の端部が露出するスルーホール８６ａが形成されている。このスルーホール８６ａ内には、導電膜８７が形成されている。従って磁気抵抗素子は、このスルーホールを介して導電膜８７と電気的に接続されている。そして導電膜８７は、一例として、第２の面６２において基板１００の表面１０１に形成された配線とワイヤ８８によって電気的に接続されている。この配線は、制御部１０５と電気的に接続されている。
【００３３】
ディマ検出センサ８５と導電膜８７の接続は、第１の面６１が基板１００の表面１０１と実質的に直交し、ワイヤで接続することが困難であることから、基体６が基板１００に取り付けられる前に行われる。そして導電膜８７と基板１００の配線の接続は、第２の面６２が基板１００の表面１０１と実質的に平行であり、ワイヤ８８で接続することが可能であることから、基体６が基板１００に取り付けられた後に行われる。つまりワイヤボンディング法に基づく基板１００の表面１０１に略平行な面（第２の面６２）と基板１００の配線との接続は、基板１００の表面１０１に略垂直な面（第１の面６１）と基板１００の配線との接続よりも容易である。
【００３４】
この導電膜８７は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によって形成される。このＡＬＤ法（原子層堆積法）は、原子の自己制御性を利用し、予め定められた領域に、一層ずつ原子を堆積する方法である。従ってこの原子層堆積法は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)と比べて、非常に薄い膜の形成、アスペクト比の高い構造への成膜、及び低温での成膜などの特長を有している。
【００３５】
後述するように本実施の形態の第２の面６２及び第３の面６３の導電膜８７は、アスペクト比の高い溝に選択的原子層堆積法によって部分的に成膜し、この溝の底面を切断することで形成されたものである。
【００３６】
（操作レバー１０の構成）
操作レバー１０は、図２に示すように、ブラケット３０の中に挿入されて収容される挿入部１１と、操作者がターン操作やディマ操作のために把持するレバー本体１２と、挿入部１１とレバー本体１２との間に位置し、操作レバー１０のディマ操作の第２の回転軸Ｌ２となる回転軸部１３と、を備えて概略構成されている。
【００３７】
回転軸部１３は、ブラケット３０の支持穴部３３に回転可能に支持される。挿入部１１の先端側には、後述するホルダ４０と結合して、ディマ操作時にホルダ４０をスライド移動させるための駆動突起部１４が突出して形成されている。
【００３８】
また挿入部１１の先端には、節度ピース１６がスプリング１７を介して挿入される挿入穴１５が形成されている。この節度ピース１６は、スプリング１７により節度ブロック２５へ向かって付勢される。従って節度ピース１６は、矢印ＴＬ方向及び矢印ＴＲ方向のターン操作時と、矢印Ｐ方向のパッシング操作及び矢印Ｄ方向のディマ操作時と、に必要な節度感を付与することができる。
【００３９】
（筐体２０の構成）
筐体２０は、上部筐体２１と下部筐体２２とを備えて概略構成されている。この上部筐体２１と下部筐体２２は、例えば、結合部２１ａと結合突起部２２ａとが結合することにより一体となる。
【００４０】
下部筐体２２の内部下面には、図２に示すように、ブラケット３０を回転可能に支持する環状溝部２２ｂが形成されている。上部筐体２１と同様に、下部筐体２２の内部は、ブラケット３０が環状溝部２２ｂの周りに予め定められた角度（ターン操作に必要な角度）だけ回転できるように内部空間が形成されている。
【００４１】
（ブラケット３０の構成）
ブラケット３０は、第１の回転軸Ｌ１に基づいて回転軸部３１が突出して形成されている。またブラケット３０は、操作レバー１０の回転軸部１３周りの回転を支持する支持穴部３３が形成されている。
【００４２】
またブラケット３０は、図２に示すように、第１の回転軸Ｌ１から離れた位置に、磁石５０を回転させるための駆動突起部３４が形成されている。この駆動突起部３４は、操作レバー１０のターン操作により、第１の回転軸Ｌ１の周りに、ブラケット３０と共に予め定められた角度だけ回転する。
【００４３】
（ホルダ４０の構成）
ホルダ４０は、磁石５０を保持するように構成されている。このホルダ４０は、操作レバー１０のターン操作により第１の回転軸Ｌ１の周りに回転すると共に、操作レバー１０のディマ操作によりブラケット３０に対してスライド移動する。
【００４４】
ホルダ４０の上部には、操作レバー１０の駆動突起部１４が挿入される挿入溝４１が形成されている。操作レバー１０がディマ操作方向に操作されると、挿入溝４１に沿ってホルダ４０がスライド移動して磁石５０が第３の回転軸Ｌ３に沿って移動する。
【００４５】
またホルダ４０の下部には、磁石５０の周溝部５６０が挿入され、磁石５０を支持する保持溝４２が形成されている。操作レバー１０がターン操作方向に操作されると、磁石５０の凹部５５に挿入された駆動突起部３４が円弧を描くように移動し、磁石５０が第３の回転軸Ｌ３周りに回転する。
【００４６】
（磁石５０の構成）
磁石５０は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又はフェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン（ＡＢＳ）などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチック磁石である。本実施の形態では、磁石５０は、プラスチック磁石を使用している。なお磁石５０は、永久磁石やプラスチック磁石に限定されず、電磁石であっても良い。
【００４７】
磁石５０は、ドーナツ形状を有している。具体的には、磁石５０は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、円板部５１と円筒部５６が周溝部５６０を挟んで上面５２に同軸状に積み重なった形状を有している。そして磁石５０は、第３の回転軸Ｌ３に沿って貫通する貫通孔５７を有している。また磁石５０は、円板部５１の一方から径方向に突出して２つの突出部５４が形成され、この２つの突出部５４に挟まれた領域にはブラケット３０の駆動突起部３４が挿入される凹部５５が形成されている。
【００４８】
磁石５０の着磁方向は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第３の回転軸Ｌ３と直交する方向である。この着磁によって磁石５０は、一例として、突出部５４の側がＳ極、突出部５４の反対側がＮ極となる。磁石５０は、Ｎ極からＳ極に向かう磁場５００を周囲に発生させる。なお着磁方向は、逆でも良い。
【００４９】
（磁石ホルダ７０の構成）
磁石ホルダ７０は、図３（ｂ）に示すように、基板１００に取り付けられている。磁石ホルダ７０は、底部７１と、底部７１から突出して形成された磁石支持軸７２と、底部７１から磁石５０の周囲を囲むように磁石支持軸７２を中心に同心円状に形成された壁部７３と、を備えて概略構成されている。
【００５０】
磁石支持軸７２は、磁石５０の貫通孔５７に挿入されている。この磁石支持軸７２は、ディマ操作がなされた場合、第３の回転軸Ｌ３に沿って磁石５０が上下移動するのを支持する。また磁石支持軸７２は、ターン操作がなされた場合、第３の回転軸Ｌ３の周りを回転するのを支持する。
【００５１】
底部７１の下方には、図３（ｂ）に示すように、収納空間７１０が設けられている。この収納空間７１０には、基板１００の表面１０１に配置されたターン検出センサ８０が位置している。
【００５２】
（ターン検出センサ８０及びディマ検出センサ８５の構成）
ターン検出センサ８０及びディマ検出センサ８５は、例えば、複数の磁気抵抗素子を備えた磁気センサである。ディマ検出センサ８５の磁気抵抗素子は、例えば、アンチモン化インジウム（InSb）やインジウム砒素（InAs）などの薄膜として基体６の第１の面６１に形成されている。なお他の磁気センサとして、ホール素子を用いたホールセンサなども使用可能である。
【００５３】
このターン検出センサ８０及びディマ検出センサ８５は、４つの磁気抵抗素子によってブリッジ回路が形成されたベアチップである。ターン検出センサ８０は、磁石５０の下面５３に対向するように配置されている。そしてターン検出センサ８０は、磁石５０の回転に伴う磁場５００の方向変化を検出して第１の出力信号Ｓ１を制御部１０５に出力する。この第１の出力信号Ｓ１は、ブリッジ回路の中点電位の差分の信号である。
【００５４】
磁石５０は、図４（ｂ）に示すように、ディマ操作によって矢印Ｄ方向、つまり上方向に移動し、パッシング操作によって矢印Ｐ方向、つまり下方向に移動する。ディマ検出センサ８５は、磁石５０の移動に伴う磁場５００の方向変化を検出して第２の出力信号Ｓ２を制御部１０５に出力する。この第２の出力信号Ｓ２は、ブリッジ回路の中点電位の差分の信号である。
【００５５】
（制御部１０５の構成）
制御部１０５は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、半導体メモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成されるマイクロコンピュータである。このＲＯＭには、例えば、制御部１０５が動作するためのプログラムが格納されている。ＲＡＭは、例えば、一時的に演算結果などを格納する記憶領域として用いられる。
【００５６】
制御部１０５は、ターン検出センサ８０から出力される第１の出力信号Ｓ１に基づいて操作レバー１０になされた操作がＴＬ方向のターン操作なのかＴＲ方向のターン操作なのかを判定する。そして制御部１０５は、例えば、判定した結果を操作情報Ｓ３として車両９の車両制御部に出力する。
【００５７】
制御部１０５は、ディマ検出センサ８５から出力される第２の出力信号Ｓ２に基づいて操作レバー１０になされた操作がディマ操作なのかパッシング操作なのかを判定する。そして制御部１０５は、例えば、判定した結果を操作情報Ｓ３として車両９の車両制御部に出力する。
【００５８】
（レバースイッチ装置１の動作）
以下では、本実施の形態に係るレバースイッチ装置１の動作の一例について説明する。
【００５９】
（ターン操作について）
操作レバー１０は、矢印ＴＲ方向又は矢印ＴＬ方向に操作されると、第１の回転軸Ｌ１の周りに回転する。磁石５０は、凹部５５に駆動突起部３４が挿入されているので、操作レバー１０の回転に伴って磁石支持軸７２の周りに回転する。従って磁石５０の回転により、ターン検出センサ８０の感磁面８００に作用する磁場５００の方向が基準位置の際の方向と比べて変化する。
【００６０】
そして制御部１０５は、ターン検出センサ８０から出力される第１の出力信号Ｓ１に基づいてターン操作の方向を判定し、判定結果に応じた操作情報Ｓ３を出力する。
【００６１】
（ディマ操作とパッシング操作について）
操作レバー１０は、矢印Ｄ方向に操作されると、第２の回転軸Ｌ２の周りに回転する。ホルダ４０は、操作レバー１０の駆動突起部１４が上方向に移動することから、この駆動突起部１４が挿入される挿入溝４１を介して上方向にスライド移動する。ホルダ４０の保持溝４２で保持されている磁石５０は、磁石支持軸７２に支持されて基準位置から上方向にスライド移動する。この磁石５０の移動により、ディマ検出センサ８５の感磁面８５０に作用する磁場５００の方向が変化する。
【００６２】
そして制御部１０５は、ディマ検出センサ８５から出力される第２の出力信号Ｓ２に基づいてディマ操作が行われたと判定すると、判定結果に応じた操作情報Ｓ３を出力する。
【００６３】
また操作レバー１０は、矢印Ｐ方向に操作されると、第２の回転軸Ｌ２の周りに回転する。ホルダ４０は、操作レバー１０の駆動突起部１４が下方向に移動することから、この駆動突起部１４が挿入される挿入溝４１を介して下方向にスライド移動する。ホルダ４０の保持溝４２で保持されている磁石５０は、磁石支持軸７２に支持されて基準位置から下方向にスライド移動する。この磁石５０の移動により、ディマ検出センサ８５の感磁面８５０に作用する磁場５００の方向が変化する。
【００６４】
そして制御部１０５は、ディマ検出センサ８５から出力される第２の出力信号Ｓ２に基づいてパッシング操作が行われたと判定すると、判定結果に応じた操作情報Ｓ３を出力する。
【００６５】
続いて本実施の形態のレバースイッチ装置１の製造方法の一例について説明する。ここでは、基体６の製造方法について説明する。
【００６６】
（製造方法について）
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、実施の形態に係るレバースイッチ装置の製造工程の一例を示す概略図である。この製造工程は、基体６を作成するまでの工程の一例である。
【００６７】
レバースイッチ装置１の製造方法は、加工前の基体６００を準備し、加工前の基体６００の第１の面６１に磁石５０の移動を検出可能な２つのディマ検出センサ８５（第２の磁気検出部）を形成し、ディマ検出センサ８５の間に溝６０１を形成して溝６０１の側面６０２である第２の面６２、及び底面６０３である第３の面６３を形成し、第１の面６１〜第３の面６３の予め定められた領域に原子層堆積法に基づいて導電性部材による導電膜８７を形成し、第３の面６３を切断してディマ検出センサ８５と導電膜８７を有する２つの基体６を形成し、磁石５０の回転を検出するターン検出センサ８０（第１の磁気検出部）が配置された基板１００（取付部材）に、切断面６４が上になるように当該基体６を配置することを含んでいる。
【００６８】
具体的には、図５（ａ）に示すように、加工前の基体６００の第１の面６１に２つのディマ検出センサ８５を形成する。この基体６００は、例えば、シリコンウエハに複数形成された１つの区画である。ディマ検出センサ８５は、薄膜であるので、例えば、フォトリソグラフィ法によって形成される。なお基体６００の第１の面６１には、例えば、熱酸化法によって酸化膜（ＳｉＯ２）が形成され、その上にディマ検出センサ８５が形成される。続いてＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、第１の面６１及びディマ検出センサ８５を覆うように層間絶縁膜８６を形成する。この層間絶縁膜８６は、一例として、窒化膜（ＳｉＮ）である。そしてフォトリソグラフィ法によってディマ検出センサ８５の磁気抵抗素子が露出するスルーホール８６ａを形成する。
【００６９】
次に図５（ｂ）に示すように、ディマ検出センサ８５の間に溝６０１を形成する。この溝６０１は、一例として、エッチング法によって形成される。
【００７０】
次に図５（ｃ）に示すように、原子層堆積法に基づいて予め定められた領域に導電膜８７を形成する。この予め定められた領域は、例えば、図３（ｂ）に示す導電膜８７が形成された領域である。またスルーホール８６ａ内にも導電膜８７を形成する。導電膜８７は、一例として、予め定められた領域以外をマスクし、基体６００が露出した領域に導電部材を堆積させて形成される。
【００７１】
次に図５（ｄ）に示すように、溝６０１の底面６０３を切断する。そしてさらにシリコンウエハから切り出すことによって１つの基体６００から２つの基体６が形成される。
【００７２】
次に基板１００に銀ペーストを塗布し、導電膜８７とディマ検出センサ８５とが接続された基体６と基板１００とをこの銀ペーストによって接合して基体６を基板１００に取り付ける。そして基体６の第２の面６２と基板１００の配線とをワイヤ８８によって接続した後、複数の工程を経てレバースイッチ装置１が製造される。
【００７３】
（実施の形態の効果）
本実施の形態に係るレバースイッチ装置１は、実装位置のズレを抑制して検出精度を向上させることができる。具体的には、レバースイッチ装置１は、基体６にディマ検出センサ８５が形成されているので、リード端子を基板に立ててセンサを縦置きする場合と比べて、基板１００に縦置きし易く、また基体６の倒れや曲りが発生し難いので実装位置のズレが抑制される。従ってレバースイッチ装置１は、リード端子を基板に立ててセンサを縦置きする場合と比べて、実装位置のズレが抑制されて検出精度が向上する。
【００７４】
レバースイッチ装置１は、導電膜８７が基板１００の表面１０１と略垂直な第１の面６１、及び略平行な第２の面６２に形成されると共に、基体６の取り付けの前にディマ検出センサ８５と導電膜８７とが第１の面６１において接続されている。従ってレバースイッチ装置１は、基板の表面に略垂直な面のセンサと基板の配線とをワイヤで接続する場合と比べて、ワイヤボンディング法による第２の面６２の導電膜８７と基板１００の配線との接続が容易となる。
【００７５】
レバースイッチ装置１は、感磁面が交差するターン検出センサ８０及びディマ検出センサ８５を１枚の基板１００に配置することができるので、実装位置のズレを抑制するために複数の基板や取付部材に配置する場合と比べて、小型化することができる。またレバースイッチ装置１は、ベアチップ状態で基板１００に配置することができるので、この構成を採用しない場合と比べて、より小型化することができる。
【００７６】
レバースイッチ装置１の製造方法によれば、原子層堆積法を用いてアスペクト比が高い溝６０１の側面６０２及び底面６０３に膜厚が安定した導電膜８７を形成することができるので、この構成を採用しない場合と比べて、第１の面６１〜第３の面６３に亘って信頼性が高い導電膜８７を容易に形成することができる。
【００７７】
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７８】
１…レバースイッチ装置、６…基体、９…車両、１０…操作レバー、１１…挿入部、１２…レバー本体、１３…回転軸部、１４…駆動突起部、１５…挿入穴、１６…節度ピース、１７…スプリング、２０…筐体、２１…上部筐体、２１ａ…結合部、２２…下部筐体、２２ａ…結合突起部、２２ｂ…環状溝部、２５…節度ブロック、３０…ブラケット、３１…回転軸部、３３…支持穴部、３４…駆動突起部、４０…ホルダ、４１…挿入溝、４２…保持溝、５０…磁石、５１…円板部、５２…上面、５３…下面、５４…突出部、５５…凹部、５６…円筒部、５７…貫通孔、６１〜６３…第１の面〜第３の面、６４…切断面、６５…下面、７０…磁石ホルダ、７１…底部、７２…磁石支持軸、７３…壁部、８０…ターン検出センサ、８５…ディマ検出センサ、８６…層間絶縁膜、８６ａ…スルーホール、８７…導電膜、８８…ワイヤ、９０…ステアリングコラムカバー、９１…ステアリング、１００…基板、１０１…表面、１０５…制御部、５００…磁場、５６０…周溝部、６００…基体、６０１…溝、６０２…側面、６０３…底面、７１０…収納空間、８００…感磁面、８５０…感磁面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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