(57)【要約】【課題】新しい構造を有するタッチパネルとその作製方法を提供することを課題の一つとする。あるいは、タッチパネルが搭載された表示装置とその作製方法を提供することを一つの課題とする。【解決手段】タッチパネルが提供される。タッチパネルは、ストライプ状に配置された複数の第１の導波路と、複数の第１の導波路上にストライプ状に配置され、複数の第１の導波路上と交差する第２の導波路を有する。複数の第１の導波路及び複数の第２の導波路の各々は、エラストマーを含むコアと、コアの長手方向に垂直な側面以外と接するクラッドを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストライプ状に配置された複数の第１の導波路と、
前記複数の第１の導波路上にストライプ状に配置され、前記複数の第１の導波路上と交差する複数の第２の導波路を有し、
前記複数の第１の導波路と前記複数の第２の導波路の各々は、
エラストマーを含むコアと、
前記コアの長手方向に垂直な側面以外と接するクラッドを有するタッチパネル。
【請求項２】
前記複数の第１の導波路と前記複数の第２の導波路の間に中間層をさらに有する、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記タッチパネルは第１の領域と第２の領域を有し、
前記第１の領域に前記複数の第１の導波路及び前記複数の第２の導波路が設けられ、
前記第２の領域に、発光素子と受光素子が設けられ、
前記第１の領域と前記第２の領域の境界において、前記複数の第１の導波路及び前記複数の第２の導波路の長手方向に垂直な側面の各々は、対応する前記発光素子と前記受光素子と接する、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記発光素子は赤外光、あるいは可視光を発する、請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記中間層は無機化合物を含む、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記中間層は有機化合物を含む、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記クラッドは、前記コアより屈折率の低い材料を含む、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記クラッドは、金属を含む、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記エラストマーはポリシロキサンを含む、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記中間層は、前記エラストマーよりも弾性率が大きい、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
タッチパネルと、
前記タッチパネル上の表示パネルを有し、
前記表示パネルは、表示領域と非表示領域を有し、
前記タッチパネルは、
ストライプ状に配置された複数の第１の導波路と、
前記複数の第１の導波路上にストライプ状に配置され、前記複数の第１の導波路上と交差する複数の第２の導波路を有し、
前記複数の第１の導波路と前記複数の第２の導波路の各々は、
エラストマーを含むコアと、
少なくとも前記表示領域で前記コアの長手方向に垂直な側面以外と接するクラッド有し
前記コアと前記クラッドの界面に反射面を有し、
前記表示パネルは、
一対の基板と、
前記一対の基板の間の表示素子を有する表示装置。
【請求項１２】
前記複数の第１の導波路と前記複数の第２の導波路の間に中間層をさらに有する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記非表示領域において、前記複数の第１の導波路と前記複数の第２の導波路の各々は、対応する前記第１の導波路あるいは前記第２の導波路を挟むように発光素子と受光素子を有する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子は赤外光、あるいは可視光を発する、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記中間層は無機化合物を含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記エラストマーはポリシロキサンを含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記中間層は、前記エラストマーよりも弾性率が大きい請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記表示素子は、有機ＥＬ素子である、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示パネルは、前記表示パネルの上方に画像を表示し、前記表示パネルの下方に前記タッチパネルが配置される、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記タッチパネルと前記表示パネルの間に接着層をさらに有する、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、タッチパネルとその作成方法、あるいはタッチパネルが搭載された表示装置とその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチパネルが知られている。タッチパネルを表示装置に搭載することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが直接操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献１や２では、有機ＥＬ（Ｅｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を有する表示装置上にタッチパネルが搭載された電子機器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１８３３１号公報
【特許文献２】特開２０１５−５０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、新しい構造を有するタッチパネルとその作製方法を提供することを課題の一つとする。あるいは本発明の実施形態は、タッチパネルが搭載された表示装置とその作製方法を提供することを一つの課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態の一つはタッチパネルである。タッチパネルは、ストライプ状に配置された複数の第１の導波路と、複数の第１の導波路上にストライプ状に配置され、複数の第１の導波路上と交差する第２の導波路を有する。複数の第１の導波路及び複数の第２の導波路の各々は、エラストマーを含むコアと、コアの長手方向に垂直な側面以外と接するクラッドを有する。
【０００６】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。表示装置は、タッチパネルと、タッチパネル上の表示パネルを有する。表示パネルは、表示領域と非表示領域を有する。タッチパネルは、ストライプ状に配置された複数の第１の導波路と、複数の第１の導波路上にストライプ状に配置され、複数の第１の導波路上と交差する複数の第２の導波路を有する。複数の第１の導波路と複数の第２の導波路の各々は、エラストマーを含むコアと、少なくとも表示領域でコアの長手方向に垂直な側面以外と接するクラッド有する。タッチパネルは、コアとクラッドの界面に反射面を有する。表示パネルは、一対の基板と、一対の基板の間の表示素子を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的斜視図。
【図２】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的上面図。
【図３】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図４】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図５】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図６】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図７】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図８】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図９】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的断面図。
【図１０】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの模式的上面図。
【図１１】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの動作機構を説明する図。
【図１２】本発明の実施形態の一つである表示装置の表示パネルの模式的上面図。
【図１３】本発明の実施形態の一つである表示装置の表示パネルの模式的断面図。
【図１４】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図１５】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図１６】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図１７】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図１８】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図１９】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図２０】本発明の実施形態の一つであるタッチパネルの作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図２１】本本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的上面図と断面図。
【図２２】本発明の実施形態の一つである表示装置の表示パネルの作製方法を示す模式的断面図。
【図２３】本発明の実施形態の一つである表示装置の表示パネルの作製方法を示す模式的断面図。
【図２４】本発明の実施形態の一つである表示装置の表示パネルの作製方法を示す模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１１】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上または直下に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方または下方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１２】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置１００の構造を図１乃至図４を用いて説明する。
【００１３】
［１．全体構成］
表示装置１００は、タッチパネル２００と、タッチパネル２００上に配置される表示パネル３００を有する。図１ではタッチパネル２００と表示パネル３００は分離している状態が示されているが、タッチパネル２００と表示パネル３００は接着層などを用いて接合される。表示パネル３００は映像を再現するものであり、タッチパネル２００は、ユーザが表示パネル３００に接触した際に、接触した位置を特定し、接触時に表示装置１００に与えられる物理的な力を見積もる機能を有する。
【００１４】
タッチパネル２００は、基板２０２上に設けられる検知領域２０４を有し、その周辺に複数の発光素子２０６と受光素子２０８を有する。一つの発光素子２０６は一つの受光素子２０８と対を形成し、検知領域２０４の外周部には、対となった発光素子２０６と受光素子２０８が配置される。発光素子２０６と受光素子２０８のいくつかの対はそれぞれ、検知領域２０４の互いに対向する二つの辺に設けられる。それ以外の対となった発光素子２０６と受光素子２０８は、前述した二つの辺に対して垂直な二つの辺に設けられる。なお、図１に示した例においては、互いに対向する二つの辺に設けられた一対の発光素子２０６と受光素子２０８とを結ぶ線と、他の二つの辺に設けられた一対の発光素子２０６と受光素子２０８とを結ぶ線が垂直になるように設けられているが、互いの線が交差すればよく、垂直でなくても良い。図１では示していないが、基板２０２上には発光素子２０６や受光素子２０８を制御するための駆動回路、およびこれらを接続するための配線が設けられていてもよい。あるいは駆動回路は、基板２０２とは異なる基板上に設けられてもよい。
【００１５】
表示パネル３００は、アレイ基板３０２とアレイ基板３０２上の対向基板３０４を有し、これらの間に表示領域３０６が設けられる。詳細は後述するが、表示領域３０６には表示素子やそれを駆動するためのトランジスタなどの半導体素子を含む複数の画素が設けられる。複数の画素によって映像が表示領域３０６上に再現される。アレイ基板３０２と対向基板３０４の間には、画素を制御するための駆動回路３０８を設けてもよい。あるいは、駆動回路３０８をアレイ基板３０２と対向基板３０４の間に設けず、外部回路と接続するためのコネクタ（図示せず）上に駆動回路３０８を設けてもよい。
【００１６】
タッチパネル２００と表示パネル３００は互いに重なる。これにより、検知領域２０４と表示領域３０６を互いに重なるように配置することができる。このため、ユーザは表示領域３０６に再現される映像を認識しながら対向基板３０４に触れる、あるいは対向基板３０４に力を加えることにより、その力が検知領域２０４に伝えられ、ユーザの接触位置を特定し、ユーザが与えた力を見積もることができる。
【００１７】
［２．タッチパネル］
タッチパネル２００の上面模式図と断面模式図をそれぞれ図２、３に示す。図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図２の鎖線Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’に沿った断面に相当する。
【００１８】
図２、３（Ａ）、３（Ｂ）に示すように、タッチパネル２００は、基板上２０２上にストライプ状に配置される複数の第１の導波路２１０と複数の第２の導波路２１２を有する。複数の第１の導波路２１０は互いに同じ方向に伸び、図２では基板２０２の長辺に平行な方向に伸びている。一方、複数の第２の導波路２１２は第１の導波路２１０上に設けられ、第１の導波路２１０が伸びる方向に対して交差する方向に伸びる。したがって、複数の第２の導波路２１２はそれぞれ、複数の第１の導波路２１０と交差する。複数の第１の導波路２１０と複数の第２の導波路２１２の間には、中間層２１４が設けられる。複数の第１の導波路２１０と複数の第２の導波路２１２が交差する領域を含む領域（図２中、点線で囲った領域）が検知領域２０４に相当する。
【００１９】
複数の第１の導波路２１０、第２の導波路２１２のそれぞれの末端には、一対の発光素子２０６と受光素子２０８が設けられる。発光素子２０６は配線２１８によって外部回路（図示せず）と接続され、制御される。発光素子２０６から出射した光は、対応する第１の導波路２１０、あるいは第２の導波路２１２の中を伝わり、受光素子２０８で検知される。受光素子２０８で検知される信号は配線２１６によって外部回路へ伝達され処理される。上述したように、複数の第２の導波路２１２は中間層２１４を介して複数の第１の導波路２１０の上に設けられる。したがって、第２の導波路２１２に設けられる発光素子２０６と受光素子２０８は、中間層２１４の上に設けることができる（図３（Ａ）参照）。
【００２０】
図１から図３では、第１の導波路２１０が７つ、第２の導波路２１２が９つ設けられた例が示されているが、第１の導波路２１０、第２の導波路２１２の数には制約はなく、検知領域２０４の大きさや形状、ユーザの接触位置の特定のための精度などを考慮して任意に決定することができる。
【００２１】
図３（Ａ）の拡大図に示すように、複数の第１の導波路２１０は、コア２２０とクラッド２２２、２２４を有している。コア２２０はクラッド２２２の上面と接している。コア２２０の長手方向に垂直な側面を端面とすると、クラッド２２４は、コア２２０の上面と、端面を除く側面と接し、これらの面を覆う。したがって、クラッド２２２と２２４により、コア２２０が取り巻かれている。
【００２２】
同様に、図３（Ｂ）の拡大図に示すように、複数の第２の導波路２１２は、コア２３０とクラッド２３２、２３４を有している。コア２３０はクラッド２３２の上面と接している。コア２３０の長手方向に垂直な側面を端面とすると、クラッド２３４は、コア２３０の上面と、端面を除く側面と接し、これらの面を覆う。したがって、クラッド２３２と２３４により、コア２３０が取り巻かれている。
【００２３】
第１の導波路２１０の両端部において、コア２２０はクラッド２２２、２２４が重なる領域から突き出ており、突き出た部分の上に発光素子２０６、受光素子２０８が設けられる。同様に、第２の導波路２１２の両端部において、コア２３０はクラッド２３２、２３４が重なる領域から突き出ており、突き出た部分の上に発光素子２０６、受光素子２０８が設けられる。この場合、各導波路の二つのクラッドは互いに長さが同じでもよい。発光素子２０６から出射される光はコア２２０、２３０の端面からコア２２０、２３０内へ導入される。光はコア２２０とクラッド２２２、２２４との界面、あるいはコア２３０とクラッド２３２、２３４の界面で反射を繰り返し、コア２２０、２３０中を進行し、受光素子２０８に入る。
【００２４】
コア２２０、２３０は発光素子２０６から出射される光に対して吸収が小さく、かつ室温でゴム弾性を示すエラストマーであることが好ましい。このような材料として例えば高分子材料が挙げられ、高分子材料としては、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリロニトリル、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリカーボナート、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン、あるいはこれらを基本骨格として含有する共重合体などが例示される。これらの高分子材料は架橋されていてもよい。発光素子２０６が赤外光を発する場合、赤外光の吸収を抑制するため、側鎖にフッ素や重水素が導入された高分子材料を用いてもよい。
【００２５】
クラッド２２２、２２４はコア２２０よりも屈折率が低い材料、またはコア２２０との界面に反射面を形成できる不透明材料を用いることができる。例えば、臭素や塩素を含有する低屈折率高分子材料を用いてクラッド２２２、２２４、２３２、２３４を形成してもよい。あるいは、クラッド２２２、２２４、２３２、２３４に金属を用いてもよい。金属としては、例えば銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、チタン、あるいはこれらの金属を含む合金などが挙げられる。クラッド及びコアの材質と厚みを鑑み、クラッドの厚さは、後述するコアの変形を妨げない程度の薄さであれば良い。金属をクラッド２２２、２２４、２３２、２３４として用いる場合、中間層２１４は第１の導波路２１０と第２の導波路２１２を絶縁する役割も担う。したがって、クラッド２２２、２２４、２３２、２３４に高分子材料などの絶縁物を用いる場合、中間層２１４を設置しなくてもよい。
【００２６】
中間層２１４は絶縁性を有する材料から選択することができ、このような材料としては、上述した高分子材料、あるいは無機材料などが挙げられる。無機材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素など、ケイ素を含有する無機化合物が例示される。なお中間層２１４は、エラストマーでもよく、その場合、指で押すなどの力が加わった際、後述するコア２３０の変形に至るまでの応力をコア２３０へ伝えることができる。中間層２１４は、コア２２０、２３０に含まれる材料と比較して硬いことが好ましい。換言すると、中間層２１４中の材料は、コア２２０、２３０の材料よりも弾性率が大きいことが好ましい。あるいは、中間層２１４中の材料は、コア２２０、２３０の材料よりもヤング率が大きい、ポアソン比が小さい、体積弾性率が大きいことが好ましい。
【００２７】
発光素子２０６としては、発光ダイオードを使用することができる。発光ダイオードはレーザを出力するように構成されていてもよく、この場合、発光ダイオードは端面発光レーザでもよく、面発光レーザでもよい。面発光レーザは垂直共振器面発光レーザでもよい。発光素子２０６が出力する光の波長に限定はなく、光は可視光、紫外光、赤外光、近赤外光のいずれを含んでもよい。受光素子２０８も光電変換素子であり、例えばシリコン半導体や化合物半導体、酸化物半導体を含むＰＩＮダイオードなどを用いることができる。
【００２８】
図３（Ａ）、（Ｂ）で示した構成では、各導波路の二つのクラッドは互いに長さが同じ、あるいは実質的に同じであるが、下側のクラッドは上側のクラッドよりも長くてもよい。例えば図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の導波路２１０の下側のクラッド２２２は上側のクラッド２２４よりも長くてもよい。この場合、発光素子２０６や受光素子２０８はクラッド２２２と重なることができる。同様に、第２の導波路２１２の下側のクラッド２３２は上側のクラッド２３４よりも長く、発光素子２０６、受光素子２０８がクラッド２３２と重なってもよい。
【００２９】
あるいは図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、発光素子２０６は、クラッド２２２、２３２の端面と接してもよい。同様に、受光素子２０８もクラッド２２２、２３２の端面と接してもよい。この場合、第１の導波路２１０を挟む発光素子２０６や受光素子２０８は、基板２０２と直接、あるいは図示しない下地膜と接してもよい。一方、第２の導波路２１２挟む発光素子２０６や受光素子２０８は、中間層２１４と接してもよい。
【００３０】
あるいは図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、各導波路の上側のクラッド２２４，２３４が発光素子２０６や受光素子２０８を覆うように設けられてもよい。例えば第１の導波路２１０のコア２２０の上に位置するクラッド２２４が、発光素子２０６や受光素子２０８の上面や、第１の導波路２１０に対して反対側の側面を覆っていてもよい。同様に、第２の導波路２１２のコア２３０の上に位置するクラッド２３４が、発光素子２０６や受光素子２０８の上面や、第２の導波路２１２に対して反対側の側面を覆っていてもよい。この場合、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、クラッド２２４、２３４のうち、発光素子２０６や受光素子２０８の上面と側面を覆う部分（カバー２２６、２３６）は、他の部分と異なる材料で構成されてもよい。例えば、クラッド２２４、２３４とは異なる金属、透光性を持たない樹脂、あるいは透光性を有する樹脂に黒色又はそれに準ずる色を有する顔料などを含有させたものを用いることができる。図６のように、発光素子２０６や受光素子２０８を上側のクラッド２２４、２３４で覆う場合には、クラッド２２４、２３４形成時に、発光素子２０６や受光素子２０８にダメージを与えないプロセスを適用する必要がある。一方、図７の構成では、カバー２２６、２３６を別途設ける事により、クラッド２２４、２３４、発光素子２０６及び受光素子２０８の材料選択、プロセス選択の幅が広がる。カバー２２６、２３６は、発光素子２０６が与える光を反射可能な材料を含んでもよい。これにより、発光素子２０６からの光を効率よく導波路２０６へ供給することができる。
【００３１】
各導波路は、上側のクラッドが下側のクラッドの側面を覆うように構成してもよい。具体的には、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の導波路２１０のコア２２０の上に位置するクラッド２２４は、コア２２０の下に位置するクラッド２２２の側面を覆うように形成してもよい。同様に、第２の導波路２１２のコア２３０の上に位置するクラッド２３４は、コア２３０の下に位置するクラッド２３２の側面を覆うように形成してもよい。
【００３２】
図８（Ａ）、（Ｂ）に示した構成では、隣接する導波路間で上側のクラッド同士は独立しているが、隣接する導波路間で、上側のクラッドは互いに接してもよい。例えば図９（Ａ）に示すように、第１の導波路２１０のクラッド２２４は、隣接する第１の導波路２１０のクラッド２２４と接触してもよい。したがって、一つのクラッド２２４が複数の第１の導波路２１０によって共有される。同様に、図９（Ｂ）に示すように、第２の導波路２１２のクラッド２３４は、隣接する第２の導波路２１２のクラッド２３４と接触してもよい。したがって、一つのクラッド２３４が複数の第１の導波路２１０によって共有される。この時のタッチパネル２００の上面模式図を図１０に示す。図１０に示すように、クラッド２２４、２３４は導波路ごとのパターニングが不要になるため、より簡便なプロセスで形成することが可能となる。
【００３３】
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用い、タッチパネル２００による接触位置の特定方法、ならびにタッチパネル２００に加えられる力を見積もる方法について述べる。図１１（Ａ）に模式的に示すように、表示パネル３００を介してユーザがタッチパネル２００へ物理的な力を加えた場合、ゴム弾性を示すコア２２０、２３０は、変形する。その結果、コア２２０、２３０の形状あるいは体積が、力を加える前の状態（図１１（Ｂ）から力を加えた後の状態（図１１（Ｃ））へと変化する。このため、受光素子２０８は発光素子２０６から出射される光の一部を受けることができなくなり、受光素子２０８で受ける光の強度が減少する。
【００３４】
図１１（Ａ）の例では、ユーザの指が置かれた位置の近辺の第１の導波路２１０、第２の導波路２１２中のクラッド２２４，２３４、コア２２０、２３０が変形し（図１１（Ｂ）参照）、光路を塞ぐまたは狭めるため、これらに対応する受光素子２０８で受ける光の強度が低下する。なお、クラッド２３４、コア２３０は、中間層２１４が凹むまたは曲がることに伴って変形する。例えばユーザが接触する前に受光素子２０８が受ける光の強度をＩ０とすると、コア２２０、あるいは２３０が変形した第１の導波路２１０、第２の導波路２１２に設けられる受光素子２０８が受ける光の強度は、Ｉ０よりも小さいＩ１、Ｉ２、Ｉ３となる。この受光強度の変化を検知することで、接触位置の座標を特定し、加えられた力の大きさをも見積もることができる。
【００３５】
上述したように、本実施形態で示すタッチパネル２００は、受光素子２０８が受ける光の強度の変化に基づいて接触位置の特定と、加えられた力の大きさを見積もる。したがって、タッチパネル２００は電気的な影響を表示パネル３００に与えず、例えば静電容量方式等のタッチパネルで問題となる寄生容量やノイズの発生を抑制することができる。その結果、タッチパネル２００の操作中でも高精度のタッチ感度を保ち、高品質な映像を表示パネル３００で再現することができる。
【００３６】
［３．表示パネル］
表示パネル３００の上面模式図を図１２に示す。上述したように、表示パネル３００は行方向と列方向に配置される複数の画素３１０を備えた表示領域３０６、ならびに駆動回路３０８をアレイ基板３０２の上面に有している。表示領域３０６、駆動回路３０８はアレイ基板３０２と対向基板３０４との間に設けられる。表示領域３０６は駆動回路３０８と接続され、これにより、画素３１０が駆動回路３０８によって制御される。表示領域３０６からはさらに配線３１２がアレイ基板３０２の側面に向かって伸びており、配線３１２はアレイ基板３０２の端部で露出され、露出部は端子を形成する。端子はフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタ３１４と接続される。外部回路から供給された映像信号が駆動回路３０８を介して画素３１０に与えられ、駆動回路３０８からの信号と連動して画素３１０内の表示素子が制御され、映像が表示領域３０６上に再現される。図１２では、駆動回路３０８は表示領域３０６を挟むように二つ設けられているが、駆動回路３０８は一つでもよい。また、駆動回路３０８は、必ずしもアレイ基板３０２上に形成する必要は無く、異なる基板上に設けられた駆動回路をアレイ基板３０２上、またはコネクタ３１４上に形成してもよい。また、表示領域３０６とＦＰＣ３１４との間に、外部回路の一部の機能を有する駆動回路が実装されていても良い。
【００３７】
複数の画素３１０には互いに異なる色を与える有機ＥＬ素子や液晶素子などの表示素子を設けることができ、これにより、フルカラー表示を行うことができる。例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を三つの画素３１０にそれぞれ設けることができる。あるいは、全ての画素３１０で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素３１０ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素３１０の配列にも制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、ペンタイル配列などを採用することができる。
【００３８】
表示領域３０６の断面模式図を図１３に示す。図１３は、有機ＥＬ素子を有する複数の画素３１０にわたる断面の模式図である。画素３１０にはトランジスタ３２０と、これに接続される有機ＥＬ素子３５０が設けられる。図１３は、一つの画素３１０に一つのトランジスタ３２０が設けられる例を示しているが、一つの画素３１０には複数のトランジスタが設けられてもよく、また、容量素子などの他の半導体素子が設けられていてもよい。
【００３９】
トランジスタ３２０は、アレイ基板３０２上に設けられる一層、または複数層含むアンダーコート３１８の上に半導体膜３２２、ゲート絶縁膜３２４、ゲート電極３２６、ソース／ドレイン電極３３０などを有することができる。ゲート電極３２６上にはさらに層間膜３２８を設けることができる。トランジスタ３２０の構造に制約はなく、トップゲート型、ボトムゲート型、いずれのトランジスタを用いてもよい。また、半導体膜３２２とソース／ドレイン電極３３０の上下関係も任意に選択でき、ボトムコンタクト型、トップコンタクト型、いずれを採用してもよい。
【００４０】
トランジスタ３２０上には、トランジスタ３２０やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収して平坦な表面を与える平坦化膜３４０が設けられる。平坦化膜３４０内に形成される開口部を介して、有機ＥＬ素子３５０の第１の電極３５２がソース／ドレイン電極３３０の一方と電気的に接続される。
【００４１】
表示パネル３００はさらに、第１の電極３５２の端部や、第１の電極３５２とソース／ドレイン電極３３０の一方との接続で用いられる開口部を埋める隔壁３４２を有している。第１の電極３５２、および隔壁３４２上にＥＬ層３５４が設けられ、その上に第２の電極３６２が設けられる。なお本明細書、および特許請求の範囲では、ＥＬ層とは、第１の電極３５２と第２の電極３６２に挟まれる層を意味する。図１３では、ＥＬ層３５４は三つの層（第１の層３５６、第２の層３５８、第３の層３６０）を含むように示されているが、後述するように、ＥＬ層３５４中の層の数に制限はない。第１の電極３５２、ＥＬ層３５４、第２の電極３６２によって有機ＥＬ素子３５０が形成される。
【００４２】
有機ＥＬ素子３５０上には、有機ＥＬ素子３５０を保護するためのパッシベーション膜３７０が設けられる。パッシベーション膜３７０は外部から水や酸素などの不純物が有機ＥＬ素子３５０へ侵入することを防ぐ機能を有する。図１３に示すように、パッシベーション膜３７０は積層された複数の層を含有することができ、ここでは、第１の層３７２、第２の層３７４、第３の層３７６を有している。後述するように、第１の層３７２と第３の層３７６は無機化合物を含むことができ、第２の層３７４は有機化合物を含むことができる。パッシベーション膜３７０上には、接着層３８０を介して対向基板３０４が設けられる。
【００４３】
図１に示すように、本実施形態の表示装置１００は、表示パネル３００の下にタッチパネル２００が備えられる。したがって、表示パネル３００の画素３１０内に設けられる有機ＥＬ素子３５０などの表示素子は、表示パネル３００の上側に映像を与えるように構成することが好ましい。表示素子が有機ＥＬ素子の場合では、ＥＬ層３５４からの発光が第２の電極３６２から取り出されるよう、第１の電極３５２、第２の電極３６２を構成すればよい。
【００４４】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べたタッチパネル２００の作製方法の一例を、図１４乃至図２１を用いて説明する。図１４（Ａ）、１５（Ａ）、１６（Ａ）、１７（Ａ）、１８（Ａ）、１９（Ａ）、２０（Ａ）はタッチパネル２００の上面図である。図１４（Ｂ）、１５（Ｂ）、１６（Ｂ）、１７（Ｂ）、１８（Ｂ）、１９（Ｂ）、２０（Ｂ）は、図２の鎖線Ａ−Ａ’に対応する断面模式図であり、図１４（Ｃ）、１５（Ｃ）、１６（Ｃ）、１７（Ｃ）、１８（Ｃ）、１９（Ｃ）、２０（Ｃ）は、図２の鎖線Ｂ−Ｂ’に対応する断面模式図である。図２１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図２０（Ｂ）、（Ｃ）に示したタッチパネル２００上に表示パネル３００を搭載した状態を示す。第１実施形態と同様の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００４５】
まず、基板２０２上に第１の導波路２１０を形成する。具体的には、基板２０２上にクラッド２２２をストライプ状に形成する（図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。基板２０２は、検知領域２０４に含まれる第１の導波路２１０や第２の導波路２１２、および表示パネル３００を物理的に支持する機能を有する。したがって基板２０２には、この上に形成される第１の導波路２１０や第２の導波路２１２の形成プロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性、ならびに表示パネル３００を支える物理的強度を有する材料を使用すれば可撓性材料でもよい。具体的には、基板２０２はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。プラスチックとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートなどの高分子材料が挙げられる。
【００４６】
クラッド２２２は、この上に形成されるコア２２０よりも屈折率の低い高分子材料、あるいは発光素子２０６から出射される光を反射する金属を含むことができる。具体的には第１実施形態で述べた材料から選択することができる。高分子材料を用いる場合には、スピンコート法やインクジェット法、印刷法などの湿式成膜法を適用することでコア２２０を形成することができる。金属を用いる場合には、スパッタリング法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）などを用いればよい。
【００４７】
引き続き、クラッド２２２の上に、クラッド２２２と接するようにコア２２０を形成する（図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第１実施形態で述べたように、コア２２０は発光素子２０６から出射される光に対する吸収が小さく、かつ、ゴム弾性を有する材料を用いることができる。コア２２０は上述した湿式成膜法で形成することができる。
【００４８】
次に、コア２２０をクラッド２２２と２２４で取り巻くように、クラッド２２４を形成する（図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。すなわち、コア２２０の上面と、端面を除く側面を覆うようにクラッド２２４を形成する。したがって、両末端を除き、コア２２０の底面、側面、上面がすべてクラッド２２２、あるいは２２４で覆われる。なお、本実施形態では、コア２２０の断面形状は四角形であるが、これに限らず、多角形、円形、半円形等でも良い。一方、後述の通り、コア２２０の一端には発光素子２０６、他端には受光素子２０８が設けられる。これにより、コア２２０へ発光素子２０６からの光が導入され、その光が受光素子２０８で検知される。クラッド２２４もクラッド２２２と同様の方法で形成することができる。以上のプロセスにより、第１の導波路２１０が形成される。
【００４９】
次に、発光素子２０６と受光素子２０８を設置する（図１６（Ａ）、（Ｃ））。本実施形態では、発光素子２０６と受光素子２０８はコア２２０の上に形成する。なお、発光素子２０６と受光素子２０８は、クラッド２２４の形成前に設置してもよい。
【００５０】
次に、第１の導波路２１０の上面と側面を覆うように、中間層２１４を形成する（図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第１実施形態で述べたように、中間層２１４は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機化合物を含むことができる。この場合中間層２１４は、シランガス、あるいはトリアルコキシシランやテトラアルコキシシランなどを原料ガスとして、酸素やオゾンなどを酸素源として、アンモニアや酸化窒素などを窒素源として用い、ＣＶＤ法を適用して形成することができる。あるいは、無機化合物のターゲットに対してスパッタリングを行うことで中間層２１４を形成してもよい。
【００５１】
一方、中間層２１４を高分子材料で形成する場合、第１実施形態で述べた材料を選択し、かつ、コア２２０よりも弾性率の大きい材料を選択することができる。この場合、湿式成膜法を用いることで中間層２１４を形成することができる。高分子材料を用いて中間層２１４を形成した場合、第１の導波路２１０に起因する凹凸を吸収し、平坦な上面を与えることができる。このため、中間層２１４の上に形成される第２の導波路２１２のコア２３０の平坦性が向上し、ユーザの接触をより高精度で検出することができる。
【００５２】
次に、中間層２１４上に第２の導波路２１２を形成する。具体的には、中間層２１４上にクラッド２３２をストライプ状に形成する（図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。クラッド２３２は、クラッド２２２と交差するように形成する。クラッド２３２は、クラッド２２２と同様の方法、材料を用いて形成することができる。
【００５３】
引き続き、クラッド２３２の上に、クラッド２３２に接するようにコア２３０を形成する（図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。コア２３０もストライプ状に設けられ、コア２２０と交差するように配置される。コア２３０はコア２２０と同様の方法、材料を用いて形成することができる。
【００５４】
次に、第１の導波路２１０の形成と同様、コア２３０をクラッド２３２と２３４で巻くように、クラッド２３４を形成する（図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。すなわち、コア２３０の上面と、端面を除く側面を覆うようにクラッド２３４を形成する。したがって、両末端を除き、コア２３０の底面、側面、上面がすべてクラッド２３２、あるいは２３４で覆われる。一方、後述の通り、コア２３０の一端には発光素子２０６、他端には受光素子２０８が設けられる。これにより、発光素子２０６からの光が導入され、その光が受光素子２０８で検知される。クラッド２３４もクラッド２３２と同様の方法で形成することができる。以上のプロセスにより、第２の導波路２１２が形成される。
【００５５】
この後、第１の導波路２１０、第２の導波路２１２の両端に発光素子２０６、受光素子２０８を設置し、これにより、タッチパネル２００が形成される（図２、０）。発光素子２０６、受光素子２０８の例は第１実施形態で述べたとおりである。
【００５６】
図示していないが、第１の導波路２１０や第２の導波路２１２、発光素子２０６、受光素子２０８を覆うように保護膜を形成してもよい。保護膜は第１の導波路２１０や第２の導波路２１２、発光素子２０６、受光素子２０８を保護するためのものであり、酸化ケイ素や窒化ケイ素などのシリコンを含む無機化合物、あるいはポリイミドやアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステルなどの高分子材料などを含むことができる。
【００５７】
最後に、接着層２４０を介して表示パネル３００のアレイ基板３０２をタッチパネル２００上に固定することで、表示装置１００が得られる（図２１（Ａ）、（Ｂ））。
【００５８】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示パネル３００の作製方法の一例を図１３、図２２乃至図２４を用いて説明する。図２２乃至図２４は、図１３の断面模式図に対応する。第１、第２実施形態と同様の構成に関しては、説明を割愛することがある。
【００５９】
まず、アレイ基板３０２上にアンダーコート３１８を形成する（図２２（Ａ））。アレイ基板３０２は、トランジスタ３２０や有機ＥＬ素子３５０など、表示パネル３００に含まれる半導体素子などを支持する機能を有する。アレイ基板３０２は、基板２０２と同様の材料でも良く、例えばポリイミドなどの樹脂を含む可撓性材料でも良い。
【００６０】
アンダーコート３１８はアレイ基板３０２からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ３２０などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜であり、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。アンダーコート３１８はＣＶＤ法やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なおアレイ基板３０２中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート３１８は設けない、あるいはアレイ基板３０２の一部だけを覆うように形成してもよい。
【００６１】
次にアンダーコート３１８上に半導体膜３２２を形成する（図２２（Ａ））。半導体膜３２２は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜３２２は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜３２２はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜３２２の結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスでもよい。
【００６２】
半導体膜３２２がケイ素を含む場合、半導体膜３２２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜３２２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
【００６３】
次に半導体膜３２２を覆うようにゲート絶縁膜３２４を形成する（図２２（Ａ））。ゲート絶縁膜３２４は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、アンダーコート３１８と同様の手法で形成することができる。あるいは、酸化ハフニウムやハフニウムシリケートなどの高い誘電率を有する無機化合物を用いてもよい。
【００６４】
引き続き、ゲート絶縁膜３２４上にゲート電極３２６をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図２２（Ｂ））。ゲート電極３２６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。
【００６５】
次にゲート電極３２６上に層間膜３２８を形成する（図２２（Ｂ））。層間膜３２８は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、アンダーコート３１８と同様の手法で形成することができる。
【００６６】
次に、層間膜３２８とゲート絶縁膜３２４に対してエッチングを行い、半導体膜３２２に達する開口部を形成する。開口部は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。引き続き開口部を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース／ドレイン電極３３０を形成する（図２２（Ｃ））。金属膜はゲート電極３２６と同様の構造を有することができ、ゲート電極３２６の形成と同様の方法を用いて形成することができる。以上の工程により、トランジスタ３２０が形成される。
【００６７】
次に平坦化膜３４０を、ソース／ドレイン電極３３０を覆うように形成する（図２３（Ａ））。上述したように、平坦化膜３４０は、トランジスタ３２０やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜３４０は有機化合物で形成することができる。有機化合物としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、湿式成膜法よって形成することができる。平坦化膜３４０は上記有機化合物を含む層と無機化合物を含む層の積層構造を有していてもよい。この場合、無機化合物としては酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのシリコンを含有する無機化合物が挙げられ、これらを含む膜はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。
【００６８】
次に平坦化膜３４０に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極３３０の一方に達する開口部を形成する。その後開口部を覆うように、平坦化膜３４０上に有機ＥＬ素子３５０の第１の電極３５２をスパッタリング法などを用いて形成する（図２３（Ｂ））。本実施形態では第１の電極３５２がソース／ドレイン電極３３０と直接接する構成を示すが、第１の電極３５２とソース／ドレイン電極３３０の間に導電性を有する他の膜を形成してもよい。
【００６９】
第１の電極３５２は透光性を有する導電性酸化物、あるいは金属などを含有することができる。本実施形態では、有機ＥＬ素子３５０から得られる光をアレイ基板３０２とは逆方向に取り出すため、例えばアルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を第１の電極３５２に用いることができる。この場合、上記金属や合金、および透光性を有する導電性酸化物との積層構造、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造（導電性酸化物／銀／導電性酸化物）を採用してもよい。導電性酸化物としては、インジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００７０】
引き続き、第１の電極３５２の端部を覆うように、隔壁３４２を形成する（図２３（Ｂ））。隔壁３４２により、第１の電極３５２の端部などに起因する段差を覆うことができる。隔壁３４２は絶縁膜でもあり、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜３４０で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。
【００７１】
引き続き有機ＥＬ素子３５０を形成する。具体的には、第１の電極３５２、隔壁３４２上にＥＬ層３５４を形成する（図２４（Ａ））。図２４（Ａ）ではＥＬ層３５４は、第１の層３５６、第２の層３５８、第３の層３６０を含む三層構造を有しているが、ＥＬ層３５４の構造に制約はない。ＥＬ層３５４は単一の層で形成されてもよく、４つ以上の複数の層から形成されてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層など適宜を組み合わせてＥＬ層３５４を形成することができる。ＥＬ層３５４は上述した湿式法、あるいは蒸着法などによって形成することができる。第２の層３５８は、画素３１０間で個別に形成されており、画素毎に材料を変えることにより異なる色で発光させる。
【００７２】
図２４（Ａ）では、第１の層３５６と第３の層３６０は隣接する画素３１０に亘って連続的に形成され、第２の層３５８は隣接する画素３１０間で個別に形成される例を示しているが、ＥＬ層３５４の構造はこれに限られない。例えば全ての画素３１０に連続してＥＬ層３５４が形成されていても良い。この場合、例えば白色発光を与えるＥＬ層３５４を隣接する画素３１０に共有されるように形成し、カラーフィルタなどを用いて各画素３１０から取り出す光の波長を選択する。あるいは、隣接する画素３１０間でＥＬ層３５４の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素３１０間で発光層が異なり、他の層が同一の構造を有するようにＥＬ層３５４を形成してもよい。また逆に、ＥＬ層３５４の全ての層が、隣接する画素３１０間で個別に形成されても良い。
【００７３】
ＥＬ層３５４上に、第２の電極３６２を形成することで、有機ＥＬ素子３５０が形成される（図２４（Ａ））。例えばマグネシウムや銀などの金属や合金の膜を可視光が透過する程度の厚さで形成することで、第２の電極３６２を形成することができる。あるいはＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過する導電性酸化物を用い、スパッタリング法などによって第２の電極３６２を形成することができる。これにより、ＥＬ層３５４からの発光を第２の電極３６２を通して取り出すことができる。
【００７４】
次に、有機ＥＬ素子３５０上にパッシベーション膜３７０を形成する（図２４（Ｂ））。パッシベーション膜３７０は、図２４（Ｂ）に示すように、例えば三層構造を有することができる。このような構造は以下のように形成される。まず、第２の電極３６２上に第１の層３７２を形成する。第１の層３７２は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機化合物を含むことができ、アンダーコート３１８と同様の方法で形成することができる。引き続き第２の層３７４を形成する。第２の層３７４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含むことができる。また、図２４（Ｂ）に示すように、隔壁３４２に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層３７４は、上述した湿式成膜法によって形成することもできるが、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層３７２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって形成してもよい。その後、第３の層３７６を形成する（図２４（Ｂ））。第３の層３７６は、第１の層３７２と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。
【００７５】
このような構造を有するパッシベーション膜３７０は高いガスバリア性を示すため、水や酸素などの不純物の有機ＥＬ素子３５０への侵入を防ぐことができ、表示パネル３００に高い信頼性を与える。
【００７６】
この後、接着層３８０を用いて対向基板３０４をパッシベーション膜３７０上に固定する（図１３）。接着層３８０はエポキシ樹脂などを用いることができる。以上のプロセスにより、表示パネル３００が形成される。
【００７７】
その後、第２実施形態で述べたように、タッチパネル２００上に表示パネル３００を固定することで、表示装置１００を作製することができる（図２１）。
【００７８】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
本明細書においては、開示例として主に有機ＥＬ素子を有する表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００８０】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８１】
１００：表示装置、２００：タッチパネル、２０２：基板、２０４：検知領域、２０６：発光素子、２０８：受光素子、２１０：第１の導波路、２１２：第２の導波路、２１４：中間層、２１６：配線、２１８：配線、２２０：コア、２２２：クラッド、２２４：クラッド、２２６：カバー、２３０：コア、２３２：クラッド、２３４：クラッド、２３６：カバー、２４０：接着層、３００：表示パネル、３０２：アレイ基板、３０４：対向基板、３０６：表示領域、３０８：駆動回路、３１０：画素、３１２：配線、３１４：コネクタ、３１８：アンダーコート、３２０：トランジスタ、３２２：半導体膜、３２４：ゲート絶縁膜、３２６：ゲート電極、３２８：層間膜、３３０：ソース／ドレイン電極、３４０：平坦化膜、３４２：隔壁、３５０：有機ＥＬ素子、３５２：第１の電極、３５４：ＥＬ層、３５６：第１の層、３５８：第２の層、３６０：第３の層、３６２：第２の電極、３７０：パッシベーション膜、３７２：第１の層、３７４：第２の層、３７６：第３の層、３８０：接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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