(57)【要約】【課題】使用環境によらず、視認性の高い表示装置を提供する。【解決手段】発光素子と、液晶素子とを有する。発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有する。液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、第３の電極上の液晶層と、液晶層上の第４の電極と、を有する。第３の電極は、第１の開口部を有し、発光層は、第１の開口部と重なる領域を有する、第３の電極は、発光層と重なる領域において、発光層側の面に曲面を有する表示装置である。【選択図】図１
2018013698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、
前記第１の表示素子は、発光素子を有し、
前記第２の表示素子は、液晶素子を有し、
前記発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極と、を有し、
前記液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、前記第３の電極上の液晶層と、前記液晶層上の第４の電極と、を有し、
前記第３の電極は、開口部を有し、
前記発光層は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記発光層と重なる領域において、前記第３の電極は、前記発光層側の面に曲面を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、
前記第１の表示素子は、発光素子を有し、
前記第２の表示素子は、液晶素子を有し、
前記発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極と重なるように配置された、着色層を有し、
前記液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、前記第３の電極上の液晶層と、前記液晶層上の第４の電極と、を有し、
前記第３の電極は、開口部を有し、
前記発光層は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第３の電極は、前記着色層上に配置され、
前記第３の電極は、前記着色層の表面に沿うように曲面を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の表示素子と、
前記第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、
前記第１の表示素子は、発光素子を有し、
前記第２の表示素子は、液晶素子を有し、
前記発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極と重なるように配置された、構造物を有し、
前記構造物は、有機材料を有し、
前記液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、前記第３の電極上の液晶層と、前記液晶層上の第４の電極と、を有し、
前記第３の電極は、開口部を有し、
前記発光層は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第３の電極は、前記構造物上に配置され、
前記第３の電極は、前記構造物の表面に沿うように曲面を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記発光層は、前記第１の電極の端部を覆った絶縁膜と重なる領域に、第２の開口部を有し、
前記第２の開口部には、前記第３の電極が配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記発光素子は、前記液晶素子と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。表示装置としては、例えば、発光素子を有する発光装置、液晶素子を有する液晶層表示装置等が開発されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、発光装置として有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が適用され、さらに可撓性を有する技術が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、液晶層表示装置として可視光を反射する領域と可視光を透過する領域とを有する技術が開示されている。特許文献２には、十分な外光が得られる環境下では反射領域を利用し、十分な外光が得られない環境下では透過領域を利用する、半透過型の液晶層表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１９７５２２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９１７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、使用環境によらず、視認性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、利便性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、表示装置の薄型化または軽量化を課題の一とする。本発明の一態様は、新規な表示装置などを提供することを課題の一とする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明の一態様は、第１の表示素子と、第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、第１の表示素子は、発光素子を有し、第２の表示素子は、液晶素子を有し、発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有し、液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、第３の電極上の液晶層と、液晶層上の第４の電極と、を有し、第３の電極は、開口部を有し、発光層は、開口部と重なる領域を有し、発光層と重なる領域において、第３の電極は、発光層側の面に曲面を有する表示装置である。第３の電極は、発光層側の面が凹状となっている。
【００１０】
本願発明の一態様は、第１の表示素子と、第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、第１の表示素子は、発光素子を有し、第２の表示素子は、液晶素子を有し、発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有し、第２の電極と重なるように配置された、着色層を有し、液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、第３の電極上の液晶層と、液晶層上の第４の電極と、を有し、第３の電極は、開口部を有し、発光層は、開口部と重なる領域を有し、第３の電極は、着色層上に配置され、第３の電極は、着色層の表面に沿うように曲面を有する表示装置である。
【００１１】
本願発明の一態様は、第１の表示素子と、第１の表示素子と重なるように配置された、第２の表示素子と、を有し、第１の表示素子は、発光素子を有し、第２の表示素子は、液晶素子を有し、発光素子は、可視光を反射する機能を有する第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有し、第２の電極と重なるように配置された、構造物を有し、構造物は、有機材料を有し、液晶素子は、可視光を反射する機能を有する第３の電極と、第３の電極上の液晶層と、液晶層上の第４の電極と、を有し、第３の電極は、開口部を有し、発光層は、開口部と重なる領域を有し、第３の電極は、構造物上に配置され、第３の電極は、構造物の表面に沿うように曲面を有する表示装置である。
【００１２】
本発明の一態様において、発光層は、第１の電極の端部を覆った絶縁膜と重なる領域に、第２の開口部を有し、第２の開口部には、前記第３の電極が配置されてもよい。
【００１３】
本発明の一態様において、発光素子は、液晶素子と重なる領域を有してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様により、使用環境の明るさによらず、視認性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、消費電力の低い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、利便性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、表示装置の薄型化または軽量化が可能となる。本発明の一態様により、新規な表示装置などを提供することができる。
【００１５】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】表示装置の一例を示す断面図。
【図２】表示装置の一例を示すブロック図。
【図３】画素の一例を示す図。
【図４】画素の一例を示す図。
【図５】画素の一例を示す図。
【図６】表示装置の一例を示す断面図。
【図７】表示装置の一例を示す断面図。
【図８】トランジスタの一例を示す断面図。
【図９】表示装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図１０】表示装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図１１】表示装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図１２】表示装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図１３】表示装置の一例及び画素の一例を示す図。
【図１４】表示装置の画素回路の一例を示す回路図。
【図１５】表示装置の画素回路の一例を示す回路図及び画素の一例を示す図。
【図１６】表示装置の一例を示す斜視図。
【図１７】表示モジュールの一例を示す図。
【図１８】電子機器の一例を示す図。
【図１９】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、符号を付さない場合がある。
【００１９】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図１２を用いて説明する。
【００２１】
図１（Ａ）に示す表示装置１０は、基板１１上に、第１の表示素子３１と、第２の表示素子３２とを有する。第１の表示素子３１は、トランジスタ４１等によって制御される。第１の表示素子３１は、可視光を発光する機能を有するものであればよい。図１（Ａ）では、第１の表示素子３１として発光素子を例に説明する。
【００２２】
第１の表示素子３１は、電極１２１を有する。電極１２１は、トランジスタ４１上の絶縁層１３４上に設けられる。電極１２１は絶縁層１３４が有する開口部を介して、トランジスタ４１と電気的に接続される。トランジスタ４１と電気的に接続された電極１２１は、第１の表示素子３１の第１の電極として機能する。電極１２１は、第１の表示素子からの発光２１の射出方向を考慮して、可視光を反射する導電性材料を用いるとよい。電極１２１は、画素ごとに分離されている。
【００２３】
電極１２１の端部を覆って、絶縁層１３５が設けられる。絶縁層１３５はバンクとして機能する。
【００２４】
電極１２１上に、発光層１２２を形成する。発光層１２２は絶縁層１３５上にも形成される。発光層１２２は、少なくとも絶縁層１３５の開口部にて露出した電極１２１上に形成される。発光層１２２は、絶縁層１３５の開口部にて露出した電極１２１、絶縁層１３５の開口部、及び絶縁層１３５の上面に渡って形成される。発光層１２２を形成するためのマスクは、絶縁層１３５の開口部に合うように配置される。マスクの開口部は、絶縁層１３５の開口部より大きいため、絶縁層１３５の上面にも発光層１２２が形成される。発光層１２２は、絶縁層１３５の開口部において、絶縁層１３５の上面と比較して、盛り下がって形成される。
【００２５】
発光層１２２上に、電極１２３を設ける。電極１２３は、第１の表示素子３１からの発光方向を考慮して、可視光を透過する透明な導電性材料を用いるとよい。電極１２３は、第１の表示素子３１の第２の電極として機能する。
【００２６】
電極１２３上に、絶縁層１２５を設ける。絶縁層１２５によって、第１の表示素子３１への汚染を防止することができる。第１の表示素子３１が有する発光層１２２は水分によって劣化等するため、絶縁層１２５によって、水分等の侵入を防止することもできる。
【００２７】
絶縁層１２５、電極１２３、発光層１２２、絶縁層１３５、及び絶縁層１３４に対して開口部５０を設ける。開口部５０は、ドライエッチングを用いて形成するとよい。発光層１２２が水分によって劣化するため、ウェットエッチングより、ドライエッチングが好ましい。開口部５０を形成する間、発光層１２２は、絶縁層１２５によって保護されている。そのため、ウェットエッチングを用いて開口部５０を形成することも可能である。開口部５０を形成するにあたり、ドライエッチングと、ウェットエッチングとを組み合わせて使用してもよい。
【００２８】
絶縁層１３５の形状に着目する。絶縁層１３５は、バンクとして機能する絶縁層であるが、電極１２１を露出するための開口部がある。よって、絶縁層１３５上に形成される、発光層１２２、電極１２３、及び絶縁層１２５は、当該絶縁層１３５の形状に沿った形状を有する。具体的には、発光層１２２、電極１２３、及び絶縁層１２５は、それぞれ、凹形状を有する。
【００２９】
凹形状には、着色層１５２を形成する。つまり、着色層１５２を、凹形状と重なるように形成することで、着色層１５２の形成時の位置合わせが簡便なものとなる。
【００３０】
着色層１５２は、カラーフィルタ等を用いればよい。着色層１５２を介して、第１の表示素子３１から発光２１が射出する。着色層１５２は、第１の表示素子３１のカラー表示を補助することができる。着色層１５２は、有機材料を有し、発光層１２２、電極１２３又は絶縁層１２５と比べて、膜厚が大きい。着色層１５２が十分な膜厚を有することで、着色層１５２の上面は盛り上がった形状となる。さらに着色層１５２の上面は丸みを有するよい。着色層１５２の形状は、液晶層２２２側に凸状である。着色層１５２の上面は、液晶層２２２側に湾曲している。
【００３１】
着色層１５２により、着色層１５２の上下に設けられた配線による配線容量を低減することができる。
【００３２】
着色層１５２を覆って、絶縁層２３４を形成する。着色層１５２は、絶縁層１２５と、絶縁層２３４とで囲まれることになる。これら絶縁層により、着色層１５２から発生する不純物の拡散を防止することができる。結果、発光層１２２への不純物汚染を防止することができる。よって、着色層１５２を発光層１２２と近づけて配置することができる。きれいな色調を得ることができる。
【００３３】
高精細パネルになると、画素ピッチは小さくなっていく。画素ピッチが小さくなると、着色層１５２と、発光層１２２との距離は、近い方がより好ましい。たとえば着色層１５２が対向基板（図１（Ａ）で示す基板１２等）にあるような場合、着色層１５２は、発光層１２２と離れて配置されることとなる。この場合、発光層１２２からの発光が、隣の画素のために設けられた着色層１５２へも射出されることがあり、混色の原因になる。よって、着色層１５２は、発光層１２２の近くに配置された方が好ましい。
【００３４】
絶縁層２３４と、開口部５０との関係を説明する。絶縁層２３４は、先に形成された開口部５０にも形成される。すると、開口部５０で、露出している発光層１２２の側面は、絶縁層２３４で覆われる。発光層１２２は、下面を絶縁層１３５で保護され、上面を絶縁層１２５で保護され、側面を絶縁層２３４で保護されることとなる。発光層１２２の劣化を防止することができる。これら絶縁層で保護しない場合と比較して、発光層１２２への水分侵入を防止できるためである。発光層１２２への水分侵入等を防止するためには、絶縁層１３５、絶縁層１２５、絶縁層２３４を無機材料で形成するとよい。無機材料は、窒化シリコンなどが挙げられる。
【００３５】
開口部５０を介して、第２の表示素子３２と、トランジスタ４２とが電気的に接続される。第２の表示素子３２は、液晶素子を用いることができる。第２の表示素子３２は、電極２２１を有する。電極２２１は、外光や可視光を反射する機能を有する導電性材料を有する。つまり第２の表示素子３２は、反射型の液晶素子を用いることができる。反射型の液晶素子は、電極２２１で外光が反射させ、反射光２２を取り出す機能を有する。
【００３６】
第２の表示素子３２と、トランジスタ４２とが、開口部５０を介して電気的に接続するため、絶縁層２３４は、開口部５０の内側にて、開口部を有する。開口部５０の斜面にテーパが設けられると、開口部５０の内側において、絶縁層２３４の開口部を形成しやすくなる。
【００３７】
絶縁層２３４の開口部を形成した後、電極２２１を形成する。電極２２１を形成する際、開口部５０に充填するように形成するとよい。電極２２１により、第２の表示素子３２と、トランジスタ４２とが、電気的に接続される。
【００３８】
着色層１５２上における、電極２２１について説明する。電極２２１は、第２の表示素子３２の電極として機能するため、表面積は広くなるにつれて表示が明るく等なって好ましい。一方で、電極２２１は、第１の表示素子３１からの発光２１を通過させなければならない。そのため、電極２２１は一部に開口部３６を有する。当該開口部３６は、第１の表示素子３１と重なるように設ける。つまり、当該開口部３６は、着色層１５２と重なるように設ける。開口部３６を介して、第１の表示素子３１の発光２１は表示面側に射出される。
【００３９】
上述したとおり、着色層１５２の上面は盛り上がっているため、着色層１５２上の絶縁層２３４の上面も盛り上がった形状を有する。絶縁層２３４上の電極２２１も、盛り上がった形状を有する。当該盛り上がった領域において、電極２２１へ開口部３６を形成する。
【００４０】
電極２２１の形状につき、別言する。電極２２１は、発光層１２２側の面に、曲面を有する。電極２２１は、着色層１５２の形状に沿った形状を有する。
【００４１】
第１の表示素子３１は、開口部３６を通過して、表示面側に射出される光と、そうでない光とがある。この射出されない光について、検討する。第１の表示素子３１から射出された発光２１のうち、開口部３６を通過しないものが射出されていない光である。しかしながら図１に示す電極２２１の形状であれば、当該射出されていない光が、電極１２１と、電極２２１との間で、１回又は複数回、反射が行われた後に、開口部３６から光２１ｂとして取り出すことができる（図１（Ａ）の光２１ｂ）。つまり、電極２２１が発光層１２２側の面に、曲面を有することによって、発光層１２２から水平方向等へ拡散してしまっていた光の一部を集光させることができる。その結果、開口部３６から射出される発光２１の量を増やすことができる。第１の表示素子３１の形成領域を大きくすると、光２１ｂの量が増えることとなる。第１の表示素子３１は、第２の表示素子３２と重なるように設けるとよい。
【００４２】
このような構成により、重ならない場合と比較すると、第１の表示素子３１の発光面積を増やすことができる。よって、第１の表示素子３１からの輝度を高めることができ、第１の表示素子３１からの発光効率を１００％以上とすることができる。つまり第１の表示素子３１の発光面積を見かけ上増やすことが可能となり、見かけ上の開口率を１００％以上とすることが可能となる。さらに、このような構成により、第１の表示素子３１が有する発光素子の寿命を延ばすことができる。
【００４３】
第２の表示素子３２について、説明する。第２の表示素子３２は、液晶層２２２を有する。液晶層２２２は、基板１１と、基板１２との間にある。液晶層２２２を制御するため、基板１２側にも電極２２３が設けられている。
【００４４】
電極２２１上には、電極２２５が形成される。電極２２５は、可視光を透過する機能を有する。よって、外光は電極２２１で反射し、反射光２２となる。当該電極２２５は、開口部３６にも設けられる。開口部３６は、第１の表示素子３１からの発光を得られる箇所である。そのため、開口部３６上の液晶層２２２も制御することが好ましい。
【００４５】
電極２２５は、トランジスタ４２と電気的に接続されている。電極２２５によって、液晶層２２２全体を制御することができる。
【００４６】
図１（Ａ）等に示すような表示装置において、第１の表示素子３１のみを表示させてもよいし、第２の表示素子３２のみを表示させてもよいし、第１の表示素子３１及び第２の表示素子３２を表示させてもよい。使用環境によらず、視認性の高い表示装置を提供することができる。
【００４７】
図１（Ｂ）に示す表示装置は、図１（Ａ）に示した表示装置の電極２２５を有していない構造を持つ。その他の構成は、図１（Ａ）に示した表示装置と同様であるため、説明を省略する。電極２２５を有していなくとも、第１の表示素子３１のみを表示させてもよいし、第２の表示素子３２のみを表示させてもよいし、第１の表示素子３１及び第２の表示素子３２を表示させることができる。
【００４８】
トランジスタについて説明する。
【００４９】
トランジスタ４１、トランジスタ４２のチャネル形成領域に酸化物半導体を適用すると、オフ電流が低くなり、好ましい。消費電力の低い表示装置を提供することができる。
【００５０】
オフ電流をより低くするには、トランジスタ４１と電気的に接続される容量素子、トランジスタ４２と電気的に接続される容量素子を設けるとよい。
【００５１】
オフ電流が低いと、トランジスタ４２と電気的に接続された第２の表示素子３２を用いて静止画を表示する際に、画素への信号の書き込み動作を停止しても、階調を維持させることが可能となる。すなわち、フレームレートを小さくしても表示を保つことができる。フレームレートを極めて小さくすることで、低消費電力な駆動を行うことができる。
【００５２】
トランジスタ４１のチャネル形成領域、トランジスタ４２のチャネル形成領域をともに酸化物半導体とする場合、それぞれ、酸化物半導体の組成を異ならせてもよい。また、上記チャネル形成領域として、それぞれ、酸化物半導体を積層して用いてもよい。トランジスタ４１のチャネル形成領域と、トランジスタ４２のチャネル形成領域とにおいて、酸化物半導体の積層数など、積層構造を異ならせてもよい。
【００５３】
トランジスタ４１、トランジスタ４２のチャネル形成領域にシリコン半導体を適用してもよい。
【００５４】
トランジスタ４１のチャネル形成領域をシリコン半導体層に形成し、トランジスタ４２のチャネル形成領域を酸化物半導体層に形成する構成としてもよい。
【００５５】
図１（Ａ）乃至（Ｂ）では、基板１１上に、トランジスタ４１、トランジスタ４２を配置したが、トランジスタ４１と、トランジスタ４２との配置関係を積層としてもよい。つまり、トランジスタ４１上にトランジスタ４２を配置してもよいし、トランジスタ４２上にトランジスタ４１を配置してもよい。
【００５６】
チャネル形成領域に着目すると、トランジスタ４１のチャネル形成領域と、トランジスタ４２のチャネル形成領域との配置関係を積層としてもよい。その他の、ゲート電極、ゲート絶縁層などは、同一層に形成してもよい。
【００５７】
図２に、表示装置１０のブロック図を示す。表示装置１０は、表示部１４を有する。
【００５８】
表示部１４は、複数の画素３０を有する。複数の画素３０はマトリクス状に配置されている。一つの画素３０は、第１の画素３１ｐと、第２の画素３２ｐを有する。第２の画素３２ｐは、第１の画素３１ｐと重なるように配置される。
【００５９】
第１の画素３１ｐが有する表示素子は、発光素子である。たとえば、図１で示した第１の表示素子３１が第１の画素３１ｐとして設けられる。第１の画素３１ｐはカラー表示を可能にするため、赤色（Ｒ）に対応する第１の赤色表示素子３１Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する第１の緑色表示素子３１Ｇ、青色（Ｂ）に対応する第１の青色表示素子３１Ｂを有する。発光層１２２に異なる発光材料を用いると、第１の赤色表示素子３１Ｒ、第１の緑色表示素子３１Ｇ、第１の青色表示素子３１Ｂを得ることができる。また着色層１５２に異なる有機材料を用いると、第１の赤色表示素子３１Ｒ、第１の緑色表示素子３１Ｇ、第１の青色表示素子３１Ｂを得ることができる。
【００６０】
第２の画素３２ｐが有する表示素子は、液晶素子である。たとえば、図１で示した第２の表示素子３２が第２の画素３２ｐとして設けられる。第２の画素３２ｐはカラー表示を可能にするため、赤色（Ｒ）に対応する第２の赤色表示素子３２Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する第２の緑色表示素子３２Ｇ、青色（Ｂ）に対応する第２の青色表示素子３２Ｂを有する。第２の表示素子３２にカラーフィルタなどの着色層を設けることによって、第２の赤色表示素子３２Ｒ、第２の緑色表示素子３２Ｇ、第２の青色表示素子３２Ｂを得ることができる。
【００６１】
第２の赤色表示素子３２Ｒは、第１の赤色表示素子３１Ｒよりも上方に位置する。第２の緑色表示素子３２Ｇは、第１の緑色表示素子３１Ｇよりも上方に位置する。第２の青色表示素子３２Ｂは、第１の青色表示素子３１Ｂよりも上方に位置する。
【００６２】
図３（Ａ）乃至（Ｃ）は、画素３０の構成例を示す模式図である。
【００６３】
図３（Ａ）は、第１の画素３１ｐと第２の画素３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３のモード）を示す。
【００６４】
第１の画素３１ｐが有する、第１の赤色表示素子３１Ｒ、第１の緑色表示素子３１Ｇ、第１の青色表示素子３１Ｂは、それぞれ光を表示面側に射出する。第１の赤色表示素子３１Ｒからは、赤色の光Ｒｔが射出され、第１の緑色表示素子３１Ｇからは緑色の光Ｇｔが射出され、第１の青色表示素子３１Ｂからは青色の光Ｂｔが射出される。
【００６５】
第２の画素３２ｐが有する、第２の赤色表示素子３２Ｒ、第２の緑色表示素子３２Ｇ、第２の青色表示素子３２Ｂは、それぞれ、外光Ｌを反射して反射光を得る。第２の赤色表示素子３２Ｒは、光Ｒｒを表示画面側に反射し、第２の緑色表示素子３２Ｇは、光Ｇｒを表示画面側に反射し、第２の青色表示素子３２Ｂは、光Ｂｒを表示画面側に反射する。
【００６６】
透過光となる光Ｒｔ、光Ｇｔ、光Ｂｔと、反射光となる光Ｒｒ、光Ｇｒ、光Ｂｒとを用いて、所定の色の光３５ｔｒを表示面側に射出することができる。
【００６７】
図３（Ｂ）は、第２の画素３２ｐのみを駆動させることにより、反射光を用いて表示を行うモード（第１のモード）に対応する。画素３０は、例えば外光が十分に強い場合などでは、第１の画素３１ｐを駆動させずに、第２の画素３２ｐからの光Ｒｒ、光Ｇｒ、及び光Ｂｒのみを用いて、光３５ｒを表示面側に射出することができる。このモードは、例えば、文書情報などのカラー表示を必要としない情報を表示することに適しており、駆動電力が低くて好ましい。表示装置の低消費電力化に貢献できるモードである。
【００６８】
図３（Ｃ）は、第１の画素３１ｐのみを駆動させることにより、透過光（発光）を用いて表示を行うモード（第２のモード）に対応する。画素３０は、例えば使用環境の外光が弱い場合などでは、第２の画素３２ｐを駆動させずに、第１の画素３１ｐからの光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔのみを用いて、光３５ｔを表示面側に射出することができる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また周囲が暗い場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。使用環境の明るさによらず、視認性の高い表示装置を提供することができる。
【００６９】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）、図５（Ａ）乃至（Ｃ）には、図３（Ａ）とは異なる、画素３０の構成例を示す。なお図４（Ａ）乃至（Ｃ）、図５（Ａ）乃至（Ｃ）では、第１の画素３１ｐと第２の画素３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３のモード）に対応した模式図を示しているが、上記図３（Ｂ）、（Ｃ）と同様に、第１の画素３１ｐまたは第２の画素３２ｐのみを駆動させるモード（第１のモード又は第２のモード）でも表示を行うことができる構成例である。
【００７０】
まず、第１の画素３１ｐについて確認する。図４（Ａ）、（Ｃ）、図５（Ｂ）では、第１の赤色表示素子３１Ｒ、第１の緑色表示素子３１Ｇ、第１の青色表示素子３１Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する第１の白色表示素子３２Ｗを有する。
【００７１】
図４（Ｂ）、図５（Ｃ）に示す第１の画素３１ｐは、第１の赤色表示素子３１Ｒ、第１の緑色表示素子３１Ｇ、第１の青色表示素子３１Ｂに加えて、黄色（Ｙ）を呈する第１の黄色表示素子３１Ｙを有する。
【００７２】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す構成は、第１の白色表示素子３１Ｗ及び第１の黄色表示素子３１Ｙを有さない構成に比べて、第２の画素３１ｐを用いた表示モード（第１のモード及び第３のモード）における消費電力を低減することができる。
【００７３】
次に、第２の画素３２ｐについて確認する。図４（Ｃ）に示す第２の画素３２ｐは、第２の赤色表示素子３２Ｒ、第２の緑色表示素子３２Ｇ、第２の青色表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する第２の白色表示素子３２Ｗを有する。
【００７４】
図４（Ｃ）に示す構成は、図３（Ａ）に示す構成に比べて、第２の画素３２ｐを用いた表示モード（第２のモード及び第３のモード）における消費電力を低減することができる。
【００７５】
図５（Ａ）乃至（Ｃ）に示す第１の画素３２ｐは、白色を呈する第１の白色表示素子３１Ｗのみを有する。このとき、第１の画素３２ｐのみを用いた表示モード（第２のモード）では、白黒表示またはグレースケールでの表示を行うことができ、第１の画素３１ｐを用いた表示モード（第１のモード及び第３のモード）では、カラー表示を行うことができる。
【００７６】
このような構成とすることで、第２の画素３２ｐの反射率を向上させ、より明るい表示を行うことができる。
【００７７】
図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び図７（Ａ）、（Ｂ）に、表示装置の断面構成例を示す。
【００７８】
＜構成例１＞
図６（Ａ）に示す表示装置１０Ａは、基板１１、接着層５１、絶縁層１３１、トランジスタ１１０ａ、トランジスタ１１０ｂ、絶縁層１３３、絶縁層１３４、発光素子１２０、絶縁層１３５、絶縁層１２５、着色層１５２、絶縁層２３４、液晶層２２２を有する液晶素子２２０、配向膜２２４ａ、配向膜２２４ｂ、及び基板１２を有する。
【００７９】
トランジスタ１１０ａとトランジスタ１１０ｂとは、同一面上に位置する。図６（Ａ）では、トランジスタ１１０ａとトランジスタ１１０ｂとが絶縁層１３１上に位置する例を示す。トランジスタ１１０ａは、発光素子１２０と電気的に接続され、トランジスタ１１０ｂは、液晶素子２２０と電気的に接続される。発光素子１２０は、トランジスタ１１０ａよりも上方に位置する。液晶素子２２０は、トランジスタ１１０ｂよりも上方に位置する。液晶素子２２０は、発光素子１２０よりも上方に位置する。
【００８０】
基板１１及び基板１２は、それぞれ、可撓性を有することが好ましい。基板１１は接着層５１により絶縁層１３１と貼り合わされている。基板１２には対向電極として機能する電極２２３が設けられ、電極２２３に接して、配向膜２２４ｂが設けられている。基板１２を接着層にて貼り合わせてもよい。
【００８１】
表示装置１０Ａは、別の基板上で作製したトランジスタ及び発光素子等を、基板１１上に転置することで作製できる。トランジスタや発光素子等を被剥離層と呼ぶ。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い基板上で形成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐熱性の低い基板によって制限されない。軽い、薄い、または可撓性が高い基板１１に被剥離層を転置することで、表示装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。上記被剥離層を転置するには、耐熱性の高い基板上に剥離層を形成した後に、剥離層を分断して、基板１１へ転置すればよい。剥離層を分断する際、一部に剥離層が残る場合もある。残った剥離層を除去した後に、基板１１へ転置しても、除去せずに基板１１へ転置してもよい。
【００８２】
なお、基板１１の耐熱性及び被剥離層の形成温度によっては、基板１１上に直接、トランジスタ及び発光素子等を作製することもできる。
【００８３】
基板１２よりも外側に、偏光板または円偏光板等を設けてもよい。
【００８４】
図６（Ａ）に示すトランジスタ１１０ａ、１１０ｂは、ボトムゲート構造のトランジスタである。
【００８５】
トランジスタ１１０ａ、１１０ｂは、それぞれ、導電層１１１、絶縁層１３２、半導体層１１２、導電層１１３ａ、及び導電層１１３ｂを有する。導電層１１１は絶縁層１３２を介して半導体層１１２と重なる。半導体層１１２は、チャネル形成領域を有する。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、半導体層１１２と電気的に接続される。
【００８６】
導電層１１１は、ゲートとして機能する。絶縁層１３２は、ゲート絶縁層として機能する。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。絶縁層１３３は、トランジスタの保護層として機能することができる。
【００８７】
トランジスタ１１０ａ、１１０ｂは、チャネルエッチ型であり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。
【００８８】
半導体層１１２は、酸化物半導体を有することが好ましい。半導体層１１２は、シリコン半導体層を有してもよい。
【００８９】
絶縁層１３４は、平坦化機能を有することが好ましい。これにより、発光素子１２０を平坦な面上に形成することができる。
【００９０】
発光素子１２０は、電極１２１、発光層１２２、及び電極１２３を有する。発光層１２２は、電極１２１と電極１２３との間に位置する。発光層１２２は、少なくとも発光性の物質を含む。電極１２１は可視光を反射する機能を有することが好ましい。電極１２３は可視光を透過する機能を有する。
【００９１】
発光素子１２０は、電極１２１と電極１２３との間に電圧を印加することで、基板１２側に発光２１を射出する。
【００９２】
電極１２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。発光層１２２と電極１２３は、複数の画素にわたって配置されている。電極１２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。
【００９３】
電極１２１は、絶縁層１３４に設けられた開口部を介して、トランジスタ１１０ａが有する導電層１１３ａと電気的に接続される。電極１２１の端部は、絶縁層１３５によって覆われている。
【００９４】
絶縁層１２５は、電極１２３上に設けられている。発光素子１２０上に絶縁層１２５を設けることで、発光素子１２０に不純物が入り込むことを抑制し、発光素子１２０の信頼性を高めることができる。特に、絶縁層１２５が無機絶縁層を有すると、発光素子１２０の信頼性をより高めることができ、好ましい。
【００９５】
着色層１５２は、絶縁層１２５上に設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０の発光領域と重なる位置に設けられる。発光素子１２０の発光は、着色層１５２を介して表示装置から射出される。
【００９６】
発光素子１２０は、画素によって着色層１５２の色を変えることで、様々な色を呈することができる。表示装置１０Ａは、発光素子１２０を用いて、カラー表示を行うことができる。
【００９７】
液晶素子２２０は基板１２側に反射光２２を射出する。電極２２１と電極２２３との間に生じる電界により、液晶層２２２の配向を制御することができる。
【００９８】
液晶素子２２０は、可視光を反射する機能を有する電極２２１と、液晶層２２２と、可視光を透過する機能を有する電極２２３と、を有する。液晶層２２２は、液晶層２２２は、配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に位置する。
【００９９】
電極２２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。電極２２１は、開口部３６を有する。発光素子１２０は、開口部３６を重なるように配置する。発光素子１２０からの発光２１を、開口部３６を介して射出するためである。
【０１００】
電極２２３は、複数の画素にわたって配置されている。電極２２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。
【０１０１】
基板１２側にはカラーフィルタを配置していない。よって、液晶素子２２０は、白色を呈する。表示装置１０Ａは、液晶素子２２０を用いて、白黒またはグレースケールでの表示を行うことができる。液晶素子２２０を用いてカラー表示を行うためには、基板１２側にカラーフィルタ等を配置すればよい。
【０１０２】
絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５、発光層１２２、電極１２３、及び絶縁層１２５は、トランジスタ１１０ａが有する導電層１１３ａと重なる位置に開口部５０を有する。
【０１０３】
絶縁層２３４は、絶縁層１２５上に位置し、開口部５０の側面を覆うように設けられる。開口部５０において、露出する発光層１２２の汚染を防止するためである。トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａと重なる位置に、絶縁層２３４は開口部を有する。当該開口部は、開口部５０と重なる位置に形成される。開口部を介して、トランジスタ１１０ｂは、液晶素子２２０と電気的に接続される。
【０１０４】
絶縁層２３４は、無機材料を有するとよい。露出した発光層１２２の側面を保護する機能が高く、好ましい。また着色層１５２は、上面を絶縁層２３４で覆われ、下面を絶縁層１２５で覆われている。絶縁層２３４が、無機材料を有すると着色層１５２からの汚染物の放出を抑えることができ、好ましい。
【０１０５】
開口部５０を設けた際に露出した発光層１２２の側面以外に、電極１２３の側面も露出する。絶縁層２３４は、電極１２３の側面も覆うことができる。したがって、電極２２１と電極１２３とを電気的に絶縁することができ、ショートを防止することができる。また、発光層１２２の導電性が高い場合であっても、電極２２１と発光層１２２とは絶縁層２３４によって、電気的に絶縁されているため、発光素子１２０と液晶素子２２０の双方に不具合は生じない。
【０１０６】
本実施の形態の表示装置では、発光素子１２０と電気的に接続されるトランジスタ１１０ａと、液晶素子２２０と電気的に接続されるトランジスタ１１０ｂと、が同一面上に位置する。そのため、２つのトランジスタを別々の面上に形成する場合に比べて、表示装置１０Ａの厚さを薄くすることができる。表示装置の薄型化または軽量化が可能となる。また、２つのトランジスタを同一の工程で作製できるため、２つのトランジスタを別々の面上に形成する場合に比べて、作製工程を簡略化することができる。
【０１０７】
＜構成例２＞
図６（Ｂ）に示す表示装置１０Ｂは、基板１２側に着色層１５５と、オーバーコート層１５３と、を有する。着色層１５５としてカラーフィルタを用いることができる。オーバーコート層１５３を設けると、着色層１５２に含まれる不純物が液晶層２２２に拡散することを抑制できるため、好ましい。オーバーコート層１５３は設けなくともよい。その他の構成は、図６（Ａ）の表示装置１０Ａと同様であるため、図６（Ｂ）での説明は省略する。
【０１０８】
着色層１５５は、液晶素子２２０をカラー表示とさせるために設けるものである。液晶素子２２０に着目すると外光が着色層１５５を通過し、電極２２１で反射した反射光２２も着色層１５５を通過する。液晶素子２２０に関し、光は着色層１５５を往復することになる。発光素子１２０側にある着色層１５２は、発光素子１２０からの発光２１が１回通過するだけである。そのため、着色層１５５の膜厚は、着色層１５２の膜厚よりも小さくなる。着色層１５５の厚さは、着色層１５２の厚さの４０％以上６０％以下であることが好ましい。
【０１０９】
着色層１５５は、発光２１が通過する領域に、開口部３７を有する。発光素子１２０からの発光２１は、着色層１５５を通過しないため、輝度の高いカラー表示を維持することができる。
【０１１０】
図６（Ｂ）の構造により、発光素子１２０によるカラー表示と、液晶素子２２０によるカラー表示を組み合わせた、表示装置１０Ｂを提供することができる。発光素子１２０に対する着色層１５２と、液晶素子２２０に対する着色層１５５をそれぞれ設けたため、互いの表示につき良好な色調を提供することができる。
【０１１１】
図６（Ｃ）に示す表示装置１０Ｃは、基板１２側に着色層１５５が設けられている構造は、図６（Ｂ）と同じであるが、その間に絶縁層１５１が配置されている。絶縁層１５１は、液晶素子２２０と重なる領域に設けられ、発光素子１２０と重なる領域には設けられてない。絶縁層１５１は、発光素子１２０と重なる領域に開口部３８を有する。当該構造によって、着色層１５５は、液晶素子２２０と重なる領域Ａと、発光素子１２０と重なる領域Ｂとを有することができる。液晶素子２２０からの反射光２２は、領域Ａの着色層１５５を通過する。発光素子１２０からの発光２１は、領域Ｂの着色層１５５を通過する。領域Ａの着色層１５５の膜厚は、領域Ｂの着色層１５５の膜厚より薄くなる。
【０１１２】
すると、図６（Ｂ）の構造のように、発光素子１２０側に設けられていた着色層１５２は不要となる。そこで、図６（Ｃ）では、構造物１５６を配置して、電極２２１の裏面（電極２２１の発光層側の面）に曲面を与える構造とした。構造物１５６は、透明な有機材料を有する。着色層１５５が、基板１２側のみとなり、低コスト化が期待される。
【０１１３】
図６（Ｃ）の構造のように、着色層１５５の膜厚を変える手段には、着色層の積層構造を用いてもよい。または、多階調マスクを用いて、着色層を加工することで、着色層１５５の膜厚を変えることができる。
【０１１４】
図６（Ｃ）の構造により、発光素子１２０によるカラー表示と、液晶素子２２０によるカラー表示を組み合わせた、表示装置１０Ｂを提供することができる。
【０１１５】
液晶素子２２０又は発光素子１２０は、画素ごとに着色層１５２の色を変えることで、様々な色を呈することができる。
【０１１６】
＜構成例３＞
図７（Ａ）に示す表示装置１０Ｄは、図６（Ａ）に示した表示装置１０Ａと開口部５０の形状が異なる。その他の構成については、表示装置１０Ａと同様のため、説明を省略する。
【０１１７】
図６（Ａ）に示した開口部５０に対応する領域に、第１の開口部５０ａと、第２の開口部５０ｂとを形成する。つまり開口部を複数設ける。第１の開口部５０ａは、絶縁層１３４、絶縁層１３２に形成される。第２の開口部５１ｂは、絶縁層１３５、発光層１２２、電極１２３、絶縁層１２５に形成される。第２の開口部５０ｂの径は、第１の開口部５０ａの径よりも大きくなる。第２の開口部５０ｂの斜面の角度は、第１の開口部５０ａの斜面の角度より大きくなる。つまり、第２の開口部５０ｂの斜面はなだらかとなる。
【０１１８】
第２の開口部５０ｂの側面は、絶縁層２３４で覆われている。第２の開口部５０ｂで露出する発光層１２２の側面は、絶縁層２３４によって覆われる。発光層１２２への不純物の侵入を防止することができる。絶縁層２３４は、第１の開口部５０ａの側面を覆うこともできるが、発光層１２２への不純物の侵入を防止の効果の点では、第１の開口部５０ａの側面は、絶縁層２３４で覆われていなくともよい。
【０１１９】
第１の開口部５０ａ、第２の開口部５０ｂに渡って、電極２２１が形成される。第１の開口部５０ａ、第２の開口部５０ｂを介して、電極２２１は、トランジスタ１１０ｂの導電層１１３ａと電気的に接続される。
【０１２０】
図６（Ａ）で示すように、絶縁層１３３から絶縁層１２５までの積層構造に対して、一括で開口部する場合に比べて、図７（Ａ）で示すように、複数回に分けて開口部する方が、工程上、容易である。複数回に分けて開口部する方が、電極２２１の被覆性が高まる。または複数回に分けて開口部する方が、開口部作製時に、導電層１１３ａが薄膜化することを抑制できる。
【０１２１】
＜構成例４＞
図７（Ｂ）に示す表示装置１０Ｅは、発光層１２２が塗り分けられている点で、図７（Ａ）に示す表示装置１０Ｄと異なる。その他の構成については、表示装置１０Ｄと同様のため、説明を省略する。
【０１２２】
発光層１２２の端部が、開口部５０ｂから離れているほど、発光層１２２に不純物が入り込むことを抑制できるため好ましい。
【０１２３】
塗り分け方式が適用された発光素子１２０は、発光層１２２を構成する層のうち少なくとも一層（代表的には発光層）が塗り分けられていればよく、発光層を構成する層の全てが塗り分けられていてもよい。
【０１２４】
本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０１２５】
図８（Ａ）乃至（Ｃ）に、今まで示してきたトランジスタ１１０ａ、１１０ｂとは異なる構造のトランジスタの例を示す。
【０１２６】
図８（Ａ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ａ、１１０ｂの構成に加えて、導電層１１４を有する。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また、図８（Ａ）では、絶縁層１３６が、導電層１１４及び絶縁層１３３を覆って設けられている。
【０１２７】
導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ｃのオン電流を高めることができる。または、導電層１１１及び導電層１１４のうち、一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ｃのしきい値電圧を制御することができる。しきい値電圧を制御するための電位が与えられるゲート電極をバックゲート電極とも呼ぶ。
【０１２８】
導電層１１４には、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下とすることで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。
【０１２９】
特に、導電層１１４には、低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【０１３０】
図８（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｄは、トップゲート構造のトランジスタである。
【０１３１】
トランジスタ１１０ｄは、導電層１１１、絶縁層１３２、半導体層１１２、絶縁層１３３、導電層１１３ａ、及び導電層１１３ｂを有する。導電層１１１は絶縁層１３２を介して半導体層１１２と重なる。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、半導体層１１２と電気的に接続される。
【０１３２】
導電層１１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層１３２は、ゲート絶縁層として機能する。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
【０１３３】
トランジスタ１１０ｄは、導電層１１１と導電層１１３ａまたは導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。
【０１３４】
図８（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｅは、トランジスタ１１０ｃの構成に加えて、導電層１１５及び絶縁層１３７を有する。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。絶縁層１３７は、導電層１１５及び絶縁層１３１を覆って設けられている。
【０１３５】
導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲートとして機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。
【０１３６】
以下では、図９乃至図１２を用いて、本発明の一態様の表示装置の作製方法について、具体的に説明する。
【０１３７】
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法を使ってもよい。
【０１３８】
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【０１３９】
表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
【０１４０】
リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【０１４１】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【０１４２】
＜作製方法例＞
以下では、図６（Ａ）に示す表示装置１０Ａの作製方法の一例について、図９乃至図１２を用いて説明する。
【０１４３】
まず、基板６１上に剥離層６２を形成する（図９（Ａ））。
【０１４４】
基板６１は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。基板６１に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
【０１４５】
剥離層６２は、基板６１に対し、全面へ形成してもよいし、選択的に形成してもよい。
【０１４６】
剥離層６２は、有機材料または無機材料を用いて形成することができる。
【０１４７】
剥離層６２を、有機材料を用いて形成する場合、感光性を有する材料が好ましく、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いることが好ましい。
【０１４８】
感光性を有する材料を用いることで、光を用いたリソグラフィ法により、一部を除去することができる。具体的には、材料を成膜した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去する。その後、熱処理（ポストベーク処理ともいう）を行う。ポストベーク処理では、剥離層６２上に形成する各層の作製温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。加熱温度は、例えば、３５０℃より高く４５０℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、剥離層６２からの脱ガスを大幅に抑制することができる。
【０１４９】
剥離層６２は、感光性のポリイミド樹脂（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＳＰＩともいう）を用いて形成されることが好ましい。
【０１５０】
そのほか、剥離層６２に用いることができる有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【０１５１】
剥離層６２は、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
【０１５２】
剥離層６２は、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。
【０１５３】
有機材料を用いる場合、剥離層６２の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、剥離層６２を薄く形成することが容易となる。剥離層６２の厚さを上記範囲とすることで、作製のコストを低減することができる。ただし、これに限定されず、剥離層６２の厚さは、１０μｍ以上、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。
【０１５４】
そのほか、剥離層６２の形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
【０１５５】
剥離層６２に用いることができる無機材料としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金、または該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【０１５６】
無機材料を用いる場合、剥離層６２の厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【０１５７】
無機材料を用いる場合、剥離層６２は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法等により形成できる。
【０１５８】
次に、剥離層６２上に、絶縁層１３１を形成する（図９（Ｂ））。
【０１５９】
絶縁層１３１は、剥離層６２に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。剥離層６２に有機材料を用いる場合、絶縁層１３１は、剥離層６２を加熱した際に、剥離層６２に含まれる水分等がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層１３１は、バリア性が高いことが好ましい。
【０１６０】
絶縁層１３１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。積層とする場合、剥離層６２上に窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成することが好ましい。
【０１６１】
無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。
【０１６２】
絶縁層１３１の成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
【０１６３】
次に、絶縁層１３１上に、トランジスタ１１０ａ及びトランジスタ１１０ｂを形成する（図９（Ｂ））。
【０１６４】
トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む酸化物半導体等を適用できる。
【０１６５】
ここでは半導体層１１２として酸化物半導体層を有する、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。
【０１６６】
トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いることが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。
【０１６７】
具体的には、まず、絶縁層１３１上に導電層１１１を形成する（図９（Ｂ））。導電層１１１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
【０１６８】
表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
【０１６９】
続いて、絶縁層１３２を形成する（図９（Ｂ））。絶縁層１３２は、絶縁層１３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。
【０１７０】
続いて、半導体層１１２を形成する（図９（Ｂ））。本実施の形態では、半導体層１１２として、酸化物半導体層を形成する。酸化物半導体層は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
【０１７１】
酸化物半導体膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。
【０１７２】
酸化物半導体膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方を用いて成膜することができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。
【０１７３】
酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。
【０１７４】
酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ以上であることがより好ましく。３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０１７５】
酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、例えばＰＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
【０１７６】
続いて、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂを形成する（図９（Ｂ））。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれ、半導体層１１２と電気的に接続される。
【０１７７】
なお、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない半導体層１１２の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
【０１７８】
以上のようにして、トランジスタ１１０ａ及びトランジスタ１１０ｂを作製できる（図９（Ｂ））。トランジスタ１１０ａ及びトランジスタ１１０ｂにおいて、導電層１１１の一部はゲート電極として機能し、絶縁層１３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれソース電極またはドレイン電極のいずれか一方として機能する。
【０１７９】
次に、トランジスタ１１０ａ及びトランジスタ１１０ｂを覆う絶縁層１３３を形成する（図９（Ｃ））。絶縁層１３３は、絶縁層１３１と同様の方法により形成することができる。
【０１８０】
また、絶縁層１３３として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給することができる。その結果、酸化物半導体層中の酸素欠損、及び酸化物半導体層と絶縁層１３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
【０１８１】
次に、絶縁層１３３上に絶縁層１３４を形成する（図９（Ｃ））。絶縁層１３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層１３４は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
【０１８２】
次に、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に、トランジスタ１１０ａが有する導電層１１３ａに達する開口部を形成する。同時に、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａに達する開口部を形成してもよい。
【０１８３】
その後、電極１２１を形成する（図９（Ｃ））。電極１２１は、その一部が発光素子１２０の画素電極として機能する。電極１２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。ここで、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａと電極１２１とが接続する。
【０１８４】
次に、電極１２１の端部を覆う絶縁層１３５を形成する（図９（Ｃ））。絶縁層１３５は、絶縁層１３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。絶縁層１３５は、電極１２１と重なる部分に開口部を有する。この時点で、絶縁層１３５は、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａに達する開口部を有していてもよい。
【０１８５】
次に、発光層１２２及び電極１２３を形成する（図９（Ｄ））。電極１２３は、その一部が発光素子１２０の共通電極として機能する。
【０１８６】
発光層１２２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。発光層１２２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。発光層１２２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
【０１８７】
発光層１２２には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。
【０１８８】
発光層１２２の形成後に行う各工程は、発光層１２２にかかる温度が、発光層１２２の耐熱温度以下となるように行う。電極１２３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【０１８９】
以上のようにして、発光素子１２０を形成することができる（図９（Ｄ））。発光素子１２０は、一部が画素電極として機能する電極１２１、発光層１２２、及び一部が共通電極として機能する電極１２３が積層された構成を有する。
【０１９０】
ここでは、発光素子１２０として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。
【０１９１】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０１９２】
次に、電極１２３を覆って絶縁層１２５を形成する（図９（Ｄ））。絶縁層１２５は、発光素子１２０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発光素子１２０は、絶縁層１２５によって封止される。電極１２３を形成した後、大気に曝すことなく、絶縁層１２５を形成することが好ましい。
【０１９３】
絶縁層１２５は、例えば、上述した絶縁層１３１に用いることのできるバリア性の高い無機絶縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。
【０１９４】
絶縁層１２５の成膜時の基板温度は、発光層１２２の耐熱温度以下の温度であることが好ましい。絶縁層１２５は、ＡＬＤ法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。ＡＬＤ法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ＡＬＤ法を用いると絶縁層１２５のカバレッジが良好となり好ましい。
【０１９５】
次に、絶縁層１２５上に着色層１５２を形成する（図９（Ｄ））。
【０１９６】
着色層１５２として、カラーフィルタ等を用いることができる。着色層１５２は発光素子１２０の発光領域と重なるように配置する。カラーフィルタの原料となる、有機材料を塗布し、露光・現像等を経て着色層１５２となる。有機材料を塗布する際、粘性の高い材料を用いることで、焼成後の着色層１５２を厚膜化することができる。
【０１９７】
次に、発光層１２２、電極１２３、及び絶縁層１２５に、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａに達する開口部を設ける（図９（Ｅ）、図１０（Ａ））。なお、事前に、絶縁層１３３、絶縁層１３４、及び絶縁層１３５に、該導電層１１３ａに達する開口部を形成していない場合は、本工程にて、これらの層にも一括で開口部を設けることができる。
【０１９８】
レジストマスク１２７を用いて、エッチング法により、発光層１２２、電極１２３、及び絶縁層１２５に、開口部を形成することができる。
【０１９９】
ここで、開口部を形成することで発光層１２２が露出すると、レジストマスク１２７の除去工程で、発光層１２２に不純物が入り込む、または、発光層１２２が消失する等の恐れがある。具体的には、レジストマスク１２７を除去するためのプラズマ処理またはレジスト剥離液によって、発光層１２２に不純物が入り込むこと、または、発光層１２２が溶解することが考えられる。
【０２００】
そこで、開口部を形成する際にドライエッチング法を用いることが好ましい。これにより、開口部を形成するのと同時に、エッチングガスにより開口部の側面に隔壁１２６が形成される（図９（Ｅ））。例えば、炭素とフッ素を含むエッチングガスを用いることで、開口部の側面に副生物を堆積させ、隔壁１２６を形成することができる。
【０２０１】
その後、レジストマスク１２７を除去する（図１０（Ａ））。レジストマスク１２７を除去する際に、隔壁１２６が発光層１２２を保護することで、発光素子１２０の信頼性を高めることができる。なお、レジストマスク１２７を除去する際に、隔壁１２６の一部または全部が除去される場合がある。図１０（Ａ）では、隔壁１２６が残存しない場合を示す。
【０２０２】
次に、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａに達する開口部を有する絶縁層２３４を形成する。ここでは、感光性を有する材料２３３を成膜し、光を用いたリソグラフィ法により、該開口部を有する絶縁層２３４を形成する（図１０（Ｂ）、（Ｃ））。
【０２０３】
具体的には、感光性を有する材料２３３を成膜した後に、フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去する。
【０２０４】
ここで、絶縁層２３４を、電極１２３に設けられた開口部の側面を覆うように形成する。これにより、後に形成する電極２２１と、電極１２３とを電気的に絶縁することができ、ショートを防止することができる。
【０２０５】
絶縁層２３４の成膜時の基板温度は、発光層１２２の耐熱温度以下の温度であることが好ましい。
【０２０６】
なお、絶縁層２３４に無機材料を用いる場合、絶縁層１２５と同様の材料、作製方法を適用することが好ましい。
【０２０７】
次に、電極２２１を形成する（図１０（Ｄ））。電極２２１は、その一部が液晶素子２２０の画素電極として機能する。電極２２１は、着色層１５２と重なる領域に開口部を有する。このような電極２２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。ここで、トランジスタ１１０ｂが有する導電層１１３ａと電極２２１とが接続する。
【０２０８】
次に、図１１（Ａ）に示すように、保護層７１を形成する。
【０２０９】
保護層７１は、剥離工程において、絶縁層２３４や電極２２１の表面を保護する機能を有する。保護層７１には、容易に除去することのできる材料を用いることができる。
【０２１０】
除去可能な保護層７１としては、例えば水溶性樹脂をその例に挙げることができる。塗布した水溶性樹脂は表面の凹凸を被覆し、その表面の保護を容易にする。また、除去可能な保護層７１として、光または熱により剥離可能な粘着剤を水溶性樹脂に積層したものを用いてもよい。
【０２１１】
除去可能な保護層７１として、通常の状態ではその接着力が強く、熱を加える、または光を照射することによりその接着力が弱くなる性質を有する基材を用いてもよい。例えば、加熱することにより接着力が弱くなる熱剥離テープや、紫外光を照射することにより接着力が弱くなるＵＶ剥離テープ等を用いてもよい。また、通常の状態で接着力が弱い弱粘性テープ等を用いることができる。また、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ）やシリコーン等を用いることができる。なお、保護層７１は可視光に対する透過性を有していなくてもよい。
【０２１２】
次に、基板６１と絶縁層１３１とを分離する（図１１（Ｂ））。
【０２１３】
分離面は、剥離層６２及び基板６１等の材料及び形成方法等によって、様々な位置となり得る。
【０２１４】
図１１（Ｂ）では、剥離層６２と絶縁層１３１との界面で分離が生じる例を示す。分離により、絶縁層１３１が露出する。
【０２１５】
分離を行う前に、剥離層６２に分離の起点を形成してもよい。例えば、レーザ光を照射することで、剥離層６２を脆弱化させる、または剥離層６２と絶縁層１３１（または基板６１）との密着性を低下させることができる。
【０２１６】
例えば、剥離層６２に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、基板６１を剥離することができる。具体的には、保護層７１の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、基板６１を引き剥がすことができる。
【０２１７】
剥離層６２と絶縁層１３１との間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、保護層７１側から鋭利な形状の器具で剥離層６２を切り込み、分離の起点を形成してもよい。
【０２１８】
次に、露出した絶縁層１３１の表面に、接着層５１を用いて基板１１を貼り合わせる（図１１（Ｃ））。基板１１は、表示装置の支持基板として機能することができる。そして、保護層７１を除去する（図１１（Ｃ））。
【０２１９】
接着層５１には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
【０２２０】
基板１１には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１１には、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
【０２２１】
次に、絶縁層２３４及び電極２２１上に、電極２２５を形成する（図１２（Ａ））。電極２２５は透明導電膜を有する。電極２２５は、電極２２１の開口部を覆うように設ける。
【０２２２】
次に、電極２２５上に配向膜２２４ａを形成する（図１２（Ａ））。配向膜２２４ａは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成できる。
【０２２３】
そして、基板１２と基板１１とを液晶層２２２を挟んで貼り合わせる（図１２（Ｂ））。
【０２２４】
なお、事前に、基板１２上に電極２２３を形成し、電極２２３上に配向膜２２４ｂを形成しておく。電極２２３は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。配向膜２２４ｂは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成できる。
【０２２５】
以上により、表示装置１０Ａを作製することができる（図１２（Ｂ））。表示装置１０Ａの薄型化または軽量化が可能となる。表示装置１０Ａは、曲がった状態に保持することや、繰り返し曲げることなどが可能である。
【０２２６】
また、図１２（Ｃ）に、隔壁１２６が残存する場合の表示装置の断面構成例を示す。
【０２２７】
以上のように、本実施の形態の表示装置は、２種類の表示素子を有し、複数の表示モードを切り替えて使用することができるため、使用環境の明るさによらず、視認性が高く利便性の高い。また、２種類の表示素子をそれぞれ駆動するトランジスタを、同一平面上に同一工程で形成することができるため、表示装置の薄膜化と、表示装置の作製工程の簡略化を図ることができる。
【０２２８】
第１の表示素子には、発光素子を用いることが好ましい。このような表示素子が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、コントラストの高い、鮮やかな表示を行うことができる。
【０２２９】
第１の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、Ｍｉｃｒｏ−ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザなどの自発光性の発光素子を用いることができる。
【０２３０】
第２の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。
【０２３１】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した表示装置の、より具体的な構成例について図１３乃至図１６を用いて説明する。
【０２３３】
本実施の形態で説明する表示装置は、反射型の液晶素子と発光素子を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことができる。
【０２３４】
図１３（Ａ）は、表示装置４００のブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２、回路ＧＤ、及び回路ＳＤを有する。表示部３６２は、マトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。
【０２３５】
表示装置４００は、複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、複数の配線ＣＳＣＯＭ、複数の配線Ｓ１、及び複数の配線Ｓ２を有する。複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭは、それぞれ、矢印Ｒで示す方向に配列した複数の画素４１０及び回路ＧＤと電気的に接続する。複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２は、それぞれ、矢印Ｃで示す方向に配列した複数の画素４１０及び回路ＳＤと電気的に接続する。
【０２３６】
なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤとを、別々に設けてもよい。
【０２３７】
画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。
【０２３８】
図１３（Ｂ１）乃至（Ｂ３）に、画素４１０が有する電極３１１の構成例を示す。電極３１１は、液晶素子の反射電極として機能する。図１３（Ｂ１）、（Ｂ２）の電極３１１には、開口部４５１が設けられている。電極３１１の裏面形状は、曲面を有する。液晶素子がトランジスタと電気的に接続するための開口部５０は、開口部４５１及び発光素子３６０とは重ならない位置に設けられる。
【０２３９】
図１３（Ｂ１）、（Ｂ２）には、電極３１１と重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１が有する開口部４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口部４５１を介して表示面側に射出される。
【０２４０】
図１３（Ｂ１）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図１３（Ｂ１）に示すように、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの画素において、開口部４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０の発光層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
【０２４１】
図１３（Ｂ２）では、矢印Ｃで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。図１３（Ｂ２）においても同様に、矢印Ｃで示す方向に隣接する２つの画素において、開口部４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられていることが好ましい。
【０２４２】
非開口部の総面積に対する開口部４５１の総面積の比の値が小さいほど、液晶素子を用いた表示を明るくすることができる。また、非開口部の総面積に対する開口部４５１の総面積の比の値が大きいほど、発光素子３６０を用いた表示を明るくすることができる。
【０２４３】
開口部４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口部４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
【０２４４】
また、図１３（Ｂ３）に示すように、電極３１１が設けられていない部分に、発光素子３６０の発光領域が位置していてもよい。これにより、発光素子３６０が発する光は、表示面側に射出される。
【０２４５】
回路ＧＤには、シフトレジスタ等の様々な順序回路等を用いることができる。回路ＧＤには、トランジスタ及び容量素子等を用いることができる。回路ＧＤが有するトランジスタは、画素４１０に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる。
【０２４６】
回路ＳＤは、配線Ｓ１と電気的に接続される。回路ＳＤには、例えば、集積回路を用いることができる。具体的には、回路ＳＤには、シリコン基板上に形成された集積回路を用いることができる。
【０２４７】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等を用いて、画素４１０と電気的に接続されるパッドに回路ＳＤを実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。
【０２４８】
図１４は、画素４１０の回路図の一例である。図１４では、隣接する２つの画素４１０を示している。
【０２４９】
画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図１４では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
【０２５０】
図１４では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２にトランジスタを用いた場合の例を示している。
【０２５１】
スイッチＳＷ１のゲートは、配線Ｇ１と接続されている。スイッチＳＷ１のソース及びドレインのうち一方は、配線Ｓ１と接続され、他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０の他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【０２５２】
スイッチＳＷ２のゲートは、配線Ｇ２と接続されている。スイッチＳＷ２のソース及びドレインのうち一方は、配線Ｓ２と接続され、他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極、及びトランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２の他方の電極は、トランジスタＭのソースまたはドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭのソースまたはドレインの他方は、発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０の他方の電極は、配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【０２５３】
図１４では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０２５４】
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶層の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
【０２５５】
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０２５６】
図１４に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
【０２５７】
なお、図１４では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図１５（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。図１５（Ａ）に示す画素４１０は、図１４とは異なり、１つの画素で発光素子を用いたフルカラーの表示が可能である。
【０２５８】
図１５（Ａ）では図１４の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続されている。
【０２５９】
図１５（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０に、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
【０２６０】
図１５（Ｂ）に、図１５（Ａ）に対応した画素４１０の構成例を示す。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。液晶素子を駆動するトランジスタとの開口部５０は、発光素子とは重ならない位置に設けられる。
【０２６１】
図１６（Ａ）、（Ｂ）は、表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図１６（Ａ）、（Ｂ）では、基板３６１を破線で明示している。
【０２６２】
表示装置３００は、表示部３６２、回路３６４、配線３６５、回路３６６、配線３６７等を有する。基板３５１には、例えば回路３６４、配線３６５、回路３６６、配線３６７及び画素電極として機能する電極３１１等が設けられる。図１６（Ａ）では基板３５１上にＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５及びＦＰＣ３７４が実装されている例を示している。図１６（Ｂ）では基板３５１上にＩＣ３７３及びＦＰＣ３７２が実装されている例を示している。そのため、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す構成は、表示装置３００、ＩＣ、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。
【０２６３】
回路３６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
【０２６４】
配線３６５は、表示部３６２及び回路３６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。
【０２６５】
ＩＣ３７３及びＩＣ３７５は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお表示装置３００及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
【０２６６】
図１６（Ａ）には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表示素子が有する電極３１１がマトリクス状に配置されている。電極３１１は、可視光を反射する機能を有し、液晶素子３４０の反射電極として機能する。
【０２６７】
また、図１６（Ａ）に示すように、電極３１１は開口部を有する。さらに電極３１１よりも基板３５１側に、発光素子３６０を有する。発光素子３６０からの光は、電極３１１の開口部を介して基板３６１側に射出される。
【０２６８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２６９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュール及び電子機器について説明する。
【０２７０】
図１７に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。
【０２７１】
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０２７２】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２７３】
タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
【０２７４】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２７５】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２７６】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０２７７】
本発明の一態様の表示装置は、外光の強さによらず、高い視認性を実現することができる。そのため、携帯型の電子機器、装着型の電子機器（ウェアラブル機器）、及び電子書籍端末などに好適に用いることができる。
【０２７８】
図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す携帯情報端末８００は、筐体８０１、筐体８０２、表示部８０３、表示部８０４、及びヒンジ部８０５等を有する。
【０２７９】
筐体８０１と筐体８０２は、ヒンジ部８０５で連結されている。携帯情報端末８００は、折り畳んだ状態（図１８（Ａ））から、図１８（Ｂ）に示すように展開させることができる。
【０２８０】
本発明の一態様の表示装置は、表示部８０３及び表示部８０４のうち少なくとも一方に用いることができる。
【０２８１】
表示部８０３及び表示部８０４は、それぞれ、文書情報、静止画像、及び動画像等のうち少なくとも一つを表示することができる。表示部に文書情報を表示させる場合、携帯情報端末８００を電子書籍端末として用いることができる。
【０２８２】
携帯情報端末８００は折り畳むことができるため、可搬性が高く、汎用性に優れる。
【０２８３】
筐体８０１及び筐体８０２は、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。
【０２８４】
図１８（Ｃ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。
【０２８５】
本発明の一態様の表示装置は、表示部８１２に用いることができる。
【０２８６】
携帯情報端末８１０は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れることで行うことができる。
【０２８７】
また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示される画像の種類の切り替えを行うことができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０２８８】
また、携帯情報端末８１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末８１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを自動的に切り替えることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２に触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０２８９】
携帯情報端末８１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末８１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０２９０】
図１８（Ｂ）に示すカメラ８２０は、筐体８２１、表示部８２２、操作ボタン８２３、シャッターボタン８２４等を有する。またカメラ８２０には、着脱可能なレンズ８２６が取り付けられている。
【０２９１】
本発明の一態様の表示装置は、表示部８２２に用いることができる。
【０２９２】
ここではカメラ８２０を、レンズ８２６を筐体８２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８２６と筐体８２１とが一体となっていてもよい。
【０２９３】
カメラ８２０は、シャッターボタン８２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部８２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８２２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０２９４】
なお、カメラ８２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体８２１に組み込まれていてもよい。
【０２９５】
図１９（Ａ）乃至（Ｅ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８等を有する。
【０２９６】
本発明の一態様の表示装置は、表示部９００１に好適に用いることができる。
【０２９７】
図１９（Ａ）乃至（Ｅ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１９（Ａ）乃至（Ｅ）に示す電子機器が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
【０２９８】
図１９（Ａ）は腕時計型の携帯情報端末９２００を、図１９（Ｂ）は腕時計型の携帯情報端末９２０１を、それぞれ示す斜視図である。
【０２９９】
図１９（Ａ）に示す携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０３００】
図１９（Ｂ）に示す携帯情報端末９２０１は、図１９（Ａ）に示す携帯情報端末と異なり、表示部９００１の表示面が湾曲していない。また、携帯情報端末９２０１の表示部の外形が非矩形状（図１９（Ｂ）においては円形状）である。
【０３０１】
図１９（Ｃ）乃至（Ｅ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０２を示す斜視図である。なお、図１９（Ｃ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態の斜視図であり、図１９（Ｄ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図１９（Ｅ）が携帯情報端末９２０２を折り畳んだ状態の斜視図である。
【０３０２】
携帯情報端末９２０２は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０２が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０２を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０２は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０３０３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３０４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる酸化物半導体について説明する。
【０３０５】
酸化物半導体は、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）の一種である。つまり金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類されるものである。そして、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する。金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【０３０６】
また、窒素を有する金属酸化物は、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼ぶ。半導体層は、金属酸化窒化物を有してもよい。
【０３０７】
酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３０８】
インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを含む酸化物半導体をＩＧＺＯと呼ぶ。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０３０９】
結晶構造には、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造がある。ＣＡＡＣ構造とは、２つのナノ結晶をみたときに、ｃ軸は膜表面の垂直方向に配向しており、かつａ−ｂ面は配向していない結晶構造である。このようなナノ結晶は、互いに連結しているとみなすことができる。
【０３１０】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成がみられる。これをＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）と呼ぶことがある。
【０３１１】
すなわち、上記ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、上記ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
【０３１２】
ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０３１３】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０３１４】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０３１５】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０３１６】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０３１７】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとする表示装置や半導体装置に最適である。
【０３１８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０３１９】
Ｌ    外光
Ｒｔ    光
Ｇｔ    光
Ｂｔ    光
Ｒｒ    光
Ｇｒ    光
Ｂｒ    光
１０    表示装置
１０Ａ    表示装置
１０Ｂ    表示装置
１０Ｃ    表示装置
１０Ｄ    表示装置
１０Ｅ    表示装置
１１    基板
１２    基板
１４    表示部
２１    発光
２１ｂ    光
２２    反射光
３０    画素
３１    表示素子
３１Ｂ    青色表示素子
３１Ｇ    緑色表示素子
３１ｐ    画素
３１Ｒ    赤色表示素子
３１Ｙ    黄色表示素子
３２    表示素子
３２Ｂ    青色表示素子
３２Ｇ    緑色表示素子
３２ｐ    画素
３２Ｒ    赤色表示素子
３５ｒ    光
３５ｔ    光
３５ｔｒ    光
３６    開口部
３７    開口部
３８    開口部
４１    トランジスタ
４２    トランジスタ
５０    開口部
５０ａ    開口部
５０ｂ    開口部
５１    接着層
５１ｂ    開口部
６１    基板
６２    剥離層
７１    保護層
１１０ａ    トランジスタ
１１０ｂ    トランジスタ
１１０ｃ    トランジスタ
１１０ｄ    トランジスタ
１１０ｅ    トランジスタ
１１１    導電層
１１２    半導体層
１１３ａ    導電層
１１３ｂ    導電層
１１４    導電層
１１５    導電層
１２０    発光素子
１２１    電極
１２２    発光層
１２３    電極
１２５    絶縁層
１２６    隔壁
１２７    レジストマスク
１３１    絶縁層
１３２    絶縁層
１３３    絶縁層
１３４    絶縁層
１３５    絶縁層
１３６    絶縁層
１３７    絶縁層
１５１    絶縁層
１５２    着色層
１５３    オーバーコート層
１５５    着色層
１５６    構造物
２２０    液晶素子
２２１    電極
２２２    液晶層
２２３    電極
２２４ａ    配向膜
２２４ｂ    配向膜
２２５    電極
２３３    材料
２３４    絶縁層
３００    表示装置
３１１    電極
３４０    液晶素子
３５１    基板
３６０    発光素子
３６０ｂ    発光素子
３６０ｇ    発光素子
３６０ｒ    発光素子
３６０ｗ    発光素子
３６１    基板
３６２    表示部
３６４    回路
３６５    配線
３６６    回路
３６７    配線
３７２    ＦＰＣ
３７３    ＩＣ
３７４    ＦＰＣ
３７５    ＩＣ
４００    表示装置
４１０    画素
４５１    開口部
８００    携帯情報端末
８０１    筐体
８０２    筐体
８０３    表示部
８０４    表示部
８０５    ヒンジ部
８１０    携帯情報端末
８１１    筐体
８１２    表示部
８１３    操作ボタン
８１４    外部接続ポート
８１５    スピーカ
８１６    マイク
８１７    カメラ
８２０    カメラ
８２１    筐体
８２２    表示部
８２３    操作ボタン
８２４    シャッターボタン
８２６    レンズ
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５５    ヒンジ
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
９２０２    携帯情報端末
【図１】
2018013698.tif 000003
【図２】
2018013698.tif 000004
【図３】
2018013698.tif 000005
【図４】
2018013698.tif 000006
【図５】
2018013698.tif 000007
【図６】
2018013698.tif 000008
【図７】
2018013698.tif 000009
【図８】
2018013698.tif 000010
【図９】
2018013698.tif 000011
【図１０】
2018013698.tif 000012
【図１１】
2018013698.tif 000013
【図１２】
2018013698.tif 000014
【図１３】
2018013698.tif 000015
【図１４】
2018013698.tif 000016
【図１５】
2018013698.tif 000017
【図１６】
2018013698.tif 000018
【図１７】
2018013698.tif 000019
【図１８】
2018013698.tif 000020
【図１９】
2018013698.tif 000021