(57)【要約】【課題】装置内の化学的な汚染の抑制に有利なインプリント装置の提供。【解決手段】インプリント装置は、型を用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成する処理部と、この処理部を収容し、処理部にて処理される前の基板を格納する第１格納部が接続される第１ゲートと、処理部にて処理済みの基板を格納する第２格納部が接続される第２ゲートとを有するチャンバと、第２格納部に処理部によりパターンが形成された基板が格納され、第２ゲートが閉鎖されてから所定時間が経過するまで第１ゲートの開放を禁止する制御部とを有する。【選択図】  図１
2018022804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成する処理部と、
前記処理部を収容し、前記処理部にて処理される前の基板を格納する第１格納部が接続される第１ゲートと、前記処理部にて処理済みの基板を格納する第２格納部が接続される第２ゲートとを有するチャンバと、
前記第２格納部に前記処理部により前記パターンが形成された基板が格納され前記第２ゲートが閉鎖されてから所定時間が経過するまで前記第１ゲートの開放を禁止する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記チャンバに収容され、基板を搬送する搬送部を含み、
前記制御部は、
前記第１ゲートを開放し、未処理の基板を前記搬送部により前記第１格納部から前記第１ゲートを介して前記処理部に搬送し、前記第１ゲートを閉鎖する、基板搬入動作と、
前記第２ゲートを開放し、前記処理部により前記パターンが形成された基板を前記搬送部により前記処理部から前記第２ゲートを介して前記第２格納部に搬送し、前記第２ゲートを閉鎖する、基板搬出動作と、を行い、
前記基板搬出動作において前記第２ゲートが閉鎖されてから前記所定時間が経過するまで、次の前記基板搬入動作における前記第１ゲートの開放を禁止する
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板搬入動作の後、前記処理部において前記基板の上に前記インプリント材が供給される前にエラーが検出された場合、前記第１ゲートを開放し、前記基板を前記搬送部により前記第１ゲートを介して前記第１格納部に搬送することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記所定時間は、前記第２ゲートが閉鎖されてから前記インプリント材の揮発成分を前記チャンバの外部に排出するのに要する時間であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記所定時間は、前記チャンバにおける換気効率に基づいて決定されることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記搬送部は、前記第１格納部と前記処理部との間で基板を搬送する第１搬送部と、前記処理部と前記第２格納部との間で基板を搬送する第２搬送部とを含み、
前記チャンバの内部を、前記処理部を含む空間と、前記第１搬送部を含む空間と、前記第２搬送部を含む空間との間が隔壁によって仕切られており、
前記第１ゲートは、前記第１搬送部と前記処理部との間の前記隔壁に形成された開口部に設けられ、
前記第２ゲートは、前記第２搬送部と前記処理部との間の前記隔壁に形成された開口部に設けられている
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及び物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、型（モールド）を基板上のインプリント材に接触させることでパターンを形成するインプリント装置が実用化されつつある。
【０００３】
インプリント材には揮発性が高いものが用いられることが多いため、従来、インプリント材の揮発を見込んでインプリント材の供給量を制御するといった対処がなされている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４５８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
他方、インプリント材が揮発することで、揮発成分が周辺環境に拡散して他の基板に付着してその表面状態が変質し、これにより安定的なパターン形成が阻害されうるという問題がある。
【０００６】
本発明は、装置内の化学的な汚染の抑制に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、型を用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成する処理部と、前記処理部を収容し、前記処理部にて処理される前の基板を格納する第１格納部が接続される第１ゲートと、前記処理部にて処理済みの基板を格納する第２格納部が接続される第２ゲートとを有するチャンバと、前記第２格納部に前記処理部により前記パターンが形成された基板が格納され、前記第２ゲートが閉鎖されてから所定時間が経過するまで前記第１ゲートの開放を禁止する制御部とを有することを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、装置内の化学的な汚染の抑制に有利なインプリント装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態における処理部の構成を示す図。
【図３】実施形態における基板搬送制御を説明するフローチャート。
【図４】実施形態における基板搬送制御を説明するフローチャート。
【図５】変形例に係るインプリント装置の構成を示す図。
【図６】物品製造方法を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１１】
＜第１実施形態＞
以下、本実施形態に係るインプリント装置について説明する。インプリント装置は、基板上に配置されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。インプリント材は、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂とも呼ばれうる）でありうる。硬化用のエネルギーは、電磁波または熱等でありうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光（赤外線、可視光線、紫外線など）でありうる。
【００１２】
硬化性組成物は、電磁波または熱等の硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、更に非重合性化合物または溶剤を含有しうる。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種でありうる。
【００１３】
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与されうる。或いは、インプリント材は、液体噴射ヘッドにより、液滴状態で、または、複数の液滴が繋がってできた島状態又は膜状態で基板の上に供給されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。
【００１４】
基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体または樹脂等で構成される部材でありうる。必要に応じて、該部材の表面に該部材とは別の材料からなる層が形成されていてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、または、石英ガラスプレートなどである。
【００１５】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置１００の概略構成を示す図である。インプリント装置１００は、上記したパターン形成を基板に行う処理部Ｐと、基板の搬送を行う搬送部１０１とを含みうる。処理部Ｐと搬送部１０１は、除塵空調機能を備えたチャンバ１０２に収容されている。空調機能によって、チャンバ１０２の内部にはクリーンドライエア（ＣＤＡ）が常時供給され、クリーンな状態が保たれるようになっている。
【００１６】
図２に、処理部Ｐの構成を示す。処理部Ｐは、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板Ｓの複数のショット領域にパターン形成を行うように構成されている。ここで、１つのインプリントサイクルは、型Ｍを基板Ｓ上のインプリント材に接触させた状態でそのインプリント材を硬化させることによって基板Ｓの１つのショット領域にパターン形成を行うサイクルである。これにより基板Ｓの表面層に型のパターンに対応したパターンが形成されうる。基板ステージ３は、基板ＳをＸＹ方向に移動させる。チャック２は、基板Ｓを吸着保持する。チャック２は、洗浄、交換等のために着脱可能に基板ステージ３に取り付けられている。ベースフレーム４は基板ステージ３を支持する。基板ステージ３は、基板を保持する微動ステージ３ａと微動ステージ３ａを支持する粗動ステージ３ｂとを含みうる。
【００１７】
型駆動部５は、型Ｍの上下駆動を行う駆動装置であり、基板Ｓ上のインプリント材に型Ｍを接触させる動作を行う。照射部６は、型Ｍを介してインプリント材に紫外光６ａを照射して該インプリント材を硬化させる。また、照射部６は、紫外光６ａを発生するハロゲンランプなどの光源と、該光源が発生した光を集光成形する機能を含む。ディスペンサ７は、インプリント材を液滴化して吐出することで、基板Ｓ上に所定の量のインプリント材を配置（供給）することができる。インプリント材はタンク８に貯蔵されており、配管９を介してディスペンサ７に供給される。
【００１８】
移動装置１０は、ディスペンサ７をインプリント材の吐出位置と退避位置（メンテナンス位置）との間で移動させる。通常の吐出動作時は吐出位置に位置決めされ、ディスペンサ７をメンテナンスする際には、退避位置（メンテナンス位置）に移動され、ディスペンサ７のクリーニング及び交換が行われる。
【００１９】
基板位置検出部１１は、ディスペンサ７によりインプリント材が配置された基板Ｓと型Ｍとの位置合わせを行うための顕微鏡を含みうる。基板位置検出部１１は、型Ｍに設けられたアライメントマークと基板Ｓ上に設けられたアライメントマークとを重ね合わせる様子を顕微鏡で計測することで、相互の位置合わせを行う。計測方法としては画像処理による方法が適当であり、このときの検出対象は少なくともＸＹ方向の位置ずれ及びθ方向のずれでありうる。さら、鉛直方向（Ｚ方向）の位置ずれを検出対象として追加してもよい。定盤１２は、ディスペンサ７〜基板位置検出部１１、型Ｍ、照射部６を支持固定する。
【００２０】
図１の説明に戻る。チャンバ１０２には、外部と処理部Ｐとを連通する第１開口部１０２ａ及び第２開口部１０２ｂが形成されている。また、第１開口部１０２ａ及び第２開口部１０２ｂにはそれぞれ、開閉可能な第１ゲート１０３及び第２ゲート１０４が設けられている。第１ゲート１０３の開閉及び第２ゲート１０４の開閉は、制御部１０５によって制御されうる。インプリント装置１００は、第１ゲート１０３を介して第１ロードポート２１を接続することができ、第２ゲート１０４を介して第２ロードポート３１を接続することができる。第１ロードポート２１には、基板を格納する第１格納部２２が搭載されうる。また、第２ロードポート３１には、基板を格納する第２格納部３２が搭載されうる。第１格納部２２及び第２格納部３２は、基板を複数収納するＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）でありうる。第１ゲート１０３が開放されると、第１格納部２２の内部空間とインプリント装置１００のチャンバ１０２の内部空間とが連通した状態となる。同じく、第２ゲート１０４が開放されると、第２格納部３２の内部空間とインプリント装置１００のチャンバ１０２の内部空間とが連通した状態となる。
【００２１】
搬送部１０１は、第１格納部２２，第２格納部３２の各々と処理部Ｐとの間で基板を搬送する。搬送部１０１は、レール又は走行ガイドである搬送路１１０と、搬送路１１０に沿って走行する搬送ロボット１２０とを含む。搬送ロボット１２０は、基板を把持するハンド１２１と、ハンド１２１を支持するアーム１２２とを含む。アーム１２２は、多関節構造により伸縮動作が可能であり、かつｚ軸方向及びｚ軸周りの回転方向へも動作可能である。
【００２２】
制御部１０５は、処理部Ｐ、搬送部１０１、第１ゲート１０３、第２ゲート１０４の動作を統括的に制御する。制御部１０５は、不図示のＣＰＵを含みうる他、制御に必要な各種データを記憶するメモリ等の記憶部１０５ａを含む。
【００２３】
なお、図１の例においては、チャンバ１０２には搬送部１０１と処理部Ｐのみが図示されているが、各種の前処理部が含まれていてもよい。前処理部の例としては、基板の温度調整を行う温調処理部や、基板の位置や回転角を事前に調整するプリアライメント部等がありうる。また、チャンバ１０２に処理部Ｐが複数含まれる構成であってもよい。
【００２４】
上述したように、インプリント材が揮発することで、揮発成分が周辺環境に拡散して他の基板に付着してその表面状態が変質することがある（いわゆるクロスコンタミネーション）。このクロスコンタミネーションが生じることにより、安定的なパターン形成が阻害されうるという問題がある。
【００２５】
そこで本実施形態では、第１格納部２２を、処理部Ｐで処理される前の基板を格納する格納部として用い、第２格納部３２を、処理部Ｐで処理済みの基板を格納する格納部として用いる。したがって、未処理の基板Ｓは、搬送ロボット１２０によって、第１ゲート１０３を通じて第１格納部２２から搬出され、チャンバ１０２内に搬入される。チャンバ１０２内に搬入された基板Ｓは、搬送ロボット１２０によって処理部Ｐへと搬送され、上述のインプリント処理が実行される。インプリント処理によりパターンが形成された処理済みの基板Ｓは、搬送ロボット１２０によって、チャンバ１０２から第２ゲート１０４を通じて、第２格納部３２へと搬出される。
【００２６】
このように、第１格納部２２，第２格納部３２（第１ロードポート２１，第２ロードポート３１）とチャンバ１０２内の空間との間は第１ゲート１０３，第２ゲート１０４によって塞がれ、互いに独立した空間となっている。第１ゲート１０３，第２ゲート１０４を開放することにより、各空間の間で基板搬送が可能となる。装置の初期状態として、第１ゲート１０３，第２ゲート１０４は閉じられている。
【００２７】
以下、本実施形態における基板搬送制御の一例を説明する。図３及び図４は、一枚の基板についての搬送制御のフローチャートである。図３及び図４のフローチャートに対応するプログラムは例えば記憶部１０５ａに記憶され、制御部１０５により実行されうる。
【００２８】
記憶部１０５ａには、チャンバ１０２内の換気状態を表す換気フラグの記憶領域が予め確保されている。換気フラグは１または０の２値をとりうるものとし、換気フラグ＝１は、チャンバ１０２内がクリーンな状態であることを表し、換気フラグ＝０は、チャンバ１０２内がクリーンな状態ではないことを表す。まず、制御部１０５は、換気フラグを１に初期化する（Ｓ２）。その後、制御部１０５は、チャンバ１０２内に基板が存在していないことを確認する（Ｓ４）。チャンバ１０２内に基板が存在していないことが確認されたら、次に、制御部１０５は、換気フラグが１に設定されていることを確認する（Ｓ６）。Ｓ４で基板がチャンバ１０２内に存在していると判定された場合、または、Ｓ６で換気フラグが１に設定されていない（すなわち、換気フラグ＝０）と判定された場合はＳ８に進み、所定時間待機した後、Ｓ４に戻って処理を繰り返す。
【００２９】
Ｓ６で換気フラグ＝１が確認された場合、チャンバ１０２内に基板は存在せず、チャンバ１０２内がクリーンな状態であると判断される。この場合、制御部１０５は、Ｓ１０〜Ｓ１４の基板搬入動作を行う。すなわち、制御部１０５は、第１ゲート１０３を開放し（Ｓ１０）、搬送ロボット１２０を制御して未処理の基板を第１格納部２２から第１ゲート１０３を介して処理部Ｐに搬送し（Ｓ１２）、その後、第１ゲート１０３を閉鎖する（Ｓ１４）。この時点においては、第１格納部２２、チャンバ１０２内はともにクリーンな状態であるため、クロスコンタミネーションは発生しない。Ｓ１２で基板Ｓがチャンバ１０２内に搬入された後、Ｓ１４で第１ゲート１０３が閉鎖されることにより、第１格納部２２とチャンバ１０２とは断絶される。
【００３０】
Ｓ１６で、基板Ｓの温度調整、プリアライメント等の所定の前処理が施される。制御部１０５は、基板の搬送エラーあるいは前処理におけるエラーの有無を判断する（Ｓ１８）。エラーがなければ処理はＳ２０に進む。Ｓ２０では、制御部１０５は、予め設定されているショット順に従い、ショット領域を設定する。次に、制御部１０５は、基板Ｓの設定されたショット領域がディスペンサ７の直下に位置するように基板ステージ３を制御し、その後、ディスペンサ７を制御して当該ショット領域にインプリント材を供給する（Ｓ２２）。このとき、インプリント材供給時に発生するミストやインプリント材の揮発によって、チャンバ１０２内の空間は汚染されうる状態となっているので、制御部１０５は、換気フラグを０に設定する（Ｓ２４）。なお、このときは第１ゲート１０３，第２ゲート１０４は閉鎖されているため、第１格納部２２内の空間が汚染されることはない。したがって、後に処理される基板が第１格納部２２にあったとしても、その基板がクロスコンタミネーションによる汚染を受けることはない。
【００３１】
次に、制御部１０５は、インプリント処理を実行する（Ｓ２６）。具体的には、制御部１０５は、基板Ｓのショット領域が型駆動部５の直下に位置するように基板ステージ３を制御し、その後、基板Ｓのショット領域上のインプリント材に型Ｍが接触するよう型駆動部５を制御する。これによりインプリント材が型Ｍのパターン部に充填された後、制御部１０５は、照射部６を制御して、型Ｍを介してインプリント材に紫外光６ａを照射してインプリント材を硬化させる。その後、制御部１０５は、型駆動部５を制御して、硬化したインプリント材から型Ｍを引き離す（離型）。
【００３２】
以上のインプリント処理が完了した後、制御部１０５は、基板Ｓの全ショット領域のインプリント処理が終了したかを判定する（Ｓ２８）。全ショット領域のインプリント処理が終了していなければ、Ｓ２０に戻り、次のショット領域について処理を繰り返す。
【００３３】
処理済みの基板Ｓは、インプリント材を供給する工程（Ｓ２２）において汚染空間に暴露されているため、第１格納部２２へ返送すると第１格納部２２内の空間が汚染され、その結果、後に処理される基板が汚染される可能性がある。そこで本実施形態では、全ショット領域のインプリント処理が終了すると、制御部１０５は、処理済みの基板Ｓを第１格納部２２には返送せず、Ｓ３０〜Ｓ３４で、第２格納部３２に格納させる基板搬出動作を行う。具体的には、制御部１０５は、第２ゲート１０４を開放し（Ｓ３０）、搬送ロボット１２０を制御して、処理済みの基板Ｓを、処理部Ｐから第２ゲート１０４を介して第２格納部３２へと搬送し（Ｓ３２）、その後、第２ゲート１０４を閉鎖する（Ｓ３４）。ここで、第２格納部３２が、汚染されたチャンバ１０２内の空間と第２ゲート１０４を通じてつながり、汚染源となる基板Ｓが第２格納部３２に搬入されたことにより、第２格納部３２内の空間は汚染されうる。この時点で、チャンバ１０２内の空間と第２格納部３２内の空間は汚染状態にあると言える。この状態で次の基板を処理するために第１ゲート１０３を開放すると（Ｓ１０）、チャンバ１０２内の汚染された気体が第１ゲート１０３を通じて第１格納部２２に流れ込むおそれがある。また、基板も、汚染されたチャンバ１０２内に搬入されるため、クロスコンタミネーションに起因する欠陥の要因を生じるリスクがある。
【００３４】
このリスクを避けるために、Ｓ３６で、制御部１０５は、Ｓ３４で所定時間待機する。所定時間は、例えば、第２ゲート１０４が閉鎖されてからインプリント材の揮発成分をチャンバ１０２の外部に排出するのに要する時間である。基板Ｓは、チャンバ１０２からは既に搬出されており、第２ゲート１０４も閉じられている。すなわち、チャンバ１０２内の空間に汚染源である基板はない。また、チャンバ１０２内にはＣＤＡが供給されているため、空間体積分に相当するＣＤＡが流入し、汚染された気体が排気されることにより、チャンバ１０２内の空気が置換され、再びクリーンな環境が構築される。制御部１０５は、予め、空気の換気効率に応じて、チャンバ１０２内の空間が再びクリーンな状態となる時間を算出し、第１ゲート１０３を開放可能な時間を算出しておく。この換気効率は、給排気流量とチャンバ１０２内の空間体積とから算出してもよいし、実験により求めてもよい。制御部１０５は、Ｓ３６で所定時間待機した後、換気フラグを１に設定する（Ｓ３８）。その後、処理は次の基板の処理のためにＳ４に戻る。
【００３５】
Ｓ１８でエラーが検出された場合は、この時点ではまだインプリント材の供給が行われていないので、チャンバ１０２内の空間は汚染されていない。そこでこの場合には、基板を第１格納部２２に搬送してもよい。具体的には、制御部１０５は、第１ゲート１０３を開放し（Ｓ４０）、搬送ロボット１２０を制御して、基板Ｓを、第１ゲート１０３を介して第１格納部２２へと搬送する（Ｓ４２）。その後、制御部１０５は第１ゲート１０３を閉鎖する（Ｓ４４）。その後、処理は次の基板の処理のためにＳ４に戻る。
【００３６】
次の基板の処理のためにＳ４に戻った場合、上記したように、Ｓ４では前の基板がチャンバ１０２内に存在していないことが確認され、Ｓ６では換気フラグが１に設定されていることが確認される。通常はＳ６で換気フラグが０になっていることはないのだが、Ｓ２０からＳ２８の処理ループの中でインプリント材の供給異常やモールドの異物付着エラー等により、換気フラグが０のまま中断する場合もありえるので、Ｓ６でこのような確認が行われる。
【００３７】
以上の処理では、基板搬出動作において第２ゲートが閉鎖されてから（Ｓ３４）、Ｓ３６において、所定時間が経過するまで、次の基板搬入動作における第１ゲートの開放（Ｓ１０）が禁止される。これにより、第１格納部２２は、常にクリーンな状態が維持される。また、チャンバ１０２内の空間がクリーンな状態になってから後続の基板搬入動作が行われるため、クロスコンタミネーションによる基板の汚染が回避される。
【００３８】
図５に、図１に示したインプリント装置の変形例を示す。図１と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。図５のインプリント装置１００は、第１格納部２２と処理部Ｐとの間で基板を搬送する第１搬送部５０１と、処理部Ｐと第２格納部３２との間で基板を搬送する第２搬送部５０２と備えている。第１搬送部５０１及び第２搬送部５０２はそれぞれ、図１の搬送部１０１と同様の構成でありうる。
【００３９】
図５において、チャンバ１０２の内部は、第１搬送部５０１を収容する第１搬送空間５００Ａと、第２搬送部５０２を収容する第２搬送空間５００Ｂと、処理部Ｐを収容する処理空間５００Ｃとの間が隔壁によって仕切られている。第１開口部１０２ａは、第１搬送空間５００Ａと処理空間５００Ｃとの間の隔壁に形成され、そこに第１ゲート１０３が設けられている。また、第２開口部１０２ｂは、第２搬送空間５００Ｂと処理空間５００Ｃとの間の隔壁に形成され、そこに第２ゲート１０４が設けられている。装置の初期状態では、第１ゲート１０３と第２ゲート１０４は閉じられている。また、第１搬送空間５００Ａ、第２搬送空間５００Ｂ、処理空間５００ＣにはそれぞれＣＤＡが供給されて、クリーンな状態が保たれている。第１格納部２２とチャンバ１０２の内部とを連通する開口部には第１シャッター５０３が、第２格納部２２とチャンバ１０２の内部とを連通する開口部には第２シャッター５０４が設けられうる。ただしここでは、第１シャッター５０３及び第２シャッター５０４は常時開としておき、そのかわりに第１ゲート１０３及び第２ゲート１０４の開閉を制御することでクロスコンタミネーションを防止する。
【００４０】
未処理の基板Ｓは、第１搬送部５０１によって、第１格納部２２から搬出され、第１搬送空間５００Ａ、第１ゲート１０３を通過して、処理空間５００Ｃの処理部Ｐへと搬送される。基板Ｓは、処理部Ｐにより、インプリント材が供給され、インプリント処理が行われる。インプリント処理が行われた基板Ｓは、第２搬送部５０２によって、処理空間５００Ｃから搬出され、第２ゲート１０４、第２搬送空間５００Ｂを通過して、第２格納部３２へと搬送される。
【００４１】
制御部１０５は、未処理の基板Ｓを第１格納部２２から処理空間５００Ｃの処理部Ｐへ搬送する。具体的には、制御部１０５は、第１ゲート１０３を開放し、第１搬送部５０１を制御して、基板Ｓを処理空間５００Ｃの処理部Ｐに搬入し、その後、第１ゲート１０３を閉鎖する（基板搬入動作）。第１搬送空間５００Ａ、処理空間５００Ｃともにクリーンな状態であるため、両空間内のクロスコンタミネーションは発生しない。
【００４２】
処理空間５００Ｃの処理部Ｐに基板Ｓが搬入されると、ディスペンサ７によって、基板Ｓの上にインプリント材が供給される。このとき、インプリント材供給時に発生するミストやインプリント材の揮発によって、処理空間５００Ｃの中は汚染されうる状態となっている。しかし、第１ゲート１０３、第２ゲート１０４は閉じられているため、第１搬送空間５００Ａ、第２搬送空間５００Ｂが汚染されることはない。これによって、後から処理される基板が第１格納部２２や第１搬送空間５００Ａにあったとしても、クロスコンタミネーションによる汚染を受けることなく、クリーンな状態を維持することができる。
【００４３】
インプリント処理を終えた基板Ｓは、インプリント材を供給する処理によって汚染空間に暴露されている。そのため、第１搬送空間５００Ａ、第１格納部２２へ搬送すると、第１搬送空間５００Ａ、第１格納部２２を汚染し、後から処理されるために待機している基板を汚染してしまう可能性がある。そこで、制御部１０５は、第２ゲート１０４を開放し、第２搬送部５０２を制御して、基板Ｓを第２ゲート１０４を介して第２格納部３２へと搬出し、その後、第２ゲート１０４を閉鎖する（基板搬出動作）。このとき、汚染源となる基板Ｓを第２格納部３２に搬入したことと、第２搬送空間５００Ｂが汚染された処理空間５００Ｃと第２ゲート１０４を通じてつながったことにより、第２搬送空間５００Ｂは汚染される。この状態で、次の基板を処理するために第１ゲート１０３を開放すると、処理空間５００Ｃの汚染された気体が第１ゲート１０３を通じて第１搬送空間５００Ａに流れ込むリスクがある。また、基板も、汚染された処理空間５００Ｃに搬入されるため、クロスコンタミネーションに起因する欠陥の要因を生じるリスクがある。
【００４４】
このリスクを避けるために、制御部１０５は、基板搬出動作において、第２格納部３２に処理部Ｐによりパターンが形成された基板が格納され第２ゲート１０４が閉鎖されてから所定時間が経過するまで第１ゲート１０３の開放を禁止する。基板Ｓは、処理空間５００Ｃからは既に搬出されており、第１ゲート１０３も閉じられていることから、処理空間５００Ｃに暴露した汚染源はない。また、空間内にはＣＤＡが供給されているため、空間体積分に相当するエアが流入し、汚染されたエアが排気されることにより、空間内の空気が置換され、再びクリーンな環境が構築される。制御部１０５は、例えば空気の換気効率に応じて、処理空間５００Ｃが再びクリーンとなる時間を算出しておく。待機時間はこれに基づき決定されうる。この換気効率は、給排気流量と空間体積から算出してもよいし、実験的に求めてもよい。
【００４５】
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板上のインプリント材に上記インプリント装置を用いてパターン形成を行う工程（インプリント処理を基板に行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板（インプリント処理を行われた基板）を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４６】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４７】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４８】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４９】
図６（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図６（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５０】
図６（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５１】
図６（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。なお、当該エッチングとは異種のエッチングにより当該残存した部分を予め除去しておくのも好ましい。図６（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１００：インプリント装置、１０１：搬送部、１０２：チャンバ、Ｐ：処理部、１０５：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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