(57)【要約】【課題】基板に設けられた貫通電極を備える半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】一主面と、一主面とは反対側の他の主面と、一主面から他の主面までを貫通する貫通孔と、を有する半導体基板と、他の主面上に形成された第１導電層と、貫通孔の内壁に形成されると共に第１導電層を露出する第１開口部を有する絶縁層と、貫通孔の内壁に形成された絶縁層を被覆すると共に第１導電層の第１開口部の外縁に対応する領域に形成された凹部に埋設される有機絶縁層と、貫通孔の内壁に形成された有機絶縁層上に形成されると共に、有機絶縁層の貫通孔の底部に形成された第２開口部から露出する第１導電層に接続される第２導電層と、を備える。【選択図】図１−５
2018113466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面と、前記一主面とは反対側の他の主面と、前記一主面から前記他の主面までを貫通する貫通孔と、を有する半導体基板と、
前記他の主面上に形成された第１導電層と、
前記貫通孔の内壁に形成されると共に前記第１導電層を露出する第１開口部を有する絶縁層と、
前記貫通孔の内壁に形成された絶縁層を被覆すると共に前記第１導電層の前記第１開口部の外縁に対応する領域に形成された凹部に埋設される有機絶縁層と、
前記貫通孔の内壁に形成された有機絶縁層上に形成されると共に、前記有機絶縁層の前記貫通孔の底部に形成された第２開口部から露出する前記第１導電層に接続される第２導電層と、を備える
半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１導電層と接する第１領域と、前記有機絶縁層を介して前記第１導電層と接する第２領域と、を有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記一主面を被覆することを特徴とする
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２導電層は、前記有機絶縁層を介して前記一主面上の前記絶縁層と接する
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電層は、平面視において前記第１開口部に内包される領域の前記第１導電層に接続される
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板等の半導体基板を貫通する貫通孔を介して電極を設ける構造を備える半導体装置やその製造方法が種々提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９５２１号公報
【特許文献２】特開２００６−２３７５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者がＴＳＶを備える半導体装置およびその製造方法を鋭意研究した結果、シリコン基板に設けられた貫通孔に形成した絶縁膜の絶縁性が悪くなり、それが原因となって、半導体装置の信頼性が低くなってしまうことがあることを見出した。
【０００５】
本発明の主な目的は、基板に設けられた貫通電極を備える半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
一主面と、前記一主面とは反対側の他の主面と、前記一主面から前記他の主面までを貫通する貫通孔と、を有する半導体基板と、前記他の主面上に形成された第１導電層と、前記貫通孔の内壁に形成されると共に前記第１導電層を露出する第１開口部を有する絶縁層と、前記貫通孔の内壁に形成された絶縁層を被覆すると共に前記第１導電層の前記第１開口部の外縁に対応する領域に形成された凹部に埋設される有機絶縁層と、前記貫通孔の内壁に形成された有機絶縁層上に形成されると共に、前記有機絶縁層の前記貫通孔の底部に形成された第２開口部から露出する前記第１導電層に接続される第２導電層と、を備える半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板に設けられた貫通電極を備える半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１−１】図１−１は、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図１−２】図１−２は、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図１−３】図１−３は、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図１−４】図１−４は、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図１−５】図１−５は、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図２】図２は、図１−２（Ｅ）のＡ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図３】図３は、図１−２（Ｅ）のＢ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図４】図４は、図１−３（Ｆ）のＣ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図５】図５は、図１−３（Ｆ）のＤ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図６】図６は、図１−４（Ｉ）のＥ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図７】図７は、図１−５（Ｋ）のＦ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図８−１】図８−１は、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図８−２】図８−２は、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図８−３】図８−３は、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図８−４】図８−４は、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図８−５】図８−５は、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図９−１】図９−１は、比較例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図９−２】図９−２は、比較例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図９−３】図９−３は、比較例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図９−４】図９−４は、比較例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図９−５】図９−５は、比較例の半導体装置の製造方法を説明するための概略縦断面図である。
【図１０】図１０は、図９−２（Ｄ）のＧ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１１】図１１は、図９−２（Ｄ）のＨ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１２】図１２は、図９−２（Ｅ）のＩ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１３】図１３は、図９−２（Ｅ）のＪ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１４】図１４は、図９−３（Ｆ）のＫ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１５】図１５は、図９−３（Ｆ）のＬ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１６】図１６は、図９−３（Ｇ）のＭ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１７】図１７は、図９−３（Ｇ）のＮ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１８】図１８は、図９−４（Ｉ）のＯ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図１９】図１９は、図９−４（Ｉ）のＰ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図２０】図２０は、図９−５（Ｊ）のＱ部の部分拡大概略縦断面図である。
【図２１】図２１は、図９−５（Ｊ）のＲ部の部分拡大概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（第１の実施の形態）
図１−５（Ｋ）を参照すれば、本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置１は、半導体シリコン基板１０と、酸化シリコン膜１２と、ＴｉＮ膜１４と、Ａｌ膜１６と、貫通孔２０と、ＣＶＤ酸化膜２２と、有機絶縁膜２４と、シードメタル層２６と、Ｃｕめっき層３０と、ソルダーレジスト３２とを備えている。
【００１１】
酸化シリコン膜１２は、シリコン基板１０の主面１１上に設けられている。ＴｉＮ膜１４は、酸化シリコン膜１２上に設けられている。Ａｌ膜１６は、ＴｉＮ膜１４上に設けられている。
【００１２】
貫通孔２０は、シリコン基板１０の主面１１とは反対側の主面１３から主面１１までシリコン基板１０を貫通し、さらに酸化シリコン膜１２およびＴｉＮ膜１４を貫通し、底部にＡｌ膜１６を露出して設けられている。
【００１３】
ＣＶＤ酸化膜２２は、貫通孔２０の側面２１およびシリコン基板１０の主面１３上に設けられている。
【００１４】
有機絶縁膜２４は、貫通孔２０内のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上に設けられている。
【００１５】
シードメタル層２６は、貫通孔２０の側面２１上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上、主面１３上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上ならび有機絶縁膜２４の開孔２５に露出するＡｌ膜１６上に設けられている。
【００１６】
Ｃｕめっき層３０は、貫通孔２０の側面２１の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上および主面１３上の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上ならび有機絶縁膜２４の開孔２５に露出するＡｌ膜１６上に設けられたシードメタル層２６上に設けられている。主面１３上のＣｕめっき層３０の膜厚は、貫通孔２０の側面２１や底部のＣｕめっき層３０の膜厚よりも大きい。Ｃｕめっき層３０およびシードメタル層２６は、シリコン貫通電極を構成している。
【００１７】
ソルダーレジスト３２は、シリコン基板１０の主面１３上の有機絶縁膜２４上、主面１３上のＣｕめっき層３０上および貫通孔２０内のＣｕめっき層３０の開孔３１内に設けられている。
【００１８】
なお、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子等の回路素子（図示せず）は、シリコン基板１０の主面１１に形成され、酸化シリコン膜１２によって覆われている。Ａｌ膜１６は、半導体装置１を接続するデバイスパッド等として用いられる。
【００１９】
次に、図１−１〜１−５を参照して本発明の好ましい第１の実施の形態の半導体装置１の製造方法を説明する。
【００２０】
ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子等の回路素子（図示せず）を、シリコン基板１０の主面１１に形成する。
【００２１】
図１―１（Ａ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１上に酸化シリコン膜１２を形成し、酸化シリコン膜１２上にＴｉＮ膜１４を形成し、ＴｉＮ膜１４上にＡｌ膜１６を形成する。なお、ＴｉＮ膜１４はＡｌのマイグレーションを防止するために設けている。
【００２２】
図１―１（Ｂ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１とは反対側の主面１３上にレジスト１８を形成し、レジスト１８に選択的に開孔１９を形成する。その後、レジスト１８をマスクとしてシリコン基板１０をエッチングして、シリコン基板１０の主面１３から主面１１までシリコン基板１０を貫通する貫通孔２０を形成する。
【００２３】
図１―１（Ｃ）を参照すれば、次に、さらに酸化シリコン膜１２およびＴｉＮ膜１４をエッチングして、貫通孔２０の底部にＡｌ膜１６を露出させる。
【００２４】
図１―２（Ｄ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の側面２１、底部およびシリコン基板１０の主面１３上に、ＣＶＤ酸化膜２２を形成する。なお、ＣＶＤ酸化膜２２は、一例として、２００℃以下で形成してもよい。
【００２５】
図１―２（Ｅ）を参照すれば、次に、ＣＶＤ酸化膜２２をエッチバックして、貫通孔２０の底部にＡｌ膜１６を露出させる。
【００２６】
図１―３（Ｆ）を参照すれば、次に、貫通孔２０内のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上に有機絶縁膜２４を形成する。
【００２７】
有機絶縁膜２４を形成するには、まず、シリコン基板１０の主面１１を下側にして、主面１３側から有機絶縁膜溶液を塗布して、有機絶縁膜２４を、貫通孔２０内のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上に形成する。有機絶縁膜溶液の塗布はスピンコート等で行う。その後、有機絶縁膜溶液を塗布したシリコン基板１０を真空容器内に入れ、真空容器内を真空引きして、真空状態で、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡や貫通孔２０内に塗布した有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡を除去する。
【００２８】
なお、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡は、塗布前の有機絶縁膜溶液の状態で除去することも可能であるが、有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡は、有機絶縁膜溶液の塗布時に生じるので、有機絶縁膜溶液を塗布した後に除去する。
【００２９】
本実施の形態の有機絶縁膜２４は、感光性の有機絶縁膜を使用する。真空状態で気泡を除去した後は、有機絶縁膜２４のプリベークを行う。
【００３０】
図１―３（Ｇ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４に、Ａｌ膜１６を露出する開孔２５を形成する。有機絶縁膜２４は、感光性の有機絶縁膜であるので、フォトマスクを使用して、有機絶縁膜２４を選択的に露光し、その後現像して、開孔２５を形成する。
【００３１】
図１―４（Ｈ）を参照すれば、次に、スパッタ法により、貫通孔２０の側面２１上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上、主面１３上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上ならび有機絶縁膜２４の開孔２５に露出するＡｌ膜１６上にシードメタル層２６を形成する。シードメタル層２６は、最初にＴｉをスパッタし、その後、Ｃｕをスパッタして形成する。
【００３２】
図１―４（Ｉ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を形成し、ドライフィルム２８に選択的に開孔２９を形成する。開孔２９は、貫通孔２０を露出し、貫通孔２０周辺のシードメタル層２６を露出するように形成する。なお、ドライフィルム２８に代えて、液状レジストを使用すると、貫通孔２０内に液状レジストが溜まってしまい、貫通孔２０内から液状レジストを除去するのが困難となるので、ドライフィルム２８を使用している。
【００３３】
図１―５（Ｊ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８をマスクとして、貫通孔２０の側面２１の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上および主面１３上の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上ならび有機絶縁膜２４の開孔２５に露出するＡｌ膜１６上に設けられたシードメタル層２６上に、Ｃｕめっき層３０を形成する。Ｃｕめっき層３０はシードメタル層２６を利用した電解めっきで行う。電解めっきでは、主面１３上の方が貫通孔２０内よりも電流が流れやすいので、主面１３上のＣｕめっき層３０の膜厚は、貫通孔２０の側面２１や底部のＣｕめっき層３０の膜厚よりも大きい。
【００３４】
図１―５（Ｋ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を除去し、その後、Ｃｕめっき層３０に覆われていないシードメタル層２６を除去する。その後、ソルダーレジスト３２を、シリコン基板１０の主面１３上の有機絶縁膜２４上、主面１３上のＣｕめっき層３０上および貫通孔２０内のＣｕめっき層３０の開孔３１内に形成する。
【００３５】
（比較例）
次に、図９−１〜９−５を参照して比較例の半導体装置３の製造方法を説明する。
【００３６】
まず、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子等の回路素子（図示せず）を、シリコン基板１０の主面１１に形成する。
【００３７】
図９―１（Ａ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１上に酸化シリコン膜１２を形成し、酸化シリコン膜１２上にＴｉＮ膜１４を形成し、ＴｉＮ膜１４上にＡｌ膜１６を形成する。
【００３８】
図９―１（Ｂ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１とは反対側の主面１３上にレジスト１８を形成し、レジスト１８に選択的に開孔１９を形成する。その後、レジスト１８をマスクとしてシリコン基板１０をエッチングして、シリコン基板１０の主面１３から主面１１までシリコン基板１０を貫通する貫通孔２０を形成する。
【００３９】
図９―１（Ｃ）を参照すれば、次に、さらに酸化シリコン膜１２およびＴｉＮ膜１４をエッチングして、貫通孔２０の底部にＡｌ膜１６を露出させる。
【００４０】
図９―２（Ｄ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の側面２１、底部およびシリコン基板１０の主面１３上に、ＣＶＤ酸化膜２２を形成する。
【００４１】
図９―２（Ｅ）を参照すれば、次に、ＣＶＤ酸化膜２２をエッチバックして、貫通孔２０の底部にＡｌ膜１６を露出させる。
【００４２】
図９―３（Ｆ）を参照すれば、次に、スパッタ法により、貫通孔２０の側面２１上のＣＶＤ酸化膜２２上、主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上および貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上にシードメタル層２６を形成する。シードメタル層２６は、最初にＴｉをスパッタし、その後、Ｃｕをスパッタして形成する。
【００４３】
図９―３（Ｇ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を形成し、ドライフィルム２８に選択的に開孔２９を形成する。開孔２９は、貫通孔２０を露出し、貫通孔２０周辺のシードメタル層２６を露出するように形成する。
【００４４】
図９―４（Ｈ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８をマスクとして、貫通孔２０の側面２１のＣＶＤ酸化膜２２上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上のシードメタル層２６上に、Ｃｕめっき層３０を形成する。Ｃｕめっき層３０はシードメタル層２６を利用した電解めっきで行う。
【００４５】
図９―４（Ｉ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を除去し、その後、Ｃｕめっき層３０に覆われていないシードメタル層２６を除去する。
【００４６】
図９―４（Ｊ）を参照すれば、次に、その後、ソルダーレジスト３２を、シリコン基板１０の主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上、主面１３上のＣｕめっき層３０上および貫通孔２０内のＣｕめっき層３０の開孔３１内に形成する。
【００４７】
（第１の実施の形態と比較例との比較）
シリコン基板１０の主面１３上ならびに貫通孔２０の側面２１および底部にＣＶＤ酸化膜２２（図１−２（Ｄ）、図９−２（Ｄ）、図１１参照）を形成すると、ＣＶＤに使用される原料ガスの回り込みの影響等で、貫通孔２０の底部に形成されるＣＶＤ酸化膜２２よりも、シリコン基板１０の主面１３上に形成されるＣＶＤ酸化膜２２の方が膜厚が厚くなり、また、貫通孔２０の底部の角部に窪み２２１が生じる（図１１参照）。また、ＣＶＤ酸化膜２２を形成する際に、シリコン基板１０の主面１３上等でパーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２に取り込まれる場合もある（図１０参照）。
【００４８】
このＣＶＤ酸化膜２２を、ドライエッチングでエッチバックする（図１−２（Ｅ）、図９−２（Ｅ）参照）と、貫通孔２０の底部に形成されていたＣＶＤ酸化膜２２は除去されてＡｌ膜１６が露出する。エッチバック時には、反応生成物除去のために、アッシングと有機剥離洗浄を行う。この際に、洗浄液によるＡｌ膜１６のアンダーカットが生じ、ＣＶＤ酸化膜２２の窪み２２１等の影響もあり、貫通孔２０の底部の角部の下部のＡｌ膜１６には窪み１６１が生じる（図３、図１３参照）。
【００４９】
また、ＣＶＤ酸化膜２２の表面には、ドライエッチングによるダメージ層２３が形成される（図１２、図１３参照）。シリコン基板１０の主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２も薄くなり、パーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２表面のダメージ層２３に接触したり（図２、図１２参照）、ＣＶＤ酸化膜２２から突出する場合もある。
【００５０】
スパッタにより貫通孔２０内にシードメタル層２６を均一に形成するのは困難である。
比較例のように、スパッタによりシードメタル層２６を形成すると、貫通孔２０の底部の角部に生じたＡｌ膜１６の窪み１６１には、未スパッタ部分２６１やピンホールが発生する場合がある（図１５参照）。
【００５１】
その後、シードメタル層２６上にドライフィルム２８を形成し、ドライフィルム２８に選択的に開孔２９を形成する（図９―３（Ｇ）参照）と、ドライフィルム２８の現像液３４が未スパッタ部分２６１（図１５参照）やピンホールを介してＡｌ膜１６に侵入して、Ａｌ膜１６を侵食し、図１７に示すように、Ａｌ浸食凹部１６２を形成してしまう。
【００５２】
そして、その後、図９―４（Ｈ）に示すように、ドライフィルム２８をマスクにしてシードメタル層２６上にＣｕめっき層３０を形成する。この際には、図１９に示すように、Ａｌ浸食凹部１６２には、Ｃｕめっき層３０が形成されず、Ａｌ空洞部１６３となる。
【００５３】
その後、図９―５（Ｊ）に示すように、ソルダーレジスト３２を形成する。その後の工程の半田ボール形成時のリフロ熱や半導体装置３の実装時の実装リフロ熱、外部応力、熱ストレス等が加わると、図２１に示すように、Ａｌ空洞部１６３を起点としてＣＶＤ酸化膜２２にクラック２２１が生じ、その結果、リーク不良の可能性が高くなり、信頼性を低下させてしまう。
【００５４】
また、シリコン基板１０の主面１３上については、ドライエッチングの後に、スパッタによりシードメタル層２６を形成すると、ドライエッチングにより形成されたダメージ層２３上にシードメタル層２６が形成され（図１４参照）、その後、シードメタル層２６がドライフィルム２８の現像液３４に晒され（図１６参照）、その後、シードメタル層２６上にＣｕめっき層３０が形成される（図１８参照）。
【００５５】
図２０を参照すれば、シリコン基板１０の主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２が薄くなり、パーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２表面のダメージ層２３やシードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したり、また、パーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２から突出して、シードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したりする場合がある。
このような場合には、パーティクル２２１を介してシリコン基板１０とＣｕめっき層３０との間でリークが発生する。
【００５６】
また、シリコン基板１０の貫通孔２０側の角部１０２上のＣＶＤ酸化膜２２等は、ドライエッチング時に薄くなりやすく、このような薄くなりやすい部分では、リークパス２２２が発生しやすい。そして、リークパス２２２を介してシリコン基板１０とＣｕめっき層３０との間でリークが発生する。
【００５７】
さらに、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える半導体装置の絶縁膜としてＣＶＤ酸化膜２２を用いる場合には、デバイスや使用材料の温度制限が入る場合の成膜温度は、２００℃以下となる。このような低温で成膜したＣＶＤ酸化膜２２は信頼性が十分でない。
【００５８】
これに対して、本発明の好ましい第１の実施の形態では、ＣＶＤ酸化膜２２をドライエッチングでエッチバックした（図１−２（Ｅ）、図２、図３参照）後に、貫通孔２０内のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上に有機絶縁膜２４を形成する（図１−３（Ｆ）、図４、図５参照）。
【００５９】
ドライエッチングの際に貫通孔２０の底部の角部の下部のＡｌ膜１６に生じた窪み１６１（図３参照）は、有機絶縁膜２４によって覆われる（図５参照）ので、その後、有機絶縁膜２４上に形成したシードメタル層２６上にドライフィルム２８を形成し、ドライフィルム２８に選択的に開孔２９を形成する（図１―４（Ｉ）参照）際に、ドライフィルム２８の現像液３４が窪み１６１に侵入して、Ａｌ膜１６を侵食するのを防止できる（図６参照）。
【００６０】
また、ＣＶＤ酸化膜２２をドライエッチングでエッチバック（図１−２（Ｅ）、図２参照）することにより薄くなった、シリコン基板１０の主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２やシリコン基板１０の貫通孔２０側の角部１０２上のＣＶＤ酸化膜２２は、有機絶縁膜２４で覆われる（図１―３（Ｆ）、図４参照）。
【００６１】
従って、その後、有機絶縁膜２４上に形成したシードメタル層２６上にＣｕめっき層３０を形成しても（図１―５（Ｋ）、図７参照）、ＣＶＤ酸化膜２２は有機絶縁膜２４で覆われているので、パーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２表面のダメージ層２３やシードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したり、また、ＣＶＤ酸化膜２２から突出したパーティクル２２１が、シードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したりするのを防止でき、その結果、パーティクル２２１を介してシリコン基板１０とＣｕめっき層３０との間でリークが発生するのを防止できる。
【００６２】
また、シリコン基板１０の貫通孔２０側の角部１０２上のＣＶＤ酸化膜２２がドライエッチング時に薄くなってリークパス２２２が発生しても、ＣＶＤ酸化膜２２は有機絶縁膜２４で覆われているので、リークパス２２２を介してシリコン基板１０とＣｕめっき層３０との間でリークが発生するのを防止できる。
【００６３】
さらに、ＣＶＤ酸化膜２２の成膜温度が２００℃以下であって、成膜したＣＶＤ酸化膜２２は信頼性が十分でない場合にも、ＣＶＤ酸化膜２２は有機絶縁膜２４で覆われているので、有機絶縁膜２４によって十分な信頼性を得ることができる。
【００６４】
また、有機絶縁膜２４を形成する際には、有機絶縁膜溶液を塗布後、真空引きして、真空状態で、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡や貫通孔２０内に塗布した有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡を除去している。気泡が有機絶縁膜２４中や有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在すると、有機絶縁膜２４を形成後に行う熱処理等で気泡が破裂し、絶縁性を失う可能性があるが、本実施の形態では、真空状態で気泡を除去しているので、熱処理等で気泡が破裂し、絶縁性を失うことを防止または抑制できる。
【００６５】
（第２の実施の形態）
図８−５（Ｋ）を参照すれば、本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置２は、半導体シリコン基板１０と、酸化シリコン膜１２と、ＴｉＮ膜１４と、Ａｌ膜１６と、貫通孔２０と、ＣＶＤ酸化膜２２と、有機絶縁膜２４と、シードメタル層２６と、Ｃｕめっき層３０と、ソルダーレジスト３２とを備えている。
【００６６】
酸化シリコン膜１２は、シリコン基板１０の主面１１上に設けられている。ＴｉＮ膜１４は、酸化シリコン膜１２上に設けられている。Ａｌ膜１６は、ＴｉＮ膜１４上に設けられている。
【００６７】
貫通孔２０は、シリコン基板１０の主面１１とは反対側の主面１３から主面１１までシリコン基板１０を貫通し、さらに酸化シリコン膜１２およびＴｉＮ膜１４を貫通し、底部にＡｌ膜１６を露出して設けられている。
【００６８】
ＣＶＤ酸化膜２２は、貫通孔２０の側面２１上、シリコン基板１０の主面１３上および貫通孔２０の底部に露出するＡｌ膜１６上に設けられている。
【００６９】
有機絶縁膜２４は、貫通孔２０の側面２１上のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部のＣＶＤ酸化膜２２上に設けられている。
【００７０】
シードメタル層２６は、貫通孔２０の側面２１上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上、主面１３上の有機絶縁膜２４上、ならびに貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５およびＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３に露出するＡｌ膜１６上に設けられている。
【００７１】
Ｃｕめっき層３０は、貫通孔２０の側面２１の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２４上および主面１３上の有機絶縁膜２４上のシードメタル層２６上ならびに貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５およびＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３に設けられたシードメタル層２６上に設けられている。Ｃｕめっき層３０およびシードメタル層２６は、シリコン貫通電極を構成している。主面１３上のＣｕめっき層３０の膜厚は、貫通孔２０の側面２１や底部のＣｕめっき層３０の膜厚よりも大きい。
【００７２】
ソルダーレジスト３２は、シリコン基板１０の主面１３上の有機絶縁膜２４上、主面１３上のＣｕめっき層３０上および貫通孔２０内のＣｕめっき層３０の開孔３１内に設けられている。
【００７３】
なお、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子等の回路素子（図示せず）は、シリコン基板１０の主面１１に形成され、酸化シリコン膜１２によって覆われている。Ａｌ膜１６は、半導体装置１を接続するデバイスパッド等として用いられる。
【００７４】
次に、図８−１〜８−５を参照して本発明の好ましい第２の実施の形態の半導体装置２の製造方法を説明する。
【００７５】
まず、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子等の回路素子（図示せず）を、シリコン基板１０の主面１１に形成する。
【００７６】
図８―１（Ａ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１上に酸化シリコン膜１２を形成し、酸化シリコン膜１２上にＴｉＮ膜１４を形成し、ＴｉＮ膜１４上にＡｌ膜１６を形成する。なお、ＴｉＮ膜１４はＡｌのマイグレーションを防止するために設けている。
【００７７】
図８―１（Ｂ）を参照すれば、次に、シリコン基板１０の主面１１とは反対側の主面１３上にレジスト１８を形成し、レジスト１８に選択的に開孔１９を形成する。その後、レジスト１８をマスクとしてシリコン基板１０をエッチングして、シリコン基板１０の主面１３から主面１１までシリコン基板１０を貫通する貫通孔２０を形成する。
【００７８】
図８―１（Ｃ）を参照すれば、次に、さらに酸化シリコン膜１２およびＴｉＮ膜１４をエッチングして、貫通孔２０の底部にＡｌ膜１６を露出させる。
【００７９】
図８―２（Ｄ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の側面２１、底部およびシリコン基板１０の主面１３上に、ＣＶＤ酸化膜２２を形成する。
【００８０】
図８―２（Ｅ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の側面２１上のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部のＣＶＤ酸化膜２２上に有機絶縁膜２４を形成する。
【００８１】
有機絶縁膜２４を形成するには、まず、シリコン基板１０の主面１１を下側にして、主面１３側から有機絶縁膜溶液を塗布して、有機絶縁膜２４を、貫通孔２０内のＣＶＤ酸化膜２２上および主面１３上のＣＶＤ酸化膜２２上ならびに貫通孔２０の底部のＣＶＤ酸化膜２２上に形成する。有機絶縁膜溶液の塗布はスピンコート等で行う。その後、有機絶縁膜溶液を塗布したシリコン基板１０を真空容器内に入れ、真空容器内を真空引きして、真空状態で、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡や貫通孔２０内に塗布した有機絶縁膜２４とＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡を除去する。
【００８２】
なお、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡は、塗布前の有機絶縁膜溶液の状態で除去することも可能であるが、有機絶縁膜２４とＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡は、有機絶縁膜溶液の塗布時に生じるので、有機絶縁膜溶液を塗布した後に除去する。
【００８３】
本実施の形態の有機絶縁膜２４は、感光性の有機絶縁膜を使用する。真空状態で気泡を除去した後は、有機絶縁膜２４のプリベークを行う。
【００８４】
図８―３（Ｆ）を参照すれば、次に、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４に、ＣＶＤ酸化膜２２を露出する開孔２５を形成する。有機絶縁膜２４は、感光性の有機絶縁膜であるので、フォトマスクを使用して、有機絶縁膜２４を選択的に露光し、その後現像して、開孔２５を形成する。
【００８５】
図８―３（Ｇ）を参照すれば、次に、開孔２５を形成した有機絶縁膜２４をマスクにしてドライエッチングを行い、有機絶縁膜２４の開孔２５の直下のＣＶＤ酸化膜２２に開孔２３を形成する。
【００８６】
図８―４（Ｈ）を参照すれば、次に、スパッタ法により、貫通孔２０の側面２１上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４上、主面１３上の有機絶縁膜２４上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上、ＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３の側壁上ならびに有機絶縁膜２４の開孔２５およびＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３に露出するＡｌ膜１６上にシードメタル層２６を形成する。シードメタル層２６は、最初にＴｉをスパッタし、その後、Ｃｕをスパッタして形成する。
【００８７】
図８―４（Ｉ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を形成し、ドライフィルム２８に選択的に開孔２９を形成する。開孔２９は、貫通孔２０を露出し、貫通孔２０周辺のシードメタル層２６を露出するように形成する。
【００８８】
図８―５（Ｊ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８をマスクとして、貫通孔２０内の側壁２１上のシードメタル層２６上、主面１３上であってドライフィルム２８の開孔２９内のシードメタル層２６上、貫通孔２０の底部の有機絶縁膜２４の開孔２５の側壁上、ＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３の側壁上ならびに有機絶縁膜２４の開孔２５およびＣＶＤ酸化膜２２の開孔２３に露出するＡｌ膜１６上のシードメタル層２６上に、Ｃｕめっき層３０を形成する。Ｃｕめっき層３０はシードメタル層２６を利用した電解めっきで行う。
電解めっきでは、主面１３上の方が貫通孔２０内よりも電流が流れやすいので、主面１３上のＣｕめっき層３０の膜厚は、貫通孔２０の側面２１や底部のＣｕめっき層３０の膜厚よりも大きい。
【００８９】
図８―５（Ｋ）を参照すれば、次に、ドライフィルム２８を除去し、その後、Ｃｕめっき層３０に覆われていないシードメタル層２６を除去する。その後、ソルダーレジスト３２を、シリコン基板１０の主面１３上の有機絶縁膜２４上、主面１３上のＣｕめっき層３０上および貫通孔２０内のＣｕめっき層３０の開孔３１内に形成する。
【００９０】
本発明の好ましい第２の実施の形態では、貫通孔２０の側面２１、底部およびシリコン基板１０の主面１３上にＣＶＤ酸化膜２２を形成した（図８―２（Ｄ）参照）後に、ＣＶＤ酸化膜２２上に有機絶縁膜２４を形成し（図８―２（Ｅ）参照）、その後、有機絶縁膜２４にＣＶＤ酸化膜２２を露出する開孔２５を形成し（図８―３（Ｆ）参照）、その後、開孔２５を形成した有機絶縁膜２４をマスクにして有機絶縁膜２４の開孔２５の直下のＣＶＤ酸化膜２２に、Ａｌ膜１６を露出する開孔２３を形成する（図８―３（Ｇ）参照）。
【００９１】
このように、ＣＶＤ酸化膜２２と有機絶縁膜２４の２層構造となっているので、ＣＶＤ酸化膜２２の薄膜化が可能となる。ＣＶＤ酸化膜２２はコスト高なので、薄膜化することによりコストダウンが図れる。また、薄膜化できればその分、ＣＶＤ成膜装置の処理能力が向上する。
【００９２】
また、第１の実施の形態のように、Ａｌ膜１６を露出するのに、ＣＶＤ酸化膜２２をドライエッチングによるエッチバックを行わないので、エッチングダメージのないＣＶＤ酸化膜２２が形成でき、より信頼性の高い絶縁膜形成が可能となる。また、ＣＶＤ酸化膜２２をドライエッチングによるエッチバックを行わないので、第１の実施の形態のように、ドライエッチングによるエッチバックの際に貫通孔２０の底部の角部の下部のＡｌ膜１６に窪み１６１（図３参照）が生じるのを防止できる。
【００９３】
ＣＶＤ酸化膜２２は有機絶縁膜２４で覆われているので、パーティクル２２１がＣＶＤ酸化膜２２表面のシードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したり、また、ＣＶＤ酸化膜２２から突出したパーティクル２２１が、シードメタル層２６を介してＣｕめっき層３０と接触したりするのを防止でき、その結果、パーティクル２２１を介してシリコン基板１０とＣｕめっき層３０との間でリークが発生するのを防止できる。
【００９４】
さらに、ＣＶＤ酸化膜２２の成膜温度が２００℃以下であって、成膜したＣＶＤ酸化膜２２は信頼性が十分でない場合にも、ＣＶＤ酸化膜２２は有機絶縁膜２４で覆われているので、有機絶縁膜２４によって十分な信頼性を得ることができる。
【００９５】
また、有機絶縁膜２４を形成する際には、有機絶縁膜溶液を塗布後、真空引きして、真空状態で、有機絶縁膜２４内部のマイクロバブル等の気泡や貫通孔２０内に塗布した有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在するエア溜り等の気泡を除去している。気泡が有機絶縁膜２４中や有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在すると、有機絶縁膜２４を形成後に行う熱処理等で気泡が破裂し、絶縁性を失う可能性があるが、本実施の形態では、真空状態で気泡を除去しているので、熱処理等で気泡が破裂し、絶縁性を失うことを防止または抑制できる。
【００９６】
なお、上記第１および第２の実施の形態では、有機絶縁膜２４内部の気泡や有機絶縁膜２４とＡｌ膜１６やＣＶＤ酸化膜２２との間に存在する気泡は、真空状態で除去したが、真空状態でさらに、超音波を用いて有機絶縁膜溶液を塗布したシリコン基板１０に振動を与えることによって、真空状態で気泡を除去する方法よりも、より有効に気泡を除去することができる。
【００９７】
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【符号の説明】
【００９８】
１０  半導体シリコン基板
１１  主面
１２  酸化シリコン膜
１３  主面
１４  ＴｉＮ膜
１６  Ａｌ膜
２０  貫通孔
２２  ＣＶＤ酸化膜
２４  有機絶縁膜
２５  開孔
２６  シードメタル層
２８  ドライフィルム
３０  Ｃｕめっき層
３２  ソルダーレジスト
【図１−１】
2018113466.tif 000003
【図１−２】
2018113466.tif 000004
【図１−３】
2018113466.tif 000005
【図１−４】
2018113466.tif 000006
【図１−５】
2018113466.tif 000007
【図２】
2018113466.tif 000008
【図３】
2018113466.tif 000009
【図４】
2018113466.tif 000010
【図５】
2018113466.tif 000011
【図６】
2018113466.tif 000012
【図７】
2018113466.tif 000013
【図８−１】
2018113466.tif 000014
【図８−２】
2018113466.tif 000015
【図８−３】
2018113466.tif 000016
【図８−４】
2018113466.tif 000017
【図８−５】
2018113466.tif 000018
【図９−１】
2018113466.tif 000019
【図９−２】
2018113466.tif 000020
【図９−３】
2018113466.tif 000021
【図９−４】
2018113466.tif 000022
【図９−５】
2018113466.tif 000023
【図１０】
2018113466.tif 000024
【図１１】
2018113466.tif 000025
【図１２】
2018113466.tif 000026
【図１３】
2018113466.tif 000027
【図１４】
2018113466.tif 000028
【図１５】
2018113466.tif 000029
【図１６】
2018113466.tif 000030
【図１７】
2018113466.tif 000031
【図１８】
2018113466.tif 000032
【図１９】
2018113466.tif 000033
【図２０】
2018113466.tif 000034
【図２１】
2018113466.tif 000035