(57)【要約】【課題】長期にわたる画像形成の繰り返しにおいても、露光メモリー及び転写メモリーの発生が抑制することができる電子写真感光体を提供することである。【解決手段】電子写真感光体は単層の感光層を備える。光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下である。光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから、感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間である。パルス光の強度は、パルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に、表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度である。正極性の半減露光量ＥP1/2に対する負極性の半減露光量ＥN1/2の比率ＥN1/2／ＥP1/2は、４．５以下である。【選択図】図１
2018189940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、感光層とを備える電子写真感光体であって、
前記感光層は、単層であり、
前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含み、
光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であり、
前記光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された前記感光層の表面に照射されてから、前記感光層の前記表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間であり、
前記パルス光の強度は、前記パルス光が前記表面電位＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に照射されてから４００ミリ秒後に、前記表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度であり、
正極性の半減露光量ＥP1/2に対する負極性の半減露光量ＥN1/2の比率ＥN1/2／ＥP1/2は、４．５以下であり、
前記半減露光量ＥP1/2は、波長７８０ｎｍの第一露光光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に１０ミリ秒間照射され、前記第一露光光の照射開始から８０ミリ秒後に前記表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖとなる露光量であり、
前記半減露光量ＥN1/2は、波長７８０ｎｍの第二露光光が−８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に１０ミリ秒間照射され、前記第二露光光の照射開始から８０ミリ秒後に前記表面電位が−８００Ｖから−４００Ｖとなる露光量である、電子写真感光体。
【請求項２】
前記光応答時間は、０．０５ミリ秒０．７０ミリ秒以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記比率ＥN1/2／ＥP1/2は、２．０以下である、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層の質量に対する前記正孔輸送剤の含有率は、３５質量％以上６５質量％以下である、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電子輸送剤の含有量ｍETMに対する前記正孔輸送剤の含有量ｍHTMの比率ｍHTM／ｍETMは、数式（１）を満たす、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子写真感光体。
１．２  ＜  ｍHTM／ｍETM  ＜  ４．０・・・（１）
【請求項６】
前記電子輸送剤は、一般式（ＥＴＭ１）〜（ＥＴＭ４）で表される化合物のうち少なくとも１つを含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【化１】
2018189940.tif 000017
（前記一般式（ＥＴＭ１）中、
Ｒ61及びＲ64は、各々独立に、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ２）中、
Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数３以上１４以下の複素環基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ３）中、
Ｒ39及びＲ40は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素数６以上１４以下のアリール基、又は置換基を１若しくは複数有してもよいアミノ基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ４）中、
Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、各々独立に、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。）
【請求項７】
前記一般式（ＥＴＭ１）中、
Ｒ61及びＲ64は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ２）中、
Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、各々独立に、ハロゲン原子を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ３）中、
Ｒ39及びＲ40は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を複数有するフェニル基を表し、
前記一般式（ＥＴＭ４）中、
Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す、請求項６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記電子輸送剤は、化学式（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）で表される化合物のうち少なくとも１つである、請求項６又は７に記載の電子写真感光体。
【化２】
2018189940.tif 000018
【請求項９】
前記正孔輸送剤は、一般式（ＨＴＭ８）で表される化合物を含む、請求項１〜８の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【化３】
2018189940.tif 000019
（前記一般式（ＨＴＭ８）中、
Ｒ81及びＲ82は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、但しＲ81及びＲ82の両方が炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す場合を除き、
Ｒ83は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
ｐ1は、０以上２以下の整数を表し、
ｐ2は、０以上５以下の整数を表す。）
【請求項１０】
前記正孔輸送剤は、一般式（ＨＴＭ−１４）で表される化合物を含む、請求項９に記載の電子写真感光体。
【化４】
2018189940.tif 000020
【請求項１１】
前記電荷発生剤は、Ｙ型チタニルフタロシアニンである、請求項１〜１０の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
【請求項１３】
像担持体と、
前記像担持体の表面を正極性に帯電する帯電部と、
帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
前記トナー像を前記像担持体から記録媒体へ転写する転写部と
を備える画像形成装置であって、
前記像担持体は、請求項１〜１１の何れか一項に記載の電子写真感光体であり、
プロセス時間は、１００ミリ秒以下であり、
前記プロセス時間は、前記像担持体の前記表面における所定の箇所が前記露光部で露光されてから前記現像部で現像されるまでの時間である、画像形成装置。
【請求項１４】
前記像担持体は、前記記録媒体に転写し終えた領域に、除電を行うことなしに、前記帯電部により再び帯電される、請求項１３に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。電子写真感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体又は単層型電子写真感光体が用いられる。電子写真感光体は、感光層を備える。積層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。単層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能と電荷輸送の機能とを有する単層型感光層を備える。
【０００３】
特許文献１に記載の電子写真感光体は正負両極性の光感度を有し、露光後電位が帯電電位の半分となる露光エネルギーの比率（Ｅ1/2（負極性）／Ｅ1/2（正極性））が０．５〜３である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０８６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の電子写真感光体では、長期にわたる画像形成の繰り返し使用において、露光メモリー及び転写メモリーの発生の抑制が十分ではなかった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができる電子写真感光体を提供することである。また、本発明の別の目的は、画像不良（例えば、露光メモリー及び転写メモリーの発生に起因する画像不良）の発生を抑制する画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。前記感光層は、単層である。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含む。光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下である。前記光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された前記感光層の表面に照射されてから、前記感光層の前記表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間である。前記パルス光の強度は、前記パルス光が前記表面電位＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に照射されてから４００ミリ秒後に、前記表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度である。正極性の半減露光量ＥP1/2に対する負極性の半減露光量ＥN1/2の比率ＥN1/2／ＥP1/2は、４．５以下である。前記半減露光量ＥP1/2は、波長７８０ｎｍの第一露光光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に１０ミリ秒間照射され、前記第一露光光の照射開始から８０ミリ秒後に前記表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖとなる露光量である。前記半減露光量ＥN1/2は、波長７８０ｎｍの第二露光光が−８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に１０ミリ秒間照射され、前記第二露光光の照射開始から８０ミリ秒後に前記表面電位が−８００Ｖから−４００Ｖとなる露光量である。
【０００８】
本発明のプロセスカートリッジは、上述の電子写真感光体を備える。
【０００９】
本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記像担持体は、上述の電子写真感光体である。前記帯電部は、前記像担持体の表面を正極性に帯電する。前記露光部は、帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記トナー像を前記像担持体から記録媒体へ転写する。プロセス時間は１００ミリ秒以下である。前記プロセス時間は、前記像担持体の前記表面における所定の箇所が前記露光部で露光されてから前記現像部で現像されるまでの時間である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子写真感光体は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができる。また、本発明の画像形成装置及びプロセスカートリッジは、画像不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。
【図２】感光層の表面電位の減衰曲線を示す図である。
【図３】光応答時間の測定装置を示す図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。
【図５】画像ゴーストが発生した画像を示す図である。
【図６】評価用画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。
【００１３】
以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。
【００１４】
以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数３以上１４以下の複素環基及びアミノ基は、何ら規定していなければ、それぞれ次の意味である。
【００１５】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられる。
【００１６】
炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基又はヘキシル基が挙げられる。
【００１７】
炭素原子数１以上５以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上５以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基又はネオペンチル基が挙げられる。
【００１８】
炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基又はｔ−ブチル基が挙げられる。
【００１９】
炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又はイソプロピル基が挙げられる。
【００２０】
炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基又はヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２１】
炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基又はｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００２２】
炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基又は炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基又はフェナントリル基が挙げられる。
【００２３】
炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基と、炭素原子数１以上６以下のアルキル基とが結合した基である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基における炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、例えば、フェニルメチル基（ベンジル基）、２−フェニルエチル基（フェネチル基）、１−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基又は４−フェニルブチル基が挙げられる。
【００２４】
炭素原子数３以上１４以下の複素環基は、非置換である。炭素原子数３以上１４以下の複素環基としては、例えば、１個以上（好ましくは１個以上３個以下）のヘテロ原子を含み、芳香性を有する５員又は６員の単環の複素環基；このような単環同士が縮合した複素環基；又は、このような単環と、５員又は６員の炭化水素環とが縮合した複素環基が挙げられる。ヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、及び酸素原子からなる群から選択される１種以上である。炭素原子数３以上１４以下の複素環基としては、例えば、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、インドリル基、１Ｈ−インダゾリル基、イソインドリル基、クロメニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、プテリジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、４Ｈ−キノリジニル基、ナフチリジニル基、ベンゾフラニル基、１，３−ベンゾジオキソリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基又はベンズイミダゾリル基が挙げられる。
【００２５】
アミノ基は、非置換である。
【００２６】
＜第一実施形態：電子写真感光体＞
図１を参照して、本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）を説明する。図１は、第一実施形態に係る感光体１の一例を示す概略断面図である。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、感光体１は、導電性基体２と感光層３とを備える。感光層３は、単層（一層）である。感光層３は、いわゆる単層型感光層である。図１（ａ）のように、感光層３は導電性基体２上に直接的に配置されてもよい。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、感光体１は、導電性基体２と、感光層３と、中間層（下引き層）４とを備えてもよい。中間層４は、導電性基体２と感光層３との間に設けられる。図１（ｂ）に示すように、感光層３は、中間層４を介して導電性基体２上に間接的に配置されてもよい。また、図１（ｃ）に示すように、感光層３上に保護層５が設けられてもよい。
【００２９】
感光層３の厚さは、感光層としての機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。感光層３の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３０】
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含む。感光層は、添加剤を更に含有してもよい。
【００３１】
第一実施形態に係る感光体は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができる。その理由は以下のように推測される。
【００３２】
便宜上、まず、露光メモリー及び転写メモリーについて説明する。電子写真方式の画像形成では、例えば、以下の１）〜４）の工程を含む画像形成プロセスが実施される。
１）像担持体（感光体に相当）の表面を正極性に帯電する帯電工程、
２）帯電された像担持体の表面を露光して、像担持体の表面に静電潜像を形成する露光工程、
３）静電潜像をトナー像として現像する現像工程及び
４）トナー像を像担持体から転写体へ転写する転写工程
【００３３】
このような画像形成プロセスでは、像担持体を回転させて使用するため、露光工程に起因する露光メモリーが発生する場合がある。具体的には、以下の通りである。帯電工程において、像担持体の表面は、一様に一定の正極性の電位まで帯電される。続いて、露光工程において、帯電された像担持体の表面を露光して、像担持体の表面に静電潜像が形成される。具体的には、像担持体の表面で露光された領域（以下、露光領域と記載することがある）の感光層中で、光電荷が発生し、キャリア（電子及び正孔）が感光層中で輸送され、静電潜像が形成される。キャリアは感光層中で残留することがある。キャリアが残留すると、露光領域は、像担持体が画像を形成した周（以下、基準周と記載することがある）を基準として次周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され難くなる。一方、非露光領域は、基準周の次周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され易い。その結果、露光領域と非露光領域とで帯電電位が異なり、像担持体の表面を一様に一定の正極性の電位まで帯電させることが困難となる場合がある。このように、像担持体の基準周の作像工程（画像形成プロセス）における露光によって電位低下の影響を受け、露光領域の帯電能が低下する場合がある。このような帯電電位に電位差が生じる現象を、露光メモリーという。
【００３４】
また、このような画像形成プロセスでは、像担持体を回転させて使用するため、転写工程に起因する転写メモリーが発生する場合がある。具体的には、以下の通りである。帯電工程において、像担持体の表面は、一様に一定の正極性の電位まで帯電される。続いて、露光工程及び現像工程を経て、転写工程において、帯電とは逆極性（負極性）の転写バイアスが、転写体（例えば、記録媒体）を介して像担持体に印加される。具体的には、印加された逆極性の転写バイアスの影響により、像担持体表面の非露光領域（非画像領域）の電位が大きく低下し、低下した状態が保持されることがある。この電位低下の影響を受け、非露光領域は基準周の次周帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電されにくくなる。一方、露光領域は、転写バイアスが印加された状態であっても、トナーが付着しているため、感光層に転写バイアスが直接印加されにくい。このため、露光領域は次周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電されやすい。その結果、次周の画像形成工程において露光領域と非露光領域とで帯電電位が異なり像担持体の表面を一様に一定の正極性の電位まで帯電させることが困難となる場合がある。このように、像担持体の基準周の作像工程（画像形成プロセス）における転写バイアスによって電位低下の影響を受け、非露光領域の帯電能が低下する場合がある。このような帯電電位に電位差が生じる現象を、転写メモリーという。
【００３５】
第一実施形態に係る感光体は、光応答時間が０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であるため、画像形成工程の露光工程で生じたキャリアが速やかに感光層の表面又は導電性基体へ到達する傾向にある。また、転写工程の転写バイアスにより生じた電荷が速やかに感光層の表面又は導電性基体へ到達する傾向にある。よって、繰り返し画像を形成しても感光層中にキャリアが残留しにくい。また、第一実施形態に係る感光体は、正極性の半減露光量ＥP1/2に対する負極性の半減露光量ＥN1/2の比率ＥN1/2／ＥP1/2が４．５以下である。このため、負極性の感度特性が正極性の感度特性に比べ小さすぎないため、電子が感光層中で残留しにくい。以上から、第一実施形態に係る感光体は、長期にわたる画像形成の繰り返しにおいても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができると考えられる。
【００３６】
（光応答時間）
光応答時間は、波長７８０ｎｍ及び半値幅４０マイクロ秒のパルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間である。
【００３７】
図２を用いて光応答時間を説明する。図２は、感光層の表面電位の減衰曲線を示す。縦軸は、感光層の表面電位（単位：Ｖ）を示す。横軸は、時間を示す。感光層の表面電位の減衰曲線では、パルス光が感光層の表面に照射された時間を０．００ミリ秒とする。感光層の表面電位の減衰曲線が示すように、パルス光が感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に感光層の表面電位は＋８００Ｖから＋２００Ｖに減衰する。このとき、パルス光が感光層の表面に照射されてから感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間τを光応答時間とする。パルス光の強度は、パルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に、表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度に設定される。
【００３８】
感光体の光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であり、０．０５ミリ秒以上０．７０ミリ秒以下であることが好ましい。
【００３９】
（光応答時間の測定方法）
図３を参照して、感光体の光応答時間の測定方法を説明する。図３は、感光体の光応答時間の測定装置５０を示す。測定装置５０は、帯電装置５２と、露光装置５４と、透明プローブ５６と、電位検出装置５８とを備える。測定装置５０として、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いる。まず、感光体１を測定装置５０に装着する。
【００４０】
帯電装置５２は、感光体１の感光層３の表面３ａを＋８００Ｖに帯電する。これにより、感光層３の表面３ａが帯電位置Ａで＋８００Ｖに帯電する。帯電位置Ａは、帯電装置５２と、感光層３の表面３ａとが接触する位置である。
【００４１】
図３において実線の矢印で示す方向に感光体１を回転させて、帯電された感光層３の表面３ａを、露光位置Ｂに移動させる。露光位置Ｂは、パルス光が照射される位置である。移動後、感光体１の回転を止め、感光体１の位置を固定する。感光層３の表面３ａの電位（表面電位）の測定は、感光体１を固定した状態で実行される。露光装置５４は、露光位置Ｂで帯電された感光層３の表面３ａに、パルス光（波長７８０ｎｍ、半値幅４０マイクロ秒）を照射する。既に述べたように、パルス光の強度は、パルス光が表面電位＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に、表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度に設定される。パルス光の照射は１回である（１パルスを照射する）。露光装置５４の光源としてキセノンフラッシュランプ（浜松ホトニクス株式会社製「Ｃ４４７９」）を用いる。パルス光の波長及び光強度は、光学フィルター（不図示）により調整する。なお、厳密には、帯電装置５２によって感光層３の表面３ａを＋８００Ｖよりわずかに大きい値に帯電させる。次いで、所定の時間を経過させて、感光層３の表面電位が＋８００Ｖまで暗減衰した時点で、露光装置５４がパルス光を感光層３の表面３ａに照射する。
【００４２】
透明プローブ５６は、感光層の表面電位を測定する。透明プローブ５６は、パルス光の光軸上に配置され、パルス光を透過させる。図３中、露光装置５４から感光体１へ向かう破線の矢印は、パルス光の光軸を示す。透明プローブ５６として、プローブ（トレックジャパン社製「３６２９Ａ」）を用いる。
【００４３】
電位検出装置５８は、透明プローブ５６と電気的に接続している。電位検出装置５８は、透明プローブ５６が測定した時間ごとの感光層３の表面電位を得る。これにより、感光層３の表面電位の減衰曲線が得られる。得られた減衰曲線から、パルス光が感光層３の表面に照射されてから感光層３の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間τを得る。得られた時間τを、光応答時間とする。
【００４４】
（半減露光量の比率）
半減露光量の比率ＥN1/2／ＥP1/2は、正極性の半減露光量ＥP1/2に対する負極性の半減露光量ＥN1/2の比率である。半減露光量ＥP1/2は、波長７８０ｎｍの第一露光光が＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に１０ミリ秒間照射され、第一露光光の照射開始から８０ミリ秒後に表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖとなる露光量である。半減露光量ＥN1/2は、波長７８０ｎｍの第二露光光が−８００Ｖに帯電された感光層の表面に１０ミリ秒間照射され、第二露光光の照射開始から８０ミリ秒後に表面電位が−８００Ｖから−４００Ｖとなる露光量である。
【００４５】
半減露光量の比率ＥN1/2／ＥP1/2は、４．５以下であり、２．０以下であることが好ましく、１．３以上２．０以下であることがより好ましい。
【００４６】
（半減露光量の測定方法）
半減露光量の測定は、電気特性検査装置（ＧＥＮＴＥＣ株式会社）を用いて、半減露光量及び露光後電位を測定する。正極性の半減露光量ＥP1/2の測定方法を説明する。まず、感光体の表面電位を＋８００Ｖ（帯電電位）に帯電させる。次いで、表面電位が＋４００Ｖ（露光後電位）となるまで感光体の表面を露光する。露光光の波長は、７８０ｎｍである。露光光は、電気特性検査装置に備えられた光源からバンドパスフィルターを用いて取り出される。感光体の表面電位が半減するのに必要な露光量を測定する。得られた露光量を正極性の半減露光量ＥP1/2とする。
【００４７】
負極性の半減露光量ＥN1/2の測定方法を説明する。当初の帯電電位を＋８００Ｖから−８００Ｖに変更し、露光後電位を＋４００Ｖから−４００Ｖに変更した以外は、正極性の半減露光量ＥP1/2の測定方法と同様にして、負極性の半減露光量ＥN1/2を測定する。得られたＥP1/2及びＥP1/2から、半減露光量の比率ＥN1/2／ＥP1/2を算出する。
【００４８】
以下、感光体の要素として導電性基体、電子輸送剤、正孔輸送剤、電荷発生剤、バインダー樹脂及び添加剤を説明する。また、感光体の製造方法も説明する。
【００４９】
［１．導電性基体］
導電性基体は、感光体の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体は、少なくとも表面部が導電性を有する材料で形成されていればよい。導電性基体の一例としては、導電性を有する材料で形成される導電性基体が挙げられる。導電性基体の別の例としては、導電性を有する材料で被覆される導電性基体が挙げられる。導電性を有する材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム又はインジウムが挙げられる。これらの導電性を有する材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上の組合せとしては、例えば、合金（より具体的には、アルミニウム合金、ステンレス鋼又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性を有する材料の中でも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。また、導電性基体は、その表面にこれら導電性を有する材料の酸化皮膜を有してもよい。
【００５０】
導電性基体の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚さは、導電性基体の形状に応じて適宜選択される。
【００５１】
［２．電子輸送剤］
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５２】
これらの電子輸送剤のうち、一般式（ＥＴＭ１）、一般式（ＥＴＭ２）、一般式（ＥＴＭ３）又は一般式（ＥＴＭ４）で表される化合物（以下、それぞれ電子輸送剤（ＥＴＭ１）〜（ＥＴＭ４）と記載することがある）を含むことが好ましい。
【００５３】
【化１】
2018189940.tif 000003
【００５４】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64は、各々独立に、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。Ｒ61及びＲ64は、互いに同一であっても異なってもよい。
【００５５】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、２−メチル−２−ブチル基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００５６】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００５７】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００５８】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64が表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００５９】
一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ61及びＲ64は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表すことがより好ましく、２−メチル−２−ブチル基を表すことが更に好ましい。
【００６０】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数３以上１４以下の複素環基を表す。Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、互いに同一であっても異なってもよい。
【００６１】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基が好ましく、ｔ−ブチル基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００６２】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００６３】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、フェニル基が好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。これらの置換基のうちハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。一般式（ＥＴＭ２）中、置換基を１又は複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を１又は複数有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、ハロゲン原子を１つ有するフェニル基を表すことがより好ましく、クロロフェニル基を表すことが更に好ましい。
【００６４】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43が表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００６５】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43が表す炭素原子数３以上１４以下の複素環基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００６６】
一般式（ＥＴＭ２）中、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、各々独立に、ハロゲン原子１若しくは複数を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、ハロゲン原子を１つ有するフェニル基又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことがより好ましく、クロロフェニル基又はｔ−ブチル基を表すことが更に好ましい。
【００６７】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素数６以上１４以下のアリール基、置換基を１若しくは複数有してもよいアミノ基を表す。Ｒ39及びＲ40は、互いに同一であっても異なってもよい。
【００６８】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００６９】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００７０】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、フェニル基が好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。これらの置換基のうち、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基が更に好ましい。一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を複数有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基が好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を複数有するフェニル基がより好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を複数有するフェニル基が更に好ましく、メチル基及びエチル基を有するフェニル基が特に好ましい。
【００７１】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40が表すアミノ基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が挙げられる。
【００７２】
一般式（ＥＴＭ３）中、Ｒ39及びＲ40は、置換基を複数有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を複数有するフェニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を複数有するフェニル基を表すことが更に好ましく、メチル基及びエチル基を有するフェニル基を表すことが特に好ましい。
【００７３】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、各々独立に、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は置換基を１若しくは複数有してもよい炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、互いに同一であっても異なってもよい。
【００７４】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、２−メチル−２−ブチル基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００７５】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又はシアノ基が挙げられる。
【００７６】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００７７】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47が表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、置換基を１又は複数有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。
【００７８】
一般式（ＥＴＭ４）中、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことがより好ましく、ｔ−ブチル基を表すことが更に好ましい。
【００７９】
電子輸送剤（ＥＴＭ１）としては、例えば、化学式（ＥＴＭ−１）で表される化合物が挙げられる。電子輸送剤（ＥＴＭ２）としては、例えば、化学式（ＥＴＭ−２）で表される化合物が挙げられる。電子輸送剤（ＥＴＭ３）としては、例えば、化学式（ＥＴＭ−３）で表される化合物が挙げられる。電子輸送剤（ＥＴＭ４）としては、例えば、化学式（ＥＴＭ−４）で表される化合物が挙げられる。以下、化学式（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）で表される化合物をそれぞれ電子輸送剤（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）と記載することがある。
【００８０】
【化２】
2018189940.tif 000004
【００８１】
電子輸送剤（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）のうち、転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、電子輸送剤（ＥＴＭ−１）、（ＥＴＭ−２）及び（ＥＴＭ−４）が好ましく、電子輸送剤（ＥＴＭ−４）がより好ましい。
【００８２】
電子輸送剤の含有量は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリー及び露光メモリーの発生を更に抑制する観点から、バインダー樹脂１００質量部に対して４０質量部以上であることが好ましく、４０質量部以上２００質量部以下であることがより好ましく、６０質量部以上１３０質量部以下であることが更に好ましい。
【００８３】
［３．正孔輸送剤］
正孔輸送剤としては、例えば、ジアミン誘導体（より具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体又はＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体等）、オキサジアゾール系化合物（より具体的には、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等）、スチリル化合物（より具体的には、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等）、カルバゾール化合物（より具体的には、ポリビニルカルバゾール等）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（より具体的には、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物又はトリアゾール系化合物が挙げられる。これらの正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８４】
これらの正孔輸送剤のうち、一般式（ＨＴＭ１）、一般式（ＨＴＭ２）、一般式（ＨＴＭ３）、一般式（ＨＴＭ４）、一般式（ＨＴＭ５）、一般式（ＨＴＭ６）、一般式（ＨＴＭ７）、又は一般式（ＨＴＭ８）で表される化合物（以下、それぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）と記載することがある）のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。すなわち、感光層は、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ−８）のうち少なくとも１つを含む。感光層は、正孔輸送剤を１種含んでもよく、２種以上含んでもよい。
【００８５】
【化３】
2018189940.tif 000005
【００８６】
【化４】
2018189940.tif 000006
【００８７】
露光メモリーの発生を更に抑制し、感光体の感度安定性を更に向上させる観点から、感光層は２種以上の正孔輸送剤を含むことが好ましい。２種以上の正孔輸送剤としては、例えば、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）及び（ＨＴＭ３）、又は正孔輸送剤（ＨＴＭ１）及び（ＨＴＭ６）が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ１）及び（ＨＴＭ３）としては、例えば、後述する正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）と（ＨＴＭ−４）との組み合わせ又は正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）と（ＨＴＭ−７）との組み合わせが挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ１）及び（ＨＴＭ６）としては、例えば、後述する正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）と（ＨＴＭ−１１）との組み合わせが挙げられる。
【００８８】
一般式（ＨＴＭ１）中、Ｑ8、Ｑ10、Ｑ11、Ｑ12、Ｑ13及びＱ14は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ9及びＱ15は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。ｂは、０以上５以下の整数を表す。ｂが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＱ9は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｃは、０以上４以下の整数を表す。ｃが２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＱ15は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｋは、０又は１を表す。
【００８９】
一般式（ＨＴＭ１）中、Ｑ8、Ｑ10、Ｑ11、Ｑ12、Ｑ13及びＱ14は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、水素原子又は炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基を表すことが更に好ましい。ｂ及びｃは０を表すことが好ましい。
【００９０】
一般式（ＨＴＭ２）中、Ｑ16、Ｑ17及びＱ18は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｑは、０以上４以下の整数を表す。ｑが２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＱ18は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ及びｎは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｍが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＱ17は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｎが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＱ16は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９１】
一般式（ＨＴＭ２）中、Ｑ16及びＱ17は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。ｑは０を表すことが好ましい。ｍ及びｎは、各々独立に、１又は２を表すことが好ましい。
【００９２】
一般式（ＨＴＭ３）中、Ｑ1は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよいフェニル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。２つのＱ1は、互いに同一であっても異なってもよい。Ｑ2は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6及びＱ7は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6、及びＱ7のうちの隣接した二つが互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０以上５以下の整数を表す。ａが２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＱ2は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｔは、０以上２以下の整数を表す。２つのｔは互いに同一であっても異なってもよい。
【００９３】
一般式（ＨＴＭ３）中、Ｑ1は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するフェニル基又は水素原子を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を有するフェニル基又は水素原子を表すことがより好ましく、メチル基を有するフェニル基又は水素原子を表すことが更に好ましい。Ｑ2は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6及びＱ7は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表すことが好ましく、水素原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基又は炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基を表すことがより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基又はエトキシ基を表すことが更に好ましい。ａは０又は１を表すことが好ましい。
【００９４】
一般式（ＨＴＭ４）中、Ｑ19、Ｑ20、Ｑ21及びＱ22は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表す。ｊは０又は１を表す。
【００９５】
一般式（ＨＴＭ４）中、Ｑ19、Ｑ20、Ｑ21及びＱ22は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。ｊは１を表すことが好ましい。
【００９６】
一般式（ＨＴＭ５）中、Ｑ23、Ｑ24、Ｑ25及びＱ26は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｕ、ｖ、ｙ及びｚは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｗは２又は３を表す。
【００９７】
一般式（ＨＴＭ５）中、Ｑ23、Ｑ24、Ｑ27及びＱ28は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。ｕ、ｖ、ｙ及びｚは、０又は１を表すことが好ましい。
【００９８】
一般式（ＨＴＭ６）中、Ｑ31、Ｑ33及びＱ35は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。ｄ、ｅ及びｆは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。Ｑ32、Ｑ34及びＱ36は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基で置換されてもよいフェニル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｇ、ｈ及びｉは、各々独立に、０又は１を表す。
【００９９】
一般式（ＨＴＭ６）中、Ｑ31、Ｑ33及びＱ35は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。ｄ、ｅ及びｆは、０を表すことが好ましい。Ｑ32、Ｑ34及びＱ36は、水素原子を表すことが好ましい。ｇ、ｈ及びｉは、１を表すことが好ましい。
【０１００】
一般式（ＨＴＭ７）中、Ｑ40、Ｑ41、Ｑ42、Ｑ43、Ｑ44、Ｑ45及びＱ46は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５及びｎ６は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｘ、ｒ及びｓは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。
【０１０１】
一般式（ＨＴＭ７）中、Ｑ40及びＱ43は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｎ１及びｎ４は１を表し、ｎ２、ｎ３、ｎ５及びｎ６は０を表し、ｘは２を表し、ｒ及びｓは０を表すことが好ましい。
【０１０２】
一般式（ＨＴＭ８）中、Ｒ81及びＲ82は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、但しＲ81及びＲ82の両方が炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す場合を除く。Ｒ83は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｐ1は、０以上２以下の整数を表す。ｐ2は、０以上５以下の整数を表す。ｐ2が２以上の整数を表す場合、複数のＲ83は互いに同一であっても異なってもよい。
【０１０３】
一般式（ＨＴＭ８）中、Ｒ81及びＲ82は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基又はフェニル基を表し、但しＲ81及びＲ82の両方がフェニル基を表す場合を除くことが好ましい。ｐ1は、１又は２を表すことが好ましい。ｐ2は、０を表すことが好ましい。
【０１０４】
露光メモリーの発生を更に抑制する観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ３）、（ＨＴＭ６）、（ＨＴＭ７）又は（ＨＴＭ８）が好ましく、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）、（ＨＴＭ３）、（ＨＴＭ６）、（ＨＴＭ７）又は（ＨＴＭ８）がより好ましい。転写メモリーの発生を更に抑制する観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）が好ましい。
【０１０５】
正孔輸送剤（ＨＴＭ１）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−１）又は（ＨＴＭ−２）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ２）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−３）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ３）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−４）、（ＨＴＭ−５）、（ＨＴＭ−７）又は（ＨＴＭ−８）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ４）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−６）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ５）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−９）又は（ＨＴＭ−１０）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ６）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−１１）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ７）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−１２）で表される化合物が挙げられる。正孔輸送剤（ＨＴＭ８）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ−１４）で表される化合物が挙げられる。以下、化学式（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１２）及び（ＨＴＭ−１４）で表される化合物をそれぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１２）及び（ＨＴＭ−１４）と記載することがある。
【０１０６】
【化５】
2018189940.tif 000007
【０１０７】
【化６】
2018189940.tif 000008
【０１０８】
【化７】
2018189940.tif 000009
【０１０９】
露光メモリーの発生を更に抑制する観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１２）及び（ＨＴＭ−１４）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−３）、（ＨＴＭ−４）、（ＨＴＭ−５）、（ＨＴＭ−６）、（ＨＴＭ−７）、（ＨＴＭ−８）、（ＨＴＭ−１１）、（ＨＴＭ−１２）又は（ＨＴＭ−１４）が好ましく、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）、（ＨＴＭ−２）、（ＨＴＭ−４）、（ＨＴＭ−５）、（ＨＴＭ−６）、（ＨＴＭ−７）、（ＨＴＭ−８）、（ＨＴＭ−１１）、（ＨＴＭ−１２）又は（ＨＴＭ−１４）がより好ましい。
【０１１０】
転写メモリーの発生を更に向上させる観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１２）及び（ＨＴＭ−１４）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）が好ましい。
【０１１１】
正孔輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、８０質量部以上であることが好ましく、８０質量部以上３００質量部以下であることがより好ましく、１１０質量部以上２５０質量部以下であることが更に好ましい。なお、正孔輸送剤が正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ１２）及び（ＨＴＭ−１４）のうちの何れか１種である場合であっても、正孔輸送剤の含有量をバインダー樹脂１００質量部に対して８０質量部以上とすることができる。
【０１１２】
感光層に対する正孔輸送剤の含有率は、３５質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。感光層に含まれる成分としては、例えば、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤及びバインダー樹脂が挙げられる。感光層に対する正孔輸送剤の含有率が３５質量％以上６５質量％以下である場合、露光メモリー及び転写メモリーの発生を更に抑制することができる。
【０１１３】
電子輸送剤の含有量（質量）ｍETMに対する正孔輸送剤の含有量（質量）ｍHTMの比率ｍHTM／ｍETMは、数式（１）を満たすことが好ましい。
１．２  ＜  ｍHTM／ｍETM  ＜  ４．０・・・（１）
比率ｍHTM／ｍETMは、数式（１）を満たす場合、露光メモリー及び転写メモリーの発生を更に抑制することができる。
【０１１４】
［４．電荷発生剤］
電荷発生剤としては、例えば、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（より具体的には、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、又はアモルファスシリコン等）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン顔料、トリフェニルメタン顔料、スレン顔料、トルイジン顔料、ピラゾリン顔料又はキナクリドン顔料が挙げられる。別の電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１５】
フタロシアニン顔料としては、例えば、金属フタロシアニン又は無金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、化学式（ＣＧＭ−１）で表されるチタニルフタロシアニン（以下、電荷発生剤（ＣＧＭ−１）と記載することがある）、ヒドロキシガリウムフタロシアニン又はクロロガリウムフタロシアニンが挙げられる。無金属フタロシアニンとしては、例えば、化学式（ＣＧＭ−２）で表される無金属フタロシアニン（以下、電荷発生剤（ＣＧＭ−２）と記載することがある）フタロシアニン顔料は、結晶であってもよく、非結晶であってもよい。フタロシアニン顔料の結晶形状（例えば、Ｘ型、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン顔料が使用される。
【０１１６】
【化８】
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【０１１７】
無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶（以下、Ｘ型無金属フタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニンのα型、β型、又はＹ型結晶（以下、それぞれα型チタニルフタロシアニン、β型チタニルフタロシアニン及びＹ型チタニルフタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。ヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニンのＶ型結晶が挙げられる。クロロガリウムフタロシアニンの結晶としては、クロロガリウムフタロシアニンのＩＩ型結晶が挙げられる。
【０１１８】
例えば、デジタル光学式の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。デジタル光学式の画像形成装置としては、例えば、半導体レーザーのような光源を使用した、レーザービームプリンター又はファクシミリが挙げられる。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン顔料が好ましく、チタニルフタロシアニン又は無金属フタロシアニンがより好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１１９】
Ｙ型チタニルフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ±０．２°の２７．２°に主ピークを有することが好ましい。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。
【０１２０】
（ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法）
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法を説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。得られたＸ線回折スペクトルから主ピークを決定し、主ピークのブラッグ角を読み取る。
【０１２１】
短波長レーザー光源を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン顔料が好適に用いられる。短波長レーザー光の波長は、例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。
【０１２２】
電荷発生剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上６質量部以下であることが特に好ましい。
【０１２３】
［５．バインダー樹脂］
バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、アクリル酸系樹脂、スチレン−アクリル酸樹脂、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂又はポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂又はメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ−アクリル酸系樹脂（より具体的には、エポキシ化合物のアクリル酸誘導体付加物等）又はウレタン−アクリル酸系樹脂（ウレタン化合物のアクリル酸誘導体付加物）が挙げられる。これらのバインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１２４】
これらの樹脂の中では、加工性、機械的強度、光学的特性及び耐摩耗性のバランスに優れた感光層が得られることから、ポリカーボネート樹脂が好ましく、化学式（ＰＣ−１）で表される繰返し単位を有するポリカーボネート樹脂（以下、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ−１）と記載することがある）がより好ましい。
【０１２５】
【化９】
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【０１２６】
バインダー樹脂の粘度平均分子量は、２００００以上であることが好ましく、３００００以上７００００以下であることがより好ましく、４００００以上６００００以下であることが更に好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が３０００以上であると、感光体の耐摩耗性を向上させ易い。バインダー樹脂の粘度平均分子量が７００００以下であると、感光層の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層用塗布液の粘度が高くなり過ぎない。その結果、感光層を形成し易くなる。
【０１２７】
［６．添加剤］
感光層は、必要に応じて、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤又はレベリング剤が挙げられる。
【０１２８】
［７．感光体の製造方法］
感光体は、例えば、感光層用塗布液を導電性基体上に塗布し、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させることによって製造される。感光層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂と、必要に応じて添加される添加剤とを、溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。
【０１２９】
感光層用塗布液（以下、塗布液と記載することがある）に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール等）、脂肪族炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン等）、エーテル（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテル等）、ケトン（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン等）、エステル（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体の製造時の作業性を向上させるためには、溶剤として非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）を用いることが好ましい。
【０１３０】
塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散機を用いることができる。
【０１３１】
塗布液は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。
【０１３２】
塗布液を塗布する方法としては、塗布液を導電性基体上に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法又はバーコート法が挙げられる。
【０１３３】
塗布膜を乾燥させる方法としては、塗布膜中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。
【０１３４】
なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。
【０１３５】
＜第二実施形態：画像形成装置＞
第二実施形態は画像形成装置に関する。以下、図４を参照して第二実施形態に係る画像形成装置の一態様について説明する。図４は、第二実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。第二実施形態に係る画像形成装置９０は、画像形成ユニット４０を備える。画像形成ユニット４０は、像担持体３０と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とを備える。像担持体３０は、第一実施形態に係る感光体である。帯電部４２は、像担持体３０の表面を正極性に帯電する。露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光して、像担持体３０の表面に静電潜像を形成する。現像部４６は、静電潜像をトナー像として現像する。転写部４８は、トナー像を像担持体３０から記録媒体Ｍへ転写する。プロセス時間は１００ミリ秒以下である。プロセス時間は、像担持体３０の表面における所定の箇所（例えば、一点）が露光部４４で露光されてから現像部４６で現像されるまでの時間である。以上、第二実施形態に係る画像形成装置９０の概要を記載した。
【０１３６】
第二実施形態に係る画像形成装置９０は、露光メモリー及び転写メモリーの発生に起因する画像不良を抑制することができる。その理由は、以下のように推測される。第二実施形態に係る画像形成装置９０は、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができる。よって、第二実施形態に係る画像形成装置９０は、露光メモリー及び転写メモリーの発生に起因する画像不良を抑制することができる。
【０１３７】
露光メモリーの発生に起因する画像不良について説明する。上述のように画像形成プロセスで露光メモリーが発生すると、画像形成における感光体の基準周に対して次周の帯電工程で、像担持体３０の表面が所望の電位を得られない領域は、所望の電位が得られる領域に比べ、電位が低下する傾向にある。具体的には、像担持体３０の表面における基準周の露光領域は、基準周の非露光領域に比べ、基準周の次周の帯電時に電位が低下する傾向にある。このため、基準周の露光領域は、基準周の非露光領域に比べ、帯電時の電位が低下し易いため、現像時に正帯電トナーを引き付け易くなる。その結果、基準周の画像部（露光領域）を反映した画像が形成され易い。このような基準周の画像部を反映した画像が形成される画像不良が、露光メモリーに起因して発生する画像不良（以下、画像ゴーストと記載することがある）である。
【０１３８】
図５を参照して、画像不良が発生した画像を説明する。図５は、画像ゴーストが発生した画像６０を示す図である。画像６０は、領域６２及び領域６４を含む。領域６２は像担持体１周分に相当する領域であり、領域６４も像担持体１周分に相当する領域である。よって、領域６２の画像を形成するための感光体の周を基準周とすると、領域６４の画像を形成するための感光体の周は基準周の次周となる。領域６２は画像６６を含む。画像６６は、ドーナツ型のソリッド画像から構成される。領域６４は画像６８及び画像６９を含む。画像６８は、ドーナツ型の白抜きのハーフトーン画像である。画像６８は、設計画像濃度と同等の画像濃度を有する。画像６９は、領域６４におけるドーナツ型のハーフトーン画像である。画像６９は、画像６８に比べ画像濃度が濃い。画像６９は、領域６２の露光領域の画像６６を反映し、設計画像濃度より濃くなった画像不良（画像ゴースト）である。なお、領域６４の画像は、設計画像上、全面ハーフトーン画像から構成される。
【０１３９】
以下、画像形成装置９０が備える各部について詳細に説明する。引き続き、図４を参照して第二実施形態に係る画像形成装置９０を説明する。画像形成装置９０は、電子写真方式の画像形成装置である限り、特に限定されない。画像形成装置９０は、例えば、モノクロ画像形成装置であってもよいし、カラー画像形成装置であってもよい。画像形成装置９０がカラー画像形成装置である場合、画像形成装置９０は、例えば、タンデム方式を採用する。以下、タンデム方式の画像形成装置９０を例に挙げて説明する。
【０１４０】
画像形成装置９０は、転写ベルト３８と、定着部３６とを更に備える。画像形成装置９０は、いわゆる除電レス方式を採用することができる。すわなち、除電レス方式を採用する画像形成装置９０では、像担持体３０は、記録媒体Ｍに転写し終えた領域に、除電を行うことなしに、帯電部４２により再び帯電される。通常、除電レス方式を採用する画像形成装置では、露光メモリーに起因する画像不良が発生しやすい。しかし、第二実施形態に係る画像形成装置９０は、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、長期にわたる画像形成の繰り返し使用においても、露光メモリーの発生を抑制することができる。このため、第二実施形態に係る画像形成装置９０は、除電レス方式を採用しても、露光メモリーに起因する画像不良の発生を抑制することができる。
【０１４１】
画像形成ユニット４０は、クリーニング部（より具体的には、ブレードクリーニング部）及び除電部（ともに付図示）を更に備えることができる。画像形成ユニット４０の中央位置に、像担持体３０が設けられる。像担持体３０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能に設けられる。像担持体３０の周囲には、帯電部４２を基準として像担持体３０の回転方向の上流側から順に、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部４８が設けられる。なお、画像形成ユニット４０は、クリーニングブレードを備えなくてもよく、すなわちブレードクリーニングレス方式を採用することができる。
【０１４２】
画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄの各々によって、転写ベルト３８上の記録媒体Ｍに、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。なお、画像形成装置９０がモノクロ画像形成装置である場合には、画像形成装置９０は、画像形成ユニット４０ａを備え、画像形成ユニット４０ｂ〜４０ｄは省略される。
【０１４３】
帯電部４２は、帯電ローラーである。帯電ローラーは、像担持体３０の表面と接触しながら像担持体３０の表面を帯電する。他の接触帯電方式の帯電部としては、例えば、帯電ブラシが挙げられる。帯電部４２は、非接触方式であってもよい。非接触方式の帯電部としては、例えば、コロトロン帯電部又はスコロトロン帯電部が挙げられる。
【０１４４】
帯電部４２が印加する電圧は、特に限定されない。帯電部４２が印加する電圧としては、直流電圧、交流電圧又は重畳電圧（直流電圧に交流電圧が重畳した電圧）が挙げられ、より好ましくは直流電圧が挙げられる。直流電圧は交流電圧又は重畳電圧に比べ、以下に示す優位性がある。帯電部４２が直流電圧のみを印加すると、像担持体３０に印加される電圧値が一定であるため、像担持体３０の表面を一様に一定電位まで帯電させ易い。また、帯電部４２が直流電圧のみを印加すると、感光層の磨耗量が減少する傾向がある。その結果、好適な画像を形成することができる。
【０１４５】
露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光する。これにより、像担持体３０の表面に静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置９０に入力された画像データに基づいて形成される。
【０１４６】
現像部４６は、現像剤を用いて静電潜像をトナー像として現像する。現像剤は一成分現像剤であっても二成分現像剤であってもよい。露光部４４と現像部４６との間のプロセス時間は、１００ミリ秒以下である。このプロセス時間は、像担持体３０の表面における所定の箇所が露光部４４で露光されてから現像部４６で現像されるまでの時間である。より厳密には、像担持体３０の表面における所定の箇所が露光光で照射され始めてから現像され始めまでの時間である。このプロセス時間は、像担持体３０の周速と対応する。
【０１４７】
転写ベルト３８は、像担持体３０と転写部４８との間に記録媒体Ｍを搬送する。転写ベルト３８は、無端状のベルトである。転写ベルト３８は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。
【０１４８】
転写部４８は、現像部４６によって現像されたトナー像を、像担持体３０の表面から記録媒体Ｍへ転写する。転写部４８としては、例えば、転写ローラーが挙げられる。
【０１４９】
定着部３６は、転写部４８によって記録媒体Ｍに転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部３６は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｍにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｍに画像が形成される。
【０１５０】
＜第三実施形態：プロセスカートリッジ＞
第三実施形態はプロセスカートリッジに関する。第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、第一実施形態に係る感光体を備える。図４を参照して、第三実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明する。
【０１５１】
プロセスカートリッジは、ユニット化された像担持体３０を備える。プロセスカートリッジは、像担持体３０に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部４８からなる群より選択される少なくとも１つをユニット化した構成が採用される。プロセスカートリッジは、例えば、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々に相当する。プロセスカートリッジには、除電器（不図示）が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジは、画像形成装置９０に対して着脱自在に設計される。そのため、プロセスカートリッジは取り扱いが容易であり、像担持体３０の特性（より具体的には、露光メモリー又は転写メモリーの発生の抑制する性質）が劣化した場合に、像担持体３０を含めて容易かつ迅速に交換することができる。
【実施例】
【０１５２】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。
【０１５３】
＜１．感光体の材料＞
感光体の感光層を形成するための材料として、以下の電子輸送剤、正孔輸送剤、電荷発生剤及びバインダー樹脂を準備した。
【０１５４】
［１−１．電子輸送剤］
第一実施形態で説明した電子輸送剤（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）を準備した。また、電子輸送剤（ＥＴＭ−Ｂ１）を準備した。電子輸送剤（ＥＴＭ−Ｂ１）は、化学式（ＥＴＭ−Ｂ１）で表される。
【０１５５】
【化１０】
2018189940.tif 000012
【０１５６】
［１−２．正孔輸送剤］
第一実施形態で説明した正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１２）及び（ＨＴＭ−１４）を準備した。また、比較例で使用する正孔輸送剤として、化学式（ＨＴＭ−１３）で表される正孔輸送剤（以下、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１３）と記載することがある）を準備した。
【０１５７】
【化１１】
2018189940.tif 000013
【０１５８】
［１−３．電荷発生剤］
［１−３−１．Ｙ型チタニルフタロシアニン］
第一実施形態で説明した電荷発生剤（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−２）を準備した。電荷発生剤（ＣＧＭ−１）は、化学式（ＣＧＭ−１）で表されるチタニルフタロシアニン（Ｙ型チタニルフタロシアニン）であった。また、電荷発生剤（ＣＧＭ−２）の結晶構造はＹ型であった。
【０１５９】
Ｙ型チタニルフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルチャートにおいて、ブラッグ角２θ±０．２°＝９．２°、１４．５°、１８．１°、２４．１°、２７．２°にピークを有しており、主ピークは２７．２°であった。なお、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルは、第一実施形態で説明した測定装置及び測定条件で測定された。
【０１６０】
Ｙ型チタニルフタロシアニンは、示差走査熱量分析スペクトルにおいて、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークを有さず、２７０℃以上４００℃以下の範囲に１つのピークを有していた。なお、示差走査熱量分析スペクトルは、第一実施形態で説明した測定装置及び測定条件で測定された。
【０１６１】
［１−３−２．Ｘ型無金属フタロシアニン］
電荷発生剤（ＣＧＭ−２）は、化学式（ＣＧＭ−２）で表される無金属フタロシアニン（Ｘ型無金属フタロシアニン）であった。また、電荷発生剤（ＣＧＭ−２）の結晶構造はＸ型であった。
【０１６２】
［１−４．バインダー樹脂］
バインダー樹脂として第一実施形態で説明したポリカーボネート樹脂（ＰＣ−１）（粘度平均分子量：４０，０００）を準備した。
【０１６３】
＜２．感光体の製造＞
感光層を形成するための材料を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）を製造した。
【０１６４】
［２−１．感光体（Ａ−１）の製造］
電荷発生剤（ＣＧＭ−１）４質量部と、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）１４５質量部と、電子輸送剤（ＥＴＭ−１）８０質量部と、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ−１）１００質量部と、溶剤としてのテトラヒドロフラン８００質量部とを容器内に投入した。ボールミルを用いて、容器内の材料（電荷発生剤（ＣＧＭ−１）、正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）、電子輸送剤（ＥＴＭ−１）及びポリカーボネート樹脂（ＰＣ−１））と溶媒とを５０時間混合して、材料を溶剤に分散させた。これにより、感光層用塗布液を得た。感光層用塗布液を、導電性基体としてのアルミニウム製のドラム状支持体上に、ディップコート法を用いて塗布し、塗布膜を形成した。塗布膜を、１２０℃で６０分間熱風乾燥させた。これにより、導電性基体上に、単層の感光層（膜厚２５μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。なお、感光体（Ａ−１）では、感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率（｛１４５質量部／（４質量部＋１４５質量部＋８０質量部＋１００質量部）｝×１００）は、４４％であった。また、電子輸送剤の含有量ｍETMに対する正孔輸送剤の含有量ｍHTMの比率ｍHTM／ｍETM（１４５質量部／８０質量部）は、１．８であった。
【０１６５】
［２−２．感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の製造］
以下の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の製造と同様の方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）をそれぞれ製造した。感光体（Ａ−１）の製造に用いた電荷発生剤（ＣＧＭ−１）を、表１〜３の何れかに示す種類の電荷発生剤に変更した。感光体（Ａ−１）の製造に用いた電子輸送剤（ＥＴＭ−１）６０質量部を、表１〜３の何れかに示す電子輸送剤の種類及び含有量に変更した。感光体（Ａ−１）の製造に用いた正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）１１０質量部を、表１〜３の何れかに示す正孔輸送剤の種類及び含有量に変更した。
【０１６６】
表１〜３に感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の構成を示す。表１〜３中、ＣＧＭ、ＨＴＭ及びＥＴＭは、それぞれ電荷発生剤、正孔輸送剤及び電子輸送剤を示す。表１〜３中、欄「ＣＧＭ」のＣ−１及びＣ−２は、それぞれＹ型チタニルフタロシアニン結晶（電荷発生剤（ＣＧＭ−１））及びＸ型無金属フタロシアニン（電荷発生剤（ＣＧＭ−２））を示す。欄「ＨＴＭ」のＨＴＭ−１〜ＨＴＭ−１３は、それぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−１３）を示す。欄「ＨＴＭ」の含有量（部）は、バインダー樹脂１００質量部に対する正孔輸送剤の含有量（単位：質量部）を示す。欄「ＥＴＭ」のＥＴＭ−１〜ＥＴＭ−４及びＥＴＭ−Ｂ１は、それぞれ電子輸送剤（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）及び（ＥＴＭ−Ｂ１）を示す。欄「ＥＴＭ」の含有量（部）は、バインダー樹脂１００質量部に対する電子輸送剤の含有量（単位：質量部）を示す。欄「ＨＴＭ」の含有率は、感光層での成分（電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤及びバインダー樹脂）の全質量に対する正孔輸送剤の質量の比率（単位：％）を示す。欄「含有量比ｍHTM／ｍETM」は、電子輸送剤の含有量に対する正孔輸送剤の含有量の比率を示す。
【０１６７】
＜３．感光体の特性＞
［３−１．光応答時間の測定方法］
第一実施形態で説明した光応答時間の測定方法を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、の光応答時間を測定した。感光体の光応答性時間は、温度２５℃及び相対湿度５０％ＲＨの環境下で測定された。表１〜３に光応答時間を示す。
【０１６８】
［３−２．半減露光量の比率の算出］
第一実施形態で説明した半減露光量の測定方法を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、半減露光量を測定した。温度２３℃及び相対湿度５０％ＲＨの環境下で、測定された。表１〜３に半減露光量を示す。
【０１６９】
＜４．感光体の評価＞
［４−１．露光メモリーに起因する画像不良（画像ゴースト）の評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２２３）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、画像不良（画像ゴースト）を評価した。画像不良の評価は、温度１０℃及び相対湿度１５％ＲＨの環境下で行った。
【０１７０】
感光体を評価機に装着した。評価機は、カラー画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」改造機）を用いた。この評価機は、非接触帯電方式の帯電部としてスコロトロン帯電装置を備えていた。この評価機は、除電部と、クリーニング部としてのクリーニングブレードとを備えていなかった。帯電電位を＋７００Ｖに設定した。露光−現像プロセス時間が７５ミリ秒となるように、感光体の周速を調整した。
【０１７１】
まず、記録媒体（Ａ４サイズ用紙）に１５秒間隔で印字パターン（印字率４％）を３，０００枚印刷し、印字試験を行った。その後、下記操作により評価用画像を作成した。
【０１７２】
図６を参照して、評価用画像を説明する。図６は、評価用画像７０を示す図である。評価用画像７０は、領域７２及び領域７４を含む。領域７２は、像担持体１周分に相当する領域である。領域７２は、画像７６を含む。画像７６は、ドーナツ型のソリッド画像（画像濃度１００％）から構成される。このソリッド画像は、２つの同心円１組から構成される。領域７４は、像担持体１周分に相当する領域である。領域７４は画像７８を含む。画像７８は、全面ハーフトーン画像（画像濃度４０％）から構成される。はじめに領域７２の画像７６を形成し、その後、領域７４の画像７８を形成した。画像７８が形成される感光体の周は、画像７６が形成される感光体の基準周に対して次周となる。
【０１７３】
次いで、印字試験後に得られた画像を評価用画像とした。評価用画像を目視で観察し、領域７４における画像７６に対応した画像の有無を確認した。ここで、目視による観察とは、肉眼での観察（肉眼観察）又はルーペ（倍率１０倍、ＴＲＵＳＣＯ社製、ＴＬ−ＳＬ１０Ｋ）を介した観察（ルーペ観察）である。露光メモリーに起因する画像不良（画像ゴースト）の発生の有無を確認した。評価用画像の観察結果から下記基準に基づいて画像ゴーストの発生の有無を評価した。評価結果を表１〜３に示す。なお、評価Ａ〜Ｃを合格とした。
（露光メモリーに起因する画像ゴーストの評価基準）
評価Ａ：画像７６に対応する画像ゴーストが観察されなかった。
評価Ｂ：画像７６に対応する画像ゴーストがわずかに観察された。
評価Ｃ：画像７６に対応する画像ゴーストが観察されたが、実用上問題のない水準であった。
評価Ｄ：画像７６に対応する画像ゴーストが明確に観察され、実用上問題のある水準であった。
【０１７４】
［４−２．転写メモリーに起因する画像不良（画像ゴースト）の評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、転写メモリーを評価した。画像不良の評価は、温度３２℃及び相対湿度８０％ＲＨの環境下で行った。
【０１７５】
感光体を評価機に装着した。評価機は、カラー画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」改造機）を用いた。この評価機は、非接触帯電方式の帯電部としてスコロトロン帯電装置を備えていた。この評価機は、除電部と、クリーニング部としてクリーニングブレードとを備えていなかった。帯電電位を＋７００Ｖに設定した。露光−現像間のプロセス時間が７５ミリ秒となるように、感光体の周速を調整した。
【０１７６】
まず、記録媒体（Ａ４サイズ用紙）に１５秒間隔で印字パターン（印字率４％）を３，０００枚印刷し、印字試験を行った。その後、評価用画像を作成した。
【０１７７】
この評価画像は、画像パターンが異なる以外は、露光メモリーに起因する画像不良の評価用画像と同じであった。詳しくは、転写メモリーに起因する画像不良の評価画像は、感光体の基準周に相当する画像（画像Ａ）と、基準周の次周に相当する画像（画像Ｂ）とからなる。基準周に相当する画像は、ソリッド画像（画像濃度１００％）と、そのソリッド画像中に長方形１つの白抜き画像（画像濃度０％）とからなる画像であった。基準周の次周に相当する画像は全面ハーフトーン画像（画像濃度４０％）とからなる画像であった。
【０１７８】
次いで、印字試験後に得られた画像を評価用画像とした。評価用画像を目視で観察し、画像Ｂにおいて画像Ａに対応する画像（画像ゴースト）の有無を確認した。転写メモリーが発生すると、基準周の非画像部に相当する次周の画像部の画像濃度が、基準周の画像部に相当する次周の画像部の画像濃度に比べ、高くなる。ここで、目視による観察とは、肉眼での観察（肉眼観察）又はルーペ（倍率１０倍、ＴＲＵＳＣＯ社製、ＴＬ−ＳＬ１０Ｋ）を介した観察（ルーペ観察）である。評価用画像の観察結果から下記基準に基づいて転写メモリーに起因する画像ゴーストの発生の有無を評価した。評価結果を表１〜３に示す。なお、評価Ａ〜Ｃを合格とした。
（転写メモリーに起因する画像不良の評価基準）
評価Ａ：画像Ａに対応する画像ゴーストが観察されなかった。
評価Ｂ：画像Ａに対応する画像ゴーストがわずかに観察された。
評価Ｃ：画像Ａに対応する画像ゴーストが観察されたが、実用上問題のない水準であった。
評価Ｄ：画像Ａに対応する画像ゴーストが明確に観察され、実用上問題のある水準であった。
【０１７９】
【表１】
2018189940.tif 000014
【０１８０】
【表２】
2018189940.tif 000015
【０１８１】
【表３】
2018189940.tif 000016
【０１８２】
表１及び表２に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）では、感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含んでいた。光応答時間は、０．２１ミリ秒以上０．８１ミリ秒以下であった。半減露光量の比率は、１．３以上３．５以下であった。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２３）では、転写メモリーの評価が評価Ａ、Ｂ及びＣの何れかであり、画像評価が評価Ａ、Ｂ及びＣの何れかであった。
【０１８３】
表３に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）及び（Ｂ−６）では、光応答時間がそれぞれ０．９０ミリ秒以上８２．００ミリ秒以下であった。また、感光体（Ｂ−４）〜（Ｂ−６）では、半減露光量の比率は、５．２以上１５．０以下であった。感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）では、露光メモリーの画像評価が評価Ｄであった。感光体（Ｂ−４）〜（Ｂ−６）では、転写メモリーの画像評価が評価Ｄであった。
【０１８４】
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）に比べ、長期にわたる画像形成の繰り返しにおいても、露光メモリー及び転写メモリーの発生を抑制することができる。また、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２４）の何れかを備える画像形成装置は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）を備える画像形成装置に比べ、画像不良の発生を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
本発明に係る感光体は、画像形成装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０１８６】
１    電子写真感光体
２    導電性基体
３    感光層
【図１】
2018189940.tif 000021
【図２】
2018189940.tif 000022
【図３】
2018189940.tif 000023
【図４】
2018189940.tif 000024
【図５】
2018189940.tif 000025
【図６】
2018189940.tif 000026