(57)【要約】【課題】製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、所定の幅よりも大きい最小幅を有してランド部をリード部に接続する中継部を有し、中継部に貫通孔が設けられている配線と、第１の樹脂層及び配線上に配置され、ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層とを備える。【選択図】図２
2018067564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上に配置され、前記半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、前記所定の幅よりも大きい最小幅を有して前記ランド部を前記リード部に接続する中継部を有し、前記中継部に貫通孔が設けられている前記配線と、
前記第１の樹脂層及び前記配線上に配置され、前記ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上に配置され、前記半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、前記ランド部を前記リード部に接続する中継部を有し、複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐している前記配線と、
前記第１の樹脂層及び前記配線上に配置され、前記ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層と、
を備える半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上に配置され、前記半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、前記ランド部を前記リード部に接続する中継部を有し、１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されている前記配線と、
前記第１の樹脂層及び前記配線上に配置され、前記ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層と、
を備える半導体装置。
【請求項４】
複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐しており、又は、１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記所定の幅よりも大きい最小幅を有する中継部に貫通孔が設けられており、又は、１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されている、請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記所定の幅よりも大きい最小幅を有する中継部に貫通孔が設けられており、又は、複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐している、請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線と前記第２の樹脂層との間に銅の酸化膜をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の樹脂層の開口を通して前記ランドに接続された半田端子をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハーレベルでパッケージングが行われる半導体装置に関する。さらに、本発明は、そのような半導体装置を用いた電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度実装を実現するために、ウエハーレベルでパッケージングが行われるＷＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package：ウエハーレベル・チップサイズ・パッケージ）が提案されている。ＷＣＳＰにおいては、回路が形成された半導体基板上に応力緩和樹脂層を介して銅（Ｃｕ）を含む配線（再配置配線）を形成し、実装のための半田端子が接続されるランド以外の領域をオーバーコート樹脂層で覆う構造が一般的である。
【０００３】
関連する技術として、特許文献１には、ＷＣＳＰにおいて回路素子のインピーダンスと当該回路素子に電気的に接続される信号線の特性インピーダンスとの整合を図ることにより、伝送信号の高周波化に伴い顕著となる反射等の発生を抑制した半導体装置が開示されている。
【０００４】
特許文献１の半導体装置は、半導体チップ上に設けられた複数の電極パッドと、電極パッドの表面の一部を露出させるように半導体チップ上に設けられた絶縁層と、絶縁層の上側であって電極パッドの直上とは異なる位置に設けられた複数の外部端子と、電極パッドと外部端子とを電気的に接続するために絶縁層上に設けられた第１配線層及び第２配線層とを備えている。信号線となる第２配線層は、接地線（ＧＮＤ線）となる２つの第１配線層の間に挟まれて設けられる。それらの配線層は、銅（Ｃｕ）で形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７９５７９号公報（請求項１、段落０００９、００２０、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
銅（Ｃｕ）を含む配線を形成する工程においては、例えば、スパッター法によって応力緩和樹脂層上にシード層を形成し、所定のパターンの開口部を有するフォトレジストをシード層上に形成して銅めっきを行うことにより、フォトレジストの開口部のシード層上に銅めっき層が形成される。その後、フォトレジストを剥離して、配線領域以外のシード層をエッチングで除去することにより、シード層及び銅めっき層が積層された配線がパターニングされる。
【０００７】
上記の工程において導電性を有する炭化層が応力緩和樹脂層の表面に形成されるので、上記の工程の後に酸素プラズマによって炭化層が分解除去される。その際に、配線の材料である銅が酸化され、半導体基板に電気的に接続された配線において面積が大きい領域上には、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が形成され易い。そのような酸化膜が形成されると、配線をオーバーコート樹脂層で覆った際に、一部の領域においてオーバーコート樹脂層が配線から剥離するおそれがある。そのような半導体装置は、外観検査において不良品であると判定されてしまう。
【０００８】
特許文献１の図５には、複数の半田ボール４５がそれぞれ形成される複数の第１ポスト部４０ａに接続されたＧＮＤ線３５ａが示されている。このように、ＧＮＤ線３５ａが広範囲に亘って配置される場合には、ＧＮＤ線３５ａ上に、密度が低く密着性が悪い酸化銅の膜が部分的に形成され易く、ＧＮＤ線３５ａを覆うエポキシ樹脂等の封止膜５０が、ＧＮＤ線３５ａから剥離するおそれがある。
【０００９】
本発明の幾つかの態様は、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制できる半導体装置を提供することに関連している。さらに、本発明の幾つかの態様は、そのような半導体装置を用いた電子機器等を提供することに関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、所定の幅よりも大きい最小幅を有してランド部をリード部に接続する中継部を有し、中継部に貫通孔が設けられている配線と、第１の樹脂層及び配線上に配置され、ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層とを備える。
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線において、所定の幅よりも大きい最小幅を有する中継部に貫通孔が設けられているので、中継部の面積が減少してパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制することができる。
【００１２】
本発明の第２の態様に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、ランド部をリード部に接続する中継部を有し、複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐している配線と、第１の樹脂層及び配線上に配置され、ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層とを備える。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線の複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐しているので、中継部の配置が分散されてパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制することができる。
【００１４】
本発明の第３の態様に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に配置された第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線であって、所定の幅で延在するリード部、ランドを構成するランド部、及び、ランド部をリード部に接続する中継部を有し、１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されている配線と、第１の樹脂層及び配線上に配置され、ランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層とを備える。
【００１５】
本発明の第３の態様によれば、半導体基板に電気的に接続されて銅を含む配線の１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されているので、中継部の配置が分散されてパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の第１〜第３の態様の内の２つ以上を組み合わせても良い。それにより、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することをさらに抑制することができる。
【００１７】
以上において、半導体装置が、配線と第２の樹脂層との間に銅の酸化膜をさらに備えるようにしても良い。銅を含む配線を形成する工程において第１の樹脂層の表面に形成された炭化層を酸素プラズマによって分解除去する際に配線上に銅の酸化膜が形成されても、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜は発生し難いので、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制することができる。
【００１８】
また、半導体装置が、第２の樹脂層の開口を通してランドに接続された半田端子をさらに備えるようにしても良い。半田端子を設けることによって、半導体装置を配線基板等に実装することが容易になる。
【００１９】
本発明の第４の態様に係る電子機器は、上記いずれかの半導体装置を備える。本発明の第４の態様によれば、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層上に配置されて銅を含む配線から第２の樹脂層が剥離することを抑制できる半導体装置を用いて、回路の小型化及び低コスト化を図りながら、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の各実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトの一部を示す平面図。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトの一部を示す平面図。
【図４】第３及び第４の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトを示す平面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜半導体装置の構成＞
図１は、本発明の各実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図１に示すように、この半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置された第１の樹脂層（応力緩和樹脂層）２０と、第１の樹脂層２０上に配置され、配線３０ａ及び３０ｂを含む複数の配線３０と、第１の樹脂層２０及び複数の配線３０上に配置された第２の樹脂層（オーバーコート樹脂層）４０とを備えており、さらに、半田端子５０ａ及び５０ｂを含む複数の半田端子５０を備えても良い。
【００２２】
半導体基板１０は、例えば、Ｐ型又はＮ型の不純物を含むシリコン（Ｓｉ）で構成される。半導体基板１０には、トランジスター又はダイオード等の能動素子、又は、抵抗又はキャパシター等の受動素子を含む複数の回路素子が設けられている。例えば、Ｐ型の半導体基板１０内に、半導体基板１０のコンタクト領域を構成するＰ型の不純物領域１０ａと、ＮチャネルＭＯＳトランジスターのソース又はドレインを構成するＮ型の不純物領域１０ｂとが配置されている。
【００２３】
また、半導体基板１０上には、トランジスターのゲート電極がゲート絶縁膜を介して配置されており、さらに、複数のコンタクトホールを有する層間絶縁膜１１が配置されている。図１に示すコンタクトホール内には、Ｐ型の不純物領域１０ａに電気的に接続されたコンタクトビア１２ａと、Ｎ型の不純物領域１０ｂに電気的に接続されたコンタクトビア１２ｂとが配置されている。
【００２４】
層間絶縁膜１１上には、複数の配線を含む配線層が配置されている。それらの配線の一部は、パッド（端子）１３ａ及び１３ｂを構成している。パッド１３ａは、コンタクトビア１２ａを介してＰ型の不純物領域１０ａ及び半導体基板１０に電気的に接続されており、パッド１３ｂは、コンタクトビア１２ｂを介してＮ型の不純物領域１０ｂに電気的に接続されている。なお、必要に応じて層間絶縁膜及び配線層を２層以上設けても良い。配線層上には、パッド１３ａ及び１３ｂを含む複数のパッドに対応する位置に開口を有するパッシベーション膜１４が配置されている。
【００２５】
ここで、半導体基板１０〜パッシベーション膜１４は、回路が形成された半導体ウエハー又は半導体チップに相当する。この回路は、高電位側の電源電位及び低電位側の電源電位が供給されて動作する。一方の電源電位は、接地電位（０Ｖ）であっても良い。半導体基板１０がＰ型である場合には、低電位側の電源電位がパッド１３ａを介して半導体基板１０に供給される。一方、半導体基板１０がＮ型である場合には、半導体基板１０のコンタクト領域としてＮ型の不純物領域が配置され、高電位側の電源電位がパッド１３ａを介して半導体基板１０に供給される。
【００２６】
層間絶縁膜１１は、例えば、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）又はニ酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等で構成される。コンタクトビア１２ａ及び１２ｂは、例えば、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は、銅（Ｃｕ）等を含んでいる。配線は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等を含んでいる。パッシベーション膜１４は、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はニ酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁膜で構成される。
【００２７】
第１の樹脂層２０は、パッシベーション膜１４上に配置され、複数のパッドに対応する位置に開口を有している。図１に示すように、第１の樹脂層２０は、パッシベーション膜１４の上面の大部分を覆うように配置されても良い。また、第１の樹脂層２０は、複数のパッドの周辺部に接するように配置されても良い。
【００２８】
第１の樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、又は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）等で構成される。例えば、パッシベーション膜１４等が形成された半導体基板１０上に感光性のポリイミド樹脂を塗布し、フォトリソグラフィー法によってポリイミド樹脂の一部を架橋させることにより、複数のパッドに対応する位置に開口を有する第１の樹脂層２０が形成される。
【００２９】
配線３０は、例えば、第１の樹脂層２０上に順に配置されたチタンタングステン（ＴｉＷ）等の第１シード層３１と、銅（Ｃｕ）の第２シード層３２と、銅めっき層３３とを含んでいる。配線３０の一部は、半導体装置の実装のための半田端子５０が接続される略円形の平面形状を有するランドを構成している。配線３０ａは、パッド１３ａ等を介して半導体基板１０に電気的に接続されており、配線３０ｂは、パッド１３ｂ等を介してＮ型の不純物領域１０ｂに電気的に接続されている。
【００３０】
例えば、フォトリソグラフィー法によって、所定のパターンの開口部を有するフォトレジストを第２シード層３２上に形成し、銅めっきを行うことにより、フォトレジストの開口部の第２シード層３２上に銅めっき層３３が形成される。その後、フォトレジストを剥離して、配線領域以外の第１シード層３１及び第２シード層３２をウエットエッチングで除去することにより、第１シード層３１、第２シード層３２、及び、銅めっき層３３が積層された配線３０がパターニングされる。
【００３１】
第２の樹脂層４０は、複数の配線３０が配置された第１の樹脂層２０上に配置され、複数のランドに対応する位置に開口を有している。図１に示すように、第２の樹脂層４０は、開口が形成された部分を除き、第１の樹脂層２０及び複数の配線３０の上面を覆うように配置されても良い。第２の樹脂層４０としては、例えば、感光性のフェノール系樹脂等で構成されるソルダーレジストが用いられる。例えば、複数の配線３０が形成された第１の樹脂層２０上に液状のソルダーレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってソルダーレジストの一部を架橋させることにより、複数のランドに対応する位置に開口を有する第２の樹脂層４０が形成される。
【００３２】
半田端子５０は、例えば、球の一部の形状を有する半田ボールであっても良い。半田端子５０は、錫（Ｓｎ）に加えて、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）等を含んでいる。半田端子５０を設けることによって、半導体装置を配線基板等に実装することが容易になる。半田端子５０ａは、配線３０ａに電気的に接続されており、半田端子５０ｂは、配線３０ｂに電気的に接続されている。
【００３３】
また、複数の半導体装置が半導体ウエハーに形成される場合には、半導体ウエハーを切断して複数の半導体チップに分離することにより、個々の半導体装置が完成する。その場合には、半導体ウエハー単位でパッケージングがなされるので、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【００３４】
上記の配線３０を形成する工程において、ポリイミド等で構成された第１の樹脂層２０の表面に、導電性を有する炭化層が形成される。この炭化層に漏洩電流が流れることを防止するために、酸素プラズマによって炭化層を分解除去している。その際に、半導体基板１０がプラズマ装置の台座に固定されて、配線３０が形成された第１の樹脂層２０の表面にプラズマ状態の酸素（酸素ラジカル）が照射される。それにより、酸素ラジカルが炭化層中の炭素と結合し、炭酸ガス（ＣＯ２）として気化する（アッシング）。その際に、配線３０の銅めっき層３３の上部が酸化されると、配線３０上に酸化銅が形成される。即ち、配線３０上に銅の酸化膜が形成される。
【００３５】
そのような酸素プラズマ処理において、半導体基板１０がプラズマ装置の台座に固定された際に、半導体基板１０に電気的に接続された配線３０ａが、プラズマ装置の台座にも電気的に接続される。一般的に、プラズマ装置の台座には、接地電位が供給される。
【００３６】
その結果、半導体基板１０に電気的に接続された配線３０ａにおいて面積が大きい領域上では、接地電位が印加されている端子に酸素イオンが集中して銅の配線の表面にダメージを与えるので、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が形成され易い。そのような酸化膜が形成されると、複数の配線３０を第２の樹脂層４０で覆った際に、一部の領域において第２の樹脂層４０が配線３０ａから剥離するおそれがある。そこで、以下の実施形態においては、第２の樹脂層４０の剥離を抑制できる配線３０ａのレイアウトについて、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００３７】
＜第１の実施形態＞
図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトの一部を示す平面図である。図２に示すように、半導体基板１０に電気的に接続されて銅を含む配線３０ａは、所定の幅で延在するリード部６１〜６３と、図２に破線で示すランドを構成するランド部７１〜７３と、ランド部７１〜７３をリード部６１〜６３に接続する中継部８１〜８４とを有している。
【００３８】
第１の実施形態においては、配線３０ａにおいて、リード部の所定の幅よりも大きい最小幅を有してランド部をリード部に接続する中継部に貫通孔が設けられている。例えば、リード部６１及び６２は、所定の幅Ｗ１で延在している。一方、ランド部７２をリード部６１及び６２に接続する中継部８２は、リード部６１及び６２の所定の幅Ｗ１よりも大きい最小幅Ｗ２を有している。同様に、ランド部７１をリード部６１及び６２に接続する中継部８１も、リード部６１及び６２の所定の幅Ｗ１よりも大きい最小幅を有している。
【００３９】
そこで、中継部８１及び８２に貫通孔９０が設けられている。図２に示す例においては、中継部８１及び８２が一体化されており、一体化された中継部８１及び８２に貫通孔９０が設けられている。図２には、円形の平面形状を有する貫通孔９０が示されているが、貫通孔の形状や個数は任意である。
【００４０】
第１の実施形態によれば、半導体基板１０に電気的に接続されて銅を含む配線３０ａにおいて、所定の幅よりも大きい最小幅を有する中継部に貫通孔が設けられているので、中継部の面積が減少してパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することを抑制することができる。
【００４１】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトの一部を示す平面図である。第２の実施形態においては、第１の実施形態における貫通孔９０の替りに、スリット状の複数の貫通孔９１〜９３が設けられている。その他の点に関しては、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様でも良い。図３には、矩形の平面形状を有する３つの貫通孔９１〜９３が示されているが、貫通孔の形状や個数は任意である。第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４２】
＜第３の実施形態＞
図４は、本発明の第３及び第４の実施形態に係る半導体装置の配線レイアウトを示す平面図である。図４には、半導体基板１０に電気的に接続されたパッド１３ａを含む複数のパッドと、それらのパッドに対応する位置に開口を有する第１の樹脂層２０と、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む複数の配線が示されている。
【００４３】
それらの配線の内で、配線３０ａは、パッド１３ａを介して半導体基板１０に電気的に接続されている。図４に示すように、配線３０ａは、所定の幅で延在するリード部６１〜６３と、図４に破線で示すランドを構成するランド部７１〜７４と、ランド部７１〜７４をリード部６１〜６３に接続する中継部８１〜８６とを有している。
【００４４】
第３の実施形態においては、配線３０ａの複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が、当該リード部の異なる箇所から分岐している。図４に示す例においては、複数のランド部７１及び７２をリード部６１に並列接続する中継部８１及び８２が、リード部６１の異なる箇所から分岐している。また、複数のランド部７２〜７４をリード部６２に並列接続する中継部８３〜８５が、リード部６２の異なる箇所から分岐している。
【００４５】
第３の実施形態によれば、半導体基板１０に電気的に接続されて銅を含む配線３０ａの複数のランド部を１つのリード部に並列接続する全ての中継部が当該リード部の異なる箇所から分岐しているので、中継部の配置が分散されてパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することを抑制することができる。
【００４６】
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態においては、配線３０ａの１つのランド部が、最大で２つの中継部に直接接続されている。図４に示す例においては、ランド部７２が、２つの中継部８２及び８３に直接接続されており、ランド部７３が、２つの中継部８４及び８６に直接接続されている。一方、ランド部７１は、１つの中継部８１のみに直接接続されており、ランド部７４は、１つの中継部８５のみに直接接続されている。
【００４７】
第４の実施形態によれば、半導体基板１０に電気的に接続されて銅を含む配線３０ａの１つのランド部が最大で２つの中継部に直接接続されているので、中継部の配置が分散されてパターン密度が均一化される。その結果、中継部上において、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜が発生し難くなるので、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することを抑制することができる。
【００４８】
以上説明した第１〜第４の実施形態の内の２つ以上を組み合わせても良い。それにより、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することをさらに抑制することができる。
【００４９】
また、銅を含む配線３０を形成する工程において第１の樹脂層２０の表面に形成された炭化層を酸素プラズマによって分解除去する際に、配線３０上に銅の酸化膜が形成される場合には、半導体装置は、配線３０と第２の樹脂層４０との間に銅の酸化膜を備えることになる。
【００５０】
しかしながら、上記の実施形態によれば、半導体基板１０に電気的に接続された配線３０ａ上に銅の酸化膜が形成されても、部分的に密度が低く密着性が悪い銅の酸化膜は発生し難いので、第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することを抑制することができる。
【００５１】
＜電子機器＞
次に、本発明のいずれかの実施形態に係る半導体装置を用いた電子機器について説明する。以下においては、一例として、電子機器がサーマル方式又はインクジェット方式のプリンターである場合について説明する。
【００５２】
図５は、本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図である。図５に示すように、電子機器１００は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１１０を含み、さらに、プリントヘッド１１１と、印字媒体搬送部１１２と、ＣＰＵ（中央演算装置）１２０と、操作部１３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）１４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）１５０と、通信部１６０と、表示部１７０とを含んでも良い。なお、図５に示す構成要素の一部を省略又は変更しても良いし、あるいは、図５に示す構成要素に他の構成要素を付加しても良い。
【００５３】
プリントヘッド１１１としては、例えば、サーマル方式、ピエゾ方式、又は、静電方式のプリントヘッドが用いられる。半導体装置１１０は、プリントヘッド１１１を駆動するための複数の駆動回路を内蔵している。駆動回路は、図１に示す配線３０を介してプリントヘッド１１１に電気的に接続される。
【００５４】
印字媒体搬送部１１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラテンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。半導体装置１１０に内蔵された駆動回路は、プリントヘッド１１１を駆動することにより、印字媒体搬送部１１２によって搬送された用紙に印字を行う。
【００５５】
ＣＰＵ１２０は、ＲＯＭ１４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理を行う。例えば、ＣＰＵ１２０は、操作部１３０から供給される操作信号に応じて半導体装置１１０及び印字媒体搬送部１１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うために通信部１６０を制御したり、表示部１７０に各種の情報を表示させるための表示信号を生成したりする。
【００５６】
操作部１３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ１２０に出力する。ＲＯＭ１４０は、ＣＰＵ１２０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ１５０は、ＣＰＵ１２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ１４０から読み出されたプログラムやデータ、又は、操作部１３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
【００５７】
通信部１６０は、例えば、アナログ回路及びデジタル回路で構成され、ＣＰＵ１２０と外部装置との間のデータ通信を行う。従って、図５に示すプリンターは、外部のホストコンピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部１７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ１２０から供給される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。
【００５８】
本実施形態によれば、製造工程を追加したり、材料や処理条件を変更したりすることなく、図１に示す第１の樹脂層２０上に配置されて銅を含む配線３０ａから第２の樹脂層４０が剥離することを抑制できる半導体装置を用いて、回路の小型化及び低コスト化を図りながら、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００５９】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。例えば、本発明は、他の目的の半導体装置にも適用することが可能である。また、本発明は、プリンター以外の各種の電子機器にも適用することが可能である。
【００６０】
そのような電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視鏡）等が該当する。
【符号の説明】
【００６１】
１０…半導体基板、１０ａ…Ｐ型の不純物領域、１０ｂ…Ｎ型の不純物領域、１１…層間絶縁膜、１２ａ、１２ｂ…コンタクトビア、１３ａ、１３ｂ…パッド、１４…パッシベーション膜、２０…第１の樹脂層、３０、３０ａ、３０ｂ…配線、３１…第１シード層、３２…第２シード層、３３…銅めっき層、４０…第２の樹脂層、５０、５０ａ、５０ｂ…半田端子、６１〜６３…リード部、７１〜７４…ランド部、８１〜８６…中継部、９０〜９３…貫通孔、１００…電子機器、１１０…半導体装置、１１１…プリントヘッド、１１２…印字媒体搬送部、１２０…ＣＰＵ、１３０…操作部、１４０…ＲＯＭ、１５０…ＲＡＭ、１６０…通信部、１７０…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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