(57)【要約】【課題】ウェーハを分断予定ラインに沿って分断する。【解決手段】複数の分断予定ラインが設定され、裏面に膜が設けられた板状の被加工物の加工方法であって、該分断予定ラインに沿って被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、複数の該分断予定ラインに対応した凸部を有し該被加工物の該裏面側に位置付けられた該押圧部材と、該被加工物と、の一方または両方を互いの方向に押圧することで該溝に対応する該膜に該凸部を貫通させ、被加工物を分断する分断ステップと、を備える。該溝形成ステップを実施する前に、該被加工物の該分断予定ラインに該押圧部材の該凸部の位置が合わせられるように被加工物の裏面側に該押圧部材を配置する配置ステップを実施し、該溝形成ステップでは、押圧部材が裏面側に配置された被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成してもよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分断予定ラインが設定され、裏面に膜が設けられた板状の被加工物の加工方法であって、
該分断予定ラインに沿って被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、複数の該分断予定ラインに対応した凸部を有し該被加工物の該裏面側に位置付けられた該押圧部材と、該被加工物と、の一方または両方を互いの方向に押圧することで該溝に対応する該膜に該凸部を貫通させ、被加工物を分断する分断ステップと、
を備えた加工方法。
【請求項２】
該溝形成ステップを実施する前に、該被加工物の該分断予定ラインに該押圧部材の該凸部の位置が合わせられるように被加工物の裏面側に該押圧部材を配置する配置ステップを実施し、
該溝形成ステップでは、押圧部材が裏面側に配置された被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成する、請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
該溝形成ステップは、被加工物の裏面にサポート部材が配設された状態で実施され、
該分断ステップを実施する前に、被加工物の表面にテープを貼着するとともに該テープを介してフレームに被加工物を装着し、該サポート部材を除去することで被加工物の裏面側を露出させる転写ステップを備えた請求項１に記載の加工方法。
【請求項４】
該溝形成ステップは、被加工物の裏面にテープを貼着するとともに該テープを介してフレームに被加工物を装着した状態で実施され、
該分断ステップでは、該テープを介して該押圧部材の該凸部が該溝に対応する該膜を押圧して分断する、請求項１に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ等の被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成されたデバイスチップは、表面にデバイスが形成されたウェーハに対して該ウェーハを分断する加工方法を実施することで形成される。該ウェーハ等の被加工物の表面には格子状に配列された分断予定ラインが設定され、該分断予定ラインで区画される各領域にはデバイスが形成される。該加工方法では、例えば、環状の切削ブレードを回転させつつ該分断予定ラインに沿って被加工物に切り込ませることで該被加工物を分断してデバイスチップを形成する。
【０００３】
該被加工物の裏面側には電極や放熱材となる金属膜が形成されることがある。裏面に金属膜が形成された被加工物を切削ブレードにより分断する際には、該切削ブレードを該金属膜にも切り込ませることとなる。すると、回転する切削ブレードにより該金属膜が引き伸ばされてバリと呼ばれる突起が発生する。製造されたデバイスチップにバリが残ると、該デバイスチップを所定の対象に実装するときに該バリが適切な実装の妨げとなる等の問題を引き起こすことがある。
【０００４】
また、被加工物の裏面側には、デバイスチップの保護や実装等のために樹脂膜が形成されることがある。該樹脂膜や金属膜等の延性を有する膜が裏面に形成された被加工物を該切削ブレードで切削すると、該切削ブレードに目詰まり等の不具合が生じる場合がある。目詰まり等が生じた切削ブレードを使用して引き続き切削を実施すると被加工物にチッピング（欠け）等の不良が発生しやすくなる。
【０００５】
そこで、切削ブレードにより被加工物を切削する前に、分断予定ラインに沿って被加工物の裏面側にレーザビームを照射して、樹脂膜や金属膜を除去する方法が提案されている。分断予定ラインに沿って予め該膜を除去しておけば、切削ブレードにより該膜を切削することがなく、上述のような問題は発生しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−４２５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、レーザビームを照射して該膜を除去すると、デブリと呼ばれる固着物が発生して被加工物に固着するようになる。該デブリもまた製造されたデバイスチップの適切な実装の妨げ等となる場合があり問題となるが、固着した該デブリを除去するのは容易ではない。また、そもそもレーザビームを照射する工程では高価な装置であるレーザ加工装置を使用せねばならず、被加工物の加工コストが増大してしまう、との問題がある。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面側に膜が形成されたウェーハ等の被加工物を分断予定ラインに沿って分断する新規な加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、複数の分断予定ラインが設定され、裏面に膜が設けられた板状の被加工物の加工方法であって、該分断予定ラインに沿って被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、複数の該分断予定ラインに対応した凸部を有し該被加工物の該裏面側に位置付けられた該押圧部材と、該被加工物と、の一方または両方を互いの方向に押圧することで該溝に対応する該膜に該凸部を貫通させ、被加工物を分断する分断ステップと、を備えた加工方法が提供される。
【００１０】
なお、本発明の一態様において、該溝形成ステップを実施する前に、該被加工物の該分断予定ラインに該押圧部材の該凸部の位置が合わせられるように被加工物の裏面側に該押圧部材を配置する配置ステップを実施し、該溝形成ステップでは、押圧部材が裏面側に配置された被加工物の表面からドライエッチングにより溝を形成してもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様において、該溝形成ステップは、被加工物の裏面にサポート部材が配設された状態で実施され、該分断ステップを実施する前に、被加工物の表面にテープを貼着するとともに該テープを介してフレームに被加工物を装着し、該サポート部材を除去することで被加工物の裏面側を露出させる転写ステップを備えてもよい。
【００１２】
また、本発明の一態様において、該溝形成ステップは、被加工物の裏面にテープを貼着するとともに該テープを介してフレームに被加工物を装着した状態で実施され、該分断ステップでは、該テープを介して該押圧部材の該凸部が該溝に対応する該膜を押圧して分断してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係る加工方法によると、ウェーハ等の被加工物の表面から分断予定ラインに沿ってドライエッチングを実施し溝を形成する。また、複数の該分断予定ラインに対応した凸部を有する押圧部材を用意する。そして、該凸部を該被加工物の該裏面側に位置付けるように押圧部材を配し、該押圧部材及び該被加工物の一方または両方を互いの方向に押圧することで、該溝に対応する該膜に該凸部を貫通させ、被加工物を分断する。すると、個々のデバイスチップが形成される。
【００１４】
このように被加工物を分断すると、該被加工物の裏面側に設けられた金属膜や樹脂膜を切削ブレードやレーザビームによらずに分断できる。そのため、切削ブレードの目詰まりが問題となることはなく、また、デブリを生じることもない。
【００１５】
したがって、本発明の一態様により裏面側に膜が形成されたウェーハ等の被加工物を分断予定ラインに沿って分断できる新規な加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ドライエッチング装置を説明する断面模式図である。
【図２】図２（Ａ）は、被加工物を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、押圧部材を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は、被加工物の裏面側に押圧部材を配した状態を示す断面模式図であり、図３（Ｂ）は、被加工物に溝を形成した状態を示す断面模式図であり、図３（Ｃ）は、被加工物を押圧部材に向けて押圧して膜に凸部を貫通させた状態を示す断面模式図である。
【図４】図４（Ａ）は、サポート部材上に被加工物を貼着した状態を示す断面模式図であり、図４（Ｂ）は、被加工物に溝を形成した状態を示す断面模式図である。
【図５】図５（Ａ）は、テープを介してフレームに装着された被加工物を示す断面模式図であり、図５（Ｂ）は、押圧部材を被加工物に向けて押圧して膜に凸部を貫通させた状態を示す断面模式図である。
【図６】図６（Ａ）は、テープを介してフレームに装着された被加工物を示す断面模式図であり、図６（Ｂ）は、被加工物に溝を形成した状態を示す断面模式図であり、図６（Ｃ）は、押圧部材を被加工物に向けて押圧して膜を分離した状態を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る加工方法で使用するドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）について説明する。図１は、ドライエッチング装置２を説明する断面模式図である。ドライエッチング装置２は、内部に処理用の空間が形成された真空チャンバ４を備えている。真空チャンバ４の側壁には、被加工物を搬入、搬出するための開口４ａが形成されている。
【００１８】
開口４ａの外部には、開口４ａを開閉するためのゲート６が設けられている。ゲート６には、開閉機構（不図示）が連結されており、この開閉機構によってゲート６は開閉される。ゲート６を開いて開口４ａを露出させることで、開口４ａを通じて被加工物を真空チャンバ４の内部の空間に搬入し、又は、被加工物を真空チャンバ４の内部の空間から搬出できる。
【００１９】
真空チャンバ４の底壁には、排気口４ｂが形成されている。この排気口４ｂは、真空ポンプ等の排気ユニット８に接続されている。真空チャンバ４の空間内には、下部電極１０が配置されている。下部電極１０は、導電性の材料を用いて円盤状に形成されており、真空チャンバ４の外部において高周波電源１２に接続されている。
【００２０】
下部電極１０の上面には、静電チャック１４が配置されている。静電チャック１４は、例えば、互いに絶縁された複数の電極１６ａ，１６ｂを備え、各電極１６ａ，１６ｂと被加工物との間に発生する電気的な力によって被加工物を吸着、保持する。なお、本実施形態の静電チャック１４は、電極１６ａに直流電源１８ａの正極を接続でき、電極１６ｂに直流電源１８ｂの負極を接続できるように構成されている。
【００２１】
真空チャンバ４の天井壁には、導電性の材料を用いて円盤状に形成された上部電極２０が絶縁材を介して取り付けられている。上部電極２０の下面側には、複数のガス噴出孔２０ａが形成されており、このガス噴出孔２０ａは、上部電極２０の上面側に設けられたガス供給孔２０ｂ等を介してガス供給源２２に接続されている。これにより、ドライエッチング用の原料ガスを真空チャンバ４の空間内に供給できる。この上部電極２０も、真空チャンバ４の外部において高周波電源２４に接続されている。
【００２２】
次に、本実施形態に係る加工方法の被加工物と、押圧部材と、について説明する。図２（Ａ）は、被加工物１を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、押圧部材２６を模式的に示す斜視図である。図３（Ａ）は、該被加工物１と、該被加工物１の下に配された押圧部材２６と、を模式的に示す断面図である。被加工物１は、例えば、表面１ａにデバイス５が形成された半導体でなる略円板状のウェーハである。
【００２３】
該被加工物１には、格子状に配列された複数の分断予定ライン３が設定され、該分断予定ライン３により区画された各領域にそれぞれ該デバイス５が形成されている。被加工物１は、最終的に該分断予定ライン３に沿って分断され、個々のデバイスチップが形成される。
【００２４】
被加工物１の裏面１ｂ側には膜７が形成されている。膜７は、例えば、電極や放熱材となる金属膜であり、または、被加工物１の保護等のための樹脂膜である。また、膜７は、被加工物１が分断されて形成されたデバイスチップを所定の実装対象に実装する際に用いられるＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）、または、ＤＢＦ（ダイバックサイドフィルム）等でもよい。
【００２５】
膜７は、最終的に分断予定ライン３に沿って分断される。ここで、該膜７は金属膜や樹脂等の延性を有する材料で形成されるため、例えば、被加工物１を分断するのに際し被加工物１に対して切削ブレードを用いた切削加工を実施すると、該切削ブレードに該膜７に起因する目詰まりを生じてしまう。また、被加工物１にはバリと呼ばれる突起が生じて、該バリがデバイスチップの製造、搬送、または、実装の妨げとなる場合がある。
【００２６】
膜７を分断するために、被加工物１の裏面１ｂ側に対してレーザビームを用いたアブレーション加工を実施すると、該膜７からデブリと呼ばれる固着物を生じて、これもまたデバイスチップの製造、搬送、または、実装の妨げとなる場合がある。そもそも、レーザビームを照射するレーザ加工装置は高価であるため、レーザ加工装置を使用する工程を実施すると、デバイスチップの製造コストが高くなるとの問題を生じる。
【００２７】
これに対して、本実施形態に係る加工方法では、被加工物１の裏面１ｂに設けられた膜７を分断するのに押圧部材２６が用いられる。該押圧部材２６を用いて膜７を分断すると、このような問題を生じない。該押圧部材２６は被加工物１と同様の平面形状であり、押圧部材２６の一方の面には、被加工物１の分断予定ライン３に対応した凸部２８が形成されている。例えば、被加工物１が半導体でなるウェーハである場合、押圧部材２６もまた半導体でなるウェーハから加工されて形成される。
【００２８】
押圧部材２６は、例えば、半導体でなるウェーハの一方の面に被加工物１の該分断予定ライン３に対応する領域にレジストマスクを形成し、該分断予定ライン３に対応しない領域に対してエッチング加工を行うことで形成される。このとき、該レジストマスクの形状または材質を適宜選択して、該レジストマスクが該エッチング加工の進行とともに後退するようにする。すると、膜７を突き破りやすいテーパー形状の凸部２８を有する押圧部材２６を形成できる。
【００２９】
なお、押圧部材２６の凸部２８を形成する際に用いられるレジストマスクは、例えば、被加工物１に後述の溝２８（図３（Ｂ）参照）を形成する際に用いられるフォトマスクを反転させて用いて形成できる。例えば、該溝２８を形成するためにポジ型のレジストマスクを用いる場合、押圧部材２６の凸部２８を形成するためにネガ型のレジストマスクを用いる。すると、分断予定ラインに３に対応した形状の凸部２８が形成される。
【００３０】
また、該押圧部材２６は他の方法で形成されてもよく、例えば、転写されると該凸部２８となる形状の型を用意し、該型に金属または樹脂等を流し込み、これを固化して該型から分離させることで形成してもよい。または、被加工物１と同様の平面形状の基材の上に樹脂膜の材料を設け、該型を押し付けて該樹脂膜の材料を固化して形成してもよい。
【００３１】
次に、本実施形態に係る加工方法の各ステップについて説明する。該加工方法は、分断予定ラインに沿って被加工物に溝を形成する溝形成ステップと、該押圧部材及び該被加工物の一方または両方を押圧して、該溝に対応する該膜に押圧部材の凸部を貫通させ、被加工物を分断する分断ステップと、を備える。
【００３２】
まず、被加工物１の表面１ａにレジストマスクの材料を塗布する。そして、塗布された該レジストマスクの材料に対して、例えば、上述のフォトマスクを用いて露光及び現像を行ってパターニングを実施する。被加工物１の該分断予定ライン３に沿って被加工物１の表面１ａを露出させる一方で分断予定ライン３以外の領域をドライエッチング加工から保護するように、レジストマスク９を形成する。
【００３３】
次に、該被加工物１をドライエッチング装置２（プラズマエッチング装置）の内部に搬入する。まず、開閉機構によってゲート６を下降させる。次に、開口４ａを通じて被加工物１を真空チャンバ４の空間内に搬入し、静電チャック１４に載せる。その後、静電チャック１４を作動させれば、被加工物１は、表面１ａ側のレジストマスク５が上方に露出した状態で静電チャック１４に吸着、保持される。
【００３４】
図３（Ａ）は、ドライエッチング装置２の内部に搬入された被加工物１を模式的に示す断面図である。図３（Ａ）に示す通り、被加工物１をドライエッチング装置２の内部に搬入するとき、被加工物１の下には押圧部材２６を配置して、押圧部材２６ごと静電チャック１４に保持させる。すなわち、被加工物１の裏面１ｂ側に押圧部材２６を配置する配置ステップを実施し、その後、裏面１ｂ側に押圧部材２６が配置された被加工物１に対してドライエッチングを行い、溝を形成する溝形成ステップを実施する。
【００３５】
ここで、被加工物１の下に押圧部材２６を配するとき、該被加工物１の分断予定ライン３に該押圧部材２６の該凸部２８の位置が合わせられるように被加工物１の裏面１ｂ側に該押圧部材２６を配置する。
【００３６】
被加工物１及び押圧部材２６が半導体でなるウェーハから形成される場合、例えば、該ウェーハの外周部に設けられたノッチまたはオリエンテーションフラット等の欠け部を利用して位置及び方向が合わせられるように押圧部材２６に凸部２８を形成しておく。すると、被加工物１及び押圧部材２６のそれぞれの該欠け部を合わせることで、押圧部材２６の凸部２８を被加工物１の分断予定ライン３に対応するように位置付けられる。
【００３７】
被加工物１をドライエッチング装置２の内部に搬入した後、開閉機構によってゲート６を上昇させて、真空チャンバ４の空間を密閉する。更に、排気ユニット８を作動させて、空間内を減圧する。この状態で、ガス供給源２２からドライエッチング用の原料ガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源１２，２４で下部電極１０及び上部電極２０に適切な高周波電力を供給すると、下部電極１０と上部電極２０との間にラジカルやイオン等を含むプラズマが発生する。
【００３８】
これにより、レジストマスクで覆われていない被加工物１の表面１ａ（すなわち、分断予定ライン３）がプラズマに曝され、被加工物１を加工できる。なお、ガス供給源２２から供給されるドライエッチング用の原料ガスは、被加工物の材質等に応じて適切に選択される。そして、ドライエッチングにより分断予定ライン３に沿って被加工物１に溝１１が形成される。図３（Ｂ）は、被加工物１に溝１１が形成された状態を模式的に示す断面図である。
【００３９】
このように、被加工物１の下に押圧部材２６を配置してからドライエッチングを実施する場合、押圧部材２６の材料は、該ドライエッチングに耐性を有する材料であることが好ましい。例えば、押圧部材２６には、半導体でなるウェーハの他に、金属や樹脂で形成された基板を用いることができる。
【００４０】
なお、該ドライエッチングでは、形成される溝１１の底部にウェーハ１の裏面側に設けられた膜７が必ずしも露出されなくてもよい。すなわち、ウェーハ１は該ドライエッチングにより厚さ方向のすべてに渡り除去されなくてもよく、溝１１の底部にウェーハ１の一部が残留してもよい。その場合、後述の分断ステップにおいて、該一部を膜７ごと押圧部材２６の凸部２８に突き破らせる。
【００４１】
次に、分断ステップについて説明する。該分断ステップでは、ウェーハ１の裏面１ｂに設けられた膜７を分断予定ライン３に沿って分断することで被加工物１を分断して個々のデバイスチップを形成する。分断ステップでは、押圧部材２６を被加工物１側に向けて押圧して、または、被加工物１を押圧部材２６側に向けて押圧して、凸部２８から膜７に力をかける。なお、分断ステップは、例えば、ドライエッチング装置２の内部で引き続き実施される。
【００４２】
図３（Ｃ）は、分断ステップを模式的に示す断面図である。ドライエッチング装置２のゲート６を下降させ、真空チャンバ４の内部にローラー３０を進入させる。そして、図３（Ｃ）に示す通り、被加工物１の表面１ａ側にローラー３０を使用してテープ１３を貼着しつつ、ローラー３０により被加工物１を押圧する。
【００４３】
すると、被加工物１の裏面１ｂに設けられた膜７が押圧部材２６の凸部２８により突き破られて、凸部２８が貫通する。そして、被加工物１を裏面１ｂ側の押圧部材２６から引き離す。これにより被加工物１は分断予定ライン３に沿って分断されて個々のデバイスチップが形成される。
【００４４】
次に、形成された個々のデバイスチップの表面に該テープ１３が貼着している状態で、個々のデバイスチップをドライエッチング装置２から外部に搬出する。そして、さらに個々のデバイスチップの裏面側に別のテープを貼着して、表面側のテープ１３を剥離し、デバイスチップの表面のデバイス５を保護するように形成されたレジスト膜９を除去する。最終的にデバイスチップの裏面側に貼着された該テープからデバイスチップがピックアップされる。
【００４５】
なお、分断ステップは、ドライエッチング装置２の外部で実施されてもよく、その場合、溝１１が形成され押圧部材２６上に載った状態の被加工物１を真空チャンバ４の内部から搬出し、ローラー３０を使用してテープ１３を貼着しつつ、膜７を分断する。
【００４６】
以上、説明した通り、本発明の一態様に係る加工方法によると、被加工物１の表面１ａから分断予定ライン３に沿ってドライエッチングを実施し溝１１を形成する。そして、該押圧部材及び該被加工物の一方または両方を互いの方向に押圧することで、該溝１１に対応する膜７に押圧部材２６の凸部２８を貫通させ、被加工物１を分断する。
【００４７】
このように、本実施形態に係る加工方法により被加工物１を分断すると、被加工物１の裏面１ｂ側に設けられた金属膜や樹脂膜等の膜７を切削ブレードやレーザビームによらずに分断できる。そのため、金属膜や樹脂膜等に起因する切削ブレードの目詰まりが問題となることはなく、デブリやバリを生じることもない。
【００４８】
なお、本実施形態に係る加工方法では、溝形成ステップにおいて、被加工物１の下側に押圧部材２６を配置してからドライエッチングにより溝１１を形成したが、本発明はこれに限られない。
【００４９】
例えば、該溝形成ステップは、被加工物１の裏面１ｂ側に被加工物１を支持するサポート部材が配設された状態で実施されてもよい。この場合、該分断ステップが実施される前に溝１１が形成された被加工物１の表面１ａにテープを貼着し、その後、該サポート部材を除去することで被加工物１の裏面１ｂ側を露出させる転写ステップをさらに実施する。以下、このような場合について説明する。
【００５０】
図４（Ａ）は、被加工物１の裏面１ｂに被加工物１を支持するサポート部材１５が配置された状態を模式的に示す断面図である。ここで、サポート部材１５は、被加工物１の平面形状と同様の平面形状の円板状の基材であり、例えば、半導体でなるウェーハ、金属でなる基板、または、樹脂でなる基板等である。被加工物１をサポート部材１５に支持させるために、被加工物１と、サポート部材１５と、の間に樹脂等の接着部材を設けてもよい。
【００５１】
被加工物１の裏面１ｂ側にサポート部材１５を配した後、被加工物１の表面１ａのデバイス５をドライエッチングから保護するレジストマスクを形成する。その後、溝形成ステップを実施する。該溝形成ステップでは、裏面１ｂ側にサポート部材１５が配置された被加工物１をドライエッチング装置２に搬入し、ドライエッチングを実施して被加工物１に溝１１を形成する。図４（Ｂ）は、被加工物１の裏面１ｂにサポート部材１５が配置された状態で溝形成ステップが実施され、溝１１が形成された被加工物１を模式的に示す断面図である。
【００５２】
次に、被加工物１の裏面１ｂ側を押圧部材２６で押圧可能とするために、転写ステップを実施する。転写ステップでは、溝１１が形成された被加工物１の表面１ａ側にテープを貼着し、その後、被加工物１の裏面１ｂ側に配設されたサポート部材１５を除去する。図５（Ａ）は、転写ステップが実施されサポート部材１５が除去された被加工物１を模式的に示す断面図である。
【００５３】
転写ステップでは、まず、環状のフレーム１７に張られたテープ１９を用意し、該テープ１９を被加工物１の表面１ａ側に貼着する。すると、該テープ１９を介して被加工物１はフレーム１７に装着される。次に、被加工物１の裏面１ｂ側に配設されたサポート部材１５を除去する。すると、被加工物１の裏面１ｂ側が露出されて、押圧部材２６で被加工物１の該裏面１ｂ側を押圧できるようになる。
【００５４】
そして、分断ステップを実施する。図５（Ｂ）は、テープ１９を介してフレーム１７に装着された被加工物１の裏面１ｂ側を押圧部材２６により押圧し、凸部２８により膜７を分断予定ライン３に沿って分断する分断ステップを模式的に説明する断面図である。分断ステップが実施されると、被加工物１が分断されて個々のデバイスチップが形成される。
【００５５】
次に、押圧部材２６を除去して、例えば、テープ１９を所定の方法で外周方向に拡張する。すると、形成されたデバイスチップ間の隙間が広げられ、各デバイスチップを容易にピックアップできるようになる。
【００５６】
さらに、本発明に係る加工方法では、溝形成ステップよりも前に被加工物１の裏面１ｂにフレーム１７に張られたテープ１９を貼着し、フレーム１７に装着された状態の被加工物１に対して溝形成ステップを実施してもよい。この場合、被加工物１をドライエッチング装置２の内部に搬入に搬入するとき、フレーム１７を介して被加工物１を扱うことができるため、被加工物１の取り扱いが容易となる。以下、そのような場合について説明する。
【００５７】
図６（Ａ）は、溝形成ステップよりも前に被加工物１の裏面１ｂにフレーム１７に張られたテープ１９を貼着した状態を模式的に示す断面図である。そして、溝形成ステップが実施され、図６（Ｂ）に示されるとおり、被加工物１に溝１１が形成される。次に、被加工物１をドライエッチング装置２から搬出して、被加工物１の裏面１ｂ側に該テープ１９を介して押圧部材２６を配設する。そして、押圧部材２６で被加工物１の裏面１ｂ側を押圧する分断ステップを実施する。
【００５８】
図６（Ｃ）は、テープ１９を介して被加工物１の裏面１ｂ側を押圧部材２６で押圧し、該押圧部材２６の凸部２８により溝１１に対応する膜７が分断された状態を模式的に示す断面図である。この場合、分断ステップでは、該テープ１９は押圧部材２６により膜７ごと分断される。すると、被加工物１が分断されて形成されたデバイスチップにテープ１９が残るため、デバイスチップの裏面から該テープ１９を剥離する。
【００５９】
なお、該テープ１９の材質を適宜選択してテープ１９に伸縮可能なテープを用いると、テープ１９が分断されない状態で膜７だけを分断することもできる場合がある。その場合、形成されたデバイスチップをピックアップすることでテープ１９をデバイスチップから剥離できる。
【００６０】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６１】
１  被加工物
１ａ  表面
１ｂ  裏面
１ｃ  ノッチ
３  分断予定ライン
５  デバイス
７  膜
９  レジスト膜
１１  溝
１３  テープ
１５  サポート部材
１７  フレーム
１９  テープ
２  ドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）
４  真空チャンバ
４ａ  開口
４ｂ  排気口
６  ゲート
８  排気ユニット
１０  下部電極
１２  高周波電源
１４  静電チャック
１６ａ，１６ｂ  電極
１８ａ，１８ｂ  直流電源
２０  上部電極
２０ａ  ガス噴出孔
２０ｂ  ガス供給孔
２２  ガス供給源
２４  高周波電源
２６  押圧部材
２６ａ  ノッチ
２８  凸部
３０  ローラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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