(57)【要約】【課題】アライメントマークおよび識別マークを明確に認識することが可能な、リードフレーム基板、単位リードフレームおよび半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム基板１０は、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。金属層１００または絶縁層１４に、開口部１００ａ、１４ｃと、非開口部１００ｂ、１４ｄとが形成されている。互いに隣接する開口部１００ａ、１４ｃと非開口部１００ｂ、１４ｄとの境界線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４により、アライメントマークＭ１、Ｍ３または識別マークＭ２、Ｍ４が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム基板であって、
パターン状に形成された金属層と、
前記金属層に積層された絶縁層とを備え、
前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、
互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、アライメントマークまたは識別マークが形成されていることを特徴とするリードフレーム基板。
【請求項２】
前記リードフレーム基板には、各々半導体装置に対応する複数の単位リードフレームが設けられ、前記アライメントマークが、前記単位リードフレームの外側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム基板。
【請求項３】
複数の前記単位リードフレームの外側に、外枠部が設けられ、前記アライメントマークは、前記外枠部に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム基板。
【請求項４】
前記リードフレーム基板には、各々半導体装置に対応する複数の単位リードフレームが設けられ、前記識別マークが、前記単位リードフレーム内に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレーム基板。
【請求項５】
前記金属層が複数の端子部を含み、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリードフレーム基板。
【請求項６】
前記開口部および前記非開口部は、前記絶縁層に設けられ、前記金属層が、前記開口部から露出していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレーム基板。
【請求項７】
前記開口部の内側領域は、めっき層によって覆われていることを特徴とする請求項６に記載のリードフレーム基板。
【請求項８】
前記開口部および前記非開口部は、前記金属層に設けられ、前記開口部は、前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレーム基板。
【請求項９】
単位リードフレームであって、
パターン状に形成された金属層と、
前記金属層に積層された絶縁層とを備え、
前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、
互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、識別マークが形成されていることを特徴とする単位リードフレーム。
【請求項１０】
前記金属層が複数の端子部を含み、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の単位リードフレーム。
【請求項１１】
半導体装置であって、
パターン状に形成された金属層と、
前記金属層に積層された絶縁層と、
前記金属層上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記金属層の一部とを電気的に接続する導電部材と、
前記金属層と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、
互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、識別マークが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記金属層は、複数の端子部を有し、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記開口部および前記非開口部は、前記絶縁層に設けられ、前記金属層が、前記開口部から露出していることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記開口部の内側領域は、めっき層によって覆われていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記開口部および前記非開口部は、前記金属層に設けられ、前記開口部は、前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム基板、単位リードフレームおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側リードの一部分を露出させて構成された半導体装置が種々提案されている。
【０００３】
このような半導体装置は、リードフレームの搭載面に複数の半導体素子を搭載し、各半導体素子間の封止樹脂をダイシングすることにより、リードフレームを各半導体装置に分離している。この際、リードの切断領域となる位置に、凹状あるいは貫通孔の基準マークＭを形成し、リードを切断する際のアライメントマークとすることが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
また、このような半導体装置は、安全性または品質管理の観点から、ＩＤ番号等を付与することにより品質を管理する機運が高まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１３６５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、例えば特許文献１に示すアライメントマークの場合、アライメントマークが凹状あるいは貫通孔により形成されている。このように、例えば、アライメントマークを凹状に形成した場合、リードフレームを構成する金属と同じ材料によりアライメントマークが形成されるため、アライメントマークを認識することが困難になるおそれがある。このため、切断位置の位置精度が低下するといった問題がある。また、アライメントマークを貫通孔により形成した場合、封止樹脂が貫通孔から裏面側にはみ出し、アライメントマークの形状が一定にならないおそれがある。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、アライメントマークおよび識別マークを明確に認識することが可能な、リードフレーム基板、単位リードフレームおよび半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、リードフレーム基板であって、パターン状に形成された金属層と、前記金属層に積層された絶縁層とを備え、前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、アライメントマークまたは識別マークが形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【０００９】
本発明は、前記リードフレーム基板には、各々半導体装置に対応する複数の単位リードフレームが設けられ、前記アライメントマークが、前記単位リードフレームの外側に設けられていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１０】
本発明は、複数の前記単位リードフレームの外側に、外枠部が設けられ、前記アライメントマークは、前記外枠部に形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１１】
本発明は、前記リードフレーム基板には、各々半導体装置に対応する複数の単位リードフレームが設けられ、前記識別マークが、前記単位リードフレーム内に設けられていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１２】
本発明は、前記金属層が複数の端子部を含み、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１３】
本発明は、前記開口部および前記非開口部は、前記絶縁層に設けられ、前記金属層が、前記開口部から露出していることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１４】
本発明は、前記開口部の内側領域は、めっき層によって覆われていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１５】
本発明は、前記開口部および前記非開口部は、前記金属層に設けられ、前記開口部は、前記絶縁層によって覆われていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１６】
本発明は、単位リードフレームであって、パターン状に形成された金属層と、前記金属層に積層された絶縁層とを備え、前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、識別マークが形成されていることを特徴とする単位リードフレームである。
【００１７】
本発明は、前記金属層が複数の端子部を含み、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とする単位リードフレームである。
【００１８】
本発明は、半導体装置であって、パターン状に形成された金属層と、前記金属層に積層された絶縁層と、前記金属層上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記金属層の一部とを電気的に接続する導電部材と、前記金属層と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記金属層または前記絶縁層に、開口部と、非開口部とが形成され、互いに隣接する前記開口部と前記非開口部との境界線により、識別マークが形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
本発明は、前記金属層は、複数の端子部を有し、前記識別マークは、前記端子部同士の間に設けられていることを特徴とする半導体装置である。
【００２０】
本発明は、前記開口部および前記非開口部は、前記絶縁層に設けられ、前記金属層が、前記開口部から露出していることを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
本発明は、前記開口部の内側領域は、めっき層によって覆われていることを特徴とする半導体装置である。
【００２２】
本発明は、前記開口部および前記非開口部は、前記金属層に設けられ、前記開口部は、前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、アライメントマークおよび識別マークを明確に認識することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１のIII−III線断面図）。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１のIV−IV線断面図）。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。
【図７】図７（ａ）−（ｈ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。
【図８】図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。
【図９】図９（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１２のXIII−XIII線断面図）。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図１５】図１５（ａ）−（ｆ）は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。
【図１６】図１６は、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。
【図１７】図１７は、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１６のXVII−XVII線断面図）。
【図１８】図１８（ａ）−（ｅ）は、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。
【図１９】図１９は、本発明の第４の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。
【図２０】図２０は、本発明の第４の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１９のXX−XX線断面図）。
【図２１】図２１は、本発明の第４の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図９を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。なお、本明細書中、「表面」とは半導体素子２１が搭載される側の面（すなわち図３の上方を向く面、Ｚ方向プラス側の面）のことをいい、「裏面」とは、図示しない実装基板に接続される側の面（すなわち図３の下方を向く面、Ｚ方向マイナス側の面）のことをいう。
【００２６】
リードフレーム基板の構成
まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図であり、図２は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図であり、図３及び図４は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図である。
【００２７】
図１乃至図４に示すように、リードフレーム基板１０は、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。このうち金属層１００は、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられ、半導体素子２１と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部（端子部）１２と、後述する複数の単位リードフレーム１０ａを連結するコネクティングバー１３ａとを有している。
【００２８】
図１及び図２に示すように、このリードフレーム基板１０には、各々半導体装置２０（後述）に対応する複数の単位リードフレーム１０ａが設けられている。単位リードフレーム１０ａは、図１において仮想線の内側に位置する領域に対応している。この単位リードフレーム１０ａ内には、金属層１００のうち、ダイパッド１１と、このダイパッド１１を取り囲む複数のリード部１２とが設けられている。複数の単位リードフレーム１０ａの外側には、外枠部１３が設けられている。外枠部１３の内側には、平面視で全体として格子形状を有するコネクティングバー１３ａが設けられており、単位リードフレーム１０ａは、コネクティングバー１３ａを介して互いに連結されている。このコネクティングバー１３ａは、Ｘ方向、およびＸ方向に垂直なＹ方向に沿ってそれぞれ延びており、ダイパッド１１およびリード部１２は、このコネクティングバー１３ａの内側に配置されている。
【００２９】
ダイパッド１１は、平面略矩形状であり、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延びている。ダイパッド１１の平面形状は、略矩形状に限らず、例えば円形状、楕円形状、多角形状、Ｌ字形状等としても良い。ダイパッド１１は、連結部１６を介して外枠部１３またはコネクティングバー１３ａに連結されている。この連結部１６は、後述するように、ダイパッド１１に電解めっきによりめっき層２５およびはんだ部２８を形成する際の給電部として用いられても良い。
【００３０】
また、複数のリード部１２は、ダイパッド１１から水平方向に離間して配置され、それぞれ外枠部１３またはコネクティングバー１３ａに連結されている。各リード部１２は、半円と長方形とを合わせた平面形状を有しており（図１及び図２参照）、かつダイパッド１１、外枠部１３およびコネクティングバー１３ａと同一の厚みを有している（図３参照）。
【００３１】
リード部１２は、その表面に内部端子１５を有している。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。またリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。
【００３２】
図３に示すように、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれ側面１１ａ、１２ａを有している。この側面１１ａ、１２ａは、平面視でダイパッド１１およびリード部１２の外周全体に亘って形成されている。このダイパッド１１の側面１１ａおよびリード部１２の側面１２ａは、断面視ですり鉢状に形成されている。すなわち、ダイパッド１１の側面１１ａの断面形状は、表面側から裏面側に向かうにつれてダイパッド１１の水平断面が大きくなるように形成されている。また、リード部１２の側面１２ａの断面形状は、表面側から裏面側に向かうにつれてリード部１２の水平断面が大きくなるように形成されている。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれその側面１１ａ、１２ａの全体にわたってすり鉢状（表面側から裏面側に向かうにつれて広がる形状）となっている。したがって、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれ表面１１ｂ、１２ｂ側より裏面１１ｃ、１２ｃ側の方が、面積が広くなっている。なお、ダイパッド１１の側面１１ａおよびリード部１２の側面１２ａは、それぞれ断面視で湾曲していても良く、又は断面視で略直線状に形成されていても良い。
【００３３】
以上説明した金属層１００、すなわちダイパッド１１、リード部１２およびコネクティングバー１３ａは、後述するように１枚の金属基板３１から１回のエッチング工程により作製される（図７（ｅ）参照）。ダイパッド１１、リード部１２およびコネクティングバー１３ａは、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、ダイパッド１１、リード部１２およびコネクティングバー１３ａの厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、例えば８０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。
【００３４】
絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に設けられ、ダイパッド１１とリード部１２とを支持している。すなわち、絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側において、ダイパッド１１とリード部１２とを互いに連結している。このように、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに絶縁層１４を設けたことにより、絶縁層１４によってダイパッド１１およびリード部１２を保持することができ、リードフレーム基板１０全体の強度を高めることができる。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２を薄くすることができ、この結果、半導体装置２０全体の厚みを薄くすることができる。
【００３５】
また、絶縁層１４には、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、絶縁層非開口部（非開口部）１４ｄとが形成されている。具体的には、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２に対応する位置には、それぞれ絶縁層１４を厚み方向に貫通する絶縁層開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。また、絶縁層１４のうち、単位リードフレーム１０ａの外側の外枠部１３に対応する位置には、絶縁層１４を厚み方向に貫通する複数の絶縁層開口部（開口部）１４ｃが形成されている（図１、図２及び図４参照）。また、リードフレーム基板１０のうち、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃを除く部分には、絶縁層１４の厚み方向に貫通しない絶縁層非開口部１４ｄが形成されている。図１及び図２に示すように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃのうちダイパッド１１の裏面１１ｃに形成された絶縁層開口部１４ａは、平面略矩形形状であり、ダイパッド１１よりも小さい形状を有している。また各リード部１２の裏面１２ｃに形成された絶縁層開口部１４ｂは、平面視で半円と長方形とを合わせた形状を有しており、各リード部１２よりも小さい形状を有している。さらに、外枠部１３に対応する位置の裏面に形成された複数の絶縁層開口部１４ｃは、各々が平面視で十字形状を有している。なお、これに限らず、絶縁層開口部１４ｃは、平面視で、例えば略円形状、ドーナツ形状、ライン形状、Ｔ字形状、略多角形状、星形状等の任意の形状を有していても良い。また、複数の絶縁層開口部１４ｃは、各々が平面視で互いに異なる形状を有していても良い。また、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの周縁に形成された側壁の断面は、略直線状に形成されている。この場合、とりわけ、絶縁層開口部１４ｃの側壁の断面を略直線状に形成することにより、裏面側から見た際に、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができる。このため、後述するアライメントマークＭ１を明確に認識することができる。なお、これに限らず、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの側壁の断面は、それぞれ絶縁層１４の表面及び裏面に対して傾斜していても良く、湾曲して形成されていても良い。絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ並びに外枠部１３、コネクティングバー１３ａおよび単位リードフレーム１０ａの裏面であって、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの周縁領域に接着されている。
【００３６】
この場合、絶縁層１４は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ、１４ｃを除く、リードフレーム基板１０の全域を覆っている。これにより、後述するように、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図９（ｄ）参照）、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側に別途樹脂封止用のテープを設ける必要が生じない。
【００３７】
図３において、絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との重なり幅（接着領域の幅）ｗは、例えば５μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。重なり幅ｗを５μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上とすることにより、絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２とを確実に接着させ、樹脂封止工程（図９（ｄ）参照）において封止樹脂２３が裏面側に漏れる不具合を確実に防止することができる。また、重なり幅ｗを４０μｍ以下とすることにより、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃの面積を一定以上確保することができる。
【００３８】
絶縁層１４は、例えばポリイミド等のウエットエッチング可能な樹脂からなることが好ましい。また、絶縁層１４の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層１４の厚みを５μｍ以上とすることにより、ダイパッド１１およびリード部１２を確実に支持することができる。また、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができ、後述するアライメントマークＭ１を明確に認識することができる。また、絶縁層１４の厚みを４０μｍ以下とすることにより、リードフレーム基板１０を薄肉に構成することができる。
【００３９】
図１、図２及び図４に示すように、本実施の形態において、絶縁層１４に形成された絶縁層開口部１４ｃおよび絶縁層非開口部１４ｄのうち、互いに隣接する絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１により、アライメントマークＭ１が形成されている。この場合、図１及び図２に示すように、アライメントマークＭ１は、単位リードフレーム１０ａの外側の外枠部１３に設けられている。このアライメントマークＭ１は、後述するように、リードフレーム基板１０を単位リードフレーム１０ａ毎に分離する工程において、リードフレーム基板１０を切断するダイシング装置（図示せず）の位置決めを行う目印とされるものであり、複数の切断場所に対応する位置に複数設けられている。なお、本明細書において、「アライメントマーク」とは、リードフレーム基板１０または半導体装置２０に対して、所定の加工をする際に、位置決めを行うために用いられる目印をいう。
【００４０】
また、図４に示すように、絶縁層１４に形成された絶縁層開口部１４ｃからは、金属層１００が裏面側に露出している。このように、絶縁層開口部１４ｃから金属層１００が裏面側に露出することにより、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができる。すなわち、境界線Ｌ１は、絶縁層１４と、絶縁層１４とは異なる材料によって形成された金属層１００とによって画定されるため、リードフレーム基板１０を裏面側から見たときに、境界線Ｌ１を明確に認識することができる。このため、アライメントマークＭ１を明確に認識することができる。
【００４１】
図３に示すように、ダイパッド１１およびリード部１２を覆うようにめっき層２５が形成されている。具体的には、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂと、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａと、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域とが、それぞれめっき層２５によって覆われている。なお、図４に示すように、単位リードフレーム１０ａの外側に対応する位置に設けられた金属層１００の表面が、めっき層２５によって覆われていても良い。
【００４２】
このうちダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂに形成されるめっき層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２と半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２（後述）との密着性を向上させる役割を果たす。また、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａに形成されるめっき層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２と封止樹脂２３との密着性を向上させる役割を果たす。さらに、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに形成されるめっき層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２とはんだ部２８（後述）との接着性を向上させる役割を果たす。このダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに形成されためっき層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂから裏面側に露出している。なお、半導体素子２１が発光素子（ＬＥＤ素子）からなる場合、めっき層２５は、半導体素子２１からの光を反射させる役割を果たしても良い。
【００４３】
めっき層２５は、例えばＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属の単一層でも良く、あるいは、これらのうち複数種類の金属を積層した層からなっていても良い。めっき層２５を形成する方法としては、めっき又はスパッタリング等の手法を用いても良い。また、めっき層２５の厚み（最大厚み）は、絶縁層１４の厚みよりも薄くすることが好ましく、具体的には０．３μｍ以上７μｍ以下とすることが好ましい。
【００４４】
半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５および図６は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。
【００４５】
図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。このうち、金属層１００は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置された複数のリード部１２とを有している。また、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側には、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４が設けられている。
【００４６】
ダイパッド１１上には、半導体素子２１が搭載され、半導体素子２１と各リード部１２とは、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって電気的に接続されている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００４７】
ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０から作製されたものである。このダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４の構成は、単位リードフレーム１０ａに含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００４８】
半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。半導体素子２１としては、発光素子（ＬＥＤ素子）を用いても良い。この場合、半導体素子２１の発光層としては、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料が挙げられ、これら材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
【００４９】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２の内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、各リード部１２の表面１２ｂには、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき層２５がそれぞれ設けられている。
【００５０】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下程度とすることができる。なお、図５において、ダイパッド１１およびリード部１２よりも表面側に位置する封止樹脂２３の表示を省略している。
【００５１】
さらに、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域には、それぞれはんだ部２８が設けられている。このはんだ部２８は、半導体装置２０と図示しない実装基板とを連結するために用いられるものである。各はんだ部２８は、例えば断面略半円形状、略半楕円形状、又は略かまぼこ形状を有しており、絶縁層１４よりも裏面側に突出している。各はんだ部２８は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁に形成された側壁の全体を覆っているが、これに限らず、側壁の一部のみを覆っていても良い。
【００５２】
なお、半導体装置２０の一辺は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下としても良い。また半導体装置２０の厚みは、例えば１５０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。
【００５３】
リードフレーム基板の製造方法
次に、図１乃至図４に示すリードフレーム基板１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｈ）及び図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｈ）及び図８（ａ）−（ｅ）は、リードフレーム基板１０の製造方法を示す断面図（それぞれ図３及び図４に対応する図）である。
【００５４】
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００５５】
次に、金属基板３１の裏面に絶縁層１４を設ける（図７（ｂ））。絶縁層１４は、上述したように、例えばポリイミド等の樹脂からなっていても良い。この場合、絶縁層１４は、金属基板３１の裏面に貼着されても良く、あるいは金属基板３１の裏面にポリイミドワニス等の樹脂を塗布し、これを熱処理することにより形成されても良い。
【００５６】
次に、金属基板３１の表面および絶縁層１４の裏面にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｃ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００５７】
続いて、この金属基板３１および絶縁層１４に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｄ））。
【００５８】
次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｅ））。これにより、金属基板３１の表面側からエッチングが施され、ダイパッド１１および複数のリード部１２の外形が形成される。このエッチングは、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂ側からのみ施されるので、腐蝕液は裏面側から回り込まない。このため、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａは、断面視ですり鉢状に形成される。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅合金を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００５９】
続いて、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｆ））。これにより、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２に対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ａ、１４ｂが形成される。この際、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁の断面は、略直線状に形成される。なお、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁の断面を、それぞれ絶縁層１４の表面及び裏面に対して傾斜または湾曲して形成することもできる。腐蝕液は、絶縁層１４の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、絶縁層１４としてポリイミドを用いる場合、アルカリ−アミン系のポリイミドケミカルエッチング液を使用することができる。なお、上記において、金属基板３１をエッチングした後（図７（ｅ））、絶縁層１４をエッチングしているが（図７（ｆ））、これに限らず、まず絶縁層１４をエッチングし、その後金属基板３１をエッチングしても良い。
【００６０】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図７（ｇ））。
【００６１】
次に、ダイパッド１１およびリード部１２にそれぞれ電解めっき処理を施し、めっき層２５を形成する（図７（ｈ））。具体的には、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂと、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａと、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域とに、めっきによりめっき層２５を形成する。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２がそれぞれ外枠部１３またはコネクティングバー１３ａに連結されているので、電解めっき用の電流を、外枠部１３またはコネクティングバー１３ａを介してダイパッド１１およびリード部１２に対して供給することができる。めっき層２５を形成するめっき種の種類は問わないが、例えばＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの単層めっきでもよいし、これらを積層した複層めっきでもよい。なお、めっき層２５は、単位リードフレーム１０ａの外側の表面に形成されても良い。
【００６２】
ところで、リードフレーム基板１０を作製する際、単位リードフレーム１０ａの外側にアライメントマークＭ１が形成される。アライメントマークＭ１を形成する場合、図７（ｃ）及び図７（ｄ）を用いて説明したように、感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させた金属基板３１および絶縁層１４（図８（ａ））に対して、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、エッチング用レジスト層３３に所望の開口部３３ｃを形成する（図８（ｂ））。一方、エッチング用レジスト層３２の単位リードフレーム１０ａの外側には、開口部３２ｂは形成されない。
【００６３】
次に、図７（ｅ）を用いて説明したように、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す。この際、単位リードフレーム１０ａの外側のエッチング用レジスト層３２には開口部３２ｂは形成されていないため、単位リードフレーム１０ａの外側の金属基板３１は腐蝕されない。
【００６４】
続いて、図７（ｆ）を用いて説明したように、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す（図８（ｃ））。これにより、絶縁層１４の所望の位置に、絶縁層開口部１４ｃが形成される。この際、絶縁層開口部１４ｃからは金属層１００が裏面側に露出する。これにより、境界線Ｌ１が、絶縁層１４と、絶縁層１４とは異なる材料によって形成された金属層１００とによって画定される。このため、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができる。また、絶縁層開口部１４ｃの側壁の断面は、略直線状に形成されることが好ましい。これにより、裏面側から見た際に、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができ、アライメントマークＭ１を明確に認識することができる。
【００６５】
その後、図７（ｇ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図８（ｄ））。
【００６６】
次に、図７（ｈ）を用いて説明したように、金属層１００に電解めっき処理を施し、めっき層２５を形成する（図８（ｅ））。
【００６７】
このようにして、図１乃至図４に示すリードフレーム基板１０が得られる。
【００６８】
半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図９（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。図９（ａ）−（ｅ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面図（図６に対応する図）である。
【００６９】
まず、例えば図７（ａ）−（ｈ）及び図８（ａ）−（ｅ）に示す方法（上述）により、リードフレーム基板１０を作製する（図９（ａ））。
【００７０】
次に、リードフレーム基板１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図９（ｂ））。
【００７１】
次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の表面１２ｂに形成されためっき層２５（内部端子１５）とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図９（ｃ））。
【００７２】
次に、リードフレーム基板１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図９（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、複数のリード部１２、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。また、ダイパッド１１とリード部１２との間において、封止樹脂２３は絶縁層１４に密着する。この際、ダイパッド１１とリード部１２との間の領域が予め絶縁層１４によって覆われているので、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側に樹脂封止用のテープを別途設ける必要が生じない。
【００７３】
その後、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域に、それぞれはんだ部２８を設ける。はんだ部２８は、はんだめっき（電解めっき）により形成されても良い。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２がそれぞれ外枠部１３またはコネクティングバー１３ａに連結されているので、はんだめっき用の電流を外枠部１３またはコネクティングバー１３ａを介してダイパッド１１およびリード部１２に対して供給することができる。
【００７４】
続いて、外枠部１３、各半導体素子２１間のコネクティングバー１３ａ、絶縁層１４および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム基板１０を各単位リードフレーム１０ａ（図１参照）毎に分離する。この際、ダイシング装置の例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各単位リードフレーム１０ａ間のコネクティングバー１３ａ、絶縁層１４および封止樹脂２３を切断しても良い。
【００７５】
リードフレーム基板１０を単位リードフレーム１０ａ毎に分離する際、単位リードフレーム１０ａの外側に設けられたアライメントマークＭ１を目印として、ダイシング装置の位置決めを行う。この場合、まず、複数のアライメントマークＭ１のうち、所定の切断場所に対応するアライメントマークＭ１を目印として、ダイシング装置を所定の切断場所に対応する位置に移動させる。このとき、絶縁層開口部１４ｃから金属層１００が裏面側に露出しているため、例えば、ダイシング装置の図示しない撮像部が、リードフレーム基板１０を裏面側から撮像することにより、アライメントマークＭ１を明確に認識することができる。このため、切断場所の位置精度を向上させることができる。次に、ダイシング装置の例えばダイヤモンド砥石からなるブレードを回転させながら、リードフレーム基板１０を切断する。次いで、例えば、切断された切断場所に隣接する切断場所に対応するアライメントマークＭ１を目印として、ダイシング装置を当該切断場所に対応する位置に移動させ、リードフレーム基板１０を切断する。このようにして、リードフレーム基板１０を切断する毎に、アライメントマークＭ１を目印として、ダイシング装置の位置決めを行う。
【００７６】
このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図９（ｅ））。
【００７７】
このように本実施の形態によれば、絶縁層１４に、絶縁層開口部１４ｃと、絶縁層非開口部１４ｄとが形成され、互いに隣接する絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１により、アライメントマークＭ１が形成されている。これにより、リードフレーム基板１０を裏面側から見たときに、アライメントマークＭ１を明確に認識することができる。このため、リードフレーム基板１０の切断位置の位置精度が低下するといった問題を防止することができる。
【００７８】
また、本実施の形態によれば、アライメントマークＭ１が、単位リードフレーム１０ａの外側の外枠部１３に設けられているので、切断された各単位リードフレーム１０ａにアライメントマークＭ１が残ることを回避することができる。
【００７９】
さらに、本実施の形態によれば、絶縁層開口部１４ｃから金属層１００が裏面側に露出しているので、絶縁層１４と、絶縁層１４とは異なる材料によって形成された金属層１００とによって境界線Ｌ１を画定することができる。これにより、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を明瞭にすることができる。このため、リードフレーム基板１０を裏面側から見たときに、境界線Ｌ１を明確に認識することができ、アライメントマークＭ１を明確に認識することができる。
【００８０】
変形例
次に、図１０及び図１１により、本実施の形態によるリードフレーム基板の変形例について説明する。図１０及び図１１に示す変形例は、アライメントマークＭ１の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図９に示す形態と略同一である。図１０及び図１１において、図１乃至図９と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８１】
（変形例１−１）
図１０に示すリードフレーム基板１０Ａは、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。このリードフレーム基板１０Ａには、複数の単位リードフレーム１０ａが設けられており、複数の単位リードフレーム１０ａの外側には、コネクティングバー１３ａが設けられている。
【００８２】
一方、図１乃至図９に示す実施の形態と異なり、アライメントマークＭ１は、コネクティングバー１３ａに形成されている。
【００８３】
図１０において、コネクティングバー１３ａにアライメントマークＭ１が形成されている。この場合においても、コネクティングバー１３ａに形成されたアライメントマークＭ１を基準としてコネクティングバー１３ａを切断する位置の位置決めを行うことができる。また、切断された各単位リードフレーム１０ａにアライメントマークＭ１が残ることを回避することができる。
【００８４】
（変形例１−２）
図１１に示すリードフレーム基板１０Ｂにおいて、絶縁層開口部１４ｃの内側領域は、めっき層２５によって覆われている。
【００８５】
絶縁層開口部１４ｃの内側領域にめっき層２５を形成する場合、図７（ｈ）及び図８（ｅ）を用いて説明したように、金属層１００に電解めっき処理を施し、絶縁層開口部１４ｃの内側領域にめっき層２５を形成する。
【００８６】
図１１に示すリードフレーム基板１０Ｂのように、絶縁層開口部１４ｃの内側領域が、めっき層２５によって覆われることにより、絶縁層１４と、絶縁層１４または金属層１００とは異なる材料によって形成されためっき層２５とによって境界線Ｌ１を画定することができる。これにより、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１を更に明瞭にすることができる。このため、リードフレーム基板１０Ｂを裏面側から見たときに、境界線Ｌ１を更に明確に認識することができ、アライメントマークＭ１を更に明確に認識することができる。また、絶縁層開口部１４ｃの内側領域が、めっき層２５によって覆われているため、絶縁層開口部１４ｃの構造を外部端子１７と同様の構造とすることができる。このため、電解めっきによりめっき層２５を形成する際、絶縁層開口部１４ｃを被覆する作業を行う必要が生じない。
【００８７】
（第２の実施の形態）
次に、図１２乃至図１５を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図１２乃至図１５は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図１２乃至図１５に示す第２の実施の形態は、主として、絶縁層開口部１４ｃが単位リードフレーム１０ａ内に設けられている点が第１の実施の形態と異なるものである。図１２乃至図１５において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８８】
リードフレーム基板の構成
まず、図１２及び図１３により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。
【００８９】
図１２及び図１３に示すように、リードフレーム基板１０Ｃは、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。
【００９０】
また、絶縁層１４に形成された絶縁層開口部（開口部）１４ｃと、絶縁層非開口部（非開口部）１４ｄとが、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。具体的には、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２以外の位置に、複数の絶縁層開口部１４ｃが形成されている。この絶縁層開口部１４ｃは、平面視で、例えば、文字、図形、記号等といった特定の情報を読み取ることが可能な形状を有することができる。なお、絶縁層開口部１４ｃの平面形状により、特定の情報を読み取ることが可能であれば、絶縁層開口部１４ｃは、１つであっても良い。また、ダイパッド１１とリード部１２との間に、表面金属部１８が設けられており、絶縁層開口部１４ｃは、表面金属部１８の裏面に設けられている。なお、絶縁層開口部１４ｃは、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２に対応する位置であって、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂとは異なる位置に、設けられていても良い。
【００９１】
表面金属部１８は、平面略矩形状であり、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延びている。表面金属部１８の平面形状は、略矩形状に限らず、例えば円形状、楕円形状、多角形状、Ｌ字形状等としても良い。表面金属部１８はダイパッド１１およびリード部１２から離間していても良く、ダイパッド１１またはリード部１２に接続されていても良い。また、表面金属部１８は、ダイパッド１１、外枠部１３およびコネクティングバー１３ａと同一の厚みを有している（図１３参照）。このような表面金属部１８は、ダイパッド１１、リード部１２およびコネクティングバー１３ａと共に、後述するように１枚の金属基板３１から１回のエッチング工程により作製される（図１５（ｃ）参照）。
【００９２】
本実施の形態において、絶縁層１４に形成された絶縁層開口部１４ｃおよび絶縁層非開口部１４ｄのうち、互いに隣接する絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ２により、識別マークＭ２が形成されている。この場合、図１３に示すように、識別マークＭ２は、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。この識別マークＭ２は、トレーサビリティ等の観点から、流通する製品の品質管理を行うために設けられている。この識別マークＭ２の情報を追跡することにより、製品の製造年月日、製造ルート等を特定することができる。なお、本明細書において、「識別マーク」とは、個片化された後の個々の半導体装置２０を識別するために用いられる印をいう。
【００９３】
また、図１３に示すように、絶縁層１４に形成された絶縁層開口部１４ｃからは、金属層１００が裏面側に露出している。このように、絶縁層開口部１４ｃから金属層１００が裏面側に露出することにより、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ２を明瞭にすることができる。すなわち、境界線Ｌ２は、絶縁層１４と、絶縁層１４とは異なる材料によって形成された金属層１００とによって画定されるため、リードフレーム基板１０Ｃを裏面側から見たときに、境界線Ｌ２を明確に認識することができる。このため、識別マークＭ２を明確に認識することができる。なお、識別マークＭ２は、単位リードフレーム１０ａ内に複数設けられていても良く、各々の識別マークＭ２の情報を組み合わせることにより、製品の製造年月日等の情報を特定するように構成されていても良い。
【００９４】
半導体装置の構成
図１４に示す半導体装置２０Ａのうち、ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０Ｃを用いてから作製されたものである。本実施の形態による半導体装置２０Ａにおいて、絶縁層１４に絶縁層開口部（開口部）１４ｃと、絶縁層非開口部（非開口部）１４ｄとが形成されている。このほかの構成は、第１の実施の形態におけるものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００９５】
リードフレーム基板の製造方法
次に、図１２及び図１３に示すリードフレーム基板１０Ｃの製造方法、とりわけ識別マークＭ２の形成方法について、図１５を用いて説明する。なお、図１５に示す製造方法は、図８に示す製造方法と略同様であるので、以下においては一部説明を省略する。また、図１２及び図１３に示すリードフレーム基板１０Ｃの製造方法は、図７に示す製造方法と略同様であるので、説明を省略する。
【００９６】
識別マークＭ２を形成する場合、図８（ａ）及び図８（ｂ）を用いて説明したように、感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させた金属基板３１および絶縁層１４（図１５（ａ））に対して、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、エッチング用レジスト層３３に所望の開口部３３ｃを形成する（図１５（ｂ））。
【００９７】
次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図１５（ｃ）、図７（ｅ）参照）。これにより、金属基板３１の表面側からエッチングが施され、ダイパッド１１、複数のリード部１２および表面金属部１８の外形が形成される。
【００９８】
続いて、図８（ｃ）を用いて説明したように、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す（図１５（ｄ））。これにより、絶縁層１４の所望の位置に、絶縁層開口部１４ｃが形成される。この際、絶縁層開口部１４ｃからは金属層１００が裏面側に露出する。これにより、境界線Ｌ２が、絶縁層１４と、絶縁層１４とは異なる材料によって形成された金属層１００とによって画定される。このため、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ２を明瞭にすることができる。また、絶縁層開口部１４ｃの側壁の断面は、略直線状に形成されることが好ましい。これにより、裏面側から見た際に、絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ２を明瞭にすることができ、識別マークＭ２を明確に認識することができる。
【００９９】
その後、図８（ｄ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図１５（ｅ））。
【０１００】
次に、図８（ｅ）を用いて説明したように、金属層１００に電解めっき処理を施し、めっき層２５を形成する（図１５（ｆ））。
【０１０１】
このようにして、図１２及び図１３に示すリードフレーム基板１０Ｃが得られる。
【０１０２】
なお、本実施の形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、第１の実施の形態による半導体装置２０の製造方法（図９（ａ）−（ｅ））と略同様である。
【０１０３】
このように本実施の形態によれば、互いに隣接する絶縁層開口部１４ｃと絶縁層非開口部１４ｄとの境界線Ｌ１により形成された識別マークＭ２が、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。これにより、識別マークＭ２の情報を追跡することができ、リードフレーム基板１０Ｃの製造年月日、製造ルート等を特定することができる。
【０１０４】
（第３の実施の形態）
次に、図１６乃至図１８を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図１６乃至図１８は本発明の第３の実施の形態を示す図である。図１６乃至図１８に示す第３の実施の形態は、主として、金属層１００に、金属層１００を厚み方向に貫通する金属層開口部１００ａと、金属層１００を厚み方向に貫通しない金属層非開口部１００ｂとが形成されている点が第１の実施の形態と異なるものである。図１６乃至図１８において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１０５】
リードフレーム基板の構成
まず、図１６及び図１７により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。図１６は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図であり、図１７は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図である。
【０１０６】
図１６及び図１７に示すように、リードフレーム基板１０Ｄは、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。
【０１０７】
金属層１００には、金属層１００を厚み方向に貫通する金属層開口部（開口部）１００ａと、金属層１００を厚み方向に貫通しない金属層非開口部（非開口部）１００ｂとが形成されている。具体的には、金属層１００のうち、単位リードフレーム１０ａの外側の外枠部１３に対応する位置には、金属層１００を厚み方向に貫通する複数の金属層開口部１００ａが形成されている。また、単位リードフレーム１０ａの外側のうち、金属層開口部１００ａを除く部分には、金属層１００を厚み方向に貫通しない金属層非開口部１００ｂが形成されている。図１６に示すように、外枠部１３に対応する位置の裏面に形成された複数の金属層開口部１００ａは、各々が平面視で十字形状を有している。なお、これに限らず、金属層開口部１００ａは、平面視で、例えば略円形状、ドーナツ形状、ライン形状、Ｔ字形状、略多角形状、星形状等の任意の形状を有していても良い。また、複数の金属層開口部１００ａは、各々が平面視で互いに異なる形状を有していても良い。また、金属層開口部１００ａの周縁に形成された側壁の断面は、略直線状に形成されている。この場合、とりわけ、金属層開口部１００ａの側壁の断面を略直線状に形成することにより、表面側または裏面側から見た際に、金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ３を明瞭にすることができる。このため、後述するアライメントマークＭ３を明確に認識することができる。なお、これに限らず、金属層開口部１００ａの側壁の断面は、それぞれ金属層１００の表面及び裏面に対して傾斜していても良く、湾曲して形成されていても良い。
【０１０８】
図１６及び図１７に示すように、本実施の形態において、金属層１００に形成された金属層開口部１００ａおよび金属層非開口部１００ｂのうち、互いに隣接する金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ３により、アライメントマークＭ３が形成されている。この場合、図１６に示すように、アライメントマークＭ３は、単位リードフレーム１０ａの外側の外枠部１３に設けられている。このアライメントマークＭ３は、後述するように、リードフレーム基板１０Ｄを単位リードフレーム１０ａ毎に分離する工程において、リードフレーム基板１０Ｄを切断するダイシング装置（図示せず）の位置決めを行う目印とされるものであり、複数の切断場所に対応する位置に複数設けられている。また、本実施の形態によるアライメントマークＭ３は、互いに隣接する金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ３により形成されているため、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図９（ｄ）参照）、表面側からアライメントマークＭ３を認識することができる。すなわち、例えば、半導体装置２０を指紋センサ等に用いる場合、封止樹脂２３を形成する工程において、形成する封止樹脂２３の位置決めを正確に行う必要がある場合がある。本実施の形態では、封止樹脂２３が形成されるまでは表面側からアライメントマークＭ３を認識することができるため、アライメントマークＭ３を目印として、封止樹脂２３を形成する場所の位置決めを行うことができる。このため、封止樹脂２３を形成する場所の位置精度を向上させることができる。
【０１０９】
また、図１７に示すように、金属層１００に形成された金属層開口部１００ａは、絶縁層１４によって覆われている。このように、金属層開口部１００ａが絶縁層１４によって覆われることにより、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図９（ｄ）参照）、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側、とりわけ、金属層開口部１００ａに別途樹脂封止用のテープを設ける必要が生じない。
【０１１０】
本実施の形態による絶縁層１４は、例えばポリイミド等のウエットエッチング可能な樹脂からなることが好ましい。また、絶縁層１４は、波長４５０ｎｍの光の透過率が７０％以上である樹脂からなることが好ましく、波長４５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の全波長領域の光の透過率が７０％以上である樹脂からなることがさらに好ましい。
【０１１１】
半導体装置の構成
本実施の形態による半導体装置２０のうち、ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０Ｄを用いてから作製されたものである。本実施の形態による半導体装置２０は、第１の実施の形態におけるものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１１２】
リードフレーム基板の製造方法
次に、図１６及び図１７に示すリードフレーム基板１０Ｄの製造方法、とりわけアライメントマークＭ３の形成方法について、図１８を用いて説明する。なお、図１８に示す製造方法は、図８に示す製造方法と略同様であるので、以下においては一部説明を省略する。また、図１６及び図１７に示すリードフレーム基板１０Ｄの製造方法は、図７に示す製造方法と略同様であるので、説明を省略する。
【０１１３】
アライメントマークＭ３を形成する場合、図８（ａ）及び図８（ｂ）を用いて説明したように、感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させた金属基板３１および絶縁層１４（図１８（ａ））に対して、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、エッチング用レジスト層３３に所望の開口部３３ｃを形成する（図１８（ｂ））。
【０１１４】
次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図１８（ｃ）、図７（ｅ）参照）。これにより、金属層１００の所望の位置に、金属層開口部１００ａが形成される。この際、金属層開口部１００ａは絶縁層１４によって覆われる。これにより、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図９（ｄ）参照）、金属層開口部１００ａに別途樹脂封止用のテープを設ける必要が生じない。また、金属層開口部１００ａの側壁の断面は、略直線状に形成されることが好ましい。これにより、表面側または裏面側から見た際に、金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ３を明瞭にすることができ、アライメントマークＭ３を明確に認識することができる。
【０１１５】
続いて、図８（ｃ）を用いて説明したように、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す。この際、単位リードフレーム１０ａの外側のエッチング用レジスト層３３には開口部３３ｂは形成されていないため、単位リードフレーム１０ａの外側の金属基板３１は腐蝕されない。
【０１１６】
その後、図８（ｄ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図１８（ｄ））。
【０１１７】
次に、図８（ｅ）を用いて説明したように、金属層１００に電解めっき処理を施し、めっき層２５を形成する（図１８（ｅ））。
【０１１８】
このようにして、図１６及び図１７に示すリードフレーム基板１０Ｄが得られる。
【０１１９】
なお、本実施の形態による半導体装置２０の製造方法は、第１の実施の形態による半導体装置２０の製造方法（図９（ａ）−（ｅ））と略同様である。
【０１２０】
なお、例えば、半導体装置２０を指紋センサ等に用いる場合、封止樹脂２３を形成する工程において、形成する封止樹脂２３の位置決めを正確に行う必要がある場合がある。本実施の形態では、封止樹脂２３が形成されるまでは表面側からアライメントマークＭ３を認識することができるため、アライメントマークＭ３を目印として、封止樹脂２３を形成する場所の位置決めを行うことができる。このため、封止樹脂２３を形成する場所の位置精度を向上させることができる。
【０１２１】
このように本実施の形態によれば、金属層１００に、金属層開口部１００ａと、金属層非開口部１００ｂとが形成され、互いに隣接する金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ３により、アライメントマークＭ３が形成されている。これにより、リードフレーム基板１０Ｄを裏面側から見たときに、アライメントマークＭ３を明確に認識することができる。すなわち、絶縁層１４は光を透過するため、裏面側から見た場合に、例えば黒色の樹脂製の封止樹脂２３と例えば銅製の金属層１００との境界が明確になる。このため、リードフレーム基板１０Ｄの切断位置の位置精度が低下するといった問題を防止することができる。また、本実施の形態によれば、封止樹脂２３が形成されるまでは表面側からアライメントマークＭ３を認識することができるため、アライメントマークＭ３を目印として、封止樹脂２３を形成する場所の正確な位置決めを行うことができる。このため、封止樹脂２３を形成する場所の位置精度を向上させることができる。
【０１２２】
また、本実施の形態によれば、アライメントマークＭ３が、単位リードフレーム１０ａの外側に設けられているので、切断された各単位リードフレーム１０ａにアライメントマークＭ３が残ることを回避することができる。
【０１２３】
さらに、本実施の形態によれば、金属層開口部１００ａが、絶縁層１４によって覆われているので、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際に、金属層開口部１００ａに別途樹脂封止用のテープを設けることなく、封止樹脂２３の漏れを防止することができる。
【０１２４】
（第４の実施の形態）
次に、図１９乃至図２１を参照して本発明の第４の実施の形態について説明する。図１９乃至図２１は本発明の第４の実施の形態を示す図である。図１９乃至図２１に示す第４の実施の形態は、主として、金属層１００に、金属層１００を厚み方向に貫通する金属層開口部１００ａと、金属層１００を厚み方向に貫通しない金属層非開口部１００ｂとが形成されており、金属層開口部１００ａと、金属層非開口部１００ｂとが、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている点が第１の実施の形態、第２の実施の形態および第３の実施の形態と異なるものである。図１９乃至図２１において、第１の実施の形態、第２の実施の形態および第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２５】
リードフレーム基板の構成
まず、図１９及び図２０により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。
【０１２６】
図１９及び図２０に示すように、リードフレーム基板１０Ｅは、パターン状に形成された金属層１００と、金属層１００に積層された絶縁層１４とを備えている。
【０１２７】
また、金属層１００に形成された金属層開口部１００ａと、金属層非開口部１００ｂとが、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。具体的には、金属層１００のうち、リード部１２同士の間に、金属層１００を厚み方向に貫通する金属層開口部１００ａと金属層１００を厚み方向に貫通しない金属層非開口部１００ｂとが設けられている。この金属層非開口部１００ｂは、平面視で、例えば、文字、図形、記号等といった特定の情報を読み取ることが可能な形状を有することができる。なお、金属層非開口部１００ｂの平面形状により、特定の情報を読み取ることが可能であれば、金属層非開口部１００ｂは、１つであっても良い。このような金属層非開口部１００ｂは、図１９において、Ｘ方向に沿って延びるリード部１２ＡおよびＹ方向に沿って延びるリード部１２Ｂのうち、互いに隣接するリード部１２Ａとリード部１２Ｂとの間に設けられていることが好ましい。これにより、ワイヤボンディング工程において、金属層非開口部１００ｂと各リード部１２の表面１２ｂに形成されためっき層２５（内部端子１５）とが誤認される不具合を防止し、内部端子１５にボンディングワイヤ２２を確実に接続することができる。
【０１２８】
図１９及び図２０に示すように、本実施の形態において、金属層１００に形成された金属層開口部１００ａおよび金属層非開口部１００ｂのうち、互いに隣接する金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ４により、識別マークＭ４が形成されている。この場合、図１９に示すように、識別マークＭ４は、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。この識別マークＭ４は、トレーサビリティ等の観点から、流通する製品の品質管理を行うために設けられている。この識別マークＭ４の情報を追跡することにより、製品の製造年月日、製造ルート等を特定することができる。
【０１２９】
また、図２０に示すように、金属層１００に形成された金属層開口部１００ａは、絶縁層１４によって覆われている。絶縁層１４は、部分的に光を透過するため、裏面側から見たとき、例えば黒色の樹脂製の封止樹脂２３と銅製の金属層１００との間で、境界線Ｌ４を明確に認識することができる。また、このように金属層開口部１００ａが絶縁層１４によって覆われることにより、半導体装置２０としてパッケージ化された後、金属層開口部１００ａの形状を変更することは困難である。したがって、識別マークＭ４の情報を改竄することが不可能となっている。なお、複数の識別マークＭ４が、単位リードフレーム１０ａ内のうち、異なるリード部１２間に設けられていても良く、各々の識別マークＭ４の情報を組み合わせることにより、製品の製造年月日等の情報を特定するように構成されていても良い。
【０１３０】
半導体装置の構成
図２２に示す半導体装置２０Ｂのうち、ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０Ｅを用いてから作製されたものである。本実施の形態による半導体装置２０Ｂにおいて、金属層１００に金属層開口部（開口部）１００ａと、金属層非開口部（非開口部）１００ｂとが形成されている。このほかの構成は、第２の実施の形態におけるものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１３１】
リードフレーム基板および半導体体装置の製造方法
図１９及び図２９に示すリードフレーム基板１０Ｅの製造方法は、第３の実施の形態によるリードフレーム基板１０Ｅの製造方法（図１８（ａ）−（ｅ））と略同様であり、図２１に示す半導体装置２０Ｂの製造方法は、第１の実施の形態による半導体装置２０の製造方法（図９（ａ）−（ｅ））と略同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１３２】
このように本実施の形態によれば、互いに隣接する金属層開口部１００ａと金属層非開口部１００ｂとの境界線Ｌ４により形成された識別マークＭ４が、単位リードフレーム１０ａ内に設けられている。これにより、裏面側から絶縁層１４を透過して識別マークＭ４の形状を把握することができる。また、識別マークＭ４の情報を追跡することができるので、リードフレーム基板１０Ｅの製造時、製造ルート等を特定することができる。また、本実施の形態によれば、封止樹脂２３が形成されるまでは表面側から識別マークＭ４を認識することができるため、識別マークＭ４を目印として、封止樹脂２３を形成する場所の位置決めを行うこともできる。このため、封止樹脂２３を形成する場所の位置精度を向上させることができる。
【０１３３】
上記各実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【符号の説明】
【０１３４】
１０、１０Ａ〜１０Ｅ  リードフレーム基板
１０ａ      単位リードフレーム
１１        ダイパッド
１２        リード部
１３        外枠部
１４        絶縁層
１４ｃ      絶縁層開口部
１４ｄ      絶縁層非開口部
２０、２０Ａ〜２０Ｂ  半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（導電部材）
２３        封止樹脂
２５        めっき層
１００      金属層
１００ａ    金属層開口部
１００ｂ    金属層非開口部
【図１】
2018113312.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2018113312.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2018113312.tif 000017
【図１６】
2018113312.tif 000018
【図１７】
2018113312.tif 000019
【図１８】
2018113312.tif 000020
【図１９】
2018113312.tif 000021
【図２０】
2018113312.tif 000022
【図２１】
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