(57)【要約】【課題】小型化及び光の検出精度の向上を図ることが可能な側面型光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体装置Ａ１は、主面１１１および裏面１１２を有する基板１に配置される。基板１は、主面１１１から裏面１１２に向かって凹み、半導体受光素子７は第１凹部１４及び第２凹部２４にまたがって配置される。半導体受光素子７と第２凹部２４との間には導光路１８が与えられており、半導体受光素子７の導光部として用いられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、絶縁材料よりなる基板を備え、
前記基板は前記厚さ方向に凹んだ第１凹部と、前記第１凹部の凹みよりもさらに前記裏面に向かって凹んだ第２凹部とを有し、前記１凹部と前記第２凹部にまたがって半導体光素子が配置されるも前記半導体光素子と前記第２凹部との間には空洞部が与えられており、前記空洞部が前記半導体光素子の導光路として用いられる側面型光半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁材料は半導体材料である請求項１に記載の側面型光半導体装置。
【請求項３】
前記半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）である請求項２に記載の側面型光半導体装置。
【請求項４】
前記第１凹部及び前記第２凹部は連係部を介してつながっている請求項１に記載の側面型光半導体装置。
【請求項５】
前記連係部には前記半導体光素子から放射または前記半導体光素子に入射される光を前記導光路に導く傾斜部が形成されている請求項４に記載の側面型光半導体装置。
【請求項６】
前記第１凹部、前記第２凹部、及び前記連係部は異方性または等方性エッチングで形成される請求項５に記載の側面型光半導体装置。
【請求項７】
前記空洞部は透明樹脂で覆われている請求項１に記載の側面型光半導体装置。
【請求項８】
前記側面型光半導体装置は、
前記半導体光素子に導通する導電層と、
前記導電層の少なくとも一部と前記基板との間に介在する絶縁層を備える請求項１に記載の側面型光半導体装置。
【請求項９】
前記凹部に充填された部分を有する封止樹脂部を備える、請求項８に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１０】
前記導電層は、前記主面に形成された主面導電部を有する、請求項９に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１１】
前記主面導電部に接し、且つ遮光樹脂部を貫通する柱状部を各々が有する複数の端子部を備える、請求項１０に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１２】
前記柱状部の端面と前記遮光樹脂部の端面とは、互いに面一である、請求項１１に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１３】
前記端子部は、前記柱状部に繋がり、且つ前記遮光樹脂部から露出するパッド部を有する、請求項１１または１２に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１４】
前記基板と前記絶縁層の少なくとも一部との間に介在し、前記光半導体素子が発光または受光する光を遮光する遮光層を備える請求項１３に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１５】
前記遮光層は、金属と前記基板を構成する半導体との化合物からなる、請求項１４に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１６】
前記遮光層は、チタン（Ｔｉ）とシリコン（Ｓｉ）との化合物からなる、請求項１５に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１７】
前記遮光層は、金属からなる、請求項１５に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１８】
前記遮光層は、チタン（Ｔｉ）からなる、請求項１７に記載の側面型光半導体装置。
【請求項１９】
前記遮光層は、前記凹部に形成された凹部内面遮光部を有する、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の側面型光半導体装置。
【請求項２０】
前記基板の前記裏面を覆う裏面コート層を備える、請求項１３に記載の側面型光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、側面型光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
側面型発光装置や側面型受光装置は、携帯電話、ＰＤＡ、フォトインタラプタ、照明装置などに用いられている。こうした側面型光半導体装置は、光半導体素子が実装される実装基板にほぼ平行に光が出射または入射され、各種電子機器の小型化、薄型化の要求に伴い普及が進んできている。
【０００３】
特許文献１は、側面型チップ電子部品をマザーボードに実装接続する場合に、取り付け強度や電気的接続が確保され、半田付け時にセルフアラインが働くような構造を持つ電子部品及びその製造方法を提供するとしている。
【０００４】
特許文献２は、細長い光取り出し面から放出光を効率よく出射可能な側面型発光装置及びその製造方法を提供するとしている。
【０００５】
特許文献３は、電子素子を適切に保護しつつ、全体の大きさをより自由に設定可能な電子装置を提供するとしている。電子素子が配置される基板に単結晶よりなる例えばシリコン（Ｓｉ）を採用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９６１５３号公報
【特許文献２】特開２００９−２２４３７６号公報
【特許文献３】特開２０１６−１５２２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記した特許文献に鑑み、小型化及び放射光、入射光を効率よく授受できる側面型光半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、側面型光半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、絶縁材料よりなる基板を備え、
前記基板は前記厚さ方向に凹んだ第１凹部と、前記第１凹部の凹みよりもさらに前記裏面に向かって凹んだ第２凹部とを有する。前記第１凹部と前記第２凹部にまたがって半導体光素子が配置されるも前記半導体光素子と前記第２凹部との間には空洞部が与えられており、前記空洞部が前記半導体光素子の導光路として用いられる。
【０００９】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記絶縁材料は半導体材料である。
【００１０】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）である。
【００１１】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記第１凹部及び前記第２凹部は連係部を介してつながっている。
【００１２】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記連係部には前記半導体光素子から放射または前記半導体光素子に入射される光を前記導光部に導く傾斜部が形成されている。
【００１３】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記第１凹部、前記第２凹部、及び前記連係部は異方性または等方性エッチングで形成される。
【００１４】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記空洞部は透明樹脂で覆われている。
【００１５】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記側面型光半導体装置は、前記半導体光素子に導通する導電層と、前記導電層の少なくとも一部と前記基板との間に介在する絶縁層を備える。
【００１６】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記凹部に充填された部分を有する封止樹脂部を備える。
【００１７】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記導電層は、前記主面に形成された主面導電部を有する。
【００１８】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記主面導電部に接し、且つ遮光樹脂部を貫通する柱状部を各々が有する複数の端子部を備える。
【００１９】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記柱状部の端面と前記遮光樹脂部の端面とは、互いに面一である。
【００２０】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記端子部は前記柱状部に繋がり、且つ前記遮光樹脂部から露出するパッド部を有する。
【００２１】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記基板と前記絶縁層の少なくとも一部との間に介在し、前記光半導体素子が発光または受光する光を遮光する遮光層を備える。
【００２２】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記遮光層は、金属と前記基板を構成する半導体との化合物からなる。
【００２３】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記遮光層は、チタン（Ｔｉ）とシリコン（Ｓｉ）との化合物からなる。
【００２４】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記遮光層は、金属からなる。
【００２５】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記遮光層は、チタン（Ｔｉ）からなる。
【００２６】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記遮光層は前記凹部に形成された凹部内面遮光部を有する。
【００２７】
本発明の一態様の側面型光半導体装置は、前記基板の前記裏面を覆う裏面コート層を備える。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、前記半導体光素子は、前記基板の前記凹部に内蔵されている。このため、前記半導体光素子を適切に保護しつつ、前記側面型光半導体装置全体の大きさを小型化することができる。また、前記半導体光素子を内蔵する前記基板に導光部を設けることにより、外部からの光のうち検出すべきものを前記半導体光素子へと確実に到達させることが可能である。したがって、前記側面型光半導体装置の検出精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る側面型光半導体装置を示す要部平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る側面型光半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る側面型光半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る側面型光半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、本発明の一実施形態に係る側面型光半導装置Ａ１を示す要部平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１において、基板１の厚さ方向視は、本発明で言う平面視に相当する。以下図１、図２、図３を参照して本発明の好ましい一実施形態を説明する。
【００３１】
基板１は、例えば半導体材料よりなる。本実施形態において、基板１はシリコン（Ｓｉ）単結晶からなる。基板１の材質はシリコン（Ｓｉ）に限定されず、たとえば炭化シリコン（ＳｉＣ）であってもよい。基板１の厚さは、たとえば３００〜２０００μｍである。基板１には、例えば半導体受光素子７が配置されている。なお、実装の基板として用いる基板１は、半導体受光素子７が搭載される半導体基板と同じ材料である半導体基板が好適である。なぜならば、同じ半導体装置、半導体製造プロセスが利用できること、また、土台となる実装基板と被実装基板すなわち半導体受光素子７が形成される半導体基板の熱膨張係数が同じとなるので熱的応力、機械的応力の面で有利になるからである。もちろん、基板１としては例えばポリイミドからなるフィルム状の配線基板やフレキシブルな配線板などの絶縁材料であってもよい。
【００３２】
基板１は、図２に示すように主面１１１と、裏面１１２と、を有する。
【００３３】
主面１１１は、厚さ方向Ｙｄの一方ｙｄ１の方向に配置される。主面１１１は平坦である。主面１１１は厚さ方向Ｙｄに直交する。主面１１１の結晶方位は、（１００）面、あるいは（１１０）面である。本実施形態では、主面１１１は、（１００）面を用いている。
【００３４】
裏面１１２は、厚さ方向Ｙｄの他方ｙｄ２の方向に配置される。すなわち、裏面１１２および主面１１１は厚さ方向Ｙｄにおいて互いに反対側に配置される。裏面１１２は平坦である。裏面１１２は厚さ方向Ｙｄに直交する。
【００３５】
基板１には、第１凹部１４及び第２凹部２４が形成されている。これらの各凹部は良く知られた異方性エッチングまたは等方性エッチングで形成されている。
【００３６】
第１凹部１４は、主面１１１から凹んでいる。半導体受光素子７は、第１凹部１４から第２凹部２４にまたがって配置されている。第１凹部１４の深さは、たとえば、１００〜１８００μｍである。第１凹部１４は、厚さ方向視において矩形状である。第１凹部１４の形状は、主面１１１の結晶方位とエッチング方式でほぼ決定される。
【００３７】
第２凹部２４の一端は、第１凹部１４に繋がりその他端は側面型光半導体装置Ａ１の端部Ａ１Ｔまで延設されている。これによって、側面型光半導体装置Ａ１の側部に第１凹部１４に繋がる導光路１８を形成する。端部Ａ１Ｔから入射された光ＬＬは、導光路１８を介して半導体受光素子７の受光部７２に伝達される。なお、半導体受光素子７の代わりに半導体発光素子が設置された場合には、光ＬＬは導光路１８、端部Ａ１Ｔを介して、図示しない他の受光部まで伝達される。
【００３８】
第２凹部２４の第２凹部底面２４２は、基板１の厚さ方向Ｙｄにおいて主面１１１と同じ側を向く。第２凹部底面２４２は、厚さ方向視において矩形状である。第２凹部底面２４２は、厚さ方向に直交する面である。
【００３９】
第２凹部第１側面（連係部）２４１は、第２凹部底面２４２から起立する。第２凹部第１側面（連係部）２４１は、第２凹部底面２４２につながっている。第２凹部第１側面（連係部）２４１は、厚さ方向に対し傾斜している。厚さ方向に直交する平面に対する第２凹部第１側面（連係部）２４１の角度は、ほぼ５５度である。これは、主面１１１として（１００）面を採用したことに由来している。第２凹部第１側面（連係部）２４１は、３つの平坦面を有している。第２凹部第１側面（連係部）２４１は、第１凹部１４と第２凹部２４とをつなぐ連係部の役割を担う。
【００４０】
第１凹部１４の第１凹部底面１４３は、全体として厚さ方向視矩形状であり、平坦面である。底面１４３は厚さ方向Ｙｄにおいて主面１１１と同じ側を向き、第２凹部第１側面（連係部）２４１につながっている。
【００４１】
第１凹部第２側面１４４は、両凹部の連係部となる第２凹部第１側面２４１の反対側に存在し、第１凹部底面１４３から起立する。第１凹部第２側面１４４は、主面１１１につながっている。第１凹部第２側面１４４は、厚さ方向Ｙｄに対し傾斜している。厚さ方向Ｙｄに直交する平面に対する第１凹部第２側面１４４の角度は、ほぼ５５度である。これは、主面１１１の結晶として（１００）面を採用したことに由来している。
【００４２】
裏面１１２は、未処理もしくは裏面コート層１９が形成されている。裏面コート層１９は、裏面１１２のすべてを覆っている。裏面コート層１９は、たとえば窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる。
【００４３】
遮光層４は、基板１の主面１１１と絶縁層２の少なくとも一部との間に介在しており、半導体受光素子７が受光する光を遮光する。遮光層４は、基板１に直接形成されている。遮光層４は、金属と基板１と構成する半導体との化合物からなり、より具体的には、チタン（Ｔｉ）とシリコン（Ｓｉ）との化合物からなる。なお、遮光層４は、チタン（Ｔｉ）等の金属からなる層であってもよい。ただし、遮光層４は設けなくても良い。
【００４４】
遮光層４は、凹部内面遮光部４１および主面遮光部４２を有する。凹部内面遮光部４１は、遮光層４のうち基板１の第１凹部１４内に形成された部分である。主面遮光部４２は、遮光層４のうち主面１１１に形成された部分である。
【００４５】
絶縁層２は、導電層３と基板１との間に介在している。絶縁層２の厚さは、たとえば０．１〜１．０μｍ程度である。絶縁層２は、たとえば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる。
【００４６】
絶縁層２は、凹部内面絶縁部２１および主面絶縁部２２を有する。
【００４７】
凹部内面絶縁部２１は、基板１の第１凹部１４に形成されている。本実施形態では、第１凹部中間面１４３および第１凹部第２側面１４４のすべてに形成されている。たとえばＣＶＤやスパッタリングによって形成されている。たとえば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりなる。
【００４８】
主面絶縁部２２は、基板１の主面１１１に形成されている。主面絶縁部２２は、たとえばＣＶＤやスパッタリングによって形成されている。主面絶縁部２２は、たとえば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりなる。本実施形態においては、主面絶縁部２２は、主面１１１のすべてを覆っている。
【００４９】
導電層３は、半導体受光素子７に導通する。導電層３は、半導体受光素子７に入出力する電流経路を構成するためのものである。
【００５０】
導電層３は、シード層３１およびメッキ層３２を含む。
【００５１】
シード層３１は、所望のメッキ層３２を形成するためのいわゆる下地層である。シード層３１は、絶縁層２とメッキ層３２との間に介在している。シード層３１は、たとえば銅（Ｃｕ）よりなる。シード層３１は、たとえばスパッタリングによって形成される。シード層３１の厚さは、たとえば、１μｍ以下である。
【００５２】
メッキ層３２は、シード層３１を利用した電解めっきによって形成される。メッキ層３２は、たとえば銅（Ｃｕ）あるいはチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などが積層された層よりなる。メッキ層３２の厚さは、たとえば３〜１０μｍ程度である。メッキ層３２の厚さは、シード層３１の厚さよりも厚い。
【００５３】
導電層３は、凹部内面導電部３５および主面導電部３６を有する。
【００５４】
凹部内面導電部３５は、第１凹部１４（絶縁層２の凹部内面絶縁部２１）に形成された部分であり、第１凹部底面１４３および第１凹部第２側面１４４の適所に形成されている。主面導電部３６は、半導体受光素子７を実装するためのパッドとして機能する部分や、配線として機能する部分等を含む。
【００５５】
主面導電部３６は、主面１１１（絶縁層２の主面絶縁部２２）に形成された部分である。
【００５６】
半導体受光素子７は、第１凹部１４に搭載されている。本実施形態の半導体受光素子７は、本体７１、受光部７２および電極７３を有しており、ワイヤなどを用いることなく実装されるいわゆるフリップチップタイプのフォトトランジスタやフォトダイオードとして構成されている。本体７１は、受光の制御を行う。このような制御としては、たとえばＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子などの集積回路素子のほか、半導体受光素子７に入出力される電流を受動的に制御するチップ抵抗、インダクタやキャパシタなどの受動素子が挙げられる
【００５７】
本体７１は、半導体受光素子７の土台となる部材である。受光部７２は、光電変換機能によって電荷に変換すべき光を受光する部分である。受光部７２の正面には、第２凹部第１側面２４１が配置されている。電極７３は、受光部７２に導通する電極である。電極７３は、たとえば金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などからなる。電極７３は、導電層３の凹部底面導電部３５の適所に、接合層３３を介して接合されている。接合層３３は、たとえば錫（Ｓｎ）を含む合金からなる。該合金として具体的には、錫（Ｓｎ）―アンチモン（Ｓｂ）系合金、または錫（Ｓｎ）―銀（Ａｇ）系合金などの鉛フリーはんだである。
【００５８】
封止樹脂部６は、第１凹部１４及び第２凹部２４の少なくとも一部を封止している。
【００５９】
封止樹脂部６は、主面１１１を覆う部分を有している。封止樹脂部６の材質としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂、および、シリコーン樹脂が挙げられる。また、透明樹脂であってもよい。
【００６０】
また、光半導体装置Ａ１は、複数の端子部３８を有する。複数の端子部３８は、光半導体装置Ａ１を回路基板等に実装するために用いられる。端子部３８は、柱状部３８１およびパッド部３８２を有している。
【００６１】
柱状部３８１は、導電層３に接しており、封止樹脂部６を厚さ方向に貫通している。柱状部３８１は、たとえば銅（Ｃｕ）からなる。柱状部３８１の図中上方の端面と封止樹脂部６の端面とは、互いに面一である。
【００６２】
パッド部３８２は、柱状部３８１の端面を覆うことにより柱状部３８１に繋がっており、封止樹脂部６から露出している。パッド部３８２は、たとえば互いに積層されたニッケル（Ｎｉ）層、鉛（Ｐｂ）層および金（Ａｕ）層からなる。
【００６３】
次に、光半導体装置Ａ１の作用について説明する。
【００６４】
本実施形態によれば、半導体受光素子７は、基板１の第１凹部１４及び第２凹部２４に配置されている。このため、半導体受光素子７を適切に保護しつつ、光半導体装置Ａ１全体の大きさを小型化することができる。また、半導体受光素子７を配置する基板１に導光路１８を設けることにより、外部からの光のうち検出すべきものを半導体受光素子７へと確実に到達させることが可能である。したがって、光半導体装置Ａ１の検出精度の向上を図ることができる。
【００６５】
導光路１８は、空洞または透明樹脂で充填されているため、光をより透過させやすい。したがって、光半導体装置Ａ１の検出精度を高めるのに適している。
【００６６】
遮光層４は、第１凹部１４、主面１１１、及び第２凹部２４を覆っている。これにより、外部の意図しない光が半導体受光素子７へと到達してしまうことを回避することができる。これは、光半導体装置Ａ１の検出精度の向上に有利である。ただし、遮光層４は設けなくても良い。
【００６７】
ＴｉとＳｉとの化合物からなる遮光層４は、赤外光をはじめとする光の遮光に適している。これは、光半導体装置Ａ１の検出精度の向上に好適である。
【００６８】
図４は、本発明の第２実施形態に基づく側面型光半導体装置Ａ２を示している。図４に示す側面型光半導体装置Ａ２では、遮光層４がなくなっており、その他の構成は図２に示した側面型光半導体装置Ａ１と同様となっている。
【００６９】
本実施形態では、外部の意図しない光を考慮せずに済む場合において、遮光層４を省略することにより、より低コストで側面型光半導体装置Ａ２を作製することができる。
【００７０】
図５は、本発明の第３実施形態に基づく側面型光半導体装置Ａ３を示している。図５に示す側面型光半導体装置Ａ３では、裏面コート層１９がなくなっており、その他の構成は図２に示した側面型光半導体装置Ａ１と同様となっている。
【００７１】
本実施形態では、裏面の耐久性を考慮せずに済む場合において、裏面コート層１９を省略することにより、より低コストで側面型光半導体装置Ａ３を作製することができる。
【００７２】
図６は、本発明の第４実施形態に基づく側面型光半導体装置Ａ４を示している。図６に示す側面型光半導体装置Ａ４では、遮光層４と裏面コート層１９がなくなっており、その他の構成は図２に示した側面型光半導体装置Ａ１と同様となっている。
【００７３】
本実施形態では、外部の意図しない光を考慮せずに済む場合でかつ裏面の耐久性を考慮せずに済む場合において、遮光層４と裏面コート層１９を省略することにより、より低コストで側面型光半導体装置Ａ４を作製することができる。
【００７４】
本発明は、受光素子について説明を行ったが、受光素子を発光素子に置き換えても、同様のことが可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、小型化および検出精度の向上が求められる側面型光半導体装置に利用することができる。そのため、本発明は、産業上の利用可能性は高い。
【符号の説明】
【００７６】
Ａ１〜Ａ４  側面型光半導体装置
Ａ１Ｔ  端部
ＬＬ  光
Ｙｄ  厚さ方向
１  基板
１１１  主面
１１２  裏面
１４  第１凹部
１４３  第１凹部底面
１４４  第１凹部第２側面
１８  導光路
１９  裏面コート層
２  絶縁層
２１  凹部内面絶縁部
２２  主面絶縁部
２４  第２凹部
２４１  第２凹部第１側面（連係部）
２４２  第２凹部底面
３  導電層
３１  シード層
３２  メッキ層
３３  接合層
３５  凹部内面導電部
３６  主面導電部
３８  端子部
３８１  柱状部
３８２  パッド部
４  遮光層
４１  凹部内面遮光部
４２  主面遮光部
６  封止樹脂部
７  半導体受光素子
７１  本体
７２  受光部
７３  電極
【図１】
2018067648.tif 000003
【図２】
2018067648.tif 000004
【図３】
2018067648.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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