(57)【要約】【課題】電極ハガレや電極端クラックが発生するおそれがない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】内部電極が印刷された誘電体シートが複数積層された生の積層体１２を準備する工程と、内部電極と接続される導電性ペーストを生の積層体１２に塗布する工程と、導電性ペーストと生の積層体１２とを同時に焼成する焼成工程と、を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、焼成工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度が毎分１５℃以上であることを特徴とする。【選択図】図２
2018067568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体状の積層体を備え、
前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、さらに、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、
前記第１の端面を覆うように配置された第１の外部電極と、
前記第２の端面を覆うように配置された第２の外部電極と、を備え、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、Ｎｉを主成分とし、
前記第１の外部電極に接続する第１の内部電極層および前記第２の外部電極に接続する第２の内部電極層が前記積層方向に積層され、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極はめっき層と下地電極層とを含む、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
内部電極が印刷された誘電体シートが複数積層された生の積層体を準備する工程と、
前記内部電極と接続される導電性ペーストを前記生の積層体に塗布する工程と、
前記導電性ペーストと前記生の積層体とを同時に焼成する焼成工程と、
を有する、積層セラミックコンデンサの製造方法において、
前記焼成工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度が毎分１５℃以上であることを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記昇温速度が毎分２０℃以上であることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記第１の外部電極は、前記第１の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面に延在している部分である外部電極折返し部を有し、
前記第２の外部電極は、前記第２の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面に延在している部分である外部電極折返し部を有し、
前記外部電極折返し部の厚みが１８μｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記積層セラミックコンデンサの長さ方向の寸法が１．０５ｍｍ以下であり、幅方向の寸法が０．６５ｍｍ以下であり、積層方向の寸法が０．６５ｍｍ以下である、ことを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記複数の内部電極層がＮｉを含有することを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記めっき層がＣｕを含有することを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極層を有する積層体と、内部電極層に電気的に接続されるように積層体の端面に形成された外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体を含む。内部電極層は、一対の内部電極層が交互に積層体の両端面からそれぞれ露出するように形成される。誘電体層と内部電極層とが交互に積層された生の積層体の両端面には、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストが塗布された後、最高温度１２００℃のＮ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ雰囲気中で焼成することによって、積層セラミックコンデンサを形成する。焼成されることにより、導電性ペーストは外部電極を形成する（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６８２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
外部電極を形成するためのＮｉを主成分とする導電性ペーストと、誘電体セラミックからなる誘電体層を含む積層体と、を同時に焼成する場合は、Ｎｉの焼結温度が８００℃であり積層体の焼結温度が１１００℃であることから、Ｎｉの収縮が、積層体の収縮よりも先に発生する。そのため、積層体と外部電極との間で応力が生じ、積層体に対する外部電極の電極ハガレや、電極端クラックが発生するおそれがあった。ここで、電極端クラックとは、外部電極折返し部先端から積層体中に入るクラックを意味する。
【０００５】
そこで、本発明の主たる目的は、電極ハガレや電極端クラックが発生するおそれがない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、
直方体状の積層体を備え、
積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを有し、さらに、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、
第１の端面を覆うように配置された第１の外部電極と、
第２の端面を覆うように配置された第２の外部電極と、を備え、
第１の外部電極および第２の外部電極は、Ｎｉを主成分とし、
第１の外部電極に接続する第１の内部電極層および第２の外部電極に接続する第２の内部電極層が積層方向に積層され、
第１の外部電極および第２の外部電極はめっき層と下地電極層とを含む、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
内部電極が印刷された誘電体シートが複数積層された生の積層体を準備する工程と、
内部電極と接続される導電性ペーストを生の積層体に塗布する工程と、
導電性ペーストと生の積層体とを同時に焼成する焼成工程と、
を有し、
焼成工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度が毎分１５℃以上であることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、昇温速度が毎分２０℃以上であることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、第１の外部電極は、第１の端面から第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面に延在している部分である外部電極折返し部を有し、第２の外部電極は、第２の端面から第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面に延在している部分である外部電極折返し部を有し、外部電極の折返し部の厚みが１８μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、積層セラミックコンデンサの長さ方向の寸法が１．０５ｍｍ以下であり、幅方向の寸法が０．６５ｍｍ以下であり、積層方向の寸法が０．６５ｍｍ以下である、ことを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数の内部電極層がＮｉを含有することを特徴とする。
【００１１】
請求項６に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、めっき層がＣｕを含有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、焼成工程において、Ｎｉの収縮が顕著な区間で昇温速度を向上することによって、導電性ペーストの収縮タイミングと積層体の収縮タイミングとが近くなる。これにより、外部電極から積層体への応力が低減できるため、電極ハガレや電極端クラックが発生するおそれがない。
【００１３】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．積層セラミックコンデンサ
図１、図２および図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、例えば直方体状の積層体１２を備える。積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向Ｔに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆと、を有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。
【００１６】
積層体１２の誘電体層１４の誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3又はＣａＺｒＯ3などペロブスカイト化合物の主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分に、たとえば、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物、Ｎｉ化合物などの化合物を主成分より少ない含有量範囲で添加したものを用いてもよい。また、内部電極層１６に挟まれた誘電体層１４の積層方向Ｔの平均寸法（平均厚み）は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
図２および図３に示すように、誘電体層１４は、外層部１４ａと内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａに最も近い内部電極層１６との間に位置する誘電体層１４、および、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極層１６との間に位置する誘電体層１４である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。外層部１４ａの積層方向Ｔの寸法（厚み）は、片側で１５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
図２および図３に示すように、積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の積層方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極層１６ａの一端側には、積層体１２の第１の端面１２ｅに引き出された引出電極部１８ａを有する。第２の内部電極層１６ｂの一端側には、積層体１２の第２の端面１２ｆに引き出された引出電極部１８ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層１６ａの一端側の引出電極部１８ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅに露出している。また、第２の内部電極層１６ｂの一端側の引出電極部１８ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆに露出している。
【００１９】
内部電極層１６は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属を含有している。内部電極層１６は、さらに誘電体層１４に含まれる誘電体セラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
例えば、内部電極層１６がＮｉを含有している場合には、Ｃｕを含有している場合に比して、毎分１５℃以上の昇温速度に適している。
【００２０】
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、それぞれの端面を覆うように配置された外部電極２２が形成される。外部電極２２は、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂを有する。
積層体１２の第１の端面１２ｅ側には、第１の外部電極２２ａが形成される。第１の外部電極２２ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅを覆うように配置されている。
積層体１２の第２の端面１２ｆ側には、第２の外部電極２２ｂが形成される。第２の外部電極２２ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆを覆うように配置されている。
【００２１】
外部電極２２は、端面から主面及び側面に延在している部分である外部電極折返し部を有する。
第１の外部電極２２ａは、第１の端面１２ｅから第１の主面１２ａに延在している外部電極折返し部２８１を有している。
また、第１の外部電極２２ａは、第１の端面１２ｅから第２の主面１２ｂに延在している外部電極折返し部２８２を有している。
第２の外部電極２２ｂは、第２の端面１２ｆから第２の主面１２ｂに延在している外部電極折返し部２８３を有している。
また、第２の外部電極２２ｂは、第２の端面１２ｆから第１の主面１２ａに延在している外部電極折返し部２８４を有している。
【００２２】
第１の外部電極２２ａは、図２及び図３に示すように、積層体１２側から順に、下地電極層２４ａと、下地電極層２４ａ上に配置されためっき層２６ａとを有する。同様に、第２の外部電極２２ｂは、積層体１２側から順に、下地電極層２４ｂと、下地電極層２４ｂ上に配置されためっき層２６ｂとを有する。下地電極層２４ａ、２４ｂは、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストが焼結されたものである。
【００２３】
下地電極層２４ａ、２４ｂは、共材としてのセラミック粉末と導電性金属とを含む。共材は、積層体１２との固着力向上の観点から、積層体１２の誘電体層１４に含まれる誘電体セラミックと同じ材料を含むことが好ましい。
共材の添加量は、下地電極層２４ａ、２４ｂ中の導電性金属成分と共材との合計量１００重量％に対して、２０〜５０重量％であることが好ましい。下地電極層２４ａ、２４ｂの導電性金属成分は、主成分としてＮｉを含有する。下地電極層２４ａ、２４ｂの外部電極折返し部の距離であり、下地電極層２４ａ、２４ｂが積層体１２の端面から主面又は側面側へ延在している距離（ｅ寸）は５０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。
めっき層としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１つを含む。めっき層は、複数層により形成されていてもよい。例えば、Ｃｕめっき層は、Ｎｉを含有する下地電極層と接合性が良い。例えば、Ｎｉめっき層は、積層セラミックコンデンサを実装する際のはんだによって下地電極層が侵食されることを防止する。例えば、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサを実装する際のはんだの濡れ性を向上させて、容易に実装することができるようにするために用いられる。
【００２４】
積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向の寸法は１．０５ｍｍ以下であり、幅方向の寸法は０．６５ｍｍ以下であり、積層方向の寸法は０．６５ｍｍ以下である。また、外部電極折返し部の厚みは１８μｍ以下である。
【００２５】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、この積層セラミックコンデンサ１０の製造プロセスについて説明する。
まず、積層体１２を準備する工程を説明する。
誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
誘電体シート上には、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより、所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストが印刷され、それにより内部電極パターンが形成される。
さらに、内部電極パターンが形成されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層され、その上に内部電極が形成された誘電体シートが順次積層され、その上に外層用の誘電体シートが所定枚数積層されて、積層シートが作製される。
得られた積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向Ｔにプレスすることによって、積層ブロックが作製される。
次に、積層ブロックが所定のサイズにカットされ、積層チップ、つまり生の積層体１２が切り出される。このとき、バレル研磨などにより、積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
【００２６】
次に、下地電極層２４ａ、２４ｂを形成するために、内部電極１８ａ、１８ｂと接続される導電性ペーストを積層チップ（生の積層体１２）に塗布する工程が行われる。つまり、生の積層体１２の両端面１２ｅ、１２ｆに導電性ペーストが塗布される。この導電性ペーストの導電性金属成分は、主成分としてＮｉを含有する。
【００２７】
次に、誘電体ペーストと積層体１２とを同時に焼成する工程として、下地電極層２４ａ、２４ｂは、最高温度１０００℃ないし１４００℃にて積層体１２と同時に焼成される。つまり、積層チップが焼結されて積層体１２が得られるとともに、導電性ペーストが焼結されて下地電極層２４ａ、２４ｂが形成される。この焼成する工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度は、毎分１５℃以上であり、毎分２０℃以上とすることがより好ましい。焼成工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度は、毎分１５℃以上であれば、電極ハガレが生じない。焼成工程において、８００℃から１１００℃に至るまでの昇温速度は、毎分２０℃以上であれば、電極ハガレおよび電極端クラックが生じない。
【００２８】
本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、焼成工程において、Ｎｉの収縮が顕著な区間で昇温速度を向上することによって、導電性ペーストの収縮タイミングと積層体１２の収縮タイミングとが近くなる。これにより、外部電極２２から積層体１２への応力が低減できるため、電極ハガレや電極端クラックが発生するおそれがない。なおここでは、電極ハガレとは、外部電極の剥がれであって、長さ５μｍ以上に亘る剥がれであり、電極端クラックとは、外部電極折返し部先端から積層体に入るクラックであって、長さ２μｍ以上のクラックである。
【００２９】
３．実験例
以下に、積層体１２の各方向の寸法と外部電極折返し部の厚みと昇温速度とを変更しながら実験を行い、電極ハガレや電極端クラックの発生サンプル数の結果を提示することにより、昇温速度と、電極ハガレや電極端クラックの発生の有無と、の関係を説明する。
【００３０】
なお、以下における外部電極２２の積層方向Ｔの最大厚みの平均（外部電極折返し部の最大厚みの平均）は、次のようにして測定された。
まず、サンプルを樹脂固めして、積層セラミックコンデンサの幅方向Ｗの２分の１の深さまで研磨し、ＬＴ断面を得た。このＬＴ断面において、図２に示すように、サンプル数１０個の外部電極折返し部２８１、２８２、２８３、２８４の各部の最大厚みｔ1、ｔ2、ｔ3、ｔ4をマイクロスコープで測定し、その平均値を求めた。
つまり、サンプル数１０個×測定箇所４箇所＝４０箇所のデータの平均値を求めたものである。
【００３１】
また、以下における外部電極２２の電極ハガレ及び電極端クラックは、次のようにして測定された。
まず、サンプルを樹脂固めして、積層セラミックコンデンサの幅方向Ｗの２分の１の深さまで研磨し、ＬＴ断面を得た。このＬＴ断面において、サンプル数１００個のうち、電極ハガレ（外部電極の剥がれであって、長さ５μｍ以上に亘る剥がれ）、及び、電極端クラック（外部電極折返し部先端から積層体に入るクラックであって、長さ２μｍ以上のクラック）を観測した。電極ハガレ又は電極端クラックが、これらの条件により観測された場合は、当該サンプルは不良と判定した。観測結果を、以下の表１ないし表３にまとめた。なお、表中の電極ハガレ及び電極端クラックのそれぞれの個数は、積層セラミックコンデンサのサンプル１００個中、電極ハガレが発生したサンプルの個数及び電極端クラックが発生したサンプルの個数である。
【００３２】
（実験例１）
長さ方向Ｌの寸法が１．０５ｍｍであり幅方向Ｗの寸法が０．６５ｍｍであり積層方向Ｔの寸法が０．６５ｍｍである積層セラミックコンデンサであって、誘電体層１４の主成分がＢａＴｉＯ3であり、内部電極層１６がＮｉを含有し、外部電極２２が、Ｎｉを主成分とし共材がＢａＴｉＯ3であり、共材の重量％が３０重量％である導電性ペーストを積層体に塗布して共材と同時に焼結されたことによるＮｉ共焼結電極である、積層セラミックコンデンサ１０を用いた。
焼成後の外部電極折返し部の最大厚みの平均は１５μｍであるサンプルを用いて評価を行った。焼成後のｅ寸は２１０μｍのサンプルを用いた。
【００３３】
【表１】
2018067568.tif 000003
【００３４】
なお、焼成プロファイルは次のとおりである。
（１）Ｎ2雰囲気中、４００℃で１０時間脱脂処理をする。
（２）Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ混合雰囲気中において、Ｏ2分圧を１０-10ＭＰａに保ち、８００℃までを１０℃／ｍｉｎで昇温し、８００℃から１１００℃までを表１の昇温速度で昇温し、１１００℃から１２００℃までを１０℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃で５分維持した後に降温する。
【００３５】
（実験例２）
長さ方向Ｌの寸法が０．６５ｍｍであり幅方向Ｗの寸法が０．３５ｍｍであり積層方向Ｔの寸法が０．３５ｍｍである積層セラミックコンデンサであって、誘電体層１４の主成分がＢａＴｉＯ3であり、内部電極層１６がＮｉを含有し、外部電極２２が、Ｎｉを主成分とし共材がＢａＴｉＯ3であり、共材の重量％が３０重量％である導電性ペーストを積層体に塗布して共材と同時に焼結されたことによるＮｉ共焼結電極である、積層セラミックコンデンサ１０を用いた。
焼成後の外部電極折返し部の最大厚みの平均は１５μｍであるサンプルを用いて評価を行った。焼成後のｅ寸は１１０μｍのサンプルを用いた。
焼成プロファイルは、実験例１と同一とした。
【００３６】
【表２】
2018067568.tif 000004
【００３７】
（実験例３）
長さ方向Ｌの寸法が１．０５ｍｍであり幅方向Ｗの寸法が０．６５ｍｍであり積層方向Ｔの寸法が０．６５ｍｍである積層セラミックコンデンサであって、誘電体層１４の主成分がＢａＴｉＯ3であり、内部電極層１６がＮｉを含有し、外部電極２２が、Ｎｉを主成分とし共材がＢａＴｉＯ3であり、共材の重量％が３０重量％である導電性ペーストを積層体に塗布して共材と同時に焼結されたことによるＮｉ共焼結電極である、積層セラミックコンデンサ１０を用いた。
焼成後の外部電極折返し部の最大厚みの平均は１８μｍであるサンプルを用いて評価を行った。焼成後のｅ寸は２１０μｍのサンプルを用いた。
焼成プロファイルは、実験例１と同一とした。
【００３８】
【表３】
2018067568.tif 000005
【００３９】
上記の実験例１ないし実験例３の結果に基づいて、次のように評価できる。
いずれの実験においても、８００℃から１１００℃までの昇温速度を毎分１５℃以上に設定した場合には、積層セラミックコンデンサ１００個中電極ハガレが発生したものは、１つもなかった。
いずれの実験においても、８００℃から１１００℃までの昇温速度を毎分２０℃以上に設定した場合には、積層セラミックコンデンサ１００個中電極ハガレおよび電極端クラックが発生したものは、１つもなかった。
いずれの実験においても、外部電極折返し部の最大厚みは１８μｍ以下である。
いずれの実験においても、積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌの寸法は１．０５ｍｍ以下であり幅方向Ｗの寸法は０．６５ｍｍ以下であり積層方向Ｔの寸法は０．６５ｍｍ以下である。
いずれの実験においても、内部電極層はＮｉを含有する。
【００４０】
一方、８００℃から１１００℃までの昇温速度を毎分１０℃以下に設定した場合には、積層セラミックコンデンサ１００個中、電極ハガレ及び電極端クラックが発生したサンプルが複数個あった。
【００４１】
以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【００４２】
すなわち、例えば、第１の外部電極２２ａは、主面又は側面に延在せず、第１の端面１２ｅのみに配置されていてもよいし、第２の外部電極２２ｂは、主面又は側面に延在せず、第２の端面１２ｆのみに配置されていてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｃ  第１の側面
１２ｄ  第２の側面
１２ｅ  第１の端面
１２ｆ  第２の端面
１４  誘電体層
１４ａ  外層部
１４ｂ  内層部
１６  内部電極層
１６ａ  第１の内部電極層
１６ｂ  第２の内部電極層
１８ａ、１８ｂ  引出電極部
２２  外部電極
２２ａ  第１の外部電極
２２ｂ  第２の外部電極
２４ａ、２４ｂ  下地電極層
２６ａ、２６ｂ  めっき層
２８１  外部電極折返し部であって、第１の端面から第１の主面に延在している部分
２８２  外部電極折返し部であって、第１の端面から第２の主面に延在している部分
２８３  外部電極折返し部であって、第２の端面から第２の主面に延在している部分
２８４  外部電極折返し部であって、第２の端面から第１の主面に延在している部分
ｔ1    外部電極折返し部であって、第１の端面から第１の主面に延在している部分の最大厚み
ｔ2    外部電極折返し部であって、第１の端面から第２の主面に延在している部分の最大厚み
ｔ3    外部電極折返し部であって、第２の端面から第２の主面に延在している部分の最大厚み
ｔ4    外部電極折返し部であって、第２の端面から第１の主面に延在している部分の最大厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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