(57)【要約】      （修正有）【課題】高い視認性を有する表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、対向配置された一対の第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、前記表示層により形成される表示画像と独立な、前記第１基板または前記第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有する。【選択図】図１
2018022142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、前記表示層により形成される表示画像と独立な、前記第１基板または前記第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有する
表示装置。
【請求項２】
前記表示モード制御層は、前記第１電極および第２電極を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示モード制御層は、電圧の印加によって制御される、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示モード制御層は、１または複数の画素を含む画素領域ごとに制御される、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示モード制御層は、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示モード制御層は、背景から入射する光の透過率調整機能を有する、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示モード制御層は、黒と鏡、黒と透過、鏡と透過のいずれかの表示モードに切り替えられる、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１電極は、それぞれが第１の方向に延在する複数の第１サブ電極を有する、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示モード制御層は、前記第１電極および第２電極を有すると共に、前記第２電極は、それぞれが第２の方向に延在する複数の第２サブ電極を有し、前記複数の第１サブ電極および前記複数の第２サブ電極は交点を有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示モード制御層はエレクトロクロミック素子によって構成されている、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示層は液晶層によって構成されている、請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示層は発光層を含む有機層によって構成されている、請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、同一基板上に形成される第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が、１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する
表示装置。
【請求項１４】
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、背景から入射する光の透過率調整機能を有する
表示装置。
【請求項１５】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、前記表示層により形成される表示画像と独立な、前記第１基板または前記第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有する
電子機器。
【請求項１６】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、同一基板上に形成される第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が、１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する
電子機器。
【請求項１７】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、背景から入射する光の透過率調整機能を有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示モードを切り替えることが可能な表示装置およびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、鏡と表示デバイスとを組み合わせた表示装置（所謂、鏡ディスプレイ）は様々な分野で用いられており、例えば、自動車のバックミラーやインテリアディスプレイとして使用されている。このような鏡ディスプレイは、例えば人物が近付いた際に、画像と共に文字情報等を重ねて表示できる（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
このような鏡ディスプレイは、例えば、液晶等の表示デバイスの手前に鏡として機能するハーフミラーシート等を貼り合わせることによって構成されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１３８８３２号公報
【特許文献２】特開２００５−２６０５４５号公報
【特許文献３】特開２０１０−７０８８９号公報
【特許文献４】特開２００５−３３２６１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表示デバイスの手前にハーフミラーシートを配置した鏡ディスプレイでは、ハーフミラーシートの透過率の低さから輝度が低下するという問題があった。これに対して、表示デバイスとして有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）素子を用い、この有機ＥＬ素子と透明基板との間に反射膜を設けた表示装置が開示されている（例えば、特許文献４参照）。この表示装置では、輝度の低下は改善されるものの、反射膜によって形成される鏡面に映り込みが生じ、画像が見にくくなる。このように、従来の鏡ディスプレイでは十分な視認性が得られないという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い視認性を有する表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の第１の表示装置は、対向配置された一対の第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に設けられた表示層と、表示層および第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示層により形成される表示画像と独立な、第１基板または第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有するものである。
本技術の第２の表示装置は、対向配置された一対の第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に設けられた表示層と、表示層および第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、表示モード制御層は、同一基板上に形成される第１電極および第２電極を有し、第１電極および第２電極のうちの一方または両方が、１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有するものである。
本技術の第３の表示装置は、対向配置された一対の第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に設けられた表示層と、表示層および第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、背景から入射する光の透過率調整機能を有するものである。
【０００８】
本技術の第１，第２，第３の電子機器は、各々上記第１，第２，第３の表示装置を備えたものである。
【０００９】
本技術の第１，第２，第３の表示装置および電子機器では、表示層と第２基板との間に表示モード制御層を設けることにより、必要に応じて表示モードを制御できると共に、画像表示時には表示層から射出される光を取り出すことが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の第１，第２，第３の表示装置および電子機器によれば、表示層と第２基板との間に表示モード制御層を設けるようにしたので、表示モードの制御、例えば鏡表示と黒表示（画像表示）とを必要に応じて切り換えることが可能となる。また、表示モード制御層の各画素に対応する位置に開口を設けるようにしたので、表示層から射出される光の利用効率が向上する。即ち、画像の映り込みや輝度の低下が抑制された高い視認性を有する表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置における表示モード切替層の構成（開口パターン）の一例を表す平面図である。
【図３】図２に示した表示モード切替層の構成を表す断面図である。
【図４Ａ】図２に示した表示モード切替層の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図５Ａ】図４Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図２に示した表示モード切替層の表示モードを説明する断面図である。
【図６Ｂ】図２に示した表示モード切替層の表示モードを説明する断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図８】図７に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図９】表示モード切替層に印加する印加電圧の一波形例を表す図である。
【図１０】本開示の実験例１，２における反射率と電圧との関係を表す特性図である。
【図１１】本開示の表示モード切替層の開口パターンの他の例を表す平面図である。
【図１２】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の断面図である。
【図１３】図２に示した表示装置における表示モード切替層の構成を表す断面図である。
【図１４】本開示の実験例３における透過率と電圧との関係を表す特性図である。
【図１５】本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の断面図である。
【図１６】図１５に示した表示モード切替層の構成を表す断面図である。
【図１７Ａ】図１６に示した表示モード切替層の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１７Ｃ】図１７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１８Ａ】図１７Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１９】本開示の変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２０】本開示の変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１】図２１に示した表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図２２】本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２３Ａ】図２２に示した表示装置における表示モード切替層の表示モードを説明するための断面図である。
【図２３Ｂ】図２２に示した表示装置における表示モード切替層の表示モードを説明するダための断面図である。
【図２４】本開示の変形例３に係る表示モード切替層の構成を表す断面図である。
【図２５】表示モードの部分的切り替えが可能な表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図２６】本開示の変形例４に係る表示モード切替層の構成を表す平面図である。
【図２７Ａ】図２６に示した第１電極の配設の一例を表す模式図である。
【図２７Ｂ】図２６に示した第２電極の配設の一例を表す模式図である。
【図２８Ａ】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の表側の外観を表す斜視図である。
【図２８Ｂ】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の裏側の外観を表す斜視図である。
【図２９】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図３０Ａ】適用例３の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図３０Ｂ】適用例３の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３２】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図３３Ａ】適用例６の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。
【図３３Ｂ】適用例６の開いた状態の正面図および側面図である。
【図３４】適用例７の外観を表す模式図である。
【図３５Ａ】適用例８の透明ディスプレイモード時の外観を表す模式図である。
【図３５Ｂ】適用例８のディスプレイモード時の外観を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（表示層として有機層を用い、鏡表示および黒表示に切り替え可能な表示モード切替層を備えた例）
１−１．基本構成
１−２．表示装置の全体構成
１−３．製造方法
１−４．作用・効果
２．第２の実施の形態（透過表示および黒表示に切り替え可能な表示装置）
３．第３の実施の形態（透過表示および鏡表示に切り替え可能な表示装置）
４．変形例
変形例１（カラーフィルタを備えた例）
変形例２（表示層として液晶層を備えた例）
５．第４の実施の形態（表示モード切替層をＢＭ層の前面に備えた表示装置）
６．変形例
変形例３（表示モード切替層の第２電極を画素ごとに切り離して設けた例）
変形例４（表示モード切替層の第１電極および第２電極を互いに交差するように配設した例）
７．適用例（電子機器の例）
【００１３】
＜１．実施の形態＞
（１−１．基本構成）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、例えば鏡ディスプレイやモバイル機器等として用いられるものであり、基板（駆動基板１０）の上に表示領域１１０Ａが設けられている（図７参照）。この表示領域１１０Ａ内には、例えば副画素として赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂを含む複数の画素２がマトリックス状に配置されている（図２参照）。各画素２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）はそれぞれ対応する、例えば赤色の単色光を発生する赤色発光素子２０Ｒと、緑色の単色光を発生する緑色発光素子２０Ｇと、青色の単色光を発生する青色発光素子２０Ｂとを有している。発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、例えば後述する有機ＥＬ素子のほか、無機ＥＬ素子，半導体レーザ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等により構成されている。なお、図１等の各図は模式図であり、各層の膜厚等の形状は実際の形状とは必ずしも一致しない。
【００１４】
本実施の形態では、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが設けられた表示層２０を封止する駆動基板１０および対向基板４０の、対向基板４０と表示層２０との間に表示モード切替層３０が設けられている。この表示モード切替層３０は、例えば、鏡表示および黒表示の切り替え機能を有するものであり、各画素２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）にそれぞれ対応する位置に開口Ｐを有する。即ち、表示モード切替層３０は、図２に示したように各画素２の間、具体的には隔壁２２に略対向する位置に各画素２をそれぞれ囲むように格子状に配設され、この格子部分が鏡状態または黒状態（ブラックマトリックス状態）に変化する。
【００１５】
表示モード切替層３０は、上記のように、表示装置１Ａの表示モードを、例えば鏡表示（ミラーモード）および黒表示（ディスプレイモード）に切り替えるためのものである。表示モード切替層３０は、必要に応じて任意に表示モードを切り替えられるもので、例えば電圧を印加することによって光物性が可逆的に変化する材料によって構成されている。このような材料としては、例えば、酸化還元方式によって発色が変化するエレクトロクロミック（ＥＣ）材料、あるいは有機樹脂等が挙げられる。本実施の形態では、表示モード切替層３０がＥＣ材料を含むＥＣ素子３０Ａによって構成されている場合を例に挙げて説明する。
【００１６】
図３は、表示モード切替層３０の断面構成を表したものである。表示モード切替層３０は、対向基板４０上に設けられたＥＣ素子３０Ａであり、対向基板４０側から第２電極３１，ＥＣ層３２，第１電極３３の順に積層された構成を有する。
【００１７】
第２電極３１は、光透過性を有する導電材料（所謂、透明導電材料）よりなる。透明導電材料としては、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛オキシド（ＩＺＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），インジウムスズ亜鉛オキシド（ＩｎＳｎＺｎＯ（α−ＩＴＺＯ）），酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等が挙げられる。第２電極３１は、これら材料の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜として形成される。この他，カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）やグラフェン等を用いてもよい。第２電極３１の積層方向の膜厚（以下、単に厚みと言う）は、例えばＩＴＯであれば０．２〜１ｕｍである。
【００１８】
ＥＣ層３２は、上述したように電圧を印加することによって光物性が可逆的、ここでは透明および黒色に変化するＥＣ材料が用いられる。ＥＣ層３２の厚みは、表示モード切替層としての性能および表示装置１Ａの視野角依存性を考慮して、例えば０．５〜２ｕｍ程度とすることが好ましい。ＥＣ層３２の具体的な構成例としては、例えば、第２電極３１側からイオン保持層３２Ａ，イオン伝導層３２Ｂおよび発色層３２Ｃの順に積層された構成を有する（図６Ａ参照）。
【００１９】
イオン保持層３２Ａは、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ），イリジウムオキシド（α−ＩｒＯ），イリジウムスズオキシド（ＩｒＳｎＯ），酸化タングステン（ＷＯ3），ポリアニリン，銅グリッド（Ｃｕ grid）またはレドックス重合体等によって構成されている。イオン保持層３２Ａの厚みは、例えば０．１〜０．５ｕｍ程度であることが好ましい。
【００２０】
イオン伝導層３２Ｂは、例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ），ポリ２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸（Ｐｏｌｙ−ＡＭＰＳ），ポリエチレングリコールの共重合体（ａ−ＰＥＯ）またはＳｉＯ2／Metal等によって構成されている。イオン伝導層３２Ｂの厚みは、発色層３２Ｃへのイオン供給能力および表示装置１Ａの視野角依存性を考慮して、例えば０．１〜１ｕｍであることが好ましい。
【００２１】
発色層３２Ｃは、ここでは電圧の印加によって透明から黒色に変化するエレクトロクロミック材料、例えば、ＷＯ3，ビオロゲン（ＧＥＮＥＴＥＸ；商標）等によって構成されている。発色層３２Ｃの厚みとしては、例えば、０．１〜１μｍ程度であることが好ましい。これにより表示モード切替層３０は、表示装置１Ａの表示をミラーモードからディスプレイモードへ切り替える。具体的には、第１電極３３の鏡面を十分に遮蔽して、所謂ブラックマトリックス（ＢＭ）として機能するようになる。
【００２２】
第１電極３３は、本実施の形態におけるミラーモードを構成するものであり、できるだけ高い反射率を有する材料を用いることが好ましい。下部電極の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極３３の厚みは、鏡としての反射率を十分に得られる厚さであればよく、例えば０．１〜１μｍ程度であることが好ましい。
【００２３】
なお、ミラーモードを構成する第１電極３３の裏面、即ち、表示層２０側には、図３に示したように遮光膜３４を形成してもよい。遮光膜３４を形成することにより、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂから射出される光が第１電極３３によって反射されることによる副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間における混色が抑制される。遮光膜３４は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。なお、遮光膜３４は、第１電極３３の裏面を覆うことで十分効果はあるが、裏面だけでなく側面まで覆うようにすることにより、副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間における混色の発生をより低減することが可能となる。
【００２４】
なお、遮光膜３４は必ずしも必要ではなく、発光層２３Ｃとカラーフィルタ（ここでは表示モード切替層３０）とのギャップ、開口Ｐの大きさおよび開口ピッチとの関係によって多重反射の影響が他の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに影響を与えない場合には省略しても構わない。これにより、光源（ここでは発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）からの光をより有効に利用することができる。
【００２５】
また、上記遮光膜３４の代わりに第１電極３３の裏面をＡＲ（Anti Reflect）処理してもよい。これにより、遮光膜３４を形成した場合と同様に、第１電極３３の裏面に対する光の反射が低減され、副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間における混色を防止することができる。
【００２６】
このような表示モード切替層３０は、例えば次のようにして製造することができる。まず、図４Ａに示したように対向基板４０上に、例えばＩＴＯ膜を、例えばスパッタ法等の蒸着法により成膜したのち、例えばフォトリソグラフィー法を用いて所望の形状（ここでは格子状）にパターニングして第２電極３１を形成する。続いて、図４Ｂに示したように、対向基板４０および第２電極３１上にスパッタを用いてＮｉＯ膜を成膜したのち、ドライエッチングを用いてパターニングして第２電極３１上にイオン保持層３２Ａを形成する。
【００２７】
次に、図４Ｃに示したように、対向基板４０およびイオン保持層３２Ａ上に、例えばスパッタ法によりＴａ2Ｏ5膜（３２Ｂ１）を成膜したのち、このＴａ2Ｏ5膜上に、ＷＯ3膜（３２Ｃ１）を成膜する。続いて、これらＴａ2Ｏ5膜（３２Ｂ１）およびＷＯ3膜（３２Ｃ１）を、例えばＣＦ4等のガスを用いたドライエッチング法によってパターニングすることにより、イオン伝導層３２Ｂおよび発色層３２Ｃを形成する。
【００２８】
次に、図５Ａに示したように、発色層３２Ｃ上から対向基板４０にかけて、例えばスパッタ法により、例えばＡｌ膜（３３Ａ）を成膜する。続いて、図５Ｂに示したように、Ａｌ膜（３３Ａ）上に、例えばブラックマトリックス用のレジストＲを塗布したのち、露光および現像を行い所定の形状にパターニングする。最後に、図５Ｃに示したように、Ａｌ膜（３３Ａ）を、例えばＣｌ2等のガスを用いたドライエッチングを行い第１電極３３を形成することにより、表示モード切替層３０が完成する。なお、レジストＲは第１電極３３上にそのまま残すことにより遮光膜３４として用いることができる。
【００２９】
図６Ａおよび図６Ｂは、表示モード切替層３０の変化を模式的に表したものである。ＥＣ層３２（３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ）は、それぞれ、ＮｉＯ（イオン保持層２１Ａ），Ｔａ2Ｏ3（イオン伝導層３２Ｂ）およびＷＯ3（発色層３２Ｃ）によって構成されているものとする。このような構成の表示モード切替層３０では、発色層３２Ｃ中のＷＯ3は、例えば第１電極３３にプラス（＋）電圧を、第２電極３１にマイナス（−）電圧を印加した状態では図６Ａに示したように無色（ＷＯ3）の状態で存在する。このため、表示装置１Ａとしては、第１電極３３を構成する金属膜（例えばＡｌ）が視認できる状態、即ちミラーモードとなる。これに対して、各電極への印加電圧を逆、即ち第１電極３３にマイナス（−）電圧を、第２電極３１にプラス（＋）電圧を印加すると、イオン保持層３２Ａに含まれるイオン（Ｈ+）がイオン伝導層３２Ｂを介して発色層３２Ｃに供給され、発色層３２Ｃ中のＷＯ3が還元されてＨxＷＯ3となる。これにより、図６Ｂに示したように発色層３２Ｃは黒色（ＨxＷＯ3）となる。黒色に変化した表示モード切替層３０は、所謂ブラックマトリックス（ＢＭ）として機能するため、表示装置１Ａは通常の表示装置として機能するディスプレイモードとなる。即ち、表示領域１１０Ａへの対象物の映り込みのない画像表示が可能となる。
【００３０】
（１−２．表示装置の全体構成）
図７は、表示装置１Ａの全体構成を表したものである。この表示装置１Ａは、上述したように駆動基板１０の上に表示領域１１０Ａが設けられており、この表示領域１１０Ａ内にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（基板１１と反対側の面）側から出射される表示デバイス、ここでは複数の有機ＥＬ素子（赤色発光素子２０Ｒ，緑色発光素子２０Ｇ，青色発光素子２０Ｂ）が設けられた上面発光型（所謂トップエミッション型）の表示装置である。表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が配設されている。
【００３１】
表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図８は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極２１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された発光素子２０を有している。即ち、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ内にはそれぞれ、対応する発光素子（赤色発光素子２０Ｒ，緑色発光素子２０Ｇ，青色発光素子２０Ｂのいずれか）が設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
【００３２】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配設され、行方向には走査線１３０Ａが複数配設されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００３３】
発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、図１に示したように、それぞれ、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜（図示せず）が設けられた駆動基板１０の側から、陽極としての下部電極２１、隔壁２２、発光層２３Ｃを含む有機層２３、および陰極としての上部電極２４がこの順に積層されている。駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜に設けられた接続孔（図示せず）を介して下部電極２１に電気的に接続されている。
【００３４】
このような発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、平坦化層２５により被覆されている。更にこの平坦化層２５上には、例えば接着層（図示せず）を介して、上述した表示モード切替層３０が設けられた対向基板４０が、表示モード切替層３０側から張り合わされている。なお、表示モード切替層３０の開口Ｐは副画素画２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ、即ち、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上にそれぞれ設けられており、表示モード切替層３０は隔壁２２と対向する位置に設けられている。
【００３５】
下部電極２１は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。特に、下部電極２１が陽極として使われる場合には、下部電極２１は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような下部電極２１としては、例えば、積層方向の厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＷあるいはＡｇ等の金属元素の単体または合金が挙げられる。下部電極２１の表面には、ＩＴＯ等の透明導電膜が設けられていてもよい。なお、Ａｌ合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって下部電極２１として使用することが可能である。
【００３６】
隔壁２２は、下部電極２１と上部電極２４との絶縁性を確保すると共に発光領域を所望の形状にするためのものである。更に、後述する製造工程において、例えばインクジェットまたはノズルコート方式による塗布を行う際の仕切りとしての機能も有している。隔壁２２は、例えば、ＳｉＯ2等の無機絶縁材料よりなる下部隔壁に、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール，ポジ型感光性ポリイミド等の感光性樹脂よりなる上部隔壁が形成された構成を有する。隔壁２２には、発光領域に対応する開口が設けられている。なお、有機層２３ないし上部電極２４は、開口だけでなく隔壁２２の上にも設けられていてもよいが、発光が生じるのは隔壁２２の開口だけである。
【００３７】
有機層２３は、例えば、下部電極２１の側から順に、正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃ，電子輸送層２３Ｄおよび電子注入層２３Ｅを積層した構成を有する。これらのうち発光層２３Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。有機層２３は、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層２３Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層２３Ｂは、発光層２３Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層２３Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層２３Ｄは、発光層２３Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層２３Ｅは、電子注入効率を高めるためのものである。
【００３８】
発光素子２０Ｒの正孔注入層２３Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、例えばヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。発光素子２０Ｒの正孔輸送層２３Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。発光素子２０Ｒの発光層２３Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。発光素子２０Ｒの電子輸送層２３Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。発光素子２０Ｒの電子注入層２３Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ2Ｏ等により構成されている。
【００３９】
上部電極２４は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、Ａｌ，マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるＭｇとＡｇとの比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、上部電極２４の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。
【００４０】
上部電極２４は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねていてもよい。上部電極２４が半透過性反射層としての機能を備えている場合には、発光素子２０Ｒは共振器構造を有し、この共振器構造により発光層２３Ｃで発生した光を下部電極２１と上部電極２４との間で共振させるようになっている。この共振器構造は、下部電極２１と有機層２３との界面を反射面、中間層（図示せず）と電子注入層２３Ｅとの界面を半透過反射面とし、有機層２３を共振部として、発光層２３Ｃで発生した光を共振させて半透過反射面の側から取り出すものである。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層２３Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、半透過反射面の側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることができる。即ち、正面方向における光射出強度を高め、発光の色純度を向上させることができる。
【００４１】
平坦化層２５は、窒化ケイ素（ＳｉＮx），酸化ケイ素（ＳｉＯx）または金属酸化物等により構成されている。接着層は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００４２】
対向基板４０は、接着層と共に、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを封止するものである。対向基板４０は、本実施の形態のように、光を対向基板４０側から取り出すトップエミッション型では、各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂから射出された光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。本実施の形態では、対向基板４０には上述した表示モード切替層３０が設けられている。なお、光を駆動基板１０側から取り出す下面発光型（所謂、ボトムエミッション型）では、対向基板４０の可視光に対する透過性は問わない。
【００４３】
（１−３．製造方法）
この表示装置１Ａは、例えば以下のようにして製造することができる。まず、ガラス等の基板上に画素駆動回１４０，信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等を配設して駆動基板１０を形成する。次いで、例えばスパッタ法により、例えばＡｌ合金等の金属膜を成膜したのち、ウエットエッチング等により金属膜を選択的に除去して発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに分離された下部電極２１を形成する。次に、駆動基板１０の全面にわたり感光性樹脂を塗布したのち、フォトリソグラフィ法を用いて発光領域に対応する開口部を設け、焼成することにより隔壁２２を形成する。
【００４４】
続いて、例えばスピンコート法や液滴法等の塗布法により、下部電極２１および隔壁２２上に上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層２３Ａおよび正孔輸送層２３Ｂを成膜する。次に、スピンコート法やインクジェット方式等の液滴吐出法等によってそれぞれ対応する位置に赤色発光層２３ＣＲ，緑色発光層２３ＣＧおよび青色発光層２３ＣＢを形成する。続いて、例えばスピンコート法や液滴法等の塗布法により、正孔輸送層２３Ｂおよび各発光層２３Ｃ上に上述した厚みおよび材料よりなる電子輸送層２３Ｄおよび電子注入層２３Ｅを成膜する。次に、例えば蒸着法により電子注入層２３Ｅ上の全面に例えばＩＴＯ膜を成膜し、上部電極２４とする。これにより、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成される。
【００４５】
続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上に上述した材料よりなる平坦化層２５を形成する。次に、平坦化層２５上に、接着層を介して、表示モード切替層３０を配設した対向基板４０を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置１Ａが完成する。
【００４６】
この表示装置１Ａでは、各画素２に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、例えば、下部電極２１と上部電極２４との間で多重反射し、または、下部電極２１における反射光と発光層２３Ｃで発生した光とが干渉により強め合い、上部電極２４および対向基板４０を透過して取り出される。
【００４７】
（１−４．作用・効果）
鏡ディスプレイとしては、表示デバイスの手前、具体的には、例えば、本実施の形態における対向基板４０等のガラス基板の前面（表示面側）にハーフミラーシートを配置した構成が考えられる。しかしながら、ハーフミラーシートは反射率が低く、鏡としての十分な機能は得られない。また、表示面の全面に配置しているため、表示された画像はハーフミラーシートによって遮蔽されて不鮮明になると共に、輝度が低下するという問題が考えられる。この輝度の低下は発光素子の発光強度を向上させることによって改善されるが、消費電力が増大するという問題が生じる。
【００４８】
一方、表示デバイスの内部、例えばガラス基板と、このガラス基板上に設けられたカラーフィルタおよびブラックマトリックスを有する層との間に反射率の高い金属膜をガラス基板の全面に配置する構成の表示装置が考えられる。しかしながら、このような表示装置では、表示面（表示領域）が常に鏡状態であるため鏡への映り込みが生じ、画像が見にくくなるという問題が考えられる。
【００４９】
これに対して本実施の形態では、表示層２０と対向基板４０との間に、ＥＣ素子３０Ａによって構成されると共に、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上に開口Ｐを有する表示モード切替層３０が設けられている。ＥＣ素子３０Ａは、透明導電材料によって形成された第２電極３１とＡｌ等の反射率の高い金属材料によって形成された第１電極３３との間に、電圧の印加によって透明および黒色に可逆的に発色するＥＣ材料を含むＥＣ層３２が封止された構成を有する。なお、表示モード切替層３０の各層３１，３２，３３は、表示面側、即ち対向基板４０側から第２電極３１，ＥＣ層３２および第１電極３３の順に積層されている。これにより、ＥＣ層３２が透明状態の場合には、表示装置１Ａの表示モードは、反射率の高い金属材料によって形成された第１電極３３が透けて見える、所謂鏡表示（ミラーモード）となる。一方、ＥＣ層３２が黒色を呈している場合には、第１電極３３はＥＣ材料によって遮蔽された状態となる。このとき、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが駆動して表示面に画像を表示している場合には、ＥＣ層３２は一般的な表示装置に設けられているＢＭとして機能するため、映り込みのない画像表示（ディスプレイモード）が可能となる。
【００５０】
表１は、表示モード切替層３０および発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂをそれぞれオン状態およびオフ状態とした際の表示装置１Ａの表示モードをまとめたものである。本実施の形態の表示装置１Ａは、鏡として機能するミラーモード、一般的な表示装置として機能するディスプレイモードおよびミラーモードとディスプレイモードとを組み合わせた、即ち鏡像と表示画像とを重ねて使用することができる３つのモードを使い分けることが可能となる。このような表示モードの切り替えは、例えばリモートコントローラ等からの入力信号をトリガとしてソフト的に自動で行うことができる。
【００５１】
【表１】
2018022142.tif 000003
【００５２】
図９は、表示モード切替層３０を駆動する際の一波形例を表したものである。表示装置１Ａを鏡ディスプレイとして用いる場合には、素早いミラーモードとディプレイモードとの切り替えが求められる。これを実現するためには、まず、例えば１〜１０Ｖ程度の高い電圧（第２電極３１にプラス（＋）電圧、第１電極３３にマイナス（−）電圧）を、例えば１〜２０秒程度印加する。これにより、発色層３２Ｃ中の、例えばＷＯ3はＨＷＯ3に還元され黒色を呈し、表示装置１Ａはミラーモードからディスプレイモードへ切り替わる。ディスプレイモードへ切り替わった後は、ＥＣ層３２の黒色表示を維持するために、定期的（例えば１０秒以下程度の間隔）に例えば１〜５Ｖ程度の低い電圧を印加すればよい。ディスプレイモードからミラーモードへ切り替える場合には、上記電圧とは逆の電圧（第２電極３１にマイナス（−）電圧、第１電極３３にプラス（＋）電圧）を、例えば１０秒程度印加すればよい。これにより、発色層３２Ｃ中のＨＷＯ3はＷＯ3に酸化されて無色（透明）となり第１電極３３の鏡面が視認できるようになる。
【００５３】
なお、ディスプレイモードから切り替えたミラーモードは電圧を印加することなく維持される。また、上記した電圧値は一例であり、デバイス構造によって適宜変化する。更に、応答速度も表示パネルの大きさによって変化する。
【００５４】
図１０は、表示モード切替層３０の発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上に開口Ｐを形成しない場合（開口無；実験例１）および開口Ｐを形成した場合（開口有；実験例２）における表示面の反射率の変化を表したものである。実験例２は、開口Ｐを設けない実験例１よりも開口Ｐを設けることによってミラーモードにおける表示面の最高反射率は低い（６０％程度）が、発光素子２０の発光光を開口Ｐから取り出すことができる。従って、実験例１よりも劣化のない、より鮮明な画像を表示することができる。また、実験例１，２共に、表示モード切替層３０（開口有）や後述する表示モード切替層９０（開口無）は、印加電圧の大きさによって反射率を調整できる反射率調整機能を有することがわかる。
【００５５】
以上のことから、本実施の形態における表示装置１Ａでは、表示層２０と対向基板４０との間に表示モード切替層３０を設けるようにした。この表示モード切替層３０は、光物性が可逆的に変化する材料を用いて構成されているため、表示装置１Ａを必要に応じて任意に、鏡として十分な機能を有するミラーモードおよび画像の映り込みのないディスプレイモードに切り替えることが可能となる。また、表示モード切替層３０に発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応する位置に開口Ｐを設けるようにしたので、輝度の低下が抑制されると共に、精細且つ鮮明な画像の表示が可能となる。即ち、高い視認性を有する表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。
【００５６】
なお、本実施の形態では表示モード切替層３０を副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに開口を有する格子状にパターニング（格子パターン）したが、これに限らない。例えば、開口ピッチや各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂからの発光光の周波数によってモアレが生じる場合には、例えば図１１に示したように、格子パターンを隣り合う２つの副画素（例えば、赤色画素２Ｒおよび緑色画素２Ｇ、緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂ等）ごとに開口Ｐを設けるようにしてもよい。
【００５７】
また、本実施の形態では発光素子としてそれぞれ赤色発光光、緑色発光光または青色発光光を射出する発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成するようにしたので、色域の広い表示装置を構成することができる。また、カラーフィルタが不要であるため、より高い輝度が得られる。
【００５８】
以下、第２〜４の実施の形態および変形例１〜４について説明する。上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５９】
＜２．第２の実施の形態＞
図１２は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置１Ｂの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは、上記第１の実施の形態と同様に表示層２０と対向基板４０との間に表示モード切替層５０が設けられている。但し、本実施の形態では、表示モード切替層５０は透過表示（透明ディスプレイモード）および黒表示（ディスプレイモード）に切り替えられるものであり、この点が上記実施の形態とは異なる。
【００６０】
表示モード切替層５０は、上記のように、表示装置１Ｂの表示モードを透明ディスプレイモードおよびディスプレイモードに切り替えるものであり、図１３に示したように、上記第１の実施の形態と同様の積層構造を有するＥＣ素子５０Ａによって構成されている。但し、本実施の形態では第１電極５３は、第２電極５１と同様に透明導電材料によって形成されている。具体的には、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ（α−ＩＴＺＯ），ＺｎＯとＡｌとの合金等が挙げられ、これら導電材料の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜によって構成されている。この他，ＣＮＴやグラフェン等を用いてもよい。なお、ＥＣ層５２は第１の実施の形態と同様の構成および材料を用いて形成することができる。
【００６１】
図１４は、本実施の形態の表示モード切替層５０（実験例３）の各電圧における光吸収特性（透過率）を表したものである。図１４から印加電圧の大きさを変えることによってＥＣ層の透過率が変化することがわかる。即ち、例えば図９に示したように第１電極５３および第２電極５１にそれぞれマイナス（−）電圧またはプラス（＋）電圧を印加することによって透明ディスプレイモードおよびディスプレイモード（不透明ディスプレイモード）への切り替えが可能であることがわかる。
【００６２】
以上のように本実施の形態では、表示モード切替層５０の第１電極５３および第２電極５１を共に透明導電材料を用いて形成するようにしたので、表示装置１Ｂの表示モードを必要に応じて透明ディスプレイモードおよびディスプレイモードに切り替えることが可能となる。
【００６３】
また、図１４からわかるように表示モード切替層５０は第１電極５３および第２電極５１への印加電圧を変化させることによって表示モード切替層５０の透過率を調整することができる。即ち、利用環境に適した透過率に調整することができる、多段階あるいは無段階に透過率を調整可能な調光機能（透過率調整機能）を有する表示装置を提供することができる。
＜３．第３の実施の形態＞
図１５は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置１Ｃの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃは、上記第１，第２の実施の形態と同様に表示層２０と対向基板４０との間に表示モード切替層６０が設けられている。但し、本実施の形態では、表示モード切替層６０は鏡表示（ミラーモード）と黒表示（ディスプレイモード）とに切り替えられるものであり、この点が上記実施の形態とは異なる。
【００６４】
表示モード切替層６０は、上記のように、表示装置１Ｃの表示モードを、ミラーモードとディスプレイモードとに切り替えるものであり、図１６に示したように、第１電極６３および第２電極６１の間にＥＣ層６２が設けられた構成を有する。但し、本実施の形態ではＥＣ素子６０Ａは、第２電極６１がイットリウムやランタン等の希土類金属またはＭｇ−Ｎｉ合金等の水素を吸蔵することによって金属光沢から透明に変化する材料によって構成されている。
【００６５】
図１７Ａ〜図１８Ｃは表示モード切替層６０の製造工程の一例を表したものである。まず、図１７Ａに示したように、対向基板４０上に、例えばＭｇ−Ｎｉ合金膜を、例えばスパッタ法等の蒸着法により、例えば４０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みに成膜する。ＭｇおよびＮｉはそれぞれ別々のターゲットを用いてもよいし、Ｍｇ−Ｎｉ合金ターゲットを用いても構わない。続いて、Ｐｄ膜を同様の方法を用いて、例えば１ｎｍ〜６ｎｍの厚みに成膜する。次に、Ｐｄ膜上にフォトレジストをスピンコータやロールコータ等を用いて塗布およびベークしたのち、ガラスマスクを用いて露光を行いフォトレジストをパターニングする。続いて、ＣＦ4等のガスを用いたドライエッチング法によってＭｇ−Ｎｉ膜およびＰｄ膜をパターニングしたのち、例えば灰化処理を行うことによりレジストを除去して第２電極６１および触媒層６５を形成する。
【００６６】
次に、図１７Ｂに示したように、対向基板４０および触媒層６５上に、例えばスパッタ法によりＴａ2Ｏ5膜（６６Ａ）を、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みに成膜したのち、このＴａ2Ｏ5膜上に、水素を加えながらＷＯ3膜（６７Ａ）を、例えば１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚みに成膜する。続いて、図１７Ｃに示したように、これらＴａ2Ｏ5膜（６６Ａ）およびＷＯ3膜（６７Ａ）を、例えばＣＦ4等のガスを用いたドライエッチング法によってパターニングすることにより、イオン伝導層６６およびイオン貯蔵層６７を形成する。
【００６７】
次に、図１８Ａに示したように、イオン貯蔵層６７から対向基板４０にかけて、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯ膜６３Ａを５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みに成膜したのち、このＩＴＯ膜６３Ａ上にブラックマトリックス用のレジストＲを塗布する。続いて、図１８Ｂに示したように、レジストＲを露光および現像を行い所定の形状にパターニングする。最後に、図１８Ｃに示したように、ＩＴＯ膜６３Ａを、例えばＣＦ4等のガスを用いたドライエッチングを行い第１電極６３を形成することにより、表示モード切替層６０が完成する。なお、レジストＲは第１電極６３上にそのまま残すことにより遮光膜６４として用いることができる。この遮光膜６４は、上記実施の形態と同様に発光層２３Ｃから射出される光の反射を抑えると共に、第２電極６１が透明な状態、即ち表示装置１Ｃがディスプレイモードのときに黒色を表現するものである。なお、表２は本実施の形態における表示装置１Ｃの表示モード切替層６０および発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂをそれぞれオン状態およびオフ状態とした際の表示モードをまとめたものである。
【００６８】
【表２】
2018022142.tif 000004
【００６９】
以上のように本実施の形態では、表示モード切替層６０の第２電極６１を金属光沢から透明に可逆的に変化する材料を用いて形成するようにしたので、表示装置１Ｃを必要に応じてミラーモードとディスプレイモードとに切り替えることが可能となる。
【００７０】
＜４．変形例＞
（変形例１）
図１９は、本開示の第１〜第３の実施の形態の変形例に係る表示装置１Ｄの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｄは、上記第１の実施の形態等と同様に表示層２０と対向基板４０との間に表示モード切替層７０が設けられている。但し、本変形例では、各副画素２Ｒ，２Ｇ、２Ｂに設けられた発光素子は白色光を発する白色発光素子２０Ｗであり、表示モード切替層７０に設けられている開口Ｐにはそれぞれ対応するカラーフィルタ７５（７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂ）が配設されている。
【００７１】
発光素子２０Ｗは、上記発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂと同様の積層構造によって形成できるがこれに限らない。例えば、所謂スタック構造、具体的には、上記積層構造上に電荷発生層（図示せず）を形成し、この電荷発生層上に、正孔注入層２３Ａ'、正孔輸送層２３Ｂ'、発光層２３Ｃ'、電子輸送層２３Ｄ'および電子注入層２３Ｅ'を積層した構成としてもよい。なお、電荷発生層上の正孔注入層２３Ａ'，正孔輸送層２３Ｂ'，電子輸送層２３Ｄ'および電子注入層２３Ｅ'は電荷発生層の下層に設けられた各層と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料によって形成してもよい。また、発光層２３Ｃ，２３Ｃ'は必ずしも単層ではなく、異なる色光を発する発光層を２層以上積層させてもよい。具体的には、例えば発光層２３Ｃを青色発光層、発光層２３Ｃ'を黄色発光層としてもよい。あるいは発光層２３Ｃを青色発光層、発光層２３Ｃ'を赤色発光層と緑色発光層との２層構造としてもよい。
【００７２】
表示モード切替層７０は、上記第１〜第３の実施の形態と同様にＥＣ素子３０Ａ，５０Ａ，６０Ａを用いて構成することができる。但し、上記実施の形態において用いたＥＣ材料のように酸化還元反応によって光物性が変化する材料は水分によってその性能が低下する。このため、表示モード切替層７０とカラーフィルタ７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂとの間には、それぞれ保護膜７６を設けることが好ましい。
【００７３】
保護膜７６の材料としては、例えばＳｉＮｘ，ＳｉＯ2等が挙げられる。この保護膜は、例えば、スパッタやＣＶＤ等を用いて形成される。具体的には、例えば図５Ｃに示したように第１電極３３を形成し、レジストＲを除去したのち、再度表示モード切替層３０（ここでは７０）の間にレジストを塗布する。この後、露光および現像を行い、所定の形状にパターニングする。
【００７４】
本変形例における表示装置１Ｄでは、発光素子として副各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに白色発光素子２０Ｗを形成し、表示モード切替層７０の開口Ｐに各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応するカラーフィルタ７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂを配設するようにした。これにより、上記第１の実施の形態の効果に加えて、以下の効果を奏する。
【００７５】
まず、各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて共通の構成を有する発光素子（白色発光素子２０Ｗ）を設けるようにしたので、各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応する発光層の塗り分け工程が省略される。これにより、製造工程を簡略化することができると共に、表示パネルを大型化することが可能となる。また、白色光を用いることにより高い輝度を有する表示装置を提供することができる。
【００７６】
更に、カラーフィルタ７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂを配設するようにしたので、高精細な表示装置１Ｄを構成することが可能となる。
【００７７】
（変形例２）
図２０は、本開示の第１〜第３の実施の形態および変形例１，２に係る表示装置１Ｅの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｅは表示層８０に液晶層８４を含む液晶素子を用いた点が上記第１〜第３の実施の形態および変形例１，２とは異なる。なお、本変形例における表示モード切替層７０は表示層８０と対向基板４０との間に配設され、上記変形例１と同様に開口Ｐに各色のカラーフィルタ７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂのいずれかが設けられている。
【００７８】
図２１は、表示装置１Ｅの全体構成を表したものである。この表示装置１Ｅは、例えば液晶表示パネル２１０、バックライト２６５、バックライト駆動部２６３およびタイミング制御部２６４等を備え、外部から入力される映像信号Ｄinに基づいて映像表示を行うものである。液晶表示パネル２１０には、例えば、有効画素領域としての表示領域２１０Ａと、表示領域２１０Ａを表示駆動するための周辺回路部（信号線駆動回路２６１および走査線駆動回路２６２）が形成されている。表示領域２１０Ａには、上記表示装置１Ａと同様に例えばマトリックス状に複数の画素２（例えば２Ｒ（赤），２Ｇ（緑），２Ｂ（青）の副画素）が配置されている。信号線駆動回路２６１および走査線駆動回路２６２等を含む周辺回路部は、後述の駆動基板１０の表示領域２１０Ａの周辺部（周辺領域２１０Ｂ）に形成されている。
【００７９】
タイミング制御部２６４は、信号線駆動回路２６１、走査線駆動回路２６２およびバックライト駆動部２６３の駆動タイミングを制御すると共に、映像信号Ｄinを信号線駆動回路２６１へ供給するものである。走査線駆動回路２６２は、タイミング制御部２６４によるタイミング制御に従って、各画素を線順次駆動するものである。信号線駆動回路６１は、各画素へそれぞれ、タイミング制御部２６４から供給される映像信号Ｄinに基づく映像電圧を供給するものである。具体的には、映像信号Ｄinに対してＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換を施すことにより、アナログ信号である映像信号を生成し、各画素へ出力する。
【００８０】
バックライト２６５は、液晶表示パネル２１０へ向けて光を照射する光源であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp）等を複数含むものである。このバックライト２６５は、バックライト駆動部２６３によって駆動され、点灯状態および消灯状態が制御されるようになっている。
【００８１】
表示装置１Ｅは、対向配置された駆動基板１０と対向基板４０との間に、液晶層８４が封止されたものである。駆動基板１０の表示領域２１０Ａには、複数の画素電極８１が例えば２次元アレイ状に設けられている。対向基板４０の画素電極８１との対向面には、対向電極８６が設けられている。駆動基板１０の液晶層８４側の面には、配向膜８３が形成されており、対向基板４０の液晶層８４側の面（対向電極８６の表面）には、配向膜８５が形成されている。
【００８２】
なお、図示はしないが、画素電極８１の駆動基板１０側および対向電極８６の対向基板４０側にはそれぞれ、偏光板が形成されている。また、液晶表示パネル２１０の周縁部にはシール層が形成されており、このシール層により液晶層８４が駆動基板１０および対向基板４０間に封止されている。このように偏光板が液晶パネルの中に配置されている場合には、本変形例のような表示モード切替層７０の構成、即ち表示モードの切り替えを行う例えばＥＣ素子７０Ａとカラーフィルタ７５とを同層に配設された構成をとることができる。
【００８３】
駆動基板１０は、例えばガラス基板よりなり、例えば矩形状の面形状（表示画面に平行な面形状）を有する。この駆動基板１０には、表示領域２１０Ａおよび、その周辺領域２１０Ｂに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）、保持容量素子（図示せず）および配線等が配設されている。表示領域２１０Ａでは、各画素電極８１が上記ＴＦＴに接続されており、このＴＦＴを介して画素電極８１に映像信号Ｄinに対応する映像電圧が供給されるようになっている。
【００８４】
画素電極８１は、画素毎に設けられ、例えば、透明導電材料よりなる。透明導電材料としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、あるいはＩＧＺＯ（インジウム，ガリウム，亜鉛含有酸化物）と呼ばれる酸化物半導体が用いられる。
【００８５】
対向基板４０は、例えばガラス基板よりなる。この対向基板４０には、開口Ｐにカラーフィルタ７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂを有する表示モード切替層７０が設けられ、これらが例えばオーバーコート膜によって覆われている。このオーバーコート膜上に対向電極８６が設けられている。
【００８６】
対向電極８６は、例えば各画素２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）に共通の電極となっており、画素電極８１と共に液晶層８４へ映像電圧を供給するものである。この対向電極８６は、上記画素電極８１と同様、例えば上述したような透明導電材料によって構成されている。
【００８７】
液晶層８４は、画素電極８１および対向電極８６を通じて供給される電圧に応じて、そこを透過する光の透過率を制御する機能を有する。この液晶層８４には、例えばＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically controlled birefringence）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＩＰＳ（In Plane Switching）モード等により表示駆動される液晶を含むものである。このように液晶層８４の液晶材料は特に限定されないが、後述の配向膜８３，８５のように無機配向膜を用いて配向制御が行われる場合に特に有効である。
【００８８】
配向膜８３，８５は、液晶層８４の配向制御を行うためのものであり、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の無機配向膜よりなる。配向膜８３，８５の厚みは、例えば１２０
ｎｍ〜３６０ｎｍ程度である。これらの配向膜８３，８５はそれぞれ、例えば蒸着法により成膜されるものである。
【００８９】
保護膜８２は、画素電極８１の腐食を抑制するために形成されるものである。この保護膜８２は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）あるいはシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の、配向膜８３よりも化学的に安定な無機膜であり、厚みは例えば３０ｎｍ〜７０ｎｍである。この保護膜８２は、少なくとも表示領域２１０Ａを覆って形成されており、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Depositiオン：化学気相成長）法あるいはスパッタ法等の、蒸着法よりも化学的に安定な手法により成膜されたものである。ここで、配向膜８３は、上記のように蒸着法により成膜された無機膜であることから、膜中に欠陥（未結合手、空孔）等を生じ易く、またＳｉとＯの組成比も一定ではない場合が多い。このため、配向膜８３は化学的に活性となり易く、配向膜８３と画素電極８１とが接触する場合には、配向膜８３（例えばＳｉＯ2）の還元等によって画素電極８１（例えばＩＴＯ）が腐食してしまう。このような配向膜８３と画素電極８１との間に、配向膜８３よりも化学的な安定な保護膜８２が形成されることにより、上記のような画素電極８１の腐食が抑制される。
【００９０】
以上のように本開示の表示装置１Ｅの表示デバイスは、上記発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｇとして説明した有機ＥＬ素子以外に液晶素子を用いることができる。なお、本変形例では表示モード切替層として上記変形例１において説明した表示モード切替層７０を用いたが、これに限らない。例えば、表示モード切替層７０を構成するＥＣ素子は、上記第１〜第３の実施の形態において説明したＥＣ素子３０Ａ（鏡表示と黒表示），ＥＣ素子５０Ａ（透過表示と黒表示），ＥＣ素子６０Ａ（鏡表示と透過表示）を適用することができる。
【００９１】
また、本変形例の表示装置１Ｅの光源としてバックライト２６５を用いたが、例えば表示装置１Ｅを透明ディスプレイとして構成する場合には、エッジライトとしてもよい。あるいは、省略しても構わない。
【００９２】
＜５．第４の実施の形態＞
図２２は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置１Ｆの断面構成を表したものである。この表示装置１Ｆは、上記変形例２と同様に表示層８０は液晶層８４を含む液晶素子によって構成されている。本実施の形態では、表示層８０上にはカラーフィルタ層８７（８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂ）が設けられており、このカラーフィルタ層８７を介して表示層８０と対向基板４０との間に表示モード切替層９０が配設されている。
【００９３】
表示モード切替層９０は、例えば対向基板４０側に設けられており、この対向基板４０の全面に一様に形成されている。この表示モード切替層９０は、上述した酸化還元方式のＥＣ素子（３０Ａ，５０Ａ，６０Ａ）の他に、電気泳動法式のＥＣ素子（１００Ａ）を用いることができる。本実施の形態では、表示モード切替層９０がこの電気泳動法式のＥＣ素子１００Ａによって構成されている場合を例に挙げて説明する。
【００９４】
図２３Ａおよび図２３Ｂは、表示モード切替層９０の電圧印加前（図２３Ａ）および電圧印加後（図２３Ｂ）の変化を模式的に表したものである。ＥＣ層９２は電気泳動層であり、例えばＡｇおよびＣｕを電離させたゲル状溶液（例えば、ジメチルスルホキシドにポリビニルブチラールを溶解したもの）を第１電極９３と第２電極９１との間に充填することにより形成される。このような構成の表示モード切替層９０では、例えば第２電極９１に負の電圧（例えば１．５〜４Ｖ程度）を印加することによって、図２３Ｂに示したように第２電極９１側に、例えばＡｇイオンがＡｇとして析出して金属膜９２Ａが形成される。これにより、表示モードがミラーモードに切り替わる。これに対して、第２電極９１側に正の電圧（例えば０．５〜１Ｖ程度）を印加することによって金属膜９２Ａを形成していたＡｇがイオン化して表示モードが切り替わる。このとき、第１電極９３をＩＴＯ等の光透過性を有する導電材料を用いて形成している場合には透明ディスプレイモードとなる。また、上記カラーフィルタ層８７の各カラーフィルタ８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂの間にそれぞれブラックマトリックス層を設けた場合には、通常のディスプレイモードとなる。
【００９５】
なお、本実施の形態では表示デバイスとして液晶素子を用いたが、上記第１〜第３の実施の形態および変形例１，２の表示装置１Ａ〜１Ｅで用いた有機ＥＬ素子（発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｇ）を用いてもよい。あるいは、無機ＥＬ素子，半導体レーザ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等により構成してもよい。
【００９６】
＜６．変形例＞
（変形例３）
図２４は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置１Ｆを構成する表示モード切替層９０の断面構成の他の例を表したもの（表示モード切替層９０Ａ）である。この表示モード切替層９０Ａは第２電極９１を各画素２を構成する副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに分割、即ち格子状マトリックスにパターン形成した点が上記第４の実施の形態とは異なる。このように第２電極９１を副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに形成することにより、表示装置１Ｆの表示領域２１０Ａを各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに表示モードの切り替えが可能となる。
【００９７】
なお、このような表示領域の部分的な表示モードの切り替えは上記第４の実施の形態および変形例３に示した表示装置１Ｆだけでなく、上記第１〜第３の実施の形態および変形例１〜３における表示装置１Ａ〜１Ｅにも適用できる。
【００９８】
図２５は、表示装置１Ａ〜１Ｅの各駆動回路１２０，１３０および各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが設けられた駆動基板１０および表示モード切替層３０（，５０，６０，７０）の全体構成を模式的に表したものである。表示モード切替層３０（，５０，６０，７０）は、列方向および行方向にそれぞれ複数の制御線１５０Ａおよび制御線１６０Ａが配設されている。制御線１５０Ａと制御線１６０Ａとは赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂのいずれか１つ、あるいは表示領域１１０Ａ内の所定の位置において交差している。各制御線１５０Ａおよび制御線１６０Ａはそれぞれ切替制御回路１５０，１６０に接続されている。切替制御回路１５０，１６０には、駆動基板１０上の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０に供給される画像信号と共に、タイミング制御部１６４から表示モード切替層３０（，５０，６０，７０）の表示モードの切り替えを制御する制御信号が供給されるようになっている。これにより、例えば図２５に示したように、表示モード切替層３０（，５０，６０，７０）の所定の領域をミラーモードとディスプレイモード（あるいは、ディスプレイモードと透明ディスプレイモード、ミラーモードと透明ディスプレイモード）とに分割表示することができる。
【００９９】
（変形例４）
図２６は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置１Ａを構成する表示モード切替層３０の平面構成の他の例を表したもの（表示モード切替層３０Ａ）である。この表示モード切替層３０Ａは、例えば第１電極３３が列方向（Ｙ軸方向）に、第２電極が行方向（Ｘ軸方向）延在するように設けられている点が上記第１の実施の形態とは異なる。このように、第１電極３３および第２電極３１を同じパターン（例えば格子状）に形成するのではなく、第１電極３３および第２電極３１が互いに交差するように配設することにより、表示モードの切り替えを第１電極３３と第２電極３１との交点で行うことが可能となる。即ち、上記変形例３と同様に、表示装置１Ａの表示領域１１０Ａを各副画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに表示モードを切り替えることが可能となる。
【０１００】
なお、図２６のように第１電極３３および第２電極３１を単純に直線形状にパターニングした場合には交点の面積が小さく、鏡（あるいはＢＭ）としての十分な特性を得ることは難しい。このため、例えば図２７Ａおよび図２７Ｂに示したように、Ｙ軸方向に延在する第１電極３３の一部にＸ軸方向に突出する凸部３３Ａを、Ｘ軸方向に延在する第２電極３１の一部にＹ軸方向に突出する凸部３１Ａをそれぞれ形成してもよい。このとき各凸部３３Ａ，３１Ａは、第１電極３３および第２電極３１の交点に形成することが好ましい。これにより、表示モードを切り替えられる面積を大きくすることができ、鏡（あるいはＢＭ）としての十分な特性を得ることが可能となる。
【０１０１】
なお、このような表示領域の部分的な表示モードの切り替えは上記第１の実施の形態に示した表示装置１Ａだけでなく、上記第２〜第４の実施の形態および変形例１，２における表示装置１Ｂ〜１Ｅにも適用できる。
【０１０２】
＜７．適用例＞
上記第１〜第４の実施の形態および変形例１〜４において説明した表示装置１Ａ〜１Ｆは、例えば次に示したような、画像（あるいは映像）表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することもできる。
【０１０３】
（適用例１）
図２８Ａ、図２８Ｂは、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部３１０（表示装置１Ａ）および非表示部（筐体）３２０と、操作部３３０とを備えている。操作部３３０は、非表示部３２０の前面に設けられていてもよいし、上面に設けられていてもよい。
【０１０４】
（適用例２）
図２９はテレビジョン装置の外観構成を表している。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル４１０およびフィルターガラス４２０を含む映像表示画面部４００（表示装置１Ａ）を備えている。
【０１０５】
（適用例３）
図３０Ａ、３０Ｂは、デジタルスチルカメラの外観構成を表しており、それぞれ前面および後面を示している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５１０と、表示部５２０（表示装置１Ａ）と、メニュースイッチ５３０と、シャッターボタン５４０とを備えている。
【０１０６】
（適用例４）
図３１は、ノート型のパーソナルコンピュータの外観構成を表している。このパーソナルコンピュータは、例えば、本体６１０と、文字等の入力操作用のキーボード６２０と、画像を表示する表示部６３０（表示装置１Ａ）とを備えている。
【０１０７】
（適用例５）
図３２は、ビデオカメラの外観構成を表している。このビデオカメラは、例えば、本体部７１０と、その本体部７１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０と、撮影時のスタート／ストップスイッチ７３０と、表示部７４０（表示装置１Ａ）とを備えている。
【０１０８】
（適用例６）
図３３Ａ，３３Ｂは、携帯電話機の外観構成を表している。図３３Ａは、それぞれ携帯電話機を閉じた状態の正面、左側面、右側面、上面および下面を示している。図３３Ｂは、それぞれ携帯電話機を開いた状態の正面および側面を示している。この携帯電話機は、例えば、上側筐体８１０と下側筐体８２０とが連結部（ヒンジ部）８３０により連結されたものであり、ディスプレイ８４０（表示装置１Ａ〜１Ｈ）と、サブディスプレイ８５０と、ピクチャーライト８６０と、カメラ８７０とを備えている。
【０１０９】
（適用例７）
図３４は姿鏡ディスプレイの外観構成を表している。この姿鏡ディスプレイは、例えば鏡部９００と、その鏡部９００の周辺に配置された被写体の位置を把握するためのカメラ９１０と、姿鏡ディスプレイの利用環境を判定して表示画像の輝度等を調整する照度センサ９２０とを備えている。このような姿鏡ディスプレイでは、鏡部９００をミラーモードとディスプレイモードを組み合わせることで、例えば鏡部９００に映っている人物に衣服等の画像を重ねて表示することができる。
【０１１０】
なお、表示する画像位置はカメラ画像の位置からを決定される。このとき、映っている人物に自動的にフォーカスを合わせる場合には画枠に変化が生じるが、予めフォーカスのステップ値に対して鏡部９００の画枠位置を記憶させることにより解消される。また、鏡像に画像を重ねる場合には、両目視差の関係から両方に焦点を合わせることは難しい。そのため、表示画像には遠近法や運動視差等を利用するが、オートフォーカスのステップ値によって対象物までの距離を把握し、どの程度の調整を行うかを割り出すことができるようになる。このように、対象物との距離を測るために超音センサ等を配置してもよい。
【０１１１】
また、例えば鏡部９００の外周部を自動的に全白表示とすることにより照明の代わりとすることができる。これにより、暗所でも鏡として使用することができる。
【０１１２】
（適用例８）
図３５Ａ，３５Ｂは、モバイルディスプレイの外観を表している。このモバイルディスプレイは、例えば表示部１０１０（表示装置１Ｂ）および非表示部（筐体）１０２０と、操作部１０３０とを備えている。このモバイルディスプレイでは、上記第２の実施の形態の表示装置１Ｂを用いることにより、透明ディスプレイモード（図３５Ａ）およびディスプレイモード（図３５Ｂ）を切り替えることができる。また、表示部１０１０の背景を透過しつつ、画像や文字情報を表示することもできる。
【０１１３】
以上、第１〜第４の実施の形態および変形例１〜４を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記第１〜第３の実施の形態および変形例１ではトップエミッション型の表示装置を例に説明したが、これに限らず、本開示はボトムエミッション型の表示装置にも適用可能である。
【０１１４】
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。更に、上記実施の形態等において説明した各層は必ずしも全て設ける必要はなく、適宜省略してもよい。また、上記実施の形態等において説明した層以外の層を追加しても構わない。
【０１１５】
更にまた、上記実施の形態等では画素を構成する副画素を赤画素、緑画素、青画素の３種類の場合を例に説明したが、これら３種の副画素に加えて、白画素、あるいは黄画素を追加しても構わない。
【０１１６】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、前記表示層により形成される表示画像と独立な、前記第１基板または前記第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有する
表示装置。
（２）
前記表示モード制御層は、前記第１電極および第２電極を有する、前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記表示モード制御層は、電圧の印加によって制御される、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記表示モード制御層は、１または複数の画素を含む画素領域ごとに制御される、前記（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記表示モード制御層は、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する、前記（１）ないし（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
前記表示モード制御層は、背景から入射する光の透過率調整機能を有する、前記（１）ないし（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記表示モード制御層は、黒と鏡、黒と透過、鏡と透過のいずれかの表示モードに切り替えられる、前記（１）ないし（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第１電極は、それぞれが第１の方向に延在する複数の第１サブ電極を有する、前記（１）ないし（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記表示モード制御層は、前記第１電極および第２電極を有すると共に、前記第２電極は、それぞれが第２の方向に延在する複数の第２サブ電極を有し、前記複数の第１サブ電極および前記複数の第２サブ電極は交点を有する、前記（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記表示モード制御層はエレクトロクロミック素子によって構成されている、前記（１）ないし（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記表示層は液晶層によって構成されている、前記（１）ないし（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
前記表示層は発光層を含む有機層によって構成されている、前記（１）ないし（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、同一基板上に形成される第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が、１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する
表示装置。
（１４）
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、背景から入射する光の透過率調整機能を有する
表示装置。
（１５）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、前記表示層により形成される表示画像と独立な、前記第１基板または前記第２基板の外側から入射する光の反射率または透過率の調整機能を有する
電子機器。
（１６）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、同一基板上に形成される第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極および前記第２電極のうちの一方または両方が、１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、表示面側から入射する光の反射率調整機能を有する
電子機器。
（１７）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
対向配置された一対の第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた表示層と、
前記表示層および前記第２基板との間に配設された表示モード制御層とを備え、
前記表示モード制御層は、第１電極を有すると共に、前記第１電極は１または複数の画素に対応する領域に開口を有し、かつ、背景から入射する光の透過率調整機能を有する
電子機器。
【符号の説明】
【０１１７】
１Ａ〜１Ｆ…表示装置、２…画素、２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…発光素子、１０…駆動基板、２０，８０…表示層、２１…下部電極、２２…隔壁、２３…有機層、２４…上部電極、２５…平坦化層、３０，５０，６０，７０，９０…表示モード切替層。
【図１】
2018022142.tif 000005
【図２】
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【図３】
2018022142.tif 000007
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2018022142.tif 000009
【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
2018022142.tif 000011
【図５Ｂ】
2018022142.tif 000012
【図５Ｃ】
2018022142.tif 000013
【図６Ａ】
2018022142.tif 000014
【図６Ｂ】
2018022142.tif 000015
【図７】
2018022142.tif 000016
【図８】
2018022142.tif 000017
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３４】
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【図３５Ａ】
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【図３５Ｂ】
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