(57)【要約】【課題】硬化物のダイシェア強度が高く、ブリードの発生、及びワイヤー接合強度の低下を抑制し、かつ、耐リフロー性に優れるとともに、硬化物の加熱後の光学特性、及び紫外線照射後の光学特性が良好であり、電極部の汚染リスクが本質的に改良された光半導体用ダイボンド材ならびに該光半導体用ダイボンド材により素子を接着してなる光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】（Ａ）１分子中に、ケイ素原子と結合した水酸基を少なくとも１個、ケイ素原子と結合したアルコキシ基を少なくとも１個、及び炭素−炭素二重結合を少なくとも１個有し、ケイ素原子結合水素原子を有さないオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）有機過酸化物と、（Ｃ)非金属系酸触媒とを含む樹脂組成物であることを特徴とする光半導体用ダイボンド材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子中に、ケイ素原子と結合した水酸基を少なくとも１個、ケイ素原子と結合したアルコキシ基を少なくとも１個、及び炭素−炭素二重結合を少なくとも１個有し、ケイ素原子結合水素原子を有さないオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）有機過酸化物と、（Ｃ)非金属系酸触媒とを含む樹脂組成物であることを特徴とする光半導体用ダイボンド材。
【請求項２】
前記（Ｃ）成分が酸性リン酸エステル類であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体用ダイボンド材。
【請求項３】
前記（Ｃ）成分が炭素数３〜１２の炭化水素基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体用ダイボンド材。
【請求項４】
平均一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、ケイ素原子と結合した水酸基を有する（Ｄ）ナノシリカをさらに含み、前記（Ｄ）成分の配合量が、樹脂組成物全量に対し１〜５０質量部であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体用ダイボンド材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体用ダイボンド材により素子を接着してなる光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体の素子接着を目的に使用される光半導体用ダイボンド材、及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ等の光半導体素子をリードフレーム等の基板に対して接着するために、ダイボンド材が用いられてきた。ダイボンド材には、高接着性を発現するために高ガラス転移温度にしやすいエポキシ樹脂が広く用いられている。しかしながら、ダイボンド材の接着性が低い場合、ダイボンディング後の製造工程において素子の剥離が発生しやすくなり、不具合が生じる。ワイヤーボンディング時に素子の剥離が生じると、生産効率や製品歩留まりが著しく低下してしまう。また、リフロー時にチップ剥離が生じると接着界面の熱抵抗が増大し、放熱性が悪くなることからジャンクション温度の上昇につながり、素子の機能が著しく低下する上、信頼性も低下してしまう。近年、ＬＥＤ素子がますます小型化する傾向にあることから、素子の接着が困難になる傾向にあり、接着性に優れるダイボンド材が強く望まれている。
【０００３】
一方、近年のＬＥＤが高輝度化および高出力化する傾向にあることから、従来のエポキシ樹脂ダイボンド材の硬化物では、波長の短い青色光や紫外線による連続使用で変色し、十分な寿命を得ることが難しくなってきている。また、ダイボンド材の熱および紫外線に対する光学特性の維持が難しくなっているため、これらの特性に優れているシリコーン樹脂がしばしば用いられるようになってきている。しかしながら、シリコーン樹脂は主鎖となるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の分子運動が大きいため、高弾性率化することが難しく、また、接着強度が低く、これを原因とする上記問題が発生していた。
【０００４】
さらに、ＬＥＤ装置の生産性及び耐久信頼性における課題として、ダイボンド材として一般的に使用される付加型シリコーン樹脂による電極汚染の問題が発生している。これは、付加反応に使用されるヒドロシリル基を有する化合物が、ダイボンド材の硬化工程において揮発し、電極上で反応固着する問題であり、ワイヤーボンディングプロセスにおけるワイヤー不着が発生し、生産歩留まりを低下させる要因となっている。また、ワイヤーボンディング接合強度の低下の要因ともなっており、ＬＥＤ通電中のワイヤー剥離によって不灯現象を引き起こす深刻な問題となっていた。
【０００５】
これに対して、電極汚染の原因物質であるヒドロシリル基を有するアウトガスの量を低減することで電極汚染を改善する検討がなされている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−１５５９６７号公報
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法でも本質的な汚染リスクを解決するものではない。一方で、ヒドロシリル基を有さない非付加型シリコーン樹脂では、汚染のリスクは解決するが、耐熱性・耐ＵＶ性を備えながら、ダイボンド材として十分に使用可能な硬化速度と接合強度を達成することは難しかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、硬化物のダイシェア強度が高く、ブリードの発生、及びワイヤー接合強度の低下を抑制し、かつ、耐リフロー性に優れるとともに、硬化物の加熱後の光学特性、及び紫外線照射後の光学特性が良好であり、電極部の汚染リスクが本質的に改良された光半導体用ダイボンド材ならびに該光半導体用ダイボンド材により素子を接着してなる光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、下記の発明により当該課題を解決できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本願開示は、以下に関する。
［１］（Ａ）１分子中に、ケイ素原子と結合した水酸基を少なくとも１個、ケイ素原子と結合したアルコキシ基を少なくとも１個、及び炭素−炭素二重結合を少なくとも１個有し、ケイ素原子結合水素原子を有さないオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）有機過酸化物と、（Ｃ)非金属系酸触媒とを含む樹脂組成物であることを特徴とする光半導体用ダイボンド材。
［２］前記（Ｃ）成分が酸性リン酸エステル類であることを特徴とする上記［１］に記載の光半導体用ダイボンド材。
［３］前記（Ｃ）成分が炭素数３〜１２の炭化水素基を有することを特徴とする上記［１］又は［２］に記載の光半導体用ダイボンド材。
［４］平均一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、ケイ素原子と結合した水酸基を有する（Ｄ）ナノシリカをさらに含み、前記（Ｄ）成分の配合量が、樹脂組成物全量に対し１〜５０質量部であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載の光半導体用ダイボンド材。
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の光半導体用ダイボンド材により素子を接着してなる光半導体装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、硬化物のダイシェア強度が高く、ブリードの発生、及びワイヤー接合強度の低下を抑制し、かつ、耐リフロー性に優れるとともに、硬化物の加熱後の光学特性、及び紫外線照射後の光学特性が良好であり、電極部の汚染リスクが本質的に改良された光半導体用ダイボンド材ならびに該光半導体用ダイボンド材により素子を接着してなる光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を詳細に説明する。
＜光半導体用ダイボンド材＞
本発明の光半導体用ダイボンド材は、（Ａ）１分子中に、ケイ素原子と結合した水酸基を少なくとも１個、ケイ素原子と結合したアルコキシ基を少なくとも１個、及び炭素−炭素二重結合を少なくとも１個有し、ケイ素原子結合水素原子を有さないオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）有機過酸化物と、（Ｃ)非金属系酸触媒とを含む樹脂組成物であることを特徴とする。
まず、本発明の光半導体用ダイボンド材の各成分について述べる。
〔（Ａ）オルガノポリシロキサン〕
本発明で用いる（Ａ）成分は、１分子中に、ケイ素原子と結合した水酸基を少なくとも１個、ケイ素原子と結合したアルコキシ基を少なくとも１個、及び炭素−炭素二重結合を少なくとも１個有し、ケイ素原子結合水素原子を有さないオルガノポリシロキサンである。本発明の光半導体用ダイボンド材は、ケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンを含まない。これにより、電極汚染不具合のリスクを本質的に解消することができる。
【００１３】
（Ａ）成分の１分子中に含まれるケイ素原子と結合した水酸基は、少なくとも１個であり、好ましくは２個以上２０個以下、より好ましくは５個以上１０個未満である。１個未満では、縮合硬化性が不足し、ダイボンド材として実用的な硬化条件で硬化完了できない。また、２０個以下とすることで、保存安定性の低下を抑制し、スタンピング工程における粘度上昇を抑制することができる。
【００１４】
（Ａ）成分の１分子中に含まれるケイ素原子と結合したアルコキシ基は、少なくとも１個であり、好ましくは２個以上２０個以下、より好ましくは５個以上１０個未満である。１個未満では、縮合硬化性が不足し、ダイボンド材として実用的な硬化条件で硬化完了できない。また、２０個以下とすることで、保存安定性の低下を抑制し、スタンピング工程における粘度上昇を抑制することができる。
【００１５】
ケイ素原子と結合したアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。これらの基は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。硬化速度の観点から、メトキシ基、エトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
【００１６】
（Ａ）成分の１分子中に含まれる炭素−炭素二重結合は、少なくとも１個であり、好ましくは２個以上１０個以下、より好ましくは２個以上５個未満である。１個未満では、ラジカル硬化性が不足し、ブリードの発生やフィレット形状が著しく悪化し、接合信頼性が低下する。また、１０個以下とすることにより、熱による黄変を抑制することができる。
【００１７】
炭素−炭素二重結合としては、具体的には、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、オクテニル基、デセニル基、アクリロキシプロピル基、メタクリロキシプロピル基、シクロヘキセニル基、ｐ−スチリル基などが挙げられる。中でも、耐熱変色性及び耐ＵＶ変色性の観点から、好ましくはビニル基、アクリロキシプロピル基、メタクリロキシプロピル基であり、さらに硬化速度の観点から、メタクリロキシプロピル基がより好ましい。
【００１８】
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの分子量は、好ましくは５００〜１，０００，０００であり、より好ましくは２，０００〜５００，０００である。
【００１９】
［（Ａ）成分の製造方法］
（Ａ）成分の製造方法は特に限定されるものではないが、反応制御の容易性や原料調達の容易の観点から、アルコキシシランの縮重合法が好ましい。また、（Ａ）成分中の炭素−炭素二重結合の導入方法としては、例えば、上記縮重合法において、炭素−炭素二重結合基を有するアルコキシシランを用いる方法が挙げられる。
【００２０】
（Ａ）成分は、例えばアルコキシシランと水と縮重合触媒とからなる混合物を有機溶媒中で加水分解及び縮重合させ、アルコール及びオルガノポリシロキサンを生成する第１工程と、前記第１工程で得られた生成物から、前記アルコールを除去してオルガノポリシロキサンを得る第２工程とを有する製造方法により製造することができる。
【００２１】
上記の製造方法は、第２工程の後に、前記オルガノポリシロキサンと水とを混合後、分液して有機層を回収することにより、前記オルガノポリシロキサンを洗浄する第３工程を更に有していてもよい。
【００２２】
（第１工程）
第１工程では、アルコキシシランと水と縮重合触媒とからなる混合物を有機溶媒中で加水分解及び縮重合させる。
アルコキシシランとしては、炭素−炭素二重結合を有すれば特に限定されず、例えば、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン等が挙げられ、中でも、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランが好ましく用いられる。
炭素−炭素二重結合を有するアルコキシシランとしては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン等のトリメトキシシラン類；ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジメトキシシラン等のジメトキシシラン類；ビニルトリエトキシシラン、アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシラン等のトリエトキシシラン類等が挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して用いることができる。重合反応性、収率、硬化物の機械特性等の観点から、ビニルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシランが好ましい。
【００２３】
アルコキシシランの縮重合反応では、炭素−炭素二重結合を有するアルコキシシランとともに、炭素−炭素二重結合を有さないアルコキシシランを併用することが好ましい。
炭素−炭素二重結合を有さないアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等のトリメトキシシラン類；ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のジメトキシシラン類；メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン等のトリエトキシシラン類；ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等のジエトキシシラン類；トリメチルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン等のモノメトキシシラン類等が挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して用いることができる。重合反応性、収率、硬化物の機械特性等の観点から、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシランが好ましい。
【００２４】
（Ａ）成分を製造する際、半導体用ダイボンド材として一般的に使用されるケイ素原子結合水素原子を有するシラン化合物、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、クロロジメチルシラン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等は併用しない。
【００２５】
また、（Ａ）成分を製造する際、ダイボンド材の塗布工程における保存安定性を改善する目的でシリル化剤を配合することができる。シリル化剤としては、ケイ素原子と結合した水酸基と反応性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、１，３−ジメチルテトラフェニルジシロキサン、１，３−ジアミノプロピルテトラメチルジシロキサン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン、トリメチルクロライド、トリフェニルクロライド、トリメチルシラノール、トリフェニルシラノール、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。反応性および硬化物の機械特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサンが好ましい。
【００２６】
シリル化剤の配合量は、アルコキシシラン全量に対し４０モル％以下が好ましく、２０モル％以下がより好ましく、１０モル％以下がさらに好ましい。４０モル％以下とすることで、硬化物の弾性率の低下、並びに接合強度及び接合信頼性の低下を抑制することができる。
【００２７】
シリル化剤は、加水分解及び縮重合反応の前にあらかじめ配合してもよいし、加水分解及び縮重合反応が概ね完結したあとで配合し、続けて反応を行うこともできる。
【００２８】
前記縮重合触媒は、アルコキシシランの縮重合を促進するものであれば特に限定はされないが、例えば、塩酸、硝酸、酢酸、ギ酸、リン酸、リン酸エステル等の酸触媒；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の金属アルカリ触媒；水酸化コリン、水酸化テトラメチルアンモニウム等の有機アルカリ触媒；ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート等の有機錫類；テトライソプロピルチタネート、テトラｎ−ブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー等のチタンアルコキシド類；チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）等のチタンキレート類；テトラｎ−プロピルジルコネート、テトラｎ−ブチルジルコネート等のジルコニウムアルコキシド類；ジルコニウムテトラアセチルアセトネート等のジルコニウムキレート類等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。生成物の透明性及び反応残渣除去の容易性の観点から、塩酸および水酸化ナトリウムが好ましい。
【００２９】
前記有機溶媒は、加熱等によって除去しやすいものであることが好ましい。また、有機溶媒がオルガノポリシロキサン中に残存し、ダイボンド材の硬化物中に混入した場合であっても、透過させたい波長の光を吸収しないものであることが好ましい。
【００３０】
このような有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素類；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。
【００３１】
〔加水分解及び縮重合〕
アルコキシシランと水と縮重合触媒とは、アルコキシシラン１モルに対して、水１モル以上１０モル以下、縮重合触媒０モル超０．１モル以下で混合することが好ましい。
水の使用量は、アルコキシシランから対応するオルガノポリシロキサンを得るために、より好ましくは１．５モル以上であり、アルコキシシランをすみやかに加水分解させるために、より好ましくは３モル以下であるが、過剰な水分は最終的に除去されるため、必要以上に用いることは好ましくない。
縮重合触媒の使用量は、用いるアルコキシシランと縮重合触媒の種類によって異なるが、例えば、塩酸を用いる場合には、アルコキシシラン１モルに対して０．００１モル程度でよい。
【００３２】
アルコキシシランと水と縮重合触媒とからなる混合物を、例えば−２０℃〜６０℃程度の温度で２４時間程度保持することにより、加水分解及び縮重合させることができる。
【００３３】
さらに、上記反応液を、例えば６０℃〜１５０℃程度の温度で溶媒を留去しながら２４時間程度保持することにより、より高度に縮重合することができ、保存安定性を向上させることができる。
【００３４】
第１工程終了後に得られたアルコール及びオルガノポリシロキサンを含む混合物は、アルコールとオルガノポリシロキサンとの比重の違いから２層に分離され、上層にアルコールが、下層にオルガノポリシロキサンが分離される。
【００３５】
（第２工程）
第２工程では、前記アルコキシシランの加水分解によって生じたアルコールを除去してオルガノポリシロキサンを得る。アルコールの除去は、例えば、乾燥や分液等により行うことができる。
【００３６】
（第３工程）
第３工程では、上記のオルガノポリシロキサンと水とを混合後、分液して有機層を回収することにより、オルガノポリシロキサンを洗浄する。
【００３７】
ここで、上記のオルガノポリシロキサンと水との混合物に有機溶媒を添加して、オルガノポリシロキサンの比重を水よりも低く調整してもよい。これにより、オルガノポリシロキサンを上層に、水を下層に分離させることができる。この結果、分液により不要な水を下層から除去することができるため、操作がより簡便になり、生産性が向上する。
【００３８】
有機溶媒の添加量は、アルコキシシランの種類や使用する有機溶媒の組成により適宜調整すればよいが、例えば、オルガノポリシロキサン全量に対して１〜１００質量部添加すればよく、１〜２０質量部添加することが好ましい。
【００３９】
上記有機溶媒は、水と相分離しやすく、後で加熱等により除去しやすいものであることが好ましい。また、有機溶媒がオルガノポリシロキサン中に残存し、ダイボンド材の硬化物に混入した場合であっても、透過させたい波長の光を吸収しないものであることが好ましい。
【００４０】
このような有機溶媒としては、例えば、沸点が１３０℃以下であるもの等が挙げられ、より具体的には、ペンタン、ヘキサン等の炭化水素；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル等が挙げられる。有機溶媒は、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。
【００４１】
オルガノポリシロキサンの洗浄は、例えば、オルガノポリシロキサンに、該オルガノポリシロキサンと等質量の水を添加して混合し、分液して水を除去することを、例えば１〜１０回、好ましくは１〜５回繰り返すことにより行うとよい。
【００４２】
オルガノポリシロキサンの洗浄において、オルガノポリシロキサンに有機溶媒を添加している場合には、オルガノポリシロキサン溶液を乾燥剤で乾燥することが好ましい。
このような乾燥剤としては、無水炭酸ナトリウム、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウム、モレキュラーシーブ等が挙げられる。
【００４３】
有機溶媒を添加している場合には、オルガノポリシロキサンの洗浄後、該有機溶媒を加熱等により除去し、オルガノポリシロキサンを得る。
【００４４】
〔（Ｂ）有機過酸化物〕
本発明で用いる（Ｂ）成分の有機過酸化物は、ダイボンド材としての接合安定性を確保するための必須成分であり、縮合型シリコーン樹脂における問題点であったゲル化速度を飛躍的に高め、フィレット形状を良好に保持し、かつ、ブリードを抑制するために用いられる。
有機過酸化物としては、ラジカル重合触媒機能を有するものであれば特に限定されないが、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルぺルオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ビス（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）ペルオキシド等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。硬化物の耐熱黄変性の観点から、ベンゾイルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルぺルオキシ）ヘキサン、ビス（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）ペルオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエートが好ましく、ベンゾイルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルぺルオキシ）ヘキサン、ビス（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）ペルオキシドがより好ましい。
【００４５】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、好ましくは０．０５質量部以上４質量部以下であり、より好ましくは０．１質量部以上２質量部以下であり、さらに好ましくは０．３質量部以上１質量部以下である。０．０５質量部以上とすることで所望のゲル化速度が得られ、４質量部以下とすることで硬化物の着色を抑制することができる。
【００４６】
〔（Ｃ）非金属系酸触媒〕
本発明で用いる（Ｃ）成分の非金属系酸触媒は、ダイボンド材としての接合信頼性を確保するための必須成分であり、ラジカル硬化型シリコーン樹脂における問題点であった架橋度と黄変性のトレードオフを解消するものであり、（Ｂ）成分の有機過酸化物と併用した場合においても硬化物の熱変色を抑制することができる。
非金属系酸触媒としては、縮重合触媒機能を有するものであれば特に限定されないが、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の脂肪族カルボン酸類；安息香酸、ｐ−メチル安息香酸等の芳香族カルボン酸類；カルボン酸ヘミアセタールエステル類；ｐ−トルエンスルホン酸等の芳香族スルホン酸類；リン酸ブチル、リン酸２−エチルヘキシル、リン酸ラウリル、リン酸ステアリル、リン酸オレイル等の酸性リン酸エステル類等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上混合して用いてもよい。硬化物の耐黄変性の観点から、酸性リン酸エステル類が好ましい。
【００４７】
酸性リン酸エステル類としては、炭素数３〜１２の脂肪族炭化水素基を有するものが好ましい。このような酸性リン酸エステル類を用いることによって、シリコーンマトリクスへの溶解性が向上することで、ダイボンド材の硬化性および透明性が向上し、長期熱暴露やＵＶ暴露における濁りを発生しにくくすることができる。
【００４８】
（Ｃ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、好ましくは０．１質量部以上５質量部以下であり、より好ましくは０．２質量部以上４質量部以下であり、さらに好ましくは０．５質量部以上２質量部以下である。０．１質量部以上とすることで縮合反応を良好に進行させることが可能であり、５質量部以下とすることで高い透明性を確保することができる。
【００４９】
〔（Ｄ）ナノシリカ〕
本発明の光半導体用ダイボンド材は、さらに（Ｄ）成分のナノシリカを含有してもよい。（Ｄ）成分のナノシリカは、平均一次粒子径が５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、ケイ素原子と結合した水酸基を有する。（Ｄ）成分のナノシリカは、ポリマーマトリクスとの縮合反応性を有し、接合強度および耐リフロー性を大幅に改善する効果を奏する。
ここで、平均一次粒子径とは、個数平均粒子径のことである。（Ｄ）成分の平均一次粒子径は、無作為に１００個の一次粒子を選び出して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて個々の一次粒子の長径及び短径を測定し、その平均値として求めることができる。
【００５０】
ナノシリカとしては、例えば、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）９０Ｇ、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）２００、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）３８０、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）Ｒ９７２、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）ＲＹ２００、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）ＲＹ３００、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）ＲＸ２００、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）ＲＸ３００（以上、日本アエロジル株式会社製）、ＹＡ０１０Ｃ−ＳＭ１、ＹＮ０１０Ｃ−ＳＭ１、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＭ１、ＹＮ０５０Ｃ−ＳＭ１、ＹＡ０１０Ｃ−ＳＶ１、ＹＮ０１０Ｃ−ＳＶ１、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＶ１、ＹＮ０５０Ｃ−ＳＶ１、ＹＡ０１０Ｃ−ＳＰ３、ＹＮ０１０Ｃ−ＳＰ３、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ３、ＹＮ０５０Ｃ−ＳＰ３（以上、株式会社アドマテックス製）等のパウダー状シリカ、ＭＡ−ＳＴ、ＩＰＡ−ＳＴ、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＮＰＣ−３０、ＰＧＭ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ−４０、ＴＯＬ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＡＣ−２１４０Ｚ、ＭＥＫ−ＡＣ−４１３０Ｙ、ＰＧＭ−ＡＣ−２１４０Ｙ、ＭＩＢＫ−ＳＤ、ＭＩＢＫ−ＳＤ−Ｌ（以上、日産化学工業株式会社製）等の溶媒分散シリカが挙げられる。中でも、ラジカル重合性官能基を有するものが好ましい。
【００５１】
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上５０質量部以下であり、より好ましくは２質量部以上４０質量部以下であり、さらに好ましくは３質量部以上２０質量部以下である。１質量部以上とすることで塗布形状の安定化効果が得られ、５０質量部以下とすることでダイボンド材塗布工程において、塗布量のバラつきや糸引きの発生を抑制することができる。
【００５２】
本発明の光半導体用ダイボンド材には、必要に応じて酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤を添加すると、該ダイボンド材の酸化劣化を抑制し、光透過性の長期的な安定性を確保することができる。このような酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が挙げられる。ヒンダートフェノール系酸化防止剤としては、例えば、２，２，６−ｔｅｒｔ−６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレソール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−エチルフェノール及びステアリル−β−(３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル)プロピオネート等のモノフェノール類；２，２−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール)、２，２−メチレンビス(４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール)及び４，４’−チオビス(３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール)等のビスフェノール類；１，１，３−トリス(２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)ブタン、１，３，５−トリメチル−２,４，６−トリス(３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル)ベンゼン及びテトラキス［メチレン−３−(３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ペンタエリスリチル・テトラキス〔３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル〕プロピオネート等が挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することができる。この中でも、ペンタエリスリチル・テトラキス〔３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル〕プロピオネートが好ましい。
【００５３】
本発明の光半導体用ダイボンド材には、必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤を添加すると、該ダイボンド材の塗布後のブリード及び硬化中のブリードを抑制することができる。このような界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤が好ましく、具体的には、メガファック  Ｆ−４４４、メガファック  Ｆ−４７７、メガファック  Ｆ−５５３、メガファック  Ｆ−５５９、メガファック  Ｆ−５６７、メガファック  Ｆ−５６９（以上、ＤＩＣ株式会社製）、サーフロン  Ｓ−２４２、サーフロン  Ｓ−２４３、サーフロン  Ｓ−３８６、サーフロン  Ｓ−４２０、サーフロン  Ｓ−６１１、サーフロン  Ｓ−６５１（以上、ＡＧＣセイミケミカル株式会社製）、フタージェント  ２５０、フタージェント  ２０８Ｇ、フタージェント  ２４０Ｇ、フタージェント  ２１２Ｐ、フタージェント  ２２８Ｐ、フタージェント  ＦＴＸ−２１８（以上、株式会社ネオス製）等が挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することができる。
【００５４】
本発明の光半導体用ダイボンド材には、必要に応じて光半導体装置の特性改善のための添加剤を添加してもよい。発光素子からの光を吸収してより長波長の蛍光を出す、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体等の蛍光体；特定の波長を吸収するブルーイング剤等の着色剤；光を拡散させるための酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、シリカ、石英ガラス等の酸化ケイ素、タルク、炭酸カルシウム、メラミン樹脂、ＣＴＵグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等のような各種無機又は有機拡散材；ガラス、アルミノシリケート等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ボロン等の金属窒化物等の熱伝導性フィラー等；銀、銅等の導電性フィラー等を挙げることができる。
【００５５】
本発明の光半導体用ダイボンド材には、その他、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤等を本発明の目的及び効果を損なわない範囲において添加することができる。
【００５６】
本発明の光半導体用ダイボンド材中、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の含有量は、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上である。
【００５７】
［光半導体用ダイボンド材の硬化方法］
本発明の光半導体用ダイボンド材は、あらかじめ上述した各成分を混合し、ダイボンド材中のケイ素原子と結合した水酸基、ケイ素原子と結合したアルコキシ基、及び炭素−炭素二重結合の一部または全部を反応させることによって硬化させて使用することができる。
【００５８】
混合の方法としては、各種方法をとることができるが、（Ａ）成分に（Ｂ）成分を混合したものに（Ｃ）成分を混合する方法、及び（Ａ）成分に（Ｃ）成分を混合したものに（Ｂ）成分を混合する方法が好ましい。（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との混合物に（Ａ）成分を混合する方法の場合、反応の制御が困難となる。また、（Ｄ）成分を混合する場合は、（Ａ）成分とあらかじめ混合してから、（Ｂ）成分または（Ｃ）成分と混合する方法が好ましい。
【００５９】
本発明の光半導体用ダイボンド材を反応させて硬化させる場合において、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の各成分を、それぞれ必要量を一度に混合して反応させてもよいが、各成分の一部を混合して反応させた後、残量を混合して更に反応させる方法や、混合した後、反応条件の制御や置換基の反応性の差を利用し、樹脂組成物中の官能基の一部のみを反応させ半硬化（Ｂステージ化）させてから成形等の処理を行い、更に硬化させる方法をとることもできる。これらの方法によれば成形時の粘度調整が容易となる。
【００６０】
硬化させる方法としては、単に各成分を混合するだけで反応させることもできるし、加熱して反応させることもできる。反応が速く、一般に耐熱性の高い材料が得られやすいという観点から加熱して反応させる方法が好ましい。
【００６１】
反応温度としては種々設定できるが、例えば、３０℃以上３００℃以下の温度が適用でき、１００℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２００℃以下がより好ましい。反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長くなり、反応温度が高いと成形加工が困難となりやすい。
【００６２】
反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて多段階又は連続的に温度を変化させてもよい。反応時間も種々設定できる。反応時の圧力も必要に応じ種々設定でき、常圧、高圧、又は減圧状態で反応させることもできる。
【００６３】
本発明の光半導体用ダイボンド材は、ペースト状、フィルム状、シート状のいずれであってもよいが、塗布工程における作業性の観点からペースト状であることが好ましい。
【００６４】
〔光半導体用ダイボンド材の特性〕
本発明の光半導体用ダイボンド材は、硬化物のダイシェア強度が高く、ブリードの発生、及びワイヤー接合強度の低下を抑制し、かつ、耐リフロー性に優れるとともに、硬化物の加熱後の光学特性、及び紫外線照射後の光学特性を優れたものとすることができる。
また、本発明の光半導体用ダイボンド材を硬化させて得られた硬化物のワイヤー接合強度は、好ましくは０．５０Ｎ以上、より好ましくは０．５１Ｎ以上である。さらに、本発明の光半導体用ダイボンド材を硬化させて得られた硬化物のダイシェア強度は、好ましくは３．０Ｎ以上、より好ましくは４．０Ｎ以上、さらに好ましくは５．０Ｎ以上である。
なお、ワイヤー接合強度及びダイシェア強度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【００６５】
［光半導体装置］
本発明の光半導体装置は、光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。
【００６６】
本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。
【００６７】
上記光半導体素子である発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されない。上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
【００６８】
上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
【実施例】
【００６９】
次に実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００７０】
[合成例１]
（オルガノポリシロキサン（１）の合成）
窒素導入管、熱電対、ディーンスターク管を備えた３００ｍＬ四口セパラブルフラスコに３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）７．０ｇ（２８ｍｍｏｌ）、メチルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）３４．３ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、トルエン１２０．０ｇ、メタノール９０．０ｇを混合し、氷浴にて０℃に維持した。その後、３００ｒｐｍで撹拌しながら、０．１Ｍ塩酸（関東化学株式会社製）１７．０ｇを添加し、３０℃に昇温し、１２時間撹拌することで加水分解及び縮重合を進行させた。その後、トルエン及びメタノールを留去しながら１２０℃に昇温し、６時間撹拌することで縮重合を進行させた。得られた反応液をトルエン及び蒸留水で５回分液洗浄し、有機層を回収した。その後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターにて減圧濃縮することにより、無色透明粘ちょう液体としてオルガノポリシロキサン（１）を１９．５ｇ得た。オルガノポリシロキサン（１）は、１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）測定における４．０〜５．２ｐｐｍのシグナルが未検出であったことからケイ素原子に結合した水素原子を有さないことを確認した。
【００７１】
[合成例２]
（オルガノポリシロキサン（２）の合成）
窒素導入管、熱電対、ディーンスターク管を備えた３００ｍＬ四口セパラブルフラスコに３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）７．０ｇ（２８ｍｍｏｌ）、テトラエトキシシラン（東京化成工業株式会社製）２３．３ｇ（１１２ｍｍｏｌ）、フェニルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）１１．１ｇ（５６ｍｍｏｌ）、ジメチルジエトキシシラン（東京化成工業株式会社製）１２．５ｇ（８４ｍｍｏｌ）、トルエン１２０．０ｇ、メタノール９０．０ｇを混合し、氷浴にて０℃に維持した。その後、３００ｒｐｍで撹拌しながら、０．１Ｍ塩酸（関東化学株式会社製）１７．０ｇを添加し、３０℃に昇温し、１２時間撹拌することで加水分解及び縮重合を進行させた。その後、トルエン及びメタノールを留去しながら１２０℃に昇温し、６時間撹拌することで縮重合を進行させた。得られた反応液をトルエン及び蒸留水で５回分液洗浄し、有機層を回収した。その後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターにて減圧濃縮することにより、無色透明粘ちょう液体としてオルガノポリシロキサン（２）を２３．４ｇ得た。オルガノポリシロキサン（２）は、１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）測定における４．０〜５．２ｐｐｍのシグナルが未検出であったことからケイ素原子に結合した水素原子を有さないことを確認した。
【００７２】
[合成例３]
（オルガノポリシロキサン（３）の合成）
窒素導入管、熱電対、ディーンスターク管を備えた３００ｍＬ四口セパラブルフラスコにビニルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）４．１ｇ（２８ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）３．４ｇ（２８ｍｍｏｌ）、メチルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）３０．５ｇ（２２４ｍｍｏｌ）、トルエン１２０ｇ、メタノール９０ｇを混合し、氷浴にて０℃に維持した。その後、３００ｒｐｍで撹拌しながら、０．１Ｍ塩酸（関東化学株式会社製）１７．０ｇを添加し、３０℃に昇温し、１２時間撹拌することで加水分解及び縮重合を進行させた。その後、トルエン及びメタノールを留去しながら１２０℃に昇温し、６時間撹拌することで縮重合を進行させた。得られた反応液をトルエン及び蒸留水で５回分液洗浄し、有機層を回収した。その後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターにて減圧濃縮することにより、無色透明粘ちょう液体としてオルガノポリシロキサン（３）を１７．２ｇ得た。オルガノポリシロキサン（３）は、１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）測定において４．１〜４．６ｐｐｍに多重線のシグナルが検出されたことからケイ素原子に結合した水素原子を有していることを確認した。
【００７３】
［実施例１〜５および比較例１〜５］
表１に記載の種類及び配合量の各成分を配合し、光半導体用ダイボンド材を得た。なお、表１中、空欄は配合なしを表す。
光半導体用ダイボンド材の調製に使用した表１に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。
【００７４】
＜オルガノポリシロキサン＞
〔（Ａ）成分〕
・オルガノポリシロキサン（１）：合成例１で製造したオルガノポリシロキサン
・オルガノポリシロキサン（２）：合成例２で製造したオルガノポリシロキサン
〔（Ａ）成分以外のオルガノポリシロキサン〕
・オルガノポリシロキサン（３）：合成例３で製造したオルガノポリシロキサン
【００７５】
＜有機過酸化物＞
〔（Ｂ）成分〕
・２，５−ジメチルー２，５−ジ（ｔ−ブチルぺルオキシ）ヘキサン：日油株式会社製、商品名：パーヘキサ２５Ｂ
【００７６】
＜非金属系酸触媒＞
〔（Ｃ）成分〕
・ｐ−トルエンスルホン酸：東京化成工業株式会社製、商品名：ｐ−トルエンスルホン酸一水和物
・リン酸ステアリル：ＳＣ有機化学株式会社製、商品名：Ｐｈｏｓｌｅｘ  Ａ−１８
・リン酸２−エチルヘキシル：ＳＣ有機化学株式会社製、商品名：Ｐｈｏｓｌｅｘ  Ａ−８
〔（Ｃ）成分以外の触媒〕
・チタンアルコキシド：東京化成工業株式会社製、商品名：オルトチタン酸テトラブチル
【００７７】
〔（Ｄ）成分〕
・ナノシリカ：日本アエロジル株式会社製、商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）  ＲＸ２００、平均一次粒径１２ｎｍ
【００７８】
以下に示す測定条件により、実施例１〜５および比較例１〜５で調製した光半導体用ダイボンド材の特性の測定、及び評価を行った。評価結果を表１に示した。
【００７９】
［評価］
（硬化物特性）
２枚のガラス板に厚さ１ｍｍのシリコーンゴムシートをスペーサーとして挟み込んで作製したセルに、上記ダイボンド材を流し込み、１２０℃で１時間、１８０℃で２時間の加熱を行い硬化させ、厚さ１ｍｍの板状硬化物を作製した。作製した板状硬化物特性を次の方法により評価した。
【００８０】
（１）初期透過率
日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計(Ｖ−５７０)を用いて、硬化直後の厚さ１ｍｍの板状硬化物の４００ｎｍおける光透過率を測定した。
【００８１】
（２）耐熱変色性
日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計(Ｖ−５７０)を用いて、硬化直後の厚さ１ｍｍの板状硬化物の４００ｎｍおける光透過率（ＩＡ）、及び１５０℃の大気オーブンにて１０００時間加熱処理した後の該硬化物の４００ｎｍにおける光透過率（ＩＢ）を測定した。また、これらの光透過率から下記式（１）に従って保持率を算出した。なお、保持率９０％以上を合格とした。
保持率（％）＝（ＩＢ／ＩＡ）×１００      （１）
【００８２】
（３）耐ＵＶ変色性
日本分光株式会社製の紫外可視分光光度計(Ｖ−５７０)を用いて、硬化直後の厚さ１ｍｍの板状硬化物の４００ｎｍにおける光透過率（ＩＡ）、及び紫外線照射装置で３００ｎｍ以下の波長の光をカットするカットフィルターを用いて処理した後の該硬化物の４００ｎｍにおける光透過率（ＩＣ）を測定した。また、これらの光透過率から下記式（２）に従って保持率を算出した。なお、保持率９０％以上を合格とした。
保持率（％）＝（ＩＣ／ＩＡ）×１００      （２）
【００８３】
（パッケージ特性）
光半導体用ダイボンド材を用いて、基板（接続対象部材)上に青色発光素子を接着し、該青色発光素子を搭載したＬＥＤ装置を作製した。このとき、封止材の影響を無視するため、封止材による素子の封止はしなかった。
【００８４】
（４）ブリード
作製したＬＥＤ装置に搭載された青色発光素子周辺の基盤を目視により、ダイボンド材のブリードの有無を観察した。
【００８５】
（５）ワイヤー接合強度
作製したＬＥＤ装置におけるワイヤーボンディング接合部について、ｄａｇｅ製ボンドテスターＰＣ２４００を用いて、常温（２５℃）でのボールシェア強度を測定した。なお、０．５Ｎ以上を合格とした。
【００８６】
（６）ダイシェア強度
銀メッキ銅フレーム上に光半導体用ダイボンド材を用いて０．３ｍｍ□Ｓｉチップをダイボンドし、１２０℃で２時間、次いで、１８０℃で２時間加熱し、硬化完了させた。その後、ｄａｇｅ製ボンドテスターＰＣ２４００を用いて、常温（２５℃）でのダイシェア強度を測定した。なお、３．０Ｎ以上を合格とした。
【００８７】
（７）耐リフロー性
銀メッキ銅フレーム上に光半導体用ダイボンド材を用いて０．３ｍｍ□Ｓｉチップをダイボンドし、１２０℃で２時間、次いで、１８０℃で２時間加熱し、硬化完了させた後のダイシェア強度（ＦＡ）、及び硬化完了させた後、さらに２６０℃で１０秒の熱衝撃を３回繰り返した後のダイシェア強度（ＦＢ）を、ｄａｇｅ製ボンドテスターＰＣ２４００を用いて、それぞれ常温（２５℃）で測定した。これらのダイシェア強度から下記式（３）に従って熱衝撃前後の保持率を算出した。なお、９０％以上を合格とした。
保持率（％）＝（ＦＢ／ＦＡ）×１００      （３）
【００８８】
【表１】
2018138630.tif 000002
【００８９】
以上説明したように、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含む樹脂組成物である光半導体用ダイボンド材を用いた実施例１〜５では、いずれも初期透過率が良好であり、ブリードの発生がなく、ワイヤー接合強度及びダイシェア強度が高く、耐リフロー性に優れるとともに、耐熱変色性及び耐ＵＶ変色性に優れるという結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の光半導体用ダイボンド材は、ケイ素原子に結合した水素原子を含まず、ケイ素原子に結合した水酸基、ケイ素原子に結合したアルコキシ基、及び炭素−炭素二重結合を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物と、非金属系酸触媒とを必須成分としている。そのため、電極汚染が発生せず、硬化物のダイシェア強度が高く、さらに加熱後の光学特性、紫外線照射後の光学特性が優れていることから光半導体用ダイボンド材として非常に有用である。