(57)【要約】【課題】樹脂基材からの誘電体膜の剥離を抑制し、且つ製造工程を短縮できる成膜方法を提供する。【解決手段】シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層をプラズマ処理によって樹脂基材の表面に形成する工程を含む、下地膜を樹脂基材の表面に形成するステップＳ３０と、下地膜の上面に誘電体膜を形成するステップＳ４０とを含み、下地膜と誘電体膜を真空連続に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層をプラズマ処理によって樹脂基材の表面に形成する工程を含む、下地膜を樹脂基材の表面に形成するステップと、
前記下地膜の上面に誘電体膜を形成するステップと
を含み、前記下地膜と前記誘電体膜を真空連続に形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記誘電体膜を形成するステップにおいて、高屈折率誘電体膜と前記高屈折率誘電体膜よりも屈折率の低い低屈折率誘電体膜とを交互に積層した誘電体多層膜を前記下地膜の上面に真空連続に形成することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記高屈折率誘電体膜をスパッタリング法による成膜処理で形成し、前記低屈折率誘電体膜をプラズマＣＶＤ法による成膜処理で形成することを特徴とする請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理及びプラズマＣＶＤ法による成膜処理を行う第１の処理領域と、スパッタリング法による成膜処理を行う第２の処理領域が同一のチャンバーの内部に用意された成膜装置を準備し、前記チャンバーの内部で前記下地膜、前記高屈折率誘電体膜及び前記低屈折率誘電体膜を真空連続に形成することを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記下地膜を前記樹脂基材の表面に形成するステップが、
前記化合物層を形成した後に、前記化合物層の少なくとも上部を金属原子とシリコン、酸素、炭素とが混在する混在領域とする工程を更に含み、
前記混在領域の上面に前記金属原子を含む前記高屈折率誘電体膜を形成することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記化合物層の上面に前記低屈折率誘電体膜を形成することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基材の表面に配置する誘電体膜の成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂基材の表面を誘電体膜で覆った樹脂製品が用いられている。例えば、アクリルレンズの反射防止膜として、低屈折率の誘電体膜と高屈折率の誘電体膜が交互に積層された積層構造が形成される。
【０００３】
誘電体膜の積層構造の形成には、蒸着装置が一般に用いられている。しかし、蒸着装置によって誘電体膜を形成した場合は、誘電体膜と樹脂基材との密着性が低いために、膜剥離が生じ易い。このため、樹脂基材からの膜剥離を防止するために、樹脂基材との密着性の高いアンダーコートとよばれる膜を樹脂基材の表面に塗布する方法が使用されている（例えば、特許文献１参照。）。アンダーコートの上に誘電体膜の積層構造を形成することにより、膜剥離が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０９４１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、樹脂基材の表面にアンダーコートを塗布する方法では、樹脂基材の成形、アンダーコートの塗布、誘電体膜の形成という３つの工程が必要である。このため、製造時間や製造コストが増大するという問題があった。
【０００６】
上記問題点に鑑み、本発明は、樹脂基材からの誘電体膜の剥離を抑制し、且つ製造工程を短縮できる成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層をプラズマ処理によって樹脂基材の表面に形成する工程を含む、下地膜を樹脂基材の表面に形成するステップと、下地膜の上面に誘電体膜を形成するステップとを含み、下地膜と誘電体膜を真空連続に形成する成膜方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、樹脂基材からの誘電体膜の剥離を抑制し、且つ製造工程を短縮できる成膜方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る成膜方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る成膜方法により形成された実施例を示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る成膜方法を説明するための模式図である（その１）。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る成膜方法を説明するための模式図である（その２）。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る成膜方法を説明するための模式図である（その３）。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る成膜方法により形成された実施例を示す模式図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る成膜方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】実施例の特性を示すグラフである。
【図９】実施例の特性を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１１】
また、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の実施形態に係る成膜方法は、図１に示すように、下地膜を樹脂基材の表面に形成するステップＳ３０と、下地膜の上面に誘電体膜を形成するステップＳ４０とを含む。ステップＳ３０は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）が混合された化合物層をプラズマ処理によって樹脂基材の表面に形成する工程（ステップＳ３１）と、化合物層を金属原子とシリコン、酸素、炭素とが混在する混在領域とする工程（ステップＳ３２）を含む。下地膜と誘電体膜は、真空連続に形成される。ここで「真空連続」とは、樹脂基材を大気に曝すことなく連続的に処理を行うことである。
【００１３】
図２に、図１に示した成膜方法によって形成される実施例を示す。図２に示した実施例は、樹脂基材１０の表面に配置された下地膜２０と、下地膜２０の上面に配置された誘電体多層膜３０を備える。誘電体多層膜３０は、高屈折率誘電体膜３１と、高屈折率誘電体膜３１よりも屈折率の低い低屈折率誘電体膜３２が交互に積層された構成である。誘電体多層膜３０は、高屈折率誘電体膜３１を形成するステップＳ４１１と、低屈折率誘電体膜３２を形成するステップＳ４２１を交互に繰り返すことにより形成される。下地膜２０、高屈折率誘電体膜３１及び低屈折率誘電体膜３２を真空連続に形成することにより、所望の特性を有する誘電体多層膜３０を形成することができる。図２に示した実施例では、誘電体多層膜３０の高屈折率誘電体膜３１が下地膜２０の上面に接して形成されている。
【００１４】
樹脂基材１０は、例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂などである。高屈折率誘電体膜３１は、例えば波長が５５０ｎｍの入射光に対する屈折率（以下において、単に「屈折率」という。）が２．１〜２．４程度の誘電体膜である。酸化ニオブ膜、酸化チタン膜、酸化タンタル膜などが、高屈折率誘電体膜３１に使用される。低屈折率誘電体膜３２は、例えば屈折率が１．４５〜１．５程度の誘電体膜である。酸化シリコン膜や炭素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ膜）などが、低屈折率誘電体膜３２に使用される。
【００１５】
プラズマ処理によって化合物層を形成する工程を含むため、低屈折率誘電体膜３２の形成にはプラズマＣＶＤ法が好適に使用される。これにより、製造工程に使用する装置を共通にできる。
【００１６】
一方、高屈折率誘電体膜３１として使用される酸化チタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜などをプラズマＣＶＤ法で形成することには安全上の問題がある。このため、高屈折率誘電体膜３１の形成には、スパッタリング法や真空蒸着法などの蒸着法が好ましい。なお、後述するようにスパッタリング現象を用いて化合物層を混在領域とする工程を含むため、高屈折率誘電体膜３１の形成にはスパッタリング法が好適に使用される。
【００１７】
以下では、高屈折率誘電体膜３１をスパッタリング法による成膜処理で形成し、低屈折率誘電体膜３２をプラズマＣＶＤ法による成膜処理で形成する場合について説明する。
【００１８】
図１に示した成膜方法は、例えば図３に示す成膜装置を用いて実行される。図３に示した成膜装置では、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤ法による成膜処理を行う第１の処理領域１０１と、スパッタリング法による成膜処理を行う第２の処理領域１０２が、同一のチャンバー１００の内部に用意されている。チャンバー１００の内部では、樹脂基材１０を搭載したサンプルホルダ２００が、搬送装置１３０によって第１の処理領域１０１と第２の処理領域１０２との間で搬送される。
【００１９】
チャンバー１００の第１の処理領域１０１におけるプラズマＣＶＤ法では、第１のガス供給装置１１３によって、成膜する材料の原料ガスを含むプロセスガス１１０がチャンバー１００の内部に導入される。第１の処理領域１０１には、サンプルホルダ２００と対向してカソード電極１１２が配置されている。サンプルホルダ２００はアノード電極として機能し、交流電源１１１によってサンプルホルダ２００とカソード電極１１２間に所定の交流電力が供給される。これにより、チャンバー１００内の原料ガスを含むプロセスガス１１０がプラズマ化される。
【００２０】
チャンバー１００の第２の処理領域１０２では、ターゲット１２３がターゲット電極１２２に取り付けられている。ターゲット電極１２２は高周波（ＲＦ）電力或いは直流（ＤＣ）電力を供給するスパッタ電源１２１に接続されている。第２のガス供給装置１２４から、アルゴンガスなどの不活性ガス１２０がチャンバー１００の内部に導入される。スパッタ電源１２１からターゲット電極１２２に電力を供給して放電を生じさせ、ターゲット１２３の表面近傍の気相中にプラズマを形成する。プラズマ中で加速された不活性ガス１２０の正イオンがターゲット１２３の表面に衝突し、ターゲット原子が放出される。
【００２１】
複数の処理領域が用意されたチャンバー１００を有する成膜装置によれば、それぞれの処理領域における成膜処理を、チャンバー１００の内部を大気開放することなく、真空連続に行うことができる。即ち、図３に示した成膜装置によれば、チャンバー１００の内部で下地膜２０、高屈折率誘電体膜３１及び低屈折率誘電体膜３２を真空連続に形成できる。
【００２２】
以下に、図１に示したフローチャートを参照して、図３に示した成膜装置によって積層構造を形成する方法を説明する。なお、高屈折率誘電体膜３１が酸化ニオブ膜であり、低屈折率誘電体膜３２が酸化シリコン膜であるとする。
【００２３】
図１のステップＳ１０において、第１の処理領域１０１と第２の処理領域１０２が同一のチャンバー１００の内部に用意された成膜装置を準備する。
【００２４】
次いで、ステップＳ２０において、樹脂基材１０を成膜装置のチャンバー１００に格納する。樹脂基材１０をチャンバー１００に格納した段階では、図３に示すように、サンプルホルダ２００に搭載された樹脂基材１０が第１の処理領域１０１に配置される。
【００２５】
その後、ステップＳ３０において、樹脂基材１０の表面に下地膜２０を形成する。具体的には、ステップＳ３１において、シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層をプラズマ処理によって樹脂基材１０の表面に形成する。例えば、チャンバー１００の内部に導入したシリコンを含む原料ガスをプラズマ処理によってプラズマ化する。例えば、ＨＭＤＳＯガスを原料ガスとしてチャンバー１００の内部に導入し、アルゴンガスなどの不活性ガスをチャンバー１００の内部に導入する。形成されたプラズマに樹脂基材１０を曝すことにより、樹脂基材１０の表面にシリコン、酸素、炭素が混合された化合物層が形成される。プラズマ処理の時間は、数十秒程度である。
【００２６】
その後、ステップＳ３２において、化合物層の少なくとも上部を金属原子とシリコン、酸素、炭素とが混在する混在領域とする。具体的には、樹脂基材１０を搭載したサンプルホルダ２００が、搬送装置１３０によって第１の処理領域１０１から搬送され、図４に示すように第２の処理領域１０２に配置される。そして、ターゲット１２３に酸化ニオブ材を使用したスパッタリングを行う。スパッタリング現象によって、酸化ニオブ膜が樹脂基材１０の表面に堆積される。このとき、スパッタリング現象の最初に、化合物層にニオブ原子が衝突することにより、化合物層は、ニオブとシリコン、酸素、炭素とが共有結合し、或いは、ニオブとシリコン、酸素、炭素とが拡散混合層を形成することにより、ニオブとシリコン、酸素、炭素とが混在する混在領域となる。混在領域の厚みは、数原子層に相当する数オングストロームから数ナノメートル程度である。
【００２７】
混在領域を形成した後、スパッタリングを継続することにより、混在領域の上面に酸化ニオブ膜の高屈折率誘電体膜３１が形成される（ステップＳ４１１）。このとき、化合物層と酸化ニオブ膜の界面は混在領域を形成している。高屈折率誘電体膜３１の形成には、導電性酸化物ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法が好適に用いられる。スパッタリングは、例えばアルゴンと酸素の混合ガスをチャンバー１００の内部に導入して行う。
【００２８】
次いで、ステップＳ４２１において、第１の処理領域１０１におけるプラズマＣＶＤ法によって、低屈折率誘電体膜３２を形成する。即ち、樹脂基材１０を搭載したサンプルホルダ２００が、搬送装置１３０によって第２の処理領域１０２から搬送され、図５に示すように第１の処理領域１０１に配置される。そして、プラズマＣＶＤ法によって高屈折率誘電体膜３１の上面に低屈折率誘電体膜３２が形成される。例えばＨＭＤＳＯガスを原料ガスとして、酸化シリコン膜の低屈折率誘電体膜３２を形成する。
【００２９】
その後、第２の処理領域１０２におけるスパッタリング法による高屈折率誘電体膜３１の形成と、第１の処理領域１０１におけるプラズマＣＶＤ法による低屈折率誘電体膜３２の形成を交互に行って、誘電体多層膜３０を形成する。なお、図２には、高屈折率誘電体膜３１と低屈折率誘電体膜３２を２層ずつ交互に積層した誘電体多層膜３０を下地膜２０の上面に形成した例を示したが、高屈折率誘電体膜３１と低屈折率誘電体膜３２の層数は上記に限られない。つまり、所望の層数或いは膜厚になるまで、高屈折率誘電体膜３１と低屈折率誘電体膜３２を交互に積層して誘電体多層膜３０を形成する。
【００３０】
即ち、ステップＳ４３において、所定の誘電体多層膜３０が形成されたか否かが判定される。所定の誘電体多層膜３０が形成されていない場合には、ステップＳ４１１に戻って高屈折率誘電体膜３１と低屈折率誘電体膜３２が形成される。一方、所定の誘電体多層膜３０が形成された場合には、処理を終了する。
【００３１】
以上により、樹脂基材１０の表面に配置した下地膜２０を介して誘電体多層膜３０を形成した積層構造が完成する。
【００３２】
既に述べたように、誘電体膜と樹脂基材との密着性が低いために、樹脂基材１０の表面に誘電体多層膜３０を直接に形成すると、膜剥離が生じ易い。これは、樹脂基材１０の表面にスパッタリング法によって高屈折率誘電体膜３１を形成する場合に、高いエネルギーを持った金属原子が樹脂基材１０の表面に入射することにより、樹脂基材１０の分子鎖が切断されるためである。これにより、樹脂基材１０の表面が脆化する。その結果、樹脂基材１０から高屈折率誘電体膜３１が剥離する。
【００３３】
これに対し、図１に示した成膜方法によれば、樹脂基材１０と高屈折率誘電体膜３１との間に混在領域が存在する。この混在領域においては、ニオブとシリコン、酸素、炭素とが共有結合し、或いは、ニオブとシリコン、酸素、炭素とが拡散混合層を形成している。このため、この混在領域の作用により、樹脂基材１０の表面の分子鎖の切断による脆化を防止することができる。その結果、樹脂基材１０と高屈折率誘電体膜３１との密着性を高くして、膜剥離を抑制できる。
【００３４】
以上に説明したように、本発明の第１の実施形態に係る成膜方法では、アンダーコートを樹脂基材１０の表面に塗布することなく、樹脂基材１０からの誘電体膜の剥離を抑制できる。したがって、図１に示した成膜方法によれば、樹脂基材１０からの誘電体膜の剥離を抑制し、且つ製造時間や製造コストの増大を抑制することができる。
【００３５】
図１に示した成膜方法は、高屈折率誘電体膜３１と低屈折率誘電体膜３２とを交互に積層した誘電体多層膜３０を樹脂基材１０の表面に形成する場合に好適である。例えば、誘電体多層膜３０をアクリルレンズの反射防止膜として形成する場合などに、図１に示した成膜方法を使用できる。なお、誘電体多層膜３０を反射防止膜として形成する場合には、反射率を下げるために、低屈折率誘電体膜３２を誘電体多層膜３０の最上層にすることが好ましい。
【００３６】
また、図３〜図５に示した成膜装置を用いた上記の成膜方法によれば、下地膜２０、高屈折率誘電体膜３１及び低屈折率誘電体膜３２を一つのチャンバー１００の内部で真空連続に形成できる。これに対し、複数のチャンバーを有する成膜装置によって、異なるチャンバーでプラズマＣＶＤ法による成膜処理とスパッタリング法による成膜処理をそれぞれ行うことによっても、図１に示した成膜方法を実現することは可能ではある。しかしながら、真空連続を維持してチャンバー間で樹脂基材１０を移動させるための構造や時間を考慮すると、複数の処理領域が内部に用意されたチャンバー１００を有する成膜装置を使用することが好ましい。
【００３７】
（第２の実施形態）
図２に、下地膜２０に高屈折率誘電体膜３１が接する構成を示した。しかし、図６に示す実施例のように、下地膜２０に低屈折率誘電体膜３２が接する構成を採用することも可能である。
【００３８】
以下に、図７に示したフローチャートを参照して、図３に示した成膜装置によって図６に示した実施例の積層構造を形成する方法を説明する。ここで、低屈折率誘電体膜３２が酸化シリコン膜であり、高屈折率誘電体膜３１が酸化ニオブ膜であるとする。なお、第１の実施形態と実質的に同様である部分については重複した記載を省略する。
【００３９】
図７に示したフローチャートのステップＳ１０〜ステップＳ２０において、図１のステップＳ１０〜ステップＳ２０と同様にして、樹脂基材１０を成膜装置のチャンバー１００に格納し、第１の処理領域１０１に配置する。そして、図７のステップＳ３０において、下地膜２０を樹脂基材１０の表面に形成する。即ち、図１のステップＳ３１について説明した方法と同様のプラズマ処理によって、シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層を樹脂基材１０の表面に下地膜２０として形成する。
【００４０】
その後、ステップＳ４０において、下地膜２０の上面に誘電体膜を形成する。即ち、ステップＳ４１２において、プラズマＣＶＤ法によって低屈折率誘電体膜３２を化合物層の上面に形成する。例えば、ＨＭＤＳＯガスを原料ガスとして、酸化シリコン膜の低屈折率誘電体膜３２を形成する。
【００４１】
そして、ステップＳ４２２において、低屈折率誘電体膜３２の上面に高屈折率誘電体膜３１を形成する。即ち、樹脂基材１０を搭載したサンプルホルダ２００が、搬送装置１３０によって第１の処理領域１０１から搬送され、第２の処理領域１０２に配置される。そして、スパッタリング法によって、低屈折率誘電体膜３２の上面に高屈折率誘電体膜３１が形成される。例えば、アルゴンと酸素の混合ガスをチャンバー１００の内部に導入し、酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって、高屈折率誘電体膜３１を形成する。
【００４２】
その後、第１の処理領域１０１におけるプラズマＣＶＤ法による低屈折率誘電体膜３２の形成と、第２の処理領域１０２におけるスパッタリング法による高屈折率誘電体膜３１の形成を交互に行って、誘電体多層膜３０を形成する。即ち、ステップＳ４３において、所定の誘電体多層膜３０が形成されたか否かが判定される。所定の誘電体多層膜３０が形成されていない場合には、ステップＳ４１２に戻って低屈折率誘電体膜３２と高屈折率誘電体膜３１が形成される。一方、所定の誘電体多層膜３０が形成された場合には、処理を終了する。
【００４３】
上記に説明した第２の実施形態に係る成膜方法によれば、シリコン、酸素、炭素が混合された化合物層が、低屈折率誘電体膜３２と直接に結合する。化合物層と低屈折率誘電体膜３２は、両方ともＳｉ−Ｏ結合であるため、密着性よく結合する。このため、樹脂基材１０からの誘電体膜の剥離を抑制し、且つ製造時間や製造コストの増大を抑制することができる。
【００４４】
以下に、図２に示した実施例（以下において「第１の実施例」という。）と図６に示した実施例（以下において「第２の実施例」という。）について特性を調査した結果を示す。これらの積層構造として、アクリル樹脂である樹脂基材１０の表面に下地膜２０を形成し、酸化ニオブ膜の高屈折率誘電体膜３１と酸化シリコン膜の低屈折率誘電体膜３２を交互に積層した誘電体多層膜３０を下地膜２０の上面に形成した。
【００４５】
図２に示した第１の実施例の誘電体多層膜３０として、膜厚が２４ｎｍ程度の酸化ニオブ膜、膜厚が３５ｎｍ程度の酸化シリコン膜、膜厚が４２ｎｍ程度の酸化ニオブ膜及び膜厚が１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜を積層した。図６に示した第２の実施例の誘電体多層膜３０として、膜厚が１０ｎｍ程度の酸化シリコン膜、膜厚が２４ｎｍ程度の酸化ニオブ膜、膜厚が３５ｎｍ程度の酸化シリコン膜、膜厚が４２ｎｍ程度の酸化ニオブ膜及び膜厚が１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜を積層した。
【００４６】
図８に、第１の実施例と第２の実施例について調査した入射光の波長に対する反射率を示す。図８に示すように、第１の実施例の反射率Ｒ１と第２の実施例の反射率Ｒ２は、入射光の波長が可視光線である４５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の範囲の略全域で１％以下である。図８に、入射光の波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲における平均反射率を示す。この可視光線の波長の範囲において、第１の実施例と第２の実施例の平均反射率は１％以下である。このため、樹脂基材１０の表面に下地膜２０を形成し、下地膜２０の上面に誘電体多層膜３０を形成した構造は、アクリルレンズの反射防止膜などとして好適に使用される。
【００４７】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４８】
例えば、上記では、低屈折率誘電体膜３２をプラズマＣＶＤ法により成膜し、高屈折率誘電体膜３１をスパッタリング法によって成膜する場合を説明した。しかし、成膜時の安全性が確保されるなら、高屈折率誘電体膜３１もプラズマＣＶＤ法によって成膜してもよい。
【００４９】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことはもちろんである。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１０…樹脂基材
２０…下地膜
３０…誘電体多層膜
３１…高屈折率誘電体膜
３２…低屈折率誘電体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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