(57)【要約】【課題】少なくとも電圧制御型半導体素子に供給する制御信号の電圧の上昇を抑制して電圧制御型半導体素子を電圧上昇から保護することができる半導体装置を提供する。【解決手段】入力される制御信号によって電圧制御型半導体素子の制御端子を制御するとともに、制御信号を電源として駆動される制御回路を有する素子駆動部３１を備え、素子駆動部は、制御信号が入力される入力端子ｔｇ及び電圧制御型半導体素子の低電位側端子が接続される低電位側端子ｔｅ間に接続され、第１分圧電圧が電圧制御型半導体素子及び制御回路を保護する設定電圧以下となるように設定された第１分圧回路４２と、この第１分圧回路の分圧動作を制御する半導体スイッチ素子４３と、入力端子に設定電圧を超える電圧が入力されたときに半導体スイッチ素子を導通させる第２分圧回路４５とを備え、第１分圧電圧を電圧制御型半導体素子の制御端子及び制御回路に供給している。【選択図】図１
2018007539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷を駆動する電圧制御型半導体素子と、
前記電圧制御型半導体素子の制御端子に対する制御信号が入力され、当該制御信号によって前記電圧制御型半導体素子の制御端子を制御するとともに、制御信号を電源として駆動される制御回路を有する素子駆動部とを備え、
前記素子駆動部は、
前記制御信号が入力される入力端子及び前記電圧制御型半導体素子の低電位側端子が接続される低電位側端子と、
前記入力端子及び前記低電位側端子間に接続され、第１分圧電圧が前記電圧制御型半導体素子及び前記制御回路を保護する設定電圧以下となるように設定された第１分圧回路と、
該第１分圧回路の分圧動作を制御する半導体スイッチ素子と、
前記入力端子に前記設定電圧を超える電圧が入力されたときに前記半導体スイッチ素子を導通させる第２分圧電圧を前記半導体スイッチ素子の制御端子に出力する第２分圧回路とを備え、
前記第１分圧電圧を前記電圧制御型半導体素子の制御端子及び前記制御回路に供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１分圧回路は、前記入力端子と前記電圧制御型半導体素子及び前記制御回路との間に接続された第１抵抗と、該第１抵抗と前記電圧制御型半導体素子及び前記制御回路との接続点と前記低電位側端子との間に接続された第２抵抗とを備え、前記第１抵抗及び前記第２抵抗の接続点から前記第１分圧電圧を出力することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体スイッチ素子は、前記第２抵抗と直列に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２分圧回路は、２つの抵抗が直列に接続されて構成され、前記抵抗間の接続点が前記半導体スイッチ素子の制御端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２分圧回路は、前記入力端子及び前記第１分圧回路間にカソードが接続されたツェナーダイオードと、該ツェナーダイオードのアノードと前記低電位側端子との間に接続された抵抗とで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２分圧回路は、前記入力端子及び低電位側端子間に直列に接続された複数のツェナーダイオードの前記入力端子側のツェナーダイオードと、該ツェナーダイオードと隣接するツェナーダイオードの接続点と前記低電位側端子との間に接続された抵抗とで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２分圧回路は、前記入力端子及び低電位側端子に接続された当該入力端子の入力インピーダンスを決定するプルダウン抵抗を分割した第１抵抗及び第２抵抗で構成され、前記第１抵抗及び前記第２抵抗の接続点が前記半導体スイッチ素子の制御端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電圧制御型半導体素子と、前記素子駆動部とが異なる半導体チップに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２分圧回路の前記低電圧側端子側に前記半導体スイッチ素子のゲート閾値電圧の温度依存性を打ち消す半導体素子を接続したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子は、順方向接続されるダイオードで構成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子は、ダイオード接続された半導体スイッチ素子で構成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体スイッチ素子及び前記ダイオード接続された半導体スイッチ素子は、同種のＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記電圧制御型半導体素子と前記素子駆動部とが同一の半導体チップに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記電圧制御型半導体素子は、ＩＧＢＴ及びＭＯＳＦＥＴの何れかで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負荷を駆動する電圧制御型半導体素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置では、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等で構成される電圧制御型半導体素子を備えている。
例えば特許文献１に記載されているように車両に搭載された内燃機関の点火装置として使用する場合には、点火コイルの一次側の一端がバッテリに接続され、他端が電圧制御型半導体素子を通じて接地される。そして、電圧制御型半導体素子をターンオンするには、外部の制御装置から所定電圧の点火信号をゲート信号としてゲート抵抗を通じて電圧制御型半導体素子のゲートに供給することにより、ゲート電圧を上昇させて電圧制御型半導体素子をターンオンさせる。
【０００３】
一方、電圧制御型半導体素子をターンオフするには、電圧制御型半導体素子のゲートに蓄積されたゲート容量を外部の制御装置側に放電する。
また、点火信号を電源電圧として作動する動作レベル設定回路、サーマル式シャットオフ回路、電流制限回路等の保護制御回路を備えている。
また、特許文献２に記載されているように、この保護制御回路を構成するデジタル回路、アナログ回路及びパワーデバイス駆動回路の電源電圧の瞬間的な低下を補償するために、個別にローパスフィルタ回路を設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３６４３８号公報
【特許文献２】特開２０１６−１６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１及び２に記載された従来例では、点火信号を電源電圧として各種制御回路を作動させ、この場合の電源電圧の瞬間的な低下にローパスフィルタ回路で対処することができる。
しかしながら、入力端子から電圧制御型半導体素子の制御端子との間に電圧が天絡等によって電圧制御型半導体素子及び各種制御回路を保護する設定電圧を超えた場合に、電圧制御型半導体素子及び各種制御回路を保護することはできない。
【０００６】
そこで、本発明は、上述した従来例の課題に着目してなされたものであり、少なくとも電圧制御型半導体素子に供給する制御信号の電圧の上昇を抑制して電圧制御型半導体素子および各種制御回路を電圧上昇から保護することができる半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の一態様は、負荷を駆動する電圧制御型半導体素子と、電圧制御型半導体素子の制御端子に対する制御信号が入力され、この制御信号によって電圧制御型半導体素子の制御端子を制御するとともに、制御信号を電源として駆動される制御回路を有する素子駆動部とを備え、素子駆動部は、制御信号が入力される入力端子及び電圧制御型半導体素子の低電位側端子が接続される低電位側端子と、入力端子及び低電位側端子間に接続され、第１分圧電圧が電圧制御型半導体素子及び制御回路を保護する設定電圧以下となるように設定された第１分圧回路と、この第１分圧回路の分圧動作を制御する半導体スイッチ素子と、入力端子に前記設定電圧を超える電圧が入力されたときに半導体スイッチ素子を導通させる第２分圧電圧を半導体スイッチ素子の制御端子に出力する第２分圧回路とを備え、第１分圧電圧を電圧制御型半導体素子の制御端子及び制御回路に供給している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、入力端子に天絡等が生じた場合に、電圧制御型半導体素子の制御端子及び入力端子間の制御電圧が設定電圧を超えて上昇することを抑制して電圧制御型半導体素子及び各種制御回路を確実に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火制御装置を示す回路図である。
【図２】個別天絡保護回路を示す回路図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火制御装置を示す回路図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火制御装置を示す回路図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火装置を示す回路図である。
【図６】本発明の第５の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火装置を示す回路図である。
【図７】本発明の第６の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火装置を示す回路図である。
【図８】本発明の第７の実施形態に従った半導体装置を備えた内燃機関の点火装置を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の一実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
以下、本発明に従った第１の実施形態に係る半導体装置を備えた内燃機関の点火制御装置について図１を伴って説明する。
内燃機関の点火制御装置１０は、図１に示すように、一次側にバッテリ１１から電源電圧が印加され、二次側に点火プラグで構成される点火装置１２が接続された誘導性負荷となる点火コイル１３を備えている。この点火コイル１３の一次側のバッテリ１１とは反対側に例えば２チップイグナイタを構成する半導体装置２０が接続されている。この半導体装置２０には外部の例えば制御装置から点火信号となる制御信号が供給される。
【００１２】
半導体装置２０は、点火コイル１３の１次コイル１３ａのバッテリ１１とは反対側に接続される高電位側端子となるコレクタ端子ｔｃと、グランドに接続される低電位側端子となるエミッタ端子ｔｅと、外部の制御装置に接続される入力端子となるゲート端子ｔｇとを備えている。
そして、コレクタ端子ｔｃ及びエミッタ端子ｔｅ間には、電圧制御型半導体素子であるメインＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）２１ｍが接続されている。この
メインＩＧＢＴ２１ｍは、高電位側端子となるコレクタがコレクタ端子ｔｃに接続され、低電位側端子となるエミッタが低電位側配線２２を介してエミッタ端子ｔｅに接続されている。また、メインＩＧＢＴ２１ｍは、制御端子となるゲート端子がゲート抵抗２３を介し、制御信号の供給経路となる制御配線２４を介してゲート端子ｔｇに接続されている。
【００１３】
このゲート抵抗２３は、メインＩＧＢＴ２１ｍの寄生ゲート容量とでフィルタを構成し、ゲート電圧を制御した際に発振が生じにくくなるように抑制する。
また、メインＩＧＢＴ２１ｍと並列に電流検出用のセンスＩＧＢＴ２１ｓが接続されている。このセンスＩＧＢＴ２１ｓは、コレクタがメインＩＧＢＴ２１ｍのコレクタに接続され、ゲートがメインＩＧＢＴ２１ｍのゲートに接続され、エミッタが後述する制御半導体チップ３０に形成された電流検出用抵抗３４を介して低電位側配線２２に接続されている。
【００１４】
そして、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ及びゲート抵抗２３が１つのパワー半導体チップ２５に形成されている。このパワー半導体チップ２５は、パッケージ組立の際の機械的な接触や、製品としてパッケージ後に人間が触れることによる静電気放電（Electro-Static Discharge、以下ＥＳＤと称す）から保護する必要があり、ゲート抵抗２３及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートとの間と低電位側配線２２との間に例えば２つのツェナーダイオード２６が接続されている。
【００１５】
そして、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓがパワー半導体チップ２５とは異なる制御半導体チップ３０に形成された素子駆動部３１によって制御される。
この素子駆動部３１は、制御配線２４にゲート抵抗２３と直列に接続されたゲート抵抗２３の抵抗値より大きな抵抗値を有する抵抗３２が接続されている。一例として、抵抗３２の抵抗値は比較的大きい例えば数キロΩ程度に設定され、ゲート抵抗２３の抵抗値は比較的小さい例えば数十Ω程度に設定されている。
【００１６】
抵抗３２には、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのターンオフを速めるスピードアップ用のダイオード３３が並列に接続されている。このダイオード３３のアノードは、抵抗３２及びゲート抵抗２３間の制御配線２４に接続され、カソードは抵抗３２及びゲート端子ｔｇ間の制御配線２４に接続されている。このダイオード３３の一例はＰＮ接合型のダイオードであるが、順方向電圧がＰＮ接合型ダイオードより低いショットキバリアダイオードを適用することも可能である。
【００１７】
また、素子駆動部３１は、一端がセンスＩＧＢＴ２１ｓのエミッタに接続され、他端がメインＩＧＢＴ２１ｍのエミッタ及びエミッタ端子ｔｅ間に接続された電流検出用抵抗３４を有する。
さらに、素子駆動部３１は、抵抗３２とゲート抵抗２３側の制御配線２４と、低電位側配線２２のメインＩＧＢＴ２１ｍのエミッタ及びエミッタ端子ｔｅ間との間に接続された電流制限用の例えばＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成される半導体スイッチ素子３５を有する。
【００１８】
また、素子駆動部３１は、抵抗３２と後述する第１分圧回路の抵抗４２ａとの間の制御電圧（例えば５Ｖ）が電源電圧としてそれぞれ供給された制御回路としての入力判定回路３６、保護制御回路３７、ゲート制御回路３８を備えている。
入力判定回路３６は、ゲート端子ｔｇに供給される外部の制御装置からのゲート信号に基づく制御電圧Ｖｃｏが予め設定されたイグナイタの閾値電圧Ｖｔｈ以上であるか否かを判定する。この入力判定回路３６では、制御電圧Ｖｃｏが閾値電圧Ｖｔｈ未満であるときには、例えばローレベルの入力判定信号Ｓｊを出力し、制御電圧Ｖｃｏが閾値電圧Ｖｔｈ以上であるときに例えばハイレベルの入力判定信号Ｓｊを出力する。
【００１９】
保護制御回路３７は、パワー半導体チップ２５に内蔵させたダイオードなどの温度センサの検出信号を取り込むことにより、メインＩＧＢＴ２１ｍが設定温度以上の高温になった場合に、前記ゲート制御回路３８に遮断信号Ｓｓを出力する。
また、保護制御回路３７は、入力判定回路３６から入力される入力判定信号Ｓｊに基づいて外部の制御装置に異常が発生し長すぎるゲート信号が入力された場合を検出する。すなわち、保護制御回路３７では、タイマー回路で入力端子となるゲート端子ｔｇに印加されるゲート信号のオン時間をカウントし、オン時間が一定時間に達したときに、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲート電圧Ｖｇがローレベルとなるように半導体スイッチ素子３５を制御する遮断信号Ｓｓをゲート制御回路３８に出力する。
【００２０】
ゲート制御回路３８は、センスＩＧＢＴ２１ｓのエミッタ及び電流検出用抵抗３４の接続点の端子電圧が電流検出値として入力されるとともに、入力判定回路３６から出力される入力判定信号Ｓｊ及び保護制御回路３７から出力される遮断信号Ｓｓが入力されている。
このゲート制御回路３８は、入力判定信号Ｓｊがローレベルであるときには、半導体スイッチ素子３５をオン状態に制御して、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートに供給されるゲート電圧Ｖｇを低電位に維持する。このため、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓがオフ状態に維持される。
【００２１】
一方、ゲート制御回路３８は、入力判定信号Ｓｊがハイレベルであるときには、半導体スイッチ素子３５をオフ状態に制御し、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートへのゲート信号の供給を許容する。
さらに、ゲート制御回路３８は、保護制御回路３７からハイレベルの遮断信号Ｓｓが入力されたときに、半導体スイッチ素子３５をオン状態に制御してメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートに供給されるゲート電圧Ｖｇを低電位に維持する。このため、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓはターンオフされる。
【００２２】
さらに、ゲート制御回路３８は、電流制限回路としても動作する。すなわち、ゲート制御回路３８では、メインＩＧＢＴ２１ｍのコレクタ電流Ｉｃが電流制限値ＩＬＩＭに達すると、この電流制限値ＩＬＩＭを維持するように半導体スイッチ素子３５をオン状態に制御する。これにより、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲート電圧Ｖｇを低下制御し、メインＩＧＢＴ２１ｍの発熱による破壊から保護する。
【００２３】
また、素子駆動部３１は、入力端子となるゲート端子ｔｇ側の制御配線２４と低電位側端子となるエミッタ端子ｔｅ側の低電位側配線２２との間に接続されたプルダウン抵抗３９を有する。このプルダウン抵抗３９は、ゲート端子ｔｇの入力インピーダンスを決定する。
さらに、制御半導体チップ３０も、パワー半導体チップ２５と同様に、パッケージ組立の際の機械的な接触や、製品としてパッケージ後に人間が触れることによる静電気放電（ＥＳＤ）から保護する必要があり、プルダウン抵抗３９と並列に例えば３つのツェナーダイオードを直列に接続したツェナーダイオード群４０が接続されている。
【００２４】
また、素子駆動部３１は、接続されているメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８が５Ｖ系の制御系で構成されている。このため、入力端子となるゲート端子ｔｇや制御配線２４にバッテリ１１の電源系統に接続される天絡が生じて、５Ｖ制御系の定格電圧又は許容上限電圧でなる保護すべき設定電圧を超えた場合に半導体素子及び各種回路が破壊される虞がある。特に、内燃機関の点火装置では、天絡から素子駆動部３１の構成部品を確実に保護する必要がある。
【００２５】
このため、本実施形態では、入力判定回路３６及びツェナーダイオード群４０間に、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ及び素子駆動部３１の構成部品を天絡から保護する天絡保護回路４１が設けられている。
この天絡保護回路４１は、第１分圧回路４２と例えばＮチャネルＭＯＳＦＥＴで構成される半導体スイッチ素子４３との直列回路４４と、この直列回路４４と並列に接続された第２分圧回路４５とで構成されている。
【００２６】
ここで、第１分圧回路４２は、直列に接続された２つの抵抗４２ａ及び４２ｂで構成されている。抵抗４２ａは、ツェナーダイオード群４０と入力判定回路３６との間の制御配線２４に介挿されている。抵抗４２ｂは、抵抗４２ａと入力判定回路３６との間の制御配線２４と低電位側配線２２との間に半導体スイッチ素子４３と直列に接続されている。
そして、第１分圧回路４２の抵抗４２ａ及び４２ｂの接続点Ａが制御配線２４に接続されている。つまり、制御配線２４が第１分圧回路４２の抵抗４２ａを介して入力端子となるゲート端子ｔｇに接続され、第１分圧回路４２の抵抗４２ｂが半導体スイッチ素子４３を介して低電位側配線２２に接続されている。
【００２７】
このため、半導体スイッチ素子４３がオフ状態であるときには、第１分圧回路４２は分圧回路としては機能せず、入力端子としてのゲート端子ｔｇに印加されるゲート信号がそのまま抵抗４２ａを介してセンスＩＧＢＴ２１ｓ側の制御配線２４に供給される。
これに対して、半導体スイッチ素子４３がオン状態であるときには、第１分圧回路４２が分圧回路として機能し、抵抗４２ａの抵抗値と抵抗４２ｂの抵抗値及び半導体スイッチ素子４３のオン抵抗との合成抵抗値とで決まる第１分圧電圧ＶａがセンスＩＧＢＴ２１ｓ側の制御配線２４に供給される。
【００２８】
したがって、抵抗４２ａ及び４２ｂの抵抗値は、ゲート端子ｔｇ又は制御配線２４に天絡が生じてゲート端子ｔｇ側の制御配線２４にバッテリ１１のバッテリ電圧ＶＢとして例えば１６Ｖとなる過電圧が印加されたときに、第１分圧回路４２の抵抗４２ａ及び４２ｂ間の接続点Ａから出力される第１分圧電圧ＶａがメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８を構成する半導体素子の定格電圧又は許容電圧でなる設定電圧Ｖｓ未満となるように設定される。
【００２９】
また、第２分圧回路４５は、第１分圧回路４２の抵抗４２ａと入力端子となるゲート端子ｔｇとの接続点と低電位側配線２２との間に直列に接続された２つの抵抗４５ａ及び４５ｂで構成されている。そして、抵抗４５ａ及び４５ｂの接続点が半導体スイッチ素子４３の制御端子であるゲートに接続されている。
この第２分圧回路４５は、抵抗４５ａ及び４５ｂの抵抗値が、抵抗４２ａ及びゲート端子ｔｇ間に前述した設定電圧Ｖｓ以上の高電圧が印加されたときに、抵抗４５ａ及び４５ｂの接続点から出力される第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３を導通状態とするゲート閾値電圧以上となるように設定されている。
【００３０】
次に、上記第１の実施形態の動作を説明する。
今、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び制御配線２４が天絡状態ではない正常状態であるものとする。この正常状態では、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓ未満となる。このため、天絡保護回路４１では、第２分圧回路４５の抵抗４５ａ及び４５ｂの接続点Ｂの第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧未満となる。このため、半導体スイッチ素子４３はオフ状態を維持し、第１分圧回路４２は分圧動作を停止している。
【００３１】
この正常状態で、ゲート端子ｔｇに外部の制御装置から印加されるゲート信号がローレベルであるときには、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓの寄生ゲート容量に蓄積されている電荷が放電されている。このため、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓはオフ状態を維持し、点火コイル１３の１次コイル１３ａに対するバッテリ１１のバッテリ電圧ＶＢの供給が停止されている。また、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８は、ゲート信号がローレベルであるので、電源電圧が入力されず、動作停止状態にある。
【００３２】
この状態から、ゲート信号がハイレベル（例えば５Ｖ）に立ち上がると、このゲート信号が制御電圧Ｖｃｏとして第１分圧回路４２の抵抗４２ａを介して入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８に電源電圧として供給されて、これらが動作状態となる。
このとき、入力判定回路３６に入力される制御電圧Ｖｃｏが閾値電圧Ｖｔｈ未満であるときには、入力判定信号Ｓｊがローレベルを維持し、ゲート制御回路３８によって半導体スイッチ素子３５がオン状態に制御される。このため、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートに供給されるゲート電圧Ｖｇが低電位に維持され、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓがオフ状態に維持される。
【００３３】
その後、入力判定回路３６に入力される制御電圧Ｖｃｏが閾値電圧Ｖｔｈ以上となると、ハイレベルの入力判定信号Ｓｊが保護制御回路３７及びゲート制御回路３８に出力される。
保護制御回路３７では、ハイレベルの入力判定信号Ｓｊに基づいてタイマー回路がカウントを開始する。ゲート制御回路３８では、ハイレベルの入力判定信号Ｓｊに基づいて半導体スイッチ素子３５をオフ状態とする。このため、制御電圧Ｖｃｏがゲート電圧ＶｇとしてメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートに印加されてメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓがターンオン状態となる。
【００３４】
したがって、バッテリ１１から点火コイル１３の１次コイル１３ａを介し、半導体装置２０のコレクタ端子ｔｃを経てメインＩＧＢＴ２１ｍのコレクタにコレクタ電流Ｉｃが流れ始める。このコレクタ電流Ｉｃは、インダクタンスと点火コイル１３の１次コイル１３ａに印加される電圧でｄＩ／ｄｔが決定される。
また、コレクタ電圧Ｖｃは、点火コイル１３のインダクタンスの変化率Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）によってコレクタ電圧Ｖｃが緩やかに立ち上がり、その後例えば３〜５Ｖの低電圧で一定電圧を維持する。
【００３５】
そして、メインＩＧＢＴ２１ｍがオン状態に制御されている間、点火コイル１３の１次コイル１３ａに電磁エネルギが蓄積される。その後、ゲート信号が所定の点火期間Ｔｓが経過した時点で、ローレベルに復帰すると、これに応じてメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲート電圧がスピードアップ用のダイオード３３を介して外部の制御装置側に迅速に引き抜かれる。これによって、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓがターンオフする。
【００３６】
このため、メインＩＧＢＴ２１ｍのコレクタ電流Ｉｃは急激に減少し、このコレクタ電流Ｉｃの急激な変化により、点火コイル１３の１次コイルの両端電圧は自己誘導作用により数百Ｖまで急激に上昇する。同時に、２次コイル１３ｂの両端電圧も相互誘導作用により数１０ｋＶまで上昇し、その電圧が点火装置１２に印加される。点火装置１２では印加電圧が数１０ｋＶ以上で火花放電を発生させて内燃機関を駆動する。
【００３７】
この通常の点火動作では、コレクタ電流Ｉｃが電流制限値ＩＬＩＭに達することがないようにゲート信号のオン時間が設定されている。このため、ゲート制御回路３８ではゲート信号がローレベルとなっており、半導体スイッチ素子３５はオフ状態を維持し、電流制限動作は停止している。同様に、保護制御回路３７で過熱状態を検出しておらず、ゲート信号のオン時間が設定時間未満であるときには、保護制御回路３７から遮断信号Ｓｓがゲート制御回路３８に出力されず、半導体スイッチ素子３５はオフ状態を維持している。
【００３８】
以上が通常の点火動作であるが、外部の制御装置に異常が発生し、ゲート端子ｔｇに入力されるゲート信号のオン時間幅が通常時のオン時間幅を超える状態となると、以下の保護動作が実行される。
すなわち、ゲート信号がオン状態となって、入力判定回路３６に入力される制御電圧Ｖｃｏが閾値電圧Ｖｔｈ以上となると、ハイレベルの入力判定信号Ｓｊが保護制御回路３７入力される。このため、保護制御回路３７のタイマー回路でカウントを開始する。
【００３９】
そして、ゲート信号のオン状態が、通常時の所定の点火期間Ｔｓを超えて継続すると、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのオン時間が長くなり、コレクタ電流Ｉｃが増加する。このコレクタ電流ＩｃがセンスＩＧＢＴ２１ｓのエミッタに接続された電流検出用抵抗３４で電圧信号として検出され、検出された電圧信号がゲート制御回路３８に入力されることにより、電流制限動作が開始される。
【００４０】
この電流制限動作は、コレクタ電流Ｉｃが制限電流Ｉｓ（例えば１２Ａ）を維持するように、半導体スイッチ素子３５をオン・オフ制御する。この電流制限動作によって、パワー半導体チップ２５の発熱を抑制する。
この電流制限動作状態となっても、ゲート信号のオン状態が継続される場合には、保護制御回路３７で、タイマー回路がタイムアップするか、または過熱検出部での検出温度が設定温度に達することになる。このため、タイマー回路のタイムアップ時点または過熱検出時点で保護制御回路３７からハイレベルの遮断信号Ｓｓがゲート制御回路３８に出力される。したがって、ゲート制御回路３８からハイレベルのゲート信号が半導体スイッチ素子３５に出力されて、この半導体スイッチ素子３５かオン状態なり、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓが直ちにターンオフされる。
【００４１】
さらに、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び制御配線２４の一方がバッテリ１１の電源系統に接続される天絡状態となると、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが例えば１６Ｖまで上昇する。このため、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓを超えると、第２分圧回路４５の抵抗４５ａ及び４５ｂの接続点Ｂの第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈ以上となる。したがって、半導体スイッチ素子４３がオン状態となり、第１分圧回路４２の抵抗４２ｂが半導体スイッチ素子４３を通じて低電位側配線２２に接続される。
【００４２】
この結果、第１分圧回路４２で分圧動作を開始し、抵抗４２ａ及び４２ｂの接続点Ａから出力される第１分圧電圧Ｖａがバッテリ電圧ＶＢとはならず、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ及び素子駆動部３１の各構成部品の定格電圧又は許容上限電圧となる設定電圧Ｖｓ以下に制限される。この設定電圧Ｖｓが制御配線２４を通じてメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのゲートに印加されるとともに、半導体スイッチ素子３５、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８を構成する半導体スイッチ素子に印加される。
【００４３】
したがって、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び制御配線２４の何れかに天絡が生じた場合でも、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ及び素子駆動部３１の各構成部品に印加される電圧は設定電圧Ｖｓ以下に制限される。よって、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ及び素子駆動部３１の各構成部品が破壊されることを確実に防止することができる。
【００４４】
このように、上記第１の実施形態によると、制御配線２４に印加される電圧が設定電圧Ｖｓを超えると、半導体スイッチ素子４３が導通状態となって第１分圧回路４２が分圧動作を開始して、制御配線に印加する制御電圧を設定電圧Ｖｓ以下に制限するので、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、素子駆動部３１の各構成部品を確実に保護することができる。
【００４５】
ちなみに、本実施形態による天絡保護回路４１を設けない場合には、少なくとも入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８のそれぞれに個別に天絡保護回路を設ける必要がある。この場合の天絡保護回路は、図２に示すように、入力端子ｔｉｎ及び出力端子ｔｏｕｔ間に設けた前述した特許文献２に記載された抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１で構成されるローパスフィルタＬＰＦと、コンデンサＣ１と並列に接続された制御電圧Ｖｃｏを設定電圧Ｖｓに制限するツェナーダイオードＺＤとで構成される。したがって、天絡保護回路数が増加し、制御半導体チップ３０のチップサイズが大きくなる。
【００４６】
これに対して、本実施形態では、第１分圧回路４２及び第２分圧回路４５を構成する４つの抵抗と１つの半導体スイッチ素子４３とで構成される１つの天絡保護回路を設けるだけでよく、半導体チップサイズを縮小することができる。
また、本実施形態では、センスＩＧＢＴ２１ｓ側の制御配線２４に印加される制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓを超えることがないので、例えば耐圧７Ｖのスピードアップ用のダイオード３３を１つ設ければよく、ダイオード３３の導通抵抗がメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのターンオフに影響を与えることはない。
【００４７】
これに対して、天絡保護回路４１を設けない場合には、制御配線２４に例えば１６Ｖが印加されることになるので、スピードアップ用のダイオード３３は耐圧７Ｖのダイオードを３段接続する必要が生じる。このようにスピードアップ用ダイオードを３段構成とすると、ダイオードの順方向電圧Ｖｆを０．７Ｖとしたときに、ダイオードを３段直列に接続する場合には、０．７Ｖ×３＝２．１Ｖとなり、メインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのオン閾値以上の電圧が掛かることで速やかにメインＩＧＢＴ２１ｍ及びセンスＩＧＢＴ２１ｓのコレクタ電流を遮断できない可能性がある。
【００４８】
次に、本発明の第２の実施形態について図３を伴って説明する。
この第２の実施形態では、第２分圧回路４５の構成をツェナーダイオードと抵抗の直列回路に変更したものである。
すなわち、第２の実施形態では、図３に示すように、前述した第１の実施形態における第２分圧回路４５の抵抗４５ａが省略され、これに代えて，ツェナーダイオード４５ｃが設けられている。このツェナーダイオード４５ｃの耐圧は制御配線２４にメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８の定格電圧又は許容上限電圧に設定された設定電圧Ｖｓと等しい例えば７Ｖに設定されている。
【００４９】
このツェナーダイオード４５ｃは、カソードが第１分圧回路４２の抵抗４２ａ及び入力端子となるゲート端子ｔｇ間に接続され、アノードが抵抗４５ｂと半導体スイッチ素子４３のゲートとの接続点Ｂに接続されている。
そして、第２分圧回路４５のツェナーダイオード４５ｃの動作抵抗値と抵抗４５ｂの抵抗値とは、設定電圧Ｖｓ以下であるときに接続点Ｂから出力される第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧未満となり、設定電圧Ｖｓを超えたときに第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧以上となるように設定されている。
【００５０】
その他の構成については、第１の実施形態と同様の構成を有し、図３において図１との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
この第２の実施形態によると、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び制御配線２４に供給される制御電圧が設定電圧Ｖｓ以下である正常状態では、第２分圧回路４５のツェナーダイオード４５ｃが非導通状態を維持する。このため、ツェナーダイオード４５ｃ及び抵抗４５ｂの接続点Ｂから出力される第２分圧電圧Ｖｂが低電位側配線２２の低電位となる。
【００５１】
したがって、正常時には、前述した第１の実施形態と同様の動作を行ない、ゲート信号のオン時間が長くなったときの電流制限動作も前述した第１の実施形態と同様の動作を行なう。
一方、正常状態から入力端子としてのゲート端子ｔｇ又は制御配線２４がバッテリ１１の電源系統に接続される天絡状態となると、ゲート信号のオン・オフにかかわらず制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓ（例えば７Ｖ）を超えて１６Ｖまで急増することになる。このため、第２分圧回路４５が制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏを監視しており、制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓを超えた時点で第２分圧回路４５のツェナーダイオード４５ｃが導通状態となる。したがって、接続点Ｂから出力される第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧以上となり、半導体スイッチ素子４３が直ちにオン状態となる。
【００５２】
このため、第１分圧回路４２では、抵抗４２ｂが半導体スイッチ素子４３を介して低電位側配線２２に接続されるので分圧動作を開始し、抵抗４２ａ及び４２ｂの接続点Ａから出力される第１分圧電圧Ｖａが設定電圧Ｖｓ以下に制御される。この第１分圧電圧Ｖａが制御配線２４を通じてメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８に供給される。
【００５３】
したがって、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び第１分圧回路４２間の制御配線２４に天絡が生じても、メインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８に供給される制御電圧Ｖｃｏは設定電圧Ｖｓ以下に確実に制限される。この結果、天絡発生時にメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８を確実に保護することができる。したがって、第２の実施形態でも前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５４】
次に、本発明の第３の実施形態について図４を伴って説明する。
この第３の実施形態は、第１の実施形態における第２分圧回路４５を、制御半導体チップ３０を静電気放電（ＥＳＤ）から保護するツェナーダイオードに接続するようにしたものである。
すなわち、第３の実施形態では、図４に示すように、上述した第１の実施形態における第２分圧回路４５を構成する抵抗４５ａを制御配線２４に接続する場合に代えて、制御半導体チップ３０を静電気放電（ＥＳＤ）から保護するツェナーダイオード群４０の制御配線２４側のツェナーダイオード４０ａとこれに隣接するツェナーダイオード４０ｂの接続点Ｃに接続されている。ここで、第２分圧回路４５の抵抗４５ａ及び４５ｂの抵抗値は、ツェナーダイオード４０ａを介して設定電圧Ｖｓを超える過電圧が入力されたときに、第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧以上となるように設定されている。
【００５５】
その他の構成については第１の実施形態と同様の構成を有し、図４において図１との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
この第３の実施形態によると、第２分圧回路４５を構成する抵抗４５ａが制御半導体チップ３０を静電気放電（ＥＳＤ）から保護するツェナーダイオード群４０の制御配線２４側のツェナーダイオード４０ａとこれに隣接するツェナーダイオード４０ｂとの接続点Ｃに接続されている。この第２分圧回路４５の分圧動作自体は、前述した第１の実施形態と変わりはないが、第２分圧回路４５には制御配線２４の制御電圧がツェナーダイオード４０ａの耐圧である設定電圧Ｖｓを超えたときにのみ電圧が供給されることになる点が異なる。このため、制御配線２４の制御電圧が設定電圧Ｖｓを超えたときに、半導体スイッチ素子４３がオン状態に制御される。したがって、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５６】
しかも、正常時に第２分圧回路４５を通じてエミッタ端子ｔｅに流れる電流を抑制することができる。このため、第１の実施形態のように第２分圧回路４５をプルダウン抵抗３９と並列に接続する場合には、プルダウン抵抗３９以外に新たな電流路が形成されて入力端子となるゲート端子ｔｇの入力インピーダンスがプルダウン抵抗３９より下がってしまうことになる。しかしながら、第３の実施形態によると、正常時にプルダウン抵抗３９と並列に電流路が形成されることがないので、正確な入力インピーダンスを決定することができる。
【００５７】
次に、本発明の第４の実施形態について図５を伴って説明する。
この第５の実施形態では、第２分圧回路を前述した入力端子となるゲート端子ｔｇの入力インピーダンスを決定するプルダウン抵抗を利用して構成するようにしたものである。
すなわち、第４の実施形態では、図５に示すように、プルダウン抵抗３９を２つの第１抵抗３９ａ及び第２抵抗３９ｂに分割して、これらを直列に配置することで第２分圧回路４５を形成している。そして、第１抵抗３９ａ及び第２抵抗３９ｂの接続点Ｄを半導体スイッチ素子４３のゲートに接続している。
【００５８】
また、第１抵抗３９ａ及び第２抵抗３９ｂの抵抗値は、合成抵抗値がプルダウン抵抗３９の抵抗値と同じ値で、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓ以下であるときに、接続点Ｄから出力される第２分圧電圧Ｖｄが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧未満となり、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓを超えたときに接続点Ｄから出力される第２分圧電圧Ｖｄが半導体スイッチ素子４３のオン閾値電圧以上となるように設定されている。
【００５９】
この第４の実施形態によると、第２分圧回路４５がプルダウン抵抗３９を利用して構成されていることを除いては前述した第１の実施形態と実質的に同一の構成となるので、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
しかも、第４の実施形態では、前述した第１の実施形態のように第２分圧回路４５をプルダウン抵抗３９と並列に接続する必要がない。このため、第２分圧回路４５を構成する部品点数を減少させることができる。その上、第１の実施形態のように第２分圧回路４５をプルダウン抵抗３９と並列に接続する場合には、プルダウン抵抗３９以外に新たな電流路が形成されて入力端子となるゲート端子ｔｇの入力インピーダンスがプルダウン抵抗３９より下がってしまうことになる。しかしながら、第４の実施形態によると、プルダウン抵抗３９ａ及び３９ｂと並列に電流路が形成されることがないので、正確な入力インピーダンスを決定することができる。
【００６０】
次に、本発明の第５の実施形態について図６を伴って説明する。
この第５の実施形態では、第１分圧回路に対する半導体スイッチ素子の接続位置を変更したものである。
すなわち、第５の実施形態では、前述した第１〜第４の実施形態における半導体スイッチ素子４３の接続位置が、抵抗４２ｂと低電位側配線２２との間に直列に接続する場合から抵抗４２ｂと制御配線２４との間に直列に接続する場合に変更されている。
【００６１】
この第５の実施形態でも、第１分圧回路４２としては、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓ以下であるときには、第２分圧回路４５の第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３の閾値電圧未満となる。このため、半導体スイッチ素子４３はオフ状態を維持し、接続点Ａと低電位側配線２２との間の電流路が遮断されて分圧動作が停止される。
【００６２】
一方、制御配線２４の制御電圧Ｖｃｏが設定電圧Ｖｓを超えると、第２分圧回路４５の第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３の閾値電圧以上となる。このため、半導体スイッチ素子４３はオン状態となり、この半導体スイッチ素子４３を通じて抵抗４２ｂが接続点Ａに接続される。したがって、第１分圧回路４２が分圧動作を開始し、接続点Ａから出力される第１分圧電圧Ｖａが設定電圧Ｖｓ以下に制御される。
【００６３】
したがって、入力端子となるゲート端子ｔｇ及び制御配線２４に天絡が発生して、設定電圧Ｖｓを超える過電圧が印加された場合に、この過電圧を第１分圧回路４２で設定電圧Ｖｓ以下に抑制することができる。このため、過電圧がメインＩＧＢＴ２１ｍ、センスＩＧＢＴ２１ｓ、入力判定回路３６、保護制御回路３７及びゲート制御回路３８に供給されることを確実に防止して、これらを保護することができる。
【００６４】
次に、本発明の第６の実施形態について図７を伴って説明する。
この第６の実施形態では、第２分圧回路に半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧の温度依存性を打ち消す機能を付加したものである。
すなわち、第６の実施形態では、図７に示すように、第２分圧回路４５の抵抗４５ｂと低電位側配線２２との間に、半導体スイッチ素子４３のゲート閾電圧の温度依存性を打ち消すダイオード４６がアノードを抵抗４５ｂ側とし、カソードを低電位側配線２２側として順方向に接続されている。ここで、ダイオード４６は、半導体スイッチ素子４３のゲート閾電圧の温度依存性を打ち消せるように、順方向電圧Ｖｆ、サイズ、直列数、並列数などの定数が設定されている。
【００６５】
そして、ゲート端子ｔｇとエミッタ端子ｔｅ間に前述した設定電圧Ｖｓ以上の高電圧が印加されたときに、第２分圧回路４５において、抵抗４５ａ及び抵抗４５ｂで発生する電圧とダイオード４６順方向電圧Ｖｆとの和で表される第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３を導通状態とするゲート閾値電圧以上となるように設定されている。
その他の構成については前述した第１の実施形態と同様の構成を有し、図１との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【００６６】
この第６の実施形態によると、半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈは負の温度依存性を持っているが、ダイオード４６の順方向電圧Ｖｆも負の温度係数を持っているため、ダイオード４６の定数（順方向電圧Ｖｆ、サイズ、直列数、並列数）を適正に設定することで半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈの温度依存性を打ち消すことができる。
【００６７】
したがって、デバイスの温度に依存しない天絡保護回路を提供することができる。
次に、本発明の第７の実施形態について図８を伴って説明する。
この第７の実施形態では、上述した第６の実施形態における半導体スイッチ素子のゲート閾値電圧の温度依存性を打ち消す素子としてダイオードに代えてダイオード接続の半導体スイッチ素子を適用したものである。
【００６８】
すなわち、第７の実施形態では、図８に示すように、前述した第７の実施形態におけるダイオードが省略され、これに代えてダイオード接続の半導体スイッチ素子４７が接続されている。
ダイオード接続の半導体スイッチ素子４７としては、半導体スイッチ素子４３と同種のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを適用し、チャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｗ／Ｌも半導体スイッチ素子４３と同じに設定されている。この半導体スイッチ素子４７は、ドレインが抵抗４５ｂに接続され、ソースが低電位側配線２２に接続され、ゲートがドレインに接続されている。
【００６９】
この第７の実施形態でも、ゲート端子ｔｇとエミッタ端子ｔｅ間に前述した設定電圧Ｖｓ以上の高電圧が印加されたときに、第２分圧回路４５において、抵抗４５ａ及び抵抗４５ｂで発生する電圧とダイオード接続した半導体スイッチ素子４７の順方向電圧Ｖｆとの和で表される第２分圧電圧Ｖｂが半導体スイッチ素子４３を導通状態とするゲート閾値電圧以上となるように設定されている。
【００７０】
その他の構成については前述した第６の実施形態と同様の構成を有し、図７との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
この第７の実施形態によると、半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈの温度依存性を打ち消す素子として、半導体スイッチ素子４３と同種で、同一のチャンネル幅とチャンネル長の比Ｗ／Ｌを有する半導体スイッチ素子４７をダイオード接続して適用している。このため、半導体スイッチ素子４７が半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈの温度依存性と同じ温度依存性を有するので、半導体スイッチ素子４３のゲート閾値電圧Ｖｇｔｈの温度依存性を正確に打ち消すことができる。
【００７１】
なお、第２分圧回路４５の構成は、第１の実施形態の構成に限定されるものではなく、第２〜第５の実施形態の構成であっても、低電位側の抵抗と低電位側配線２２との間にダイオード又はダイオード接続された半導体スイッチ素子を順方向に接続すればよい。
また、上記第１〜第７の実施形態では、メインＩＧＢＴ２１ｍの保護機能として、メインＩＧＢＴ２１ｍの電流制限機能、パワー半導体チップ２５の過熱保護機能、入力信号のオン時間が長くなったときのタイマー遮断機能の３つを備えた場合について説明した。しかしながら、本発明は、上記３つの保護機能に限定されるものではなく、３つの内の１つ又は複数の保護機能を持たせることもできる他、他の保護機能を追加することもできる。
【００７２】
また、上記第１〜第７の実施形態では、電圧制御型半導体素子としてＩＧＢＴを適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、パワーＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ、ＧａＮ系、ダイヤモンド半導体等のワイドバンドギャップ半導体素子を適用することができる。
また、第１分圧回路４２と直列に接続する半導体スイッチ素子４３についてもＭＯＳＦＥＴに限定されるものではなく、他の任意の半導体スイッチ素子を適用することができる。
【００７３】
また、上記第１〜第７の実施形態では、半導体装置２０をパワー半導体チップ２５と制御半導体チップ３０との２つのチップで構成する場合について説明したが、パワー半導体チップ２５と制御半導体チップ３０とを一体化してワンチップ構成とすることもできる。
また、第２分圧回路４５を構成するツェナーダイオードをダイオード接続したＭＯＳＦＥＴに置換することもできる。
また、上記第１〜第７の実施形態では、本発明を点火制御装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、他の誘導性負荷を駆動する制御装置にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０…点火制御装置、１１…バッテリ、１２…点火装置、１３…点火コイル、２０…半導体装置、２１ｍ…メインＩＧＢＴ、２１ｓ…センスＩＧＢＴ、２２…低電位側配線、２３…ゲート抵抗、２４…制御配線、２５…パワー半導体チップ、３０…制御半導体チップ、３１…素子駆動部、３２…抵抗、３３…スピードアップ用ダイオード、３４…電流検出用抵抗、３５…半導体スイッチ素子、３６…入力判定回路、３７…保護制御回路、３８…ゲート制御回路、３９…プルダウン抵抗、３９ａ，３９ｂ…抵抗、４０…ツェナーダイオード群、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ…ツェナーダイオード、４１…天絡保護回路、４２…第１分圧回路、４２ａ，４２ｂ…抵抗、４３…半導体スイッチ素子、４５…第２分圧回路、４５ａ，４５ｂ…抵抗、４５ｃ…ツェナーダイオード、４６…ダイオード、４７…ダイオード接続された半導体スイッチ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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