(57)【要約】【課題】基板と型のアライメント精度を向上させるのに有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、型の周辺部を引きつけて型を保持する保持部と、型に形成された第１マークと基板に形成された第２マークとに第１の光を照射して第１マークと第２マークとを検出する検出系と、インプリント材を硬化させるための光をインプリント材に照射する照射部と、型の上方に配置された、第１の光を透過する透過部材とを有する。保持部は、型を底壁、透過部材を上壁、保持部を型と透過部材とを繋ぐ側壁とする閉空間を形成するように、透過部材の周辺部を更に保持するように構成される。照射部は、閉空間の側方から該閉空間の内部に第２の光を照射するように構成される。検出系は、透過部材を介して第１マークと第２マークとを検出する位置に配置される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材を型で成形して前記基板の上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型の周辺部を引きつけて前記型を保持する保持部と、
前記型に形成された第１マークと前記基板に形成された第２マークとに第１の光を照射して前記第１マークと前記第２マークとを検出する検出系と、
前記インプリント材を硬化させるための第２の光を前記インプリント材に照射する照射部と、
前記型の上方に配置された、前記第１の光を透過する透過部材と、
を有し、
前記保持部は、前記型を底壁、前記透過部材を上壁、前記保持部を前記型と前記透過部材とを繋ぐ側壁とする閉空間を形成するように、前記透過部材の周辺部を更に保持し、
前記照射部は、前記閉空間の側方から該閉空間の内部に前記第２の光を照射するように構成され、
前記検出系は、前記透過部材を介して前記第１マークと前記第２マークとを検出する位置に配置されている
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記閉空間は、該閉空間の内部の圧力が調整されることで前記型を変形させるために形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記透過部材は、前記照射部からの前記第２の光は反射するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記透過部材はダイクロイックミラーを含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記保持部、または前記透過部材の周辺部に、前記照射部における前記第２の光を射出する射出部が配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記射出部は、前記照射部における光源部であることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記照射部は、光源部と、前記光源部からの前記第２の光を前記射出部へ導く導光部とを含むことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記閉空間の内部で前記透過部材と対向するように配置された絞りを更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記絞りの前記透過部材と対向する面は、前記照射部からの前記第２の光を反射する反射面をなすことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記絞りの前記透過部材と対向する前記面は、前記照射部からの前記第２の光のエネルギーが前記基板における処理対象領域に集中するように傾斜していることを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記透過部材は、前記照射部からの前記第２の光の照度分布を調整する形状を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置によって基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含み、前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置では、型と基板上のインプリント材とを接触させる前に、ショット毎にアライメントを行う。インプリント装置のアライメントでは、型と基板のそれぞれに形成されたマークを同時に検出することでアライメントするＴＴＭ（Through The Mold）検出系が使用される。特許文献１には、型の上方から型を透過して紫外線を基板上のインプリント材の層に照射するための照明系が型の上部に配置され、その照明系を避けるようにＴＴＭ検出系が配置されたインプリント装置の構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８６０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の構成では、ＴＴＭ検出系は照明系や照明光束との干渉を避けるように配置されるため、ＴＴＭ検出系は照明系の光軸に対して傾けて配置せざるをえない。照明系の光軸に対して傾けて配置されたＴＴＭ検出系で基板をアライメントするために、ＴＴＭ検出系はリトロー配置となっており、リトロー角で回折した光を取り込むことで信号を検出していた。しかし、リトロー配置されたＴＴＭ検出系では、配置上の制約からＴＴＭ検出系の検出開口数（以下、ＮＡ）も十分に上げることができないため、検出光量が少なくアライメント精度が低下してしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、基板と型のアライメント精度を向上させるのに有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材を型で成形して前記基板の上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型の周辺部を引きつけて前記型を保持する保持部と、前記型に形成された第１マークと前記基板に形成された第２マークとに第１の光を照射して前記第１マークと前記第２マークとを検出する検出系と、前記インプリント材を硬化させるための第２の光を前記インプリント材に照射する照射部と、前記型の上方に配置された、前記第１の光を透過する透過部材とを有し、前記保持部は、前記型を底壁、前記透過部材を上壁、前記保持部を前記型と前記透過部材とを繋ぐ側壁とする閉空間を形成するように、前記透過部材の周辺部を更に保持し、前記照射部は、前記閉空間の側方から該閉空間の内部に前記第２の光を照射するように構成され、前記検出系は、前記透過部材を介して前記第１マークと前記第２マークとを検出する位置に配置されていることを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板と型のアライメント精度を向上させるのに有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態における照射部の構成を説明する側面図。
【図３】実施形態における照射部の構成を説明する平面図。
【図４】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図５】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図６】図２のガラス板の変形例を示す図。
【図７】インプリント技術によるパターン転写方法を説明する図。
【図８】従来のインプリント装置の構成を示す図。
【図９】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎず、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
まず、インプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１１】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、石英ガラスである。
【００１２】
図８は、従来のインプリント装置１の構成を概略的に示す図である。インプリント装置１は、基板８の上のインプリント材を型５（モールド）で成形して基板８の上にパターンを形成する。インプリント装置１は、インプリント材を硬化させるために照明光３（主に紫外線）を照射する照射部２と、型５を保持するインプリントヘッド４と、基板８を保持する基板ステージ９とを備える。インプリント装置１は更に、ＴＴＭ検出系７と、インプリント材を基板８に供給するディスペンサ６と、制御部１０とを備える。
【００１３】
ＴＴＭ検出系７は、型５に形成された不図示の型アライメントマークと、基板８に形成された不図示の基板アライメントマークとを検出することができる。両者のアライメントマークの検出結果に基づいて、型５と基板８との位置合わせをすることができる。ＴＴＭ検出系７は、内部に設けられた光源を用いて、型アライメントマークと基板アライメントマークに計測光１１（主に可視光や赤外線）を照射し、その反射光を受光素子２１で検出する。受光素子２１は、例えば光電変換素子（例えばＣＣＤ）等でありうる。
【００１４】
型アライメントマークと基板アライメントマークの位置およびフォーカスを合わせることで、型５と基板８との相対的な位置関係（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を合わせることができる。ＴＴＭ検出系７の検出結果は制御部１０に出力される。制御部１０は、ＴＴＭ検出系７の検出結果に基づいて、基板ステージ９およびインプリントヘッド４の少なくとも一方をＸＹ方向に制御することで、型５および基板８のＸＹ方向における相対的な位置を調整することができる。
【００１５】
ＴＴＭ検出系７による型５と基板８の位置計測では、基板アライメントマークの上部にインプリント材が供給されるため、単色光では干渉縞が発生してしまう。そのため、アライメント信号に干渉縞の信号が加算された状態で検出され、高精度に検出できなくなる。また、計測光１１に紫外線領域の光を用いると、今度は基板アライメントマークの上部に供給されたインプリント材が感光してしまう。従って、こうしたＴＴＭ検出系７の照明光源としては一般に、広帯域かつ非露光光の波長を持つものが使用され、これにより干渉縞の少ない信号が検出されるように構成される。ここで、非露光光とは、インプリント材を硬化させるために照射する光とは異なる波長を持つ光をいう。
【００１６】
型５と基板８とのアライメントが終わると、型５に形成されたパターンの転写が行われる。ディスペンサ６により基板８にインプリント材が供給される。インプリントヘッド４は、型５を保持しながら移動して、型５に形成されたパターンを基板８に供給されたインプリント材に接触させる（押型）。この状態でインプリント材を硬化させるために、照射部２から照明光３（紫外線）が照射される。インプリント材が硬化したら、硬化したインプリント材から型５を引き離す（離型）。
【００１７】
押型時に型５を変形させるために、型５と型５の上方に配置された光を透過する透過部材であるガラス板２０とによって閉空間２４が形成されている。閉空間２４の内部の圧力は制御部１０によって調整されうる。例えば、閉空間２４の内部の圧力を外部より高くしてパターンが基板８に向けて凸に撓むように変形した状態で型５を基板８の上のインプリント材に接触させる。そうすると、型５は基板８の上のインプリント材にパターンの中心部から接触する。その結果、インプリント材と型５との間に空気が閉じ込められることが抑制され、未充填によるパターン欠陥を減らすことができる。
【００１８】
インプリント装置１を用いたインプリント技術によるパターン転写方法を、図７を用いて説明する。
【００１９】
型５には基板８上のインプリント材１４に転写するパターン１３が形成されている。まず、図７（ａ）に示すように、制御部１０は、ディスペンサ６を制御してインプリント材１４を基板８上に供給する。ここで、インプリント材１４は、上述したように、光を照射することで硬化する光硬化性組成物でありうる。次に、制御部１０は、図７（ｂ）に示すように、基板８上のインプリント材１４が型５の真下に来るように基板ステージ９を移動させる。次に、制御部１０はインプリントヘッド４を制御して、図７（ｃ）に示すように、型５を移動させて基板８上のインプリント材１４に接触させる。なお、ここでは、制御部１０は基板ステージ９を移動させて型５を基板８に供給されたインプリント材１４に接触させるようにしてもよい。あるいは、制御部１０は型５と基板８の両方を移動させて型５をインプリント材１４に接触させるようにしてもよい。
【００２０】
型５がインプリント材１４に接触した状態で、照射部２からインプリント材１４を硬化させるための紫外線１５が照射される。インプリント材１４が硬化したら、制御部１０はインプリントヘッド４を制御して、図７（ｄ）に示すように、型５をインプリント材１４から引き離す。これにより、型５に形成されているパターン１３がインプリント材１４に転写され、パターン１３と反転したパターン１６が基板上に形成される。
【００２１】
そして、制御部１０は基板ステージ９を移動させて、基板８における次のショット領域（インプリントを行う処理対象領域）にインプリント材１４を供給してパターンの転写を行う。このように基板上のショット領域に対して押型と離型を繰り返すことで、基板８上の全てのショット領域にパターン１６が形成される。
【００２２】
ところで、押型と離型により基板８に力が加わることによって、基板ステージ９に対して基板８の位置がずれてしまうことがある。これは、従来の光露光装置とは異なり、型５と基板８上に供給されたインプリント材とが接触するために生じうる現象である。基板８が基板ステージ９に対してずれた状態で次のショット領域で押型を行うと、下地のパターンとの重ね合わせが上手くいかず、デバイスの歩留まり低下を招いてしまう。そこで、ショット領域に対して押型と離型を行い、次のショット領域の押型の前に、そのショット領域のアライメントマークを計測することで基板のずれを補正するアライメント手法（ダイバイダイアライメント）が必要になってくる。ダイバイダイアライメントでは、ショット領域毎にショットのアライメントマークを計測し、基板８のずれを補正することで、押型と離型による基板のずれの影響を低減することができるため、下地のパターンと高精度に重ね合わせることができる。
【００２３】
しかし、図８に示した従来のインプリント装置１では、ＴＴＭ検出系７が照射部２と照明光３の照明光束を避けるように配置されている。そのため、ＴＴＭ検出系７のＮＡを十分に上げることができない。ＴＴＭ検出系７のＮＡ４５はＴＴＭ検出系７それ自体の大きさに依存しており、照射部２と照明光３の照明光束を避けるように配置されたＴＴＭ検出系７では、ＴＴＭ検出系７を大型化することができず、ＮＡ４５を大きくすることができない。ＴＴＭ検出系７のＮＡを十分に大きくすることができなければ、アライメント時の光量が低下し、アライメント精度の低下に繋がってしまう。ＴＴＭ検出系７は、型アライメントマークと基板アライメントマークを同時に検出して位置合わせするため、型５の上部に配置せざるを得ない。ただし、型５の上部は配置上混みあっていることから、従来のインプリント装置１では、ＴＴＭ検出系７のＮＡを上げることができず、アライメント精度が低下するという問題があった。ＴＴＭ検出系７のアライメント精度が低下すれば、ダイバイダイアライメントの際の基板の位置ずれを正確に補正することができなくなり、押型時に下地のパターンとの重ね合わせが上手くいかず、デバイスの歩留まりが低下する原因となってしまう。
【００２４】
そこで本実施形態では、型５と基板８をダイレクトに位置合わせするＴＴＭ検出系のＮＡを上げることができ、アライメント精度を向上させることができる構成を実現する。以下に説明する本実施形態の構成によれば、型５に形成されたパターンと基板８のショット領域とを高精度に重ね合わせすることができ、歩留まりの向上に貢献できる。
【００２５】
図１は、第１実施形態に係るインプリント装置１７の構成を概略的に示す図である。インプリント装置１７は、図８に示した従来のインプリント装置１と同様に、基板８を保持する基板ステージ９と、型５を保持するインプリントヘッド４と、ディスペンサ６と、制御部１０とを備える。図８に示された従来のインプリント装置１は、型５の上方から照明光３を照射する照射部２を有する。これに対し、図１に示されたインプリント装置１７は、型５とガラス板２０との間に形成された閉空間に側方から照明光を照射する照射部２８を有する。
【００２６】
図２および図３はそれぞれ、照射部２８の構成例を示す側面図および平面図である。照射部２８は、例えば、発光素子２２と保持部２３とを含みうる。発光素子２２は、例えば、紫外線を発光するレーザーダイオード（ＬＥＤ）で構成される。保持部２３は、例えばインプリントヘッド４の一部として構成され、型５の周辺部を引き付けて型５を保持する。本実施形態において、保持部２３は、ガラス板２０の周辺部を更に保持する。この構成により、型５を底壁、ガラス板２０を上壁、保持部２３を型５とガラス板２０とを繋ぐ側壁とする閉空間２４が形成される。
【００２７】
発光素子２２は、閉空間２４の側方から閉空間２４の内部に照明光２６（第２の光）を照射するように、側壁を構成する保持部２３に複数配置されうる（図３参照）。なお、この保持部２３には、閉空間２４の圧力を制御するための配管（不図示）も接続されうる。
【００２８】
ここで、ガラス板２０の型５と対向する面には、ＴＴＭ検出系１９の計測光１１は透過し、紫外光である照明光２６は反射する、ダイクロイックミラーが構成されている。したがって、発光素子２２により型５とガラス板２０の間に照射された照明光２６は、基板８上のインプリント材に直接照射されるだけでなく、ガラス板２０での反射光２７もインプリント材に照射することができ、効率的にインプリント材を照明できる。また、ガラス板２０をダイクロイックミラーにすることで、非露光光を光源にしているＴＴＭ検出系１９にとって、有害となる紫外光の照射を防ぐことができる。
【００２９】
また、本実施形態では、閉空間２４の内部で型５の直上に、ガラス板２０と対向するように配置された絞り２５を有する。この絞り２５によって基板８への照明範囲が制限され、これにより、隣接ショット領域への不要な照明光の照射を防止することができる。また、絞り２５のガラス板２０と対向する面は、照射部２８からの光を反射する反射面をなしていてもよい。これにより、この面での反射光もガラス板２０で更に反射し、照射部２８からの光のエネルギーをショット領域に集中させることができる。
【００３０】
ＴＴＭ検出系１９は、内部に設けられた光源を用いて、型５に形成されたアライメントマーク（第１マーク）と基板８に形成されたアライメントマーク（第２マーク）に計測光１１（第１の光）を照射する。ＴＴＭ検出系１９は、その反射光を受光素子４６で検出することにより、２つのアライメントマークを検出する。計測光１１は、主に可視光や赤外線でありうる。受光素子４６は、例えば光電変換素子（例えばＣＣＤ）でありうる。図１のＴＴＭ検出系７と同様に、受光素子４６はＴＴＭ検出系１９に含まれる構成でもよいし、ＴＴＭ検出系１９とは独立して構成されていてもよい。
【００３１】
ＴＴＭ検出系１９は、ガラス板２０の上部に配置されており、ＴＴＭ検出系１９から照射された計測光１１はガラス板２０を透過し、型５と基板８を照射する。型５に形成されたアライメントマークと基板８に形成されたアライメントマークからの反射光はガラス板２０、ＴＴＭ検出系１９を通り受光素子４６で検出される。この検出信号に基づいて、型５と基板８の位置合わせを行うことができる。特に、型５と基板８が近接または密接した際に、型５に形成されたアライメントマークと基板８に形成されたアライメントマークから反射した光を受光素子４６に導くようにする。こうすることで、インプリント材を硬化させる前に型５と基板８の位置合わせを行うことができる。
【００３２】
このように本実施形態では、図２および図３に示されるように、閉空間２４の側壁を構成する保持部２３に、照射部２８における光を射出する射出部である発光素子２２を配置し、閉空間２４の側方から閉空間２４の内部に光を照射するようにした。これは、従来は図８のように型５の直上に配置されていた照射部２を側方に移動したかたちである。したがって、ＴＴＭ検出系１９を、照射部や照明光の影響を受けることなく、ガラス板２０の直上に配置することができる。すなわち、ＴＴＭ検出系１９は、ガラス板２０を介して型アライメントマークと基板アライメントマークとを観察及び／又は検出する位置に配置される。このため、ＴＴＭ検出系１９は、図８に示されるようなリトロー配置にする必要がなくなり、そのぶんＴＴＭ検出系１９を大型化してＴＴＭ検出系１９のＮＡを大きくすることができる。また、型５から離れてＴＴＭ検出系１９を配置すると光束の広がり、ＴＴＭ検出系１９の対物レンズ２９の外径が大きくなる。ダイバイダイアライメントでは、複数のマークを同時に検出するため、複数の対物レンズを構成している。そして、ショットサイズによっては、複数の対物レンズ２９が接近して検出する必要がある。そのため、検出できるショットサイズは対物レンズ２９の外径に依存する。より小さいショットサイズを検出するには、対物レンズ２９の外径を小さくする必要があるが、型５とガラス板２０の間隔を狭くできるため、型５と対物レンズ２９を近接して配置することができる。そのため、対物レンズ２９の外径を最小限の大きさに留めることができる。また、図８のＴＴＭ検出系７のＮＡ４５よりＴＴＭ検出系１９のＮＡ５２を大きくすることができるため、アライメント時に十分な光量を確保することができる。そのため、本実施形態のインプリント装置１７では、ダイバイダイアライメントの精度が従来と比較して向上する。よって、本実施形態のインプリント装置１７は、型５と基板８の押型および離型時に発生する基板の位置ずれを高い精度で補正することができ、押型時に下地のパターンと高精度に重ね合わせすることができる。よって、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図４は、第２実施形態に係るインプリント装置３５の構成を示す図である。第１実施形態では、閉空間２４の側壁を構成する保持部２３に発光素子２２を埋め込むように配置した（図２、図３）。これに対し本実施形態では、図４に示されるように、発光素子２２はガラス板２０の周辺部に複数個並べて配置されている。この場合も、第１実施形態と同様に、直接インプリント材に照射する照明光だけでなく、ガラス板２０と対向する面の絞り２５の反射面で反射させ、さらにガラス板で反射させてインプリント材に照射している。反射光のエネルギーがショット領域に集中するように、図示のように絞り２５の反射面（ガラス板２０と対向する面）を傾斜させてもよい。その他の構成は、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００３４】
＜第３実施形態＞
上述の第１実施形態、第２実施形態において、保持部２３、またはガラス板２０の周辺部に、照射部２８における光を射出する射出部が配置される。そして図１〜図４の例では、該射出部は、発光素子２２、すなわち光源自体であった。これに対し、本実施形態では、図５に示すように、発光素子２２の代わりに、インプリントヘッド４から離れた外部の位置に光源部としての水銀ランプ３０が使用される。そして、水銀ランプ３０と保持部２３に配置されている射出部とは、水銀ランプ３０からの光を射出部へ導く導光部であるファイバー３１によって接続されている。その他の構成は、第１実施形態と同じなので説明を省略する。第１実施形態では、発熱量が少ない小型の発光素子２２を使用しているが、本実施形態は、型５近傍で発熱量をより低減したい場合に有効となりうる。
【００３５】
＜第４実施形態＞
第４実施形態として、図２の変形例を図６に示す。図６では、ガラス板２０を球面形状または非球面形状にしている。球面形状（特に凹面）にすることで、よりガラス板２０からの反射光２７をインプリント材に集光することができる。また、照射部２８からの光の照度分布に合わせて、非球面形状にすることで、ガラス板２０からの反射光２７の照度分布を均一にすることができる。このように、照射部２８からの光の照度分布を調整する形状を有しているとよい。
【００３６】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００３７】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００３８】
次に、物品製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００３９】
図９（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４０】
図９（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４１】
図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００４２】
５：型、８：基板、１７：インプリント装置、１９：ＴＴＭ検出系、２０：ガラス板、２８：照射部、４６：受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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