(57)【要約】【課題】、酸化物半導体で構成された活性層領域を備える酸化物半導体装置において、ストレス印加時の安定性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体装置は、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体で構成された活性層領域を備え、この活性層領域に、第４族元素のチタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又は第１４族元素の炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ）から選択される元素を、数密度で1×１０16〜１×１０20ｃｍ-3の範囲内で含有させた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体で構成される活性層領域を有する酸化物半導体装置であって、第４族元素のチタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又は第１４族元素の炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ）から選択される元素を、数密度で1×１０16〜１×１０20ｃｍ-3の範囲内で含有させた前記活性層領域を備えることを特徴とする酸化物半導体装置。
【請求項２】
前記活性層領域は、波長４００ｎｍ以下のレーザーを照射してアニールした領域であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体装置。
【請求項３】
インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体で構成される活性層領域を有する酸化物半導体装置の製造方法であって、
前記活性層領域に、第４族元素のチタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又は第１４族元素の炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ）から選択される元素を、数密度で1×１０16〜１×１０20ｃｍ-3の範囲内イオン注入する工程と、
イオン注入後の前記活性層領域に、波長４００ｎｍ以下のレーザーを照射して、アニールする工程とを有することを特徴とする酸化物半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）は、ガラス基板上に形成されるフラットパネルディスプレイ用のアクティブ素子として普及している。ＴＦＴは、基本構成として、ゲート端子、ソース端子及びドレイン端子を備えた３端子素子であり、基板上に成膜した半導体薄膜を、電子又はホールが移動するチャネル層として用い、ゲート端子に電圧を印加して、チャネル層に流れる電流を制御し、ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有する。
【０００３】
ＴＦＴのチャネル層としては、多結晶シリコン薄膜やアモルファスシリコン薄膜が広く用いられているが、スマートフォンに代表されるモバイル電子機器の普及によって、小型画面のディスプレイに超高精細・高画質且つ低消費電力の画像表示性能が求められており、これに対応できるＴＦＴ材料として、酸化物半導体が注目されている。
【０００４】
酸化物半導体の中で、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物であるＩＧＺＯは、従来のアモルファスシリコンなどに比べて、ディスプレイの高精細化や低消費電力化が可能になるＴＦＴ材料であることが知られている。下記特許文献１には、気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、酸化物の組成は、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をＴＦＴのチャネル層とすることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１９５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、ＩＧＺＯは、ディスプレイ用ＴＦＴのチャネル材料として有効であるが、酸素欠損に起因する欠陥によるＴＦＴ特性、特に、しきい値電圧のストレス印加時における安定性には改善の余地がある。特に、モバイル電子機器は、屋外での使用が前提となるため、太陽光照射や温度上昇といったストレスを受けやすい使用状況への対応が求められ、また、長時間の連続動作によって、バックライトによる光ストレスの蓄積が問題になる。
【０００７】
本発明は、このような問題に対処するために提案されたものである。すなわち、本発明は、酸化物半導体の活性層領域を備える酸化物半導体装置において、ストレス印加時の安定性を向上させることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決するために、本発明による酸化物半導体装置は、以下の構成を具備するものである。
インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ）の酸化物半導体の活性層領域を備える酸化物半導体装置であって、第４族元素のチタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又は第１４族元素の炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），スズ（Ｓｎ）から選択される元素を、数密度で1×１０16〜１×１０20ｃｍ-3の範囲内で含有させた前記活性層領域を備えることを特徴とする酸化物半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＴＦＴの構造例を示す説明図である。
【図２】Ｓｉイオン注入されたＩＧＺＯ活性層領域を有するＴＦＴがストレス印加時の安定性を有することを示したグラフである。
【図３】Ｓｉイオン注入されたＩＧＺＯ活性層領域にレーザーアニールを行うことで、ＴＦＴのヒステリシス電圧を低減することができることを示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る酸化物半導体装置であるＴＦＴの構成例を示している。ＴＦＴ１は、ガラス基板１０上にゲート端子１１が形成され、そのケート端子１１を覆うようにゲート絶縁膜１２が形成され、ゲート絶縁膜１２上に、チャネル層１３と、チャネル層に接触するソース端子１４とドレイン端子１５が形成されている。また、チャネル層１３とソース端子１４とドレイン端子１５を覆うように、パッシベーション膜１６が形成されている。
【００１１】
各端子の材料は、例えば、ゲート端子１１，ソース端子１４，ドレイン端子１５がＴｉＮで構成され、ゲート絶縁膜１２及びパッシベーション膜１６がＳｉＯ2で構成されている。そして、活性層領域であるチャネル層１３は、後述するように、特定元素を注入したＩｎ，Ｇａ，Ｚｎの酸化物半導体（ＩＧＺＯ）で構成されている。このＴＦＴ１は、ゲート端子１１に電圧を印加して、チャネル層１３に流れる電流を制御し、ソース端子１４とドレイン端子１５間の電流をスイッチングする機能を有する。
【００１２】
チャネル層１３に注入される元素は、第４族元素であるＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、或いは第１４族元素であるＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Sｎである。以下、Ｓｉを注入する場合を例にして説明するが、前述した各元素であれば同等の効果を得ることができる。ここでの元素注入量は、酸化物半導体に、バルク材以外の材料を不純物として機能する程度の量だけ注入するものであり、これによって、酸素欠損に起因する欠陥によるＴＦＴ特性、特に、しきい値電圧の安定性を改善することができる。好ましい元素注入量は、数密度で1×１０16〜１×１０20ｃｍ-3の範囲である。
【００１３】
以下、図１に示した構成のＴＦＴ１を得る具体的な工程例（第１実施例）を示す。先ず、ガラス基板１０上にスパッタリングでＴｉＮを１５０ｎｍ程度成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングでパターニングすることで、ゲート端子１１を形成する。ゲート端子１１の材料は、ＴｉＮに限らず、Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗなどであってもよい。
【００１４】
次に、プラズマＣＶＤ（ガスＳｉＨ4，Ｏ2，Ａｒ）でＳｉＯ2を成膜し、ゲート絶縁膜１２を形成する。ゲート絶縁膜１２の材料は、ＳｉＯ2に限らず、シリコン窒化膜や、Ａｌ2Ｏ3などであってもよい。
【００１５】
その後、ＩＧＺＯ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）のターゲットを用い、スパッタリングによりチャネル層１３を成膜する。成膜条件の一例としては、膜厚を５０ｎｍに設定し、Ａｒ／Ｏ2雰囲気で、圧力５ｍＴｏｒｒ、Ｏ2分圧を１６％とした。ここでの成膜には、例えば、回転マグネットスパッタ装置を用いることができる。チャネル層１３におけるＩＧＺＯの元素比率は、前述した比率（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）に限定されない。
【００１６】
なお、前述したＯ2分圧１６％は、その後行う水蒸気雰囲気の４００℃アニールで、酸素欠損量が１×１０17ｃｍ-3以下になる条件である。一方、元素注入を行わない従来のＩＧＺＯ膜（チャネル層）では、Ｏ2分圧２％で成膜している。この場合、４００℃のアニール後の酸素欠損量は、１×１０18ｃｍ-3程度になる。
【００１７】
前述した成膜の後、ＩＧＺＯのチャネル層１３に、Ｓｉをイオン注入機を用いて注入する。注入条件は、一例として、Ｓｉ+イオンをエネルギー４０ｋｅＶでドーズ量１×１０13ｃｍ-2とした。これにより、Ｓｉ原子が１×１０18ｃｍ-3の密度でＩＧＺＯ膜に注入された。Ｓｉ原子のＩＧＺＯ中の密度は、１×１０16〜１×１０20ｃｍ-3、好ましくは、１×１０17〜１×１０19ｃｍ-3とする。
【００１８】
Ｓｉの注入後、水分雰囲気（Ｈ2Ｏ／Ｏ2＝１００／９００ｓｃｃｍ）、４００℃で１時間アニールを行う。アニール温度は、４００℃に限らず、３００℃〜８００℃、好ましくは、３５０℃〜５００℃である。また、ここでのアニールは、水分雰囲気に限らず、酸素雰囲気であってもよい。
【００１９】
Ｓｉが注入されたＩＧＺＯ膜は、前述したアニールの後、フォトリソグラフィーとエッチングでパターニングして、島状のチャネル層１３を形成する。
【００２０】
その後は、ソース端子１４とドレイン端子１５となるＴｉＮを、例えば１５０ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングで、ソース端子１４とドレイン端子１５とを形成する。ソース端子１４とドレイン端子１５の材料は、Ｔｉに限らず、Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗなどであってもよい。その後は、パッシベーション膜１６となるＳｉＯ2をプラズマＣＶＤなどで成膜し、その後、フォトリソグラフィーとエッチングにより、各端子（ソース端子１４，ドレイン端子１５，ゲート端子１１）への電気的接触が可能なように接続端子を形成する。
【００２１】
このようにして得られたＴＦＴ１（図１参照）は、負バイアス・光ストレスの継続的印加に対して、安定したＴＦＴ特性を示すことが試験にて確認された。試験条件は、デバイス寸法が、チャネル長：４０μｍ、チャネル幅：２０μｍであり、ストレス条件として、ゲート電圧に−２０Ｖを印加し、白色ＬＥＤによる光照射（３０，０００ｌｘ）を雰囲気温度６０℃にて行った。
【００２２】
図２は、前述したストレスを経時的に加えた場合のＴＦＴ１のしきい値電圧の変化（ΔＶT（Ｖ））を示している。図２に示されるように、Ｓｉイオンを注入しなかったＩＧＺＯ膜のチャネル層を備えるＴＦＴに対して、Ｓｉイオンを注入したＩＧＺＯ膜のチャネル層１３を備えるＴＦＴ１の方が、しきい値電圧の経時的変化（ΔＶT（Ｖ））が少ないことが確認できる。
【００２３】
このような試験結果は、活性層領域のＩＧＺＯ膜にＳｉを所定量注入することにより、ＴＦＴ動作の安定性が向上することを示している。このような結果は、酸素欠損に起因するキャリアではなく、Ｓｉがドーパントとして働き、キャリアである電子を供給しているためであり、酸素欠損により形成されるＩＧＺＯのバンドギャップ内における深い準位のトラップが減少しているからと考えられる。
【００２４】
次に他の工程例（第２実施例）を説明する。この例では、前述した工程例（第１実施例）における水分雰囲気のアニールの前に、波長４００ｎｍ以下のＸｅＦレーザーによる局所レーザーアニールを行った。他の工程は第１実施例と同様である。
【００２５】
レーザーアニールにおけるレーザーエネルギー密度は、一回の照射で１５０ｍＪ／ｃｍ2とし、これを重畳させることでアニールを行った。アニールした領域は、６０μｍ×６０μｍとし、ＴＦＴのチャネル層１３となる活性層領域が含まれるようにアニールした。レーザー照射の位置合わせには、ゲート端子１１のパターンを用いた。なお、トップゲートＴＦＴを作成する場合には、ゲート端子１１を位置合わせに用いることができないが、何らかの位置合わせパターンを自在に形成しておくことで、局所レーザーアニールを活性層領域に精度良く実施することが可能になる。
【００２６】
図３は、前述の工程例で作成したＴＦＴの伝達特性（ドレイン電流のゲート電圧依存性）から求めた、しきい値電圧付近のヒステリシス電圧を、ＸｅＦレーザーアニールのｓｈｏｔ回数に対してプロットしたグラフである。図３においては、Ｓｉイオン注入無しの場合とＳｉイオン注入無しの場合を示している。
【００２７】
グラフ縦軸のヒステリシス電圧（Ｖ）は、ゲート電圧を負から正に掃引した場合の電圧特性と、正から負に掃引して求めた電圧特性のずれであり、具体的には、両者の電圧特性から求めたしきい値電圧の差として評価した。
【００２８】
図３から明らかなように、ＸｅＦレーザーの局所アニールを導入することで、ＩＧＺＯを活性層領域に用いたＴＦＴのヒステリシス電圧が低減し、ＴＦＴの安定性が向上することが確認できた。ＩＧＺＯ膜中に例えば電子を捕獲するようなトラップ準位があると、ヒステリシス電圧は増加し、不安定なデバイスとなってしまうが、ＩＧＺＯの活性層領域にＳｉを注入してレーザーアニールを行うことで、電子を捕獲するようなトラップ準位が少なくなると考えられる。
【００２９】
以上説明したように、本発明の実施形態に係る酸化物半導体装置及びその製造方法によると、ストレス印加時の安定性を向上させることができ、屋外使用や長時間使用などでの耐久性を向上させることができる。また、活性層領域へのレーザーアニールを追加することで、安定性の高いデバイスを得ることができる。
【符号の説明】
【００３０】
１：ＴＦＴ，１０：ガラス基板，１１：ゲート端子，１２：ゲート絶縁膜，
１３：チャネル層，１４：ソース端子，１５：ドレイン端子，
１６：パッシベーション膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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