(57)【要約】【課題】高温でのレーザ特性の劣化を抑制すること。【解決手段】半導体基板１０上に設けられた下部クラッド層１４と、下部クラッド層１４上に設けられ、下地層４０上の量子ドット４４と、量子ドット４４の側面に接する歪緩和層４８と、量子ドット４４の上面に接して量子ドット４４及び歪緩和層４８を埋め込む埋込み層５０と、を含む活性層１６と、活性層１６上に設けられた上部クラッド層１８と、を備え、歪緩和層４８は、下地層４０の格子定数と量子ドット４４の格子定数との間の大きさの格子定数を有し且つ下地層４０とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する、半導体レーザ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられた下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に設けられ、下地層上の量子ドットと、前記量子ドットの側面に接する歪緩和層と、前記量子ドットの上面に接して前記量子ドット及び前記歪緩和層を埋め込む埋込み層と、を含む活性層と、
前記活性層上に設けられた上部クラッド層と、を備え、
前記歪緩和層は、前記下地層の格子定数と前記量子ドットの格子定数との間の大きさの格子定数を有し且つ前記下地層とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する、半導体レーザ。
【請求項２】
前記歪緩和層は、前記下地層及び前記量子ドットを構成する元素以外の元素を含んでいる、請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記歪緩和層は、前記下地層のバンドギャップエネルギーの±０．１ｅＶ以内のバンドギャップエネルギーを有する、請求項１または２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記下地層は、ＧａＡｓ層又はＡｌＧａＡｓ層であり、
前記量子ドットは、ＩｎＡｓドット又はＩｎＧａＡｓドットであり、
前記歪緩和層は、ＩｎＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓＰ層である、請求項１から３のいずれか一項記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記下地層は、ＧａＡｓ層であり、
前記量子ドットは、ＩｎＡｓドットであり、
前記歪緩和層は、ＩｎＡｌＧａＡｓ層である、請求項１から４のいずれか一項記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
量子ドット活性層を用いた半導体レーザが知られている。量子ドットは、３次元の狭い領域にキャリアを閉じ込めた構造をしている。量子ドット内のキャリアは、運動が量子化され、離散的なエネルギー準位を形成する。これにより、発振閾値の低下及び温度特性の改善といった優れた特性が得られることが期待されている。
【０００３】
量子ドットの歪みを緩和するために、量子ドットの側面に接して歪緩和層を設けることが知られている。例えば、ＧａＡｓ層上に設けられたＩｎＧａＡｓ量子ドットの側面に接してＩｎＧａＡｓ歪緩和層を設け、ＩｎＧａＡｓ量子ドット及びＩｎＧａＡｓ歪緩和層をＧａＡｓ層で埋め込んだ半導体レーザが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−５６９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
量子ドットの側面に接して歪緩和層を設けることで、発振波長を制御することができる。しかしながら、歪緩和層が設けられた半導体レーザは、歪緩和層が設けられていない半導体レーザに比べて、高温でのレーザ特性がやや劣る現象が発生することがある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高温でのレーザ特性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体基板上に設けられた下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、下地層上の量子ドットと、前記量子ドットの側面に接する歪緩和層と、前記量子ドットの上面に接して前記量子ドット及び前記歪緩和層を埋め込む埋込み層と、を含む活性層と、前記活性層上に設けられた上部クラッド層と、を備え、前記歪緩和層は、前記下地層の格子定数と前記量子ドットの格子定数との間の大きさの格子定数を有し且つ前記下地層とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する、半導体レーザである。
【０００８】
上記構成において、前記歪緩和層は、前記下地層及び前記量子ドットを構成する元素以外の元素を含んでいる構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記歪緩和層は、前記下地層のバンドギャップエネルギーの±０．１ｅＶ以内のバンドギャップエネルギーを有する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記下地層は、ＧａＡｓ層又はＡｌＧａＡｓ層であり、前記量子ドットは、ＩｎＡｓドット又はＩｎＧａＡｓドットであり、前記歪緩和層は、ＩｎＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓＰ層である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記下地層は、ＧａＡｓ層であり、前記量子ドットは、ＩｎＡｓドットであり、前記歪緩和層は、ＩｎＡｌＧａＡｓ層である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高温でのレーザ特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施例１に係る半導体レーザの断面斜視図である。
【図２】図２は、実施例１の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例１の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図、図３（ｂ）は、比較例２の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図である。
【図４】図４（ａ）は、比較例１の半導体レーザのＩ−Ｌ（Injection current - Light output）特性を示す図、図４（ｂ）は、比較例２の半導体レーザのＩ−Ｌ特性を示す図である。
【図５】図５（ａ）は、比較例１の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図、図５（ｂ）は、比較例２の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図である。
【図６】図６は、実施例１の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図である。
【図７】図７は、実施例１の半導体レーザのＩ−Ｌ特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、実施例１に係る半導体レーザの断面斜視図である。図１のように、実施例１の半導体レーザ１００は、半導体基板１０上にバッファ層１２が設けられている。バッファ層１２上に下部クラッド層１４が設けられている。半導体基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓ基板である。バッファ層１２は、例えばｎ型ＧａＡｓ層である。下部クラッド層１４は、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ層である。バッファ層１２及び下部クラッド層１４にドープされるｎ型ドーパントとして、例えばＳｉが用いられる。
【００１６】
下部クラッド層１４上に活性層１６が設けられている。活性層１６は、下地層４０と、下地層４０上に積層された複数の量子ドット層４２と、を含む。
【００１７】
活性層１６上に上部クラッド層１８が設けられている。上部クラッド層１８は、例えばｐ型ＡｌＧａＡｓ層である。上部クラッド層１８は、両側に凹部２０が形成されたリッジ部２２を有する。上部クラッド層１８は、凹部２０の下にも残存する。リッジ部２２の側面は、垂直になっていてもよいし、テーパを有していてもよい。上部クラッド層１８上にコンタクト層２４が設けられている。コンタクト層２４は、例えばｐ型ＧａＡｓ層である。上部クラッド層１８及びコンタクト層２４にドープされるｐ型ドーパントとして、例えばＢｅが用いられる。
【００１８】
バッファ層１２、下部クラッド層１４、活性層１６、上部クラッド層１８、及びコンタクト層２４は、例えば分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法を用いて形成される。なお、実施例１では、下部クラッド層がｎ型半導体で、上部クラッド層がｐ型半導体の場合を例に説明するが、下部クラッド層がｐ型半導体で、上部クラッド層がｎ型半導体の場合でもよい。
【００１９】
コンタクト層２４の上面並びに凹部２０の側面及び底面に保護膜２６が設けられている。保護膜２６は、例えば酸化シリコン膜などの絶縁膜である。リッジ部２２上の保護膜２６に開口が形成されていて、開口で露出したコンタクト層２４の上面に接してｐ電極２８が設けられている。リッジ部２２以外の保護膜２６上に、ｐ電極２８に配線３０を介して接続するパッド３２が設けられている。半導体基板１０の下面にｎ電極３４が設けられている。
【００２０】
図２は、実施例１の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図である。図２のように、活性層１６は、下地層４０と量子ドット層４２とを含む。量子ドット層４２は、複数の量子ドット４４と、濡れ層４６と、歪緩和層４８と、埋込み層５０と、を含む。
【００２１】
量子ドット４４及び濡れ層４６は下地層４０上に設けられている。量子ドット４４は、Ｓ−Ｋ（Stranski-Krastanov）成長モードを基礎とした自己形成成長法によって形成される。つまり、下地層４０と異なる格子定数の材料を下地層４０上にエピタキシャル成長させることで、初めは２次元的な層状成長が起こり、成長量を増やしていくと格子定数差を起因とする歪みエネルギーの増大を抑制するように３次元成長へと遷移して量子ドット４４が形成される。例えば、下地層４０はＧａＡｓ層であり、下地層４０上に格子定数がＧａＡｓに比べて約７％大きいＩｎＡｓを成長することで、ＩｎＡｓドットからなる量子ドット４４が形成される。濡れ層４６は、量子ドット４４と同じ材料で形成されるため、例えばＩｎＡｓ層である。
【００２２】
歪緩和層４８は、複数の量子ドット４４の間で濡れ層４６上に設けられ、量子ドット４４の側面に接している。歪緩和層４８は、量子ドット４４の上面が露出するように設けられている。埋込み層５０は、量子ドット４４の上面に接して量子ドット４４及び歪緩和層４８を埋め込んでいる。すなわち、量子ドット４４及び歪緩和層４８は、埋込み層５０で覆われている。下地層４０及び埋込み層５０は、バリア層として機能する。
【００２３】
歪緩和層４８は、量子ドット４４の歪を緩和するために設けられている。このため、歪緩和層４８は、下地層４０の格子定数と量子ドット４４の格子定数との間の大きさの格子定数を有する。また、歪緩和層４８は、詳しくは後述するが、下地層４０とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する。下地層４０がＧａＡｓ層で、量子ドット４４がＩｎＡｓドットである場合、上記条件を満たすために、歪緩和層４８をＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ａｓ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）層とすることができる。これは、ＧａＡｓとＡｌＡｓは格子定数がほぼ同じ（ＧａＡｓ：５．６５Å、ＡｌＡｓ：５．６６Å）であることから、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ａｓ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）の格子定数をＧａＡｓの格子定数とＩｎＡｓの格子定数の間の大きさにできるためである。また、ＩｎＡｓはＧａＡｓよりもバンドギャップエネルギーが小さく、ＡｌＡｓはＧａＡｓよりもバンドギャップエネルギーが大きいことから、ＩｎとＡｌのモル比を適切に設定することで、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ａｓ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）のバンドギャップエネルギーをＧａＡｓのバンドギャップエネルギーとほぼ同じ大きさにできるためである。
【００２４】
例えば、歪緩和層４８をＩｎ０．１２Ａｌ０．０８Ｇａ０．８Ａｓ層とすることで、歪みによるエネルギー変化を考慮すると、バンドギャップエネルギーはＧａＡｓのバンドギャップエネルギー（１．４２ｅＶ）とほぼ同じ大きさの１．４１ｅＶとなる。
【００２５】
埋込み層５０は、量子ドット４４よりもバンドギャップエネルギーの大きな材料で形成されていて、例えばＧａＡｓ層である。なお、図１のように、複数の量子ドット層４２が積層される場合では、埋込み層５０は、その上に形成される量子ドット４４及び濡れ層４６の下地層となる。したがって、下地層４０と埋込み層５０とは同じ材料からなる場合が好ましい。
【００２６】
ここで、実施例１の半導体レーザ１００の効果を説明するにあたり、比較例の半導体レーザについて説明する。比較例の半導体レーザは、活性層１６を構成する量子ドット層が異なる点以外は実施例１の半導体レーザ１００と同じである。図３（ａ）は、比較例１の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図、図３（ｂ）は、比較例２の半導体レーザにおける活性層の一部の断面図である。
【００２７】
図３（ａ）のように、比較例１の半導体レーザでは、活性層１６は、下地層６０と量子ドット層６２とを含む。下地層６０上に量子ドット６４及び濡れ層６６が設けられている。量子ドット６４及び濡れ層６６を埋め込み、量子ドット６４の側面及び上面に接して埋込み層７０が設けられている。すなわち、比較例１では、量子ドット６４の側面に接する歪緩和層が設けられていない。下地層６０、量子ドット６４、濡れ層６６、及び埋込み層７０は、実施例１の下地層４０、量子ドット４４、濡れ層４６、及び埋込み層５０と同じ材料で形成されている。すなわち、下地層６０はＧａＡｓ層、量子ドット６４はＩｎＡｓドット、濡れ層６６はＩｎＡｓ層、埋込み層７０はＧａＡｓ層である。
【００２８】
図３（ｂ）のように、比較例２の半導体レーザでは、活性層１６は、下地層８０と量子ドット層８２とを含む。下地層８０上に量子ドット８４及び濡れ層８６が設けられている。量子ドット８４の側面に接して歪緩和層８８が設けられている。量子ドット８４及び歪緩和層８８は埋込み層９０で埋め込まれている。比較例２では、下地層８０、量子ドット８４、濡れ層８６、及び埋込み層９０は、実施例１の下地層４０、量子ドット４４、濡れ層４６、及び埋込み層５０と同じ材料で形成されているが、歪緩和層８８は、実施例１の歪緩和層４８と異なる材料で形成されている。すなわち、下地層８０はＧａＡｓ層、量子ドット８４はＩｎＡｓドット、濡れ層８６はＩｎＡｓ層、埋込み層９０はＧａＡｓ層であり、歪緩和層８８はＩｎＧａＡｓ層である。
【００２９】
歪緩和層８８をＩｎＧａＡｓ層とすることで、下地層８０はＧａＡｓ層、量子ドット８４はＩｎＡｓドットであることから、量子ドット４４の歪みを緩和することができる。
【００３０】
図４（ａ）は、比較例１の半導体レーザのＩ−Ｌ（Injection current - Light output）特性を示す図、図４（ｂ）は、比較例２の半導体レーザのＩ−Ｌ特性を示す図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）において、横軸は注入電流、縦軸は光出力である。また、室温（例えば２５℃）でのＩ−Ｌ特性を実線で示し、高温（例えば９５℃）でのＩ−Ｌ特性を一点鎖線で示している。
【００３１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）のように、比較例１と比較例２とで、室温でのＩ−Ｌ特性にほとんど差はない。一方、比較例２は、比較例１に比べて、高温での流入電流Ｉに対する光出力Ｌのレベルが低くなり、Ｉ−Ｌ特性が劣化している。例えば、閾値電流の増加や、効率の劣化が生じている。比較例２の半導体レーザにおいて高温でのＩ−Ｖ特性が劣化する理由は以下のように考えられる。
【００３２】
図５（ａ）は、比較例１の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図、図５（ｂ）は、比較例２の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図である。比較例１の半導体レーザでは、図３（ａ）のように、下地層６０上に設けられた量子ドット６４は埋込み層７０で覆われている。下地層６０及び埋込み層７０はＧａＡｓ層で、量子ドット６４はＩｎＡｓドットである。ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーは１．４２ｅＶで、ＩｎＡｓのバンドギャップエネルギーは０．３６ｅＶであることから、図５（ａ）のように、量子ドット６４のバンドギャップエネルギーは、下地層６０及び埋込み層７０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。すなわち、量子ドット６４の伝導帯バンド端エネルギーと下地層６０及び埋込み層７０の伝導帯バンド端エネルギーとの差が大きい。このため、量子ドット６４から埋込み層７０にキャリア（電子）が熱励起され難く、量子ドット６４からキャリア（電子）がオーバーフローされ難い。
【００３３】
一方、比較例２の半導体レーザでは、図３（ｂ）のように、量子ドット８４の側面に接して歪緩和層８８が設けられている。下地層８０及び埋込み層９０はＧａＡｓ層で、量子ドット８４はＩｎＡｓドットで、歪緩和層８８はＩｎＧａＡｓ層である。このため、図５（ｂ）のように、歪緩和層８８のバンドギャップエネルギーは、量子ドット８４のバンドギャップエネルギーと下地層８０及び埋込み層９０のバンドギャップエネルギーとの間の大きさとなる。例えば、量子ドット８４の歪みを緩和させるために、歪緩和層８８をＩｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層とすると、バンドギャップエネルギーは１．３ｅＶとなる。したがって、量子ドット８４の伝導帯バンド端エネルギーと歪緩和層８８の伝導帯バンド端エネルギーとの差が小さくなる。このため、高温動作時において、量子ドット８４から歪緩和層８８にキャリア（電子）が熱励起され易くなる。すなわち、量子ドット８４からキャリア（電子）がオーバーフローされ易くなる。これにより、量子ドット８４に注入されるキャリアが減少し、その結果、高温でのＩ−Ｌ特性が劣化すると考えられる。
【００３４】
図６は、実施例１の半導体レーザにおける活性層のエネルギーバンド図である。実施例１の半導体レーザでは、量子ドット４４の側面に接する歪緩和層４８は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ａｓ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）層であり、ＧａＡｓ層からなる下地層４０及び埋込み層５０とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する。このため、図６のように、量子ドット４４の伝導帯バンド端エネルギーと歪緩和層４８の伝導帯バンド端エネルギーとの差が大きくなる。このため、高温動作時においても、量子ドット４４から歪緩和層４８にキャリア（電子）が熱励起され難くなり、キャリア（電子）がオーバーフローされ難くなる。
【００３５】
図７は、実施例１の半導体レーザのＩ−Ｌ特性を示す図である。図７において、横軸は注入電流、縦軸は光出力である。また、室温（例えば２５℃）でのＩ−Ｌ特性を実線で示し、高温（例えば９５℃）でのＩ−Ｌ特性を一点鎖線で示している。図７のように、実施例１は、比較例１の図４（ａ）に比べて高温でのＩ−Ｌ特性が劣化しているが、比較例２の図４（ｂ）に比べて、高温での流入電流Ｉに対する光出力Ｌのレベルが改善し、Ｉ−Ｌ特性が良好になっている。このように、実施例１の半導体レーザにおいて高温でのＩ−Ｌ特性の劣化が抑制されるのは、上述したように、高温動作時においても量子ドット４４から歪緩和層４８にキャリアが熱励起され難いためと考えられる。
【００３６】
実施例１によれば、量子ドット４４の側面に接する歪緩和層４８は、下地層４０の格子定数と量子ドット４４の格子定数の間の大きさの格子定数を有する。これにより、量子ドット４４の歪みを緩和して発振波長を制御することができる。例えば、発振波長を１．２６μｍ以上且つ１．３２μｍ以下に制御することができる。また、歪緩和層４８は、下地層４０とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有する。これにより、図６及び図７で説明したように、高温動作時における量子ドット４４から歪緩和層４８へのキャリアの熱励起を抑制でき、高温でのＩ−Ｌ特性の劣化を抑制できる。したがって、歪緩和層４８のバンドギャップエネルギーが下地層４０とほぼ同じ大きさとは、量子ドット４４から歪緩和層４８へのキャリアの熱励起が抑制される程度にバンドギャップエネルギーが同じ大きさであることをいう。また、埋込み層５０が量子ドット４４の上面に接して設けられることで、埋込み層５０はバンドギャップエネルギーが大きいことから量子ドット４４からキャリアが熱励起されることを抑制でき、また、量子ドット４４の上面が歪緩和層４８で覆われている場合に比べて、量子ドット４４の高さの均一性が得られるため、より均一な量子ドット４４が得られる。
【００３７】
量子ドット４４から歪緩和層４８へのキャリアの熱励起を抑制する点から、歪緩和層４８のバンドギャップエネルギーは、下地層４０のバンドギャップエネルギーの±０．１ｅＶ以内（１．４２４ｅＶのとき、１．４１４ｅＶ〜１．４３４ｅＶ）である場合が好ましく、±０．０５ｅＶ以内（１．４２４ｅＶのとき、１．４１９ｅＶ〜１．４２９ｅＶ）である場合がより好ましく、±０．０３ｅＶ以内（１．４２４ｅＶのとき、１．４２１ｅＶ〜１．４２７ｅＶ）である場合がさらに好ましい。言い換えると、歪緩和層４８がＩｎＡｌＧａＡｓ層である場合、Ｉｎモル比を０．１２とした場合、Ａｌモル比は０．０７４〜０．０８７である場合が好ましく、Ａｌモル比は０．０７６〜０．０８３である場合がより好ましく、Ａｌモル比は０．０７８〜０．０８１である場合がさらに好ましい。
【００３８】
実施例１によれば、下地層４０はＧａＡｓ層で、量子ドット４４はＩｎＡｓドットで、歪緩和層４８はＩｎＡｌＧａＡｓ層である。このように、歪緩和層４８が下地層４０と量子ドット４４の間の大きさの格子定数を有し且つ下地層４０とほぼ同じ大きさのバンドギャップエネルギーを有するために、歪緩和層４８は下地層４０及び量子ドット４４を構成する元素以外の別の元素を含んで構成されることが好ましい。別の元素としては、バンドギャップエネルギーを大きくすることに寄与する元素である場合が好ましい。
【００３９】
また、実施例１では、下地層４０及び埋込み層５０がＧａＡｓ層で、量子ドット４４がＩｎＡｓドットで、歪緩和層４８がＩｎＡｌＧａＡｓ層である場合を例に示したが、その他の場合でもよい。例えば、下地層４０及び埋込み層５０は、ＧａＡｓ層、又は、ＧａＡｓとの格子定数の差がほとんどないＡｌＧａＡｓ層としてもよい。量子ドット４４は、下地層４０及び埋込み層５０よりも格子定数が大きいＩｎＡｓドット又はＩｎＧａＡｓドットとしてもよい。歪緩和層４８は、ＩｎＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓＰ層としてもよい。
【００４０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  半導体基板
１２  バッファ層
１４  下部クラッド層
１６  活性層
１８  上部クラッド層
２０  凹部
２２  リッジ部
２４  コンタクト層
２６  保護膜
２８  ｐ電極
３０  配線
３２  パッド
３４  ｎ電極
４０  下地層
４２  量子ドット層
４４  量子ドット
４６  濡れ層
４８  歪緩和層
５０  埋込み層
６０  下地層
６２  量子ドット層
６４  量子ドット
６６  濡れ層
７０  埋込み層
８０  下地層
８２  量子ドット層
８４  量子ドット
８６  濡れ層
８８  歪緩和層
９０  埋込み層
１００  半導体レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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