(57)【要約】【課題】  封止状態を良好に維持することができる半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。【解決手段】  本発明の実施形態に係る発明は、基板２と、枠体３と、蓋体６とを備えている。基板２は、平面視において矩形状である。また、枠体３は、基板２の上面を囲むとともに、平面視において外縁および内縁が矩形状である。また、蓋体６は、平面視において矩形状であり、下面に枠体３の上面と接合される接合領域６１を有するとともに、平面視において各辺の中点よりも角部６２に近い位置に側面を切り欠いた切欠き部６３を有する。蓋体６の接合領域６１および切欠き部６３の表面にはメタライズ層６４を有する。【選択図】  図１
2018056355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の基板と、
前記基板の上面を囲むとともに、平面視において外縁および内縁が矩形状の枠体と、
平面視において矩形状であり、下面に前記枠体の上面と接合される接合領域を有するとともに、平面視において各辺の中点よりも角部に近い位置に側面を切り欠いた切欠き部を有する蓋体とを備えており、
前記蓋体の接合領域および前記切欠き部の表面にはメタライズ層を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記蓋体は、前記角部が面取りされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記蓋体の対辺に位置する側面に、前記切欠き部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記蓋体の全ての辺に前記切欠き部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記切欠き部は、前記蓋体の隣り合う２辺に前記角部を挟んで設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記蓋体は、複数の絶縁層から成っており、
前記蓋体は、下面に前記接合領域を有する層の側面に前記切欠き部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体パッケージと、
前記基板の上面に実装された半導体素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体パッケージおよびそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-Scale Integration）、パワーデ
バイス等の半導体素子を収納する半導体パッケージおよび半導体装置は、封止の際の気密性が要求されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１６６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された技術は、半導体パッケージにおいて、基板と、基板の上面を取り囲んで設けられた、貫通孔を有する枠体と、貫通孔に設けられた入出力端子と、枠体の上端に接合された蓋体とを備えている。蓋体には、角部が面取りされており、枠体との接合の剥がれの起点となりやすい箇所にろう材を溜めることができるようになっている。しかしながら、この構成では角部にろう材を溜めることになるため、蓋体と、枠体と、ろう材の熱膨張係数差によって、角部に応力の負荷が生じる場合があった。このため、気密に封止することが困難な場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る半導体パッケージは、矩形状の基板と、前記基板の上面を囲むとともに、平面視において外縁および内縁が矩形状の枠体と、平面視において矩形状であり、下面に前記枠体の上面と接合される接合領域を有するとともに、平面視において各辺の中点よりも角部に近い位置に側面を切り欠いた切欠き部を有する蓋体とを備えており、前記蓋体の接合領域および前記切欠き部の表面にはメタライズ層を有する。
【０００６】
本発明の一実施形態に係る半導体装置は、上記の半導体パッケージと、前記基板の上面に実装された半導体素子と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る半導体パッケージは、上記のような構成であることによって、半導体パッケージの封止状態を良好に維持することができる。また、本発明の一実施形態に係る半導体装置は、上記のような半導体パッケージを備えていることによって、半導体パッケージの封止状態を良好に維持した状態で使用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態導体に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの蓋体を示す下面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの蓋体を示す上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの蓋体を示す斜視図であって、図４（ａ）は蓋体の下面を示す斜視図であり、図４（ｂ）は蓋体の上面を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図であって、図５（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図であり、図５（ｂ）は本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ（蓋体無し）を示す斜視図であって、図７（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの上面斜視図であり、図７（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの下面斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係る半導体パッケージおよび半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
＜半導体パッケージの構成＞
図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置１０の斜視図を、図２は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１の蓋体６の下面図を、図３は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１の蓋体６の上面図を、図４は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１の蓋体６の斜視図を示している。また、図５は本発明の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図を、図６は本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図を、図７は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ（蓋体無し）を示す斜視図である。なお、図４（ａ）は、蓋体の下面を示す斜視図であり、図４（ｂ）は蓋体の上面を示す斜視図である。また、図５（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図であり、図５（ｂ）は本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの蓋体の角部の拡大図である。そして、図７（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの上面斜視図であり、図７（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの下面斜視図である。これらの図において、半導体パッケージ１は、基板２、枠体３および蓋体６を備えている。
【００１１】
基板２は、平面視したときの形状が矩形形の板状の部材であり、上面中央部に半導体素子５を実装するための実装領域を有する。また、図７に示すように、基板２は、上面の実装領域に近接した位置に半導体素子５と電気的に接続される第１電極部２ａが設けられる。また、基板２の内部に設けられた電気配線を介して、第１電極部２ａに電気的に接続される第２電極部２ｂが基板２の下面に設けられ、半導体素子５と第２電極部２ｂとが電気的に接続される。実装領域とは、基板２を平面視した場合に矩形形状の枠体３で取り囲まれる領域であって、半導体素子５が実装される領域を意味している。
【００１２】
基板２は、絶縁材料であって、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料から成る。基板２の大きさは、平面視において、たとえば５ｍｍ×５０ｍｍ〜５ｍｍ×５０ｍｍであって、厚みは０．３ｍｍ〜３ｍｍである。また、基板２は、半導体素子５から生じる熱を半導体パッケージ１の外部に効率よく放熱する構造であってもよい。つまり、基板２は、実装領域における基板２の上下面を貫通するように、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料、あるいは、上記の金属材料からなる合金またはコンポジット材が組み込まれ、接合固定されてもよい。これにより、半導体パッケージ１は、基板２の放熱性を向上することができる。
【００１３】
枠体３は、基板２の上面に位置している。枠体３は、半導体素子５を収容する空間を確保するための部材である。枠体３は、実装領域を取り囲むように設けられる。枠体３は、
平面視したときの内縁および外縁の形状がそれぞれ矩形の枠状である。この矩形枠状の枠体３の各辺が、基板２の各辺と平行になるように設けられる。なお、枠体３は、蓋体５に対向する面となる上面に第１金属層が設けられてもよい。また、枠体３は、基板２の上面に一体的に設けられる場合には、セラミック材料からなる枠体３が基板２と同時に焼成されて設けられてもよい。また、枠体３は、基板２の上面に別の部材として設けられる場合には、セラミック材料からなる基板２の上面に第２金属層が設けられ、セラミック材料からなる枠体３の下面に第３金属層が設けられ、第３金属層が金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）からなる低融点ろう材等の接合材を介して、基板２の上面に設けられた第２金属層に接合されて設けられてもよい。
【００１４】
なお、枠体３が金属材料からなる場合、枠体３は、矩形の少なくとも１つの面の内外方向に基板２に接するように形成された貫通孔を有していてもよい。そして、枠体３下面から上面にかけて設けられた貫通孔を有している。この貫通孔に入出力端子が嵌め込まれ、貫通孔と接する面に設けられた入出力端子の金属層と、Ａｕ−Ｓｎからなる低融点ろう材等の接合材を介して、入出力端子が貫通孔に接合されて固定されていてもよい。
【００１５】
枠体３には、絶縁材料であって、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料を用いることができる。また、枠体３として、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料を用いることができる。あるいは、これらの金属からなる合金を用いることができる。枠体３の大きさは、平面視において、たとえば５ｍｍ×５０ｍｍ〜５ｍｍ×５０ｍｍであって、厚みは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。また、枠体３の高さは、たとえば１ｍｍ〜１０ｍｍである。
【００１６】
蓋体６は、枠体３の上面に枠体３の内側を塞ぐようにろう材やはんだ等の接合材により接合される。蓋体６は、平面視において矩形状であり、枠体３に対向する面となる下面に、蓋体６に対向する面となる枠体３の上面と接合される接合領域６１を有している。また、蓋体６は、平面視において蓋体６の各辺の中点よりも蓋体６の角部６２に近い位置に、蓋体６の下面から側面にわたって切り欠いた切欠き部６３を有している。さらに、蓋体６の接合領域６１および切欠き部６３の表面にはメタライズ層６４を有している。
【００１７】
蓋体６は、平面視において、たとえば枠体３の外縁と同じ大きさであり、厚みは０．５ｍｍ〜５ｍｍである。また、蓋体６は、たとえば絶縁材料からなる。たとえば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料を用いることができる。蓋体６が絶縁材料から成る場合には、蓋体６は、単層の絶縁材料からなっていてもよく、複数の絶縁層が積層されて成っていてもよい。
【００１８】
蓋体６が絶縁層から成る場合には、例えば２層から成っている。図５（ａ）に示すように、上面の角部６２ａと下面の角部６２ｂが同じ形状であってもよい。また、異なる形状であってもよい。後述するように、角部６２が面取りされている場合も、角部６２ｂのみ面取りされていてもよいし、角部６２ａと角部６２ｂの両方が面取りされていてもよい。
【００１９】
接合領域６１は、蓋体６の下面に設けられている。接合領域６１は、後述するメタライズ層６４が形成されている領域のことである。接合領域６１は、例えば枠状であって、接合材等を介して枠体３と接合される。接合領域６１の幅は、例えば０．２ｍｍ〜５ｍｍである。
【００２０】
切欠き部６３は、蓋体６の下面から側面にわたって設けられている。特に、蓋体６の下面から外側の側面にわたって切り欠かれているのがよい。このとき、切欠き部６３が枠体
３との接合面となる下面から外側の側面にわたって設けられていることによって、蓋体６を枠体３に接合するろう材やはんだ等の接合材が半導体素子５が実装される枠体３の内側に流れこむことを抑制することができる。
【００２１】
また、切欠き部６３は、平面視において接合領域６１の幅に対してたとえば１０％〜５０％程度の深さで切り欠かれていてもよい。１０％〜５０％程度であれば、蓋体６と枠体３との接合面積を保ちつつ、半導体パッケージ１の製造工程や環境試験、半導体装置１０が作動する際に生じる熱応力や残留応力が集中する角部６２に接合材を溜まり難くすることができる。また、切欠き部６３は、蓋体６の１辺の長さ方向において、１辺の長さに対して１０％〜４０％程度の長さで切り欠かれ、蓋体６の厚み方向の深さは、蓋体６の厚さに対して、２０％〜７０％程度の深さで切り欠かれてている。
【００２２】
また、蓋体６の接合領域６１および切欠き部６３の表面に設けられるメタライズ層６４は、たとえば、下層にタングステン、モリブデンまたはマンガンが設けられ、上層に接合性や接合材に対する濡れ性を向上させるために、ニッケルめっきや金めっきが設けられてなる。メタライズ層６４が接合領域６１および切欠き部６３に設けられていることによって、はんだ等の接合材を介した、枠体３と蓋体６との接合性が向上するとともに、接合材が流れる方向を制御しやすくなる。
【００２３】
図６に示すように、メタライズ層６４は角部６２の表面に設けられていてもよい。特に角部６２ａおよび角部６２ｂの両方に設けられていてもよく、一方のみでも構わない。角部６２にもメタライズ層６４が形成されることによって、接合材が接合する面積が増えるため、蓋体６と枠体３との接合性が向上する。
【００２４】
半導体パッケージ１は、蓋体６の角部６２に近い位置に切欠き部６３を有するとともにその表面にメタライズ層６４を有することによって、切欠き部６３にろう材やはんだ等の接合材が流れやすくなり、角部６２に接合材が溜まることを抑制することができる。つまり、枠体３、蓋体６および接合材の熱膨張係数差によって角部６２に生じる熱応力を低減させることができる。
【００２５】
角部６２は、半導体パッケージ１の熱膨張、熱収縮の中心となる、半導体パッケージ１の中央部からの距離が長く、蓋体６において最も熱応力による負荷がかかりやすい。このため、角部６２にかかる熱応力による負荷を低減させることで、蓋体６と枠体３との接合を維持しやすくなるとともに、蓋体６や接合材に生じるクラックを抑制することができる。また、角部６２に近い位置に切欠き部６３があることで、角部６２が蓋体６の剥がれの起点になるおそれ、さらには、角部６２に位置する蓋体６や接合材にクラックが生じるおそれも抑制することができる。即ち、蓋体６は、接合材が適度に角部６２に近い位置の切欠き部６３に設けられることにより、蓋体３、蓋体６および接合材の熱膨張係数差によって生じる熱応力を低減させつつ、枠体３と蓋体６との接合強度を適切に維持することができる。
【００２６】
以上に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１は、上記のような構成であることによって、半導体パッケージ１の封止状態を良好に維持することができる。つまり、蓋体６の接合時には、各辺の接合材は、角部６２に向かって拡がっていく際に、角部６２に近くに設けられた切欠き部６３に流れこむ。また、角部６２に余剰な接合材があったとしても、切欠き部６３に角部６２から切欠き部６３の方に向けて拡げることができる。さらに、角部６２において、蓋体６と枠体３と接合材との間に生じる応力を低減させることができる。
【００２７】
また、図５（ｂ）に示すように、蓋体６の角部６２は面取りされていてもよい。このと
き、面取りは、蓋体６の厚み方向ではなく、蓋体６の幅方向に形成される。蓋体６の面取りは、具体的には、直線状に面取りされていてもよいし、曲線状に面取りされていてもよい。角部６２が、曲線状の場合には、凹凸のどちらに曲線を描いていてもよい。このように角部６２が面取りされていることによって、最も熱応力による負荷がかかりやすい角部６２にクラックが生じたり、蓋体６が枠体３から剥がれたりすることを抑制することができる。つまり、半導体パッケージ１において、封止状態を向上させることができる。
【００２８】
また、蓋体６は、対辺に位置する側面に、切欠き部６３を有していてもよい。つまり、蓋体６の角部６２は、蓋体６の対角線上の位置に１組設けられている。このことによって、蓋体６の角部６２に生じる熱応力の負荷の低減を、蓋体６において均等にすることができる。角部６２において対称に接合材を溜まり難くすることができるので、蓋体６への負荷のかかり方が対称になるためである。
【００２９】
また、蓋体６は、全ての辺に切欠き部６３を有していてもよい。全ての角部６２の両端に切欠き部６３が設けられていることによって、全ての角部６２にろう材やはんだ等の接合材がたまるのを抑制することができるため、角部６２に生じる熱応力を最も低減させることができるとともに、蓋体６の角部６２に生じる熱応力の低減を蓋体６において均等にすることができる。全ての角部６２に対して、接合材を溜まり難くすることができるためである。ひいては、全ての角部６２において、応力によるクラックが生じることを抑制することができる。また、蓋体６が歪むおそれも低減することができるため、半導体パッケージ１として、封止状態を向上させることができる。
【００３０】
このとき、切欠き部６３は、蓋体６の隣り合う２辺に角部６２を挟んで設けられていてもよい。この場合には、１つの角部６２にかかる応力を対称に緩和させることができる。このとき、全ての角部６２の両端に切欠き部６３を有していてもよい。つまり、蓋体６は全ての辺において角部６２のを挟んで切欠き部６３が設けられていてもよい。この場合には、角部６２に接合材が溜まり難くなるため、角部６２に生じる応力をより効果的に低減させることができる。ひいては、角部６２において、応力によるクラックが生じることを抑制することができる。また、蓋体６が歪むおそれも低減することができるため、半導体パッケージ１として、封止状態を向上させることができる。
【００３１】
また、切欠き部６３は、全ての辺において蓋体６の隣り合う２辺に角部６２を挟んで設けられている場合には、１つの辺において、切欠き部６３は対称に設けられているのがよい。この場合には、蓋体６の１つの辺において、接合材が角部６２に溜まることを同程度に低減させることができる。このため、蓋体６に生じる応力を対称にすることができる。つまり、１つの辺の中心から同じ距離、同じ大きさの切欠き部６３がある場合には、蓋体６への応力の負荷がより効果的に低減される。ひいては、角部６２にクラックが生じるこをを抑制することができる。ひいては、全ての角部６２において、応力によるクラックが生じることを抑制することができる。また、蓋体６が歪むおそれも低減することができるため、半導体パッケージ１として、封止状態を向上させることができる。
【００３２】
また、蓋体６が複数の絶縁層から成る場合には、切欠き部６３は、蓋体６における一番下面の層、つまり、接合領域６１を有する層の下面から側面にわたって設けられている。接合領域６１にろう材やはんだ等の接合材が設けられるため、切欠き部６３が設けられる位置が接合領域６１に近い箇所であるほど、接合材の流れを切欠き部６３によって制御することができるとともに、切欠き部６３に接合材を溜めやすくすることができ、角部６２に接合材が溜まることを抑制することができる。
【００３３】
また、蓋体６の上面の角部６２の外縁は下面の角部６２の外縁よりも大きくてもよい。蓋体６の下面は、枠体３と接合されるため、蓋体６の下面の角部６２が蓋体６の上面の角
部６２における外縁よりも大きいと、半導体パッケージ１の熱膨張、熱収縮の中心となる、半導体パッケージ１の中央部からの距離が長くなり、蓋体６の下面の角部６２に生じる熱応力が増加するため、蓋体６の下面の角部６２が枠体３と蓋体６との接合の剥がれの起点となってしまう。このため、蓋体６の下面の角部６２は、蓋体６の上面の角部６２における外縁と同じ、またはわずかに小さい程度であるのがよい。
【００３４】
＜半導体パッケージの製造方法＞
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
【００３５】
基板２は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製される。まず、セラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末と適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。次に、セラミックグリーンシートからなる積層体は、複数のセラミックグリーンシートが積層されて作製される。なお、積層体は、必ずしも複数のセラミックグリーンシートが積層される必要はなく、基板２としての機械的な強度等の点で支障がなければ、１層のみでも構わない。そして、第１電極部１ａおよび第２電極部１ｂは、例えば、タングステンを含んでなり、タングステンの粉末と有機溶剤および有機バインダとを混合して作製された金属ペーストを積層体の上面に所定のパターン形状にスクリーン印刷法等の方法で印刷することによって設けられる。さらに、第１電極部２ａと第２電極部２ｂとを電気的に接続する電気配線が貫通導体の場合には、貫通導体は、予め基板２となるセラミックグリーンシートに厚み方向に貫通する貫通孔が設けられ、この貫通孔内に前述と同様の金属材料からなる金属ペーストが充填されて成形される。その後、これらのセラミックグリーンシートおよび金属ペーストが１３００〜１６００℃の温度で同時焼成されることによって基板２が作製される。
【００３６】
枠体３は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、上記の基体２と同様にして作製される。まず、セラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。次に、セラミックグリーンシートからなる積層体は、複数のセラミックグリーンシートが積層されて作製される。そして、積層体は、打ち抜き加工法によって貫通孔が中央部に設けられることによって枠状に成形される。さらに、積層体は、上面にタングステンの粉末と有機溶剤および有機バインダとを混合して作製した、第１金属層となる金属ペーストがスクリーン印刷法等の方法で印刷されて設けられる。その後、積層体は、１３００〜１６００℃の温度で焼成されることによって枠体３となる。なお、枠体３は、必ずしも複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成される必要はなく、枠体３としての機械的な強度等の点で支障がなければ、１層のみでも構わない。そして、枠体３は、ガラス接合材や樹脂接合材等の接合材によって基板２の上面に接合される。また、枠体３は、基体２と同様の酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、枠状のセラミックグリーンシートが基板２となるセラミックグリーンシートの上面に積層され、これらのセラミックグリーンシートが同時焼成される方法で、基板２と一体的に形成されてもよい。
【００３７】
蓋体６は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、上記の基体２や枠体３と同様にして作製される。まず、上層および下層となるセラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末と適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。そして、下層となる矩形シート状のセラミックグリーンシートは、平面視において各辺の中点よりも角部に近い位置に切欠き部６３が設けられる。さらに、切欠き部６３は、タングステンの粉末と有機溶剤および有機バインダと混合して作製した、メタライズ層６４となる金属ペーストが表面に設けられる。次に、上層および下層となるセラミックグリーンシートは、積層されて積層体が作製される。その後、この積層体が１３００〜１６００℃の温度で焼成されることにより、切欠き部６３およびメタライズ層６４を有する蓋体６が作製される。
【００３８】
蓋体６は切欠き部６３が設けられていることによって、枠体３と接合する際に使用する接合材を、蓋体６の角部６２に留め難くすることができる。また、接合材を切欠き部６３に流れこませやすくすることができる。具体的には、枠体３の上面に接合材を準備し、その上に位置合わせした蓋体６を載せる。蓋体６を載せることによって、接合材は、蓋体６によって押されるため接合領域６１の全体に一様に拡がっていく。接合材が一様に拡がっていく際に、切欠き部６３が設けられていない場合には、各角部６２には蓋体６の２辺方向から接合材が広がってくるため、接合材が溜まりやすくなる。本発明の実施形態に係る半導体パッケージ１の蓋体６であれば、各辺の接合材は、角部６２に拡がっていく際に、角部６２に近くに設けられた切欠き部６３に流れこむ。また、角部６２に余剰な接合材があったとしても、切欠き部６３に角部６２から切欠き部６３の方に向けて拡げることができる。
【００３９】
＜半導体装置の構成＞
図１および図８は本発明の一実施形態に係る半導体装置１０の斜視図である。図１および図８において、半導体装置１０は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ１に加えて、半導体素子５を備えている。
【００４０】
本発明の一実施形態に係る半導体装置１０は、上述の半導体パッケージ１の実装領域に半導体素子５が実装され、半導体パッケージ１の第１電極部と電気的に接続されることによって完成する。半導体素子５は、Ａｕ−Ｓｎからなる低融点ろう材や、Ｓｎ−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）からなる鉛フリーはんだ等の接合材を介して実装領域に設けられた金属部に実装される。その後、半導体素子５の電極と第１電極部１ａとをボンディングワイヤ等を介して電気的に接続する。
【００４１】
そして、第２電極部１ｂを外部の実装基板の電気回路に電気的に接続することにより、半導体素子５と外部の実装基板の電気回路とを接続してもよい。このように接続することにより、外部の実装基板の電気回路と半導体素子５との間で電気信号が入出力される。半導体素子５の例としては、ＩＣやＬＳＩの他、パワーデバイス用の半導体素子５等が挙げられる。
【００４２】
また、半導体装置１０は、半導体素子５を実装領域に実装した状態で、枠体３の上面に蓋体６が接合固定されて半導体素子５が封止される。このとき、枠体３の上面と、蓋体６の接合領域６１は接合材によって接合される。この接合材は、たとえば、Ａｕ−Ｓｎからなる低融点ろう材や、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕからなる鉛フリーはんだ等の接合材である。
【００４３】
蓋体６は切欠き部６３が設けられていることによって、枠体３と接合する際に使用する接合材を、蓋体６の角部６２に留め難くすることができる。また、接合材を切欠き部６３に流れこませやすくすることができる。つまり、切欠き部６３があることによって、封止する際に、蓋体６の角部６２に溜まる接合材の量を低減させることができる。このため、接合材と蓋体６との熱膨張係数差によって角部６２に生じる応力を低減させることができる。
【００４４】
本発明の一実施形態に係る半導体装置１０は、上記のような構成であることによって、封止状態を良好に維持することができる。蓋体６の角部６２にクラックが生じるのを抑制することができる。
【００４５】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体パッケージ
２  基板
３  枠体
５  半導体素子
６  蓋体
６１  接合領域
６２  角部
６３  切欠き部
６４  メタライズ層
１０  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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