(57)【要約】【課題】水の消費量を抑えつつも、ウエーハの表面を濡らした状態で搬送すること。【解決手段】搬送機構（３６）は、ウエーハ（Ｗ１）より面積の広いサブストレート（Ｗ２）をウエーハの下面に張り合わせた板状ワーク（Ｗ）を搬送するものである。搬送機構は、ウエーハの上面を覆う搬送パッド（３８）と、ウエーハより外周のサブストレートを保持する保持部（２０）と、ウエーハに水を供給する水供給源（８１）と、を備える。搬送機構は、搬送パッドの下面とウエーハの上面との間に所定の隙間（Ｄ）を形成し、当該隙間に所定量の水を供給した状態で板状ワークを搬送する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハとウエーハより面積の広いサブストレートとを中心を一致させ貼り合わせてウエーハの外周外側に該サブストレートがはみ出したはみ出し部を備えた板状ワークの該サブストレートを吸引保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された板状ワークのウエーハの上面を加工する加工手段と、該加工手段により加工されたウエーハの被加工面を洗浄する洗浄手段と、該保持テーブルから該洗浄手段へウエーハを搬送する搬送機構とを備える加工装置であって、
該搬送機構は、該はみ出し部を保持する保持部と、該保持部で保持した板状ワークのウエーハの上面に対して同一以上の面積で対面する下面を備える搬送パッドと、該搬送パッドの該下面から水を供給する水供給手段とを備え、
該保持部が保持した板状ワークの該上面と該搬送パッドの該下面とに隙間を備え、該隙間に該水供給手段で水を供給して該隙間が水で満たされると該水供給手段から供給する水を遮断して該隙間が水で満たされた状態で該保持テーブルから該洗浄手段に板状ワークを搬送する加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物を搬送する搬送機構を備えた加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ウエーハを研磨する研磨装置においては、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）研磨を実施するものが提案されている。このような研磨装置では、研磨砥粒とスラリとを用いて研磨が実施される。具体的には、研磨砥粒を含むスラリを研磨パッドとウエーハの間に定着させ、当該スラリを研磨パッドでウエーハに押し付けることにより、ウエーハの表面が研磨される。
【０００３】
研磨後のウエーハは洗浄手段に搬送される。しかしながら、搬送途中にウエーハの表面（被研磨面）が乾燥し、ウエーハの表面に付着したスラリが固化してしまうおそれがある。固化したスラリは洗浄手段で除去し難いため、ウエーハの表面が乾燥することはあまり好ましくない。
【０００４】
そこで従来では、ウエーハの表面に水を供給しながら搬送する搬送機構が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１の搬送機構は、エッジクランプ式の搬送機構であり、ウエーハを保持している間は、ウエーハの表面に常時水が供給されている。これにより、ウエーハの乾燥が防止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５９３０１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の搬送機構は、ウエーハの表面から水がこぼれることを想定して、絶えずウエーハに水を供給し続けている。このため、水の消費量が増加してしまうという問題がある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、水の消費量を抑えつつも、ウエーハの表面を濡らした状態で搬送することができる加工装置を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の加工装置は、ウエーハとウエーハより面積の広いサブストレートとを中心を一致させ貼り合わせてウエーハの外周外側にサブストレートがはみ出したはみ出し部を備えた板状ワークのサブストレートを吸引保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持された板状ワークのウエーハの上面を加工する加工手段と、加工手段により加工されたウエーハの被加工面を洗浄する洗浄手段と、保持テーブルから洗浄手段へウエーハを搬送する搬送機構とを備える加工装置であって、搬送機構は、はみ出し部を保持する保持部と、保持部で保持した板状ワークのウエーハの上面に対して同一以上の面積で対面する下面を備える搬送パッドと、搬送パッドの下面から水を供給する水供給手段とを備え、保持部が保持した板状ワークの上面と搬送パッドの下面とに隙間を備え、隙間に水供給手段で水を供給して隙間が水で満たされると水供給手段から供給する水を遮断して隙間が水で満たされた状態で保持テーブルから洗浄手段に板状ワークを搬送する。
【０００９】
この構成によれば、搬送パッドの下面は、ウエーハの上面と同一以上の面積を有するため、ウエーハを搬送する際に、搬送パッドの中心とウエーハの中心とが一致することで、ウエーハの上面全体が搬送パッドで覆われる。そして、水供給手段から水が供給されることにより、搬送パッドの下面とウエーハの上面との隙間に水の層が形成される。これにより、ウエーハの上面全体が水の層で覆われる。このとき、搬送パッドとウエーハとの間の表面張力により、上記隙間内で水の層が保持されるため、水を供給し続ける必要がない。すなわち、所定量の水でウエーハの上面のウェット状態を維持することができる。よって、水の消費量を抑えつつも、ウエーハの上面を濡らした状態で搬送することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、水の消費量を抑えつつも、ウエーハの表面を濡らした状態で搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係るＣＭＰ研磨装置の斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る搬送機構の模式図である。
【図３】本実施の形態に係る搬送機構の保持工程の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る搬送機構の水供給工程の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る搬送機構の離間工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るＣＭＰ研磨装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るＣＭＰ研磨装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係るＣＭＰ研磨装置は、図１に示すように研磨加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研削加工、研磨加工、洗浄等の一連の動作が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。また、本実施の形態では、加工装置としてＣＭＰ研磨装置を用いた場合について説明するが、これに限定されず、加工装置は、例えば研削装置であってもよい。
【００１３】
図１に示すように、ＣＭＰ研磨装置１は、被加工物である板状ワークＷに対して搬入処理、研磨加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。板状ワークＷは、略円板状に形成されており、カセットＣに収容された状態でＣＭＰ研磨装置１に搬入される。
【００１４】
なお、板状ワークＷは、ウエーハＷ１より面積の広いサブストレートＷ２の上面にウエーハＷ１をそれぞれの中心を一致させて張り合わせた、張り合わせワークで構成される。このため、ウエーハＷ１の外周外側には、サブストレートＷ２がはみ出したはみ出し部Ｗａが形成される。なお、ウエーハＷ１は、半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、無機材料基板にＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。また、ウエーハＷ１は、その他にデバイス形成後の半導体基板や無機材料基板でもよい。
【００１５】
ＣＭＰ研磨装置１の基台１１の前側には、複数の板状ワークＷが収容された一対のカセットＣが載置されている。一対のカセットＣの後方には、カセットＣに対して板状ワークＷを出し入れするカセットロボット１６が設けられている。カセットロボット１６の両斜め後方には、加工前の板状ワークＷを位置決めする位置決め機構２１と、加工済みの板状ワークＷを洗浄する洗浄手段２６とが設けられている。位置決め機構２１と洗浄手段２６の間には、加工前の板状ワークＷを保持テーブル４１に搬入する搬送機構３１と、保持テーブル４１から加工済みの板状ワークＷを搬出する搬送機構３６（本発明に係る搬送機構に相当）とが設けられている。
【００１６】
カセットロボット１６は、多節リンクからなるロボットアーム１７の先端にハンド部１８を設けて構成されている。カセットロボット１６では、カセットＣから位置決め機構２１に加工前の板状ワークＷが搬送される他、洗浄手段２６からカセットＣに加工済みの板状ワークＷが搬送される。
【００１７】
位置決め機構２１は、仮置きテーブル２２の周囲に、仮置きテーブル２２の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン２３を配置して構成される。位置決め機構２１では、仮置きテーブル２２上に載置された板状ワークＷの外周縁に複数の位置決めピン２３が突き当てられることで、板状ワークＷの中心が仮置きテーブル２２の中心に位置決めされる。
【００１８】
搬送機構３１では、搬送パッド３３によって仮置きテーブル２２から板状ワークＷが持ち上げられ、搬送アーム３２によって搬送パッド３３が旋回されることで保持テーブル４１に板状ワークＷが搬入される。搬送機構３６では、搬送パッド３８によって保持テーブル４１から板状ワークＷが持ち上げられ、搬送アーム３７によって搬送パッド３８が旋回されることで保持テーブル４１から板状ワークＷが搬出される。搬出された板状ワークＷは、洗浄手段２６に搬送される。
【００１９】
洗浄手段２６は、スピンナーテーブル２７に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル（不図示）を設けて構成される。洗浄手段２６では、板状ワークＷを保持したスピンナーテーブル２７が基台１１内に降下され、基台１１内で洗浄水が噴射されて板状ワークＷ（ウエーハＷ１の被加工面）がスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられて板状ワークＷが乾燥される。
【００２０】
搬送機構３１及び搬送機構３６の後方には、ターンテーブル４０が設けられている。ターンテーブル４０の搬送機構３１及び搬送機構３６側は、板状ワークＷが搬送される搬送エリアを構成する。一方、ターンテーブルの後側（後述する加工手段５１側）は、板状ワークＷが研磨加工される加工エリアを構成する。
【００２１】
ターンテーブル４０の上面には、一対の保持テーブル４１が周方向に均等間隔で設けられている。ターンテーブル４０は、図示しない回転手段により自転可能となっている。ターンテーブル４０が半回転する度に、保持テーブル４１に保持された板状ワークＷが搬送エリア及び加工エリアに交互に位置付けられる。
【００２２】
保持テーブル４１は、ターンテーブル４０の回転軸を中心をに均等角度で配置されている。各保持テーブル４１の下方には保持テーブルを回転させる回転手段（不図示）が設けられている。各保持テーブル４１の上面には、板状ワークＷ（サブストレートＷ２）の下面を保持する保持面４２が形成されている。保持テーブル４１の周囲には、環状の周壁４３が形成され、周壁４３の内側には、保持テーブル４１の隣にエア供給源（不図示）に接続された噴出口４４が形成されている。この周壁４３の内側には、研磨加工中に保持テーブル４１から流れ落ちたスラリーが溜められ、噴出口４４からエアが噴出されることで、研磨パッド５３にスラリーが供給されて再利用される。
【００２３】
また、ターンテーブル４０の後側には、コラム１２が立設されている。コラム１２には、加工手段５１をＺ軸方向に加工送りする加工送り手段６１が設けられている。加工送り手段６１は、コラム１２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール６２と、一対のガイドレール６２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル６３とを有している。
【００２４】
Ｚ軸テーブル６３の前面には、ハウジング６４を介して加工手段５１が支持されている。Ｚ軸テーブル６３の背面側にはナット部（不図示）が形成され、このナット部にボールネジ（不図示）が螺合されており、ボールネジ（不図示）の一端には駆動モータ６６が連結されている。駆動モータ６６によってボールネジ（不図示）が回転駆動され、加工手段５１がガイドレール６２に沿ってＺ軸方向に移動される。
【００２５】
加工手段５１は、保持テーブル４１に保持された板状ワークＷ（ウエーハＷ１の上面）を研磨加工する。加工手段５１は、ハウジング６４を介してＺ軸テーブル６３の前面に取り付けられており、スピンドル５４の下部に研磨パッド５３を設けて構成されている。スピンドル５４にはフランジ５５が設けられ、フランジ５５を介してハウジング６４に加工手段５１が支持される。スピンドル５４の下部には、研磨パッド５３が装着されるプラテン５２が取り付けられている。研磨パッド５３の研磨面にはスラリーを定着させる多数の孔が形成されている。
【００２６】
また、スピンドル５４の上部には、板状ワークＷの上面と研磨パッド５３の研磨面との間にスラリを供給するスラリ供給源（不図示）が接続されている。スラリ供給源からスラリが供給されることで、スピンドル５４内の流路を通じて研磨面にスラリが定着される。スラリは、砥粒を含むアルカリ性水溶液又は酸性水溶液であり、例えば、グリーンカーボランダム、ダイヤモンド、アルミナ、酸化セリウム、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）の砥粒が含有される。
【００２７】
ＣＭＰ研磨装置１には、装置各部を統括制御する制御手段９０が設けられている。制御手段９０は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。
【００２８】
このようなＣＭＰ研磨装置１では、カセットＣ内から板状ワークＷが位置決め機構２１に搬送されて、位置決め機構２１で板状ワークＷがセンタリングされる。次に、保持テーブル４１上に板状ワークＷが搬入され、ターンテーブル４０の回転によって、保持テーブル４１に保持された板状ワークＷがＣＭＰ研磨位置に位置づけられる。ＣＭＰ研磨位置では加工手段５１によって板状ワークＷが研磨加工される。そして、洗浄手段２６で板状ワークＷが洗浄され、洗浄手段２６からカセットＣへ板状ワークＷが搬出される。
【００２９】
ところで、従来の研磨装置では、研磨加工後のウエーハが上記のようなスピンナ式の洗浄手段によって洗浄される。具体的に洗浄手段は、ウエーハを吸引保持したスピンナテーブルを高速回転させ、ウエーハに洗浄水を噴射して洗浄する。この種の洗浄手段では、遠心力によって洗浄水が外側に吹き飛ぶ力を利用してウエーハの上面の汚れ（研磨屑やスラリ等）を洗い流す。
【００３０】
しかしながら、遠心力を利用してウエーハの上面の汚れを吹き飛ばしたとしても、ウエーハの外周部分にスラリが残留してしまうおそれがあり、十分な洗浄効果が得られるとは限らない。
【００３１】
ウエーハの外周部分に残留したスラリ等の汚れは、乾燥すると固化してしまい、再び水で濡らしたとしても除去し難くなる。それだけでなく、後の工程で装置内にスラリが混入することにより、予期しない不具合が生じるおそれもある。そのため、ウエーハを研磨加工後、洗浄手段までウエーハを搬送する間にウエーハの上面が乾燥しないように常時水を供給する搬送機構が提案されている。しかしながら、水が常時供給されることで水を無駄に使用してしまうという問題がある。
【００３２】
また、近年、ウエーハの更なる薄化が求められており、ウエーハの下面に保護テープを接着する代わりに、サブストレートをワックスで接着するものがある。これは、ＳｉＣ基板やサファイア基板のように、より大きな押圧荷重（例えば研削荷重）を必要とするウエーハの加工において、保護テープの沈み込みやウエーハの横滑りによる誤差を防止する目的としてなされるものである。
【００３３】
そこで、本発明者は、上記の課題に基づいて、水の消費量を抑えつつも、ウエーハの表面を濡らした状態で搬送することを着想した。
【００３４】
具体的に本実施の形態では、ウエーハＷ１を搬送する際に、ウエーハＷ１の上面全体を覆うように搬送パッド３８（図２参照）をウエーハＷ１に対向させ、搬送パッド３８の下面とウエーハの上面の間に形成される隙間に所定量の水を供給する構成とした。隙間に供給された水（水の層）は、表面張力によって隙間内に保持されるため、所定量の水を供給するだけでウエーハＷ１の上面の乾燥を抑制することが可能である。このように、水を節約しつつも、ウエーハＷ１の上面を濡らした状態で搬送することが可能になった。
【００３５】
次に、図２を参照して、本実施の形態に係る搬送機構の詳細構成について説明する。図２は、本実施の形態に係る搬送機構の模式図である。なお、本実施の形態では、ウエーハの下面にサブストレートが張り合わされた板状ワークを搬送する場合について説明するが、搬送対象はこれに限定されない。
【００３６】
図２に示すように、本実施の形態に係る搬送機構３６（搬送機構）は、保持テーブル４１から研磨加工済みの板状ワークＷを搬出して洗浄手段２６（図１参照）に搬送するように構成されている。
【００３７】
保持テーブル４１は、板状ワークＷの下面を吸引保持する。具体的に保持テーブル４１の表面には、ポーラスセラミックス等の多孔質部材によりサブストレートＷ２を吸引保持する保持面４２が形成されている。保持面４２は、サブストレートＷ２の外径より僅かに小さい外径を有している。保持テーブル４１には、保持面４２に連通する連通孔４１ａが形成されている。この連通孔４１ａには、バルブ７０を介して吸引源７１が接続されると共に、バルブ７２を介してエア供給源７３に接続されている。なお、保持テーブル４１で板状ワークＷを保持している間は、バルブ７０が開かれる一方、バルブ７２は閉じられている。
【００３８】
搬送機構３６は、旋回可能な搬送アーム３７（図１参照）の先端に軸部３６ａを介して支持される搬送パッド３８を有している。搬送パッド３８は、軸部３６ａを中心とした概略円板形状に形成され、全体として板状ワークＷの外径より僅かに大きい外径を有している。搬送パッド３８には、下面側に全体外径より僅かに小さい円形の突出部３８ａが形成されている。
【００３９】
詳細は後述するが、突出部３８ａの下面は、ウエーハＷ１の上面に対面した際に、ウエーハＷ１と略同一又は同一以上の面積を有している。図２では、ウエーハＷ１の面積より突出部３８ａの外径が僅かに大きい場合を示しているが、突出部３８ａの外径はウエーハＷ１の外径と同一であってもよい。搬送パッド３８及び軸部３６ａの中心には、貫通穴３８ｂが形成されている。この貫通穴３８ｂには、バルブ８０を介して水供給源８１が接続されている。
【００４０】
また、搬送パッド３８の突出部３８ａより外周部分には、板状ワークＷのはみ出し部Ｗａを保持する保持部８２が設けられている。保持部８２は、周方向に均等間隔で複数個（例えば、３つ）設けられている（図２では２つのみ図示）。保持部８２は、搬送パッド３８の外周近傍を鉛直方向に貫通する軸部８３と、軸部８３の下端に設けられる吸着部８４と、軸部８３の上端に設けられるストッパ部８５とを含んで構成される。
【００４１】
吸着部８４は、下方に向かって拡径する円錐台形状を有し、例えば、ゴム等の弾性体で形成される。ストッパ部８５は、軸部８３より大径の円板形状を有しており、軸部８３及び吸着部８４の脱落を防止する役割を果たす。保持部８２には、吸着部８４に連通する連通路（不図示）が形成されており、当該連通路には、バルブ８６を介して吸引源８７が接続されている。
【００４２】
また、保持部８２は、軸方向に昇降可能に構成されている。詳細は後述するが、所定高さで板状ワークＷを保持するように、搬送パッド３８に対する吸着部８４の高さが制御手段９０（図１参照）によって制御される。また、搬送機構３６全体としても、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されている。
【００４３】
次に、図３から図５を参照して本実施の形態に係る搬送機構の搬送工程について説明する。図３は、本実施の形態に係る搬送機構の保持工程の一例を示す図である。図４は、本実施の形態に係る搬送機構の水供給工程の一例を示す図である。図４Ａは水供給工程の全体模式図を示し、図４Ｂは図４Ａのウエーハ近傍の部分拡大図を示している。図５は、本実施の形態に係る搬送機構の離間工程の一例を示す図である。
【００４４】
本実施の形態に係る搬送工程は、搬送機構３６で板状ワークＷを吸引保持する保持工程（図３参照）、ウエーハＷ１の上面に水を供給する水供給工程（図４参照）、板状ワークＷを保持テーブル４１から離間させる離間工程（図５参照）を経て実施される。
【００４５】
図３に示すように、保持工程では、搬送機構３６により板状ワークＷが吸引保持される。搬送機構３６は、搬送アーム３７（図１参照）を旋回させて保持テーブル４１上の板状ワークＷの中心と搬送パッド３８の中心とを一致させる。そして、搬送機構３６は、図示しない昇降機構によって降下され、板状ワークＷを保持可能な高さに位置付けられる。これにより、板状ワークＷの上面は、搬送パッド３８によって覆われる。
【００４６】
具体的に搬送機構３６は、吸着部８４の下端がはみ出し部Ｗａの上面に当接した後、突出部３８ａの下面とウエーハＷ１の上面との隙間が所定の隙間Ｄとなる高さに位置付けられる。このとき、保持部８２は、搬送パッド３８に対して相対的に上昇されている。上記したように、搬送パッド３８に対する吸着部８４の高さは、所定の隙間Ｄを形成するように制御手段９０（図１参照）によって制御される。所定の隙間Ｄが形成されたら、バルブ８６が開かれ、吸着部８４に負圧が生じる。これにより、はみ出し部Ｗａが吸着部８４によって吸引保持される。
【００４７】
図４に示すように、水供給工程では、ウエーハＷ１の上面に水が供給される。具体的には、図４Ａに示すように、バルブ８０が開かれ、水供給源８１から連通孔４１ａを通じて搬送パッド３８に水が供給される。水は、突出部３８ａの下面から突出部３８ａと板状ワークＷとの隙間Ｄに供給される。水は、当該隙間Ｄを伝ってウエーハＷ１の外周に向かって流れ込む。この結果、隙間Ｄが水によって満たされる。すなわち、突出部３８ａの下面とウエーハＷ１との間に水の層が形成され、ウエーハＷ１の上面全体が水によって覆われる。
【００４８】
更に具体的には、図４Ｂに示すように、突出部３８ａと板状ワークＷとの間の表面張力により、水が突出部３８ａの外縁部から径方向外側に僅かに膨らむように保持される。すなわち、ウエーハＷ１の外周部分（側面）も水に覆われた状態となる。隙間Ｄが水によって満たされると、バルブ８０が閉じられ、水供給源８１からの水供給が遮断される。このように、本実施の形態では、表面張力で突出部３８ａとウエーハＷ１との間に水の層を保持することができるように所定の隙間Ｄを設定したことで、それ以上水を供給する必要がなく、節水効果を得ることができる。
【００４９】
図５に示すように、離間工程では、板状ワークＷが保持テーブル４１から離間される。具体的に、バルブ７０が閉じられると共にバルブ７２が開かれ、板状ワークＷは、保持テーブル４１から浮上（離間）される。搬送機構３６は、図４に示す所定の隙間Ｄ及び水の層を保持したまま上昇される。このとき、搬送パッド３８に対する保持部８２の高さは、図４の状態で保持（固定）されている。そして、搬送機構３６は、搬送アーム３７を旋回させて板状ワークＷを洗浄手段２６（共に図１参照）に搬送する。搬送中は、ウエーハＷ全体（隙間Ｄ）が水に覆われている（満たされている）ため、乾燥することがない。
【００５０】
以上のように、本実施の形態によれば、搬送パッド３８の下面は、ウエーハＷ１の上面と同一以上の面積を有するため、板状ワークＷを搬送する際に、搬送パッド３８の中心とウエーハＷ１の中心とが一致することで、ウエーハＷ１の上面全体が搬送パッド３８で覆われる。そして、水供給源８１から水が供給されることにより、搬送パッド３８の下面とウエーハＷ１の上面との隙間Ｄに水の層が形成される。このとき、搬送パッド３８とウエーハＷ１との間の表面張力により、上記隙間Ｄ内で水の層が保持されるため、水を供給し続ける必要がない。すなわち、所定量の水でウエーハＷ１の上面のウェット状態を維持することができる。よって、水の消費量を抑えつつも、ウエーハＷ１の上面を濡らした状態で搬送することができる。
【００５１】
上記実施の形態においては、ウエーハＷ１とサブストレートＷ２とを張り合わせた板状ワークＷを搬送する構成としたが、これに限定されない。搬送対象となる板状ワークは適宜変更が可能である。
【００５２】
上記実施の形態においては、ウエーハＷ１の側面も水で覆われる構成としたが、これに限定されない。ウエーハＷ１の側面は必ずしも水で覆われなくてよい。
【００５３】
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
【００５４】
本実施の形態では、本発明をＣＭＰ研磨装置１において板状ワークＷを搬送する構成としたが、これに限定されない。板状ワークＷをウェット状態で搬送したい加工装置であれば、どのような加工装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
以上説明したように、本発明は、水の消費量を抑えつつも、ウエーハの表面を濡らした状態で搬送することができるという効果を有し、特に、サブストレートを張り合わせたウエーハを搬送する搬送機構を備えた加工装置に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
Ｗ１  ウエーハ
Ｗ２  サブストレート
Ｗａ  はみ出し部
Ｗ  板状ワーク
Ｄ  隙間
１  ＣＭＰ研磨装置（加工装置）
２６  洗浄手段
３６  搬送機構
３８  搬送パッド
４１  保持テーブル
５１  加工手段
８１  水供給源（水供給手段）
８２  保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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