(57)【要約】【課題】スループットの点で有利なインプリント技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型とを接触させ、前記インプリント材を硬化させ、その後、前記インプリント材と前記型とを分離させる。インプリント装置は、前記基板を保持して移動するステージと、前記型を保持するチャックと、前記インプリント材と前記型とを接触させた後、前記インプリント材と前記型とを分離させる前に、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記チャックと前記型との相対位置を補正する補正動作を実行する制御部とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材と型とを接触させ、前記インプリント材を硬化させ、その後、前記インプリント材と前記型とを分離させるインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記型を保持するチャックと、
前記インプリント材と前記型とを接触させた後、前記インプリント材と前記型とを分離させる前に、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記チャックと前記型との相対位置を補正する補正動作を実行する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記インプリント材と前記型とを接触させて前記インプリント材を硬化させた後、前記インプリント材と前記型とを分離させる前に、前記補正動作を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記補正動作は、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記チャックに対して前記型を移動させる動作を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記補正動作において、前記チャックに対して前記型を移動させる動作は、前記ステージを移動させることによって前記型を移動させる動作を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記インプリント材と前記型とを接触させた後、前記インプリント材を硬化させる前に、前記補正動作を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記型に力を加えることによって前記型を変形させる型変形機構を更に備え、
前記補正動作において、前記チャックに対して前記型を移動させる動作は、前記型変形機構によって前記型を移動させる動作を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記補正動作の後、前記インプリント材の硬化の前に、前記型変形機構に前記型を変形させる、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記チャックに対する前記型の移動と前記型の変形とを並行して前記型変形機構に実行させる、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記型変形機構による前記型の移動に同期して前記ステージを移動させる、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記補正動作は、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記型に対して前記チャックを移動させる動作を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記チャックに対する前記型の位置ずれを検出する計測器を更に備え、
前記制御部は、前記計測器によって検出された位置ずれに基づいて前記補正動作を実行する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記型と前記基板のショット領域とのずれを計測するための計測器を更に備え、
前記計測器によって計測されたずれに基づいて、前記型と前記ショット領域とが位置合わせされるように前記ステージが駆動され、
前記制御部は、前記型と前記ショット領域との位置合わせのための前記ステージの駆動量に基づいて前記補正動作を実行する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
ステージによって保持された基板の上のインプリント材とチャックによって保持された型とを接触させる接触工程と、
前記接触工程の後に、前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程の後に、前記インプリント材と前記型とを分離させる分離工程と、
前記接触工程の後であって前記分離工程の前に、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記チャックと前記型との相対位置を補正する補正工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置によって基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のインプリント方法によって基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、微細なパターンの形成を可能にするインプリント技術は、様々な物品（例えば、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス、表示デバイス、撮像デバイス、磁気ヘッド、ＭＥＭＳ）を製造するための技術として注目されている。インプリント技術は、基板の上に配置されたインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、その後に、硬化したインプリント材から型を分離することによって基板の上に型のパターンを転写する技術である（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００７−５３５１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
硬化したインプリント材から型を分離する際に、型を吸着によって保持しているチャックと、型のパターンと結合しているインプリント材またはその下の基板とが型を引っ張り合うことになる。そのために、型がチャックから瞬間的に離れてしまうことがある。型は、吸着力によってチャックに再吸着されるが、型がチャックから離れた瞬間にチャックと型との相対位置がずれてしまいうる。
【０００５】
インプリントシーケンスを繰り返すと、チャックと型との相対位置のずれが累積され、そのずれが許容範囲から逸脱する可能性がある。例えば、型と基板との位置合わせのためのアライメント計測器の視野から型のマークが外れるような相対位置のずれは、許容範囲を逸脱するずれである。相対位置が許容範囲を逸脱した場合、例えば、型を搬送する搬送機構によって型をチャックに対して位置合わせする処理がなされうる。
【０００６】
しかし、このような処理のためには、チャックの下から基板ステージを退避させた後に行う必要があり、その処理の後に基板ステージをチャックの下に戻す必要もある。よって、基板の処理に関するスループットが低下しうる。
【０００７】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、スループットの点で有利なインプリント技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの側面は、インプリント装置に係り、前記インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型とを接触させ、前記インプリント材を硬化させ、その後、前記インプリント材と前記型とを分離させるインプリント装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記型を保持するチャックと、前記インプリント材と前記型とを接触させた後、前記インプリント材と前記型とを分離させる前に、前記型が前記インプリント材および前記基板を介して前記ステージによって支持された状態において前記チャックと前記型との相対位置を補正する補正動作を実行する制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、スループットの点で有利なインプリント技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態のインプリント装置および型の構成を示す図。
【図２】インプリントシーケンスにおけるインプリント装置および型の状態を模式的に示す図。
【図３】本発明の第１実施形態におけるインプリント装置の動作シーケンスを示す図。
【図４】本発明の第２実施形態におけるインプリント装置の動作シーケンスを示す図。
【図５】物品製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１２】
まず、図１を参照しながら本発明の一実施形態のインプリント装置１および型１０１の構成を説明する。図１（ａ）は、インプリント装置１の構成を示す図、図１（ｂ）は、インプリント装置１のチャック１００の構成を示す図、図１（ｃ）、（ｄ）は、型１０１の構成を示す図である。インプリント装置１は、基板１０４の上のインプリント材１２０と型１０１（のパターン部１０３）とを接触させ、インプリント材１２０を硬化させ、その後、インプリント材１２０と型１０１（のパターン部１０３）とを分離させる。これによって、型１０１のパターン部１０３に形成されたパターンが基板１０４の上に転写される。
【００１３】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１４】
本明細書および添付図面では、基板１０４の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。
【００１５】
インプリント装置１は、型１０１を操作するための機構として、チャック１００、型駆動機構１１４および型変形機構１０７を備えうる。チャック１００（型保持部）は、型１０１を保持する保持面１１１と、吸着機構１３２とを有し、吸着機構１３２によって型１０１を吸着することによって型１０１を保持する。吸着機構１３２は、例えば、保持面１１１に設けられた吸着部（例えば、真空吸着用の溝または静電チャック用の電極）１０６と、吸着部１０６による型１０１の吸着（チャック１００による型１０１の保持）を制御する吸着制御部１０５とを含みうる。型駆動機構１１４は、チャック１００を駆動することによって型１０１を駆動（位置決め）する。型駆動機構１１４は、型１０１を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型変形機構１０７は、型１０１に力を加える複数の押圧部１０８を有する。
【００１６】
インプリント装置１は、基板１０４を操作するための機構として、基板を保持して移動するステージ１０９と、ステージ１０９を駆動することによって基板１０４を駆動（位置決め）する基板駆動機構１１３とを備えうる。基板駆動機構１１３は、基板１０４を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸）について駆動するように構成されうる。
【００１７】
この実施形態では、基板１０４の上のインプリント材１２０に対する型１０１（のパターン部１０３）の接触、および、硬化したインプリント材１２０からの型１０１の分離のための基板１０４と型１０１との相対的な駆動が型駆動機構１１４によって行われる。しかしながら、このような相対的な駆動は、基板駆動機構１１３によって行われてもよいし、型駆動機構１１４および基板駆動機構１１３の双方によって行われてもよい。基板駆動機構１１３および型駆動機構１１４は、基板１０４と型１０１との相対位置を変更する駆動機構を構成する。
【００１８】
インプリント装置１は、基板１０４と型１０１との相対位置を計測するために、アライメント計測器（アライメントスコープ）１０２を備えうる。アライメント計測器１０２は、型１０１に設けられたアライメントマークと基板１０４に設けられたアライメントマークとに基づいて基板１０４（あるいはショット領域）と型１０１（あるいはパターン部１０３）との相対位置を計測する。
【００１９】
インプリント装置１は、更に、基板１０４の上のインプリント材１２０を硬化させる硬化部１１５を備えている。硬化部１１５は、基板１０４の上のインプリント材１２０を硬化させるためのエネルギー（例えば、紫外光などの光）をインプリント材１２０に供給する。その他、インプリント装置１は、基板１０４の上にインプリント材１２０を供給あるいは配置する供給装置（ディスペンサ）を備えうる。供給装置は、インプリント装置１の構成要素であってよいし、構成要素でなくてもよい。
【００２０】
インプリント装置１は、更に、基板駆動機構１１３、型駆動機構１１４、型変形機構１０７、硬化部１１５、アライメント計測器１０２等を制御する制御部１４０を備えうる。制御部１４０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部１４０は、インプリント材１２０と型１０１とを接触させた後、インプリント材１２０と型１０１とを分離させる前に、チャック１００と型１０１との相対位置を補正する補正動作を実行する。補正動作は、型１０１がインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持された状態において実行されうる。
【００２１】
図２には、インプリントシーケンスにおけるインプリント装置１および型１０１の状態が模式的に示されている。図３には、本発明の第１実施形態におけるインプリント装置１の動作シーケンスが示されている。この動作シーケンスは、制御部１４０によって制御される。図２および図３を参照しながら第１実施形態のインプリント装置１の動作を説明する。
【００２２】
図３（ａ）には、ロットを構成する複数の基板を処理するジョブシーケンスが示されている。工程Ｓ５１０において、制御部１４０は、不図示の基板搬送機構を制御して、基板１０４をステージ１０９の上に搬送させ、ステージ１０９に基板１０４を受け取らせる。ここでは、基板１０４の複数のショット領域の上に予めインプリント材１２０が配置されているものとして説明するが、インプリント材１２０は、１又は複数のショット領域ごとに基板１０４の上に供給されてもよい。
【００２３】
次いで、工程Ｓ５１１において、制御部１４０は、インプリントシーケンスを実行する。インプリントシーケンス（工程Ｓ５１１）の詳細は、図３（ｂ）に示されている。次いで、工程Ｓ５１２において、制御部１４０は、全てのショット領域に対するインプリントシーケンスが終了したかどうかを判断し、全てのショット領域に対するインプリントシーケンスが終了した場合には工程Ｓ５１３に進む。一方、全てのショット領域に対するインプリントシーケンスが終了していない場合には、工程Ｓ５１１に戻り、未処理のショット領域を対象としてインプリントシーケンスを実行する。次いで、工程Ｓ５１３において、制御部１４０は、不図示の基板搬送機構を制御して、ステージ１０９の上から基板１０４を搬出させる。次いで、工程Ｓ５１４において、制御部１４０は、ロットを構成する全ての基板１０４に対する処理が終了したかどうかを判断し、全ての基板１０４に対する処理が終了した場合にはジョブシーケンスを終了する。一方、全ての基板１０４に対する処理が終了していない場合には、工程Ｓ５１０に戻り、未処理の基板１０４を対象として工程Ｓ５１０〜Ｓ５１３を実行する。
【００２４】
図３（ｂ）には、工程Ｓ５１１におけるインプリントシーケンスの詳細が示されている。まず、工程Ｓ５２１において、制御部１４０は、基板駆動機構１１３を制御して、インプリントシーケンスを実行する対象（以下、インプリント対象）のショット領域がインプリント位置に配置されるように基板１０４を位置決めさせる。ここで、インプリント位置は、インプリントシーケンスが実行される位置、換言すると、型１０１の下の位置である。
【００２５】
次いで、工程Ｓ５２２において、制御部１４０は、型変形機構１０７を制御して、型１０１を変形させる。この際に、アライメント計測器１０２を使って、型１０１のアライメントマークと基板１０４のインプリント対象のショット領域のアライメントマークとの相対位置が計測されうる。そして、この相対位置に基づいて該ショット領域の形状と型１０１のパターン部１０３の形状とが一致するように、型変形機構１０７による型１０１の変形が制御されうる。型１０１の変形には、パターン部１０３の倍率の変更も含まれうる。
【００２６】
次いで、工程Ｓ５２３において、制御部１４０は、型駆動機構１１４を制御して、基板１０４のインプリント対象のショット領域のインプリント材１２０に型１０１（のパターン部１０３）を接触させる。インプリント対象のショット領域のインプリント材１２０に型１０１を接触させる際に、アライメント計測器１０２を使って型１０１のアライメントマークと基板１０４のインプリント対象のショット領域のアライメントマークとの相対位置が計測されうる。そして、この相対位置に基づいて、基板駆動機構１１３および型駆動機構１１４の少なくも一方によってインプリント対象のショット領域と型１０１（のパターン部１０３）とが位置合わせされうる。
【００２７】
次いで、工程Ｓ５２４において、制御部１４０は、硬化部１１５を制御して、インプリント対象のショット領域のインプリント材１２０を硬化させる。硬化部１１５は、例えば、型１０１を介してインプリント対象のショット領域のインプリント材１２０に光を照射することによってインプリント材１２０を硬化させる。
【００２８】
次いで、工程Ｓ５２５において、制御部１４０は、型１０１の位置を補正する補正動作を実行するかどうかを判断し、補正動作を実行する場合には工程Ｓ５２６に進み、実行しない場合には工程Ｓ５２７に進む。ここで、型１０１がチャック１００によって保持された後に最初にインプリントシーケンスが実行されるショット領域（例えば、ロットの先頭の基板の最初のショット領域）のインプリント材１２０の硬化が終了した段階では、補正動作（工程Ｓ５２６）を実行しない。これは、当該ショット領域のインプリント材１２０の硬化が終了した段階（まだインプリント材１２０から型１０１が分離されていない段階）では、分離による型１０１の位置ずれが起こりえないからである。一方、型１０１がチャック１００によって保持されてから少なくとも１回のインプリントシーケンスが実行された後は、即ち、少なくとも１回の分離がなされた後は、その分離によって許容範囲を超える型１０１の位置ずれが発生している可能性がある。そこで、制御部１４０は、型１０１がチャック１００によって保持されてから少なくとも１回のインプリントシーケンスが実行された後は、チャック１００に対する型１０１の位置ずれが許容範囲を超えているかどうかを判断する。そして、制御部１４０は、該位置ずれが該許容範囲を超えている場合には工程Ｓ５２６に進む。チャック１００に対する型１０１の位置ずれは、前のインプリントシーケンス（Ｓ５１１）の工程Ｓ５２８（後述）において計測された位置ずれでありうる。
【００２９】
工程Ｓ５２６において、制御部１４０は、型１０１の位置を補正する補正動作を実行する。第１実施形態では、補正動作は、インプリント材１２０と型１０１とを接触させてインプリント材１２０を硬化させた後であってインプリント材１２０と型１０１とを分離させる前に実行される。
【００３０】
次いで、工程Ｓ５２７において、制御部１４０は、型駆動機構１１４を制御して、基板１０４のインプリント対象のショット領域のインプリント材１２０から型１０１（のパターン部１０３）を分離させる（離型）。図２において、状態Ｓ１は、硬化したインプリント材１２０と型１０１（のパターン部１０３）とが結合している状態を模式的に示している。状態Ｓ２は、硬化したインプリント材１２０から型１０１を分離するために、型駆動機構１１４によって型１０１を上昇させている状態を示している。状態Ｓ２では、型１０１を吸着によって保持しているチャック１００と、型１０１のパターン部１０３と結合しているインプリント材１２０またはその下の基板１０４とが型１０１を引っ張り合うことになる。そのために、型１０１がチャック１００から瞬間的に離れてしまうことがある。型１０１は、吸着部１０６による吸着力によってチャック１００に再吸着されるが、型１０１がチャック１００から離れた瞬間にチャック１００と型１０１との相対位置がずれて、位置ずれΔｄが生じうる。この状態が状態Ｓ３である。
【００３１】
工程Ｓ５２７の後、工程Ｓ５２８において、制御部１４０は、チャック１００に対する型１０１の位置ずれΔｄを計測あるいは検出する。その後、制御部１４０は、インプリントシーケンスを終了する。チャック１００に対する型１０１の位置ずれΔｄは、例えば、アライメント計測器１０２を使って型１０１のアライメントマークの位置を計測し、この計測結果と過去の計測結果とを比較することによって検出することができる。ここで、アライメント計測器１０２は、型１０１（のパターン部１０３あるいはアライメントマーク）と基板１０４のショット領域（のアライメントマーク）とのずれを計測するため計測器である。チャック１００に対する型１０１の位置ずれは、他の計測器を使って検出されてもよい。
【００３２】
チャック１００に対する型１０１の位置ずれΔｄは、次のインプリント対象のショット領域について実行される工程Ｓ５２１〜Ｓ５２３において検出されてもよい。具体的には、工程Ｓ５２１においてインプリント対象のショット領域がインプリント位置に配置される。その後、工程Ｓ５２２、Ｓ５２３において基板駆動機構１１３および型駆動機構１１４の少なくも一方によってインプリント対象のショット領域と型１０１（のパターン部１０３）とが位置合わせされうる。この際の基板駆動機構１１３および型駆動機構１１４による基板１０４および型１０１の駆動量が位置ずれΔｄに相当する。
【００３３】
図３（ｃ）には、工程Ｓ５２６における補正動作の詳細が示されている。前述のように、工程Ｓ５２６は、処理対象のショット領域よりも前のショット領域の上の硬化したインプリント材１２０からの型１０１の分離による位置ずれΔｄが許容範囲を超えている場合に実行されうる。
【００３４】
まず、工程Ｓ５３１において、制御部１４０は、吸着機構１３２（吸着制御部１０５）を制御して、吸着機構１３２（吸着部１０６）による型１０１の吸着を解除させる。また、制御部１４０は、型変形機構１０７による型１０１の変形（押圧部１０８による型１０１の押圧）を停止させ、押圧部１０８を型１０１に接触しないように退避させることが好ましい。この状態では、型１０１は、硬化したインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持されている。
【００３５】
次いで、工程Ｓ５３２では、基板駆動機構１１３を制御して、位置ずれΔｄが補正されるように、型１０１がインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持された状態でチャック１００に対して型１０１を移動させる。この状態は、図２において、状態Ｓ４として示されている。工程Ｓ５３２における動作に代えて、制御部１４０は、型駆動機構１１４を制御して、位置ずれΔｄが補正されるように、型１０１に対してチャック１００を移動させてもよい。この動作も、型１０１がインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持された状態でなされる。
【００３６】
次いで、工程Ｓ５３３において、制御部１４０は、吸着機構１３２（吸着制御部１０５）を制御して、吸着機構１３２（吸着部１０６）による型１０１の吸着を再開させる。この状態は、図２において、状態Ｓ５として示されている。その後、工程Ｓ５２７に戻る。
【００３７】
以下、図４を参照しながら本発明の第２実施形態のインプリント装置１の動作を説明する。第２実施形態では、基板１０４の上のインプリント材１２０に型１０１（のパターン部１０３）を接触させた後であってインプリント材１２０を硬化させる前に補正動作が実行される。つまり、第２実施形態では、型１０１に接触しているインプリント材１２０が未硬化の状態で補正動作が実行される。なお、図４において、図３に示された第１実施形態のインプリントシーケンスにおける工程と同様の工程には同様の符号が付されている。
【００３８】
まず、図４（ａ）のジョブシーケンスは、図３（ａ）のジョブシーケンスと同様である。図４（ｂ）のインプリントシーケンスでは、工程Ｓ５２３でインプリント材１２０に型１０１を接触させた後であって工程Ｓ５２４でインプリント材１２０を硬化させる前に、工程Ｓ５４１において型１０１の移動（補正動作）が実行される。ここで、第２実施形態では、工程Ｓ５２３においてインプリント材１２０に型１０１を接触させる際には、インプリント対象のショット領域と型１０１（のパターン部１０３）とが位置合わせは行われない。工程Ｓ５４１では、制御部１４０は、型１０１の移動（補正動作）の他、型１０１の形状補正が行われうる。
【００３９】
図４（ｃ）には、工程Ｓ５４１における補正動作の詳細が示されている。工程Ｓ５５４１は、処理対象のショット領域よりも前のショット領域の上の硬化したインプリント材１２０からの型１０１の分離による位置ずれΔｄが許容範囲を超えている場合に実行されうる。
【００４０】
工程Ｓ５５１において、制御部１４０は、吸着機構１３２（吸着制御部１０５）を制御して、吸着機構１３２（吸着部１０６）による型１０１の吸着を解除させる。この状態では、型１０１は、硬化したインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持されている。
【００４１】
次いで、工程Ｓ５５２において、制御部１４０は、型変形機構１０７を制御し、位置ずれΔｄが補正されるように、型１０１がインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持された状態でチャック１００に対して型１０１を移動させる。型変形機構１０７による型１０１の移動は、例えば、複数の押圧部１０８の一部を型１０１の側面に当接させて型１０１を押圧することによってなされうる。制御部１４０は、型変形機構１０７による型１０１の移動に同期して基板駆動機構１１３に基板１０４（ステージ１０９）を移動させるように構成されてもよい。工程Ｓ５５２における動作に代えて、制御部１４０は、型駆動機構１１４を制御して、位置ずれΔｄが補正されるように、型１０１に対してチャック１００を移動させてもよい。この動作も、型１０１がインプリント材１２０および基板１０４を介してステージ１０９によって支持された状態でなされる。
【００４２】
工程Ｓ５３３において、制御部１４０は、型変形機構１０７を制御して、型１０１を変形させる。この際に、アライメント計測器１０２を使って、型１０１のアライメントマークと基板１０４のインプリント対象のショット領域のアライメントマークとの相対位置が計測されうる。そして、この相対位置に基づいて該ショット領域の形状と型１０１のパターン部１０３の形状とが一致するように、型変形機構１０７による型１０１の変形が制御されうる。型１０１の変形には、パターン部１０３の倍率の変更も含まれうる。制御部１４０は、工程Ｓ５３１と工程Ｓ５３２とが並行して実行されるように型変形機構１０７を制御してもよい。即ち、制御部１４０は、チャック１００に対する型１０１の移動と型１０１の変形とを並行して型変形機構１０７に実行させてもよい。
【００４３】
次いで、Ｓ５３３において、制御部１４０は、吸着機構１３２（吸着制御部１０５）を制御して、吸着機構１３２（吸着部１０６）による型１０１の吸着を再開させる。この状態は、図２において、状態Ｓ５として示されている。その後、工程Ｓ５２７に戻る。
【００４４】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４６】
次に、物品製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４７】
図５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４８】
図５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４９】
図５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１：インプリント装置、１００：チャック、１０１：型、１０２：アライメント計測器、１０３：パターン部、１０４：基板、１０７：型変形機構、１０８：押圧部、１０９：ステージ、１１３：基板駆動機構、１１４：型駆動機構、１２０：インプリント材、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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