(57)【要約】【課題】より簡便な工程で製造できるパッケージおよび赤外線センサーを提供することを目的としている。【解決手段】パッケージは、凸部を有する第１基板と、第２基板と、第１基板の凸部の先端部分に配置されるＭ個（Ｍは１以上の整数）の第１金属配線と、第２基板上に配置されるＮ個（Ｎは１以上の整数かつＭと異なる整数）の第２金属配線と、を備え、第１基板と第２基板の接合時に、一方の金属配線の一部が他方の金属配線の一部に接するように配置され、一方の金属配線の一部が他方の金属配線間に埋め込まれる配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部を有する第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板の前記凸部の先端部分に配置されるＭ個（Ｍは１以上の整数）の第１金属配線と、
前記第２基板上に配置されるＮ個（Ｎは１以上の整数かつＭと異なる整数）の第２金属配線と、
を備え、
前記第１基板と前記第２基板の接合時に、一方の金属配線の一部が他方の金属配線の一部に接するように配置され、一方の金属配線の一部が他方の金属配線間に埋め込まれる配置されている、パッケージ。
【請求項２】
前記Ｎ個の第２金属配線は、前記Ｍ個の第１金属配線より多く、
前記第２基板の平面方向の前記Ｎ個の第２金属配線間は、前記第１基板の平面方向の前記第１金属配線の横幅より狭い、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記Ｍ個の第１金属配線は、前記Ｎ個の第２金属配線より多く、
前記第１基板の平面方向の前記Ｍ個の第１金属配線間は、前記第２基板の平面方向の前記第２金属配線の横幅より狭い、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記金属配線は、タンタルを下地層とした金、または窒化チタンを下地層としたアルミである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のパッケージと、
前記第１基板と前記第２基板の接合時に、前記第１基板の前記凸部と前記第２基板とによって形成される封止空間かつ、前記第２基板上に配置される赤外線センサーと、を備える赤外線センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージおよび赤外線センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサー等の半導体装置に使用されているパッケージは、有機物によるガスの派生を低減するため減圧雰囲気で封止されている。このようなパッケージは、製造コストが高かい。このため、蓋部の接合部の構造を、突起部を有する凸形状構造とし基板側に形成の金属配線に埋設するように接合することにより、高い製造歩留りと、接合さらには気密封止を向上するウエハーレベルのパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８２０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、蓋部の接合部の突起部を有する凸形状構造が複雑な形状であるため、凸形状構造の製造に複雑な工程が必要であり、突起部を有する凸形状構造の製造にコストがかかるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、より簡便な工程で製造できるパッケージおよび赤外線センサーを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るパッケージは、凸部（１１）を有する第１基板（１０）と、第２基板（１５）と、前記第１基板の前記凸部の先端部分（１２）に配置されるＭ個（Ｍは１以上の整数）の第１金属配線（１３）と、前記第２基板上に配置されるＮ個（Ｎは１以上の整数かつＭと異なる整数）の第２金属配線（１７）と、を備え、前記第１基板と前記第２基板の接合時に、一方の金属配線（例えば第１金属配線１３）の一部（１３１）が他方の金属配線（例えば第２金属配線１７）の一部（１７a１）に接するように配置され、一方の金属配線の一部（１３３）が他方の金属配線（例えば第２金属配線１７aと第２金属配線１７ｂ）間に埋め込まれる配置されている。
【０００７】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、前記Ｎ個の第２金属配線は、前記Ｍ個の第１金属配線より多く、前記第２基板の平面方向の前記Ｎ個の第２金属配線間は、前記第１基板の平面方向の前記第１金属配線の横幅より狭いようにしてもよい。
【０００８】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、前記Ｍ個の第１金属配線は、前記Ｎ個の第２金属配線より多く、前記第１基板の平面方向の前記Ｍ個の第１金属配線間は、前記第２基板の平面方向の前記第２金属配線の横幅より狭いようにしてもよい。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るパッケージにおいて、前記金属配線は、タンタルを下地層とした金、または窒化チタンを下地層としたアルミであるようにしてもよい。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る赤外線センサー（１）は、上記のパッケージ（１９を除く１）と、前記第１基板（１０）と前記第２基板（１５）の接合時に、前記第１基板の前記凸部（１１）と前記第２基板とによって形成される封止空間（２１）かつ、前記第２基板上に配置される赤外線センサー１９と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、より簡便な工程で製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係るパッケージ１の断面構成の一例を示す図である。
【図２】本実施形態に係る第１金属配線と第２金属配線が接合した状態の断面構成の一例を示す図である。
【図３】本実施形態に係るパッケージの製造工程の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る第１金属配線と第２金属配線の例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る第１の変形例のパッケージの断面構成の一例を示す図である。
【図６】本実施形態に係る第２の変形例のパッケージの断面構成の一例を示す図である。
【図７】本実施形態に係る第３の変形例のパッケージの断面構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係るパッケージ１の断面構成の一例を示す図である。図１において、パッケージ１の長手方向をｘ軸方向とし、パッケージ１の厚み方向をｙ軸方向とする。
図１に示すようにパッケージ１は、第１基板１０と第２基板１５を備える。また、第１基板１０と第２基板１５の間には、センサー１９を封入する封止空間２１が形成される。
【００１４】
第１基板１０は、シリコン基板である。
凸部１１は、第１基板１０に一体的に形成されている。そして、凸部１１の先端部分である頂面１２上には、１個（Ｍ＝１）の第１金属配線１３が配置されている。
第１金属配線１３は、金属薄膜である。第１金属配線１３の材料は、拡散接合しやすい材料である。第１金属配線１３は、例えば、タンタル（Ｔａ）下地層上の金（Ａｕ）の二層構造、または窒化チタン（ＴｉＮ）下地層上のアルミ（Ａｌ）の二層構造である。ＡｕとＴａの場合の膜厚それぞれは、例えばＡｕが１μｍ〜０．３μｍ、Ｔａが０．１μｍ〜０．０２μｍである。また、ＡｌとＴｉＮの場合の膜厚それぞれは、例えばＡｌが３μｍ、ＴｉＮが０．１μｍ〜０．０２μｍである。
【００１５】
第２基板１５は、シリコン基板であり、第１基板１０と略平行に配置される。
第２基板１５の位置１６上に、２個（Ｎ＝２）の第２金属配線１７（１７ａと１７ｂ）が配置されている。位置１６は、第１基板１０と第２基板１５の接合時に、第１金属配線１３の一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂ間に埋設される位置である。また、第２基板１５上には、電極１８（１８ａと１８ｂ）とセンサー１９とが配置されている。以下、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂのうち１つを特定しない場合は、第２金属配線１７という。以下、電極１８ａと電極１８ｂのうち１つを特定しない場合は、電極１８という。
第２金属配線１７は、金属薄膜である。第２金属配線１７の材料は、第１金属配線１３と同じであり、膜厚それぞれも第１金属配線１３と同じである。また、第１金属配線１３の材料がＡｕとＴａの場合の場合は、第２金属配線１７の材料もＡｕとＴａであり、第１金属配線１３の材料がＡｌとＴｉＮの場合の場合は、第２金属配線１７の材料もＡｌとＴｉＮである。
なお、第１金属配線１３がタンタル（Ｔａ）下地層上の金（Ａｕ）の場合、第２金属配線１７も同様にタンタル（Ｔａ）下地層上の金（Ａｕ）となり接合部は、金と金が接する構造となる。または、第１金属配線１３が窒化チタン（ＴｉＮ）下地層上のアルミ（Ａｌ）の場合、第２金属配線１７も同様に窒化チタン（ＴｉＮ）下地層上のアルミ（Ａｌ）となり接合部は、アルミとアルミが接する構造となる。
【００１６】
電極１８は、センサー１９が検出した情報を外部に出力するためのパッドである。
センサー１９と電極１８は、第２基板１５内で配線材３１によって接続されている。なお、第２基板１５内には、センサー１９が出力する情報を処理する読み出し回路等のトランジスタ等の部品および配線などが形成されていてもよい。
【００１７】
センサー１９は、例えば赤外線センサー、加速度センサー、角速度センサー等である。センサー１９は、第２基板１５に形成されており、第１基板１０と第２基板１５の間の封止空間２１に形成されている。
封止空間２１は、気密空間であり、減圧雰囲気を維持することができる。
【００１８】
次に、第１金属配線１３と第２金属配線１７が接合した状態を説明する。
図２は、本実施形態に係る第１金属配線１３と第２金属配線１７が接合した状態の断面構成の一例を示す図である。図２において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。
第１金属配線１３のｘ軸方向の長さはｌ１である。第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間の距離はｌ４であり、ｌ１より狭い（ｌ１＞ｌ４）。このため、図２に示すように、接合後、第１金属配線１３の一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込まれる。
【００１９】
第２基板１５の表面には、その下部にある不図示のトランジスタ等の部品および配線の有無を反映した凹凸が存在する場合がある。こうした凹凸は、例えば、数十ｎｍから数百ｎｍレベルの凹凸である。仮に、パッケージ１が第１金属配線１３と第２金属配線１７を有していず、第１基板１０の凸部１１と第２基板１５とを接合させた場合、凸部１１と第２基板１５に空隙が発生する可能性がある。
本実施形態では、図２に示したように、第１金属配線１３と第２金属配線１７を接合させることで、第１金属配線１３が第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込まれることによって、前記の凹凸を吸収する。これにより、本実施形態によれば、第１金属配線１３と第２金属配線１７における空隙の発生が防止される。さらに、本実施形態によれば、封止空間２１は、減圧下に安定して維持される。
【００２０】
次に、パッケージ１の製造方法の一例を説明する。
図３は、本実施形態に係るパッケージ１の製造工程の一例を示す図である。図３において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。
まず、符号ｇ１１に示すように、フォトリソグラフィとエッチングを行うことで、第１基板１０の不要部分を除去することで、凸部１１を形成する。
【００２１】
続けて、符号ｇ１２に示すように、凸部１１の頂面１２に、例えば成膜（スパッタリングや蒸着など）を行った後、例えばフォトリソグラフィで不要部分を除去することで、第１金属配線１３を形成する。
【００２２】
続けて、符号ｇ１３に示すように、第２基板１５にセンサー１９と第２金属配線１７と電極１８を形成する。センサー１９は、シリコン基板である第２基板１５に周知の手法によって形成される。第２基板１５に、例えば成膜（スパッタリングや蒸着など）を行った後、例えばフォトリソグラフィで不要部分を除去することで、第２金属配線１７と電極１８を形成する。
【００２３】
続けて、符号ｇ１４に示すように、第１基板１０と第２基板１５の位置を合わせた後、第１基板１０を第２基板１５に加圧し、さらに加熱する。これにより、第１金属配線１３の一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込まれる。
続けて、符号ｇ１４に示すように、接合した後の第２基板１５を不図示のダイシング装置に保持し、第１基板１０をダイシングライン２０の位置でｙ軸方向に切断する。
【００２４】
次に、第１金属配線１３と第２金属配線１７の例を説明する。
図４は、本実施形態に係る第１金属配線１３と第２金属配線１７の例を示す図である。図４において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。
符号ｇ２１に示す例は、第１金属配線１３が１個（Ｍ＝１）、第２金属配線１７（１７ａ、１７ｂ）が２個（Ｎ＝２）の例である。第１金属配線１３が、凸部１１の頂面１２上に形成され、第２金属配線１７ａと１７ｂが、第２基板１５上に形成されている。第１金属配線１３のｘ軸方向の幅がｌ１であり、第２金属配線１７ａと１７ｂそれぞれのｘ軸方向の幅がｌ３であり、第２金属配線１７ａと１７ｂの間の距離がｌ４である。ｌ４は、ｌ１より狭い（ｌ１＞ｌ４）。符号ｇ２１に示す例では、接合後、第１金属配線１３の一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込まれる。なお、金属配線の材料が金とタンタルの合金の場合、ｌ１は、例えば０．１〜０．３ｍｍであり、ｌ３は、例えば０．０５ｍｍである。
【００２５】
ここで、例えば、仮に、第２基板１５上の第１金属配線１３と対応する位置に、幅がｌ１の第２金属配線１７を１つ形成した場合を説明する。この場合、第１金属配線１３と第２金属配線１７との接触面積が大きいため、第１金属配線１３は、第２金属配線１７に殆ど埋め込まれない。一方、符号ｇ２１に示したように、第１金属配線１３と第２金属配線１７との接触面積が小さいため、本実施形態では、接合後、第１金属配線１３の一部を、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込むことができる。
【００２６】
このように、本実施形態のパッケージ１は、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部１３１が他方の金属配線（第２金属配線１７ａ）の一部１７ａ１に接するように配置されている。また、本実施形態のパッケージ１は、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部１３２が他方の金属配線（第２金属配線１７ｂ）の一部１７ｂ１に接するように配置されている。さらに、本実施形態のパッケージ１は、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部１３３が他方の金属配線（第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂ）間に埋め込まれるように配置されている。換言すると、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部１３３は、他方の金属配線（第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂ）の一部（１７ａ１、１７ｂ１）に接しない位置に配置されている。
【００２７】
符号ｇ２２に示す例は、第１金属配線１３が１個（Ｍ＝１）、第２金属配線１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ）が３個（Ｎ＝３）の例である。第１金属配線１３が、凸部１１の頂面１２上に形成され、第２金属配線１７ａと１７ｂと１７ｃが、第２基板１５上に形成されている。第１金属配線１３のｘ軸方向の幅がｌ１１であり、第２金属配線１７ａと１７ｂと１７ｃそれぞれのｘ軸方向の幅がｌ１３である。第２金属配線１７ａと１７ｂの間の距離がｌ１４であり、第２金属配線１７ｂと１７ｃの間の距離がｌ１４である。ｌ１４は、ｌ１１より狭い（ｌ１１＞ｌ１４）。符号ｇ２２に示す例では、接合後、第１金属配線１３の一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間と、第２金属配線１７ｂと第２金属配線１７ｃの間とに埋め込まれる。
【００２８】
符号ｇ２３に示す例は、第１金属配線１３（１３ａ、１３ｂ）が２個（Ｍ＝２）、第２金属配線１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ）が３個（Ｎ＝３）の例である。第１金属配線１３ａと１３ｂが、凸部１１の頂面１２上に形成され、第２金属配線１７ａと１７ｂと１７ｃが、第２基板１５上に形成されている。第１金属配線１３ａと１３ｂそれぞれのｘ軸方向の幅がｌ２１であり、第２金属配線１７ａと１７ｂと１７ｃそれぞれのｘ軸方向の幅がｌ２３である。第１金属配線１３ａと１３ｂの間の距離がｌ２２である。第２金属配線１７ａと１７ｂの間の距離がｌ２４であり、第２金属配線１７ｂと１７ｃの間の距離がｌ２４である。ｌ２２は、ｌ２３より狭い（ｌ２３＞ｌ２１）。ｌ２４は、ｌ２１より狭い（ｌ２１＞ｌ２４）。符号ｇ２３に示す例では、接合後、第１金属配線１３ａの一部が、第２金属配線１７ａと第２金属配線１７ｂの間に埋め込まれる。第１金属配線１３ｂ一部が、第２金属配線１７ｂと第２金属配線１７ｃの間に埋め込まれる。第２金属配線１７ｂの一部が、第１金属配線１３ａと第１金属配線１３ｂの間に埋め込まれる。
【００２９】
なお、符号ｇ２２と符号ｇ２３に示す例のように、第２金属配線１７が３つの場合、真ん中の第２金属配線１７ｂのｘ軸方向の幅を、第２金属配線１７ａと１７ｃの幅より狭くするようにしてもよい。これにより、本実施形態によれば、接合後の密着状態が維持されやすくなり、封止空間２１の圧力を保ちやすくできる。
【００３０】
なお、図４に示した第１金属配線１３と第２金属配線１７の例は一例であり、これに限られない。第２金属配線１７の数が第１金属配線１３の数より多く、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部が他方の金属配線（第２金属配線１７ａ、第２金属配線１７ｂ）ぞれぞれの一部に接するように配置され、一方の金属配線の一部が他方の金属配線間に埋め込まれる配置であればよい。例えば、第１金属配線１３が３個、第２金属配線１７が５個であってもよい。
【００３１】
また、第１金属配線１３の数が第２金属配線１７の数より多く、一方の金属配線（第１金属配線１３）の一部が他方の金属配線（第２金属配線１７ａ、第２金属配線１７ｂ、第２金属配線１７ｃ）それぞれの一部に接するように配置され、一方の金属配線の一部が他方の金属配線間に埋め込まれる配置であってもよい。例えば、第１金属配線１３（１３ａ、１３ｂ）が２個（Ｍ＝２）、第２金属配線１７が１個（Ｎ＝１）であってもよい。この場合、第１金属配線１３ａと１３ｂそれぞれが、凸部１１の頂面１２上に形成され、第２金属配線１７が、第２基板１５上に形成されているようにしてもよい。例えば、第１金属配線１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）が３個（Ｍ＝３）、第２金属配線１７（１７ａ、１７ｂ）が２個（Ｎ＝２）であってもよい。この場合、第１金属配線１３ａと１３ｂと１３ｃそれぞれが、凸部１１の頂面１２上に形成され、第２金属配線１７ａと１７ｂそれぞれが、第２基板１５上に形成されているようにしてもよい。
【００３２】
以上のように、本実施形態によれば、複雑な工程を必要としないパターニング（スプレーコート）と成膜（スパッタリング、蒸着）を行うことで、第１金属配線１３と第２金属配線１７を形成するようにしたので、パッケージ１を作成することができる。また、本実施形態によれば、金属配線による平面同士の接合に比べ、単位面積当たりの加圧が加えることができる。これにより、本実施形態によれば、有機物によるガスの派生を低減するため減圧雰囲気で封止することができるので、接合強度が向上するので品質向上する。
【００３３】
次に、パッケージ１の変形例を説明する。
図５は、本実施形態に係る第１の変形例のパッケージ１Ａの断面構成の一例を示す図である。図５において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。なお、パッケージ１（図１）と同じ機能を有するものには、同じ符号を用いる。
図５に示すようにパッケージ１Ａは、第１基板１０と第２基板１５を備える。また、第１基板１０と第２基板１５の間には、センサー１９を封入する封止空間２１が形成される。なお、第１金属配線１３と第２金属配線１７は、図４の符号ｇ２２やｇ２３に示した個数や配置に形成されていてもよい。
【００３４】
第２基板１５に、２個（Ｎ＝２）の第２金属配線１７（１７ａと１７ｂ）と、センサー１９と、貫通電極４０（４０ａと４０ｂ）と、電極１８（１８ａと１８ｂ）とが配置されている。第２金属配線１７（１７ａと１７ｂ）は、第１基板１０と対向する第２基板１５上の面に形成されている。貫通電極４０（４０ａと４０ｂ）は、第２基板１５をｙ軸方向に貫通して形成されている。電極１８（１８ａと１８ｂ）は、第２基板１５において第２金属配線１７（１７ａと１７ｂ）が配置されていない面（裏面という）に形成されている。このように、パッケージ１Ａは、センサー１９が検出した検出値を、貫通電極４０を介して、第２基板１５の裏面に配置されている電極１８（１８ａ、１８ｂ）から出力する。なお、貫通電極４０とセンサー１９とは、不図示の配線で接続されている。
パッケージ１Ａでは、第２基板１５の裏面に電極１８（１８ａ、１８ｂ）が配置されているので、接合後に、第１基板１０の縁をｙ軸方向に切断する工程が不要である。
【００３５】
図６は、本実施形態に係る第２の変形例のパッケージ１Ｂの断面構成の一例を示す図である。図６において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。なお、パッケージ１（図１）と同じ機能を有するものには、同じ符号を用いる。
図６に示すようにパッケージ１Ｂは、第１基板１０と第２基板１５を備える。また、第１基板１０と第２基板１５の間には、センサー１９Ｂを封入する封止空間２１が形成される。なお、第１金属配線１３と第２金属配線１７は、図４の符号ｇ２２やｇ２３に示した個数や配置に形成されていてもよい。
【００３６】
パッケージ１Ｂでは、センサー１９Ｂが、第２基板１５とは別に形成され、形成した後に第２基板１５上に取り付けられる。センサー１９Ｂは、例えばＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）のセンサーである。センサー１９Ｂは、配線材４１ａを介して電極１８ａに接続され、配線材４１ｂを介して電極１８ｂに接続される。配線材４１（４１ａと４１ｂ）は、ワイヤであり、ワイヤボンディングの手法で接続される。
パッケージ１Ｂでは、接合後に、第１基板１０のダイシングライン２０の位置でｙ軸方向に切断する工程を行う必要がある。
【００３７】
図７は、本実施形態に係る第３の変形例のパッケージ１Ｃの断面構成の一例を示す図である。図７において、ｘ軸方向とｙ軸方向は、図１と同様である。なお、パッケージ１（図１）と同じ機能を有するものには、同じ符号を用いる。
図７に示すようにパッケージ１Ｃは、第１基板１０と第２基板１５を備える。また、第１基板１０と第２基板１５の間には、センサー１９Ｂを封入する封止空間２１が形成される。なお、第１金属配線１３と第２金属配線１７は、図４の符号ｇ２２やｇ２３に示した個数や配置に形成されていてもよい。
【００３８】
パッケージ１Ｃでは、パッケージ１Ｂと同様にセンサー１９Ｂが、第２基板１５とは別に形成され、形成した後に第２基板１５上に取り付けられる。さらに、パッケージ１Ｃでは、センサー１９Ｂが、配線材４１（４１ａと４１ｂ）と貫通電極４０（４０ａと４０ｂ）を介して、第２基板１５の裏面に配置されている電極１８（１８ａと１８ｂ）に接続されている。
パッケージ１Ｃでは、パッケージ１Ａと同様に、第２基板１５の裏面に電極１８（１８ａ、１８ｂ）が配置されているので、接合後に、第１基板１０の縁をｙ軸方向に切断する工程が不要である。
【００３９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００４０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…パッケージ、１０…第１基板、１１…凸部、１２…頂面、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…第１金属配線、１５…第２基板、１６…位置、１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…第２金属配線、１８，１８ａ，１８ｂ…電極、１９，１９Ｂ…センサー、２０…ダイシングライン、２１…封止空間、３１…配線材、４０，４０ａ，４０ｂ…貫通電極、４１，４１ａ，４１ｂ…配線材、１３１，１３２，１３３，１７ａ１，１７ｂ１…金属配線の一部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2018056270.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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