(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に施される処理の面内分布を制御することが可能なガス導入機構を提供すること。【解決手段】処理容器内で所定のガスを用いて基板に対して所定の処理を施すために該処理容器に設けられたガス導入機構であって、処理容器の下端部に配置され、処理容器の内壁面に沿って上下に延びるとともに、管状部材を挿入可能かつ外嵌支持可能な挿入穴９２を有するインジェクタ支持部９１と、インジェクタ支持部９１から外側に張り出して、挿入穴９２と処理容器の外部とを連通してガスが通流可能なガス流路９６を内部に有するガス導入部９５と、を有するマニホールド９０を有する。挿入穴９２には、処理容器の内壁面に沿って全体が直線状に延在するとともに、挿入穴９２に挿入された箇所にガス流路９６と連通する開口を有するインジェクタ１１０が挿入され、インジェクタ１１０の下端部に接続され、インジェクタ１１０を回転させる回転機構２００を有する。【選択図】図３
2018056232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内で所定のガスを用いて基板に対して所定の処理を施すために前記処理容器に設けられたガス導入機構であって、
前記処理容器の下端部に配置されたマニホールドであって、前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるとともに、管状部材を挿入可能かつ外嵌支持可能な挿入穴を有するインジェクタ支持部と、前記インジェクタ支持部から外側に張り出して、前記挿入穴と前記処理容器の外部とを連通してガスが通流可能なガス流路を内部に有するガス導入部と、を有するマニホールドと、
前記挿入穴に挿入され、前記内壁面に沿って全体が直線状に延在するとともに、前記挿入穴に挿入された箇所に前記ガス流路と連通する開口を有するインジェクタと、
前記インジェクタの下端部に接続され、前記インジェクタを回転させる回転機構と、
を有する、
ガス導入機構。
【請求項２】
前記回転機構は、
前記インジェクタの下端部に接続されるリンク機構と、
前記リンク機構に接続され、前記リンク機構を駆動するシリンダと、
を有する、
請求項１に記載のガス導入機構。
【請求項３】
前記回転機構は、
前記インジェクタの下端部に接続されるウォームギア機構と、
前記ウォームギア機構に接続され、前記ウォームギア機構を駆動するモータと、
を有する、
請求項１に記載のガス導入機構。
【請求項４】
前記回転機構は、
前記インジェクタの下端部に接続されるラックアンドピニオンと、
前記ラックアンドピニオンに接続され、前記ラックアンドピニオンを駆動するシリンダと、
を有する、
請求項１に記載のガス導入機構。
【請求項５】
前記回転機構は、
前記インジェクタの下端部に接続される回転軸と、
前記回転軸に接続され、前記回転軸を回転させるモータと、
を有する、
請求項１に記載のガス導入機構。
【請求項６】
前記インジェクタには、長手方向に沿って複数のガス孔が形成されている、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のガス導入機構。
【請求項７】
前記処理容器及び前記インジェクタは、石英により形成されており、
前記マニホールドは、金属により形成されている、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のガス導入機構。
【請求項８】
処理容器と、
前記処理容器の下端部に配置されたマニホールドであって、前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるとともに、管状部材を挿入可能かつ外嵌支持可能な挿入穴を有するインジェクタ支持部と、前記インジェクタ支持部から外側に張り出して、前記挿入穴と前記処理容器の外部とを連通してガスが通流可能なガス流路を内部に有するガス導入部と、を有するマニホールドと、
前記挿入穴に挿入され、前記内壁面に沿って全体が直線状に延在するとともに、前記挿入穴に挿入された箇所に前記ガス流路と連通する開口を有するインジェクタと、
前記インジェクタの下端部に接続され、前記インジェクタを回転させる回転機構と、
を有する、
処理装置。
【請求項９】
前記処理容器は、鉛直方向に複数の基板を離間した状態で保持可能な基板保持具を収容可能な略円筒体状を有する、
請求項８に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス導入機構及び処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理容器内において、基板保持具に複数の基板を多段に保持した状態で、複数の基板に対し成膜処理等を行うことが可能なバッチ式の基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このバッチ式の基板処理装置では、処理容器の側壁にガス流路が形成され、ガス流路の処理容器の側にはＬ字形状を有するインジェクタの水平部分が挿入されることで、インジェクタが処理容器に固定される構造となっている。また、インジェクタの垂直部分には、基板が積層される方向（鉛直方向）に沿って複数のガス噴出口が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５２８４１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の基板処理装置では、インジェクタが処理容器に固定されているため、ガスを吐出する方向が一定であり、基板に成膜される膜の特性の面内分布を十分に制御することができない場合があった。
【０００６】
そこで、本発明の一態様では、基板に施される処理の面内分布を制御することが可能なガス導入機構を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るガス導入機構は、処理容器内で所定のガスを用いて基板に対して所定の処理を施すために前記処理容器に設けられたガス導入機構であって、前記処理容器の下端部に配置されたマニホールドであって、前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるとともに、管状部材を挿入可能かつ外嵌支持可能な挿入穴を有するインジェクタ支持部と、前記インジェクタ支持部から外側に張り出して、前記挿入穴と前記処理容器の外部とを連通してガスが通流可能なガス流路を内部に有するガス導入部と、を有するマニホールドと、前記挿入穴に挿入され、前記内壁面に沿って全体が直線状に延在するとともに、前記挿入穴に挿入された箇所に前記ガス流路と連通する開口を有するインジェクタと、前記インジェクタの下端部に接続され、前記インジェクタを回転させる回転機構と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
開示の基板処理装置によれば、基板に施される処理の面内分布を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る処理装置の概略図
【図２】図１の処理装置のインジェクタを説明するための横断面図
【図３】図１の処理装置のガス導入機構を例示する図（１）
【図４】図３のガス導入機構の内部構造を説明するための図
【図５】図１の処理装置のガス導入機構を例示する図（２）
【図６】図１の処理装置のガス導入機構を例示する図（３）
【図７】図１の処理装置のガス導入機構を例示する図（４）
【図８】インジェクタのガス孔から吐出されるガスの向きを説明するための図
【図９】ウエハに形成された膜の膜厚の面内分布を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
（処理装置）
本発明の一実施形態に係る処理装置について説明する。一実施形態では、基板に熱処理を行う処理装置を例に挙げて説明するが、処理対象、処理内容は特に限定されず、ガスを処理容器内に供給して処理を行う種々の処理装置に適用可能である。
【００１２】
図１は、一実施形態に係る処理装置の概略図である。
【００１３】
図１に示されるように、処理装置は、半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容可能な処理容器１０を有している。処理容器１０は、耐熱性の高い石英により略円筒体状に成形され、天井に排気口１１を有する。処理容器１０は、鉛直（上下）方向に延びる縦型の形状に構成されている。処理容器１０の直径は、例えば処理されるウエハＷの直径が３００ｍｍの場合には、３５０〜４５０ｍｍ程度の範囲に設定されている。
【００１４】
処理容器１０の天井部の排気口１１には、ガス排気口２０が接続される。ガス排気口２０は、例えば排気口１１から延びて直角にＬ字形状に屈曲された石英管から構成される。
【００１５】
ガス排気口２０には、処理容器１０内の雰囲気を排気する真空排気系３０が接続される。具体的には、真空排気系３０は、ガス排気口２０に連結される例えばステンレス鋼により形成される金属製のガス排気管３１を有している。また、ガス排気管３１の途中には、開閉弁３２、バタフライバルブ等の圧力調整弁３３及び真空ポンプ３４が順次介設されており、処理容器１０内の圧力を調整しながら真空引きできるようになっている。なお、ガス排気口２０の内径は、ガス排気管３１の内径と同じに設定されている。
【００１６】
処理容器１０の側部には、処理容器１０を取り囲むようにして加熱手段４０が設けられており、処理容器１０に収容されるウエハＷを加熱し得るようになっている。加熱手段４０は、例えば複数のゾーンに分割されており、鉛直方向上側から下側に向かって、独立して発熱量が制御可能な複数のヒータ（図示せず）により構成されている。なお、加熱手段４０は、複数のゾーンに分割されることなく、１つのヒータにより構成されていてもよい。また、加熱手段４０の外周には、断熱材５０が設けられており、熱的安定性を確保するようになっている。
【００１７】
処理容器１０の下端部は開口されており、ウエハＷを搬入、搬出できるようになっている。処理容器１０の下端部の開口は、蓋体６０により開閉が行われる構成となっている。
【００１８】
蓋体６０よりも上方には、ウエハボート８０が設けられている。ウエハボート８０は、ウエハＷを保持するための基板保持具であり、鉛直方向に複数のウエハＷを離間した状態で保持可能に構成される。ウエハボート８０が保持するウエハＷの枚数は特に限定されるものではないが、例えば５０枚〜１５０枚とすることができる。
【００１９】
ウエハボート８０は、石英により形成される保温筒７５を介してテーブル７４上に載置されている。テーブル７４は、処理容器１０の下端開口部を開閉する蓋体６０を貫通する回転軸７２の上端部に支持される。回転軸７２の貫通部には、例えば磁性流体シール７３が介設され、回転軸７２を気密にシールした状態で回転可能に支持している。また、蓋体６０の周辺部と処理容器１０の下端部には、例えばＯ−リング等のシール部材６１が介設されており、処理容器１０内のシール性を保持している。
【００２０】
回転軸７２は、例えばボートエレベータ等の昇降機構７０に支持されたアーム７１の先端に取り付けられており、ウエハボート８０及び蓋体６０等を一体的に昇降できるようになされている。なお、テーブル７４を蓋体６０側へ固定して設け、ウエハボート８０を回転させることなくウエハＷの処理を行うようにしてもよい。
【００２１】
処理容器１０の下端部には、処理容器１０の内周壁に沿って延在する部分を有する共に、半径方向の外方に向けて延在するフランジ状の部分を有するマニホールド９０が配置されている。そして、マニホールド９０を介して、処理容器１０の下端部から、処理容器１０内へ必要なガスを導入する。マニホールド９０は、処理容器１０とは別部品で構成されるが、処理容器１０の側壁と一体的に設けられ、処理容器１０の側壁の一部を構成するように設けられる。なお、マニホールド９０の詳細な構成については、後述する。
【００２２】
マニホールド９０は、インジェクタ１１０を支持する。インジェクタ１１０は、処理容器１０内にガスを供給するため管状部材であり、例えば石英により形成される。インジェクタ１１０は、処理容器１０の内部で鉛直方向に延在するように設けられる。インジェクタ１１０には、長手方向に沿って所定間隔で複数のガス孔１１１が形成されており、ガス孔１１１より水平方向に向けてガスを吐出できるようになっている。
【００２３】
図２は、図１の処理装置のインジェクタを説明するための横断面図である。図２（ａ）は、原点位置でのインジェクタ１１０の状態を示している。また、図２（ｂ）は原点位置から左回りに所定の角度θ１だけ回転した位置でのインジェクタ１１０の状態を示し、図２（ｃ）は原点位置から右回りに所定の角度θ２だけ回転した位置でのインジェクタ１１０の状態を示している。
【００２４】
インジェクタ１１０は、後述する回転機構と接続されており、回転機構の動作によって左回り及び右回りに回転可能となっている。具体的には、インジェクタ１１０は、図２（ａ）に示されるように、ガス孔１１１が処理容器１０の中心を向く位置から、図２（ｂ）に示されるように、左回りに角度θ１の位置まで回転可能であってよい。また、インジェクタ１１０は、図２（ｃ）に示されるように、右回りに角度θ２の位置まで回転可能であってもよい。そして、インジェクタ１１０のガス孔１１１から水平方向に向けてガスを吐出した状態でインジェクタ１１０を回転させることにより、ウエハＷに施される処理の面内分布を制御することができる。
【００２５】
再び図１を参照すると、インジェクタ１１０には、インジェクタ１１０へガスを供給するためにガス供給系１２０が接続される。ガス供給系１２０は、インジェクタ１１０へ連通される金属、例えばステンレス鋼により形成されるガス配管１２１を有している。また、ガス配管１２１の途中には、マスフローコントローラ等の流量制御器１２３及び開閉弁１２２が順次介設されて、処理ガスの流量を制御しながら供給できるようになっている。ウエハＷの処理に必要な他の必要な処理ガスも、同様に構成されたガス供給系１２０及びマニホールド９０を介して供給される。
【００２６】
処理容器１０の下端部のマニホールド９０の周辺部は、例えばステンレス鋼により形成されたベースプレート１３０により支持されており、ベースプレート１３０により処理容器１０の荷重を支えるようになっている。ベースプレート１３０の下方は、図示しないウエハ移載機構を有するウエハ移載室となっており、略大気圧の窒素ガス雰囲気になっている。また、ベースプレート１３０の上方はクリーンルームの清浄な空気の雰囲気となっている。
【００２７】
（ガス導入機構）
次に、本発明の一実施形態に係る処理装置のガス導入機構について説明する。図３は、図１の処理装置のガス導入機構を例示する図である。図４は、図３のガス導入機構の内部構造を説明するための分解斜視図である。
【００２８】
図３及び図４に示されるように、ガス導入機構は、マニホールド９０と、インジェクタ１１０と、回転機構２００と、ガス配管１２１とを有する。
【００２９】
マニホールド９０は、インジェクタ支持部９１と、ガス導入部９５とを有する。
【００３０】
インジェクタ支持部９１は、処理容器１０の内壁面に沿って鉛直方向に延在する部分であり、インジェクタ１１０を支持する。インジェクタ支持部９１は、インジェクタ１１０の下端が挿入可能であり、インジェクタ１１０の下端を外嵌支持可能な挿入穴９２を有する。
【００３１】
ガス導入部９５は、インジェクタ支持部９１から半径方向の外側に張り出して、処理容器１０の外側に露出する部分であり、挿入穴９２と処理容器１０の外部とを連通してガスが通流可能なガス流路９６を有する。ガス流路９６の外側端部には、ガス配管１２１が接続され、外部からのガスが供給可能に構成される。
【００３２】
インジェクタ１１０は、インジェクタ支持部９１の挿入穴９２に挿入され、処理容器１０の内壁面に沿って全体が直線状に延在する共に、挿入穴９２に挿入された箇所にガス流路９６と連通する開口１１２を有する。開口１１２は、例えば水平方向を長軸、鉛直方向を短軸とする略楕円形状に形成されている。これにより、インジェクタ１１０が回転した場合であっても、ガス流路９６からインジェクタ１１０に効率的にガスが供給される。
【００３３】
マニホールド９０は、例えば金属で構成される。処理容器１０及び処理容器１０を構成する部品は、金属汚染を防ぐ観点から、基本的には石英で構成されることが好ましいが、複雑な形状や、ネジ等との螺合接続がある箇所は、金属で構成せざるを得ない。本発明の一実施形態に係る処理装置のマニホールド９０も、金属で構成されるが、インジェクタ１１０をＬ字形状とせず、棒形状としている。そして、マニホールド９０のガス導入部９５内に水平に延びるガス流路９６を形成し、インジェクタ１１０にガス流路９６と連通する開口１１２を形成することにより、インジェクタ１１０に厚肉の水平部分を無くしている。これにより、マニホールド９０のガス導入部９５は、インジェクタ１１０の厚肉の水平部分を収容する必要が無くなるため、マニホールド９０のガス導入部９５の肉厚を薄くし、高さを低くして金属コンタミネーションを低減させることが可能となる。なお、マニホールド９０を構成する金属は、ステンレス鋼、アルミニウム、ハステロイ等の耐食性メタル材料であってもよい。
【００３４】
回転機構２００は、インジェクタ１１０の下端部に接続され、インジェクタ１１０をその長手方向を中心軸として回転させる。具体的には、回転機構２００は、エアシリンダ２１０と、リンク機構２２０とを有し、エアシリンダ２１０で発生させた直線運動（往復運動）をリンク機構２２０により回転運動に変換して、インジェクタ１１０に伝達する。
【００３５】
エアシリンダ２１０は、シリンダ部２１１と、ロッド部２１２と、電磁弁２１３とを有する。ロッド部２１２の一部は、シリンダ部２１１に収容されている。ロッド部２１２は、電磁弁２１３で制御されたエアがシリンダ部２１１に供給されることにより、シリンダ部２１１及びロッド部２１２の軸方向（図３における左右方向）に往復運動する。なお、エアシリンダ２１０に代えて、油圧シリンダを使用してもよい。
【００３６】
リンク機構２２０は、リンクバー２２１と、ベローズ２２２と、リテーナ２２３と、リンク部２２４と、ワッシャ２２５と、保持ボルト２２６とを有する。
【００３７】
リンクバー２２１は、棒形状を有し、ベローズ２２２により気密性を維持した状態でマニホールド９０内に挿入されている。リンクバー２２１の一端は、エアシリンダ２１０のロッド部２１２と接続されている。これにより、リンクバー２２１は、ロッド部２１２がシリンダ部２１１及びロッド部２１２の軸方向に往復運動することにより、ロッド部２１２と共にシリンダ部２１１及びロッド部２１２の軸方向（リンクバー２２１の軸方向）に往復運動する。なお、ベローズ２２２に代えて、磁性流体シールを使用してもよい。
【００３８】
リテーナ２２３は、リンク部２２４を介してリンクバー２２１と接続されている。これにより、リンクバー２２１がその軸方向に往復運動すると、リテーナ２２３が左回り又は右回り（図３（ｂ）における矢印で示す方向）に回転する。具体的には、リンクバー２２１が右方向に動くことによりリテーナ２２３が左回りに回転し、リンクバー２２１が左方向に動くことによりリテーナ２２３が右回りに回転する。リテーナ２２３には、図４に示されるように、開口部２２３ａが形成されている。開口部２２３ａは、リテーナ２２３の上面側から下面側に向かって開口径が段階的に小さくなるように段部２２３ｂが周方向にわたって形成されている。段部２２３ｂの上面には、突起部２２３ｃが形成されており、インジェクタ１１０の下端部に形成された図示しない凹部が突起部２２３ｃと嵌合可能になっている。これにより、リテーナ２２３は、インジェクタ１１０がリテーナ２２３に対して周方向に回転しないようにインジェクタ１１０を保持する。そして、リテーナ２２３が回転運動すると、リテーナ２２３と一体となってインジェクタ１１０が回転運動する。また、リテーナ２２３は、ワッシャ２２５を介して保持ボルト２２６によって回転自在に保持されている。
【００３９】
次に、ガス導入機構の別の例について、図５に基づき説明する。図５は、図１の処理装置のガス導入機構を例示する図である。
【００４０】
図５に示されるガス導入機構は、モータ３１０と、ウォームギア機構３２０とを有する回転機構３００によってインジェクタ１１０を回転させる点で、図４に示されるガス導入機構と異なる。なお、他の構成については、図４に示されるガス導入機構と同様の構成である。以下では、図４に示されるガス導入機構と同様の構成については、説明を省略する場合がある。
【００４１】
図５に示されるように、回転機構３００は、インジェクタ１１０の下端部に接続され、インジェクタ１１０をその長手方向を中心軸として回転させる。具体的には、回転機構３００は、モータ３１０と、ウォームギア機構３２０とを有し、モータ３１０で発生させた回転運動をウォームギア機構３２０により回転方向及び回転速度を変換して、インジェクタ１１０に伝達する。
【００４２】
モータ３１０は、例えば直流（ＤＣ）モータである。
【００４３】
ウォームギア機構３２０は、回転軸３２１と、磁性流体シール部３２２と、ウォーム３２３と、ウォームホイール３２４と、ワッシャ３２５と、保持ボルト３２６とを有する。
【００４４】
回転軸３２１は、棒形状を有し、磁性流体シール部３２２により気密性を維持した状態でマニホールド９０内に挿入されている。回転軸３２１の一端は、モータ３１０と接続されている。これにより、回転軸３２１は、モータ３１０が動作することにより回転する。なお、磁性流体シール部３２２に代えて、ベローズを使用してもよい。
【００４５】
ウォーム３２３は、回転軸３２１の先端に固定されている。これにより、回転軸３２１が回転すると、ウォーム３２３は回転軸３２１と一体となって回転する。
【００４６】
ウォームホイール３２４は、ウォーム３２３と噛合し、かつ、正逆回転可能となっている。これにより、ウォーム３２３が回転すると、ウォームホイール３２４がウォーム３２３の回転方向と対応して左回り又は右回り（図５（ｂ）における矢印で示す方向）に回転する。ウォームホイール３２４は、インジェクタ１１０がウォームホイール３２４に対して周方向に回転しないようにインジェクタ１１０を保持する。これにより、ウォームホイール３２４が回転運動すると、ウォームホイール３２４と一体となってインジェクタ１１０が回転運動する。また、ウォームホイール３２４は、ワッシャ３２５を介して保持ボルト３２６によって回転自在に保持されている。
【００４７】
次に、ガス導入機構の別の例について、図６に基づき説明する。図６は、図１の処理装置のガス導入機構を例示する図である。
【００４８】
図６に示されるガス導入機構は、エアシリンダ４１０と、ラックアンドピニオン機構４２０とを有する回転機構４００によってインジェクタ１１０を回転させる点で、図４に示されるガス導入機構と異なる。なお、他の構成については、図４に示されるガス導入機構と同様の構成である。以下では、図４に示されるガス導入機構と同様の構成については、説明を省略する場合がある。
【００４９】
図６に示されるように、回転機構４００は、インジェクタ１１０の下端部に接続され、インジェクタ１１０をその長手方向を中心軸として回転させる。具体的には、回転機構４００は、エアシリンダ４１０と、ラックアンドピニオン機構４２０とを有し、エアシリンダ４１０で発生させた直線運動をラックアンドピニオン機構４２０により回転運動に変換して、インジェクタ１１０に伝達する。
【００５０】
エアシリンダ４１０は、シリンダ部４１１と、ロッド部４１２と、電磁弁４１３とを有する。ロッド部４１２の一部は、シリンダ部４１１に収容されている。ロッド部４１２は、電磁弁４１３で制御されたエアがシリンダ部４１１に供給されることにより、シリンダ部４１１及びロッド部４１２の軸方向（図６における左右方向）に往復運動する。なお、エアシリンダ４１０に代えて、油圧シリンダを使用してもよい。
【００５１】
ラックアンドピニオン機構４２０は、駆動軸４２１と、ベローズ４２２と、ラック４２３と、ピニオン４２４と、ワッシャ４２５と、保持ボルト４２６とを有する。
【００５２】
駆動軸４２１は、棒形状を有し、ベローズ４２２により気密性を維持した状態でマニホールド９０内に挿入されている。駆動軸４２１の一端は、エアシリンダ４１０のロッド部４１２と接続されている。これにより、駆動軸４２１は、ロッド部４１２がシリンダ部４１１及びロッド部４１２の軸方向に往復運動することにより、ロッド部４１２と共にシリンダ部４１１及びロッド部４１２の軸方向（駆動軸４２１の軸方向）に往復運動する。なお、ベローズ４２２に代えて、磁性流体シールを使用してもよい。
【００５３】
ラック４２３は、駆動軸４２１の先端に固定されている。これにより、駆動軸４２１が往復運動すると、ラック４２３は回転軸３２１と一体となって往復運動する。なお、ラック４２３は、駆動軸４２１と一体として形成されていてもよい。
【００５４】
ピニオン４２４は、ラック４２３と噛合し、かつ、正逆回転可能となっている。これにより、ラック４２３が往復運動すると、ピニオン４２４がラック４２３の往復運動と対応して左回り又は右回り（図６（ｂ）における矢印で示す方向）に回転する。ピニオン４２４は、インジェクタ１１０がピニオン４２４に対して周方向に回転しないようにインジェクタ１１０を保持する。これにより、ピニオン４２４が回転運動すると、ピニオン４２４と一体となってインジェクタ１１０が回転運動する。また、ピニオン４２４は、ワッシャ４２５を介して保持ボルト４２６によって回転自在に保持されている。
【００５５】
次に、ガス導入機構の別の例について、図７に基づき説明する。図７は、図１の処理装置のガス導入機構を例示する図である。
【００５６】
図７に示されるガス導入機構は、モータ５１０と、回転軸５２０とを有する回転機構５００によってインジェクタ１１０を回転させる点で、図４に示されるガス導入機構と異なる。なお、他の構成については、図４に示されるガス導入機構と同様の構成である。以下では、図４に示されるガス導入機構と同様の構成については、説明を省略する場合がある。
【００５７】
図７に示されるように、回転機構５００は、インジェクタ１１０の下端部に接続され、インジェクタ１１０をその長手方向を中心軸として回転させる。具体的には、回転機構５００は、モータ５１０と、回転軸５２０とを有し、モータ５１０で発生させた回転運動を回転軸５２０によりインジェクタ１１０に伝達する。
【００５８】
モータ５１０は、例えばＤＣモータである。
【００５９】
回転軸５２０は、棒形状を有し、磁性流体シール部５２１により気密性を維持した状態で蓋体６０の下方から蓋体６０を貫通して、接続部材５２２を介してインジェクタ１１０の下端部に接続されている。これにより、回転軸５２０は、モータ５１０が動作することにより回転する。なお、磁性流体シール部５２１に代えて、ベローズを使用してもよい。また、接続部材５２２は、ワッシャ５２３を介して保持ボルト５２４によって回転自在に保持されている。
【００６０】
（実施例）
次に、インジェクタ１１０のガス孔１１１から吐出するガスの向き（吐出角度）を変化させたときの、ウエハＷの表面に形成される膜の膜厚の面内分布について説明する。
【００６１】
図８は、インジェクタのガス孔から吐出されるガスの向きを説明するための図である。図９は、ウエハに形成された膜の膜厚の面内分布を説明するための図である。図９において、横軸はウエハＷの中心を通る径方向の位置（ｍｍ）を示し、縦軸はウエハＷの径方向における最小膜厚との差（以下「膜厚差分」という。）（Å）を示している。また、丸印は吐出角度が０°の場合を示し、四角印は吐出角度が１５°の場合を示し、三角印は吐出角度が３０°の場合を示している。
【００６２】
図９に示されるように、第２のインジェクタ１１０ｂに形成されたガス孔１１１ｂの角度を変化させることにより、ウエハＷに形成される膜の膜厚分布が変化することが分かる。具体的には、吐出角度が０°及び１５°の場合、ウエハＷの中心位置（０ｍｍ）における膜厚差分は３Å〜３．５Åであるのに対し、吐出角度が３０°の場合、ウエハＷの中心位置における膜厚差分は２Å程度である。即ち、吐出角度が３０°の場合、吐出角度が０°及び１５°の場合と比較して、ウエハＷの面内における膜厚分布が小さくなっていることが分かる。
【００６３】
なお、「吐出角度が０°」とは、図８（ａ）に示されるように、第１のインジェクタ１１０ａのガス孔１１１ａから吐出するガスの吐出角度をウエハＷの回転中心Ｃに向かう角度とした状態でジクロロシラン（ＤＣＳ）ガスを吐出する条件である。このとき、第２のインジェクタ１１０ｂのガス孔１１１ｂからガスを供給しない。
【００６４】
また、「吐出角度が１５°」とは、図８（ｂ）に示されるように、第１のインジェクタ１１０ａのガス孔１１１ａから吐出するガスの吐出角度をウエハＷの回転中心Ｃに向かう角度とした状態でＤＣＳガスを吐出し、第２のインジェクタ１１０ｂのガス孔１１１ｂから吐出するガスの吐出角度をウエハＷの回転中心Ｃに向かう角度から右回りに１５°回転させた状態でＤＣＳガスを吐出する条件である。
【００６５】
さらに、「吐出角度が３０°」とは、図８（ｃ）に示されるように、第１のインジェクタ１１０ａのガス孔１１１ａから吐出するガスの吐出角度をウエハＷの回転中心Ｃに向かう角度とした状態でＤＣＳガスを吐出し、第２のインジェクタ１１０ｂのガス孔１１１ｂから吐出するガスの吐出角度をウエハＷの回転中心Ｃに向かう角度から右回りに３０°回転させた状態でＤＣＳガスを吐出する条件である。
【００６６】
このように、ガスの吐出角度を変化させることにより、ウエハＷの表面に形成される膜の膜厚の面内分布を制御することができる。
【００６７】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００６８】
上記の実施形態では、インジェクタ１１０が１つ又は２つの場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、３つ以上のインジェクタ１１０が設けられていてもよい。また、インジェクタ１１０が複数である場合、少なくとも複数のインジェクタ１１０のうちの１つが回転可能に設けられていればよく、他のインジェクタ１１０はマニホールドに固定されていてもよい。また、複数のインジェクタ１１０のすべてが回転可能に設けられていてもよい。また、ウエハＷの積載方向に対するインジェクタ１１０の吐出範囲を限定するものではなく、複数のインジェクタ１１０でゾーンごとにガスの吐出角度を変えてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１０    処理容器
８０    ウエハボート
９０    マニホールド
９１    インジェクタ支持部
９５    ガス導入部
９６    ガス流路
１１０  インジェクタ
１１１  ガス孔
１１２  開口
１２１  ガス配管
２００  回転機構
２１０  エアシリンダ
２２０  リンク機構
３００  回転機構
３１０  モータ
３２０  ウォームギア機構
４００  回転機構
４１０  エアシリンダ
４２０  ラックアンドピニオン機構
５００  回転機構
５１０  モータ
５２０  回転軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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