(57)【要約】【課題】基板の汚染原因を特定するために、同じチャンバー内に配置された複数の支持部材から選択される特定の支持部材を回避したルートで基板を搬送する。【解決手段】基板搬送方法は、複数の支持部材の中から人によって選択された特定の支持部材を選択リストに記憶する支持部材記憶工程と、基板が複数の支持部材の全てに接触し、処理されるように作成されたレシピの一部を削除することにより、選択リストに含まれる全ての支持部材に基板が接触しないようにレシピを変更するレシピ変更工程と、レシピ変更工程で変更されたレシピを実行することにより、基板処理装置に基板を搬送させるレシピ実行工程とを含む。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材とを含む複数の支持部材と、前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、を備える基板処理装置で実行される基板搬送方法であって、
前記複数の支持部材の中から人によって選択された、前記複数の支持部材の全数未満の特定の支持部材を選択リストに記憶する支持部材記憶工程と、
前記基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられる情報であって、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成されたレシピの一部を削除することにより、前記選択リストに含まれる全ての前記支持部材に基板が接触しないように前記レシピを変更するレシピ変更工程と、
前記レシピ変更工程で変更された前記レシピを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させるレシピ実行工程とを含む、基板搬送方法。
【請求項２】
第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材とを含む複数の支持部材と、前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、を備える基板処理装置で実行される基板搬送方法であって、
前記複数の支持部材の中から人によって選択された、前記複数の支持部材の全数未満の特定の支持部材を選択リストに記憶する支持部材記憶工程と、
前記基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられる情報であって、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成されたレシピの一部を削除することにより、基板が前記複数の支持部材の少なくとも一つに接触しないように作成された複数のレシピを記憶するレシピ記憶工程と、
前記レシピ記憶工程で記憶された前記複数のレシピの中から、基板との接触が回避された前記支持部材が、前記選択リストに含まれる前記支持部材に一致するレシピを選択するレシピ選択工程と、
前記レシピ選択工程で選択された前記レシピを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させるレシピ実行工程とを含む、基板搬送方法。
【請求項３】
前記レシピ実行工程は、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成された前記レシピのうち削除されずに残った部分だけを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させる工程である、請求項１または２に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記レシピ実行工程は、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成された前記レシピのうち削除されずに残った部分と、削除された前記レシピの一部が配置されていた箇所に追加された、前記基板処理装置の動作を規定する情報とを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させる工程である、請求項１または２に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記選択リストに含まれる前記支持部材が、前記複数の支持部材の選択に関する禁止事項を定める選択ＮＧルールに該当するか否かを、前記レシピ変更工程またはレシピ選択工程が行われる前に確認する妥当性確認工程と、
前記選択リストに含まれる前記支持部材が前記選択ＮＧルールに該当する場合に、前記選択リストに含まれる前記支持部材を、前記レシピ変更工程またはレシピ選択工程が行われる前に前記選択リストから削除する選択削除工程とをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と、前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材と、を含む複数の支持部材と、
前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、
前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板搬送方法を実行する制御装置とを備える、基板処理装置。
【請求項７】
前記基板処理装置に備えられたコンピュータとしての制御装置に請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送方法と、前記基板搬送方法を実行する基板処理装置と、基板処理装置の制御装置によって実行されるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体とに関する。
基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板を処理する複数の処理ユニットと、基板を搬送する搬送ロボットとを含む。処理ユニットは、内部空間を有する箱型のチャンバーと、チャンバー内で基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けて処理液を吐出するノズルとを含む。スピンチャックは、基板の外周部に押し付けられる複数のチャックピンを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５３９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
チャンバーに搬入された基板は、チャックピンなどのチャンバー内の部材に接触する。チャックピンが汚染されている場合、チャックピンが基板に接触すると、基板が汚染される。特許文献１の基板処理装置ではチャックピンだけがチャンバー内で基板に接触するので、基板の汚染が発生している処理ユニットを特定すれば、どの処理ユニットの複数のチャックピンが基板を汚染しているのか分かる。
【０００５】
しかしながら、基板がチャンバー内の複数の位置に配置される場合、これらの位置にそれぞれ対応する複数の支持部材が基板に接触する。この場合、基板の汚染が発生している処理ユニットを特定したとしても、複数の支持部材のいずれが基板を汚染しているのかは分からない。同じチャンバーに設けられた全ての支持部材について原因を調査することが考えられるものの、この方法は非効率的で現実的ではない。
【０００６】
そこで、本発明の目的の一つは、基板の汚染原因を特定するために、同じチャンバー内に配置された複数の支持部材から選択される特定の支持部材を回避したルートで基板を搬送することができる基板搬送方法、基板処理装置、および記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態は、第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材とを含む複数の支持部材と、前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、を備える基板処理装置で実行される基板搬送方法を提供する。
【０００８】
前記基板搬送方法は、前記複数の支持部材の中から人によって選択された、前記複数の支持部材の全数未満の特定の支持部材を選択リストに記憶する支持部材記憶工程と、前記基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられる情報であって、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成されたレシピの一部を削除することにより、前記選択リストに含まれる全ての前記支持部材に基板が接触しないように前記レシピを変更するレシピ変更工程と、前記レシピ変更工程で変更された前記レシピを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させるレシピ実行工程とを含む。
【０００９】
この方法によれば、複数の支持部材を収容するチャンバー内で基板の汚染が発生している場合、基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられるレシピの一部が削除され、一部が削除されたレシピが実行される。これにより、基板処理装置内で基板が搬送される。このとき、基板は、基板処理装置の操作者によって選択された支持部材に接触せずに搬送される。
【００１０】
基板を搬送する前と後で基板の汚染状態が殆ど変わらない場合、当該基板が通過したルートで基板との接触が回避された支持部材が、基板を汚染していることになる。これにより、チャンバー内のどの部材が基板を汚染しているのかを特定でき、基板の汚染を防止する対策を効率的に施すことができる。さらに、基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられる既存のレシピを利用して、特定の支持部材に接触させずに基板を搬送するレシピを作成するので、このようなレシピを短時間でかつ効率的に作成することができる。
【００１１】
本発明の他の実施形態は、第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材とを含む複数の支持部材と、前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、を備える基板処理装置で実行される基板搬送方法を提供する。
【００１２】
前記基板搬送方法は、前記複数の支持部材の中から人によって選択された、前記複数の支持部材の全数未満の特定の支持部材を選択リストに記憶する支持部材記憶工程と、前記基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられる情報であって、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成されたレシピの一部を削除することにより、基板が前記複数の支持部材の少なくとも一つに接触しないように作成された複数のレシピを記憶するレシピ記憶工程と、前記レシピ記憶工程で記憶された前記複数のレシピの中から、基板との接触が回避された前記支持部材が、前記選択リストに含まれる前記支持部材に一致するレシピを選択するレシピ選択工程と、前記レシピ選択工程で選択された前記レシピを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させるレシピ実行工程とを含む。
【００１３】
この方法によれば、基板処理装置で基板を搬送および処理するときに用いられるレシピから作成された複数のレシピが基板処理装置に記憶されている。各レシピは、基板が複数の支持部材の少なくとも一つに接触しないで搬送されるように設定されている。さらに、あるレシピで基板との接触が回避される支持部材の少なくとも一つは、他のレシピで基板との接触が回避される支持部材の少なくとも一つとは異なる。
【００１４】
複数の支持部材を収容するチャンバー内で基板の汚染が発生している場合、基板との接触を回避する支持部材が、基板処理装置の操作者によって選択され、選択リストに記憶される。そして、基板との接触が回避された支持部材が選択リストに含まれる支持部材に一致するレシピが、複数のレシピの中から選択され、選択されたレシピが実行される。これにより、基板は、操作者に選択された支持部材に接触せずに搬送される。
【００１５】
基板を搬送する前と後で基板の汚染状態が殆ど変わらない場合、当該基板が通過したルートで基板との接触が回避された支持部材が、基板を汚染していることになる。これにより、チャンバー内のどの部材が基板を汚染しているのかを特定でき、基板の汚染を防止する対策を効率的に施すことができる。さらに、操作者が支持部材を選択した後にレシピを変更するのではなく、操作者が選択した支持部材を回避するレシピが事前に用意されているので、支持部材が選択されてからレシピが実行されるまでの時間を短縮することができる。
【００１６】
支持部材は、単独で基板を支持する一つの部材であってもよいし、基板を共同して支持する複数の部材であってもよい。処理手段によって行われる基板の処理は、洗浄処理、熱処理、成膜処理、エッチング処理、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理、冷却処理のいずれかであってもよいし、これら以外の処理であってもよい。処理手段は、液体を基板に供給することにより基板を処理してもよいし、気体を基板に供給することにより基板を処理してもよい。
【００１７】
前述の２つの実施形態において、以下の特徴の少なくとも一つが、前記基板搬送方法に加えられてもよい。
前記レシピ実行工程は、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成された前記レシピのうち削除されずに残った部分だけを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させる工程である。
【００１８】
この方法によれば、基板が支持部材に接触する接触動作を規定する情報だけがレシピから削除される。そして、それ以外の動作を規定する情報だけを含むレシピが実行され、接触動作の前に規定されている動作と接触動作の後に規定されている動作とが順次実行される。つまり、レシピは、接触動作を規定する情報が削除されても、各部材の動作に支障が生じないように作成されている。したがって、接触動作を規定する情報をレシピから削除したとしても、各部材の動作を補間する情報をレシピに補足しなくてもよい。
【００１９】
前記レシピ実行工程は、基板が前記複数の支持部材の全てに接触し、前記処理手段で処理されるように作成された前記レシピのうち削除されずに残った部分と、削除された前記レシピの一部が配置されていた箇所に追加された、前記基板処理装置の動作を規定する情報とを実行することにより、前記基板処理装置に基板を搬送させる工程である。
この方法によれば、基板が支持部材に接触する接触動作を規定する情報だけがレシピから削除される。そして、接触動作を規定する情報が配置されていた箇所に、接触動作の前に規定されている動作と接触動作の後に規定されている動作とを補間する補間動作を規定する情報を補足する。これにより、接触動作を規定する情報をレシピから削除したとしても、各部材の動作に支障をきたすことなく基板を搬送することができる。また、補間動作を規定する情報を作成するものの、変更後のレシピの大部分は当初のレシピと同じであるので、比較的容易に専用のレシピを作成することができる。
【００２０】
前記基板搬送方法は、前記選択リストに含まれる前記支持部材が、前記複数の支持部材の選択に関する禁止事項を定める選択ＮＧルールに該当するか否かを、前記レシピ変更工程またはレシピ選択工程が行われる前に確認する妥当性確認工程と、前記選択リストに含まれる前記支持部材が前記選択ＮＧルールに該当する場合に、前記選択リストに含まれる前記支持部材を、前記レシピ変更工程またはレシピ選択工程が行われる前に前記選択リストから削除する選択削除工程とをさらに含む。
【００２１】
この方法によれば、基板との接触を回避する支持部材が、基板処理装置の操作者によって選択される。しかしながら、基板処理装置の構造に起因して必然的に発生する制約により、選択できない支持部材や、選択できない支持部材の組み合わせが発生し得る。したがって、選択された支持部材がこのような禁止事項に該当する場合に、選択リストに含まれる支持部材を削除することにより、実現不可能な動作を規定するレシピが実行されることを防止することができる。
【００２２】
本発明のさらに他の実施形態は、第１位置に配置された基板を支持する第１支持部材と、前記第１位置とは異なる第２位置に配置された基板を支持する第２支持部材と、を含む複数の支持部材と、前記複数の支持部材のいずれかに支持されている基板を処理する処理手段と、前記複数の支持部材を収容するチャンバーと、前記基板搬送方法を実行する制御装置とを備える、基板処理装置を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
【００２３】
本発明のさらに他の実施形態は、前記基板処理装置に備えられたコンピュータとしての制御装置に前記基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式的な平面図である。
【図２】基板処理装置によって実行される基板の処理の一例を示す工程図である。
【図３】図２に示す基板の処理の一例が実行される前と後の基板の断面を示す模式図である。
【図４】ドライ処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。
【図５】ドライ処理ユニットに設けられた冷却プレートおよびホットプレートをその上から見た模式図である。
【図６Ａ】図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。
【図６Ｂ】図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。
【図６Ｃ】図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。
【図７Ａ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｂ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｃ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｄ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｅ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｆ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｇ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｈ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｉ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｊ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｋ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｌ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｍ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｎ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図７Ｏ】図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニットの状態を示す模式図である。
【図８】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図９】制御装置の機能ブロックを示すブロック図である。
【図１０】操作者によって選択された特定の支持部材を回避したルートで基板を搬送するときの流れの一例を示すフローチャートである。
【図１１】特定の支持部材を回避したルートで基板を搬送するレシピの作成方法の一例について説明するためのグラフである。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る制御装置の機能ブロックを示すブロック図である。
【図１３】レシピの一部を削除し、基板処理装置の動作を規定する新たな情報をレシピに追加することを説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式的な平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容する複数のキャリアＣをそれぞれ保持する複数のロードポートＬＰと、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット２とを含む。基板処理装置１は、さらに、基板Ｗを搬送する搬送ユニットと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、基板処理装置１を制御するようにプログラムされたコンピュータである。
【００２６】
搬送ユニットは、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に延びる搬送経路上に配置されたインデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、およびセンターロボットＣＲを含む。インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰとシャトルＳＨとの間で基板Ｗを搬送する。シャトルＳＨは、インデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、シャトルＳＨと複数の処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット２の間で基板Ｗを搬送する。図１に示す太線の矢印は、インデクサロボットＩＲおよびシャトルＳＨの移動方向を示している。
【００２７】
複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの塔を形成している。各塔は、上下方向に積層された複数の処理ユニット２を含む。４つの塔は、搬送経路の両側に２つずつで配置されている。複数の処理ユニット２は、基板Ｗを乾燥させたまま当該基板Ｗを処理する複数のドライ処理ユニット２Ｄと、処理液で基板Ｗを処理する複数のウェット処理ユニット２Ｗとを含む。ロードポートＬＰ側の２つの塔は、複数のドライ処理ユニット２Ｄで形成されており、残り２つの塔は、複数のウェット処理ユニット２Ｗで形成されている。
【００２８】
ドライ処理ユニット２Ｄは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたドライチャンバー４と、ドライチャンバー４の搬入搬出口を開閉するシャッター５と、ドライチャンバー４内で基板Ｗを加熱しながら処理ガスを基板Ｗに供給する加熱ユニット８と、加熱ユニット８によって加熱された基板Ｗをドライチャンバー４内で冷却する冷却ユニット７と、ドライチャンバー４内で基板Ｗを搬送する室内搬送機構６とを含む。
【００２９】
ウェット処理ユニット２Ｗは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたウェットチャンバー９と、ウェットチャンバー９の搬入搬出口を開閉するシャッター１０と、ウェットチャンバー９内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中心部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック１１と、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数のノズルとを含む。
【００３０】
複数のノズルは、薬液を吐出する薬液ノズル１２と、リンス液を吐出するリンス液ノズル１３とを含む。制御装置３は、スピンチャック１１の複数のチャックピンに基板Ｗを保持させながら、スピンチャック１１のスピンモータに基板Ｗを回転させる。この状態で、制御装置３は、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２またはリンス液ノズル１３に液体を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面全域が液膜で覆われる。その後、制御装置３は、スピンチャック１１に基板Ｗを高速回転させて、基板Ｗを乾燥させる。
【００３１】
図２は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を示す工程図である。図３は、図２に示す基板Ｗの処理の一例が実行される前と後の基板Ｗの断面を示す模式図である。制御装置３は、以下の動作を基板処理装置１に実行させるようにプログラムされている。
図３の左側に示すように、基板処理装置１で処理される基板Ｗは、レジストのパターンＰＲで覆われた薄膜をエッチングして、薄膜のパターンＰＦを形成するエッチング処理工程が行われた基板である。つまり、このような基板Ｗが収容されたキャリアＣがロードポートＬＰ上に置かれる。以下で説明するように、基板処理装置１では、薄膜のパターンＰＦ上に位置するレジストのパターンＰＲを除去するレジスト除去工程が行われる。図３の右側は、レジスト除去工程が行われた基板Ｗの断面を示している。
【００３２】
基板処理装置１で基板Ｗを処理するときは、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、およびセンターロボットＣＲが、ロードポートＬＰに置かれたキャリアＣ内の基板Ｗをドライ処理ユニット２Ｄに搬送する（図２のステップＳ１）。ドライ処理ユニット２Ｄでは、基板Ｗを加熱しながら、オゾンガスを基板Ｗに供給するドライ処理工程が行われる（図２のステップＳ２）。その後、センターロボットＣＲが、ドライ処理ユニット２Ｄ内の基板Ｗをウェット処理ユニット２Ｗに搬入する（図２のステップＳ３）。
【００３３】
ウェット処理ユニット２Ｗでは、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に処理液を供給するウェット処理工程が行われる（図２のステップＳ４）。具体的には、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２に薬液を吐出させる薬液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１３にリンス液を吐出させるリンス液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを高速回転させることにより基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる。続いて、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、およびセンターロボットＣＲが、ウェット処理ユニット２Ｗ内の基板ＷをロードポートＬＰに置かれたキャリアＣに搬送する（図２のステップＳ５）。
【００３４】
次に、ドライ処理ユニット２Ｄについて詳細に説明する。
図４は、ドライ処理ユニット２Ｄの内部を水平に見た模式図である。図５は、ドライ処理ユニット２Ｄに設けられた冷却プレート７０およびホットプレート２１をその上から見た模式図である。
図４に示すように、冷却ユニット７は、後述するホットプレート２１よりも低温に維持される冷却プレート７０と、冷却プレート７０の上方で基板Ｗを水平に支持する複数の第１リフトピン７１と、複数の第１リフトピン７１を昇降させる第１リフト昇降アクチュエータ７２とを含む。
【００３５】
冷却プレート７０は、ホットプレート２１に対してドライチャンバー４の搬入搬出口側に配置されている。ホットプレート２１および冷却プレート７０は、水平な配列方向Ｄ２に配列されている。冷却プレート７０は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する円形で水平な上面を含む。複数の第１リフトピン７１は、冷却プレート７０を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。
【００３６】
複数の第１リフトピン７１の上端部は、同じ高さに配置されている。第１リフトピン７１は、基板Ｗの下面に接触する半球状の上端部を含む。第１リフト昇降アクチュエータ７２は、複数の第１リフトピン７１の上端部が冷却プレート７０よりも上方に位置する上位置（図４に示す位置）と、複数の第１リフトピン７１の上端部が冷却プレート７０の内部に退避した下位置（図７Ｂに示す位置）との間で、複数の第１リフトピン７１を鉛直に移動させる。第１リフト昇降アクチュエータ７２は、電動モータまたはエアーシリンダーであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。他のアクチュエータについても同様である。
【００３７】
加熱ユニット８は、基板Ｗを水平に支持しながら加熱するホットプレート２１と、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗの上方に配置されるフード３０と、フード３０を支持可能なベースリング２７とを含む。加熱ユニット８は、さらに、ホットプレート２１およびベースリング２７に対してフード３０を昇降させるフード昇降アクチュエータ２９と、ホットプレート２１とフード３０との間で基板Ｗを水平に支持する複数の第２リフトピン２４と、複数の第２リフトピン２４を昇降させる第２リフト昇降アクチュエータ２６とを含む。
【００３８】
ホットプレート２１は、ジュール熱を発生するヒーター２２と、基板Ｗを水平に支持すると共に、ヒーター２２の熱を基板Ｗに伝達する支持部材２３とを含む。ヒーター２２および支持部材２３は、基板Ｗの下方に配置される。ヒーター２２は、ヒーター２２に電力を供給する配線（図示せず）に接続されている。ヒーター２２は、支持部材２３の下方に配置されていてもよいし、支持部材２３の内部に配置されていてもよい。
【００３９】
ホットプレート２１の支持部材２３は、基板Ｗの下方に配置される円板状のベース部２３ｂと、ベース部２３ｂの上面から上方に突出する複数の半球状の突出部２３ａと、ベース部２３ｂの外周面から外方に突出する円環状のフランジ部２３ｃとを含む。ベース部２３ｂの上面は、基板Ｗの下面と平行で、基板Ｗの外径以上の外径を有している。複数の突出部２３ａは、ベース部２３ｂの上面から上方に離れた位置で基板Ｗの下面に接触する。複数の突出部２３ａは、基板Ｗが水平に支持されるように、ベース部２３ｂの上面内の複数の位置に配置されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面がベース部２３ｂの上面から上方に離れた状態で水平に支持される。
【００４０】
複数の第２リフトピン２４は、ホットプレート２１を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。第２リフトピン２４は、基板Ｗの下面に接触する半球状の上端部を含む。複数の第２リフトピン２４の上端部は、同じ高さに配置されている。第２リフト昇降アクチュエータ２６は、複数の第２リフトピン２４の上端部がホットプレート２１よりも上方に位置する上位置（図４に示す位置）と、複数の第２リフトピン２４の上端部がホットプレート２１の内部に退避した下位置（図７Ａに示す位置）との間で、複数の第２リフトピン２４を鉛直方向に移動させる。
【００４１】
ベースリング２７は、ホットプレート２１のフランジ部２３ｃの上面上に配置されている。ベースリング２７は、ホットプレート２１の径方向に間隔を空けてベース部２３ｂを取り囲んでいる。ベースリング２７の上面は、ベース部２３ｂの上面よりも下方に配置されている。Ｏリング２８は、ベースリング２７の上面から下方に凹んだ環状溝に嵌められている。フード３０がベースリング２７上に載せられると、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗを収容する密閉空間ＳＰ（図７Ａ参照）が、ホットプレート２１、フード３０、およびベースリング２７によって形成される。
【００４２】
フード昇降アクチュエータ２９は、上位置（図４に示す位置）と下位置（図７Ａに示す位置）との間でフード３０を鉛直に移動させる。上位置は、基板Ｗがフード３０とベースリング２７との間を通過できるようにフード３０がベースリング２７から上方に離れた位置である。下位置は、フード３０とベースリング２７との間の隙間が密閉され、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗを収容する密閉空間ＳＰが形成される位置である。
【００４３】
基板処理装置１は、加熱ユニット８の内部に気体を供給する給気ユニットと、加熱ユニット８内の気体を排出する排気ユニットとを含む。給気ユニットは、気体を吐出する複数の給気口４６と、各給気口４６に気体を案内する供給路４７とを含む。排気ユニットは、複数の給気口４６から吐出された気体が流入する排気口４４と、排気口４４内に流入した気体を加熱ユニット８の外に案内する排気路４５とを含む。
【００４４】
フード３０の内面は、基板Ｗの上方に配置される平面視円形の天井面４１と、基板Ｗの外径よりも大きい直径を有する筒状面４３と、天井面４１の外縁から筒状面４３の上縁に延びる環状のコーナー部４２とを含む。天井面４１は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有している。天井面４１は、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗの上面と平行な水平面である。排気口４４は、天井面４１で開口している。複数の給気口４６は、筒状面４３で開口している。複数の給気口４６は、同じ高さに配置されている。複数の給気口４６は、ホットプレート２１の周方向に等間隔で配列されている。密閉空間ＳＰを形成する面であれば、給気口４６は、フード３０の筒状面４３以外の面で開口していてもよい。排気口４４についても同様である。
【００４５】
給気ユニットは、オゾンガス生成ユニット５１で生成されたオゾンガスを案内するオゾンガス配管５３と、オゾンガス配管５３に介装されたオゾンガス供給バルブ５４とを含む。給気ユニットは、さらに、窒素ガス供給源から供給された窒素ガスを案内する窒素ガス配管５８と、窒素ガス配管５８に介装された窒素ガス供給バルブ５９とを含む。排気ユニットは、排気口４４に排出された気体を案内する排気配管６１と、排気配管６１を流れる気体に含まれるオゾンを除去するオゾンフィルター６２とを含む。
【００４６】
図示はしないが、オゾンガス供給バルブ５４は、流路を形成するバルブボディと、流路内に配置された弁体と、弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、オゾンガス供給バルブ５４を開閉させる。
【００４７】
オゾンガスは、加熱ユニット８が閉じられている状態、つまり、フード３０が下位置に位置している状態で、複数の給気口４６から吐出される。複数の給気口４６から吐出されたオゾンガスは、排気口４４を介して排気配管６１に排出される。排気配管６１内のオゾンガスは、オゾンフィルター６２を通過する。これにより、排気配管６１を流れる気体に含まれるオゾンの濃度が低下する。オゾンフィルター６２を通過した気体は、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気設備に向けて案内される。
【００４８】
室内搬送機構６は、ドライチャンバー４内で基板Ｗを水平に支持する室内ハンド７３と、室内ハンド７３を移動させるハンド移動機構７４とを含む。図５に示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を鉛直に移動させる鉛直駆動機構７５と、鉛直駆動機構７５と共に室内ハンド７３を配列方向Ｄ２に移動させる水平駆動機構７６とを含む。鉛直駆動機構７５および水平駆動機構７６は、いずれも、電動モータなどのアクチュエータを含む。
【００４９】
室内ハンド７３の上面および下面は、いずれも水平面である。室内ハンド７３の上面は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する円形で水平な支持部７３ａを含む。冷却ユニット７の複数の第１リフトピン７１は、室内ハンド７３を上下方向に貫通する複数の切欠き７３ｂに挿入される。同様に、加熱ユニット８の複数の第２リフトピン２４は、複数の切欠き７３ｂに挿入される。切欠き７３ｂは、配列方向Ｄ２に水平に延びており、室内ハンド７３の縁で開口している。室内ハンド７３は、第１リフトピン７１または第２リフトピン２４が切欠き７３ｂに挿入されている状態でも、配列方向Ｄ２に水平に移動可能である。
【００５０】
水平駆動機構７６は、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、ホットプレート２１とフード３０との間に室内ハンド７３を進入させる。水平駆動機構７６は、室内ハンド７３に支持されている基板Ｗ全体が平面視でホットプレート２１に重なるように室内ハンド７３をホットプレート２１の上方に位置させる。同様に、水平駆動機構７６は、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、室内ハンド７３に支持されている基板Ｗ全体が平面視で冷却プレート７０に重なるように室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に位置させる。
【００５１】
鉛直駆動機構７５は、ホットプレート２１とフード３０との間で室内ハンド７３を鉛直に移動させる。このとき、鉛直駆動機構７５は、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第２リフトピン２４の上端部よりも上方に位置する上側非接触位置（図７Ｃに示す位置）と、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第２リフトピン２４の上端部よりも下方に位置し、室内ハンド７３の下面がホットプレート２１の上面から上方に離れた下側非接触位置（図７Ｄに示す位置）との間で、室内ハンド７３を鉛直に移動させる。
【００５２】
鉛直駆動機構７５は、室内ハンド７３が冷却プレート７０の上方に位置している状態で、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第１リフトピン７１の上端部よりも上方に位置する上側非接触位置（図７Ｂに示す位置）と、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第１リフトピン７１の上端部よりも下方に位置し、室内ハンド７３の下面がホットプレート２１の上面から上方に離れた下側非接触位置（図７Ａに示す位置）との間で、室内ハンド７３を鉛直に移動させる。鉛直駆動機構７５は、さらに、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する接触位置（図７Ｆに示す位置）に室内ハンド７３を移動させる。
【００５３】
図６Ａ〜図６Ｃは、図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。図７Ａ〜図７Ｏは、図２に示すドライ処理が実行されているときのドライ処理ユニット２Ｄの状態を示す模式図である。
ドライ処理ユニット２Ｄに基板Ｗを搬入するときは、シャッター開閉アクチュエータ６３（図７Ａ参照）がシャッター５を開位置に位置させ、ドライチャンバー４の搬入搬出口を開く（図６ＡのステップＳ１１）。その後、センターロボットＣＲは、デバイス形成面である表面が上に向けられた基板ＷをハンドＨで支持しながら、ハンドＨをドライチャンバー４内に進入させる（図６ＡのステップＳ１２）。
【００５４】
続いて、図７Ａに示すように、センターロボットＣＲは、ハンドＨ上の基板Ｗを複数の第１リフトピン７１上に置き（図６ＡのステップＳ１３）、ハンドＨをドライチャンバー４の外に移動させる（図６ＡのステップＳ１４）。シャッター開閉アクチュエータ６３は、ハンドＨが退避した後、シャッター５を閉位置に移動させ、ドライチャンバー４の搬入搬出口を閉じる（図６ＡのステップＳ１５）。
【００５５】
次に、図７Ｂに示すように、基板Ｗが複数の第１リフトピン７１に支持されている状態で、第１リフト昇降アクチュエータ７２が複数の第１リフトピン７１を上位置から下位置に移動させ（図６ＡのステップＳ１６）、ハンド移動機構７４が室内ハンド７３を下側非接触位置から上側非接触位置に移動させる（図６ＡのステップＳ１６）。これにより、基板Ｗは、複数の第１リフトピン７１から離れ、室内ハンド７３の上面に接触する。
【００５６】
フード昇降アクチュエータ２９は、シャッター５が閉位置に配置された後、フード３０を下位置から上位置に移動させる。第２リフト昇降アクチュエータ２６は、フード３０が上位置に配置された後、複数の第２リフトピン２４を下位置から上位置に移動させる。図７Ｃに示すように、ハンド移動機構７４は、複数の第２リフトピン２４が上位置に位置している状態で、上側非接触位置に位置する室内ハンド７３をホットプレート２１とフード３０との間に進入させる（図６ＡのステップＳ１７）。その後、図７Ｄに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を上側非接触位置から下側非接触位置に移動させる（図６ＡのステップＳ１８）。これにより、基板Ｗは、室内ハンド７３の上面から離れ、複数の第２リフトピン２４に接触する。
【００５７】
図７Ｅに示すように、ハンド移動機構７４は、複数の第２リフトピン２４に基板Ｗを渡した後、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に移動させる（図６ＡのステップＳ１９）。その後、図７Ｆに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を下側非接触位置から接触位置に下降させる（図６ＡのステップＳ２０）。これにより、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する。
【００５８】
次に、図７Ｆに示すように、第２リフト昇降アクチュエータ２６が、複数の第２リフトピン２４を上位置から下位置に移動させる（図６ＢのステップＳ２１）。これにより、基板Ｗは、複数の第２リフトピン２４から離れ、ホットプレート２１の上面、つまり、複数の突出部２３ａ（図４参照）に接触する。フード昇降アクチュエータ２９は、複数の第２リフトピン２４が下位置に移動した後、フード３０を上位置から下位置に移動させる（図６ＢのステップＳ２２）。これにより、フード３０とベースリング２７との間の隙間が密閉され、基板Ｗの収容する密閉空間ＳＰが形成される。ホットプレート２１は、基板Ｗがホットプレート２１に支持される前から室温よりも高い加熱温度（たとえば、１００℃以上）に維持されている。基板Ｗがホットプレート２１に支持されると、基板Ｗの加熱が開始される。
【００５９】
次に、図７Ｇに示すように、オゾンガス供給バルブ５４が開かれ、複数の給気口４６がオゾンガスの吐出を開始する（図６ＢのステップＳ２３）。オゾンガスは、複数の給気口４６から基板Ｗの中心に向かって基板Ｗの上面に沿って流れる。これにより、基板Ｗの上面の外周から基板Ｗの上面の中心に向かって流れる複数の気流が形成される。密閉空間ＳＰ内の空気は、オゾンガスによって排気口４４の方に導かれ、排気口４４を介して密閉空間ＳＰの外に排出される。これにより、密閉空間ＳＰがオゾンガスで満たされる。
【００６０】
オゾンガス供給バルブ５４が開かれてから所定時間が経過すると、オゾンガス供給バルブ５４が閉じられ、オゾンガスの吐出が停止される。その後、図７Ｈに示すように、窒素ガス供給バルブ５９が開かれ、複数の給気口４６が窒素ガスの吐出を開始する（図６ＢのステップＳ２４）。密閉空間ＳＰ内のオゾンガスは、窒素ガスによって排気口４４の方に導かれ、排気口４４を介して密閉空間ＳＰの外に排出される。これにより、密閉空間ＳＰ内のオゾンガスが、窒素ガスで置換される。窒素ガス供給バルブ５９が開かれてから所定時間が経過すると、窒素ガス供給バルブ５９が閉じられ、窒素ガスの吐出が停止される。
【００６１】
次に、図７Ｉに示すように、フード昇降アクチュエータ２９が、フード３０を下位置から上位置に移動させる（図６ＢのステップＳ２５）。その後、第２リフト昇降アクチュエータ２６が、複数の第２リフトピン２４を下位置から上位置に移動させる（図６ＢのステップＳ２６）。これにより、基板Ｗは、ホットプレート２１の上面から離れ、複数の第２リフトピン２４に接触する。
【００６２】
図７Ｉに示すように、ハンド移動機構７４は、接触位置に位置する室内ハンド７３を下側非接触位置まで上昇させる（図６ＢのステップＳ２７）。その後、図７Ｊに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３をホットプレート２１とフード３０との間に進入させる（図６ＢのステップＳ２８）。続いて、図７Ｋに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を下側非接触位置から上側非接触位置に移動させる（図６ＢのステップＳ２９）。これにより、基板Ｗは、複数の第２リフトピン２４から離れ、室内ハンド７３の上面に接触する。
【００６３】
図７Ｌに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３で基板Ｗを支持した後、室内ハンド７３を上側非接触位置に位置させながら、室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に移動させる（図６ＢのステップＳ３０）。図７Ｍに示すように、第２リフト昇降アクチュエータ２６は、室内ハンド７３がホットプレート２１とフード３０との間から退避した後、複数の第２リフトピン２４を上位置から下位置に移動させる。その後、フード昇降アクチュエータ２９は、フード３０を上位置から下位置に移動させる。
【００６４】
次に、図７Ｍに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を上側非接触位置から接触位置に下降させる（図６ＣのステップＳ３１）。これにより、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する。冷却プレート７０は、ホットプレート２１の温度（加熱温度）よりも低い冷却温度に維持されている。室内ハンド７３上の基板Ｗの熱は、基板Ｗおよび冷却プレート７０に直接接触する室内ハンド７３を介して冷却プレート７０に伝達される。これにより、基板Ｗが冷却される。
【００６５】
図７Ｎに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３が接触位置に配置されてから所定時間が経過した後、室内ハンド７３を下側非接触位置に移動させる（図６ＣのステップＳ３２）。その後、図７Ｏに示すように、第１リフト昇降アクチュエータ７２は、複数の第１リフトピン７１を下位置から上位置に移動させる（図６ＣのステップＳ３３）。これにより、基板Ｗは、室内ハンド７３の上面から離れ、複数の第１リフトピン７１に接触する。
【００６６】
次に、図７Ｏに示すように、シャッター開閉アクチュエータ６３は、シャッター５を閉位置から開位置に移動させ、ドライチャンバー４の搬入搬出口を開く（図６ＣのステップＳ３４）。その後、センターロボットＣＲは、ハンドＨをドライチャンバー４内に進入させ（図６ＣのステップＳ３５）、複数の第１リフトピン７１上の基板ＷをハンドＨで取る（図６ＣのステップＳ３６）。続いて、センターロボットＣＲは、基板ＷをハンドＨで支持しながら、ハンドＨをドライチャンバー４の外に移動させる（図６ＣのステップＳ３７）。シャッター開閉アクチュエータ６３は、ハンドＨが退避した後、シャッター５を閉位置に移動させる（図６ＣのステップＳ３８）。
【００６７】
次に、基板Ｗを汚染する部材の特定について説明する。
基板処理装置１では基板Ｗに接触する部材が何らかの原因で基板Ｗを汚染する場合がある。この場合、基板Ｗを汚染する部材を特定し、必要な対策が施される。
たとえば、ドライ処理ユニット２Ｄで基板Ｗの汚染が発生していることが分かった場合、基板Ｗに接触して支持する複数の支持部材、つまり、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の少なくとも一つが、基板Ｗを汚染していることになる。しかしながら、これらのいずれが基板Ｗを汚染しているのかは分からない。
【００６８】
そこで、これを特定するために、基板Ｗが第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の少なくとも一つに接触し、かつ、これらの少なくとも一つに接触しない複数のルートを複数枚の基板Ｗがそれぞれ通過するように、複数枚の基板Ｗを一枚ずつドライ処理ユニット２Ｄ内で搬送する。その後、複数枚の基板Ｗの汚染状態を測定し、各基板Ｗの汚染状態の変化を分析する。
【００６９】
基板Ｗを搬送する前と後で基板Ｗの汚染状態が殆ど変わらない場合、その基板Ｗが通過したルートで接触が回避された部材、つまり、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の少なくとも一つが、基板Ｗを汚染していることになる。これにより、ドライ処理ユニット２Ｄ内のどの部材が基板Ｗを汚染しているのかを特定でき、必要な対策を効率的に施すことができる。
【００７０】
以下では、基板Ｗを第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の少なくとも一つに接触させずにドライ処理ユニット２Ｄ内で搬送する搬送制限について説明する。
最初に、搬送制限を実行する制御装置３の構成について説明する。図８は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。図９は、制御装置３の機能ブロックを示すブロック図である。
【００７１】
図８に示すように、制御装置３は、コンピュータ本体８１と、コンピュータ本体８１に接続された周辺装置８４とを含む。コンピュータ本体８１は、各種の命令を実行するＣＰＵ８２（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置８３とを含む。周辺装置８４は、プログラムＰ等の情報を記憶する補助記憶装置８５と、リムーバブルメディアＭから情報を読み取る読取装置８６と、ホストコンピュータ等の外部装置と通信する通信装置８７とを含む。
【００７２】
制御装置３は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置１に情報を入力するときに操作される入力装置８８と、警報を発する警報装置８９とに接続されている。入力装置８８は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。警報装置８９は、光、音、文字、および図形のうちの２つ以上を用いて警報を発する装置である。入力装置８８がタッチパネルディスプレイの場合、入力装置８８が、警報装置８９を兼ねていてもよい。
【００７３】
コンピュータ本体８１は、補助記憶装置８５、読取装置８６、および通信装置８７に接続されている。コンピュータ本体８１は、さらに、インデクサロボットＩＲや処理ユニット２等の各装置に接続されている。ＣＰＵ８２は、補助記憶装置８５に記憶されているプログラムＰや、読取装置８６によってリムーバブルメディアＭから読み取られたプログラムＰを実行する。補助記憶装置８５内のプログラムＰは、制御装置３に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置８６を通じてリムーバブルメディアＭから補助記憶装置８５に送られたものであってもよいし、通信装置８７を通じて外部装置から補助記憶装置８５に送られたものであってもよい。
【００７４】
補助記憶装置８５は、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置８５は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。補助記憶装置８５は、磁気記憶装置以外の不揮発性メモリーであってもよい。リムーバブルメディアＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。リムーバブルメディアＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＭは、光ディスクおよび半導体メモリー以外の不揮発性メモリーであってもよい。リムーバブルメディアＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。
【００７５】
レシピ、選択リスト、および選択ＮＧルールは、補助記憶装置８５に格納されている。レシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、処理手順、および搬送順序を規定する情報である。レシピは、ドライ処理ユニット２Ｄ内で基板Ｗに接触する複数の支持部材、つまり、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の全てに基板Ｗが接触し、基板Ｗがホットプレート２１および冷却プレート７０で処理されるように作成されている。つまり、レシピは、基板処理装置１が図６Ａ〜図６Ｃに示す各ステップを実行するように作成されている。
【００７６】
図９に示すように、制御装置３は、基板処理装置１に入力された情報を受け取る情報受付部９０と、選択リストに含まれる支持部材が選択ＮＧルールに該当するか否かを確認する妥当性確認部９１と、選択リストに含まれる支持部材に基板Ｗが接触しないようにレシピを変更するレシピ変更部９２と、レシピ変更部９２によって変更されたレシピを基板処理装置１に実行させる計画を作成するスケジューラー９３と、スケジューラー９３によって作成された計画にしたがってレシピ変更部９２によって変更されたレシピを実行するレシピ実行部９４とを含む。これらは、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ８２が実行することにより実現される機能ブロックである。
【００７７】
図１０は、操作者によって選択された特定の支持部材を回避したルートで基板Ｗを搬送するときの流れの一例を示すフローチャートである。図１１は、特定の支持部材を回避したルートで基板Ｗを搬送するレシピの作成方法の一例について説明するためのグラフである。図１１に示すステップは、図６Ａ〜図６Ｃに示すステップを意味している。以下では、図９および図１０を参照する。図１１については適宜参照する。
【００７８】
基板Ｗの搬送制限を行う場合、基板Ｗとの接触を回避する支持部材が、基板処理装置１の操作者によって、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の中から選択される。操作者によって選択された特定の支持部材は情報受付部９０に入力される。特定の支持部材の情報は、入力装置８８から情報受付部９０に伝達されてもよいし、通信装置８７から情報受付部９０に伝達されてもよい。情報受付部９０に入力された一つ以上の支持部材の情報は、補助記憶装置８５に記憶されている選択リストに書き込まれる（図１０のステップＳ５１）。
【００７９】
補助記憶装置８５は、選択リストに加えて、選択ＮＧルールを記憶している。選択ＮＧルールは、支持部材の選択に関する禁止事項を定めるルールである。選択ＮＧルールには、基板処理装置１の構造に起因して必然的に発生する制約を含む。たとえば、選択ＮＧルールには、第１リフトピン７１を特定の支持部材として選択することはできないことが含まれている。ドライ処理ユニット２Ｄに搬入された基板Ｗは、必ず第１リフトピン７１に接触するからである。これ以外にも、ホットプレート２１を特定の支持部材として選択せずに、第２リフトピン２４を特定の支持部材として選択することはできないことが、選択ＮＧルールに含まれている。ホットプレート２１に搬送される基板Ｗは、必ず第２リフトピン２４に接触するからである。選択ＮＧルールは、必然的に発生する制約以外のルールを含んでいてもよい。
【００８０】
新たな支持部材が選択リストに書き込まれると、これが妥当性確認部９１に連絡される（図１０のステップＳ５２）。妥当性確認部９１は、選択リストに含まれる支持部材が選択ＮＧルールに該当するか否かを確認する（図１０のステップＳ５３）。
選択ＮＧルールに該当する場合（図１０のステップＳ５３でＹｅｓの場合）、妥当性確認部９１は、全ての支持部材を選択リストから削除する（図１０のステップＳ５４）。さらに、警報装置８９（図８参照）は、操作者によって選択された支持部材が、選択ＮＧルールに該当することを表示する（図１０のステップＳ５５）。これにより、操作者は、選択ＮＧルールに該当しない支持部材を選択するように促される。
【００８１】
選択ＮＧルールに該当しない場合（図１０のステップＳ５３でＮｏの場合）、選択リストは、変更されることなく、そのまま維持される。そして、新たな支持部材が選択リストに書き込まれたことが、レシピ変更部９２に連絡される（図１０のステップＳ５６）。その後、レシピ変更部９２は、選択リストに含まれる支持部材に基板Ｗが接触しないように、レシピの一部を削除する（図１０のステップＳ５７）。
【００８２】
図１１に示すレシピ１のように、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１が、選択リストに含まれている場合、つまり、図１１においてこれらの部材について非接触が選択されている場合、レシピ変更部９２は、ステップＳ１４〜ステップ３５に対応する情報をレシピから削除する。図１１に示すレシピ２のように、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１が、選択リストに含まれている場合、レシピ変更部９２は、ステップＳ１７〜ステップ３１に対応する情報をレシピから削除する。図１１に示すレシピ３のように、ホットプレート２１が、選択リストに含まれている場合、レシピ変更部９２は、ステップＳ１９〜ステップ２８とステップＳ３１に対応する情報をレシピから削除する。
【００８３】
スケジューラー９３は、レシピ変更部９２によって変更されたレシピ、つまり、一部が削除されたレシピを取得し（図１０のステップＳ５８）、これを基板処理装置１に実行させるスケジュールを作成する（図１０のステップＳ５９）。レシピ実行部９４は、スケジューラー９３によって作成されたスケジュールにしたがってレシピ変更部９２によって変更されたレシピを基板処理装置１に実行させる（図１０のステップＳ６０）。これにより、基板Ｗは、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１の少なくとも一つに接触せずに、ドライ処理ユニット２Ｄ内で搬送される。
【００８４】
以上のように第１実施形態では、複数の支持部材、つまり、第１リフトピン７１、室内ハンド７３、第２リフトピン２４、およびホットプレート２１を収容するドライチャンバー４内で基板Ｗの汚染が発生している場合、基板処理装置１で基板Ｗを搬送および処理するときに用いられるレシピの一部が削除され、一部が削除されたレシピが実行される。これにより、基板処理装置１内で基板Ｗが搬送される。このとき、基板Ｗは、基板処理装置１の操作者によって選択された支持部材に接触せずに搬送される。
【００８５】
基板Ｗを搬送する前と後で基板Ｗの汚染状態が殆ど変わらない場合、当該基板Ｗが通過したルートで基板Ｗとの接触が回避された支持部材が、基板Ｗを汚染していることになる。これにより、ドライチャンバー４内のどの部材が基板Ｗを汚染しているのかを特定でき、基板Ｗの汚染を防止する対策を効率的に施すことができる。さらに、基板処理装置１で基板Ｗを搬送および処理するときに用いられる既存のレシピを利用して、特定の支持部材に接触させずに基板Ｗを搬送するレシピを作成するので、このようなレシピを短時間でかつ効率的に作成できる。
【００８６】
第１実施形態では、基板Ｗが支持部材に接触する接触動作を規定する情報だけがレシピから削除される。そして、それ以外の動作を規定する情報だけを含むレシピが実行され、接触動作の前に規定されている動作と接触動作の後に規定されている動作とが順次実行される。つまり、レシピは、接触動作を規定する情報が削除されても、各部材の動作に支障が生じないように作成されている。したがって、接触動作を規定する情報をレシピから削除したとしても、各部材の動作を補間する情報をレシピに補足しなくてもよい。
【００８７】
第１実施形態では、基板Ｗとの接触を回避する支持部材が、基板処理装置１の操作者によって選択される。しかしながら、基板処理装置１の構造に起因して必然的に発生する制約により、選択できない支持部材や、選択できない支持部材の組み合わせが発生し得る。したがって、選択された支持部材がこのような禁止事項に該当する場合に、選択リストに含まれる支持部材を削除することにより、実現不可能な動作を規定するレシピが実行されることを防止できる。
【００８８】
第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態に対する第２実施形態の主要な相違点は、基板Ｗが特定の支持部材に接触しない複数のレシピが予め作成されていることである。
図１２は、本発明の第２実施形態に係る制御装置３の機能ブロックを示すブロック図である。図１２において、前述の図１〜図１１に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００８９】
図１２に示すように、補助記憶装置８５は、複数のレシピを記憶している。これらのレシピは、基板処理装置１で基板Ｗを搬送および処理するときに用いられるレシピから作成されたものである。具体的には、図１１に示すレシピ１〜レシピ３が補助記憶装置８５に記憶されている。各レシピは、基板Ｗが複数の支持部材の少なくとも一つに接触しないで搬送されるように設定されている。さらに、あるレシピで基板Ｗとの接触が回避される支持部材の少なくとも一つは、他のレシピで基板Ｗとの接触が回避される支持部材の少なくとも一つとは異なる。
【００９０】
制御装置３は、レシピ変更部９２（図９参照）に代えて、複数のレシピの中から１つのレシピを選択するレシピ選択部９５を含む。レシピ選択部９５は、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ８２が実行することにより実現される機能ブロックである。レシピ選択部９５は、基板Ｗとの接触が回避された支持部材が選択リストに含まれる支持部材に一致するレシピを複数のレシピの中から選択する。スケジューラー９３は、レシピ選択部９５によって選択されたレシピを基板処理装置１に実行させるスケジュールを作成する。レシピ実行部９４は、スケジューラー９３によって作成されたスケジュールにしたがってレシピ選択部９５によって選択されたレシピを基板処理装置１に実行させる。
【００９１】
他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、図１３に示すように、制御装置３は、削除されたレシピの一部が配置されていた箇所に、基板処理装置１の動作を規定する新たな情報を追加し、削除されなかったレシピの残りの部分と、この新たな情報とを実行してもよい。
【００９２】
つまり、制御装置３は、基板Ｗが特定の支持部材に接触しないようにレシピの一部を削除するレシピ削除部９６と、レシピ削除部９６によって削除されたレシピの一部が配置されていた箇所に基板処理装置１の動作を規定する補間動作を配置するレシピ補間部９７とを備えていてもよい。レシピ削除部９６およびレシピ補間部９７は、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ８２が実行することにより実現される機能ブロックである。
【００９３】
この構成によれば、基板Ｗが支持部材に接触する接触動作を規定する情報だけがレシピから削除される。そして、接触動作を規定する情報が配置されていた箇所に、接触動作の前に規定されている動作と接触動作の後に規定されている動作とを補間する補間動作を規定する情報を補足する。これにより、接触動作を規定する情報をレシピから削除したとしても、各部材の動作に支障をきたすことなく基板Ｗを搬送できる。また、補間動作を規定する情報を作成するものの、変更後のレシピの大部分は当初のレシピと同じであるので、比較的容易に専用のレシピを作成できる。
【００９４】
基板Ｗとの接触を回避する支持部材を直接選択するのではなく、基板Ｗに接触させる支持部材を選択することにより、基板Ｗとの接触を回避する支持部材を間接的に選択してもよい。
前述の基板搬送方法は、ドライ処理ユニット２Ｄ以外の処理ユニット２に適用されてもよい。
【００９５】
基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の種類は、１つであってもよい。たとえば、ドライ処理ユニット２Ｄおよびウェット処理ユニット２Ｗの一方が省略されてもよい。
基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。
【００９６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９７】
１      ：基板処理装置
２Ｄ    ：ドライ処理ユニット
２Ｗ    ：ウェット処理ユニット
３      ：制御装置
４      ：ドライチャンバー（チャンバー）
５      ：シャッター
６      ：室内搬送機構
７      ：冷却ユニット
８      ：加熱ユニット
２１    ：ホットプレート（支持部材、処理手段）
２２    ：ヒーター
２３    ：支持部材
２４    ：第２リフトピン（支持部材）
７０    ：冷却プレート（支持部材、処理手段）
７１    ：第１リフトピン（支持部材）
７３    ：室内ハンド（支持部材）
９０    ：情報受付部
９１    ：妥当性確認部
９２    ：レシピ変更部
９３    ：スケジューラー
９４    ：レシピ実行部
９５    ：レシピ選択部
９６    ：レシピ削除部
９７    ：レシピ補間部
Ｐ      ：プログラム
Ｍ      ：リムーバブルメディア
Ｗ      ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図７Ｍ】
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【図７Ｎ】
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【図７Ｏ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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