(57)【要約】【課題】デバイスチップを加工性よく形成できるデバイスウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】複数のデバイスを覆い、ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程Ｓ１と、パターニングされたマスクを介してウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さを有し、側壁が深くなる方向にみて逆テーパー形状となる溝を形成する溝形成工程Ｓ２と、溝形成工程後にウエーハ表面のマスクを除去するマスク除去工程Ｓ３と、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程Ｓ４と、保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、ウエーハの裏面を研削して溝の底部を露出することによりウエーハを薄化し複数のデバイスチップに個片化する個片化工程Ｓ５と、を有する。【選択図】図２
2018056502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に交差する複数のストリートによって区画された基板上の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハの加工方法であって、
該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、
該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さを有し、側壁が深くなる方向にみて逆テーパー形状となる溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に該ウエーハ表面のマスクを除去するマスク除去工程と、
該マスク除去工程後に、該ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該溝の底部を露出することにより該ウエーハを薄化し複数のデバイスチップに個片化する個片化工程と、
を有するデバイスウエーハの加工方法。
【請求項２】
表面に交差する複数のストリートによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成され、該ストリート上の領域に該基板表面が露出したデバイスウェーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
該パッシベーション膜をマスクとして該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さを有し、側壁が深くなる方向にみて逆テーパー形状となる溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に、該ウエーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該溝の底部を露出することにより該ウエーハを薄化し複数のデバイスチップに個片化する個片化工程と、
を有するデバイスウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスウエーハを個片化するデバイスウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、交差する複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された基板の表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハを、該ストリートに沿って分割するデバイスウエーハの加工方法が知られている。この種の加工方法では、デバイスウエーハを個々のデバイスチップに分割する際に、水溶性の保護膜でデバイスを保護した状態でプラズマ照射によりエッチングして個片化することが行われている（例えば、特許文献１参照）。また、上記したプラズマ照射によりエッチングして、デバイスウエーハの表面側に、仕上がり厚さに対応する深さの溝を形成しておき、該表面を保護部材で保持しつつ、裏面側から研削して個片化することも行われている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８７０３５８１号明細書
【特許文献２】特開２０１５−２２０３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、プラズマ照射により、デバイスウエーハを厚さ方向に切断して完全に分割・個片化すると、該デバイスウエーハを保持している保護部材がプラズマに曝されてダメージを受けることがある。また、プラズマ照射により、デバイスウエーハに仕上がり厚さに対応する深さまで溝を形成した後、裏面側を研削して個片化する場合には、個片化されたデバイスチップのコーナー（角部）が摺れ、デバイスチップが加工不良となる可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、デバイスチップを加工性よく形成できるデバイスウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面に交差する複数のストリートによって区画された基板上の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハの加工方法であって、該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスチップの仕上がり厚さに対応する深さを有し、側壁が深くなる方向にみて逆テーパー形状となる溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程後に該ウエーハ表面のマスクを除去するマスク除去工程と、該マスク除去工程後に、該ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該溝の底部を露出することにより該ウエーハを薄化し複数のデバイスチップに個片化する個片化工程と、を有する。
【０００７】
表面に交差する複数のストリートによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成され、該ストリート上の領域に該基板表面が露出したデバイスウェーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、該パッシベーション膜をマスクとして該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスチップの仕上がり厚さに対応する深さを有し、側壁が深くなる方向にみて逆テーパー形状となる溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程後に、該ウエーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該溝の底部を露出することにより該ウエーハを薄化し複数のデバイスチップに個片化する個片化工程と、を有する。
【０００８】
上記した構成において、逆テーパー形状とは、プラズマエッチングによりウエーハの表面に形成される溝が、該溝の深さが深くなるにつれて、対向する側壁間の距離が大きくなるような形状をいう。
【０００９】
上記した構成によれば、デバイスウエーハの表面側に、デバイスチップの仕上がり厚さに対応する深さを有する溝が形成され、この溝は、該溝の深さが深くなるにつれて、対向する側壁間の距離が大きくなる逆テーパー形状に形成されるため、該ウエーハの裏面を研削して個片化する際に、デバイスチップの側壁や角が摺れ合うことを抑制でき、高品質なデバイスチップを得ることができる。また、上記した構成では、デバイスウエーハに形成される溝は、デバイスチップの仕上がり厚さに対応する深さを有し、デバイスウエーハの裏面に達していないため、プラズマエッチングの際に、デバイスウエーハの裏面側に配置される保持部材にプラズマが照射されることがなく、保持部材がプラズマ照射により損傷することが抑制されるという効果もある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、デバイスウエーハの表面側に形成される溝が、該溝の深さが深くなるにつれて、対向する側壁間の距離が大きくなる逆テーパー形状を呈するため、該ウエーハの裏面を研削して個片化する際に、デバイスチップの側壁や角が摺れ合うことを抑制でき、高品質なデバイスチップを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象であるデバイスウエーハの斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、ウエーハの表面の複数のデバイスにそれぞれレジスト膜が施された状態を示すウエーハの側断面図である。
【図４】図４は、ウエーハの表面にストリートに沿って形成された溝を示す側断面図である。
【図５】図５は、溝の部分拡大図である。
【図６】図６は、ウエーハの表面にバックグラインドテープを貼着した状態を示す側断面図である。
【図７】図７は、ウエーハの裏面を研削する構成を示す図である。
【図８】図８は、研削により個片化されたデバイスチップを示す側断面図である。
【図９】図９は、第２実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、ウエーハの表面の複数のデバイスにそれぞれパッシベーション膜が積層された状態を示すウエーハの側断面図である。
【図１１】図１１は、ウエーハの表面にストリートに沿って形成された溝を示す側断面図である。
【図１２】図１２は、ウエーハの表面にバックグラインドテープを貼着した状態を示す側断面図である。
【図１３】図１３は、ウエーハの裏面を研削する構成を示す図である。
【図１４】図１４は、研削により個片化されたデバイスチップを示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象であるデバイスウエーハの斜視図である。デバイスウエーハＷ（以下、単にウエーハＷという）は、図１に示すように、円板状の基板ＷＳを有し、この基板ＷＳは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材に用いて形成されている。ウエーハＷは、図１に示すように、基板ＷＳ（ウエーハＷ）の表面（一方の面）Ｗ１に複数のストリート（分割予定ライン）Ｌが格子状に形成され、複数のストリートＬの交差によって区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。また、ウエーハＷは、裏面（他方の面）Ｗ２側に貼着されたダイシングテープ（保持部材；不図示）を介して円環状のフレーム（不図示）に保持される。
【００１４】
次に、ウエーハＷの加工方法について説明する。本実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法は、ウエーハＷを、ストリートＬに沿ってデバイスＤを含む各領域（デバイスチップ）に分割して個片化するものである。ウエーハＷを分割・個片化するには、基板ＷＳ上のデバイスＤを含む領域をそれぞれマスクし、ストリートＬに対応する領域を露出させた状態で該ストリートＬに対応する領域をプラズマエッチングする手法が有用である。この手法では、プラズマ照射により、ウエーハＷの表面Ｗ１に仕上がり厚さに対応する深さまで溝を形成した後、ウエーハＷの表面Ｗ１を保護部材で保持しつつ、該ウエーハＷの裏面Ｗ２側を上記溝に達するまで研削して、分割・個片化することが行われる。
【００１５】
この手法では、ウエーハＷの表面Ｗ１を保護部材で保持したとしても、研削した際に、個片化されたデバイスチップのコーナー（角部）が摺れ、デバイスチップの加工不良が生じるおそれが想定される。特に、近年、個片化されるデバイスチップが小型化する傾向にあり、ウエーハＷは、所定厚み（例えば３００μｍ）よりも薄い範囲（例えば３０μｍ以上１００μｍ以下）内に薄化され、ストリートＬの幅は所定幅範囲（例えば１０μｍ以上数十μｍ程度以下）内に狭くなる傾向にある。このため、薄化及びストリートＬの幅が狭くなったウエーハＷを、プラズマエッチングにより分割・個片化する場合には、デバイスチップの加工不良が生じるおそれが高まるものと考えられる。本実施形態では、ウエーハの裏面を研削して個片化する際に、デバイスチップの側壁や角が摺れ合うことを抑制し、デバイスチップを加工性よく形成可能とする点を要旨とする。図２は、第１実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。この加工方法は、図２に示すように、マスク形成工程Ｓ１、溝形成工程Ｓ２、マスク除去工程Ｓ３、保護部材貼着工程Ｓ４、および、個片化工程Ｓ５を備えて構成されている。これら各ステップの順序は、図２に限るものではない。次に、これらの各ステップについて説明する。
【００１６】
［マスク形成工程Ｓ１]
図３は、ウエーハの表面の複数のデバイスにそれぞれレジスト膜が施された状態を示すウエーハの側断面図である。ウエーハＷの表面Ｗ１には、図３に示すように、パターニングされたマスクとしてのレジスト膜Ｒが形成される。具体的には、表面Ｗ１のうち、ウエーハＷのデバイスＤに対応する領域であるデバイス対応部Ｗ１Ｄを被覆するレジスト膜Ｒを形成する。この場合、レジスト膜Ｒは、ストリートＬには形成されずに該ストリートＬは露出する。レジスト膜Ｒは、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材を使用してもよいし、光・紫外線などが照射された部分だけが構造変化するフォトレジストを使用してもよい。
【００１７】
まず、レジスト膜Ｒとしてフォトレジストを用いる場合、表面Ｗ１の全面にスピンコータなどを用いてレジスト膜Ｒを被覆する。そして、カメラなどで表面Ｗ１上のストリートＬを認識し、ストリートＬと同様に格子状に形成されたフォトマスクを介してレジスト膜Ｒに紫外線（またはＸ線など）を照射し、ネガ型フォトレジストの場合、表面Ｗ１のうち、デバイスＤに対応する領域であるデバイス対応部Ｗ１Ｄを露光させる。そして露光した部分を現像すると、表面Ｗ１のストリートＬに対応するレジスト膜Ｒが除去されて、デバイス対応部Ｗ１Ｄにレジスト膜Ｒが形成される。この例では、レジスト膜として、現像後に露光部分が残存するネガ型を用いた例を説明したが、現像後に露光部分が除去されるポジ型を用いてもよい。この場合、フォトマスクは、ストリートＬに対応する部分が開口しており、この部分を露光すればよい。
【００１８】
また、レジスト膜Ｒに替えて、表面Ｗ１のデバイス対応部Ｗ１Ｄに液状樹脂を塗布してマスクとしての保護膜を形成してもよい。液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）やＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどの水溶性の樹脂材を用いることができる。ウエーハＷの表面Ｗ１に、デバイス対応部Ｗ１Ｄが開口した型枠を取り付け、この型枠の開口部に液状樹脂を充填することにより、パターニングされた保護膜を形成できる。また、レジスト膜Ｒもしくは保護膜をパターニングする際には、全面にマスクを形成した後、レーザー光をストリートＬに対応する領域に照射してレーザーアブレーションによりパターニングされたマスクを形成してもよい。
【００１９】
［溝形成工程Ｓ２］
続いて、ウエーハＷをプラズマエッチングすることにより、ウエーハＷの表面Ｗ１にストリートＬに沿った溝３０を形成する。図４は、ウエーハの表面にストリートに沿って形成された溝を示す側断面図である。図５は、溝の部分拡大図である。図４に示すように、ウエーハＷの裏面Ｗ２側を、例えば、プラズマエッチング装置の真空チャンバ（不図示）内に保持し、ウエーハＷの表面Ｗ１からプラズマを照射することにより、ストリートＬに沿って仕上がり厚さＨに至る溝３０を形成する。この溝３０は、図５に示すように、対向する溝３０の側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄが、表面Ｗ１（上面）から裏面Ｗ２（下面）側に向かうにつれて（側壁が深くなる方向にみて）大きくなる（逆テーパー）形状に形成されている。なお、この溝３０の側壁３０ａには、エッチング時に複数の凹凸が生じるため、溝３０は全体的に逆テーパー状に形成されていればよく、側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄが局所的に表面Ｗ１側の距離ｄよりも小さくなる場合を含むものとする。
【００２０】
この溝３０の側壁３０ａ，３０ａは、それぞれ将来的に個片化されるチップの内側に傾斜する傾斜面として形成され、側壁３０ａは、ウエーハＷの厚み方向に対する傾斜角度θが、０度よりも大きく、所定規定角度（例えば３０度）以下、望ましくは５度以上１５度以下に設定される。この傾斜角度が０度以下の場合には、個片化工程Ｓ５において、ウエーハＷの裏面Ｗ２を研削してチップに個片化する際に、各チップの裏面側の側壁部分が表面側よりも側方に突出して、チップ同士が摺れ合う事態が生じやすくなる。また、傾斜角度θを所定規定角度よりも大きくすると、デバイスが欠けやすくなるなどの問題が生じ得る。
【００２１】
上記した逆テーパー形状の溝３０は、プラズマエッチングとデポジション（側壁膜堆積）とを繰り返しながら行う、いわゆるボッシュプロセスを利用して形成される。さらに、本構成では、プラズマエッチングとして、等方性エッチングと異方性エッチングとを交互に実行している。プラズマエッチングは、例えば、真空チャンバ（不図示）内にウエーハＷを保持した状態で、エッチングガス（例えばＳＦ６）をウエーハＷの表面Ｗ１側に向けて供給する。このエッチングガスを供給した状態で、ウエーハＷの表面Ｗ１側に配置される上部電極（不図示）と裏面Ｗ２側に配置される下部電極（不図示）間に高周波電力を印加することによりプラズマ２５を発生させ、ストリートに沿ってプラズマエッチングを行なう。
【００２２】
等方性エッチングは、エッチングに寄与するエッチング種が主にラジカルであるラジカルリッチな条件（例えば、下部電極への高周波バイアスの印加を停止する）で、プラズマ２５中のイオンがウエーハＷの表面Ｗ１に向けて垂直に入射されることを抑え、該イオンが各方向（等方性）に向けて入射されることにより実行される。これに対して、異方性エッチングは、プラズマ２５中のイオンをウエーハＷの表面Ｗ１に向けて垂直に入射させることにより実行される。ラジカルリッチとする条件は、高周波バイアスの印加を停止するほかに、上部電極と下部電極間に配置されたアルミニウムなどの金属で形成されたメッシュプレートでイオンを失活するなどによる方法で行うこともできる。
【００２３】
また、デポジションは、エッチングガス（例えばＣ４Ｆ８）をウエーハＷの表面Ｗ１側に向けて供給する。このエッチングガスを供給した状態で、上部電極と下部電極間に高周波電力を印加することによりプラズマ２５を発生させ、ストリート上の溝３０の表面に保護膜であるフルオロカーボン膜を堆積させる。
【００２４】
本構成では、まず、表面Ｗ１側からウエーハＷをエッチングした後に、デポジションにより溝３０の表面にフルオロカーボン膜を形成する。続いて、高周波バイアスを印加して異方性エッチングを行うことにより、溝３０の底面のフルオロカーボン膜が除去され底部にウエーハＷの母材を露出させる。その後、基板へのバイアス高周波の印加を止め、等方性エッチングを行う。これらデポジション、異方性エッチング、および等方性エッチング、の工程を１サイクルとし、この１サイクルの条件、例えばそれぞれの工程の時間を徐々に変更して、繰り返し実行することにより逆テーパー形状の溝３０を形成することができる。例えば、１サイクルにおける等方性エッチングの時間比率を徐々に大きくすることにより、溝３０の側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄを徐々に延ばすことができ、逆テーパー形状の溝３０を形成することができる。また、異方性エッチングによりフルオロカーボン膜の除去面積（すなわち基板母材の露出面積）を変えることによっても逆テーパー形状の溝３０を形成することができる。なお、異方性エッチングや等方性エッチングは上記した方法に限るものではなく、既知の各方法によって実行可能であることは勿論である。また、図４，５などに示す側壁３０ａの形状は、エッチング時に生じる複数の凹凸をデフォルメしたものであり、デポジション、異方性エッチング、および等方性エッチング、の工程のサイクル数に応じて凹凸の数が増減する。
【００２５】
［マスク除去工程Ｓ３］
形成された溝３０の深さが予め決められた仕上がり厚さＨに至ると、プラズマエッチングを終了し、続いて、ウエーハＷの表面Ｗ１からレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒは、剥離液に晒すことでウエーハＷの表面Ｗ１から除去されるか、酸素プラズマによるアッシングを行って除去される。また、マスクとして水溶性の保護膜を用いた場合には、ウエーハＷの表面Ｗ１に水（純水）を供給することにより、保護膜が水に溶けて除去される。マスクとしてのレジスト膜Ｒもしくは保護膜が除去されることにより、ウエーハＷの表面Ｗ１には、再び、デバイスＤが露出する。
【００２６】
［保護部材貼着工程Ｓ４］
図６は、ウエーハの表面にバックグラインドテープを貼着した状態を示す側断面図である。次に、ウエーハＷの表面Ｗ１にバックグラインドテープ（ＢＧ；保護部材）１０を貼り付ける。バックグラインドテープ１０は、ウエーハＷの表面Ｗ１のデバイスＤを保護するとともに、ウエーハＷの裏面Ｗ２を研削する際に、個片化されるチップを保持するものである。バックグラインドテープ１０は、例えば、所定波長（３００〜４００ｎｍ）の紫外線を照射することによって粘着力が低下する糊層（粘着剤）を介して、ウエーハＷの表面Ｗ１に貼着される。
【００２７】
［個片化工程Ｓ５］
次に、ウエーハＷを所定の仕上がり厚さＨに薄化する。図７は、ウエーハの裏面を研削する前のウエーハの側断面図であり、図８は、研削により個片化されたデバイスチップを示す側断面図である。図７に示すように、ウエーハＷの裏面Ｗ２側が上面となるように、バックグラインドテープ１０を介して、ウエーハＷをチャックテーブル２０に載置する。このチャックテーブル２０は、バックグラインドテープ１０が貼着されたウエーハＷを吸引して保持する。また、チャックテーブル２０は、ウエーハＷを保持した状態で、不図示の軸心を中心に回転可能に構成されている。
【００２８】
そして、ウエーハＷの裏面Ｗ２側を研削ユニット４０によって研削する。研削ユニット４０は、チャックテーブル２０に対して偏心した軸心（不図示）を中心に回転するスピンドル４１と、このスピンドル４１の先端に固定された円板状のホイールマウント４２とを備え、ホイールマウント４２の周縁部の先端（下端）には、一または複数の研削砥石４３が環状に配置された研削ホイールが装着されている。研削ユニット４０は、チャックテーブル２０に対して偏心した位置に配置されているため、チャックテーブル２０および研削ユニット４０をそれぞれ軸心周りに回転駆動させることにより、研削砥石４３は、チャックテーブル２０上のウエーハＷの裏面Ｗ２を一様に研削することができる。また、研削ユニット４０は、チャックテーブル２０に対して、相対的に昇降する機構を備えている。
【００２９】
研削ユニット４０は、図７に示すように、チャックテーブル２０に保持されたウエーハＷの裏面Ｗ２を研削し、ウエーハＷを所定の仕上がり厚さＨになるまで薄化する。ここで、溝３０は少なくとも深さＨに形成されているため、ウエーハＷを厚さＨに薄化することにより、溝３０が裏面Ｗ２に露出する。このため、溝３０で区画された領域は、図８に示すように、デバイスチップＤＴとして個片化される。一方、ウエーハＷは、バックグラインドテープ１０を介して、チャックテーブル２０に保持されているため、個片化された各デバイスチップＤＴが分離することはない。さらに、本構成では、溝３０は、対向する側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄが、表面Ｗ１から裏面Ｗ２側に向かうにつれて大きくなる（逆テーパー）形状に形成されているため、研削時にバックグラインドテープ１０よって貼着されていない側の側壁部分同士が接触することが防止され、デバイスチップＤＴの側壁３０ａや角が摺れ合うことを抑制でき、高品質なデバイスチップＤＴを得ることができる。
【００３０】
また、本構成では、ウエーハＷに少なくとも所定の仕上がり厚さＨの深さの溝３０を形成し、ウエーハＷを完全に分離するまでエッチングしないため、例えば、エッチング時にウエーハＷの裏面Ｗ２側を保持するダイシングテープ（不図示）がプラズマに曝されることを抑制できる。このため、ダイシングテープがプラズマ照射によって損傷することが抑制され、損傷によって生じた異物がウエーハＷに付着する不具合を防止できる。
【００３１】
次に、バックグラインドテープ１０に対して、所定波長（３００〜４００ｎｍ）の紫外線を照射することによって粘着力を低下させる。これにより、個片化されたデバイスチップＤＴを容易にバックグラインドテープ１０から取り外すことができ、取り外されたデバイスチップＤＴは次工程に搬送される。
【００３２】
第１実施形態に係る加工方法では、溝形成工程Ｓ２において、ウエーハＷの表面Ｗ１側に、少なくともデバイスチップＤＴの仕上がり厚さＨに対応する深さを有する溝３０が形成され、この溝３０は、該溝３０の深さが深くなるにつれて、対向する側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄが大きくなる逆テーパー形状に形成されるため、該ウエーハＷの裏面Ｗ２を研削して個片化する際に、デバイスチップＤＴの側壁３０ａや角が摺れ合うことを抑制でき、高品質なデバイスチップＤＴを得ることができる。また、溝形成工程Ｓ２では、ウエーハＷに形成される溝３０は、デバイスチップＤＴの仕上がり厚さＨに対応する深さを有し、ウエーハＷの裏面Ｗ２に達していないため、プラズマエッチングの際に、ウエーハＷの裏面Ｗ２側を保持するダイシングテープ（不図示）がプラズマに曝されることを抑制できる。このため、ダイシングテープがプラズマ照射によって損傷することが抑制され、損傷によって生じた異物がウエーハＷに付着する不具合を防止できる。
【００３３】
［第２実施形態］
第１実施形態では、ウエーハＷの表面Ｗ１のうち、ウエーハＷのデバイスＤに対応する領域であるデバイス対応部Ｗ１Ｄを被覆するマスクとしてのレジスト膜Ｒを形成する構成について説明したが、第２実施形態ではマスクとしてパッシベーション膜Ｐを用いる点で異なる。図９は、第２実施形態に係るデバイスウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。この加工方法は、図９に示すように、溝形成工程Ｓ１１、保護部材貼着工程Ｓ１２、および、個片化工程Ｓ１３を備えて構成されている。第１実施形態と異なり、マスク形成工程Ｓ１、マスク除去工程Ｓ３が省略されている。
【００３４】
［溝形成工程Ｓ１１］
図１０は、ウエーハの表面の複数のデバイスにそれぞれパッシベーション膜が積層された状態を示すウエーハの側断面図である。図１１は、ウエーハの表面にストリートに沿って形成された溝を示す側断面図である。一般に、ウエーハＷの表面Ｗ１にはパッシベーション膜Ｐが積層されて設けられている。このパッシベーション膜Ｐは、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、または、ポリイミド膜により構成される不動態膜である。パッシベーション膜Ｐは、デバイスＤを保護するものであるが、デバイスＤの表面だけでなく、ストリートＬを含むウエーハＷの表面Ｗ１全面を被覆している。また、パッシベーション膜Ｐは、ウエーハＷの基板ＷＳの母材よりもエッチングされにくいため、プラズマエッチングを行う前工程として、ストリートＬ上からパッシベーション膜Ｐを除去して、ストリートＬで基板ＷＳの母材を露出させることが好ましい。
【００３５】
例えば、ウエーハＷの表面Ｗ１に液状樹脂を塗布して保護膜を形成し、ストリートＬに沿って、レーザー光線を照射してストリートＬのパッシベーション膜Ｐにアブレーション加工を施す。アブレーション加工によって、ストリートＬのパッシベーション膜Ｐが除去され、ストリートＬの領域で基板ＷＳの母材が露出する。また、アブレーション加工によって生じたデブリ（切削屑）は、保護膜によってデバイスＤの表面への付着が防止される。なお、ストリートＬで基板ＷＳの母材を露出させる手法は、アブレーション加工に限るものではなく、ストリートＬに切削ブレードを用いた切削加工を施して、パッシベーション膜Ｐを除去してもよい。これにより、パッシベーション膜Ｐは、ウエーハＷの表面Ｗ１のうちデバイス対応部Ｗ１Ｄを被覆する。
【００３６】
続いて、図１１に示すように、ウエーハＷの表面Ｗ１からプラズマを照射することにより、ストリートＬに沿って少なくとも仕上がり厚さＨに至る溝３０を形成する。この溝３０は、第１実施形態で説明したものと同等の構成を有し、同一の符号を付して説明を省略する。また、逆テーパー形状の溝３０を形成する手法についても、第１実施形態で説明したものと同等であるため説明を省略する。
【００３７】
本実施形態では、ウエーハＷは、図１０に示すように、ストリートＬのパッシベーション膜Ｐが除去されて基板ＷＳの母材が露出しているが、デバイスＤの表面および側面にはパッシベーション膜Ｐが被覆されている。このため、本実施形態では、パッシベーション膜Ｐをマスクとして、ストリートＬに沿って基板ＷＳの母材がプラズマエッチングされる。プラズマエッチングする際の条件は、母材のエッチングレートが高く、パッシベーション膜Ｐのエッチングレートが母材のエッチングレートよりも低い条件（エッチングガスの流量や種類など）を選択する。本実施形態では、パッシベーション膜Ｐのエッチングレートに対する基板ＷＳの母材のエッチングレートの比（選択比）は５００以上であることが望ましい。
【００３８】
この構成では、基板ＷＳの母材のエッチングレートがパッシベーション膜Ｐのエッチングレートよりも高いため、図１１に示すように、基板ＷＳがパッシベーション膜Ｐよりも早くエッチングされ、ストリートＬに基板ＷＳの表面Ｗ１から裏面Ｗ２に延びる溝３０が形成される。また、パッシベーション膜Ｐのエッチングレートに対する基板ＷＳの母材のエッチングレートの比は、溝３０が所定の仕上がり厚さＨに到達しても、デバイスＤとしてパッシベーション膜としての機能を果たす膜厚であることが望ましい。
【００３９】
［保護部材貼着工程Ｓ１２］
図１２は、ウエーハの表面にバックグラインドテープを貼着した状態を示す側断面図である。次に、ウエーハＷの表面Ｗ１（パッシベーション膜Ｐ）にバックグラインドテープ（保護部材）１０を貼り付ける。このバックグラインドテープ１０および保護部材貼着工程Ｓ１２は、第１実施形態で説明したものと同等の構成を有するため、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
［個片化工程Ｓ１３］
次に、ウエーハＷを所定の仕上がり厚さＨに薄化する。図１３は、ウエーハの裏面を研削する構成を示す図であり、図１４は、研削により個片化されたデバイスチップを示す側断面図である。個片化工程Ｓ１３は、第１実施形態で説明したものと同等の構成を有するため、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４１】
第２実施形態に係る加工方法では、溝形成工程Ｓ１１において、ウエーハＷの表面Ｗ１側に、デバイスチップＤＴの仕上がり厚さＨに対応する深さを有する溝３０が形成され、この溝３０は、該溝３０の深さが深くなるにつれて、対向する側壁３０ａ，３０ａ間の距離ｄが大きくなる逆テーパー形状に形成されるため、該ウエーハＷの裏面Ｗ２を研削して個片化する際に、デバイスチップＤＴの側壁３０ａや角が摺れ合うことを抑制でき、高品質なデバイスチップＤＴを得ることができる。また、溝形成工程Ｓ１１では、ウエーハＷに形成される溝３０は、デバイスチップＤＴの仕上がり厚さＨに対応する深さを有し、ウエーハＷの裏面Ｗ２に達していないため、プラズマエッチングの際に、ウエーハＷの裏面Ｗ２側を保持するダイシングテープ（不図示）がプラズマに曝されることを抑制できる。このため、ダイシングテープがプラズマ照射によって損傷することが抑制され、損傷によって生じた異物がウエーハＷに付着する不具合を防止できる。
【００４２】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。
【符号の説明】
【００４３】
１０  バックグラインドテープ（保護部材）
２０  チャックテーブル
３０  溝
３０ａ  側壁
Ｄ  デバイス
Ｌ  ストリート（分割予定ライン）
Ｐ  パッシベーション膜
Ｒ  レジスト膜
ＤＴ  デバイスチップ
Ｗ  ウエーハ（デバイスウエーハ）
ＷＳ  基板
Ｗ１  表面
Ｗ２  裏面
Ｗ１Ｄ  デバイス対応部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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