(57)【要約】【課題】紫外線を用いて複数の処理を行いつつも、サイズの増大を抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、紫外線照射手段２と、基板保持手段３１，３２を備える。紫外線照射手段２は、処理室１１，１２の境界に位置し、処理室１１，１２へ紫外線を照射可能である。基板保持手段３１は、処理室１１に配置されており、基板を紫外線照射手段２と対向するように保持する。基板保持手段３２は、処理室１２に配置されており、基板を紫外線照射手段２と対向するように保持する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理室および第２処理室の境界に位置し、前記第１処理室および前記第２処理室へ紫外線を照射可能な紫外線照射手段と、
前記第１処理室に配置されており、基板を前記紫外線照射手段と対向するように保持する第１基板保持手段と、
前記第２処理室に配置されており、基板を前記紫外線照射手段と対向するように保持する第２基板保持手段と
を備える、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記紫外線照射手段と前記第２基板保持手段との間の空間を、前記紫外線照射手段側の第１空間と前記第２基板保持手段側の第２空間とに仕切るように配置されており、前記紫外線照射手段からの紫外線を遮断しつつ、前記第１空間内の雰囲気と前記第２空間内の雰囲気とを連通させる遮光手段と、
前記第１空間へと気体を供給する気体供給手段と
を更に備える、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記遮光手段は、紫外線についての遮光性を有する第１板部および第２板部を有し、
前記第１板部には、少なくとも一つの第１貫通孔が形成され、
前記第２板部には、少なくとも一つの第２貫通孔が形成され、
前記第１板部および前記第２板部は、前記少なくとも一つの第１貫通孔の位置および前記少なくとも一つの第２貫通孔の位置がそれぞれの板面に平行な方向に互いにずれる配置関係で、互いに間隔を空けて対向して配置される、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記少なくとも一つの第１貫通孔および前記少なくとも一つの第２貫通孔が互いにずれた第１位置と、前記少なくとも一つの第１貫通孔および前記少なくとも一つの第２貫通孔が互いに位置的に整合する第２位置との間で、前記第１板部および前記第２板部を相対的に移動させる第１移動手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記少なくとも一つの第１貫通孔は複数の第１貫通孔を含み、
前記少なくとも一つの第２貫通孔は複数の第２貫通孔を含み、
前記第２位置において、前記複数の第１貫通孔は前記複数の第２貫通孔と一対一で対向する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項３から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記遮光手段と前記紫外線照射手段との間において、基板を前記紫外線照射手段と対向するように保持する第３基板保持手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第１処理室へ気体を供給する第１気体供給手段と、
前記第２処理室へ気体を供給する第２気体供給手段と
を備える、基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記第１気体供給手段および前記第２気体供給手段の少なくともいずれか一方は、複数種類の気体を選択的に供給する、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記第１処理室および前記第２処理室の少なくともいずれか一方に配置されており、前記紫外線照射手段からの紫外線を他方へ反射する少なくとも一つの反射手段と、
前記少なくとも一つの反射手段が前記紫外線照射手段と対向する位置と、前記少なくとも一つの反射手段が前記紫外線照射手段と対向しない位置との間で、前記少なくとも一つの反射手段を移動させる第２移動手段と
を更に備える、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記第２基板保持手段と前記紫外線照射手段との間において、低誘電体膜が形成された基板を前記紫外線照射手段と対向するように保持する第４基板保持手段を更に備える、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記第１基板保持手段は、低誘電体膜が形成された第１主面および低誘電体膜が形成されない第２主面を有する基板を、前記第２主面を前記紫外線照射手段に向けた姿勢で、保持する、基板処理装置。
【請求項１２】
基板を収容する収容器を保持する収容器保持部と、
処理液を用いた処理を基板に対して施すための基板処理部と、
前記収容器保持部と前記基板処理部との間を往復する基板が経由する基板通過部と
を備え、
前記基板通過部には、請求項１から請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置が設けられている、基板処理システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、
前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の各々と、前記収容器保持部との間で基板を受け渡す第１搬送手段と、
前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の各々と、前記基板処理部との間で基板を受け渡す第２搬送手段と
を備える、基板処理システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理システムであって、
前記第１搬送手段は、前記収容器保持部からの基板を前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の一方に渡し、前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の他方から前記収容器保持部へと基板を渡し、
前記第２搬送手段は、前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の前記一方から前記基板処理部へと基板を渡し、前記基板処理部から前記第１基板保持手段および前記第２基板保持手段の前記他方へと基板を渡す、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置および基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて酸化膜等の絶縁膜を有する基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に処理液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング等の終了後、基板上のレジストを除去する処理も行われる。
【０００３】
基板処理装置にて処理される基板には、基板処理装置に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のドライ工程が行われている。このようなドライ工程では、デバイス内に電荷が発生して帯電するため、基板は、帯電した状態で基板処理装置に搬入される（いわゆる、持ち込み帯電）。そして、基板処理装置において、ＳＰＭ液のような比抵抗が小さい処理液が基板上に供給されると、デバイス内の電荷が、デバイスから処理液へと急激に移動し（すなわち、処理液中へと放電し）、当該移動に伴う発熱によりデバイスにダメージが生じるおそれがある。
【０００４】
そこで、従来から、基板の帯電を防止する帯電防止装置が使用されている（例えば特許文献１）。この帯電防止装置はガス供給経路および照射部を備えている。照射部はガラス基板に対して紫外線を照射する。ガス供給経路は、ガラス基板と照射部との間の空間に連通している。酸素を含んだガスがこのガス供給経路を通って、当該空間へと供給される。この状態でガラス基板に紫外線が照射されることにより、ガラス基板の表面が親水化されて、ガラス基板の帯電が防止される。また、この紫外線によって、当該空間の酸素がオゾンに変化する。このオゾンによってガラス基板の親水化が促進される。
【０００５】
また半導体製造において、処理液を用いた処理が基板の表面に対して行われる。この処理液の種類によっては、処理液に含まれる有機物が不純物として基板に残留することがあった。
【０００６】
そこで、従来から、紫外線を用いて基板上の有機物を除去する装置も使用されている（例えば特許文献２）。特許文献２では、エキシマランプが用いられている。このエキシマランプは、例えば１７２［ｎｍ］の波長を有する紫外線を照射することができる。エキシマランプは有機物が付着された基板へとこの紫外線を照射する。これにより、基板上の有機物が分解および除去される。
【０００７】
なお本発明に関連する技術として、特許文献３〜７を提示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−６０２２１号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０４９４４号公報
【特許文献３】特開平７−２２５３０号公報
【特許文献４】特開２０１１−２３３７７４号公報
【特許文献５】特開２０１１−１２９５８３号公報
【特許文献６】特開２０１０−２５１５９６号公報
【特許文献７】特開２０１１−１２４４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
基板処理装置において、２つの処理室を形成し、基板保持部および紫外線光源の両方を各処理室に設けた場合には、装置全体のサイズが大型化する。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、紫外線を用いて複数の処理を行いつつも、サイズの増大を抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、第１の態様にかかる基板処理装置は、紫外線照射手段と、第１基板保持手段と、第２基板保持手段とを備える。紫外線照射手段は、第１処理室および第２処理室の境界に位置し、第１処理室および第２処理室へ紫外線を照射可能である。第１基板保持手段は、第１処理室に配置されており、基板を紫外線照射手段と対向するように保持する。第２基板保持手段は、第２処理室に配置されており、基板を紫外線照射手段と対向するように保持する。
【００１２】
第２の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、遮光手段と気体供給手段とを更に備える。遮光手段は前記紫外線照射手段と前記第２基板保持手段との間の空間を、前記紫外線照射手段側の第１空間と前記第２基板保持手段側の第２空間とに仕切るように配置されており、紫外線照射手段からの紫外線を遮断しつつ、前記第１空間内の雰囲気と前記第２空間内の雰囲気とを連通させる。気体供給手段は第２処理室へと気体を供給する。
【００１３】
第３の態様にかかる基板処理装置は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、遮光手段は、紫外線についての遮光性を有する第１板部および第２板部を有する。第１板部には、少なくとも一つの第１貫通孔が形成されている。第２板部には、少なくとも一つの第２貫通孔が形成されている。第１板部および第２板部は、少なくとも一つの第１貫通孔の位置および少なくとも一つの第２貫通孔の位置がそれぞれの板面に平行な方向に互いにずれる配置関係で、互いに間隔を空けて対向して配置される。
【００１４】
第４の態様にかかる基板処理装置は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、第１移動手段を更に備える。第１移動手段は、少なくとも一つの第１貫通孔および少なくとも一つの第２貫通孔が互いにずれた第１位置と、少なくとも一つの第１貫通孔および少なくとも一つの第２貫通孔が互いに位置的に整合する第２位置との間で、第１板部および第２板部を相対的に移動させる。
【００１５】
第５の態様にかかる基板処理装置は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの第１貫通孔は複数の第１貫通孔を含み、少なくとも一つの第２貫通孔は複数の第２貫通孔を含む。当該第２位置において、複数の第１貫通孔は複数の第２貫通孔と一対一で対向する。
【００１６】
第６の態様にかかる基板処理装置は、第３から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、第３基板保持手段を更に備える、第３基板保持手段は遮光手段と紫外線照射手段との間において、基板を紫外線照射手段と対向するように保持する。
【００１７】
第７の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備える。第１気体供給手段は第１処理室へ気体を供給する。第２気体供給手段は第２処理室へ気体を供給する。
【００１８】
第８の態様にかかる基板処理装置は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、第１気体供給手段および第２気体供給手段の少なくともいずれか一方は、複数種類の気体を選択的に供給する。
【００１９】
第９の態様にかかる基板処理装置は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの反射手段と、第２移動手段とを更に備える。少なくとも一つの反射手段は、第１処理室および第２処理室の少なくともいずれか一方に配置されており、紫外線照射手段からの紫外線を他方へと反射する。第２移動手段は、少なくとも一つの反射手段が紫外線照射手段と対向する位置と、少なくとも一つの反射手段が紫外線照射手段と対向しない位置との間で、少なくとも一つの反射手段を移動させる。
【００２０】
第１０の態様にかかる基板処理装置は、第１から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、第４基板保持手段を更に備える。第４基板保持手段は第２基板保持手段と紫外線照射手段との間において、低誘電体膜が形成された基板を紫外線照射手段と対向するように保持する。
【００２１】
第１１の態様にかかる基板処理装置は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、第１基板保持手段は、低誘電体膜が形成された第１主面および低誘電体膜が形成されない第２主面を有する基板を、第２主面を紫外線照射手段に向けた姿勢で、保持する。
【００２２】
第１２の態様にかかる基板処理システムは、基板を収容する収容器を保持する収容器保持部と、処理液を用いた処理を基板に対して施すための基板処理部と、前記収容器保持部と前記基板処理部との間を往復する基板が経由する基板通過部とを備える。基板通過部には、第１から第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置が設けられている。
【００２３】
第１３の態様にかかる基板処理システムは、第１２の態様にかかる基板処理システムであって、第１搬送手段と、第２搬送手段とを備える。第１搬送手段は、第１基板保持手段および第２基板保持手段の各々と、収容器保持部との間で基板を受け渡す。第２搬送手段は、第１基板保持手段および第２基板保持手段の各々と、基板処理部との間で基板を受け渡す。
【００２４】
第１４の態様にかかる基板処理システムは、第１３の態様にかかる基板処理システムであって、第１搬送手段は、収容器保持部からの基板を第１基板保持手段および第２基板保持手段の一方に渡し、第１基板保持手段および第２基板保持手段の他方から収容器保持部へと基板を渡す。第２搬送手段は、第１基板保持手段および第２基板保持手段の当該一方から基板処理部へと基板を渡し、基板処理部から第１基板保持手段および第２基板保持手段の当該他方へと基板を渡す。
【発明の効果】
【００２５】
基板処理装置によれば、第１処理室および第２処理室において、紫外線を用いた処理を行うことができる。しかも第１処理室および第２処理室によって、紫外線照射手段を共有できる。したがって、紫外線照射手段が第１処理室および第２処理室に別個に配置される場合に比べて、基板処理装置のサイズを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。
【図２】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図３】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図４】遮光部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図５】基板処理システムの動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図７】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図８】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図９】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図１０】基板処理システムの動作の一例を示すフローチャートである。
【図１１】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図１２】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図１３】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図１４】低誘電体膜の吸収率と波数との関係の一例を示すグラフである。
【図１５】低誘電体膜の吸収率と波数との関係の一例を示すグラフである。
【図１６】表面電荷と照射時間との関係の一例を示すグラフである。
【図１７】表面電荷と照射時間との関係の一例を示すグラフである。
【図１８】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
第１の実施の形態．
＜基板処理システムの全体構成の一例＞
図１は、基板処理システム１００の全体構成の一例を概略的に示す図である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２９】
基板処理システム１００は、半導体基板に対して種々の処理を施すための装置である。この基板処理システム１００は、例えば、収容器保持部１１０、基板通過部１２０および基板処理部１３０を備えている。収容器保持部１１０は基板収容器を保持する。この基板収容器には、例えば複数の基板が収容される。図１の例においては、複数の収容器保持部１１０が設けられており、これらは、水平面に平行な一方向（以下、Ｘ方向とも呼ぶ）に沿って配列されている。
【００３０】
基板処理部１３０は、基板に対して所定の処理を施すための装置である。図１の例においては、複数の基板処理部１３０（図示例では基板処理部１３０ａ〜１３０ｄ）が設けられている。基板処理部１３０ａ〜１３０ｄはそれぞれ基板に対して各種の処理を行う。説明の便宜上、各基板は基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの順に処理を受ける場合を想定する。例えば基板処理部１３０ａは基板に対して処理液（薬液、リンス液またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液などの処理液）を供給する。これにより、処理液に応じた処理が基板に対して行われる。後の基板処理部１３０ｃにおける処理にとって、基板に電荷が蓄積されていることは望ましくない。また、基板処理部１３０ｂによる処理（例えばＩＰＡを用いた処理）によって、有機物が不純物として基板の主面上に残留することがあり、そのような有機物は除去することが望ましい。
【００３１】
基板通過部１２０は収容器保持部１１０と基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの各々との間に位置している。未処理の基板は収容器保持部１１０から基板通過部１２０を経由して基板処理部１３０ａへと渡される。基板処理部１３０ａにおいて処理が施された処理済みの基板は、当該基板処理部１３０ａから基板通過部１２０を経由して、収容器保持部１１０、或いは、他の基板処理部１３０ｂへと渡される。基板処理部１３０ｂ〜１３０ｄの間の基板の時間順次の搬送も同様である。
【００３２】
基板通過部１２０は例えばインデクサロボット１２１、パス部１２２および搬送ロボット１２３を備えている。インデクサロボット１２１は次に説明するインデクサ搬送路１２４をＸ方向に往復移動することができる。インデクサ搬送路１２４は、複数の収容器保持部１１０に隣り合ってＸ方向に延びる搬送路である。インデクサロボット１２１は、このインデクサ搬送路１２４において、各収容器保持部１１０と対向する位置で停止することができる。
【００３３】
インデクサロボット１２１は例えばアームとハンドとを有している。ハンドはアームの先端に設けられており、基板を保持したり、或いは、保持した基板を解放できる。ハンドは、アームの駆動によって、水平面に平行かつＸ方向に垂直な方向（以下、Ｙ方向とも呼ぶ）に往復移動可能である。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０と対向した状態で、ハンドを収容器保持部１１０へと移動させて、未処理の基板を収容器保持部１１０から取り出したり、処理済みの基板を収容器保持部１１０に渡すことができる。
【００３４】
パス部１２２はインデクサ搬送路１２４に対して収容器保持部１１０とは反対側に位置している。例えばパス部１２２は、インデクサ搬送路１２４のＸ方向における中央部と対向する位置に形成されてもよい。例えばパス部１２２は、基板が載置される載置台あるいは棚を有していてもよい。インデクサロボット１２１はアームを水平面において１８０度回転させることができる。これにより、インデクサロボット１２１はハンドをパス部１２２へと移動させることができる。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０から取り出した基板をパス部１２２に渡したり、パス部１２２に載置された基板をパス部１２２から取り出すことができる。
【００３５】
搬送ロボット１２３はパス部１２２に対してインデクサ搬送路１２４とは反対側に設けられている。また複数（図１では４つ）の基板処理部１３０が搬送ロボット１２３を囲むように配置されている。図１の例においては、基板処理部１３０の各々に隣接する流体ボックス１３１が設けられている。流体ボックス１３１は、隣接する基板処理部１３０へと処理液を供給し、また当該基板処理部１３０から使用済の処理液を回収することができる。
【００３６】
搬送ロボット１２３もインデクサロボット１２１と同様に、アームおよびハンドを有している。この搬送ロボット１２３はパス部１２２から基板を取り出したり、パス部１２２に基板を渡すことができる。また搬送ロボット１２３は各基板処理部１３０へと基板を渡したり、各基板処理部１３０から基板を取り出すことができる。なおインデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３は、基板を搬送する搬送手段とみなすことができる。
【００３７】
これらの構成により、例えば次のような概略動作が行われ得る。すなわち、収容器保持部１１０に収容された各半導体基板は、インデクサロボット１２１によってパス部１２２に順次に搬送される。そして、基板は搬送ロボット１２３によって基板処理部１３０ａ〜１３０ｄに順次に搬送され、基板処理部１３０ａ〜１３０ｄにおいてそれぞれの処理を受ける。一連の処理が完了した基板は、パス部１２２およびインデクサロボット１２１によって収容器保持部１１０に戻される。
【００３８】
＜基板処理装置＞
図２および図３は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置１０は例えばパス部１２２に設けられてもよい。図２は例えばＹ方向に垂直な断面を示し、図３は例えばＸ方向に垂直な断面を示す。なお、基板処理装置１０は必ずしもパス部１２２に設けられる必要はなく、たとえば基板処理部１３０ｄとして設けられてもよい。言い換えれば、基板処理装置１０は複数の基板処理部１３０のうちの一部として設けられてもよい。
【００３９】
基板処理装置１０はチャンバ１、紫外線照射器２、基板保持部３１，３２、気体供給部４１，４２、遮光部５および排気部６１，６２を備えている。
【００４０】
チャンバ１は処理室１１，１２を有している。処理室１１，１２は例えば鉛直方向（以下、Ｚ方向とも呼ぶ）において、隣り合って形成されている。処理室１１，１２の境界には、紫外線照射器２が設けられている。つまり、処理室１１，１２は紫外線照射器２によって隔てられている。
【００４１】
紫外線照射器２は紫外線を発生し、当該紫外線を処理室１１，１２のいずれにも照射することが可能である。紫外線照射器２としては、例えばエキシマＵＶ（紫外線）ランプを採用できる。この紫外線照射器２は、例えば放電用のガス（例えば希ガスまたは希ガスハロゲン化合物）を充填した石英管と、当該石英管内に収納された一対の電極とを備えている。放電用のガスは一対の電極間に存在している。一対の電極間に高周波で高電圧を印加することにより、放電用ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電用ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。
【００４２】
紫外線照射器２は例えば平板状に形成されていてもよい。紫外線照射器２は例えばその法線方向がＺ方向に沿う姿勢で配置される。言い換えれば、紫外線照射器２は水平に配置される面光源である。あるいは、紫外線照射器２は円柱状の複数の紫外線単位照射器の配列として設けられてもよい。例えば複数の紫外線単位照射器のそれぞれは、その中心軸がＸ方向に沿う姿勢で配置される。この場合、複数の紫外線単位照射器はＹ方向に沿って並列的に配置される。つまり、この態様では、複数の紫外線単位照射器の水平に配置によって、実質的な面光源が構成される。
【００４３】
紫外線照射器２の処理室１１，１２側には、それぞれ保護用の石英ガラス板Ｇａ、Ｇｂが設けられてもよい。つまり、紫外線に対して透光性を有するとともに、耐熱性かつ対食性の板状体としての一対の石英ガラス板Ｇａ，Ｇｂの間に紫外線照射器２が位置してもよい。これらの石英ガラス板Ｇａ，Ｇｂは、外力および処理室１１，１２内の雰囲気に対して、紫外線照射器２を保護することができる。
【００４４】
一方の基板保持部３１は第１処理室１１に配置されている。基板保持部３１は、基板Ｗ１の主面が紫外線照射器２に対向するように、基板Ｗ１を保持する。基板Ｗ１が半導体基板（すなわち半導体ウエハ）の場合、基板Ｗ１は略円形の平板状であって、基板保持部３１はこの基板Ｗ１の外縁部分を支持する態様で基板Ｗ１を水平に保持する。
【００４５】
基板保持部３１の具体的な構成は特に限定されないものの、例えばチャンバ１の内側面に形成されてもよい。図２の例においては、チャンバ１の内側面のうち互いに向かい合う一対の内側面には、それぞれ溝状の凹部が形成されている。これらの凹部はＺ方向において略同じ高さに形成される。そして基板Ｗ１の直径方向における両端部がそれぞれ当該凹部に入り込む。基板Ｗ１は当該凹部のうち鉛直下方側の面において支持される。つまり、この凹部が基板保持部３１として機能する。
【００４６】
他方の基板保持部３２は第２処理室１２に設けられている。基板保持部３２は、基板Ｗ２の主面が紫外線照射器２に対向するように、基板Ｗ２を保持する。基板Ｗ２も例えば平板状の円形状を有している。基板保持部３２も基板Ｗ２を水平に保持する。基板保持部３２の具体的な構成は特に限定されないものの、例えば基板保持部３１と同様の構成を有していてもよい。
【００４７】
図３に示す気体供給部４１は第１処理室１１に気体を供給する。気体供給部４１は、例えば配管４１１〜４１３、気体収容部４１４，４１５および開閉弁４１６，４１７を備えている。チャンバ１の例えば側壁には、給気用の貫通孔１１ａが形成されている。貫通孔１１ａは処理室１１と配管４１１の一端とを連通する。この配管４１１の他端は配管４１２，４１３の一端の各々に接続されている。配管４１２の他端は気体収容部４１４に接続され、配管４１３の他端は気体収容部４１５に接続されている。気体収容部４１４，４１５は例えばボンベであって、それぞれ異なる気体が収容されている。例えば、気体収容部４１４には不活性ガス（例えば窒素またはアルゴンなど）が収容され、気体収容部４１５には酸素が収容されている。あるいは、気体収容部４１４，４１５の各々には、複数種の気体成分を含んだ混合気体が収容されてもよい。例えば酸素と窒素とを含んだ空気が気体収容部４１４，４１５のそれぞれに収容され、その混合比が気体収容部４１４，４１５において異なっていてもよい。配管４１２には開閉弁４１６が設けられ、配管４１３には開閉弁４１７が設けられている。開閉弁４１６，４１７はそれぞれ配管４１２，４１３の開閉を切り替える。
【００４８】
例えば開閉弁４１６が開き、開閉弁４１７が閉じたときには、気体収容部４１４に収容された気体（例えば窒素）が処理室１１へと供給される。一方で、開閉弁４１６が閉じ、開閉弁４１７が開いたときには、気体収容部４１５に収容された気体（例えば酸素）が処理室１１へと供給される。
【００４９】
排気部６１は配管６１１を有している。チャンバ１の例えば側壁には、排気用の貫通孔１１ｂが形成されている。貫通孔１１ｂは処理室１１と配管６１１の一端とを連通する。処理室１１内の気体は配管６１１を介して外部に排気される。
【００５０】
気体供給部４２は処理室１２に気体を供給する。気体供給部４２は、配管４２１〜４２３、気体収容部４２４，４２５および開閉弁４２６，４２７を備えている。配管４２１〜４２３、気体収容部４２４，４２５および開閉弁４２６，４２７は、配管４２１の一端の連通先を除いて、配管４１１〜４１３、気体収容部４１４，４１５および開閉弁４１６，４１７とそれぞれ同様である。配管４２１の一端は給気用の貫通孔１２ａに連通する。この貫通孔１２ａは例えばチャンバ１の側壁に形成されており、配管４２１の一端と処理室１２とを連通する。
【００５１】
この気体供給部４２によっても、開閉弁４２６，４２７の開閉が適宜に制御されることで、処理室１２へと異なる気体（例えば不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）および酸素）を選択的に供給することができる。
【００５２】
排気部６２は配管６２１を有している。チャンバ１の例えば側壁には、排気用の貫通孔１２ｂが形成されている。貫通孔１２ｂは処理室１２と配管６２１の一端とを連通する。処理室１２内の気体は配管６２１を介して外部に排気される。
【００５３】
遮光部５は処理室１２に配置されている。より具体的には、遮光部５は紫外線照射器２と基板Ｗ２との間の空間を、紫外線照射器２側の空間と基板保持部３２側の空間とに仕切るように配置されている。言い換えれば、基板保持部３２は、基板Ｗ２の主面が遮光部５を隔てて紫外線照射器２と対向するように、基板Ｗ２を保持する。遮光部５は適宜にチャンバ１に固定される。
【００５４】
遮光部５は紫外線を遮光しつつ、気体を通過させる。遮光部５は板部５１，５２を有している。図４は、Ｚ方向に沿って見た遮光部５の一部の構成を概略的に示す図である。板部５１，５２は板状の形状を有している。また板部５１，５２にはそれぞれ貫通孔５１１，５２１が形成されている。貫通孔５１１，５２１はそれぞれ板部５１，５２をその厚み方向に沿って貫通する。板部５１，５２は、紫外線についての遮光性を有している。例えば板部５１，５２は、その表面において、紫外線についての遮光用のフィルタを備えていてもよい。ただし貫通孔５１１，５２１には当該フィルタは設けられない。
【００５５】
これらの板部５１，５２はその厚み方向がＺ方向に沿う姿勢で配置される。つまり板部５１，５２は水平に配置される。また板部５１，５２は間隔を空けて互いに対向して配置される。板部５１は板部５２に対して紫外線照射器２側に配置されている。図４の例において、貫通孔５１１，５２１は複数形成されている。複数の貫通孔５１１は次の位置に形成されている。即ち、仮想的な四角形の４つの頂点と当該四角形の重心との各々に、貫通孔５１１が形成されており、この位置関係がＸ方向およびＹ方向に繰り返すように、複数の貫通孔５１１が分散して形成されている。複数の貫通孔５２１も同様である。
【００５６】
板部５１，５２は、貫通孔５１１の位置および貫通孔５２１の位置がその板面に平行な方向において互いにずれるように、配置されている。つまり、貫通孔５１１のいずれもが貫通孔５２１のいずれともＺ方向において対向しないように、板部５１，５２が配置される。
【００５７】
遮光部５と紫外線照射器２との間の空間１２Ａ、および、遮光部５と基板Ｗ２との間の空間１２Ｂは、遮光部５を介して連通する。具体的には、空間１２Ａ，１２Ｂは貫通孔５１１，５２１、および、板部５１，５２の間の空間によって互いに連通する。これによって、気体は空間１２Ａから遮光部５を通過して空間１２Ｂへと流れることができる。
【００５８】
その一方で、貫通孔５１１，５２１の位置が互いにずれているので、紫外線照射器２からの紫外線は遮光部５によって遮られる。具体的には、紫外線照射器２からの紫外線の一部は板部５１によって遮られ、紫外線の他の一部は貫通孔５１１を通過するものの、板部５２によって遮られる。よって、紫外線は基板Ｗ２の主面へと照射されにくい。すなわち、遮光部５は、遮光性かつ通気性の板状要素となっている。
【００５９】
図３の例においては、給気用の貫通孔１２ａは、空間１２Ａへと気体を供給するのに適した位置に設けられている。空間１２Ａには紫外線照射器２からの紫外線が照射されるので、気体供給部４２によって供給される気体へと効果的に当該紫外線を作用させることができる。気体供給部４２が酸素を供給する場合には、紫外線が効果的に酸素に作用するので、オゾンを効果的に発生させることができる。このオゾンは遮光部５を通過して基板Ｗ２に作用する。
【００６０】
なおチャンバ１には、基板Ｗ１，Ｗ２用の出入り口として機能するシャッタ（不図示）が設けられている。このシャッタが開いたときには、処理室１１，１２は外部と連通し、シャッタが閉じたときに、処理室１１，１２が密閉される。シャッタは処理室１１，１２に対して個別に設けられていてもよい。即ち、第１シャッタが開くことにより、処理室１１が外部と連通し、第２シャッタが開くことにより、処理室１２が外部と連通しても構わない。
【００６１】
また、基板処理装置１０がパス部１２２に配置される場合には、例えば、インデクサロボット１２１用のシャッタと、搬送ロボット１２３用のシャッタとが設けられれば良い。インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３は、対応するシャッタを介して基板を出し入れすることができる。なお、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３はそれぞれアームおよびハンドルをＺ方向に往復移動させることができる。これによって、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３はアーム及びハンドルをそれぞれ基板保持部３１，３２に適した高さに移動させることができる。これにより、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３は基板保持部３１，３２の各々に基板を渡したり、基板保持部３１，３２の各々から基板を取り出すことができる。
【００６２】
紫外線照射器２、開閉弁４１６，４１７，４２６，４２７およびシャッタは、制御部７によって制御される。
【００６３】
制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。
【００６４】
このような基板処理装置１０によれば、基板に対する紫外線を用いた処理を、それぞれ処理室１１，１２において行うことができる。しかも、紫外線照射器２は処理室１１，１２のいずれにも紫外線を照射することができる。つまり、紫外線照射器２は処理室１１，１２で共用される。したがって、処理室１１，１２において個別の紫外線照射器２を設ける場合に比べて、基板処理装置１０のサイズを低減することができ、また製造コストを低減することができる。
【００６５】
＜基板処理の動作の一例＞
次に、基板処理装置１０における具体的な動作の一例について説明する。図５は、基板処理装置１０の具体的な動作の一例を示すフローチャートである。図５は、処理室１１，１２における処理が並行して行われるときの動作の一例を例示している。まずステップＳ１にて、基板Ｗ１，Ｗ２がチャンバ１内に配置される。具体的には、制御部７が次の動作を行うように、シャッタと、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３とを制御する。即ち、チャンバ１のシャッタを開き、開いたシャッタを介して基板Ｗ１，Ｗ２をそれぞれ基板保持部３１，３２に配置し、その後、シャッタを閉じる。
【００６６】
次にステップＳ２にて、制御部７は例えば開閉弁４１６，４２７を開き、開閉弁４１７，４２６を閉じる。これにより、処理室１１には、気体収容部４１４に収容された気体（ここでは窒素）が供給され、処理室１２には、気体収容部４２５に収容された気体（ここでは酸素）が供給される。なおステップＳ２はステップＳ１の前に実行されてもよい。
【００６７】
次にステップＳ３にて、制御部７は紫外線照射器２に紫外線を照射させる。なお制御部７は、処理室１１，１２内の雰囲気（特に基板Ｗ１，Ｗ２の各々と紫外線照射器２との間の空気）が所定の雰囲気になったときに、ステップＳ３を実行してもよい。例えば制御部７はステップＳ２からの経過時間を計時する。経過時間の計時はタイマ回路などの計時回路によって行われ得る。制御部７はこの経過時間が所定の基準値よりも大きいか否かを判断し、肯定的な判断をしたときに、ステップＳ３を実行してもよい。あるいは、処理室１１，１２内の雰囲気を計測してもよい。
【００６８】
図６は、ステップＳ３における基板処理装置１０の状態を模式的に示している。図６においては、紫外線照射器２が処理室１１，１２に紫外線を照射していることを、両端矢印で示している。
【００６９】
この紫外線は処理室１１において基板Ｗ１の主面に照射される。これにより、基板Ｗ１に蓄積されていた電荷が除去される。電荷が除去される理由の一つは、紫外線に起因した光電効果が、基板Ｗ１において生じるからである、と考えられている。紫外線の波長としては例えば２５２［ｎｍ］以下の波長を採用できる。この波長範囲において、基板Ｗ１の電荷を効果的に除去できるからである。より効果的な波長として、１７２±２０［ｎｍ］内の波長を採用できる。
【００７０】
紫外線照射器２からの紫外線は処理室１２へも照射される。この紫外線は、紫外線照射器２と遮光部５との間の酸素によって吸収される。これにより、オゾンが発生する。オゾンは遮光部５を通過して基板Ｗ２の主面に作用する。図６の例においては、このオゾンの流れが、その分子式の近傍に付記された矢印によって模式的に表現されている。基板Ｗ２の主面にオゾンが作用することにより、基板Ｗ２の主面に存在する有機物を酸化して、当該有機物を分解および除去することができる。
【００７１】
その一方で、紫外線は遮光部５によって遮られるので、基板Ｗ２に照射される紫外線を低減または回避できる。これによれば、次に説明するような紫外線による基板Ｗ２へのダメージを低減することができる。例えば基板Ｗ２の主面に低誘電体膜が形成されている場合がある。この低誘電体膜はＬｏｗ−ｋ膜とも呼ばれる。この低誘電体膜の材料には、ＳｉＯ２を含んだ有機化合物が採用され得る。この有機化合物には、Ｓｉ−Ｃ結合が存在する。Ｓｉ−Ｃ結合の結合エネルギーは例えば０［Ｋ］において、２９３［ｋＪ／ｍｏｌ］である。その一方で、１７２ｎｍの波長の紫外線のエネルギーは６９４［ｋＪ／ｍｉｎ］であり、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーより高くなり得る。よって、基板Ｗ２の主面への紫外線の照射により、Ｓｉ−Ｃ結合が切断され得る。これにより、低誘電体膜のｋ値（誘電率）が増大し得る。つまり、紫外線により基板Ｗ２にダメージ（例えばＳｉ−Ｃ結合の切断）が生じ得る。このｋ値が増大すると、製造された半導体デバイスにおいて配線遅延が生じ、応答速度が低下する。他方、図６の例においては、遮光部５が紫外線を遮るので、基板Ｗ２への当該ダメージを抑制できる。
【００７２】
再び図５を参照して、ステップＳ４にて、制御部７は処理を終了すべきか否かを判断する。例えば制御部７はステップＳ３からの経過時間が所定時間を超えているときに、処理を終了すべきと判断してもよい。処理を終了すべきでないと判断したときには、制御部７は再びステップＳ４を実行する。処理を終了すべきと判断すると、ステップＳ５にて、制御部７は紫外線照射器２を停止させる。次にステップＳ６にて、制御部７は開閉弁４２７を閉じ、開閉弁４２６を開く。これにより、処理室１２には、気体収容部４２４に収容された気体（ここでは窒素）が供給される。これにより、オゾンが適切に排気される。
【００７３】
以上のように、本動作によれば、単一の紫外線照射器２を用いつつも、処理室１１，１２において処理を行うことができる。
【００７４】
＜基板の裏面への照射＞
基板Ｗ１の一方の主面（以下、表面とも呼ぶ）に低誘電体膜が形成され、他方の主面（以下、裏面とも呼ぶ）に低誘電体膜が形成されない場合、基板保持部３１は、基板Ｗ１の裏面を紫外線照射器２に向けた姿勢で、基板Ｗ１を保持してもよい。言い換えれば、制御部７はインデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御して、基板Ｗ１の裏面が紫外線照射器２に向くように、基板Ｗ１を基板保持部３１に渡してもよい。図２の例においては、基板保持部３１が紫外線照射器２の鉛直上方に位置している。よって、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、表面を鉛直上方に向けて基板Ｗ１を搬送し、その姿勢で基板Ｗ１を基板保持部３１に配置すればよい。
【００７５】
これによれば、低誘電体膜が形成された基板Ｗ１の表面が紫外線照射器２に向く場合に比して、紫外線による低誘電体膜へのダメージを低減することができる。紫外線が低誘電体膜に直接に照射されないからである。
【００７６】
＜パス部を経由した往復移動＞
基板処理装置１０がパス部１２２に配置される場合、基板は、収容器保持部１１０から基板処理部１３０への往路、および、基板処理部１３０から収容器保持部１１０への復路のいずれにおいても、基板処理装置１０を経由する。そこで、基板処理システム１００は、例えば往路において基板に処理室１１，１２の一方を経由させ、復路において当該基板に処理室１１，１２の他方を経由させてもよい。言い換えれば、例えば、インデクサロボット１２１は収容器保持部１１０からの基板保持部３１，３２の一方へ基板を渡し、基板保持部３１，３２の他方から収容器保持部１１０へ基板を渡してもよい。搬送ロボット１２３は、当該一方から基板処理部１３０へ基板を渡し、基板処理部１３０から当該他方へ基板を渡してもよい。これによれば、基板処理システム１００における往復搬送において、処理室１１，１２の処理の両方を行うことができる。
【００７７】
具体的な一例として、制御部７は次に説明する動作を行うように、基板処理システム１００の各構成を制御してもよい。例えば往路において処理室１１を用いる。具体的には、インデクサロボット１２１は収容器保持部１１０から基板を取り出し、この基板を処理室１１の基板保持部３１に載置する。この基板は処理室１１において上述のように除電処理が施される。電荷が除去された基板は搬送ロボット１２３によって基板処理部１３０へと渡される。基板処理部１３０は、処理液を用いた処理を基板の主面に対して行う。基板の電荷は既に除去されているので、基板処理部１３０においては、処理液によるアーキングが発生しにくく、適切にこの処理を行うことができる。
【００７８】
処理液の種類によっては、基板の主面には有機物が残留する。そこで、復路において処理室１２を用いる。具体的には、搬送ロボット１２３は、処理済みの基板を基板処理部１３０から取り出し、この基板を処理室１２の基板保持部３２に載置する。この基板は処理室１２において上述のように有機物除去処理が施される。これにより、基板の有機物が除去される。インデクサロボット１２１は処理室１２から基板を取り出し、この基板を収容器保持部１１０へ渡す。
【００７９】
これによれば、基板処理部１３０の処理の前後において適した処理を、パス部１２２において行うことができる。
【００８０】
＜処理室１１への酸素供給＞
上述の例では、ステップＳ２にて、窒素が処理室１１に供給された。しかるに、必ずしもこれに限らない。例えば有機物の除去に主眼をおく場合には、処理室１１に酸素が供給されてもよい。具体的には、制御部７は開閉弁４１６を閉じ、開閉弁４１７を開く。これにより気体収容部４１５に収容された気体（ここでは酸素）が処理室１１に供給される。
【００８１】
図７は、処理室１１，１２に酸素が供給されたときの、基板処理装置１０の状態の一例を模式的に示している。この場合、処理室１１においてもオゾンが比較的多く発生し、このオゾンが基板Ｗ１の主面に作用する。オゾンが基板Ｗ１の主面に作用するので、基板Ｗ１の主面に存在する有機物を効果的に除去することができる。
【００８２】
上述の動作においては処理室１１にてオゾンが発生するので、ステップＳ６にて、処理室１１への酸素の供給を停止し、窒素を供給してもよい。これにより、処理室１１内のオゾンを適切に排気できる。
【００８３】
＜変形例＞
上述の例では、遮光部５が配置されているものの、基板Ｗ２の主面へと紫外線を照射してもよい場合には、遮光部５は必ずしも必要ではない。また上述の例では、気体供給部４１，４２は異なる種類の気体を選択的に供給できるものの、これも必須要件ではない。要するに、紫外線照射器２が処理室１１，１２で共用さればよい。これによって、基板処理装置１０のサイズを低減する、という効果を招来できるからである。
【００８４】
第２の実施の形態．
図８および図９は、基板処理装置１０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ａは移動機構８を有しており、この点で基板処理装置１０と相違する。なお図８および図９においては、気体供給部４１，４２および排気部６１，６２の図示を省略している。後に参照する他の図面でもこれらが省略されることがある。
【００８５】
移動機構８は処理室１２に配置されている。移動機構８は板部５１，５２を相対的に移動させることができる。より具体的には、移動機構８は、貫通孔５１１，５２１が互いにずれた第１位置（図８参照）と、貫通孔５１１，５２１がＺ方向において互いに対向する第２位置（図９参照）との間において、板部５１，５２を相対的に移動させる。移動機構８の動作は例えば制御部７によって制御される。移動機構８としては例えば公知の一軸ステージ（Ｘ軸ステージとも呼ばれる）を採用できる。例えば移動機構８は板部５１を移動させる。
【００８６】
また、板部５１における貫通孔５１１の分布と、板部５２における貫通孔５２１の分布とは、その形成位置が異なるだけであって、分布の形態は互いに対応している。つまり、個々の貫通孔５１１，５２１の大きさは同一であり、またその形成間隔や配列方向も同一である。したがって、板部５１，５２のうちの一方を他方に対して水平方向（Ｙ方向）にずらせば、各貫通孔５１１，５２１の形成位置が互いに整合するようになっている。
【００８７】
移動機構８が板部５２を板部５１に対して第１位置（図８）で停止させた場合、紫外線照射器２からの紫外線は、第１の実施の形態と同様に、遮光部５によって遮られる。一方で、移動機構８が板部５２を板部５１に対して第２位置（図９）で停止させた場合、紫外線照射器２からの紫外線は、貫通孔５１１，５２１を通過して、基板Ｗ２の主面に照射される。したがって、紫外線を基板Ｗ２の主面に作用させることができる。
【００８８】
以上のように、基板処理装置１０Ａによれば、紫外線を基板Ｗ２の主面に照射させるか否かを、板部５１，５２の位置関係によって制御できる。例えば制御部７は、基板Ｗ２の主面に低誘電体膜が形成されているか否かの情報を外部から受け取る。この情報は基板への処理内容を規定する、いわゆるレシピ（作業指示書）に含まれていてもよい。そして、制御部７は、低誘電体膜が基板Ｗ２の主面に形成されているときには、板部５２が板部５１に対して第１位置（図８）で停止するように、移動機構８を制御してもよい。一方で、低誘電体膜が基板Ｗ２の主面に形成されていないときには、制御部７は板部５２が板部５１に対して第２位置（図９）で停止するように、移動機構８を制御してもよい。これによれば、基板Ｗ２の主面に紫外線が照射されるので、例えば光電効果に起因して、電荷の除去を行うことができる。
【００８９】
既述したように、貫通孔分布の形態は２つの板部５１，５２で共通しており、複数の貫通孔５１１は第２位置において、それぞれ複数の貫通孔５２１とＺ方向で対向する。つまり複数の貫通孔５１１，５２１は一対一で互いに対向する。図４に示す例では、Ｚ方向から見た複数の貫通孔５２１の相対位置関係は、複数の貫通孔５１１の相対位置関係と同じである。これによれば、板部５１，５２を水平方向に相対的に移動させることにより、複数の貫通孔５１１を一対一で複数の貫通孔５２１と対向させることができる。これにより、遮光部５はより広い領域で紫外線を通過させることができる。よって、より広い範囲で基板Ｗ２の主面へ紫外線を照射できる。
【００９０】
もちろん、複数の貫通孔５１１，５２１の形状、大きさおよび位置関係は適宜に設定されていればよく、必ずしも図４の態様に限らない。例えば、Ｘ方向に長いスリット状の複数の貫通孔が円形の貫通孔５１１のかわりにＹ方向に沿って並んで配置されてもよい。貫通孔５２１についても同様である。このとき、板部５１におけるスリット状の貫通孔のピッチと、板部５２におけるスリット状の貫通孔のピッチを略同一に設定する。これによれば、板部５２を板部５１に対してＹ方向に移動させることにより、板部５１における貫通孔と，板部５２における貫通孔とが一対一でＺ方向において対向する。
【００９１】
上記の第２位置における２組の貫通孔の位置的な整合は、完全一致を必須とするものではない。すなわち、一部で一致していない箇所がある場合でも、多くの貫通孔の位置が互いに一致しており、処理に十分な紫外線を透過させることができれば、それでもかまわない。また、板部５１，５２のそれぞれにおいて、各貫通孔のサイズが小さくかつ水平方向に隣接する貫通孔の間隔が狭くなっていて、板部５１、５２のそれぞれが「網状」に近い場合も、「貫通孔を持つ板状の部材」の概念に属するものとする。板部５１，５２のそれぞれにおける貫通孔の数は１つである場合でも、それが往復蛇行させたスリットのように、空間的な選択的透光分布を実現しているものであれば、それでもかまわない。貫通孔の形状や分布に関するこれらの条件は、この実施形態だけでなく、他の実施形態においても共通に適用可能である。
【００９２】
基板保持部３２はＺ方向を回転軸として基板Ｗ２を回転させてもよい。具体的には、基板保持部３２は、基板Ｗ２を保持するステージ（不図示）と、ステージを回転させる回転機構（不図示）とを備えていればよい。回転軸は例えば基板Ｗ２の中心を通る。このような基板保持部３２としては、いわゆるスピンチャックを採用できる。これによれば、遮光部５を通過した紫外線を、より広い範囲でより均一に基板Ｗ２の主面に作用させることができる。
【００９３】
＜基板処理動作の一例＞
図１０は、基板処理装置１０Ａの動作の一例を示すフローチャートである。図１０は、紫外線を基板の主面に照射して電荷を除去する除電処理が、処理室１１，１２において並行して行われるときの動作を例示している。まずステップＳ１１にて、ステップＳ１と同様にして、基板Ｗ１，Ｗ２がそれぞれ基板保持部３１，３２に配置される。
【００９４】
次にステップＳ１２にて、制御部７は開閉弁４１６，４２６を開き、開閉弁４１７，４２７を閉じる。これにより、処理室１１には、気体収容部４１４に収容された気体（ここでは窒素）が供給され、処理室１２には、気体収容部４２４に収容された気体（ここでは窒素）が供給される。
【００９５】
次にステップＳ１３にて、制御部７は移動機構８を制御して、貫通孔５１１，５２１がＺ方向において互いに対向するように、板部５１，５２を相対的に移動させる。なおステップＳ１１〜Ｓ１３の実行順序はこれに限らず、適宜に変更してもよい。
【００９６】
次にステップＳ１４にて、制御部７は紫外線照射器２に紫外線を照射させる。なおステップＳ１４は、ステップＳ３と同様に、処理室１１，１２内の雰囲気が所望の雰囲気になったときに、実行されればよい。
【００９７】
図１１は、基板処理装置１０Ａの構成の一例を示す図である。図１１は、ステップＳ１４における基板処理装置１０Ａの状態を模式的に示している。処理室１１，１２には窒素が供給されている。また図１１においては、紫外線照射器２が処理室１１，１２に紫外線を照射していることを、紫外線照射器２に始点を有する矢印で示している。紫外線照射器２は処理室１１において基板Ｗ１の主面へ紫外線を照射するとともに、処理室１２において、貫通孔５１１，５２１を通過して、基板Ｗ２の主面へ紫外線を照射する。
【００９８】
これによれば、基板Ｗ１，Ｗ２の主面に紫外線を照射できるので、例えば光電効果により、基板Ｗ１，Ｗ２に蓄えられた電荷を除去することができる。なお紫外線の照射中において、制御部７は基板保持部３２に基板Ｗ２を回転させてもよい。
【００９９】
第３の実施の形態．
図１２は、基板処理装置１０Ｂの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ｂは基板保持部３３を有しており、この点で基板処理装置１０と相違する。基板保持部３３は例えば処理室１２に配置されており、基板Ｗ２の主面を紫外線照射器２に対向させるように、基板Ｗ２を保持することができる。またこの基板保持部３３は、基板保持部３２よって保持される基板とは異なる位置で、基板Ｗ２を保持する。例えば基板保持部３３は基板保持部３２よりも紫外線照射器２に近い位置で、基板Ｗ２を保持する。より具体的な一例として、基板保持部３３は紫外線照射器２と遮光部５との間において基板Ｗ２を保持する。基板保持部３３の具体的な構成は特に限定されないものの、例えば基板保持部３２と同様の構成（例えばチャンバ１の内側面に形成された凹部）を有していてもよい。
【０１００】
基板Ｗ２が基板保持部３３に載置された場合には、遮光部５を介すことなく、紫外線を基板Ｗ２の主面に照射できる。これによれば、基板Ｗ２のより広い範囲に紫外線を照射できる。よって、より効果的に基板Ｗ２の電荷を除去できる。また、基板Ｗ２を紫外線照射器２の近くに載置できるので、基板Ｗ２の主面における紫外線の強度を向上できる。これによれば、基板Ｗ２の電荷をより速やかに除去することができる。
【０１０１】
第４の実施の形態．
図１３は、基板処理装置１０Ｃの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ｃは、基板処理装置１０Ｂから遮光部５を省略した構成を有している。基板処理装置１０Ｃは基板保持部３２，３３を有しているので、基板Ｗ２を基板保持部３２，３３の一方に選択的に載置できる。
【０１０２】
ところで、低誘電体膜が形成された基板Ｗ２の主面へと紫外線を照射すると、上述のとおり、低誘電体膜にダメージが生じ得る。このダメージ量（例えばｋ値の増大量）は紫外線の強度が高いほど大きい。
【０１０３】
紫外線の強度は紫外線照射器２からの距離が長いほど低い。そして、基板保持部３２は紫外線照射器２から遠く、基板保持部３３は紫外線照射器２に近い。よって、基板保持部３２によって保持された基板Ｗ２における紫外線の強度は、基板保持部３３によって保持された基板Ｗ２における紫外線の強度よりも低い。よって、基板Ｗ２が基板保持部３２によって保持される場合には、低誘電体膜へのダメージを低減することができる。
【０１０４】
その一方で、基板Ｗ２における紫外線の強度が高いほど、短時間で電荷を除去できる。よって、電荷の除去速度は、基板Ｗ２が基板保持部３２によって保持された場合よりも、基板Ｗ２が基板保持部３３によって保持された場合の方が、高い。
【０１０５】
以下、低誘電体膜へのダメージ量と照射時間との関係、および、電荷の除去と照射時間との関係について考察する。ここでは、低誘電体膜へのダメージ量を、当該低誘電体膜の光の吸収率の変化で評価する。図１４および図１５は、低誘電体膜の吸収率と光の波数との関係の一例を模式的に示している。低誘電体膜として多孔質有機ケイ酸塩（ＯＳＧ２．４）を採用している。この低誘電体膜におけるＳｉ−ＣＨ３結合に対応する波数は、１２７４［ｃｍ−１］である。
【０１０６】
図１４は、基板の主面における紫外線の強度が高いときの当該関係を示しており、図１５は、基板の主面における紫外線の強度が低いときの当該関係を示している。例えば基板の主面における紫外線の強度は、図１４では１９［ｍｍ／ｃｍ２］であり、図１５では２［ｍｍ／ｃｍ２］である。ここでは、紫外線の強度は、基板と紫外線照射器と間の距離を調整することで調整されており、例えば当該距離は、図１４では３［ｍｍ］であり、図１５では１７．６［ｍｍ］である。
【０１０７】
図１４においては、紫外線照射前の吸収率を曲線Ｒ０で示し、紫外線照射から１０秒後、２０秒後および３０秒後の吸収率をそれぞれ曲線Ｒ１１〜Ｒ１３で示している。図１５においては、紫外線照射から５分後、７分後および１０分後の吸収率をそれぞれ曲線Ｒ２１〜Ｒ２３で示している。
【０１０８】
図１６および図１７は、基板の主面における電位（表面電荷とも呼ぶ）と照射時間との関係の一例を模式的に示している。なお図１６においては横軸が示す時間の単位は秒であり、図１７においては横軸が示す時間の単位は分である。図１６は、基板の主面における紫外線の強度が高いときの上記関係を示し、図１７は、基板の主面における紫外線の強度が低いときの上記関係を示している。図１６における紫外線の強度の値は図１４における紫外線の強度と同じであり、図１７における紫外線の強度の値は図１５における紫外線の強度と同じである。
【０１０９】
ところで、低誘電体膜は光電効果が生じにくいので、イオンによる電荷の除去が用いられることがある。例えば酸素イオンを利用することができる。この酸素イオンは、紫外線が酸素によって吸収されることで発生し得る。当該酸素イオンが基板に採用することにより、基板の電荷を除電できる。ここでは、基板と紫外線照射器との間の空間の酸素濃度を２０．９[％]とした。
【０１１０】
図１６および図１７に示すように、紫外線の強度が高い場合、紫外線の照射によって速やかに電荷が除去される。よって、電荷の除去という観点のみでは、紫外線の強度は高いことが望ましい。しかしながら、紫外線の強度が高い場合、図１４に示すように、紫外線の照射開始から１０秒後には、波数１２７４［ｃｍ−１］における吸収率の変化が現れている（曲線Ｒ１１）。つまり、紫外線の照射開始から１０秒後には、低誘電体膜にはダメージが生じている。この時の表面電荷は、図１６の例においては、−５０［Ｖ］よりも小さい。
【０１１１】
一方で紫外線の強度が低い場合、図１５に示すように、紫外線の照射開始から５分後でも、波数１２７４［ｃｍ−１］における吸収率にほとんど変化はなく（曲線Ｒ２１）、７分後に変化が現れている（曲線Ｒ２２）。つまり紫外線の照射開始から５分以内には、基板に対するダメージはほとんど生じていない。そして、紫外線の照射開始から５分後における表面電荷は、図１７に示すように、−３０［Ｖ］よりも大きく−２０［Ｖ］よりも小さい。つまり、図１６に示す１０秒後の表面電荷に比べて、電荷を除去できていることが分かる。
【０１１２】
以上のように、基板の主面における紫外線の強度を低くすることにより、低誘電体膜へのダメージを抑制しつつも、電荷を除去できることが分かる。
【０１１３】
そこで、制御部７は、基板Ｗ２の主面に低誘電体膜が形成されているときには、基板Ｗ２を基板保持部３２に渡すように、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御する。これによれば、低誘電体膜へのダメージを抑制しつつ、効果的に電荷を除去することができる。
【０１１４】
その一方で、制御部７は、基板Ｗ２の主面に低誘電体膜が形成されていないときには、基板Ｗ２を基板保持部３３に渡すように、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御する。これによれば、基板Ｗ２の電荷をより速やかに除去できる。
【０１１５】
以上のように、基板Ｗ２に低誘電体膜が形成されているときには、基板Ｗ２は基板保持部３２によって保持され、基板Ｗ２に低誘電体膜が形成されていないときには、基板Ｗ２は基板保持部３３によって保持される。基板Ｗ２に低誘電体膜が形成されているか否かの情報は、例えば外部の装置から受け取ってもよい。
【０１１６】
第５の実施の形態．
図１８は、基板処理装置１０Ｄの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ｄは、反射部９１，９２および移動機構９３，９４を備えるという点で、基板処理装置１０と相違する。
【０１１７】
反射部９１および移動機構９３は処理室１１に配置される。反射部９１は反射面を有しており、当該反射面において紫外線を反射する。反射部９１の反射面は、紫外線についての反射率が高い部材によって形成されていればよく、例えば表面粗さの低いアルミであってもよい。例えば反射部９１は例えば板状に形成されており、その一方の主面が反射面として機能する。
【０１１８】
移動機構９３は、反射部９１を次の２つの位置の間で移動させる。一つ目の位置は、反射部９１が紫外線照射器２と対向する位置（以下、第１反射位置と呼ぶ）である。この第１反射位置においては、反射部９１の反射面が紫外線照射器２に対向する。この状態では、紫外線照射器２から照射された紫外線は、反射部９１によって、紫外線照射器２へと反射される。言い換えれば、第１反射位置は、反射部９１が紫外線を紫外線照射器２へと反射させることが可能な位置であればよい。二つ目の位置は、反射部９１が紫外線照射器２に対向しない位置である。
【０１１９】
反射部９２および移動機構９４は処理室１２に配置される。反射部９２は反射面を有しており、当該反射面において紫外線を反射する。反射部９２の反射面は、紫外線についての反射率が高い部材によって形成されていればよく、例えば表面粗さの低いアルミであってもよい。例えば反射部９２は例えば板状に形成されており、その一方の主面が反射面として機能する。
【０１２０】
移動機構９４は、反射部９２を次の２つの位置の間で移動させる。一つ目の位置は、反射部９２が紫外線照射器２と対向する位置（以下、第２反射位置と呼ぶ）である。この第２反射位置においては、反射部９２の反射面が紫外線照射器２に対向する。この状態では、紫外線照射器２から照射された紫外線は、反射部９２によって、紫外線照射器２へと反射される。言い換えれば、第２反射位置は、反射部９２が紫外線を紫外線照射器２へと反射させることが可能な位置であればよい。二つ目の位置は、反射部９２が紫外線照射器２に対向しない位置である。
【０１２１】
反射部９１，９２の反射面は、紫外線照射器２の全面に亘って対向できる程度の広さを有していてもよい。これによれば、より広い範囲で紫外線を紫外線照射器２へと反射することができる。
【０１２２】
紫外線照射器２は外部から入射された紫外線を通過させることができる。例えば、石英ガラス製のケースの内部において、一対の電極を水平方向（例えばＸ方向またはＹ方向）で対向させ、その間に放電ガスを充填させる。これによれば、紫外線はＺ方向において石英ガラスを通過する。つまり、外部からの紫外線は紫外線照射器２をＺ方向に通過する。
【０１２３】
移動機構９３は例えば一軸ステージであって、例えば直線的に反射部９１を移動させてもよい。あるいは、移動機構９３は、反射部９１を水平面において円弧上に移動させてもよい。この場合、例えば移動機構９３は、Ｚ方向を回転軸として回動する回転体と、当該回転体に連結された一端と、反射部９１に連結される他端とを有する連結部とを有していてもよい。連結部は回転体についての径方向に延在する。これによれば、回転体の回動に伴って、反射部９１が円弧上を移動する。移動機構９４も同様である。移動機構９３，９４の動作は制御部７によって制御される。
【０１２４】
反射部９１，９２の両方が紫外線照射器２と対向しないときには、紫外線照射器２は基板Ｗ１と、基板Ｗ２（あるいは遮光部５）とに対して紫外線を照射できる。
【０１２５】
反射部９１が紫外線照射器２と対向し、反射部９２が紫外線照射器２と対向しないときには、紫外線照射器２から処理室１１へと照射した紫外線は反射部９１によって反射される。反射した紫外線は紫外線照射器２を通過して処理室１２へ照射される。これにより、処理室１２へと照射される紫外線の量を向上することができる。この場合、処理室１１では基板に対する処理は行われない。
【０１２６】
同様に、反射部９１が紫外線照射器２と対向せず、反射部９２が紫外線照射器２と対向するときには、紫外線照射器２から処理室１２へと照射した紫外線は反射部９２によって反射され、紫外線照射器２を通過して、処理室１１へ照射される。これにより、処理室１１へと照射される紫外線の量を向上することができる。この場合、処理室１２では基板に対する処理は行われない。
【０１２７】
以上のように、処理室１１，１２の一方において基板に対する処理が行われ、他方において基板に対する処理が行われない場合、紫外線が不要な他方の処理室に照射される紫外線を、紫外線が必要な一方の処理室へと供給することができる。これによれば、紫外線を有効に利用することができる。
【０１２８】
また、第４の実施の形態において説明したように、低誘電体膜が形成された基板に対しては、基板における紫外線の強度を低下させることが望ましい。そこで、制御部７は低誘電体膜の有無に応じて、移動機構９３，９４を制御してもよい。
【０１２９】
例えば、低誘電体膜が形成されていない基板Ｗ１に対する処理を処理室１１において行う場合、制御部７は、反射部９１が紫外線照射器２と対向しないように、移動機構９３を制御し、反射部９２が紫外線照射器２と対向するように、移動機構９３を制御する。これにより、基板Ｗ１の主面における紫外線の強度を向上できるので、速やかに基板Ｗ１に蓄えられた電荷を除去することができる。
【０１３０】
その一方で、低誘電体膜が形成された基板Ｗ１に対する処理を処理室１１において行う場合には、制御部７は、反射部９１，９２が紫外線照射器２と対向しないように、移動機構９３，９４を制御する。これによれば、基板Ｗ１の主面における紫外線の強度を低減できるので、低誘電体膜へのダメージを低減しつつも、基板Ｗ１に蓄えられた電荷を効果的に除去することができる。同様の動作は、処理室１２において処理を行う場合にも適用できる。
【０１３１】
なお第１から第５の実施の形態においては、処理室１１，１２における紫外線を用いた処理として、電荷の除去処理（除電処理）および有機物の除去処理を例示した。しかしながら、紫外線を用いた処理はこれらに限らない。例えば基板に残った撥水剤の除去処理を採用してもよい。例えば基板の薬液を除去するために純水で基板の表面をリンスすることがある。この純水を乾燥させると、基板に形成されたパターンが表面張力により倒壊する可能性がある。これを防止すべく、撥水剤が基板の表面に供給されることがある。純水の乾燥後に残った撥水剤は、紫外線が照射されることにより、除去される。また、オゾンが作用することによっても、除去される。
【符号の説明】
【０１３２】
１  チャンバ
２  紫外線照射手段（紫外線照射器）
３１〜３３  基板保持手段（基板保持部）
５  遮光手段（遮光部）
８  移動手段（移動機構）
１０  基板処理装置
１１，１２  処理室
４１，４２  気体供給手段（気体供給部）
５１，５２  板部
９１，９２  反射手段（反射部）
９３，９４  移動手段（移動機構）
１００  基板処理システム
１１０  収容器保持部
１２０  基板通過部
１２１  搬送手段（インデクサロボット）
１２３  搬送手段（搬送ロボット）
１３０  基板処理部
５１１，５２１  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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