(57)【要約】【課題】より小さな圧力においてもより高い精度で圧力計測できるようにする。【解決手段】可動領域１２１の外側にダイアフラム１０２の変位が規制されている参照領域１２２を備える。参照領域１２２においては、ダイアフラム１０２と基台１０１との間隔が変化しない。ダイアフラム１０２の参照領域１２２に、第１参照電極１０６を配置している。また、第１参照電極１０６に向かい合う位置の基台１０１に、第２参照電極１０７を形成している。【選択図】  図１
2018115903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
前記基台の表面から離間して前記基台と向かい合う対向面を有するダイアフラムと、
前記ダイアフラムの前記基台と向かい合う対向面のうち前記ダイアフラムが変位可能とされている可動領域の内側に設けられた第１電極と、
前記基台の表面に設けられて前記第１電極と向かい合う第２電極と、
前記ダイアフラムの前記対向面のうち前記可動領域の外側の前記ダイアフラムの変位が規制されている参照領域に設けられた第１参照電極と、
前記基台の表面に設けられて前記第１参照電極に向かい合う第２参照電極と
を備えることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
請求項１記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムの前記対向面の上の前記第１電極の周囲に設けられて前記第１参照電極に接続された第３参照電極と、
前記基台の表面に設けられ、前記第２参照電極に接続されて前記第３参照電極に向かい合う第４参照電極と
を備え、
前記第１電極と前記第３参照電極および前記第２電極と前記第４参照電極の少なくとも一方は電気的に絶縁され、
前記第３参照電極の少なくとも一部は、前記ダイアフラムの前記可動領域に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
請求項１または２記載の圧力センサにおいて、
前記第１参照電極と前記第２参照電極との間の容量を基準とし、前記ダイアフラムの変位による前記第１電極と前記第２電極と容量変化を圧力値に変換して出力するように構成された圧力値出力部を備える
ことを特徴とする圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量の変化を検出することで圧力を計測する圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式の隔膜真空計などの圧力センサは、ダイアフラム（隔膜）を含むセンサチップを測定対象のガスが流れる配管などに取り付けて、圧力を受けたダイアフラムのたわみ量、すなわち変位を静電容量値に変換し、静電容量値から圧力値を出力する。この圧力センサは、ガス種依存性が少ないことから、半導体設備をはじめ、工業用途で広く使用されている（特許文献１，特許文献２参照）。
【０００３】
上述した隔膜真空計などの圧力センサのセンサチップは、図１０に示すように、測定対象からの圧力を受けるダイアフラム３０２と、平面視中央に凹部を有し、ダイアフラム３０２を支持する支持部３０１ａを有する基台３０１とを有する。ダイアフラム３０２と基台３０１とは容量室３０３を形成する。支持部３０１ａによって支持されたダイアフラム３０２のうち基台３０１と離間した可動領域３０２ａは、基台３０１の方向に変位可能となる。ダイアフラム３０２と基台３０１は、例えばサファイアなどの絶縁体から構成されている。
【０００４】
また、圧力センサのセンサチップは、ダイアフラム３０２の可動領域３０２ａに形成された可動電極３０４と、基台３０１の上に形成されて可動電極３０４に向かい合う固定電極３０５とを備える。また、圧力センサのセンサチップは、ダイアフラム３０２の可動領域３０２ａにおいて可動電極３０４の周囲に形成された可動参照電極３０６と、固定電極３０５の周囲の基台３０１の上に形成され、可動参照電極３０６に向かい合う固定参照電極３０７とを備える。
【０００５】
以上のように構成されたセンサチップでは、可動電極３０４と固定電極３０５とで容量が形成される。ダイアフラム３０２が外部より圧力を受けて中央部が基台３０１の方向に反れば、可動電極３０４と固定電極３０５との間隔が変化し、これらの間の容量が変化する。この容量変化を検出すれば、ダイアフラム３０２に受けた圧力を検出することができる。
【０００６】
また、可動参照電極３０６と、固定参照電極３０７との間にも容量が形成される。ただし、可動参照電極３０６は、支持部３０１ａに近い所に設けられているため、ダイアフラム３０２の反りによる変位量は、より中央部に配置された可動電極３０４より小さい。従って、固定電極３０５と可動参照電極３０６との間の容量変化を基準として固定電極３０５と可動電極３０４との間の容量変化をとらえることで、ダイアフラム３０２の変位量がばらつきを抑制して検出できるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−００３２３４号公報
【特許文献２】特開２０００−１０５１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、前述したような半導体装置の製造プロセスでは、半導体チップの微細化が進んでおり、圧力についても高い精度の計測が要求されている。これに伴い、従来の圧力センサでは、精度が不十分になることも生じている。
【０００９】
例えば、外部からの熱による熱応力の影響を受け難くする構造とすることで、より高い測定精度を得る技術が提案されている（特許文献１参照）。また、より安価に入手できるＲ面としたサファイアから基台およびダイアフラムを構成する場合、可動電極を、サファイアのＣ軸投影面方向に延在している長方形に形成することで、より高い測定精度を得る技術が提案されている（特許文献２参照）。
【００１０】
近年、半導体製造プロセスでは、より小さな圧力でより高い精度の圧力計測が要求されている。しかしながら従来の技術では、受圧したダイアフラム３０２の反りにより、可動参照電極３０６と固定参照電極３０７との間の容量も変化する。このように、従来では、基準とする容量も変化するため、上述したより高い精度による圧力計測の要求に応えられていないという問題があった。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、より小さな圧力においてもより高い精度で圧力計測できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る圧力センサは、基台と、基台の表面から離間して基台と向かい合う対向面を有するダイアフラムと、ダイアフラムの基台と向かい合う対向面のうちダイアフラムが変位可能とされている可動領域の内側に設けられた第１電極と、基台の表面に設けられて第１電極と向かい合う第２電極と、ダイアフラムの対向面のうち可動領域の外側のダイアフラムの変位が規制されている参照領域に設けられた第１参照電極と、基台の表面に設けられて第１参照電極に向かい合う第２参照電極とを備える。
【００１３】
上記圧力センサにおいて、ダイアフラムの対向面上の第１電極の周囲に設けられて第１参照電極に接続された第３参照電極と、基台の表面に設けられ、第２参照電極に接続されて第３参照電極に向かい合う第４参照電極とを備え、第１電極と第３参照電極および第２電極と第４参照電極の少なくとも一方は電気的に絶縁され、第３参照電極の少なくとも一部は、ダイアフラムの可動領域に配置されているようにしてもよい。
【００１４】
上記圧力センサにおいて、第１参照電極と第２参照電極との間の容量を基準とし、ダイアフラムの変位による第１電極と第２電極と容量変化を圧力値に変換して出力するように構成された圧力値出力部を備える。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、ダイアフラムと基台との間隔が変化しない参照領域を設け、参照領域に参照電極を設けるようにしたので、より小さな圧力においてもより高い精度で圧力計測できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における圧力センサの構成を示す模式的な断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１における圧力センサの構成を示す模式的な断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１における圧力センサの一部構成を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１における圧力センサの一部構成を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態２における圧力センサの構成を示す模式的な断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２における圧力センサの構成を示す模式的な断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２における圧力センサの一部構成を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２における圧力センサの一部構成を示す平面図である。
【図９】図９は、本発明の他の実施の形態における圧力センサの他の一部構成を一部破断して示す斜視図である。
【図１０】図１０は、隔膜真空計の検出部の一部構成を一部破断して示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について図１，２，３，４を参照して説明する。図１，図２は、本発明の実施の形態１における圧力センサ（センサチップ）の構成を示す模式的な断面図である。また、図３，図４は、本発明の実施の形態１における圧力センサの一部構成を示す平面図である。図１は、図３のａａ’線の断面を示している。また、図２は、図３の、ｂｂ’線の断面を示している。
【００１９】
この圧力センサは、基台１０１、ダイアフラム１０２、可動電極（第１電極）１０４、固定電極（第２電極）１０５、を備える。実施の形態１では、受圧部となるダイアフラム１０２は、ダイアフラム基板１１１の所定領域に設けられている。また、ダイアフラム１０２は、ダイアフラム基板１１１に設けられた支持部１１２によって、基台１０１の上に支持されている。支持部１１２は、ダイアフラム１０２の周囲を取り囲むように配置されている。また、ダイアフラム１０２は、可動領域１２１で基台１０１と離間して配置されている。また、ダイアフラム１０２は、基台１０１と向かい合う対向面を有している。例えば、基台１０１，ダイアフラム基板１１１は、平面視正方形とされている。また、ダイアフラム１０２は、平面視円形とされている。
【００２０】
ダイアフラム基板１１１の支持部１１２と基台１０１とは、可動領域１２１の外側の接合領域１１３で接合されている。ダイアフラム１０２は、基台１０１と向かい合う対向面のうちダイアフラム１０２が変位可能とされている可動領域１２１を備える。ダイアフラム１０２は、可動領域１２１で基台１０１の平面の法線方向に変位可能とされている。ダイアフラム１０２が測定対象からの圧力を受けると、可動領域１２１が変位する。
【００２１】
基台１０１およびダイアフラム基板１１１は、例えばサファイアやアルミナセラミックなどの絶縁体から構成されている。なお、基台１０１の方に、支持部を設けてもよい。可動領域１２１におけるダイアフラム１０２と基台１０１との間には、容量室１０３が形成される。容量室１０３は、例えば、真空とされている。
【００２２】
ダイアフラム１０２の基台１０１と向かい合う対向面のうちダイアフラム１０２が変位可能とされている可動領域１２１の内側に、可動電極１０４が設けられている。また、固定電極１０５は、基台１０１の表面に設けられて可動電極１０４と向かい合っている。なお、可動電極１０４および固定電極１０５は、容量室１０３の内部に配置されていることになる。
【００２３】
可動電極１０４と固定電極１０５とは、容量を形成する。この容量は、ダイアフラム１０２の可動領域１２１が変位する（撓む）ことで、変化する。よく知られているように、静電容量式の圧力センサは、固定電極１０５と可動電極１０４との間に形成される容量の変化により、ダイアフラム１０２の受圧領域（可動領域１２１）で受けた圧力を測定する。
【００２４】
また、実施の形態１における圧力センサは、ダイアフラム１０２の対向面のうち可動領域１２１の外側のダイアフラム１０２の変位が規制されている参照領域１２２に第１参照電極１０６を設けている。また、実施の形態１における圧力センサは、基台１０１の表面に、第１参照電極１０６に向かい合う第２参照電極１０７を設けている。
【００２５】
例えば、参照領域１２２は、平面視で可動領域１２１の中心より離れる方向に、可動領域１２１の周縁部から凸状に形成されている。実施の形態１では、可動領域１２１の周縁部の円周上に等間隔に４つの参照領域１２２を設けている。ダイアフラム１０２が受圧して可動領域１２１が変位しても、参照領域１２２においては、ダイアフラム１０２と基台１０１との間隔がほとんど変化しない。
【００２６】
言い換えると、受圧によりダイアフラム１０２が変位する領域が可動領域１２１である。一方、受圧によりダイアフラム１０２が変位しない領域が参照領域１２２である。参照領域１２２は、可動領域１２１の外側に部分的に設けられているが、これ以外の領域は、支持部１１２が存在している。なお、参照領域１２２のダイアフラム１０２と基台１０１との間には、参照室１０８が形成される。参照室１０８は、容量室１０３と連続している。
【００２７】
実施の形態１では、図３，図４に示すように、平面視で回転角が９０°ずつ異なる点対称の位置関係となる４カ所に参照領域１２２を配置している。また、各々の参照領域１２２に第１参照電極１０６を配置し、これに向かい合って第２参照電極１０７を配置している。
【００２８】
また、この圧力センサは、圧力値出力部１１０を備える。圧力値出力部１１０は、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７との間の容量を基準とし、ダイアフラム１０２の反り（変位）による可動電極１０４と固定電極１０５との間の容量変化を検出する。圧力値出力部１１０は、検出した容量変化を、設定されているセンサ感度を用いて圧力値に変換して出力する。
【００２９】
実施の形態１によれば、ダイアフラム１０２が受圧しても、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７との間隔はほとんど変化せず、これらの間の容量はほとんど変化しない。このように、実施の形態１によれば、基準とする容量が受圧によりほとんど変化しない。
【００３０】
これにより、可動電極１０４と固定電極１０５と容量変化と、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７とによる容量との差は、参照電極間も容量が変化してしまう場合よりも大きくなり、センサ感度が向上する。この結果、より小さな圧力であっても、より高い精度で圧力が計測できるようになる。
【００３１】
なお、可動電極１０４の一部には、引き出し配線２０５の一端が電気的に接続している。また、引き出し配線２０５の他端には、端子部２０６が電気的に接続している。端子部２０６は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０５は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０６は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００３２】
また、第１参照電極１０６の一部には、引き出し配線２０７の一端が電気的に接続している。第１参照電極１０６の一部に接続する引き出し配線２０７の部分は、図２においては省略している。引き出し配線２０７の他端には、端子部２０８が電気的に接続している。端子部２０８は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０７は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０８は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００３３】
固定電極１０５の一部には、引き出し配線２０１の一端が電気的に接続している。また、引き出し配線２０１の他端には、端子部２０２が電気的に接続している。端子部２０２は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０１は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０２は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００３４】
また、第２参照電極１０７の一部には、引き出し配線２０３の一端が電気的に接続している。引き出し配線２０３の他端には、端子部２０４が電気的に接続している。端子部２０４は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０３は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０４は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００３５】
なお、可動電極１０４と第１参照電極１０６および固定電極１０５と第２参照電極１０７の少なくとも一方が、電気的に絶縁分離されていればよい。従って、可動電極１０４と第１参照電極１０６とが電気的に接続されている構成としてもよい。この場合、引き出し配線２０５および引き出し配線２０７の一方のみを外部端子へと接続する構成としてもよい。
【００３６】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について図５，６，７，８を参照して説明する。図５，図６は、本発明の実施の形態２における圧力センサ（センサチップ）の構成を示す模式的な断面図である。また、図７，図８は、本発明の実施の形態２における圧力センサの一部構成を示す平面図である。図５は、図７のａａ’線の断面を示している。また、図６は、図７の、ｂｂ’線の断面を示している。
【００３７】
この圧力センサは、基台１０１、ダイアフラム１０２、可動電極（第１電極）１０４、固定電極（第２電極）１０５、を備える。実施の形態２では、受圧部となるダイアフラム１０２は、ダイアフラム基板１１１の所定領域に設けられている。また、ダイアフラム１０２は、ダイアフラム基板１１１に設けられた支持部１１２によって、基台１０１の上に支持されている。支持部１１２は、ダイアフラム１０２の周囲を取り囲むように配置されている。また、ダイアフラム１０２は、可動領域１２１で基台１０１と離間して配置されている。また、ダイアフラム１０２は、基台１０１と向かい合う対向面を有している。例えば、基台１０１，ダイアフラム基板１１１は、平面視正方形とされている。また、ダイアフラム１０２は、平面視円形とされている。
【００３８】
ダイアフラム基板１１１の支持部１１２と基台１０１とは、可動領域１２１の外側の接合領域１１３で接合されている。ダイアフラム１０２は、基台１０１と向かい合う対向面のうちダイアフラム１０２が変位可能とされている可動領域１２１を備える。ダイアフラム１０２は、可動領域１２１で基台１０１の平面の法線方向に変位可能とされている。ダイアフラム１０２が測定対象からの圧力を受けると、可動領域１２１が変位する。
【００３９】
基台１０１およびダイアフラム基板１１１は、例えばサファイアやアルミナセラミックなどの絶縁体から構成されている。なお、基台１０１の方に、支持部を設けてもよい。可動領域１２１におけるダイアフラム１０２と基台１０１との間には、容量室１０３が形成される。容量室１０３は、例えば、真空とされている。
【００４０】
ダイアフラム１０２の基台１０１と向かい合う対向面のうちダイアフラム１０２が変位可能とされている可動領域１２１の内側に、可動電極１０４が設けられている。また、固定電極１０５は、基台１０１の表面に設けられて可動電極１０４と向かい合っている。なお、可動電極１０４および固定電極１０５は、容量室１０３の内部に配置されていることになる。
【００４１】
可動電極１０４と固定電極１０５とは、容量を形成する。この容量は、ダイアフラム１０２の可動領域１２１が変位する（撓む）ことで、変化する。よく知られているように、静電容量式の圧力センサは、固定電極１０５と可動電極１０４との間に形成される容量の変化により、ダイアフラム１０２の受圧領域（可動領域１２１）で受けた圧力を測定する。
【００４２】
また、実施の形態２における圧力センサは、ダイアフラム１０２の対向面のうち可動領域１２１の外側のダイアフラム１０２の変位が規制されている参照領域１２２に第１参照電極１０６を設けている。また、実施の形態２における圧力センサは、基台１０１の表面に、第１参照電極１０６に向かい合う第２参照電極１０７を設けている。
【００４３】
例えば、参照領域１２２は、平面視で可動領域１２１の中心より離れる方向に、可動領域１２１の周縁部から凸状に形成されている。実施の形態２では、可動領域１２１の周縁部の円周上に等間隔に４つの参照領域１２２を設けている。ダイアフラム１０２が受圧して可動領域１２１が変位しても、参照領域１２２においては、ダイアフラム１０２と基台１０１との間隔がほとんど変化しない。
【００４４】
言い換えると、受圧によりダイアフラム１０２が変位する領域が可動領域１２１である。一方、受圧によりダイアフラム１０２が変位しない領域が参照領域１２２である。参照領域１２２は、可動領域１２１の外側に部分的に設けられているが、これ以外の領域は、支持部１１２が存在している。なお、参照領域１２２のダイアフラム１０２と基台１０１との間には、参照室１０８が形成される。参照室１０８は、容量室１０３と連続している。
【００４５】
実施の形態２では、図７，図８に示すように、平面視で回転角が９０°ずつ異なる点対称の位置関係となる４カ所に参照領域１２２を配置している。また、各々の参照領域１２２に第１参照電極１０６を配置し、これに向かい合って第２参照電極１０７を配置している。上記構成は、前述した実施の形態１と同様である。
【００４６】
なお、実施の形態２では、可動領域１２１においても、第１参照電極１０６に接続する第３参照電極１０６ａが配置されている。実施の形態２において、第３参照電極１０６ａは、第１参照電極１０６に連続して形成されている。第３参照電極１０６ａは、可動電極１０４と支持部１１２（接合領域１１３）との間に配置されている。また、第３参照電極１０６ａは、可動領域１２１（容量室１０３）の範囲内で、可動電極１０４の周囲を取り巻くように配置されている。
【００４７】
また、実施の形態２では、第３参照電極１０６ａに向かい合って基台１０１の表面に第４参照電極１０７ａが形成されている。第４参照電極１０７ａは、第２参照電極１０７に接続して形成されている。実施の形態２において、第４参照電極１０７ａは、第２参照電極１０７に連続して形成されている。第４参照電極１０７ａは、固定電極１０５の周囲を取り巻くように配置されている。第３参照電極１０６ａと第４参照電極１０７ａとは、容量室１０３内で向かい合って配置されている。
【００４８】
ここで、可動電極１０４と第３参照電極１０６ａおよび固定電極１０５と第４参照電極１０７ａの少なくとも一方は電気的に絶縁分離されている。可動電極１０４と第３参照電極１０６ａおよび固定電極１０５と第４参照電極１０７ａの両者が電気的に絶縁分離されていてもよい。
【００４９】
また、この圧力センサは、圧力値出力部１１０を備える。圧力値出力部１１０は、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７との間の容量を基準とし、ダイアフラム１０２の反り（変位）による可動電極１０４と固定電極１０５との間の容量変化を検出する。圧力値出力部１１０は、検出した容量変化を、設定されているセンサ感度を用いて圧力値に変換して出力する。
【００５０】
実施の形態２によれば、ダイアフラム１０２が受圧しても、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７との間隔はほとんど変化せず、これらの間の容量はほとんど変化しない。このように、実施の形態２によれば、基準とする容量が受圧によりほとんど変化しない。これにより、可動電極１０４と固定電極１０５と容量変化と、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７とによる容量との差は、参照電極間も容量が変化してしまう場合よりも大きくなり、センサ感度が向上する。この結果、より小さな圧力であっても、より高い精度で圧力が計測できるようになる。
【００５１】
ところで、実施の形態２では、第１参照電極１０６に第３参照電極１０６ａが連続して形成されている。また、第２参照電極１０７に第４参照電極１０７ａが、連続して形成されている。可動領域１２１に設けられている第３参照電極１０６ａと第４参照電極１０７ａとの間隔は、ダイアフラム１０２の変位により変化する。このため、第３参照電極１０６ａと第４参照電極１０７ａとによる容量は、受圧により変化する。このため、［第１参照電極１０６＋第３参照電極１０６ａ］と［第２参照電極１０７＋第４参照電極１０７ａ］とによる容量も、ダイアフラム１０２の変位により変化する。
【００５２】
しかしながら、第１参照電極１０６と第２参照電極１０７との間において容量はほとんど変化がない。このため、第３参照電極１０６ａおよび第４参照電極１０７ａのみの場合に比較し、第１参照電極１０６および第２参照電極１０７を設けることで、基準とする容量の受圧による変化が抑制できるようになる。この結果、［第１参照電極１０６＋第３参照電極１０６ａ］と［第２参照電極１０７＋第４参照電極１０７ａ］との構成であっても、精度は向上する。
【００５３】
ここで、第３参照電極１０６ａおよび第４参照電極１０７ａを設けず、第１参照電極１０６および第２参照電極１０７のみとすることで、基準とする容量は変化しないものとすることが可能となる。ただし、［第１参照電極１０６＋第３参照電極１０６ａ］および［第２参照電極１０７＋第４参照電極１０７ａ］の構成とすることで、容量が発生する面積をより大きくすることができる。よく知られているように、面積を大きくすることで、より大きな容量が得られるようになる。
【００５４】
なお、可動電極１０４の一部には、引き出し配線２０５の一端が電気的に接続している。また、引き出し配線２０５の他端には、端子部２０６が電気的に接続している。端子部２０６は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０５は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０６は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００５５】
また、第１参照電極１０６の一部には、引き出し配線２０７の一端が電気的に接続している。実施の形態２では、第１参照電極１０６に連続して形成されている第３参照電極１０６ａを介して引き出し配線２０７が接続されている。引き出し配線２０７の他端には、端子部２０８が電気的に接続している。端子部２０８は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０７は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０８は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００５６】
固定電極１０５の一部には、引き出し配線２０１の一端が電気的に接続している。また、引き出し配線２０１の他端には、端子部２０２が電気的に接続している。端子部２０２は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０１は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０２は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００５７】
また、第２参照電極１０７の一部には、引き出し配線２０３の一端が電気的に接続している。実施の形態２では、第２参照電極１０７に連続して形成されている第４参照電極１０７ａを介して、引き出し配線２０３が接続されている。引き出し配線２０３の他端には、端子部２０４が電気的に接続している。端子部２０４は、接合領域１１３に設けられている。引き出し配線２０３は、容量室１０３より接合領域１１３にかけて引き出されている。端子部２０４は、基台１０１に設けられた図示しない貫通配線に電気的に接続し、貫通配線は、基台１０１裏面の図示しない外部端子に電気的に接続する。
【００５８】
ところで、図９に示すように、ダイアフラム基板１１１に、スペーサ部１３１を設けてもよい。スペーサ部１３１は、ダイアフラム基板１１１の外側上面に設けられる。また、スペーサ部１３１は、可動領域１２１を取り囲む（取り巻く）リング状に形成されている。スペーサ部１３１は、可動領域１２１の周囲に設けられた、ダイアフラム基板１１１のより厚い領域である。スペーサ部１３１により、このセンサチップの実装を行う。スペーサ部１３１の上面を、実装面に接合することでセンサチップの実装を行う。
【００５９】
ダイアフラム１０２のスペーサ部１３１の部分は、ダイアフラム１０２の変位が規制される。従って、スペーサ部１３１を設ける構成では、平面視でスペーサ部１３１の内側領域が可動領域１２１となる。
【００６０】
以上に説明したように、本発明によれば、ダイアフラムと基台との間隔の変化が規制された参照領域を設け、参照領域に参照電極を設けるようにしたので、より小さな圧力においてもより高い精度で圧力計測できるようになる。
【００６１】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【符号の説明】
【００６２】
１０１…基台、１０２…ダイアフラム、１０３…容量室、１０４…可動電極（第１電極）、１０５…固定電極（第２電極）、１０６…第１参照電極、１０６ａ…第３参照電極、１０７…第２参照電極、１０７ａ…第４参照電極、１０８…参照室、１１０…圧力値出力部、１１１…ダイアフラム基板、１１２…支持部、１１３…接合領域、１２１…可動領域、１２２…参照領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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