(57)【要約】【課題】封止層の材料の選択の自由度が高く、且つ、より良好な発電効率を得ることが可能な光発電モジュールを提供する。【解決手段】光発電モジュール１００は、ヘテロ接合型の光発電素子１０と、光発電素子１０の一方の面の第１電極１５に第１接着層２２により接合固定された複数の第１微細配線２１と、光発電素子１０の一方の面との間に複数の第１微細配線２１を挟んでいるとともに第１接着層２２を介して光発電素子１０の一方の面に接合された第１樹脂フィルム２３を備えている。光発電モジュール１００は、更に、透光性の第１保護層４０と、第１保護層４０と第１樹脂フィルム２３との間に充填された第１封止層３０を備えている。第１接着層２２は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）を含む樹脂材料により構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光発電素子を備える光発電モジュールであって、
前記光発電素子は、
第１導電型の結晶半導体基板を備えているとともに、
前記結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備え、
前記結晶半導体基板の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備え、
前記第１非晶質系半導体膜は、前記第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性であり、
当該光発電モジュールは、更に、
前記光発電素子の一方の面の前記第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、
前記光発電素子の前記一方の面との間に前記複数の第１微細配線を挟んでいるとともに、前記第１接着層を介して前記光発電素子の前記一方の面に接合された第１樹脂フィルムと、
透光性の第１保護層と、
前記第１保護層と前記第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、
前記光発電素子の他方の面の前記第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、
前記光発電素子の前記他方の面との間に前記複数の第２微細配線を挟んでいるとともに、前記第２接着層を介して前記光発電素子の前記他方の面に接合された第２樹脂フィルムと、
第２保護層と、
前記第２保護層と前記第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、
を備え、
前記第１接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている光発電モジュール。
【請求項２】
前記共重合体は、アイオノマーである請求項１に記載の光発電モジュール。
【請求項３】
ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した前記第１接着層の３５０ｎｍの波長における光線透過率が、７０％以上である請求項１又は２に記載の光発電モジュール。
【請求項４】
前記複数の第１微細配線は、互いに平行に配置された複数のワイヤーであり、
前記ワイヤーの外径をＤとすると、
前記第１接着層の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されている請求項１乃至３の何れか一項に記載の光発電モジュール。
【請求項５】
前記第２保護層は透光性であり、
前記第２接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている請求項１乃至４の何れか一項に記載の光発電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光発電モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光発電モジュールの一種として、ヘテロ接合型の光発電素子を有するタイプのものがある。
【０００３】
ヘテロ接合型の光発電素子は、第１導電型（主としてｎ型）の結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備えている。ここで、第１非晶質系半導体膜は、真性の非晶質系半導体膜であるか、又は、第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型の非晶質系半導体膜である。
更に、光発電素子は、結晶半導体基板の他方の面側に、真性非晶質系半導体膜と、第２導電型（主としてｐ型）の非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備えている。
【０００４】
光発電モジュールは、光発電素子の一方の面の第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、第１接着層を介して光発電素子の一方の面に接合されているとともに光発電素子の一方の面との間に複数の第１微細配線を挟んでいる第１樹脂フィルムと、透光性基板と、透光性基板と第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、を備えている。
更に、光発電モジュールは、光発電素子の他方の面の第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、第２接着層を介して光発電素子の前記他方の面に接合されているとともに光発電素子の他方の面との間に複数の第２微細配線を挟んでいる第２樹脂フィルムと、バックシート又は第２の透光性基板と、バックシート又は第２の透光性基板と第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、を備えている。
【０００５】
特許文献１には、第１接着層の材料として、エポキシ接着剤、アクリル接着剤、ゴム接着剤、シリコン接着剤、ポリビニル・エーテル接着剤が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００５−５３６８９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、ヘテロ接合型の光発電素子は、結晶半導体基板の両面に、非晶質系半導体膜を有する。
ここで、非晶質系半導体膜は、水分やナトリウムに対して脆弱である。
このため、封止層の材料として、水分やナトリウムに対するバリア性が十分でないものを用いた場合、非晶質系半導体膜が劣化してしまう。
【０００８】
また、特許文献１に記載された第１接着層の材料は、紫外線に対する耐性が非常に弱い。このため、このような材料を用いる場合、一般的に、第１封止層に紫外線吸収剤を含有させることにより、第１接着層を保護する。
しかしながら、第１封止層が紫外線吸収剤を含有する場合、紫外光を発電に有効に利用することができない。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであり、封止層の材料の選択の自由度が高く、且つ、より良好な発電効率を得ることが可能な光発電モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、
光発電素子を備える光発電モジュールであって、
前記光発電素子は、
第１導電型の結晶半導体基板を備えているとともに、
前記結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備え、
前記結晶半導体基板の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備え、
前記第１非晶質系半導体膜は、前記第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性であり、
当該光発電モジュールは、更に、
前記光発電素子の一方の面の前記第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、
前記光発電素子の前記一方の面との間に前記複数の第１微細配線を挟んでいるとともに、前記第１接着層を介して前記光発電素子の前記一方の面に接合された第１樹脂フィルムと、
透光性の第１保護層と、
前記第１保護層と前記第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、
前記光発電素子の他方の面の前記第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、
前記光発電素子の前記他方の面との間に前記複数の第２微細配線を挟んでいるとともに、前記第２接着層を介して前記光発電素子の前記他方の面に接合された第２樹脂フィルムと、
第２保護層と、
前記第２保護層と前記第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、
を備え、
前記第１接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている光発電モジュールを提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、封止層の材料の選択の自由度が高く、且つ、より良好な発電効率を得ることが可能な光発電モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る光発電モジュールの層構造を示す模式的な断面図である。
【図２】実施形態に係る光発電モジュールの模式的な平面図である。
【図３】実施形態に係る光発電モジュールの一部分を示す模式的な断面図である。
【図４】実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの一例を示す模式的な断面図である。
【図５】実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの一例を示す模式的な平面図である。
【図６】実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの他の一例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態に係る光発電モジュール１００は、光発電素子１０を備えている。
光発電素子１０は、第１導電型の結晶半導体基板１１を備えているとともに、結晶半導体基板１１の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜１２と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜１３と、第１透光性電極膜１４と、第１電極１５と、をこの順に備えている。
光発電素子１０は、更に、結晶半導体基板１１の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜１６と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜１７と、第２透光性電極膜１８と、第２電極１９と、をこの順に備えている。
第１非晶質系半導体膜１２は、第２非晶質系半導体膜１３よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性である。
光発電モジュール１００は、更に、光発電素子１０の一方の面の第１電極１５に第１接着層２２により接合固定された複数の第１微細配線２１と、光発電素子１０の一方の面との間に複数の第１微細配線２１を挟んでいるとともに第１接着層２２を介して光発電素子１０の一方の面に接合された第１樹脂フィルム２３と、透光性の第１保護層４０と、第１保護層４０と第１樹脂フィルム２３との間に充填された第１封止層３０と、を備えている。
光発電モジュール１００は、更に、光発電素子１０の他方の面の第２電極１９に第２接着層５２により接合固定された複数の第２微細配線５１と、光発電素子１０の他方の面との間に複数の第２微細配線５１を挟んでいるとともに、第２接着層５２を介して光発電素子１０の他方の面に接合された第２樹脂フィルム５３と、第２保護層７０と、第２保護層７０と第２樹脂フィルム５３との間に充填された第２封止層６０と、を備えている。
そして、第１接着層２２は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（例えばアイオノマー）を含む樹脂材料により構成されている。
以下、詳細に説明する。
【００１５】
光発電素子１０は、ヘテロ接合型の光発電素子である。
【００１６】
光発電素子１０の各構成要素の導電型について説明すると、結晶半導体基板１１は、例えばｎ型である。この場合、第２非晶質系半導体膜１３はｎ型、第１非晶質系半導体膜１２は真性又はｎ−型（第２非晶質系半導体膜１３よりも不純物濃度が低いｎ型）、第４非晶質系半導体膜１７はｐ型である。
【００１７】
結晶半導体基板１１としては、ｎ型の半導体特性を有する結晶体であれば特に限定されず公知のものを用いることができる。結晶半導体基板１１を構成するｎ型の結晶半導体としては、シリコン（Ｓｉ）の他、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＮ等を挙げることができるが、生産性等の点からシリコンが好ましい。結晶半導体基板１１は、単結晶体であっても良いし、多結晶体であっても良い。結晶半導体基板１１の両面（一方の面及び他方の面）には、光の乱反射による光閉じ込めをより有効にするために、凹凸加工が施されているのが好ましい（不図示）。なお、例えば、約１〜５質量％の水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムを含むエッチング液に基板材料を浸漬することによって、多数のピラミッド状の凹凸部を形成することができる。
【００１８】
また、第１非晶質系半導体膜１２、第２非晶質系半導体膜１３、第３非晶質系半導体膜１６及び第４非晶質系半導体膜１７は、それぞれシリコン薄膜とすることができる。
【００１９】
第１非晶質系半導体膜１２は、結晶半導体基板１１の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第２非晶質系半導体膜１３は、第１非晶質系半導体膜１２の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第１非晶質系半導体膜１２と第２非晶質系半導体膜１３との合計の膜厚は、特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下がより好ましい。このような範囲の膜厚とすることにより、短絡電流とキャリアの再結合の発生とをバランス良く低減することができる。
【００２０】
第１透光性電極膜１４は、第２非晶質系半導体膜１３の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第１透光性電極膜１４を構成する透明電極材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、タングステンドープインジウム酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＷＯ）、セリウムドープインジウム酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｃｅｒｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＣＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ガリウムドープＺｎＯ）等の公知の材料を挙げることができる。
【００２１】
第３非晶質系半導体膜１６は、結晶半導体基板１１の他方の面（図１における下面）に積層されている。換言すれば、第３非晶質系半導体膜１６は、結晶半導体基板１１と第４非晶質系半導体膜１７との間に介在している。第３非晶質系半導体膜１６の膜厚は特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることができる。
【００２２】
第４非晶質系半導体膜１７は、第３非晶質系半導体膜１６の一方の面（図１における下面）に積層されている。第４非晶質系半導体膜１７の膜厚は、特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下がより好ましい。
【００２３】
第２透光性電極膜１８は、第４非晶質系半導体膜１７の一方の面（図１における下面）に積層されている。第２透光性電極膜１８を構成する材料は、第１透光性電極膜１４と同様である。
【００２４】
ここで、真性とは、不純物が意図的にドープされていないことをいう。したがって、真性の非晶質系半導体膜には、原料に本来含まれる不純物や製造過程において非意図的に混入した不純物が存在するものも含まれる。
また、非晶質系とは、非晶質体のみならず、微結晶体を含むことを意味する。
ｎ型の非晶質半導体膜とは、薄膜中に含有される元素の数密度比として、シリコンに対して１０−５程度以上の不純物が含有されているものをいう。
【００２５】
第１電極１５は、例えば、フィンガー電極であるか、又は、第１透光性電極膜１４の一方の面（図１における上面）の全面に成膜された金属膜である。
同様に、第２電極１９は、例えば、フィンガー電極であるか、又は、第２透光性電極膜１８の一方の面（図１における下面）の全面に成膜された金属膜である。
第１電極１５及び第２電極１９を構成するフィンガー電極の材料としては、銀ペースト等の導電性接着剤や、銅線等の金属導線を用いることができる。フィンガー電極の幅は、例えば、２０μｍ以上８０μｍ以下程度である。
また、第１電極１５及び第２電極１９を構成する金属膜の材料としては、銀、銀合金又はアルミニウム合金等を用いることができる。
【００２６】
複数の第１微細配線２１は、例えば、互いに平行に配置された複数のワイヤー又はバスバーである。
以下、第１微細配線２１がワイヤーである場合の構成を説明する。
この場合、第１微細配線２１は、コア２１ａと、コア２１ａの表面にコーティングされている低融点金属膜２１ｂと、を有している。コア２１ａの金属材料としては、銅等が挙げられる。低融点金属膜２１ｂの金属材料としては、インジウムとスズとの合金が挙げられる。
第１微細配線２１の直径は、１００μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以上３００μｍ以下がより好ましい。
第２微細配線５１は、第１微細配線２１と同様に構成されている。
【００２７】
なお、第１電極１５がフィンガー電極である場合、複数の第１微細配線２１は、第１電極１５と直交している（図２参照）。
同様に、第２電極１９がフィンガー電極である場合、複数の第２微細配線５１は、第２電極１９と直交している。
【００２８】
第１接着層２２は、透光性である。
第１接着層２２は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている。
【００２９】
エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体としては、たとえば、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーが挙げられる。このエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーには、リチウム、ナトリウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム、セリウム、亜鉛、アルミニウム等の多価金属等に由来する金属種を含有させることができる。一般に、アイオノマーは、透明性に優れ、かつ高温における貯蔵弾性率Ｅ´が高いことが知られている。また、本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーの中和度は、好ましくは、８０％以下であり、さらに好ましくは、接着性の観点から６０％以下であり、最も好ましくは、４０％以下である。
【００３０】
エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体またはエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーにおける不飽和カルボン酸成分としては、アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、フマル酸、マレイン酸、マレイン酸モノメチル、無水マレイン酸等が挙げられる。中でも、不飽和カルボン酸成分としては、（メタ）アクリル酸が好ましい。そのため、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体としては、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体が好ましい。なお、本実施形態に係るエチレン・不飽和カルボン酸共重合体は、エチレンと不飽和カルボン酸との２元共重合体に限らず、エチレン・不飽和カルボン酸・不飽和カルボン酸エステル共重合体等のエチレンと不飽和カルボン酸を含む多元共重合体も包含している。上記エチレン・不飽和カルボン酸・不飽和カルボン酸エステル共重合体における不飽和カルボン酸エステル成分としては、上述した不飽和カルボン酸成分として用いられる各種カルボン酸の炭素数１〜２０のアルキルエステルが挙げられる。具体的に、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基などが挙げられる。
【００３１】
本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体またはそのアイオノマーにおける（メタ）アクリル酸単位等の不飽和カルボン酸単位の含有量は、優れた紫外線透過性を実現する観点から、好ましくは、２重量％以上３０重量％以下であり、より好ましくは、９重量％以上２５重量％以下であり、最も好ましくは、１２重量％以上２０重量％以下である。
【００３２】
エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体の透明性および接着性を良好にする観点から、共重合体全量に対する不飽和カルボン酸の含有量は、１重量％以上であることが好ましい。一方、共重合体全量に対する不飽和カルボン酸の含有量は、吸湿性を低減させる観点から、好ましくは、２０重量％以下であり、さらに好ましくは、１５重量％以下である。
【００３３】
本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体は、高温、高圧条件下、ラジカル共重合反応を行うことにより得ることができる。また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーは、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体と金属化合物とを反応させることによって得ることができる。
【００３４】
また、第１接着層２２を形成する樹脂材料中には、たとえば、ヒドロキノンモノベンジルエーテル、トリフェニルホスファイト等の酸化防止剤、ステアリン酸鉛、ラウリン酸バリウム等の熱安定剤、微粒酸化チタン、酸化亜鉛等の充填剤、顔料、染料、滑剤、ブロッキング防止剤、発泡剤、発泡助剤、架橋剤、架橋助剤、難燃剤等の各種添加剤を配合してもよい。
【００３５】
第１接着層２２を形成する樹脂材料中には、たとえば、変色防止剤として、カドミウム、バリウム等の金属の脂肪酸塩を任意に配合してもよい。
【００３６】
ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率が、７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となる。本明細書において、紫外線由来の光エネルギーとは、３８０ｎｍ未満の波長領域の光に由来する光エネルギーを指す。
第１接着層２２の材料として、上述した材料を用いることにより、このような光線透過率を実現することができる。
第１接着層２２が紫外線吸収剤を実質的に含まない構成とすることによって、より確実に、このような光線透過率を実現することができる。
なお、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率は、好ましくは、７５％以上であり、より好ましくは、８０％以上である。こうすることで、より一層効果的に紫外線に由来する光エネルギーを発電に寄与させることが可能となる。
【００３７】
第１接着層２２の層厚Ｔ（図３）は、例えば、８μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、好ましくは、１６μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。後述するように、第１微細配線２１が直径Ｄのワイヤである場合、第１接着層２２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。すなわち、一例として、第１微細配線２１が直径３００μｍのワイヤである場合、層厚Ｔは２５μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。ここで、第１接着層２２の層厚Ｔは、隣り合うワイヤーどうしの間隔において、第１接着層２２の層厚がほぼ一定となっている範囲における層厚であるものとする（図３参照）。
【００３８】
第１樹脂フィルム２３は、例えば、フッ素樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される１以上を含む材料により形成されている。
上記フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＰＣＴＦＥＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等が挙げられる。中でも、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）およびポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。
上記アクリル樹脂としては、アクリル酸エステルの重合体、メタクリル酸エステルの重合体等が挙げられる。中でも、メタクリル酸メチル単位を主成分とした重合体であるメタクリル樹脂が好ましい。このメタクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、メタクリル酸メチルと他の単量体との共重合体等が挙げられる。
第１樹脂フィルム２３の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下（好ましくは１０μｍ以上８０μｍ以下）とすることができる。
【００３９】
第１封止層３０は、透光性である。
第１封止層３０の材料は、第１接着層２２と同様であっても良いし、ＴＰＯ（オレフィン系エラストマー）であっても良いし、シリコン樹脂であっても良い。
第１封止層３０の層厚は、例えば、３００μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。
ここで、第１封止層３０の厚みは、接着層２２からの第１微細配線２１の突出長（第１保護層４０側への突出長）よりも厚く設定されている。
ここで、第１保護層４０における第１封止層３０側の面には、エンボス加工が施されている場合がある。その場合、第１封止層３０により第１保護層４０におけるエンボスの凹凸を埋めることが好ましい。このため、第１封止層３０の厚みは、接着層２２からの第１微細配線２１の突出長に、エンボスの凹凸の高さを加えた厚さを少なくとも有することが好ましい。
【００４０】
第１保護層４０は、透光性の基板である。第１保護層４０の材料としては、例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、フッ素含有樹脂等が挙げられる。
【００４１】
第２保護層７０は、第１保護層４０と同様の透光性の基板であっても良いし、非透光性（例えば光反射性）のバックシートであっても良い。バックシートとしては、たとえば、錫、アルミ、ステンレススチールなどの金属や、ガラス等の無機材料、ポリエステル、無機物蒸着ポリエステル、フッ素含有樹脂、ポリオレフィン等の熱可塑性樹脂により形成された１層もしくは多層のシートが挙げられる。
【００４２】
第２保護層７０が透光性の基板である場合、光発電モジュール１００は、両面（第１保護層４０側及び第２保護層７０側）での受光が可能となる。この場合、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の材料のものとすることができる。また、第２樹脂フィルム５３は、第１樹脂フィルム２３と同様の材料のものとすることができる。
また、第２封止層６０は、第１封止層３０と同様の材料のものとすることができる。ただし、両面での受光が不要の場合には、後述のように、第２封止層６０に顔料等を含有させる場合がある。
【００４３】
第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合、光発電モジュール１００の受光面は片面（第１保護層４０側）となる。この場合、第２接着層５２の材料は、第１接着層２２と同様の樹脂材料とすることができる。
また、第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合の第２封止層６０の材料は、第１封止層３０と同様であっても良いが、この場合の第２封止層６０には透明性は要求されないため、発電効率を向上させる観点から、顔料、染料、無機充填剤を配合することが好ましい。上記顔料としては、酸化チタンや炭酸カルシウム等の白色顔料、ウルトラマリン等の青色顔料、カーボンブラックのような黒色顔料等が挙げられる。特に、酸化チタンのような無機顔料を配合することは、光発電モジュール１００の絶縁抵抗が低下することを防止する観点から好ましい。上記無機顔料の配合量は、エチレン・極性モノマー共重合体１００重量部に対して、好ましくは、０重量部以上１００重量部以下であり、さらに好ましくは、０．５重量部以上５０重量部以下であり、最も好ましくは、４重量部以上５０重量部以下である。
第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合の第２樹脂フィルム５３の材料は、第１樹脂フィルム２３と同様であっても良いし、その他の樹脂材料であっても良い。
【００４４】
なお、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の厚さにすることができる。
すなわち、第２微細配線５１が直径Ｄのワイヤである場合、第２接着層５２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。すなわち、一例として、第２微細配線５１が直径３００μｍのワイヤである場合、層厚Ｔは２５μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。
また、第２樹脂フィルム５３は、第１樹脂フィルム２３と同様の厚さにすることができる。
【００４５】
なお、第２保護層７０は、ガラス基板等の硬質の基板であっても良いし、可撓性の樹脂シートであっても良い。
第２保護層７０がガラス基板等の硬質の基板である場合、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の厚さにすることができる。
一方、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合は、仮に第２封止層６０の裏面側（図１における下側）に第２微細配線５１が突出していたとしても、第２微細配線５１の突出部分に沿って第２保護層７０が変形できる（第２保護層７０の表面が、第２微細配線５１の突出部分を反映した形状となる）。よって、第２保護層７０は、第２封止層６０及び第２微細配線５１に対して密着した状態で、光発電モジュール１００の裏面を好適に保護することができる。このため、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合は、第２封止層６０は第１封止層３０よりも薄くすることができる。なお、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合においても、第２封止層６０の厚さを第１封止層３０の厚さと同等としても良いのは勿論である。
【００４６】
なお、光発電モジュール１００は、通常、複数を直列に接続して用いられる。複数の光発電モジュール１００を直列接続して使用することにより、発電電圧を高めることができる。
【００４７】
次に、光発電モジュール１００を製造する方法の一例を説明する。
【００４８】
先ず、光発電素子１０は、結晶半導体基板１１の一方の面上に、第１非晶質系半導体膜１２、第２非晶質系半導体膜１３及び第１透光性電極膜１４をこの順に成膜する一方で、結晶半導体基板１１の他方の面上に、第３非晶質系半導体膜１６、第４非晶質系半導体膜１７及び第２透光性電極膜１８をこの順に成膜し、更に、第１透光性電極膜１４の一方の面（図１における上面）上に第１電極１５を、第２透光性電極膜１８の一方の面（図１における下面）上に第２電極１９を、それぞれ形成することにより得られる。
【００４９】
次に、例えば、第１樹脂フィルム２３、第１接着層２２及び第１微細配線２１が一体化した第１配線シート（図４、図５に示される配線シート２００を参照）と、第１保護層４０と、シート状の第１封止層３０を準備する。
【００５０】
ここで、配線シート２００について説明する。
配線シート２００は、相互に積層された樹脂フィルム（第１樹脂フィルム２３又は第２樹脂フィルム５３）及び接着層（第１接着層２２又は第２接着層５２）と、接着層における樹脂フィルム側とは反対側の面に設けられた微細配線（第１微細配線２１又は第２微細配線５１）と、を有する。
図４に示すように、各微細配線の一部分は、接着層に埋設されていることが好ましく、このようにすることにより、接着層と微細配線との一体性を良好なものとすることができる。
また、図５に示すように、微細配線は、互いに平行に配置されている複数のワイヤであることが好ましく、このようにすることにより、微細配線を形成するために使用する金属材料の量を低減させることができる。
樹脂フィルムは、フッ素樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される１以上を含む材料により形成されている。樹脂フィルムの厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下であるとさらに好ましい。光発電モジュール１００の受光面が片面である場合、受光面側に配置する第１樹脂フィルム２３は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した３５０ｎｍの波長における光線透過率が７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーも効率よく発電に寄与させることのできるモジュールを実現することができる。また、光発電モジュール１００の受光面が両面である場合、第２樹脂フィルム５３は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した３５０ｎｍの波長における光線透過率が７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーも効率よく発電に寄与させることのできるモジュールを実現することができる。
【００５１】
次に、第１配線シートを光発電素子１０の一方の面の第１電極１５と第１保護層４０との間に介在させ、且つ、第１配線シートと第１保護層４０との間に第１封止層３０を介在させる。
同様に、第２樹脂フィルム５３、第２接着層５２及び第２微細配線５１が一体化した第２配線シート（図４、図５に示される配線シート２００を参照）と、第２保護層７０と、シート状の第２封止層６０とを準備する。
そして、第２配線シートを光発電素子１０の他方の面の第２電極１９と第２保護層７０との間に介在させ、且つ、第２配線シートと第２保護層７０との間に第２封止層６０を介在させる。
そして、これらを一括して加熱及び両面から加圧することにより、第１接着層２２を介して第１微細配線２１を第１電極１５に対して溶着するとともに、第１封止層３０を介して第１樹脂フィルム２３と第１保護層４０とを溶着し、第２接着層５２を介して第２微細配線５１を第２電極１９に対して溶着するとともに、第２封止層６０を介して第２樹脂フィルム５３と第２保護層７０とを溶着する。
このとき、第１微細配線２１の表層の低融点金属膜２１ｂが溶融することにより、コア２１ａと第１電極１５とが溶着する。
同様に、第２微細配線５１の表層の低融点金属膜（不図示）が溶融することにより、第２微細配線５１のコア（不図示）と第２電極１９とが溶着する。
こうして、光発電モジュール１００を得ることができる。
【００５２】
ここでは、第１配線シート及び第２配線シートとして、図４に示される構造の配線シート２００を用いる例を説明したが、第１配線シート及び第２配線シートとしては、図６に示される構造の配線シート２００を用いても良い。この場合、配線シート２００（第１配線シート、第２配線シート）とは別に、樹脂フィルム（第１樹脂フィルム２３、第２樹脂フィルム５３）を準備する。
【００５３】
ここで、本発明者の検討によれば、複数の第１微細配線２１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合に、このワイヤーの外径をＤ（図３）とすると、第１接着層２２の層厚Ｔ（図３）は、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。例えば、ワイヤーの外径Ｄが３００μｍの場合、層厚Ｔは５０μｍ±２５μｍの範囲が好ましい。
このようにすることにより、図３に示すように、第１電極１５からの第１微細配線２１の浮き上がりを抑制し、より確実に第１電極１５に対して第１微細配線２１を溶着させることができるとともに、第１接着層２２により第１樹脂フィルム２３を第１電極１５に対して十分な接着強度で接着することができる。また、第１接着層２２の層厚Ｔを、Ｄ／６−Ｄ／１２以上に設定することにより、第１微細配線２１の周辺にボイド（空洞）が形成されることによる信頼性の低下を抑制することができる。
【００５４】
同様に、複数の第２微細配線５１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合に、このワイヤーの外径をＤとすると、第２接着層５２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。
このようにすることにより、第２電極１９からの第２微細配線５１の浮き上がりを抑制し、より確実に第２電極１９に対して第２微細配線５１を溶着させることができるとともに、第２樹脂フィルム５３を第２接着層５２により十分な接着強度で第２電極１９に対して接着することができる。また、第２接着層５２の層厚Ｔを、Ｄ／６−Ｄ／１２以上に設定することにより、第２微細配線５１の周辺にボイドが形成されることによる信頼性の低下を抑制することができる。
【００５５】
以上のような実施形態に係る光発電モジュール１００によれば、ヘテロ接合型の光発電素子１０を備え、且つ、第１接着層２２が、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている。ここで、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、水分透過率が低いという特性を有している。このため、第１保護層４０として、水分透過率が比較的高い材料を選択した場合であっても、第１接着層２２によって第２非晶質系半導体膜１３及び第１非晶質系半導体膜１２を水分から保護することができる。よって、例えば、第１保護層４０に含まれるナトリウム成分が水分とともに第２非晶質系半導体膜１３及び第１非晶質系半導体膜１２側に泳動することも抑制することができる。
このため、第１封止層３０の材料の選択の自由度が高くなる。
また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、紫外線に対する耐性も良好である。よって、第１封止層３０が紫外線吸収剤を実質的に含んでいなくても、第１接着層２２の良好な耐性を確保できる。このため、紫外光を発電に有効に利用することができるので、より良好な発電効率を得ることができる。
【００５６】
特に、第１接着層２２を構成する樹脂材料（エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料）における共重合体がアイオノマーである場合、第１接着層２２の良好な透明性、紫外線耐性及び水分の低い透過率を実現できるため、上述した効果をより確実に得ることができる。
【００５７】
また、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることにより、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となるので、光発電モジュール１００の良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率は、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
第１封止層３０の光線透過率についても、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１封止層３０の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることができ、その場合、特に良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
【００５８】
また、複数の第１微細配線２１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合において、ワイヤーの外径をＤとすると、第１接着層２２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定することができる。このようにすることにより、図３に示すように、第１電極１５からの第１微細配線２１の浮き上がりを抑制し、より確実に第１電極１５に対して第１微細配線２１を溶着させることができるとともに、第１接着層２２により第１樹脂フィルム２３を第１電極１５に対して十分な接着強度で接着することができる。
【００５９】
また、第２保護層７０が透光性である場合において、第２接着層５２を、第１接着層２２と同様に、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成することができる。このようにすることにより、第２接着層５２によって第１接着層２２と同様の効果が得られる。
すなわち、第２保護層７０として、水分透過率が比較的高い材料を選択した場合であっても、第２接着層５２によって第４非晶質系半導体膜１７及び第３非晶質系半導体膜１６を水分から保護することができる。よって、例えば、第２保護層７０に含まれるナトリウム成分が水分とともに第４非晶質系半導体膜１７、及び第３非晶質系半導体膜１６側に泳動することも抑制することができる。
このため、第２保護層７０の材料の選択の自由度が高くなる。
また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、紫外線に対する耐性も良好である。よって、第２保護層７０が紫外線吸収剤を実質的に含んでいなくても、第２接着層５２の良好な耐性を確保できる。このため、紫外光を発電に有効に利用することができるので、より良好な発電効率を得ることができる。
特に、第２接着層５２を構成する樹脂材料（エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料）における共重合体がアイオノマーである場合、第２接着層５２の良好な透明性、紫外線耐性、水分の低い透過率を実現できるため、上述した効果をより確実に得ることができる。
【００６０】
また、第２接着層５２についてＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第２接着層５２の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることにより、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となるので、光発電モジュール１００の良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
第２保護層７０の光線透過率についても、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第２封止層７０の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることができ、その場合、特に良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
【００６１】
なお、光発電素子１０の各構成要素の導電型は、上述の例とは反転していても良い。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
実施例に係る光発電モジュールを、以下の方法で作製した。
透光性基板（第１保護層）、第１封止層（後述する樹脂シート１を使用）、第１配線シート（後述する配線シート１を使用）、光発電素子の順に重ねた。更に、光発電素子の上に、第２配線シート（後述する配線シート１を使用）、第２封止層（後述する樹脂シート３を使用）、バックシート（第２保護層）をこの順で重ね、これらを真空ラミネータを用いてラミネートし、光発電モジュールを作製した。
【００６４】
比較例に係る光発電モジュールは、第１封止層および第２封止層としてそれぞれ後述する樹脂シート４を使用し、第１配線シート及び第２配線シートとしてそれぞれ後述する配線シート２を使用した以外は、実施例に係る光発電モジュールと同様に作製した。
【００６５】
＜配線シート１＞
厚さ２５μｍのテトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）により形成された基材シート（第１樹脂フィルム又は第２樹脂フィルムに相当）と、当該基材シートの一方の面に形成された厚さ７５μｍの樹脂シート２（後述：第１接着層又は第２接着層に相当）と、を有するシートにおける樹脂シート２側の表面に対して、直径３００μｍの金属微細配線を等間隔に並べて加熱圧着することにより、配線シート１を作製した。得られた配線シート１は、樹脂シート２にワイヤが埋設されていた。
【００６６】
＜配線シート２＞
厚さ１００μｍの樹脂シート４（後述）の表面に対して、直径３００μｍの金属微細配線を等間隔に並べて加熱圧着することにより、配線シート２を作製した。得られた配線シート２は、樹脂シート４にワイヤが埋設されていた。
【００６７】
各樹脂シート１〜４は、後述するＡ層（（Ａ）−１又は（Ａ）−２）と、後述するＢ層（（Ｂ）−１又は（Ｂ）−２）と、のうちの少なくとも何れか１層を有する単層又は多層の樹脂シートである。
＜樹脂シート１＞
樹脂シート１は、３層シートであり、表層である（Ａ）−１と、中間層である（Ｂ）−１と、表層である（Ａ）−１と、がこの順に積層された構造となっている。
【００６８】
＜樹脂シート２＞
樹脂シート２は、単層シートであり、（Ａ）−１により構成されている。
【００６９】
＜樹脂シート３＞
樹脂シート３は、３層シートであり、表層である（Ａ）−２と、中間層である（Ｂ）−２と、表層である（Ａ）−２と、がこの順に積層された構造となっている。
【００７０】
＜樹脂シート４＞
樹脂シート４は、単層シートであり、エチレン−酢酸ビニル共重合体により構成されている。
【００７１】
以下、各層の原料と配合を説明する。
【００７２】
＜原料＞
−１．樹脂−
（Ａ層）用の樹脂
・アイオノマー１：エチレン・メタクリル酸・アクリル酸ブチル三元共重合体（メタクリル酸単位含有量＝５質量％、アクリル酸ブチル７質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１０％、ＭＦＲ１１ｇ／１０分）
・アイオノマー２：エチレン・メタクリル酸共重合体（メタクリル酸単位含有量＝８．５質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１８％、ＭＦＲ６ｇ／１０分）
【００７３】
（Ｂ層）用の樹脂
・アイオノマー３：エチレン・メタクリル酸・アクリル酸ブチル三元共重合体（メタクリル酸単位含有量＝５質量％、アクリル酸ブチル７質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１０％、ＭＦＲ１１ｇ／１０分）
・アイオノマー４：エチレン・メタクリル酸共重合体（メタクリル酸単位含有量＝１２質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度３６％、ＭＦＲ１．５g／１０分）
【００７４】
−２．添加剤−
・酸化防止剤：ペンタエリトリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（ＢＡＳＦ社製、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０）
・紫外線吸収剤：２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール
・光安定剤：ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート
・シランカップリング剤：Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン
【００７５】
なお、Ａ層およびＢ層に用いられる安定剤マスターバッチ１としては、各層用の樹脂と同じ樹脂と、酸化防止剤、紫外線吸収剤および光安定剤とを、樹脂／酸化防止剤／紫外線吸収剤／光安定剤＝９３．７／０．３／４／２の質量比で混合し、あらかじめ２軸押し出し機にて押し出したものを用いた。
また、Ａ層およびＢ層に用いられる安定剤バスターバッチ２としては、各層用の樹脂と同じ樹脂と、酸化防止剤、紫外線吸収剤および光安定剤とを、樹脂／酸化防止剤／光安定剤＝９６／２／２の質量比で混合し、あらかじめ２軸押出機にて押し出したものを用いた。
白色マスターバッチとしては、大日精化工業株式会社製白色マスターバッチＰＥ−Ｍ  １３Ｎ４７００と、酸化防止剤と、紫外線吸収剤と、光安定剤と、を所定質量比で混合し、あらかじめ２軸押出機にて作製したものを用いた。
【００７６】
−３．配合−
＜Ａ層＞
・（Ａ）−１：アイオノマー１／安定剤マスターバッチ２／シランカップリング剤＝９０／１０／０．２
・（Ａ）−２：アイオノマー２／安定剤マスターバッチ１／白色マスターバッチ／シランカップリング剤＝８５／１０／５／０．２
【００７７】
＜Ｂ層＞
・（Ｂ）−１：アイオノマー３／安定剤マスターバッチ２＝９０／１０
・（Ｂ）−２：アイオノマー４／安定剤マスターバッチ１／白色マスターバッチ＝８５／１０／５
【００７８】
＜樹脂シートの作製＞
多層樹脂シートである樹脂シート１および３を、それぞれ２種３層多層キャスト成形機（田辺プラスチックス機械社製）、フィードブロック式（ＥＤＩ社製）、４０ｍｍφ単軸押出機、およびダイ幅５００ｍｍ押出機を用いて加工温度１４０℃にてシート状に成形することにより作製した。
また、単層樹脂シートである樹脂シート２および４を、それぞれ単層Ｔ−ダイ成形機（田辺プラスチックス機械社製）、４０ｍｍφ単軸押出機、ダイ幅５００ｍｍ押出機を用いて、上記樹脂シート１、３と同様に、加工温度１４０℃にてシート状に成形し、作製した。
なお、基材シートと樹脂シート２との積層構造を有する配線シート１は、上記成形機の繰出し部分より基材シートを供給し、樹脂シート２を成形時にニップロールにて加熱圧着することで製造した。
【００７９】
実施例および比較例の光発電モジュールを用いて行った測定および評価について、以下に説明する。
【００８０】
配線接続良否（ＥＬ画像）： 
実施例及び比較例に係る光発電モジュールの配線接続良否について、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）法により評価した。すなわち、各光発電モジュールに電流を入力して発光させた状態で、ＥＬ画像を取得し、良否の評価を行った。
各光発電モジュールのＥＬ画像の取得には、ＥＬ画像検査装置（アイテス社製、ＰＶＸ１００）を用いた。また、ＥＬ画像を取得するための測定条件は、シャッター時間１５秒、絞り８、ＩＳＯ感度８００、光発電モジュールへの入力電圧０．７３Ｖ、光発電モジュールへの入力電流８Ａという条件を採用した。
そして、得られたＥＬ画像を目視にて確認し、配線接続良否の評価を行った。
評価結果は、○：影なし（接続良好）、×：影あり（配線接続の一部に難あり）、とした。
結果は、実施例では○、比較例では×となった。
【００８１】
発電効率（Ｐｍａｘ）：
実施例及び比較例に係る光発電モジュールについて、発電効率（Ｐｍａｘ）を測定した。
すなわち、各光発電モジュールに入力するバイアス電圧を変化させながら、電流を測定し、得られたデータをプロットすることにより、Ｉ−Ｖ曲線（図示略）を得た。
ここで、電流の測定には、住友重機械工業株式会社  太陽電池ＩＶ測定装置Ｎｏ．Ｍ１３０−ＤＤＹＴＢ３８３  Ｊ−ＪＡを用いた。
また、バイアス電圧は、−０．１Ｖから０．８Ｖの範囲で変化させ、この範囲のうち、−０．１Ｖから０．４Ｖまではバイアス電圧を０．０２Ｖ刻みで変化させ、０．４Ｖから０．８Ｖまではバイアス電圧を０．０１Ｖ刻みで変化させた。
また、測定条件として、ＡＭ１．５Ｇ、１ＳＵＮを採用し、２５℃で測定を行った。
そして、得られたＩ−Ｖ曲線に関し、電圧と電流の積が最大になる点、すなわち「最大出力＝発電効率（Ｐｍａｘ）」を求めた。
その結果、発電効率（Ｐｍａｘ）は、実施例では２１．１、比較例では１９．８となった。
【００８２】
フィルファクタ（ＦＦ）：
更に、上記の発電効率（Ｐｍａｘ）の測定結果を用いて、実施例及び比較例に係る光発電モジュールのフィルファクタ（ＦＦ）を求めた。
ここで、電圧が０Ｖ時の電流は短絡電流（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔ  ｃｕｒｒｅｎｔ＝Ｉｓｃ）といい、光発電モジュールに電流が流れていない時の電圧を開放電圧（ｏｐｅｎ−ｃｉｒｃｕｉｔ  ｖｏｌｔａｇｅ＝Ｖｏｃ）という。
フィルファクタ（ＦＦ）は、発電効率（Ｐｍａｘ）／（Ｖｏｃ×Ｉｓｃ）であり、実施例では０．７８９、比較例では０．７４３となった。
【００８３】
また、上記の配線シート１、２を用いて行った測定および評価について、以下に説明する。
【００８４】
・３５０ｎｍの波長における樹脂シートの光線透過率：２５℃という条件下、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて樹脂シートの３５０ｎｍの波長における光線透過率を測定した。なお、単位は、％とした。
実施例の配線シート１では、３５０ｎｍの波長における光線透過率は、８５％であった。
一方、比較例の配線シート２では、３５０ｎｍの波長における光線透過率は、４．３％であった。
【００８５】
・全光線透過率：２５℃という条件下、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて樹脂シートの全光線透過率を測定した。なお、単位は、％とした。
実施例の配線シート１では、全光線透過率は、８９．６％であった。
一方、比較例の配線シート２では、全光線透過率は、９２．２％であった。
【符号の説明】
【００８６】
１０ 光発電素子
１１ 結晶半導体基板
１２ 第１非晶質系半導体膜
１３ 第２非晶質系半導体膜
１４ 第１透光性電極膜
１５ 第１電極
１６ 第３非晶質系半導体膜
１７ 第４非晶質系半導体膜
１８ 第２透光性電極膜
１９ 第２電極
２１ 第１微細配線
２１ａ コア
２１ｂ 低融点金属膜
２２ 第１接着層
２３ 第１樹脂フィルム
３０ 第１封止層
４０ 第１保護層
５１ 第２微細配線
５２ 第２接着層
５３ 第２樹脂フィルム
６０ 第２封止層
７０ 第２保護層
１００ 光発電モジュール
２００ 配線シート
【図１】
2018056145.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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