(57)【要約】【課題】  透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで得られる低抵抗な透明導電体を提供する。【解決手段】  実施形態の透明導電体（１０）は、透明な基体（１１）と、前記透明な基体上に形成された金属ナノワイヤ層（１２）と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層（１３）と、前記酸化グラフェン層に接触して形成された電気絶縁性の樹脂層（１４）とを含む。前記金属ナノワイヤ層は、複数の金属ナノワイヤ（１２ａ）を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基体の上に金属ナノワイヤの分散液を塗布して金属ナノワイヤ層を形成することと、
アンモニアを含有する酸化グラフェンの水分散液又は酸化グラフェンのエタノール分散液を塗布し、乾燥させることで前記金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層を形成することと、
熱可塑性、熱硬化性、または光硬化性の透明樹脂を前記酸化グラフェン層に接触させて樹脂層を形成することと
を含む透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記金属ナノワイヤ層を形成する前に、前記透明な基体の上にアンモニアを含有する酸化グラフェンの水分散液又は酸化グラフェンのエタノール分散液を塗布し、乾燥させることで下層酸化グラフェン層を形成することをさらに含む請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項３】
前記金属ナノワイヤ層を１００℃以上の温度で加熱することをさらに含む請求項１又は２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
前記金属ナノワイヤ層をプレスすることをさらに含む請求項１又は２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項５】
前記酸化グラフェン層の一部を還元することをさらに含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明導電体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施態様は、透明導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、透明導電膜を用いたデバイスが開発されており、例えば、液晶表示素子、太陽電池、有機ＥＬ素子、ならびに無機発光ダイオード（無機ＬＥＤ）などの光デバイス、およびタッチパネルと称される位置決めパネルなどが挙げられる。これらのデバイスにおける透明電極や透明配線としては、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）膜が一般に用いられている。透明配線は、通常は距離が長く、フレキシビリティも要求される。しかし、ＩＴＯは一般にもろく、折り曲げ等でクラックが入りやすいため、抵抗の増大につながる。
【０００３】
カーボン材料（カーボンファイバー、カーボンナノチューブ、グラフェンなど）を導電材料として用いることによって、希少な金属等の使用量を大幅に削減することができ、場合によっては、金属等を用いないことも可能となる。カーボン材料は、柔軟性が高く、機械的な強度が大きいのに加えて化学的にも安定である。しかし、カーボン材料は、単独では比較的高い導電性を有するが、分子間の導電における抵抗が大きい。このため、カーボン材料を大面積の透明電極として使用した場合、同じ光透過度で比較すると、ＩＴＯ膜より電気抵抗が大きくなる。カーボン材料を長距離の配線として使用した場合、銅（Ｃｕ）などの金属導電材料を用いた場合よりも電気抵抗が著しく大きくなる。
【０００４】
金属ナノ材料は導電性が高いため、カーボン材料と金属ナノ材料との複合体を用いることによって導電性を向上させる開発が行われている。しかしながら、複合体を用いても、透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで得られる透明導電体を得るのは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−８４８５５号公報
【特許文献２】特開２００９−１４６６７８号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Scientific  Report, 2013, 3 : 1112 | DOI: 10.1038/srep01112, In Kyu Moonら
【非特許文献２】Nano Letters,2013，Vol.13,pp2814-2821. Mi-Sun Leeら
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで得られる低抵抗な透明導電体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係る透明導電体の製造方法は、透明な基体の上に金属ナノワイヤの分散液を塗布して金属ナノワイヤ層を形成することと、酸化グラフェンの分散液を塗布し乾燥させることで上記金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層を形成することと、透明樹脂を上記酸化グラフェン層に接触させて樹脂層を形成することとを含む。酸化グラフェンの分散液は、アンモニアを含有する酸化グラフェンの水分散液、又は酸化グラフェンのエタノール分散液である。透明樹脂は、熱可塑性、熱硬化性、または光硬化性の透明樹脂である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態の透明導電体の断面を示す概略図。
【図２】一実施形態の透明導電体における酸化グラフェンによる金属ナノワイヤの融合を示す概略図。
【図３】一実施形態の発光デバイスの断面の構成を示す概略図。
【図４】他の実施形態の発光デバイスの断面の構成を示す概略図。
【図５】他の実施形態の位置決め用パネルの平面の構成を示す概略図。
【図６】図５に示した位置決め用パネルの断面の構成を示す概略図。
【図７】実施例の透明導電体のＳＥＭ画像。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して実施の形態を説明する。  
透明ＩＴＯフィルム上に、無機ＬＥＤとアクリル樹脂層とが配置された発光デバイスでは、透明性および折り曲げ耐性をさらに高め、抵抗をさらに下げるのが困難である。ＣＶＤで作製したグラフェンを含む層と銀ナノワイヤを含む層とが積層されたＰＥＴフィルムで、無機ＬＥＤをサンドイッチしたデバイスは透過率が低く高コストである。銀ナノワイヤを用いたタッチパネルは、剥離耐性が乏しく、不純物、特にイオウ成分に対する耐性を確保するのが難しい。
【００１１】
透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで提供できる低抵抗な透明導電体が、本発明者らによって見出された。  
図１は、一実施形態の透明導電体１０の断面を示す概略図である。透明な基体１１の上には、金属ナノワイヤ１２ａの集合体からなる金属ナノワイヤ層１２、および酸化グラフェン層１３が設けられる。金属ナノワイヤ層１２は、複数の金属ナノワイヤ１２ａを含み、離間して隣接する金属ナノワイヤ同士の間に隙間が生じることがある。この隙間において、酸化グラフェン層１３は基体１１に接し、さらに、こうした酸化グラフェン層１３に接して、電気絶縁性の樹脂層１４が配置される。
【００１２】
透明導電体１０においては、複数の金属ナノワイヤ１２ａは、互いに一部が接触または融合して、網目状や格子状等のネットワーク状構造を形成する。こうして複数の導電性パスが形成され、全体を連なるような導電クラスターが形成される（パーコレーション導電理論）。そのような導電クラスターが形成されるためには、金属ナノワイヤにある程度の数密度が必要とされる。一般的には、導電クラスターが形成されやすいのは、より長い金属ナノワイヤであり、導電性が大きいのは、直径のより大きな金属ナノワイヤである。このように、金属ナノワイヤを用いることによってネットワーク状構造が形成されるため、金属の量は少ないものの全体として高い導電性を示す。しかも、得られる金属ナノワイヤ層１２はフレキシブルである。
【００１３】
酸化グラフェンは、安価なグラファイトから製造でき、酸化グラフェン層１３はフレキシブルで透明である。酸化グラフェン同士は、水素結合に起因して高い結合性および粘着性を有する。そのため、酸化グラフェンは、金属ナノワイヤ１２ａ同士を融合させる働きを有し、金属ナノワイヤ層１２の導電性を高めるとともに、熱的安定性および機械的安定性を向上させる。図２を参照して、酸化グラフェンによる金属ナノワイヤ１２ａの融合について説明する。図２（ａ）は、実施形態の透明導電体における金属ナノワイヤ１２ａおよびグラフェン１３ａを上から見た概略図であり、図２（ｂ）は、断面における概略図である。一部の酸化グラフェン１３ａ’は基体１１に接しており、ここで金属ナノワイヤ１２ａは酸化グラフェン１３ａと１３ａ’とに挟まれることになる。酸化グラフェン同士の強い結合力２３によって、金属ナノワイヤ１２ａ同士の融合が引き起こされる。
【００１４】
さらに、酸化グラフェン１３ａは種々の効果を有している。例えば、酸化グラフェン１３ａは層状物質であり、外部からの不純物の拡散を防止する作用を有する。特に銀ナノワイヤは、イオウおよびその化合物により腐食されるおそれがあるが、酸化グラフェンのこうした効果によって腐食を防ぐことができる。
【００１５】
酸化グラフェン１３ａ自体は絶縁性ではあるが、電圧を印加し電流を流すと一部がグラフェンに変化して抵抗値を下げることができる。このため、酸化グラフェン層と電気素子との良好なコンタクトが得られる。酸化グラフェン１３ａはまた、金属ナノワイヤ１２ａの一部を溶解させてその融合を促進したり、溶解させた金属をナノ粒子として析出させることができる。酸化グラフェンは電気絶縁性の樹脂との接着も良好であり、極性基を有する樹脂との接合は特に優れている。
【００１６】
本実施形態の透明導電体において、金属ナノワイヤ層１２と酸化グラフェン層１３と絶縁性の樹脂層１４とを含む積層構造をパターニングした場合には、電気配線として用いることができる。本実施形態の透明導電膜をパターニングしてなる電気配線は、透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで得られ、低抵抗であるので、このような電気配線として有するデバイスは、透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性に優れている。しかも、抵抗が低いのに加えて低コストで製造できる点でも有利である。
【００１７】
一般的には、直径が１０〜５００ｎｍ程度、平均長さが０．１〜５０μｍ程度の金属ワイヤを金属ナノワイヤと称する。なお、金属ナノワイヤの直径は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定することができ、金属ナノワイヤの平均長さは、例えば、ＳＥＭ画像の解析により求めることができる。
【００１８】
本実施形態においては、金属ナノワイヤ１２ａの直径は、２０〜１５０ｎｍが好ましく、３０〜１２０ｎｍがより好ましい。金属ナノワイヤの平均長さが短すぎる場合には、十分な導電クラスターが形成されず電気抵抗が高くなる。一方、金属ナノワイヤの平均長さが長すぎる場合には、電極等を製造する際の溶媒への分散が不安定になる。金属ナノワイヤの平均長さは、１〜１００μｍが好ましく、５〜４０μｍがより好ましい。
【００１９】
金属ナノワイヤ１２ａは、銀ナノワイヤであることが好ましい。銀は電気抵抗が最も小さく、酸素や水に対しても比較的安定である。金属ナノワイヤの価格の面からは、銅ナノワイヤも好ましい。金属ナノワイヤは、合金製であってもよく、ニッケル等によるめっき処理が表面に施されていてもよい。
【００２０】
金属ナノワイヤ１２ａは、金属イオンの水溶液を種々の還元剤を用いて還元することに製造することができる。用いる還元剤の種類、保護ポリマー、共存イオンを選択することによって、金属ナノワイヤの形状やサイズを制御できる。銀ナノワイヤの製造には、還元剤としてエチレングリコールなどの多価アルコールを用い、保護ポリマーとしてポリビニルピロリドンを用いるのが好ましい。こうした原料を用いることによって、ナノオーダーのいわゆるナノワイヤを得ることができる。
【００２１】
金属ナノワイヤ層１２は、金属ナノワイヤ１２ａの分散液を透明な基体１１上に塗布して形成することができる。分散液の塗布方法は、スピンコート法、スプレーコート法、およびアプリケータコート法等から選択することができる。透明な基体１１上に作製された金属ナノワイヤ層を１００℃以上の温度で加熱したり、プレス機等でプレスすることにより金属ナノワイヤ同士を融合させた場合には、金属ナノワイヤ層の導電性はさらに高められる。また、直径や材質の異なる金属ナノワイヤを用いて金属ナノワイヤ層を作製してもよい。これにより表面抵抗、全光透過率、光反射率、Ｈａｚｅ値などを変化させることができる。
【００２２】
本実施形態における酸化グラフェン１３ａとしては、グラファイトを酸化して得られる平面状の酸化グラフェンが好ましい。酸化グラフェン１３ａは積層されて酸化グラフェン層１３を構成する。酸化グラフェンの層数が少なすぎる場合には、不純物に対する耐性を十分に得られず、酸化グラフェンの層数が多すぎる場合には抵抗が増大するおそれがある。酸化グラフェンの層数は、２〜１００層が好ましく、３〜３０層がより好ましい。
【００２３】
酸化グラフェン層１３は、酸化グラフェンを極性溶媒に分散させた分散液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。極性溶媒中には、酸化グラフェンの分散性を上げるために塩基性の化合物、例えばアンモニアやアミン類、水酸化ナトリウム等を必要に応じて添加してもよい。酸化グラフェン１３ａは、単層および２〜５層の多層のいずれでもよい。酸化グラフェンの径が小さすぎる場合には不純物に対する耐性が不十分となり、酸化グラフェンの径が大きすぎる場合には、極性溶媒に対する分散性が悪くなって、均一な塗布膜の形成が困難になる。酸化グラフェン１３ａの径は、１００ｎｍ〜１０μｍが好ましく、３００ｎｍ〜４μｍがより好ましい。
【００２４】
なお、平板状の酸化グラフェンの径とは、平板の面積を対応する円で表した時の直径をさす。この径は、例えばＳＥＭ画像の解析により求めることができる。  
酸化グラフェンにおける酸素含有量が少なすぎる場合には、光吸収が大きくなって十分な透明性が得られない。一方、酸化グラフェンにおける酸素含有量が多すぎる場合には、不純物に対するバリアー性が低下するおそれがある。酸化グラフェンにおける酸素含有量は、炭素原子数の１０〜１５０％が好ましく、３０〜１２０％がより好ましい。
【００２５】
酸化グラフェン層１３中、または酸化グラフェン層１３の表面には、金属ナノ粒子が含まれていてもよい。金属ナノ粒子が含まれることによって、酸化グラフェン１３ａと金属ナノワイヤ１２ａとの間、および酸化グラフェン層１３と電気素子との間のコンタクトがより良好になる。金属ナノ粒子は、金属ナノワイヤと同じ金属であることが好ましい。金属ナノワイヤと酸化グラフェンとの化学反応によって、金属ナノ粒子を別途添加することなく、プロセス的に金属ナノ粒子を作製することが可能である。
【００２６】
金属ナノ粒子の直径が小さすぎる場合にはナノ粒子の安定性が不十分となり、金属ナノ粒子の直径が大きすぎる場合には、コンタクト改良の効果を十分に得ることができない。
金属ナノワイヤから大粒径の金属ナノ粒子が生成されると、原料である金属ナノワイヤの径が細くなる。また、大粒径の金属ナノ粒子が存在する透明導電体は、タッチパネルに適用した際に短絡しやすくなる。これらを考慮すると、金属ナノ粒子の直径は、１〜５０ｎｍ程度が好ましく、３〜２０ｎｍがより好ましい。
【００２７】
電気絶縁性の樹脂層１４は、熱可塑性、熱硬化性、または光硬化性の透明樹脂により形成することができる。樹脂層１４と酸化グラフェン層１３との密着性が高められることから、極性基を有する樹脂を用いることが好ましい。特に、酸化グラフェンの−ＯＨ基と水素結合を形成しやすいカルボニル基を有する樹脂が好ましい。
【００２８】
上述した樹脂の中でも、熱可塑性の樹脂または光硬化性の樹脂が特に好ましい。熱可塑の樹脂は作製プロセスが容易であり、特にフレキシビリティが要求される応用に適している。熱可塑性の樹脂としては、例えばアクリル系エラストマー、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩ビ系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アミド系エラストマーが用いられるが、カルボニル基を有するアクリル系エラストマーやウレタン系エラストマー、およびアミド系エラストマーが好ましい。
【００２９】
光硬化性樹脂は、短時間で硬化し、デバイス作製のためのプロセス時間を短時間にすることができる。短時間硬化に起因して樹脂層に歪みが生じやすいが、本実施形態における金属ナノワイヤ層および酸化グラフェン層はフレキシブルであり、その歪みに耐えることができる。酸化グラフェンは、ビニルモノマーの光重合開始剤としても機能する。光硬化性の樹脂としては、紫外光硬化樹脂が好ましく、例えば、アクリレートラジカル重合系樹脂およびエポキシカチオン重合系樹脂が挙げられ、アクリレート系の樹脂がより好ましい。光照射後には、ポストアニール処理を施してもよい。
【００３０】
透明な基体１１の材質は、樹脂およびガラスから選択することができるが、電気絶縁性の樹脂であることがフレキシビリティや低コストの面から好ましい。このような樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、環状オレフィン樹脂（例えばＡＲＴＯＮ等）、およびポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等が挙げられる。機械的な強度や透明性が特に高く、特に低コストである点で、ＰＥＴが最も好ましい。透明な基体１１の厚みは、５０μｍ〜２００μｍ程度が好ましい。
【００３１】
ＰＥＴからなる基体１１の外側には、反射防止膜やハードコート層を設けてもよい。反射防止膜の形成には、例えば低屈折率のＭｇＦ2やＬｉＦ等の無機系材料やフッ素系ポリマー、酸化グラフェンなどを用いることができ、ハードコート層の形成には、例えばＳｉＯ2などの無機酸化物や多官能性のアクリル樹脂等を用いることができる。
【００３２】
ハードコート層はまた、酸素、水蒸気、あるいは硫化水素等の腐食性ガスに対するバリアー層としても有効である。金属ナノワイヤ１２ａと接触する面には、金属ナノワイヤ１２ａとの結合を強固にするためのバインダー層を設けてもよい。バインダー層は、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンまたは酸化グラフェン等を用いて形成することができる。上部の酸化グラフェン層との相互作用が強くなることから、酸化グラフェン自体をバインダーとして用いるのが最も好ましい。この場合、バインダーに用いる酸化グラフェンの構造や酸素含有量は、酸化グラフェン層１３の酸化グラフェンとは異なっていてもよい。ＰＥＴフィルムとの密着性を高めるために、バインダー層のグラフェンの酸素含有率は、上部の酸化グラフェン層１３より小さい方が好ましい。
【００３３】
酸化グラフェン層１３中には、窒素原子が含まれていてもよい。酸化グラフェン層１３の原料となる溶媒分散液に窒素原子の出発物質を加えることによって、酸化グラフェン層１３中に窒素原子を混入させることができる。出発物質としては、例えば、アンモニアやアミン化合物、ヒドラジン、およびヒドラジン化合物等が挙げられる。酸化グラフェン層に窒素原子が存在することによって、酸化グラフェン層と金属ナノワイヤとの結合がよりいっそう強められる。
【００３４】
炭素原子の少なくとも０．１％の窒素原子が酸化グラフェン層１３中に含まれていれば、窒素原子の効果を得ることができる。酸化グラフェン層１３中の窒素原子の量は、炭素原子の０．２％以上であることがより好ましい。一方、酸化グラフェン層１３中における窒素原子の量が多すぎる場合には、酸化グラフェン同士の結合力が低下するおそれがある。窒素原子の量は、炭素原子の１０％以下であることが好ましく、６％以下であることがより好ましく、０．２〜４％程度が最も好ましい。
【００３５】
炭素原子と酸素原子との比率（Ｏ／Ｃ）、または炭素原子と窒素原子との比率（Ｎ／Ｃ）は、ＸＰＳにより測定することができる。装置によってシグナル感度が異なるため、各元素のシグナル強度は、既知の組成を有する材料を基準物質として用いることにより補正することができる。炭素原子と窒素原子との比率（Ｎ／Ｃ）の標準物質としては、例えば、Ｃ3Ｎ4の組成比を有するカーボンナイトライドが挙げられる。
【００３６】
本実施形態の透明導電体を電気配線として用いる場合には、この電気配線となる部分の表面抵抗が１０Ω／□以下であることが好ましい。表面抵抗が１０Ω／□より大きくなると、Ａ４サイズ以上の大面積素子に適用する際に配線抵抗が大きくなって、駆動電圧が増大するおそれがある。
【００３７】
金属ナノワイヤ１２ａと透明な基体１１との間には、酸化グラフェン層１３の一部が存在することが好ましい。この場合は、前述のバインダー層と同様の効果が得られる。特に、基体１１がＰＥＴやＰＥＮ、ポリカーボネートのような芳香環を含む樹脂からなる場合には、この樹脂中の芳香環が酸化グラフェン中の芳香環と相互作用して、基体１１と酸化グラフェン層１３との密着性が高められる。その結果、金属ナノワイヤ１２ａと基体１１との密着性も向上する。
【００３８】
図３には、一実施形態にかかる発光デバイスの構成を示す。図示する発光デバイス３０は、透明な第１基体３１、およびその表面に形成された第１導電層３２を含む透光性の第１支持体３３と、第２基体３４、およびその表面に形成され、前記第１導電層に離間対向して配置された第２導電層３５を含む第２支持体３６と、半導体層（ｎ型半導体層３７ｂおよびｐ型半導体層３７ｃ）と、半導体層の両面に形成された第１の電極３７ａおよび第２の電極３７ｄとを有し、第１の電極３７ａが第１導電層３２に電気的に接続され、第２の電極３７ｄが第２導電層３５に電気的に接続されて、第１支持体３３と第２支持体３６との間に配置された発光素子３７と、前記第１導電層３２および前記第２導電層３５に接する電気絶縁性の樹脂層３８とを具備し、前記第１導電層３２は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含む。
【００３９】
言い換えると、発光デバイス３０においては、透光性の第１支持体３３と第２支持体３６とによって発光素子３７が挟持され、２つの支持体と発光素子とで囲まれた領域には、電気絶縁性の樹脂層３８が配置されている。
【００４０】
第１支持体３３は、透明な第１基体３１と、この表面に形成された第１導電層３２とを含み、第２支持体３６は、第２基体３４と、この表面に形成された第２導電層３５とを含み、第１導電層３２と第２導電層３５とは対向している。第１基体３１としては、すでに説明したような透明な基体が用いられ、電気絶縁性の樹脂層３８には、すでに説明したような透明樹脂が用いられる。
【００４１】
第１導電層３２は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層とから構成される。第２基体が透明であって、第２導電層３５が、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層とから構成されることが好ましい。
【００４２】
第１導電層３２および第２導電層３５は、パターン化されていてもよい。パターン化された第１導電層３２および第２導電層３５は、互いに交差するように配置することができる。
【００４３】
発光素子３７は、無機ＬＥＤであることが好ましい。発光素子３７は、順次積層されたｎ側電極３７ａ、ｎ型半導体層３７ｂ、ｐ型半導体層３７ｃ、およびｐ側電極３７ｄを含む。発光素子３７におけるｎ側電極３７ａは、第１導電層３２に電気的に接続され、ｐ側電極３７ｄは第２導電層３５に電気的に接続されている。ｎ側電極３７ａと第１導電層３２との間、ｐ側電極３７ｄと第２導電層３５との間には、導電性接着剤の層を設けてもよい。発光デバイス３０の表面（第１基体３１および第２基体３４の表面）には、前述した反射防止層やハードコート層を設けるのが好ましい。また、発光デバイス３０の周囲には、腐食性ガスの侵入を防ぐための封止が施されることが好ましい。
【００４４】
図４には、他の実施形態にかかる発光デバイスを示す。図示する発光デバイス４０は、透明な第１基体４１、およびその表面に分割して形成された導電層４２を含む透光性の第１支持体４３と、前記導電層に離間対向して配置された第２支持体４４と、半導体層（ｎ型半導体層４５ｂおよびｐ型半導体層４５ｃ）と、半導体層の片面に分離して形成された第１の電極４５ａおよび第２の電極４５ｄとを有し、第１の電極４５ａおよび第２の電極４５ｄが前記分割して形成された導電層４２の各々に電気的に接続されて、前記第１支持体４３と前記第２支持体４４との間に配置された発光素子４５と、前記導電層４２および前記第２支持体４４に接する電気絶縁性の樹脂層４６とを具備し、前記導電層４２は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含む。
【００４５】
言い換えると、発光デバイス４０においては、第１基体４１を含む第１支持体４３と第２支持体４４とによって発光素子４５が挟持され、発光素子４５は電気絶縁性の樹脂層４６中に埋め込まれている。第１支持体４３は、第１基体４１の表面に形成された導電層４２を有し、この導電層４２は第２支持体４４に対向している。第１基体４１としては、すでに説明したような透明な基体が用いられ、電気絶縁性の樹脂層４６としては、すでに説明したような透明樹脂が用いられる。
【００４６】
導電層４２は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層とから構成され、貫通部４２ａを有している。貫通部４２ａ内は、電気絶縁性の樹脂が配置されている。
【００４７】
発光素子４５は、無機ＬＥＤであることが好ましい。発光素子４５は、ｐ形半導体層４５ｃと、このｐ型半導体層４５ｃの一部を覆うｎ型半導体層４５ｂとを含む。ｎ型半導体層４５ｂ上にｎ側電極４５ａが形成され、ｎ型半導体層４５ｂに覆われていないｐ型半導体層４５ｃ上にはｐ側電極４５ｄが形成され、これらのｎ側電極４５ａおよびｐ側電極４５ｄは、分割して形成された各々の導電層４２に電気的に接続されている。ｎ側電極４５ａおよびｐ側電極４５ｄと導電層４２との間には、導電性接着剤の層を設けてもよい。ｎ側電極４５ａとｐ側電極４５ｄとは、導電層４２の貫通部４２ａに配置された電気絶縁性の樹脂によって電気的に絶縁されている。発光デバイス４０の表面（第１基体４１および第２支持体４４の表面）には、前述した反射防止層やハードコート層を設けるのが好ましい。また、発光デバイス４０の周囲には、腐食性ガスの侵入を防ぐための封止が施されることが好ましい。
【００４８】
図５および図６を参照して、他の実施形態にかかる位置決め用パネルについて説明する。図５（ａ）は、位置決め用パネルの平面の構成を説明する図であり、図５（ｂ）および図５（ｃ）は、それぞれ第１配線基板および第２配線基板の平面図である。また、図６には、この位置決め用パネルの断面図を示す。図６（ａ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図であり、図６（ｂ）は図５（ａ）中のＢ−Ｂ’における断面図である。
【００４９】
図示する位置決め用パネル５０は、透明な第１基体５１、およびその表面に形成され、第１の方向に延びるパターン化された第１の導電層５２を含む第１配線基板５７と、透明な第２基体５３、およびその表面に形成され、前記パターン化された第１の導電層に離間対向し、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びるパターン化された第２の導電層５４を含む第２配線基板５８と、前記第１基体５１および前記第１の導電層５２、ならびに前記第２基体５３および前記第２の導電層５４に接する電気絶縁性の樹脂層５６とを具備し、前記第１の導電層５２および第２の導電層５４は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含む。
【００５０】
図５の平面図に示されるように、ｘ方向に延びるｘ電極５２と、ｘ方向と交差するｙ方向に延びるｙ電極５４とを含む。パッド部５５は、図６（ａ）、図６（ｂ）に示されるように、ｘ配線５２の一部５２’とｙ配線５４の一部５４’とによって構成される。
【００５１】
透光性の第１基体５１およびこの上に形成された複数のｘ配線５２によって第１配線基板５７が構成され、透光性の第２基体５３およびこの上に形成された複数のｙ配線５４によって、第２配線基板５８が構成される。ｘ配線５２とｙ配線５４とは、電気絶縁性の樹脂層５６によって隔てられている。第１基体５１および第２基体５３としては、すでに説明したような透明な基体が用いられ、電気絶縁性の樹脂層５６には、すでに説明したような透明樹脂が用いられる。
【００５２】
ｘ配線５２およびｙ配線５４は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、金属ナノワイヤ層を覆う酸化グラフェン層とから構成される。ｘ配線５２およびｙ配線５４は、パターン化された導電層ということができる。位置決め用パネル５０の表面（第１基体５１および第２基体５３の表面）には、前述した反射防止層やハードコート層を設けるのが好ましい。また、位置決め用パネル５０の周囲には、腐食性ガスの侵入を防ぐための封止が施されることが好ましい。
【００５３】
本実施形態の位置決め用パネルは、静電容量方式に適切である。また、電気絶縁性の樹脂層の形成には、熱可塑性または硬化性の樹脂を用いることができる。  
以下に、各実施形態の具体例を示す。
【００５４】
（実施例１）
図３に示した発光デバイス３０を、以下の方法で作製する。  
第１基体としてのＰＥＴフィルムの表面を、ＵＶオゾン処理により若干親水性にする。
金属ナノワイヤとしてのＮａｎｏ  Ｍｅｅｔ社の銀ナノワイヤ（平均直径４０ｎｍ、長さ２０〜８０μｍ）をメタノールに分散させて、０．２ｍｇ／ｍｌのメタノール分散液を調製する。得られた分散液を、マスクを介してスプレー法により８０℃に保持されたＰＥＴフィルム上に塗布して配線パターンを得、さらに６０℃で１０分乾燥して銀ナノワイヤ層を作製する。銀ナノワイヤ層は、四探針法で測定した表面抵抗が約１０Ω／□である。
【００５５】
銀ナノワイヤ層の上に、酸化グラフェンのエタノール分散液を塗布する。酸化グラフェンは、粒径が５００ｎｍ〜３μｍであり、グラファイトから作製され炭素原子に対する酸素原子の比率（Ｏ／Ｃ）は１２０％である。酸化グラフェンのエタノール分散液を、銀ナノワイヤ層の全体に約１０層塗布し、６０℃で１０分乾燥して酸化グラフェン層が得られる。この操作によって、金属ナノワイヤ層と酸化グラフェン層とを含む複合体の表面抵抗は約７Ω／□に低減する。
【００５６】
なお、酸化グラフェンの層数は以下のようにして求めることができる。酸化グラフェンをヒドラジンで還元してグラフェンに変換する。５５０ｎｍの光を照射すると、グラフェン１層当たり２．３％の吸収がある。酸化グラフェン層とグラフェン層とで５５０ｎｍの光吸収量を比較して酸化グラフェンの層数を求める。この方法では、酸化グラフェン層がグラフェン層に変換されるため破壊検査となる。  
以上のようにしてＰＥＴフィルム上に形成された複合体を下部電極とする。上述と同様の手法により、上部電極を別途ＰＥＴフィルム上に形成しておく。
【００５７】
得られた複合体のＳＥＭ像を図７に示す。図７（ａ）は表面ＳＥＭ像であり、図７（ｂ）は断面ＳＥＭである。図７（ａ）で示されるように、複数の銀ナノワイヤ１２ａは酸化グラフェン層１３で覆われている。また、一面に直径が１０ｎｍ程度の銀ナノ粒子１６が存在する。図７（ｂ）の断面ＳＥＭ像から、銀ナノワイヤ１２ａが３次元的に積層されていることがわかる。断面ＳＥＭ像では酸化グラフェン層は識別できない。また、銀ナノ粒子も観測されないことから、銀ナノ粒子のほとんどは酸化グラフェン層の最表面に存在すると考えられる。
【００５８】
なお、図７（ｂ）に示されるＰｔ−Ｐｄ層は最表面を識別するために別途蒸着されたものであり、リデポ層は、試料断面作製の際に、イオンビームでスパッタされた試料材料が再付着して生成したものである。鮮明ではないものの、複数の銀ナノワイヤ１２ａを含む銀ナノワイヤ層１２とＰｔ−Ｐｄ層との界面にはわずかな隙間が見られ、ここにも酸化グラフェン層が存在していると考えられる。
【００５９】
銀ナノワイヤ層の上に酸化グラフェン層を設けることによって、表面の親水性は増加し、水の広がり面積は約５０％増大する。さらに、硫黄蒸気耐性も高められる。酸化グラフェン層を設けない場合、銀ナノワイヤ層の表面抵抗は硫黄蒸気存在下８０℃で１５分間放置した結果、１０6Ω／□以上と大幅に増大する。これに対して、酸化グラフェン層を設けることによって、銀ナノワイヤ層の表面抵抗は８０℃で１５分放置しても１０2Ω／□程度の増加にとどまる。
【００６０】
発光素子として、上下に一対の電極を有する赤色ＬＥＤチップを用意し、下部電極の上に押し付け設置する。全体にアクリル系の紫外線硬化樹脂を塗布して電気絶縁性の樹脂層を形成し、ＬＥＤチップの上部を有機溶媒で洗浄する。  
ＬＥＤチップの位置で上部配線と下部配線とが交差するように、ＬＥＤチップの上に、上部配線を有するＰＥＴフィルムを貼り合わせ、紫外光を照射する。その後、６０℃でポストアニールすることにより、本実施例の発光デバイスが得られる。
【００６１】
本実施例の発光デバイスは、２．０Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れている。しかも、上述したように低抵抗であり、低コストで作製することができる。
【００６２】
（実施例２）
図４に示した発光デバイス４０を以下の方法で作製する。  
第１基体としてのＰＥＴフィルムの表面を、ＵＶオゾン処理により若干親水性とし、さらにポリビニルアルコール系の親水性バインダー樹脂を塗布してバインダー層を形成する。Ｂｌｕｅ  Ｎａｎｏ社製の銀ナノワイヤ（平均直径３５ｎｍ、平均長さ１５μｍ）の２ｍｇ／ｍｌのエタノール分散液をバーコーターによりバインダー層上に塗布し、６０℃で１０分乾燥して銀ナノワイヤ層を作製する。
【００６３】
銀ナノワイヤ層の上に、実施例１と同様の酸化グラフェンのエタノール分散液を全体に約２０層塗布し、６０℃で１０分乾燥して酸化グラフェン層を得る。銀ナノワイヤ層と酸化グラフェン層とが積層されて、導電層が形成され、この導電層をＹＡＧレーザーでパターニングして配線を得る。
【００６４】
発光素子としては、一方の面に一対の電極を有する青色ＬＥＤチップを用意し、上で得られた配線上に押し付け設置する。全体にアクリル系の紫外線硬化樹脂を塗布して電気絶縁性の樹脂層を形成し、その上に第２の支持体としてのＰＥＴフィルムを貼り合わせた後、紫外光を照射する。最後に、６０℃でポストアニールすることにより本実施例の発光デバイスが得られる。
【００６５】
本実施例の発光デバイスは、３．７Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、低抵抗で、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れ、低コストで作製することができる。
【００６６】
（実施例３）
図４に示した発光デバイス４０を以下の方法で作製する。  
第１基体としてのＰＥＴフィルム上に、実施例１と同様の酸化グラフェンのエタノール分散液を全体に約１０層塗布し、６０℃で１０分乾燥する。これによって、バインダー層として下層酸化グラフェン層が得られる。金属ナノワイヤとしてのＮａｎｏ  Ｍｅｅｔ社の銀ナノワイヤー（平均直径４０ｎｍ）をメタノールで分散させて、２ｍｇ／ｍｌのメタノール分散液を調製する。得られた分散液を、下層酸化グラフェン層上にバーコーターで塗布し、６０℃で１０分乾燥して銀ナノワイヤ層を作製する。
【００６７】
上層酸化グラフェン層の原料として、グラファイトから作製され炭素原子に対する酸素原子の比率（Ｏ／Ｃ）が３７％で粒径が３００ｎｍ〜１μｍの酸化グラフェンの水分散液（０．４重量％のアンモニア含有）を準備する。この水分散液を、銀ナノワイヤ層の上に、全体にわたって約１０層塗布し、９０℃で２０分乾燥して上層酸化グラフェン層を得る。ＸＰＳから求めたＮ／Ｃ原子比は３〜４％である。下層酸化グラフェン層と銀ナノワイヤ層と上層酸化グラフェン層とが積層されて導電層が得られ、この導電層をＹＡＧレーザーでパターニングして配線を得る。
【００６８】
発光素子としては、一方の面に一対の電極を有する青色ＬＥＤチップを用意し、上で得られた配線上に押し付け設置する。全体にアクリル系の紫外線硬化樹脂を塗布して電気絶縁性の樹脂層を形成し、その上に第２支持体としてのＰＥＴフィルムを貼り合わせた後、紫外光を照射する。最後に、６０℃でポストアニールすることにより本実施例の発光デバイスが得られる。
【００６９】
本実施例の発光デバイスは、３．６Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、低抵抗で、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れ、低コストで作製することができる。
【００７０】
（実施例４）
図５に示す位置決め用パネル５０を以下の方法で作製する。  
第１基体としてのＰＥＴフィルムの表面を、ＵＶオゾン処理して若干親水性とし、さらにポリビニルアルコール系の親水性バインダー樹脂を塗布してバインダー層を形成する。金属ナノワイヤとしてのＮａｎｏ  Ｍｅｅｔ社の銀ナノワイヤー（平均直径４０ｎｍ）をメタノールで分散させて、２ｍｇ／ｍｌのメタノール分散液を調製する。得られた分散液をバーコーターによりバインダー層上に塗布し、６０℃で１０分乾燥して銀ナノワイヤ膜を作製する。
【００７１】
銀ナノワイヤ層の上に、実施例１と同様の酸化グラフェンのエタノール分散液を全体に約２０層塗布し、６０℃で１０分乾燥して酸化グラフェン層を得る。銀ナノワイヤ層と酸化グラフェン層とが積層されて導電層が形成される。この導電層をＹＡＧレーザーによりパターン加工してｘ配線およびｘ配線におけるパッド部を形成し、第１配線基板を得る。また、上述と同様の手法により、ＰＥＴフィルム上に導電層を形成し、ＹＡＧレーザーにより加工する。こうして、ｙ配線およびｙ配線におけるパッド部を形成して第２配線基板を得る。
【００７２】
ｘ配線が作製されたＰＥＴフィルム（第１配線基板）全体に、アクリル系の紫外線硬化樹脂を塗布して電気絶縁性の樹脂層を形成する。この電気絶縁性の樹脂層の上に、ｙ配線が形成されたＰＥＴフィルム（第２配線基板）を、パッド部同士がずれるように貼り合わせ、紫外光を照射する。その後、６０℃でポストアニールすることにより静電容量式のタッチパネルに用いられる位置決め用パネルが得られる。  
本実施例の位置決め用パネルはまた、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れ、低コストで作製することができる。
【００７３】
（実施例５）
図３に示した発光デバイス３０を、以下の方法で作製する。  
実施例１と同様にして、第１基体としてのＰＥＴフィルムの表面に銀ナノワイヤ層、および酸化グラフェン層を作製する。次に、酸化グラフェン層を、水和ヒドラジン蒸気に９０℃で１０分間接触させる。これにより酸化グラフェンが一部還元されるとともに、窒素原子が導入される。ＸＰＳから求めたＮ／Ｃ原子比は、０．３〜０．５％である。
【００７４】
以上のようにしてＰＥＴフィルム上に形成された複合体を下部電極とする。上述と同様の手法により、上部電極を別途ＰＥＴフィルム上に形成しておく。  
発光素子として、上下に一対の電極を有する赤色ＬＥＤチップを用意し、下部電極の上に押し付け設置する。全体にアクリル系の紫外線硬化樹脂を塗布して電気絶縁性の樹脂層を形成し、ＬＥＤチップの上部を有機溶媒で洗浄する。
【００７５】
ＬＥＤチップの位置で上部配線と下部配線とが交差するように、ＬＥＤチップの上に、上部配線を有するＰＥＴフィルムを貼り合わせ、紫外光を照射する。その後、６０℃でポストアニールすることにより、本実施例の発光デバイスが得られる。  
本実施例の発光デバイスは、２．０Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れている。しかも、上述したように低抵抗であり、低コストで作製することができる。
【００７６】
（実施例６）
図４に示した発光デバイス４０を、以下の方法で作製する。  
酸化グラフェンとして粒径が２００〜５００ｎｍでＯ／Ｃ原子比が５７％の酸化グラフェンを用い、Ｓｅａｓｈｅｌｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製の銀ナノワイヤ（平均直径１１０ｎｍ  平均長さ３０μｍ）の１ｍｇ／ｍｌのメタノール分散液を用いる。これ以外は、実施例２と同様にして発光デバイスを作製する。
【００７７】
本実施例の発光デバイスは、２．０Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れている。しかも、上述したように低抵抗であり、低コストで作製することができる。
【００７８】
（実施例７）
図４に示した発光デバイス４０を以下の方法で作製する。  
第１基体としてのＰＥＴフィルムの表面を、ＵＶオゾン処理により若干親水性とし、さらにポリビニルアルコール系の親水性バインダー樹脂を塗布してバインダー層を形成する。Ｂｌｕｅ  Ｎａｎｏ社製の銀ナノワイヤ（平均直径３５ｎｍ、平均長さ１５μｍ）の２ｍｇ／ｍｌのエタノール分散液をバーコーターによりバインダー層上に塗布し、６０℃で１０分乾燥して銀ナノワイヤ層を作製する。
【００７９】
銀ナノワイヤ層の上に、実施例１と同様の酸化グラフェンのエタノール分散液を全体に約２０層塗布し、６０℃で１０分乾燥して酸化グラフェン層を得る。銀ナノワイヤ層と酸化グラフェン層とが積層されて、導電層が形成され、この導電層をＹＡＧレーザーでパターニングして配線を得る。
【００８０】
熱可塑性のアクリル系エラストマー膜を用意し、そのＬＥＤチップに対応する貫通穴を開ける。アクリル系エラストマー膜は、貫通穴が一対の配線電極上に位置するように導電層上に貼りつける。発光素子としては、一方の面に一対の電極を有する青色ＬＥＤチップを用意し、上で得られた貫通穴の中に押し付け一対の配線上に設置する。その上に第２の支持体としてのＰＥＴフィルムを貼り合わせた後、加熱することにより本実施例の発光デバイスが得られる。
【００８１】
本実施例の発光デバイスは、３．７Ｖ、１５〜２０ｍＡの直流電流で明るい発光が観測され、透明性が高い。また、本実施例の発光デバイスは、低抵抗で、繰り返しの曲げ耐性、剥離耐性、および不純物耐性も優れ、低コストで作製することができる。
【００８２】
以上説明した実施形態によれば、透明な基体と、前記透明な基体上に形成され、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層と、前記酸化グラフェン層に接触して形成された電気絶縁性の樹脂層とを具備することにより、透明性が高く、折り曲げ耐性、剥離耐性、不純物耐性に優れ、低コストで得られる低抵抗な透明導電体を提供することが可能である。
【００８３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００８４】
以下に、原出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］  透明な基体と、
前記透明な基体上に形成され、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、
前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層と、
前記酸化グラフェン層に接触して形成された電気絶縁性の樹脂層と
を具備することを特徴とする透明導電体。
［２］  前記金属ナノワイヤ層と前記酸化グラフェン層と前記電気絶縁性の樹脂層とを含む積層構造は、パターン化されていることを特徴とする［１］に記載の透明導電体。
［３］  前記酸化グラフェン層の中または表面に金属ナノ粒子が含まれていることを特徴とする［１］または［２］に記載の透明導電体。
［４］  前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１つに記載の透明導電体。
［５］  前記電気絶縁性の樹脂層は、極性基を有する樹脂を含むことを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１つに記載の透明導電体。
［６］  さらに、前記透明な基体と前記金属ナノワイヤ層との間に酸化グラフェン層を具備することを特徴とする［１］〜［５］のいずれか１つに記載の透明導電体。
［７］  透明な第１基体、およびその表面に形成され、第１の方向に延びるパターン化された第１の導電層を含む第１配線基板と、
透明な第２基体、およびその表面に形成され、前記パターン化された第１の導電層に離間対向し、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びるパターン化された第２の導電層を含む第２配線基板と、
前記第１基体および前記第１の導電層、ならびに前記第２基体および前記第２の導電層に接する電気絶縁性の樹脂層とを具備し、
前記第１導電層および第２導電層は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含むことを特徴とする位置決め用パネル。
［８］  透明な第１基体、およびその表面に形成された第１導電層を含む透光性の第１支持体と、
第２基体、およびその表面に形成され、前記第１導電層に離間対向して配置された第２導電層を含む第２支持体と、
半導体層と、前記半導体層の両面に形成された第１の電極および第２の電極とを有し、前記第１の電極が前記第１導電層に電気的に接続され、前記第２の電極が前記第２導電層に電気的に接続されて、前記第１支持体と前記第２支持体との間に配置された発光素子と、
前記第１導電層および前記第２導電層に接する電気絶縁性の樹脂層とを具備し、
前記第１導電層は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含むことを特徴とする発光デバイス。
［９］  透明な第１基体、およびその表面に分割して形成された導電層を含む透光性の第１支持体と、
前記導電層に離間対向して配置された第２支持体と、
半導体層と、前記半導体層の片面に分離して形成された第１の電極および第２の電極とを有し、前記第１の電極および第２の電極が前記分割して形成された導電層の各々に電気的に接続されて、前記第１支持体と前記第２支持体との間に配置された発光素子と、
前記導電層および前記第２支持体に接する電気絶縁性の樹脂層とを具備し、
前記導電層は、複数の金属ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ層と、前記金属ナノワイヤ層の上を覆う酸化グラフェン層とを含むことを特徴とする発光デバイス。
［１０］  前記発光素子が無機発光ダイオードであることを特徴とする［８］または［９］に記載の発光デバイス。
【符号の説明】
【００８５】
１０…透明導電体；  １１…透明な基体；  １２…金属ナノワイヤ層
１２ａ…金属ナノワイヤ；  １３…酸化グラフェン層；  １３ａ…酸化グラフェン
１３ａ’…基体に接触した酸化グラフェン；  １４…電気絶縁性の樹脂層
１６…金属ナノ粒子；  ２３…強い結合力；  ３０…発光デバイス
３１…第１基体；  ３２…第１導電層；  ３３…第１支持体；  ３４…第２基体
３５…第２導電層；  ３６…第２支持体；  ３７…発光素子；  ３７ａ…ｎ側電極
３７ｂ…ｎ型半導体層；  ３７ｃ…ｐ型半導体層；  ３７ｄ…ｐ側電極
３８…電気絶縁性の樹脂層；  ４０…発光デバイス；  ４１…第１基体
４２…導電層；  ４２ａ…貫通部；  ４３…第１支持体；  ４４…第２支持体
４５…発光素子；  ４５ａ…ｎ側電極；  ４５ｂ…ｎ型半導体層
４５ｃ…ｐ型半導体層；  ４５ｄ…ｐ側電極；  ４６…電気絶縁性の樹脂層
５０…位置決め用パネル；  ５１…基板；  ５２…ｘ電極；  ５２’…ｘ配線の一部
５３…対向基板；  ５４…ｙ電極；  ５４’…ｙ配線の一部；  ５５…パッド部
５６…電気絶縁性の樹脂層；  ５７…第１配線基板；  ５８…第２配線基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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