(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することができる両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供する。【解決手段】両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が一つ以上形成された両面研磨装置用キャリアであって、該キャリアの表面は、ＤＬＣ膜で覆われた領域と、前記ＤＬＣ膜で覆われていない領域とを有し、前記キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の３０％以下の領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。【選択図】  図１
2018107261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が一つ以上形成された両面研磨装置用キャリアであって、
該キャリアの表面は、ＤＬＣ膜で覆われた領域と、前記ＤＬＣ膜で覆われていない領域とを有し、
前記キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の３０％以下の領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。
【請求項２】
前記キャリアの上面と下面の少なくとも一方の面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の５％以上の領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることを特徴とする請求項１に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項３】
前記キャリアの外周における前記ギアの歯底から、前記保持孔における前記キャリアの外周側までの領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項４】
前記ＤＬＣ膜の厚さが０．１μｍ〜５μｍであり、前記キャリアの上下面において対応する領域に前記ＤＬＣ膜が被覆されたものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。
【請求項６】
半導体ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアに形成された前記保持孔に前記半導体ウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨することを特徴とする半導体ウェーハの両面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面研磨装置において、半導体ウェーハを研磨する際に半導体ウェーハを保持する両面研磨装置用キャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
両面研磨装置で半導体ウェーハの両面を同時に研磨する際、両面研磨装置用のキャリアによって半導体ウェーハを保持している。このキャリアは、半導体ウェーハより薄い厚みに形成され、半導体ウェーハを保持するための保持孔を備えている。この保持孔内に半導体ウェーハが保持され、上下定盤に貼付された研磨布により両面から半導体ウェーハが挟み込まれ、研磨面に研磨剤を供給しながら半導体ウェーハの両面研磨が行われる。
【０００３】
両面研磨装置用キャリアは、使用を続けるとキャリアの外周部が摩耗して厚さムラが生じる。このようにして、キャリアの厚さバラツキが大きくなると、両面研磨後の半導体ウェーハの形状が安定しないという問題が起こる。そこで、キャリアの摩耗を減少させて半導体ウェーハ形状を安定させ、キャリアのライフを長くするという目的で、キャリア表面にＤＬＣ膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）を形成したキャリアが使われている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
このようなＤＬＣ膜をつけたキャリアで半導体ウェーハを加工（両面研磨）することにより、キャリアの硬度が向上しキャリアの厚さ、歪みの変化が小さくなりウェーハ形状の安定、キャリアライフの延長に期待がされた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１４３４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、キャリア全面にＤＬＣ膜によるコーティングを実施したキャリアを使って半導体ウェーハを両面研磨すると、ウェーハ表面不良（キズ、パーティクル）は改善されたものの、両面研磨中に半導体ウェーハへの研磨剤の介在量が大きく変化しウェーハ形状が悪化するという問題点があった。
【０００７】
本発明は上記のような問題に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することができる両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明によれば、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が一つ以上形成された両面研磨装置用キャリアであって、
該キャリアの表面は、ＤＬＣ膜で覆われた領域と、前記ＤＬＣ膜で覆われていない領域とを有し、
前記キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の３０％以下の領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアを提供する。
【０００９】
このような両面研磨装置用キャリアであれば、厚さ変化の大きいキャリアの外周部だけを部分的にＤＬＣ膜でコーティングすることで、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができる。さらに、キャリアの厚さ変動を小さくすることができるので、キャリアライフを向上させることができる。
【００１０】
このとき、前記キャリアの上面と下面の少なくとも一方の面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の５％以上の領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることが好ましい。
【００１１】
このようなものであれば、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することがより確実にできる。
【００１２】
またこのとき、前記キャリアの外周における前記ギアの歯底から、前記保持孔における前記キャリアの外周側までの領域が前記ＤＬＣ膜で覆われたものであることが好ましい。
【００１３】
本発明は、このような領域にＤＬＣ膜を形成することができ、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することができる。
【００１４】
またこのとき、前記ＤＬＣ膜の厚さが０．１μｍ〜５μｍであり、前記キャリアの上下面において対応する領域に前記ＤＬＣ膜が被覆されたものであることが好ましい。
【００１５】
このようなものであれば、キャリアの表面の保護として十分な厚さとすることができる。
【００１６】
また本発明によれば、上記した本発明の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置を提供する。
【００１７】
このようなものであれば、上記本発明の両面研磨装置用キャリアを具備したものであるので、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができる。さらに、キャリアライフを向上させることができるので、キャリアの交換頻度を低くすることができ、コストを低減し、効率良く半導体ウェーハを両面研磨することが可能である。
【００１８】
また、本発明によれば、半導体ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に上記した本発明の両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアに形成された前記保持孔に前記半導体ウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨することを特徴とする半導体ウェーハの両面研磨方法を提供する。
【００１９】
このようにすれば、上記本発明の両面研磨装置用キャリアを用いるので、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができる。さらに、キャリアライフを向上させることができるので、キャリアの交換頻度を低くすることができ、コストを低減し、効率良く半導体ウェーハを両面研磨することが可能である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、厚さ変化の大きいキャリアの外周部だけを部分的にＤＬＣ膜でコーティングすることで、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができ、さらに、キャリアの厚さ変動を小さくすることができるので、キャリアライフを向上させることができる両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の両面研磨装置用のキャリアの一例を示した概略図である。
【図２】本発明の両面研磨装置用のキャリアを具備した両面研磨装置の一例を示した概略図である。
【図３】本発明の両面研磨装置用のキャリアを作製する方法の一例を示した工程図である。
【図４】実施例及び比較例における両面研磨後の半導体ウェーハのＲｏｌｌ  Ｏｆｆ値を示したグラフである。
【図５】実施例及び比較例における両面研磨後の半導体ウェーハのＧＢＩＲ値を示したグラフである。
【図６】実施例及び比較例における両面研磨後の半導体ウェーハのＥＳＦＱＲｍａｘ値を示したグラフである。
【図７】実施例及び比較例における両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ表面欠陥発生率を示したグラフである。
【図８】実施例及び比較例における両面研磨後の半導体ウェーハの厚さ変化バラツキを示したグラフである。
【図９】実施例２において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１０】実施例３において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１１】比較例１において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１２】比較例２において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１３】比較例２におけるキャリアの使用前の厚さと、１０，０００ｍｉｎ使用後の厚さの変化の測定結果を示したグラフである。
【図１４】比較例２におけるキャリア使用時間とフラットネス及びキャリア厚さバラツキの関係を示したグラフである。
【図１５】比較例３において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１６】比較例４において用いた両面研磨装置用キャリアを示した概略図である。
【図１７】実施例１、比較例１、２における両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
上記したように、キャリアの全面にＤＬＣ膜によるコーティングを実施したキャリアを使って半導体ウェーハを両面研磨すると、半導体ウェーハへの研磨剤の介在量が大きく変化しウェーハ形状が悪化するという問題があった。
【００２４】
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、キャリアの表面が、ＤＬＣ膜で覆われた領域と、ＤＬＣ膜で覆われていない領域とを有し、キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、キャリアの一方の面の面積の３０％以下の領域がＤＬＣ膜で覆われたものであれば、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができ、さらに、キャリアライフを向上させることができることに想到した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
【００２５】
本発明は、半導体ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置において、半導体ウェーハを保持するキャリアの改良に関するものであり、まず両面研磨装置の概要について図２を用いて説明する。
【００２６】
本発明の両面研磨装置用キャリア１を具備した両面研磨装置１０は、上下に相対向して設けられた下定盤１１と上定盤１２を備えており、各定盤１１、１２の対向面側には、それぞれ研磨布１１ａ、１２ａが貼付されている。また、上定盤１２の上部には研磨スラリーを供給するノズル１５、上定盤１２には貫通孔１６が設けられている。そして上定盤１２と下定盤１１の間の中心部にはサンギア１３が、周縁部にはインターナルギア１４が設けられている。半導体ウェーハＷはキャリア１の保持孔２に保持され、上定盤１２と下定盤１１の間に挟まれている。
【００２７】
両面研磨装置では、サンギア１３及びインターナルギア１４の各歯部に、キャリア１の外周部の歯を噛ませることで、キャリア１の保持とキャリア１の自公転を行っている。このとき半導体ウェーハＷはキャリア１の保持孔２で保持されており、上下の研磨布１１ａ及び１２ａにより両面を同時に研磨される。なお、研磨時には、ノズル１５から貫通孔１６を通して研磨スラリーが供給される。
【００２８】
ここで、上記両面研磨装置１０に具備される本発明の両面研磨装置用キャリア１について、図１を用いて以下に説明する。
【００２９】
両面研磨装置用キャリア１の表面は、ＤＬＣ膜３で覆われた領域４ａと、ＤＬＣ膜３で覆われていない領域４ｂとを有する。そして、キャリア１の上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１の外周におけるギアの歯底５から内側へ、キャリア１の一方の面の面積の３０％以下の外周領域がＤＬＣ膜３で覆われたものである。
【００３０】
このようなものであれば、厚さ変化の大きいキャリア１の外周部だけを部分的にＤＬＣ膜３でコーティングすることで、半導体ウェーハＷへの研磨剤の流れ込み量、キャリア１と研磨布との接触の変化が非コーティングキャリアと同等になるため、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハＷを得ることができる。さらに、キャリア１の厚さ変動を小さくすることができるので、キャリアライフを向上させることができる。
【００３１】
従来の両面研磨装置用キャリアでは、ＤＬＣ膜のコーティングを全面に行っていたため、両面研磨中に半導体ウェーハへの研磨剤の介在量が大きく変化し、半導体ウェーハをコーティング無しの場合と同等のウェーハ形状で仕上げることが困難であった。そこで、本発明では、キャリアの厚さ変化が大きい（摩耗しやすい）箇所である外周部にのみＤＬＣ膜のコーティングを実施した。ここで、キャリアの外周部とは、例えば、このギア歯底部から仕込み穴（保持孔）の径の外周側１／４までの箇所とすることができる。
【００３２】
このとき、キャリア１の上面と下面の少なくとも一方の面において、キャリア１の外周におけるギアの歯底５から内側へ、キャリア１の一方の面の面積の５％以上の領域がＤＬＣ膜３で覆われたものであることが好ましい。このようなものであれば、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することがより確実にできる。
【００３３】
またこのとき、キャリア１の外周におけるギアの歯底５から、保持孔２におけるキャリア１の外周側までの領域がＤＬＣ膜３で覆われたものであることが好ましい。このようなものであれば、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することがより確実にできる。
【００３４】
またこのとき、ＤＬＣ膜３の厚さが０．１μｍ〜５μｍであり、キャリア１の上下面において対応する領域にＤＬＣ膜３が被覆されたものであることが好ましい。このようなものであれば、キャリア１の表面の保護として十分な厚さとすることができ、またＤＬＣ膜３を形成する際のコストを抑えたものとすることができる。
【００３５】
このような本発明のキャリア１は、例えば、Ｔｉ板から切り抜き、ラップ、研磨を行った後、図３に示すようにして（１）マスキング加工工程と、（２）ＤＬＣコーティング工程と、（３）マスキング剥がし工程を行い、その後、インサート接着することにより、作製することができる。
【００３６】
このとき（１）マスキング加工工程は、（１−１）アルカリ洗浄工程、（１−２）ラミネート（レジストフィルム）工程、（１−３）露光・現像工程、（１−４）ベーキング工程とを有し、（３）マスキング剥がし工程は、（３−１）アルカリ漬けによるレジスト剥離工程、（３−２）リンス工程とを有することが好ましい。
【００３７】
また、上記のような本発明の両面研磨装置用キャリア１を具備した、図２に示すような本発明の両面研磨装置１０であれば、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハＷを得ることができる。さらに、キャリアライフを向上させることができるので、キャリア１の交換頻度を低くすることができ、コストを低減し、効率良く半導体ウェーハＷを両面研磨することが可能である。
【００３８】
そして、上記本発明の両面研磨装置用キャリア１を両面研磨装置１０の研磨布１１ａ、１２ａが貼付された上下定盤１１、１２の間に配設し、保持孔２で半導体ウェーハＷを保持して上下定盤１１、１２の間に挟み込み、研磨スラリーを供給しつつ半導体ウェーハＷを両面研磨することができる。
【００３９】
このようにすれば、上記本発明の両面研磨装置用キャリアを用いるので、フラットで表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができる。さらに、キャリアライフを向上させることができるので、キャリアの交換頻度を低くすることができ、コストを低減し、効率良く半導体ウェーハを両面研磨することが可能である。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を用いて、半導体ウェーハの両面研磨を行った。
【００４２】
まず、図１に示すような、キャリア１の上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１の外周におけるギアの歯底５から内側へ、キャリア１の一方の面の面積の５％の領域がＤＬＣ膜３で覆われたキャリア１を用意した。ここで、キャリア１は、上下面において対応する領域にＤＬＣ膜３が被覆されたものとした。
【００４３】
このような本発明の両面研磨装置用キャリア１を具備した図２に示すような両面研磨装置１０を用い、本発明の両面研磨方法に従って半導体ウェーハＷ（シリコンウェーハ）の両面研磨を行い、両面研磨後の半導体ウェーハＷのウェーハ形状及びウェーハ表面欠陥発生率を評価した。
【００４４】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状及びウェーハ表面欠陥発生率（比較例２を１とした時）の結果を、後述する実施例２〜３及び比較例１〜４と共に、表１及び図４〜７に示した。このとき、ウェーハ形状として、Ｒｏｌｌ  Ｏｆｆ値（比較例２を０とした時）、ＧＢＩＲ（比較例２を１００とした時）、ＥＳＦＱＲｍａｘ（比較例２を１００した時）をそれぞれ測定した。
【００４５】
また、キャリアの使用前の厚さと、１０，０００ｍｉｎ使用後の厚さの変化を測定した。測定箇所は、それぞれの保持孔の周りを６点ずつとし、１枚のキャリアにつき１８点を計５枚のキャリアで測定し、合計９０点を測定した。そして、この９０点の変化量の最大値−最小値でキャリアの厚さ変化バラツキを比較した。そして、その結果（比較例２を１００とした時）を後述する実施例２〜３及び比較例１〜４と共に、図８に示した。
【００４６】
（実施例２）
両面研磨装置用キャリアとして、図９に示すような、キャリア１ａの上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１ａの外周におけるギアの歯底５から内側へ、キャリア１ａの一方の面の面積の１５％の領域がＤＬＣ膜３で覆われたキャリア１ａを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。ここで、キャリア１ａは、上下面において対応する領域にＤＬＣ膜３が被覆されたものとした。
【００４７】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００４８】
（実施例３）
両面研磨装置用キャリアとして、図１０に示すような、キャリア１ｂの上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１ｂの外周におけるギアの歯底５から内側へ、キャリア１ｂの一方の面の面積の３０％の領域がＤＬＣ膜３で覆われたキャリア１ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。ここで、キャリア１ｂは、上下面において対応する領域にＤＬＣ膜３が被覆されたものとした。
【００４９】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００５０】
（比較例１）
両面研磨装置用キャリアとして、図１１に示すような、キャリア１００ａの上面と下面の全面がＤＬＣ膜１０３で覆われたキャリア１００ａを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。
【００５１】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００５２】
（比較例２）
両面研磨装置用キャリアとして、図１２に示すような、キャリア１００ｂの上面と下面が共にＤＬＣ膜で覆われていないキャリア１００ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。
【００５３】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００５４】
このとき、比較例２におけるキャリア１００ｂの使用前の厚さと、１０，０００ｍｉｎ使用後の厚さの変化の測定結果を図１３に示した。図１３に示すように、キャリア１００ｂの外周部である測定点１の個所が最も変化が大きいことが分かった。
【００５５】
また、比較例２におけるキャリア１００ｂの、キャリア使用時間とフラットネス及びキャリア厚さバラツキの関係を図１４に示した。図１４に示すように、比較例２では、キャリア使用時間が進むと、キャリアの厚さバラツキが大きくなり、ウェーハの狙い形状が定まらなくなった。
【００５６】
（比較例３）
両面研磨装置用キャリアとして、図１５に示すような、キャリア１００ｃの上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１００ｃの外周におけるギアの歯底１０５から内側へ、キャリア１００ｃの一方の面の面積の４０％の領域がＤＬＣ膜１０３で覆われたキャリア１００ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。
【００５７】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００５８】
（比較例４）
両面研磨装置用キャリアとして、図１６に示すような、キャリア１００ｄの上面と下面のそれぞれの面において、キャリア１００ｄの外周におけるギアの歯底１０５から内側へ、キャリア１００ｄの一方の面の面積の５５％の領域がＤＬＣ膜１０３で覆われたキャリア１００ｄを用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体ウェーハの両面研磨を行った。
【００５９】
そして、両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状、ウェーハ表面不良、及びキャリアの厚さ変化バラツキを実施例１と同様にして測定し、その結果を、表１及び図４〜８に示した。
【００６０】
【表１】
2018107261.tif 000003
【００６１】
その結果、表１及び図４〜６に示すように、比較例１、３、４では両面研磨後の半導体ウェーハに外周がダレており、またＧＢＩＲ及びＥＳＦＱＲｍａｘも高く、フラットな半導体ウェーハを得ることができなかった。一方、実施例１〜３では、Ｒｏｌｌ  Ｏｆｆ、ＧＢＩＲ、ＥＳＦＱＲｍａｘをＤＬＣ膜のない比較例２と同程度とすることができ、フラットな半導体ウェーハを得ることができた。
【００６２】
また、図１７に、実施例１、比較例１、２における両面研磨後の半導体ウェーハのウェーハ形状を示した。図１７に示すように、キャリアの外周部だけを部分的にＤＬＣ膜でコーティングした実施例１では、全面をＤＬＣ膜でコーティングした比較例１に比べて、両面研磨後の半導体ウェーハの形状の変化が少ないことが分かった。
【００６３】
さらに、実施例１〜３では、表１及び図７に示すように、キズやパーティクル等のウェーハ表面欠陥の発生率を比較例１、３、４と同程度とすることができ、表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができた。一方、比較例２では、ＤＬＣ膜によるコーティングを全く行わなかったので、実施例１〜３に比べてウェーハ表面欠陥発生率が高かった。
【００６４】
また、実施例１〜３では、図８に示すように、キャリアの厚さ変化バラツキを比較例１、３、４と同程度とすることができ、表面状態が良好な半導体ウェーハを得ることができた。一方、比較例２では、ＤＬＣ膜によるコーティングを全く行わなかったので、実施例１〜３に比べてキャリアの厚さ変化バラツキが大きかった。このように、実施例１〜３では、キャリアの厚さ変動を小さくすることができたので、キャリアライフを向上させることができる。
【００６５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６６】
１…キャリア、  ２…保持孔、  ３…ＤＬＣ膜、  ４ａ…ＤＬＣ膜で覆われた領域、
４ｂ…ＤＬＣ膜で覆われていない領域、  ５…キャリアの外周におけるギアの歯底、
１０…両面研磨装置、  １１…下定盤、  １１ａ…研磨布、  １２…上定盤、
１２ａ…研磨布、  １３…サンギア、  １４…インターナルギア、  １５…ノズル、
１６…貫通孔、  Ｗ…半導体ウェーハ。
【図１】
2018107261.tif 000004
【図２】
2018107261.tif 000005
【図３】
2018107261.tif 000006
【図４】
2018107261.tif 000007
【図５】
2018107261.tif 000008
【図６】
2018107261.tif 000009
【図７】
2018107261.tif 000010
【図８】
2018107261.tif 000011
【図９】
2018107261.tif 000012
【図１０】
2018107261.tif 000013
【図１１】
2018107261.tif 000014
【図１２】
2018107261.tif 000015
【図１３】
2018107261.tif 000016
【図１４】
2018107261.tif 000017
【図１５】
2018107261.tif 000018
【図１６】
2018107261.tif 000019
【図１７】
2018107261.tif 000020