(57)【要約】【課題】基板毎の処理均一性の向上させる【解決手段】  第１の処理設定に基づいて処理装置を動作させて基板を処理させる手順と、処理させる際に処理装置の装置データを取得させる手順と、第１の処理設定に対応する評価係数と装置データとに基づいて処理装置の第１の評価データを生成させる手順と、第１の評価データに基づいて、処理装置で実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、レシピ項目を報知させる手順と、を有する。【選択図】図１
2018056174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理設定に基づいて処理装置を動作させて基板を処理させる手順と、
前記処理させる際に前記処理装置の装置データを取得させる手順と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記処理装置の第１の評価データを生成させる手順と、
前記第１の評価データに基づいて、前記処理装置で実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、
前記レシピ項目を報知させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。
【請求項２】
前記基板処理装置には前記処理装置が複数設けられ、
前記複数の処理装置のそれぞれで前記レシピ項目を報知させる手順を有する
請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
前記基板処理装置には前記処理装置を複数有する処理モジュールが複数設けられ、
前記処理装置のそれぞれで前記レシピ項目の内、共通するレシピ項目を前記レシピ項目として報知させる手順を有する
請求項２に記載の記録媒体。
【請求項４】
前記第１の評価データを生成させる手順では、前記評価係数が上位装置から前記基板処理装置に入力される手順を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の記録媒体。
【請求項５】
前記第１の評価データを生成させる手順では、前記評価係数が上位装置から前記基板処理装置に入力される第２の評価データと前記第１評価データとに基づいて変更される手順と、
を有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の記録媒体。
【請求項６】
前記処理させる手順と前記装置データを取得させる手順と前記第１評価データを生成させる手順とを繰り返させる手順を有する
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の記録媒体。
【請求項７】
前記繰り返させる手順で生成された複数の第１の評価データの内、前記第２の評価データと最も差異が大きい評価データに基づいて前記評価係数を変更させる手順を有する
請求項６に記載の記録媒体。
【請求項８】
前記繰り返させる手順で生成された複数の第１の評価データの内、前記第２の評価データと最も差異が小さい評価データに基づいて前記評価係数を変更させる手順を有する
請求項６に記載の記録媒体。
【請求項９】
第１の処理設定に基づいて処理装置を動作させて基板を処理させる手順と、
前記処理させる際に前記処理装置の装置データを取得させる手順と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記処理装置の第１の評価データを生成させる手順と、
前記第１の評価データに基づいて、前記処理装置で実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、
前記レシピ項目を報知させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１０】
第１の処理設定に基づいて処理装置を動作させて基板を処理する工程と、
前記処理する際に前記処理装置の装置データを取得する工程と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記処理装置の第１の評価データを生成する工程と、
前記第１の評価データに基づいて、前記処理装置で実行可能なレシピ項目を判定する工程と、
前記レシピ項目を報知する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板を第１の処理設定に基づいて処理する処理装置と、
前記処理装置の装置データを受信するデータ受信部と、
前記処理装置で実行可能なレシピ項目を報知させる報知部と、
前記第１の処理設定に基づいて前記基板を処理し、当該処理で、前記データ受信部で前記装置データを受信する処理と
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記処理装置の第１の評価データを生成する処理と
前記第１の評価データに基づいて、前記レシピ項目を判定する処理と
を行う演算部と前記レシピ項目を前記報知部に送信する送受信部とを有する制御部と、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、記録媒体、プログラム、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下ＬＳＩ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、Ｆｌａｓｈ  Ｍｅｍｏｒｙなどに代表される半導体装置の高集積化に伴って、回路パターンや製造過程で形成される構造物の微細化が進められている。半導体装置の製造工程の一工程を行う基板処理装置では、蓄積したモニタデータでＦＤＣ（Ｆａｕｌｔ Ｄｅｔｃｔｉｏｎ  ＆  Ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を行い、装置の健全性を確認し、その異常をアラームにて通知することで不良生産の防止を行っている。例えば、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１６６９７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
装置の個々のモニタ値が基準値に入っていても装置の個体差によって、基板毎の処理結果が不均一となる課題が有る。
【０００５】
そこで本開示では、基板毎の処理均一性の向上可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様によれば、
第１の処理設定に基づいて処理装置を動作させて基板を処理させる手順と、処理させる際に処理装置の装置データを取得させる手順と、第１の処理設定に対応する評価係数と装置データとに基づいて処理装置の第１の評価データを生成させる手順と、第１の評価データに基づいて、処理装置で実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、レシピ項目を報知させる手順と、を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る技術によれば、基板毎の処理均一性の向上可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理システムの横断面の概略図である。
【図２】一実施形態に係る基板処理システムの縦断面の概略図である。
【図３】一実施形態に係るプロセスモジュールのガス供給系とガス排気系の概略図である。
【図４】一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図５】一実施形態に係るコントローラの概略構成図である。
【図６】一実施形態に係るレシピの判定工程のフロー図である。
【図７】一実施形態に係る工程毎の評価係数テーブル例である。
【図８】一実施形態に係る工程毎の評価データ例である。
【図９】一実施形態に係る評価結果に基づく選択可能レシピ例である。
【図１０】一実施形態に係る工程を複数回繰り返した場合の評価データ例である。
【図１１】他の実施形態に係る評価係数の変更フロー図の例である。
【図１２】他の実施形態に係る評価係数の変更テーブル例である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本開示の実施の形態について説明する。
【００１０】
＜一実施形態＞
以下、本開示の一実施形態を図面に即して説明する。
以下に、本実施形態に係る基板処理システムを説明する。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概要構成を、図１、図２、図３を用いて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す横断面図である。図２は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す図１のα−α’における縦断面図である。図３は、図１のβ−β’の縦断面図であり、プロセスモジュールに供給するガス供給系と排気系を説明する説明図である。
【００１１】
図１および図２において、本発明が適用される基板処理システム１０００は、ウエハ２００を処理するもので、ＩＯステージ１１００、大気搬送室１２００、ロードロック（Ｌ／Ｌ）室１３００、真空搬送室１４００、処理装置としてのプロセスモジュール（ＰＭ）１１０で主に構成される。次に各構成について具体的に説明する。図１の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１２】
（大気搬送室・ＩＯステージ） 
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。ＩＯステージ１１００上には複数のポッド１００１が搭載されている。ポッド１００１はシリコン（Ｓｉ）基板などのウエハ２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００１内には、未処理の基板（ウエハ）２００や処理済のウエハ２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
【００１３】
ポッド１００１にはキャップ１１２０が設けられ、ポッドオープナ（Ｐｏｄ  Ｏｐｅｎｅｒ：ＰＯ）１２１０によって開閉される。ＰＯ１２１０は、ＩＯステージ１１００に載置されたポッド１００１のキャップ１１２０を開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１００１に対するウエハ２００の出し入れを可能とする。ポッド１００１は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１１００に対して、供給および排出される。
【００１４】
ＩＯステージ１１００は大気搬送室１２００に隣接する。大気搬送室１２００は、ＩＯステージ１１００と異なる面に、後述するロードロック室１３００が連結される。
【００１５】
大気搬送室１２００内にはウエハ２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１２２０が設置されている。図２に示すように、大気搬送ロボット１２２０は大気搬送室１２００に設置されたエレベータ１２３０によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４０によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図２に示すように、大気搬送室１２００の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１２５０が設置されている。また、図１に示されているように、大気搬送室１２００の左側にはウエハ２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１２６０が設置されている。
【００１７】
図１および図２に示すように、大気搬送室１２００の筐体１２７０の前側には、ウエハ２００を大気搬送室１２００に対して搬入搬出するための基板搬入出口１２８０と、ＰＯ１２１０とが設置されている。基板搬入出口１２８０を挟んでＰＯ１２１０と反対側、すなわち筐体１２７０の外側にはＩＯステージ１１００が設置されている。
【００１８】
大気搬送室１２００の筐体１２７０の後ろ側には、ウエハ２００をロードロック室１３００に搬入搬出するための基板搬入出口１２９０が設けられる。基板搬入出口１２９０は、後述するゲートバルブ１３３０によって解放・閉鎖することにより、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００１９】
（ロードロック（Ｌ／Ｌ）室） 
ロードロック室１３００は大気搬送室１２００に隣接する。Ｌ／Ｌ室１３００を構成する筐体１３１０が有する面のうち、大気搬送室１２００とは異なる面には、後述するように、真空搬送室１４００が配置される。Ｌ／Ｌ室１３００は、大気搬送室１２００の圧力と真空搬送室１４００の圧力に合わせて筐体１３１０内の圧力が変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
【００２０】
筐体１３１０のうち、真空搬送室１４００と隣接する側には、基板搬入出口１３４０が設けられる。基板搬入出口１３４０は、ゲートバルブ（ＧＶ）１３５０によって解放・閉鎖することで、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００２１】
さらに、Ｌ／Ｌ室１３００内には、ウエハ２００を載置する載置面１３１１（１３１１ａ，１３１１ｂ）を少なくとも二つ有する基板載置台１３２０が設置されている。基板載置面１３１１間の距離は、後述する真空搬送ロボット１７００が有するフィンガ間の距離に応じて設定される。
【００２２】
（真空搬送室） 
基板処理システム１０００は、負圧下でウエハ２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）１４００を備えている。ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、Ｌ／Ｌ室１３００及びウエハ２００を処理するプロセスモジュール（ＰＭ）１１０ａ〜１１０ｄが連結されている。ＴＭ１４００の略中央部には、負圧下でウエハ２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１７００がフランジ１４３０を基部として設置されている。なお、ここでは、真空搬送室１４００を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。
【００２３】
筐体１４１０の側壁のうち、Ｌ／Ｌ室１３００と隣接する側には、基板搬入出口１４２０が設けられている。基板搬入出口１４２０は、ＧＶ１３５０によって解放・閉鎖することで、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００２４】
ＴＭ１４００内に設置される真空搬送ロボット１７００は、図２に示すように、エレベータ１４５０およびフランジ１４３０によってＴＭ１４００の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。真空搬送ロボット１７００の詳細な構成は後述する。エレベータ１４５０は、真空搬送ロボット１７００が有する二つのアーム１８００と１９００をそれぞれ独立して昇降可能なよう構成されている。また、二つのアーム１８００と１９００のそれぞれは、二つのウエハ２００を同時に搬送可能に構成される。
【００２５】
筐体１４１０の天井であって、筐体１４１０内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給孔１４６０が設けられる。不活性ガス供給孔１４６０には不活性ガス供給管１５１０が設けられる。不活性ガス供給管１５１０には上流から順に不活性ガス源１５２０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５３０、バルブ１５４０が設けられ、筐体１４１０内に供給する不活性ガスの供給量を制御している。
【００２６】
主に、不活性ガス供給管１５１０、ＭＦＣ１５３０、バルブ１５４０で、真空搬送室１４００における不活性ガス供給部１５００が構成される。なお、不活性ガス源１５２０、ガス供給孔１４６０を不活性ガス供給部１５００に含めてもよい。
【００２７】
筐体１４１０の底壁には、筐体１４１０の雰囲気を排気するための排気孔１４７０が設けられる。排気孔１４７０には、排気管１６１０が設けられる。排気管１６１０には、上流から順に圧力制御器であるＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１６２０、ポンプ１６３０が設けられる。
【００２８】
主に、排気管１６１０、ＡＰＣ１６２０で真空搬送室１４００におけるガス排気部１６００が構成される。なお、ポンプ１６３０、排気孔１４７０をガス排気部に含めてもよい。
【００２９】
不活性ガス供給部１５００、ガス排気部１６００の協働によって真空搬送室１４００の雰囲気が制御される。例えば、筐体１４１０内の圧力が制御される。
【００３０】
図１に示されているように、筐体１４１０の五枚の側壁のうち、ロードロック室１３００が設置されていない側には、ウエハ２００に所望の処理を行うＰＭ１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄが連結されている。
【００３１】
ＰＭ１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄのそれぞれには、基板処理装置の一構成のチャンバ１００が設けられている。具体的には、ＰＭ１１０ａはチャンバ１００ａ、１００ｂが設けられる。ＰＭ１１０ｂにはチャンバ１００ｃ、１００ｄが設けられる。ＰＭ１１０ｃにはチャンバ１００ｅ、１００ｆが設けられる。ＰＭ１１０ｄにはチャンバ１００ｇ、１００ｈが設けられる。
【００３２】
筐体１４１０の側壁のうち、各チャンバ１００と向かい合う壁には基板搬入出口１４８０が設けられる。例えば、図２に記載のように、チャンバ１００ａと向かい合う壁には、基板搬入出口１４８０ａが設けられる。
【００３３】
ゲートバルブ（ＧＶ）１４９０は、図１に示されているように、チャンバ毎に設けられる。具体的には、チャンバ１００ａとＴＭ１４００との間にはゲートバルブ１４９０ａが、チャンバ１００ｂとの間にはＧＶ１４９０ｂが設けられる。チャンバ１００ｃとの間にはＧＶ１４９０ｃが、チャンバ１００ｄとの間にはＧＶ１４９０ｄが設けられる。チャンバ１００ｅとの間にはＧＶ１４９０ｅが、チャンバ１００ｆとの間にはＧＶ１４９０ｆが設けられる。チャンバ１００ｇとの間にはＧＶ１４９０ｇが、チャンバ１００ｈとの間にはＧＶ１４９０ｈが設けられる。
【００３４】
各ＧＶ１４９０によって解放・閉鎖することで、基板搬入出口１４８０を介したウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００３５】
（プロセスモジュール：ＰＭ） 
続いて各ＰＭ１１０の内、ＰＭ１１０ａについて、図１、図２、図３を例にして説明する。図３はＰＭ１１０ａとＰＭ１１０ａに接続されるガス供給部と、ＰＭ１１０ａに接続されるガス排気部との関連を説明する説明図である。
【００３６】
ここではＰＭ１１０ａを例にしているが、他のＰＭ１１０ｂ、ＰＭ１１０ｃ、ＰＭ１１０ｄにおいても同様の構造であるため、ここでは説明を省略する。
【００３７】
図３に記載のように、ＰＭ１１０ａには、ウエハ２００を処理する基板処理装置の一構成のチャンバ１００ａとチャンバ１００ｂが設けられる。チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂの間には隔壁２０４０ａが設けられ、それぞれのチャンバ内の雰囲気が混在しないように構成される。
【００３８】
図２に記載のように、チャンバ１００ａと真空搬送室１４００が隣り合う壁には、基板搬入出口１４８０ａが設けられ、同様に、チャンバ１００ａと真空搬送室１４００が隣り合う壁には基板搬入出口１４８０ａが設けられている。
【００３９】
各チャンバ１００にはウエハ２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。
【００４０】
ＰＭ１１０ａには、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂのそれぞれに処理ガスを供給するガス供給部が接続されている。ガス供給部は、第１ガス供給部（処理ガス供給部）、第２ガス供給部（反応ガス供給部）、第３ガス供給部（パージガス供給部）などで構成される。各ガス供給部の構成については後述する。
【００４１】
また、ＰＭ１１０ａには、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂのそれぞれを排気するガス排気部が設けられている。図３に示す様に、一つのガス排気部が複数のチャンバを排気する様に構成される。
【００４２】
この様に、ＰＭに設けられた複数のチャンバは一つのガス供給部と一つのガス排気部を共有するように構成される。
【００４３】
この様な、複数のチャンバを有する基板処理システムで、複数の基板を処理する場合には以下の課題が生じる場合が有る。
【００４４】
（ａ）チャンバ毎の性能の違い（個体差）によって、基板毎に処理品質が異なってしまう課題が有る。
【００４５】
（ｂ）ＰＭが有する複数のチャンバの内、一方のチャンバでの実行可能なレシピ数が他方のチャンバで実行可能なレシピ数よりも少ない場合に、一方で処理したウエハの処理品質が他方で処理したウエハ処理品質と異なる課題が有る。
【００４６】
（ｃ）ＰＭが有する複数のチャンバの内、一方のチャンバの処理性能と他方のチャンバの処理性能が異なる場合に、それぞれのチャンバの影響を互いに受け、所定の処理ができない課題が有る。例えば、一方のチャンバの処理性能が他方のチャンバの処理性能よりも低い場合、他方のチャンバでの処理品質が低下することが有る。
【００４７】
（ｄ）各チャンバを構成する部材からコントローラに送信されるモニタデータが規定値内だったとしても個体差によって、ウエハ毎の処理品質が異なる課題が有る。
【００４８】
（ｅ）一つのチャンバで複数の処理レシピを実行可能に構成した場合、チャンバを構成する部材の評価指標（評価係数）に対する重み付けが、処理レシピ毎に異なり、各部材の調整優先順位付けが困難になる課題が有る。
【００４９】
次に、基板処理装置としてのチャンバそれぞれの構成について説明する。
【００５０】
（２）基板処理装置の構成
チャンバ１００は、例えば、絶縁膜形成ユニットであり、図４に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、チャンバ１００ａについて説明する。
【００５１】
図４に示すとおり、チャンバ１００ａは処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等のウエハ２００を処理する処理空間（処理室）２０１と、移載空間（移載室）２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切部２０４が設けられる。上部処理容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９０付近を移載室２０３と呼ぶ。
【００５２】
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、ウエハ２００は基板搬入出口１４８０を介して図示しない搬送室と移載室２０３との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。
【００５３】
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２、加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、ウエハ２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。ここで、ヒータ２１３には、温度測定部４００が接続され、ヒータ２１３の温度情報をコントローラ２６０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。バイアス調整部２５７の設定情報は、コントローラ２６０と送受信可能に構成される。
【００５４】
基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置されるウエハ２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。
【００５５】
基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、ウエハ移載位置に移動し、ウエハ２００の第１処理時には図４の実線で示した第１処理位置（ウエハ処理位置）に移動する。また、第２処理時には、図４の破線で示した第２処理位置に移動する。なお、ウエハ移載位置は、リフトピン２０７の上端が、基板載置面２１１の上面から突出する位置である。
【００５６】
具体的には、基板載置台２１２をウエハ移載位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。
【００５７】
（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁側面には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７ａと真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７ａにより第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の内壁側面には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８２が設けられている。排気管１４８２には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７ａは、圧力情報や、弁開度の情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦ情報や負荷情報等をコントローラ２６０に送信可能に構成される。
【００５８】
（ガス導入口） 
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
【００５９】
（ガス分散ユニット）
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、第１活性化部としての第１電極２４４を有する。第１電極２４４には、ガスをウエハ２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。
【００６０】
なお、第１電極２４４は、導電性の金属で構成され、ガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４には、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。なお、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４との間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４の間を絶縁する構成となる。  
【００６１】
なお、バッファ室２３２に、ガスガイド２３５が設けられていても良い。ガスガイド２３５は、ガス導入孔２４１を中心としてウエハ２００の径方向に向かうにつれ径が広がる円錐形状である。ガスガイド２３５の下端の水平方向の径は孔２３４ａが設けられる領域の端部よりも更に外周にまで延びて形成される。ガスガイド２３５が設けられていることによって、複数の孔２３４ａそれぞれに均一にガスを供給することができ、ウエハ２００の面内に供給される活性種の量を均一化させることができる。
【００６２】
（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての電極２４４には、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、電極２４４は、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、電極２４４は、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも電極部２４４、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、活性化部に、インピーダンス計２５４を含めるように構成しても良い。なお、第１電極２４４と高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力の設定情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合情報（進行波データ、反射波データ）をコントローラ２６０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンス情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成される。
【００６３】
（ガス供給系）
ガス導入口２４１には、ガス供給管１５０ａ（１５０ｘ）が接続されている。ガス供給管１５０ｘからは、後述の第１ガス、第２ガス、パージガスが供給される。ここで、ｘには、各チャンバに対応するａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈのいずれかである。以下では、チャンバ１００ａのガス導入口２４１に接続されるガス供給系について説明し、他のチャンバについては省略する。
【００６４】
図３に、チャンバ１００ａに接続される第１ガス供給部、第２ガス供給部、パージガス供給部等のガス供給系の概略構成図を示す。
【００６５】
図３に示す様に、ガス供給管１５０ａには、ガス供給管集合部１４０ａが接続されている。ガス供給管集合部１４０ａには、第１ガス（処理ガス）供給管１１３ａ、パージガス供給管１３３ａ、第２ガス（処理ガス）供給管１２３ａが接続される。
【００６６】
（第１ガス供給部）
第１ガス供給部には、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５ａ、バルブ１１６ａが設けられている。なお、第１ガス供給管１１３ａに接続される第１ガス供給源１１３を第１ガス供給部に含めて構成しても良い。また、処理ガスの原料が液体や固体の場合には、気化器１８０が設けられていても良い。
【００６７】
（第２ガス供給部）
第２ガス供給部には、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５ａ、バルブ１２６ａが設けられている。なお、第２ガス供給管１２３ａに接続される第２ガス供給源１２３を第２ガス供給部に含めて構成しても良い。
なお、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１２４を設けて、第２ガスを活性化させるように構成しても良い。
【００６８】
（パージガス供給部）
パージガス供給部には、パージガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５ａ、バルブ１３６ａが設けられている。なお、パージガス供給管１３３ａに接続されるパージガス供給源１３３をパージガス供給部に含めて構成しても良い。
【００６９】
ここで、第１ガス供給部、第２ガス供給部、パージガス供給部のそれぞれを構成するＭＦＣ、バルブ、（気化器）、（ＲＰＵ）はコントローラ２６０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下の情報を送受信する。ＭＦＣ：流量設定情報、バルブ：開度情報、（気化器：気化量）、（ＲＰＵ：電力）。
【００７０】
（制御部）
図１〜図４に示すように基板処理システム１０００、チャンバ１００は、基板処理システム１０００と、基板処理装置１００の各部の動作を制御するコントローラ２６０を有している。
【００７１】
コントローラ２６０の概略を図５に示す。制御部（制御手段）であるコントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２、送受信部２８５などが接続可能に構成されている。入出力装置２６１は、基板処理装置１０００の状態を報知する報知部としての表示画面２６４も含む。
【００７２】
記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、ウエハ２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等のデータが一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００７３】
Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１２９０，１３３０，１３５０，１４９０、昇降部２１８、ヒータ２１３、圧力調整器２２７，２２８，１６２０、真空ポンプ２２３（２２３ａ，２２３ｂ，２２３ｃ，２２３ｄ），１６３０、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５（１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄ），１２５（１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃ，１２５ｄ），１３５（１３５ａ，１３５ｂ，１３５ｃ，１３５ｄ），１５３０、バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ，１１６ｄ），１２６（１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ，１２６ｄ），１３６（１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃ，１３６ｄ），１５４０、（ＲＰＵ１２４、気化器１８０、）バイアス制御部２５７、真空搬送ロボット１７００、大気搬送ロボット１２２０等に接続されている。また、インピーダンス計２５４等にも接続されていても良い。
【００７４】
演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６０ｃに記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、ヒータ２１３への電力供給動作、圧力調整器２２７，２２８，１６２０の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５，１５３０でのガス流量制御動作、ＲＰＵ１２４，１４４，１５４のガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６，１５４０でのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作や、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。各構成の制御を行う際は、ＣＰＵ２６０ａ内の送受信部が、プロセスレシピの内容に沿った制御情報を送信/受信することで制御する。
【００７５】
なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、係る外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５やネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合が有る。
【００７６】
（２）基板処理工程
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程を例として、上述の基板処理システム１０００、基板処理装置（チャンバ）１００の動作および各部の評価フロー、シーケンスについて図６、図７、図８、図９を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、上述の基板処理システム１０００、チャンバ１００で行われる。なお、以下の説明において、各部の動作はコントローラ２６０により制御される。
【００７７】
なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。
【００７８】
以下に、基板処理工程について説明する。
【００７９】
（処理装置設定工程Ｓ３００）
基板処理に際しては、先ず、コントローラ２６０において各チャンバ１００で行われるプロセスレシピの設定が行われる。例えば、記憶装置２６０ｃに記録されたデータをＲＡＭ２６０ｂに読み込み、Ｉ／Ｏポートを介して、各部に設定値が設定されることで行われる。なお、ネットワーク２６３を介して接続された上位装置５００からプロセスレシピが送信されることによって設定されても良い。各部の動作の設定後、製造工程Ｓ２００が行われる。
【００８０】
製造工程では、プロセスレシピに応じて、第一ガス供給部を制御して第一ガスを処理室２０１に供給すると共に、排気系を制御して処理室２０１を排気し、ウエハ２００を処理する。なお、ここでは第二ガス供給部を制御して、第二ガスを第一ガスと同時に処理空間に存在させてＣＶＤ処理を行ったり、第一ガスと第二ガスとを交互に供給してサイクリック処理を行ったりしても良い。また、第二ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１２４の使用や、電極２４４に高周波電力を供給することで、処理室２０１内にプラズマを生成しても良い。
【００８１】
膜処理方法の具体例であるサイクリック処理としては次の方法が考えられる。例えば第一ガスとしてジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２，ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＤＣＳ）ガスを用い、第二ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた場合がある。第一工程ではＤＣＳガスをウエハ２００に供給し、第二工程ではＮＨ３ガスをウエハ２００に供給する。第一工程と第二工程の間にでは、パージ工程として、Ｎ２ガスを供給すると共に処理室２０１の雰囲気を排気する。この第一工程，パージ工程，第二工程を複数回行うサイクリック処理を行うことで、ウエハ２００上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が形成される。
【００８２】
以上の様にして製造工程Ｓ２００が行われる。製造工程Ｓ２００の後、装置を構成する各部のデータを取得する装置データ取得工程Ｓ３０２が行われる。
【００８３】
（装置データ取得工程Ｓ３０２）
各部のデータ（装置データ）は、信号線を介してコントローラ２６０に送信される。コントローラ２６０はデータ受信部としてのＩ／Ｏポート２６０ｃで各部のデータを受信し、ＲＡＭ２６０ｂと記憶装置２６０ｃのいずれかまたは両方に記録する。なお、ここで受信したデータは、ネットワーク２６３を介して上位装置５００に送信する様に構成しても良い。
【００８４】
（評価データ生成工程Ｓ３０３）
装置データの取得後、第１評価データの生成が行われる。先ず、記憶装置２６０ｃに格納された各工程（プロセスレシピ）に対応する各部の評価係数テーブル（図７）から、各測定値に対応する評価係数Ａ１〜Ａ６またはＢ１〜Ｂ６が読み出される。ここで、評価係数テーブルは、各工程に対応して設定される。また、評価係数の設定は、工程毎に異なっている。図７では、測定値１〜測定値６について２パターンを例示しているがこれに限る物では無い。ここで工程Ａは、ガス流れが成膜結果に影響を与える工程であり、測定値２（ガス流量）と測定値３（処理室圧力）に重み付けされている。工程Ｂはプラズマが成膜結果に寄与する工程であり、測定値４（高周波電力），測定値５（進行波電力），測定値６（反射波電力）に重み付けされた様に構成されている。なお、ここで評価係数は、記憶装置２６０ｃに格納された評価係数テーブルから読み出す手順について記したが、これに限らず、上位装置５００からネットワーク２６３、送受信部２８５を介して、ＲＡＭ２６０ｂや記憶装置２６０ｃに読み出す様に構成しても良い。上位装置５００から送信される評価係数は、例えば、テーブルＹ１〜Ｙ６に格納される。
【００８５】
読み出された後、図８に示す様に、各部の測定値と評価係数に基づいて、評価が行われる。なお、測定値は、ベースポイントＢからプラス又はマイナス方向への差に基づいて算出され、データテーブルＸ１〜Ｘ６にそれぞれ格納される。Ｘ１〜Ｘ６に格納された測定値データと評価係数に基づいて、各測定値に対する評価データが算出される。工程Ａについての評価データは、ａ１〜ａ６にそれぞれ格納される。工程Ｂについての評価データは、ｂ１〜ｂ６にそれぞれ格納される。この評価は、チャンバ１００毎に行われ、評価データの総合点数を総合評価データとして、図９に示すテーブルに格納される。例えば、チャンバ１００ａ（ＣＨ１）の総合評価データは、ＣＨａに格納される。チャンバＣＨ１〜ＣＨ８のそれぞれに対応する総合評価データが格納された後、レシピ判定工程Ｓ３０５が行われる。
【００８６】
（判定工程Ｓ３０４）
なお、ここで、判定工程Ｓ３０４を行わせても良い。判定工程Ｓ３０４では、第１評価データの蓄積を行う。即ち、製造工程Ｓ２００と装置データ取得工程Ｓ３０２と評価データ生成工程Ｓ３０３とを所定回数繰り返し行わせて、所定数の評価データを蓄積する。評価データを蓄積することによって、統計的な管理を行うことが可能となる。統計的な管理としては、例えば、ＳＰＣ（Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）や、Ｃｐ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）がある。
【００８７】
（レシピ判定工程Ｓ３０５）
評価データ生成工程Ｓ３０３と判定工程Ｓ３０４のいずれか又は両方の後に、レシピ判定工程Ｓ３０５が行われる。図９に示す様に、総合点数に応じて、チャンバ毎に実行可能なレシピを判定する。例えば、総合評価が８０点以上であれば、レシピＡ，Ｂ，Ｃを選択可能と判定する。総合評価が６０点以上であればレシピＡ，Ｂを選択可能と判定する。総合評価５０点以上であればレシピＡを選択可能と判定する。総合評価が５０点未満であれば、メンテナンスを選択可能に判定する。判定されたレシピデータは、チャンバそれぞれに対応する選択可能レシピテーブルのＣＨａ１〜ＣＨｈ１に格納される。
【００８８】
また、図９に示す様に、ＰＭ毎に、実行可能なレシピを判定する。ここでの判定は、ＰＭが有するチャンバで選択可能なレシピの共通項を実行可能と判定する。共通項が無い場合は、処理停止やメンテナンスを実行可能と判定する。また、ＰＭが有するチャンバの内一つでもメンテナンスが選択可能になっている場合は、ＰＭの選択可能レシピとしてメンテナンスを選択可能に判定しても良い。この様に判定させることで、ＰＭが有する複数のチャンバでの処理品質を平準化できる。判定されたレシピは、各ＰＭに対応する選択可能レシピ（ＰＭ）テーブルのＰＭａ〜ＰＭｄに格納される。
【００８９】
また、図９に示す様に、各チャンバ１００の選択可能レシピや各ＰＭでの選択可能レシピデータに基づいて、基板処理システム１０００で実行可能なレシピを判定する様に構成しても良い。例えば、図９に示す様にＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３で共通してレシピＡを実行可能と判定する。
【００９０】
（レシピ項目報知工程Ｓ３０６）
レシピ判定工程の後、コントローラ２６０は、各テーブルに格納された選択可能なレシピデータを、入出力装置２６１に送信する。入出力装置２６１では、例えば図９に示すように各チャンバや、各ＰＭで選択可能なレシピを報知部としての表示画面２６４に表示させることによって基板処理装置１０００の使用者に報知させる。また、選択可能なレシピデータを送受信部２８５から、ネットワーク２６３等を介して、上位装置５００に送信（報知）させても良い。
【００９１】
以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００９２】
上述では、評価係数を記憶装置２６０ｃに記録された評価係数テーブルから読み出すことや、上位装置５００から入力されることについて記したがこれに限らず、評価データから評価係数を変更させる様に構成しても良い。
【００９３】
また、入出力装置２６１に報知部としての表示画面２６４が組み込まれた例を説明したがこれに限るものでは無く、報知部を入出力装置２６１と独立させたものとしても良い。例えば、入出力装置から独立したディスプレイとしても良い。
【００９４】
（評価係数変更工程Ｓ４００）
図１０に複数の評価データを取得した場合に生成される評価データテーブルの例を示す。図１０は、工程Ａを繰り返し行った場合に生成された第１評価データを記録したテーブルである。また、上位装置５００から入力された第２評価データが入力されていても良い。
【００９５】
この図１０に示す評価データテーブルから任意の評価データを複数選択し、評価データを比べることで、評価係数を変更する様に構成しても良い。
【００９６】
（評価データ選択工程Ｓ４０１）
図１１と図１２を例に、評価係数変更工程Ｓ４００について説明する。図１１に示す様に、先ず、評価データ選択工程Ｓ４０１が行われる。
【００９７】
ここでは、図１２に示すように、工程Ａ１の評価データと上位装置から送信された第２評価データとに基づいて演算し、評価係数を変更する例について記す。
【００９８】
（評価データ比較工程Ｓ４０２）
評価データ比較工程Ｓ４０２では、例えば、第１評価データとしての工程Ａ１の評価データと、第２評価データとの差が演算され、ＲＡＭ２６０ｂや記憶装置２０６ｃ等に記録される。ここで、差のデータは、テーブルｚ１〜ｚ６に格納される。その後、判定工程Ｓ４０３が行われる。
【００９９】
（判定工程Ｓ４０３）
判定工程Ｓ４０３では、例えば、第１評価データと第２評価データとの差分がプラスかマイナスかの判定が行われる。差がプラスの場合は、評価係数変更工程Ａ：Ｓ４０４が行われ、差がマイナスの場合は、評価係数変更工程Ｂ：Ｓ４０５が行われる。
【０１００】
（評価係数変更工程Ａ：Ｓ４０４）
評価係数変更工程Ａでは、例えば、既にＲＡＭ２６０ｂや記憶装置２６０ｃ等に設定されていた第１評価係数を増やす演算が行われ、第２評価係数が算出される。第２評価係数は、テーブルＡ１−２〜Ａ６−２に格納される。
【０１０１】
（評価係数変更工程Ｂ：Ｓ４０５）
評価係数変更工程Ｂでは、例えば、既にＡＭ２６０ｂや記憶装置２６０ｃ等に設定されていた第１評価係数を減らす演算が行われ、第２評価係数が設定される。
【０１０２】
なお、ここでは、第１評価データと第２評価データの差分のプラスまたはマイナスであることによって判定する様に構成したが、これに限るものでは無い。例えば、評価データの差分の最大値と最小値を判定し、最大値と最小値のいずれか又は両方の評価係数を変更する様に構成しても良い。上位装置５００から送信された第２評価データがベストデータで有った場合、最小値に基づいて評価係数を変更することによって、装置の状態をベストデータが得られた装置状態に近づけることが容易となる。また最大値に基づいて評価係数を変更することで、装置の状態をベストデータから最も差異が大きいワーストデータが得られた装置状態から遠ざけることができる。
【０１０３】
また、上述では、第１ガスと第２ガスを交互に供給して成膜する方法について記したが、他の方法にも適用可能である。例えば、第１ガスと第２ガスの供給タイミングが重なる様な方法である。
【０１０４】
また、上述では、２種類のガスを供給して処理する方法について記したが、１種類のガスを用いた処理であっても良い。
【０１０５】
また、上述では、成膜処理について記したが、他の処理にも適用可能である。例えば、プラズマを用いた拡散処理、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、還元処理、酸化還元処理、エッチング処理、加熱処理などが有る。例えば、反応ガスのみを用いて、基板表面や基板に形成された膜をプラズマ酸化処理や、プラズマ窒化処理する際にも本発明を適用することができる。また、反応ガスのみを用いたプラズマアニール処理にも適用することができる。これらの処理を第１処理として、その後、上述の第２処理を行わせても良い。
【０１０６】
また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。
【０１０７】
また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。
【０１０８】
また、上述では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向又は垂直方向に並べた装置であっても良い。
【符号の説明】
【０１０９】
１００      処理装置
２００      ウエハ（基板）
２０１      処理室
２０２      処理容器 
２１２      基板載置台 
２１３      ヒータ
２２１      第１排気口
２３４      シャワーヘッド
２４４      第１電極
２６０      コントローラ
【図１】
2018056174.tif 000003
【図２】
2018056174.tif 000004
【図３】
2018056174.tif 000005
【図４】
2018056174.tif 000006
【図５】
2018056174.tif 000007
【図６】
2018056174.tif 000008
【図７】
2018056174.tif 000009
【図８】
2018056174.tif 000010
【図９】
2018056174.tif 000011
【図１０】
2018056174.tif 000012
【図１１】
2018056174.tif 000013
【図１２】
2018056174.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理設定に基づいてチャンバを動作させて基板を処理する工程と、
前記処理させる際に前記チャンバの装置データを取得する工程と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記チャンバの第１の評価データを生成する工程と、
前記第１の評価データに基づいて、前記チャンバで実行可能なレシピ項目を判定する工程と、
前記レシピ項目を報知する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チャンバが複数設けられ、
前記複数のチャンバのそれぞれで前記レシピ項目を報知する工程を有する 
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記チャンバを複数有する処理モジュールが複数設けられ、
前記チャンバのそれぞれが有する前記レシピ項目の内、共通して実行可能なレシピ項目を報知する工程を有する 
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の評価データを生成する工程では、上位装置から前記チャンバを制御する制御部に前記評価係数が入力される請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の評価データを生成する工程では、上位装置から記チャンバを制御する制御部に入力される第２の評価データと前記第１の評価データとに基づいて前記評価係数が変更される請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記処理する工程と前記装置データを取得する工程と前記第１の評価データを生成する工程とを繰り返す工程を有する 
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記繰り返す工程では、前記第１の評価データを複数生成し、
当該複数の第１の評価データの内、前記第２の評価データと最も差異が大きい第１の評価データに基づいて前記評価係数を変更する工程を有する 
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記繰り返す工程では前記第１の評価データを複数生成し、
当該複数の第１の評価データの内、前記第２の評価データと最も差異が小さい第１の評価データに基づいて前記評価係数を変更する工程を有する 
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１の処理設定に基づいてチャンバを動作させて基板を処理させる手順と、
前記処理させる際に前記チャンバの装置データを取得させる手順と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記チャンバの第１の評価データを生成させる手順と、
前記第１の評価データに基づいて、前記チャンバで実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、
前記レシピ項目を報知させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１０】
第１の処理設定に基づいてチャンバを動作させて基板を処理させる手順と、
前記処理させる際に前記チャンバの装置データを取得させる手順と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記チャンバの第１の評価データを生成させる手順と、
前記第１の評価データに基づいて、前記チャンバで実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、
前記レシピ項目を報知させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。
【請求項１１】
基板を第１の処理設定に基づいて処理するチャンバと、
前記チャンバの装置データを受信するデータ受信部と、
前記チャンバで実行可能なレシピ項目を報知させる報知部と、
第１の処理設定に基づいてチャンバを動作させて基板を処理させる手順と、
前記処理させる際に前記チャンバの装置データを取得させる手順と、
前記第１の処理設定に対応する評価係数と前記装置データとに基づいて前記チャンバの第１の評価データを生成させる手順と、
前記第１の評価データに基づいて、前記チャンバで実行可能なレシピ項目を判定させる手順と、
前記レシピ項目を報知させる手順と、
を行う演算部と前記レシピ項目を前記報知部に送信する送受信部とを有する制御部と、を有する基板処理装置。