(57)【要約】      （修正有）【課題】高粘性材料をコストパーフォーマン良くプリントする。【解決手段】材料配列方法は，ドナー材料を含むドナー・フィルム６２をアクセプタ基板１２から所定の距離に，ドナー・フィルムがアクセプタ基板の方を向いて対向するように位置決めすることを含む。一または複数のレーザ照射パルス４３を誘導してドナー・フィルム上の所定の位置に衝突させ，ドナー材料の突出部７２の形成を行う。突出部がドナー・フィルムに接触し続けている状態で，突出部の遠位端が，アクセプタ基板に触れてアクセプタ基板上に配列される。ドナー・フィルムとアクセプタ基板との間隔を広げて，突出部の遠位端をドナー・フィルムから引き離すことによって，ドナー材料からなるスポットをアクセプタ基板上に形成する。【選択図】図２
2018056565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー材料を含むドナー・フィルムを，アクセプタ基板から所定の距離に，上記ドナー・フィルムが上記アクセプタ基板の方を向いて対向するように位置決めし，
一または複数のレーザ照射パルスを誘導して上記ドナー・フィルム上の所定の位置に衝突させ，上記ドナー材料からなる突出部の形成を行い，上記突出部が上記ドナー・フィルムに接触し続けている状態のままで，上記突出部の遠位端を，上記アクセプタ基板に触れさせて上記アクセプタ基板上に配列し，
上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて，上記突出部の上記遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことにより，上記ドナー材料のスポットを上記アクセプタ基板上に形成する，
材料配列方法。
【請求項２】
上記レーザ照射パルスを誘導した後に上記ドナー・フィルムを上記所定の距離に位置決めし，上記突出部の上記遠位端が上記アクセプタ基板に触れた後に上記間隔を広げる，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間の上記所定の距離を制御することによって，上記配列される上記ドナー材料の量を制御する，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記レーザ照射パルスの誘導が上記所定の距離に基づいて上記レーザパルスの少なくとも１つのパラメータを設定することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ｉ）上記レーザ照射の追加パルスを印加することなく上記所定の距離に上記ドナー・フィルムを再位置決めし，（ｉｉ）上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間の上記間隔を再度広げることによって，上記所定の位置に配列された上記ドナー材料の上に，追加のドナー材料を配列する，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記レーザ照射ビームを空間的に整形すること，および
一または複数の追加のレーザ照射パルスを誘導して，上記ドナー・フィルムの上記所定の位置から所定の間隔をあけたところに衝突させること，
のうちの一または複数を実行することによって，
上記アクセプタ基板上に上記ドナー材料の隣接パターンを配列する，
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記レーザ照射パルスの誘導が，上記ドナー・フィルムの複数の箇所に衝突させるために上記レーザ照射を走査することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記レーザ照射パルスの誘導が，上記レーザ照射を分割して複数のビームとし，これらのビームを上記ドナー・フィルムの互いに離間する複数の位置のそれぞれに衝突させることを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記突出部を上記アクセプタ基板上に最終的に配列する前に，（ｉ）補助基板を上記ドナー・フィルムから所定の距離に位置決めし，（ｉｉ）上記ドナー・フィルムと上記補助基板との間隔を広げることによって上記突出部を整形し，（ｉｉｉ）上記補助基板を取り外すことによって，上記突出部を形成する，請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記補助基板が上記アクセプタ基板の割り当て領域から構成される，請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記補助基板が上記アクセプタ基板とは異なる基板から構成される，請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
上記ドナー材料が，２５℃の温度で１０，０００センチポイズよりも高い等価粘度を有する，請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記レーザ照射パルスの誘導が，上記ドナー・フィルム上の複数の異なる位置に上記パルスを誘導して複数の突出部の形成を上記複数の位置で行うことによって，上記アクセプタ基板上に幾何学スポットパターンを形成することを含み，上記方法が，上記突出部を形成した後，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて上記突出部の遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことによって上記幾何学パターンをプリントすることを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
レーザ照射の追加パルスを印加することなく，上記幾何学パターンのプリントを繰り返す，請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記ドナー材料が，せん断応力のもとでその粘度が低下する所定の材料を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
上記せん断応力が上記ドナー・フィルム上に一または複数のレーザ照射パルスが衝突することによって生じる，請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記せん断応力が除かれることに応じて，上記所定の材料の粘度が，１００マイクロ秒から１００ミリ秒の時間遅延の後に，応力付与前のレベルに戻る，請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記所定の材料がインク，ペースト，ゲル，および粒子を含む分散液の中から選択される形態を備えている，請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
ドナー材料を含むドナー・フィルムを，アクセプタ基板から所定の距離に，上記ドナー・フィルムが上記アクセプタ基板の方を向いて対向するように位置決めするように構成される位置決めアセンブリ，および
一または複数のレーザ照射パルスを生成し，上記一または複数のパルスを誘導して上記ドナー・フィルム上の所定の位置に衝突させ，上記ドナー材料からなる突出部の形成を行うように構成され，上記突出部が上記ドナー・フィルムに接触し続けている状態のままで，上記突出部の遠位端を，上記アクセプタ基板に触れさせて上記アクセプタ基板上に配列させる光学アセンブリを備え，
上記位置決めアセンブリが，上記突出部を形成した後に，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて，上記突出部の上記遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことにより，上記ドナー材料のスポットを上記アクセプタ基板上に形成するように構成されている，
材料配列装置。
【請求項２０】
上記位置決めアセンブリが，上記レーザ照射パルスを誘導した後に上記ドナー・フィルムを上記所定の距離に位置決めし，上記突出部の上記遠位端が上記アクセプタ基板に触れた後に上記間隔を広げるように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
上記位置決めアセンブリが，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間の上記所定の距離を制御することによって，上記配列されるドナー材料の量を制御するように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
上記光学アセンブリが，上記所定の距離に基づいて上記レーザパルスの少なくとも１つのパラメータを設定するように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
上記位置決めアセンブリが，（ｉ）上記ドナー・フィルムを再位置決めし，（ｉｉ）上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との上記間隔を再度広げることによって，上記所定の位置に配列されたドナー材料上に，追加のドナー材料を配列するように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２４】
上記レーザ照射ビームを空間的に整形すること，および
一または複数の追加のレーザ照射パルスを誘導して，上記ドナー・フィルムの上記所定の位置から所定の間隔をあけたところに衝突させること，
のうち一または複数を実行することによって，
上記光学アセンブリが，上記アクセプタ基板上に上記ドナー材料の隣接パターンを配列するように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２５】
上記光学アセンブリが，上記レーザ照射を走査して上記ドナー・フィルム上の複数の箇所に衝突させるように構成される，請求項１９に記載の装置。
【請求項２６】
上記光学アセンブリが，上記レーザ照射を分割して複数のビームとし，これらのビームを上記ドナー・フィルムの互いに離間する複数の位置のそれぞれに衝突させるように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項２７】
上記突出部を上記アクセプタ基板上に最終的に配列する前に，（ｉ）上記位置決めアセンブリが補助基板を上記ドナー・フィルムから所定の距離に位置決めするように構成されていること，（ｉｉ）上記位置決めアセンブリが上記ドナー・フィルムと上記補助基板との間隔を広げることによって上記突出部を整形するように構成されていること，および（ｉｉｉ）上記位置決めアセンブリが上記補助基板を取り外すように構成されること，から構成される手順を用いて，上記突出部が形成される，請求項１９に記載の装置。
【請求項２８】
上記補助基板が上記アクセプタ基板の割り当て領域から構成される，請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
上記補助基板が上記アクセプタ基板とは異なる基板から構成される，請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
上記ドナー材料が，２５℃の温度で１０，０００センチポイズよりも高い等価粘度を有している，請求項１９に記載の装置。
【請求項３１】
上記光学アセンブリが，上記ドナー・フィルム上の複数の異なる位置に上記パルスを誘導して複数の突出部の形成を上記複数の位置で行うことによって，上記アクセプタ基板上に幾何学スポットパターンを形成するように構成され，上記位置決めアセンブリが，上記突出部を形成した後，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて上記突出部の遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことによって上記幾何学パターンをプリントするように構成されている，請求項１９に記載の装置。
【請求項３２】
上記光学アセンブリが，レーザ照射の追加パルスを印加することなく，上記幾何学パターンのプリントを繰り返すように構成されている，請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
上記ドナー材料が，せん断応力のもとでその粘度が低下する所定の材料を含む，請求項１９に記載の装置。
【請求項３４】
上記せん断応力が上記ドナー・フィルム上に衝突する一または複数のレーザ照射パルスによって生じる，請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
上記せん断応力が除かれることに応じて，上記所定の材料の粘度が，１００マイクロ秒から１００ミリ秒の時間遅延の後に，応力付与前のレベルに戻る，請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
上記所定の材料が，インク，ペースト，ゲル，および粒子を含む分散液の中から選択される形態を備えている，請求項３３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
この出願は，２０１６年９月２８日出願の米国仮特許出願第６２／４００，６３５号の利益，および２０１７年１月１８日出願の米国仮特許出願第６２／４４７，４７１号の利益を主張するものであり，これらの米国仮特許出願の開示内容は，引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
【０００２】
この発明は概略的にはレーザ誘起材料プリント（laser-induced material printing）に関するもので，特に高粘性材料（high-viscosity materials）をプリントする方法およびシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
レーザ誘起前方転写（Laser-Induced Forward Transfer：ＬＩＦＴ）法は，プリント回路基板（Printed Circuit Boards：ＰＣＢｓ），集積回路（Integrated Circuit：ＩＣ）基板，フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Displays：ＦＰＤｓ），および他の電子機器の製造および修復を実施する際に魅力的なコスト／パフォーマンス比を有する。ＬＩＦＴ法では，レーザフォトンを使用して，ソース・フィルム（“donor（ドナー：供与体）”と表記される）からアクセプタ基板（“acceptor（アクセプタ）”または“receiver（受容体）”と表記される）に向かって大量の材料を放出する。
【発明の概要】
【０００４】
この明細書において説明するこの発明の一の実施形態は，材料を配列する方法を提供するものであり，上記方法では，ドナー材料を含むドナー・フィルムを，アクセプタ基板から所定の距離に，上記ドナー・フィルムが上記アクセプタ基板の方を向いて対向するように位置決めする。一または複数のレーザ照射パルスを誘導して（方向づけて）上記ドナー・フィルム上の所定の位置に衝突させ，上記ドナー材料からつくられる突出部（突起部）の形成を誘起する。上記突出部が上記ドナー・フィルムに接触し続けている状態で，上記突出部の遠位端（distal tip）を上記アクセプタ基板に触れさせて，上記アクセプタ基板上に配列する。上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて，上記突出部の上記遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことによって上記アクセプタ基板上に上記ドナー材料のスポットが形成される。
【０００５】
いくつかの実施形態では，上記レーザ照射パルスを誘導した後，上記ドナー・フィルムを上記所定の距離に位置決めし，上記突出部の上記遠位端が上記アクセプタ基板に触れた後に上記間隔が広げられる。他の実施形態では，上記方法において，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間の上記所定の距離を制御することによって配列されるドナー材料の量を制御する。さらに他の実施形態では，上記レーザ照射パルスを誘導する際に，上記レーザパルスの少なくとも１つのパラメータを上記所定の距離に基づいて設定する。
【０００６】
一の実施形態では，上記方法において，（ｉ）上記レーザ照射の追加パルスを印加することなく上記所定の距離に上記ドナー・フィルムを再位置決めし，（ｉｉ）上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との上記間隔を再度広げることによって，配列後の上記ドナー材料の上に追加のドナー材料を上記所定の位置に配列させる。別の実施形態では，上記方法において，上記アクセプタ基板上に，上記レーザ照射ビームを空間的に整形すること，および一または複数の追加のレーザ照射パルスを誘導して，上記ドナー・フィルムにおいて上記所定の位置から所定の間隔の位置に衝突させることのうち１つ以上を行うことによって，上記ドナー材料からなる隣接パターンを配列する。さらに別の実施形態では，上記レーザ照射パルスの誘導は，上記レーザ照射を走査して上記ドナー・フィルム上の複数の箇所に衝突させることを含む。
【０００７】
いくつかの実施形態では，上記レーザ照射パルスの誘導は，上記レーザ照射を分割して複数のビームにし，複数のビームを，上記ドナー・フィルムにおいて，互いに離間する複数の位置のそれぞれに衝突させることを含む。他の実施形態では，上記方法は，上記アクセプタ基板上に最終的に上記突出部を配列する前に，（ｉ）上記ドナー・フィルムから所定の距離に補助基板を位置決めし，（ｉｉ）上記ドナー・フィルムと上記補助基板との間隔を広げることによって上記突出部を整形し，（ｉｉｉ）上記補助基板を取り外す（除去する）ことによって，上記突出部を形成することを含む。さらに他の実施形態では，上記補助基板は上記アクセプタ基板の割り当て領域（allocated area）から構成される。
【０００８】
一の実施形態では，上記補助基板は上記アクセプタ基板と異なる基板から構成される。別の実施形態では，上記ドナー材料は，２５℃の温度で１０，０００センチポイズ（centipoise）よりも高い等価粘度を有する。さらに別の実施形態では，上記レーザ照射パルスの誘導は，上記パルスを上記ドナー・フィルム上の複数の異なる位置に誘導して，複数の突出部の形成を上記複数の位置で行うことによって，幾何学スポットパターンを上記アクセプタ基板上に形成することを含み，上記方法は，上記突出部を形成した後，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて，上記突出部の遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことによって上記幾何学パターンをプリントすることを含む。
【０００９】
いくつかの実施形態では，上記方法は，上記幾何学パターンのプリントを，追加のレーザ照射パルスを印加することなく，繰り返すことを含む。他の実施形態では，上記ドナー材料がせん断応力下で粘度が低下する所定の材料を含む。さらに他の実施態様では上記せん断応力が上記ドナー・フィルム上に衝突するレーザ放射の一または複数のパルスによって引き起こされる。
【００１０】
一実施形態では，上記せん断応力の除去に応答して，上記所定の材料の粘度レベルが１００マイクロ秒から１００ミリ秒の時間遅延後に応力付与前のレベル（pre-stress level）に戻る。他の実施形態では，上記所定の材料が，インク，ペースト，ゲル，および粒子を含む分散液からなるリストから選択される一の形態を含む。
【００１１】
この発明の一の実施形態によれば，材料を配列する装置（apparatus for disposing material）がさらに提供され，上記装置は，位置決めアセンブリおよび光学アセンブリを含む。上記位置決めアセンブリは，ドナー材料を含むドナー・フィルムをアクセプタ基板から所定の距離に，上記ドナー・フィルムが上記アクセプタ基板の方を向いて対向するように位置決めするように構成される。上記光学アセンブリは，一または複数のレーザ照射パルスを生成し，上記一または複数のパルスを誘導して（方向づけて）上記ドナー・フィルム上の所定の位置に衝突させ，上記ドナー材料からつくられる突出部を形成するように構成される。上記突出部が上記ドナー・フィルムに接触し続けている状態で上記突出部の遠位端が上記アクセプタ基板に触れ，上記アクセプタ基板上に配列される。上記突出部を形成した後，上記位置決めアセンブリは，上記ドナー・フィルムと上記アクセプタ基板との間隔を広げて，上記突出部の上記遠位端を上記ドナー・フィルムから引き離すことによって，上記ドナー材料からなるスポットを上記アクセプタ基板上に形成するように構成される。
【００１２】
この発明は，この発明の実施形態に関する以下の詳細な説明から図面と併せて考察することによって更に完全に理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の一の実施形態による，基板にプリントをするレーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）システムの概略図である。
【図２】この発明の一の実施形態による，高粘性材料をＬＩＦＴ法を使用してプリントするプロセスのステップを示す概略断面図である。
【図３】この発明の一の実施形態による，高粘性材料をＬＩＦＴ法を使用してプリントする方法を模式的に示すフローチャートである。
【図４】この発明の別の実施形態による，高粘性材料のプリントを犠牲基板を使用して支援するプロセスのステップを示す概略断面図である。
【図５】この発明の一の実施形態による，高粘性材料のマトリクスをＬＩＦＴ法を使用してプリントした実験結果の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
概要
以下に説明するこの発明の実施形態は，レーザ誘起前方転写（Laser-Induced Forward Transfer：ＬＩＦＴ）法を使用して材料を堆積する，改善された方法および装置を提供する。この明細書において記載する実施形態は，主として高粘性を有する材料について言及するが，開示の方法は，多種多様な材料および用途に適用することができる。以下の説明では，分かりやすくするために，“printing（プリント（印刷）する）”，“depositing（堆積する）”，および“disposing（配置する）”という用語は同じ意味に使用される。
【００１５】
多くの場合（必須ではないが），２５℃の温度で１０，０００センチポイズ（ＣＰＳ）よりも高い粘度を有する材料として定義される高粘性材料（high viscosity materials）が，様々な用途に，たとえば電子機器の製造における接着剤に使用される。原理的には，高粘性材料はディスペンス法（dispensing techniques）またはステンシル・プリント（stencil printing）を使用して基板にプリントすることができる。しかしながら，このような方法は，通常，直径が２００μｍよりも大きいドットのプリントに限定（制限）される。さらにこのような方法は，通常，使用する材料の粘性に依存するが，約３００ドット／秒以下のプリント速度に制限される。
【００１６】
モバイル機器のような電子機器の中には，小さなフォームファクタであることおよび軽量であることを重要な要求とするものがある。金属ペースト，導電性接着剤（ＥＣＡ），非導電性接着剤（ＮＣＡ），または半田ペースト（ＳＰ）のような高粘性材料をこのような要件を満たすようにプリントするには，目標ドット径が２００μｍよりも小さく，好ましくは１００μｍよりも小さいことが重要である。
【００１７】
いくつかの実施形態では，ＥＣＡ，ＮＣＡ，またはＳＰのような一または複数のタイプの高粘性材料からつくられるドナー・フィルムがドナー基板上に形成される。一実施形態では，ドナー・フィルムは，アクセプタ基板，たとえばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ），プリント回路基板（ＰＣＢ）または集積回路（ＩＣ）基板から所定の距離（たとえば１ｍｍ）に位置決めされ，ドナー・フィルムの高粘性材料がアクセプタ基板の方を向いて対向させられる（facing）。
【００１８】
いくつかの実施形態では，ダイオードレーザのようなレーザ光源が，９１５ｎｍ波長のレーザパルスを１５０ワットのパワーでかつ１〜１０マイクロ秒のパルス幅で照射するように構成される。レーザパルスはドナー・フィルム上の一または複数の所定の位置に衝突するように誘導される（方向づけされる）。レーザパルスにおいて搬送される高エネルギーによって，ドナー・フィルムの高粘性材料が衝突位置および上記ドナー基板の近傍において気化される。局所的な過渡圧力が高粘性ドナー材料からつくられる突出部の形成を駆動し，ドナー・フィルムからアクセプタ基板に向かって突出部が突出する。
【００１９】
いくつかの実施形態では，突出部がドナー・フィルムにも接続される状態を保ちながら，突出部の遠位端がアクセプタ基板表面に触れるまで，アクセプタ基板に向かってドナー・フィルムを移動させる。次に，ドナー・フィルムをアクセプタ基板から離れるように移動させて，突出部をドナー・フィルムから引き剥がすことによって，高粘性材料を突出部の遠位端からアクセプタ基板にプリントする。（一例として，上の説明では，移動するドナーと静止しているアクセプタとについて言及している。別の構成として，ドナーとアクセプタとの間の距離は，アクセプタを移動させてかつドナーを静止したままとすることによって，または両方を移動させることによって変化させることができる。）
【００２０】
いくつかの実施形態では，アクセプタ基板にプリントされるドナー材料の量は，（アクセプタ基板がドナー・フィルムから十分長い距離に位置決めされて，突出部がアクセプタ基板に触れることができないときに得られる）誘導突出部の最大長（the maximal length of the induced protrusion）と，ドナー・フィルムとアクセプタ基板との間に設定される最小距離との差によって決定される。これらの実施形態では，ドナー・フィルムとアクセプタ基板の上面との距離が突出部の最大長よりも長ければ，ドナー材料はアクセプタ基板にプリントされないことになる。
【００２１】
１００μｍよりも小さいスポットをアクセプタ基板上にプリントするために，突出部を形成した後に，ドナー・フィルムをアクセプタ基板から上記突出部の最大長よりも僅かに短い距離に位置決めし，次に後退させることで，上記スポットをプリントすることができる。
【００２２】
いくつかの実施形態では，高粘性材料をアクセプタ基板にプリントして，所望の３次元（３Ｄ）形状を有するプリント・ドット（printed dots）を形成することができる。たとえばピラー（柱）のような３Ｄ構造は，ドナー・フィルムまたはアクセプタ基板を水平に移動させることなく，上述したプリント手順を複数回繰り返すことによってアクセプタ基板にプリントすることができる。この実施形態では，当該手順を適用するたびに，高粘性材料の追加層を，既に形成されているピラーの頂部に形成することができるので，高アスペクト比（high aspect ratio:ＨＡＲ）ピラーとしても知られる，背の高い幅狭ピラーを形成することができる。
【００２３】
いくつかの実施形態では，開示する方法を使用して，ドットのみならず，高粘性材料からなるライン（線）または他の細長パターンをプリントすることができる。パターンのプリントは，たとえば所望の空間パターンを持つようにレーザビームを整形する（shaping）ことによって，および／またはドナー・フィルム上でレーザビームを移動させて高粘性材料が部分的に重なり合う一連のドット（a series of partially-overlapping dots of viscous material）をプリントすることによって，実行することができる。
【００２４】
いくつかの実施形態では，犠牲基板（sacrificial substrate）を使用して突出部の断面を整形することができる。たとえば，場合によっては，形成された突出部の実際の断面が予定と異なる寸法を有することがある。このような場合に，犠牲基板を突出部の遠位端に押し付け，操作性良く（in controlled manner）ドナー・フィルムから引き離することで，上記突出部を所望の寸法に整形することができる。その後に整形後の突出部を実際のアクセプタ基板表面に当ててプリントする。
【００２５】
開示するプリント方法を使用することで，様々な機器，たとえば携帯機器，携帯電話，インターネットオブシングス（ＩｏＴ）機器，もしくは他のモバイル機器，または小さなフォームファクタを有しかつ軽量である任意の適切な機器を製造することができる。さらにこの開示の方法を使用することによって，プリント速度が１０倍に速くなるので，これら機器を製造するためのコストを大幅に削減することができる。
【００２６】
システム説明
図１は，この発明の一実施形態によるレーザ誘起前方転写（Laser-Induced Forward Transfer：ＬＩＦＴ）システム10の概略図である。
【００２７】
いくつかの実施形態では，システム10は，この明細書においてアクセプタ基板12と呼ぶ電子回路の基板24に様々な材料をプリントするように構成され，電子回路基板としては，たとえばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ），プリント回路（ＰＣＢ）基板，または集積回路（ＩＣ）基板を挙げることができ，これが実装面14に保持される。ＬＩＦＴ法において，基板12は“receiver（受容体）”または“acceptor（アクセプタ）”とも呼ばれる。「フラットパネルディスプレイ」，「ＦＰＤ」，「プリント回路基板」，「ＰＣＢ」，「集積回路基板」および「ＩＣ基板」の用語は，ここでは，材料が堆積される任意の適切な基板を広く指すために使用される。
【００２８】
いくつかの実施形態では，システム10は，接着剤，導電性接着剤（ＥＣＡ），非導電性接着剤（ＮＣＡ），半田ペースト（ＳＰ）もしくは金属ペースト（ナノ粒子金属ペーストまたは微粒子金属ペースト），または誘電体ペーストのような２５℃の温度で１０，０００センチポイズ（ＣＰＳ）よりも高い等価粘度を有する材料を堆積するように構成される。しかしながら，一般的には，開示される技術はなんらかの特定の材料に限定されない。
【００２９】
一実施形態では，システム10は位置決めアセンブリ18を備え，位置決めアセンブリ18は，光学アセンブリ16をシステム10の選択軸に沿って直線移動させることによって，基板24の所望の位置の上に位置決めするように構成される。いくつかの実施形態では，位置決めアセンブリ18は，一または複数の軸，たとえば水平軸Ｘ，Ｙ，および垂直軸Ｚに沿って移動するように構成される可動ブリッジ（moving bridge）を備えることができる。他の実施形態では，位置決めアセンブリ18は可動ステージを備えることができる。別の構成として，他の適切な方法を使用して位置決めアセンブリ18および基板12を互いに対して移動させるようにしてもよい。制御ユニット27が，光学アセンブリ16および位置決めアセンブリ18の動作といったシステム10の複数の機能を制御する。
【００３０】
制御ユニット27は，典型的にはソフトウェア中にプログラムされ，この明細書に記載する機能を実行する汎用コンピュータを備えている。ソフトウェアは，たとえばコンピュータに電子形式でネットワークを介してダウンロードすることができ，またはこれに代えてもしくは加えて，磁気メモリ，光メモリ，または電子メモリのような非一時的有形媒体で実現する，および／または格納することができる。
【００３１】
次に差し込み図38を参照して，この差し込み図は，光学アセンブリ16，ドナー11および基板12を撮影した概略側面図である。
【００３２】
いくつかの実施形態では，光学アセンブリ16は，BWT Beijing社（2nd fl, No.4A Hangfeng Rd. Fengtai Beijing 100070, China）製の高出力ファイバ結合ダイオードレーザ（high power fiber coupled diode laser）（ＨＰＦＣＤＬ）製品Ｋ９１５ＦＧ２ＲＮ−１５０．０Ｗ，またはVancouver, Washington, 98665のnLight Corporation製の同様の製品もしくはこのようなレーザの他の任意の供給業者が製造する同様の製品のようなレーザ40を備える。
【００３３】
一実施形態では，レーザ40は，915ｎｍ波長のパルスビーム52を150Ｗの出力で出射することができる，または任意の他の適切な波長かつ出力レベルで出射することができる。いくつかの実施形態では，レーザ40が生成するパルスは１〜10マイクロ秒のパルス幅を有し，これによって150μＪ〜1.5ｍＪのエネルギーレベルでドナー11を照射することができる。このようなエネルギーレベルによって，以下の図２に詳細に図示するように，ドナー・フィルム62からのドナー材料の突出部形成が可能になる。
【００３４】
一実施形態では，ビーム走査アセンブリ41がビーム52を操作して一または複数のビーム54とし，これらが光学系44を介して集光され，たとえばビーム43を分割して複数の補助ビームとすることによって，一または複数のビームを形成する。一実施形態では，ドナー11は，ガラス板またはプラスチック板のような典型的には光透過材料からつくられる基板60を備えている。光学系44は，各ビーム43を基板60の上面59を介して集光することによって，ドナー・フィルム62の表面69でかつ位置23のような所望の位置に衝突させる。
【００３５】
いくつかの実施形態では，ビーム43によって，突出部としてフィルム62から基板12上に突出する高粘性材料の形成が行われる。
【００３６】
いくつかの実施形態では，ビーム走査アセンブリ41はさらに，ガルバノミラーのような適切な走査機構を有するスキャナ（図示略）を備え，ビーム43を走査することによって，図２に示す突出部の形成が３ｋＨｚよりも高い周波数レートまたは任意の他の適切なレートで行われる。
【００３７】
一実施形態では，ビーム走査アセンブリ41のスキャナはビーム43を表面69上で走査し，１秒当たり数千個の突出部の形成を行い，アクセプタ基板12上にほぼ同じプリント速度でドナー材料を配列するように構成される。
【００３８】
いくつかの実施形態では，ビーム走査アセンブリ41のスキャナは，ビーム43を位置23に，５μｍ未満の典型的位置決め精度で誘導するように構成される。一実施形態では，ドナー11と基板12との間の典型的な距離は約１ｍｍ以上である。この距離において，位置決めアセンブリ18は，光学アセンブリ16およびドナー11を，基板12に対して10μｍ未満の典型的位置決め精度で位置決めするように構成される。したがって，システム10の総合的な位置決め精度によって，フィルム62の材料の基板12へのプリントを，10μｍ〜20μｍの典型的精度でサポートすることができる。プリント精度は，任意の他の適切な走査法および位置決めアセンブリを使用することで向上させることができる。
【００３９】
いくつかの実施形態では，ビーム43によって位置23に球対称スポットが形成され，対応する球対称突出部（corresponding spherically symmetric protrusion）の形成を行うことができる。
【００４０】
他の実施形態では，光学アセンブリ16は，ビーム43を直線断面のような隣接断面（comtiguous cross section, such as a linear cross section）に整形して，基板12上に線分または曲線線分のような隣接突出部の形成を行うように構成される。
【００４１】
別の実施形態では，光学アセンブリ16はさらに，ビーム43を複数の補助ビームに分割して，ビーム43の複数の補助ビームの複数のパルスを誘導して，表面69上の複数の位置に，互いに極めて接近して衝突させることによって，基板12上への隣接パターンのプリントを可能にする隣接突出部の形成を行うことができる。
【００４２】
さらに別の実施形態では，基板12上の所定の位置（たとえば，位置23）に第１パターンをプリントした後，位置決めアセンブリ18はさらに，光学アセンブリ16およびドナー11を基板12に対して再位置決めし，位置23にさらに追加層を同じパターンでプリントするように構成される，または第１パターンに極めて近接して第２パターンをプリントするように構成される。プリントを行うさらなる実施形態を以下の図２〜５に示す。
【００４３】
他の実施形態では，システム20は，連続波（continuous-wave:ＣＷ）変調レーザ，疑似ＣＷファイバレーザ，または数ナノ秒〜数百ナノ秒の範囲のパルス幅を有するパルスファイバレーザ（たとえば，ＹＡＧ系ファイバレーザまたはイッテルビウム系ファイバレーザ）のような任意の他の適切な種類のレーザ40を備えることができる。このようなレーザは，例えばIPG photonicsまたはSpectra-Physicsによって製造されている。
【００４４】
システム10およびその構成要素の開示する構成は一例を示すものであり，この明細書に記載する技術を実行することができる環境例（the sort of environment）を示している。このような技術は任意の他の適切な設備および構成を使用して同様に実行することができる。
【００４５】
図２は，この発明の一実施形態による，システム10を使用して高粘性材料をプリントするマルチステッププロセスを示す概略的な断面図である。図２に示すプロセスは，概念を明確にするために，単純化された３つのステップに分割されている。
【００４６】
はじめにステップ１を参照する。いくつかの実施形態では，位置決めアセンブリ18は，ドナー11のフィルム62をアクセプタ基板12からＨ１で示す距離（たとえば２ｍｍまたは３ｍｍ）に位置決めする。一実施形態では，フィルム62は２５℃の温度で１０，０００ＣＰＳよりも高い等価粘度を有する一または複数の材料を含み，これらの材料として，たとえば図１において上述した金属ペースト，接着剤，ＥＣＡ，ＮＣＡ，およびＳＰを挙げることができる。フィルム62を構成する材料は，基板60上に，当該分野において公知の任意の適切な堆積技術を使用して事前に塗布される。一実施形態では，光学アセンブリ16は，ビーム43を誘導してフィルム62上の一または複数の位置に，たとえば位置23（図１）に衝突させる。
【００４７】
いくつかの実施形態では，ビーム43とフィルム62との間の相互作用（interaction）によって，衝突位置の基板60との境界におけるフィルム62の高粘性材料が加熱される。一実施形態では，過剰な熱（excess heat）によって一または複数の熱気泡（hot bubbles of gas）（図示略）が上記境界に形成される。衝突位置において気泡中のガスがフィルム62に圧力を与え，これによってアクセプタ基板12に向かってフィルム62から突出する突出部72が形成される。
【００４８】
いくつかの実施形態では，フィルム62は非ニュートン粘性（粘度）（non-Newtonian viscosity）（たとえばニュートンの粘度法則に従わない流体材料）を含む。たとえば，ビーム43とフィルム62の相互作用によって誘導される速いせん断応力（fast shear stress）の存在下において，このような材料の粘度が（典型的には相当量）低下する。せん断応力が存在するときの粘度低下の現象を，本書において「せん断薄化」（shear thinning）とも呼ぶ。この材料の粘度は典型的にはせん断応力が取り除かれた後にその初期値（すなわち，せん断応力が加えられる前の値）に戻る。
【００４９】
ステップ１の一例では，ビーム43がフィルム62に衝突すると，衝突位置におけるフィルム62のせん断薄化によって，基板12に向かうフィルム62からの突出部72の伸長が誘導される。ビーム43が上記衝突位置から除かれた後，材料の粘度が増加し，これによって上記突出部72の伸長の進行が完全停止に向けて減少し，これによってステップ１に示すような突出部72の寸法（たとえば長さ）が決定される。
【００５０】
これらの実施形態において，突出部72の長さはビーム43の特徴（たとえば，ビームの出力およびパルス幅）およびフィルム62を構成する非ニュートン粘性材料の特性（プロパティ）に依存する。たとえば，高い初期粘性（hign initial viscosity）を有する非ニュートン粘性材料（たとえば，１０，０００ＣＰＳを超える粘度のもの）は，せん断応力の存在下においてわずかなせん断薄化（minor shear thinning）を示す。
【００５１】
いくつかの実施形態では，非ニュートン粘性を有する材料のせん断薄化特性が時間依存のもの（本書において「チキソトロピック」（thixotropic）とも呼ぶ）であり，せん断応力が除かれた後，粘性が，即座ではなく，幾ばくかの時間遅延後に，その初期値に戻る。この時間遅延を，本書において粘度の「回復時間」（recovery time）と呼ぶ。
【００５２】
いくつかの実施形態では，選択される非ニュートン粘性材料の上記回復時間が，突出部72がその特定長に到達するまでにかかる全時間よりも短いことが必要とされる。換言すると，上記回復時間は，上記特定長をＬ，突出部72の平均進行速度をｖとしたときに，比率Ｌ／ｖよりも短くなくてはならない。発明者は，適切な非ニュートン粘性材料の必要とされる回復時間の典型的な値が１００マイクロ秒から数１０ミリ秒（たとえば，１００ミリ秒）のオーダーであり，上記の図１に記載の構成において突出部72の特定長および形状が制御されることを見出した。
【００５３】
いくつかの実施形態では，このような非ニュートン粘性材料の特性は，有機分子または粒子のような適切な添加物を用いることによって，またはこれらの材料の酸度（ＰＨ）を制御することによって，または所定の分子量を有するポリマーを選択することによって，制御することができる。さらに，ナノ粒子（シリカまたは他の金属）を含む様々な分散液（dispersions）によってせん断薄化の強化が示され，高速の回復を達成することができる。
【００５４】
いくつかの実施形態では，非ニュートン粘性を有する材料は，様々な適切な形態で，限定はされないがたとえばインク，ペースト，ゲル，および材料の全体積の20％を超える体積含有率の微粒子および／またはナノ粒子を含む分散液の形態で，もたらされる。フィルム62を含むこれらの材料は，当該分野で既知の任意の適切な堆積技術を用いて基板60上にプレコートされる。
【００５５】
次にステップ２を参照する。一実施形態では，位置決めアセンブリ18は，Ｆ１で示す基板12に向かう方向にドナー11を移動させ，フィルム62が基板12からＨ１よりも短い距離Ｈ２（たとえば，０．１ｍｍ）に位置するようにドナー11を位置決めし，突出部72の遠位端（先端）と基板12の上面とを物理的に接触させる。ステップ２において突出部72の近位端部（末端）は依然としてフィルム62に接触したままで，突出部72の遠位端がアクセプタ基板12に触れていることに注目されたい。
【００５６】
いくつかの実施形態では，それぞれの突出部72の近位端部は当該突出部の遠位端よりも幅広である。フィルム62の表面における突出部72の近位端部の直径をＤで示す（対称的な円形突出部の場合）。突出部72の遠位端の直径は典型的には直径Ｄよりも大幅に小さく，典型的には約数十ミクロンである。
【００５７】
次にステップ３を参照する。いくつかの実施形態では，位置決めアセンブリ18は，ドナー11をＦ２で示す基板12から遠ざかる方向に移動させ，フィルム62を基板12から距離Ｈ１（または任意の他の適切な距離）に再位置決めする。一実施形態では，突出部72の遠位端と基板12との接着力によって，突出部72が基板12上に配列される複数の配線74に分断されて，かつ近位端部76はフィルム62の表面にくっついたままとどまる。
【００５８】
いくつかの実施形態では，基板12にプリントされ，かつ基板12にプリントされる配線74の寸法を規定する材料の量は，様々なやり方において制御することができる。原理的には，図２に示す３ステッププロセスを使用してプリントされる材料の量は，（基板12をストッパとして持たないときの）突出部72の推定可能最大長と，ドナー11とアクセプタ基板12との間の距離の比によって決定される。
【００５９】
一実施形態では，ビーム43の総エネルギーは，レーザ40の出力を制御することによって，および／またはビーム52のパルス幅を制御することによって，制御することができる。より高いエネルギービーム43をフィルム62に衝突させることによって，突出部72の最大長を効果的に大きくし，その結果として配線74の寸法をより大きくすることができる（距離Ｈ２が同じである場合）。別の実施形態では，ドナー11とアクセプタ基板12との間の距離Ｈ２をより小さい値に設定することによって，より大きな配線74を得ることができる。
【００６０】
配線74のようなプリント配線の寸法の制御に関する実施形態については，以下の図５においてさらに説明する。
【００６１】
いくつかの実施形態では，図２に示す３ステッププロセスを繰り返すことにより，複数層の配線74を積み重ねてプリントすることができる。この実施形態では，この手順を繰り返すたびに，配線74の追加層が，基板12上の同じ位置に既にプリントされている配線の上に，プリントされる。たとえば上記手順を５回繰り返すと，５層の配線74が垂直に積層されてつくられる３次元（３Ｄ）ピラーがプリントされる。さらにこの実施形態では位置決めアセンブリ18を横方向に移動させる必要が無いので，当該方法によって，１秒当たり数千の配線のプリント速度で基板12にプリントする，３Ｄパターンの高速プリントをサポートすることができる。
【００６２】
さらに位置決めアセンブリ18を横方向に移動させる必要が無いので，それぞれ配線74の層の位置決め精度が，通常，５μｍ以下の位置決め誤差を有するビーム走査アセンブリ41のスキャナの位置決め精度のみに依存することになる。他の実施形態では，配線74のプリントが完了した後においても突出部76は使用可能であり，システム20は，ビーム43をフィルム62に再び照射することなく，ステップ２および３のみを繰り返すことにより，３Ｄピラーをプリントするように構成される。この実施形態ではスキャナの位置決め誤差が無いので，積層配線の位置決め精度がさらに向上する。この位置決め精度によって，複数の配線74を積み重ねて形成される背の高い幅狭ピラー（すなわち，以下に定義される高アスペクト比ピラー）をプリントすることができる。ピラーの高さと直径の比を，本書においアアスペクト比と呼ぶ。高アスペクト比（high aspect ratio：ＨＡＲ）とされるアスペクト比は１よりも極めて大きいものである。
【００６３】
位置決め精度の向上によって，多数の小径の円形配線（または，任意の他の適切な形状を有するもの）を垂直に積層することによりＨＡＲの３Ｄ形状を形成することができるようになる。
【００６４】
別の実施形態では，ドナー11を静止させておき，かつステップ２において位置決めアセンブリ18が基板12を上方に移動させ，すなわちドナー11に向けて移動させて，突出部76と基板12を接触させ，その後にステップ３において，位置決めアセンブリ18は基板12をドナー11から離れるように後退させて，配線74を基板12上にプリントする。
【００６５】
図３は，この発明の一実施形態による，ＬＩＦＴ技術を使用して高粘性材料をプリントする方法を模式的に示すフローチャートである。この方法は，ドナー位置決めステップ100において，位置決めアセンブリ18がドナー11を位置決めし，フィルム62がアクセプタ基板12から所定の距離Ｈ１に位置するようにすることから始まる。
【００６６】
突出部形成ステップ102において，レーザ40からビーム43を発射してフィルム62上の所望位置，たとえば位置23に衝突させて突出部72を形成する。一実施形態では，ビーム走査アセンブリ41は，表面69上の数千箇所もの位置にビーム43を走査し，これによってビーム43が表面69上の互いに離れた対応する位置（たとえば位置23）に衝突し，水平軸Ｘ，Ｙに沿ってドナー11を移動させる必要なしに，数千個の突出部72を形成するように構成される。ドナー引き寄せステップ104において，位置決めアセンブリ18がドナー11を引き寄せて，ドナー11のフィルム62と基板12との間の距離Ｈ２を設定し，突出部72と基板12とを物理的に接触させる。この方法の最終工程である後退ステップ106において，位置決めアセンブリ18は基板12から離れるようにドナー11を後退させ，これにより基板12上に配線74がプリントされる。
【００６７】
いくつかの実施形態では，上記方法はドナー引き寄せステップ104にループ状に戻り，これに続くプリントサイクルを開始し，そこで別の配線層が，配線74の上に，表面69上に追加のビームパルス43を印加することなくプリントされる。
【００６８】
他の実施形態では，上記方法は突出部形成ステップ102にループ状に戻り，これに続くプリントサイクルを開始し，そこで別の配線層が，配線74の上に，ビーム43を走査してドナー上の位置23にパルスを印加することによってプリントされる。一実施形態では，（再びビーム43を照射しながら，または再びビーム43を照射することなく）図３に示す方法を複数回繰り返すことによって，図２において上述したように，ＨＡＲの３Ｄピラー形成することができる。
【００６９】
図４は，この発明の一実施形態による，犠牲基板70を使用して高粘性材料のプリントを支援する３ステッププロセスを示す概略断面図である。図４は，概念を純粋に明確化するために３プロセスステップの手順を示している。実際には，上記手順は，３ステップよりも多くのステップのみならず，補助ステップまたは３ステップよりも少ないステップを含んでもよい。
【００７０】
はじめにステップ１を参照する。いくつかの実施形態ではビーム43をフィルム62に衝突させ，突出部77の形成を誘導する。ステップ１の例では，突出部77はＬ１で示す通常長さを有し，それらの遠位端は，Ｄ１で示す通常直径を持つ。Ｌ１は，（ステップ２に示す）所望長さＬ２よりも短く，Ｄ１は（ステップ３に示す）遠位端の所望直径Ｄ２よりも幅広である。一実施形態では，突出部77の遠位端の直径（または幅）によって，典型的には，配線74のようなドットのプリント直径が決定される。
【００７１】
この例では，Ｌ１は０．１ｍｍよりも短く，かつＤ１は５０μｍよりも幅広であり，これらはフィルム62の高粘性材料の所望のプリント処理を実行するために要求される値である。
【００７２】
不適切な長さＬ１および／または直径Ｄ１は，たとえばビーム43のエネルギーが不十分であること，フィルム62を構成する材料の粘性が極めて高いこと，ビーム43の衝突時の速いせん断速度のもとでのフィルム62の材料の流動的振る舞い（the rhological behavior），または任意の他の理由に起因する。
【００７３】
次にステップ２を参照する。いくつかの実施形態では，位置決めアセンブリ18は，ブランク基板70のような補助基板（本書において犠牲基板と呼ぶ）をドナー11の下方に位置決めする。一実施形態では，位置決めアセンブリ18はドナー11を基板70に向けて移動させ，突出部77の遠位端が基板70の上面に接触するようにする。次に，位置決めアセンブリ18はドナー11から離れるように基板70を制御性良く後退させ，突出部77の遠位端と基板70との間の接着力によって突出部77の長さおよび幅を整形することができる。
【００７４】
次にステップ３を参照する。いくつかの実施形態では，基板70の後退および突出部77の遠位端と基板70との間の接着力によって，突出部77が分断されて基板70上に配列される複数の配線78となり，かつ近位端部80が長さＬ２および直径Ｄ２に整形されてプリントプロセスを再開するための所望の形状にされる。
【００７５】
一実施形態では，近位端部80を整形した後，位置決めアセンブリ18によって（またはこれに代えてオペレータがよって）基板70がシステム10から取り除かれ，上述した図２のアクセプタ基板12に置き換えられる。一実施形態では，位置決めアセンブリ18は，Ｌ２よりも短い距離の位置まで基板12に向かってドナー11を移動させ，基板12の上面を近位端部80の遠位端に接触させ，次に基板12から離れるようにドナー11を制御性良く後退させ，上述した図２の配線74のような配線をプリントする（これらの中間ステップは図４に図示されていないが，ほぼ同様の処理は，図２のステップ２および３において既に上述した）。ステップ２および３に示すように突出部の長さをＬ１からＬ２に整形し，これらの遠位端の直径をＤ１からＤ２に整形することによって，５０μｍよりも小さい所望の直径を持つ配線74のようなドットをアクセプタ基板12にプリントすることができることに留意されたい。
【００７６】
別の実施形態では，専用の犠牲基板70を使用するのに代えて，ステップ２および３を，基板12上の指定位置に実行するようにしてもよい。別の表現をすると，アクセプタ基板12上に，犠牲領域として機能させることができる所定領域を割り当ててもよい。この実施形態は基板70の必要性をなくす。
【００７７】
いくつかの実施形態では，ステップ３の後，ドナー11および突出部配列80をプリントのためのテンプレートパターンとして用いることができる。一実施形態では，一または複数のＨＡＲの３Ｄピラーを，たとえば基板12に上に説明した通り複数回，所定の位置でプリントプロセスを繰り返すことによって，製造することができる。別の実施形態では，テンプレートパターンを複数の位置（所定の位置以外の位置）にプリントするようにしてもよく，これはこの複数の位置の各位置で基板12に対してプリントプロセスを実行することによって行われる。この実施形態では，位置決めアセンブリ18が，水平軸Ｘ，Ｙに沿って複数の位置のうちの１つの位置までドナー11を移動させる。ドナー11を所望の位置に位置決めした後，位置決めアセンブリ18はドナー11を基板12に向けて（たとえば，Ｚ軸線に沿って）移動させて突出部80を接触させ，続いて上述したように，ドナー11を基板12から離れるように後退させる。（Ｘ，Ｙ軸に沿う）この移動およびプリント手順を，複数の位置の各位置で少なくとも１回繰り返すことによって，システム10はステップ３のテンプレートパターンをこれらの複数の位置にプリントすることができる。
【００７８】
図５は，この発明の一実施形態による，ＬＩＦＴ法を使用して高粘性材料のマトリクス90をプリントした実験結果の概略図である。いくつかの実施形態では，マトリクス90はシステム10内に位置決めされる基板91を含み，基板91は，上述した図２および図４に示すドナー・フィルム62のようなドナー・フィルムの方を向いて対向する上面を有する。この実験例では，システム10は，一連の突出部（図示せず）を形成してドットマトリクスを基板91にプリントするように構成された。ドナー・フィルムとアクセプタ基板とは互いに平行ではなかった，すなわちドナー・フィルムとアクセプタ基板との間の距離が一定ではなかったために，ドットサイズが異なっている。用語「配線」（trace）および「ドット」（dot）はこの明細書では同じ意味に使用される。
【００７９】
基板91にプリントされるドットは１００μｍよりもずっと小さい最小サイズ，および１００μｍよりも大きい最大サイズを有していた。例示するマトリクス90では，ドナーとアクセプタ基板との間の距離（この明細書では“Ｈ”で示される）は，マトリクス90の左下隅から右上隅に行くにつれて大きくなる。たとえば左下隅における最小距離は０．１ｍｍであり，右上隅（９２で示す）における最大距離は約０．２ｍｍである。３つの例示的なドットがこの図において９４，９６および９８で示されており，それぞれ１１５μｍ，５５μｍ，および８２μｍの直径を有している。
【００８０】
図５の実験結果は，ドナー基板表面とアクセプタ基板表面との間の距離を設定することによってプリントドットサイズをどのように制御することができるかを示している。上述のように，同様の結果は，ドナー・フィルムをアクセプタ基板と平行にし，ビーム43のエネルギーを調整することによって設定される突出部の長さ（この明細書では“Ｌ”で示す）によって得られる。いくつかの実施形態では，ＨとＬの比が，プリントドット／配線のサイズ（たとえば直径）を決定する。Ｈの値がＬの値よりも小さい場合，比Ｌ／Ｈが大きければ大きいほど，プリントドットのサイズは大きくなる。Ｈの値がＬの値よりも大きい場合，ドットはプリントされない。
【００８１】
このように，上述した実施形態は一例として記載されており，かつこの発明は，これまで上記に特に例示しかつ説明した実施形態に限定されないことが理解されよう。むしろこの発明の範囲は，これまで上述した様々な特徴の組み合わせ，および部分的組み合わせの両方を含むだけでなく，この技術分野の当業者であればこれまでの説明を読み取ることで想到することができ，かつ先行技術に開示されていないこれらの特徴の変形および変更を含む。参照によりこの特許出願に組み込み記載されているものとされる文書は，いずれの用語も，これらの組み込み文書に，この明細書において明示的に，または暗黙的に行われる定義と相反するように定義されている限りにおいてこの明細書における定義のみが考慮されるべきであることを除き，この出願の一体部分であると考えられるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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