(57)【要約】【課題】支持対象物へのダメージを回避しながら高い剥離性を得ることができる支持基板、それを用いた回路基板又は半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板１００の一態様には、基板１０１と、基板１１０上の剥離層１２０と、が含まれる。剥離層１２０は、フィラー１２１及びフィラー１２１を固める水溶性のバインダー１２０を含有し、剥離層１２０中のフィラー１２１の割合は７０体積％以上９５体積％以下である。【選択図】図１
2018056296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の剥離層と、
を有し、
前記剥離層は、フィラー及び前記フィラーを固める水溶性のバインダーを含有し、
前記剥離層中の前記フィラーの割合は７０体積％以上９５体積％以下であることを特徴とする支持基板。
【請求項２】
前記バインダーは、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、若しくはポリエチレンイミン又はこれらの任意の組み合わせを含有することを特徴とする請求項１に記載の支持基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面にバンプを有するインターポーザを、前記第２の主面が前記剥離層側になるように設ける工程と、
前記バンプがビルドアップ基板に接するようにして前記インターポーザを前記ビルドアップ基板に固定する工程と、
水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記インターポーザから取り外す工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面に導電体を有する電子部品を、前記第１の主面が前記剥離層側になるように設ける工程と、
前記電子部品を前記剥離層上で封止する工程と、
水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記電子部品から取り外す工程と、
前記第１の主面上に前記導電体に接続される再配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板、回路基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々のインターポーザが知られており、その中でも、樹脂フィルムを用いたインターポーザによれば、微細な配線を低コストで形成することができる。以下、樹脂フィルムを用いたインターポーザを樹脂配線層ということがある。樹脂配線層は、支持基板上に形成され、その後、プリント配線基板等のビルドアップ基板に転写されて使用される。支持基板には基板及び剥離層が含まれており、ビルドアップ基板への貼り付け後に剥離層が除去される。
【０００３】
従来、剥離層として金属膜又は樹脂膜が用いられる。金属膜が用いられた場合には、金属膜と樹脂配線層中の樹脂との間の熱膨張率の大きな差に起因してクラック及び剥離等のダメージが生じたり、金属膜の除去に用いる薬液により樹脂配線層中の配線が変質したりする。樹脂膜が用いられた場合には、貼り付け後に十分に除去することが困難であったり、樹脂膜の耐熱性が低く樹脂配線層の形成途中で樹脂膜が剥離したりする。
【０００４】
また、ファンアウトウェハレベルパッケージ（fan-out wafer level package）とよばれるパッケージは、複数種の電子部品を収納しており、疑似ＳｏＣ（system on chip）とよばれることもある。ファンアウトウェハレベルパッケージの製造では、基板及び剥離層を含む支持基板の剥離層上にフェイスダウンで電子部品を固定し、封止樹脂で電子部品を封止し、その後、剥離層を除去して支持基板を取り外し、電子部品上に再配線層を形成する。
【０００５】
ファンアウトウェハレベルパッケージの製造用の支持基板の剥離層には熱発泡フィルムが用いられる。しかしながら、貼り付け後に十分に除去することが困難であったり、剥離の際の加熱中に電子部品が故障したりする。特に電子部品として光学デバイスが用いられる場合に故障が生じやすい。
【０００６】
このように、従来の支持基板では、樹脂配線層や電子部品へのダメージを回避しながら、剥離層を十分に除去することは容易でない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２２８９１９号公報
【特許文献２】特開２０１４−７２４５２号公報
【特許文献３】特開２００４−１４６６０２号公報
【特許文献４】特開２００２−１６４４６７号公報
【特許文献５】特開２０１６−４９７５号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／０１８３２６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、支持対象物へのダメージを回避しながら高い剥離性を得ることができる支持基板、それを用いた回路基板又は半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
支持基板の一態様には、基板と、前記基板上の剥離層と、が含まれる。前記剥離層は、フィラー及び前記フィラーを固める水溶性のバインダーを含有し、前記剥離層中の前記フィラーの割合は７０体積％以上９５体積％以下である。
【００１０】
回路基板の製造方法の一態様では、上記の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面にバンプを有するインターポーザを、前記第２の主面が前記剥離層側になるように設け、前記バンプがビルドアップ基板に接するようにして前記インターポーザを前記ビルドアップ基板に固定し、水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記インターポーザから取り外す。
【００１１】
半導体装置の製造方法の一態様では、上記の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面に導電体を有する電子部品を、前記第１の主面が前記剥離層側になるように設け、前記電子部品を前記剥離層上で封止し、水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記電子部品から取り外し、前記第１の主面上に前記導電体に接続される再配線層を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
上記の支持基板等によれば、剥離層に適切なフィラー及びバインダーが含まれるため、支持対象物へのダメージを回避しながら高い剥離性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る支持基板を示す断面図である。
【図２】第２の実施形態に係る回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ａ】樹脂配線層を剥離層上に設ける方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに引き続き、樹脂配線層を剥離層上に設ける方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに引き続き、樹脂配線層を剥離層上に設ける方法を工程順に示す断面図である。
【図４】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、インターポーザ及び電子部品等の支持対象物の仮固定に好適な支持基板に関する。図１は、第１の実施形態に係る支持基板を示す断面図である。
【００１６】
第１の実施形態に係る支持基板１００には、図１に示すように、基板１１０と、基板１１０上の剥離層１２０と、が含まれる。剥離層１２０は、フィラー１２１及びフィラー１２１を固める水溶性のバインダー１２２を含有し、剥離層１２０中のフィラー１２１の割合は７０体積％以上９５体積％以下である。
【００１７】
フィラー１２１は、剥離層１２０の強度の確保に寄与する。剥離層１２０は、支持対象物の仮固定中に加熱及び冷却に曝されて熱収縮することがある。バインダー１２２の熱膨張係数（ＣＴＥ）が基板１１０の熱膨張係数と大きく相違するため、支持基板１００が反ることがある。フィラー１２１は、剥離層１２０の強度を確保し、このような反りを抑制する。フィラー１２１の材料として、例えば、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム及び窒化アルミニウム等が挙げられる。
【００１８】
バインダー１２２は、例えば水溶性高分子を含有し、液体の水に溶解する。水溶性高分子として、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸、ポリアルキル酸中和物、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸中和物、ポリエチレンオキシド及びポリエチレンイミンが挙げられる。水溶性高分子として、例えば、天然デンプン、加工デンプン、チルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カゼイン、セラック、アラビアゴム及びデキストリンも挙げられる。加工デンプンは、例えば天然デンプンを酸化、エーテル化又はエステル化処理して得られる。特に、優れた水溶性の観点から、水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド若しくはポリエチレンイミン又はこれらの任意の組み合わせであることが好ましい。
【００１９】
第１の実施形態に係る支持基板１００では、剥離層１２０上にインターポーザ、電子部品等の支持対象物が仮固定される。支持対象物がビルドアップ基板、封止樹脂等の物体に固定された後、水によりバインダー１２２を溶解させる。この結果、フィラー１２１のバインディングが解かれ、支持基板１００が支持対象物から取り外される。水はフィラー１２１とバインダー１２２との界面に沿って支持基板１００内に浸透していくため、短時間でバインダー１２２を溶解させることができる。
【００２０】
剥離層１２０中のフィラー１２１の割合が７０体積％未満であると、支持基板１００に十分な強度が得られず、支持対象物が変形することがある。従って、剥離層１２０中のフィラー１２１の割合は７０体積％以上とし、好ましくは７５体積％以上とする。一方、剥離層１２０中のフィラー１２１の割合が９５体積％超であると、バインダー１２２による粘性及び延性が不足し、支持基板１００に脆性破壊が生じやすい。従って、剥離層１２０中のフィラー１２１の割合は９５体積％以下とし、好ましくは９０体積％以下とする。
【００２１】
剥離層１２０が水に溶解できる範囲内で、剥離層１２０に架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤は、剥離層１２０の耐熱性の向上に寄与する。剥離層１２０の耐熱性が低すぎる場合、支持対象物の加熱中に剥離層１２０に膨れ、剥がれ等の問題が発生することがある。架橋剤は、このような問題の抑制に寄与する。
【００２２】
架橋剤として、グリシジル基含有化合物が例示される。グリシジル基含有化合物には、加熱することにより架橋反応が促進するもの、及び紫外線を照射することにより架橋反応が促進するものがあり、どちらが用いられてもよく、両者の混合物が用いられてもよい。グリシジル基含有化合物としては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ラウリルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ノニルフェニルグリシジルエーテル、カルビノールのグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ビニルシクロヘキセンモノエポキサイド、α−ピネンオキサイド、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、３級カルボン酸グリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールグリシジルエーテル、重合脂肪酸ポリグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール、ナフトール等のキシリレン結合によるアラルキル樹脂のエポキシ化物、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、水素化ビスフェノール樹脂、ジヒドロキシナフタリン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びハロゲン化エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２３】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態に係る支持基板１００を用いた回路基板の製造方法に関する。図２は、第２の実施形態に係る回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２４】
第２の実施形態では、先ず、図２（ａ）に示すように、支持基板１００の剥離層１２０上に、第１の主面２１０ａ及び第２の主面２１０ｂを備え、第１の主面２１０ａにバンプ２１３を有する樹脂配線層２１０を、第２の主面２１０ｂが剥離層１２０側になるように設ける。樹脂配線層２１０は、例えば樹脂２１１中の多層配線２１２を含む。樹脂配線層２１０はインターポーザの一例である。
【００２５】
ここで、樹脂配線層２１０を剥離層１２０上に設ける方法について説明する。図３Ａ乃至図３Ｃは、樹脂配線層２１０を剥離層１２０上に設ける方法を工程順に示す断面図である。
【００２６】
先ず、図３Ａ（ａ）に示すように、剥離層１２０上に密着層３０１及びめっきのシード層３０２を形成する。例えば、スパッタリング法により、密着層３０１としてＴｉ層を形成し、シード層３０２としてＣｕ層を形成する。
【００２７】
次いで、図３Ａ（ｂ）に示すように、多層配線２１２のランドを形成する予定の部分に対応する開口部３２２を備えたレジストパターン３２１をシード層３０２上に形成する。レジストパターン３２１の形成では、例えば、ノボラック型の液状レジストをスピンコート法により塗布し、ランドパターンを備えたガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで液体レジストを露光し、液体レジストを現像する。
【００２８】
その後、図３Ａ（ｃ）に示すように、レジストパターン３２１をめっきフレームとする電解めっき処理により開口部３２２内にめっき膜３０３を形成する。例えば、めっき膜３０３としてＣｕ膜を形成する。
【００２９】
続いて、図３Ａ（ｄ）に示すように、レジストパターン３２１を除去し、シード層３０２及び密着層３０１のめっき膜３０３に覆われていない部分を除去する。例えば、レジストパターン３２１はＮ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を用いて除去することができ、シード層３０２は過硫酸アンモニウム溶液を用いて除去することができ、密着層３０１はフッ化アンモニウム溶液を用いて除去することができる。
【００３０】
次いで、図３Ｂ（ｅ）に示すように、多層配線２１２のビアを形成する予定の部分に対応する開口部３１２を備えた樹脂層３１１を剥離層１２０及びめっき膜３０３上に形成する。樹脂層３１１の形成では、例えば、感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて仮硬化させ、ビアパターンを備えたガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで露光し、現像し、窒素雰囲気中でオーブンを用いて本硬化させる。
【００３１】
その後、図３Ｂ（ｆ）に示すように、樹脂層３１１及びめっき膜３０３の露出している面上に密着層３０４及びめっきのシード層３０５を形成する。密着層３０４及びシード層３０５は、例えば、密着層３０１及びシード層３０２の形成と同様の方法により形成することができる。
【００３２】
続いて、図３Ｂ（ｇ）に示すように、多層配線２１２の中間の配線を形成する予定の部分に対応する開口部３２４を備えたレジストパターン３２３をシード層３０５上に形成する。レジストパターン３２３は、例えば、レジストパターン３２１の形成と同様の方法で形成することができる。
【００３３】
次いで、図３Ｂ（ｈ）に示すように、レジストパターン３２３をめっきフレームとする電解めっき処理により開口部３２４内にめっき膜３０６を形成する。例えば、めっき膜３０６としてＣｕ膜を形成する。
【００３４】
その後、図３Ｃ（ｉ）に示すように、レジストパターン３２３を除去し、シード層３０５及び密着層３０４のめっき膜３０６に覆われていない部分を除去する。例えば、レジストパターン３２３、シード層３０５及び密着層３０４は、例えば、レジストパターン３２１、シード層３０２及び密着層３０１の除去と同様の方法により除去することができる。
【００３５】
続いて、図３Ｃ（ｊ）に示すように、多層配線２１２のビアを形成する予定の部分に対応する開口部３１４を備えた樹脂層３１３を樹脂層３１１及びめっき膜３０６上に形成する。樹脂層３１３は、例えば、樹脂層３１１の形成と同様の方法により形成することができる。
【００３６】
次いで、図３Ｃ（ｋ）に示すように、密着層３０４、シード層３０５及びめっき膜３０６の形成と同様の方法により密着３０７、シード層３０８及びめっき膜３０９を形成する。そして、めっき膜３０９上にバンプ２１３を形成する。このようにして、樹脂配線層２１０を剥離層１２０上に設けることできる。
【００３７】
樹脂配線層２１０を剥離層１２０上に設けた後には、図２（ｂ）に示すように、バンプ２１３がビルドアップ基板２２０に接するようにして樹脂配線層２１０をビルドアップ基板２２０に貼り合せる。次いで、第１の主面２１０ａとビルドアップ基板２２０との間にアンダーフィル材２３０を注入し、加熱によりアンダーフィル材２３０を硬化させる。この結果、樹脂配線層２１０がビルドアップ基板２２０に固定される。
【００３８】
その後、図２（ｃ）に示すように、液体の水によりバインダー１２２を溶解させて支持基板１００を樹脂配線層２１０から取り外す。このとき、水はフィラー１２１とバインダー１２２との界面に沿って支持基板１００内に浸透していくため、速やかにバインダー１２２を溶解させることができる。このようにして、回路基板を製造することができる。
【００３９】
回路基板を製造した後には、図２（ｄ）に示すように、第２の主面２１０ｂにバンプ２５０を形成し、バンプ２５０を介して電子部品、半導体チップ等の実装品２４０を多層配線２１２に接続する。そして、実装品２４０と第２の主面２１０ｂとの間にアンダーフィル材２６０を注入し、加熱によりアンダーフィル材２６０を硬化させる。この結果、実装品２４０が樹脂配線層２１０に固定される。
【００４０】
第２の実施形態では、第１の実施形態に係る支持基板１００を用いて回路基板を製造するため、水により剥離層１２０を容易に除去することができる。従って、多層配線２１２へのダメージを回避することができる。
【００４１】
樹脂配線層２１０に代えて、シリコン基板又はガラス基板を用いたインターポーザを用いてもよい。
【００４２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、第１の実施形態に係る支持基板１００を用いた半導体装置の製造方法に関する。図４は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００４３】
第３の実施形態では、先ず、図４（ａ）に示すように、支持基板１００の剥離層１２０上に、第１の主面４１１及び第２の主面４１２を備え、第１の主面４１１に導電体４１３を有する半導体チップ４１０を、第１の主面４１１が剥離層１２０側になるように設ける。同様に、第１の主面４２１及び第２の主面４２２を備え、第１の主面４２１に導電体４２３を有する半導体チップ４２０を、第１の主面４２１が剥離層１２０側になるように剥離層１２０上に設け、第１の主面４３１及び第２の主面４３２を備え、第１の主面４３１に導電体４３３を有する半導体チップ４３０を、第１の主面４３１が剥離層１２０側になるように剥離層１２０上に設ける。半導体チップ４１０、４２０及び４３０は電子部品の一例であり、例えば、中央処理装置（central processing unit：ＣＰＵ）、メモリ、ドライバ又は光学デバイスである。
【００４４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、封止樹脂４０４により半導体チップ４１０、４２０及び４３０を剥離層１２０上で封止する。その後、図４（ｃ）に示すように、液体の水によりバインダー１２２を溶解させて支持基板１００を半導体チップ４１０、４２０及び４３０から取り外す。このとき、水はフィラー１２１とバインダー１２２との界面に沿って支持基板１００内に浸透していくため、速やかにバインダー１２２を溶解させることができる。続いて、図４（ｄ）に示すように、第１の主面４１１、４２１、４３１上に導電体４１３、導電体４２３及び導電体４３３に接続される再配線層４０５を形成する。このようにして、半導体装置を製造することができる。
【００４５】
図４（ｅ）に示すように、再配線層４０５の形成後に、封止樹脂４０４を研磨して半導体装置を薄化してもよい。
【００４６】
第３の実施形態では、第１の実施形態に係る支持基板１００を用いて半導体装置を製造するため、水により剥離層１２０を容易に除去することができる。従って、半導体チップ４１０、４２０及び４３０へのダメージを回避することができる。
【００４７】
剥離層１２０中のバインダー１２２の割合は、剥離層１２０の半導体チップ４１０、４２０及び４３０が設けられる表面にて、厚さ方向の中心よりも高くなっていることが好ましい。これは、バインダー１２２が半導体チップ４１０、４２０及び４３０を固定する作用も有しており、バインダー１２２の割合が高いほど、安定した固定が可能となるからである。
【００４８】
水温は限定されない。例えば、０℃〜３０℃程度の常温の水を用いてもよく、３０℃〜７０℃程度の温水を用いてもよい。水は、浸漬、噴霧、スピン塗布等の方法により供給することができる。水は、酸及びアルカリを含有していないことが好ましい。つまり、水のｐＨは７であるか７に近いことが好ましい。酸又はアルカリによる多層配線２１２のダメージを避けるためである。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明の実施例について説明する。実施例での条件は、本発明の実施可能性及び効果を確認するために採用した一条件例であり、本発明は、この一条件例に限定されるものではない。本発明は、本発明の要旨を逸脱せず、本発明の目的を達成する限りにおいて、種々の条件を採用し得るものである。
【００５０】
（第１の実験）
第１の実験では、直径が６インチの基板上に表１に示す割合でフィラー及びバインダーを含む剥離層を有する支持基板を準備し、第２の実施形態に準じて、支持基板上に樹脂配線層を形成した。第１の実験では、フィラーとしてシリカフィラーを用い、バインダーの水溶性高分子としてポリビニルピロリドンを用いた。そして、バンプがビルドアップ基板に接するようにして樹脂配線層をビルドアップ基板に貼り合せ、アンダーフィル材を注入し、１２０℃で硬化させ、６０℃の水への浸漬によりバインダーを溶解させて支持基板を樹脂配線層から取り外した。
【００５１】
樹脂配線層の形成では、先ず、密着層及びシード層を形成し、その上に直径が５００μｍのランドパターン（開口部）を備えたレジストパターンを形成した。次いで、ランドパターン内に電解めっき処理により厚さが３μｍ程度のＣｕ膜を形成した。その後、レジストパターン、シード層及び密着膜を除去した。続いて、ビアパターン（開口部）を備えた厚さが８μｍ程度のポリイミド層を形成した。次いで、密着層及びシード層を形成し、その上に最小幅が５μｍの配線パターン（開口部）を備えたレジストパターンを形成した。次いで、配線パターン内に電解めっき処理により厚さが３μｍ程度のＣｕ膜を形成した。その後、レジストパターン、シード層及び密着膜を除去した。続いて、ビアパターン（開口部）を備えた厚さが８μｍ程度のポリイミド層を形成した。密着層及びシード層を形成し、その上に直径が７００μｍのランドパターン（開口部）を備えたレジストパターンを形成した。次いで、ランドパターン内に電解めっき処理により厚さが６μｍ程度のＣｕ膜を形成した。その後、直径が７００μｍのＣｕ膜上にバンプを形成した。
【００５２】
支持基板を樹脂配線層から取り外した後には、樹脂配線層中の多層配線のダメージを評価した。この評価では、ダメージが生じている場合には電気抵抗が上昇したり、無限大になったりすることに着目し、電気抵抗を測定した。この結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2018056296.tif 000003
【００５４】
表１に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．１７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．１８では、配線にダメージが生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００５５】
（第２の実験）
第２の実験では、バインダーの水溶性高分子としてポリビニルアルコールを用いたことを除き、第１の実験と同様の処理を行った。この結果を表２に示す。
【００５６】
【表２】
2018056296.tif 000004
【００５７】
表２に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．２７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．２８でも、支持基板に破損が生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００５８】
（第３の実験）
第３の実験では、バインダーの水溶性高分子としてポリアルキル酸ナトリウムを用いたことを除き、第１の実験と同様の処理を行った。この結果を表３に示す。
【００５９】
【表３】
2018056296.tif 000005
【００６０】
表３に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．３７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．３８でも、支持基板に破損が生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．３１〜Ｎｏ．３６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００６１】
（第４の実験）
第４の実験では、バインダーの水溶性高分子としてポリアクリルアミドを用いたことを除き、第１の実験と同様の処理を行った。この結果を表４に示す。
【００６２】
【表４】
2018056296.tif 000006
【００６３】
表４に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．４７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．４８では、配線にダメージが生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．４１〜Ｎｏ．４６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００６４】
（第５の実験）
第５の実験では、バインダーの水溶性高分子としてポリエチレンオキシドを用いたことを除き、第１の実験と同様の処理を行った。この結果を表５に示す。
【００６５】
【表５】
2018056296.tif 000007
【００６６】
表５に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．５７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．５８では、配線にダメージが生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．５１〜Ｎｏ．５６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００６７】
（第６の実験）
第６の実験では、バインダーの水溶性高分子としてポリエチレンイミンを用いたことを除き、第１の実験と同様の処理を行った。この結果を表６に示す。
【００６８】
【表６】
2018056296.tif 000008
【００６９】
表６に示すように、フィラーの割合が高すぎる試料Ｎｏ．６７では、支持基板に破損が生じていた。フィラーの割合が低すぎる試料Ｎｏ．６８でも、支持基板に破損が生じていた。一方、フィラーの割合が適切な試料Ｎｏ．６１〜Ｎｏ．６６では、支持基板の破損及び配線のダメージが生じていなかった。
【００７０】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００７１】
（付記１）
基板と、
前記基板上の剥離層と、
を有し、
前記剥離層は、フィラー及び前記フィラーを固める水溶性のバインダーを含有し、
前記剥離層中の前記フィラーの割合は７０体積％以上９５体積％以下であることを特徴とする支持基板。
【００７２】
（付記２）
前記バインダーは、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、若しくはポリエチレンイミン又はこれらの任意の組み合わせを含有することを特徴とする付記１に記載の支持基板。
【００７３】
（付記３）
前記剥離層は架橋剤を含むことを特徴とする付記１又は２に記載の支持基板。
【００７４】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面にバンプを有するインターポーザを、前記第２の主面が前記剥離層側になるように設ける工程と、
前記バンプがビルドアップ基板に接するようにして前記インターポーザを前記ビルドアップ基板に固定する工程と、
水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記インターポーザから取り外す工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００７５】
（付記５）
前記インターポーザは樹脂配線層であることを特徴とする付記４に記載の回路基板の製造方法。
【００７６】
（付記６）
前記支持基板を前記インターポーザから取り外す工程の後に、前記第２の主面上に電子部品を設ける工程を有することを特徴とする付記４又は５に記載の回路基板の製造方法。
【００７７】
（付記７）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の支持基板の前記剥離層上に、第１の主面及び第２の主面を備え、前記第１の主面に導電体を有する電子部品を、前記第１の主面が前記剥離層側になるように設ける工程と、
前記電子部品を前記剥離層上で封止する工程と、
水により前記バインダーを溶解させて前記支持基板を前記電子部品から取り外す工程と、
前記第１の主面上に前記導電体に接続される再配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００７８】
（付記８）
前記電子部品は光学デバイスを含むことを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
【００７９】
（付記９）
前記剥離層中の前記バインダーの割合は、前記剥離層の前記電子部品が設けられる表面にて、厚さ方向の中心よりも高くなっていることを特徴とする付記７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８０】
１００：支持基板
１１０：基板
１２０：剥離層
１２１：フィラー
１２２：バインダー
２１０：樹脂配線層
２２０：ビルドアップ基板
４０４：封止樹脂
４０５：再配線層
４１０、４２０、４３０：半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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