(57)【要約】【課題】比較的安価に略球状の薄膜を製造することができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を得る。【解決手段】薄膜製造装置５０は霧化容器１、ミスト発生部３及び製造用ヒーター機構１０を有する。霧化容器１は内部に原料溶液２を収容している。製造用ヒーター機構１０は、霧化容器１の上部に設置され、ヒーター４及びヒートシンク５から構成される。製造用ヒーター機構１０はヒートシンク５の底面に被覆リード線１１の一方端を取り付けて被覆リード線１１を保持する。被覆リード線１１の他方端はリード線導電部１１ｍの一部が露出している。薄膜製造装置５０は、被覆リード線１１が製造用ヒーター機構１０によって保持された状態で、ヒーター４から熱を発生させるとともに、ミスト発生部３によって霧化容器１内に原料ミストを生成させる薄膜形成処理を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料溶液を収容する霧化容器と、
前記霧化容器の外部に設けられ、前記霧化容器に収容された原料溶液を霧化して液滴状の原料ミストを得るミスト発生部と、
前記霧化容器の上部に設置され、周囲が絶縁物で被覆された被覆リード線の一方端を固定して保持するリード線保持部とを備え、前記被覆リード線の他方端は導電部が露出され、前記原料溶液に浸かることなく前記霧化容器内に配置され、
前記リード線保持部は、
加熱機能を有するヒーターと、
前記ヒーターに連結して設けられ、底面に前記被覆リード線の一方端が取り付けられ、前記ヒーターからの熱を前記被覆リード線に伝導する熱伝導部とを有し、
前記被覆リード線が前記リード線保持部に保持された状態で、前記ヒーターから熱を発生させるとともに、前記ミスト発生部によって前記霧化容器内に原料ミストを生成させる薄膜形成処理を行うことを特徴とする、
薄膜製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜製造装置であって、
前記熱伝導部は前記被覆リード線を垂直方向に垂らした状態で前記被覆リード線の他方端が最下方になるように、前記被覆リード線を保持する、
薄膜製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の薄膜製造装置であって、
前記霧化容器は原料溶液が収容される高さの下部領域に冷却機構を設けたことを特徴とする、
薄膜製造装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうち、いずれか１項に記載の薄膜製造装置であって、
前記ミスト発生部は超音波振動子であることを特徴とする、
薄膜製造装置。
【請求項５】
複数の薄膜製造装置を有する薄膜製造システムを用いて行う薄膜製造方法であって、
前記複数の薄膜製造装置はそれぞれ、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の薄膜製造装置であり、
前記霧化容器は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数の霧化容器を含み、
前記原料溶液は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数の原料溶液を含み、
前記ミスト発生部は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数のミスト発生部を含み、
前記リード線保持部は、前記複数の薄膜製造装置間で共用され、前記複数の霧化容器それぞれに対し着脱可能であり、
前記複数の製造装置間において、
所定の順序に沿って前記リード線保持部を前記霧化容器に設置し、前記リード線保持部が設置された状態で前記薄膜形成処理を各１回実行することを特徴とする、
薄膜製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の薄膜製造方法であって、
前記複数の薄膜製造装置は前記所定の順序に沿って最後の前記薄膜形成処理を実行する最終薄膜製造装置を含み、前記複数の原料溶液は前記最終薄膜製造装置に対応する最終原料溶液を含み、
前記最終原料溶液は透明導電膜用の原料溶液である、
薄膜製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜製造方法であって、
前記最終薄膜製造装置による最後の前記薄膜形成処理に先がけて、
前記熱伝導部の底面に他方端の導電部が露出した第２の被覆リード線の一方端を取り付け、前記被覆リード線の他方端に近接して前記第２の被覆リード線の他方端が位置するように配置する事前準備処理を実行することを特徴とする、
薄膜製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、太陽電池、電子デバイス等に用いられる薄膜を製造する薄膜製造装置及び薄膜製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池、電子デバイス等を略球状に形成して球状半導体素子を製造する技術がある。
【０００３】
このような球状半導体素子は１対の電極形成部を有し独立の粒状に構成されているため、複数の球状半導体素子を並べて電気的に接続するのに有利であり、その他の構成要素に１又は複数の球状半導体素子を組み込んで半導体デバイスとする場合に、自由度が高く、汎用性に優れ、発生起電力の大きさを自由に設定できる等の利点があった。
【０００４】
上述した球状半導体素子の製造技術は例えば特許文献１や特許文献２で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第９８／１５９８３号
【特許文献２】国際公開第９９／１０９３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１や特許文献２で開示された球状半導体素子の製造技術は、芯材と半導体薄膜層を含む小球体を電磁浮遊加熱手段により加熱溶融し、その融液を落下チューブ内にて落下させながら凝固させる再加熱落下行程を用いるため、装置構成が複雑となり製造コストが大きくなるという問題点があった。
【０００７】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、比較的安価に略球状の薄膜を製造することができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る請求項１記載の薄膜製造装置は、原料溶液を収容する霧化容器と、前記霧化容器の外部に設けられ、前記霧化容器に収容された原料溶液を霧化して液滴状の原料ミストを得るミスト発生部と、前記霧化容器の上部に設置され、周囲が絶縁物で被覆された被覆リード線の一方端を固定して保持するリード線保持部とを備え、前記被覆リード線の他方端は導電部が露出され、前記原料溶液に浸かることなく前記霧化容器内に配置され、前記リード線保持部は、加熱機能を有するヒーターと、前記ヒーターに連結して設けられ、底面に前記被覆リード線の一方端が取り付けられ、前記ヒーターからの熱を前記被覆リード線に伝導する熱伝導部とを有し、前記被覆リード線が前記リード線保持部に保持された状態で、前記ヒーターから熱を発生させるとともに、前記ミスト発生部によって前記霧化容器内に原料ミストを生成させる薄膜形成処理を行うことを特徴としている。
【０００９】
この発明に係る請求項５記載の本願発明の薄膜製造方法は、複数の薄膜製造装置を有する薄膜製造システムを用いて行う薄膜製造方法であって、前記複数の薄膜製造装置はそれぞれ、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の薄膜製造装置であり、前記霧化容器は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数の霧化容器を含み、前記原料溶液は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数の原料溶液を含み、前記ミスト発生部は前記複数の薄膜製造装置に対応した複数のミスト発生部を含み、前記リード線保持部は、前記複数の薄膜製造装置間で共用され、前記複数の霧化容器それぞれに対し着脱可能であり、前記複数の製造装置間において、所定の順序に沿って前記リード線保持部を前記霧化容器に設置し、前記リード線保持部が設置された状態で前記薄膜形成処理を各１回実行することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１記載の本願発明の薄膜製造装置による薄膜形成処理によって、被覆リード線の他方端の導電部を加熱しつつ、霧化容器内に原料ミストを発生させることにより、被覆リード線の他方端の導電部を中心として略球状の薄膜を成膜することができる。
【００１１】
その結果、請求項１記載の本願発明は、霧化装置（霧化容器＋ミスト発生部）以外にリード線保持部及び被覆リード線のみを追加した比較簡単な装置構成により、比較的安価に略球状の薄膜を成膜することができる効果を奏する。
【００１２】
請求項５記載の本願発明の薄膜製造方法は、複数の薄膜製造装置間において所定の順序に沿って薄膜形成処理を各１回実行することにより、被覆リード線の他方端の導電部を中心として複数の薄膜が積層された薄膜積層構造体を得ることができる。
【００１３】
したがって、請求項５記載の本願発明の薄膜製造方法は、霧化装置（霧化容器＋ミスト発生部）以外に、１単位のリード線保持部及び被覆リード線のみを追加したシステム構成により、比較的安価に略球状の薄膜積層構造体を有するリード線付球状半導体素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１であるの薄膜製造装置の構成を示す説明図である。
【図２】この発明の実施の形態２である薄膜製造方法を実行するための薄膜製造システムの構成を示す説明図である。
【図３】実施の形態２の薄膜製造方法で得られたリード線付球状半導体素子の詳細構造を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１であるの薄膜製造装置５０の構成を示す説明図である。同図に示すように、薄膜製造装置５０は、霧化容器１及びミスト発生部３からなる霧化装置とリード線保持部である製造用ヒーター機構１０とにより構成される。
【００１６】
霧化容器１は内部に原料溶液２を収容している。ミスト発生部３は霧化容器１の外部である底面下に１個または複数個設けられ、霧化容器１に収容された原料溶液を霧化して液滴状の原料ミストを得る。具体的には、ミスト発生部３は超音波を発生する超音波振動子であり、超音波振動子を利用して霧化容器１に超音波を印加することにより、霧化容器１内に収容される原料溶液２を液滴に霧化して、霧化容器１内に原料ミストを生成している。
【００１７】
リード線保持部である製造用ヒーター機構１０は、霧化容器１の上部に着脱可能に設置され、ヒーター４及びヒートシンク５から構成される。ヒーター４は加熱機能を有し、ヒートシンク５は例えばアルミニウムを構成材料としており、ヒーター４に連結して設けられ、底面に被覆リード線１１の一方端が取り付けられ、ヒーター４からの熱を被覆リード線１１に伝導する熱伝導部として機能する。
【００１８】
被覆リード線１１は例えば銅線より構成されるリード線導電部１１ｍを有し、リード線導電部１１ｍの周囲がアルミナ等の耐熱性絶縁物よりなる線被覆部１１ｃにより被覆されている。このような構造の被覆リード線１１は、図中上側の一方端がヒートシンク５に固定され、図中下側の他方端においてリード線導電部１１ｍの一部が露出している。この際、被覆リード線１１の他方端は原料溶液２に浸かることなく霧化容器１内に配置される。
【００１９】
すなわち、熱伝導部であるヒートシンク５は、被覆リード線１１を垂直方向に垂らした状態で、被覆リード線１１の他方端が最下方になるように、被覆リード線１１を保持している。
【００２０】
このような構成の薄膜製造装置５０は、被覆リード線１１がリード線保持部である製造用ヒーター機構１０によって保持された状態で、ヒーター４から熱を発生させるとともに、ミスト発生部３によって霧化容器１内に原料ミストを生成させる薄膜形成処理を行うことができる。
【００２１】
実施の形態１の薄膜製造装置５０は、上記薄膜形成処理を実行して、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを加熱しつつ、霧化容器１内に原料ミストを発生させることにより、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として略球状の薄膜２０を成膜することができる。
【００２２】
薄膜２０が球状になるのは、霧化容器１内に原料溶液２の原料ミストが充満しているため、被覆リード線１１全体が濡れるとともに自重で被覆リード線１１の他方端に液滴が溜まる。この際、被覆リード線１１がヒーター４によって加熱されているため、原料ミストの溶媒が蒸発し固化していく。したがって、瞬時に原料ミストの溶媒が蒸発してしまわない温度で被覆リード線１１を加熱することにより、被覆リード線１１の他方端において、露出したリード線導電部１１ｍを中心として略球状の薄膜２０を成膜することができる。
【００２３】
その結果、実施の形態１の薄膜製造装置５０は、霧化装置（霧化容器１＋ミスト発生部３）以外に、リード線保持部である製造用ヒーター機構１０及び被覆リード線１１のみを追加した比較的簡単な装置構成により、比較的安価に略球状の薄膜２０を成膜することができる。
【００２４】
加えて、薄膜製造装置５０における霧化装置も霧化容器１の底面下にミスト発生部３を設置するという、比較的簡単な構成であり、安価に実現できる。
【００２５】
また、実施の形態１の薄膜製造装置５０は、霧化容器１内で薄膜２０を成膜しているため、霧化容器１の外部に薄膜形成用の成膜処理室を設ける必要がない。このため、原料ミストを成膜処理室に搬送するためのキャリアガスを必要としない分、さらに、装置構成の簡略化を図ることができる。
【００２６】
加えて、霧化容器１外の成膜処理室が不要となるため、成膜処理室内で用いる、原料ミストを噴射するノズル等のミスト噴射機構も必然的に不要となる結果、ミスト噴射機能の目詰まりが生じることもなく、薄膜製造装置５０のメンテナンス周期を比較的長く設定することができる。
【００２７】
さらに、薄膜２４の形成用の下地となる基板が不要となるため、その分、安価に略球状の薄膜２４を成膜することができる。
【００２８】
また、ＭＯＣＶＤ等の真空プロセスでは製造コストが高く、含浸法等の液相法では高温での成膜が困難で膜質が悪いという短所があるが、実施の形態１の薄膜製造装置５０では薄膜２０の成膜に原料溶液２をミスト化した原料ミストを使用することにより、上記短所を克服し、比較的安価に高品質の薄膜２０の成膜が可能となる。
【００２９】
また、ヒートシンク５は被覆リード線１１を垂直方向に垂らした状態で被覆リード線１１の他方端が最下方になるように、被覆リード線１１を保持している。
【００３０】
このため、実施の形態１の薄膜製造装置５０は、原料溶液２の液面から最も近い位置に被覆リード線１１の他方端を配置することにより、上記薄膜形成処理によって被覆リード線１１の最下方先端部において、リード線導電部１１ｍを中心とした略球状の薄膜２０を効率的に成膜することができる。
【００３１】
さらに、霧化容器１は原料溶液２が収容される高さの下部領域に冷却機構７を設けている。なお、冷却機構７として、例えば霧化容器１の側面に流路を設け、当該流路に冷却水を流す等の態様が考えられる。
【００３２】
実施の形態１の薄膜製造装置５０は、霧化容器１に冷却機構７を設けることにより、原料溶液２を効果的に冷却することができ、上記薄膜形成処理の実行時に原料溶液２が蒸発する現象を防止することができる。
【００３３】
さらに、霧化容器１は原料溶液２の液面高さを検出する液面センサー６を有している。したがって、液面センサー６によって原料溶液２の液面高さをモニタすることにより、原料溶液２の液面高さが一定になるように、ミスト発生部３の原料ミスト生成能力、図示しない原料溶液２の供給機構の供給能力等を制御して、霧化容器１内における原料ミスト量を一定に保ちつつ、原料溶液２がなくならないようにすることができる。
【００３４】
また、ミスト発生部３として超音波を発生する超音波振動子を用いることにより、霧化容器１内に原料ミストを均等に発生させることができるため、膜厚精度良く薄膜２０を成膜することができる。
【００３５】
＜実施の形態２＞
図２はこの発明の実施の形態２である薄膜製造方法を実行するための薄膜製造システムの構成を示す説明図である。具体的には、薄膜製造システムを、各々が図１で示した薄膜製造装置５０と等価な構成を有する４つの薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄにより構成して、実施の形態２の薄膜製造方法を実行している。
【００３６】
薄膜製造装置５０Ａの霧化容器１Ａは内部に原料溶液２Ａを収容している。原料溶液２Ａは、基本態様の場合、「銅アセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液である。
【００３７】
薄膜製造装置５０Ｂの霧化容器１Ｂは内部に原料溶液２Ｂを収容している。原料溶液２Ｂは、基本態様の場合、「銅アセチルアセトナート＋亜鉛アセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液である。
【００３８】
薄膜製造装置５０Ｃの霧化容器１Ｃは内部に原料溶液２Ｃを収容している。原料溶液２Ｃは、基本態様の場合、「亜鉛アセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液である。
【００３９】
薄膜製造装置５０Ｄの霧化容器１Ｄは内部に原料溶液２Ｄを収容している。原料溶液２Ｄは、基本態様の場合、「亜鉛アセチルアセトナート＋ガリウムアセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液である。
【００４０】
このように、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄ（複数の薄膜製造装置）に対応して、互いに異なる霧化容器１Ａ〜１Ｄ（複数の霧化容器）が構成部となり、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄに対応して互いに異なる複数の原料溶液２Ａ〜２Ｄが霧化容器１Ａ〜１Ｄ内に収容される。
【００４１】
なお、実施の形態１の霧化容器１が液面センサー６及び冷却機構７を有するのと同様に、霧化容器１Ａ〜１Ｄはそれぞれ液面センサー６Ａ〜６Ｄ及び冷却機構７Ａ〜７Ｄを有している。
【００４２】
霧化容器１Ａの外部である底面下部には（一つまたは複数の）ミスト発生部３Ａが設けられ、霧化容器１Ｂの底面下部にミスト発生部３Ｂが設けられ、霧化容器１Ｃの底面下部にミスト発生部３Ｃが設けられ、霧化容器１Ｄの下部にはミスト発生部３Ｄが設けられる。
【００４３】
このように、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄに対応して互いに独立した少なくとも一つのミスト発生部３Ａ〜３Ｄ（複数のミスト発生部）が設けられる。
【００４４】
一方、リード線保持部である製造用ヒーター機構１０は、図１で示した製造用ヒーター機構１０と同一構成であり、１単位の製造用ヒーター機構１０が薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄ間で共用され、霧化容器１Ａ〜１Ｄそれぞれに対し着脱可能である。
【００４５】
以下、図２で示した薄膜製造システム（薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄ）を用いて実行される、実施の形態２の薄膜製造方法を説明する。
【００４６】
実施の形態２の薄膜製造方法は、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄ間において、５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ及び５０Ｄで行う設定実行順序（所定の順序）に沿って上記薄膜形成処理を行う。
【００４７】
まず、図２(a)に示すように、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１の上部に設置した状態で、１回目の上記薄膜形成処理を実行する。
【００４８】
すると、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として略球状の薄膜２１を形成することができる。この際、原料溶液２Ａの基本態様の原料ミストより成膜される薄膜２１は酸化銅膜（ＣｕＯ）となり、Ｐ型半導体層として働く。
【００４９】
そして、他方端に薄膜２１が形成された被覆リード線１１の一方端がヒートシンク５に取り付けられた状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ａから取り外す。
【００５０】
次に、図２(b)に示すように、他方端に薄膜２１が形成された被覆リード線１１の一方端がヒートシンク５に固定された状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ｂの上部に装着する。そして、この状態で２回目の上記薄膜形成処理を実行する。
【００５１】
すると、薄膜２１の外形を反映して薄膜２１の周囲に薄膜２２を形成することにより、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として、略球状の薄膜２１及び２２の積層構造を得ることができる。この際、原料溶液２Ｂの基本態様の原料ミストより成膜される薄膜２２は酸化銅亜鉛膜（ＺｎＣｕＯ）となり、Ｉ型半導体層として働く。
【００５２】
そして、他方端に薄膜２１及び２２の積層構造が形成された被覆リード線１１の一方端がヒートシンク５に固定された状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ｂから取り外す。
【００５３】
次に、図２(c)に示すように、他方端に薄膜２１及び２２の積層構造が形成された被覆リード線１１の一方端がヒートシンク５に固定された状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ｃの上部に装着する。そして、この状態で３回目の上記薄膜形成処理を実行する。
【００５４】
すると、薄膜２２の外形を反映して薄膜２２の周囲に薄膜２３を形成することにより、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として、略球状の薄膜２１〜２３の積層構造を得ることができる。この際、原料溶液２Ｃの基本態様の原料ミストより成膜される薄膜２３は酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）となり、Ｎ型半導体層として働く。
【００５５】
そして、他方端に薄膜２１〜２３の積層構造が形成された被覆リード線１１の一方端がヒートシンク５に固定された状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ｃから取り外す。
【００５６】
その後、被覆リード線１１に隣接するように、他方端のリード線導電部１２ｍが露出した被覆リード線１２（第２の被覆リード線）の一方端をヒートシンク５の底面に取り付け、被覆リード線１１の他方端に形成された薄膜２３に近接して被覆リード線１２の他方端が位置するように配置する事前準備処理を実行する。なお、被覆リード線１２は被覆リード線１１と同様に、例えば銅線よりなるリード線導電部１２ｍを有し、リード線導電部１２ｍの周囲がアルミナ等の耐熱性絶縁物よりなるリード線被覆部１２ｃにより被覆されている。
【００５７】
次に、図２(d)に示すように、他方端に薄膜２１〜２３の積層構造が形成された被覆リード線１１の一方端及び被覆リード線１２の一方端がヒートシンク５に固定された状態で、製造用ヒーター機構１０を霧化容器１Ｄの上部に装着する。そして、この状態で４回目の上記薄膜形成処理を実行する。
【００５８】
すると、薄膜２３の外形を反映して薄膜２３の周囲に薄膜２４を形成することにより、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として、略球状の薄膜２１〜２４の積層構造である薄膜積層構造体２６を得ることができる。この際、原料溶液２Ｄの基本態様の原料ミストより成膜される薄膜２４はＧＺＯ膜となり、透明導電膜として働く。その結果、薄膜２１〜２４からなる薄膜積層構造体２６を得ることができる。
【００５９】
さらに、薄膜２４は、薄膜２３に近接配置された被覆リード線１２のリード線導電部１２ｍにも連結して形成される。
【００６０】
図３は実施の形態２の薄膜製造方法で得られたリード線付球状半導体素子９の詳細構造を示す説明図である。同図に示すように、実施の形態２の薄膜製造方法によって、薄膜２１〜２４によって略球状の薄膜積層構造体２６が構成され、薄膜２１に被覆リード線１１のリード線導電部１１ｍが電気的に接続され、薄膜２４に被覆リード線１２のリード線導電部１２ｍが電気的に接続されてなる。したがって、薄膜積層構造体２６、被覆リード線１１及び被覆リード線１２からなるリード線付球状半導体素子９を最終的に得ることができる。
【００６１】
このように、実施の形態２の薄膜製造方法は、薄膜製造システムを構成する薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄそれぞれにおいて、製造用ヒーター機構１０を設置し、製造用ヒーター機構１０が設置された状態で上記薄膜形成処理を各１回実行している。
【００６２】
実施の形態２の薄膜製造方法は、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄ間において設定実行順序（所定の順序）に沿って上記薄膜形成処理を各１回実行することにより、被覆リード線１１の他方端のリード線導電部１１ｍを中心として、薄膜２１〜２４（複数の薄膜）が積層されてなる薄膜積層構造体２６を有するリード線付球状半導体素子９を得ることができる。
【００６３】
このように、実施の形態２の薄膜製造方法は、霧化装置（霧化容器１Ａ〜１Ｄ＋ミスト発生部３Ａ〜３Ｄ）以外に、１単位の製造用ヒーター機構１０、被覆リード線１１及び被覆リード線１２のみを追加したシステム構成により、比較的安価に略球状の薄膜積層構造体２６を有するリード線付球状半導体素子９を製造することができる。
【００６４】
また、薄膜製造装置５０Ａ〜５０Ｄのうち設定実行順序に沿って最後の上記薄膜形成処理を実行する薄膜製造装置５０Ｄが最終薄膜製造装置となる。薄膜製造装置５０Ｄ用の原料溶液２Ｄである最終原料溶液は、前述したように、「亜鉛アセチルアセトナート＋ガリウムアセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液であるため、薄膜２４として透明導電膜となるＧＺＯ膜を得ることができる。
【００６５】
このように、実施の形態２の薄膜製造方法は、薄膜積層構造体２６の最外膜となる薄膜２４を透明導電膜として形成することにより、薄膜積層構造体２６の内部に光を透過させ、かつ、被覆リード線１２のリード線導電部１２ｍと良好な電気的接続関係を保つことができる。
【００６６】
さらに、実施の形態２の薄膜製造方法では、４回目に行う最後の上記薄膜形成処理に先がけて、上述した事前準備処理を実行している。
【００６７】
このように、実施の形態２の薄膜製造方法は、上記事前準備処理の後、最終薄膜製造装置である薄膜製造装置５０Ｄによる最後の薄膜形成処理の実行することにより、薄膜積層構造体２６と被覆リード線１２（第２の被覆リード）の他方端のリード線導電部１２ｍとを連結させて、被覆リード線１２をリード線付球状半導体素子９のリード線として用いることができる。
【００６８】
また、原料溶液２Ａ〜２Ｄとして基本態様の混合溶液を用いることにより、リード線付球状半導体素子９としてＰＩＮ構造の光処理機能を有する半導体素子を得ることができる。なお、光処理機能としては、太陽電池の発電機能、ＬＥＤの電流を光に代える発光機能等が考えられる。
【００６９】
また、基本態様における原料溶液２Ａと原料溶液２Ｃとを逆にして、薄膜２１と薄膜２３とを置き換えて薄膜積層構造体２６を形成しても、同様にＰＩＮ構造（ＮＩＰ構造）の光処理機能を有する半導体素子を得ることができる。
【００７０】
（原料溶液２Ａ〜２Ｄの他の態様）
上述した実施の形態２の薄膜製造方法において、原料溶液２Ａ〜２Ｄの基本態様以外に、以下に示す他の態様の混合溶液が考えられる。
【００７１】
原料溶液２Ａは「チオシアン酸銅＋メタノール＋水」の混合溶液である。原料溶液２Ｂは、「ヨウ化鉛＋ヨウ化メチルアンモニウム＋メタノール＋水」の混合溶液である。原料溶液２Ｃは「チタンアセチルアセトナート＋メタノール＋水」の混合溶液である。原料溶液２Ｄは、「塩化スズ＋フッ化アンモニウム＋水」の混合溶液である。
【００７２】
原料溶液２Ａ〜２Ｄの他の態様で実施の形態２の薄膜製造方法を実行すると、以下の構造の薄膜積層構造体２６を得ることができる。
【００７３】
原料溶液２Ａの原料ミストより成膜される薄膜２１はＣｕＳＣＮ膜となり、正孔輸送層として働く。原料溶液２Ｂの原料ミストより成膜される薄膜２２はＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３膜となり、光電変換層あるいは電光変換層として働く。原料溶液２Ｃの原料ミストより成膜される薄膜２３はＴｉＯ２膜となり、電子輸送層として働く。原料溶液２Ｄの原料ミストより成膜される薄膜２４はＦＴＯ膜となり、透明導電膜として働く。
【００７４】
このように、原料溶液２Ａ〜２Ｄとして上述した他の態様の混合溶液を用いることにより、リード線付球状半導体素子９として、正孔輸送層、光電変換層（電光変換層）及び電子輸送層からなる構造の光処理機能を有する半導体素子を得ることができる。なお、光処理機能としては、太陽電池の発電機能、ＬＥＤの電流を光に代える発光機能等が考えられる。
【００７５】
また、原料溶液２Ａと原料溶液２Ｃとを逆にして、薄膜２１と薄膜２３とを置き換えて薄膜積層構造体２６を形成しても、同様に、電子輸送層、光電変換層（電光変換層）及び正孔輸送層からなる構造の光デバイス素子を得ることができる。
【００７６】
また、上述した基本態様及び他の態様以外にも、薄膜積層構造体２６（薄膜２１〜２４）が光処理機能を有する構成材料であれば、原料溶液２Ａ〜２Ｄとして用いることができる。
【００７７】
＜その他＞
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１，１Ａ〜１Ｄ  霧化容器
２，２Ａ〜２Ｄ  原料溶液
３，３Ａ〜３Ｄ  ミスト発生部
４  ヒーター
５  ヒートシンク
６，６Ａ〜６Ｄ  液面センサー
７，７Ａ〜７Ｄ  冷却機構
９  リード線付球状半導体素子
１０  製造用ヒーター機構
１１，１２  被覆リード線
１１ｍ，１２ｍ  リード線導電部
２０〜２４  薄膜
２６  薄膜積層構造体
５０，５０Ａ〜５０Ｄ  薄膜製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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