(57)【要約】【課題】各種のパッドレイアウトの電子部品の実装に対応できる共に、信頼性よく製造できる新規な構造の電子部品装置を提供する。【解決手段】第１パッドＰ１と、第１パッドＰ１に接続された配線部Ｔとを有する配線層２１と、配線層２１の上に形成され、配線層２１と接続された第２パッドＰ２を上面側に備えた多層配線層ＭＬと、多層配線層ＭＬの第２パッドＰ２の上面に接続端子４１が接続された第１電子部品４０と、多層配線層ＭＬの第１パッドＰ１の下面に接続端子４３が接続された第２電子部品４２と、多層配線層ＭＬ、第１電子部品４０及び配線部Ｔの上面を封止する第１樹脂５０と、第２電子部品４２及び配線部Ｔの下面を封止する第２樹脂５３とを含み、配線部Ｔは平面視で多層配線層ＭＬの外部に露出して延在する露出配線部Ｔｘを有し、露出配線部Ｔｘは延在方向の途中で下側に屈曲している。【選択図】図１７
2018107394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線形成領域が区画された金属板と、
前記金属板の各配線形成領域にそれぞれ形成されたキャビティと、
前記キャビティの底板の周縁部に額縁状に形成された凹部と、
前記キャビティの底板の中央部に配置された第１パッドと、
前記第１パッドに接続され、前記キャビティの底板上から前記凹部の側面に沿って前記凹部の底面まで延在する配線部と、
前記第１パッドと前記配線部の一部を覆うように前記キャビティの底板の中央部に配置され、前記配線部に接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記凹部によって、前記金属板の各配線形成領域の中央部の下面側にへこみ部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
第１パッドと、前記第１パッドに接続された配線部とを有する配線層と、
前記配線層の上に形成され、前記配線層と接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層と、
前記多層配線層の第２パッドの上面に接続端子が接続された第１電子部品と、
前記多層配線層の第１パッドの下面に接続端子が接続された第２電子部品と、
前記多層配線層、前記第１電子部品及び前記配線部の上面を封止する第１樹脂と、
前記第２電子部品及び前記配線部の下面を封止する第２樹脂と
を有し、
前記配線部は平面視で前記多層配線層の外部に露出して延在する露出配線部を有し、
前記露出配線部は延在方向の途中で下側に屈曲しており、
前記配線部は、外側先端部に水平方向に配置された接続部を備え、前記接続部の下面が前記第２樹脂の下面から露出していることを特徴とする電子部品装置。
【請求項４】
前記多層配線層は、前記配線部の内側の先端部を被覆していることを特徴とする請求項３に記載の電子部品装置。
【請求項５】
複数の配線形成領域が区画された金属板を用意する工程と、
前記金属板の各配線形成領域の中央部に第１パッドを形成すると共に、前記配線形成領域の周縁部に前記第１パッドと接続される配線部を形成する工程と、
前記金属板の各前記配線形成領域の中央部に、前記第１パッドと前記配線部の一部を覆い、前記配線部に接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層を形成する工程と、
プレス加工により、前記金属板の各配線形成領域の周縁部及び前記配線部を下側に曲げ加工する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記曲げ加工する工程において、
前記金属板の各配線形成領域にキャビティが形成されると共に、前記キャビティの周縁部に額縁状の凹部が形成され、
前記配線部は、前記第１パッドの周囲の前記キャビティの底板上から前記凹部の側面及び底面に沿って曲げ加工されることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
複数の配線形成領域が区画された金属板を用意する工程と、
前記金属板の各配線形成領域の中央部に第１パッドを形成すると共に、前記配線形成領域の周縁部に前記第１パッドと接続される配線部を形成する工程と、
前記金属板の各前記配線形成領域の中央部に、前記第１パッドと前記配線部の一部を覆い、前記配線部に接続される第２パッドを上面側に備えた多層配線層を形成する工程と、
プレス加工により、前記金属板の各配線形成領域の周縁部及び前記配線部を下側に曲げ加工すると共に、前記配線部の外側先端部に水平方向に配置される接続部を設ける工程と、
前記多層配線層の第２パッドに第１電子部品の接続端子を接続する工程と、
前記多層配線層、前記第１電子部品及び前記配線部の上面を封止する第１樹脂を前記金属板の上に形成する工程と、
前記金属板を除去する工程と、
前記多層配線層の第１パッドの下面に第２電子部品の接続端子を接続する工程と、
前記第２電子部品及び前記配線部の下面を封止する第２樹脂を形成すると共に、前記配線部の接続部の下面を前記第２樹脂の下面から露出させる工程と
を有することを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属板を用意する工程において、
前記金属板はアルミニウム又は４２アロイから形成され、
前記第１パッドと前記配線部とを形成する工程において、
前記第１パッド及び前記配線部は銅から形成されることを特徴とする請求項７に記載の電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び電子部品装置とそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の高性能化及び高機能化に伴って、複数の半導体チップを一つのパッケージに収納した半導体装置がある。そのような半導体装置の一例では、単層の配線層の両面側に半導体チップがフリップチップ接続され、両面側の半導体チップがモールド樹脂で封止されている。さらに、モールド樹脂の側面又は下面から配線層の端子部が露出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５８２８５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６３３２５号公報
【特許文献３】特開２００７−３３５４６４号公報
【特許文献４】特開２０１６−１１５８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項の欄で説明するように、単層で形成された配線層の両面側に樹脂で封止された状態で半導体チップが接続され、半導体チップの外側領域の配線部が下側に曲げ加工された構造の半導体装置がある。
【０００５】
そのような半導体装置では、単層の配線層を使用するため、配線の引き回しの自由度が低く、各種のパッドレイアウトを有する高性能な半導体チップの実装に対応することが困難である。
【０００６】
この対策として、配線層を多層配線層で形成すると、多層配線層も同時に曲げ加工されるため、多層配線層の硬化した層間樹脂層が破損するおそれがあり、多層配線層の信頼性が得られない。
【０００７】
各種のパッドレイアウトの電子部品の実装に対応できる共に、信頼性よく製造できる新規な構造の配線基板及び電子部品装置とそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、複数の配線形成領域が区画された金属板と、前記金属板の各配線形成領域にそれぞれ形成されたキャビティと、前記キャビティの底板の周縁部に額縁状に形成された凹部と、前記キャビティの底板の中央部に配置された第１パッドと、前記第１パッドに接続され、前記キャビティの底板上から前記凹部の側面に沿って前記凹部の底面まで延在する配線部と、前記第１パッドと前記配線部の一部を覆うように前記キャビティの底板の中央部に配置され、前記配線部に接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層とを有する配線基板が提供される。
【０００９】
また、その開示の他の観点によれば、第１パッドと、前記第１パッドに接続された配線部とを有する配線層と、前記配線層の上に形成され、前記配線層と接続される第２パッドを上面側に備えた多層配線層と、前記多層配線層の第２パッドの上面に接続端子が接続された第１電子部品と、前記多層配線層の第１パッドの下面に接続端子が接続された第２電子部品と、前記多層配線層、前記第１電子部品及び前記配線部の上面を封止する第１樹脂と、前記第２電子部品及び前記配線部の下面を封止する第２樹脂とを有し、前記配線部は平面視で前記多層配線層の外部に露出して延在する露出配線部を有し、前記露出配線部は延在方向の途中で下側に屈曲しており、前記配線部は、外側先端部に水平方向に配置された接続部を備え、前記接続部の下面が前記第２樹脂の下面から露出している電子部品装置が提供される。
【００１０】
また、その開示の他の観点によれば、複数の配線形成領域が区画された金属板を用意する工程と、前記金属板の各配線形成領域の中央部に第１パッドを形成すると共に、前記配線形成領域の周縁部に前記第１パッドと接続される配線部を形成する工程と、前記金属板の各前記配線形成領域の中央部に、前記第１パッドと前記配線部の一部を覆い、前記配線部に接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層を形成する工程と、プレス加工により、前記金属板の各配線形成領域の周縁部及び前記配線部を下側に曲げ加工する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
さらに、その開示の他の観点によれば、複数の配線形成領域が区画された金属板を用意する工程と、前記金属板の各配線形成領域の中央部に第１パッドを形成すると共に、前記配線形成領域の周縁部に前記第１パッドと接続される配線部を形成する工程と、前記金属板の各前記配線形成領域の中央部に、前記第１パッドと前記配線部の一部を覆い、前記配線部に接続される第２パッドを上面側に備えた多層配線層を形成する工程と、プレス加工により、前記金属板の各配線形成領域の周縁部及び前記配線部を下側に曲げ加工すると共に、前記配線部の外側先端部に水平方向に配置される接続部を設ける工程と、前記多層配線層の第２パッドに第１電子部品の接続端子を接続する工程と、前記多層配線層、前記第１電子部品及び前記配線部の上面を封止する第１樹脂を前記金属板の上に形成する工程と、前記金属板を除去する工程と、前記多層配線層の第１パッドの下面に第２電子部品の接続端子を接続する工程と、前記第２電子部品及び前記配線部の下面を封止する第２樹脂を形成すると共に、前記配線部の接続部の下面を前記第２樹脂の下面から露出させる工程とを有する電子部品装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
以下の開示によれば、電子部品装置は、第１パッドと、それに接続された配線部とを有する配線層を備えている。また、配線層の上に、配線層と接続された第２パッドを上面側に備えた多層配線層が配置されている。
【００１３】
さらに、多層配線層の上面側の第２パッドに第１電子部品が接続され、下面側の第１パッドに第２電子部品が接続されている。
【００１４】
そして、配線部は平面視で多層配線層の外部に露出して延在する露出配線部を有し、下側の第２電子部品の収容部を確保するために露出配線部は延在方向の途中で下側に屈曲している。
【００１５】
電子部品装置を製造する際には、金属板の各配線形成領域の中央部に、多層配線層の外側に配線部が露出するように多層配線層が配置され、多層配線層の外側領域の金属板及び配線部が曲げ加工される。
【００１６】
これにより、多層配線層は曲げ加工されないため、多層配線層の硬化した絶縁層が破損することがなく、信頼性よく電子部品装置を製造することができる。
【００１７】
このようにして、多層配線層を採用できるようになるため、配線の引き回しの自由度を向上させることができ、各種のパッドレイアウトを有する高性能な電子部品の実装に対応することができる。
【００１８】
また、多層化により配線密度を向上させることができるため、電子部品の接続端子の狭ピッチ化に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は予備的事項の半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は予備的事項の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は予備的事項の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図及び平面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は図４（ｂ）の配線層の形成方法を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は図４（ｂ）の配線層の変形例の形成方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図８】図８は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図９】図９は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は実施形態の配線基板を示す断面図及び平面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は図１０（ａ）及び（ｂ）のプレス加工された配線基板の金属板の全体の様子を示す断面図及び平面図である。
【図１２】図１２は実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３は実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１４】図１４は実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１５】図１５は実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１６】図１６は実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１７】図１７は実施形態の電子部品装置を示す断面図である。
【図１８】図１８は実施形態の子部品装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２１】
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。
【００２２】
図１〜図３は、予備的事項に係る半導体装置を説明するための図である。予備的事項の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない技術内容を含む。
【００２３】
予備的事項に係る半導体装置の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、金属板１００を用意する。金属板１００には複数の配線形成領域Ｒが区画されており。図１（ａ）では一つの配線形成領域Ｒが部分的に示されている。
【００２４】
次いで、図１（ｂ）に示すように、金属板１００の上に配線層１２０を形成する。配線層１２０は、第１パッドＰ１とその周囲に配置された配線部Ｔとを備えている。配線部Ｔは、内側の先端部に第２パッドＰ２を備えている。
【００２５】
さらに、図１（ｃ）に示すように、プレス加工により、配線層１２０が形成された金属板１００を曲げ加工する。これにより、金属板１００の配線形成領域Ｒに一括したキャビティＣＸが形成される。また同時に、キャビティＣＸの底板の周縁部に額縁状の凹部ＣＹが形成される。
【００２６】
これにより、配線層１２０の配線部Ｔが中央部から下側に曲げ加工され、配線部Ｔの先端部が凹部ＣＹの底面に配置される。また、金属板１００の配線形成領域Ｒの下面側にへこみ部Ｄが形成される。
【００２７】
次いで、図２（ａ）に示すように、第１半導体チップ２００の接続端子２１０を配線層１２０の第１パッドＰ１及び第２パッドＰ２の各上面にフリップチップ接続する。
【００２８】
さらに、図２（ｂ）に示すように、金属板１００の上に第１半導体チップ２００を封止する第１モールド樹脂３００を形成する。  
【００２９】
次いで、図３（ａ）に示すように、金属板１００を配線層１２０及び第１モールド樹脂３００に対して選択的に除去する。これにより、配線層１２０の下面及び第１モールド樹脂３００の下面が露出した状態となる。また、配線層１２０の下面側に金属板１００のへこみ部Ｄに対応する収容部Ｄｘが設けられる。
【００３０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、配線層１２０の第１パッドＰ１の下面に第２半導体チップ２２０の接続端子２３０をフリップチップ接続する。これにより、第２半導体チップ２２０が収容部Ｄｘに収容された状態となる。
【００３１】
さらに、第２半導体チップ２２０を第２モールド樹脂３２０で封止する。このとき、配線層１２０の配線部Ｔの先端部の下面が第２モールド樹脂３２０の下面から露出するように、第２モールド樹脂３２０が形成される。     
【００３２】
その後に、同じく図３（ｂ）に示すように、第１モールド樹脂３００の連結部を切断することにより、個々の半導体装置が得られる。
【００３３】
以上のように、予備的事項の半導体装置では、単層で形成された配線層１２０の第１パッドＰ１及び第２パッドＰ２の上面に第１半導体チップ２００の接続端子２１０が接続される。さらに、第１パッドＰ１の下面に第２半導体チップ２２０の接続端子２３０が接続される。
【００３４】
このように、予備的事項の半導体装置では、単層の配線層１２０を使用するため、配線の引き回しの自由度が低い。このため、各種のパッドレイアウトを有する高性能な半導体チップの実装に対応することが困難である。
【００３５】
例えば、パッドに配線を接続したり、所定のパッド同士を配線で接続する際に、他のパッドと電気ショートしないようにパッド間の領域に配線を配置することが困難になる。
【００３６】
また、単層の配線層を使用するため、配線密度に限界があり、半導体チップの接続端子の狭ピッチ化に容易に対応できない。
【００３７】
この対策として、配線層１２０を多層配線層で形成することが考えられる。しかし、金属板１００を曲げ加工する際に、多層配線層も同時に曲げ加工される。このため、多層配線層の硬化した層間樹脂層が破損するおそれがあり、多層配線層の信頼性が得られない。
【００３８】
以下に説明する実施形態の電子部品装置では、前述した課題を解消することができる。
【００３９】
（第１実施形態）
図４〜図９は実施形態の配線基板の製造方法を説明するための図、図１０及び図１１は実施形態の配線基板を説明するための図である。また、図１２〜図１６は実施形態の電子部品装置の製造方法を説明するための図、図１７及び図１８は実施形態の電子部品装置を示す図である。
【００４０】
以下、配線基板及び電子部品装置の製造方法を説明しながら、配線基板及び電子部品装置の構造について説明する。
【００４１】
実施形態の配線基板の製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属板１０を用意する。
【００４２】
金属板１０は、好適には、アルミニウム、又は４２アロイ（４２％ニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ））などから形成される。金属板１０の厚みは、０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００４３】
金属板１０には複数の配線形成領域Ｒが区画されており、図４（ａ）では、金属板１０の一つの配線形成領域Ｒが部分的に示されている。
【００４４】
金属板１０の各配線形成領域Ｒには、パッド領域Ｒ１とその周囲の配線部領域Ｒ２とが区画されている。
【００４５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、金属板１０の各配線形成領域Ｒに第１配線層２１を形成する。図４（ｃ）は図４（ｂ）の第１配線層２１を上側からみた縮小平面図である。図４（ｂ）及び（ｃ）に示すように、配線形成領域Ｒの中央部の四角状のパッド領域Ｒ１に第１配線層２１の複数の第１パッドＰ１が並んで配置される。また、配線形成領域Ｒの配線部領域Ｒ２に、配線層２１の複数の配線部Ｔが並んで配置される。配線部Ｔは、四角状のパッド領域Ｒ１の周囲の配線部領域Ｒ２の内側から外側に向けて延在して形成される。配線部Ｔは接続端子用の配線として形成される。
【００４６】
配線部Ｔは所要の第１パッドＰ１に接続されている。また、第１パッドＰ１同士が配線で接続されていてもよい。
【００４７】
図５及び図６を参照して、第１配線層２１の形成方法について詳しく説明する。本実施形態では、第１配線層２１はセミアディティブ法によって形成される。図５（ａ）に示すように、まず、金属板１０の上にシード層２１ａを形成する。シード層２１ａは、スパッタ法又は無電解めっきにより形成され、その厚みは例えば１μｍ程度である。
【００４８】
続いて、図５（ｂ）に示すように、第１配線層２１が配置される部分に開口部２５ａが配置されためっきレジスト層２５をフォトリソグラフィに基づいて形成する。
【００４９】
さらに、図５（ｃ）に示すように、シード層２１ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層２５の開口部２５ａに金属めっき層２１ｂを形成する。シード層２１ａ及び金属めっき層２１ｂは銅などから形成される。
【００５０】
続いて、図５（ｄ）に示すように、めっきレジスト層２５を除去する。さらに、金属めっき層２１ｂをマスクにしてシード層２１ａをウェットエッチングにより除去する。
【００５１】
これにより、シード層２１ａとその上に配置された金属めっき層２１ｂとにより第１配線層２１が形成される。第１配線層２１の厚みは、例えば、２０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００５２】
第１配線層２１の構造の変形例としては、図６（ａ）に示すように、上記した図５（ｃ）の工程で、金属めっき層２１ｂを形成する前に、電解めっきによってニッケル（Ｎｉ）層２１ｃをシード層２１ａの上に形成してもよい。
【００５３】
そして、図６（ｂ）に示すように、めっきレジスト層２５を除去した後に、ニッケル（Ｎｉ）層２１ｃ及び金属めっき層２１ｂをマスクにしてシード層２１ａがエッチングされる。
【００５４】
この態様では、下から順に、シード層２１ａとＮｉ層２１ｃと金属めっき層２１ｂとが積層されて第１配線層２１が形成される。
【００５５】
Ｎｉ層２１ｃは、バリア層として機能すると共に、後述するように金属板１０をウェットエッチングで除去する際のストッパとして機能する。
【００５６】
本実施形態では、配線の引き回しの自由度を向上させるために、図４（ｂ）の金属板１０の配線形成領域Ｒのパッド領域Ｒ１の上に多層配線層を形成する。
【００５７】
図４（ｄ）に戻って多層配線層の形成方法について説明する。図４（ｄ）に示すように、金属板１０の配線形成領域Ｒのパッド領域Ｒ１に第１絶縁層３１を形成する。第１絶縁層３１は、第１パッドＰ１に到達する第１ビアホールＶＨ１を備えて形成される。第１絶縁層３１の厚みは、例えば、１０μｍ〜５０μｍ程度である。
【００５８】
第１絶縁層３１は、金属板１０の上に感光性の樹脂層を形成し、フォトリソグラフィに基づいて露光及び現像を行うことにより樹脂層がパターン化されて形成される。感光性の樹脂層の形成は、液状樹脂を塗布してもよいし、未硬化の樹脂フィルムを貼付してもよい。
【００５９】
第１絶縁層３１は、金属板１０の配線形成領域Ｒのパッド領域Ｒ１に形成され、曲げ加工される配線部Ｔの領域には形成されない。
【００６０】
配線部領域Ｒ２では、感光性の樹脂層がフォトリソグラフィによって除去されて、配線部Ｔが第１絶縁層３１から露出する。
【００６１】
例えば、第１絶縁層３１を形成するための樹脂層としては、感光性の永久レジスト層やポリイミド層などが好適に使用される。
【００６２】
図４（ｄ）の例では、パッド領域Ｒ１からその周囲の配線部Ｔの内側の先端部の領域まで第１絶縁層３１が形成される。後に曲げ加工される配線部Ｔの部分に第１絶縁層３１が配置されないようにすればよく、チップ領域Ｒ１と配線部Ｔの内側の一部を覆うように第１絶縁層３１を形成してもよい。
【００６３】
配線部Ｔの内側の一部を第１絶縁層３１で被覆することにより、後述する金属板１０及び配線部Ｔを曲げ加工する際に、配線部Ｔの密着性を向上させることができる。
【００６４】
あるいは、第１絶縁層３１をパッド領域Ｒ１のみに形成し、配線部Ｔの全体が第１絶縁層３１から露出するようにしてもよい。
【００６５】
次いで、図７（ａ）に示すように、第１絶縁層３１の上に第２配線層２２を形成する。第２配線層２２は、第１ビアホールＶＨ１内のビア導体を介して第１配線層２１の第１パッドＰ１に接続される。
【００６６】
第２配線層２２は、前述した第１配線層２１の形成方法と同様なセミアディティブ法により形成される。特に図示しないが、まず、上記した図４（ｄ）の構造体の上面側の全体にシード層を形成する。シード層は第１ビアホールＶＨ１の内面から第１絶縁層３１の上面及び金属板１０の配線部領域Ｒ２に形成される。
【００６７】
次いで、第２配線層２２が配置される部分に開口部を備えためっきレジスト層をシード層の上に形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第１ビアホールＶＨ１及びめっきレジスト層の開口部に金属めっき層を形成する。
【００６８】
さらに、めっきレジスト層を除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングして除去する。
【００６９】
これにより、シード層と金属めっき層とから第２配線層２２が形成される。金属板１０の配線部領域Ｒ２に形成されたシード層は同時に除去される。このようにして、金属板１０のパッド領域Ｒ１に第２配線層２２が配置される。
【００７０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、前述した図４（ｄ）の第１絶縁層３１の形成方法と同様な方法により、第１絶縁層３１の上に第２絶縁層３２を形成する。第２絶縁層３２は、第２配線層２２の接続部上に第２ビアホールＶＨ２を備えて形成される。
【００７１】
続いて、図７（ｃ）に示すように、前述した図７（ａ）の第２配線層２２の形成方法と同様な方法により、第２絶縁層３２の上に第３配線層２３を形成する。第３配線層２３は、第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第２配線層２２に接続される。
【００７２】
図７（ｃ）には、第３配線層２３として第２パッドＰ２が示されている。第２パッドＰ２は島状に並んで配置されていてもよいし、引き出し配線の一端に繋がって配置されてもよい。
【００７３】
さらに、同じく図７（ｃ）に示すように、第２絶縁層３２の上に、第２パッドＰ２の上に開口部３３ａが設けられたソルダレジスト層３３を形成する。
【００７４】
以上により、金属板１０のパッド領域Ｒ１に３層の多層配線層ＭＬが形成される。これにより、金属板１０の各配線形成領域Ｒ内の中央部のパッド領域Ｒ１に多層配線層ＭＬがそれぞれ形成される。各多層配線層ＭＬの外周から最下の第１配線層２１の配線部Ｔが外側に延在して配置された構造が得られる。
【００７５】
次いで、図８に示すように、図７（ｃ）の構造体をプレス加工するための上型５及び下型６を用意する。
【００７６】
上型５の下面には、図７（ｃ）の構造体の多層配線層ＭＬの立体形状に対応する凹部５ａが形成されている。さらに、上型５の下面には、図７（ｃ）の構造体の多層配線層ＭＬの外側領域の金属板１０及び配線部Ｔを曲げ加工するための凸部５ｂが設けられている。
【００７７】
また、下型６の上面には、上型５の凸部５ｂに対応する凹部６ａが設けられている。そして、下型６と上型５との間に図７（ｃ）の構造体を配置する。
【００７８】
さらに、図９に示すように、上型５を下側に押圧して、図７（ｃ）の構造体を下型６と上型５とで挟んでプレス加工する。
【００７９】
これにより、多層配線層ＭＬが上型５の凹部５ａに収容された状態で、多層配線層ＭＬの外側領域の金属板１０及び配線部Ｔが上型５の凸部５ｂと下型６の凹部６ａとによって曲げ加工される。
【００８０】
このとき、多層配線層ＭＬは曲げ加工されないため、多層配線層ＭＬの硬化した第１、第２絶縁層３１，３２及びソルダレジスト層３３が破損するおそれがない。
【００８１】
図１０（ａ）には、図９のプレス加工された金属板１０から上型５及び下型６を取り外した状態が示されている。図１０（ｂ）は図１０（ａ）を上側からみた縮小平面図である。
【００８２】
また、図１１（ａ）及び（ｂ）には、図１０（ａ）及び（ｂ）のプレス加工された金属板１０の全体の様子が示されている。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。図１１（ａ）及び（ｂ）では、図示を簡易にするため、図１０（ａ）及び（ｂ）の各配線形成領域Ｒに形成された多層配線層ＭＬは省略されて描かれている。
【００８３】
図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、前述したプレス加工によって金属板１０の中央部に第１キャビティＣ１が形成される。金属板１０は平面視で四角状に形成され、金属板１０の周縁部を除く中央部に第１キャビティＣ１が配置される。
【００８４】
第１キャビティＣ１は、後述するように、半導体チップをモールド樹脂で封止する際に、モールド樹脂をせき止める壁部として機能する。
【００８５】
また、図１１（ａ）の平面図に示すように、金属板１０の第１キャビティＣ１の底板には複数の配線形成領域Ｒが区画されている。
【００８６】
また同時に、金属板１０の各配線形成領域Ｒに第２キャビティＣ２が形成される。多層配線層ＭＬ（図１０（ａ））が配置された各配線形成領域Ｒの金属板１０に第２キャビティＣ２がそれぞれ形成される。
【００８７】
さらに同時に、各配線形成領域Ｒの第２キャビティＣ２の底板の周縁部に額縁状の凹部Ｃ３が形成される。
【００８８】
図１０（ａ）及び（ｂ）では、図１１（ａ）及び（ｂ）の金属板１０の一つの配線形成領域Ｒが部分的に示されている。
【００８９】
図１０（ａ）に戻って説明すると、第２キャビティＣ２の底面の中央部及び凹部Ｃ３の底面は水平面で形成される。凹部Ｃ３は第２キャビティＣ２の底面の中央部よりも下側にへこんで形成される。
【００９０】
第１配線層２１の配線部Ｔは、金属板１０と同時に曲げ加工され、金属板１０の第２キャビティＣ２の底板上から凹部Ｃ３の側面及び底面に沿って曲げ加工されて配置される。また、金属板１０の配線形成領域Ｒの下面側にへこみ部Ｄが形成される。
【００９１】
以上により、図１０（ａ）に示すように、実施形態の配線基板１が得られる。
【００９２】
図１０（ａ）に示すように、実施形態の配線基板１は、複数の配線形成領域Ｒが区画された金属板１０を備えている。金属板１０の各配線形成領域Ｒには、第２キャビティＣ２が形成されている。第２キャビティＣ２の底板の周縁部に額縁状の凹部Ｃ３が形成されている。第２キャビティＣ２の底板の周縁部が屈曲部Ｂで下方の外側斜め方向に屈曲して凹部Ｃ３の側壁となっている。
【００９３】
金属板１０の第２キャビティＣ２の底板の中央部に多層配線層ＭＬが配置されている。多層配線層ＭＬの最下の第１配線層２１は、第２キャビティＣ２の底板の中央部に配置された第１パッドＰ１と、第１パッドＰ１に接続されて、外側に延在する配線部Ｔとを備えている。
【００９４】
第１配線層２１の複数の第１パッドＰ１が第２キャビティＣ２の底板の中央部に並んで配置されている。また、配線部Ｔは、第１パッドＰ１の周囲から外側に延在し、第２キャビティＣ２の底板の屈曲部Ｂで下方の外側斜め方向に屈曲し、凹部Ｃ３の底面で水平方向に屈曲している。
【００９５】
このように、配線部Ｔは、第１パッドＰ１に接続され、第２キャビティＣ２の底板上から凹部Ｃ３の側面に沿って凹部Ｃ３の底面まで延在して配置され、凹部Ｃ３に沿って屈曲している。
【００９６】
そして、凹部Ｃ３の底面に配置された配線部Ｔの先端部分が接続部Ｔｃとなっている。このように、配線部Ｔは、外側の先端部に水平方向に配置された接続部Ｔｃを備える。
【００９７】
また、金属板１０の上面側に額縁状の凹部Ｃ３を形成することにより、金属板１０の各配線形成領域Ｒの中央部の下面側に凹状のへこみＤが設けられている。
【００９８】
図１０（ｂ）の平面図を加えて参照すると、平面視で四角状に配置された多層配線層ＭＬは、金属板１０の第２キャビティＣ２の底面のパッド領域Ｒ１に配置され、金属板１０の額縁状の凹部Ｃ３の上には配置されていない。
【００９９】
このように、多層配線層ＭＬは、金属板１０の底板の周縁部に設けられた屈曲部Ｂよりも内側のチップ領域Ｒ１に配置され、曲げ加工された複数の配線部Ｔが多層配線層ＭＬの四辺の外周から外側に延在して露出している。
【０１００】
多層配線層ＭＬは、第１パッドＰ１と配線部Ｔの一部とを覆うように、第２キャビティＣ２の中央部に配置されている。
【０１０１】
図１０（ａ）を参照すると、多層配線層ＭＬでは、金属板１０及び第１配線層２１の第１パッドＰ１の上に第１絶縁層３１が形成されている。第１絶縁層３１は、第１配線層２１の第１パッドＰ１に到達する第１ビアホールＶＨ１を備えている。
【０１０２】
また、第１絶縁層３１の上には、第１ビアホールＶＨ１内のビア導体を介して第１パッドＰ１に接続される第２配線層２２が形成されている。
【０１０３】
また、第１絶縁層３１の上に第２絶縁層３２が形成されている。第２絶縁層３２は、第２配線層２２の接続部に到達する第２ビアホールＶＨ２を備えている。
【０１０４】
さらに、第２絶縁層３２の上には、第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第２配線層２２に接続される第２パッドＰ２が形成されている、第２パッドＰ２は第３配線層２３として形成される。
【０１０５】
また、第２絶縁層３２の上に、第２パッドＰ２の上に開口部３３ａが設けられたソルダレジスト層３３が形成されている。
【０１０６】
このようにして、多層配線層ＭＬの第２パッドＰ２は最下の第１配線層２１に電気的に接続されている。
【０１０７】
実施形態の配線基板１では、金属板１０及び第１配線層２１の配線部Ｔを曲げ加工する領域よりも内側のパッド領域Ｒ１に多層配線層ＭＬを配置している。
【０１０８】
このため、金属板１０及び第１配線層２１の配線部Ｔを曲げ加工する際に、多層配線層ＭＬが曲げ加工されないため、多層配線層ＭＬの硬化した第１、第２絶縁層３１，３２及びソルダレジスト層３３が破損することがない。
【０１０９】
また、多層配線層ＭＬを採用できるため、配線の引き回しの自由度を向上させることができ、各種のパッドレイアウトの半導体チップの実装に対応することができる。
【０１１０】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）の配線基板１を使用して電子部品装置を製造する方法について説明する。図１２に示すように、まず、接続端子４１を備えた第１半導体チップ４０を用意する。そして、第１半導体チップ４０の接続端子４１を配線基板１の多層配線層ＭＬの上面側の第２パッドＰ２（第３配線層２３）の上面にフリップチップ接続する。
【０１１１】
第１半導体チップ４０は第１電子部品の一例であり、接続端子を備えた各種の電子部品を使用することができる。
【０１１２】
続いて、図１３に示すように、金属板１０の上に多層配線層ＭＬ、第１半導体チップ４０及び配線部Ｔの上面を封止する第１モールド樹脂５０を形成する。半導体チップ４０と多層配線層ＭＬとの間にも第１モールド樹脂５０が充填される。
【０１１３】
第１モールド樹脂５０は、トランスファモールド工法、又は金型に液状樹脂を流し込んで樹脂成型するポッティング法によって形成される。第１モールド樹脂５０として、例えば、エポキシ樹脂が使用される。
【０１１４】
第１モールド樹脂５０は、第２キャビティＣ２及び凹部Ｃ３を埋め込むように形成され、上面が平坦になって形成される。第１モールド樹脂５０は、隣接する他の配線形成領域Ｒに形成されたモールド樹脂と連結部５０ａで連結された状態で形成される。
【０１１５】
このとき、前述した図１１（ａ）及び（ｂ）で説明したように、金属板１０に形成された第１キャビティＣの側面が第１モールド樹脂５０をせき止める壁部として機能する。
【０１１６】
次いで、図１４に示すように、図１３の構造体から金属板１０をウェットエッチングによって除去する。金属板１０がアルミニウムから形成される場合は、エッチング液として塩酸（ＨＣｌ）溶液が使用される。あるいは、金属板１０が４２アロイから形成される場合は、エッチング液としてフッ酸（ＨＦ）系の溶液が使用される。
【０１１７】
これにより、金属板１０を第１配線層２１（銅）及び第１モールド樹脂５０に対して選択的に除去することができる。
【０１１８】
以上により、第１配線層２１の第１パッドＰ１及び配線部Ｔの各下面と第１モールド樹脂５０の下面とが露出した状態となる。そして、第１配線層２１の下面側に金属板１０のへこみ部Ｄに対応する収容部Ｄｘが設けられる。
【０１１９】
前述した図６（ｂ）のように、第１配線層２１のシード層２１ａの上にＮｉ層２１ｃを形成してもよい。この場合は、金属板１０を除去する際に薄膜のシード層２１ａがエッチングされるとしても、Ｎｉ層２１ｃがストッパとなり、金属めっき層２１ｂがエッチングされることが防止される。
【０１２０】
また、変形例の製造方法として、前述した図５（ｄ）の第１配線層２１を形成する工程で、めっきレジスト層２５を除去した後に、シード層２１ａを金属板１０の全面に残してもよい。
【０１２１】
この場合は、図１４の工程で金属板１０を除去した後に、露出するシード層２１ａを硫酸と過酸化水素との混合液（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２）を使用するウェットエッチングによって除去する。この方法では、シード層２１ａをエッチングする際に、金属めっき層２１ｂ（図６（ｃ）が多少エッチングされるため、Ｎｉ層２１ｃ（図６（ｂ））をストッパとして使用することが好ましい。
【０１２２】
次いで、図１５に示すように、接続端子４３を備えた第２半導体チップ４２を用意する。そして、第２半導体チップ４２の接続端子４３を多層配線層ＭＬの下面側の第１配線層２１の第１パッドＰ１の下面にフリップチップ接続する。
【０１２３】
これにより、第１配線層２１及び第１モールド樹脂５０の下面側に設けられた凹状の収容部Ｄｘに第２半導体チップ４２が収容される。
【０１２４】
第２半導体チップ４２は第２電子部品の一例であり、接続端子を備えた各種の電子部品を使用することができる。
【０１２５】
例えば、前述した図１２で第１半導体チップ４０を使用する場合、第２半導体チップ４２の代わりに、チップキャパシタや水晶振動子などを搭載してもよい。半導体チップとしては、ＣＰＵチップやメモリチップなどのＬＳＩチップが使用される。
【０１２６】
続いて、図１６に示すように、第１配線層２１及び第１モールド樹脂５０の下面側に第２半導体チップ４２及び配線部Ｔの下面を封止する第２モールド樹脂５２を形成する。第２モールド樹脂５２は凹状の収容部Ｄｘを埋め込んで形成され、下面が平坦に形成される。また、第２モールド樹脂５２は、配線部Ｔの水平方向に配置された接続部Ｔｃの下面が第２モールド樹脂５２の下面から露出するように成型される。
【０１２７】
その後に、図１７に示すように、第１モールド樹脂５０の連結部５０ａを切断することにより、個々の電子部品装置２が得られる。
【０１２８】
図１７に示すように、実施形態の電子部品装置２は、前述した図１０（ａ）及び（ｂ）の配線基板１から金属板１０が除去された多層配線層ＭＬを備えている。
【０１２９】
多層配線層ＭＬの最下の第１配線層２１は、第１パッドＰ１と、第１パッドＰ１に接続され、多層配線層ＭＬの外周から外側に延在する配線部Ｔとを備えている。
【０１３０】
配線部Ｔは、水平配線部Ｔａと、水平配線部Ｔａから屈曲部Ｂで下側に曲げ加工された傾斜配線部Ｔｂと、傾斜配線部Ｔｂの下端から外側に水平方向に曲げ加工された接続部Ｔｃとを備えている。このように、配線部Ｔは延在方向の途中で下側に屈曲している。
【０１３１】
多層配線層ＭＬの第１絶縁層３１は、配線部Ｔが第１絶縁層３１から露出するように配置されている。図１７の例では、配線部Ｔの水平配線部Ｔａの外側部、屈曲部Ｂ、傾斜配線部Ｔｂ及び接続部Ｔｃが第１絶縁層３１から露出している。そして、第１パッドＰ１が配置された領域から配線端子部Ｔの水平配線部Ｔａの内側部の領域まで第１絶縁層３１が配置されている。
【０１３２】
第１絶縁層３１の上には第２配線層２２が形成されている、第２配線層２２は、第１絶縁層３１の第１ビアホールＶＨ１内のビア導体を介して第１パッドＰ１に接続されている。
【０１３３】
また、第１絶縁層３１の上に第２絶縁層３２が形成されている。第２絶縁層３２は、第１絶縁層３１と同じ領域に配置され、同様に配線部Ｔが第２絶縁層３２から露出している。
【０１３４】
また、第２絶縁層３２の上に第２パッドＰ２が形成されている。第２パッドＰ２は第３配線層２３として形成される。第２パッドＰ２は、第２絶縁層３２の第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第２配線層２２に接続されている。
【０１３５】
さらに、第２絶縁層３２の上に、第２パッドＰ２の上に開口部３３ａが設けられたソルダレジスト層３３が形成されている。ソルダレジスト層３３は、第１、第２絶縁層３１，３２と同じ領域に配置され、同様に配線部Ｔがソルダレジスト層３３から露出している。
【０１３６】
このようにして、第１〜第３配線層２１〜２３を含む多層配線層ＭＬが構築されている。
【０１３７】
図１７の例の他に、配線部Ｔの全体が第１絶縁層３１から露出するように多層配線層ＭＬを配置してもよい。
【０１３８】
多層配線層ＭＬの積層数は任意に設定することができる。また、ソルダレジスト層３３を省略してもよい。
【０１３９】
また、モールド樹脂５０との密着性を向上させるため、第１配線層２１の表面を粗化してもよい。
【０１４０】
図１８は図１７の電子部品装置２を上側からみた縮小平面図である。図１８では第１半導体チップ４０及び第１モールド樹脂５０が透視的に描かれている。
【０１４１】
図１７に図１８の平面図を加えて参照すると、平面視で四角状で配置された多層配線層ＭＬの四辺の外周から複数の配線部Ｔが外側に延在しており、複数の配線部Ｔが多層配線層ＭＬから露出している。
【０１４２】
このように、第１配線層２１は、平面視で多層配線層ＭＬの外部に露出する露出配線部Ｔｘを有し、露出配線部Ｔｘは延在方向の途中で下側に屈曲している。
【０１４３】
また、配線部Ｔの接続部Ｔｃは、傾斜配線部Ｔｂの幅よりも大きな直径を有する円形で形成されている。
【０１４４】
さらに、四角状の多層配線層ＭＬの上面側の第２パッドＰ２に四角状の第１半導体チップ４０の接続端子４１がフリップチップ接続されている。
【０１４５】
また、多層配線層ＭＬの下面側の第１パッドＰ１の下面に四角状の第２半導体チップ４２の接続端子４３がフリップチップ接続されている。
【０１４６】
また、多層配線層ＭＬ及び第１配線層２１の配線部Ｔの上面と、第１半導体チップ４０とが第１モールド樹脂５０で封止されている。第１半導体チップ４０と多層配線層ＭＬとの間にも第１モールド樹脂５０が充填されている。
【０１４７】
さらに、第２半導体チップ４２及び第１配線層２１の配線部Ｔの下面が第２モールド樹脂５２で封止されている。第２半導体チップ４２と多層配線層ＭＬとの間にも第２モールド樹脂５２が充填されている。
【０１４８】
そして、第１配線層２１の配線部Ｔの接続部Ｔｃの下面が第２モールド樹脂５２から露出している。
【０１４９】
実施形態の電子部品装置２では、前述したように、配線の引き回しの自由度を向上させるために、多層配線層ＭＬを採用している。そして、第２半導体チップ４２の収容部Ｄｘを確保し、かつ配線部Ｔの接続部Ｔｃを下面側に配置するために、金属板１０及び配線部Ｔが下側に曲げ加工される。
【０１５０】
本実施形態では、多層配線層ＭＬを第１配線層２１の配線部Ｔの屈曲部Ｂよりも内側の領域に配置して、多層配線層ＭＬが曲げ加工されないようにしている。
【０１５１】
このため、多層配線層ＭＬを採用しても、多層配線層ＭＬの硬化した第１、第２絶縁層３１，３２及びソルダレジスト層３３が破損することがない。
【０１５２】
以上のようにして、多層配線層ＭＬ備え、下面側に配線部Ｔの接続部Ｔｃが露出する構造の電子部品装置２が信頼性よく製造される。
【０１５３】
本実施形態の電子部品装置２では、多層配線層を採用できることから、配線の引き回しの自由度が格段に向上するため、各種のパッドレイアウトを有する高性能な半導体チップの実装に対応することができる。
【０１５４】
また、多層化によって配線密度を向上させることができるため、半導体チップの接続端子の狭ピッチ化に対応することができる。
【符号の説明】
【０１５５】
１…配線基板、２…電子部品装置、５…上型、５ａ，６ａ，Ｃ３…凹部、５ｂ…凸部、６…下型、１０…金属板、２１…第１配線層、２１ａ…シード層、２１ｂ…金属めっき層、２１ｃ…Ｎｉ層、２２…第２配線層、２３…第３配線層、２５…めっきレジスト層、２５ａ，３３ａ…開口部、３１…第１絶縁層、３２…第２絶縁層、３３…ソルダレジスト層、４０…第１半導体チップ、４１，４３…接続端子、４２…第２半導体チップ、５０…第１モールド樹脂、５０ａ…連結部、５２…第２モールド樹脂、Ｃ１…第１キャビティ、Ｃ２…第２キャビティ、Ｃ３…凹部、Ｄ…へこみ部、Ｄｘ…収容部、ＭＬ…多層配線層、Ｐ１…第１パッド、Ｐ２…第２パッド、Ｒ…配線形成領域、Ｒ１…パッド領域、Ｒ２…配線部領域、Ｔ…配線部、Ｔａ…水平配線部、Ｔｂ…傾斜配線部、Ｔｃ…接続部、Ｔｘ…露出配線部、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール。
【図１】
2018107394.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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