(57)【要約】【課題】静電容量方式のタッチセンサを採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出可能な構成を提供する。【解決手段】読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置１５に静電容量方式のタッチセンサ５１が配置され、メモリ３５には、スイッチ部５０を利用して取得されるカウント値が定期的に比較値として記憶される。そして、制御部４０にてなされるタッチ検出処理では、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも小さくなるようにタッチセンサ５１によるカウント値を取得し、現在のカウント値からメモリ３５に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値であるカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になる所定の変化状態となると、タッチ状態を検出する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取対象の情報を読み取り可能な情報読取部を有し、当該情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置が筐体の外面に設けられる情報読取装置であって、
前記タッチ検出位置に配置される静電容量方式のタッチセンサと、
前記タッチ検出位置にタッチされるタッチ状態となることでタッチされていない非タッチ状態よりも小さくなるように前記タッチセンサによる検出値を取得し、当該検出値の変化に基づいて前記タッチ状態を検出可能な検出部と、
前記検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される記憶部と、
を備え、
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値
未満になる所定の変化状態となると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする情報読取装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記所定の変化状態が連続すると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする請求項１に記載の情報読取装置。
【請求項３】
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が第２の閾値を超える状態となると、前記非タッチ状態を検出することを特徴とする請求項１または２に情報読取装置。
【請求項４】
読取対象の情報を読み取り可能な情報読取部を有し、当該情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置が筐体の外面に設けられる情報読取装置であって、
前記タッチ検出位置に配置される静電容量方式のタッチセンサと、
前記タッチ検出位置にタッチされるタッチ状態となることでタッチされていない非タッチ状態よりも大きくなるように前記タッチセンサによる検出値を取得し、当該検出値の変化に基づいて前記タッチ状態を検出可能な検出部と、
前記検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される記憶部と、
を備え、
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値を超える所定の変化状態となると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする情報読取装置。
【請求項５】
前記検出部は、前記所定の変化状態が連続すると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする請求項４に記載の情報読取装置。
【請求項６】
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が第２の閾値未満になると、前記非タッチ状態を検出することを特徴とする請求項４または５に情報読取装置。
【請求項７】
前記タッチセンサによる検出間隔は、前記タッチセンサによる現在の検出値と前回の検出値との差が所定の変化量以下になる場合には、前記タッチセンサによる現在の検出値と前回の検出値との差が前記所定の変化量を超える場合よりも長くなるように設定されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項８】
前記非タッチ状態での前記タッチセンサによる検出間隔は、前記タッチ状態での前記タッチセンサによる検出間隔よりも長くなるように設定されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項９】
振動部を備え、
前記振動部は、前記読取対象に向けられる読取口が設けられる前記筐体の一方の端部から離れた他方の端部に配置されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項１０】
前記所定の閾値を調整するための調整情報が記録される閾値調整用媒体が設けられ、
前記情報読取部により前記閾値調整用媒体から読み取った前記調整情報に基づいて前記所定の閾値を調整する閾値調整部を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項１１】
前記筐体は、２以上のケースが複数の係合箇所にて係合されることで構成されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項１２】
前記筐体は、２以上のケースがネジ部材を利用して組み付けられることで構成され、前記ネジ部材を外面側から覆う被覆部が設けられることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項１３】
前記情報読取部は、所定の特徴部を有する光学的情報を撮像することで当該光学的情報を光学的に読み取る光学的情報読取部であり、
読取口を介して前記光学的情報を撮像可能な撮像部と、
前記撮像部の撮像視野に向けて光を照射可能な照射部と、
前記撮像部により前記所定の特徴部が撮像されているか否かについて判定する判定部と、
を備え、
前記照射部は、前記判定部により前記所定の特徴部が撮像されていると判定されると、所定の時間が経過するまで光を照射することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の情報読取装置。
【請求項１４】
前記照射部は、前記判定部により前記所定の特徴部が撮像されていないと判定される場合でも、前記検出部により前記タッチ状態が検出されると、光を照射することを特徴とする請求項１３に記載の情報読取装置。
【請求項１５】
前記検出部により前記タッチ検出位置へのタッチが検出されない状態であって前記所定の時間が経過する前では、前記判定部により前記所定の特徴部が撮像されていると判定されても前記情報読取部による読み取りを行わないことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の情報読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＱＲコード（登録商標）などの情報コード及び文字情報等を含めた光学的情報を光学的に読み取る光学的情報読取装置やＲＦＩＤタグ及びＩＣカード等を無線通信にて読み取る無線タグリーダ等の情報読取装置には、読み取りを開始する際に操作されるトリガスイッチが設けられる構成が多い。このような構成では、トリガスイッチとして機械式操作スイッチのような駆動部分を有するスイッチを採用すると、トリガスイッチの操作回数が多い運用では操作耐久寿命のためにトリガスイッチが故障してしまう場合がある。このような問題を解決するため、トリガスイッチとして機能する静電容量方式のタッチセンサを採用することが考えられ、このようなタッチセンサを採用した情報読取装置として、例えば、下記特許文献１に開示される手持ち式情報読取り装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−１６０５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のようにトリガスイッチとして静電容量方式のタッチセンサを採用する構成では、タッチ検出位置にタッチされていない非タッチ状態からタッチされているタッチ状態に変化することでタッチセンサの検出値が小さくなるように取得される場合、現在の検出値から前回の検出値を引いた値（以下、検出変化量ともいう）がタッチ状態と判定するためのＯＮ閾値未満となるとタッチ状態への変化を検出し、検出変化量が非タッチ状態と判定するためのＯＦＦ閾値を超えると非タッチ状態への変化を検出することができる。
【０００５】
しかしながら、ＯＮ閾値が大きい場合には、少ない検出変化量でタッチ状態と検出することができるが、静電気等のノイズの影響を受けやすくなるだけでなく、タッチ検出位置に指を近づけるだけでタッチ状態と誤検出する可能性が有る。一方、ＯＮ閾値を小さくすることで、確実にタッチしたときにタッチ状態と検出することができるが、例えば、ゆっくりタッチすることで検出変化量が小さくなるためにＯＮ閾値を超えなくなると、タッチ検出位置にタッチしていてもタッチ状態と判定されない可能性が有る。すなわち、ＯＮ閾値やＯＦＦ閾値の設定は使用する環境や機器に合わせて行う必要があるが、ノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出したい場合は、適切な閾値の設定が困難になる場合がる。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、静電容量方式のタッチセンサを採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出可能な構成を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、
読取対象の情報を読み取り可能な情報読取部（２３，４０）を有し、当該情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置（１５）が筐体（１１）の外面（１２）に設けられる情報読取装置（１０）であって、
前記タッチ検出位置に配置される静電容量方式のタッチセンサ（５１）と、
前記タッチ検出位置にタッチされるタッチ状態となることでタッチされていない非タッチ状態よりも小さくなるように前記タッチセンサによる検出値（Ｎ）を取得し、当該検出値の変化に基づいて前記タッチ状態を検出可能な検出部（４０）と、
前記検出部により取得される検出値が定期的に比較値（Ｎｘ）として記憶される記憶部（３５）と、
を備え、
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値（ΔＮｘ）が所定の閾値（ΔＮｔｈ１）未満になる所定の変化状態となると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする。
【０００８】
また、請求項４に記載の発明は、
読取対象の情報を読み取り可能な情報読取部（２３，４０）を有し、当該情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置（１５）が筐体（１１）の外面（１２）に設けられる情報読取装置（１９）であって、
前記タッチ検出位置に配置される静電容量方式のタッチセンサ（５１）と、
前記タッチ検出位置にタッチされるタッチ状態となることでタッチされていない非タッチ状態よりも大きくなるように前記タッチセンサによる検出値を取得し、当該検出値の変化に基づいて前記タッチ状態を検出可能な検出部（４０）と、
前記検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される記憶部（３５）と、
を備え、
前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値を超える所定の変化状態となると、前記タッチ状態を検出することを特徴とする。
なお、上記各括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の発明では、情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置に静電容量方式のタッチセンサが配置され、記憶部には、検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される。そして、検出部は、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも小さくなるようにタッチセンサによる検出値を取得し、現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値未満になる所定の変化状態となると、タッチ状態を検出する。
【００１０】
これにより、タッチ検出に関してノイズの影響を抑制するために上記所定の閾値を小さな値に設定した場合に、ゆっくりタッチしたためにタッチセンサによる現在の検出値から前回の検出値を引いた値が上記所定の閾値未満にならなくても、前回よりさらに前の検出値と現在の検出値との差は、より前の検出値ほど大きくなる。このため、タッチセンサによる現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれか１つ（すなわち、過去の検出値）を引いた値が上記所定の閾値未満になることで、上記所定の変化状態となりタッチ状態が検出される。したがって、静電容量方式のタッチセンサを採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出することができる。
【００１１】
請求項２の発明では、上記所定の変化状態が連続すると検出部によりタッチ状態が検出される。タッチ検出位置にタッチされることなく静電気等に起因してタッチセンサによる現在の検出値が小さくなり、このように小さくなった現在の検出値から前回の検出値（最新の比較値）を引いた値が上記所定の閾値未満になると、上記所定の変化状態となる。その一方で、静電気等の影響がない次の検出値では前回の検出値（静電気等の影響を受けて記憶された比較値）を引いた値が上記所定の閾値未満にならず、記憶部に記憶される各比較値を引いた値のいずれも上記所定の閾値未満にならないため、上記所定の変化状態とならない。したがって、このような場合には、連続して上記所定の変化状態とならないため、静電気等に起因したタッチ検出に関する誤検出を抑制することができる。
【００１２】
請求項３の発明では、検出部は、現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値が第２の閾値を超える状態となると、非タッチ状態を検出する。これにより、タッチ検出位置からゆっくり指等を離すような非タッチ状態でも、ノイズの影響を抑制しつつ精度良く検出することができる。
【００１３】
請求項４の発明では、情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置に静電容量方式のタッチセンサが配置され、記憶部には、検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される。そして、検出部は、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも大きくなるようにタッチセンサによる検出値を取得し、現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値を超える所定の変化状態となると、タッチ状態を検出する。
【００１４】
これにより、タッチ検出に関してノイズの影響を抑制するために上記所定の閾値を大きな値に設定した場合に、ゆっくりタッチしたためにタッチセンサによる現在の検出値から前回の検出値を引いた値が上記所定の閾値を超えなくても、前回よりさらに前の検出値と現在の検出値との差は、より前の検出値ほど大きくなる。このため、タッチセンサによる現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれかの１つ（すなわち、過去の検出値）を引いた値が上記所定の閾値を超えることで、上記所定の変化状態となりタッチ状態が検出される。したがって、静電容量方式のタッチセンサを採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出することができる。
【００１５】
請求項５の発明では、上記所定の変化状態が連続すると検出部によりタッチ状態が検出される。タッチ検出位置にタッチされることなく静電気等に起因してタッチセンサによる現在の検出値が大きくなり、このように大きくなった現在の検出値から前回の検出値（最新の比較値）を引いた値が上記所定の閾値を超えると、上記所定の変化状態となる。その一方で、静電気等の影響がない次の検出値では前回の検出値（静電気等の影響を受けて記憶された比較値）を引いた値が上記所定の閾値を超えず、記憶部に記憶される各比較値を引いた値のいずれも上記所定の閾値を超えないため、上記所定の変化状態とならない。したがって、このような場合には、連続して上記所定の変化状態とならないため、静電気等に起因したタッチ検出に関する誤検出を抑制することができる。
【００１６】
請求項６の発明では、検出部は、現在の検出値から記憶部に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値が第２の閾値未満になると、非タッチ状態を検出する。これにより、タッチ検出位置からゆっくり指等を離すような非タッチ状態でも、ノイズの影響を抑制しつつ精度良く検出することができる。
【００１７】
請求項７の発明では、タッチセンサによる検出間隔は、タッチセンサによる現在の検出値と前回の検出値との差が所定の変化量以下になる場合には、タッチセンサによる現在の検出値と前回の検出値との差が上記所定の変化量を超える場合よりも長くなるように設定される。タッチセンサによる現在の検出値と前回の検出値との差が小さくなるような場合には、詳細にタッチ検出に関する処理を行う必要もないので、このような場合にはタッチセンサによる検出間隔を長くすることで、タッチ検出に関する処理負荷の軽減や省電力化を図ることができる。
【００１８】
請求項８の発明では、非タッチ状態でのタッチセンサによる検出間隔は、タッチ状態でのタッチセンサによる検出間隔よりも長くなるように設定される。読み取り開始時にタッチ検出位置がタッチされその読み取りが終了するとタッチされなくなることから、非タッチ状態はタッチ状態よりも長くなりやすく、このように長くなる非タッチ状態にてタッチセンサによる検出間隔を長くすることで、タッチ検出に関する処理負荷の軽減や省電力化を図ることができる。一方、タッチ状態ではタッチセンサによる検出間隔が相対的に短くなるため、非タッチ状態への移行を即座に検出できるため、タッチ状態と検出されたことによりなされる処理等を迅速に終えることができ、省電力化を図ることができる。
【００１９】
請求項９の発明では、振動部が、読取対象に向けられる読取口が設けられる筐体の一方の端部から離れた他方の端部に配置される。これにより、振動部が振動するために読取対象に向けた読取口がぶれることもなく、振動部の振動に起因するノイズが読取口近傍に設けられる読取用のセンサ等に対して影響することを抑制することができる。
【００２０】
請求項１０の発明では、情報読取部により閾値調整用媒体から読み取った調整情報に基づいて閾値調整部により上記所定の閾値が調整されるため、当該所定の閾値を情報読取部による読み取りに応じて容易に調整することができる。
【００２１】
請求項１１の発明では、筐体は、２以上のケースが複数の係合箇所にて係合されることで構成されるため、ケースを固定するネジ部材等が不要となる。このため、異物混入を極力抑制すべき作業環境で情報読取装置を利用する場合でも、駆動部分がないタッチ検出位置部分に異物が溜まり難くなるだけでなく、脱落するようなケース固定用のネジ部材等もないので、異物混入防止を容易に図ることができる。
【００２２】
請求項１２の発明では、筐体は、２以上のケースがネジ部材を利用して組み付けられることで構成され、ネジ部材を外面側から覆う被覆部が設けられる。このため、異物混入を極力抑制すべき作業環境で情報読取装置を利用する場合でも、駆動部分がないタッチ検出位置部分に異物が溜まり難くなるだけでなく、被覆部によってケース固定用のネジ部材等が脱落するようなこともないので、異物混入防止を容易に図ることができる。
【００２３】
請求項１３の発明では、情報読取部は、所定の特徴部を有する光学的情報を撮像することで当該光学的情報を光学的に読み取る光学的情報読取部である。そして、撮像部の撮像視野に向けて光を照射可能な照射部は、撮像部により所定の特徴部が撮像されていると判定部により判定されると、所定の時間が経過するまで光を照射する。これにより、所定の特徴部を有する光学的情報に向けて読取口を向けるだけで、タッチ検出位置へのタッチ等の操作をすることなく照射部からの光が撮像部の撮像視野に向けて照射される。このため、その照射部からの光を利用することで、読取対象である光学的情報を撮像部の撮像視野内に容易に入れることができる。
【００２４】
請求項１４の発明では、照射部は、判定部により所定の特徴部が撮像されていないと判定される場合でも、検出部によりタッチ状態が検出されると、光を照射する。これにより、周囲照度が低いために所定の特徴部が検出可能に撮像されない場合でも、タッチ操作が検出されることで、照射部からの光が撮像部の撮像視野に向けて照射されるので、照度不足のために光学的情報が読み取れない状態となることを防止することができる。
【００２５】
請求項１５の発明では、検出部によりタッチ検出位置へのタッチが検出されない状態であって上記所定の時間が経過する前では、判定部により上記所定の特徴部が撮像されていると判定されても情報読取部による読み取りが行われない。これにより、読取対象と異なる光学的情報の所定の特徴部が撮像されても、タッチ検出位置へタッチしない限りその光学的情報を読み取るための処理がなされることもないので、不要な読み取り処理を行うことなく読取対象を撮像視野に入れることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る情報読取装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１の情報読取装置の平面図であり、図２（Ｂ）は、図１の情報読取装置の側面図である。
【図３】図１の情報読取装置の電気的構成を例示するブロック図である。
【図４】タッチ検出回路を説明するブロック図である。
【図５】第１実施形態に係る情報読取装置において行われるタッチ検出処理の流れを例示するフローチャートである。
【図６】カウント値から算出されるカウント変化量の変化を説明する説明図である。
【図７】第１実施形態の第３変形例に係る情報読取装置においてネジ部材に対する被覆部の状態を説明する説明図であり、図７（Ａ）は、ザグリ部分を埋めるように被覆部が設けられる状態を示し、図７（Ｂ）は、ネジ部材の周囲の外面も含めて覆うように被覆部が設けられる状態を示す。
【図８】第２実施形態に係る情報読取装置において行われるタッチ検出処理の流れを例示するフローチャートである。
【図９】第３実施形態に係る情報読取装置の要部を説明する説明図である。
【図１０】第４実施形態に係る情報読取装置の要部を示す説明図である。
【図１１】第５実施形態に係る情報読取装置の要部を示す説明図である。
【図１２】第５実施形態に係る情報読取装置において行われる読取処理の流れを例示するフローチャートである。
【図１３】第６実施形態に係る情報読取装置において行われる読取処理の流れを例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
［第１実施形態］
以下、本発明に係る情報読取装置を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
図１及び図２に示す情報読取装置１０は、情報コード（バーコード及び二次元コード等）や文字情報等の光学的情報を撮像して光学的に読み取る携帯型の光学的情報読取装置として構成されている。
【００２８】
この情報読取装置１０は、上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂが組み付けられて構成される筐体１１によって外郭が形成され、この筐体１１内に各種電気部品等からなる回路部２０が収容されている。筐体１１は、ＡＢＳ樹脂等の合成樹脂からなる上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂが組み付け時に外部に露出しないように筐体内部側に設けられる複数の係合箇所にて係合されることで、ネジ部材等の別部材を利用することなく構成されている。筐体１１の長手方向一端側には読取口１３が形成され、また長手方向他端側にはケーブル取付部１４が形成されている。
【００２９】
筐体１１は、上ケース１１ａ側から把持した状態で読取対象に読取口１３を向けやすくするため、図２（Ｂ）に示すように、長手方向中間部位が上側に凸となるように滑らかに湾曲している。また、上ケース１１ａの読取口１３近傍の外面となる上面１２には、タッチすべき範囲を明確にするために下方に僅かに凹ませたタッチ検出位置１５が設けられている。また、筐体１１は、把持した状態でタッチ検出位置１５に対してタッチ操作しやすくするため、タッチ検出位置１５よりもケーブル取付部１４側となる把持部がタッチ検出位置１５を含めた読取口１３側となる読取部よりも幅が狭くなるように形成されている。
【００３０】
次に、情報読取装置１０の電気的構成について、図面を参照して説明する。
図３に示すように、筐体１１に収容される回路部２０は、主に、照明光源２１、受光センサ２３、結像レンズ２５等の光学系と、メモリ３５、制御部４０等のマイクロコンピュータ（以下「マイコン」という）系とを備えている。
【００３１】
光学系は、投光光学系と、受光光学系とに分かれている。投光光学系を構成する照明光源２１は、照明光Ｌｆを発光可能な照明手段として機能するもので、例えば、赤色のＬＥＤとこのＬＥＤの出射側に設けられるレンズとから構成されている。
【００３２】
受光光学系は、受光センサ２３、結像レンズ２５などによって構成されている。受光センサ２３は、例えば、Ｃ−ＭＯＳやＣＣＤ等の固体撮像素子である受光素子を二次元に配列したエリアセンサとして構成されるものであり、略方形状の受光領域として受光面２３ａを有するように構成されている。この受光センサ２３は、結像レンズ２５を介して入射する入射光を受光面２３ａにて受光可能にプリント配線板（図示略）に実装されている。
【００３３】
結像レンズ２５は、外部から読取口１３を介して入射する入射光を集光して受光センサ２３の受光面２３ａに像を結像可能な結像光学系として機能するものである。本実施形態では、照明光源２１から照射された照明光Ｌｆが情報コードＣやこの情報コードＣが付された読取対象Ｒにて反射するようになっており、この反射光Ｌｒを結像レンズ２５で集光し、受光センサ２３の受光面２３ａにコード像を結像させている。
【００３４】
マイコン系は、増幅回路３１、Ａ／Ｄ変換回路３３、メモリ３５、アドレス発生回路３６、同期信号発生回路３８、制御部４０、スイッチ部５０、発光部４３、ブザー４４、バイブレータ４５、通信インタフェース４８等から構成されている。
【００３５】
光学系の受光センサ２３から出力される画像信号（アナログ信号）は、増幅回路３１に入力されることで所定ゲインで増幅され、その後、Ａ／Ｄ変換回路３３に入力されてアナログ信号からディジタル信号に変換される。そして、ディジタル化された画像信号、つまり画像データ（画像情報）は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどの公知の記憶媒体によって構成されたメモリ３５に入力され、所定の格納領域に蓄積される。なお、同期信号発生回路３８は、受光センサ２３およびアドレス発生回路３６に対する同期信号を発生可能に構成されており、またアドレス発生回路３６は、この同期信号発生回路３８から供給される同期信号に基づいて、メモリ３５に格納される画像データの格納アドレスを発生可能に構成されている。
【００３６】
制御部４０は、情報読取装置１０全体を制御可能なマイコンで、ＣＰＵ、システムバス、入出力インタフェース等からなるもので、メモリ３５とともに情報処理装置を構成し得るもので情報処理機能を有する。制御部４０は、メモリ３５に記憶される情報コードの画像データを解析して当該情報コードに記録されたデータを公知の解読方法で解読する読取処理を行うように構成されている。なお、制御部４０は、受光センサ２３とともに、読取対象の情報を読み取り可能な「情報読取部」の一例に相当し得る。
【００３７】
また、制御部４０は、内蔵された入出力インタフェースを介して種々の入出力装置と接続可能に構成されており、本実施形態の場合、発光部４３、ブザー４４、バイブレータ４５、通信インタフェース４８等が接続されている。これにより、例えば、発光部４３の点灯、非点灯、ビープ音やアラーム音を発生可能なブザー４４の鳴動のオンオフ、バイブレータ４５の駆動制御、通信インタフェース４８の制御等を可能にしている。
【００３８】
特に、本実施形態では、図２（Ａ）に示すように、バイブレータ４５は、タッチ検出位置１５よりも把持部側であって、読取対象に向けられる読取口１３が設けられる筐体１１の一方の端部から離れたケーブル取付部１４（他方の端部）の近傍に配置される。このバイブレータ４５は、例えば、情報コードの読み取り成功時やタッチ検出位置１５へのタッチ検出時に、制御部４０により制御されて振動するように機能する。なお、バイブレータ４５は、「振動部」の一例に相当し得る。
【００３９】
また、制御部４０には、タッチ検出位置１５に対するタッチ（接触）の有無に応じた信号を制御部４０に出力するためのスイッチ部５０が接続されている。制御部４０は、スイッチ部５０を利用してタッチ検出位置１５に対するタッチの有無を検出する検出部として機能し、タッチ検出位置１５に対するタッチが検出されると、上記読取処理を開始する。
【００４０】
スイッチ部５０は、静電容量方式のタッチセンサ５１と、タッチ検出回路６０とを備えている。タッチセンサ５１は、センサ基板等に実装されて、図２（Ａ）に示すように、タッチ検出位置１５に対して上ケース１１ａの内面側から対向するように筐体１１内に配置されている。これにより、タッチ検出位置１５をタッチした場合に、タッチした指等の静電容量Ｃｆがタッチセンサ５１に追加されることとなる。
【００４１】
タッチ検出回路６０は、制御部４０からのスイッチング信号ＣＬＫを受けて、タッチセンサ５１の静電容量をカウント値Ｎに変換して取得するための回路である。このタッチ検出回路６０の機能について、図４を参照して詳述する。
タッチ検出回路６０は、図４に示すように、スイッチング素子６１と、回路保護用抵抗Ｒｏと、コンデンサＣ１と、放電抵抗Ｒ１と、比較器６２とを備えている。電源Ｂからの電力供給により、センサ配線上の浮遊容量Ｃｏには電荷が蓄積されている。
【００４２】
タッチセンサ５１の静電容量を測定する場合には、上記スイッチング信号ＣＬＫに応じたスイッチング素子６１のスイッチング動作に応じて、センサラインの接続を電源Ｂ側と比較器６２側とでスイッチングさせる。比較器６２側に接続されると、浮遊容量Ｃｏに蓄積された電荷がコンデンサＣ１に移動し、比較器６２の負入力電圧Ｖ−が増加する。一方、電源側に接続が切り替わると、負入力電圧Ｖ−が放電抵抗Ｒ１により徐々に減少するとともに、浮遊容量Ｃｏには再び電荷が蓄積される。
【００４３】
このようなスイッチング素子６１のスイッチング動作を繰り返すことにより、徐々に増加した負入力電圧Ｖ−が正入力電圧Ｖｒｅｆを超えると、比較器６２の出力がＨｉからＬｏに切り替わり、制御部４０は、スイッチング信号ＣＬＫの出力を停止する。制御部４０は、比較器６２の出力がＨｉからＬｏに切り替わるまでに要したスイッチング回数をカウントすることで、タッチセンサ５１の静電容量をカウント値Ｎに変換して取得することができる。
【００４４】
そして、タッチ検出位置１５がタッチされると、タッチした指等の静電容量Ｃｆがタッチセンサ５１に追加されることで、センサ側の静電容量はＣｏ＋Ｃｆとなり、蓄積される電荷量が増加する。このため、上述のようにスイッチングを繰り返すと、負入力電圧Ｖ−はタッチしていないときよりも早く正入力電圧Ｖｒｅｆを超えるため、スイッチング回数が少なくなりカウント値Ｎが小さくなる。すなわち、タッチセンサ５１によるカウント値Ｎは、タッチ検出位置１５へのタッチの有無に応じて変動する。
【００４５】
次に、上述のように構成されるタッチ検出回路６０を利用して定期的に計測されるタッチセンサ５１によるカウント値Ｎに基づいて、タッチ検出位置１５へのタッチの有無を検出するために制御部４０にてなされるタッチ検出処理について、詳述する。
【００４６】
上述のように、タッチ検出位置１５にタッチされていない非タッチ状態からタッチされているタッチ状態に変化することでタッチセンサ５１によるカウント値Ｎが小さくなる。また、タッチ状態から非タッチ状態に変化することでタッチセンサ５１によるカウント値Ｎが大きくなる。このため、定期的に測定されるカウント値を比較値としてメモリ３５に順次記憶し、現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される前回の（１つ前の）カウント値に相当する比較値Ｎ１を引いたカウント変化量ΔＮ１がタッチ状態と判定するためのＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となるとタッチ状態への変化を検出し、カウント変化量ΔＮ１が非タッチ状態と判定するためのＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると非タッチ状態への変化を検出することができる。
【００４７】
なお、図６に示すように、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１は、タッチ検出位置１５にタッチすることで変化するカウント値の変化量ΔＮｍｉｎよりも大きくなるように設定され、ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２は、タッチ検出位置１５から指が離されて非タッチ状態となることで変化するカウント値の変化量ΔＮｍａｘよりも小さくなるように設定されて、それぞれ予めメモリ３５に記憶されているものとする。また、比較値は、新しくカウント値が記憶されるごとに、新しいものからＮ１、Ｎ２、Ｎ３・・・としてメモリ３５に記憶されるものとする。また、タッチ状態から非タッチ状態への変化が検出されてその非タッチ状態が所定時間維持されると、メモリ３５に記憶される比較値を消去してもよい。
【００４８】
一方、カウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であると、現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される２つ前のカウント値に相当する比較値Ｎ２を引くようにしてカウント変化量ΔＮ２を算出して、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１及びＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２と比較する。このように算出されたカウント変化量ΔＮ２もＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下となると、現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される３つ前のカウント値に相当する比較値Ｎ３を引くようにしてカウント変化量ΔＮ３を算出して、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１及びＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２と比較する。
【００４９】
すなわち、本実施形態では、現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される前回以前の過去の（ｘ個前の）カウント値に相当する比較値Ｎｘを引くようにして順次算出したカウント変化量ΔＮｘを、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１及びＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２とそれぞれ比較する。そして、いずれかのカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となることでタッチ状態への変化を検出し、いずれかのカウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えることで非タッチ状態への変化を検出する。
【００５０】
以下、制御部４０にてなされるタッチ検出処理について、図５に示すフローチャートを参照して詳述する。
制御部４０によりタッチ検出処理が開始されると、図５のステップＳ１０１にて、現在のカウント値Ｎと比較すべき比較値Ｎｘを特定するための番号ｘが１に設定される。次に、ステップＳ１０３に示す判定処理にて、ｘ個前の比較値Ｎｘがメモリ３５に記憶されているか否かについて判定され、ｘ＝１であることから、１つ前のカウント値に相当する比較値Ｎ１がメモリ３５に記憶されていると（Ｓ１０３でＹｅｓ）、ｘ＝１であることから現在のカウント値Ｎから比較値Ｎ１を引くようにしてカウント変化量ΔＮ１が算出される（Ｓ１０５）。
【００５１】
続いて、ステップＳ１０７の判定処理にて、上述のように算出されたカウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満であるか否かについて判定され、タッチ検出位置１５にタッチしたことでカウント変化量ΔＮ１が前回から大きく変化していることから、カウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満であると（Ｓ１０７でＹｅｓ）、タッチ状態を推定可能な所定の変化状態であるとして、タッチ状態であると判定される（Ｓ１１５）。また、タッチ検出位置１５から指を離したことでカウント変化量ΔＮ１が前回から大きく変化していることから、カウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であり（Ｓ１０７でＮｏ）、ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると（Ｓ１０９でＹｅｓ）、非タッチ状態を推定可能な所定の変化状態であるとして、非タッチ状態であると判定される（Ｓ１１７）。このように、タッチ状態及び非タッチ状態のいずれかであると判定されると、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００５２】
一方、カウント変化量ΔＮ１が前回からあまり変化していないことからカウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であると（Ｓ１０９でＮｏ）、番号ｘがインクリメント（ｘ＝ｘ＋１）されて（Ｓ１１１）、上記ステップＳ１０３の判定処理がなされる。そして、ｘ個前の比較値Ｎｘがメモリ３５に記憶されていないか、カウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になるか、カウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えるまで、上記ステップＳ１０３からの処理が繰り返される。
【００５３】
そして、上記ステップＳ１０３からの繰り返し処理中に、ｘ個前の比較値Ｎｘについて、カウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になると、ステップＳ１０７にてＹｅｓと判定されて、タッチ状態であると判定される（Ｓ１１５）。続いて、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００５４】
また、上記ステップＳ１０３からの繰り返し処理中に、ｘ個前の比較値Ｎｘについて、カウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると、ステップＳ１０９にてＹｅｓと判定されて、非タッチ状態であると判定される（Ｓ１１７）。続いて、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００５５】
また、上記ステップＳ１０３からの繰り返し処理中に、ｘ個前の比較値Ｎｘがメモリ３５に記憶されていない場合には、ステップＳ１０３にてＮｏと判定されて、現状がタッチ状態であればタッチ状態が維持され、現状が非タッチ状態であれば非タッチ状態が維持されるように、変更されず（Ｓ１１３）、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００５６】
ここで、制御部４０にてなされるタッチ検出処理に関して、図６を参照して、タッチ検出位置１５に対してゆっくりタッチした後にゆっくり離した場合について、具体的なカウント値の変化を例に詳述する。なお、説明開始時点は時刻ｔｂであって、非タッチ状態が検出されている状態でメモリ３５には時刻ｔａでのカウント値Ｎａが比較値Ｎ１として記憶されているものとする。なお、本実施形態での検出間隔（時刻ｔａと時刻ｔｂとの時間差）は、２０ｍｓに設定されているが、これに限らず、例えば、１００ｍｓ等、１０ｍｓ以上５００ｍｓ以下にて設定されてもよい。情報読取装置は人が操作を行うことが多く、タッチに対して即座に反応することが求められるため、タッチ状態か非タッチ状態かの判断基準となるカウント値を取得する測定間隔が５００ｍｓより長くなると、利用者は情報読取装置の反応が悪いと感じてしまうからである。また、人が操作を行うため操作のスピードには限界があるため、１０ｍｓより短くしても体感できず意味がないからである。
【００５７】
図６に示すように、時刻ｔｂになり、ｘ＝１に設定され（Ｓ１０１）、１個前の比較値（カウント値Ｎａ）がメモリ３５に記憶されていることから（Ｓ１０３でＹｅｓ）、現在のカウント値Ｎｂからカウント値Ｎａを引くようにしてカウント変化量ΔＮ１が算出される。このように算出されたカウント変化量ΔＮ１は、図６に示すように、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であるため（Ｓ１０９でＮｏ）、ｘ＝２にインクリメントされる（Ｓ１１１）。そして、２個前の比較値がメモリ３５に記憶されていないことから（Ｓ１０３でＮｏ）、非タッチ状態のまま現状から変更されず（Ｓ１１３）、カウント値Ｎｂが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００５８】
次の時刻ｔｃでのタッチ検出処理では、現在のカウント値Ｎｃから１つ前の比較値であるカウント値Ｎｂを引くようにしてカウント変化量ΔＮ１が算出される（Ｓ１０５）。このように算出されたカウント変化量ΔＮ１は、図６に示すように、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であるため（Ｓ１０９でＮｏ）、ｘ＝２にインクリメントされる（Ｓ１１１）。そして、２個前の比較値がメモリ３５に記憶されているため（Ｓ１０３でＹｅｓ）、現在のカウント値Ｎｃから２つ前の比較値であるカウント値Ｎａを引くようにしてカウント変化量ΔＮ２が算出される（Ｓ１０５）。このように算出されたカウント変化量ΔＮ２は、図６に示すように、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であるため（Ｓ１０９でＮｏ）、ｘ＝３にインクリメントされる（Ｓ１１１）。そして、３個前の比較値がメモリ３５に記憶されていないことから（Ｓ１０３でＮｏ）、非タッチ状態のまま現状から変更されず（Ｓ１１３）、カウント値Ｎｃが比較値としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００５９】
次の時刻ｔｄでのタッチ検出処理では、現在のカウント値Ｎｄから１つ前の比較値であるカウント値Ｎｃを引くようにしてカウント変化量ΔＮ１が算出される（Ｓ１０５）。このように算出されたカウント変化量ΔＮ１は、図６に示すように、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であるため（Ｓ１０９でＮｏ）、ｘ＝２にインクリメントされる（Ｓ１１１）。そして、現在のカウント値Ｎｄから２つ前の比較値であるカウント値Ｎｂを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ２がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上であって（Ｓ１０７でＮｏ）ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下であるため（Ｓ１０９でＮｏ）、ｘ＝３にインクリメントされる（Ｓ１１１）。そして、図６に示すように、現在のカウント値Ｎｄから３つ前の比較値であるカウント値Ｎａを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ３がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となることで（Ｓ１０７でＹｅｓ）、タッチ状態であると判定され（Ｓ１１５）、カウント値Ｎｄが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６０】
次の時刻ｔｅでのタッチ検出処理では、上述のようにカウント変化量ΔＮｘを順次算出し、図６に示すように、現在のカウント値Ｎｅから３つ前の比較値であるカウント値Ｎｂを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ３がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となることで（Ｓ１０７でＹｅｓ）、タッチ状態であると判定され（Ｓ１１５）、カウント値Ｎｅが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６１】
次の時刻ｔｆでのタッチ検出処理では、上述のようにカウント変化量ΔＮｘを順次算出し、図６に示すように、現在のカウント値Ｎｆから３つ前の比較値であるカウント値Ｎｃを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ３がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となることで（Ｓ１０７でＹｅｓ）、タッチ状態であると判定され（Ｓ１１５）、カウント値Ｎｆが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６２】
次の時刻ｔｇでのタッチ検出処理では、上述のようにカウント変化量ΔＮｘを順次算出し、図６に示すように、現在のカウント値Ｎｇから４つ前の比較値であるカウント値Ｎｃを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ４がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満となることで（Ｓ１０７でＹｅｓ）、タッチ状態であると判定され（Ｓ１１５）、カウント値Ｎｇが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６３】
次の時刻ｔｈや時刻ｔｉでのタッチ検出処理では、上述のように算出された全てのカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１以上ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２以下となり、現状から変更されずにタッチ状態が維持されて（Ｓ１１３）、カウント値Ｎｈやカウント値Ｎｉが比較値Ｎ１としてそれぞれメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６４】
次の時刻ｔｊでのタッチ検出処理では、上述のようにカウント変化量ΔＮｘを順次算出し、図６に示すように、現在のカウント値Ｎｊから３つ前の比較値であるカウント値Ｎｇを引くように算出されたカウント変化量ΔＮ３がＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えることで（Ｓ１０９でＹｅｓ）、非タッチ状態であると判定され（Ｓ１１７）、カウント値Ｎｊが比較値としてメモリ３５に追加されるように記憶される（Ｓ１１９）。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態に係る情報読取装置１０では、読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置１５に静電容量方式のタッチセンサ５１が配置され、メモリ３５には、スイッチ部５０を利用して取得されるカウント値（検出値）が定期的に比較値として記憶される。そして、制御部４０にてなされるタッチ検出処理では、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも小さくなるようにタッチセンサ５１によるカウント値を取得し、現在のカウント値からメモリ３５に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値であるカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になる所定の変化状態となると、タッチ状態を検出する。
【００６６】
これにより、タッチ検出に関してノイズの影響を抑制するためにＯＮ閾値ΔＮｔｈ１を小さな値に設定した場合に、ゆっくりタッチしたためにタッチセンサ５１による現在のカウント値Ｎから前回のカウント値（比較値Ｎ１）を引いた値がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満にならなくても、前回よりさらに前のカウント値と現在のカウント値Ｎとの差は、より前のカウント値ほど大きくなる。このため、タッチセンサ５１による現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される複数の比較値Ｎｘのいずれか１つ（すなわち、過去のカウント値）を引いたカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になることで、タッチ状態が検出される。したがって、静電容量方式のタッチセンサ５１を採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出することができる。なお、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１は、「所定の閾値」一例に相当し得る。
【００６７】
さらに、制御部４０にてなされるタッチ検出処理では、現在のカウント値Ｎからメモリ３５に記憶される複数の比較値Ｎｘのいずれか１つを引いた値であるカウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超える状態となると、非タッチ状態を検出する。これにより、タッチ検出位置１５からゆっくり指等を離すような非タッチ状態でも、ノイズの影響を抑制しつつ精度良く検出することができる。なお、ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２は、「第２の閾値」一例に相当し得る。
【００６８】
また、バイブレータ４５は、図２（Ａ）に示すように、読取対象に向けられる読取口１３が設けられる筐体１１の一方の端部から離れた他方の端部に配置される。これにより、バイブレータ４５が振動するために読取対象に向けた読取口１３がぶれることもなく、バイブレータ４５の振動に起因するノイズが読取口１３近傍に設けられる読取用の受光センサ２３等に対して影響することを抑制することができる。
【００６９】
また、筐体１１は、上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂが複数の係合箇所にて係合されることで構成されるため、上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂを固定するネジ部材等が不要となる。このため、異物混入を極力抑制すべき作業環境、例えば、食品を扱う作業環境等で情報読取装置１０を利用する場合でも、駆動部分がないタッチ検出位置１５部分に異物が溜まり難くなるだけでなく、脱落するようなケース固定用のネジ部材等もないので、異物混入防止を容易に図ることができる。
【００７０】
なお、上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂがネジ部材を利用して組み付けられることで筐体１１が構成されるような場合には、本実施形態の第３変形例として、ネジ部材を外面側から覆う被覆部を設けてもよい。例えば、図７（Ａ）に例示するように、ネジ部材１６が締結されるザグリ部分１７を接着剤等からなる被覆部１８ａにて埋めることで、ネジ部材１６を外面側から覆ってもよい。また、図７（Ｂ）に例示するように、ネジ部材１６が締結される部分を含めるように筐体１１の外面全体又は一部をフィルム等からなる被覆部１８ｂで覆ってもよい。これにより、異物混入を極力抑制すべき作業環境で情報読取装置１０を利用する場合でも、駆動部分がないタッチ検出位置１５部分に異物が溜まり難くなるだけでなく、被覆部（１８ａ，１８ｂ）によってケース固定用のネジ部材１６等が脱落するようなこともないので、異物混入防止を容易に図ることができる。
【００７１】
なお、上述のように異物混入防止を図り得る筐体１１は、上ケース１１ａ及び下ケース１１ｂが組み付けられて構成されることに限らず、２以上のケースが同様にして組み付けられて構成されても上述のような効果を奏する。また、例えば、無線通信機能及び充電機能を備えることによりケーブル取付部１４を廃止するように情報読取装置を構成することで、ケーブル等の汚れ付着部位をさらに無くして異物混入防止効果をさらに高めることができる。
【００７２】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る情報読取装置について、図８を参照して説明する。
本第２実施形態では、タッチ状態を推定可能な変化状態が連続する場合にタッチ状態であると判定し、非タッチ状態を推定可能な変化状態が連続する場合に非タッチ状態であると判定する点が主に上記第１実施形態と異なる。このため、第１実施形態と実質的に同様の構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００７３】
タッチ検出位置１５にタッチされることなく静電気等に起因してタッチセンサ５１による現在のカウント値Ｎが小さく計測されてしまうと、このように小さくなった現在のカウント値Ｎから前回のカウント値（最新の比較値）を引いたカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になってしまい、タッチ状態であると誤検出される可能性が有る。また、逆に静電気等に起因してタッチセンサ５１による現在のカウント値Ｎが大きく計測されてしまうと、このように大きくなった現在のカウント値Ｎから前回のカウント値（最新の比較値）を引いたカウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えてしまい、非タッチ状態であると誤検出される可能性が有る。
【００７４】
そこで、本実施形態では、静電気等に起因したタッチ検出に関する誤検出を抑制するため、カウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になると、仮タッチ状態であることを示すフラグを設定し、この仮タッチ状態フラグが設定された次のカウント値でのカウント変化量ΔＮｘもＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になると、タッチ状態を推定可能な変化状態が連続するとしてタッチ状態であると判定する。また、カウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると、仮非タッチ状態であることを示すフラグを設定し、この仮非タッチ状態フラグが設定された次のカウント値でのカウント変化量ΔＮｘもＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると、非タッチ状態を推定可能な変化状態が連続するとして非タッチ状態であると判定する。
【００７５】
以下、本実施形態において制御部４０にてなされるタッチ検出処理について、図８に示すフローチャートを参照して詳述する。
制御部４０によりタッチ検出処理が開始され、図８のステップＳ１０５にて算出されたカウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になると（Ｓ１０７でＹｅｓ）、ステップＳ１１４の判定処理がなされ、仮タッチ状態であるか否かについて判定される。ここで、前回のカウント値ではカウント変化量ΔＮ１がＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満にならず、仮タッチ状態フラグが設定されていなければ、仮タッチ状態でないとして、ステップＳ１１４にてＮｏと判定される。この場合には、ステップＳ１１４ａにて、仮タッチ状態フラグが設定され、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００７６】
このように仮タッチ状態フラグが設定された次のカウント値でもカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満になると（Ｓ１０７でＹｅｓ）、前回仮タッチ状態であるため（Ｓ１１４でＹｅｓ）、タッチ状態を推定可能な変化状態が連続するとしてタッチ状態であると判定される（Ｓ１１５）。
【００７７】
一方、ステップＳ１０５にて算出されたカウント変化量ΔＮ１がＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると（Ｓ１０９でＹｅｓ）、ステップＳ１１６の判定処理がなされ、仮非タッチ状態であるか否かについて判定される。ここで、前回のカウント値ではカウント変化量ΔＮ１がＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えておらず、仮非タッチ状態フラグが設定されていなければ、仮非タッチ状態でないとして、ステップＳ１１６にてＮｏと判定される。この場合には、ステップＳ１１６ａにて、仮非タッチ状態フラグが設定され、現在のカウント値Ｎが比較値Ｎ１としてメモリ３５に追加されるように記憶されて（Ｓ１１９）、本タッチ検出処理が終了する。
【００７８】
このように仮非タッチ状態フラグが設定された次のカウント値でもカウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えると（Ｓ１０９でＹｅｓ）、前回仮非タッチ状態であるため（Ｓ１１６でＹｅｓ）、非タッチ状態を推定可能な変化状態が連続するとして非タッチ状態であると判定される（Ｓ１１７）。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態に係る情報読取装置１０では、タッチ状態を推定可能な変化状態（所定の変化状態）が連続するとタッチ状態が検出され、非タッチ状態を推定可能な変化状態が連続すると非タッチ状態が検出される。
【００８０】
このように、タッチ状態の検出に関して、静電気等の影響のために一時的にタッチ状態を推定可能な変化状態となっても、静電気等の影響がない次のカウント値では前回のカウント値（静電気等の影響を受けて記憶された比較値）を引いたカウント変化量ΔＮｘがＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満にならず、メモリ３５に記憶される各比較値を引いた値のいずれもＯＮ閾値ΔＮｔｈ１未満にならないため、タッチ状態を推定可能な変化状態とならない。また、非タッチ状態の検出に関して、静電気等の影響のために一時的に非タッチ状態を推定可能な変化状態となっても、静電気等の影響がない次のカウント値では前回のカウント値を引いたカウント変化量ΔＮｘがＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えず、メモリ３５に記憶される各比較値を引いた値のいずれもＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を超えないため、非タッチ状態を推定可能な変化状態とならない。したがって、このような場合には、連続して所定の変化状態とならないため、静電気等に起因したタッチ検出に関する誤検出を抑制することができる。
【００８１】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る情報読取装置について、図９を参照して説明する。
本第３実施形態では、カウント変化量ΔＮ１が所定の変化量以下になる場合にはタッチセンサ５１による検出間隔を長くする点が主に上記第１実施形態と異なる。例えば、図９に例示するように、カウント変化量ΔＮ１が所定の変化量以下になる場合のタッチセンサ５１による検出間隔を１００ｍｓ、カウント変化量ΔＮ１が所定の変化量未満になる場合のタッチセンサ５１による検出間隔を２０ｍｓとする。
【００８２】
タッチセンサ５１による現在のカウント値と前回のカウント値との差が小さくなるような場合には、詳細にタッチ検出に関する処理を行う必要もないので、このような場合にはタッチセンサ５１による検出間隔を長くすることで、タッチ検出に関する処理負荷の軽減や省電力化を図ることができる。
【００８３】
なお、本実施形態の変形例として、非タッチ状態でのタッチセンサ５１による検出間隔を、タッチ状態でのタッチセンサ５１による検出間隔よりも長くなるように設定してもよい。読み取り開始時にタッチ検出位置１５がタッチされその読み取りが終了するとタッチされなくなることから、非タッチ状態はタッチ状態よりも長くなりやすく、このように長くなる非タッチ状態にてタッチセンサ５１による検出間隔を長くすることで、タッチ検出に関する処理負荷の軽減や省電力化を図ることができる。一方、タッチ状態ではタッチセンサ５１による検出間隔が相対的に短くなるため、非タッチ状態への移行を即座に検出できるため、タッチ状態と検出されたことによりなされる処理等を迅速に終えることができ、省電力化を図ることができる。
【００８４】
なお、タッチセンサ５１による検出間隔を調整する本実施形態及び変形例の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。
【００８５】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る情報読取装置について、図１０を参照して説明する。
本第４実施形態では、ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１やＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２の値を調整するための情報コードを用意している点が主に上記第１実施形態と異なる。すなわち、例えば、タッチ状態検出に関してその感度を、通常設定、鈍感設定、敏感設定の３種類で調整したい場合には、図１０に例示するように、通常設定に関する調整情報が記録されたバーコードＢ１と、鈍感設定に関する調整情報が記録されたバーコードＢ２と、敏感設定に関する調整情報が記録されたバーコードＢ３とがそれぞれ表示される閾値調整用媒体７０を用意する。
【００８６】
そして、利用者は、上記鈍感設定にしたい場合には、読取口１３を閾値調整用媒体７０のバーコードＢ２に向けてタッチ検出位置１５をタッチ操作することで、バーコードＢ２に記憶される調整情報が読み取られ、制御部４０によりその読み取られた調整情報に応じてＯＮ閾値ΔＮｔｈ１が上記鈍感設定となるように調整される。また、利用者は、上記敏感設定にしたい場合には、読取口１３を閾値調整用媒体７０のバーコードＢ３に向けてタッチ検出位置１５をタッチ操作することで、バーコードＢ３に記憶される調整情報が読み取られ、制御部４０によりその読み取られた調整情報に応じてＯＮ閾値ΔＮｔｈ１が上記敏感設定となるように調整される。また、利用者は、上記通常設定に戻したい場合には、読取口１３を閾値調整用媒体７０のバーコードＢ１に向けてタッチ検出位置１５をタッチ操作することで、バーコードＢ１に記憶される調整情報が読み取られ、制御部４０によりその読み取られた調整情報に応じてＯＮ閾値ΔＮｔｈ１が上記通常設定となるように調整される。
【００８７】
なお、上記通常設定としては、例えば、指がタッチ検出位置１５から１ｍｍ程度離れた状態（手袋をした状態等）でもタッチ検出位置１５へのタッチが検出可能な設定が想定される。また、上記鈍感設定としては、例えば、指がタッチ検出位置１５に直接タッチしないとタッチ検出位置１５へのタッチが検出されないような設定が想定される。また、上記敏感設定としては、例えば、指がタッチ検出位置１５から２ｍｍ程度離れた状態（厚手の手袋をした状態等）でもタッチ検出位置１５へのタッチが検出可能な設定が想定される。
【００８８】
また、同様に、非タッチ状態検出に関してその感度を調整するための複数のバーコードを用意することで、ＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を調整することができる。
【００８９】
このように、本実施形態では、閾値調整用媒体７０に表示される各バーコードから読み取った調整情報に基づいて、閾値調整部として機能する制御部４０によりＯＮ閾値ΔＮｔｈ１やＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２が調整されるため、当該ＯＮ閾値ΔＮｔｈ１やＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２を各バーコードの読み取りに応じて容易に調整することができる。すなわち、利用者がタッチ検出位置１５のタッチ検出に関して自分の好みの検出感度に容易にあわせることができ、情報読取装置として利便性を高めることができる。
【００９０】
なお、調整情報が記録される情報コードは、バーコードに限らず、ＱＲコード等、他の種別の情報コードであってもよい。また、調整情報が記録される情報コードは、上述したように３つ用意されることに限らず、その使用環境や利用者等に応じて、２つ用意されてもよいし、４つ以上用意されてもよい。
【００９１】
また、情報コードの読み取り結果を利用してＯＮ閾値ΔＮｔｈ１やＯＦＦ閾値ΔＮｔｈ２の値を調整する本実施形態の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。
【００９２】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る情報読取装置について、図１１及び図１２を参照して説明する。
本第５実施形態では、所定の特徴部を有する光学的情報に読取口が向けられると自動的に光が照射される点が主に上記第１実施形態と異なる。このため、第１実施形態と実質的に同様の構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００９３】
本実施形態において制御部４０にてなされる読取処理では、図１１に例示する撮像画像Ｐのように、例えば、所定の特徴部として予め登録されているＱＲコードＱの３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３が撮像されると、特別な操作を要することなく自動的に照明光源２１から照明光Ｌｆが照射される。すなわち、ＱＲコードＱに読取口１３を向けるとそのＱＲコードＱに向けて照明光Ｌｆが照射される。
【００９４】
このように、照明光Ｌｆは、撮像されているＱＲコードＱに照射されるので、自動的に照射される照明光Ｌｆをみた利用者は、その照明光Ｌｆが照射されるＱＲコードＱが読み取り可能な状態であることを知得することができる。なお、制御部４０は、受光センサ２３とともに、所定の特徴部を有する光学的情報を撮像することで当該光学的情報を光学的に読み取る「光学的情報読取部」の一例に相当し得る。また、受光センサ２３は、「撮像部」の一例に相当し、照明光源２１は、受光センサ２３の撮像視野に向けて光を照射可能な「照射部」の一例に相当し得る。
【００９５】
以下、本実施形態において、制御部４０にて行われる読取処理について、図１２に示すフローチャートを参照して詳述する。なお、本実施形態では、上記所定の特徴部として、ＱＲコードＱの３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３が予め設定されてメモリ３５に記憶されているものとする。
【００９６】
制御部４０にて読取処理が開始されると、図１２のステップＳ２０１に示す撮像処理がなされ、読取口１３を介した撮像視野を撮像可能な状態となる。そして、撮像画像の明暗パターンから、メモリ３５に予め記憶される所定の特徴部を抽出するように算出するための処理がなされる（Ｓ２０３）。そして、ステップＳ２０５の判定処理にて、所定の特徴部が検出されるか否かについて判定され、所定の特徴部が検出されない場合には（Ｓ２０５でＮｏ）、ステップＳ２１１の判定処理に移行する。
【００９７】
一方、図１１に例示するように、ＱＲコードＱが撮像されるために３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３が撮像されて検出されると（Ｓ２０５でＹｅｓ）、照明光Ｌｆの点灯の有無を判断するためのタイマＴｍが設定される（Ｓ２０９）。なお、上記ステップＳ２０５の判定処理を行う制御部４０は、「判定部」の一例に相当し得る。
【００９８】
続いて、ステップＳ２１１の判定処理にて、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過してタイムアウトしているか判定され、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過していなければ（Ｓ２１１でＮｏ）、照明光源２１から照明光Ｌｆが照射されて点灯状態となる（Ｓ２１３）。
【００９９】
続いて、ステップＳ２１５に示す判定処理にて、タッチ検出位置１５がタッチされるタッチ操作がなされているか否かについて判定される。そして、タッチ操作されていなければ（Ｓ２１５でＮｏ）、上記ステップＳ２０１からの処理が繰り返される。そして、タッチ検出位置１５がタッチされると（Ｓ２１５でＹｅｓ）、撮像した３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３を有するＱＲコードＱをデコードして解読するための処理がなされる（Ｓ２１７）。
【０１００】
一方、タッチ検出位置１５がタッチされることなくタイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過してタイムアウトになると（Ｓ２１１でＹｅｓ）、再び消灯状態となり（Ｓ２０７）、上記ステップＳ２０１からの処理が繰り返される。
【０１０１】
以上説明したように、本実施形態に係る情報読取装置１０では、受光センサ２３の撮像視野に向けて照明光Ｌｆを照射可能な照明光源２１は、受光センサ２３により所定の特徴部が撮像されていると判定されると（Ｓ２０５でＹｅｓ）、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過するまで照明光Ｌｆを照射する（Ｓ２１３）。
【０１０２】
これにより、所定の特徴部を有する光学的情報に向けて読取口１３を向けるだけで、タッチ検出位置１５へのタッチ等の操作をすることなく照明光源２１からの照明光Ｌｆが受光センサ２３の撮像視野に向けて照射される。このため、その照明光源２１からの照明光Ｌｆを利用することで、読取対象である光学的情報を受光センサ２３の撮像視野内に容易に入れることができる。
【０１０３】
特に、タッチ検出位置１５へのタッチが検出されない状態であって（Ｓ２１５でＮｏ）、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過する前では（Ｓ２１１でＮｏ）、上記所定の特徴部が撮像されていると判定されても撮像した光学的情報の読み取りが行われない。これにより、読取対象と異なる光学的情報の所定の特徴部が撮像されても、タッチ検出位置１５へタッチしない限りその光学的情報を読み取るための処理がなされることもないので、不要な読み取り処理を行うことなく読取対象を撮像視野に入れることができる。すなわち、目的の読取対象の周囲に読取対象と異なる複数の情報コード等が存在していても、目的の読取対象に読取口１３を向けた状態でタッチ検出位置１５へのタッチ操作を行うことで、正確な読み取りが可能となる。
【０１０４】
なお、受光センサ２３による撮像範囲を示すマーカ光を照射する情報読取装置であれば、照明光源２１による照明光Ｌｆと同期させてマーカ光を照射してもよい。また、受光センサ２３により所定の特徴部が撮像されていると判定されると、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過するまでマーカ光を照射して、タッチ検出位置１５へのタッチ検出後に照明光源２１により照明光Ｌｆを照射するようにしてもよい。
【０１０５】
また、所定の特徴部は、ＱＲコードの３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３に限らず、他の情報コードの特徴的パターン、例えば、バーコードのスタートキャラクタやストップキャラクタでもよい。また、所定の特徴部は、例えば、公知の記号認識処理機能（ＯＣＲ）を利用することで光学的に読み取り可能な文字情報等に付加される所定の特徴的図形や特定の文字等であってもよい。
【０１０６】
なお、所定の特徴部を有する光学的情報に読取口が向けられると自動的に光が照射される本実施形態の特徴的構成は、他の実施形態等にも適用することができる。
【０１０７】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態に係る情報読取装置について、図１３を参照して説明する。
本第６実施形態では、所定の特徴部が検出されない場合でも照明光の照射を可能とする点が主に上記第５実施形態と異なる。このため、第５実施形態と実質的に同様の構成部分には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０８】
上記第５実施形態における読取処理では、所定の特徴部を有する光学的情報に関して周囲照度が低くなると、その光学的情報に読取口１３を向けた状態で撮像された撮像画像から所定の特徴部が検出されない場合がある。このように所定の特徴部が検出されない場合には、照明光Ｌｆが照射されないため、照度不足のために光学的情報を読み取れない状態が継続する可能性がある。
【０１０９】
そこで、本実施形態における読取処理では、撮像画像から所定の特徴部が検出されない場合であっても、タッチ検出位置１５に対するタッチ操作が検出されることで、照明光Ｌｆが照射された状態で撮像処理を行い、この撮像画像についてデコードして解読するための処理がなされる。
【０１１０】
以下、本実施形態において、制御部４０にて行われる読取処理について、図１３に示すフローチャートを参照して詳述する。なお、本実施形態においても、光学的情報としてＱＲコードＱが採用され、上記所定の特徴部として、ＱＲコードＱの３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３が予め設定されてメモリ３５に記憶されているものとする。
【０１１１】
制御部４０にて読取処理が開始されると、上記第５実施形態と同様に、読取口１３を介した撮像視野を撮像可能な状態となり（図１３のＳ２０１）、その撮像画像の明暗パターンから上記所定の特徴部（３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３）を抽出するための処理がなされる（Ｓ２０３）。そして、所定の特徴部が検出されると（Ｓ２０５でＹｅｓ）、照明光Ｌｆの点灯の有無を判断するためのタイマＴｍが設定されて（Ｓ２０９）、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過するまで（Ｓ２１１でＮｏ）、照明光源２１から照明光Ｌｆが照射されて点灯状態となる（Ｓ２１３）。
【０１１２】
一方、撮像画像から上記所定の特徴部が検出されない場合には（Ｓ２０５でＮｏ）、ステップＳ２１９の判定処理にて、タッチ検出位置１５がタッチされるタッチ操作がなされているか否かについて判定される。ここで、タッチ操作されていなければ（Ｓ２１９でＮｏ）、上記ステップＳ２１１以降の処理がなされる。
【０１１３】
これに対して、所定の特徴部が検出されない状態にてタッチ操作が検出されると（Ｓ２１９でＹｅｓ）、照明光Ｌｆの点灯の有無を判断するためのタイマＴｍが設定される（Ｓ２０９）。そして、タイマＴｍが所定の時間Ｔｏを経過していないことから（Ｓ２１１でＮｏ）、照明光源２１から照明光Ｌｆが照射されて点灯状態となる（Ｓ２１３）。すなわち、所定の特徴部が検出されない状態にてタッチ操作が検出されると、照明光Ｌｆが照射される点灯状態となる。
【０１１４】
そして、上述のようにタッチ操作していることからステップＳ２１５の判定処理にてＹｅｓと判定されると、ステップＳ２２１の判定処理において、上記ステップＳ２０５の判定処理にて所定の特徴部が検出されているか否かについて判定される。ここで、上述のように所定の特徴部が検出されない状態にてタッチ操作が検出されると（Ｓ２２１でＮｏ）、照明光Ｌｆが照射された状態にて再度読取口１３を介して撮像される（Ｓ２２３）。この場合には、新たに撮像された撮像画像について、３つの位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３を検出し、この検出された各位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３を利用して、ＱＲコードＱをデコードして解読するための処理がなされる（Ｓ２１７）。
【０１１５】
一方、所定の特徴部が検出された状態にてタッチ操作が検出されると（Ｓ２２１でＹｅｓ）、上記第５実施形態と同様に、上記ステップＳ２０１に撮像されたＱＲコードＱを、上記ステップＳ２０３にて検出された各位置検出パターンＦＰ１〜ＦＰ３を利用して、デコードして解読するための処理がなされる（Ｓ２１７）。
【０１１６】
以上説明したように、本実施形態に係る情報読取装置１０では、照明光源２１は、所定の特徴部が撮像されていないと判定される場合（Ｓ２０５でＮｏ）でも、タッチ状態が検出されると（Ｓ２１９でＹｅｓ）、照明光Ｌｆを照射する。これにより、周囲照度が低いために所定の特徴部が検出可能に撮像されない場合でも、タッチ操作が検出されることで、照明光源２１からの照明光Ｌｆが受光センサ２３の撮像視野に向けて照射されるので、照度不足のために光学的情報が読み取れない状態となることを防止することができる。
【０１１７】
なお、本発明は上記各実施形態及び変形例等に限定されるものではなく、例えば、以下のように具体化してもよい。
（１）本発明は、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも小さくなるようにタッチセンサ５１による検出値をカウント値として取得する情報読取装置に適用されることに限らず、タッチ状態となることで非タッチ状態よりも大きくなるようにタッチセンサ５１による検出値を取得する情報読取装置に適用されてもよい。
すなわち、このように構成される情報読取装置は、読取対象の情報を読み取り可能な情報読取部を有し、当該情報読取部による読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置が筐体の外面に設けられる情報読取装置であって、前記タッチ検出位置に配置される静電容量方式のタッチセンサと、前記タッチ検出位置にタッチされるタッチ状態となることでタッチされていない非タッチ状態よりも大きくなるように前記タッチセンサによる検出値を取得し、当該検出値の変化に基づいて前記タッチ状態を検出可能な検出部と、前記検出部により取得される検出値が定期的に比較値として記憶される記憶部と、を備え、前記検出部は、現在の検出値から前記記憶部に記憶される複数の前記比較値のいずれか１つを引いた値が所定の閾値を超える所定の変化状態となると、前記タッチ状態を検出する。
【０１１８】
このような構成では、タッチ検出に関してノイズの影響を抑制するために上記所定の閾値を大きな値に設定した場合に、ゆっくりタッチしたためにタッチセンサ５１による現在の検出値から前回の検出値を引いた値が上記所定の閾値を超えなくても、前回よりさらに前の検出値と現在の検出値との差は、より前の検出値ほど大きくなる。このため、タッチセンサ５１による現在の検出値からメモリ（記憶部）３５に記憶される複数の比較値のいずれか１つ（すなわち、過去の検出値）を引いた値が上記所定の閾値を超えることで、上記所定の変化状態となりタッチ状態が検出される。したがって、静電容量方式のタッチセンサ５１を採用する場合でもノイズの影響を抑制しつつゆっくりしたタッチをも精度良く検出することができる。
【０１１９】
（２）また、上述のような構成では、上記第２実施形態と同様に、上記所定の変化状態が連続する場合にタッチ状態や非タッチ状態を検出してもよい。また、上述のような構成では、現在の検出値からメモリ（記憶部）３５に記憶される複数の比較値のいずれか１つを引いた値が第２の閾値未満になると、非タッチ状態を検出することができる。これにより、タッチ検出位置１５からゆっくり指等を離すような非タッチ状態でも、ノイズの影響を抑制しつつ精度良く検出することができる。
【０１２０】
（３）本発明は、情報コードや文字情報等の光学的情報を光学的に読み取る光学的情報読取装置に適用されることに限らず、読み取りを開始する際にタッチされるタッチ検出位置が筐体の外面に設けられる他の機能を有する情報読取装置、例えば、タッチ検出位置へのタッチが検出されると無線通信による無線タグ等の読み取りを開始する情報読取装置に適用されてもよい。
【符号の説明】
【０１２１】
１０…情報読取装置
１１…筐体
１２…上面
１３…読取口
１５…タッチ検出位置
２３…受光センサ（撮像部，情報読取部，光学的情報読取部）
３５…メモリ（記憶部）
４０…制御部（情報読取部，光学的情報読取部，検出部，閾値調整部）
５０…スイッチ部
５１…タッチセンサ
６０…タッチ検出回路
Ｎ…カウント値（検出値）
Ｎｘ…比較値
ΔＮｘ…カウント変化量
ΔＮｔｈ１…ＯＮ閾値（所定の閾値）
ΔＮｔｈ２…ＯＦＦ閾値（第２の閾値）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2018173933.tif 000011
【図１０】
2018173933.tif 000012
【図１１】
2018173933.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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