(57)【要約】【課題】基板１０、絶縁体膜２０、コイル３０、接合膜４０、磁性体膜５０を有してなるコイル素子であって、コイル素子の撓み等による磁性体膜５０のクラック発生を抑制し、磁気特性の低下を抑制したコイル素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０の一面１０ａ上に、絶縁体膜２０、コイル３０、接合膜４０、磁性体膜５０の順もしくは接合膜４０、磁性体膜５０、絶縁体膜２０、コイル３０の順に積層されたコイル素子であって、磁性体膜５０にクラック５０ｄを誘導するための切り欠き５０ｃを備える。一面１０ａに対する法線方向から見て、コイル３０の内側と外側とを繋ぐように形成された切り欠き５０ｃを起点とし、コイル３０の内側から外側へと横断するクラック５０ｄを備えるコイル素子とする。当該コイル素子の製造方法は、切り欠き５０ｃを備える磁性体膜５０に接合膜４０を形成したシートを貼り付け、クラック５０ｄを形成することを含む。【選択図】図１
2018056305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記一面側に設けられた絶縁体膜（２０）と、
前記絶縁体膜内もしくは前記絶縁体膜上に設けられ、前記一面に対する法線方向を軸として巻回されるように形成されたコイル（３０）と、
前記一面と前記絶縁体膜との間もしくは前記絶縁体膜上の少なくとも一方に設けられ、前記一面と対面する裏面（５０ｂ、５０１ｂ、５０２ｂ）と前記裏面の反対面である表面（５０ａ、５０１ａ、５０２ａ）とを有し、前記表面と前記裏面の少なくとも一方に前記表面側もしくは前記裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹んだ形状の切り欠き（５０ｃ、５０１ｃ、５０２ｃ）を備える磁性体膜（５０、５０１、５０２）と、
前記裏面を覆うように設けられた接合膜（４０、４０１、４０２）と、を備え、
前記磁性体膜は、前記切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ、５０１ｄ、５０２ｄ）が形成され、前記接合膜を介して前記一面もしくは前記絶縁体膜と接合されており、
前記切り欠きは、前記一面に対する法線方向から見て、前記磁性体膜のうち少なくとも前記コイルと重なるコイル形成領域に設けられると共に、前記コイルの内側から外側へと横断するように形成されており、
前記クラックのうち前記コイル形成領域に設けられた部分については、前記法線方向から見て、前記コイルの内側から外側へと横断するように形成されており、
前記接合膜は、樹脂を主材料とし、前記磁性体膜と前記基板もしくは前記コイルとを電気的に絶縁しているコイル素子。
【請求項２】
前記磁性体膜は、少なくとも前記一面と前記絶縁体膜との間に配置され、前記一面と前記絶縁体膜との間に配置された前記磁性体膜に形成された前記切り欠きは、前記磁性体膜のうち前記コイル側の面の反対面に形成されている請求項１に記載のコイル素子。
【請求項３】
前記切り欠きは、前記法線方向から見て、前記コイルの中心から外側へ向かって連続的もしくは断続的に形成されている請求項１または２に記載のコイル素子。
【請求項４】
前記切り欠きのうち前記コイル形成領域に設けられた部分の前記法線方向における深さが、前記切り欠きのうち前記コイル形成領域と異なる領域に設けられた部分の前記法線方向における深さよりも深い請求項１ないし３のいずれか１つに記載のコイル素子。
【請求項５】
一面（１０ａ）を有する基板（１０）を用意することと、
表面（５０ａ、５０１ａ、５０２ａ）と前記表面の反対面である裏面（５０ｂ、５０１ｂ、５０２ｂ）とを有し、前記表面もしくは前記裏面の少なくとも一方に前記表面側もしくは前記裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹む切り欠き（５０ｃ、５０１ｃ、５０２ｃ）を備える磁性体膜（５０、５０１、５０２）を形成することと、
前記磁性体膜のうち前記表面上もしくは前記裏面上に接合膜（４０、４０１、４０２）を形成することと、
前記一面に前記接合膜を介して前記磁性体膜を貼り付けることと、
前記磁性体膜上に絶縁体膜（２０）を形成することと、
前記絶縁体膜内もしくは前記絶縁体膜上に前記一面に対する法線方向を軸として巻回されるコイル（３０）を形成することと、を含み、
前記切り欠きを備える前記磁性体膜を形成することにおいては、前記法線方向から見て、少なくとも前記磁性体膜のうち前記コイルと重なることとなるコイル形成領域に、前記コイルの内側から外側へと横断するように前記切り欠きを形成し、
前記磁性体膜を貼り付けることにおいては、ロールによる加圧により行うと共に、前記加圧により前記磁性体膜に前記切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ、５０１ｄ、５０２ｄ）を形成し、
前記クラックを形成することにおいては、前記法線方向から見て、前記コイル形成領域に、前記コイルの内側から外側へと横断するように前記クラックを形成するコイル素子の製造方法。
【請求項６】
一面（１０ａ）を有する基板を用意することと、
前記一面上に絶縁体膜（２０）を形成することと、
前記絶縁体膜内もしくは前記絶縁体膜上に前記一面に対する法線方向を軸として巻回されるコイル（３０）を形成することと、
表面（５０ａ）と前記表面の反対面である裏面（５０ｂ）とを有し、前記表面もしくは前記裏面の少なくとも一方に前記表面側もしくは前記裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹む切り欠き（５０ｃ）を備える磁性体膜（５０）を形成することと、
前記磁性体膜のうち前記表面上もしくは前記裏面上に接合膜（４０）を形成することと、
前記コイルを形成した後に、前記コイルを形成した前記基板の前記一面側に前記接合膜を介して前記磁性体膜を貼り付けることと、を含み、
前記切り欠きを備える前記磁性体膜を形成することにおいては、前記法線方向から見て、少なくとも前記磁性体膜のうち前記コイルと重なることとなるコイル形成領域に、前記コイルの内側から外側へと横断するように前記切り欠きを形成し、
前記磁性体膜を貼り付けることにおいては、ロールによる加圧により行うと共に、前記加圧により前記磁性体膜に前記切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ）を形成し、
前記クラックを形成することにおいては、前記一面に対する法線方向から見て、前記コイル形成領域に、前記コイルの内側から外側へと横断するように前記クラックを形成するコイル素子の製造方法。
【請求項７】
前記切り欠きを備える前記磁性体膜を形成することにおいては、前記法線方向から見て前記磁性体膜のうち前記コイル形成領域および前記コイル形成領域と異なる領域に前記切り欠きを形成すると共に、前記コイル形成領域に設ける前記切り欠きの深さを前記コイル形成領域と異なる領域に設ける前記切り欠きの深さよりも深くする請求項５または６に記載のコイル素子の製造方法。
【請求項８】
前記切り欠きを備える前記磁性体膜を形成することにおいては、前記法線方向から見て、前記コイルの外側となる領域に前記コイルを囲む前記切り欠きを形成する請求項５ないし７のいずれか１つに記載のコイル素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル構造を有するコイル素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電磁誘導作用を利用したコイル素子、例えばコイルに通電した際の磁束を発生させるインダクタや空隙を介して対向させたコイル間で非接触に電力を伝送するトランスなどが知られている。このようなコイル素子は、コイルと磁性体膜とを有してなり、携帯機器などに実装されている。そのため、コイル素子については、実装される機器の小型化、薄型化に伴って、小型化、薄型化並びに可撓性が必要とされている。
【０００３】
一方、コイル素子に用いられる磁性体膜を構成する磁性体が硬く脆い性質であるため、コイル素子に撓みの力が加わると、磁性体膜にクラックが生じる。磁性体膜にクラックが生じると、コイルから生じる磁束、すなわちコイル磁束が磁性体膜のクラック発生部位から漏れてしまうため、コイル素子の磁気特性が低下する。
【０００４】
なお、磁性体膜のクラック発生による磁束の漏れについては、コイル磁束の方向に対して平行方向に沿ってクラックが生じた場合よりもコイル磁束の方向に対して垂直方向に沿ってクラックが生じた場合の方が大きい。これは、コイル磁束の方向に対して垂直方向に沿ってクラックが生じた場合の方が、コイル磁束をより広範囲で分断することとなるためである。
【０００５】
そこで、硬く脆い磁性体を磁性体膜として使用しつつ、撓みや製造工程での残留応力などの力により生じるコイル素子の磁性体膜のクラック影響を抑えることが検討されている。具体的には、撓み等による力がコイル素子にかかった際に磁性体膜に対して特定の方向へクラックが生じるようにするために、磁性体膜の縦横に一定間隔で凹み部が設けられた構成のコイル素子とする。このような構成のコイル素子とすることで、コイル素子に撓み等の力がかかった際に、磁性体膜に生じるクラックの方向を誘導する方法が検討されている。
【０００６】
しかし、このような従来のコイル素子では、撓みによって磁性体膜のクラックが発生する際に、コイル磁束の方向に対する磁性体膜のクラックの発生方向を完全に制御することができない。そのため、コイル磁束の方向に対して垂直な方向にもクラックが発生することを防ぐことができず、クラックが発生した磁性体膜におけるコイル磁束の漏れは大きい。その結果、磁性体膜でのクラック発生後のコイル素子の磁気特性は、磁性体膜でのクラックが発生する前のコイル素子の磁気特性に比べて大きく低下してしまう。
【０００７】
このような課題を解決するコイル素子としては、特許文献１に記載のコイル素子が挙げられる。特許文献１に記載のコイル素子は、空隙を介して対向するコイルと、該コイルの外側に装着された磁性体シートと、該磁性体シートに並べられた複数の軟磁性体板を有する。特許文献１に記載のコイル素子において磁性体膜として作用する複数の軟磁性体板は、巻回されたコイルに沿って枠体状に並べられ、かつ、コイルの磁束方向に対して平行な方向に隙間ができるように配置されている。
【０００８】
これにより、撓み等の力による軟磁性体板のクラック発生およびそれに伴うコイル磁束の漏れを抑制でき、磁気特性の低下を抑えたコイル素子となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−４１９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１のコイル素子では、磁性体膜でのクラック発生によるコイル磁束の漏れを防ぐことができるものの、配置された磁性体シート間の隙間が広いため、この隙間からコイル磁束が漏れてしまう。つまり、磁性体シート間の隙間に起因する磁気特性の低下を防ぐことができない。また、磁性体シートを並べる工程が必要となるため、コイル素子の製造コストが高くなってしまう。
【００１１】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、コイル磁束の漏れを抑える方向にあらかじめクラックを生じさせた磁性体膜を備え、磁性体膜での新たなクラック発生を抑え、磁気特性の高いコイル素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載のコイル素子は、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、一面側に設けられた絶縁体膜（２０）と、絶縁体膜内もしくは絶縁体膜上に設けられ、一面に対する法線方向を軸として巻回されるように形成されたコイル（３０）と、一面と絶縁体膜との間もしくは絶縁体膜上の少なくとも一方に設けられ、一面と対面する裏面（５０ｂ、５０１ｂ、５０２ｂ）と裏面の反対面である表面（５０ａ、５０１ａ、５０２ａ）とを有し、表面と裏面の少なくとも一方に表面側もしくは裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹んだ形状の切り欠き（５０ｃ、５０１ｃ、５０２ｃ）を備える磁性体膜（５０、５０１、５０２）と、裏面を覆うように設けられた接合膜（４０、４０１、４０２）と、を備える。このような構成において、磁性体膜は、切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ、５０１ｄ、５０２ｄ）が形成され、接合膜を介して一面もしくは絶縁体膜と接合されており、切り欠きは、一面に対する法線方向から見て、磁性体膜のうち少なくともコイルと重なるコイル形成領域に設けられると共に、コイルの内側から外側へと横断するように形成されており、クラックのうちコイル形成領域に設けられた部分については、法線方向から見て、コイルの内側から外側へと横断するように形成されており、接合膜は、樹脂を主材料とし、磁性体膜と基板もしくはコイルとを電気的に絶縁している。
【００１３】
これにより、磁性体膜にクラックを備え、磁性体膜に備える切り欠きを起点とするクラックの発生方向がコイルを横断する方向であるコイル素子とすることで、撓みや残留応力による磁性体膜での新たなクラック発生および磁束の漏れを抑制できる。また、このような構成とすることで、磁性体膜を並べる工程が不要となると共に、磁性体膜間に広い隙間が生じなくなる。そのため、撓みや残留応力などによる磁性体膜での新たなクラック発生および磁性体膜間の隙間による磁束の漏れを抑制し、磁気特性の高いコイル素子となる。
【００１４】
請求項５に記載のコイル素子の製造方法は、一面（１０ａ）を有する基板（１０）を用意することと、表面（５０ａ、５０１ａ、５０２ａ）と表面の反対面である裏面（５０ｂ、５０１ｂ、５０２ｂ）とを有し、表面もしくは裏面の少なくとも一方に表面側もしくは裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹む切り欠き（５０ｃ、５０１ｃ、５０２ｃ）を備える磁性体膜（５０、５０１、５０２）を形成することと、磁性体膜のうち表面上もしくは裏面上に接合膜（４０、４０１、４０２）を形成することと、一面に接合膜を介して磁性体膜を貼り付けることと、磁性体膜上に絶縁体膜（２０）を形成することと、絶縁体膜内もしくは絶縁体膜上に一面に対する法線方向を軸として巻回されるコイル（３０）を形成することと、を含む。このようなコイル素子の製造方法において、切り欠きを備える磁性体膜を形成することにおいては、法線方向から見て、少なくとも磁性体膜のうちコイルと重なることとなるコイル形成領域に、コイルの内側から外側へと横断するように切り欠きを形成し、磁性体膜を貼り付けることにおいては、ロールによる加圧により行うと共に、加圧により磁性体膜に切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ、５０１ｄ、５０２ｄ）を形成し、クラックを形成することにおいては、前記法線方向から見て、コイル形成領域に、コイルの内側から外側へと横断するようにクラックを形成する。
【００１５】
これにより、コイルを横断する方向に沿って配置されるように切り欠きを磁性体膜に形成することで、磁性体膜に発生するクラックの方向を磁束の漏れが少なくなるように調整できる。また、磁性体膜の貼り付け工程において、基板への磁性体膜の接合およびクラックの形成を同時に行うことで、あらかじめ分割した磁性体膜を並べる工程が不要となると共に、磁性体膜間に広い隙間が生じなくなる。そのため、少なくとも基板の一面と絶縁体膜との間に磁性体膜を備え、撓みや残留応力などによる磁性体膜での新たなクラック発生および磁性体膜間の隙間による磁束の漏れを抑制し、磁気特性の高いコイル素子を製造することができる。
【００１６】
請求項６に記載のコイル素子の製造方法は、一面（１０ａ）を有する基板を用意することと、一面上に絶縁体膜（２０）を形成することと、絶縁体膜内もしくは絶縁体膜上に一面に対する法線方向を軸として巻回されるコイル（３０）を形成することと、表面（５０ａ）と表面の反対面である裏面（５０ｂ）とを有し、表面もしくは裏面の少なくとも一方に表面側もしくは裏面側のいずれか一面から反対面に向かって凹む切り欠き（５０ｃ）を備える磁性体膜（５０）を形成することと、磁性体膜のうち表面上もしくは裏面上に接合膜（４０）を形成することと、コイルを形成した後に、コイルを形成した基板の一面側に接合膜を介して磁性体膜を貼り付けることと、を含む。このようなコイル素子の製造方法において、切り欠きを備える磁性体膜を形成することにおいては、法線方向から見て、少なくとも磁性体膜のうちコイルと重なることとなるコイル形成領域に、コイルの内側から外側へと横断するように切り欠きを形成し、磁性体膜を貼り付けることにおいては、ロールによる加圧により行うと共に、加圧により磁性体膜に切り欠きを起点とするクラック（５０ｄ）を形成し、クラックを形成することにおいては、一面に対する法線方向から見て、コイル形成領域に、コイルの内側から外側へと横断するようにクラックを形成する。
【００１７】
これにより、コイルを横断する方向に沿って配置されるように切り欠きを磁性体膜に形成することで、磁性体膜に発生するクラックの方向を磁束の漏れが少なくなるように調整できる。また、磁性体膜の貼り付け工程において、基板への磁性体膜の接合およびクラックの形成を同時に行うことで、あらかじめ分割した磁性体膜を並べる工程が不要となると共に、磁性体膜間に広い隙間が生じなくなる。そのため、絶縁体膜上に１つの磁性体膜を備え、撓みや残留応力などによる磁性体膜での新たなクラック発生および磁性体膜間の隙間による磁束の漏れを抑制し、磁気特性の高いコイル素子を製造することができる。
【００１８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態のコイル素子を示す上面レイアウト図である。
【図２】第１実施形態のコイル素子を示す断面図である。
【図３】コイル磁束の向きに対して直交する方向に沿ったクラックが磁性体膜に生じた場合における磁束の漏れを示す図である。
【図４】コイル磁束の向きに対して平行な向きに沿ったクラックが磁性体膜に生じた場合における磁束の漏れを示す図である。
【図５】第１実施形態の製造工程を示す図である。
【図６】図５に続く第１実施形態の製造工程を示す図である。
【図７】図６に続く第１実施形態の製造工程を示す図である。
【図８】第２実施形態のコイル素子を示す上面レイアウト図である。
【図９】第２実施形態のコイル素子を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態のコイル素子を示す上面レイアウト図である。
【図１１】第３実施形態のコイル素子の一部領域を拡大した上面レイアウト図である。
【図１２】第３実施形態のコイル素子を示す断面図である。
【図１３】実施形態のコイル素子におけるコイル形状と切り欠きの配置を示す断面図である。
【図１４】他の実施形態のコイル素子を示す断面図である。
【図１５】他の実施形態のコイル素子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００２１】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図１、図２を参照して述べる。図１では、本実施形態のコイル素子Ｓ１におけるコイル形成領域を示している。また、図１では、上面からの目視では確認できないコイル３０については破線で示し、磁性体膜５０に設けられ、同様に上面から目視確認できない切り欠き５０ｃについては二点鎖線で示し、コイル３０に接続される配線や他の回路領域については省略している。図２では、図１で示した一点鎖線ＩＩ−ＩＩの断面構成を示している。
【００２２】
コイル素子Ｓ１は、図２に示すように、本実施形態では、一面１０ａを有する基板１０上に、絶縁体膜２０、コイル３０、接合膜４０、磁性体膜５０をこの順に積層してなる。このような構成において、コイル３０は、図２に示すように、絶縁体膜２０内に設けられ、所望の部位以外の部位と電気的に絶縁されている。また、磁性体膜５０には、後述する切り欠き５０ｃおよびクラック５０ｄが形成されている。
【００２３】
基板１０は、例えば一面１０ａを有する矩形板状とされ、例えばＳｉなどの半導体材料により構成されている。なお、基板１０は、板状であれば、円状、楕円状などであってもよく、他の形状とすることもできる。
【００２４】
絶縁体膜２０は、図２に示すように、基板１０の一面１０ａ上に設けられ、例えばポリイミドやフェノール樹脂等の樹脂材料やＳｉＯ２、ＴｉＯ２などの金属酸化物により構成されている。本実施形態では、絶縁体膜２０は、コイル３０を覆うように形成されている。
【００２５】
コイル３０は、基板１０の一面１０ａに対する法線方向、すなわち基板法線方向から見て、中心に向けて旋回するにつれて直径が小さくなる渦巻き状の平面コイルとされており、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料により構成されている。コイル３０は、本実施形態では、渦巻き状の１層の平面コイルとされているが、渦を巻くような形状であればよく、円形状に限らず、楕円形状、多角形状や螺旋形状などにしてもよく、他の形状としてもよい。
【００２６】
なお、基板法線方向から見て、コイル３０の最も内周側の端部と最外周側の端部には、図１には図示していない回路配線等、例えばコイル３０への通電用のパッド部やトランジスタなどを備えた回路領域へ接続された回路配線などが接続されていてもよい。
【００２７】
接合膜４０は、本実施形態では、絶縁体膜２０と磁性体膜５０とを接合する膜である。接合膜４０は、後述するコイル素子Ｓ１の製造工程において、磁性体膜５０を絶縁体膜２０に貼り付けるために磁性体膜５０の裏面５０ｂ側に設けられる。すなわち、接合膜４０は、コイル素子Ｓ１の製造工程において、磁性体膜５０を絶縁体膜２０に貼り付けるための支持体および接合体として機能し、例えば第１粘着層と、ベースフィルムと、第２粘着層とをこの順に積層してなる。
【００２８】
第１粘着層は、絶縁体膜２０とベースフィルムとを密着させて接合するための膜であり、後述するコイル素子Ｓ１の製造工程の結果、絶縁体膜２０側に設けられる。第２粘着層は、磁性体膜５０とベースフィルムとを密着させて接合するための膜であり、上記の製造工程の結果、密着磁性体膜５０側に設けられる。ベースフィルムは、上記の製造工程において磁性体膜５０を絶縁体膜２０に貼り付ける際の支持体であり、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリイミドなどの公知のフィルムで構成されている。
【００２９】
第１粘着層は、絶縁体膜２０とベースフィルムとを密着させて接合できるものであればよく、例えばフェノール系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂などの有機系の公知の粘着性材料や市販の粘着性材料などが用いられる。第２粘着層は、磁性体膜５０とベースフィルムとを密着させて接合できるものであればよく、例えばフェノール系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂などの有機系の公知の粘着性材料や市販の粘着性材料などが用いられる。
【００３０】
なお、第２粘着層は、磁性体膜５０のうち後述する切り欠き５０ｃが形成された裏面５０ｂ側に設けられる場合には、切り欠き５０ｃを埋めることができる程度の粘度を有することが好ましい。磁性体膜５０に後述するクラック５０ｄが生じさせる際に、クラック５０ｄが生じることによる磁性体膜５０の破片が飛散することを抑制できるためである。また、ベースフィルムは、上記の磁性体膜５０を絶縁体膜２０に貼り合わる工程に耐える程度のフィルムであればよく、ＰＥＴやポリイミドのフィルムに限らず、他の公知のフィルムで構成されていてもよい。
【００３１】
磁性体膜５０は、例えば図２に示すように表面５０ａと裏面５０ｂとを有する矩形板状とされ、コイル３０上に接合膜４０を隔てて配置され、例えば磁性体材料と樹脂バインダーとを混合してなる構成とされている。磁性体材料としては、例えばニッケル、マンガン亜鉛などを有するフェライト粉末等などが用いられるが、コイル素子Ｓ１の設計に応じて、他の公知材料や市販材料が用いられてもよい。樹脂バインダーとしては、例えばエポキシ樹脂などが用いられるが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）やポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）などが用いられてもよく、他の公知材料や市販材料が用いられてもよい。なお、磁性体膜５０は、板状であれば、円状、楕円状などであってもよく、他の形状とすることもできる。
【００３２】
磁性体膜５０は、裏面５０ｂが基板１０の一面１０ａと向き合うように配置され、本実施形態では、裏面５０ｂに切り欠き５０ｃが形成されている。切り欠き５０ｃは、図２に示すように、本実施形態ではＶ字型の溝とされ、磁性体膜５０にクラック５０ｄを形成する際の起点とするために設けられる。なお、切り欠き５０ｃは、接合膜４０の第２粘着層により埋められている。
【００３３】
切り欠き５０ｃは、Ｖ字型の形状とされるのが好ましいが、クラック５０ｄを形成する際の起点となるものであればよく、Ｖ字型の形状に限らず、Ｕ字型や凹型の形状や他の形状とされていてもよい。切り欠き５０ｃをＶ字型の形状とすることが好ましい理由は、切り欠き５０ｃを起点として生じるクラック５０ｄの発生数を最小限に抑えることができ、クラック５０ｄの発生による磁束の漏れを抑え、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１とできるためである。
【００３４】
切り欠き５０ｃは、図１に示すように、基板法線方向から見て、少なくとも磁性体膜５０のうちコイル３０が形成された領域と重なる領域、すなわちコイル形成領域を含む領域に設けられる。切り欠き５０ｃは、基板法線方向から見て、少なくともコイル形成領域においてはコイル３０の内側から外側へと横断するように形成されている。本実施形態では、切り欠き５０ｃは、図１に示すように、基板法線方向から見て、例えばコイル３０の中心領域、すなわちコイル中心領域から４方向に伸びる十字状とされ、コイル形成領域の４箇所でコイル３０の内側から外側へ横断するように形成されている。
【００３５】
具体的には、切り欠き５０ｃは、基板法線方向から見て、コイル３０から生じる磁束、すなわちコイル磁束の向きに対して平行な向き、すなわちコイル３０と直交する向きに形成されることが好ましい。これにより、コイル磁束が磁性体膜５０に生じた隙間から漏れること、すなわち磁束の漏れをより抑制できる位置にクラック５０ｄが生じるように誘導することができるためである。
【００３６】
切り欠き５０ｃの形成数については、直線状に形成された１本の溝を１と数える場合、本実施形態のようにコイル３０を４等分するような縦横１本ずつの２とするか、またはこれに斜めに２本の溝を加えてコイル３０を８等分するように４とすることが好ましい。
【００３７】
具体的には、切り欠き５０ｃの形成数は任意であるが、形成数を多くするほど切り欠き５０ｃから形成されたクラック５０ｄの数が増えて磁束の漏れが多くなり、コイル素子Ｓ１の磁気特性が低くなる。一方、切り欠き５０を形成しない場合、磁性体膜５０の残留応力を低減できず、コイル素子Ｓ１を製造後に磁気特性を低下させる方向にクラックが多数発生してしまい、結果的に磁気特性が低いコイル素子となってしまう。このことから、磁性体膜５０の残留応力等を緩和しつつ、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１とするためには、切り欠き５０ｃの形成数を２または４程度とすることが好ましいこととなる。
【００３８】
なお、本実施形態では、切り欠き５０ｃの基板法線方向における深さについては、すべて同じ深さとされている。また、切り欠き５０ｃの配置の詳細については、クラック５０ｄと磁束漏れとの関係での説明にて述べる。
【００３９】
クラック５０ｄは、後述するコイル素子Ｓ１の製造工程において切り欠き５０ｃを起点として磁性体膜５０に形成された亀裂である。本実施形態では、クラック５０ｄは、図１に示すように切り欠き５０ｃに沿って十字状に形成されている。クラック５０ｄは、撓みによる磁性体膜５０への負荷やコイル素子Ｓ１の製造工程による残留応力などを低減し、磁束の漏れを増大させる新たなクラックが磁性体膜５０に発生することを防ぐためにあらかじめ設けられている。
【００４０】
磁性体膜５０にクラック５０ｄを形成させると、磁性体膜５０同士に隙間が生じるが、あらかじめ分割した磁性体膜を並べた構造における磁性体膜同士の隙間に比べて狭くなる。そのため、このクラック５０ｄによる磁性体膜５０同士の狭い隙間は、コイル素子Ｓ１の磁気特性を高くするのに好ましい。具体的には、例えば、分割した磁性体膜を並べた構造における磁性体膜同士の隙間が数十μｍ程度であるのに対して、クラック５０ｄによる磁性体膜５０同士の隙間は数μｍ程度となる。ここで、磁性体膜の隙間からの磁束の漏れについては、隙間が広くなるにつれて指数関数的に大きくなる。そのため、クラック５０ｄにより磁性体膜５０を分割することで、磁性体膜５０からの磁束の漏れを低減することができ、コイル素子Ｓ１の磁気特性は、分割した磁性体膜を並べた構造のコイル素子の磁気特性よりも高くなる。
【００４１】
クラック５０ｄは、切り欠き５０ｃと同様に、基板法線方向から見て、少なくともコイル形成領域においては、コイル３０の内側から外側へと横断する方向、すなわちコイル横断方向に沿って形成されることが好ましい。クラック５０ｄは、基板法線方向から見て、コイル横断方向のうちコイル磁束の方向に対して平行となる方向、すなわちコイル垂直方向に沿って形成されることがより好ましい。これにより、次に説明するように、クラック５０ｄからのコイル磁束の漏れをより少なく抑え、コイル素子Ｓ１の磁気特性を高くできるためである。
【００４２】
次に、磁性体膜５０に形成された切り欠き５０ｃ、クラック５０ｄおよびこれによるコイル磁束の漏れへの影響の詳細について、磁性体膜５０のうちコイル形成領域の一部を拡大して示した図３、図４を参照して説明する。
【００４３】
図３、図４では、磁性体膜５０に形成される切り欠き５０ｃおよびクラック５０ｄの配置と、クラック５０ｄからのコイル磁束の漏れとの関係について示している。また、図３、図４では、コイル磁束φ１およびクラック５０ｄを通過したコイル磁束φ３をブロック矢印で示し、コイル磁束φ１のうちクラック５０ｄから漏れた磁束φ２を矢印で示している。さらに、図３、図４では、図１と同様にコイル３０を破線で示し、切り欠き５０ｃについては二点鎖線で示している。
【００４４】
まず、図３に示すように、基板法線方向から見て、切り欠き５０ｃがコイル３０に対して平行となる方向、すなわちコイル平行方向に沿って形成された場合におけるコイル磁束φ１の漏れについて説明する。
【００４５】
図３に示すように、切り欠き５０ｃがコイル平行方向に沿って形成された場合、切り欠き５０ｃを起点とするクラック５０ｄは、切り欠き５０ｃと同様にコイル平行方向に沿って形成される。つまり、クラック５０ｄがコイル磁束φ１の向きに対して直交するように配置されるため、クラック５０ｄがコイル磁束φ１を分断する範囲は広くなる。そのため、コイル磁束φ１がクラック５０ｄにより分断された範囲においては、クラック５０ｄから磁束φ２の分だけが漏れ、図３に示すようにコイル磁束φ１からコイル磁束φ３に減少する。
【００４６】
これに対して、図４に示すように、基板法線方向から見て、切り欠き５０ｃがコイル横断方向に沿って形成された場合におけるコイル磁束φ１の漏れは、次のようになる。
【００４７】
すなわち、図４に示すように、切り欠き５０ｃがコイル横断方向に沿って形成された場合、切り欠き５０ｃを起点とするクラック５０ｄは、切り欠き５０ｃと同様にコイル横断方向に沿って形成される。したがって、クラック５０ｄは、コイル磁束φ１の向きと平行な方向に沿って配置される。そのため、コイル磁束φ１の一部がクラック５０ｄから漏れるものの、クラック５０ｄがコイル磁束φ１を分断する範囲は、切り欠き５０ｃがコイル平行方向に沿って形成された場合に比べて非常に狭い。したがって、クラック５０ｄが発生した領域においては、コイル磁束φ１の大半がクラック５０ｄから漏れるが、その他の領域においては、図４に示すようにコイル磁束φ１の漏れが生じない。
【００４８】
よって、切り欠き５０ｃおよびクラック５０ｄがコイル横断方向に沿って形成された構造のコイル素子のほうが、切り欠き５０ｃおよびクラック５０ｄがコイル平行方向に沿って形成された構造のコイル素子に比べて漏れる磁束φ２の総量を抑えることができる。
【００４９】
なお、ここでいうコイル横断方向とは、基板法線方向から見て、コイル３０の内側から外側へと横断するような方向であればよく、コイル３０に対して直交する方向に限られず、他の方向であってもよい。ただし、コイル横断方向のうちコイル３０に対して直交する方向が、最もコイル磁束φ１を分断する範囲が狭くなるため、最も磁束の漏れを抑えるのに適している。
【００５０】
次に、本実施形態のコイル素子Ｓ１の製造方法について図５〜図７を参照して説明する。
【００５１】
〔図５に示す工程〕
図５（ａ）に示すように、例えばＳｉなどの半導体材料からなる基板１０を用意する。次に、例えば、ＳｉＯ２などの絶縁性材料を化学気相成長法（ＣＶＤ法）で成膜して絶縁体膜２０の一部を形成する。続けて、例えば、Ｃｕなどの導電性材料を電解メッキなどにより絶縁体膜２０の一部の上に成膜して金属膜を形成した後、フォトリソグラフィエッチング法によりパターニングを行い、所望の形状のコイル３０を形成する。そして、コイル３０を形成後、例えばＳｉＯ２などの絶縁性材料をＣＶＤ法で成膜し、図５（ｂ）に示すように、コイル３０が埋設されるように設けられた絶縁体膜２０を形成する。
【００５２】
なお、絶縁体膜２０については、無機系の絶縁体材料に限らず、有機系の絶縁体材料もしくはこれらの混合物を用いて形成してもよい。
【００５３】
〔図６に示す工程〕
図６（ａ）に示すように、例えばフェライト粉末などの磁性体材料とエポキシ樹脂などの樹脂バインダーとの混合物を図示しない金型に印刷し、熱処理により硬化することで切り欠き５０ｃを備える薄板状の磁性体膜５０を形成する。
【００５４】
次に、例えば、エポキシ樹脂からなる第１粘着層が一面に形成され、同様の材料からなる第２粘着層が他面に形成されたＰＥＴフィルム、すなわち接合膜４０を作製する。第１粘着層および第２粘着層は、例えば有機系の絶縁性材料を溶かした溶液をスピンコート、ダイコート、ディップコートなどの塗布法によりＰＥＴフィルムに塗布した後に溶媒を乾燥して除去することで形成される。なお、接合膜４０については、同様の構成のシート部材が市販されていれば、それを用いてもよい。
【００５５】
次に、例えば、ロール加圧により接合膜４０の第２粘着層側を薄板状の磁性体膜５０に貼り付け、磁性体膜５０に設けられた切り欠き５０ｃによる空隙を第２粘着層で埋めつつ、基板１０への貼り付けが可能な図６（ｂ）に示す磁性体シート６０を作製する。
【００５６】
〔図７に示す工程〕
次に、図７（ａ）に示すように、例えば磁性体シート６０をロール７０により加圧し、切り欠き５０ｃを起点とするクラック５０ｄを磁性体膜５０に形成しつつ、絶縁体膜２０およびコイル３０を形成した基板１０に貼り付ける。これにより、図７（ｂ）に示す本実施形態のコイル素子Ｓ１を製造できる。なお、コイル３０と切り欠き５０ｃの位置合わせについては、アライメントマークをコイル３０や磁性体膜５０に設けるなど公知の方法により行うことができる。
【００５７】
このように磁性体シート６０を貼り付けながら磁性体膜５０にクラック５０ｄを形成することで、磁性体膜５０の応力を緩和でき、磁性体膜５０にコイル磁束の漏れの原因となる新たなクラックが発生することを抑えたコイル素子Ｓ１を製造できる。
【００５８】
このように切り欠き５０ｃおよびクラック５０ｄを設けた磁性体膜５０を備えるコイル素子構造とすることで、磁性体膜５０の残留応力や撓みによる力の影響を緩和しつつ、磁束の漏れを少なく抑えることができ、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１となる。また、本実施形態のコイル素子Ｓ１の構造では、分割された磁性体膜５０の隙間が、あらかじめ分割された磁性体膜を並べた構造に比べて狭くなり、磁束の漏れの少ないコイル素子Ｓ１となる。さらに、磁性体膜５０が板状であって、基板法線方向から見てコイル３０の中心部にも磁性体膜５０が配置される構造であるため、コイル磁束を有効に活用でき、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１となる。
【００５９】
切り欠き５０ｃを設けた磁性体膜５０を備える磁性体シート６０を形成して貼り付けることでクラック５０ｄを設ける工程とすることにより、磁性体膜５０の残留応力を低減しつつ、磁束の漏れを少なく抑える方向にクラック５０ｄを誘導することができる。これにより、撓みによる力や残留応力により磁性体膜５０に新たなクラックが発生することを抑制しつつ、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１を製造できる。さらに、このような工程とすることで、あらかじめ分割された磁性体膜を並べる工程やコイルと磁性体膜との位置合わせ精度を気にする必要がなくなり、製造コストを減らして安価にコイル素子Ｓ１を製造できる。
【００６０】
（第２実施形態）
第２実施形態について図８、図９を参照して説明する。本実施形態のコイル素子Ｓ２は、図９に示すようにコイル素子Ｓ１の構成に加えて、絶縁体膜２０およびコイル３０（以下、「コイル層」という。）の下に下部接合膜４０１および下部磁性体膜５０１が設けられた構成とされている点が上記第１実施形態と相違する。ここで、コイル層の上に設けられた接合膜および磁性体膜をそれぞれ上部接合膜４０２、上部磁性体膜５０２とする。また、上部磁性体膜５０２に設けられた切り欠きおよびクラックをそれぞれ切り欠き５０２ｃ、クラック５０２ｄとし、下部磁性体膜５０１に設けられた切り欠きおよびクラックをそれぞれ切り欠き５０１ｃ、クラック５０１ｄとする。このとき、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃが断続的に形成され、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃの深さが場所によって異なる点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、上記の相違点を主に説明する。
【００６１】
図８では、本実施形態のコイル素子Ｓ２におけるコイル形成領域を示しており、上面からの目視では確認できないコイル３０については破線で示し、同様に上面から目視確認できない切り欠き５０２ｃａ、５０２ｃｂについて二点鎖線で示している。また、コイル素子Ｓ２においては、基板法線方向から見て切り欠き５０１ｃおよび切り欠き５０２ｃが同じ箇所に設けられているため、図８では、切り欠き５０１ｃについては省略している。さらに、図８では、図１と同様に、コイル３０に接続される配線や他の回路領域については省略している。図９では、図８で示した一点鎖線ＩＸ−ＩＸの断面構成を示している。
【００６２】
コイル素子Ｓ２は、図９に示すように、上記第１実施形態のコイル素子Ｓ１の構成に加えて、下部磁性体膜５０１が基板１０と絶縁体膜２０との間に配置された構成とされている。つまり、コイル素子Ｓ２は、下部磁性体膜５０１と上部磁性体膜５０２とが絶縁体膜２０およびコイル３０を挟むように向き合って配置された構成とされている。上部磁性体膜５０２については、図８に示すように後述する切り欠き５０２ｃａ、５０２ｃｂを起点とするクラック５０２ｄが設けられている。下部磁性体膜５０１については、上部磁性体膜５０２と同様に、切り欠き５０１ｃを起点とするクラック５０１ｄが設けられている。
【００６３】
下部磁性体膜５０１に形成される切り欠き５０１ｃについては、図９に示すように、下部磁性体膜５０１のうちコイル３０と向き合う面の反対面、すなわち裏面５０１ｂ側に形成されることが好ましい。下部磁性体膜５０１のうち絶縁体膜２０およびコイル３０を形成する表面５０１ａが平坦となり、絶縁体膜２０およびコイル３０が安定して形成されやすく、コイル素子Ｓ２の磁気特性が安定しやすいためである。
【００６４】
基板法線方向から見て、切り欠き５０２ｃａ、５０２ｃｂは、切り欠き５０１ｃと重なる位置に配置されている。切り欠き５０１ｃおよび切り欠き５０２ｃは、例えばコイル３０に対して直交する向きに沿って配置され、基板法線方向から見てコイル３０を４等分するように断続的に形成されている。具体的には、基板法線方向から見てコイル中心領域に十字状切り欠き５０２ｃａが形成され、当該十字状切り欠き５０２ｃａは、コイル形成領域にまで伸びていない。そして、該十字状の切り欠き５０２ｃａの延長線上の４箇所であって、コイル形成領域に、基板法線方向からコイル３０の内側と外側を横断する方向に沿ってコイル横断切り欠き５０２ｃｂが形成されている。つまり、上部磁性体膜５０２は、十字状切り欠き５０２ｃａと４つのコイル横断切り欠き５０２ｃｂとにより構成される切り欠き５０２ｃを備える。
【００６５】
このように断続的に切り欠き５０２ｃが形成されていても、後述する上部磁性体膜５０２の貼り合わせ工程において磁気特性を低下させないコイル横断方向にクラック５０２ｄが形成されるように誘導することができる。これは、下部磁性体膜５０１についても同様である。よって、コイル素子Ｓ２は、上部磁性体膜５０２および下部磁性体膜５０１のそれぞれに断続的な切り欠き５０１ｃ、５０２ｃを備え、これらに起因するクラック５０１ｄ、５０２ｄが形成された構成とされる。
【００６６】
次に、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃの基板法線方向における深さ（以下、単に「深さ」という。）について説明する。本実施形態では、コイル形成領域に設けられる切り欠きの深さが、コイル形成領域と異なる領域に設けられる切り欠きの深さよりも深い。具体的には、コイル横断切り欠き５０２ｃｂの深さは、十字状切り欠き５０２ｃａの深さよりも深い。
【００６７】
このように切り欠き５０２ｃの深さに差を設けた構成とする理由は、少なくともコイル形成領域においてはコイル横断方向に沿ったクラック５０２ｄが形成されるようにしつつ、コイル平行方向に沿ったクラックが形成されるのを抑えるためである。
【００６８】
具体的には、コイル形成領域においてコイル横断方向に沿ったクラック５０２ｄを生じさせるため、コイル横断切り欠き５０２ｃｂの深さを深くし、コイル横断切り欠き５０２ｃｂの形成部位における上部磁性体膜５０２の基板法線方向の厚みを薄くする。これにより、コイル形成領域においては、コイル横断方向に沿ったクラック５０２ｄが形成されやすくなる。
【００６９】
また、図８に示すように、コイル中心領域に十字状切り欠き５０２ｃａを設けることが好ましいが、十字状切り欠き５０２ｃａの深さは、コイル横断切り欠き５０２ｃｂの深さよりも浅くてもよい。コイル横断切り欠き５０２ｃｂを起点としてコイル形成領域に生じたクラック５０２ｄから他の領域に伸びるように新たにクラック（以下、「派生クラック」という。）が、他のコイル形成領域にまで達しつつ、コイル平行方向に沿って生じることを防ぐためである。
【００７０】
具体的には、派生クラックが、コイル形成領域のうち切り欠き５０２ｃｂが形成された領域と異なる領域にまで達し、当該派生クラックがコイル平行方向に沿って形成されうる。そこで、十字状切り欠き５０２ｃａをコイル中心領域にあらかじめ設けることで、派生クラックの発生方向を誘導でき、上記のような事態を避けることができる。
【００７１】
また、切り欠きが形成されてさえいれば、当該切り欠きの形成部位における磁性体膜の厚みが薄くなるため、切り欠きの向きに沿って派生クラックの発生方向を誘導しやすくなる。そのため、十字状切り欠き５０２ｃａの深さについては、コイル横断切り欠き５０２ｃｂの深さほど深くする必要はない。これは、下部磁性体膜５０１に上部磁性体膜５０２と同様に設けられた十字状切り欠き５０１ｃａおよびコイル横断切り欠き５０１ｃｂについても同じである。
【００７２】
なお、本実施形態では、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃのうちコイル中心領域に設けられた切り欠きの形状を十字状とした例について説明したが、派生クラックの向きを誘導できる形状であればよい。例えば、コイル中心領域に設けられた切り欠きについては、四本の線がその延長線上で直交し、延長線を含めれば当該四本の線の全体で十字状となっているが当該四本の線が互いに交わっていない形状とすることもでき、他の形状とすることもできる。
【００７３】
次に、コイル素子Ｓ２の製造方法について説明する。コイル素子Ｓ２の製造方法は、上記第１実施形態の製造方法に、下部磁性体膜５０１および下部接合膜４０１を基板１０に貼り合わせる工程が加えられている点が上記第１実施形態と相違する。
【００７４】
具体的には、図６（ａ）での説明と同様に、切り欠き５０１ｃを備えた下部磁性体膜５０１を形成し、図６（ｂ）での説明と同様に、下部磁性体膜５０１上に下部接合膜４０１を形成した磁性体シートを作製する。
【００７５】
その後、図７（ａ）で説明したのと同様に、基板１０の一面１０ａ上に磁性体シートを貼り付けつつ、切り欠き５０１ｃを起点としたクラック５０１ｄを形成する。そして、図５（ｂ）での説明と同様に、下部磁性体膜５０１上に絶縁体膜２０およびコイル３０を形成し、図６、図７での説明と同様に、上部磁性体膜５０２と上部接合膜４０２によりなる磁性体シートを絶縁体膜２０上に貼り付ける。このような工程により、コイル素子Ｓ２を製造することができる。
【００７６】
このように、あらかじめ切り欠き５０１ｃ、５０２ｃおよびクラック５０１ｄ、５０２ｄを磁性体膜に設ける構成とすることで、上部磁性体膜５０１および下部磁性体膜５０２の応力を緩和し、撓みや残留応力による新たなクラックが発生することを抑制できる。また、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃを断続的に形成しつつ、切り欠き５０１ｃ、５０２ｃの深さを場所ごとに適宜変えることによりコイル横断方向に効率良くクラック５０１ｄ、５０２ｄを誘導し、磁束の漏れを少なく抑えることができる。さらに上部磁性体膜５０２だけでなく、下部磁性体膜５０１を備えた構成とすることで、コイル磁束を有効に活用することができ、磁気特性の高いコイル素子Ｓ２となる。
【００７７】
また、下部磁性体膜５０１および下部接合膜４０１を、上記第１実施形態と同様に、貼り付けつつ、クラック５０１ｄを形成することで、磁束の漏れを少なく抑えることができ、磁気特性の高いコイル素子Ｓ２を製造できる。
【００７８】
（第３実施形態）
第３実施形態について図１０〜図１２を参照して説明する。図１０に示すように、本実施形態のコイル素子Ｓ３は、上記第１実施形態のコイル素子Ｓ１が複数配列するように設けられている点が上記第１実施形態と相違する。また、図１１に示すように、基板法線方向から見て、磁性体膜５０のうち各コイル３０の外側に当該コイル３０を囲む枠体状切り欠き５０ｅが形成され、かつ、磁性体膜５０の表面５０ａ側にも枠体状切り欠き５０ｅが形成されている点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、上記の相違点を主に説明する。
【００７９】
図１０では、見やすくするために、切り欠き５０ｃを起点とするクラック５０ｄおよび切り欠き５０ｅを起点とするクラック５０ｆについては省略している。図１１では、図１０に示す本実施形態のコイル素子Ｓ３のうち破線で示した領域Ｒを拡大したものを示しており、コイル３０については破線で示し、磁性体膜５０に設けた切り欠き５０ｃを二点鎖線で示している。図１０〜１２では、コイル３０に接続される配線や他の回路領域については省略している。図１２では、図１１に示す一点鎖線ＸＩＩ−ＸＩＩの断面図を示している。
【００８０】
コイル素子Ｓ３は、図１０に示すように、基板法線方向から見て、上記第１実施形態のコイル素子Ｓ１が基板１０の一面１０ａと水平な平面方向、すなわち膜水平方向に沿って繰り返し配列してなる。そして、コイル素子Ｓ３は、配列されたコイル素子Ｓ１のうちコイル３０を１つずつ囲むように形成された格子状の切り欠き５０ｅが設けられた構成とされている。そのため、コイル素子Ｓ３は、コイル素子Ｓ３を製造した後に、格子状の切り欠き５０ｅに沿って分割することで、複数のコイル素子Ｓ１を製造することができる形状とされている。つまり、格子状の切り欠き５０ｅは、コイル素子Ｓ３を１つのコイル素子Ｓ１からなるチップサイズとなる位置に形成され、例えばダイシングカットによりチップサイズに分割するためのスクライブラインとして設けられている。
【００８１】
次に、図１０に示すコイル素子Ｓ３のうち領域Ｒについて図１１、図１２を参照して説明する。磁性体膜５０については、図１２に示すように裏面５０ｂ側のみならず表面５０ａ側にも格子状の切り欠き５０ｅが設けられている。このように表面５０ａ側および裏面５０ｂ側の両面かつ同じ位置に切り欠き５０ｅが形成されることが好ましい。スクライブラインとして機能する格子状の切り欠き５０ｅにおける磁性体膜５０の基板法線方向における厚み、すなわちダイシングカットをする分割部の厚みがより薄くされることで、ダイシングカットを容易に行うことができるためである。
【００８２】
格子状の切り欠き５０ｅの膜水平方向における幅については、例えば分割をダイシングカットにより行う場合には、ダイシングカットに用いるカッター刃の幅よりも広い幅とされることが好ましい。また、枠体状の切り欠き５０ｅの形状については、図１２に示すように切り欠き５０ｃと異なり、切り欠き５０ｅの底面が平坦な形状、例えば四角柱状に凹んだ凹形状とされるとすることが好ましい。ダイシングカットを行う際に、コイル素子Ｓ３に余分な力がかかりにくくなり、チッピングを低減しつつ、ダイシングカッターのブレードの消耗を抑制できるためである。
【００８３】
次に、コイル素子Ｓ３の製造方法について簡単に説明する。コイル素子Ｓ３は、コイル素子Ｓ１が繰り返し配列され、格子状の切り欠き５０ｅが設けられた構成とされているため、基本的にはコイル素子Ｓ１と同様の工程により製造される。
【００８４】
具体的には、図５での説明と同様に絶縁体膜２０および複数のコイル３０を備える基板１０を作製する。その後、図６での説明と同様に、切り欠き５０ｃ、５０ｅを備える磁性体膜５０を図示しない金型に磁性体膜材料を印刷し、熱硬化することで作製し、接合膜４０を磁性体膜５０のうち切り欠き５０ｃを設けた面に貼り付けて磁性体シートを作製する。そして、絶縁体膜２０および複数のコイル３０を備える基板１０に、上記磁性体シートを図７での説明と同様に貼り付けることで、コイル素子Ｓ３を製造できる。
【００８５】
このようにあらかじめ切り欠き５０ｃ、５０ｅおよびクラック５０ｄ、５０ｆを磁性体膜５０に設ける構成とすることで、磁性体膜５０の残留応力を緩和し、撓みや残留応力による新たなクラックが発生することを抑制し、磁束の漏れを少なく抑えることができる。これにより、磁束の漏れを抑え、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１を複数備えるコイル素子Ｓ３となる。また、スクライブラインに相当する切り欠き５０ｃを備えることで、コイル素子Ｓ１に分割しやすいコイル素子Ｓ３となる。
【００８６】
また、上記の製造方法により、あらかじめ切り欠き５０ｃ、５０ｅおよびクラック５０ｄ、５０ｆを磁性体膜５０に備え、磁性体膜５０の残留応力を緩和し、磁束の漏れを抑え、磁気特性の高いコイル素子Ｓ１を複数備えるコイル素子Ｓ３を製造できる。
【００８７】
（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した半導体装置は、本発明の半導体装置の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００８８】
また、以下の他の実施形態の説明において単に「磁性体膜５０」という場合、「磁性体膜５０」とは、磁性体膜５０を１つ備えるコイル素子または磁性体膜５０を２つ備えるコイル素子において、当該コイル素子を構成するすべての磁性体膜を意味する。他の実施形態の説明において単に「切り欠き５０ｃ」という場合、「切り欠き５０ｃ」とは、コイル素子を構成するすべての切り欠きを意味する。他の実施形態の説明において単に「クラック５０ｄ」という場合、「クラック５０ｄ」とは、コイル素子を構成するすべてのクラックを意味する。
【００８９】
（１）例えば、上記第１実施形態から上記第３実施形態では、コイル３０が渦巻き状の平面コイルとされた例について説明したが、コイル３０は、円形状だけでなく、楕円形状や多角形状などが渦を巻くように形成された他の形状とされていてもよい。また、コイル３０の巻き数や積層する数などについても、コイル素子Ｓ１〜Ｓ３の設計等に合わせて適宜変更することができる。
【００９０】
なお、コイル３０の形状が円形状とは異なる形状、例えば三角形状や四角形状とされている場合であっても、切り欠き５０ｃについては、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、コイル横断方向に沿って形成されていればよい。このように切り欠き５０ｃの配置については、コイル３０の形状に合わせて適宜変更してもよい。
【００９１】
（２）上記第１実施形態から上記第３実施形態では、切り欠き５０ｃを磁性体膜５０に２〜４箇所に設けた例について説明したが、必ずしもこの本数だけでなく、１箇所もしくは５箇所以上設けてもよい。
【００９２】
基板法線方向から見て、コイル３０の内側と外側を直線的に繋ぐように形成するのであれば、切り欠き５０ｃの形成数は任意であるが、残留応力の緩和の観点からコイル３０を均等に分割するように設けることが好ましい。また、上記第１実施形態でも述べたように、磁性体膜５０のクラック５０ｄの数が増えるほどコイル素子の磁気特性が低下しやすいため、切り欠き５０ｃの形成数は少ないほうが好ましく、２または４であることがより好ましい。
【００９３】
なお、上記第２実施形態のように切り欠き５０ｃが断続的に２つ以上形成される場合において、当該切り欠きの延長線を繋げると２以上の切り欠きが１本の直線となるとき、当該直線を構成する２以上の切り欠きの形成数については１とする。
【００９４】
（３）上記第２実施形態では、磁性体膜５０２の裏面５０２ｂ側に切り欠き５０２ｃが形成された例について説明したが、図１４（ａ）に示すように、裏面５０２ｂ側に加えて表面５０２ａ側にも切り欠き５０２ｃが形成された構成とされていてもよい。また、このような構成とする場合においては、切り欠き５０２ｃは、基板法線方向から見て、表面５０２ａ側と裏面５０２ｂ側の同じ位置に形成されることが好ましい。磁性体膜５０２のうち切り欠き５０２ｃが設けられた部位における基板法線方向の厚みがより薄くなり、切り欠き５０２ｃを起点とするクラック５０２ｄの発生を誘導させやすくなるためである。
【００９５】
（４）磁性体膜５０が基板１０と絶縁体膜２０との設けられた構造のコイル素子の場合であっても、図１４（ｂ）、図１５（ａ）に示すように、磁性体膜５０のうちコイル３０と向き合う表面５０ａ、５０１ａ側に切り欠き５０ｃ、５０１ｃが設けられていてもよい。
【００９６】
なお、磁性体膜５０が基板１０と絶縁体膜２０との設けられた構造のコイル素子において、磁性体膜５０上に配置される絶縁体膜２０は、有機系の絶縁性材料を塗布することにより形成されることが好ましい。有機系の絶縁性材料を塗布することでクラック５０ｄが形成された磁性体膜５０の表面５０ａ側が平坦化されやすく、コイル素子の磁気特性が安定しやすいためである。有機系の絶縁性材料の塗布については、例えばスピンコート、ダイコート、ディップコートなどの公知の方法により行うことができる。
【００９７】
（５）上記第１実施形態から上記第３実施形態では、磁性体膜５０のうち少なくとも基板１０の一面１０ａ側の面に切り欠き５０ｃが形成された例について説明した。しかし、図１５（ａ）に示すように、磁性体膜５０のうち基板１０の一面１０ａ側の反対面にのみ切り欠き５０ｃが形成されていてもよい。
【００９８】
上記のように、磁性体膜５０を１つ備えるコイル素子および上記第２実施形態のように磁性体膜５０を２つ備えるコイル素子については、磁性体膜５０の表面５０ａ側と裏面５０ｂ側の少なくとも一方に切り欠き５０ｃが形成されていればよい。また、１つの磁性体膜５０において、基板法線方向から見て重ならない位置の表面５０ａ側と裏面５０ｂ側にそれぞれ切り欠き５０ｃを設けてもよい。
【００９９】
（６）上記第２実施形態では、断続的に設けられた切り欠き５０１ｃ、５０２ｃを起点とするクラック５０１ｄ、５０２ｄがコイル中心領域からコイル形成領域へ伸びるように繋がって形成された例について説明した。しかし、少なくともコイル形成領域においてコイル横断方向に沿ったクラック５０１ｄ、５０２ｄが形成され、撓みの力や残留応力を低減する構造のコイル素子とされていればよく、コイル中心領域およびコイル形成領域に形成されたクラック同士が繋がっていなくてもよい。これは、上記第１実施形態、上記第３実施形態および他の実施形態についても同様である。
【０１００】
（７）上記第１実施形態から上記第３実施形態では、コイル３０が絶縁体膜２０内に埋めるように形成された例について説明したが、図１５（ｂ）に示すようにコイル３０が絶縁体膜２０上に形成されていてもよい。
【０１０１】
（８）上記第１実施形態から上記第３実施形態では、少なくとも絶縁体膜２０およびコイル３０の上に磁性体膜５０が設けられた例について説明したが、コイル素子は、図１５に示すように、絶縁体膜２０およびコイル３０の下にのみ磁性体膜５０が設けられた構成とされていてもよい。これは、上記の他の実施形態についても同様である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０    基板
２０    絶縁体膜
３０    コイル
４０    接合膜
５０    磁性体膜
５０ｃ  切り欠き
５０ｄ  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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