(57)【要約】【課題】シアン化物が発生することを防止できる。【解決手段】窒化物半導体の上に、窒素を含有する第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜の上に、窒素を含有しない第２の膜を成膜する工程と、前記第２の膜の上に、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、前記ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜したのち、前記窒化物半導体をアニール処理する工程と、を備える窒化物半導体素子の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体の上に、窒素を含有する第１の膜を成膜する工程と、
前記第１の膜の上に、窒素を含有しない第２の膜を成膜する工程と、
前記第２の膜の上に、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
前記ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜したのち、前記窒化物半導体をアニール処理する工程と、
を備える窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、さらに、
前記アニール処理を行ったのち、前記第１の膜の上から前記第２の膜を除去すること、もしくは、前記窒化物半導体の上から前記第１の膜を除去すること、の少なくとも一方を行うことによって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜を除去する工程と、を備える窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記第１の膜は、ケイ素を含まない、窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
窒化物半導体と、
前記窒化物半導体の上に積層された窒素を含有する第１の膜と、
前記第１の膜の上に積層された窒素を含有しない第２の膜と、
前記第２の膜の上に積層されたダイヤモンドライクカーボン膜と、
を備える積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入された炭化ケイ素（ＳｉＣ）において、注入されたドーパントを活性化させるために、熱処理であるアニール処理が行われる。アニール処理による表面荒れを防止するために炭化ケイ素の表面を保護する保護膜として、ダイヤモンドライクカーボン膜を用いる方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３７６０６８８号公報
【特許文献２】特許第３４２３５９８号公報
【特許文献３】特開２０１２−１６９５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、アニール処理において、イオン注入された窒化ガリウム（ＧａＮ）の表面を保護する保護膜としてダイヤモンドライクカーボン膜を用いた場合、以下のような問題が発生することを発明者らが見出した。すなわち、アニール処理時に窒化ガリウムに含まれる窒素とダイヤモンドライクカーボン膜に含まれる炭素とが反応してシアン化物を発生させることがある。このような課題を解決するために、イオン注入された窒化ガリウムに保護膜を形成してアニール処理を施す際に、シアン化物が発生することを防止できる技術が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、窒化物半導体素子の製造方法が提供される。この窒化物半導体素子の製造方法は、窒化物半導体の上に、窒素を含有する第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜の上に、窒素を含有しない第２の膜を成膜する工程と、前記第２の膜の上に、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、前記ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜したのち、前記窒化物半導体をアニール処理する工程と、を備える。このような形態とすれば、窒化物半導体にアニール処理が施された際、窒化物半導体とダイヤモンドライクカーボン膜とが接触していないことおよびダイヤモンドライクカーボン膜が窒素を含有する第１の膜と接触していないことから、シアン化物が発生することを防止できる。また、窒化物半導体にアニール処理を施された際、窒素を含有する第１の膜により、窒化物半導体の表面から窒素が脱離することを抑制できる。よって、窒化物半導体の表面が劣化することを抑制できる。
【０００７】
（２）上記形態における窒化物半導体素子の製造方法において、さらに、前記アニール処理を行ったのち、前記第１の膜の上から前記第２の膜を除去すること、もしくは、前記窒化物半導体の上から前記第１の膜を除去すること、の少なくとも一方を行うことによって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜を除去する工程と、を備えていてもよい。このような形態とすれば、第１の膜もしくは第２の膜の少なくとも一方を除去することによって、ダイヤモンドライクカーボン膜を窒化物半導体の上から除去（リフトオフ）することができる。よって、アニール処理に用いた膜（第１の膜、第２の膜およびダイヤモンドライクカーボン膜）を除去する際の作業工程を少なくすることができる。また、ダイヤモンドライクカーボン膜が第２の膜との界面において反応したことによってダイヤモンドライクカーボン膜を第２の膜から除去することが難しい場合であっても、ダイヤモンドライクカーボン膜を窒化物半導体の上から除去することができる。
【０００８】
（３）上記形態における窒化物半導体素子の製造方法において、前記第１の膜は、ケイ素を含まない形態とすることができる。このような形態とすれば、第１の膜がケイ素を含んでいる形態と比べて、窒化物半導体から第１の膜を除去することが難しくなることを防止できる。第１の膜がケイ素を含んでいる場合、窒化物半導体と結合して、窒化物半導体から第１の膜を除去することが難しくなるからである。
【０００９】
（４）本発明の他の形態によれば、積層体が提供される。この積層体は、窒化物半導体と、前記窒化物半導体の上に積層された窒素を含有する第１の膜と、前記第１の膜の上に積層された窒素を含有しない第２の膜と、前記第２の膜の上に積層されたダイヤモンドライクカーボン膜と、を備える。このような形態とすれば、窒化物半導体にアニール処理が施された際、窒化物半導体とダイヤモンドライクカーボン膜とが接触していないことおよびダイヤモンドライクカーボン膜が窒素を含有する第１の膜と接触していないことから、シアン化物が発生することを防止できる。また、窒化物半導体にアニール処理を施された際、窒素を含有する第１の膜により、窒化物半導体の表面から窒素が脱離することを抑制できる。よって、窒化物半導体の表面が劣化することを抑制できる。
【００１０】
本発明の形態は、窒化物半導体素子の製造方法に限るものではなく、例えば、窒化物半導体素子の製造方法により製造された窒化物半導体素子を用いた半導体装置、上述の製造方法を用いて窒化物半導体素子を製造する製造装置などの種々の形態に適用することも可能である。また、本発明は、前述の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、窒化物半導体にアニール処理が施された際、窒化物半導体とダイヤモンドライクカーボン膜とが接触していないことおよびダイヤモンドライクカーボン膜が窒素を含有する第１の膜と接触していないことから、シアン化物が発生することを防止できる。また、窒化物半導体にアニール処理を施された際、窒素を含有する第１の膜により、窒化物半導体の表面から窒素が脱離することを抑制できる。よって、窒化物半導体の表面が劣化することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】積層体の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】窒化物半導体層がイオン注入される工程を示す工程図である。
【図３】工程Ｐ１２０を終えた際の状態を示した説明図である。
【図４】工程Ｐ１３０を終えた際の状態を示した説明図である。
【図５】窒化物半導体素子を製造する製造方法を示す工程図である。
【図６】除去工程を行っている状態を示した説明図である。
【図７】酸素含有炭化ケイ素膜が残っている状態を示した説明図である。
【図８】除去工程を行っている状態を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
Ａ．第１実施形態：
Ａ１．積層体の構成：
図１は、積層体１０の構成を模式的に示す断面図である。図１には、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。Ｘ軸は、図１の左から右に延びる軸である。Ｙ軸は、図１の紙面の手前から奥に延びる軸である。Ｚ軸は、図１の下から上に延びる軸である。他の図のＸＹＺ軸は、図１のＸＹＺ軸に対応する。なお、本明細書において、Ｚ軸の＋方向を便宜的に「上」と呼ぶことがある。この「上」という呼称は、積層体１０の配置（向き）を限定するものではない。すなわち、積層体１０は、任意の向きに配置しうる。
【００１４】
積層体１０は、イオン注入された窒化物半導体層１１０がアニール処理を施される前に形成される中間製品である。アニール処理を施された窒化物半導体層１１０は、窒化物半導体素子として、半導体装置の構成に用いられる。積層体１０は、窒化物半導体層１１０と、第１の膜１２０と、第２の膜１３０と、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０とを備える。
【００１５】
窒化物半導体層１１０は、窒化物半導体により形成された層であり、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。窒化物半導体層１１０は、Ｖ族原子として窒素を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むものが好ましい。窒化物半導体層１１０は、窒化ガリウムを含む。窒化物半導体層１１０は、ガリウムのモル分率が０．７であるとともにアルミニウムのモル分率が０．３である窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を含んでも良い。ＧａＮを含む窒化物半導体としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）の他に、インジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）および窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などを例示できる。
【００１６】
窒化物半導体層１１０は、マグネシウム（Ｍｇ）がアクセプタとしてイオン注入された領域である注入領域１１０Ｍと、イオン注入されていない領域である非注入領域１１０Ｎを有する。
【００１７】
第１の膜１２０は、窒化物半導体層１１０の上に配され、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる膜である。第１の膜１２０は、窒素（Ｎ）を含有するとともにケイ素（Ｓｉ）を含有しない膜である。第１の膜１２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から主に形成されている。他の実施形態では、第１の膜１２０は、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）から主に形成されていてもよい。
【００１８】
第２の膜１３０は、第１の膜１２０の上に配され、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる膜である。第２の膜１３０は、窒素（Ｎ）を含有しない膜である。第２の膜１３０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に形成されている。他の実施形態では、第２の膜１３０は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であってもよい。
【００１９】
ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、第２の膜１３０の上に配され、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる膜である。ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、非晶質のカーボン（Ｃ）硬質膜である。ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、アニール処理に耐える耐熱性、高い絶縁性および表面平滑性を有する。
【００２０】
Ａ２．窒化物半導体層へのイオン注入：
図２は、マグネシウム（Ｍｇ）が注入される前の窒化物半導体層１１０である窒化物半導体層１１０Ｐが、イオン注入される工程を示す工程図である。まず、製造者は、窒化物半導体層１１０Ｐを準備する（工程Ｐ１００）。
【００２１】
窒化物半導体層１１０Ｐを準備した後（工程Ｐ１００）、製造者は、窒化物半導体層１１０Ｐの上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって第１の膜１２０をスルー膜として成膜する（工程Ｐ１１０）。スルー膜は、窒化物半導体層１１０Ｐに対してイオン注入がされる際に、表面が汚染されるのを抑制し、注入されたイオンが反跳することを防ぐために形成されている。第１の膜１２０の厚さは、３ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。本実施形態では、第１の膜１２０の厚さは、５０ｎｍである。
【００２２】
スルー膜を成膜した後（工程Ｐ１１０）、製造者は、第１の膜１２０の上の一部にマスク２００を形成する（工程Ｐ１２０）。マスク２００は、フォトリソグラフィによりパターニングされたフォトレジストによって形成される。他の実施形態では、マスク２００は、絶縁膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）など）であってもよい。絶縁膜は、その上に形成したフォトリソグラフィによりパターニングされたフォトレジストを用いて、ドライエッチングで開口部の絶縁膜をエッチングすることで、パターニングされる。本実施形態では、マスク２００の厚さは、１μｍである。
【００２３】
図３は、工程Ｐ１２０を終えた際の状態を示した説明図である。窒化物半導体層１１０Ｐの上に、スルー膜としての第１の膜１２０が積層されているとともに、第１の膜１２０の上の一部にマスク２００が積層されている。
【００２４】
マスクを形成した後（図２の工程Ｐ１２０）、製造者は、イオン注入を行う（工程Ｐ１３０）。このとき、窒化物半導体層１１０Ｐのうちマスク２００がＺ軸方向の＋側に配されていない部分においてイオン注入が行われる。窒化物半導体層１１０Ｐのうちイオン注入が行われた領域には、注入領域１１０Ｍが形成される。本実施形態では、５００℃の条件下でマグネシウム（Ｍｇ）がイオン注入される。ドーズ量は、３．０×１０１５ｃｍ−２である。
【００２５】
図４は、工程Ｐ１３０を終えた際の状態を示した説明図である。窒化物半導体層１１０Ｐの一部に注入領域１１０Ｍが形成され、窒化物半導体層１１０となる。
【００２６】
イオン注入を行った後（図２の工程Ｐ１３０）、製造者は、マスク２００を除去する（工程Ｐ１４０）。マスク２００は、ウェットエッチングで除去される。これらの工程を経て、窒化物半導体層１１０Ｐにイオンが注入されることによって、窒化物半導体層１１０が形成される。尚、工程Ｐ１４０が終わった状態で窒化物半導体層１１０の上に残っている第１の膜１２０は、図５で説明する窒化物半導体素子の製造方法に利用される。
【００２７】
Ａ３．窒化物半導体素子の製造方法：
図５は、窒化物半導体層１１０にアニール処理が施されることによって窒化物半導体素子を製造する製造方法を示す工程図である。窒化物半導体素子は、半導体装置の構成に用いられる素子である。まず、製造者は、窒化物半導体層１１０を準備する（工程Ｐ２００）。本実施形態では、図２の工程において説明した、第１の膜１２０が上に積層された窒化物半導体層１１０を準備する。
【００２８】
第１の膜１２０が上に積層された窒化物半導体層１１０を準備した後（工程Ｐ２００）、製造者は、第１の膜１２０の上に、第２の膜１３０を成膜する（工程Ｐ２１０）。本実施形態では、第２の膜１３０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に形成されており、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜される。他の実施形態では、第２の膜１３０は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から主に形成されていて、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜されてもよい。本実施形態では、第２の膜１３０の厚さは、５０ｎｍである。なお、第２の膜１３０を形成する前に（工程Ｐ２１０）、第１の膜１２０の上に、第３の窒素含有膜を形成してもよい。この膜は、第１の膜１２０と同じ材料である窒化アルミニウムであってもよい。第１の膜１２０は、イオン注入時に用いるスルー膜として機能させることから、イオン注入を阻害しないようにするために膜厚には上限がある。第３の窒素含有膜を導入することで、窒化物半導体層１１０の表面からの窒素抜けをより抑制することができるため、窒化物半導体層１１０の表面の劣化を抑制できるという効果が得られる。
【００２９】
第２の膜１３０を成膜した後（工程Ｐ２１０）、製造者は、第２の膜１３０の上にダイヤモンドライクカーボン膜１４０を成膜する（工程Ｐ２２０）。本実施形態では、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ法によって成膜される。本実施形態では、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０の厚さは、１００ｎｍである。工程Ｐ２２０を終えた際の状態は、図１における積層体１０の状態である。
【００３０】
ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を成膜した後（工程Ｐ２２０）、製造者は、アニール処理を行う（工程Ｐ２３０）。アニール処理は、アクセプタとしてイオン注入されたマグネシウム（Ｍｇ）を活性化させるための加熱処理である。アニール処理は、１２００℃以上で行われる。
【００３１】
アニール処理を行った後（工程Ｐ２３０）、製造者は、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を除去する（工程Ｐ２４０）。本実施形態では、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、酸素雰囲気で５００℃に加熱されることによって除去される。他の実施形態では、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０は、酸素プラズマによるアッシングによって除去されてもよい。
【００３２】
ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を除去した後（工程Ｐ２４０）、製造者は、第２の膜１３０を除去する（工程Ｐ２５０）。第２の膜１３０は、フッ化水素酸によって除去される。本実施形態では、第２の膜１３０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に形成されている。
【００３３】
第２の膜１３０を除去した後（工程Ｐ２５０）、製造者は、第１の膜１２０を除去する（工程Ｐ２６０）。第１の膜１２０は、８０℃に加熱されたＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）水溶液などのアルカリ性水溶液によって除去される。本実施形態では、第１の膜１２０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から主に形成されている。これらの工程を経て、アニール処理が施された窒化物半導体層１１０が形成される。この窒化物半導体層１１０を加工して、窒化物半導体素子が完成する。
【００３４】
以上説明した実施形態によれば、窒化物半導体層１１０にアニール処理が施された際、窒化物半導体層１１０とダイヤモンドライクカーボン膜１４０とが接触していないことおよびダイヤモンドライクカーボン膜１４０が窒素を含有する第１の膜１２０と接触していないことから（図１参照）、窒素と炭素とが反応することによってシアン化物が発生することを防止できる。また、窒化物半導体層１１０にアニール処理が施された際、窒素を含有する第１の膜１２０により、窒化物半導体層１１０の表面から窒素が脱離することを抑制できる。よって、窒化物半導体層１１０の表面が劣化することを抑制できる。
【００３５】
また、第１の膜（図１参照）がケイ素を含んでいる形態と比べて、窒化物半導体層１１０から第１の膜１２０を除去することが難しくなることを防止できる。第１の膜がケイ素を含んでいる場合、窒化物半導体層１１０における窒化ガリウムと結合して、窒化ガリウムから第１の膜を除去することが難しくなるからである。
【００３６】
Ｂ．第２実施形態：
第２実施形態における窒化物半導体素子の製造方法は、第１実施形態における窒化物半導体素子の製造方法の工程Ｐ２００から工程Ｐ２３０までは同じであって（図５参照）、工程Ｐ２４０以降が異なる。
【００３７】
第２実施形態における窒化物半導体素子の製造方法では、アニール処理を行った後（工程Ｐ２３０）、第１の膜１２０の上から第２の膜１３０を除去すること、もしくは、窒化物半導体層１１０の上から第１の膜１２０を除去すること、の少なくとも一方を行うことによって、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を除去する。以降、第２実施形態における工程Ｐ２３０の後の工程を、除去工程と呼ぶ。
【００３８】
図６は、除去工程を行っている状態を示した説明図である。図６は、アニール処理を行った後（工程Ｐ２３０）、第１の膜１２０の上から第２の膜１３０を除去することによって、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を除去しようとしている状態を示している。第２の膜１３０は、第２の膜１３０から見てＸ軸方向における外側から接触するフッ化水素酸との反応によって除去される。Ｘ軸方向における外側から第２の膜１３０が除去されることによって、第２の膜１３０の上に形成されたダイヤモンドライクカーボン膜１４０も同時に除去（リフトオフ）できる。その後、第１の膜１２０を除去することによって、アニール処理が施された窒化物半導体層１１０が形成される。この窒化物半導体層１１０を加工して、窒化物半導体素子が完成する。
【００３９】
アニール処理を行った後（工程Ｐ２３０）の除去工程は、窒化物半導体層１１０の上から第１の膜１２０を除去することによって行われてもよい。第１の膜１２０は、第１の膜１２０から見てＸ軸方向における外側から接触するＴＭＡＨ水溶液との反応によって除去される。Ｘ軸方向における外側から第１の膜１２０が除去されることによって、第１の膜１２０の上に形成された第２の膜１３０およびダイヤモンドライクカーボン膜１４０も同時に除去（リフトオフ）できる。これらの工程を経て、アニール処理が施された窒化物半導体層１１０が形成される。この窒化物半導体層１１０を加工して、窒化物半導体素子が完成する。
【００４０】
除去工程において、除去するための溶液との接触面が十分に確保されるよう第１の膜１２０もしくは第２の膜１３０の厚さは、５０ｎｍ以上であることが望ましい。また、除去工程は、窒化物半導体層１１０の上から第１の膜１２０および第２の膜１３０をともに除去できる水溶液で同時に除去されることによって行われてもよい。
【００４１】
第１の膜１２０もしくは第２の膜１３０の少なくとも一方を除去することによって、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を窒化物半導体層１１０の上から除去（リフトオフ）することができる。よって、アニール処理に用いた膜（第１の膜１２０、第２の膜１３０およびダイヤモンドライクカーボン膜１４０）を除去する際の作業工程を少なくすることができる。また、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０が第２の膜１３０との界面において反応したことによってダイヤモンドライクカーボン膜１４０を第２の膜１３０から除去することが難しい場合であっても、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を窒化物半導体層１１０の上から除去することができる。
【００４２】
Ｃ．他の実施形態：
図７は、第１実施形態における窒化物半導体素子の製造方法の工程Ｐ２４０を終えた際に、酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５が残っている状態を示した説明図である。第２の膜１３０が二酸化ケイ素である場合、第２の膜１３０とダイヤモンドライクカーボン膜１４０との界面に酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５が形成されることがある。この場合、ダイヤモンドライクカーボン膜１４０を除去した後（工程Ｐ２４０）、酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５が第２の膜１３０の上に残る場合がある。図６における状態で工程Ｐ２５０を行うと、第２の膜１３０におけるＺ軸方向の＋側が酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５で覆われているために、第２の膜１３０が除去されにくい。
【００４３】
図８は、図７の状態に対して第２実施形態における除去工程を行っている状態を示した説明図である。図７の状態に対して除去工程を行うことによって、第１の膜１２０から見てＸ軸方向における外側から第１の膜１２０が除去される。このため、第１の膜１２０の上に形成された第２の膜１３０および酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５も同時に除去（リフトオフ）できる。これらの工程を経て、アニール処理が施された窒化物半導体層１１０が形成される。この窒化物半導体層１１０を加工して、窒化物半導体素子が完成する。酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＣＯ）膜１３５の除去（リフトオフ）は、第２の膜１３０を除去することによって行われてもよい。
【００４４】
第１実施形態では、第１の膜１２０は、ケイ素（Ｓｉ）を含有しない膜であったが、本発明はこれに限られない。例えば、第１の膜１２０は、窒化物半導体層１１０に含まれる窒化ガリウム表面へのＳｉ汚染の生じる可能性はあるが、ＳｉＮ（窒化ケイ素）などのケイ素（Ｓｉ）を含有する膜とすることもできる。
【００４５】
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…積層体
１１０…窒化物半導体層
１１０Ｍ…注入領域
１１０Ｎ…非注入領域
１１０Ｐ…窒化物半導体層
１２０…第１の膜
１３０…第２の膜
１３５…酸素含有炭化ケイ素膜
１４０…ダイヤモンドライクカーボン膜
２００…マスク
【図１】
2018056149.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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