(57)【要約】【課題】電圧に応じて一次側巻線数を変更する回路を追加する場合に比べて、安価な電源装置などを提供する。【解決手段】電源装置７０は、交流電源に接続され、スイッチング素子ＦＥＴを有する一次側回路Ｐｃと、一次側巻線Ｐと二次側巻線Ｓ１とを有し、一次側巻線Ｐにスイッチング素子ＦＥＴのスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、二次側巻線Ｓ１に交流を誘導するトランスＴＦと、二次側巻線Ｓ１に誘導された交流を整流して出力する二次側回路Ｓｃ１と、を備え、一次側巻線Ｐは、第１の巻線Ｐ１と第２の巻線Ｐ２とを有し、交流電源が低圧系（１００Ｖ）である場合に、一次側巻線Ｐにおける第１の巻線Ｐ１と第２の巻線Ｐ２とが並列接続され、交流電源が高圧系（２００Ｖ）である場合に、一次側巻線Ｐにおける第１の巻線Ｐ１と第２の巻線Ｐ２とが直列接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、
一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、
前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、
前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、
前記交流電源が第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続され、
前記交流電源が前記第１の電圧より高い第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されている
ことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記トランスは、前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、
前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続され、
前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記トランスは、前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、
前記トランスを搭載する基板上の前記一次側回路を形成するパタン導体は、前記交流電源が前記第１の電圧である場合及び当該交流電源が前記第２の電圧である場合に対して共通に設けられ、
前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、前記トランスの複数の前記一次側端子が、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続され、
前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、前記トランスの複数の前記一次側端子が、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項４】
前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該第１の巻線と当該第２の巻線の一方側と他方側とがそれぞれ、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続されていることを特徴とする請求項３に記載の電源装置。
【請求項５】
前記トランスは、
前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、
前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられ、前記一次側端子より前記一次側回路側に配置されて、一方側を接続する接続パタン導体と、当該接続パタン導体の一部と平面視で重なる位置で、他方側を接続する接続部材と、で接続され、
前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項６】
前記接続部材は、ジャンパー線であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項７】
前記接続部材は、ノイズの伝搬を抑制する部材であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項８】
前記トランスは、
列状に配列された、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子を有し、
前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を有し、
前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電源装置。
【請求項９】
前記列状に配列された複数の一次側端子の列、又は、当該列よりも前記一次側回路の内側に配置された部分で、接続されることにより、前記一次側巻線の前記第１の巻線と前記第２の巻線とが、並列接続及び直列接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電源装置。
【請求項１０】
交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、
一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、
前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、
前記交流電源は、１００Ｖ系の電源であり、
前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、
前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されている
ことを特徴とする電源装置。
【請求項１１】
交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、
一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、
前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、
前記交流電源は、２００Ｖ系の電源であり、
前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、
前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されている
ことを特徴とする電源装置。
【請求項１２】
前記トランスは、
列状に配列された、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子を有し、
前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を有し、
前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されている
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電源装置。
【請求項１３】
像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段により帯電された前記像保持体を露光し、当該像保持体に静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、
前記現像手段により現像された画像を被転写体に転写する転写手段と、
前記帯電手段、前記露光手段、前記現像手段及び前記転写手段に電力を供給する電源部と、を備え、
前記電源部は、
交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、
一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、
前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、
前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、
前記交流電源が第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続され、
前記交流電源が前記第１の電圧より高い第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と当該第２の巻線とが直列接続されている
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１４】
第１の巻線と第２の巻線とを有する一次側巻線と、
前記一次側巻線に流れる電流により電流が誘導される二次側巻線と、
列状に配列され、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子と、を備え、
前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を、有し、
前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されている
ことを特徴とするトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源装置、画像形成装置及びトランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電圧の大きさが相対的に低い第１の電圧系と相対的に高い第２の電圧系のいずれかの電圧系の商用電源に接続され力率改善を行う昇圧型のＰＦＣ回路と、前記ＰＦＣ回路の出力電圧の分圧電圧を参照した電圧をＰＦＣ制御電圧として前記ＰＦＣ回路に入力する分圧回路と、前記ＰＦＣ制御電圧に応じて前記ＰＦＣ回路の制御を行うＰＦＣ制御部と、前記ＰＦＣ回路の出力が接続され降圧トランスを含むＤＣ−ＤＣコンバータ部と、を備えたＰＦＣ回路を備え、商用電源からの入力電圧の大きさが第１の電圧系又は第２の電圧系のいずれの電圧系であるかを検出する入力電圧検出回路と、前記入力電圧検出回路で検出した電圧系に基づいて、前記分圧回路の分圧比率と前記降圧トランスの一次側巻線数とを変更するＰＦＣ出力電圧制御部と、を備えてなるＰＦＣ回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１０９７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
予め定められた電圧を供給する電源装置は、供給される商用電源の電圧に対応したトランスを用いて構成されていた。このため、複数の電圧を対象とした装置の開発においては、それぞれの電圧に対応したトランスを用意する必要があった。
本発明は、電圧に応じて一次側巻線数を変更する回路を追加する場合に比べて、安価な電源装置などを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、前記交流電源が第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続され、前記交流電源が前記第１の電圧より高い第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されていることを特徴とする電源装置である。
請求項２に記載の発明は、前記トランスは、前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続され、前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電源装置である。
請求項３に記載の発明は、前記トランスは、前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、前記トランスを搭載する基板上の前記一次側回路を形成するパタン導体は、前記交流電源が前記第１の電圧である場合及び当該交流電源が前記第２の電圧である場合に対して共通に設けられ、前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、前記トランスの複数の前記一次側端子が、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続され、前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、前記トランスの複数の前記一次側端子が、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電源装置である。
請求項４に記載の発明は、前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該第１の巻線と当該第２の巻線の一方側と他方側とがそれぞれ、前記基板上に設けられた前記パタン導体を接続する接続部材を介して接続されていることを特徴とする請求項３に記載の電源装置である。
請求項５に記載の発明は、前記トランスは、前記一次側巻線と接続される、列状に配列された複数の一次側端子を有し、前記交流電源が前記第１の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられ、前記一次側端子より前記一次側回路側に配置されて、一方側を接続する接続パタン導体と、当該接続パタン導体の一部と平面視で重なる位置で、他方側を接続する接続部材と、で接続され、前記交流電源が前記第２の電圧である場合に、前記トランスの前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されるように、当該トランスの複数の前記一次側端子が、当該トランスを搭載する基板上に設けられた前記一次側回路を構成するパタン導体により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電源装置である。
請求項６に記載の発明は、前記接続部材は、ジャンパー線であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電源装置である。
請求項７に記載の発明は、前記接続部材は、ノイズの伝搬を抑制する部材であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電源装置である。
請求項８に記載の発明は、前記トランスは、列状に配列された、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子を有し、前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を有し、前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電源装置である。
請求項９に記載の発明は、前記列状に配列された複数の一次側端子の列、又は、当該列よりも前記一次側回路の内側に配置された部分で、接続されることにより、前記一次側巻線の前記第１の巻線と前記第２の巻線とが、並列接続及び直列接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電源装置である。
請求項１０に記載の発明は、交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、前記交流電源は、１００Ｖ系の電源であり、前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続されていることを特徴とする電源装置である。
請求項１１に記載の発明は、交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、前記交流電源は、２００Ｖ系の電源であり、前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが直列接続されていることを特徴とする電源装置である。
請求項１２に記載の発明は、前記トランスは、列状に配列された、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子を有し、前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を有し、前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電源装置である。
請求項１３に記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、前記帯電手段により帯電された前記像保持体を露光し、当該像保持体に静電潜像を形成する露光手段と、前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、前記現像手段により現像された画像を被転写体に転写する転写手段と、前記帯電手段、前記露光手段、前記現像手段及び前記転写手段に電力を供給する電源部と、を備え、前記電源部は、交流電源に接続され、スイッチング素子を有する一次側回路と、一次側巻線と二次側巻線とを有し、当該一次側巻線に前記スイッチング素子のスイッチングにより生成された交流が入力されることにより、当該二次側巻線に交流を誘導するトランスと、前記二次側巻線に誘導された交流を整流して出力する二次側回路と、を備え、前記一次側巻線は、第１の巻線と第２の巻線とを有し、前記交流電源が第１の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と前記第２の巻線とが並列接続され、前記交流電源が前記第１の電圧より高い第２の電圧である場合に、前記一次側巻線における前記第１の巻線と当該第２の巻線とが直列接続されていることを特徴とする画像形成装置である。
請求項１４に記載の発明は、第１の巻線と第２の巻線とを有する一次側巻線と、前記一次側巻線に流れる電流により電流が誘導される二次側巻線と、列状に配列され、前記一次側巻線と接続される複数の一次側端子と、を備え、前記一次側巻線の前記第１の巻線が第１の端部及び第２の端部を、前記第２の巻線が第３の端部及び第４の端部を、有し、前記第１の端部、前記第３の端部、前記第２の端部及び前記第４の端部の順に、複数の前記一次側端子のそれぞれに接続されていることを特徴とするトランスである。
【発明の効果】
【０００６】
請求項１に係る発明によれば、電圧に応じて一次側巻線数を変更する回路を追加する場合に比べて、安価な電源装置などを提供できる。
請求項２に係る発明によれば、パタン導体により接続しない場合に比べ、製造工程が簡易になる。
請求項３に係る発明によれば、基板のパタン導体を共通にすることができる。
請求項４に係る発明によれば、一次側巻線の一方を接続部材で接続する場合に比べ、交流電源が第１の電圧である場合において、一次側巻線の電気的な非対称を抑制できる。
請求項５に係る発明によれば、トランスの一次側端子をパタン導体と接続部材とで接続しない場合に比べ、一次側回路と二次側回路との間の絶縁距離を大きくできる。
請求項６に係る発明によれば、接続部材がジャンパー線でない場合に比べ、安価に構成できる。
請求項７に係る発明によれば、接続部材がノイズの伝搬を抑制する部材でない場合に比べ、スイッチング素子からのノイズの伝搬が抑制される。
請求項８、１２に係る発明によれば、２つの巻線を直列につなぐ場合でも、並列につなぐ場合でも、接続する端部同士が隣り合っている状態にすることができる。
請求項９に係る発明によれば、パタン導体により接続する際に、並列につなぐ際にパタン導体が端子よりも２次側回路側に張り出す構成に比較して、１次側回路と２次側回路の距離を同じとすると、パタン導体を小さく構成できる。
請求項１０、１１、１４に係る発明によれば、電圧に応じて一次側巻線数を変更する回路を追加する場合に比べて、安価な電源装置などを提供できる。
請求項１３に係る発明によれば、電圧に応じて一次側巻線数を変更する回路を追加する場合に比べて、安価な電源装置などを備えた画像形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】画像形成装置の概略断面図である。
【図２】第１の実施の形態が適用される電源部におけるトランスの概要を説明する図である。（ａ）は、低圧系の交流を受電する場合、（ｂ）は、高圧系の交流を受電する場合である。
【図３】第１の実施の形態が適用される電源部の構成の一例である。（ａ）は、低圧系の電源部、（ｂ）は、高圧系の電源部である。
【図４】第２の実施の形態が適用される電源部の構成の一例である。（ａ）は、低圧系の電源部、（ｂ）は、高圧系の電源部である。
【図５】第３の実施の形態が適用される電源部の構成の一例である。（ａ）は、低圧系の電源部、（ｂ）は、高圧系の電源部である。
【図６】第４の実施の形態が適用される電源部の構成の一例である。（ａ）は、低圧系の電源部、（ｂ）は、高圧系の電源部である。
【図７】第５の実施の形態が適用される電源部の構成の一例である。（ａ）は、低圧系の電源部、（ｂ）は、高圧系の電源部である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
＜画像形成装置１＞
図１は、画像形成装置１の概略断面図である。図示の画像形成装置１は、画像データに基づいて画像を印刷する電子写真式のカラープリンタである。
【０００９】
画像形成装置１は、本体ケース９０の内部に、用紙Ｑが収容された用紙収容部４０と、用紙Ｑに画像を形成する画像形成部１０と、用紙収容部４０から画像形成部１０を通って本体ケース９０の用紙排出口９６まで用紙Ｑを搬送する搬送部５０とを備えている。また、画像形成装置１は、画像形成装置１全体の動作を制御する制御部３１と、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）３や画像読取装置（スキャナ）４等と通信を行って画像データを受信する通信部３２と、通信部３２にて受信された画像データに対して画像処理を施す画像処理部３３とを備えている。また、画像形成部１０に高圧電力を供給するための画像形成電源部８０を備えている。そして、画像形成装置１は、商用電源から交流を受電して、画像形成電源部８０、制御部３１、通信部３２及び画像処理部３３に直流電力を供給する電源部７０を備えている。なお、電源部７０は、電源装置の一例である。
【００１０】
用紙収容部４０は、用紙Ｑを収容する。
搬送部５０は、用紙収容部４０から、画像形成部１０を通って用紙排出口９６まで延びた用紙Ｑの搬送路５１と、用紙Ｑを搬送路５１に沿って搬送する搬送ローラ５２とを備えている。搬送部５０は、用紙Ｑを矢印Ｃ方向に搬送する。
【００１１】
画像形成部１０は、予め定められた間隔で配置された４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋを備えている。なお、以下、画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋをそれぞれ区別しないときは、画像形成ユニット１１と表記する。各画像形成ユニット１１はそれぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を予め定めた電位で帯電する帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を各色の画像データに基づき露光するＬＥＤ（Light Emitting Diode）プリントヘッド１４、感光体ドラム１２の表面に形成された静電潜像を現像する現像器１５、転写後の感光体ドラム１２の表面を清掃するドラムクリーナ１６を備えている。
【００１２】
４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、現像器１５に収納されるトナーを除いて同様に構成され、イエロー（Ｙ）のトナーを収容した現像器１５を備えた画像形成ユニット１１Ｙはイエローのトナー像を形成する。同様に、マゼンタ（Ｍ）のトナーを収容した現像器１５を備えた画像形成ユニット１１Ｍはマゼンタのトナー像を形成し、シアン（Ｃ）のトナーを収容した現像器１５を備えた画像形成ユニット１１Ｃはシアンのトナー像を形成し、黒（Ｋ）のトナーを収容した現像器１５を備えた画像形成ユニット１１Ｋは黒のトナー像を形成する。
【００１３】
また、画像形成部１０は、各画像形成ユニット１１の感光体ドラム１２に形成された各色のトナー像が重畳されるように多重転写される中間転写ベルト２０と、各画像形成ユニット１１にて形成された各色のトナー像を中間転写ベルト２０に順次静電転写（一次転写）する一次転写ロール２１とを備えている。さらに、画像形成部１０は、中間転写ベルト２０の表面に各色のトナー像が重畳して転写された重畳トナー像を用紙Ｑに一括して静電転写（二次転写）する二次転写ロール２２と、用紙Ｑに二次転写された重畳トナー像を定着させる定着ユニット６０とを備えている。
【００１４】
画像形成装置１は、制御部３１による動作の制御の下で、次のプロセスによる画像形成処理を行う。すなわち、ＰＣ３やスキャナ４から送出された画像データは、通信部３２にて受信され、画像処理部３３により予め定めた画像処理が施された後、各色の画像データとなって、対応する色の各画像形成ユニット１１に送られる。そして、例えば黒のトナー像を形成する画像形成ユニット１１Ｋでは、感光体ドラム１２が矢印Ａ方向に回転しながら帯電器１３により予め定めた電位で帯電される。
その後、画像処理部３３から送信された黒の画像データに基づきプリントヘッド１４が感光体ドラム１２を走査露光する。これにより、感光体ドラム１２の表面には黒の画像データに対応した静電潜像が形成される。感光体ドラム１２上に形成された黒の静電潜像は現像器１５により現像され、感光体ドラム１２上に黒のトナー像が形成される。同様に、画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃは、それぞれイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各トナー像を形成する。
【００１５】
各画像形成ユニット１１の感光体ドラム１２に形成された各色のトナー像は、一次転写ロール２１により矢印Ｂ方向に移動する中間転写ベルト２０上に順次静電転写され、中間転写ベルト２０上に、各色のトナー像が重畳された重畳トナー像が形成される。
中間転写ベルト２０が矢印Ｂ方向へ移動することにより、中間転写ベルト２０上の重畳トナー像は二次転写ロール２２に送られる。重畳トナー像が二次転写ロール２２に送られると、そのタイミングに合わせて、用紙収容部４０の用紙Ｑが、搬送部５０の搬送ローラ５２により、搬送路５１に沿って矢印Ｃ方向に搬送される。そして、中間転写ベルト２０上に形成された重畳トナー像は、二次転写ロール２２が形成する転写電界により、搬送路５１に沿って搬送されてきた用紙Ｑ上に一括して静電転写される。
【００１６】
その後、重畳トナー像が静電転写された用紙Ｑは、搬送路５１に沿って定着ユニット６０まで搬送される。定着ユニット６０に搬送された用紙Ｑ上の重畳トナー像は、定着ユニット６０によって熱および圧力を受け、用紙Ｑ上に定着される。そして、定着された重畳トナー像が形成された用紙Ｑは、搬送路５１に沿って矢印Ｃ方向に搬送され、本体ケース９０の用紙排出口９６から排出され、用紙を載せる用紙積載部９５に積載される。
一方、一次転写後に感光体ドラム１２に残存しているトナー及び二次転写後に中間転写ベルト２０に残存しているトナーは、それぞれドラムクリーナ１６、およびベルトクリーナ２５によって除去される。
画像形成装置１による、用紙Ｑに画像を印刷する処理が、印刷の枚数に対応したサイクルだけ繰り返し実行される。
【００１７】
（電源部７０）
電源部７０は、商用電源（交流電源）から交流を受電し、画像形成電源部８０には、例えば２４Ｖの直流を供給し、制御部３１、通信部３２及び画像処理部３３には、例えば５Ｖの直流を供給する。
なお、商用電源の電圧には、低圧系（９０Ｖ〜１４０Ｖ）と高圧系（１９６Ｖ〜２６４Ｖ）とがある。そこで、画像形成装置１は、受電する（供給される）商用電源の電圧に対応した電源部７０を備えている。
そして、電源部７０は、スイッチング素子を用いたスイッチングレギュレータ方式を用いている。そして、電圧の変換には、トランスＴＦを用いている。
【００１８】
図２は、第１の実施の形態が適用される電源部７０におけるトランスＴＦの概要を説明する図である。図２（ａ）は、低圧系の交流を受電する場合、図２（ｂ）は、高圧系の交流を受電する場合である。図２では、低圧系を一例として１２０Ｖとし、高圧系を一例として２４０Ｖとして示している。また、図２では、上側にトランスＴＦにおける巻き数の関係を、下側に一次側巻線Ｐの構成を示している。
以下では、低圧系の交流を受電する場合を低圧系の場合、高圧系の交流を受電する場合を高圧系の場合と表記する。
【００１９】
図２（ａ）の上側に示すように、低圧系（ここでは、１２０Ｖ）の場合には、トランスＴＦの一次側巻線Ｐの巻き数ＮＰを５０ターン（Ｔ）とし、二次側巻線Ｓ１の巻き数ＮＳ１を１０Ｔとする。これにより、１２０Ｖから２４Ｖが得られる。
一方、図２（ｂ）の上側に示すように、高圧系（ここでは、２４０Ｖ）の場合（以下では、高圧系の場合と表記する。）には、トランスＴＦの一次側巻線Ｐの巻き数ＮＰを１００Ｔとし、二次側巻線Ｓ１の巻き数ＮＳ１を１０Ｔとする。これにより、２４０Ｖから２４Ｖが得られる。
すなわち、低圧系の場合も、高圧系の場合も、二次側巻線Ｓ１の巻き数ＮＳ１は、１０Ｔでよい。しかし、一次側巻線Ｐの巻き数ＮＰは、５０Ｔと１００Ｔとで異なる。よって、このままでは、トランスＴＦを低圧系と高圧系とで共通化し得ない。
【００２０】
そこで、第１の実施の形態が適用されるトランスＴＦでは、一次側巻線Ｐを巻き数ＮＰが５０Ｔの二つの巻線Ｐ１、Ｐ２に分けている。そして、低圧系の場合は、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを並列接続する。これにより、一次側巻線Ｐの巻き数ＮＰが５０Ｔとなる。一方、高圧系の場合は、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを直列接続する。これにより、一次側巻線Ｐの巻き数ＮＰが１００Ｔとなる。
なお、巻線Ｐ１、Ｐ２のそれぞれは、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に対して、同じ向きに電圧が発生するように、巻かれている。
【００２１】
このようにすることで、画像形成装置１が受電する交流が低圧系の場合でも、高圧系の場合でも、トランスＴＦを構成する部品の多くが共通化される。よって、低圧系の交流を受電する画像形成装置１と高圧系の交流を受電する画像形成装置１とで、異なるトランスＴＦを用意することを要しないため、部材の管理が簡易になるとともに、コストが低減される。
【００２２】
さらに、一次側巻線Ｐを巻線Ｐ１（インダクタンスＬ１、直流抵抗Ｒ１）と巻線Ｐ２（インダクタンスＬ２、直流抵抗Ｒ２）とに分割すると、インダクタンスは、直列接続の場合にＬ１＋Ｌ２となり、並列接続の場合に１／（１／Ｌ１＋１／Ｌ２）となる。また、直流抵抗は、並列接続の場合に１／（１／Ｒ１＋１／Ｒ２）となり、直列接続の場合にＲ１＋Ｒ２となる。
ここで、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌとすると、インダクタンスは、直列接続の場合に２Ｌとなり、並列接続の場合にＬ／２になる。また、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒとすると、直流抵抗は、並列接続の場合にＲ／２となり、直列接続の場合に２Ｒになる。すなわち、低圧系の場合の直流抵抗は、高圧系の１／４になる。
【００２３】
一次側巻線Ｐの直流抵抗による損失（発熱量）は、電流の２乗と直流抵抗との積に比例する。よって、二次側巻線Ｓ１（２４Ｖ側）に同じ電力を供給する場合、低圧系の場合では、高圧系の場合に比べて、２倍の電流を流すことが必要となる。しかし、低圧系では、直流抵抗が１／４であるので、損失（発熱量）が同じになる。
【００２４】
なお、低圧系の場合に、一次側巻線Ｐの巻線Ｐ１及び巻線Ｐ２のいずれか一方を使用しても、低圧系（１２０Ｖ）から２４Ｖが得られる。しかし、低圧系の場合の直流抵抗は、Ｒとなり、高圧系の１／２になる。
このため、二次側巻線Ｓ１（２４Ｖ側）に同じ電力を供給する場合、低圧系における一次側巻線Ｐにおける損失（発熱量）は、高圧系に比べて、倍になる。
【００２５】
表１は、第１の実施の形態が適用されるトランスの構成例である。一次側巻線Ｐを二つの巻線Ｐ１、Ｐ２に分割している。そして、それぞれの巻き数ＮＰ１、ＮＰ２、インダクタンスＬＰ１、ＬＰ２を示している。さらに、低圧系及び高圧系における一次側巻線Ｐの巻き数、インダクタンス及び一次側巻線Ｐに流れる最大電流ＩＰＭＡＸの例を示している。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
表１に示すように、低圧系における一次側巻線Ｐに流れる最大電流ＩＰＭＡＸは、高圧系に比べ、２倍になる。よって、直流抵抗が小さいほど、損失（発熱量）が小さく抑えられる。
なお、上記では、低圧系を１２０Ｖ、高圧系を２４０Ｖとして、低圧系の交流の電圧と高圧系の交流の電圧との間に２倍の関係がある場合を説明した。前述したように、広く用いられている商用電源は、低圧系として９０Ｖ〜１４０Ｖ、高圧系として１９６Ｖ〜２６４Ｖである。すなわち、低圧系の電圧と高圧系の電圧との間には、ほぼ２倍の関係がある。よって、これらの電圧に対しても、第１の実施の形態が適用される。
低圧系が第１の電圧の一例、高圧系が第２の電圧の一例である。また、低圧系が１００Ｖ系の一例、高圧系が２００Ｖ系の一例である。
【００２８】
次に、第１の実施の形態が適用される電源部７０の構成を説明する。
図３は、第１の実施の形態が適用される電源部７０の構成の一例である。図３（ａ）は、低圧系の電源部７０、図３（ｂ）は、高圧系の電源部７０である。なお、低圧系を１００Ｖの交流、高圧系を２００Ｖの交流として説明する。よって、低圧系を１００Ｖ又は低圧系（１００Ｖ）と、高圧系を２００Ｖ又は高圧系（２００Ｖ）と表記する。また、電源部７０は、直流の２４Ｖを出力するとして説明する。
【００２９】
電源部７０は、電源基板７１と、電源基板７１上に搭載された電子部品と、電源基板７１上に搭載されたトランスＴＦとを備える。電源基板７１は、紙フェノールやガラスエポキシなどで構成された絶縁基板と、絶縁基板の一方の表面に銅箔などで構成された複数のパタン導体Ｍとを備える。電源基板７１は、一般に、一方の表面に銅箔などの導体層が設けられた単層基板で構成される。よって、電源基板７１は、単層基板で構成され、一方の表面に導体層を加工して構成されたパタン導体Ｍを有するとする。なお、電源基板７１は、両表面に導体層が形成された両面基板や、複数の導体層を備える多層基板などで構成されてもよい。
なお、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで、電源基板７１の大きさ（サイズ）は、同じであるとする。
そして、複数のパタン導体Ｍのそれぞれを区別する場合には、パタン導体Ｍｘと表記する。ｘは区別するための番号である。他の部材についても同様とする。
電子部品は、ダイオードブリッジＤＢ、電界効果トランジスタＦＥＴ、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、ダイオードＤ２、Ｄ３であって、複数のパタン導体Ｍのいずれかに接続される。
【００３０】
トランスＴＦを説明する。なお、トランスＴＦは、前述したように、低圧系（図３（ａ））と高圧系（図３（ｂ））とで共通である。
トランスＴＦは、１４本のピン（ピン＃１〜＃１４）を有する電子部品として構成されている。そして、１４本のピンは、電源基板７１に設けられた穴に差し込まれ、複数のパタン導体Ｍのいずれかと接続される。これにより、トランスＴＦは、ピンが電源基板７１のパタン導体Ｍと電気的に接続されるとともに、電源基板７１に固定される。
【００３１】
トランスＴＦのピン＃１〜＃１４は、反時計回りに並んでいる。そして、ピン＃１〜＃７とピン＃８〜＃１４とが対向するように、列状に配列されている。
【００３２】
トランスＴＦは、一次側巻線Ｐ、Ｐ３と二次側巻線Ｓ１とを備える。一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とに分割されている。巻線Ｐ１が第１の巻線の一例、巻線Ｐ２が第２の巻線の一例である。
巻線Ｐ１は、巻線の端部（以下では端部と表記する。）Ｐ１１、Ｐ１２がピン＃１、＃２それぞれに接続され、巻線Ｐ２は、端部Ｐ２１、Ｐ２２がピン＃３、＃４にそれぞれ接続されている。端部Ｐ１１が第１の端部の一例、端部Ｐ１２が第２の端部の一例、端部Ｐ２１が第３の端部の一例、及び、端部Ｐ２２が第４の端部の一例である。
巻線Ｓ１は、一方の端部が分岐されてピン＃８〜＃１０に接続され、他方の端部が分岐されてピン＃１２〜＃１４に接続されている。なお、端部を分岐したのは、例えば、電流の集中を避けるためである。なお、端部を分岐しなくともよい。また、ピン＃８とピン＃１４とを接続する巻線、ピン＃９とピン＃１３とを接続する巻線、及び、ピン＃１０とピン＃１２とを接続する巻線が束にして用いられていてもよい。
巻線Ｐ３は、一方の端部がピン＃６に接続され、他方の端部がピン＃７に接続されている。
ここでは、ピン＃５、＃１１は、空きである。
なお、トランスＴＦは、ピンの代わりに、電極を有していてもよい。そして、表面実装法により、電極とパタン導体Ｍとを接続してもよい。
ピンや電極を、端子と表記することがある。また、ピン＃１〜ピン＃７が、一次側端子の一例である。なお、ピン＃１〜ピン＃７が、列状に並んでいればよい。なお、列状とは、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、直線上に並ぶ場合の他に、直線と直交する方向にずれていてもよい。ピンの番号が列方向に並んでいればよい。
【００３３】
図３（ａ）において、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１、Ｐｃ２及び二次側回路Ｓｃを説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、低圧系の交流を受電して、トランスＴＦの一次側巻線Ｐに高周波の交流を供給する。二次側回路Ｓｃは、トランスＴＦの二次側巻線Ｓ１に誘導された交流を整流して２４Ｖの直流を生成する。一次側回路Ｐｃ２は、トランスＴＦの一次側巻線Ｐ３に誘導された交流を整流して、後述する電界効果トランジスタＦＥＴの制御回路Ｃｃの電源電圧を生成する。
一次側回路Ｐｃ１、Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃ及びトランスＴＦは、電源基板７１上に構成されている。
【００３４】
まず、一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４の間にダイオードブリッジＤＢを備える。さらに、パタン導体Ｍ３、Ｍ４の間にコンデンサＣ１を備える。さらにまた、パタン導体Ｍ４、Ｍ５の間に、スイッチング素子である電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００３５】
パタン導体Ｍ１、Ｍ２は、商用電源から交流の１００Ｖを受電する（交流が入力される）。パタン導体Ｍ１、Ｍ２は、交流を受電する端子である。すると、ダイオードブリッジＤＢにより、受電した交流が整流され、脈流がパタン導体Ｍ３、Ｍ４に出力される。なお、パタン導体Ｍ３、Ｍ４に出力される脈流は、全波整流された脈流である。そして、コンデンサＣ１により、ダイオードブリッジＤＢからの脈流が平滑化される。さらに、電界効果トランジスタＦＥＴにより、コンデンサＣ１で平滑化された直流がスイッチングされる。そして、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングによって生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ３、Ｍ５に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されて、パタン導体Ｍ３及びパタン導体Ｍ５に接続されればよい。
【００３６】
パタン導体Ｍ３は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）とピン＃３（端部Ｐ２１）とを接続するように延びている。パタン導体Ｍ５は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ１２）とピン＃４（端部Ｐ２２）とを接続する。すなわち、一次側巻線Ｐにおいて、巻線Ｐ１の端部Ｐ１１と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とがパタン導体Ｍ３により接続され、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２２とがパタン導体Ｍ５により接続され、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されている（図３（ａ）参照）。この際、端部Ｐ１１と端部Ｐ２１と、端部Ｐ１２と端部Ｐ２２とをそれぞれ接続する必要があるが、端部Ｐ１１と端部Ｐ２１との間には端部Ｐ１２があり、端部Ｐ１２と端部Ｐ２２との間には端部Ｐ２１があるので、パタン導体Ｍ３又はパタン導体Ｍ５のどちらかが、ピン＃１〜ピン＃７よりも二次側回路Ｓｃ側をとおる必要がある。そのため、第１の実施の形態では、図３（ａ）に示す低圧系（１００Ｖ）の電源部７０では、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ３と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１との間の距離ｄ１が、図３（ｂ）に示す高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１、Ｍ３２との間の距離ｄ２に比べて、近接している。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２との並列接続された一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）がパタン導体Ｍ３に接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ５に接続されている。
【００３７】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、一次側巻線Ｐ３、二次側巻線Ｓ１に高周波の交流を誘導する。
【００３８】
次に、二次側回路Ｓｃを説明する。
二次側回路Ｓｃは、電源基板７１のパタン導体Ｍ３１、Ｍ３２、Ｍ３３を用いて構成されている。そして、二次側回路Ｓｃは、パタン導体Ｍ３２、Ｍ３３の間に、ダイオードＤ２を備える。さらに、パタン導体Ｍ３１、Ｍ３３の間に、コンデンサＣ２を備える。
パタン導体Ｍ３１、Ｍ３２に、二次側巻線Ｓ１によって高周波の交流が誘導される。すると、高周波の交流は、ダイオードＤ２により整流されて脈流となる。なお、ダイオードＤ２により整流される脈流は、半波整流された脈流である。そして、ダイオードＤ２により整流された脈流が、コンデンサＣ２により平滑化される。平滑化された直流がパタン導体Ｍ３１、Ｍ３３から出力される。パタン導体Ｍ３１、Ｍ３３は、２４Ｖの直流を出力する端子である。
【００３９】
さて、一次側回路Ｐｃ２を説明する。
一次側回路Ｐｃ２は、電源基板７１のパタン導体Ｍ４１、Ｍ４２、Ｍ４３を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ２は、パタン導体Ｍ４２、Ｍ４３の間に、ダイオードＤ３を備える。さらに、パタン導体Ｍ４１、Ｍ４３の間にコンデンサＣ３を備える。
パタン導体Ｍ４１、Ｍ４２に、一次側巻線Ｐ３によって高周波の交流が誘導される。すると、高周波の交流は、ダイオードＤ３により整流されて脈流となる。なお、ダイオードＤ３により整流される脈流は、半波整流された脈流である。そして、ダイオードＤ３により整流された脈流がコンデンサＣ３により平滑化される。平滑化された直流がパタンＭ４１、Ｍ４３から出力される。パタン導体Ｍ４１、Ｍ４３は、電界効果トランジスタＦＥＴの制御回路Ｃｃに供給する電圧を出力する端子で、例えば直流２０Ｖを出力する。
なお、制御回路Ｃｃは、電界効果トランジスタＦＥＴをスイッチングする信号を生成して、電界効果トランジスタＦＥＴを制御する。
【００４０】
以上説明したように、低圧系（ここでは、１００Ｖ）の電源部７０では、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、並列に接続されている。
【００４１】
次に、図３（ｂ）において、高圧系（２００Ｖ）における一次側回路Ｐｃ１、Ｐｃ２及び二次側回路Ｓｃを説明する。なお、一次側回路Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃは、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０と同じであるので、説明を省略する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８を用いて構成されている。なお、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４は、図３（ａ）の低圧系と同じである。そして、一次側回路Ｐｃ１は、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ６の間にダイオードブリッジＤＢを備える。さらに、パタン導体Ｍ４、Ｍ６の間に設けられたコンデンサＣ１を備える。また、パタン導体Ｍ４、Ｍ７の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００４２】
パタン導体Ｍ１、Ｍ２は、商用電源から交流の２００Ｖを受電する（交流が入力される）。パタン導体Ｍ１、Ｍ２は、交流を受電する端子である。すると、ダイオードブリッジＤＢにより、受電した交流が整流され、脈流がパタン導体Ｍ４、Ｍ６に出力される。そして、コンデンサＣ１により、ダイオードブリッジＤＢからの脈流が平滑化される。さらに、電界効果トランジスタＦＥＴにより、コンデンサＣ１で平滑化された直流がスイッチングされる。そして、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングによって生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ６、Ｍ７に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されて、パタン導体Ｍ６及びパタン導体Ｍ７に接続されればよい。
【００４３】
パタン導体Ｍ６は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）に接続するように延びている。パタン導体Ｍ７は、トランスＴＦのピン＃４（端部Ｐ２２）に接続されている。そして、パタン導体Ｍ８は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ１２）とピン＃３（端部Ｐ２１）とを接続する。すなわち、一次側巻線Ｐにおいて、パタン導体Ｍ８により、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続され、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されている（図２（ｂ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２との直列接続された一方の側（巻線Ｐ１の端部Ｐ１１）がパタン導体Ｍ６に接続され、他方の側（巻線Ｐ２の端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ７に接続されている。
【００４４】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける直列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００４５】
以上説明したように、トランスＴＦを構成する部品の多くが、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで共通化されている。巻線Ｐ１と巻線Ｐ２との接続（並列接続又は直列接続）は、電源基板７１に設けられたパタン導体Ｍにより設定されている。すなわち、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで異なるパタン導体Ｍを有する電源基板７１を用意することにより、トランスＴＦを構成する部品の多くが共通化される。
【００４６】
［第２の実施の形態］
第１の実施の形態では、低圧系と高圧系とで異なるパタン導体Ｍを有する電源基板７１を用いた。
第２の実施の形態では、低圧系と高圧系とで同じパタン導体Ｍを有する電源基板７１を用いる。すなわち、第２の実施の形態では、低圧系と高圧系とでトランスＴＦを構成する部品の多くと電源基板７１とが共通化される。
【００４７】
図４は、第２の実施の形態が適用される電源部７０の構成の一例である。図４（ａ）は、低圧系の電源部７０、図４（ｂ）は、高圧系の電源部７０である。なお、低圧系を１００Ｖの交流、高圧系を２００Ｖの交流として説明する。第１の実施の形態が適用される電源部７０と同様な部分は同じ符号を付して、説明を省略する。ここでは、トランスＴＦは、第１の実施の形態と同様である。また、一次側回路Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃは、第１の実施の形態と同様である。よって、異なる一次側回路Ｐｃ１を説明する。
【００４８】
図４（ａ）において、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、接続部材Ｊ１、Ｊ２を備える。さらに、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ９の間にダイオードブリッジＤＢを備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ９の間にコンデンサＣ１を備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ１０の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
接続部材Ｊ１、Ｊ２は、例えば、電気的な導体である金属材料で構成された部材であって、電源基板７１に予め設けられた二つの穴に差し込まれて、穴間を電気的に接続する、ショートバーである。また、接続部材Ｊ１、Ｊ２は、ジャンパー線であってもよい。さらに、接続部材Ｊ１、Ｊ２は、インダクタンス（Ｌ）や抵抗（Ｒ）を含んだフィルタとして構成され、電界効果トランジスタＦＥＴのオン／オフに応じて発生する高周波のノイズの伝搬（通過）を抑制する部材であってもよい。後述する他の接続部材Ｊも同様である。
【００４９】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ９、Ｍ１０に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されて、パタン導体Ｍ９及びパタン導体Ｍ１０に接続されればよい。
【００５０】
パタン導体Ｍ９は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）と接続するように延びている。パタン導体Ｍ１０は、トランスＴＦのピン＃４（端部Ｐ２２）と接続するように延びている。パタン導体Ｍ１１は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ１２）と接続されている。パタン導体Ｍ１２は、トランスＴＦのピン＃３（端部Ｐ２１）と接続されている。
【００５１】
さらに、接続部材Ｊ１がパタン導体Ｍ９（端部Ｐ１１）とパタン導体Ｍ１２（端部Ｐ２１）とを接続している。また、接続部材Ｊ２がパタン導体Ｍ１０（端部Ｐ２２）とパタン導体Ｍ１１（端部Ｐ１２）とを接続している。
すなわち、一次側巻線Ｐにおいて、巻線Ｐ１の端部Ｐ１１と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続部材Ｊ１により接続され、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２２とが接続部材Ｊ２により接続されている。これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、並列接続されている（図２（ａ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続された一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）がパタン導体Ｍ９に接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ１０に接続されている。
【００５２】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００５３】
なお、図４（ａ）では、接続部材Ｊ１は、トランスＴＦと重なっている。このような場合、トランスＴＦを搭載する前に、電源基板７１に接続部材Ｊ１を設ければよい。
【００５４】
次に、図４（ｂ）において、高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、図４（ａ）に示した低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における接続部材Ｊ１、Ｊ２の代わりに、接続部材Ｊ３を備える。他の構成は、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０と同様であるので説明を省略する。
【００５５】
高圧系（２００Ｖ）の電源部７０では、第１の実施の形態で説明したのと同様に、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングによって生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ９、Ｍ１０に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されて、パタン導体Ｍ９及びパタン導体Ｍ１０に接続されればよい。
【００５６】
ここでは、パタン導体Ｍ１１（端部Ｐ１２）とパタン導体Ｍ１２（端部Ｐ２１）とが接続部材Ｊ３で接続されている。
これにより、一次側巻線Ｐの巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続され、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されている（図２（ｂ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続された一方の側（端部Ｐ１１）がパタン導体Ｍ９に接続され、他方の側（端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ１０に接続されている。
【００５７】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける直列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００５８】
以上説明したように、第２の実施の形態では、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで、トランスＴＦを構成する部品の多くと電源基板７１とが共通化されている。そして、接続部材Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３により、一次側巻線Ｐの巻線Ｐ１と巻線Ｐ２との接続関係（並列接続又は直列接続）が設定される。第２の実施の形態では、電源基板７１の管理を容易にしている。
【００５９】
［第３の実施の形態］
第１の実施の形態では、図３（ａ）に示す低圧系（１００Ｖ）の電源部７０では、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ３と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１との間の距離ｄ１が、図３（ｂ）に示す高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１、Ｍ３２との間の距離ｄ２に比べて、近接している。
また、第２の実施の形態でも、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ９、Ｍ１２と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１との間の距離ｄ３は、ピン＃１とピン＃１４との間の距離を同じとすると、図３（ｂ）に示す第１の実施の形態における高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における距離ｄ２に比べて、近接している。よって、この部分の電界が高くなっている。
そこで、第３の実施の形態では、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０及び高圧系（２００Ｖ）の電源部７０がともに、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間を距離ｄ２としている。一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間の距離は安全規格によって定められているため、必要十分な距離を確保する必要があるので、距離ｄ１及び距離ｄ３を距離ｄ２と同じにしようとすると、装置が大型化する。
【００６０】
図５は、第３の実施の形態が適用される電源部７０の構成の一例である。図５（ａ）は、低圧系の電源部７０、図５（ｂ）は、高圧系の電源部７０である。なお、低圧系を１００Ｖの交流、高圧系を２００Ｖの交流として説明する。第１の実施の形態及び第２の実施の形態が適用される電源部７０と同様な部分は同じ符号を付して、説明を省略する。ここでは、トランスＴＦは、第１の実施の形態と同様である。また、一次側回路Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃは、第１の実施の形態と同様である。よって、異なる一次側回路Ｐｃ１を説明する。
【００６１】
図５（ａ）において、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、接続部材Ｊ４を備える。さらに、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ１３の間にダイオードブリッジＤＢを備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ１３の間にコンデンサＣ１を備える。さらにまた、パタン導体Ｍ４、Ｍ１４の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００６２】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ１３、Ｍ１４に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されて、パタン導体Ｍ１３、Ｍ１４に接続されればよい。
【００６３】
パタン導体Ｍ１３は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）と接続するように延びている。パタン導体Ｍ１４は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ１２）、＃４（端部Ｐ２２）を接続するように設けられている。そして、パタン導体Ｍ１５は、トランスＴＦのピン＃３（端部Ｐ２１）に接続されている。
【００６４】
さらに、接続部材Ｊ４がパタン導体Ｍ１３（端部Ｐ１１）とパタン導体Ｍ１５（端部Ｐ２１）とを接続している。
すなわち、一次側巻線Ｐにおいて、巻線Ｐ１の端部Ｐ１１と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続部材Ｊ４により接続され、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２２とがパタン導体Ｍ１４により接続されている。なお、パタン導体Ｍ１４は、パタン導体Ｍ１５を迂回するように一次側回路Ｐｃ側に張り出すように配置され、端部Ｐ１２と端部Ｐ２２とを接続している。これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、並列接続されている（図２（ａ）参照）。パタン導体Ｍ１４を接続パタン導体と呼ぶことがある。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続された一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）がパタン導体Ｍ１３に接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ１４に接続されている。
【００６５】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００６６】
図５（ａ）に示すように、接続部材Ｊ４により、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）とピン＃３（端部Ｐ２１）とを接続し、パタン導体Ｍ１４によりピン＃２（端部Ｐ１２）とピン＃４（端部Ｐ２２）とを接続することで、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５と、二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１との間が距離ｄ２に設定されている。
【００６７】
次に、図５（ｂ）に示す高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１は、図３（ｂ）に示した第１の実施の形態における高圧系（２００Ｖ）の電源部７０と同じである。前述したように、図３（ｂ）に示す高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８と二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍ３１、Ｍ３２との間は、距離ｄ２に設定されている。
【００６８】
［第４の実施の形態］
第４の実施の形態が適用される電源部７０は、第１の実施の形態から第３の実施の形態に比べて、小さく構成される。すなわち、電源基板７１の大きさが小さく構成される。
例えば、第１の実施の形態における電源部７０では、図３（ａ）に示した低圧系の電源部７０において、端部Ｐ１２と端部Ｐ２２とをつなぐ際に、端部Ｐ２１が間にあるため、パタン導体Ｍ５を設けた。このため、同じ大きさの電源基板７１を用いるとすると、図３（ｂ）に示す高圧系の電源部７０において、領域α（パタン導体Ｍ４、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８で囲まれた領域）が利用されず、電源基板７１を大きくしている。
また、第３の実施の形態における電源部７０では、図５（ａ）に示した低圧系の電源部７０において、端部Ｐ１２と端部Ｐ２２とをつなぐ際に、端部Ｐ２１が間にあるため、パタン導体Ｍ１４を設けたことにより、図５（ｂ）に示す領域α（パタン導体Ｍ４、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８で囲まれた領域）が利用されず、電源基板７１を大きくしている。
【００６９】
図６は、第４の実施の形態が適用される電源部７０の構成の一例である。図６（ａ）は、低圧系の電源部７０、図６（ｂ）は、高圧系の電源部７０である。なお、低圧系を１００Ｖの交流、高圧系を２００Ｖの交流として説明する。第１の実施の形態と同様な部分は同じ符号を付して、説明を省略する。
【００７０】
トランスＴＦを説明する。なお、トランスＴＦは、前述したように、低圧系の電源部７０（図６（ａ））と高圧系の電源部７０（図６（ｂ））とで共通である。
トランスＴＦのピン（ピン＃１〜＃１４）の数及び配列は、第１の実施の形態と同じである。
【００７１】
トランスＴＦは、第１の実施の形態及び第３の実施の形態と同様に、一次側巻線Ｐ（巻線Ｐ１、Ｐ２）と二次側巻線Ｓ１、Ｓ２とを備える。しかし、巻線Ｐ１、Ｐ２とピンとの接続の関係が異なっている。
巻線Ｐ１は、端部Ｐ１１がピン＃１に、端部Ｐ１２がピン＃３に接続されている。また、巻線Ｐ２は、端部Ｐ２１がピン＃２に、端部Ｐ２２がピン＃４に接続されている。
巻線Ｓ１、巻線Ｐ３は、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
なお、ピン＃５、＃１１は、空きである。
【００７２】
そして、一次側回路Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃは、第１の実施の形態と同様である。よって、一次側回路Ｐｃ１を説明する。
【００７３】
図６（ａ）において、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２０、Ｍ２１を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２０の間にダイオードブリッジＤＢを備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ２０の間にコンデンサＣ１を備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ２１の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００７４】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ２０、Ｍ２１に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されて、パタン導体Ｍ２０、Ｍ２１に接続されればよい。
【００７５】
パタン導体Ｍ２０は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）とピン＃２（端部Ｐ２１）に接続するように延びている。パタン導体Ｍ２１は、トランスＴＦのピン＃３（端部Ｐ１２）とピン＃４（端部Ｐ２２）を接続するように設けられている。
すなわち、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１の端部Ｐ１１と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とがパタン導体Ｍ２０により接続され、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２２とがパタン導体Ｍ２１により接続されている。これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、並列接続されている（図２（ａ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続された一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）がパタン導体Ｍ２０に接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ２１に接続されている。
そして、巻線Ｐ１、Ｐ２とピンとの接続の関係を異ならせることで、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間が距離ｄ２に設定されている。
【００７６】
前述したように、第３の実施の形態では、図５（ａ）に示す低圧系（１００Ｖ）の電源部７０において、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間を距離ｄ２とした。しかし、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを並列接続する際に、一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）を接続部材Ｊ４で接続し、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）をパタン導体Ｍ１４で接続した。つまり、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的な特性が非対称（アンバランス）になっている。
これに対して、第４の実施の形態における電源部７０では、図６（ａ）に示すように、一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）をパタン導体Ｍ２０で接続し、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）をパタン導体Ｍ２１で接続している。よって、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的な特性が非対称にならない（バランスが取れている）。
【００７７】
次に、図６（ｂ）において、高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２２、Ｍ２３、Ｍ２４を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２２の間にダイオードブリッジＤＢを備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ２２の間にコンデンサＣ１を備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ２４の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００７８】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ２２、Ｍ２４に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されて、パタン導体Ｍ２２、Ｍ２４に接続されればよい。
【００７９】
パタン導体Ｍ２２は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）に接続するように延びている。パタン導体Ｍ２３は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ２１）とピン＃３（端部Ｐ１２）とを接続するように設けられている。そして、パタン導体Ｍ２４は、トランスＴＦのピン＃４（端部Ｐ２２）に接続されるように設けられている。
【００８０】
すなわち、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とがパタン導体Ｍ２３により接続され、これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、直列接続されている（図２（ｂ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続された一方の側（端部Ｐ１１）がパタン導体Ｍ２２に接続され、他方の側（端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ２４に接続されている。
【００８１】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００８２】
また、巻線Ｐ１、Ｐ２とピンとの接続の関係を異ならせることで、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間が距離ｄ２に設定されている。
さらに、パタン導体Ｍ４、Ｍ２２、Ｍ２３、Ｍ２４で囲まれた領域は、図３（ｂ）、図５（ｂ）に示した領域αに比べて、小さい。
【００８３】
以上説明したように、第４の実施の形態では、トランスＴＦにおける一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１、Ｐ２とピンとの接続関係を第１の実施の形態と異なるようにしている。これにより、トランスＴＦを構成する部品の多くが共通化されるとともに、電源基板７１の大きさを第１の実施の形態より小さくしている。
また、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とにおいて、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと、二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間を距離ｄ２に設定されている。
そして、低圧系の電源部７０において、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的特性が非対称になることが抑制されている。
さらに、高圧系において、電位差が大きいピン（パタン導体Ｍ）が隣接することが抑制されている。
さらにまた、電源基板７１のパタン導体Ｍの形状が、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで異なるが、接続部材Ｊを用いることを要しない。
そしてまた、低圧系及び高圧系のいずれにおいても、トランスＴＦの巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とで接続される端部同士は、隣り合っている。
【００８４】
［第５の実施の形態］
第４の実施の形態が適用される電源部７０は、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで、パタン導体Ｍが異なる電源基板７１を用いた。
第５の実施の形態が適用される電源部７０は、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで、パタン導体Ｍが同じ電源基板７１を用いている。
【００８５】
図７は、第５の実施の形態が適用される電源部７０の構成の一例である。図７（ａ）は、低圧系の電源部７０、図７（ｂ）は、高圧系の電源部７０である。なお、低圧系を１００Ｖの交流、高圧系を２００Ｖの交流として説明する。第１の実施の形態と同様な部分は同じ符号を付して、説明を省略する。
【００８６】
トランスＴＦは、第４の実施の形態と同様である。よって、説明を省略する。
そして、一次側回路Ｐｃ２、二次側回路Ｓｃは、第１の実施の形態と同様である。よって、第４の実施の形態と異なる一次側回路Ｐｃ１を説明する。
【００８７】
図７（ａ）において、低圧系（１００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１は、電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２５、Ｍ２６、Ｍ２７、Ｍ２８を用いて構成されている。そして、一次側回路Ｐｃ１は、接続部材Ｊ５、Ｊ６を備える。さらに、パタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２５の間にダイオードブリッジＤＢを備える。パタン導体Ｍ４、パタン導体Ｍ２５の間にコンデンサＣ１を備える。パタン導体Ｍ４、Ｍ２８の間に、電界効果トランジスタＦＥＴを備える。
【００８８】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ２５、Ｍ２８に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続されて、パタン導体Ｍ２５、Ｍ２８に接続されればよい。
【００８９】
パタン導体Ｍ２５は、トランスＴＦのピン＃１（端部Ｐ１１）に接続するように延びている。パタン導体Ｍ２６は、トランスＴＦのピン＃２（端部Ｐ２１）に接続されている。パタン導体Ｍ２７は、トランスＴＦのピン＃３（端部Ｐ１２）に接続されている。そして、パタン導体Ｍ２８は、トランスＴＦのピン＃４（端部Ｐ２２）に接続されている。
【００９０】
さらに、接続部材Ｊ５が、パタン導体Ｍ２５とパタン導体Ｍ２６とを接続し、接続部材Ｊ６が、パタン導体Ｍ２７とパタン導体Ｍ２８とを接続している。
すなわち、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１の端部Ｐ１１と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続部材Ｊ５により接続され、巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２２とが接続部材Ｊ６により接続されている。これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、並列接続されている（図２（ａ）参照）。
そして、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列接続された一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）がパタン導体Ｍ２５に接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ２８に接続されている。
【００９１】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
また、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間は、距離ｄ２に設定されている。
【００９２】
さらに、一次側巻線Ｐの一方の側（端部Ｐ１１と端部Ｐ２１）が接続部材Ｊ５で接続され、他方の側（端部Ｐ１２と端部Ｐ２２）が接続部材Ｊ６で接続されている。よって、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的な特性が非対称（アンバランス）になることが抑制されている。
そして、接続部材Ｊ５と接続部材Ｊ６とのそれぞれのインピーダンスの差を抑制するように設定することで、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的な特性が非対称（アンバランス）になることがさらに抑制される。
【００９３】
次に、図７（ｂ）において、高圧系（２００Ｖ）の電源部７０における一次側回路Ｐｃ１を説明する。
一次側回路Ｐｃ１の電源基板７１のパタン導体Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４、Ｍ２５、Ｍ２６、Ｍ２７、Ｍ２８は、図７（ａ）の低圧系（１００Ｖ）の電源部７０と同様である。そして、ダイオードブリッジＤＢ、コンデンサＣ１、電界効果トランジスタＦＥＴの接続関係も同じである。
なお、一次側回路Ｐｃ１は、図７（ａ）の低圧系（１００Ｖ）の電源部７０の接続部材Ｊ５、Ｊ６の代わりに、接続部材Ｊ７を備える。
【００９４】
一次側回路Ｐｃ１の動作は、第１の実施の形態と同じである。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴによってスイッチングされて生成された高周波の交流がパタン導体Ｍ６、Ｍ１８に出力される。
よって、一次側巻線Ｐは、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが直列接続されて、パタン導体Ｍ２５、Ｍ２８に接続されればよい。
【００９５】
接続部材Ｊ７が、パタン導体Ｍ２６とパタン導体Ｍ２７とを接続している。
すなわち、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１の端部Ｐ１２と巻線Ｐ２の端部Ｐ２１とが接続部材Ｊ７により接続されている。これにより、巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とは、直列接続されている（図２（ｂ）参照）。
そして、直列接続された巻線Ｐの一方の側（端部Ｐ１１）が、パタン導体Ｍ２５に接続され、他方の側（端部Ｐ２２）がパタン導体Ｍ２８に接続されている。
【００９６】
よって、電界効果トランジスタＦＥＴのスイッチングにより生成された高周波の交流は、一次側巻線Ｐにおける並列接続された巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とを流れて、二次側巻線Ｓ１、Ｓ２に高周波の交流を誘導する。
【００９７】
なお、第５の実施の形態における高圧系（２００Ｖ）の電源部７０は、第４の実施の形態と同様に、最も電位差が大きいピン＃１（端部Ｐ１１）とピン＃４（端部Ｐ２２）とは、中間の電位になるピン＃２（端部Ｐ２１）、ピン＃３（端部Ｐ１２）を挟んで、離れて配置される。よって、ピン間及びピンに接続されるパタン導体Ｍ間において高い電界を生じにくい。
【００９８】
以上説明したように、第５の実施の形態では、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とにおいて、トランスＴＦを構成する部品の多くが共通化されるとともに、電源基板７１を共通化している。そして、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とを、接続部材Ｊによって、設定するようにしている。
また、低圧系の電源部７０と高圧系の電源部７０とで、一次側回路Ｐｃ１のパタン導体Ｍと、二次側回路Ｓｃのパタン導体Ｍとの間が距離ｄ２に設定されている。
そして、低圧系において、一次側巻線Ｐの一方の側と他方の側とで電気的特性が非対称になることが抑制されている。
さらに、高圧系において、電位差が大きいピン（パタン導体Ｍ）が隣接することが抑制されている。
さらにまた、低圧系及び高圧系のいずれにおいても、トランスＴＦの巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とで接続される端部同士は、隣り合っている。トランスＴＦの接続する端部同士が隣り合っている。
【００９９】
なお、第１の実施の形態から第５の実施の形態において、一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１と巻線Ｐ２とが並列に配置されているように記載しているが、重ね巻きなどどのような巻き方で構成されていてもよい。一次側巻線Ｐにおける巻線Ｐ１及び巻線Ｐ２からの端子が、第１の実施の形態から第５の実施の形態において説明したようになっていればよい。
【０１００】
本発明の趣旨に反しない限りにおいて様々な組み合わせや変形を行っても構わない。
【符号の説明】
【０１０１】
１…画像形成装置、１０…画像形成部、３１…制御部、３２…通信部、３３…画像処理部、７０…電源部、７１…電源基板、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３…コンデンサ、Ｄ２、Ｄ３…ダイオード、ＤＢ…ダイオードブリッジ、ＦＥＴ…電界効果トランジスタ、Ｊ、Ｊ１〜Ｊ７…接続部材、Ｍ、Ｍ１〜Ｍ２８…パタン導体、Ｐ…一次側巻線、Ｐ１、Ｐ２…巻線、Ｐｃ１、Ｐｃ２…一次側回路、Ｓ１、Ｓ２…二次側巻線、Ｓｃ…二次側回路、ＴＦ…トランス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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