(57)【要約】【課題】基板本体の側面における厚み方向に沿って形成した凹形導体の腐蝕やバリによる不具合を防ぎ、且つ該凹形導体の接続端子としての接合面積を十分に確保できる配線基板を提供する。【解決手段】セラミック（絶縁材）からなり、対向する表面３および裏面４と、かかる表面３と裏面４との周辺に位置する側面５とを有する基板本体２ａと、該基板本体２ａの側面５に開口し、且つ上記表面３から裏面４に向かう厚み方向に沿った凹溝１１と、少なくとも該凹溝１１の内壁面に沿って形成された凹形導体１３とを備え、上記凹溝１１の内壁面は、平面視において、基板本体２ａの側面５に沿って対向する一対の凸部１２を有していると共に、上記凹形導体１３は、上記凹溝１１における上記一対の凸部１２よりも平面視で奥側の内壁面と、上記一対の凸部１２における平面視で奥側の内壁面とに連続して形成されている、配線基板１ａ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、対向する表面および裏面と、かかる表面と裏面との周辺に位置する側面とを有する基板本体と、該基板本体の前記側面に開口し、且つ上記表面から裏面へ向かう厚み方向に沿った凹溝と、少なくとも該凹溝の内壁面に沿って形成された凹形導体と、を備えた配線基板であって、
上記凹溝の内壁面は、平面視において、上記基板本体の側面に沿って対向する一対の凸部あるいは幅広部を有していると共に、
上記凹形導体は、上記凹溝における上記一対の凸部あるいは幅広部よりも平面視で奥側の内壁面と、上記一対の凸部あるいは幅広部における少なくとも奥側の内壁面とに連続して形成されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記凹溝は、平面視で矩形状、多角形状、半円形状、または円弧形状の何れかと、対向する前記一対の凸部あるいは幅広部とを組合せた形状であり、且つ該凹溝の内壁面に沿って前記凹形導体の主導体部が形成されていると共に、対向する前記一対の凸部あるいは幅広部の内壁面は、前記基板本体の側面と平行状の面または平面視で先細の三角形状を形成する傾斜面であり、上記一対の凸部あるいは幅広部の内壁面に沿って前記凹形導体の端部が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記一対の凸部あるいは幅広部は、平面視において前記基板本体の側面における前記凹溝の開口部から離間している、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックなどの絶縁材からなる基板本体の表面などに電子部品を搭載するための配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、金属からなる板形状の基体と、セラミックからなり該基体の表面上に形成され且つ内側に半導体素子を収納する枠体と、該枠体の外面の上端から下端にかけて形成され且つ平面視が円弧形状である複数の複数の溝（凹溝）と、該溝ごとの内面に沿って形成された側面導体層とを備え、平面視において、上記溝における内面の端の接線と上記枠体の外面とのなす角度を９５〜１７０度（鈍角）とし、且つ該溝の底部における前記枠体の厚さを０．１５ｍｍ以上とした半導体素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、上記枠体を多数個取りにて形成する場合、セラミック製の枠体素材に空けた貫通孔の内面に沿って形成され、且つ表面にメッキ皮膜が被覆された円筒形状の導体層を２分割に切断して一対の側面導体層とした際に、メッキ皮膜が被覆されていない導体の切断端面が露出し、腐蝕を招くおそれがあった。また、側面導体層の一部がバリとして突出し、短絡などの不具合を生じる場合もあった。
【０００３】
一方、前記側面導体層における無メッキの切断端面の露出を解消するため、セラミックからなる絶縁基体の厚み方向に沿って形成した貫通孔の内面に、互いに対称な一対の馬蹄型状の導体部材と、これらの端部間ごとに形成した一対の突出部とを備え、上記貫通孔を分割溝および厚み方向に沿って２分割して個片化した際に、絶縁基体の側面に開口する半円形状の貫通溝の内面に沿って形成された導電部材ごとの両端面をセラミックの突出部が個別に覆うようにしたセラミック基板およびその製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、上記セラミック基板とその製造方法によれば、前記貫通孔の断面形状が通常の真円形の場合、前記導体部材に接触するハンダなどとの接合面積が減少するため、例えば、上記セラミック基板をマザーボードなどの表面上に実装する際の実装強度が低下する、という問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３１８４４号公報（第１〜６頁、図１，２）
【特許文献２】特許第３２３６７８２号公報（第１〜１１頁、図１〜７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、絶縁材からなる基板本体の側面における厚み方向に沿って形成した凹形導体の腐蝕やバリによる不具合を防ぎ、且つ該凹形導体の接続端子としての接合面積を十分に確保できる配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、絶縁材からなる基板本体の側面における厚み方向に沿って形成した凹形導体の両端部を前記基板本体の側面に開口する凹溝の両側に対向して位置する一対の凸部の内壁面にも沿って形成することなど、に着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、対向する表面および裏面と、かかる表面と裏面との周辺に位置する側面とを有する基板本体と、該基板本体の前記側面に開口し、且つ上記表面から裏面へ向かう厚み方向に沿った凹溝と、少なくとも該凹溝の内壁面に沿って形成された凹形導体と、を備えた配線基板であって、上記凹溝の内壁面は、平面視において、上記基板本体の側面に沿って対向する一対の凸部あるいは幅広部を有していると共に、上記凹形導体は、上記凹溝における上記一対の凸部あるいは幅広部よりも平面視で奥側の内壁面と、上記一対の凸部あるいは幅広部における少なくとも奥側の内壁面とに連続して形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
前記配線基板よれば、以下の効果（１）〜（３）を奏することが可能である。
（１）前記基板本体の側面に凹形導体およびその一部が露出しないので、多数個取りの製造方法における分割溝に沿った剪断加工（ブレイク方法）により個片化されていた場合でも、かかる凹形導体の一部からなり且つ基板本体の上記側面に突出するバリが生じていない。従って、短絡などの不具合を皆無にできる。
（２）前記凹形導体の両端部は、一対の凸部または幅広部の少なくとも平面視で奥側の内壁面まで連続しているため、外部端子との接続面積を確保することが容易となり、例えば、マザーボードへの実装時において、ハンダによる接合面積を十分に確保することが可能となる。従って、本配線基板の実装強度や、リードピンやリード線などのような外部端子との接続強度を十分に保つことができる。
（３）前記凹形導導体の両端部が、前記基板本体の側面よりも内側に位置しているので、例えば、搬送時やマザーボードへの実装時などにおいて、不用意な短絡による不具合や、不用意な衝突による破損などを回避できる。
【０００８】
尚、前記絶縁材は、例えば、アルミナなどのセラミック、あるいはエポキシ系などの樹脂である。
また、前記基板本体は、単一の絶縁層からなる形態であるか、あるいは、複数の絶縁層を一体に積層したものである。
更に、前記基板本体の表面は、平面視が矩形（正方形または長方形）状の平坦面、あるいは、平面視が矩形状で且つ中央側にキャビティの開口部が位置する矩形枠状の面である。
また、前記凹溝、一対の凸部、および幅広部は、例えば、追って前記セラミック（絶縁材）層となるグリーンシートを、打ち抜き加工して形成されたものである。例えば、多数個取りによる場合には、大判のグリーンシートにおいて隣接する製品領域同士の間を区分する境界線を跨いで、線対称であるパターンによる上記打ち抜き加工を施すことにより形成される。
【０００９】
更に、前記幅広部は、対向する一対の細溝や段部から構成され、平面視で前記一対の細溝などの内壁面同士間の長さ（幅）が、基板本体の側面に沿った凹溝の内壁面間の長さ（幅）よりも大である。
また、前記凹形導体は、主導体部および端部からなり、前記絶縁材がアルミナなどの高温焼成セラミックの場合には、タングステン（以下、単にＷとする）あるいはモリブデン（以下、単にＭｏとする）を主成分とし、前記絶縁材がガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックやエポキシ系などの樹脂の場合には、銅（以下、Ｃｕとする）あるいは銀（以下、Ａｇとする）を主成分とするものが適用される。
更に、前記平面視で奥側とは、平面視において前記基板本体の側面よりも該基板本体の中心側の位置を指している。換言すると、平面視において前記凹溝の開口部と反対側の位置でもある。
加えて、前記凹形導体は、前記グリーンシートに対する打ち抜き加工で形成された貫通孔の内壁面における所要の位置に対し、所定パターンのマスクを介して、Ｗ粉末など含む導電性ペーストを減圧吸引して被覆することにより形成される。
【００１０】
また、本発明には、前記凹溝は、平面視で矩形状、多角形状、半円形状、または円弧形状の何れかと、対向する一対の凸部あるいは幅広部とを組み合わせた形状であり、且つ該凹溝の内壁面に沿って前記凹形導体の主導体部が形成されていると共に、対向する前記一対の凸部あるいは幅広部の内壁面は、前記基板本体の側面と平行状の面または平面視で先細の三角形状を形成する傾斜面であり、上記一対の凸部あるいは幅広部の内壁面に沿って前記凹形導体の端部が形成されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、平面視における前記凹溝の形状が前記の何れかであり、且つ前記凹形導体の（両）端部が、前記一対の凸部あるいは幅広部の前記形態である内壁面に沿って形成されているので、前記効果（１），（２）を一層確実に奏することが可能となる。
尚、前記凹溝の平面視における多角形状とは、四角形以上の正多角形あるいは変形多角形であり、円弧形状とは、例えば、Ｃ字形状や、Ω字形状を呈し、平面視で半円形や半楕円形であるか、これらよりも円周部が大きな形状である。
【００１１】
更に、本発明には、前記一対の凸部あるいは幅広部は、平面視において前記基板本体の側面における前記凹溝の開口部から離間している、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記一対の凸部あるいは幅広部が、平面視において前記基板本体の側面における前記凹溝の開口部から離れているので、前記効果（１），（３）を一層確実に奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】（Ａ）は図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、（Ｂ）は前記配線基板の変形形態を示す（Ａ）と同様な垂直断面図。
【図３】（Ａ）は異なる形態の配線基板を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図４】（Ａ）は前記配線基板における凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図５】（Ａ）は前記形態の応用形態である凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図６】（Ａ）は異なる形態の凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図７】（Ａ）は更に異なる形態凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図８】（Ａ）は別異な形態の凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図９】（Ａ）は別なる形態の凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図１０】（Ａ）は上記形態の応用形態である凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【図１１】（Ａ）は別個な形態凹溝および凹形導体の付近を示す部分平面図、（Ｂ），（Ｃ）はその製造工程を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す平面図、図２（Ａ）は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記配線基板１ａは、図１，図２（Ａ）に示すように、セラミック（絶縁材）からなり、全体が平板形状の基板本体２ａと、該基板本体２ａにおいて対向する一対の側面５の厚み方向に沿って形成された複数の凹溝１１と、該凹溝１１ごとの内壁面に沿って形成された凹形導体１３と、を備えている。
上記基板本体２ａは、平面視が矩形（長方形または正方形）状で且つ対向する表面３および裏面４と、かかる表面３と裏面４との周辺間に位置する四辺の側面５とを有している。該基板本体２ａは、例えば、アルミナや窒化アルミニウムなどからなる単一のセラミック層からなる。
【００１４】
また、前記凹溝１１は、平面視が矩形（長方形）状部を有し、前記基板本体２ａの表面３から裏面４に向かう厚み方向に沿っている。該凹溝１１の開口部側には、基板本体２ａの側面５を外側面とし、且つ該側面５と平行な奥側の内壁面を有して対向している一対の凸部１２を有している。
更に、前記凹形導体１３は、その主導体部１４が上記凹溝１１の矩形状部の内壁面に沿って形成され、該凹形導体１３の両端部（以下、端部と称する）１５は、上記一対の凸部１２の内壁面ごと（奥側の内壁面）に沿って形成されている。
図１，図２（Ａ）に示すように、前記基板本体２ａにおける表面３の中央側には、複数の素子搭載用パッド１０が形成され、該パッド１０ごとと前記凹形導体１３ごとの上端部との間は、上記表面３に沿って形成された表面配線９によって個別に接続されている。これにより、上記各凹形導体１３と各素子搭載用パッド１０とは、各表面配線９を介して個別に導通可能とされている。
【００１５】
尚、前記表面配線９、素子搭載用パッド１０、および凹形導体１３は、主にＷあるいはＭｏからなっている。
また、前記複数の素子搭載用パッド１０の上方には、追って、半導体素子などの電子部品４０がロウ付けなどによって搭載される。
更に、前記複数の凹溝１１および凹形導体１３が基板本体２ａの裏面４にまで達している形態の前記配線基板１ａは、追って、例えば、図示しないマザーボードの表面に形成された複数の電極ごとの上に、複数の上記凹形導体１３を個別に載置し、これらの間にハンダを充填することにより、上記マザーボードの表面上に十分な接続強度をもって実装される。
【００１６】
図２（Ｂ）は、前記配線基板１ａの変形形態を示す前記同様の垂直断面図である。図示のように、凹溝１１ごとにおける厚み方向の底部（以下、単に底部と称する）は、前記基板本体２ａの裏面部４ａによって、各側面５の厚み方向における中間位置に留められている。そのため、各凹形導体１３の主導体部１４は、前記裏面部４ａの上面に位置する底導体部１４ａを一体に有している。
上記のように、各凹溝１１の底部を裏面部４ａにより塞ぐため、前記基板本体２ａには、上下２層以上のセラミック層を一体に積層したものが用いられる。
また、上記のように、凹形導体１３ごとの底導体部１４ａの上面には、追って、図示しない水平姿勢とされたリード線の先端部が個別に載置され、これらの間をハンダを介して接続することにより、外部の電子装置などに導通可能とされる。
【００１７】
図３（Ａ）は、異なる形態の配線基板１ｂを示す平面図、同図（Ｂ）は、（Ａ）中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記配線基板１ｂは、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記と同じセラミックからなり、全体が箱形状の基板本体２ｂと、該基板本体２ｂにおいて対向する一対の側面５の厚み方向に沿って形成された複数の凹溝１１と、該凹溝１１ごとの内壁面に沿って形成された複数の凹形導体１３と、を備えている。上記基板本体２ｂは、平面視の外形が矩形状で且つ対向する表面３および裏面４と、かかる表面３と裏面４との周辺間に位置する四辺の側面５と、上記表面３の中央側に開口するキャビティ６とを有している。該キャビティ６は、平面視が矩形状の底面７と、その四辺ごとから上記表面３に向かって立設する側面８とからなる。
【００１８】
尚、前記キャビティ６を内設した基板本体２ｂは、平板状のセラミック層と平面視が矩形枠状のセラミック層とを、２層以上積層することで形成されている。
図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記キャビティ６の底面７に、複数の素子搭載用パッド１０が形成され、該各パッド１０と前記各凹形導体１３との間は、上記キャビティ６の側面８と凹溝１１の最奥辺との間を水平方向に沿って貫通する前記表面配線９と同様な内部配線層９を介して、個別に導通可能とされている。
上記複数の素子搭載用パッド１０の上方には、追って前記同様の電子部品４０が搭載された後、基板本体２ｂの表面３に前記キャビティ６の開口部を封止する図示しない蓋板が接合される。
尚、上記凹溝１１ごとの底部側を前記裏面部４ａによって塞ぐと共に、該裏面部４ａの上面に形成される前記底導体部１４ａを有する形態の凹形導体１３とすることも可能である。
【００１９】
図４（Ａ）に示す前記基板本体２ａ（２ｂ）において、一対の凸部１２を有する前記凹溝１１、および凹形導体１３の形成方法を、図４（Ｂ），（Ｃ）によって説明する。
予め、図４（Ｂ）に示す多数個取り用のセラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートと称する）２ｇを用意した。該グリーンシート２ｇは、例えば、アルミナ粉末、所定のバインダ樹脂、可塑剤、および溶剤を適量ずつ配合して得られたセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に成形したものである。当該グリーンシート２ｇには、追って、前記各基板本体２ａ（２ｂ）となる製品領域ごとを区分する仮想の切断予定面ｃｆが設定されている。
先ず、図４（Ｂ）に示すように、切断予定面ｃｆを跨いで上下一対の前記凹溝１１を形成する。具体的には、前記凸部１２を幅方向（図４（Ｂ）中の垂直方向）に約２倍とし、且つ切断予定面ｃｆに跨る左右一対の凸片１６を有する貫通孔ｈ１を、図示しないパンチピンと該パンチピンの先端部を受け入れる透孔を有するダイとを用いる打ち抜き加工により形成した。
【００２０】
尚、前記パンチピンおよびダイには、単一のもの同士を用いることで１回の打ち抜き加工を行っても良いし、互いに断面形状が異なる複数のパンチピンと、透孔の形状が異なる同数のダイとを用い、複数回の打ち抜き加工を行っても良い。
次に、図４（Ｃ）に示すように、左右一対の凸片１６における奥側の内壁面と、貫通孔ｈ１における該一対の凸片１６よりも奥側の内壁面とに沿って、Ｗ粉末を含む導電性ペーストを、前記貫通孔ｈ１における一方の開口部側から負圧を利用して減圧吸引して被覆した。この際、前記開口部側に導電性ペーストを被覆しない箇所を覆うパターンのマスク板を配置したり、または、前記一対の凸片１６の先端面同士に接触する棒状のマスクを挿入しても良い。
次いで、図示のように、主導体部１４および端部１５を含む未焼成の凹形導体１３が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、前記凹形導体１３などと共に同時焼成した。
【００２１】
更に、前記焼成によって得られたセラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、例えばダイシング加工によって個片化した。その結果、図４（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に開口し、且つ一対の凸部１２を有する凹溝１１と、該凹溝１１における凸部１２ごとの内壁面から奥側の内壁面に沿って連続する焼成済みの凹形導体１３を得ることができた。
以上のような一対の凸部１２を有する凹溝１１、主導体部１４および端部１５を含む凹形導体１３を備えた基板本体２ａ（２ｂ）を有する前記配線基板１ａ（２ｂ）によれば、前記効果（１），（２）を奏することができる。
尚、前記グリーンシート２ｇは、単層でも複数層であっても良い。また、前記図２（Ｂ）で示した裏面部４ａを含む基板本体２ａを得るには、前記グリーンシート２ｇに加えて、更に前記打ち抜き加工がされていない平板のグリーンシートを裏面４側に積層すれば良い。
【００２２】
図５（Ａ）は、前記形態の応用形態である凹溝１１および凹形導体１３ａの付近を示す前記同様の部分平面図である。図示のように、対向する一対の凸部１２は、平面視において、基板本体２ａ（２ｂ）の該側面５および凹溝１１の開口部の双方から奥側に離間している。即ち、一対の凸部１２の内壁面は、上記側面５と平行であり、該凸部１２と基板本体２ａ（２ｂ）の側面５との間には、上記凹溝１１の開口部側である左右一対の段部１７が位置している。更に、上記凹形導体１３ａの端部１５は、上記凸部１２ごとの先端面（突出する方向（図５（Ａ）中の左右方向）の先端面）をも覆っている。尚、上記一対の段部１７は、単一の幅広部でもある。
上記一対の段部１７と一対の凸部１２とを含む凹溝１１、および凹形導体１３ａの形成方法を、以下に説明する。
図５（Ｂ）に示すように、前記と同じグリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆを跨いで、上下一対の前記凹溝１１を形成する。具体的には、切断予定面ｃｆ側に位置する左右および上下一対ずつ合計４つの凸部１２と、上下一対ずつの凸部１２同士間に位置し且つ前記段部１７の深さの約２倍の幅である左右一対の凹み１８とを備えた貫通孔ｈ２を、前記と同様な打ち抜き加工によって形成した。
【００２３】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、左右および上下一対ずつの凸部１２の内壁面（少なくとも奥側の内壁面）および先端面と、貫通孔ｈ２において上方および下方それぞれにおける左右一対の凸部１２よりも奥側の内壁面とにわたって、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次に、図示のように、主導体部１４および端部１５を有する未焼成の凹形導体１３ａが線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、前記凹形導体１３ａなどと共に同時焼成した。
更に、上記焼成によって得られたセラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、前記ダイシング加工などによって個片化した。
【００２４】
その結果、図５（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５において、一対の段部１７を介して一対の凸部１２を有する凹溝１１と、該凹溝１１の内壁面に沿って形成され、且つ端部１５が凸部１２ごとの先端面まで覆っている凹形導体１３ａとが得られた。換言すると、上記一対の凸部１２は、凹溝１１の開口部および基板本体２ａ（２ｂ）の側面５の双方から離間している
以上のように、一対の凸部１２が凹溝１１の開口部から離間することにより、端部１５が凸部１２ごとの先端面まで覆っている凹形導体１３ａを備えた基板本体２ａ（２ｂ）を有する前記配線基板１ａ（１ｂ）によれば、前記効果（１）〜（３）を奏することができる。
尚、前記凹形導体１３ａは、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５よりも奥側であり、端部１５が該側面５に露出しない範囲において、その端部１５を凸部１２ごとの外壁面まで延出させても良い。
【００２５】
図６（Ａ）は、前記とは異なる形態の凹溝１９および凹形導体２０の付近を示す前記同様の部分平面図である。
図６（Ａ）に示すように、上記凹溝１９は、平面視において、変形八角形（多角形）を呈し、その開口部を挟んで対向する一対の凸部２２を有し、該凸部２２ごとの内壁面が基板本体２ａ（２ｂ）の側面５と傾斜する先細の三角形状を呈している。また、上記凹形導体２０は、凹溝１９における一対の凸部２２よりも奥側の内壁面に沿って形成された主導体部２１と、凸部２２ごとの内壁面における開口部の直前に達する端部１５とからなる。
上記一対の凸部２２を有する凹溝１９および凹形導体２０の形成方法を、以下に説明する。図６（Ｂ）に示すように、前述と同様にグリーンシート２ｇを用意し、該グリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆに跨った左右一対の凸片２２ａを備えた貫通孔ｈ３を、前記と同様な打ち抜き加工により形成した。尚、前記凸片２２ａの外形は、上下一対の凸部２２における２つの傾斜面と相似形である。
【００２６】
次に、図６（Ｃ）に示すように、左右一対の凸片２２ａの各側面と、貫通孔ｈ３における該一対の凸片２２ａよりも奥側の内壁面とにわたって、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部２１および端部１５を含む未焼成の凹形導体２０が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、該凹形導体２０などと共に同時焼成した。更に、該焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図６（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の凸部２２を有する凹溝１９と、該凹溝１９に含まれる各凸部２２の内壁面と該凸部２２よりも奥側の内壁面とに沿って形成され、主導体部２１および端部１５を有する凹形導体２０が得られた。
【００２７】
図７（Ａ）は、更に異なる形態の凹溝２３および凹形導体２４の付近を示す前記同様の部分平面図である。
図７（Ａ）に示すように、上記凹溝２３は、平面視において円弧（略円形）形状部を有し、該円弧形状部と基板本体２ａ（２ｂ）の側面５との間に、一対の凸部２６を有している。該一対の凸部２６間の開口幅は、上記凹溝２３における平面視で最も広い箇所の幅よりも小さい。該凹溝２３には、各凸部２６の内壁面を含む当該凹溝２３の内壁面に沿って、これらと相似形の主導体部２５と、各凸部２６の内壁面における先端面側に位置する端部１５とからなり、平面視がＣ字形状の凹形導体２４が形成されている。の内壁面
上記一対の凸部２６を有する凹溝２３、および凹形導体２４を得る方法を以下に説明する。図７（Ｂ）に示すように、前記グリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆに跨って、左右一対の凸片２７を線対称に備えた貫通孔ｈ４を、前記と同様な打ち抜き加工によって形成した。尚、前記凸片２７の外形は、上下一対の凸部２６の各湾曲面と相似形である。
【００２８】
次に、図７（Ｃ）に示すように、左右一対の凸片２７の各側面と、貫通孔ｈ４における該一対の凸片２７よりも奥側の内壁面とに沿って、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部２５および端部１５を含む未焼成の凹形導体２４が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、前記凹形導体２４などと共に同時焼成した。更に、前記焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図７（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の凸部２６を有する凹溝２３と、各凸部２６の内壁面および該凸部２６よりも奥側凹溝２３の内壁面とに沿って形成され、主導体部２５および端部１５からなる凹形導体２４が得られた。
尚、平面視で円弧（略円形）形状を呈する前記凹形導体２４によれば、前述したハンダ付けによる接続のほか、断面が円形の導体ピンの挿入による導通も可能である。
【００２９】
図８（Ａ）は、前記とは別異な形態の凹溝２８および凹形導体３０の付近を示す前記同様の部分平面図である。
図８（Ａ）に示すように、上記凹溝２８は、平面視において半円形状部を有し、該半円形状部と基板本体２ａ（２ｂ）の側面５との間には、前記一対の凸部１２を有している。また、上記凹形導体３０は、凹溝２８における各凸部１２よりも奥側の内壁面に沿って形成された主導体部２９と、各凸部１２における奥側の内壁面の先端面側に位置する端部１５とからなる。
上記一対の凸部１２を有する凹溝２８および凹形導体３０を得る方法を以下に説明する。図８（Ｂ）に示すように、前記グリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆに跨って、左右一対の前記凸片１６とを備えた貫通孔ｈ５を、前記と同様な打ち抜き加工によって形成した。
【００３０】
次に、図８（Ｃ）に示すように、左右一対の凸片１６の各側面と、貫通孔ｈ５における該一対の凸片１６よりも奥側の内壁面とに沿って、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部２９および端部１５を含む未焼成の凹形導体３０が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、該凹形導体３０などと共に同時焼成した。更に、該焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図８（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の凸部１２を有する凹溝２８と、各凸部１２の内壁面と該各凸部１２よりも奥側の内壁面とに沿って形成され、主導体部２９および端部１５からなる凹形導体３０が得られた。
【００３１】
図９（Ａ）は、前記とは別なる形態の凹溝３１および凹形導体３２の付近を示す前記同様の部分平面図である。
図９（Ａ）に示すように、上記凹溝３１は、平面視において矩形状部を有し、該矩形状部と基板本体２ａ（２ｂ）の側面５との間には、左右一対の段部（幅広部）１７が位置している。また、上記凹形導体３２は、前記凹溝３１の段部１７ごとよりも奥側の内壁面および段部１７ごとの底面（内壁面）に沿って形成され、その端部３４は、前記段部１７ごとの垂直な端面付近に位置している。
上記一対の段部（幅広部）１７を有する凹溝３１、および凹形導体３２を得る方法を以下に説明する。図９（Ｂ）に示すように、前述と同様に用意したグリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆに跨って、左右一対の前記凹み１８とを備えた貫通孔ｈ６を、前記と同様の打ち抜き加工により形成した。
【００３２】
次に、図９（Ｃ）に示すように、左右一対の凹み１８の各内壁面と貫通孔ｈ６における該一対の凹み１８よりも奥側の内壁面とに沿って、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部３３および端部３４を有する未焼成の凹形導体３２が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、該凹形導体３２などと共に同時焼成した。更に、前記焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図９（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の段部（幅広部）１７を有する凹溝３１と、該凹溝３１の内壁面に沿って形成された主導体部３３と、各段部１７の内壁面沿い且つそれらの端面側に位置する端部３４とからなる凹形導体３２が得られた。
【００３３】
図１０（Ａ）は、前記凹形導体３２の応用形態である凹形導体３５とその付近を示す前記同様の部分平面図である。
図１０（Ａ）に示すように、前記と同じ矩形状部と、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５との間に、左右一対の凸部１２と、平面視が長方形状である左右一対の細溝（幅広部）３６とを有する凹溝３１が位置している。また、上記凹形導体３５は、各細溝３６よりも奥側の内壁面（矩形状部の内壁面）と、各細溝３６の内壁面（少なくとも奥側の内壁面）および底面とに沿った主導体部３３と、各凸部１２の内壁面を兼ねる各細溝３６における前記側面５側の内壁面の先端面側に位置する端部３７とから構成されている。
上記一対の凸部１２と一対の細溝３６とを有する凹溝３１、および凹形導体３３を得る方法を以下に説明する。図１０（Ｂ）に示すように、前記グリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆを挟んで、上下一対の前記凹溝３１の矩形状部と、上下および左右一対（合計４つ）の細溝３６と、切断予定面ｃｆに跨った左右一対の前記凸片１６とを備えた貫通孔ｈ７を、前記と同様な打ち抜き加工により形成した。
【００３４】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、上下および左右一対の細溝３６の各内壁面と貫通孔ｈ７における該一対の細溝３６よりも奥側の内壁面とに沿って、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部３３と端部３７とを含む未焼成の凹形導体３５が線対称に一対形成された前記グリーンシート２ｇを、前記凹形導体３５などと共に同時焼成した。更に、前記焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図１０（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の凸部１２および一対の細溝（幅広部）３６を有する凹溝３１と、各細溝３６の底面を含む全内壁面と、該凹溝３１における各細溝３６よりも奥側の内壁面とに沿って形成され、主導体部３３および端部３７からなる凹形導体３５が得られた。
【００３５】
図１１（Ａ）は、前記とは別個の形態の凹形導体３８の付近を示す前記同様の部分平面図である。
図１１（Ａ）に示すように、平面視で前記同様の半円形状部を有る凹溝２８は、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５と、上記半円形状部との間に、前記と同じ左右一対の段部（幅広部）１７を有している。そのため、上記凹形導体３８は、上記凹溝２８における一対の段部１７よりも奥側の内壁面（半円形状部の内壁面）に沿った主導体部３９と、各段部１７の内壁面に沿い且つその端面側に達する端部３４とから構成されている。
上記一対の段部（幅広部）１７を有する凹溝２８、および凹形導体３８を得る方法を以下に説明する。図１１（Ｂ）に示すように、前記グリーンシート２ｇにおける切断予定面ｃｆに跨って、左右一対の凹み１８を備えた貫通孔ｈ８を、前記と同様の打ち抜き加工により形成した。
【００３６】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、左右一対の凹み１８の各内壁面と貫通孔ｈ８における該一対の凹み１８よりも奥側の内壁面と沿って、前記と同じ導電性ペーストを吸引しつつ被覆した。次いで、図示のように、主導体部３９と端部３４とを含む未焼成の凹形導体３８が線対称に形成された前記グリーンシート２ｇを、前記凹形導体３８などと共に同時焼成した。更に、前記焼成によって得られた前記セラミック層２ｃを、前記切断予定面ｃｆに沿って、ダイシング加工などにより個片化した。
その結果、図１１（Ａ）に示すように、基板本体２ａ（２ｂ）の側面５に、一対の段部（幅広部）１７を有する凹溝２８と、各段部１７の底面（奥側の内壁面）と、該凹溝２８における各段部１７よりも奥側の内壁面とに沿って形成され、主導体部３９および端部３４からなる凹形導体３８が得られた。
【００３７】
以上のような基板本体２ａ，２ｂの側面５に開口する凹溝１１，１９，２３，２８，３１の内壁面などに沿って形成された凹形導体１３，１３ａ，２０，２４，３０，３２，３５，３８を備えた配線基板１ａ，１ｂによれば、前記効果（１）〜（３）を確実に奏することができる。特に、前記側面５から離間して、一対の凸部１２および一対の段部（幅広部）３６を併有する前記凹形導体３５を備えた配線基板１ａ，１ｂによれば、前記効果（１）〜（３）を一層確実に奏することができる。
【００３８】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体を構成する絶縁材は、例えば、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいはエポキシ系などの樹脂であっても良い。これらの場合、前記凹形導体１３などの導体には、主にＣｕまたはＡｇが用いられる。
また、前記凹溝は、平面視で長軸が前記基板本体２ａ，２ｂの側面５と平行な楕円形状、あるいは長円形状を呈する形態としても良い。
更に、前記凹溝１９，２３，２８，３１も、前記基板本体２ａ，２ｂの裏面４側を前記裏面部４ａによって塞がれた形態としても良い。
また、前記幅広部を形成する一対の細溝は、平面視でそれぞれが底面側が狭くなるＶ字形状あるいはＵ字形状を呈する形態としても良い。
更に、前記凹溝１１〜３１および凹形導体１２〜３８は、前記基板本体２ａ，２ｂにおいて隣接する一対の側面５同士間のコーナー部に沿って形成した形態としても良い。
加えて、前記凹溝１１〜３１および凹形導体１２〜３８は、単一の前記基板本体２ａ，２ｂごとに併設して形成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によれば、絶縁材（セラミック）からなる基板本体の側面における厚み方向に沿って形成した凹形導体の腐蝕やバリによる不具合を防ぎ、且つ該凹形導体の接続端子としての接合面積を十分に確保できる配線基板を確実に提供できる。
【符号の説明】
【００４０】
１ａ，１ｂ……………………………………配線基板
２ａ，２ｂ……………………………………基板本体
３………………………………………………表面
４………………………………………………裏面
５………………………………………………側面
１１,１９,２３,２８,３１…………………凹溝
１２，２２，２６……………………………凸部
１３,１３ａ,２０,２４,３０,３２,３８…凹形導体
１４，２１，２５，２９，３３，３９……主導体部
１５，３４，２７……………………………端部
１７……………………………………………段部（幅広部）
３６……………………………………………細溝（幅広部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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