(57)【要約】【課題】絶縁層開口部の周縁まで金属層を行き渡らせることが可能な、リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】リードフレーム基板１０は、第１端子部１１と、第１端子部１１から離間して配置された第２端子部１２と、第１端子部１１および第２端子部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側に設けられ、第１端子部１１と第２端子部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。絶縁層１４のうち、少なくとも第２端子部１２に対応する位置に、絶縁層開口部１４ｂが形成されている。絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム基板であって、
第１端子部と、
前記第１端子部から離間して配置された第２端子部と、
前記第１端子部および前記第２端子部の裏面側に設けられ、前記第１端子部と前記第２端子部とを支持する絶縁層とを備え、
前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部が形成され、
前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されていることを特徴とするリードフレーム基板。
【請求項２】
前記絶縁層開口部の内側領域が、金属層によって覆われていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム基板。
【請求項３】
前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆っていることを特徴とする請求項２記載のリードフレーム基板。
【請求項４】
前記絶縁層開口部の周縁全体にわたって、前記側壁の断面がテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
【請求項５】
平面視において、前記第２端子部の表面側周縁部は、前記絶縁層開口部の表面側周縁部よりも前記絶縁層開口部の内側に位置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
【請求項６】
前記絶縁層の前記側壁の傾斜角は、２０°以上８０°以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
【請求項７】
前記絶縁層のうち前記第１端子部に対応する位置に、追加の絶縁層開口部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
【請求項８】
前記追加の絶縁層開口部は、互いに分離した複数の開口区域に分離され、各開口区域の間に支持リブが延びていることを特徴とする請求項７記載のリードフレーム基板。
【請求項９】
前記第１端子部または前記第２端子部の表面に、導電性支柱部が突設されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
【請求項１０】
前記導電性支柱部は、断面キノコ形状を有することを特徴とする請求項９記載のリードフレーム基板。
【請求項１１】
半導体装置であって、
第１端子部と、
前記第１端子部から離間して配置された第２端子部と、
前記第１端子部および前記第２端子部の裏面側に設けられ、前記第１端子部と前記第２端子部とを支持する絶縁層と、
前記第１端子部上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記第２端子部とを電気的に接続する導電部材と、
前記第１端子部と、前記第２端子部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部が形成され、
前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記絶縁層開口部の内側領域が、金属層によって覆われていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆っていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記導電部材は、前記第１端子部または前記第２端子部の表面に突設された導電性支柱部からなることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記導電性支柱部は、断面キノコ形状を有することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
リードフレーム基板の製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面に絶縁層を設ける工程と、
前記金属基板を表面側からエッチング加工することにより、前記金属基板に第１端子部と、前記第１端子部から離間して配置された第２端子部とを形成する工程と、
前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部を形成する工程とを備え、
前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されることを特徴とするリードフレーム基板の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁層開口部の内側領域に金属層を設ける工程を更に備えたことを特徴とする請求項１６記載のリードフレーム基板の製造方法。
【請求項１８】
前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆うことを特徴とする請求項１７記載のリードフレーム基板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁層開口部の前記側壁をプラズマ処理する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか一項記載のリードフレーム基板の製造方法。
【請求項２０】
半導体装置の製造方法において、
請求項１乃至１０のいずれか一項記載のリードフレーム基板を準備する工程と、
前記リードフレーム基板の前記第１端子部上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記第２端子部とを導電部材により電気的に接続する工程と、
前記第１端子部と、前記第２端子部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の半導体を作製するための各種の方法が知られている。例えば、特許文献１には、電解銅箔の表面に配線を形成し、銅箔の配線面にポリイミドフィルムを接着した後、レーザを用いて配線の接続用端子部を露出させ、その後銅箔をエッチングによって除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１１０８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば特許文献１に示す半導体パッケージの場合、ポリイミドフィルムの接続用端子部が露出する開口部の側面と、接続用端子部との角部が、断面視で略直角に形成されている。このため、例えば接続用端子部に半田めっきを施す場合、開口部の側面と接続用端子部との角部に半田めっきが付着しにくいという問題がある。この場合、開口部の側面と接続用端子部との角部で半田めっきの厚みがばらついたり、半田めっきに段差が発生してしまったりするおそれがある。
【０００５】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、絶縁層開口部の周縁まで金属層を行き渡らせることが可能な、リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、リードフレーム基板であって、第１端子部と、前記第１端子部から離間して配置された第２端子部と、前記第１端子部および前記第２端子部の裏面側に設けられ、前記第１端子部と前記第２端子部とを支持する絶縁層とを備え、前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部が形成され、前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【０００７】
本発明は、前記絶縁層開口部の内側領域が、金属層によって覆われていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【０００８】
本発明は、前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆っていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【０００９】
本発明は、前記絶縁層開口部の周縁全体にわたって、前記側壁の断面がテーパー状に形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１０】
本発明は、平面視において、前記第２端子部の表面側周縁部は、前記絶縁層開口部の表面側周縁部よりも前記絶縁層開口部の内側に位置することを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１１】
本発明は、前記絶縁層の前記側壁の傾斜角は、２０°以上８０°以下であることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１２】
本発明は、前記絶縁層のうち前記第１端子部に対応する位置に、追加の絶縁層開口部が形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１３】
本発明は、前記追加の絶縁層開口部は、互いに分離した複数の開口区域に分離され、各開口区域の間に支持リブが延びていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１４】
本発明は、前記第１端子部または前記第２端子部の表面に、導電性支柱部が突設されていることを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１５】
本発明は、前記導電性支柱部は、断面キノコ形状を有することを特徴とするリードフレーム基板である。
【００１６】
本発明は、半導体装置であって、第１端子部と、前記第１端子部から離間して配置された第２端子部と、前記第１端子部および前記第２端子部の裏面側に設けられ、前記第１端子部と前記第２端子部とを支持する絶縁層と、前記第１端子部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記第２端子部とを電気的に接続する導電部材と、前記第１端子部と、前記第２端子部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部が形成され、前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
本発明は、前記絶縁層開口部の内側領域が、金属層によって覆われていることを特徴とする半導体装置である。
【００１８】
本発明は、前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆っていることを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
本発明は、前記導電部材は、前記第１端子部または前記第２端子部の表面に突設された導電性支柱部からなることを特徴とする半導体装置である。
【００２０】
本発明は、前記導電性支柱部は、断面キノコ形状を有することを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
本発明は、リードフレーム基板の製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の裏面に絶縁層を設ける工程と、前記金属基板を表面側からエッチング加工することにより、前記金属基板に第１端子部と、前記第１端子部から離間して配置された第２端子部とを形成する工程と、前記絶縁層のうち、少なくとも前記第２端子部に対応する位置に、絶縁層開口部を形成する工程とを備え、前記絶縁層開口部の側壁の断面は、裏面側から表面側に向かうにつれて前記絶縁層開口部の面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されることを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。
【００２２】
本発明は、前記絶縁層開口部の内側領域に金属層を設ける工程を更に備えたことを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。
【００２３】
本発明は、前記金属層は、前記絶縁層開口部の前記側壁の一部を覆うことを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。
【００２４】
本発明は、前記絶縁層開口部の前記側壁をプラズマ処理する工程を更に備えたことを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。
【００２５】
本発明は、半導体装置の製造方法において、前記リードフレーム基板を準備する工程と、前記リードフレーム基板の前記第１端子部上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記第２端子部とを導電部材により電気的に接続する工程と、前記第１端子部と、前記第２端子部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、絶縁層開口部の周縁まで金属層を行き渡らせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１のIII−III線断面図）。
【図４】図４（ａ）（ｂ）は、リードフレーム基板の絶縁層の絶縁層開口部周辺を示す拡大断面図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。
【図７】図７（ａ）−（ｈ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。
【図８】図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。
【図１１】図１１（ａ）−（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の絶縁層開口部の変形例を示す部分拡大底面図。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図。
【図１４】図１４（ａ）−（ｈ）は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法（前半）を示す断面図。
【図１５】図１５（ａ）−（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法（後半）を示す断面図。
【図１６】図１６（ａ）−（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図１７】図１７は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。
【図１８】図１８は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。
【図１９】図１９は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。なお、本明細書中、「表面」とは半導体素子２１が搭載される側の面（すなわち図３の上方を向く面、Ｚ方向プラス側の面）のことをいい、「裏面」とは、図示しない実装基板に接続される側の面（すなわち図３の下方を向く面、Ｚ方向マイナス側の面）のことをいう。
【００２９】
リードフレーム基板の構成
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図であり、図２は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図であり、図３は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図である。
【００３０】
図１乃至図３に示すように、リードフレーム基板１０は、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド（第１端子部）１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部（第２端子部）１２と、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に設けられ、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。
【００３１】
このリードフレーム基板１０は、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である、複数の単位リードフレーム領域１０ａを含んでいる。単位リードフレーム領域１０ａは、図１において仮想線の内側に位置する領域である。これら単位リードフレーム領域１０ａは、外枠部（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この外枠部１３は、Ｘ方向、およびＸ方向に垂直なＹ方向に沿ってそれぞれ延びており、ダイパッド１１およびリード部１２は、この外枠部１３の内側に配置されている。
【００３２】
ダイパッド１１は、平面略矩形状であり、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延びている。ダイパッド１１の平面形状は、略矩形状に限らず、例えば円形状、楕円形状、多角形状、Ｌ字形状等としても良い。ダイパッド１１は、連結部１６を介して外枠部１３に連結されている。この連結部１６は、後述するように、ダイパッド１１に電解めっきにより金属層２５およびはんだ部２８を形成する際の給電部として用いられても良い。
【００３３】
また、複数のリード部１２は、ダイパッド１１から水平方向に離間して配置され、それぞれ外枠部１３に連結されている。各リード部１２は、半円と長方形とを合わせた平面形状を有しており（図１及び図２参照）、かつダイパッド１１および外枠部１３と同一の厚みを有している（図３参照）。
【００３４】
リード部１２は、その表面に内部端子１５を有している。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。またリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。
【００３５】
図３に示すように、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれ側面１１ａ、１２ａを有している。この側面１１ａ、１２ａは、平面視でダイパッド１１およびリード部１２の外周全体に亘って形成されている。このダイパッド１１の側面１１ａおよびリード部１２の側面１２ａは、断面視ですり鉢状に形成されている。すなわち、ダイパッド１１の側面１１ａの断面形状は、表面側から裏面側に向かうにつれてダイパッド１１の水平断面が大きくなるように形成されている。また、リード部１２の側面１２ａの断面形状は、表面側から裏面側に向かうにつれてリード部１２の水平断面が大きくなるように形成されている。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれその側面１１ａ、１２ａの全体にわたってすり鉢状（表面側から裏面側に向かうにつれて広がる形状）となっている。したがって、ダイパッド１１およびリード部１２は、それぞれ表面１１ｂ、１２ｂ側より裏面１１ｃ、１２ｃ側の方が面積が広くなっている。なお、ダイパッド１１の側面１１ａおよびリード部１２の側面１２ａは、それぞれ断面視で湾曲していても良く、又は断面視で略直線状に形成されていても良い。
【００３６】
以上説明したダイパッド１１、リード部１２および外枠部１３は、後述するように１枚の金属基板３１から１回のエッチング工程により作製される（図７（ｅ）参照）。ダイパッド１１、リード部１２および外枠部１３は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、ダイパッド１１、リード部１２および外枠部１３の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、例えば８０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。
【００３７】
絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側において、ダイパッド１１とリード部１２とを互いに連結している。このように、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに絶縁層１４を設けたことにより、絶縁層１４によってダイパッド１１およびリード部１２を保持することができ、リードフレーム基板１０全体の強度を高めることができる。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２を薄くすることができ、この結果、半導体装置２０全体の厚みを薄くすることができる。
【００３８】
また、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２に対応する位置には、それぞれ絶縁層開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。このうちダイパッド１１の裏面１１ｃに形成された絶縁層開口部（追加の絶縁層開口部）１４ａは、平面略矩形形状であり、ダイパッド１１よりも小さい形状を有している。また各リード部１２の裏面１２ｃに形成された絶縁層開口部１４ｂは、平面視で半円と長方形とを合わせた形状を有しており、各リード部１２よりも小さい形状を有している。絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃであって、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁領域に接着されている。
【００３９】
この場合、絶縁層１４は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂを除く、外枠部１３の内側領域の全域を覆っている。これにより、後述するように、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図８（ｄ）参照）、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側に別途樹脂封止用のテープを設ける必要が生じない。
【００４０】
図３において、絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との重なり幅（接着領域の幅）ｗａは、例えば５μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。重なり幅ｗａを５μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上とすることにより、絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２とを確実に接着させ、樹脂封止工程（図８（ｄ）参照）において封止樹脂２３が裏面側に漏れる不具合を確実に防止することができる。また、重なり幅ｗａを４０μｍ以下とすることにより、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃの面積を一定以上確保することができる。
【００４１】
絶縁層１４は、例えばポリイミド等のウエットエッチング可能な樹脂からなることが好ましい。また、絶縁層１４の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層１４の厚みを５μｍ以上とすることにより、ダイパッド１１およびリード部１２を確実に支持することができる。また、絶縁層１４の厚みを４０μｍ以下とすることにより、リードフレーム基板１０を薄肉に構成することができる。
【００４２】
本実施の形態において、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁には、それぞれ側壁１４ｅ、１４ｆが形成されている。この場合、絶縁層開口部１４ａの側壁１４ｅは、平面視略矩形状に形成されている。また、絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆは、平面視で半円と長方形とを合わせた形状を有している。
【００４３】
図３に示すように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの断面は、それぞれテーパー状に傾斜している。すなわち、側壁１４ｅ、１４ｆの断面は、絶縁層１４の裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの面積が徐々に狭くなるように形成されている。この場合、図２に示すように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁全体にわたって、側壁１４ｅ、１４ｆの断面がテーパー状に形成されている。
【００４４】
また、ダイパッド１１およびリード部１２を覆うように金属層（めっき層）２５が形成されている。具体的には、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂと、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａと、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域とが、それぞれ金属層２５によって覆われている。
【００４５】
このうちダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂに形成される金属層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２と半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２（後述）との密着性を向上させる役割を果たす。また、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａに形成される金属層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２と封止樹脂２３との密着性を向上させる役割を果たす。さらに、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに形成される金属層２５は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２とはんだ部２８（後述）との接着性を向上させる役割を果たす。このダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃに形成された金属層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂから裏面側に露出している。なお、半導体素子２１が発光素子（ＬＥＤ素子）からなる場合、金属層２５は、半導体素子２１からの光を反射させる役割を果たしても良い。
【００４６】
金属層２５は、例えばＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属の単一層でも良く、あるいは、これらのうち複数種類の金属を積層した層からなっていても良い。金属層２５を形成する方法としては、めっき又はスパッタリング等の手法を用いても良い。また、金属層２５の厚み（最大厚み）は、絶縁層１４の厚みよりも薄くすることが好ましく、具体的には０．３μｍ以上７μｍ以下とすることが好ましい。
【００４７】
図４（ａ）（ｂ）は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂ及びその周辺を示す部分拡大断面図である。図４（ａ）に示すように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの断面は、それぞれ絶縁層１４の表面１４ｃ及び裏面１４ｄに対して傾斜している。また、側壁１４ｅ、１４ｆは、表面側周縁部１４ｇと裏面側周縁部１４ｈとの間に形成されている。なお、表面側周縁部１４ｇは、絶縁層１４の表面１４ｃ上に位置しており、裏面側周縁部１４ｈは、絶縁層１４の裏面１４ｄ上に位置している。
【００４８】
このように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆを傾斜させたことにより、金属層２５が、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃだけでなく、絶縁層１４の一部の上にも形成される。これにより、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁（表面側周縁部１４ｇ）まで確実に行き渡らせることができる。
【００４９】
また、断面において、側壁１４ｅ、１４ｆは湾曲して形成されている。具体的には、側壁１４ｅ、１４ｆは、表面１４ｃ側に位置する表面側側壁１４ｉと、裏面１４ｄ側に位置する裏面側側壁１４ｊとを有している。このうち表面側側壁１４ｉは、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの外側に向けて凹み、裏面側側壁１４ｊは、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側に向けて膨らんでいる。なお、これに限らず、側壁１４ｅ、１４ｆの断面は略直線状に形成されていても良い。
【００５０】
また、側壁１４ｅ、１４ｆの傾斜角θは、２０°以上８０°以下であることが好ましい。側壁１４ｅ、１４ｆの傾斜角θを２０°以上とすることにより、表面側周縁部１４ｇにおける絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との接着性を高めることができる。また、側壁１４ｅ、１４ｆの傾斜角θを８０°以下とすることにより、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁まで確実に行き渡らせることができる。ここで、傾斜角θは、側壁１４ｅ、１４ｆと絶縁層１４の表面１４ｃとがなす角をいう。なお、側壁１４ｅ、１４ｆの断面が湾曲している場合、傾斜角θは、表面側周縁部１４ｇにおいて計測される角度をいう。
【００５１】
絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域は、金属層２５によって覆われている。この場合、金属層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域に位置するダイパッド１１又はリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃを全体にわたって覆っている。また、金属層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの一部を更に覆っている。すなわち、金属層２５は、ダイパッド１１又はリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃから、側壁１４ｅ、１４ｆの表面側周縁部１４ｇを介して、側壁１４ｅ、１４ｆの厚み方向途中位置１４ｋまで連続的に形成されている。
【００５２】
断面視において、金属層２５の周縁部２５ａは外方に膨らむように湾曲している。したがって、金属層２５の外縁（途中位置１４ｋ）は、金属層２５の裏面２５ｂよりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置している。この場合、金属層２５によって側壁１４ｅ、１４ｆの表面側周縁部１４ｇが覆われるので、半導体装置２０を使用している間、表面側周縁部１４ｇから絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との間に水分が侵入する不具合を防止することができる。
【００５３】
図４（ａ）において、絶縁層１４と金属層２５との重なり幅ｗｂは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。重なり幅ｗｂを０．５μｍ以上とすることにより、表面側周縁部１４ｇから絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との間に水分が侵入する不具合を確実に防止することができる。また、重なり幅ｗｂを１０μｍ以下とすることにより、金属２５の周縁部２５ａと位置１４ｋとの隙間が増加することにより水分が滞留しやすい状態を防止することができる。
【００５４】
さらに、図４（ａ）に示すように、平面視において、ダイパッド１１又はリード部１２の表面側周縁部１１ｇ、１２ｇは、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの裏面側周縁部１４ｈよりも絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの外側（Ｘ方向マイナス側）に位置している。なお、表面側周縁部１１ｇ、１２ｇと裏面側周縁部１４ｈとの間隔ｄａ（水平方向距離）は、例えば０μｍ以上２５μｍ以下とすることができる。
【００５５】
図４（ｂ）は、リードフレーム基板１０の変形例を示している。図４（ｂ）に示す変形例において、図４（ａ）に示す形態と異なり、平面視において、ダイパッド１１又はリード部１２の表面側周縁部１１ｇ、１２ｇが、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの裏面側周縁部１４ｈよりも絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側（Ｘ方向プラス側）に位置している。なお、表面側周縁部１１ｇ、１２ｇと裏面側周縁部１４ｈとの間隔ｄｂ（水平方向距離）は、例えば０μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。この場合、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの面積を広く確保することができるので、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂに設けられた金属層２５と外部の実装基板（図示せず）との接触面積を増加することができる。
【００５６】
半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５および図６は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。
【００５７】
図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に設けられ、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。
【００５８】
このうちダイパッド１１上に半導体素子２１が搭載され、半導体素子２１と各リード部１２とは、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって電気的に接続されている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００５９】
ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０から作製されたものである。このダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４の構成は、単位リードフレーム領域１０ａに含まれない領域を除き、上述した図１乃至図３に示すものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６０】
半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。半導体素子２１としては、発光素子（ＬＥＤ素子）を用いても良い。この場合、半導体素子２１の発光層としては、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料が挙げられ、これら材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
【００６１】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２の内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、各リード部１２の表面１２ｂには、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させる金属層２５がそれぞれ設けられている。
【００６２】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下程度とすることができる。なお、図５において、ダイパッド１１およびリード部１２よりも表面側に位置する封止樹脂２３の表示を省略している。
【００６３】
さらに、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域には、それぞれはんだ部２８が設けられている。このはんだ部２８は、半導体装置２０と図示しない実装基板とを連結するために用いられるものである。各はんだ部２８は、例えば断面略半円形状、略半楕円形状、又は略かまぼこ形状を有しており、絶縁層１４よりも裏面側に突出している。各はんだ部２８は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの全体を覆っているが、これに限らず、側壁１４ｅ、１４ｆの一部のみを覆っていても良い。
【００６４】
なお、半導体装置２０の一辺は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下としても良い。また半導体装置２０の厚みは、例えば１５０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。
【００６５】
リードフレーム基板の製造方法
次に、図１乃至図３に示すリードフレーム基板１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｈ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｈ）は、リードフレーム基板１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。
【００６６】
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００６７】
次に、金属基板３１の裏面に絶縁層１４を設ける（図７（ｂ））。絶縁層１４は、上述したように、例えばポリイミド等の樹脂からなっていても良い。この場合、絶縁層１４は、金属基板３１の裏面に貼着されても良く、あるいは金属基板３１の裏面にポリイミドワニス等の樹脂を塗布し、これを熱処理することにより形成されても良い。
【００６８】
次に、金属基板３１の表面および絶縁層１４の裏面にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｃ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００６９】
続いて、この金属基板３１および絶縁層１４に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｄ））。
【００７０】
次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｅ））。これにより、金属基板３１の表面側からエッチングが施され、ダイパッド１１および複数のリード部１２の外形が形成される。このエッチングは、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂ側からのみ施されるので、腐蝕液は裏面側から回り込まない。このため、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａは、断面視ですり鉢状に形成される。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅合金を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００７１】
続いて、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｆ））。これにより、絶縁層１４のうち、ダイパッド１１およびリード部１２に対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ａ、１４ｂが形成される。このエッチングは、絶縁層１４の裏面１４ｄ側からのみ施されるので、腐蝕液は表面１４ｃ側から回り込まない。このため、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆが、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成される。
【００７２】
なお、一般にエッチング用レジスト層３３は、絶縁層１４のエッチング中に膨潤する。このため、開口部３３ｂのパターン寸法も絶縁層１４のエッチング中に変化しやすい。一方、エッチング用レジスト層３３を形成した後、絶縁層１４のエッチングを行う前に、エッチング用レジスト層３３を適宜加熱又は追加ＵＶ照射しても良い。この場合、エッチング用レジスト層３３が再硬化し、絶縁層１４とエッチング用レジスト層３３とを強固に密着させることができる。このように、エッチング用レジスト層３３の再硬化の程度を適宜調整することにより、絶縁層１４のエッチング中に開口部３３ｂのパターン寸法が変化する程度を調整し、これにより側壁１４ｅ、１４ｆの傾斜角θを例えば２０°以上８０°以下の所定の角度となるように調整することができる。腐蝕液は、絶縁層１４の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、絶縁層１４としてポリイミドを用いる場合、アルカリ−アミン系のポリイミドケミカルエッチング液を使用することができる。なお、上記において、金属基板３１をエッチングした後（図７（ｅ））、絶縁層１４をエッチングしているが（図７（ｆ））、これに限らず、まず絶縁層１４をエッチングし、その後金属基板３１をエッチングしても良い。
【００７３】
なお、このようにして絶縁層１４に絶縁層開口部１４ａ、１４ｂを形成した後、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆをプラズマ処理しても良い。このように側壁１４ｅ、１４ｆをプラズマ処理することにより、側壁１４ｅ、１４ｆの表面（外面）が改質（粗化）される。これにより、後工程で金属層２５と側壁１４ｅ、１４ｆとの密着性を高めることができ、金属層２５が側壁１４ｅ、１４ｆから剥離することをより確実に防止することができる。
【００７４】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図７（ｇ））。
【００７５】
次に、ダイパッド１１およびリード部１２にそれぞれ電解めっき処理を施し、金属層２５を形成する（図７（ｈ））。具体的には、ダイパッド１１およびリード部１２の表面１１ｂ、１２ｂと、ダイパッド１１およびリード部１２の側面１１ａ、１２ａと、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域とに、めっきにより金属層２５を形成する。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２がそれぞれ外枠部１３に連結されているので、電解めっき用の電流を外枠部１３を介してダイパッド１１およびリード部１２に対して供給することができる。金属層２５を形成するめっき種の種類は問わないが、例えばＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの単層めっきでもよいし、これらを積層した複層めっきでもよい。
【００７６】
このようにして、図１乃至図３に示すリードフレーム基板１０が得られる。
【００７７】
本実施の形態において、上述したように、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。これにより、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域にめっきにより金属層２５を形成する際、金属層２５が絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁（表面側周縁部１４ｇ）まで確実に行き渡る。したがって、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域の一部に金属層２５の未着領域が生じることを防止することができる。さらに、金属層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの一部を覆うので、半導体装置２０の使用時に、表面側周縁部１４ｇを通って絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との間に水分が侵入する不具合を防止することができる。また、金属層２５がダイパッド１１又はリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃから剥離しにくくすることができる。
【００７８】
半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。図８（ａ）−（ｅ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面図（図６に対応する図）である。
【００７９】
まず、例えば図７（ａ）−（ｈ）に示す方法（上述）により、リードフレーム基板１０を作製する（図８（ａ））。
【００８０】
次に、リードフレーム基板１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。
【００８１】
次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の表面１２ｂに形成された金属層２５（内部端子１５）とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。
【００８２】
次に、リードフレーム基板１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、複数のリード部１２、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。また、ダイパッド１１とリード部１２との間において、封止樹脂２３は絶縁層１４に密着する。この際、ダイパッド１１とリード部１２との間の領域が予め絶縁層１４によって覆われているので、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃ側に樹脂封止用のテープを別途設ける必要が生じない。
【００８３】
その後、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃのうち、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域に、それぞれはんだ部２８を設ける。はんだ部２８は、はんだめっき（電解めっき）により形成されても良い。この場合、ダイパッド１１およびリード部１２がそれぞれ外枠部１３に連結されているので、はんだめっき用の電流を外枠部１３を介してダイパッド１１およびリード部１２に対して供給することができる。
【００８４】
続いて、各半導体素子２１間の外枠部１３、絶縁層１４および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム基板１０を各単位リードフレーム領域１０ａ（図１参照）毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各単位リードフレーム領域１０ａ間の外枠部１３、絶縁層１４および封止樹脂２３を切断しても良い。
【００８５】
このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｅ））。
【００８６】
このように本実施の形態によれば、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。これにより、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域に形成する際、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁まで行き渡らせることができる。この結果、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁において金属層２５の厚みがばらついたり、金属層２５に段差が発生したりする不具合を防止することができる。
【００８７】
また、本実施の形態によれば、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの内側領域が金属層２５によって覆われているので、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面１１ｃ、１２ｃと、はんだ部２８との密着性を良好にすることができる。また、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁まで行き渡らせることにより、半導体装置２０を外部の実装基板に実装する際、はんだ部２８と金属層２５との接続面積を広げることができ、半導体装置２０の実装信頼性を向上させることができる。
【００８８】
さらに、本実施の形態によれば、金属層２５は、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの側壁１４ｅ、１４ｆの一部を覆っているので、半導体装置２０の使用時に、表面側周縁部１４ｇから絶縁層１４とダイパッド１１又はリード部１２との間に水分が侵入する不具合を防止することができる。
【００８９】
さらにまた、本実施の形態によれば、絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁全体にわたって、側壁１４ｅ、１４ｆの断面がテーパー状に形成されているので、金属層２５を絶縁層開口部１４ａ、１４ｂの周縁全体に行き渡らせることができる。
【００９０】
変形例
次に、図９乃至図１１により、本実施の形態によるリードフレーム基板の変形例について説明する。図９乃至図１１に示す変形例は、絶縁層１４の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図８に示す形態と略同一である。図９乃至図１１において、図１乃至図８と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００９１】
（変形例１−１）
図９に示すリードフレーム基板１０Ａは、ダイパッド１１（第１端子部）と、ダイパッド１１の周囲に設けられ、半導体素子２１（仮想線）と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ（第２端子部）と、ダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂの裏面１１ｃ、１２ｃ側に設けられ、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂとを支持する絶縁層１４とを備えている。
【００９２】
絶縁層１４のうち、リード部１２Ａ、１２Ｂに対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ｂが形成されている。絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。一方、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、ダイパッド１１の裏面１１ｃには絶縁層開口部が設けられておらず、ダイパッド１１の裏面１１ｃ全体にわたって絶縁層１４が拡がっている。
【００９３】
図９において、絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面がテーパー状に形成されているので、金属層２５を絶縁層開口部１４ｂの周縁に行き渡らせることができる。
【００９４】
（変形例１−２）
図１０に示すリードフレーム基板１０Ｂは、互いに離間して配置された複数のリード部１２Ｃ、１２Ｄ（第１端子部、第２端子部）と、リード部１２Ｃ、１２Ｄの裏面１２ｃ側に設けられ、複数のリード部１２Ｃ、１２Ｄを支持する絶縁層１４とを備えている。この場合、ダイパッドに代えて、複数のリード部１２Ｃ、１２Ｄ上に半導体素子２１（仮想線）が搭載されるようになっている。
【００９５】
絶縁層１４のうち、リード部１２Ｃ、１２Ｄに対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ｂが形成されている。絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。
【００９６】
図１０に示すリードフレーム基板１０Ｂのように、ダイパッド１１が設けられていない場合であっても、リード部１２Ｃ、１２Ｄに対応する絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面がテーパー状に形成されているので、金属層２５を絶縁層開口部１４ｂの周縁に行き渡らせることができる。また、図１０において、ダイパッド１１が設けられていない分、リード部１２Ｃ、１２Ｄ同士を互いに接近して配置することができ、半導体装置２０を小型化することができる。
【００９７】
（変形例１−３）
図１１（ａ）−（ｃ）に示すリードフレーム基板１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅにおいて、ダイパッド１１の裏面１１ｃに設けられた絶縁層開口部１４ａは、互いに分離した複数の開口区域１４ｍに分離されている。各開口区域１４ｍにおいて、側壁１４ｅの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて開口区域１４ｍの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。また、各開口区域１４ｍ同士の間には、細長い支持リブ１８が延びている。
【００９８】
図１１（ａ）において、絶縁層開口部１４ａは、互いに同一の平面正方形形状からなる４つの開口区域１４ｍに分離されている。この場合、支持リブ１８は、各開口区域１４ｍ間において縦横十字状に延びている。
【００９９】
図１１（ｂ）において、絶縁層開口部１４ａは、互いに同一の平面長方形形状からなる６つの開口区域１４ｍに分離されている。この場合、各開口区域１４ｍ間において、Ｘ方向に延びる２本の支持リブ１８と、Ｙ方向に延びる１本の支持リブ１８とが設けられている。
【０１００】
図１１（ｃ）において、絶縁層開口部１４ａは、互いに同一の平面三角形形状からなる４つの開口区域１４ｍに分離されている。この場合、支持リブ１８は、各開口区域１４ｍ間において絶縁層開口部１４ａの対角線方向にＸ字状に延びている。
【０１０１】
図１１（ａ）−（ｃ）に示すリードフレーム基板１０Ｆ、１０Ｄ、１０Ｅにおいて、ダイパッド１１は、支持リブ１８によって裏面１１ｃ側から支持されている。これにより、ダイパッド１１が薄い場合等、金属層２５を形成した後でダイパッド１１に反りが生じやすい場合であっても、支持リブ１８によってダイパッド１１の応力を緩和し、ダイパッド１１に反りが生じることを低減ないし防止することができる。なお、複数の開口区域１４ｍの面積が互いに異なっていても良く、複数の開口区域１４ｍの平面形状が互いに異なっていても良い。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
次に、図１２乃至図１６を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図１２乃至図１６は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図１２乃至図１６に示す第２の実施の形態は、主として、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに、導電性支柱部２７が突設されている点が第１の実施の形態と異なるものである。図１２乃至図１６において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１０３】
リードフレーム基板の構成
まず、図１２により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。
【０１０４】
図１２に示すリードフレーム基板１０Ｆは、互いに離間して配置された複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆ（第１端子部、第２端子部）と、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃ側に設けられ、複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆを支持する絶縁層１４とを備えている。この場合、ダイパッドに代えて、複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆ上に半導体素子２１（後述）が搭載されるようになっている。
【０１０５】
絶縁層１４のうち、リード部１２Ｅ、１２Ｆに対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ｂが形成されている。絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面は、裏面１４ｄ側から表面１４ｃ側に向かうにつれて絶縁層開口部１４ｂの面積が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成されている。
【０１０６】
本実施の形態において、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに、導電性支柱部（導電部材）２７が突設されている。各導電性支柱部２７は、それぞれ半導体素子２１の電極２１ａ（後述）に対応する位置であって、例えば各リード部１２Ｅ、１２Ｆの先端又は長手方向中間位置に設けられている。この導電性支柱部２７は、後述するように電解めっきにより形成されためっき層からなっており、断面略矩形形状を有している。また、導電性支柱部２７の平面形状は、例えば略円形状、略楕円形状、略矩形形状又は略多角形形状としても良い。
【０１０７】
導電性支柱部２７を形成するめっき種の種類は問わないが、例えばＣｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの単層めっきでもよいし、これらを積層した複層めっきでもよい。この導電性支柱部２７は、リード部１２Ｅ、１２Ｆと半導体素子２１の電極２１ａとを電気的に接続するとともに、半導体素子２１と絶縁層１４との間にアンダーフィル樹脂２９（図１３）を充填する空間を提供する役割を果たす。なお、導電性支柱部２７の厚み（高さ）ｈａは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましく、導電性支柱部２７の幅ｗｃは、例えば５０μｍ以上２５０μｍ以下とすることが好ましい。
【０１０８】
半導体装置の構成
次に、図１３により、本実施の形態による半導体装置（FLIP CHIP構造）について説明する。
【０１０９】
図１３に示す半導体装置（半導体パッケージ）２０Ａは、図１２に示すリードフレーム基板１０Ｆを用いて作製されたものである。この半導体装置２０Ａは、互いに離間して配置された複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆ（第１端子部、第２端子部）と、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃ側に設けられ、複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆを支持する絶縁層１４とを備えている。
【０１１０】
このうちリード部１２Ｅ、１２Ｆ上には、半導体素子２１が搭載されている。また、半導体素子２１と各リード部１２とは、ボンディングワイヤに代えて、導電性支柱部（導電部材）２７によって電気的に接続されている。半導体素子２１の裏面側にはアンダーフィル樹脂２９が充填され、これにより半導体素子２１がリード部１２Ｅ、１２Ｆに固定されている。また、リード部１２Ｅ、１２Ｆ、半導体素子２１、導電性支柱部２７およびアンダーフィル樹脂２９は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【０１１１】
アンダーフィル樹脂２９は、半導体素子２１の裏面であって、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂ及び絶縁層１４の表面１４ｃ上に設けられている。またアンダーフィル樹脂２９は、導電性支柱部２７の周囲を取り囲むとともに、半導体素子２１の下部側面を更に覆っている。なお、アンダーフィル樹脂２９の材料は、例えばエポキシ系樹脂、ポリウエレタン系樹脂であっても良い。
【０１１２】
リードフレーム基板の製造方法
次に、図１２に示すリードフレーム基板１０Ｆの製造方法について、図１４（ａ）−（ｈ）及び図１５（ａ）−（ｃ）を用いて説明する。図１４（ａ）−（ｈ）及び図１５（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態によるリードフレーム基板１０Ｆの製造方法を示す断面図（図１２に対応する図）である。
【０１１３】
まず、平板状の金属基板３１を準備する（図１４（ａ））。次いで金属基板３１の裏面に絶縁層１４を設ける（図１４（ｂ））。
【０１１４】
次に、金属基板３１の表面および絶縁層１４の裏面にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図１４（ｃ））。続いて、この金属基板３１および絶縁層１４に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１４（ｄ））。
【０１１５】
次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図１４（ｅ））。これにより、金属基板３１の表面側からエッチングが施され、リード部１２Ｅ、１２Ｆの外形が形成される。
【０１１６】
続いて、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施す（図１４（ｆ））。これにより、絶縁層１４のうち、リード部１２Ｅ、１２Ｆに対応する位置に、それぞれ絶縁層開口部１４ｂが形成される。
【０１１７】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図１４（ｇ））。
【０１１８】
次に、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃにそれぞれ電解めっき処理を施し、金属層２５を形成する（図１４（ｈ））。具体的には、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃのうち絶縁層開口部１４ｂの内側領域にめっきにより金属層２５を形成する。
【０１１９】
続いて、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに、所定のパターンを有するめっき用レジスト層３４を形成する（図１５（ａ））。このめっき用レジスト層３４には、導電性支柱部２７に対応する開口部３４ａが形成されている。
【０１２０】
次に、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂにそれぞれ電解めっき処理を施し、リード部１２Ｅ、１２Ｆから突出する導電性支柱部２７を形成する（図１５（ｂ））。この間、めっき用レジスト層３４の開口部３４ａ内に金属が徐々に析出し、所定の高さの導電性支柱部２７が形成される。
【０１２１】
その後、めっき用レジスト層３４を剥離して除去することにより、図１２に示すリードフレーム基板１０Ｆが得られる（図１５（ｃ））。
【０１２２】
半導体装置の製造方法
次に、図１３に示す半導体装置２０Ａの製造方法について、図１６（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。図１６（ａ）−（ｅ）は、半導体装置２０Ａの製造方法を示す断面図（図１３に対応する図）である。
【０１２３】
まず、例えば図１４（ａ）−（ｈ）及び図１５（ａ）−（ｃ）に示す方法（上述）により、リードフレーム基板１０Ｆを作製する（図１６（ａ））。
【０１２４】
次に、リードフレーム基板１０Ｆのリード部１２Ｅ、１２Ｆ上に、半導体素子２１を搭載する。このとき、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の表面１２ｂに形成された導電性支柱部２７とが、互いに電気的に接続される（図１６（ｂ））。
【０１２５】
次に、例えばエポキシ系樹脂、ポリウエレタン系樹脂等のアンダーフィル樹脂２９を用いて、半導体素子２１をリード部１２Ｅ、１２Ｆ上に固定する（図１６（ｃ））。
【０１２６】
次に、リードフレーム基板１０Ｆに対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図１６（ｄ））。これにより、複数のリード部１２Ｅ、１２Ｆ、半導体素子２１、および導電性支柱部２７を樹脂封止する。
【０１２７】
その後、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃのうち、絶縁層開口部１４ｂの内側領域に、それぞれはんだ部２８を設ける。はんだ部２８は、はんだめっき（電解めっき）により形成されても良い。
【０１２８】
続いて、各半導体素子２１間の外枠部１３、絶縁層１４および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム基板１０Ｆを分離する。このようにして、図１３に示す半導体装置２０Ａが得られる（図１６（ｅ））。
【０１２９】
このように本実施の形態によれば、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに、導電性支柱部２７が突設されているので、ボンディングワイヤを用いてリード部１２Ｅ、１２Ｆと半導体素子２１とを接続する必要が生じない。これにより、半導体素子２１の電極２１ａの数が増加した場合であっても、ワイヤーボンドのプロセスが複雑化することがなく、歩留低下（ショート等）を防止するとともに、ワイヤーボンドにかかるコストを抑えることができる。さらに、半導体素子２１の表面側にボンディングワイヤを接続する場合と比較して、半導体装置２０Ａの薄型化を図ることができる。
【０１３０】
変形例
次に、図１７乃至図１９により、本実施の形態によるリードフレーム基板および半導体装置の変形例について説明する。図１７乃至図１９において、図１２乃至図１６と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１３１】
（変形例２−１）
図１７に示すリードフレーム基板１０Ｇは、導電性支柱部２７の構成が図１２乃至図１６示す形態と異なるものである。図１７において、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに突設された導電性支柱部２７は、断面キノコ形状を有している。すなわち導電性支柱部２７は、中心部２７ａと、中心部２７ａから側方に突出する側方突起部２７ｂとを有している。この場合、側方突起部２７ｂは、中心部２７ａの周縁全体にわたって設けられている。なお、導電性支柱部２７の平面形状は、円形状、楕円形状、矩形形状等としても良い。導電性支柱部２７の厚み（高さ）ｈｂは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下としても良い。また、側方突起部２７ｂが中心部２７ａから側方に張り出す幅ｗｄは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下としても良い。
【０１３２】
このような断面キノコ形状を有する導電性支柱部２７を作製する場合、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面に電解めっき処理を施す際（図１５（ｂ））、めっき用レジスト層３４の厚みよりも高くめっき金属を析出させる。これにより、リード部１２Ｅ、１２Ｆから突出する断面キノコ形状を有する導電性支柱部２７を形成することができる。
【０１３３】
図１７において、導電性支柱部２７が断面キノコ形状を有することにより、導電性支柱部２７の表面の面積を広くし、半導体素子２１の電極２１ａとの接続面積を広く確保することができる。また、導電性支柱部２７の側方突起部２７ｂをアンダーフィル樹脂２９に係止させることができるので、導電性支柱部２７とアンダーフィル樹脂２９とを強固に連結することができる。
【０１３４】
（変形例２−２）
図１８に示すリードフレーム基板１０Ｈにおいて、半導体素子２１と絶縁層１４との間に、リード部１２Ｅ、１２Ｆが存在しない充填空間Ｓが形成されている。この充填空間Ｓは、アンダーフィル樹脂２９を充填する空間となっている。また、導電性支柱部２７は、各リード部１２Ｅ、１２Ｆの先端から突設されている。なお、充填空間Ｓの最大幅ｗｅは、半導体素子２１の幅ｗｆの３０％以上、より好ましくは５０％以上となっている。
【０１３５】
図１８において、半導体素子２１と絶縁層１４との間に、アンダーフィル樹脂２９を充填する充填空間Ｓが設けられているので、半導体素子２１の裏面側にアンダーフィル樹脂２９を容易に充填することができる。
【０１３６】
（変形例２−３）
図１９に示すリードフレーム基板１０Ｉにおいて、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂに絶縁樹脂層（カバー層）３６が設けられている。この絶縁樹脂層３６は、リード部１２Ｅとリード部１２Ｆとの間の空間にも充填されている。また、絶縁樹脂層３６は、それぞれ半導体素子２１の電極２１ａに対応する位置に開口３６ａを有し、各開口３６ａには導電性支柱部２７が設けられている。この絶縁樹脂層３６は、例えばポリイミド等のウエットエッチング可能な樹脂からなることが好ましい。また、絶縁樹脂層３６の厚み（リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂからの厚み）は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。
【０１３７】
このようなリードフレーム基板１０Ｉを作製する場合、まずエッチングによりリード部１２Ｅ、１２Ｆの外形を形成し（図１４（ａ）−（ｅ）参照）、その後、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂの全面にわたって絶縁樹脂層３６を形成する。次いで、絶縁樹脂層３６をパターニングすることにより絶縁樹脂層３６に開口３６ａを形成する。次に、絶縁層１４にエッチングを施すことにより、絶縁層１４に絶縁層開口部１４ｂを形成する（図１４（ｆ）参照）。続いて、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図１４（ｇ）参照）。次に、リード部１２Ｅ、１２Ｆの裏面１２ｃにそれぞれ電解めっき処理を施し、金属層２５を形成する（図１４（ｈ）参照）。その後、リード部１２Ｅ、１２Ｆの表面１２ｂにそれぞれ電解めっき処理を施し、絶縁樹脂層３６に開口３６ａ内に金属を析出させることにより、導電性支柱部２７を形成する。これにより、リードフレーム基板１０Ｉが得られる。
【０１３８】
図１９において、めっき用レジスト層３４を剥離して除去する工程（図１５（ｃ））を設ける必要がないので、リードフレーム基板１０Ｉを作製する工程を簡略化することができる。
【０１３９】
なお、図１２乃至図１９において、絶縁層開口部１４ｂの側壁１４ｆの断面は、必ずしもテーパー状に傾斜していなくても良い。
【符号の説明】
【０１４０】
１０、１０Ａ〜１０Ｉ  リードフレーム基板
１１        ダイパッド
１２、１２Ａ〜１２Ｆ  リード部
１４        絶縁層
１４ａ、１４ｂ  絶縁層開口部
１４ｅ、１４ｆ  側壁
１５        内部端子
１７        外部端子
２０、２０Ａ  半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（導電部材）
２３        封止樹脂
２４        接着剤
２５        金属層
２８        はんだ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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