(57)【要約】【課題】プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる両面金属積層板を提供することを目的とする。【解決手段】プラスチックフィルムと、  前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、  前記金属シード層上に配置された金属層と、を有する両面金属積層板であって、  ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の公差が、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内である両面金属積層板。【選択図】図１
2018103531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、
前記金属シード層上に配置された金属層と、を有する両面金属積層板であって、
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の公差が、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内である両面金属積層板。
【請求項２】
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値が、ＭＤは０．００％以上０．０６％以下、ＴＤは０．０４％以上０．１０％以下の範囲である請求項１に記載の両面金属積層板。
【請求項３】
前記プラスチックフィルムがポリイミドからなる請求項１または２に記載の両面金属積層板。
【請求項４】
前記プラスチックフィルムの厚さが２５μｍ以上３８μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の両面金属積層板。
【請求項５】
前記金属シード層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる層である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の両面金属積層板。
【請求項６】
前記金属シード層の厚さが、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の両面金属積層板。
【請求項７】
前記金属層が、第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第２金属層とを有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の両面金属積層板。
【請求項８】
前記第１金属層の厚さが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項７に記載の両面金属積層板。
【請求項９】
前記金属シード層、及び前記第１金属層の合計厚さが３５０ｎｍ以下である請求項７または８に記載の両面金属積層板。
【請求項１０】
プラスチックフィルムの両面上に、乾式めっき法により金属シード層を形成する金属シード層形成工程と、
前記金属シード層上に、乾式めっき法により第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記第１金属層上に、湿式めっき法により第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、を有し、
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値が、ＭＤは０．００％以上０．０６％以下、ＴＤは０．０４％以上０．１０％以下の範囲であり、寸法変化率の公差が、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内である両面金属積層板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属層上、または前記第２金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程と、をさらに有し、
前記パターン転写工程では、前記レジスト層形成工程前までの両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正する請求項１０に記載の両面金属積層板の製造方法。
【請求項１２】
前記パターン転写工程において、前記フォトマスクを用いて転写する際の両面金属積層板の寸法変化率の中心値が、ＭＤは−０．０６％以上０．００％以下、ＴＤは−０．１０％以上−０．０４％以下であるとみなして、前記パターンの転写条件を補正する請求項１１に記載の両面金属積層板の製造方法。
【請求項１３】
配線パターンの画像転写方法であって、
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、
前記金属シード層上に配置された第１金属層と、
前記第１金属層上に配置された第２金属層と、を有する両面金属積層板の、
前記第２金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程と、を有し、
前記パターン転写工程では、前記両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正するパターンの画像転写方法。
【請求項１４】
配線パターンの画像転写方法であって、
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、
前記金属シード層上に配置された第１金属層と、を有する両面金属積層前駆体板の、
前記第１金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程と、を有し、
前記パターン転写工程では、前記両面金属積層前駆体板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正するパターンの画像転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面金属積層板、両面金属積層板の製造方法、及びパターンの画像転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や自動車電話などの移動体通信をはじめ、タブレット、電子書籍専用端末、スマートフォン、ＭＰ３プレーヤー、電子ゲーム機などの携帯用電子機器の小型・軽量化の要求が拡大し、電子部品を微小間隔で高密度に装備する高密度実装への期待が、一段と強まっている。これに伴い、プリント配線基板の多層化、配線ピッチの狭幅化、ビアホールの微細化、ＩＣパッケージの小型多ピン化が進められている。またコンデンサや抵抗の受動素子についても、小型化・集積化及び表面実装化が合わせて進められている。
【０００３】
特に、電子部品を、プリント配線基板などの表面、又は内部へ直接実装する技術は、高密度実装を達成できるだけでなく、信頼性の向上にも寄与する。これらのことから、プリント配線基板の寸法精度、即ち配線ピッチの精度も要求レベルが高度になり、更に、プリント配線基板は、寸法の熱的安定性も要求されている。
【０００４】
プリント配線基板として、プラスチックフィルムの表面に金属層等を配置したプラスチック配線基板が一般的に用いられている。プラスチック配線基板の製造方法としては、以下の代表的な２つの製造方法が知られている。
【０００５】
第１の方法としては、回路を形成する導体に用いられる金属箔とプラスチックフィルムを熱圧着（ラミネート）法で貼り合わせる方法が挙げられる。
【０００６】
第２の方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の乾式めっき法によって、プラスチックフィルム上に薄膜の金属シード層、及び第１金属層を形成し、その上に無電解めっき法、又は電解めっき法の湿式めっき法により、更に第２金属層を形成するメタライジング法が挙げられる。
【０００７】
メタライジング法による、プラスチック配線基板の製造方法の具体例は、特許文献１、特許文献２に開示されている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上に、ニッケル、クロム、又はこれらの合金からなる金属シード層を、スパッタリング法を用いて形成し、次いで、スパッタリング法で銅導電層を形成し、さらにスパッタリング法により形成された銅導電層の上に電気銅めっき若しくは無電解銅めっき、又は両者を併用して銅導電層を形成した例が開示されている。 
ところで、プラスチック配線基板は、電子部品等を高密度実装するために、プラスチックフィルムの両面上に、金属層を配置した両面金属積層板とすることが求められる場合がある。
【０００９】
例えば、特許文献３には、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの両方の表面に金属シートが接合された、両面金属張積層体が開示されている。
【００１０】
また、両面金属積層板は、メタライジング法によっても製造することができる。
【００１１】
ところで、プラスチックフィルムの片面にのみ金属積層体を設けた、片面金属積層板も従来から用いられている。片面金属積層板においては、プラスチックフィルムの一方の面上に金属シード層、金属層が設けられ、金属層は、第１金属層、第２金属層で構成される。金属シード層や、第１金属層は通常乾式めっき法により形成されることから、プラスチックフィルムを真空中で加熱し、水分が無い状態にして金属シード層や、第１金属層で覆うことになる。
【００１２】
しかし、金属シード層等を設けていないプラスチックフィルムの他方の面から、プラスチックフィルムの吸湿が進んで、プラスチックフィルムの含水率は平衡状態に達している。また、第１金属層まで形成した段階では、第２金属層を設ける前であることから、寸法変化はほとんど抑制されずに吸湿、膨張することができる。
【００１３】
このため、その後第１金属層上に第２金属層を形成し、金属積層体をパターニングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でもプラスチックフィルムによる急激な吸湿や、それに伴う膨張はほとんど生じず、寸法変化率を原点±０．０２％程度の範囲に抑制できていた。
【００１４】
なお、原点とは金属積層体のパターニングを行っても寸法変化が起こらない場合、すなわち金属積層体のパターニングを行う際、プラスチックフィルムの含水率が飽和状態にある場合を意味する。
【００１５】
一方、プラスチックフィルムの両面上に金属積層体を配置した両面金属積層板を製造する際にも通常、金属シード層や、第１金属層を形成する際、プラスチックフィルムを真空中で加熱し、水分が無い状態にして両面を金属シード層や、第１金属層で覆うことになる。そして、プラスチックフィルムの両面が金属シード層等で覆われると、プラスチックフィルムは吸湿等をほとんど行えなくなるため、金属シード層等に挟まれたプラスチックフィルムは、パターニングを行うまで、ほぼ絶乾状態が維持されている。
【００１６】
そして、第２金属層を形成後、金属積層体をパターニングした時点で吸湿に伴う寸法変化（膨張）が起こり、寸法変化率がＭＤ：Ｍａｃｈｉｎｅ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ（機械軸方向）とＴＤ：ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ（横軸方向）ともプラス側に大きく動く。
【００１７】
このように、急激な吸湿による、大幅な寸法変化を生じると、形成した配線パターンがずれる場合があり問題であった。
【００１８】
そこで、従来の両面金属積層板においては、上述の吸湿による寸法変化を補完し、片面金属積層板と同様の寸法変化率である、原点±０．０２％以内を達成するため、金属シード層等を成膜する際の加熱条件や張力調整・拡幅等の処理がなされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００５−２９７４０５号公報
【特許文献２】特開２００９−０２６９９０号公報
【特許文献３】特開２００６−１３７０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、両面金属積層板について製造工程において加熱等の調整を行うと、かえって変動要因が増えるため、寸法変化率を小さく維持することは困難となり、配線パターンを形成した後、配線パターンがずれたりすることを抑制することは困難であった。
【００２１】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる両面金属積層板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、
前記金属シード層上に配置された金属層と、を有する両面金属積層板であって、
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の公差が、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内である両面金属積層板を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一側面によれば、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる両面金属積層板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】パターニング時の伸長分及び工程内張力による変化分を加味した中心値の説明図。
【図２】本発明の実施形態に係る両面金属積層板の断面模式図。
【図３】乾式めっき法を用いた成膜装置の構成例の説明図。
【図４】連続電解めっき装置の構成例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の両面金属積層板、両面金属積層板の製造方法、及びパターンの画像転写方法の一実施形態について説明する。
［両面金属積層板］
本実施形態の両面金属積層板は、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、金属シード層上に配置された金属層と、を有することができる。
【００２６】
また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の公差を、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とすることができる。
【００２７】
本発明の発明者は、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制した両面金属積層板について鋭意検討を行った。
【００２８】
そして、基準となる中心値からの公差を抑制することで、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
【００２９】
既述の従来の両面金属積層板のように配線パターンを形成した際の、原点からの寸法変化率を抑制しようとする場合、製造工程の加熱条件等を調整する必要があり、変動要因が増えるため、寸法変化率のばらつきが大きくなっていた。このため、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれを生じる場合があった。なお、原点とは既述のように金属積層体のパターニングを行っても寸法変化が起こらない点、すなわち金属積層体のパターニングを行う際、プラスチックフィルムの含水率が飽和状態にある場合を意味する。
【００３０】
一方、本実施形態の両面金属積層板においては、寸法変化率の公差、すなわち基準となる中心値からの寸法変化率の誤差を小さく抑制している。本発明の発明者の検討によれば、既述の原点と、基準となる中心値との間のずれについては、例えば配線パターンを形成する際のフォトマスクを用いたパターンの転写条件の補正により解消することができる。従って、中心値を必ずしも原点と一致させる必要はなく、パターニングを行う際の周囲の湿度による伸長分や工程内張力による変化分を加味し、独自に中心値を規定することで、従来行われていた原点に近づけるための加熱条件の調整や、拡幅等による寸法変化率のばらつきを排除できる。
【００３１】
そして、基準となる中心値からの誤差である、寸法変化率の公差を小さくし、中心値にあわせてフォトマスクを用いたパターンの転写条件の補正を行うことで、配線パターン形成のために金属積層体をエッチングした際に配線パターンにずれが生じることを抑制できる。特に、近年要求される、配線パターンのファインピッチ化（微細パターン化）へ対応できる。
【００３２】
具体的には、図１に示すように、例えば製造工程の間にプラスチックフィルムについて、パターニングを行った際に、絶乾状態の点Ａから、２３℃、相対湿度５５％で２４時間程度の条件下で吸湿が行われると、ＭＤ及びＴＤとも＋０．０７％の点Ｂまで伸長する。そして、点Ｂを起点にして、両面金属積層板の製造工程内での張力による変化分を加味し、中心値Ｃを規定し、寸法変化率の公差、すなわち該中心値Ｃを基準とした場合の、該基準からの寸法変化率の誤差を、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とする。
【００３３】
上述のように中心値からの公差が所定の範囲にある両面金属積層板とすることで、係る中心値を既述の原点に近づけるための加熱条件の調整や、拡幅等による変動要因を排除できる。これによって、残る変動要因は、製造工程内での制御変動とプラスチックフィルムの特性公差のみとなり、寸法変化率について、基準として定めた中心値±０．０２％以内を達成できる。
【００３４】
なお、製造工程内の制御変動という点では、片面金属積層板は、その製造工程においてプラスチックフィルムが吸湿して伸びるので、張力制御が難しくなる。一方、両面金属積層板は製造工程においてほとんど吸湿しないため、両面金属積層板の方が張力制御は有利となり、本実施形態の両面金属積層板によれば、片面金属積層板よりも配線パターンのずれの発生等について、ばらつきの小さい製品とすることができる。
【００３５】
以下に本実施形態の両面金属積層板の構成例について具体的に説明する。
【００３６】
本実施形態の両面金属積層板は、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、金属シード層上に配置された金属層とを有することができる。金属層は例えば第１金属層と、第１金属層上に配置された第２金属層とを有することができる。また、金属層は、第１金属層と、上記第２金属層とから構成することもできる。
【００３７】
そして、本実施形態の両面金属積層板は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣによるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の公差が、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とすることができる。
【００３８】
ここでまず、本実施形態の両面金属積層板の構造について、図２を用いて説明する。図２は、両面金属積層板１０のプラスチックフィルム１１の主表面と垂直な面における断面図を模式的に示している。
【００３９】
両面金属積層板１０は、プラスチックフィルム１１の一方の面１１ａ上に、プラスチックフィルム１１側から、金属シード層１２Ａ、第１金属層１３Ａ、第２金属層１４Ａがその順に積層されている。また、プラスチックフィルム１１の他方の面１１ｂ上にも、プラスチックフィルム１１側から、金属シード層１２Ｂ、第１金属層１３Ｂ、第２金属層１４Ｂがその順に積層されている。
【００４０】
すなわち、プラスチックフィルム１１の両面（両主表面）上に、それぞれ金属シード層１２Ａ、１２Ｂ、第１金属層１３Ａ、１３Ｂ、第２金属層１４Ａ、１４Ｂが順に積層された構造を有している。
【００４１】
なお、金属シード層１２Ａ、１２Ｂは、プラスチックフィルム１１の両面上に直接配置されている。即ち、接着剤等を介することなく配置されている。また、各層の間、即ち金属シード層１２Ａ、１２Ｂと、第１金属層１３Ａ、１３Ｂとの間、第１金属層１３Ａ、１３Ｂと、第２金属層１４Ａ、１４Ｂとの間についても、接着剤等を介することなく直接接触する様に構成することができる。
【００４２】
続いて、各部材について説明する。
（プラスチックフィルム）
まず、プラスチックフィルムについて、以下に詳細を説明する。
【００４３】
プラスチックフィルムの材料としては、特に限定されるものではなく、各種プラスチック材料により形成されたフィルムを用いることができる。
【００４４】
プラスチックフィルムの材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性樹脂や、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、液晶ポリマー系樹脂から選択された１種以上の樹脂を用いることができる。
【００４５】
なお、プラスチックフィルムの材料として、２種以上の樹脂を混合した材料を用いることもできる。
【００４６】
プラスチックフィルムの材料としては、耐熱性や絶縁性に優れることから、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。すなわち、プラスチックフィルムはポリイミドからなるポリイミドフィルムであることが好ましい。
【００４７】
ポリイミドは、化学式（１）で表される構造を有する。化学式（１）中、Ｒ及びＲ´が芳香族である場合を芳香族ポリイミドと呼び、工業的に広く用いられている。芳香族ポリイミドは、一般的には、芳香族の酸無水物とジアミンとの縮重合反応によって得られる。このため、酸成分とジアミン成分との組合せにより、多様な構造のポリイミドが得られ、化学（分子）構造によって、耐熱性等の物性等に違いが見られる場合もある。但し、本実施形態の両面金属積層板のプラスチックフィルムの材料としてポリイミドを用いる場合、該ポリイミドの構造等は特に限定されるものではなく、各種構造のポリイミドを用いることができる。
【００４８】
【化１】
2018103531.tif 000003
例えば、化学式（２）、又は化学式（３）で表される構造を有するポリイミドを、プラスチックフィルムの材料として用いることができる。
【００４９】
化学式（２）は、酸成分のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と、ジアミン成分の４、４´−ジアミノジフェニルエーテル（別名：４、４´−オキシビスベンゼンアミン、４、４´−オキシジアニリン＝ＯＤＡ）を、有機溶媒中で重合することで製造できる。
【００５０】
【化２】
2018103531.tif 000004
化学式（３）は、酸成分としてビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を使用しており、ベンゼン環とイミド結合のみの分子構造を有している。このＢＰＤＡを酸成分に用いることで、ＰＭＤＡを用いた化学式（２）の構造を有するポリイミドと比べて、より剛直な構造になっている等、特性に違いが見られる。
【００５１】
【化３】
2018103531.tif 000005
化学式（３）の様に、イミド結合により直接結合された芳香族環は共役構造を取るため、上述の様に剛直で強固な構造をもつ。また、芳香族環が同一平面に配列して分子鎖が互いに密に充填（パッキング）され、極性の高いイミド結合が強い分子間力を有することから、分子鎖間の結合力も強固となる。
【００５２】
プラスチックフィルムとしてポリイミドフィルムを用いる場合、商業的に流通しているポリイミドフィルムを用いることもでき、例えば、東レ・デュポン株式会社製のカプトン（登録商標）シリーズや、宇部興産株式会社製のユーピレックス（登録商標）シリーズ等を用いることもできる。
【００５３】
プラスチックフィルムの厚さについては、特に限定されるものではないが、例えば、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。なお、プラスチックフィルムの厚さの上限値についても特に限定されないが、過度に厚くなると、両面金属積層板の取扱い性が低下する恐れがあるため、例えば、８０μｍ以下とすることが好ましい。プラスチックフィルムの厚さは、２５μｍ以上３８μｍ以下であることが特に好ましい。
（金属シード層）
次に、金属シード層について、以下に詳細を説明する。
【００５４】
金属シード層は、例えば、プラスチックフィルムと、第１金属層との密着性を高める機能を有する。
【００５５】
金属シード層の材料についても、特に限定されるものではないが、第１金属層との密着性を高める観点から、例えば、金属材料を用いることが好ましい。金属シード層の材料としては、例えば、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、バナジウム、スズ、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、鉄、アルミニウム、鉛、炭素、鉛−スズ系はんだ合金などが挙げられ、これらの金属を１種以上含む金属、又は合金であることが好ましい。特に、金属シード層の材料は、ニッケル、クロム、ニッケルを含む合金、クロムを含む合金、ニッケル及びクロムを含む合金から選ばれる１種であることがより好ましく、ニッケル及びクロムを含む合金、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金であることが更に好ましい。即ち、金属シード層はＮｉ−Ｃｒ合金からなる層とすることが更に好ましい。なお、金属シード層がＮｉ−Ｃｒ合金からなる層の場合であっても、例えば、製造工程で混入する不可避成分等を含有することを排除するものではない。
【００５６】
金属シード層の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。これは、金属シード層の厚さが２ｎｍ未満の場合、配線等を形成するためパターニングを行う際、エッチング液により浸食され、金属シード層とプラスチックフィルムとの間にエッチング液が染み込んで、配線が浮いてしまう場合があるからである。一方、金属シード層の厚さが５０ｎｍを超えると、配線等を形成するためパターニングを行う際、除去すべき部分の金属シード層をエッチングにより完全に除去できず、残渣として配線間に残り、絶縁不良を発生させる恐れがあるからである。金属シード層の厚さは、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
（金属層）
次に、金属層について、以下に詳細を説明する。
【００５７】
なお、既述のように金属層は第１金属層と、第２金属層とを有することができるため、ここでは第１金属層、第２金属層について以下に説明する。
【００５８】
第１金属層及び第２金属層の材料は、特に限定されるものではなく、用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、第１金属層及び第２金属層の材料は、銅と、ニッケル、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウム、クロム、鉄、マンガン、コバルト、タングステンから選択される少なくとも１種以上の金属との銅合金、又は銅を含む材料であることが好ましい。また、第１金属層及び第２金属層は、銅から構成される銅層とすることもできる。
【００５９】
なお、第１金属層及び第２金属層は、同じ材料から構成することもでき、異なる材料から構成することもできる。
【００６０】
特に、銅は配線基板の材料として一般的に用いられていることから、第１金属層及び第２金属層を銅からなる層、即ち銅層とすることが好ましい。なお、第１金属層及び第２金属層が銅からなる層の場合であっても、例えば、製造工程で混入する不可避成分等を含有することを排除するものではない。
【００６１】
第１金属層及び第２金属層の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば、本実施形態の両面金属積層板に要求される電流の供給量や、該両面金属積層板を加工する際の条件等に応じて任意に選択することができる。例えば、第１金属層の厚さと第２金属層の厚さとの合計は、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
本実施形態の両面金属積層板を用いて配線を形成する際の方法として、サブトラクティブ法や、セミアディティブ法が挙げられる。例えば、セミアディティブ法により配線を形成する場合、第１金属層及び第２金属層を選択的に成長させて配線加工することになる。
【００６３】
そして、第１金属層の厚さと第２金属層の厚さとの合計を０．１μｍ以上とすることで、例えば、本実施形態の両面金属積層板に配線を形成し、配線基板とした場合に、配線を構成する第１金属層と第２金属層に十分な電流を供給することができるからである。 
一方、第１金属層の厚さと第２金属層の厚さとの合計を２０μｍ以下とすることで、エッチングにより配線加工を行う際にも十分に高い生産を維持することができ、また配線基板としての総厚も十分に抑制でき、好ましいからである。
【００６４】
第１金属層の厚さと第２金属層の厚さとの合計は、０．４μｍ以上２．０μｍ以下であることがより好ましい。
【００６５】
なお、金属層は、第１金属層と、第２金属層とから構成することもできるため、金属層の厚さは、例えば上述の第１金属層の厚さと、第２金属層の厚さとの合計の好適な範囲とすることが好ましい。
【００６６】
第１金属層単独の厚さについても、特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが好ましい。第２金属層は後述する様に、例えば、湿式めっき法により形成することができるが、第１金属層の厚さを１０ｎｍ以上とすることで、十分な給電量を確保することができ、均一な第２金属層を形成することができるからである。また、生産性の観点から第１金属層の厚さを３００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００６７】
また、既述の金属シード層、及び第１金属層の合計厚さが３５０ｎｍ以下であることが好ましい。これは、金属シード層、及び第１金属層の合計の厚さを３５０ｎｍ以下とすることで、例えば第２金属層を電解めっき法により成膜する際に十分な給電量を確保することができるからである。また、第２金属層のプラスチックフィルムに対する密着性を特に高めることができるからである。
【００６８】
金属シード層、及び第１金属層の合計の厚さの下限値は特に限定されないが、例えば１２ｎｍ以上であることが好ましい。
【００６９】
ＩＰＣ標準規格ついて、以下に詳細を説明する。
【００７０】
本実施形態の両面金属積層板は、既述したＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣによるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の公差を、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とすることができる。
【００７１】
金属積層板など、フレキシブル誘導体材料の寸法変化率（寸法安定性）評価は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０：試験方法（テストメソッド）マニュアルにおけるセクション２．２：寸法検査法のＮｏ．２．２．４に従って行う。
【００７２】
ＩＰＣ（Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits）とは、「エレクトロニクスをつなぐ協会」を指し、製造業における業務プロセスにおいて品質の標準規格を制定している。そして、欧米やアジアにおいて、ＩＰＣ標準規格が電子機器業界、プリント基板設計・製造業者、電子機器製造企業等の数多くのメーカーに採用されており、上記ＩＰＣ−ＴＭ−６５０は、ＩＰＣが定めた規格の１つである。
【００７３】
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣによるＭＤ、及びＴＤの寸法変化率とは、このＩＰＣ標準規格であるＩＰＣ−ＴＭ−６５０の、Ｎｏ．２．２．４（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｃ）に開示された、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃの試験方法により評価したＭＤ、ＴＤの寸法変化率を意味する。
【００７４】
既述した様に、ＭＤはＭａｃｈｉｎｅ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ（機械軸方向）を意味し、両面金属積層板の長手方向を意味する。また、ＴＤはｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ（横軸方向）を意味し、ＭＤと直交する方向を意味する。
【００７５】
また、寸法変化率という指標では、収縮はマイナス値、伸長がプラス値で表される。
【００７６】
そして、上記Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃによれば、金属積層体をエッチング後、更に１５０℃で３０分間熱処理を行った後の寸法変化率を評価することができる。
【００７７】
ここで、本実施形態の両面金属積層板について、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０：試験方法（テストメソッド）マニュアルにおけるセクション２．２：寸法検査法のＮｏ．２．２．４のＭｅｔｈｏｄ  Ｃに従って寸法変化率を評価する場合の手順を説明する。具体的には、以下の（ａ）〜（ｃ）の手順に沿って測定を行い、測定結果から寸法変化率を算出できる。  
（ａ）被評価物である両面金属積層板を、２３℃、相対湿度５５％で、２４時間調湿して初期寸法（Ｉ）を測定する。  
（ｂ）そして、金属積層体の一部をエッチングで除去後に２３℃、相対湿度５５％で２４時間調湿する。  
（ｃ）次いで、１５０℃で３０分間加熱した後に、２３℃、相対湿度５５％で２４時間調湿して寸法測定を行う（Ａ）。
【００７８】
Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃの寸法変化率を、（寸法変化率）＝（Ａ−Ｉ）／Ｉ（％）で算出する。なお、寸法測定は２箇所で実施し、２箇所での寸法変化率の平均値が、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃの寸法変化率となる。
【００７９】
そして、本実施形態の両面金属積層板においては、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の公差を、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とすることができる。
【００８０】
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４．Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃは、上述のように１５０℃での加熱と、相対湿度５５％の環境下での調湿とを実施している。
【００８１】
一般的に両面金属積層板について、パターニング時や、パターニング後、相対湿度５５％程度の環境に置かれており、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃの場合と同様の環境にある。また、加熱処理を行うことで、両面積層金属板に製造工程で含まれていた張力による変化分を除去することができる。
【００８２】
このため、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４．Ｍｅｔｈｏｄ  ＣでのＭＤ、ＴＤの寸法変化率の公差を上記範囲とすることで、係る公差の中心値を基準に配線パターンを形成した場合に、配線パターン形成後の配線のずれ等を抑制することが可能になる。
【００８３】
なお、寸法変化率の中心値については特に限定されるものではないが、過度に原点からずれが生じると、フォトマスクを用いたパターンの転写条件の補正だけでは十分に対応することが困難になる場合もある。このため、本実施形態の両面金属積層板は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値が、ＭＤは０．００％以上０．０６％以下、ＴＤは０．０４％以上０．１０％以下の範囲であることが好ましい。
【００８４】
なお、両面金属積層板の寸法変化率の中心値は、金属積層体をパターニングする際の雰囲気等による吸湿条件や、両面金属積層板に製造工程で加えられる張力等に基づいて算出することができる。このため、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値とは、パターニングを行う際の雰囲気や、両面金属積層板の製造条件に基づいて想定、算出されるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値ということができる。
【００８５】
中心値は、具体的には例えば金属積層体のパターニングを行い、２３℃、相対湿度５５％で２４時間調湿した場合の伸長分と、製造工程内で両面金属積層板に加えられた（蓄積された）張力による変化分とを加味して算出できる。
【００８６】
これまで説明した本実施形態の両面金属積層板によれば、パターニングを行った際等の寸法変化率を考慮して中心値を定め、該中心値からの公差を抑制している。このため、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれや断線が生じることを抑制できる。
［両面金属積層板の製造方法］
本実施形態における両面金属積層板の製造方法について、その構成例を説明する。
【００８７】
なお、本実施形態における両面金属積層板の製造方法により、既述の両面金属積層板を製造することができる。このため、両面金属積層板を説明した際に、既述の事項については、一部説明を省略する。
【００８８】
本実施形態における両面金属積層板の製造方法について、一つの構成例では、以下の工程を有することができる。
【００８９】
プラスチックフィルムの両面上に、乾式めっき法により金属シード層を形成する金属シード層形成工程。  
金属シード層上に、金属層を形成する金属層形成工程。  
そして、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値が、ＭＤは０．００％以上０．０６％以下、ＴＤは０．０４％以上０．１０％以下の範囲とすることができる。また、寸法変化率の公差を、ＭＤは±０．０２％以内、ＴＤは±０．０１％以内とすることができる。
【００９０】
なお、金属層形成工程は、例えば以下の工程を有することができる。
【００９１】
金属シード層上に、乾式めっき法により第１金属層を形成する第１金属層形成工程。  
第１金属層上に、湿式めっき法により第２金属層を形成する第２金属層形成工程。  
以下、各工程について説明を行う。
【００９２】
金属シード層形成工程では、プラスチックフィルムの表面上に金属シード層を形成することができる。金属シード層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、蒸着法やスパッタリング法等の乾式めっき法を用いることが好ましい。金属シード層の形成方法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。金属シード層形成工程において、金属シード層を形成する際の具体的な条件は特に限定されるものではなく、金属シード層の材料や、金属シード層に要求される性能等に応じて任意に選択することができる。
【００９３】
金属シード層形成工程では、プラスチックフィルムの両面上に金属シード層を同時に形成することもできる。
【００９４】
金属層形成工程は、上述のように例えば第１金属層形成工程と、第２金属層形成工程とを有することができる。このため、第１金属層形成工程と、第２金属層形成工程、それぞれについて以下に説明する。
【００９５】
第１金属層形成工程では、金属シード層上に第１金属層を形成することができる。第１金属層の形成方法についても、特に限定されないが、蒸着法や、スパッタリング法等の乾式めっき法を用いることが好ましい。第１金属層の形成方法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００９６】
第１金属層形成工程において、第１金属層を形成する際の具体的な条件は特に限定されるものではなく、第１金属層の材料や、第１金属層に要求される性能等に応じて任意に選択することができる。
【００９７】
第１金属層形成工程では、プラスチックフィルムの両面上にそれぞれ形成した金属シード層上に第１金属層を同時に形成することもできる。
【００９８】
ここで、金属シード層や第１金属層を成膜する際に、好適に用いることができる、乾式めっき法を用いた成膜装置の構成例を、図３を用いて説明する。
【００９９】
図３は、成膜装置３０の構成を模式的に表した図である。
【０１００】
図３の成膜装置３０は、スパッタリング法により成膜する装置であり、スパッタリングフィルムコータとも称される装置である。なお、後述する様に、マグネトロンスパッタリングカソード３７ａ〜３７ｄの構成等を変更することで、スパッタリング法以外の他の成膜方法を用いた、又は併用した成膜装置とすることもできる。
【０１０１】
成膜装置３０は、減圧容器内において、ロールツーロール方式で連続的に搬送される被成膜物を、保持手段としてのキャンロール３２の保持面、即ち外周面に保持した状態で、該被成膜物に向けて成膜手段から放出される成膜粒子を、該被成膜物の表面に堆積させて成膜を行うことができる。
【０１０２】
なお、キャンロール３２の内部には、図示しない冷却手段を設けておくことができ、熱負荷の掛かる乾式めっき法であっても、被成膜物に熱的ダメージを与えることなく、連続的に処理できる。
【０１０３】
成膜装置３０を構成する各要素、及び金属シード層、第１金属層等の成膜手順について具体的に説明する。
【０１０４】
減圧容器としてのチャンバー３１内には、巻出しロール３３１と、巻取ロール３３２とが設けられており、巻出しロール３３１と、巻取ロール３３２との間でロールツーロール方式により被成膜物を搬送することができる。なお、チャンバー３１の形状や材質については、減圧状態に耐え得るものであれば、特に限定はなく、種々のものを使用することができる。
【０１０５】
プラスチックフィルムＦの搬送経路について説明する。まず巻出しロール３３１から被成膜物である長尺状のプラスチックフィルムＦが供給される。なお、第１金属層のみを成膜する場合には、長尺状のプラスチックフィルムＦとしては、プラスチックフィルムの一方、または両方の面には金属シード層を形成された物を用いることができる。
【０１０６】
そして、巻出しロール３３１からキャンロール３２までの被成膜物の搬送経路には、例えば、プラスチックフィルムＦを案内するフリーロール３４１、プラスチックフィルムＦの張力の測定を行う張力センサロール３５１、及び張力センサロール３５１から送り出されるプラスチックフィルムＦをキャンロール３２に導入する、モータ駆動のフィードロール３６１を、この順に配置することができる。
【０１０７】
また、キャンロール３２からプラスチックフィルムＦを巻き取る、巻取ロール３３２までの搬送経路にも、上記の場合と同様に、モータ駆動のフィードロール３６２、プラスチックフィルムＦの張力測定を行う張力センサロール３５２、及びプラスチックフィルムＦを案内するフリーロール３４２を、この順に配置することができる。
【０１０８】
キャンロール３２の近傍に設けられた、フィードロール３６１及び３６２は、モータで回転駆動させ、キャンロール３２の周速度に対する調整を行える様に構成することが好ましい。また、巻出しロール３３１では、パウダークラッチ等によるトルク制御を用いて、プラスチックフィルムＦの張力バランスを保つ様に構成することができる。この様に構成することで、張力調整されながら巻き出されたプラスチックフィルムＦは、キャンロール３２に連動して回転するフィードロール３６１及び３６２によって、キャンロール３２の外周面に密着した状態で冷却されながら、乾式めっき処理が施され、モータ駆動の巻取ロール３３２により巻き取ることができる。
【０１０９】
キャンロール３２の外周面に対向する位置には、プラスチックフィルムＦの搬送経路に沿って、成膜手段である板状のマグネトロンスパッタリングカソード３７ａ〜３７ｄが配置されている。これにより、搬送されているプラスチックフィルムＦの表面に対して、乾式めっき処理であるスパッタリング成膜処理を実施できる。
【０１１０】
成膜装置３０で施される乾式めっき処理は、上記スパッタリング法のみに限定されない。スパッタリング法と、例えば、ＣＶＤ（化学蒸着）、イオンプレーティング、真空蒸着などの他の真空成膜方法とを併用することもできる。また、スパッタリング法に替えて、上述の他の真空成膜方法を用いることもできる。これらの他の真空成膜方法を用いる場合は、マグネトロンスパッタリングカソード３７ａ〜３７ｄの一部、又は全部に替えて、所定の真空成膜手段を設けることができる。
【０１１１】
チャンバー３１には、上述の手段以外にも、任意に図示しない各種手段を接続等することができる。例えば、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の排気手段や、チャンバー３１内に気体を供給する気体供給手段の様な、種々の雰囲気制御手段を接続することができる。また、例えば、巻出しロール３３１から供給したプラスチックフィルムの水分を除去できる様に、プラスチックフィルムの搬送経路に沿って、図示しないヒーター等を設置しておくこともできる。
【０１１２】
既述のように金属シード層及び第１金属層は、共に乾式めっき法により、好適に形成することができる。
【０１１３】
このため、例えば、金属シード層の成膜を行った真空室内で第１金属層を連続処理、即ち連続形成することもできる。
【０１１４】
上述の成膜装置３０を用いて、金属シード層及び第１金属層を連続形成する場合の構成例を説明する。
【０１１５】
まず、巻出しロール３３１にプラスチックフィルムを装着する。
【０１１６】
更に、例えば、マグネトロンスパッタリングカソード３７ａに、金属シード層に対応した組成を有する金属シード層用ターゲットを装着し、マグネトロンスパッタリングカソード３７ｂ〜３７ｄに第１金属層に対応した組成の第１金属層用ターゲットを装着する。
【０１１７】
次いで、チャンバー３１内を図示しない排気手段によって排気し、チャンバー３１内を到達圧力１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、図示しない気体供給手段により、スパッタリングガスを導入してチャンバー３１内を０.１Ｐａ以上１０Ｐａ以下程度に圧力調整する。なお、スパッタリングガスとしては、アルゴンなどの不活性ガスを好適に使用することができ、目的に応じて、更に酸素などのガスを添加することもできる。
【０１１８】
そして、巻出しロール３３１からプラスチックフィルムを供給しながら、マグネトロンスパッタリングカソード３７ａ〜３７ｄに電圧を印加することで、プラスチックフィルム上に金属シード層と第１金属層を積層することができる。
【０１１９】
第１金属層を形成した後、既述のように第１金属層上に、湿式めっき法により第２金属層を形成する第２金属層形成工程を有することができる。
【０１２０】
第２金属層形成工程においては、生産性の観点から第２金属層を、プラスチックフィルムの両面上に同時に形成することが好ましい。すなわち、プラスチックフィルムの一方の面上に形成した第１金属層上と、プラスチックフィルムの他方の面上に形成した第１金属層上に同時に第２金属層を形成することが好ましい。
【０１２１】
第２金属層形成工程において、湿式めっき法により、第２金属層を形成する具体的な条件等は、特に限定されるものではなく、第２金属層を構成する材料等に応じて選択しためっき液を用い、例えば、電解めっき法や無電解めっき法により成膜することができる。
【０１２２】
第２金属層を、電解めっき法により形成する場合、例えば、図４に示した連続電解めっき装置４０を用いることができる。なお、図４ではプラスチックフィルムの両面上に同時に第２金属層を成膜することができる連続電解めっき装置の構成例を示している。
【０１２３】
図４は、連続電解めっき装置４０の、両面金属積層前駆体板Ｆ１の搬送方向と平行な面における断面図を示している。
【０１２４】
連続電解めっき装置４０は、金属シード層、及び第１金属層が、その順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである、両面金属積層前駆体板Ｆ１を巻出す巻出しロール４１と、めっき液が満たされためっき液槽４２と、めっき液槽４２の内部に互いに平行に配置されたアノード（陽極）４３ａ〜４３ｐと、めっき液槽４２の内部にあって両面金属積層前駆体板Ｆ１の搬送方向を上下反転させる浸漬ロール４４ａ〜４４ｄと、めっき液槽４２の外部にあって、両面金属積層前駆体板Ｆ１に電力を給電する給電ロール４５ａ〜４５ｅと、両面金属積層前駆体板Ｆ１に電気めっきを施して得られた、両面金属積層板Ｆ２を巻取る巻取ロール４６を備えている。
【０１２５】
これら巻出しロール４１、浸漬ロール４４ａ〜４４ｄ、給電ロール４５ａ〜４５ｅ、及び巻取ロール４６により、両面金属積層前駆体板Ｆ１の搬送手段が構成され、これによって両面金属積層前駆体板Ｆ１を、その幅方向を水平に保ったまま、その長手方向にロールツーロール方式で搬送して、めっき液に複数回浸漬させることができる。
【０１２６】
給電ロールと、その近傍に位置するアノードとは、電気的な対を成している。具体的には、給電ロール４５ａとアノード４３ａ、４３ｂとの間や、給電ロール４５ｂとアノード４３ｃ〜４３ｆとの間、給電ロール４５ｃとアノード４３ｇ〜４３ｊとの間、給電ロール４５ｄとアノード４３ｋ〜４３ｎとの間、給電ロール４５ｅとアノード４３ｏ、４３ｐとの間が、それぞれ対をなしている。各対は、独立した電源（図示せず）から電力を受けており、異なる対の間では、別々の電流制御が成されている。
【０１２７】
アノード（陽極）４３ａ〜４３ｐについては特に限定されず、用いるめっき液等に応じて任意に選択することができ、例えば、可溶性アノードや、不溶性アノードを用いることができる。めっき液槽４２に入れるめっき液については、第２金属層の組成に応じて任意に選択することができ、例えば、各種銅めっき液、より具体的には、例えば、硫酸銅めっき浴（光沢浴）等を用いることができる。
【０１２８】
めっき液として硫酸銅めっき液を用いる場合、硫酸銅めっき液は、硫酸銅、硫酸、微量の塩素イオン及び各種添加剤等を含有することができ、その組成は目的に応じて適宜選択することができる。めっき液として硫酸銅めっき液を用いた場合、めっき液中の銅イオンを還元させ、両面金属積層前駆体板Ｆ１の金属シード層の上に、容易に所望の厚みの銅層を形成することができる。
【０１２９】
以上に説明した本実施形態の両面金属積層板の製造方法においては、寸法変化率の中心値を原点とするための加熱条件や張力調整・拡幅は実施していない。このため、得られる両面金属積層板の金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる。
【０１３０】
また、本実施形態の両面金属積層板の製造方法は、両面金属積層板に配線パターンを形成するための工程をさらに有することもできる。この場合、例えば以下の工程をさらに有することができる。なお、以下の工程を実施することで、配線パターンを備えた両面金属積層板、すなわち配線基板とすることができることから、配線基板の製造方法ともいえる。
【０１３１】
金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程。  
レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程。  
パターン転写工程では、レジスト層形成工程前までの両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正することができる。
【０１３２】
なお、以下に説明するように、レジスト層形成工程は、第１金属層、または第２金属層上に、レジスト層を形成する工程と言い換えることもできる。
【０１３３】
両面金属積層板の金属積層体をパターニングし、配線パターンを備えた両面金属積層板とする場合、すなわち両面配線基板とする場合、配線パターンの形成には、例えば、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法を用いることができる。
【０１３４】
サブトラクティブ法とは、金属シード層、第１金属層、第２金属層を含む金属積層体について、配線パターンに含まれない不要部分を化学エッチングして除去する方法である。
【０１３５】
また、セミアディティブ法とは、選択的にめっき膜を成長させて回路形成する方法である。
【０１３６】
まず、サブトラクティブ法により配線パターンを形成する場合を例に説明する。
【０１３７】
レジスト層形成工程では、金属層上、具体的には第２金属層上にレジスト層を形成することができる。このため、レジスト層形成工程は、既述の両面金属積層板の製造方法の第２金属層形成工程の後に実施することができる。
【０１３８】
そして、パターン転写工程では、レジスト層形成工程で形成したレジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写することができる。
【０１３９】
既述のように、本実施形態の両面金属積層板の製造方法により得られる両面金属積層板は、その製造工程において、公差の中心値を原点に近づけるための加熱条件の調整等は実施していない。このため、本実施形態の両面金属積層板の製造方法により得られる両面金属積層板は、寸法変化率の中心値が原点からずれている。そこで、上述のパターン転写工程では、レジスト層形成工程前までの両面金属積層板（両面基板積層前駆体板）のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件の補正を行うことが好ましい。係る補正を行うことで、形成したパターンにより金属積層体をパターニングし、プラスチックフィルムの一部が露出した際の、プラスチックフィルムの寸法変化が織り込まれているため、形成した配線パターンにずれが生じることを抑制できる。
【０１４０】
なお、基準とする両面金属積層板の寸法変化率の中心値は、金属積層体をパターニングする際の雰囲気等による吸湿条件や、両面金属積層板に製造工程で加えられる張力等に基づいて算出することができる。このため、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値とは、パターニングを行う際の雰囲気や、両面金属積層板の製造条件に基づいて想定されるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値ということができる。
【０１４１】
パターンの転写条件の補正の内容は特に限定されるものはないが、配線パターンを形成し、プラスチックフィルムが露出した場合に、プラスチックフィルムは吸湿し、膨張することから、該膨張分を加味してパターンを転写することがより好ましい。具体的には、転写するパターンを、両面金属積層板の寸法変化率の中心値がマイナス側にあるとみなして補正、調整して転写することがより好ましい。
【０１４２】
具体的には例えば、パターン転写工程において、フォトマスクを用いて転写する際の両面金属積層板の寸法変化率の中心値が、ＭＤは−０．０６％以上０．００％以下、ＴＤは−０．１０％以上−０．０４％以下であるとみなして、パターンの転写条件を補正することがより好ましい。このようにエッチング前において、寸法変化率の実際の中心値が、算出したエッチング後の中心値よりもマイナス側にあるとみなしてパターンを転写することで、エッチングにより配線パターンを形成した場合により適切な位置に配線パターンを配置することができる。
【０１４３】
パターンの転写条件の補正を行う方法は特に限定されないが、例えば両面金属積層板と、フォトマスクとの位置の調整や、投影レンズと積層板との距離、用いるマスクの選択等により実施することができる。
【０１４４】
パターン転写工程において、レジスト層にパターンを転写した後は、通常のサブトラクティブ法と同様にして配線パターンを形成できる。例えば以下の工程を有することができる。
【０１４５】
レジスト層のうち不要部分を除去し、パターン化したレジスト層とする現像工程。  
レジスト層の上面からエッチング液を供給し、金属積層体の不要部分を除去する化学エッチングを行うエッチング工程。  
残存したエッチング液等を除去するため、両面金属積層板を洗浄する洗浄工程。
【０１４６】
以上のステップにより、所望の配線パターンを備えた両面金属積層板、すなわち配線基板を形成することができる。
【０１４７】
次に、セミアディティブ法により配線パターンを形成する場合を例に説明する。
【０１４８】
レジスト層形成工程では、金属層上、具体的には第１金属層、または第２金属層上にレジスト層を形成することができる。このため、レジスト層形成工程は、既述の両面金属積層板の製造方法の第１金属層形成工程の後であって第２金属層形成工程の前、または第２金属層形成工程後に実施することができる。
【０１４９】
そして、パターン転写工程では、レジスト層形成工程で形成したレジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写することができる。
【０１５０】
パターン転写工程においては、レジスト層形成工程前までに形成された、両面金属積層前駆体板、もしくは両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件の補正を行うことが好ましい。
【０１５１】
また、サブトラクティブ法でも既述のようにフォトマスクを用いて転写する際の両面金属積層前駆体板、もしくは両面金属積層板の寸法変化率の中心値が、ＭＤは−０．０６％以上０．００％以下、ＴＤは−０．１０％以上−０．０４％以下であるとみなして、パターンの転写条件を補正することが好ましい。
【０１５２】
なお、両面金属積層前駆体板とは、第２金属層を形成する前の、プラスチックフィルムの両面上に金属シード層、及び第１金属層が形成された積層板を意味する。
【０１５３】
パターン転写工程において、レジスト層にパターンを転写した後は、通常のセミアディティブ法と同様にして配線パターンを形成できる。例えば以下の工程を有することができる。
【０１５４】
レジスト層のうち不要部分、すなわちさらに配線用金属層を形成する部分を除去し、パターン化したレジスト層とする現像工程。  
金属層上、具体的には第１金属層上、もしくは第２金属層上、すなわちレジスト層の開口部に配線用金属層を形成する配線用金属層形成工程。  
配線用金属層を形成後、レジスト層を除去するレジスト除去工程。  
レジスト層を除去することで露出した金属シード層、及び金属層（第１金属層、もしくは第１金属層と第２金属層）を除去するエッチング工程。  
残存したエッチング液等を除去するため、両面金属積層板を洗浄する洗浄工程。
【０１５５】
なお、配線用金属層は、例えば第２金属層で既述の材料と同様の材料を用いることができ、第２金属層と同様に湿式めっき法により成膜することができる。そして、例えば第１金属層上に配線用金属層を形成した場合には、該配線用金属層を第２金属層とすることもできる。また、第２金属層上に配線用金属層を形成した場合においても、第２金属層と、配線用金属層とをあわせて第２金属層とすることもできる。
【０１５６】
以上に説明した本実施形態の両面金属積層板の製造方法によれば、パターニングを行った際等の寸法変化率を考慮して中心値を定め、該中心値からの公差を抑制している。このため、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる。
【０１５７】
本実施形態の両面金属積層板の製造方法により得られる両面金属積層板は、高密度実装の配線基板等の寸法変化を、特に抑制することが求められる各種用途において、好適に用いることができる。より具体的には、例えば、本実施形態の両面金属積層板の製造方法により得られる両面金属積層板は、電子部品を接合し、電気的に繋げると共に機械的な固定を行う配線基板の材料として、非常に有用である。
［配線パターンの画像転写方法］
次に、本実施形態の配線パターンの画像転写方法について説明する。
【０１５８】
本実施形態の配線パターンの画像転写方法は、配線パターンの画像転写方法であって、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、金属シード層上に配置された金属層と、を有する両面金属積層板の、金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程。  
レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程。  
そして、パターン転写工程では、両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正することができる。
【０１５９】
より具体的には、例えば本実施形態の配線パターンの画像転写方法の第１構成例としては、以下の工程を有することができる。
【０１６０】
配線パターンの画像転写方法であって、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、金属シード層上に配置された第１金属層と、
第１金属層上に配置された第２金属層と、を有する両面金属積層板の、第２金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程。  
レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程。  
そして、パターン転写工程では、両面金属積層板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正することができる。
【０１６１】
また、本実施形態の配線パターンの画像転写方法の第２構成例としては、以下の工程を有することができる。
【０１６２】
配線パターンの画像転写方法であって、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置された金属シード層と、金属シード層上に配置された第１金属層と、を有する両面金属積層前駆体板の、第１金属層上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程。  
レジスト層に、フォトマスクを用いてパターンを転写するパターン転写工程。  
そして、パターン転写工程では、両面金属積層前駆体板のＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  ＣにおけるＭＤ及びＴＤの寸法変化率の中心値に基づいて、パターンの転写条件を補正することができる。
【０１６３】
本実施形態の配線パターンの画像転写方法の第１構成例は、既述の両面金属積層板の製造方法のサブトラクティブ法、もしくは第２金属層上にレジスト層を形成する場合のセミアディティブ法のレジスト層形成工程、及びパターン転写工程と同様にして実施することができる。
【０１６４】
また、本実施形態の配線パターンの画像転写方法の第２構成例は、既述の両面金属積層板の製造方法の第１金属層上にレジスト層を形成する場合のセミアディティブ法のレジスト層形成工程、及びパターン転写工程と同様にして実施することができる。
【０１６５】
このため、重複する説明は省略する。
【０１６６】
以上に説明した本実施形態の配線パターンの画像転写方法によれば、パターニングを行った際等の寸法変化率を考慮して中心値を定め、該中心値に基づいてパターンを転写している。このため、転写したパターンに基づいて配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できる。
【０１６７】
本発明の実施形態のパターンの画像転写方法は、両面配線基板の製造方法に応用できるのである。
【実施例】
【０１６８】
以下に、具体的な実施例、及び比較例を挙げて説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【０１６９】
ここで、まず得られた両面金属積層板の評価方法について説明する。
【０１７０】
得られた両面金属積層板について、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃに準拠して寸法変化率を測定し、寸法安定性について評価した。
【０１７１】
寸法変化率という指標では、収縮はマイナス値で、伸張がプラス値で表される。
【０１７２】
金属積層体をエッチングした際の寸法変化率は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃに従って、１５０℃、３０分の熱処理と、２３℃、相対湿度５５％、２４時間の条件での調湿とを行った後の寸法変化率を測定した。
【０１７３】
以下、各実施例、及び比較例における、両面金属積層板の製造条件について説明する。
［実施例１］
プラスチックフィルムとして、幅０．５ｍ×長さ３０００ｍのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン株式会社製）を用意した（プラスチックフィルム準備工程）。なお、用いたカプトン１００ＥＮの厚さは２５μｍとなり、以下の実施例２、３、及び比較例１〜３、７、８でも同じプラスチックフィルムを用いている。
【０１７４】
次いで、プラスチックフィルムの両面に、スパッタリング法により、金属シード層として、厚さが８ｎｍのＮｉ−２０％Ｃｒ合金層を成膜した（金属シード層形成工程）。なお、Ｎｉ−２０％Ｃｒ合金とは、２０質量％のＣｒと、残部、すなわち８０質量％がＮｉとから構成されるＮｉ−Ｃｒ合金であることを意味する。
【０１７５】
また、プラスチックフィルムの両面に形成した金属シード層上に、第１金属層として、厚さが０．１μｍの銅層を成膜した（第１金属層成膜工程）。
【０１７６】
なお、金属シード層形成工程と、第１金属層形成工程とは、図３に示した成膜装置３０を用いて、連続して実施した。成膜時には、チャンバー３１内を一旦１×１０−４Ｐａ以下となるまで真空引きした後、チャンバー３１内にアルゴンガスを導入し、チャンバー３１内の圧力を０．３Ｐａとした後、プラスチックフィルムＦの一方の面上へ、金属シード層、及び第１金属層を連続成膜した。次いで、巻き替えを行った後、他方の面上にも同様にして金属シード層、及び第１金属層を連続成膜した。なお、金属シード層、及び第１金属層を成膜する前には、図示しないヒーターによりプラスチックフィルムを加熱し、絶乾状態としている。成膜装置３０の構成については既述のため、説明を省略する。
【０１７７】
次いで、電解めっき法によって、第２金属層として、０．３μｍの厚さの銅層を、プラスチックフィルムの両面、具体的には第１金属層上に同時に形成した。なお、第２金属層はアノード電極や、給電ロール、浸漬ロールの数が異なる点以外は図４に示した連続電解めっき装置４０と同様の構成の連続電解めっき装置を用いて成膜した。第２金属層を成膜する際、電流密度は、初期値は０．０５Ａ／ｄｍ２とし、それから０．０４Ａ／ｄｍ２刻みで少しずつ上昇させ、最終的には２Ａ／ｄｍ２まで上昇させた。めっき液としては硫酸銅めっき液を用いた。
【０１７８】
得られた両面金属積層板について、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、２．２．４、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃにおける寸法変化率の評価を行った。寸法変化率の評価結果から算出した中心値からの公差と、この時に規定した寸法変化率の中心値を、表１に示す。
【０１７９】
なお、寸法変化率の中心値は、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｃと同じ吸湿（調湿）条件（２３℃、相対湿度５５％、２４時間）と、製造工程での張力による変化に基づいて算出した。
［実施例２、実施例３］
第２金属層の厚さを表１に示した厚さとした点以外は、実施例１と同様にして、両面金属積層板を得た。寸法変化率の評価結果から算出した中心値からの公差と、算出した寸法変化率の中心値を、表１に示す。
［実施例４〜実施例６］
プラスチックフィルムの種類を表１に示したものに変更した点以外は、実施例３と同様にして両面金属積層板を得た。寸法変化率の評価結果から算出した中心値からの公差と、算出した寸法変化率の中心値を、表１に示す。
【０１８０】
なお、表１中、カプトン１４０ＥＮＺ（東レ・デュポン株式会社製）、カプトン１５０ＥＮＡ（東レ・デュポン株式会社製）はそれぞれ厚さが３５μｍ、３８μｍとなっている。
【０１８１】
また、表１中ユーピレックス３５ＳＧＡＶ１（宇部興産株式会社製）は厚さが３５μｍとなる。
［比較例１〜比較例６］
プラスチックフィルムの一方の面上にのみ、金属シード層、第１金属層、第２金属層を形成した後、プラスチックフィルムの他方の面上にも金属シード層、第１金属層、第２金属層を形成した。以上の点以外は、比較例１〜比較例６は、それぞれ実施例１〜実施例６と同じ条件で両面金属積層板を製造した。比較例１〜比較例６では片面ずつ金属積層体を形成しているため、一方の面上に第２金属層を形成した際には、該プラスチックフィルムの含水率が略飽和状態にあり、一方の面上に第２金属層を形成することで、プラスチックフィルムのサイズの収縮が抑制されるため、プラスチックフィルムの含水率が略飽和状態の場合と同程度の伸長状態（サイズ）が維持されている。このため、プラスチックフィルムの寸法変化率の中心値は、略飽和状態と同じ状態、すなわち原点近傍にあり、原点を中心値とした場合の公差を、表１に示す。
［比較例７、８］
金属シード層形成工程、及び第１金属層形成工程の加熱温度を低くした点、及びプラスチックフィルムの寸法変化率の中心値が原点となるように、第２金属層形成工程の間にプラスチックフィルムが十分に吸湿するように、第２金属層形成工程の時間を長くし、第２金属層の厚さが表１に示した値となるようにした点以外は、実施例１と同様にして、両面金属積層板を得た。寸法変化率の評価結果から算出した中心値からの公差と、算出した寸法変化率の中心値を、表１に示す。
【０１８２】
【表１】
2018103531.tif 000006
表１に示した結果によれば、実施例１〜実施例６においては、中心値からの寸法変化率の公差を十分に抑制できていることが確認できた。
【０１８３】
このため実施例１〜実施例６の両面金属積層板について、第２金属層上にレジスト層を形成し、算出した中心値に基づいてパターンの転写条件の補正を行い、レジスト層にパターンを転写し、該レジスト層を用いて配線パターンを形成した場合に、配線パターンにずれが生じることを抑制できることを確認できた。
【０１８４】
一方比較例１〜８においては、中心値からの寸法変化率の公差が大きくなっていることが確認できた。そして、比較例１〜６については、第２金属層上にレジスト層を形成し、寸法変化率の中心値が原点にあることを前提にレジスト層にパターンを転写し、該レジスト層を用いて配線パターンを形成したところ、配線にずれが生じることを確認できた。これは比較例１〜６については、片面ずつ金属積層体を形成しているため、プラスチックフィルムの寸法変化率の中心値は原点近傍にあるはずであるが、その吸湿の程度にばらつきを生じていたためと考えられる。
【０１８５】
また、比較例７、８については実施例１〜実施例６と同様に第２金属層上にレジスト層を形成し、算出した中心値に基づいてパターンの転写条件の補正を行い、レジスト層にパターンを転写し、該レジスト層を用いて配線パターンを形成した。
【０１８６】
しかしながら、寸法変化率の中心値を原点に近づけるため、加熱条件の調整等を行った結果、寸法変化率の中心値からの公差が大きくなり、配線にずれが生じることを確認できた。
【符号の説明】
【０１８７】
１０            両面金属積層板
１１            プラスチックフィルム
１２Ａ、１２Ｂ  金属シード層
１３Ａ、１３Ｂ  第１金属層
１４Ａ、１４Ｂ  第２金属層
【図１】
2018103531.tif 000007
【図２】
2018103531.tif 000008
【図３】
2018103531.tif 000009
【図４】
2018103531.tif 000010