(57)【要約】【課題】光学フィルタ等の波長選択手段を設けることなく、入射光の全波長のうち所望の波長域の光を選択的に検出することができるようにする。【解決手段】固体撮像素子１０１は、光が入射する第１の面２０３ａ及び該第１の面と対向する第２の面２０３ｂを有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜２０３と、光電変換膜２０３の第２の面に設けられ、光電変換膜２０３で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層２０２と、電荷障壁層２０２に対して光電変換膜２０３の反対側に設けられた第１電極２０１と、光電変換膜２０３の第１の面側に設けられた第２電極２０４とを有している。第２電極２０４の電位と第１電極２０１の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜と、
前記光電変換膜の前記第２の面に設けられ、前記光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、
前記電荷障壁層に対して前記光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、
前記光電変換膜の前記第１の面側に設けられた第２電極とを備え、
前記第２電極の電位と前記第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する、固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子において、
前記電荷障壁層は、電子のポテンシャル障壁となる電子ブロッキング層である、固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の固体撮像素子において、
前記第２電極は、
前記第１電極よりも電位を高く設定されることにより、ホールを出力し、
前記第１電極よりも電位を低く設定されることにより、前記電荷障壁層のポテンシャル障壁よりも高いエネルギーを有する電子を出力する、固体撮像素子。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の固体撮像素子において、
前記電荷障壁層におけるカットオフ波長は、該電荷障壁層を構成する材料を変更するか又は該材料の組成を調整することにより変更される、固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子において、
変換された電子及びホールのいずれか一方を、外部からの制御により検出する画素回路をさらに備え、
前記画素回路は半導体基板に設けられ、
前記光電変換膜は前記半導体基板の上に設けられている、固体撮像素子。
【請求項６】
固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部とを備え、
前記固体撮像素子は、
光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜と、
前記光電変換膜の前記第２の面に設けられ、前記光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、
前記電荷障壁層に対して前記光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、
前記光電変換膜の前記第１の面側に設けられた第２電極とを有しており、
前記第２電極の電位と前記第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する、イメージングシステム。
【請求項７】
請求項６に記載のイメージングシステムにおいて、
前記信号処理部は、複数の出力信号を信号処理して、第１の合成画像信号を生成する、イメージングシステム。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のイメージングシステムにおいて、
画像信号を保持する記録媒体をさらに備え、
前記信号処理部は、
前記記録媒体に保持された参照画像信号と、前記固体撮像素子の出力信号を信号処理して得られた画像信号とを合成することにより、第２の合成画像信号を生成する、メージングシステム。
【請求項９】
請求項６又は７に記載のイメージングシステムにおいて、
前記信号処理部は、
第１の波長域の光に基づく前記固体撮像素子の出力信号を信号処理して第１の画像信号とし、
前記第１の画像信号を増幅して第２の画像信号とし、
第２の波長域の光に基づく前記固体撮像素子の出力信号を信号処理して第３の画像信号とし、
前記第２の画像信号と前記第３の画像信号とを合成することにより、第２の合成画像信号を生成する、イメージングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像素子及びそれを用いたイメージングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、イメージング（撮像）システムには、特許文献１に記載のとおり、可視光と赤外光等の複数種の撮像が可能なカメラモジュールがある。
【０００３】
特許文献１に記載されたカメラモジュールは、集光用のレンズ２と、光を検出するイメージセンサ３と、検出範囲内の特定の波長の光（例えば赤外光）のみを検出する光学フィルタ（赤外域又は可視光域カットフィルタ）５２とを備えている。
【０００４】
また、特許文献２に記載の画像読取り装置は、可視光及び近赤外光の読取り装置である。特許文献２においても、特許文献１と同様に、広帯域なスペクトル（可視光及び近赤外光）から特定の波長を選択するための光学フィルタを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１５２０３２号公報（例えば図４を参照。）
【特許文献２】特開平０４−０８７４５３号公報（例えば図１を参照。）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のイメージングシステムでは、集光用レンズと光を検出するイメージセンサだけでなく、広帯域なスペクトルの光から特定の波長域の光を選択するための光学フィルタが必要となる。このため、光学フィルタを設ける分だけコストが高くなるという問題がある。
【０００７】
本開示は、かかる点に鑑みてなされたもので、光学フィルタ等の波長選択手段を設けることなく、入射光の全波長のうち所望の波長域の光を選択的に検出できるようにすることを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本開示は、固体撮像素子において、入射した光を電荷に変換する光電変換膜に電荷障壁層を設けると共に、該光電変換膜に印加する制御電圧を調整することにより、入射光の波長域を選択的に検出する機能を持たせる構成とする。
【０００９】
具体的に、本開示の一態様は、光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜と、光電変換膜の第２の面に設けられ、光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、電荷障壁層に対して光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、光電変換膜の第１の面側に設けられた第２電極とを備えている。第２電極の電位と第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する。
【００１０】
また、本開示の他の態様は、固体撮像素子と、固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部とを備えている。固体撮像素子は、光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜と、光電変換膜の第２の面に設けられ、光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、電荷障壁層に対して光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、光電変換膜の第１の面側に設けられた第２電極とを有している。第２電極の電位と第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によって得られる主な効果を簡単に説明すれば以下の通りである。すなわち、本開示によれば、光学フィルタ等の波長選択手段を設けることなく、入射光の全波長域のうち所望の波長域の光を選択的に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は本開示の一実施形態に係る固体撮像素子を含むイメージングシステムを示すブロック図である。
【図２】図２は本開示の一実施形態に係る固体撮像素子（イメージセンサ）を示す模式的な断面図である。
【図３】図３は本開示の一実施形態に係るイメージセンサの標準動作時におけるエネルギーバンドを示すバンド図である。
【図４】図４は本開示の一実施形態に係るイメージセンサにおける電荷読み出し回路を示す模式的な回路図である。
【図５】図５は本開示の一実施形態に係るイメージセンサの光学フィルタ機能動作時におけるエネルギーバンドを示すバンド図である。
【図６】図６は光の波長とそのエネルギーとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
一実施形態に係る固体撮像素子は、光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電子及びホールに変換する光電変換膜と、光電変換膜の第２の面に設けられ、光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、電荷障壁層に対して光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、光電変換膜の第１の面側に設けられた第２電極とを備えている。第２電極の電位と第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する。
【００１４】
これによれば、光電変換膜の光の入射面である第１の面側に設けられた第２電極の電位と第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出することができるため、光を検出するデバイスの構成及び回路構成を変更することなく、動作条件のみを変更するだけで、例えば、紫外光のみを検出する選択機能を付加することができる。
【００１５】
この場合に、電荷障壁層は、電子のポテンシャル障壁となる電子ブロッキング層であってもよい。
【００１６】
これによれば、例えば、ホールを検出する場合は、第２電極の電位を第１電極の電位よりも高く設定することにより、入射光のうちの紫外光及び該紫外光よりも波長が長い光を検出することができる。一方、第２電極の電位を第１電極の電位よりも低く設定することにより、入射光のうちの紫外光を検出することができる。
【００１７】
従って、この場合に、第２電極は、第１電極よりも電位を高く設定されることにより、ホールを出力し、第１電極よりも電位を低く設定されることにより、電荷障壁層のポテンシャル障壁よりも高いエネルギーを有する電子を出力してもよい。
【００１８】
さらにこの場合に、電荷障壁層におけるカットオフ波長は、該電荷障壁層を構成する材料を変更するか又は該材料の組成を調整することにより変更してもよい。
【００１９】
これによれば、電荷障壁層を構成する材料の変更又は該材料の組成の調整により、電荷障壁層のカットオフ波長、すなわち、フィルタ機能のカットオフ波長を設計することができる。
【００２０】
本開示において、変換された電子及びホールのいずれか一方を、外部からの制御により検出する画素回路をさらに備え、画素回路は半導体基板に設けられ、光電変換膜は半導体基板の上に設けられていてもよい。
【００２１】
これによれば、光電変換膜と画素回路とが同一の基板に設けられるため、固体撮像素子の微細化が容易となる。
【００２２】
一実施形態に係るイメージングシステムは、固体撮像素子と、固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部とを備えている。固体撮像素子は、光が入射する第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有し、入射した光を電荷に変換する光電変換膜と、光電変換膜の第２の面に設けられ、光電変換膜で発生した電荷のポテンシャル障壁となる電荷障壁層と、電荷障壁層に対して光電変換膜の反対側に設けられた第１電極と、光電変換膜の第１の面側に設けられた第２電極とを有している。第２電極の電位と第１電極の電位とを異ならせることにより、特定の波長域の光を選択的に検出する。
【００２３】
これによれば、光を検出するデバイスの構成及び回路構成を変更することなく、動作条件のみを変更するだけで、例えば、紫外光のみを検出する選択機能を付加することができ、光学フィルタの追加が不要となることによるコストの低減及びシステムのサイズの削減が可能となる。
【００２４】
この場合に、信号処理部は、複数の出力信号を信号処理して、第１の合成画像信号を生成してもよい。
【００２５】
例えば、この場合に、画像信号を保持する記録媒体をさらに備えており、信号処理部は、記録媒体に保持された参照画像信号と、固体撮像素子の出力信号を信号処理して得られた画像信号とを合成することにより、第２の合成画像信号を生成してもよい。
【００２６】
これによれば、固体撮像素子からの出力信号が微弱な画像信号の場合に、対応する参照画像信号によって当該画像のＳ／Ｎ比を向上させることにより、鮮明な画像を得ることができる。
【００２７】
また、この場合に、信号処理部は、第１の波長域の光に基づく固体撮像素子の出力信号を信号処理して第１の画像信号とし、第１の画像信号を増幅して第２の画像信号とし、第２の波長域の光に基づく固体撮像素子の出力信号を信号処理して第３の画像信号とし、第２の画像信号と第３の画像信号とを合成することにより、第２の合成画像信号を生成してもよい。
【００２８】
これによれば、第１の波長域の光に基づく微弱な第１の画像信号を増幅した第２の画像信号と、第２の波長域の光に基づく固体撮像素子の出力信号による第３の画像信号とから、対応する画像を鮮明に取得でき、且つ、実時間に近い画像を得ることができる。
【００２９】
（一実施形態）
以下、本開示の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物又はその用途を制限することを意図しない。また、各図面において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３０】
図１は本開示の一実施形態に係る固体撮像素子を含むイメージングシステムのブロック構成の一例を示している。本実施形態に係るイメージングシステム１０は、入射光を集光するレンズ１００と、集光した光を光電変換するイメージセンサ（固体撮像素子）１０１と、該イメージセンサ１０１を電気的に制御するイメージセンサ制御部１０２と、イメージセンサ１０１からの出力信号を処理して画像信号等を生成する信号処理部１０３とから構成されている。イメージングシステム１０が撮影の対象とする光は、紫外光（ＵＶ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）と、可視光（Ｒ：Ｒｅｄ、Ｇ：Ｇｒｅｅｎ、Ｂ：Ｂｌｕｅ）又は近赤外光（ＮＩＲ：Ｎｅａｒ-Ｉｎｆｒａｒｅｄ）とである。
【００３１】
本実施形態に係るイメージングシステム１０は、従来のイメージングシステムに設けられる光学フィルタに代えて、イメージセンサ１０１自体に光学フィルタの機能を付加する構成としている。このため、光学フィルタを物理的に設けなくても、広帯域なスペクトルから、特定の波長の光、例えば紫外光（ＵＶ）のみを選択して検出することができる。
【００３２】
ここで、図１には示されていないが、画像信号等を保持する記録媒体及び画像を表示するモニタ等がシステムとして含まれていてもよい。
【００３３】
信号処理部１０３は、所望の波長域の光に基づくイメージセンサ１０１からの出力信号を処理して画像信号等を生成する。
【００３４】
この場合に、複数の画像信号から合成画像信号を生成してもよい。
【００３５】
例えば、紫外光にのみ基づく出力信号を信号処理して第１の画像信号を生成し、あらかじめ記録媒体に保持された可視光に基づく参照画像信号と合成して第１の合成画像信号を生成してもよい。この構成によれば、主に可視光を含む参照画像から被写体の輪郭等を得ることができるので、被写体において紫外光を発する箇所を確実に特定することができる。
【００３６】
さらに、上記第１の画像信号を増幅して第２の画像信号を生成し、可視光を含む光に基づく出力信号を信号処理して第３の画像信号を生成し、第２の画像信号と第３の画像信号とを合成して第２の合成画像信号を生成してもよい。この構成によれば、紫外光に対応する画像と可視光に対応する画像とをそれぞれ鮮明に取得できるので、被写体における紫外光を発する箇所により確実に特定することができる。
【００３７】
図２は本実施形態に係る固体撮像素子としてのイメージセンサ１０１の断面構成を模式的に表している。図２に示すように、イメージセンサ１０１は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板２００と、該半導体基板１００の上方にアレイ状に配置された第１電極２０１と、該第１電極２０１の上に設けられた電荷障壁層としての電子ブロッキング層２０２と、該電子ブロッキング層２０２の上に設けられた光電変換膜２０３と、該光電変換膜２０３の上に設けられた第２電極２０４とを有している。
【００３８】
図示はしていないが、半導体基板２００の上部（第１電極２０１側）には、例えば画素回路等が形成されており、該画素回路と第１電極２０１とは、配線層２１０に形成された配線により接続されている。
【００３９】
なお、本実施形態においては、光電変換膜２０３において、便宜上、入射光が入射する面、すなわち、第１電極２０１の形成面側を第１の面２０３ａと呼び、該第１の面２０３ａと対向する第２電極２０４の形成面側を第２の面２０３ｂと呼ぶ。
【００４０】
また、本実施形態においては、第１電極２０１は、配線層２１０の面上に設けられており、電子ブロッキング層２０２は、該配線層２１０の面上に複数の第１電極２０１を埋めるように設けられているが、これに限られない。例えば、アレイ状の第１電極２０１を配線層２１０の上部に埋め込み、続いて、配線層２１０及び第１電極２０１の上面をほぼ平坦化し、平坦化された配線層２１０及び第１電極２０１の上面に電子ブロッキング層２０２を設けてもよい。
【００４１】
ここで、光電変換膜２０３は、紫外光と可視光又は近赤外光とに感度を有する材料、例えば、シリコン等の無機材料又は有機材料から選択され得る。電子ブロッキング層２０２は、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化鉄（ＦｅＯ）若しくは酸化コバルト（ＣｏＯ）等の無機材料、又は光電変換膜２０３に用いた有機膜とイオン化ポテンシャルが同程度で、且つ、電子親和力が小さい有機膜から選択され得る。第１電極２０１は、半導体加工プロセスとの相性が良い（馴染みやすい）材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）から選択され得る。また、第２電極２０４は光を透過する必要があるため、例えば、インジウム酸化物（ＩＴＯ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性透明材料から選択され得る。
【００４２】
半導体基板２００の上方から入射した光は、第２電極２０４を透過し、光電変換膜２０３で光電変換される。光電変換されて発生した電荷（電子又はホール）は、イメージセンサ制御部１０２によって所定の電圧が印加された第１電極２０１及び第２電極２０４のいずれか一方に移動する。
【００４３】
上記の電荷の移動について、図３に示すエネルギーバンド図を用いて説明する。図３において、該バンド図における縦軸はポテンシャルエネルギーを示している。一般に電子を基準に考えるため、負電圧（−）を印加するとポテンシャルエネルギーは増大することになる。
【００４４】
以下に、本実施形態に係る固体撮像素子（イメージセンサ）の動作について図面を参照しながら説明する。
【００４５】
図３はイメージセンサ１０１におけるエネルギーバンドの一例を表している。ここでは、信号として検出する電荷はホール（正孔）である。図３には、イメージセンサ制御部１０２により、第１電極２０１及び第２電極２０４に対して共に正の電圧が印加された場合、一例として、第１電極２０１に１Ｖが引加され、第２電極２０４に３Ｖが印加された場合の、第１電極２０１、電子ブロッキング層２０２、光電変換膜２０３及び第２電極２０４の各エネルギーバンドの状態を表している。
【００４６】
図２及び図３に示すように、第２電極２０４側から入射した光は光電変換膜２０３で光電変換されて電荷が発生する。ここで、上述したように、第１電極２０１の電圧は第２電極２０４の電圧よりも低いため、ホールはポテンシャルの勾配から第１電極２０１側に移動する。一方、ホールと逆の極性を持つ電子は、ポテンシャルの勾配から第２電極２０４側に移動する。このとき、電子が第１電極２０１に移動して出力された場合には、ノイズの要因となるため、電子の第１電極２０１への流入を阻止する必要がある。このため、電子に対してポテンシャルエネルギーを持つ障壁を有し、且つホールに対しては障壁とならない、バンドギャップが光電変換膜２０３よりも大きい電子ブロッキング層２０２が設けられている。
【００４７】
図４に半導体基板２００に形成され電荷読み出し回路の一例を示す。第１電極２０１と電気的に接続され、電荷を蓄積するキャパシタである電荷蓄積領域２０５と、該電荷蓄積領域２０５に蓄積された電荷を所定の電位にリセットするリセットトランジスタ２０６と、電荷蓄積領域２０５に蓄積された電荷を出力するソースフォロワトランジスタ２０７とを有している。
【００４８】
図５はイメージセンサ１０１におけるエネルギーバンドの他の例を表している。ここでは、信号として検出する電荷は電子である。第１電極２０１と第２電極２０４に印加する電圧の大小関係は、上述の標準動作とは逆に印加されており、例えば、第１電極２０１には１Ｖが、第２電極２０４には−１Ｖが印加されている。図３の場合と同様に、第２電極２０４側から入射した光は光電変換膜２０３で光電変換されて電荷が発生する。この場合は、ポテンシャルの勾配からホールは第２電極２０４側に移動し、イメージセンサ１０１の出力には寄与しない。一方、発生した電子は第１電極２０１側に移動するものの、その入射光が可視光（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び近赤外光（ＮＩＲ）である場合は、電子ブロッキング層２０２によるポテンシャル障壁のため、第１電極２０１には流入しない。
【００４９】
これに対し、入射した光が紫外光を含む光の場合は、図６に示すように、該紫外光のエネルギーは可視光よりも高いため、光電変換により発生した電荷（電子）も高いエネルギーを有しており、そのエネルギーが電子ブロッキング層２０２のポテンシャル障壁のエネルギーよりも高い場合は、そのポテンシャル障壁を越えて、イメージセンサ１０１の出力に寄与する。
【００５０】
従って、電子ブロッキング層２０２のポテンシャル障壁の高さを紫外光のエネルギーよりも低く設定すれば、入射した紫外光を含む光の中から、エネルギーの高い紫外光に寄与した信号のみを検出することができる。このため、紫外光のみを透過する光学フィルタを配設した場合と同等の機能をイメージセンサ１０１自体に付加することができる。
【００５１】
ここで、透過フィルタ機能のカットオフ波長は、電子ブロッキング層２０２のポテンシャル障壁の高さにより制御が可能である。例えば、光電変換膜２０３と電子ブロッキング層２０２とが共に有機材料であり、それぞれのイオン化ポテンシャルがほぼ同等であり、且つ、該電子ブロッキング層２０２のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：最高占有軌道）−ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：最低非占有軌道）ギャップが４ｅＶとすると、図６から、透過フィルタ機能のカットオフ波長は３１０ｎｍとなる。従って、波長が３１０ｎｍ以下の光のみを検知できることが分かる。光電変換膜２０３と電子ブロッキング層２０２との構成材料が無機材料であっても、同様のバンドエンジニアリングにより、上記のフィルタ機能を設計することができる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態に係る固体撮像素子であるイメージセンサ１０１は、光を検出するためのデバイス及び回路の各構成を変更することなく、その動作条件のみを変更することにより、所望の波長の光を選択的に検出可能な光学フィルタ機能をイメージセンサに付加することができる。従って、集光レンズと、フィルタ機能を有するイメージセンサとによって構成されるイメージングシステムを実現することができる。例えば、屋外等の明るい場所において、微弱な紫外光を検知する用途、具体的には、水素ステーションにおける火災監視、又は電力設備の放電検知等に応用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る固体撮像素子は、印加する電圧条件の変更によって透過フィルタ機能が付与され、安価で且つ小型のイメージセンサとして有用である。
【符号の説明】
【００５４】
１０    イメージングシステム
１００  レンズ
１０１  イメージセンサ（固体撮像素子）
１０２  イメージセンサ制御部
１０３  信号処理部
２００  半導体基板
２０１  第１電極
２０２  電荷障壁層（電子ブロッキング層）
２０３  光電変換膜
２０３ａ  第１の面
２０３ｂ  第２の面
２０４  第２電極
２０５  電荷蓄積領域
２０６  リセットトランジスタ
２０７  ソースフォロワトランジスタ
２１０  配線層
【図１】
2018164044.tif 000003
【図２】
2018164044.tif 000004
【図３】
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【図４】
2018164044.tif 000006
【図５】
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【図６】
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