(57)【要約】【課題】スパッタの発生を低減できるとともに、溶接速度を速くしながらも、スラグ凝集性も良好なアーク溶接方法を提供すること。【解決手段】鋼板をパルス制御方式でアーク溶接するアーク溶接方法であって、Ｃを含有するとともに、質量％で、Ｓｉ：０．２％以上１．１％以下、Ｍｎ：０．２％以上１．４％以下、及びＳ：０．０１０％以上０．０５０％以下を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる溶接ワイヤと、Ａｒを含むガスと、を用いて、電圧パルス周波数を５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下とし、電圧パルス幅を１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下として溶接を行うアーク溶接方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼板をパルス制御方式でアーク溶接するアーク溶接方法であって、
Ｃを含有するとともに、
質量％で、
Ｓｉ：０．２％以上１．１％以下、
Ｍｎ：０．２％以上１．４％以下、及び
Ｓ：０．０１０％以上０．０５０％以下を含有し、
残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる溶接ワイヤと、
Ａｒを含むガスと、を用いて、
電圧パルス周波数を５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下とし、電圧パルス幅を１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下として溶接を行うアーク溶接方法。
【請求項２】
前記溶接ワイヤが、質量％で、さらに
Ａｌ：０．１％以上０．５％以下
を含有する、請求項１に記載のアーク溶接方法。
【請求項３】
前記溶接ワイヤが、質量％で、さらに
Ｍｏ：０．１％以上２．０％以下
を含有する、請求項１または２に記載のアーク溶接方法。
【請求項４】
前記溶接ワイヤが、質量％で、さらに
Ｃｕ：０．４％以下
を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアーク溶接方法。
【請求項５】
ピーク電流を３８０Ａ以上４９０Ａ以下として溶接を行う、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアーク溶接方法。
【請求項６】
ベース電流を８０Ａ以上１８０Ａ以下として溶接を行う、請求項１〜５のいずれか１項に記載のアーク溶接方法。
【請求項７】
パルス電流のＤｕｔｙ比を０．２以上０．６以下として溶接を行う、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアーク溶接方法。
【請求項８】
前記鋼板の板厚は、０．６ｍｍ以上５ｍｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のアーク溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アーク溶接方法に関し、より詳細には、パルス制御方式のアーク溶接方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄鋼板の溶接時のスパッタの発生を低減可能なアーク溶接方法として、パルス制御方式のアーク溶接方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、溶接時におけるスパッタの発生が少なく、溶接作業性にも優れる溶接方法として、所定の化学組成を有する溶接用ワイヤを用い、不活性ガスと炭酸ガスとの混合ガスをシールドガスとしてパルスアーク方式によりパルスマグ溶接するガスシールドアーク溶接方法が開示されている。ここで、特許文献１に記載のガスシールドアーク溶接方法では、スパッタ発生量の抑制と溶接欠陥の防止の観点から、パルス周波数を好ましくは６０〜１２０Ｈｚに制御している。また、スパッタ発生量の抑制と溶け込み安定性の観点から、パルス幅を好ましくは１．０〜１．３ｍｓｅｃに制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３５２３９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、自動車や建材、電気機器等に用いられる鋼板には、アーク溶接後に電着塗装工程が実施される場合がある。このような場合において、アーク溶接時の溶接部にスラグが十分に凝集しない場合、溶接部にスラグが残存してしまう。そして、溶接部にスラグが残存していると、その後の電着塗装により形成される塗膜の密着性が十分に確保できなくなるという問題がある。したがって、このような用途においては、溶接時のスラグ凝集性が良好であることが求められる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のガスシールドアーク溶接方法では、スラグの凝集性については十分に検討されておらず、改善の余地があった。すなわち、溶接時にスラグが十分に凝集しない場合、溶接部にスラグが残存してしまう結果、上記した問題が生じるおそれがある。特に、薄板の溶接では、溶接速度が速いことも求められており、溶接速度を速くしながらも、スラグ凝集性が良好であることも求められている。
【０００７】
本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、スパッタの発生を低減できるとともに、溶接速度を速くしながらも、スラグ凝集性も良好なアーク溶接方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、鋼板をパルス制御方式でアーク溶接するアーク溶接方法であって、Ｃを含有するとともに、質量％で、Ｓｉ：０．２％以上１．１％以下、Ｍｎ：０．２％以上１．４％以下、及びＳ：０．０１０％以上０．０５０％以下を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる溶接ワイヤと、Ａｒを含むガスと、を用いて、電圧パルス周波数を５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下とし、電圧パルス幅を１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下として溶接を行うアーク溶接方法に関する。
【０００９】
本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、溶接ワイヤは、質量％で、さらにＡｌ：０．１％以上０．５％以下を含有してもよい。
また、本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、溶接ワイヤは、質量％で、さらにＭｏ：０．１％以上２．０％以下を含有してもよい。
また、本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、溶接ワイヤは、質量％で、さらにＣｕ：０．４％以下を含有してもよい。
【００１０】
本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、ピーク電流を３８０Ａ以上４９０Ａ以下として溶接を行ってもよい。
また、本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、ベース電流を８０Ａ以上１８０Ａ以下として溶接を行ってもよい。
また、本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、パルス電流のＤｕｔｙ比を０．２以上０．６以下として溶接を行ってもよい。
【００１１】
また、本発明のアーク溶接方法の好ましい一態様において、鋼板の板厚は、０．６ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のアーク溶接方法によれば、スパッタの発生を低減できるとともに、溶接速度を速くしながらも、スラグ凝集性も良好となる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
本発明の実施形態に係るアーク溶接方法（以下、本発明の実施形態に係る溶接方法ともいう）は、鋼板をパルス制御方式でアーク溶接するアーク溶接方法であって、Ｃを含有するとともに、質量％で、Ｓｉ：０．２％以上１．１％以下、Ｍｎ：０．２％以上１．４％以下、及びＳ：０．０１０％以上０．０５０％以下を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる溶接ワイヤと、Ａｒを含むガスと、を用いて、電圧パルス周波数を５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下とし、電圧パルス幅を１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下として溶接を行うアーク溶接方法である。
【００１５】
［溶接ワイヤ］
まず、以下においては、本発明の実施形態に係る溶接方法に用いられる溶接ワイヤ（以下、本発明の実施形態に係るワイヤ、又は、単にワイヤともいう）の各元素の含有量を限定した理由について説明する。なお、これら各元素の含有量は、ワイヤ全質量に対する含有量である。また、本明細書において、質量を基準とする百分率（質量％）は、重量を基準とする百分率（重量％）と同義である。
【００１６】
（Ｃを含有）
Ｃは、強度を向上させる元素である。本発明の実施形態に係るワイヤにおいては、Ｃは含有されていればよく、すなわちＣの含有量は０％超であればよいが、上記効果をより良好に奏するためには、０．０２質量％以上であることが好ましく、０．０４質量％以上であることがより好ましい。
また、Ｃの含有量の上限は特に限定されないが、スパッタの低減や高温割れなどを抑制する観点から、Ｃの含有量は、０．１５質量％以下が好ましく、０．１０質量％以下がより好ましい。
【００１７】
（Ｓｉ：０．２質量％以上１．１質量％以下）
Ｓｉは、有効な脱酸剤であり、溶接金属の脱酸においては不可欠な元素である。Ｓｉの含有量が０．２質量％未満であると脱酸効果が損なわれ、表面張力が低下し、ピットやブローホールといった気孔欠陥が発生しやすくなる。また、スラグ凝集性が低下する。さらには、ビード外観が劣化する。したがって、Ｓｉの含有量は０．２質量％以上とし、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上とする。
一方、Ｓｉは、含有量が低くなるほどワイヤの電気抵抗が低くなるという特徴を持ち、ワイヤの電気抵抗が低くなるほどワイヤは溶融し難くなる（電気抵抗熱が低くなる）ため、必要な溶接電流は大きくなり、その結果、アーク力が高くなることにより、ピット、ブローホール等の気孔欠陥を抑制することができる。また、Ｓｉの含有量が１．１質量％を超えるとビード表面に発生するスラグ量が多くなってしまい、スラグ凝集性も低下する。したがって、Ｓｉの含有量は１．１質量％以下とし、好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．９質量％以下とする。
【００１８】
（Ｍｎ：０．２質量％以上１．４質量％以下）
Ｍｎは、Ｓｉと同じく有効な脱酸剤であり、Ｓと結合し易い元素である。Ｍｎの含有量が０．２質量％未満であると、脱酸、脱硫効果が損なわれ、表面張力が低下し、ピットやブローホールといった気孔欠陥が発生しやすくなる。また、スラグ凝集性が低下する。したがって、Ｍｎの含有量は０．２質量％以上とし、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上とする。
一方、Ｍｎの含有量が１．４質量％を超えると、ビード表面に剥離し難い薄い酸化膜を発生させてしまう。また、スラグ凝集性が低下する。したがって、Ｍｎの含有量は１．４質量％以下とし、好ましくは１．３質量％以下、より好ましくは１．１質量％以下とする。
【００１９】
（Ｓ：０．０１０質量％以上０．０５０質量％以下）
Ｓは、スラグの凝集に寄与する元素であるが、０．０１０質量％未満では、その効果が得られないため、Ｓの含有量は０．０１０質量％以上とし、好ましくは０．０２０質量％以上とする。
一方、Ｓの含有量が０．０５０質量％を超えると、溶融池表面の流れが大きく変化し、スラグがアーク直下近傍まで接近して大きく振動する結果、凝集効果が低下してしまう。したがって、Ｓの含有量は０．０５０質量％以下とし、好ましくは０．０４０質量％以下とする。
【００２０】
本発明の実施形態に係るワイヤの残部は、Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、当該不可避的不純物としては、Ｔｉ、Ｐ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎ、Ｏ等が挙げられ、本発明の効果を妨げない範囲で含有することが許容される。
【００２１】
また、本発明の実施形態に係るワイヤには、上記した化学成分に加えて、さらに下記の成分の少なくとも１つが添加されていてもよい。
【００２２】
（Ａｌ：０．１質量％以上０．５質量％以下）
Ａｌは、スラグの凝集に寄与する元素である。本発明の実施形態に係るワイヤにおいて、Ａｌの添加は必須ではないが、Ａｌの含有量が０．１質量％未満では、スラグの凝集効果が得られにくいため、Ａｌを添加する場合にはその含有量を０．１質量％以上とすることが好ましく、０．２質量％以上とすることがより好ましい。
一方、Ａｌの含有量が０．５質量％を超えると、溶滴離脱が不安定となり、溶融池の振動が乱れ、スパッタが多発する結果、スラグ凝集効果が低下するおそれがある。したがって、Ａｌを添加する場合には、その含有量を０．５質量％以下することが好ましく、０．４質量％以下とすることがより好ましい。
【００２３】
（Ｍｏ：０．１質量％以上２．０質量％以下）
Ｍｏは強度の向上に寄与する元素である。本発明の実施形態に係るワイヤにおいて、Ｍｏの添加は必須ではないが、かかる効果を良好に発揮するために、Ｍｏを添加する場合にはその含有量を０．１質量％以上とすることが好ましく、０．３質量％以上とすることがより好ましい。
一方、Ｍｏは、２．０質量％を超えると高温においてＦｅと金属間化合物を形成するため効果は飽和する。したがって、Ｍｏを添加する場合には、その含有量を２．０質量％以下することが好ましく、１．５質量％以下とすることがより好ましい。
【００２４】
（Ｃｕ：０．４質量％以下）
Ｃｕは、通電性、耐錆性の向上に効果がある元素である。Ｃｕを含有する場合、その含有量の下限値は特に限定されるものではないが、かかる効果をより良好に得るためには、０．１質量％以上含有することが好ましい。また、高温割れの発生を抑制する観点から、Ｃｕの含有量は、０．４質量％以下であることが好ましい。なお、本実施形態のワイヤには、所望によりＣｕめっきを施す場合がある。ここで、Ｃｕは、ワイヤの母材に含まれるものと、Ｃｕめっき分とを合計した値とする。
【００２５】
（ワイヤの直径）
本発明の実施形態において、ワイヤの直径は特に限定されるものではなく、通常適用される範囲から適宜選択すればよい。ワイヤの直径は、例えば０．８ｍｍ〜１．４ｍｍである。
【００２６】
ワイヤの製造方法としては、例えば、所定の組成を有する鋼材の素線を所定の直径まで伸線加工すればよい。伸線加工は、孔ダイスを用いる方法やローラダイスを用いる方法のどちらでもよい。また、Ｃｕめっきを施す場合は、Ｃｕめっき後に伸線加工してもよい。
【００２７】
［シールドガス］
本発明の実施形態に係る溶接方法に用いられるシールドガスは、Ａｒを含有していればよく、Ａｒのみからなっていてもよい。あるいは、Ａｒに加えて、ＣＯ２やＯ２などを含有していてもよく、例えば、５〜３０体積％程度のＣＯ２ないしＯ２と、残部がＡｒであるシールドガスを用いてもよい。なお、シールドガスには、不可避不純物としてのＮ２、Ｈ２等も含有され得る。
ここで、シールドガス中のＡｒの含有割合が高いほど、スラグ量が減少することから、シールドガス中のＡｒの含有割合は高い方が望ましい。かかる観点より、Ａｒの含有割合は７０体積％以上であることが好ましく、８０体積％以上であることがより好ましい。一方、上記したように、シールドガスはＡｒのみからなっていてもよい（すなわち、Ａｒの含有割合が１００体積％であってもよい）が、例えばＡｒの含有割合を７０体積％以下としてもよい。
【００２８】
［パルス制御条件］
つづいて、本発明の実施形態に係る溶接方法における、パルス制御条件について説明する。
【００２９】
（電圧パルス周波数：５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下）
（電圧パルス幅：１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下）
本発明の実施形態に係る溶接方法においては、パルス制御方式でアーク溶接するにあたり、電圧パルス周波数（以下、単にパルス周波数ともいう）が５０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下となり、かつ、電圧パルス幅（以下、単にパルス幅ともいう）が１．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下となるようにパルスを制御する。
本発明者らは、鋭意検討の結果、溶融金属の固有振動数は数十Ｈｚ程度であり、溶滴の固有振動数に合わせるようにパルスの周波数及び幅を適切な範囲に制御することにより、溶融池の振動が最適となり、溶融池表面の湯流れがスラグを巻き込むように変化し、スラグ凝集性を良好なものにすることが出来ることを見出した。
パルス周波数が２００Ｈｚを超え、及び／又は、パルス幅が１．５ｍｓ未満であると、ピーク期間でのアークによる溶融池の押し下げ効果が低減し、十分な溶融池の振幅を得ることができなくなり、良好なスラグ凝集性を得ることが困難となってしまう。したがって、パルス周波数は２００Ｈｚ以下とし、パルス幅は１．５ｍｓ以上とする。パルス周波数は、好ましくは１８０Ｈｚ以下であり、より好ましくは１５０Ｈｚ以下である。また、パルス幅は、好ましくは３ｍｓ以上であり、より好ましくは５ｍｓ以上である。
他方、パルス周波数が５０Ｈｚ未満であり、及び／又は、パルス幅が１０ｍｓを超えると、ピーク期間が長くなり、溶滴の形成が過大となるため、溶滴移行が不安定となる結果、溶融池の振動が乱れてしまい、良好なスラグ凝集性を得ることが困難となってしまう。さらには、スパッタが発生しやすくなるとともに、ビード外観が悪化してしまう。したがって、パルス周波数は５０Ｈｚ以上とし、パルス幅は１０ｍｓ以下とする。パルス周波数は、好ましくは５５Ｈｚ以上であり、より好ましくは６０Ｈｚ以上である。また、パルス幅は、好ましくは９ｍｓ以下であり、より好ましくは８ｍｓ以下である。
【００３０】
また、本発明の実施形態に係る溶接方法においては、溶接時のパルス電流を以下のように制御することが好ましい。
【００３１】
（ピーク電流：３８０Ａ以上４９０Ａ以下）
ピーク電流期間では、溶滴が形成されると同時に、アーク力により溶融池が押し下げられる。ここで、本発明の実施形態に係る溶接方法において、ピーク電流は特に限定されるものではないが、以下の観点からは、３８０Ａ以上４９０Ａ以下とすることが好ましい。すなわち、ピーク電流が３８０Ａ未満では、溶融池を押し下げるのに十分なアーク力を得ることができなくなるおそれがある。したがって、ピーク電流は３８０Ａ以上が好ましく、４００Ａ以上がより好ましく、４１０Ａ以上がさらに好ましい。
他方、ピーク電流が４９０Ａを超えると、溶滴の形成が過大となり、不規則に溶融池と短絡し、規則的に溶融池を振動させることが出来なくなるおそれがある。また、アーク力が過大となり、スラグを溶接進行方向に対して後方に押し下げる対流の流れが強くなりすぎるおそれがある。その結果、スラグの凝集が阻害されるおそれがある。したがって、ピーク電流は４９０Ａ以下が好ましく、４８０Ａ以下がより好ましく、４６０Ａ以下がさらに好ましい。
【００３２】
（ベース電流：８０Ａ以上１８０Ａ以下）
ベース電流期間では、アーク力を下げることで、ピーク電流で形成した溶滴を離脱させやすくする。ここで、本発明の実施形態に係る溶接方法において、ベース電流は特に限定されるものではないが、以下の観点からは、８０Ａ以上１８０Ａ以下とすることが好ましい。すなわち、ベース電流が８０Ａ未満では、実行電流の範囲が大きく制限されてしまうおそれがある。したがって、ベース電流は８０Ａ以上が好ましく、９０Ａ以上がより好ましく、１００Ａ以上がさらに好ましい。
他方、ベース電流が１８０Ａを超えると、入熱量が過大となり、薄板を溶接する際に溶落ちが発生しやすくなるおそれがある。したがって、ベース電流は１８０Ａ以下が好ましく、１６０Ａ以下がより好ましく、１５０Ａ以下がさらに好ましい。
【００３３】
（Ｄｕｔｙ比：０．２〜０．６）
また、本発明の実施形態に係る溶接方法において、パルス電流のＤｕｔｙ比は特に限定されるものではないが、以下の観点からは、０．２〜０．６であることが好ましい。すなわち、Ｄｕｔｙ比が０．２未満であると、ピーク電流期間がベース電流期間に比べて短くなりすぎ、アークによる溶融池の押し下げ効果が十分に得られず、溶融池を十分に振動させることが出来なくなる結果、スラグ凝集効果が低下するおそれがある。したがって、パルス電流のＤｕｔｙ比は０．２以上が好ましく、０．３以上がより好ましい。
他方、Ｄｕｔｙ比が０．６を超えると、ピーク電流期間に短絡が頻発し、スパッタが多発して、溶融池の振動が不規則になりやすくなる結果、スラグ凝集効果が低下するおそれがある。したがって、パルス電流のＤｕｔｙ比は０．６以下が好ましく、より好ましく０．５以下である。
【００３４】
なお、本発明の実施形態に係る溶接方法においては、パルス電流の平均電流も特に限定されるものではなく、上述したピーク電流、ベース電流及びＤｕｔｙ比のそれぞれの好適な範囲などに応じて、適宜決定されればよい。パルス電流の平均電流としては、例えば２５０Ａ以上３５０Ａ以下である。
【００３５】
［母材］
本発明の実施形態に係る溶接方法において溶接対象となる母材は、鋼板であればよく、鋼板の組成、板厚等については特に限定されないが、たとえば板厚０．６ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の薄鋼板などにも適用可能である。また、鋼種としては、例えば軟鋼であってもよく、５９０ＭＰａ級までの高張力鋼などであってもよい。なお、母材の表面には亜鉛めっきやアルミめっき等の各種めっき処理が施されてもよい。
【００３６】
［溶接条件］
また、本発明の実施形態に係る溶接方法における、溶接速度、溶接姿勢等の各溶接条件は特に限定されず、アーク溶接方法において適用し得る範囲で適宜調整すればよい。
溶接速度としては、例えば７０ｃｍ／ｍｉｎ以上である。本発明の実施形態に係る溶接方法によれば、溶接速度を速くしても、良好なスラグ凝集性で溶接を実施できる。
【実施例】
【００３７】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することが可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００３８】
表１に示す組成を有する直径１．２ｍｍのワイヤを用いて、下記に示す条件でパルス制御しながらアーク溶接を実施した。
（１）鋼板
縦２００ｍｍ×横６０ｍｍ×厚み３．２ｍｍの鋼板を使用した。なお、鋼板の鋼種は、ＳＰＨＣ５９０である。
（２）溶接姿勢
水平重ねすみ肉溶溶接を実施した。
（３）シールドガス
表１の例１〜２８及び３０〜３１においては、シールドガスとして、Ａｒ＋２０体積％ＣＯ２を使用した。
また、表１の例２９においては、シールドガスとして１００体積％ＣＯ２を使用した。
（４）パルス制御条件
パルス周波数（Ｈｚ）、パルス幅（ｍｓ）、ピーク電流（Ａ）、ベース電流（Ａ）、Ｄｕｔｙ比を表１に示される条件に制御しながら、溶接を実施した。
（５）溶接速度及び溶接長
溶接速度は１００ｃｍ／ｍｉｎとした。また、溶接長：１５０ｍｍまで溶接を実施した。
【００３９】
なお、表１において、「ワイヤ成分（質量％）」とは、ワイヤ全質量あたりの各成分量（質量％）を表す。なお、「−」とは、含有量が検出限界未満であることを表す。また、表１中に示されるＣｕ含有量には、Ｃｕめっき分が含まれる。また、残部はＦｅ及び不可避的不純物である。
【００４０】
（スラグ凝集性の評価）
溶接長１５０ｍｍで、ビード表面のスラグを目視により観察し、表面のスラグを収集し、スラグ全量のうち、クレータ部近傍に存在（凝集）しているスラグの割合（重量％）を求め、表１の「スラグ凝集割合（重量％）」の欄に記載した。ここで、クレータ部近傍に存在（凝集）しているスラグの割合が６０重量％以上であれば、スラグ凝集性が良好であると評価できる。なお、クレータ部近傍に存在（凝集）しているスラグの割合が６０重量％未満であり、スラグ凝集性が不良であった例については、表１の「スラグ凝集割合（重量％）」の欄において、結果を「×」と記載し、当該割合の記載は省略している。
【００４１】
（ビード外観の評価）
また、各例で得られた溶接ビードの外観を、下記の基準で評価した。
◎：表面の凹凸が少なく、滑らかなビード外観である
○：アンダーカット等が発生せず、健全なビード外観である
×：ビード際の不整および表面の凹凸等が発生し、ビード外観が不良である
【００４２】
【表１】
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【００４３】
例１〜３３のうち、例１〜２２が実施例であり、例２３〜３３が比較例である。表１に示すように、本発明の要件を満たす例１〜２２では、良好なスラグ凝集性が得られた。また、ビード外観も良好であった。
【００４４】
例２３では、ワイヤ中のＳ含有量が少なすぎたため、また、例２４では、ワイヤ中のＳ含有量が多すぎたため、スラグ凝集性が劣化した。
例２５では、パルス周波数が大きすぎたため、スラグ凝集性が劣化した。また、例２６では、パルス周波数が小さすぎたため、スラグ凝集性が劣化し、ビード外観も不良であった。
例２７では、ワイヤ中のＳｉ含有量が少なすぎたため、スラグ凝集性が劣化し、ビード外観も不良であった。また、例２８では、ワイヤ中のＳｉ含有量が多すぎたため、スラグ凝集性が劣化した。
例２９では、ワイヤ中のＭｎ含有量が少なすぎたため、また、例３０では、ワイヤ中のＭｎ含有量が多すぎたため、スラグ凝集性が劣化した。
例３１では、シールドガスとしてＡｒを含有しない１００％ＣＯ２ガスを用いたため、スラグ凝集性が劣化した。
例３２では、パルス幅が小さすぎたため、スラグ凝集性が劣化した。また、例３３では、パルス幅が大きすぎ、また、ワイヤ中のＭｎ含有量が多すぎたため、スラグ凝集性が劣化し、ビード外観も不良であった。