(57)【要約】【課題】電極間リークが小さいことによる特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を簡便なプロセスにより作製できる製造方法を提供する。【解決手段】受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板１の裏面上の一面に真性の第１の非晶質系半導体膜２を形成する工程と導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体膜３を順次積層し、その積層膜上に電気絶縁性を有する材料により櫛形状にエッチングマスク層２０を形成して、エッチングマスク層２０の無い領域の真性の第１の非晶質系半導体層２および導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体層３をエッチング除去する。【選択図】  図１
2018164057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板の裏面上の一面に真性の第１の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第１の非晶質系半導体膜上の一面に導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第２の非晶質系半導体膜上に、前記第１及び第２の非晶質系半導体膜が櫛形状に残るように電気的絶縁性を有する第１のエッチングマスク層を形成した後、前記第１及び第２の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、
エッチングにより露出した前記半導体基板の裏面上及び前記第１のエッチングマスク層上に真性の第３の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第３の非晶質系半導体膜上の一面に前記第２の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第４の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第１のエッチングマスク層の端から短手方向に、前記第１のエッチングマスク層、前記第３の非晶質系半導体膜及び前記第４の非晶質系半導体膜と一部オーバーラップが櫛形状に残るように第２のエッチングマスク層を形成した後、前記第１のエッチングマスク層及び前記第３及び第４の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、
前記第２の非晶質系半導体層上で前記第１のエッチングマスク層が無い領域に第１の電極を形成する工程と、
前記第４の非晶質系半導体層上で、前記オーバーラップのない領域に第２の電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第１のエッチングマスク層がレジスト材料からなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチングマスク層を印刷法で形成することを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面電極型ヘテロ接合太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、受光面となるｎ型単結晶シリコン基板の主面側には、実質的に真性な非晶質シリコン膜等キャリア再結合を抑制するためのパッシベーション膜と反射防止や光閉じ込めのための光学膜のみを配備し、裏面側には、キャリア再結合を抑制するための実質的に真性な非晶質シリコン膜、および、その膜上に櫛形状にｐ型非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜とそれらに対応した電極を交互に配備して、これら裏面側のみに設けられた電極により発生電力を外部に取り出す裏面電極型ヘテロ接合構造の太陽電池が提案されている。（例えば、特許文献１、非特許文献１）
【０００３】
これら裏面電極型ヘテロ接合構造の太陽電池においては、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面におけるキャリア再結合を抑制するため、真性な非晶質シリコン膜等キャリア再結合を抑制するためのパッシベーション膜が全面にわたって配置されることが望ましい。さらに、受光によって発生するキャリアを効率よく外部に取り出すため、ｐ型非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜とそれらに対応した電極をそれぞれ交互に櫛形状で、電気的分離を保ちながら過剰な隙間がないよう精度よく配置することが重要となり、通常はフォトリソグラフィープロセスを用いて作製される。このため、製造工程が煩雑になり、製造コストがかかるという課題があった。
【０００４】
このため、WO2012/132995号公報（特許文献２）に開示されているように、裏面のp/i型非晶質シリコン層とn/i型非晶質シリコン層とに電極端から短手方向にオーバーラップ部分を設けて作製プロセスにおけるパターニング精度の余裕を持たせると同時に、当該オーバーラップ部分のp/i型非晶質シリコン層とn/i型非晶質シリコン層との間に絶縁層を設けることにより、オーバーラップ部分でのリーク電流に伴う変換効率の低下を抑制する作製方法が提案されている。
【０００５】
具体的には、例えば、真性な非晶質シリコン膜、ｎ型非晶質シリコン膜、絶縁膜を順次ｎ型単結晶シリコン基板の裏面上全面に形成して、フォトレジスト等によるマスク形成とエッチングにより、前記真性な非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜および絶縁膜の積層構造で構成される層が櫛型状に残る様にパターニングした後、前記パターニング後の絶縁層および絶縁層の無いｎ型単結晶シリコン基板の裏面で構成される面上全面に、真性な非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜を順次形成し、フォトレジスト等によるマスク形成とエッチングにより、前記櫛型状と交互に配置し、かつ、非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜および絶縁膜の積層構造で構成される層と電極端から短手方向にオーバーラップ部を設ける形で前記真性な非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜の積層構造で構成される層を櫛型状に形成する作製方法である。
【０００６】
しかしながら、本方法では、絶縁層を形成する工程が追加され、作製に関わる工程数が増大するというという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2003-298078号公報
【特許文献２】WO2012/132995号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Meijun Lu, Ujjwal Das, Stuart Bowden, Steven Hegedus and Robert Birkmire, ‘Optimization of interdigitated back contact silicon heterojunction solar cells: tailoring hetero-interface band structures while maintaining surface passivation’, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol.19, 326-338, 2011
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、電極間リークが小さいことによる特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を簡便なプロセスにより作製できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書中における結晶系半導体には単結晶半導体および多結晶半導体が含まれるものとし、非晶質系半導体には非晶質半導体および微結晶半導体が含まれるものとする。また、平面視とは、半導体基板の表面に垂直な方向で、裏面側から太陽電池を見た様子を意味する。
【００１１】
また、真性の非晶質系半導体膜とは、不純物が意図的にドープされていない非晶質系半導体膜であり、半導体原料に本来的に含まれる不純物または製造過程において自然に混入する不純物を含む非晶質系半導体膜も含む。
【００１２】
本発明に係る太陽電池は、受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の裏面上の一面に真性の第１の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第１の非晶質系半導体膜上の一面に導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第２の非晶質系半導体膜上に、前記第１及び第２の非晶質系半導体膜が櫛形状に残るように電気的絶縁性を有する第１のエッチングマスク層を形成した後、前記第１及び第２の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、エッチングにより露出した前記半導体基板の裏面上及び前記第１のエッチングマスク層上に真性の第３の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第３の非晶質系半導体膜上の一面に前記第２の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第４の非晶質系半導体膜を形成する工程と、前記第１のエッチングマスク層の端から短手方向に、前記第１のエッチングマスク層、前記第３の非晶質系半導体膜及び前記第４の非晶質系半導体膜と一部オーバーラップが櫛形状に残るように第２のエッチングマスク層を形成した後、前記第１のエッチングマスク層及び前記第３及び第４の非晶質系半導体膜をエッチングする工程と、前記第２の非晶質系半導体層上で前記第１のエッチングマスク層が無い領域に第１の電極を形成する工程と、前記第４の非晶質系半導体層上で、前記オーバーラップのない領域に第２の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【００１３】
また、前記第１のエッチングマスク層がレジスト材料からなることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【００１４】
さらに、前記第１のエッチングマスク層が印刷法で形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、第１と第２の非晶質系半導体膜を櫛形状に加工するために用いたエッチングマスクを、第１と第２の非晶質系半導体膜で積層構成される層と第３と第４の非晶質系半導体膜で積層構成される層のオーバーラップ部分において当該層間に挿入される絶縁層として用いるため、電極間リークを抑制するための絶縁層の形成を特別に行うこと無く当該工程の省略が可能となり、電極間リークの少ない特性の優れた裏面電極型ヘテロ接合構造太陽電池を省材料かつ簡便に作製することが可能となる。
【００１６】
また、印刷法を用いてエッチングマスク形成を行うことによって、更に省材料化および製造工程が簡便化し、かつ歩留まりも向上するので、製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る太陽電池の構造を示す模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法の手順を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施形態に係る太陽電池の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１９】
図１における半導体基板１は、単結晶シリコンや多結晶シリコンのような結晶シリコン、ＧａＡｓやＩｎＰのような化合物半導体、その他板状に形成することができる薄板状の半導体基板であり、ｐ型またはｎ型の導電型を有するが、一般的にはｎ型の単結晶シリコンが用いられる。この半導体基板の厚みに特に制限はないが、部材コストやハンドリングの観点から１０〜２００μｍが望ましい。
【００２０】
また、効率向上の観点から、十分な光閉じ込めを行うため、当該半導体基板１の片面もしくは両面にテクスチャ構造を設けても良く、効率向上の観点からはむしろ好ましい。
【００２１】
図１に示すように、半導体基板１の主面（光入射側）上に、真性の非晶質系半導体層１０（ｉ型非晶質系半導体層）および窒化シリコン等からなる反射防止層１１が順に形成されている。ｉ型非晶質系半導体層は、入射光の吸収が少なく、シリコンを含む水素化非晶質半導体により構成されていることが好ましく、このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、非晶質酸化シリコンまたは非晶質窒化シリコンなどがある。なお、これら主面側に形成される層は、半導体基板１の主面側表面でのキャリア再結合を抑制し、かつ、光入射に対する反射防止の機能があれば良いので、例えば、それら機能を同時に有する窒化シリコンや窒化アルミニウムを半導体基板１の主面側に直接１層のみ形成した構成でも良い。また、キャリア再結合の抑制効果を高めるため、非晶質系半導体層１０と反射防止層１１の間に表面電界層を形成する不純物をドープした非晶質半導体層や固定電荷を有する誘電体層を挿入してもよい。
【００２２】
半導体基板１の裏面には、櫛形状に真性の第１の非晶質系半導体層２が、第１の非晶質系半導体層２上には同じ櫛形状に、ｐ型またはｎ型の導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体層３が形成されている。その第２の非晶質系半導体層３上には、櫛形の端から短手方向に一部オーバーラップして、第１の非晶質系半導体層２および第２の非晶質系半導体層３をエッチングする際に用いた電気的絶縁性を有するエッチングマスク層２０が形成されている。このエッチングマスク層２０が形成されているオーバーラップ幅は、パターニングを行う精度等により定めることができるが、太陽電池性能の観点からはできる限り狭い方が望ましく、例えば、１μｍ以上、１００μｍ以下となるのが望ましい。第１の非晶質系半導体層２および第２の非晶質系半導体層３の無い櫛形状領域、および、エッチングマスク層２０上に、真性の第３の非晶質系半導体層４が形成され、第３の非晶質系半導体層４上に同じく櫛形状に、第２の非晶質系半導体層３の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第４の非晶質系半導体膜５が形成されている。
【００２３】
第２の非晶質系半導体層３上には、櫛形状に第１の電極として裏面電極６および集電極８が、第４の非晶質系半導体層５上には、櫛形状に第２の電極として裏面電極７および集電極９が順次形成されており、これら裏面電極６および集電極８と、裏面電極７および集電極９はお互い接触しないように一定の距離をおいて配備されている。ここで、裏面電極６と裏面電極７との間隔は１０μｍ以上、１００μｍ以下となるのが望ましい。
【００２４】
これら第２の非晶質系半導体層３、裏面電極６および集電極８により正または負の電極が構成され、第４の非晶質系半導体層５、裏面電極７および集電極９により、第２の非晶質系半導体層３、裏面電極６および集電極８により構成される電極の極性とは異なる極性の電極が構成される。
【００２５】
真性の非晶質系半導体層２および４、導電型の非晶質半導体層３および５は、それぞれシリコンを含む水素化非晶質半導体により構成されていることが好ましい。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、または非晶質シリコンゲルマニウムなどがある。なお、真性の非晶質半導体層２および４、導電型の非晶質半導体層３および５は、これらの材料に限らず、他の非晶質半導体により構成されていてもよいし、非晶質半導体に限らず、他の薄膜半導体により構成されていてもよい。
【００２６】
電気的絶縁性を有するエッチングマスク層２０は、電気的絶縁性を有する永久膜であり、かつ、フォトリソグラフィー法や印刷法により櫛形状の形成が可能であり、かつ、第１の非晶質系半導体層２および第２の非晶質系半導体層３のウェットもしくはドライエッチングに対するマスク機能を有する材料が選ばれる。この永久膜の硬化には紫外線照射を行うものが一般的であり、具体的には、フォトリソグラフィー用に開発されたネガ型永久レジストとしてＳＵ−８（日本化薬株式会社）、ＫＭＰＲ−１０００（日本化薬株式会社）、ＴＨＢ−４３０Ｎ（ＪＳＲ株式会社）、ＴＨＢ−１５１Ｎ（ＪＳＲ株式会社）、ＴＭＭＲ−Ｓ２０００（東京応化工業株式会社）、ＣＲＣ−８２００（住友ベークライト株式会社）、ＫＩ−１０００（日立化成株式会社）等の材料が選ばれる。永久膜の剥離容易性の観点から、中でもＫＭＰＲ−１０００やＴＨＢ−４３０Ｎが好ましい。印刷法にはスピンコート、スリットダイコート、ブレードコート、バーコート、ディップコート、スプレーコート、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法等が選ばれるが、材料利用効率の高さおよびプロセスの簡易性から印刷法で当該エッチングマスク層２０を形成することが望ましい。
【００２７】
裏面電極６，７ は、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＳｎＯ2（酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等からなる透明電極であり、集電極８，９ はＡｇ（銀）等の金属からなる。なお、導電型がｎ型となる非晶質系半導体層とその上に形成される集電極との間においてオーミックコンタクトが形成可能かつ電極材料の拡散が影響しない場合には、それらの間に形成される裏面電極は必ずしも必要ない。
【００２８】
非晶質系半導体層１０の膜厚は例えば１０nm程度であり、反射防止層１１の膜厚は例えば７０nm程度であり、真性の非晶質系半導体層２および４の膜厚は例えば１０nm程度であり、導電型の非晶質系半導体層３および５の膜厚は例えば１０nm程度であり、裏面電極６，７の膜厚は例えば７０nm程度であり、集電極８，９の膜厚は例えば２００nm程度であるが、それに限られない。
【００２９】
なお、半導体基板１にｎ型半導体を用いた場合は、少数キャリアを広い面積で効率よく取り出すため、ｐ型の導電型を示す非晶質系半導体層３（または５）の幅は、それとは逆のｎ型の導電型を示す非晶質系半導体層５（または３）の幅よりも広い方が好ましい。逆に半導体基板１にｐ型半導体を用いた場合は、ｎ型の導電型を示す非晶質系半導体層３（または５）は、それとは逆のｐ型の導電型を示す非晶質系半導体層５（または３）の幅よりも広くする方が好ましい。
【００３０】
次に、図２のフローチャートに従い、図３の太陽電池２００の製造方法を説明する。この説明においては、一例として半導体基板１０１にｎ型の単結晶シリコン、真性の第１の非晶質系半導体層１０２および真性の第３の非晶質系半導体層１０４にi型非晶質シリコン膜、導電型の第２の非晶質系半導体層１０３にｎ型非晶質シリコン膜、導電型の第４の非晶質系半導体層１０５にｐ型非晶質シリコン膜を用いて説明する。
【００３１】
まず、ｎ型単結晶シリコン基板１０１を洗浄し（図２Ｓ１）、ＫＯＨを含むアルカリ水溶液による異方性エッチング等により必要に応じて表面テクスチャ形成を行う（図２Ｓ２）。続いて真空チャンバー内に搬送して加熱を行う。これにより、ｎ型単結晶シリコン基板１０１の表面に付着した水分を除去する。
【００３２】
次に、真空チャンバー内にＳｉＨ４（シラン）ガスを導入し、ＰＥＣＶＤ法によりｎ型単結晶シリコン基板１０１の表面上にｉ型非晶質シリコン層１１０を形成し、続いて基板を反転させるなどしてｎ型単結晶シリコン基板１０１の裏面上にｉ型非晶質シリコン層１０２を形成する（図２Ｓ３）。
【００３３】
次いで、真空チャンバー内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２（水素）ガスおよびＰＨ３（ホスフィン）ガスを導入し、ＰＥＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン層１０２上にｎ型非晶質シリコン層１０３を形成する（図２Ｓ４、図３（ａ））。
【００３４】
続いて、ｎ型非晶質シリコン層１０３上に、フォトリソグラフィー法やインクジェットやスクリーン等の印刷法により電気絶縁性を有し永久膜として機能するエッチングマスク層１２０を櫛形状に形成する（図２Ｓ５、図３（ｂ））。永久膜用レジストとしては、例えばＫＭＰＲ−１０００等を好適に用いることができる。用いる形成法に応じて適宜調整を行い、例えば印刷法で製膜する場合は、その印刷法に応じて、γ−ブチロラクトン等の揮発性の低い有機溶媒により粘度の調整を行う。エッチングマスク印刷後、８０〜１５０℃程度に加熱して永久膜レジスト中の溶媒を除去し、i線(365 nm)の紫外線照射後必要に応じてさらに熱処理する事（例えば、100〜200℃）等により硬化を行う。エッチングマスクの硬化後、ＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）水溶液およびＨ２Ｏ２（過酸化水素）水溶液からなる混合液への浸漬やＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＣＦ４（四フッ化炭素）等によるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングによりエッチングマスク層１２０形成部外のｎ型非晶質シリコン層１０３およびｉ型非晶質シリコン層１０２をエッチングにより除去する（図２Ｓ６、図３（ｃ））。なお、このとき、ｎ型単結晶シリコン基板１０１の表面上に形成したｉ型非晶質シリコン層１１０のプロセスダメージからの保護の観点から、必要に応じて、ｉ型非晶質シリコン層１１０表面に溶剤等で容易に除去可能な保護膜を形成してもよい。
【００３５】
次に、真空チャンバー内にＳｉＨ４ガスを導入し、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）法により、前述のエッチングマスク層１２０上およびエッチングにより露出したｎ型単結晶シリコン基板１０１上にｉ型非晶質シリコン層１０４を形成し、次いで、真空チャンバー内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢ２Ｈ６（ジボラン）ガスを導入し、ＰＥＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン層１０４上にｐ型非晶質シリコン層１０５を形成する（図２Ｓ７、図３（ｄ））。
【００３６】
続いて、ｐ型非晶質シリコン層１０５上にフォトリソグラフィー法やインクジェットやスクリーン等の印刷法によりエッチングマスク層１２１を、エッチングマスク層１２０の端から短手方向にオーバーラップを有してエッチングマスク層１２０の上部が開口となる櫛形状に形成したのち固化し（図２Ｓ８、図３（ｅ））、例えば、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＣＦ４（四フッ化炭素）等によるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングや、ＨＦ（フッ化水素酸）水溶液およびＨ２Ｏ２水溶液からなる混合液に浸漬する等のウェットエッチング、もしくはそれらの組み合わせにより、エッチングマスク層１２１形成部外のｐ型非晶質シリコン層１０５およびｉ型非晶質シリコン層１０４をエッチングにより除去する。このエッチングマスク層１２１は、フォトリソグラフィー法や印刷法により櫛形状の形成が可能であり、かつ、第３の非晶質系半導体層１０４および第４の非晶質系半導体層１０５のウェットもしくはドライエッチングに対するマスク機能を有する材料が選択される。印刷法で形成する場合には、例えばＭｉｃｒｏｐｏｓｉｔＳ１８１３Ｇ（Ｄｏｗ）をはじめとして、感光性材料に限らず前述の性質を有するインク材料であれば何ら問題なく、印刷方法に応じて適宜溶媒の希釈により粘度が調整される。
【００３７】
次に、露出したエッチングマスク層１２０を剥離液で除去する（図２Ｓ９、図３（ｆ））。永久膜用レジストとしてＫＭＰＲ−１０００を用いた場合は、剥離液としてＮ−メチルピロリジノンやＲｅｍｏｖｅｒ  Ｋ（日本化薬株式会社）を用いることが出来る。なお、この際にエッチングマスク層１２１が同時に剥離または溶解により除去されても問題ない。エッチングマスク層１２０を除去後にエッチングマスク層１２１が残留している場合は、エッチングマスク層１２０除去後に、エッチングマスク層１２０を侵さない例えばアセトン等の溶剤によりエッチングマスク層１２１を溶解し除去する（図２Ｓ１０、図３（ｇ））。
【００３８】
次に、ｎ型非晶質シリコン層１０３上およびｐ型非晶質シリコン層１０５上に透明電極（裏面電極）１０６および１０７を形成する（図２Ｓ１１）。この透明電極形成は、透明電極インクを用いたインクジェット印刷法により形成してもよいし、スパッタ法またはＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によるＩＴＯまたはＺｎＯ等の透明電極の全面形成と、それに続く所望の櫛形状に形成したエッチングマスクの形成とウェットエッチングによって形成する方法でもよいし、また所望の櫛形状の孔を有するメタルマスク等を用いて、スパッタ法またはＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によるＩＴＯまたはＺｎＯ等の透明電極を所望の櫛形状に形成してもよく、使用設備等に応じて適宜選択される。この裏面電極１０６と裏面電極１０７との間の間隔は、電極間の短絡やリーク電流を抑制するために１０μｍ以上であることが望ましく、一方、多数キャリアの電子に対する直接抵抗を小さくするためには１００μｍ以下であることが望ましい。なお、次に形成する集電極１０８とｎ型非晶質シリコン層１０３の間においてオーミックコンタクトが形成可能かつ電極材料の拡散が影響しない場合には、裏面電極１０６は必ずしも必要ない。
【００３９】
次に、裏面電極１０６および１０７上にＡｇ（銀）集電極１０８および１０９を形成する（図２Ｓ１２、図３（ｈ））。この集電極形成は、Ａｇインクを用いたインクジェット印刷法やスクリーン印刷法により形成してもよいし、スパッタ法または蒸着法によるＡｇ膜の全面形成と、それに続く所望の櫛形状に形成したエッチングマスクの形成とウェットエッチングによって電極形成する方法でもよいし、また所望の櫛形状の孔を有するメタルマスク等を用いて、スパッタ法または蒸着法によりＡｇ電極を所望の櫛形状に形成してもよく、使用設備等に応じて適宜選択される。また、集電極の材料はＡｇに限らず、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等の他の材料でもよい。
【００４０】
最後に、ｉ型非晶質シリコン層１１０上にスパッタ法等により反射防止層１１１を形成する（図２Ｓ１３、図３（ｉ））。
【００４１】
前記製造法において、ｎ型非晶質シリコン層１０３の不純物元素としてＰ（リン）を挙げたが、それに限らずＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）等の第１５族元素を用いてもよい。また、ｐ型非晶質シリコン層１０５の不純物元素としてＢ（ボロン）を挙げたが、それに限らずＡｌ、Ｇａ（ガリウム）等の第１３族元素を用いてもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１      一導電体を示す半導体基板
２      真性の第１の非晶質系半導体層
３      導電型を示す不純物を含む第２の非晶質系半導体層
４      真性の第３の非晶質系半導体層
５      第２の非晶質系半導体層の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第４の非晶質系半導体層
６      第１の裏面電極
７      第１の集電極
８      第２の裏面電極
９      第２の集電極
１０    真性の非晶質系半導体層
１１    反射防止層
２０    絶縁層（エッチングマスク層）
１０１   ｎ 型単結晶シリコン基板
１０２，１０４，１１０   ｉ 型非晶質シリコン膜
１０３  ｎ 型非晶質シリコン膜
１０５  ｐ 型非晶質シリコン膜
１０６，１０７    裏面電極
１０８，１０９    集電極
１１１  反射防止膜
１２０  エッチングマスク層
１２１  エッチングマスク層
１００，２００    太陽電池
【図１】
2018164057.tif 000003
【図２】
2018164057.tif 000004
【図３】
2018164057.tif 000005