(57)【要約】【課題】エピタキシャルウェーハをボンドウェーハ又はベースウェーハに使用した場合において、テラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとし、該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行う貼り合わせウェーハの製造方法。【選択図】図１
2018164006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとし、
該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記ベースウェーハとして、前記エピタキシャルウェーハを用いることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
ベースウェーハ上に直接あるいは絶縁膜を介して薄膜が貼り合わせられている貼り合わせウェーハであって、
前記ベースウェーハがエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハであり、
前記ベースウェーハの外周部上面のうち前記薄膜が形成されていない部分であるテラス部において、前記エピタキシャル層の成長に起因する凸欠陥であるエピタキシャル欠陥が存在しないものであることを特徴とする貼り合わせウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩウェーハの製造方法、特に先端集積回路の高性能化を可能とする薄膜ＳＯＩウェーハの製造方法として、イオン注入したウェーハを貼り合わせた後に剥離してＳＯＩウェーハを製造する方法（イオン注入剥離法：スマートカット法（登録商標）とも呼ばれる技術）が注目されている。このイオン注入剥離法は、二枚のシリコンウェーハのうち、少なくとも一方に絶縁膜（特に酸化膜）を形成すると共に、一方のシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）の上面から水素イオン又は希ガスイオン等のガスイオンを注入し、該ウェーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後、該イオンを注入した方の面を、絶縁膜（特に酸化膜）を介して他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）と密着させ（貼り合わせ）、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウェーハ（ボンドウェーハ）を薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合してＳＯＩウェーハとする技術である（特許文献１参照）。この段階では、劈開面（剥離面）がＳＯＩ層の表面となり、ＳＯＩ膜厚が薄くてかつ均一性も高いＳＯＩウェーハが比較的容易に得られている。
【０００３】
従来、貼り合わせＳＯＩウェーハのベースウェーハは、支持基板としてＳＯＩ層を支持するための基板であったが、近年では埋め込み絶縁膜層（特に、ＢＯＸ層と呼ばれる埋め込み酸化膜層）の下地までトレンチ等で分離しデバイス構造の一部として使用する例が増加してきた。このようなデバイス構造の一部として使用する領域を形成する方法の一つとして、ドーパントをコントロールしてエピタキシャル層を形成したウェーハ（エピタキシャルウェーハ）を作製し、これをベースウェーハとして用いたＳＯＩウェーハの製造が行われるようになっている。
【０００４】
また、絶縁膜を介さずにウェーハ同士を貼り合わせる直接接合ウェーハにおいても、貼り合わせる材料ウェーハ（ボンドウェーハとベースウェーハの少なくともいずれか一方）として、エピタキシャルウェーハを用いる例がある。
【０００５】
上記の絶縁膜を介してボンドウェーハとベースウェーハを接合する場合及び直接ボンドウェーハとベースウェーハを接合する場合のいずれの場合でも、薄膜化後の貼り合わせウェーハには、テラス部と呼ばれる領域が存在する。このテラス部は、ベースウェーハ上に薄膜が存在しない領域である。これは、貼り合わせられる前の２枚のウェーハの周辺部には厚さが僅かに薄くなった研磨ダレと呼ばれる部分や面取り部が存在し、その部分が貼り合わせによって結合されないか、結合力が弱い未結合部分として残ることに起因する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２１１１２８号公報
【特許文献２】特開２０１３−４７６０号公報
【特許文献３】特開２００６−２７００３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のようにエピタキシャルウェーハを材料ウェーハとして用いた貼り合わせウェーハでは、薄膜化後のテラス部の形状が、一部の領域における形状がそれ以外の領域の形状よりも広がる部分が生じるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、エピタキシャルウェーハをボンドウェーハ又はベースウェーハに使用した場合において、テラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとし、該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【００１０】
このような貼り合わせウェーハの製造方法であれば、エピタキシャル成長を行う前のウェーハの洗浄として枚葉式スピン洗浄を行うので、洗浄の際に、ウェーハとウェーハ支持具の接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにすることができる。そのため、ウェーハにエピタキシャル成長を行っても、貼り合わせが行われる面への微小な凸状の欠陥の成長を避けることができる。その結果、貼り合わせウェーハにおいて、全周にわたってテラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができる。
【００１１】
このとき、前記ベースウェーハとして、前記エピタキシャルウェーハを用いることができる。
【００１２】
このように、ベースウェーハをエピタキシャルウェーハを用いる場合に特に好適に本発明の貼り合わせウェーハの製造方法を用いることができる。
【００１３】
また、本発明は、ベースウェーハ上に直接あるいは絶縁膜を介して薄膜が貼り合わせられている貼り合わせウェーハであって、前記ベースウェーハがエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハであり、前記ベースウェーハの外周部上面のうち前記薄膜が形成されていない部分であるテラス部において、前記エピタキシャル層の成長に起因する凸欠陥であるエピタキシャル欠陥が存在しないものであることを特徴とする貼り合わせウェーハを提供する。
【００１４】
このような貼り合わせウェーハであれば、エピタキシャルウェーハをベースウェーハとして用いた貼り合わせウェーハであっても、テラス幅が小さい貼り合わせウェーハとすることができる。このような貼り合わせウェーハであれば、実効面積が多く、外周近くまでデバイス形成に使用することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法であれば、エピタキシャルウェーハをボンドウェーハ及びベースウェーハのいずれか一方に使用した場合において、テラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができる。また、本発明の貼り合わせウェーハであれば、テラス部が一部の領域で広がってしまうことがなく、テラス幅が小さい貼り合わせウェーハとすることができる。このような貼り合わせウェーハであれば、実効面積が多く、外周近くまでデバイス形成に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示すフロー図である。
【図２】エピタキシャル成長前の洗浄をバッチ式洗浄により行ったエピタキシャルウェーハをベースウェーハとして用いた貼り合わせＳＯＩウェーハ（従来の貼り合わせＳＯＩウェーハ）の外周部の顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
上述のように、エピタキシャルウェーハを材料ウェーハ（ボンドウェーハ及びベースウェーハの少なくともいずれか一方）に使用した場合においても、テラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法の開発が求められていた。
【００１８】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、以下のような知見を得た。エピタキシャルウェーハの製造方法では、エピタキシャル層を形成する直前に行われる洗浄（単に「エピ前洗浄」とも呼ばれる）は、通常、複数のウェーハをウェーハキャリアにセットして薬液に浸漬する洗浄（バッチ式洗浄）が主に用いられている。エピ前洗浄にバッチ式洗浄を用いると、ウェーハ外周部のキャリアとの接触部分及びその周辺に残存した接触痕や異物等を発生の原因として、エピ成長により、微小な凸状の欠陥が成長する場合がある。しかしながら、その発生領域はウェーハ外周端から０．５〜２ｍｍ程度の領域であるため、通常のエピタキシャルウェーハ検査工程では外周除外領域（デバイス作製に用いない領域）に該当し、不良とはならない。しかしながら、このような微小な凸状の欠陥があるウェーハを、イオン注入剥離法による貼り合わせウェーハを作製するための材料ウェーハ（ボンドウェーハ及びベースウェーハの少なくともいずれか一方）として用いると、凸状の欠陥の存在する部分が貼り合わせられずに、テラス部形状が他の領域に比べて広がってしまうという問題があることが新たに判明した。言い換えれば、エピタキシャルウェーハを貼り合わせウェーハの製造に用いなければ問題とならないことが、エピタキシャルウェーハを貼り合わせウェーハの製造に用いることによって問題となることが明らかとなった。
【００１９】
図２は、エピ前洗浄をバッチ式洗浄により行ったエピタキシャルウェーハをベースウェーハとして用いた貼り合わせＳＯＩウェーハの外周部の顕微鏡写真である。図２（ａ）は貼り合わせＳＯＩウェーハの外周部を、ＳＯＩ層側から撮影した顕微鏡写真である。図２（ａ）では、ベースウェーハ表面がテラス部として存在しており、多くの領域では、外周端から内側に略一定幅でテラス部が形成されている。テラス部の内側に薄膜（ＳＯＩ層）の表面が観察される。図２（ａ）で示した範囲のうち、右側にテラス部に不良が認められると判定された領域が存在する。この領域では、その他の領域よりもテラス幅が広がってしまっている（テラス変形）。このテラス部の不良は「ボイド欠陥」とも呼ばれる。この不良部分には上述の微小な凸状の欠陥が存在している。図２（ｂ）は、この微小な凸状欠陥を拡大観察した顕微鏡写真である。図２（ｂ）で観察されるような扁平ピラミッド型の微小な凸状欠陥（「エピタキシャル欠陥」とも呼ぶ）がウェーハのエッジ部付近に存在しており、これがテラス変形の原因になっている。
【００２０】
本発明者らは、この知見を基にさらに鋭意検討し、イオン注入剥離法により貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハ及びベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いる場合であっても、該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことにより、エピタキシャルウェーハ上の貼り合わせ領域に微小な凸状欠陥を形成しないようにすることができ、その結果、テラス部が一部の領域で広がってしまうことがなく、テラス幅の小さい貼り合わせウェーハを製造することができることを見いだし、本発明を完成させた。
【００２１】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２２】
まず、ボンドウェーハ及びベースウェーハを準備する。ここで、ボンドウェーハ及びベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを準備する。エピタキシャルウェーハとしては、例えば鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させたものとすることができる。また、エピタキシャル成長を行わないウェーハについても、例えば鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハなどを好適に用いることができる。本発明では、エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄（エピ前洗浄）を枚葉式スピン洗浄により行う。枚葉式スピン洗浄でエピ前洗浄を行うことにより、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにすることができるので、洗浄後のウェーハにエピタキシャル成長を行っても、貼り合わせが行われる面への微小な凸状の欠陥の成長を避けることができる。
【００２３】
枚葉式スピン洗浄は、半導体ウェーハを洗浄する方法の一つとして知られており、例えば特許文献２に記載されている様に、ＨＦ洗浄、オゾン水洗浄、ＨＦ洗浄の順で行う洗浄工程を少なくとも１回有する洗浄を行うことによって、半導体ウェーハ表面における金属不純物レベルとパーティクルレベルを同時に低減させることができる洗浄方法である。ただし、薬液はこの組み合わせに限られず、目的に応じて適切なものを採用することができる。例えば、ＳＣ１洗浄液とＳＣ２洗浄液の組み合わせも採用することができる。
【００２４】
次に、任意の工程として、ボンドウェーハとベースウェーハの少なくともいずれか一方の表面に絶縁膜を形成する。この絶縁膜の形成方法は特に限定されず、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いることができ、酸化膜である場合は熱酸化法も用いることができる。絶縁膜を形成せずに直接ボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせて貼り合わせウェーハを製造する場合には、この絶縁膜は形成しない。
【００２５】
次に、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する。この際、所望の膜厚の薄膜を得ることができるように、イオン注入加速電圧（加速エネルギー）を選択する。
【００２６】
次に、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせる。貼り合わせは室温で行うことができる。
【００２７】
次に、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する。剥離する際には、例えば４００〜６００℃程度の剥離熱処理など公知の方法で剥離を行えばよい。また、少なくとも一方の貼り合わせ面に予めプラズマ処理を施すことによって、熱処理を加えずに（あるいは、剥離しない程度の熱処理を加えた後）、外力を加えて剥離することもできる。
【００２８】
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、エピ前洗浄に枚様式スピン洗浄を行えばよく、上記以外の各種工程を含んでいてもよい。例えば、必要に応じて、貼り合わせ前に洗浄を行ったり、剥離熱処理後により高温で、貼り合わせ強度を高める結合熱処理を行っても良い。
【００２９】
本発明では、特に、ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いることができる。これにより、上記のように近年増加している、ＳＯＩウェーハの埋め込み絶縁膜層の下地までトレンチ等で分離しデバイス構造の一部として使用する場合に適用することができる。
【００３０】
また、ベースウェーハとしてエピタキシャルウェーハを用いた場合、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法であれば、ベースウェーハ上に直接あるいは絶縁膜を介して薄膜が貼り合わせられている貼り合わせウェーハであって、ベースウェーハがエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハとすることができる。この貼り合わせウェーハでは、ベースウェーハの外周部上面のうち薄膜が形成されていない部分であるテラス部において、エピタキシャル層の成長に起因する凸欠陥であるエピタキシャル欠陥が存在しないものとすることができる。このような貼り合わせウェーハであれば、エピタキシャルウェーハをベースウェーハとして用いた貼り合わせウェーハであっても、テラス幅が小さい貼り合わせウェーハとすることができる。このような貼り合わせウェーハであれば、実効面積が多く、外周近くまでデバイス形成に使用することができる。
【００３１】
以下、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法について、より具体的に、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例を示すフロー図であり、この図では、ボンドウェーハに絶縁膜として酸化膜（貼り合わせた後、埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）となる酸化膜）を形成し、ＳＯＩウェーハを製造する例を示している。また、ベースウェーハのみをエピタキシャルウェーハとする例を示している。
【００３２】
図１の貼り合わせウェーハの製造方法では、まず、図１（ａ）に示したように、ボンドウェーハの表面に絶縁膜として酸化膜を形成する（工程ａ）。この酸化膜は、ボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせた後、埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）となる酸化膜である。そのため、この工程は「ＢＯＸ酸化」と呼ぶことができる。この酸化膜の形成方法は上記のように特に限定されず、熱酸化法、ＣＶＤ法等を用いることができる。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示したように、工程ａで酸化膜を形成したボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する（工程ｂ）。
【００３４】
貼り合わせ前のボンドウェーハに対する処理（工程ａ、ｂ）とは別に、ベースウェーハを以下のようにして準備する。
【００３５】
ベースウェーハにはエピタキシャル成長を行う（工程ｄ）が、その前に、図１（ｃ）に示したように、洗浄を行う（エピ前洗浄、工程ｃ）。本発明では、このエピ前洗浄を、枚葉式スピン洗浄で行う。上記のように、枚葉式スピン洗浄でエピ前洗浄を行うことにより、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにすることができるので、エピタキシャル成長を行っても、貼り合わせが行われる面への微小な凸状の欠陥の成長を避けることができる。
【００３６】
次に、図１（ｄ）に示したように、洗浄を行ったベースウェーハに対してエピタキシャル成長を行う（エピ成長、工程ｄ）。
【００３７】
なお、工程ａ、ｂと、工程ｃ、ｄとは、どちらを先に行っても良いし、平行して行うこともできる。
【００３８】
次に、図１（ｅ）に示したように、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを、ボンドウェーハに形成した酸化膜を介して貼り合わせる（工程ｅ）。ここで、ベースウェーハの貼り合わせる表面は、エピタキシャル層が形成されている面である。
【００３９】
次に、図１（ｆ）に示したように、剥離熱処理を行って、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させる（工程ｆ）。これによって、ベースウェーハ上に埋め込み酸化膜及び薄膜（ＳＯＩ層）を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造することができる。
【００４０】
最後に、図１（ｇ）に示したように、製造した貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部を観察し、貼り合わせ後の状態を評価することができる（工程ｇ）。
【００４１】
なお、特許文献３には、関連技術として、ＨＦスピン洗浄を行った後にエピ成長を行うことが記載されてはいるものの、ＨＦスピン洗浄及びエピ成長を行う対象はＳＯＩウェーハそのものであるため、本発明と相違する。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
図１に記載した方法により、貼り合わせウェーハを製造した。
【００４４】
まず、ボンドウェーハとして、直径３００ｍｍ、面方位（１００）、導電型がｐ型、抵抗率が１０Ωｃｍである単結晶シリコンウェーハを準備した。このボンドウェーハの表面に、埋め込み酸化膜となる酸化膜を熱酸化により２００ｎｍの厚さで形成した（ＢＯＸ酸化、工程ａ）。次に、このボンドウェーハに対し、イオン注入を行った。イオン注入条件は、注入イオンをＨ＋イオン、加速電圧を４８．７ｋｅＶ、ドーズ量を７．５×１０１６／ｃｍ２とした。
【００４５】
次に、ベースウェーハとして、以下のようにエピタキシャルウェーハを準備した。エピタキシャル成長を行う成長用基板として、直径３００ｍｍ、面方位（１００）、導電型がｎ型、抵抗率が１０Ωｃｍである単結晶シリコンウェーハを準備した。次に、この成長用基板に対して、枚様式スピン洗浄を行った（工程ｃ）。枚様式スピン洗浄は、（１）オゾン水洗浄（１０ｐｐｍ、常温、１５秒）、（２）ＨＦ水溶液洗浄（１ｗｔ％，常温，１５秒）を２回繰り返した（すなわち、（１）、（２）、（１）、（２））。
【００４６】
次に、成長用基板上にエピタキシャル層を成長させた（工程ｄ）。成長条件は、成長温度：１１００℃、膜厚：３．５μｍ、導電型はｎ型（リンドープ）、抵抗率は０．００１Ωｃｍとした。このようにしてベースウェーハとしてエピタキシャルウェーハを準備した。
【００４７】
次に、以上のようにして準備したボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせた（工程ｅ）。貼り合わせ前に両ウェーハを洗浄し、洗浄後、室温で貼り合わせを行った。
【００４８】
次に、ベースウェーハと貼り合わせた状態のボンドウェーハを、剥離熱処理によりイオン注入層で剥離した（工程ｆ）。剥離熱処理の条件は、５００℃、３０分、Ａｒ雰囲気とした。
【００４９】
以上のようにして貼り合わせＳＯＩウェーハを製造した。この貼り合わせＳＯＩウェーハの評価として、顕微鏡観察によるテラス幅を測定した（工程ｇ）。テラス幅がウェーハ全周にわたり１．７ｍｍ以下を合格とした。また、同一の条件で多数のウェーハを製造し、不良率を算出した。この不良率は、テラス幅が不良であった貼り合わせＳＯＩウェーハの枚数を不良枚数として、製造枚数との比率から計算した。
【００５０】
［実施例２］
エピ前洗浄の方法を変更したこと以外、実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの製造を行った。エピ前洗浄の洗浄方法は、枚様式スピン洗浄であることは実施例１と同じであるが、薬液をＳＣ１洗浄（７０℃、１２０秒）とＳＣ２洗浄（５０℃、１２０秒）の組み合わせとした。
【００５１】
［比較例］
エピ前洗浄の方法を変更したこと以外、実施例２と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの製造を行った。エピ前洗浄の洗浄方法は、ウェーハキャリアを使用したバッチ式洗浄とした。バッチ式洗浄で用いた薬液は、実施例２と同じく、ＳＣ１洗浄（７０℃、１２０秒）とＳＣ２洗浄（５０℃、１２０秒）の組み合わせとした。
【００５２】
実施例１、２、比較例の実施条件と、評価結果を表１にまとめた。
【００５３】
【表１】
2018164006.tif 000003
【００５４】
表１に示すように、エピ前洗浄に枚様式スピン洗浄を用いた実施例１、２では、不良率がそれぞれ０．５％、１％と、比較例よりも格段に低く、本発明の効果が得られた。比較例は実施例２と薬液の組み合わせが同じであるが、エピ前洗浄にバッチ式洗浄を用いたことにより実施例２と比べて不良率が高かった。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
2018164006.tif 000004
【図２】
2018164006.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月20日(2018.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、エピ前洗浄に枚葉式スピン洗浄を行えばよく、上記以外の各種工程を含んでいてもよい。例えば、必要に応じて、貼り合わせ前に洗浄を行ったり、剥離熱処理後により高温で、貼り合わせ強度を高める結合熱処理を行っても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、ベースウェーハとして、以下のようにエピタキシャルウェーハを準備した。エピタキシャル成長を行う成長用基板として、直径３００ｍｍ、面方位（１００）、導電型がｎ型、抵抗率が１０Ωｃｍである単結晶シリコンウェーハを準備した。次に、この成長用基板に対して、枚葉式スピン洗浄を行った（工程ｃ）。枚葉式スピン洗浄は、（１）オゾン水洗浄（１０ｐｐｍ、常温、１５秒）、（２）ＨＦ水溶液洗浄（１ｗｔ％，常温，１５秒）を２回繰り返した（すなわち、（１）、（２）、（１）、（２））。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［実施例２］
エピ前洗浄の方法を変更したこと以外、実施例１と同様にして貼り合わせＳＯＩウェーハの製造を行った。エピ前洗浄の洗浄方法は、枚葉式スピン洗浄であることは実施例１と同じであるが、薬液をＳＣ１洗浄（７０℃、１２０秒）とＳＣ２洗浄（５０℃、１２０秒）の組み合わせとした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
表１に示すように、エピ前洗浄に枚葉式スピン洗浄を用いた実施例１、２では、不良率がそれぞれ０．５％、１％と、比較例よりも格段に低く、本発明の効果が得られた。比較例は実施例２と薬液の組み合わせが同じであるが、エピ前洗浄にバッチ式洗浄を用いたことにより実施例２と比べて不良率が高かった。