(57)【要約】【課題】  従来技術から吸着ツールの冷却時間の省略を可能にすることにより、フリップチップ実装の生産効率を著しく高くするフリップチップ実装方法を提供する。【解決手段】  （Ａ）半導体チップ１０を、回路面を下にして、支持具４０の下に載置するチップ準備工程と、（Ｂ）回路上に、熱硬化性樹脂と硬化剤の反応基の当量比が０．５〜０．７５である絶縁性樹脂組成物層３０を形成する回路基板２０準備工程と、（Ｃ）半導体チップ１０をピックアップして、支持具４０の吸着面に吸着させる、チップピックアップ工程と、（Ｄ）半導体チップ１０を加熱しながら、半導体チップ１０の回路面を回路基板２０の絶縁樹脂組成物層３０に押圧して、回路基板２０と半導体チップ１０とを接続するチップ実装工程とを、有し、（Ｄ）工程後、支持具４０の冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行うことを特徴とするフリップチップ実装方法である。【選択図】      図６
2018164062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）回路面に、先端に接合金属を有する突起電極が形成された半導体チップを、回路面を下にして、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具の下に載置するチップ準備工程と、
（Ｂ）回路基板の回路上に、熱硬化性樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が０．５〜０．７５である絶縁性樹脂組成物層を形成する回路基板準備工程と、
（Ｃ）空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具を上方から近づけ、回路面に突起電極が形成された半導体チップを、ピックアップして、支持具の吸着面に吸着させる、チップピックアップ工程と、
（Ｄ）支持具により吸着された半導体チップを加熱しながら、半導体チップの回路面を回路基板の絶縁樹脂組成物層に押圧して、回路基板と半導体チップとを接続するチップ実装工程とを、この順に、有し、
（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の、支持具の吸着面と半導体チップの上面との距離が０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲であり、
（Ｄ）工程後、支持具の冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行うことを特徴とする、フリップチップ実装方法。
【請求項２】
（Ｄ）工程において、２１０℃〜２８０℃で加熱して、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と半導体チップとを電気的接続する、請求項１記載のフリップチップ実装方法。
【請求項３】
（Ｄ）工程において、支持具以外の加熱により、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と前記半導体チップとを電気的接続する、請求項２記載のフリップチップ実装方法。
【請求項４】
（Ｄ）工程後、さらに、加圧オーブンにより、０．５〜１．０ＭＰａであり、かつ１５０〜１８０℃で、回路基板に形成された絶縁性樹脂組成物層を硬化させる、請求項１〜３のいずれか１項記載のフリップチップ実装方法。
【請求項５】
回路基板に形成される絶縁性樹脂組成物層が、無機充填剤を２０〜７０質量％含む、請求項１〜４のいずれか１項記載のフリップチップ実装方法。
【請求項６】
（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の支持具の温度が、１８０〜３００℃である、請求項１〜５のいずれか１項記載のフリップチップ実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装方法に関する。特に、生産性に優れたフリップチップ実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器のさらなる配線等の高密度化、高周波化に対応可能な半導体パッケージの実装方式として、フリップチップボンディングが利用されている。一般的に、フリップチップボンディングでは、半導体チップに形成されたはんだバンプと、基板に形成されたはんだめっきされた配線とをはんだ付けした後、半導体チップと基板の間隙を、絶縁性樹脂組成物と呼ばれる材料で封止する。
【０００３】
通常、フリップチップボンディングでは、半導体チップと基板をはんだ付け等で接合した後、半導体チップと基板の間隙に、熱硬化性の半導体樹脂封止組成物であるアンダーフィル剤を充填する（以下、「後供給型」という）。しかしながら、近年では、まず、アンダーフィル剤を基板に塗布し、半導体チップを載せた後、アンダーフィル剤の硬化と、半導体チップと基板の接続とを同時に行うことにより、工程の短縮および硬化時間の短縮を可能とし、その結果、低コストかつ低エネルギーで作製できる、先供給型フリップチップボンディングプロセスが注目され、このプロセス向けの封止材樹脂組成物（以下、「先供給型封止用樹脂組成物」という）への要求が高まっている。
【０００４】
この先供給型フリップチップボンディングプロセスに関して、半導体チップの実装前に、半導体チップの回路面に予め絶縁性樹脂層を形成しておき、回路基板への実装と同時に半導体チップと回路基板との間の樹脂封止を行うフリップチップ実装方法において、半導体チップを回路基板に効率よく実装することができるフリップチップ実装方法を提供することを目的として、回路面に突起電極を有しかつ前記回路面に絶縁性樹脂層が形成された半導体チップを、前記回路面を下にして支持具上に載置するチップ準備工程と、前記支持具上に載置された前記半導体チップに対して、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する吸着手段を上方から近づけ、前記吸着面が前記半導体チップと接触しない位置で、前記吸引孔による空気の吸引により前記半導体チップを前記支持具上からピックアップして前記吸着面に非接触で吸着させるチップピックアップ工程と、前記半導体チップを加熱しながら前記吸着手段により前記半導体チップの前記回路面を回路基板に押圧して、前記回路基板と前記半導体チップとを電気的に接続するチップ実装工程とを備えるフリップチップ実装方法が、報告されている（特許文献１）。
【０００５】
上記フリップチップ実装方法の大きな特徴は、「吸着ツール７が、ボンディングステージ８上方の待機位置に戻ると、図１に示すように、吸着ツール７は再び、支持具６上方に移送され、支持具６から次の新たな半導体チップ１０を同様に非接触で吸い上げてピックアップする。このとき、吸着ツール７は、上記したチップ実装工程において、半導体チップ１０と回路基板４とのボンディングのために、約２２０℃〜３２０℃の高温に加熱されているので、この熱によって、半導体チップ１０ピックアップ時に、支持具６上の半導体チップ１０の絶縁樹脂層３の溶融を防ぐためには、予め、実装後の吸着ツール７を冷却する必要がある」（特許文献１の第００２８段落）ことである。
【０００６】
しかしながら、上記フリップチップ実装方法では、実装後の吸着ツールを冷却するため、吸着ツールを冷却するための時間が必要となり、この吸着ツールの冷却時間が、生産効率を低下させてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１７４８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来技術から吸着ツールの冷却時間の省略を可能にすることにより、フリップチップ実装の生産効率を著しく高くするフリップチップ実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決したフリップチップ実装方法に関する。
〔１〕（Ａ）回路面に、先端に接合金属を有する突起電極が形成された半導体チップを、回路面を下にして、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具の下に載置した後、半導体チップを支持具の吸着面に吸着するチップ準備工程と、
（Ｂ）回路基板の回路上に、熱硬化性樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が０．５〜０．７５である絶縁性樹脂組成物層を形成する回路基板準備工程と、
（Ｃ）空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具を上方から近づけ、回路面に突起電極が形成された半導体チップを、ピックアップして、支持具の吸着面に吸着させる、チップピックアップ工程と、
（Ｄ）支持具により吸着された半導体チップを加熱しながら、半導体チップの回路面を回路基板の絶縁樹脂組成物層に押圧して、回路基板と半導体チップとを接続するチップ実装工程とを、この順に、有し、
（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の、支持具の吸着面と半導体チップの上面との距離が０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲であり、
（Ｄ）工程後、支持具の冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行うことを特徴とする、フリップチップ実装方法。
〔２〕（Ｄ）工程において、２１０℃〜２８０℃で加熱して、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と半導体チップとを電気的接続する、上記〔１〕記載のフリップチップ実装方法。
〔３〕（Ｄ）工程において、支持具以外の加熱により、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と前記半導体チップとを電気的接続する、上記〔２〕記載のフリップチップ実装方法。
〔４〕（Ｄ）工程後、さらに、加圧オーブンにより、０．５〜１．０ＭＰａであり、かつ１５０〜１８０℃で、回路基板に形成された絶縁性樹脂組成物層を硬化させる、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載のフリップチップ実装方法。
〔５〕回路基板に形成される絶縁性樹脂組成物層が、無機充填剤を２０〜７０質量％含む、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載のフリップチップ実装方法。
〔６〕（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の支持具の温度が、１８０〜３００℃である、上記〔１〕〜〔５〕のいずれか記載のフリップチップ実装方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明〔１〕によれば、従来技術から吸着ツールの冷却時間の省略を可能にすることにより、フリップチップ実装の生産効率を著しく高くするフリップチップ実装方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（Ａ）チップ準備工程の模式図である。
【図２】回路基板の模式図である。
【図３】（Ｂ）回路基板準備工程の模式図である。
【図４】（Ｃ）チップピックアップ工程の模式図である。
【図５】（Ｄ）チップ実装工程の直前の模式図である。
【図６】（Ｄ）チップ実装工程の模式図である。
【図７】フリップチップ実装体の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のフリップチップ実装方法は、（Ａ）回路面に、先端に接合金属を有する突起電極が形成された半導体チップを、回路面を下にして、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具の下に載置するチップ準備工程と、
（Ｂ）回路基板の回路上に、熱硬化性樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が０．５〜０．７５である絶縁性樹脂組成物層を形成する回路基板準備工程と、
（Ｃ）空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具を上方から近づけ、回路面に突起電極が形成された半導体チップを、ピックアップして、支持具の吸着面に吸着させる、チップピックアップ工程と、
（Ｄ）支持具により吸着された半導体チップを加熱しながら、半導体チップの回路面を回路基板の絶縁樹脂組成物層に押圧して、回路基板と半導体チップとを接続するチップ実装工程とを、この順に、有し、
（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の吸着面と半導体チップとの距離が０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲であり、
（Ｄ）工程後、支持具の冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行うことを特徴とする。
【００１３】
図１〜７に、本発明のフリップチップ実装方法の一例の模式図を示す。図１に、（Ａ）チップ準備工程の模式図を示す。図１に示すように、（Ａ）工程では、回路面１３に、先端に接合金属１２を有する突起電極１３が形成された半導体チップ１０を、回路面１３を下にして、空気の吸引孔４１を備えた吸着面を下面に有する支持具４０の下に載置する。
【００１４】
図２に、回路基板の模式図を示す。図２では、回路基板２０は、回路２１を有する。図３に、（Ｂ）回路基板準備工程の模式図を示す。図３に示すように、（Ｂ）工程では、回路基板２０の回路上に絶縁性樹脂組成物層３０を形成する。
【００１５】
図４に、（Ｃ）チップピックアップ工程の模式図を示す。図４に示すように、（Ｃ）工程では、空気の吸引孔４１を備えた吸着面４２を下面に有する支持具４０を上方から近づけ、回路面１３に突起電極１２が形成された半導体チップ１０を、ピックアップして、支持具４０の吸着面４２に吸着させる。図４からはわからないが、支持具４０の吸着面４２と半導体チップ１０との距離は、０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲である。
【００１６】
図５に、（Ｄ）チップ実装工程の直前の模式図を示す。図５では、半導体チップの突起電極先１２と、回路基板２０の回路２１の位置合わせをする。図６に、（Ｄ）チップ実装工程の模式図を示す。図６に示すように、（Ｄ）工程では、支持具４０により吸着された半導体チップ１０を加熱しながら、半導体チップ１０の回路面１３を回路基板２０上の絶縁樹脂組成物層３０に押圧して、回路基板２０と半導体チップ１０とを接続する。
【００１７】
図７に、フリップチップ実装体の模式図を示す。（Ｄ）工程後、支持具を取り外し、フリップチップ実装体１が、得られる。図には記載されていないが、取り外した支持具は、冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行う。以下、工程順に、詳細に説明する。
【００１８】
〔（Ａ）工程〕
（Ａ）工程のチップ準備工程チップ準備工程では、回路面に、先端に接合金属を有する突起電極が形成された半導体チップを、回路面を下にして、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する支持具の下に載置した後、半導体チップを支持具の吸着面に吸着する。
【００１９】
回路面に、先端に接合金属を有する突起電極が形成された半導体チップは、特に、限定されないが、突起電極は、例えば、銅バンプや銅ピラー上に接合金属が形成されたものが、挙げられる。接合金属には、錫、鉛、銅、ビスマス、銀、亜鉛、インジウム等からなるハンダ合金等を使用することができ、環境問題から、鉛フリーハンダ合金である錫銀系が、好ましい。
【００２０】
支持具は、例えば、セラミックスなどの高熱伝導性の材料で形成され、上下方向に昇降動作可能であり、かつ回路基板を吸着保持する実装用装置のボンディングステージとの間を、往復動作可能である。支持具の下面には、吸引孔が形成されている。この吸引孔は、配管を介してポンプと接続され、ポンプによる空気吸引により吸引孔に吸引力を発生させる。
【００２１】
〔（Ｂ）工程〕
（Ｂ）工程の回路基板準備工程では、回路基板の回路上に、樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が０．５〜０．７５である絶縁性樹脂組成物層を形成する。
【００２２】
基板には、エポキシ樹脂、ガラス−エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。配線には、銅等が、挙げられる。配線上には、はんだめっきがなされていてもよく、はんだとしては、環境問題から、鉛フリーハンダ合金である錫銀銅系が好ましい。
【００２３】
絶縁性樹脂組成物は、特に限定されないが、以下、好ましい絶縁性樹脂組成物であるエポキシ樹脂組成物について説明する。絶縁性樹脂組成物は、少なくとも（ＵＡ）熱硬化性樹脂、（ＵＢ）硬化剤を含むと好ましい。
【００２４】
（ＵＡ）成分としては、信頼性の観点から、エポキシ樹脂が、好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、アミノフェノール系エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、エーテル系またはポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が、絶縁性樹脂組成物のガラス転移点、耐リフロー性、および耐湿性の観点から好ましい。
【００２５】
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、好ましくは、式（１）：
【００２６】
【化１】
2018164062.tif 000003
【００２７】
で示され、式中、ｎは平均値を表し、好ましくは０〜６、より好ましくは０〜３である。エポキシ当量は、１５０〜９００ｇ／ｅｑが好ましい。
【００２８】
アミノフェノール系エポキシ樹脂は、好ましくは、式（２）：
【００２９】
【化２】
2018164062.tif 000004
【００３０】
で示され、２個の官能基がオルト位、またはパラ位にあるものがより好ましい。
【００３１】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、好ましくは、式（３）：
【００３２】
【化３】
2018164062.tif 000005
【００３３】
で示され、式中、ｍは平均値を表し、好ましくは０〜６、特に好ましくは０〜３である、エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ当量は、１７０〜１０００ｇ／ｅｑが好ましい。
【００３４】
（ＵＡ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。
【００３５】
（ＵＢ）成分としては、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられ、アミン系硬化剤が、絶縁性樹脂組成物の耐リフロー性、および耐湿性の観点から好ましい。
【００３６】
アミン系硬化剤は、脂肪族ポリアミン；芳香族アミン；ポリアミノアミド、ポリアミノイミド、ポリアミノエステルおよびポリアミノ尿素等の変成ポリアミン；第三級アミン系；イミダゾール系；ヒドラジド系；ジシアンアミド系；メラミン系の化合物等が挙げられ、芳香族アミン系化合物が好ましい。
【００３７】
芳香族アミン系化合物は、１個の芳香族環を有する芳香族アミン化合物および／または２個の芳香族環を有する芳香族アミン化合物を含むことが、より好ましい。
【００３８】
１個の芳香族環を有する芳香族アミン化合物としては、メタフェニレンジアミン等が挙げられ、式（４）または式（５）：
【００３９】
【化４】
2018164062.tif 000006
【００４０】
【化５】
2018164062.tif 000007
【００４１】
で示されるものが、好ましい。
【００４２】
２個の芳香族環を有する芳香族アミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられ、式（６）または式（７）：
【００４３】
【化６】
2018164062.tif 000008
【００４４】
【化７】
2018164062.tif 000009
【００４５】
（式中、Ｒは、水素、または炭素数１〜５個のアルキル基を表す）で示されるものが好ましく、式（８）または式（９）でＲが炭素数２個のアルキル基であるものが、より好ましい。
【００４６】
（ＵＢ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。
【００４７】
また、（ＵＡ）熱硬化性樹脂の１当量に対して、（ＵＢ）硬化剤の当量は、０．５〜０．７５である。（ＵＢ）硬化剤の当量が０．５未満では、本発明のフリップチップ実装方法では、絶縁性樹脂組成物が硬化せず、一方、当量が０．７５を超えると、本発明のフリップチップ実装方法での（Ｄ）チップ実装工程中に、実装時に絶縁性樹脂組成物が硬化しまい、半導体チップと回路基板の電気接続を阻害してしまう。
【００４８】
絶縁性樹脂組成物は、さらに、（ＵＣ）フィラーを含むと、硬化後の絶縁性樹脂組成物の熱膨張係数の観点から好ましい。（ＵＣ）成分としては、シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、マイカ、ホワイトカーボン等が挙げられ、硬化後の絶縁性樹脂組成物の熱膨張係数の低下、およびコストの観点から、シリカが好ましい。シリカは、非晶質シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、粉砕シリカ、ナノシリカ等、当技術分野で使用される各種シリカを使用することができ、硬化後の絶縁性樹脂組成物の熱膨張係数低下の点から非晶質シリカが好ましい。（ＵＣ）成分の粒径は、半導体チップと基板の間隙への充填性の観点から０．１〜２．０μｍが好ましく、０．１〜１．０μｍがより好ましい。ここで、平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定する。また、（ＵＣ）成分の形状は、特に限定されず、球状、リン片状、不定形等が挙げられ、封止用液状樹脂組成物の流動性の観点から、球状が好ましい。
【００４９】
（ＵＣ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。
【００５０】
絶縁性樹脂組成物は、絶縁性樹脂組成物１００質量部に対して、（ＵＡ）成分を、好ましくは１０〜７０質量部、より好ましくは２０〜５０質量部含むことが、絶縁性樹脂組成物のガラス転移点、耐リフロー性、および耐湿性の観点から、好ましい。
【００５１】
また、絶縁性樹脂組成物１００質量部に対して、（ＵＣ）成分を、好ましくは２０〜７０質量部、より好ましくは３０〜５０質量部含むことが、絶縁性樹脂組成物の流動性、および硬化後の絶縁性樹脂組成物の熱膨張係数低下の観点から、好ましい。
【００５２】
絶縁性樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、カーボンブラックなどの顔料、染料、シランカップリング剤、消泡剤、酸化防止剤、その他の添加剤等、更に有機溶剤等を配合することができる。
【００５３】
絶縁性樹脂組成物は、例えば、（ＵＡ）成分〜（ＵＣ）成分およびその他の添加剤等を同時にまたは別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶融、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を使用することができる。また、これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
【００５４】
絶縁性樹脂組成物は、温度：２５℃での粘度が１〜１００Ｐａ・ｓであると、好ましい。ここで、粘度は、Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ社製粘度計（型番：ＤＶ−１）で測定する。
【００５５】
本発明のフリップチップ実装方法の後工程で行う絶縁性樹脂組成物の硬化は、１５０〜１８０℃で、９０〜１５０分間行うことが好ましい。
【００５６】
路基板の回路上に、上述の絶縁性樹脂組成物を、ディスペンサー等で塗布し、絶縁性樹脂組成物層を形成する。
【００５７】
絶縁性樹脂組成物層の厚さは、デバイスの厚みの観点から、１０〜２５０μｍであると、好ましい。
【００５８】
〔（Ｃ）工程〕
（Ｃ）工程のチップピックアップ工程では、支持具により吸着された半導体チップを加熱しながら、半導体チップの回路面を回路基板の絶縁樹脂組成物層に押圧して、回路基板と半導体チップとを接続する。この（Ｃ）工程においては、半導体チップのピックアップ時の、支持具の吸着面と半導体チップの上面との距離が０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲である。
【００５９】
支持具の吸着面と半導体チップの上面との距離が、１ｍｍを超えると、半導体チップを吸着できず、吸着エラーが発生する場合がある。一方、支持具の吸着面と半導体チップの上面との距離が、０．２ｍｍ未満であると、支持具からの輻射熱の影響で絶縁樹脂層が溶融し垂れ下がってしまう。
【００６０】
また、（Ｃ）工程において、半導体チップのピックアップ時の支持具の温度が、１８０〜３００℃であると、生産性の観点から、好ましい。
【００６１】
〔（Ｄ）工程〕
（Ｄ）工程のチップ実装工程では、支持具により吸着された半導体チップを加熱しながら、半導体チップの回路面を回路基板の絶縁樹脂組成物層に押圧して、回路基板と半導体チップとを接続する。
【００６２】
（Ｄ）工程で使用する装置としては、例えば、ダイボンダー等が、挙げられる。
【００６３】
（Ｄ）工程において、２１０℃〜２８０℃で加熱して、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と半導体チップとを電気的接続すると、生産性の観点から、好ましい。
【００６４】
（Ｄ）工程において、例えば、赤外線加熱、摩擦熱、熱風）等の支持具以外の加熱により、半導体チップの突起電極の先端の接合金属を溶融させ、接合金属が凝固することにより、回路基板と前記半導体チップとを電気的接続すると、生産性の観点から、より好ましい。
【００６５】
〔（Ｄ）工程の後工程〕
（Ｄ）工程後、支持具の冷却工程を設けずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行う。この（Ｄ）工程後、支持具の冷却工程を設けないことにより、本発明者らは、フリップチップ実装方法による１時間当たりの生産個数を、従来技術の約２．９倍に高める、という非常に顕著な効果を得ることができた。
【００６６】
また、（Ｄ）工程後、さらに、加圧オーブンにより、０．５〜１．０ＭＰａであり、かつ１５０〜１８０℃で、回路基板に形成された絶縁性樹脂組成物層を硬化させると、フリップチップ実装体の信頼性向上の観点から、好ましい。また、加圧オーブンによる加熱は、３０〜２４０分間であると、生産性の観点から、より好ましい。
【実施例】
【００６７】
本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、％はことわりのない限り、重量部、重量％を示す。
【００６８】
表１〜２に記載したビスフェノールＦ型エポキシ樹脂には、新日鐵住金化学株式会社ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（品名：ＹＤＦ８１７０、エポキシ当量：１５８ｇ／ｅｑ）を、
ナフタレン型エポキシ樹脂には、ＤＩＣ株式会社ナフタレン型エポキシ樹脂（品名：４０３２Ｄ、エポキシ当量：１４４ｇ／ｅｑ）を、
フィラーには、株式会社アドマテックス製シリカ（品名：ＳＯ−Ｅ２、平均粒径：０．５μｍ）を、
硬化剤には、株式会社ＡＤＥＫＡ製変性芳香族アミン型硬化剤（品名：ＥＨ−１０５Ｌ、アミン当量：６１ｇ／ｅｑ）を、
使用した。
また、無機基板には、株式会社ウォルツ製基板（品名：ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＩＰ８０−０１０１ＪＹ（ＳｉＮ）、幅：１０．０ｍｍ×長さ：１０．０ｍｍ×厚さ：０．７２５ｍｍ）を、
有機基板には、株式会社ウォルツ製基板（品名：ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ  ＣＣ８０−０１０２ＪＹ［ＭＡＰ］ＭｏｄｅｌＩ（Ｃｕ＋ＯＳＰ仕様）、幅：１７．０ｍｍ×長さ：１７．０ｍｍ×厚さ：０．３５６ｍｍ）を、
使用した。
製造工程の蘭の「冷却あり」は、（Ｄ）工程後、支持具の冷却を行った。
「冷却なし」は、（Ｄ）工程後、支持具の冷却を行わずに、次の半導体チップのフリップチップ実装を行った。
「リフロー」は、リフロー炉（ＨＥＬＬＥＲ製、型番：１８０９ＭＫＩＩＩ）を用い、
「ＰＯ」は、加圧オーブン（ＡｂｌｅＰｒｉｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．製、型番：ＶＦＳ−６０Ａ−ＪＰ）を用い、
「ＩＲ」は、赤外線加熱（ＰａｃＴｅｃ−Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ＧｍｂＨ製、型番：ＬＡＰＬＡＣＥ−ＦＣ）を用いた。
【００６９】
〔実施例１〜８、比較例１〜３〕
表１〜２に示す配合で、原料を秤量し、３本ロールミルを用いて混合し、熱硬化性樹脂組成物を調製し、表１〜２に示す組合せで評価を行った。
【００７０】
《（Ｂ）回路基板準備工程》
７０℃に加熱したパナソニックＦＳエンジニアリング株式会社製ダイボンダー（型番：ＦＣＢ３）上に載置した基板の回路上に、熱硬化性樹脂組成物を、エアーディスペンサーを用い、塗布量：４．０ｍｇ、フローマーク：クロスパターン（半導体チップの対角線を「×」の形状）で、塗布した。
【００７１】
《（Ｃ）チップピックアップ工程》
次に、半導体チップの回路面の反対面を、支持具であるセラミックス吸着ツールを用いて、ピックアップした。セラミックス吸着ツールは、ツールサイズ：７×７ｍｍ、ツール材質：セラミックス、ピックアップ温度：２００℃で、使用した。また、半導体チップの仕様は、株式会社ウォルツ製基板（品名：ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＣＣ８０−０１０１ＪＹ＿（ＳｉＮ）＿ＭｏｄｅｌＩ、幅：７．３ｍｍ×長さ：７．３ｍｍ×厚さ：０．７２５ｍｍ）であった。
【００７２】
《（Ｄ）チップ実装工程》
ダイボンダーで、実装荷重：４０Ｎ、実装時間：０．６秒で、チップを熱圧着し。回路基板と半導体チップとの電気接続を行い、評価用試料を作製した。
【００７３】
〔ボイドの評価〕
作成した試料のボイドの有無を、超音波顕微鏡（Ｃ−ＳＡＭ）画像，１５２８８０ピクセルを用い、観察した（ｎ＝１０）。ボイドがない場合を「◎」、ボイドが電極周辺になく、かつボイドが２個以下の場合を「○」、ボイドが電極周辺にある、またはボイドが３個以上の場合を「×」とした。表１、２に、結果を示す。
【００７４】
〔粘性の評価〕
１６５℃で２時間加熱した後の絶縁性樹脂組成物層の粘性を、攪拌棒によって円を描くようにして攪拌しながら攪拌棒を持ち上げて引き離した場合の糸引きの有無で確認した。絶縁性樹脂組成物層が硬化して、糸引きがなく粘性がなかった場合を「○」、絶縁性樹脂組成物層が硬化せず、糸引きがあり粘性があった場合を「×」とした。表１、２に、結果を示す。
【００７５】
【表１】
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【００７６】
【表２】
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【００７７】
表１〜２からわかるように、実施例１〜８の全てで、ボイド観察の結果が良好で、１６５℃、２時間で硬化した。特に、実施例１〜５、６〜８は、ボイドが全くなかった。これに対して、従来技術と同様に、（Ｄ）工程の後、支持具の冷却工程を設けた比較例１は、ボイドが観察された。熱硬化性樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が低すぎる比較例２は、絶縁性樹脂層が硬化しなかった。熱硬化性樹脂の反応基と、硬化剤の反応基との当量比が高すぎる比較例３は、ボイドが観察された。
【００７８】
以上のように、本発明のフリップチップ実装方法は、従来技術から吸着ツールの冷却時間の省略を可能にすることにより、フリップチップ実装の生産効率を著しく高くすることができ、非常に有用である。
【符号の説明】
【００７９】
１        フリップチップ実装体
１０      半導体チップ
１１      突起電極
１２      接合金属
１２Ａ    接合後の接合金属
１３      回路面
２０      回路基板
２１      回路
３０      絶縁性樹脂組成物層
４０      支持具
４１      空気の吸引孔
４２      吸着面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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