(57)【要約】【課題】鉄損および皮相電力の一層の低減を目的とし、所定の条件下において、磁束密度（Ｂ１）が１．５Ｔ以上でありながらも、鉄損（ＣＬ）が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力（ＶＡ）が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、優れた軟磁気特性を有するＦｅ基アモルファス合金薄帯を提供する。【解決手段】８０ａｔ％以上のＦｅ、１２ａｔ％以上のＢ、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉで構成され、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さおよび１００ｍｍ以上の幅を有する薄帯であって、前記薄帯の少なくとも一方の表面には、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様が形成されており、前記模様が形成された表面の模様形成部分を含まない表面粗さＲｚが４．０μｍ以下である、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯。【選択図】図１
2018164073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８０ａｔ％以上のＦｅ、１２ａｔ％以上のＢ、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉで構成され、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さおよび１００ｍｍ以上の幅を有する薄帯であって、前記薄帯の少なくとも一方の表面には、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様が形成されており、
前記模様が形成された表面の模様形成部分を含まない表面粗さＲｚが４．０μｍ以下である、
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯。
【請求項２】
６０Ｈｚの周波数で７９．５５７Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．５Ｔ以上であり、６０Ｈｚの周波数で１．４Ｔの磁束密度における鉄損が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、請求項１に記載のＦｅ基アモルファス合金薄帯。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種のトランス、パルス電源、並びに加速器電源などの各種磁性部品に好適である、磁束密度（Ｂ１）が大きいながらも鉄損および皮相電力が小さい、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体急冷法で製造されたＦｅ基アモルファス合金薄帯（以下、「薄帯」という。）は、結晶磁気異方性がなく、飽和磁束密度（Ｂｓ）が大きく、磁気ヒステリシス損失および保磁力が小さい、という優れた軟磁性を有し、各種のトランス、チョークコイル、可飽和リアクトル、磁気スイッチなどの磁心、磁気センサなどに使用されている。例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の薄帯は、磁気ヒステリシス損失および保磁力が小さく、熱的安定性がよいが、異常渦電流損失が、磁化が一様に変化するとしたときに求められる古典的渦電流損失の数十倍から１００倍も大きい。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の薄帯の渦電流損失の増加分（異常渦電流損失と古典的渦電流損失の差）は、薄帯の磁区幅が大きいことで不均一な磁化変化が起こるために生じると考えられており、渦電流損失（鉄損）の低減を目的とする薄帯の磁区幅の細分化が検討されてきた。
【０００３】
薄帯の磁区幅の細分化の方法としては、例えば、液体急冷法などで溶湯の表面張力の固有振動の変化を利用して薄帯の表面（自由面）に長手方向の周期が１ｍｍ〜５ｍｍ程度の波目模様状の形状的欠陥（チャターマーク）を形成する方法や、薄帯の表面に機械的に引っ掻き痕（形状的欠陥）を形成するスクラッチ法や、薄帯の表面にレーザ光を照射して複数の凹形状の溶融痕からなる点列模様（形状的欠陥）を形成するレーザ・スクライビング法が知られている。こうした形状的欠陥が表面に存在する薄帯では、その形状的欠陥が幾何学的な不連続状態を生じさせ、磁力線の直進を妨げ、漏れ磁束を発生させ、磁極を生じさせ、その磁極付近で逆磁区の核が発生し、磁区の細分化が起こる。
【０００４】
例えば、特許文献１は、薄帯の表面にパルスレーザ光を照射し、薄帯の幅方向に対する平均角度が３０度以下で、長手方向の周期（間隔）が１ｍｍ〜２０ｍｍの直線状あるいは曲線状の点列模様を形成することで、薄帯の鉄損と皮相電力を同時に改善するレーザ・スクライビング方法に関する。点列模様とは、レーザ光の照射で形成された円形状の溶融痕（点）の複数の並び（点列）で構成された模様である。特許文献１には、組成がＦｅ８０．５−Ｓｉ６．５−Ｂ１２−Ｃ１（ａｔ％）であり、厚さが６５μｍで幅が５０ｍｍである薄帯の幅方向に沿って長手方向の周期が５ｍｍの直線状に並ぶ点列模様を形成することで、当該薄帯から切り出して磁場中熱処理を施した後の単板の１Ｏｅ（約７９．５５７Ａ／ｍ）の磁場における磁束密度（Ｂ１）が１．５５Ｔとなり、５０Ｈｚの周波数で１．３Ｔの磁束密度における鉄損が０．０９５Ｗ／ｋｇとなることが記載されている。また、上記と同じ薄帯の幅方向に対する平均角度が約１１度の長手方向に正弦波状の点列模様を形成することで、当該点列模様が形成された薄帯を巻き回して磁場中熱処理を施した後の巻磁心の５０Ｈｚの周波数で１．３Ｔの磁束密度における鉄損が０．１３８Ｗ／ｋｇで皮相電力が０．１７３ＶＡ／ｋｇとなることが記載されている。
【０００５】
また、特許文献２は、表面（自由面）にチャターマークがある薄帯を対象とし、薄帯の自由面のチャターマークがない部分にチャターマークを補完するように直線状の点列模様を形成することで、薄帯の鉄損と皮相電力を同時に改善するレーザ・スクライビング方法に関する。特許文献２には、組成がＦｅbal−Ｓｉ３．７−Ｂ１４．３（ａｔ％）であり、厚さが２４．３μｍで幅が１７０ｍｍであり、全幅の８２％に長手方向の周期が２．１ｍｍのチャターマークがある薄帯の自由面にチャターマークを補完するように直線状の点列模様を形成することで、当該薄帯から切り出して磁場中熱処理を施した後の単板の５０Ｈｚの周波数で１．３Ｔの磁束密度における鉄損が０．０５Ｗ／ｋｇで皮相電力が０．０７ＶＡ／ｋｇとなることが記載されている。
【０００６】
また、特許文献３は、薄帯の幅方向に沿って、あるいは薄帯の幅方向に対して所定の角度で傾斜して、長手方向の周期が２ｍｍ〜２０ｍｍの直線状の点列模様を形成することで、薄帯の鉄損と皮相電力を同時に改善し、当該薄帯を用いた磁心の占積率（ＬＦ）を改善するレーザ・スクライビング方法に関する。特許文献３には、組成がＦｅ８０〜８２−Ｓｉ２〜１０−Ｂ１１〜１６（ａｔ％）であり、厚さが２３μｍ〜３０μｍで幅が５ｍｍである薄帯の幅方向に沿って長手方向の周期が５ｍｍの直線状の点列を形成することで、当該薄帯から切り出して磁場中熱処理を施した後の単板の５０Ｈｚの周波数で１．３Ｔの磁束密度における鉄損が０．０６Ｗ／ｋｇ〜０．０９Ｗ／ｋｇで皮相電力が０．１４ＶＡ／ｋｇ〜０．１７ＶＡ／ｋｇとなることが記載されている。また、当該薄帯から切り出した単板（長さ１２０ｍｍ）を２０枚重ねて磁場中熱処理を施した後の積層磁心の占積率（ＬＦ）が８９％〜９１％となることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２９１０３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１７４８２４号公報
【特許文献３】特開２０１２−１９９５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１〜３に記載のいずれのレーザ・スクライビング方法によっても、薄帯の表面には長手方向の周期が２０ｍｍ以下の点列模様が形成される。こうした点列模様の任意の点の近傍では、当該点によって不連続状態が生じて固定（ピン止め）された磁区の密度が高くなるため、磁化回転による磁化反転過程の割合が高くなる。そのため、薄帯全体の磁化が飽和するためには、大きな磁場が必要となる。例えば、１．６Ｔの飽和磁束密度をもつ薄帯では、磁壁移動の磁化反転に占める割合が８０％に達すると、動作磁束密度（Ｂｍ）が約１．３Ｔ以下であれば磁壁移動によって磁化反転が完了する。そのため、動作磁束密度（Ｂｍ）が１．３Ｔのときは皮相電力の増大が起こり難いが、動作磁束密度（Ｂｍ）が例えば１．４Ｔになると皮相電力が大きく増加する問題がある。
【０００９】
鉄損および皮相電力の抑制が優先された従来は１．３Ｔ以下の動作磁束密度（Ｂｍ）で使用されることが多かったが、より高いパワー密度が求められる最近は１．４０Ｔ〜１．４５Ｔ程度の動作磁束密度（Ｂｍ）での使用が検討されている。しかし、上述した従来のレーザ・スクライビング方法などでは十分に対応できない。そこで、本発明は、鉄損および皮相電力の一層の低減を目的とし、所定の条件下において、磁束密度（Ｂ１）が１．５Ｔ以上でありながらも、鉄損（ＣＬ）が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力（ＶＡ）が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、優れた軟磁気特性を有するＦｅ基アモルファス合金薄帯を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のＦｅ基アモルファス合金薄帯は、８０ａｔ％以上のＦｅ、１２ａｔ％以上のＢ、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉで構成され、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さおよび１００ｍｍ以上の幅を有する薄帯であって、前記薄帯の少なくとも一方の表面には、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様が形成されており、前記模様が形成された表面の模様形成部分を含まない表面粗さＲｚが４．０μｍ以下である。
【００１１】
また、本発明のＦｅ基アモルファス合金薄帯は、６０Ｈｚの周波数で７９．５５７Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．５Ｔ以上であり、６０Ｈｚの周波数で１．４Ｔの磁束密度における鉄損が０．１３ Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力が０．３３ ＶＡ／ｋｇ以下の軟磁気特性を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、鉄損および皮相電力が一層低減され、所定の条件下において、磁束密度（Ｂ１）が１．５Ｔ以上でありながらも、鉄損（ＣＬ）が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力（ＶＡ）が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、優れた軟磁気特性を有するＦｅ基アモルファス合金薄帯を提供することができる。よって、本発明のＦｅ基アモルファス合金薄帯を、例えば各種のトランス、パルス電源、並びに加速器電源などの各種磁性部品に適用することで、当該磁性部品の小型および高効率化が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】罫書模様のライン数／ライン周期と磁束密度（Ｂ１）の関係を示す図（グラフ）である。
【図２】罫書模様のライン数／ライン周期と鉄損（ＣＬ）の関係を示す図（グラフ）である。
【図３】罫書模様のライン数／ライン周期と皮相電力（ＶＡ）の関係を示す図（グラフ）である。
【図４】表面粗さＲｚと磁束密度（Ｂ１）の関係を示す図（グラフ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のＦｅ基アモルファス合金薄帯（以下、「薄帯」という。）は、８０ａｔ％以上のＦｅ（鉄）、１２ａｔ％以上のＢ（硼素）、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉ（珪素）で構成され、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さおよび１００ｍｍ以上の幅を有する薄帯であって、前記薄帯は、表面粗さＲｚが４μｍ以下である表面に対して、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様が形成されている。
【００１５】
本発明の薄帯は、例えば液体急冷法（単ロール法など）で作製できる。一般的な単ロール法で作製された薄帯は、剥離面および自由面を有して成る。なお、溶湯がロールの表面に接して急冷凝固して形成された側の面を剥離面と呼び、他方の面を自由面と呼ぶ。剥離面は、Ｆｅ基薄帯の第１の表面であって、非光沢面（自由面に対比して）でもある。また、自由面は、Ｆｅ基薄帯の第２の表面であって、光沢面（剥離面に対比して）でもある。
【００１６】
本発明における重要な特徴は、表面粗さＲｚが４μｍ以下である薄帯の表面に対して、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様が形成されていることである。本発明において、点状の凹部で構成された模様とは、点状の凹部が薄帯の幅方向に列状に連なって形成されていることが好ましい。そして、この列状に連なって形成されている点状の凹部が薄帯の長手方向に５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の周期で形成されていることが好ましい。なお、本発明では、点状または線状の凹部で構成された模様を「罫書模様」と呼び、表面粗さＲｚはＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３で規定される最大高さ粗さである。薄帯が、４μｍ以下の表面粗さＲｚの表面を有し、当該表面に上記罫書模様を有することにより、後述する所定の条件下において再現性よく、６０Ｈｚの周波数で７９．５５７Ａ／ｍの磁場における磁束密度（Ｂ１）が１．５Ｔ以上でありながらも、６０Ｈｚの周波数で１．４Ｔの磁束密度における鉄損（ＣＬ）が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力（ＶＡ）が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、優れた軟磁気特性を有することができる。
【００１７】
（罫書模様）
薄帯の表面に有する罫書模様は、当該罫書模様を構成する点状または線状の凹部によって長手方向に不連続状態を生じさせることで、磁力線の直進を妨げ、漏れ磁束を発生させ、磁極を生じさせ、その磁極付近で逆磁区の核を発生させ、磁区の細分化を発生させる。しかし、罫書模様の長手方向の周期が５０ｍｍ以下であると、当該罫書模様を構成する点状または線状の凹部によって不連続状態が生じて固定（ピン止め）された逆磁区（磁化しにくい成分）の割合が過剰になるため、薄帯全体の飽和性が低下して皮相電力（ＶＡ）が増大する。したがって、低い皮相電力（ＶＡ）を得るためには、周期は５０ｍｍ超であることが好ましい。また、罫書模様の長手方向の周期が１００ｍｍを超えるようになると、磁区の細分化の作用効果が薄帯全体に及び難くなるため、鉄損（ＣＬ）の低減効果が得られ難くなる。したがって、低い鉄損（ＣＬ）を得るためには、周期は１００ｍｍ以下であることが好ましい。
より好ましい周期の下限は６０ｍｍであり、更に好ましい周期の下限は７０ｍｍである。また、好ましい周期の上限は９５ｍｍであり、更に好ましい周期の上限は９０ｍｍである。
【００１８】
本発明における罫書模様は、薄帯を液体急冷法などで製造する際に形成されるチャターマークとは異なるものである。罫書模様は、例えば、レーザ・スクライビング法による点状や線状の複数の溶融痕（凹部）で構成された模様や、スクラッチ法（例えば罫書針を用いる方法）による点状や線状の複数の引っ掻き痕（凹部）で構成された模様や、レーザ・スクライビング法またはスクラッチ法による溝（凹部の連続）で構成された模様などであってよい。なお、薄帯表面の平面視において、模様を構成する複数の溶融痕のそれぞれの微視的形状は円形、楕円形、あるいは長丸形に近似し、模様を構成する複数の引っ掻き痕の微視的形状は長丸形に近似する。
罫書針による引っ掻き痕は、超硬チップを備えた精密罫書針を用いて、Ｖ字型凹部を形成できる。Ｖ字型凹部（罫書線）の平均深さ（薄帯表面からＶ字頂部までの平均深さ）は０．５μｍ〜５μｍ、平均幅（Ｖ字凹部の薄帯表面での開口幅）は１０μｍ〜１００μｍ、が好ましい。より好ましくは、平均深さ１μｍ〜４μｍ、平均幅２０μｍ〜７０μｍである。
また、本発明における罫書模様は、自由面の薄帯表面に形成しても、剥離面（自由面の反対面）の薄帯表面に形成しても、いずれでも良い。また、自由面及び剥離面の両面に形成しても良い。この場合、周期は自由面及び剥離面いずれかで形成された罫書模様の長手方向の間隔となる。
【００１９】
こうした罫書模様は、例えば、薄帯の幅方向に伸長する直線状の模様から成るもの、幅方向に対して所定以下の平均角度で伸長する傾斜直線状で、長手方向に５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の周期を有する複数の直線状の模様から成るもの、薄帯の幅方向に振幅し、長手方向に５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の周期で伸長する正弦波状あるいは三角波状の模様から成るもの、などであってよい。また、薄帯が罫書模様を有する範囲は、薄帯の全幅をＷａとするとき、薄帯の幅方向の中央を中心とする０．６４Ｗａ〜０．８Ｗａであってよい。
【００２０】
（薄帯の組成）
本発明の薄帯は、８０ａｔ％以上のＦｅ（鉄）、１２ａｔ％以上のＢ（硼素）、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉ（珪素）で構成される、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金である。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金は、実質的に結晶磁気異方性がなく、飽和磁束密度（Ｂｓ）が大きく、磁気ヒステリシス損失および保磁力が小さく、熱的安定性がよい、という優れた軟磁性を有するので好ましい。なお、本発明の薄帯は、実用上、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ以外の微量元素（後述する不純物）を含むことが許容される。
【００２１】
（Ｆｅ≧８０ａｔ％）
本発明の薄帯に含まれるＦｅ（鉄）は、アモルファス構造であっても最も磁気モーメントが大きい遷移金属の一つであり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金では磁性の担い手となる。また、薄帯に含まれるＦｅが８０ａｔ％以上であると、飽和磁束密度（Ｂｓ）が大きくなり好ましい。より好ましくは、Ｆｅが８０．５ａｔ％以上８２．５ａｔ％以下であり、更に好ましくは、Ｆｅが８１．０ａｔ％以上８２．０ａｔ％である。これにより、少なくとも１．６Ｔ程度の飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する薄帯となり、本発明で目標とする１．５Ｔ以上の高い磁束密度（Ｂ１）を達成することができる。
【００２２】
（Ｂ≧１２ａｔ％）
本発明の薄帯に含まれるＢ（硼素）は、アモルファス構造を形成する上で必須の元素である。Ｂは、Ｆｅと大きく異なる原子半径を有することが格子の不整合の要因となり、ランダム構造を形成させる上で有用である。さらに、Ｂは、短範囲秩序においてＦｅとの間でプリズム構造（長周期的には化合物）などを形成し、ランダム最充填させた際に格子の不整合を発生させるため、ランダム構造を形成させる上で有用である。なお、Ｂが１２ａｔ％未満であると、特にガラス転移温度の低下につながり、アモルファス形成能が急激に悪化する。こうした観点から、薄帯に含まれるＢを１２ａｔ％以上とする。好ましくは１３ａｔ％以上である。
【００２３】
薄帯に含まれるＢが１２ａｔ％以上であると、薄帯を液体急冷法で製造する際、鋳造中の応力が長手方向（磁場方向）に平行になりやすいため、所定の磁区の細分化の効果を得るための起点の数密度（罫書模様を構成する凹部の単位長さ当たりの個数）を小さく、つまり、起点の個数を少なくすることができる。薄帯において磁区の細分化が起きる際、生成した磁区の磁場方向への直線性が良好であれば、逆磁区生成の起点が少なくても、細分化の効果が保たれ、異常渦電流損失の増加は生じない。しかし、磁場方向に対して完全に平行な磁壁の実現は困難であり、薄帯の残留応力や厚さのわずかな差などに起因して磁壁が磁場方向に対して斜めに横断し、その過程で他の磁区と衝突して結合し、広い磁区が生成される。磁化反転が完了する直前で磁区が結合して磁壁が減少するのは自然なことであるが、磁化過程の初期で磁壁数が減少すると異常渦電流損失が大きく増加する。換言すれば、磁壁の直線性および磁場方向への平行性が高い程、磁区の細分化の起点（罫書模様を構成する点状または線状の凹部）の数密度が少なくて済む。
【００２４】
薄帯に含まれるＢが１２ａｔ％未満であると、薄帯の脆化開始厚みが低下する。薄帯の脆化は、局所的応力集中によって生じると考えられ、その起源となるのは、ｂｃｃ的短範囲秩序の増加に由来していると考えられる。また、薄帯に含まれるＢが少ないと、Ｆｅ−Ｆｅの配位が増え、室温でのＦｅの安定状態であるｂｃｃ的な短範囲秩序の存在確率が高くなる。ここで、注意が必要なのは、純Ｆｅは、降温過程で液相→ｂｃｃ→ｆｃｃ→ｂｃｃと相変態し、ｆｃｃ→ｂｃｃの過程では、無拡散の相変態となり、さらに、Ｆｅ−Ｆｅ間の短範囲秩序形成は高速であるため、直ちに原子の移動が完了し、大きなひずみを蓄積しやすい。液体急冷法のような異方的鋳造の場合でも、原子の易動度が低いために、鋳造方向とは異なる方向にも局所応力が働きやすく、薄帯全体でも応力の入り方が等方的になる傾向にある。本発明では、高い磁気的飽和性を組成由来の潜在的な性質で満たす必要があるため、鋳造長手方向に異方的応力が残留していることが好ましい。
【００２５】
一方、薄帯に含まれるＢが１２ａｔ％以上であると、Ｆｅに対してＢが最近接する機会が増え、ＦｅとＢの配位の多くに多面体的なの短範囲秩序が形成され、アモルファス相の形成能が高まる。これにより、アモルファス相がよりランダムな構造となり、ランダム最重点状態よりも、平均原子間距離が広い状態、すなわちフリーボリュームを持った状態となる。多くのフリーボリュームを持った組織では、それだけ原子の移動が起きやすく、応力集中を起こし難くなるので好ましい。また、薄帯に含まれるＢが多いと、鋳造長手方向に磁区が配向しやすいため潜在的に異方的応力を持ち、磁歪が正となって磁束密度（Ｂ１）向上および皮相電力（ＶＡ）低減に有利であるとともに、磁区の広幅化に影響を与えると考えられるため鉄損（ＣＬ）低減に有利である。
【００２６】
（ＢとＳｉの合計が１７〜２０ａｔ％）
薄帯に含まれるＳｉ（珪素）は、溶湯状態で表面に偏析し、溶湯の酸化を防ぐ効果がある。さらに、Ｓｉは、アモルファス形成の助剤として作用し、ガラス転移温度を上昇させる効果があり、より熱的に安定なアモルファス相を形成するには有用である。アモルファス相の熱的安定性が向上すると、薄帯に誘導磁気異方性を付加するための熱処理温度をより広い範囲から選択できるようになる。また、より高温の熱処理による鋳造時の薄帯の残留応力の除去が容易になり、薄帯の軟磁気特性の向上が期待できる。なお、ＢとＳｉの合計が１７ａｔ％未満であると、アモルファス形成能が悪化し、特にガラス転移温度の低下につながる。したがって、溶湯の急冷凝固を促進してアモルファス形成を助勢するために、鋳造に用いるロールにはより高い冷却能が求められるが、長時間の鋳造を行ってロールの表面が荒れてくると鋳造方向において機械的特性や磁性などを変質させずに長尺の薄帯を作製することが実質的に困難になるので好ましくない。また、ＢとＳｉの合計が２０ａｔ％を超えると、磁性の担い手であるＦｅの含有比が低減して高いＢｓが期待できなくなる。Ｓｉは３．０ａｔ％以上であることが好ましく、３．５ａｔ％以上であることが更に好ましい。
【００２７】
（不純物）
本発明では、実用上、不可避的不純物となる他元素の混入は許容され、上述した主元素（Ｆｅ、Ｂ、Ｓｉ）以外で薄帯に含まれる元素は、不純物元素として取扱う。この場合、不純物元素の混入が、薄帯を構成する主元素の総質量に対して所定の割合（質量％）以下で、許容される。薄帯に混入する可能性がある不純物元素は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）などの３ｄあるいは４ｄの遷移金属が考えられる。ＮｉやＣｏは、ともに強磁性元素であり、Ｆｅの磁気モーメントを大きくする効果が期待できる程度の微量であれば許容できる。例えば、０．５質量％以下含まれていても良い。Ｍｎは、単体では一般に反強磁性金属として知られているが、Ｆｅ基アモルファス合金中では、Ｆｅ原子と混成軌道を作り、強磁性的に配列することが知られており、強磁性状態に大きな影響を与えない程度の微量であれば許容できる。例えば、０．３質量％以下含まれていても良い。また、例えば、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）、Ｐ（燐）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｂｅ（ベリリウム）は、メタロイド元素の不純物として含まれる可能性が考えられ、アモルファス形成能を高める効果が期待できる程度の微量であれば許容できる。例えば、０．１質量％以下含まれていても良い。上述した各元素の他にも、Ｆｅ原子に比べて原子半径が大きい例えばＴｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、並びに希土類元素などは、ランダム構造の形成を助勢する効果が期待できる程度の微量であれば許容できる。例えば、０．２質量％以下含まれていても良い。なお、薄帯に含まれる不純物元素の含有比の総計は主元素の総質量に対して０．５質量％以下であることが好ましく、さらに、上記以外の不純物元素（明細書に記載のない元素）の含有比の総計は主元素の総質量に対して０．１質量％以下であることが好ましい。したがって、Ｆｅ、Ｂ、Ｓｉ以外の成分は、Ｆｅ、Ｂ、Ｓｉの総質量に対して０．６質量％以下含まれていても良い。
【００２８】
（薄帯の寸法）
本発明の薄帯は、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さ（板厚）および１００ｍｍ以上の幅（全幅）を有する。薄帯の厚さが２０μｍ未満であると、鋳造時に過剰に冷却され、±１μｍ程度の表面起伏（うねり）が形成されやすくなるし、必要を超えて残留応力が発生して機械的強さが不十分になるため鋳造時の連続的な巻取りが難しくなる。なお、うねりのある薄帯を積層したコアは、そのうねりが隙間を形成してコア断面に対する導体の割合すなわち占積率（ＬＦ）が低減するため、例えば８７．５％以上の十分に大きな占積率をもつコアを得ることが困難になるので好ましくない。また、薄帯の厚さが３０μｍを超えるようになると、鋳造時に冷却速度が低下し、薄帯の脆化によって取扱いが難しくなるし、薄帯がアモルファス化とともに結晶化が起こるようになって磁区の直進性が失われ、磁気的飽和性が著しく低下する。
【００２９】
また、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金からなる薄帯は、両エッジから幅方向中央に向かって約２０ｍｍ付近までのエッジ部の領域における磁気的飽和性が著しく劣化する。こうした薄帯は、幅方向において磁束密度（Ｂ１）に差異が生じ、幅方向中央付近の中央部の領域に対してエッジ部の領域の磁束密度（Ｂ１）が９０％以下に劣化し、薄帯全体としての磁束密度（Ｂ１）が低下する。したがって、本発明の薄帯は、全幅を１００ｍｍ以上とし、相対的に磁気的飽和性が不十分となるエッジ部の領域の割合を小さくする。これにより、薄帯は、中央部の領域に対するエッジ部の領域の磁束密度（Ｂ１）の低下が抑制され、幅方向における磁束密度（Ｂ１）の平均値に対するエッジ部の領域の磁束密度（Ｂ１）の低下を１％〜５％程度に抑制することができる。なお、薄帯の全幅は、１０００ｍｍ以下が好ましく、鋳造時の冷却速度の制御が比較的容易になって幅方向の均等性が保たれやすいため、相対的に磁気的飽和性が十分な領域の形成割合が増加しやすい。また、薄帯の全幅は、５００ｍｍ以下がより好ましく、鋳造時の冷却速度の制御がより容易化して幅方向の均等性がより高まりやすい。
【００３０】
（表面粗さＲｚが４μｍ以下）
本発明では、罫書模様が形成される薄帯の表面粗さ（最大高さ粗さ）Ｒｚを４μｍ以下とする。罫書模様が薄帯の自由面に形成される場合を例にして以下説明する。従来、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の薄帯は、電磁鋼板との差別化のために鉄損（ＣＬ）の低減が最優先される機会が多く、低鉄損の再現性を確保することが重要視されたため、例えば自由面において、４μｍを超える表面粗さＲｚを有するように鋳造時に形成されるチャターマークによる表面の凹みを大きくし、逆磁区の起点が現れる頻度を増加させて低鉄損（ＣＬ）の再現性を向上させることが一般的であった。しかし、チャターマークあるいは凹凸（荒れ）による所定を超える凹み（形状的欠陥）が薄帯の表面に存在していると、その凹みによる逆磁区の起点の提供が過剰になる。また、薄帯の自由面に鋳造時に形成されるチャターマークは、その深さが一様に形成され難く、チャターマークの近傍には磁力線が湾曲しないと通過できないような深い部位や急峻に湾曲した部位などが存在しやすくなり、チャターマークの近傍ほど磁極が発生しやすくなる。こうした観点から、本発明では、罫書模様による軟磁気特性を効果的に制御し、磁束密度（Ｂ１）を増加させながら鉄損（ＣＬ）および皮相電力（ＶＡ）を低減するために、薄帯の表面粗さＲｚを４μｍ以下とする。より好ましくは３．５μｍ以下である。
前記表面粗さＲｚは小さい方が優れた磁気特性が得られるが、生産性を考慮すると、Ｒｚは２．０μｍ以上が好ましい。より好ましくは２．５μｍ以上である。
尚、罫書模様を薄帯の剥離面に形成する場合も表面粗さＲｚは同条件である。
【００３１】
（磁束密度）
磁束密度（Ｂ１）は、不連続状態が生じて固定する力（ピン止め力）が強い逆磁区の面積率（もしくは数密度）の影響を受けるため、面積率（あるいは数密度）が小さいほど（つまり、ピン止めのサイトが少ないほど）大きくなる。そのため、薄帯の表面に形成する罫書模様の長手方向の周期が小さいほど、磁束密度（Ｂ１）が低下する傾向があるが、周期が３０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の範囲で、ほぼ一定の値を示す。
【００３２】
（鉄損）
鉄損（ＣＬ）は、ヒステリシス損失、渦電流損失、および異常渦電流損失の和で与えられる。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金では、渦電流損失の寄与は無視できるほど小さい。また、ヒステリシス損失は、Ｂ−Ｈ曲線のヒステリシスの面積に相当し、主に保磁力（Ｈｃ）によって決まる。一般に、磁化回転過程の割合が大きいほど保磁力（Ｈｃ）が低下する傾向にある。他方、異常渦電流損失は磁壁の移動速度の関数となる。一定周波数（例えば５０Ｈｚ）で、所定の動作磁束密度(例えば１．４Ｔ)での動作を考えた場合、１サイクルあたり動作磁束密度相当の磁壁移動による磁化反転が必要となり、磁壁の移動距離は磁区幅が広いほど長くなり、その分だけ移動速度が速くなり、前記異常渦電流損失が増加し、その結果鉄損が増加する。つまり、磁区幅が狭いほど磁壁の移動距離は小さくなり好ましい。例えば罫書線の周期を１００ｍｍ以下にすることで磁区幅が細分化され、鉄損（ＣＬ）の低減には有効である。
【００３３】
（皮相電力）
皮相電力（ＶＡ）は、磁化反転過程における磁壁移動過程と磁化回転過程の割合に影響を受けるため、磁壁移動の割合が大きいと低下する傾向がある。上述したように、チャターマークや罫書模様などの形状的欠陥は磁区幅の細分化には有効であるが、過剰な形状的欠陥は磁化回転過程の割合を増大させることとなり、皮相電力（ＶＡ）の大幅な増加につながる。また、磁化回転過程を取りやすい磁区は、磁極や局所的応力によってピン止めされた逆磁区であるが、ピン止め力が弱い場合でも低磁場の飽和性の妨げとなるため、局所応力が働いている個所が多いと、皮相電力（ＶＡ）の増加につながる。そのため、皮相電力（ＶＡ）の低減の観点ではピン止めサイトが少ないほど望ましい。しかし、鉄損（ＣＬ）および皮相電力（ＶＡ）の低減を同時に達成したい場合、薄帯の表面に形成する罫書模様の長手方向の周期が大きいほど（例えば５０ｍｍ超）好ましい。
【００３４】
また、皮相電力（ＶＡ）は、励磁電力とも呼ばれ、目的の動作磁束密度（Ｂｍ）を得るために流す電流値すなわち磁場に関係する。低磁場における磁気的飽和性が高いほど、低磁場の付与で目的の動作磁束密度（Ｂｍ）に達するため、皮相電力（ＶＡ）は低くなる。磁極が発生している近傍では、磁力線が閉じた状態よりも、磁極が生じることによるエネルギーの利得が良いため、磁極の発生とともに発生した磁区は磁気的に安定な状態となり、磁壁移動に伴う磁化反転を起こし難くなって磁化回転による磁化反転過程になりやすくなる。磁化回転過程は、磁壁移動と異なり、磁場によるエネルギーで磁化反転が起きるので、完全に反転するには、より強い磁場強度が必要となる。しかし、磁場が取り除かれると、バネのように静磁状態に戻ろうとするので、早期の逆磁区の形成には非常に有効となる。したがって、これらの逆磁区の頻度が上がれば、磁区はより細分化され、鉄損（ＣＬ）の低減が期待できるが、皮相電力（ＶＡ）の上昇を伴う。そこで、鉄損（ＣＬ）と皮相電力（ＶＡ）を高度にバランスさせるために、起点の数密度、逆磁区の生成頻度、および磁区の結合による磁壁数の減少を加味する必要がある。
【００３５】
本発明の薄帯は、例えば液体急冷法（単ロール法など）で作製できる。そのための薄帯製造装置としては、例えば、薄帯の素材となる溶湯を溶解し保持するための坩堝などを備える溶湯保持部と、作製する薄帯の厚さに対応するスリット幅および薄帯の幅に対応するスリット長さを有するセラミック製のスリットノズルなどを備えるノズル部と、そのスリットノズルの開口先端に対して所定の間隔を有するようにロール表面を配置した高速回転可能かつ急冷可能な銅合金製のロールと、そのロールの表面から急冷凝固により形成された薄膜を連続的に剥離する剥離部と、その薄膜の剥離により形成された薄帯を連続的に巻取る巻取り部と、を含む、構成を有するものが使用できる。
【００３６】
こうした薄帯製造装置を用いて、例えば、溶湯保持部で作製した溶湯をノズル部のスリットノズルから出湯するプロセスと、高速で回転するロールの表面上に接した溶湯から成るバドルを瞬間的に形成し、そのパドルを起点として溶湯をロールの表面で急冷凝固させてアモルファス相を主相とする薄膜を形成するプロセスと、その薄膜を剥離部により連続的に剥離して薄帯を形成するプロセスと、その薄帯を巻取り部により連続的に巻取るプロセスとを、少なくとも含む製造方法により、アモルファス相を主相とする本発明の薄帯を作製できる。
【００３７】
上述したような薄帯製造装置を用いた薄帯の製造方法では、溶湯温度は、例えば１２００℃〜１４００℃に設定することができる。また、スリットノズルは、スリット幅を作製する薄帯の厚さ（例えば２０μｍ〜３０μｍ）に対応させて設定（例えば約０．３ｍｍ〜約１ｍｍ）するとともに、スリット長さを作製する薄帯の幅（例えば１００ｍｍ〜１０００ｍｍ）に対応させて設定（例えば約１００ｍｍ〜約１０００ｍｍ）することができる。また、スリットノズルの開口先端とロール表面との間隔（ギャップ）は、例えば５０μｍ〜５００μｍに設定することができる。また、ロールの周速は、例えば１０ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓに設定することができる。こうした場合、溶湯が急冷によって固相になるまでの１次冷却過程の冷却速度が約−１×１０５℃／ｓ〜約−１×１０７℃／ｓの範囲となるように制御することが望ましい。
【００３８】
また、鋳造中、回転ブラシなどによりロール表面を研磨する方法や、さらに回転ブラシのロール表面への押付け圧力を適切に制御する方法により、長時間の鋳造が適切に継続されるように、ロールの表面状態の変化を所定の範囲に抑制することが望ましい。また、鋳造時の冷却速度が大きくなると、薄帯の幅方向におけるエッジに近い部分（エッジ部）および中央部の表面粗さＲｚ（最大高さ粗さ）を薄帯の長手方向に沿って測定したときに両者のＲｚ値の差が小さくなるため、スリットノズルからの出湯圧力を高めて溶湯のロール表面への押付け圧力を高めることが有効である。なお、出湯圧力は、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度が好ましく、１ｋＰａ未満になるとロール表面に対するパドルの密着不足が発生して冷却効率が低減しやすくなり、１００ｋＰａを超えるようになるとパドルが崩壊して薄膜（薄帯）の形成不全が発生しやすくなる。また、溶湯のロール表面への押付け圧力は、スリットノズルの開口先端とロール外周表面との間隔でも制御可能であり、スリット幅の中央部分に対応する圧力を高めるような制御方法は、薄帯の剥離面の幅方向におけるＲｚ値が好適に形成されるため有効である。
【実施例】
【００３９】
液体急冷法（単ロール法）を用いて、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯（以下、「薄帯」という。）を作製した。スリット長さを２１０ｍｍとし、スリット幅を０．６ｍｍとし、スリットノズルの開口先端とロール表面との間隔（ノズルギャップ）を２５０μｍとした。ロール材質はＣｕ系合金とし、ロール周速は約２７ｍ／ｓとした。薄帯の鋳造に際して、１４ａｔ％のＢおよび４ａｔ％のＳｉを含み、ＢとＳｉの合計が１８ａｔ％で成る溶湯を約１３００℃で保持し、パドルが形成されるスリットノズルの直下の周辺を不活性ガス雰囲気にすることで低酸素雰囲気とした。なお、上記組成を「Ｆｅ８２Ｓｉ４Ｂ１４（ａｔ％）」と示すが、主元素（Ｆｅ、Ｂ、Ｓｉ）以外の不可避な不純物元素の１種以上が上述した許容範囲内で溶湯に含まれる。
【００４０】
続いて、スリットノズルの開口部からロール表面に溶湯を所定の圧力で噴出させて、約２５μｍの平均厚さ（板厚）で、約２１０ｍｍの平均幅で、約７．２×１０３ｋｇ／ｍ３〜約７．３×１０３ｋｇ／ｍ３の平均密度を有して成る、アモルファス相を主相とする薄帯を作製した。さらに、溶湯を噴出する圧力（出湯圧力）あるいはノズルギャップ（もしくは押付け圧力）の調整によって鋳造圧力分布を変化させることにより、自由面の表面形態が異なる複数の薄帯を作製した。
【００４１】
次に、自由面の表面形態が異なる複数の薄帯から自由面の表面粗さＲｚ（最大高さ粗さ）の測定が可能な試験体を切り出し、試験体それぞれの表面粗さＲｚを測定し、その平均値を各面における粗さ値（Ｒｚ）として求めた。なお、表面粗さＲｚの測定は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３の規定に準拠して行った。具体的には、測定長さを４．０ｍｍとし、カットオフ波長を０．８ｍｍとし、カットオフ種別を２ＲＣ（位相非補償）とし、試験体の少なくとも３箇所を測定した粗さ値（Ｒｚ）から平均値を求めた。
【００４２】
次に、表面形態が異なる複数の薄帯から罫書模様を形成するのに適切な長手方向（鋳造方向）に所定の長さを有する試験体を切り出し、試験体の自由面の表面にスクラッチ法で直線状の引っ掻き痕（以下、「ライン」という。）を幅方向に形成し、長手方向に所定の周期を有する罫書模様とした。また、複数の試験体に形成する罫書模様は、長手方向の周期をそれぞれ異なるものとした。なお、本発明では、罫書模様を構成する複数のラインの長手方向の周期の逆数を「ライン数」という。
引っ掻き痕は、超硬チップを備えた精密罫書針 (新潟精機製)を用いて、Ｖ字型凹部を直線状に、薄帯の幅方向に一端から他端に、連続に、複数本を形成した。罫書線の平均深さ（薄帯表面からＶ字頂部までの平均深さ）は２μｍ〜３μｍ、平均幅（Ｖ字凹部の薄帯表面での開口幅）は３０μｍ〜５０μｍ、であった。前記平均（深さ及び幅）とは、前記薄帯幅の一端から他端までの平均（深さ及び幅）である。また、前記平均（深さ及び幅）の数値に幅（下限及び上限）があるのは、複数本の罫書模様のそれぞれで異なる数値となったためである。複数本の罫書模様は、それぞれ平行になるように形成した。
【００４３】
次に、自由面の表面形態が異なる複数の薄帯を用いて作製した積層薄帯を試験体とし、磁束密度（Ｂ１）と鉄損（ＣＬ）および皮相電力（ＶＡ）それぞれの平均値を求めた。具体的には、薄帯（幅が２１０ｍｍ）から鋳造方向の長さが４５６ｍｍの薄帯片を切り出し、その薄帯片の長手方向（鋳造方向）および幅方向を等分し、長手方向の長さが２２８ｍｍで、幅方向の長さが１０５ｍｍの薄帯片を４枚作製し、４枚の薄帯片を重ねて試験体（積層薄帯）を作製した。その試験体に対して、残留する鋳造時の歪の緩和および誘導磁気異方性の付与を目的として、磁場中熱処理を施した。
【００４４】
磁場中熱処理は、試験体を構成する薄帯片の長手方向（鋳造方法）に対して８００Ａ／ｍ以上の磁場を印加しながら、試験体（積層薄帯）の組成に適切と考えられる保持温度（３００℃〜４００℃程度）および保持時間（１分〜２時間程度）から選択した条件で保持した。次いで、ＡＳＴＭのＡ９３２／Ａ９３２Ｍ−０１に準拠し、６０Ｈｚの周波数で７９．５５７Ａ／ｍ（約８０Ａ／ｍ）の磁場を印加したときの磁束密度（Ｂ１）を測定した。また、ＡＳＴＭのＡ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠し、６０Ｈｚの周波数で１．４Ｔの磁束密度における鉄損（ＣＬ）および皮相電力（ＶＡ）を測定した。なお、本発明の薄帯を用いた試験体（積層薄帯）は、ＡＳＴＭのＡ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠して求めた占積率（ＬＦ）の平均値が８７．５％に達していた。
【００４５】
以下、上記測定結果等に関して、適宜、図面を用いて説明する。
【００４６】
図１は、罫書模様のライン数と磁束密度（Ｂ１）の関係を示すグラフである。なお、罫書模様のライン数とは、上述したように罫書模様を構成するラインの長手方向の周期の逆数であり、ここでは単位長さ（１ｍｍ）当たりのラインの本数（ｍｍ−１）として定義する。図１では、薄帯の自由面の表面粗さＲｚが３．８μｍで、組成がＦｅ８２Ｓｉ４Ｂ１４（ａｔ％）である薄帯を用いた試験体の磁束密度（Ｂ１）は、罫書模様のライン数への依存性がなく、ほぼ一定の値（１．５６Ｔ〜１．５７Ｔの範囲）となった。磁束密度（Ｂ１）は、６０Ｈｚの周波数で約８０Ａ／ｍにおける磁束密度に相当し、ほぼ一様に磁化していることがわかる。
【００４７】
図２は、罫書模様のライン数と鉄損（ＣＬ）の関係を示すグラフである。なお、罫書模様のライン数は上記と同様に定義する。図２でも、薄帯の自由面の表面粗さＲｚが３．８μｍで、組成がＦｅ８２Ｓｉ４Ｂ１４（ａｔ％）である薄帯を用いた試験体の鉄損（ＣＬ）は、罫書模様のライン数が０．０１ｍｍ−１以上の領域（ラインの周期が１００ｍｍ以下の領域）において、鉄損のばらつきが低減し、再現性の良い結果が得られた。これは、磁壁の細分化の効果が安定的に発現される範囲であるためと考えられる。また、薄帯の表面のライン数の増加とともに鉄損（ＣＬ）が低減し、前記罫書模様のライン数が０．０１ｍｍ−１以上の領域（ラインの周期が１００ｍｍ以下の領域）では、において、鉄損は０．１３Ｗ／ｋｇ以下の低い値となっていることが確認された。これは、薄帯全体に均等に磁区の細分化の効果によるものと考えられる。
【００４８】
図３は、罫書模様のライン数と皮相電力（ＶＡ）の関係を示すグラフである。なお、罫書模様のライン数は上記と同様に定義する。図３でも、薄帯の自由面の表面粗さＲｚが３．８μｍで、組成がＦｅ８２Ｓｉ４Ｂ１４（ａｔ％）である薄帯を用いた試験体の皮相電力（ＶＡ）は、罫書模様のライン数が０．０２ｍｍ−１未満（ラインの周期が５０ｍｍ超）の領域において、皮相電力ＶＡは、約０．３０ＶＡ／ｋｇ以下で、ほぼ一定の値（約０．２９ＶＡ／ｋｇ）となった。つまり、罫書模様のライン数が０．０２ｍｍ−１以上の領域（ラインの周期が５０ｍｍ以下の領域）において、皮相電力（ＶＡ）が急激に増加した。これは、磁壁が移動しにくい固着した逆磁区の増加により、回転磁化過程による磁化反転の割合が増えたためと考えられる。
【００４９】
図４は、薄帯の自由面の表面粗さＲｚ（μｍ）と磁束密度Ｂ１（Ｔ）の関係を示すグラフである。図４では、薄帯の自由面の表面粗さ種々異なり、組成がＦｅ８２Ｓｉ４Ｂ１４（ａｔ％）である薄帯を用い、試験体の磁束密度Ｂ１を測定した。Ｒｚが４．０μｍ以下では、磁束密度Ｂ１は、１．５５７Ｔ以上の高い値が得られている。
【００５０】
以上の結果から、本発明の薄帯、すなわち、８０ａｔ％以上のＦｅ、１２ａｔ％以上のＢ、前記Ｂとの総和が１７ａｔ％以上２０ａｔ％以下となるＳｉ（実用上、上述した許容範囲内の不可避的不純物が含まれる）で構成され、２０μｍ以上３０μｍ以下の厚さおよび１００ｍｍ以上（好ましくは１０００ｍｍ以下）の幅を有する薄帯は、表面粗さＲｚが４μｍ以下である表面に対して、長手方向の周期が５０ｍｍ超１００ｍｍ以下の点状または線状の凹部で構成された模様を形成することにより、６０Ｈｚの周波数で７９．５５７Ａ／ｍの磁場における磁束密度が１．５Ｔ以上であり、６０Ｈｚの周波数で１．４Ｔの磁束密度における鉄損が０．１３Ｗ／ｋｇ以下で、皮相電力が０．３３ＶＡ／ｋｇ以下である、優れた軟磁気特性を有することが確認された。
【００５１】
また、表面形態が異なる複数の薄帯から罫書模様を形成するのに適切な長手方向（鋳造方向）に所定の長さを有する試験体を切り出し、試験体の剥離面表面にスクラッチ法で直線状の引っ掻き痕を幅方向に形成し、同様の評価を行ったところ、前述の試験体の自由面表面にスクラッチ法で直線状の引っ掻き痕を幅方向に形成した結果と同等の結果であった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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