(57)【要約】【課題】ブラシ含有水分量を調整または管理し、飛まつ発生抑止や基板洗浄の適正化を図る方法および装置を提供する。【解決手段】基板（Ｗ）をブラシ（５）で洗浄する基板洗浄方法であって、前記ブラシを洗浄する水分量調整工程と、前記水分量調整工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ乾燥工程と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシを前記基板に接近させることにより、前記ブラシと基板に当接させるブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする基板洗浄方法である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法であって、
前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、
前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程において、
前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の基板洗浄方法であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項７】
請求項５乃至６に記載の基板処理方法であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ水分量調整工程を再度実行することを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の基板処理方法であって、
基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、
前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、
前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板洗浄方法であって、
前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、
前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、
前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項１１】
基板をブラシで洗浄する基板洗浄装置であって、
前記ブラシをその内部に収容可能であり、ブラシポッドと、
前記ブラシポッドと前記基板との間でブラシを移動させるためのブラシ移動機構と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転機構と、
レシピ情報を含む各種データを記憶する記憶部と、
制御部とを備えており、
前記制御部は、前記ブラシを洗浄する水分量調整工程と、前記水分量調整工程の後に、前記記憶部から読み出した前記レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ乾燥工程とを前記ブラシポッド内において実行するように構成されていることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板洗浄装置であって、
前記水分量調整工程および前記ブラシ乾燥工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板洗浄装置であって、
前記記憶部が、
前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されたテーブルを有することを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシポッドに収容されたブラシに対して前記押し付けバーを押し付けるためのめのブラシポッド移動機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシポッドの内壁から前記ブラシポッドの中央部に向けて前記押し付けバーを略平行方向に移動させるための押し付けバー移動機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至１４に記載の基板洗浄装置であって、
前記押し付けバーにおいて、前記ブラシとの当接する当接部が前記ブラシの形状に対応した形状となっていることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシの含有水分量を測定するための測定機構をさらに備えることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、
前記測定機構は、前記ブラシの重量を測定することを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の基板処理装置であって、
前記記憶部は、規定の許容水分量範囲を格納しており、
前記ブラシの含有水分量が前記許容水分量範囲に収まっているか否かを判別する判別機構をさらに備えていることを特徴とする、基板洗浄装置。
【請求項２０】
請求項１２乃至１３に記載の基板処理装置であって、
表示機構をさらに備え、
前記判別機構が前記ブラシの含有水分量が規定の水分量に収まっていないと判別した場合に、前記表示機構は警告画面を表示することを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２１】
基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、
前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、
前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とするプログラム記録媒体。
【請求項２２】
請求項２１に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、
前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２３】
請求項２２に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程において、
前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２４】
請求項２１乃至３３に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２５】
請求項２４に記載のプログラム記録媒体であって、
前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２６】
請求項２５に記載のプログラム記録媒体であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２７】
請求項２５乃至２６に記載の基板処理方法であって、
前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ水分量調整工程を再度実行することを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２８】
請求項２１乃至２７に記載のプログラム記録媒体であって、
基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、
前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、
前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【請求項２９】
請求項２８に記載のプログラム記録媒体であって、
前記第２２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とするプログラム記録媒体。
【請求項３０】
請求項２９に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、
前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、
前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする、プログラム記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象の基板に対して処理液を用いた処理を施すための方法および装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。これら基板を以下、「基板」と総称する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板にブラシを擦りつけて当該基板を洗浄するスクラブ洗浄が行われる場合がある。
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの周縁部の汚染が、半導体ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚の半導体ウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、半導体ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、半導体ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。そのため、最近では、半導体ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。基板の周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、特許文献１で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献１では、円筒状のブラシを設けて、基板を回転させつつ、その基板の周端面にブラシの外周面を当接させることにより、基板の周端面の汚染を除去する構成が提案されている。基板の周端面の汚染を除去するためのブラシとしては、特許文献１に示される形状のほか、特許文献２に示される円錐形状など多様な形状が考えられる。
【０００３】
基板の周端面の汚染をブラシで除去する作業において、ブラシに含まれる水分が周囲に飛び散り、その一部が基板の一部に付着する場合がある。ブラシからの飛まつが直接的には基板に付着せずとも、飛まつが基板処理装置の一部に付着する場合がある。
こうした飛まつや、飛まつに含まれるパーティクルが基板に付着することによって、基板の処理の悪影響が出たり、基板上に形成されたパターン等の誤動作につながる場合がある。従って、基板の周端面のブラシ洗浄においては、不要な飛まつの発生を極力抑えることが望ましい。
【０００４】
その一方で、ブラシが全く水分を含まない状態において、ブラシを基板の周端面に接触させると、ブラシと基板の周端面との間に大きな抵抗が生じ、条件によっては、ブラシの欠損、基板の割れなどが発生する。
【０００５】
従って、ブラシにはある程度の水分を供給することが望ましい。また、ブラシ含有水分の大小によって、ブラシが基板に与える抵抗力は変化するため、ブラシ含有水分は、洗浄の内容・目的に応じて適切な水分量とすることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１９７５９２号公報
【特許文献２】特開２０１１−２１１２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のブラシ洗浄においては、ブラシ含有水分量が適切に管理されておらず、このためブラシが過度に水分を含むことにより飛まつが大量に発生したり、ブラシ含有水分量が適切に設定されていないためブラシが基板に与える抵抗力が適切なものとなっておらず洗浄が適切に行われないといった問題点があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的の一つは、ブラシ含有水分量を調整または管理することにより、飛まつ発生抑止や基板洗浄の適正化を図る方法および装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板をブラシ（５）で洗浄する基板洗浄方法であって、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、ブラシの含有水分量を、基板の洗浄に適したものとすることができるため、ブラシと基板との接触に伴う飛まつ発生抑止や、基板洗浄の適正化を図ることが可能となる。
【００１２】
上記の目的を達成するための請求項２記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。
【００１３】
上記の目的を達成するための請求項３記載の発明は、請求項２に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程において、前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする。
【００１４】
上記の目的を達成するための請求項４記載の発明は、請求項１乃至３に記載の基板洗浄方法であって、前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１５】
上記の目的を達成するための請求項５記載の発明は、請求項４に記載の基板処理方法であって、前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
上記の目的を達成するための請求項６記載の発明は、請求項５に記載の基板処理方法であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
上記の目的を達成するための請求項７記載の発明は、請求項５乃至６に記載の基板処理方法であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ水分量調整工程を再度実行することを特徴とする。
【００１８】
上記の目的を達成するための請求項８記載の発明は、請求項１乃至７に記載の基板処理方法であって、基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする。
【００１９】
上記の目的を達成するための請求項９記載の発明は、請求項８に記載の基板処理方法であって、前記第２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする。
【００２０】
上記の目的を達成するための請求項１０記載の発明は、請求項９に記載の基板洗浄方法であって、前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする。
【００２１】
上記の目的を達成するための請求項１１記載の発明は、基板をブラシで洗浄する基板洗浄装置であって、前記ブラシをその内部に収容可能であり、ブラシポッドと、前記ブラシポッドと前記基板との間でブラシを移動させるためのブラシ移動機構と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転機構と、
レシピ情報を含む各種データを記憶する記憶部と、制御部とを備えており、前記制御部は、前記ブラシを洗浄する水分量調整工程と、前記水分量調整工程の後に、前記記憶部から読み出した前記レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ乾燥工程とを前記ブラシポッド内において実行するように構成されていることを特徴とする。
【００２２】
上記の目的を達成するための請求項１２記載の発明は、請求項１１に記載の基板洗浄装置であって、前記水分量調整工程および前記ブラシ乾燥工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。
【００２３】
上記の目的を達成するための請求項１３記載の発明は、請求項１２に記載の基板洗浄装置であって、前記記憶部が、前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されたテーブルを有することを特徴とする。
【００２４】
上記の目的を達成するための請求項１４記載の発明は、請求項１１乃至１３に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシポッドに収容されたブラシに対して前記押し付けバーを押し付けるためのめのブラシポッド移動機構をさらに備えることを特徴とする。
【００２５】
上記の目的を達成するための請求項１５記載の発明は、請求項１１乃至１４に記載の基板洗浄装置であって、  前記ブラシポッドの内壁から前記ブラシポッドの中央部に向けて前記押し付けバーを略平行方向に移動させるための押し付けバー移動機構をさらに備えることを特徴とする。
【００２６】
上記の目的を達成するための請求項１６記載の発明は、請求項１１乃至１４に記載の基板洗浄装置であって、前記押し付けバーにおいて、前記ブラシとの当接する当接部が前記ブラシの形状に対応した形状となっていることを特徴とする。
【００２７】
上記の目的を達成するための請求項１７記載の発明は、請求項１１乃至１６に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシの含有水分量を測定するための測定機構をさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
上記の目的を達成するための請求項１８記載の発明は、請求項１７に記載の基板洗浄装置であって、前記測定機構は、前記ブラシの重量を測定することを特徴とする。
【００２９】
上記の目的を達成するための請求項１９記載の発明は、請求項１７に記載の基板処理装置であって、前記記憶部は、規定の許容水分量範囲を格納しており、前記ブラシの含有水分量が前記許容水分量範囲に収まっているか否かを判別する判別機構をさらに備えていることを特徴とする。
【００３０】
上記の目的を達成するための請求項２０記載の発明は、請求項１２乃至１３に記載の基板処理装置であって、表示機構をさらに備え、前記判別機構が前記ブラシの含有水分量が規定の水分量に収まっていないと判別した場合に、前記表示機構は警告画面を表示することを特徴とする。
【００３１】
上記の目的を達成するための請求項２１記載の発明は、基板をブラシで洗浄する基板洗浄方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、前記ブラシ洗浄工程の後に、レシピ情報に基づき前記ブラシが所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥するブラシ含有水分量調整工程と、基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシを基板に当接し基板を洗浄する基板洗浄工程とを備えていることを特徴とする。
【００３２】
上記の目的を達成するための請求項２２記載の発明は、請求項２１に記載のプログラム記録媒体であって、前記ブラシ含有水分量調整工程が、前記ブラシを収容可能なブラシポッドにおいて行われ、前記ブラシポッドが、前記ブラシにガスを吹き付けるためのガス供給口、または前記ブラシ表面に押圧力を付与することにより前記ブラシの含有水分量を調節するための押し付けバーを有していることを特徴とする。
【００３３】
上記の目的を達成するための請求項２３記載の発明は、請求項２２に記載のプログラム記録媒体であって、前記ブラシ含有水分量調整工程において、前記ガス供給口からブラシに吹き付けるガスの供給時間、ガスの供給流量、または前記ブラシに付与される押圧力と、前記所定の含有水分量との関係が予め求められており、当該関係に基づき前記供給時間、前記供給流量、または前記押圧力が規定されることを特徴とする。
【００３４】
上記の目的を達成するための請求項２４記載の発明は、請求項２１乃至３３に記載のプログラム記録媒体であって、前記ブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシの含有水分量を測定する測定工程をさらに備えることを特徴とする。
【００３５】
上記の目的を達成するための請求項２５記載の発明は、請求項２４に記載のプログラム記録媒体であって、前記測定工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっているか否かを判別する判別工程をさらに備えることを特徴とする。
【００３６】
上記の目的を達成するための請求項２６記載の発明は、請求項２５に記載のプログラム記録媒体であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、警告信号を発生する警告信号発生工程をさらに備えることを特徴とする。
【００３７】
上記の目的を達成するための請求項２７記載の発明は、請求項２５乃至２６に記載の基板処理方法であって、前記判別工程において、前記ブラシの含有水分量の値が所定の範囲に収まっていないと判別された場合に、前記ブラシ水分量調整工程を再度実行することを特徴とする。
【００３８】
上記の目的を達成するための請求項２８記載の発明は、請求項２１乃至２７に記載のプログラム記録媒体であって、基板洗浄工程の後に、前記ブラシが第２の所定の含有水分量となるように前記ブラシを乾燥する第２のブラシ含有水分量調整工程をさらに備えており、前記ブラシ含有水分量調整工程における前記所定の含有水分量と、前記第２のブラシ含有水分量調整工程における前記第２の所定の含有水分量とが異なることを特徴とする。
【００３９】
上記の目的を達成するための請求項２９記載の発明は、請求項２８に記載のプログラム記録媒体であって、前記第２２のブラシ含有水分量調整工程の後に、前記ブラシを前記基板に当接させる第２のブラシ当接工程とを備えていることを特徴とする。
【００４０】
上記の目的を達成するための請求項３０記載の発明は、請求項２９に記載のプログラム記録媒体であって、前記基板はデバイス面と非デバイス面を有しており、前記ブラシ当接工程は、前記デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記第２のブラシ当接工程は、前記非デバイス面のエッジに前記ブラシを当接する工程であり、前記含有水分量は、前記第２の含有水分量よりも小さな値であることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の一実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が離間している状態を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の一実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が接近している状態を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の別の実施形態に係るブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３Ａに示す矢印ＡＡの方向に見た切断線に沿う断面を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａの構成に押し付け駆動機構８１が加えられた変形例を説明するための断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様１を説明するためのフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様２を説明するためのフローチャートである。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置における、ブラシ洗浄工程の実施態様３を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
以下、基板処理装置１の構成及び動作を順次説明する。
【００４３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。
【００４４】
＜基板処理装置１の構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成の一例を表す模式図である。
まず、基板処理装置１を構成する各種部材や機構について説明する。
【００４５】
基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２と、処理室２内で基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック３と、基板Ｗに処理液を供給するための処理液供給機構４と、基板Ｗの表面または裏面を洗浄ブラシ５で洗浄する基板洗浄機構６と、洗浄ブラシ５を洗浄するためのブラシ洗浄機構７とを備えている。
【００４６】
＜スピンチャック３＞
スピンチャック３は、真空吸着式のチャックである。スピンチャック３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する吸着ベース１０と、吸着ベース１０から下方に延びる筒状の回転軸１１と、吸着ベース１０および回転軸１１を回転させる第１回転駆動機構１２とを備えている。
【００４７】
回転軸１１は、第１回転駆動機構１２から鉛直方向に延びており、第１回転駆動機構１２に結合されている。回転軸１１の鉛直方向の上端には、基板Ｗの下面側から基板Ｗを吸着保持する吸着ベース１０が取り付けられている。基板Ｗは、吸着ベース１０によって基板Ｗの表面または裏面を上方に向けて略水平に保持されている。
第１回転駆動機構１２は、たとえば、電動モータである。回転軸１１は、第１回転駆動機構１２の駆動力を吸着ベース１０に伝達する。これにより、基板Ｗは、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線１４まわりに吸着ベース１０と共に一体的に回転させられる。なお、この実施形態では、吸着式のスピンチャック３を例示しているが、スピンチャック３は、複数の基板挟持部材で基板Ｗを挟持する挟持式のチャックであってもよい。
【００４８】
＜基板洗浄機構６＞
基板洗浄機構６は、基板Ｗをスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ５と、スピンチャック３による基板Ｗの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム１７と、洗浄ブラシ５を回転させるためのブラシ回転機構１８と、揺動アーム１７と一体的に洗浄ブラシ５を移動させるためのブラシ移動機構２２とを備えている。
ブラシ回転機構１８は、揺動アーム１７内に配置された第２回転駆動機構１９と、第２回転駆動機構１９と結合されたシャフト２０とを含む。第２回転駆動機構１９は、たとえば、電動モータである。シャフト２０は、鉛直方向に延びている。シャフト２０の鉛直方向の上端は第２回転駆動機構１９に結合されている。また、シャフト２０の鉛直方向の下端は、揺動アーム１７から下方に突出している。シャフト２０は、第２回転駆動機構１９によってシャフト２０の中心軸線２１まわりに回転駆動される。
【００４９】
ブラシ回転機構１８は、さらに、第２回転駆動機構１９とシャフト２０との間に設置された押圧センサ機構１００を含む。押圧センサ１００は洗浄ブラシ５にかかる圧力を計測するためのセンサであり、計測に伴う出力信号は制御装置４７に送られる。押圧センサ１００は、洗浄ブラシ５の通常状態（ブラシに外部から圧力が加えられていない状態）におけにおける中心軸線２１に対するシャフト２０の水平方向への圧力変化を測定する。押圧センサとしては多様な市販センサを採用することが可能であるが、微小な圧力変化を検知する目的のためには、いわゆるロードセルを用いることが望ましい。この場合、シャフト２０に、水平方向に延伸する補助バーを設置し、この補助バーがロードセルの検知面に接触するようにロードセルを押圧センサ機構１００内に配置することで、シャフト２０の水平方向にかかる微小な圧力変化を検知することが可能となる。
【００５０】
また、押圧センサ機構１００は、シャフト２０の上下方向への圧力変化を測定することによって、洗浄ブラシ５の重量の変化を検知できるように構成することも可能である。たとえば、シャフト２０または洗浄ブラシ５と接続した補助バーを、圧力を検知するロードセルの検知面に接触するように配置し、検知された圧力の差分を測定し、洗浄ブラシ５の通常状態における重量からその差分を差し引くことにより、洗浄ブラシ５の重量を検知することが可能となる。このほか、洗浄ブラシ５の重量を測定する小型の重量計を揺動アーム１７に組み込む構成としても良い。
【００５１】
＜洗浄ブラシ５＞
洗浄ブラシ５は、ホルダ取付部２４およびブラシホルダ２５を介してシャフト２０の下端に連結されている。ブラシホルダ２５は、洗浄ブラシ５の一部を下方に突出させた状態で洗浄ブラシ５を保持している。第２回転駆動機構１９の駆動力は、シャフト２０を介して洗浄ブラシ５に伝達される。これにより、洗浄ブラシ５は、ブラシ回転機構１８によってシャフト２０の中心軸線２１まわりに回転駆動される。つまり、洗浄ブラシ５の中心軸線は、シャフト２０の中心軸線２１と同一である。
【００５２】
洗浄ブラシ５は、たとえば、ブラシ素材の一例としてのＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材によって形成され弾性変形可能な洗浄面ＣＳを含む。基板Ｗの周端面の洗浄は、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳが基板Ｗの周端面に当接することで行われる。
図１の基板処理装置１の例においては、洗浄面ＣＳは洗浄ブラシ５の側面に形成されている。洗浄面ＣＳの形状は、基板Ｗの周端部への当接時に洗浄面ＣＳと当該周端部が好適に接触するように、基板Ｗの周端部の形状に略対応する形状とすることが好ましい。具体的には、洗浄面ＣＳの断面形状と、基板Ｗの周端部の形状が略対応する形状となるように洗浄ブラシ５が形成される。
【００５３】
＜ブラシ移動機構２２＞
ブラシ移動機構２２は、揺動アーム１７を支持する鉛直方向に延びるアーム支持軸３０と、アーム支持軸３０に結合された昇降駆動機構３１および揺動駆動機構３２とを備えている。
【００５４】
＜揺動駆動機構３２＞
揺動駆動機構３２は、揺動アーム１７を水平面に沿って揺動可能に構成されている。揺動駆動機構３２の駆動力をアーム支持軸３０に入力することにより、揺動アーム１７と洗浄ブラシ５とを一体的に揺動させることができる。より具体的には、洗浄ブラシ５は、アーム支持軸３０に沿って上下方向に延びる揺動軸線３３まわりに揺動アーム１７と一体的に揺動させられる。図２では、洗浄ブラシ５が、基板Ｗの回転範囲外に設定された洗浄ブラシ５の待機位置の上方（二点鎖線の位置）から基板Ｗの上面中央部の上方を通る略円弧状の軌跡Ｔに沿って揺動させられる例を示している。昇降駆動機構３１は、揺動アーム１７を昇降可能に構成されている。昇降駆動機構３１の駆動力をアーム支持軸３０に入力することにより、揺動アーム１７と洗浄ブラシ５とを一体的に昇降させることができる。
【００５５】
＜処理液供給機構４＞
処理液供給機構４は、基板Ｗの上面に向けて処理液（たとえば純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ：脱イオン水））を吐出する処理液ノズル３６を含む。処理液供給源（図示せず）からの処理液は、処理液供給管３７を介して処理液ノズル３６に供給される。処理液供給管３７の途中には、処理液バルブ３８が介装されている。処理液バルブ３８を開閉することにより、処理液ノズル３６からの処理液の吐出／停止を切り換えることができる。処理液ノズル３６は、処理液供給管３７を通して供給される処理液を、スピンチャック３により回転される基板Ｗの上面に向けて吐出する。処理液ノズル３６から吐出された処理液は、基板Ｗの上面における回転中心を含む範囲に着液される。
【００５６】
＜ブラシ洗浄機構７＞
ブラシ洗浄機構７は、洗浄ブラシ５の待機位置に配置された筒状の待機ポッド４１と、待機ポッド４１内に取り付けられた洗浄バー４２と、洗浄ブラシ５に洗浄液（たとえば炭酸水または純水）を供給するための洗浄液供給機構４３とを備えている。待機ポッド４１は、上端および下端が開いた上下方向に延びる筒状である。洗浄液供給機構４３から待機ポッド４１内に供給された洗浄液は、待機ポッド４１の下方に配置された受け部４４によって捕獲される。受け部４４によって捕獲された洗浄液は、ドレイン配管４５によって排出される。なお、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１内に収納される位置が、洗浄ブラシ５の待機位置である。
【００５７】
＜制御装置４７＞
基板処理装置１は、その各部の制御のために制御装置４７を備えている。制御装置４７は、第１回転駆動機構１２、第２回転駆動機構１９、揺動駆動機構３２、昇降駆動機構３１、処理液バルブ３８、ブラシ洗浄機構７などを制御するように構成されている。この実施形態では、第２回転駆動機構１９、揺動駆動機構３２および昇降駆動機構３１が洗浄ブラシ５を移動させるための相対移動手段として機能する。
【００５８】
次に、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４Ａ、図４Ｂを参照して、ブラシ洗浄機構７の構成についてより具体的に説明する。
＜ブラシ洗浄機構７＞
図３Ａは、ブラシ洗浄機構７の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が離間している状態を示す。図３Ｂは、ブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図であり、ブラシと押し付け機構が接近している状態を示す。図３Ｃは、ブラシ洗浄機構の概略構成を示す平面図である。図４Ａは、図３Ａに示す矢印ＡＡの方向に見た切断線に沿う断面を示す断面図である。図４Ｂは、図４Ａの構成に押し付け駆動機構８１が加えられた変形例を説明するための断面図である。
【００５９】
ブラシ洗浄機構７は、図３Ａに示すように、円筒状の待機ポッド４１と、待機ポッド４１内に取り付けられた押し付け機構８０と、待機ポッド４１に取り付けられた洗浄液供給機構４３と、待機ポッド４１に取り付けられたガス供給機構６３とを備えている。
待機ポッド４１は、図４Ａに示すように、洗浄ブラシ５が挿入されるための上側開口４１ａと、洗浄液供給機構４３から供給された洗浄液を排液管９０を通じて図示しない排液回収タンクへ排出するための下側開口４１ｂとを含む。待機ポッド４１の上側開口４１ａは、ホルダ取付部２４の外径よりも大きい内径を有している。これにより、ブラシホルダ２５および洗浄ブラシ５の全体は待機ポッド４１内に収納される。
【００６０】
洗浄液供給機構４３は、待機ポッド４１内の洗浄ブラシ５に向けて洗浄液を吐出する洗浄液ノズル５６と、洗浄液ノズル５６に洗浄液を供給する洗浄液配管５１とを含む。洗浄液ノズル５６は、待機ポッド４１に取り付けられている。より具体的には、洗浄液ノズル５６は、この実施形態では、待機ポッド４１の略中央部に取り付けられた押し付け貴校０と略同じ高さの位置で待機ポッド４１に取り付けられている。洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液配管５１の途中には、洗浄液バルブ５７が介装されている。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液ノズル５６から吐出された洗浄液は、待機ポッド４１の下側開口４１ｂから排液管９０を通じて図示しない排液回収タンクまたは排液設備へと回収／廃棄される。
【００６１】
ガス供給機構６３は、待機ポッド４１内の洗浄ブラシ５に向けて窒素ガスなどのガスを吐出するガスノズル７６と、ガスノズル７６にガスを供給するガス配管７１とを含む。  
ガスノズル７６は、待機ポッド４１に取り付けられている。ガスノズル７６によるガス供給は、主として洗浄液ノズル５６から供給した洗浄液により洗浄ブラシ５を洗浄した後に洗浄ブラシ５を乾燥するために用いられる。このため、ガスノズル７６は、この実施形態では、待機ポッド４１において、洗浄液ノズル５６より上方かつ上側開口４１aよりも下方に取り付けられている。
窒素ガスなどのガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。
【００６２】
ガス７１の途中には、ガスバルブ７７が介装されている。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。ガスノズル７６から吐出されたガスは、主として待機ポッド４１の上側開口４１ａを通って待機ポッド４１の外部に排出される。
【００６３】
洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で洗浄する際には、洗浄ブラシ５は図１の揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより平面視で待機ポッド４１の略中央部に移動される。次に、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を下降させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内の押し付け機構８０と洗浄液ノズル５６に略対向される。これら移動が完了した後、洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液吐出口４９は、洗浄液を洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳに向けて吐出する。
【００６４】
洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で乾燥する際には、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内のガスノズル７６と同一高さまたは若干下方位置へと移動される。この移動が完了した後、ガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。
【００６５】
次に、図１の昇降移動機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１から離脱する。当該上昇の間もガス供給は継続し、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から離脱した後にガス供給は停止される。
【００６６】
押し付け機構８０は、図４に示すように、断面形状が基板Ｗの周縁部と対応する凹型形状の当接面を有する。待機ポッド７内で洗浄ブラシ５をブラシ洗浄機構７で洗浄した後、図１の揺動制御機構３２により洗浄ブラシ５が待機ポッド７内で押し付け機構８０に押し付けられる。図３Ａに洗浄ブラシ５が押し付け機構８０と離間した状態、図３Ｂに洗浄ブラシ５が押し付け機構８０に押し付けられた状態を示す。
【００６７】
洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付けることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳから水分が搾り出される。押し付けにより洗浄ブラシ５にかかる圧力は、洗浄ブラシ５の上方に設置されている押圧センサ機構１００により検知され、その情報は制御装置４７に送られる。
【００６８】
なお、洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付ける動作を実現するために、図３Ｃに示すような、押し付け機構８０を水平方向に前後移動させるための押し付け駆動機構８１を待機ポッド４１の側面に設置しても良い。この場合、待機ポッド４１に対して洗浄ブラシ５が静止した状態であっても、図１に示すポッド制御機構４４から制御信号を受けることにより押し付け機構８０を洗浄ブラシ５に向かって当接／離間させることができる。
【００６９】
押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け寄港０と洗浄ブラシ５の高さ関係などは、予めレシピに規定されている。
また、後に説明するように、押し付け動作による洗浄ブラシ５の含有水分量の変化を把握し、この把握結果に応じて押し付け動作における押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などを、押し付け動作の最中に変化させても良い。
【００７０】
押し付け機構８０の材料としては、フッ素樹脂（たとえば、ＰＦＡ），シリコンを含む材料（たとえば、シリコン、酸化シリコン等），石英等を挙げることができる。洗浄バー４２は、不純物が比較的少なく、かつ洗浄ブラシ５に付着した異物が転写し易い石英からなることが好ましい。
【００７１】
次に、図５を参照して、ブラシ洗浄機構７による水分量調整工程について説明する。図面番号は、適宜図１のものを使用する。
【００７２】
＜水分量調整工程＞
図５は、ブラシ洗浄機構７の動作例を説明するためのフローチャートである。
＜Ｓ１  待機ポッドへのブラシ進入＞
ブラシ洗浄は、基板処理装置１の立ち上げ時、基板Ｗの処理が終了した後など、洗浄ブラシ５が待機ポッド７に収納されているときに行われる。基板Ｗが待機ポッド７に長時間格納される場合には、洗浄ブラシ５に含まれる水分量（含有水分量）が大きく変化するので、待機ポッド７から洗浄ブラシ５が退出する直前に水分量調整工程が終了するように、再度水分量調整工程を実行する。
【００７３】
待機ポッド７への洗浄ブラシ５の進入は以下の手順で行われる。
洗浄ブラシ５は図１の揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより平面視で待機ポッド４１の略中央部に移動される。次に、洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を下降させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内の押し付け機構８０と洗浄液ノズル５６に略対向される。
【００７４】
＜Ｓ２  ブラシ洗浄＞
これら移動が完了した後、洗浄液供給源（図示せず）からの洗浄液は、洗浄液配管５１を介して洗浄液ノズル５６に供給される。洗浄液バルブ５７を開閉することにより、洗浄液ノズル５６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。洗浄液吐出口４９は、洗浄液を洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳに向けて吐出する。
洗浄液の供給と並行して、洗浄ブラシ５の上方に配置されている回転手段１９により、洗浄ブラシ５が回転軸１４を中心に自転する。自転する洗浄ブラシ５に洗浄液が供給されることにより、洗浄ブラシ５が洗浄される。
【００７５】
＜含有水分量の調整について＞
洗浄ブラシ５が洗浄された直後は、洗浄ブラシ５の含有水分量は非常に高い状態となっている。これを、水分量調整工程に後に控えている基板処理などの工程に適した含有水分量とする必要がある。
【００７６】
水分量調整工程終了後に処理する基板Ｗの種類、基板処理の内容、処理工程の違いなどにより、適切な含有水分量は異なる。そこで、水分量調整工程においては、目標とする含有水分量が図示しない記憶部２００に格納されたルックアップテーブルＬＴから読み出される。記憶部２００には、目標とする含有水分量ごとに、推定含有水分量と目標含有水分量の差を小さくするために必要な処理手順と処理に必要なパラメータ（例：  押し付け機構８０の押し付け秒数など）が格納されている。
推定含有水分量と目標含有水分量との差を小さくする手順の一つとして、フィードバック制御を実行しても良い。例えば、推定含有水分量が目標含有水分量を上回る場合、予め定めておいた処理（例：所定秒数の間、ガスを洗浄ブラシ５に吹き付ける）を実行する。当該フィードバック制御を行った結果、推定含有水分量が目標含有水分量を下回った場合には、洗浄液ノズル５６から洗浄ブラシ５へと所定の流量の処理液を供給する。推定含有水分量と目標含有水分量との差の大きさと、上記の処理（ガス噴きつけなど）における処理秒数とが比例するように制御しても良い。
【００７７】
さらに、推定含有水分量と目標水分量との差が規定の値を上回っている場合には、含有水分量調整がうまく作動していない可能性が高いため、含有水分量調整の工程をリセットしてやり直すこととしても良い。制御装置４７は、含有水分量調整の結果、規定の異常値（推定含有水分量と目標水分量との差）を上回っているか否かを判別する。判別の結果、含有水分量調整の結果、規定の異常値を上回っているならば「異常」と判定する。
「異常」判定された場合の応答については、制御装置４７から読み出し可能なサブルーティン処理に基づき以降の工程が実行される。
たとえば、「異常」判定された場合、洗浄ブラシ５全体を濡らした上で改めて含有水分量調整をやり直すことで当該リセットは実行される。
または、「異常」判定された場合、警告信号を図示しない表示機構に表示させても良い。
【００７８】
含有水分量調整の工程に用いる上述の値は予め実験などを通じて求められている。ルックアップテーブルＬＴから読み出した処理手順を、読み出したパラメータに従って実行することにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を、基板処理などに適した所望の水分量に近づけることができる。基板の種類、用いられるプロセスの種類などによって、洗浄ブラシ５に求められる適切な含有水分量はことなるため、上述の値は、基板の種類、用いられるプロセスの種類毎に異なるテーブルとして管理格納されていることが望ましい。
【００７９】
洗浄ブラシ５の含有水分量は、既に説明したように揺動アーム１７に組み込んだ押圧センサ１００により洗浄ブラシ５の重量変化を検知することにより推定し、推定含有水分量を求めることが可能である。この測定工程（Ｓ６）は、Ｓ３〜Ｓ５と同時並行的に実行する。一方で、洗浄ブラシ５の洗浄直後は含有水分量はほぼ最大値となっているから、Ｓ３〜Ｓ５の含有水分量調整工程の手順に必要な動作を予め実験的に確定しておくことにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を測定しなくても、含有水分量を目標値に近づけることは可能である。この場合には、後述する測定工程（Ｓ６）の実行を省略することとしても良い。
【００８０】
洗浄ブラシ５の含有水分量の調整は、洗浄ブラシ５を自転させること、洗浄ブラシ５を押し付け機構８０に押し付けること、洗浄ブラシ５へとガスノズル７０からガスを吹き付けることのいずれか、またはこれらの組み合わせにより行うことが可能である。
【００８１】
＜Ｓ３  含有水分量調整（回転）＞
Ｓ３の含有水分量調整（回転）においては、揺動アーム１７に設置されたブラシ回転機構１８により洗浄ブラシ５を回転軸１１の周りに自転させることにより実行する。自転の回転数を、Ｓ２のブラシ洗浄時よりも高い回転数とすることで、洗浄ブラシ５の表面に付着した水分の大半を振り切ることが可能である。洗浄ブラシ５の自転回転数や回転持続時間を調整することにより、洗浄ブラシ５に残存する含有水分量を所望の値とすることが可能である。
【００８２】
＜Ｓ４  含有水分量調整（押し付け）＞
洗浄ブラシ５の自転および洗浄液の供給がなされた後、揺動制御機構３２により揺動アーム１７が微小に揺動する。これにより、待機ポッド４１の内部で洗浄ブラシ５が揺動し、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳが押し付け機構８０の側面に押し付けられる。
押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などは、予めレシピに規定されている。
【００８３】
＜Ｓ５  含有水分量調整（ガス噴射）＞  
Ｓ５の含有水分量調整工程は、Ｓ３、Ｓ４の後に行われる。Ｓ５において洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＳがブラシ洗浄機構７内のガスノズル７６と同一高さまたは若干下方位置へと移動される。この移動が完了した後、ガス供給源（図示せず）からのガスは、ガス配管７１を介してガスノズル７６に供給される。ガスバルブ７７を開閉することにより、ガスノズル７６からの洗浄液の吐出／停止を切り換えることができる。次に、図１の昇降移動機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１から離脱する。当該上昇の間もガス供給は継続し、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から離脱した後にガス供給は停止される。
【００８４】
＜Ｓ６  含有水分量測定＞
押し付け動作による洗浄ブラシ５の含有水分量の変化を把握し、この把握結果に応じて押し付け動作における押し付け動作の圧力、持続時間、回数、押し付け動作時における押し付け機構８０と洗浄ブラシ５の高さ関係などを、押し付け動作の最中に変化させても良い。この場合、洗浄ブラシ５の含有水分量の測定と、上記の含有水分量調整（Ｓ３〜Ｓ５）は並行して行われる。
【００８５】
含有水分量測定値は、揺動アーム１７内部に設置された押圧センサ機構１００により洗浄ブラシ５の重量変化を検知することにより推定して求める。このほか、Ｓ２の水分量調整工程の後、待機ポッド４１の下方の下側開口４１ｂに接続する排液管９０の中途に図示しない流量測定器を配置し、Ｓ３〜Ｓ５の含有水分量調整工程の間に排液管９０を通過する水量を測定することにより、洗浄ブラシ５の含有水分量を推定することとしても良い。
【００８６】
＜Ｓ７  待機ポッドからブラシ退出＞
Ｓ１〜Ｓ６までの工程終了後、Ｓ７工程が実行される。
Ｓ７において洗浄ブラシ５は、図１の昇降制御機構３１により揺動アーム１７を上昇させることにより、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１から退出する。
洗浄ブラシ５の退出は、通常、基板Ｗをブラシ洗浄する直前に行われる。
基板Ｗをブラシ洗浄する際には、待機ポッド４１から退出した洗浄ブラシ５が、揺動制御機構３２により揺動アーム１７を揺動させることにより、吸着ベース１０に吸着保持された基板Ｗの周縁部に当接する。
【００８７】
以上、ブラシ洗浄機構７による水分量調整工程において、洗浄ブラシ７の含有水分量を所望の値に調節するための基本的な動作について説明した。
基板Ｗのブラシ洗浄処理において、どの工程で水分量調整工程を行うかは処理の目的などで異なる。また、各工程において洗浄ブラシ５の含有水分量をどのような値にするかも処理により異なる。したがって、基板Ｗのブラシ洗浄工程における水分量調整工程の実施態様には色々な変形例が考えうる。
【００８８】
以下に、ブラシ洗浄工程の実施態様について説明する。
＜ブラシ洗浄工程の実施態様１＞
図６はブラシ洗浄工程の実施態様１についてのフローチャートである。
図６のＳ１（水分量調整工程）においては、既に説明した図６のフローチャートのＳ１〜Ｓ７に示す水分量調整工程が実施される。Ｓ１（水分量調整工程）の実施にあたっては、次のＳ２（基板のブラシ洗浄）に要求される含有水分量に応じて、洗浄ブラシ５の含有水分量が調整される。
【００８９】
次に図６のＳ２（基板のブラシ洗浄）にて、吸着ベース１０に吸着保持された基板Ｗの周縁部へと洗浄ブラシ５が当接されることにより、基板Ｗの周縁部のブラシ洗浄が行われる。ブラシ洗浄と並行して、処理液ノズル３６から処理液が基板Ｗの上面の周縁部近傍に向けて供給される。処理液としては主に純水が用いられるが、ブラシ洗浄の目的によっては、弱炭酸水、ＳＣ１、ＳＣ２、ＦＯＭなどの洗浄処理液を用いても良い。
【００９０】
Ｓ２（基板のブラシ洗浄）の開始時において、洗浄ブラシ５の含有水分量が適切な水分量に調整されているため、洗浄ブラシが乾燥しすぎていることによる基板の破損や、洗浄ブラシが濡れすぎていることによる飛まつの発生が抑制される。
【００９１】
次に図６のＳ３（基板のリンス処理）にて、基板Ｗの周縁部から洗浄ブラシ５が離間し、処理液ノズル３６から処理液が基板Ｗの上面の周縁部近傍に向けて供給される。
次に図６のＳ４（待機ポッドにてブラシ洗浄）においては、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１内に収納される。洗浄ブラシ５は待機中に、図５のＳ２（ブラシ洗浄）で説明した洗浄処理がなされる。
【００９２】
＜ブラシ洗浄工程の実施態様２＞
図７はブラシ洗浄工程の実施態様２についてのフローチャートである。
図７のＳ１（水分量調整工程）においては、既に説明した図６のフローチャートのＳ１〜Ｓ７に示す水分量調整工程が実施される。Ｓ１（水分量調整工程）の実施にあたっては、次のＳ２（基板のブラシ洗浄）に要求される含有水分量に応じて、洗浄ブラシ５の含有水分量が調整される。
【００９３】
ここで、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＬは、基板Ｗの上面の周縁部に当接しこれを洗浄するための洗浄面上部ＣＳＵと、基板Ｗの下面の周縁部に当接しこれを洗浄するための洗浄面下部ＣＳＤとを含む。図７のＳ１工程とＳ２工程では、洗浄面上部ＣＳＵと洗浄面下部ＣＳＤがそれぞれ別の含有水分量となるように水分量調整工程が実行される。
たとえば基板Ｗの上面がデバイス面、下面が非デバイス面であり、ブラシ洗浄において上面への飛まつを極力抑止したい場合には、洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵの含有水分量を低く、洗浄ブラシ５の洗浄面下部ＣＳＤの含有水分量を高くする。
ブラシの含有水分量が低い場合、基板に与える抵抗が大きくなるため、基板にダメージを与えないようにブラシの適用圧力を低く抑えるなどの配慮が必要となる。このため、含有水分量を低くすることにより処理効率が低下する場合がありうるが、その反面、ブラシ洗浄における飛まつがデバイス面に付着するリスクを低下させることができる。一方で洗浄面下部ＣＳＤについては、非デバイス面である基板Ｗの下面に当接するため、飛まつを気にせずに、ブラシの含有水分量が高い状態で基板Ｗをブラシ洗浄させることができる。
【００９４】
洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵと下部ＣＳＤとで異なる含有水分量とするには、たとえば、洗浄ブラシ５の洗浄面ＣＬに対する押し付け機構８０の押し付け高さ位置を変えて、押し付け機構８０が洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤのいずれかに当たるようにした上で、押し付け時間や押し付け回数を制御すれば良い。また、含有水分量調整において、ガスノズル７６から噴射するガスが洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤのいずれかに当たるようにした上で、ガス流量、ガス供給時間などを制御しても良い。
【００９５】
図７のＳ１、Ｓ２において水分量調整した後、基板Ｗの上面、下面それぞれに洗浄ブラシ５の洗浄面上部ＣＳＵ、洗浄面下部ＣＳＤが当接されることで各々の面の周縁部についてブラシ洗浄が実行される（図７のＳ３，Ｓ４）。
次に図７のＳ５において基板のリンス処理が実行され、その後、洗浄ブラシ５は待機ポッド内部へと退避し、ブラシ洗浄が実行される（図７のＳ６）。
【００９６】
＜ブラシ洗浄工程の実施態様３＞
図８はブラシ洗浄工程の実施態様３についてのフローチャートである。
この実施態様においては、同じ基板Ｗに対してブラシ洗浄が２段階に分けて行われる。
この実施態様は、たとえば、基板Ｗの周縁部に付着した汚れ、レジスト残渣などが容易に除去できない場合などにおいて、第一段階で荒洗浄、第二段階で仕上げ洗浄を行う場合に用いられる。
【００９７】
図８のＳ１（水分量調整工程（１回目））においては、洗浄ブラシ５の含有水分量は低めに抑えられる。このことにより、図８のＳ２において、洗浄ブラシ５が基板Ｗの周縁部に与える抵抗は比較的高くなり、高い洗浄効果が期待できる。図８のＳ２終了後、洗浄ブラシ５は待機ポッド４１へと退避し、待機ポッド４１内において洗浄ブラシ５の洗浄が行われる。
【００９８】
図８のＳ４（水分量調整工程（２回目）においては、洗浄ブラシ５の含有水分量はＳ１におけるときよりも高めに調整される。このことにより、次のＳ５（基板のブラシ船女王（２回目））において、洗浄ブラシ５が基板Ｗの周縁部に与える抵抗は比較的低くなる。この状態で基板Ｗの周縁部の仕上げ洗浄が実施される。
基板Ｗの周縁部の２回目洗浄が終了した後は、洗浄ブラシ５が待機ポッド４１に退避し、待機ポッド４１内にて洗浄ブラシ５の洗浄が行われる（図８のＳ６（待機ポッドにてブラシ洗浄））。
【００９９】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明の実施態様は、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１００】
１      基板処理装置
３      スピンチャック
５      洗浄ブラシ
６      基板洗浄機構
７      ブラシ洗浄機構
８０    押し付け機構
８１    押し付け駆動機構
１４    回転軸線
１７    揺動アーム
１８    ブラシ回転機構
２１    中心軸線
２２    ブラシ移動機構
ＣＳ    洗浄面
ＣＳＵ  洗浄面上部
ＣＳＤ  洗浄面下部
３１    昇降駆動機構
３２    揺動駆動機構
４４    ポッド制御機構
４１    待機ポッド
４１ａ  上側開口
４１ｂ  下側開口
４３  洗浄液供給機構
４７  制御装置
５１    洗浄液配管
７１  ガス配管
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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