(57)【要約】【課題】ウエハが棚状に保持された基板保持具を反応容器内に搬入し、基板を真空雰囲気にて熱処理するにあたり、基板へのパーティクルの付着を抑制すること。【解決手段】複数のウエハを基板保持具であるウエハボートに棚状に保持して反応管（反応容器）内に搬入し、真空雰囲気にて熱処理を行うにあたり、反応容器内にてウエハボートの高さ方向に伸びるように設けられ、ウエハボートに沿って複数のガス吐出孔が形成されたガスノズルからガスを吐出する。ガス吐出孔からはガスと共にパーティクルが吐出されるが、反応容器の内壁であって、ガスノズルとウエハボートを介して対向する領域に帯状に伸びる突起部を形成し、パーティクルを突起部に衝突させて上下方向または横方向に跳ね返す。これにより、パーティクルのウエハ側への跳ね返しが抑制されるので、ウエハへのパーティクルの付着を抑制することができる。【選択図】図１
2018170468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、前記基板を真空雰囲気にて熱処理する縦型熱処理装置において、
前記反応容器内にて前記基板保持具の高さ方向に伸びるように設けられ、前記基板保持具に沿って複数のガス吐出孔が形成されたガスノズルと、
前記反応容器の内壁であって、前記ガスノズルと前記基板保持具を介して対向する領域に形成された突起部と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気部と、を備え、
前記突起部は、前記ガス吐出孔から吐出されたパーティクルが上下方向または横方向に跳ね返るように形成されていることを特徴とする縦型熱処理装置。
【請求項２】
前記突起部は、上下方向に沿って複数設けられ、当該複数の突起部を縦方向に沿った断面で見ると、三角波形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
【請求項３】
前記複数の突起部は、三角波形状を構成する上側の面及び下側の面の一方が水平面であり、他方の面が傾斜面であることを特徴とする請求項２記載の縦型熱処理装置。
【請求項４】
前記傾斜面は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項３記載の縦型熱処理装置。
【請求項５】
前記突起部は、上下方向に沿って設けられ、前記パーティクルが横方向に跳ね返るように、頂部から前記内壁側に向かうにつれて横幅が広がるように形成されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
【請求項６】
前記突起部は、少なくとも前記基板保持具の最上段の基板に対応する高さ位置から、上から１０段目の基板に対応する高さ位置に至るまでの領域に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の縦型熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、基板に対して真空雰囲気にて熱処理を行う縦型熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の一つとして、多数の半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して、一括で熱処理を行う縦型熱処理装置がある。この熱処理装置では、例えば真空雰囲気の反応容器内において、多数枚のウエハを棚状に保持するウエハボートに対して、ウエハボートの高さ方向に伸び、その長さ方向に沿って多数のガス吐出孔を備えたガスノズルからガスを供給して、所定の熱処理を行っている。この熱処理では、突発的にウエハにパーティクルが付着する場合があり、その原因は、ガスノズル内で発生したパーティクルがガスと共に反応容器内に吐出され、反応容器内においてパーティクルが移動して、ウエハ上に落下するためと推察される。
【０００３】
特許文献１には、ガス導入ノズルに形成された複数個の噴出口において、噴出口の開口縁辺部に徐々に狭くまたは広くなるＲ面取り部または近似曲面部を形成する技術が提案されている。この手法では、ガスの乱れを抑制することにより、気相中での分解反応の過度が進行することによるパーティクルの発生を抑えると共に、ガス導入ノズルに付着したパーティクルの剥離を抑えて、パーティクルの発生を抑制している。しかしながら、反応容器内にガスノズルから吐出されたパーティクルがウエハに付着することを抑制するものではないため、本発明の課題を解決することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８６１３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、基板に対して真空雰囲気にて熱処理を行う縦型熱処理装置において、基板へのパーティクルの付着を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このため、本発明の縦型熱処理装置は、
複数の基板が棚状に保持された基板保持具を縦型の反応容器内に搬入し、前記基板を真空雰囲気にて熱処理する縦型熱処理装置において、
前記反応容器内にて前記基板保持具の高さ方向に伸びるように設けられ、前記基板保持具に沿って複数のガス吐出孔が形成されたガスノズルと、
前記反応容器の内壁であって、前記ガスノズルと前記基板保持具を介して対向する領域に形成された突起部と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気部と、を備え、
前記突起部は、前記ガス吐出孔から吐出されたパーティクルが上下方向または横方向に跳ね返るように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、縦型の反応容器の内壁における、ガスノズルと基板保持具を介して対向する領域に突起部を形成し、この突起部により、ガス吐出孔から吐出されたパーティクルを上下方向または横方向に跳ね返している。このため、反応容器の内壁に衝突したパーティクルが基板側へ跳ね返ることが抑えられ、基板へのパーティクルの付着が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る縦型熱処理装置の一実施形態を示す縦断側面図である。
【図２】縦型熱処理装置に設けられる突起部とガスノズルとウエハとを示す側面図である。
【図３】縦型熱処理装置に設けられる反応管とガスノズルとウエハとを示す平面図である。
【図４】反応管とガスノズルとウエハとを示す側面図である。
【図５】縦型熱処理装置の他の例を示す縦断側面図である。
【図６】突起部とガスノズルとウエハとを示す側面図である。
【図７】縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。
【図８】反応管とガスノズルとウエハとを示す平面図である。
【図９】縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。
【図１０】縦型熱処理装置のさらに他の例を示す縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明に係る縦型熱処理装置の一実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１において、１１は熱処理炉であり、両端が開口している内管２１及び上端が閉塞している外管２２からなる例えば透明石英製の二重管構造の反応管２と、この反応管２の周囲を囲むように設けられる例えばヒータからなる加熱機構１２と、を備えている。内管２１及び外管２２の下部側は筒状のマニホールド２３により支持されている。
【００１０】
図１中３は、反応管２の長さ方向に沿って、複数のウエハＷを棚状に配列して保持する基板保持具であるウエハボートである。このウエハボート３は、ボートエレベータ３１により上昇し、熱処理炉１１内に搬入される構成とされている。マニホールド２３の下端開口部は、蓋体３２により塞がれる構成とされており、この蓋体３２とウエハボート３との間は、例えば図示しない回転軸を備えた筒状体３３が設けられている。
【００１１】
マニホールド２３は、排気バルブＶを備えた排気路２４を介して真空排気部である真空ポンプ２５に接続され、反応管２内が内管２１と外管２２との間から真空排気されるように構成されている。この例では、反応管２とマニホールド２３とにより反応容器が構成され、内管２１の内壁が反応容器の内壁に相当する。
【００１２】
マニホールド２３には、例えば先端が閉じられた細長い管状の石英製のガスノズル４が挿入されている。このガスノズル４は、反応管２内にて、ウエハボート３の高さ方向に垂直に伸びるように設けられ、ウエハボート３に沿って複数のガス吐出孔４１が形成されている。ガス吐出孔４１は、ウエハボート３に搭載された各ウエハＷに対応する位置、この例では、図２に示すように、上下方向に隣接するウエハＷ同士の間に、ガスを吐出する位置に形成されている。
【００１３】
図２は、ウエハボート３の最上段のウエハＷ１と、その下方側の複数枚のウエハＷを示すものである。ガスノズル４の基端側は、マニホールド２３における図示しないポートを介して、バルブやマスフローコントローラ等を含む流量調整部４３を備えたガス供給路４２に接続され、このガス供給路４２の他端側は処理ガス例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガスのガス供給源４４に接続されている。
【００１４】
反応管２の内管２１には、ガスノズル４とウエハボート３を介して対向する領域に突起部５が設けられている。ガスノズル４の内部には、ノズル内部に形成された反応生成物である膜の膜剥がれや、ガスノズル４を構成する石英のクラック、取り付け時の石英粉、などがパーティクルとして存在する場合があり、これらパーティクルは、ガス吐出孔４１からガスと共に突発的に吐出される。突起部５は、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルを上方向に跳ね返すためのものである。
【００１５】
ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは、後述するようにガス吐出孔４１と対向する部位に向けて直線的に移動し、当該部位に衝突する。このため、突起部５は、内管２１における、ガスノズル４とウエハボート３を介して対向する領域に設けられる。この例における、「対向する領域」とは、ガス吐出孔４１から吐出されるパーティクルが衝突するおそれがある領域をいい、パーティクルの発生状態を把握して決定される。具体的には、例えば「対向する領域」は、図３において、ウエハＷの中心Ｏから見て、直線Ｌから周方向に＋θ（θ＝４５）度、−θ（θ＝４５度）度離れた直線Ｌ２２、直線Ｌ３２の間の領域Ｓをいう。
【００１６】
突起部５は、対向する領域Ｓにおける内管２１の内壁に設けられ、この領域Ｓ全体に設けるようにしてもよいし、領域Ｓの一部であるガス吐出口４１に対向する部位（対向部位）に設けるようにしてもよい。この対向部位とは、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルが多く衝突する領域をいい、この例では、対向部位に突起部５を設けている。例えば対向部位は、図３に内管２１を平面的に示すように、例えばガス吐出孔４１の周方向の中心と、ウエハボート３に搭載されたウエハＷの中心Ｏとを通る直線を直線Ｌ１とすると、ウエハＷの中心Ｏから見て、直線Ｌ１から周方向に＋θ（θ＝１０度）、−θ（θ＝１０度）離れた直線Ｌ２１、Ｌ３１の間の部位である。
【００１７】
この例は帯状の突起部（突条部）５を備えており、突起部が上下方向に連続して形成されている。突起部５は、例えば図１及び図３に示すように、ウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、最下段のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域において、上下方向に複数設けられ、複数の突起部５を縦方向に沿った断面で見ると、ウエハボート３側に頂部を持つ三角波形状に形成されている。この例の突起部５は、三角波形状を構成する上側の面が傾斜面５１であり、下側の面が水平面５２として形成され、例えば図２に示すように、傾斜面５１は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜するように形成されている。また、水平面５１は、水平面に対する傾きが１０度以内である状態を指す。
【００１８】
突起部５は、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルを上方向に跳ね返すように形成されている。このため、例えば図２に示すように、ウエハＷの側方から見たときに、ガス吐出孔４１毎に傾斜面５１が設けられ、各ガス吐出孔４１と傾斜面５１が互いに対向するように配列されている。この例では、例えばガス吐出孔４１の高さ方向の中心部と、傾斜面５１の高さ方向の中心部との高さ位置が互いに揃うように形成されている。
【００１９】
内管２１において、パーティクルが衝突する領域は、ガスの種類や流量、反応容器内の圧力によって異なるため、例えば後述するように予め反応容器内のパーティクルの挙動を観察することにより、パーティクルが衝突する領域を把握し、この領域をカバーするように、突起部５の形状や取り付け領域が設定される。
【００２０】
次に上述の縦型熱処理装置の作用について、処理ガスとしてＳｉＨ４ガスを用いてＳｉ膜を成膜する例を用いて説明する。先ず、ウエハＷを所定枚数ウエハボート３に保持し、ボートエレベータ３１を上昇させることにより、反応管２及びマニホールド２３にて構成される反応容器内に搬入（ロード）する。ウエハボート３を搬入してマニホールド２３の下端開口部を蓋体３２により塞いだ後、反応容器内の温度を例えば５００℃まで昇温させると共に、排気バルブＶを開いて反応容器内を真空ポンプ２５により、所定の真空度例えば１３３Ｐａまで真空排気する。
【００２１】
そして、ウエハボート３を鉛直軸回りに回転させながら、ガス供給源４４からガスノズル４を介して、ＳｉＨ４ガスを例えば１０００ｓｃｃｍの流量で反応容器内に供給する。ガスは、ガスノズル４のガス吐出孔４１からウエハボート３に搭載されたウエハＷに対して、高さ方向に隣接するウエハＷ同士の間に吐出され、ウエハＷ表面にＳｉ膜が形成される。ウエハボート３に沿って形成された複数のガス吐出孔４１から対応するウエハＷに対してガスを供給しているので、ウエハＷの中心部にもガスが十分に行き渡り、ウエハ面内に亘って、均一に成膜処理が進行する。
【００２２】
ここで、ガスノズル４から成膜ガスと共に吐出するパーティクルについて説明する。ガスノズル４の内部には、既述のようにパーティクルが存在する場合があり、これらパーティクルが、ガス吐出孔４１から成膜ガスと共に反応容器内に突発的に吐出されることがある。本発明者らは、ガス吐出孔４１から反応容器内に吐出されたパーティクルの様子をハイスピードカメラにて撮像し、パーティクルの挙動について確認した。
【００２３】
ガス吐出孔４１の孔径が揃っているガスノズル４を用いて、例えば１リットルのタンクに充填したガスを反応容器内に供給したところ、反応容器内の圧力が６６６６０Ｐａ程度では、パーティクルはガスノズル４の下部側のガス吐出孔４１から排出されやすく、反応容器の下部側でのパーティクル数が多くなる傾向にある。一方、反応容器内の圧力が１３３Ｐａ程度の減圧下では、反応容器の上部側でのパーティクル数が多くなる傾向にあることが確認された。これは、減圧下では気体分子量が少なく、パーティクルはガスノズル４内において上部側まで運ばれ、ガスノズル４の先端で衝突して運動エネルギーを失って、ガスノズル４の上部側のガス吐出孔４１から排出されるためと推察される。
【００２４】
また、反応容器内が真空雰囲気であるときには、ガス吐出孔４１から排出されたパーティクルは、ガスの流れとは別個に直線的に移動していく。例えば図２に点線にてパーティクルの経路を示すように、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいくことが動画により確認された。そして、突起部５の傾斜面５１に衝突して、上向きに進路を変え、上方向に跳ね返り、例えば上方側の突起部５の水平面５２に衝突して、再び下方向に跳ね返る。パーティクルは、衝突の度にエネルギーを失って勢いを無くし、結果的にウエハＷの外方側の突起部５の近傍領域において落下していく様子が認められている。従って、ガス吐出孔４１からパーティクルが吐出しても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。
【００２５】
一方、従来のように突起部を備えない構成では、図４に示すように、パーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながらガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、内管２１内壁に衝突して、ウエハＷ側に跳ね返って戻ってくる。このようにパーティクルは内壁２１に衝突して跳ね返り、ウエハＷ上に落下するので、ウエハＷにパーティクルが付着してしまう。
【００２６】
本発明は、真空雰囲気の反応容器内において、ガスノズル４のガス吐出孔４１から吐出したパーティクルの挙動を把握したことにより成されたものであり、上述の実施の形態によれば、既述のように、内管２１の内壁において、ガスノズル４とウエハボート３を対して対向する領域に突起部５を設けている。このため、反応容器内にガス吐出孔４１からパーティクルを吐出しても、パーティクルが突起部５に衝突して、上方向に跳ね返される。従って、パーティクルが内管２１の内壁に衝突して、ウエハＷに向けて跳ね返ることが抑えられるため、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。
【００２７】
また、突起部５は各々周方向に伸びるように上下方向に複数設けられているので、ガスノズル４の長さ方向に沿って形成された複数のガス吐出孔４１からパーティクルが吐出したとしても、夫々のパーティクルを上方向に跳ね返すことができる。さらに、突起部５は、縦方向に沿った断面で見ると、三角波形状に形成されているので、パーティクルが三角波形状の傾斜面に衝突しやすく、パーティクルを上下方向に跳ね返しやすい。
【００２８】
さらにまた、突起部５の三角波形状を構成する上側の面を傾斜面５１、下側の面を水平面５２として形成しているので、上向きにパーティクルが跳ね返され、跳ね返されたパーティクルは、既述のように、上側に隣接する突起部５に衝突して失速し、ウエハＷの外方へ落下していく。また、最上段の突起部５で跳ね返されたパーティクルは、突起部５からウエハボート３の上端までの距離が短いため、パーティクルが上方斜めに向けて跳ね返されても、ウエハＷに衝突せずに、ウエハボート３の上方側へ進んでいくため、パーティクル汚染の防止効果が大きい。
【００２９】
続いて、突起部の他の例について説明する。図５及び図６に示す突起部６が上述の突起部５と異なる点は、三角波形状を構成する上側の面が水平面６１であり、下側の面が傾斜面６２として形成されることである。例えば、傾斜面６２は、水平面に対して４０〜５０度の範囲で傾斜するように形成され、水平面６１は、水平面に対する傾きが１０度以内である状態も含む。
【００３０】
このような突起部６を備えた反応容器では、パーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、突起部６の傾斜面６２に衝突して、下向きに進路を変えて下方向に跳ね返り、例えば下方側の突起部６の水平面６１に衝突する。パーティクルは、衝突の度にエネルギーを失って勢いを無くすため、結果的にウエハＷの外方側の突起部５の近傍領域において落下していく。これにより、この突起部６を用いた構成においても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。また、三角波形状を構成する下側の面が傾斜面６２であることから、ガス吐出口４１から吐出されるガスが傾斜面６２に当たって進路を変え、斜め下方側に向かい、ウエハＷに供給される。これにより、ウエハ面内へのガスの供給量を多くすることができる。
【００３１】
突起部のさらに他の例について説明する。図７及び図８に示す突起部７は、上下方向に沿って設けられ、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルが横方向に跳ね返るように、頂部７１から内管２１の内壁側に向かうに連れて横幅が広がるように形成されている。例えば突起部７は平面的に見ると三角形状に形成され、頂部７１が前記直線Ｌ１上に設けられる。三角形状については、パーティクルが傾斜部７２、７３に衝突して、横方向に跳ね返る形状に形成される。
【００３２】
このような突起部７を備えた反応容器では、パーティクルは、ウエハＷに衝突しながら、例えばガス吐出孔４１と対向する内管２１の内壁（反応容器の内壁）に向けて進んでいき、突起部７の傾斜部７２、７３に衝突して、横向きに進路を変え、横方向に跳ね返る（図８参照）。こうして、パーティクルは突起部７等との衝突により、エネルギーを失って勢いをなくし、ウエハＷの外方側において落下していく。従って、この突起部７を用いた構成においても、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。
【００３３】
続いて、反応容器の他の例について説明する。図９に示す縦型熱処理装置の反応管２は、内管２１と、外管２２との二重管構造となっており、内管２１の内部に、その長さ方向に沿って伸びるように形成されたガスノズル４が収納されている。このガスノズル４に対向するように、内管２１の側面には、その長さ方向に伸びるスリット状の開口部２６が上下方向に複数箇所に形成されている。その他の構成は上述の縦型熱処理装置と同様であり、同じ構成部材については同符号を付し、説明を省略する。この例においても、反応管２とマニホールド２３とにより反応容器が構成され、内管２１の内壁が反応容器の内壁に相当する。
【００３４】
内管２１におけるガスノズル４と対向する領域には、突起部が形成される。突起部の構成については、上述の実施の形態と同様である。図９には、パーティクルを上向きに跳ね返す構成の突起部５が形成された例を示し、この突起部５は、開口部２６以外の領域に、ガス吐出孔４１と対向するように設けられる。この例の反応管２は、ガスノズル４と対向する部位に開口部２６が形成されているので、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは開口部２６に向けて横方向に流れていき、内管２１と外管２２との間を通り、反応管２の外に排出される。また、開口部２６が設けられていない領域では、パーティクルは突起部５に衝突することによって上方向に跳ね返され、衝突を繰り返すことによってエネルギーを失って、ウエハＷの外方にて落下し、こうして、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。内管２１に設けられる突起部は、下向きに跳ね返す構成の突起部６、横方向に跳ね返す構成の突起部７でもよく、パーティクルの発生状態に応じて選択される。
【００３５】
図１０に示す縦型熱処理装置の反応管８は単管構造であり、反応管８の上部側が排気バルブＶを備えた排気路８１を介して真空排気部である真空ポンプ８２に接続されている。反応管８の下部側はマニホールド８３に接続されており、反応管８の内部に、その長さ方向に沿って伸びるように形成されたガスノズル４が収納されている。その他の構成は上述の縦型熱処理装置と同様であり、同じ構成部材については同符号を付し、説明を省略する。この例においても、反応管８とマニホールド８３とにより反応容器が構成され、反応管８の内壁が反応容器の内壁に相当する。
【００３６】
反応管８におけるガスノズル４と対向する領域には、図１０に示すように、突起部が形成される。突起部の構成については、上述の実施の形態と同様である。図１０には、パーティクルを上向きに跳ね返す構成の突起部５が形成された例を示す。この例の反応管８は、上部側から排気されるので、ガス吐出孔４１から吐出されたガスはウエハＷ表面に接触しながら横方向に流れていき、さらに反応管８の上部側へ向かい、排気路８１を介して排気される。また、ガス吐出孔４１から吐出されたパーティクルは、ウエハＷとの衝突を繰り返しながら、ガスノズル４と対向する部位に向けて進み、突起部５に衝突して失速する。そして、ウエハＷの外方においてガスの流れと共に反応管８の上部側へ向かい、排気路８１を介して排気される。これにより、ウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。反応管８に設けられる突起部は、下向きに跳ね返す構成の突起部６、横方向に跳ね返す構成の突起部７でもよく、パーティクルの発生状態に応じて選択される。
【００３７】
以上において、突起部は、ウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、最下段のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域の一部に設けるようにしてもよい。例えばパーティクルの発生状況を把握し、既述のように、ウエハボート３の上部側のパーティクル数が多い場合には、反応容器の内壁において、突起部は、少なくともウエハボート３の最上段のウエハＷに対応する高さ位置から、上から１０段目のウエハＷに対応する高さ位置に至るまでの領域に形成するようにしてもよい。
【００３８】
さらに、突起部は、必ずしも上下方向に連続して設ける必要はなく、上下方向に互いに間隔を開けて設けるものであってもよい。例えばガス吐出口４１とウエハボート３を介して対向する領域において、ウエハボート３に搭載された上下方向に隣接するウエハＷ同士の間に、ガス吐出口４１と対応するように、突起部を上下方向に互いに間隔を開けて設けるようにしてもよい。また、三角形状の凹部を連続して、あるいは間隔をおいて形成した場合、これは凹部以外の部分が突起部に相当し、この場合も権利範囲に含まれる。
【００３９】
また、パーティクルが吐出するおそれがあるガスノズル４が複数本設けられている場合には、パーティクルの発生状況を把握し、複数のガスノズル４に対応して複数の突起部を設けるようにしてもよいし、複数のガスノズル４の対向部位を全て含む領域全体に突起部を設けるようにしてもよい。さらに、縦型熱処理装置に対して実施される処理は、上述の成膜処理のみならず、アニール処理等の熱処理であってもよい。
【符号の説明】
【００４０】
Ｗ            半導体ウエハ
１１          熱処理炉
１２          加熱機構
２、８        反応管
２１          内管
２２          外管
３            ウエハボート
４            ガスノズル
４１          ガス吐出孔
５、６、７    突起部
５１、６２    傾斜面
５２、６１    水平面      
【図１】
2018170468.tif 000003
【図２】
2018170468.tif 000004
【図３】
2018170468.tif 000005
【図４】
2018170468.tif 000006
【図５】
2018170468.tif 000007
【図６】
2018170468.tif 000008
【図７】
2018170468.tif 000009
【図８】
2018170468.tif 000010
【図９】
2018170468.tif 000011
【図１０】
2018170468.tif 000012