(57)【要約】【課題】導体部に好適に実装が可能な配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】メタライズ層７の表面を覆うように、メッキによって初期Ｃｕメッキ層１９を形成した後に、その初期Ｃｕメッキ層１９を加熱して軟化又は溶融させるので、その軟化又は溶融した初期Ｃｕメッキ層１９の銅がメタライズ層７の開気孔部９に入り込む。また、この加熱の際には、メタライズ層７の成分と初期Ｃｕメッキ層１９との成分が相互熱拡散する。従って、その後固化した場合（即ち初期Ｃｕメッキ層１９が下部Ｃｕメッキ層１３となった場合）には、アンカー効果や相互熱拡散の効果等によって、メタライズ層７と下部Ｃｕメッキ層１３との密着性が向上し、実装性が向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有し非磁性体である導体部が形成された配線基板の製造方法において、
前記導体部の形成工程は、
一部又は全体が導電材料からなり、導電性を有する非磁性体である導体ベース部の表面に、導電材料からなり非磁性体の導電層を形成する第１の工程と、
前記導電層を加熱して軟化又は溶融させ、その後冷却して固化させる第２の工程と、
前記固化させた前記導電層の表面に、メッキによって、導電材料からなり非磁性体の表面層を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電層を、銅又は銀を用いて形成し、前記表面層を、銅又は銀を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面層の表面に、メッキによって、金、銀、錫のうち少なくとも一種からなる表面メッキ層を形成する第４の工程を有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程の前の工程であって、前記表面層の表面に、メッキによって、パラジウムからなるパラジウムメッキ層を形成する第５の工程を有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体ベース部を粒子を含む材料によって形成する場合に、前記導体ベース部の表面に、凹部である開気孔部を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体ベース部が複数の種類の材料を含む場合に、前記第１の工程の前の工程として、前記導体ベース部から特定の種類の前記材料を除去する処理を行う第６の工程を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体ベース部を、メタライズによって形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
導電性を有し非磁性体である導体部を有する配線基板において、
前記導体部は、
一部又は全体が導電材料からなり、導電性を有する非磁性体である導体ベース部と、
前記導体ベース部の表面に配置された非磁性体の中間層と、
導電材料からなり前記中間層の表面に配置された非磁性体の導電層と、
導電材料からなり前記導電層の表面に配置された非磁性体の表面層と、
を備えており、
前記中間層は、前記導体ベース部の材料と前記導電層の材料とを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記導電層は、銅又は銀からなり、前記表面層は、銅又は銀からなることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記表面層の表面に、金、銀、錫のうち少なくとも一種からなる表面メッキ層を備えたことを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記表面層と前記表面メッキ層との間に、パラジウムメッキ層を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
前記導体ベース部の表面に、凹部である開気孔部を有することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記導体ベース部の表面の前記開気孔部に、前記導電層の導電材料があることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記導体ベース部は、メタライズ層であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば磁性による信号への影響等を低減できる配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板として、例えば、セラミック基板上に配線層（導体部）が形成されたセラミック配線基板が知られている。また、この配線層として、例えば、セラミック基板上にメタライズ層を形成し、メタライズ層の上にＮｉメッキによってＮｉメッキ層を形成し、その上にＣｕメッキ乃至Ａｕメッキにより、Ｃｕメッキ層乃至Ａｕメッキ層を形成したもの等が知られている（特許文献１〜５参照）。
【０００３】
ここで、ニッケル（Ｎｉ）は強磁性体であり、使用環境や搭載される磁気部品により、磁場に瞬間的にでも晒された場合には、ニッケルは永久的に磁化し、電気的特性（例えば高周波特性）が低下するという問題があった。
【０００４】
この対策として、Ａｕメッキの下地メッキとして、ニッケルに代えて非磁性体の銅（Ｃｕ）を用いるという技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２５１６９９号公報
【特許文献２】特開平１１ー１１１８９１号公報
【特許文献３】特開平１１ー１０２８１４号公報
【特許文献４】特開平６ー６０００号公報
【特許文献５】特開２０１１−４９４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したように、Ｎｉメッキの代わりに非磁性体のＣｕメッキを用いた場合には、メタライズ層とＣｕメッキ層との間の密着性が不十分なために、不具合が生じることがあった。
【０００７】
具体的には、配線層に対して半田（ハンダ）によって各種の部品を実装する際に、ハンダくわれ（即ちハンダに銅が吸収されてしまう現象）が発生したり、Ａｕワイヤー等のワイヤーボンディングの際に、メッキ剥がれが生ずる等の問題があり、実装性が不十分となることがあった。
【０００８】
つまり、配線層に対して、ハンダによって各種の部品を実装したり、ワイヤーボンディングによってＡｕワイヤーを接合（従って実装）する際に、好適に実装することができないことがあった。
【０００９】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、導体部に好適に実装が可能な配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の第１局面は、導電性を有し非磁性体である導体部が形成された配線基板の製造方法に関するものである。
この配線基板の製造方法では、導体部の形成工程として、一部又は全体が導電材料からなり、導電性を有する非磁性体である導体ベース部の表面に、導電材料からなり非磁性体の導電層を形成する第１の工程と、導電層を加熱して軟化又は溶融させ、その後冷却して固化させる第２の工程と、固化させた導電層の表面に、メッキによって、導電材料からなり非磁性体の表面層を形成する第３の工程と、を有する。
【００１１】
本第１局面では、導体ベース部の表面（即ち露出している表面）に、（例えばメッキによって）導電層を形成した後に、その導電層を加熱して軟化又は溶融させるので（以下、この処理を加熱処理と記すことがある）、その軟化又は溶融した導電層の導電材料が導電ベース部の凹部である開気孔部に入り込む。また、この加熱処理の際には、導体ベース部の成分と導電層との成分が相互熱拡散する。従って、その後固化した場合には、アンカー効果や相互熱拡散の効果等によって、導体ベース部と導電層との密着性が向上し、強固に接合するという顕著な効果を奏する。
【００１２】
また、熱処理後の導電層の表面は、軟化又は溶融によって、導電ベース部の表面に沿った気孔（ボイド）が形成されることがあるが、本第１局面では、導電層の表面には、メッキによって、表面層を形成するので、開気孔部を導電層及び表面層により十分に覆うことができる（即ちカバー性が向上する）。
【００１３】
従って、このように形成された導体部の表面（或いは更に導体部の表面にＡｕ等をメッキした表面）に、例えばハンダによって各種の部品を実装する場合、或いはワイヤーボンディングによってＡｕワイヤー等を接合（従って実装）する場合には、その実装性が向上する。
【００１４】
さらに、非磁性体である導体部を形成するために、例えば強磁性体のニッケル（Ｎｉ）に代えて非磁性体の銅（Ｃｕ）を用いる場合には、例えばメタライズ等によって形成された導体ベース部と銅からなる導電層との密着性が低いという問題があるが、本第１局面の製造方法では、導体ベース部と導電層との密着性が向上するので、実装性が向上するという利点がある。
【００１５】
つまり、本第１局面では、非磁性体である導体部を形成する場合に、導体ベース部と導電層との密着性が向上するので、実装性も向上するという顕著な効果を奏する。
なお、導電層の加熱処理を行う場合には、導電層を形成する導電材料の融点の８０％以上の温度で加熱することができる。
【００１６】
（２）本発明の第２局面では、導電層を、銅又は銀を用いて形成し、表面層を、銅又は銀を用いて形成する。
本第２局面では、導電層及び表面層の材料（即ち非磁性体の材料）として好適な材料を例示している。
【００１７】
（３）本発明の第３局面では、表面層の表面に、メッキによって、金、銀、錫のうち少なくとも一種からなる表面メッキ層を形成する第４の工程を有する。
本第３局面では、表面層の表面（即ち露出した表面）に、メッキによって、金、銀、錫を用いて表面メッキ層を形成するので、表面層の酸化を抑制することができる。そのため、表面メッキ層に対して、各種の部品の実装やワイヤーボンディングを好適に行うことができる。
【００１８】
なお、表面メッキ層の材料としては、耐酸化性が高く実装性に優れた金（Ａｕ）が好適である。
（４）本発明の第４局面では、第４の工程の前の工程であって、表面層の表面に、メッキによって、パラジウムからなるパラジウムメッキ層を形成する第５の工程を有する。
【００１９】
本第４局面では、表面層の表面（即ち露出した表面）に、言い換えれば、表面層と表面メッキ層との間に、パラジウムメッキ層を形成するので、その分表面メッキ層を薄くすることができる。例えば表面メッキ層の材料として金を用いる場合には、高価な金を節約できるという利点がある。
【００２０】
（５）本発明の第５局面では、導体ベース部を粒子を含む材料によって形成する場合に、導体ベース部の表面に、凹部である開気孔部を形成する。
本第５局面では、例えば導電ベース部の材料の状態（例えば粉末材料の場合は粒径）や製造条件（例えばメタライズの場合は加熱条件）などを調節することにより、導体ベース部の表面（即ち露出した表面）に、微小な凹凸（従ってその凹部である開気孔部）を形成することができる。例えば粉末の粒径を大きくすることにより大きな開気孔部を形成することができる。
【００２１】
これにより、導体ベース部上に導電層を形成する場合には、アンカー効果による密着性を向上することができる。
（６）本発明の第６局面では、導体ベース部が複数の種類の材料を含む場合に、第１の工程の前の工程として、導体ベース部から特定の種類の材料を除去する処理を行う第６の工程を有する。
【００２２】
本第６局面では、導電層を形成する前に、例えばエッチングによって、導体ベース部から特定の種類（例えばシリカ）の粒子等の材料を除去する処理を行うので、導体ベース部の表面に開気孔部を形成したり、さらに開気孔部をより大きくすることができる。
【００２３】
これにより、導体ベース部上に導電層を形成する場合には、アンカー効果による密着性が一層向上する。
（７）本発明の第７局面では、導体ベース部を、メタライズによって形成する。
【００２４】
本第７局面は、導体ベース部の好適な形成方法を例示したものである。例えば、周知のように、グリーンシートの上にメタライズペーストを塗布し、同時焼成することによってメタライズを行って、メタライズ層を形成することができる。
【００２５】
（８）本発明の第８局面は、導電性を有し非磁性体である導体部を有する配線基板に関するものである。
この配線基板では、導体部は、一部又は全体が導電材料からなり、導電性を有する非磁性体である導体ベース部と、導体ベース部の表面に配置された非磁性体の中間層と、導電材料からなり中間層の表面に配置された非磁性体の導電層と、導電材料からなり導電層の表面に配置された非磁性体の表面層と、を備えている。そして、中間層は、導体ベース部の材料と導電層の材料とを含んでいる。
【００２６】
本第８局面では、導体部は、導体ベース部と中間層と導電層と表面層とが積層された構造（即ち非磁性体の各部が積層された構造）を有しており、中間層は、例えば相互熱拡散により、導体ベース部の材料と導電層の材料とを含んでいる。従って、そのような中間層が間に配置された導体ベース部と導電層との密着性が高いという効果がある。
【００２７】
従って、このような構成の導体部の表面（或いは更に導体部の表面に金等をメッキした表面）に、例えばハンダによって各種の部品を実装する場合、或いはワイヤーボンディングする場合には、その実装性が向上するという利点がある。
【００２８】
さらに、非磁性体である導体部を形成するために、例えば強磁性体のニッケルに代えて非磁性体の銅を用いる場合には、例えばメタライズ等によって形成された導体ベース部と銅からなる導電層との密着性が低いという問題があるが、本第８局面では、導体ベース部と導電層との密着性を向上できるので、実装性を向上できる。
【００２９】
つまり、本第８局面では、非磁性体である導体部について、導体ベース部と導電層との密着性が向上するので、実装性も向上するという顕著な効果を奏する。
（９）本発明の第９局面では、導電層は、銅又は銀からなり、表面層は、銅又は銀からなる。
【００３０】
本第９局面では、導電層及び表面層の材料（非磁性体の材料）として好適な材料を例示している。
（１０）本発明の第１０局面では、表面層の表面に、金、銀、錫のうち少なくとも一種からなる表面メッキ層を備えている。
【００３１】
本第１０局面では、表面層の表面に、金、銀、錫のうち少なくとも一種からなる表面メッキ層を備えているので、表面層の酸化を抑制することができる。そのため、表面メッキ層に対して、各種の部品の実装やワイヤーボンディングを好適に行うことができる。
【００３２】
（１１）本発明の第１１局面では、表面層と表面メッキ層との間に、パラジウムメッキ層を備えている。
本第１１局面では、表面層と表面メッキ層との間に、パラジウムメッキ層を備えているので、その分表面メッキ層を薄くすることができる。
【００３３】
（１２）本発明の第１２局面では、導体ベース部の表面に、凹部である開気孔部を有する。
本第１２局面の構成により、導体ベース部上に導電層を形成する場合には、アンカー効果による密着性が向上する。
【００３４】
（１３）本発明の第１３局面では、導体ベース部の表面の開気孔部に、導電層の導電材料がある。
本第１３局面では、導体ベース部の表面の開気孔部に、導電層の導電材料があるので、導体ベース部上に導電層を形成する場合には、アンカー効果による密着性が向上する。
【００３５】
（１４）本発明の第１４局面では、導体ベース部は、メタライズ層である。
本第１４局面は、導体ベース部の好適な構成を例示したものである。
＜以下に、本発明の各構成について説明する＞
・非磁性体とは、磁化率が０より小さい反磁性体、及び磁化率が１０×１０−５より小さい常磁性体を示している。
【００３６】
・導体部としては、例えばメタライズ層の表面に複数の導電性を有する層を形成した非磁性体の配線層等が挙げられる。つまり、例えばセラミック基板の表面に形成された配線層等であり、電気信号（特に高速信号）を伝達するための電気配線が挙げられる。また、例えばヒートシンクとして用いられる金属板の表面に複数の導電性を有する層を形成した非磁性体の積層体が挙げられる。
【００３７】
・導体ベース部としては、非磁性体であるメタライズ層や金属板等が挙げられる。
・導体ベース部に用いられる導電材料としては、非磁性体の例えば、Ｗ、Ｍｏ、ＣｕＷ、ＣｕＭｏ等が挙げられる。
【００３８】
・メッキとしては、電解メッキ、無電解メッキが挙げられる。
・メタライズとは、セラミックや非金属材料の表面を、例えば焼成によって焼結させること等によって金属化したものであり、それによって形成された金属化した層がメタライズ層である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態のセラミック配線基板を厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【図２】第１実施形態のメタライズ層と中間層と下部Ｃｕメッキ層とを厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【図３】第１実施形態のセラミック配線基板の製造工程を示す説明図である。
【図４】（ａ）はメタライズ層を厚み方向に破断し開気孔部等を模式的に示す断面図、（ｂ）はエッチング処理後のメタライズ層を厚み方向に破断し開気孔部等を示す断面図、（ｃ）はメタライズ層の表面に下部Ｃｕメッキ層が積層された状態を示す断面図である。
【図５】メタライズ層の表面の開気孔部を示すＳＥＭ写真である。
【図６】比較例のセラミック配線基板を厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【図７】第２実施形態のセラミック配線基板を厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【図８】第３実施形態の配線基板等を厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【図９】他の実施形態の配線基板等を厚み方向に破断し模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
次に、本発明の配線基板及びその製造方法の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
本第１実施形態では、例えばセラミック基板上に配線層である導体部を形成したセラミック配線基板及びその製造方法を例に挙げて説明する。
［１−１．セラミック配線基板の構成］
まず、本第１実施形態のセラミック配線基板の構成について説明する。
【００４１】
図１に模式的に示す様に、本第１実施形態のセラミック配線基板１は、各種半導体素子や水晶等を搭載するための非磁性体の配線基板であり、例えばセラミックパッケージ（図示せず）の配線基板として用いられる。
【００４２】
前記セラミック配線基板１は、セラミック基板３とセラミック基板３の表面に設けられた配線層である導体部５とを備えている。
このうち、セラミック基板３は、非磁性体である例えばアルミナからなる焼結体（アルミナ焼結体）であり、導体部５は、後述するような導電性を有する非磁性体の複数の層から構成されている。
【００４３】
具体的には、導体部５は、セラミック基板３の表面に、非磁性体のメタライズ層（即ち導体ベース部）７を備えている。このメタライズ層７は、例えば、タングステン（Ｗ）及び／又はモリブデン（Ｍｏ）を主成分とし、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）などのセラミック材料等からなる焼結体であり、周知の導電性を有する層である。
【００４４】
このメタライズ層７としては、例えば、タングステン（Ｗ）９２重量％とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）３重量％と微量のシリカ（ＳｉＯ２）が含まれ、厚みが例えば約１５μｍのものが挙げられる。シリカは５重量％以下の範囲で含まれているが、例えば５重量％未満の場合は、シリカ以外の他の成分が含まれるか、またはタングステンかアルミナの成分が適宜調整される。なお、このシリカ成分の量は、上述のような重量割合に規定されるものではなく、メタライズ層７中にシリカ成分が存在していればよい。
【００４５】
前記メタライズ層７の表面（即ちセラミック基板３側と反対側の後述する他の層を積層する側（図１の上方）の表面）には、図２に拡大し模式的に示すように、メタライズ層７を構成するタングステンやアルミナ等の粒子（例えば結晶粒子）などが表面に露出することにより、多数の開気孔部９が形成されている。なお、開気孔部９とは、タングステンやアルミナ等の粒子などが焼結して形成されるメタライズ層７内に存在する微少な空洞のうち、表面において外側に開いている部分を指す。即ち、メタライズ層７を構成する粒子などの露出した表面に沿って形成された微少な凹凸部の凹部のことを言う。
【００４６】
なお、この開気孔部９により、メタライズ層７の表面粗さ（ここでは算術平均粗さＲａ）は、例えば１．５〜２．５μｍの範囲となっている。
また、前記メタライズ層７の表面に沿って（即ち開気孔部９が形成されている表面に沿って）、中間層１１が形成されている。この中間層１１は、その厚み方向の両側（図２の上下）の層、即ち図２の下側のメタライズ層７と後述する図２の上側の下部Ｃｕメッキ層（即ち導電層）１３との成分が含まれた層である。つまり、中間層１１は、例えば、タングステンやセラミック材料や銅（Ｃｕ）などからなる層である。
【００４７】
図１に戻り、前記中間層１１の表面（即ち前記積層側の表面）には、中間層１１の表面全体を覆うように、銅からなり、厚みが例えば０．５〜５μｍの範囲（例えば厚みが約１．５μｍ）の前記下部Ｃｕメッキ層１３が形成されている。
【００４８】
この下部Ｃｕメッキ層１３とは、銅によりメッキされた層が、後述する加熱処理により軟化又溶融した後に固化されて、メタライズ層７に融着した層（即ちＣｕ融着層）である。
【００４９】
また、前記下部Ｃｕメッキ層１３の表面（即ち前記積層側の表面）には、下部Ｃｕメッキ層１３の表面全体を覆うように、銅からなり、厚みが例えば２．５〜１０μｍの範囲（例えば厚みが５μｍ）の上部Ｃｕメッキ層（即ち表面層）１５が形成されている。
【００５０】
さらに、前記上部Ｃｕメッキ層１５の表面（即ち前記積層側の表面）には、上部Ｃｕメッキ層１５の表面全体を覆うように、金（Ａｕ）からなり、厚みが例えば０．５〜３μｍの範囲（例えば厚みが１μｍ）のＡｕメッキ層（即ち表面メッキ層）１７が形成されている。
【００５１】
なお、セラミック基板３は非磁性体であり、上述した導体部５を構成する各層７、１１、１３、１５、１７は非磁性体であるので導体部５も非磁性体であり、よって、セラミック配線基板１も非磁性体である。
［１−２．セラミック配線基板の製造方法］
次に、本第１実施形態のセラミック配線基板１の製造方法について説明する。
【００５２】
(1)本第１実施形態では、まず、図３（ａ）に示すように、周知のアルミナ焼結体からなるセラミック基板３を用意し、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板３の表面に、メタライズ層７を形成する。
【００５３】
このメタライズ層７の形成方法としては、まず、タングステン及びモリブデンの少なくとも１種からなる導電材料（例えばタングステン）と、例えばアルミナ及びシリカからなるセラミック材料とからなる固体成分に、所定のビヒクル等を加えて、周知のメタライズペーストを作成する。
【００５４】
なお、固体成分の割合としては、上述したメタライズ層７の組成となるように、従来と同様な割合を採用できる。
次に、前記メタライズペーストを、セラミック基板３の表面に塗布する。その後、例えば１５００℃で焼成することにより、メタライズ層７を形成する。
【００５５】
このメタライズ層７は、図４（ａ）に模式的に示すように、メタライズ層７を構成する各種の粒子（例えば結晶粒子）等から構成されている。具体的には、メタライズ層７は、主として、タングステン粒子（ＴＲ）、アルミナ粒子（ＡＲ）、シリカ粒子（ＳＲ）から構成されている。また、各粒子は単体又は凝集して集合体の状態で存在しており、その状態にてメタライズ層７の表面に露出している。
【００５６】
これにより、メタライズ層７の表面には、粒子単体又は粒子の集合体の形状に沿った開気孔部９が形成されている。なお、この段階では、開気孔部９は、その内径が１μｍ以上である。
【００５７】
次に、メタライズ層７の表面に対し、メッキ前処理として洗浄を行う。このメタライズ層７の表面には、一部にガラス成分であるシリカ粒子（ＳＲ）が露出しており、洗浄によって除去される。メッキ前処理としては、例えばフッ酸によるエッチングにより、シリカ粒子（ＳＲ）を除去してもよい。
【００５８】
これにより、図４（ｂ）に示すように、メタライズ層７の表面の開気孔部９は、シリカ粒子（ＳＲ）が除去された箇所が大きく凹んだ開気孔部９となる。
つまり、シリカ粒子（ＳＲ）を除去することにより、内径が最大３μｍ程度の大きな開気孔部９を形成できる。このメッキ前処理によって、メタライズ層７の表面からシリカ粒子（ＳＲ）が除去されて、新たな開気孔部９が形成されることもある。
【００５９】
なお、図４（ｂ）では、開気孔部９のうち、シリカ粒子（ＳＲ）が除去されて内径が多くなったものを９ａで示している。
なお、メタライズ層７のエッチング前の表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて倍率３０００倍にて撮影した。図５にそのＳＥＭ写真を示すように、メタライズ層７の表面には、多数の気孔（ボイド）があること、つまり、多数の開気孔部９が形成されていることが分かる。
【００６０】
(2)次に、図３（ｃ）に示すように、メタライズ層７の表面に、後の加熱処理後に下部Ｃｕメッキ層（即ちＣｕ融着層）１３となる初期Ｃｕメッキ層１９を形成する。
具体的には、例えば周知の電解メッキや無電解メッキ（即ちＣｕメッキ）によって、メタライズ層７の表面に、例えば厚さ１．５μｍの初期Ｃｕメッキ層１９を形成する。
【００６１】
(3)次に、図３（ｄ）に示すように、初期Ｃｕメッキ層１９を加熱して軟化又は溶融させた後に（即ち加熱処理した後に）、冷却して固化させて下部Ｃｕメッキ層１３を形成する。
【００６２】
具体的には、初期Ｃｕメッキ層１９を、銅が軟化又は溶融する温度（軟化点又は融点）以上の高温（例えば９００℃）に加熱して、初期Ｃｕメッキ層１９を軟化又は溶融させる（即ち、加熱処理を施す）。これにより、図４（ｃ）に示すように、軟化又は溶融した銅が、メタライズ層７の表面の開気孔部９等に入り込む。
【００６３】
その後、常温にまで冷却して初期Ｃｕメッキ層１９を固化させることにより、下部Ｃｕメッキ層１３とする。
なお、軟化又は溶融させた初期メッキ層１９は、開気孔部９に入り込むが、初期メッキ層１９の厚み（例えば１．５μｍ）よりも大きい径の開気孔部９では、十分に銅が充填されずに、開気孔部９に起因した凹部が下部Ｃｕメッキ層１３の表面に残ることがある。
【００６４】
また、上述した加熱処理により、メタライズ層７と下部Ｃｕメッキ層１３との界面に、メタライズ層７と下部Ｃｕメッキ層１３との各成分が互いに拡散して前記中間層１１（図２、図３（ｄ）参照）が形成される。
【００６５】
(4)次に、図３（ｅ）に示すように、下部Ｃｕメッキ層１３の表面に、上部Ｃｕメッキ層１５を形成する。
具体的には、例えば周知の電解メッキや無電解メッキ（即ちＣｕメッキ）によって、下部Ｃｕメッキ層１３の表面に、例えば厚さ５μｍの上部Ｃｕメッキ層１５を形成する。
【００６６】
なお、初期Ｃｕメッキ層１９を軟化又は溶融させた後に固化させて下部Ｃｕメッキ層１３を形成する際に、下部Ｃｕメッキ層１３の表面に、メタライズ層７の表面に沿った気孔（ボイド）等の凹部（図示せず）が形成されることがあるが、この凹部は、上部Ｃｕメッキ層１５を形成する際に、銅により充填されるので、上部Ｃｕメッキ層１５の表面が滑らかになる。
【００６７】
(5)次に、図３（ｆ）に示すように、上部Ｃｕメッキ層１５の表面に、Ａｕメッキ層１７を形成する。
具体的には、例えば周知の電解メッキや無電解メッキ（即ちＡｕメッキ）によって、上部Ｃｕメッキ層１５の表面に、例えば厚さ１μｍのＡｕメッキ層１７を形成する。
【００６８】
このようにして、セラミック配線基板１が製造される。
［１−３．評価］
ここでは、評価として、ハンダ性評価とワイヤーボンディング性評価について説明する。
【００６９】
＜ハンダ性評価＞
本発明の範囲の実施例１、２として、前記実施形態と同様にして、セラミック基板３上に導体部５を形成した試料（サンプル）を作製した。なお、この試料は、メタライズ層７の上に厚み５μｍの初期Ｃｕメッキ層１９を形成し、本発明の加熱処理を実施して形成した下部Ｃｕメッキ層１３の上に厚さ５μｍの上部Ｃｕメッキ層１５を形成し、その上部Ｃｕメッキ層１５の上に厚さ１μｍのＡｕメッキ層１７を形成したものである。
【００７０】
また、これとは別に、本発明の範囲外の比較例１、２として、図６に示すように、メタライズ層７の上に、（本発明の加熱処理を実施しないようにして）厚さ５μｍの上部Ｃｕメッキ層１５を形成し、上部Ｃｕメッキ層１５の上に厚さ１μｍのＡｕメッキ層１７を形成した試料を作製した。
【００７１】
そして、各試料の導体部５にフラックスを塗布し、各試料をＰｂフリーハンダ（ＳＡＣ３０５）槽中に、２３５℃にて５秒間ディッピングした後に、ハンダの濡れ性等のハンダの状態（即ちハンダ性）を観察した。
【００７２】
ここで、ハンダ性を評価する場合は、常温（２５℃）でのハンダ性（表１の常温）と、３５０℃にて２分間加熱した後のハンダ性（表１の中温）との両方で観察した。なお、ここで、３５０℃という温度で加熱したのは、実際に使用される温度条件を考慮したためである。
【００７３】
その結果を下記表１に示す。なお、表１の「ＯＫ」とは、ハンダが導体部５の表面の全体に濡れ広がり、不濡れやハンダ食われといった不具合が生じないような好ましい状態を示している。一方、表１の「ＮＧ」とは、ハンダ食われ等が発生し、好ましくない状態を示している。
【００７４】
【表１】
2018037527.tif 000003
【００７５】
この表１から明らかなように、本発明の範囲の実施例１、２は、ハンダ性に優れているので好適である。それに対して、本発明の比較例１、２は、ハンダ性が悪く好ましくない。
【００７６】
＜ワイヤーボンディング性評価＞
本発明の範囲の実施例３、４として、前記実施例１，２と同様にして、セラミック基板３上に導体部５を形成した試料（サンプル）を作製した。
【００７７】
また、前記比較例１、２と同様にして、本発明の範囲外の比較例３、４の試料を作製した。
そして、各試料の導体部５に対して、φ３０μｍのＡｕワイヤーをボンディングした。その後、セラミック基板３を固定して、Ａｕワイヤーに荷重を加えて引っ張る引張り試験（ＭＩＬ-ＳＴＤ-８８３）を行い、破壊の状態を調べた（即ちワイヤーボンディング性を調べた）。
【００７８】
なお、ワイヤーボンディング性を評価する場合は、前記ハンダ性の評価と同様に、常温（２５℃）でのワイヤーボンディング性（表２の常温）と、３５０℃にて２分間加熱した後のワイヤーボンディング性（表２の中温）との両方で観察した。
【００７９】
その結果を下記表２に示す。なお、表２の「ＯＫ」とは、Ａｕワイヤーの引っ張り時にメッキ剥がれのような不具合が発生せず、Ａｕワイヤーの切断はワイヤーネック切れであり、好ましい状態を示している。一方、表１の「ＮＧ」とは、メッキ剥がれ等が発生し、好ましくない状態を示している。
【００８０】
【表２】
2018037527.tif 000004
【００８１】
この表２から明らかなように、本発明の範囲の実施例３、４は、ワイヤーボンディング性に優れているので好適である。それに対して、本発明の比較例３、４は、ワイヤーボンディング性が悪く好ましくない。
［１−４．効果］
次に、本第１実施形態の効果について説明する。
【００８２】
本第１実施形態では、メタライズ層７の表面を覆うように、メッキによって初期Ｃｕメッキ層１９を形成した後に、その初期Ｃｕメッキ層１９を加熱して軟化又は溶融させるので、その軟化又は溶融した初期Ｃｕメッキ層１９の銅が、メタライズ層７の開気孔部９に入り込む。また、この加熱の際には、メタライズ層７の成分と初期Ｃｕメッキ層１９との成分が相互熱拡散する。
【００８３】
従って、その後固化した場合（即ち初期Ｃｕメッキ層１９が下部Ｃｕメッキ層１３となった場合）には、アンカー効果や相互熱拡散の効果等によって、メタライズ層７と下部Ｃｕメッキ層１３との密着性が向上し、強固に接合するという顕著な効果を奏する。
【００８４】
また、加熱処理後の下部Ｃｕメッキ層１３の表面には、軟化又は溶融の際に、メタライズ層７の表面に沿った気孔（ボイド）が形成されることがあるが、本第１実施形態では、下部Ｃｕメッキ層１３の表面を覆うように、メッキによって、上部Ｃｕメッキ層１５を形成するので、カバー性が向上する。さらに、上部Ｃｕメッキ層１５の表面を覆うように、Ａｕメッキ層１７が形成されている。
【００８５】
従って、このように形成された導体部５の表面に、例えばハンダによって各種の部品を実装する場合、或いはワイヤーボンディングによってＡｕワイヤーを接合（従って実装）場合には、その実装性が向上するという利点がある。
【００８６】
さらに、非磁性体である導体部５を形成するために、例えば強磁性体のニッケルに代えて非磁性体の銅を用いる場合には、例えばメタライズ層７と初期Ｃｕメッキ層１９との密着性が低いという問題があるが、本第１実施形態では、メタライズ層７と（初期Ｃｕメッキ層１９の加熱処理後の）下部Ｃｕメッキ層１３との密着性が向上するので、実装性も向上する。
【００８７】
つまり、本第１実施形態では、非磁性体である導体部５を形成する場合に、メタライズ層７と下部Ｃｕメッキ層１３との密着性が高いので、実装性も高いという顕著な効果を奏する。
【００８８】
また、本第１実施形態では、初期Ｃｕメッキ層１９を形成する前に、例えばエッチングによって、メタライズ層７の表面の開気孔部９において例えばシリカ等の粒子を除去する処理を行うので、開気孔部９を大きくすることができる（詳しくは図４（ｂ）の内径が大きくなった開気孔部９ａ参照）。また、シリカ等の粒子を除去することにより、新たに開気孔部９を形成することもできる。
【００８９】
これにより、メタライズ層７上に下部Ｃｕメッキ層１３を形成する場合には、アンカー効果によって密着性を向上することができる。
［１−５．特許請求の範囲との対応関係］
ここで、第１実施形態と特許請求の範囲との文言の対応関係について説明する。
【００９０】
本第１実施形態の、導体部５、セラミック配線基板１、メタライズ層７、下部Ｃｕメッキ層１３、上部Ｃｕメッキ層１５、Ａｕメッキ層１７、開気孔部９、中間層１１は、それぞれ、本発明の、導体部、配線基板、導体ベース部、導電層、表面層、表面メッキ層、開気孔部、中間層の一例に相当する。
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略する。
【００９１】
なお、第１実施形態と同様な構成については、同じ番号で説明する。
図７に示すように、本第２実施形態のセラミック配線基板２１は、第１実施形態と同様に、セラミック基板３の表面に配線層である導体部２３が形成されてものである。
【００９２】
この配線基板は、第１実施形態と同様に、メタライズ層７の表面には、中間層１１を介して下部Ｃｕメッキ層１３が形成されており、下部Ｃｕメッキ層１３の表面には上部Ｃｕメッキ層１５が形成されている。
【００９３】
特に本第２実施形態では、上部Ｃｕメッキ層１５の表面には、パラジウム（Ｐｄ）からなるＰｄメッキ層２５が形成され、Ｐｄメッキ層２５の表面にＡｕメッキ層１７が形成されている。
【００９４】
このＰｄメッキ層２５は、電解メッキ又は無電解メッキによって形成されており、その厚みは、例えば０．０１〜０．５μｍである。なお、Ｐｄメッキ層２５の厚みが０．５μｍを上回ると、ハンダ接続性が低下する恐れがあるので、０．５μｍ以下が好ましい。
【００９５】
本第２実施形態では、第１実施形態と同様な効果を奏するとともに、Ａｕメッキ層１７の下地としてＰｄメッキ層２５を形成するので、高価な金の使用量を低減できるという利点がある。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略する。
【００９６】
なお、第１実施形態と同様な構成については、同じ番号で説明する。
図８に示すように、本第３実施形態の非磁性体の配線基板３１は、例えば銅とタングステンの合金（ＣｕＷ）又は銅とモリブデンの合金（ＣｕＭｏ）からなるヒートシンクである非磁性体の金属板３３に、枠状の例えばアルミナ等からなる非磁性体のセラミック部材３５等が接合されたものである。
【００９７】
前記金属板３３の表面には、非磁性体の被覆層３７が形成されており、この被覆層３７は、金属板３３側より、第１実施形態と同様に、（初期Ｃｕメッキ層１９を加熱処理して形成した）下部Ｃｕメッキ層１３と、上部Ｃｕメッキ層１５と、Ａｕメッキ層１７とを備えている。
【００９８】
なお、金属板（即ち導体ベース部）３３と被覆層３７とにより、導体部５３が構成されている。
また、被覆層３７の表面には、例えばＩＣ等の電子部品３９が、接着剤層４１によるダイボンディングにより接合されている。
【００９９】
なお、セラミック部材３５には、電極４３が設けられ、Ａｕワイヤー４５によって電子部品と電気的に接続されている。
本第３実施形態では、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［４．他の実施形態］
本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０１００】
（１）例えば、図９（ａ）に示すように、セラミック基板３上のメタライズ層７の表面に、中間層１１を介して下部Ｃｕメッキ層１３を形成し、この下部Ｃｕメッキ層１３の表面にＡｕメッキ層１７を形成してもよい。
【０１０１】
（２）また、図９（ｂ）に示すように、セラミック基板３上のメタライズ層７の表面に、中間層１１を介して下部Ｃｕメッキ層１３を形成し、この下部Ｃｕメッキ層１３の表面にＰｄメッキ層２５を形成し、Ｐｄメッキ層２５の表面に、Ａｕメッキ層１７を形成してもよい。
【０１０２】
（３）さらに、（導電層である）下部Ｃｕメッキ層に代えて、銀（Ａｇ）を用いた下部Ａｇメッキ層を採用できる。また、（表面層である）上部Ｃｕメッキ層に代えて、銀（Ａｇ）を用いた上部Ａｇメッキ層を採用できる。さらに、（表面メッキ層である）Ａｕメッキ層に代えて、銀を用いたＡｇメッキ層や、錫（Ｓｎ）を用いたＳｎメッキ層を採用できる。
【０１０３】
（４）また、上述した実施形態では、電解メッキや無電解メッキで、各層を形成する例を挙げたが、例えばスパッタリングや蒸着等のその他の方法（薄膜を形成する方法）で、各層を形成してもよい。
【０１０４】
（５）前記各実施形態の構成を適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１…セラミック配線基板
３…セラミック基板
５、５３…導体部
７…メタライズ層
９…開気孔部
１１…中間層
１３…下部Ｃｕメッキ層
１５…上部Ｃｕメッキ層
１７…Ａｕメッキ層
２５…Ｐｄメッキ層
３３…金属板
３７…被覆層
【図１】
2018037527.tif 000005
【図２】
2018037527.tif 000006
【図３】
2018037527.tif 000007
【図４】
2018037527.tif 000008
【図５】
2018037527.tif 000009
【図６】
2018037527.tif 000010
【図７】
2018037527.tif 000011
【図８】
2018037527.tif 000012
【図９】
2018037527.tif 000013