(57)【要約】【課題】はんだ接合部の耐クラック性を向上させ、高信頼性を実現するはんだ合金であって、安価かつ供給安定性に富んだはんだ合金を提供する。【解決手段】  Ｓｂの含有率が３ｗｔ％以上１５ｗｔ%以下であり、かつ、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方の含有率が０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であり、残部がＳｎである、はんだ合金。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｂの含有率が３ｗｔ％以上１５ｗｔ%以下であり、かつ、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方の含有率が０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であり、残部がＳｎである、はんだ合金。
【請求項２】
半導体素子と回路基板とが、Ｓｂと、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方と、Ｓｎとを含むはんだ接合層を介して接合されている接合体構造であって、半導体素子のメタライズ層および回路基板のめっき層とはんだ接合層との界面にＳｎＮｉ合金またはＳｎＣｕ合金が含まれる、接合構造体。
【請求項３】
半導体素子のメタライズ層および回路基板のめっき層とはんだ接合層との前記界面に含まれるＳｎＮｉ合金またはＳｎＣｕ合金が、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方を含む、請求項２に記載の接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールなどに使用するはんだ合金およびそれを用いた接合構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のはんだ合金およびそれを用いた接合構造体としては、例えば、Ｓｂを５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下、Ｃｕを３ｗｔ％以上８ｗｔ％以下、Ｎｉを０．０１ｗｔ％以上０．１５ｗｔ％以下、Ｉｎを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下含み、残部がＳｎであるはんだ合金と、このはんだ合金を用いて半導体素子と基板とを接合させた接合構造体とが、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０４７１３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されるはんだ合金は、耐クラック性を向上させるために添加されたＳｂによって高められたはんだの硬度を下げるために、Ｉｎを、０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下の割合で含んでいる。しかしながら、Ｉｎはレアメタルであるために希少であり、生産量が少ないため、供給安定性に乏しい。さらにＩｎはレアメタルのなかでも非常に高価であるため、特許文献１において、はんだ合金の硬度を十分に下げるためには高い製造コストが必要であった。
【０００５】
本発明は、前記従来の課題を解決するためになされたものであって、はんだ接合部の耐クラック性を向上させ、高信頼性を実現するはんだ合金であって、安価かつ原料の供給安定性に富んだ新規なはんだ合金を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のはんだ合金は、Ｓｂの含有率が３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であり、かつ、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方の含有率が０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であり、残部がＳｎである。
【０００７】
本明細書において「含有率」とは、はんだ合金全体の重量に対する各元素の重量の割合であり、ｗｔ％（重量パーセント）の単位を用いて表される。
【０００８】
本明細書において「はんだ合金」とは、その金属組成が、列挙した金属で実質的に構成されている限り、不可避的に混入する微量金属（例えば０．００５ｗｔ％未満）を含んでいてもよい。はんだ合金は、任意の形態を有し得、例えば単独で、または金属以外の他の成分（例えばフラックスなど）と一緒に、はんだ付けに使用され得る。
【０００９】
本発明のはんだ合金においては、Ｉｎを使用することなく、Ｉｎよりも安価であるＴｅまたはＩｎよりも生産量が多いために供給安定性に富むＡｕを用いることにより、高温での伸びが向上しているため、本発明のはんだ合金によれば、耐クラック性の高いはんだ接合部を提供することができ、これにより接合構造体の高信頼性を実現することができる。
【００１０】
また、一実施形態の接合構造体において、半導体素子と回路基板とが、Ｓｂと、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方と、Ｓｎを含むはんだ接合層を介して接合されており、半導体素子のメタライズ層および回路基板のめっき層とはんだ接合層との界面にＳｎＮｉ合金が形成されている。
【００１１】
前記実施形態の接合構造体は、ヒートサイクルにおける耐クラック性に優れ、高信頼性を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、はんだ接合部の耐クラック性を向上させ、高信頼性を実現するはんだ合金であって、安価かつ原料の供給安定性に富んだはんだ合金が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態における接合構造体の製造方法の説明図である。
【図２】本発明の一実施形態における接合構造体の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態であるはんだ合金について図面を使用しながら説明する。
【００１５】
＜はんだ合金１０５＞
はんだ合金１０５は、Ｓｂと、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方とを含み、残部がＳｎである合金である。
【００１６】
はんだ合金１０５におけるＳｂの含有率は３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。はんだ合金におけるＳｂの含有率がこのような範囲にあることにより、はんだ接合部の熱疲労特性を改善することができる。
【００１７】
はんだ合金１０５におけるＴｅおよびＡｕの少なくとも一方の含有率は０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であり、より好ましくは０．０５ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下である。はんだ合金１０５におけるＴｅおよびＡｕの少なくとも一方の含有率がこのような範囲にあることによって、はんだ合金の高温伸びが向上し、ヒートサイクル時に発生する応力を吸収することができるようになるため、はんだ合金の耐クラック性が向上する。このように、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方によれば、引用文献１に記載されたＩｎと比較して非常に少量で、はんだ合金の伸びを向上させ、耐クラック性を向上させることができる。
【００１８】
はんだ合金１０５の大きさは、製造する接合構造体によって様々であり得るが、例えば１０ｍｍ角であり、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の厚さを有するはんだ合金１０５を用いてよい。はんだ合金１０５の厚さが０．５ｍｍ以下であることにより、形成されるはんだ接合部の熱抵抗が高くならず、半導体素子１０１の熱を効率よく逃がすことができる。はんだ合金１０５の厚さが０．０５ｍｍ以上であることにより、はんだ接合部の熱抵抗を向上させることができる。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態である接合構造体について図面を使用しながら説明する。
【００２０】
＜半導体素子１０１＞
半導体素子１０１は、シリコンチップ１０２と、シリコンチップ１０２の下面に形成されたオーミック層１０３と、オーミック層１０３の下面に形成されたメタライズ層１０４とを含む。シリコンチップ１０２は、製造の容易性に関して、縦の長さが１０ｍｍ、横の長さが１０ｍｍであり、かつ、０．２ｍｍの厚みを有することが好ましいが、これに限定されず、様々な寸法を有し得る。
【００２１】
半導体素子１０１のオーミック層１０３は、任意の純金属または合金でできた層であり、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、またはこれらの金属を含む合金等を使用することができるが、これらに限定されない。オーミック層に上記金属が使用されることにより、適切なオーミック接合が得られる。オーミック層１０３の厚みは特に限定されないが、例えば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってよく、例えば０．１μｍであってよい。オーミック層１０３がこのような厚みを有することにより、抵抗値と接合信頼性とを確保しやすくなる。
【００２２】
半導体素子１０１のメタライズ層１０４は、任意の純金属または合金でできた層であり、例えばＮｉ、Ｃｕまたはこれらの金属を含む合金等を使用することができるが、これらに限定されない。メタライズ層１０４の厚みは特に限定されないが、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下であってよく、例えば、１μｍであってよい。メタライズ層１０４がこのような厚みを有することにより、はんだ合金と強固に接合させることができるようになる。
【００２３】
＜回路基板１０６＞
回路基板１０６は、リードフレーム１０７と、リードフレーム１０７の表面に形成されためっき層１０８とを含む。
【００２４】
回路基板１０６のリードフレーム１０７の材料には、金属またはセラミックス等の熱伝導性のよい材料を用いることができる。リードフレーム１０７の材料としては例えば、銅、アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素等を使用することができるが、これに限定されない。リードフレーム１０７は、製造の容易性に関して、縦の長さが２０ｍｍ、横の長さが２０ｍｍであり、かつ、１ｍｍの厚みを有することが好ましいが、これに限定されず、様々な寸法を有し得る。
【００２５】
回路基板１０６のめっき層１０８は、任意の純金属または合金でできた層であり、例えばＮｉ、Ｃｕまたはこれらの金属を含む合金等を使用することができるが、これらに限定されない。めっき層の厚みは特に限定されないが、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下であってよく、例えば１μｍであってよい。めっき層がこのような厚みを有することにより、はんだ合金と強固に接合させることができるようになる。
【００２６】
＜接合構造体２０１＞
本発明のはんだ合金を用いて製造される接合構造体２０１は、図２に模式図で表されている。接合構造体２０１は、半導体素子１０１と、回路基板１０６とが、合金層２０２と、はんだ接合層２０３とを介して接合された構造を有している。
【００２７】
接合構造体２０１を製造するためには、図１に示すように、回路基板１０６のめっき層１０８上にはんだ合金１０５を載せ、さらにはんだ合金１０５と半導体素子１０１のメタライズ層１０４とが接するように、はんだ合金１０５の上に半導体素子１０１を設置する。続いて毎分１０℃ずつ温度を上昇させながら、室温から３００℃までの加熱を行い、３００℃において１分保持した後、毎分１０℃ずつ温度を低下させながら３００℃から室温までの冷却を行うことにより、はんだ合金１０５とメタライズ層１０４およびめっき層１０８との間に、合金層２０２を形成し、図２に示すような接合構造体２０１を製造することができる。
【００２８】
接合構造体２０１の合金層２０２は、上述したような接合構造体の製造過程において形成された金属間化合物である。メタライズ層１０４およびめっき層１０８がＮｉまたはＣｕである場合、合金層２０２にはＳｎＮｉ合金またはＳｎＣｕ合金が含まれる。メタライズ層１０４および回路基板のめっき層１０８とはんだ接合層２０３との間の合金層２０２にＳｎＮｉ合金またはＳｎＣｕ合金が形成されることによって、メタライズ層１０４および回路基板のめっき層１０８とはんだ接合層２０３とが金属により接合されるようになり、良好な接合強度が得られる。合金層２０２に含まれ得るＳｎＮｉ合金およびＳｎＣｕ合金には、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方が含まれていてもよく、ＳｎＮｉ合金およびＳｎＣｕ合金に、ＴｅおよびＡｕの少なくとも一方が含まれることにより、合金層２０２が多元合金となり、合金の強度が向上し、ヒートサイクル等で応力がかかった際にも合金層２０２でのクラックの発生を抑制できる。接合構造体２０１のはんだ接合層２０３は、はんだ合金１０５に含まれていたＳｂ、Ｔｅ、Ａｕ等の金属元素を含み、接合前のはんだ合金１０５とほぼ同等の組成を有するが、はんだ接合層２０３では、合金層２０２を形成する際にＳｎが反応した割合だけＳｎ含有率が低下している。
【実施例】
【００２９】
（実施例１）
表１に示すように、Ｓｂ含有率、Ｔｅ含有率、Ａｕ含有率を変え、残部をＳｎとして複数のはんだ合金１０５を準備し、２００℃の雰囲気温度で引っ張り試験を行った。引張試験のために、はんだ合金をダンベル状の形状に鋳込んだ評価サンプルを作製した。評価サンプルの形状は、引張試験に固定する部分が直径６ｍｍ、長さ２０ｍｍ、ダンベルのくびれ部分が直径３ｍｍ、長さ２０ｍｍとした。引張試験機の上下のサンプル固定冶具の間隔を２０ｍｍに設定して、評価サンプルを固定し、雰囲気温度を２００℃とした後で、評価サンプルの軸方向の力だけが加わるように評価サンプルを引張試験機で引っ張ることによって、評価サンプルの引張試験を行った。
【００３０】
評価サンプルの伸び（％）は、試験前の固定冶具の間隔２０ｍｍに対する、引張試験において評価サンプルが破断したときの固定冶具の間隔の増加分の割合とした。例えば、評価サンプルが破断したときの固定冶具の間隔が４０ｍｍの場合、伸びは（４０−２０）／２０×１００＝１００（％）となる。
【００３１】
引っ張り試験における伸び（％）の測定結果を表１に併せて示した。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
引っ張り試験の結果は、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％、Ｔｅ含有率が０．０１ｗｔ％である実施例１−１において８７％、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％、Ｔｅ含有率が３ｗｔ％である実施例１−２において８５％であった。これは、Ｔｅを含有せず、Ｓｂと残部としてのＳｎのみから成る比較例１−１および１−２における、４６％および４５％に比べて良好な結果であった。
【００３４】
また、引っ張り試験の結果は、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％、Ａｕ含有率が０．０１ｗｔ％である実施例１−３において９８％、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％、Ａｕ含有率が３ｗｔ％である実施例１−４において９７％であった。これは、Ａｕを含有せず、Ｓｂと残部としてのＳｎのみから成る比較例１−１および１−２における、４６％および４５％に比べて良好な結果であった。
【００３５】
上記の結果より、ＴｅやＡｕを添加することで、高温での伸びが向上することが明らかになった。これは、ＴｅやＡｕがＳｎの結晶に固溶することで転位が形成され、引張試験時の高温環境下で転位がすべり運動を起こしやすく、高温伸びが向上するためであると考えられる。このように高温伸びが向上することにより、はんだ合金がヒートサイクル時に発生する応力を吸収できるようになり、はんだ合金の耐クラック性が向上する。
【００３６】
（実施例２）
本発明の接合構造体を以下の実施例１〜１３で示すように作製した。
【００３７】
（実施例２−１）
はじめに、はんだ合金１０５と、半導体素子１０１と、回路基板１０６とを準備した。はんだ合金１０５には、３ｗｔ％のＳｂと、０．０１ｗｔ％のＴｅとを含み、残部がＳｎである合金を準備した。半導体素子１０１には、縦の長さが１０ｍｍ、横の長さが１０ｍｍであり、かつ、０．２ｍｍの厚みを有するシリコンチップ１０２の下面にＴｉでできたオーミック層１０３が設けられ、さらにＴｉでできたオーミック層１０３の下面にＮｉでできたメタライズ層１０４が設けられたものを準備した。回路基板１０６には、縦の長さが２０ｍｍ、横の長さが２０ｍｍであり、かつ、１ｍｍの厚みを有する、銅でできたリードフレームを有し、リードフレーム１０７の表面に、１μｍの厚さを有するＮｉでできためっき層１０８が設けられているものを準備した。
【００３８】
次に、準備した回路基板１０６のＮｉでできためっき層１０８の上に０．５ｍｍの厚さを有するはんだ合金１０５を載せ、さらに、はんだ合金１０５とＮｉでできたメタライズ層１０４とが接するように、はんだ合金１０５の上に半導体素子１０１を設置し、毎分１０℃ずつ温度を上昇させながら、室温から３００℃までの加熱を行った。３００℃において１分保持した後、毎分１０℃ずつ温度を低下させながら３００℃から室温までの冷却を行うことにより、接合構造体２０１を製造した。
【００３９】
（実施例２−２）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１０ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４０】
（実施例２−３）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１５ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４１】
（実施例２−４）
はんだ合金１０５の厚みを０．１ｍｍにして、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４２】
（実施例２−５）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１０ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４３】
（実施例２−６）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１５ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４４】
（実施例２−７）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１０ｗｔ％とし、Ｔｅ含有率を０．５ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４５】
（実施例２−８）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％であり、Ｔｅ含有率が３ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４６】
（実施例２−９）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％であり、Ｔｅ含有率が３ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４７】
（実施例２−１０）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が０．０１ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４８】
（実施例２−１１）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が３ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００４９】
（実施例２−１２）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％であり、Ｔｅ含有率が０．００５ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が０．００５ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５０】
（実施例２−１３）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％であり、Ｔｅ含有率が１．５ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が１．５ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−４と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５１】
（比較例２−１）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を２ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５２】
（比較例２−２）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を１６ｗｔ％とし、Ｔｅ含有率を３ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５３】
（比較例２−３）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を５ｗｔ％とし、Ｔｅ含有率を０．００５ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５４】
（比較例２−４）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が０．００５ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５５】
（比較例２−５）
はんだ合金１０５のＳｂ含有率を３ｗｔ％とし、Ｔｅ含有率を３．５ｗｔ％とし、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５６】
（比較例２−６）
はんだ合金１０５に、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％であり、Ａｕ含有率が３．５ｗｔ％であり、残部がＳｎであるものを使用し、それ以外の条件を実施例２−１と同じにして、接合構造体２０１を作製した。
【００５７】
作製した実施例２−１〜２−１３および比較例２−１〜２−６の接合構造体２０１に対してヒートサイクル試験を行い、耐クラック性の評価を行った。ヒートサイクル試験は液槽試験槽を用いて−４０℃、１５０℃各５分を１サイクルとし、１０００サイクル行った。試験後のサンプルを超音波顕微鏡で観察し、剥離面積を接合面積で割ってクラック率を算出した。クラック率が３０％を超えるとシリコンチップの発熱をリードフレームに効率的に逃がせなくなるため、３０％以下を○、３０％より大きいと×と判定した。
【００５８】
引っ張り試験における伸び（％）の測定結果を表２に示した。
【００５９】
【表２】
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【００６０】
実施例２−１から２−１３におけるクラック率は、シリコンチップの発熱をリードフレームに効率的に逃がせなくなるクラック率である３０％を下回るため、実施例２−１から２−１３における判定は全て○となった。はんだ合金の厚みが０．５である実施例２−１から２−３においては、クラック率は１０％以下であり、特に良好な結果となった。はんだ合金の厚みが減少することにより、接合体構造のはんだ接合層の厚みも薄くなるため、接合部に発生する応力が高くなると考えられるが、はんだ合金の厚みが０．１である実施例２−４から２−１３においても、クラック率は３０％以下であり、シリコンチップの発熱をリードフレームに効率的に逃がせなくなるクラック率である３０％を下回った。これは、はんだ合金がＴｅを含むことによってはんだ合金の高温伸びが向上し、ヒートサイクル時に発生する応力を吸収することができるようになるため、はんだ合金の耐クラック性が向上したためであると考えられる。実施例２−１０および２−１１においても３０％を下回る良好なクラック率が得られていることから、Ｔｅの代わりにＡｕを用いても、同様に耐クラック性を向上させることが可能であったことが分かる。また、実施例２−１２および２−１３においても３０％を下回る良好なクラック率が得られていることから、ＴｅとＡｕの両方を、含有率の合計が０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下となるように用いても、同様に耐クラック性を向上させることが可能であったことが分かる。
【００６１】
Ｓｂ含有率が２ｗｔ％である比較例２−１において判定は×であり、Ｓｂ含有率が３ｗｔ％を下回ると、クラック率が３１％を上回ることがわかった。Ｓｂ含有率が１６ｗｔ％である比較例２−２において判定は×であり、Ｓｂ含有率が１５ｗｔ％を上回ると、クラック率が３１％を上回ることがわかった。これにより、Ｓｂ含有率は３ｗｔ％以上かつ１５ｗｔ％以下が好ましいことが分かった。
【００６２】
比較例２−３から２−６より、Ｔｅ含有率が０．００５ｗｔ％および３．５ｗｔ％の場合と、Ａｕ含有率が０．００５ｗｔ％および３．５ｗｔ％の場合に、クラック率が３０％より大きくなり判定は×となった。これにより、ＴｅやＡｕの含有率が０．００５ｗｔ％を越えることにより、Ｓｎの結晶に転位の形成が生じて、高温での伸びの効果が得られるようになると考えられる。また、ＴｅやＡｕの含有率が３ｗｔ％を下回ることにより、ＴｅやＡｕはＳｎに固溶することができ、Ｓｎとの化合物として析出することがないため、はんだ接合層が固くならず、ヒートサイクル時の応力でクラックが発生することが少なくなると考えられる。これにより、Ｓｂの含有率が３ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であり、かつＴｅおよびＡｕの総含有率は０．０１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であることが好ましいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明のはんだ合金および接合構造体によれば、高温での伸びが改善し、接合構造体の耐クラック性が向上するため、パワーモジュール等の半導体素子の接合の用途に適用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０１  半導体素子
１０２  シリコンチップ
１０３  オーミック層
１０４  メタライズ層
１０５  はんだ合金
１０６  回路基板
１０７  リードフレーム
１０８  めっき層
２０１  接合構造体
２０２  合金層
２０３  はんだ接合層
【図１】
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【図２】
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