(57)【要約】【課題】本発明は、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる電子デバイスパッケージ用テープを提供する。【解決手段】本発明の電子デバイスパッケージ用テープ１は、基材フィルム５１と粘着剤層５２とを有する粘着テープ５と、粘着剤層５２の基材フィルム５１と反対側に積層して設けられた金属層３と、金属層３を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層４とを有し、金属層３は、電子デバイスに対応する形状に個片化されており、接着剤層４には、個片化された金属層３が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする。【選択図】図１
2018170340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープと、
前記粘着剤層の前記基材フィルムと反対側に積層して設けられた金属層と、
前記金属層を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層とを有し、
前記金属層は、前記電子デバイスに対応する形状に個片化されており、
前記接着剤層には、個片化された前記金属層が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項２】
前記接着剤層は、ウエハに対応する形状を有しており、前記ウエハに貼合された状態で、前記ウエハとともに前記電子デバイスに対応する形状に切断されて個片化されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項３】
前記金属層間には、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記粘着剤層側の頂部との段差を軽減する段差軽減部が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項４】
前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記段差軽減部の前記粘着剤層側の頂部との段差が３μｍ未満であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項５】
前記段差軽減部は、前記接着剤層により形成されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項６】
前記金属層が銅またはアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項７】
前記接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【請求項８】
前記粘着剤層が、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜１８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーを含有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスパッケージ用テープに関し、特に、金属層を有する電子デバイスパッケージ用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やノートＰＣなどの電子機器は、更なる薄型化・小型化が求められている。そこで、電子機器に搭載する半導体パッケージ等の電子デバイスパッケージを薄型化・小型化するために、電子デバイスや回路基板の電極数を増加させ、さらにピッチも狭くされている。このような電子デバイスパッケージには、例えば、フリップチップ（ＦＣ；Flip Chip）実装パッケージがある。
【０００３】
フリップチップ実装パッケージにおいては、上述のように、電極の数が増加したり狭ピッチ化したりしているため、発熱量の増加が問題となっている。そこで、フリップチップ実装パッケージの放熱構造として、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、フリップチップ実装パッケージにおいては、電子デバイスの線膨張率と回路基板の線膨張率とが大きく異なる場合がある。この場合、電子デバイスパッケージの製造過程において、中間製品が加熱及び冷却された際に、電子デバイスと回路基板との間には膨張量及び収縮量に差が生じることになる。この差によって、電子デバイスパッケージには反りが発生することになる。このような反りを抑制する構造としても、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設けることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、フリップチップ実装パッケージにおいて、電子デバイスの裏面に接着剤層を介して金属層を設け、この金属層をレーザーマーキング用の保護層として用いることも提案されている（例えば、特許文献３参照）。また、特許文献３では、基材上に粘着剤層が積層された粘着テープの粘着剤層上に、金属層および接着剤層を設けたフリップチップ型半導体裏面用フィルムも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２３５０２２号公報
【特許文献２】特許第５４８７８４７号公報
【特許文献３】特許第５４１９２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献３に記載されているような粘着テープ一体型のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いた場合、接着剤層上に半導体ウエハの裏面を貼合して、半導体ウエハを金属層および接着剤層とともにダイシングしてチップ状に個片化し、個片化された半導体チップを裏面に接着剤層および金属層が付着した状態で粘着テープからピックアップして、基板にフリップチップ接続することになる。具体的には、半導体チップを、半導体チップの回路面側に形成されているバンプを基板の接続パッドに被着された接合用の半田などの導電材に接触させて押圧しながらバンプ及び導電材を溶融させることにより、半導体チップと基板との電気的導通を確保し、半導体チップを被着体に固定させる。
【０００８】
しかしながら、金属層をウエハや接着剤層とともにダイシングすると、ヒゲと呼ばれる金属層の切削屑が発生し、この切削屑は接着剤層のダイシング面に粘着保持されるため、電子デバイスパッケージを汚染するという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる電子デバイスパッケージ用テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上の課題を解決するため、本発明に係る電子デバイスパッケージ用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープと、前記粘着剤層の前記基材フィルムと反対側に積層して設けられた金属層と、前記金属層を電子デバイスの裏面に接着するための接着剤層とを有し、前記金属層は、前記電子デバイスに対応する形状に個片化されており、前記接着剤層には、個片化された前記金属層が所定間隔で複数保持されていることを特徴とする。
【００１１】
上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記接着剤層が、ウエハに対応する形状を有しており、前記ウエハに貼合された状態で、前記ウエハとともに前記電子デバイスに対応する形状に切断されて個片化されることが好ましい。
【００１２】
上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層間に、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記粘着剤層側の頂部との段差を軽減する段差軽減部が形成されていることが好ましい。
【００１３】
上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層の前記粘着剤層側の面と、前記金属層間における前記段差軽減部の前記粘着剤層側の頂部との段差が３μｍ未満であることが好ましい。
【００１４】
上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記段差軽減部が前記接着剤層により形成されていることが好ましい。
【００１５】
上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記金属層が銅またはアルミニウムを含むことが好ましい。
【００１６】
また、上記電子デバイスパッケージ用テープは、前記接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有することが好ましい。
【００１７】
また、電子デバイスパッケージ用テープは、前記粘着剤層が、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜１８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ウエハをダイシングする際に、金属層の切削屑が発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す平面図であり、（Ｂ）は、同断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの構造を模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの製造方法を模式的に示す説明図であり、（Ａ）は金属層の貼合工程を示す長手方向断面図であり、（Ｂ）は金属層の切断工程を示す短手方向断面図であり、（Ｃ）は不要部分の除去工程を示す斜視図であり、（Ｄ）は金属層の接着剤層への貼合工程を示す長手方向断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの製造方法を模式的に示す説明図であり、（Ａ）は接着剤層の切断工程を示す短手方向断面図であり、（Ｂ）は第二の微粘着テープの貼合工程を示す短手方向断面図であり、（Ｃ）は粘着剤層の貼合工程を示す短手方向断面図であり、（Ｄ）は粘着剤層の切断工程を示す短手方向断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープの使用方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施例および比較例に係る金属層の接着剤層への埋込状態を説明するための断面図である。
【図８】本発明の電子デバイスパッケージの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージ用テープ１を示す断面図である。電子デバイスパッケージ用テープ１は、基材フィルム５１と基材フィルム５１上に設けられた粘着剤層５２とからなる粘着テープ５を有しており、粘着剤層５２上には、接着剤層４と金属層３とが設けられている。金属層３は、電子デバイスに対応する形状に個片化されており、接着剤層に埋め込まれるようにして、所定間隔で複数保持されている。本発明において接着剤層４が金属層３を保持する態様は、両者の密着性をよくするためのプライマ層等を介して間接的に保持している態様を含む。なお、本実施の形態においては、電子デバイスとして、半導体チップを例に説明する。
【００２２】
本発明の電子デバイスパッケージ用テープ１は、図２および図３に示すように、粘着テープ５が半導体ウエハＷ（図６参照）をダイシングする際に用いられるリングフレーム（図示せず）に対応する形状に切断（プリカット加工）されていることが好ましい。また、接着剤層４も半導体ウエハＷに対応して所定形状に切断（プリカット加工）されていることが好ましく、本実施の形態においてはプリカット加工がなされている。
【００２３】
本発明の電子デバイスパッケージ用テープ１は、図２および図３に示すように、金属層３、接着剤層４、リングフレーム（図示せず）に対応する形状に切断された粘着テープ５（ラベル部５ａ）が積層された積層体が複数形成された長尺の微粘着テープ２を、ロール状に巻き取った形態であることが好ましく、本実施の形態においてはロール状に巻き取られているが、微粘着テープ２に設けられた積層体が１つずつ切断された形態であってもよい。
【００２４】
プリカット加工されロール状に巻き取られている場合、図２および図３に示すように、電子デバイスパッケージ用テープ１は、長尺の微粘着テープ２を有しており、微粘着テープ２上には、所定の平面形状を有する接着剤層４と、接着剤層４に埋め込まれるようにして複数保持されている金属層３と、金属層３の微粘着テープ２側とは反対側に金属層３および接着剤層４と積層して設けられ、金属層３および接着剤層４を覆い、且つ、接着剤層４の周囲で微粘着テープ２に接触するように設けられた所定の平面形状のラベル部５ａと該ラベル部５ａの外側を囲むような周辺部５ｂとを有する粘着テープ５と、が設けられている。
【００２５】
ラベル部５ａは、ダイシング用のリングフレームに対応する形状を有する。ダイシング用のリングフレームの形状に対応する形状は、リングフレームの内側と略同じ形状でリングフレーム内側の大きさより大きい相似形であることが好ましい。また、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。周辺部５ｂは、ラベル部５ａの外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。なお、周辺部５ｂは、設けられていなくてもよい。
【００２６】
さらに、金属層３は、金属層３の平面の大きさ≦金属層３および接着剤層４の貼合が予定されている電子デバイスの第２面（裏面）の平面の大きさとなるように、予め切断され個片化されている。本実施形態においては、金属層３の平面の大きさ＝電子デバイスの第２面（裏面）の平面の大きさとしたが、金属層３の平面の大きさ＜電子デバイスの第２面（裏面）の平面の大きさとしてもよい。
【００２７】
接着剤層４は、所定のラベル形状を有しており、このラベル形状は、半導体ウエハＷに対応した形状であって、粘着テープ５のラベル部５ａの周縁部にリングフレームを貼合し、ピックアップ装置の突き上げ部材で突き上げ可能なようにラベル部５ａよりも小さい形状となっている。接着剤層４のラベル形状は、必ずしも円形でなくてもよいが、円形に近い形状が好ましく、円形であることがさらに好ましい。
【００２８】
金属層３は、個片が集合した全体形状が接着剤層４とは同様の形状、すなわち半導体ウエハＷに対応する形状となっている。以下に、各構成要素について説明する。
【００２９】
＜基材フィルム５１＞
基材フィルム５１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層５２として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
【００３０】
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、及びこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム５１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
【００３１】
基材フィルム５１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍであることが好ましい。
【００３２】
基材フィルム５１と粘着剤層５２との密着性を向上させるために、基材フィルム５１の表面に、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。
【００３３】
また、本実施の形態においては、基材フィルム５１の上に直接的に粘着剤層５２を設けたが、密着性をあげるためのプライマ層や、ダイシング時の切削性向上ためのアンカー層、応力緩和層、静電防止層等を介して間接的に設けてもよい。
【００３４】
＜粘着剤層５２＞
粘着剤層５２に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００３５】
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００３６】
アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００３７】
更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００３８】
アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。粘着剤層５２は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が３０万以上、特に４０万〜３００万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。
【００３９】
また、粘着剤層５２の架橋密度を制御してピックアップ性を向上させるため、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、１０重量部程度以下、更には０．１重量部〜１０重量部配合するのが好ましい。尚、粘着剤には、劣化防止等の観点から、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００４０】
粘着剤層５２を構成する粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤としては、前述の粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００４１】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのモノマー成分は、１種又は２種以上併用できる。
【００４２】
また、放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５重量部〜５００重量部、好ましくは７０重量部〜１５０重量部程度である。
【００４３】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００４４】
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００４５】
アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の上で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００４６】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００４７】
内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の光重合性化合物を配合することもできる。当該光重合性化合物の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲内である。
【００４８】
放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。
【００４９】
上述のアクリル系ポリマーの中でも、特にＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜１８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーＡが好ましい。
【００５０】
アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が４未満であると、極性が高く剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が１８を超えると、粘着剤層５２のガラス転移温度が高くなり過ぎて、常温での接着特性が低下し、その結果、ダイシングの際に金属層３の剥離が発生する場合がある。
【００５１】
上記アクリル系ポリマーＡは、必要に応じ、他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。
【００５２】
アクリル系ポリマーＡでは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物が用いられる。すなわち、アクリルポリマーは、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有していることが好ましい。従って、アクリル系ポリマーは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有していることが好ましい。これにより、活性エネルギー線（紫外線など）の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型粘着剤層など）とすることができ、金属層３と粘着剤層５２との剥離力を低下させることができる。
【００５３】
二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
また、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線照射前の粘着力や、活性エネルギー線照射後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤等の添加剤が配合されていてもよい。
【００５５】
粘着剤層５２の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。また、粘着剤層５２は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。
【００５６】
＜金属層３＞
金属層３を構成する金属としては特に限定されず、例えば、ステンレス、アルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも１種であることが放熱性、電子デバイスパッケージの反り防止の点から好ましい。これらの中でも、熱伝導性が高く放熱の効果が得られる観点から、銅を含むことが特に好ましい。また、電子デバイスパッケージ１１（図６（Ｄ）参照）の反り防止の観点からは、アルミニウムを含むことが特に好ましい
【００５７】
金属層３の厚さは、放熱性、電子デバイスパッケージの反り防止性、及び加工性等を考慮して適宜決定することができ、通常２〜２００μｍの範囲である。金属層３は２００μｍ以下であると巻取り加工が容易であり、５０μｍ以下の場合、電子デバイスパッケージ１１の薄型化に寄与できる点で好ましい。一方、放熱性の観点から最低でも２μｍ以上が必要である。
【００５８】
このような金属層３としては、金属箔を使用することができ、金属箔は、電解箔であっても圧延箔であってもよい。
【００５９】
＜接着剤層４＞
接着剤層４は、接着剤を予めフィルム化したものである。
【００６０】
接着剤層４は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されており、少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることが好ましい。
【００６１】
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく応力緩和性に優れる点でアクリル樹脂が、可とう性と強度を両立して高靭性である点でフェノキシ樹脂が、それぞれの観点で半導体素子の信頼性を確保しやすくできるため、特に好ましい。
【００６２】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数１〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
【００６３】
また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００６４】
また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００６５】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
【００６６】
エポキシ樹脂としては、例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００６７】
更に、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００６８】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００６９】
また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【００７０】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、上述のようにフェノール樹脂を用いることが好ましいが、イミダゾール類、アミン類、酸無水物類等の公知の硬化剤を使用することもできる。
【００７１】
接着剤層４は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。そこで、接着剤層４を予めある程度架橋させておくため、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００７２】
架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００７３】
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
【００７４】
接着剤層４には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００７５】
充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層４に熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカまたはアルミナが、シリカとしては特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．００１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００７６】
充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分に対して９８重量％以下（０重量％〜９８重量％）であることが好ましく、特にシリカの場合は０重量％〜７０重量％、熱伝導や導電などの機能性無機充填剤の場合は１０重量％〜９８重量％であることが好適である。
【００７７】
また、難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００７８】
接着剤層４は、接着性と信頼性の観点から、特に（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有することが好ましい。
【００７９】
（Ａ）エポキシ樹脂を用いることにより、高い接着性、耐水性、耐熱性を得られる。エポキシ樹脂としては、上述の公知のエポキシ樹脂を用いることができる。（Ｂ）硬化剤は上述の公知の硬化剤を用いることができる。
【００８０】
（Ｃ）アクリル樹脂は、可とう性と強度を両立して高靭性である。好ましいアクリル樹脂は、Ｔｇ（ガラス転移温度）が−５０℃〜５０℃であり、エポキシ基、グリシジル基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を架橋性官能基として有するモノマーを重合して得た架橋性官能基含有（メタ）アクリル共重合体である。さらに、アクリロニトリル等を含有してゴム特性を示すとより高靭性が得られる。
また、（Ｃ）フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂は分子鎖が長くエポキシ樹脂と構造が似ており、高架橋密度の組成物中で可とう性材料として作用し、高靭性を付与するので高強度でありながらタフネスな組成物が得られる。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールＡ型のものであるが、その他にビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。
【００８１】
（Ｄ）表面処理された無機充填材としては、カップリング剤で表面処理された無機充填剤が挙げられる。無機充填材としては、上述の公知の無機充填剤を用いることができるが、好ましくはシリカ、アルミナである。カップリング剤で表面処理されていることにより、無機充填剤の分散性が良好になる。このため、流動性に優れるので金属層との接着力を向上させることができる。また、無機充填剤を高充填させることができるようになるので、吸水率を下げ耐湿性を向上させることができる。
【００８２】
例えばシランカップリング剤による無機充填材の表面処理は、公知の方法により、シランカップリング剤溶液中に無機充填材を分散させることにより、無機充填剤の表面に存在する水酸基とシランカップリング剤のアルコキシ基等の加水分解基が加水分解されたシラノール基とを反応させて無機充填剤の表面にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成することにより行われる。
【００８３】
接着剤層４の厚さは特に制限されるものではないが、通常取扱い性の観点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、半導体パッケージの薄型化に寄与するために１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。また、接着剤層４は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。
【００８４】
接着剤層４の吸水率は、１．５ｖｏｌ％以下であることが好ましい。吸水率の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層４（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを蒸留水に室温で２４時間浸してから取出し、サンプル表面をろ紙でふき取り、すばやく秤量してＭ２とする。吸水率は、次式（１）により算出される。
吸水率（ｖｏｌ％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００    （１）
ここで、ｄはフィルムの密度である。
吸水率が１．５ｖｏｌ％を超えると、吸水した水分によりはんだリフロー時にパッケージクラックを生じるおそれがある。
【００８５】
接着剤層４の飽和吸湿率は、１．０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。飽和吸湿率の測定方法は次の通りである。すなわち、直径１００ｍｍの円形の接着剤層４（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿してから取り出し、すばやく秤量してＭ２とする。飽和吸湿率は、次式（２）により算出される。
飽和吸湿率（ｖｏｌ％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００  （２）
ここで、ｄはフィルムの密度である。
飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％を超えると、リフロー時の吸湿により蒸気圧の値が高くなり、良好なリフロー特性が得られないおそれがある。
【００８６】
接着剤層４の残存揮発分は、３．０ｗｔ％以下であることが好ましい。残存揮発成分の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層４（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルの初期の質量を測定しＭ１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃、２時間加熱後、秤量してＭ２とする。残存揮発分は、次式（３）により算出される。
残存揮発分（ｗｔ％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００    （３）
残存揮発分が３．０ｗｔ％を超えると、パッケージングの際の加熱により溶媒が揮発し、接着剤層４の内部にボイドが発生して、パッケージクラックが発生するおそれがある。
【００８７】
金属層３の線膨脹係数の接着剤層４の線膨脹係数に対する比（金属層３の線膨脹係数／接着剤層４の線膨脹係数）は、０．２以上であることが好ましい。当該比が０．２未満であると、金属層３と接着剤層４との間で剥離が生じやすくなり、パッケージングの際にパッケージクラックが発生し、信頼性が低下するおそれがある。
【００８８】
本実施形態における金属層３は、半導体チップＣ（図６参照）に対応する形状に個片化されて、接着剤層４に埋め込まれており、金属層３の粘着剤層５２側の面と、金属層３間における接着剤層４の粘着剤層５側の頂部（本実施形態にあっては、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の面）との段差ｚ（図７参照）が実質的にない状態となっている。すなわち、金属層３の粘着剤層５２側の面と、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の面とが面一の状態となっている。
【００８９】
金属層３は、半導体チップＣ（図６参照）に対応する形状に個片化されているため、半導体ウエハＷを半導体チップＣにダイシングする際に、金属層３を切断する必要がなく、金属層３の切削屑が発生することがない。
【００９０】
なお、本実施形態においては、金属層３が接着剤層４に埋め込まれており、金属層３の粘着剤層５２側の面と、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の面との段差ｚが実質的にない状態となっているが、図７に示すように、金属層３の粘着剤層５２側の面と、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の面との段差ｚがあってもよい。さらに、図８に示すように、金属層３が接着剤層４に埋め込まれていなくてもよい。
【００９１】
しかしながら、金属層３の粘着剤層５２側の面と、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の面との段差ｚは、３μｍ未満であることが好ましく、さらには、段差ｚが実質的にない状態が好ましい。
【００９２】
金属層３の粘着剤層５２側の面が、隣り合う金属層３間の接着剤層４の粘着剤層５側の頂部よりも、粘着剤層５２側に突出しており、その段差ｚが３μｍ以上であると、接着剤層４に半導体ウエハＷを貼合する際に、金属層３同士間における接着剤層４の半導体ウエハＷへの押圧が不十分となり、当該部分に空気が巻き込まれ、ボイドが発生するおそれがある。このボイドは、金属層３同士間における接着剤層４と半導体ウエハＷとの間に発生するが、当該部分は、ダイシング工程において、切断除去される部分であるため、通常は問題とはならない。ただし、このボイドは、半導体ウエハＷを貼合した状態で次の工程へ搬送される際の振動や、ダイシング工程での振動などにより、半導体ウエハＷの半導体チップＣとなる部分と接着剤層４との間に移行するおそれがあるため、ない方が好ましい。
【００９３】
隣り合う金属層３間の粘着剤層５側の頂部が、金属層３の粘着剤層５２側の面よりも粘着剤層５２側に突出しており、その段差ｚが３μｍ以上であると、接着剤層４に半導体ウエハＷを貼合する際の熱と圧力で、接着剤層４が軟化して金属層３の表面に付着し、放熱性が低下するおそれがある。
【００９４】
なお、上述の場合、段差ｚは、金属層３付き接着剤層４において、金属層３が保持されている部分の厚みｙと金属層３が保持されていない部分すなわち接着剤層４のみの部分の厚みｘとの差に相当する。
【００９５】
また、本実施形態の電子デバイスパッケージ用テープ１は、金属層３が接着剤層４に埋め込まれて保持されるようにしたが、必ずしも接着剤層４に埋め込まれている必要はなく、図８に示すように、金属層３が接着剤層４の表面に粘着保持されていてもよい。この場合、接着剤層４は、金属層３間であって粘着剤層側の面に、金属層３の粘着剤層５２側の面と、隣り合う金属層３同士の間における接着剤層４の粘着剤層５２側の頂部との段差を軽減する段差軽減部７を有していてもよい。
【００９６】
段差軽減部７を設けることにより、金属層３の粘着剤層５側の面と、段差軽減部７の粘着剤層５側の頂部との段差ｚ´が３μｍ未満となるようにすることが好ましい。金属層３の粘着剤層５２側の面が、段差軽減部７の粘着剤層５側の頂部よりも、粘着剤層５２側に突出しており、その段差ｚ´が３μｍ以上であると、接着剤層４に半導体ウエハＷを貼合する際に、金属層３同士間における接着剤層４の半導体ウエハＷへの押圧が不十分となり、当該部分に空気が巻き込まれ、ボイドが発生するおそれがある。段差軽減部７の粘着剤層５側の頂部が、金属層３の粘着剤層５２側の面よりも粘着剤層５２側に突出しており、その段差ｚ´が３μｍ以上であると、接着剤層４に半導体ウエハＷを貼合する際の熱と圧力で、段差軽減部７が軟化して金属層３の表面に付着し、放熱性が低下するおそれがある。
【００９７】
なお、上述の場合、段差ｚ´は、金属層３付き接着剤層４において、金属層３が保持されている部分の厚みｙ´と段差軽減部７が設けられている部分の最大厚みｘ´との差に該当する。
【００９８】
＜微粘着テープ２＞
微粘着テープ２としては、例えば、樹脂フィルムと樹脂フィルムの片面に設けられた微粘着テープ用粘着剤層とを有するテープを好適に使用することができる。微粘着テープ２を構成する樹脂フィルムの素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルムが挙げられる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。耐熱性、平滑性、及び、入手し易さの点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、及びポリエチレンから選択されることが好ましい。
【００９９】
微粘着テープ２を構成する樹脂フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、１０〜１５０μｍであることが好ましい。
【０１００】
微粘着テープ用粘着剤層に使用される樹脂としては、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【０１０１】
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【０１０２】
アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【０１０３】
更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【０１０４】
アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。微粘着テープ用粘着剤層は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が３０万以上、特に４０万〜３００万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。
【０１０５】
また、微粘着テープ用粘着剤層の粘着力は粘着剤層５や接着剤層４の保持や剥離性等を考慮して調整される。微粘着テープ用粘着剤層の粘着力は、微粘着テープ用粘着剤層の架橋密度を制御して調整することができ、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部程度以下、更には０．１重量部〜２０重量部配合するのが好ましい。
【０１０６】
微粘着テープ用粘着剤層の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には３〜２００μｍ程度である。また、微粘着テープ用粘着剤層は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。
【０１０７】
＜電子デバイスパッケージ用テープ１の製造方法＞
＜工程１（接着剤層４の加工）＞
次に、本実施の形態に係る電子デバイスパッケージ用テープ１の製造方法について説明する。まず、接着剤層４は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成する（ステップ１）。具体的には、例えば、セパレータＳ（図４（Ｄ）参照）上に前記樹脂組成物を塗布して乾燥し（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、接着剤層４を形成する方法等が挙げられる。セパレータＳとしては、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
【０１０８】
＜工程２（金属層３の加工）＞
また、図４（Ａ）に示すように、金属層３を微粘着性を有する仮保持用微粘着テープＢＮとローラーｒを用いて貼合する（ステップ２）。金属層３としては、市販の金属箔を用いればよい。仮保持用微粘着テープＢＮとしては、上述の微粘着テープ２と同様のものを使用することができる。
【０１０９】
図４（Ｂ）に示すように、金属層３を半導体チップＣ（図６参照）に対応する形状に切断するように、押切刃などを用いて、切り込みＫを形成する。その後、図４（Ｃ）に示すように、半導体チップＣに対応する形状の周辺の不要部分６を仮保持用微粘着テープＢＮから剥離して除去する（ステップ３）。
【０１１０】
次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体チップＣに対応する形状に切断された金属層３を、仮保持用微粘着テープＢＮに保持されたままの状態で、セパレータＳ上に形成された接着剤層４上に載置し、熱プレス機を用いて加熱加圧することにより、金属層３を接着剤層４に埋め込み保持させる（ステップ４）。その後、セパレータＳを剥離する（ステップ５）。
【０１１１】
＜工程１、２の変形例＞
あるいは、個片化され、仮保持用微粘着テープＢＮに保持された金属層３間の仮保持用微粘着テープＢＮ上および金属層３上に、接着剤層４の樹脂組成物の溶液を塗工して乾燥させ、セパレータＳと加熱貼合するようにしてもよい。
【０１１２】
＜工程３（接着剤層４の切断）＞
金属層３を接着剤層４に保持させた後、図５（Ａ）に示すように、押切刃Ｏ１を用いて、接着剤層４を、ウエハＷに対応する形状に切断する（ステップ６）。その後、接着剤層４のウエハＷに対応する形状の周辺の不要部分１２を仮保持用微粘着テープＢＮから剥離して除去する（ステップ７）。
【０１１３】
＜工程４（微粘着テープ２の貼合、仮保持用微粘着テープＢＮの剥離）＞
次に、図５（Ｂ)に示すように、接着剤層４上に、微粘着テープ２を貼合する（ステップ８）。その後、仮保持用微粘着テープＢＮを剥離する（ステップ９）。仮保持用微粘着テープＢＮの粘着力は微粘着テープ２より小さくなっており、仮保持用微粘着テープＢＮを剥離した時、接着剤層４および金属層３は微粘着テープ２側に残る。
【０１１４】
＜工程５（粘着テープ（ＤＣテープ）５の加工）＞
次に、粘着テープ５を作製する。基材フィルム５１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材フィルム５１上に粘着剤層組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層５２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材フィルム５１に塗布して、基材フィルム５１上に粘着剤層５２を形成してもよく、また、粘着剤層組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層５２を形成させた後、該粘着剤層５２を基材フィルム５１に転写させてもよい。これにより、基材フィルム５１上に粘着剤層５２が形成された粘着テープ５が作製される。
【０１１５】
＜工程６（粘着テープ（ＤＣテープ）５の貼合、切断）＞
その後、図５（Ｃ）に示すように、金属層３と粘着剤層５２とが接するように、金属層３及び接着剤層４が設けられた微粘着テープ２に粘着テープ（ＤＣテープ）５をラミネートし（ステップ１０）、場合によっては、図５（Ｄ）に示すように、粘着テープ５も押切刃Ｏ２を用いて、所定の大きさの円形ラベル形状等に切断し（ステップ１１）、不要部分１３を微粘着テープ２から剥離して除去することにより（ステップ１２）、電子デバイスパッケージ用テープ１が作られる。
【０１１６】
＜電子デバイスパッケージ用テープ１の製造方法の変形例＞
なお、上述では、接着剤層４で金属層３間を埋めたり、接着剤層４で段差軽減部７を設ける場合について説明したが、接着剤層４以外の樹脂を用いて、金属層３間を埋めたり段差軽減部７を形成してもよい。この場合、仮保持用微粘着テープＢＮに保持された金属層３間の仮保持用微粘着テープＢＮ上に、接着剤層４とは別の樹脂組成物の溶液を塗工して乾燥させ、上記のセパレータＳ上に形成した接着剤層４と加熱貼合するようにするとよい。または、半導体チップＣに対応する形状に切断された金属層３を、仮保持用微粘着テープＢＮに保持されたままの状態で、接着剤層４上に貼合し、仮保持用微粘着テープＢＮを剥離した後、金属層３間に接着剤層４とは別の樹脂組成物の溶液をスクリーン印刷してよいし、金属層３間に接着剤層４とは別の樹脂組成物の溶液を滴下してもよい。
【０１１７】
＜使用方法＞
次に、本実施形態の電子デバイスパッケージ用テープ１を使用して半導体装置を製造する方法について、図６を参照しながら説明する。
【０１１８】
半導体装置の製造方法は、電子デバイスパッケージ用テープ１上に半導体ウエハＷを貼着する工程（マウント工程）と、半導体ウエハＷをダイシングして半導体チップＣを形成する工程（ダイシング工程）と、金属層３、接着剤層４および半導体チップＣの積層体を、粘着テープ５の粘着剤層５２から剥離する工程（ピックアップ工程）と、得られた積層体を予備硬化する工程（予備硬化工程）と、半導体チップＣを被着体８上にフリップチップ接続する工程（フリップチップ接続工程）とを具備する。予備硬化工程は必須の工程ではなく、必要に応じて行うようにするとよい。また、必要に応じて他の工程を適宜実施してもよい。
【０１１９】
［マウント工程］
先ず、電子デバイスパッケージ用テープ１上に任意に設けられた微粘着テープ２を適宜に剥離し、図６（Ａ）で示されるように、接着剤層４に半導体ウエハＷを貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき接着剤層４は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、電子デバイスパッケージ用テープ１は、半導体ウエハＷの裏面に貼着される。半導体ウエハＷの裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、粘着テープ５側から圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。そのため、金属層３の粘着剤層５２側の面が、隣り合う金属層３間の接着剤層４の粘着剤層５側の頂部よりも、粘着剤層５２側に突出していると、金属層３間の接着剤層４に十分に押圧をかけることができない。
【０１２０】
［ダイシング工程］
次に、図６（Ｂ）で示されるように、半導体ウエハＷのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハＷを所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップＣを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハＷの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、電子デバイスパッケージ用テープ１まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。このとき、金属層３は予め半導体チップＣに対応する形状に切断され個片化されているので、ダイシング工程においては、金属層３は切断されない。このため、金属層３の切削屑が発生することがない。また、半導体ウエハＷは、電子デバイスパッケージ用テープ１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハＷの破損も抑制できる。なお、電子デバイスパッケージ用テープ１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。
【０１２１】
［ピックアップ工程］
図６（Ｃ）で示されるように、半導体チップＣのピックアップを行って、半導体チップＣを接着剤層４及び金属層３とともに粘着テープ５より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップＣを電子デバイスパッケージ用テープ１の基材フィルム５１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップＣをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１２２】
［予備硬化工程］
後のフリップチップ接続工程で接着剤層４に突沸が生じないように、金属層３、接着剤層４および半導体チップＣの積層体における接着剤層４を予め硬化させる予備硬化を行う。予備硬化の条件は、接着剤層４が突沸しない範囲で適宜設定してよいが、１００〜１５０℃で４時間〜１５分程度加熱することが好ましい。
【０１２３】
［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップＣは、図６（Ｄ）で示されるように、基板等の被着体８に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップＣを、半導体チップＣの回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体８と対向する形態で、被着体８に常法に従い固定させる。例えば、まず半導体チップＣの回路面側に形成されている接続部としてのバンプ９にフラックスを付着させる。次いで、半導体チップＣのバンプ９を被着体８の接続パッドに被着された接合用の導電材１０（半田など）に接触させて押圧しながらバンプ９及び導電材１０を溶融させることにより、半導体チップＣと被着体８との電気的導通を確保し、半導体チップＣを被着体８に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップＣと被着体８との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップＣを被着体８上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップＣと被着体８との対向面や間隙に残存するフラックスを洗浄除去し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止する。
【０１２４】
被着体８としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。また、他の半導体チップを被着体８とし、上記半導体チップＣをフリップチップ接続することにより、チップオンチップ構造とすることもできる。
【０１２５】
＜実施例＞
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
＜粘着剤層組成物＞
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、２−エチルヘキシルアクリレートの比率が６０モル％、質量平均分子量７０万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が２０となるように、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−５０℃、水酸基価１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ１）を調製した。
【０１２６】
上記アクリル系共重合体（ａ１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、東ソー株式会社製）を５質量部加え、光重合開始剤としてＥｓａｃｕｒｅ  ＫＩＰ  １５０（商品名、Ｌａｍｂｅｒｔｉ社製）を３質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤層組成物（１）を調製した。
【０１２７】
基材フィルムとして以下のものを作製した。
＜基材フィルム＞
エチレン−メタクリル酸共重合体の樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍ、ループスティフネス７ｍＮの長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。エチレン−メタクリル酸共重合体は、三井デュポンポリケミカル株式会社製のニュクレルＮＯ３５Ｃ（商品名）を使用した。
【０１２８】
＜粘着テープ＞
離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、上記粘着剤層組成物を、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて粘着剤層とした後、上記基材フィルムと貼り合わせ、粘着テープを作製した。
【０１２９】
（２）接着剤層の作製
【０１３０】
＜接着剤層＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「テイサンレジンＳＧ−Ｐ３」、Ｍｗ８５万、Ｔｇ１２℃）８０質量部と、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−４７００」）１０質量部、硬化剤としてのフェノール樹脂（明和化成株式会社製、商品名「ＭＥＨ７８５１」）１０質量部とをメチルエチルケトンに溶解させ、接着剤層組成物溶液を調製した。この接着剤層組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で５分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの接着剤層を作製した。
【０１３１】
（３）金属層の準備
＜金属層＞
Ｆ２−ＷＳ（商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ１８μｍ）
【０１３２】
（４）微粘着テープの作製
【０１３３】
微粘着テープとして以下のものを作製した。
（樹脂フィルム）
スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）（株式会社クラレ社製、商品名「セプトンＫＦ−２１０４」）とホモプロピレン（ＰＰ）（宇部興産株式会社製、商品名「Ｊ−１０５Ｇ」）を４０：６０で示す配合比で混合した樹脂ビーズを２００℃で溶融し、押出機を用いて厚さ９０μｍの長尺フィルム状に成形することにより、樹脂フィルムを作製した。
【０１３４】
（微粘着テープ用粘着剤層組成物）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ２）として、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、２−エチルヘキシルアクリレートの比率が７０モル％、質量平均分子量５０万、ガラス転移温度−５０℃、水酸基価３０ｇＫＯＨ／ｇ、酸価５ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ２）を調製した。
アクリル系共重合体（ａ２）１００質量部に対して、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）を８質量部加え、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して、基材テープ用粘着剤層組成物ｅ−１を得た。
＜微粘着テープ＞
【０１３５】
調製した微粘着テープ用粘着剤層組成物を、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、上記樹脂フィルムと貼り合わせ、樹脂フィルム上に微粘着テープ用粘着剤層が形成された微粘着テープを作製した。
【０１３６】
（５）電子デバイスパッケージ用テープの作製
＜実施例１＞
以上のようにして得られた微粘着テープと金属層とを貼り合わせ角度１２０°、圧力０．２ＭＰａ、速度１０ｍｍ／ｓの条件で貼り合わせた。その後、金属層を１０×１０ｍｍの大きさの個片で、隣合う個片間の間隔が０．５ｍｍとなるように、切断して不要部分を除去した。その後、金属層を、微粘着テープに保持されたままの状態で、接着剤層と貼り合わせ角度１２０°、圧力０．２ＭＰａ、速度１０ｍｍ／ｓの条件で貼り合わせた。そして、微粘着テープを剥離した後、図８に示すように、金属層間に上記接着剤層組成物溶液を、金属層間の接着剤層のみの部分の乾燥後の厚みｘが２３μｍとなるように滴下し、１３０℃で５分間乾燥させた。
【０１３７】
その後、接着剤層をウエハに対応する円形形状にプリカットし、前記粘着テープの粘着剤層と接着剤層に保持された金属層の金属層側とを貼り合わせ、粘着テープをリングフレームに貼合できる形状にプリカットし、実施例１の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。
【０１３８】
＜実施例２〜１９、比較例１＞
金属層間の接着剤層の厚みｘ、金属層間の間隔を表１，２に記載の組合せにした以外は、実施例１と同様の手法により、実施例２〜１９の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。実施例６〜９，１５〜１９は、金属層間に接着剤層組成物溶液を滴下する工程に替えて、金属層にマスキングをした状態で接着剤層組成物溶液をスクリーン印刷する工程を用いた。また、金属層を１０×１０ｍｍ角に切断することなく接着剤層と貼合し、接着剤層とともに円形形状にプリカットした以外は、実施例１と同様にして比較例１の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。
【０１３９】
実施例１〜１９及び比較例１に係る電子デバイスパッケージ用テープについて以下の評価を行った。その結果を表１，２に示す。
【０１４０】
厚み２００μｍのバンプ付きシリコンウエハ（バンプ：銅ピラー及びはんだ、バンプ高さ：約４０μｍ）の裏面に各実施例および比較例に係る電子デバイスパッケージ用テープの接着剤層を７０℃で１０秒間加熱貼合した後、ダイシングを行い、１０×１０ｍｍの評価用チップに分割した。
【０１４１】
（ボイド評価）
シリコンウエハに接着剤層を貼合した後、電子デバイスパッケージ用テープを粘着テープ側から目視にて観察し、ボイドが確認されなかったものを良品として○、ボイドが確認されたものを許容品として△で評価した。なお、ボイドが確認できたものであっても許容品としたのは、このボイドは、金属層同士間における接着剤層と半導体ウエハとの間に発生するが、当該部分は、ダイシング工程において、切断除去される部分であるため、通常は問題とはならないためである。
【０１４２】
（金属層表面への接着剤の付着評価）
シリコンウエハに接着剤層を貼合した後、金属層の表面への接着剤の付着の有無を目視にて確認し、接着剤の付着が確認されなかったものを良品として○、接着剤の付着が確認されたものを許容品として△で評価した。
【０１４３】
（金属層の切削屑の発生評価）
ダイシングを行った後に、目視にて金属層の切削屑の有無を観察した。切削屑が確認されなかったものを良品として○、切削屑が確認されたものを不良品として×で評価した。
【０１４４】
【表１】
2018170340.tif 000003
【０１４５】
【表２】
2018170340.tif 000004
【０１４６】
表１，２に示すように、実施例１〜１９に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が予め半導体チップに対応する形状に切断されているため、金属層の切削屑の発生評価において、良好な結果となった。
【０１４７】
また、実施例１〜９に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が接着剤層に埋め込まれており、金属層の粘着剤層側の面と、金属層間における接着剤層の粘着剤層側の頂部との段差が３μｍ未満であるため、ボイド評価および金属層表面への接着剤の付着評価において特に優良な結果となった。
【０１４８】
これに対して、比較例１に係る電子デバイスパッケージ用テープは、金属層が予め半導体チップに対応する形状に切断されていないため、金属層の切削屑の発生評価において、劣る結果となった。
【符号の説明】
【０１４９】
１：電子デバイスパッケージ用テープ
２：微粘着テープ
３：金属層
４：接着剤層
５：粘着テープ
５ａ：ラベル部
５ｂ：周辺部
【図１】
2018170340.tif 000005
【図２】
2018170340.tif 000006
【図３】
2018170340.tif 000007
【図４】
2018170340.tif 000008
【図５】
2018170340.tif 000009
【図６】
2018170340.tif 000010
【図７】
2018170340.tif 000011
【図８】
2018170340.tif 000012