(57)【要約】【課題】セラミック多層基板を歩留まりよく製造すること。【解決手段】本発明では、セラミック多層基板（１）の製造方法において、セラミックベースシート（２）の表面に所定の回路パターンからなる下側導電層（３）を印刷し、その後、下側導電層（３）の所定の位置にビア導電層（６）を印刷し、その後、セラミックベースシート（２）の表面にビア導電層（６）を除く下側導電層（３）を被覆する絶縁層（５）を印刷し、その後、絶縁層（５）の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層（４）を印刷し、その後、下側導電層（３）、ビア導電層（６）、絶縁層（５）、及び上側導電層（４）を硬化させることによってビア導電層（６）を介して上側導電層（４）と下側導電層（３）とを導通させたセラミック多層基板（１）を形成することにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックベースシートの表面に所定の回路パターンからなる下側導電層を印刷し、
その後、下側導電層の所定の位置にビア導電層を印刷し、
その後、セラミックベースシートの表面にビア導電層を除く下側導電層を被覆する絶縁層を印刷し、
その後、絶縁層の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層を印刷し、
その後、下側導電層、ビア導電層、絶縁層、及び上側導電層を硬化させることによってビア導電層を介して上側導電層と下側導電層とを導通させたセラミック多層基板を形成することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記ビア導電層は、前記下側導電層の表面に截頭錐体（錐台）状に形成することを特徴とする請求項１に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記ビア導電層は、前記上側導電層、下側導電層、及び絶縁層よりも硬化時の収縮率が低いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品を実装するための基板や電子部品の内部に収容された基板として、セラミックベースシートの表面に回路パターンからなる導電層を印刷した後に焼成することで製造されるセラミック製で多層構造の基板（セラミック多層基板）が多用されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このセラミック多層基板において、上側の導電層と下側の導電層とを電気的に接続するビアを印刷によって形成する場合には、以下の工程で行われていた。
【０００４】
まず、セラミックベースシートの表面に所定の回路パターンからなる下側の導電層を印刷する。
【０００５】
次に、セラミックベースシートの表面にビアホールを除く下側の導電層を被覆する絶縁層を印刷する。
【０００６】
次に、ビアホールの内部にビア導電層を印刷することでビアホールの内部をビア導電層で充填する。
【０００７】
次に、絶縁層の表面に所定の回路パターンからなる上側の導電層を印刷する。
【０００８】
次に、焼成することによってセラミック多層基板を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１８４３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記従来のセラミック多層基板の製造方法においては、セラミックベースシートの表面にビアホールを有する絶縁層を印刷した際に、絶縁層の粘性によって、絶縁層がビアホールの内側に流れ込んでしまうといった問題が発生していた。
【００１１】
そして、絶縁層がビアホールの内側に流れ込んでしまうと、ビアホールが絶縁層で塞がれてしまい、ビアホールにおいて上側の導電層と下側の導電層とをビア導電層で導通させることができなくなる。
【００１２】
このように、上記従来のセラミック多層基板の製造方法においては、上側の導電層と下側の導電層とが導通されない不良品が製造されてしまうおそれがあり、歩留まりの低下を招くおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで、請求項１に係る本発明では、セラミック多層基板の製造方法において、セラミックベースシートの表面に所定の回路パターンからなる下側導電層を印刷し、その後、下側導電層の所定の位置にビア導電層を印刷し、その後、セラミックベースシートの表面にビア導電層を除く下側導電層を被覆する絶縁層を印刷し、その後、絶縁層の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層を印刷し、その後、下側導電層、ビア導電層、絶縁層、及び上側導電層を硬化させることによってビア導電層を介して上側導電層と下側導電層とを導通させたセラミック多層基板を形成することにした。
【００１４】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記ビア導電層は、前記下側導電層の表面に截頭錐体（錐台）状に形成することにした。
【００１５】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記ビア導電層は、前記上側導電層、下側導電層、及び絶縁層よりも硬化時の収縮率が低いことにした。
【発明の効果】
【００１６】
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
【００１７】
すなわち、本発明では、セラミック多層基板の製造方法において、セラミックベースシートの表面に所定の回路パターンからなる下側導電層を印刷し、その後、下側導電層の所定の位置にビア導電層を印刷し、その後、セラミックベースシートの表面にビア導電層を除く下側導電層を被覆する絶縁層を印刷し、その後、絶縁層の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層を印刷し、その後、下側導電層、ビア導電層、絶縁層、及び上側導電層を硬化させることによってビア導電層を介して上側導電層と下側導電層とを導通させたセラミック多層基板を形成することにしているために、絶縁層がビアホールの内部に流れ込むことがなく、上側導電層と下側導電層とをビア導電層で良好に導通させることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１８】
特に、ビア導電層を下側導電層の表面に截頭錐体（錐台）状に形成したり、或は、上側導電層、下側導電層、及び絶縁層よりもビア導電層の硬化時の収縮率を低くした場合には、上側導電層と下側導電層とをビア導電層でより一層良好に導通させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るセラミック多層基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明に係るセラミック多層基板の製造方法の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、本発明に係るセラミック多層基板は、電子部品を実装するための基板や電子部品の内部に収容された基板などに使用される。
【００２１】
図１に示すように、セラミック多層基板１は、セラミックベースシート２の表面に所定の回路パターンからなる下側導電層３と所定の回路パターンからなる上側導電層４とを絶縁層５を介して積層し、下側導電層３と上側導電層４の所定位置で下側導電層３と上側導電層４とをビア導電層６で導通させたビア７が形成される（図１（ｄ）参照。）。なお、セラミックベースシート２は、シート状のセラミックを指し、未焼成のセラミックグリーンシートであってもよく、また、焼成済みのセラミック白基板であってもよい。
【００２２】
このセラミック多層基板１は、以下に説明するようにして製造することができる。
【００２３】
まず、図１（ａ）に示すように、セラミックベースシート２の表面に所定の回路パターンからなる下側導電層３を印刷により形成する（下側導電層印刷工程）。下側導電層３には、ビア７を構成する下側電極８を形成しておく。なお、下側導電層３としては、銀等の導電性を有する金属を含有するペースト等であって焼成によって固化するものを用いることができる。
【００２４】
その後、図１（ｂ）に示すように、下側導電層３の所定の位置（下側電極８の表面）にビア導電層６を印刷により形成する（ビア導電層印刷工程）。なお、ビア導電層６としては、銀等の導電性を有する金属を含有するペースト等であって焼成によって固化するものを用いることができる。
【００２５】
ここで、ビア導電層６は、円柱や角柱等の柱状に形成してもよく、また、頂部を水平面にした円錐台や角錐台等の截頭錐体（錐台）状に形成してもよく、さらに、柱状に形成したペーストが自らの粘性と重さによって自然に截頭錐体（錐台）状となるようにしてもよい。
【００２６】
また、ビア導電層６は、下側導電層３、上側導電層４、絶縁層５のいずれか又は全てと焼成時の収縮率が同等の素材のものを用いてもよく、また、下側導電層３、上側導電層４、絶縁層５のいずれか又は全てよりも焼成時の収縮率が低い素材のものを用いてもよい。
【００２７】
その後、図１（ｃ）に示すように、セラミックベースシート２の表面にビア導電層６を除く下側導電層３を被覆する絶縁層５を印刷により形成する（絶縁層印刷工程）。なお、絶縁層５としては、絶縁性を有するペースト状のガラス等であって焼成によって固化するものを用いることができる。
【００２８】
ここで、絶縁層５は、ビア導電層６の頂部と同一の高さまで印刷してもよく、また、ビア導電層６の頂部よりも低い高さまで印刷するようにしてもよい。
【００２９】
その後、図１（ｄ）に示すように、絶縁層５の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層４を印刷により形成する（上側導電層印刷工程）。上側導電層４には、ビア７を構成する上側電極９を形成しておく。なお、上側導電層４としては、銀等の導電性を有する金属を含有するペースト等であって焼成によって固化するものを用いることができる。
【００３０】
その後、焼成により下側導電層３、上側導電層４、絶縁層５、ビア導電層６を硬化させることによってビア導電層６を介して上側導電層４と下側導電層３とを導通させたビア７を有するセラミック多層基板１を形成する（焼成工程）。
【００３１】
なお、本発明は、下側導電層印刷工程、ビア導電層印刷工程、絶縁層印刷工程、上側導電層印刷工程、焼成工程をこの順に含んだ製造方法であればよく、各工程の間に他の処理を行う工程が含まれていてもよく、また、上側導電層４を絶縁膜等で被覆してもよい。
【００３２】
以上に説明したように、上記セラミック多層基板１の製造方法では、セラミックベースシート２の表面に所定の回路パターンからなる下側導電層３を印刷し、その後、下側導電層３の所定の位置にビア導電層６を印刷し、その後、セラミックベースシート２の表面にビア導電層６を除く下側導電層３を被覆する絶縁層５を印刷し、その後、絶縁層５の表面に所定の回路パターンからなる上側導電層４を印刷し、その後、焼成することによってビア導電層６を介して上側導電層４と下側導電層３とを導通させたセラミック多層基板１を形成している。
【００３３】
そのため、上記構成のセラミック多層基板１の製造方法では、セラミックベースシート２の表面に絶縁層５よりも先にビア導電層６が形成されており、従来のように絶縁層がビアホールの内部に流れ込むといったことがなくなり、上側導電層４と下側導電層３とをビア導電層６で良好に導通させることができ、セラミック多層基板１の製造における歩留まりの向上を図ることができる。
【００３４】
また、上記セラミック多層基板１の製造方法では、ビア導電層６を下側導電層３の表面に截頭錐体（錐台）状に形成することで、ビア導電層６の側周面を下方へ向けて外側に広がる傾斜面となるために、絶縁層５がビア導電層６の頂部に流れ込むのを抑制することができる、上側導電層４と下側導電層３とをビア導電層６でより一層良好に導通させることができる。これは、絶縁層５をビア導電層６の頂部よりも低い高さまで印刷するようにした場合も同様の効果が得られる。
【００３５】
さらに、上記セラミック多層基板１の製造方法では、上側導電層４、下側導電層３、及び絶縁層５よりもビア導電層６の硬化時（焼成時）の収縮率を低くすることでも、上側導電層４と下側導電層３とをビア導電層６でより一層良好に導通させることができる。
【符号の説明】
【００３６】
１  セラミック多層基板
２  セラミックベースシート
３  下側導電層
４  上側導電層
５  絶縁層
６  ビア導電層
７  ビア
８  下側電極
９  上側電極
【図１】
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