(57)【要約】      （修正有）【解決手段】配線基板１００は、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上で、好ましくは、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した押し込み仕事比率ηITが３０％以上の樹脂層１１０、１３０、１５０と、樹脂層に埋め込まれた導電体２１０、２３０、２５０を含み、導電体の一部が樹脂層から露出するように配置された配線と、を備える。【効果】製造工程に与える影響を少なくしつつも、樹脂層に形成されるパターンに対して、離型に伴う不良の発生を抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上の樹脂層と、
前記樹脂層に埋め込まれた導電体を含み、前記導電体の一部が前記樹脂層から露出するように配置された配線と、
を備える配線基板。
【請求項２】
Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した押し込み仕事比率ηITが３０％以上の樹脂層と、
前記樹脂層に埋め込まれた導電体を含み、前記導電体の一部が前記樹脂層から露出するように配置された配線と、
を備える配線基板。
【請求項３】
前記樹脂層は、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した弾性率ＥITが２ＧＰａ以上８ＧＰａ以下である請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線は、前記導電体の一部が前記樹脂層の両面から露出するように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板と、
前記樹脂層から露出された導電体に対して電気的に接続された半導体回路基板と、
を備える半導体装置。
【請求項６】
ネガ型の感光性を有する樹脂層を基板上に形成し、
インプリント用モールドを前記樹脂層に接触させて加圧し、
前記樹脂層に対して光を照射し、
前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離し、
前記樹脂層に形成された前記凹部に導電体を形成すること
を含み、
前記樹脂層に対して光を照射された後、前記導電体を形成する前の間に、前記樹脂層に対して第１の温度で加熱することによって、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した前記樹脂層の硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上となるように硬化することを含む配線基板の製造方法。
【請求項７】
ネガ型の感光性を有する樹脂層を基板上に形成し、
インプリント用モールドを前記樹脂層に接触させて加圧し、
前記樹脂層に対して光を照射し、
前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離し、
前記樹脂層に形成された前記凹部に導電体を形成すること
を含み、
前記樹脂層に対して光を照射された後、前記導電体を形成する前の間に、前記樹脂層に対して第１の温度で加熱することによって、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した前記樹脂層の押し込み仕事比率ηITが３０％以上となるように硬化することを含む配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂層は、前記第１の温度による加熱による硬化後に、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した弾性率ＥITが２ＧＰａ以上８ＧＰａ以下となる請求項６または請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂層に対して光を照射した後であって、前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離する前に、前記樹脂層に対して前記第１の温度よりも低い第２の温度に加熱することをさらに含む請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離した後に、前記インプリント用モールドによって前記樹脂層に形成された凹部内の一部において、前記基板を前記樹脂層から露出させるように当該凹部内の前記樹脂層の少なくとも一部を除去することをさらに含む請求項６乃至請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層を除去することは、前記樹脂層の一方の面側全体にエッチング処理を施すことを含む請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂層および前記導電体を、前記基板から分離することをさらに含む請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、インプリントによるパターン形成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の樹脂層に対して、一般的には、モールドまたはスタンプといわれる凹凸を有する型を押しつけて、パターンを形成する技術がある。この技術は、インプリント法といわれる。モールドが樹脂層に押しつけられた状態では、樹脂層とモールドとはある程度の密着力を有している。したがって、樹脂層に押しつけられたモールドを樹脂層から取り外す（離型する）ためには、この密着力を越える程度の力が必要となる。この力のことを離型力という。この離型力が大きいと、樹脂層に形成されたパターンの形状を歪ませる等、樹脂層に形成されたパターンに対して不良が発生する。このような離型時の問題を解消するために離型力を低下させるための技術が、例えば、特許文献１、２に開示されている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１１５１９７号公報
【特許文献２】特開２０１３−２５３１５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１、２に開示された技術によれば、離型力を低下させることができる一方、製造工程が複雑になったり、別の製造工程に対して悪影響を与えたりする。
【０００５】
本開示の実施形態における目的は、製造工程に与える影響を少なくしつつも、樹脂層に形成されるパターンに対して、離型に伴う不良の発生を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上の樹脂層と、前記樹脂層に埋め込まれた導電体を含み、前記導電体の一部が前記樹脂層から露出するように配置された配線層と、を備える配線基板が提供される。
【０００７】
本開示の一実施形態によると、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した押し込み仕事比率ηITが３０％以上の樹脂層と、前記樹脂層に埋め込まれた導電体を含み、前記導電体の一部が前記樹脂層から露出するように配置された配線と、を備える配線基板が提供される。
【０００８】
前記樹脂層は、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した弾性率ＥITが２ＧＰａ以上８ＧＰａ以下であってもよい。
【０００９】
前記配線は、前記導電体の一部が前記樹脂層の両面から露出するように配置されてもよい。
【００１０】
本開示の一実施形態によると、配線基板と、前記樹脂層から露出された導電体に対して電気的に接続された半導体回路基板と、を備える半導体装置が提供される。
【００１１】
本開示の一実施形態によると、ネガ型の感光性を有する樹脂層を基板上に形成し、インプリント用モールドを前記樹脂層に接触させて加圧し、前記樹脂層に対して光を照射し、前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離し、前記樹脂層に形成された前記凹部に導電体を形成することを含み、前記樹脂層に対して光を照射された後、前記導電体を形成する前の間に、前記樹脂層に対して第１の温度で加熱することによって、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した前記樹脂層の硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上となるように硬化することを含む配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本開示の一実施形態によると、ネガ型の感光性を有する樹脂層を基板上に形成し、インプリント用モールドを前記樹脂層に接触させて加圧し、前記樹脂層に対して光を照射し、前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離し、前記樹脂層に形成された前記凹部に導電体を形成することを含み、前記樹脂層に対して光を照射された後、前記導電体を形成する前の間に、前記樹脂層に対して第１の温度で加熱することによって、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した前記樹脂層の押し込み仕事比率ηITが３０％以上となるように硬化することを含む配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
前記樹脂層は、前記第２の温度による加熱による硬化後に、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した弾性率ＥITが２ＧＰａ以上８ＧＰａ以下となってもよい。
【００１４】
前記樹脂層に対して光を照射した後であって、前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離する前に、前記樹脂層に対して前記第１の温度よりも低い第２の温度に加熱することをさらに含んでもよい。
【００１５】
前記インプリント用モールドを前記樹脂層から剥離した後に、前記インプリント用モールドによって前記樹脂層に形成された凹部内の一部において、前記基板を前記樹脂層から露出させるように当該凹部内の前記樹脂層の少なくとも一部を除去することをさらに含んでもよい。
【００１６】
前記樹脂層をエッチングすることは、前記樹脂層の一方の面側全体をエッチングすることを含んでもよい。
【００１７】
前記樹脂層および前記導電体を、前記基板から分離することをさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本開示の実施形態によると、製造工程に与える影響を少なくしつつも、樹脂層に形成されるパターンに対して、離型に伴う不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本開示の第１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。
【図２】本開示の第１実施形態における配線基板の製造方法を説明する図である。
【図３】図２に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図４】図３に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図５】図４に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図６】図５に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図７】図６に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図８】図７に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図９】図８に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図１０】図９に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図１１】図１０に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図１２】図１１に続く配線基板の製造方法を説明する図である。
【図１３】本開示の第２実施形態における半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１８】本開示の第３実施形態における半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２０】本開示の第４実施形態における電子機器を説明する図である。
【図２１】比較例における配線基板で発生不良を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本開示の各実施形態に係る配線基板およびこれを利用したは導体装置等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００２１】
＜第１実施形態＞
［配線基板の構成］
図１は、本開示の第１実施形態における配線基板の断面構造を説明する図である。図１に示す配線基板１００は、それぞれ導電体が埋め込まれた３層の絶縁性の樹脂層１１０、１３０、１５０を含む。この例では、インプリント法により形成された凹形状のパターンが樹脂層１１０に形成されている。樹脂層１１０におけるこのパターンの部分に、導電体２１０が埋め込まれている。所定のパターンの形状で埋め込まれた導電体２１０は配線を形成する。導電体２１０の一部は、樹脂層１１０の両面から露出している。
【００２２】
同様にして、導電体２３０は樹脂層１３０に埋め込まれ、導電体２３０の一部が樹脂層１３０の両面から露出している。また、導電体２５０は樹脂層１５０に埋め込まれて、導電体２５０の一部が樹脂層１５０の両面から露出している。導電体２１０の一部と導電体２３０の一部とが接続され、導電体２３０の一部と導電体２５０の一部とが接続されている。なお、配線基板１００は、図１に示す例では３層の樹脂層を有しているが、より多くの層を有していてもよいし、より少ない層を有していてもよい。
【００２３】
この例では、配線基板１００は、支持基板５００上に配置されている。支持基板５００は、製造工程において配線基板１００を支持するために設けられている。したがって、配線基板１００が半導体装置等に適用される際には、最終的に支持基板５００は除去されてもよい。半導体装置に適用される場合の例については別の実施形態において説明する。
【００２４】
［配線基板の製造方法］
続いて、配線基板１００の製造方法について、図２から図１２を用いて説明する。
【００２５】
図２は、本開示の第１実施形態における配線基板の製造方法を説明する図である。図３から図１２は、図２に続く配線基板の製造方法を順に説明する図である。支持基板５００を準備する（図２）。この例では、支持基板５００は、ガラス基板である。なお、支持基板５００は、シリコンウェハ、セラミックなど他の無機材料で形成された基板であってもよいし、樹脂基板などの有機材料で形成された基板であってもよい。
【００２６】
続いて、支持基板５００の一面側に樹脂層１１０を形成する（図３）。この例では、樹脂層１１０は、ネガ型の感光性を有する樹脂を用い、膜厚を７μｍ（３μｍ以上、３０μｍ以下で有ることが望ましい）としている。この樹脂は絶縁性を有し、この例ではエポキシ樹脂である。なお、その他の樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリルエポキシ樹脂、または、これらの２種以上の混合物などの絶縁性の樹脂が例示される。この段階では、樹脂層１１０は、支持基板５００に塗布および乾燥をされた状態であり、硬化していない。
【００２７】
なお、この樹脂層１１０は、最終的に硬化したときの材料の物性値が以下の３条件の少なくとも一つを満たしている。
（１）Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上であること
（２）Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した押し込み仕事比率ηITが３０％以上であること
（３）Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定した弾性率ＥITが２ＧＰａ以上８ＧＰａ以下であること
なお、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法は、ナノインデンテーション法という場合もある。
【００２８】
硬さＨITは０．２５ＧＰａ以上であると、離型時の変形後における復元性が高くなり、寸法変化および形状変化を少なくすることができる。一方、硬さＨITが大きいと離型時のモールド引抜き荷重の増加、引抜き速度の低下等により生産性が低下するが、０．８ＧＰａ以下であれば生産性の低下を抑制することができる。押し込み仕事比率ηITは離型前の形状が完全に復元される１００％であることが望ましいが、３０％以上であれば、離型時の変形後における復元性が十分高くなり、寸法変化および形状変化を少なくすることができる。また、弾性率ＥITが２ＧＰａ以上であると、強度を確保し、寸法、形状精度を向上させることができる。一方、弾性率ＥITが８ＧＰａ以下であると、離型時に樹脂層１１０が硬すぎることによるパターンの破損を抑制することができる。
【００２９】
樹脂層１１０は、この例では、スピンコートによって塗布され、熱処理によって乾燥される。なお、塗布方法は、ダイコート、スプレーコート、インクジェット法、スクリーン印刷などが用いられてもよい。また、樹脂層１１０を塗布した後の乾燥は、真空乾燥が用いられてもよい。この乾燥は、溶媒を蒸発させることを目的としたものであるから、熱処理であっても、樹脂層１１０が硬化しない程度の条件での処理となる。溶媒を用いない、または溶媒が少ないスクリーン印刷などの塗布方法が用いられる場合には、乾燥工程を省略してもよい。また、ドライフィルムレジストを用いたラミネート処理により樹脂層１１０を形成してもよい。この場合においても乾燥工程を省略することができる。
【００３０】
続いて、インプリント用のモールド８００を用意する（図４）。モールド８００は、対象物（樹脂層１１０）と接触する側の面において、対象物に転写すべきパターン８１０、８２０、８３０が形成されている。この例では、パターン８１０は、パターン８２０、８３０よりも突出量が大きい。すなわち、パターン８１０の部分は、パターン８２０、８３０の部分よりも、対象物に対して深くパターンを形成する。なお、パターン８１０の細い部分の径（支持基板５００側の径）は、２６μｍ、高さ（深さ）は５μｍである。
【００３１】
モールド８００は、後述するように樹脂層１１０を感光させるために必要な波長の光（この例では、後述するようにＵＶ光）に対して透過性を有する材料で形成され、この例では石英で形成されている。なお、モールド８００は、他の材料で形成される場合（フィルム等）もあるが、詳細については、別の実施形態として述べる。
【００３２】
続いて、モールド８００を樹脂層１１０に接触させて所定の圧力ＰＡで加圧する（図５）。樹脂層１１０の表面形状は、モールド８００が押しつけられて、モールド８００の表面のパターンの形状に沿って変形する。このとき、モールド８００の最も突出している部分が支持基板５００に押しつけられるが、樹脂層１１０を完全に押しのける、すなわち、樹脂層１１０が介在することによってモールド８００と支持基板５００が接触するまでには至らない場合もある。
【００３３】
樹脂層１１０にモールド８００が押しつけられた状態で、モールド８００側から光（この例ではＵＶ光）を照射する（図６）。樹脂層１１０は、この光によって感光して仮硬化（第１段階目の硬化）をする。また、この例では、仮硬化を促進するために、樹脂層１１０を加熱する。ここでは、後述するようにして最終的に行われる硬化のための加熱処理よりも低い温度（第２の温度）、この例では、１２０℃（７０℃以上１８０℃以下であることが望ましい）、１５分間（３分間以上３０分間以下であることが望ましい）で加熱処理される。なお、この加熱処理は省略されてもよい。
【００３４】
続いて、樹脂層１１０からモールド８００を剥離する（図７）。上述したように、この処理を離型ともいう。これにより樹脂層１１０には、モールド８００の表面形状を反映した凹部のパターンが形成される。この状態では、凹部の最も深い部分において、支持基板５００の表面が露出できていない残渣部分１１０Ｒが存在する場合もある。
【００３５】
このような残渣部分１１０Ｒの少なくとも一部を除去して各凹部において支持基板５００の表面を露出させるために、樹脂層１１０の表面側を全体的にエッチングする処理が行われる（図８）。この例では、薬液によるウェットエッチングが行われる。ここでは、樹脂層１１０（エポキシ樹脂）を溶解するために、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate）などの有機溶剤が用いられる。なお、樹脂モールドの凹部形成部分に遮光構造を設けることによって、上記の光照射時に残渣部分１１０Ｒの全体、または一部への光の照射を妨げて露光されないようにしてもよい。このようにすると、現像液による現像処理（エッチング処理）によって露光されていない領域（残渣部分１１０Ｒ、または残渣部分１１０Ｒの一部のみ）を除去し、樹脂層１１０の表面側はほとんど除去されないようにすることも可能である。また、薬液によるウェットエッチングに限らず、例えば、酸素プラズマを用いたドライエッチングを用いることも可能である。
【００３６】
このエッチング処理によって、樹脂層１１０の全体を薄くすることによって残渣部分１１０Ｒを除去して、支持基板５００の表面の一部５００Ｓを露出させる。そして、仮硬化の状態の樹脂層１１０を加熱して硬化（本硬化）させる。ここでは、図６に示すプロセスで加熱処理された温度（第２の温度）よりも高い温度（第１の温度）、この例では、２００℃（１００℃以上２６０℃以下であることが望ましい）、１時間（０．５時間以上４時間以下であることが望ましい）で加熱処理される。なお、この第１の温度による加熱処理は、図６に示すプロセス（光照射後、離型前）において実行されてもよい。この場合、仮硬化は行われず、離型前に本硬化が行われることになる。
【００３７】
このようにして、樹脂層１１０には、モールド８００の表面形状に対応したパターン（凹部１１５、１１７、１１９）が形成される。この凹部に導電体が埋め込まれることにより、凹部１１５の部分は配線となる。凹部１１７の部分は支持基板５００を除去したときに樹脂層１１０から露出する電極を含む構造となる。凹部１１９の部分はさらに上層の樹脂層１３０に埋め込まれた導電体と接続される電極パッドを含む構造となる。
【００３８】
上述した樹脂層１１０における硬化後の特性値は、この工程での加熱処理がなされた後に測定される値である。一方、樹脂層１１０が上記の物性値を満たさないような材料を用いた場合には、インプリント法により形成された凹部には、離型時に図２１に示すような不良を発生させる。
【００３９】
図２１は、比較例における配線基板で生じる不良を説明する図である。硬化後の樹脂材料の特性値が上記の条件をいずれも満たしていない樹脂層１１０Ｚには、モールド８００を剥離するとき（離型するとき）の応力によって、樹脂の変形、破損などの不良ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３、ＢＥ４、ＢＥ５を発生させる。また、離型後に樹脂の復元が不十分な場合、設計どおりの寸法が得られなくなる。一方、硬化後の樹脂材料の特性値が上記の条件のいずれかを満たしている樹脂層１１０においては、図８に示すように、不良の発生を大幅に抑制することができる。
【００４０】
続いて、パターンが形成された樹脂層１１０の表面に対して、シード層を形成し、電解めっき処理を施すことによって導電体２００を形成する（図９）。そのため、導電体２００は、シード層とメッキ処理による導電層の複数層が積層された構造であるが、図９に示す例では、これらをまとめて記載している。シード層は、バリア層が形成された後に形成されてもよい。この例では、バリア層は、スパッタリング法により、膜厚が１５ｎｍのＣｒ、さらにＣｒ上に膜厚が５０ｎｍのＴｉが形成された積層構造になっている。バリア層は、ＴｉＮ、Ｍｏなどが用いられてもよい。また、バリア層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。シード層は、膜厚が５００ｎｍ（１００ｎｍ以上１μｍ以下であることが望ましい）のＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらを含む合金のいずれか（この例ではＣｕ）であり、スパッタリング法、無電解めっき法などにより形成される。また、電解メッキ処理により形成される層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｎおよびこれらを含む合金のいずれか（この例ではＣｕ）であり、少なくとも樹脂層１１０に形成された凹部が埋まるように形成される。なお、導電体２００は、電解めっき処理により形成される場合に限らず、銅ペーストを塗布することによって樹脂層１１０に形成されたパターン（凹部）を埋めるように形成されてもよい。
【００４１】
続いて、樹脂層１１０の表面を覆っている導電体２００を除去する（図１０）。樹脂層１１０の表面が露出するまで導電体２００が除去されると、樹脂層１１０に埋め込まれた導電体によって、配線２１１、２１３、２１５が形成される。この例では、導電体２００は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により全体的にエッチングされることで除去される。なお、バリア層など導電体２００の構成によってＣＭＰによりエッチングできない層が存在する場合には、別のエッチング処理（例えば、ウェットエッチングによる溶解処理）を併用してもよい。また、導電体２００は、ＣＭＰ以外の方法、例えば物理研削、ブラスト、機械研磨などを用いて除去されてもよい。
【００４２】
上述したインプリントによる樹脂層１１０へのパターン形成によって、配線２１１は、支持基板５００が除去されると、樹脂層１１０の支持基板５００側の面から露出するように形成されている。また、配線２１５は、第２層の配線と接続される電極パッドとなる。ここまでの処理によって、配線となる導電体２００が埋め込まれた樹脂層の第１層が完成する。
【００４３】
続いて、第２層となる樹脂層１２０を形成する（図１１）。そして、上記の各処理を行うことによって、樹脂層１２０に埋め込まれた導電体で形成された配線が形成される（図１２）。図１１から図１２に至る製造工程については、上述した第１層の場合と同様であるため、その説明を省略する。この例では、樹脂層１２０に形成された配線２２３（第２層の配線）は、樹脂層１１０に形成された配線２１３（第１層の配線）と電気的に接続されている。このようにして、さらに第３層を形成することによって、図１に例示される配線基板１００が形成される。上述したように、配線基板１００の層数は、３層に限らない。例えば、５層の配線基板１００を形成する場合には、上記の製造工程を繰り返して、配線が埋め込まれた樹脂層を第５層まで形成すればよい。以上が、配線基板１００の製造方法についての説明である。
【００４４】
＜実施例＞
樹脂層に対してインプリント法によりパターンを形成するときの不良発生の有無と樹脂層の特性値との関係を評価する目的で、以下の通り実験を行った。
【００４５】
［評価方法］
特性値の異なる４種類の樹脂材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを、それぞれ樹脂層１１０とする。評価対象は、同じ条件で上記の図７に示す工程、すなわち、インプリント法によるパターン形成をして、モールドを剥離（離型）する工程まで進めた基板である。なお、この評価においては、光照射後、離型前の加熱処理において、第１の温度での加熱処理を行うことにより本硬化をしている。したがって、本硬化の後に離型をしている。評価対象の基板において図２１に示すような不良の発生が存在するかどうかによって、不良の有無を判定した。
【００４６】
樹脂材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの特性値は、最終的に硬化した状態において測定されたものである。この特性値は、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法（ナノインデンテーション法）で測定され、具体的には、計装化押込み硬さ試験（ＩＳＯ１４５７７）に従った試験器（フィッシャー・インストルメンツ社製ピコデンターＨＭ５００）を用いて測定された。以下の測定結果は、複数点測定したときの平均値である。
【００４７】
［インデンテーション硬さＨIT］
インデンテーション硬さＨITは、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定された押込み硬さである。なお、括弧内の数値は、押込み深さを示す。
樹脂材料Ａ：０．３２３ＧＰａ（３５０ｎｍ）、０．３４９ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｂ：０．３２０ＧＰａ（３５０ｎｍ）、０．３５２ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｃ：０．４９３ＧＰａ（３５０ｎｍ）、０．５２５ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｄ：０．２４２ＧＰａ（３５０ｎｍ）、０．２４２ＧＰａ（１５０ｎｍ）
【００４８】
［押し込み仕事比率ηIT］
押し込み仕事比率ηITは、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定された押込み仕事比率である。押込み仕事比率は、塑性変形の割合に関連する値であって、値が小さいほど塑性変形が大きい。具体的には、所定の押込深さに圧子を押し込んだ後、測定対象物からの反力が無くなるまで圧子を引き戻す。圧子を押し込む際の仕事量に対する圧子を引き戻すまでの仕事量の割合が押し込み仕事比率ηITとなる。なお、括弧内の数値は、押込み深さを示す。
樹脂材料Ａ：４７．４２％（３５０ｎｍ）、４９．５０％（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｂ：４８．４０％（３５０ｎｍ）、５０．３８％（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｃ：５２．６７％（３５０ｎｍ）、５６．２４％（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｄ：２７．５４％（３５０ｎｍ）、２４．３７％（１５０ｎｍ）
【００４９】
［弾性率ＥIT］
弾性率ＥITは、Ｏｌｉｖｅｒ−Ｐｈａｒｒ法で測定された押込み弾性率である。なお、括弧内の数値は、押込み深さを示す。
樹脂材料Ａ：４．１８５ＧＰａ（３５０ｎｍ）、３．９２８ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｂ：３．９５４ＧＰａ（３５０ｎｍ）、３．７８３ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｃ：５．５９２ＧＰａ（３５０ｎｍ）、５．１１８ＧＰａ（１５０ｎｍ）
樹脂材料Ｄ：４．７９９ＧＰａ（３５０ｎｍ）、３．７８７ＧＰａ（１５０ｎｍ）
【００５０】
［評価結果］
上記の樹脂材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いて、離型後の樹脂層に形成されたパターンの形状を観察したところ、樹脂材料Ａ、Ｂ、Ｃでは、不良の発生がほとんど確認できなかったが、樹脂材料Ｄでは、不良の発生が確認された。この結果、樹脂材料は、最終的に硬化したときの特性値が、インデンテーション硬さＨITが０．２５ＧＰａ以上であること、および、押し込み仕事比率ηITが３０％以上であること、の少なくとも一方が満たされる必要があることが確認された。
【００５１】
＜第２実施形態＞
第２実施形態では、第１実施形態の配線基板１００を用いた半導体装置１０００の製造方法について、図１３から図１７を用いて説明する。
【００５２】
図１３は、本開示の第２実施形態における半導体装置の製造方法を説明する図である。図１４から図１７は、図１３に続く半導体装置の製造方法を順に説明する図である。図１３に示す配線基板１００は、図１に対応する図において、配線基板１００の構造を簡易的に示した図である。図１３から図１７に示す配線基板１００では、導電体のうち、配線基板１００の表面から露出した配線（電極２０１、２０２）のみが記載され、内部に配置された配線の表示は省略されている。
【００５３】
電極２０２は、配線基板１００の両面のうち支持基板５００側の面に露出した配線である。一方、電極２０１は、配線基板１００の両面のうち電極２０２が露出する面とは反対側の面（支持基板５００とは反対側の面）に露出した配線である。電極２０１と電極２０２とは、配線基板１００の内部に配置された配線（図示を省略した配線）を介して電気的に接続されている。
【００５４】
配線基板１００は、支持基板５００から分離される（図１４）。この分離処理は、例えば、支持基板５００と配線基板１００との界面へのＵＶ光またはレーザの照射により、この界面における密着性を低下させてから、配線基板１００を支持基板５００とから剥離することによって行われる。この例では支持基板５００側からこの界面への照射が行われる。
【００５５】
この配線基板１００は、コア基板７００上に配置される。コア基板７００は、例えば、銅張積層板であって、基板の両面に電極７２１、７２２が配置されている。なお、電極７２１と電極７２２とは、コア基板７００の内部に配置された配線（図示を省略した配線）を介して電気的に接続されている。この例では、配線基板１００が、コア基板７００上に配置されたときに、電極２０２と電極７２１とが電気的に接続される（図１５）。このとき、電極２０２の表面と電極７２１の表面との少なくとも一方にＡｕ、Ｃｕ等の金属バンプを形成し、配線基板１００とコア基板７００の間にＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＮＣＦ（Non Conductive Film）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）、ＮＣＰ（Non Conductive Paste）などの接着性の部材を介して圧着して接続されることによって、電極２０２と電極７２１とが電気的に接続される。また、電極２０２の表面と電極７２１の表面の少なくともの一方にハンダバンプまたはハンダ層を形成し、リフロー処理などによって電極２０２と電極７２１とを電気的に接続させてもよい。さらに、電極２０２の表面と電極７２１の表面との少なくとも一方にＣｕポストを形成し、Ｓｎ、ハンダ等を介して接続させてもよい。
【００５６】
続いて、配線基板１００の電極２０１に対して、半導体回路基板６１０、６２０を電気的に接続する（図１６）。半導体回路基板６１０、６２０は、例えば、メモリ回路、ロジック回路などである。半導体回路基板６１０、６２０の端子部６２５には、半田ボール９５０が形成されている。半田ボール９５０と電極２０１とが接続することによって、半導体回路基板６１０、６２０と配線基板１００とが電気的に接続される。半導体回路基板６１０、６２０と配線基板１００との隙間には、アンダーフィル材が配置されてもよい。
【００５７】
続いて、半導体回路基板６１０、６２０を封止する封止材９６０が形成され、さらに電極７２２に半田ボール９００が形成される（図１７）。このようにして、配線基板１００を用いた半導体装置１０００が製造される。
【００５８】
＜第３実施形態＞
第３実施形態では、第１実施形態の配線基板１００を用いた半導体装置１０００Ａの製造方法について、図１８、図１９を用いて説明する。
【００５９】
図１８は、本開示の第３実施形態における半導体装置の製造方法を説明する図である。図１９は、図１８に続く半導体装置の製造方法を説明する図である。第３実施形態においては、配線基板１００を支持基板５００から分離する前に、半導体回路基板６１０、６２０を配線基板１００に接続して、半導体回路基板６１０、６２０を覆うように封止材９６０を形成する（図１８）。その後、配線基板１００から支持基板５００が分離され、配線基板１００の表面に露出した電極２０２に半田ボール９００が形成される（図１９）。このようにして、配線基板１００を用いた半導体装置１０００Ａが製造される。この半導体装置１０００Ａは、第２実施形態で述べたコア基板７００に相当する構成を有していない。なお、支持基板５００が分離される工程は、封止材９６０を形成する前であってもよいし、半導体回路基板６１０、６２０を配線基板１００に接続する前であってもよい。
【００６０】
＜第４実施形態＞
第４実施形態では、第２実施形態における半導体装置１０００を電子機器に適用した例について説明する。なお、第３実施形態における半導体装置１０００Ａについても同様である。
【００６１】
図２０は、本開示の第４実施形態における電子機器を説明する図である。半導体装置１０００は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家電等、様々な電気機器に搭載される。半導体装置１０００が搭載された電気機器の例として、図２０（ａ）にはスマートフォン５０００を示し、図２０（ｂ）にはノート型パーソナルコンピュータ６０００を示した。これらの電気機器は、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するＣＰＵ等で構成される制御部１１００を有する。各種機能には、半導体装置１０００からの出力信号を用いる機能が含まれる。なお、半導体装置１０００が制御部１１００の機能を有していてもよい。
【００６２】
＜変形例＞
（１）第２実施形態における半導体装置１０００を製造するときに、配線基板１００とコア基板７００とを接続した後に、配線基板１００から支持基板５００を分離してもよい。その場合、支持基板５００が配線基板１００の電極２０１側の面に接続されるように製造されればよい。
【００６３】
（２）配線基板１００は、支持基板５００上に形成された後に、支持基板５００が分離されてコア基板７００に接続されていたが、コア基板７００上に直接形成されてもよい。その場合には、配線基板１００を支持基板５００から分離する必要がなくなる。一方、コア基板７００の電極７２２側の面については、電解めっき処理が施される場合の影響を考慮して、配線基板１００の製造工程中は、絶縁性の樹脂フィルム等で保護されることが望ましい。このように、配線基板１００は、支持基板５００、コア基板７００、インターポーザなど、様々な基板上に形成することができる。特に、コア基板７００、インターポーザのように電極が露出している基板に配線基板１００を形成するときには、例えば、第１層の樹脂層１１０に埋め込まれる配線２１１は、コア基板７００またはインターポーザの電極と電気的に接続されればよい。なお、インターポーザは、ガラス基板、シリコン基板等で形成され、その両面を貫通する貫通電極を有する。このインターポーザは、さらに配線、層間絶縁膜、層間絶縁膜で隔てられた配線を接続するビア、配線と接続された電極（パッド）等を有していてもよい。
【００６４】
（３）第１実施形態において、インプリントに用いるモールドは、石英等の光透過性無機材料を用いていたが、フィルム等の樹脂材料を用いたモールドであってもよい。この場合には、ラミネート処理と同様な方法によるローラを用いた加圧処理によりインプリントを行うことができる。一方、フィルムモールドが押しつけられた状態での樹脂層の仮硬化は、加熱処理を省略する（ＵＶ光の照射のみにする）、またはＵＶ光の照射後にフィルムモールドに影響のない程度の低温での加熱処理とすることが望ましい。そして、フィルムモールドを剥離した後、図８に示すエッチング処理の前に、加熱処理をすることで仮硬化を促進することが望ましい。
【００６５】
（４）第１実施形態において、１層の樹脂層について、１回のインプリントが実施されていたが、領域を変えて複数回のインプリントに分けて実施されてもよい。この方法によれば、複数の繰り返しパターンを形成する場合に有効である。一方、モールドが押しつけられるのは樹脂層の一部となるため、その状態での樹脂層の仮硬化は、モールドが押しつけられている部分にのみＵＶ光を照射し、加熱処理を省略することが望ましい。そして、複数回のインプリントが終了して最後にモールドを剥離した後、図８に示すエッチング処理の前に、加熱処理をすることで仮硬化を促進することが望ましい。
【符号の説明】
【００６６】
１００…配線基板、１１０，１３０，１５０…樹脂層、１１０Ｒ…残渣部分、１１５，１１７，１１９…凹部、２００，２１０，２３０，２５０…導電体、２０１，２０２…電極、２１１，２１３，２１５，２２３…配線、５００…支持基板、６１０，６２０…半導体回路基板、６２５…端子部、７００…コア基板、７２１，７２２…電極、８００…モールド、８１０，８２０，８３０…パターン、９００，９５０…半田ボール、９６０…封止材、１０００，１０００Ａ…半導体装置、１１００…制御部、５０００…スマートフォン、６０００…ノート型パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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