(57)【要約】      （修正有）【課題】縦型熱処理装置により被処理基板に対して成膜を行うにあたり、パーティクル汚染を低減できる技術を提供すること。【解決手段】ウエハボート６５にウエハＷを搭載して反応容器１０内に搬入し、シラン系のガスを用いてポリシリコン膜７０の成膜を行う。次いでウエハボート６５を反応容器１０から搬出し、ウエハＷをウエハボート６５から移載した後、空のウエハボート６５を反応容器１０内に搬入し、フッ素ガスでクリーニングを行う。このとき反応容器の蓋体６に設けられたヒータにより蓋体６の内面を３００〜３５０℃に加熱しておく。続いてクリーニング時の温度雰囲気でアミノシランガス及びオゾンガスを用いて反応容器１０内にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）７１を成膜する。シリコン酸化膜７１は低温で成膜することができ、蓋体６の内面にも成膜され、蓋体６の内面に付着しているパーティクルＰ１を固定化できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に下方の開口部から搬入し、当該開口部を蓋体により閉じた状態で被処理基板に対して成膜を行う成膜方法において、
前記反応容器内に処理ガスを供給して前記被処理基板に対して成膜を行う成膜工程と、
次いで、前記蓋体を開き、前記基板保持具を前記反応容器から搬出する工程と、
その後、前記開口部を蓋体により閉じ、前記反応容器内に前記処理ガスとは異なるコーティング用のガスを供給して前記蓋体の内面を含む反応容器の底部に対して成膜を行うコーティング工程と、
次に前記蓋体を開き、複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記反応容器内に処理ガスを供給して前記被処理基板に対して成膜を行う工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記コーティング工程は、被処理基板を反応容器内に搬入した状態で行ったときの被処理基板に成膜される薄膜の膜厚をＴＳ、前記蓋体の内面に成膜される薄膜の膜厚をＴＢとすると、ＴＢ≧０．１ＴＳとなる工程であることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記成膜工程にて成膜された被処理基板を反応容器から搬出した後、被処理基板が保持されていない基板保持具を反応容器内に搬入して、クリーニングガスにより前記反応容器内をクリーニングする工程を行い、続いて前記コーティング工程を行うことを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記成膜工程は、被処理基板を反応容器内に搬入した状態で行ったときの被処理基板に成膜される薄膜の膜厚をＴＳ´、前記蓋体の内面に成膜される薄膜の膜厚をＴＢ´とすると、ＴＢ´＜０．１ＴＳ´となる工程であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記コーティング工程は、蓋体の内面の温度が３５０℃以下で行われることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記コーティング工程は、アミノ基を含むシランガスである原料ガスと、酸化ガスとを用いてシリコン酸化膜を成膜する工程であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記コーティング工程は、原料ガスを反応容器内に供給して反応容器内に吸着させ、次いで当該原料ガスと反応する反応ガスを反応容器内に供給する工程を複数回行って反応生成物を堆積する工程であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項８】
複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に下方の開口部から搬入し、当該開口部を蓋体により閉じた状態で被処理基板に対して成膜を行う縦型熱処理装置において、
前記被処理基板に対して成膜を行うための処理ガスを反応容器内に供給する処理ガス供給路と、
前記反応容器内にコーティング用のガスを供給するコーティング用のガス供給路と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気機構と、
前記被処理基板に対して成膜を行う成膜ステップと、次いで、前記蓋体を開き、前記基板保持具を前記反応容器から搬出するステップと、その後、前記開口部を蓋体により閉じ、前記反応容器内にコーティング用のガスを供給して少なくとも前記蓋体の内面に対して成膜を行うコーティングステップと、次に前記蓋体を開き、被処理基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記被処理基板に成膜処理を行うステップと、を実行する制御部と、
を備えたことを特徴とする縦型熱処理装置。
【請求項９】
前記コーティングステップは、被処理基板を反応容器内に搬入した状態で行ったときの被処理基板に成膜される薄膜の膜厚をＴＳ、前記蓋体の内面に成膜される薄膜の膜厚をＴＢとすると、ＴＢ≧０．１ＴＳとなるステップであることを特徴とする請求項８記載の縦型熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縦型の反応容器内にて複数枚の被処理基板に対して一括して成膜を行う技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程における成膜処理を行う装置の一つとして、複数枚の半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を一括して処理する縦型熱処理装置がある。縦型熱処理装置は、複数枚の基板が棚状に保持された基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に下方の開口部から搬入して当該開口部を蓋体により塞ぎ、処理ガスを反応容器内に供給して成膜する装置である。  
この装置は、反応容器内の底部、特に蓋体の内面にパーティクルが多く付着する。その要因としては、反応容器内における石英部材が多いこと、パーティクルが重力により下部に落ちること、蓋体を開閉する機構が反応容器の下部付近に配置されていること、排気管内に付着している付着物が反応容器内に戻ること、などが考えられる。
【０００３】
例えば基板に対して成膜処理を行うごとにクリーニングガスにより反応容器内をクリーニングする装置においては、クリーニング時におけるクリーニングガスの液化を防止するために、蓋体にヒータが設けられているものもある。しかし蓋体及びその付近の温度は、処理雰囲気における処理温度よりもかなり低いことから、基板に対して例えばＣＶＤ（Chemical Vapor deposition）などの成膜処理を行ったときに、反応容器内の底部には膜が付かない。
【０００４】
このため反応容器内の底部に付着したパーティクル（異物）は自由に動ける状態になっており、蓋体を開けたときに反応容器内と外部とのわずかな差圧により発生する気流によりパーティクルが反応容器内に舞い上がり、ウエハの汚染の要因となる。従来では、作業者が例えば定期的に蓋体の内面を清掃する作業を行っており、作業者の負担が大きく、装置の稼働率の低下の一因ともなっていた。
【０００５】
特許文献１には、縦型熱処理装置を用いてウエハに対してエピタキシャル成長を行う前に、プリコート膜としてポリシリコン膜を６００℃で反応容器内に成膜することが記載されているが、プリコート膜は、自然酸化膜除去用のフッ化水素ガスから石英部材を保護するためであり、また低温である反応容器の底部には成膜されない。従って特許文献１は本発明を示唆する技術ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２１９４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、縦型熱処理装置により被処理基板に対して成膜を行うにあたり、パーティクル汚染を低減できる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に下方の開口部から搬入し、当該開口部を蓋体により閉じた状態で被処理基板に対して成膜を行う成膜方法において、
前記反応容器内に処理ガスを供給して前記被処理基板に対して成膜を行う成膜工程と、
次いで、前記蓋体を開き、前記基板保持具を前記反応容器から搬出する工程と、
その後、前記開口部を蓋体により閉じ、前記反応容器内に前記処理ガスとは異なるコーティング用のガスを供給して前記蓋体の内面を含む反応容器の底部に対して成膜を行うコーティング工程と、
次に前記蓋体を開き、複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記反応容器内に処理ガスを供給して前記被処理基板に対して成膜を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
他の発明は、複数枚の被処理基板が棚状に保持された基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に下方の開口部から搬入し、当該開口部を蓋体により閉じた状態で被処理基板に対して成膜を行う縦型熱処理装置において、
前記被処理基板に対して成膜を行うための処理ガスを反応容器内に供給する処理ガス供給路と、
前記反応容器内にコーティング用のガスを供給するコーティング用のガス供給路と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気機構と、
前記被処理基板に対して成膜を行う成膜ステップと、次いで、前記蓋体を開き、前記基板保持具を前記反応容器から搬出するステップと、その後、前記開口部を蓋体により閉じ、前記反応容器内にコーティング用のガスを供給して少なくとも前記蓋体の内面に対して成膜を行うコーティングステップと、次に前記蓋体を開き、被処理基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記被処理基板に成膜処理を行うステップと、を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、反応容器内に被処理基板が存在しない状態で反応容器内の底部に成膜を行って、蓋体の内面を含む底部のパーティクルを固定するようにしている。従って、被処理基板のパーティクル汚染を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る縦型熱処理装置を示す縦断面図である。
【図２】上記の縦型熱処理装置におけるマニホールドとガス供給管との位置関係を示す横断平面図である。
【図３】本発明の成膜方法の実施形態を段階的に示す説明図である。
【図４】本発明の成膜方法の実施形態を段階的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態に係る縦型熱処理装置は、図１に示すように円筒状の石英製の内管１１と、当該内管１１を囲むように設けられた、上面が塞がれた石英製の外管１２と、からなる二重構造の反応管を備えている。外管１２の周囲には、円筒の外装体１３が設けられ、外装体１３の内周面には、ヒータ１４が設けられている。ヒータ１４は、例えば縦方向に複数分割され、分割された各高さ領域ごとに独立して電力制御されるが、図１では略図として記載してある。
【００１３】
内管１１及び外管１２の下部側には金属製のマニホールド１５が設けられ、内管１１、外管１２及びマニホールド１５により反応容器１０が構成される。マニホールド１５の下側部位には、内管１１の底部付近に開口するガス供給路であるガス供給管が設けられている。この例ではガス供給管として、後述のウエハＷに対して成膜を行うためのガス供給管２と、反応容器１０の底部のコーティングを行うためのガス供給管３１、３２と、クリーニング用のガス供給管４と、反応容器１０内をパージするためのガス供給管５と、が用意されている。各ガス供給管２、３１、３２、４、５は、図２に示すようにマニホールド１５の周方向に沿って配置されている。
【００１４】
この例では、ウエハＷに対してポリシリコン（Ｓｉ）膜を成膜することとし、またシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）により反応容器１０の底部をコーティングすることとしている。ポリシリコン膜の成膜に使用するガスとしては、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガスあるいはジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスが挙げられ、ガス供給管２の基端側は夫々モノシランガス供給源２ａに接続されている。またシリコン酸化膜によるコーティングに使用するガスとしては、例えばアミノ基を有するシランガス、例えばアミノシランガス（ＳｉＨ３（ＮＨ２））と酸化ガス例えばオゾン（Ｏ３）ガスとが挙げられ、ガス供給管３１、３２の基端側は夫々アミノシランガス供給源３１ａ及びオゾン（Ｏ３）ガス供給源３２ａに接続されている。
【００１５】
反応容器１０内をクリーニングするクリーニングガスとしては、例えばフッ素（Ｆ２）ガスが使用され、ガス供給管４の基端側はフッ素ガス供給源４ａに接続されている。またパーガスとしては例えば窒素（Ｎ２）ガスが用いられ、ガス供給管５の基端側は、窒素ガス供給源５ａに接続されている。  
図１における各ガス供給源２ａ、３１ａ、３２ａ、４ａ、５ａは、ガスボンベと、バルブ及び流量計などのガス供給制御機器と、を含んでおり、各ガス供給制御機器は、コンピュータからなる制御部１００の制御信号により制御される。  
マニホールド１５における上部領域には、外管１２の外側雰囲気に開口する排気管１６の一端側が接続されており、排気管１６の他端側は、圧力調整バルブ１６ａ、バルブ１６ｂを介して真空排気機構である真空ポンプ１６ｃに接続されている。圧力調整バルブ１６ａ、バルブ１６ｂは制御部１００により制御される。
【００１６】
また縦型熱処理装置は、反応容器１０の下端の開口部（マニホールド１５の下端の開口部）を開閉する蓋体（キャップ）６を備えており、蓋体６は、昇降台であるボートエレベータ６１の上に固定して設けられている。蓋体６には、図示しない加熱部である補助ヒータが設けられている。蓋体６の中心部には回転軸６２が垂直に設けられ、回転軸６２は、ボートエレベータ６１に設けられた回転機構６３により鉛直軸周りに回転する。回転軸６２の頂部には回転テーブル６４が設けられ、回転テーブル６４の上には、複数枚の被処理基板であるウエハＷが棚状に保持される基板保持具である石英製のウエハボート６５が載置されている。  
ウエハボート６５と蓋体６との間には、処理雰囲気を保温するための保温ユニット、例えば枠体６６ａに棚状にリング状の石英板６６ｂを積層配置して構成された保温ユニット６６が設けられている。保温ユニット６６は、処理雰囲気と外部とを断熱する断熱部ということもできる。  
制御部１００内の図示しないプログラム格納部には、縦型熱処理装置の一連の動作を制御するためのソフトウェアが例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体を介してインストールされる。
【００１７】
次に上述実施形態について説明する。今、図１に示すように複数枚例えば１００枚のウエハＷが棚状に保持されたウエハボート６５がボートエレベータ６１の上昇により反応容器１０内に搬入された状態にあるとする。先ず真空ポンプ１６ｃにより排気管１６を介して反応容器１０内を真空排気すると共にヒータ１４により反応容器１０の処理雰囲気（ウエハＷが配置されている領域の雰囲気）の温度を処理温度例えば６２０℃まで昇温する。そして反応容器１０内を、圧力調整バルブ１６ａにより例えば２６６Ｐａの圧力に維持しながら、ガス供給管２から処理ガスであるシラン系のガス例えばモノシランガスを反応容器１０内に供給する。
【００１８】
モノシランガスは反応容器１０の底部付近に吐出した後、昇温しながら上昇し、ＣＶＤ反応によりウエハＷ上にポリシリコンが成膜される。成膜時において、ウエハボート６５は回転している。ポリシリコンの膜厚が例えば１００ｎｍに相当する処理時間が経過した後、モノシランガスの供給を止めると共に例えばヒータ１４への電力の供給を停止し、更に窒素ガス供給管５からパージガスとして窒素ガスを反応容器１０内に供給する。なお、シラン系のガスを用いてポリシリコン膜を成膜する場合、水素ガスを同時に添加するようにしてもよい。
【００１９】
反応容器１０内の圧力が大気圧に復帰した後、ボートエレベータ６１によりウエハボート６５を下降させて反応容器１０の下端開口部からローディングエリアに搬出する。そしてローディングエリアに設けられた移載機構により、ウエハボート６５から例えば５枚ずつウエハＷを取り出して保持棚に移載する。  
その後、ウエハＷが搭載されていない（空の）ウエハボート６５をボートエレベータ６１により上昇させて反応容器１０内に搬入し、蓋体６により反応容器１０の下端開口部が閉じられる。続いてガス供給管４からクリーニングガスである（Ｆ２）ガスを反応容器１０内に供給し、反応容器１０の内壁、ウエハボート６５及び蓋体６の内面に成膜されているポリシリコン膜を除去する。このときの反応容器１０内の圧力例えば５００〜１０００Ｐａに設定される。
【００２０】
また反応容器１０内の温度は例えば３００〜３５０℃の範囲から選択された温度に設定される。そして例えば既述のように蓋体６に設けられた図示しない補助ヒータにより蓋体６の内面を例えば３００℃に加熱し、フッ素ガスの液化を防止している。  
クリーニングを行っているときに蓋体６の内面にパーティクルが付着する。この要因については背景技術の項目の箇所にて触れているが、石英部材から微小な石英粉が反応容器１０内に飛散し、あるいは排気管１６内に付着していた付着物が逆流し、これら浮遊物が重力により落下していると推測される。
【００２１】
図３及び図４は、縦型熱処理装置により行われる各工程において、装置の状態と蓋体６の内面の状態と反応容器１０の下部寄り部位の内面の状態とを模式的に示している。蓋体６の内面の温度は、例えば３５０℃であることから、成膜工程においては図３（ａ）の中段に示すように蓋体６の内面にはポリシリコン膜は成膜されない。反応容器１０の下部寄り部位、例えばウエハボート６５の最下段のウエハＷに近いマニホールド１５の内面には、若干ポリシリコン膜が成膜され、図３（ａ）の下段では、この様子を示している。
【００２２】
図３及び図４の説明においては、下段側の符号１０ａは、上記の反応容器１０の下部寄り部位を指しているものとし、「底部内面」という用語を用いる。７０はポリシリコン膜である。クリーニング工程では、反応容器１０の底部にパーティクルが付着しやすく、この例では、蓋体６の内面及び底部内面１０ａにパーティクルＰ１が付着しているものとして説明を進める。
【００２３】
クリーニング工程が終了した後、続いてガス供給管３１、３２から夫々コーティング用のガスである、アミノシラン（ＳｉＨ３（ＮＨ２））ガス及び酸化ガスである例えばオゾン（Ｏ３）ガスを用いていわゆるＡＬＤ（Atomic Layer deposition）により反応容器１０内にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を成膜する、コーティング工程を行う。即ち、アミノシランガスを供給する工程、反応容器１０内にパージガスである窒素ガスを供給すると共に反応容器１０内を真空排気して雰囲気を置換する工程、オゾンガスを供給する工程、前記置換する工程を複数回繰り返す。  
これにより、アミノシランガスが反応容器１０内に吸着され、次いでオゾンガスにより酸化されて反応生成物であるシリコン酸化物の分子層が形成され、この分子層が積み上げられていく。コーティング工程における原料ガスの供給時及び酸化ガスの供給時の反応容器１０内の圧力は例えば７０Ｐａである。反応容器１０内の温度は、例えば２５０〜４００℃から選択される温度に設定されるが、この例では蓋体６に設けられた補助ヒータにより、クリーニング工程時と同じ温度（例えば３００℃）に加熱されている。
【００２４】
コーティング工程におけるシリコン酸化膜の成膜は、このように低温で行われることから、反応容器１０の底部内面１０ａ及び蓋体６の内面６にもシリコン酸化膜７１がコーティング（成膜）される。シリコン酸化膜７１の膜厚は例えば１０ｎｍに設定される。従って図３（ｃ）に示すように、パーティクルＰ１がシリコン酸化膜７１により固定されて動けない状態となる。
【００２５】
しかる後、反応容器１０内を窒素ガスにより置換して大気圧まで復帰させ、続いてウエハボート６５を降下させて反応容器１０から搬出し、移載機構により次に処理すべき被処理基板であるウエハＷをウエハボート６５に移載する。そしてウエハボート６５へのウエハＷの移載が終了すると、ウエハボート６５が上昇して反応容器１０内に搬入され、既述のようにしてポリシリコン膜の成膜が行われる。これ以降は、同様の工程が繰り返される。
【００２６】
図４は、図３（ｃ）の工程に続く一連の工程の状態を示しており、ポリシリコン膜の成膜工程においては、図４（ｄ）に示すように反応容器１０の底部内面１０ａのシリコン酸化膜７１の上にポリシリコン膜７０が成膜される。そしてクリーニング工程では、ポリシリコン膜７０が除去されるが、蓋体６の内面及び底部内面１０ａにパーティクルが付着する。図４（ｅ）では、これらの面に便宜上パーティクルＰ２が付着した状態を示している。更にシリコン酸化膜の成膜（コーティング）が行われ、パーティクルＰ１、Ｐ２の上にシリコン酸化膜７２がコーティングされる。このためパーティクルＰ２がシリコン酸化膜７２により固定された状態となる。
【００２７】
こうして蓋体６の内面及び反応容器１０の底部内面１０ａに順次付着したパーティクルは、シリコン酸化膜７２により固定され、動けない状態になる。以上述べた一連の工程は、制御部１００のメモリに格納されている、プロセスレシピを含むソフトウェアにより実施される。
【００２８】
上述実施の形態によれば、反応容器１０内にウエハＷが存在しない状態で反応容器内の底部に成膜を行って、蓋体６の内面を含む底部に付着しているパーティクルをシリコン酸化膜により固定するようにしている。従って蓋体６を開いたときに反応容器１０の内外の差圧により気流が発生してもパーティクルの巻き上がりが起こりにくいため、ウエハＷに対するパーティクル汚染を低減することができる。
【００２９】
また蓋体６の内面を作業者が清掃してパーティクルを除去する作業が不要あるいは作業の頻度が少なくなることから、作業者の負担の軽減を図ることができ、装置の稼働率の低下が抑えられる。  
そしてクリーニング工程とコーティング工程とは、例えば同じ温度で行うことができることから、クリーニング工程の後、反応容器１０内の温度変更を伴わずにそのまますぐにコーティング工程を実施することができ、コーティング工程を追加したことに伴うスループットの低下が抑えられる。  
更にまた、フッ素ガスによるクリーニングでは、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜との選択比が大きいことから、コーティングされたパーティクルが再び飛散する状態が発生しにくいという利点もある。
【００３０】
ここでコーティング工程に関して述べておく。コーティング工程は、蓋体６の内面を含む反応容器１０の底部に薄膜が形成（成膜）されることが必要である。反応容器１０の底部に相当するマニホールド１５の内面は、蓋体６に補助ヒータが設けられている場合であっても、高々４００℃程度であり、蓋体６の内面は更に低く、例えば３００〜３５０℃である。例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料としてシリコン酸化膜を成膜する場合、ＴＥＯＳの分解温度が５５０℃であることから、反応容器１０の底部には全く成膜されない。
【００３１】
従って、コーティング工程では、このような低温であっても成膜できる処理であることが必要である。「成膜できる処理」とは、反応容器１０内の処理雰囲気と同じ膜厚で成膜できることに限られるものではない。例えばある成膜処理を反応容器１０内で所定時間行った場合に、処理雰囲気に配置された基板に成膜される薄膜の膜厚をＴＳ、蓋体６の内面に成膜される薄膜の膜厚をＴＢとすると、例えばＴＢ≧０．１ＴＳとなる場合である。即ち、蓋体６の内面に成膜される薄膜の膜厚ＴＢが処理雰囲気にて成膜される薄膜の膜厚ＴＳの１０％以上であるということである。
【００３２】
この場合には、ウエハＷに対して行われる成膜工程は、ウエハＷを反応容器１０内に搬入した状態で行ったときのウエハＷに成膜される薄膜の膜厚をＴＳ´、前記蓋体６の内面に成膜される薄膜の膜厚をＴＢ´とすると、ＴＢ´＜０．１ＴＳ´となる工程である場合に、コーティング工程が有効になる。
【００３３】
既述の１０％という数値は、蓋体６の内面に付着したパーティクルを有効に固定することができ、またコーティング工程の時間が長すぎてスループットの低下が顕著にならない観点から想定される好ましい値の一例である。しかし本発明は、ウエハＷに対する成膜処理とは異なる処理であるコーティング工程を行ってパーティクルを固定するという技術であることから、上記の割合［（ＴＢ／ＴＳ）×１００％］が１０％以上であることに限定されるものではない。
【００３４】
膜厚ＴＢに対するＴＳの割合については、２０％以上であればより好ましく、３０％以上であればより一層好ましい。上述のアミノシランガス及びオゾンガスを用いたシリコン酸化膜の場合には、概ねＴＢ＝０．６ＴＳ、即ち上記の割合が６０％程度であり、極めて好ましいプロセスである。上記の膜厚ＴＢが膜厚ＴＳの１０％未満の場合であっても、装置の運用によってはコーティング工程が有効な場合もある。このようなコーティング工程として例えばジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスとアンモニアガスとを用いてＡＬＤの手法により、シリコンナイトライド（Ｓｉ２Ｎ３）膜を成膜する例が挙げられる。この場合には、概ね上記の割合が４〜６％である。
【００３５】
上述の実施形態では、アミノシランガス及びオゾンガスを用いてＡＬＤを行っているが、これらのガスを反応容器１０内に同時に供給してＣＶＤを行うようにしてもよい。コーティングするためにシリコン酸化膜を用いる場合には、原料ガスであるＳｉ含有ガスは、アミノシラン、アミノジシランに限らず、ジクロロシラン〔ＤＣＳ〕、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）[ＨＣＤ]、ヘキサメチルジシラザン〔ＨＭＤＳ〕、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）[ＴＣＳ]、ジシリルアミン〔ＤＳＡ〕、トリシリルアミン〔ＴＳＡ〕、ビスターシャルブチルアミノシラン〔ＢＴＢＡＳ〕、（（ＣＨ３）３ＳｉＨ）[Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌａｎｅ]、（（ＣＨ３）３ＳｉＮ３）[Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｙｌａｚｉｄｅ]、（ＳｉＦ４）、（ＳｉＣｌ３Ｆ）、（ＳｉＩ４）、（Ｓｉ２Ｆ６）などを使用することができる。  
またコーティング工程に用いられる成膜処理としては、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とオゾンガスとを用いて酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜を成膜する処理であってもよいし、あるいはＴＤＭＡＨ（テトラキスジメチルアミドハフニウム）とオゾンガスとを用いて酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）膜を成膜する処理であってもよい。酸化アルミニウム膜は例えば室温〜５００℃で成膜することができ、酸化ハフニウム膜は例えば２００〜３００℃で成膜することができる。酸化アルミニウム膜及び酸化ハフニウム膜に関しては、上記の比率は５０％以上である。即ち蓋体６の内面がウエハ上の膜厚に対して半分以上の膜厚で成膜される。
【００３６】
上述の例では、ウエハＷに対してＣＶＤが行われてポリシリコン膜を成膜しているが、ウエハＷに対して行われる成膜は、原料ガスと反応ガスとを交互に反応容器１０内に供給する既述のＡＬＤの手法を利用する工程であってもよい。  
またウエハＷに対して成膜される薄膜はポリシリコンに限らず例えばシリコン酸化膜あるいはシリコンナイトライド膜などであってもよい。シリコン酸化膜の例として、例えばＴＥＯＳを原料とし、酸化ガスである酸素ガスあるいはオゾンガスを反応容器１０内に供給して成膜を行う例が挙げられる。この場合、酸化ガスという点で、成膜工程とコーティング工程に用いられるガスが同じであったとしても、成膜に用いられるガスの組合せが異なることから、成膜工程とコーティング工程とに用いられるガスは異なるものである。
【００３７】
上述の例では、クリーニング工程をウエハＷの成膜処理を行う度毎に（毎回）行っているが、ウエハＷの成膜処理を複数回行った後、例えば累積膜厚が設定膜厚に達するまでウエハＷの成膜処理を繰り返し行った後にクリーニング工程を行ってもよい。この場合、コーティング工程は、クリーニング工程を行う度毎に行ってもよいし、あるいは毎回行ってもよい。  
本発明は、クリーニング工程を行わない運用であっても適用できる。その場合には、コーティング工程は、ウエハボート６５が反応容器１０内に存在しない状態で行ってもよいし、あるいは上述の実施形態のように、成膜処理後のウエハＷをウエハボート６５から移載して空になったウエハボート６５を反応容器１０内に搬入した状態で行ってもよい。
【００３８】
ウエハＷに対してガスを供給する構成としては、上述実施形態のように反応容器１０の底部にガス供給管が開口している構造に限られない。例えば反応容器１０の底部からウエハボート６５に沿って上下方向にガス供給管を配置し、ガス供給管に上下方向に複数形成されたガス吐出孔、例えばウエハボート６５上の各ウエハＷに対応した高さ位置に各々形成されたガス吐出孔からガスを吐出する構成であってもよい。この例は、分散インジェクターなどと呼ばれているガスノズルを用いる例である。そしてコーティングを行うためのガスの供給についても、反応容器１０の底部にガス供給管が開口している構造に限らず分散インジェクターを用いてもよい。  
またコーティング工程において、特に反応容器１０内の処理雰囲気には成膜（コーティング用の膜の成膜）を必要としない場合には、処理雰囲気の温度を下げて反応容器１０の底部だけを、コーティングを行うための温度に加熱するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１０        反応容器
１０ａ      反応容器の底部内面
１４        ヒータ
１５        マニホールド
１６        排気管
２、３１、３２、４、５    ガス供給管
６          蓋体
６１        ボートエレベータ
６５        ウエハボート
７０        ポリシリコン膜
７１、７２  シリコン酸化膜
Ｐ１、Ｐ２  パーティクル
Ｗ          半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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