(57)【要約】【課題】簡易な樹脂成形工程によって中空構造を形成する電子部品封止パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第１の成形工程において上金型２１と第１の下金型２３により、中空構造を形成するための一次成形体２５を形成し、第１の下金型２３を抜く。そして、回路基板３０により一次成形体２５の開口部を覆うとともに、回路基板３０の端部が一次成形体２５の壁部の厚み幅にかかるよう回路基板を位置決めして載置した後、第２の成形工程で、一次成形体２５を保持した上金型２１と第３の金型とを突き合せ、第３の金型に樹脂を充填して二次成形体２９を形成する。その結果、回路基板３０を境界とする一方側に中空構造が形成され、他方側が二次成形体２９により樹脂封止された電子部品封止パッケージを得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に電子部品が搭載され、端部にリードフレームが接続された回路基板と、
前記一方の面に形成された第１の成形体と、
前記回路基板の他方の面に樹脂を充填して形成された第２の成形体とを備え、
前記回路基板を境界とする一方側に前記第１の成形体により形成された中空構造を有し、他方側に前記第２の成形体により形成され前記リードフレームの一方端部と一体となった樹脂封止構造体を有することを特徴とする電子部品封止パッケージ。
【請求項２】
前記第１の成形体と前記第２の成形体は同一の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂で成形されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止パッケージ。
【請求項３】
前記回路基板の基板端部は、前記第１の成形体を平面視したときに該第１の成形体の壁部の厚み幅にかかる位置にあることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品封止パッケージ。
【請求項４】
前記第１の成形体は前記リードフレームの一方端部を収容する凹部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品封止パッケージ。
【請求項５】
前記第１の成形体は前記回路基板の端部を収容する凹部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品封止パッケージ。
【請求項６】
回路基板を境界とする一方側を中空構造とし、他方側を樹脂封止してなる電子部品封止パッケージの製造方法であって、
第１の金型と第２の金型により第１の成形体を形成する第１の成形工程と、
前記第１の成形体の開口部を覆うとともに、前記第１の成形体を平面視したときに前記回路基板の端部が前記第１の成形体の壁部の厚み幅にかかるように前記回路基板を位置決めして載置する工程と、
前記回路基板を介在させて、前記第１の成形体を保持した前記第１の金型と第３の金型とを突き合せる工程と、
前記第３の金型に樹脂を充填して第２の成形体を形成する第２の成形工程とを備え、
前記回路基板を境にして一方側に前記第１の成形体により前記中空構造を形成し、他方側に前記第２の成形体と前記第１の成形体の前記開口部側の外縁部とが接合するように前記樹脂充填して樹脂封止構造体を形成することを特徴とする電子部品封止パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第１の成形体と前記第２の成形体は同一の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂で成形されることを特徴とする請求項６に記載の電子部品封止パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記第１の成形工程において、前記回路基板の端部に接続されたリードフレームの一方端部を収容する凹部、または前記回路基板の端部を収容する凹部を前記第１の成形体に形成することを特徴とする請求項６または７に記載の電子部品封止パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば混成集積回路基板等をモールド封止した電子部品封止パッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、導体パターンが形成された回路基板上にチップ抵抗、半導体素子等の部品を表面実装してなる混成集積回路基板を封止する方法として、ケース材を用いた封止方法、絶縁性の樹脂により封止する方法が用いられており、近年では樹脂封止が主流となっている。樹脂封止する場合、信頼性の向上等の理由から基板上の特定の素子を樹脂で封止せずに中空構造を備えた回路基板もある。例えば、特許文献１は、複数の回路素子を搭載した一対の混成集積回路基板を対向配置して、基板上の所望の回路素子のみを、エポキシ樹脂材等により箱状に形成された密封部材によって密封し、その密封部材内に配置された回路素子をシリコーン樹脂で被覆するとともに密封部材内の上層に空間層を形成している。
【０００３】
また、表面弾性波（SAW）フィルタ、MEMS素子等、半導体素子の表面でメカニカルな動作が必要な半導体装置では、半導体素子表面を空洞化させた中空パッケージが使用されている。例えば特許文献２は、金属ワイヤを配置した半導体素子を有する実装基板表面に密着するように、その実装基板表面を樹脂フィルム層で被覆し、樹脂フィルム層を含む封止樹脂を硬化させて、半導体素子表面と樹脂フィルム層との間に大気圧より低い気体を内包させた中空部を形成する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−９０４４８号公報
【特許文献２】特開２０１５−５６５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように半導体装置において中空構造が求められる背景には、半導体装置の薄型化や低コスト化以外に以下の理由を挙げることができる。すなわち、樹脂封止された素子は、ヒートサイクル時における封止樹脂等の流動化、注入成形時の樹脂と金型の熱（１５０〜２００℃）による接合ハンダの溶融（例えば、共晶ハンダの融点は１８４℃）等により導線との接合部が断線あるいは短絡（ショート）する可能性があり、また、加熱樹脂が冷却して硬化する際に熱収縮の影響を受けるという問題がある。
【０００６】
また、従来の半導体装置は、封止樹脂の内部に中空部を形成する際、樹脂枠、フィルム等、素子を隔壁するための隔壁用の部材を用いる必要があるため、製造工程が複雑化するという問題がある。例えば特許文献１は、枠状のケース材で形成された空間内に別材料で箱状の密封部材を形成し、その密封部材内に中空層を形成するという複雑な構成をとっている。特許文献２では、中空構造を形成するためにフィルム等の別材料で空間を確保してから樹脂封止している。
【０００７】
このように従来の技術は、中空部を形成するために用いられるフィルム、樹脂等による、異なる部材の接着・接合が前提となるため、異なる部材を介した接合が封止素子全体の強度、気密性等の信頼性に悪影響を与えるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡易な樹脂成形工程により中空構造を形成する電子部品封止パッケージおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明は、一方の面に電子部品が搭載され、端部にリードフレームが接続された回路基板と、前記一方の面に形成された第１の成形体と、前記回路基板の他方の面に樹脂を充填して形成された第２の成形体とを備え、前記回路基板を境界とする一方側に前記第１の成形体により形成された中空構造を有し、他方側に前記第２の成形体により形成され前記リードフレームの一方端部と一体となった樹脂封止構造体を有することを特徴とする。
【００１０】
例えば、前記第１の成形体と前記第２の成形体は同一の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂で成形されていることを特徴とする。また、例えば前記回路基板の基板端部は、前記第１の成形体を平面視したときに該第１の成形体の壁部の厚み幅にかかる位置にあることを特徴とする。また、例えば、前記第１の成形体は前記リードフレームの一方端部を収容する凹部を有することを特徴とする。さらに例えば、前記第１の成形体は前記回路基板の端部を収容する凹部を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、回路基板を境界とする一方側を中空構造とし、他方側を樹脂封止してなる電子部品封止パッケージの製造方法であって、第１の金型と第２の金型により第１の成形体を形成する第１の成形工程と、前記第１の成形体の開口部を覆うとともに、前記第１の成形体を平面視したときに前記回路基板の端部が前記第１の成形体の壁部の厚み幅にかかるように前記回路基板を位置決めして載置する工程と、前記回路基板を介在させて、前記第１の成形体を保持した前記第１の金型と第３の金型とを突き合せる工程と、前記第３の金型に樹脂を充填して第２の成形体を形成する第２の成形工程とを備え、前記回路基板を境にして一方側に前記第１の成形体により前記中空構造を形成し、他方側に前記第２の成形体と前記第１の成形体の前記開口部側の外縁部とが接合するように前記樹脂充填して樹脂封止構造体を形成することを特徴とする。
【００１２】
例えば、前記第１の成形体と前記第２の成形体は同一の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂で成形されることを特徴とする。また、例えば、前記第１の成形工程において、前記回路基板の端部に接続されたリードフレームの一方端部を収容する凹部、または前記回路基板の端部を収容する凹部を前記第１の成形体に形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、隔壁用部材を用いずに樹脂成形のみで中空構造と樹脂充填モールド体を有する電子部品封止パッケージを製造できるので樹脂封止工程を簡易化でき、かつ中空構造の気密性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程を時系列で示すフローチャートである。
【図２】第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの構造等を図１に示す工程に対応させて示す断面図である。
【図３】上金型の縁部に形成した凹部を示す図である。
【図４】第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージにおける一次成形体および二次成形体の接合部と、回路基板との位置関係を説明する図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態例における電子部品封止パッケージを製造する工程に対応させたパッケージ構造等を説明する断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージを製造する工程に対応させたパッケージ構造等を説明する断面図である。
【図７】第３の実施の形態例の変形例に係る電子部品封止パッケージの構造等を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージおよびその製造方法について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
＜第１の実施の形態例＞
図１は、本発明の第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程を時系列で示すフローチャートである。また、図２は、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの構造等を、図１に示す工程に対応させて示す断面図である。
【００１７】
図１のステップＳ１１において、電子部品封止パッケージの一次成形体を形成するための金型をセットする。具体的には、図２（ａ）に示す上金型２１と第１の下金型２３をセットする。そして、ステップＳ１３で、図２（ｂ）に示すように上金型２１と第１の下金型２３を組み合せたときに作られる空洞部により、例えば熱硬化性樹脂を使用したトランスファー成形法、あるいは熱可塑性樹脂を使用した射出成形法によって一次成形体（中空部ケース、あるいは蓋体ともいう。）２５をモールド成形する。
【００１８】
一次成形体２５は、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージにおいて中空構造（内部空間）を形成するための樹脂構造体であり、その一方面に開口部を有する箱型の部材である。この中空構造部分は、金型の設計により、封止する混成集積回路基板のサイズに合わせて任意の容積とすることができる。
【００１９】
なお、上述したトランスファー成形法は、樹脂封止を行うためのプランジャー等からなるトランスファー成形装置を使用して、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる成形法であって、精密な寸法精度が求められるモールド成形品の製造に適している。トランスファー成形法および射出成形法は既知の方法であるため、ここでは、その説明を省略する。
【００２０】
ステップＳ１５で、図２（ｂ）に示すように組み合せた上金型２１と第１の下金型２３から第１の下金型２３を抜く。続くステップＳ１７において、図２（ｃ）に示すように、一面を開口させた箱型の形状を有する第２の下金型２７を用意して、その開口側の対向する上縁部間を跨ぐように、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージにおいて封止対象とする混成集積回路基板（以下、単に回路基板ともいう。）３０を載置する。
【００２１】
回路基板３０の両端部にはリードフレーム（フレーム端子）３３ａ，３３ｂが平面接合されている。また、回路基板３０の一方の面には、例えば基板にはんだ付けされた種々のチップ部品、ボンディングワイヤにより基板とワイヤボンディング接合されたベアチップ等が組み込まれている。
【００２２】
次にステップＳ１９において、回路基板３０を載置した第２の下金型２７を図２（ｃ）の矢印方向に動かして、その第２の下金型２７と、一次成形体２５を保持したままの上金型２１とを突き合わせる。ここで回路基板３０は、後述するように基板の縁部が一次成形体２５の壁部の厚み幅にかかるように位置決めされている。
【００２３】
なお、回路基板３０の載置方法は、上記の例に限定されない。例えば、図２（ｃ）に示す上金型２１と第２の下金型２７の上下の位置関係を逆にして、一次成形体２５を保持した上金型２１を下側に位置させ、その上金型２１の上縁部に回路基板３０を載置した後、上側に位置する第２の下金型２７と突き合せるようにしてもよい。
【００２４】
ステップＳ２１において、一次成形体２５の成形時と同様に熱硬化性樹脂を使用したトランスファー成形法、あるいは熱可塑性樹脂を使用した射出成形法によって、第２の下金型２７の内部（図２（ｃ）に示す樹脂充填部２８）に樹脂を充填する。図２（ｄ）は、樹脂充填部２８に樹脂が充填された状態を示しており、かかる樹脂充填の際、一次成形体２５で形成された中空部３５に対して回路基板３０と一次成形体２５の壁部の開口側上面部とが蓋（ストッパ）となり、また、樹脂には一定の粘度があるため、中空部３５に樹脂は流入しない。その結果、回路基板３０の他方側には、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの樹脂充填モールド体である二次成形体２９が形成される。
【００２５】
なお、図３に示すように上金型２１の開口側の縁部には、二次成形体２９の成形時において、回路基板３０から延出するリードフレーム３３ａ，３３ｂを回避して成形工程への影響を排除し、さらに中空部３５の気密性を高めるために、リードフレームの厚さに合わせた深さを有する凹部２２ａ，２２ｂが形成されている。
【００２６】
最終工程であるステップＳ２３において、図２（ｄ）に示すように組み合せた上金型２１と第２の下金型２７から成形品（モールド素子体）を離型する。その結果、図２（ｅ）に示す電子部品封止パッケージ１０を得る。電子部品封止パッケージ１０は、図２（ｅ）に示す断面構成から、回路基板３０を境にして、つまり回路基板３０が介在した状態で、その上側（部品実装側）に中空部３５が形成され、下側は二次成形体２９が形成されたことで樹脂封止されていることが分かる。
【００２７】
よって、電子部品封止パッケージ１０において、回路基板３０の配線基板上に例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave；弾性表面波）フィルタ、集積回路等のベアチップ、空心コイル等が実装されている場合、中空部３５があることにより、それらの実装部品を外部から気密状態にして、正常な動作を確保することが可能となる。
【００２８】
ここで、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージにおける一次成形体２５と二次成形体２９の接合部における回路基板３０の位置関係（載置位置）について説明する。図４（ａ）は、図２（ｅ）において丸印Ａで示す部分の拡大図であり、図４（ｂ）は、図２（ｅ）の電子部品封止パッケージ１０を矢印Ｂの方向から見たときの平面透視図である。
【００２９】
本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージでは、上述した上金型２１と第２の下金型２７とを突き合わせる際、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように回路基板３０の基板３２の外縁（周縁）３８が、一次成形体２５の厚み幅Ｔ内（図４（ｂ）において斜線を付して示す、壁部の厚さがＴのロの字型の部分内）にかかるように位置決めする。そして、このように位置決めすることで一次成形体２５と二次成形体２９の接合部の面積を大きくとることができ、同時に、一次成形体２５と二次成形体２９を同一の樹脂材で形成することで、これらの成形体の接合強度を確保できる。
【００３０】
以上説明したように本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージは、既存のトランスファー成形法等を使用して、上金型、第１の下金型および第２の下金型という３種類の金型の一部を共通化した２度の樹脂成形工程によって封止パッケージ内に中空構造を形成できる。その結果、中空構造を有する電子部品封止パッケージの製造工程を簡易化でき、製造コストを低減できる。
【００３１】
また、電子部品等を実装した回路基板を境にして、その一方側を中空構造とし、他方側を樹脂充填モールド体で封止する構成としたことで、別途、隔壁用部材を使用することなく基板の片面側を完全封止して隙間ない気密性のある封止ができる。加えて、樹脂の剥離がないので封止パッケージとしての強度を確保でき、基板上に実装した部品の信頼性の劣化、特性変化等を防止できる。
【００３２】
さらに、回路基板の外縁を、中空構造を形成する成形体の壁部の厚み幅Ｔにかかるように位置決めすることで、中空構造部と樹脂充填モールド体との接合部の面積を大きくして接合強度を高くすることができる。また、中空構造部と樹脂充填モールド体を同一の樹脂材を用いて一体的に成形することで、別部材による接合のような相互の収縮の影響を受けず、接合強度と気密性を確保できる。
【００３３】
＜第２の実施の形態例＞
上述した第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージでは、基板の両端部に配置したリードフレームが基板と平面接合されているが、第２の実施の形態例として、端部にクリップ型のリードフレーム（フレーム端子）が接続された回路基板を封止する例について説明する。なお、第２の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程は、図１に示す第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程と同じであるため、ここではその図示および説明を省略する。
【００３４】
図５は、第２の実施の形態例における電子部品封止パッケージを製造する工程に対応させたパッケージ構造等を説明する断面図である。図５（ａ）は、電子部品封止パッケージの一次成形体を形成するために上金型５１と第１の下金型５３をセットした様子を示している。第１の下金型５３は、後述するように一次成形体にフレーム端子を収容する凹部を形成するための突起部５３ａ，５３ｂを有する。
【００３５】
図５（ｂ）は、上金型５１と第１の下金型５３を組み合せたときに作られる空洞部により、例えば熱硬化性樹脂を用いたトランスファー成形法、あるいは熱可塑性樹脂を使用した射出成形法によって一次成形体（中空部ケース）５５をモールド成形する様子を示している。成形された一次成形体５５は、図５（ｃ）に示すクリップ型のリードフレーム（フレーム端子）５４ａ，５４ｂの端部を収容するための凹部５６ａ，５６ｂを有する構造となっている。図５（ｃ）に示す工程では、組み合せた上金型５１と第１の下金型５３から第１の下金型５３を抜き取った後、その金型と入れ替えに第２の下金型５７を用意する。そして、一面側を開口させた箱型の形状を有する第２の下金型５７の開口側の対向する上縁部間を跨ぐように混成集積回路基板４０を載置する。
【００３６】
次に、回路基板４０が載置された第２の下金型５７を、図５（ｃ）に示す矢印方向に移動して、一次成形体５５を保持した上金型５１とを突き合わせた後、図５（ｄ）に示すように、例えば熱硬化性樹脂を使用したトランスファー成形法、あるいは熱可塑性樹脂を使用した射出成形法によって、第２の下金型５７の内部、すなわち樹脂充填部５８に樹脂を充填して二次成形体５９を形成する。第２の実施の形態例においても、回路基板４０の基板の外縁が一次成形体５５の厚み幅内にかかるように位置決めされる。
【００３７】
これにより樹脂充填部５８のみならず、一次成形体５５の凹部５６ａ，５６ｂに収容されたフレーム端子５４ａ，５４ｂの端部も樹脂で充填されるので（図５（ｄ）参照）、一次成形体５５と二次成形体５９を同一の樹脂材で形成することで、それらの接合強度を確保できる。
【００３８】
ここで図示を省略するが、本実施の形態例においても第１の実施の形態例と同様、上金型５１の開口側の縁部には、二次成形体５９の成形時において回路基板４０から延出するリードフレーム５４ａ，５４ｂを回避等するため凹部が形成されている。また、本実施の形態例においても、図５（ｄ）に示す樹脂充填の際、一次成形体５５で形成される中空部６５に対して、回路基板４０と、一次成形体５５の壁部の下縁部５５ａ，５５ｂとが蓋（ストッパ）となって、中空部６５には樹脂が流入しない。
【００３９】
図５（ｅ）は、上記のように組み合せた上金型５１と第２の下金型５７から離型した、本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージ５０の断面構成であり、回路基板４０を境にして、その上側（部品実装側）に中空部６５が形成され、下側には二次成形体５９による樹脂封止部が形成されていることが分かる。
【００４０】
なお、第２の下金型５７の内部（樹脂充填部５８）に樹脂を充填する際、図５（ｃ），（ｄ）に示すように第２の下金型５７を回路基板４０の下側に位置させて樹脂充填する方法に限定されない。例えば、図５（ｃ´），（ｄ´）に示すように、回路基板４０が載置され、一次成形体５５を保持した上金型５１の上側に第２の下金型５７を位置させ、上金型５１等を矢印方向に移動して第２の下金型５７と突き合わせた後、回路基板４０の上側に位置する樹脂充填部５８に樹脂を充填して二次成形体５９を形成する方法を採ってもよい。
【００４１】
このように、第２の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージは、金型を共通化した樹脂成形工程において、封止パッケージ内に中空構造を形成するための成形体にリードフレームの端部を収容する凹部を形成する。それにより、回路基板を境にして中空構造部と樹脂充填モールド体からなる構造の電子部品封止パッケージにおいて、その回路基板の両端に接続されたフレーム端子がクリップ型のリードフレームの場合であっても、隙間ない完全気密性のある封止ができる。
【００４２】
また、中空構造部と樹脂充填モールド体とを同一の樹脂材を用いて一体的に成形したことで、収縮の影響を受けずに、これら中空構造部と樹脂充填モールド体の接合強度と気密性を確保できる。
【００４３】
＜第３の実施の形態例＞
本発明の第３の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージとして、基板の裏面にリードフレームを接合した回路基板を封止する例について説明する。なお、ここでの電子部品封止パッケージの製造工程は、図１に示す第１の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程と同じであるため、その図示および説明を省略する。
【００４４】
図６は、第３の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージを製造する工程に対応させたパッケージ構造等を説明する断面図である。図６（ａ）は、電子部品封止パッケージの一次成形体を形成するために第１の上金型７１と下金型７３をセットした様子を示している。第１の上金型７１は、後述するように一次成形体に回路基板を収容する凹部を形成するための突起部７１ａ，７１ｂを有する。
【００４５】
図６（ｂ）は、第１の上金型７１と下金型７３を組み合せたときの空洞部により、例えば熱硬化性樹脂を用いたトランスファー成形法、あるいは熱可塑性樹脂を使用した射出成形法によって一次成形体（中空部ケース）７５をモールド成形する様子を示している。一次成形体７５を成形した後、組み合せた第１の上金型７１と下金型７３から第１の上金型７１を抜き取る。
【００４６】
第１の上金型７１を抜き取った後、図６（ｃ）に示すように、基板の裏面にリードフレーム７４ａ，７４ｂが接合された混成集積回路基板６０の端部を、一次成形体７５に形成された凹部７６ａ，７６ｂに収容して、一面が開口した箱型の形状を有する下金型７３の開口側に回路基板６０を載置する。そして、回路基板６０が収容された一次成形体７５を保持した下金型７３と、第２の上金型７７とを突き合せる。その後、熱硬化性樹脂を使用したトランスファー成形法等によって、第２の上金型７７の内部（樹脂充填部７８）に樹脂を充填する。図６（ｄ）は、樹脂充填部７８に樹脂を充填して二次成形体７９を形成した様子を示している。
【００４７】
上記の工程を経た後、下金型７３と第２の上金型７７から成形品を離型することで、図６（ｅ）に示すように回路基板６０を境界として、その下側（部品実装側）に中空部８５を有し、上側に二次成形体７９による樹脂封止部が形成された電子部品封止パッケージ７０を得る。
【００４８】
このように、一次成形体７５の壁部の上端部分に形成した凹部７６ａ，７６ｂに回路基板６０の端部を収容する構成としたことで、樹脂充填の際、一次成形体７５で形成される中空部８５に対して回路基板６０が蓋（ストッパ）となり、中空部８５には樹脂が流入しない。
【００４９】
なお、図示を省略するが、本実施の形態例においても、第２の上金型７７の開口側の縁部には、二次成形体７９の成形時において、回路基板６０から延出するリードフレーム７４ａ，７４ｂを回避するため凹部が形成されている。
【００５０】
上記のように本実施の形態例に係る電子部品封止パッケージは、中空部ケースとしての一次成形体に凹部を形成し、その凹部に基板の端部を収容する構造としたことで、回路基板そのものを簡単かつ確実に固定できるので、回路基板の裏面にリードフレームが接合されている等のリードフレームの接続形態によらずに、３種類の金型による２度の樹脂成形工程によって封止パッケージ内に中空構造を形成できる。
【００５１】
また、回路基板の片面側が樹脂で完全封止されるので、隙間のない完全気密性のある封止ができ、中空構造部と樹脂充填モールド体とを構成する樹脂材として同一の樹脂材を用いた一体成形をすることで、収縮の影響を受けずに接合強度と気密性を確保できる。
【００５２】
＜変形例＞
上述した第３の実施の形態例に係る電子部品封止パッケージの製造工程のうち、図６（ｃ），（ｄ）に示す工程を以下のように変形してもよい。すなわち、図７（ａ）に示すように、離型した一次成形体７５を上金型９１の内部に収容する。このとき、一次成形体７５の外側（外壁）と上金型９１の内側（内壁）との間に一定の隙間９７が形成されるように収容する。また、下金型９２の開口側の対向する上縁部間を跨ぐよう混成集積回路基板６０を載置する。そして、一次成形体７５の凹部７６ａ，７６ｂに混成集積回路基板６０が収容されるように、混成集積回路基板６０が載置された下金型９２を矢印方向に動かして上金型９１と突き合せる。
【００５３】
上記のように上金型９１と下金型９２を突き合せることによって、図７（ａ）に示すように回路基板６０の下側に樹脂充填部９８が形成されるとともに、上記のように一次成形体７５の外側の周囲全体に渡って形成された隙間９７も樹脂充填部となる。図７（ｂ）は、これらの樹脂充填部に樹脂を充填して二次成形体９９を形成した様子を示す。
【００５４】
次に、上金型９１と下金型９２から成形品を離型することで、図７（ｃ）に示すように、回路基板６０の上側に中空部９５を有し、基板６０の下側および一次成形体７５の全体を封止する二次成形体９９が形成され、それにより一次成形体７５が２層のモールド構造となった電子部品封止パッケージ８０が得られる。
【００５５】
なお、上金型９１と下金型９２を同一形状かつ同一サイズとすることで、電子部品封止パッケージの製造工程の簡易化、製造コストの低減を実現できる。また、図示を省略するが、例えば中空部９５内において回路基板６０上の所定の部品を金属ケースで覆ったシールド構造とすることもできる。その場合、回路基板６０の基板に孔部を設けることで、金属ケースの一部を挿入して固定できる。
【符号の説明】
【００５６】
１０，５０，７０，８０  電子部品封止パッケージ
２１，５１，９１  上金型
２２ａ，２２ｂ，５６ａ，５６ｂ，７６ａ，７６ｂ  凹部
２３，５３  第１の下金型
２５，５５，７５  一次成形体
２７，５７  第２の下金型
２８，５８  樹脂充填部
２９，５９，７９，９９  二次成形体
３０，４０，６０  混成集積回路基板
３２  基板
３３ａ，３３ｂ，５４ａ，５４ｂ，７４ａ，７４ｂ  リードフレーム（フレーム端子）
３５，６５，９５  中空部
３８  基板外縁
５３ａ，５３ｂ，７１ａ，７１ｂ  突起部
７１  第１の上金型
７３，９２  下金型
７７  第２の上金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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