(57)【要約】【課題】塗布膜の膜厚の均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供する。【解決手段】塗布・現像装置２は、ウェハＷに処理液を吐出するノズル２２と、ノズル２２側に処理液を圧送する圧送部４０と、圧送部４０側からノズル２２側に並ぶバルブ５３，５４を有し、圧送部４０からノズル２２に処理液を導く送液管路５０と、コントローラ１００とを備える。コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行するように構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を吐出するノズルと、
前記ノズル側に前記処理液を圧送する圧送部と、
前記圧送部側から前記ノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、前記圧送部から前記ノズルに前記処理液を導く送液管路と、
コントローラとを備え、
前記コントローラは、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことと、
前記第一バルブが開くことで低下した前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力を上昇させるように前記圧送部を制御することと、
前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下した後に前記第二バルブを開くことと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記第一バルブと前記第二バルブとが閉じた状態にて、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記圧送部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンク内の前記処理液を前記ノズル側に加圧する加圧部と、前記タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第三バルブを開くことを含む、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを含み、
前記コントローラは、前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことを、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力が前記第一圧力となっている状態で実行する、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第一バルブが開くことで低下した前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力を上昇させるように前記圧送部を制御することは、前記第二バルブが開く前において前記処理液に作用する圧力に比較して、前記第二バルブが開いた後において前記処理液に作用する圧力が高くなるように前記加圧部を制御することを含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記コントローラは、
前記第一バルブが開き、前記第二バルブが閉じた状態にて、前記第一圧力に比較して高い第二圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することと、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となった状態で前記第一バルブを閉じることと、を更に実行するように構成され、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となっている状態で実行する、請求項４又は５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記コントローラは、
前記第一バルブ及び前記第二バルブが開いた状態にて、第三圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを更に実行するように構成され、
前記第二圧力は前記第三圧力に比較して低い、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記圧送部は、前記加圧部による圧力を遮断するための第四バルブを更に有し、
前記第三バルブを開くことは、前記第三バルブが閉じて前記第四バルブが開いた状態を、前記第四バルブが閉じて前記第三バルブが開いた状態に切り替えることを含む、請求項３〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記圧送部は、それぞれが前記タンク、前記第三バルブ及び前記第四バルブを有する複数の圧送系統を有し、
前記送液管路は、前記複数の圧送系統にそれぞれ対応する複数の前記第一バルブを有し、
前記コントローラは、
前記複数の圧送系統のうち、前記ノズルに前記処理液を供給する圧送系統を前記第一バルブ及び前記第四バルブにより切り替えることを更に実行するように構成されている、請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板を保持して回転させる回転保持機構と、
前記ノズルを移動させるノズル移動機構とを更に備え、
前記コントローラは、
前記基板を回転させながら前記ノズルを移動させることで、前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板にらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ノズルから吐出された前記処理液がらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することは、前記処理液の吐出を開始した前記ノズルを前記基板の回転中心から外周側に移動させるように前記ノズル移動機構を制御することを含む、請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板に到達したことを検出する接液検出機構を更に備え、
前記ノズルから吐出された前記処理液がらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することは、前記接液検出機構により前記処理液の到達が検出された後に、前記ノズルの移動を開始するように前記ノズル移動機構を制御することを含む、請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記圧送部は、粘度が５００〜７０００ｃPの前記処理液を圧送するように構成されている、請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
基板に処理液を吐出するノズルと、前記ノズル側に前記処理液を圧送する圧送部と、前記圧送部側から前記ノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、前記圧送部から前記ノズルに前記処理液を導く送液管路とを備える基板処理装置を用い、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことと、
前記第一バルブが開くことで低下した前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力を上昇させるように前記圧送部を制御することと、
前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下した後に前記第二バルブを開くことと、を含む基板処理方法。
【請求項１５】
前記第一バルブと前記第二バルブとが閉じた状態にて、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することを更に含む、請求項１４記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記圧送部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンク内の前記処理液を前記ノズル側に加圧する加圧部と、前記タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第三バルブを開くことを含む、請求項１５記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを含み、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことを、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力が前記第一圧力となっている状態で実行する、請求項１６記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第一バルブが開くことで低下した前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力を上昇させるように前記圧送部を制御することは、前記第二バルブが開く前において前記処理液に作用する圧力に比較して、前記第二バルブが開いた後において前記処理液に作用する圧力が高くなるように前記加圧部を制御することを含む、請求項１７記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記第一バルブが開き、前記第二バルブが閉じた状態にて、前記第一圧力に比較して高い第二圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することと、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となった状態で前記第一バルブを閉じることと、を更に含み、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となっている状態で実行する、請求項１７又は１８記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記第一バルブ及び前記第二バルブが開いた状態にて、第三圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを更に含み、
前記第二圧力は前記第三圧力に比較して低い、請求項１９記載の基板処理方法。
【請求項２１】
粘度が５００〜７０００ｃPの前記処理液を用いる、請求項１５〜２０のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２２】
請求項１５〜２１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板の回転中に、回転軸と基板の周縁との間で吐出ノズルを移動させながら、塗布液を吐出ノズルから吐出することにより、基板の表面において塗布液をスパイラル状に塗布する液塗布方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１０７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、塗布膜の膜厚の均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板に処理液を吐出するノズルと、ノズル側に処理液を圧送する圧送部と、圧送部側からノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、圧送部からノズルに処理液を導く送液管路と、コントローラとを備え、コントローラは、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことと、第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することと、第一バルブが開くことで第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下した後に第二バルブを開くことと、を実行するように構成されている。
【０００６】
この基板処理装置によれば、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブが開かれるので、第一バルブから圧送部側に処理液の逆流が生じて第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下する。圧送部が第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させる際には、上記処理液の逆流によって、第一バルブと第二バルブとの間への処理液の急な流入が抑制される。このため、第一バルブと第二バルブとの間の圧力の急上昇が抑制される。これにより、第二バルブを開く際において、処理液の吐出量のオーバーシュートが抑制される。従って、上記オーバーシュートに起因する処理液の膜厚の乱れを抑制できるので、膜厚の均一性向上に有効である。
【０００７】
コントローラは、第一バルブと第二バルブとが閉じた状態にて、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、ノズルからの処理液の吐出を開始する度に、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを容易に実行できる。
【０００８】
圧送部は、処理液を収容するタンクと、タンク内の処理液をノズル側に加圧する加圧部と、タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第三バルブを開くことを含んでもよい。この場合、第三バルブを開くことにより、圧送部と第一バルブとの間の圧力を迅速に低下させることができる。これにより、圧力の調整に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【０００９】
第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを含んでもよく、コントローラは、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを、圧送部と第一バルブとの間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力を安定させることにより、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を高めることができる。従って、膜厚の均一性向上に対する有効性を安定して活かすことができる。
【００１０】
第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することは、第二バルブが開く前において処理液に作用する圧力に比較して、第二バルブが開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部を制御することを含んでもよい。この場合、第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるタイミングを加圧部により調整することで、第一バルブと第二バルブとの間における圧力の急上昇をより確実に抑制できる。
【００１１】
コントローラは、第一バルブが開き、第二バルブが閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することと、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となった状態で第一バルブを閉じることと、を更に実行するように構成され、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力を、圧送部と第一バルブとの間、及び第一バルブと第二バルブとの間の両方で安定させることにより、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。
【００１２】
コントローラは、第一バルブ及び第二バルブが開いた状態にて、第三圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力の急変を抑制することで、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。
【００１３】
圧送部は、加圧部による圧力を遮断するための第四バルブを更に有し、第三バルブを開くことは、第三バルブが閉じて第四バルブが開いた状態を、第四バルブが閉じて第三バルブが開いた状態に切り替えることを含んでもよい。この場合、加圧部によるタンク内の加圧を遮断した状態でタンク内の圧力を解放することで、圧送部と第一バルブとの間の圧力をより迅速に低下させることができる。
【００１４】
圧送部は、それぞれがタンク、第三バルブ及び第四バルブを有する複数の圧送系統を有し、送液管路は、複数の圧送系統にそれぞれ対応する複数の第一バルブを有し、コントローラは、複数の圧送系統のうち、ノズルに処理液を供給する圧送系統を第一バルブ及び第四バルブにより切り替えることを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第一バルブ及び第四バルブを、アクティブ状態の圧送系統の切り替えと、処理液の吐出開始時における圧力の調整とに兼用することで、装置構成の簡素化を図ることができる。
【００１５】
基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持機構と、ノズルを移動させるノズル移動機構とを更に備え、コントローラは、基板を回転させながらノズルを移動させることで、ノズルから吐出された処理液が基板にらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、処理液を基板にらせん状に塗布する方式（以下、「スパイラル塗布方式」という。）で液膜を形成することが実行される。スパイラル塗布方式においては、基板の回転中心に供給した処理液を遠心力により外周側に塗り広げる方式で液膜を形成する場合に比較して、処理液の供給量の乱れが膜厚の均一性に影響し易い。このため、コントローラがスパイラル塗布方式の制御を実行する場合、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【００１６】
ノズルから吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することは、処理液の吐出を開始したノズルを基板の回転中心から外周側に移動させるようにノズル移動機構を制御することを含んでもよい。
【００１７】
ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させる場合には、ノズルからの吐出開始時における処理液が基板の回転中心に塗布されることになる。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【００１８】
なお、スパイラル方式で処理液を塗布する場合には、膜厚の均一性を向上させるために、基板を基準としたノズルの移動速度を一定にするのが望ましい。そのためには、基板の回転中心に処理液を供給する際に比較して、基板の外周側に処理液を供給する際の基板の回転速度を高くする必要がある。このような制御を前提とする場合、処理液をらせん状に塗布するためにノズルを基板の外周側から回転中心側に移動させると、基板の外周側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズルが基板の回転中心に近付くにつれて大きくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ易くなる。これに対し、ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させると、基板の回転中心側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズルが基板の外周側に移動するにつれて小さくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ難くなる。このような観点でも、ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させることは膜厚の均一性向上に有効である。
【００１９】
基板処理装置は、ノズルから吐出された処理液が基板に到達したことを検出する接液検出機構を更に備え、ノズルから吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することは、接液検出機構により処理液の到達が検出された後に、ノズルの移動を開始するようにノズル移動機構を制御することを含んでもよい。この場合、処理液が基板に到達する前にノズルが移動してしまうこと、又は処理液が基板に到達した後にノズルの移動が遅れることに起因して、基板の回転中心近傍における膜厚の乱れが生じることが抑制される。従って、膜厚の均一性を更に向上させることができる。
【００２０】
圧送部は、粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を圧送するように構成されていてもよい。粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いる場合、これよりも粘度の低い処理液を用いる場合に比較して、ノズルからの処理液の吐出量に制御上の応答遅れが生じ易いので、吐出量が不安定になり易い。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【００２１】
本開示の一側面に係る基板処理方法は、基板に処理液を吐出するノズルと、ノズル側に処理液を圧送する圧送部と、圧送部側からノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、圧送部からノズルに処理液を導く送液管路とを備える基板処理装置を用い、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことと、第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することと、第一バルブが開くことで第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下した後に第二バルブを開くことと、を含んでもよい。
【００２２】
第一バルブと第二バルブとが閉じた状態にて、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することを更に含んでもよい。
【００２３】
圧送部は、処理液を収容するタンクと、タンク内の処理液をノズル側に加圧する加圧部と、タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第三バルブを開くことを含んでもよい。
【００２４】
第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを含んでもよく、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを、圧送部と第一バルブとの間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。
【００２５】
第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することは、第二バルブが開く前において処理液に作用する圧力に比較して、第二バルブが開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部を制御することを含んでもよい。
【００２６】
第一バルブが開き、第二バルブが閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することと、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となった状態で第一バルブを閉じることと、を更に含んでもよく、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。
【００２７】
第一バルブ及び第二バルブが開いた状態にて、第三圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを更に含んでもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。
【００２８】
粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いてもよい。
【００２９】
本開示の一側面に係る記録媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【発明の効果】
【００３０】
本開示によれば、塗布膜の膜厚の均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】基板処理システムの斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】塗布ユニットの模式図である。
【図５】処理液供給部の模式図である。
【図６】接液検知機構の模式図である。
【図７】コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。
【図８】塗布制御手順を示すフローチャートである。
【図９】基板に処理液を塗布している状態を示す斜視図である。
【図１０】処理液の供給開始手順を示すフローチャートである。
【図１１】処理液の供給停止手順を示すフローチャートである。
【図１２】コントローラの変形例を示す模式図である。
【図１３】液供給制御部の変形例を示す模式図である。
【図１４】処理液の供給開始手順の変形例を示すフローチャートである。
【図１５】処理液の供給停止手順の変形例を示すフローチャートである。
【図１６】処理液の供給停止手順の変形例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３３】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
【００３４】
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００３５】
（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。
【００３６】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００３７】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
【００３８】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００３９】
処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００４０】
処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００４１】
処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００４２】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００４３】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００４４】
コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。
【００４５】
まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００４６】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００４７】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００４８】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００４９】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００５０】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００５１】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００５２】
（塗布ユニット）
続いて、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、塗布ユニット２０を含む。図４に示すように、塗布ユニット２０は、回転保持機構２１と、ノズル２２と、ノズル移動機構２３と、処理液供給部３０とを備える。
【００５３】
回転保持機構２１は、基板の一例として、半導体のウェハＷを保持して回転させる。回転保持機構２１は、例えば保持部２４と回転駆動部２５とを有する。保持部２４は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。
【００５４】
回転駆動部２５は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な回転中心ＲＣまわりに保持部２４を回転させる。これにより、回転中心ＲＣまわりにウェハＷが回転する。
【００５５】
ノズル２２は、ウェハＷに処理液を吐出する。処理液は、例えば感光性のレジスト剤を含むレジスト液である。ノズル２２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。
【００５６】
ノズル移動機構２３は、ノズル２２を移動させる。例えばノズル移動機構２３は、電動モータ等を動力源とし、回転中心ＲＣを通る水平な直線に沿ってノズル２２を移動させる。
【００５７】
処理液供給部３０は、ノズル２２に処理液を供給する。図５に示すように、処理液供給部３０は、圧送部４０と送液管路５０とを有する。圧送部４０は、ノズル２２側に処理液を圧送する。一例として、圧送部４０は、加圧部６０と、複数の圧送系統７０と、液補給部８０とを有する。
【００５８】
加圧部６０は、タンク７１（後述）内の処理液をノズル２２側に加圧する。例えば加圧部６０は、加圧管６２を介して加圧源ＧＳに接続された調圧バルブ６１を有する。加圧源ＧＳは、加圧用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を送出する。調圧バルブ６１は、例えば電子バルブであり、加圧源ＧＳからタンク７１（後述）内への不活性ガスの流量を調節することで、タンク７１内の圧力を調節する。
【００５９】
複数の圧送系統７０のそれぞれは、タンク７１と、バルブ７４，７５とを有する。タンク７１は、処理液を収容する。なお、タンク７１が収容する処理液の粘度は、例えば５００〜７０００ｃＰであってもよい。すなわち圧送部４０は、粘度が５００〜７０００ｃPの処理液を圧送するように構成されていてもよい。タンク７１の上部は、加圧管７２を介して調圧バルブ６１に接続されている。これにより、加圧部６０を用いてタンク７１内を加圧することが可能となっている。また、タンク７１の上部は、脱気管７３に接続されている。脱気管７３の端部はタンク７１外に開放されている。
【００６０】
バルブ７４（第三バルブ）は、脱気管７３に設けられている。バルブ７４は例えばエアオペレーションバルブであり、脱気管７３内の流路を開閉する。バルブ７４を開くことにより、タンク７１内の圧力がタンク７１外に解放することが可能である。
【００６１】
バルブ７５（第四バルブ）は、加圧管７２に設けられている。バルブ７５は例えばエアオペレーションバルブであり、加圧管７２内の流路を開閉する。バルブ７５を閉じることにより、加圧部６０による圧力を遮断することが可能である。
【００６２】
液補給部８０は、タンク７１に処理液を補給する。液補給部８０は、タンク８１と、調圧バルブ８３と、フィルタ８７と、バルブ８８と、複数のバルブ８９とを有する。タンク８１は、補給用の処理液を収容する。タンク８１の上部は、加圧管８２を介して加圧源ＧＳに接続されている。タンク８１内の処理液は、加圧源ＧＳからの圧力により補給管８４を経てタンク７１に圧送される。補給管８４は、タンク８１内の底部近傍からタンク８１外に延びた第一部分８５と、第一部分８５から分岐して複数の圧送系統７０のタンク７１にそれぞれ接続された複数の第二部分８６とを有する。
【００６３】
調圧バルブ８３は、加圧管８２に設けられ、タンク８１内の圧力を調節する。例えば、調圧バルブ８３は電子バルブであり、加圧源ＧＳからタンク８１内への不活性ガスの流量を調節することで、タンク８１内の圧力を調節する。
【００６４】
フィルタ８７は、補給管８４の第一部分８５に設けられており、処理液中のダストを捕集する。
【００６５】
バルブ８８は、第一部分８５においてタンク８１とフィルタ８７との間に設けられている。バルブ８８は例えばエアオペレーションバルブであり、第一部分８５内の流路を開閉する。バルブ８８を閉じることにより、タンク８１からの処理液の送出を遮断することが可能である。
【００６６】
複数のバルブ８９は、補給管８４の複数の第二部分８６にそれぞれ設けられている。バルブ８９は例えばエアオペレーションバルブであり、第二部分８６内の流路を開閉する。バルブ８９を閉じることにより、タンク７１内への処理液の流れを遮断することが可能である。
【００６７】
送液管路５０は、圧送部４０側からノズル２２側に並ぶバルブ５３，５４を有し、圧送部４０からノズル２２に処理液を導く。例えば送液管路５０は、複数の送液管５１と、送液管５２と、複数のバルブ５３と、バルブ５４とを有する。
【００６８】
複数の送液管５１は、複数の圧送系統７０のタンク７１からの処理液をそれぞれ導く。複数の送液管５１のそれぞれは、タンク７１の底部近傍からタンク７１外に延びている。複数の送液管５１は、ノズル２２側において合流している。送液管５２は、複数の送液管５１の合流部からノズル２２に処理液を導く。
【００６９】
複数のバルブ５３（第一バルブ）は、複数の送液管５１にそれぞれ設けられている。すなわち複数のバルブ５３は、複数の圧送系統７０にそれぞれ対応している。バルブ５３は例えばエアオペレーションバルブであり、送液管５１内の流路を開閉する。バルブ５４（第二バルブ）は、送液管５２に設けられている。バルブ５４は例えばエアオペレーションバルブであり、送液管５２内の流路を開閉する。
【００７０】
図６に示すように、塗布ユニット２０は接液検出機構９０を更に備えてもよい。接液検出機構９０は、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷに到達したことを検出する。接液検出機構９０の具体例としては、図６の（ａ）に示すように、表面Ｗａの表面を撮影するカメラ９１を有し、カメラ９１により取得した画像に基づいて処理液の到達を検出するものが挙げられる。また、図６の（ｂ）に示すように、ウェハＷの裏面の温度を検出するように設けられた温度センサ９２を有し、ウェハＷの温度低下に基づいて処理液の到達を検出するものも挙げられる。
【００７１】
（コントローラ）
塗布ユニット２０は、上述のコントローラ１００により制御される。以下、塗布ユニット２０を制御するためのコントローラ１００の構成を説明する。コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行するように構成されている。
【００７２】
コントローラ１００は、バルブ５３，５４が閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、複数の圧送系統７０のうち、ノズル２２に処理液を供給する圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替えることを更に実行するように構成されていてもよく、ウェハＷを回転させながらノズル２２を移動させることで、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷにらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。
【００７３】
図４に例示するように、コントローラ１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、液供給制御部１１１と、回転制御部１１２と、ノズル移動制御部１１３とを有する。
【００７４】
液供給制御部１１１は、ノズル２２に処理液を供給するように処理液供給部３０を制御する。図５に例示するように、液供給制御部１１１は、機能モジュールとして、吐出制御部１１５と、加圧制御部１１６と、降圧制御部１１７と、系統切替制御部１１８とを有する。
【００７５】
吐出制御部１１５は、ノズル２２からの処理液の吐出状態を切り替えるようにバルブ５３及びバルブ５４を開閉させる。例えば吐出制御部１１５は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行する。
【００７６】
加圧制御部１１６は、タンク７１内の加圧状態を調節するように圧送部４０を制御する。例えば加圧制御部１１６は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する。より具体的に、加圧制御部１１６は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。また、加圧制御部１１６は、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御する。より具体的に、加圧制御部１１６は、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御する。
【００７７】
降圧制御部１１７は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするようにバルブ７４，７５を開閉する。例えば降圧制御部１１７は、タンク７１内の圧力を低下させるようにバルブ７４を開く。より具体的に降圧制御部１１７は、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることでタンク７１内の圧力を低下させる。
【００７８】
系統切替制御部１１８は、複数の圧送系統７０のうち、ノズル２２に処理液を供給する圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替える。例えば系統切替制御部１１８は、それぞれの圧送系統７０の状態を、ノズル２２に処理液を供給可能な状態（以下、「アクティブ状態」という。）、又はノズル２２に処理液を供給不能な状態（以下、「非アクティブ状態」という。）に切り替える。圧送系統７０を非アクティブ状態にする際に、系統切替制御部１１８は、当該圧送系統７０のバルブ７５を閉じ、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３を閉じ、当該圧送系統７０が再度アクティブ状態となるまで当該バルブ７５，５３を開閉不可とする。圧送系統７０をアクティブ状態にする際に、系統切替制御部１１８は、ノズル２２に処理液を供給するために当該圧送系統７０のバルブ７５を開閉可能にし、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３を開閉可能にする。更に系統切替制御部１１８は、非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に処理液を補給するように液補給部８０を制御する。
【００７９】
図４に戻り、回転制御部１１２は、ウェハＷを回転させるように回転保持機構２１を制御する。
【００８０】
ノズル移動制御部１１３は、処理液を吐出しているノズル２２を移動させるようにノズル移動機構２３を制御する。例えばノズル移動制御部１１３は、処理液の吐出を開始したノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣから外周側に移動させるようにノズル移動機構２３を制御する。塗布ユニット２０が上述の接液検出機構９０を備える場合、ノズル移動制御部１１３は、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御してもよい。
【００８１】
コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図７に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。
【００８２】
入出力ポート１２４は、調圧バルブ６１及びバルブ５３，５４，７４，７５，８９等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を塗布ユニット２０に実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
【００８３】
なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００８４】
〔基板処理手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて塗布ユニット２０が実行する処理液塗布手順を説明する。
【００８５】
（処理液塗布手順）
図８に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、搬送アームＡ３により塗布ユニット２０内に搬入され、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中央部を保持部２４により下方から保持するように、回転制御部１１２が回転保持機構２１を制御する。
【００８６】
次に、コントローラ１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、回転制御部１１２が、回転駆動部２５により保持部２４及びウェハＷの回転を開始するように回転保持機構２１を制御する。
【００８７】
次に、コントローラ１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２を初期位置（処理液の供給を開始する位置）に配置するようにノズル移動機構２３を制御する。例えば初期位置は、ウェハＷの回転中心ＲＣの鉛直上方である。なお、コントローラ１００は、ステップＳ０２の実行前にステップＳ０３を実行してもよい。
【００８８】
次に、コントローラ１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、液供給制御部１１１が、ノズル２２からウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給を開始するように処理液供給部３０を制御する。ステップＳ０４における具体的な処理内容については後述する。
【００８９】
次に、コントローラ１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２の外周側への移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御する。塗布ユニット２０が上述の接液検出機構９０を備える場合、ノズル移動制御部１１３は、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御してもよい。
【００９０】
図９に示すように、ノズル２２から吐出された処理液は、ウェハＷの回転及びノズル２２の移動により、ウェハＷの表面Ｗａにらせん状に塗布される。以後、回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３は、ウェハＷを基準としたノズル移動制御部１１３の相対的な移動の速さが一定となるように、回転保持機構２１によるウェハＷの回転速度及びノズル移動機構２３によるウェハＷの移動速度をそれぞれ制御してもよい。なお、ここでの一定は実質的な一定を意味し、構造上の要因及び制御上の要因等による誤差の範囲内に収まっていることを意味する。
【００９１】
図８に戻り、コントローラ１００は、次にステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、表面Ｗａに対する処理液の塗布の完了を液供給制御部１１１が待機する。例えば液供給制御部１１１は、表面Ｗａにおいて処理液を塗布すべき範囲の最外周にノズル２２が到達するのを待機する。
【００９２】
次に、コントローラ１００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、液供給制御部１１１が、ノズル２２からウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給を停止するように処理液供給部３０を制御する。ステップＳ０７における具体的な処理内容については後述する。
【００９３】
次に、コントローラ１００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２の移動を停止するようにノズル移動機構２３を制御する。例えばノズル移動制御部１１３は、ウェハＷの表面Ｗａ上から退避した位置にてノズル２２の移動を停止するようにノズル移動機構２３を制御する。
【００９４】
次に、コントローラ１００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、回転制御部１１２が、回転駆動部２５による保持部２４及びウェハＷの回転を停止するように回転保持機構２１を制御する。
【００９５】
次に、コントローラ１００はステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、回転制御部１１２が、保持部２４によるウェハＷの保持を解除し、搬送アームＡ３によるウェハＷの搬出が可能な状態にする。その後、搬送アームＡ３が塗布ユニット２０内からウェハＷを搬出する。以上で処理液塗布手順が完了する。
【００９６】
なお、上述の手順は一例であり、ウェハＷの表面Ｗａ上に処理液を塗布可能な手順である限りにおいて適宜変更可能である。例えば、ステップＳ０３においては、ウェハＷの周縁の鉛直上方を初期位置とし、ステップＳ０５〜Ｓ０７においてはウェハＷの回転中心ＲＣ側にノズル２２を移動させるようにノズル移動機構２３を制御してもよい。また、ステップＳ０５〜Ｓ０７におけるノズル２２の移動を行わずに、ウェハＷの回転中心ＲＣに供給された処理液を遠心力によりウェハＷの外周側に塗り広げるように回転保持機構２１を制御してもよい。
【００９７】
（処理液供給開始手順）
以下、ステップＳ０４における処理液の供給開始手順について詳述する。なお、ステップＳ０４の実行直前においては、複数の圧送系統７０のいずれか一つが上記アクティブ状態とされ、他の圧送系統７０は非アクティブ状態とされている。以下においては、アクティブ状態の圧送系統７０のタンク７１及びバルブ７４，７５を単に「タンク７１」及び「バルブ７４，７５」といい、アクティブ状態の圧送系統７０に対応するバルブ５３を単に「バルブ５３」という。
【００９８】
ステップＳ０４の実行直前においては、バルブ５３，５４，７４，７５の全てが閉じており、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力（以下、これを「待機圧力」という。）が高くなっている。待機圧力は、ノズル２２から処理液を吐出する際のタンク７１内の圧力（以下、これを「吐出圧力」という。）と同等以下である。
【００９９】
図１０に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、吐出制御部１１５が、バルブ７５を開く。ステップＳ２２では、加圧制御部１１６が、タンク７１内の圧力を、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力（上記待機圧力）に比較して低い圧力（以下、この圧力を「制定圧力」という。）とするように調圧バルブ６１を制御する。制定圧力（第一圧力）は、例えば上記吐出圧力の８０％以下であり、６０％以下であってもよい。
【０１００】
次に、コントローラ１００はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、吐出制御部１１５が、バルブ５３を開く。ステップＳ２３の直前において、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなっている。このため、バルブ５３が開くと、バルブ５３とバルブ５４との間の処理液が圧送部４０側流動し（以下、これを「処理液の逆流」という。）、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下する。
【０１０１】
次に、コントローラ１００はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、吐出制御部１１５が所定時間の経過を待機する。所定時間は、ノズル２２からの処理液の吐出開始時における吐出量のオーバーシュートを抑制するように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。
【０１０２】
次に、コントローラ１００はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、加圧制御部１１６が、タンク７１内の圧力を上記制定圧力から上記吐出圧力（第三圧力）に上昇させるように調圧バルブ６１を制御する。
【０１０３】
タンク７１内の圧力の上昇に伴い、タンク７１からバルブ５４側への処理液の流れが生じる。この流れは、上述の処理液の逆流によって弱められるので、バルブ５３とバルブ５４との間への処理液の急な流入が抑制される。従って、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力は緩やかに上昇する。
【０１０４】
次に、コントローラ１００はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、吐出制御部１１５が、バルブ５４を開く。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が開始される。
【０１０５】
なお、上述の手順は一例であり、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を含む限りにおいて適宜変更可能である。
【０１０６】
例えば、コントローラ１００は、ステップＳ２５の実行に先立ってステップＳ２６を実行してもよい。すなわち、タンク７１内の圧力を制定圧力から吐出圧力に変更するように加圧制御部１１６が調圧バルブ６１を制御するのに先立って、吐出制御部１１５がバルブ５４を開いてもよい。
【０１０７】
また、コントローラ１００は、ステップＳ２１，Ｓ２２の実行に先立ってステップＳ２３，Ｓ２４を実行してもよい。すなわち吐出制御部１１５は、バルブ５３を開いて所定時間が経過した後にバルブ７５を開いてもよい。この場合、バルブ７５を開くことによって、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させることが可能なので、コントローラ１００はステップＳ２２，Ｓ２５を実行しなくてもよい。
【０１０８】
（処理液供給停止手順）
以下、ステップＳ０７における処理液の供給停止手順について詳述する。図１１に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、吐出制御部１１５が、バルブ５３，５４，７５を閉じる。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が停止し、ウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給が停止する。以下の手順は、次回の処理液の供給への準備手順に相当する。
【０１０９】
次に、コントローラ１００は、ステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、降圧制御部１１７がバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。
【０１１０】
次に、コントローラ１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、降圧制御部１１７が所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。
【０１１１】
次に、コントローラ１００はステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、降圧制御部１１７がバルブ７４を閉じる。以後、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低く保たれる。
【０１１２】
次に、コントローラ１００はステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５では、系統切替制御部１１８が、現在アクティブ状態となっている圧送系統７０（以下、「アクティブ系統」をという。）のタンク７１に処理液の補給が必要であるか否かを確認する。例えば系統切替制御部１１８は、タンク７１における処理液の残量が、次回の処理液の供給における必要量を下回っているか否かを確認する。
【０１１３】
ステップＳ３５において、アクティブ系統のタンク７１に処理液の補給が必要であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３６を実行する。ステップＳ３６では、系統切替制御部１１８がアクティブ系統を切り替える。すなわち系統切替制御部１１８は、複数の圧送系統７０のうちアクティブ状態とする圧送系統７０を切り替える。例えば系統切替制御部１１８は、アクティブ状態であった圧送系統７０のバルブ７５と、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３とを開閉不可とする。これにより、当該圧送系統７０が非アクティブ状態となる。また、系統切替制御部１１８は、非アクティブ状態であった圧送系統７０のバルブ７５と、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３とを開閉可能とする。これにより、当該圧送系統７０がアクティブ状態となる。
【０１１４】
次に、コントローラ１００はステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７では、系統切替制御部１１８が、ステップＳ３６において非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に処理液を補給するように液補給部８０を制御する。例えば系統切替制御部１１８は、ステップＳ３６において非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に対応するバルブ８９と、バルブ８８とを開く。これにより、タンク８１からタンク７１に処理液が補給される。以上で処理液の供給停止手順が完了する。
【０１１５】
ステップＳ３５において、アクティブ系統のタンク７１に対する処理液の補給は不要であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３６，Ｓ３７を実行することなく処理液の供給停止手順を完了する。
【０１１６】
〔変形例〕
以下、コントローラの変形例を説明する。図１２は、コントローラの変形例を示す模式図である。図１２に示すコントローラ１００Ａは、以下の点でコントローラ１００と相違する。
ｉ）  コントローラ１００Ａは、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する際に、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。
ｉｉ）  コントローラ１００Ａは、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を更に実行するように構成され、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となっている状態で実行する。
ｉｉｉ）  コントローラ１００Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを更に実行するように構成されている。上記第二圧力は第三圧力に比較して低い。
【０１１７】
図１２に例示するように、コントローラ１００Ａは、機能モジュールとして、液供給制御部１１１Ａと、回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３とを有する。回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３はコントローラ１００と同じである。
【０１１８】
液供給制御部１１１Ａは、ノズル２２に処理液を供給するように処理液供給部３０を制御する。図１３に例示するように、液供給制御部１１１Ａは、機能モジュールとして、吐出制御部１１５と、加圧制御部１１６Ａと、系統切替制御部１１８と、第一調圧制御部１１９Ａと、第二調圧制御部１１９Ｂとを有する。吐出制御部１１５及び系統切替制御部１１８は液供給制御部１１１と同じである。
【０１１９】
第一調圧制御部１１９Ａは、バルブ５３とバルブ５４とが閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する。例えば第一調圧制御部１１９Ａは、タンク７１内の圧力を低下させるようにバルブ７４を開く。より具体的に第一調圧制御部１１９Ａは、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることでタンク７１内の圧力を低下させる。その後、第一調圧制御部１１９Ａは、上記第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。
【０１２０】
第二調圧制御部１１９Ｂは、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、上記第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を実行する。
【０１２１】
加圧制御部１１６Ａは、吐出制御部１１５がバルブ５３を開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御する。例えば加圧制御部１１６Ａは、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御する。また、加圧制御部１１６Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、上記第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。
【０１２２】
（処理液供給開始手順）
続いて、処理液供給開始手順の変形例として、コントローラ１００Ａが実行する処理液供給開始手順を説明する。
【０１２３】
図１４に示すように、コントローラ１００Ａは、まずステップＳ４１，Ｓ４２を実行する。ステップＳ４１では、ステップＳ２１と同様に、吐出制御部１１５がバルブ７５を開く。ステップＳ４２では、第一調圧制御部１１９Ａが、タンク７１内の圧力を、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力（上記待機圧力）に比較して低い第一圧力（上記制定圧力）とするように調圧バルブ６１を制御する。
【０１２４】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３では、ステップＳ２３と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５３を開く。
【０１２５】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、ステップＳ２４と同様に、吐出制御部１１５が所定時間の経過を待機する。
【０１２６】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、加圧制御部１１６Ａが、タンク７１内の圧力を上記第一圧力から上記第三圧力（上記吐出圧力）に上昇させるように調圧バルブ６１を制御する。
【０１２７】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６では、ステップＳ２６と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５４を開く。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が開始される。以後、加圧制御部１１６Ａは、タンク７１内の圧力を第三圧力に維持するように調圧バルブ６１を制御する。すなわち加圧制御部１１６Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、タンク７１内の処理液を第三圧力で加圧するように加圧部６０を制御する。
【０１２８】
（処理液供給停止手順）
続いて、処理液供給停止手順の変形例として、コントローラ１００Ａが実行する処理液供給停止手順を説明する。
【０１２９】
図１５及び図１６に示すように、コントローラ１００Ａは、まずステップＳ５１を実行する。ステップＳ５１では、ステップＳ３１と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５３，５４，７５を閉じる。
【０１３０】
次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５２を実行する。ステップＳ５２では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。
【０１３１】
次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５３を実行する。ステップＳ５３では、第二調圧制御部１１９Ｂが所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。
【０１３２】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ７４を閉じる。
【０１３３】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５５を実行する。ステップＳ５５では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ５３及びバルブ７５を開く。
【０１３４】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５６を実行する。ステップＳ５６では、第二調圧制御部１１９Ｂが、タンク７１内の圧力を、上記第一圧力に比較して高い上記第二圧力とするように調圧バルブ６１を制御する。なお、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５６における調圧制御をステップＳ５５に先立って開始してもよい。
【０１３５】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５７を実行する。ステップＳ５７では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ５３及びバルブ７５を閉じる。
【０１３６】
次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５８を実行する。ステップＳ５８では、第一調圧制御部１１９Ａがバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が再度解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。
【０１３７】
次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５９を実行する。ステップＳ５９では、第一調圧制御部１１９Ａが所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。
【０１３８】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ６０を実行する。ステップＳ６０では、第一調圧制御部１１９Ａがバルブ７４を閉じる。
【０１３９】
次に、コントローラ１００ＡはステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３を実行する。ステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３は、ステップＳ３５，Ｓ３６，Ｓ３７と同じである。以上で処理液の供給停止手順が完了する。
【０１４０】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷに処理液を吐出するノズル２２と、ノズル２２側に処理液を圧送する圧送部４０と、圧送部４０側からノズル２２側に並ぶバルブ５３，５４を有し、圧送部４０からノズル２２に処理液を導く送液管路５０と、コントローラ１００とを備える。コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行するように構成されている。
【０１４１】
塗布・現像装置２によれば、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３が開かれるので、バルブ５３から圧送部４０側に処理液の逆流が生じてバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下する。
圧送部４０がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させる際には、上記処理液の逆流によって、バルブ５３とバルブ５４との間への処理液の急な流入が抑制される。このため、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力の急上昇が抑制される。これにより、バルブ５４を開く際において、処理液の吐出量のオーバーシュートが抑制される。従って、上記オーバーシュートに起因する処理液の膜厚の乱れを抑制できるので、膜厚の均一性向上に有効である。
【０１４２】
コントローラ１００は、バルブ５３，５４が閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、ノズル２２からの処理液の吐出を開始する度に、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことを容易に実行できる。
【０１４３】
圧送部４０は、処理液を収容するタンク７１と、タンク７１内の処理液をノズル２２側に加圧する加圧部６０と、タンク７１内の圧力を解放するためのバルブ７４とを有し、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することは、バルブ７４を開くことを含んでもよい。この場合、バルブ７４を開くことにより、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を迅速に低下させることができる。これにより、圧力の調整に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【０１４４】
バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することは、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを含んでもよく、コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことを、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力を安定させることにより、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を高めることができる。従って、膜厚の均一性向上に対する有効性をより安定して活かすことができる。
【０１４５】
バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することは、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御することを含んでもよい。この場合、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるタイミングを加圧部６０により調整することで、バルブ５３とバルブ５４との間における圧力の急上昇をより確実に抑制できる。
【０１４６】
コントローラ１００Ａとして例示したように、コントローラ１００は、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を更に実行するように構成され、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力を、圧送部４０とバルブ５３との間、及びバルブ５３とバルブ５４との間の両方で安定させることにより、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。
【０１４７】
コントローラ１００は、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力の急変を抑制することで、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。
【０１４８】
圧送部４０は、加圧部６０による圧力を遮断するためのバルブ７５を更に有し、バルブ７４を開くことは、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることを含んでもよい。この場合、加圧部６０によるタンク７１内の加圧を遮断した状態でタンク７１内の圧力を解放することで、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力をより迅速に低下させることができる。
【０１４９】
圧送部４０は、それぞれがタンク７１及びバルブ７４，７５を有する複数の圧送系統７０を有し、送液管路５０は、複数の圧送系統７０にそれぞれ対応する複数のバルブ５３を有してもよい。コントローラ１００は、複数の圧送系統７０のうち、アクティブ状態の圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替えることを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、バルブ５３及びバルブ７５を、アクティブ状態の圧送系統７０の切り替えと、処理液の吐出開始時における圧力の調整とに兼用することで、装置構成の簡素化を図ることができる。
【０１５０】
塗布ユニット２０は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持機構２１と、ノズル２２を移動させるノズル移動機構２３とを更に備えてもよい。コントローラ１００は、ウェハＷを回転させながらノズル２２を移動させることで、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷにらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、処理液をウェハＷにらせん状に塗布する方式（以下、「スパイラル塗布方式」という。）で液膜を形成することが実行される。スパイラル塗布方式においては、ウェハＷの回転中心ＲＣに供給した処理液を遠心力により外周側に塗り広げる方式で液膜を形成する場合に比較して、処理液の供給量の乱れが膜厚の均一性に影響し易い。このため、コントローラ１００がスパイラル塗布方式の制御を実行する場合、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【０１５１】
ノズル２２から吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することは、処理液の吐出を開始したノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣから外周側に移動させるようにノズル移動機構２３を制御することを含んでもよい。
【０１５２】
ノズル２２を回転保持機構２１の回転中心ＲＣ側から外周側に移動させる場合には、ノズル２２からの吐出開始時における処理液がウェハＷの回転中心ＲＣに塗布されることになる。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【０１５３】
なお、スパイラル方式で処理液を塗布する場合には、膜厚の均一性を向上させるために、ウェハＷを基準としたノズル２２の移動速度を一定にするのが望ましい。そのためには、ウェハＷの回転中心ＲＣに処理液を供給する際に比較して、ウェハＷの外周側に処理液を供給する際のウェハＷの回転速度を高くする必要がある。このような制御を前提とする場合、処理液をらせん状に塗布するためにノズル２２をウェハＷの外周側から回転中心ＲＣ側に移動させると、ウェハＷの外周側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズル２２がウェハＷの回転中心ＲＣに近付くにつれて大きくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ易くなる。これに対し、ノズル２２を回転保持機構２１の回転中心ＲＣ側から外周側に移動させると、ウェハＷの回転中心ＲＣ側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズル２２がウェハＷの外周側に移動するにつれて小さくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ難くなる。このような観点でも、ノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周側に移動させることは膜厚の均一性向上に有効である。
【０１５４】
塗布ユニット２０は、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷに到達したことを検出する接液検出機構９０を更に備えてもよく、ノズル２２から吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することは、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御することを含んでもよい。この場合、処理液がウェハＷに到達する前にノズル２２が移動してしまうこと、又は処理液がウェハＷに到達した後にノズル２２の移動が遅れることに起因して、ウェハＷの回転中心ＲＣ近傍における膜厚の乱れが生じることが抑制される。従って、膜厚の均一性を更に向上させることができる。
【０１５５】
圧送部４０は、粘度が５００〜７０００ｃPの処理液を圧送するように構成されていてもよい。粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いる場合、これよりも粘度の低い処理液を用いる場合に比較して、ノズル２２からの処理液の吐出量に制御上の応答遅れが生じ易いので、吐出量が不安定になり易い。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。
【０１５６】
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。上述した塗布手順の適用対象は必ずしもレジスト液の塗布ユニットに限られず、基板の表面に処理液の液膜を形成する装置であればどのような装置にも適用可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【０１５７】
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１００，１００Ａ…コントローラ、２１…回転保持機構、２２…ノズル、２３…ノズル移動機構、４０…圧送部、５０…送液管路、６０…加圧部、７０…圧送系統、７１…タンク、６１…調圧バルブ、７４…バルブ（第三バルブ）、７５…バルブ（第四バルブ）、５３…バルブ（第一バルブ）、５４…バルブ（第二バルブ）、９０…接液検出機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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