(57)【要約】【課題】発電効率を高めた太陽電池を提供する。【解決手段】表面にテクスチャが設けられた第１導電型の結晶性シリコン基板１０と、結晶性シリコン基板１０の表面上に位置するｉ型非晶質シリコン層１６と、を備え、テクスチャは、谷部の曲率半径Ｒ１が山部の曲率半径Ｒ２よりも大きく、結晶性シリコン基板１０は、表面に第１導電型のドーパントを含む第１導電型高ドープ領域１０ｂを備え、第１導電型高ドープ領域１０ｂにおけるドーパント濃度は、結晶性シリコン基板１０の厚み方向中心におけるドーパント濃度よりも高い太陽電池とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にテクスチャが設けられた第１導電型の結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の前記表面上に位置する非晶質シリコン層と、
を備え、
前記テクスチャは、谷部の曲率半径が山部の曲率半径よりも大きく、
前記結晶性シリコン基板は、前記表面に第１導電型のドーパントを含む第１導電型高ドープ領域を備え、前記第１導電型高ドープ領域におけるドーパント濃度は、前記結晶性シリコン基板の厚み方向中心部におけるドーパント濃度よりも高い、太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池であって、
前記第１導電型高ドープ領域は、前記テクスチャの前記谷部における厚みが前記山部における厚みより大きい、太陽電池。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の太陽電池であって、前記第１導電型はｎ型であり、前記ドーパントはリンである、太陽電池。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池であって、前記第１導電型高ドープ領域は前記結晶性シリコン基板の受光面側に設けられている、太陽電池。
【請求項５】
請求項４に記載の太陽電池であって、前記第１導電型高ドープ領域が前記結晶性シリコン基板の裏面側に設けられている、太陽電池。
【請求項６】
第１導電型の結晶性のシリコン基板の表面にテクスチャを形成する第１工程と、
前記シリコン基板の前記テクスチャが形成された前記表面に、前記シリコン基板の厚み方向中央部におけるドーパント濃度よりも高濃度になるように第１導電型のドーパントを拡散させる第２工程と、
前記シリコン基板の前記テクスチャが形成された前記表面側上に非晶質シリコン層を形成する第３工程と、
を備え、
前記第１工程では、前記テクスチャの谷部の曲率半径を山部の曲率半径より大きく形成する、太陽電池の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第１導電型はｎ型であり、前記ドーパントはリンである、太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、太陽電池及び太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に凹凸構造であるテクスチャを設けた太陽電池が知られている。テクスチャを設けることによって光の反射率を低下させると共に発電層における光路長を伸ばすことで発電効率を高めることができる。その透明導電層表面での光反射量を低減させるために、例えば、アルカリ性溶液や酸性溶液によりシリコン基板表面を処理し、面方位の違いによるウェットエッチング速度の違いを利用してテクスチャを形成する方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１９２４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図４に示すように、シリコン基板５０の表面にテクスチャが設けられた太陽電池では、シリコン基板５０に入射した光が屈折して凹凸構造の山部（図中ハッチングで示したテクスチャの先端部）に集中する。したがって、テクスチャの山部において他の領域に比べて生成されるキャリアの密度が高くなる。このような太陽電池にあっても、密度の高いキャリアの再結合をできるだけ抑制し、更に出力を向上させた太陽電池が求められている。
【０００５】
本開示の目的は、テクスチャを有するシリコン基板を用いた場合において、シリコン基板の表面付近におけるキャリアのライフタイムを向上させた太陽電池及びそれを製造するための太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様は、表面にテクスチャが設けられた第１導電型の結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板の前記表面上に位置する非晶質シリコン層と、を備え、前記テクスチャは、谷部の曲率半径が山部の曲率半径よりも大きく、前記結晶性シリコン基板は、前記表面に第１導電型のドーパントを含む第１導電型高ドープ領域を備え、前記第１導電型高ドープ領域におけるドーパント濃度は、前記結晶性シリコン基板の厚み方向中心部におけるドーパント濃度よりも高い、太陽電池である。
【０００７】
また、本開示の別態様は、第１導電型の結晶性のシリコン基板の表面にテクスチャを形成する第１工程と、前記シリコン基板の前記テクスチャが形成された前記表面に、前記シリコン基板の厚み方向中央部におけるドーパント濃度よりも高濃度になるように、第１導電型のドーパントを拡散させる第２工程と、前記シリコン基板の前記テクスチャが形成された前記表面側に非晶質シリコン層を形成する第３工程と、を備え、前記第１工程では、前記テクスチャの谷部の曲率半径を山部の曲率半径より大きく形成する、太陽電池の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様である太陽電池及び太陽電池の製造方法によれば、発電効率を高めた太陽電池を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態における太陽電池の構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施の形態における太陽電池の構成を示す拡大断面模式図である。
【図３】本発明の実施の形態における太陽電池の作用を説明するための図である。
【図４】従来の太陽電池での作用を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本開示に係る実施の形態（以下、実施形態という）について添付図面を参照しながら詳細に説明する。この説明において、具体的な形状、材料、数値、方向等は、本開示の理解を容易にするための例示であって、用途、目的、仕様等にあわせて適宜変更することができる。また、以下において複数の実施形態や変形例などが含まれる場合、それらの特徴部分を適宜に組み合わせて用いることは当初から想定されている。また、実施形態の説明で参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは現物と異なる場合がある。
【００１１】
図１は、太陽電池１００の模式断面図である。図１に示すように、太陽電池１００は、第１導電型としてのｎ型の結晶性シリコン基板（以下、シリコン基板という）１０と、第１ｉ型非晶質シリコン層１２と、第２導電型としてのｐ型の非晶質シリコン層（以下、ｐ型非晶質シリコン層という）１４と、第２ｉ型非晶質シリコン層１６と、ｎ型非晶質シリコン層１８とを備える。
【００１２】
シリコン基板１０は、ｎ型多結晶シリコン基板であってもよいが、好ましくはｎ型単結晶シリコン基板である。本実施の形態では、後に説明するエッチング工程を実施する前の段階において、表面及び裏面の面方位が（１００）面のシリコン基板１０を用いる。
【００１３】
第１ｉ型非晶質シリコン層１２は、シリコン基板１０の第１主面上に設けられる。また、ｐ型非晶質シリコン層１４は、シリコン基板１０の第１主面側に設けられる。詳しくは、ｐ型非晶質シリコン層１４は、第１ｉ型非晶質シリコン層１２のシリコン基板１０側とは反対側に設けられる。第２ｉ型非晶質シリコン層１６は、シリコン基板１０の第２主面上に設けられる。ｎ型非晶質シリコン層１８は、第２ｉ型非晶質シリコン層１６のシリコン基板１０側とは反対側に設けられる。
【００１４】
第１ｉ型非晶質シリコン層１２、ｐ型非晶質シリコン層１４、第２ｉ型非晶質シリコン層１６及びｎ型非晶質シリコン層１８は、光生成キャリアの再結合を抑制する機能を有する。これらのシリコン層１２,１４,１６,１８は、化学気相成長法（ＣＶＤ）特にプラズマＣＶＤ法により好適に成膜される。シリコン層１２,１４,１６,１８の成膜に使用する原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等のシリコン含有ガス、又はそれらのガスとＨ２を混合したものが好適に用いられる。ｐ型又はｎ型非晶質シリコン層１４,１８を形成するためのドーパントガスとしては、例えばＢ２Ｈ６又はＰＨ３等が好適に用いられる。ＰやＢといった不純物の添加量は微量でよく、ＳｉＨ４やＨ２等との混合ガスを用いることもできる。
【００１５】
第１及び第２ｉ型非晶質シリコン層１２，１６は、ｉ型水素化非晶質シリコン層（ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましく、ｐ型非晶質シリコン層１４は、ｐ型水素化非晶質シリコン層（ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましい。また、ｎ型非晶質シリコン層１８は、ｎ型水素化非晶質シリコン層（ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましい。ｉ型ａ-Ｓｉ：Ｈ層は、ＳｉＨ４をＨ２で希釈した原料ガスを用いたＣＶＤ法により成膜できる。ｐ型ａ-Ｓｉ：Ｈ層の成膜には、ＳｉＨ４にＢ２Ｈ６を添加して水素希釈した原料ガスが使用される。ｎ型ａ-Ｓｉ：Ｈ層の成膜には、Ｂ２Ｈ６の代わりにＰＨ３を含む原料ガスが使用される。尚、各非晶質シリコン層１２，１４，１６，１８は必ずしも水素化される必要はない。また、各半導体層の成膜法は特に限定されない。
【００１６】
太陽電池１００は、ｎ型非晶質シリコン層１８側から光を受光することが想定される。図１に示すように、太陽電池１００は、受光側とは反対側の裏面側でｐ型非晶質シリコン層１４上に透明導電層２０及び裏側集電極２２をこの順に備える。また、太陽電池１００は、受光側である表側でｎ型非晶質シリコン層１８上に透明導電層２４及び表側集電極２６をこの順に備える。透明導電層２０は、ｐ型非晶質シリコン層１４の裏面の略全域に形成され、透明導電層２４は、ｎ型非晶質シリコン層１８の表側面の略全域に形成される。各透明導電層２０,２４は、透光性及び導電性を有する。各透明導電層２０,２４は、例えばＩｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、又はＴｉＯ２などの金属酸化物で構成される。これらの金属酸化物に、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｇａなどのドーパントがドープされてもよい。
【００１７】
裏側集電極２２及び表側集電極２６は、例えば、多数のフィンガー部と、フィンガーよりも少ない本数のバスバー部とを含むパターンで導電性ペーストをスクリーン印刷して形成される。裏側集電極２２は、表側集電極２６よりも大面積に形成されることが好ましく、裏側集電極２２のフィンガー部は表側集電極２６のフィンガー部よりも多く形成されるのが好ましい。なお、電極の構造は特に限定されないので、例えば裏面側集電極を、透明導電層上の略全域に形成した金属層で構成してもよい。
【００１８】
太陽電池１００は、ｎ型非晶質シリコン層１８側から光を受光することが想定されるが、太陽電池は、ｐ型非晶質シリコン層１４側から光を受光してもよい。また、太陽電池は、ｐ型非晶質シリコン層１４側及びｎ型非晶質シリコン層１８側の両方から光を受光してもよい。
【００１９】
また、シリコン基板１０の表面には、テクスチャが設けられる。テクスチャとは、表面反射を抑制してシリコン基板１０の光吸収量を増大させるための表面の凹凸構造である。テクスチャは、例えば、受光面のみ、又は受光面と裏面の両方に形成される。
【００２０】
テクスチャ構造は、酸エッチングやアルカリエッチングを適用して、シリコン基板１０の表面をエッチングすることにより形成することができる。酸エッチングでは、例えば、フッ化水素酸と酸化剤（硝酸やクロム酸）を含む水溶液を用いればよい。アルカリエッチングでは、例えば、ヒドラジン（ＮＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等を含む水溶液を用いればよい。
【００２１】
例えば、シリコン基板１０がエッチング処理を行う前の段階で（１００）面の表面を有する単結晶シリコン基板である場合、異方性エッチングを適用することで（１１１）面を斜面としたピラミッド形状の凹凸構造であるテクスチャが形成される。テクスチャの高さは、例えば１μｍ〜１０μｍである。
【００２２】
単結晶シリコン基板にテクスチャを形成した後、フッ硝酸（フッ酸と硝酸の混酸）を用いて更に処理を行うと、テクスチャの谷部をラウンドさせることができる。テクスチャの先端部分や谷部を丸くすることにより、太陽電池セルに衝撃が加わった際にテクスチャの先端部分が欠けたり、谷部から太陽電池セルが割れたりするのを抑制することができる。
【００２３】
本実施の形態では、図２の拡大断面図に示すように、テクスチャの凹凸構造において谷部の曲率半径Ｒ１は山部の曲率半径Ｒ２より大きく形成される。ここで、谷部は、テクスチャにおける谷の先端部分を意味し、山部は、テクスチャにおける山の先端部分を意味する。つまり、本実施の形態では、テクスチャの凹凸構造において、谷部は山部に比べてなだらかな形状とされる。谷部の曲率半径Ｒ１の上限値は、特に限定されるものではないが、実質的にテクスチャの光学的な作用を低下させない値とすることが好適である。
【００２４】
図２に示すように、シリコン基板１０は、低ドープ領域１０ａと、第２主面側高ドープ領域１０ｂとを有する。低ドープ領域１０ａは、ｎ型にドーピングされる。また、第２主面側高ドープ領域１０ｂは、低ドープ領域１０ａと受光面側となる第２ｉ型非晶質シリコン層１６との間に設けられる。第２主面側高ドープ領域１０ｂは、低ドープ領域１０ａよりも多くのｎ型ドーパントがドーピングされたｎ＋領域である。すなわち、第２主面側高ドープ領域１０ｂは、低ドープ領域１０ａよりも高いｎ型のドーパント濃度を有する。第２主面側高ドープ領域１０ｂは、低ドープ領域１０ａのｎ型非晶質シリコン層１８側の全面に設けられる。
【００２５】
第２主面側高ドープ領域１０ｂは、イオン注入法、熱拡散法、プラズマドープ法又はエピタキシャル成長法等を用いて形成される。ｎ型ドーパントとしては、Ｐ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）等が用いられ、特にＰが好適に用いられる。
【００２６】
例えば、Ｐ（リン）は、テクスチャが形成されたシリコン基板１０の表面にＰＯＣｌ３ガスを混ぜて熱処理を行うことによって欠陥生成を抑制した状態でドープすることができる。また、イオン注入法を用いる場合、イオン注入で生じた欠陥を低減するため高温アニールやRTA（Rapid Thermal Annealing）を併用するのが好ましい。これ以外に、ウエットプロセスによって、シリコン基板上に拡散源を形成したのち、加熱処理によってシリコン基板表面へとＰ（リン）等を拡散させることによって、第２主面側高ドープ領域１０ｂを形成してもよい。
【００２７】
ここで、第２主面側高ドープ領域１０ｂのドーピングプロファイルについて説明する。シリコン基板１０にドーパントを拡散させる場合、その面方位によって異なるドーピングプロファイルが得られる。本実施形態では、シリコン基板１０にＰ（リン）をドーピングする場合、（１００）面では（１１１）面に対してＰ（リン）が拡散し易く、同じ熱拡散条件（例えば、８５０℃、１時間）では（１００）面の方が（１１１）面に対してドーパントの拡散長が長くなり、ドーパント濃度も高くなる。
【００２８】
本実施の形態では、シリコン基板１０の凹凸構造において谷部の曲率半径Ｒ１が山部の曲率半径Ｒ２より大きくなるようにテクスチャが形成されている。テクスチャの斜面は（１１１）面であり、大きな曲率半径Ｒ１を有する凹凸構造の谷部においては、他の領域に比べて（１００）面に近い面方位の領域が広がっている。したがって、テクスチャの谷部では他の領域に比べてドーピング時の熱拡散によってドーパントが深さ方向に拡散し易い。すなわち、第２主面側高ドープ領域１０ｂは、谷部において厚くなり、ドーパント濃度も高くなる。
【００２９】
例えば、谷部以外の領域において第２主面側高ドープ領域１０ｂの層厚が５０ｎｍ程度である場合に、谷部領域では第２主面側高ドープ領域１０ｂの層厚を１００ｎｍ程度とすることができる
【００３０】
ただし、第２主面側高ドープ領域１０ｂの層厚の関係はこれに限定されるものではなく、第２主面側高ドープ領域１０ｂの層厚が、テクスチャの谷部に近い領域において他の領域よりも大きくなっていればよい。第２主面側高ドープ領域１０ｂの層厚は、ドーピング方法やドーピング条件等によって適宜調整することができる。
【００３１】
上記のように、テクスチャ形成後の処理によって谷部の曲率半径が大きくなるように形成し、谷部における第２主面側高ドープ領域１０ｂ中のドーパントの量を増加させることによって、テクスチャの山部に生成したキャリアを効率よく分離し、キャリアの再結合を抑制することができる。
【００３２】
また、低ドープ領域１０ａのＰ（リン）のドープ濃度の平均は１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−３程度であるのが好ましく、最も好ましくは１×１０１４〜１×１０１５ｃｍ−３である。これに対して、第２主面側高ドープ領域１０ｂのＰ（リン）の濃度平均は１×１０１８ｃｍ−３程度とすることが好適である。第２主面側高ドープ領域１０ｂを形成するのに熱拡散法又はプラズマドープ法を用いた場合は、シリコン基板１０の低ドープ領域１０ａから離れるにしたがって濃度が徐々に高くなる濃度勾配が形成される。このとき、谷部領域では第２主面側高ドープ領域１０ｂのドーパント濃度の平均値は谷部以外の領域に対して高くなる。
【００３３】
なお、低ドープ領域１０ａのドープ濃度を１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−３とし、第２主面側高ドープ領域１０ｂのドープ濃度を１×１０１８ｃｍ−３以上としたが、各領域のドープ濃度はこれに限定されるものではない。すなわち、第２主面側高ドープ領域１０ｂのドープ濃度が低ドープ領域１０ａのドープ濃度よりも大きければよい。具体的には、第２主面側高ドープ領域１０ｂのドープ濃度は、低ドープ領域１０ａの１００倍〜１０００倍程度であるのが好ましい。
【００３４】
本実施の形態の太陽電池１００では、従来の太陽電池に比べて発電効率を高めることができる。これは以下の作用によるものと推察される。
【００３５】
図３に示すように、シリコン基板１０に入射した光が屈折して凹凸構造の山部（図中ハッチングで示したテクスチャの先端部）に集中する。したがって、テクスチャの山部において生成されるキャリアの密度は、他の領域に比べて高くなる。本実施の形態の太陽電池１００は、シリコン基板１０と第２ｉ型非晶質シリコン層１６との間に設けられた第２主面側高ドープ領域１０ｂがテクスチャの谷部において他の領域に比べて厚く形成され、ドーパント濃度も高くなっている。ドーパント濃度が高い領域は導電性が高くなるため、光の入射によって生成されたキャリアが谷部に向かって流れやすくなり、キャリア分散が促進される。したがって、生成したキャリアが集中するテクスチャの山部におけるキャリアの再結合確率を低くすることができ、キャリアのライフタイムが向上し、太陽電池の発電効率が高めることができる。
【００３６】
なお、本実施の形態では、第２主面側高ドープ領域１０ｂを、低ドープ領域１０ａのｎ型非晶質シリコン層１８側の全面に設けた例について説明した。しかしながら、第２主面側高ドープ領域１０ｂを、低ドープ領域のｎ型非晶質シリコン層１８側の一部表面に設けてもよい。例えば、第２主面側高ドープ領域１０ｂを厚さ方向に略直交する方向の両端部のみに設けてもよく、又は該略直交する方向の中央部のみに設けてもよい。
【００３７】
また、第２主面側、すなわちｎ型非晶質シリコン層１８側を受光面として説明したが、第１主面側、すなわちｐ型非晶質シリコン層１４側を受光面としてもよい。この場合、シリコン基板１０の第１主面側にテクスチャを形成し、第１主面側にｎ型ドーパントをドープした高ドープ領域１０ｂを設ければよい。このとき、シリコン基板１０の凹凸構造において谷部の曲率半径Ｒ１が山部の曲率半径Ｒ２より大きくなるようにテクスチャを形成することによって、山部における高ドープ領域１０ｂの層厚よりも谷部における高ドープ領域１０ｂの層厚を大きくすることができる。
【００３８】
さらに、第１主面側及び第２主面側の両方にテクスチャを形成し、シリコン基板１０の第１主面側及び第２主面側の両面にｎ型ドーパントをドープした高ドープ領域１０ｂを設けてもよい。
【００３９】
なお、上記実施の形態では、第１及び第２ｉ型非晶質シリコン層１２，１６は、ｉ型水素化非晶質シリコン層（ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましく、ｐ型非晶質シリコン層１４は、ｐ型水素化非晶質シリコン層（ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましく、ｎ型非晶質シリコン層１８は、ｎ型水素化非晶質シリコン層（ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）であることが好ましいと説明した。しかし、これらの層（１２、１６、１４、１８）は、シリコン基板１０の表面における再結合を抑制し、かつ光照射によりシリコン基板１０内に生じた導電キャリアを分離することができる限り、材料は限定されない。
【００４０】
たとえば、シリコン基板１０の表面に形成される層が単一層である場合、ｉ型ａ-Ｓｉ：Ｈに替えて、ｐ型若しくはｎ型のａ-Ｓｉ：Ｈ、又はｉ型若しくはｐ型若しくはｎ型のａ-ＳｉＣ：Ｈを用いてよい。上記実施形態のように複数の層を積層させる場合には、シリコン基板１０に近い側に、ｉ型ａ-Ｓｉ：Ｈやｉ型ａ-ＳｉＣ：Ｈを設けるか、又はｐ型若しくはｎ型のａ-Ｓｉ：Ｈもしくはａ-ＳｉＣ：Ｈからなる低濃度層を設ける。ｉ型層又は低濃度層上に、高濃度のｐ型若しくはｎ型のａ-Ｓｉ：Ｈ、又はｐ型μｃ-Ｓｉ：Ｈ等を積層させてよい。なお、ここでは水素化された材料を例示したが、上記材料は水素化されていなくてもよい。
【００４１】
また、太陽電池１００を構成する各層の層厚を、仕様によって適宜変動できるのは言うまでもない。例えば、シリコン基板１０の厚さは、５０μｍ〜３００μｍとできる。また、シリコン基板１０の第１及び第２主面側にある再結合抑制層の夫々の厚さは、１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは２ｎｍ〜１５ｎｍとできる。
【００４２】
また、本実施の形態では、シリコン基板１０の第１及び第２主面側にある再結合抑制層上に保護層を形成しない例について説明した。しかしながら、シリコン基板１０の第１及び第２主面側にある再結合抑制層の少なくとも一方上に保護層を形成してもよい。保護層は、例えば再結合抑制層の損傷を抑制し光の反射を抑制する機能を有する。保護層は、光透過性が高い材料から構成されることが好ましく、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、又は酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等から構成されることが好適である。
【００４３】
以上のように、本発明の１つの態様は、表面にテクスチャが設けられた第１導電型の結晶性のシリコン基板（シリコン基板１０）と、シリコン基板の表面側に位置する非晶質シリコン層（第１ｉ型非晶質シリコン層１２又は第２ｉ型非晶質シリコン層１６）と、を備え、テクスチャは、谷部の曲率半径Ｒ１が山部の曲率半径Ｒ２よりも大きく、シリコン基板（シリコン基板１０）は、表面層に第１導電型のドーパントがドープされた第１導電型ドープ領域（第１主面側高ドープ領域１０ｂ）を有する太陽電池である。
【００４４】
ここで、第１導電型ドープ領域（第１主面側高ドープ領域１０ｂ）は、テクスチャの谷部における層厚が山部における層厚より厚いことが好適である。
【００４５】
また、本発明の別の態様は、第１導電型の結晶性のシリコン基板（シリコン基板１０）の表面にテクスチャを形成する第１工程と、シリコン基板（シリコン基板１０）のテクスチャが形成された表面に第１導電型のドーパントを拡散させる第２工程と、シリコン基板（シリコン基板１０）のテクスチャが形成された表面側に非晶質シリコン層（第１ｉ型非晶質シリコン層１２又は第２ｉ型非晶質シリコン層１６）を形成する第３工程と、を備え、第１工程では、テクスチャの谷部の曲率半径Ｒ１を山部の曲率半径Ｒ２より大きく形成する、太陽電池の製造方法である。
【００４６】
また、第１導電型はｎ型であり、ドーパントはリンであることが好適である。
【００４７】
なお、本発明の適用範囲は、上記実施の形態に限定されるものではない。すなわち、基板表面にテクスチャの凹凸構造が形成されており、基板の表面に高ドープ層が設けられた構造を有する太陽電池であれば適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  シリコン基板、１０ａ  低ドープ領域、１０ｂ  第２主面側高ドープ領域（高ドープ層）、１２  第１ｉ型非晶質シリコン層、１４  ｐ型非晶質シリコン層、１６  第２ｉ型非晶質シリコン層、１８  ｎ型非晶質シリコン層、２０  透明導電層、２２  裏側集電極、２４  透明導電層、２６  表側集電極、５０  シリコン基板、５０ａ  高ドープ層、５２  ｉ型非晶質シリコン層、１００  太陽電池。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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