(57)【要約】【課題】導体層であるＡｕメタライズ上にＮｉ又はＮｉ系合金により好適に被膜を形成できるセラミックス配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】セラミックス基板３上に配線５を形成したセラミックス配線基板１の製造方法において、配線５を形成する工程として、導体層形成工程と第１表面層形成工程と第２表面層形成工程とを有する。導体層形成工程では、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗのうちの少なくとも１種、又はその化合物を含み、Ａｕを主成分とする導体層１１を、セラミックス基板３上に形成する。第１表面層形成工程では、導体層１１の表面を覆うように、電解メッキによって、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１表面層１３を形成する。第２表面層形成工程では、第１表面層１３の表面を覆うように、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第２表面層１５を形成する。【選択図】図１
2018037447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板上に配線を形成したセラミックス配線基板の製造方法において、
前記配線を形成する工程として、
Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗのうちの少なくとも１種、又はその化合物を含み、Ａｕを主成分とする導体層を、前記セラミックス基板上に形成する導体層形成工程と、
前記導体層の表面を覆うように、電解メッキによって、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１表面層を形成する第１表面層形成工程と、
前記第１表面層の表面を覆うように、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第２表面層を形成する第２表面層形成工程と、
を有することを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２表面層形成工程では、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着、溶射のいずれか１種の方法により、前記第２表面層を形成することを特徴とする請求項１に記載のセラミックス配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体層形成工程と前記第１表面層形成工程との間に、
前記導体層を形成した前記セラミックス基板の第１主面側の表面と該第１主面と反対側の第２主面側の表面とを覆うように、導電性を有する下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、
前記第１主面及び前記第２主面の前記下地金属層の表面を覆うように、メッキレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記第１主面側の前記メッキレジストを除去するレジスト除去工程と、
前記第１主面側の前記下地金属層をエッチングにより除去するエッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックス配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波帯域の信号伝達を効率良く行うことができるセラミックス配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波帯域の信号伝達を効率よく行うことができるセラミックス配線基板の導体には、低抵抗である、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕが、目的に応じて用いられる。
ここで、Ａｇは、湿度の高い状態で電界が加わった場合には、マイグレーションが発生して電気的不具合（ショート等）が発生するおそれがあり、高信頼性を考えた場合、Ａｇの使用には、検討の余地がある。
【０００３】
また、Ｃｕについては、応用性の観点から、例えば焼成雰囲気において、大気雰囲気中で焼成することができる抵抗体を設ける場合、酸化による特性損失が生じるため、その使用には検討の余地がある。
【０００４】
従って、高信頼性及び応用性（例えば大気雰囲気焼成）の要求に対しては、Ａｕ導体の使用が適切であると考えられる。なお、このＡｕ導体は、例えばＡｕからなる又はＡｕを主成分とするＡｕメタライズによって形成される。
【０００５】
また、セラミックス配線基板の組み付け工程の一例として、半田実装方法があるが、Ａｕメタライズを使用したセラミックス配線基板に従来の半田実装方法を用いると、半田によりＡｕメタライズが合金化されて吸収される現象（いわゆるＡｕメタライズの半田食われ）が発生し、Ａｕ導体のパターンが消失することがある。
【０００６】
この対策として、図６に示すように、セラミックス基板（Ｐ１）上のＡｕメタライズ（Ｐ２）の表面に、Ｎｉ又はＮｉ系合金からなる第１被膜（Ｐ３）を設けるとともに、第１被膜（Ｐ３）の表面に、Ａｕ又はＡｕ系合金からなる第２被膜（Ｐ４）を設ける技術が知られている。
【０００７】
なお、前記Ａｕメタライズ中には、用途により、Ｂｉ等の成分が含まれる事例がある。
また、下記特許文献１には、上述した技術に関連した内容として、Ａｕメタライズ上に、無電解メッキによって、Ｎｉ系合金被膜を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−３０６８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来技術により、Ａｕメタライズ上に、無電解メッキによって、Ｎｉ系合金の被膜を形成する場合には、Ｂｉ等の成分がＮｉメッキの際の触媒毒として機能するので、Ａｕメタライズ上にＮｉ系合金の被膜を形成することは容易ではない。
【００１０】
また、これとは別のセラミックス配線基板の製造方法として、スパッタリング法によって形成した金属層の表面にメッキを施す方法がある。しかし、スパッタリングにより形成される金属層として一般的に使用されるＴｉは磁性体であり、高周波帯域での渦電流損失が大きいといった問題が考えられるため、必ずしも好ましくはない。
【００１１】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、Ａｕメタライズである導体層の表面に、Ｎｉ又はＮｉ系合金により好適に被膜を形成できるセラミックス配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本発明の第１局面は、セラミックス基板上に配線を形成したセラミックス配線基板の製造方法において、前記配線を形成する工程として、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗのうちの少なくとも１種、又はその化合物を含み、Ａｕを主成分とする導体層を、前記セラミックス基板上に形成する導体層形成工程と、前記導体層の表面を覆うように、電解メッキによって、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１表面層を形成する第１表面層形成工程と、前記第１表面層の表面を覆うように、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第２表面層を形成する第２表面層形成工程と、を有する。
【００１３】
本第１局面では、導体層形成工程にて、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗのうちの少なくとも１種、又はその化合物を含み、Ａｕを主成分とする導体層（即ち、Ａｕメタライズ）を、セラミックス基板上に形成する。
【００１４】
また、第１表面層形成工程にて、導体層の表面を覆うように、電解メッキによって、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１表面層（例えば被膜）を形成する。
さらに、第２表面層形成工程にて、第１表面層の表面を覆うように、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第２表面層を形成する。
【００１５】
つまり、従来のように、無電解メッキによって第１表面層を形成する場合には、導体層に含まれるＢｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗやその化合物が無電解Ｎｉメッキの触媒毒等となるので、第１表面層を形成することが容易ではない。それに対して、本第１局面では、電解メッキによって第１表面層を形成するので、導体層にＢｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗやその化合物が含まれている場合でも、好適に第１表面層を形成することができる。
【００１６】
また、導体層中に、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗやその化合物を添加しても、第１表面層の形成に悪影響を及ぼしにくいので、それらの物質を添加することによる各種の効果を発揮することができる。例えばＢｉを添加することにより、導体層とセラミックス基板との接合性を向上させることができる。
【００１７】
さらに、本第１局面では、スパッタリング法によってＴｉからなる金属層を形成するのではなく、Ａｕを主成分とする導体層に電解メッキによって第１表面層を形成するので、Ｔｉを用いた場合の問題（即ち、高周波帯域での渦電流損失が大きいといった問題）が生じにくいという利点がある。
【００１８】
なお、Ａｕを主成分とする場合には、Ａｕ単体の場合も含まれる。
（２）本発明の第２局面は、前記第２表面層形成工程では、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着、溶射のいずれか１種の方法により、前記第２表面層を形成する。
【００１９】
本第２局面は、第２表面層の好適な形成方法を例示している。
（３）本発明の第３局面は、前記導体層形成工程と前記第１表面層形成工程との間に、前記導体層を形成した前記セラミックス基板の第１主面側の表面と該第１主面と反対側の第２主面側の表面とを覆うように、導電性を有する下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、前記第１主面及び前記第２主面の前記下地金属層の表面を覆うように、メッキレジストを形成するレジスト形成工程と、前記第１主面側の前記メッキレジストを除去するレジスト除去工程と、前記第１主面側の前記下地金属層をエッチングにより除去するエッチング工程と、を有する。
【００２０】
本第３局面は、導体層形成工程と第１表面層形成工程との間に実施される好適な処理を例示している。
これにより、導体層を形成した後に、好適に第１表面層を形成できる。
【００２１】
なお、本発明においては、以下のような構成を採用できる。
セラミックス基板は、セラミックスを主成分とする基板であり、導体層は、Ａｕを主成分とする導電層である。なお、ここで主成分とは、その成分が質量％で最も多く含有されることを示している。
【００２２】
配線、導体層、第１表面層、第２表面層は、導電性を有している。
導体層の表面を第１表面層で覆う場合には、その表面が露出しないように、表面全体が第１表面層により覆われる。また、第１表面層の表面を第２表面層で覆う場合には、その表面が露出しないように、表面全体が第２表面層により覆われる。
【００２３】
セラミックス基板を構成する材料としては、例えば、アルミナ等の各種のセラミックスや、各種のガラスセラミックスを採用できる。
Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｗの化合物としては、例えば、各種の酸化物（例えば、酸化ビスマス、酸化亜鉛等）を採用できる。
【００２４】
第１表面層のＮｉ合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ、等を採用できる。前記第２表面層のＡｕ合金としては、例えば、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ−Ａｇ等を採用できる。
【００２５】
メッキレジストは、メッキによって被膜が形成されることを防ぐマスキングの構成（いわゆるレジストマスク）である。このメッキレジストとしては、例えば、感光性樹脂等を採用できる。
【００２６】
下地金属層としては、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｏ−Ｍｎ等を採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態のセラミックス配線基板を厚み方向に破断した断面を模式的に示す断面図である。
【図２】実施形態のセラミックス配線基板の製造方法の一部を、セラミックス配線基板を厚み方向に破断して模式的に示す説明図である。
【図３】実施形態のセラミックス配線基板の製造方法の一部を、セラミックス配線基板を厚み方向に破断して模式的に示す説明図である。
【図４】実施形態のセラミックス配線基板の製造方法においてレジストマスクの形成方法を模式的に示す説明図である。
【図５】実施形態のセラミックス配線基板の製造方法において電解メッキを示す説明図である。
【図６】従来技術の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
［１．実施形態］
［１−１．構成］
まず、本実施形態におけるセラミックス配線基板の構成について説明する。
【００２９】
図１に示すように、セラミックス配線基板１は、ガラスセラミックスからなる基板本体であるセラミックス基板３と例えば電極パッド等の配線５とを備えている。なお、ガラスセラミックスの組成は、例えばガラス成分とセラミック成分との質量比が１：１である。また、セラミックス基板３としては、例えばアルミナが９６質量％のアルミナ焼結体を採用してもよい。
【００３０】
セラミックス基板３は、板状に形成されており、表面である第１主面７と裏面である第２主面９とを有している。ここで、セラミックス基板３の第１主面７とは、セラミックス基板３の厚み方向の一方側の面（図１では上方の面）のことであり、第２主面９とは、セラミックス基板３の厚み方向の他方側の面のことである。
【００３１】
セラミックス基板３の厚みは、例えば１ｍｍである。セラミックス基板３の第１主面７には、配線５が設けられている。
なお、セラミックス基板３の内部には、図示しないが、導電性を有するビアや内部配線層が設けられており、配線５は、ビアや内部配線層と電気的に接続されている。なお、後述する電解メッキを行うために、Ａｕメタライズ層１１は、図示しないが、ビアや内部配線層を介して、第２主面９上の導電性を有する導体層と電気的に接続されている。
【００３２】
配線５は、導体層であるＡｕメタライズ層１１、第１表面層であるＮｉ−Ｃｏメッキ層１３、第２表面層であるＡｕメッキ層１５を有する。以下、各層１１〜１５について説明する。
【００３３】
Ａｕメタライズ層１１は、セラミックス基板３の第１主面７に設けられている。このＡｕメタライズ層１１は、金（Ａｕ）を主成分とするメタライズ層であり、Ａｕ以外に例えばビスマス（Ｂｉ）を含んでいる。詳しくは、Ａｕメタライズ層１１は、質量比でＡｕ：Ｂｉ＝８５：１の合金層である。なお、Ｂｉはセラミックス基板３との接合性を向上させるために、添加されている。
【００３４】
Ａｕメタライズ層１１は、セラミックス基板３と共に同時焼成により形成されている。Ａｕメタライズ層１１の厚みは、例えば５〜２０μｍである。
なお、ここでは、Ａｕメタライズ層１１にＢｉを含む例を挙げるが、Ｂｉではなく、例えばＢｉの化合物、或いは、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）のうちの少なくとも１種、又はその化合物を含んでいてもよい。
【００３５】
Ａｕメタライズ層１１の表面には、後述する電解メッキによって、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３が設けられている。Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３は、Ａｕメタライズ層１１の全表面を覆うように設けられており、その厚みは、例えば０．５〜６μｍである。なお、ＮｉとＣｏの質量比として、Ｃｏ含有量が例えば４０質量％未満（但しＣｏを含む）を採用できる。
【００３６】
また、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３に代えて、Ｎｉ又は他のＮｉ合金からなるメッキ層を採用できる。なお、Ｎｉ合金としては、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ等の合金を採用できる。
【００３７】
Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３の表面には、後述する電解メッキによって、Ａｕメッキ層１５が設けられている。Ａｕメッキ層１５は、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３の全表面を覆うように設けられており、その厚みは、例えば０．０５〜５．０μｍである。
【００３８】
また、Ａｕメッキ層１５に代えて、Ａｕ合金からなるメッキ層を採用できる。なお、Ａｕ合金としては、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ−Ａｇ等の合金を採用できる。また、Ａｕメッキ層１５を形成する方法としては、電解メッキ以外に、例えば無電解メッキ等のような周知の方法を採用できる。
【００３９】
なお、上述したセラミックス配線基板１には、半田実装方法やワイヤボンディング法等により、半導体チップ等の電子部品や、金具や、別の基板等（図示略）が実装される。
［１−２．製造方法］
次に、セラミックス配線基板１の製造方法について説明する。
【００４０】
＜導体層形成工程＞
まず、図２（ａ）に示すように、セラミックス基板３及びＡｕメタライズ層１１を同時焼成により形成する。
【００４１】
具体的には、ガラスとアルミナの混合物を材料とするセラミックグリーンシートを、周知の方法（例えばドクターブレード法）によって作製する。
なお、セラミックグリーンシートの表面には、Ａｕを材料とする金属ペーストを、スクリーン印刷等の方法で塗布する。また、このセラミックグリーンシートには、前記Ａｕを材料とする金属のビア導体（図示せず）も形成する。
【００４２】
そして、これら複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を作製する。
そして、前記積層体（即ち複数のセラミックグリーンシート）と金属ペーストとビア導体とを、焼成温度９００〜１４００℃で同時焼成する。
【００４３】
これにより、セラミックス基板３及びＡｕメタライズ層１１を形成する。つまり、セラミックス基板３の第１主面７上に、導体層であるＡｕメタライズ層１１を形成する。
なお、Ａｕメタライズ層１１と第２主面９上の導体層とは、ビア（即ち、各セラミックグリーンシートに形成されたビア導体が焼成されたビア）等を介して電気的に接続されている。
【００４４】
＜下地金属層形成工程＞
次に、図２（ｂ）に示すように、Ａｕメタライズ層１１を形成したセラミックス基板３の第１主面７側の表面全体と第２主面９側の表面全体とを覆うように、それぞれ導電性を有する下地金属層２１、２３を形成する。
【００４５】
具体的には、まず、スパッタリングによって、第１主面７側と第２主面９側との両側に、それぞれＴｉからなるＴｉ層２１ａ、２３ａを全面にわたり形成する。Ｔｉ層２１ａ、２３ａの厚みは、それぞれ例えば０．２μｍである。
【００４６】
次に、各Ｔｉ層２１ａ、２３ａの表面に、スパッタリングによって、それぞれＣｕからなるＣｕ層２１ｂ、２３ｂを全面にわたり形成する。Ｃｕ層２１ｂ、２３ｂの厚みは、それぞれ例えば０．５μｍである。
【００４７】
なお、この下地金属層２１、２３は、Ａｕメタライズ層１１と電源との間で導通を確保し、電解メッキを行うために形成されるものである。
＜レジスト形成工程＞
次に、図４に示すように、下地金属層２１、２３等が形成されたセラミックス基板３の第１主面７側と第２主面９側とに対して、それぞれ感光性レジスト液３３を全面にわたり塗布する。
【００４８】
具体的には、液供給装置３１から感光性レジスト液３３をロールコーター３９に垂らし、ロールコーター３９を矢印Ａ方向に回転させて、ロールコーター３９の表面に感光性レジスト液３３を付着させる。
【００４９】
また、金属からなる板３７の所定位置に前記セラミックス基板３を配置し、その板３７をベルトコンベアー３５に乗せ、ロールコーター３９を板３７に接触する状態として、ベルトコンベアー３５を駆動して板３７を進行方向に移動させる。
【００５０】
この過程を経て、ロールコーター３９によって、セラミックス基板３上に感光性レジスト液３３を塗布する。なお、この塗布の工程は、第１主面７側と第２主面９側とに対して同様に実施する。
【００５１】
その後、図２（ｃ）に示すように、感光性レジスト液３３を乾燥させて、下地金属層２１、２３（詳しくはＣｕ層２１ｂ、２３ｂ）を覆うように、それぞれメッキレジスト（レジストマスク）２５、２７を形成する。
【００５２】
＜レジスト除去工程＞
次に、図２（ｄ）に示すように、セラミックス基板３の第１主面７側の露光を行う。なお、露光はレジストマスク２５を除去したい箇所に行うが、ここでは、第１主面７側に全面に対して露光を行う。
【００５３】
そして、第１主面７側のレジストマスク２５を現像液に浸して、第１主面７上のレジストマスク２５を除去する。
＜エッチング工程＞
次に、図３（ａ）に示すように、第１主面７側の下地金属層２１をエッチングにより除去する。
【００５４】
つまり、周知のエッチング液（例えば無機酸や有機酸）を用いてエッチング処理を行って、下地金属層２１を除去する。
＜第１表面層形成工程＞
次に、図３（ｂ）に示すように、Ａｕメタライズ層１１の表面を覆うように、電解メッキによって、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３を形成する。
【００５５】
電解メッキは、図５に示す装置を用いて行う。
詳しくは、直流電源４１の陽極４３にＮｉ電極４５を接続するとともに、陰極４７に被メッキ物（ここでは、前記エッチング工程までによって得られたセラミックス基板３）ＨＭを接続する。なお、被メッキ物ＨＭについては、陰極４７とＡｕメタライズ層１１とが電気的に接続されるように、電気的な導通部分（例えばビア、内部配線層、下地金属層２３）が構成されている。
【００５６】
そして、Ｎｉ電極４５と被メッキ物ＨＭを、メッキ液４９中に入れ、直流電源４１により電圧を印加することによって、周知の電解メッキを行う。なお、メッキ液４９としては、ＮｉイオンとＣｏイオンを含むメッキ液、例えば、ＮｉとＣｏとの質量比として、Ｃｏ含有量が例えば４０質量％未満（但しＣｏを含む）のメッキ液を用いる。
【００５７】
なお、メッキ条件としては、例えば、印加電圧０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２、メッキ時間６０ｍｉｎ、メッキ液の温度４０〜５０℃等を採用できる。
＜第２表面層形成工程＞
次に、図３（ｃ）に示すように、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３の表面を覆うように、電解メッキによって、Ａｕメッキ層１５を形成する。
【００５８】
電解メッキは、前記図５と同様な装置を用いて行うので、図５を用いて説明する。
詳しくは、直流電源４１の陽極４３にＰｔ電極４６を接続するとともに、陰極４７に被メッキ物（ここでは、前記第１表面層形成工程までによって得られたセラミックス基板３）ＨＭを接続する。
【００５９】
そして、Ｐｔ電極４５と被メッキ物ＨＭを、メッキ液４９中に入れ、直流電源４１により電圧を印加することによって、周知の電解メッキを行う。なお、メッキ液４９としては、Ａｕイオンを含むメッキ液を用いる。
【００６０】
なお、メッキ条件としては、例えば、印加電圧０．１０〜０．５０Ａ／ｄｍ２、メッキ時間９０ｓｅｃ、メッキ液の温度６０〜７０℃等を採用できる。
これによって、セラミックス基板３の第１主面７上に、配線５が形成される。
【００６１】
＜後工程＞
次に、図３（ｄ）に示すように、配線５が形成されたセラミックス基板３を、アセトンに浸して、第２主面９側のレジストマスク２７を除去する。
【００６２】
その後、図３（ｅ）に示すように、例えば無機酸や有機酸のようなエッチング液を用いて、下地金属層２３を除去し、セラミックス配線基板１を完成する。
［１−３．効果］
次に、本実施形態のセラミックス配線基板１の製造方法による効果を説明する。
【００６３】
本実施形態のセラミックス配線基板１の製造方法によれば、導体層形成工程にて、Ｂｉを含み、Ａｕを主成分とする導体層であるＡｕメタライズ層１１を、セラミックス基板３上に形成する。
【００６４】
また、第１表面層形成工程にて、電解メッキによって、Ａｕメタライズ層１１の表面全体を覆うように、第１表面層であるＮｉ−Ｃｏメッキ層１３を形成する。
さらに、第２表面層形成工程にて、電解メッキによって、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３の表面全体を覆うように、第２表面層であるＡｕメッキ層１５を形成する。
【００６５】
つまり、本実施形態では、電解メッキによって、Ａｕメタライズ層１１上にＮｉ−Ｃｏメッキ層１３を形成するので、Ａｕメタライズ層１１中に触媒毒（即ち無電解Ｎｉメッキの際の触媒毒）であるＢｉが含まれていても、好適にＮｉ−Ｃｏメッキ層１３を形成することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、Ａｕメタライズ層１１の材料中に、Ｂｉやその化合物（例えば触媒毒となる成分等）を添加しても、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層１３の形成に悪影響を及ぼしにくいので、それらの物質を添加することによる効果を発揮することができる。例えば、Ｂｉやその化合物を添加することにより、Ａｕメタライズ層１１とセラミックス基板３との接合性を向上させることができる。
【００６７】
さらに、本実施形態では、Ａｕメタライズ層１１上に電解メッキによってＮｉ−Ｃｏメッキ層１３を形成するので、従来のスパッタリングの際にＴｉを用いた場合の問題（即ち、高周波帯域での渦電流損失が大きいといった問題）が生じにくいという利点がある。
【００６８】
［２．他の実施形態］
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００６９】
（１）例えば、第１表面層形成工程では、電解メッキによって、Ｎｉ−Ｃｏメッキ層のような合金からなる第１表面層を形成したが、それ以外に、Ｎｉ単体を電解メッキすることによって、第１表面層を形成してもよい。
【００７０】
（２）また、第１表面層をＮｉ合金によって形成する場合には、Ｎｉ合金として、例えばＮｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ等を採用できる。
（３）第２表面層形成工程では、電解メッキ以外に、例えば、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着、溶射のいずれか１種の方法により、Ａｕメッキ層等の第２表面層を形成してもよい。
【００７１】
（４）また、第２表面層を形成する場合には、Ａｕ単体ではなく、Ａｕ合金により第２表面層を形成してもよい。
この第２表面層のＡｕ合金としては、例えば、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｃｄ−Ａｇ等を採用できる。また、各Ａｕ合金の組成（質量比）としては、それぞれ、Ａｕ以外の成分含有量が１０質量％以下の範囲を採用できる。
【００７２】
（５）前記実施形態の後工程において、第１主面側の配線を保護するために、第１主面側にレジストマスクを形成し、その後、第２主面側の下地金属層を除去してもよい。その場合には、第２主面側の下地金属層を除去した後に、第１主面側のレジストマスクを備えたセラミックス基板をアセトンに浸けて、そのレジストマスクを除去する。
【００７３】
（６）なお、上述した各実施形態の構成要素を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１…セラミックス配線基板
３…セラミックス基板
５…配線
７…第１主面
９…第２主面
１１…Ａｕメタライズ層（導体層）
１３…Ｎｉ−Ｃｏメッキ層（第１表面層）
１５…Ａｕメッキ層（第２表面層）
２１、２３…下地金属層
２５、２７…メッキレジスト（レジストマスク）
【図１】
2018037447.tif 000003
【図２】
2018037447.tif 000004
【図３】
2018037447.tif 000005
【図４】
2018037447.tif 000006
【図５】
2018037447.tif 000007
【図６】
2018037447.tif 000008