(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント基板の熱変形によるシリコーンゲルへの応力を緩和できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】設置面を有する金属基板１と、設置面上に設けられた第１導体１１と、第１導体１１上に設けられた絶縁基板２と、絶縁基板２上に設けられた第２導体１２と、絶縁基板２上に設けられた電極取り出し領域４と、第２導体１２上に設けられた半導体素子３と、電極取り出し領域４と電気的に接続し、電気取り出し領域４と電気的に接続される面は設置面に対して垂直となるように配置されるプリント基板６と、金属基板１と接合し、金属基板１、第１導体１１、絶縁基板２、第２導体１２、電極取り出し領域４、半導体素子３、及びプリント基板６の一部を囲む樹脂ケース７と、金属基板１と樹脂ケース７とに囲まれた領域に設けられたシリコーンゲル８と、を有する半導体モジュール。【選択図】図２
2018170362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置面を有する金属基板と、
前記設置面上に設けられた第１導電板と、
前記第１導電板上に設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた第２導電板と、
前記絶縁基板上に設けられた電極取り出し領域と、
前記第２導電板上に設けられた半導体素子と、
前記電極取り出し領域と電気的に接続し、前記電気取り出し領域と電気的に接続される
面は前記設置面に対して垂直となるように配置されるプリント基板と、
前記金属基板と接合し、前記金属基板、前記第１導電板、絶縁基板、第２導電板、前記
電極取り出し領域、前記半導体素子、及び前記プリント基板の一部を囲む樹脂ケースと、
前記金属基板と前記樹脂ケースとに囲まれた領域に設けられたシリコーンゲルと、
を有する半導体モジュール。
【請求項２】
前記プリント基板は、
前記樹脂ケースと前記シリコーンゲルとの界面方向において、前記半導体素子及び前記
ボンディングワイヤーと同一直線上に位置しない請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記プリント基板は、信号端子及びゲート抵抗を含み、
リジット型基板とフレキシブル基板が一体化されている請求項１または２に記載の半導体
モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールの内部構造は、内部に配置される半導体素子と、プリント基板が平面
で並行になるように配置され、シリコーンゲルで封止されている。半導体素子のオンオフ
に伴う温度サイクルにより、プリント基板が熱変形し、シリコーンゲル界面が剥離し絶縁
不良を引き起こすことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１７９２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、プリント基板の熱変形によるシリコーンゲルへの応
力を緩和できる半導体モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体モジュールは、設置面を有する金属基板と、前記設置面上に設け
られた第１導電板と、前記第１導電板上に設けられた絶縁基板と、前記絶縁基板上に設け
られた第２導電板と、前記絶縁基板上に設けられた電極取り出し領域と、前記第２導電板
上に設けられた半導体素子と、前記電極取り出し領域と電気的に接続し、前記電気取り出
し領域と電気的に接続される面は前記設置面に対して垂直となるように配置されるプリン
ト基板と、前記金属基板と接合し、前記金属基板、前記第１導電板、絶縁基板、第２導電
板、前記電極取り出し領域、前記半導体素子、及び前記プリント基板の一部を囲む樹脂ケ
ースと、前記金属基板と前記樹脂ケースとに囲まれた領域に設けられたシリコーンゲルと
、を有する半導体モジュール。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１実施形態に係る半導体モジュール１００を表す模式的上面図である。
【図２】図２は、図１に示す第１実施形態に係る半導体モジュール１００のＡ−Ａ‘における模式的断面図である。
【図３】図３は、プリント基板６の平面図及び断面図である。
【図４】図４は、比較例に係る半導体モジュール２００を表す模式的上面図である。
【図５】図５は、比較例に係る半導体モジュール２００のＢ−Ｂ‘における模式的断面図である。
【図６】図６は、比較例に係る半導体モジュール２００の半導体素子とシリコーンゲル界面での引っ張り応力の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材に
は同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００８】
なお、図面での部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実
のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸
法や比率が異なって表される場合もある。
【０００９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について、図１から図３を用いて説明する。図１は、第１実施形
態に係る半導体モジュールを表す模式的上面図である。図２は、図１に示す第１実施形態
に係る半導体モジュールのＡ−Ａ‘における模式的断面図である。図３は、プリント基板
６の平面図及び断面図である。
【００１０】
まず、第１実施形態に係る半導体モジュール１００の構成を説明する。図１、図２に示
すように、半導体モジュール１００は、金属基板１、絶縁基板２、半導体素子３、電極取
り出し領域４、主端子５、プリント基板６、樹脂ケース７、シリコーンゲル８、ボンディ
ングワイヤー９、補助端子１０、第１導体１１、第２導体１２を備える。
【００１１】
金属基板１上に、第１導体１１が半田によって設けられている。第１導体１１の上に、
絶縁基板２が半田によって接続され、さらにその絶縁基板２上に第２導体１２、電極取り
出し領域４、主端子５がそれぞれ半田によって設けられている。第２導体上には、半導体
素子３が設けられている。ボンディングワイヤー９によって、半導体素子３の表面電極と
電極取り出し領域４が接続されている。また、ボンディングワイヤー９によって、半導体
素子３の表面電極と主端子５とがそれぞれ接続されている。
【００１２】
金属基板１は樹脂ケース７と接合されており、金属基板１と樹脂ケース７で取り囲まれ
た内部はシリコーンゲル８で充填されている。
【００１３】
電極取り出し領域４の上には、補助端子１０が設けられている。プリント基板６は、補
助端子１０に接続され、固定されている。
【００１４】
プリント基板６には、複数素子の接続を目的とした配線パターンや、信号端子１１、ゲ
ート抵抗１２、駆動回路１３、自己保護機能回路１４等が実装される。プリント基板６は
、金属基板１と絶縁基板２の界面方向に対して垂直に配置されており、且つ、半導体素子
３と平面方向で重ならないように配置されている。
【００１５】
図３に示すように、プリント基板６は、リジット型基板２０とフレキシブル基板２１と
が接合した形状を有している。プリント基板６を、金属基板１と絶縁基板２の界面方向に
対して垂直に配置する際に、縁部２２において湾曲する。この縁部２２にフレキシブル基
板２１が用いられ、その他のプリント基板６にはリジット型基板２０が用いられる。縁部
２２に関係なく、プリント基板６を全てリジット型基板２０にて構成してもよい。
【００１６】
各構成要素の材料の一例を説明する。
【００１７】
金属基板１は、主成分として銅を含有する。なお、主成分としてアルミニウムを含有し
てもよい。また、主成分として金属およびセラミック（例えば、アルミ炭化ケイ素複合材
）を含有してもよい。
【００１８】
絶縁基板２は、例えば、セラミックが積層されたものである。
【００１９】
第１導体１１及び第２導体１２は、例えば銅を使用したものである。
【００２０】
ボンディングワイヤー９は、例えばアルミニウムや金を使用したものである。
【００２１】
リジット型基板２０は、例えば主にポリイミドからなる。フレキシブル基板２１は、例
えば主にガラスエポキシ樹脂からなる。
【００２２】
＜作用及び効果＞
ここで、第１の実施形態に係る半導体モジュール１００の作用および効果について、図
１から図６を用いて説明する。
【００２３】
半導体モジュール１００は、使用の際に熱を発生し、高温、低温の温度サイクルを繰り
返す。この温度サイクルにより、プリント基板６等は膨張、圧縮を繰り返し、その都度応
力が発生する。
【００２４】
第１の実施形態に係る半導体モジュール１００では、プリント基板６は、金属基板１と
絶縁基板２の界面方向に対し、垂直方向に配置され、且つボンディグワイヤー９の上を回
避するように配置されている。
【００２５】
半導体モジュール１００が使用された際に伴う温度サイクルによって、プリント基板６
が熱変形し、シリコーンゲル８が圧縮される。しかし、本実施形態に係る半導体モジュー
ル１００の場合、シリコーンゲル８は、全面をプリント基板６、補助端子１０、絶縁基板
２等で囲まれていないため、シリコーンゲル８の容量は減少せず、収縮時にかかる応力は
低減する。
【００２６】
応力の低減により、半導体素子３の表面電極に接続されるボンディングワイヤー９の接
合界面が剥がれにくくなる。また、絶縁基板２とシリコーンゲル８の界面、半導体素子３
とシリコーンゲル８界面の剥離が抑制され、半導体モジュール１００の絶縁破壊を抑制で
きる。
【００２７】
次に、比較例に係る半導体モジュール２００の作用について説明する。比較例を用いて
、本発明の第１の実施形態に係る半導体モジュール１００についての効果をさらに説明す
る。
【００２８】
図４、図５に示すように、比較例に係る半導体モジュール２００は、半導体素子３と、
複数の素子の接続を目的としたプリント基板６が内蔵されている。半導体モジュール１０
０とおおむね構成要素は変わらないが、半導体素子３とプリント基板６は平面で並行にな
るように配置され、ボンディングワイヤー９の上にプリント基板６が位置している点で異
なっている。
【００２９】
図６に半導体素子３とシリコーンゲル８の界面における、引っ張り応力のイメージ図を
示す。シリコーンゲルの移動方向及び応力は、図６に図示した矢印の向きに働く。
【００３０】
プリント基板６は、上述したように使用時の温度サイクルにより熱変形する事がある。
プリント基板６が熱膨張することで、プリント基板６の下に位置する内部のシリコーンゲ
ル８は、Ｆ１方向に押し出される。次に、冷却時には、プリント基板６は熱収縮する。熱
収縮した場合には、内部のシリコーンゲル８の量が減少しているため、ボンディングワイ
ヤー９に引っ張り応力Ｆ２が働く。
【００３１】
また、絶縁基板２には、プリント基板６の熱収縮によって、Ｆ３方向にせん断応力が発
生する。
【００３２】
以上のように、熱収縮に伴い引っ張り応力や、せん断応力が加わる。
【００３３】
熱膨張時には、金属基板１と絶縁基板２の界面に対して平行な界面への伸びが大きい。
一方で、プリント基板６とシリコーンゲル８が接触する起点の引っ張り応力は小さくなる
。したがって、プリント基板６とシリコーンゲル８の界面が剥離し絶縁不良を起こしやす
い。さらに、熱変形による引っ張り応力によって、ボンディングワイヤー９が持ち上げら
れる。結果、ボンディングワイヤー９は、半導体素子３の表面電極や電極取り出し領域４
との接合面において、接触不良を起こし、信頼性の低下を招くこととなる。
【００３４】
また、絶縁基板２の角部からは、せん断応力により、クラックが発生することがある。
この対策として、開口部を広げる手法があるが、開口部を広げるということは、半導体モ
ジュールの素子領域において、有効面積を減らすこととなる。また、開口部を広げる分、
半導体素子に抵抗が大きくのってしまう。
【００３５】
一方で、本発明の第１の実施形態に係る半導体モジュール１００は、プリント基板６が
金属基板１と絶縁基板２の界面方向に対し、垂直に配置され、且つ半導体素子３の上及び
ボンディグワイヤー９の上を回避するように配置される。プリント基板６を金属基板１と
絶縁基板２の界面方向に対し、垂直方向に配置することによって、プリント基板６の熱変
形によるシリコーンゲル８への応力が低減する。引っ張り応力の低下により、プリント基
板６とシリコーンゲル８の界面が剥離し絶縁不良を及ぼす可能性を軽減することができる
。
【００３６】
また、プリント基板６の位置は、ボンディングワイヤー９を回避するように配置するこ
とができるため、熱変形による引っ張り応力によって、ボンディングワイヤー９が持ち上
げられることがない。よって、ボンディングワイヤー９が半導体素子３の表面電極と、電
極取り出し領域４との各接合部において、接触不良を起こすことを防ぐことができる。
【００３７】
さらに、引っ張り応力が低減することによって、絶縁基板２の角部へのクラックを防ぐ
ことができる。開口部を広げ、有効面積を削ることなくクラック発生の可能性を軽減でき
る。
【００３８】
以上により、本発明の第１の実施形態に係る半導体モジュール１００は、プリント基板
６の熱変形によるシリコーンゲル８への応力が緩和され、半導体素子３の表面電極に接続
されるボンディングワイヤー９との接合界面の剥離、絶縁基板２とシリコーンゲル８、半
導体素子３とシリコーンゲル８との接合界面の剥離が抑制される。したがって、半導体モ
ジュール１００は、絶縁破壊を抑制することが可能となる。
【００３９】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、
発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な
形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き
換え、変更を行うことができる。実施形態に含まれる、各要素の具体的な構成に関しては
、当業者が公知の技術から適宜選択することが可能である。これらの実施形態は、発明の
範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含
まれる。
【符号の説明】
【００４０】
１  金属基板
２?絶縁基板
３  半導体素子
４  電極取り出し領域
５  主端子
６  プリント基板
７  樹脂ケース
８  シリコーンゲル
９  ボンディングワイヤー
１０  補助端子
１１  第１導体
１２  第２導体
１３  信号端子
１４  ゲート抵抗
１５  駆動回路
１６  自己保護機能回路
２０  フレキシブル基板
２１  リジット方基板
１００、２００  半導体モジュール
【図１】
2018170362.tif 000003
【図２】
2018170362.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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