(57)【要約】      （修正有）【課題】単結晶ＳｉＣインゴットから容易にウエーハを剥離することができると共に生産性の向上が図られるウエーハ生成方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共にオフ角が形成される方向と直交する方向に相対的に加工送りしながら照射することによって改質層６６と改質層からｃ面に沿って延びるクラックとからなる分離層を形成する分離層形成加工をオフ角が形成される方向にインデックス送りして複数回行い分離層を形成して剥離面を生成する工程と、剥離面を界面として剥離してウエーハを生成する工程とを含む。剥離面生成工程では加工送りは集光点がインゴットの一方の端部５０ａから他方の端部５０ｂに移動する往路移動と集光点が他方の端部から一方の端部に相対的に移動して既に形成された分離層を遡る復路移動とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有し、該ｃ面と該第一の面とでオフ角を形成する単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、
ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に加工送りしながら該単結晶ＳｉＣインゴットにパルスレーザー光線を照射することによって、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される改質層と、該改質層からｃ面に沿って延びるクラックとからなる分離層を形成する分離層形成加工を、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的にインデックス送りして複数回行い分離層を複数形成して剥離面を生成する剥離面生成工程と、
該剥離面を界面として該単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、を含み、
該剥離面生成工程において、
該加工送りは、該集光点が該単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から他方の端部に相対的に移動する往路移動と、該集光点が該他方の端部から該一方の端部に相対的に移動して既に形成された分離層を遡る復路移動と、を含むウエーハ生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイスやＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置やレーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割される。分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用されている。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面及び裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面及び裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
【０００４】
そこで、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの内部に位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射することによって切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面を切断してＳｉＣインゴットからウエーハを生成する技術が提案されている（特許文献２参照。）。ところが、ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するには改質層を１０μｍ程度の間隔をおいて密に形成しなければならず生産性が悪いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４９１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、単結晶ＳｉＣインゴットから容易にウエーハを剥離することができると共に生産性の向上が図られるウエーハ生成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハ生成方法である。すなわち、第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有し、該ｃ面と該第一の面とでオフ角を形成する単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に加工送りしながら該単結晶ＳｉＣインゴットにパルスレーザー光線を照射することによって、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される改質層と、該改質層からｃ面に沿って延びるクラックとからなる分離層を形成する分離層形成加工を、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的にインデックス送りして複数回行い分離層を複数形成して剥離面を生成する剥離面生成工程と、該剥離面を界面として該単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、を含み、該剥離面生成工程において、該加工送りは、該集光点が該単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から他方の端部に相対的に移動する往路移動と、該集光点が該他方の端部から該一方の端部に相対的に移動して既に形成された分離層を遡る復路移動と、を含むウエーハ生成方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明が提供するウエーハ生成方法では、分離層形成加工により、直線状の改質層が同一ｃ面上に形成されると共に、改質層の両側にｃ面に沿ってクラックが伝播することで分離層が形成される。そして、オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして分離層形成加工を複数回行うと、オフ角が形成される方向において隣接する分離層同士はクラックによって連結するので、複数の分離層からなる剥離面を界面として単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離することにより、所望の厚みのウエーハを容易に生成することができる。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、生産性の向上が十分図られると共に、捨てられる素材量を十分軽減でき３０％前後に抑えることができる。
【０００９】
往路移動では、最初に形成される改質層はレーザー光線の集光点で形成され、最初の改質層に続いて形成される改質層は集光点よりも次第に浅い位置に形成され、レーザー光線の照射が開始される単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から数十μｍ程度の領域において改質層の立ち上がりが生じる。そして、単結晶ＳｉＣインゴットの内部においてレーザー光線のパワー密度が所定の値となる深さに改質層が達すると改質層の立ち上がりが止まり、レーザー光線のパワー密度が所定の値となる深さで安定して改質層が形成される。すなわち、往路移動において、レーザー光線が照射される単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から他方の端部までのうち、改質層の立ち上がりが生じた領域以外の領域では、レーザー光線の集光点の手前でパワー密度が所定の値となる位置で安定して改質層が形成される。改質層の立ち上がりが生じた領域は、剥離面を界面として単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離する際の妨げとなり得るが、本発明のウエーハ生成方法では、剥離面生成工程において、加工送りは、集光点が単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から他方の端部に相対的に移動する往路移動と、集光点が他方の端部から一方の端部に相対的に移動して既に形成された分離層を遡る復路移動とを含むので、往路移動では、単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部から数十μｍ程度の領域において改質層の立ち上がりが生じるものの、復路移動では、レーザー光線のパワー密度が所定の値となる深さにおいて既に改質層が形成されているから改質層の立ち上がりが生じることがなく、単結晶ＳｉＣインゴットの他方の端部から一方の端部まで、レーザー光線の集光点の手前でパワー密度が所定の値となる位置で安定して改質層が形成される。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、剥離面を界面として単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離する際に改質層の立ち上がりが生じた領域が剥離の妨げとならず、剥離面を界面として単結晶ＳｉＣインゴットの一部を容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】レーザー加工装置の斜視図。
【図２】単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）及び正面図（ｂ）。
【図３】剥離面生成工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図４】剥離面が生成された単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）、Ｂ−Ｂ線断面図（ｂ）及びＤ部拡大図（ｃ）。
【図５】往路移動が行われている状態を示す側面図（ａ）、復路移動が行われている状態を示す側面図（ｂ）。
【図６】ウエーハ生成工程が実施されている状態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１に示すレーザー加工装置２は、基台４と、保持手段６と、保持手段６を移動させる移動手段８と、レーザー光線照射手段１０と、撮像手段１２と、表示手段１４と、剥離手段１６とを備える。
【００１３】
保持手段６は、Ｘ方向において移動自在に基台４に搭載された矩形状のＸ方向可動板１８と、Ｙ方向において移動自在にＸ方向可動板１８に搭載された矩形状のＹ方向可動板２０と、Ｙ方向可動板２０の上面に回転自在に搭載された円筒形状のチャックテーブル２２とを含む。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
【００１４】
移動手段８は、Ｘ方向移動手段２４と、Ｙ方向移動手段２６と、回転手段（図示していない。）とを含む。Ｘ方向移動手段２４は、基台４上においてＸ方向に延びるボールねじ２８と、ボールねじ２８の片端部に連結されたモータ３０とを有する。ボールねじ２８のナット部（図示していない。）は、Ｘ方向可動板１８の下面に固定されている。そしてＸ方向移動手段２４は、ボールねじ２８によりモータ３０の回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板１８に伝達し、基台４上の案内レール４ａに沿ってＸ方向可動板１８をＸ方向に進退させる。Ｙ方向移動手段２６は、Ｘ方向可動板１８上においてＹ方向に延びるボールねじ３２と、ボールねじ３２の片端部に連結されたモータ３４とを有する。ボールねじ３２のナット部（図示していない。）は、Ｙ方向可動板２０の下面に固定されている。そしてＹ方向移動手段２６は、ボールねじ３２によりモータ３４の回転運動を直線運動に変換してＹ方向可動板２０に伝達し、Ｘ方向可動板１８上の案内レール１８ａに沿ってＹ方向可動板２０をＹ方向に進退させる。回転手段は、チャックテーブル２２に内蔵されたモータ（図示していない。）を有し、Ｙ方向可動板２０に対してチャックテーブル２２を回転させる。
【００１５】
レーザー光線照射手段１０は、基台４の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体３６と、枠体３６に内蔵された発振手段（図示していない。）と、枠体３６の先端下面に配置された集光器３８と、集光点位置調整手段（図示していない。）とを含む。発振手段は、パルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器と、発振器が発振するパルスレーザー光線ＬＢの繰り返し周波数を設定する設定器と、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整する調整器とを有する（いずれも図示していない。）。集光器３８は、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光する集光レンズ（図示していない。）を有する。また、撮像手段１２は、集光器３８とＸ方向に間隔をおいて枠体３６の先端下面に付設されている。撮像手段１２によって撮像された画像を表示する表示手段１４は、枠体３６の先端上面に搭載されている。
【００１６】
剥離手段１６は、基台４上の案内レール４ａの終端部から上方に延びる直方体状のケーシング４０と、ケーシング４０に昇降自在に支持された基端からＸ方向に延びるアーム４２とを含む。ケーシング４０には、アーム４２を昇降させる昇降手段（図示していない。）が内蔵されている。アーム４２の先端にはモータ４４が付設され、モータ４４の下面には、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に円盤状の吸着片４６が連結されている。下面に複数の吸引孔（図示していない。）が形成されている吸着片４６は、流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。また吸着片４６には、吸着片４６の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段（図示していない。）が内蔵されている。
【００１７】
図２に示す全体として円柱形状の六方晶単結晶ＳｉＣインゴット５０（以下「インゴット５０」という。）は、円形状の第一の面５２と、第一の面５２と反対側の円形状の第二の面５４と、第一の面５２及び第二の面５４の間に位置する円筒形状の周面５６と、第一の面５２から第二の面５４に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。インゴット５０においては、第一の面５２の垂線５８に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の面５２とでオフ角α（たとえばα＝４度）が形成されている（オフ角αが形成される方向を図２に矢印Ａで示す。）。またインゴット５０の周面５６には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット６０及び第二のオリエンテーションフラット６２が形成されている。第一のオリエンテーションフラット６０は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット６２は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図２（ａ）に示すとおり、垂線５８の方向にみて、第二のオリエンテーションフラット６２の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット６０の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
【００１８】
レーザー加工装置２を用いたウエーハ生成方法では、まず、インゴット５０の第二の面５４とレーザー加工装置２のチャックテーブル２２の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、図１に示すとおり、インゴット５０をチャックテーブル２２に固定する。なお、チャックテーブル２２の上面に複数の吸引孔が形成されており、チャックテーブル２２の上面に吸引力を生成してインゴット５０を保持してもよい。次いで、移動手段８によってチャックテーブル２２を撮像手段１２の下方に移動させ、撮像手段１２によってインゴット５０を撮像する。
【００１９】
次いで、剥離面生成工程を実施する。剥離面生成工程では、まず、撮像手段１２によって撮像されたインゴット５０の画像に基づいて、移動手段８によってチャックテーブル２２を移動及び回転させることによって、インゴット５０の向きを所定の向きに調整すると共に、インゴット５０と集光器３８とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット５０の向きを所定の向きに調整する際は、図３に示すとおり、第一のオリエンテーションフラット６０をＹ方向に整合させると共に、第二のオリエンテーションフラット６２をＸ方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向ＡをＹ方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ方向に整合させる。次いで、集光点位置調整手段によって集光器３８を昇降させ、図５に示すとおり、第一の面５２から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点ＦＰを位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向と整合しているＸ方向に、インゴット５０と集光点ＦＰとを相対的に加工送りしながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３８からインゴット５０に照射することによって分離層６４を形成する分離層形成加工を行う。図４に示すとおり、分離層形成加工を行うと、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される改質層６６と、改質層６６からｃ面に沿って改質層６６の両側に延びるクラック６８とからなる分離層６４が形成される。なお、分離層形成加工では、改質層６６が形成される深さにおいて隣接するスポットが相互に重なるようにチャックテーブル２２をＸ方向に加工送りしながらパルスレーザー光線ＬＢをインゴット５０に照射して、ＳｉとＣとに分離した改質層６６に再度パルスレーザー光線ＬＢが照射されるようにする。隣接するスポットが相互に重なるには、パルスレーザー光線ＬＢの繰り返し周波数Ｆ（Ｈｚ）と、チャックテーブル２２の加工送り速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、スポットの直径Ｄ（ｍｍ）とで規定されるＧ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤがＧ＜０であることを要する。また、隣接するスポットの重なり率は｜Ｇ｜／Ｄで規定される。
【００２０】
剥離面生成工程では、集光点ＦＰに対してチャックテーブル２２をＹ方向移動手段２６によってＹ方向（すなわち、オフ角αが形成される方向Ａ）に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りして分離層形成加工を複数回行い、図４に示すとおり、分離層６４を複数形成して剥離面７０を生成する。剥離面７０では、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接する分離層６４同士がクラック６８によって連結されている。
【００２１】
本発明のウエーハ生成方法では、剥離面生成工程において分離層形成加工の加工送りは、集光点ＦＰがインゴット５０の一方の端部５０ａからインゴット５０の他方の端部５０ｂに相対的に移動する往路移動（図５（ａ）参照。）と、集光点ＦＰがインゴット５０の他方の端部５０ｂからインゴット５０の一方の端部５０ａに相対的に移動して既に形成された分離層６４を遡る復路移動（図５（ｂ）参照。）とを含むのが重要である。
【００２２】
図示の実施形態では図５（ａ）に示すとおり、集光点ＦＰに対してチャックテーブル２２を図５の右から左に向かってＸ方向移動手段２４によって所定の加工送り速度で移動させることによって往路移動を行う。往路移動では、最初に形成される改質層６６はパルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰで形成され、最初の改質層６６に続いて形成される改質層６６は集光点ＦＰよりも次第に浅い位置に形成され、パルスレーザー光線ＬＢの照射が開始されるインゴット５０の一方の端部５０ａから数十μｍ程度の領域７２において、集光点ＦＰの深さから３０〜５０μｍ程度、改質層６６の立ち上がりが生じる。インゴット５０において集光点ＦＰが通るラインを図５に点線で示す。そして、インゴット５０の内部においてパルスレーザー光線ＬＢのパワー密度が所定の値となる深さに改質層６６が達すると改質層６６の立ち上がりが止まり、パルスレーザー光線ＬＢのパワー密度が所定の値となる深さで安定して改質層６６が形成される。すなわち、往路移動において、パルスレーザー光線ＬＢが照射されるインゴット５０の一方の端部５０ａから他方の端部５０ｂまでのうち、改質層６６の立ち上がりが生じた領域７２以外の領域７４では、パルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰの手前（入射面である第一の面５２側）でパワー密度が所定の値となる位置で安定して改質層６６が形成される。なお、パワー密度Ｅ（Ｊ／ｃｍ２）は、平均出力Ｐ（Ｗ）と、集光点ＦＰよりも浅い位置であって改質層６６が形成される位置におけるスポットの面積Ｓ＝πＤ２／４（ｃｍ２）と、繰り返し周波数Ｆ（Ｈｚ）とで規定される（Ｅ＝Ｐ／（Ｓ・Ｆ））。
【００２３】
図示の実施形態では図５（ｂ）に示すとおり、往路移動を行った後、インデックス送りせずに、集光点ＦＰに対してチャックテーブル２２を図５の左から右に向かってＸ方向移動手段２４によって所定の加工送り速度で移動させることによって復路移動を行う。復路移動では、パルスレーザー光線ＬＢのパワー密度が所定の値となる深さにおいて既に改質層６６が形成されているから改質層６６の立ち上がりが生じることがなく、インゴット５０の他方の端部５０ｂから一方の端部５０ａまで、パルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰの手前でパワー密度が所定の値となる位置で安定して改質層６６が形成される。したがって、往路移動と復路移動とを含む分離層形成加工を、チャックテーブル２２をインデックス送りして複数回行うことで、集光点ＦＰの手前でパワー密度が所定の値となる位置に剥離面７０が形成される。このような剥離面生成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。なお、下記スポットは、集光点ＦＰよりも浅い位置であって改質層６６が形成される位置におけるスポットである。
パルスレーザー光線ＬＢの波長  ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数                ：６０ｋＨｚ
平均出力                      ：１．５Ｗ
集光点ＦＰの直径              ：３μｍ
スポットの直径                ：５．３μｍ
集光点ＦＰの位置              ：第一の面から８０μｍ
インデックス量Ｌｉ            ：２５０〜４００μｍ
加工送り速度                  ：６０ｍｍ／ｓ
隣接するスポットの重なり率    ：８０％
【００２４】
剥離面生成工程を実施した後、剥離面７０を界面としてインゴット５０の一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程では、まず、移動手段８によってチャックテーブル２２を剥離手段１６の吸着片４６の下方に移動させる。次いで、昇降手段によってアーム４２を下降させ、図６に示すとおり、吸着片４６の下面をインゴット５０の第一の面５２に密着させる。次いで、吸引手段を作動させ、吸着片４６の下面をインゴット５０の第一の面５２に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片４６の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ４４を作動させ吸着片４６を回転させる。剥離面７０では、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接する分離層６４同士がクラック６８によって連結されているので、剥離面７０を界面としてインゴット５０の一部を剥離することができ、所望の厚みのウエーハ７６を容易に生成することができる。したがって本発明のウエーハ生成方法では、生産性の向上が十分図られると共に、捨てられる素材量を十分軽減でき３０％前後に抑えることができる。ウエーハ７６を生成した後、基台４上に設けられた研磨手段（図示していない。）によりインゴット５０の剥離面７０を研磨し、剥離面生成工程及びウエーハ生成工程を順次実施することで、インゴット５０から複数のウエーハを生成することができる。
【００２５】
本発明のウエーハ生成方法では、剥離面生成工程において、加工送りは、集光点ＦＰがインゴット５０の一方の端部５０ａから他方の端部５０ｂに相対的に移動する往路移動と、集光点ＦＰが他方の端部５０ｂから一方の端部５０ａに相対的に移動して既に形成された分離層６４を遡る復路移動とを含むので、往路移動では、インゴット５０の一方の端部５０ａから数十μｍ程度の領域７２において改質層６６の立ち上がりが生じるものの、復路移動では、パルスレーザー光線ＬＢのパワー密度が所定の値となる深さにおいて既に改質層６６が形成されているから改質層６６の立ち上がりが生じることがなく、インゴット５０の他方の端部５０ｂから一方の端部５０ａまで、パルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰの手前でパワー密度が所定の値となる位置で安定して改質層６６が形成される。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、剥離面７０を界面としてインゴット５０の一部を剥離する際に改質層６６の立ち上がりが生じた領域７２が剥離の妨げとならず、剥離面７０を界面としてインゴット５０の一部を容易に剥離することができる。
【符号の説明】
【００２６】
５０：単結晶ＳｉＣインゴット
５０ａ：単結晶ＳｉＣインゴットの一方の端部
５０ｂ：単結晶ＳｉＣインゴットの他方の端部
５２：第一の面
５４：第二の面
５８：垂線
６４：分離層
６６：改質層
６８：クラック
７０：剥離面
７６：ウエーハ
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向
ＦＰ：集光点
ＬＢ：パルスレーザー光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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