(57)【要約】【課題】接液ノズルの清浄度を監視して、真に必要な場合にのみ、洗浄液を用いて接液ノズルの洗浄を行うようにして洗浄液の消費を抑える。【解決手段】現像処理装置内において、現像液供給ノズルが待機する待機部１６０には、ノズルバス１７０が設けられている。ノズルバス１７０の上方には、現像液供給ノズルの両側に位置するように発光部１７２と受光部１７３が配置されている。発光部１７２から光が現像液供給ノズルを透過して受光部１７３で受光した際の透過率に基づいて、現像液供給ノズルの汚れ具合を計測する。計測結果に基づいて必要に応じて、現像液供給ノズルを洗浄する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置内に設けられ、前記処理の際に基板上の処理液と接触する接液ノズルを洗浄する方法であって、
前記液処理装置内で前記接液ノズルの汚れ具合を検査し、当該検査の結果に基づいて前記接液ノズルを洗浄することを特徴とする、接液ノズルの洗浄方法。
【請求項２】
前記接液ノズルは、光を透過させる材料からなり、前記検査は、接液ノズルに対して光を照射して行うことを特徴とする、請求項１に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項３】
前記検査は、接液ノズルを撮像して行うことを特徴とする、請求項１に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項４】
前記検査の結果に基づいて行う洗浄は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給することによって行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項５】
前記検査の結果に基づいて行う洗浄は、既に行った洗浄の回数に基づいて、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給することによって行うかまたはより洗浄度合いの高い洗浄方法によって行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項６】
前記より洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、さらに前記受容部内に洗浄液の液流を発生させることによって行うことを特徴とする、請求項５に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項７】
前記より洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、さらに当該受容部内を加熱することによって行うことを特徴とする、請求項５または６のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項８】
前記より洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、当該受容部内で前記接液ノズルに対してブラシ部材を接触させることによって行うことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄方法。
【請求項９】
基板上に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置内に設けられ、前記処理の際に基板上の処理液と接触する接液ノズルを洗浄する装置であって、
前記液処理装置内に設けられ、前記接液ノズルを受容する受容部と、前記接液ノズルの汚れ具合を検査する検査装置とを有することを特徴とする、接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１０】
前記接液ノズルは、光を透過する材料からなり、前記検査装置は、前記接液ノズルに対して光を照射する発光部と、接液ノズルを透過した光を受光する受光部とを有することを特徴とする、請求項９に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１１】
前記検査装置は、前記接液ノズルを撮像する撮像装置と、当該撮像装置からの画像に基づいて汚れ具合を判断する判定装置とを有することを特徴とする、請求項９に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１２】
前記受容部の少なくとも底部は回転自在に構成されていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１３】
前記受容部の底部には、凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１４】
前記受容部内には、前記接液ノズルに接触可能なブラシ部材が設けられていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【請求項１５】
前記受容部内を加熱するヒータを有することを特徴とする、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の接液ノズルの洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接液ノズルの洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
これらの処理のうち、現像処理の方式としては、露光後の基板を水平に保持し、現像液を吐出して基板の表面に液溜まりを形成するための吐出口と、基板の表面よりも小さく形成されて基板の表面と対向するように設けられた接触部とを有する現像液ノズルを用い、前記接触部が前記液溜まりに接触した状態で、回転している基板の中央部及び周縁部の一方側から他方側に現像液の供給位置と共に移動することにより当該現像液の液溜まりを基板に広げることでも基板を現像処理することが提案されている。
【０００４】
このように基板上の現像液などの処理液と接触して当該現像液を基板表面に広げるようなノズルは、一般的に接液ノズルと呼ばれている。このような接液タイプの現像ノズルは、現像処理中に発生した溶解物の付着により、ノズル表面が汚染することがわかっている。このことは、特に厚膜レジストの現像処理において顕著である。そのため従来から、ノズルの清浄度を維持するため、待機部と呼ばれる場所にて現像液をノズルに供給し、当該待機場所にてノズルを洗浄することが行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−２９７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら現像液は高価であり、これを洗浄用に頻繁に使用するのは、コスト面で問題がある。さりとて、単に所定の処理枚数ごとなど、単純に定期的に洗浄を行うのでは、不必要な場合にも洗浄を行なうこともありうる。また逆に必要なときに洗浄を行わなかったケースも発生するおそれがある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、接液ノズルの清浄度を監視して、真に必要な場合にのみ、現像液など洗浄液を用いて接液ノズルの洗浄を行うようにして、前記問題の解決を図ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明は、基板上に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置内に設けられ、前記処理の際に基板上の処理液と接触する接液ノズルを洗浄する方法であって、前記液処理装置内で前記接液ノズルの汚れ具合を検査し、当該検査の結果に基づいて前記接液ノズルを洗浄することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、液処理装置内で前記接液ノズルの汚れ具合を検査し、当該検査の結果に基づいて前記接液ノズルを洗浄するようにしたので、接液ノズルの清浄度を監視して、真に必要な場合にのみ、接液ノズルの洗浄を行うことができる。
【００１０】
前記接液ノズルは、光を透過させる材料からなり、前記検査は、接液ノズルに対して光を照射して行うようにしてもよい。
【００１１】
前記検査は、接液ノズルを撮像して行うようにしてもよい。
【００１２】
前記検査の結果に基づいて行う洗浄は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給することによって行うことが提案できる。
【００１３】
前記検査の結果に基づいて行う洗浄は、既に行った洗浄の回数に基づいて、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給することによって行うか、またはより洗浄度合いの高い洗浄方法によって行うようにしてもよい。
【００１４】
前記した、より洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、さらに当該受容部に洗浄液の液流を発生させることによって行うことが提案できる。
【００１５】
またより洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、さらに当該受容部内を加熱することによって行なうようにしてもよい。
【００１６】
さらにまたより洗浄度合いの高い洗浄方法は、前記接液ノズルを受容する受容部内に洗浄液を供給し、当該受容部内で前記接液ノズルに対してブラシ部材を接触させることによって行なうことが提案できる。
【００１７】
別な観点によれば、本発明は、基板上に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置内に設けられ、前記処理の際に基板上の処理液と接触する接液ノズルを洗浄する装置であって、前記液処理装置内に設けられ、前記接液ノズルを受容する受容部と、前記接液ノズルの汚れ具合を検査する検査装置とを有することを特徴としている。
【００１８】
前記接液ノズルは、光を透過する材料からなり、前記検査装置は、前記接液ノズルに対して光を照射する発光部と、接液ノズルを透過した光を受光する受光部とを有するように構成してもよい。
【００１９】
前記検査装置は、前記接液ノズルを撮像する撮像装置と、当該撮像装置からの画像に基づいて汚れ具合を判断する判定装置とを有するものであってもよい。
【００２０】
前記受容部の少なくとも底部は回転自在に構成されていてもよい。この場合、受容部の底部には、凹凸が形成されているようにしてもよい。
【００２１】
前記受容部内には、前記接液ノズルに接触可能なブラシ部材が設けられていてもよい。
【００２２】
前記受容部内を加熱するヒータを有するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、液処理装置内で接液ノズルの汚れ具合を検査し、当該検査の結果に基づいて前記接液ノズルを洗浄するようにしたので、接液ノズルの清浄度を監視して、真に必要な場合にのみ、接液ノズルの洗浄を行うことができ、洗浄液の無駄な消費を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施の形態にかかる洗浄装置を備えた現像処理装置を搭載した基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の基板処理システムの構成の概略を模式的に示す正面図である。
【図３】図１の基板処理システムの構成の概略を模式的に示す背面図である。
【図４】現像処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図５】現像処理装置の構成の概略を模式的に示す横断面図である。
【図６】現像液供給ノズルの斜視図である。
【図７】待機部の斜視図である。
【図８】ノズルバスの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図９】ノズルバスの底部の平面図である。
【図１０】現像処理の様子を示す側面図である。
【図１１】洗浄処理の一例を示すフローチャートである。
【図１２】ブラシ部材を有するノズルバスの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】ヒータを有するノズルバスの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図１４】現像液供給ノズルの上下方向の透過率を計測する検査装置の構成を模式的に示した側面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる接液ノズルの洗浄装置を具備する現像処理装置を搭載した基板処理システム１の構成の概略を模式的に示した平面説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、各々正面図と背面図である。
【００２６】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２７】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２８】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２９】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロック、すなわち第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側、図面の上側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、既述の第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００３０】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。
【００３１】
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
【００３２】
これら下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３では、例えばウェハＷ上に所定の塗布液を塗布するスピンコーティング処理が行われる。スピンコーティング処理においては、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に塗布液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、塗布液をウェハＷの表面に拡散させることが行われる。なお、現像処理装置３０の構成については後述する。
【００３３】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱及び冷却といった熱処理を行う複数の熱処理装置４０〜４３が設けられている。
【００３４】
例えば第３のブロックＧ３には、図２、図３に示すように、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、図３に示すように、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００３５】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲に位置する第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３６】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、図３に示すように、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３７】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３８】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。ウェハ搬送装置１００は、搬送アーム１００ａでウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００３９】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１１０ａを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アーム１１０ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４０】
次に、上述した現像処理装置３０の構成について説明する。現像処理装置３０は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
【００４１】
処理容器１３０内には、ウェハＷを保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック１４０が設けられている。スピンチャック１４０は、例えばモータなどのチャック駆動部１４１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１４１には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック１４０は昇降自在になっている。
【００４２】
スピンチャック１４０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１４２が設けられている。カップ１４２の下面には、回収した液体を排出する排出管１４３と、カップ１４２内の雰囲気を排気する排気管１４４が接続されている。
【００４３】
図５に示すようにカップ１４２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１５０が形成されている。レール１５０は、例えばカップ１４２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１５０には、例えば２本のアーム１５１、１５２が取り付けられている。
【００４４】
第１のアーム１５１には、純水を供給する純水供給ノズル１５４が支持されている。第１のアーム１５１は、図５に示すノズル駆動部１５５により、レール１５０上を移動自在である。これにより、純水供給ノズル１５４は、カップ１４２のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部１５６からカップ１４２内のウェハＷの上方の所定位置、例えば中央部にまで移動できる。
【００４５】
第２のアーム１５２には、後述する希釈現像液の液溜り形成工程において、現像液を供給する現像液供給ノズル１５８が支持されている。第２のアーム１５２は、図５に示すノズル駆動部１５９によってレール１５０上を移動自在となっている。これにより、現像液供給ノズル１５８は、カップ１４２のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部１６０から、カップ１４２内のウェハＷの上方の所定位置、たとえば中央部まで移動できる。また、ノズル駆動部１５９によって、第２のアーム１５２は昇降自在であり、現像液供給ノズル１５８の高さを調節できる。待機部１６０は、カップ１４２をはさんで、待機部１５６のＹ方向正方向側に設けられている。
【００４６】
現像液供給ノズル１５８は、例えば図６に示すように、全体として円筒形状を有しており、その下端面１５８ａはウェハＷと例えば平行になる平坦な面に形成されている。この下端面１５８ａが、ウェハＷ上の処理液、例えば現像液や純水と接触する接液面として機能する。
【００４７】
そして現像液供給ノズル１５８の下端面１５８ａには、現像液を供給する供給孔１５８ｂが形成されている。この供給孔１５８ｂの数は任意に選択することができ、複数であってもよい。また現像液供給ノズル１５８は、耐薬品性を有する、材質、例えば透明な石英ガラスなどの材質によって構成されている。
【００４８】
現像液供給ノズル１５８は、ウェハＷ上に現像液を供給する処理時以外は、既述した待機部１６０で待機している。この待機部１６０は、図７にその詳細を示したように、示したように、例えば筐体１６１と、筐体１６１の上面に設けられた、受容部としてのノズルバス１７０を有している。
【００４９】
ノズルバス１７０は、図８にその縦断面を示したように、全体として有底円筒形状を有し、円筒形の側壁１７０ａと円盤形状の底部１７０ｂとを有している。このノズルバス１７０内に、現像液供給ノズル１５８の下部を受容可能となっている。またノズルバス１７０は、モータ等の駆動機構１７１によって回転、正転、反転自在に構成されている。さらにまたノズルバス１７０の底部１７０ｂの上面には、図９に示したように、例えば十字状に配置された４つの凸条部１７０ｃが形成されている。
【００５０】
以上の構成により、たとえば図８に示した状態、すなわちノズルバス１７０が現像液供給ノズル１５８の下部を受容した状態で、供給孔１５８ｂから洗浄液や現像液を供給することで、現像液供給ノズル１５８の下部は洗浄される。なお現像液供給ノズル１５８の側面、下端面１５８ａと、ノズルバス１７０の側壁１７０ａ、底部１７０ｂ表面との間の隙間は、例えば０．５〜２ｍｍ程度となるように各々のサイズが設定されている。
【００５１】
またこのときさらにノズルバス１７０を回転させることで、ノズルバス１７０内の洗浄液、現像液には液流が発生する。なおノズルバス１７０内の洗浄液等の排出は、ノズルバス１７０に設けた排出路（図示せず）からなされる。またさらにノズルバス１７０内に洗浄液等の供給路を別途設けてもよく、さらには乾燥用の不活性ガス、例えば窒素ガスの噴出口を設けてもよい。
【００５２】
そして図７、図８に示したように、待機部１６０におけるノズルバス１７０の上方には、検査装置を構成する発光部１７２と受光部１７３が対向するように配置されている。これによって、発光部１７２から発光された光、例えば、一般的な光電センサが投光用に使用する可視光（主に赤）や赤外光が、現像液供給ノズル１５８を透過して受光部１７３で受光された際に、その透過率が検出されるようになっている。したがって透過率の変化によって現像液供給ノズル１５８の汚れ具合が計測される。これらは、後述の制御部２００によって処理される。
【００５３】
他の液処理装置である下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の構成は、ノズルの形状、本数や、ノズルから供給される液が異なる点以外は、上述した現像処理装置３０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００５４】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作、さらには前記したノズル駆動部１５５、１５９、１６３等も制御して、基板処理システム１における現像処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００５５】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理の概略について説明する。先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。
【００５６】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４１に搬送され、加熱処理が行われる。
【００５７】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４２に搬送され、温度調節処理される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置７０によって第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４３に搬送され、プリベーク処理される。
【００５８】
次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４３に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。
【００５９】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
【００６０】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。これにより、レジスト膜の露光部において発生した酸により脱保護反応させる。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。以下、レジスト膜に対して現像する場合の現像処理の一例について説明する。
【００６１】
現像処理においては、まず純水供給ノズル１５４がウェハＷの中心上に移動して、レジスト膜Ｒ形成されたウェハＷの中心部に対して純水を供給して、ウェハＷの中央部に純水Ｐの液溜りを形成する。次いで。図１０に示したように、現像液供給ノズル１５８をウェハＷの中心から偏心した位置に移動させ、下端面１５８ａを純水Ｐの液溜りに接触した状態で所定量の現像液を供給する。その状態で、ノズル駆動部１５９によって現像液供給ノズル１５８をそのまま径方向に水平移動させる。この間、スピンチャック１４０によってウェハＷを回転させる。これによって、ウェハＷ上の中央部には、希釈現像液の液溜まりが形成される。
【００６２】
次いで一旦現像液供給ノズル１５８を退避させた後、スピンチャック１４０を高速回転させ、ウェハＷに対して希釈現像液のプリウェット処理を行う。その後、再び現像液供給ノズル１５８をウェハＷの周辺部に移動させ、スピンチャック１４０によってウェハＷを回転させながら、現像液供給ノズル１５８から現像液をウェハＷ上に供給し、現像液供給ノズル１５８をウェハＷの中心へと移動させることで、ウェハＷ全面に現像液のパドルが形成され、その状態でウェハＷの回転を停止させることで静止現像処理がなされる。
【００６３】
以上のような現像処理の場合、現像液供給ノズル１５８の下端面１５８ａや供給口１５８ｂには、処理回数を重ねて行くにつれて、現像液中の溶解物が付着して汚染されていく。したがってそのまま他のウェハＷについて処理を続けると、当該ウェハＷに欠陥が発生するおそれがある。近年は欠陥についての要求が厳しいので、常に現像液供給ノズル１５８の清浄度をある程度維持する必要がある。さりとて毎回、洗浄液（現像液）をノズルバス１７０内に供給して現像液供給ノズル１５８を洗浄していたのでは、必要のないときにも洗浄するなどして、徒に高価な洗浄液（現像液）を浪費する可能性がある。
【００６４】
この点実施の形態においては、現像液供給ノズル１５８の汚れ具合を計測する検査装置としての、発光部１７２、受光部１７３を備えているので、洗浄の必要性を洗浄前に知ることができ、適切に洗浄することが可能になっている。すなわち、現像液に対しての接液による処理が終わった後、待機部１６０に移動して、ノズルバス１７０の上方に位置したときに、発光部１７２から光を現像液供給ノズル１５８に照射し、その透過光を受光部１７３で受光することで、その透過率を検出されるようになっている。したがって透過率の変化によって現像液供給ノズル１５８の汚れ具合が計測できる。以下、このような汚れ具合の計測と、ノズルの洗浄についての処理の一例について説明する。
【００６５】
すなわち、図１１に示したように、まず対象となる現像液供給ノズル１５８が一定時間現像処理をしていない、または現像処理した後のものである場合には、まずノズル検査が行われる（ステップＳ１）。その結果、汚れが検知されたかどうかが判定され（ステップＳ２）、検知されない場合（あるいは汚れが検知されてもあらかじめ設定した許容範囲にある場合）には、そのまま処理が終了し、当該現像液供給ノズル１５８は洗浄されない。しかし汚れが検知された場合には、洗浄回数が判定される（ステップＳ３）。すなわち、これまで洗浄したことがあるかどうかが履歴などから調べられ、一度も洗浄したことがない場合には、ノズル洗浄に付される。この場合のノズル洗浄は、ノズルバス１７０内に現像液供給ノズル１５８の下部が挿入され、ノズルバス１７０内で洗浄液や現像液に浸漬することで洗浄を行うことをいう（以下、「弱洗浄」という）。そして弱洗浄が終わった後、再びノズルの検査（ステップＳ１）に付される。
【００６６】
そしてステップＳ３において、過去に一度でもノズルの洗浄を行っている場合には、ノズルの強洗浄が行われる（ステップＳ５）。ここでノズルの強洗浄とは、本発明でいう、より洗浄度合いの高い洗浄のことをいい、本実施の形態に即していえば、ノズルバス１７０の底部１７０ｂを回転させて、ノズルバス１７０内に洗浄液等の液流を発生させて洗浄することである。
【００６７】
その後現像液供給ノズル１５８の汚れを検査し（ステップＳ６、ステップＳ７）、汚れが検知されない場合（あるいは汚れが検知されてもあらかじめ設定した許容範囲にある場合）には、そのまま処理が終了する。
【００６８】
ステップＳ７において汚れが検知された場合には、これまでの洗浄回数が履歴などから調べられ、その結果、予め定めていた洗浄回数に満たない場合には、再びステップ５のノズル強洗浄に付される。一方、予め定めていた洗浄回数以上の場合には、これ以上洗浄しても汚れを解消できないと判断され、適宜の警告が報知される。
【００６９】
このような処理フローを経て、検査、洗浄することで、真に必要な洗浄を行うことができ、またノズルの弱洗浄、強洗浄を選択させることで、ノズルの汚れ具合に応じた適切な洗浄を実施することができる。これによって洗浄液、洗浄用の現像液の無駄な消費が抑えられ、しかも現像液供給ノズル１５８の清浄度を、所望の水準以上に維持することができる。なお必要に応じて。強洗浄の後に弱洗浄を行うようにしてもよい。
【００７０】
前記実施の形態では、強洗浄の例としてノズルバス１７０の底部１７０ｂを回転させるようにしていたが、図１２に示したように、底部１７０ｂの上面にブラシ部材１８１を設け、ノズルバス１７０内に洗浄液等が供給された状態で、現像液供給ノズル１５８の下端面１５８ａに接触させて洗浄するようにしてもよい。この場合、前記したように、ノズルバス１７０を回転させるとさらに洗浄度合いが向上する。
【００７１】
さらにまたノズルバス１７０の内部に、例えば図１３に示したように、ノズルバス１７０を加熱するためのヒータ１８２を底部１７０ｂの内部に設け、ノズルバス１７０内に洗浄液等が供給された状態で、ノズルバス１７０を加熱して、洗浄液等を加熱するようにしてもよい。これによって、洗浄液等が活性化され、洗浄度合いが向上する。もちろん前記したノズルバス１７０の回転、ブラシ部材１８１による接触を適宜組み合わせて併用してもよい。
【００７２】
さらに、ノズルバス１７０内に超音波振動子を設けてノズルバス１７０内の洗浄液に振動を付与するようにしてもよい。また前記した例では、ノズルバス１７０側を回転するようにしたが、現像液供給ノズル１５８側を回転させるようにしてもよい。さらにまたノズルバス１７０内の径を大きくして、現像液供給ノズル１５８との間の隙間を大きくし、洗浄時には、適宜現像液供給ノズル１５８を搖動させるようにしてもよい。かかる動作は、たとえばノズル駆動部１５９によって行うことができる。
【００７３】
また前記した例では、ノズルの汚れ具合を検査する検査装置として、発光部１７２と受光部１７３を用いて、これを現像液供給ノズル１５８の側面にて対向させるようにして配置したが、もちろんこれに限らず、現像液供給ノズル１５８の上下面にそれぞれ配置して、透過率の変化を監視するようにしてもよい。
【００７４】
たとえば図１４に示したように、側面に開口部を有し、現像液供給ノズル１５８を側方から受容し、上下に現像液供給ノズル１５８の上下面をカバーする部材１８３ａ、１８３ｂを有する検査装置１８３を用いてもよい。そして部材１８２ａには、発光部１７２を設け、部材１８３ｂには受光部１７３を設けることで、現像液供給ノズル１５８に対して上下方向での透過率を検出することが可能である。
【００７５】
その他、そのような光の照射による透過率の変化に基づいてノズルの汚れを検出する方式に代えて、撮像装置、たとえばＣＣＤカメラを用いて現像液供給ノズル１５８を撮像し、その撮像画像と、予め得ていた清浄度が水準以上にある状態の画像とを比較し、これに基づいてノズルの汚れ具合を検知するようにしてもよい。かかる場合の判定は、たとえば既述した制御部２００で行うことができる。
【００７６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、基板上のレジスト膜を現像処理する際に有用である
【符号の説明】
【００７８】
１    基板処理システム
３０  現像処理装置
３１  下部反射防止膜形成装置
３２  レジスト塗布装置
３３  上部反射防止膜形成装置
４０  熱処理装置
１４０  スピンチャック
１５４  純水供給ノズル
１５５、１５９  ノズル駆動部
１５８  現像液供給ノズル
１７０  ノズルバス
１７１  駆動機構
１７２  発光部
１７３  受光部
２００  制御部
Ｐ    純水
Ｒ    レジスト膜
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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