(57)【要約】【課題】正確に目標抵抗率を有する中性子照射シリコン単結晶を得ることができる中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】育成されたシリコン単結晶のインゴットに固有条件の下で中性子を照射し、リンをドーピングすることで所定の抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法において、前記所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたり、前記固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数の前記ドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておき、前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値を、前記目標中性子照射量とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
育成されたシリコン単結晶のインゴットに固有条件の下で中性子を照射し、リンをドーピングすることで所定の抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法において、
前記所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたり、
前記固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、
各中性子照射量について得られた、複数の前記ドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、
前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておき、
前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値を、前記目標中性子照射量とする中性子照射シリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記抵抗率の測定は、一のウェーハ面内において直径線上の５個所以上を測定する請求項１に記載の中性子照射シリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記測定された抵抗率のうち最小値をＲmin、最大値をＲmaxとした場合に、
前記目標中性子照射量Ｒtは、（Ｒmin＋Ｒmax）／２≦Ｒt≦Ｒmaxを満足するように設定する請求項１又は２に記載の中性子照射シリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中性子照射シリコン単結晶の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
中性子照射シリコン単結晶の製造方法として、ＦＺ法により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、このシリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、この中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法であって、少なくともシリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射工程を行うものが提案されている。中性子照射工程における中性子照射量Ｎは、原料抵抗率Ｒ１と目標抵抗率ＲＴを基に算出されるが、実際に得られた中性子照射後の抵抗率Ｒ２は、窒素が添加されることにより目標抵抗率ＲＴと大きく乖離する場合がある。このため、窒素に基づくドナーを消去する熱処理を行ない、この後に評価された原料シリコン単結晶の抵抗率評価値を用いて、目標とする抵抗率を得るために必要な中性子照射量を予め中性子照射工程の前に算出すれば、窒素添加による複合体ドナーの影響を抑え、より正確な値を得ることができる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１７６７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、中性子照射量Ｎを適正な値に設定しても、中性子を照射する装置（原子炉）の個体差によって、実際に得られた中性子照射後の抵抗率Ｒ２が目標抵抗率ＲＴと大きく乖離する場合があった。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、正確に目標抵抗率を有する中性子照射シリコン単結晶を得ることができる中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、育成されたシリコン単結晶のインゴットに固有条件の下で中性子を照射し、リンをドーピングすることで所定の抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法において、
前記所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたり、
前記固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、
各中性子照射量について得られた、複数の前記ドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、
前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておき、
前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を、前記目標中性子照射量とすることによって上記課題を解決する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、中性子照射装置の個体差などを含めた固有条件の下で、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数のドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておく。そして、前記固有条件の下において所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたっては、前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を、前記目標中性子照射量とするので、固有条件のばらつきを考慮した中性子照射量となる。その結果、正確に目標抵抗率を有する中性子照射シリコン単結晶を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の中性子照射シリコン単結晶の製造方法で用いられるシリコン単結晶を製造する製造装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の中性子照射シリコン単結晶の製造方法で用いられる中性子照射装置の一例を示す概略図である。
【図３】複数のシリコン単結晶インゴットを用い、異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数のドーピングされたシリコン単結晶をウェーハに加工し、その抵抗率を測定したグラフである。
【図４】図３に示すサンプルウェーハの直径方向の抵抗率を測定したグラフである。
【図５】実施例（右半分）と比較例（左半分）の時系列別のロットの実抵抗率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の中性子照射シリコン単結晶の製造方法で用いられる、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶を製造する装置の一例を示す断面図である。なお、本発明の中性子照射シリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶だけでなく、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により製造されたシリコン単結晶にも適用することができる。以下においては、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶に本発明を適用する一例を説明する。本実施形態のシリコン単結晶の製造装置１（以下、単に製造装置１ともいう）は、円筒状の第１チャンバ１１と、同じく円筒状の第２チャンバ１２とを備え、これらは気密に接続されている。
【００１０】
第１チャンバ１１の内部には、シリコン融液Ｍを収容する石英製の坩堝２１と、この石英製の坩堝２１を保護する黒鉛製の坩堝２２とが、支持軸２３で支持されるとともに、駆動機構２４によって回転及び昇降が可能とされている。また、石英製の坩堝２１と黒鉛製の坩堝２２とを取り囲むように、環状のヒータ２５と、同じく環状の、断熱材からなる保温筒２６が配置されている。環状のヒータ２５からの放射熱は、黒鉛製の坩堝２２の側部だけでなく底部にも廻り込み、石英製の坩堝２１の側部と底部を加熱する。なお、石英製の坩堝２１と黒鉛製の坩堝２２が、下降位置にある場合には、上昇位置にある場合に比べて、ヒータ２５から坩堝２１，２２の底部へ廻り込む熱量は少なくなるものと考えられる。坩堝２１の下方にヒータを追加してもよい。
【００１１】
第１チャンバ１１の内部であって、石英製の坩堝２１の上部には、円筒状の熱遮蔽部材２７が設けられている。熱遮蔽部材２７は、モリブデン、タングステンなどの耐火金属、カーボン又は黒鉛製外殻の内部に黒鉛製フェルトを充填したものからなり、シリコン融液Ｍからシリコン単結晶Ｃへの放射を遮断するとともに、第１チャンバ１１内を流れるガスを整流する。熱遮蔽部材２７は、保温筒２６にブラケット２８を用いて固定されている。この熱遮蔽部材２７の下端に、シリコン融液Ｍの全面と対向するように遮熱部を設け、シリコン融液Ｍの表面からの輻射をカットするとともにシリコン融液Ｍの表面を保温するようにしてもよい。
【００１２】
第１チャンバ１１の上部に接続された第２チャンバ１２は、育成したシリコン単結晶Ｃを収容し、これを取り出すためのチャンバである。第２チャンバ１２の上部には、シリコン単結晶をワイヤ３１で回転させながら引上げる引上げ機構３２が設けられている。引上げ機構３２から垂下されたワイヤ３１の下端のチャックには種結晶Ｓが装着される。第１チャンバ１１の上部に設けられたガス導入口１３から、アルゴンガス等の不活性ガスが導入される。この不活性ガスは、引上げ中のシリコン単結晶Ｃと熱遮蔽部材２７との間を通過した後、熱遮蔽部材２７の下端とシリコン融液Ｍの融液面との間を通過し、さらに石英製の坩堝２１の上端へ立ち上がった後、ガス排出口１４から排出される。
【００１３】
第１チャンバ１１（非磁気シールド材からなる）の外側には、第１チャンバ１１を取り囲むように、石英製の坩堝２１内の融液Ｍに磁場を与える磁場発生装置４１が配置されている。磁場発生装置４１は、石英製の坩堝２１に向けて、水平磁場を生じさせるものであり、電磁コイルで構成されている。磁場発生装置４１は、坩堝２１内の融液Ｍに生じた熱対流を制御することで、ウェハ内の不純物分布を均一にする。特に大口径のシリコン単結晶を製造する場合にはその効果が大きい。なお、必要に応じて縦磁場、またはカスプ磁場を発生させる磁場発生装置としてもよいし、必要に応じて磁場発生装置４１を省略してもよい。
【００１４】
本実施形態の製造装置１を用いて、ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するには、まず、石英製の坩堝２１内に、多結晶シリコンや必要に応じてドーパントからなるシリコン原材料を充填し、ヒータ２５を通電して坩堝２１内でシリコン原材料を融解し、シリコン融液Ｍとする。続いて、磁場発生装置４１を通電して坩堝２１への水平磁場の印加を開始しつつ、シリコン融液Ｍの温度を引き上げ開始温度となるように調温する。シリコン融液Ｍの温度と磁場強度が安定したら、ガス導入口１３から不活性ガスを導入しガス排出口１４から排出しながら、駆動機構２４によって坩堝２１を所定速度で回転させ、ワイヤ３１に装着された種結晶Ｓをシリコン融液Ｍに浸漬する。そして、ワイヤ３１も所定速度で回転させながら静かに引上げて種絞りを形成した後、所望の直径まで拡径し、略円柱形状の直胴部を有するシリコン単結晶Ｃを成長させる。
【００１５】
ホットゾーンとは、単結晶の育成中にヒータ２５からの熱によって高温となる領域をいい、第１チャンバ１１、坩堝２１，２２、支持軸２３、ヒータ２５、保温筒２６、熱遮蔽部材２７、シリコン融液Ｍ、シリコン単結晶Ｃなどの材質、形状、配置又はこれらに起因する各種熱特性がホットゾーン条件に影響を与える。この液面の変動を抑制するため、シリコン単結晶Ｃの引き上げ中における融液Ｍの液面の鉛直方向の高さは、駆動機構２４によって一定となるように制御される。この駆動機構２４の制御は、例えば、坩堝２１の位置、ＣＣＤカメラなどで測定したシリコン融液Ｍの液面の位置、シリコン単結晶Ｃの引上げ長さ、第１チャンバ１１内の温度、シリコン融液Ｍの表面温度、不活性ガス流量、坩堝２１の単位時間当たりの回転数等の情報に応じて実行され、これにより坩堝２１の上下方向の位置が駆動機構２４によって移動する。
【００１６】
ホットゾーン条件の一つとして、熱遮蔽部材２７の下端と坩堝２１の液面との高さ方向のギャップＨがあり、製造すべきシリコン単結晶の目標直径、目標酸素濃度その他の製品仕様に応じて、このギャップＨも所定値に設定され、引上げ中においてギャップＨが所定値を維持するように、坩堝２１の駆動機構２４、ワイヤ３１の引上げ機構３２、ヒータ２５の加熱パワー、その他の製造条件が自動制御される。また、シリコンウェーハの直径に応じたシリコン単結晶の目標直径が設定され、実際に引き上げられる結晶Ｃの直径を光学的に検出しながら、引上げ速度その他の条件にフィードバックされる。
【００１７】
引上げを終了したシリコン単結晶Ｃは、第２チャンバ１２から取り出され、トップ部とテール部が切断され、所定の直径を有するミドル部のみとされ、中性子照射工程に搬送される。またはこれに代えて、トップ部とテール部を切断することなく、そのまま中性子照射工程に搬送される。
【００１８】
中性子照射工程においては、中性子照射装置を用いてシリコン単結晶インゴットに中性子を照射する。熱中性子束の照射方向が固定である中性子照射装置の場合は、シリコン単結晶インゴットを定速で回転させながら照射が行われる。図２は、中性子照射装置５の一例を示す概略図であり、同図に示す中性子照射装置５は、熱中性子束５２を発生させてコリメートさせるコア５１と、中性子を照射するインゴットＩを定位置に保持するインゴット収納器５３とを備える。インゴット収納器５３は低速で回転可能とされ、これによりインゴットＩも定速で回転する。本実施形態の中性子照射工程では、ＮＴＤ（Neutron Transmutation Doping）法により、シリコン単結晶インゴットにリンを添加する方法であり、ｎ型半導体用シリコン単結晶インゴットを得るために用いられる。
【００１９】
シリコン単結晶に中性子を照射すると、シリコン（シリコンＳｉの同位体元素として、28Ｓｉ（＝９２．２１％），29Ｓｉ（＝４．７０％），30Ｓｉ（＝３．０９％）が存在する）中に存在する30Ｓｉが中性子照射を受けることで、エネルギの低い熱中性子との間で（ｎ，γ）反応し、31Ｓｉが生成される。この31Ｓｉは、ベータβ崩壊しながら２．６時間の半減期を経て、安定同位元素31Ｐに変換される。中性子照射ドーピング法ＮＴＤは、この反応を利用してシリコン中にリンＰを均一にドープする方法である。このＮＴＤ法は、シリコン単結晶のリンの分布が、従来の不純物元素を添加する方法（イオン注入など）では得られない均一性を示すとともに、中性子照射時間を制御することにより添加するリンの濃度を精度良く決めることができるという利点がある。
【００２０】
ここで、中性子照射装置５からの熱中性子束をφｔｈ（ｎ／ｃｍ２・ｓｅｃ）、中性子の照射時間をｔ（ｓｅｃ）とした場合、中性子照射前の抵抗率がＲ１（Ωｃｍ）であるｐ型シリコン単結晶から、中性子照射後の抵抗率がＲ２（Ωｃｍ）となるｎ型シリコン単結晶を作るとき、以下の関係式（１）が成り立つ。
［関係式１］
（１．３×１０１６／Ｒ１）＋（５×１０１５／Ｒ２）＝１．７×１０−４×φｔｈ×ｔ…（１）
また、中性子照射前の抵抗率がＲ１（Ωｃｍ）であるｎ型シリコン単結晶から、中性子照射後の抵抗率がＲ２（Ωｃｍ）であるｎ型結晶を作るとき、以下の関係式（２）が成り立つ。
［関係式２］
−（５×１０１６／Ｒ１）＋（５×１０１５／Ｒ２）＝１．７×１０−４×φｔｈ×ｔ…（２）
中性子照射工程における中性子照射装置５には、中性子照射量（φｔｈ×ｔ）ｎ／ｃｍ２の設定値が入力される。
【００２１】
中性子照射に用いられる原子炉には、軽水炉と重水炉がある。重水炉は、中性子の吸収が少ないため、核分裂時に高速中性子を多く放出するウラン２３５（２３５Ｕ）を濃縮した原料を用いる軽水炉とは異なり、核分裂時に高速中性子を放出する率が小さいウラン２３８（２３８Ｕ）を種とした天然ウランを原料としている。高速中性子はエネルギーが大きく、高速中性子が多いと、結晶の照射損傷が大きくなる。したがって、炉内は高速中性子の量が少なく、シリコン単結晶へのダメージが軽水炉よりも低減できる重水炉の方が、結晶欠陥や抵抗率の回復がしやすい。このため、シリコン単結晶インゴットに中性子を照射する原子炉としては、重水炉を選択することが望ましい。
【００２２】
上述したとおり、原子炉を含む中性子照射装置５は、その安全性確保の観点等から、図１に示すシリコン単結晶製造装置１のように簡単に購入したり自社製造したりできるものではなく、限られた組織乃至団体に属するものである。また、シリコン単結晶に中性子を照射するだけではなく、数多くの用途に使用されている。そのため、中性子照射装置５に固有の製造上の個体差（ばらつき）がある。例えば、中性子照射装置５から照射される熱中性子束の変動、中性子照射装置５にセットされるインゴットＩの数やセット態様、装置固有の状態変動などは、中性子照射装置５に固有の製造上の個体差として存在する。そのため、上述した関係式（１）又は（２）に中性子照射前の抵抗率がＲ１と、中性子照射後の目標抵抗率Ｒ２を代入して、φｔｈ×ｔの値を求め、これを中性子照射装置に入力しても、その装置固有の製造上の個体差が原因で、抵抗率にばらつきが発生する。
【００２３】
本実施形態では、所定の抵抗率Ｒ２を得るための目標中性子照射量φｔｈ×ｔを算出するにあたり、特定の中性子照射装置５などの固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量φｔｈ×ｔが異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数のドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率Ｒ２を測定し、中性子照射量φｔｈ×ｔと抵抗率Ｒ２との関係を示す検量線を予め求めておく。そして、実際に製品となるシリコン単結晶インゴットに中性子を照射する際には、予め固有条件毎に求めておいた検量線による抵抗率が、所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値を、目標中性子照射量とする。
【００２４】
表１は、図１に示すようなＣＺ法によるシリコン単結晶の製造装置１を用いてウェーハ直径が２００ｍｍ用の複数のシリコン単結晶インゴットＩを製造し（最下欄のサンプル数ｎ＝３８６）、これら複数のシリコン単結晶インゴットＩを用いて、目標抵抗率を５１Ωｃｍとして、異なる複数の中性子照射量φｔｈ×ｔ（本例では、５つの補正係数）を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数のドーピングされたシリコン単結晶をウェーハに加工し、その直径方向の５点の抵抗率Ｒ２を測定し、実抵抗率の平均値を算出したものである。なお、的中率（Accuracy）とは、（目標抵抗率−実抵抗率平均）／目標抵抗率で定義した評価値である。的中率の値の絶対値がゼロに近いほど実抵抗率平均が目標抵抗率に近づく。図３は、横軸を異なる複数の中性子照射量φｔｈ×ｔ（本例では、５つの補正係数）、縦軸を実抵抗率として、上記表１の測定値をプロットしたグラフである。図３に示す直線は、５つの補正係数に対する実抵抗率の最小二乗法による近似直線であり、これが本実施形態の検量線となる。なお、補正係数とは、上記［関係式１］及び［関係式２］において、中性子照射量の項に乗算される係数αと定義され、補正係数αを考慮した上記［関係式１］及び［関係式２］は以下のとおりになる。
［関係式１］
（１．３×１０１６／Ｒ１）＋（５×１０１５／Ｒ２）＝１．７×１０−４×α（φｔｈ×ｔ）…（１）
［関係式２］
−（５×１０１６／Ｒ１）＋（５×１０１５／Ｒ２）＝１．７×１０−４×α（φｔｈ×ｔ）…（２）
【００２５】
そして、実際に製品となるシリコン単結晶インゴットＩに中性子を照射する際には、予め固有条件毎（例えば、中性子照射装置５毎）に求めておいた検量線による抵抗率が、所定の抵抗率、例えば５０Ωｃｍになる中性子照射量を含む所定範囲の値を、目標中性子照射量とする。ここで、目標抵抗率が５０Ωｃｍとなる中性子照射量を図３に示す検量線から求めると、補正係数ｘ＝０．９８８４となる。したがって、この補正係数を前回設定した中性子照射量に乗算すれば、今回の目標中性子照射量が得られるので最も望ましい。ただし、表１及び図３に示すように、実抵抗率にもある程度のばらつきがあるため、補正係数ｘ＝０．９８８４のピンポイントに限定されず、少なくとも隣接する補正係数０．９８００までの間の値を設定してもよい。これを一般化すれば、補正係数によって０．０１間隔で中性子照射量を相違させた場合には、補正係数で±０．０１の範囲内の値を設定してもよい。上記の例でいえば、補正係数ｘ＝０．９８８４±０．０１が、「予め固有条件毎に求めておいた検量線による抵抗率が、所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値」に相当する。
【００２６】
【表１】
2018008830.tif 000003
【００２７】
図４は、表１及び図３に示すサンプルウェーハの直径方向の抵抗率Ｒ２を測定したものである。横軸がウェーハ中心を０ｍｍとする直径方向の位置を示し、縦軸が各位置における抵抗率を示す。
【００２８】
図４に示すように、中性子照射後の抵抗率Ｒ２は、結晶の自己減衰のため外周が低く、中心部が高くなるような面内分布を示す。したがって、結晶の中心部の抵抗率のみを用いて目標中性子照射量（又は前回設定値に対する補正係数）を設定すると、結晶の外周部の抵抗率が低い領域で規格下限を下回る可能性がある。このため、一のウェーハ面内において直径線上の５個所以上を測定することが望ましい。また、目標中性子照射量又は補正係数の設定は、最小値をＲmin、最大値をＲmaxとした場合に、複数本（望ましくは５本以上）の（Ｒmax＋Ｒmin）／２≦目標抵抗率＜複数本（望ましくは5本以上）のＲmax、を満足するように設定することが望ましい。つまり、目標抵抗率は、抵抗率の最小値Ｒminと最大値Ｒmaxとの中点から最大値Ｒmaxまでの間に設定することが望ましい。
【００２９】
図５の右半分は、上述した検量線を求めたのち、この検量線に基づいて目標中性子照射量（ここでは補正係数）をその都度最適値に設定変更した実施例の実抵抗率（○はＲmax，×はＲmin）を示すグラフであり、横軸は時系列のロットを示し、縦軸は抵抗率及び補正係数を示す。これに対して図５の左半分は、上述した検量線を求めることなく、単に前回の中性子照射量に対する実抵抗率の結果のみに基づいて次回の中性子照射量の補正係数を設定した比較例の実抵抗率（○はＲmax，×はＲmin）を示すグラフである。横軸は時系列のロットを示し、縦軸は抵抗率及び補正係数を示す。
【００３０】
図５の左半分の比較例では、前回の中性子照射量にて照射した際の実抵抗率と、目標抵抗率とを用いて、抵抗率の的中率（Accuracy）の絶対値が最小となるように、中性子照射量（φｔｈ×ｔ）の項に補正係数αを乗算している。しかしながら、このような方法を用いると、一時的な中性子束の変動を含む中性子照射量の変動が生じた場合は、その影響を受けてしまう。図５の左半分の比較例に示すとおり、時系列の最初の方では補正係数を頻繁に変更しているにも拘らずその後の抵抗率のばらつきが小さくなっていない。これに対して、図５の右半分の実施例では、検量線に基づいて補正係数を変更しているので、変更後の抵抗率のばらつきが小さくなっている。
【符号の説明】
【００３１】
１…シリコン単結晶の製造装置
１１…第１チャンバ
１２…第２チャンバ
１３…ガス導入口
１４…ガス排出口
２１…石英製の坩堝
２２…黒鉛製の坩堝
２３…支持軸
２４…駆動機構
２５…ヒータ
２６…保温筒
２７…熱遮蔽部材
２８…ブラケット
３１…ワイヤ
３２…引上げ機構
４１…磁場発生装置
Ｍ…シリコン融液
Ｃ…シリコン単結晶
Ｓ…種結晶
５…中性子照射装置
５１…コア
５２…熱中性子束
５３…インゴット収納器
Ｉ…シリコン単結晶のインゴット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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