(57)【要約】【課題】回折格子の端と光変調器の出射端面の距離をｎｍレベルで制御することができる光デバイスの製造方法を得る。【解決手段】活性層２の上の第１の絶縁膜１８に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、光吸収層５の上の第１の絶縁膜１８に、光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。第１の絶縁膜１８の端面形成パターンの上に第２の絶縁膜２０を形成する。第１及び第２の絶縁膜１８，２０をマスクにして回折格子形成層１７をエッチングして回折格子３を形成し、回折格子３を埋込層４で埋め込む。第２の絶縁膜２０を除去し、回折格子３及び埋込層４の上に、端面形成パターンを覆わないように第３の絶縁膜２１を形成する。第１及び第３の絶縁膜１８，２１をマスクとして光吸収層５をエッチングして光変調器の出射端面を形成する。【選択図】図１６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にＤＦＢレーザとなる活性層と回折格子形成層を順に形成する工程と、
前記活性層と前記回折格子形成層の一部を除去して、前記活性層にバットジョイントした光変調器となる吸収層を前記基板の上に形成する工程と、
前記回折格子形成層及び前記吸収層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記活性層の上の前記第１の絶縁膜に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、前記吸収層の上の前記第１の絶縁膜に、前記光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の前記端面形成パターンの上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜をマスクにして前記回折格子形成層をエッチングして回折格子を形成する工程と、
前記回折格子の上の前記第１の絶縁膜を除去し、前記吸収層の上の前記第１及び第２の絶縁膜を残したまま前記回折格子を埋込層で埋め込む工程と、
前記第２の絶縁膜を除去し、前記回折格子及び前記埋込層の上に、前記端面形成パターンを覆わないように第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１及び第３の絶縁膜をマスクとして前記吸収層をエッチングして前記光変調器の前記出射端面を形成する工程とを備えることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記吸収層をエッチングした部分に半導体層を埋め込んで窓部又は受動導波路を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項３】
基板の上にＤＦＢレーザとなる活性層と回折格子形成層を順に形成する工程と、
前記活性層と前記回折格子形成層の一部を除去して、前記活性層にバットジョイントした窓部となる半導体層を前記基板の上に形成する工程と、
前記回折格子形成層及び前記半導体層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記活性層の上の前記第１の絶縁膜に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、前記半導体層の上の前記第１の絶縁膜に、前記窓部の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の前記端面形成パターンの上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜をマスクにして前記回折格子形成層をエッチングして回折格子を形成する工程と、
前記回折格子の上の前記第１の絶縁膜を除去し、前記半導体層の上の前記第１及び第２の絶縁膜を残したまま前記回折格子を埋込層で埋め込む工程と、
前記第２の絶縁膜を除去し、前記回折格子及び前記埋込層の上に、前記端面形成パターンを覆わないように第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１及び第３の絶縁膜をマスクとして前記半導体層をエッチングして前記窓部の前記出射端面を形成する工程とを備えることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記活性層の上に上クラッド層を形成し、前記上クラッド層をドライエッチングして垂直リッジ型構造を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界吸収型光変調器集積半導体レーザなどの光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高速・大容量の光通信システムに用いられる半導体デバイスとして、半導体レーザと電界吸収型光変調器と窓部を集積した光デバイスが知られている（例えば、特許文献１（図１）参照）。このような光デバイスの半導体レーザには分布帰還型（Distributed Feedback: DFB）レーザが用いられ、回折格子の有る領域への、変調された戻り光の位相制御が重要であることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。回折格子の製造方法として、電子ビーム(electron beam: EB)露光を回折格子のパターン形成に用いることが知られている（例えば、特許文献１（段落００１０）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−０９２９２１号公報
【特許文献２】特開平１１−１４５５５７号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】応用物理学会編、伊賀健一編著「半導体レーザ」、オーム社、１９９４年（特に、ｐ．３６６〜ｐ．３６８、図１７・１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図３２は、電界吸収型光変調器集積半導体レーザを示す平面図である。ＤＦＢレーザで発生したＣＷ光を、電界吸収型光変調器に変調電気信号を印加することにより変調する。光デバイスの前端面と光変調器の出射端面との間には、光デバイスの前端面からの戻り光を低減するための窓部が設けられている。しかし、光変調器と窓部との界面である光変調器の出射端面からの戻り光がＤＦＢレーザの活性領域内に入射する。この光の位相によってはＤＦＢレーザ内のホールバーニングが大きくなり、レーザの発振波長の変化が大きくなることにより、伝送特性が劣化するという問題がある。
【０００６】
従来の技術では、回折格子のパターンは電子ビーム露光により形成し、その他の領域のパターンはガラスマスクにより形成していた。このため、回折格子の端と光変調器の出射端の距離のアライメント精度は光の波長に対して十分でなく、光変調器の出射端からの反射光がＤＦＢレーザに入射する際の光の位相を制御することは困難であった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は回折格子の端と光変調器の出射端面の距離をｎｍレベルで制御することができる光デバイスの製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光デバイスの製造方法は、基板の上にＤＦＢレーザとなる活性層と回折格子形成層を順に形成する工程と、前記活性層と前記回折格子形成層の一部を除去して、前記活性層にバットジョイントした光変調器となる吸収層を前記基板の上に形成する工程と、前記回折格子形成層及び前記吸収層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記活性層の上の前記第１の絶縁膜に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、前記吸収層の上の前記第１の絶縁膜に、前記光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する工程と、前記第１の絶縁膜の前記端面形成パターンの上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第１及び第２の絶縁膜をマスクにして前記回折格子形成層をエッチングして回折格子を形成する工程と、前記回折格子の上の前記第１の絶縁膜を除去し、前記吸収層の上の前記第１及び第２の絶縁膜を残したまま前記回折格子を埋込層で埋め込む工程と、前記第２の絶縁膜を除去し、前記回折格子及び前記埋込層の上に、前記端面形成パターンを覆わないように第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第１及び第３の絶縁膜をマスクとして前記吸収層をエッチングして前記光変調器の前記出射端面を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。これにより、回折格子の端と光変調器の出射端面の距離をｎｍレベルで制御することができる。従って、光変調器の出射端面からの反射光がＤＦＢレーザに入射する際の光の位相を制御して、戻り光の影響による波長変化の小さい電界吸収型光変調器集積ＤＦＢレーザを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光デバイスを示す光の伝播方向に沿った断面図である。
【図２】図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＶに沿った断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図３０】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図３２】電界吸収型光変調器集積半導体レーザを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る光デバイスの製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る光デバイスを示す光の伝播方向に沿った断面図である。本実施の形態に係る光デバイスでは、ＤＦＢレーザ、光変調器及び窓部が順に並んで集積化されている。
【００１３】
ＤＦＢレーザにおいて、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ又はＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷの活性層２とｐ−ＩｎＧａＡｓＰの回折格子３が順に形成されている。回折格子３はｐ−ＩｎＰの埋込層４により埋め込まれている。光変調器において、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ又はＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷの光吸収層５が形成されている。光吸収層５は活性層２にバットジョイントされている。窓部において、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＩｎＰ層６が形成されている。
【００１４】
埋込層４、光吸収層５及びＩｎＰ層６上にｐ−ＩｎＰの上クラッド層７が形成されている。ＤＦＢレーザ及び光変調器において、上クラッド層７上にｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層８及びｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）のコンタクト層９が順に形成されている。ＤＦＢレーザにおいてコンタクト層９上にアノード電極１０が形成されている。光変調器においてコンタクト層９上にアノード電極１１が形成されている。アノード電極１０，１１はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどである。ＤＦＢレーザと光変調器の間に電気的アイソレーション用のメサ１２が形成され、光変調器と窓部の間にメサ１３が形成されている。アノード電極１０，１１以外の表面はＳｉＯ２などの絶縁膜１４で覆われている。ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｌ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどのカソード電極１５が形成されている。
【００１５】
図２は図１のＩ−ＩＩに沿った断面図であり、図３は図１のＩＩＩ−ＩＶに沿った断面図である。ＤＦＢレーザ及び光変調器において上クラッド層７などがドライエッチングされて垂直リッジ型構造が形成されている。垂直リッジ型構造の両サイドは半絶縁性ＩｎＰ埋込層１６により埋め込まれている。
【００１６】
続いて、本実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する。図４，６，８，１０，１２，１４，１６，１８は、本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。図５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９は、本発明の実施の形態１に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【００１７】
まず、図４及び図５に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１の上にＤＦＢレーザとなる活性層２と回折格子形成層１７を順に形成する。次に、図６及び図７に示すように、活性層２と回折格子形成層１７の一部を除去して、活性層２にバットジョイントした光変調器となる光吸収層５をｎ−ＩｎＰ基板１の上に形成する。
【００１８】
次に、図８及び図９に示すように、回折格子形成層１７及び光吸収層５の上にＳｉＯ２の第１の絶縁膜１８を形成する。第１の絶縁膜１８上にレジスト１９を形成して電子ビーム露光によりレジスト１９をパターニングする。次に、図１０及び図１１に示すように、レジスト１９をマスクとして第１の絶縁膜１８をエッチングする。このようにして活性層２の上の第１の絶縁膜１８に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、光吸収層５の上の第１の絶縁膜１８に、光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。その後、レジスト１９を除去して、第１の絶縁膜１８の端面形成パターンの上にＳｉＮの第２の絶縁膜２０を形成する。
【００１９】
次に、図１２及び図１３に示すように、第１及び第２の絶縁膜１８，２０をマスクにして回折格子形成層１７をエッチングして回折格子３を形成する。次に、図１４及び図１５に示すように、回折格子３の上の第１の絶縁膜１８を除去し、光吸収層５の上の第１及び第２の絶縁膜１８，２０を残したまま回折格子３を埋込層４で埋め込む。
【００２０】
次に、図１６及び図１７に示すように、第２の絶縁膜２０を除去し、回折格子３及び埋込層４の上に、端面形成パターンを覆わないようにＳｉＮの第３の絶縁膜２１を形成する。フッ酸系溶液を用いて、ＳｉＮの第３の絶縁膜２１をエッチングせずに、ＳｉＯ２の第１の絶縁膜１８を選択的にエッチングしてパターニングする。ただし、光変調器の出射端面となる位置に対応する第１の絶縁膜１８の端面形成パターンの端部はエッチングしない。そして、第１及び第３の絶縁膜１８，２１をマスクとして窓部を形成する深さまで光吸収層５をエッチングして光変調器の出射端面を形成する。
【００２１】
次に、図１８及び図１９に示すように、光吸収層５をエッチングした部分にｐ型又はアンドープのＩｎＰ層６を埋め込んで窓部を形成する。その後、活性層２の上に上クラッド層７等を形成し、ドライエッチングにより垂直リッジ型構造を形成する。
【００２２】
本実施の形態では、回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、光変調器の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。これにより、回折格子３の端と光変調器の出射端面の距離をｎｍレベルで制御することができる。従って、光変調器の出射端面からの反射光がＤＦＢレーザに入射する際の光の位相を制御して、戻り光の影響による波長変化の小さい電界吸収型光変調器集積ＤＦＢレーザを得ることができる。
【００２３】
具体的には、回折格子３の端と光変調器の出射端面の距離Ｌを以下のように設定する。
Ｌ＝（ｍ＋ａ）λ／２
ここで、λはレーザ光の管内波長、ｍは整数、０．４≦ａ≦０．６である。距離Ｌを上記のように設定することにより、光変調器の出射端面からの戻り光がＤＦＢレーザの活性領域内に入射する際の戻り光の位相は、ＤＦＢレーザ内の定在波に対して、およそ＋９０°又は−９０°となる（例えば、非特許文献１（図１７・１２）参照）。このため、ＤＦＢレーザ内のホールバーニングが大きくなることが無く、レーザの発振波長の変化が小さくなるため、伝送特性が劣化するという問題は生じない。
【００２４】
また、本実施の形態の製造方法を用いることにより、従来のガラスマスクのみを用いて光変調器の出射端面の位置を決めて製造する場合には不可能だった、高精度アライメントが実現できる。特許文献２ではマイクロローディング効果を用いるためエッチングマスク窓部を大きくする必要があったが、本実施の形態にはそのような制約もない。
【００２５】
また、垂直リッジ型構造は、ウェットエッチングなどの不安定な製造方法により形成する逆メサリッジ構造と異なり、ドライエッチングにより形成される。従って、製造ばらつきによる実効屈折率のばらつきが小さいため、戻り光の位相の制御の誤差が小さくなる。
【００２６】
なお、ＩｎＰ層６を有する窓部の代わりに、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波路コア層を有する受動導波路を形成してもよい。
【００２７】
実施の形態２．
本実施の形態に係る光デバイスでは、実施の形態１に比べて窓部が無く、ＤＦＢレーザ及び光変調器が順に並んで集積化されている。光変調器の出射端を光デバイスの前端面とする。この前端面はへき開ではなく、エッチングにより形成する。
【００２８】
本実施の形態に係る光デバイスの製造方法は実施の形態１の図４〜図１７の工程と同様である。ただし、回折格子３の端と光変調器の出射端面の距離Ｌを以下のように設定する。
Ｌ＝（ｍ＋ａ）λ／２
ここで、λはレーザ光の管内波長、ｍは整数、０．４−ｂ≦ａ≦０．６−ｂ、ｂは絶縁膜の多層コートが設けられた前端面の戻り光位相である。これにより、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００２９】
実施の形態３．
本実施の形態に係る光デバイスでは、実施の形態１に比べて光変調器が無く、ＤＦＢレーザ及び窓部が順に並んで集積化されている。窓部の出射端を光デバイスの前端面とする。この前端面はへき開ではなく、エッチングにより形成する。
【００３０】
図２０，２２，２４，２６，２８，３０は、本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す断面図である。図２１，２３，２５，２７，２９，３１は、本発明の実施の形態３に係る光デバイスの製造方法を示す平面図である。
【００３１】
まず、実施の形態１の図４及び図５と同様に、ｎ−ＩｎＰ基板１の上にＤＦＢレーザとなる活性層２と回折格子形成層１７を順に形成する。次に、図２０及び図２１に示すように、活性層２と回折格子形成層１７の一部を除去して、活性層２にバットジョイントした窓部となるｐ型又はアンドープのＩｎＰ層６をｎ−ＩｎＰ基板１の上に形成する。
【００３２】
次に、図２２及び図２３に示すように、回折格子形成層１７及びＩｎＰ層６の上にＳｉＯ２の第１の絶縁膜１８を形成する。第１の絶縁膜１８上にレジスト１９を形成して電子ビーム露光によりレジスト１９をパターニングする。次に、図２４及び図２５に示すように、レジスト１９をマスクとして第１の絶縁膜１８をエッチングする。このようにして活性層２の上の第１の絶縁膜１８に回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、ＩｎＰ層６の上の第１の絶縁膜１８に、窓部の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。その後、レジスト１９を除去して、第１の絶縁膜１８の端面形成パターンの上にＳｉＮの第２の絶縁膜２０を形成する。
【００３３】
次に、図２６及び図２７に示すように、第１及び第２の絶縁膜１８，２０をマスクにして回折格子形成層１７をエッチングして回折格子３を形成する。次に、図２８及び図２９に示すように、回折格子３の上の第１の絶縁膜１８を除去し、ＩｎＰ層６の上の第１及び第２の絶縁膜１８，２０を残したまま回折格子３を埋込層４で埋め込む。
【００３４】
次に、図３０及び図３１に示すように、第２の絶縁膜２０を除去し、回折格子３及び埋込層４の上に、端面形成パターンを覆わないように第３の絶縁膜２１を形成する。次に、第１及び第３の絶縁膜１８，２１をマスクとしてＩｎＰ層６をエッチングして窓部の出射端面を形成する。その後、活性層２の上に上クラッド層７等を形成する。上クラッド層７等をドライエッチングして垂直リッジ型構造を形成する。
【００３５】
本実施の形態では、回折格子パターンを電子ビーム露光により形成すると同時に、窓部の出射端面となる位置を端部とする端面形成パターンを電子ビーム露光により形成する。これにより、回折格子３の端と窓部の出射端面の距離をｎｍレベルで制御することができる。従って、窓部の出射端面、即ち光デバイスの前端面からの反射光がＤＦＢレーザに入射する際の光の位相を制御して、戻り光の影響による波長変化の小さいＤＦＢレーザを得ることができる。
【００３６】
具体的には、回折格子３の端と窓部の出射端面の距離Ｌを以下のように設定する。
Ｌ＝（ｍ＋ａ）λ／２
ここで、λはレーザ光の管内波長、ｍは整数、−０．１−ｂ≦ａ≦０．１−ｂ、ｂは絶縁膜の多層コートが設けられた前端面の戻り光位相である。距離Ｌを上記のように設定することにより、窓部の出射端面からの戻り光がＤＦＢレーザの活性領域内に入射する際の戻り光の位相は、ＤＦＢレーザ内の定在波に対して、およそ０°又は１８０°となる（例えば、非特許文献１参照）。このため、レーザの発振波長の単一モード性が小さくなり、伝送特性が劣化するという問題は生じない。
【００３７】
なお、窓部の出射端面は光デバイスの後端面でもよい。これにより、ＤＦＢレーザの回折格子３の端と光デバイスの後端面の距離をｎｍレベルで制御することができる。このように光デバイスの後端面をへき開ではなく、エッチングにより形成する場合にも本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００３８】
１  ｎ−ＩｎＰ基板（半導体基板）、２  活性層、３  回折格子、４  埋込層、５  光吸収層、６  ＩｎＰ層（半導体層）、７  上クラッド層、１７  回折格子形成層、１８  第１の絶縁膜、２０  第２の絶縁膜、２１  第３の絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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