(57)【要約】      （修正有）【課題】均一な化学的研磨を担保することによって回路の断線および／または短絡を防止できる軟性銅箔積層フィルムおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の軟性銅箔積層フィルム１００は、非伝導性高分子基材１１０、非伝導性高分子基材上のタイコート層１２０およびタイコート層上の銅層１３０を含む。銅層の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、研磨された銅層は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ方向平均銅結晶粒を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面およびその反対側の第２面を有する非伝導性高分子基材（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、
前記非伝導性高分子基材の前記第１面上の第１タイコート層（ｔｉｅｃｏａｔ  ｌａｙｅｒ）、および
前記第１タイコート層上の第１銅層（ｃｏｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）を含み、
前記第１銅層の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、前記研磨された第１銅層は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の銅結晶粒平均大きさを有することを特徴とする、軟性銅箔積層フィルム。
【請求項２】
前記非伝導性高分子基材はポリイミドを含み、１０〜４０μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。
【請求項３】
前記第１タイコート層はニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）またはこれらのうち２以上の混合物を含み、１５０〜３００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。
【請求項４】
前記第１タイコート層はニッケルおよびクロムを含み、
前記第１タイコート層内の前記クロムの含量は５〜２５重量％であることを特徴とする、請求項３に記載の軟性銅箔積層フィルム。
【請求項５】
前記第１銅層は、
前記第１タイコート層上の第１銅シード層、
前記第１銅シード層上の第１銅メッキ層を含み、
前記第１銅シード層は５００〜１，５００Åの厚さを有し、
前記第１銅メッキ層は１．８〜２．４μｍの厚さを有する、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。
【請求項６】
前記非伝導性高分子基材の前記第２面上の第２タイコート層、および
前記第２タイコート層上の第２銅層をさらに含み、
前記第２銅層の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、前記研磨された第２銅層は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさを有するようになる、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。
【請求項７】
非伝導性高分子基材を準備する段階、
前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面上にタイコート層を形成する段階、
スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に銅シード層を形成する段階、および
前記銅シード層上に銅メッキ層を形成する段階を含み、
前記タイコート層および前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を複数のメッキ槽を順次通過させる段階的電解メッキ（ｍｕｌｔｉｓｔａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｐｌａｔｉｎｇ）を通じて前記銅メッキ層が形成され、
前記メッキ槽のそれぞれから加えられる電流密度は０．５〜３ＡＳＤであり、
前記メッキ槽から加えられる電流密度のうち最大電流密度は２．８〜３ＡＳＤであり、
前記メッキ槽内の電解液の温度は３４〜３６℃に維持されることを特徴とする、軟性銅箔積層フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記製造方法は、前記タイコート層を形成する前に、
前記非伝導性高分子基材から水分および残留ガスを除去する段階、および
引き続き、前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面をプラズマで処理する段階をさらに含み、
前記タイコート層はスパッタリング工程を通じて形成され、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）またはこれらのうち２以上の混合物を含み、１５０〜３００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項７に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記タイコート層はニッケルおよびクロムを含み、
前記タイコート層内の前記クロムの含量は５〜２５重量％であることを特徴とする、請求項８に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記段階的電解メッキを遂行する時に実施される順序により各段階別に電流密度が増加し、
前記メッキ槽内の電解液のそれぞれは３０〜４０ｇ／Ｌの銅、１７０〜１８０ｇ／Ｌの硫酸、および４５〜５５ｐｐｍのＣｌを含むことを特徴とする、請求項７に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は軟性銅箔積層フィルムおよびその製造方法に関するもので、さらに具体的には、回路の断線および／または短絡を防止できる軟性銅箔積層フィルムおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ノートパソコン、携帯電話、ＰＤＡ、小型ビデオカメラおよび電子手帳などの電子機器がますます小型化および軽量化されるにつれて、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などに適用され得るフレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ：ＦＰＣＢ）に対する需要が増加している。これに伴い、ＦＰＣＢ製造に利用される軟性銅箔積層フィルム（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＦＣＣＬ）に対する需要も増加している。
【０００３】
軟性銅箔積層フィルムは非伝導性高分子膜と銅層の積層体であって、軟性銅箔積層フィルムの銅層を選択的に除去して前記非伝導性高分子膜上に所定の回路パターンを形成することによって、フレキシブルプリント回路基板を得ることができる。
【０００４】
軟性銅箔積層フィルムは、ｉ）銅箔を製造した後、コーティングまたはラミネーティング工程を通じて前記銅箔上に非伝導性高分子膜を形成するか、またはｉｉ）非伝導性高分子膜上に銅を蒸着することによって形成され得る。後者の製造方法が非常に薄厚の銅層の形成を可能とする点で、前者の製造方法に比べて有利である。
【０００５】
前記軟性銅箔積層フィルムを利用して回路パターンを形成する方法としては、ｉ）相対的に厚い厚さの初期銅層を形成した後、回路配線以外の残り部分を除去するサブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）方式と、ｉｉ）相対的に薄厚の初期銅層を形成した後、回路配線に対応する領域上に銅メッキ（以下、「銅パターンメッキ」）をさらに実施するセミ−アディティブ（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式がある。
【０００６】
より狭いピッチ（ｐｉｔｃｈ）の具現ができるという点で、前記セミ−アディティブ方式が前記サブトラクティブ方式と比べて好まれている。
【０００７】
前記セミ−アディティブ方式では、前記非伝導性高分子膜上に形成された銅層の厚さを減少させる化学的研磨工程が遂行される必要がある。
【０００８】
しかし、前記化学的研磨工程の遂行時に研磨速度が前記銅層の全体表面にかけて均一ではないため、前記銅層の一部領域において銅層の表面に凹凸が形成される問題が発生する。銅層の表面上に形成された凹凸は不均一な銅パターンメッキを誘発する。
【０００９】
このような銅パターンメッキの不均一によって、回路パターンの形成時に除去されるべき銅層部分が完全に除去されずにその一部が残存することによって、回路の短絡が引き起こされるか、回路パターンの形成時に残存すべきである銅層部分が除去されることによって回路の断線が引き起こされる。
【００１０】
このような回路の短絡または断線は、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ）そのものはもちろん、それが適用される電子機器の歩留まりおよび信頼性を低下させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明は前記のような関連技術の制限および短所に起因した問題点を防止できる軟性銅箔積層フィルムおよびその製造方法に関するものである。
【００１２】
本発明の一観点は、均一な化学的研磨を担保することによって回路の断線および／または短絡を防止できる軟性銅箔積層フィルムを提供することである。
【００１３】
本発明の他の観点は、均一な化学的研磨を担保することによって回路の断線および／または短絡を防止できる軟性銅箔積層フィルムの製造方法を提供することである。
【００１４】
前記で言及された本発明の観点の他にも、本発明の他の特徴および利点が以下で説明されるか、そのような説明から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記のような本発明の一観点によって、第１面およびその反対側の第２面を有する非伝導性高分子基材（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）；前記非伝導性高分子基材の前記第１面上の第１タイコート層（ｔｉｅｃｏａｔ  ｌａｙｅｒ）；および前記第１タイコート層上の第１銅層（ｃｏｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）を含むものの、前記第１銅層の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、前記研磨された第１銅層は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の銅結晶粒平均大きさを有することを特徴とする、軟性銅箔積層フィルムが提供される。
【００１６】
本発明の他の観点により、非伝導性高分子基材を準備する段階；前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面上にタイコート層を形成する段階；スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に銅シード層を形成する段階；および前記銅シード層上に銅メッキ層を形成する段階を含むものの、前記タイコート層および前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を複数のメッキ槽を順次通過させる段階的電解メッキ（ｍｕｌｔｉｓｔａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｐｌａｔｉｎｇ）を通じて前記銅メッキ層が形成され、前記メッキ槽のそれぞれから加えられる電流密度は０．５〜３ＡＳＤであり、前記メッキ槽から加えられる電流密度のうち最大電流密度は２．８〜３ＡＳＤであり、前記メッキ槽内の電解液の温度は３４〜３６℃に維持されることを特徴とする、軟性銅箔積層フィルムの製造方法が提供される。
【００１７】
前記のような本発明に対する一般的な記述は本発明を例示するか説明するためのものに過ぎず、本発明の権利範囲を制限しない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、セミ−アディティブ方式を通じてフレキシブルプリント回路基板を製造することによって、より狭いピッチ（ｐｉｔｃｈ）の回路パターンが具現できるだけでなく、回路の断線および／または短絡による製品の不良率を最小化することによって製品の生産性および信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
添付された図面は、本発明の理解を助け、本明細書の一部を構成するためのものであって、本発明の実施例を例示し、発明の詳細な説明とともに本発明の原理を説明する。
【図１】本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの断面図である。
【図２】本発明の他の実施例による軟性銅箔積層フィルムの断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３ａ】実施例１および比較例１のＥＢＳＤ測定結果をそれぞれ示す写真である。
【図１３ｂ】実施例１および比較例１のＥＢＳＤ測定結果をそれぞれ示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２１】
本発明の技術的思想および範囲を逸脱しない範囲内で本発明の多様な変更および変形が可能であることは当業者に自明である。したがって、本発明は特許請求の範囲に記載された発明およびその均等な発明の範囲内に入る変更および変形をすべて含む。
【００２２】
図１は本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルムの断面図である。
【００２３】
図１に例示された通り、本発明の軟性銅箔積層フィルム１００は、第１面およびその反対側の第２面を有する非伝導性高分子基材（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１１０、前記非伝導性高分子基材１１０の前記第１面上の第１タイコート層１２０、および前記第１タイコート層１２０上の第１銅層１３０を含む。
【００２４】
前記非伝導性高分子基材１１０はポリイミドを含むことができ、ロールツーロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）装置の活用を可能にし、軟性銅箔積層フィルム１００に軟性を付与するために１０〜４０μｍの厚さを有することができる。
【００２５】
前記第１タイコート層１２０は、相異する物質からなる非伝導性高分子基材１１０と第１銅層１３０との間の接着力を向上させるためにこれらの間に介在されたもので、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）またはこれらのうち２以上の混合物を含むことができる。
【００２６】
本発明の一実施例によれば、前記第１タイコート層１２０はニッケル合金である。例えば、前記第１タイコート層１２０はニッケルおよびクロムを含むことができ、前記第１タイコート層１２０内の前記クロムの含量は５〜２５重量％であり得る。クロム含量が前記範囲から外れると非伝導性高分子基材１１０と第１銅層１３０との間に所望の界面接着力を確保できない。
【００２７】
本発明の一実施例によれば、前記第１タイコート層１２０は１５０〜３００Åの厚さを有する。前記厚さが１５０Å未満であると、非伝導性高分子基材１１０と第１銅層１３０との間に所望の界面接着力を確保できず、前記厚さが３００Åを超過すると後続の回路パターンの形成時に食刻されるべき部分が食刻されずに残存する危険が大きくなる。
【００２８】
図１に例示された通り、前記第１銅層１３０は、前記第１タイコート層１２０上の第１銅シード層１３１および前記第１銅シード層１３１上の第１銅メッキ層１３２を含むことができる。
【００２９】
前記第１銅シード層１３１はスパッタリング工程を通じて、５００〜１，５００Åの厚さを有するように形成され得、前記第１銅メッキ層１３２は電解メッキ工程を通じて１．８〜２．４μｍの厚さを有するように形成され得る。前記第１銅シード層１３１は、ロールツーロール装置を活用して電解メッキ工程を遂行する時に電気配線として機能する。
【００３０】
本発明の軟性銅箔積層フィルム１００は前記第１銅層１３０上の保護層（図示されず）をさらに含むことができる。前記保護層は前記第１銅層１３０の酸化および腐食を防止するためのものであり、有機物で形成され得る。
【００３１】
本発明の軟性銅箔積層フィルム１００はセミ−アディティブ方式によるフレキシブルプリント回路基板の製造に適用されるためのものである。セミ−アディティブ方式によれば、前記第１銅層１３０の中で回路配線に対応する領域上にのみ電解メッキを通じて銅パターン層が追加的に形成される。したがって、このような追加のメッキ工程を遂行する前に、銅パターン層が形成されてはならない領域上にはメッキ防止のためのパターン、例えば感光性パターンを形成する工程が要求される。
【００３２】
前記感光性パターンと前記第１銅層１３０との間の接着力が不充分であると、前記感光性パターンが全体的または部分的に前記第１銅層１３０から剥離される危険がある。前記感光性パターンと前記第１銅層１３０との剥離は、微細回路パターン形成のための前記追加のメッキ工程を遂行する時に銅パターン層が所望しない所に形成される結果を引き起こす。
【００３３】
したがって、前記感光性パターンと前記第１銅層１３０との間の接着力を向上させるために、前記感光性パターンを前記第１銅層１３０上に形成する前に前記第１銅層１３０の化学的研磨を遂行する。
【００３４】
前述した通り、化学的研磨工程を遂行する時、研磨速度が前記第１銅層１３０の全体表面に亘って均一でないため、第１銅層１３０の一部領域において凹凸が形成される問題が発生する。第１銅層１３０の表面上に形成された凹凸は、銅パターン層形成のための電解メッキの不均一を誘発する。このような電解メッキの不均一によって、回路パターンの形成時に除去されなければならない銅層部分が完全に除去されずにその一部が残存することによって回路の短絡が引き起こされるか、回路パターンの形成時に残存すべきである銅層部分が除去されることによって回路の断線が引き起こされる。
【００３５】
したがって、本発明によれば、前記第１銅層１３０の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、前記研磨された第１銅層１３０は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の銅結晶粒平均大きさを有するようになる。すなわち、第１銅層１３０の化学的研磨後研磨された表面上に凹凸が存在しない。したがって、本発明の軟性銅箔積層フィルム１００で軟性回路基板を製造する場合、回路の断線および／または短絡による不良を顕著に減少させることができ、その結果、製品の生産性および信頼性を向上させることができる。
【００３６】
前記第１銅層１３０の化学的研磨のために使われる銅食刻液は、プンウォン化学社のＭＦＥ−５００（過酸化水素１０重量％、硫酸２３重量％、水６７重量％）原液を２０％に希釈することによって得られ、前記化学的研磨は常温（ｒｏｏｍ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）で遂行される。
【００３７】
以下では、図２を参照して本発明の他の実施例に係る軟性銅箔積層フィルム１００を説明する。
【００３８】
図２に例示された通り、本発明の他の実施例に係る軟性銅箔積層フィルム１００は前記非伝導性高分子基材１１０の前記第２面上の第２タイコート層１２０ａと前記第２タイコート層１２０ａ上の第２銅層１３０ａをさらに含む。
【００３９】
前記第１タイコート層１２０と同じように、前記第２タイコート層１２０ａもニッケルおよびクロムを含むものの、前記クロムの含量は５〜２５重量％であり得、１５０〜３００Åの厚さを有することができる。
【００４０】
前記第２銅層１３０ａは前記第２タイコート層１２０ａ上の第２銅シード層１３１ａおよび前記第２銅シード層１３１ａ上の第２銅メッキ層１３２ａを含む。前記第２銅シード層１３１ａはスパッタリング工程を通じて５００〜１，５００Åの厚さを有するように形成され得、前記第２銅メッキ層１３２ａは電解メッキ工程を通じて１．８〜２．４μｍの厚さを有するように形成され得る。
【００４１】
前記第１銅層１３０と同じように、前記第２銅層１３０ａの厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、研磨された第２銅層１３０ａも０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさを有するようになる。
【００４２】
以下では、図３〜図６を参照して、本発明の一実施例に係る軟性銅箔積層フィルム１００の製造方法を具体的に説明する。
【００４３】
まず、図３に例示された通り、非伝導性高分子基材１１０を準備する。
【００４４】
前記非伝導性高分子基材１１０は１０〜４０μｍの厚さを有することができ、熱硬化性樹脂（例えば、フェノール樹脂、フェノールアルデヒド樹脂、アリル樹脂、エポキシ樹脂など）、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂など）、ポリエステル樹脂（例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮなど）、またはポリイミド樹脂で形成され得る。
【００４５】
好ましくは、前記非伝導性高分子基材１１０はポリイミド樹脂で形成される。例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を圧出してフィルムを製造し、前記ポリアミック酸のイミド化のために前記フィルムを熱処理することによって、ポリイミドを含む非伝導性高分子基材１１０を製造することができる。
【００４６】
前記非伝導性高分子基材１１０の水分および残留ガスを除去するための乾燥段階が真空雰囲気で赤外線（ＩＲ）ヒーターを利用して５０〜３００℃で遂行され得る。赤外線（ＩＲ）ヒーターの温度が５０℃未満であると水分をきちんと除去することができず、赤外線（ＩＲ）ヒーターの温度が３００℃を超過すると非伝導性高分子基材１１０が損傷して品質低下が引き起こされる。
【００４７】
前記乾燥段階後、前記非伝導性高分子基材１１０の表面上に存在し得る汚染物質を除去し、表面改質を通じて後続工程で形成されるタイコート層１２０との接着力を向上させるために、前記非伝導性高分子基材１１０はプラズマで処理され得る。
【００４８】
引き続き、図４に例示された通り、前記非伝導性高分子基材１１０の少なくとも一面上にタイコート層１２０を形成する。
【００４９】
前記タイコート層１２０はＤＣスパッタリング装置を利用したスパッタリング工程を通じて１５０〜３００Åの厚さを有するように形成され得る。前記タイコート層１２０の厚さが１５０Å未満である場合には、前記非伝導性高分子基材１１０と後続工程で形成される銅層１３０との間の接着力が不充分となる。反面、前記タイコート層１２０の厚さが３００Åを超過する場合には、回路パターン形成のためのエッチング工程が遂行される時、除去されなければならないタイコート層１２０の一部が残存して回路の短絡が誘発される危険性が高まる。
【００５０】
前述した通り、前記タイコート層１２０は前記非伝導性高分子基材１１０と後続工程で形成される銅層１３０の接着力を高めるためのものであって、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）またはこれらのうち２以上の混合物を含むことができる。
【００５１】
本発明の一実施例によれば、前記タイコート層１２０はニッケル合金である。例えば、前記タイコート層１２０はニッケルおよびクロムを含むことができ、前記タイコート層１２０内の前記クロムの含量は５〜２５重量％であり得る。
【００５２】
前記スパッタリング装置の電力調節を通じて前記タイコート層１２０の密度が調節され得、チャンバーの真空度を調節することによってタイコート層１２０の酸素含量が調節され得る。
【００５３】
引き続き、前記タイコート層１２０上に銅層１３０を形成する。前記銅層１３０の形成段階は、図５に例示された通り、前記タイコート層１２０上に銅シード層１３１を形成する段階および図６に例示された通り、前記銅シード層１３１上に銅メッキ層１３２を形成する段階を含む。
【００５４】
前記銅シード層１３１はＤＣスパッタリング装置を利用したスパッタリング工程を通じて５００〜１，５００Åの厚さを有するように形成され得、前記銅メッキ層１３２は電解メッキ工程を通じて１．８〜２．４μｍの厚さを有するように形成され得る。
【００５５】
以下では、前記銅メッキ層１３２形成のための本発明の電解メッキ工程をさらに具体的に説明する。
【００５６】
前記タイコート層１２０および前記銅シード層１３１が形成されている前記非伝導性高分子基材１１０が３０〜４０ｇ／Ｌの銅、１７０〜１８０ｇ／Ｌの硫酸、および４５〜５５ｐｐｍのＣｌを含む電解液が入れられている１０〜２０個のメッキ槽を順次通過することによって本発明の段階的電解メッキ（ｍｕｌｔｉｓｔａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｐｌａｔｉｎｇ）が遂行される。
【００５７】
前記銅層１３０の化学的研磨後、凹凸発生を防止するために、前記メッキ槽のそれぞれから加えられる電流密度は０．５〜３ＡＳＤであり、前記メッキ槽から加えられる電流密度のうち最大電流密度は２．８〜３ＡＳＤである。
【００５８】
本発明の一実施例によれば、前記段階的電解メッキを遂行する時に実施される順序によって各段階別に電流密度を増加させることができる。
【００５９】
本発明によれば、前記銅層１３０の化学的研磨後、凹凸発生を防止するために、前記メッキ槽内の電解液の温度は３４〜３６℃に維持される。
【００６０】
このような本発明の段階的電解メッキを通じて、化学的研磨時のエッチング速度の不均一を最大限抑制できる銅層１３０が製造され得る。また、前記銅層１３０の厚さを１〜２μｍ減少させる化学的研磨を遂行する場合、前記研磨された銅層１３０は０．１〜０．１５μｍの表面粗さ（Ｒｚ）および２μｍ以下のＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさを有するようになる。すなわち、銅層１３０の化学的研磨後研磨された表面上に凹凸が存在しない。したがって、前記のように製造された本発明の軟性銅箔積層フィルム１００で軟性回路基板を製造する場合、回路の断線および／または短絡による不良を顕著に減少させることができ、その結果、製品の生産性および信頼性を向上させることができる。
【００６１】
以下では、図７〜図１２を参照して、本発明の一実施例に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法を具体的に説明する。
【００６２】
まず、前述のように製造された本発明の軟性銅箔積層フィルム１００を準備する。
【００６３】
引き続き、図８に例示された通り、前記銅層１３０［より正確には、前記銅メッキ層１３２］を銅食刻液を利用して化学的に研磨することによって前記銅層１３０の厚さを１〜２μｍだけ減少させる。
【００６４】
本発明の一実施例によれば、前記銅メッキ層１３２の化学的研磨は銅食刻液を噴射することによって遂行されるものの、０．０３〜０．０４μｍ／ｓｅｃの食刻速度で２５〜３０秒の間遂行され得る。
【００６５】
研磨された銅層１３０’は０．５〜１．５μｍの厚さを有することができる。研磨された銅層１３０’の厚さが０．５μｍ未満であるとエッチング不均一によって研磨された表面上に凹凸が形成される危険がある。
【００６６】
引き続き、図９に例示された通り、研磨された銅層１３０’上に感光性パターン１０を形成する。前記感光性パターン１０は通常のフォトリソグラフィ工程を通じて遂行され得る。前記研磨された銅層１３０’は前記感光性パターン１０でカバーされた第１部分と前記感光性パターン１０でカバーされていない第２部分を含む。
【００６７】
引き続き、前記感光性パターンを利用して回路パターンを形成する。以下では、本発明の一実施例に係る回路パターン形成方法を説明する。
【００６８】
まず、図１０に例示された通り、電解メッキを実施することによって前記感光性パターン１０でカバーされていない前記研磨された銅層１３０’の第２部分の表面上に８〜１２μｍの厚さを有する銅パターン層１４０を形成する。
【００６９】
引き続き、図１１に例示された通り、通常のアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程を通じて感光性パターン１０を除去する。
【００７０】
引き続き、図１２に例示された通り、前記感光性パターン１０でカバーされていた前記研磨された銅層１３０’の第１部分およびそれに対応するタイコート層１２０部分を選択的に除去することによって回路パターンを完成する。
【００７１】
以下では、実施例および比較例を通じて本発明を具体的に説明する。ただし、下記の実施例は本発明の理解を助けるためのものに過ぎず、本発明の権利範囲はこれらの実施例に制限されない。
【００７２】
実施例１〜６および比較例１〜１２
ポリイミドフィルムを赤外線（ＩＲ）ヒーターで乾燥させた後プラズマ表面処理を遂行した。引き続き、スパッタリング工程を通じて２００Å厚さのＮｉＣｒタイコート層を形成した。引き続き、スパッタリング工程を通じて７００Å厚さの銅シード層を形成した。引き続き、下記の表１の相異する条件下で電解メッキを実施して２μｍ厚さの銅メッキ層を形成することによって、実施例１〜６および比較例１〜１２の軟性銅箔積層フィルムを完成した。
【００７３】
表１で最大電流密度は、メッキ槽からそれぞれ加えられる電流密度値のうち最大値を意味する。
【００７４】
【表１】
2018026546.tif 000003
【００７５】
前記の実施例および比較例によって製造された軟性銅箔積層フィルムに銅食刻液（プンウォン化学社のＭＦＥ−５００、２０％希釈）を噴射する化学的研磨を遂行して銅層の最終厚さ（すなわち、銅シード層の厚さ＋銅メッキ層の厚さ）が０．８μｍとなるようにした後、前記銅層の研磨された表面の表面粗さ（Ｒｚ）、ＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさ、および凹凸発生の有無をそれぞれ測定または観察し、その結果を下記の表２に表わした。
【００７６】
＊表面粗さ（Ｒｚ）
ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用して標準規格ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９９４に沿って接触式評価（測定面積：１０μｍ×１０μｍ）を遂行した。
【００７７】
＊ＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさ
ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を利用してＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさを測定したが、ＮＤ方向の視野四方は３００μｍであり、ステップサイズは０．５μｍであり、分析面積は２５μｍ×２５μｍであった。解釈（算出）用のソフトウェアとしては、ＴＳＬ社のＯＩＭＴＭが使われた。図１３ａおよび図１３ｂは実施例１および比較例１のＥＢＳＤ測定結果をそれぞれ示す写真である。
【００７８】
＊凹凸発生の有無
ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）装置を利用（加速電圧：３０ｋＶ、倍率：２０００倍）して得られた断面形状を観察し、Ｃｕ粒子の不均一残留による突起が存在すると凹凸が発生したとみなした。
【００７９】
【表２】
2018026546.tif 000004
【００８０】
表２からわかるように、銅メッキ層の形成のための電解メッキを遂行する時、最大電流密度が２．８〜３ＡＳＤから外れ、メッキ温度（すなわち、電解液の温度）が３４〜３６℃から外れる場合（比較例１、２、５−８、１２）はもちろん、最大電流密度が２．８〜３ＡＳＤであってもメッキ温度（すなわち、電解液の温度）が３４〜３６℃から外れる場合（比較例３、４、９、１０）にも、銅層の表面粗さ（Ｒｚ）が０．１５μｍを超過した。また、比較例１−６および８−１１の場合には、ＮＤ方向の銅結晶粒平均大きさが２μｍを超過した。結果的に、すべての比較例で化学的研磨後凹凸が発生した。
【符号の説明】
【００８１】
１００：軟性銅箔積層フィルム
１１０：非伝導性高分子基材
１２０：タイコート層
１３０：銅層
１３１：銅シード層
１３２：銅メッキ層
１４０：銅パターン層
【図１】
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【図２】
2018026546.tif 000006
【図３】
2018026546.tif 000007
【図４】
2018026546.tif 000008
【図５】
2018026546.tif 000009
【図６】
2018026546.tif 000010
【図７】
2018026546.tif 000011
【図８】
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【図９】
2018026546.tif 000013
【図１０】
2018026546.tif 000014
【図１１】
2018026546.tif 000015
【図１２】
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【図１３ａ】
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【図１３ｂ】
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