(57)【要約】【課題】ガス噴射器の構成を改良することによって、プロセス用ガスの流速を向上しつつ、還流問題が生じることを回避する。【解決手段】複数のガスを導入する複数のガス入口と、外に前記複数のガスを噴射する複数のガス出口と、前記複数のガス入口と前記複数のガス出口に夫々接続し、前記複数のガスを対応の前記ガス出口に伝送する複数のガス流路と、を含み、前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に変化することを特徴とする半導体プロセス用のガス噴射器を提供する。【選択図】図２
2018026553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガスを導入する複数のガス入口と、
外に前記複数のガスを噴射する複数のガス出口と、
前記複数のガス入口と前記複数のガス出口に夫々接続すると共に、前記複数のガスを対応の前記ガス出口に伝送する複数のガス流路と、を含み、
前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に変化することを特徴とする、
半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項２】
前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に増加し、或いは、次第に減少することを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項３】
前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項４】
前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項５】
前記ガス噴射器は、前記複数のガス流路を隔てる複数の噴射部材をさらに含み、前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部において、前記複数の噴射部材の少なくとも一つの厚さは、次第に増加し、或いは、次第に減少することを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項６】
前記複数のガス出口の一つは、中央に位置する開口であり、その他のガス出口は、前記中央に位置する開口を取り囲む環状開口であることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項７】
前記中央に位置する開口及び前記環状開口は、同心円状に配置されることを特徴とするに請求項６に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項８】
前記ガス出口に対して前記断面積が次第に変化することによって、前記ガスが前記ガス出口から離れる流速を調整し、前記複数のガスの化学的反応時間を変えることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項９】
前記複数のガスは、ＩＩＩ族原料ガスとキャリアガスの混合ガス、及び、Ｈ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス用のガス噴射器。
【請求項１０】
少なくとも一つの基板保持部材を含むチャンバーと、
複数のガスを導入する複数のガス入口と、前記基板保持部材に向かって前記複数のガスを噴射する複数のガス出口と、前記複数のガス入口と前記複数のガス出口に夫々接続すると共に、前記複数のガスを対応の前記複数のガス出口に伝送する複数のガス流路と、が含まれるガス噴射器を含み、
前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に変化することを特徴とする、
半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１１】
前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に増加し、或いは、次第に減少することを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１２】
前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びることを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１３】
前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びていないことを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１４】
前記ガス噴射器は、前記複数のガス流路を隔てる複数の噴射部材をさらに含み、前記ガス流路における断面積が変化する前記一部において、前記複数の噴射部材の少なくとも一つの厚さは、次第に増加し、或いは、次第に減少することを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１５】
前記複数のガス出口の一つは、中央に位置する開口であり、その他のガス出口は、前記中央に位置する開口を取り囲む環状開口であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１６】
前記ガス出口から噴射される前記ガスの方向は、前記基板保持部材の表面に平行することを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１７】
前記ガス出口から噴射される前記ガスの方向は、前記基板保持部材の表面に垂直することを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１８】
前記中央に位置する開口及び前記環状開口は、同心円状に配置されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項１９】
前記ガス出口に対して前記断面積が次第に変化することによって、前記ガスが前記ガス出口から離れる流速を調整し、前記複数のガスの化学的反応時間を変えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項２０】
前記複数のガスは、ＩＩＩ族原料ガスとキャリアガスとの混合ガス、及び、Ｈ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体プロセス用の成膜装置。
【請求項２１】
サセプタと、前記サセプタに対向する対向面形成部材とを含むチャンバーと、
前記サセプタと前記対向面形成部材の間に設置される複数の噴射部材と、前記複数の噴射部材によって前記サセプタと前記対向面形成部材との間の空間を隔てて形成される独立的なガス伝送路である複数のガス流路と、が含まれるガス噴射器を含み、
前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、次第に増加し、或いは、減少することを特徴とする、
半導体プロセス用の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に薄膜を形成する気相成膜装置に関し、詳しくは、半導体プロセス用の成膜装置におけるガス噴射器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に薄膜を形成するプロセスの中に、基板が収納される成膜装置のチャンバー内においては、ガス噴射器によりガス供給源から供給されるガスを水平（又は垂直）にサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）上の基板の上方に噴射し混合させ、そして加熱による物理的又は化学的反応によって、基板（例えば、ウエハ）の上に薄膜を堆積する。
ガス噴射器の設計は、ガスをガス供給源から水平に噴射し、回転する基板の表面において均一に分布させることを達成しなければならない。それによって、基板の表面に均一な境界層が形成され、薄膜の堆積を有利に進行させる。上記のこと以外に、ガス噴射器におけるガス出口のピッチと傾斜度なども、プロセスの結果に対して決定的な影響をもたらす。
【０００３】
図１は、従来の成膜装置におけるチャンバーを示す断面模式図である。当該成膜装置は、気相堆積により薄膜を形成するための反応チャンバー１０を含む。前記反応チャンバー１０は、チャンバー壁１１により取り囲まれることにより、ほぼ真空になるように構成される密閉チャンバーである。前記チャンバー内に、少なくとも一枚の基板Ｗを載置して固定する基板保持部材１２と、基板保持部材１２と対向する対向面形成部材１３と、基板保持部材１２と対向面形成部材１３との間に設置されるガス噴射器１４とが設置される。前記ガス噴射器１４は、第一の噴射部材１４１、第二の噴射部材１４２、ガス流路１４３〜１４５を含む。
基板保持部材１２、第一の噴射部材１４１、第二の噴射部材１４２、及び対向面形成部材１３のうち、隣接する二つの部材により、夫々独立に三つのガス流路１４３〜１４５が形成される。ガス流路１４３〜１４５は、一般的にプロセス用ガスの伝送及び導入に利用され、例えば、夫々Ｈ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガス、ＩＩＩ族原料ガスとキャリアガスの混合ガス、及びＨ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガスを水平に基板Ｗの上に噴射し混合させる。その後、前記ガス同士は、加熱による物理的又は化学的反応を起こすことによって、ウエハＷの上に薄膜を堆積する。
【０００４】
前記ガス流路１４３〜１４５の出口側（最も右側）において、ガスの乱流現象により還流（ｂａｃｋ  ｓｔｒｅａｍ）をもたらすため、反応が完全ではないプロセス用ガスがガス噴射器１４内に残留することになり、ガス流路の汚染をもたらし、その後の成膜プロセスに影響することになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記のことから、半導体の製造においては、前述したガスの還流問題の改良が可能な気相成膜装置が要求され、それによって、堆積される薄膜の品質を向上することが可能となる。
【０００６】
本発明は、ガス噴射器の構成を改良することによって、プロセス用ガスの流速を向上しつつ、還流問題の発生を回避することができるガス噴射器、及び成膜装置を提供する。
【０００７】
本発明は、各ガス流路の出口側における断面積の大きさを変化させることによって、ガスが各出口から離れる流速を調整することができ、すなわち、ガスが基板の表面を流れる化学的反応時間を変化させることによって、膜堆積の効率を効果的に向上することができるガス噴射器、及び成膜装置を提供する。
【０００８】
本発明は、ガス噴射器の構成を改良することによって、プロセス用ガスの流速を変化させ、ガスとプリカーサーにより発生される反応生成物の化学的反応速度を調整することができるガス噴射器、及び成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例において、複数のガスを導入する複数のガス入口と、外に前記複数のガスを噴射する複数のガス出口と、前記複数のガス入口と前記複数のガス出口に夫々接続すると共に、前記複数のガスを対応の前記ガス出口に伝送する複数のガス流路と、を含み、前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に変化することを特徴とする半導体プロセス用のガス噴射器が提供される。
【００１０】
他の実施例において、前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に増加し、或いは、次第に減少する。
【００１１】
他の実施例において、前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びる。
【００１２】
他の実施例において、前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部は、前記ガス出口まで伸びていない。
【００１３】
他の実施例において、前記ガス噴射器は、前記複数のガス流路を隔てる複数の噴射部材をさらに含み、前記複数のガス流路における断面積が変化する前記一部において、前記複数の噴射部材の少なくとも一つの厚さは、次第に増加し、或いは、次第に減少する。
【００１４】
他の実施例において、前記複数のガス出口の一つは、中央に位置する開口であり、その他のガス出口は、前記中央に位置する開口を取り囲む環状開口である。前記中央に位置する開口及び前記環状開口は、同心円状に配置される。
【００１５】
本発明の他の一実施例において、少なくとも一つの基板保持部材を含むチャンバー及び、複数のガスを導入する複数のガス入口と、前記基板保持部材に向かって前記複数のガスを噴射する複数のガス出口と、前記複数のガス入口と前記複数のガス出口に夫々接続すると共に、前記複数のガスを対応の前記複数のガス出口に伝送する複数のガス流路と、が含まれるガス噴射器を含み、前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、前記ガス出口に対して次第に変化することを特徴とする半導体プロセス用の成膜装置が提供される。
【００１６】
他の実施例において、前記ガス出口から噴射される前記ガスの方向は、前記基板保持部材の表面に平行する。
【００１７】
他の実施例において、前記ガス出口から噴射される前記ガスの方向は、前記基板保持部材の表面に垂直する。
【００１８】
本発明の更に他の一実施例において、サセプタと、前記サセプタに対向する対向面形成部材とを含むチャンバー及び、ガス噴射器を含み、前記ガス噴射器は、前記サセプタと前記対向面形成部材の間に設置される複数の噴射部材と、前記複数の噴射部材によって前記サセプタと前記対向面形成部材との間の空間を隔てて形成される独立的なガス伝送路である複数のガス流路と、を含み、前記複数のガス流路の少なくとも一つの断面積の一部は、次第に増加し、或いは、減少することを特徴とする半導体プロセス用の成膜装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来の成膜装置におけるチャンバーを示す断面模式図である。
【図２】本発明の成膜装置の一実施例におけるチャンバーを示す断面模式図である。
【図３】図２におけるガス噴射器の噴射部材を示す斜視模式図である。
【図４】本発明のガス噴射器の他の実施例を示す断面模式図である。
【図５】本発明のガス噴射器のさらに他の実施例を示す断面模式図である。
【図６】本発明のガス噴射器のさらに他の実施例を示す断面模式図である。
【図７】本発明のガス噴射器のさらに他の実施例を示す断面模式図である。
【図８Ａ】図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面模式図である。
【図８Ｂ】図７におけるＩＩ−ＩＩに沿った断面模式図である。
【図９】本発明のガス噴射器のさらに他の実施例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための各種の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付与することによって重複する説明を省略する。
【００２１】
図２は、本発明の成膜装置の一実施例におけるチャンバーの断面模式図である。図面に示すように、反応チャンバー２０は、ＩＩＩ／Ｖ族化合物の半導体成膜装置に用いられる一例である。
前記反応チャンバー２０は、サセプタ２２と、前記サセプタ２２に対向する対向面形成部材２３と、ガス噴射器２４と、ガス排気部２５とを含む。基板Ｗは、基板保持部材２２１により載置されるとともに、加熱板２２２により基板Ｗの裏面（回路を有しない面）を加熱する。また、前記基板保持部材２２１は、前記サセプタ２２の受け部２２３に配置される。本実施例の反応チャンバー２０は、複数の基板Ｗに対して基板の上に薄膜を同時に形成することができ、一枚の基板Ｗに対して堆積プロセスを行うこともできる。
図面に示すように、本実施例の基板Ｗの表面（回路を有する面）は、垂直に下に向く（いわゆるフェイスダウン型の装置である）が、一般的な成膜条件においては、重力の影響が軽微であるため、基板Ｗの表面が上に向く（いわゆるフェイスアップ型の装置である）他の実施例においても、本発明の効果を同様に得ることができる。そのため、本発明はフェイスダウン型に限定されるものではない。
【００２２】
本実施例の反応チャンバー２０は、中心対称性を有し、サセプタ２２がその中心軸に対して公転するとともに、基板Ｗが自転するように構成される。前述した自転、公転等の方式及び使用する手段は、本発明を限定するためのものではない。前記ガス噴射器２４は、第一の噴射部材２４１と第二の噴射部材２４２により構成され、上中下の３層のガス流路２４３〜２４５に分けられる。多くの実施例において、上方のガス流路２４３からはＨ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガスが導入され、中間のガス流路２４４からはＩＩＩ族原料ガス及びキャリアガスが導入され、下方のガス流路２４５からはＨ２／Ｎ２／Ｖ族原料ガスが導入されることとなっている。ガス流路２４３〜２４５によりＩＩＩ族及びＶ族原料ガスを伝送するアレンジは、この実施例に限定されることではない。
上中下の３層のガス流路から導入されるガスは、Ｖ族／ＩＩＩ族／Ｖ族と異なる順番を採用しても良く、例えば、ＩＩＩ族／Ｖ族／ＩＩＩ族の順番であっても良く、ＩＩＩ族／ＩＩＩ族／Ｖ族であっても良い。ここで例に挙げるＩＩＩ族／Ｖ族／ＩＩＩ族やＩＩＩ族／ＩＩＩ族／Ｖ族の順番は、あくまでも例であり、ＩＩＩ族とＶ族との任意な組み合わせであれば良い。キャリアガスとして、Ｈ２、Ｎ２、Ｈ２＋Ｎ２、ＮＨ３（Ｖ族）、Ｈ２＋ＮＨ３（Ｖ族）のいずれかであっても良く、或いはそれらの組み合わせであっても良い。
【００２３】
前記ガス噴射器２４は、複数のガス入口２４ａ〜２４ｃ、複数のガス流路２４３〜２４５及び複数のガス出口２４ｄ〜２４ｆを含む。前記複数のガス入口２４ａ〜２４ｃは、複数種のガスを導入し、前記複数種のガスを夫々対応の前記ガス出口２４ｄ〜２４ｆに伝送する。前記複数種のガスは、前記ガス出口２４ｄ〜２４ｆから基板Ｗの上方に向かって噴射し混合され、その後、加熱による物理又は化学反応によって、ウエハＷの上に薄膜を堆積する。
本実施例において、前記第一の噴射部材２４１と前記第二の噴射部材２４２の距離は、前記ガス出口２４ｄ〜２４ｆに向かって次第に減少し、すなわち、中間のガス流路２４４の断面積は次第に減少する一方、上方のガス流路２４３及び下方のガス流路２４５の断面積は次第に増加するようになっている。ここで言う断面積は、ガスが各ガス流路を通すガス流路における中空部分の断面積を意味する。そのため、中間のガス流路２４４のガス出口２４ｅは、ガスの流速を加速することができるため、前記還流問題を避けることができる。本実施例におけるガス流路の断面積の変化は単なる一例であり、前記複数のガス流路２４３〜２４５の少なくとも一つの断面積の一部が前記複数のガス出口２４ｄ〜２４ｆに対して次第に変化するのも本発明の特許請求の範囲に含まれる。また、ガス流路の数及び配置方式では本実施例と異なっても良い。
【００２４】
本実施例によれば、前記各ガス流路２４３〜２４５の断面積の大きさを変化させることによって、ガスが前記各ガス出口２４ｄ〜２４ｆから離れる流速を調整することができる。すなわち、ガスが基板Ｗの表面を流れる化学的反応時間を変化させることによって、膜堆積の効率を効果的に向上することができる。
【００２５】
図３によって、前記第一の噴射部材２４１と前記第二の噴射部材２４２の立体構成及び相対の関係を更に理解できる。前記第一の噴射部材２４１は、前記第二の噴射部材２４２の下方に位置され、且つ、両者は夫々円板状を呈する。前記第一の噴射部材２４１の中央には、第一の導入部２４１１が設けられ、また、前記第二の噴射部材２４２の中央には、第二の導入部２４２１が設けられる。
図２に示すように、前記第一の噴射部材２４１と前記第二の噴射部材２４２を組み合わせた場合、前記第一の導入部２４１１は、前記第二の導入部２４２１の外側を取り囲むことになる。前記第二の導入部２４２１と前記第一の導入部２４１１の両端部の隙間は、前記ガス入口２４ｂになり、前記第一の導入部２４１１と前記対向面形成部材２３との間の隙間は、前記ガス入口２４ａになり、前記第二の導入部２４２１の端部における開口は、前記ガス入口２４ｃになる。前記第一の導入部２４１１に対する前記第一の噴射部材２４１の角度は、鈍角を呈し、前記第二の導入部２４２１に対する前記第二の噴射部材２４２の角度は、鋭角を呈する。二者とも直角ではないため、前述した複数のガス流路２４３〜２４５の断面積が次第に変化するような構成を形成することができる。
【００２６】
図４は、本発明のガス噴射器の他の実施例を示す断面模式図である。ガス噴射器４４は、第一の噴射部材４４１と第二の噴射部材４４２により構成され、複数のガス入口４４ａ〜４４ｃ、複数のガス流路４４３〜４４５及び複数のガス出口４４ｄ〜４４ｆを含む。
前記第一の噴射部材４４１と前記第二の噴射部材４４２は同一の厚さではなく、前記ガス出口４４ｅに接近する部分の厚さが次第に増加してもよく、もちろん、全体の厚さが次第に増加してもよい。そのため、この実施例においては、中間のガス流路４４４の下流端部分における断面積のみが前記ガス出口４４ｅに向かって次第に減少するが、上方のガス流路４４３及び下方のガス流路４４５の断面積が実質的に変化しない。
【００２７】
図５は、本発明のガス噴射器のさらに他を示す断面模式図である。ガス噴射器５４は、第一の噴射部材５４１と第二の噴射部材５４２により構成され、複数のガス入口５４ａ〜５４ｃ、複数のガス流路５４３〜５４５及び複数のガス出口５４ｄ〜５４ｆを含む。
前記第一の噴射部材５４１と前記第二の噴射部材５４２は同一の厚さではなく、前記ガス出口５４ｅに接近する部分の厚さが次第に減少してもよく、もちろん、全体の厚さが次第に減少してもよい。そのため、この実施例においては、中間のガス流路５４４の下流端部分における断面積のみが前記ガス出口５４ｅに向かって次第に増加するが、上方のガス流路５４３及び下方のガス流路５４５の断面積が実質的に変化しない。
【００２８】
図６は、本発明のガス噴射器のさらに他の実施例を示す断面模式図である。ガス噴射器６４は、第一の噴射部材６４１と第二の噴射部材６４２により構成され、複数のガス入口６４ａ〜６４ｃ、複数のガス流路６４３〜６４５、複数のガス出口６４ｄ〜６４ｆを含む。
前記第一の噴射部材６４１と前記第二の噴射部材６４２は同一の厚さではなく、前記ガス出口６４ｅに接近する部分の厚さが次第に減少するが、末端の部分が同一の厚さを維持する。すなわち、厚さが次第に変化する部分は、前記ガス出口６４ｅまで伸びていない。そのため、この実施例においては、中間のガス流路６４４の断面積の一部のみが前記ガス出口６４ｅに向かって次第に増加し、上方のガス流路６４３及び下方のガス流路６４５の断面積が実質的に変化しない。
【００２９】
前記実施例によれば、各ガス流路のガス出口に接近する部分の断面積の大さを変化させることによって、ガスが各ガス出口から離れる流速を調整することができる。すなわち、ガスが基板Ｗの表面を流れる化学的反応時間を変化させることによって、膜堆積の効率を効果的に向上することができる。
【００３０】
前記実施例に示すように、ガス出口から噴射されるガスの方向は、実質的にウエハの表面に平行する。なお、ガス出口から噴射されるガスの方向は、ウエハの表面に垂直することも本発明の特許請求の範囲に含まれる。
図７は、本発明のさらに他の実施例である垂直型のガス噴射器を示す断面模式図である。ガス噴射器７４は、第一の噴射部材７４１と第二の噴射部材７４２により構成され、複数のガス流路７４３、７４４及び複数のガス出口７４ｄ〜７４ｅを含む。前記第一の噴射部材７４１は同一の厚さではなく、前記ガス出口７４ｄに接近する部分の厚さが次第に減少し、厚さが次第に変化する部分は前記ガス出口９４ｄまでに延びる。そのため、この実施例においては、中間のガス流路７４３の断面積の一部のみが前記ガス出口７４ｄに向かって次第に増加し、周りのガス流路７４４の断面積が実質的に変化しない。
【００３１】
図８Ａは、図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面模式図であり、図８Ｂは、図７におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面模式図である。図８Ａに示すように、前記第一の噴射部材７４１と前記第二の噴射部材７４２は、二つの同心円の管状体である。前記第一の噴射部材７４１と前記第二の噴射部材７４２同士の隙間は、外側のガス流路７４４となり、前記第一の噴射部材７４１の中は、ガス流路７４３となる。図８Ａと図８Ｂの二つの断面模式図によれば、前記第一の噴射部材７４１における厚さの変化がさらに明白である。
【００３２】
この実施例には、二つのガス流路を有するガス噴射器が示されるが、本発明はガス流路の数を限定することがなく、すなわち、複数、或いは少なくとも二つのガス流路を有するものも本発明の特許請求の範囲に含まれる。
図９は、本発明のさらに他の実施例である垂直型のガス噴射器を示す断面模式図である。ガス噴射器９４は、第一の噴射部材９４１と、第二の噴射部材９４２と、第三の噴射部材９４６とにより構成され、複数のガス流路９４３〜９４５及び複数のガス出口９４ｄ〜９４ｆを含む。前記第一の噴射部材９４１は同一の厚さではなく、前記ガス出口９４ｄに接近する部分の厚さが次第に減少するが、末端の部分は同一の厚さを維持し、即ち、厚さが次第に変化する部分は、前記ガス出口９４ｄまで延びない。この実施例において、前記第二の噴射部材９４２の厚さは変化しないが、前記ガス出口９４ｅに向かって内側に対して傾け、即ち開口が次第に縮小するようになっている。また、前記第三の噴射部材９４６も同一の厚さではなく、前記ガス出口９４ｆに接近する部分の厚さは、次第に増加し、即ち、厚さが次第に変化部分は、前記ガス出口９４ｆまで伸びる。そのため、前記ガス流路９４３の断面積の一部は、前記ガス出口９４ｄに向かって次第に増加し、前記ガス流路９４４の断面積は、前記ガス出口９４ｅに向かって次第に減少し、そして外側のガス流路９４５の断面積は、前記ガス出口９４ｆに向かって二階段式で変化するようになる。
この実施例において、前記ガス流路９４３〜９４５の断面積はいずれも変化するが、実際には、堆積プロセスの要求と条件に応じてガス流路の数を選択し、或いは断面積の変化方式を調整すべきである。
【００３３】
また、本発明の垂直型のガス噴射器について、前記水平型のガス噴射器における各ガス流路の断面積の変化方式を適用しながら任意に組み合わせても良く、前述した実施例に限定されることはない。
本発明によれば、各ガス流路のガス出口に接近する部分の断面積の大さを変化させることによって、ガスが各ガス出口から離れる流速を調整することができ、すなわち、ガスが基板Ｗの表面を流れる化学的反応時間を変化させることによって、膜堆積の効率を効果的に向上することができる。
【００３４】
以上、本発明の技術内容及び技術特点の詳細について説明したが、本発明に属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の記載及び教示に基づき、本発明の精神を離脱しない各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかである。そのため、本発明の範囲は実施例の掲示内容に限定されることではない。本発明の精神を離脱しない各種の変更例または修正例も本発明の範囲に含まれるものであり、添付の特許請求の範囲に含まれるべきである。
【符号の説明】
【００３５】
１０、２０  反応チャンバー
１１  チャンバー壁
２２  サセプタ
１３、２３  対向面形成部材
１４、２４、４４、５４、６４、７４  ガス噴射器
２５  ガス排気部
１２、２２１  基板保持部材
２２２  加熱板
２２３  受け部
１４１、２４１、４４１、５４１、６４１、７４１、９４１  第一の噴射部材
１４２、２４２、４４２、５４２、６４２、７４２、９４２  第二の噴射部材
９４６  第三の噴射部材
１４３〜１４５、２４３〜２４５、４４３〜４４５、５４３〜５４５、６４３〜６４５、７４３、７４４、９４３〜９４５  ガス流路
２４ａ〜２４ｃ、４４ａ〜４４ｃ、５４ａ〜５４ｃ、６４ａ〜６４ｃ  ガス入口
２４ｄ〜２４ｆ、４４ｄ〜４４ｆ、５４ｄ〜５４ｆ、６４ｄ〜６４ｆ、７４ｄ〜７４ｅ、９４ｄ〜９４ｅ  ガス出口
２４１１  第一の導入部
２４２１  第二の導入部
Ｗ  基板
【図１】
2018026553.tif 000003
【図２】
2018026553.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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