(57)【要約】【課題】分子接合層によって金属めっき層と樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することができる半導体パッケージを提供することである。【解決手段】実施形態の半導体パッケージは、半導体チップと、導電部と、ボンディングワイヤと、モールド樹脂部と、分子接合層とを備えている。前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップと前記導電部との間に設けられている。前記モールド樹脂部は、前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う。前記分子接合層は、少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる金属と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合している。【選択図】図２
2018037639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
導電部と、
前記半導体チップと前記導電部との間に設けられたボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆うモールド樹脂部と、
少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられた分子接合層と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる第１金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。
【請求項２】
前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの前記第１金属と前記モールド樹脂部の前記樹脂との両方に共有結合した分子接合体を含む
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられて前記ボンディングワイヤと前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第１部分と、前記導電部の表面と前記モールド樹脂部との間に設けられて前記導電部と前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第２部分とを有した、  
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記導電部は、この導電部の表面に金属めっき層を含み、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる第２金属と前記モールド樹脂部に含まれる前記樹脂との両方に化学結合した
請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記導電部は、第３金属によって形成された導電部本体をさらに有し、
前記金属めっき層は、前記導電部本体の表面に設けられたバリア層である
請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第２金属は、前記第３金属よりも拡散係数が小さい
請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記第２金属は、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つを含む
請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記導電部は、少なくとも一部が前記モールド樹脂部の外部に突出したリードフレームである  
請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記導電部は、前記半導体パッケージの基板の導電パッドである
請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記分子接合層は、トリアジンジチオール残基を含む、
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記分子接合層の少なくとも一部は、単分子膜状である
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
表面に金属めっき層を有した導電部と、
前記金属めっき層の表面に設けられた分子接合層と、
前記分子接合層によって前記金属めっき層に接合された樹脂部と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。
【請求項１３】
半導体チップと導電部とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、
少なくとも前記ボンディングワイヤの表面に分子接合剤を塗布することで分子接合層を形成し、
少なくとも(at least by)、前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う樹脂を供給することで、前記分子接合層によって少なくとも前記ボンディングワイヤに接合されたモールド樹脂部を形成する、
半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記分子接合剤は、金属及び樹脂の両方に化学結合可能である    
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ボンディングワイヤの表面における前記分子接合層の少なくとも一部を単分子膜状に形成する、
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面に塗布するのと略同時に、前記導電部の表面にも塗布する
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面及び前記導電部の表面に塗布するのと略同時に前記半導体チップの表面にも塗布する
請求項１６に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記分子接合剤は、トリアジン誘導体を含む
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記トリアジン誘導体は、一般式（Ｃ１）で表される化合物である。
（Ｃ１）
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（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
請求項１８に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤボンディングと、モールド樹脂部とを備えた半導体パッケージが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１１０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、分子接合層によって金属めっき層と樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体パッケージは、半導体チップと、導電部と、ボンディングワイヤと、モールド樹脂部と、分子接合層とを備えている。前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップと前記導電部との間に設けられている。前記モールド樹脂部は、前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う。前記分子接合層は、少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との間に設けられている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる金属と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合している。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の電子機器の一例を示す斜視図。
【図２】第１の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図３】第１の実施形態の半導体パッケージの一部を拡大して示す断面図。
【図４】第１の実施形態の分子接合層の組成の一例を模式的に示す図。
【図５】第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の流れの一例を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の第１変形例の半導体パッケージを示す断面図。
【図７】第１の実施形態の第２変形例の半導体パッケージの一部を示す断面図。
【図８】第２の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図９】第３の実施形態の半導体パッケージの一部を示す断面図。
【図１０】第４の実施形態の半導体パッケージの一部を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を、図面を参照して説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それらの重複する説明は省略する場合がある。なお、図面は模式的なものであり、各構成要素の数、厚み、幅、比率などは、現実のものと異なることがある。
【０００８】
（第１の実施形態）
まず、図１から図５を参照し、第１の実施形態について説明する。
【０００９】
図１は、第１の実施形態の電子機器１の一例を示す斜視図である。電子機器１には、第１の実施形態の半導体パッケージ１０が搭載される。電子機器１は、例えばウェアラブル機器であるが、これに限定されない。電子機器１は、例えば、IOT（Internet Of Things）に対応した電子機器であり、無線または有線によってインターネットに接続可能である。この場合、半導体パッケージ１０の一例は、プロセッサ（例えば Central Processing Unit）と、センサと、無線モジュールとを有する。なお、電子機器１および半導体パッケージ１０は、上記例に限定されない。電子機器１は、車載用の電子機器でもよく、その他の用途の電子機器でもよい。半導体パッケージ１０は、車載用部品やパワー半導体として用いられる半導体部品でもよく、その他の用途に用いられる半導体部品でもよい。また、以下に示す第２及び第３の実施形態に係る半導体パッケージ１０は、上述したような電子機器１に搭載されてもよい。
【００１０】
図２は、第１の実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００１１】
図２に示すように、半導体パッケージ１０は、例えば、金属ベース２０と、半導体チップ３０と、分子接合層４０と、ダイボンディング接着層５０と、ボンディングワイヤ６０と、リードフレーム７０と、モールド樹脂部８０とを備えている。
【００１２】
金属ベース２０は、「ベース」の一例である。なお、本願で言う「ベース」とは、半導体チップ３０が固定される部材であればよく、金属製でなくてもよい。また、「ベース」は、「支持体」と称されてもよい。
【００１３】
金属ベース２０は、構成素材として導電性を有する金属（即ち金属素材）２０ｍを含む。金属ベース２０は、導電性を有する金属が用いることで、例えば半導体パッケージ１０のグランドとして機能する。言い換えると、半導体チップ３０は、ダイボンディング接着層５０を介して金属ベース２０に電気的に接続される（例えばグランド接続される）。また、金属ベース２０は、熱伝導率の高い材料が用いられる。熱伝導率の高い材料が用いられることで、半導体パッケージ１０の通常動作時の放熱性が高められる。このような金属ベース２０の材料（即ち第１素材）としては、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、又はこれらの合金などが挙げられる。例えば、金属ベース２０の材料には、Ｃｕ又はＣｕとＭｏとの合金を用いることが好ましい。金属ベース２０の材料にこれらを用いることで、熱伝導率及び導電性の双方が高くなる。なお、ベースが金属以外で形成される場合、ベースの素材は、例えば、樹脂（即ち合成樹脂樹脂）、セラミック、またはその他の素材でもよい。
【００１４】
半導体チップ（例えばベアチップ）３０は、例えばシリコンを含む半導体を構成素材とする部材である。半導体チップ３０の一例は、「シリコンチップ」と称されてもよい。半導体チップ３０は、例えば、ＧａＮまたはＳｉＣなどを材料とするＨＦＥＴ（Heterojunction F即ちld Effect Transistor）、またはＳｉを材料とするＬＤＭＯＳ（Lateral Double Diffuse MOS Transistor）などである。また、半導体チップ３０のその他の例として、光半導体素子、圧電素子、メモリ素子、マイクロコンピュータ素子、センサ素子、又は無線通信用素子などが挙げられる。なお本願で言う「半導体チップ（または半導体チップ本体）」とは、電気回路を含むものであればよく、特定の用途の半導体チップに限定されない。半導体チップ３０の素材の一例は、シリコン３０ｍである。なお、分子接合層４０と化学結合（例えば共有結合）される半導体チップ３０の素材は、半導体チップ３０の表面に設けられた絶縁部に含まれる絶縁素材でもよい。この場合、以下の説明における「シリコン３０ｍ」は、「絶縁素材」と読み替えられてもよい。
【００１５】
半導体チップ３０は、第１面３０ａと、第２面３０ｂとを有する。第１面３０ａには、電気回路の一部としての導電パッド（即ち接続部、電気接続部、端子）３１が設けられている。第２面３０ｂは、第１面３０ａとは反対側に位置する。第２面３０ｂは、ダイボンディング接着層５０に面している。本実施形態では、導電パッド３１は、導電性金属を半導体チップ３０の第１面３０ａに金属めっきすることによって形成されている。導電性金属としては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、又はＣｕなどが用いられる。例えば、導電パッド３１は、回路のベースとなるＣｕめっきの上に、Ｎｉめっき、Ａｕめっきが順次積層された構造を有する。
【００１６】
ダイボンディング接着層５０は、金属ベース２０と半導体チップ３０との間に設けられている。ダイボンディング接着層５０は、例えばアンカー効果により、金属ベース２０と半導体チップ３０とを接着（即ち接合）する接続部材である。ダイボンディング接着層５０は、複数の導電粒子と、樹脂とを含む。ダイボンディング接着層５０は、ダイボンディング接着層５０に含まれた複数の導電粒子が相互に接して相互に導通することによって導電性を有する。言い換えると、複数の導電粒子は、金属ベース２０と半導体チップ３０とを電気的に接続している。
【００１７】
ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に設けられている。例えば、ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に延びた導線部材である。ボンディングワイヤ６０は、リードフレーム７０と半導体チップ３０の導電パッド３１とを電気的に接続している。ボンディングワイヤ６０は、例えば、金属６０ｍによって形成されている。金属６０ｍは、金、銅、または銅合金などである。金属６０ｍは、「第１金属（即ち第１金属素材，第１素材）」の一例である。
【００１８】
リードフレーム（即ち接続部、電気接続部、外部接続端子）７０は、「導電部」及び「金属部品」のそれぞれ一例である。リードフレーム７０は、半導体パッケージ１０の外部部材（例えば回路基板）に対する電気接続端子である。リードフレーム７０の少なくとも一部は、モールド樹脂部８０の外部に突出している。リードフレーム７０は、例えば、半導体パッケージ１０の内部配線の一部を形成している。
【００１９】
図３は、本実施形態のリードフレーム７０を拡大して示す断面図である。
【００２０】
図３に示すように、本実施形態のリードフレーム７０は、本体部７１と、このリードフレーム７０の表面に設けられた金属めっき層７２とを有する。
【００２１】
本体部７１は、リードフレーム７０の大部分を形成している。本体部７１は、「導電部本体」及び「金属基体」のそれぞれ一例である。本体部７１は、金属７１ｍによって形成されている。金属７１ｍは、銅または銅合金などである。金属７１ｍは、「第３金属（即ち第３金属素材、第３素材）」の一例である。なお、「第３金属」は、「第１金属」と同じでもよく、異なってもよい。
【００２２】
金属めっき層７２は、本体部７１の表面の少なくとも一部に設けられている。金属めっき層７２は、例えば、本体部７１の表面の全部に設けられている。金属めっき層７２は、本体部７１を酸化などの不具合から保護するための金属層である。本実施形態では、金属めっき層７２は、本体部７１の表面に設けられたバリア層である。
【００２３】
例えば本体部７１が銅又は銅合金で形成されている場合、本体部７１が標準状態において空気又は湿気に長期間曝されると、銅成分が酸化することがある。このため、金属めっき層７２は、例えば本体部７１のなかで空気や湿気に晒される部分に設けられる。また、例えば、銅又は銅合金で形成された部材が、樹脂によって封止された状態で長期間使用されると、樹脂と接触している金属表面の銅成分が酸化することがある。そこで、金属めっき層７２は、例えば本体部７１のなかで少なくともモールド樹脂部８０に面する表面に設けられる。これにより、モールド樹脂部８０に面する本体部７１の表面が酸化などの不具合から保護される。
【００２４】
また、銅成分が樹脂中に拡散することがあり、銅又は銅合金と樹脂との間の密着性が劣化することがある。このような現象は、１００℃以上の温度及び７５％以上の湿度を用いるプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）によって確認することができる。本実施形態では、金属めっき層７２が設けられていることで、本体部７１の金属成分がモールド樹脂部８０に拡散することを抑制することができる。
【００２５】
以上のように、種々の不具合から金属基体１１を保護する上で、金属めっき層７２が有用である。
【００２６】
金属めっき層７２を形成する金属は、例えば、保護機能（バリア性）を有する金属（即ちバリアメタル）である。金属めっき層７２は、金属７２ｍによって形成されている。金属７２ｍは、「第２金属（即ち第２金属素材、第２素材）」の一例である。本体部７１を形成する金属として銅又は銅合金が用いられる場合には、金属７２ｍは、例えば、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも一つを含む。金属めっき層７２を形成する金属７２ｍは、本体部７１を形成する金属７１ｍに比べて拡散係数が小さい（即ちすなわち樹脂中に拡散しにくい）。なお、金属めっき層７２は、バリア層以外の機能を有した金属層でもよい。例えば、金属めっき層７２は、装飾などを目的とした金属層でもよい。
【００２７】
金属めっき層７２の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である。金属めっき層７２の厚みが上記下限値以上であると、金属めっき層７２の保護機能を効果的に発現することができる。分子接合層４０の厚みが上記上限値以下であると、金属めっき層７２による半導体パッケージ１０の厚みの増加を抑えることができる。
【００２８】
モールド樹脂部（即ち絶縁部）８０は、「樹脂部」の一例である。モールド樹脂部８０は、半導体チップ３０やボンディングワイヤ６０を外部からの圧力、湿気及び汚染物質などから保護するための部材である。モールド樹脂部８０は、図２に示すように、金属ベース２０、半導体チップ３０、ダイボンディング接着層５０、リードフレーム７０の少なくとも一部、およびボンディングワイヤ６０を一体に覆っている。モールド樹脂部８０は、分子接合層４０上に形成されている。モールド樹脂部８０は、樹脂（即ち樹脂素材）８０ｍによって形成されている。樹脂８０ｍは、絶縁性がある材料であればよく、特に限定されない。樹脂８０ｍは、例えば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂である。樹脂８０ｍとしては、エポキシ樹脂などが挙げられる。また、樹脂８０ｍには、添加剤として溶融球状シリカなどの応力緩和剤が添加されていてもよい。
【００２９】
次に、分子接合層４０について説明する。
【００３０】
本実施形態の半導体パッケージ１０は、図２および図３に示すように、分子接合層４０を備えている。分子接合層４０は、少なくともボンディングワイヤ６０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられている。なお、分子接合層４０は、実際には非常に薄いが、説明の便宜上、各図中ではある程度の厚さで示している。
【００３１】
本実施形態では、分子接合層４０は、少なくとも、第１部分４１、第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４を含む。
【００３２】
第１部分４１は、ボンディングワイヤ６０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第１部分４１は、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０とを接合している。
【００３３】
第２部分４２は、リードフレーム７０の表面（例えば金属めっき層７２の表面）とモールド樹脂部８０との間に設けられ、リードフレーム７０（例えば金属めっき層７２）とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第２部分４２は、リードフレーム７０（例えば金属めっき層７２）とモールド樹脂部８０とを接合している。
【００３４】
第３部分４３は、半導体チップ３０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第３部分４３は、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０とを接合している。
【００３５】
第４部分４４は、金属ベース２０の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、金属ベース２０とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第４部分４４は、金属ベース２０とモールド樹脂部８０とを接合している。
【００３６】
第１部分４１、第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４は、例えば、互いに一体（即ちひと続き）に形成されている。
【００３７】
まず、分子接合層４０の第１部分４１について詳しく説明する。
【００３８】
本実施形態の分子接合層４０は、分子接合剤によって形成される分子接合体４０ｒ（図４参照）を含む。分子接合剤は、例えば樹脂及び金属と化学結合（例えば共有結合）を形成し得る化合物である。なお本願で言う「共有結合」とは、共有結合性を有する結合を広く意味し、配位結合及び準共有結合なども含む。また本願で言う「分子接合体」とは、分子接合剤が化学結合（即ち化学反応）した後に接合部に残る物質を意味する。
【００３９】
分子接合剤としては、例えば、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。トリアジン誘導体としては、以下の一般式（Ｃ１）で表される化合物が挙げられる。
【００４０】
（Ｃ１）
2018037639.tif 000003
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
上記一般式（Ｃ１）において、Ｒは、好ましくは炭素数１〜７の炭化水素基、又はこれらの主鎖に窒素原子が介在するものを示す。Ｘは、炭素数１〜３の炭化水素基を示す。Ｙは、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。ｎ１は、好ましくは３である。ｎ２は、好ましくは２である。Ｚは、好ましくは塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又はアルキル基を示す。塩を形成するカチオンの元素としては、アルカリ金属が好ましく、中でもＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓがさらに好ましい。なお、ｎ２が２である場合は、少なくとも１つのＺは、塩を形成している、チオール基、アミノ基又はアジド基を示すことが好ましい。
【００４１】
分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、ボンディングワイヤ６０に含まれる金属６０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０とは、ボンディングワイヤ６０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、ボンディングワイヤ６０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。
【００４２】
図４は、分子接合層４０の組成の一例を模式的に示す図である。
【００４３】
図４に示すように、分子接合層４０は、例えば、複数の分子接合体４０ｒを含む。分子接合体４０ｒは、上述の分子接合剤が接合対象物（first member and second member）と化学反応することで形成された分子接合剤残基を含む。例えば、分子接合体４０ｒは、上述の分子接合剤がボンディングワイヤ６０及びモールド樹脂部８０と化学反応することで形成された分子接合剤残基を含む。分子接合剤残基は、例えば、図４に示すような、トリアジンジチオール残基である。なお、分子接合体４０ｒは、図４中の”Ｓ”や”Ｚ”を含んでもよい。図４中の”Z”の一例は、アミノヒドロカルビルシロキシ基である。
【００４４】
例えば、分子接合層４０の第１部分４１の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第１部分４１に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第１部分４１に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００４５】
分子接合層４０の第２部分４２、第３部分４３、及び第４部分４４は、第１部分４１と略同じ構成を有する。例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、リードフレーム７０に含まれる金属（即ち金属素材）と化学結合（例えば共有結合）する。本実施形態では、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部は、リードフレーム７０の金属めっき層７２に含まれる金属７２ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０とは、リードフレーム７０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。
【００４６】
例えば、バリアメタル（例えば ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも一つ）から形成された金属めっき層７２は、例えば銅又は銅合金から形成された本体部７１に対して、優れた保護機能を発現するが、モールド樹脂部８０に対しては、良好な密着性を発現しない。しかしながらこのような場合であっても、金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間に分子接合層４０が設けられることにより、金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間の良好な密着性を確保することができる。
【００４７】
例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第２部分４２に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、リードフレーム７０の金属めっき層７２の金属７２ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第２部分４２に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、リードフレーム７０の金属めっき層７２の金属７２ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００４８】
分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、半導体チップ３０に含まれるシリコン３０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０とは、半導体チップ３０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、半導体チップ３０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。
【００４９】
例えば、分子接合層４０の第３部分４３の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第３部分４３に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、半導体チップ３０のシリコン３０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第３部分４３に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、半導体チップ３０のシリコン３０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００５０】
分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、金属ベース２０に含まれる金属２０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。同様に、分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部(即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、モールド樹脂部８０に含まれる樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これにより、金属ベース２０とモールド樹脂部８０とは、金属ベース２０と分子接合層４０との間の化学結合、およびモールド樹脂部８０と分子接合層４０との間の化学結合を介して、互いに接合されている。これにより、金属ベース２０とモールド樹脂部８０は、強固に密着している。
【００５１】
例えば、分子接合層４０の第４部分４４の少なくとも一部は、単分子膜状に形成されている。分子接合層４０の第４部分４４に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、金属ベース２０の金属２０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。言い換えると、分子接合層４０の第４部分４４に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、金属ベース２０の金属２０ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００５２】
ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、及び金属ベース２０の少なくとも１つと、モールド樹脂部８０との間の密着強度は、２ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましく、６ＭＰａ以上であることがさらに好ましく、１０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。密着強度は、例えば、シェア試験によって測定することができる。引張試験の具体例としてはＳＥＭＩＧ６９−０９９６に規定された方法が挙げられる。
【００５３】
なお、金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍと化学結合（例えば共有結合）している分子接合体４０ｒと、樹脂８０ｍと化学結合（例えば共有結合）している分子接合体４０ｒは、同じであっても、異なっていてもよい。１分子の分子接合体４０ｒが金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、または金属２０ｍと、樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）していれば、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との密着性がより高まる。
【００５４】
分子接合層４０の厚みは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。分子接合層４０の厚みが上記下限値以上であると、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性をより高めることができる。分子接合層４０の厚みが上記上限値以下であると、分子接合層４０に用いる分子接合剤の量を低減することができる。
【００５５】
ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０の表面に設けられた分子接合層４０の少なくとも一部は単分子膜状であることが好ましい。例えば、分子接合層４０の３０％以上１００％以下が単分子膜状であることが好ましく、分子接合層４０の全部が単分子膜状であることが好ましい。分子接合層４０における単分子膜状に形成された領域においては、１分子の分子接合剤が、金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍと、樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。よって、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性がより高まるとともに、分子接合層４０に用いる分子接合剤の量を最小限に低減することができる。
【００５６】
ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、金属ベース２０に対する分子接合層４０の被覆密度は、２０面積％以上であることが好ましく、３０面積％以上であることがより好ましく、５０面積％以上であることがさらに好ましい。前記被覆密度が上記下限値以上であると、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、又は金属ベース２０とモールド樹脂部８０との間の密着性をより高めることができる。前記被覆密度は高いことが好ましいため、その上限値は特に限定されない。ただし、被覆密度の上限値として、例えば、７０面積％又は８０面積％を例示することができる。なお、分子接合層４０の被覆密度が１００面積％である場合、分子接合剤が被覆すべき対象物の表面に対して理論上最密に充填されていると定義する。分子接合剤の被覆密度は、Ｘ線回折法による測定結果から求めることができる。
【００５７】
ついで、本実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。
【００５８】
半導体パッケージ１０の製造方法の一例は、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の金属めっき層７２、半導体チップ３０、及び金属ベース２０の表面を分子接合剤で被覆する。これにより、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の金属めっき層７２、半導体チップ３０、及び金属ベース２０に含まれる金属６０ｍ、金属７２ｍ、シリコン３０ｍ、金属２０ｍに化学結合した分子接合層４０を形成する。そして、分子接合層４０の表面を樹脂８０ｍで被覆することで、分子接合層４０と化学結合したモールド樹脂部８０を形成する。
【００５９】
図５は、半導体パッケージ１０の製造方法の流れの一例を示す断面図である。
【００６０】
本実施形態では、まず、金属ベース２０と半導体チップ３０とがダイボンディング接着層５０を間に挟んで重ねられる。これにより、半導体チップ３０が金属ベース２０に固定される（図５中の（ａ））。次に、半導体チップ３０とリードフレーム７０とがボンディングワイヤ６０によって電気的に接続される（図５中の（ｂ））。
【００６１】
次に、ボンディングワイヤ６０の表面、リードフレーム７０の表面、半導体チップ３０の表面、および金属ベース２０の表面を、分子接合剤で被覆することで（即ち 分子接合剤を塗布することで）、分子接合層４０が形成される（図５中の（ｃ））。分子接合層４０の形成は、例えば、上述の分子接合剤を含有する分子接合剤溶液を、ボンディングワイヤ６０の表面、リードフレーム７０の表面、半導体チップ３０の表面、および金属ベース２０の表面に塗布することで行われる。分子接合剤溶液を塗布する方法の例としては、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０を分子接合剤溶液中に浸漬させる方法、又は、これら部材に分子接合剤溶液をスプレーする方法などが挙げられる。本実施形態では、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０に対して略同時に分子接合剤が塗布される。なお、「略同時に塗布される」とは、例えば、これら部材のそれぞれに分子接合剤を塗布する工程の間に、他の工程（例えば他の部材をマウントしたりする工程）が存在しないことを意味する。別の観点で見ると、「略同時に塗布される」とは、例えば、これら部材に連続的に分子接合剤が塗布されることを意味する。
【００６２】
分子接合剤は、分子接合剤溶液の形態で用いられることが好ましい。分子接合剤溶液は、上述の分子接合剤を溶媒に溶解させることにより、調製可能である。
【００６３】
溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セロソルブ及びカルビトール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン及びオクタデカン等の脂肪族炭化水素；酢酸エチル、プロピオン酸メチル及びフタル酸メチルなどのエステル類；並びにテトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル及びアニソールなどのエーテル類が挙げられる。また、これらの溶媒を混合した混合溶媒を用いることもできる。
【００６４】
分子接合剤溶液の濃度は、０．００１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下であることがより好ましい。分子接合剤溶液の濃度が上記下限値以上であると、分子接合剤の被覆密度を高めることにより部材間の密着性をより高めることができる。分子接合剤溶液の濃度が上記上限値以下であると、分子接合剤を安定的に溶媒に溶解させることができる。
【００６５】
調製された分子接合剤溶液は、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の表面に塗布される。分子接合剤溶液が塗布されたボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０が静置されることにより、ボンディングワイヤ６０の金属６０ｍ、リードフレーム７０の金属７２ｍ、半導体チップ３０のシリコン３０ｍ、および金属ベース２０の金属２０ｍと分子接合剤との化学結合（例えば共有結合）が行われてもよい。さらに、分子接合層４０にエネルギー（例えば熱又は光（例えば紫外線））を加える操作が行われてもよい。エネルギーを加える操作により、分子接合剤と上記各部材の素材との間の化学結合（例えば共有結合）がさらに促進されてもよい。外部エネルギーの印加方法としては、例えば、加熱及び紫外線の照射が挙げられる。熱を用いる場合、１５０〜２００℃程度の加熱を５分以上、好ましくは６０分以上、さらに好ましくは８０分以上、また１２０分以上、好ましくは２４０分以下行うことができる。例えば、分子接合層の素材によって５分〜１２０分間、６０分〜２４０分間、好ましくは８０分〜２４０分間などから選択してよい。また、照射する紫外線の波長は２５０ｎｍ以下であることが好ましく、照射時間は、分子接合剤溶液の塗布量に応じて適宜決定される。その後、分子接合剤が塗布された部材を洗浄し、ついで乾燥させることで、余剰の分子接合剤や溶液が除去されてもよい。例えば余剰の分子接合剤が除去されることで、分子接合層４０が単分子膜状に形成される。洗浄液は、例えば分子接合剤溶液に用いられた上述の溶媒と同様のものから選択できる。乾燥は１５０℃〜２００℃で行うことができる。これらの操作により、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の表面が分子接合剤（例えば分子接合体４０ｒ）で被覆される。すなわち、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０に含まれる素材と化学結合した（例えば共有結合）した分子接合層４０が形成される。なお、本実施形態の場合、外部エネルギーとして熱が加えられる操作は、モールド樹脂部８０を形成する樹脂８０ｍとして、加熱された熱硬化性樹脂が、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０、半導体チップ３０、および金属ベース２０の周囲に供給されることで行われてもよい。
【００６６】
分子接合層４０の厚みは、分子接合剤溶液の濃度及び塗布量、並びに洗浄の時間及び回数等の条件によって、調節可能である。
【００６７】
次に、分子接合層４０の表面に、モールド樹脂部８０を形成する樹脂８０ｍが供給される。すなわち、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０を覆うように樹脂８０ｍが供給される。これにより、樹脂８０ｍが分子接合層４０に接する。これにより、樹脂８０ｍと分子接合層４０とが化学結合（例えば共有結合）する。例えば、樹脂８０ｍは、比較的高温の状態で、ボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０を覆うように供給される。これにより、樹脂８０ｍと分子接合層４０との化学結合（例えば共有結合）が促進される。これにより、分子接合層４０によってボンディングワイヤ６０、リードフレーム７０の少なくとも一部、半導体チップ３０、及び金属ベース２０と接合されたモールド樹脂部８０が形成される（図５中の（ｄ））。なお、樹脂８０ｍの供給方法は、特に限定されず、公知の種々の方法が使用可能である。樹脂８０ｍの供給方法としては、例えば、トランスファー成形及びコンプレッション成形が挙げられる。
【００６８】
なお、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合）は、熱又は光などのエネルギーが加えられることなく行われてもよい。これに代えて、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合）は、熱又は光などのエネルギーが加えられることで行われてもよい。
【００６９】
その後、例えば、アフターキュア、ホーニング、外装めっき、個片化などの工程が行われて、半導体パッケージ１０が完成する。
【００７０】
ここで比較例として、モールド樹脂部８０に対するリードフレーム７０の密着性を高めるために、リードフレーム７０の金属めっき層７２の表面に化学的なコート処理を事前に行うことが考えられる。しかしながら、ダイボンディングやワイヤボンディングを含むマウント工程では、１５０℃から４００℃の熱負荷が加わる。このため、前記コート処理によって形成されたコートが熱負荷によって劣化または分解する可能性がある。また、化学的なコート処理がリードフレーム７０に施されていると、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程を阻害する場合がある。
【００７１】
一方で、本実施形態のような分子接合層４０によれば、マウント工程の熱負荷によっても分子接合層４０に劣化や分解が生じにくい。このため、分子接合層４０によって、リードフレーム７０の金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間の密着性を確保することができる。また、分子接合剤の塗布は、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程の後に行われる。このため、分子接合層４０は、ダイボンディングやワイヤボンディングの工程を阻害しない。
【００７２】
次に、本実施形態のいくつかの変形例について説明する。
【００７３】
図６は、第１変形例の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００７４】
図６に示すように、リードフレーム７０は、モールド樹脂部８０の外部に突出した第１部分７５と、モールド樹脂部８０に覆われた第２部分７６とを有する。
【００７５】
本変形例では、分子接合層４０は、リードフレーム７０に関しては、リードフレーム７０の第２部分７６の表面のみに設けられている。すなわち、分子接合層４０は、リードフレーム７０の第１部分７５の表面には設けられていない。このような構成は、例えばリードフレーム７０の第１部分７５をマスクで覆った状態で分子接合剤が塗布されることで形成される。
【００７６】
このような構成によれば、モールド樹脂部８０のバリなどがリードフレーム７０の第１部分７５にくっつきにくい。このため、モールド樹脂部８０のバリの除去などが容易になる。
【００７７】
図７は、第２変形例の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００７８】
図７に示すように、本実施形態では、リードフレーム７０の表面（例えば金属めっき層７２の表面）は、例えばエッチングなどで粗面化がされている。例えば、リードフレーム７０の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．１μｍ以上である。算術平均粗さＲａは、例えば日本工業規格（ＪＩＳ）によって定義されている。
【００７９】
このような構成によれば、分子接合層４０による接合効果と、粗化された表面のアンカー効果とによる複合効果により、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０との間の接合強度をさらに高めることができる。
【００８０】
（第２の実施形態）
次に、図８を参照し、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、半導体パッケージ１０が金属ベース２０に代えて基板９０を有した点などで第１の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００８１】
図８は、本実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００８２】
図８に示すように、半導体パッケージ１０は、基板９０と、半導体チップ３０と、分子接合層４０と、ダイボンディング接着層５０と、ボンディングワイヤ６０と、モールド樹脂部８０とを備えている。
【００８３】
基板（例えばインターポーズ基板）９０は、「ベース」の別の一例である。基板９０は、例えば樹脂（即ち合成樹脂樹脂）またはセラミックなどで形成されている。本実施形態では、半導体チップ３０は、基板９０に載せられている。基板９０は、導電パッド（即ち接続部、電気接続部、端子）９１と、複数の半田接続部（即ち外部接続端子）９２と、導電パッド９１と半田接続部９２とを電気的に接続した配線パターンとを有する。ボンディングワイヤ６０は、基板９０の導電パッド９１と半導体チップ３０の導電パッド３１との間に設けられている。基板９０の導電パッド９１は、モールド樹脂部８０によって覆われている。基板９０の導電パッド９１は、「導電部」の一例である。ダイボンディング接着層５０は、基板９０と半導体チップ３０との間に設けられている。
【００８４】
本実施形態では、分子接合層４０は、ボンディングワイヤ６０の表面、基板９０の導電パッド９１の表面、モールド樹脂部８０に面する基板９０の表面、及び半導体チップ３０の表面に設けられている。分子接合層４０は、ボンディングワイヤ６０、基板９０の導電パッド９１、基板９０、及び半導体チップ３０と、モールド樹脂部８０とを接合している。
【００８５】
例えば、分子接合層４０は、第１部分４１、第２部分４２、および第３部分４３を有する。第１部分４１及び第３部分４３は、第１の実施形態における第１部分４１及び第３部分４３と略同じである。本実施形態の第２部分４２は、導電パッド９１の表面とモールド樹脂部８０との間に設けられ、導電パッド９１とモールド樹脂部８０との両方に化学結合している。これにより、第２部分４２は、導電パッド９１とモールド樹脂部８０とを接合している。例えば、分子接合層４０の第２部分４２の少なくとも一部（即ち 分子接合層４０を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、導電パッド９１に含まれる金属９１ｍと化学結合（例えば共有結合）する。例えば、分子接合層４０の第２部分４２に含まれる分子接合剤の１分子（例えば分子接合体４０ｒ）は、導電パッド９１の金属９１ｍとモールド樹脂部８０の樹脂８０ｍとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００８６】
（第３の実施形態）
次に、図９を参照し、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、金属めっき７２が金属部品１００の一方の表面のみに設けられた点などで第１の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００８７】
図９は、第３の実施形態の半導体パッケージ１０の一部を示す断面図である。
【００８８】
図９に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、金属部品（即ち金属部材、金属基材）１００における樹脂層１２０とは反対側の面に樹脂層１１０が分子接合層４０を介して接合されている。すなわち、金属部品１００の一方の面が樹脂層（即ち樹脂部、絶縁部）１１０によって被覆され、金属部品１００の他方の面が樹脂層（即ち樹脂部、絶縁部）１２０によって被覆されている。また、分子接合層４０によって金属部品１００と樹脂層１１０との間（例えば金属めっき層７２と樹脂層１１０との間）の密着性が高められている。その結果、金属部品１００を外部からの圧力、湿気及び汚染物質等から効果的に保護することができる。
【００８９】
第３の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法としては、第１の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１０の製造方法において、金属部品１００における金属めっき層７２の表面及びその反対側の表面に、分子接合剤溶液を塗布し、分子接合層４０を形成する。次いで、分子接合層４０の表面に、樹脂層１１０，１２０を形成する樹脂１１０ｍ，１２０ｍを塗布して成膜する。このようにして、第２の実施形態の半導体パッケージ１０を製造することができる。
【００９０】
（第４の実施形態）
次に、図１０を参照し、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、金属めっき層７２，７２Ａが金属部品１００の両面に設けられた点などで第３の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第３の実施形態と同様である。
【００９１】
図１０は、第４の実施形態の半導体パッケージ１０の一部を示す断面図である。図１０に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、金属部品１００の本体部７１における金属めっき層７２とは反対側の面に金属めっき層７２Ａ、分子接合層４０及び樹脂層１２０が積層されている。金属めっき層７２Ａは、金属めっき層７２と略同じめっき層である。すなわち、半導体パッケージ１０の金属部品１００における金属めっき層７２とは反対側の面には、金属めっき層７２Ａが設けられている。金属めっき層７２Ａの表面には分子接合層４０を介して樹脂層１２０が接合されている。すなわち、金属部品１００の一方の面が金属めっき層７２及び樹脂層１１０によって被覆され、金属部品１００の他方の面が金属めっき層７２Ａ及び樹脂層１２０によって被覆されている。よって、金属部品１００の表面の広範囲に渡って、金属めっき層７２、７２Ａに由来する保護機能と樹脂層１１０、１２０に由来する保護機能の両方を発現させることができる。
【００９２】
第４の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法としては、第１の実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１０の製造方法において、先ず、金属部品１００の一方の面に設けられた金属めっき層７２と、金属部品１００の他方の面に設けられた金属めっき層７２Ａとを備える金属部品１００を準備する。次いで、金属部品１００の金属めっき層７２，７２Ａの表面に分子接合剤溶液を塗布し、分子接合層４０を形成する。次いで、分子接合層４０の表面に、樹脂層１１０，１２０を形成する樹脂１１０ｍ，１２０ｍを塗布して成膜する。このようにして、第４の実施形態の半導体パッケージ１０を製造することができる。
【００９３】
以上、いくつかの実施形態に係る半導体パッケージ１０及び半導体パッケージ１０の製造方法について説明した。ただし、実施形態の構成は、上記例に限定されない。例えば、リードフレーム７０は、金属めっき層７２を有しなくてもよい。すなわち、リードフレーム７０の全体が、本体部７１の金属７１ｍ（例えば銅又は銅合金）で形成されていてもよい。この場合、金属７１ｍは、「第２金属（即ち第２金属素材、第２素材）」の一例である。すなわち、分子接合層４０の少なくとも一部は、リードフレーム７０に含まれる金属７１ｍと化学結合（例えば共有結合）してもよい。このような構成によっても、リードフレーム７０とモールド樹脂部８０との間の密着性を高めることができる。なお、「第２金属」は、「第１金属」と同じでもよく、異なってもよい。
【００９４】
また別の観点で見ると、半導体パッケージ１０は、ボンディングワイヤ６０の表面に分子接合層４０を有しなくてもよい。ひとつの観点の半導体パッケージは、導電部と、分子接合層と、樹脂部とを備えている。前記導電部は、導電部の表面に金属めっき層を有する。前記分子接合層は、前記金属めっき層の表面に設けられている。前記樹脂部は、前記分子接合層によって前記金属めっき層に接合されている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる金属と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記樹脂部に含まれる樹脂と化学結合している。すなわち、半導体パッケージ１０は、例えば、少なくとも金属めっき層７２とモールド樹脂部８０との間に設けられた分子接合層４０を有すればよい。このような半導体パッケージ１０の製造方法は、例えば、ボンディングワイヤ６０が設けられる前に、リードフレーム７０単体に対して分子接合剤が塗布されてもよい。これにより、リードフレーム７０の表面に分子接合層４０が形成されてもよい。そしてその後、分子接合層４０が形成されたリードフレーム７０に対して、ボンディングワイヤ６０が接続されてもよい。
【００９５】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、分子接合層によってボンディングワイヤとモールド樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することができる。
【００９６】
また別の観点で見ると、以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、分子接合層によって金属めっき層と樹脂部との密着性を向上させることができる半導体パッケージを提供することができる。
【００９７】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９８】
１０…メ半導体パッケージ、２０…金属ベース、３０…半導体チップ、４０…分子接合層、５０…ダイボンディング接着層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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