(57)【要約】【課題】端子部の数（ピン数）を増やすことが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子２１が搭載されるダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数のインナーパッド部５３及び複数のアウターパッド部６３とを備えている。インナーパッド部５３は、アウターパッド部６３よりもダイパッド１１に近い側に位置している。複数のインナーパッド部５３は、互いに第１の間隔Ｐ１を空けて等間隔に配置され、複数のアウターパッド部６３は、互いに第２の間隔Ｐ２を空けて等間隔に配置され、第１の間隔Ｐ１は、第２の間隔Ｐ２よりも狭くなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームであって、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のインナーパッド部と、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のアウターパッド部とを備え、
前記インナーパッド部は、前記アウターパッド部よりも前記ダイパッドに近い側に位置し、
前記複数のインナーパッド部は、互いに第１の間隔を空けて等間隔に配置され、
前記複数のアウターパッド部は、互いに第２の間隔を空けて等間隔に配置され、
前記第１の間隔は、前記第２の間隔よりも狭いことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記第１の間隔が、０．４００ｍｍ以上０．５００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記第２の間隔が、０．５００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項４】
各インナーパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第１内部端子及び第１外部端子が形成され、各アウターパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第２内部端子及び第２外部端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項５】
半導体装置であって、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のインナーパッド部と、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のアウターパッド部と、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記インナーパッド部又は前記アウターパッド部とを電気的に接続する接続部材と、
前記ダイパッドと、前記複数のインナーパッド部と、前記複数のアウターパッド部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、
前記インナーパッド部は、前記アウターパッド部よりも前記ダイパッドに近い側に位置し、
前記複数のインナーパッド部は、互いに第１の間隔を空けて等間隔に配置され、
前記複数のアウターパッド部は、互いに第２の間隔を空けて等間隔に配置され、
前記第１の間隔は、前記第２の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第１の間隔が、０．４００ｍｍ以上０．５００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の間隔が、０．５００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体装置。
【請求項８】
各インナーパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第１内部端子及び第１外部端子が形成され、各アウターパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第２内部端子及び第２外部端子が形成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。
【０００３】
しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１参照）。このようなパッケージは、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ＤＲ−ＱＦＮパッケージを生産するにあたり、チップサイズを変更することなく、リード部の数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、ピン数を増やすために、パッケージサイズを大きくする手法がとられてきた。しかしながら、パッケージを電子機器へ搭載する上での制約があるため、パッケージサイズを大きくすることには限界がある。
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、パッケージサイズを大きくすることなく端子部の数（ピン数）を増やすことが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、リードフレームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のインナーパッド部と、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のアウターパッド部とを備え、前記インナーパッド部は、前記アウターパッド部よりも前記ダイパッドに近い側に位置し、前記複数のインナーパッド部は、互いに第１の間隔を空けて等間隔に配置され、前記複数のアウターパッド部は、互いに第２の間隔を空けて等間隔に配置され、前記第１の間隔は、前記第２の間隔よりも狭いことを特徴とするリードフレームである。
【０００８】
本発明は、前記第１の間隔が、０．４００ｍｍ以上０．５００ｍｍ以下であることを特徴とするリードフレームである。
【０００９】
本発明は、前記第２の間隔が、０．５００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下であることを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、各インナーパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第１内部端子及び第１外部端子が形成され、各アウターパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第２内部端子及び第２外部端子が形成されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、半導体装置であって、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のインナーパッド部と、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のアウターパッド部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記インナーパッド部又は前記アウターパッド部とを電気的に接続する接続部材と、前記ダイパッドと、前記複数のインナーパッド部と、前記複数のアウターパッド部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記インナーパッド部は、前記アウターパッド部よりも前記ダイパッドに近い側に位置し、前記複数のインナーパッド部は、互いに第１の間隔を空けて等間隔に配置され、前記複数のアウターパッド部は、互いに第２の間隔を空けて等間隔に配置され、前記第１の間隔は、前記第２の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
本発明は、前記第１の間隔が、０．４００ｍｍ以上０．５００ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置である。
【００１３】
本発明は、前記第２の間隔が、０．５００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置である。
【００１４】
本発明は、各インナーパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第１内部端子及び第１外部端子が形成され、各アウターパッド部の表面及び裏面には、それぞれ第２内部端子及び第２外部端子が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、インナーパッド部及びアウターパッド部の合計数（ピン数）を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す底面図。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIII−III線断面図）。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図５】図５は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す底面図。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図４のVI−VI線断面図）。
【図７】図７（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図８】図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図９】図９は、比較例によるリードフレームを示す部分拡大底面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
【００１８】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図３は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００１９】
図１に示すように、リードフレーム１０は、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である単位リードフレーム１０ａを備えている。各単位リードフレーム１０ａの間には、支持部材１３が介在され、支持部材１３によって各単位リードフレーム１０ａが互いに連結されている。なお図１において、１つの各単位リードフレーム１０ａを示しているが、実際には、複数の単位リードフレーム１０ａが縦横にマトリックス状に配置されている。
【００２０】
図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０は、平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとを備えている。なお図１において、二点鎖線で囲まれた領域が単位リードフレーム１０ａに対応する。各単位リードフレーム１０ａには、それぞれ１つのダイパッド１１と、当該ダイパッド１１を取り囲む複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとが配置されている。
【００２１】
ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の一辺の長さＬ１は、例えば１．０ｍｍ以上６．５ｍｍ以下とすることができる。本実施の形態において、ダイパッド１１の平面形状は正方形であるが、これに限らず、長方形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持部材１３に連結支持されている。各吊りリード１４は、ダイパッド１１の辺に対して平面上で４５°の角度で傾斜している。また吊りリード１４の裏面は、ハーフエッチングにより薄肉化されている。なお、本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。また、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。
【００２２】
本実施の形態において、ダイパッド１１の中央部分にはハーフエッチング加工が施されておらず、加工前の金属基板と同等の厚みを有している。具体的には、ダイパッド１１の中央部分の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。ダイパッド１１の周縁部分１１ａは、ハーフエッチング加工により全周にわたって薄肉化されている。また、周縁部分１１ａには、ダイパッド１１の各辺に沿って複数の貫通溝１１ｂが形成されている。貫通溝１１ｂが設けられていることにより、ダイパッド１１と封止樹脂２３（後述）との密着性を高めることができる。
【００２３】
また、各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持部材１３からＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延び出しており、各第１リード部１２Ａは、各第２リード部１２Ｂよりも長く構成されている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。
【００２４】
各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲に沿って交互に配置されている。隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。このうち第１リード部１２Ａはインナーパッド部（端子部）５３を有し、第２リード部１２Ｂはアウターパッド部（端子部）６３を有している。インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。
【００２５】
この場合、複数のインナーパッド部５３及び複数のアウターパッド部６３は、ダイパッド１１の周囲に略交互に配置されている。また、インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３は、平面から見て２列に配置されている。すなわち複数のインナーパッド部５３及び複数のアウターパッド部６３は、それぞれ異なる直線上に配置され、複数のインナーパッド部５３が配置される直線と、複数のアウターパッド部６３が配置される直線とは互いに平行である。またダイパッド１１の周囲において、相対的に長い第１リード部１２Ａと、相対的に短い第２リード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、第１リード部１２Ａのインナーパッド部５３及び第２リード部１２Ｂのアウターパッド部６３が、隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに短絡する不具合が防止される。
【００２６】
次に、図１乃至図３を参照して、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について更に説明する。
【００２７】
図１乃至図３に示すように、相対的に長い第１リード部１２Ａは、相対的に狭い幅を有する接続リード５２と、相対的に広い幅を有する上述したインナーパッド部５３とを有している。インナーパッド部５３の表面には内部端子（第１内部端子）１５Ａが形成されている。この内部端子１５Ａは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ａ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、インナーパッド部５３の裏面には上述した外部端子（第１外部端子）１７Ａが形成されている。
【００２８】
接続リード５２は、インナーパッド部５３よりも外側（支持部材１３側）に位置しており、その外端部は支持部材１３に連結されている。一部の接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持部材１３に対して垂直に延びる直線部５７のみから構成されている。また、他の一部の接続リード５２は、支持部材１３に連結される直線部５７と、直線部５７に連結され、直線部５７に対して傾斜して延びる傾斜部５８とからなっている。
【００２９】
図３に示すように、第１リード部１２Ａの接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。他方、インナーパッド部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持部材１３と同一の厚みを有している。このように、接続リード５２の厚さがインナーパッド部５３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭い第１リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。
【００３０】
各インナーパッド部５３は、各アウターパッド部６３よりもダイパッド１１に近い側に位置している。また複数のインナーパッド部５３は、互いに同一の平面形状を有している。具体的には、インナーパッド部５３は、ダイパッド１１側の半円形状部分と接続リード５２側の矩形状部分とを合わせた形状からなっている。インナーパッド部５３の長手方向に沿う長さＤ１は、例えば０．２００ｍｍ以上０．４００ｍｍ以下としても良く、インナーパッド部５３の幅Ｗ１は、例えば０．１５０ｍｍ以上０．２５０ｍｍ以下としても良い。なお、インナーパッド部５３よりもダイパッド１１側には、インナーリード等は連結されておらず、第１リード部１２Ａはインナーパッド部５３で終端している。
【００３１】
図１乃至図３に示すように、相対的に短い第２リード部１２Ｂは、長さ方向に略均一な断面を有するアウターパッド部６３を有している。このアウターパッド部６３の外側端部は支持部材１３に連結されており、アウターパッド部６３は支持部材１３に対して垂直に延びている。アウターパッド部６３の表面には内部端子（第２内部端子）１５Ｂが形成されている。この内部端子１５Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ｂ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、アウターパッド部６３の裏面には上述した外部端子（第２外部端子）１７Ｂが形成されている。
【００３２】
複数のアウターパッド部６３は、互いに同一の平面形状を有している。具体的には、アウターパッド部６３は、ダイパッド１１側の半円形状部分と支持部材１３側の矩形状部分とを合わせた形状からなっている。アウターパッド部６３の長手方向に沿う長さＤ２は、例えば０．２００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下としても良く、アウターパッド部６３の幅Ｗ２は、例えば０．１５０ｍｍ以上０．２５０ｍｍ以下としても良い。アウターパッド部６３は、インナーパッド部５３と同一の平面形状を有していてもよく、異なる平面形状を有していてもよい。なお、アウターパッド部６３よりもダイパッド１１側にはインナーリード等は連結されておらず、第２リード部１２Ｂはアウターパッド部６３で終端している。
【００３３】
本実施の形態において、図１及び図２に示すように、複数のインナーパッド部５３は、互いに第１の間隔Ｐ１を空けて等間隔に配置されている。また、複数のアウターパッド部６３は、互いに第２の間隔Ｐ２を空けて等間隔に配置されている。この場合、第１の間隔Ｐ１は、第２の間隔Ｐ２よりも狭くなっている（Ｐ１＜Ｐ２）。これにより、複数のインナーパッド部５３を面内で密集して配置することができ、インナーパッド部５３の配置個数を増加することができる。とりわけ第１の間隔Ｐ１を適宜設定することにより、吊りリード１４に最も近いインナーパッド部５３が吊りリード１４と干渉してしまい、インナーパッド部５３が吊りリード１４近傍に配置できなくなる不具合を防止することができる。
【００３４】
ここで第１の間隔Ｐ１及び第２の間隔Ｐ２は、それぞれ各インナーパッド部５３及び各アウターパッド部６３の中心同士の距離であって、ダイパッド１１の辺（Ｘ方向又はＹ方向）に平行な距離をいう。
【００３５】
第１の間隔Ｐ１は、例えば０．４００ｍｍ以上０．５００ｍｍ以下としても良く、第２の間隔Ｐ２は、例えば０．５００ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下としても良い。また第１の間隔Ｐ１は、第２の間隔Ｐ２の８５％以上９０％以下としても良い。上記範囲とすることにより、半導体装置２０の大きさを変更することなく、インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３の個数（ピン数）を増加することができ、これらを高密度で配置することができる。その一方で、インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３が接近しすぎて短絡する不具合を防止することができる。
【００３６】
なお、第１リード部１２Ａの接続リード５２同士は、互いに第３の間隔Ｐ３を空けて等間隔に配置されている。この第３の間隔Ｐ３は第２の間隔Ｐ２に等しくなっている（Ｐ３＝Ｐ２）。なお、第３の間隔Ｐ３は、各接続リード５２の幅方向中心同士の距離であって、ダイパッド１１の辺（Ｘ方向又はＹ方向）に平行な距離をいう。
【００３７】
以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００３８】
なお、本実施の形態において、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが（図１及び図２参照）、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。
【００３９】
半導体装置の構成
次に、図４乃至図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図４乃至図６は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。
【００４０】
図４乃至図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の第１リード部１２Ａ及び複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００４１】
このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。第１リード部１２Ａは、インナーパッド部５３を有し、第２リード部１２Ｂは、アウターパッド部６３を有している。複数のインナーパッド部５３の第１の間隔Ｐ１は、複数のアウターパッド部６３の第２の間隔Ｐ２よりも狭くなっている。
【００４２】
このほか、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図３に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００４３】
半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。
【００４４】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａの内部端子１５Ａ又は第２リード部１２Ｂの内部端子１５Ｂにそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５Ａ、１５Ｂには、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。
【００４５】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）の長さＬ２は、例えば６ｍｍ以上１６ｍｍ以下とすることができる。本実施の形態において、封止樹脂２３の平面形状は正方形であるが、これに限らず、封止樹脂２３の平面形状を長方形としても良い。なお、図４において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。
【００４６】
リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図３に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。
【００４７】
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００４８】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００４９】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。
【００５０】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外形が形成される。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３の形状を適宜調整することにより、第１リード部１２Ａにはインナーパッド部５３が形成され、第２リード部１２Ｂにはアウターパッド部６３が形成される。複数のインナーパッド部５３の第１の間隔Ｐ１は、複数のアウターパッド部６３の第２の間隔Ｐ２よりも狭くなる。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。
【００５１】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図３に示すリードフレーム１０が得られる。（図７（ｅ））。
【００５２】
半導体装置の製造方法
次に、図４および図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。
【００５３】
まず上述した、例えば図７（ａ）−（ｅ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。
【００５４】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。
【００５５】
次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各インナーパッド部５３の内部端子１５Ａ及びアウターパッド部６３の内部端子１５Ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。
【００５６】
このとき、リードフレーム１０をワイヤボンディング装置のヒートブロック３６上に載置する。次いで、ヒートブロック３６により第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂを裏面側から加熱する。これとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリー（図示せず）を介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと各インナーパッド部５３の内部端子１５Ａ及びアウターパッド部６３の内部端子１５Ｂとをボンディングワイヤ２２を用いて電気的に接続する。
【００５７】
次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、半導体素子２１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよびボンディングワイヤ２２を封止する。
【００５８】
次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。
【００５９】
このようにして、図４および図５に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｅ））。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、複数のインナーパッド部５３は、互いに第１の間隔Ｐ１を空けて等間隔に配置され、複数のアウターパッド部６３は、互いに第２の間隔Ｐ２を空けて等間隔に配置されている。ここで第１の間隔Ｐ１は、第２の間隔Ｐ２よりも狭くなっている。これにより、とりわけダイパッド１１の周囲にインナーパッド部５３を密集して配置することができるので、インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３の合計数（ピン数）を増やすことができる。これにより、半導体装置２０の高密度化を実現することができる。
【００６１】
他方、比較例として、図９に示すリードフレーム１０Ａにおいて、複数のインナーパッド部５３の間隔と、複数のアウターパッド部６３の間隔とが互いに同一（Ｐ２）となっている。この場合、配置されるインナーパッド部５３の数が制限されてしまう。
【００６２】
表１は、本実施の形態によるリードフレーム１０（図１乃至図３）と、比較例によるリードフレーム１０Ａ（図９）とを比較する表である。ここで、リードフレーム１０（図１乃至図３）及びリードフレーム１０Ａ（図９）は、ともに一辺の長さＬ２（図４及び図５）が８ｍｍの半導体装置２０を作製するためのものである。
【００６３】
【表１】
2018037610.tif 000003
【００６４】
表１に示すように、比較例によるリードフレーム１０Ａにおいては、１象限（ダイパッド１１の一辺と、一対の吊りリード１４と、支持部材１３とによって取り囲まれる略台形状の領域）あたりのピン数（インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３の数）は２６となり、全体（４象限）のピン数が１００となっている。
【００６５】
これに対して本実施の形態によるリードフレーム１０においては、１象限あたりのピン数（インナーパッド部５３及びアウターパッド部６３の数）は２７となり、全体（４象限）ではピン数が１０８となる。このように本実施の形態においては、半導体装置２０あたりのピン数を増加することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０        リードフレーム
１１        ダイパッド
１２Ａ      第１リード部
１２Ｂ      第２リード部
１５Ａ、１５Ｂ  内部端子
１７Ａ、１７Ｂ  外部端子
２０        半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（接続部材）
２３        封止樹脂
【図１】
2018037610.tif 000004
【図２】
2018037610.tif 000005
【図３】
2018037610.tif 000006
【図４】
2018037610.tif 000007
【図５】
2018037610.tif 000008
【図６】
2018037610.tif 000009
【図７】
2018037610.tif 000010
【図８】
2018037610.tif 000011
【図９】
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