(57)【要約】【課題】中間層を介した基板と半導体チップとの導電性を高めることができる半導体パッケージを提供することである。【解決手段】実施形態の半導体パッケージは、基板と、半導体チップと、中間層と、分子接合層とを備える。前記基板は、第１導電部及び第１絶縁部を有する。前記半導体チップは、第２導電部及び第２絶縁部を有する。前記中間層は、第３導電部及び第３絶縁部を有する。前記分子接合層は、前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方と前記第３導電部との間に設けられている。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３導電部に含まれる樹脂と化学結合している。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第１導電部に含まれる第１導電素材及び前記第２導電部に含まれる第２導電素材の少なくとも一方と化学結合している。【選択図】図１
2018037636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電部及び第１絶縁部を有した基板と、
第２導電部及び第２絶縁部を有した半導体チップと、
複数の導電粒子と樹脂とを含み前記第１導電部と前記第２導電部との間に設けられて前
記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続した第３導電部と、前記第１絶縁部と前
記第２絶縁部との間に設けられた第３絶縁部とを有した中間層と、
前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方と前記第３導電部との間に設けら
れた分子接合層と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３導電部の前記樹脂と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第１導電部に含まれる第１導電素材及び前記
第２導電部に含まれる第２導電素材の少なくとも一方と化学結合した、
半導体パッケージ。
【請求項２】
前記分子接合層は、前記第３導電部の前記樹脂と前記第１導電部の前記第１導電素材と
の両方に共有結合した分子接合体、及び、前記第３導電部の前記樹脂と前記第２導電部の
前記第２導電素材との両方に共有結合した分子接合体の少なくとも一方を含む
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３導電部の前記複数の導電粒子に含まれ
る少なくとも１つの導電粒子と化学結合した  
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記分子接合層は、前記第３導電部の前記複数の導電粒子に含まれる１つの導電粒子と
前記第１導電部の前記第１導電素材との両方に共有結合した分子接合体、および前記第３
導電部の前記複数の導電粒子に含まれる１つの導電粒子と前記第２導電部の前記第２導電
素材との両方に共有結合した分子接合体の少なくとも一方を含む
請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記分子接合層は、前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方と前記第３導
電部との間に設けられた第１部分と、前記第１絶縁部及び前記第２絶縁部の少なくとも一
方と前記第３絶縁部との間に設けられた第２部分とを含み、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第１絶縁部に含まれる第１絶縁素材及び前記
第２絶縁部に含まれる第２絶縁素材の少なくとも一方と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３絶縁部に含まれる第３絶縁素材と化学結
合した
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記分子接合層は、前記第３絶縁部の前記第３絶縁素材と前記第１絶縁部の前記第１絶
縁素材との両方に共有結合した分子接合体、及び前記第３絶縁部の前記第３絶縁素材と前
記第２絶縁部の前記第２絶縁素材との両方に共有結合した分子接合体の少なくとも一方を
含む
請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記分子接合層は、前記第１導電部と前記第３導電部との間に設けられて前記第１導電
部と前記第３導電部との両方に化学結合した第１分子接合層と、前記第２導電部と前記第
３導電部との間に設けられて前記第２導電部と前記第３導電部との両方に化学結合した第
２分子接合層とを含む
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記分子接合層は、トリアジンジチオール残基を含む
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記第１導電部又は前記第２導電部に対する前記分子接合層の被覆密度は、２０％以上
８０％以下である
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記分子接合層の少なくとも一部は、単分子膜状である
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記分子接合層は、前記第１導電部と前記第３導電部との間の境界、および前記第２導
電部と前記第３導電部との間の境界の少なくとも一方の少なくとも一部に、前記分子接合
層が存在しない接合層非存在部を形成し、
前記第３導電部の前記複数の導電粒子に含まれる少なくとも１つの導電粒子は、前記接
合層非存在部に設けられて前記第１導電部または前記第２導電部に接している
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記接合層非存在部は、前記第３導電部の縁部とは異なる位置に設けられ、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３導電部の縁部に対応した位置に設けられ
、前記第３導電部の縁部と前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方とを接合
している
請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
基板の第１導電部及び半導体チップの第２導電部の少なくとも一方の表面に分子接合剤
を塗布することで分子接合層を形成し、
複数の導電粒子と樹脂とを含む第３導電部を前記第１導電部と前記第２導電部との間に
挟むことで、前記第３導電部の前記樹脂に前記分子接合層の少なくとも一部を接触させる
、
半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記第３導電部の前記複数の導電粒子に含まれる少なくとも１つの導電粒子に前記分子
接合層の少なくとも一部を接触させる
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記分子接合剤は、トリアジン誘導体を含む
請求項１３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記トリアジン誘導体は、一般式（Ｃ１）で表される化合物である。
（Ｃ１）
2018037636.tif 000004
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を
示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子
もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
請求項１５に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
基板の第１導電部及び半導体チップの第２導電部の少なくとも一部をマスクで覆った状
態で、前記基板の第１絶縁部および前記半導体チップの第２絶縁部の少なくとも一方の表
面に分子接合剤を塗布することで分子接合層を形成し、
前記マスクを取り除き、
前記第１導電部と前記第２導電部との間に配置される第３導電部と、前記第１絶縁部と
前記第２絶縁部との間に配置される第３絶縁部とを有した中間層を、前記基板と前記半導
体チップとの間に挟むことで、前記第３絶縁部に前記分子接合層の少なくとも一部を接触
させる、
半導体パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記マスクは、前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方の少なくとも一部
に面する開口部を有し、
前記分子接合剤の少なくとも一部は、前記開口部を通じて前記第１導電部及び前記第２
導電部の少なくとも一方の表面に塗布される
請求項１７に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記開口部は、前記第３導電部の縁部に対応した位置に設けられており、
前記分子接合剤の少なくとも一部は、前記開口部を通じて前記第３導電部の縁部に対応
した位置に塗布される
請求項１７に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記マスクは、前記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一部に面する複数の開
口部を有し、
前記分子接合剤の少なくとも一部は、前記複数の開口部を通じて前記第１導電部及び前
記第２導電部の少なくとも一方の表面に塗布され、
前記複数の開口部は、前記マスクを平面視した場合に、前記第３導電部の中心部に対応
する領域に比べて、前記第３導電部の縁部に対応する領域に多く分布している
請求項１７に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベース基板と、半導体チップと、前記ベース基板と前記半導体チップとの間に設けられ
た中間層とを備える半導体パッケージが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１１０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、中間層を介した基板と半導体チップとの導電性を高め
ることができる半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体パッケージは、基板と、半導体チップと、中間層と、分子接合層とを
備える。前記基板は、第１導電部及び第１絶縁部を有する。前記半導体チップは、第２導
電部及び第２絶縁部を有する。前記中間層は、第３導電部及び第３絶縁部を有する。前記
第３導電部は、複数の導電粒子と樹脂とを含み、前記第１導電部と前記第２導電部との間
に設けられて前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続している。前記第３絶縁
部は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に設けられている。前記分子接合層は、前
記第１導電部及び前記第２導電部の少なくとも一方と前記第３導電部との間に設けられて
いる。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第３導電部の前記樹脂と化学結合してい
る。前記分子接合層の少なくとも一部は、前記第１導電部に含まれる第１導電素材及び前
記第２導電部に含まれる第２導電素材の少なくとも一方と化学結合している。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図２】第１の実施形態の半導体パッケージの構成を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施形態の分子接合層の組成の一例を模式的に示す図。
【図４】図１中に示された分子接合層のＦ４−Ｆ４線に沿う断面図。
【図５】第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の流れの一例を示す断面図。
【図６】第２の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図７】図６中に示された分子接合層のＦ７−Ｆ７線に沿う断面図。
【図８】第２の実施形態の半導体パッケージの製造方法の流れの一例を示す断面図。
【図９】第２の実施形態のマスクを示す平面図。
【図１０】第３の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図１１】第３の実施形態の第１導電部の周囲を拡大して示す断面図。
【図１２】第３の実施形態のマスクを示す平面図。
【図１３】第４の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図１４】第４の実施形態のマスクを示す平面図。
【図１５】第４の実施形態の変形例の半導体パッケージの一部を示す断面図。
【図１６】第５の実施形態の半導体パッケージを示す断面図。
【図１７】第５の実施形態の熱伝導シートの周囲を拡大して示す断面図。
【図１８】実施形態の電子機器の一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を、図面を参照し
て説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付
す。そして、それらの重複する説明は省略する場合がある。なお、図面は模式的なもので
あり、各構成要素の数、厚み、幅、比率などは、現実のものと異なることがある。
【０００８】
（第１の実施形態）
まず、図１から図５を参照し、第１の実施形態について説明する。
【０００９】
図１は、第１の実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００１０】
本実施形態の半導体パッケージ１０は、例えば、車載用部品やパワー半導体として用い
られる半導体部品である。ただし、半導体パッケージ１０は、車載用部品やパワー半導体
に限定されるものではなく、その他の用途に用いられる半導体部品でもよい。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、ベース基板２０と、半導体
チップ３０と、分子接合層４０と、中間層５０とを備えている。
【００１２】
ベース基板２０は、「基板」の一例である。ベース基板２０は、ベース基板本体２１と
、第１絶縁部２２と、複数の第１導電部２３とを備える。ベース基板本体２１は、例えば
、有機基板や無機基板で形成されている。ベース基板本体２１は、熱伝導率の高い材料が
用いられてもよい。熱伝導率の高い材料が用いられることで、半導体パッケージ１０の動
作時の放熱性が高められる。例えば、ベース基板本体２１は、有機化合物などの絶縁体、
半導体、又は一部が絶縁された金属などの導体で形成される。例えば、ベース基板本体２
１は、配線パターンを含む。ベース基板本体２１の配線パターンには、半導体チップ３０
からの電気信号及び半導体チップ３０への電気信号の少なくとも一方が流れる。ベース基
板本体２１は、多層基板であってもよい。例えば、ベース基板本体２１の一部は、金属で
形成されてもよい。ベース基板本体２１の一部が金属で形成されることで、半導体パッケ
ージ１０の熱伝導率をさらに高めることができる。このようなベース基板本体２１の一部
の金属の材料としては、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｗ、又はこれらの合金などが挙げられる。例
えば、このような材料としてはＣｕ又はＣｕとＭｏとの合金を用いることが好ましい。ベ
ース基板２０の一部の材料にこれらが用いられることで、熱伝導率がさらに高くなる。
【００１３】
第１導電部２３は、例えばベース基板本体２１の表面に形成された導電パッド（即ち接
続部、電気接続部、端子）である。第１導電部２３は、ベース基板本体２１に形成された
回路の一部を形成している。第１導電部２３は、第１導電素材２３ｍによって形成されて
いる。例えば、第１導電部２３は、第１導電素材２３ｍによりベース基板本体２１の表面
の一部に形成された金属めっきである。第１導電素材２３ｍとしては、例えば、Ａｕ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、又はＰｄなどが用いられる。本実施形態では、第１導電部２３は
、Ｃｕめっき（即ち第１めっき層）２３Ａの上に、Ｎｉめっき（即ち第２めっき層）２３
Ｂ、Ａｕめっき（即ち第３めっき層）２３Ｃが順次積層された構造を有する（図２参照）
。例えば、Ｃｕめっき２３Ａが第１導電部２３のベースとなっている。第１導電部２３は
、ベース基板本体２１を平面視した場合に、例えば円形状に形成されている。本実施形態
では、第１導電素材２３ｍは、例えば第１導電部２３の表面層を形成するＡｕである。
【００１４】
第１絶縁部２２は、例えばベース基板本体２１の表面に形成されたレジスト層（例えば
ソルダーレジスト）であり、ベース基板本体２１上に第１絶縁素材２２ｍによって形成さ
れている。例えば、第１絶縁部２２は、ベース基板本体２１の表面のうち第１導電部２３
が設けられていない部位に第１絶縁素材２２ｍが設けられることによって形成されている
。第１絶縁部２２は、ベース基板２０上において第１導電部２３が設けられていない部位
を電気的に絶縁する。そのため、第１絶縁部２２は、例えば複数の第１導電部２３の間の
短絡を防ぐことができる。第１絶縁素材２２ｍとしては、例えば、アクリル樹脂、オキセ
タン樹脂、又はエポキシ樹脂などが用いられる。本実施形態では、第１絶縁部２２は、第
１導電部２３が設けられた後にベース基板本体２１上にエポキシ樹脂が設けられることで
形成されている。
【００１５】
半導体チップ(例えばベアチップ)３０は、半導体チップ本体３１と、第２絶縁部３２と
、複数の第２導電部３３とを備える。半導体チップ本体３１は、例えば、ＧａＮまたはＳ
ｉＣなどを材料とするＨＦＥＴ（Heterojunction F即ちld Effect Transistor）、または
Ｓｉを材料とするＬＤＭＯＳ（Lateral Double Diffuse MOS Transistor）などである。
また、半導体チップ本体３１のその他の例として、光半導体素子、圧電素子、メモリ素子
、マイクロコンピュータ素子、センサ素子、又は無線通信用素子などが挙げられる。なお
本願で言う「半導体チップ（または半導体チップ本体）」とは、電気回路を含む部品であ
ればよく、特定の用途の半導体チップに限定されない。
【００１６】
第２導電部３３は、例えば半導体チップ本体３１の表面に形成された導電パッド（即ち
接続部、電気接続部、端子）である。第２導電部３３は、半導体チップ本体３１に形成さ
れた回路の一部を形成している。第２導電部３３は、第２導電素材３３ｍによって形成さ
れている。例えば、第２導電部３３は、第２導電素材３３ｍにより半導体チップ本体３１
の表面の一部に形成された金属めっきである。第２導電素材３３ｍとしては、例えば、Ａ
ｕ、Ｎｉ、又はＣｕなどが用いられる。本実施形態では、第２導電部３３は、Ｃｕめっき
（即ち第１めっき層）３３Ａの上に、Ｎｉめっき（即ち第２めっき層）３３Ｂ、Ａｕめっ
き（即ち第３めっき層）３３Ｃが順次積層された構造を有する（図２参照）。例えば。Ｃ
ｕめっき３３Ａが第２導電部３３のベースとなっている。第２導電部３３は、半導体チッ
プ本体３１を平面視した場合に、例えば円形状に形成されている。本実施形態では、第２
導電素材３３ｍは、例えば第２導電部３３の表面層を形成するＡｕである。なお、第２導
電素材３３ｍは、第１導電素材２３ｍと同じでもよく、異なってもよい。
【００１７】
第２絶縁部３２は、例えば半導体チップ本体３１の表面に形成されたレジスト層（例え
ばソルダーレジスト）であり、半導体チップ本体３１上に第２絶縁素材３２ｍによって形
成されている。例えば、第２絶縁部３２は、半導体チップ本体３１の表面のうち第２導電
部３３が設けられていない部位に第２絶縁素材３２ｍを設けることによって形成されてい
る。第２絶縁部３２は、半導体チップ本体３１上において第２導電部３３が設けられてい
ない部位を電気的に絶縁し、例えば複数の第２導電部３３の間の短絡を防ぐことができる
。第２絶縁素材３２ｍとしては、例えば、ポリイミド樹脂などを用いることができる。本
実施形態では、第２絶縁部３２は、金属めっきにより第２導電部３３が設けられた後に、
半導体チップ本体３１上にポリイミド樹脂が設けられることで形成されている。なお、第
２絶縁素材３２ｍは、第１絶縁素材２２ｍと同じでもよく、異なってもよい。
【００１８】
中間層５０は、ベース基板２０と半導体チップ３０との間に設けられている。例えば、
中間層５０は、ベース基板２０と半導体チップ３０とを電気的および物理的に接続する（
例えば接合する）接続部材である。中間層５０は、第３絶縁部５１と、複数の第３導電部
５２とを有する。
【００１９】
第３導電部５２は、中間層５０のなかで、ベース基板２０に設けられた第１導電部２３
、及び半導体チップ３０に設けられた第２導電部３３に対応する位置に設けられている。
第３導電部５２は、ベース基板２０の第１導電部２３と、半導体チップ３０の第２導電部
３３との間に設けられ、第１導電部２３と第２導電部３３との間に挟まれている。第３導
電部５２は、第１導電部２３と第２導電部３３とを電気的に接続している。
【００２０】
第３導電部５２は、複数の導電粒子５２ａと、樹脂５２ｂ（即ち樹脂部例えば合成樹脂
）とを含む（図２参照）。第３導電部５２は、第３導電部５２に含まれた複数の導電粒子
５２ａが相互に接して相互に導通することによって導電性を有する。言い換えると、複数
の導電粒子５２ａは、第１導電部２３と第２導電部３３とを電気的に接続している。導電
粒子５２ａは、導電素材を構成素材に含む粒子である。導電粒子５２ａは、例えば、楕円
球、直方体又は鱗片状などであり、形状は問わない。導電粒子５２ａに含まれる導電素材
は、適宜選択できる。例えば、導電粒子５２ａは、導電性が高い金属が用いられる。導電
粒子５２ａとしては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇなどが用いられる。なお、導電粒
子５２ａは、上記の複数の金属が混合された導電素材からなる粒子であってもよい。例え
ば、導電粒子５２ａは、上記の複数の金属のうち一種を構成素材とする粒子を、別の金属
が被覆することで金属の層を形成し、さらに別の金属が被覆して層を形成するなどによっ
て、複数の金属の層を有する粒子であってもよい。導電粒子５２ａの径は、目安として２
μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、また５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。
例えば、導電粒子５２ａは、素材によって２μｍ〜３０μｍ又は５μｍ〜５０μｍの径を
有してもよい。例えば、第３導電部５２の質量全体に対する導電粒子５２ａの含有量は、
５０〜９５質量％であってもよい。例えば、上記範囲において第３導電部５２の導電性が
良好である。本実施形態では、第３導電部５３は、導電粒子５２ａとしてＡｇの粒子が用
いられた銀ペーストによって形成されている。
【００２１】
第３導電部５２の樹脂５２ｂは、適宜選択できるが、例えば硬化時に収縮する樹脂が用
いられる。例えば、第３導電部５２の樹脂５２ｂには、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、アミド樹脂又はエラストマーなどが用いら
れる。本実施形態では、第３導電部５２の樹脂５２ｂには、エポキシ樹脂が用いられてい
る。本実施形態では、第３導電部５２は、樹脂５２ｂ中に導電粒子５２ａであるＡｇの粒
子が分散した銀ペーストが硬化した硬化物である。第３導電部５２は、中間層５０を平面
視した場合に、例えば円形状に形成されている。
【００２２】
第３絶縁部５１は、中間層５０のなかで、ベース基板２０に設けられた第１絶縁部２２
、及び半導体チップ３０に設けられた第２絶縁部３２に対応する位置に設けられている。
第３絶縁部５１は、ベース基板２０の第１絶縁部２２と、半導体チップ３０の第２絶縁部
３２との間に設けられ、第１絶縁部２２と第２絶縁部３２との間に挟まれている。第３絶
縁部５１は、例えばアンカー効果により、第１絶縁部２２と第２絶縁部３２とに接合され
ている。
【００２３】
第３絶縁部５１は、第３絶縁素材５１ｍによって形成されている。例えば、第３絶縁部
５１は、中間層５０のなかで第３導電部５２が設けられていない部位に形成されている。
第３絶縁部５１は、複数の第３導電部５２の間を電気的に絶縁する。第３絶縁部５１は、
複数の第３導電部５２によって設けられた複数の電気接続路の間の短絡を防ぐことができ
る。例えば、第３絶縁素材５１ｍとしては、各種のＮＣＰ（Non-Conductive Paste）や、
ＮＣＦ（Non-Conductive Film）などが用いられる。本実施形態では、第３絶縁部５１は
、エポキシ樹脂により形成されている。なお、第３絶縁素材５１ｍは、第１絶縁素材２２
ｍ及び第２絶縁素材３２ｍと同じでもよく、異なってもよい。
【００２４】
上述したように、本実施形態では、ベース基板２０の第１導電部２３と、半導体チップ
３０の第２導電部３３とは、第３導電部５２を介して電気的に接続されている。すなわち
、ベース基板２０と半導体チップ３０とが中間層５０を間に挟んで重ねられることで、第
１導電部２３と第２導電部３３とが、第３導電部５２を介して電気的に接続されている。
【００２５】
同様に、第１絶縁部２２と第２絶縁部３２とは、それぞれ第３絶縁部５１に接合されて
いる。すなわち、ベース基板２０と半導体チップ３０とが中間層５０を間に挟んで重ねら
れることで、第１絶縁部２２と第２絶縁部３２とが、第３絶縁部５１を介して接合されて
いる。
【００２６】
第３導電部５２及び第３絶縁部５１は、例えば、柔軟性を有した状態で供給され、ベー
ス基板２０と半導体チップ３０との間で硬化される。
【００２７】
次に、分子接合層４０について説明する。
【００２８】
図２は、半導体パッケージ１０の構成を模式的に示す断面図である。
【００２９】
図１および図２に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、分子接合層４０
を備えている。分子接合層４０は、第１導電部２３及び第２導電部３３の少なくとも一方
と、第３導電部５２との間に設けられている。また別の観点で見ると、分子接合層４０は
、第１絶縁部２２及び第２絶縁部３２の少なくとも一方と、第３絶縁部５１との間に設け
られている。なお、分子接合層４０は、実際には非常に薄いが、説明の便宜上、各図中で
はある程度の厚さで示している。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態では、分子接合層４０は、第１分子接合層４１と、第２
分子接合層４２とを有する。第１分子接合層４１は、第１導電部２３の表面および第１絶
縁部２２の表面に設けられている。第２分子接合層４２は、第２導電部３３の表面および
第２絶縁部３２の表面に設けられている。
【００３１】
言い換えると、第１分子接合層４１は、ベース基板２０と中間層５０との間に設けられ
ている。第１分子接合層４１は、複数の第１導電部２３と複数の第３導電部５２との間に
設けられた複数の第１部分４１ａと、第１絶縁部２２と第３絶縁部５１との間に設けられ
た第２部分４１ｂとを有する。第１分子接合層４１の第１部分４１ａは、第１導電部２３
と第３導電部５２との両方に化学結合し、化学結合を介して第１導電部２３と第３導電部
５２とを接合する。第１分子接合層４１の第２部分４１ｂは、第１絶縁部２２と第３絶縁
部５１との両方に化学結合し、化学結合を介して第１絶縁部２２と第３絶縁部５１とを接
合する。第１部分４１ａと第２部分４１ｂとは、例えば互いに一体（即ちひと続き）に形
成されている。
【００３２】
一方で、第２分子接合層４２は、半導体チップ３０と中間層５０との間に設けられてい
る。第２分子接合層４２は、複数の第２導電部３３と複数の第３導電部５２との間に設け
られた複数の第１部分４２ａと、第２絶縁部３２と第３絶縁部５１との間に設けられた第
２部分４２ｂとを有する。第２分子接合層４２の第１部分４２ａは、第２導電部３３と第
３導電部５２との両方に化学結合し、化学結合を介して第２導電部３３と第３導電部５２
とを接合する。第２分子接合層４２の第２部分４２ｂは、第２絶縁部３２と第３絶縁部５
１との両方に化学結合し、化学結合を介して第２絶縁部３２と第３絶縁部５１とを接合す
る。第１部分４２ａと第２部分４２ｂとは、例えば互いに一体（即ちひと続き）に形成さ
れている。
【００３３】
以下、第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２を詳しく説明する。
【００３４】
本実施形態の分子接合層４０は、中間層５０とベース基板２０とを接合するとともに、
中間層５０と半導体チップ３０とを接合する。分子接合層４０は、分子接合剤によって形
成される分子接合体４０ｒ（図３参照）を含む。分子接合剤は、例えば樹脂及び金属と化
学結合（例えば共有結合）を形成し得る化合物である。なお本願で言う「共有結合」とは
、共有結合性を有する結合を広く意味し、配位結合及び準共有結合なども含む。また本願
で言う「分子接合体」とは、分子接合剤が化学結合（即ち化学反応）した後に接合部に残
る物質を意味する。
【００３５】
分子接合剤としては、例えば、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。トリアジ
ン誘導体としては、以下の一般式（Ｃ１）で表される化合物が挙げられる。
【００３６】
（Ｃ１）
2018037636.tif 000003
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を
示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子
もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
上記一般式（１）において、Ｒは、好ましくは炭素数１〜７の炭化水素基、又はこれら
の主鎖に窒素原子が介在するものを示す。Ｘは、炭素数１〜３の炭化水素基を示す。Ｙは
、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。ｎ１は、好ましくは３である。ｎ２は、好ましく
は２である。Ｚは、好ましくは塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくは
アジド基、又はアルキル基を示す。塩を形成するカチオンの元素としては、アルカリ金属
が好ましく、中でもＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓがさらに好ましい。なお、ｎ２が２である場
合は、少なくとも１つのＺは、塩を形成している、チオール基、アミノ基又はアジド基を
示すことが好ましい。
【００３７】
第１分子接合層４１の第１部分４１ａの少なくとも一部（即ち 第１分子接合層４１を
形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、第１導電部２３の第１導電素材２３ｍと化学
結合（例えば共有結合）している。同様に、第１分子接合層４１の第１部分４１ａの少な
くとも一部(即ち 第１分子接合層４１を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、第３
導電部５２の樹脂５２ｂと化学結合（例えば共有結合）している。また、第１分子接合層
４１の第１部分４１ａの少なくとも一部(即ち 第１分子接合層４１を形成する分子接合剤
の少なくとも一部)は、第３導電部５２の導電粒子５２ａと化学結合（例えば共有結合）
している。これにより、第１分子接合層４１の第１部分４１ａは、第１導電部２３と第３
導電部５２とを接合している。
【００３８】
図３は、分子接合層４０の組成の一例を模式的に示す図である。
【００３９】
図３に示すように、第１分子接合層４１は、例えば、複数の分子接合体４０ｒを含む。
分子接合体４０ｒは、上述の分子接合剤が接合対象物（first member and second member
）と化学反応することで形成された分子接合剤残基を含む。例えば、分子接合体４０ｒは
、上述の分子接合剤が第１導電部２３及び第３導電部５２と化学反応することで形成され
た分子接合剤残基を含む。分子接合剤残基は、例えば、図３に示すような、トリアジンジ
チオール残基である。なお、分子接合体４０ｒは、図３中の”Ｓ”や”Ｚ”を含んでもよ
い。図３中の”Z”の一例は、アミノヒドロカルビルシロキシ基である。
【００４０】
例えば、第１分子接合層４１に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、第１導
電部２３の第１導電素材２３ｍと第３導電部５２の樹脂５２ｂとの両方に化学結合（例え
ば共有結合）している。また、第１分子接合層４１に含まれる別の少なくとも１つの分子
接合体４０ｒは、第１導電部２３の第１導電素材２３ｍと第３導電部５２の導電粒子５２
ａとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００４１】
図１に示すように、第１分子接合層４１の第２部分４１ｂの少なくとも一部（即ち 第
１分子接合層４１を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、第１絶縁部２２の第１絶
縁素材２２ｍと化学結合（例えば共有結合）している。同様に、第１分子接合層４１の第
２部分４１ｂの少なくとも一部(即ち 第１分子接合層４１を形成する分子接合剤の少なく
とも一部)は、第３絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍと化学結合（例えば共有結合）して
いる。これにより、第１分子接合層４１の第２部分４１ｂは、第１絶縁部２２と第３絶縁
部５１とを接合している。
【００４２】
例えば、第１分子接合層４１に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、第１絶
縁部２２の第１絶縁素材２２ｍと第３絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍとの両方に化学結
合（例えば共有結合）している。
【００４３】
同様に、第２分子接合層４２の第１部分４２ａの少なくとも一部（即ち 第２分子接合
層４２を形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、第２導電部３３の第２導電素材３３
ｍと化学結合（例えば共有結合）している。同様に、第２分子接合層４２の第１部分４２
ａの少なくとも一部(即ち 第２分子接合層４２を形成する分子接合剤の少なくとも一部)
は、第３導電部５２の樹脂５２ｂと化学結合（例えば共有結合）している。また、第２分
子接合層４２の第１部分４２ａの少なくとも一部(即ち 第２分子接合層４２を形成する分
子接合剤の少なくとも一部)は、第３導電部５２の導電粒子５２ａと化学結合（例えば共
有結合）している。これにより、第２分子接合層４２の第１部分４２ａは、第２導電部３
３と第３導電部５２とを接合している。
【００４４】
例えば、第２分子接合層４２に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、第２導
電部３３の第２導電素材３３ｍと第３導電部５２の樹脂５２ｂとの両方に化学結合（例え
ば共有結合）している。また、第２分子接合層４２に含まれる別の少なくとも１つの分子
接合体４０ｒは、第２導電部３３の第２導電素材３３ｍと第３導電部５２の導電粒子５２
ａとの両方に化学結合（例えば共有結合）している。
【００４５】
第２分子接合層４２の第２部分４２ｂの少なくとも一部（即ち 第２分子接合層４２を
形成する分子接合剤の少なくとも一部）は、第２絶縁部３２の第２絶縁素材３２ｍと化学
結合（例えば共有結合）している。同様に、第２分子接合層４２の第２部分４２ｂの少な
くとも一部(即ち 第２分子接合層４２を形成する分子接合剤の少なくとも一部)は、第３
絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍと化学結合（例えば共有結合）している。これにより、
第２分子接合層４２の第２部分４２ｂは、第２絶縁部３２と第３絶縁部５１とを接合して
いる。
【００４６】
例えば、第２分子接合層４２に含まれる少なくとも１つの分子接合体４０ｒは、第２絶
縁部３２の第２絶縁素材３２ｍと第３絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍとの両方に化学結
合（例えば共有結合）している。
【００４７】
以上を言い換えると、分子接合剤は、第１分子接合層４１が設けられている第１導電部
２３、又は第２分子接合層４２が設けられている第２導電部３３において、第１導電部２
３又は第２導電部３３に含まれる構成素材と化学結合（例えば共有結合）している。その
ため、中間層５０とベース基板２０及び半導体チップ３０とは、強固に密着している。
【００４８】
中間層５０とベース基板２０との間、又は、中間層５０と半導体チップ３０との間の密
着強度は、２ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましく
、６ＭＰａ以上であることがさらに好ましく、１０ＭＰａ以上であることがさらに好まし
い。また、この測定時の破壊モードは、接合界面ではなく、中間層５０が破壊されるモー
ドとなることが好ましい。密着強度は、例えば、ダイシェアテストによって測定すること
ができる。引張試験の具体例としては、ＭＩＬ−ＳＴＤ８８３Ｇ、即ちＣ−６０７４９−
１９、又はＥＩＡＪ  ＥＤ−４７０３等に規定された方法が挙げられる。
【００４９】
分子接合剤は、第１導電素材２３ｍ又は第２導電素材３３ｍと第３導電部５２の樹脂５
２ｂとに共有結合することで、第１導電部２３又は第２導電部３３と第３導電部５２の樹
脂５２ｂとを接合する。前述した分子接合剤は、導電素材及び樹脂のいずれとも化学結合
（例えば共有結合）することができるので、第１導電部２３又は第２導電部３３と第３導
電部５２の樹脂５２ｂとを密着力高く接合することができる。また、分子接合剤が第１導
電素材２３ｍ又は第２導電素材３３ｍと第３導電部５２の樹脂５２ｂとに化学結合（例え
ば共有結合）することで、第１導電部２３又は第２導電部３３と第３導電部５２との距離
が近くなり、第３導電部５２の導電粒子５２ａと、第１導電部２３又は第２導電部３３と
の間の電気的接続をより安定して確保しやすくなる。
【００５０】
すなわち、分子接合層が無い場合は、半導体パッケージ１０の大きさに対して樹脂５２
ｂの占める面積が大きくなると、樹脂５２ｂの収縮により第１導電部２３又は第２導電部
３３から中間層５０が剥がれやすくなるおそれがある。これに対して、本実施形態では分
子接合層４０が第１導電素材２３ｍ及び第２導電素材３３ｍの少なくとも一方と化学結合
（例えば共有結合）しているので、第３導電部５２と、第１導電部２３及び第２導電部３
３の少なくとも一方とが剥がれにくい。そのため、密着力が低下し電気的な接続性が低下
することが抑制される。
【００５１】
例えば、第１導電部２３の表面に設けられた第１分子接合層４１が、第１導電素材２３
ｍ及び第３導電部５２の樹脂５２ｂと化学結合（例えば共有結合）し、かつ、第２導電部
３３の表面に設けられた第２分子接合層４２が、第２導電素材３３ｍ及び第３導電部５２
の樹脂５２ｂと化学結合（例えば共有結合）していると、第１導電部２３、第３導電部５
２及び第２導電部３３の相互が、分子接合剤により距離が近くなっているので、導電粒子
５２ａと第１導電素材２３ｍ及び第２導電素材３３ｍとが電気的にさらに良好に接続され
、ベース基板２０と半導体チップ３０との間の電気的な接続がさらに安定して確保される
。
【００５２】
本実施形態では、第３導電部５２の導電粒子５２ａが、第１分子接合層４１及び第２分
子接合層４２の少なくとも一方と化学結合（例えば共有結合）している。導電粒子５２ａ
と分子接合層４０が化学結合（例えば共有結合）することで、密着性及び導電性がさらに
強く確保される。
【００５３】
本実施形態では、第１分子接合層４１における分子接合剤の１分子（例えば分子接合体
４０ｒ）が、第３導電部５２の樹脂５２ｂと第１導電素材２３ｍとの両方に化学結合（例
えば共有結合）している。また、第２分子接合層４２における分子接合剤の１分子（例え
ば分子接合体４０ｒ）が、第３導電部５２の樹脂５２ｂと第２導電素材３３ｍとの両方に
化学結合（例えば共有結合）している。１分子の分子接合剤を介して第１導電素材２３ｍ
又は第２導電素材３３ｍと樹脂５２ｂとが接合されることで、密着性及び導電性がさらに
高くなる。本実施形態では、第１分子接合層４１における分子接合剤の１分子（例えば分
子接合体４０ｒ）が、第３導電部５２の導電粒子５２ａと第１導電素材２３ｍの両方に化
学結合（例えば共有結合）している。また、第２分子接合層４２における分子接合剤の１
分子（例えば分子接合体４０ｒ）が、第３導電部５２の導電粒子５２ａと第２導電素材３
３ｍの両方に化学結合（例えば共有結合）している。この構成によって、ベース基板２０
と半導体チップ３０の電気的な接続がさらに強く確保される。
【００５４】
第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２の各々は、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚みを有し
ても良い。第１導電部２３又は第２導電部３３の面積に対する分子接合剤の被覆密度（即
ち分子接合層４０の被膜密度）は、２０％以上８０％以下である。上記被膜密度は、３０
％以上７０％以下であることが好ましく、４０％以上６０％以下であることがより好まし
い。なお、分子接合剤の被覆密度が１００面積％である場合、分子接合剤が被覆すべき対
象物の表面に対して理論上最密に充填されていると定義する。分子接合剤の被覆密度は、
Ｘ線回折法による測定結果から求めることができる。
【００５５】
第１導電部２３又は第２導電部３３に対する分子接合剤の被覆密度（即ち分子接合層４
０の被膜密度）が上記下限値以上であると、第１導電部２３又は第２導電部３３と第３導
電部５２との密着性をより高めることができる。また、第１導電部２３又は第２導電部３
３に対する分子接合剤の被覆密度（即ち分子接合層４０の被膜密度）が上記上限値以下で
あると、第１導電部２３又は第２導電部３３と第３導電部５２との電気的接続を容易に確
保することができる。
【００５６】
図４は、図１中に示された分子接合層４０のＦ４−Ｆ４線に沿う断面図である。
【００５７】
図４に示すように、分子接合層４０の分子接合体４０ｒは、例えば完全に均一に分散し
ていない。第３導電部５２の導電粒子５２ａは、複数の分子接合体４０ｒの間の位置（即
ち分子接合体４０ｒが存在しない領域）で、第１導電部２３又は第２導電部３３に接する
。これにより、第３導電部５２の導電粒子５２ａは、第１導電部２３又は第２導電部３３
と電気的に接続される。
【００５８】
本実施形態では、第１分子接合層４１は、第１導電部２３に加えて、第１絶縁部２２上
まで延びている。第２分子接合層４２は、第２導電部３３に加えて、第２絶縁部３２上ま
で延びている。すなわち、第１絶縁部２２の表面には、分子接合体４０ｒを含む第１分子
接合層４１が設けられている。第２絶縁部３２の表面には、分子接合体４０ｒを含む第２
分子接合層４２が設けられている。第１分子接合層４１の少なくとも一部が、第１絶縁部
２２に含まれる第１絶縁素材２２ｍと化学結合（例えば共有結合）している。第２分子接
合層４２の少なくとも一部が、第２絶縁部３２に含まれる第２絶縁素材３２ｍと化学結合
（例えば共有結合）している。第１分子接合層４１又は第２分子接合層４２の少なくとも
一部が、第３絶縁部５１に含まれる第３絶縁素材５１ｍに化学結合（例えば共有結合）し
ている。分子接合層４０と、第１絶縁素材２２ｍ及び／又は第２絶縁素材３２ｍと、第３
絶縁素材５１ｍとに化学結合（例えば共有結合）していることにより、第１絶縁部２２及
び／又は第２絶縁部３２と、第３絶縁部５１の密着性が高くなる。第１絶縁部２２、第２
絶縁部３２及び第３絶縁部５１の密着性が高くなることで、第１、第２及び第３の導電部
２３，３３，５２の相互の密着性も高くなり、導電性が高くなることにも寄与する。
【００５９】
例えば、第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２の少なくとも一部は単分子膜状で
ある。本実施形態では、第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２の全部が単分子膜状
である。第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２における単分子膜状に形成された部
分においては、１分子の分子接合剤（即ち分子接合体４０ｒ）が第１導電素材２３ｍと樹
脂５２ｂの両方に化学結合（例えば共有結合）している。又は、１分子の分子接合剤が第
２導電素材３３ｍと樹脂５２ｂの両方に化学結合（例えば共有結合）している。よって、
第１導電部２３及び第２導電部３３と中間層５０との密着性をより高めることができる。
また、第１導電部２３及び第２導電部３３と中間層５０との電気的接続を容易に確保する
ことができる。さらに、第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２による半導体パッケ
ージ１０の厚みの増加が最小限に抑えられる。
【００６０】
第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２の多くの面積を占める部分が単分子膜状で
あることが好ましい。例えば、第１導電部２３又は第２導電部３３の表面のうち第１分子
接合層４１及び第２分子接合層４２に被覆された面積の３０〜１００％に相当する部位が
単分子膜状であることがより好ましい。単分子膜状の面積がこの条件であることで、第１
分子接合層４１及び第２分子接合層４２による密着と電気的接続がさらに確実に確保され
る。
【００６１】
例えばエポキシ樹脂のような絶縁部は、例えばＡｕめっきのような導体部とそのままで
は接合されにくい。このため、第１導電部２３や第２導電部３３が大面積の導体パターン
であった場合、大面積の導体パターンと絶縁部との密着力が低下しやすくなる。しかしな
がら、本実施形態の構成によれば、分子接合層４０によって、大面積の導体パターンに対
しても絶縁部を密着させることができる。なお、本願で言う「大面積の導体パターン」と
は、例えば、放熱用の導体パターン（例えば放熱パッド）、半導体チップ３０のグランド
に電気的に接続されたグランドパターン（例えばグランドパッド）、又は電源パターン（
例えば電源パッド）などである。導体パターンの形状は、特に限定されず、多角形状でも
よく、円形状でもよい。導体パターンが多角形状の場合、導体パターンの１辺は、例えば
半導体チップ３０の厚さよりも大きい。同様に、導体パターンが円形状の場合、導体パタ
ーンの直径は、例えば半導体チップ３０の厚さよりも大きい。また別の観点では、導体パ
ターンの１辺（または直径）は、例えば半導体チップ３０の１辺の半分の長さよりも長い
。
【００６２】
ついで、本実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。
【００６３】
図５は、半導体パッケージ１０の製造方法の流れの一例を示す断面図である。
【００６４】
本実施形態では、まず、ベース基板本体２１と、第１絶縁部２２と、第１導電部２３と
を備えるベース基板２０が準備される（図５中の（ａ））。ベース基板本体２１の表面に
第１絶縁部２２及び第１導電部２３を設ける手段は、従来知られた技術を用いることがで
きる。
【００６５】
ついで、第１導電部２３の表面を分子接合剤で被覆することで（即ち 第１導電部２３
の表面に分子接合剤を塗布することで）、第１分子接合層４１が形成される（図５中の（
ｂ））。なお本願の製造方法に関する記述における「分子接合層」とは、化学反応した（
例えば化学結合した）分子接合層に加えて、少なくとも一部が化学反応前の（例えば化学
結合していない）分子接合層を意味する場合がある。なお、少なくとも一部が化学反応前
の分子接合層は、「分子接合剤」と読み替えられてもよい。
【００６６】
第１分子接合層４１の形成は、例えば、上述の分子接合剤を含有する分子接合剤溶液を
ベース基板２０の表面に塗布することで行われる。分子接合剤溶液を塗布する方法の例と
しては、ベース基板２０を分子接合剤溶液中に浸漬させる方法、又は、ベース基板２０に
分子接合剤溶液をスプレーする方法などが挙げられる。
【００６７】
ベース基板２０の表面を分子接合剤で被覆する際には、分子接合剤溶液を用いることが
好ましい。分子接合剤溶液は、上述の分子接合剤を溶媒に溶解させることにより、調製可
能である。
【００６８】
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコ
ール、プロピレングリコール、セロソルブ及びカルビトール等のアルコール類；アセトン
、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン及びキ
シレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン及びオクタデカン等
の脂肪族炭化水素；酢酸エチル、プロピオン酸メチル及びフタル酸メチルなどのエステル
類；並びにテトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル及びアニソールなどのエーテル類
が挙げられる。また、これらの溶媒を混合した混合溶媒を用いることもできる。
【００６９】
分子接合剤溶液の濃度は、分子接合剤溶液の全体質量に対して分子接合剤が０．００１
質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下で
あることがより好ましい。分子接合剤溶液の濃度が上記下限値以上であると、分子接合剤
の被覆密度を高めて、部材間の密着性をより高めることができる。分子接合剤溶液の濃度
が上記上限値以下であると、化学結合（例えば共有結合）しない分子接合剤が含有されに
くいため、第１導電部２３又は第２導電部３３と、第３導電部５２との電気的接続を容易
に確保することができる。加えて、第１分子接合層４１による半導体パッケージ１０の厚
みの増加を抑えることができる。
【００７０】
調製された分子接合剤溶液を、ベース基板２０における第１導電部２３の表面に塗布す
る。分子接合剤溶液が塗布されたベース基板２０を静置することにより、第１導電部２３
の第１導電素材２３ｍと分子接合剤との間の化学結合（例えば共有結合）が促進される。
さらに、第１分子接合層４１にエネルギー（例えば熱又は光（例えば紫外線））を加える
操作が行われてもよい。エネルギーを加える操作により、分子接合剤と第１導電素材２３
ｍとの間の化学結合（例えば共有結合）がさらに促進される。エネルギーは、例えば熱な
どを用いることができる。熱を用いる場合、１５０℃〜２００℃程度の加熱を５分以上、
好ましくは６０分以上、さらに好ましくは８０分以上、また１２０分以上、好ましくは２
４０分以下行うことができる。例えば、分子接合層の素材によって５分〜１２０分間、６
０分〜２４０分間、好ましくは８０分〜２４０分間などから選択してよい。その後、ベー
ス基板２０を洗浄し、ついで乾燥させることで、余剰の分子接合剤や溶液を除去してもよ
い。洗浄液は、例えば分子接合剤溶液に用いられた上述の溶媒と同様のものから選択でき
る。乾燥は１５０℃〜２００℃で行うことができる。これらの操作により、第１導電部２
３の表面が分子接合剤（例えば分子接合体４０ｒ）で被覆されたベース基板２０が得られ
る。
【００７１】
分子接合剤で被覆された第１導電部２３の第１導電素材２３ｍは、分子接合剤（例えば
分子接合体４０ｒ）との間で化学結合（即ち共有結合）を形成する。すなわち、第１導電
部２３に含まれる第１導電素材２３ｍと化学結合（即ち共有結合）した分子接合剤（例え
ば分子接合体４０ｒ）を含む第１分子接合層４１が、第１導電部２３の表面に形成される
。
【００７２】
分子接合剤溶液は、第１導電部２３の表面のみならず、第１絶縁部２２の表面にも塗布
されてもよい。第１導電部２３の表面と第１絶縁部２２の表面の両方を分子接合剤で被覆
することにより、第１導電部２３に含まれる第１導電素材２３ｍと第１絶縁部２２に含ま
れる第１絶縁素材２２ｍとに化学結合（即ち共有結合）した分子接合剤（例えば分子接合
体４０ｒ）を含む分子接合層４０を、第１導電部２３の表面と第１絶縁部２２の表面との
両方に形成することができる。
【００７３】
第１分子接合層４１の厚みは、分子接合剤溶液の濃度及び塗布量、並びに洗浄の時間及
び回数等の条件によって、調節可能である。
【００７４】
同様に、半導体チップ本体３１と、第２絶縁部３２と、第２導電部３３とを備える半導
体チップ３０が準備される（図５中の（ｃ））。そして、第２導電部３３の表面及び第２
絶縁部３２の表面を分子接合剤で被覆することで（即ち 第２導電部３３の表面及び第２
絶縁部３２の表面に分子接合剤を塗布することで）、第２分子接合層４２が形成される（
図５中の（ｄ））。本実施形態では、ベース基板２０に対して行った操作と同様に、上述
の分子接合剤溶液を半導体チップ３０の表面に塗布することで第２分子接合層４２が形成
される。上述と同様の静置、エネルギーを与える操作、洗浄、及び乾燥する操作を行って
もよい。本実施形態では、この過程で、分子接合剤が第２導電素材３３ｍ及び第２絶縁素
材３２ｍと化学結合（例えば共有結合）する。これによって、第２導電部３３及び第２絶
縁部３２の表面に分子接合剤が被覆され、第２導電部３３に含まれる第２導電素材３３ｍ
と第２絶縁部３２に含まれる第２絶縁素材３２ｍとに化学結合（例えば共有結合）した分
子接合剤（例えば分子接合体４０ｒ）を含む第２分子接合層４２が、第２導電部３３の表
面と第２絶縁部３２の表面の両方に形成される。
【００７５】
ついで、第３導電部５２の構成素材となる樹脂５２ｂと導電粒子５２ａを含むペースト
Ｐが、ベース基板２０上の第１導電部２３上に載置される（図５中の（ｅ））。これによ
り、第１分子接合層４１（即ち第１分子接合層４１を形成する分子接合剤）の少なくとも
一部を、第３導電部５２の樹脂５２ｂ及び導電粒子５２ａと接触させる。これにより、第
３導電部５２の樹脂５２ｂ及び導電粒子５２ａと第１分子接合層４１とが化学結合（例え
ば共有結合）してもよい。さらに本実施形態では、第３絶縁部５１の構成素材となる第３
絶縁素材５１ｍをベース基板２０上の第１絶縁部２２上に載置する。これにより、第１分
子接合層４１（即ち第１分子接合層４１を形成する分子接合剤）の少なくとも一部を、第
３絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍと接触させる。これにより、第３絶縁部５１の第３絶
縁素材５１ｍと第１分子接合層４１とが化学結合（例えば共有結合）してもよい。
【００７６】
さらに、本実施形態では、ベース基板２０上に第３絶縁素材５１ｍ及びペーストＰを載
置した後に、加熱した金属ステージ上にベース基板２０を載置する。以後の操作を金属ス
テージ上で行うのは、後述する樹脂５２ｂの硬化及び分子接合層４０にエネルギーを与え
る操作に先だって、予熱を加えるためである。具体的には、温度を１５０℃〜１７０℃と
した金属ステージを用意し、ベース基板２０をこの金属ステージ上に１０秒〜２４０秒間
載置する。
【００７７】
ついで、ペーストＰ及び第３絶縁素材５１ｍの上に半導体チップ３０を設ける。すなわ
ち、ペーストＰ上に第２導電部３３が位置し、第３絶縁部５１上に第２絶縁部３２が位置
するように、半導体チップ３０を載置する（図５中の（ｆ））。すなわち、第１導電部２
３と第２導電部３３との間に第３導電部５２を挟むことで、第３導電部５２の樹脂５２ｂ
及び導電粒子５２ａに第２分子接合層４２（即ち第２分子接合層４２を形成する分子接合
剤）の少なくとも一部を接触させる。これにより、第３導電部５２の樹脂５２ｂ及び導電
粒子５２ａと第２分子接合層４２とが化学結合（例えば共有結合）してもよい。また、第
１絶縁部２２と第２絶縁部３２との間に第３絶縁部５１を挟むことで、第３絶縁部５１の
第３絶縁素材５１ｍに第２分子接合層４２（即ち第２分子接合層４２を形成する分子接合
剤）の少なくとも一部を接触させる。これにより、第３絶縁部５１の第３絶縁素材５１ｍ
と第２分子接合層４２とが化学結合（例えば共有結合）してもよい。
【００７８】
本実施形態では、半導体パッケージ１０をさらに高温に加熱しつつ、半導体チップ３０
をベース基板２０に向けて押圧し、半導体パッケージ１０を任意の厚さにする操作が行わ
れる。例えば、押圧は、押圧部材を用いて半導体チップ３０上から半導体パッケージ１０
を押圧する。高温に加熱する条件としては、金属ステージ及び押圧部材を１８０℃〜２０
０℃に温度を上昇させる。この操作により、第３絶縁素材５１ｍが第１絶縁部２２及び第
２絶縁部３２に挟まれる部位で硬化し、第３絶縁部５１が形成される。樹脂５２ｂが第１
導電部２３及び第２導電部３３に挟まれる部位で硬化し、第３導電部５２が形成される。
この第３絶縁部５１及び第３導電部５２によって中間層５０が形成される。
【００７９】
この操作によって、さらに、第１分子接合層４１及び第２分子接合層４２に熱によるエ
ネルギーが加えられ、共に樹脂５２ｂ及び導電粒子５２ａと分子接合剤との化学結合（例
えば共有結合）が促進される。例えば、第３導電部５２に含まれる樹脂５２ｂ及び導電粒
子５２ａと、第１分子接合層４１に含まれる分子接合剤との化学結合（例えば共有結合）
が促進される。第３絶縁部５１に含まれる第３絶縁素材５１ｍと、第１分子接合層４１に
含まれる分子接合剤との化学結合（例えば共有結合）が促進される。また、第３導電部５
２に含まれる樹脂５２ｂ及び導電粒子５２ａと、第２分子接合層４２に含まれる分子接合
剤との化学結合（例えば共有結合）が促進される。第３絶縁部５１に含まれる第３絶縁素
材５１ｍと、第２分子接合層４２に含まれる分子接合剤との化学結合（例えば共有結合）
が促進される。この結果、分子接合剤は、第１及び第２導電素材２３ｍ，３３ｍ、樹脂５
２ｂ、及び導電粒子５２ａと化学結合（例えば共有結合）するとともに、第１絶縁素材２
２ｍ、第２絶縁素材３２ｍ及び第３絶縁素材５１ｍと化学結合（例えば共有結合）する。
【００８０】
なお、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合）は、熱又は光などのエネルギーが加え
られることなく行われてもよい。これに代えて、分子接合剤の化学結合（例えば共有結合
）は、熱又は光などのエネルギーが加えられることで行われてもよい。
【００８１】
（第２の実施形態）
次に、図６から図９を参照し、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１
導電部２３及び第２導電部３３に対応する位置に分子接合層４０が設けられていない点で
第１の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様
である。
【００８２】
図６は、第２の実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００８３】
図６に示すように、本実施形態の第１分子接合層４１は、第１導電部２３と第３導電部
５２との間の境界の少なくとも一部に、第１分子接合層４１が存在しない接合層非存在部
（即ち接合層非存在領域）６１を形成している。例えば、第１分子接合層４１は、第１導
電部２３と第３導電部５２との間の境界の全部に、接合層非存在部６１を形成している。
第３導電部５２の導電粒子５２ａは、第１分子接合層４１の接合層非存在部６１に設けら
れて、第１導電部２３の表面に接する。これにより、第３導電部５２と第１導電部２３と
がさらに確実に電気的に接続される。
【００８４】
同様に、本実施形態の第２分子接合層４２は、第２導電部３３と第３導電部５２との間
の境界の少なくとも一部に、第２分子接合層４２が存在しない接合層非存在部６１を形成
している。例えば、第２分子接合層４２は、第２導電部３３と第３導電部５２との間の境
界の全部に、接合層非存在部６１を形成している。第３導電部５２の導電粒子５２ａは、
第２分子接合層４２の接合層非存在部６１に設けられて、第２導電部３３の表面に接する
。これにより、第３導電部５２と第２導電部３３とがさらに確実に電気的に接続される。
【００８５】
図７は、図６中に示された分子接合層４０のＦ７−Ｆ７線に沿う断面図である。
【００８６】
図７に示すように、本実施形態の分子接合層４０の分子接合体４０ｒは、比較的均一に
分散している。このような分子接合層４０によれば、第１の実施形態に比べて、第１絶縁
部２２と第３絶縁部５１との間、及び第２絶縁部３２と第３絶縁部５１との間の接合強度
を高めることができる。一方で、第１導電部２３と第３導電部５２との間、及び第２導電
部３３と第３導電部５２との間において分子接合体４０ｒが比較的均一に分散していると
、第３導電部５２の導電粒子５２ａが分子接合体４０ｒに阻害されて第１導電部２３や第
２導電部３３に接しにくくなる。このため、第１導電部２３と第３導電部５２との間、及
び第２導電部３３と第３導電部５２との間の電気的接続強度が弱まる可能性がある。
【００８７】
そこで、本実施形態では、分子接合層４０は、第１導電部２３と第３導電部５２との間
の境界、および第２導電部３３と第３導電部５２との間の境界の少なくとも一方の少なく
とも一部に、分子接合層４０が存在しない接合層非存在部６１を形成している。第３導電
部５２の導電粒子５２ａは、接合層非存在部６１に設けられて第１導電部２３または第２
導電部３３に接している。これにより、第１導電部２３と第３導電部５２との間や、第２
導電部３３と第３導電部５２との間の電気的接続強度を高めている。なお、本実施形態の
分子接合層４０は、図７に示すような分子接合体４０ｒが比較的均一に分散しているもの
に限らず、図４に示すような分子接合体４０ｒが不均一に分散しているものでもよい。
【００８８】
図８は、本実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法の流れの一例を示す断面図であ
る。以下では、第１の実施形態に対して異なる部分のみを説明する。
【００８９】
本実施形態では、ベース基板２０に分子接合剤が塗布される前に、ベース基板２０の表
面にマスク（例えばレジスト）７０が設けられる（図８中の（ｂ１））。例えば、マスク
７０は、第１導電部２３を覆うように設けられる。マスク７０は、例えば分子接合剤がく
っつきにくいフッ素系の材料で形成されていると好ましい場合がある。ただし、マスク７
０の材料は特に限定されない。
【００９０】
図９は、本実施形態のマスク７０を示す平面図である。
【００９１】
図９に示すように、マスク７０は、例えば、複数のカバー７１と、複数の連結部７２と
を有する。複数のカバー７１は、複数の第１導電部２３に対応して設けられ、複数の第１
導電部２３を覆う。複数の連結部７２は、複数のカバー７１の間に延びており、複数のカ
バー７１を連結している。これにより、複数のカバー７１を有したマスク７０をベース基
板２０に対して一体に取り付けたり、取り除いたりすることができる。
【００９２】
次に、ベース基板２０の複数の第１導電部２３がマスク７０で覆われた状態で、ベース
基板２０の第１絶縁部２２の表面に分子接合剤が塗布される（即ち第１絶縁部２２の表面
が分子接合剤によって被膜される）（図８中の（ｂ２））。その後、ベース基板２０から
マスク７０が取り除かれる（図８中の（ｂ３））。これにより、第１絶縁部２２に第１分
子接合層４１を形成するとともに、第１導電部２３に接合層非存在部６１を形成すること
ができる。
【００９３】
同様に、半導体チップ３０に分子接合剤が塗布される前に、半導体チップ３０の表面に
マスク（例えばレジスト）７０が設けられる（図８中の（ｄ１））。例えば、マスク７０
は、第２導電部３３を覆うように設けられる。例えば、マスク７０は、図９に示されたマ
スク７０と同様に、複数のカバー７１と、複数の連結部７２とを有する。複数のカバー７
１は、複数の第２導電部３３に対応して設けられ、複数の第２導電部３３を覆う。
【００９４】
次に、半導体チップ３０の複数の第２導電部３３がマスク７０で覆われた状態で、半導
体チップ３０の第２絶縁部３２の表面に分子接合剤が塗布される（即ち第２絶縁部３２の
表面が分子接合剤によって被膜される）（図８中の（ｄ２））。その後、半導体チップ３
０からマスク７０が取り外される（図８中の（ｄ３））。これにより、第２絶縁部３２に
第２分子接合層４２を形成するとともに、第２導電部３３に接合層非存在部６１を形成す
ることができる。
【００９５】
なお、その後の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００９６】
（第３の実施形態）
次に、図１０から図１２を参照し、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、
第１導電部２３の一部及び第２導電部３３の一部に対応して接合層非存在部６１が形成さ
れた点で第２の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第２の実施形
態と同様である。
【００９７】
図１０は、本実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【００９８】
図１０に示すように、本実施形態では、第１分子接合層４１は、第１導電部２３と第３
導電部５２との間の境界の一部に、接合層非存在部６１を形成している。言い換えると、
第１分子接合層４１は、第１導電部２３と第３導電部５２との間の境界の一部に設けられ
て、第１導電部２３と第３導電部５２とを接合している。これにより、第１導電部２３と
第３導電部５２との間の電気的接続強度と物理的接続強度との両方が高められている。
【００９９】
図１１は、第１導電部２３の周囲を拡大して示す断面図である。
【０１００】
図１１に示すように、第３導電部５２に含まれる導電粒子５２ａは、接合層非存在部６
１に設けられて第１導電部２３に接している。言い換えると、第３導電部５２に含まれる
導電粒子５２ａは、第１分子接合層４１が設けられていない領域で、第１導電部２３に接
している。これにより、導電粒子５２ａと第１導電部２３との電気的接続強度がより確実
に確保されている。
【０１０１】
同様に、本実施形態では、第２分子接合層４２は、第２導電部３３と第３導電部５２と
の間の境界の一部に、接合層非存在部６１を形成している。言い換えると、第２分子接合
層４２は、第２導電部３３と第３導電部５２との間の境界の一部に設けられて、第２導電
部３３と第３導電部５２とを接合している。これにより、第２導電部３３と第３導電部５
２との間の電気的接続強度と物理的接続強度との両方が高められている。
【０１０２】
図１２は、本実施形態のマスク７０を示す平面図である。
【０１０３】
図１２に示すように、本実施形態のマスク７０の各カバー７１は、複数の開口部７５を
有する。複数の開口部７５は、第１導電部２３（または第２導電部３３）の少なくとも一
部に面する。第１導電部２３および第２導電部３３のなかで開口部７５に対応する部位は
、開口部７５を通じて分子接合剤が塗布されて分子接合層４０が形成される。一方で、開
口部７５が設けられていない部位は、分子接合剤が塗布されず、接合層非存在部６１が形
成される。
【０１０４】
カバー７１の全体面積に対する開口部７５の開口率は、第３導電部５２の全体に対する
樹脂５２ｂの割合（例えば体積割合または質量割合）よりも小さく設定される。例えば、
第３導電部５２が、体積または質量において導電粒子５２ａが６０％、樹脂５２ｂが４０
％の比率で形成されている場合、カバー７１に対する開口部７５の開口率は、４０％より
も小さい値（例えば２０％）に設定される。これにより、導電粒子５２ａと第１導電部２
３又は第２導電部３３とをより確実に接触させることができる。
【０１０５】
（第４の実施形態）
次に、図１３及び図１４を参照し、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、
第３導電部５２の縁部５２ｅとは異なる位置に接合層非存在部６１が形成された点で第３
の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第３の実施形態と同様であ
る。
【０１０６】
図１３は、本実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【０１０７】
図１３に示すように、本実施形態では、第１分子接合層４１は、第１導電部２３の縁部
（例えば周縁部）２３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅとは異なる位
置に接合層非存在部６１を形成している。言い換えると、第１分子接合層４１の少なくと
も一部は、第１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例
えば周縁部）５２ｅに対応した位置に設けられている。これにより、半導体パッケージ１
０の熱膨張時に力が加わりやすい第１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅ及び第３
導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅにおいて、第１分子接合層４１によって第１導
電部２３と第３導電部５２との接合強度が高められている。これにより、半導体パッケー
ジ１０の信頼性や寿命を高めることができる。なお、本願でいう「対応した位置」とは、
ベース基板２０を平面視した場合（即ちベース基板２０の厚さ方向から見た場合、分子接
合層４１，４２を平面視した場合）に重なる位置を意味する。例えば、第１分子接合層４
１の少なくとも一部は、第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅと第１導電部２３
とを接合している。
【０１０８】
同様に、本実施形態では、第２分子接合層４２は、第２導電部３３の縁部（例えば周縁
部）３３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅとは異なる位置に接合層非
存在部６１を形成している。言い換えると、第２分子接合層４２の少なくとも一部は、第
２導電部３３の縁部（例えば周縁部）３３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）
５２ｅに対応した位置に設けられている。これにより、半導体パッケージ１０の熱膨張時
に力が加わりやすい第２導電部３３の縁部（例えば周縁部）３３ｅ及び第３導電部５２の
縁部（例えば周縁部）５２ｅにおいて、第２分子接合層４２によって第２導電部３３と第
３導電部５２との接合強度が高められている。これにより、半導体パッケージ１０の信頼
性や寿命を高めることができる。例えば、第２分子接合層４２の少なくとも一部は、第３
導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅと第２導電部３３とを接合している。
【０１０９】
図１４は、本実施形態のマスク７０を示す平面図である。
【０１１０】
図１４に示すように、本実施形態のマスク７０は、複数の開口部７５を有する。本実施
形態では、複数の開口部７５は、第１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅ及び第３
導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅに対応した位置に設けられている。例えば、少
なくとも１つの開口部７５（例えば複数の開口部７５）は、第１導電部２３の縁部２３ｅ
及び第３導電部５２の縁部５２ｅと重なる位置に設けられている。これにより、第１導電
部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅ
に対応した位置に第１分子接合層４１が形成される。
【０１１１】
また別の観点で見ると、複数の開口部７５は、第２導電部３３の縁部（例えば周縁部）
３３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅに対応した位置に設けられてい
る。例えば、少なくとも１つの開口部７５（例えば複数の開口部７５）は、第２導電部３
３の縁部３３ｅ及び第３導電部５２の縁部５２ｅと重なる位置に設けられている。これに
より、第２導電部３３の縁部（例えば周縁部）３３ｅ及び第３導電部５２の縁部（例えば
周縁部）５２ｅに対応した位置に第２分子接合層４２が形成される。
【０１１２】
本実施形態では、複数の開口部７５は、マスク７０を平面視した場合、第３導電部５２
の中心部５２ｃに対応する領域に比べて、第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅ
に対応する領域に多く分布している。これにより、半導体パッケージ１０の熱膨張時に力
が加わりやすい第３導電部５２の縁部（例えば周縁部）５２ｅにおいて、第３導電部５２
の接合強度が高められている。これにより、半導体パッケージ１０の信頼性や寿命をさら
に高めることができる。
【０１１３】
また別の観点で見ると、複数の開口部７５は、マスク７０を平面視した場合、第１導電
部２３の中心部２３ｃまたは第２導電部３３の中心部３３ｃに対応する領域に比べて、第
１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅまたは第２導電部３３の縁部（例えば周縁部
）３３ｅに対応する領域に多く分布している。これにより、半導体パッケージ１０の熱膨
張時に力が加わりやすい第１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅまたは第２導電部
３３の縁部（例えば周縁部）３３ｅにおいて、第１導電部２３または第２導電部３３の接
合強度が高められている。これにより、半導体パッケージ１０の信頼性や寿命をさらに高
めることができる。
【０１１４】
図１５は、本実施形態の変形例の半導体パッケージ１０の一部を示す断面図である。図
１５に示すように、第１導電部２３の中心部２３ｃに対応する位置に接合層非存在部６１
が形成されるとともに、第１導電部２３の縁部（例えば周縁部）２３ｅに対応する位置に
第１分子接合層４１が設けられてもよい。同様に、第２導電部３３の中心部３３ｃに対応
する位置に接合層非存在部６１が形成されるとともに、第２導電部３３の縁部（例えば周
縁部）３３ｅに対応する位置に第２分子接合層４２が設けられてもよい。これにより、半
導体パッケージ１０の熱膨張時に力が加わりやすい第１導電部２３の縁部（例えば周縁部
）２３ｅ及び第２導電部３３の縁部（例えば周縁部）３３ｅにおいて、第１導電部２３及
び第２導電部３３の接合強度が高められている。これにより、半導体パッケージ１０の信
頼性や寿命をさらに高めることができる。なお少なくとも本変形例において、第３導電部
５２は、半田接続部（例えば半田バンプ、半田ボール）などでもよい。
【０１１５】
（第５の実施形態）
次に、図１６及び図１７を参照し、第５の実施形態について説明する。本実施形態は、
半導体チップ３０と放熱部材８２との間に分子接合層９０が追加された点などで第１の実
施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。
【０１１６】
図１６は、本実施形態の半導体パッケージ１０を示す断面図である。
【０１１７】
図１６に示すように、半導体パッケージ１０は、例えば、ベース基板２０、半導体チッ
プ３０、複数の第３導電部５２、アンダーフィル８１、分子接合層４０、放熱部材８２、
熱伝導シート８３、及び分子接合層９０を備えている。
【０１１８】
本実施形態のベース基板２０は、ベース基板本体２１と、ベース基板本体２１の表面に
設けられた第１導電部２３とを有する。例えば、第１導電部２３は、導電パッド（即ち接
続部、電気接続部、端子部）である。
【０１１９】
本実施形態の半導体チップ３０は、半導体チップ本体３１と、半導体チップ本体３１の
表面に設けられた第２導電部３３とを有する。例えば、第２導電部３３は、導電パッド（
即ち接続部、電気接続部、端子部）である。
【０１２０】
第３導電部５２は、ベース基板２０の第１導電部２３と半導体チップ３０の第２導電部
３３との間に設けられ、第１導電部２３と第３導電部５２とを電気的に接続している。例
えば、第３導電部５２は、半田接続部（例えば半田バンプ、半田ボール）である。
【０１２１】
アンダーフィル８１（即ち絶縁部）は、ベース基板２０と半導体チップ３０との間に設
けられている。アンダーフィル８１の少なくとも一部は、複数の第３導電部５２の間に設
けられて、複数の第３導電部５２の間を電気的に絶縁している。アンダーフィル８１は、
熱硬化性または熱可塑性の絶縁樹脂によって形成されている。
【０１２２】
本実施形態の分子接合層４０は、第１分子接合層４１、第２分子接合層４２、および第
３分子接合層４３を有する。第１分子接合層４１は、第１導電部２３と第３導電部５２と
の間、およびベース基板本体２１の表面とアンダーフィル８１との間に設けられている。
第２分子接合層４２は、第２導電部３３と第３導電部５２との間、および半導体チップ本
体３１の表面とアンダーフィル８１との間に設けられている。第３分子接合層４３は、第
３導電部５２の周面５２ｓとアンダーフィル８１との間に設けられ、第３導電部５２の周
面５２ｓとアンダーフィル８１との間を接合している。第３分子接合層４３は、第１分子
接合層４１または第２分子接合層４２と同様に、上述したような分子接合剤（例えばトリ
アジン誘導体）によって形成されている。ここで、アンダーフィル８１は、半導体チップ
３０の発熱によって膨張する可能性がある。そこで本実施形態では、分子接合剤４０によ
ってアンダーフィル８１とベース基板２０との間、アンダーフィル８１と半導体チップ３
０との間、およびアンダーフィル８１と第３導電部５２との間の強度が高められている。
【０１２３】
放熱部材８２（例えばヒートシンク、ヒートスプレッター）は、例えば放熱板である。
放熱部材８２は、半導体チップ３０に対して、ベース基板２０とは反対側に位置し、後述
する熱伝導シート８３を介して半導体チップ３０に熱的に接続されている。放熱部材８２
は、半導体チップ３０が発する熱の少なくとも一部を、半導体パッケージ１０の外部に放
散させる。放熱部材８２は、例えば金属製であり、剛性を有する。
【０１２４】
熱伝導シート８３（即ち熱接続シート）は、柔軟性を有した熱接続部材であり、熱伝導
性が良好な樹脂材料などで形成されている。熱伝導シート８３は、半導体チップ３０と放
熱部材８２との間に挟まれている。熱伝導シート８３は、半導体チップ３０の表面の凹凸
や傾き、放熱部材８２の表面の凹凸や傾きに追従して変形可能である。これにより、熱伝
導シート８３は、放熱部材８２を半導体チップ３０に熱的に接続する。
【０１２５】
分子接合層９０は、第１分子接合層９１及び第２分子接合層９２を含む。第１分子接合
層９１及び第２分子接合層９２は、第１分子接合層４１や第２分子接合層４２と同様に、
上述したような分子接合剤（例えばトリアジン誘導体）によって形成されている。
【０１２６】
第１分子接合層９１は、半導体チップ３０と熱伝導シート８３との間に設けられている
。第１分子接合層９１は、半導体チップ３０と熱伝導シート８３とを接合する。第１分子
接合層９１の少なくとも一部（即ち 第１分子接合層９１を形成する分子接合剤の少なく
とも一部）は、半導体チップ３０に含まれる素材３０ｍと化学結合（例えば共有結合）す
る。同様に、第１分子接合層９１の少なくとも一部(即ち 第１分子接合層９１を形成する
分子接合剤の少なくとも一部)は、熱伝導シート８３に含まれる素材８３ｍと化学結合（
例えば共有結合）している。例えば、第１分子接合層９１に含まれる少なくとも１つの分
子接合体４０ｒは、半導体チップ３０の素材３０ｍと熱伝導シート８３の素材８３ｍとの
両方に化学結合（例えば共有結合）している。これにより、半導体チップ３０と熱伝導シ
ート８３との間に密着性が高められ、半導体チップ３０と熱伝導シート８３との間の熱接
続性が向上している。素材８３は、例えば樹脂素材である。
【０１２７】
一方で、第２分子接合層９２は、放熱部材８２と熱伝導シート８３との間に設けられて
いる。第２分子接合層９２は、放熱部材８２と熱伝導シート８３とを接合する。第２分子
接合層９２の少なくとも一部（即ち 第２分子接合層９２を形成する分子接合剤の少なく
とも一部）は、放熱部材８２に含まれる素材８２ｍと化学結合（例えば共有結合）する。
同様に、第２分子接合層９２の少なくとも一部(即ち 第２分子接合層９２を形成する分子
接合剤の少なくとも一部)は、熱伝導シート８３に含まれる素材８３ｍと化学結合（例え
ば共有結合）している。例えば、第２分子接合層９２に含まれる少なくとも１つの分子接
合体４０ｒは、放熱部材８２の素材８２ｍと熱伝導シート８３の素材８３ｍとの両方に化
学結合（例えば共有結合）している。これにより、放熱部材８２と熱伝導シート８３との
間に密着性が高められ、放熱部材８２と熱伝導シートとの間の熱接続性が向上している。
【０１２８】
図１７は、本実施形態の熱伝導シート８３の周りを一部拡大して示す断面図である。図
１７に示すように、半導体チップ３０の表面は、表面粗さとして細かな窪み３０ａを有す
る。第１分子接合層９１の少なくとも一部は、窪み３０ａの内側に設けられている。本実
施形態では、窪み３０ａの形状に応じて熱伝導シート８３が変形することで、窪み３０ａ
の内側においても、第１分子接合層９１によって半導体チップ３０と熱伝導シート８３と
が接合されている。
【０１２９】
同様に、放熱部材８２の表面は、表面粗さとして細かな窪み８２ａを有する。第２分子
接合層９２の少なくとも一部は、窪み８２ａの内側に設けられている。本実施形態では、
窪み８２ａの形状に応じて熱伝導シート８３が変形することで、窪み８２ａの内側におい
ても、第２分子接合層９２によって放熱部材８２と熱伝導シート８３とが接合されている
。
【０１３０】
図１８は、実施形態の電子機器１００の一例を示す斜視図である。電子機器１００には
、第１から第５の実施形態およびそれらの変形例に係る半導体パッケージ１０が搭載され
る。電子機器１００は、例えば、IOT（Internet Of Things）に対応した電子機器であり
、有線または無線によってインターネットに接続可能である。なお、電子機器１００は、
上記例に限定されない。電子機器１００は、車載用の電子機器でもよく、その他の用途の
種々の電子機器でもよい。
【０１３１】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、基板及び半導体チップの少なくとも
一方と中間層の樹脂との密着強度を分子接合層によって向上させ、中間層を介した基板と
半導体チップとの導電性を高めることができる半導体パッケージを提供することができる
。
【０１３２】
以上の実施形態を説明したが、上述の実施形態は唯一の実施形態ではない。上述の実施形
態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これ
ら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変
形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の
範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１３３】
１０…メ半導体パッケージ、２０…ベース基板、３０…半導体チップ、４０…分子接合
層、５０…中間層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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