(57)【要約】【課題】再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載し、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能な磁気テープ装置を提供することにある。【解決手段】磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下、磁気テープの磁性層表面で測定されるＲａは２．０ｎｍ以下、磁性層表面で光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は４５〜６５原子％、かつ磁気テープの長手方向におけるΔＳＦＤ（＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃）は０．５０以下である磁気テープ装置。磁気再生方法。ヘッドトラッキングサーボ方法。ＳＦＤ２５℃は２５℃で磁気テープの長手方向において測定されるＳＦＤ、ＳＦＤ−１９０℃は−１９０℃で測定されるＳＦＤである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
前記磁気テープの長手方向における下記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、磁気テープ装置；
ΔＳＦＤ＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃    …式１
式１中、ＳＦＤ２５℃は、温度２５℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤであり、ＳＦＤ−１９０℃は、温度−１９０℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤである。
【請求項２】
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
前記磁気テープの長手方向における下記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、磁気テープ装置；
ΔＳＦＤ＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃    …式１
式１中、ＳＦＤ２５℃は、温度２５℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤであり、ＳＦＤ−１９０℃は、温度−１９０℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤである。
【請求項３】
前記ΔＳＦＤは、０．０３以上０．５０以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ装置。
【請求項４】
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される前記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比、Ｓｄｃ／Ｓａｃ、は０．８０以上１．３０以下である、磁気テープ装置。
【請求項５】
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される前記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比、Ｓｄｃ／Ｓａｃ、は０．８０以上１．３０以下である、磁気テープ装置。
【請求項６】
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
【請求項７】
前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
【請求項８】
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
前記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
前記磁気テープの長手方向における下記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、磁気再生方法；
ΔＳＦＤ＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃    …式１
式１中、ＳＦＤ２５℃は、温度２５℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤであり、ＳＦＤ−１９０℃は、温度−１９０℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤである。
【請求項９】
前記ΔＳＦＤは、０．０３以上０．５０以下である、請求項８に記載の磁気再生方法。
【請求項１０】
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
前記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡により測定される前記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比、Ｓｄｃ／Ｓａｃ、は０．８０以上１．３０以下である、磁気再生方法。
【請求項１１】
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
【請求項１２】
前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
【請求項１３】
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
前記磁気テープの長手方向における下記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法；
ΔＳＦＤ＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃    …式１
式１中、ＳＦＤ２５℃は、温度２５℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤであり、ＳＦＤ−１９０℃は、温度−１９０℃で前記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤである。
【請求項１４】
前記ΔＳＦＤは、０．０３以上０．５０以下である、請求項１３に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
【請求項１５】
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法であって、
前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
前記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
前記磁性層は、サーボパターンを有し、
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
前記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡により測定される前記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比、Ｓｄｃ／Ｓａｃ、は０．８０以上１．３０以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法。
【請求項１６】
前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
【請求項１７】
前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のヘッドトラッキングサーボ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気テープ装置、磁気再生方法およびヘッドトラッキングサーボ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体に情報を記録する方式の１つとして、磁気記録が挙げられる。磁気記録では、情報が磁化パターンとして磁気記録媒体に記録される。そして磁気記録媒体に記録された情報は、磁化パターンから得られる磁気的な信号を磁気ヘッドにより読み取ることによって再生される。かかる再生のために用いられる磁気ヘッドとして、各種磁気ヘッドが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１８５６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気記録媒体の記録密度を高めることが挙げられる。しかし、記録密度を高めるほど磁性層から得られる磁気的な信号（具体的には漏れ磁界）は微弱になる傾向があるため、再生ヘッドとして、微弱な信号を感度よく読み取ることができる高感度な磁気ヘッドを用いることが望ましい。磁気ヘッドの感度に関しては、磁気抵抗効果を動作原理とするＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが、従来使用されていたインダクティブヘッドと比べて優れていると言われている。
【０００５】
ＭＲヘッドとしては、特許文献１の段落０００３に記載されているように、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドおよびＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが知られている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドより感度が高いと言われているＭＲヘッドである。更に、特許文献１の段落０００４等に記載されているＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドは、更なる高感度化の可能性が期待されているＭＲヘッドである。
【０００６】
一方、磁気記録の記録再生方式は、浮上型と摺動型に大別される。また、磁気記録により情報が記録される磁気記録媒体は、磁気ディスクと磁気テープとに大別される。以下において、磁気記録媒体として磁気ディスクを含むドライブを「磁気ディスク装置」といい、磁気記録媒体として磁気テープを含むドライブを「磁気テープ装置」という。
磁気ディスク装置は一般にＨＤＤ（Ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）と呼ばれ、浮上型の記録再生方式を採用している。磁気ディスク装置では、磁気ディスク回転時の空気流によって磁気ディスクと磁気ヘッドとの所定の間隔を維持できるように、磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面の形状および磁気ヘッドスライダを支えるヘッドサスペンションアセンブリが設計される。かかる磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁気ヘッドが接触しない状態で情報の記録および再生が行われる。このような記録再生方式が浮上型である。これに対し、磁気テープ装置は摺動型の記録再生方式を採用している。磁気テープ装置では、情報の記録および再生時には、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する。
【０００７】
特許文献１には、ＴＭＲヘッドを磁気ディスク装置において使用することが提案されている。これに対し、磁気テープ装置におけるＴＭＲヘッドの使用については、現在、将来的な使用の可能性が予測されているに留まる。現実の使用に至っていない理由としては、磁気テープ装置に用いられる再生ヘッドに対して、ＴＭＲヘッドを使用するほどの感度向上が現状要求されていないことが挙げられる。しかるに、磁気テープ装置においても再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することができれば、今後の磁気テープの更なる高密度記録化に対応することが可能となる。
【０００８】
また、磁気テープ装置には、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ−Ｒａｔｉｏ）で再生できることも望まれている。しかし、記録密度を高めるほど、ＳＮＲは低下しやすい傾向がある。
【０００９】
そこで本発明の第一の目的は、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載し、かつ磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能な磁気テープ装置を提供することにある。
【００１０】
ところで、磁気テープでは、通常、情報は磁気テープのデータバンド上に記録される。これによりデータバンドにデータトラックが形成される。磁気テープの高容量化のための手段としては、データトラックの幅を狭くすることにより、磁気テープの幅方向に、より多くのデータトラックを配置して記録密度を高めることが挙げられる。しかしデータトラックの幅を狭くすると、磁気テープを磁気テープ装置内で搬送して情報の記録および／または再生を行う際、磁気テープの位置変動によって、磁気ヘッドがデータトラックに正確に追従することが困難となり、記録および／または再生時にエラーを起こし易くなってしまう。そこで、かかるエラーの発生を抑制するための手段として、近年、磁性層にサーボパターンを形成しヘッドトラッキングサーボを行うことが提案され、実用化されている。ヘッドトラッキングサーボの中で、磁気サーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、サーボパターンを磁気テープの磁性層に形成し、このサーボパターンをサーボヘッドにより読み取ってヘッドトラッキングサーボを行う。ヘッドトラッキングサーボとは、磁気テープ装置において磁気ヘッドの位置を制御することをいう。ヘッドトラッキングサーボは、より詳しくは次のように行われる。
まずサーボヘッドにより、磁性層に形成されているサーボパターンを読み取る（即ち、サーボ信号を再生する）。サーボパターンを読み取ることにより得られた値に応じて、磁気テープ装置内で磁気ヘッドの位置を制御する。これにより、情報の記録および／または再生のために磁気テープ装置内で磁気テープを搬送する際、磁気テープの位置が変動しても、磁気ヘッドがデータトラックに追従する精度を高めることができる。例えば、磁気テープを磁気テープ装置内で搬送して情報の記録および／または再生を行う際、磁気テープの位置が磁気ヘッドに対して幅方向に変動しても、ヘッドトラッキングサーボを行うことにより、磁気テープ装置内で磁気テープの幅方向における磁気ヘッドの位置を制御することができる。こうして、磁気テープ装置において磁気テープに正確に情報を記録すること、および／または、磁気テープに記録されている情報を正確に再生すること、が可能となる。
【００１１】
上記サーボパターンは、磁性層の特定の位置を磁化することによって形成される。ヘッドトラッキングサーボが可能な磁気テープには、通常、サーボパターンを有する領域（「サーボバンド」と呼ばれる。）が長手方向に沿って複数本存在する。２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。情報の記録はデータバンド上で行われ、データバンドには複数のデータトラックが長手方向に沿って形成される。磁気テープの高容量化のためには、情報が記録される領域であるデータバンドが磁性層により多く存在することが好ましい。そのための手段としては、情報が記録される領域ではないサーボバンドの幅を狭小化することにより、磁性層においてデータバンドが占める割合を増やすことが考えられる。この点に関して本発明者らは、サーボバンドの幅を狭小化するとサーボパターンのリードトラック幅も狭小化するため、サーボパターンの読み取り精度を確保するためには、サーボヘッドとして高感度な磁気ヘッドを使用することが望ましいと考えた。そのための磁気ヘッドとして、本発明者らは、特許文献１に磁気ディスク装置において再生ヘッドとして使用することが提案されているＴＭＲヘッドに着目した。先に記載したように、磁気テープ装置については、ＴＭＲヘッドは、情報を再生するための再生ヘッドとしての将来的な使用の可能性が予測されているに留まり、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することは提案すらされていない。しかし本発明者らは、ヘッドトラッキングサーボを行う磁気テープ装置において、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することができれば、今後の磁気テープの更なる高感度化に対応することが可能になると考えた。
【００１２】
また、上記のサーボパターンのリードトラック幅の狭小化に伴い、サーボパターン読み取り時のＳＮＲは低下する傾向がある。しかし、サーボパターン読み取り時のＳＮＲの低下は、ヘッドトラッキングサーボにより磁気ヘッドをデータトラックに追従させる精度を低下させてしまう。
【００１３】
そこで本発明の第二の目的は、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載し、かつ磁気テープに書き込まれたサーボパターンを高ＳＮＲで読み取り可能な磁気テープ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第一の目的に関して、磁気テープに記録された情報を再生する際のＳＮＲを高めるための手段としては、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることが挙げられる。更に本発明者らは、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることに加えて更なる手段を採用することによって、より一層の高ＳＮＲ化を達成するために鋭意検討を重ねた。
一方、ＴＭＲヘッド等のＭＲヘッドの動作原理である磁気抵抗効果とは、磁界の変化によって電気抵抗が変化する現象である。ＭＲヘッドは、磁気記録媒体から発生する漏れ磁界の変化を抵抗値（電気抵抗）の変化として検出し、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって情報を再生する。特許文献１の段落０００７に記載されているようにＴＭＲヘッドは一般に抵抗値が高いと言われているものの、ＴＭＲヘッドを用いて情報の再生を続けるうちにＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の大きな低下が発生することは、再生初期に対して経時的に再生出力が低下する原因となってしまう。
本発明者らは上記目的を達成するために検討を重ねる中で、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）の顕著な低下が発生するという、従来まったく知られていなかった現象を見出した。ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の低下とは、ＴＭＲヘッドに含まれるトンネル磁気抵抗効果型素子を構成する２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下である。この抵抗値が顕著に低下する現象は、磁気ディスク装置におけるＴＭＲヘッド使用時にも、磁気ディスク装置または磁気テープ装置におけるＧＭＲヘッド等の他のＭＲヘッド使用時にも、見られない。即ち、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して情報の再生を行うとＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することは、従来認識すらされていなかった。磁気ディスク装置と磁気テープ装置の記録再生方式の違い、詳しくは、再生時の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触の有無が、磁気テープ装置において発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下が、磁気ディスク装置では見られない理由と考えられる。また、ＴＭＲヘッドが、磁気テープが搬送される方向に、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有するという、現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有することが、ＴＭＲヘッドにおいて発生する抵抗値の顕著な低下が他のＭＲヘッドでは見られない理由と考えられる。更にＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして、磁性層表面の平滑性を高めた磁気テープを搭載した磁気テープ装置において一層顕著に発生する傾向が見られることも明らかとなった。更に、ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下は、磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を所定値以下（具体的には１８ｍ／秒以下）とした場合、特に著しく発生することも明らかとなった。
これに対し、本発明者らは、上記現象を見出したうえで更なる鋭意検討を重ねた結果、かかる抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして以下に詳述する磁気テープを使用することによって抑制することができることを新たに見出した。
以上の知見に基づき、本発明の一態様は完成された。
【００１５】
本発明の一態様は、
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置（以下、第一の態様の磁気テープ装置Ａともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子（以下、「ＴＭＲ素子」とも記載する。）を含む磁気ヘッド（以下、「ＴＭＲヘッド」とも記載する。）であり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（以下、「磁性層表面粗さＲａ」とも記載する。）は、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度（以下、単に「Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度」とも記載する。）は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
上記磁気テープの長手方向における下記式１：
ΔＳＦＤ＝ＳＦＤ２５℃−ＳＦＤ−１９０℃    …式１
により算出されるΔＳＦＤ（以下、単に「ΔＳＦＤ」とも記載する。）は、０．５０以下である、磁気テープ装置、
に関する。式１中、ＳＦＤ２５℃は、温度２５℃で上記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｆｉｅｌｄ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）であり、ＳＦＤ−１９０℃は、温度−１９０℃で上記磁気テープの長手方向において測定される反転磁界分布ＳＦＤである。
【００１６】
また、本発明の一態様は、
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法（以下、「第一の態様の磁気再生方法」ともいう。）であって、
上記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度（以下、単に「Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度」とも記載する。）は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
上記磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、磁気再生方法、
に関する。
【００１７】
本発明の他の一態様は、
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置（以下、「第二の態様の磁気テープ装置Ａ」ともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される上記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ；以下、「磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃ」ともいう。）は０．８０以上１．３０以下である、磁気テープ装置、
に関する。
【００１８】
また、本発明の一態様は、
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法（以下、「第二の態様の磁気再生方法」ともいう。）であって、
上記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される上記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）は０．８０以上１．３０以下である、磁気再生方法、
に関する。
【００１９】
また、上記の通り、磁気テープに記録された情報を再生する際のＳＮＲを高めるための手段としては、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることが挙げられる。この点は、第二の目的に関して、磁気テープに書き込まれたサーボパターンを読み取る際のＳＮＲを高めるためにも当てはまる。更に本発明者らは、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることに加えて更なる手段を採用することによって、磁気テープに書き込まれたサーボパターンを読み取る際のＳＮＲをより一層高めるために鋭意検討を重ねた。
一方、ＴＭＲヘッドをサーボヘッドとして使用する場合には、サーボパターンが形成された磁性層から発生する漏れ磁界の変化を抵抗値（電気抵抗）変化として検出し、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、サーボパターンが読み取られる（サーボ信号が再生される）。特許文献１の段落０００７に記載されているようにＴＭＲヘッドは一般に抵抗値が高いと言われているものの、ＴＭＲヘッドを用いてサーボパターンの読み取りを続けるうちにＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の大きな低下が発生することは、ヘッドトラッキングサーボを続けるうちにＴＭＲヘッドの感度が低下する原因となる。その結果、ヘッドトラッキングサーボのヘッド位置制御の精度が、ヘッドトラッキングサーボを続けるうちに低下してしまう。
本発明者らは上記目的を達成するために検討を重ねる中で、ヘッドトラッキングサーボを行う磁気テープ装置においてサーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）の顕著な低下が発生するという、従来まったく知られていなかった現象も見出した。更に、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する場合にも、ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして、磁性層表面の平滑性を高めた磁気テープを搭載した磁気テープ装置において一層顕著に発生する傾向が見られることも明らかとなった。更に、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する場合にも、ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下は、磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を所定値以下（具体的には１８ｍ／秒以下）とした場合、特に著しく発生することも明らかとなった。
これに対し、本発明者らは、上記現象を見出したうえで更なる鋭意検討を重ねた結果、かかる抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして以下に詳述する磁気テープを使用することによって抑制することができることを新たに見出した。
以上の知見に基づき、本発明の一態様は完成された。
【００２０】
本発明の一態様は、
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置（以下、第一の態様の磁気テープ装置Ｂともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
上記磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、磁気テープ装置、
に関する。
【００２１】
また、本発明の一態様は、
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法（以下、「第一の態様のヘッドトラッキングサーボ方法」ともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
上記磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法、
に関する。
【００２２】
本発明の他の一態様は、
磁気テープと、サーボヘッドと、を含む磁気テープ装置（以下、「第二の態様の磁気テープ装置Ｂ」ともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される上記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）は０．８０以上１．３０以下である、磁気テープ装置、
に関する。
【００２３】
また、本発明の一態様は、
磁気テープ装置において磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボヘッドによって読み取ることを含むヘッドトラッキングサーボ方法（以下、「第二の態様のヘッドトラッキングサーボ方法」ともいう。）であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記サーボヘッドは、サーボパターン読み取り素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁性層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４５〜６５原子％の範囲であり、かつ
磁気力顕微鏡によって測定される上記磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）は０．８０以上１．３０以下である、ヘッドトラッキングサーボ方法、
に関する。
【００２４】
上記磁気テープ装置、上記磁気再生方法および上記ヘッドトラッキングサーボ方法の一態様は、以下の通りである。
【００２５】
第一の態様において、一態様では、上記ΔＳＦＤは、０．０３以上０．５０以下である。
【００２６】
第一の態様および第二の態様において、一態様では、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である。
【００２７】
第一の態様および第二の態様において、一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一態様によれば、磁気テープに記録された情報を１８ｍ／秒以下の磁気テープ搬送速度でＴＭＲヘッドを用いて再生する際、高ＳＮＲでの再生が可能であり、かつＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制することができる。
また、本発明の一態様によれば、磁気テープの磁性層が有するサーボパターンを１８ｍ／秒以下の磁気テープ搬送速度でＴＭＲヘッドを用いて読み取る際、高ＳＮＲでの読み取りが可能であり、かつＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】磁気テープ製造工程の具体的態様の一例（工程概略図）を示す。
【図２】データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。
【図３】ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ−Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に説明する第一の態様の磁気テープ装置Ａおよび第二の態様の磁気テープ装置Ａは、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを含む磁気テープ装置である。
第一の態様の磁気再生方法および第二の態様の磁気再生方法は、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する磁気再生方法である。
第一の態様の磁気テープ装置Ｂおよび第二の態様の磁気テープ装置Ｂは、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを含む磁気テープ装置である。
第一の態様のヘッドトラッキングサーボ方法および第二の態様のヘッドトラッキングサーボ方法は、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用するヘッドトラッキングサーボ方法である。
【００３１】
以下では、第一の態様の磁気テープ装置ＡおよびＢ、第一の態様の磁気再生方法、ならびに第一の態様のヘッドトラッキングサーボ方法をまとめて、「第一の態様」とも記載する。
第二の態様の磁気テープ装置ＡおよびＢ、第二の態様の磁気再生方法、ならびに第二の態様のヘッドトラッキングサーボ方法をまとめて、「第二の態様」とも記載する。
また、第一の態様の磁気テープ装置Ａおよび第二の態様の磁気テープ装置Ａをまとめて、「磁気テープ装置Ａ」とも記載し、第一の態様の磁気テープ装置Ｂおよび第二の態様の磁気テープ装置Ｂを、まとめて、「磁気テープ装置Ｂ」とも記載する。
【００３２】
第一の態様および第二の態様において、磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、かつ磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲である。
更に、第一の態様において、磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である。
第二の態様において、磁気力顕微鏡によって測定される磁気テープの直流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓｄｃと交流消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）は、０．８０以上１．３０以下である。
また、第一の態様および第二の態様において、磁気テープ搬送速度は、１８ｍ／秒以下である。
【００３３】
以下において、磁気テープに記録された情報を再生する際のＳＮＲおよび磁気テープに書き込まれたサーボパターンを読み取る際のＳＮＲを、まとめて単に「ＳＮＲ」とも記載する。
以下において、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下、および磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において磁気テープに書き込まれたサーボパターンをＴＭＲヘッドによって読み取る際に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下を、まとめて「ＴＭＲヘッドの抵抗値（の）低下」とも記載する。
また、本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語を、粉末を表すために用いることもある。
【００３４】
本発明者らは、第一の態様において、磁気テープに記録された情報を再生する際および磁気テープに書き込まれたサーボパターンを読み取る際のＳＮＲを高めることには、磁性層表面粗さＲａおよびΔＳＦＤが上記範囲であることが寄与すると考えている。また、第二の態様については、本発明者らは、磁気テープに記録された情報を再生する際および磁気テープに書き込まれたサーボパターンを読み取る際のＳＮＲを高めることには、磁性層表面粗さＲａおよび磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが上記範囲であることが寄与すると考えている。
更に本発明者らは、第一の態様および第二の態様において、ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下の抑制が可能であることには、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が上記範囲であることが寄与すると考えている。
以下に、これらの点について、更に説明する。
【００３５】
磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であることは、ＳＮＲ低下の原因となるスペーシングロスを低減することに寄与し得る。更に第一の態様においては、ΔＳＦＤが０．５０以下であることも、ＳＮＲ向上に寄与し得る。ΔＳＦＤは、磁性層における強磁性粉末の存在状態の指標になり得る値と考えられる。そしてΔＳＦＤが０．５０以下の状態とは、磁性層において強磁性粉末の粒子が適度に整列して存在している状態であると推察される。そのような状態であることが磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生できることおよびサーボパターンを高ＳＮＲで読み取りできることに寄与し、その結果、高密度記録された情報であっても高ＳＮＲでの情報の再生およびサーボパターンの読み取りが可能になると本発明者らは考えている。一方、第二の態様においては、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが０．８０以上１．３０以下であることも、ＳＮＲ向上に寄与し得る。磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃは、磁性層における強磁性粉末の存在状態の指標になり得る値と考えられる。そして磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが０．８０以上１．３０以下の状態とは、磁性層において強磁性粉末の粒子の凝集が抑制されている状態であって、そのような状態であることが磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生できることおよびサーボパターンを高ＳＮＲで読み取りできることに寄与すると推察される。
【００３６】
以上が、第一の態様および第二の態様において、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能であることおよびサーボパターンを高ＳＮＲで読み取り可能であることに関する本発明者らの推察である。
更に、上記磁気テープにおいて、抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制してＴＭＲヘッドを使用できることについて、本発明者らは以下のように考えている。
【００３７】
磁気テープ装置において、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する場合、従来の磁気テープを適用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）が顕著に低下する現象が発生してしまう。同様の現象は、磁気テープ装置において、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する場合にも発生してしまう。
また、磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を低速化することは記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を所定値以下（具体的には１８ｍ／秒以下）とした場合、ＴＭＲヘッドの抵抗値の低下が特に著しく発生してしまう。
以上の現象は、本発明者によって新たに見出された現象である。かかる現象が発生する理由を、本発明者らは以下のように考えている。
ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドであって、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有する。２つの電極間に位置するトンネルバリア層は絶縁層であるため、２つの電極間に電圧を印加しても、通常は電極間に電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁界の向きによって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れ、トンネル磁気抵抗効果によって、トンネル電流が流れる量の変化が抵抗値の変化として検出される。この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。また、上記の抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに形成されたサーボパターンを読み取る（サーボ信号を再生する）ことができる。
一方、ＭＲヘッドの構造としては、ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ）構造とＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−Ｐｌａｎｅ）構造とがあり、ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドである。ＣＰＰ構造のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面に垂直な方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合に磁気テープが搬送される方向に電流が流れる。これに対し、他のＭＲヘッド、例えばＧＭＲヘッドの中で近年広く用いられているスピンバルブ型ＧＭＲヘッドは、ＣＩＰ構造を有する。ＣＩＰ構造を有するＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面内方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合およびサーボパターンを読み取る場合に磁気テープが搬送される方向と直交する方向に電流が流れる。
以上のように、ＴＭＲヘッドは現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有する。このため、２つの電極間に１箇所でも短絡（損傷によってできた迂回路）が発生すると抵抗値が顕著に低下してしまう。このように２つの電極間に１箇所でも短絡が発生すると抵抗値が顕著に低下することは、他のＭＲヘッドでは起こらない現象である。また、浮上型の記録再生方式を採用する磁気ディスク装置では、再生時に磁気ディスクと再生ヘッドは接触しないため、短絡を引き起こす損傷は発生し難い。これに対し、摺動型の記録再生方式を採用する磁気テープ装置では、何ら対策を施さない場合には、磁気テープとの摺動によって、ＴＭＲヘッドが損傷し短絡が起こりやすい。中でも、磁気テープの搬送速度が低速になると、ＴＭＲヘッドによって情報を再生する際およびＴＭＲヘッドによってサーボパターンを読み取る際に、ＴＭＲヘッドの同一箇所が磁気テープと接触する時間はより長くなるため、損傷がより発生し易くなると考えられる。以上のことが、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下の磁気テープ装置においてＴＭＲヘッドを使用するとＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕著に発生する理由と本発明者らは推察している。また、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めると、磁性層表面と再生ヘッドとの接触面積（いわゆる真実接触面積）は増すと考えられる。この接触面積が増すことにより磁気テープとの摺動時に再生ヘッドがより損傷しやすくなることが、磁性層表面の平滑性を高めた磁気テープ（具体的には磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁気テープ）を搭載した磁気テープ装置において、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕在化する傾向がある理由と考えられる。
【００３８】
これに対し本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、かつ上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲である磁気テープによって、磁気テープ装置においてＴＭＲヘッドを使用するとＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕著に発生する現象を抑制することが可能になることを新たに見出した。この点について、以下に更に説明する。
【００３９】
「Ｘ線光電子分光分析」は、一般にＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）またはＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）とも呼ばれる分析法である。以下において、Ｘ線光電子分光分析を、ＥＳＣＡとも記載する。ＥＳＣＡは、測定対象試料表面にＸ線を照射すると光電子が放出されることを利用する分析法であり、測定対象試料の表層部の分析法として広く用いられている。ＥＳＣＡによれば、測定対象の試料表面における分析により取得されるＸ線光電子分光スペクトルを用いて定性分析および定量分析を行うことができる。試料表面から分析位置までの深さ（以下、「検出深さ」とも記載する。）と光電子取り出し角（ｔａｋｅ−ｏｆｆ  ａｎｇｌｅ）との間には、一般に次の式：検出深さ≒電子の平均自由行程×３×ｓｉｎθ、が成立する。式中、検出深さは、Ｘ線光電子分光スペクトルを構成する光電子の９５％が発生する深さであり、θは光電子取り出し角である。上記の式から、光電子取り出し角が小さいほど試料表面からの深さが浅い部分が分析でき、光電子取り出し角が大きいほど深い部分が分析できることがわかる。そして光電子取り出し角１０度でのＥＳＣＡによって行われる分析では、通常、試料表面から深さ数ｎｍ程度のごく表層部が分析位置になる。したがって、磁気テープの磁性層の表面において、光電子取り出し角１０度でＥＳＣＡによって行われる分析によれば、磁性層の表面から深さ数ｎｍ程度のごく表層部の組成分析を行うことができる。
上記Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度とは、ＥＳＣＡによって行われる定性分析により検出される全元素の合計（原子基準）１００原子％に対して、Ｃ−Ｈ結合を構成している炭素原子Ｃが占める割合である。上記磁気テープは、少なくとも磁性層に、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含む。脂肪酸および脂肪酸アミドは、それぞれ磁気テープにおいて潤滑剤として機能することのできる成分である。これら成分の一種以上を少なくとも磁性層に含む磁気テープの磁性層の表面において、光電子取り出し角１０度でＥＳＣＡによって行われる分析により得られるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、磁性層のごく表層部における上記成分（脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上）の存在量の指標になるものであると、本発明者らは考えている。詳しくは、次の通りである。
ＥＳＣＡによって行われる分析により得られるＸ線光電子分光スペクトル（横軸：結合エネルギー、縦軸：強度）の中で、Ｃ１ｓスペクトルは、炭素原子Ｃの１ｓ軌道のエネルギーピークに関する情報を含んでいる。かかるＣ１ｓスペクトルにおいて、結合エネルギー２８４．６ｅＶ付近に位置するピークが、Ｃ−Ｈピークである。このＣ−Ｈピークは、有機化合物のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーに由来するピークである。脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含む磁性層のごく表層部では、Ｃ−Ｈピークの主要構成成分が脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分であると本発明者らは推察している。そのため、上記のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を先に記載したように上記成分の存在量の指標とすることができると本発明者らは考えている。
そして、上記Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５原子％以上である状態、即ち磁性層のごく表層部に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上が多量に存在する状態であることが、磁気テープとＴＭＲヘッドとを円滑に摺動させることに寄与し、その結果、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍであり磁性層表面の平滑性に優れる磁気テープとの摺動によって、ＴＭＲヘッドが損傷し短絡が発生することを抑制することができると本発明者らは推察している。また、磁気テープとＴＭＲヘッドとがきわめて円滑に摺動すると、スリップが発生してＴＭＲヘッドの損傷が起こると考えられる。これに対し、上記Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が６５原子％以下であればスリップの発生を抑制することができ、その結果、ＴＭＲヘッドが損傷し短絡が発生することを抑制することができると本発明者らは推察している。
ただし、以上は本発明者らの推察であって、本発明を何ら限定するものではない。
なおＣ−Ｈ由来Ｃ濃度については、特開２０１６−１２６８１７号公報に、薄型化された磁気テープの低湿環境下および高湿環境下の両湿度環境下での繰り返し走行における電磁変換特性の低下を抑制するために、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を特定の範囲とすることが開示されている。しかし、先に詳述したように、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すること自体、現在、将来的な使用の可能性が予測されているに留まる。しかも、ＴＭＲヘッドを搭載する磁気テープ装置ではＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕著に発生すること、および磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍであり磁性層表面の平滑性に優れる磁気テープを搭載し、かつ磁気テープの搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕在化する傾向があることは、従来まったく知られていなかった現象である。かかる現象に対してＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が影響を及ぼすこと、およびＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を４５〜６５原子％という範囲に規定することにより上記現象の抑制が可能になることは、特開２０１６−１２６８１７号公報には何ら示唆はなく、本発明者らの鋭意検討の結果、初めて見出されたことである。
ただし以上の記載には、本発明者らの推察が含まれる。かかる推察は、本発明を何ら限定するものではない。
【００４０】
以下、第一の態様および第二の態様について、更に詳細に説明する。特記しない限り、記載されている事項は第一の態様および第二の態様の両態様に適用することができる。
【００４１】
＜磁気テープ＞
＜＜磁性層表面粗さＲａ＞＞
第一の態様および第二の態様において、磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（磁性層表面粗さＲａ）は、２．０ｎｍ以下である。このことが、上記磁気テープ装置において、磁気テープに高密度記録された情報を高ＳＮＲで再生できることおよび磁気テープに書き込まれたサーボパターンを高ＳＮＲで読み取りできることに寄与し得る。ＳＮＲを更に高める観点からは、磁性層表面粗さＲａは、１．９ｎｍ以下であることが好ましく、１．８ｎｍ以下であることがより好ましく、１．７ｎｍ以下であることが更に好ましく、１．６ｎｍ以下であることが一層好ましく、１．５ｎｍ以下であることがより一層好ましい。また、磁性層表面粗さＲａは、例えば１．０ｎｍ以上または１．２ｎｍ以上であることができる。ただし、ＳＮＲを高める観点からは磁性層表面粗さＲａが低いことは好ましいため、上記例示した下限を下回ってもよい。
【００４２】
本発明および本明細書における磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）により磁性層表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域において測定される値とする。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す磁性層表面粗さＲａは、下記測定条件下での測定によって求めた値である。本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。
【００４３】
磁性層表面粗さＲａは、公知の方法により制御することができる。例えば、磁性層に含まれる各種粉末のサイズ、磁気テープの製造条件等により磁性層表面粗さＲａは変わり得る。したがって、これらの１つ以上を調整することにより、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁気テープを得ることができる。
【００４４】
＜＜Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度＞＞
第一の態様および第二の態様において、磁気テープのＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制する観点から４５原子％以上である。Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度は、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点から、４８原子％以上であることが好ましく、５０原子％以上であることが更に好ましい。また、上記磁気テープのＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制する観点から６５原子％以下である。Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度は、例えば、６３原子％以下または６０原子％以下であることもできる。
【００４５】
先に記載したように、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度は、ＥＳＣＡを用いる分析により求められる値である。分析を行う領域は、磁気テープの磁性層表面の任意の位置の３００μｍ×７００μｍの面積の領域とする。ＥＳＣＡによって行われるワイドスキャン測定（パスエネルギー：１６０ｅＶ、スキャン範囲：０〜１２００ｅＶ、エネルギー分解能：１ｅＶ／ｓｔｅｐ）により定性分析を実施する。次いで、定性分析により検出された全元素のスペクトルをナロースキャン測定（パスエネルギー：８０ｅＶ、エネルギー分解能：０．１ｅＶ、スキャン範囲：測定するスペクトルの全体が入るように元素毎に設定。）により求める。こうして得られた各スペクトルにおけるピーク面積から、各元素の原子濃度（ａｔｏｍｉｃ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ、単位：原子％）を算出する。ここでＣ１ｓスペクトルのピーク面積から炭素原子の原子濃度（Ｃ濃度）も算出される。
更に、Ｃ１ｓスペクトルを取得する（パスエネルギー：１０ｅＶ、スキャン範囲：２７６〜２９６ｅＶ、エネルギー分解能：０．１ｅＶ／ｓｔｅｐ）。取得したＣ１ｓスペクトルを、ガウス−ローレンツ複合関数（ガウス成分７０％、ローレンツ成分３０％）を用いる非線形最小二乗法によってフィッティング処理し、Ｃ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈ結合のピークをピーク分離し、分離されたＣ−ＨピークのＣ１ｓスペクトルに占める割合（ピーク面積率）を算出する。算出されたＣ−Ｈピーク面積率を、上記のＣ濃度に掛けることにより、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出する。
以上の処理を磁気テープの磁性層表面の異なる位置において３回行って得られた値の算術平均を、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度とする。また、以上の処理の具体的態様を、後述の実施例に示す。
【００４６】
以上説明したＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を調整するための好ましい手段としては、詳細を後述するように非磁性層形成工程において冷却工程を実施することを挙げることができる。ただし上記磁気テープは、かかる冷却工程を経て製造されたものに限定されるものではない。
【００４７】
＜＜脂肪酸、脂肪酸アミド＞＞
第一の態様および第二の態様において、磁気テープは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を、少なくとも磁性層に含む。磁性層には、脂肪酸および脂肪酸アミドの一方のみが含まれていてもよく、両方が含まれていてもよい。これら成分が磁性層のごく表層部に、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％となる量で存在することが、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制することに寄与すると本発明者らは考えている。また、非磁性支持体と磁性層との間に詳細を後述する非磁性層を有する磁気テープでは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層は脂肪酸、脂肪酸アミド等の潤滑剤を保持し磁性層に供給する役割を果たすことができる。非磁性層に含まれる脂肪酸、脂肪酸アミド等の潤滑剤は、磁性層に移行し磁性層に存在し得る。
【００４８】
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、例示した上記各種脂肪酸のアミド、具体的には、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよび後述のエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸アミドおよび／またはステアリン酸エステルを併用することは好ましい。
【００４９】
脂肪酸量は、磁性層形成用組成物における含有量として、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物に二種以上の異なる脂肪酸を添加する場合、含有量とは、それら二種以上の異なる脂肪酸の合計含有量をいうものとする。この点は、他の成分についても同様である。また、本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく二種以上用いてもよい。
【００５０】
磁性層形成用組成物中の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜３.０質量部であり、好ましくは０．１〜１．０質量部である。
【００５１】
一方、非磁性層形成用組成物中の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば１．０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。また、非磁性層形成用組成物中の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜３．０質量部であり、好ましくは０．１〜１．０質量部である。
【００５２】
＜＜ΔＳＦＤ＞＞
第一の態様において、磁気テープの長手方向における上記の式１により算出されるΔＳＦＤは、０．５０以下である。ΔＳＦＤは、磁性層における強磁性粉末の存在状態を示す指標となり得る値と考えられる。詳しくは、ΔＳＦＤの値が小さいほど、強磁性粉末の粒子同士が強く相互作用し整列していることを意味すると考えられる。そしてΔＳＦＤが０．５０以下の状態とは、磁性層において強磁性粉末の粒子が適度に整列して存在している状態であって、そのような状態であることが磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際のＳＮＲを高めることに寄与し、その結果、高密度記録された情報であっても高ＳＮＲで再生することを可能にすると推察される。また、上記の状態であることが、磁気テープに書き込まれたサーボパターンをＴＭＲヘッドによって読み取る際のＳＮＲを高めることに寄与すると推察される。
ＳＮＲをより一層高める観点からは、ΔＳＦＤは０．４８以下であることが好ましく、０．４５以下であることがより好ましく、０．４０以下であることが更に好ましく、０．３５以下であることが一層好ましく、０．３０以下であることがより一層好ましい。また、ＳＮＲをより一層高める観点からは、ΔＳＦＤは０．０３以上であることが好ましく、０．０５以上であることがより好ましく、０．１０以上であることが更に好ましい。
【００５３】
磁気テープの長手方向におけるＳＦＤの測定は、振動試料型磁束計等の公知の磁気特性測定装置を用いて行うことができる。強磁性粉末のＳＦＤの測定についても同様である。また、ＳＦＤの測定温度は、測定装置の設定により調整することができる。
【００５４】
本発明者らの検討によれば、式１により算出されるΔＳＦＤは、磁気テープの調製方法により制御することができ、主に、以下の傾向が見られた：
（Ａ）磁性層における強磁性粉末の分散性を高めるほど値が小さくなる；
（Ｂ）強磁性粉末としてＳＦＤの温度依存性の小さいものを使用するほど値が小さくなる；
（Ｃ）強磁性粉末の粒子を磁性層の長手方向に整列させるほど（長手方向における配向性を高めるほど）値が小さくなり、長手方向における配向性が低下するほど値が大きくなる。
【００５５】
例えば、（Ａ）に関しては、分散条件の強化（分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化および／または高充填化、等）、分散剤の使用等が挙げられる。分散剤としては、公知の分散剤、市販の分散剤等を用いることができる。
【００５６】
一方、（Ｂ）に関しては、例えば一例として、強磁性粉末の、下記式２により算出される、温度１００℃で測定されるＳＦＤと温度２５℃で測定されるＳＦＤとの差ΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒが、０．０５〜１．５０の範囲の強磁性粉末を用いることができる。ただし、上記範囲外であっても、他の制御により、磁気テープの式１により算出されるΔＳＦＤを０．５０以下の範囲に制御することができる。
ΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒ＝ＳＦＤｐｏｗｄｅｒ１００℃−ＳＦＤｐｏｗｄｅｒ２５℃    …式２
（式２中、ＳＦＤｐｏｗｄｅｒ１００℃は、温度１００℃で測定される強磁性粉末の反転磁界分布ＳＦＤであり、ＳＦＤｐｏｗｄｅｒ２５℃は、温度２５℃で測定される強磁性粉末の反転磁界分布ＳＦＤである。）
【００５７】
上記（Ｃ）に関しては、磁性層の配向処理を長手配向とすることによりΔＳＦＤは小さくなる傾向がある。磁性層の配向処理を垂直配向とするか、または配向処理を行わずに無配向とすることにより、ΔＳＦＤは大きくなる傾向がある。
【００５８】
したがって、例えば、上記手段（Ａ）〜（Ｃ）を１つ、または任意に２つ以上組み合わせてそれぞれ制御することにより、式１により算出されるΔＳＦＤが０．５０以下の磁気テープを得ることができる。
【００５９】
＜＜磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃ＞＞
第二の態様において、磁気テープの磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃは、０．８０以上１．３０以下である。磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃは、磁性層における強磁性粉末の存在状態を示す指標となり得る値と考えられる。詳しくは、交流消磁状態の磁気テープの磁性層では、各強磁性粒子はランダムな方向を向いて磁化の総和がゼロ付近になる。したがって、各強磁性粒子は、ほぼ一次粒子の状態で存在することができる。そのため交流消磁状態の磁気クラスターのサイズ（具体的には詳細を後述する平均面積Ｓａｃ）は、磁性層における強磁性粒子の凝集状態に依らない値ということができる。これに対し、直流消磁（直流の磁場を印加した後に磁場をゼロにした）状態の磁気クラスターのサイズ（具体的には詳細を後述する平均面積Ｓｄｃ）は強磁性粒子の凝集体のサイズに相当し、磁性層における強磁性粒子の凝集の程度により異なり、強磁性粒子が凝集しているほど値が大きくなる傾向がある。したがって、ＳｄｃとＳａｃとの違いが少ないほど、強磁性粉末の粒子の凝集が抑制されていることを意味すると考えられる。この点の詳細については、例えば特開２００７―２９４０８４号公報の段落００１４〜００１７を参照できる。そして磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが０．８０以上１．３０以下の状態であることが、磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際および磁気テープに書き込まれたサーボパターンをＴＭＲヘッドによって読み取る際のＳＮＲを高めることに寄与すると考えられる。ＳＮＲをより一層高める観点からは、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃは、１．２８以下であることが好ましく、１．２５以下であることがより好ましく、１．２０以下であることが更に好ましく、１．１５以下であることが一層好ましく、１．１０以下であることがより一層好ましく、１．０５以下であることが更により一層好ましく、１．００以下であることがなおより一層好ましい。なお磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃの測定値の下限は、既知の通り０．８０である（例えば特開２００７−２９４０８４号公報の段落００１８参照）。
【００６０】
本発明および本明細書における磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃとは、磁気力顕微鏡（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＭＦＭ）を用いる測定によって、以下の方法により求められる値である。
同じ磁気テープから切り出したサンプルを２つ準備し、一方のサンプルを交流消磁してＳａｃを測定するために使用し、他方のサンプルを直流消磁してＳｄｃを測定するために使用する。
Ｓａｃは、以下の方法により求められる値である。
磁気力顕微鏡によって、交流磁場中で消磁（交流（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ｃｕｒｒｅｎｔ；ＡＣ）消磁）したサンプルの磁性層表面の一辺５μｍの正方形領域（５μｍ×５μｍ）において磁気力像を得る。公知の画像解析ソフトを用いて、得られた磁気力像のノイズ除去および穴埋め処理を行った後に磁気力像の面積を算出する。以上の操作を、磁性層表面の無作為に選択した異なる１０箇所において得られた磁気力像について行い、磁気力像の面積の算術平均（平均面積）を算出する。こうして算出された平均面積をＳａｃとする。
Ｓｄｃは、以下の方法により求められる値である。
サンプルを印加磁界７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で直流（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ；ＤＣ）消磁した後、磁気力顕微鏡によって、直流消磁したサンプルの一辺５μｍの正方形領域（５μｍ×５μｍ）における磁気力像を得る。公知の画像解析ソフトを用いて、得られた磁気力像のノイズ除去および穴埋め処理を行った後に磁気力像の面積を算出する。以上の操作を、磁性層表面の無作為に選択した異なる１０箇所において得られた磁気力像について行い、磁気力像の面積の算術平均（平均面積）を算出する。こうして算出された平均面積をＳｄｃとする。
以上により求められたＳｄｃとＳａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）を、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃとする。
磁気力顕微鏡を用いて行う磁気力像の取得は、市販の、または公知の構成の磁気力顕微鏡を、周波数変調（ＦＭ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）モードで使用して行う。磁気力顕微鏡のプローブとしては、例えば、Ｎａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ−ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を用いることができる。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０〜５０ｎｍの範囲とする。また、画像解析ソフトとしては、市販の解析ソフト、または公知の演算式を組み込んだ解析ソフトを用いることができる。
【００６１】
磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃは、磁性層における強磁性粒子の凝集を抑制することによって０．８０以上１．３０以下の範囲に制御することができる。凝集抑制のための手段としては、例えば以下の手段を挙げることができる。
磁性層に含まれる結合剤として、磁性層形成用組成物の調製に用いる溶媒との親和性が高い結合剤を使用する。
磁性層形成用組成物調製時の分散条件を調整する。
磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に、任意に非磁性層を介して塗布した後に強磁性粒子の凝集を解砕するための処理を行う。
以上について、およびその他の制御手段については、例えば、特許第４００１５３２号明細書の段落００１２、００３２および同明細書の実施例、特開２００７−２９４０８４号公報の段落００２４〜００２６、００２８、００２９、０１０５、０１０６および同公報の実施例を参照できる。
また、飽和磁化σｓが低い強磁性粉末は、強磁性粉末を構成する強磁性粒子が凝集しにくく、凝集したとしても凝集を解砕しやすい傾向がある。したがって、飽和磁化σｓが低い強磁性粉末を使用して磁性層を形成することも、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃの制御手段の１つとして挙げることができる。
例えば以上の各種手段を１つまたは２つ以上任意に組み合わせることによって、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃを０．８０以上１．３０以下の範囲に制御することができる。
【００６２】
一態様では、ＳｄｃおよびＳａｃは、それぞれ３０００〜５００００ｎｍ２の範囲であることが好ましく、３０００〜３５０００ｎｍ２の範囲であることがより好ましく、３０００〜２００００ｎｍ２の範囲であることが更に好ましい。ＳｄｃおよびＳａｃがそれぞれ３０００ｎｍ２以上であることは磁化の安定性の観点から好ましく、５００００ｎｍ２以下であることは高密度記録時の分解能を高める観点から好ましい。Ｓａｃは、磁性層形成のために使用する強磁性粉末の平均粒子サイズによって制御することができ、Ｓｄｃは磁性層における強磁性粒子の凝集を抑制することによって制御することができる。凝集抑制のための手段については、先に記載した通りである。
【００６３】
次に、上記磁気テープに含まれる磁性層等について、更に詳細に説明する。
【００６４】
＜＜磁性層＞＞
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において通常用いられる強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、磁気テープの記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末としては、平均粒子サイズが５０ｎｍ以下の強磁性粉末を用いることが好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは１０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００６５】
一態様では、上記式２により算出される、温度１００℃で測定されるＳＦＤと温度２５℃で測定されるＳＦＤとの差ΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒが先に記載した範囲にある強磁性粉末を使用することが好ましい。
【００６６】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性六方晶フェライト粉末を挙げることができる。強磁性六方晶フェライト粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、および特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０を参照できる。
【００６７】
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３７〜０１４１および特開２００５−２５１３５１号公報の段落０００９〜００２３を参照できる。
【００６８】
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値である。
【００６９】
粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【００７０】
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
【００７１】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径であり、平均板状比とは、（最大長径／厚みまたは高さ）の算術平均である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【００７２】
磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は少なくとも結合剤ならびに脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【００７３】
（結合剤）
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に、強磁性粉末とともに結合剤を含む。結合剤としては、一種以上の樹脂を使用する。樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。また、先に記載したように、溶媒との親和性の高い結合剤の使用は、磁性層における強磁性粒子の凝集抑制の観点から好ましい。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(ｉｎｎｅｒ ｄｉａｍｅｔｅｒ（内径）)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【００７４】
また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。
【００７５】
（その他成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。非磁性フィラーとは、非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する。）を挙げることができる。
【００７６】
−非磁性フィラー−
非磁性フィラーの一態様である突起形成剤としては、一般に突起形成剤として使用される各種非磁性粉末を用いることができる。これらは、無機物質であっても有機物質であってもよい。一態様では、摩擦特性の均一化の観点からは、突起形成剤の粒度分布は、分布中に複数のピークを有する多分散ではなく、単一ピークを示す単分散であることが好ましい。単分散粒子の入手容易性の点からは、突起形成剤は無機物質の粉末（無機粉末）であることが好ましい。無機粉末としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末を挙げることができ、無機酸化物の粉末であることが好ましい。突起形成剤は、より好ましくはコロイド粒子であり、更に好ましくは無機酸化物コロイド粒子である。また、単分散粒子の入手容易性の観点からは、無機酸化物コロイド粒子を構成する無機酸化物は二酸化珪素（シリカ）であることが好ましい。無機酸化物コロイド粒子は、コロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）であることがより好ましい。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、少なくとも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の二種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。コロイド粒子については、平均粒子サイズは、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められる値とする。また、他の一態様では、突起形成剤は、カーボンブラックであることも好ましい。
【００７７】
突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍであり、好ましくは４０〜２００ｎｍである。
【００７８】
非磁性フィラーの他の一態様である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化珪素、ボロンカーバイド（Ｂ４Ｃ）、ＳｉＯ２、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化鉄、ダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα−アルミナ等のアルミナ粉末および炭化珪素粉末が好ましい。また、研磨剤の粒子サイズに関しては、粒子サイズの指標である比表面積として、例えば１４ｍ２／ｇ以上、好ましくは１６ｍ２／ｇ以上、より好ましくは１８ｍ２／ｇ以上である。また、研磨剤の比表面積は、例えば４０ｍ２／ｇ以下であることができる。比表面積とは、窒素吸着法（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）１点法とも呼ばれる。）により求められる値であって、一次粒子について測定する値とする。以下において、かかる方法により求められる比表面積を、ＢＥＴ比表面積とも記載する。
【００７９】
また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して、１．０〜４．０質量部であり、より好ましくは１．５〜３．５質量部である。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０〜２０．０質量部であり、より好ましくは３．０〜１５．０質量部であり、更に好ましくは４．０〜１０．０質量部である。
【００８０】
研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。研磨剤等の非磁性フィラーの磁性層形成用組成物における分散性を向上させることは、磁性層表面粗さＲａを小さくするうえで好ましい。
【００８１】
−脂肪酸エステル−
磁性層および詳細を後述する非磁性層の一方または両方には、脂肪酸エステルが含まれていてもよく、含まれなくてもよい。
脂肪酸エステル、脂肪酸および脂肪酸アミドは、いずれも潤滑剤として機能し得る成分である。潤滑剤は、一般に流体潤滑剤と境界潤滑剤とに大別される。そして脂肪酸エステルは流体潤滑剤として機能し得る成分と言われているのに対し、脂肪酸および脂肪酸アミドは、境界潤滑剤として機能し得る成分と言われている。境界潤滑剤は、粉末（例えば強磁性粉末）の表面に吸着し強固な潤滑膜を形成することで接触摩擦を下げることのできる潤滑剤と考えられる。一方、流体潤滑剤は、それ自身が磁性層表面に液膜を形成し、この液膜の流動により摩擦を下げることのできる潤滑剤と考えられる。このように脂肪酸エステルは脂肪酸および脂肪酸アミドとは潤滑剤としての作用が異なると考えられる。そして本発明者らの鋭意検討の結果、磁性層のごく表層部における脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上の存在量の指標と考えられるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を４５〜６５原子％の範囲とすることにより、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁気テープを含み、かつ磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において、ＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することが可能となった。
【００８２】
脂肪酸エステルとしては、脂肪酸に関して例示した上記の各種脂肪酸のエステル等を挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
【００８３】
脂肪酸エステル含有量は、磁性層形成用組成物における含有量として、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。
また、非磁性層形成用組成物中の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。
【００８４】
＜＜非磁性層＞＞
次に非磁性層について説明する。第一の態様および第二の態様において、磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。
【００８５】
非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【００８６】
上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【００８７】
＜＜非磁性支持体＞＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。
【００８８】
＜＜バックコート層＞＞
第一の態様および第二の態様において、磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤および任意に含まれ得る各種添加剤については、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することができる。
【００８９】
＜＜各種厚み＞＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．００〜６．００μｍである。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは０．１５μｍ以下であることが好ましく、０．１０μｍ以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは０．０１〜０．１０μｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
【００９０】
非磁性層の厚みは、例えば０．１０〜１．５０μｍであり、０．１０〜１．００μｍであることが好ましい。
【００９１】
ところで、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容されて流通され、使用される。磁気テープカートリッジの１巻あたりの記録容量を高めるためには、磁気テープカートリッジ１巻に収められる磁気テープ全長を長くすることが望ましい。そのためには、磁気テープを薄くする（以下、「薄型化」と記載する。）ことが求められる。磁気テープの薄型化のための手段の１つとして、非磁性支持体上に非磁性層と磁性層とをこの順に有する磁気テープについては、磁性層と非磁性層との合計厚みを薄くすることが挙げられる。上記磁気テープが非磁性層を有する場合、磁気テープの薄型化の観点からは、磁性層と非磁性層との合計厚みは、１．８０μｍ以下であることが好ましく、１．５０μｍ以下であることがより好ましく、１．１０μｍ以下であることが更に好ましい。また、磁性層と非磁性層との合計厚みは、例えば０．１０μｍ以上であることができる。
【００９２】
バックコート層の厚みは、０．９０μｍ以下であることが好ましく、０．１０〜０．７０μｍの範囲であることが更に好ましい。
【００９３】
磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において厚み方向の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。
【００９４】
＜＜製造方法＞＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられるすべての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、ビーズ径と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタを用いることができる。また、先に記載した通り、式１により算出されるΔＳＦＤが０．５０以下の磁気テープを得るための手段の１つとして、分散条件を強化（分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化および／または高充填化、等）することも好ましい。また、先に記載した通り、磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃの制御のために分散条件を調整することも好ましい。分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化、分散ビーズの高充填化等は、磁性層における強磁性粒子の凝集抑制の観点から好ましい。
【００９５】
（塗布工程、冷却工程、加熱乾燥工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【００９６】
先に記載した通り、上記磁気テープは、一態様では、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する。かかる磁気テープは、好ましくは、逐次重層塗布により製造することができる。逐次重層塗布を行う製造工程は、好ましくは次のように実施することができる。非磁性層を、非磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成する。そして形成された非磁性層上に磁性層形成用組成物を塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て、磁性層を形成する。
【００９７】
かかる逐次重層塗布を行う製造方法の非磁性層形成工程において、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含む非磁性層形成用組成物を用いて塗布工程を行い、かつ塗布工程と加熱乾燥工程との間に、塗布層を冷却する冷却工程を行うことは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を少なくとも磁性層に含む磁気テープにおいて、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を４５〜６５原子％の範囲に調整するために好ましい。これは、理由は明らかではないものの、加熱乾燥工程前に非磁性層形成用組成物の塗布層を冷却することにより、加熱乾燥工程における溶媒揮発時に上記成分（脂肪酸および／または脂肪酸アミド）が非磁性層表面に移行しやすくなるためではないかと、本発明者らは推察している。ただし推察に過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
【００９８】
また、磁性層形成工程では、強磁性粉末、結合剤および溶媒を含む磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程を行い、形成された塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を行うことができる。なお上記磁気テープは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を磁性層に含む。上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、かかる磁気テープを製造するために、磁性層形成用組成物が、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含むことが好ましい。ただし、磁性層形成用組成物に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含むことは必須ではない。非磁性層形成用組成物に含まれていたこれら成分が非磁性層表面に移行した後に、この非磁性層上に磁性層形成用組成物を塗布して磁性層を形成することにより、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含む磁性層を形成することができると考えられるためである。
【００９９】
以下、上記磁気テープの製造方法の具体的態様を、図１に基づき説明する。ただし本発明は、下記具体的態様に限定されるものではない。
【０１００】
図１は、非磁性支持体の一方の面に非磁性層と磁性層とをこの順に有し、他方の面にバックコート層を有する磁気テープを製造する工程の具体的態様を示す工程概略図である。図１に示す態様では、非磁性支持体（長尺フィルム）を、送り出し部から送り出し巻き取り部で巻き取る操作を連続的に行い、かつ図１に示されている各部または各ゾーンにおいて塗布、乾燥、配向等の各種処理を行うことにより、走行する非磁性支持体上の一方の面に非磁性層および磁性層を逐次重層塗布により形成し、他方の面にバックコート層を形成することができる。図１に示す態様は、冷却ゾーンを含む点以外は、塗布型磁気記録媒体の製造のために通常行われる製造工程と同様にすることができる。
【０１０１】
送り出し部から送り出された非磁性支持体上には、第一の塗布部において、非磁性層形成用組成物の塗布が行われる（非磁性層形成用組成物の塗布工程）。
【０１０２】
上記塗布工程後、冷却ゾーンにおいて、塗布工程で形成された非磁性層形成用組成物の塗布層が冷却される（冷却工程）。例えば、上記塗布層を形成した非磁性支持体を冷却雰囲気中に通過させることにより、冷却工程を行うことができる。冷却雰囲気の雰囲気温度は、好ましくは−１０℃〜０℃の範囲とすることができ、より好ましくは−５℃〜０℃の範囲とすることができる。冷却工程を行う時間（例えば、塗布層の任意の部分が冷却ゾーンに搬入されてから搬出されるまでの時間（以下において、「滞在時間」ともいう。））は特に限定されるものではないが、長くするほどＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が高まる傾向があるため、４５〜６５原子％の範囲のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が実現できるように必要に応じて予備実験を行う等して調整することが好ましい。冷却工程では、冷却した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。
【０１０３】
冷却ゾーンの後、第一の加熱処理ゾーンでは、冷却工程後の塗布層を加熱することにより、塗布層を乾燥させる（加熱乾燥工程）。加熱乾燥処理は、冷却工程後の塗布層を有する非磁性支持体を加熱雰囲気中に通過させることにより行うことができる。ここでの加熱雰囲気の雰囲気温度は、例えば６０〜１４０℃程度である。ただし、溶媒を揮発させて塗布層を乾燥させることができる温度とすればよく、上記範囲の雰囲気温度に限定されるものではない。また任意に、加熱した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。以上の点は、後述する第二の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程および第三の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程についても、同様である。
【０１０４】
次に、第二の塗布部において、第一の加熱処理ゾーンにて加熱乾燥工程を行い形成された非磁性層上に、磁性層形成用組成物が塗布される（磁性層形成用組成物の塗布工程）。
【０１０５】
その後、配向処理を行う態様では、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層中の強磁性粉末の配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７および特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。また、一態様では、配向処理の前および／または後に、塗布層に含まれる強磁性粒子の凝集を抑制するための処理を行うことができる。かかる処理の一例としては、スムージング処理を挙げることができる。スムージング処理は、スムーザーによって塗布層にせん断を付与する処理である。
【０１０６】
配向処理後の塗布層は、第二の加熱処理ゾーンにおいて加熱乾燥工程に付される。
【０１０７】
次いで、第三の塗布部において、非磁性支持体の非磁性層および磁性層が形成された面とは反対側の面に、バックコート層形成用組成物が塗布されて塗布層が形成される（バックコート層形成用組成物の塗布工程）。その後、第三の加熱処理ゾーンにおいて、上記塗布層を加熱処理し乾燥させる。
【０１０８】
以上の工程により、非磁性支持体の一方の面に非磁性層および磁性層をこの順に有し、他方の面にバックコート層を有する磁気テープを得ることができる。
【０１０９】
上記磁気テープを製造するためには、塗布型磁気記録媒体の製造のための公知の各種処理を行うことができる。各種処理については、例えば、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７〜００６９を参照できる。
【０１１０】
以上により、第一の態様および第二の態様において使用可能な磁気テープを得ることができる。ただし上記の製造方法は例示であって、磁性層表面粗さＲａ、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度、ΔＳＦＤおよび磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃをそれぞれ調整可能な任意の手段によって、磁性層表面粗さＲａ、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度、ΔＳＦＤおよび磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃをそれぞれ上記範囲に制御することができ、そのような態様も本発明に包含される。
【０１１１】
（サーボパターンの形成）
第一の態様および第二の態様において、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様では、磁気テープは磁性層にサーボパターンを有する。第一の態様および第二の態様において、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様では、磁気テープは、磁性層にサーボパターンを任意に有することができる。磁気テープへのサーボパターンの書き込み、詳しくは磁性層へのサーボパターンの形成は、サーボパターン記録ヘッド（「サーボライトヘッド（ｓｅｒｖｏ  ｗｒｉｔｅ  ｈｅａｄ）」とも呼ばれる。）により、磁性層の特定の位置を磁化することにより行われる。ヘッドトラッキングサーボを可能とするためのサーボパターンの形状および磁性層における配置は公知である、上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンについては、公知技術を適用することができる。例えば、ヘッドトラッキングサーボの方式としては、タイミングベースサーボ方式と振幅ベースサーボ方式が知られている。上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンは、いずれの方式のヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンでもよい。また、タイミングベースサーボ方式でのヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンと振幅ベースサーボ方式でのヘッドトラッキングサーボを可能とするサーボパターンとが磁性層に形成されていてもよい。
【０１１２】
以上説明した磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に装着される。磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジが磁気テープへの情報（磁気信号）の記録および／または再生のために磁気テープ装置（ドライブ）に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されてドライブ側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路に、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）とドライブ側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、磁気信号の記録および／または再生が行われる。また、磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路に、サーボヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）とドライブ側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる間、サーボヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、サーボヘッドによってサーボパターンの読み取りが行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジにおいては、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。第一の態様および第二の態様において、磁気テープは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジに収容されてもよい。磁気テープカートリッジの構成は公知である。
【０１１３】
＜再生ヘッド、サーボヘッド＞
第一の態様および第二の態様において、装置Ａは、再生ヘッドとして、ＴＭＲヘッドを含む。ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む磁気ヘッドである。ＴＭＲ素子は、磁気テープに記録された情報（詳しくは、磁気テープの磁性層に記録された情報）を再生するための再生素子として、磁気テープからの漏れ磁界の変化を、トンネル磁気抵抗効果を利用して抵抗値（電気抵抗）の変化として検出する役割を果たすことができる。検出された抵抗値の変化が電圧の変化に変換されることによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。
【０１１４】
第一の態様および第二の態様において、装置Ｂは、サーボヘッドとして、ＴＭＲヘッドを含む。ＴＭＲ素子は、磁気テープの磁性層に形成されたサーボパターンを読み取るためのサーボパターン読み取り素子として、磁気テープからの漏れ磁界の変化を、トンネル磁気抵抗効果を利用して抵抗値（電気抵抗）の変化として検出する役割を果たすことができる。検出された抵抗値の変化が電圧の変化に変換されることによって、サーボパターンを読み取る（サーボ信号を再生する）ことができる。
【０１１５】
第一の態様および第二の態様において、ＴＭＲヘッドとしては、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む公知の構成のＴＭＲヘッドを用いることができる。例えば、ＴＭＲヘッドの構造、ＴＭＲヘッドを構成する各部の材料等の詳細については、ＴＭＲヘッドに関する公知技術を適用することができる。
【０１１６】
ＴＭＲヘッドはいわゆる薄膜ヘッドである。ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子は、少なくとも、２つの電極層と、トンネルバリア層と、フリー層と、固定層と、を有する。ＴＭＲヘッドは、これらの層の断面が、磁気テープと摺動する面の側に向いた状態でＴＭＲ素子を含んでいる。２つの電極層の間にトンネルバリア層が位置し、トンネルバリア層は絶縁層である。一方、フリー層および固定層は、磁性層である。フリー層は磁化自由層とも呼ばれ、外部磁界によって磁化方向が変化する層である。これに対し、固定層は、外部磁界によって磁化方向が変化しない層である。２つの電極間にはトンネルバリア層（絶縁層）が位置しているため、電圧を印加しても、通常、電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁化方向によって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れる。トンネル電流が流れる量は、固定層の磁化方向とフリー層の磁化方向との相対角度によって変化し、相対角度が小さいほどトンネル電流が流れる量は多くなる。このトンネル電流が流れる量の変化は、トンネル磁気抵抗効果によって、抵抗値の変化として検出される。そして、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。また、上記の抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、サーボパターンを読み取ることができる。ＴＭＲヘッドの構成の一例については、例えば、特開２００４−１８５６７６号公報の図１を参照することができる。ただし、かかる図面に示されている態様に限定されるものではない。特開２００４−１８５６７６号公報の図１では、２つの電極層と２つのシールド層が示されている。ただし、シールド層が電極層を兼ねる構成のＴＭＲヘッドも公知であり、かかる構成のＴＭＲヘッドも使用可能である。ＴＭＲヘッドでは、トンネル磁気抵抗効果によって、２つの電極間に電流（トンネル電流）が流れて電気抵抗が変化する。ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドであるため、電流が流れる方向は、磁気テープの搬送方向である。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下とは、２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下であって、電流が流れていない状態での２つの電極間の電気抵抗の低下を意味する。この抵抗値（電気抵抗）の著しい低下は、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下かつ磁気テープの磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の場合に顕在化する傾向がある。しかし、磁気テープに記録された情報を再生する際にこのような抵抗値の著しい低下が発生すると、再生初期に対して経時的に再生出力が低下する原因となってしまう。また、ＴＭＲヘッドを用いてサーボパターンの読み取りを続けるうちにＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の著しい低下が発生することは、ヘッドトラッキングサーボを続けるうちにＴＭＲヘッドの感度が低下する原因となってしまう。これに対し、上記のＴＭＲヘッドの抵抗値の著しい低下は、磁気テープのＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が上記範囲であることにより抑制することができる。
【０１１７】
好ましい一態様では、上記磁気テープ装置では、上記磁気テープに２５０ｋｆｃｉ以上の線記録密度で記録された情報を、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを用いて再生することができる。なお単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。線記録密度が高くなるほど情報が記録された磁気テープの磁性層から得られる磁気的な信号（漏れ磁界）は微弱になる傾向があるため、何ら対策を施さない場合にはＳＮＲは低下する傾向がある。その一因としては、高線記録密度領域では、磁気テープ起因のノイズ（いわゆる媒体ノイズ）がＳＮＲに及ぼす影響が大きいことが考えられる。ただし、このＳＮＲの低下は、第一の態様では磁気テープの磁性層表面粗さＲａおよびΔＳＦＤがそれぞれ上記範囲であることにより、第二の態様では磁気テープの磁性層表面粗さＲａおよび磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃがそれぞれ上記範囲であることにより、抑制することができる。また、第一の態様および第二の態様の装置Ａでは、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することにより、高線記録密度で記録された情報を高感度再生することができる。線記録密度は、例えば２５０ｋｆｃｉ以上であることができ、３００ｋｆｃｉ以上であることもできる。線記録密度は、例えば８００ｋｆｃｉ以下であることができ、８００ｋｆｃｉ超であることもできる。
【０１１８】
第一の態様および第二の態様において、再生ヘッドとして用いられるＴＭＲヘッドは、少なくとも磁気テープに記録された情報を再生するための再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドである。かかる磁気ヘッドには、磁気テープに情報を記録するための素子が含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。即ち、再生ヘッドと記録ヘッドは、１つの磁気ヘッドであってもよく分離した磁気ヘッドであってもよい。また、再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドに、ヘッドトラッキングサーボを行うためのサーボパターン読み取り素子が含まれていてもよい。
【０１１９】
第一の態様および第二の態様において、サーボヘッドとして用いられるＴＭＲヘッドは、少なくともサーボパターン読み取り素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドである。サーボヘッドには、磁気テープに記録された情報を再生するための再生素子が含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。即ち、サーボヘッドと再生ヘッドは、１つの磁気ヘッドであってもよく分離した磁気ヘッドであってもよい。以上の点は、磁気テープに情報の記録を行うための記録素子についても同様である。
【０１２０】
＜磁気テープ搬送速度＞
第一の態様および第二の態様において、磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下である。本発明および本明細書では、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様については、磁気テープ搬送速度は、磁気テープに記録された情報を再生するために磁気テープ装置内で磁気テープが搬送される（走行する）際の磁気テープと再生ヘッドとの相対速度である。サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様については、磁気テープ搬送速度は、サーボヘッドによってサーボパターンの読み取りが行われる際に磁気テープ装置内で搬送される磁気テープとサーボヘッドとの相対速度である。以上の磁気テープ搬送速度は、通常、磁気テープ装置の制御部において設定される。磁気テープ装置内で磁気テープを低速で搬送することは、記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを含む磁気テープ装置およびサーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを含む磁気テープ装置において、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下であると、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が特に顕著に発生してしまう。かかる抵抗値低下は、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲の磁気テープを用いることにより抑制することができる。磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、１５ｍ／秒以下または１０ｍ／秒以下であってもよい。また、磁気テープ搬送速度は、例えば１ｍ／秒以上であることができる。
【０１２１】
＜ヘッドトラッキングサーボ＞
第一の態様および第二の態様において、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様では、ヘッドトラッキングサーボが行われる。また、第一の態様および第二の態様において、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する態様において、ヘッドトラッキングサーボを行うこともできる。
以下に、ヘッドトラッキングサーボの具体的態様の１つとして、タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボについて記載する。ただし本発明におけるヘッドトラッキングサーボは、下記具体的態様に限定されるものではない。
【０１２２】
タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボ（以下、「タイミングベースサーボ」と記載する。）では、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンを磁性層に形成し、サーボヘッドが、異なる形状の２つのサーボパターンを読み取った時間間隔と、同種の形状の２つのサーボパターンを読み取った時間間隔と、によりサーボヘッドの位置を認識する。こうして認識されたサーボヘッドの位置に基づき、磁気テープの幅方向における磁気ヘッドの位置が制御される。ここで位置制御が行われる磁気ヘッドは、一態様では磁気テープに記録された情報を再生する磁気ヘッド（再生ヘッド）であり、他の一態様では磁気テープに情報を記録する磁気ヘッド（記録ヘッド）である。
【０１２３】
図２に、データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。図２中、磁気テープ１の磁性層には、複数のサーボバンド１０が、ガイドバンド１２に挟まれて配置されている。２本のサーボバンドに挟まれた複数の領域１１が、データバンドである。サーボパターンは、磁化領域であって、サーボライトヘッドにより磁性層の特定の領域を磁化することによって形成される。サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。例えば、業界標準規格であるＬＴＯＵｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、磁気テープ製造時に、図３に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。詳しくは、図３中、サーボバンド１０上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図３中、符号Ａ）およびＢバースト（図３中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１〜Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１〜Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図３中、符号Ｃ）およびＤバースト（図３中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１〜Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１〜Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図３には、説明のために１つのサーボフレームを示した。ただし、実際には、タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボが行われる磁気テープの磁性層では、各サーボバンドに、複数のサーボフレームが走行方向に配置されている。図３中、矢印は走行方向を示している。例えば、ＬＴＯ  Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープは、通常、磁性層の各サーボバンドに、テープ長１ｍあたり５０００以上のサーボフレームを有する。サーボヘッドは、磁気テープ装置内で搬送される磁気テープの磁性層表面と接触し摺動しながら、複数のサーボフレームにおいて順次サーボパターンの読み取りを行う。
【０１２４】
タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、異なる形状の２つのサーボパターンをサーボヘッドが読み取った（サーボ信号を再生した）時間間隔と、同種の形状の２つのサーボパターンを読み取った時間間隔と、によりサーボヘッドの位置を認識する。時間間隔は、通常、サーボ信号の再生波形のピークの時間間隔として求められる。例えば、図３に示す態様では、ＡバーストのサーボパターンとＣバーストのサーボパターンが同種の形状のサーボパターンであり、ＢバーストのサーボパターンとＤバーストのサーボパターンが同種の形状のサーボパターンである。ＡバーストのサーボパターンおよびＣバーストのサーボパターンは、ＢバーストのサーボパターンおよびＤバーストのサーボパターンとは形状が異なるサーボパターンである。異なる形状の２つのサーボパターンをサーボヘッドが読み取った時間間隔とは、例えば、Ａバーストのいずれかのサーボパターンを読み取った時間とＢバーストのいずれかのサーボパターンを読み取った時間との間隔である。同種の形状の２つのサーボパターンをサーボヘッドが読み取った時間間隔とは、例えば、Ａバーストのいずれかのサーボパターンを読み取った時間とＣバーストのいずれかのサーボパターンを読み取った時間との間隔である。タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボは、上記の時間間隔が設定値からずれた場合、時間間隔のズレは磁気テープの幅方向の位置変動に起因して発生することを前提とするシステムである。設定値とは、磁気テープが幅方向で位置変動を起こさずに走行する場合の時間間隔である。タイミングベースサーボシステムでは、求められた時間間隔の設定値からのズレの程度に応じて、磁気ヘッドを幅方向に移動させる。詳しくは、時間間隔の設定値からのズレが大きいほど、磁気ヘッドを幅方向に大きく移動させる。この点は、図２および図３に示す態様に限定されずタイミングベースサーボシステム全般に当てはまる。
【０１２５】
タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボの詳細については、例えば、米国特許第５６８９３８４号、米国特許第６５４２３２５号、および米国特許第７８７６５２１号に記載の技術をはじめとする公知技術を適用することができる。また、振幅ベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボの詳細については、例えば、米国特許第５４２６５４３号および米国特許第５８９８５３３号をはじめとする公知技術を適用することができる。
【０１２６】
更に本発明の一態様によれば、以下の磁気テープも提供される。以下の磁気テープの詳細は、先に第一の態様について記載した通りである。
再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープに記録された情報を再生する際の磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲であり、かつ磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤが０．５０以下である磁気テープ；
サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープの磁性層が有するサーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲であり、かつ磁気テープの長手方向における上記式１により算出されるΔＳＦＤが０．５０以下である磁気テープ。
【０１２７】
更に本発明の一態様によれば、以下の磁気テープも提供される。以下の磁気テープの詳細は、先に第二の態様について記載した通りである。
再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープに記録された情報を再生する際の磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲であり、かつ磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが０．８０以上１．３０以下である磁気テープ；
サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープの磁性層が有するサーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、磁性層に脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含み、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が４５〜６５原子％の範囲であり、かつ磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃが０．８０以上１．３０以下である磁気テープ。
【実施例】
【０１２８】
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。
【０１２９】
＜第一の態様にかかる実施例および比較例＞
［実施例１−１］
１．磁気テープの作製
（１）アルミナ分散物の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ比表面積３０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ−８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３−ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ−４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
【０１３０】
（２）磁性層形成用組成物処方
（磁性液）
強磁性粉末（強磁性六方晶フェライト粉末（バリウムフェライト））１００．０部
平均粒子サイズ、保磁力Ｈｃおよび式２により算出されるΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒ：表５参照
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂                               １４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
シクロヘキサノン                                              １５０．０部
メチルエチルケトン                                            １５０．０部
（研磨剤液）
上記（１）で調製したアルミナ分散物                                ６．０部
（シリカゾル（突起形成剤液））
コロイダルシリカ                                                  ２．０部
平均粒子サイズ：表５参照
メチルエチルケトン                                              １．４部
（その他成分）
ステアリン酸                                                      ２．０部
ステアリン酸アミド                                                ０．２部
ブチルステアレート                                                ２．０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製コロネート（登録商標））  ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン                                              ２００．０部
メチルエチルケトン                                            ２００．０部
【０１３１】
（３）非磁性層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄                                    １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック                                                ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ  
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂                                １８．０部
（重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ）
ステアリン酸                                                      ２．０部
ステアリン酸アミド                                                ０．２部
ブチルステアレート                                                ２．０部
シクロヘキサノン                                              ３００．０部
メチルエチルケトン                                            ３００．０部
【０１３２】
（４）バックコート層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄                                      ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック                                                ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体                                              １３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂                                ６．０部
フェニルホスホン酸                                                ３．０部
ステアリン酸                                                      ３．０部
ブチルステアレート                                                ３．０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製コロネートＬ）            ５．０部
メチルエチルケトン                                            １５５．０部
シクロヘキサノン                                              ３５５．０部
【０１３３】
（５）各層形成用組成物の調製
（ｉ）磁性層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
バッチ式縦型サンドミルにおいて分散メディアとしてビーズを用いて上記の磁性液成分をビーズ分散することにより、磁性液を調製した。ビーズ分散における分散時間は、表５に示す時間とし、分散ビーズとしては、０．５ｍｍのビーズ径を有するジルコニアビーズを使用した。上記サンドミルを用いて、調製した磁性液および上記研磨剤液を他の成分（シリカゾル、その他成分および仕上げ添加溶媒）と混合し５分間ビーズ分散した後、更にバッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間超音波分散を行った。その後、得られた混合液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、磁性層形成用組成物を調製した。調製した磁性層形成用組成物を一部採取し、後述の方法で強磁性粉末（強磁性六方晶バリウムフェライト粉末）の分散性の指標である分散粒子径を測定した。測定された値を表５に示す。
（ｉｉ）非磁性層形成用組成物の調製
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ステアリン酸アミド、ブチルステアレート、シクロヘキノサンおよびメチルエチルケトンを除いた各成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間ビーズ分散して分散液を得た。分散ビーズとしては、０．１ｍｍのビーズ径を有するジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
（ｉｉｉ）バックコート層形成用組成物の調製
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各成分をオープンニーダにより混練および希釈した。その後、得られた混合液を横型ビーズミル分散機により、１ｍｍのビーズ径を有するジルコニアビーズを用いてビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を１．０μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、バックコート層形成用組成物を調製した。
【０１３４】
（６）磁気テープの作製方法
図１に示す具体的態様により磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
厚み５．００μｍのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送りだし、一方の表面に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが１．００μｍになるように上記（５）で調製した非磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表５に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行い、その後に雰囲気温度１００℃の第一の加熱処理ゾーンを通過させ加熱乾燥工程を行い非磁性層を形成した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが７０ｎｍ（０．０７μｍ）になるように上記（５）で調製した磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布し塗布層を形成した。この塗布層を、配向処理を施さずに（無配向）第二の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面に乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように上記（５）で調製したバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を第三の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、速度８０ｍ／分、線圧２９４ｋＮ／ｍ（３００ｋｇ／ｃｍ）、および表５に示すカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）でカレンダ処理（表面平滑化処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットした。  作製した磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボ試験機に搭載されたサーボライトヘッドによって、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを磁性層に形成した。これにより、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する磁気テープが作製された。なお上記サーボ試験機は、サーボライトヘッドおよびサーボヘッドを備えている。このサーボ試験機を後述する評価でも使用した。
以上により作製した磁気テープの各層厚みおよび非磁性支持体の厚みを、以下の方法により求めた。各層厚みおよび非磁性支持体の厚みが上記厚みであることが確認された。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行った。断面観察において厚み方向の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。
【０１３５】
以上の方法によって作製した磁気テープの一部を下記物性評価に使用し、他の一部を後述するＳＮＲおよびＴＭＲヘッドの抵抗値測定のために使用した。
【０１３６】
２．強磁性粉末および磁性層形成用組成物の評価
（１）磁性層形成用組成物の分散粒子径
上記で作製した磁性層形成用組成物を一部採取し、この組成物の調製に使用した有機溶媒により質量基準で１／５０に希釈した試料溶液を調製した。調製した試料溶液について、光散乱型粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製ＬＢ５００）を用いて測定した算術平均粒子径を分散粒子径とした。
【０１３７】
（２）強磁性粉末の平均粒子サイズ
先に記載した方法により、強磁性粉末の平均粒子サイズを求めた。
【０１３８】
（３）強磁性粉末のΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒおよび保磁力Ｈｃ
強磁性粉末について、温度１００℃および温度２５℃で振動試料型磁束計（東英工業社製）を用い、印加磁界７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）でＳＦＤを測定した。ＳＦＤの測定結果から、上記式２によりΔＳＦＤｐｏｗｄｅｒを算出した。
強磁性粉末の保磁力Ｈｃは、温度２５℃で振動試料型磁束計（東英工業社製）を用い、印加磁界７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で測定した。
【０１３９】
後述の実施例および比較例についても、上記と同様に評価を行った。
【０１４０】
３．磁気テープの物性評価
（１）磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて、磁気テープの磁性層表面において測定面積４０μｍ×４０μｍの範囲を測定し、中心線平均表面粗さＲａを求めた。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとした。
【０１４１】
（２）ΔＳＦＤ
温度２５℃および温度−１９０℃で振動試料型磁束計（東英工業社製）を用い、印加磁界７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で磁気テープの長手方向においてＳＦＤを測定した。測定結果から、上記式１により磁気テープの長手方向におけるΔＳＦＤを算出した。
【０１４２】
（３）Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度
以下の方法により、磁気テープの磁性層表面（測定領域：３００μｍ×７００μｍ）においてＥＳＣＡ装置を用いてＸ線光電子分光分析を行い、分析結果からＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出した。
【０１４３】
（分析および算出方法）
下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の測定は、いずれも表１に示す測定条件にて行った。
【０１４４】
【表１】
2018170062.tif 000002
【０１４５】
（ｉ）ワイドスキャン測定
磁気テープの磁性層表面においてＥＳＣＡ装置によりワイドスキャン測定（測定条件：表２参照）を行い、検出された元素の種類を調べた（定性分析）。
【０１４６】
【表２】
2018170062.tif 000003
【０１４７】
（ｉｉ）ナロースキャン測定
上記（ｉ）で検出された全元素について、ナロースキャン測定（測定条件：表３参照）を行った。装置付属のデータ処理用ソフトウエア（Ｖｉｓｉｏｎ２．２．６）を用いて、各元素のピーク面積から検出された各元素の原子濃度（単位：原子％）を算出した。ここでＣ濃度も算出した。
【０１４８】
【表３】
2018170062.tif 000004
【０１４９】
（ｉｉｉ）Ｃ１ｓスペクトルの取得
表４に記載の測定条件にてＣ１ｓスペクトルを取得した。取得したＣ１ｓスペクトルについて、装置付属のデータ処理用ソフトウエア（Ｖｉｓｉｏｎ２．２．６）を用いて試料帯電に起因するシフト（物理シフト）の補正を行った後、同ソフトウエアを用いてＣ１ｓスペクトルのフィッティング処理（ピーク分離）を実施した。ピーク分離にはガウス−ローレンツ複合関数（ガウス成分７０％、ローレンツ成分３０％）を用い、非線形最小二乗法によりＣ１ｓスペクトルのフィッティングを行い、Ｃ１ｓスペクトルに占めるＣ−Ｈピークの割合（ピーク面積率）を算出した。算出されたＣ−Ｈピーク面積率を、上記（ｉｉ）で求めたＣ濃度に掛けることにより、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出した。
【０１５０】
【表４】
2018170062.tif 000005
【０１５１】
以上の処理を磁気テープの磁性層表面の異なる位置において３回行い、得られた値の算術平均をＣ−Ｈ由来Ｃ濃度とした。
【０１５２】
４．磁気テープに記録された情報を再生ヘッドで再生する際のＳＮＲの測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。記録は線記録密度３００ｋｆｃｉで行い、その後、再生を行った際の再生出力を測定し、再生出力とノイズとの比としてＳＮＲを求めた。再生を行う際の磁気テープ搬送速度（磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度）は、表５に示す値とした。ＳＮＲは、後述の比較例１−１について測定されたＳＮＲを０ｄＢとした相対値として算出した。こうして算出されるＳＮＲが７．０ｄＢ以上であれば、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有すると評価することができる。
【０１５３】
５．再生ヘッドの抵抗値測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、再生を行う際の磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度（磁気テープ搬送速度）を表５に示す値として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎に再生ヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎に再生ヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断して再生ヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表５に示す。
【０１５４】
６．磁気テープのサーボパターンをサーボヘッドで読み取る際のＳＮＲの測定
上記サーボ試験機のサーボヘッドを、ＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）と交換した。このサーボ試験機に上記１．で作製した磁気テープを取り付け、磁気テープ搬送速度（磁気テープとサーボヘッドとの相対速度）を表５に示す値としてサーボパターンの読み取りを行い、出力とノイズとの比としてＳＮＲを求めた。ＳＮＲは、後述の比較例１−１について測定されたＳＮＲを０ｄＢとした相対値として算出した。こうして算出されるＳＮＲが７．０ｄＢ以上であれば、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有すると評価することができる。
【０１５５】
７．サーボヘッドの抵抗値測定
上記サーボ試験機のサーボヘッドを、ＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）と交換した。このサーボ試験機において上記１．で作製した磁気テープを、磁性層表面とサーボヘッドとを接触させ摺動させながら搬送した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、上記搬送時の磁気テープ搬送速度（磁気テープとサーボヘッドとの相対速度）を表５に示す値として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎にサーボヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎にサーボヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断してサーボヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表５に示す。
【０１５６】
［実施例１−２〜１−１０、比較例１−１〜１−１２］
１．磁気テープの作製
表５に示す各種条件を表５に示すように変更した点以外、実施例１−１と同様に磁気テープを作製した。
表５中、配向の欄に「無」と記載されている比較例については、実施例１−１と同様に配向処理を行わずに磁性層を形成した。
また、配向の欄に「長手」と記載されている実施例については、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表５に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行った後、磁場強度０．３Ｔの磁場を、上記塗布層の表面に対し長手方向に印加し長手配向処理を行った。その後、上記塗布層を雰囲気温度１００℃の第二の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
また、表５中、冷却ゾーン滞在時間の欄に「未実施」と記載されている比較例では、冷却ゾーンを含まない製造工程により磁気テープを得た。
【０１５７】
２．磁気テープの物性評価
作製した磁気テープの各種物性を、実施例１−１と同様に評価した。
【０１５８】
３．磁気テープに記録された情報を再生ヘッドで再生する際のＳＮＲの測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１−１と同様の方法によってＳＮＲを測定した。再生を行う際の磁気テープ搬送速度は表５に示す値とした。実施例１−２〜１−１０および比較例１−５〜１−１２では、再生ヘッドとして、実施例１−１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例１−１〜１−４では、再生ヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。
【０１５９】
４．再生ヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１−１と同様の方法によって再生ヘッドの抵抗値測定を行った。再生を行う際の磁気テープ搬送速度は表５に示す値とした。再生ヘッドは、ＳＮＲの測定で用いた再生ヘッドと同様の再生ヘッド（ＴＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド）を使用した。比較例１−１〜１−４については、再生ヘッドとして使用したＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例１−１と同様に抵抗値測定を行った。
【０１６０】
５．磁気テープのサーボパターンをサーボヘッドで読み取る際のＳＮＲの測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１−１と同様の方法によってＳＮＲを測定した。サーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度は表５に示す値とした。実施例１−２〜１−１０および比較例１−５〜１−１２では、サーボヘッドとして、実施例１−１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例１−１〜１−４では、サーボヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。
【０１６１】
６．サーボヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１−１と同様の方法によってサーボヘッドの抵抗値測定を行った。サーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度は表５に示す値とした。サーボヘッドは、ＳＮＲの測定で用いたサーボヘッドと同様のサーボヘッド（ＴＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド）を使用した。比較例１−１〜１−４については、サーボヘッドとして使用したＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例１−１と同様に抵抗値測定を行った。
【０１６２】
以上の結果を、表５に示す。
【０１６３】
【表５−１】
2018170062.tif 000006
【０１６４】
【表５−２】
2018170062.tif 000007
【０１６５】
【表５−３】
2018170062.tif 000008
【０１６６】
【表５−４】
2018170062.tif 000009
【０１６７】
表５に示すように、実施例１−１〜１−１０では、磁気テープに高線記録密度で記録された情報を再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して高ＳＮＲで再生可能であった。また、実施例１−１〜１−１０では、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用してサーボパターンを高ＳＮＲで読み取り可能であった。更に、実施例１−１〜１−１０では、磁気テープ搬送速度を１８ｍ／秒以下として、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下である磁気テープに記録された情報を再生する際およびサーボパターンを読み取る際のＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することができた。
【０１６８】
＜第二の態様にかかる実施例および比較例＞
［実施例２−１］
１．磁気テープの作製
（１）アルミナ分散物の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ比表面積２０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ−８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３−ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ−４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
【０１６９】
（２）磁性層形成用組成物処方
（磁性液）
強磁性粉末（強磁性六方晶フェライト粉末（バリウムフェライト））１００．０部
平均粒子サイズおよび飽和磁化σｓ；表６参照
ポリウレタン樹脂Ａ                                                表６参照
シクロヘキサノン                                              １５０．０部
メチルエチルケトン                                            １５０．０部
（研磨剤液）
上記（１）で調製したアルミナ分散物                                ６．０部
（シリカゾル）
コロイダルシリカ                                                  ２．０部
平均粒子サイズ：表６参照                                    
メチルエチルケトン                                                １．４部
（その他成分）
ステアリン酸                                                      ２．０部
ステアリン酸アミド                                                ０．２部
ブチルステアレート                                                ２．０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製コロネート（登録商標）Ｌ）２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン                                              ２００．０部
メチルエチルケトン                                            ２００．０部
【０１７０】
（３）非磁性層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄                                    １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック                                                ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体                                              １３．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂                                 ９ ．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
フェニルホスホン酸                                                ３．０部
ステアリン酸                                                      ２．０部
ステアリン酸アミド                                                ０．２部
ブチルステアレート                                                ２．０部
シクロヘキサノン                                              ３００．０部
メチルエチルケトン                                            ３００．０部
【０１７１】
（４）バックコート層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄                                      ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック                                                ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体                                              １３．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂                                  ６．０部
フェニルホスホン酸                                                ３．０部
メチルエチルケトン                                            １５５．０部
ステアリン酸                                                      ３．０部
ブチルステアレート                                                ３．０部
ポリイソシアネート                                                ５．０部
シクロヘキサノン                                              ３５５．０部
【０１７２】
（５）各層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。上記磁性液を、各成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。上記サンドミルを用いて、調製した磁性液および上記研磨剤液を他の成分（シリカゾル、その他成分および仕上げ添加溶媒）と混合し５分間ビーズ分散した後、バッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。ステアリン酸、ステアリン酸アミド、ブチルステアレート、シクロヘキサノンおよびメチルエチルケトンを除いた各成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散して分散液を得た。分散ビーズとしては、ビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機により、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、バックコート層形成用組成物を調製した。
【０１７３】
（６）磁気テープの作製方法
図１に示す具体的態様により磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
厚み５．００μｍのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送りだし、一方の表面に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが１．００μｍになるように上記（５）で調製した非磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表６に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行い、その後に雰囲気温度１００℃の第一の加熱処理ゾーンを通過させ加熱乾燥工程を行い非磁性層を形成した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが６０ｎｍ（０．０６μｍ）になるように上記（５）で調製した磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布し塗布層を形成した。この塗布層が湿潤状態（未乾燥状態）にあるうちに塗布層にスムージング処理を施した。スムージング処理は、市販のソリッドスムーザー（中心線平均表面粗さカタログ値：１．２ｎｍ）を用いて塗布層にせん断を付与することによって行った。その後、配向ゾーンにおいて磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布層表面に対して垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、第二の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面に乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように上記（５）で調製したバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を第三の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、速度８０ｍ／分、線圧２９４ｋＮ／ｍ（３００ｋｇ／ｃｍ）、および表６に示すカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）でカレンダ処理（表面平滑化処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間加熱処理を行った。加熱処理後１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットした後、実施例１−１と同様の方法により磁性層にサーボパターンを形成した。  以上により、磁気テープを得た。
以上により作製した磁気テープの各層厚みおよび非磁性支持体の厚みを、実施例１−１と同様の方法により求めたところ、各層厚みおよび非磁性支持体の厚みが上記厚みであることが確認された。
【０１７４】
以上の方法によって作製した磁気テープの一部を下記物性評価に使用し、他の一部を後述するＳＮＲおよびＴＭＲヘッドの抵抗値測定のために使用した。
【０１７５】
２．強磁性粉末の物性評価
（１）強磁性粉末の平均粒子サイズ
先に記載した方法により、強磁性粉末の平均粒子サイズを求めた。
【０１７６】
（２）強磁性粉末の飽和磁化σｓ
強磁性粉末の飽和磁化σｓを、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて印加磁界７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で測定した。
【０１７７】
後述の実施例および比較例についても、上記と同様に評価を行った。
【０１７８】
３．磁気テープの物性評価
（１）磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ
実施例１−１と同様の方法により、磁性層表面において中心線平均表面粗さＲａを求めた。
【０１７９】
（２）Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度
実施例１−１と同様の方法により、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を求めた。
【０１８０】
（３）磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃ
ＳｄｃおよびＳａｃを先に記載の方法によって求め、求められた値から磁気クラスター面積比Ｓｄｃ／Ｓａｃを算出した。磁気力顕微鏡としてはＢｒｕｋｅｒ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００を周波数変調モードで使用し、プローブとしてはＮａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ−ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）使用した。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０ｎｍとした。画像解析ソフトとしては、ＭａｔｈＷｏｒｋｓ製ＭＡＴＬＡＢを使用した。
【０１８１】
４．磁気テープに記録された情報を再生ヘッドで再生する際のＳＮＲの測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。記録は線記録密度３００ｋｆｃｉで行い、その後、再生を行った際の再生出力を測定し、再生出力とノイズとの比としてＳＮＲを求めた。再生を行う際の磁気テープ搬送速度（磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度）は、表６に示す値とした。ＳＮＲは、後述の比較例２−１について測定されたＳＮＲを０ｄＢとした相対値として算出した。こうして算出されるＳＮＲが７．０ｄＢ以上であれば、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有すると評価することができる。
【０１８２】
５．再生ヘッドの抵抗値測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、再生を行う際の磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度（磁気テープ搬送速度）を表６に示す値として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎に再生ヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎に再生ヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断して再生ヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表６に示す。
【０１８３】
６．磁気テープのサーボパターンをサーボヘッドで読み取る際のＳＮＲの測定
上記サーボ試験機のサーボヘッドを、ＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）と交換した。このサーボ試験機に上記１．で作製した磁気テープを取り付け、磁気テープ搬送速度（磁気テープとサーボヘッドとの相対速度）を表６に示す値としてサーボパターンの読み取りを行い、出力とノイズとの比としてＳＮＲを求めた。ＳＮＲは、後述の比較例２−１について測定されたＳＮＲを０ｄＢとした相対値として算出した。こうして算出されるＳＮＲが７．０ｄＢ以上であれば、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有すると評価することができる。
【０１８４】
７．サーボヘッドの抵抗値測定
上記サーボ試験機のサーボヘッドを、ＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）と交換した。このサーボ試験機において上記１．で作製した磁気テープを、磁性層表面とサーボヘッドとを接触させ摺動させながら搬送した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、上記搬送時の磁気テープ搬送速度（磁気テープとサーボヘッドとの相対速度）を表６に示す値として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎にサーボヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎にサーボヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断してサーボヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表６に示す。
【０１８５】
［実施例２−２〜２−１１、比較例２−１〜２−１２］
１．磁気テープの作製
表６に示す各種条件を表６に示すように変更した点以外、実施例２−１と同様に磁気テープを作製した。
表６に記載のポリウレタン樹脂Ａは、特許第４００１５３２号明細書の実施例で使用されているポリウレタン樹脂Ａである。
表６に記載のポリウレタン樹脂Ｂは、特許第４００１５３２号明細書の比較例で使用されているポリウレタン樹脂Ｂである。
表６に記載の塩化ビニル樹脂は、日本ゼオン社製ＭＲ−１１０である。
ポリウレタン樹脂Ａは、ポリウレタン樹脂Ｂおよび上記塩化ビニル樹脂と比べて、磁性層形成用組成物の調製に使用した溶媒との親和性が高い結合剤である。
表６中、スムージング処理の欄に「有」と記載されている実施例および比較例では、実施例２−１と同様にスムージング処理を実施した。スムージング処理の欄に「無」と記載されている比較例では、スムージング処理を行わない製造工程により磁気テープを作製した。
また、表６中、冷却ゾーン滞在時間の欄に「未実施」と記載されている比較例では、冷却ゾーンを含まない製造工程により磁気テープを作製した。
【０１８６】
２．磁気テープの物性評価
作製した磁気テープの各種物性を、実施例２−１と同様に評価した。
【０１８７】
３．磁気テープに記録された情報を再生ヘッドで再生する際のＳＮＲの測定
作製した磁気テープを使用して、実施例２−１と同様の方法によってＳＮＲを測定した。再生を行う際の磁気テープ搬送速度は表６に示す値とした。実施例２−２〜２−１１および比較例２−５〜２−１２では、再生ヘッドとして、実施例２−１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例２−１〜２−４では、再生ヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。
【０１８８】
４．再生ヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例２−１と同様の方法によって再生ヘッドの抵抗値測定を行った。再生を行う際の磁気テープ搬送速度は表６に示す値とした。再生ヘッドは、ＳＮＲの測定で用いた再生ヘッドと同様の再生ヘッド（ＴＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド）を使用した。比較例２−１〜２−４については、再生ヘッドとして使用したＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例２−１と同様に抵抗値測定を行った。
【０１８９】
５．磁気テープのサーボパターンをサーボヘッドで読み取る際のＳＮＲの測定
作製した磁気テープを使用して、実施例２−１と同様の方法によってＳＮＲを測定した。サーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度は表６に示す値とした。実施例２−２〜２−１１および比較例２〜５〜２−１２では、サーボヘッドとして、実施例２−１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例２−１〜２−４では、サーボヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。
【０１９０】
６．サーボヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例２−１と同様の方法によってサーボヘッドの抵抗値測定を行った。サーボパターンを読み取る際の磁気テープ搬送速度は表６に示す値とした。サーボヘッドは、ＳＮＲの測定で用いたサーボヘッドと同様のサーボヘッド（ＴＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド）を使用した。比較例２−１〜２−４については、サーボヘッドとして使用したＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例２−１と同様に抵抗値測定を行った。
【０１９１】
以上の結果を、表６に示す。
【０１９２】
【表６−１】
2018170062.tif 000010
【０１９３】
【表６−２】
2018170062.tif 000011
【０１９４】
【表６−３】
2018170062.tif 000012
【０１９５】
【表６−４】
2018170062.tif 000013
【０１９６】
表６に示すように、実施例２−１〜２−１１では、磁気テープに高線記録密度で記録された情報を再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して高ＳＮＲで再生可能であった。また、実施例２−１〜２−１１では、サーボヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用してサーボパターンを高ＳＮＲで読み取り可能であった。更に、実施例２−１〜２−１１では、磁気テープ搬送速度を１８ｍ／秒以下として、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下である磁気テープに記録された情報を再生する際およびサーボパターンを読み取る際のＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することができた。
【産業上の利用可能性】
【０１９７】
本発明は、高密度記録された情報を高感度再生することが望まれる磁気記録用途において有用である。
【図１】
2018170062.tif 000014
【図２】
2018170062.tif 000015
【図３】
2018170062.tif 000016