(57)【要約】【課題】  侵襲性医療用装置を提供すること。【解決手段】  記載された実施形態は、電気的インターフェース及びプロセッサを備える装置を含む。プロセッサは、電気的インターフェースを介して、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、検知された温度と、体内プローブの遠位端におけるアブレーション電極により被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、組織の温度を推定することと、推定された温度に応じて出力を生成することと、を行うように構成されている。他の実施形態もまた記載されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的インターフェースと、
プロセッサであって、
前記電気的インターフェースを介して、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、
前記検知された温度と、前記体内プローブの前記遠位端におけるアブレーション電極によって被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、前記組織の温度を推定することと、
前記推定された温度に応じて出力を生成することと、を行うように構成された、プロセッサと、を備える、装置。
【請求項２】
前記パラメータは、前記アブレーション電流の電力を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記パラメータは、前記アブレーション電流の振幅を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、
前記パラメータに応じて係数を選択することと、
前記検知された温度に基づく値に前記係数を乗じることと、によって、前記組織の前記温度を推定するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記組織の前記温度をＴ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として推定するように構成され、ＴＩは、前記検知された温度であり、αは、前記係数であり、Ｔ０は、前記アブレーション電流の駆動前に前記温度センサによって検知された温度Ｔ＿０に基づく数量である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記プロセッサは、Ｔ０をＴ＿０−βとして算定するように更に構成され、βは、前記アブレーション電流の駆動前に前記温度センサによって検知された温度の安定性に依存する補正係数である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記プロセッサは、前記係数を算定することによって前記係数を選択するように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記パラメータを前記係数に関する閉形式の式に代入することによって前記係数を算定するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
プロセッサが、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、
前記プロセッサが、前記検知された温度と、前記体内プローブの前記遠位端におけるアブレーション電極により被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、前記組織の温度を推定することと、
前記推定された温度に応じて出力を生成することと、を含む、方法。
【請求項１０】
前記パラメータは、前記アブレーション電流の電力を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記パラメータは、前記アブレーション電流の振幅を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記組織の前記温度を推定することは、
前記パラメータに応じて係数を選択することと、
前記検知された温度に基づく値に前記係数を乗じることによって、前記組織の前記温度を推定することと、を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記組織の前記温度を推定することは、前記組織の前記温度をＴ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として推定することを含み、ＴＩは、前記検知された温度であり、αは、前記係数であり、Ｔ０は、前記アブレーション電流の前記駆動前に前記温度センサによって検知された温度Ｔ＿０に基づく数量である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｔ０をＴ＿０−βとして算定することを更に含み、βは、前記アブレーション電流の前記駆動前に前記温度センサによって検知された温度の安定性に依存する補正係数である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記係数を選択することは、前記係数を算定することによって前記係数を選択することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記係数を算定することは、前記パラメータを前記係数に関する閉形式の式に代入することによって前記係数を算定することを含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年１２月２４日出願の米国特許出願第１４／９９８，２０４号の一部継続出願であり、この米国特許出願の利益を主張するものであり、この開示内容は、参照により本明細書に援用されている。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、概ね、侵襲性医療用装置に関し、具体的には、身体内の組織をアブレーションするために使用されるプローブに関連する。
【背景技術】
【０００３】
心臓内の低侵襲的なアブレーションは、各種不整脈の治療の選択肢である。このような治療を実施するために、医師は、典型的には、血管系を介して心臓にカテーテルを挿入し、異常な電気活動の区域においてカテーテルの遠位端を心筋組織と接触させ、続いて、組織壊死を生じさせるために、遠位端で又は遠位端の近傍で１つ又は２つ以上の電極に通電する。
【０００４】
参照により本明細書に開示が援用されている米国特許出願公開第２０１０／００３０２０９号は、穿孔を有する先端部を有するカテーテルを記載している。このカテーテルは、被験者の身体に挿入するための遠位端を有する挿入管を含む。遠位先端部は、挿入管の遠位端に固定され、身体内の組織に電力を印加するために連結されている。遠位先端部は、外側表面を有し、外側表面を通って複数の穿孔が存在し、穿孔は、遠位先端部にわたって周方向及び長手方向に分布している。ルーメンが挿入管を貫通しており、穿孔を介して組織に流体を送達するように連結されている。
【０００５】
その開示が参照により本明細書に援用されている米国特許第５，９５７，９６１号は、遠位セグメントであって、該遠位セグメントに沿って延在する少なくとも１つの電極を担持する、遠位セグメントを有し、電極に隣接する、遠位セグメントに沿って配置された、複数の温度センサを有する、カテーテルを記載しており、各温度センサは温度の出力表示を提供する。カテーテルは、無線周波数（ＲＦ）エネルギーを電極に提供する電源に連結されている。温度処理回路は、温度センサ及び電源に連結され、温度センサの出力の機能として電源から出力される電力を制御する。
【０００６】
その開示が参照により本明細書に援用されている米国特許第６，３１２，４２５号は、複数の熱センサを備えるＲＦアブレーションカテーテル先端部電極を記載している。先端熱センサは、遠位端領域の頂部又はその付近に位置し、１つ又は２つ以上の側方熱センサは近位端領域の表面付近に位置する。電極は、好ましくは、中空のドーム形状の外殻から形成されたアセンブリであり、コアが外殻内部に配置されている。側方熱センサワイヤーは、外殻の内部に電気的に接続され、コアは外殻に溶接された側方熱センサワイヤーのための長手方向チャネルを有する。外殻はまた、外殻の頂部にポケットを有し、端部熱センサワイヤーは、コアを通過し外殻の頂部に達する。
【０００７】
その開示が参照により本明細書に援用されている米国特許第６，２１７，５７４号は、灌注分割型先端部電極カテーテルを記載している。信号プロセッサは、ＲＦ発生器を起動して、分割型先端部電極の各電極部材に低ＲＦ電流を送る。信号プロセッサは、各電極部材と１つ又は２つ以上の表面不関電極との間のインピーダンスを示す信号を受信し、どの電極部材が最も高いインピーダンスと関連するかを判定する。このような電極部材は、心筋との接触が最大であると言える。
【０００８】
その開示が参照により本明細書に援用されている米国特許第６，３９１，０２４号は、アブレーション電極と生物組織との間の接触の適切性を評価する方法を記載している。この方法は、アブレーション電極と参照電極の間のインピーダンスを第１及び第２の周波数で測定する。第１の周波数のインピーダンスと第２の周波数のインピーダンスとの間の差分率は、電極／組織の接触の状態を示していると言える。
【０００９】
その開示が参照により本明細書に援用されている米国特許第６，７３０，０７７号は、組織の治療用の冷凍カテーテルを記載している。信号導体は、カテーテルを通ってカテーテル先端部まで延在し、先端部が接触する組織の領域にＲＦ電流を印加する熱伝導性の外殻又はキャップ及び導電性の外殻又はキャップに接続する。遠位先端部における組織の接触の定量的測定を進展させるために、信号導線と、患者の皮膚に取り付けられた表面電極と、の間の組織インピーダンス経路がモニタされる。
【００１０】
参照により本明細書に援用されているＧｏｖａｒｉに対する米国特許出願公開第２０１４／０１７１９３６号は、患者の体内の組織の近位に挿入するように構成された遠位端を有し、かつ組織に電気エネルギーを運ぶための導電体を有するルーメンを収容する、挿入管を備える装置を記載している。この装置は、挿入管の遠位端に取り付けられ、かつ導電体に電気的に連結される、導電性キャップを更に備え、導電性キャップは、外側表面を有する。更に、挿入管内に収容される複数の光ファイバが存在し、それぞれのファイバは、キャップの外側表面の近位で終端し、電気エネルギーが組織に運ばれている間、組織へ光放射を運び、組織からの光放射を運ぶように構成されている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のいくつかの実施形態に従い、電気的インターフェース及びプロセッサを備える装置が提供される。プロセッサは、電気的インターフェースを介して、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、検知された温度と、体内プローブの遠位端におけるアブレーション電極によって被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、組織の温度を推定することと、推定された温度に応じて出力を生成することと、を行うように構成されている。
【００１２】
いくつかの実施形態では、パラメータは、アブレーション電流の電力を含む。
【００１３】
いくつかの実施形態では、パラメータは、アブレーション電流の振幅を含む。
【００１４】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、パラメータに応じて係数を選択し、検知された温度に戻づく値に係数を乗じることによって、組織の温度を推定することによって、組織の温度を推定するように構成されている。
【００１５】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、組織の温度をＴ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として推定するように構成され、ＴＩは、検知された温度であり、αは、係数であり、Ｔ０は、アブレーション電流の駆動前に温度センサによって検知された温度Ｔ＿０に基づく数量である。
【００１６】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、Ｔ０をＴ＿０−βとして算定するように更に構成され、βは、アブレーション電流の駆動前に温度センサによって検知された温度の安定性に依存する補正係数である。
【００１７】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、係数を算定することによって係数を選択するように構成されている。
【００１８】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、パラメータを係数に関する閉形式の式に代入することによって係数を算定するように構成されている。
【００１９】
本発明のいくつかの実施形態に従い、プロセッサが、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することを含む方法が更に提供される。方法は、プロセッサが、検知された温度と、体内プローブの遠位端におけるアブレーション電極により被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、組織の温度を推定することと、推定された温度に応じて出力を生成することと、を更に含む。
【００２０】
本発明のいくつかの実施形態に従い、アブレーション電極と、アブレーション電極の内部の少なくとも１つの内部温度センサと、アブレーション電極の表面における少なくとも１つの表面温度センサと、を含むプローブを使用して、アブレーション電流の様々な対応する振幅によって組織の複数のアブレーションを行うことを含む方法が更に提供される。方法は、アブレーションのそれぞれの間、内部温度センサを使用して、内部温度を検知し、表面温度センサを使用して、表面温度を検知することと、プロセッサを使用して、検知された内部温度と検知された表面温度との間の関係を学習することと、を更に含む。
【００２１】
いくつかの実施形態では、その関係は、等式ＴＳ＝Ｔ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）で表され、αは、係数であり、ＴＳは、検知された表面温度であり、ＴＩは、検知された内部温度であり、Ｔ０は、ベースライン温度であり、その関係を学習することは、アブレーション電流の振幅におけるαの依存性を学習することによってその関係を学習することを含む。
【００２２】
いくつかの実施形態では、アブレーション電流の振幅におけるαの依存性を学習することは、アブレーション電流の振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を回帰させることによって依存性を学習することを含む。
【００２３】
いくつかの実施形態では、アブレーション電流の振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を回帰させることは、アブレーション電流の振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を二次回帰させることを含む。
【００２４】
本発明は、本発明の実施形態の以下の詳細な説明を図面と併せ読むことによってより深い理解がなされるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のいくつかの実施形態による、心臓アブレーション療法のためのシステムの概略的な図である。
【図２】本発明者らによって取得された実験データを示す。
【図３Ａ】本発明のいくつかの実施形態による、係数を学習するための方法のフロー図である。
【図３Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による、組織の温度を推定するための方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
概説
アブレーション部位の区域を冷却する（又は「灌注する」）ことにより、血栓（血餅）の形成が減少することが判明している。この目的のために、例えば、Ｂｉｏｓｅｎｓｅ  Ｗｅｂｓｔｅｒ  Ｉｎｃ．は、ＣＡＲＴＯ（登録商標）に組み込まれたマッピング及びアブレーションシステムと併用するためのＴｈｅｒｍｏＣｏｏｌ（登録商標）灌注式先端部付きカテーテルを提供する。組織をアブレーションするための、無線周波数（ＲＦ）電流によりエネルギーを加えられる金属のカテーテル先端には、治療部位への灌注のために先端の周囲に分布させた多数の周辺穴が存在する。処置中、カテーテルに連結されているポンプが灌注用食塩水をカテーテル先端部に送達し、その食塩水が穴を通って流れ出る。（いくつかの実施形態では、アブレーション電流が組織内に流れ込んでいない間でも、灌注液の流れは、例えば、流量が減少して維持される。）
【００２７】
アブレーション処置を実施するとき、アブレーションする組織の近くに１つ又は２つ以上の温度センサを配置すると、施術医にフィードバックを提供するのに役立つため、有利であることが多い。例えば、組織が過熱状態になっていることを温度センサが検知した場合、施術医は、アブレーション処置を停止するか、又はアブレーションパラメータを修正することができる。
【００２８】
少なくともいくつかの症例では、組織−電極間の接点における温度を可能な限り正確に測定するために、温度センサは、理想的には、温度センサが組織と接触するように配置されるであろう。しかしながら、規制上の懸念により、かつ／又は他の理由から、組織を温度センサと接触させることは、実行不可能である場合がある。したがって、組織の温度を検知する場合、具体的な課題は、組織と接触していないセンサが、組織−電極間の接点における組織の実際の温度より低い温度を検知する場合があることである。更に、センサが組織と接触しているかどうかに関係なく、アブレーション電極からの灌注液（例えば、食塩水）の流れによって、センサは、センサが本来検知したであろう温度より低い温度を検知する場合がある。例えば、灌注液は、温度センサから熱を奪う吸熱器として機能する場合がある。
【００２９】
本発明の実施形態は、少なくとも組織−電極間の接点において、検知された温度及び灌注液の流量に少なくとも基づいて組織の温度を推定するための方法及び装置を提供することにより、これらの課題に対処する。
【００３０】
いくつかの実施形態では、推定は、アブレーション電流のパラメータに基づき、代替的又は追加的に、流体の流量に基づく。例えば、いくつかの実施形態は、典型的には、アブレーションシステムが、安全上の理由から、アブレーション電流の任意の特定の振幅に対して維持されなければならない特定の流体流量を指定する関連する使用説明書（ＩＦＵ）に従って動作するように構成されているという事実を活用する。（振幅が増加すると、必要流量も増加する。）アブレーション電流の振幅と流体流量との間のこの確定的な関係が与えられると、流量を明示的に確認しなくても、アブレーション電流の振幅に基づいて組織の温度を推定することが可能となる。かような実施形態の利点は、流量よりもアブレーション電流の振幅を確認する方が典型的には容易であるということである。
【００３１】
例えば、アブレーション処置中、プロセッサは、（例えば、アブレーション電流を供給するＲＦ発生器に接続されるドングルから）アブレーション電流の振幅ＩＣを受信することができる。プロセッサは、その後、ＩＣの関数としてαを表す式にＩＣを代入することにより、係数αを算定することができる。プロセッサは、その後、この係数αを使用して、温度センサから受信した検知された温度から組織の温度を推定することができる。例えば、プロセッサは、Ｔ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として組織の温度を推定することができる（式中、ＴＩは、検知された温度であり、Ｔ０は、ベースライン温度である）。
【００３２】
本発明の実施形態は、ＩＣの関数としてαを学習するためのシステム及び方法を更に含む。例えば、いくつかの実施形態では、アブレーションカテーテルは、アブレーション電極の表面に、本明細書において表面温度センサと称される温度センサを特別に装着している。その後、この特別に装着されたカテーテルは、多様なアブレーション電流の振幅による複数のテストアブレーションを（典型的にはエクスビボで）実施するために使用される。これらのテストアブレーションのそれぞれの間、アブレーション電極内の内部温度センサは、アブレーションカテーテル内の内部温度を測定し、一方、表面温度センサは、電極と組織間との間の接点における温度を測定する。その後、検知された温度及び実際の温度を使用して、αに関する式を学習する。
【００３３】
システムの説明
最初に、本発明の実施形態による、心臓アブレーション療法のためのシステム２０の概略的な図である図１を参照する。（インターベンショナル（interventional）心臓医などの）施術医２８は、患者２６の血管系を介して、患者の心臓２４の心室の中へカテーテル２２などの体内プローブを挿入する。例えば、心房細動を治療するために、施術医はカテーテルを左心房の中へ前進させ、カテーテルの遠位端３０を、モニタ及び／又はアブレーションされる心筋組織と接触させることができる。
【００３４】
カテーテル２２は、その近位端において、電気的インターフェース５０を介して、コンソール３２に接続される。コンソール３２は、標的組織をアブレーションするために、カテーテル２２を介して遠位端３０に電力を供給するＲＦ電力発生器３４を備える。プロセッサ５２は、後述するように、遠位端の温度センサの出力を処理することによって、遠位端３０の組織の温度を追跡する。灌注ポンプ３８は、カテーテル２２を通って、遠位端３０に、食塩水などの灌注液を供給する。更に、いくつかの実施形態では、光モジュール４０は、遠位端３０から標的組織への送信のための、これらに限定されないが、典型的には、レーザ、白熱ランプ、アークランプ、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）から光放射を行う。このモジュールは、標的組織から戻り、遠位端で捕捉される光放射を受信し、分析する。
【００３５】
温度センサ及び／又は光モジュール４０によって提供される情報に基づいて、プロセッサ５２は、ＲＦエネルギー発生器３４によって印加される電力及び／又はポンプ３８によって提供される流体の流れを、本明細書で以下に更に説明するように、自動的に又は（例えば、施術医からの）入力に応じてのいずれか一方で制御することができる。
【００３６】
システム２０は、例えば、カテーテル２２のナビゲーション及び制御を支持するために広範な設備を提供する上記のＣＡＲＴＯシステムに基づくことができる。
【００３７】
カテーテル２２の遠位端３０は、アブレーション電極４６を含み、この電極は遠位面５８を含む。典型的には、アブレーションを実施する際、アブレーション電極４６の一部分（例えば、遠位面５８）が、アブレーションする組織に接触させられ（例えば、押し付けられ）、引き続いて、ＲＦエネルギー発生器３４によって供給される無線周波数エネルギーが、アブレーション電極によって組織に付与される。図１に示すように、アブレーション電極４６は、複数の穿孔６０を画定するように成形されてもよい。処置中、灌注ポンプ３８によって供給された灌注液は、穿孔６０から送り出される。灌注液の送出は、アブレーション部位の近くにある血液を冷却及び希釈することによって、血餅の形成を防ぐのに役立つことができる。
【００３８】
図に示すように、複数の温度センサ４８（例えば、熱電対）が、アブレーション電極４６内の様々な対応する位置に配設される。具体的には、遠位面５８の「正面」図は、電極の遠位面５８の近くにある、円周方向に配列された３つの温度センサ４８を図示しており、温度センサのそれぞれは、電極の壁におけるルーメンの中に収容されている。それらのルーメンのうち１つの外壁を「切除」してある遠位端３０の等角図は、そのルーメンの内部にある２つの温度センサ、すなわち、（ｉ）遠位端の図に示されている３つのセンサのうちの１つである遠位温度センサ４８ａ、及び（ｉｉ）遠位端の図に示されていない３つの近位センサのうちの１つである近位温度センサ４８ｂを示している。したがって、遠位端３０は、図１に示すように、合計６つの温度センサを備える。（ただし、上記にもかかわらず、本開示の範囲は、任意の好適な数及び配列の温度センサの使用を含む。）
【００３９】
アブレーション電極を使用して、アブレーション電流が組織内に駆動している間であり、灌注液がカテーテルの遠位端から（例えば、穿孔６０を通って）送り出されている間、温度センサのうち１つ又は２つ以上を使用して、それぞれの温度が検知される。
【００４０】
一般に、複数の温度センサが組織に対して様々な場所に配設されるようにすると、例えば、それらのセンサによって提供される様々な温度読み取り値からアブレーション電極の向きに関する情報を推定することができるという点において、有利である。例えば、（３つの遠位センサが組織からほぼ等距離の位置にあることを示す）３つの遠位センサのそれぞれがほぼ同じ温度を検知する場合、かつ／又は（３つの近位センサが組織からほぼ等距離の位置にあることを示す）３つの近位センサのそれぞれがほぼ同じ温度を検知する場合、通常所望されるように、電極が組織に対して垂直な方向を向いていることが推定され得る。一方、例えば、近位センサのうちの１つが、他の２つの近位センサによって検知される温度より高い温度を検知する場合、アブレーション電極が組織に対して垂直な方向を向いておらず、近位センサのうちの１つが他の近位センサよりも組織に近い位置にあることを推定することができる。
【００４１】
カテーテルの向きに関する情報を提供することの他に、温度センサは、組織−電極間の接点にある組織がアブレーション用の所望の温度になっているかどうかを示すことによって、アブレーションの実施を容易にすることができる。ただし、上述のように、組織と接触していない温度センサは、組織−電極間の接点における組織の実際の温度より低い温度を検知する場合がある。例えば、遠位センサ４８ａは、遠位面５８に対していくらか近位側に配設することができ、一般に、遠位センサ４８ａは、アブレーション処置中に組織と接触しない。したがって、遠位センサ４８ａによって検知される温度は、典型的には接点における組織の実際の温度よりも低い。近位センサ４８ｂの場合、遠位センサ４８ａよりも組織から遠い位置にあり、実際の温度と検知された温度との間の差は典型的には更に大きい。
【００４２】
更に、上述のように、穿孔６０からの灌注液の流れによって、温度センサのうちの少なくともいくつかは、灌注液が穿孔６０から流れ出ていない場合と比べて、それぞれの検知温度が低下する。上述の課題に対処するために、本発明の実施形態は、以下に記載するように、少なくとも組織−電極間の接点において、組織の実際の温度を推定するための装置及び方法を提供する。
【００４３】
概して、プロセッサ５２は、単一のプロセッサとして、又は協調ネットワーク化又はクラスター化されたプロセッサセットとして具体化することができる。プロセッサ５２は典型的には、プログラムされたデジタルコンピューティングデバイスであり、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ハードドライブ若しくはＣＤＲＯＭドライブなどの不揮発性の二次記憶装置、ネットワークインターフェース、及び／又は周辺デバイスを備える。ソフトウェアプログラムを含むプログラムコード、及び／又はデータは、当該技術分野で知られているように、ＣＰＵによる実行及び処理のためにＲＡＭにロードされ、表示、出力、送信、又は格納のために結果が生成される。かかるプログラムコード及び／又はデータは、プロセッサに提供されると、本明細書に記載するタスクを行うように構成された、機械若しくは専用コンピュータを作り出す。
【００４４】
検知された温度と実際の温度との間の関係の学習
次に、本発明者らによって取得された実験データを示す図２を参照する。以下で詳述するように、図２の実験データは、温度センサによって検知された温度と組織の「実際の」測定温度との間の関係を示している。
【００４５】
データを取得するために、遠位端３０を使用して、組織をエクスビボで複数回「アブレーション」した。試行アブレーションのそれぞれの実行中、灌注液を遠位端からポンプで送り出し、検知のためにカテーテルの遠位端内の複数の温度センサを使用し、更には、温度計を使用して、組織−電極間の接点における組織の実際の温度を測定した。２組の実験アブレーション、すなわち、灌注液流量が８ｍＬ／分である第１の組及び灌注液流量が１５ｍＬ／分である第２の組が実施された。各組の実験アブレーションは、異なるそれぞれのアブレーション電力、及び／又は電極と組織との間の異なるそれぞれの接触力を用いて実施された。（これらの要素のそれぞれは、組織−電極間の接点における温度に影響を与え、例えば、電力を増加させ、かつ／又は接触力を増加させると、温度が上昇する。）
【００４６】
本明細書において「内部温度」値とも称される検知温度値は、表記ＴＩによって示される。これらの値は、（後述する）正規化用温度Ｔ＿０を引いて、図２の横軸に沿ってプロットされる。（この特定のケースにおいて、検知温度値ＴＩのそれぞれは、図１に示されている３つの遠位温度センサによって検知された温度の平均値である。）温度計の読み取り値は、アブレーション電極の表面における「表面温度」を示し、表記ＴＳで示される。これらの読み取り値は、Ｔ＿０を引いて、縦軸に沿ってプロットされる。したがって、図２の各点は、特定の流量、アブレーション電力及び接触力に関する一対の値（ＴＩ−Ｔ＿０、ＴＳ−Ｔ＿０）を表す。（典型的には、流量１５ｍＬ／分は、相対的に高いアブレーション電力及び／又は接触力に対してのみ使用され、したがって、１５ｍＬ／分に関するデータは、相対的に高い温度のみを含む。）
【００４７】
図２に示すように、流量のそれぞれに関して、「Ｒ２乗」値が大きいことから明らかなように、線形回帰関数が高い適合度で取得データに当てはめられた。この回帰関数は、ＴＳ−Ｔ＿０＝α（ＴＩ−Ｔ＿０）の形式で表すことができ、Ｔ＿０、ＴＩ及びＴＳは、上述のとおりであり、αは、灌注液の流量の関数である係数である。具体的には、流量８ｍＬ／分に関して、図２は、約１．６の係数αを示し、一方、流量１５ｍＬ／分に関して、図２は、約２の係数αを示している。
【００４８】
典型的には、Ｔ＿０は、アブレーションを開始する直前のＴＩの値であり、例えば、アブレーションの開始前に１秒間にわたって検知された平均の温度である。アブレーションの開始前に、カテーテルは、被験者の血液へ灌注液の送達を開始する。アブレーションの開始前に十分長い間、流体がアブレーション電極を通って流れると、「定常状態」に至り、ＴＳは、ＴＩと同じになり、ＴＩ＝ＴＳ＝Ｔ＿０となる。したがって、回帰を実施する前に、ＴＩ及びＴＳのそれぞれからＴ＿０を減ずることにより、典型的には、回帰直線のそれぞれが原点を通過することによって、回帰が単純化する。つまり、回帰関数が２つの変数ではなく１つの変数（即ち、α）のみを含むという点において、回帰が単純化する。ただし、上記にもかかわらず、図２に示されている回帰は、Ｔ＿０を測定も使用もせずに実施することができる。Ｔ＿０の測定及び使用は、一般に、利便性のみを目的とする。
【００４９】
いかなる場合でも、回帰の独立変数は、典型的にはＴＩに基づく変数である。例えば、この変数は、ＴＩそのものであってもよく、又は上述のように、ＴＩ−Ｔ＿０であってもよい。同様に、回帰の従属変数は、典型的にはＴＳに基づく変数である。例えば、この変数は、ＴＳそのものであってもよく、又は上述のように、ＴＳ−Ｔ＿０であってもよい。
【００５０】
本明細書に後で詳述するように、図２に例示した回帰関数は、実際のアブレーション処置中に、少なくとも組織−電極間の接点において、組織の温度を推定するために使用され得る。
【００５１】
上述のように、図２に示した実験は、電極−組織間の接点において測定されたＴＳを用いて実施された。場合によっては、実際の処置中、組織内部のより深い位置、例えば、組織の５ｍｍ下方において、組織の温度を推定することが有利である場合がある。したがって、本発明の範囲は、（ｉ）そのようなより深い位置において測定される温度ＴＳを用いてアブレーション（例えば、実験アブレーション）を実施すること、それ故に、これらの位置に対してそれぞれの回帰関数が決定されることと、（ｉｉ）実際の処置中、回帰関数を使用して、これらの位置における組織の温度を推定することと、を含む。
【００５２】
いくつかの実施形態では、灌注液の流れは、大まかには、温度センサの一部又は全てに同様に影響し、その結果、検知温度をセンサの一部又は全てにわたって平均化することによりαを学習することができる。例えば、上述のとおり、図２に示した検知温度は３つの遠位センサの平均値であり、１つのαが３つの遠位センサに対して学習される。他の実施形態では、センサのうち１つ又は２つ以上のそれぞれに対して別々にαを学習することができる。本明細書のすぐ下で説明される図３Ａは、そのような実施形態を説明している。
【００５３】
次に、本発明のいくつかの実施形態による、αを学習するための方法６２のフロー図である図３Ａを参照する。方法６２では、αが、１つ又は２つ以上の流量に対して、１つ又は２つ以上の温度センサのそれぞれに対して学習される。学習工程６４において、図２を参照して上述した手法を使用して、センサ及び流量毎に、αは学習される。つまり、学習工程６４において、様々なアブレーション電力及び／又は接触力を使用して、エクスビボで組織を「アブレーション」するために遠位端３０が使用され、それと同時に灌注液がポンプで遠位端から送り出される。検知された温度及び実際の温度が取得され、その後、プロセッサ５２は、回帰（例えば、線形回帰）を適用して、αを学習する。
【００５４】
一般に、灌注液の流量は、様々なアブレーション処置にわたって変化することができ、かつ／又は単一のアブレーション処置中で変化することができるので、２つ以上の流量に対してαを学習することは有利であり得る。例えば、実際の処置中、流量は典型的には８ｍＬ／分〜１５ｍＬ／分なので、８〜１５ｍＬ／分の範囲内の多様な流量が対象となり得る。
【００５５】
例えば、学習工程６４において、まず、センサ４８ａ（図１）及び流量８ｍＬ／分に対するαを学習することができる。続いて、第１の判定工程６６において、現在の流量を変更するかどうかの判定が行われる。現在の流量を（例えば、１５ｍＬ／分に）変更するように判定されると、流量変更工程６７において、現在の流量が変更される。続いて、学習工程６４において、αは、第２の流量に対して学習される。
【００５６】
対象の流量の全てに対してαが学習されると、方法６２は、第２の判定工程６８に進み、その工程では、現在のセンサを変更するかどうかに関して判定が行われる。現在のセンサを（例えば、センサ４８ｂ（図１）に）変更するように判定されると、センサ変更工程６９においてセンサが変更される。続いて、学習工程６４において、αは、第２のセンサに対し、対象の流量の全てに対して、学習される。
【００５７】
対象のセンサ及び流量の全てに対してαが学習されると、方法６２は終了する。
【００５８】
次に、方法６２のいくつかの代替の実施形態を説明する。
【００５９】
（ｉ）いくつかの実施形態では、概説で上述のように、組織の温度の推定は、振幅又はアブレーション電流の電力などのアブレーション電流のパラメータに基づき、代替的又は追加的に、流量に基づいている。（アブレーション電流の電力は、「アブレーション電力」と称されてもよい。）かような実施形態では、αは、アブレーション電流のパラメータ（例えば、アブレーション電流の振幅ＩＣ）に依存し、代替的又は追加的に、流量に依存する。したがって、アブレーション電流のパラメータにおけるαの依存性を学習するように方法６２を適合することができる。例えば、いくつかの実施形態では、概説で上述のように、流量は、ＩＣの確定的な関数であるので、αは、ＩＣだけの関数である。かような実施形態では、様々な対応する値ＩＣにおける複数の実験アブレーションを実施することができ、その後、ＩＣに対する量（ＴＳ−Ｔ＿０）／（ＴＩ−Ｔ＿０）を回帰させることによってαを学習することができる。これにより、ＩＣの関数としてαを表す等式を産み出すことができる。
【００６０】
（ｉｉ）いくつかの実施形態では、概説で上述のように、表面に１つ又は２つ以上の表面温度センサが装備されたアブレーション電極４６（図１）を含む「テストプローブ」が製造される。ＩＣ及び／又は流量などの１つ又は２つ以上のパラメータが変化する間、このプローブを使用して、複数の実験アブレーションを実施することができる。これらの実験アブレーションのそれぞれの間、表面温度センサによって測定された表面温度ＴＳと、アブレーション電極内の内部温度センサによって測定された内部温度ＴＩの両方を記録することができる。上述のように、その後、ＴＳ及びＴＩの値からαを学習することができる。
【００６１】
なお、表面温度センサは、必ずしも露出している必要はない。例えば、アブレーション電極の遠位面の薄層が、これらのセンサを覆っていてもよい。（かかる覆われたセンサによって検知される温度が、実際上、アブレーション電極の遠位面における温度である場合、かかるセンサは、本明細書において、なお「表面」センサと称される。）
【００６２】
（ｉｉｉ）いくつかの実施形態では、正規化用温度Ｔ＿０に対して調整が行われる。この調整は、表面温度が検知された温度と同じである間、上述の定常状態は、アブレーションの開始前に必ずしも至らないという事実を説明している。調整された正規化用温度は、ベースライン温度Ｔ０と称されてもよい。
【００６３】
いくつかの実施形態では、例えば、補正係数βをＴ＿０から減じることによってＴ０は算出され、すなわち、Ｔ０は、Ｔ＿０−βとして算定され、βは、アブレーション電流の駆動前に温度センサによって検知された温度の安定性に依存している。例えば、βは、差分Ｄ＝Ｍ２−Ｍ１に依存してもよい（式中、Ｍ２は、アブレーションの開始前の最後のＫ温度読み取り値の平均であり、Ｍ１は、アブレーションの開始前の最後のＬ温度読み取り値の平均であり、Ｌ＜Ｋである。（例えば、Ｋは、３０〜４０、Ｌは、５〜１５であってもよい）。Ｄの低値は、定常状態に至ったことを示すので、Ｄが特定の閾値を下回る場合、βは、０の値が割り当てられる。そうでない場合、βは０より大きい値が割り当てられる。例えば、βは、０から特定の上限値まで、Ｄの関数として線形に増加してもよい。
【００６４】
有利には、実施形態（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）のうち任意の１つを、これらの実施形態のうち任意の他の１つと組み合わせてもよい。例えば、以下は、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の全てを組み合わせる実施形態の説明である。
【００６５】
上述のように、最初に、テストプローブは、製造される。このプローブは、表面に１つ又は２つ以上の表面温度センサを装備しているアブレーション電極を有する。例えば、１つ又は２つ以上の（例えば、３つの）孔がアブレーション電極に穿孔されてもよく、表面温度センサがこれらの孔のそれぞれに配置されてもよい。表面温度センサ以外について、このプローブは、典型的には、カテーテル２２と同様又は同一である。例えば、図１に関連して上述したように、テストプローブは、典型的には、アブレーション電極内に１つ又は２つ以上の内部温度センサ４８を有する。
【００６６】
次に、テストプローブを使用して、様々な対応するアブレーション電流の振幅により、組織（典型的には、エクスビボ組織）の複数の実験アブレーションが実施される。アブレーションのそれぞれの間、内部温度センサは、アブレーション電極内の内部温度ＴＩを検知し、一方、表面温度センサは、アブレーション電極の表面（電極−組織間の接点）における表面温度ＴＳを検知する。次に、検知された内部温度と方程式ＴＳ＝Ｔ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）で表すことができる検知された表面温度との間の関係が学習される。（上述のように、ＴＳは、検知された表面温度であり、ＴＩは、検知された内部温度であり、Ｔ０は、ベースライン温度であり、αは、係数である。）
【００６７】
実際上、その関係は、関連するパラメータにおけるαの依存性を学習することによって学習される。例えば、αがアブレーション電流の振幅ＩＣのみの関数であると仮定すると、その関係は、ＩＣにおけるαの依存性を学習することによって学習することができる。典型的には、この依存性は、ＩＣにおける数量（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を回帰させることによって、プロセッサ５２により学習され、その数量は、上述のように、実験アブレーション間で変化する。典型的には、回帰は、二次回帰であり、αは、ＩＣ２の関数であることが学習される。
【００６８】
例えば、以下の表は、１組の実験アブレーションから取得されたデータを示す。
【００６９】
【表１】
2018099517.tif 000003
【００７０】
これらのデータに関して二次回帰を実施すると、等式α＝（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）＝０．９８３８ＩＣ２＋１．２２７７が得られる。
【００７１】
２つ以上の内部温度センサがある場合、ＴＩ−Ｔ０は、値のセットの関数｛ＴＩｉ−Ｔ０ｉ｝として算出することができる（式中、ＴＩｉは、ｉ番目の内部温度センサによって測定された温度であり、Ｔ０ｉは、対応するベースライン温度である）。例えば、ＴＩ−Ｔ０は、｛ＴＩｉ−Ｔ０ｉ｝の平均値又は最大値として算出することができる。同様に、複数の表面の温度センサの場合、ＴＳ−Ｔ０は、値のセット｛ＴＳｉ−Ｔ０ｉ｝の平均値又は最大値として算出することができる。
【００７２】
組織温度の推定
再び、図１を参照し、本発明のいくつかの実施形態による、組織の温度を推定するための方法４９のフロー図である図３Ｂを更に参照する。方法６２は、典型的には（ただし、必ずしもそうとは限らないが）、エクスビボかつ「オフライン」で実施されるのに対し、方法４９は、実際のアブレーション処置中に、インビボで実施される。方法４９は、組織温度を推定するために方法６２から学習した情報を使用する。
【００７３】
方法４９は初期検知工程７０から開始し、この工程においてＴ＿０が検知される。（典型的には、Ｔ＿０として、センサのうちのいくつかの平均値が使用される。）いくつかの実施形態では、ベースライン算出工程７１において、ベースライン温度Ｔ０は、例えば、上述のように、補正係数βをＴ＿０から減じることによってＴ＿０から算出される。続いて、アブレーション開始工程７４において、施術医がアブレーションの施術を開始する。
【００７４】
図１に示すように、上述のとおり、システム２０は典型的には、電気的インターフェース５０（例えば、コネクタ、ポート又はドングル）を備え、インターフェース５０は、カテーテル２２の近位端をプロセッサ５２に接続する。カテーテルの遠位端から（例えば、カテーテルを通って延びる１つ又は２つ以上のワイヤを介して）受信した信号は、インターフェース５０を介してプロセッサに渡され、一方、プロセッサからの信号は、インターフェース５０を介してカテーテルの遠位端に渡される。このようにして、受信工程５１において、プロセッサ５２は、アブレーション処置中にセンサ４８によって検知されたそれぞれの温度を、インターフェース５０を介して受信することができる。その後、プロセッサは、これらの温度を、センサの一部又は全てにわたって平均化することができ、又は代わりに温度の最大値を算定することができる。この平均値又は最大値は、後述するように、組織温度を推定するためのＴＩ値として使用される。
【００７５】
いくつかの実施形態では、インターフェース５０は、平均化又は最大値の算定を実行し、続いて、受信工程５１において、検知された温度の全てをプロセッサに必ずしも伝達することなく、平均値又は最大値をプロセッサに伝達する。
【００７６】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、受信工程５１において、例えば、ポンプ３８から流体流量を直接受信することにより、灌注液の流量を更に受信する。代替的に又は追加的には、プロセッサは、受信工程５１において、ＲＦエネルギー発生器３４から出力されるアブレーション電流の振幅及び／又は電力などのパラメータを受信してもよい。（このパラメータは、インターフェース５０から受信してもよい。）他の実施形態では、後述するように、プロセッサがポンプ及び／又はＲＦ発生器を制御し、その結果、プロセッサは、受信工程５１を実施しなくても、流体流量及び／又はアブレーション電流パラメータを概ね「知っている」。
【００７７】
続いて、係数選択工程７６において、プロセッサは、流量及び／又はアブレーション電流パラメータに応じて、適切な係数αを選択する（すなわち、ルックアップテーブルから算定又は選択する）。次に、推定工程５３において、プロセッサは、少なくとも検知された温度ＴＩと、灌注液の流体流量及び／又はアブレーション電流のパラメータの関数である選択された係数αと、に基づいて、電極４６の近傍にある（例えば、電極の表面における、すなわち、組織−電極間の接点における）組織の温度を推定する。例えば、プロセッサは、等式ＴＳ’＝α（ＴＩ−Ｔ０）＋Ｔ０を適用することによって、組織の推定された温度ＴＳ’を算定することができる。つまり、プロセッサは、ＴＩ−Ｔ０に、選択されたαを乗じてもよく、次に、Ｔ０を加えて、推定温度を得ることができる。（灌注液からの有意な冷却効果によりＴＩがＴ０未満である場合などＴＳ’がＴＩ未満の場合、プロセッサは典型的には、推定された温度としてＴＩを返す。）
【００７８】
いくつかの実施形態では、モデルは、実験で得られたαの値に当てはめられる。このような実施形態では、温度推定のために、実験で得られた係数から内挿される係数αを選択することができる。例えば、図２に示されている値に対し、線形内挿を使用すると、流量１０ｍＬ／分に対して選択されるαは、およそ１．７であると考えられる。あるいは、αを選択するために、外挿が使用されてよい。更に他の実施形態では、上述のように、方法６２は、αに関する閉形式の式（例えば、形式α＝ａ＊ＩＣ２＋ｂ）を生成し、関連する（複数の）パラメータ（ＩＣなど）を閉形式の式に代入することによりすぐにαを算定することができる。
【００７９】
いくつかの実施形態では、プロセッサは、温度センサの複数のサブセットに対して対応する推定を実行し、次に、対応する推定値を平均化して、「組み合わせられた」推定値を得る。例えば、図１を参照すると、プロセッサは、３つの遠位センサに対して第１の推定を実施し、３つの近位センサに対して第２の推定を実施し、次いで、その２つの別個の推定値を平均化することによって組み合わせられた推定値を算定することができる。
【００８０】
続いて、出力生成工程５５において、プロセッサは、推定された温度（例えば、組み合わせられた推定値）に応じて、推定された温度を示す視覚出力５７などの出力を生成する。（例えば、タッチスクリーンを含むユーザインターフェース５６上に視覚出力５７を示すことができる。）出力に応じて、施術医２８は、ＲＦエネルギー発生器３４によって供給されるアブレーション電流の電力を、例えば、アブレーション電流を停止することによって、又は他の手段で電流の電力を減少させることによって調整することができる。代替的に又は追加的には、施術医は、出力に応じて、ポンプ３８によって供給される灌注液の流量を変更することができ、又は電極が組織に押し付けられる接触力を変更することができる。
【００８１】
いくつかの実施形態では、施術医は、プロセッサ５２を介してＲＦエネルギー発生器３４及び／又はポンプ３８を制御する。このような実施形態では、施術医は、典型的には、ユーザインターフェース５６を使用することによってなどによりプロセッサに入力を行う。入力に応じて、プロセッサは、ＲＦエネルギー発生器及び／又はポンプを制御する制御信号５９を生成する。他の実施形態では、プロセッサ５２は、ＲＦエネルギー発生器及び／又はポンプを自動的に制御する。すなわち、出力生成工程５５で生成される出力に制御信号５９が含まれる。
【００８２】
典型的には、方法４９は、アブレーション処置中に繰り返し実行される。すなわち、患者２６が処置中に継続的にモニタされるように、工程５１、７６、５３及び５５は、順に繰り返し実行される。
【００８３】
当業者であれば、本発明が本明細書において上述した具体的に図示及び記載されたものに限定されない点を理解するであろう。むしろ、本発明の範囲は、本明細書において上述した様々な特徴の組み合わせ及び部分的組み合わせ、並びに上述の説明を読むことで当業者が想到するであろう、従来技術にはない特徴の変形例及び修正例を含む。参照により本特許出願に援用される文献は、これらの援用文献において、いずれかの用語が本明細書において明示的又は暗示的になされた定義と矛盾して定義されている場合には、本明細書における定義のみを考慮するものとする点を除き、本出願の一部とみなすものとする。
【００８４】
〔実施の態様〕
（１）  電気的インターフェースと、
プロセッサであって、
前記電気的インターフェースを介して、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、
前記検知された温度と、前記体内プローブの前記遠位端におけるアブレーション電極によって被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、前記組織の温度を推定することと、
前記推定された温度に応じて出力を生成することと、を行うように構成された、プロセッサと、を備える、装置。
（２）  前記パラメータは、前記アブレーション電流の電力を含む、実施態様１に記載の装置。
（３）  前記パラメータは、前記アブレーション電流の振幅を含む、実施態様１に記載の装置。
（４）  前記プロセッサは、
前記パラメータに応じて係数を選択することと、
前記検知された温度に基づく値に前記係数を乗じることと、によって、前記組織の前記温度を推定するように構成されている、実施態様１に記載の装置。
（５）  前記プロセッサは、前記組織の前記温度をＴ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として推定するように構成され、ＴＩは、前記検知された温度であり、αは、前記係数であり、Ｔ０は、前記アブレーション電流の駆動前に前記温度センサによって検知された温度Ｔ＿０に基づく数量である、実施態様４に記載の装置。
【００８５】
（６）  前記プロセッサは、Ｔ０をＴ＿０−βとして算定するように更に構成され、βは、前記アブレーション電流の駆動前に前記温度センサによって検知された温度の安定性に依存する補正係数である、実施態様５に記載の装置。
（７）  前記プロセッサは、前記係数を算定することによって前記係数を選択するように構成されている、実施態様４に記載の装置。
（８）  前記プロセッサは、前記パラメータを前記係数に関する閉形式の式に代入することによって前記係数を算定するように構成されている、実施態様７に記載の装置。
（９）  プロセッサが、体内プローブの遠位端における温度センサによって検知された温度を受信することと、
前記プロセッサが、前記検知された温度と、前記体内プローブの前記遠位端におけるアブレーション電極により被験者の組織内に駆動されたアブレーション電流のパラメータと、に基づいて、前記組織の温度を推定することと、
前記推定された温度に応じて出力を生成することと、を含む、方法。
（１０）  前記パラメータは、前記アブレーション電流の電力を含む、実施態様９に記載の方法。
【００８６】
（１１）  前記パラメータは、前記アブレーション電流の振幅を含む、実施態様９に記載の方法。
（１２）  前記組織の前記温度を推定することは、
前記パラメータに応じて係数を選択することと、
前記検知された温度に基づく値に前記係数を乗じることによって、前記組織の前記温度を推定することと、を含む、実施態様９に記載の方法。
（１３）  前記組織の前記温度を推定することは、前記組織の前記温度をＴ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）として推定することを含み、ＴＩは、前記検知された温度であり、αは、前記係数であり、Ｔ０は、前記アブレーション電流の前記駆動前に前記温度センサによって検知された温度Ｔ＿０に基づく数量である、実施態様１２に記載の方法。
（１４）  Ｔ０をＴ＿０−βとして算定することを更に含み、βは、前記アブレーション電流の前記駆動前に前記温度センサによって検知された温度の安定性に依存する補正係数である、実施態様１３に記載の方法。
（１５）  前記係数を選択することは、前記係数を算定することによって前記係数を選択することを含む、実施態様１２に記載の方法。
【００８７】
（１６）  前記係数を算定することは、前記パラメータを前記係数に関する閉形式の式に代入することによって前記係数を算定することを含む、実施態様１５に記載の方法。
（１７）  アブレーション電極と、前記アブレーション電極の内部の少なくとも１つの内部温度センサと、前記アブレーション電極の表面における少なくとも１つの表面温度センサと、を含むプローブを使用して、アブレーション電流の様々な対応する振幅によって組織の複数のアブレーションを行うことと、
前記アブレーションのそれぞれの間、前記内部温度センサを使用して、内部温度を検知し、前記表面温度センサを使用して、表面温度を検知することと、
プロセッサを使用して、前記検知された内部温度と前記検知された表面温度との間の関係を学習することと、を含む、方法。
（１８）  前記関係は、等式ＴＳ＝Ｔ０＋α（ＴＩ−Ｔ０）で表され、αは、係数であり、ＴＳは、前記検知された表面温度であり、ＴＩは、前記検知された内部温度であり、Ｔ０は、ベースライン温度であり、
前記関係を学習することは、前記アブレーション電流の前記振幅におけるαの依存性を学習することによって前記関係を学習することを含む、実施態様１７に記載の方法。
（１９）  前記アブレーション電流の前記振幅におけるαの前記依存性を学習することは、前記アブレーション電流の前記振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を回帰させることによって前記依存性を学習することを含む、実施態様１８に記載の方法。
（２０）  前記アブレーション電流の前記振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を回帰させることは、前記アブレーション電流の前記振幅における（ＴＳ−Ｔ０）／（ＴＩ−Ｔ０）を二次回帰させることを含む、実施態様１９に記載の方法。
【図１】
2018099517.tif 000004
【図２】
2018099517.tif 000005
【図３Ａ】
2018099517.tif 000006
【図３Ｂ】
2018099517.tif 000007
【外国語明細書】
2018099517000001.pdf