(57)【要約】【課題】実装先の回路基板が備える導体の影響を受け難く、且つ基材層の層数および素子厚みの増大を抑制したアンテナ素子を得る。【解決手段】アンテナ素子１０１Ａは、絶縁体セラミックの基材１と、基材１の第１面Ｓ１に形成された平面状の端子電極２１，２２と、基材１に形成され、端子電極２１，２２に接続されたコイル導体と、基材１の表面に形成され、端子電極２１，２２の外縁部を覆う絶縁セラミック膜３１，３２と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体セラミックの基材と、
前記基材の第１面に形成された平面状の複数の端子電極と、
前記基材に形成され、前記複数の端子電極のうち少なくとも２つの端子電極に接続された、コイルアンテナを構成するコイル導体と、
前記基材の表面に形成され、前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の外縁部の少なくとも一部を覆う絶縁セラミック膜と、
を備えることを特徴とする、アンテナ素子。
【請求項２】
前記絶縁セラミック膜は、前記複数の端子電極のうち互いに隣接する端子電極同士の間隔が最短距離となる部分において、前記隣接する端子電極の外縁部を覆う、請求項１に記載のアンテナ素子。
【請求項３】
前記絶縁セラミック膜は前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の外縁部の全部を覆う、請求項１に記載のアンテナ素子。
【請求項４】
前記基材は前記第１面に垂直な端面を有し、
前記コイル導体の一部は前記端面の表面に露出し、
前記絶縁セラミック膜は前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の前記端面に近接する外縁部の少なくとも一部を覆う、請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項５】
前記複数の端子電極の総面積は前記第１面の面積の２５％以上である、請求項１から４のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項６】
前記複数の端子電極同士の最短距離は１．５ｍｍ以下である、請求項１から５のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項７】
前記複数の端子電極は、前記第１面の平面視で、前記コイル導体に重なる部分を有する、請求項１から６のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項８】
前記端子電極は３つ以上あり、前記複数の端子電極のうち、少なくとも１つの端子電極は前記コイル導体と導通しない、請求項１から７のいずれかに記載のアンテナ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイルアンテナを含むアンテナ素子に関し、特に、回路基板等に実装されるチップ状のアンテナ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の基材層が積層された積層体にコイル導体が設けられた、チップ状のアンテナ素子は特許文献１に示されている。また、この特許文献１には、コイル巻回軸が実装面に対して平行であり、実装面に対して平行な導電層をコイル巻回領域の外側に備えた、アンテナ素子が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０９４６６７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、グランド導体パターンのような、面状に拡がる導体を備える回路基板にアンテナ素子を実装すると、回路基板が備える導体の影響を受けて、アンテナ素子のインダクタンス等の電気的特性が変化する。
【０００５】
特許文献１に示されているような、導電層を備えるアンテナ素子であれば、その導電層がアンテナ素子のコイル導体と回路基板の導体との間に位置するようにアンテナ素子を実装すれば、上記電気的特性の変化を軽減できる。
【０００６】
しかし、上記導電層を備えるアンテナ素子においては、導電層形成用の基材層が必要であり、積層数が増え、厚み寸法も大きくなってしまう。
【０００７】
本発明の目的は、実装先の回路基板が備える導体の影響を受け難く、且つ基材層の層数および素子厚みの増大を抑制したアンテナ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明のアンテナ素子は、
絶縁体セラミックの基材と、
前記基材の第１面に形成された平面状の複数の端子電極と、
前記基材に形成され、前記複数の端子電極のうち少なくとも２つの端子電極に接続された、コイルアンテナを構成するコイル導体と、
前記基材の表面に形成され、前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の外縁部の少なくとも一部を覆う絶縁セラミック膜と、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
上記コイル導体は、その全部が前記基材の内部に形成されていてもよく、一部が前記基材の表面に形成され、残りが基材の内部に形成されていてもよい。
【００１０】
アンテナ素子の端子電極は、アンテナ素子のコイル導体と回路基板の導体との間に位置するので、その端子電極の面積を大きくすることで、この端子電極によるシールド効果が高まり、上記電気的特性の変化を軽減できる。但し、端子電極は複数あって、端子電極同士の間隔が狭くなるので、アンテナ素子の実装時に端子電極間がはんだで短絡（ブリッジ）されてしまうおそれが生じる。
【００１１】
本発明の上記構成によれば、端子電極の面積を大きくした場合でも、複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の外縁部の少なくとも一部が絶縁セラミック膜で覆われているので、上記短絡が抑制される。
【００１２】
（２）前記絶縁セラミック膜は、前記複数の端子電極のうち互いに隣接する端子電極同士の間隔が最短距離となる部分において、前記隣接する端子電極の外縁部を覆うことが好ましい。これにより、最も短絡リスクの高い端子電極同士の間の位置での短絡が抑制され、効果的な短絡抑制がなされる。
【００１３】
（３）（１）において、前記絶縁セラミック膜は前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の外縁部の全部を覆うことが好ましい。これにより、広範囲にわたって短絡リスクが抑制され、効果的な短絡抑制がなされる。
【００１４】
（４）前記基材は前記第１面に垂直な端面を有し、前記コイル導体の一部は前記端面の表面に露出し、前記絶縁セラミック膜は前記複数の端子電極のうち少なくとも１つの端子電極の前記端面に近接する外縁部の少なくとも一部を覆うことが好ましい。これにより、端面に露出するコイル導体と、これに近接する端子電極の露出部の外縁との距離が確保され、効果的な短絡抑制がなされる。特に、コイル導体の一部が基材の端面に露出する構造では端面と第１面との稜部付近に欠けが生じるおそれがあるが、この欠けが生じても、上記短絡抑制がなされる。
【００１５】
（５）前記複数の端子電極の総面積は前記第１面の面積の２５％以上であることが好ましい。これにより、端子電極によるシールド効果を有効に利用できる。
【００１６】
（６）前記複数の端子電極同士の最短距離は１．５ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、端子電極の総面積が大きくなり、端子電極によるシールド効果を有効に利用できる。
【００１７】
（７）前記複数の端子電極は、前記第１面の平面視で、前記コイル導体に重なる部分を有することが好ましい。これにより、端子電極によるシールド効果を利用できる。
【００１８】
（８）前記端子電極は３つ以上あり、前記複数の端子電極のうち、例えば少なくとも１つの端子電極は前記コイル導体と導通しない。これにより、コイル導体に繋がる端子電極と、コイル導体には繋がらない端子電極との間の短絡についても有効に作用する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基材層の層数および素子厚みを増大することなく、実装先の回路基板が備える導体の影響を受け難くいアンテナ素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は第１の実施形態に係るアンテナ素子を回路基板に実装した状態の簡易断面図である。
【図２】図２は第１の実施形態に係るアンテナ素子１０１Ａの斜視図である。
【図３】図３（Ａ）はアンテナ素子１０１Ａの第１面Ｓ１側の平面図である。図３（Ｂ）は、絶縁セラミック膜３１，３２を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【図４】図４は第１の実施形態の別のアンテナ素子１０１Ｂの第１面Ｓ１側の平面図である。
【図５】図５は第２の実施形態に係るアンテナ素子１０２Ａの簡易断面図である。
【図６】図６（Ａ）はアンテナ素子１０２Ａの第１面Ｓ１側の平面図である。図６（Ｂ）は絶縁セラミック膜３１，３２を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【図７】図７は第２の実施形態の別のアンテナ素子１０２Ｂの第１面Ｓ１側の平面図である。
【図８】図８は第３の実施形態のアンテナ素子１０３の斜視図である。
【図９】図９はアンテナ素子１０３の正面図および下面図である。
【図１０】図１０は、図８に示したアンテナ素子１０３のＡ−Ａ部分での断面図である。
【図１１】図１１は第４の実施形態のアンテナ素子１０４の斜視図である。
【図１２】図１２は、アンテナ素子１０４を構成する基材１の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は第４の実施形態のアンテナ素子１０４の第１面Ｓ１側の平面図である。図１３（Ｂ）は、絶縁セラミック膜３１，３２，３３，３４を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２２】
各実施形態に示す「アンテナ素子」は、信号（または電力）の送信（送電）側、受信（受電）側のいずれにも適用できる。この「アンテナ素子」を、磁束を放射するアンテナとして説明する場合でも、そのアンテナ素子が磁束の発生源であることに限るものではない。伝送相手側アンテナ素子が発生した磁束を受ける（鎖交する）場合にも、すなわち送受の関係が逆であっても、同様の作用効果を奏する。
【００２３】
以降の各実施形態に示す「アンテナ素子」は、通信相手側アンテナ素子と磁界結合を用いた近傍界通信のために用いられるアンテナ素子、または電力伝送相手側アンテナ素子と磁界結合を用いた近傍界での電力伝送のために用いられるアンテナ素子である。通信の場合には、例えばＮＦＣ（Near field communication）等の通信システムに適用される。電力伝送の場合には、例えば電磁誘導方式や磁界共鳴方式等の電力伝送システムに適用される。つまり、各実施形態に示す「アンテナ素子」は、少なくとも磁界結合を利用した通信や電力伝送等の無線伝送システムで用いられる。なお、各実施形態に示す「アンテナ素子」は、実質的に伝送相手側アンテナ素子と電磁界結合（磁界結合および電界結合）により無線伝送しているものも含む。
【００２４】
各実施形態に示す「アンテナ素子」は、例えばＨＦ帯、特に13.56MHz、6.78MHzまたはそれらの近傍の周波数帯が利用される。
【００２５】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るアンテナ素子を回路基板に実装した状態の簡易断面図である。図１に表れているように、アンテナ素子１０１Ａは回路基板９０に実装されている。アンテナ素子１０１Ａは、基材１の内部にコイルアンテナを構成するコイル導体１０が設けられている。基材１の第１面Ｓ１は回路基板９０に対面する実装面である。この第１面Ｓ１に端子電極２１，２２が形成されている。上記コイル導体１０の両端は端子電極２１，２２に接続されている。
【００２６】
回路基板９０は、例えばグランド導体パターンのような、広面積の導体部９１を備えている。アンテナ素子１０１Ａの端子電極２１，２２はコイル導体１０と導体部９１との間にあるので、アンテナ素子１０１Ａの電気的特性は導体部９１の影響を受け難い。
【００２７】
図２は本実施形態に係るアンテナ素子１０１Ａの斜視図である。このアンテナ素子１０１Ａは、基材１に扁平矩形ヘリカル状のコイル導体１０が設けられている。このコイル導体１０は、基材１の内部に形成された複数の線状導体１６，１８および複数の層間接続導体１４，１５で構成されている。線状導体１６は基材１の第１面Ｓ１に沿った基材１の内部に形成されている。線状導体１８は基材１の第２面Ｓ２に沿った基材１の内部に形成されている。層間接続導体１４は端面Ｓ３に沿った基材１の内部に形成されている。層間接続導体１５は端面Ｓ４に沿った基材１の内部に形成されている。
【００２８】
端子電極２１，２２は基材１の第１面Ｓ１に露出していて、上記コイル導体１０の両端部にそれぞれ接続されている。
【００２９】
図２に示すとおり、コイル導体１０のコイル軸方向におけるアンテナ素子１０１Ａの長さ寸法をＬ、コイル導体１０のコイル開口の幅方向におけるアンテナ素子１０１Ａの幅寸法をＷ、コイル導体１０のコイル開口の高さ方向におけるアンテナ素子１０１Ａの高さ寸法をＨで表すと、Ｈ＜Ｗ＜Ｌであることが好ましい。
【００３０】
図３（Ａ）は上記アンテナ素子１０１Ａの第１面Ｓ１側の平面図である。図３（Ｂ）は、後述する絶縁セラミック膜３１，３２を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【００３１】
アンテナ素子１０１Ａは、絶縁体セラミックの基材１と、基材１の第１面Ｓ１に形成された平面状の端子電極２１，２２と、基材１の内部または表面に形成され、端子電極２１，２２に接続されたコイル導体１０とを備える。端子電極２１，２２は、第１面Ｓ１の平面視で、コイル導体１０の一部に重なる。
【００３２】
基材１の表面には、端子電極２１，２２の外縁部を覆う矩形枠状の絶縁セラミック膜３１，３２が形成されている。基材１は例えばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等の絶縁体セラミックの積層体である。この積層体は、ＬＴＣＣのグリーンシートを積層し、加熱、加圧して積層体を構成し、この積層体を焼成することによって得る。より具体的には、ＬＴＣＣのグリーンシートにＣｕペーストの印刷により所定の導体パターンを形成し、これらグリーンシートを積層し、加熱、加圧して大判状（集合基板状態の）積層体を構成し、この大判状積層体に絶縁セラミックペーストを印刷形成する。その後、大判状積層体を個片に分割して、焼成する。これにより、基材１、コイル導体１０および絶縁セラミック膜３１，３２が形成される。
【００３３】
本実施形態のアンテナ素子１０１Ａも、図３（Ｂ）に示す比較例のアンテナ素子も、第１端子電極２１と第２端子電極２２との間隔Ｇ０は等しい。本実施形態のアンテナ素子１０１Ａにおいては、端子電極２１，２２の外縁部が絶縁セラミック膜３１，３２で覆われているので、端子電極２１，２２の露出部の間隔はＧ１である。Ｇ１＞Ｇ０であるので、端子電極２１，２２間のはんだによる短絡リスクが低減される。すなわち、絶縁セラミック膜３１，３２は高抵抗且つはんだ濡れ性が低いので、実装性の観点では端子電極間距離はＧ１となって、はんだによる短絡が抑制できる。また、上述のとおり、アンテナ素子１０１Ａは、長さ寸法Ｌ、幅寸法Ｗ、高さ寸法Ｈの関係が、Ｈ＜Ｗ＜Ｌである。このことにより、アンテナ素子１０１ＡのＬ方向（コイル軸方向）が曲がる反りが発生しやすくなる。しかし、端子電極２１，２２と基材１との境界が絶縁セラミック膜３１，３２で覆われることで、機械的強度が向上する。このことにより、アンテナ素子１０１ＡのＬ方向に曲がる反りが抑制される。
【００３４】
図４は本実施形態の別のアンテナ素子１０１Ｂの第１面Ｓ１側の平面図である。図３（Ａ）に示したアンテナ素子１０１Ａとは、絶縁セラミック膜３１，３２の形成範囲が異なる。図３（Ａ）に示した例では、絶縁セラミック膜３１，３２が端子電極２１，２２の外縁部の全部を覆っているが、図４に示す例では、絶縁セラミック膜３１，３２は端子電極２１，２２の一部を覆っている。特に、絶縁セラミック膜３１，３２は端子電極２１，２２の互いの隣接位置に形成されている。
【００３５】
このように、端子電極２１，２２の互いの隣接位置の外縁にのみ絶縁セラミック膜３１，３２が覆っていても、はんだによる短絡が抑制できる。
【００３６】
なお、端子電極２１，２２の総面積は第１面Ｓ１の面積の２５％以上であることが好ましい。より好ましくは５０％以上であることが好ましい。これにより、端子電極による高いシールド作用を利用できる。また、隣接する端子電極の間隔は１．５ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、端子電極によるシールド効果が高まる。このような狭間隔では、はんだによる短絡のリスクが高いが、上記絶縁セラミック膜の形成により、端子電極２１，２２間の実質的な間隔が拡がり、はんだによる短絡リスクは抑えられる。
【００３７】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、コイル導体と導通しない端子電極を備えるアンテナ素子について示す。
【００３８】
図５は本実施形態に係るアンテナ素子１０２Ａの簡易断面図である。図５に表れているように、アンテナ素子１０２Ａは、基材１の内部にコイル導体１０が設けられている。基材１の第１面Ｓ１は実装先の回路基板に対面する実装面である。この第１面Ｓ１に端子電極２１，２２，２５が形成されている。上記コイル導体１０の両端は端子電極２１，２２に接続されている。
【００３９】
図６（Ａ）は上記アンテナ素子１０２Ａの第１面Ｓ１側の平面図である。図６（Ｂ）は絶縁セラミック膜３１，３２を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【００４０】
アンテナ素子１０１Ａは、絶縁体セラミックの基材１と、基材１の第１面Ｓ１に形成された平面状の端子電極２１，２２，２５と、基材１の内部または表面に形成され、端子電極２１，２２に接続されたコイル導体１０とを備える。端子電極２１，２２，２５は、第１面Ｓ１の平面視で、コイル導体１０の一部に重なる。
【００４１】
基材１の表面には、端子電極２１，２２，２５の外縁部を覆う絶縁セラミック膜３１，３２，３５が形成されている。
【００４２】
図７は本実施形態の別のアンテナ素子１０２Ｂの第１面Ｓ１側の平面図である。図６（Ａ）に示したアンテナ素子１０２Ａとは、絶縁セラミック膜の形成範囲が異なる。図６（Ａ）に示した例では、絶縁セラミック膜３１，３２，３５が端子電極２１，２２，２５の外縁部の全部を覆っているが、図７に示す例では、端子電極２１，２２，２５の外縁の一部にのみ絶縁セラミック膜が覆われている。この例では、端子電極２５に隣接する端子電極２１の外縁に絶縁セラミック膜３１が覆われていて、端子電極２５に隣接する端子電極２２の外縁に絶縁セラミック膜３２が覆われている。また、端子電極２１，２２に隣接する端子電極２５のそれぞれの外縁に絶縁セラミック膜３５Ａ，３５Ｂが覆われている。
【００４３】
このように、端子電極２１，２２の互いの隣接位置の外縁にのみ絶縁セラミック膜３１，３２が覆っていても、はんだによる短絡が抑制できる。
【００４４】
本実施形態によれば、端子電極２１，２２，２５の総面積または、基材１の第１面Ｓ１の面積に対する端子電極２１，２２，２５の総面積割合が大きくでき、端子電極２１，２２，２５によるシールド効果が高められる。この複数の端子電極２１，２２，２５の総面積は第１面Ｓ１の面積の２５％以上であることが好ましく、５０％以上であることが更に好ましい。これにより、複数の端子電極によるシールド効果を利用できる。
【００４５】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、基材の第１面に垂直な端面にコイル導体の一部が露出するアンテナ素子について示す。
【００４６】
図８は本実施形態のアンテナ素子１０３の斜視図である。図９はアンテナ素子１０３の正面図および下面図である。このアンテナ素子１０３は、基材１に扁平矩形ヘリカル状のコイル導体が設けられている。基材１の第１面Ｓ１に対して垂直な端面Ｓ３，Ｓ４にコイル導体の一部である端面導体１０Ｅが露出している。基材１の第１面Ｓ１は回路基板に対面する実装面であり、この第１面Ｓ１に端子電極２１，２２が形成されている。上記コイル導体の両端は端子電極２１，２２に接続されている。端子電極２１，２２は、第１面Ｓ１の平面視で、コイル導体の一部に重なる。端子電極２１，２２の外縁部には絶縁セラミック膜３１，３２が覆われている。
【００４７】
図１０は、図８に示したアンテナ素子１０３のＡ−Ａ部分での断面図である。コイル導体の一部が基材１の端面に露出している構造であると、導体パターンと基材層との界面ＩＦが端面に露出しているので、この部分で欠けＣＨが生じるおそれがある。このような欠けＣＨが生じると、基材１の第１面Ｓ１から視て、端面導体１０Ｅが露出する。そのため、絶縁セラミック膜３２が無い場合、端面導体１０Ｅと端子電極２２の外縁との間隔が短縮化されてしまう。図１０において間隔Ｄ０は、その場合の間隔である。
【００４８】
本実施形態では、端子電極２２の外縁が絶縁セラミック膜３２で覆われているので、欠けＣＨが生じても、端面の導体１０Ｅと端子電極２２との実質的な間隔Ｄ１が確保される。また、絶縁セラミック膜３２の存在により、絶縁セラミック膜３２に覆われる部分の機械的強度が向上するため、基材１に欠けＣＨが生じても、その欠けの大きさを制限することができる。
【００４９】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、４つの端子電極を備えるアンテナ素子について示す。
【００５０】
図１１は本実施形態のアンテナ素子１０４の斜視図である。図１２は、アンテナ素子１０４を構成する基材１の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。
【００５１】
アンテナ素子１０４は、約１ターンの補助コイル導体と、扁平矩形ヘリカル状のコイル導体とが、直方体状の基材１に形成された素子である。
【００５２】
図１２中の（１）に示す基材層１ａの下面には、端子電極２１，２２，２３，２４が形成されている。端子電極２１，２２，２３，２４は、第１面Ｓ１（図１１参照）の平面視で、コイル導体１０の一部に重なる。
【００５３】
図１２中の（２）に示す基材層１ｂの下面には、導体２１Ｂ，２２Ｂおよび線状導体１１，１１が形成されている。導体２１Ｂ，２２Ｂと端子電極２１，２２とは、それぞれ層間接続導体を介して接続される。線状導体１１，１１は端子電極２３，２４に層間接続導体を介してそれぞれ接続される。
【００５４】
図１２中の（３）に示す基材層１ｃの下面には、複数の線状導体１６Ａが形成されている。図１２中の（４）に示す基材層１ｄの下面には、複数の線状導体１６Ｂが形成されている。複数の線状導体１６Ａと複数の線状導体１６Ｂとは層間接続導体を介してそれぞれ並列接続される。
【００５５】
図１２中の（５）〜（１５）に示す基材層１ｅ〜１ｏには、複数の端面導体１７が形成されている。
【００５６】
図１２中の（１６）に示す基材層１ｐの下面には、複数の線状導体１８Ｂおよび１つの線状導体１３Ｂが形成されている。図１２中の（１７）に示す基材層１ｑの下面には、複数の線状導体１８Ａおよび１つの線状導体１３Ａが形成されている。複数の線状導体１８Ａと複数の線状導体１８Ｂとは層間接続導体を介してそれぞれ並列接続される。また、線状導体１３Ａと線状導体１３Ｂとは層間接続導体を介して並列接続される。
【００５７】
複数の線状導体１６Ｂは端面導体１７を介して複数の線状導体１８Ｂに順次直列に接続される。
【００５８】
上記線状導体１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１８Ｂおよび端面導体１７によって約１２ターンの矩形ヘリカル状のコイルが形成される。
【００５９】
また、線状導体１１，１１，１３Ａ，１３Ｂおよび端面導体１２等によって、約１ターンの矩形ループ状のコイルが形成される。
【００６０】
図１３（Ａ）は本実施形態のアンテナ素子１０４の第１面Ｓ１側の平面図である。図１３（Ｂ）は、後述する絶縁セラミック膜３１，３２，３３，３４を有しない、比較例のアンテナ素子の平面図である。
【００６１】
基材１の第１面Ｓ１には、端子電極２１，２２の外縁部を覆う絶縁セラミック膜３１，３２、端子電極２３，２４の外縁部を覆う絶縁セラミック膜３３，３４がそれぞれ形成されている。
【００６２】
本実施形態のように、４つまたは４つ以上の端子電極を備えるアンテナ素子についても絶縁セラミック膜が各端子電極の外縁を覆うように形成すれば、はんだによる短絡が抑制できる。
【００６３】
なお、隣接する端子電極の間に連続する絶縁セラミック膜を形成してもよい。例えば、端子電極２３と端子電極２４との間に連続する絶縁セラミック膜を形成してもよい。
【００６４】
また、以上に示した各実施形態では、コイル巻回軸が第１面Ｓ１（実装面）に平行な例を示したが、これに限られるものではなく、コイル巻回軸は実装面に直交していてもよく、実装面に対して斜めになっていてもよい。
【００６５】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
ＣＨ…欠け
ＩＦ…界面
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｓ３，Ｓ４…端面
１…基材
１ａ〜１ｑ…基材層
１０…コイル導体
１０Ｅ…端面導体
１１，１３Ａ，１３Ｂ，１６，１６Ａ，１６Ｂ，１８，１８Ａ，１８Ｂ…線状導体
１２，１７…端面導体
１４，１５…層間接続導体
２１，２２，２３，２４，２５…端子電極
２１Ｂ，２２Ｂ…導体
３１〜３５…絶縁セラミック膜
３５Ａ，３５Ｂ…絶縁セラミック膜
９０…回路基板
９１…導体部
１０１Ａ，１０１Ｂ，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０３，１０４…アンテナ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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