(57)【要約】【課題】ブレード逃げ溝及び吸引部を備えるテーブルで保持された基板をブレードで分割する場合に、分割後の基板裏面に汚れが付着していないようにする。【解決手段】分割予定ラインＳで区画された各領域にデバイスＤが形成された基板Ｗを、上面にデバイスＤを吸引保持する吸引部３００ｃが複数形成された吸引領域３００ｆを有する本体３００と、吸引部３００ｃに吸引力を伝達する吸引経路３０４と、分割予定ラインＳに対応し吸引領域３００ｆに形成されたブレード逃げ溝３００ｅと、を備えるテーブル３０と、基板Ｗを切削するブレード６３と、基板Ｗとブレード６３とに切削液を供給するノズル１７と、を備える切削装置１を用いて基板ＷをデバイスＤに分割する方法であって、基板裏面Ｗｂに紫外線を照射して親水性を高めるステップと、基板裏面Ｗｂをテーブル３０で保持するステップと、分割予定ラインＳに沿って基板Ｗを分割するステップと、を実施する基板分割方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された基板を、
上面に基板の各デバイスを吸引保持する吸引部が複数形成された吸引領域を有する本体と、該本体の内部に形成され該吸引部に吸引力を伝達する吸引経路と、該複数の分割予定ラインに対応して該吸引領域に形成された切削ブレードの逃げ溝と、を備える保持テーブルと、
基板を切削する切削ブレードと、
基板と該切削ブレードとに切削液を供給する切削液供給ノズルと、を少なくとも備える切削装置を用いて個々のデバイスに分割する基板の分割方法であって、
基板の裏面に紫外線を照射して親水性を高める紫外線照射ステップと、
基板の裏面側を該保持テーブルによって保持する保持ステップと、
該分割予定ラインに沿って基板を分割する分割ステップと、を実施する基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された基板を個々のデバイスに分割する基板の分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ基板等の基板は、例えば、その表面が格子状に配列された分割予定ラインで複数の領域に区画されており、この格子状に区画された各領域には各種デバイスがそれぞれ形成されている。これらの基板を回転する切削ブレードで切削する切削装置においては、保持テーブル上に保持された基板を分割予定ラインに沿って縦横に切削することで、矩形のデバイスチップを作製している。
【０００３】
基板を切削装置上に保持する際には、その基板に合わせて専用に設計された治具タイプの保持テーブル（例えば、特許文献１参照）を用いて基板を吸引保持する場合がある。そして、治具タイプの保持テーブルには、例えば、切削ブレードを基板の厚み以上の切り込み位置まで切り込ませられるように、その表面には平面上の縦横方向に延在し互いがそれぞれ直交する複数の切削ブレード逃げ溝が形成されるとともに、切断により作製されたチップを個々に吸引保持するための複数の吸引部が形成されている。切削ブレード逃げ溝は基板の分割予定ラインに対応しており、吸引部は保持テーブル本体内部を通る吸引経路に連通しており、吸引経路は吸引力を生み出す吸引源に連通している。このような治具タイプの保持テーブルを用いて基板を吸引保持することで、分割後のチップに個々に対応する領域で基板を吸引・保持しながら切削を行うことができるため、切削加工中にチップの位置がずれることなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のようなブレード逃げ溝及び吸引部を備える治具タイプの保持テーブルで基板を保持して基板の切断を行った場合、保持面が微細な空孔を備えるポーラス部材等で構成される保持テーブルを用いた場合に比べて、基板の裏面側の切削ブレードが切り抜けた周囲には切削水が回り込みやすく、基板の裏面側の切削ブレードが切り抜けた周囲に切削水が水滴状になって留まってしまうことで、基板の裏面に切削屑等やウォーターマーク等の汚れが残留しやすいという問題がある。この残留した汚れを洗浄するために、切削装置が洗浄機構を備えている場合には、この洗浄機構により分割されたチップを時間を掛けてまとめて洗浄し、切削装置が洗浄機構を備えていない場合には、別途の洗浄装置に分割されたチップを搬送して時間を掛けて洗浄する必要が生じており、いずれにしても、基板の分割により作製されたチップの洗浄に時間を多くとられるという問題があった。
【０００６】
そのため、ブレード逃げ溝及び吸引部を備える保持テーブルにより基板を保持して、切削ブレードにより基板をデバイスチップへと分割する場合においては、切削加工後の基板の裏面に切削屑やウォーターマーク等の汚れが付着していない又は形成されていないようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明は、交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された基板を、上面に基板の各デバイスを吸引保持する吸引部が複数形成された吸引領域を有する本体と、該本体の内部に形成され該吸引部に吸引力を伝達する吸引経路と、該複数の分割予定ラインに対応して該吸引領域に形成された切削ブレードの逃げ溝と、を備える保持テーブルと、基板を切削する切削ブレードと、基板と該切削ブレードとに切削液を供給する切削液供給ノズルと、を少なくとも備える切削装置を用いて個々のデバイスに分割する基板の分割方法であって、基板の裏面に紫外線を照射して親水性を高める紫外線照射ステップと、基板の裏面側を該保持テーブルによって保持する保持ステップと、該分割予定ラインに沿って基板を分割する分割ステップと、を実施する基板の分割方法である。
【発明の効果】
【０００８】
切削加工後の基板の裏面に切削屑やウォーターマーク等の汚れが付着又は形成されてしまうことの要因の一つとして、切削加工時に基板の裏面に切削水が回り込み水滴状になって留まってしまうことで、切削水が基板の裏面上を連続的に一体となって流れていかないことが考えられる。そこで、本発明に係る基板の分割方法においては、基板の裏面に紫外線を照射して親水性を高める紫外線照射ステップを実施することで、切削加工時に基板の裏面に回り込んだ切削水が水滴にならず裏面上に広がって水膜になるようにし、切削水が発生した切削屑等の汚れと基板の裏面との接触部位の間に入り込み、これらの汚れを巻き込んで一体的に流れていくようにすることで、切削加工後の基板の裏面に切削屑やウォーターマーク等の汚れが付着していない又は形成されていないようにすることを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】切削装置の一例を示す斜視図である。
【図２】基板、保持テーブル、及び治具ベースの構造の一例を示す斜視図である。
【図３】基板の裏面に紫外線を照射している状態を示す縦断面図である。
【図４】保持テーブルに保持された基板を切削ブレードで切削して分割している状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１に示す切削装置１は、保持テーブル３０の上面３００ａに保持された基板Ｗに対して、切削手段６が備える回転する切削ブレード６３を切り込ませて、切削加工を施す装置である。切削装置１の基台１０上の中央には、切削送り方向（Ｘ軸方向）に保持テーブル３０を往復移動させる切削送り手段１１が配設されている。
【００１１】
基台１０上の後方側（＋Ｘ方向側）には、門型コラム１４が切削送り手段１１を跨ぐように立設されている。門型コラム１４の前面には、Ｙ軸方向に切削手段６を往復移動させる割り出し送り手段１２が配設されている。割り出し送り手段１２は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ１２０と、ボールネジ１２０と平行に配設された一対のガイドレール１２１と、ボールネジ１２０を回動させるモータ１２２と、内部のナットがボールネジ１２０に螺合し側部がガイドレール１２１に摺接する可動板１２３とから構成される。そして、モータ１２２がボールネジ１２０を回動させると、これに伴い可動板１２３がガイドレール１２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板１２３上に配設された切削手段６が可動板１２３の移動に伴いＹ軸方向に割り出し送りされる。
【００１２】
可動板１２３上には、Ｚ軸方向に切削手段６を往復移動させる切り込み送り手段１６が配設されている。切り込み送り手段１６は、Ｚ軸方向の軸心を有するボールネジ１６０と、ボールネジ１６０と平行に配設された一対のガイドレール１６１と、ボールネジ１６０を回動させるモータ１６２と、内部のナットがボールネジ１６０に螺合し側部がガイドレール１６１に摺接する支持部材１６３とから構成される。そして、モータ１６２がボールネジ１６０を回動させると、これに伴い支持部材１６３がガイドレール１６１にガイドされてＺ軸方向に移動し、支持部材１６３により支持されている切削手段６が、支持部材１６３の移動に伴いＺ軸方向に切り込み送りされる。
【００１３】
支持部材１６３の下端面には後述する切削手段６のハウジング６１の上面が固定されており、支持部材１６３の−Ｘ方向側の側面下部には、基板Ｗの切削すべき分割予定ラインＳを撮像して検出するためのアライメント手段１５が配設されている。アライメント手段１５は、基板Ｗの表面Ｗａを撮像するアライメント用カメラ１５０を備えており、アライメント用カメラ１５０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によって基板Ｗの切削すべき分割予定ラインＳを検出することができる。そして、切削手段６及びアライメント手段１５は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。
【００１４】
切削手段６は、軸方向が保持テーブル３０の移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル６０と、スピンドル６０を回転可能に支持するハウジング６１と、スピンドル６０を回転させる図示しないモータと、スピンドル６０に固定されている切削ブレード６３とを備えており、図示しないモータがスピンドル６０を回転駆動することに伴って、切削ブレード６３も高速回転する。切削ブレード６３は、例えば、ワッシャー型の環状ブレード、又は台金を備える円盤状のハブブレードである。
【００１５】
切削ブレード６３の近傍には、基板Ｗに対して切削ブレード６３が接触する加工点に切削液を供給する切削液供給ノズル１７が配設されている。切削液ノズル１７は、例えば、切削ブレード６０をＹ軸方向両側から挟むように２本配設されており、切削ブレード６０の側面に向く噴射口を備えており、図示しない切削液供給源に連通している。
【００１６】
基板Ｗを吸引保持する保持テーブル３０は、切削装置１上に配設された治具ベース３２上に搭載される。治具ベース３２は、カバー３９によって周囲から囲まれており、鉛直方向の軸心周りに回転可能であると共に、切削送り手段１１によって、基台１０上をＸ軸方向に往復移動可能となっている。
【００１７】
図２に示す基板Ｗは、例えば、所定の樹脂又はシリコン等からなる矩形状のパッケージ基板であり、基板Ｗの表面Ｗａ上には、複数のデバイスＤが形成されるデバイス領域Ｗａ１が複数（図示の例においては、３つ）形成されている。各デバイス領域Ｗａ１は、小片化され主に廃材となる余剰領域Ｗａ２によってその周囲を囲まれている。デバイス領域Ｗａ１は、表面Ｗａ上で直交差する複数の分割予定ラインＳでさらに複数の矩形領域に区画されている。各矩形領域には、それぞれＩＣやＬＥＤ等のデバイスＤがボンド剤等を介して配設されており、基板Ｗが各分割予定ラインＳに沿って切削され切り分けられることで、各矩形領域はデバイスＤを備える個々のチップとなる。図示の例においては、切削によって１つのデバイス領域Ｗａ１から、デバイスＤを備える計４８個のチップを作製することができる。例えば、基板Ｗの表面Ｗａには、分割予定ラインＳ及びデバイスＤを覆うようにしてエポキシ樹脂Ｊ（図２においては不図示）等による被覆がなされている。なお、基板Ｗは本実施形態におけるものに限定されず、例えば、円形の半導体ウエーハ、又は裏面が高分子樹脂で封止された合金基板等であってもよく、また、基板Ｗの形状、デバイス領域Ｗａ１の数等は、添付図面に図示されている例に限定されるものではない。
【００１８】
図２に示す保持テーブル３０は、上面３００ａに基板Ｗの各デバイスＤを吸引保持する吸引部３００ｃが複数形成された吸引領域３００ｆを有する本体３００と、本体３００の内部に形成され吸引部３００ｃに吸引力を伝達する吸引経路３０４と、複数の分割予定ラインＳに対応して吸引領域３００ｆに形成された切削ブレード６３の逃げ溝３００ｅと、を備える。本体３００は、汎用エンプラ又は合金等の材料からなる矩形状の平板であり、その上面３００ａで基板Ｗを吸引保持することができる。本体３００の上面３００ａには、基板Ｗの３つのデバイス領域Ｗａ１にそれぞれ対応するように、３つの吸引領域３００ｆがＸ軸方向に均等な距離離れて並んで形成されている。また、本体３００の上面３００ａには、図１に示した切削ブレード６３との接触を避けるための切削ブレード逃げ溝３００ｅが縦横に直交差するように複数形成されている。３つの吸引領域３００ｆには、それぞれ切削ブレード逃げ溝３００ｅによって区画されることで複数の略正方形の吸引部３００ｃが形成されている。各吸引部３００ｃは、それぞれ基板Ｗの各デバイスＤに一対一で対応しており、１つのデバイス領域Ｗａ１に計４８つ形成されている。
【００１９】
切削ブレード逃げ溝３００ｅは、基板Ｗの分割予定ラインＳに対応する位置、すなわち、基板Ｗを保持テーブル３０で保持した状態における分割予定ラインＳの直下に位置するように形成されている。切削ブレード逃げ溝３００ｅの上端は、上面３００ａに開口しており、また、その両端は、例えば保持テーブル３０の外周をそれぞれ通り抜けるように開口して形成されている。切削ブレード逃げ溝３００ｅの幅は、図１に示す切削ブレード６３の刃厚よりも広くなっており、切削ブレード逃げ溝３００ｅの深さは、切削ブレード６３を基板Ｗを完全切断する切り込み高さ位置まで下降させた場合に、切削ブレード６３の最下端が切削ブレード逃げ溝３００ｅの底に接触しない程度の深さを有する。したがって、回転させた状態の切削ブレード６３を基板Ｗを完全切断する切り込み高さ位置まで下降させ、この切削ブレード６３に向かって基板Ｗを保持する保持テーブル３０を切削送りし、基板Ｗを外周端から反対の外周端まで切削した場合であっても、保持テーブル３０と切削ブレード６３とが干渉することはない。なお、保持テーブル３０の本体３００の厚みは、切削ブレード逃げ溝３００ｅの深さよりも厚く形成されている。
【００２０】
図２に示すように、各吸引部３００ｃには、吸引部３００ｃ上で開口する吸引経路３０４が例えば１本ずつ配設されており、各吸引経路３０４は、本体３００の厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通するように本体部３００の内部に形成されている。
【００２１】
図２に示すように、治具ベース３２の上面は、保持テーブル３０が載置される２重環状の載置面となっており、治具ベース３２の上面の中央部分には、治具ベース３２の上面に保持テーブル３０を載置した場合に、各吸引経路３０４の下端と連通する桶状の第一の吸引空間３２１が形成されている。また、治具ベース３２の上面の外周部分には、治具ベース３２の上面に保持テーブル３０を載置した場合に保持テーブル３０の本体３００の裏面の外側領域に向かい合う四角環状の第二の吸引空間３２２が、第一の吸引空間３２１とは独立して形成されている。
【００２２】
図１に示すように、切削装置１は、吸引源３４０に連通し基板Ｗを吸引させるための吸引力を図２に示す吸引経路３０４を介して各吸引部３００ｃに伝達する流路３４を備えている。例えば、治具ベース３２の第一の吸引空間３２１の底部には、流路３４の一端３４ａが開口しており、流路３４のもう一端３４ｂには真空発生装置及びコンプレッサー等からなる吸引源３４０が接続されている。流路３４上には、例えばソレノイドバルブ３４１が配設されており、ソレノイドバルブ３４１は、流路３４、第一の吸引空間３２１及び吸引経路３０４までの経路が吸引源３４０に連通する状態と大気に開放された状態とを切り替える機能を有している。
【００２３】
例えば、流路３４からは分岐路３５が分岐して延びており、分岐路３５の一端３５ａは、治具ベース３２の第二の吸引空間３２２に連通している。分岐路３５上には、例えばソレノイドバルブ３５１が配設されており、ソレノイドバルブ３５１は、分岐路３５及び第二の吸引空間３２２までの経路が吸引源３４０に連通する状態と大気に開放された状態とを切り替える機能を有している。
【００２４】
以下に、図１に示す切削装置１を用いて本発明に係る基板Ｗの分割方法を実施する場合の、分割方法の各ステップ及び切削装置１の動作について説明する。
【００２５】
（１）紫外線照射ステップ
図３に示す紫外線照射装置５の棚部５００の上面に基板Ｗの余剰領域Ｗａ２に対応する裏面Ｗｂの外周領域を接触させて棚部５００に基板Ｗを載置した状態とする。なお、棚部５００に代えて、紫外線を透過するガラスなどの透明部材により形成され基板Ｗの裏面Ｗｂ全面を支持するテーブル等を用いてもよい。また、紫外線照射装置５は、切削装置１内に配設されていてもよい。
【００２６】
棚部５００に支持された基板Ｗの下方には、複数のＵＶランプ５０１が整列状態で配設されている。このＵＶランプ５０１は、例えば低圧ＵＶ水銀ランプであり、波長が１８５ｎｍ付近の紫外線と波長が２５４ｎｍ付近の紫外線とをそれぞれ上方に向かって照射することが可能となっている。
【００２７】
次いで、ＵＶランプ５０１から紫外線を基板Ｗの裏面Ｗｂに向かって照射する。ＵＶランプ５０１から所定波長（例えば、１８５ｎｍ）の紫外線を基板Ｗの裏面Ｗｂに一定時間照射した後、ＵＶランプ５０１から照射する紫外線を波長２５４ｎｍの紫外線へと切り替えて、波長２５４ｎｍの紫外線を一定時間基板Ｗの裏面Ｗｂに照射する。この波長の異なる紫外線の照射は、例えば、複数回実施される。
【００２８】
基板Ｗの裏面Ｗｂに向かって波長１８５ｎｍの紫外線が照射されることで、基板Ｗの裏面ＷｂとＵＶランプ５０１との間に存在する空気中の酸素分子が紫外線を吸収し、基底状態の酸素原子を生成する。生成された酸素原子は周囲の酸素分子と結合してオゾンを生成する。また、波長１８５ｎｍの紫外線は、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着した有機物（主に油等の高分子）の分子間結合及び原子間結合（例えば、炭素と炭素間の結合及び、炭素と水素間の結合）を切断して励起状態にすることで、有機物を分解していく。また、基板Ｗの裏面Ｗｂ中の有機物が付着していない部分についても、同様に分子鎖の切断が進行する。さらに、発生したオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線を吸収することで、励起状態の活性酸素が生成される。生成された活性酸素やオゾンは高い酸化力を有するため、有機物が分解されており、また裏面Ｗｂの分子鎖が切断されていることで化学的に不安定な状態となっている基板Ｗの裏面Ｗｂの炭素や水素等と結合して、ヒドロキシル基、アルデヒド基、及びカルボキシル基等の極性の大きな親水基を形成していく。活性酸素やオゾンの生成量が基板Ｗの裏面Ｗｂに付着している有機物の量と比べて非常に大きいため、裏面Ｗｂに付着しているオペレーターの皮脂等の有機物は、そのほとんどが親水性の高い官能基へと変化する。また、基板Ｗの裏面Ｗｂ中の有機物が付着していない部分についても、同様に親水基が形成されていくため、基板Ｗの裏面Ｗｂが改質され裏面Ｗｂの親水性が高まる。
【００２９】
（２）保持ステップ
図１に示す切削装置１では、保持テーブル３０を治具ベース３２上に位置が合うように搭載して、治具ベース３２に形成された第二の吸引空間３２２を、分岐路３５及びソレノイドバルブ３５１を介して吸引源３４０に連通させ、吸引源３４０を作動して第二の吸引空間３２２に吸引力を伝達させることにより、保持テーブル３０が治具ベース３２に吸引保持された状態にセットされる。
【００３０】
紫外線が裏面Ｗｂに照射された基板Ｗが、保持テーブル３０上に搬送され、図４に示すように、裏面Ｗｂが下側になるように保持テーブル３０上に載置され、保持テーブル３０の各切削ブレード逃げ溝３００ｅが基板Ｗの各分割予定ラインＳに対応するように基板Ｗが位置合わせされる。保持テーブル３０の各吸引経路３０４は、治具ベース３２に形成された第一の吸引空間３２１、流路３４及びソレノイドバルブ３４１を介して吸引源３４０に接続されている。したがって、ソレノイドバルブ３４１を連通位置に切り替えることで、吸引力が各吸引部３００ｃに伝達され基板Ｗは保持テーブル３０上に吸引保持される。
【００３１】
（３）分割ステップ
例えば、基板Ｗの長手方向がＹ軸方向となるように、基板Ｗを保持する保持テーブル３０が鉛直方向の軸心回りに回転する。次いで、基板Ｗを保持する保持テーブル３０が＋Ｘ方向に送られるとともに、図１に示すアライメント用カメラ１５０によって基板Ｗの表面Ｗａが撮像されて切削すべき分割予定ラインＳの位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段６がＹ軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード６３とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。
【００３２】
切削ブレード６３と検出した分割予定ラインＳとのＹ軸方向の位置合わせが行われた後、切削手段６が−Ｚ方向に切り込み送りされ、図４に示す切削ブレード６３が基板Ｗを完全切断し切削ブレード６３の最下端が保持テーブル３０の切削ブレード逃げ溝３００ｅ内に至る切り込み高さ位置に切削ブレード６３が位置付けられる。基板Ｗを保持する保持テーブル３０がさらに＋Ｘ方向に送り出されるとともに、図示しないモータがスピンドル６０を高速回転させ、スピンドル６０に固定された切削ブレード６３がスピンドル６０の回転に伴って高速回転をしながら基板Ｗに切り込み、分割予定ラインＳを切削していく。また、切削ブレード６３が基板Ｗに切り込む際に、切削ブレード６３と基板Ｗとの加工点に対して、切削液供給ノズル１７が切削液を噴射し供給する。
【００３３】
基板Ｗの裏面Ｗｂに紫外線を照射して親水性を高める紫外線照射ステップを実施したことで、分割ステップにおいて基板Ｗの裏面Ｗｂに回り込んだ切削水が水滴にならず、裏面Ｗｂ側の切削ブレード６３が切り抜けた周囲Ｗｂ１に広がって水膜になるようにする。その結果、基板Ｗの切削ブレード６３が切り抜けた周囲Ｗｂ１に発生した切削屑等と基板Ｗの裏面Ｗｂとの接触部位の間に、切削水が流れながら入り込み、切削屑等の汚れを巻き込んで切削ブレード逃げ溝３００ｅ等を伝って一体的に流れていくようになる。そのため、切削加工後の基板Ｗの裏面Ｗｂに切削屑やウォーターマーク等の汚れが付着又は形成されていないようにすることを可能にする。
【００３４】
切削ブレード６３が分割予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置まで基板Ｗが＋Ｘ方向に進行すると、＋Ｘ方向への基板Ｗの切削送りを一度停止させ、切削ブレード６３を基板Ｗから離間させ、保持テーブル３０を−Ｘ方向へ送り出して元の位置に戻す。そして、隣り合う分割予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード６３をＹ軸方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ラインＳを切削する。さらに、保持テーブル３０を９０度回転させてから同様の切削を行うと、全ての分割予定ラインＳが縦横に全てフルカットされる。
【００３５】
なお、本発明に係る基板の分割方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている切削装置１や紫外線照射装置５の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。例えば、切削装置１が基板Ｗを収納する基板カセットを備える場合には、この基板カセット内にＵＶランプ５０１を配設して、基板カセットを紫外線照射装置５としてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１：切削装置  １０：基台  １４：門型コラム
１１：切削送り手段  １２：割り出し送り手段  １２０：ボールネジ  １２１：一対のガイドレール  １２２：モータ  １２３：可動板
１６：切り込み送り手段  １６０：ボールネジ  １６１：一対のガイドレール  １６２：モータ  １６３：支持部材
１５：アライメント手段  １５０：アライメント用カメラ
６：切削手段  ６０：スピンドル６０：ハウジング  ６３：切削ブレード
１７：切削液供給ノズル
３０：保持テーブル  ３００：本体  ３００ａ：保持テーブルの上面  ３００ｅ：切削ブレード逃げ溝  ３００ｆ：吸引領域  ３００ｃ：吸引部  ３０４：吸引経路
３２：治具ベース  ３２１：第一の吸引空間  ３２２：第２の吸引空間
３４：流路  ３４０：吸引源  ３４１：ソレノイドバルブ
３５：分岐路  ３５１：ソレノイドバルブ
３９：カバー
５：紫外線照射装置  ５００：棚部  ５０１：ＵＶランプ  
Ｗ：基板  Ｗａ：基板の表面  Ｗａ１：デバイス領域  Ｗａ２：余剰領域  Ｓ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｊ：エンプラ樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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