(57)【要約】【課題】第２物体を第１物体上の所望領域に効率的に配置する。【解決手段】デバイス製造方法は、第１物体（２００）上に第２物体（ＣＮＴ）を配置してデバイス（ＦＥＴ）を製造するデバイス製造方法であって、第２物体を含む第３物体（ＬＱ）を第１物体上に供給することと、第１物体上に供給された第３物体中に、第３物体とは特性が異なる特定領域（ＡＲ）を形成することを含む。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、
前記第１物体上に供給された前記第３物体中に、前記第３物体とは特性が異なる特定領域を形成することと
を含むデバイス製造方法。
【請求項２】
前記特定領域の少なくとも一部に前記第２物体を付着させることをさらに含む
請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記形成することは、前記第３物体中であって且つ前記第１物体上に前記特定領域を形成することを含み、
前記付着させることは、前記特定領域と前記第１物体との境界又は当該領域の近傍に前記第２物体を付着させることを含む
請求項２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記特定領域に付着した前記第２物体を前記第１物体上に残存させたまま前記第１物体上から前記特定領域を取り除くことを更に含む
請求項２又は３に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記取り除くことは、前記第２物体が付着した前記特定領域に第１処理を施して前記特定領域を取り除くことを含む
請求項４に記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
前記第１処理は、前記特定領域に物理的な作用を加える第１物理処理、前記特定領域に化学的な作用を加える第１化学処理、前記特定領域に熱的な作用を加える第１熱処理、前記特定領域に電気的な作用を加える第１電気処理、前記特定領域に磁気的な作用を加える第１磁気処理、及び、前記特定領域に光学的な作用を加える第１光学処理のうちの少なくとも一つを含む
請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記付着させることは、前記特定領域の外面の少なくとも一部に前記第２物体を付着させることを含む
請求項２から６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記形成することは、前記第３物体の少なくとも一部に第２処理を施して前記特定領域を形成することを含む
請求項１から７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記第２処理は、前記第３物体に物理的な作用を加える第２物理処理、前記第３物体に化学的な作用を加える第２化学処理、前記第３物体に熱的な作用を加える第２熱処理、前記第３物体に電気的な作用を加える第２電気処理、前記第３物体に磁気的な作用を加える第２磁気処理、及び、前記第３物体に光学的な作用を加える第２光学処理のうちの少なくとも一つを含む
請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記特定領域は、固体から構成される固体領域を含む
請求項１から９のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１１】
前記特定領域は、液体から構成される液体領域を含む
請求項１から１０のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記特定領域は、気体から構成される気体領域を含む
請求項１から１１のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記気体領域は、前記第３物体中に溶解していた気体及び前記第３物体中が蒸発して生成される気体の少なくとも一方から構成される
請求項１２に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
前記形成することは、
前記第３物体の少なくとも一部を加熱することと、
加熱された前記第３物体の少なくとも一部に溶解していた気体を析出して、析出した前記気体から前記特定領域を形成することと
を含む請求項１２又は１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記形成することは、
前記第３物体の少なくとも一部を加熱することと、
加熱された前記第３物体の少なくとも一部を蒸発させ、蒸発で発生した気体から前記特定領域を形成することと
を含む請求項１２から１４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記形成することは、
加熱可能な対象物を前記第３物体中に配置することと、
前記対象物を加熱することと、
前記加熱された対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部に溶解していた気体を析出して、析出した前記気体から前記特定領域を形成することと
を含む請求項１２から１５のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
前記形成することは、
加熱可能な対象物を前記第３物体中に配置することと、
前記対象物を加熱することと、
前記加熱された対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部を蒸発させ、蒸発で発生した気体から前記特定領域を形成することと
を含む請求項１２から１６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１８】
前記対象物は、前記第２物体又は前記第２物体の集合体を含む
請求項１６又は１７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記配置することは、前記第３物体に含まれる前記第２物体の少なくとも一部を集めることで前記第２物体又は前記第２物体の集合体を含む前記対象物を配置することを含む
請求項１６から１８のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
前記配置することは、前記第３物体に光を照射して前記第２物体を集めることで前記第２物体又は前記第２物体の集合体を含む前記対象物を配置することを含む
請求項１９に記載のデバイス製造方法。
【請求項２１】
前記加熱することは、前記対象物に光を照射して前記対象物を加熱することを含む
請求項１６から２０のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項２２】
前記形成することは、前記第３物体中の異なる複数箇所に複数の前記特定領域を夫々まとめて又は順に形成することを含む
請求項１から２１のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項２３】
前記複数の特定領域を順に形成することは、
加熱可能な第１の対象物を前記第３物体の第１の箇所に配置することと、
前記第１の対象物を加熱することと、
前記加熱された第１の対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部に溶解していた気体を析出して、析出した前記気体から構成される気体領域を含む第１の前記特定領域を形成することと、
前記第１の特定領域に前記第２物体が付着した後に前記付着した第２物体を残存させたまま前記第１の特定領域が取り除かれることで残存する前記第２物体のうちの少なくとも一部を、加熱可能な第２の対象物として加熱することと、
前記加熱された第２の対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部に溶解していた気体を析出して、析出した前記気体から構成される気体領域を含む第２の前記特定領域を形成することと
を含む請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２４】
前記複数の特定領域を順に形成することは、
加熱可能な第３の対象物を前記第３物体の第３の箇所に配置することと、
前記第３の対象物を加熱することと、
前記加熱された第３の対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部を蒸発させ、蒸発で発生した気体から構成される気体領域を含む第３の前記特定領域を形成することと、
前記第３の特定領域に前記第２物体が付着した後に前記付着した第２物体を残存させたまま前記第３の特定領域が取り除かれることで残存する前記第２物体のうちの少なくとも一部を、加熱可能な第４の対象物として加熱することと、
前記加熱された第４の対象物の周囲に位置する前記第３物体の少なくとも一部を蒸発させ、蒸発で発生した気体から構成される気体領域を含む第４の前記特定領域を形成することと
を含む請求項２２又は２３に記載のデバイス製造方法。
【請求項２５】
前記第３物体中における前記第２物体の濃度を設定することと、
前記設定した濃度の前記第２物体を含む前記第３物体を供給することと
を更に含む請求項１から２４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項２６】
第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
第３物体中における前記第２物体の濃度を設定することと、
前記設定した濃度の前記第２物体を含む前記第３物体を、前記第１物体上に供給することと、
前記第３物体を処理して第１物体上に前記第２物体を配置することと
を含むデバイス製造方法。
【請求項２７】
前記設定することは、前記デバイスの製造に必要な時間が短くなるほど前記濃度が高くなるように、前記濃度を選択することを含む
請求項２５又は２６に記載のデバイス製造方法。
【請求項２８】
前記形成することは、前記第３物体の少なくとも一部に光を照射して前記特定領域を形成することを含み、
前記光の強度、及び、前記光を照射する光照射部と前記第１物体を支持するステージのとの間の相対速度の少なくとも一方を調整することを更に含む
請求項１から２７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項２９】
第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、
前記第３物体に光を照射して前記第３物体が含む前記第２物体を第１物体上の所望位置に配置することと、
前記光の強度、及び、前記光を照射する光照射部と前記第１物体を支持するステージのとの間の相対速度の少なくとも一方を調整することと
を含むデバイス製造方法。
【請求項３０】
前記第１物体上に所定の配置パターンで前記第２物体を配置することで、前記第１物体上にデバイスパターンを形成し、
前記調整することは、前記デバイスパターンに応じて前記強度及び前記相対速度の少なくとも一方を調整することを含む
請求項２８又は２９に記載のデバイス製造方法。
【請求項３１】
前記調整することは、前記デバイスパターンの微細度が大きくなるほど前記強度が大きくなるように、前記強度を調整することを含む
請求項３０に記載のデバイス製造方法。
【請求項３２】
前記調整することは、前記デバイスの微細度が大きくなるほど前記相対速度が速くなるように、前記相対速度を調整することを含む
請求項３０又は３１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３３】
前記第３物体は、溶媒である
請求項１から３１のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３４】
前記第３物体を前記第１物体上に供給する前に、前記第３物体に脱泡処理を施すことを更に含む
請求項１から３３のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３５】
前記第３物体は、界面活性剤によって被膜されている前記第２物体を含む
ことを特徴とする請求項１から３３のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３６】
前記第２物体は、ナノメートルサイズの物体を含む
請求項１から３５のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３７】
前記第２物体は、カーボンナノチューブを含む
請求項１から３６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３８】
前記第２物体は、前記デバイスの回路を形成する
請求項１から３７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項３９】
前記第２物体は、前記デバイスの配線を形成する
請求項１から３８のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項４０】
前記第２物体は、前記デバイスのゲートを形成する
請求項１から３９のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項４１】
第１物体上に第２物体を配置する配置装置であって、
前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体に供給する供給部と、
前記第３物体が供給された前記第１物体を保持するステージ部と、
前記第１物体上に供給された前記第３物体を処理して前記第３物体中に前記第３物体とは特性が異なる特定領域を形成する処理部と
を備える配置装置。
【請求項４２】
前記処理部は、前記特定領域の少なくとも一部に前記第２物体を付着させる
請求項４１に記載の配置装置。
【請求項４３】
前記処理部は、前記第３物体の少なくとも一部に光を照射して前記第３物体中に前記特定領域を形成する光照射部を含む
請求項４１又は４２に記載の配置装置。
【請求項４４】
前記光照射部は、前記光の照射パターンを調整可能な光学素子を介して前記光を照射して前記第３物体中の所望箇所に前記特定領域を形成する
請求項４３に記載の配置装置。
【請求項４５】
前記光学素子は、マスク及び空間光変調器のうちの少なくとも一つを含む
請求項４４に記載の配置装置。
【請求項４６】
第１物体上に第２物体を配置する配置方法であって、
前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、
前記第１物体上に供給された前記第３物体中に、前記第３物体とは特性異なる特定領域を形成することと、
を含む配置方法。
【請求項４７】
前記特定領域の少なくとも一部に前記第２物体を付着させることをさらに含む
請求項４６に記載の配置方法。
【請求項４８】
請求項４１から４５のいずれか一項に記載の配置装置を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造方法。
【請求項４９】
請求項４１から４５のいずれか一項に記載の配置装置を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造装置。
【請求項５０】
請求項４６に記載の配置方法を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、第１物体上に第２物体を配置する配置方法及び物体配置装置、並びに、第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法及びデバイス製造装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を用いて微粒子をカンチレバーに接合する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６，１３９，８３１号
【発明の概要】
【０００４】
本発明のデバイス製造方法の第１の態様は、第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、前記第１物体上に供給された前記第３物体中に、前記第３物体とは特性が異なる特定領域を形成することを含む。
【０００５】
本発明のデバイス製造方法の第２の態様は、第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、第３物体中における前記第２物体の濃度を設定することと、前記設定した濃度の前記第２物体を含む前記第３物体を、前記第１物体上に供給することと、前記第３物体を処理して第１物体上に前記第２物体を配置することとを含む。
【０００６】
本発明のデバイス製造方法の第３の態様は、第１物体上に第２物体を配置してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、前記第３物体に光を照射して前記第３物体が含む前記第２物体を第１物体上の所望位置に配置することと、前記光の強度、及び、前記光を照射する光照射部と前記第１物体を支持するステージのとの間の相対速度の少なくとも一方を調整することとを含む。
【０００７】
本発明の配置装置の第１の態様は、第１物体上に第２物体を配置する配置装置であって、前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体に供給する供給部と、前記第３物体が供給された前記第１物体を保持するステージ部と、前記第１物体上に供給された前記第３物体を処理して前記第３物体中に前記第３物体とは特性が異なる特定領域を形成する処理部とを備える。
【０００８】
本発明の配置方法の第１の態様は、第１物体上に第２物体を配置する配置方法であって、前記第２物体を含む第３物体を前記第１物体上に供給することと、前記第１物体上に供給された前記第３物体中に、前記第３物体とは特性が異なる特定領域を形成することとを含む。
【０００９】
本発明のデバイス製造方法の第４の態様は、上述した本発明の配置装置の第１の態様を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造する。
【００１０】
本発明のデバイス製造装置の第１の態様は、上述した本発明の配置装置の第１の態様を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造する。
【００１１】
本発明のデバイス製造装置の第２の態様は、上述した本発明の配置方法の第１の態様を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造する。
【００１２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施形態のデバイス製造装置の構造の一例を示す側面図である。
【図２】図２（ａ）は、空間光変調器の光変調面の構造の一例を示す平面図であり、図２（ｂ）は、空間光変調器の光変調面の一部の構造を示す斜視図であり、図２（ｃ）は、空間光変調器の１つのミラー要素の構成を示す斜視図であり、図２（ｄ）は、空間光変調器が備えるミラー要素がとり得る２つの状態を示す側面図である
【図３】図３（ａ）は、電界効果トランジスタの断面図（図３（ｂ）に示す電界効果トランジスタのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）であり、図３（ｂ）は、電界効果トランジスタの上面図である。
【図４】図４は、電界効果トランジスタの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図６】図６（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図６（ｂ）に示す基板のＶＩ−ＶＩ’断面図）であり、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、夫々、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。
【図７】図７は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、夫々、キャリア形成領域と露光対象領域との間の位置関係を示す平面図である。
【図９】図９は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図であり、図１０（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１０（ａ）に示す基板のＸ−Ｘ’断面図）である。
【図１１】図１１（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図であり、図１１（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１１（ａ）に示す基板のＸＩ−ＸＩ’断面図）である。
【図１２】図１２（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図であり、図１２（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１２（ａ）に示す基板のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図）である。
【図１３】図１３（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図であり、図１３（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１３（ａ）に示す基板のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’断面図）である。
【図１４】図１４（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図であり、図１４（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１４（ａ）に示す基板のＸＩＶ−ＸＩＶ’断面図）である。
【図１５】図１５（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１５（ｂ）に示す基板のＸＶ−ＸＶ’断面図）であり、図１５（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。
【図１６】図１６（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１６（ｂ）に示す基板のＸＶＩ−ＸＶＩ’断面図）であり、図１６（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。
【図１７】図１７は、実験装置の構造を示す断面図である。
【図１８】図１８は、カバーガラスに付着した物質を示す平面図である。
【図１９】図１９は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法の第１変形例の流れの一例を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、脱泡処理が施されていないＣＮＴ分散液を用いてカーボンナノチューブをカバーガラスに付着させた実験結果を示す平面図である。
【図２１】図２１は、脱泡処理が施されたＣＮＴ分散液を用いてカーボンナノチューブをカバーガラスに付着させた実験結果を示す平面図である。
【図２２】図２２（ａ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図２２（ｂ）に示す基板のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’断面図）であり、図２２（ｂ）は、図４のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。
【図２３】図２３は、デバイスの線幅と光の強度との関係を示すグラフである。
【図２４】図２４は、デバイスの線幅とステージの相対速度との関係を示すグラフである。
【図２５】図２５は、キャリアの形成時間とＣＮＴ分散液の濃度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置の実施形態について説明する。以下では、電子デバイスを製造するデバイス製造装置１を用いて、配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置の実施形態を説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。
【００１５】
以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、デバイス製造装置１を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。
【００１６】
（１）デバイス製造装置１の構造
初めに、図１を参照しながら、本実施形態のデバイス製造装置１の構造について説明する。図１は、本実施形態のデバイス製造装置１の構造の一例を示す側面図である。
【００１７】
本実施形態のデバイス製造装置１は、所望の第１物体上の所望領域に、第１物体よりも小さな所望の第２物体を配置する（言い換えれば、位置させる）。従って、本実施形態のデバイス製造装置１は、配置装置の一例として機能する。例えば、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズ又はマイクロメートルサイズの第２物体を、ナノメートルサイズ、マイクロメートルサイズ、ミリメートルサイズの又はセンチメートルサイズの第１物体上の所望領域に配置する。但し、デバイス製造装置１は、任意のサイズの第２物体を、任意のサイズの第１物体上の所望領域に配置してもよい。
【００１８】
デバイス製造装置１は、第２物体を第１物体上の所望領域に配置するために、第２物体が供給された第１物体に光を照射する。具体的には、デバイス製造装置１は、第２物体に対して光を照射する。その結果、後に図面（特に、図１０から図１５（ｂ）等）を参照しながら詳細に説明するように、光の照射位置を中心とする第１物体上の所定領域に、第２物体が付着していく。デバイス製造装置１は、所望領域に基づいて光の照射位置を調整することで、第２物体を第１物体上の所望領域に付着させる。その結果、第２物体は、第１物体上の所望領域に配置される。
【００１９】
デバイス製造装置１は、任意の電子デバイスを製造するために用いられる。以下では、説明の便宜上、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）ＣＮＴをキャリアＣとして用いる電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ＦＥＴを製造するために用いられるものとする。この場合、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴが供給された基板２００上のキャリア形成領域２０１に光を照射する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴが、キャリア形成領域２０１に配置される。
【００２０】
カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置するために、デバイス製造装置１は、図１に示すように、光源１１と、照明光学系１２と、ミラー１３ａと、ミラー１３ｂと、ミラー１３ｃと、空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）１４と、ハーフミラー１５と、投影光学系１６と、ステージ１７と、検出器１８と、コントローラ１９とを備えている。
【００２１】
光源１１は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ１を射出する。このような光ＥＬ１として、例えば、赤外光（例えば、波長が１０６４ｎｍから９７５ｎｍとなるＹＡＧレーザ光）が用いられる。但し、光ＥＬ１として、その他の種類の光が用いられてもよい。
【００２２】
照明光学系１２は、例えば米国特許第８，７９２，０８１号公報などに開示されるように、フライアイレンズやロッド型インテグレータ等のオプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及び、照野絞り（いずれも不図示）を有していてもよい。照明光学系１２は、光源１１からの光ＥＬ１の光量を均一化して光ＥＬ２として射出する。この光ＥＬ２によって空間光変調器１４の光変調面１４ａが照明される。尚、空間光変調器１４の光変調面１４ａ上には、照明光学系１２の照野絞り（マスキングシステム）で規定された矩形状（或いは、その他任意の形状）の照明領域が形成される。
【００２３】
尚、照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での光ＥＬ２の強度分布を変更するビーム強度分布変更部等を含んでいてもよい。
【００２４】
ミラー１３ａは、照明光学系１２から出力される光ＥＬ２を偏向して、空間光変調器１４の光変調面１４ａに導く。
【００２５】
空間光変調器１４は、後述するように、２次元的に配列された複数のミラー要素１４１を備える。ここで、複数のミラー要素１４１が配列されている面を光変調面１４ａと称する。光変調面１４ａには、照明光学系１２からミラー１３ａを介して伝搬してくる光ＥＬ２が照射される。光変調面１４ａは、光ＥＬ２の進行方向に交わる面である。光変調面１４ａは、矩形の形状（或いは、その他任意の形状）を有している。光ＥＬ２は、光変調面１４ａをほぼ均一な照度分布で照明する。
【００２６】
空間光変調器１４は、当該空間光変調器１４の光変調面１４ａに照射された光ＥＬ２を反射する。空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ２を反射する際に、当該光ＥＬ２を空間変調する。ここで、「光を空間変調する」とは、当該光の進行方向を横切る断面における当該光の振幅（言い換えれば、強度）、光の位相、光の偏光状態、光の波長及び光の進行方向（言い換えれば、偏向状態）のうちの少なくとも１つである光特性の分布を変化させることを意味する。本実施形態では、空間光変調器１４は、反射型の空間光変調器である。
【００２７】
ここで、図２（ａ）から図２（ｄ）を参照しながら、空間光変調器１４の構造の一例について更に説明を加える。図２（ａ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの構造の一例を示す平面図である。図２（ｂ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの一部の構造を示す斜視図である。図２（ｃ）は、空間光変調器１４の１つのミラー要素１４１の構成を示す斜視図である。図２（ｄ）は、空間光変調器１４が備えるミラー要素１４１がとり得る２つの状態を示す側面図である。
【００２８】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１を備えている。尚、図２（ｂ）は、図面の見易さを考慮して、図２（ａ）に示す複数のミラー要素１４１の一部を抜粋した図面である。複数のミラー要素１４１は、光変調面１４ａに平行な面であるＸＹ平面上において、二次元のアレイ状に（言い換えれば、マトリクス状に）配列されている。複数のミラー要素１４１は、Ｘ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｘの間隔を隔て且つＹ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｙの間隔を隔てるように、配列されている。
【００２９】
各ミラー要素１４１は、正方形の形状を有している。各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズは、各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢が変更されるため、それぞれ、上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙよりも小さくなる。つまり、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間及びＹ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間には、ミラー要素１４１を構成しない隙間１４２が存在する。
【００３０】
各ミラー要素１４１のうち光ＥＬ２が照射される面は、光ＥＬ２を反射する反射面１４１ａとなっている。各ミラー要素１４１のＸＹ平面に平行な２つの表面のうち−Ｚ方向側に位置する表面は、反射面１４１ａとなっている。反射面１４１ａには、例えば金属膜が形成されている。複数のミラー要素の１４１の反射面１４１ａの集合が、実質的には、光ＥＬ２が照射される光変調面１４ａとなる。
【００３１】
図２（ｃ）に示すように、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１は、第１接続部材１４３によってヒンジ部１４４と接続されている。ヒンジ部１４４は、弾性変形を利用してＺ軸方向に撓むことが可能な可撓性を有している。このヒンジ部１４４は、支持基板１４９上に設けられた一対のポスト部１４５によって支持されている。また、ヒンジ部１４４には、後述する電極１４８によって静電力（引力又は斥力）の作用を受けるアンカー部１４６とヒンジ部１４４とを接続する第２接続部材１４７が設けられている。このように、アンカー部１４６とミラー要素１４１とは、第１接続部材１４３及び第２接続部材１４７並びにヒンジ部１４４を介して機械的に接続されている。支持基板１４９の表面には電極１４８が形成されている。
【００３２】
電極１４８に所定の電圧が印加されると、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力が作用する。上述の通り、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力を作用させると、アンカー部１４６が支持基板１４９側に移動し、この移動に伴ってミラー要素１４１も支持基板１４９側に移動する。
【００３３】
各ミラー要素１４１の状態は、アンカー部１４６と電極１４８との間に作用する静電力及びヒンジ部１４４の弾性力に起因して、反射面１４１ａに直交する方向（つまり、Ｚ軸方向）に沿った位置が異なる２つの状態の間で切り替わる。例えば、図２（ｄ）の左側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用していない場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいない場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１に一致する第１状態となる。例えば、図２（ｄ）の右側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用している場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいる場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１から＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした変位平面Ａ２に一致する第２状態となる。
【００３４】
第２状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａは、第１状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａから＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした位置にある。このため、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、距離ｄ１の倍の長さに相当する位相量だけ異なる。本実施形態では、距離ｄ１は、光ＥＬ１の波長λの１／４と一致する。つまり、ｄ１は、ｄ１＝λ／４という数式にて表現される。この場合、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、１８０度（πラジアン）だけ異なる。このため、複数のミラー要素１４１の状態に応じて、複数のミラー要素１４１が反射した光ＥＬ３の、当該光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）面における位相分布が定まる。つまり、図２（ａ）から図２（ｄ）に示す例では、空間光変調器１４は、光ＥＬ３の位相分布を制御することができる。
【００３５】
空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、カーボンナノチューブＣＮＴの配置位置（つまり、キャリア形成領域２０１の位置）に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。その結果、空間光変調器１４は、キャリア形成領域２０１に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。尚、本実施形態における「変調パターン」は、光ＥＬ２を空間変調するためのパターン（つまり、複数のミラー要素１４１の状態の分布パターンと実質的に同一）である。この場合、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が基板２００上に分布しているＣＮＴ分散液ＬＱに照射されることで、ＣＮＴ分散液ＬＱ中のカーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１に配置される。
【００３６】
尚、このような空間光変調器１４の一例は、例えば、援用によって本願明細書に取り込まれる米国特許出願公開第２０１３／０２２２７８１号明細書に記載されている。
【００３７】
再び図１において、ミラー１３ｂ及び１３ｃは、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を偏向して、ハーフミラー１５に導く。ハーフミラー１５は、光ＥＬ３を反射し、投影光学系１６に導く。
【００３８】
投影光学系１６は、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を基板２００に投影する。投影光学系１６は、光ＥＬ３を、基板２００の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡに投影する。投影光学系１６は、第１変調パターンに応じて定まる位相分布を有する光ＥＬ３を、位相分布に応じた強度分布を持つ空間像として基板２００に投影する。
【００３９】
ステージ１７は、基板２００を保持可能であり、保持した基板２００をリリース可能である。ステージ１７は、コントローラ１９の制御下で、基板２００を保持した状態で、露光領域ＥＬＡを含む平面（例えば、ＸＹ平面）に沿って移動可能である。ステージ１７は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。
【００４０】
光ＥＬ３が照射された基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）からは、光ＥＬ３の照射に起因して発生する光ＥＬ４が出射する。光ＥＬ４は、例えば、基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）によって光ＥＬ３が反射又は屈折されることで発生する光（いわゆる、反射光又は屈折光）を含んでいてもよい。光ＥＬ４は、例えば、基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）によって光ＥＬ３が散乱されることで発生する光（いわゆる、散乱光であり、レイリー散乱光及びラマン散乱光のうちの少なくとも一方を含む）を含んでいてもよい。光ＥＬ４は、基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）から発生する蛍光やアップコンバージョン光を含んでいてもよい。
【００４１】
光ＥＬ４は、ハーフミラー１５を透過する。ハーフミラー１５を透過した光ＥＬ４は、検出器１８によって検出される。コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、基板２００上におけるカーボンナノチューブＣＮＴの状態を特定する。例えば、コントローラ１９は、基板２００上におけるカーボンナノチューブＣＮＴが実際に配置されている位置を特定することができる。
【００４２】
コントローラ１９は、デバイス製造装置１の動作を制御する。コントローラ１９は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）や、メモリを含んでいてもよい。特に、上述したように、コントローラ１９は、空間光変調器１４による光ＥＬ２の空間変調動作を制御する。更に、コントローラ１９は、ステージ１７の移動を制御する。具体的には、コントローラ１９は、基板２００上の任意の領域に露光領域ＥＬＡが位置するように、ステージ１７を制御する。更に、コントローラ１９は、光源１１の動作を制御する。
【００４３】
尚、図１及び図２を用いて説明したデバイス製造装置１は一例である。従って、図１及び図２に示すデバイス製造装置１の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、デバイス製造装置１の少なくとも一部の改変の例について説明する。
【００４４】
デバイス製造装置１は、電子デバイスとは異なる任意のデバイスを製造するために用いられてもよい。例えば、デバイス製造装置１は、細胞、ＤＮＡ又は細菌等の生体構造物を利用した生体デバイス（或いは、ウイルス等の微小構造物を利用したデバイス）を製造するために用いられてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、生体構造物である第２物体を第１物体上の所望領域に配置する。
【００４５】
デバイス製造装置１は、電子デバイスないしは任意のデバイスを製造するために用いられなくてもよい。デバイス製造装置１は、電子デバイスないしは任意のデバイスを製造する目的とは異なる任意の目的で、所望の第２物体を、所望の第１物体上の所望領域に配置してもよい。
【００４６】
光源１１は、光ＥＬ１として、赤外光とは異なる任意の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、遠紫外光（ＤＵＶ光：Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。遠紫外光は、波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ光又は波長が２４８ｎｍであるＫｒＦエキシマレーザ光を含んでいてもよい。光源１１は、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光：Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、所望の波長を有する任意のレーザ光又はその他任意の光（例えば、水銀ランプから射出される輝線であり、例えば、ｇ線、ｈ線若しくはｉ線等）を射出してもよい。光源１１は、米国特許第７，０２３，６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（或いは、エルビウムとイットリウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅すると共に非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換することで得られる高調波を射出してもよい。光源１１は、波長が１００ｎｍ以上の光に限らず、波長が１００ｎｍ未満の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、軟Ｘ線領域（例えば、５ｎｍから１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を射出してもよい。デバイス製造装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な電子線ビームを射出する電子線ビーム源を備えていてもよい。デバイス製造装置１は、光源１１に加えて又は代えて、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザ等）から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源を備えていてもよい。固体パルスレーザ光源は、光ＥＬ１として用いることが可能な波長が１９３ｎｍ（これ以外の種々の波長、例えば２１３ｎｍ、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ等の波長が可能）でパルス幅１ｎｓ程度のパルスレーザ光を１〜２ＭＨｚ程度の周波数で射出可能である。デバイス製造装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な任意のエネルギビームを射出するビーム源を備えていてもよい。
【００４７】
デバイス製造装置１は、ミラー１３ａを備えていなくてもよい。この場合、照明光学系１２は、空間光変調器１４に向けて光ＥＬ２を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ａに加えて又は代えて、照明光学系１２が射出した光ＥＬ２を空間光変調器１４に導く導光光学系を備えていてもよい。
【００４８】
デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃを備えていなくてもよい。この場合、空間光変調器１４は、ハーフミラー１５又は投影光学系１６に向けて光ＥＬ３を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃに加えて又は代えて、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３をハーフミラー１５又は投影光学系１６に導く導光光学系を備えていてもよい。
【００４９】
空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１に代えて、光ＥＬ２を空間変調することが可能な任意の装置（例えば、液晶パネル等）を備えていてもよい。空間光変調器１４は、透過型の空間光変調器（或いは、その他任意の空間光変調器）であってもよい。
【００５０】
投影光学系１６と基板２００との間に、光ＥＬ３の光路を含む液浸空間が形成されていてもよい。
【００５１】
デバイス製造装置１は、検出器１８を備えていなくてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、ハーフミラー１５を備えていなくてもよい。デバイス製造装置１がハーフミラー１５を備えていない場合には、空間光変調器１４は、投影光学系１６に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。或いは、空間光変調器１４は、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３を投影光学系１６に導く導光光学系光に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。
【００５２】
（２）電界効果トランジスタＦＥＴの構造
続いて、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら、デバイス製造装置１を用いて製造される電界効果トランジスタＦＥＴの構造の一例について説明する。図３（ａ）は、電界効果トランジスタＦＥＴの断面図（図３（ｂ）に示す電界効果トランジスタＦＥＴのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）である。図３（ｂ）は、電界効果トランジスタＦＥＴの上面図である。
【００５３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、電界効果トランジスタＦＥＴは、基板２００と、複数のソース電極Ｓと、複数のドレイン電極Ｄと、複数のゲート電極Ｇと、複数の絶縁層Ｉと、複数のキャリアＣとを備えている。基板２００には、単一のソース電極Ｓと、単一のドレイン電極Ｄと、単一のゲート電極Ｇと、単一の絶縁層Ｉと、単一のキャリアＣとを含む素子セットＥＳが、複数形成されている。複数の素子セットＥＳの夫々は、トランジスタとして機能可能である。但し、基板２００には、単一の素子セットＥＳが形成されていてもよい。
【００５４】
基板２００は、絶縁基板である。絶縁基板は、絶縁体から構成される第１基板であってもよい。絶縁基板は、絶縁体、半導体又は金属から構成される第１支持基板と、当該第１支持基板に積層される第１絶縁層とを含む第２基板であってもよい。第１支持基板を構成する絶縁体は、例えば、酸化シリコン、チッカシリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カリウム、絶縁性樹脂（例えば、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂等）、ポリイミド及びテフロン（登録商標）等のうちの少なくとも一つである。第１支持基板を構成する半導体は、例えば、１４族元素（例えば、シリコンや、ゲルマニウム等）、ガリウム砒素、インジウム燐、テルル化亜鉛、及び、炭化シリコン等のうちの少なくとも一つである。第１支持基板を構成する金属は、酸化物を相対的に形成しやすい金属（例えば、アルミニウムや、マグネシウム等）である。
【００５５】
基板２００上には、複数のソース電極Ｓと、複数のドレイン電極Ｄとが形成されている。複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの夫々は、金属（例えば、金や、白金や、チタン等）から構成される。各ソース電極Ｓと、各ソース電極Ｓと共に同一の素子セットＥＳを構成するドレイン電極Ｄとは、所定距離の間隔を確保した上で、図３（ａ）及び図３（ｂ）中Ｙ軸方向に沿って並んでいる。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の間隔は、例えば、数ナノメートルから数十ナノメートル程度である。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の領域は、キャリアＣが形成されるべきキャリア形成領域２０１である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す例では、キャリア形成領域２０１は、Ｙ軸方向が長手方向となる形状を有する。
【００５６】
キャリア形成領域２０１には、キャリアＣが形成されている。キャリアＣは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを連結する。キャリアＣは、単一のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。或いは、キャリアＣは、バンドルされた複数のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、単層（シングルウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、多層（マルチウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。尚、カーボンナノチューブＣＮＴの直径は、例えば、１ナノメートルから数ナノメートル程度である。カーボンナノチューブＣＮＴの長さ（長手方向の長さ）は、例えば、数マイクロメートル程度である。
【００５７】
キャリアＣの少なくとも一部の上には、絶縁層Ｉが形成されている。絶縁層Ｉは、例えば、上述した絶縁体を構成する材料から構成されている。絶縁層Ｉ上には、ゲート電極Ｇが形成されている。ゲート電極Ｇは、金属（例えば、金や、白金や、チタン等）から構成される。
【００５８】
以上説明した電界効果トランジスタＦＥＴは、いわゆるトップゲート型の電界効果トランジスタである。従って、デバイス製造装置１は、トップゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴを製造する。しかしながら、デバイス製造装置１は、トップゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴとは異なる任意の電界効果トランジスタを製造してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ボトムゲート型又はサスペンデッド型の電界効果トランジスタＦＥＴ−１を製造してもよい。
【００５９】
（３）電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法
続いて、図４を参照しながら、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法について説明する。図４は、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【００６０】
図４に示すように、まず、基板２００上に、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが形成される（ステップＳ１）。複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄは、例えば、蒸着マスクを用いた蒸着法によって形成される。
【００６１】
その後、基板２００上に、複数のキャリアＣが形成される（ステップＳ２）。尚、複数のキャリアＣの形成方法については、後に詳述する（図５等参照）。
【００６２】
その後、ステップＳ２で形成された複数のキャリアＣ上に、複数の絶縁層Ｉが夫々形成される（ステップＳ３）。複数の絶縁層Ｉは、例えば、基板２００に絶縁膜を形成する成膜法、並びに、絶縁層Ｉの形成パターンに応じて絶縁膜をパターニングするフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて形成される。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、絶縁膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数の絶縁層Ｉの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調してもよい。その結果、絶縁膜（より具体的には、絶縁膜上に塗布されたレジスト）は、絶縁層Ｉの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、絶縁層Ｉの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。
【００６３】
その後、ステップＳ３で形成された絶縁層Ｉ上に、複数のゲート電極Ｇがまとめて形成される（ステップＳ４）。複数のゲート電極Ｇは、例えば、蒸着マスクを用いた蒸着法によって形成される。
【００６４】
以上説明したステップＳ１からステップＳ４の工程を経て、電界効果トランジスタＦＥＴが製造される。
【００６５】
尚、図４を用いて説明した電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法は一例である。従って、図４に示す電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の少なくとも一部の改変の例について説明する。
【００６６】
複数のキャリアＣは、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが形成される前に形成されてもよい。サスペンデッド型の電界効果トランジスタが製造される場合には、複数のキャリアＣは、複数のゲート電極Ｇが形成された後に形成されてもよい。サスペンデッド型の電界効果トランジスタが製造される場合には、複数のゲート電極Ｇ、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが同一のタイミングで形成されてもよい。
【００６７】
複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄは、基板２００に金属膜を形成するスパッタリング法（或いは、蒸着法）、並びに、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて金属膜をパターニングするフォトリソグラフフィ工程及びエッチング工程を用いて形成されてもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、金属膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調してもよい。その結果、金属膜（より具体的には、金属膜上に塗布されたレジスト）は、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。
【００６８】
複数のゲート電極Ｇは、基板２００に金属膜を形成するスパッタリング法（或いは、蒸着法）、並びに、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて金属膜をパターニングするフォトリソグラフフィ工程及びエッチング工程を用いて形成されてもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、金属膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調する。その結果、金属膜（より具体的には、金属膜上に塗布されたレジスト）は、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。
【００６９】
（４）キャリアＣの形成方法
続いて、図５から図１６（ｂ）を参照しながら、図４のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法について説明する。図５は、図４のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法の流れの一例を示すフローチャートである。図６（ａ）から図１６（ｂ）は、夫々、図４のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板２００の状態を示す。
【００７０】
図５に示すように、デバイス製造装置１が備える（或いは、デバイス製造装置１とは異なる装置が備える）供給部を介して、基板２００上に、カーボンナノチューブＣＮＴが分散している溶液であるＣＮＴ分散液ＬＱが供給される（図５のステップＳ２１）。ＣＮＴ分散液ＬＱを構成する溶媒は、例えば、ゲル状の又はゾル状の溶媒である。
【００７１】
ＣＮＴ分散液ＬＱには、カーボンナノチューブＣＮＴを溶液に均一に分散させる（つまり、溶液中でカーボンナノチューブＣＮＴを分散化させることで、カーボンナノチューブＣＮＴのバンドル化を妨げる）ための可溶化処理が施されている。但し、可溶化処理が施されていなくてもよい。
【００７２】
可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴの表面に分子を物理的に介在させることでカーボンナノチューブＣＮＴを孤立させる第１可溶化処理（いわゆる、物理修飾による可溶化処理）を含んでいてもよい。第１可溶化処理は、例えば、カーボンナノチューブＣＮＴを溶液に均一に分散させることが可能な可溶化剤をＣＮＴ分散液ＬＱに添加することで実現されてもよい。可溶化剤は、例えば、界面活性剤である。界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、又は、陰イオン性界面活性剤と両性界面活性剤との混合物であってもよい。陰イオン性界面活性剤は、例えば、炭素数が１０から１４となるアルキル硫酸系の塩に相当する界面活性剤（例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、デシル酸硫酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム又はドデシルベンゼン硫酸ナトリウム（ＳＤＢＳ）等）、ドデカンスルホン酸系の塩（例えば、ナトリウム塩、以下同じ）、ドデカノイルサルコシン酸系の塩、ドデカン酸系の塩及びコール酸系の塩のうちの少なくとも一つであってもよい。両性界面活性剤は、例えば、ｎ−ドデシルホスホコリンであってもよい。或いは、界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤及び両性界面活性剤のうちの少なくとも一つと、その他の界面活性剤との混合物であってもよい。その他の界面活性剤は、その他の陰イオン性界面活性剤、その他の両性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、高分子ポリマーを含む分散剤、ＤＮＡを含む分散剤及びたんぱく質を含む分散剤のうちの少なくとも一つであってもよい。
【００７３】
或いは、可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴの一部に官能基を埋め込むことでカーボンナノチューブＣＮＴを孤立させる第２可溶化処理（いわゆる、化学修飾による可溶化処理）を含んでいてもよい。第２可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴを分散可能な溶媒を、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶媒として用いることで実現されてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴを分散可能な溶媒は、例えば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【００７４】
以下、ＣＮＴ分散液ＬＱの供給方法の一例を説明する。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、ＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給される前に、基板２００の第１表面２００ａ上には、第１表面２００ａの外縁に沿って壁部材２２０が形成される。壁部材２２０は、ＸＹ平面上において閉じたループ状の形状を有する。その後、基板２００と壁部材２２０とによって囲まれた空間に、ＣＮＴ分散液ＬＱが注入される。その後、壁部材２２０の上部に、基板２００の第１表面２００ａと対向するようにカバー部材２１０が形成される。その結果、ＣＮＴ分散液ＬＱは、基板２００と、カバー部材２１０と、壁部材２２０との間に囲まれた空間に密封される。
【００７５】
基板２００の第１表面２００ａは、キャリアＣが形成される面である。従って、図６（ｃ）に示すように、第１表面２００ａには、キャリア形成領域２０１が設定されている。尚、図６（ｃ）は、第１表面２００ａに既に形成されているソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを点線で示している。ＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給された時点では、カーボンナノチューブＣＮＴは、ＣＮＴ分散液ＬＱ内をランダムに浮遊している。従って、図６（ｃ）に示すように、第１表面２００ａ上においても、カーボンナノチューブＣＮＴは、ランダムに分布している。つまり、カーボンナノチューブＣＮＴは、キャリア形成領域２０１上のみならず、キャリア形成領域２０１とは異なる第１表面２００ａ上の領域２０２（以下、適宜“キャリア非形成領域２０２”と称する）にも分布している。デバイス製造装置１は、このような基板２００に対して光ＥＬ３を照射することで、カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に集めて付着させる。
【００７６】
カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に集めて付着させるために、ＣＮＴ分散液ＬＱが供給された基板２００が、デバイス製造装置１のステージ１７にローディングされる（図５のステップＳ２２）。
【００７７】
具体的には、図７（ａ）に示すように、基板２００がカバー部材２１０の下方に位置するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。光ＥＬ３の伝搬方向に沿って第１表面２００ａの逆側に位置する基板２００の第２表面２００ｂがステージ１７に対向するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。第１表面２００ａがステージ１７に対向しないように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。ステージ１７から見て、基板２００とカバー部材２１０とがこの順番に配置されるように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。この場合には、デバイス製造装置１は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを介して、光ＥＬ３を第１表面２００ａに照射する。つまり、光ＥＬ３は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを透過して、第１表面２００ａに到達する。
【００７８】
尚、図７（ａ）に示すように基板２００がローディングされる場合には、カバー部材２１及び壁部材２２０のうちの少なくとも一方が形成されていなくてもよい。つまり、ＣＮＴ分散液ＬＱが単に第１表面２００ａに供給されていてもよい。
【００７９】
或いは、図７（ｂ）に示すように、基板２００がカバー部材２１０の上方に位置するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。第１表面２００ａがステージ１７に対向するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。ステージ１７から見て、カバー部材２１０と基板２００とがこの順番に配置されるように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。この場合には、デバイス製造装置１は、基板２００を介して、光ＥＬ３を基板２００の第１表面２００ａに照射する。言い換えれば、デバイス製造装置１は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを介することなく、光ＥＬ３を基板２００の第１表面２００ａに照射する。つまり、光ＥＬ３は、光ＥＬ３の伝搬方向に沿って第１表面２００ａの逆側に位置する基板２００の第２表面２００ｂから基板２００の内部に侵入し、基板２００を透過して、基板２００の第１表面２００ａに到達する。
【００８０】
尚、図７（ｂ）に示すように基板２００がローディングされる場合には、カバー部材２１０が形成されていなくてもよい。この場合には、ステージ１７がカバー部材２１０として用いられてもよい。
【００８１】
その後、コントローラ１９は、基板２００上での複数のキャリア形成領域２０１の位置に応じて、空間光変調器１４の複数のミラー要素１４１の状態を制御する。更に、コントローラ１９は、複数のミラー要素１４１の制御に同期して、光源１１が所望のタイミングで所望の強度の光ＥＬ１を出射するように、光源１１を制御する。更に、コントローラ１９は、複数のミラー要素１４１及び光源１１の制御に同期して、ステージ１７が所望のタイミングで所望の方向に向かって所望の移動速度で所望の移動量だけ移動するように、ステージ１７を制御する。
【００８２】
空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のミラー要素１４１の状態に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。つまり、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のキャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。その結果、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３によってキャリア形成領域２０１の少なくとも一部を含む露光対象領域２０３が露光される（図５のステップＳ２３）。このため、複数のキャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターンは、露光対象領域２０３の形成位置に応じた第１変調パターンであるとも言える。
【００８３】
各露光対象領域２０３は、図８（ａ）に示すように、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１と一致する領域であってもよい。或いは、各露光対象領域２０３は、図８（ｂ）に示すように、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１の一部と一致する領域であってもよい。例えば、キャリア形成領域２０１の形状が長手方向（図８（ｂ）のＹ軸方向）に延びる矩形である場合には、露光対象領域２０３は、短手方向（図８（ｂ）Ｘ軸方向）に沿ったキャリア形成領域２０１の中心（或いは、中心付近）を通って長手方向に沿って延びる領域であってもよい。一方で、キャリア非形成領域２０２は、光ＥＬ３によって露光されない。但し、キャリア非形成領域２０２は、相対的に弱い強度（例えば、カーボンナノチューブＣＮＴを付着させることができない強度）の光ＥＬ３によって露光されてもよい。或いは、露光対象領域２０３は、図示しないものの、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１を包含する領域であってもよい。
【００８４】
図９に示すように、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３を構成する複数の領域部分に光ＥＬ３を順次照射するように、空間光変調器１４を制御する。つまり、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３が光ＥＬ３で部分的に順次走査露光されるように、空間光変調器１４を制御する。具体的には、例えば、図９に示すように、コントローラ１９は、露光対象領域２０３上に光ＥＬ３の集光スポットＳＰが形成されるように、空間光変調器１４を制御する。その後、コントローラ１９は、集光スポットＳＰが露光対象領域２０３上を移動する（走査する）ように、空間光変調器１４を制御する。
【００８５】
更に、露光領域ＥＬＡ内に複数の露光対象領域２０３が含まれる場合には、コントローラ１９は、露光対象領域２０３を光ＥＬ３で部分的に順次走査露光する動作が、複数の露光対象領域２０３で同時に行われるように、空間光変調器１４を制御してもよい。例えば、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３に複数の集光スポットＳＰが夫々形成されると共に、複数の集光スポットＳＰが同時に移動するように、空間光変調器１４を制御してもよい。或いは、コントローラ１９は、露光対象領域２０３を光ＥＬ３で部分的に順次走査露光する動作が、複数の露光対象領域２０３を対象に順次行われる（例えば、少なくとも一つの露光対象領域２０３毎に順次行われる）ように、空間光変調器１４を制御してもよい。
【００８６】
尚、各露光対象領域２０３が光ＥＬ３で部分的に順次走査露光される場合には、空間光変調器１４が集光スポットＳＰを移動させることに加えて又は代えて、集光スポットＳＰが基板２００に対して相対的に移動するようにステージ１７が移動してもよい。
【００８７】
露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射されると、カーボンナノチューブＣＮＴは、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）に付着する。従って、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）がキャリア形成領域２０１に一致する又は包含されるように露光対象領域２０３が設定されれば、カーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１上に付着する。以下では、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）がキャリア形成領域２０１と一致するものとする。
【００８８】
ここで、図１０（ａ）から図１５（ｂ）を参照しながら、光ＥＬ３の照射によってキャリア形成領域２０１に（つまり、基板２００に）カーボンナノチューブＣＮＴが付着する様子について更に詳細に説明する。
【００８９】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、露光対象領域２０３のうちのある微小領域に、光ＥＬ３の集光スポットＳＰが形成されるものとする。その結果、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、光ＥＬ３の光トラップ力（つまり、光ピンセット効果）により、微小領域の少なくとも一部に、当該微小領域の周辺に存在していたカーボンナノチューブＣＮＴが集められる。つまり、光ＥＬ３の光トラップ力により、微小領域の少なくとも一部には、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるコアＣＲが形成される。
【００９０】
コアＣＲは、バンドルした複数のカーボンナノチューブＣＮＴから構成される。但し、コアＣＲは、単一のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。コアＣＲのサイズ（具体的には、ＸＹ平面上でのサイズ）は、集光スポットＳＰのサイズ（具体的には、ＸＹ平面上でのサイズ）と同じであってもよい。或いは、コアＣＲのサイズは、集光スポットＳＰのサイズよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。
【００９１】
コアＣＲが形成された後も、コアＣＲには、しばらくの間は光ＥＬ３が照射され続ける。具体的には、コアＣＲが形成された後も、ステージ１７の移動によって集光スポットＳＰがコアＣＲから外れる領域に移動するまでは、光ＥＬ３がコアＣＲに照射され続ける。その結果、コアＣＲは、光ＥＬ３の少なくとも一部を吸収して発熱する。特に、バンドルした複数のカーボンナノチューブＣＮＴからコアＣＲが構成されているがゆえに、コアＣＲの発熱効率（言い換えれば、光熱変換の効率）が相対的に高くなる。
【００９２】
コアＣＲが発熱すると、コアＣＲの発熱に起因して、ＣＮＴ分散液ＬＱ（特に、その溶媒）の少なくとも一部が蒸発する。より具体的には、コアＣＲの発熱に起因して、ＣＮＴ分散液ＬＱのうちコアＣＲの周囲に分布する一部の溶液部分が蒸発する。或いは、ＣＮＴ分散液ＬＱの少なくとも一部が蒸発することに加えて又は代えて、コアＣＲの発熱に起因して、ＣＮＴ分散液ＬＱ中に溶解していた気体（例えば、空気等）の少なくとも一部が析出される。より具体的には、コアＣＲの発熱に起因して、ＣＮＴ分散液ＬＱのうちコアＣＲの周囲に分布する一部の溶液部分に溶解していた気体の少なくとも一部が析出される。その結果、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、蒸発で発生した気体及び析出された気体の少なくとも一部は、気泡ＡＲとなる。気泡ＡＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱ及び基板２００から受ける力（例えば、表面張力等）によって、基板２００上に付着する。従って、実質的には、コアＣＲに光ＥＬ３が照射されると、基板２００上に、ＣＮＴ分散液ＬＱとは特性が異なる気泡ＡＲが形成される。
【００９３】
気泡ＡＲは、コアＣＲを取り囲むように形成される。気泡ＡＲは、コアＣＲを覆うように形成される。気泡ＡＲのサイズ（具体的には、ＸＹ平面上でのサイズ）は、コアＣＲのサイズ（具体的には、ＸＹ平面上でのサイズ）よりも大きい。気泡ＡＲの高さ（具体的には、Ｚ軸方向に沿ったサイズ）は、コアＣＲの高さ（具体的には、Ｚ軸方向に沿ったサイズ）よりも大きい。気泡ＡＲは、ＸＹ平面上における気泡ＡＲの中心又は中心の近傍にコアＣＲが位置するように形成される。従って、コアＣＲは、気泡ＡＲが形成する気体空間内に配置される。つまり、コアＣＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶液内には配置されない。
【００９４】
但し、コアＣＲの少なくとも一部が、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶液内に配置されてもよい。つまり、気泡ＡＲは、コアＣＲの少なくとも一部を取り囲まないように形成されてもよい。気泡ＡＲは、コアＣＲの少なくとも一部を覆わないように形成されてもよい。基板２００上において、気泡ＡＲは、コアＣＲが形成されている領域とは異なる他の領域に形成されてもよい。気泡ＡＲのサイズは、コアＣＲのサイズと同じであってもよいし、小さくてもよい。気泡ＡＲの高さは、コアＣＲの高さと同じであってもよいし、小さくてもよい。気泡ＡＲは、ＸＹ平面上における気泡ＡＲの中心又は中心の近傍から離れた位置にコアＣＲが位置するように形成されてもよい。
【００９５】
尚、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す集光スポットＳＰの位置は、図１０（ａ）から図１１（ｂ）に示す集光スポットＳＰの位置とは異なっている。これは、露光対象領域が光ＥＬ３で順次走査露光されるように、光ＥＬ３が基板２００に照射されている間にステージ１７が移動し、その結果、光ＥＬ３の集光スポットＳＰが基板２００上で相対的に移動するからである（図９参照）。以下に説明する図１３（ａ）から図１４（ｂ）においても、集光スポットＳＰが移動する様子が示されている。
【００９６】
その後、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、気泡ＡＲの少なくとも一部に、カーボンナノチューブＣＮＴが付着する。具体的には、気泡ＡＲの表面であって、つまりは気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面に、カーボンナノチューブＣＮＴが付着する。気泡ＡＲに付着するカーボンナノチューブＣＮＴは、ＣＮＴ分散液ＬＱ中を分散していたカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部である。ＣＮＴ分散液ＬＱ（特に、その溶媒）に対して気泡ＡＲ及びカーボンナノチューブＣＮＴの双方が疎水性を有していることを考慮すれば、気泡ＡＲにカーボンナノチューブＣＮＴが付着する理由の一つとして、疎水効果（言い換えれば、疎水性相互作用）があげられる。但し、カーボンナノチューブＣＮＴは、疎水効果とは異なる作用に起因して気泡ＡＲに付着してもよい。
【００９７】
カーボンナノチューブＣＮＴは、気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面と、気泡ＡＲと基板２００との界面とが交わる箇所に付着する。つまり、カーボンナノチューブＣＮＴは、基板２００上において気泡ＡＲの外縁（具体的には、基板２００側の外縁）に付着する。これは、カーボンナノチューブＣＮＴに作用する力（例えば、重力や、基板２００との間で作用する力等）に起因して、気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面に付着したカーボンナノチューブＣＮＴが当該界面に沿って基板２００に向かって移動するからである。
【００９８】
その後、ステージ１７の移動によって集光スポットＳＰがコアＣＲから外れる領域に移動すると、光ＥＬ３がコアＣＲに照射されなくなるがゆえに、光ＥＬ３の照射に起因したコアＣＲの発熱が停止する。このため、コアＣＲの発熱に起因してＣＮＴ分散液ＬＱの蒸発によって発生する気体が少なくなっていく。或いは、コアＣＲの発熱に起因してＣＮＴ分散液ＬＱから析出される気体が少なくなっていく。その結果、ある時点で、ＣＮＴ分散液ＬＱからの気体の供給（つまり、蒸発及び析出の少なくとも一方）が停止するがゆえに、新たな蒸発及び析出の少なくとも一方によって発生する気体の気泡ＡＲへの流入もまた停止する。従って、ある時点で、気泡ＡＲの状態（例えば、形状等）が安定する。気泡ＡＲの状態が安定すると、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、気泡ＡＲは、気泡ＡＲ自身の浮力によって基板２００から離れていく（言い換えれば、取り除かれる）。つまり、気泡ＡＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱ内を浮上していく。更に、ＣＮＴ分散液ＬＱ内を浮上していくことに加えて又は代えて、気泡ＡＲの一部又は全部が再度ＣＮＴ分散液ＬＱに溶け込む又は凝縮することで、基板２００上から消滅してもよい。
【００９９】
気泡ＡＲが基板２００から離れた場合であっても、気泡ＡＲに付着していたカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部は、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００との間に作用する力（例えば、分子間力や摩擦力等）によって基板２００に付着し続ける。つまり、気泡ＡＲに付着していたカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部は、気泡ＡＲと共に基板２００から離れていくことはない。その結果、図１４（ａ）に示すように、基板２００の第１表面２００ａ（具体的には、露光対象領域２０３）のうち気泡ＡＲの外縁が存在していた箇所には、カーボンナノチューブＣＮＴが、ＸＹ平面に沿ってリング状に分布するように付着し続ける。
【０１００】
尚、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、説明の便宜上、ＸＹ平面に沿ってリング状に分布するカーボンナノチューブＣＮＴのみを図示している。しかしながら、カーボンナノチューブＣＮＴのリングの内側の領域の少なくとも一部にも、カーボンナノチューブＣＮＴが付着していてもよい。同様に、カーボンナノチューブＣＮＴのリングの外側の領域の少なくとも一部にも、カーボンナノチューブＣＮＴが付着していてもよい。
【０１０１】
気泡ＡＲが形成されてから気泡ＡＲが基板２００から離れるまでの間は、光ＥＬ３の集光点は、基板２００の第１表面２００ａのうち気泡ＡＲに覆われる微小領域に位置する。気泡ＡＲ内にはＣＮＴ分散液ＬＱが殆ど又は全く存在しない（或いは、それほど多くは存在しない）ため、コアＣＲが新たに形成されにくい。一方で、気泡ＡＲが基板２００から離れた後には、光ＥＬ３の集光点は、基板２００の第１表面２００ａのうちＣＮＴ分散液ＬＱに覆われる微小領域に位置する。このため、光ＥＬ３の照射に起因して、コアＣＲが新たに形成される。このため、新たに形成されたコアＣＲを起点に、図１１（ａ）から図１４（ｂ）に示す工程を経て新たにカーボンナノチューブＣＮＴが基板２００上に付着する。このため、ステージ１７の移動に合わせて図１１（ａ）から図１４（ｂ）に示す工程が繰り返されることで、図１５（ａ）から図１５（ｂ）に示すように、ＸＹ平面に沿ってリング状に分布するカーボンナノチューブＣＮＴが、露光対象領域２０３（つまり、キャリア形成領域２０１）に沿って複数付着することになる。その結果、キャリア形成領域２０１に、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣが形成される。
【０１０２】
キャリア形成領域２０１に付着したカーボンナノチューブＣＮＴは、基板２００との間の分子間力及び摩擦力によって、実質的に基板２００に付着している。但し、カーボンナノチューブＣＮＴは、基板２００との間に作用する任意の力（例えば、静電力、表面力、又は、電磁力等）によって、基板２００に付着していてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、自然界の４つの力（つまり、電磁力、重力、弱い力及び強い力）のうちの少なくとも一つによって、基板２００に付着していてもよい。従って、カーボンナノチューブＣＮＴが付着したキャリア形成領域２０１（或いは、露光対象領域２０３）に光ＥＬ３が照射されなくなったとしても、キャリア形成領域２０１には、カーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。一方で、キャリア非形成領域２０２が光ＥＬ３によって露光されないがゆえに、キャリア非形成領域２０２にカーボンナノチューブＣＮＴが付着することは殆どない。
【０１０３】
その後、基板２００がデバイス製造装置１から取り出される。その後、基板２００（特に、カーボンナノチューブＣＮＴが付着したキャリア形成領域２０１が設定されている第１表面２００ａ）が、洗浄液（例えば、水）によって洗浄される（図５のステップＳ２４）。ここで、上述したように、露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射されなくなったとしても、キャリア形成領域２０１には、カーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。従って、基板２００が洗浄された場合であっても、キャリア形成領域２０１には、分子間力及び摩擦力によって、カーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。一方で、キャリア非形成領域２０２には、カーボンナノチューブＣＮＴが付着していない。従って、基板２００が洗浄された場合には、キャリア非形成領域２０２には、カーボンナノチューブＣＮＴが存在することは殆どない。
【０１０４】
その後、基板２００が乾燥される（図５のステップＳ２４）。例えば、ＣＮＴ分散液ＬＱ及び洗浄水を構成する液体が蒸発させられる。その結果、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、キャリア形成領域２０１に付着したカーボンナノチューブＣＮＴによって、キャリア形成領域２０１にキャリアＣが形成される。
【０１０５】
尚、基板２００が洗浄及び乾燥されるタイミングで、ＣＮＴ分散液ＬＱを保持するために基板２００上に形成されたカバー部材２１０及び壁部材２２０が除去されてもよい。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態のデバイス製造装置１は、電界効果トランジスタＦＥＴを製造することができる。特に、本実施形態のデバイス製造装置１は、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するキャリアＣを、基板２００上に形成することができる。
【０１０７】
デバイス製造装置１は、光ＥＬ３を用いて、キャリア形成領域２０１にカーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させることで、キャリアＣを形成する。このため、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズのカーボンナノチューブＣＮＴを用いた電界効果トランジスタＦＥＴを好適に製造することができる。更には、デバイス製造装置１は、各カーボンナノチューブＣＮＴを光トラップ力で個別に捕捉し且つ捕捉した各カーボンナノチューブＣＮＴを移動させることでキャリア形成領域２０１に集めなくてもよい。つまり、デバイス製造装置１は、露光対象領域２０３に光ＥＬ３を照射すれば、キャリア形成領域２０１にカーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させることができる。従って、デバイス製造装置１は、比較的容易に、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣを形成することができる。
【０１０８】
（５）カーボンナノチューブをカバーガラスに付着させる実験の結果
続いて、図１７から図１８を参照しながら、光ＥＬの照射によってカーボンナノチューブＣＮＴをカバーガラス４３に付着させる実験の結果について説明する。尚、この実験は、本願発明者等によって行われた。
【０１０９】
図１７は、実験に用いた実験装置３の構造を示す断面図である。実験装置３は、ソーラボ社製の光ピンセット（光トラップ）キットを流用した。図１７に示すように、実験装置３は、光源３１と、コリメータレンズ３２と、反射ミラー３３ａと、ビームエキスパンダ３４と、ハーフミラー３５と、反射ミラー３３ｂと、反射ミラー３３ｃと、油浸対物レンズ３６と、光源３７と、コリメータレンズ３８と、観察器３９とを備える。光源３１は、ファイバ出力型のレーザダイオード（ＰＬ９７５Ｐ３５０Ｊ−ＦＴ９００−ＡＰＣ）である。光源３１は、９７５ｎｍの波長のレーザ光ＥＬを、最大３５０ｍＷの出力で出射可能である。コリメータレンズ３２は、光源３１が出射したレーザ光ＥＬを平行光に変換する。反射ミラー３３ａは、コリメータレンズ３２を通過したレーザ光ＥＬ（つまり、平行光）をビームエキスパンダ３４に向けて反射する。ビームエキスパンダ３４は、反射ミラー３３ａが反射したレーザ光ＥＬのビーム径を調整する（例えば、拡大する）。ハーフミラー３５は、ビームエキスパンダ３４を通過したレーザ光ＥＬの一部を反射ミラー３３ｂに向けて反射する。ハーフミラー３５が反射したレーザ光ＥＬは、反射ミラー３３ｂ及び３３ｃを介して油浸対物レンズ３６の入射面に入射する。油浸対物レンズ３６は、油浸対物レンズ３６の出射面とサンプル４０との間に油浸空間３６ａを形成する。油浸対物レンズ３６は、サンプル４０にレーザ光ＥＬを集光する。光源３７は、可視光である照明光を出射可能なＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔａｎｃｅ  Ｄｉｏｄｅ）である。コリメータレンズ３８は、光源３７が出射した照明光を平行光に変換する。コリメータレンズ３８を通過した照明光は、サンプル４０に照射される。照明光が照射されたサンプル４０からの反射光は、油浸対物レンズ３６、反射ミラー３３ｃ、反射ミラー３３ｂ及びハーフミラー３５を介して観察器３９に入射する。観察器３９は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）カメラである。
【０１１０】
サンプル４０は、スライドガラス４１と、スライドガラス４１上に貼り付けられ且つ中央に穴があけられたゴムシート４２と、ゴムシート４２を覆うカバーガラス４３と、スライドガラス４１、ゴムシート４２及びカバーガラス４３によって囲まれた空間に密封されたＣＮＴ分散液４４とを備える。サンプル４０は、カバーガラス４３が油浸空間３４ａに面するように配置される。
【０１１１】
ＣＮＴ分散液４４は、以下の手順で製造された。まず、１ｗｔ％のドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ：界面活性剤）を含む溶媒１０ｍｌに対して、４ｍｇのカーボンナノチューブを加えた。カーボンナノチューブは、ＣｏＭｏＣＡＴ法で合成された単層カーボンナノチューブ（シグマアルドリッチジャパン社製のＣｏＭｏＣＡＴ７２４７７７）である。その後、得られた溶液を懸濁した。その後、溶液を高圧噴射することで溶液内においてカーボンナノチューブを分散させる高圧分散処理を行った。高圧分散処理は、スギノマシン社製のＳｔａｒ  Ｂｕｒｓｔ  ｍｉｎｉｍｏを用いて行った。噴射圧は２４０ＭＰａに設定し、噴射回数は３０回であった。その後、冷水で溶液を冷却しながら、２５０ｍＷの出力の超音波を溶液に５時間照射した。超音波の照射には、コスモバイオ社製のナノラプターを用いた。その後、超遠心分離器を用いて、１００００ｒｐｍの回転速度で溶液を１５分間遠心分離した。その後、溶液の上澄み液を８０％回収した。回収した上澄み液を、ＣＮＴ分散液４４として用いた。
【０１１２】
このような実験装置３を用いてサンプル４０にレーザ光ＥＬを照射した。この際、ＣＮＴ分散液４４に面するカバーガラス４３の上面（図１７中の＋Ｚ軸側の面）にレーザ光ＥＬが集光されるように、サンプル４０のＺ軸方向に沿った位置を調整した。また、光源３１の出力は、１００ｍＷに設定した。このような前提でサンプル４０にレーザ光ＥＬを照射すると、レーザ光ＥＬの照射開始から１秒も経過しないうちに、カバーガラス４３の上面にカーボンナノチューブＣＮＴが付着し始める様子が、観察器３９によって観察された。更に、レーザ光ＥＬを照射したまま、サンプル４０をＸＹ平面に沿って移動させた。移動速度は、厳密に一定ではないものの、概ね２ｍｍ／ｓより速い移動速度であった。その結果、図１８に示すように、カバーガラス４３の上面には、ステージ３５の移動軌跡に合致した軌跡に沿って、ＸＹ平面に沿ってリング状に分布するカーボンナノチューブＣＮＴが複数付着する様子が観察された。
【０１１３】
尚、カーボンナノチューブＣＮＴが付着したリング状の領域の径（軌跡に交わる方向に沿ったサイズ）は、概ね１００μｍであった。一方で、カバーガラス４３上でのレーザ光ＥＬのスポットの径は、概ね１μｍであった。つまり、本実験では、レーザ光ＥＬのスポットが移動した領域を中心とする所定領域に、カーボンナノチューブＣＮＴが付着した様子が観察された。
【０１１４】
（６）変形例
図５から図１６（ｂ）を用いて説明したキャリアＣの形成方法は一例である。従って、図５から図１６（ｂ）に示すキャリアＣの形成方法の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、キャリアＣの形成方法の少なくとも一部の改変の例について説明する。
【０１１５】
（６−１）第１変形例
図１９を参照しながら、キャリアＣの形成方法の第１変形例について説明する。図１９は、図４のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法の第１変形例の流れの一例を示すフローチャートである。尚、図５に示すキャリアＣの形成方法で行われる処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１１６】
図１９に示すように、第１変形例では、ＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００上に供給される前に、ＣＮＴ分散液ＬＱに対して脱泡処理（言い換えれば、脱気処理）が施される（ステップＳ２５）。脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱ中に溶解していた気体（例えば、空気等）の少なくとも一部をＣＮＴ分散液ＬＱから取り除く処理である。脱泡処理としては、加熱沸騰脱泡処理や、超音波脱泡処理や、真空減圧脱泡処理や、遠心脱泡処理や、攪拌脱泡処理や、これらのうちの少なくとも二つを組み合わせた処理等が挙げられる。加熱沸騰脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱを加熱して沸騰させることで気体を取り除く処理である。超音波脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱに超音波を照射することで生ずるＣＮＴ分散液ＬＱ中の圧力差を利用して気体を取り除く処理である。真空減圧脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱを真空環境（或いは、大気圧から減圧された減圧環境）下においてＣＮＴ分散液ＬＱを沸騰させる（言い換えれば、蒸発を促進する）ことで気体を取り除く処理である。遠心脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱを収容する容器を高速回転させることで生ずる遠心力を利用して気体を取り除く処理である。攪拌脱泡処理は、ＣＮＴ分散液ＬＱを攪拌部材で攪拌することで気体を取り除く処理である。
【０１１７】
その後、基板２００上に、脱泡処理が施されたＣＮＴ分散液ＬＱが供給される（ステップＳ２１）。以降は、第１変形例においても、上述した実施形態と同様に、ステップＳ２２からステップＳ２４の処理が行われる。
【０１１８】
このような第１変形例においても、上述した実施形態で享受可能な効果と同一の効果が適切に享受可能である。加えて、第１変形例では、脱泡処理が施されない上述した実施形態と比較して、キャリアＣを形成する際の条件によっては、線幅が細いキャリアＣ（或いは、シャープなキャリアＣ）を形成することができる可能性が高くなる。この効果は、脱泡処理が施されていないＣＮＴ分散液ＬＱを用いてカーボンナノチューブＣＮＴをカバーガラスに付着させた実験結果を示す図２０と、脱泡処理が施されたＣＮＴ分散液ＬＱを用いてカーボンナノチューブＣＮＴをカバーガラスに付着させた実験結果を示す図２１との比較からも明らかである。尚、図２１に示す実験結果を取得する際に施された脱泡処理は、アスピレータによって作り出した３０００パスカル程度の減圧環境下においたＣＮＴ分散液ＬＱを攪拌部材で攪拌する処理（つまり、真空減圧脱泡処理と攪拌脱泡処理とを組み合わせた処理）である。
【０１１９】
（６−２）その他の変形例
上述した説明では、カーボンナノチューブＣＮＴを基板２００に付着させるために形成する気泡ＡＲは、光ＥＬ３の光トラップ力によって集められたカーボンナノチューブＣＮＴから構成されるコアＣＲを起点に形成されている。つまり、デバイス製造装置１では、光ＥＬ３の光トラップ力によってカーボンナノチューブＣＮＴを集めてコアＣＲを形成する第１工程、コアＣＲを起点に気泡ＡＲを形成する第２工程、気泡ＡＲの表面にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させる第３工程、及び、気泡ＡＲを基板２００から取り除いて基板２００上にカーボンナノチューブＣＮＴを残す第４工程が繰り返されることで、カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に付着させている。しかしながら、気泡ＡＲは、光ＥＬ３の光トラップ力によって集められていないカーボンナノチューブＣＮＴから構成されるコアＣＲを起点に形成されてもよい。つまり、上述した第１工程が繰り返し行われなくてもよい。例えば、デバイス製造装置１では、第１工程から第４工程が少なくとも１回行われた後には、改めて第１工程が行われることで新たなコアＣＲが形成されることに代えて、既に行われた第１工程から第４工程によって基板２００に付着しているカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部を新たなコアＣＲとして用いてもよい。具体的には、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、キャリア形成領域２０１のある微少領域に既に付着しているカーボンナノチューブＣＮＴの一部が、新たなコアＣＲとして用いられてもよい。この場合、デバイス製造装置１では、第１工程が改めて行われることなく、このコアＣＲを起点に気泡ＡＲを形成する第２工程、この気泡ＡＲの表面にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させる第３工程、及び、気泡ＡＲを基板２００から取り除いて基板２００上にカーボンナノチューブＣＮＴを残す第４工程が繰り返されればよい。
【０１２０】
デバイス製造装置１が製造する電子デバイス（或いは、その他任意のデバイス）は、様々なデバイスパターンが基板２００に形成されることで製造される。通常、デバイスパターンの線幅は、電子デバイスの仕様に合わせて任意に選択可能である。このため、キャリアＣの線幅もまた、電子デバイスの仕様に合わせて任意に選択可能である。この場合、デバイス製造装置１が形成するキャリアＣの線幅を調整するために、コントローラ１９は、図５のステップＳ２３において、露光対象領域２０３に照射される光ＥＬ３の強度を調整してもよい。具体的には、コントローラ１９は、相対的に細い線幅のキャリアＣが形成される場合には、露光対象領域２０３に照射される光ＥＬ３の強度が相対的に弱くなるように、光ＥＬ３の強度を調整してもよい。一方で、コントローラ１９は、相対的に太い線幅のキャリアＣが形成される場合には、露光対象領域２０３に照射される光ＥＬ３の強度が相対的に強くなるように、光ＥＬ３の強度を調整してもよい。つまり、コントローラ１９は、図２３に示すように、基板２００に形成するべきキャリアＣの線幅が細くなるほど、露光対象領域２０３に照射される光ＥＬ３の強度が弱くなるように、光ＥＬ３の強度を調整してもよい。光ＥＬ３の強度が弱くなるほど、光ＥＬ３の光トラップ力が弱くなる。光ＥＬ３の光トラップ力が弱くなるほど、当該光トラップ力によって集めることが可能なカーボンナノチューブＣＮＴの総量が少なくなる。トラップ力によって集めることが可能なカーボンナノチューブＣＮＴの総量が少なくなるほど、コアＣＲが小さくなる。コアＣＲが小さくなるほど、コアＣＲの発熱量が少なくなる。更には、光ＥＬ３の強度が弱くなるほど、コアＣＲが吸収する光ＥＬ３の総量そのものが少なくなるがゆえに、コアＣＲの大きさに関わらずコアＣＲの発熱量が少なくなる。コアＣＲの発熱量が少なくなるほど、コアＣＲの発熱に起因してＣＮＴ分散液ＬＱからの蒸発及び／又は析出によって発生する気体の総量が少なくなる。ＣＮＴ分散液ＬＱからの蒸発及び／又は析出によって発生する気体の総量が少なくなるほど、当該気体から構成される気泡ＡＲが小さくなる。気泡ＡＲが小さくなるほど、気泡ＡＲに付着するカーボンナノチューブＣＮＴの総量が少なくなる。従って、光ＥＬ３の強度が弱くなるほど、基板２００に付着したカーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣの線幅が細くなる。その結果、デバイス製造装置１は、適切な線幅のキャリアＣを比較的容易に形成することができる。尚、コントローラ１９は、光源１１が出射する光ＥＬ１の強度を調整するように光源１１を制御することで、光ＥＬ３の強度を調整することができる。更には、コントローラ１９は、空間光変調器１４を制御することで、光ＥＬ３の強度を調整することができる。更には、デバイス製造装置１が光ＥＬ１、ＥＬ２又はＥＬ３の強度を調整可能な任意の調整装置を備えている場合には、コントローラ１９は、当該調整装置を制御することで、光ＥＬ３の強度を調整することができる。
【０１２１】
デバイス製造装置１が形成するキャリアＣの線幅を調整するために、コントローラ１９は、図５のステップＳ２３において、投影光学系１６に対するステージ１７の相対的な移動速度（以降、“相対速度”と称する）を調整してもよい。具体的には、コントローラ１９は、相対的に細い線幅のキャリアＣが形成される場合には、ステージ１７の相対速度が相対的に早くなるように、ステージ１７の相対速度を調整してもよい。一方で、コントローラ１９は、相対的に太い線幅のキャリアＣが形成される場合には、ステージ１７の相対速度が相対的に遅くなるように、ステージ１７の相対速度を調整してもよい。つまり、コントローラ１９は、図２４に示すように、基板２００に形成するべきキャリアＣの線幅が細くなるほど、ステージ１７の相対速度が早くなるように、ステージ１７の相対速度を調整してもよい。尚、ステージ１７の相対速度の調整は、例えば、ステージ１７の移動速度の調整によって実現される。ステージ１７の相対速度が早くなるほど、基板２００上のある微小領域に光ＥＬ３が照射される時間が短くなる。基板２００上のある微小領域に光ＥＬ３が照射される時間が短くなるほど、当該光ＥＬ３の光トラップ力によって集めることが可能なカーボンナノチューブＣＮＴの総量が少なくなる。更には、基板２００上のある微小領域に光ＥＬ３が照射される時間が短くなるほど、光ＥＬ３の照射に起因したコアＣＲの発熱量が少なくなる。従って、光ＥＬ３の強度を調整する場合と同様の理由から、ステージ１７の相対速度が早くなるほど、基板２００に付着したカーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣの線幅が細くなる。その結果、デバイス製造装置１は、適切な線幅のキャリアＣを比較的容易に形成することができる。
【０１２２】
尚、上述した実験装置３を用いた本願発明者等の実験により、光ＥＬ３の強度が強くなるほど、光ＥＬ３の光トラップ力によってカーボンナノチューブＣＮＴがより早く集まる（つまり、コアＣＲがより早く形成される）ことが判明した。つまり、光ＥＬ３の強度が強くなるほど、光ＥＬ３の照射に起因してカーボンナノチューブＣＮＴが基板２００により早く付着することが判明した。このため、コントローラ１９は、キャリアＣの形成に要する時間を短くするためには、光ＥＬ３の強度を相対的に高くしてもよい。つまり、コントローラ１９は、デバイス製造装置１のスループット（つまり、電子デバイスの製造効率）を向上させるためには、光ＥＬ３の強度を相対的に高くしてもよい。一方で、上述したように、単に光ＥＬ３の強度を高くするだけでは、相対的に細い線幅のキャリアＣを形成することが困難である。そこで、コントローラ１９は、デバイス製造装置１のスループットを向上させつつも所望の線幅のキャリアＣを形成することができるように、ＣＮＴ分散液ＬＱの濃度を適切に選択し、且つ、光ＥＬ３の強度及びステージ１７の移動速度を適切に調整してもよい。
【０１２３】
図５のステップＳ２１において、基板２００上に供給されるＣＮＴ分散液ＬＱにおけるカーボンナノチューブＣＮＴの濃度が設定されてもよい。具体的には、キャリアＣを相対的に早く形成したい（つまり、電界効果トランジスタＦＥＴを早く製造したい）場合には、相対的に高い濃度のＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給されてもよい。一方で、キャリアＣを相対的に早く形成しなくてもよい（つまり、電界効果トランジスタＦＥＴを早く製造しなくてもよい）場合には、相対的に薄い濃度のＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給される。つまり、図２５に示すように、キャリアＣを形成するために要する時間が短くなるほど、基板２００に供給されるＣＮＴ分散液ＬＱの濃度が濃くなるように、ＣＮＴ分散液ＬＱの濃度が設定されてもよい。ＣＮＴ分散液ＬＱの濃度が濃くなるほど、光ＥＬ３のトラップ力によってカーボンナノチューブＣＮＴが集められやすくなるがゆえに、コアＣＲが形成されるまでに要する時間が短くなる。このため、キャリアＣを形成するために要する時間（更には、デバイスを製造するために要する時間）もまた短くなる。つまり、デバイス製造装置１のスループット（つまり、電子デバイスの製造効率）が向上する。
【０１２４】
上述した説明では、コアＣＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱ中に分散しているカーボンナノチューブＣＮＴ又は基板２００に付着したカーボンナノチューブＣＮＴから構成されている。しかしながら、コアＣＲは、任意の材料から構成されてもよい。例えば、コアＣＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱ中に分散している任意の材料（例えば、カーボンナノチューブＣＮＴとは異なるもののＣＮＴ分散液ＬＱを構成する他の材料や、不純物等）から構成されてもよい。例えば、コアＣＲは、基板２００に付着（或いは、堆積）している任意の材料から構成されてもよい。
【０１２５】
コアＣＲは、ＣＮＴ分散液ＬＱの外部からＣＮＴ分散液ＬＱ内に供給される任意の材料から構成されてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、光ＥＬ３を基板２００に照射してコアＣＲを形成することに加えて又は代えて、コアＣＲとなり得る任意の材料をＣＮＴ分散液ＬＱ内に供給してコアＣＲを形成してもよい。
【０１２６】
コアＣＲは、気泡ＡＲを形成するための起点となり得る限りは、どのような材料から構成されてもよい。つまり、コアＣＲは、光ＥＬ３の照射によって発熱可能な任意の材料から構成されてもよい。或いは、コアＣＲは、光ＥＬ３の照射によってＣＮＴ分散液ＬＱの蒸発を促すことが可能な任意の材料から構成されてもよい。或いは、コアＣＲは、光ＥＬ３が照射されなくてもＣＮＴ分散液ＬＱの蒸発を促すことが可能な任意の材料から構成されてもよい。或いは、コアＣＲは、光ＥＬ３の照射によってＣＮＴ分散液ＬＱに溶解していた気体を析出可能な任意の材料から構成されてもよい。或いは、コアＣＲは、光ＥＬ３が照射されなくてもＣＮＴ分散液ＬＱに溶解していた気体を析出可能な任意の材料から構成されてもよい。コアＣＲは、固体の材料であってもよいし、液体の材料であってもよいし、気体の材料であってもよい。
【０１２７】
上述した説明では、カーボンナノチューブＣＮＴは、気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面と、気泡ＡＲと基板２００との界面とが交わる箇所（つまり、気泡ＡＲの基板２００側の外縁）に付着している（図１３（ａ）及び図１３（ｂ）参照）。しかしながら、カーボンナノチューブＣＮＴは、気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面の任意の位置に付着してもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、気泡ＡＲとＣＮＴ分散液ＬＱとの界面の任意の位置に加えて又は代えて、気泡ＡＲと基板２００との界面の任意の位置に付着してもよい。
【０１２８】
上述した説明では、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱ中からの蒸発及び／又は析出によって発生する気体で気泡ＡＲを形成している。しかしながら、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱの外部からＣＮＴ分散液ＬＱ内に任意の気体を供給して気泡ＡＲを形成してもよい。この場合には、デバイス製造装置１は、コアＣＲを形成しなくてもよいし、コアＣＲに光ＥＬ３を照射しなくてもよい。例えば、デバイス製造装置１は、デバイス製造装置１が備える又はデバイス製造装置１の外部に設置される気体供給源からＣＮＴ分散液ＬＱ内に任意の気体を供給して気泡ＡＲを形成してもよい。
【０１２９】
上述した説明では、デバイス製造装置１は、コアＣＲの発熱を利用して気泡ＡＲを形成している。つまり、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに熱的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成している。しかしながら、デバイス製造装置１は、その他の方法で気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに物理的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに化学的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに電気的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに磁気的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに光学的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。
【０１３０】
上述した説明では、デバイス製造装置１は、コアＣＲに光ＥＬ３を照射して気泡ＡＲを形成している。つまり、デバイス製造装置１は、コアＣＲに光学的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成している。しかしながら、デバイス製造装置１は、その他の方法で気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、コアＣＲに物理的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、コアＣＲに化学的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、コアＣＲに電気的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、コアＣＲに磁気的な作用を加えることで、気泡ＡＲを形成してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、光ＥＬ３の照射とは異なる手法でコアＣＲに熱的な作用を加える（例えば、コアＣＲ又はＣＮＴ分散液ＬＱを、キャリア形成領域２０１に沿って配置した加熱器（例えば、熱電対や電熱線等）で加熱する）ことで、気泡ＡＲを形成してもよい。
【０１３１】
上述した説明では、気泡ＡＲは、気泡ＡＲの安定化に起因して基板２００から取り除かれている。しかしながら、デバイス製造装置１は、気泡ＡＲに何らかの作用（例えば、物理的な作用、化学的な作用、電気的な作用、磁気的な作用、熱的な作用又は光学的な作用）を加えて気泡ＡＲを取り除いてもよい。
【０１３２】
デバイス製造装置１は、気泡ＡＲ（或いは、その他任意の気体から構成される気体領域）にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させることに代えて、任意の液体から構成される液体領域にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、まず、ＣＮＴ分散液ＬＱ中であって且つ基板２００上に液体領域を形成する。例えば、デバイス製造装置１は、コアＣＲを形成し、その後、コアＣＲに何らかの作用（例えば、物理的な作用、化学的な作用、電気的な作用、磁気的な作用、熱的な作用又は光学的な作用）を加えて液体領域を形成してもよい。或いは、例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱに何らかの作用（例えば、物理的な作用、化学的な作用、電気的な作用、磁気的な作用、熱的な作用又は光学的な作用）を加えて液体領域を形成してもよい。或いは、例えば、デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱの外部からＣＮＴ分散液ＬＱ内に任意の液体を供給して液体領域を形成してもよい。液体領域を構成する液体の特性（例えば、物理的性質や、化学的性質や、比重等）は、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶媒の特性とは異なる。液体領域を構成する液体は、ＣＮＴ分散液ＬＱ（特に、その溶媒）に対して疎水性を有している。このため、このような液体から、ＣＮＴ分散液ＬＱ中にＣＮＴ分散液ＬＱと分離可能な液体領域が適切に形成される。液体領域が形成された後には、疎水効果（或いは、その他の作用）に起因して、液体領域の少なくとも一部にカーボンナノチューブＣＮＴが付着する。例えば、液体領域の表面（つまり、液体領域とＣＮＴ分散液ＬＱとの界面又は液体領域と基板２００との界面）の少なくとも一部にカーボンナノチューブＣＮＴが付着してもよい。例えば、液体領域とＣＮＴ分散液ＬＱとの界面と、液体領域と基板２００との界面とが交わる箇所（つまり、液体領域の基板２００側の外縁）にカーボンナノチューブが付着してもよい。例えば、液体領域の内部にカーボンナノチューブが付着（言い換えれば、浮遊）してもよい。その後、液体領域が基板２００から取り除かれる。例えば、デバイス製造装置１は、液体領域に何らかの作用（例えば、物理的な作用、化学的な作用、電気的な作用、磁気的な作用、熱的な作用又は光学的な作用）を加えて液体領域を取り除いてもよい。液体領域が基板２００から取り除かれた場合であっても、液体領域に付着していたカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部は、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００との間に作用する力（例えば、分子間力や摩擦力等）によって基板２００に付着し続ける。その結果、気泡ＡＲに代えて液体領域が用いられる場合であっても、キャリア形成領域２０１に、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣが形成される。
【０１３３】
デバイス製造装置１は、気泡ＡＲ（或いは、その他任意の気体から構成される気体領域）にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させることに代えて、任意の固体から構成される固体領域にカーボンナノチューブＣＮＴを付着させてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、まず、ＣＮＴ分散液ＬＱ中であって且つ基板２００上に固体領域を形成する。デバイス製造装置１は、気体領域又は液体領域を形成する方法と同様の方法を用いて、固体領域を形成してもよい。固体領域を構成する固体の特性（例えば、物理的性質や、化学的性質や、比重等）は、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶媒の特性とは異なる。固体領域を構成する固体は、ＣＮＴ分散液ＬＱ（特に、その溶媒）に対して疎水性を有している。このため、このような固体から、ＣＮＴ分散液ＬＱ中にＣＮＴ分散液ＬＱと分離可能な固体領域が適切に形成される。固体領域が形成された後には、疎水効果（或いは、その他の作用）に起因して、固体領域の少なくとも一部にカーボンナノチューブＣＮＴが付着する。例えば、固体領域の表面（つまり、固体領域とＣＮＴ分散液ＬＱとの界面又は固体領域と基板２００との界面）の少なくとも一部にカーボンナノチューブＣＮＴが付着してもよい。例えば、固体領域とＣＮＴ分散液ＬＱとの界面と、固体領域と基板２００との界面とが交わる箇所（つまり、固体領域の基板２００側の外縁）にカーボンナノチューブが付着してもよい。例えば、固体領域の内部にカーボンナノチューブが付着（言い換えれば、浸透）してもよい。その後、固体領域が基板２００から取り除かれる。デバイス製造装置１は、気体領域又は液体領域を取り除く方法と同様の方法を用いて、固体領域を取り除いてもよい。固体領域が基板２００から取り除かれた場合であっても、固体領域に付着していたカーボンナノチューブＣＮＴの少なくとも一部は、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００との間に作用する力（例えば、分子間力や摩擦力等）によって基板２００に付着し続ける。その結果、気泡ＡＲに代えて固体領域が用いられる場合であっても、キャリア形成領域２０１に、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣが形成される。
【０１３４】
デバイス製造装置１は、フォトリソグラフィ法を用いて基板２００上にデバイスパターンを形成するための露光と同一のタイミングで、露光対象領域２０３に光ＥＬ３を照射してもよい。つまり、デバイス製造装置１は、キャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターン及びデバイスパターンに応じた第２変調パターンの双方を含む第３変調パターンで空間変調された光ＥＬ３で、基板２００を露光してもよい。この場合、デバイス製造装置１は、デバイスパターンを形成する工程を流用して、キャリアＣを形成することができる。このため、キャリアＣを形成する工程の簡略化（短縮化）が実現される。尚、デバイスパターンは、例えば、電界効果トランジスタＦＥＴを構成する任意の構造物（例えば、素子、電極又は配線）に対応するデバイスパターンであってもよい。デバイスパターンは、基板２００上に形成され且つ電界効果トランジスタＦＥＴとは異なる任意の回路素子を構成する任意の構造物に対応するデバイスパターンであってもよい。
【０１３５】
上述した説明では、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３を構成する複数の領域部分に光ＥＬ３を順次照射するように、空間光変調器１４を制御している。しかしながら、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３の全体に同時に光ＥＬ３を照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。つまり、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３の全体が光ＥＬ３で同時に露光されるように、空間光変調器１４を制御してもよい。この場合、光ＥＬ３が照射される領域と露光対象領域２０３とが一致する。更に、露光領域ＥＬＡ内に複数の露光対象領域２０３が含まれる場合には、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３の全てにまとめて同時に光ＥＬ３を照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。或いは、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３に順に光ＥＬ３を照射する（例えば、少なくとも一つの露光対象領域２０３毎に光ＥＬ３を照射する）ように、空間光変調器１４を制御してもよい。
【０１３６】
デバイス製造装置１は、空間光変調器１４に代えて、マスクを備えていてもよい。マスクには、キャリア形成領域２０１に応じたマスクパターンが形成されている。具体的には、マスクには、マスクを通過した光ＥＬ３がキャリア形成領域２０１に照射されるように、光ＥＬ２の少なくとも一部を遮光し且つ光ＥＬ２の少なくとも他の一部を通過させるマスクパターンが形成されている。このため、マスクを透過した光ＥＬ３は、上述した空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３と同様に、キャリア形成領域２０１に照射される。マスクが使用される場合には、空間光変調器１４が使用される場合と比較して、露光領域ＥＬＡを大きくすることができる。このため、キャリアＣの形成効率が向上する。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴの製造に関するスループットが向上する。
【０１３７】
コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１に集められているか否か（或いは、付着しているか否か）を判定してもよい。例えば、検出器１８がラマン分光計である場合には、コントローラ１９は、ラマン散乱光を計測する検出器１８の検出結果（つまり、ラマン散乱光の検出結果）に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴの位置を特定することができる。その結果、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１に集められているか否か（或いは、付着しているか否か）を判定することができる。
【０１３８】
キャリアＣは、カーボンナノチューブＣＮＴに加えて又は代えて、その他のナノ物質（典型的には、カーボンナノ物質）から構成されていてもよい。その他のナノ物質の形状は、カーボンナノチューブの形状のように長手形状又は棒状であってもよい。その他のナノ物質の形状は、長手形状又は棒状とは異なる任意の形状（例えば、シート状、板状、球状、円形状又は矩形形状等）であってもよい。その他のナノ物質の一例として、カーボンナノホーン、カーボンナノコイル、カーボンマイクロコイル、カーボンファイバ、カーボンナノオニオン、フラーレン、及び、カーボンナノカプセル等があげられる。この場合であっても、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴと同様に、ナノ物質をキャリア形成領域２０１に配置することができる。
【０１３９】
キャリアＣに加えて又は代えて、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するその他の構造物が、カーボンナノチューブＣＮＴ（或いは、その他のナノ物質）から構成されていてもよい。その他の構造物は、例えば、複数のソース電極Ｓ、複数のドレイン電極Ｄ及び複数のゲート電極Ｇのうちの少なくとも一つである。この場合、デバイス製造装置１は、キャリアＣを構成するカーボンナノチューブＣＮＴと同様に、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するその他の構造物を所望領域に配置することができる。
【０１４０】
上述の実施形態において、分子間力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。静電力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。表面力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。電磁力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。自然界の４つの力のうち重力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。自然界の４つの力のうち電磁力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。自然界の４つの力のうち弱い力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。自然界の４つの力のうち強い力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。
【０１４１】
なお、上述の実施形態において、第１物体は固体には限定されず、液体やゾル、ゲル、気体であってもよい。また、第２物体は固体には限定されず、液体やゾル、ゲル、気体であってもよい。そして、第３物体は液体には限定されず、固体やゾル、ゲル、気体であってもよい。
【０１４２】
上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０１４３】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１４４】
１  デバイス製造装置
１１  光源
１２  照明光学系
１４  空間光変調器
１６  投影光学系
１７  ステージ
１９  コントローラ
２００  基板
２０１  キャリア形成領域
ＦＥＴ  電界効果トランジスタ
Ｓ  ソース電極
Ｄ  ドレイン電極
Ｇ  ゲート電極
Ｃ  キャリア
ＣＮＴ  カーボンナノチューブ
ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、ＥＬ４  光
ＣＲ  コア
ＡＲ  気泡
ＳＰ  集光スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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