(57)【要約】【課題】金属層やデバイスが形成された被加工物の表面側を露出させ裏面側を保持面で保持した状態で保持面側からレーザー加工を可能とする静電チャックテーブル、レーザー加工装置及び被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】静電チャックテーブル１は、被加工物Ｗが透過性を有する所定波長のレーザー光線Ｌに対し透過性を備え、第１の面２ａと該第１の面２ａと反対側の第２の面２ｂを有する板状の基台部２と、所定波長のレーザー光線Ｌに対し透過性を有し、基台部２の第１の面２ａに積層される静電吸着用の電極部３と、所定波長のレーザー光線Ｌに対し透過性を有し、電極部３を覆い、被加工物Ｗを保持する保持面１ａを構成するＰＥＴフィルム４と、を備える。静電チャックテーブル１は、基台部２の第２の面２ｂからレーザー光線Ｌを照射し、保持面１ａで保持した被加工物Ｗの内部に改質層Ｋを形成する際に用いられる。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する静電チャックテーブルであって、
被加工物が透過性を有する所定波長のレーザー光線に対し透過性を備え、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面を有する板状の基台部と、
該所定波長のレーザー光線に対し透過性を有し、該基台部の該第１の面に積層される静電吸着用の電極部と、
該所定波長のレーザー光線に対し透過性を有し、該電極部を覆い、被加工物を保持する保持面を構成する樹脂層と、を備え、
該基台部の該第２の面からレーザー光線を照射し、該保持面で保持した該被加工物の内部に改質層を形成する際に用いる静電チャックテーブル。
【請求項２】
該所定波長は、５００ｎｍ〜１４００ｎｍである請求項１記載の静電チャックテーブル。
【請求項３】
被加工物は、ＭＥＭＳデバイスが表面に形成された板状物であり、裏面側を該保持面で保持する請求項１または２記載の静電チャックテーブル。
【請求項４】
被加工物を保持する静電チャックテーブルと、該静電チャックテーブルに保持された被加工物に対し透過性を有する波長のレーザー光線で被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置であって、
該静電チャックテーブルは請求項１、２又は３記載の静電チャックテーブルであることを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項５】
請求項１、２又は３記載の静電チャックテーブルの保持面に被加工物を保持する保持ステップと、
該第２の面から照射され、該静電チャックテーブルを透過したレーザー光線によって、該保持面で保持した該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、を備える被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックテーブル、レーザー加工装置及び被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体やＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）等の光デバイスを形成したウエーハの分割にレーザー加工装置を用い、ウエーハ内部に形成した改質層を破断基点に分割する加工方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１等に示された加工方法は、従来行われていた切削水を供給しながら切削ブレードで破砕するダイシングに比較し、カーフ幅（切り代）が非常に細くできるため、挟ストリート化がすすんだウエーハに対し非常に有用である。また、特許文献１等に示された加工方法は、被加工物への機械的衝撃が非常に少ないため、例えばＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）と呼ばれる微細な構造体が形成されたウエーハの分割では、ＭＥＭＳを破壊することなく分割できるため非常に有効である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レーザー光線は、ウエーハを透過することが出来ても、デバイスの回路等を構成する金属層を透過することが出来ない波長であるため、金属層の無いウエーハの裏面からレーザー光線を照射するよう、デバイス面側を保持面で保持したり、分割予定ラインにＴＥＧパターン（テストエレメントパターン）を形成しない特殊な設計にしたり、ＴＥＧパターンを事前に除去するステップを設けたりする必要があった。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属層やデバイスが形成された被加工物の表面側を露出させ裏面側を保持面で保持した状態で保持面側からレーザー加工を可能とする静電チャックテーブル、レーザー加工装置及び被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の静電チャックテーブルは、被加工物を保持する静電チャックテーブルであって、被加工物が透過性を有する所定波長のレーザー光線に対し透過性を備え、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面を有する板状の基台部と、所定波長のレーザー光線に対し透過性を有し、該基台部の該第１の面に積層される静電吸着用の電極部と、該所定波長のレーザー光線に対し透過性を有し、該電極部を覆い、被加工物を保持する保持面を構成する樹脂層と、を備え、該基台部の該第２の面からレーザー光線を照射し、該保持面で保持した該被加工物の内部に改質層を形成する際に用いることを特徴とする。
【０００８】
該所定波長は、５００ｎｍ〜１４００ｎｍとすることができる。
【０００９】
被加工物は、ＭＥＭＳデバイスが表面に形成された板状物であり、裏面側を該保持面で保持することができる。
【００１０】
本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持する静電チャックテーブルと、該静電チャックテーブルに保持された被加工物に対し透過性を有する波長のレーザー光線で被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置であって、該静電チャックテーブルは前記静電チャックテーブルであることを特徴とする。
【００１１】
本発明の被加工物の加工方法は、前記静電チャックテーブルの保持面に被加工物を保持する保持ステップと、該第２の面から照射され、該静電チャックテーブルを透過したレーザー光線によって、該保持面で保持した該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
そこで、本願発明の静電チャックテーブルは、金属層やデバイスが形成された被加工物の表面側を露出させ裏面側を保持面で保持した状態で保持面側からレーザー加工を可能とするという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示された被加工物を環状フレームで支持した状態を示す斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図４】図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの構成例を示す平面図である。
【図６】図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図７は、図５中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の保持ステップを示す断面図である。
【図９】図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の改質層形成ステップを示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２に係る静電チャックテーブルの要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１５】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る静電チャックテーブル１、レーザー加工装置１０及び被加工物Ｗの加工方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物を示す斜視図である。図２は、図１に示された被加工物を環状フレームで支持した状態を示す斜視図である。
【００１６】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１に示す被加工物Ｗを加工する方法である。図１に示す被加工物Ｗは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、図１に示すように、表面ＷＳの交差する複数の分割予定ラインＳによって区画された各領域にデバイスＤが形成された板状物である。デバイスＤとして、ＩＣ（Integrated  Circuit）、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems：微少電気機械システム）デバイスが各領域に形成される。
【００１７】
被加工物Ｗは、図２に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴの外縁が環状フレームＦに貼着されることで、環状フレームＦの開口に粘着テープＴで支持される。実施形態１において、被加工物Ｗは、環状フレームＦの開口に粘着テープＴで支持された状態で、被加工物の加工方法が実行されることにより、個々のデバイスＤに分割される。実施形態１において、被加工物Ｗは、デバイスＤとしてＭＥＭＳデバイスが表面に形成されているが、デバイスＤはＭＥＭＳデバイスに限定されない。また、実施形態１において、被加工物ＷがＩＣ又はＬＳＩである場合に、表面にバンプ又はチップが搭載されているものが好ましく、表面が凹凸なデバイスＤが好適である。
【００１８】
実施形態１に係るレーザー加工装置１０の構成を、図面に基いて説明する。図３は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの構成例を示す平面図である。図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図５中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【００１９】
レーザー加工装置１０は、被加工物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザー光線Ｌ（図９に示す）を被加工物Ｗの裏面ＷＲ側から分割予定ラインＳに沿って照射し、レーザー光線Ｌで被加工物Ｗの内部に破断起点となる改質層Ｋ（図９に示す）を形成するものである。なお、改質層Ｋとは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
【００２０】
レーザー加工装置１０は、図３に示すように、被加工物Ｗを保持面１ａ（図４に示す）で保持するチャックテーブルである円盤状の静電チャックテーブル１と、加工手段としてのレーザー光線照射ユニット２０と、静電チャックテーブル１とレーザー光線照射ユニット２０とをＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動手段３０と、静電チャックテーブル１とレーザー光線照射ユニット２０とをＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動手段４０と、撮像手段５０と、制御装置１００とを備えている。
【００２１】
レーザー光線照射ユニット２０は、静電チャックテーブル１の保持面１ａに保持された被加工物Ｗに対し裏面ＷＲ側から被加工物Ｗが透過性を有する所定波長のレーザー光線Ｌを照射するユニットである。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー光線Ｌで被加工物Ｗの内部に改質層Ｋを形成するユニットである。レーザー光線照射ユニット２０が照射するレーザー光線Ｌの所定波長は、５００ｎｍ以上でかつ１４００ｎｍ以下である。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー加工装置１０の装置本体１１から立設した壁部１２に連なった支持柱１３の先端に取り付けられている。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー光線Ｌを発振する図示しない発振器と、この発振器により発振されたレーザー光線Ｌを集光する図示しない集光器とを備えている。発振器は、被加工物Ｗの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線Ｌの周波数が適宜調整される。集光器は、発振器により発振されたレーザー光線Ｌの進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線Ｌを集光する集光レンズなどを含んで構成される。
【００２２】
Ｘ軸移動手段３０は、静電チャックテーブル１をＸ軸方向に移動させることで、静電チャックテーブル１を装置本体１１の幅方向と水平方向との双方と平行なＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動手段４０は、静電チャックテーブル１を水平方向と平行でＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させることで、静電チャックテーブル１を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１、ボールねじ３１，４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２及び静電チャックテーブル１をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３を備える。また、レーザー加工装置１０は、静電チャックテーブル１をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向と平行な中心軸線回りに回転される回転駆動源６０を備える。回転駆動源６０は、Ｘ軸移動手段３０によりＸ軸方向に移動される移動テーブル１４上に配置されている。
【００２３】
撮像手段５０は、静電チャックテーブル１に保持された被加工物Ｗを撮像するものであり、レーザー光線照射ユニット２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像手段５０は、支持柱１３の先端に取り付けられている。撮像手段５０は、静電チャックテーブル１に保持された被加工物Ｗを撮像するＣＣＤカメラにより構成される。
【００２４】
また、レーザー加工装置１０は、加工前後の被加工物Ｗを収容するカセット７０が載置されるカセットエレベータ７０Ａと、カセットエレベータ７０Ａから被加工物Ｗを出し入れする搬送ユニット８０と、情報を表示するとともに各種の加工内容情報を入力するためのタッチパネル９０とを備える。
【００２５】
カセット７０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着された被加工物Ｗを複数枚収容するものである。カセットエレベータ７０Ａは、Ｚ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００２６】
搬送ユニット８０は、加工前の被加工物Ｗをカセット７０から取り出して静電チャックテーブル１に保持させるとともに、加工後の被加工物Ｗを静電チャックテーブル１からカセット７０内まで搬送するユニットである。搬送ユニット８０は、複数の関節を有する可動アーム８１と、可動アーム８１の先端に設けられた被加工物Ｗを保持する保持部８２とを備える。
【００２７】
保持部８２は、Ｃ字形平板状に形成された保持部本体８３と、保持部本体８３に複数配設されかつ被加工物Ｗを囲繞する環状フレームＦを吸着する吸着パッド８４とを備える。吸着パッド８４は、保持部本体８３の上面に設けられ、切換弁８５を介して真空吸引源８６が接続されている。搬送ユニット８０は、下側に位置付けた吸着パッド８４で環状フレームＦを吸着して、保持部８２の下面に被加工物Ｗを保持する。カセット７０内の改質層Ｋが形成される前の被加工物Ｗは、保持部８２に形成された開口に越しに露出し、保持部８２と接触せず保持される。被加工物Ｗを静電チャックテーブルに搬入する際は、保持部８２を上下反転させて被加工物Ｗに貼着した粘着テープＴを上側にし、粘着テープＴ側を静電チャックテーブル１の保持面１ａに押し当て、静電チャックテーブル１の保持面１ａで保持させる。改質層Ｋが形成された後の被加工物Ｗを静電チャックテーブルから搬出する際、搬送ユニット８０は、保持部８２上に被加工物Ｗを保持した後、保持部８２を上下反転させて、カセット７０内に搬送する。
【００２８】
タッチパネル９０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置と、液晶表示装置に重ねられたタッチスクリーンとを備える。タッチスクリーンは、指、ペン、又はスタイラスペンの接触又は近接を検出する。タッチスクリーンは、指、ペン、又はスタイラスペンが接触又は近接したときの液晶表示装置上の位置を検出する。タッチスクリーンは、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、超音波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、又は荷重検出方式を検出方式として採用したタッチスクリーンである。
【００２９】
制御装置１００は、レーザー加工装置１０の構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに改質層Ｋを形成する動作をレーザー加工装置１０に実施させるものである。
【００３０】
なお、制御装置１００は、コンピュータシステムを含む。制御装置１００は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）又はＲＡＭ（Random  Access  Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。
【００３１】
制御装置１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１０を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１０の上述した構成要素に出力する。また、制御装置１００は、加工動作の状態や画像などを表示するタッチパネル９０や切換弁８５と接続されている。
【００３２】
静電チャックテーブル１は、図４に示すように、回転駆動源６０に被加工物収容ケース１１０を介して支持されている。被加工物収容ケース１１０は、扁平な箱状に形成さて、回転駆動源６０に取り付けられている。被加工物収容ケース１１０は、回転駆動源６０に取り付けられた底壁部材１１１と、底壁部材１１１の外縁に取り付けられた筒状部材１１２と、筒状部材１１２の上端に取り付けられた天井部材１１３とを備える。筒状部材１１２は、図３に示すように、搬送ユニット８０に保持された被加工物Ｗを出し入れ自在とする出入口１１４を設けている。天井部材１１３は、中央に静電チャックテーブル１を取り付けている。実施形態１において、天井部材１１３は、中央に設けられた孔１１５の内周面に静電チャックテーブル１の外縁を取り付けている。また、被加工物収容ケース１１０内には、環状フレームＦをクランプするフレームクランプ１１６が設けられている。  
【００３３】
静電チャックテーブル１は、図５、図６及び図７に示すように、レーザー光線Ｌに対し透過性を備える板状の基台部２と、レーザー光線Ｌに対し透過性を有する静電吸着用の電極部３と、レーザー光線Ｌに対し透過性を有する樹脂層であるＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）フィルム４とを備える。基台部２は、ガラスにより構成され、被加工物収容ケース１１０の内側に対向する第１の面２ａと、第１の面２ａと反対側の第２の面２ｂとを有する円盤状に形成されている。実施形態１において、基台部２の厚みは、１ｍｍであるが、１ｍｍに限定されない。
【００３４】
電極部３は、図４、図６及び図７に示すように、レーザー光線Ｌに対し透過性を有するＵＶ接着剤５により基台部２の第１の面２ａに積層されている。ＵＶ接着剤５は、紫外線が照射されると硬化するものであり、絶縁性を有するものである。実施形態１において。ＵＶ接着剤５は、米国Ｎｏｒｌａｎｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製のＮＯＲＬＡＮＤ光学接着剤であるが、これに限定されない。
【００３５】
電極部３は、酸化インジウムスズ（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）により構成される。電極部３を構成する酸化インジウムスズの屈折率は、ＵＶ接着剤５の屈折率と略等しい。屈折率が略等しいとは、レーザー光線Ｌにより改質層Ｋを所望の位置に形成することができる程度に屈折率が異なることをいう。
【００３６】
電極部３は、正極電極６と、負極電極７とを備える。正極電極６と負極電極７とは、互いに電気的に絶縁されている。正極電極６は、正極吸着部６１と、正極給電端子部６２とを備え、負極電極７は、負極吸着部７１と、負極給電端子部７２とを備える。正極吸着部６１と負極吸着部７１は、同じ形状で同じ大きさの半円形に形成されている。正極吸着部６１及び負極吸着部７１の直線状の直線部分６１ａ，７１ａは、互いに平行でかつ間隔をあけて配置されている。正極吸着部６１及び負極吸着部７１の直線状の直線部分６１ａ，７１ａ間は、電極間部３ａである。正極吸着部６１及び負極吸着部７１の円弧状の円弧部分６１ｂ，７１ｂは、基台部２の外縁の近傍に外縁に沿って配置されている。電極部３の正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との双方は、円弧部分６１ｂ，７１ｂが基台部２の外縁の近傍に外縁に沿って配置されて、電極部３は基台部２の第１の面２ａの略全面に積層されている。電極間部３ａ、及び正極吸着部６１及び負極吸着部７１の円弧部分６１ｂ，７１ｂと基台部２の外縁との間には、ＵＶ接着剤５が充填されている。
【００３７】
正極給電端子部６２は、正極吸着部６１の外縁から保持面１ａの中心から外側に延びて、基台部２の外縁よりも外側に突出している。負極給電端子部７２は、負極吸着部７１の外縁から外側に延びて、基台部２の外縁よりも外側に突出している。正極給電端子部６２は、被加工物Ｗを保持中、常時電源８からプラスの電圧が印加され、負極給電端子部７２は、被加工物Ｗを保持中、常時電源８からマイナスの電圧が印加される。
【００３８】
ＰＥＴフィルム４は、電極部３を覆い、被加工物Ｗを保持する保持面１ａを構成する。
【００３９】
静電チャックシート１は、ＰＥＴフィルム４の表面である保持面１ａにダイシングテープＴを介して被加工物Ｗが重ねられ、正極給電端子部６２から正極吸着部６１にプラスの電圧が印加され、負極給電端子部７２から負極吸着部７１にマイナスの電圧が印加されることにより、吸着部６１，７１間に発生した力によって被加工物Ｗを保持面１ａに吸着保持する。
【００４０】
次に、レーザー加工装置１０を用いた実施形態１に係る被加工物Ｗの加工方法を、図面に基いて説明する。図８は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の保持ステップを示す断面図である。図９は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の改質層形成ステップを示す断面図である。
【００４１】
被加工物の加工方法は、オペレータが加工内容情報をレーザー加工装置１０の制御装置１００に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１０の制御装置１００により開始される。
【００４２】
被加工物の加工方法は、保持ステップと、改質層形成ステップと、収容ステップとを備える。保持ステップでは、制御装置１００は、切換弁８５を介して真空吸引源８６の吸引力を搬送ユニット８０の吸着パッド８４に作用させ、カセット７０内の改質層Ｋが形成される前の被加工物Ｗを保持した環状フレームＦを保持部８２に吸着保持する。制御装置１００は、搬送ユニット８０の保持部８２に吸着した被加工物Ｗをカセット７０内から取り出して、被加工物収容ケース１１０内に挿入する。制御装置１００は、図８に示すように、被加工物ＷをダイシングテープＴを介して保持面１ａに重ねて、正極給電端子部６２にプラスの電圧を印加し、負極給電端子部７２にマイナスの電圧を印加し、保持面１ａに被加工物Ｗを吸着保持させ、フレームクランプ１１６に環状フレームＦをクランプさせて、切換弁８５を制御して真空吸引源８６の吸引力が吸着パッド８４に作用することを停止する。改質層形成ステップに進む。
【００４３】
改質層形成ステップでは、制御装置１００は、撮像手段５０が撮像した被加工物Ｗの画像に基いてアライメントを実行し、図９に示すように、レーザー光線照射ユニット２０からレーザー光線Ｌを被加工物Ｗの分割予定ラインＳに向かって照射させながらＸ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０及び回転駆動源６０を制御し、全ての分割予定ラインＳにレーザー光線Ｌを照射する。制御装置１００は、基台部２の第２の面２ｂから照射され、静電チャックテーブル１を透過したレーザー光線Ｌによって、保持面１ａで保持した被加工物Ｗの全ての分割予定ラインＳの内部に改質層Ｋを形成する。このように、静電チャックテーブル１は、保持面１ａで保持した被加工物Ｗの内部に改質層Ｋを形成する際に用いる。そして、収容ステップに進む。
【００４４】
収容ステップでは、制御装置１００は、全ての分割予定ラインＳの内部に改質層Ｋが形成された被加工物Ｗを保持する環状フレームＦを吸着パッド８４に吸着保持し、フレームクランプ１１６のクランプを解除して、被加工物Ｗを被加工物収容ケース１１０内から取り出し、カセット７０内に挿入した後、吸着パッド８４の吸着保持を解除する。全ての分割予定ラインＳの内部に改質層Ｋが形成された被加工物Ｗは、次工程において、個々のデバイスＤに分割される。
【００４５】
実施形態１の静電チャックテーブル１は、基台部２、電極部３、樹脂層であるＰＥＴフィルム４及びＵＶ接着剤５の全てが被加工物Ｗを加工するレーザー光線Ｌに対し透過性を有する。これにより、静電チャックテーブル１は、金属層及びデバイスＤの無い被加工物Ｗの裏面ＷＲ側を保持面１ａで保持しつつ、静電チャックテーブル１越しにレーザー光線Ｌを照射できる。その結果、静電チャックテーブル１は、表面ＷＳを保持する必要がないので、表面が凹凸なデバイスＤを破損することなく保持でき、被加工物Ｗに特殊な設計を施したり事前にＴＥＧパターンを除去することなく、被加工物Ｗを加工することができる。したがって、静電チャックテーブル１は、デバイスＤを破損することなく、被加工物Ｗの金属層を除去することなく、金属層やデバイスＤが形成された被加工物Ｗの表面ＷＳ側を露出させ裏面ＷＲ側を保持面１ａで保持した状態で保持面１ａ側からレーザー加工を可能とすることができる。
【００４６】
また、実施形態１の静電チャックテーブル１、レーザー加工装置１０及び被加工物の加工方法によれば、電極部３の正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との双方が半円形に形成されて、基台部２の第１の面２ａの略全面に積層されている。このために、実施形態１の静電チャックテーブル１、レーザー加工装置１０及び被加工物の加工方法によれば、基台部２の第１の面２ａの略全面に積層された正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との間に発生した力によって被加工物Ｗを吸着する。その結果、静電チャックシート１は、吸着部６１，７１間に発生した力によって被加工物Ｗを保持面１ａの略全面で吸着力を発生させるので、被加工物Ｗの外縁部を負圧により吸引する場合に比較して、基台部２の第１の面２ａの略全面で被加工物Ｗを吸着保持することができる。
【００４７】
また、静電チャックテーブル１は、電極部３を構成する酸化インジウムスズと、電極間部３ａに充填されるＵＶ接着剤５との屈折率が略等しいので、被加工物Ｗの所望の位置に改質層Ｋを形成することができる。
【００４８】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る静電チャックテーブルを図面に基いて説明する。図１０は、実施形態２に係る静電チャックテーブルの要部の断面図である。図１０において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
実施形態２に係る静電チャックテーブル１−２は、図１０に示すように、基台部２の第１の面２ａにＵＶ接着剤５により樹脂層であるＰＥＴフィルム４が積層され、ＰＥＴフィルム４上に電極部３が形成されている。また、電極部３の電極間部３ａ、及び吸着部６１，７１の円弧部分６１ｂ，７１ｂとＰＥＴフィルム４の外縁との間には、ＵＶ接着剤５が充填されている。
【００５０】
実施形態２に係る静電チャックテーブル１−２は、実施形態１と同様に、基台部２、電極部３、樹脂層であるＰＥＴフィルム４及びＵＶ接着剤５の全てが被加工物Ｗを加工するレーザー光線Ｌに対し透過性を有する。これにより、静電チャックテーブル１−２は、金属層及びデバイスＤの無い被加工物Ｗの裏面ＷＲ側を保持面１ａで保持しつつ、静電チャックテーブル１−２越しにレーザー光線Ｌを照射できる。その結果、静電チャックテーブル１−２は、デバイスＤを破損することなく、被加工物Ｗの金属層を除去することなくレーザー加工を可能とすることができる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  静電チャックテーブル
１ａ  保持面
２  基台部
２ａ  第１の面
２ｂ  第２の面
３  電極部
４  ＰＥＴフィルム（樹脂層）
１０  レーザー加工装置
２０  レーザー光線照射ユニット
Ｗ  被加工物
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｄ  デバイス（ＭＥＭＳデバイス）
Ｌ  レーザー光線
Ｋ  改質層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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