(57)【要約】【課題】ＭＯＣＶＤ法で成長されるＩＩＩ−Ｖ族半導体層の面内均一性を向上させることができる気相成長方法を提供する。【解決手段】反応室２内に設けられた支持部７に基板Ｗを載置し、回転軸Ａを中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で支持部７とともに基板Ｗを回転させながら、反応室２上方より基板Ｗ上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、基板Ｗ上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で前記支持部とともに前記基板を回転させながら、前記反応室上方より前記基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、前記基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させることを特徴とする気相成長方法。
【請求項２】
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、ＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載の気相成長方法。
【請求項３】
前記原料ガスは、トリメチルアルミニウムを含有する第１の原料ガスと、トリメチルガリウムを含有する第２の原料ガスと、アンモニアガスを含む第３の原料ガスを含むことを特徴とする請求項２に記載の気相成長方法。
【請求項４】
前記原料ガスを混合した後、前記反応室内に供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の気相成長方法。
【請求項５】
前記基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ以上１７００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パワー半導体デバイス等の用途に、高耐圧、超低ＯＮ抵抗が期待されるＧａＮ系ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）の開発が進められている。このようなＧａＮ系デバイスにおいて、例えばＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造が用いられ、これらの層の形成には、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）が用いられる。
【０００３】
ＡｌＧａＮ層の形成において、Ｓｉ等のウェハが載置されたチャンバ内に、原料ガスとして、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスと、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスと、アンモニアを含むガスを供給する。そして、供給された原料ガスを加熱されたウェハ上で反応させることにより、ウェハ上にＡｌＧａＮ層を成長させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】再表２０１２／０９０８１８号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＭＯＣＶＤ法では、トリメチルアルミニウムとアンモニアとがウェハに到達する前に気相中で反応してしまうため、ウェハ面内におけるＡｌＧａＮ層の厚さや、Ａｌ濃度の均一性（以下、面内均一性ともいう）を確保することが困難であるといった問題が生じていた。
【０００６】
本発明の目的は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の面内均一性を向上させることができる気相成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様である気相成長方法は、
反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で支持部とともに基板を回転させながら、反応室上方より基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させる。
【０００８】
上述の気相成長方法において、
ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、ＡｌＧａＮ層であってもよい。
【０００９】
上述の気相成長方法において、
原料ガスは、トリメチルアルミニウムを含有する第１の原料ガスと、トリメチルガリウムを含有する第２の原料ガスと、アンモニアガスを含む第３の原料ガスを含んでいてもよい。
【００１０】
上述の気相成長方法において、
原料ガスを混合した後、反応室内に供給してもよい。
【００１１】
上述の気相成長方法において、
基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ以上１７００ｒｐｍ以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法で成長されるＩＩＩ−Ｖ族半導体層の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態の気相成長方法に適用可能な気相成長装置の一例を示す平面図である。
【図２】図１の気相成長装置の断面図である。
【図３】気相成長方法の第１の実験例を示すグラフである。
【図４】気相成長方法の第２の実験例を示すグラフである。
【図５】気相成長方法の第３の実験例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１５】
（気相成長装置１）
図１は、本実施形態の気相成長方法に適用可能な気相成長装置１の一例を示す平面図である。図１の気相成長装置１は、ＭＯＣＶＤ法を用いる枚葉型のエピタキシャル成長装置である。図１に示すように、気相成長装置１は、反応室の一例である４つのチャンバ２Ａ〜２Ｄと、カセット室３と、搬送室４とを備える。
【００１６】
チャンバ２Ａ〜２Ｄは、大気圧未満の圧力下において、基板の一例であるウェハＷを処理する。チャンバ２Ａ〜２Ｄは、搬送室４の搬送方向ｄに沿って直線状に配置されている。複数のチャンバ２Ａ〜２Ｄを有することで、気相成長装置１は、複数枚のウェハＷを効率的に処理できる。
【００１７】
カセット室３は、複数枚のウェハＷを保持するカセット３１を載置可能な載置台３２を有する。カセット３１は、例えば、樹脂またはアルミニウムで構成されている。カセット室３には、ゲートバルブ３３が設けられている。ゲートバルブ３３を通して、外部からカセット室３内にカセット３１を搬入できる。カセット室３内は、ゲートバルブ３３を閉じた状態で図示しない真空ポンプによって大気圧未満の圧力に減圧できる。
【００１８】
搬送室４は、カセット室３とチャンバ２Ａ〜２Ｄとの間に設けられている。搬送室４では、大気圧未満の圧力下において、カセット室３とチャンバ２Ａ〜２Ｄとの間で搬送方向ｄにウェハＷが搬送される。具体的には、エピタキシャル成長前のウェハＷがカセット室３からチャンバ２Ａ〜２Ｄに搬送され、エピタキシャル成長後のウェハＷがチャンバ２Ａ〜２Ｄからカセット室３に搬送される。搬送室４の内部には、ロボットアーム４１と、載置台４２とが設けられている。ロボットアーム４１は、カセット室３またはチャンバ２Ａ〜２Ｄとの間で、ウェハＷを受け渡し可能である。載置台４２は、ウェハＷおよびロボットアーム４１を搭載した状態で搬送方向ｄに移動可能である。したがって、カセット室３からエピタキシャル成長前のウェハＷを受け取ったロボットアーム４１を載置台４２でチャンバ２Ａ〜２Ｄまで移動させて、ロボットアーム４１が保持するウェハＷをチャンバ２Ａ〜２Ｄ内に搬入することができる。また、チャンバ２Ａ〜２Ｄからエピタキシャル成長後のウェハＷを受け取ったロボットアーム４１を載置台４２でカセット室３まで移動させて、ロボットアーム４１が保持するウェハＷをカセット室３内に回収できる。
【００１９】
カセット室３と搬送室４との間および搬送室４とチャンバ２Ａ〜２Ｄとの間には、開閉可能なゲートバルブ４３Ａ〜４３Ｅが設けられている。ゲートバルブ４３Ａを開くことで、カセット室３と搬送室４との間でウェハＷを移動できる。また、ゲートバルブ４３Ｂ〜４３Ｅを開くことで、搬送室４とチャンバ２Ａ〜２Ｄとの間でウェハＷを移動できる。
【００２０】
図２は、図１の気相成長装置１の断面図である。図２は、図１の気相成長装置１の個々のチャンバ２Ａ〜２Ｄの内部の構成を、チャンバ２Ａ〜２Ｄの上流および下流のガス流路とともに示している。
【００２１】
図２に示すように、気相成長装置１は、上記構成に加えて、更に、ガス供給部５と、シャワーヘッド６と、支持部の一例であるサセプタ７と、回転部８と、回転機構９と、ヒータ１０と、ガス排出部１１と、排気機構１２とを備える。
【００２２】
ガス供給部５は、ガスの上流側においてチャンバ２Ａ〜２Ｄに接続されている。ガス供給部５は、複数の貯留部５ａと、複数のガス管５ｂと、複数のガスバルブ５ｃとを有する。貯留部５ａは、ガスまたはガスの液体前駆体を個別に貯留する。ウェハＷ上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させる際に、各貯留部５ａには、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の原料ガスまたはその液体前駆体が貯留される。例えば、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層としてＡｌＧａＮ層を成長させる場合、各貯留部５ａには、液体のトリメチルアルミニウムと、液体のトリメチルガリウムと、アンモニアとがそれぞれ貯留される。
【００２３】
貯留部５ａに貯留されたトリメチルアルミニウムは、水素などのキャリアガスでバブリングすなわち気化されることで、トリメチルアルミニウムを含有する第１の原料ガス（以下、ＴＭＡガスともいう）となる。また、貯留部５ａに貯留されたトリメチルガリウムは、水素などのキャリアガスでバブリングされることで、トリメチルガリウムを含有する第２の原料ガス（以下、ＴＭＧガスともいう）となる。ＡｌＧａＮ層を成長させる際には、チャンバ２Ａ〜２Ｄに対して、ＴＭＡガスおよびＴＧＡガスの供給とともに第３の原料ガスの一例であるアンモニアガスの供給が行われる。
【００２４】
複数のガス管５ｂは、複数の貯留部５ａのそれぞれとガス導入部６ａ（図に加えて下さい）とを接続する。複数のガスバルブ３ｃは、複数のガス管５ｂのそれぞれに設けられている。ガスバルブ５ｃは、対応するガス管５ｂを流れるガスの流量を調整可能である。実際の配管は、複数のガス管を結合したり、１本のガス管を複数のガス管に分岐したり、ガス管の分岐や結合を組み合わせるなどの複数の構成を取りうる。
【００２５】
ガス導入口６ａは、チャンバ２Ａ〜２Ｄの上部に設けられたシャワーヘッド６と接続されている。シャワーヘッド６は、その底面側にシャワープレート６１を有する。シャワープレート６１には、複数のガス噴出口６２が設けられている。シャワープレート６１は、ステンレス鋼やアルミニウム合金等の金属材料を用いて構成することができる。シャワーヘッド６内には、複数のガス管５ｂのそれぞれから供給された複数のガスが導入される。導入された複数のガスは、シャワーヘッド６内で混合された後、シャワープレート６１のガス噴出口６２を通ってチャンバ２Ａ〜２Ｄ内に供給される。なお、シャワープレート６１に横方向のガス流路を複数設け、複数種類のガスを分離したままチャンバ２Ａ〜２Ｄ内のウェハＷに供給してもよい。
【００２６】
サセプタ７は、チャンバ２Ａ〜２Ｄ内でウェハＷを水平に支持する。サセプタ７は、回転機構８の上部に設けられており、サセプタ７の内周側に設けられた座刳り７ａ内にウェハＷを載置して支持する。なお、図２の例では、サセプタ７は、その中央に開口部を有する環状形状であるが、開口部のない略平板形状でもよい。また、図２の例では、サセプタ７は、１枚のウェハＷを支持しているが、４枚など複数枚のウェハＷを支持してもよい。
【００２７】
回転部８は、チャンバ２Ａ〜２Ｄ内でサセプタ７を保持しながら、鉛直方向の回転軸Ａを中心に回転する。回転軸Ａは、サセプタ７の中心およびウェハＷの中心を通る。回転部８が回転することで、回転部８に保持されたサセプタ７は、サセプタ７に支持されたウェハＷとともに回転軸Ａを中心に回転する。
【００２８】
回転機構９は、回転部８を回転駆動する。回転機構９は、例えば、モータ等の駆動源と、駆動源を制御する制御部と、駆動源の駆動力を回転部８に伝達するタイミングベルトやギア等の伝達部材とを有する。回転機構９は、所定の回転速度でウェハＷを回転させる。後述するＩＩＩ−Ｖ族半導体層の形成時には、面内均一性を向上させるため、ウェハＷの回転速度を１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下に制御する。
【００２９】
ヒータ１０は、サセプタ７およびウェハＷを下方より加熱する。ヒータ１０の具体的な加熱方式は特に限定されず、例えば、抵抗加熱、ランプ加熱または誘導加熱などであってもよい。
【００３０】
ガス排出部１１は、反応後の原料ガスをチャンバ２Ａ〜２Ｃの内部から外部に排出する。
【００３１】
排気機構１２は、排気バルブ１２ａと真空ポンプ１２ｂとの作用により、ガス排出部１１を通じてチャンバ２内を所望の圧力に制御する。
【００３２】
（気相成長方法）
次に、以上のように構成された枚葉式の気相成長装置１を用いた気相成長方法すなわち成膜方法について説明する。なお、以下に説明する気相成長方法では、ＭＯＣＶＤ法により、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層としてＡｌＧａＮ層を成長させる。また、以下の説明において、ＡｌＮ層などのＨＥＭＴにおけるＡｌＧａＮ層以外の半導体層のプロセスについては説明を省略する。
【００３３】
先ず、搬送室４のロボットアーム４１および載置台４２は、ゲートバルブ４３Ａ〜４３Ｅを通して、カセット室３からチャンバ２Ａ〜２ＤまでウェハＷを搬送する。そして、ロボットアーム４１は、搬送されたウェハＷをサセプタ７に載置する。
【００３４】
チャンバ２Ａ〜２Ｄには、ガス導入部６ａよりシャワーヘッド６、ガス噴出口６２を介して、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスが所定の流量で供給されており、サセプタ７にウェハＷを載置した後、ゲートバルブ４３Ａ〜４３Ｅを閉じる。そして、排気機構１２が、ガス排出部１１を通してチャンバ２内を排気して、チャンバ２Ａ〜２Ｄ内の圧力を所望の圧力に調整する。
ヒータ１０によってウェハＷをエピタキシャル成長温度、例えば、１０００℃以上かつ１１００℃以下の温度に加熱する。
【００３５】
回転機構９は、回転部８およびサセプタ７を介して回転軸Ａを中心にウェハＷを所定の回転速度で回転させる。
【００３６】
ウェハＷを回転させた状態で、ガス供給部５は、チャンバ２Ａ〜２Ｄ内に、ＴＭＡガスと、ＴＭＧガスを、アンモニアガスとともに供給する。
【００３７】
ガス供給部５から供給されたＴＭＡガスと、ＴＭＧガスと、アンモニアガスとは、チャンバ２の上部に設けられたシャワーヘッド６に導入され、シャワーヘッド６内で混合される。そして、混合されたＴＭＡガス、ＴＭＧガスおよびアンモニアガスは、シャワープレート６１のガス噴出口６２からウェハＷに向けて吐出される。
このようにして、ウェハＷ上に所定流量で原料ガスを供給しながら、ウェハＷを所定温度に加熱し、所定の回転速度で回転させることにより、ウェハＷ上にＡｌＧａＮ層が形成される。
【００３８】
ここで、ウェハＷ面上で気相反応が生じる厚さ方向の領域を境界層という。ウェハＷの回転速度が低速である場合、ウェハＷ上には、厚い不均一な境界層が形成されると考えられる。境界層が厚いと、ウェハＷに到達する前に、境界層における原料ガスの気相反応が生じてしまう。従って、成長速度は低下する。また、ＡｌＧａＮ層を形成するためには、比較的気相反応しやすいＴＭＡガスと、気相反応しにくいＴＭＧガスとを同時に流し、アンモニアガスと反応させて成膜するため、境界層内でのガスの挙動によりＴＭＡとアンモニアが優先的に反応し、パーティクルとなり、ＡｌＧａＮ層の成長に寄与せず排気される。このように気相反応に分布が生じてしまうため、膜厚だけでなく、Ａｌの面内分布も低下してしまう。特に、ガスをシャワーヘッド６内で混合してチャンバ２Ａ〜２Ｄ内に供給する場合、より気相反応が進行しやすくなる。
【００３９】
これに対して、本実施形態では、ウェハＷを１３００ｒｐｍ以上の回転速度で高速回転させる。この高速回転と、シャワープレート６１からウェハＷに向かって降下する原料ガスの流れとの組合せにより、ウェハＷ上に厚さが薄くかつ均一な境界層を形成することができる。
【００４０】
ここで、ウェハＷの回転速度が１３００ｒｐｍより低速である場合、ＡｌＧａＮ層の面内均一性を確保することが困難となる。一方、２０００ｒｐｍより高速であると、ウェハＷや回転機構９の微小なアライメントずれなどに起因する振動、ずれ、飛びなどが発生し、安定した成膜が困難となる。
【００４１】
従って、ウェハＷの回転速度を１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下とすることで、安定してＡｌＧａＮ層の面内均一性を向上できる。また、後述するように、回転速度を１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下とすることで、ＡｌＧａＮ層の膜厚の面内均一性だけでなく、ウェハ面内におけるＡｌ組成の均一性をも向上できる。ウェハＷの回転速度は、１５００ｒｐｍ以上であることが好ましく、１５００ｒｐｍ以上１７００ｒｐｍ以下であることがより好ましい。
【００４２】
厚さが薄い均一な境界層を形成することで、ウェハＷに到達する前に原料ガスの気相反応が生じることを抑制することができる。また、薄い境界層は、ウェハＷの表面に原料ガスを取り込み易く、ウェハＷの表面での均一な気相反応を促進できる。さらに、ウェハＷの高速回転による遠心力により、ウェハＷ上のパーティクルをウェハＷ上から効率的に排出できる。これにより、ウェハＷの表面に、高い面内均一性でＡｌＧａＮ層を成長させることができる。
【００４３】
また、本実施形態の気相成長方法では、枚葉式の気相成長装置１を用いているので、バッチ式の気相成長装置を用いる場合と比較して安定したガス流を得ることができ、ＡｌＧａＮ層を安定的にエピタキシャル成長させることができる。
【００４４】
なお、ＡｌＧａＮ層の下地は、ＡｌＧａＮ層をエピタキシャル成長させることが可能な構造であれば特に限定されず、例えば、ウェハＷの一例であるＡＩＮ基板上に形成されたＡｌＮバッファ層などであってもよい。
【００４５】
本実施形態の気相成長方法は、ＡｌＮ層、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層、ｐＧａＮ層などのＡｌＧａＮ層以外のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の成長にも有効に適用できる。
【００４６】
（実験例）
次に、気相成長方法の実験例について説明する。
【００４７】
図３は、気相成長方法の第１の実験例を示すグラフである。第１の実験例では、ウェハＷの回転速度として、８００ｒｍｐ、１０００ｒｍｐ、１２００ｒｍｐ、１５００ｒｍｐの４種類を採用し、各回転速度の下で、ＭＯＣＶＤ法によってウェハＷ上にＡｌＧａＮ層をエピタキシャル成長させた。なお、ヒータ１０によるウェハＷの加熱温度は、１０６０℃とした。そして、各回転速度のそれぞれの下で成長したＡｌＧａＮ層の厚さを、ウェハＷの中心位置、中心から２０ｍｍの位置、中心から４０ｍｍの位置、中心から６０ｍｍの位置および中心から８０ｍｍの位置のそれぞれにおいて測定した。ＡｌＧａＮ層の厚さおよび組成の測定には、Ｘ線回折装置を用いた。そして、ＡｌＧａＮ層の厚さの測定結果を図３のようにグラフ化した。図３において、横軸は、ウェハＷの中心からの距離を示し、縦軸は、ウェハＷの中心におけるＡｌＧａＮ層の厚さを１として正規化した各測定位置におけるＡｌＧａＮ層の厚さを示す。
【００４８】
図３に示すように、ウェハＷの回転速度が８００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍおよび１２００ｒｐｍの場合には、ＡｌＧａＮ層の厚さの最大値ｍａｘと最小値ｍｉｎとの比（以下、ｍｉｎ／ｍａｘともいう）が０．９６を下回った。例えば、良好なＨＥＭＴ特性を得るためにＡｌＧａＮ層の面内均一性を、ｍｉｎ／ｍａｘが０．９６以上であることが好ましいが、８００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍ、１２００ｒｐｍでは満たすことができなかった。これに対して、ウェハＷの回転速度が１５００ｒｐｍでは、ｍｉｎ／ｍａｘを０．９６より大きくすることができ、１３００ｒｐｍ程度で満たすことができることが推定できる。
【００４９】
したがって、第１の実験例によれば、ウェハＷの回転速度を１３００ｒｐｍ以上とすることで、ＡｌＧａＮ層の面内均一性を満足できるレベルに向上できることが実証された。また、第１の実験例によれば、ウェハＷの回転速度を１５００ｒｐｍ以上とすることで、ＡｌＧａＮ層の面内均一性をより効果的に向上できることが実証された。
【００５０】
図４は、気相成長方法の第２の実験例を示すグラフである。第２の実験例では、図１の気相成長装置１の４つのチャンバ２Ａ〜２Ｄのそれぞれにおいて、ウェハＷを１７００ｒｐｍで回転させながら、ＭＯＣＶＤによってウェハＷ上にＡｌＧａＮ層をエピタキシャル成長させた。なお、ヒータ１０によるウェハＷの加熱温度Ｔｇは１０３０℃とした。そして、各チャンバ２Ａ〜２Ｄ内で成長したＡｌＧａＮ層の厚さを、ウェハＷの中心位置、中心から２０ｍｍの位置、中心から４０ｍｍの位置、中心から６０ｍｍの位置、中心から８０ｍｍの位置および中心から９０ｍｍの位置のそれぞれにおいて測定した。そして、ＡｌＧａＮ層の厚さの測定結果を図４のようにグラフ化した。図４において、横軸は、ウェハＷの中心からの距離を示し、縦軸は、ＡｌＧａＮ層の厚さを示す。
【００５１】
図４に示すように、４つのチャンバ２Ａ〜２Ｄとも、ＡｌＧａＮ層の厚さの最大値と最小値との差を１ｎｍ以内に収めることができることが分かった。これは、面内均一性として十分に良好な結果である。また、図４の結果は、各チャンバ２Ａ〜２Ｄの面内均一性が良好であることを示すと同時に、チャンバ２Ａ〜２Ｄ間でのＡｌＧａＮ層の厚さの均一性である面間均一性も良好であることを示している。
【００５２】
図５は、気相成長方法の第３の実験例を示すグラフである。第３の実験例でのＡｌＧａＮ層の成長条件は、第２の実験例と同じである。第３の実験例では、各チャンバ２Ａ〜２Ｄ内でエピタキシャル成長したＡｌＧａＮ層中のＡｌ組成（％）を、ウェハＷの中心位置、中心から２０ｍｍの位置、中心から４０ｍｍの位置、中心から６０ｍｍの位置、中心から８０ｍｍの位置および中心から９０ｍｍの位置のそれぞれにおいて測定した。
【００５３】
そして、ＡｌＧａＮ層中のＡｌ組成の測定結果を図５のようにグラフ化した。図５において、横軸は、ウェハＷの中心からの距離を示し、縦軸は、ＡｌＧａＮ層中のＡｌ組成を示す。
【００５４】
図５に示すように、４つのチャンバ２Ａ〜２Ｄとも、ＡｌＧａＮ層中のＡｌ組成を各測定位置において２５％付近で均一に制御できることが分かった。Ａｌ組成が２５％付近であることは、ＡｌＧａＮ層の組成として良好であることを示す。
【００５５】
以上述べたように、本実施形態によれば、ウェハＷの回転速度を１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍとしたＭＯＣＶＤ法を用いることで、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の面内均一性を向上できる。
【００５６】
上述の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５７】
２Ａ，２Ｂ,２Ｃ,２Ｄ  チャンバ、７  サセプタ
【図１】
2018037456.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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