(57)【要約】【課題】リードの先端にはんだフィレットを大きく形成させることができ、半導体チップのＥＳＤ破壊を回避することができる半導体装置を得る。【解決手段】半導体チップ１にリード３が接続されている。半導体チップ１をパッケージ６が封止している。パッケージ６は、多角形の実装面６ａと、互いに隣り合う第１及び第２の側面６ｂ，６ｃと、実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃが交差する第１の角６ｄとを有する。リード３は、第１の角６ｄにおいてパッケージ６の実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃから露出している。リード３の実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面にめっき７が施されている。リード３の第２の側面６ｃでの露出部３ｃにはめっき７が施されていない。【選択図】図２
2018026409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップに接続されたリードと、
前記半導体チップを封止したパッケージとを備え、
前記パッケージは、多角形の実装面と、互いに隣り合う第１及び第２の側面と、前記実装面と前記第１及び第２の側面が交差する第１の角とを有し、
前記リードは、前記第１の角において前記パッケージの前記実装面と前記第１及び第２の側面から露出しており、
前記リードの前記実装面での露出部と前記第１の側面での露出部の全面にめっきが施され、
前記リードの前記第２の側面での露出部にはめっきが施されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パッケージは、前記第１の側面と隣り合う第３の側面と、前記実装面と前記第１の側面に挟まれた辺と、前記実装面と前記第１及び第３の側面が交差する第２の角とを更に有し、
前記リードは、前記辺に沿って前記パッケージの前記実装面と前記第１の側面から露出し、かつ前記第２の角において前記パッケージの前記実装面と前記第１及び第３の側面から露出しており、
前記リードの前記辺に沿って露出した前記実装面での露出部と前記第１の側面での露出部の全面にめっきが施されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを封止したパッケージからリードが露出した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ、ダイオード、ＩＣなどの半導体チップをパッケージ内に封止した半導体装置において、実装時に外部と接続するためのリードがパッケージから露出している。電子機器の小型化に伴い、それらに搭載される半導体装置にも小型化が求められている。これに対して、実装基板とはんだ付けで接続されるリードの長さが短い半導体装置が用いられるようになってきている。
【０００３】
この半導体装置の製造において、フレーム上で複数の半導体チップが樹脂により一括して封止された後、半導体装置ごとに切り分けられる。フレームは、格子状の支持部を備えている。支持部に取り囲まれる矩形状の領域内には、半導体チップを搭載するダイパッドと、複数のリードとが形成されている。リードは、ダイパッドの周囲に配置され、パッケージの外周方向に伸びて支持部に接続している。半導体装置がフレームから個体に切り分けられる際に各リードが支持部から切断される。
【０００４】
このリード先端面は、リードの素材である銅合金又は鉄合金がむき出した状態であり大気中で酸化される。従って、半導体装置の実装基板へのリフロー実装時に、実装基板上のはんだはリード先端面に濡れ上がり難い。このため、はんだが濡れ上がった盛り上がりであるフィレットが形成された状態とくらべ接合面積が小さく、実装強度は弱くなる。
【０００５】
また、リードのはんだ付け状態の確認のため、リード先端面にフィレットが形成されているか否かを基準とする外観検査を行う場合がある。しかし、リード先端面ははんだが濡れ上がらずフィレットが形成されない場合があるため、はんだ付け状態の検査が難しい。
【０００６】
その対策のためにリード先端部にめっきを形成し、実装時にはんだフィレットを形成させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここでいうめっきとは、リードがはんだに濡れて接合することを可能にするために、リードの表面に形成される金又は錫などの金属層のことを指す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４３８７５６６号公報
【特許文献２】特開平７−２２５６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
リードの切断後のめっき工程において、半導体装置に帯電した静電気があるリードとそのリードに接続された半導体チップ上の配線に集中し、半導体チップにＥＳＤ（Electrostatic discharge）破壊をもたらす可能性がある。そこで、リードを切断する際にリードの上部を残してリードとフレームの支持部との接続を維持し、静電気をフレームに放電させる。そして、めっき後の半導体装置を個々に分離する際にリードを完全に支持部から切断する（例えば、特許文献１参照）。しかし、リード端面の上部にはめっきが形成されていないため、上部まではんだが濡れ上がらず、フィレットがリードの厚みに対して小さくなるという問題がある。
【０００９】
また、実装用のリードとは別にフレーム支持部との接続用のリードを設けておき、実装用のリードのめっきが終った後に接続用のリードを切断する製法もある（例えば、特許文献２参照）。しかし、接続用のリードを実装用のリードから分岐して設けるという複雑なフレーム構造となる。このため、フレーム形状の検査に時間が掛かり、変形などの構造不良が発生しやすくなるという問題がある。
【００１０】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はリードの先端にはんだフィレットを大きく形成させることができ、半導体チップのＥＳＤ破壊を回避することができる半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに接続されたリードと、前記半導体チップを封止したパッケージとを備え、前記パッケージは、多角形の実装面と、互いに隣り合う第１及び第２の側面と、前記実装面と前記第１及び第２の側面が交差する第１の角とを有し、前記リードは、前記第１の角において前記パッケージの前記実装面と前記第１及び第２の側面から露出しており、前記リードの前記実装面での露出部と前記第１の側面での露出部の全面にめっきが施され、前記リードの前記第２の側面での露出部にはめっきが施されていないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、リードの実装面での露出部と第１の側面での露出部の全面にめっきが施されている。このため、半導体装置を実装基板に実装する際に、リードの先端にはんだフィレットを大きく形成させることができる。また、リードの第２の側面での露出部にはめっきが施されていない。このため、リードがフレームの支持部と接続した状態でめっき工程を実施できるため、静電気をフレームに放電させることができる。従って、半導体チップのＥＳＤ破壊を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体装置を実装基板に実装した状態を示す拡大断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。トランジスタ又はダイオードなどを有する半導体チップ１がダイパッド２上に実装されている。リード３が金合金の金属細線４を介して半導体チップ１に電気的に接続されている。ダイパッド２と、リード３の金属細線４を接続する部分には、金又は錫の内部めっき５が施されている。これらの半導体チップ１、金属細線４及びリード３の一部を封止樹脂であるパッケージ６が封止している。
【００１６】
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す斜視図である。パッケージ６は、四角形の実装面６ａと、互いに隣り合う第１及び第２の側面６ｂ，６ｃと、実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃが交差する第１の角６ｄとを有する。リード３は、第１の角６ｄにおいてパッケージ６の実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃから露出している。リード３の実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面に金又は錫のめっき７が施されている。リード３の第２の側面６ｃでの露出部３ｃにはめっき７が施されていない。
【００１７】
図３及び図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す平面図である。まず、図３に示すように、銅合金又は鉄合金などの薄い金属の薄板を加工して、複数のダイパッド２とリード３が支持部８に繋がったフレーム９を形成する。
【００１８】
次に、金錫はんだを用いて半導体チップ１をダイパッド２上に実装し、金属細線４を介してリード３を半導体チップ１に電気的に接続する。
【００１９】
次に、図４に示すように、一つのフレーム９内にある複数の半導体装置を封止樹脂で一緒に封止してパッケージ６を形成する。この際に、パッケージ６の第１の角６ｄにリード３が配置されている。リード３の側面はパッケージ６の第１の側面６ｂと面一になって露出している。リード３は、切断される前のパッケージ６内でフレーム９の支持部８に繋がっている。
【００２０】
次に、パッケージ６から露出したリード３の実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面にめっき７を施す。次に、パッケージ６と支持部８をダイシングブレードにより切断することで、半導体装置がフレーム９から個々に切り分けられる。
【００２１】
なお、上記では複数の半導体装置を一体で樹脂封止する製造方法を述べたが、樹脂封止を個々の半導体装置毎に行い、切断加工金型を用いてリード３を切断してフレーム９から半導体装置を切り分けてもよい。
【００２２】
図５は、実施の形態１に係る半導体装置を実装基板に実装した状態を示す拡大断面図である。本実施の形態では、リード３の実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面にめっき７が施されている。このため、半導体装置を実装基板１０に実装する際に、リード３の先端にはんだフィレット１１を大きく形成させることができる。従って、接合強度が強くなり、外観検査によるはんだフィレット１１の観察も容易になる。
【００２３】
また、リード３の第２の側面６ｃでの露出部３ｃにはめっき７が施されていない。このため、リード３がフレーム９の支持部８と接続した状態でめっき工程を実施できるため、静電気をフレーム９に放電させることができる。従って、半導体チップ１のＥＳＤ破壊を回避することができる。
【００２４】
実施の形態２．
図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す平面図である。パッケージ６は、八角形の実装面６ａと、互いに隣り合う第１及び第２の側面６ｂ，６ｃと、実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃが交差する第１の角６ｄと、第１の側面６ｂと隣り合う第３の側面６ｅと、実装面６ａと第１の側面６ｂに挟まれた辺６ｆと、実装面６ａと第１及び第３の側面６ｂ，６ｅが交差する第２の角６ｇとを有する。
【００２５】
リード３は、第１の角６ｄにおいてパッケージ６の実装面６ａと第１及び第２の側面６ｂ，６ｃから露出し、辺６ｆに沿ってパッケージ６の実装面６ａと第１の側面６ｂから露出し、かつ第２の角６ｇにおいてパッケージ６の実装面６ａと第１及び第３の側面６ｂ，６ｅから露出している。リード３の辺６ｆに沿って実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面に金又は錫のめっき７が施されている。リード３の第２の側面６ｃでの露出部３ｃとリード３の第３の側面６ｅでの露出部３ｄにはめっき７が施されていない。
【００２６】
図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す平面図である。樹脂封止した際に、パッケージ６の辺６ｆとその両側の第１及び第２の角６ｄ，６ｇにリード３が配置されている。リード３の側面はパッケージ６の第１の側面６ｂと面一になって露出している。リード３はパッケージ６の第２及び第３の側面６ｃ，６ｅから突出してフレーム９の支持部８に繋がっている。実施の形態１と同様に、パッケージ６から露出したリード３の実装面６ａでの露出部３ａと第１の側面６ｂでの露出部３ｂの全面にめっき７を施す。その後に、パッケージ６と支持部８をダイシングブレードにより切断する。
【００２７】
本実施の形態では、リード３の実装面を辺６ｆの全幅で形成するため、実施の形態１よりもリード３とはんだとの接合面積を広くすることができる。これにより、更に強い実装強度を得ることができる。その他、実施の形態１と同様の効果も得ることができる。
【符号の説明】
【００２８】
１  半導体チップ、３  リード、３ａ，３ｂ，３ｃ  露出部、６  パッケージ、６ａ  実装面、６ｂ  第１の側面、６ｃ  第２の側面、６ｄ  第１の角、６ｅ  第３の側面、６ｆ  辺、６ｇ  第２の角、７  めっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2018026409.tif 000006
【図５】
2018026409.tif 000007
【図６】
2018026409.tif 000008
【図７】
2018026409.tif 000009