(57)【要約】【課題】  温度補償層を有し、製造が容易な弾性波フィルター装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板と、基板の上面に配置されてキャビティを形成するキャビティ形成層と、上記キャビティの上部に配置される下部電極と、上記下部電極上に配置される圧電体層と、上記圧電体層の上部に配置される上部電極と、上記下部電極の下部に配置され、且つ上記キャビティ内に配置される温度補償層と、を含む弾性波フィルター装置を開示する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に配置されてキャビティを形成するキャビティ形成層と、
前記キャビティの上部に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される圧電体層と、
前記圧電体層の上部に配置される上部電極と、
前記下部電極の下部に配置され、且つ前記キャビティ内に配置される温度補償層と、を含む、弾性波フィルター装置。
【請求項２】
前記温度補償層は、前記キャビティ内に配置される第１温度補償層と、前記下部電極の下部に配置される第２温度補償層と、を備える、請求項１に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項３】
前記第１温度補償層は、ルテニウム（Ｒｕ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなる、請求項２に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項４】
前記キャビティ形成層は、
前記基板に備えられる第１酸化物層上に配置される第１犠牲層と、
前記第１犠牲層の上面に配置される第２酸化物層と、
前記第２酸化物層の上面に配置される第２犠牲層と、を備える、請求項１から請求項３の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項５】
前記キャビティは、第１犠牲層の中央部に配置される第１キャビティ部と、第２犠牲層の中央部に配置される第２キャビティ部と、を備え、
前記第１キャビティ部と前記第２キャビティ部は、第２酸化物層により区画される、請求項４に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項６】
前記第１キャビティ部は前記第２キャビティ部と連通される、請求項５に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項７】
前記温度補償層は、第１キャビティ部の上部に配置されるように形成される、請求項５または請求項６に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項８】
前記第１犠牲層は、第１キャビティ部の端部に配置され、酸化物からなる第１保護壁を備え、前記第２犠牲層は、第２キャビティ部の端部に配置され、酸化物からなる第２保護壁を備える、請求項５から請求項７の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項９】
前記上部電極は、前記圧電体層の上部に配置されるフレーム層と、前記圧電体層及び前記フレーム層を覆うように形成される電極層と、を備える、請求項１から請求項８の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項１０】
前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分を露出させるように形成される保護層をさらに含む、請求項９に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項１１】
前記保護層より露出した前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分に配置される電極パッドをさらに含む、請求項１０に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項１２】
前記キャビティ形成層は前記基板上に積層される、請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項１３】
基板の第１酸化物層上に、第１保護壁を有する第１犠牲層を形成する段階と、
前記第１犠牲層の上面に第２酸化物層を形成する段階と、
前記第２酸化物層の上面に、第２保護壁を有する第２犠牲層を形成する段階と、
前記第２犠牲層の中央部及び前記第２酸化物層の中央部を除去する段階と、
前記第２犠牲層の中央部及び前記第２酸化物層の中央部が除去された前記第１犠牲層の上面の一部分に第１温度補償層を形成する段階と、
前記第１温度補償層の上面に第２温度補償層を形成する段階と、を含む、弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２温度補償層上に下部電極を形成する段階と、
前記第２温度補償層及び前記下部電極の上部に配置されるように圧電体層を形成する段階と、
前記圧電体層の上面に配置されるように上部電極を形成する段階と、をさらに含む、請求項１３に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１５】
前記下部電極を形成し、前記圧電体層を形成し、前記上部電極を形成する段階前に、平坦面を形成するために、第１、２温度補償層を平坦化する段階をさらに含み、
前記下部電極を形成する段階は、前記平坦面上に下部電極を形成する段階をさらに含み、
前記圧電体層を形成する段階は、前記平坦面上に前記圧電体層を形成する段階をさらに含む、請求項１４に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１６】
前記上部電極の端部及び外部に露出した前記圧電体層の端部を除去する段階と、
前記外部に露出した前記第２犠牲層の一部分、前記下部電極、前記圧電体層及び前記上部電極上に保護層を配置する段階と、
前記保護層の一部を除去することで、前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分を外部に露出させる段階と、
前記外部に露出した上部電極及び下部電極の一部分上に前記保護層の一部分を除去して電極パッドを形成する段階と、をさらに含む、請求項１４または請求項１５に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１保護壁の内部に配置される前記第１犠牲層の一部分を除去することで、第１キャビティ部を形成する段階と、
前記第２保護壁の内部に配置される前記第２犠牲層の一部分を除去することで、第２キャビティ部を形成する段階と、をさらに含む、請求項１６に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１温度補償層は、ルテニウム（Ｒｕ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなる、請求項１３から請求項１７の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
【請求項１９】
基板と、
前記基板の上部に配置されるキャビティ形成層と、
前記キャビティ形成層内に配置され、且つ前記基板上に配置される第１キャビティ部と、
前記キャビティ形成層内に配置され、且つ前記第１キャビティ部の上部に配置される第２キャビティ部と、
前記第２キャビティ部に配置される温度補償層と、
前記温度補償層上に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される圧電体層と、
前記圧電体層上に配置される上部電極と、を備える、弾性波フィルター装置。
【請求項２０】
前記キャビティ形成層は、
第１ポリシリコン層と、
前記第１ポリシリコン層上に配置される酸化層と、
前記酸化層上に配置される第２ポリシリコン層と、を備える、請求項１９に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項２１】
前記第１キャビティ部と前記第２キャビティ部とが前記酸化層により区画される、請求項２０に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項２２】
前記温度補償層は第１温度補償層を備え、
前記温度補償層は、前記第１温度補償層の上部及び前記下部電極の下部に配置される第２温度補償層を備える、請求項１９から請求項２１の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
【請求項２３】
前記第２温度補償層は第１平坦面の表面を備え、
前記第１温度補償層は、前記第１平坦面の表面の周り及び前記第１平坦面に対して同一平面上に第２平坦面の表面を備え、
前記下部電極と前記圧電体層は第１、２平坦面の表面に配置される、請求項２２に記載の弾性波フィルター装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルター装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信技術の急速な発展に伴い、それに応じた信号処理技術及び高周波（ＲＦ）部品技術の発展が求められている。
【０００３】
特に、無線通信機器の小型化の傾向に伴って高周波部品の小型化技術が積極的に要求されており、高周波部品のうちフィルターの小型化は、半導体薄膜ウェハー製造技術を用いるバルク音響共振器（ＢＡＷ、Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）形態のフィルターの製造により現実化されている。
【０００４】
バルク音響共振器（ＢＡＷ）とは、半導体基板であるシリコンウェハー上に圧電誘電体物質を蒸着し、その圧電特性を用いることで共振を誘発させる薄膜形態の素子をフィルターとして実現したものである。
【０００５】
利用分野としては、移動通信機器、化学及びバイオ機器などの小型軽量フィルター、オシレーター、共振素子、音響共振質量センサーなどが挙げられる。
【０００６】
一方、バルク音響共振器の特性を高めるための様々な構造的形状及び機能に関する研究が行われており、特に、温度変化による素子特性の好ましくない変化を低減するための構造及び技術に関する研究が必要な状況である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１７２７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明のいくつかの実施形態は、温度補償層を有し、製造が容易な弾性波フィルター装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置は、基板と、基板の上面に配置されてキャビティを形成するキャビティ形成層と、上記キャビティの上部に配置される下部電極と、上記下部電極上に配置される圧電体層と、上記圧電体層の上部に配置される上部電極と、上記下部電極の下部に配置され、且つ上記キャビティ内に配置されることにより、上記下部電極、圧電体層および上部電極の温度変化を補償可能に構成された温度補償層と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の幾つかの実施形態によれば、弾性波フィルター装置の温度特性を向上させることができ、弾性波フィルター装置を容易に製造することが可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１５】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１６】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１７】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１８】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１９】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２０】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２１】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２２】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２３】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２４】本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１３】
図１は本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置を示す概略断面図である。
【００１４】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置１００は、一例として、基板１１０と、キャビティ形成層１２０と、下部電極１３０と、圧電体層１４０と、上部電極１５０と、温度補償層１６０と、保護層１８０と、電極パッド１９０と、を含んで構成することができる。
【００１５】
基板１１０は、シリコンが積層された基板であることができる。例えば、シリコンウェハー（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｗａｆｅｒ）を基板として用いることができる。一方、基板１１０の上部には、第１酸化物層１１２が提供される。
【００１６】
基板１１０の上面には、空間部またはキャビティＳが形成されたキャビティ形成層１２０が積層される。一例として、キャビティ形成層１２０は、第１犠牲層１２１と、第２酸化物層１２２と、第２犠牲層１２３と、を含む。
【００１７】
第１犠牲層１２１は第１酸化物層１１２上に形成される。第１犠牲層１２１はポリシリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質からなることができる。一方、第１犠牲層１２１には、キャビティＳの第１キャビティ部Ｓ１を形成するための第１保護壁１２１ａが備えられる。すなわち、第１保護壁１２１ａの内側に第１キャビティ部Ｓ１を形成する。
【００１８】
また、第２酸化物層１２２は第１犠牲層１２１の上面に形成される。一方、第２酸化物層１２２は、キャビティＳ側に突出して配置される。そして、第１保護壁１２１ａと第２酸化物層１２２は同一の材質からなり、互いに連結される。
【００１９】
第２犠牲層１２３は第２酸化物層１２２上に形成される。一例として、第２犠牲層１２３は、第１犠牲層１２１と同一の材質であるポリシリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質からなることができる。一方、第２犠牲層１２３には、キャビティＳの第２キャビティ部Ｓ２を形成するための第２保護壁１２３ａが備えられる。すなわち、第２保護壁１２３ａの内側に第２キャビティ部Ｓ２が形成されることができる。
【００２０】
一方、第１キャビティ部Ｓ１および第２キャビティ部Ｓ２は第２酸化物層１２２により区画されており、第１キャビティ部Ｓ１と第２キャビティ部Ｓ２は互いに連結される。
【００２１】
下部電極１３０はキャビティＳの上部に配置される。一例として、下部電極１３０は、温度補償層１６０の第２犠牲層１２３及び第２温度補償層１６４上に形成される。そして、下部電極１３０は、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）などのような導電性材質を用いて形成されることができる。
【００２２】
また、下部電極１３０は、圧電体層１４０にＲＦ信号などの電気信号を印加する入力電極または出力電極として用いられる。例えば、下部電極１３０が入力電極である場合、上部電極１５０は出力電極である。
【００２３】
圧電体層１４０は下部電極１３０上に形成される。一例として、圧電体層１４０は、アルミニウム窒化物（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成される。
【００２４】
そして、圧電体層は、下部電極または上部電極から入力される電気信号を弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ）に変換することができる。
【００２５】
一例として、下部電極１３０に時間的に変化する電界が誘起される場合、圧電体層１４０は、下部電極に入力される電気信号を物理的振動に変換することができる。すなわち、下部電極１３０に時間的に変化する電界が誘起される場合、圧電体層１４０は、誘起された電界を用いて配向された圧電体層１４０内で厚さ方向に体積弾性波（ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ）を発生させることができる。このように、圧電体層１４０は電気信号を用いて体積弾性波を発生させることができる。
【００２６】
そして、上部電極１５０は圧電体層１４０上に形成される。一例として、上部電極１５０も、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）などのような導電性材質を用いて形成される。
【００２７】
また、上部電極１５０は、圧電体層１４０にＲＦ信号などの電気信号を印加する入力電極または出力電極として用いられる。例えば、上部電極１５０が出力電極である場合、下部電極１３０は入力電極である。
【００２８】
一方、上部電極１５０は、圧電体層１４０の上部に積層されるフレーム層１５２と、圧電体層１４０及びフレーム層１５２を覆うように形成される電極層１５４と、を備えることができる。一方、フレーム層１５２は、体積弾性波を調整し、電極層１５４と同一の材質からなることができる。
【００２９】
温度補償層１６０は下部電極１３０の下部に配置され、一例として、温度補償層１６０は、キャビティＳの第２キャビティ部Ｓ２内に配置される。一方、温度補償層１６０は、キャビティＳ内に配置される第１温度補償層１６２と、下部電極１３０の下部に配置される第２温度補償層１６４と、を備える。
【００３０】
すなわち、温度補償層１６０の第１温度補償層１６２と第２温度補償層１６４は、順に積層され、且つキャビティＳ内に挿入配置されることができる。
【００３１】
一方、第１温度補償層１６２は、ルテニウム（Ｒｕ）またはモリブデン（Ｍｏ）のような金属材質からなることができる。そして、第２温度補償層１６４は第１温度補償層１６２の上部に配置される。すなわち、第２温度補償層１６４は、第１温度補償層１６２と下部電極１３０との間に配置される。一例として、第２温度補償層１６４は、第１、２酸化物層１１２、１２２と同一の材質からなる。
【００３２】
保護層１８０は、上部電極１５０の一部分及び下部電極１３０の一部分を露出させるように形成される。すなわち、保護層１８０は、上部電極１５０の一部分及び下部電極１３０の一部分を除いた全体領域を覆う。保護層１８０は酸化物材質からなることができる。
【００３３】
電極パッド１９０は、保護層１８０より露出した上部電極１５０の一部分及び下部電極１３０の一部分に形成される。電極パッド１９０は、一例として、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）などの導電性材質からなる。
【００３４】
上述のように、本発明の実施形態においては、温度補償層１６０が第２キャビティＳ２内に配置されるため、従来のような単純な共振器の製造工程を実施する際の難易度と比べても、同程度の難易度の製造工程により弾性波フィルター装置１００を製造することができるという利点がある。
【００３５】
すなわち、平坦面を有する第２温度補償層１６４上に、下部電極１３０及び圧電体層１４０を積層することで、積層工程の難易度を下げることができる。
【００３６】
また、下部電極１３０及び圧電体層１４０は、第２温度補償層１６４の周り及び第２温度補償層１６４の平坦面に対して同一平面上に配置される第１温度補償層１６２の平坦面の表面に積層される。
【００３７】
そして、温度補償層１６０を備えることで、温度特性が改善可能な弾性波フィルター装置１００を提供することができる。
【００３８】
以下では、図面を参照して本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法について説明する。
【００３９】
図２から図２４は、本発明の一実施形態による弾性波フィルター装置の製造方法を説明するための工程図である。
【００４０】
先ず、図２〜図１０に示したように、基板１１０の第１酸化物層１１２上にキャビティ形成層１２０を形成する。
【００４１】
これについてより詳細に説明すると、図２に示したように、基板１１０の第１酸化物層１１２上に第１犠牲層１２１を形成する。一方、第１犠牲層１２１はポリシリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質からなることができる。そして、第１犠牲層１２１の積層後、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による第１犠牲層１２１の平坦化作業を行う。
【００４２】
次に、図３に示したように、パターニング工程により第１犠牲層１２１に溝１２１ｂを形成する。
【００４３】
次に、図４に示したように、第１犠牲層１２１の溝１２１ｂに第１保護壁１２１ａを形成する。第１保護壁１２１ａは、一例として、第１酸化物層１１２と同一の材質からなることができる。そして、第１保護壁１２１ａの形成後、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による平坦化作業を行うことができる。
【００４４】
次に、図５に示したように、第１犠牲層１２１上に第２酸化物層１２２を形成する。第２酸化物層１２２は、一例として、第１酸化物層１１２及び第１保護壁１２１ａと同一の材質からなることができる。
【００４５】
次に、図６に示したように、第２酸化物層１２２上に第２犠牲層１２３を形成する。例えば、第２犠牲層１２３は第２酸化物層１２２上に積層される。
【００４６】
第２犠牲層１２３も、第１犠牲層１２１と同様に、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）材質からなることができる。そして、第２犠牲層１２３の積層後、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による第２犠牲層１２３の平坦化作業を行う。
【００４７】
次に、図７に示したように、第２犠牲層１２３にもパターニング工程により溝１２３ｂを形成する。
【００４８】
次に、図８に示したように、第２犠牲層１２３の溝１２３ｂに第２保護壁１２３ａを形成する。第２保護壁１２３ａは、一例として、第１酸化物層１１２と同一の材質からなることができる。また、第２保護壁１２３ａの形成後、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による第２保護壁１２３ａの平坦化作業を行うことができる。
【００４９】
次に、図９に示したように、第２犠牲層１２３の中央部を、一例として、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）を用いたリリース工程により除去する。
【００５０】
次に、図１０に示したように、第２犠牲層１２３の中央部の除去により露出した第２酸化物層１２２の中央部を除去することで平坦度を確保する。
【００５１】
次に、図１１に示したように、第２犠牲層１２３が除去された領域及び第２犠牲層１２３の上面に第１温度補償層１６２を形成する。第１温度補償層１６２は、一例として、ルテニウム（Ｒｕ）またはモリブデン（Ｍｏ）のような金属材質からなる。
【００５２】
そして、図１２に示したように、第１温度補償層１６２上に第２温度補償層１６４を積層する。
【００５３】
次に、図１３に示したように、一例として、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による平坦化作業を行う。これにより、第２犠牲層１２３の上面に積層された第１温度補償層１６２と第２温度補償層１６４の一部分が除去される。
【００５４】
結果的に、平坦化作業が行われた第２温度補償層１６４が外部に露出し、第２温度補償層１６４の底面に第１温度補償層１６２が形成される。
【００５５】
次に、図１４に示したように、第２温度補償層１６４の上部に配置されるように下部電極１３０を形成する。下部電極１３０は、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）などのような導電性材質を用いて形成することができる。
【００５６】
次に、図１５に示したように、下部電極１３０を覆うように圧電体層１４０を形成する。圧電体層１４０は、一例として、アルミニウム窒化物（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｌｅａｄ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成することができる。
【００５７】
次に、図１６に示したように、圧電体層１４０の上面に上部電極１５０のフレーム層１５２を積層する。この際、圧電体層１４０の中央部が外部に露出するようにフレーム層１５２を積層することができる。
【００５８】
次に、図１７に示したように、外部に露出した圧電体層１４０の中央部の上面及び上部電極１５０のフレーム層１５２上に電極層１５４を積層する。これにより、フレーム層１５２とともに上部電極１５０を形成する。一方、フレーム層１５２と電極層１５４は、モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）などのような導電性材質を用いて形成することができる。
【００５９】
次に、図１８に示したように、パターニング工程により上部電極１５０の端部分を除去する。
【００６０】
次に、図１９に示したように、圧電体層１４０の端部分をパターニングにより除去する。これにより、下部電極１３０の一部分が外部に露出するとともに、第２犠牲層１２３の端部が外部に露出する。
【００６１】
次に、図２０に示したように、第２犠牲層１２３、圧電体層１４０、フレーム層１５２、電極層１５４、及び下部電極１３０上に積層して保護層１８０を形成する。保護層１８０は、上部電極１５０、圧電体層１４０、下部電極１３０を保護する役割を果たすように形成され、金属酸化物材質からなることができる。
【００６２】
次に、図２１に示したように、パターニングにより、下部電極１３０の一部分及び上部電極１５０の一部分が外部に露出するように保護層１８０の一部を除去する。
【００６３】
次に、図２２に示したように、外部に露出した下部電極１３０及び上部電極１５０の一部分に電極パッド１９０を形成する。電極パッド１９０は、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）材質からなることができる。
【００６４】
次に、図２３に示したように、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）を用いたリリース工程により、第１、２保護壁１２１ａ、１２３ａの内側に位置する第１、２犠牲層１２１、１２３の一部分を除去する。これにより、キャビティＳが形成される。キャビティＳは、第１温度補償層１６２及び第２温度補償層１６４が配置される第２キャビティＳ２と、第１温度補償層１６２の下部に配置される第１キャビティＳ１と、からなることができる。
【００６５】
そして、第１、２キャビティＳ１、Ｓ２は第２酸化物層１２２により区画されることができる。
【００６６】
次に、図２４に示したように、弾性波フィルター装置１００を形成するために、アルゴンイオンを用いたトリミング工程を行う。
【００６７】
上述のように、温度補償層１６０がキャビティＳ内に配置されるように形成されるため、温度補償層１６０による工程難易度の上昇を抑えることができる。すなわち、下部電極１３０及び圧電体層１４０が、平坦化工程が行われた第２温度補償層１６４上に形成されるため、温度補償層１６０の積層時における工程難易度の上昇を抑えることができる。
【００６８】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００６９】
１００  弾性波フィルター装置
１１０  基板
１２０  キャビティ形成層
１３０  下部電極
１４０  圧電体層
１５０  上部電極
１６０  温度補償層
１８０  保護層
１９０  電極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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