(57)【要約】【課題】微細回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供する。【解決手段】キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３〜０．０２４μｍ3/μｍ2であるキャリア付銅箔とする。【選択図】図４
2018026589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３〜０．０２４μｍ3/μｍ2であるキャリア付銅箔。
【請求項２】
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋが３．２７１〜１０．７３９である請求項１に記載のキャリア付銅箔。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔。
【請求項４】
前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項３に記載のキャリア付銅箔。
【請求項５】
前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔。
【請求項６】
前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項３又は４に記載のキャリア付銅箔。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。
【請求項９】
一つの請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の積層体を用いたプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の２層を少なくとも１回形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いた電子機器の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の２層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。
【０００２】
プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められている。
【０００３】
ファインピッチ化に対応して、最近では厚さ９μｍ以下、更には厚さ５μｍ以下の銅箔が要求されているが、このような極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される。露出した極薄銅層上にレジストで回路パターンを形成した後に、極薄銅層を硫酸-過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法（MSAP：Modified-Semi-Additive-Process）により、微細回路が形成される。
【０００４】
ここで、樹脂との接着面となるキャリア付き銅箔の極薄銅層の表面に対しては、主として、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が十分であること、そしてその剥離強度が高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分に保持されていることが要求される。極薄銅層と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル（凹凸、粗さ）を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。
【０００５】
しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル（凹凸、粗さ）の大きい極薄銅層を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。
【０００６】
このため、ＷＯ２００４／００５５８８号（特許文献１）では、半導体パッケージ基板をはじめとする微細回路用途のキャリア付銅箔として、極薄銅層の表面に粗化処理を施さないキャリア付銅箔を用いることが試みられている。このような粗化処理を施さない極薄銅層と樹脂との密着性（剥離強度）は、その低いプロファイル（凹凸、粗度、粗さ）の影響で一般的なプリント配線板用銅箔と比較すると低下する傾向がある。そのため、キャリア付銅箔について更なる改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００４／００５５８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
キャリア付銅箔の開発においては、これまで極薄銅層と樹脂基材との剥離強度を確保することに重きが置かれていた。そのため、プリント配線板の高密度実装化に適する微細回路形成用に適したキャリア付銅箔に関しては未だ十分な検討がなされておらず、未だ改善の余地が残されている。
【０００９】
そこで、本発明は、微細回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
微細回路形成用に適したキャリア付銅箔については、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の平滑性の向上や微細粗化粒子の形成が考えられるが、本発明者は、さらに踏み込み、以下の検討を行った。すなわち、微細回路形成性をさらに向上させるためには、回路形成時のフラッシュエッチングの時間短縮を究めることが重要であり、そのためには、「回路形成を行う層の厚みレンジ」を小さくすることが有効であることを見出した。当該「回路形成を行う層の厚みレンジ」は、キャリア及び極薄銅層（バルク）のうねりによるバルクの最大厚みレンジ、または、極薄銅層に粗化粒子が形成されている場合は、当該バルクのうねりと極薄銅層に形成された粗化ノジュールの足長さを加えた最大厚みレンジを示す。
【００１１】
本発明者は、上記回路形成を行う層の厚みレンジを小さくするために、誠意検討したところ、キャリア付銅箔の極薄銅層側表面の所定の表面性状に着目し、当該所定の表面性状を所定範囲に制御することで、上記回路形成を行う層の厚みレンジを小さくすることができ、それによって微細回路形成性が良好となることを見出した。
【００１２】
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３〜０．０２４μｍ3/μｍ2であるキャリア付銅箔である。
【００１３】
本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、本発明のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
本発明のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。
【００１４】
本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である。
【００１５】
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。
【００１６】
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える。
【００１７】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体である。
【００１８】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。
【００１９】
本発明は更に別の一側面において、一つの本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体である。
【００２０】
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を用いたプリント配線板の製造方法である。
【００２１】
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の２層を少なくとも１回形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。
【００２２】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法である。
【００２３】
本発明は更に別の一側面において、本発明の方法で製造されたプリント配線板を用いた電子機器の製造方法である。
【００２４】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
【００２５】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
【００２６】
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の２層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、微細回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】Ａ〜Ｃは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。
【図２】Ｄ〜Ｆは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び２層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。
【図３】Ｇ〜Ｉは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から１層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。
【図４】Ｊ〜Ｋは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。
【図５】実施例に係る裾引き部を示した回路の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
＜キャリア付銅箔＞
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は公知の使用方法を用いることができる。例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
また、キャリア付銅箔は、キャリアの一方の面に、中間層と、極薄銅層とをこの順に備え、キャリアの、極薄銅層側の面とは反対側の面に、後述の粗化処理層が設けられていてもよい。また、キャリア付銅箔は、キャリアの両方の面に、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えてもよい。
【００３０】
＜キャリア付銅箔の表面性状＞
微細回路形成性を従来に対してさらに向上させるためには、回路形成時のフラッシュエッチングの時間短縮を究めることが重要であり、そのためには、「回路形成を行う層の厚みレンジ」を小さくすることが有効である。当該「回路形成を行う層の厚みレンジ」は、キャリア及び極薄銅層（バルク）のうねりによるバルクの最大厚みレンジ、または、極薄銅層に粗化粒子が形成されている場合は、当該バルクのうねりと極薄銅層に形成された粗化ノジュールの足長さを加えた最大厚みレンジを示す。本発明では、後述のように、当該回路形成を行う層の厚みレンジを制御するために、キャリア付銅箔の所定の表面性状を所定範囲に制御している。
【００３１】
本発明は別の一側面において、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐが０．１９３〜３．０８２μｍであるキャリア付銅箔に係る。このような構成により、前記回路形成を行う層の厚みレンジを小さく制御することができ、微細回路形成性が良好となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐが０．１９３μｍ未満であると、粗さ断面線のコア部が小さくなり、樹脂と銅箔との密着力が低下し、配線が脱落しやすくなるという問題が生じる。また、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐが３．０８２μｍを超えると、粗さ断面線のコア部が大きくなり、厚みレンジが大きくなることにより、フラッシュエッチングに要する時間が長くなる。ここで、回路の配線幅を保持しようとすれば、粗化粒子が形成されている場合は当該粗化粒子の足の長いところが残渣として残り、或いは、回路の裾引きが大きくなる。また、銅残渣が完全に無くなるまでエッチング時間を長くすれば、配線幅は細くなってしまい、所望のライン／スペースの配線が得られなくなり、微細回路形成性が悪化するという問題が生じる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐは、０．２μｍ以上、０．２５μｍ以上、０．３μｍ以上、０．３５μｍ以上としてもよく、２．９μｍ以下、２．５μｍ以下、２．４μｍ以下、２μｍ以下、１．５３μｍ以下、１μｍ以下、０．７００μｍ以下、０．６μｍ以下とすることが好ましい。
【００３２】
本発明は別の一側面において、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠したコア部のレベル差Ｓｋが０．０９７〜０．９３７μｍであるキャリア付銅箔に係る。このような構成により、前記回路形成を行う層の厚みレンジを小さく制御することができ、微細回路形成性が良好となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠したコア部のレベル差Ｓｋが０．０９７μｍ未満であると、粗さ断面線のコア部が小さくなり、樹脂と銅箔との密着力が低下し、配線が脱落しやすくなるという問題が生じる。また、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠したコア部のレベル差Ｓｋが０．９３７μｍを超えると、粗さ断面線のコア部が大きくなり、厚みレンジが大きくなることにより、フラッシュエッチングに要する時間が長くなる。ここで、回路の配線幅を保持しようとすれば、粗化粒子が形成されている場合は当該粗化粒子の足の長いところが残渣として残り、或いは、回路の裾引きが大きくなる。また、銅残渣が完全に無くなるまでエッチング時間を長くすれば、配線幅は細くなってしまい、所望のライン／スペースの配線が得られなくなり、微細回路形成性が悪化するという問題が生じる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠したコア部のレベル差Ｓｋは、０．１μｍ以上、０．１５μｍ以上、０．２μｍ以上、０．２５μｍ以上としてもよく、０．９μｍ以下、０．８５μｍ以下、０．８０μｍ以下、０．７５μｍ以下、０．５１μｍ以下、０．３７μｍ以下とすることが好ましい。
【００３３】
本発明は更に別の一側面において、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した突出山部高さＳｐｋが０．０５９〜０．４７０μｍであるキャリア付銅箔に係る。このような構成により、前記回路形成を行う層の厚みレンジを小さく制御することができ、微細回路形成性が良好となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した突出山部高さＳｐｋが０．０５９μｍ未満であると、粗さが小さくなり、樹脂と銅箔との密着力が低下し、配線が脱落しやすくなるという問題が生じる。また、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した突出山部高さＳｐｋが０．４７０μｍを超えると、粗さが大きくなり、厚みレンジが大きくなることにより、フラッシュエッチングに要する時間が長くなる。ここで、回路の配線幅を保持しようとすれば、粗化粒子が形成されている場合は当該粗化粒子の足の長いところが残渣として残り、或いは、回路の裾引きが大きくなる。また、銅残渣が完全に無くなるまでエッチング時間を長くすれば、配線幅は細くなってしまい、所望のライン／スペースの配線が得られなくなり、微細回路形成性が悪化するという問題が生じる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した突出山部高さＳｐｋは、０．０６μｍ以上、０．０７μｍ以上、０．０８μｍ以上、０．０９μｍ以上としてもよく、０．４５μｍ以下、０．４μｍ以下、０．３５μｍ以下、０．３μｍ以下、０．２１７μｍ以下、０．１７０μｍ以下、０．１６μｍ以下、０．１４０μｍ以下とすることが好ましい。
【００３４】
本発明は更に別の一側面において、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３〜０．０２４μm3/μm2であるキャリア付銅箔に係る。このような構成により、前記回路形成を行う層の厚みレンジを小さく制御することができ、微細回路形成性が良好となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３μm3/μm2未満であると、粗さが小さくなり、樹脂と銅箔との密着力が低下し、配線が脱落しやすくなるという問題が生じる。また、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．０２４μm3/μm2を超えると、粗さが大きくなり、厚みレンジが大きくなることにより、フラッシュエッチングに要する時間が長くなる。ここで、回路の配線幅を保持しようとすれば、粗化粒子が形成されている場合は当該粗化粒子の足の長いところが残渣として残り、或いは、回路の裾引きが大きくなる。また、銅残渣が完全に無くなるまでエッチング時間を長くすれば、配線幅は細くなってしまい、所望のライン／スペースの配線が得られなくなり、微細回路形成性が悪化するという問題が生じる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐは、０．００４μm3/μm2以上、０．００５μm3/μm2以上、０．００６μm3/μm2以上、０．００７μm3/μm2以上としてもよく、０．０１８μm3/μm2以下、０．０１７μm3/μm2以下、０．０１６μm3/μm2以下、０．０１５μm3/μm2以下、０．０１０μm3/μm2以下、０．００９μm3/μm2以下、０．００８μm3/μm2以下、０．００６μm3/μm2以下とすることが好ましい。
【００３５】
本発明は更に別の一側面において、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋが３．２７１〜１０．７３９であるキャリア付銅箔に係る。このような構成により、前記回路形成を行う層の厚みレンジを小さく制御することができ、微細回路形成性が良好となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋが３．２７１未満であると、粗さが小さくなり、樹脂と銅箔との密着力が低下し、配線が脱落しやすくなるという問題が生じる。また、極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋが１０．７３９を超えると、局所的に表面の粗さ（山や谷）が大きい箇所の発生頻度が徐々に大きくなっていき、実用上問題となるレベルの発生頻度になり、その結果、微細回路形成性が不良となる原因となる。極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋは、３．５以上、４以上、４．５以上、５以上としてもよく、１０．５以下、１０以下、９．５以下、９以下、８．４１以下、７．００以下、５．８２５以下、４．０２以下とすることが好ましい。
【００３６】
＜キャリア＞
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ＬＣＰ（液晶ポリマー）フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリアミドフィルム、ＰＥＴフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ  Ｈ３１００  合金番号Ｃ１０２０またはＪＩＳ  Ｈ３５１０  合金番号Ｃ１０１１）といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
【００３７】
本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば５μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。キャリアの厚みは典型的には８〜７０μｍであり、より典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には５μｍ以上３５μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１８μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１２μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１１μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。なお、プリント配線板の製造方法の一つである埋め込み工法（エンベッディド法(Ｅｎｂｅｄｄｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ)）にキャリア付銅箔が用いられる場合には、キャリアの剛性が高いことが必要である。そのため、埋め込み工法に用いる場合には、キャリアの厚みは１８μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、３５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３５μｍ以上７０μｍ以下であることが更により好ましい。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、後述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
【００３８】
本発明の上述の極薄銅層側表面の表面性状は、キャリアの極薄銅層側表面形態を調整することで制御することができる。本発明のキャリアは、以下の作製方法Ａ〜Ｋのいずれかによって作製することができる。
・キャリアの作製方法Ａ
平滑ポリイミドフィルムを準備する。当該平滑ポリイミドフィルムとしては、例えば、宇部興産製ユーピレックス、ＤｕＰｏｎｔ／東レ・デュポン製カプトン、カネカ製アピカル等を用いることができる。また、平滑ポリイミドフィルムとしてはＢＰＤＡ系またはＢＰＤＡ−ＰＰＤ系ポリイミドフィルム、ＰＭＤＡ系またはＰＭＤＡ−ＯＤＡ系ポリイミドフィルムを用いることが好ましい。ここで、ＢＰＤＡはビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ＰＰＤはパラフェニレンジアミン、ＰＭＤＡはピロメリット酸無水物、ＯＤＡは４、４’-ジアミノジフェニルエーテルを意味する。そして、平滑ポリイミドフィルムを表面の汚染物質の除去と表面の改質を行うため、プラズマ処理する。プラズマ処理条件と表面形状との関係を予め取得することにより、所定の条件でプラズマ処理して所望の表面形状を有するポリイミドフィルムを得ることができる。
ここで、プラズマ処理前の平滑ポリイミドフィルムの極薄銅層を設ける予定の側の表面の十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１  １９９４）は０．５〜１８ｎｍとし、プラズマ処理後の十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１  １９９４）は２．５〜２０ｎｍとする。
例えば、プラズマ処理の場合では、プラズマ電力が高いほど表面粗さＲｚが大きくなる。なお、プラズマ処理は以下の様に行う。すなわち、ポリイミドフィルムを真空装置内にセットし真空排気後、酸素をチャンバー内に導入し、チャンバー圧力を５〜１２Ｐａに調整する。その後プラズマ処理の電力を１００〜２００Ｗとして２０〜４０秒間プラズマ処理を行う。
プラズマ処理前後の表面粗さの測定は、以下の装置を使用し次の測定条件で行うことができる。
装置：島津製作所製走査型プローブ顕微鏡  SPM-9600
条件：ダイナミックモード
走査範囲：１μm×１μm
画素数：５１２×５１２
【００３９】
・キャリアの作製方法Ｂ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯３０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔のドラム面側（析出面側とは反対側の面、光沢面側）に実施する。
【００４０】
・キャリアの作製方法Ｃ
以下の電解液を用いて、電解銅箔を作製する。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の析出面側（ドラム側とは反対側の面、光沢を有する）に実施する。
＜電解液組成＞
銅：９０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：９０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：５０〜１００ｐｐｍ
レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レベリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
【００４１】
【化１】
2018026589.tif 000003
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
【００４２】
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
【００４３】
・キャリアの作製方法Ｄ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、上記キャリアの作製方法Ｃに記載の液組成を有するめっき液でめっきアップする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００４４】
・キャリアの作製方法Ｅ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、過酸化水素／硫酸系エッチング液で表面処理したものをキャリアとする。当該表面処理としては、例えば、以下の条件によるスプレーエッチング処理を行うことができる。
（スプレーエッチング処理条件）
・エッチング形式：スプレーエッチング
・スプレーノズル：フルコーン型
・スプレー圧：０．１０ＭＰａ
・エッチング液温：３０℃
・エッチング液組成：
添加剤：三菱ガス化学製ＣＰＢ−３８（過酸化水素３５．０ｗ／ｗ％（４０ｗ／ｖ％）、硫酸３．０ｗ／ｗ％（３．５ｗ／ｖ％））：１／４希釈とした後、硫酸を所定量添加して組成：過酸化水素１０ｗ／ｖ％、硫酸２ｗ／ｖ％で使用する。
なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００４５】
・キャリアの作製方法Ｆ
ＪＩＳ-Ｈ３１００に規格する無酸素銅にＳｎを１２００ｗｔｐｐｍ添加した組成の銅インゴットを製造し、８００〜９００℃で熱間圧延を行った後、３００〜７００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍と冷間圧延を１回繰り返して１〜２ｍｍ厚の圧延板を得る。この圧延板を６００〜８００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、７〜５０μｍの厚みまで圧下率を９５〜９９．７％として最終冷間圧延して、圧延銅箔を作製し、これをキャリアとする。
ここで、最終冷間圧延の最終パスと最終冷間圧延の最終パスの１つ前のパスの両方の油膜当量をいずれも２３０００に調整する。油膜当量は下記式で表される。
（油膜当量）＝｛（圧延油粘度、４０℃の動粘度；cSt）×（圧延速度；ｍ／分）｝／｛（材料の降伏応力；ｋｇ／ｍｍ2）×（ロール噛込角；rad）｝
【００４６】
・キャリアの作製方法Ｇ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１５００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００４７】
・キャリアの作製方法Ｈ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００４８】
・キャリアの作製方法Ｉ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：Ｆ５００、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００４９】
・キャリアの作製方法Ｊ
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：Ｆ３２０、砥石回転速度：５００rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
【００５０】
・キャリアの作製方法Ｋ
以下の電解液を用いて、電解銅箔を作製する。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔のマット面側（析出面側、ドラム側とは反対側の面）に実施する。
＜電解液組成＞
銅：７０〜１３０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１３０ｇ／Ｌ
塩素：３０〜１００ｐｐｍ
にかわ：０．０５〜３ｐｐｍ
【００５１】
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
【００５２】
＜中間層＞
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間には他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、有機物層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、有機物層を形成することで構成することができる。
中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４００００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上２５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上１０００μｇ／ｄｍ2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ2以上１００μｇ／ｄｍ2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
また、中間層が含む有機物は窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸からなる群から選択される一種以上の有機物であることが好ましい。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である１，２，３−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ’，Ｎ’−ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール及び３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び２−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
【００５３】
＜極薄銅層＞
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。また、極薄銅層を形成するための電解浴には極薄銅層の表面の平滑性を増すか、または、光沢を増す効果を有する添加剤、及び／または、光沢剤を用いることが好ましい。当該極薄銅層の表面の平滑性を増すか、または、光沢を増す効果を有する添加剤、及び／または、光沢剤としては公知のものを用いることが出来る。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．０１〜１２μｍであり、より典型的には０．１〜１０μｍであり、より典型的には０．２〜９μｍであり、より典型的には０．３〜８μｍであり、より典型的には０．５〜７μｍであり、より典型的には１〜５μｍ、更に典型的には１．５〜５μｍ、更に典型的には２〜５μｍである。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
【００５４】
本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体（銅張積層板等）を作製することができる。当該積層体としては、例えば、「極薄銅層／中間層／キャリア／樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア／中間層／極薄銅層／樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「極薄銅層／中間層／キャリア／樹脂又はプリプレグ／キャリア／中間層／極薄銅層」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア／中間層／極薄銅層／樹脂又はプリプレグ／極薄銅層／中間層／キャリア」の順に積層された構成であってもよい。前記樹脂又はプリプレグは後述する樹脂層であってもよく、後述する樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。
【００５５】
＜粗化処理およびその他の表面処理＞
極薄銅層の表面またはキャリアの表面のいずれか一方または両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面またはキャリアの表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。
【００５６】
本発明の粗化処理は、以下のａ〜ｇのいずれかの条件によって行うことができる。
・粗化条件ａ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：３０〜４０Ａ／ｄｍ2
時間：０．２〜１秒
粗化処理層の重量厚みを０．０５μｍ±０．０２μｍの範囲に調整する。
なお、粗化処理の重量厚みは以下の様に算出する。
粗化処理の重量厚み（μｍ）＝（（粗化処理後のサンプル重量（ｇ））−（粗化処理前のサンプル重量（ｇ）））／（銅の密度８．９４（ｇ／ｃｍ3）×（サンプルの粗化処理を有する平面の面積）（ｃｍ2））×１００００（μｍ／ｃｍ）
【００５７】
・粗化条件ｂ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
時間：１〜３秒
粗化処理層の重量厚みを０．１５μｍ±０．０４μｍの範囲に調整する。
【００５８】
・粗化条件ｃ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：４０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
時間：５〜８秒
粗化処理層の重量厚みを０．２５μｍ±０．０５μｍの範囲に調整する。
【００５９】
・粗化条件ｄ
粗化処理１→粗化処理２の順に行う。
（１）粗化処理１
液組成：Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０〜１００ｇ／Ｌ
液温：２５〜５０℃
電流密度：０．５〜５４Ａ／ｄｍ2
クーロン量：２〜６７Ａｓ／ｄｍ2
（２）粗化処理２
液組成：Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ：５〜１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ：５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：２〜３
液温：３０〜５０℃
電流密度：２０〜４６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：３１〜４５Ａｓ／ｄｍ2
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．３５μｍ±０．０５μｍの範囲に調整する。
【００６０】
・粗化条件ｅ
粗化処理１→粗化処理２の順に行う。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１５〜３５ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｗ：１０〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：１０〜５０ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：５０〜２００ｍｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３０〜１１５Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：２０〜４５０Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：０．５〜１５秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３〜４８Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：２０〜２５０Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：１〜５０秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．４０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整する。
【００６１】
・粗化条件ｆ
粗化処理１→粗化処理２の順に行う。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１５〜３５ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｗ：１〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：１〜５０ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：１〜２００ｍｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：２０〜１０５Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：５０〜５００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：０．５〜２０秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３〜４８Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：５０〜３００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：１〜６０秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．５０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整する。
【００６２】
・粗化条件ｇ
粗化処理１→粗化処理２の順に行う。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１０〜４０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：２４〜１１２Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：７０〜６００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：５〜３０秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：３０〜９０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：４〜４９Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：７０〜４００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：５〜６５秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．６０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整する。
【００６３】
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、前述の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層は前述の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％〜９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％〜１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５〜１０００ｍｇ／ｍ2、好ましくは１０〜５００ｍｇ／ｍ2、好ましくは２０〜１００ｍｇ／ｍ2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５〜１０であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ2〜５００ｍｇ／ｍ2であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2であることがより好ましい。耐熱層および／または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。
【００６４】
例えば耐熱層および／または防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ2〜８０ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2〜４０ｍｇ／ｍ2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルト、ニッケル−スズ合金のいずれか一種により構成されてもよい。また、前述の耐熱層および／または防錆層は、［ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５〜１０であることが好ましく、０．３３〜３であることがより好ましい。当該耐熱層および／または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。
【００６５】
クロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理されることにより形成された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
【００６６】
前記シランカップリング処理層は、公知のシランカップリング剤を使用して形成してもよく、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シラン、ビニル系シラン、イミダゾール系シラン、トリアジン系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。
【００６７】
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ2〜２００ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ2〜２０ｍｇ／ｍ2、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ2〜２．０ｍｇ／ｍ2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材と表面処理銅箔との密着性をより向上させることが出来る。
【００６８】
また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、特開２００８−１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、特開２０１３−１９０５６号に記載の表面処理を行うことができる。
【００６９】
また、キャリアと、キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
【００７０】
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
【００７１】
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、２，２−ビス（４−グリシジルフェニル）プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。
【００７２】
また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化（臭素化）エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に２以上のエポキシ基を備える９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
【００７３】
前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体（無機化合物及び／または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい）、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材、前述の樹脂、前述の化合物等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９号、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１−５８２８号、特開平１１−１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００−４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２−１７９７７２号、特開２００２−３５９４４４号、特開２００３−３０４０６８号、特許第３９９２２２５、特開２００３−２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４−８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４−３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５−２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５−５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６−２５７１５３号、特開２００７−３２６９２３号、特開２００８−１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９−６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９−１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１−１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３−１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。
【００７４】
（樹脂層が誘電体（誘電体フィラー）を含む場合）
前記樹脂層は誘電体（誘電体フィラー）を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体（誘電体フィラー）を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体（誘電体フィラー）には、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ−Ｔｉ）Ｏ3（通称ＰＺＴ）、ＰｂＬａＴｉＯ3・ＰｂＬａＺｒＯ（通称ＰＬＺＴ）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9（通称ＳＢＴ）等のペロブスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
【００７５】
前述の樹脂層に含まれる樹脂および／または樹脂組成物および／または化合物を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。
【００７６】
前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔（樹脂付きキャリア付銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
【００７７】
この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。
【００７８】
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
【００７９】
この樹脂層の厚みは０．１〜８０μｍであることが好ましい。樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。
【００８０】
一方、樹脂層の厚みを８０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。
【００８１】
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。
【００８２】
更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
【００８３】
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
【００８４】
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
【００８５】
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
【００８６】
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
【００８７】
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
【００８８】
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
【００８９】
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。
【００９０】
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
【００９１】
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
【００９２】
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。
【００９３】
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
【００９４】
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。
【００９５】
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
【００９６】
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
【００９７】
スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
【００９８】
ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄銅層を有するキャリア付銅箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。
まず、図１−Ａに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔（１層目）を準備する。
次に、図１−Ｂに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図１−Ｃに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図２−Ｄに示すように、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔（２層目）を極薄銅層側から接着させる。
次に、図２−Ｅに示すように、２層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図２−Ｆに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図３−Ｇに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図３−Ｈに示すように、ビアフィル上に、上記図１−Ｂ及び図１−Ｃのようにして回路めっきを形成する。
次に、図３−Ｉに示すように、１層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図４−Ｊに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図４−Ｋに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
【００９９】
上記別のキャリア付銅箔（２層目）は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図３−Ｈに示される２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。
【０１００】
上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図４−Ｊに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図４−Ｊ及び図４−Ｋに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。
【０１０１】
なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグおよび／またはフィルムを使用することができる。
【０１０２】
また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔、樹脂基板を用いることができる。
【０１０３】
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の２層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法（コアレス工法）であってもよい。なお、樹脂層及び回路の２層は樹脂層、回路の順に設けてもよいし、回路、樹脂層の順に設けてもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層して積層体（銅張積層板、銅張積層体ともいう）を製造する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面又は極薄銅層側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から積層してもよい。この場合、樹脂基板を中心として当該樹脂基板の両表面側に、キャリア／中間層／極薄銅層の順あるいは極薄銅層／中間層／キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア／中間層／極薄銅層／樹脂基板／極薄銅層／中間層／キャリア」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア／中間層／極薄銅層／樹脂基板／キャリア／中間層／極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「極薄銅層／中間層／キャリア／樹脂基板／キャリア／中間層／極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体を上述のプリント配線板の製造方法（コアレス工法）に用いてもよい。両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層又は金属層を設けた後、当該銅層又は金属層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を１回以上行ってもよい（ビルドアップ工法）。そして、このようにして形成した積層体（以下、積層体Ｂとも言う）について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。なお、前述のコアレス基板の作製には、２つのキャリア付銅箔を用いて、後述する極薄銅層／中間層／キャリア／キャリア／中間層／極薄銅層の構成を有する積層体や、キャリア／中間層／極薄銅層／極薄銅層／中間層／キャリアの構成を有する積層体や、キャリア／中間層／極薄銅層／キャリア／中間層／極薄銅層の構成を有する積層体を作製し、当該積層体を中心に用いることもできる。これら積層体（以下、積層体Ａとも言う）の両側の極薄銅層またはキャリアの表面に樹脂層及び回路の２層を１回以上設け、樹脂層及び回路の２層を１回以上設けた後に、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。前述の積層体は、極薄銅層の表面、キャリアの表面、キャリアとキャリアとの間、極薄銅層と極薄銅層との間、極薄銅層とキャリアとの間には他の層を有してもよい。他の層は樹脂層や樹脂基板であってもよい。なお、本明細書において「極薄銅層の表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「キャリアの表面」、「キャリア側表面」、「キャリア表面」、「積層体の表面」、「積層体表面」は、極薄銅層、キャリア、積層体が、極薄銅層表面、キャリア表面、積層体表面に他の層を有する場合には、当該他の層の表面（最表面）を含む概念とする。また、積層体は極薄銅層／中間層／キャリア／キャリア／中間層／極薄銅層の構成を有することが好ましい。当該積層体を用いてコアレス基板を作製した際、コアレス基板側に極薄銅層が配置されるため、モディファイドセミアディティブ法を用いてコアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。また、極薄銅層の厚みは薄いため、当該極薄銅層の除去がしやすく、極薄銅層の除去後にセミアディティブ法を用いて、コアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。
なお、本明細書において、「積層体Ａ」または「積層体Ｂ」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体Ａ及び積層体Ｂを含む積層体を示す。
【０１０４】
なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体（積層体Ａ）の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層または積層体を構成する１つのキャリア付銅箔ともう１つのキャリア付銅箔の間のへの薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離やキャリア付銅箔の腐食を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」または「積層体の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂を使用することができる。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分（キャリアと極薄銅層との積層部分、または、１つのキャリア付銅箔ともう１つのキャリア付銅箔との積層部分）の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体（積層体Ａ）は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分（キャリアと極薄銅層との積層部分、または、１つのキャリア付銅箔ともう１つのキャリア付銅箔との積層部分）の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。また、平面視した場合に樹脂又はプリプレグはキャリア付銅箔または積層体または積層体の積層部分よりも大きい方が好ましく、当該樹脂又はプリプレグをキャリア付銅箔または積層体の両面に積層し、キャリア付銅箔または積層体が樹脂又はプリプレグにより袋とじ（包まれている）されている構成を有する積層体とすることが好ましい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔または積層体を平面視したときに、キャリア付銅箔または積層体の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリアと極薄銅層またはキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔または積層体の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの積層部分の界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、積層体の一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔（極薄銅層）を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔又は積層体の積層部分（キャリアと極薄銅層との積層部分、または、１つのキャリア付銅箔ともう１つのキャリア付銅箔との積層部分）が樹脂又はプリプレグ等により強固に密着している場合には、当該積層部分等を切断等により除去する必要が生じる場合がある。
【０１０５】
本発明のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔のキャリア側または極薄銅層側に積層して積層体を構成してもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて得られた積層体であってもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層と、前記もう一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層とが接合されていてもよい。ここで、当該「接合」は、キャリア又は極薄銅層が表面処理層を有する場合は、当該表面処理層を介して互いに接合されている態様も含む。また、当該積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われていてもよい。
【０１０６】
キャリア同士、極薄銅層同士、キャリアと極薄銅層、キャリア付銅箔同士の積層は、単に重ね合わせる他、例えば以下の方法で行うことができる。
（ａ）冶金的接合方法：融接（アーク溶接、ＴＩＧ（タングステン・イナート・ガス）溶接、ＭＩＧ（メタル・イナート・ガス）溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接）、圧接（超音波溶接、摩擦撹拌溶接）、ろう接；
（ｂ）機械的接合方法：かしめ、リベットによる接合（セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合）、ステッチャー；
（ｃ）物理的接合方法：接着剤、（両面）粘着テープ
【０１０７】
一方のキャリアの一部若しくは全部と他方のキャリアの一部若しくは全部若しくは極薄銅層の一部若しくは全部とを、上記接合方法を用いて接合することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を積層し、キャリア同士またはキャリアと極薄銅層を分離可能に接触させて構成される積層体を製造することができる。一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが弱く接合されて、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが積層されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層との接合部を除去しないでも、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とは分離可能である。また、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが強く接合されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアとが接合されている箇所を切断や化学研磨（エッチング等）、機械研磨等により除去することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を分離することができる。
【０１０８】
また、このように構成した積層体に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の２層を少なくとも１回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又はキャリアを剥離させる工程を実施することでプリント配線板を作製することができる。なお、当該積層体の一方または両方の表面に、樹脂層と回路との２層を設けてもよい。
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。
【実施例】
【０１０９】
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。
【０１１０】
（１）キャリアの作製
まず、キャリアを以下のようにして作製した。
・キャリアの作製方法Ａ（実施例１〜３、比較例１、５）
平滑ポリイミドフィルムとして厚さ２５μｍの宇部興産製ユーピレックスＳＧＡ（ＢＰＤＡ−ＰＰＤ系ポリイミドフィルム）を用い、これをキャリアとした。そして、平滑ポリイミドフィルムの極薄銅層を設ける予定の側の表面に対して、プラズマ処理を以下の様に行った。平滑ポリイミドフィルムを真空装置内にセットし真空排気後、酸素をチャンバー内に導入し、チャンバー圧力を５〜１２Ｐａに調整した。その後プラズマ処理の電力を１００〜２００Ｗとして２０〜４０秒間プラズマ処理を行った。
なお、プラズマ処理前の平滑ポリイミドフィルムの極薄銅層を設ける予定の側の表面の十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１  １９９４）は０．５〜１８ｎｍであり、プラズマ処理後の十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１  １９９４）は２．５〜２０ｎｍであった。
上記プラズマ処理前後の、平滑ポリイミドフィルムの極薄銅層を設ける予定の側の表面の十点平均粗さＲｚの測定は、以下の装置を使用し次の測定条件で行った。
装置：島津製作所製走査型プローブ顕微鏡  SPM-9600
条件：ダイナミックモード
走査範囲：１μm×１μm
画素数：５１２×５１２
【０１１１】
・キャリアの作製方法Ｂ（実施例４、実施例１１）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯３０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１１２】
・キャリアの作製方法Ｃ（実施例５〜７）
以下の電解液を用いて、厚さ１８μｍの電解銅箔を作製した。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
＜電解液組成＞
銅：９０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：９０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：５０〜１００ｐｐｍ
レべリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レべリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
【０１１３】
【化２】
2018026589.tif 000004
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
【０１１４】
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
【０１１５】
・キャリアの作製方法Ｄ（実施例８）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、上記キャリアの作製方法Ｃに記載の液組成を有するめっき液で３μｍめっきアップした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１１６】
・キャリアの作製方法Ｅ（実施例９）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、過酸化水素／硫酸系エッチング液で表面処理したものをキャリアとした。当該表面処理として、例以下の条件によるスプレーエッチング処理を行った。
（スプレーエッチング処理条件）
・エッチング形式：スプレーエッチング
・スプレーノズル：フルコーン型
・スプレー圧：０．１０ＭＰａ
・エッチング液温：３０℃
・エッチング液組成：
添加剤：三菱ガス化学製ＣＰＢ−３８（過酸化水素３５．０ｗ／ｗ％（４０ｗ／ｖ％）、硫酸３．０ｗ／ｗ％（３．５ｗ／ｖ％））：１／４希釈とした後、硫酸を所定量添加して組成：過酸化水素１０ｗ／ｖ％、硫酸２ｗ／ｖ％で使用した。
なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１１７】
・キャリアの作製方法Ｆ（実施例１０）
ＪＩＳ-Ｈ３１００に規格する無酸素銅にＳｎを１２００ｗｔｐｐｍ添加した組成の銅インゴットを製造し、８００〜９００℃で熱間圧延を行った後、３００〜７００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍と冷間圧延を１回繰り返して１〜２ｍｍ厚の圧延板を得た。この圧延板を６００〜８００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、７〜５０μｍの厚みまで圧下率を９５〜９９．７％として最終冷間圧延して、圧延銅箔を作製し、これをキャリアとした。
ここで、最終冷間圧延の最終パスと最終冷間圧延の最終パスの１つ前のパスの両方の油膜当量をいずれも２３０００に調整した。油膜当量は下記式で表される。
（油膜当量）＝｛（圧延油粘度、４０℃の動粘度；cSt）×（圧延速度；ｍ／分）｝／｛（材料の降伏応力；ｋｇ／ｍｍ2）×（ロール噛込角；rad）｝
【０１１８】
・キャリアの作製方法Ｇ（実施例１２）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１５００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１１９】
・キャリアの作製方法Ｈ（実施例１３〜２４）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：♯１０００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１２０】
・キャリアの作製方法Ｉ（比較例２）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：Ｆ５００、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１２１】
・キャリアの作製方法Ｊ（比較例３）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度：Ｆ３２０、砥石回転速度：５００rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
＜電解液組成＞
銅：８０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：１０〜１００質量ｐｐｍ
＜製造条件＞
電流密度：５０〜２００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：４０〜７０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
【０１２２】
・キャリアの作製方法Ｋ（比較例４）
以下の電解液を用いて、電解銅箔を作製した。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔のマット面側（析出面側、ドラム側とは反対側の面）に実施した。
＜電解液組成＞
銅：７０〜１３０ｇ／Ｌ
硫酸：７０〜１３０ｇ／Ｌ
塩素：３０〜１００ｐｐｍ
にかわ：０．０５〜３ｐｐｍ
【０１２３】
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
【０１２４】
（２）中間層の形成
続いて、実施例１〜３、比較例１と５については、厚さ５０ｎｍのニッケルスパッタ膜を形成した後、ロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより、ニッケルスパッタ膜の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成：重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度：０．１〜２．６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：０．５〜３０Ａｓ／ｄｍ2
【０１２５】
実施例４については、厚さ３μｍの超光沢ニッケルめっき（奥野製薬株式会社製、添加剤：スーパーネオライト）を形成した後、ロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより、ニッケルスパッタ膜の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成：重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度：０．１〜２．６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：０．５〜３０Ａｓ／ｄｍ2
【０１２６】
実施例５〜１４、１７〜２４、比較例２〜４については、以下の条件にて中間層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより４０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＮｉ層を形成した。
【０１２７】
・Ｎｉ層
硫酸ニッケル：２５０〜３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ
酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ
クエン酸三ナトリウム：１５〜３０ｇ／Ｌ
光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム：３０〜１００ｐｐｍ
ｐＨ：４〜６
浴温：５０〜７０℃
電流密度：３〜１５Ａ／ｄｍ2
【０１２８】
水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Ｎｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成：重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度：０．１〜２．６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：０．５〜３０Ａｓ／ｄｍ2
【０１２９】
また、実施例１５については以下の条件にて中間層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより３０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＮｉ−Ｍｏ層を形成した。
・Ｎｉ−Ｍｏ層（ニッケルモリブデン合金めっき）
液組成：硫酸Ｎｉ六水和物：５０ｇ／ｄｍ3、モリブデン酸ナトリウム二水和物：６０ｇ／ｄｍ3、クエン酸ナトリウム：９０ｇ／ｄｍ3
液温：３０℃
電流密度：１〜４Ａ／ｄｍ2
通電時間：３〜２５秒
【０１３０】
また、実施例１６については以下の条件にて中間層を形成した。
・Ｎｉ層
実施例１と同じ条件でＮｉ層を形成した。
・有機物層（有機物層形成処理）
次に、形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でＮｉ層表面に対して濃度１〜３０ｇ／Ｌのカルボキシベンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）を含む、液温４０℃、ｐＨ５の水溶液を、２０〜１２０秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
【０１３１】
（３）極薄銅層の形成
中間層の形成後、中間層の上に厚み１、２、３、５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔とした。
・極薄銅層
銅濃度：３０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4濃度：２０〜１２０ｇ／Ｌ
塩素：５０〜１００ｐｐｍ
レべリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レべリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
アミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
【０１３２】
【化３】
2018026589.tif 000005
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
電解液温度：２０〜８０℃
電流密度：１０〜１００Ａ／ｄｍ2
【０１３３】
（４）表面処理層の形成
次に、極薄銅層の上に更に、表１に示すように、以下のいずれかの条件で粗化処理層を設けた。
・粗化条件ａ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：３０〜４０Ａ／ｄｍ2
時間：０．２〜１秒
粗化処理層の重量厚みを０．０５μｍ±０．０２μｍの範囲に調整した。
なお、粗化処理の重量厚みは以下の様に算出した。
粗化処理の重量厚み（μｍ）＝（（粗化処理後のサンプル重量（ｇ））−（粗化処理前のサンプル重量（ｇ）））／（銅の密度８．９４（ｇ／ｃｍ3）×（サンプルの粗化処理を有する平面の面積）（ｃｍ2））×１００００（μｍ／ｃｍ）
【０１３４】
・粗化条件ｂ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
時間：１〜３秒
粗化処理層の重量厚みを０．１５μｍ±０．０４μｍの範囲に調整した。
【０１３５】
・粗化条件ｃ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：４０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
時間：５〜８秒
粗化処理層の重量厚みを０．２５μｍ±０．０５μｍの範囲に調整した。
【０１３６】
・粗化条件ｄ
粗化処理１→粗化処理２の順に行った。
（１）粗化処理１
液組成：Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０〜１００ｇ／Ｌ
液温：２５〜５０℃
電流密度：０．５〜５４Ａ／ｄｍ2
クーロン量：２〜６７Ａｓ／ｄｍ2
（２）粗化処理２
液組成：Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ：５〜１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ：５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：２〜３
液温：３０〜５０℃
電流密度：２０〜４６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：３１〜４５Ａｓ／ｄｍ2
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．３５μｍ±０．０５μｍの範囲に調整した。
【０１３７】
・粗化条件ｅ
粗化処理１→粗化処理２の順に行った。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１５〜３５ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｗ：１０〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：１０〜５０ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：５０〜２００ｍｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３０〜１１５Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：２０〜４５０Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：０．５〜１５秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３〜４８Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：２０〜２５０Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：１〜５０秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．４０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整した。
【０１３８】
・粗化条件ｆ
粗化処理１→粗化処理２の順に行った。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１５〜３５ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｗ：１〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：１〜５０ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：１〜２００ｍｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：２０〜１０５Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：５０〜５００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：０．５〜２０秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：３〜４８Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：５０〜３００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：１〜６０秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．５０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整した。
【０１３９】
・粗化条件ｇ
粗化処理１→粗化処理２の順に行った。
（１）粗化処理１
（液組成１）
Ｃｕ：１０〜４０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：１０〜１５０ｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
電流密度：２４〜１１２Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：７０〜６００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：５〜３０秒
（２）粗化処理２
（液組成２）
Ｃｕ：３０〜９０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度：３０〜７０℃
電流密度：４〜４９Ａ／ｄｍ2
粗化クーロン量：７０〜４００Ａｓ／ｄｍ2
めっき時間：５〜６５秒
粗化処理１、粗化処理２の合計の粗化処理層の重量厚みを０．６０μｍ±０．０５μｍの範囲に調整した。
【０１４０】
・粗化条件ｈ
液組成
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：５〜２０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：５〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：３０〜４０Ａ／ｄｍ2
時間：０．０５〜０．２秒
粗化処理層の重量厚みを０．０２μｍ±０．０２μｍの範囲に調整した。
なお、粗化処理の重量厚みは以下の様に算出した。
粗化処理の重量厚み（μｍ）＝（（粗化処理後のサンプル重量（ｇ））−（粗化処理前のサンプル重量（ｇ）））／（銅の密度８．９４（ｇ／ｃｍ3）×（サンプルの粗化処理を有する平面の面積）（ｃｍ2））×１００００（μｍ／ｃｍ）
【０１４１】
実施例２、４、６、１０、１３、２０については、粗化処理層上に耐熱処理層、クロメート層、シランカップリング処理層を以下の条件で設けた。
・耐熱処理
Ｚｎ：０〜２０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３．５
温度：４０℃
電流密度Ｄk ：０〜１．７Ａ／ｄｍ2
時間：１秒
Ｚｎ付着量：５〜２５０μｇ／ｄｍ2
Ｎｉ付着量：５〜３００μｇ／ｄｍ2
・クロメート処理
Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7
（Ｎａ2Ｃｒ2Ｏ7或いはＣｒＯ3）：２〜１０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ或いはＫＯＨ：１０〜５０ｇ／Ｌ
ＺｎＯ或いはＺｎＳＯ4７Ｈ2Ｏ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ2
時間：５〜３０秒
Ｃｒ付着量：１０〜１５０μｇ／ｄｍ2
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
（ビニルトリエトキシシラン濃度：０．１〜１．４ｗｔ％）
ｐＨ：４〜５
時間：５〜３０秒
【０１４２】
上記のようにして得られた実施例１〜２４、比較例１〜５のキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
【０１４３】
＜極薄銅層の厚み＞
極薄銅層の厚みは以下の重量法により測定した。
キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。
・試料の大きさ：１０ｃｍ角シート（プレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シート）
・試料の採取：任意の３箇所
・以下の式により各試料の重量法による極薄銅層の厚みを算出した。
重量法による極薄銅層の厚み（μｍ）＝｛（１０ｃｍ角シートのキャリア付銅箔の重量（ｇ／１００ｃｍ2））−（前記１０ｃｍ角シートのキャリア付銅箔から極薄銅層を引き剥がした後の、キャリアの重量（ｇ／１００ｃｍ2））｝／銅の密度（８．９６ｇ／ｃｍ3）×０．０１（１００ｃｍ2／ｃｍ2）×１００００μｍ／ｃｍ
なお、試料の重量測定には、小数点以下４桁まで測定可能な精密天秤を使用した。そして、得られた重量の測定値をそのまま上記計算に使用した。
・３箇所の重量法による極薄銅層の厚みの算術平均値を、重量法による極薄銅層の厚みとした。
また、精密天秤にはアズワン株式会社  ＩＢＡ−２００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
この結果、実施例１〜２４、比較例１〜５の全てについて、極薄銅層の厚みが１〜５μｍであることを確認した。
【０１４４】
＜キャリア付銅箔の表面性状＞
各実施例、比較例のキャリア付銅箔（極薄銅層に表面処理を行ったキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔）の極薄銅層側表面について、ＩＳＯ  ２５１７８に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００（ＬＥＸＴ  ＯＬＳ  ４０００）にて、最大山高さＳｐ、コア部のレベル差Ｓｋ、突出山部高さＳｐｋ、山部の実体体積Ｖｍｐ、最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋを、それぞれ測定した。レーザー顕微鏡における対物レンズ５０倍を使用して約２００μｍ×２００μｍ面積（具体的には４０１０６μｍ2）の測定を三箇所について行い、当該三箇所のＳｋ、Ｓｐ、Ｓｐｋ、Ｖｍｐの値の算術平均値を、Ｓｋ、Ｓｐ、Ｓｐｋ、Ｖｍｐの値とした。また得られたＳｐとＳｐｋの平均値を用いて、最大谷深さＳｐと突出谷部深さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋを算出した。なお、レーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない、曲面になった場合は、平面補正を行った後に、上記各表面性状を算出した。なお、レーザー顕微鏡による測定環境温度は２３〜２５℃とした。
【０１４５】
＜回路形成性：Ｍ−ＳＡＰ回路を形成した後の回路の裾引き部の評価＞
キャリア付銅箔（極薄銅層への表面処理を施されたキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔）を極薄銅層側からビスマレイミドトリアジン樹脂基板に貼り合わせた後、キャリアを剥がした。続いて、露出した極薄銅層表面に、極薄銅層の厚みが５μｍ、３μｍ及び２μｍの場合は、厚みが１μｍとなるまでハーフエッチングを行い、また、極薄銅層の厚みが１μｍであるものはこのままハーフエッチングしないで、それぞれ１５μｍ幅のパターン銅めっき層をＬ／Ｓ＝１２μｍ／１２μｍとなるように形成し、その後エッチングを行ってＭ−ＳＡＰ回路を形成した。
このときのエッチング条件を以下に示す。そして、当該回路について１ｍｍの線長さの箇所を１００個（すなわち、１ｍｍの線長さの回路を１００本）平面観察して、裾引き部の長さを測定した。当該測定によって得られた回路の裾引き部の最大長さに関して、以下の基準により回路形成性を評価した。図５に、当該裾引き部を示した回路の平面観察写真を示す。裾引き部は、図５に示すように、回路のボトムに薄く生じるエッチング残りである。
（エッチング条件）
・エッチング形式：スプレーエッチング
・スプレーノズル：フルコーン型
・スプレー圧：０．１０ＭＰａ
・エッチング液温：３０℃
・エッチング液組成：
Ｈ2Ｏ2：１８ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4：９２ｇ／Ｌ
Ｃｕ：８ｇ／Ｌ
添加剤：株式会社ＪＣＵ製  ＦＥ−８３０IIＷ３Ｃ  適量
（回路形成性の評価基準）
配線間ショート多発または断線多発などの回路形成不良状態：××
裾引き部の最大長さが５μｍ以上であるが配線間ショートまでは至ってない：×
裾引き部の最大長さが２μｍ以上５μｍ未満：○
裾引き部の最大長さが０．５μｍ以上２μｍ未満：○○
裾引き部の最大長さが０．５μｍ未満：○○○
【０１４６】
＜銅箔レジンの密着性の評価＞
上記の「回路形成性：Ｍ−ＳＡＰ回路を形成した後の回路の裾引き部の評価」において形成したＭ−ＳＡＰ回路について、上記の「１ｍｍの線長さの回路を１００本」観察したときに、当該回路の剥がれ又は浮きが１本でも観察された場合を×とし、当該回路の剥がれ又は浮きが全く観察されなかった場合を〇と評価した。
試験条件及び試験結果を表１に示す。
【０１４７】
【表１】
2018026589.tif 000006
【図１】
2018026589.tif 000007
【図２】
2018026589.tif 000008
【図３】
2018026589.tif 000009
【図４】
2018026589.tif 000010
【図５】
2018026589.tif 000011