(57)【要約】【課題】配線の短絡を抑制すること。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられた弾性波共振器２０と、基板１０上に弾性波共振器２０に電気的に接続して設けられ、金属層３６と、金属層３６上に設けられ、下面及び側面が金属層３６で覆われ且つ上面が金属層３６で覆われていない金属層３８と、金属層３６の外側面に設けられ、金属層３６を構成する金属の酸化物である絶縁層４０と、を有する配線３０と、を備える弾性波デバイス。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板上に前記弾性波素子に電気的に接続して設けられ、第１金属層と、前記第１金属層上に設けられ、下面及び側面が前記第１金属層で覆われ且つ上面が前記第１金属層で覆われていない第２金属層と、前記第１金属層の外側面に設けられ、前記第１金属層を構成する金属の酸化物である絶縁層と、を有する配線と、を備える弾性波デバイス。
【請求項２】
複数の前記配線が設けられ、
前記複数の配線のうちの第１配線と第２配線とは異なる電位であり且つ空隙を介して隣接して設けられている、請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
複数の前記弾性波素子が設けられ、
前記第１配線と前記第２配線とは、前記複数の弾性波素子のうちの第１弾性波素子と第２弾性波素子との間で空隙を介して隣接している、請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１配線は前記第１弾性波素子に電気的に接続され、前記第２配線は前記第２弾性波素子に電気的に接続されている、請求項３記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第２金属層は、前記第１金属層よりも電気抵抗率の小さい金属で構成され、前記第１金属層よりも厚い、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１金属層は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、又はＬａで構成され、
前記第２金属層は、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＡｌＣｕ合金で構成されている、請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
基板上に弾性波素子を形成する工程と、
前記基板上に前記弾性波素子を覆うマスク層を形成する工程と、
前記基板の上面から前記マスク層の側面を経由して前記マスク層の上面に延在し、前記弾性波素子に電気的に接続された第１金属層を形成する工程と、
前記マスク層の側面に形成された前記第１金属層に接するように前記第１金属層上に第２金属層を形成する工程と、
前記第１金属層が前記第２金属層の下面と側面を覆って残存するように前記マスク層を除去する工程と、
前記マスク層を除去した後、前記第１金属層に対して酸化処理を行う工程と、を備える、弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、携帯電話などの無線通信機器のフィルタなどに用いられている。弾性波デバイスでは、基板上に弾性波共振器又は弾性波フィルタなどの複数の弾性波素子が形成されている。複数の弾性波素子には配線が電気的に接続されている。配線に関して、金配線と層間絶縁膜との密着性を良好にするために、金配線の上面及び側面を酸化チタンで被膜することが知られている（例えば、特許文献１）。また、配線の断線を抑制するために、配線パターンの上面及び側面に金属酸化膜を形成することが知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１０９７２１号公報
【特許文献２】特開平８−２６９７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の弾性波デバイスの小型化に伴い、配線の短絡が起こり易くなっている。例えば、配線の間隔が狭くなることで、配線間に異物などが付着することによる短絡が起こり易くなっている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線の短絡を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板上に前記弾性波素子に電気的に接続して設けられ、第１金属層と、前記第１金属層上に設けられ、下面及び側面が前記第１金属層で覆われ且つ上面が前記第１金属層で覆われていない第２金属層と、前記第１金属層の外側面に設けられ、前記第１金属層を構成する金属の酸化物である絶縁層と、を有する配線と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、複数の前記配線が設けられ、前記複数の配線のうちの第１配線と第２配線とは異なる電位であり且つ空隙を介して隣接して設けられている構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、複数の前記弾性波素子が設けられ、前記第１配線と前記第２配線とは、前記複数の弾性波素子のうちの第１弾性波素子と第２弾性波素子との間で空隙を介して隣接している構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１配線は前記第１弾性波素子に電気的に接続され、前記第２配線は前記第２弾性波素子に電気的に接続されている構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２金属層は、前記第１金属層よりも電気抵抗率の小さい金属で構成され、前記第１金属層よりも厚い構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１金属層は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、又はＬａで構成され、前記第２金属層は、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＡｌＣｕ合金で構成されている構成とすることができる。
【００１２】
本発明は、基板上に弾性波素子を形成する工程と、前記基板上に前記弾性波素子を覆うマスク層を形成する工程と、前記基板の上面から前記マスク層の側面を経由して前記マスク層の上面に延在し、前記弾性波素子に電気的に接続された第１金属層を形成する工程と、前記マスク層の側面に形成された前記第１金属層に接するように前記第１金属層上に第２金属層を形成する工程と、前記第１金属層が前記第２金属層の下面と側面を覆って残存するように前記マスク層を除去する工程と、前記マスク層を除去した後、前記第１金属層に対して酸化処理を行う工程と、を備える、弾性波デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、配線の短絡を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図２】図２は、図１の領域Ａ付近の拡大図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ間の断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６は、圧電薄膜共振器の断面図である。
【図７】図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図８】図８は、実施例３に係る弾性波デバイスの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
実施例１では、弾性波デバイスがラダー型フィルタである場合について説明する。図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図１のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、基板１０上に、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を構成する複数の弾性波共振器２０、配線３０、配線３２、及びパッド５０が設けられている。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板などの圧電基板である。基板１０は、サファイア基板などの支持基板に圧電基板を貼り付けた基板でもよい。弾性波共振器２０は、例えば弾性表面波共振器である。弾性波共振器２０は、１ポート共振器であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）とその両側に設けられた反射器Ｒとを備える。配線３０、配線３２、及びパッド５０は、金膜などの金属膜を含んで構成されている。配線３０及び配線３２は、弾性波共振器２０間及び弾性波共振器２０とパッド５０との間を接続する。パッド５０は、配線３０及び配線３２と同じ層構造をしている。パッド５０上にバンプ５２が設けられている。バンプ５２は、例えば金バンプ又は銅バンプであり、例えばスタッドバンプ又はめっきバンプである。
【００１７】
直列共振器Ｓ１からＳ４は、入力端子ＩＮであるパッド５０と出力端子ＯＵＴであるパッド５０との間に、配線３２を介して直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端は配線３２を介して直列共振器Ｓ１からＳ４に接続され、他端は配線３０を介してグランド端子ＧＮＤであるパッド５０に接続されている。したがって、配線３０はグランド電位であり、配線３２はグランド電位とは異なる電位である。
【００１８】
図２は、図１の領域Ａ付近の拡大図である。図２のように、弾性波共振器２０は、ＩＤＴと、ＩＤＴの両側に設けられた反射器Ｒと、を備える。ＩＤＴは、１対の櫛型電極２２を備える。櫛型電極２２は、複数の電極指２４と、複数の電極指２４が接続されたバスバー２６と、を備える。１対の櫛型電極２２は、電極指２４がほぼ互い違いに配列するように対向している。配線３０及び配線３２は、バスバー２６に電気的に接続されている。
【００１９】
並列共振器Ｐ２のバスバー２６に接続された配線３０と、並列共振器Ｐ３のバスバー２６に接続された配線３２とは、並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間で空隙を介して隣接している。配線３０と配線３２との間隔Ｄは、例えば５μｍから２０μｍである。また、配線３０と配線３２とは、並列共振器Ｐ２及び並列共振器Ｐ３のバスバー２６の延伸方向で互いに略平行に延伸している。
【００２０】
図３は、図２のＡ−Ａ間の断面図である。図３のように、電極指２４、バスバー２６、並びに、配線３０及び配線３２のベース層３４は、金属膜１２により形成されている。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜、銅膜、又はアルミニウムと銅の合金膜である。電極指２４、バスバー２６、及びベース層３４の厚さは、例えば１５０ｎｍから４００ｎｍである。電極指２４及びバスバー２６の上面を覆い且つベース層３４の上面を露出する絶縁膜１４が設けられている。絶縁膜１４は、例えば厚さ２０ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜である。
【００２１】
配線３０及び配線３２は、ベース層３４、金属層３６、金属層３８、及び絶縁層４０を備える。金属層３６は、例えばチタン層である。金属層３８は、例えば金層である。絶縁層４０は、金属層３６を構成する金属の酸化物であり、例えば酸化チタン層である。金属層３８は、金属層３６上に設けられ、下面及び側面が金属層３６で覆われ且つ上面は金属層３６で覆われていない。例えば、金属層３８の下面全面及び側面全面は金属層３６で覆われ、上面は金属層３６で全く覆われていない。金属層３８の上面は、例えば空隙に露出している。絶縁層４０は金属層３６の外側面に設けられている。例えば、絶縁層４０は金属層３６の外側面全面に設けられている。配線３０と配線３２とは、並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間で、互いの絶縁層４０が向かい合って隣接している。金属層３６の厚さ（金属層３６のベース層３４上での厚さ）は、例えば１００ｎｍから５００ｎｍである。金属層３８の厚さは、金属層３６よりも厚く、例えば２μｍから３μｍである。絶縁層４０の金属層３６の外側面上における厚さは、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２２】
次に、実施例１の弾性波デバイスの製造方法について説明する。図４（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図４（ａ）のように、基板１０上に金属膜１２を形成する。金属膜１２は、例えばスパッタリング法及びエッチング法を用いて形成する。金属膜１２により、電極指２４及びバスバー２６を備える弾性波共振器２０、並びに、配線３０及び配線３２のベース層３４が形成される。その後、弾性波共振器２０上に絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、例えばスパッタリング法及びエッチング法を用いて形成する。
【００２３】
図４（ｂ）のように、基板１０上にマスク層６０を形成する。マスク層６０は、弾性波共振器２０を覆い且つベース層３４の上面を露出する開口６２を有する。マスク層６０は、例えば厚さ３μｍ程度のフォトレジスト膜であり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層６０の厚さは、後述する金属層３８に生じるバリを考慮すると、例えば２μｍから５μｍが好ましい。
【００２４】
図４（ｃ）のように、ベース層３４上からマスク層６０の側面を経由してマスク層６０の上面に延在する金属層３６を形成する。金属層３６は、例えばスパッタリング法を用いて形成する。金属層３６は、例えば厚さ２００ｎｍ程度のチタン膜である。金属層３６の厚さは、例えば１００ｎｍから５００ｎｍが好ましい。
【００２５】
図５（ａ）のように、開口６２に埋め込まれ、マスク層６０の側面に形成された金属層３６に接するように金属層３６上に金属層３８を形成する。金属層３６は、金属層３８の密着性を向上させる密着層としての機能を有する。金属層３８は、例えば蒸着法を用いて形成する。金属層３８は、例えば厚さ２μｍから３μｍの金膜である。金属層３６及び金属層３８がマスク層６０の側面に形成されるように、マスク層６０のテーパ角の角度θを調整することが好ましい。マスク層６０のテーパ角の角度θは、例えば８０°から９５°が好ましい。
【００２６】
図５（ｂ）のように、マスク層６０上に形成された金属層３６及び金属層３８と共に、マスク層６０を除去する。例えばマスク層６０上に形成された金属層３６及び金属層３８をテープ材などに貼り付けて除去した後、マスク層６０を有機溶剤などを用いて除去する。この際、金属層３６が金属層３８の下面と側面を覆って残存するようにマスク層６０を除去する。
【００２７】
なお、図５（ａ）の金属層３８を形成する際、マスク層６０の上面角部は金属層３８で覆われないようにすることが好ましい。これにより、マスク層６０上に形成された金属層３８をテープ材などに貼り付けて除去する際に、ベース層３４上の金属層３８まで除去されることを抑制できる。また、マスク層６０の上面角部が金属層３６及び金属層３８の両方で覆われないようにしてもよい。これにより、マスク層６０上の金属層３６及び金属層３８をテープ材などに貼り付けて除去することなく、リフトオフ法によってマスク層６０を除去することができる。
【００２８】
図５（ｃ）のように、金属層３６に対して酸素プラズマを用いた酸化処理を施す。酸化処理は、例えばＲＩＥ型（Reactive Ion Etching）のＯ２プラズマ処理装置を用い、圧力４０Ｐａ、酸素供給量７０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー８０Ｗ、時間１５秒、温度２３℃の条件で行う。この酸化処理によって、金属層３６の外側面が酸化され、金属層３６を構成するチタンが酸化された酸化チタンからなり、厚さが１０ｎｍ程度の絶縁層４０が形成される。これにより、ベース層３４と、金属層３６と、金属層３８と、絶縁層４０と、を含む配線３０及び配線３２が形成される。
【００２９】
実施例１によれば、図３のように、弾性波共振器２０（並列共振器Ｐ２）に電気的に接続された配線３０は、金属層３６と、金属層３６上に設けられ、下面及び側面が金属層３６で覆われ且つ上面が金属層３６で覆われていない金属層３８と、金属層３６の外側面に設けられ、金属層３６を構成する金属の酸化物である絶縁層４０と、を有する。これにより、配線３０の側面が絶縁層４０になるため、配線３０の側面に異物などが付着した場合でも、配線３０が他の金属などと短絡することを抑制できる。
【００３０】
また、実施例１の製造方法によれば、図４（ａ）のように、基板１０上に弾性波共振器２０を形成する。図４（ｂ）のように、基板１０上に弾性波共振器２０を覆うマスク層６０を形成する。図４（ｃ）のように、基板１０の上面からマスク層６０の側面を経由してマスク層６０の上面に延在し、弾性波共振器２０に電気的に接続された金属層３６を形成する。図５（ａ）のように、マスク層６０の側面に形成された金属層３６に接するように金属層３６上に金属層３８を形成する。図５（ｂ）のように、金属層３６が金属層３８の下面と側面を覆って残存するようにマスク層６０を除去する。図５（ｃ）のように、マスク層６０を除去した後、金属層３６に対して酸化処理を行う。これにより、金属層３６と、金属層３６上に設けられ、下面及び側面が金属層３６で覆われ且つ上面が金属層３６で覆われてない金属層３８と、金属層３６の外側面に設けられ、金属層３６を構成する金属の酸化物である絶縁層４０と、を有する配線３０を得ることができる。このため、配線３０が他の金属などと短絡することを抑制できる。また、上記製造方法は、金属層３６の酸化処理工程が通常の製造工程に加わっているだけであるため、簡便な方法によって短絡が抑制された配線３０を得ることができる。
【００３１】
また、実施例１によれば、図３のように、配線３０と配線３２とは異なる電位であり且つ空隙を介して隣接している。例えば側面に絶縁層を有しない配線同士が空隙を介して隣接している場合、配線間に異物などが付着することで配線間に短絡が生じてしまう。しかしながら、実施例１では、配線３０、３２の側面が絶縁層４０になっているため、配線３０と配線３２との間に異物などが付着したとしても、配線３０と配線３２とが短絡することを抑制できる。
【００３２】
また、実施例１によれば、図２及び図３のように、配線３０と配線３２とは並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間で空隙を介して隣接している。弾性波デバイス１００の小型化が進むと並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間隔が狭くなるため、配線３０と配線３２との間隔も狭くなる。このため、例えば側面に絶縁層を有しない配線同士が共振器間で空隙を介して隣接している場合は配線間に短絡が起こり易くなるが、実施例１では、配線３０、３２の側面に絶縁層４０が設けられているため配線３０と配線３２とが短絡することを抑制できる。また、２つの並列共振器それぞれにそれぞれ電気的に接続し、当該２つの並列共振器の間で隣接する配線は互いに異なる電位となる。つまり、並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間で隣接する配線３０と配線３２とは異なる電位となることから、配線３０と配線３２との短絡は抑制されることが望ましい。
【００３３】
なお、実施例１では、図１のように、並列共振器Ｐ２と並列共振器Ｐ３との間で空隙を介して隣接する配線３０と配線３２とが、異なる弾性波共振器２０（並列共振器Ｐ２、Ｐ３）に電気的に接続されている場合を例に示したが、同じ弾性波共振器２０に電気的に接続されていてもよい。また、配線３０及び配線３２が、２つの弾性波共振器２０の間で空隙を介して隣接する場合に限られず、その他の位置で空隙を介して隣接していてもよい。
【００３４】
また、実施例１によれば、図２のように、配線３０は並列共振器Ｐ２のバスバー２６に電気的に接続され、配線３２は並列共振器Ｐ３のバスバー２６に電気的に接続されている。配線３０と配線３２とは、並列共振器Ｐ２及び並列共振器Ｐ３それぞれのバスバー２６の延伸方向に延伸している。配線３０及び配線３２がバスバー２６に電気的に接続されている場合、配線３０及び配線３２の対向する長さが長くなる。このため、配線３０と配線３２との間で短絡が起こり易くなる。したがって、このような場合に、配線３０、３２の側面に絶縁層４０が設けられることが好ましい。
【００３５】
なお、実施例１では、金属層３６がチタンで構成され、金属層３８が金で構成される場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。配線３０、３２の電気抵抗を低減させる点から、金属層３８は金属層３６よりも電気抵抗率の小さい金属で構成されることが好ましく、金属層３８は金属層３６よりも厚いことが好ましい。また、金属層３６の外側面に絶縁層４０を形成する点から、金属層３６は金属層３８よりも酸化され易い金属で構成されることが好ましい。また、金属層３６は酸化によって絶縁性となる金属で構成されることが好ましい。金属層３６は、チタン（Ｔｉ）の他にも、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はランタン（Ｌａ）で構成されてもよい。金属層３８は、金（Ａｕ）の他にも、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミ銅（ＡｌＣｕ）合金で構成されてもよい。
【００３６】
なお、実施例１では、弾性波共振器２０が弾性表面波共振器の場合を例に示したが、弾性境界波共振器、ラブ波共振器、又は圧電薄膜共振器の場合でもよい。図６は、圧電薄膜共振器の断面図である。図６のように、圧電薄膜共振器７０は、例えばシリコン基板である基板１０上に下部電極７２が設けられている。基板１０及び下部電極７２上に圧電膜７４が設けられている。圧電膜７４上に、圧電膜７４を挟み下部電極７２と対向する領域（共振領域７８）を有して上部電極７６が設けられている。共振領域７８は、例えば楕円形状であるが、矩形状であってもよい。共振領域７８における基板１０と下部電極７２との間に空隙７９が設けられている。なお、空隙７９は、基板１０に設けられた凹部や貫通孔で構成されてもよい。また、空隙７９の代わりに音響反射膜が設けられてもよい。
【実施例２】
【００３７】
図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。図７のように、実施例２の弾性波デバイス２００では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に弾性波共振器２０と二重モード弾性表面波フィルタＤＭＳ１及びＤＭＳ２が直列に接続されている。なお、二重モード弾性表面波フィルタＤＭＳ１及びＤＭＳ２の代わりに、その他の多重モード弾性波フィルタを用いてもよい。
【００３８】
ＤＭＳ１は、ＩＤＴ１１からＩＤＴ１３及び反射器Ｒを備える。ＩＤＴ１１からＩＤＴ１３は弾性波の伝搬方向に配列されている。ＤＭＳ２は、ＩＤＴ２１からＩＤＴ２３及び反射器Ｒを備える。ＩＤＴ２１からＩＤＴ２３は弾性波の伝搬方向に配列されている。
【００３９】
ＤＭＳ１のＩＤＴ１２の一端は弾性波共振器２０及び配線３２を介して入力端子ＩＮに接続されている。ＩＤＴ１２の他端は配線３０を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３の一端は配線３０を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３の他端は配線３２を介してＤＭＳ２のＩＤＴ２１及びＩＤＴ２３の一端にそれぞれ接続されている。ＩＤＴ２１及びＩＤＴ２３の他端は配線３０を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ２２の一端は配線３０を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ２２の他端は配線３２を介して出力端子ＯＵＴに接続されている。
【００４０】
実施例２においても、配線３０及び配線３２は実施例１と同じ構造をしている。すなわち、図７の領域Ａにおける配線３０及び配線３２は、図３の配線３０及び配線３２と同じ構造をして空隙を介して隣接している。つまり、配線３０と配線３２とは、弾性波共振器２０とＤＭＳ１との間で、互いの絶縁層４０が向かい合い空隙を介して隣接している。弾性波デバイス２００の小型化が進むと弾性波共振器２０とＤＭＳ１との間隔が狭くなるが、配線３０、３２の側面に絶縁層４０が設けられているため、配線３０と配線３２とが短絡することを抑制できる。
【実施例３】
【００４１】
実施例３では、弾性波デバイスがデュプレクサである場合について説明する。図８は、実施例３に係る弾性波デバイスの回路図である。図８のように、実施例３の弾性波デバイス３００は、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ８０と、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ８２と、を含む。送信フィルタ８０と受信フィルタ８２は、通過帯域が異なっている。送信フィルタ８０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子Ａｎｔに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ８２は、アンテナ端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。送信フィルタ８０及び受信フィルタ８２の少なくとも一方を、実施例１及び実施例２の弾性波デバイスとすることができる。
【００４２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  基板
１２  金属膜
１４  絶縁膜
２０  弾性波共振器
２２  櫛型電極
２４  電極指
２６  バスバー
３０、３２  配線
３４  ベース層
３６、３８  金属層
４０  絶縁層
５０  パッド
５２  バンプ
６０  マスク層
６２  開口
７０  圧電薄膜共振器
８０  送信フィルタ
８２  受信フィルタ
Ｓ１からＳ４  直列共振器
Ｐ１からＰ３  並列共振器
ＤＭＳ１、ＤＭＳ２  二重モード弾性表面波フィルタ
１００から３００  弾性波デバイス
【図１】
2018026640.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018026640.tif 000005
【図４】
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【図５】
2018026640.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018026640.tif 000009
【図８】
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