(57)【要約】【課題】ウエーハを分割して作製されたチップの一部が紫外線硬化型の粘着テープの粘着層から浮き上がっている状態で粘着テープに紫外線照射を行い粘着層の粘着力を低下させる場合において、より確実に粘着層を硬化させて粘着力を十分に低下させる。【解決手段】ウエーハＷに貼着され紫外線によって硬化する粘着層Ｔｃを有する粘着テープＴに紫外線を照射する紫外線照射方法であって、ウエーハＷを液体Ｌが入った液槽７０に浸漬させ粘着層ＴｃとウエーハＷとの間から酸素を排除する酸素排除ステップと、液槽７０に入った液体Ｌを介して粘着層Ｔｃに紫外線を照射し粘着層Ｔｃを硬化させて粘着力を低下させる紫外線照射ステップと、を具備する紫外線照射方法である。【選択図】図７
2018037602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハに貼着され紫外線によって硬化する粘着層を有する粘着テープに紫外線を照射する紫外線照射方法であって、
ウエーハを液体が入った液槽に浸漬させ該粘着層と該ウエーハとの間から酸素を排除する酸素排除ステップと、
該液槽に入った液体を介して該粘着層に紫外線を照射し該粘着層を硬化させて粘着力を低下させる紫外線照射ステップと、を具備する紫外線照射方法。
【請求項２】
ウエーハに貼着され紫外線によって硬化する粘着層を有する粘着テープに紫外線を照射する紫外線照射装置であって、
液体を貯留しウエーハを該液体に浸漬させて該粘着層と該ウエーハとの間から酸素を排除させる液槽と、
該液槽に貯留された液体を介して該粘着層に紫外線を照射する紫外線照射手段と、を具備する紫外線照射装置。
【請求項３】
ウエーハを保持する保持手段とウエーハを加工する加工手段とを少なくとも備えた加工装置に配設されていることを特徴とする請求項２記載の紫外線照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等に貼着され紫外線によって硬化する粘着層を有する粘着テープに紫外線を照射して粘着テープの粘着力を低下させる紫外線の照射方法及び紫外線照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハ等を個々のチップに分割する加工方法として、回転する切削ブレードでウエーハを切削する切削加工や、ウエーハにレーザー光を照射してウエーハに改質層を形成した後に改質層に外力を加える方法又はウエーハにレーザー光を照射し切断溝を形成して切断する方法等がある。また、ウエーハを一定の厚みまで薄化する加工方法として、回転する研削砥石をウエーハに当接させて研削を行う研削方法がある。これらの加工方法においては、通常、ウエーハを保護する等の役割を果たす粘着テープをウエーハに対して貼着し、この粘着テープを介して保持テーブルで保持された状態のウエーハに対して各種加工を施していく。例えば、切削加工によるウエーハの分割においては、ウエーハの裏面に粘着テープを貼着した後、粘着テープの外周部を環状のフレームに貼着し、環状フレームが粘着テープを介してウエーハを支持する状態にして、環状フレームによりウエーハのハンドリングを可能な状態とする。そして、粘着テープが貼着されたウエーハの裏面側を保持テーブルで保持し、切削ブレードをウエーハの分割予定ラインに沿ってウエーハの表面側から切込ませて、ウエーハを切削して分割していく。
【０００３】
例えば、レーザー加工によるウエーハの分割においては、ウエーハの表面に粘着テープを貼着し環状フレームでウエーハを支持可能な状態にした後、粘着テープが貼着された表面側を保持テーブルで保持し、ウエーハに対して透過性を有するレーザー光をウエーハの裏面側に向けて照射することによりウエーハの内部に改質層を形成する。その後、粘着テープを拡張して粘着テープを介して改質層に外力を加えて、改質層を起点としてウエーハを個々のチップに分割するいわゆるエキスパンド工程を実施して、ウエーハを分割する。
【０００４】
上記の各加工において使用される粘着テープは、紫外線によって硬化する粘着層を備えており、ウエーハに対する各加工が実施された後、粘着テープは、紫外線が照射されて粘着力が低下してからウエーハから剥離される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかし、ブレードによる切削加工又はレーザー加工によって分割され個片化されたチップの厚みが非常に薄い場合、またはチップの大きさが非常に小さい場合等においては、上記いずれかの加工中において各チップに対して加えられた外力によって、各チップの一部が紫外線照射前の粘着テープの粘着層から浮き上がった状態になる場合がある。この現象は、エキスパンド工程を実施する加工等において顕著に見られる。そして、各チップの一部が保護テープの粘着層から浮き上がった状態になることで、各チップの一部と粘着層との間に隙間が生まれ、この隙間部分の粘着層が空気に向かって露出した状態となる。
【０００６】
そして、紫外線硬化型粘着テープの粘着層は、紫外線を照射しても酸素阻害によって十分に紫外線硬化されないことがある。すなわち、各チップの一部が粘着層から浮き上がった状態となっている粘着テープに紫外線を照射しても、空気中の酸素による酸素阻害により、チップの一部が浮き上がった状態となっている部分の粘着テープの粘着層及びその周囲の粘着層が十分に硬化せず、粘着テープの粘着力が低下しないという問題が発生する場合がある。
【０００７】
一般的に、分割後のチップは、チップをピックアップする工程に、粘着テープが貼着されたまま搬送される。チップをピックアップする工程においては、例えば、チップを下からニードルで突き上げて、粘着テープから浮き上がったチップを真空チャックでピックアップする。しかし、粘着力が低下していない状態の粘着層上のチップは、チップを下からニードルで突き上げても粘着層から離脱しづらく、真空チャックによるピックアップ時に粘着層の糊がチップに付着したりチップが破損してしまったりする場合がある。また、チップに分割されたウエーハを搬送する際等に、チップが動いて粘着力が低下していない状態の粘着層に接触し、粘着層に再びくっついてしまう場合もある。
【０００８】
このような問題が発生してしまうことを防ぐために、チップの一部が粘着層から浮き上がった状態となっている部分に窒素を噴射して分散させ、窒素により酸素を追い出すいわゆる窒素パージを実施し、窒素雰囲気下で粘着テープに紫外線照射を行い紫外線硬化型の粘着層を完全に硬化させて粘着力を十分に低下させる方法がある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１５−１５４０２９号公報
【特許文献２】特開２０１２−００９７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、窒素の比重は酸素に比べて小さいため、チップの一部が粘着層から浮き上がった状態となっている部分に対して酸素より軽い窒素を噴射しても、チップの一部が浮き上がった状態となっている部分から酸素を十分に追い出して窒素で置換させることは難しく、また、オペレータが酸素の追い出しが十分であるかを確認することも困難である。また、窒素パージが上手くいった状態で粘着テープに紫外線を照射しても、紫外線照射による熱の発生により空気の対流が生まれることで窒素と酸素とが混ざり合ってしまい、窒素パージの効果が十分に発揮されず、酸素阻害が起こってしまう場合もある。
【００１１】
よって、ウエーハを分割して作製されたチップの一部が紫外線硬化型の粘着テープの粘着層から浮き上がっている状態で粘着テープに紫外線照射を行い粘着層の粘着力を低下させる場合においては、より確実に粘着層を硬化させて粘着力を十分に低下させるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための本発明は、ウエーハに貼着され紫外線によって硬化する粘着層を有する粘着テープに紫外線を照射する紫外線照射方法であって、ウエーハを液体が入った液槽に浸漬させ該粘着層と該ウエーハとの間から酸素を排除する酸素排除ステップと、該液槽に入った液体を介して該粘着層に紫外線を照射し該粘着層を硬化させて粘着力を低下させる紫外線照射ステップと、を具備する紫外線照射方法である。
【００１３】
また、上記課題を解決するための本発明は、ウエーハに貼着され紫外線によって硬化する粘着層を有する粘着テープに紫外線を照射する紫外線照射装置であって、液体を貯留しウエーハを該液体に浸漬させて該粘着層と該ウエーハとの間から酸素を排除させる液槽と、該液槽に貯留された液体を介して該粘着層に紫外線を照射する紫外線照射手段と、を具備する紫外線照射装置である。
【００１４】
前記紫外線照射装置は、ウエーハを保持する保持手段とウエーハを加工する加工手段とを少なくとも備えた加工装置に配設されていると好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る紫外線照射方法は、酸素排除ステップにおいてウエーハを液体が入った液槽に浸漬させることで、液体によって粘着層とウエーハとの間から酸素を十分に排除し、その後、紫外線照射ステップにおいて液槽に入った液体を介して粘着層に紫外線を酸素阻害が無い状態で照射して粘着層を硬化させて、十分に粘着力を低下させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る紫外線照射装置は、上記紫外線照射方法の実施に好適である。さらに、この紫外線照射装置が加工装置に配設されていると、ウエーハの加工から、粘着層とウエーハとの間の酸素の排除及び酸素阻害が無い状態における粘着テープへの紫外線の照射までを１つの加工装置内で行うことができ、効率的である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】レーザー加工装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は粘着テープが貼着され環状フレームにより支持された状態のウエーハの一例を示す斜視図である。図２（Ｂ）は粘着テープが貼着され環状フレームにより支持された状態のウエーハの一例を示す縦断面図である。
【図３】ウエーハにレーザー光照射手段によって改質層を形成している状態を示す断面図である。
【図４】粘着テープが貼着され環状フレームにより支持され改質層が形成されたウエーハの一例を示す斜視図である。
【図５】チャックテーブル及び固定クランプによって粘着テープを拡張してウエーハをチップに分割しようとしている状態を示す断面図である。
【図６】チャックテーブル及び固定クランプによって粘着テープを拡張してウエーハを分割している状態を示す断面図である。
【図７】ウエーハを液体が入った液槽に浸漬させ粘着テープの粘着層とウエーハとの間から酸素を排除し、液槽に入った液体を介して粘着層に紫外線を照射し粘着層を硬化させて粘着力を低下させている状態を示す断面図である。
【図８】チップをピックアップ装置によってピックアップする状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１に示す加工装置１は、チャックテーブル３０に保持されたウエーハＷに対して、レーザー光照射手段６によってレーザー光を照射する装置である。加工装置１の基台１０上に配設されたチャックテーブル３０は、加工送り手段１１によってＸ軸方向へ移動可能となっている。また、レーザー光照射手段６は、図示しない割り出し送り手段によってＹ軸方向へ移動可能となっており、図示しないＺ軸方向移動手段によってＺ軸方向に移動可能となっている。基台１０の正面側（−Ｙ方向側）には、オペレータが加工装置１に対して加工条件等を入力するための操作手段１９が配設されている。
【００１９】
基台１０上には、図示しないウエーハカセットからウエーハＷの搬出入を行う搬出入手段１２が配設されている。搬出入手段１２の前方側（−Ｙ方向側）には、搬出入対象のウエーハＷが一時的に載置される仮置き領域１３が設けられており、仮置き領域１３には、ウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２０】
仮置き領域１３の近傍には、チャックテーブル３０と仮置き領域１３との間で、ウエーハＷを搬送する第一の搬送手段１５ａが配設されており、第一の搬送手段１５ａは、基台１０上でＺ軸方向の軸心を軸に３６０度旋回可能となっているとともに、Ｚ軸方向に上下動可能となっている。第一の搬送手段１５ａにより吸着されたウエーハＷは、仮置き領域１３からチャックテーブル３０に搬送される。
【００２１】
第一の搬送手段１５ａの近傍には、切削加工後のウエーハＷを洗浄する洗浄手段１６が配設されている。また、洗浄手段１６の上方には、チャックテーブル３０から洗浄手段１６へと、加工後のウエーハＷを吸着し搬送する第二の搬送手段１５ｂが配設されている。
【００２２】
図１に示すチャックテーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなりウエーハＷを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸着部３００の露出面である保持面３００ａ上でウエーハＷを吸引保持する。チャックテーブル３０は、カバー３１によって周囲から囲まれ、図示しない回転手段により回転可能に支持されている。また、チャックテーブル３０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ３２が例えば４つ均等に配設されている。
【００２３】
チャックテーブル３０の移動経路の上方には、ウエーハＷの分割予定ラインＳを検出するアライメント手段１８が配設されている。アライメント手段１８は、赤外線を照射する図示しない赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された赤外線カメラ１８０とを備えており、赤外線カメラ１８０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってウエーハＷの表面Ｗａの切削すべき分割予定ラインＳを検出することができる。また、アライメント手段１８の近傍には、チャックテーブル３０に保持されたウエーハＷに対してレーザー加工を施すレーザー光照射手段６が配設されている。レーザー光照射手段６はアライメント手段１８と一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。また、アライメント手段１８は、赤外線カメラ１８０によって撮像された画像を表示する表示手段１８１を具備している。
【００２４】
レーザー光照射手段６は、例えば、基台１０の上面に対して水平に配置された円柱状のハウジング６０を備えている。そして、ハウジング６０内には、図示しないレーザー光発振器が配設され、ハウジング６０の−Ｙ方向側の先端には、レーザー光発振器から発振されたレーザー光を集光するための集光器６１が装着されている。レーザー光発振器は、ウエーハＷに対して透過性を有する所定の波長のレーザー光を発振できる。集光器６１は、レーザー光発振器から−Ｙ軸方向に発振されたレーザー光を、集光器６１の内部に備える図示しないミラーにおいて反射させ、集光レンズ６１ａに入光させることで、レーザー光をウエーハＷの面方向に沿う任意の方向に走査できる。例えば、ウエーハＷがシリコンウエーハであり、レーザー光照射手段６によりウエーハＷの内部に良好な改質層を形成したい場合には、赤外領域の波長（例えば、１０６４ｎｍ）のレーザー光をレーザー光発振器から発振させる。
【００２５】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すウエーハＷは、例えば、半導体ウエーハであり、図２（Ａ）、（Ｂ）においては下側を向いているウエーハＷの表面Ｗａ上には、分割予定ラインＳによって区画された格子状の領域に多数のデバイスＤが形成されている。ウエーハＷは、加工装置１において加工が施されるにあたり粘着テープＴが貼着された状態になっている。
【００２６】
粘着テープＴは、例えば、ウエーハＷの外径よりも大きい外径を有する円盤状のフィルムであり、図２（Ｂ）に示すポリオレフィン系樹脂等からなる基材層Ｔｄと、粘着力のある粘着層Ｔｃとからなる。基材層Ｔｄの露出面は粘着テープの裏面Ｔｂとなり、粘着層Ｔｃの露出面は粘着テープの表面Ｔａとなる。そして、粘着層Ｔｃには、紫外線を照射すると硬化して粘着力が低下するアクリル系ベース樹脂等からなるＵＶ硬化糊が用いられている。なお、粘着テープＴの厚み等は、ウエーハの種類、ウエーハの厚み、紫外線照射の方法及び切削ブレードの径等によって適宜変更可能であり、粘着テープＴの厚みに伴って基材層Ｔｄ及び粘着層Ｔｃの厚み及び種類も適宜変更可能である。そして、ウエーハＷの表面Ｗａが粘着テープＴの貼着面Ｔａに貼着され、粘着テープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷの裏面Ｗｂが上側に露出した状態で、ウエーハＷは粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態になっている。なお、ウエーハＷの形状は特に限定されるものではなく、ウエーハＷの種類も半導体ウエーハに限定されるものではない。
【００２７】
以下に、加工装置１により分割予定ラインＳに沿ってウエーハＷに分割起点となる改質層を形成する場合の、加工装置１の動作について説明する。
【００２８】
まず、図１に示す加工装置１のチャックテーブル３０の保持面３００ａとウエーハＷの表面Ｗａ側とが対向するように位置合わせを行い、粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウエーハＷを裏面Ｗｂ側を上側にしてチャックテーブル３０上に載置する。そして、チャックテーブル３０の周囲に配設された固定クランプ３２により環状フレームＦが固定され、チャックテーブル３０に接続された図示しない吸引源が作動しウエーハＷをチャックテーブル３０上に吸引保持する。
【００２９】
次いで、加工送り手段１１により、チャックテーブル３０に保持されたウエーハＷが−Ｘ方向（往方向）に送られるとともに、アライメント手段１８により分割予定ラインＳが検出される。ここで、図１に示す分割予定ラインＳが形成されているウエーハＷの表面Ｗａは下側に位置し、アライメント手段１８と直接対向してはいないが、赤外線カメラ１８０によりウエーハＷの裏面Ｗｂ側から透過させて分割予定ラインＳを撮像することができる。赤外線カメラ１８０によって撮像された分割予定ラインＳの画像により、アライメント手段１８がパターンマッチング等の画像処理を実行し、分割予定ラインＳの位置が検出される。
【００３０】
分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、レーザー光照射手段６がＹ軸方向に駆動され、図１に示すレーザー光を照射する分割予定ラインＳと集光器６１とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。この位置合わせは、例えば、集光器６１に備える集光レンズ６１ａの直下に分割予定ラインＳの中心線が位置するように行われる。
【００３１】
次いで、集光器６１で所定波長のレーザー光の集光点を分割予定ラインＳに対応するウエーハＷの内部に位置付ける。そして、レーザー光発振器から発振され集光レンズ６１ａで集光されたレーザー光を分割予定ラインＳに沿って照射しつつ、ウエーハＷを−Ｘ方向に所定の加工送り速度で加工送りし、図３に示すようにウエーハＷの内部に改質層Ｍを形成していく。なお、図３においては、チャックテーブル３０を簡略化し、また、固定クランプ３２を省略して示している。
【００３２】
例えば、一本の分割予定ラインＳにレーザー光を照射し終えるＸ軸方向の所定の位置までウエーハＷが−Ｘ方向に進行すると、ウエーハＷの−Ｘ方向（往方向）での加工送りを一度停止させ、図１に示すレーザー光照射手段６を＋Ｙ方向へ移動して、レーザー光が照射された分割予定ラインＳの隣に位置しレーザー光がまだ照射されていない分割予定ラインＳと集光器６１とのＹ軸方向における位置付けを行う。次いで、加工送り手段１１が、ウエーハＷを＋Ｘ方向（復方向）へ加工送りし、往方向でのレーザー光の照射と同様に分割予定ラインＳにレーザー光が照射される。順次同様のレーザー光の照射を行うことにより、Ｘ軸方向に延びる全ての分割予定ラインＳに沿ってレーザー光がウエーハＷの裏面Ｗｂ側から照射され、内部に図３に示す分割起点となる改質層Ｍが形成されていく。さらに、チャックテーブル３０を９０度回転させてから同様のレーザー光の照射を行うと、図４に示すように縦横全ての分割予定ラインＳに沿って改質層Ｍが形成される。次いで、チャックテーブル３０は、＋Ｘ方向側の元の位置に移動する。
【００３３】
以下に、チャックテーブル３０及び固定クランプ３２により粘着テープＴを拡張して、ウエーハＷの分割予定ラインＳに沿って形成された改質層Ｍを分割起点として、ウエーハＷを分割する場合について説明する。
【００３４】
図５に示す固定クランプ３２は、チャックテーブル３０の周囲に例えば４つ（図示の例においては、２つのみ図示している）均等に配設されている。固定クランプ３２は、図示しないバネ等によって回転軸３２０ａを軸に回動可能なクランプ板３２０と、上面に環状フレームＦが載置されるクランプ台３２１とを備えており、クランプ台３２１の上面とクランプ板３２０の下面との間に環状フレームＦ及び粘着テープＴを挟み込むことができる。そして、固定クランプ３２は、例えば、クランプ昇降手段３３によってＺ軸方向にチャックテーブル３０と相対的に上下動可能となっている。
【００３５】
クランプ昇降手段３３は、例えばエアシリンダであり、内部に図示しないピストンを備え基端側（−Ｚ方向側）に底のある有底円筒状のシリンダチューブ３３０と、シリンダチューブ３３０に挿入され一端がピストンに取り付けられたピストンロッド３３１とを備える。ピストンロッド３３１のもう一端は、固定クランプ３２のクランプ台３２１の下面に固定されている。シリンダチューブ３３０にエアが供給（または、排出）されシリンダチューブ３３０の内部の圧力が変化することで、ピストンロッド３３１がＺ軸方向に移動し、固定クランプ３２がＺ軸方向に移動する。
【００３６】
レーザー光照射手段６によって改質層Ｍが形成されたウエーハＷの分割を行うにあたっては、まず、例えば、基準高さ位置に位置付けられたクランプ台３２１の上面に粘着テープＴを介して載置された状態の環状フレームＦを、クランプ板３２０が上方から挟み込み、環状フレームＦ及び粘着テープＴが固定クランプ３２に挟持固定された状態にする。この状態においては、クランプ台３２１の上面とチャックテーブル３０の保持面３００ａとは同一の高さ位置にあり、チャックテーブル３０によるウエーハＷの吸引保持は停止しており、チャックテーブル３０の保持面３００ａは粘着テープＴの裏面Ｗｂに当接している。
【００３７】
図６に示すように、クランプ昇降手段３３が、環状フレームＦを挟み込んだ固定クランプ３２を−Ｚ方向に下降させることで、クランプ台３２１の上面をチャックテーブル３０の保持面３００ａより下方の粘着テープ拡張位置に位置付ける。その結果、チャックテーブル３０は固定クランプ３２に対して相対的に上昇し、粘着テープＴはチャックテーブル３０の保持面３００ａで押し上げられて拡張される。
【００３８】
ウエーハＷには、分割起点となる改質層Ｍが形成されており、粘着テープＴはウエーハＷの表面Ｗａに貼着されていることから、粘着テープＴを拡張する外力が粘着テープＴを介してウエーハＷの改質層Ｍに加わり、ウエーハＷは、改質層Ｍを起点に個々のチップＣに縦横に分割される。
【００３９】
チップＣに分割され粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態のウエーハＷは、例えば、チップＣのピックアップを行うピックアップ装置に搬送されるが、ピックアップ装置に搬送される前に、本発明に係る紫外線照射方法を実施して、粘着テープＴに紫外線を照射する。以下に、本発明に係る紫外線照射方法の各ステップについて説明する。
【００４０】
（１）酸素排除ステップ
図１、図７に示す紫外線照射装置７は、液体Ｌ（例えば、純水）を貯留しウエーハＷを液体Ｌに浸漬させて粘着層ＴｃとウエーハＷとの間から酸素を排除させる液槽７０と、液槽７０に貯留された液体Ｌを介して粘着層Ｔｃに紫外線を照射する紫外線照射装置７１と、を少なくとも備えている。
【００４１】
例えば、図１に示す基台１０の前面側（−Ｙ方向側）の第一の搬送手段１５ａの可動領域内には、紫外線照射装置７を基台１０の内部に収容する直方体状の収容部１７が形成されており、紫外線照射装置７は収容部１７に収容された状態でウエーハＷに紫外線を照射する。なお、紫外線照射装置７は、本実施形態に示すような加工装置１に配設可能な構成とせずに、加工装置１の外部に独立して配置可能な構成としてもよい。
【００４２】
例えば、紫外線を透過するガラス等の透明部材からなり略直方体状に形成された液槽７０は、環状フレームＦに支持されたウエーハＷの全体を液体Ｌに完全に水没させることができる程度の容積を備えている。なお、液層７０は、少なくともその底板が紫外線を透過するガラス等の透明部材で形成されていればよい。また、例えば、図７に示すように、液層７０の側壁に液槽７０内の内側に向かって突き出るように形成され液槽７０内において環状フレームＦを支持する棚部７００を配設するものとしてもよい。棚部７００は、例えば図示しない昇降手段によって液層７０内における高さ位置を変更可能な構成となっており、支持するウエーハＷを液槽７０内において液体Ｌの液面より上方又は下方に位置付けることができる。なお、棚部７００を液層７０に配設しない構成としてもよい。
【００４３】
例えば液槽７０の底面に図示しない連結具により連結されている紫外線照射装置７１は、上面が開口した直方体状の筐体７１１内部に複数のＵＶランプ７１０が整列して配設されており、このＵＶランプ７１０は、＋Ｚ方向に向かって例えば波長が３００〜４００ｎｍの紫外線を照射することが可能となっている。
【００４４】
粘着テープＴに対する紫外線の照射においては、まず、紫外線照射装置７が、基台１０の収容部１７に収容され、液槽７０に所定量の液体Ｌが注ぎ込まれ、液槽７０に液体Ｌが貯留された状態になる。また、棚部７００が液槽７０内で上昇し、液体Ｌの液面よりも高い位置に位置付けられる。
【００４５】
次いで、チップＣに分割され粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態でチャックテーブル３０上に載置されているウエーハＷが、例えば、第一の搬送手段１５ａによってチャックテーブル３０から液槽７０まで搬送される。すなわち、図１に示す固定クランプ３２が開き固定クランプ３２による環状フレームＦの固定が解除され、また、第一の搬送手段１５ａがウエーハＷの裏面Ｗｂ又は環状フレームＦを吸引保持する。ウエーハＷを吸引保持した第一の搬送手段１５ａが旋回し、ウエーハＷを液槽７０の上方に位置付ける。
【００４６】
例えば、図７に示すように、ウエーハＷ分割後の各チップＣは、先の分割加工においてウエーハＷに加わった外力によって、各チップＣ間に所定の間隔が設けられ、また、チップＣの下面等の一部が粘着テープＴの粘着層Ｔｃから浮き上がった状態になっている。そして、各チップＣの一部が粘着テープＴの粘着層Ｔｃから浮き上がった状態になることで、各チップＣの一部と粘着層Ｔｃとの間に隙間Ｖが生まれ、この隙間Ｖ周囲の粘着層Ｔｃが空気に露出した状態となっている。
【００４７】
第一の搬送手段１５ａが下降して、環状フレームＦを棚部７００が支持するように、棚部７００上にウエーハＷを支持する環状フレームＦを載置する。次いで、棚部７００が下降して、環状フレームＦによって支持されているウエーハＷの全体を液体Ｌ内に完全に浸漬させる。なお、ウエーハＷが非常に厚みのあるウエーハである場合等においては、少なくとも各チップＣの一部と粘着層Ｔｃとの間に各隙間Ｖが液体Ｌ内に完全に浸漬していればよい。ウエーハＷの全体が液体Ｌ内に完全に沈められることで、粘着テープＴの粘着層ＴｃとウエーハＷとの間、すなわち、各チップＣの一部と粘着層Ｔｃとの隙間Ｖに液体Ｌが入り込み、隙間Ｖから酸素を含む空気が気泡となって液体Ｌの液面上に向かって上昇して排除されていく。なお、例えば、紫外線照射装置７を、Ｚ軸を軸に回転可能な構成として、紫外線照射装置７を緩やかに回転させ、液体Ｌと回転により発生する遠心力とによってチップＣの一部と粘着層Ｔｃとの隙間Ｖから酸素を含む空気をより排除しやすいものとしてもよい。
【００４８】
（２）紫外線照射ステップ
チップＣの一部と粘着層Ｔｃとの隙間Ｖから酸素を排除した後、ＵＶランプ７１０から、例えば波長が３００〜４００ｎｍであってピーク波長が３６５ｎｍの紫外線を＋Ｚ方向に向かって照射させる。照射された紫外線は、液槽７０の底板を透過して−Ｚ方向から液体Ｌを介して粘着テープＴの全面に対して照射され、粘着テープＴの粘着層Ｔｃの構成材料であるＵＶ硬化糊が硬化し粘着層Ｔｃの粘着力が低下する。ここで、各チップＣと粘着テープＴの粘着層Ｔｃとの隙間Ｖからは酸素が液体Ｌによって十分に排除されているため、酸素阻害が起こることなく粘着テープＴの粘着層Ｔｃ全面の粘着力を十分に低下させることができる。紫外線の照射光量、照射時間等の条件は、粘着テープＴの種類等に応じて異なるが、例えば、照射時間は、３秒程度の短い時間で良い。
【００４９】
粘着テープＴに対し所定時間紫外線を照射した後、ＵＶランプ７１０による紫外線の照射を停止し、次いで、棚部７００が液槽７０内で上昇し、液体Ｌの液面よりも高い位置にウエーハＷが位置付けられる。そして、第一の搬送手段１５ａによってウエーハＷが液槽７０内から搬出される。
【００５０】
紫外線が照射された粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態のチップＣは、例えば、図８に示すピックアップ装置８に搬送される。ピックアップ装置８は、図示しないクランプ等で環状フレームＦを固定し、例えば、Ｚ軸方向に昇降可能なニードル８０で、チップＣを下側から粘着テープＴを介して突き上げ、チップＣが粘着テープＴから浮き上がったところを吸引パッド８１で吸引保持してピックアップする装置である。
【００５１】
粘着層Ｔｃの粘着力は十分に低下しているため、粘着層Ｔｃ上のチップＣは、下からニードル８０で突き上げられると容易に粘着層Ｔｃから離脱できる。そのため、吸引パッド８１がチップＣをピックアップする際に粘着層Ｔｃの糊がチップＣに付着したり、チップＣが破損してしまったりすることがない。
【００５２】
なお、本発明に係る紫外線照射方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている加工装置１の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。例えば、ウエーハＷの分割は、改質層Ｍの形成後に粘着テープのエキスパンドで行うことに代えて、改質層Ｍの形成後に、回転可能な研削砥石を備える研削装置よってウエーハＷの裏面Ｗｂの研削加工を行うことでなされるようにしてもよい。また、例えば、加工装置１は、回転可能な切削ブレードが装着された切削手段を備え、ウエーハＷに対して切削加工を備える切削装置であってもよい。この場合におけるウエーハＷの分割は、切削ブレードをウエーハＷに対して切込ませてウエーハＷを切断することでなされる。
【符号の説明】
【００５３】
１：加工装置  １０：基台  １１：加工送り手段
１２：搬出入手段  １３：仮置き領域  １４：位置合わせ手段  １５ａ：第一の搬送手段  １５ｂ：第二の搬送手段  １６：洗浄手段  １７：収容部
１８：アライメント手段  １８０：赤外線カメラ  １８１：表示手段
３０：チャックテーブル  ３００：吸着部  ３００ａ：保持面  ３０１：枠体  
３１：カバー  
３２：固定クランプ  ３２０：クランプ板  ３２０ａ：回転軸  ３２１：クランプ台
３３：クランプ昇降手段  ３３０：シリンダチューブ  ３３１：ピストンロッド
６：レーザー光照射手段  ６０：ハウジング  ６１：集光器  ６１ａ：集光レンズ
７：紫外線照射装置  ７０：液槽  ７００：棚部  ７１：紫外線照射装置
７１０：ＵＶランプ  ７１１：筐体
Ｌ：液体
８：ピックアップ装置  ８０：ニードル  ８１：吸引パッド
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：ウエーハの表面  Ｓ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  
Ｗｂ：ウエーハの裏面  
Ｔ：粘着テープ  Ｔａ：粘着テープの表面  Ｔｂ：粘着テープの裏面  Ｔｃ：粘着層  
Ｔｄ：基材層  Ｖ：隙間  Ｃ：チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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