(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置において、磁場強度が一様に調整されている有効領域を拡大する。【解決手段】ワークを載置する下部電極３と、下部電極３の上部に配置されている上部電極４と、下部電極３と上部電極４の間に位置している空間を囲む環状磁石６と、環状磁石６をその中心軸周りに回転させるアクチュエータ６８を備えている。環状磁石６は、中心軸の周りに複数個のセグメント磁石を環状に配置することにより構成されている。中心軸方向から見ると、着磁方向が外側を向いているセグメント磁石群６２ａの配置範囲と、着磁方向が内側を向いているセグメント磁石群の配置範囲６２ｂが、中心軸を挟んで向かい合っている。中心軸に直交する方向から見ると、一方の配置範囲が下部電極側に位置し、他方の配置範囲が上部電極側に位置している。【選択図】図１
2018170213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークをプラズマ処理する装置であり、
前記ワークを載置する下部電極と、
前記下部電極の上部に配置されている上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極の間に位置している空間を囲む環状磁石と、
前記環状磁石をその中心軸の周りに回転させるアクチュエータを備え、
前記環状磁石は、前記中心軸の周りに複数個のセグメント磁石を環状に配置したものであり、前記中心軸の方向から見たときに、着磁方向が外側を向いているセグメント磁石群の配置範囲と、着磁方向が内側を向いているセグメント磁石群の配置範囲が、前記中心軸を挟んで向かい合っており、前記中心軸に直交する方向から見たときに、前記一対の配置位置のうちの一方が前記下部電極側に位置し、他方が上部電極側に位置していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書では、ワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置を開示する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は、チャンバ内にセットされたワーク（例えば、半導体基板）をプラズマに曝すことで、ワークを表面処理する。プラズマ処理装置には、ワークの表面をエッチングするプラズマエッチング装置や、ワークの表面にＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によって薄膜を成長させるプラズマＣＶＤ装置等が含まれる。
【０００３】
プラズマ処理装置について説明する前に、プラズマのドリフト運動について説明する。一般に、電場Ｅと磁場Ｈが存在する空間内のプラズマは、電場Ｅと磁場Ｈの外積方向（以下、「Ｅ×Ｈ方向」と記載）の力を受ける。本明細書では、このＥ×Ｈ方向の力による運動を「ドリフト運動」と呼ぶ。
【０００４】
例えば、特許文献１のプラズマ処理装置は、プラズマをドリフト運動によって旋回させる。特許文献１のプラズマ処理装置は、ワークを載置する下部電極と、下部電極の上部に配置されている上部電極を備える。下部電極と上部電極の間に電圧を印加することによって下部電極と上部電極の間に電場Ｅが発生する。また、プラズマ処理装置は、さらに、下部電極と上部電極の間に位置している空間を囲むダイポールリング磁石を備える。ダイポールリング磁石は、複数個のセグメント磁石を環状に配置することにより作られている。環状に配置された複数個のセグメント磁石により、ダイポールリング磁石の内側の空間には、ダイポールリング磁石の面内に沿った（従って、下部電極の上面と上部電極の下面に平行な）磁場Ｈが発生する。下部電極と上部電極の間に存在するプラズマは、電場Ｅと磁場Ｈの双方に直交するＥ×Ｈ方向（下部電極の上面と上部電極の下面に平行な面内にある）の力を受ける。
【０００５】
プラズマ処理装置は、さらに、ダイポールリング磁石をその中心軸の周りに回転させるためのアクチュエータを備える。ダイポールリング磁石が回転することにより、Ｅ×Ｈ方向の力もダイポールリング磁石の中心軸の周りに回転する。これにより、プラズマは、ダイポールリング磁石の中心軸の周りに旋回し、下部電極と上部電極の間の空間内に留まり、下部電極と上部電極の間に存在するプラズマの密度が高められる。
【０００６】
特許文献１のプラズマ処理装置は、１個のダイポールリング磁石を備える。一方、特許文献２のプラズマ処理装置は、上下２段のダイポールリング磁石を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１４４６６２号公報
【特許文献２】特開２０１０−２３８８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ダイポールリング磁石の内側には、磁場強度Ｈ（あるいは磁束密度Ｂ）がほぼ一様に広がる領域（以下、「有効領域」と記載）が形成される。プラズマ処理装置では、ダイポールリング磁石の内側の空間に占める有効領域の割合を大きくしたいという要望がある。特許文献１のダイポールリング磁石は、複数のセグメント磁石を楕円状に配置することにより、水平面内（下部電極の上面と上部電極の下面に平行な面内）における有効領域の広がりを拡大する。また、特許文献２では、ダイポールリング磁石を上下２段に配置することにより、上下方向における有効領域の広がりを拡大する。
【０００９】
有効領域を広げるためには、各種のパラメータを調整する必要があり、既知の方法では限界がある。特に、小径のワークを処理するために、チャンバとダイポールリング磁石の径を小型化する場合、既知の方法では有効領域が著しく狭くなってしまう。
本明細書では、有効領域を拡大する技術であり、特にダイポールリング磁石の径を小型化しても必要な大きさの有効領域を確保することができる技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書で開示するプラズマ処理装置は、ワークを載置する下部電極と、下部電極の上部に配置されている上部電極と、下部電極と上部電極の間に位置している空間を囲む環状磁石と、環状磁石を環状磁石の中心軸の周りに回転させるアクチュエータを備えている。環状磁石は、中心軸の周りに複数個のセグメント磁石を環状に配置することによって構成されている。環状磁石を中心軸方向から見ると、着磁方向が外側を向いているセグメント磁石群の配置範囲と、着磁方向が内側を向いているセグメント磁石群の配置範囲は、その中心軸を挟んで向かい合っている。また中心軸に直交する方向から見ると、前記した一対の配置位置のうちの一方が下部電極側に位置し、他方が上部電極側に位置している。
環状磁石は、円環形状でもよく、楕円環形状でもよい。また、一方の配置範囲と他方の配置範囲は、中心軸を通過する平面を挟んで対称でもよく、非対称でもよい。また、一方の配置範囲と他方の配置範囲の各々が、中心角が１８０度の円弧範囲に広がっていてもよいし、それよりも狭い円弧範囲に留まっていてもよい。
【００１１】
上記の構成によれば、一方の配置範囲に配置されているセグメント磁石群と他方の配置範囲に配置されているセグメント磁石群を結ぶ磁場Ｈが得られ、上下方向に沿って斜めに伸びる磁場Ｈが発生する。この構成によれば、各セグメント磁石の上下方向の幅を大きくすることなく、上下方向における有効領域の広がり拡大することができる。環状磁石の内側の空間に占める有効領域の割合を拡大することができる。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は、以下の「実施例」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１のプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】下段磁石の平面図である。
【図３】上段磁石の平面図である。
【図４】環状磁石の平面図である。
【図５】環状磁石の周囲の拡大断面図である。
【図６】実施例２の環状磁石の平面図である。
【実施例１】
【００１３】
図１は、実施例１のプラズマ処理装置１０を示している。プラズマ処理装置１０は、ワーク９０に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１０は、プラズマエッチング装置であってもよいし、プラズマＣＶＤ装置であってもよい。
【００１４】
プラズマ処理装置１０は、支持台２を備える。支持台２の上面に、下部電極３が配置されている。下部電極３は、略円板形状を有している。下部電極３は、その中心軸が上下方向に伸びるように支持台２に支持されている。下部電極３には、電圧を印加するための配線３０が接続されている。下部電極３の上面は平坦である。下部電極３の上面は、ワーク９０が載置されるステージである。
【００１５】
支持台２の上面から複数本のピラー４６が上方に延びている。各ピラー４６の上端に上部プレート４４が固定されている。上部プレート４４の下面から複数本のピラー４２が下方に延びている。各ピラー４２の下端に、電極保持部４０が固定されている。電極保持部４０の下面に上部電極４が固定されている。即ち、上部電極４は、ピラー４６、上部プレート４４、ピラー４２、電極保持部４０を介して、支持台２に支持されている。上部電極４は、下部電極３の上部に位置している。
上部電極４の電位は、支持台２の電位、即ち、接地電位である。上部電極４は、略円板形状を有している。上部電極４は、その中心軸が上下方向に伸びるように支持されている。上部電極４は、下部電極３と中心軸が一致するように支持されている。
【００１６】
下部電極３及び上部電極４は、チャンバ５に収容される。チャンバ５の外壁５０は、上壁５０ａと筒状の側壁５０ｂによって構成されている。上壁５０ａには、貫通孔５０ｃが設けられている。後記するようにしてチャンバ５が下方に移動すると、貫通孔５０ｃは、外壁５０の内側から、電極保持部４０によって塞がれる。電極保持部４０から上方に伸びるピラー４２は、貫通孔５０ｃを通過している。上壁５０ａの上面は、接続部材５２を介して可動ピラー５４の下端に接続されている。可動ピラー５４は、上下に伸びる柱状の部品である。可動ピラー５４の上端は、アクチュエータ５６に連結されている。アクチュエータ５６は、上部プレート４４に固定されている。アクチュエータ５６を動作させることで、可動ピラー５４を上下に移動させることができる。可動ピラー５４の上下移動に伴い、外壁５０が上下に移動する。外壁５０を上方に移動させることにより、外壁５０と支持台２の上面の間に隙間が生じ、当該隙間を通じて、ワーク９０を下部電極３に載置することができる。また、外壁５０を下方に移動させることにより、貫通孔５０ｃが電極保持部４０によって塞がれるとともに、外壁５０の下部の開口が支持台２の上面によって塞がれる。即ちチャンバ５が、外壁５０、電極保持部４０及び支持台２により構成される。
【００１７】
チャンバ５内には、上部電極４の中央に設けられているガス供給口４ａからガス（例えば、エッチングガス、ＣＶＤ用の原料ガス等）が供給される。チャンバ５内に供給されたガスは、下部電極３に配線３０を介して高周波電圧が印加されると、プラズマ化する。プラズマ化したガスがワーク９０と反応することで、ワーク９０が表面処理される。例えば、ガスがエッチングガスである場合には、プラズマ化したエッチングガスとワーク９０とが反応して、ワーク９０の表面が削られる。また、ガスがＣＶＤ用の原料ガスである場合には、プラズマ化した原料ガスがワーク９０の表面で反応して、ワーク９０の表面に膜が成長する。
【００１８】
プラズマ処理装置１０は、さらに、環状磁石６と、環状磁石６をその中心軸周りに回転させるアクチュエータ６８を備える。環状磁石６は、外壁５０を囲むように配置されている。環状磁石６は、下段磁石６ａと上段磁石６ｂにより構成されている。図２は、上面視した下段磁石６ａを示す。下段磁石６ａは、環状の磁石保持部６０ａと、磁石保持部６０ａの内周面の内の円弧状の配置範囲Ｒ１に等間隔に配置されているセグメント磁石群６２ａを備える。磁石保持部６０ａの水平断面は、真円である。図２では、セグメント磁石群６２ａのうちの１個に符号が付され、他のセグメント磁石の符号は省略している。配置範囲Ｒ１は、磁石保持部６０ａの内周面をその中心軸を通過する平面で分割した２面の内の一方の側（紙面左側）の半円状の面に含まれる。各セグメント磁石６２ａの着磁方向は、磁石保持部６０ａの内側を向いている。図中では、各セグメント磁石６２ａの着磁方向は、各セグメント磁石６２ａ内に記載されている矢印で示される。本実施例では、着磁方向は、Ｎ極からＳ極へと向かう方向である。そして、セグメント磁石群６２ａのそれぞれについて、各セグメント磁石６２ａの着磁方向に沿った直線は、磁石保持部６０ａの中心軸ＣＬを通過する。
【００１９】
図３は、上面視した上段磁石６ｂを示す。上段磁石６ｂは、環状の磁石保持部６０ｂと、磁石保持部６０ｂの内周面の内の円弧状の配置範囲Ｒ２に等間隔に配置されているセグメント磁石群６２ｂを備える。磁石保持部６０ｂの水平断面は、下段磁石６ａの磁石保持部６０ａと同じ径を有する真円である。セグメント磁石群６２ｂは、下段磁石６ａのセグメント磁石群６２ａと同じ間隔で並んでいる。配置範囲Ｒ２は、磁石保持部６０ｂの内周面をその中心軸ＣＬを通過する平面で分割した２面の内の他方の側（紙面右側）の半円状の面に含まれる。当該他方の側Ｒ２は、下段磁石６ａの配置範囲Ｒ１が含まれる上記の一方の側とは反対側である。各セグメント磁石６２ｂの着磁方向は、磁石保持部６０ｂの外側を向いている。そして、セグメント磁石群６２ｂのそれぞれについて、各セグメント磁石６２ｂの着磁方向に沿った直線は、磁石保持部６０ｂの中心軸ＣＬを通過する。
【００２０】
上段磁石６ｂは、中心軸が一致するように下段磁石６ａの上段に配置される。図４は、上面視した（即ち、中心軸方向から見た）下段磁石６ａ及び上段磁石６ｂを示す。図４に示すように、下段磁石６ａの配置範囲Ｒ１と上段磁石６ｂの配置範囲Ｒ２が、中心軸ＣＬを挟んで向かい合っている。本実施例では、中心軸方向から見た場合に、配置範囲Ｒ１と配置範囲Ｒ２は、中心軸ＣＬを通過する直線を挟んで対称である。これにより、下段磁石６ａの内側及び上段磁石６ｂの内側（即ち、環状磁石６の内側）に、下段磁石６ａのセグメント磁石群６２ａと上段磁石６ｂのセグメント磁石群６２ｂを結ぶ磁場Ｈが得られる。なお、配置範囲Ｒ１と配置範囲Ｒ２の間隔は、セグメント磁石群６２ａ（又は６２ｂ）のうちの隣接するセグメント磁石の間隔と同じである。即ち、中心軸方向から見た場合に、セグメント磁石群６２ａ、６２ｂは、環状磁石６の内周面に等間隔に配置されている。
【００２１】
図１に戻り、説明を続ける。下段磁石６ａと上段磁石６ｂは、棒状の連結部材６４により連結されている。連結部材６４の上端は、円形の回転板６６に固定されている。回転板６６の中心軸と環状磁石６の中心軸が一致する。回転板６６は、アクチュエータ６８に接続されている。アクチュエータ６８は、支持台２の上面に固定されている。アクチュエータ６８は、回転板６６をその中心軸周りに回転させる。これにより、環状磁石６がその中心軸周りに回転する。即ち、環状磁石６は、連結部材６４、回転板６６及びアクチュエータ６８を介して支持台２に回転可能に支持される。環状磁石６は、その中心軸が上下方向に伸びるように支持されている。環状磁石６は、下部電極３及び上部電極４と中心軸が一致するように支持されている。環状磁石６の上下方向の幅（即ち、下段磁石６ａの下面と上段磁石６ｂの上面の間の距離）は、下部電極３と上部電極４の間の距離よりも小さい。環状磁石６は、上下方向において下部電極３と上部電極４の間の高さ範囲内に配置されている。即ち、環状磁石６は、下部電極３と上部電極４の間の空間の一部を囲む。
【００２２】
下部電極３と上部電極４の間の空間に発生する電場Ｅと磁場Ｈについて説明する。図５は、下部電極３と上部電極４の周囲の拡大断面図である。図５では、外壁５０の図示が省略されている。下部電極３に高周波電圧が印加されることにより、下部電極３と上部電極４の間に電場Ｅが発生する。電場Ｅは、中心軸ＣＬと平行である。一方、下段磁石６ａのセグメント磁石群６２ａと上段磁石６ｂのセグメント磁石群６２ｂを結ぶ磁場Ｈは、下段磁石６ａと上段磁石６ｂの高さの違いにより、上下方向に沿って斜めに発生する。電場Ｅは、上下方向に沿って斜めに発生する磁場Ｈと交差する。下部電極３と上部電極４の間の空間に存在するプラズマは、電場Ｅと磁場Ｈの外積方向（以下、「Ｅ×Ｈ方向」と記載）に力を受ける。この力により、プラズマは、Ｅ×Ｈ方向にドリフト運動をする。
【００２３】
上面視した環状磁石６を示す図４を参照して、プラズマのドリフト運動について説明する。電場Ｅは、紙面の裏面から表面に向かう方向に発生する。一方、例えば、中心軸ＣＬを通過する磁場Ｈは、紙面の左側から右側へ向かう方向に発生する。Ｅ×Ｈ方向は、紙面の下側から上側へ向かう方向と一致する。環状磁石６がアクチュエータ６８により中心軸ＣＬ周りに回転すると、Ｅ×Ｈ方向も中心軸ＣＬ周りに回転する。これにより、プラズマは、中心軸ＣＬ周りに旋回する。プラズマの旋回により、プラズマが、下部電極３と上部電極４の間の空間に留まり、高密度のプラズマを得ることができる。
【００２４】
本実施例の効果を説明する。磁場Ｈの磁場強度（すなわち磁束密度）は、環状磁石６の内側の全空間で均一にはならない。環状磁石６の内側において、磁場強度がほぼ均一に広がる領域は、全空間のうちの一部である。以下、磁場強度がほぼ均一な空間を「有効領域」と記載する。有効領域の上下方向（中心軸ＣＬと平行な方向）の範囲を広くすれば、環状磁石６の内側の全空間に占める有効領域の割合を大きくすることが可能である。例えば、有効領域の割合を大きくすることで、様々な厚み、大きさのワークに対応することができる。例えば、上段磁石６ｂのセグメント磁石群６２ｂが、下段磁石６ａのセグメント磁石群６２ａと同じ高さにある比較例を想定する。この比較例では、下段磁石６ａがいわゆるダイポールリング磁石である。この比較例では、磁場Ｈは水平方向に沿って発生するので、有効領域の上下方向の範囲の幅は、下段磁石６ａの上下方向の幅Ｈ１よりも狭い幅Ｗ２となる。これに対して、本実施例では、磁場Ｈが下段磁石６ａと上段磁石６ｂの間を斜めに伸びることにより、有効領域Ｓの上下方向の範囲の幅は、下段磁石６ａの上下方向の幅Ｈ１よりも大きい幅Ｗ１とすることができる。即ち、本実施例では、比較例よりも有効領域Ｓの上下方向の範囲を広くすることができる。特に、小径のワークを処理するために、チャンバと環状磁石を小型化する場合でも、有効領域を広くすることができ、小型化しても必要な大きさの有効領域を確保することができる。
【００２５】
なお、有効領域の上下方向の範囲を広くするために、例えば、上記の比較例において、さらに、セグメント磁石群６２ａ、６２ｂの上下方向の幅を大きくする比較例が想定される。この比較例では、各セグメント磁石が大型化し、アクチュエータ６８が大型化する弊害が生じる。これに対して、本実施例では、この比較例のセグメント磁石と同じ数のセグメント磁石であって、当該比較例のセグメント磁石より小型なセグメント磁石で有効領域の上下方向の範囲を広くすることができる。このため、アクチュエータ６８を大型化する必要が無い。
【００２６】
また、有効領域の上下方向の範囲を広くするために、例えば、下段磁石６ａ、上段磁石６ｂの双方がダイポールリング磁石である比較例も想定される。この比較例では、下段磁石６ａと上段磁石６ｂのそれぞれの内側に水平方向の磁場が発生し、下から上に観察したときに、下段磁石６ａの内側の磁場強度と、下段磁石６ａと上段磁石６ｂの隙間の磁場強度と、上段磁石６ｂの内側の磁場強度が順に変化する。このため、上下方向における磁場強度の均一性が損なわれ得る。これに対して、本実施例では、磁場Ｈが下段磁石６ａと上段磁石６ｂの隙間を斜めに通過するので、下段磁石６ａの内側の磁場強度と、下段磁石６ａと上段磁石６ｂの隙間の磁場強度と、上段磁石６ｂの内側の磁場強度を同じにすることができる。上下方向における磁場強度の均一性が損なわれない。
【実施例２】
【００２７】
図６を参照して、実施例２のプラズマ処理装置を説明する。本実施例のプラズマ処理装置は、環状磁石１０６のセグメント磁石群１６２ａ、１６２ｂの着磁方向が異なること以外は実施例１のプラズマ処理装置１０と同じである。以下では、実施例２の環状磁石１０６について説明する。
【００２８】
下段磁石のセグメント磁石群１６２ａの配置範囲Ｒ３は、実施例１の配置範囲Ｒ１と同じである。各セグメント磁石１６２ａの着磁方向は、環状磁石１０６の内側を向いている。配置範囲Ｒ３の中心に位置するセグメント磁石の着磁方向は、当該セグメント磁石と中心軸ＣＬを通過する直線と平行である。配置範囲Ｒ３の端部のセグメント磁石の着磁方向は、当該セグメント磁石と中心軸ＣＬを通過する直線と平行でない。各セグメント磁石１６２ａの着磁方向は、配置範囲Ｒ３の端部から配置範囲Ｒ３の中心に近づくにつれて、徐々に各セグメント磁石１６２ａと中心軸ＣＬを通過する直線と平行な方向へと近づいていく。一方、各セグメント磁石１６２ｂの着磁方向は、環状磁石１０６の外側を向いている。上段磁石のセグメント磁石群１６２ｂの配置範囲Ｒ４は、実施例１の配置範囲Ｒ２と同じである。各セグメント磁石１６２ｂの着磁方向も、上記の各セグメント磁石１６２ａと同様に、配置範囲Ｒ４の端部から配置範囲Ｒ４の中心に近づくにつれて、徐々に各セグメント磁石１６２ｂと中心軸ＣＬを通過する直線と平行な方向へと近づいていく。本実施例でも、実施例１と同様に、下段磁石のセグメント磁石群１６２ａと上段磁石のセグメント磁石群１６２ｂを結ぶ上下方向に沿って斜めに伸びる磁場Ｈが得られる。
【００２９】
以下、実施例で示した技術に関する留意点を述べる。下段磁石の配置範囲と上段磁石の配置範囲は、中心軸方向から見たときに、中心軸を通過する直線を挟んで対称でなくてもよい。例えば、下段磁石の配置範囲が４５度近くの角度を有する弧状の範囲であり、上段磁石の配置範囲が３１５度近くの角度を有する弧状の範囲でもよい。
また、下段磁石の配置範囲と上段磁石の配置範囲の間隔が、下段磁石のセグメント磁石群のうちの隣接する２個のセグメント磁石の間隔よりも広くても良い。例えば、実施例と同数の複数のセグメント磁石が配置される場合に、下段磁石の配置範囲と上段磁石の配置範囲の双方が９０度の角度を有する弧状の範囲でもよい。
また、下段磁石の配置範囲と上段磁石の配置範囲の双方が、環状磁石６の内周面の内の一部の範囲、例えば、１８０度を有する円弧状の範囲に含まれていてもよい。
【００３０】
また、下段磁石６ａのセグメント磁石群６２ａが下段磁石６ａの外側を向いており、上段磁石６ｂのセグメント磁石群６２ｂが上段磁石６ｂの内側を向いていてもよい。
【００３１】
また、磁石保持部６０ａ、６０ｂの水平断面は、真円でなくてもよく、楕円形でもよい。即ち、環状磁石６は、円環形状でもよく、楕円環形状でもよい。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３３】
２        ：支持台
３        ：下部電極
４        ：上部電極
４ａ      ：ガス供給口
５        ：チャンバ
６        ：環状磁石
６ａ      ：下段磁石
６ｂ      ：上段磁石
１０      ：プラズマ処理装置
３０      ：配線
４０      ：電極保持部
４２      ：ピラー
４４      ：上部プレート
４６      ：ピラー
５０      ：外壁
５０ａ    ：上壁
５０ｂ    ：側壁
５０ｃ    ：貫通孔
５２      ：接続部材
５４      ：可動ピラー
５６      ：アクチュエータ
６０ａ、６０ｂ：磁石保持部
６２ａ、６２ａ：セグメント磁石
６４      ：連結部材
６６      ：回転板
６８      ：アクチュエータ
９０      ：ワーク
１０６    ：環状磁石
１６２ａ、１６２ｂ：セグメント磁石群
Ｂ        ：磁場
ＣＬ      ：中心軸
Ｅ        ：電場
Ｒ１〜Ｒ４：配置範囲
Ｓ        ：有効領域
【図１】
2018170213.tif 000003
【図２】
2018170213.tif 000004
【図３】
2018170213.tif 000005
【図４】
2018170213.tif 000006
【図５】
2018170213.tif 000007
【図６】
2018170213.tif 000008