(57)【要約】【課題】反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制する。【解決手段】基板１００ｘと、基板１００ｘ上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と１１９、少なくとも画素電極層１１９の行及び列方向の外縁１１９ａ上方と、当該外縁間に位置する基板上の画素電極間領域１００ｃ、ｄ上方とに配されてなる絶縁層１２２と、複数の画素電極層１１９のそれぞれの上方に配された有機機能層１２３と、複数の有機機能層１２３上方に配された透光性の対向電極層１２５とを備え、有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４は、絶縁層１２２が存在しない画素電極層１１９上方の領域において有機電界発光を生ずる発光層１２３を含み、絶縁層１２２の基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下である。【選択図】図３
2018026278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、
少なくとも前記画素電極層の行及び列方向の外延上方と、当該外縁間に位置する前記基板上の画素電極間領域上方とに配されてなる絶縁層と、
前記複数の画素電極層のそれぞれの上方に配された有機機能層と、
前記有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、
前記有機機能層は、それぞれの前記画素電極層上方の前記絶縁層が存在しない領域において有機電界発光を生ずる複数の発光層を含み、
前記絶縁層の前記基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下である
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記基板は透光性材料からなり、
前記基板の裏面から入射した光は少なくとも前記画素電極間領域を透過して上方に出射される
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記絶縁層は、
少なくとも前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列絶縁層と、
少なくとも前記画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行絶縁層とを含み、
前記発光層は、隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに配されている、
請求項１から２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記行絶縁層は前記列絶縁層よりも光学濃度が高い
請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記行絶縁層は前記列絶縁層よりも有機溶媒に対する撥液性が低い
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記発光層は、前記行絶縁部上を列方向に連続して配されている
請求項５記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記絶縁層上方であって、
少なくとも前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列バンクをさらに備えた
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記絶縁層は前記列バンクよりも光学濃度が高い
請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記列バンクは前記絶縁層よりも有機溶媒に対する撥液性が高い
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記基板の平面視において、赤、緑、青の何れかに発光する１サブ画素のおける前記画素電極間領域の面積は、前記絶縁層が存在しない前記画素電極層上の自己発光領域の面積に対し１０％以上１２０％以下である
請求項１から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記絶縁層は、樹脂バインダと、カーボン、モリブデン、クロムから選択される１以上の成分とを含む
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、
前記上部基板における前記画素電極層の行及び列方向の外縁上方に位置する部分に遮光層は配されていない
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記基板は可撓性を有する
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の画素を形成し、隣り合うＲＧＢの画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
そして、一般に、有機ＥＬ表示パネルでは、各画素に設けられた反射電極の外縁による外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を防止するために、絶縁層上方の隣接する画素間の境界に格子状の遮光層が設けられていた。例えば、特許文献１には、カラーフィルタ基板上の位置により厚みが異なるマトリックス状の遮光部材を設けることにより、隣接画素間における混色を防止しつつ、開口率の低下を抑制する有機ＥＬ素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開公報  ＷＯ２０１３１０８７８３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、表示素子に対向するカラーフィルタ基板に遮光層を担持した有機ＥＬ表示パネルの場合、カラーフィルタ基板と表示素子側の基板との封止のためのアライメント時に位置ずれが生じ、反射電極層の外縁が遮光層からはみ出すことで、はみ出した外縁による外光の照り返しにより表示のコントラストが低下するという課題があった。
これに対し、はみ出しを防止するために遮光層の幅を広げた場合には、表示素子からの光が遮光層に干渉して吸収されるために、光取出し効率の低下や視野角による輝度・色度の不均一性増加が生じる。表示パネルの高解像度化に伴い単位画素当りの素子面積は減少するが、隣接画素への光漏れ防止に必要な遮光層の幅は維持される。そのため、高解像度化に伴い単位画素の遮光層の開口率が低下し、光取り出し効率と輝度・色度が均一性の維持がより一層困難となることが懸念された。
【０００６】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、反射画素電極層の外縁での外光反射を抑制してコントラストの良好な上面発光型の有機ＥＬ表示パネル、及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、少なくとも前記画素電極層の行及び列方向の外縁上方と、当該外縁間に位置する前記基板上の画素電極間領域上方とに配されてなる絶縁層と、前記複数の画素電極層のそれぞれの上方に配された有機機能層と、前記有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、前記有機機能層は、それぞれの前記画素電極層上方の前記絶縁層が存在しない領域において有機電界発光を生ずる複数の発光層を含み、前記絶縁層の前記基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
【図４】図３におけるＸ０部の拡大平面図である。
【図５】有機ＥＬ表示素子１００のサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【図６】図３におけるにおけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。
【図７】図３におけるにおけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ工程での状態を示す図３におけるにおけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】有機ＥＬ表示装置１の機能を説明する図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０を透過型表示パネルとして利用したときの有機ＥＬ表示装置１の機能を説明する模式図である。
【図１３】有機ＥＬ表示パネル１０Ａの一部を示す模式平面図である。
【図１４】（ａ）は、図１１におけるＸ１部の拡大平面図であり、（ｂ）は、絶縁層１２２の上方から視したＸ１部の拡大平面図である。
【図１５】有機ＥＬ表示素子１００Ａのサブ画素１００Ａｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【図１６】図１２（ｂ）におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図１７】図１２（ｂ）におけるＢ１−Ｂ１で切断した模式断面図である。
【図１８】有機ＥＬ表示パネル１０Ｂの一部を示す模式平面図である。
【図１９】図１８におけるＸ２部の拡大平面図である。
【図２０】有機ＥＬ表示素子１００Ｂのサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【図２１】（ａ）〜（ｆ）は、有機ＥＬ表示装置１Ｂの製造工程を示す側断面図である。
【図２２】有機ＥＬ表示装置１Ｂの利用例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と、少なくとも前記画素電極層の行及び列方向の外縁上方と、当該外縁間に位置する前記基板上の画素電極間領域上方とに配されてなる絶縁層と、前記複数の画素電極層のそれぞれの上方に配された有機機能層と、前記有機機能層上方に配された透光性の対向電極層とを備え、前記有機機能層は、それぞれの前記画素電極層上方の前記絶縁層が存在しない領域において有機電界発光を生ずる複数の発光層を含み、前記絶縁層の前記基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下であることを特徴とする。係る構成により、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【００１１】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記基板は透光性材料からなり、前記基板の裏面から入射した光は少なくとも前記画素電極間領域を透過して上方に出射される構成としてもよい。係る構成により、観測者は表示装置の裏面から入射され画素電極間領域を透過して表示装置上方に出射される透過光と、表示装置の周辺部に位置する自己発光領域から出射される光とを選択的又は同時に視認することができる。
【００１２】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記絶縁層は、少なくとも前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列絶縁層と、少なくとも前記画素電極層の列方向の外縁上方と、列方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の行絶縁層とを含み、前記発光層は、隣接する前記列絶縁層間の間隙それぞれに配されている構成としてもよい。係る構成により、いわゆるラインバンク状の絶縁層形状を採用した構成の表示パネルにおいて、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【００１３】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記行絶縁層は前記列絶縁層よりも光学濃度が高い構成としてもよい。係る構成により、一般的な表示パネルの設置状態においてより顕著となる上部基板上方の列方向からの外光によって画素電極層の外縁による反射光が行方向に強い照り返しが生じるという問題をより効果的に抑制することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記行絶縁層は前記列絶縁層よりも有機溶媒に対する撥液性が低い構成としてもよい。係る構成により、列絶縁層と行絶縁層の双方において、インクに対する撥液性（親液性）をプロセス上許容可能な範囲に納めることができる。具体的には、列絶縁層は、発光層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層の行方向外縁を規定するとともに、行絶縁層は、発光層のインクの列方向への流動を制御することができる。
【００１４】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記発光層は、前記行絶縁部上を列方向に連続して配されている構成としてもよい。係る構成により、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記絶縁層上方であって、少なくとも前記画素電極層の行方向の外縁上方と、行方向外縁間に位置する前記基板上方とに配されてなる複数の列バンクをさらに備えた構成としてもよい。係る構成により、いわゆるピクセルバンク状の絶縁層形状を採用した構成の表示パネルにおいて、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【００１５】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記絶縁層は前記列バンクよりも光学濃度が高い構成としてもよい。発光層のインクに対する撥液性を増すために、列バンクにおける黒色顔料の添加比率を低めた場合でも、列バンクに敷設された列絶縁層において黒色顔料の添加比率を高め所定の光学濃度を確保することにより、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【００１６】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記列バンクは前記絶縁層よりも有機溶媒に対する撥液性が高い構成としてもよい。係る構成により、列バンクと列バンクに敷設された列絶縁層とを異なる材料で構成することができ、それぞれの層において独立して黒色顔料の添加比率を設定することができ発光層のインクに対する撥液性を適切に制御しやすくなる。具体的には、基板上面に形成される列絶縁層と行絶縁層とを同じ材料で形成しても、列バンクは黒色顔料の添加比率を低く設定して発光層の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層の行方向外縁を規定するとともに、行絶縁層では黒色顔料の添加比率を高めて発光層のインクの列方向への流動を制御する構成とすること容易にできる。
【００１７】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記基板の平面視において、赤、緑、青の何れかに発光する１サブ画素のおける前記画素電極間領域の面積は、前記絶縁層が存在しない前記画素電極層上の自己発光領域の面積に対し１０％以上１２０％以下である構成としてもよい。係る構成により、観測者は表示装置の裏面から入射され画素電極間領域を透過して表示装置１上方に出射される透過光と、表示装置の周辺部に位置する自己発光領域から出射される光とを選択的又は同時に視認することができる。
【００１８】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記絶縁層は、樹脂バインダと、カーボン、モリブデン、クロムから選択される１以上の成分とを含む構成としてもよい。係る構成により、基板の平面視方向の光学濃度を０．５以上１．５以下とする絶縁層を製造できる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、前記上部基板における前記画素電極層の行及び列方向の外縁上方に位置する部分に遮光層は配されていない構成としてもよい。係る構成により、表示パネルでは、背面パネルの画素とＣＦ基板の遮光層との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせるための高精度な位置調整が不要となる。特に、ＣＦ基板に画素毎に色の異なるカラーフィルタ層が設けない構成においては、背面パネルとＣＦ基板との位置合わせを省略できる。また、表示パネルが、透明ディスプレイ等、ＣＦ基板を配さない構成であっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
【００１９】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記基板は可撓性を有する構成としてもよい。係る構成により、表示装置１を曲面である車両の運転用窓等に貼り付けて利用することができ、表示装置に運行情報等を表示して利用することができる。
≪実施の形態≫
１．表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
【００２０】
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【００２１】
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
２．表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０における、複数の有機ＥＬ素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する３色のサブ画素（不図示）からなる単位画素１００ｅから構成される。各サブ画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
【００２２】
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ表示素子１００における回路構成を示す模式回路図である。表示パネル１０においては、単位画素１００ｅを構成する有機ＥＬ表示素子１００がマトリクス状に配されて表示領域を構成している。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各サブ画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
【００２３】
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【００２４】
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
表示パネル１０においては、隣接する複数のサブ画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つのサブ画素１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各サブ画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインＧＬが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各サブ画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインＳＬが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００２５】
また、各サブ画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各サブ画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
３．表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００２６】
図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。図４は、図３におけるＸ０部の拡大平面図である。図５は、有機ＥＬ表示素子１００のサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ表示素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。
【００２７】
表示パネル１０では、有機ＥＬ表示素子１００に対応する単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図４に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つのサブ画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００２８】
図３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ間隙δＸ及びδＹ離れた状態で行列状に配され、それらを覆うように絶縁層１２２が積層されている。
画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。
【００２９】
表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４及び外縁１１９ａ３、１１９ａ４間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列絶縁層５２２Ｙが複数行方向に並設されている。各列絶縁層５２２Ｙは、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４の上方に形成されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列絶縁層５２２Ｙの行方向外縁により規定される。
【００３０】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、１１９ａ２及び外縁１１９ａ１、１１９ａ２間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行絶縁層１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行絶縁層１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００３１】
隣り合う列絶縁層５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列絶縁層５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【００３２】
図３、４に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【００３３】
また、図４に示すように、行絶縁層１２２Ｘに覆われた非自己発光領域１００ｂ内において画素電極層１１９間の列方向間隙δＹに相当する範囲を画素電極間領域１００ｃとなる。
同様に、列絶縁層５２２Ｙに覆われていて画素電極層１１９間の行方向間隙δＸと重なる範囲が画素電極間領域１００ｄとなる。
【００３４】
図５に示すように、１つのサブ画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列絶縁層５２２Ｙと行方向に設けられた行絶縁層１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行絶縁層１２２Ｘと行絶縁層１２２Ｘの間に位置している。画素電極間領域１００ｃは行絶縁層１２２Ｘと平面視において重なる位置に存在し、画素電極間領域１００ｄは列絶縁層５２２Ｙと平面視において重なる位置にそれぞれ存在している。
【００３５】
４．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ表示素子１００の構成を図６及び図７の模式断面図を用いて説明する。図６は、図３におけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。図７は、図３におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
【００３６】
４．１  基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
基材は、パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
【００３７】
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくともサブ画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００３８】
４．２  有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースＳ1とが接続される。
【００３９】
（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１
画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【００４０】
（３）絶縁層１２２
画素電極層１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなる絶縁層１２２が形成されている。絶縁層１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列絶縁層５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行絶縁層１２２Ｘとがあり、図５に示すように、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙを区別しない場合は「絶縁層１２２」とする）。
【００４１】
具体的には、列絶縁層５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成され、列絶縁層５２２Ｙが形成される領域の行方向の幅ＷＸは、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間の距離δＸより所定幅大きく構成されている。
また、行絶縁層１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９の一部１１９ｂと重なった状態で形成され、行絶縁層１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、ａ２間の距離δＸより所定長さ大きく構成されている。
【００４２】
行絶縁層１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行絶縁層１２２Ｘは、各列絶縁層５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列絶縁層５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上１２２Ｘｂを有する。そのため、行絶縁層１２２Ｘと列絶縁層５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００４３】
列絶縁層５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。そのため、列絶縁層５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。列絶縁層５２２Ｙを構成する材料とインクに対する撥液性との関係については、後述する。
【００４４】
行絶縁層１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行絶縁層１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。行絶縁層１２２Ｘを構成する材料とインクに対する親液性との関係については、後述する。
絶縁層１２２は、画素電極層１１９の外縁１１９ａ１、ａ２、ａ３、ａ４（以後、区別しない場合には「外縁１１９ａ」とする）と、対向電極層１２５との間における厚み方向（Ｚ方向）の電流リークを防止するために、絶縁層１２２は、体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上の絶縁性を備えていることが必要である。そのために、絶縁層１２２は、は後述するように所定の絶縁材料からなる構成を採る。絶縁層１２２に用いることができる黒色顔料、樹脂材料と、絶縁性との関係については、後述する。
【００４５】
また、表示パネル１０内部への外光の照り返しを抑えて表示パネル１０のコントラストを向上させたりする目的で形成されている。外光の照り返しとは、上部基板１３０の上方から表示パネル１０に進入し画素電極層１１９で反射して再び上部基板１３０から出射されることにより生じる現象である。特に、画素電極層１１９の外縁１１９ａによって、外光が反射されるとコントラスト低下をまねく。
【００４６】
絶縁層１２２は、外光の照り返しを抑制するために、基板の平面視方向の光学濃度（エリプソ社製、分光反射濃度計による光学濃度（ＯＤ値））は０．５以上１．５以下、より好ましくは０．６以上１．２以下、さらに好ましくは０．７以上１．０以下であるように構成されている。これにより、絶縁層１２２が画素電極層１１９の外縁１１９ａを覆うことにより、画素電極層１１９の外縁１１９ａへの外光の入射を抑制するとともに、画素電極層１１９の外縁１１９ａからの反射光が上方に出射されることを抑制することができる。絶縁層１２２に用いることができる黒色顔料、樹脂材料、層厚と、光学濃度との関係については、後述する。
【００４７】
表示パネル１０では、間隙δＹは画素電極層１１９の列方向長さに比べて所定値以下となっているため、図３、図４、図５に示すように。非自己発光領域１００ｂ内において画素電極層１１９間の列方向間隙δＹに相当する画素電極間領域１００ｃの列方向長さも画素電極層１１９の列方向長さに比べて所定値以下となる。また、画素電極間領域１００ｃは、自己発光領域１００ａに比べて面積比が小さく構成されている。
【００４８】
（４）発光層１２３
表示パネル１０は、列絶縁層５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列絶縁層５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
【００４９】
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。
発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行絶縁層１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行絶縁層１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００５０】
発光層１２３のうち行絶縁層１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。すなわち、非自己発光領域１００ｂとは、行絶縁層１２２Ｘを平面視方向に投影した領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行絶縁層１２２Ｘの上面及び側面上に位置する。
【００５１】
なお、図４に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行絶縁層１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【００５２】
（５）電子輸送層１２４
絶縁層１２２上及び絶縁層１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列絶縁層５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【００５３】
（６）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
【００５４】
対向電極層１２５は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。
（７）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。
【００５５】
（８）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００５６】
（９）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００５７】
（１０）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
【００５８】
４．３  各部の構成材料
図４、５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
下部基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、透光性を有する材料を用いることにより、透過型表示パネルとして利用することが可能となる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００５９】
ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
【００６０】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
【００６１】
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２μｍ〜８μｍの範囲とすることができる。
（２）画素電極層１１９
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、層厚を最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００６２】
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００６３】
ホール注入層１２０を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
（４）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
【００６４】
（５）絶縁層１２２
絶縁層１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。樹脂材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。
絶縁層１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。絶縁層１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、絶縁層１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００６５】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、絶縁層１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、絶縁層１２２の表面に撥水性を低くするために、絶縁層１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、その他金属酸化物顔料、有機顔料などを採用することができる。金属酸化物に用いる金属としては、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）などを用いることができる。
【００６６】
さらに、絶縁層１２２の構造については、一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００６７】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００６８】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（８）対向電極層１２５
対向電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
【００６９】
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７０】
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００７１】
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００７２】
５．表示パネル１０の製造方法
（１）画素電極層１１９の形成
図８（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する。
画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
【００７３】
（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成
図８（ｂ）に示すように、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成し、その縁部を覆うように絶縁層１２２を形成する。
ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
【００７４】
（３）絶縁層１２２の形成
図８（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うように絶縁層１２２を形成する。絶縁層１２２の形成では、先ず行絶縁層１２２Ｘを形成し、その後、各画素を規定する間隙５２２Ｚを形成するように列絶縁層５２２Ｙを形成し、間隙５２２Ｚ内の行絶縁層１２２Ｘと行絶縁層１２２Ｘとの間にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。
【００７５】
絶縁層１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、スピンコート法などを用い、絶縁層１２２の構成材料（例えば、黒色顔料を含む感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙを順に形成する、行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。
【００７６】
また、基板１００ｘ上の行絶縁層１２２Ｘ、又は列絶縁層５２２Ｙがストライプ状となるために、例えば、ダイコート法を用いて基板１００ｘに行絶縁層１２２Ｘ、又は列絶縁層５２２Ｙのペーストをストライプ状に塗布し焼成して絶縁層１２２を製造してもよい。パターンマスクを介した紫外線照射等の工程が不要となり製造コストを低減できる。
絶縁層１２２の上限膜厚は、１０μｍ以上では、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共にボトム線幅の制御が困難となる。また、タクト増大による生産性低下の観点から７μｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には２μｍが限界となる。したがって、絶縁層１２２の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約５．０μｍとした。
【００７７】
光学濃度（ＯＤ値）を高めるために樹脂材料に添加する黒色顔料の比率を高めた場合、絶縁層１２２の構成材料の流動性が低下してプロセス上製造することが困難となる。表示パネル１０では、絶縁層１２２の光学濃度（ＯＤ値）を１．５以下とすることにより、絶縁層１２２の構成材料の流動性をプロセス上許容可能な範囲に納めることができ、スピンコート法などを用い、絶縁層１２２の構成材料からなる膜を上述の厚みにて積層形成可能となる。仮に、黒色顔料の添加比率を高め、光学濃度（ＯＤ値）を２．０以上とした場合には、絶縁層１２２の構成材料の流動性が低下して製造は困難であった。
【００７８】
また、絶縁層１２２の表面に撥水性を低くするために、絶縁層１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
（４）発光層１２３、および電子輸送層１２４の形成
図８（ｃ）に示すように、行絶縁層１２２Ｘ、列絶縁層５２２Ｙで規定された各間隙５２２Ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３、および電子輸送層１２４を積層形成する。
【００７９】
発光層１２３の形成は、印刷法を用い、構成材料を含むインクを絶縁層１２２により規定される間隙５２２Ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。電子輸送層１２４の形成は、間隙５２２Ｚ内、及び列絶縁層５２２Ｙ上にベタ膜としてスパッタリング法などを用い形成できる。
（５）対向電極層１２５および封止層１２６の形成
図８（ｄ）に示すように、間隙５２２Ｚ内、及び列絶縁層５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【００８０】
（６）ＣＦ基板１３１の形成
次に、図９（ａ）〜（ｄ）を用いてＣＦ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備する（図９（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図９（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図９（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図９（ｄ））。この図９（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【００８１】
以上でＣＦ基板１３１が形成される。
（７）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。
【００８２】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
６．表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。図１１は、表示パネル１０を用いた表示装置１の機能を説明する図である。
【００８３】
６．１  外光の照り返しによる表示パネル面のギラツキの抑制
発明者らは、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制するために各種の検討を行った。発明者らの検討では、画素電極層１１９はスパッタリング法あるいは真空蒸着法などのプロセスにより形成されているのでその上面の表面は平滑であり、画素電極層１１９の外縁１１９ａ以外の上面での外光の照り返しは比較的目立ちにくい。これに対し、画素電極層１１９の外縁１１９ａはエッチングによりパターン形成さているので、外縁のエッジ面の表面粗さは上面に比べて大きく、また、エッジ面は垂直方向から台形状に傾斜した形状をなしている。そのため、表示パネル面内のあらゆる方向に微細にパターンニングされた画素電極層１１９の外縁に対し外光が当たると乱反射が生じ、何れかの方向に反射された光が観察者の目に入ることにより表示パネル面のギラツキとして認識され、表示画像の品質低下の要因となる。例えば、上部基板１３０の上方であって平面視における列方向から外光を当てると画素電極層１１９の外縁１１９ａ１、ａ２による反射光が列方向に強い照り返しが生じ、平面視における行方向から外光を当てると画素電極層１１９の外縁１１９ａ３、ａ４による反射光が行方向に強い照り返しが生じる。
【００８４】
有機ＥＬ表示パネルにおいて、反射画素電極層の外縁での外光の照り返しを抑制するための方法として、例えば、特開２００２−２０８４７５号公報には、基板上に形成された反射電極と、反射電極の一部が露出するように形成された黒色絶縁層と、反射電極上に形成された発光層と、発光層上に形成された対向電極とを含み、黒色絶縁層の光学濃度が２以上、より好ましくは３以上であり、かつ、その体積抵抗率が５×１０6 Ωｃｍ以上である有機電界発光装置が開示されている。また、この構成の黒色絶縁層により絶縁性と吸光性とが両立し、光のにじみや混合、反射が抑制され、視認性やコントラストの優れた装置が実現されると記載されている。
【００８５】
これに対し、発明者らの検討では、光学濃度（ＯＤ値）０．５以上１．５以下とした絶縁層１２２を画素電極層１１９の外縁上方に配置することにより、画素電極層１１９の外縁１１９ａへの外交の入射を防止するととともに、外縁１１９ａからの反射光の出射を遮断することが可能となった。具体的には、表示パネル１０では、列絶縁層５２２Ｙは、画素電極層１１９の列行向外縁１１９ａ３、ａ４と重なる位置に配することにより、上部基板１３０の上方の行方向から外光により画素電極層１１９の外縁１１９ａ３、ａ４による反射光が行方向に強い照り返しが生じることを抑制できる。また、行絶縁層１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、ａ２と重なる位置に配することにより、上部基板１３０の上方の列方向から外光により画素電極層１１９の外縁１１９ａ１、ａ２による反射光が行方向に強い照り返しが生じることを抑制できる。このように、表示パネル１０では、表示パネル１０における最も顕著である画素電極層１１９の外縁１１９ａにおける外光の照り返しを効果的に抑制することができる。
【００８６】
また、絶縁層１２２の光学濃度（ＯＤ値）を０．５以上１．５以下とし、行絶縁層１２２Ｘの光学濃度（ＯＤ値）を、列絶縁層５２２Ｙの光学濃度（ＯＤ値）よりも高く構成してもよい。係る構成により、一般的な表示パネル１０の設置状態においてより顕著に問題となる上部基板１３０上方の列方向からの外光によって画素電極層１１９の外縁１１９ａ１、ａ２による反射光が行方向に強い照り返しが生じるという問題をより効果的に抑制することができる。
【００８７】
さらに、表示パネル１０では、背面パネルの画素とＣＦ基板１３１の遮光層との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせるための高精度な位置調整が不要となる。特に、ＣＦ基板１３１に画素毎に色の異なるカラーフィルタ層１２８が設けない構成においては、背面パネルとＣＦ基板１３１との位置合わせを省略できる。また、表示パネル１０Ａが、透明ディスプレイ等、ＣＦ基板１３１を配さない構成であっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
【００８８】
６．２  撥液性
絶縁層１２２は、樹脂材料に黒色顔料を添加して構成されている。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など金属酸化物顔料、有機顔料などを採用することができる。発明者らの検討では、光学濃度（ＯＤ値）を高めるために樹脂材料に添加する黒色顔料の比率を高めた場合、有機化合物を含んだインクに対する親液性が増し、インクに対する撥液性は低下する。絶縁層１２２の光学濃度（ＯＤ値）を０．５以上１．５以下とすることにより、発光層１２３の材料となる上述の有機化合物を含んだインクに対する親液性と撥液性とを製造プロセス上許容可能な範囲に納めることが可能となった。
【００８９】
また、上述のとおり、列絶縁層５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するため、列絶縁層５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。他方、行絶縁層１２２Ｘは、発光層１２３のインクの列方向への流動を制御するために、行絶縁層１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。列絶縁層５２２Ｙにおける樹脂への黒色顔料の添加比率を行絶縁層１２２Ｘにおける樹脂への黒色顔料の添加比率よりも高めることにより、列絶縁層５２２Ｙの方が行絶縁層１２２Ｘよりもインクに対する撥液性を高めた構成としてもよい。したがって、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘの双方において、インクに対する撥液性（親液性）をプロセス上許容可能な範囲に納めるためには、行絶縁層１２２Ｘの光学濃度（ＯＤ値）は、列絶縁層５２２Ｙの光学濃度（ＯＤ値）よりも高めた構成とすることが好ましい。
【００９０】
あるいは、列絶縁層５２２Ｙの表面に撥水性をもたせるために、列絶縁層５２２Ｙの表面をフッ素処理することもできる。また、列絶縁層５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘの双方に表面にフッ素処理を施してもよく、双方にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、その際に処理の程度や含有量を異ならせてもよい。あるいは、絶縁層１２２の表面に撥水性を低くするために、絶縁層１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
【００９１】
６．３  絶縁性
上述のとおり、画素電極層１１９の外縁１１９ａと、対向電極層１２５との間における厚み方向（Ｚ方向）の電流リークを防止するために、絶縁層１２２は体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上の絶縁性を備えていることが必要である。発明者らの検討では、絶縁層１２２は、樹脂材料にカーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など金属酸化物顔料からなる黒色顔料を添加して構成において、光学濃度（ＯＤ値）を高めるために樹脂材料に添加する黒色顔料の比率を高めた場合、絶縁性が低下するが、絶縁層１２２の光学濃度（ＯＤ値）を１．５以下とすることにより、体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上の絶縁性を確保することができた。仮に、光学濃度（ＯＤ値）を２．０以上とした場合には、体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ未満となり、画素電極層１１９の外縁１１９ａによる電流リークを防止するために必要な絶縁性は確保できなかった。
６．４  透過率
表示パネル１０では、画素電極層１１９間の列方向間隙δＹに相当する画素電極間領域１００ｃは、自己発光領域１００ａに比べて面積比が１０％以上３０％以下に構成されている。そのため、表示パネル１０では、絶縁層１２２を光学濃度（ＯＤ値）０．５以上１．５以下としたことにより、透光性材料からなる基板１００ｘを用いた場合には、基板１００ｘの裏面から入射される光を画素電極間領域１００ｃ及び１００ｄを透過させて上方に出射させることができ、透過型表示パネルとして利用することができる。仮に、光学濃度（ＯＤ値）を２．０以上とした場合には、透光性材料からなる基板１００ｘを用いた場合でも、基板１００ｘの裏面から入射される光を上方に出射することができず、透過型表示パネルとして利用することはできない。
【００９２】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０を透過型表示パネルとして利用したときの有機ＥＬ表示装置１の機能を説明する模式図である。
表示パネル１０を透過型表示パネルとして利用したときには、図１２（ａ）に示すように、例えば、観測者ＯＰに対して表示装置１の裏面側に風景Ｘがあるとき、観測者ＯＰは表示装置１の裏面から入射され画素電極間領域１００ｃ及び１００ｄを透過して表示装置１上方に出射される透過光ｂ１、ｂ２、ｂ３と、表示装置１の自己発光領域１００ａから出射される光ａ１、ａ２、ａ３、ａ４とを同時に見ることができる。表示装置１を観光用の車両の窓等に利用し、表示装置１に観光情報等を表示して利用することができる。
【００９３】
また、図１２（ｂ）に示すように、所定の条件のもと表示装置１からの発光を停止してもよい。観測者ＯＰに対して表示装置１の裏面側に対象物Ｙがあるとき、観測者ＯＰは表示装置１の裏面から入射され画素電極間領域１００ｃ及び１００ｄを透過して表示装置１上方に出射される透過光ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４のみに注視することができ、表示装置１を車両の運転用窓等に利用することができる。
【００９４】
あるいは、図１２（ｃ）に示すように、表示装置１の中央部における発光を停止して、表示装置１の周辺部に情報を表示してもよい。観測者ＯＰは表示装置１の裏面から入射され画素電極間領域１００ｃ及び１００ｄを透過して表示装置１上方に出射される透過光ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４と、表示装置１の周辺部に位置する自己発光領域１００ａから出射される光ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４とを選択的に視認することができ、表示装置１を車両の運転用窓等に利用し、表示装置１に運行情報等を表示して利用することができる。
【００９５】
５．小  括
以上説明したように、実施の形態１に係る表示パネル１０は、複数のサブ画素１００ｓｅが行列状に配された表示パネル１０において、基板１００ｘと、基板１００ｘ上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と１１９、少なくとも画素電極層１１９の行及び列方向の外縁１１９ａ上方と、当該外縁間に位置する基板上の画素電極間領域１００ｃ、ｄ上方とに配されてなる絶縁層１２２と、複数の画素電極層１１９のそれぞれの上方に配された有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４と、複数の有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４上方に配された透光性の対向電極層１２５とを備え、有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４は、絶縁層１２２が存在しない画素電極層１１９上方の領域において有機電界発光を生ずる発光層１２３を含み、絶縁層１２２の基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下である構成を採る。
【００９６】
係る構成により、画素電極層１１９の外縁１１９ａでの外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
また、表示パネル１０は、絶縁層１２２は、少なくとも画素電極層１１９の行方向の外縁１１９ａ３、ａ４上方と、行方向外縁１１９ａ３、ａ４間に位置する基板１００ｘ上方とに配されてなる複数の列絶縁層５２２Ｙと、少なくとも画素電極層１１９の列方向の外縁１１９ａ１、ａ２上方と、列方向外縁１１９ａ１、ａ２間に位置する基板１００ｘ上方とに配されてなる複数の行絶縁層１２２Ｘとを含み、発光層１２３は、隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙５２２ｚそれぞれに配されている構成としてもよい。
【００９７】
係る構成により、いわゆるラインバンク状の絶縁層形状を採用した構成の表示パネルにおいて、画素電極層１１９の外縁１１９ａでの外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
≪実施の形態２≫
実施の形態１に係る表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるラインバンク状の絶縁層形状を採用した。具体的には、各列絶縁層５２２Ｙは、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁の上方に形成され、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が行方向に延伸する絶縁層１２２Ｘが複数列方向に並設され、列絶縁層５２２Ｙと行絶縁層１２２Ｘとは直交して格子状の絶縁層１２２を構成する構成とした。
【００９８】
しかしながら、絶縁層１２２は、画素電極層１１９の行及び列方向の外縁上方に形成されていればよく、絶縁層１２２の形状は適宜変更しもよい。
実施の形態２に係る表示パネル１０Ａでは、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行列状に配され、それらを覆うように絶縁層１２２が積層され、画素電極層１１９の外縁内方に開口１２２ＡＺが形成されて自己発光領域１００ａを形成する、いわゆるピクセルバンク状の絶縁層形状を採る点で実施の形態１と相違する。
【００９９】
以下、表示パネル１０Ａについて説明する。
１．表示パネル１０Ａの構成
表示パネル１０Ａでは、絶縁層１２２Ａの構成、及びホール輸送層１２１Ａと行絶縁層１２２ＡＸとの積層順が実施の形態１の構成と相違するため、表示パネル１０Ａに係るこれらの構成について説明する。上記以外の構成については、表示パネル１０と同じであり、同一の番号を付して説明は省略する。
【０１００】
図１３は、表示パネル１０Ａの一部を示す模式平面図である。図１４（ａ）は、図１１におけるＸ１部の拡大平面図であり、（ｂ）は、絶縁層１２２の上方から視したＸ１部の拡大平面図である。図１５は、有機ＥＬ表示素子１００Ａのサブ画素１００Ａｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。図１６は、図１２（ｂ）におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図１７は、図１２（ｂ）におけるＢ１−Ｂ１で切断した模式断面図である。
【０１０１】
先ず、表示パネル１０Ａにおける、絶縁層１２２Ａの形状について説明する。
図１３に示すように、表示パネル１０Ａには、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行列状に配され、それらを覆うように絶縁層１２２が積層されている。絶縁層１２２の材質、厚みは表示パネル１０と同じである。
行列状に配されている画素電極層１１９の上方には、それぞれの画素電極層１１９の上方、画素電極層１１９の行及び列方向の外縁の直近内方に矩形形状の開口１２２Ａｚが開設された絶縁層１２２が積層されている。
【０１０２】
開口１２２ｚの行列方向の外縁間の矩形領域が有機化合物により光を発する領域である自己発光領域１００Ａａとなる。ここで、絶縁層１２２における自己発光領域１００Ａａの間隙のうち、列方向に並設した自己発光領域１００Ａａ間の行方向間隙を列絶縁層１２２ＡＹ、行方向に並設した自己発光領域１００Ａａ間の行方向間隙を行絶縁層１２２ＡＸとする。そうすると、自己発光領域１００Ａａの列方向における外縁は行絶縁層１２２ＡＸの列方向外縁により規定され、自己発光領域１００Ａａの行方向における外縁は列絶縁層１２２ＡＹの列行方向外縁により規定される。
【０１０３】
列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が行方向（図１３、図１４（ａ）（ｂ）のＸ方向）に延伸する行絶縁層１２２ＡＸが複数列方向に並設されている。行絶縁層１２２ＡＸが形成される領域が非自己発光領域１００Ａｂとなる。図１３、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、表示パネル１０Ａでは、複数の発光領域１００Ａａと非自己発光領域１００Ａｂとが、列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００Ａｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【０１０４】
表示パネル１０Ａでは、さらに、絶縁層１２２Ａの上にライン状のバンクを採用しており、列絶縁層１２２ＡＹ上であって、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が列方向（図１３、図１４（ａ）（ｂ）のＹ方向）に延伸する列バンク５２２ＡＹが複数行方向に並設されている。
隣り合う列バンク５２２ＡＹ間を間隙５２２Ａｚと定義したとき、表示パネル１０は、列バンク５２２ＡＹと間隙５２２Ａｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【０１０５】
表示パネル１０は、赤色に発光する１００ＡａＲ、緑色に発光する１００ＡａＧ、青色に発光する１００ＡａＢ（以後、１００ＡａＲ、１００ＡａＧ、１００ＡａＢを区別しない場合は、「１００Ａａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００Ａａを有する。これに対応して、間隙５２２Ａｚには、自己発光領域１００ＡａＲに対応する赤色間隙５２２ＡｚＲ、自己発光領域１００ＡａＧに対応する緑色間隙５２２ＡｚＧ、自己発光領域１００ＡａＢに対応する青色間隙５２２ＡｚＢ（以後、間隙５２２ＡｚＲ、間隙５２２ＡｚＧ、間隙５２２ＡｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２Ａｚ」とする）が存在する。そして、行方向に並んだ３つのサブ画素１００Ａｓｅのそれぞれに対応する自己発光領域１００ＡａＲ、１００ＡａＧ、１００ＡａＢが１組となりカラー表示における１つの単位画素１００Ａｅを構成している。
【０１０６】
上述のとおり、表示パネル１０Ａでは、間隙δＹは画素電極層１１９の列方向長さに比べて２０％以下となっているため、図１３、図１４（ａ）（ｂ）、図１５に示すように。絶縁層１２２ＡＸが形成される非自己発光領域１００Ａｂ、非自己発光領域１００Ａｂ内において画素電極層１１９間の列方向間隙δＹに相当する画素電極間領域１００Ａｃの列方向長さも画素電極層１１９の列方向長さに比べて２０％以下となっている。
【０１０７】
したがって、表示パネル１０Ａでは、画素電極間領域１００Ａｃは、自己発光領域１００Ａａに比べて面積比が３０％以下に構成されている。
次に、表示パネル１０Ａにおける、ホール輸送層１２１Ａと行絶縁層１２２ＡＸとの積層順について説明する。
表示パネル１０Ａでは、行絶縁層１２２ＡＸ、及び開口１２２ｚ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１Ａが積層され、ホール輸送層１２１Ａは開口１２２ｚの底においてはホール注入層１２０に接触している。ホール輸送層１２１Ａの形成は、ホール注入層１２０、行絶縁層１２２ＡＸ上に対して、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。あるいは、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を堆積して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。さらに、発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２ＡＹにより規定される間隙５２２Ａｚ内のホール輸送層１２１Ａ上に塗布した後、焼成することによりなされる。
【０１０８】
２．小  括
以上説明したように、実施の形態１に係る表示パネル１０Ａは、複数のサブ画素１００ｓｅが行列状に配された表示パネル１０Ａにおいて、基板１００ｘと、基板１００ｘ上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極層と１１９、少なくとも画素電極層１１９の行及び列方向の外縁１１９ａ上方と、当該外縁間に位置する基板上の画素電極間領域１００ｃ、ｄ上方とに配されてなる絶縁層１２２Ｘ、１２２Ｙと、複数の画素電極層１１９のそれぞれの上方に配された有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４と、複数の有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４上方に配された透光性の対向電極層１２５とを備え、有機機能層１２０、１２１、１２３、１２４は、絶縁層１２２が存在しない画素電極層１１９上方の領域において有機電界発光を生ずる発光層１２３を含み、絶縁層１２２の基板の平面視方向の光学濃度は０．５以上１．５以下である構成を採る。さらに、表示パネル１０Ａは、絶縁層１２２上方であって、少なくとも画素電極層１１９の行方向の外縁１１９ａ３、ａ４上方と、行方向外縁１１９ａ３、ａ４間に位置する前記基板１００ｘ上方とに配されてなる複数の列バンク５２２ＡＹをさらに備えた構成としてもよい。
【０１０９】
係る構成により、いわゆるピクセルバンク状の絶縁層形状を採用した構成の表示パネルにおいて、画素電極層１１９の外縁１１９ａでの外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
また、表示パネル１０Ａにおいて、前記絶縁層は前記列バンクよりも光学濃度が高い構成としてもよい。発光層１２３のインクに対する撥液性を増すために、列バンク５２２ＡＹにおける黒色顔料の添加比率を低めた場合でも、列バンク５２２ＡＹに敷設された列絶縁層１２２ＡＹにおいて黒色顔料の添加比率を高め所定の光学濃度を確保することにより、外縁画素電極層１１９の外縁１１９ａでの外光の照り返しによる表示のコントラストが低下を抑制することができる。
【０１１０】
また、表示パネル１０Ａにおいて、前記列バンクは前記絶縁層よりも有機溶媒に対する撥液性が高い構成としてもよい。あるいは、列バンク５２２ＡＹでは、黒色顔料を含めない構成としてもよい。係る構成により、列バンク５２２ＡＹと列バンク５２２ＡＹに敷設された列絶縁層１２２ＡＹとを異なる材料で構成することができ、それぞれの層において独立して黒色顔料の添加比率を設定することができ発光層１２３のインクに対する撥液性を適切に制御しやすくなる。具体的には、基板１００ｘ上面に形成される列絶縁層１２２ＡＹと行絶縁層１２２ＡＸとを同じ材料で形成しても、列バンク５２２ＡＹは黒色顔料の添加比率を低く設定して発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するとともに、行絶縁層１２２ＡＸでは黒色顔料の添加比率を高めて発光層１２３のインクの列方向への流動を制御する構成とすること容易にできる。
【０１１１】
≪実施の形態３≫
実施の形態１に係る表示パネル１０では、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ間隙δＸ及びδＹ離れた状態で行列状に配され、それらを覆うように絶縁層１２２が積層されており、行絶縁層１２２Ｘに覆われた画素電極層１１９間の列方向の長さが間隙δＹに相当する画素電極間領域１００ｃは、自己発光領域１００ａに比べて面積比が３０％以下である構成とした。
【０１１２】
しかしながら、絶縁層１２２は、画素電極層１１９の行及び列方向の外縁の上方に形成されていればよく、間隙δＹの長さは適宜変更しもよい。
実施の形態２に係る表示パネル１０Ｂでは、行絶縁層１２２Ｘに覆われた画素電極層１１９間の列方向の長さが間隙δＹが画素電極層１１９の列方向長さと略等しく、画素電極間領域１００ｃは自己発光領域１００ａに比べて面積比が１０％以上１２０％以下である点で実施の形態１と相違する。
【０１１３】
以下、表示パネル１０Ｂについて説明する。
１  表示パネル１０Ｂの構成
表示パネル１０Ｂでは、基板１００ｘの材質、画素電極層１１９Ｂの配置と絶縁層１２２Ｃを平面視したときの形状が実施の形態１の構成と相違するため、表示パネル１０Ｂに係るこれらの構成について説明する。上記以外の構成については、表示パネル１０と同じであり、同一の番号を付して説明は省略する。図１８は、表示パネル１０Ｂの一部を示す模式平面図である。図１９は、図１８におけるＸ２部の拡大平面図である。図２０は、有機ＥＬ表示素子１００Ｂのサブ画素１００ｓｅに相当する絶縁層１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【０１１４】
先ず、基板１００Ｂｘは、パネル１０の支持部材であり、可撓性と透光性とを有する材料からなるフィルムである。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂材料を用いることができる。
次に、画素電極層１１９Ｂの配置について説明する。画素電極層１１９は、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２Ｂｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。表示パネル１０と異なる点は、図１８、１９に示すように、表示パネル１０Ｂでは、列方向に隣接する画素電極層１１９間の間隔δＹが表示パネル１０に比べて長く、画素電極層１１９の列方向長さと略等しい点である。そのため、列方向の長さが間隙δＹに相当する画素電極間領域１００ｃは自己発光領域１００ａに比べて面積比が１０％以上１２０％以下となっている。
【０１１５】
表示パネル１０Ｂでは、絶縁層１２２Ｂの形状は、表示パネル１０と同様、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９Ｂの行方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が列方向（図１８、１９のＹ方向）に延伸する列絶縁層５２２ＢＹが複数行方向に並設されている。間隙δＹ離間して列方向に隣接する２つの画素電極層１１９Ｂの列方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が行方向（図１８、１９のＸ方向）に延伸する絶縁層１２２ＢＸが複数列方向に並設されている。上述のとおり、表示パネル１０Ｂでは、間隙δＹは画素電極層１１９の列方向長さと略等しい構成となっているため、図１８、１９、２０に示すように。絶縁層１２２ＢＸが形成される非自己発光領域１００ｂ、非自己発光領域１００ｂ内において画素電極層１１９間の列方向間隙δＹに相当する画素電極間領域１００ｃの列方向長さも画素電極層１１９の列方向長さと略等しい構成となる。
【０１１６】
したがって、表示パネル１０Ｂでは、画素電極間領域１００Ｂｃは、自己発光領域１００Ｂａに比べて面積比が１０％以上１２０％以下、より好ましくは３０％以上１００％以下に構成されている。本実施の形態では、９０〜１００％とした。
２．表示装置１Ｂの製造方法
表示パネル１０Ｂを用いた表示装置１Ｂの製造方法について図２１を用いて説明する。図２１（ａ）〜（ｆ）は、表示装置１Ｂの製造工程を示す側断面図である。
【０１１７】
先ず、曲面形状をした被装着基板９０を準備し（図２１（ａ））、被装着基板９０の内表面に窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を蒸着することにより封止層９１を形成する（図２１（ｂ））。窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）に加えて、又は、それらに替えて、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【０１１８】
次に、樹脂接着剤等からなる接合層１２７Ｂを表示パネル１０Ｂの表示面側に貼り付け（図２１（ｃ））、真空成形法等により封止層９１が形成された被装着基板９０の内表面に表示パネル１０Ｂを接合層９３を介して接着し、接合層９３を有機ＥＬ素子に影響を与えない温度、例えば１００℃以下において硬化させる（図２１（ｄ））。
次に、表示パネル１０裏面側から窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを蒸着することにより封止層９２を形成して表示パネル１０を被覆する（図２１（ｅ））。封止層９１、９２の形成は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）層の形成に加えて、又は、それらに替えて、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【０１１９】
以上の工程により、表示装置１Ｂを完成する（図２１（ｆ））。
３．表示装置１Ｂの利用例
表示装置１Ｂの利用例について図２２を用いて説明する。図２２は、有機ＥＬ表示装置１Ｂの利用例を示す模式図である。
図２２に示すように、被装着基板９０として自動車のサイドウインドウ９０Ｃ、フロントウインドウ９０Ｄを利用した例である。曲面であるウインドウ９０Ｃ及び９０Ｄの内面にそれぞれ表示パネル１０Ｂが装置されて表示装置１Ｂが構成されている。運転者は、運転席から表示装置１に表示される画像や情報を視認するとともに、ウインドウ９０Ｃ及び９０Ｄを通して同時に路上の状況を視認して運転することができる。
【０１２０】
３．小  括
以上説明したように、実施の形態３に係る表示パネル１０Ｂは、基板の平面視において、赤、緑、青の何れかに発光する１サブ画素１００Ｂｓｅのおける画素電極間領域１００Ｂｃの面積は、絶縁層１２２Ｂが存在しない画素電極層１１９Ｂ上の自己発光領域１００Ｂａの面積に対し１０％以上１２０％以下である構成を採る。係る構成により、観測者ＯＰは表示装置１Ｂの裏面から入射され画素電極間領域１００ｃ及び１００ｄを透過して表示装置１上方に出射される透過光と、表示装置１の周辺部に位置する自己発光領域１００ａから出射される光とを選択的又は同時に視認することができる。
【０１２１】
また、基板１００ｘは可撓性を有する構成としたことにより、表示装置１を曲面である車両の運転用窓等に貼り付けて利用することができ、表示装置１に運行情報等を表示して利用することができる。
また、表示パネル１０Ｂにおいて、上記何れかの構成において、前記対向電極層上方に透光性材料からなる上部基板を備え、前記上部基板における前記画素電極層の行及び列方向の外縁上方に位置する部分に遮光層は配されていない構成としてもよい。係る構成により、表示パネル１０では、背面パネルの画素とＣＦ基板１３１の遮光層との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせるための高精度な位置調整が不要となる。特に、ＣＦ基板１３１に画素毎に色の異なるカラーフィルタ層１２８が設けない構成においては、背面パネルとＣＦ基板１３１との位置合わせを省略できる。また、表示パネル１０Ａが、透明ディスプレイ等、ＣＦ基板１３１を配さない構成であっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
【０１２２】
≪変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
（１）表示パネル１０では、各色サブ画素１００ｓeである間隙５２２ｚの上方に、透光性材料からなる上部基板１３０を備え、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、透光性材料からなる上部基板１３０を設けずに、間隙５２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。
（２）表示パネル１０では、発光層１２３は、行絶縁層上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行絶縁層上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
（３）表示パネル１０では、行方向に隣接する列絶縁層５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行絶縁層１２２Ｘ間の間隙に配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、外光の照り返し抑制と発光効率を向上とを実現することができる。
【０１２３】
（４）表示パネル１０では、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルの上に、ＣＦ基板１３１を接合層１２７を介して設置・接合される構成とした。さらに、背面パネルの上とＣＦ基板１３１との間に、フォトスペーサを介在させる構成としてもよい。
フォトスペーサ（不図示）は、主としてＣＦ基板１３１と背面パネルとの対向間隔を調整する目的で使用される。例えば、Ｚ方向を軸方向とする円筒形に形成され、Ｚ方向両端部がそれぞれの基板側に当接するように配置される構成としてもよい。なお、フォトスペーサの形状は円筒形に限定されず、直方体や球体等であってもよいし、長尺状に形成してもよい。フォトスペーサの材料としては公知のものが使用でき、透明性の高い樹脂材料、例えばメタクリル酸エステル類を例示することができる。
【０１２４】
（５）その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１２５】
また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１２６】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１２７】
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つのサブ画素１００ｓeに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
【０１２８】
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１２９】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１３０】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  サブ画素
１００ａ、１００Ａａ、１００Ｂａ  自己発光領域
１００ｂ、１００Ａｂ、１００Ｂｂ  非自己発光領域
１００ｃ、１００Ａｃ、１００Ｂｃ  画素電極間領域
１００ｄ、１００Ａｄ、１００Ｂｄ  画素電極間領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１９  画素電極層
１１９ａ１、ａ２、ａ３、ａ４  外縁
１１９ｂ  コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ  接続凹部
１２０  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  絶縁層
１２２Ｘ、１２２ＡＸ、１２２ＢＸ  行絶縁層
５２２Ｙ、１２２ＡＹ、５２２ＢＹ    列絶縁層
１２２Ａｚ  開口
５２２ＡＹ  列バンク
５２２ｚ、５２２Ａｚ、５２２Ｂｚ  間隙
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  対向電極層
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  ＣＦ基板
ＥＬ．ＥＬ素子部
Ｔｒ1．駆動トランジスタ
Ｔｒ2．スイッチングトランジスタ
Ｃ．容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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