(57)【要約】【課題】スタンピング方式に好適な接着用ペースト、および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）沸点が２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下である溶剤と、を必須成分として含有する接着用ペースト及び基板上における半導体素子の実装予定箇所に、スタンピング法により上記接着用ペーストを塗布し、塗布した接着用ペースト上に、半導体素子を接着、固定する半導体装置の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子と、
（Ｂ）エポキシ樹脂と、
（Ｃ）硬化剤と、
（Ｄ）沸点が２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下である溶剤と、
を必須成分として含有することを特徴とする接着用ペースト。
【請求項２】
前記（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子は、
アスペクト比が１．０〜１．２、
比表面積が０．３〜５．０ｍ２／ｇ、
５０％粒径（Ｄ５０）が１〜１０μｍ、
１０％粒径（Ｄ１０）と５０％粒径（Ｄ５０）の比［Ｄ５０／Ｄ１０］が１．５〜５．０、および
最大粒径が４０μｍ以下、
であることを特徴とする請求項１記載の接着用ペースト。
【請求項３】
２５℃での粘度が５０〜２００Ｐａ・ｓ、かつ、２５℃での０．５ｒｐｍにおける粘度η０．５と５．０ｒｐｍにおける粘度η５．０の比［η０．５／η５．０］が４．０〜８．０であることを特徴とする請求項１または２記載の接着用ペースト。
【請求項４】
基板上における半導体素子の実装予定箇所に、スタンピング法により請求項１〜３のいずれか１項記載の接着用ペーストを塗布し、
塗布された前記接着用ペースト上に、前記半導体素子を接着、固定する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は接着用ペーストおよび半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体素子をリードフレームや基板等のワークに装着、固定するのに好適な接着用ペースト、およびその接着用ペーストを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程では、マウンティング工程、ダイシング工程を経た後、ダイボンディング工程が実施され、半導体のチップをリードフレームや基板等のワークに接着している。このダイボンディング工程は、半導体チップをワークに接着する前に、まず接着用ペーストをワークに塗布している。
【０００３】
接着用ペーストをワークに塗布する方法には、ディスペンス方式とスタンピング方式が知られている。従来、塗布方法としてはディスペンス方式が主流であったが、実装する半導体素子が小さくなるにつれ、微小面積への塗布に最適なスタンピング方式の採用が増加してきている。
【０００４】
一般に、スタンピング方式は、接着用ペーストを貯留したトレーから、接着用ペーストをスタンピングピンの尖端に付着させ、その後、スタンピングピンを上昇させ、待機位置で一定時間待機させた後、スタンピングピンを基板等のワークの所定の位置へ旋回移動、下降させて接着用ペーストを塗布するように動作させている。
【０００５】
しかしながら、ダイボンディング装置におけるスタンピング方式は、スタンピングピンの先端をトレー内の接着用ペーストに付着させ、その後に上昇させる際に、スタンピングピンの先端から接着用ペーストの糸引きが生じ易くなるため、以下に示すようにディスペンス方式とは異なった問題点を有していた。
【０００６】
問題点１：スタンピングピンがトレーに接触した後に、スタンピングピンを上昇させ、接着用ペーストの糸引きが自然に切れるまでの間、待機位置で待機させていた。この待機時間により、ダイボンダー装置の搬送タクトタイムが伸び、生産効率が低下する。
【０００７】
問題点２：接着用ペーストが付着したスタンピングピンを待機位置で待機させても、タクトタイムの関係から、十分にスタンピングピンの先端において必要な接着用ペースト量に減少しないうちにワーク側へ移動させることとなる。そのため、糸引きがワーク側にまで流れてしまい（引っ張られてしまい）、接着用ペーストがワークの所望外の領域に付着してショートが発生する場合がある。
【０００８】
問題点３：スタンピングピンがトレーに接触した後に待機によって糸が切れる場合でも、スタンピングピンに付着する接着用ペーストが糸引き分だけ過多となるため、ワークに塗布した後にも糸引きが生じ、接着用ペーストがワークの所望外の領域に付着してショートが発生する場合がある。
【０００９】
問題点４：ワークに接着用ペーストを転写（塗布）した後、スタンピングピンを上昇させる際に、ワークに転写しきれなかった接着用ペーストがスタンピングピンに這い上がってしまい、転写量が少なくなってしまう。
【００１０】
一方、比重の小さな球状の銀被覆シリカコア粒子を含み、糸引き性や液ダレが少なく導電性、接着性、作業性に優れている導電性樹脂組成物が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
しかしながら、この樹脂組成物はチキソが低く、ディスペンス方式には問題なく用いられても、スタンピングピン方式に用いる場合にはスタンピングピンに這い上がってしまい、転写量の過少や塗布バラツキが大きくなるおそれがあった。
【００１２】
そこで、チキソ剤の添加が検討されているが、チキソ剤の添加によって樹脂組成物の粘度が高くなり、糸引きや角立ちが発生しやすくなることから、転写不良やスタンピング時の塗布径のバラツキが大きくなるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１５−２６５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記問題点により、半導体素子をスタンピング方式により接着する場合、接着用ペーストのスタンピング時における転写量の過不足や糸引きなどが発生し、半導体素子の接着力低下や半導体素子のジャンクションに接着用ペーストが付着してショートしてしまうおそれがあった。
【００１５】
また、接着用ペーストの低比重化のために用いられている球状の銀被覆シリカを含む接着用ペーストはチキソが低いため、スタンピング用途に使用するとスタンピングピンに這い上がってしまい、転写量の過少やバラツキが大きくなるおそれがあった。そこで、チキソ剤の添加によってチキソの増加を図ると、粘度が高くなってしまい、糸引きや角立ちが発生するおそれがあった。
【００１６】
また、希釈剤の添加により、接着用ペーストの粘度を低下させることは可能であるが、この場合、スタンピング方式ではボイド発生のおそれがあった。
【００１７】
そこで、本発明は、上記したような課題を解決し、スタンピング方式に好適な接着用ペースト、および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、接着用ペーストに特定の高沸点・低粘度溶剤を含有させることで、球状の銀被覆シリカ粒子を含んでいても、スタンピング時における転写量の過不足や糸引きを抑制できることを見出し、本発明を完成した。
【００１９】
すなわち、本発明の接着用ペーストは、（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）沸点が２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下である溶剤と、を必須成分として含有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上における半導体素子の実装予定箇所に、スタンピング法により上記接着用ペーストを塗布し、塗布した前記接着用ペースト上に、前記半導体素子を接着、固定する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の接着用ペースト及び半導体装置の製造方法によれば、スタンピング時における転写量の過不足や糸引きなどの発生がなく、半導体素子の接着力低下や半導体素子のジャンクションに接着用ペーストが付着することなく、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の一実施形態である接着用ペーストは、上記のように（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）沸点が２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下である溶剤と、を必須成分として構成される。以下、各成分について詳細に説明する。
【００２３】
本実施形態で用いる（Ａ）球状の銀被覆シリカ粒子は、シリカ粒子の表面が銀で被覆された、接着用ペーストに用いられる粒子であり、その硬化物に導電性を付与するものである。この（Ａ）銀被覆シリカ粒子は、アスペクト比が１．０〜１．２、比表面積が０．３〜５．０ｍ２／ｇ、５０％粒径（Ｄ５０）が１〜１０μｍ、１０％粒径（Ｄ１０）と５０％粒径（Ｄ５０）の比［Ｄ５０／Ｄ１０］が１．５〜５．０、および最大粒径が４０μｍ以下、であることが好ましい。
【００２４】
本実施形態において、アスペクト比は（粒子の最大長径／最大長径に直交する幅）を測定した値である。アスペクト比が上記範囲にあると、（Ａ）銀被覆シリカ粒子の配合量を多くした場合においても、粘度が高くなりにくく、作業性に悪影響を与えない。さらに、半導体素子と基板を接合した場合の体積抵抗値が小さくなるため好ましい。
【００２５】
なお、アスペクト比が１．２より大きくなると、（Ａ）銀被覆シリカ粒子の配合量を多くした場合に、粘度が高くなり易く、作業性が不十分となるおそれがある。
【００２６】
（Ａ）銀被覆シリカ粒子の比表面積は、０．３〜５．０ｍ２／ｇであることが好ましい。ここで、本明細書における比表面積はガス吸着法によって測定した値である。比表面積が上記範囲にあると、作業性、沈降性、体積抵抗に優れる接着用ペーストとなる。比表面積が０．３ｍ２／ｇより小さいと、チキソ性が低下し液ダレや糸引きが発生し、満足な作業性が得られないおそれがある。比表面積が５．０ｍ２／ｇより大きいと、粘度が高くなり、作業性が不十分となるおそれがある。
【００２７】
また、比表面積が５．０ｍ２／ｇより大きいと、銀被覆量が多くなり、銀被覆シリカ粒子の比重が大きくなるために、粒子が沈降し易くなる。さらに、銀被覆層の厚さが薄くなると体積抵抗が高くなるおそれがある。
【００２８】
本実施形態において、（Ａ）銀被覆シリカ粒子の粒子径は、その５０％粒径（Ｄ５０）が１〜１０μｍであることが好ましい。Ｄ５０がこの範囲にあると、作業性に優れる接着用ペーストとなる。Ｄ５０が１μｍより小さいと、接着用ペーストの粘度が高くなるために、作業性が低下してしまい、Ｄ５０が１０μｍより大きいと、半導体素子と基板を接合した場合の傾きの原因となる大粒子が含まれる可能性があり、好ましくない。ここで、５０％粒径（Ｄ５０）は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により得られた体積基準の粒度分布における５０％積算値である。また、次の説明する１０％粒径（Ｄ１０）は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により得られた体積基準の粒度分布における１０％積算値である。
【００２９】
また、１０％粒径（Ｄ１０）と５０％粒径（Ｄ５０）の比［Ｄ５０／Ｄ１０］の値が１．０〜５．０であることが好ましい。この比［Ｄ５０／Ｄ１０］の値が上記の範囲内にあると、導電性、接着性に優れる。この比［Ｄ５０／Ｄ１０］が５．０より大きいと、１．０μｍ以下の微細粉が増加し、銀被覆面積が大きくなる。このとき、同じ銀量をシリカ粒子に被覆した場合、粒子全体の銀被覆層の厚さが薄くなるため、十分な導電性が得られなくなるおそれがある。また、微細粉が増加すると、粒子に対するエポキシ樹脂付着量が増加し、接着用ペーストと基板界面及び、接着用ペーストと半導体素子界面のエポキシ樹脂量が低下するため、接着性が十分に得られなくなるおそれがある。
【００３０】
また、（Ａ）銀被覆シリカ粒子の最大粒径が４０μｍ以下であると、半導体素子と基板を接合した場合の傾きが発生しないため好ましい。
【００３１】
さらに、（Ａ）銀被覆シリカ粒子の比重は、２．４〜３．６であることが好ましい。比重がこの範囲にあると、導電性、耐沈降性に優れる接着用ペーストとなる。比重が２．４より小さいと、銀被覆量が少なく、銀被覆層が薄くなるため、体積抵抗が上がり、導電性が低下する。比重が３．６より大きいと、銀被覆シリカ粒子が沈降し易くなる。比重は２．４〜３．６が好ましく、より好ましくは２．７〜３．３である。
【００３２】
本実施形態において（Ａ）銀被覆シリカ粒子に用いられるコアとなるシリカ粒子は、例えば溶融炉で溶融したシリカを上部より落下させ、冷却工程で球状化させることで製造される。シリカ表面は表面処理をされたものであってもよい。
【００３３】
このようなシリカ粒子の表面を銀で被覆して（Ａ）銀被覆シリカ粒子とする。シリカ粒子の表面を銀で被覆処理する方法としては、蒸着法、スパッタ法、電気メッキ法、置換メッキ法、無電解メッキ法などがあり、これらを組合せて処理することもできる。また、処理する際に、例えばパラジウムにより活性化し、ニッケルメッキした後に、銀メッキを行うことにより、シリカ粒子表面を被覆処理することもできる。特に、無電解メッキ法による被覆処理が、シリカ粒子表面を均一に、濃密に被覆できる点で好ましい。
【００３４】
この（Ａ）銀被覆シリカ粒子の配合量は、接着用ペーストの合計を１００質量％としたとき、５９〜８０質量％であることが好ましい。この範囲にあると、導電性、接着性、作業性に優れた接着用ペーストとなる。５９質量％より少ないと、導電性が悪化し、８０質量％を超えると、作業性が低下し、接着性も低下する。より好ましくは６０〜８０質量％である。
【００３５】
本実施形態において、（Ｂ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のグリシジル基を有するもので、接着用ペーストに用いられるエポキシ樹脂であれば特に限定されずに使用することができる。
【００３６】
この（Ｂ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、エーテル又はポリエーテル型エポキシ樹脂、エステル又はポリエステルエポキシ樹脂、ウレタン型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、水添型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジル変性ポリブタジエン樹脂、グリシジル変性トリアジン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、可とう性エポキシ樹脂、メタクリル変性エポキシ樹脂、アクリル変性エポキシ樹脂、特殊変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、側鎖水酸基アルキル変性エポキシ樹脂、長鎖アルキル変性エポキシ樹脂、イミド変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００３７】
この（Ｂ）エポキシ樹脂は常温で液状であることがより好ましい。液状のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、４，４’−イソプロピリデンジシクロヘキサノールジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、可とう性エポキシ樹脂がより好ましい。
【００３８】
可とう性エポキシ樹脂としては、例えば、柔軟基変性エポキシ樹脂  ＹＬ７１７５−５００（三菱化学製、商品名）、ＹＬ７１７５−１０００（三菱化学製、商品名）、ＹＬ７４１０（三菱化学製、商品名）や、ビスフェノールＡ型変成エポキシ樹脂ＥＰ−４００３Ｓ（ＡＤＥＫＡ製、商品名）、ＥＰ−４０００Ｓ（ＡＤＥＫＡ製、商品名）、ＴＳＲ−９６０（ＤＩＣ製、商品名）、ＴＳＲ−６０１（ＤＩＣ製、商品名），１６５０−７５ＭＰＸ（ＤＩＣ製、商品名）、ＥＸＡ−４８５０−１５０（ＤＩＣ製、商品名），ＥＸＡ−４８５０−１０００（ＤＩＣ製、商品名）、ＥＸＡ−４８１６（ＤＩＣ製、商品名）、ＥＸＡ−４８２２（ＤＩＣ製、商品名）、ＢＰＯ−２０Ｅ（新日本理化製、商品名）、ＢＥＯ−６０Ｅ（新日本理化製、商品名）などが挙げられ、なかでも、ＹＬ７１７５−５００、ＥＸＡ−４８５０−１５０が低粘度であり、より好ましい。固形樹脂においても液状樹脂、もしくは粘度調整用の溶剤に溶解するものであれば、作業性に支障が出ない限り使用することができる。
【００３９】
この（Ｂ）エポキシ樹脂の配合量は、接着用ペーストの合計を１００質量％としたとき、０．５〜３５質量％であることが好ましい。この範囲とすることで導電性、接着性、作業性に優れた接着用ペーストになる。（Ｂ）エポキシ樹脂の配合量は、３５質量％より多いと導電性不良となるおそれがあり、０．５質量％より少ないと接着性不良となるおそれがある。
【００４０】
本実施形態において（Ｃ）硬化剤は、エポキシ樹脂用の硬化剤であれば、特に限定されずに使用できる。例えば、ジシアンジアミド、フェノール樹脂、アミン化合物、潜在性アミン化合物、カチオン化合物、酸無水物、特殊エポキシ硬化剤などが挙げられる。硬化性、接着性の観点から、ジシアンジアミドとフェノール樹脂がより好ましい。
【００４１】
（Ｃ）硬化剤の配合量は、（Ｂ）エポキシ樹脂  １００質量部に対して、ジシアンジアミドでは０．１〜１０質量部の範囲が好ましく、また、フェノール樹脂では（Ｂ）エポキシ樹脂  １００質量部に対して、５〜１００質量部が好ましい。
【００４２】
本実施形態において（Ｄ）溶剤は、沸点が２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下の溶剤である。この（Ｄ）溶剤は、接着用ペーストの粘度およびチキソ性を調整するものである。この（Ｄ）溶剤が、上記範囲の特性を有していると、低粘度、かつ、高チキソな接着用ペーストが得られる。
【００４３】
（Ｄ）溶剤の沸点が２００℃未満では、タックフリータイムが短くなる傾向にあり、４００℃を超えると硬化中に揮発させるのが困難となり、ボイドや溶剤の残留により接着低下の原因となる。また、（Ｄ）溶剤の２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以上では、チキソ性が低くなり作業性悪化の懸念がある。この粘度は、より好ましくは１〜１０ｍＰａ・ｓである。
【００４４】
（Ｄ）溶剤の具体例としては、ベンジルアルコール（２１３℃、１．４ｍＰａ・ｓ）、エチルカルビトールアセテート（２１７℃、２．５ｍＰａ・ｓ）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（２０２℃、３．８５ｍＰａ・ｓ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０℃、６．６７ｍＰａ・ｓ）、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル（２１２℃、１．６７ｍＰａ・ｓ）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（２４９℃、８．３７ｍＰａ・ｓ）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（２５８℃、８．６ｍＰａ・ｓ）、トリプロピレングリコールジメチルエーテル（２１５℃、２．３７ｍＰａ・ｓ）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（２１６℃、２．２７ｍＰａ・ｓ）、ジエチレングリコールジブチルエーテル（２５６℃、２．４７ｍＰａ・ｓ）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（２７５℃、３．８７ｍＰａ・ｓ）、ポリエチレングリコールジメチルエーテル（２６４℃、４．２７ｍＰａ・ｓ）、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル（２６１℃、２．９７ｍＰａ・ｓ）、２−ピロリドン（２５１℃、１３．３ｍＰａ・ｓ）、１−エチル−２−ピロリドン（２１２℃、３．５ｍＰａ・ｓ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（２０４℃、１．８９ｍＰａ・ｓ）、テトラメチレンスルホン（２８５〜２８８℃、１０．１ｍＰａ・ｓ）、γ−ブチロラクトン（２０４℃、１．５０ｍＰａ・ｓ）、フタル酸ジブチル（３４０℃、９．７２ｍＰａ・ｓ）が挙げられる。なお、各溶剤におけるカッコ内は、沸点、２５℃における粘度の順で記載した。
【００４５】
ここで、（Ｄ）溶剤の配合量は、接着用ペーストの合計を１００質量％としたとき、５〜１９質量％であることが好ましく、５〜１０質量％であることがより好ましい。
【００４６】
この接着用ペーストには、以上の各成分の他、本発明の効果を阻害しない範囲で、この種の組成物に一般に配合される、酸無水物、カップリング剤などの接着助剤や、有機過酸化物などの硬化促進剤、消泡剤、着色剤、難燃剤、ブリード防止剤、チキソ付与剤その他添加剤などを、必要に応じて配合することができる。
【００４７】
また、本実施形態の接着用ペーストには、作業性ならびに乾き性を改善する目的で、エポキシ樹脂の開環重合に対する反応性を備えた反応性希釈剤を配合することができる。
【００４８】
その具体例としては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、（ポリ）エチレングリコールグリシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルがより好ましい。
【００４９】
この反応性希釈剤の使用量は、接着用ペーストに対して５〜１５質量％が好ましい。反応性希釈剤をこの範囲にすることで、チキソ性と粘度を所定の範囲に調整することができる。
【００５０】
チキソ付与剤は、公知のものであれば特に限定されないが、ポリカルボン酸を主骨格とする高分子イオン性分散剤が特に好ましい。ポリカルボン酸を主骨格とする高分子イオン性分散剤を配合すると、球状の銀被覆シリカの表面に吸着して架橋構造を形成し、スタンピング塗布に用いる接着用ペーストに適正なチキソ性が付与される。チキソ付与剤の配合量は、接着用ペースト１００質量％中に０．０５〜０．３質量％が好ましい。チキソ付与剤をこの範囲にすることで、チキソ性と粘度を所定の範囲に調整することができる。
【００５１】
チキソ付与剤の市販品としては、例えば、アロンＡ−６３３０（東亞合成社製）、ＨｙｐｅｒｍｅｒＫＤ−４、ＨｙｐｅｒｍｅｒＫＤ−８、ＨｙｐｅｒｍｅｒＫＤ−９、（クローダジャパン社製）、を挙げることができる。
【００５２】
本実施形態の接着用ペーストは、上記（Ａ）銀被覆シリカ粒子、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、（Ｄ）溶剤、および、必要に応じて配合されるその他の成分を、高速混合機などを用いて均一に混合した後、ディスパース、ニーダ、三本ロールなどにより混練し、次いで、脱泡することにより、容易に調製することができる。
【００５３】
本実施形態の接着用ペーストは、Ｅ型粘度計（３°コーン）を用いた、２５℃での粘度が５０〜２００Ｐａ・ｓ、かつ、２５℃での０．５ｒｐｍにおける粘度η０．５と５．０ｒｐｍにおける粘度η５．０の比［η０．５／η５．０］で表されるチキソが４．０〜８．０であることが好ましく、より好ましくは２５℃での粘度が４０〜１２０Ｐａ・ｓ、かつ、２５℃での０．５ｒｐｍにおける粘度η０．５と５．０ｒｐｍにおける粘度η５．０の比［η０．５／η５．０］で表されるチキソが４．６〜７．０である。
【００５４】
接着用ペーストの粘度とチキソがこの範囲にあると、半導体素子の製造において、接着用ペーストのスタンピング時の転写量の過不足や糸引きの発生が抑制され、安定して接着用ペーストが転写される。
【００５５】
粘度が５０Ｐａ・ｓより小さいと、液ダレやスタンピング時の塗布不良などが発生し易くなり、粘度が２００Ｐａ・ｓより大きいと、糸引きや角立ちが発生しやすくなり転写不良やスタンピング時の塗布径の不安定化が生じるおそれがある。
【００５６】
チキソが４．０より小さいとスタンピングピンに這い上がりやすくなり、８．０より大きいとスタンピングピンからワークへの転写性に劣り、スタンピング時の塗布径のバラツキが大きくなるおそれがあった。
【００５７】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、マウンティング工程、ダイシング工程を経た後、ダイボンディング工程が実施され、半導体装置が得られる。
【００５８】
マウンティング工程は、ウェハをリングに貼り付ける工程である。ダイシング工程は、ウェハを半導体素子に分割個片化する工程である。
【００５９】
ダイボンディング工程は、ウェハから個片化された半導体素子を順次取り出し、リードフレームや基板（以下、これらをまとめて基板と称する）にダイボンディングする工程であり、ダイボンダー装置を用いて実施される。
【００６０】
半導体素子を基板に実装する際には、接着用ペースト塗布装置によって、予め、半導体素子を実装予定箇所に、接着用ペーストを塗布しておく。接着用ペースト塗布装置は、接着用ペーストを貯留した受け皿と、基板上の各所に向けて水平移動及び昇降可能なスタンピングピンとを有している。
【００６１】
スタンピング工程は、ピックアップ工程と同期している。すなわち、接着用ペースト塗布装置を用いて、スタンピングピンの先端を受け皿内の接着用ペーストに浸漬し、ピックアップ工程で取り上げられた半導体素子の実装予定箇所にスタンピングピンを移動させ、スタンピングピンの先端に保持された接着用ペーストを基板上の上記実装予定箇所に塗布する。
【００６２】
ピックアップ工程及びスタンピング工程が終了すると、半導体素子の実装工程を行う。すなわち、半導体素子を基板上の接着用ペーストが塗布された実装予定箇所に位置させた後、例えば、実装予定箇所に半導体素子を２５℃、２０〜２００ｇの荷重で搭載し、１５０〜２００℃の温度で硬化することで接着固定する。
【００６３】
本実施形態の半導体装置は、本実施形態の接着用ペーストを介して、半導体素子（ＬＥＤ素子等）が基板上に接着、固定されてなるものであり、例えば、本実施形態の接着用ペーストを介して半導体素子をリードフレームにマウントし、接着用ペーストを加熱硬化させて固定される。その後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とを常温で超音波によるワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止用樹脂を用いて封止することにより製造することができる。
【００６４】
ここで、ボンディングワイヤとしては、例えば、鋼、金、アルミニウム、金合金、アルミニウム−シリコンなどからなるワイヤが例示されるが、コストおよびボンディング性の観点からはアルミニウムワイヤが好ましい。また、ボンディングの際の超音波の出力、荷重などの条件は、特に限定されるものではなく、常法の範囲で適宜選択されてよい。
【実施例】
【００６５】
以下、本実施形態を実施例により説明するが、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６６】
＜実施例１〜３、比較例１〜４＞
原料となる各成分を表１に示す配合割合（質量部）で十分に混合し、三本ロールで混練して接着用ペーストを調製した。この接着用ペーストを真空ポンプにて脱泡した後、各種の性能を評価した。本実施例で用いた原料は次の通りである。
【００６７】
［（Ａ）成分］
銀被覆シリカ粒子：ＴＭＦ−Ｓ０５Ｐ（商品名、東洋アルミ社製；平均粒径３．０〜７．０μｍの球状の銀被覆シリカ、アスペクト比  １．１、比表面積  １．４ｍ２／ｇ、５０％粒径（Ｄ５０）  ６μｍ、Ｄ５０／Ｄ１０＝１．８）
【００６８】
［（Ｂ）成分］
エポキシ樹脂１：ＲＥ８１０ＮＭ（商品名、日本化薬社製；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量  ２１０））
エポキシ樹脂２：ＥＸＡ８３０ＣＲＰ（商品名、日本化薬社製；ビスフェノールＡ型エポキシ（エポキシ当量  １６０））
［（Ｃ）成分］
硬化剤：マルカリンカーＭ（商品名、丸善化学社製；ポリビニルフェノール）
【００６９】
［（Ｄ）成分］
溶剤１：ハイソルブＭＴＥＭ（商品名、東邦化学社製；テトラエチレングリコールジメチルエーテル、沸点２７５℃、粘度（２５℃）  ３．８ｍＰａ・ｓ）
溶剤２：ハイソルブＢＤＭ（商品名、東邦化学社製；ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、沸点２１２℃、粘度（２５℃）  １．６ｍＰａ・ｓ）
【００７０】
［（Ｄ’）成分］
溶剤３：ハイソルブＥＤＥ（商品名、東邦化学社製；ジエチレングリコールジエチルエーテル、沸点１８９℃、粘度（２５℃）  １．４ｍＰａ・ｓ）
溶剤４：ＰＰｈ（商品名、ダウケミカル社製；プロピレングリコールフェニルエーテル、沸点２４３℃、粘度（２５℃）  ２３．８ｍＰａ・ｓ）
【００７１】
［その他］
硬化促進剤：２ＰＨＺ−ＰＷ（商品名、四国化成工業社製；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
カップリング剤：Ｓ５１０（商品名、チッソ社製；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
チキソ付与剤：ＫＤ−９（商品名、クローダジャパン社製；脂肪酸エステル縮合剤）
反応性希釈剤：ＳＲ−１６ＨＬ（商品名、阪本薬品社製；１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル）
【００７２】
＜評価方法＞
（１）粘度
東機産業社製のＥ型粘度計（３°コーン）を用い、２５℃、０．５ｒｐｍの条件で測定した。
【００７３】
（２）チキソ性
東機産業社製のＥ型粘度計（３°コーン）を用い、２５℃、５．０ｒｐｍの条件で粘度を測定し、上記（１）の粘度結果との比を算出した。すなわち、０．５ｒｐｍにおける粘度η０．５と５．０ｒｐｍにおける粘度η５．０の比［η０．５／η５．０］によりチキソ性を評価した。
【００７４】
（３）接着強度
接着用ペーストを、銀メッキした銅フレーム上に１〜５μｍ厚に塗布し、その上に０．３ｍｍ×０．３ｍｍのシリコンチップをマウントし、１６０℃で１時間硬化した。硬化後、ダイシェア強度測定装置を用いて、２５℃と２６０℃でのダイシェア強度を測定した。
２５℃でのダイシェア強度が１０Ｎ以上で、かつ、２６０℃でのダイシェア強度が２Ｎ以上を○とし、２５℃でのダイシェア強度が７Ｎ以上１０Ｎ未満で、かつ、２６０℃でのダイシェア強度が２Ｎ以上を△とし、これ以外を×として判定した。
【００７５】
（４）体積抵抗率
接着用ペーストを、硬化後膜厚３０μｍ、幅５ｍｍとなるように、ガラス板状に印刷し、１６０℃で１時間硬化した後、デジタルマルチメーターで測定した。
体積抵抗率が、１×１０−３Ω・ｃｍ以下を○、１×１０−３Ω・ｃｍを超えるものを×として判定した。
【００７６】
（５）作業性
スタンピング皿に接着用ペースト  １ｇを投入し、小坂研究所製のＬＥＤ用ダイボンダーを用い、温度  ２５℃、湿度  ３５％ＲＨ、スタンピングピン径  ０．２ｍｍ、スタンピング速度  ０．３５ｓｅｃ／ｃｙｃ、の条件で銀めっきした銅フレーム上にスタンピング試験を行った。
自動検査装置による塗布径の確認をｎ＝８０（ｎ：試験数）で実施し、その正規分布における３σが７０μｍ以内の範囲に収まるものを○、３σが７０μｍを超えるものを×として判定した。
【００７７】
（６）タックフリータイム
ガラス板状に接着用ペーストを直径８００μｍ塗布し、虫ピンの先端でつついて糸引きの始まる時間（ｈ）を計測した。
この時間が６時間以上を○、６時間未満を×として判定した。
【００７８】
（７）ボイド
０．３ｍｍ×０．３ｍｍのシリコンチップのせん断強度を測定した後、チップ、フレームの裏面を顕微鏡を用いて目視観察しボイドの有無を確認した。ボイドの発生が確認できないものを○、ボイドの発生が確認されたものを×として判定した。
【００７９】
＜総合評価＞
上記評価結果において、全て○評価のものを○、○評価と△評価のみで構成されるものを△、その他は×として判定した。
【００８０】
【表１】
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【００８１】
（Ｄ）溶剤として、沸点２００℃以上４００℃以下、かつ、２５℃における粘度が２０ｍＰａ・ｓ以下の高沸点低粘度溶剤を使用することで、スタンピング法に好適な接着用ペーストが得られることが分かった。
【００８２】
（Ｄ）溶剤の代わりに、沸点が２００℃未満の溶剤を含む比較例１ではペーストの粘度とチキソは所定の範囲にあるが、タックフリータイムが短いためスタンピング法には不適であり、粘度が２０ｍＰａ・ｓを超える溶剤を含む比較例２ではチキソが所定の範囲よりも小さくなるため、転写した塗布径のばらつきが大きく作業性が低下する。
【００８３】
また、（Ｄ）溶剤の代わりに、チキソ付与剤であるＫＤ−９を増量した比較例３ではチキソは粘度が所定の範囲を超えるため転写した塗布径のばらつきが大きくなり作業性が低下する。さらに、（Ｄ）溶剤の代わりに、反応性希釈剤であるＳＲ−１６ＨＬを増量した比較例４ではペーストの粘度とチキソは所定の範囲にあるが、ボイドが発生しやすく、体積抵抗値が高くなることが確認されている。
【００８４】
以上より、本実施形態の接着用ペーストは、スタンピング時における転写量の過不足や糸引きなどの発生がなく、半導体装置の製造時における不具合が生じにくく、信頼性の高い半導体装置が得られることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の接着用ペーストは、スタンピング時における転写量の過不足や糸引きなどの発生がなく、半導体素子の接着力低下や半導体素子のジャンクションに接着用ペーストが付着することなく信頼性の高い半導体装置を得ることができる。