(57)【要約】【課題】層基板におけるビア間の断線をより低コストで検出する。【解決手段】複数の配線層を積層して構成され、複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板の表面に電子部品を半田接合するためのリフロー処理を行っている期間内であって積層基板の温度が半田の溶融温度に達した後、積層基板の温度が溶融温度よりも低くなり且つ常温よりも高い温度範囲にあるときに、ビアの導通状態を検査する。【選択図】図３
2018037575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板の表面に電子部品を半田接合するためのリフロー処理を行っている期間内であって、前記積層基板の温度が半田の溶融温度に達した後、前記積層基板の温度が前記溶融温度よりも低くなり且つ常温よりも高い温度範囲にあるときに、前記ビアの導通状態を検査する
積層基板の検査方法。
【請求項２】
前記ビアおよび前記電子部品を含む回路の動作特性を検査することで前記ビアの導通状態を検査する
請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記積層基板に前記ビアを模擬した複数の検査用ビアを含むディジーチェーンを形成し、前記ディジーチェーンを検査することで前記ビアの導通状態を推定する
請求項１に記載の検査方法。
【請求項４】
前記リフロー処理を行っている間に前記積層基板の周囲温度をモニタし、モニタした前記周囲温度が、半田の溶融温度よりも低い所定の温度になった場合に前記ビアの導通状態の検査を開始する
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項５】
前記リフロー処理は、所定の温度プロファイルを形成するように複数の加熱ユニットを連結して構成されるリフロー炉の中を前記積層基板が移動することにより行われ、
前記積層基板が前記リフロー炉の中の所定位置を通過した場合に前記ビアの導通状態の検査を開始する
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項６】
前記積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンおよび前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットを含む検査モジュールと、前記積層基板を支持する複数の支持ピンと、を有するパレットに前記積層基板を搭載した状態で前記リフロー処理を行って前記ビアの導通状態を検査する
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
前記積層基板の表面に搭載され且つ前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットが、前記検査プログラムを実行することにより前記ビアの導通状態を検査する
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項８】
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンと、
前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットと、
前記検査ユニットを囲む断熱部材と、
周囲温度を検出する温度センサと、
を含み、
前記検査ユニットは、前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記検査プログラムの実行を開始する
検査モジュール。
【請求項９】
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンと、前記ビアの導通状態の検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットと、前記検査ユニットを囲む断熱部材と、周囲温度を検出する温度センサと、を含む検査モジュールと、
前記積層基板を支持する複数の支持ピンと、
を含み、
前記検査ユニットは、前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記検査プログラムの実行を開始する
パレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、積層基板の検査方法、検査モジュールおよび積層基板のリフロー処理に用いられるパレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の配線層を備えた積層基板の検査に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、プリント配線板をその基材の定格温度付近まで加熱した状態でプリント配線板を検査するプリント配線板の検査方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２９２４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層基板の１つとして、複数の配線層を一層毎に積層して、穴あけ加工、配線形成などを繰り返すことによって作製されるビルドアップ基板が知られている。ビルドアップ基板では、高密度配線を実現するために、各配線層においてビアを積み上げるスタックビア構造が採用される。
【０００５】
ここで図１Ａおよび図１Ｂは、配線層２１０および２２０を積層して構成されるビルドアップ層２００を含むビルドアップ基板の部分的な断面図である。ビルドアップ基板では、配線層２１０および２２０を１層ずつ積層するため、ビア２１１を形成する工程と、ビア２２１を形成する工程は、互いに別工程となる。このため、ビア２１１とビア２２１との間への異物混入や、ビア２１１とビア２２１との接合面の酸化などに起因してビア２１１とビア２２１との接合強度が脆弱となる場合がある。この場合、例えば、ビルドアップ基板の表面に電子部品を半田接合するためのリフロー処理における熱ストレスによって、図１Ａに示すように、ビア２１１とビア２２１とが剥離する断線が生じる場合がある。
【０００６】
例えば、ビア２１１とビア２２１の剥離面が平らである場合には、ビルドアップ基板が常温に戻ると、図１Ｂに示すように、断線したビア２１１とビア２２１とが接触し、導通する場合がある。この場合、常温下で実施される検査によってビア間の断線を検出することは困難であり、良品として市場に流出するおそれがある。しかし、この積層基板が出荷された後に顧客先でこの積層基板を搭載したサーバ等が稼働すると、積層基板の温度が上がり、再びビア間が断線する場合がある。
【０００７】
この問題を解決するために、ビルドアップ基板を加熱した状態で検査を行う方法が考えられる。しかしながら、この場合、ビルドアップ基板を加熱するための加熱機構を備えた高価な検査設備が必要となる。
【０００８】
開示の技術は、１つの側面として、積層基板におけるビア間の断線をより低コストで検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
開示の技術に係る積層基板の検査方法は、複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板を検査対象とするものである。開示の技術に係る検査方法は、前記積層基板の表面に電子部品を半田接合するためのリフロー処理を行っている期間内であって、前記積層基板の温度が半田の溶融温度に達した後、前記積層基板の温度が前記溶融温度よりも低くなり且つ常温よりも高い温度範囲にあるときに、前記ビアの導通状態を検査する、というものである。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術は、一つの側面として、積層基板におけるビア間の断線をより低コストで検出することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】ビルドアップ基板の部分的な断面図である。
【図１Ｂ】ビルドアップ基板の部分的な断面図である。
【図２】開示の技術の実施形態に係る検査方法による検査の対象とされる積層基板の構成の一例を示す断面図である。
【図３】開示の実施形態に係る検査方法の一例を示す図である。
【図４】開示の実施形態に係る検査方法の実施に用いられる検査ピンの構成を示す図である。
【図５】開示の実施形態に係る検査方法の実施に用いられるリフロー炉の構成の一例を示す図である。
【図６】開示の実施形態に係る検査方法の実施に用いられるリフロー炉において形成される温度プロファイルの一例を示すグラフである。
【図７】開示の実施形態に係る検査ユニットにおいて実施される処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】開示の実施形態に係る検査用のクーポンの構成の一例を示す断面図である。
【図９】開示の実施形態に係る検査ユニットに電力を供給する方法の一例を示す図である。
【図１０】開示の実施形態に係る検査ユニットに電力を供給する方法の他の例を示す図である。
【図１１】開示の実施形態に係る検査ユニットが検査プログラムの実行を開始するタイミングを定める方法の一例を示す図である。
【図１２】開示の実施形態に係る検査方法の実施に用いられるリフロー炉において形成される温度プロファイルの他の例を示すグラフである。
【図１３】開示の実施形態に係る検査方法の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。
【００１３】
[第１の実施形態]
図２は、開示の技術の実施形態に係る検査方法による検査の対象とされる積層基板１０の構成の一例を示す断面図である。積層基板１０は、コア層１１およびコア層１１の両面に設けられたビルドアップ層１２を含んで構成されるビルドアップ基板である。コア層１１およびビルドアップ層１２は、それぞれ、配線１４が設けられた複数の配線層を積層して構成されている。ビルドアップ層１２は、配線層を一層毎に積層して、穴あけ加工、配線形成などを繰り返すことによって積層される。ビルドアップ層１２は、隣接する配線層間において、ビア１３を積み上げるスタックビア構造を有する。
【００１４】
図３は、積層基板１０においてビア１３間の導通状態を検査する開示の技術の第１の実施形態に係る検査方法の一例を示す図である。積層基板１０の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２には、電子部品５０が実装される。第１の面Ｓ１に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理と、第２の面Ｓ２に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理は、別々に実施され得る。この場合、積層基板１０の検査は、後に実施されるリフロー処理中に行われる。例えば、第１の面Ｓ１に電子部品５０を接合するためのリフロー処理が第２の面Ｓ２に電子部品５０を接合するためのリフロー処理の後に行われる場合、積層基板１０の検査は第１の面Ｓ１に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理中に行われる。
【００１５】
リフロー処理中における積層基板１０の検査は、図３に示すパレット２０を用いて行われる。パレット２０は、その底面Ｓ３に取り付けられた複数の支持ピン２１および複数の位置決めピン２２を有する。支持ピン２１の各々は、積層基板１０の第２の面Ｓ２に当接されることで積層基板１０を支持する。積層基板１０を支持ピン２１によって支持することで、積層基板１０の第２の面Ｓ２とパレット２０の底面Ｓ３との間に空間が形成される。位置決めピン２２は、パレット２０内における積層基板１０の搭載位置を定めるために用いられる。すなわち、積層基板１０の端部が位置決めピン２２の側面に当接するように、積層基板１０を配置することで、パレット２０内における積層基板１０の搭載位置が定まる。
【００１６】
パレット２０には、積層基板１０の検査を行う検査モジュール３０が設けられている。検査モジュール３０は、検査ユニット３３、検査ピン３２、温度センサ４０およびバッテリ３４を含んで構成されている。検査ユニット３３、検査ピン３２および温度センサ４０は、同一の配線基板３１上に設けられており、検査ユニット３３と検査ピン３２、検査ユニット３３と温度センサ４０は、それぞれ、配線基板３１に設けられた配線によって電気的に接続されている。検査ユニット３３およびバッテリ３４は、断熱部材３５で囲まれおり、リフロー処理中に積層基板１０に与えられる熱の、検査ユニット３３およびバッテリ３４への伝導が抑制されている。
【００１７】
検査ユニット３３は、積層基板１０のビアの導通状態を検査するための検査プログラムを格納したメモリ、検査プログラムを実行するプロセッサ、検査により取得した検査データを記憶するメモリおよび周辺回路を含んで構成されている。バッテリ３４は、検査ユニット３３が積層基板１０の検査を実施するために必要となる電力を検査ユニット３３に供給する。
【００１８】
温度センサ４０は、周囲温度を検出し、検出した温度を示す測温信号を検査ユニット３３に供給する。温度センサ４０によって検出される温度は、リフロー処理中における積層基板１０の温度と略一致している。検査ユニット３３は、温度センサ４０から供給された測温信号に基づいて検査プログラムの実行を開始する。
【００１９】
配線基板３１は、支持ピン２１によって支持された積層基板１０の第２の面Ｓ２とパレット２０の底面Ｓ３との間に形成される空間に迫り出した部分を有し、この配線基板３１の迫り出した部分に検査ピン３２が設けられている。検査ピン３２は、積層基板１０の第２の面Ｓ２に形成された検査用のパッド１５に当接される。これにより、検査ユニット３３と積層基板１０とが電気的に接続され、検査ユニット３３による積層基板１０の検査が可能となる。
【００２０】
図４は検査ピン３２の内部構造の一例を示す図である。検査ピン３２は、チューブ３２１、スプリング３２２およびピン３２３を含んで構成されている。積層基板１０の検査用のパッド１５に当接されるピン３２３は、チューブ３２１の内壁に沿って摺動可能に設けられている。スプリング３２２は、チューブ３２１の内部に収容されており、ピン３２３の先端を積層基板１０の検査用のパッド１５に当接させたときに、ピン３２３において積層基板１０の方向に押圧力が作用するように構成されている。検査ピン３２と検査用のパッド１５との相対的な位置関係は、位置決めピン２２による積層基板１０の位置決めを行うことで整合するように構成されている。
【００２１】
積層基板１０に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理は、図５に示すリフロー炉４００を用いて行われる。リフロー炉４００は、互いに設定温度の異なる複数の加熱ユニット４０１〜４０８を直列に連結して構成される。リフロー処理において、積層基板１０は、パレット２０に搭載された状態でリフロー炉４００の中を移動する。積層基板１０を搭載したパレット２０は、リフロー炉４００の内部に設けられた金属チェーンからなるレール（図示せず）上に載置されることで、初段の加熱ユニット４０１から最終段の加熱ユニット４０８に向けて搬送される。積層基板１０は、加熱ユニット４０１〜４０８を順次通過することで、加熱ユニット４０１〜４０８の各々の設定温度に応じて形成される温度プロファイルによる熱処理が施され、電子部品５０の半田接合が完了する。
【００２２】
図６は、加熱ユニット４０１〜４０８の各々の設定温度に応じて形成される温度プロファイルの一例を示すグラフであり、横軸がリフロー炉４００に積層基板１０を投入した時点からの経過時間を示し、縦軸はリフロー処理中における積層基板１０の温度を示す。加熱ユニット４０１〜４０８により、常温から半田の溶融温度よりも僅かに高いピーク温度Ｔｐに向けて徐々に温度が上昇し、ピーク温度Ｔｐに達した後、徐々に温度が低下する温度プロファイルが形成される。
【００２３】
積層基板１０の検査は、積層基板１０の温度が、ピーク温度Ｔｐから低下する過程で実施される。より具体的には、積層基板１０の検査は、半田の溶融温度未満であり且つ常温（２５℃）よりも高い温度範囲で実施される。例えば、半田の溶融温度（融点）が２３０℃である場合、８０℃〜２２０℃の温度範囲で積層基板１０の検査を実施することが好ましい。図６において破線で囲む領域が、積層基板１０の検査を実施するのに好適な温度領域（タイミング）である。
【００２４】
検査ユニット３３は、温度センサ４０から供給される測温信号に基づいて検査プログラムの実行を開始することで、半田の溶融温度未満であり且つ常温よりも高い温度範囲での検査を実現する。図７は、検査ユニット３３において実施される処理の一例を示すフローチャートである。
【００２５】
ステップＡ１において、検査ユニット３３は、温度センサ４０から供給される測温信号によって示される温度が、リフロー炉４００における温度プロファイルのピーク温度Ｔｐに達したか否かを判定する。測温信号によって示される温度がピーク温度Ｔｐに達することで、半田が溶融したことが保証される。検査ユニット３３は、測温信号によって示される温度が、ピーク温度Ｔｐに達したものと判定した場合に処理をステップＡ２に移行する。
【００２６】
ステップＡ２において、検査ユニット３３は、温度センサ４０から供給される測温信号によって示される温度が、半田溶融温度未満の所定温度にまで低下したか否かを判定する。検査ユニット３３は、測温信号によって示される温度が、半田溶融温度未満の所定温度にまで低下したものと判定した場合に処理をステップＡ３に移行する。
【００２７】
ステップＡ３において、検査ユニット３３は、検査プログラムの実行を開始することにより、積層基板１０の検査を開始する。
【００２８】
検査ユニット３３は、検査プログラムに基づいて、積層基板１０に設けられたビア１３、配線１４および積層基板１０に搭載された電子部品５０によって形成される回路の動作特性を検査することでビア１３の導通状態を検査する。すなわち、本実施形態に係る検査方法では、積層基板１０および電子部品５０を含む装置全体の動作特性を通じてビアの導通状態が検査される。検査によって取得された検査データは、検査ユニット３３内に設けられたメモリに記憶される。検査データは、積層基板１０のリフロー処理後にメモリから読み出される。なお、検査ユニット３３において取得した検査データを、無線通信によってリアルタイムで取得できるように構成してもよい。
【００２９】
以上のように、本実施形態に係る検査方法によれば、積層基板１０の表面に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理中に積層基板１０に設けられたビア１３間の導通状態が検査される。図１Ａに示すようなビア間の断線は、積層基板１０を構成する基材（例えばガラスエポキシ樹脂）と、ビア１３（例えば銅）との間の熱膨張係数差に起因して発生する。従って、ビア１３間の断線は、積層基板１０の温度が高くなる程生じやすくなる。積層基板１０の検査をリフロー処理中に行うことで、常温下において検査を行う場合と比較して、ビア１３間の断線をより確実に検出することができる。また、積層基板１０の高温検査をリフロー処理中に行うことで、リフロー炉４００が備える加熱ユニットを用いて積層基板１０を加熱することができるので、加熱機構を備えた高価な検査設備が不要となる。すなわち、本実施形態に係る検査方法によれば、積層基板におけるビア１３間の断線を低コストで検出することが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態に係る検査方法においては、積層基板１０に設けられたビア１３、配線１４および積層基板１０に搭載された電子部品５０によって形成される回路の動作特性を検査することで、ビアの導通状態が検査される。仮に、ビア１３間の導通状態の検査を積層基板１０単体で実施する場合、全てのビアについて導通状態を検査するためには、多数の検査ピンを備えた高価な検査治具が必要となる。一方、ビア１３、配線１４および電子部品５０を含む回路の動作特性の検査においては、複数のビア１３が回路内に組み込まれるので、必要となる検査ピンの数を抑制することが可能となる。また、ビア１３、配線１４および電子部品５０を含む回路の動作特性を検査することで、ビア１３間の導通状態のみならず、電子部品５０の機能、電子部品５０と積層基板１０との間の半田接合の状態についても検査することが可能である。
【００３１】
また、本実施形態に係る検査方法においては半田の溶融温度よりも低く且つ常温よりも高い温度範囲において積層基板１０の検査が行われる。半田の溶融温度よりも低い温度で検査を実施することで、半田は固体の状態を呈するので、電子部品５０と積層基板１０との間の電気的接続が完了した状態で検査を行うことができる。常温よりも高い温度で検査を実施することで、常温下において検査を行う場合と比較して、ビア１３間の断線をより確実に検出することができる。
【００３２】
ここで、表１に、断線が生じたビア１３間に形成される隙間のサイズと、積層基板１０の温度との関係を推定した結果を示す。なお、積層基板１０の基材（ガラスエポキシ樹脂）の熱膨張率を３５〜４５ｐｐｍ／℃、ビア（銅）の熱膨張率を１５ｐｐｍ／℃として５０℃、８０℃および１００℃におけるビア１３間の隙間のサイズを推定した。
【表１】
2018037575.tif 000003
表１に示すように、積層基板１０の温度が高くなるに従って、ビア１３間の隙間のサイズが大きくなる。ビア１３間の断線をより確実に検出するためには、ビア１３間の隙間のサイズが１μｍ以上であることが好ましい。従って、リフロー処理中において、積層基板１０の温度が８０℃以上を維持している期間内に積層基板１０の検査を実施することが好ましい。
【００３３】
［変形例］
上記した実施形態に検査方法では、ビア１３、配線１４および積層基板１０に搭載された電子部品５０によって形成される回路の動作特性を検査することで、ビア１３の導通状態を検査する場合について例示した。しかしながら、積層基板１０において電子部品５０を搭載する製品部に検査用のパッドを配置するスペースを確保することが困難な場合がある。この場合、積層基板１０の製品部の外周に設けられる捨て板部に検査用のクーポンを設け、この検査用のクーポンを検査対象としてもよい。
【００３４】
図８は、積層基板１０の捨て板部に設けられる検査用のクーポン５００の構成の一例を示す断面図である。検査用のクーポン５００は、複数の全層スタックビア構造５１０を直列接続したディジーチェーンを構成するものであってもよい。全層スタックビア構造５１０は、検査用ビア１３Ａを全ての配線層に亘って積み重ねた構造である。検査用ビア１３Ａは、積層基板１０の製品部に設けられるビア１３を模擬したものであり、ビア１３と同一のプロセスを用いて形成される。
【００３５】
検査用のクーポン５００を用いた検査においては、例えば、ディジーチェーンの抵抗値を測定することで、検査用ビア１３Ａ間の断線の有無を判定し、その結果に基づいて積層基板１０の製品部に設けられたビア１３の導通状態を推定する。検査用のクーポン５００を用いた検査は、積層基板１０に電子部品５０を半田接合するためのリフロー処理中に行われる。なお、検査用のクーポン５００に設けられる検査用ビア１３Ａの径を、製品部に設けられるビア１３の径よりも小さくするなどして、ビア間の断線を生じやすくしてもよい。これにより、積層基板１０の製品部に設けられたビア１３に対してマージンを持った検査を行うことが可能である。
【００３６】
上記の実施形態においては、検査ユニット３３が積層基板１０の検査を実施するために必要となる電力をバッテリ３４から供給する場合を例示したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図９に示すように、リフロー炉４００の内部に設置された非接触給電装置６００から供給される電力によって検査ユニット３３を動作させてもよい。非接触給電装置６００による非接触給電方式として、電磁誘導方式、磁界共鳴方式、電波受信方式、電界結合方式、直流共鳴方式などが挙げられる。
【００３７】
また、例えば、図１０に示すように、パレット２０の搬送手段としてリフロー炉内に設けられる一対のレール４１０を電源ラインとして用いて、レール４１０から供給される電力によって検査ユニット３３を動作させてもよい。具体的には、一対のレール４１０の一方が電源ラインの正極、一対のレール４１０の他方が電源ラインの負極として用いられる。そして、パレット２０のレール４１０との接触面に電源用のパッド２５が設けられ、検査ユニット３３と電源用のパッド２５とが配線２６によって接続される。なお、図１０には、検査用のクーポン５００を対象として積層基板１０の検査を行う場合の構成が例示されている。
【００３８】
また、上記の実施形態においては、検査ユニット３３が検査プログラムの実行を開始するタイミングを温度センサ４０から出力される測温信号に基づいて定める場合を例示したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、発信装置７００から発信された信号を、検査モジュール３０に設けられた受信装置４５において受信した場合に検査ユニット３３において検査プログラムの実行を開始してもよい。発信装置７００は、電波や赤外線等の電磁波を発信するものであり、リフロー炉４００内の検査プログラムの実行を開始すべきゾーンに設けられる。受信装置４５は、発信装置７００に近接した場合に発信装置７００から発信される電磁波を受信する。受信装置４５は、検査モジュール３０において温度センサ４０に代えて設けられる。
【００３９】
また、図６に示す温度プロファイルは、適宜変更することが可能である。例えば、図１２に示すように、図６に示す温度プロファイルと比較して、半田の溶融温度未満であり且つ常温よりも高い温度領域の距離を長くして、図１２において破線で囲む検査に好適な時間帯を長くしてもよい。
【００４０】
［第２の実施形態］
図１３は、積層基板１０においてビア１３間の導通状態を検査する開示の技術の第２の実施形態に係る検査方法を示す図である。上記した第１の実施形態に係る検査方法は、パレット２０に搭載された検査ユニット３３を用いてリフロー処理中に積層基板１０の検査を行うというものであった。これに対して、第２の実施形態に係る検査方法は、積層基板１０に搭載した検査ユニット３３によってリフロー処理中に積層基板１０の検査を行うというものである。検査ユニット３３は、積層基板１０に設けられる配線を介して積層基板１０の検査用のパッド（図示せず）に接続されている。なお、第２の実施形態に係る検査方法を適用する場合、温度センサ４０も積層基板１０上に搭載される。
【００４１】
検査ユニット３３が積層基板１０の検査を実施するために必要となる電力の供給は、例えば、リフロー炉４００内に設けられた非接触給電装置６００（図１１参照）を用いて行ってもよい。なお、積層基板１０に搭載された検査ユニット３３によって、ビア１３、配線１４および電子部品５０によって形成される回路の動作特性を検査してもよいし、図８に示すような検査用のクーポン５００を検査対象としてもよい。
【００４２】
第２の実施形態に係る検査方法によれば、第１の実施形態に係る検査方法と同様、積層基板１０の検査をリフロー処理中に行うことで、加熱機構を備えた高価な検査設備が不要となる。従って、積層基板におけるビア１３間の断線をより低コストで検出することが可能となる。また、検査ユニット３３を積層基板１０上に設けることで、積層基板１０の配線を用いて積層基板１０の検査用のパッドと検査ユニット３３とを接続することが可能となるので、検査ピンが不要となる。
【００４３】
以上の第１および第２の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００４４】
（付記１）
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板の表面に電子部品を半田接合するためのリフロー処理を行っている期間内であって、前記積層基板の温度が半田の溶融温度に達した後、前記積層基板の温度が前記溶融温度よりも低くなり且つ常温よりも高い温度範囲にあるときに、前記ビアの導通状態を検査する
積層基板の検査方法。
【００４５】
（付記２）
前記ビアおよび前記電子部品を含む回路の動作特性を検査することで前記ビアの導通状態を検査する
付記１に記載の検査方法。
【００４６】
（付記３）
前記積層基板に前記ビアを模擬した複数の検査用ビアを含むディジーチェーンを形成し、前記ディジーチェーンを検査することで前記ビアの導通状態を推定する
付記１に記載の検査方法。
【００４７】
（付記４）
前記リフロー処理を行っている間に前記積層基板の周囲温度をモニタし、モニタした前記周囲温度が、半田の溶融温度よりも低い所定の温度になった場合に前記ビアの導通状態の検査を開始する
付記１から付記３のいずれか１つに記載の検査方法。
【００４８】
（付記５）
前記リフロー処理は、所定の温度プロファイルを形成するように複数の加熱ユニットを連結して構成されるリフロー炉の中を前記積層基板が移動することにより行われ、
前記積層基板が前記リフロー炉の中の所定位置を通過した場合に前記ビアの導通状態の検査を開始する
付記１から付記３のいずれか１つに記載の検査方法。
【００４９】
（付記６）
前記積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンおよび前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットを含む検査モジュールと、前記積層基板を支持する複数の支持ピンと、を有するパレットに前記積層基板を搭載した状態で前記リフロー処理を行って前記ビアの導通状態を検査する
付記１から付記５のいずれか１つに記載の検査方法。
【００５０】
（付記７）
前記積層基板の表面に搭載され且つ前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットが、前記検査プログラムを実行することにより前記ビアの導通状態を検査する
付記１から付記５のいずれか１つに記載の検査方法。
【００５１】
（付記８）
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンと、
前記ビアの導通状態を検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットと、
前記検査ユニットを囲む断熱部材と、
周囲温度を検出する温度センサと、
含み、
前記検査ユニットは、前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記検査プログラムの実行を開始する
検査モジュール。
【００５２】
（付記９）
外部から発信される信号を受信する受信装置を更に含み、
前記検査ユニットは、前記受信装置によって前記信号が受信された場合に前記検査プログラムの実行を開始する
付記８に記載の検査モジュール。
【００５３】
（付記１０）
前記断熱部材によって囲まれたバッテリを更に含み、
前記検査ユニットは、前記バッテリから供給される電力によって動作する
付記８または付記９に記載の検査モジュール。
【００５４】
（付記１１）
前記検査ユニットは、非接触給電方式によって供給される電力によって動作する
付記８または付記９に記載の検査モジュール。
【００５５】
（付記１２）
複数の配線層を積層して構成され、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つが、ビアを介して隣接する他の配線層に接続された積層基板に設けられた検査用のパッドに当接される検査ピンと、前記ビアの導通状態の検査するための検査プログラムを実行する検査ユニットと、前記検査ユニットを囲む断熱部材と、周囲温度を検出する温度センサと、を含む検査モジュールと、
前記積層基板を支持する複数の支持ピンと、
を含み、
前記検査ユニットは、前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記検査プログラムの実行を開始する
パレット。
【００５６】
（付記１３）
電源ラインに当接される電源用のパッドを更に含み、
前記検査ユニットは、前記電源用のパッドを介して供給される電力によって動作する
付記１２に記載のパレット。
【００５７】
（付記１４）
前記検査モジュールは、外部から発信される信号を受信する受信装置を更に含み、
前記検査ユニットは、前記受信装置によって前記信号が受信された場合に前記検査プログラムの実行を開始する
付記１２に記載のパレット。
【００５８】
（付記１５）
前記検査モジュールは、前記断熱部材によって囲まれたバッテリを更に含み、
前記検査ユニットは、前記バッテリから供給される電力によって動作する
付記１２に記載のパレット。
【００５９】
（付記１６）
前記検査ユニットは、非接触給電方式によって供給される電力によって動作する
付記１２に記載のパレット。
【符号の説明】
【００６０】
１０  積層基板
１３  ビア
２０  パレット
２１  支持ピン
２５  電源用のパッド
２６  配線
３０  検査モジュール
３２  検査ピン
３３  検査ユニット
３４  バッテリ
３５  断熱部材
４０  温度センサ
４５  受信装置
５０  電子部品
４００  リフロー炉
５００  試験用のクーポン
６００  非接触給電装置
７００  発信装置
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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