(57)【要約】【課題】過大なサージ電圧が印加されることがない半導体素子を有する電力変換装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る電力変換装置は、並列接続された複数の電力用半導体素子を含む電力用モジュールと、前記複数の電力用半導体素子の主端子間にそれぞれ並列に接続されたスナバコンデンサと、を備える。前記スナバコンデンサは、前記電力用モジュールの周囲を取り囲むように配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列接続された複数の電力用半導体素子を含む電力用モジュールと、
前記複数の電力用半導体素子の主端子間にそれぞれ並列に接続されたスナバコンデンサと、
を備え、
前記スナバコンデンサは、前記電力用モジュールの周囲を取り囲むように配置された電力変換装置。
【請求項２】
前記電力用モジュールの正負の主端子にそれぞれ接続された冷却フィンをさらに備え、
前記スナバコンデンサは、前記冷却フィンの周囲を取り囲むように配置された請求項１記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記冷却フィンは、平面視で方形であり、
前記スナバコンデンサは、前記冷却フィンの方形の一辺に少なくとも１つ配置された請求項２記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記スナバコンデンサは、それぞれ同一の静電容量値を有し、前記冷却フィンの方形の一辺に２以上配置された請求項３記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記冷却フィンは、平面視で円形であり、
前記スナバコンデンサは、前記冷却フィンの周囲を均等な間隔で配置された請求項２記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記電力用半導体素子は、ダイオードチップである請求項１〜５のいずれか１つの記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
交流を直流に変換し、あるいは直流を交流に変換する電力変換装置がある。このような電力変換装置は、たとえば基幹系の電力網に用いられる場合がある。
【０００３】
基幹系の電力網に用いられる電力変換装置では、大容量とする場合があり、大容量化のために大電流を扱うことができる半導体素子を用いる必要がある。半導体素子ではチップサイズ等の制約があるため、複数の半導体素子を並列接続して半導体モジュールを構成することによって、大電流化を実現している。
【０００４】
半導体モジュールのうち平形圧接タイプでは、複数の半導体素子を同一モジュール内に配置し、主電極のそれぞれを圧接接続することによって、各半導体素子を並列接続して大電流化を実現している。
【０００５】
半導体素子がスイッチング動作をする場合には、スイッチング動作に伴うサージ電圧やサージ電流を吸収するために、スナバ回路が用いられる。並列動作する半導体素子のサージ電圧対策のために用いられるスナバ回路は、配線の引き回し等による寄生インダクタンスの相違を生じた場合には過大なサージ電圧が印加される半導体素子が発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−２５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
実施形態は、過大なサージ電圧が印加されることがない半導体素子を有する電力変換装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係る電力変換装置は、並列接続された複数の電力用半導体素子を含む電力用モジュールと、前記複数の電力用半導体素子の主端子間にそれぞれ並列に接続されたスナバコンデンサと、を備える。前記スナバコンデンサは、前記電力用モジュールの周囲を取り囲むように配置される。
【発明の効果】
【０００９】
本実施形態では、スナバコンデンサが複数の電力用半導体素子の主端子間にそれぞれ接続され、電力用モジュールの周囲に配置されているので、電力用半導体素子からの距離が均等に近づくので、配線による寄生インダクタンスをそろえることができる。そのため、半導体素子ごとのスナバコンデンサのサージ吸収効果をより均等に近づけることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施形態に係る電力変換装置を例示するブロック図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の電力変換装置の一部を例示するブロック図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。図２（ｂ）は、第１の実施形態の電力変換装置の一部を例示する正面図である。
【図３】図３（ａ）は、第１の実施形態の電力変換装置の動作を説明するための模式図である。図３（ｂ）は、第１の実施形態の電力変換装置の動作を説明するための等価回路図である。
【図４】図４（ａ）は、比較例の電力変換装置の動作を説明するための模式図である。図４（ｂ）は、比較例の電力変換装置の動作を説明するための等価回路図である。
【図５】第２の実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。
【図６】第３の実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本実施形態に係る電力変換装置を例示するブロック図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の電力変換装置の一部を例示するブロック図である。
図１（ａ）に示すように、本実施形態の電力変換装置１０は、電力変換器２０と、制御装置６０と、を備える。電力変換装置１０は、交流端子２１ａ〜２１ｃを介して、交流系統１に接続される。この例のように、電力変換装置１０は、変圧器２を介して交流系統１に接続されてもよい。たとえば、交流系統１は、三相または単相の５０Ｈｚ若しくは６０Ｈｚの電源、負荷および交流送電線を備える構成とすることができる。電力変換装置１０は、直流系統３に接続される。直流系統３は、たとえば直流送電線等を含む。
【００１３】
電力変換装置１０は、交流系統１と直流系統３との間に接続されて、双方向の電力変換を行うことができる。
【００１４】
以下では、上述のような交流電力と直流電力との間で電力変換する交直電力変換装置について説明するが、以下のすべての実施形態は、交直電力変換装置に限らず、交流−交流間の電力変換を行う装置や、直流−直流間の電力変換を行う装置等にも適応することができる。
【００１５】
電力変換器２０は、三相交流の各相に対応した単位アーム２２を含む。単位アーム２２は、直流端子２１ｄ，２１ｅ間で直列に接続されレグを形成する。
【００１６】
直流端子２１ｄ，２１ｅ間で直列に接続される単位アーム２２には、変圧器２４が直列に接続されている。変圧器２４に代えてバッファリアクトルを接続してもよい。
【００１７】
単位アーム２２は、直列接続された単位変換器（以下、セルという。）３０を含む。セル３０は、単位アームあたり１個以上あればよいが、以下では、Ｍ個直列接続されているものとする（Ｍは２以上の整数）。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、セル３０は、端子３１ａ，３１ｂを含む。セル３０は、端子３１ａ，３１ｂによって、他のセル３０等と接続される。セル３０は、スイッチング素子３２と、ダイオード３３と、コンデンサ３４と、スナバコンデンサ３５と、を含む。スイッチング素子３２は、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等の自己消弧型の半導体素子である。スイッチング素子３２は、直列に２個接続されている。
【００１９】
ダイオード３３は、還流ダイオードである。２個のダイオード３３は、直列に接続されているスイッチング素子３２にそれぞれ逆並列に接続されている。
【００２０】
コンデンサ３４は、直列に接続された２個のスイッチング素子３２に並列に接続されている。
【００２１】
スナバコンデンサ３５は、ダイオード３３に並列に接続されている。ダイオード３３には、順方向の電流が流れた後に、逆電圧が印加されて逆回復電流が流れる。スナバコンデンサ３５は、逆回復電流が消失したときにダイオード３３の両端に発生するサージ電圧を吸収する。
【００２２】
スイッチング素子３２やダイオード３３は、大電流を扱うために、それぞれ並列接続されて用いられる。並列接続されたスイッチング素子３２やダイオード３３が、１つの半導体素子として用いられることができるように、これらの半導体チップは、パワーモジュールやスタック、圧接型素子等に収納される。
【００２３】
なお、図示しないが、各セル３０は、コンデンサ３４の両端のセル電圧Ｖｃｅｌｌを検出する電圧検出器を有しており、電圧検出器によって検出されたセル電圧Ｖｃｅｌｌは制御装置６０に供給される。制御装置６０は、セル電圧Ｖｃｅｌｌや電力変換器２０に入出力される交流電流、直流電圧等にもとづいて、ゲート信号を生成する。各セル３０のスイッチング素子３２は、ゲート信号にもとづいてスイッチング動作する。
【００２４】
以下では、上述したようなハーフブリッジ構成のセル３０を用いたモジュラーマルチレベル変換器（Modular Multilevel Converter、ＭＭＣ）について説明するが、セルをフルブリッジ構成とし、すべてのセルをフルブリッジ構成のものに置き換えてももちろんよい。
【００２５】
図２（ａ）は、本実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。図２（ｂ）は、本実施形態の電力変換装置の一部を例示する正面図である。
図２（ａ）および図２（ｂ）では、ダイオードモジュールとスナバコンデンサ群を含むダイオードスタック４０の外観が模式的に示されている。
【００２６】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ダイオードスタック４０は、ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂと、冷却フィン４１ａ〜４１ｃと、スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄと、を含む。ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂは、直列に接続されている。ダイオードスタック４０は、たとえば図１（ｂ）に示したように、互いに直列に接続され、スイッチング素子３２に並列に接続された２つのダイオード３３に対応する。ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂは、たとえば図１（ｂ）の１つのダイオード３３にそれぞれ対応する。
【００２７】
ダイオードモジュール５０ａは、冷却フィン４１ａ，４１ｂの間に設けられている。ダイオードモジュール５０ｂは、冷却フィン４１ｂ，４１ｃの間に設けられている。図示しないが、ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂは、上下に電極が設けられており、それぞれの電極に冷却フィン４１ａ〜４１ｃがそれぞれ接続されている。
【００２８】
冷却フィン４１ａ〜４１ｃは、外部回路に接続するための電極も兼ねている。冷却フィン４１ａ〜４１ｃには、外部回路に接続するために取り合い（接続端子）４２ａ〜４２ｃがそれぞれ設けられている。
【００２９】
スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの周囲に配置され、冷却フィン４１ａ〜４１ｃにそれぞれ電気的に接続されている。
【００３０】
ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂは同一の構成を有しているので、ダイオードモジュール５０ａについて説明する。ダイオードモジュール５０ａは、複数のダイオードチップ５１を含む。ダイオードチップ５１は、一方の円形の電極と、他方の円形の電極との間に挟持される。２つの電極間には、たとえばセラミック製の外囲器が設けられている。ダイオードチップ５１は、電極の面上で格子状に配列されている。なお、ダイオードチップ５１の配列は任意でよい。
【００３１】
以下の説明では、三次元座標系を用いることがある。ダイオードチップ５１は、ＸＹ平面に平行な電極上に配列され、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれに沿って格子配列されている。一方の電極、ダイオードチップおよび他方の電極は、Ｚ軸方向に沿って設けられている。
【００３２】
冷却フィン４１ａ〜４１ｃは、この例では、同一形状であり、ＸＹ平面視で方形の形状を有する。スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの方形の各辺Ｓａ〜Ｓｄにそれぞれ配置される。具体的には、スナバコンデンサ３５ａは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの辺Ｓａに配置され、スナバコンデンサ３５ｂは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの辺Ｓｂに配置される。同様に、スナバコンデンサ３５ｃは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの辺Ｓｃに配置され、スナバコンデンサ３５ｄは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの辺Ｓｄに配置される。スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、各辺Ｓａ〜Ｓｄのほぼ同じ位置に配置される。つまり、スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの各辺Ｓａ〜Ｓｄに均等に配置される。
【００３３】
なお、取り合い４２ａ〜４２ｃは、冷却フィン４１ａ〜４１ｃの各辺Ｓａ〜Ｓｄのうちの１つの辺に設けられる。取り合い４２ａ〜４２ｃが辺Ｓｂに設けられた場合には、たとえば取り合い４２ａ〜４２ｃは、スナバコンデンサ３５ｂをＺ軸方向（上下方向）に回避するように設けられる。なお、取り合いは、スナバコンデンサを回避して設けられていればよく、ＸＹ平面においてスナバコンデンサを避けて設けられていてもよい。
【００３４】
本実施形態の電力変換装置１０の動作について説明する。
図３（ａ）は、本実施形態の電力変換装置の動作を説明するための模式図である。図３（ｂ）は、本実施形態の電力変換装置の動作を説明するための等価回路図である。
図３（ａ）に示すように、ダイオードチップ５１，５１ａ，５１ｂは、ＸＹ平面視で方形格子状に配列されており、スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、各辺Ｓａ〜Ｓｄのほぼ中央に配置されている。ダイオードチップ５１ａ，５１ｂとスナバコンデンサ３５ａとの距離は、他のスナバコンデンサ３５ｂ〜３５ｄとの距離よりも近い。また、スナバコンデンサ３５ａは、辺Ｓａのほぼ中央に設けられているので、ダイオードチップ５１ａとスナバコンデンサ３５ａの距離は、ダイオードチップ５１ｂとスナバコンデンサ３５ａとの距離と同程度である。
【００３５】
ダイオードチップ５１ａ，５１ｂは、上下の電極によって並列に接続されている。上下の電極がスナバコンデンサ３５ａへの配線となる。配線の寄生インダクタンスは、配線の長さに応じて変化する。配線の寄生インダクタンスは、配線が長いほど大きくなる。したがって、ダイオードチップ５１ａ，５１ｂがスナバコンデンサ３５ａとほぼ等距離の場合には、寄生インダクタンスの値はほぼ等しくなる。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、ダイオードチップ５１ａ，５１ｂがそれぞれスナバコンデンサ３５ａとほぼ等しい距離に配置されている場合には、往復の配線にもとづく寄生インダクタンスＬ１，Ｌ２は、互いにほぼ等しくなる。スナバコンデンサ３５ａからダイオードチップ５１ａ，５１ｂ側を見たインピーダンスは、ほぼ等しくなる。そのため、逆回復電流によって発生するサージ電圧は、ほぼ同程度となる。つまり、ダイオード５１ａ，５１ｂの両端に印加されるサージ電圧は、ほぼ同程度となる。
【００３７】
本実施形態の電力変換装置の効果について、比較例の電力変換装置と比較しつつ説明する。
【００３８】
図４（ａ）は、比較例の電力変換装置の動作を説明するための模式図である。図４（ｂ）は、比較例の電力変換装置の動作を説明するための等価回路図である。
図４（ａ）に示すように、比較例の電力変換装置のダイオードスタック１４０は、冷却フィンの１つの辺にすべてのスナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄが配置されている。この場合のスナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄは、１つの辺で冷却フィンに電気的に接続されている。なお、この図では取り合いについては、図示していない。
【００３９】
スナバコンデンサ３５ａとダイオードチップ５１ａとの間の距離は、スナバコンデンサ３５ｂとダイオードチップ５１ｂとの間の距離は、異なっている。そのため、図４（ｂ）に示すように、スナバコンデンサ３５ａとダイオードチップ５１ａとの間に生成される寄生インダクタンスＬ１’は、スナバコンデンサ３５ａとダイオードチップ５１ｂとの間に生成される寄生インダクタンスＬ２’よりも大きい。つまり、スナバコンデンサ３５ａからダイオードチップ５１ａを見たインピーダンスは、ダイオードチップ５１ｂを見たインピーダンスよりも大きい。寄生インダクタンスＬ１’，Ｌ２’が異なるので、逆回復電流の消失にともなう電流変化によって寄生インダクタンスに比例して発生するサージ電圧がアンバランスとなる。そのため、ダイオードチップ５１ａに印加されるサージ電圧は、ダイオードチップ５１ｂに印加されるサージ電圧よりも大きくなる。
【００４０】
このように、比較例の電力変換装置では、スナバコンデンサ３５ａ〜３５ｄの位置が一方向に偏在しているため、ダイオードモジュール５０中に配列されたダイオードチップ５１ａ，５１ｂ，…の位置に応じて、発生するサージ電圧の大きさが異なる。したがって、印加されるサージがもっとも大きいダイオードチップにサージ耐量を合わせてすべてのダイオードチップを選定する必要がある。これは、よりチップサイズの大きいダイオードチップを選定することとなるので、ダイオードモジュールへのダイオード搭載数を少なくする必要がある等のコストや実装スペース上の問題を生じ得る。
【００４１】
これに対して、本実施形態の電力変換装置１０では、スナバコンデンサ３５が複数個設けられている。複数個設けられたスナバコンデンサ３５は、複数のダイオードチップ５１ａ，５１ｂが配列されたダイオードモジュール５０ａ，５０ｂの上下に接続された冷却フィン４１の周囲にそれぞれの間隔がほぼ均等になるように配置され、ダイオードモジュール５０ａ，５０ｂに接続されている。そのため、ダイオードチップ５１ａ，５１ｂ等からの距離が均等になるものが増えて、ダイオードチップとの間の配線の長さに応じて発生する寄生インダクタンスの値のばらつきが抑制される。したがって、ダイオードチップのそれぞれに発生する逆回復電流によるサージ電圧は、複数のスナバコンデンサ３５に分配されて効率よく吸収される。
【００４２】
（第２の実施形態）
図５は、本実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。
図５に示すように、本実施形態の電力変換装置のダイオードスタック２４０では、冷却フィン４１の各辺Ｓａ〜Ｓｄに２つのスナバコンデンサが配置されている。冷却フィン４１の辺Ｓａには、スナバコンデンサ２３５ａ，２３５ｂが配置され、冷却フィン４１の辺Ｓｂには、スナバコンデンサ２３５ｃ，２３５ｄが配置されている。同様に、冷却フィン４１の辺Ｓｃには、スナバコンデンサ２３５ｅ，２３５ｆが配置され、冷却フィン４１の辺Ｓｄには、スナバコンデンサ２３５ｇ，２３５ｈが配置されている。
【００４３】
各スナバコンデンサ２３５ａ〜２３５ｈの間隔は、ほぼ一定である。
【００４４】
各辺に配置するスナバコンデンサの数を２つに増加させることによって、スナバコンデンサ１つ当たりの静電容量値を低減することができる。理想的には、１つ当たりのスナバコンデンサの静電容量値を１つの場合のほぼ１／２とすることができる。静電容量値を少なくするほどスナバコンデンサの外形寸法は、小さくすることができる。したがって、本実施形態の電力変換装置では、ダイオードスタック２４０の全体の外形を小型にすることができる。
【００４５】
上述では、冷却フィン４１の１辺当たりのスナバコンデンサの数を２つとしたが、３つ以上としてもよく、スナバコンデンサの数を増やすことによって、静電容量値を下げ、小型とすることができる。
【００４６】
また、スナバコンデンサ１つあたりの寄生インダクタンスが変わらない場合には、並列接続数Ｎが増えることによって、スナバコンデンサの等価インダクタンスＬは、並列個数Ｎで除した値（＝Ｌ／Ｎ）となる。そのため、寄生インダクタンスが低減することによるサージ電圧低減効果もある。
【００４７】
（第３の実施形態）
図６は、本実施形態の電力変換装置の一部を例示する平面図である。
図６に示すように、本実施形態の電力変換装置のダイオードスタック３４０は、冷却フィン３４１が、ダイオードモジュールの円形形状に合わせた円形である。スナバコンデンサ３３５は、冷却フィン３４１の周囲を取り巻くように配置され、互いの間隔がほぼ等しい。
【００４８】
本実施形態では、スナバコンデンサが円形の冷却フィンの周囲をほぼ等間隔で取り巻いて配置されているので、複数のダイオードチップとの間の寄生インダクタンスの値をほぼ均等に等しくすることができる。したがって、スナバコンデンサは、ダイオードチップのそれぞれで発生する逆回復電流によるサージ電圧を吸収することができる。
【００４９】
本実施形態では、スナバコンデンサを方形状に配置した場合には、スナバコンデンサが角部近くに配置されることがある。ダイオードチップは、円形のモジュール電極に配置されているので、角部近くに配置されたスナバコンデンサは、いずれのダイオードチップからの距離が長くなるおそれがある。ダイオードチップとの距離が長い場合には、寄生インダクタンスが大きくなり、サージ電圧の吸収効果が低減してしまう。本実施形態では、ダイオードモジュールの円形電極の形状に応じた冷却フィンの周囲にスナバコンデンサが配置されているので、位置によって、配線長さが特段に大きくなる場合が少なくなるので、サージ電圧の低減効果が向上する。同一の静電容量値であっても、サージ電圧を吸収する効果が高いスナバコンデンサが配置されていることになるので、さらに静電容量値を低減させ、外形サイズを小型にすることも可能になる。
【００５０】
上述では、ＭＭＣを用いた電力変換器の単位変換器の還流用のダイオードスタックの逆回復時間に流れる電流に関するサージ電圧抑制のためのスナバコンデンサの配置について説明した。還流用に用いられるダイオードには、ダイオードの本質的な特性として逆回復特性を有しているため、動作条件の調整等によるサージ電圧抑制は困難な場合が多い。そのため、サージ電圧の抑制には、スナバ回路の配置による対策がもっとも有効である。
【００５１】
このようなダイオードの逆回復特性にもとづくサージ電圧低減のためには、ＭＭＣの単位変換器に用いる場合に限らず、２レベルインバータ回路や、ダイオードクランプ等を用いたマルチレベルインバータ回路等の還流ダイオードサージ電圧吸収に用いてもよい。
【００５２】
ダイオード以外のスイッチング素子の場合には、スイッチング速度等の調整等を行うことによって発生するサージ電圧の抑制をはかることも可能だが、上述したように、並列動作させる場合には、モジュールの周囲にスナバ回路を配置することによってさらにサージ電圧抑制効果を高めることも可能である。
【００５３】
以上説明した実施形態によれば、配線による寄生インダクタンスを低減した半導体素子を有する電力変換装置を実現することができる。
【００５４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明およびその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  交流系統、２  変圧器、３  直流系統、１０  電力変換装置、２０  電力変換器、２２  単位アーム、２４  変圧器、３０  単位変換器（セル）、３２  スイッチング素子、３３  ダイオード、３４  コンデンサ、３５，３５ａ〜３５ｄ，２３５ａ〜２３５ｈ，３３５  スナバコンデンサ、４０，２４０，３４０  ダイオードスタック、４１，３４１  冷却フィン、４２  取り合い、５０  ダイオードモジュール、５１  ダイオードチップ、６０  制御装置
【図１】
2018170830.tif 000003
【図２】
2018170830.tif 000004
【図３】
2018170830.tif 000005
【図４】
2018170830.tif 000006
【図５】
2018170830.tif 000007
【図６】
2018170830.tif 000008