(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ基板上に仮固定された半導体チップを熱圧着して実装するのに際して、熱圧着位置の位置合わせ精度を確保しつつ、半導体ウェハ基板面内位置での実装品質に差の生じ難い実装装置を提供すること。【解決手段】  半導体ウェハ基板を部分的に把持する保持部と、前記保持部で把持された前記半導体ウェハ基板に半導体チップを熱圧着するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドが熱圧着する領域において、前記半導体ウェハ基板を反対面から支持するバックアップステージとを備え、前記保持部は、前記半導体ウェハ基板の反対面を吸着する、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下の部材からなる吸着手段を有する実装装置を提供する。【選択図】          図２
2018026375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ基板上に熱硬化性接着剤を介して仮固定された複数の半導体チップを熱圧着する実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板を部分的に把持する保持部と、
前記保持部で把持された前記半導体ウェハ基板に前記半導体チップを熱圧着するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドが熱圧着する領域において、前記半導体ウェハ基板を反対面から支持するバックアップステージとを備え、
前記保持部は、前記半導体ウェハ基板の反対面を吸着する、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下の部材からなる吸着手段を有する実装装置。
【請求項２】
請求項１に記載の実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板の反対面と前記保持部の上面との距離を可変できるよう、
前記保持部上面に対して前記吸着手段の先端部が変位可能な実装装置。
【請求項３】
請求項２に記載の実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板を移動させるときは、前記吸着手段の先端部を前記保持部の上面に揃え、
前記熱圧着を行う際は、前記吸着手段の先端部を前記保持部の上面から突出させる実装装置。
【請求項４】
請求項３に記載の実装装置であって、
前記熱圧着を行う際の、前記吸着手段の先端部が前記上面から突出する高さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である実装装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかに記載の実装装置であって、
前記保持部の少なくとも前記半導体ウェハ基板と接触する範囲において、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下の部材を用いる実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装装置に関する。詳しくは、基板上に熱硬化性樹脂を介して仮固定された半導体チップを熱圧着して実装する実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造分野において、高密度実装への要望から、三次元実装の一種であるチップオンウェハ工法（以下「ＣＯＷ工法と記す」）への注目が集まっている。ＣＯＷ工法は、分割して半導体チップになる回路部品が作り込まれた半導体ウェハ基板上に、半導体チップを接合して実装する工法であり、図８のように（半導体ウェハ基板の上面図が図８（ａ）、このＡ−Ａ断面図が図８（ｂ））、一枚の半導体ウェハ基板Ｗに多数の半導体チップＣを実装するものである。
【０００３】
このように、多数の半導体チップＣを半導体ウェハ基板Ｗ上に実装するのに際して、図９（ａ）のように未硬化の熱硬化性接着剤Ｒを介して半導体チップＣを半導体ウェハ基板Ｗ上に仮固定してから加熱圧着を行い、半導体チップＣのバンプＢを溶融して半導体ウェハ基板Ｗの電極Ｅに接合するとともに、熱硬化性接着剤Ｒを硬化（図９（ｂ））して機械的に固定するプロセス（以下「仮本分割プロセス」と記す）が用いられる。この仮本分割プロセスでは、仮固定状態にある複数の半導体チップＣを同時に熱圧着することができる。このため、半導体チップ1つずつ所定箇所に配置して熱圧着するプロセスに比べて、全体としてのタクトタイム短縮が可能となる。
【０００４】
すなわち、仮本分割プロセスでは、半導体ウェハ基板W上に実装すべき多数の半導体チップCを（未硬化の）熱硬化性接着剤Ｒで仮固定してから、複数の半導体チップCを包含する範囲を同時に押圧して熱圧着を行なう（図１０（ａ））。具体的には、図１０（ｂ）のように複数の半導体チップＣを同時に押圧する押圧面ＳＡを有するボンディングヘッド７で熱圧着する（図１０（ｃ））。図１０では、一度に４個の半導体チップＣを熱圧着する場合を示しており、ボンディングヘッド７で４個の半導体チップCを加熱しながら半導体ウェハ基板側に加圧して熱圧着を行なう。
【０００５】
仮本分割プロセスにおいては、前述のとおり、半導体ウェハ基板W上に実装すべき多数の半導体チップCを仮固定してからボンディングヘッド７を用いて熱圧着する。このため、順次熱圧着を進める過程において、熱圧着対象の半導体チップCの周囲には、仮固定状態の半導体チップCが隣接している。ところで、これら仮固定状態の半導体チップCでは熱圧着が未実施であるため、熱硬化性接着剤Ｒの硬化が開始することは好ましくない。すなわち、熱圧着を行なう前に熱硬化性接着剤が硬化すると、加圧しても半導体チップＣのバンプＢと半導体ウェハ基板Ｗの電極との間の距離が縮まらずに接合不良になることがある。
【０００６】
このため、ボンディングヘッド７が熱圧着する半導体チップＣに隣接する半導体チップＣを仮固定している熱硬化性接着剤Ｒの硬化開始を防ぐ必要がある。
【０００７】
そこで、半導体ウェハ基板Ｗを半導体チップＣが仮固定された面の反対側から支持する手段として、従来のような全面を支持するステージ４００（図１１（ａ））に代わり、ボンディングヘッド７が熱圧着する領域ＳＡのみを支持するバックアップステージ４（図１１（ｂ））が用いられるようになってきている（例えば特許文献１）。このような構成にすることにより、半導体ウェハ基板Ｗを支持するステージを経由して、熱圧着される領域ＳＡの外側まで加熱することはない。また、ボンディングヘッド７とバックアップステージ４による同時加熱により、熱圧着時間が短縮でき、熱圧着領域の周囲への熱影響を低減することも可能となる。
【０００８】
なお、熱圧着対象の領域を移動させるに際して、従来のステージ４００を用いる場合はステージ４００全体で移動させるが、バックアップステージ４はボンディングヘッド７と対向させた位置に固定することが望ましいため、バックアップステージ４を用いる場合は半導体ウェハ基板Ｗを移動させるための手段が別途必要である。
【０００９】
このため、図１２に一例を示すような、半導体ウェハ基板Ｗの周縁部を保持部８を用いて部分的に把持する手法が採用されている。保持部８は、図１２（ａ）に示すように、保持領域８Ｃで半導体ウェハ基板を保持する機能を有しており、保持部８が半導体ウェハ基板Ｗを把持した状態で移動することにより、半導体ウェハ基板Ｗを移動させ、ボンディングヘッド７とバックアップステージ４に対して位置合わせを行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−３０２２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
保持部８により半導体ウェハ基板Ｗを把持した状態で、仮固定された半導体チップＣを熱圧着して実装するのに際して、半導体ウェハ基板Ｗの面内位置により実装品質に差が生じることがある。すなわち、図１３において、領域ＳＡ１で良好な実装品質が得られていても領域ＳＡ２では熱硬化性樹脂Ｒの硬化不良が生じ、領域ＳＡ２で良好な実装品質が得られる場合においては領域ＳＡ１で実装不良が生じることがある。このような、半導体ウェハ基板Ｗの面内位置による実装品質差は、加熱温度のプロセスマージンが狭いバンプ材料や熱硬化性接着剤Ｒを用いた場合に顕著である。
【００１２】
この半導体ウェハ基板Ｗの面内位置による実装品質の差は、保持部８を介した熱伝導による放熱に起因している。このため、保持部８に近い部分ほど放熱が大きくなり、半導体チップＣを加熱する温度が上昇し難くなっている。
【００１３】
そこで、保持部８を介した熱伝導を低減するために、図１４のように保持領域８Ｃを狭くすることが考えられるが、保持領域８Ｃを狭くすると、半導体ウェハ基板Ｗを安定に把持することが困難になり、半導体ウェハ基板Ｗの位置合わせ精度が低下してしまう。
【００１４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体ウェハ基板上に仮固定された半導体チップを熱圧着して実装するのに際して、熱圧着位置の位置合わせ精度を確保しつつ、半導体ウェハ基板面内位置での実装品質に差の生じ難い実装装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、
半導体ウェハ基板上に熱硬化性接着剤を介して仮固定された複数の半導体チップを熱圧着する実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板を部分的に把持する保持部と、前記保持部で把持された前記半導体ウェハ基板に前記半導体チップを熱圧着するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドが熱圧着する領域において、前記半導体ウェハ基板を反対面から支持するバックアップステージとを備え、
前記保持部は、前記半導体ウェハ基板の反対面を吸着する、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下の部材からなる吸着手段を有する実装装置である。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板の反対面と前記保持部の上面との距離を可変できるよう、
前記保持部上面に対して前記吸着手段の先端部が変位可能な実装装置である。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の実装装置であって、
前記半導体ウェハ基板を移動させるときは、前記吸着手段の先端部を前記保持部の上面に揃え、前記熱圧着を行う際は、前記吸着手段の先端部を前記保持部の上面から突出させる実装装置である。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の実装装置であって、
前記熱圧着を行う際の、前記吸着手段の先端部が前記上面から突出する高さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である実装装置である。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４の何れかに記載の実装装置であって、
前記保持部の少なくとも前記半導体ウェハ基板と接触する範囲において、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以下の部材を用いる実装装置である。  
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、半導体ウェハ基板上に仮固定された半導体チップを熱圧着して実装するのに際して、熱圧着位置の位置合わせ精度を確保しつつ、半導体ウェハ基板面内位置での実装品質に差が生じ難くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係わる実装装置の構成を示す図である。
【図２】（ａ）本発明の実施形態に係わる実装装置の保持部の上面図である（ｂ）同断面図である。
【図３】（ａ）本発明の実施形態に係わる実装装置で半導体ウェハ基板の位置合わせを行うときの断面図である（ｂ）位置合わせ完了後の断面図である（ｃ）熱圧着を実施する状態の断面図である。
【図４】（ａ）本発明の実施形態に係わる保持部の一例により半導体ウェハ基板を移動する際の断面図である（ｂ）同保持部の一例の熱圧着時の状態を示す断面図である。
【図５】（ａ）本発明の実施形態に係わる保持部の別例により半導体ウェハ基板を移動する際の断面図である（ｂ）同保持部の別例の熱圧着時の状態を示す断面図である。
【図６】（ａ）本発明の実施形態に係わる保持部の別例が半導体ウェハ基板を吸着していない状態の断面図である（ｂ）同保持部の別例が半導体ウェハ基板の吸着保持を開始する状態の断面図である。
【図７】（ａ）本発明の別の実施形態に係わる実装装置の保持部の上面図である（ｂ）同断面図である。
【図８】（ａ）半導体ウェハ基板上に多数の半導体チップが実装されている状態の上面図である（ｂ）同状態の断面図である。
【図９】（ａ）半導体ウェハ基板上に未硬化の熱硬化性接着剤で半導体チップを仮固定した状態の断面図（ｂ）同半導体チップを熱圧着した後の断面図。
【図１０】（ａ）半導体ウェハ基板上に仮固定された半導体チップを複数個単位で熱圧着する例を示す上面図である（ｂ）同図の部分的拡大図である（ｃ）同拡大図の断面図をボンディングヘッドの断面とともに示す図である。
【図１１】（ａ）半導体ウェハ基板上に仮固定された半導体チップを熱圧着する際の一般的なボンディングステージの断面図である（ｂ）加熱圧着領域のみを支持するバックアップステージの断面図である。
【図１２】（ａ）半導体ウェハ基板の周縁部を部分的に把持する保持部の一例を示す上面図である（ｂ）同断面図である。
【図１３】半導体ウェハ基板の周縁部を保持部で部分的に把持した際の、半導体ウェハ基板の面内位置と実装品質に関して説明するための図である。
【図１４】（ａ）半導体ウェハ基板の周縁部を保持する際の保持領域を狭めた例を示す上面図である（ｂ）同断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
まず、図１に示した本発明に係わる一実施形態である実装装置１について説明する。図１の説明において、図の左右方向をＸ方向、これに直行する奥行き方向をＹ方向、上下方向をＺ方向、Ｚ方向を回転軸として回転する方向をθ方向として説明する。
【００２３】
実装装置１は、図１０に示したような状態で半導体ウェハ基板Ｗに仮固定された半導体チップＣを熱圧着するものである。本実施形態において、半導体ウェハ基板Ｗの材質としてシリコンを想定しているが、シリコンに限定されるものではなくシリコンカーバイド（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体であってもよく、サポート基板等と貼り合せた積層体であってもよい。本発明は熱伝導率の高い材質からなる半導体ウェハ基板Ｗに対して有効に作用する。
【００２４】
実装装置１は、半導体ウェハ基板Ｗに仮固定された半導体チップＣを複数個ずつ同時に熱圧着することが可能なものであり、基台２、可動テーブル３、バックアップステージ４、フレーム５、圧着ユニット６、ボンディングヘッド７、保持部８および保持部可動手段９を備えている。
【００２５】
基台２は実装装置１を構成する主な構造体であり、可動テーブル３、バックアップステージ４およびフレーム５を支持している。
【００２６】
可動テーブル３は、保持部８によって把持された半導体ウェハ基板Ｗを（半導体ウェハ基板Ｗの面方向の）任意な位置に移動させるものである。図１の実装装置１においては、基台２に対してＹ方向に移動可能なＹ方向可動部３ａを設け、Ｙ方向可動部３ａ上にＸ方向可動部３ｂを設け、Ｘ方向可動部３ｂ上にθ方向可動部３ｃを設けた構造となっているが、これに限定されるものではなく、Ｘ、Ｙおよびθの各方向に移動して位置調整が可能な構成であればよい。ただし、可動テーブル３の可動範囲内において、可動テーブル３がバックアップステージ４に接触しない構造である必要がある。
【００２７】
バックアップステージ４は、ボンディングヘッド７により半導体ウェハ基板Ｗ上の半導体チップＣを熱圧着する際に、半導体チップＣが仮固定されている面（上面）の反対面（下面）から半導体ウェハ基板Ｗを支持するものであり、図示しない吸着機構により半導体ウェハ基板Ｗを部分的に吸着保持する機能を備えていることが望ましい。また、バックアップステージ４は加熱手段であるヒータを内蔵していてもよい。このヒータは、ボンディングヘッド７による熱圧着時に半導体ウェハ基板Ｗ側から加熱を行なうものである。
【００２８】
バックアップステージ４の上面は、ボンディングヘッド７によって押圧される領域を支持する形状である必要があるが、広すぎると他の機械要素との干渉が起こりやすいので好ましくない。適切な形状にすることにより、ボンディングヘッド７の押圧面とバックアップステージ４の上面は一対を成すことになるので、半導体ウェハ基板Ｗの位置とは無関係に同一の平行度で加圧を行なうことができる。
【００２９】
フレーム５は、圧着ユニット６を支持するものである。図１の実装装置１において、支持フレーム５は門型形状としている。これは、圧着ユニットによる加圧力が大きな場合にも適しているためである。
【００３０】
圧着ユニット６は、ボンディングヘッド７をＺ方向に移動させるものである。圧着ユニット６は、図示しないサーボモータとボールねじとから構成される。圧着ユニット６は、サーボモータによってボールねじを回転させることによりボールねじの軸方向の駆動力を発生するように構成されている。圧着ユニット６は、ボールねじの軸方向がバックアップステージ４の上面に対して垂直なＺ方向になるように支持フレーム５に取り付けられている。つまり、圧着ユニット６は、Ｚ方向の駆動力（加圧力）を発生できるように構成されている。圧着ユニット６は、サーボモータの出力を制御することによりＺ方向の加圧力を任意に設定できるように構成されている。なお、本実施形態において、圧着ユニット６は、サーボモータとボールねじの構成としたが、これに限定されるものではなく、空圧アクチュエータ、油圧アクチュエータやボイスコイルモータから構成してもよい。
【００３１】
ボンディングヘッド７は、圧着ユニット６の駆動力を半導体チップＣに伝達するとともに、半導体チップＣを加圧して熱圧着を行うものである。ボンディングヘッド７には、半導体チップＣを加熱するためのヒータが内蔵されている。またボンディングヘッド７の先端部は、複数の半導体チップＣを同時に加圧する形状を有している。
【００３２】
ボンディングヘッド７は、圧着ユニット６を構成している図示しないボールねじナットに取り付けられている。つまり、ボンディングヘッド７は、バックアップステージ４と平行に対向するように配置されている。すなわち、ボンディングヘッド７は圧着ユニット６によってＺ方向に移動されることで、バックアップステージ４に近接する。
【００３３】
保持部８は、半導体ウェハ基板Ｗを部分的に把持するものである。バランス良く把持するという観点から、半導体ウェハ基板Ｗの周縁部を保持することが好ましい。
【００３４】
その例を図２に示す。図２（ａ）はＸ方向に対向した保持部８と半導体ウェハ基板Ｗの位置関係を示した上面図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ部の断面図が図２（ｂ）である。図２（ａ）、図２（ｂ）では、保持部８と半導体ウェハ基板Ｗの位置関係を説明するために半導体チップＣの図示を省いているが、実際には半導体ウェハ基板上面ＷＡ側には多数の半導体チップＣが仮固定されている。
【００３５】
図２（ｂ）において、保持部８には半導体ウェハ基板Ｗを吸着保持する吸着手段８１を設けてあり、吸着手段８１は吸着パッド８１Ｐを有している。吸着パッド８１Ｐは吸着手段８１の先端部にあって、半導体ウェハ基板下面ＷＢ側（半導体ウェハ基板Ｗの反対面側）を部分的に吸着保持するものである。吸着パッド８１Ｐによる吸着保持は、排気管８１Ｖを経由した減圧によって行なわれる。ここで、吸着パッド８１Pは断熱性を有し、熱伝導率が１Ｗ／ｍｋ以下の材質が用いられることが望ましい。
【００３６】
また、吸着手段８１は吸着パッド８１Ｐを、保持部上面８Ａに対して垂直方向に変位させる機能を有している。ここで、保持部上面８Ａは平坦で半導体ウェハ基板下面ＷＢ（半導体ウェハＷの反対面）と平行とすることが好ましく、その場合、吸着パッド８１Ｐによる吸着面を保持部上面８Ａと揃えることで、半導体ウェハ基板下面ＷＢは保持部上面８Ａに密着保持することが可能である。一方において、吸着パッド８１Ｐが保持部上面８Ａから突出した状態にすれば、吸着パッド８１Ｐ以外の領域で、半導体ウェハ基板下面ＷＢと保持部上面８Ａの間に空間を設けた状態で保持することができる。この空間が生じることにより、半導体ウェハ基板Ｗから保持部８への伝熱は低減する。この吸着パッド８１ｐの突出高さは０．１ｍｍ以上あれば有効で、突出高さが大なほど伝熱性は低下するが、突出高さを大にするほど動作時間を要してタクトタイムに影響を及ぼす。実測検討から、吸着パッド８１Ｐの突出高さは２．０ｍｍ以下が好ましい。
【００３７】
図２において、保持部８は２箇所に配置され、両保持部８に各２個で合計４個の吸着手段８１を設けたが、これに限定されるものではない。ただし、吸着保持の安定性のために保持部８は半導体ウェハ基板Ｗの周縁上２箇所以上に配置され、吸着手段８１は各保持部に１個以上設けられ、合計では３個以上あることが好ましい。ただし、保持部８は多すぎると平坦性が出し難くなるので配置箇所は４以下が望ましい。また、吸着手段８１が多すぎると吸着手段８１を介した伝熱が無視できなくなるので各保持部に３個以下であることが好ましい。
【００３８】
保持部可動手段９は、可動テーブル３に対する保持部８の位置を可変する機能を有するものである。保持部可動手段９は可動テーブル３の移動に合わせて、半導体ウェハ基板Ｗと平行な面内で保持部８を移動させる機能を有している。また、保持部可動手段９は保持部８をＺ方向（半導体ウェハ基板Ｗの面に垂直な方向）に移動し位置調整する機能も有している。
【００３９】
以下に、実装装置１により、半導体ウェハ基板Wに半導体チップCを熱圧着する前後の状態について、図３を用いて保持部８の動作を中心に説明する。
【００４０】
図３（ａ）は、半導体ウェハ基板Wの所望の箇所をボンディングヘッド７とバックアップステージ４によって熱圧着される領域に位置合わせする状態を示す断面図である。ここで、ボンディングヘッド７は上部に待機した状態であり、半導体ウェハ基板Wは保持部８に把持され、半導体ウェハ基板下面ＷＢ（半導体ウェハ基板Ｗの反対面）がバックアップステージ４の上面に接触しない状態が維持されている。また、保持部上面８Ａが半導体ウェハ基板下面ＷＢに密着するよう、吸着手段８１は吸着パッド８１Ｐの吸着面を保持部上面８Ａと揃う高さにしている。このため、半導体ウェハ基板Ｗは保持部８に密着把持され、保持部８の移動に合わせた半導体ウェハ基板Ｗの位置調整を安定的に行える。
【００４１】
図３（ｂ）は、半導体ウェハ基板Ｗの位置合わせが終わって、熱圧着を開始する前の状態を示す断面図である。半導体ウェハ基板Ｗの位置合わせが終わった後に、保持部可動手段９により保持部８を下げて、半導体ウェハ基板下面ＷＢはバックアップステージ４の上面に接触した状態となっている。この状態では、バックアップステージ４の吸着機能を稼働させることで、半導体ウェハ基板Ｗの（熱圧着すべき）所望の箇所をバックアップステージ４によって吸着保持することが可能となる。この後、ボンディングヘッド７を下降させることで熱圧着が行なえる。なお、タクトタイムを短縮するために、半導体ウェハ基板Ｗがバックアップステージ４に吸着するタイミングに合わせてボンディングヘッド７を下降することもできる。
【００４２】
図３（ｃ）は、熱圧着を行なっている状態を示す断面図である。図３（ｂ）の状態から熱圧着を開始するまでの段階で、保持部８の吸着手段８１は吸着パッド８１Ｐを保持部上面８Ａから突出させている。このため、半導体ウェハ基板Ｗと保持部８の間の伝熱は密着している状態に比べて大幅に低減できる。結果として、半導体ウェハ基板Ｗの面内位置による熱圧着時の昇温特性のバラツキが低減でき、実装品質のバラツキも低減する。
【００４３】
ところで、図３（ｃ）においては、半導体ウェハ基板Ｗの中心付近の熱圧着を行なう際に、吸着パッド８１Ｐを突出させる状態を示しているが、半導体ウェハ基板Ｗの中心付近の熱圧着に関しては、吸着パッド８１Ｐの突出を省いてもよい。すなわち、熱圧着時に吸着パッド８１Ｐを突出させるのは、保持部８を介した放熱が問題となる、保持部８に近い領域の熱圧着に限定してもよい。
【００４４】
図３（ｂ）から図３（ｃ）に示すように、吸着パッド８１Ｐを突出するよう変位させる機構の一例として、図４に示すような構成がある。図４において、吸着手段８１はボールスプラインバッファ付パッドによって構成されており外筒８１Ｔに対してストローク部８１Ｓを滑らせることで機能するものである。
【００４５】
また、吸着パッド８１Ｐの位置を変位させる機構の別例として、図５に示すようなベロー８１Ｂを用いることも可能である。ベロー８１Ｂは蛇腹状で伸縮可能であるため、図５（ａ）のように保持部上面８Ａが半導体ウェハ基板下面ＷＢに密着した状態から、保持部稼働手段９が保持部８を下げることにより、（半導体ウェハ基板Ｗがバックアップステージ４に保持されている状態であれば）吸着パッド８１Ｐが突出し、保持部上面８Ａと半導体ウェハ基板下面ＷＢの間に隙間が生じる。
【００４６】
なお、ここで用いるベロー８１Ｂは、図６（ａ）のように、吸着状態ではないときは吸着パッド８１Ｐを含めた先端部が保持部上面８Ａから突出しており、吸着パッド８１Ｐが半導体ウェハ基板下面ＷＢに密着して吸着を開始することで（図６（ｂ））、内部が減圧され収縮して図５（ａ）のように半導体ウェハ基板下面ＷＢに保持部上面８Ａを密着させる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態として、保持部８に吸着手段８１を設けることで、熱圧着時半導体ウェハ基板Ｗと保持部８に空隙を設け、熱伝導を低減する例について説明したが、別な手段により熱伝導を低減する例についても図７を用いて説明する。
【００４８】
図７（ａ）はＸ方向に対向した保持部８と半導体ウェハ基板Ｗの位置関係を示した上面図であり、図７（ａ）のＡ−Ａ部の断面図が図７（ｂ）である。図７（ａ）、図７（ｂ）では、保持部８と半導体ウェハ基板Ｗの位置関係を説明するために半導体チップＣの図示を省いているが、実際には半導体ウェハ基板上面ＷＡ側には多数の半導体チップＣが仮固定されている。
【００４９】
図７（ａ）、図７（ｂ）において、保持部８の少なくとも半導体ウェハ基板Ｗと接触する範囲において、低熱伝導部８０が設けられている。低熱伝道部８０は熱伝導率が１Ｗ／ｍｋ以下の材質が用いられている。具体的な材質としては、保持部８がステンレス材等の金属によって構成されているのに対して、低熱伝導部は、セメント、ガラスクロス、セラミックファイバーまたはセラミックスによって構成されている。なお、保持部８全体が低熱伝導部８０によって構成されていてもよい。ただし、低熱伝導部８０に半導体ウェハ基板Ｗを把持するための吸着手段を設ける必要がある。
【００５０】
保持部８に低熱伝導部８０を設けた場合、半導体ウェハ基板Ｗと保持部８に空間を設けた場合に比べて熱伝導を低減する効果は小さいものの、簡易な構成で保持部８を介した放熱を低減することが出来る。このため、加熱温度のプロセスマージンに応じて有効に活用することが出来る。
【００５１】
更に、低熱伝導部８０に設けた吸着手段が図１の吸着手段８１と同様に、半導体ウェハ基板Ｗの垂直方向に変位可能に設けて、低熱伝導部８０上面から突出可能な構成としてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１      実装装置
２      基台
３      可動テーブル
３ａ    Ｙ方向可動部
３ｂ    Ｘ方向可動部
３ｃ    θ方向可動部
４      バックアップステージ
５      フレーム
６      圧着ユニット  
７      ボンディングヘッド
８      保持部
８Ａ    保持部上面
９      保持部可動手段
８０      低熱伝導部
８１      吸着手段
８１Ｐ    吸着パッド
８１Ｓ    ストローク部
８１Ｔ    外筒
８１Ｖ    排気管
Ｂ      バンプ
Ｃ      半導体チップ
Ｅ      電極
Ｒ      熱硬化性接着剤
Ｗ      半導体ウェハ基板
ＷＡ    半導体ウェハ基板上面（半導体ウェハ基板の半導体チップ搭載面）
ＷＢ    半導体ウェハ基板下面（半導体ウェハ基板の反対面）  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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