(57)【要約】【課題】裏面にプラズマエッチングが困難な金属膜が形成されたデバイスウエーハのデバイスチップへの分割を容易化できるデバイスウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】デバイスウエーハの加工方法は、デバイスウエーハＷの外周部ＰＰに保護部材５を形成する保護部材形成工程と、裏面ＷＲ側を保持し表面ＷＳ側からパッシベーション膜ＰＦ及び保護部材５をマスクにしてプラズマエッチングして、溝Ｒを形成する溝形成工程と、溝形成工程後に封止部材１２を用いてデバイスウエーハＷ表面ＷＳの溝Ｒ間にエアーＡＲを封止する封止工程と、封止工程を実施した後に、デバイスウエーハＷを真空容器内に配置し該真空容器内を減圧吸引する減圧工程と、減圧された真空容器内の圧力と封止されたエアーＡＲとの差圧により金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断し個々のデバイスＤに分割する分割工程とを備える。【選択図】図１３
2018026398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
該デバイスウエーハの外周部にプラズマ耐性を有する保護部材を形成する保護部材形成工程と、
該デバイスウエーハの裏面側を保持し、該デバイスウエーハの表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングして、該金属膜に延び且つ該デバイスウエーハの外周面に露出しない溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に封止部材を用いて該デバイスウエーハ表面の該溝間にエアーを封止する封止工程と、
該封止工程を実施した後に、該デバイスウエーハを真空容器内に配置し該真空容器内を減圧吸引する減圧工程と、
減圧された該真空容器内の圧力と該封止されたエアーとの差圧により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、
を備えるデバイスウエーハの加工方法。
【請求項２】
該封止部材は、剛性を有するプレートである請求項１に記載のデバイスウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスウエーハをデバイスに分割するデバイスウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスウエーハの分割には、ダイシング装置やレーザ加工装置が用いられている。ダイシング装置は、破砕加工であるため、カケ（チッピング）が発生しやすく、分割されたチップの抗折強度が低くなったり、加工時間が比較的長くなったりするという問題がある。また、レーザ加工装置によりウエーハ内部に変質層を形成して分割する方法では、カケが少なく切り代も小さいという利点があるが、分割されたチップ同士が隣接するため、その後の搬送時にチップ同士がこすれてカケを発生させてしまうという問題も残されていた。
【０００３】
そこで、プラズマエッチングを利用してデバイスウエーハを個々のデバイスチップに分割するという加工方法（プラズマダイシング）が提案された（例えば、特許文献１参照）。この加工方法によれば、デバイスウエーハの直径が大きくなっても溝を形成する加工時間は変わらず、抗折強度の高いデバイスチップが形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１０４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、デバイスがＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor  field-effect  transistor）である場合などには、デバイスウエーハは、裏面に電極となる金属膜又はダイアタッチフィルム等のプラズマエッチングが困難な金属膜が形成されている場合がある。特許文献１に示された加工方法は、プラズマエッチングが困難な金属膜が裏面に形成されたデバイスウエーハのデバイスチップへの分割が容易ではなかった。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、裏面にプラズマエッチングが困難な金属膜が形成されたデバイスウエーハのデバイスチップへの分割を容易化できるデバイスウエーハの加工方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスウエーハの加工方法は、表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、該デバイスウエーハの外周部にプラズマ耐性を有する保護部材を形成する保護部材形成工程と、該デバイスウエーハの裏面側を保持し、該デバイスウエーハの表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングして、該金属膜に延び且つ該デバイスウエーハの外周面に露出しない溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程後に封止部材を用いて該デバイスウエーハ表面の該溝間にエアーを封止する封止工程と、該封止工程を実施した後に、該デバイスウエーハを真空容器内に配置し該真空容器内を減圧吸引する減圧工程と、減圧された該真空容器内の圧力と該封止されたエアーとの差圧により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
該封止部材として、剛性を有するプレートを用いても良い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のデバイスウエーハの加工方法は、真空容器内の圧力と封止された溝内の気圧との差圧を利用して金属膜を破断するので、デバイスウエーハを容易に個々のデバイスに分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、図２に示されたデバイスウエーハのパッシベーション膜により被覆された分割予定ラインにアブレーション加工を施す状態を示す断面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の保護部材形成工程に用いられるレジスト塗布装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図６】図６は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の保護部材形成工程後のデバイスウエーハの断面図である。
【図７】図７は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程で用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図８】図８は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの断面図である。
【図９】図９は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の斜視図である。
【図１０】図１０は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の封止工程を示すデバイスウエーハの断面図である。
【図１１】図１１は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の封止工程後のデバイスウエーハの断面図である。
【図１２】図１２は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の減圧工程及び分割工程に用いられる真空容器の断面図である。
【図１３】図１３は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の分割工程を示すデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１４】図１４は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の加工後のデバイスウエーハの断面図である。
【図１５】図１５は、実施形態２に係るデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の平面図である。
【図１６】図１６は、実施形態３に係るデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の平面図である。
【図１７】図１７は、各実施形態の変形例１に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの断面図である。
【図１８】図１８は、各実施形態の変形例２に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【図１９】図１９は、各実施形態の変形例３に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態１〕
実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図２に示されたデバイスウエーハのパッシベーション膜により被覆された分割予定ラインにアブレーション加工を施す状態を示す断面図である。
【００１３】
実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法は、図１に示すデバイスウエーハＷを加工する加工方法である。図１に示すデバイスウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板Ｓとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。デバイスウエーハＷは、図１に示すように、表面ＷＳの交差（実施形態１では、直交）する複数の分割予定ラインＬによって区画された基板Ｓ上の各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。デバイスウエーハＷは、複数のデバイスＤが基板Ｓ上に形成されている。また、デバイスウエーハＷは、裏面ＷＲ全面にプラズマエッチングが困難な金属膜Ｆが形成されている。実施形態１に係るデバイスウエーハＷは、分割予定ラインＬの幅が数十μｍ程度以下で、かつデバイスＤの大きさが０．１ｍｍ角以上かつ２０ｍｍ角以下であり、プラズマエッチングによりデバイスチップＤＴに分割されるのが好適なものである。また、実施形態１に係るデバイスウエーハＷの厚さは、３０μｍ以上で且つ３００μｍ以下である。なお、デバイスチップＤＴは、基板Ｓの一部とデバイスＤとを含んで構成される。
【００１４】
また、デバイスウエーハＷのデバイスＤは、図２に示すように、ＩＣ(Integrated  Circuit)等の回路Ｃと、回路Ｃの表面を被覆するパッシベーション（不動態化又は不活性化）膜ＰＦとを含んで構成する。パッシベーション膜ＰＦは、基板Ｓ上の各領域に積層されて、回路Ｃを外部環境から保護し、回路Ｃを物理的及び化学的に保護する。パッシベーション膜ＰＦは、シリコン窒化（Ｓｉ３Ｎ４）膜やシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜などにより構成され、実施形態１において、回路Ｃを被覆し、分割予定ラインＬを被覆していない。即ち、デバイスウエーハＷは、分割予定ラインＬ上の領域に基板Ｓ表面が露出している、又はパッシベーション膜ＰＦが除去されている。また、実施形態１において、デバイスＤは、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor  field-effect  transistor）であり、金属膜Ｆは、銅合金などの導電体により構成された膜である。金属膜Ｆは、デバイスウエーハＷの基板Ｓの表面ＷＳにデバイスＤを形成した後、基板Ｓが所定の厚みになるまで基板Ｓの裏面が研削された後に形成される。実施形態１において、金属膜Ｆは、スパッタリング又はＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition：化学気相成長）により形成される。また、実施形態１において、金属膜Ｆは、チタン、ニッケル及び金のうち一以上の金属により構成された厚さが数μｍ〜１０μｍ程度の多層膜である。
【００１５】
また、実施形態１において、デバイスウエーハＷは、図３に示すように、パッシベーション膜ＰＦがデバイスＤの回路Ｃ及び分割予定ラインＬを被覆した状態にある場合には、レーザ加工ユニット１３により分割予定ラインＬにアブレーション加工が施されて、分割予定ラインＬ上のパッシベーション膜ＰＦが除去される。
【００１６】
デバイスウエーハＷの分割予定ラインＬにアブレーション加工を施す際には、デバイスウエーハＷの表面ＷＳにポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等を含む水溶性樹脂により構成される図示しない保護膜を形成する。アブレーション加工を施す際には、レーザ加工ユニット１３の図示しないチャックテーブルに表面ＷＳに図示しない保護膜が形成されたデバイスウエーハＷを吸引保持し、レーザ加工ユニット１３の加工ヘッド１５を分割予定ラインＬに沿って移動させながらレーザ加工ユニット１３の加工ヘッド１５からレーザ光ＬＲを分割予定ラインＬに照射して、分割予定ラインＬのパッシベーション膜ＰＦにアブレーション加工を施す。パッシベーション膜ＰＦにアブレーション加工を施した後、図示しない保護膜を除去して、分割予定ラインＬの基板Ｓ表面を露出する。実施形態１において、分割予定ラインＬにレーザ光ＬＲを照射して、アブレーション加工を施して、分割予定ラインＬの基板Ｓ表面を露出しているが、本発明は、これに限定されず、分割予定ラインＬに切削ブレードを用いた切削加工を施して、分割予定ラインＬのパッシべーション膜ＰＦを除去して、分割予定ラインＬの基板Ｓ表面を露出しても良い。
【００１７】
次に、デバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図４は、実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図５は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の保護部材形成工程に用いられるレジスト塗布装置の概略の構成を示す斜視図である。図６は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の保護部材形成工程後のデバイスウエーハの断面図である。図７は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程で用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。図８は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの断面図である。図９は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の斜視図である。図１０は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の封止工程を示すデバイスウエーハの断面図である。図１１は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の封止工程後のデバイスウエーハの断面図である。図１２は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の減圧工程及び分割工程に用いられる真空容器の断面図である。図１３は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の分割工程を示すデバイスウエーハの要部の断面図である。図１４は、図４に示されたデバイスウエーハの加工方法の加工後のデバイスウエーハの断面図である。
【００１８】
実施形態１に係るデバイスウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、デバイスウエーハＷを分割予定ラインＬに沿って切断して、デバイスウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割（個片化ともいう）する方法である。
【００１９】
加工方法は、図４に示すように、保護部材形成工程ＳＴ１と、溝形成工程ＳＴ２と、封止工程ＳＴ３と、減圧工程ＳＴ４と、分割工程ＳＴ５とを備える。
【００２０】
保護部材形成工程ＳＴ１は、デバイスウエーハＷの図１及び図５に示す外周部ＰＰにプラズマ耐性を有する保護部材５（図６に示す）を形成する工程である。保護部材形成工程ＳＴ１は、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲに図６に示す支持部材１０を貼着し、支持部材１０を介して図５に示すレジスト塗布装置４０の図示しないチャックテーブルにデバイスウエーハＷを保持する。保護部材形成工程ＳＴ１は、レジスト塗布装置４０の塗布ノズル４１から保護部材５であるレジストＲＳをデバイスウエーハＷの表面ＷＳのデバイスＤが形成されていない外周部ＰＰに塗布する。
【００２１】
なお、実施形態１において、デバイスウエーハＷの外周部ＰＰは、パッシベーション膜ＰＦが除去されて基板Ｓ表面が露出している。塗布ノズル４１は、デバイスウエーハＷの径方向と長手方向が平行な吐出口４１ａを備え、吐出口４１ａを通してレジストＲＳをデバイスウエーハＷの表面ＷＳの外周部ＰＰに塗布する。実施形態１において、保護部材形成工程ＳＴ１は、塗布ノズル４１の吐出口４１ａをデバイスウエーハＷの表面ＷＳの外周部ＰＰに対向させて、塗布ノズル４１とデバイスウエーハＷとをデバイスウエーハＷの外周部ＰＰに沿って相対的に移動させながら塗布ノズル４１からレジストＲＳを塗布する。保護部材形成工程ＳＴ１は、図６に示すように、デバイスウエーハＷの表面ＷＳの外周部ＰＰの全周に保護部材５であるレジストＲＳを形成する。レジストＲＳは、プラズマエッチングされにくい、又はプラズマエッチングが困難な材料により構成され、実施形態１では、所謂フォトレジストである。
【００２２】
溝形成工程ＳＴ２は、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲ側に貼着された支持部材１０を介して裏面ＷＲ側を保持し、デバイスウエーハＷの表面ＷＳ側からパッシベーション膜ＰＦ及びレジストＲＳをマスクにして分割予定ラインＬに沿って基板Ｓ表面の露出部分をプラズマエッチングして、デバイスウエーハＷの表面ＷＳ側から金属膜Ｆのある方向に延びかつデバイスウエーハＷの外周面ＰＳに露出しない溝Ｒ（図８に示す）を形成する工程である。溝形成工程ＳＴ２は、図７に示すエッチングユニット２０のハウジング２１の開口２２を通して、デバイスウエーハＷをハウジング２１内に収容し、開口２２をゲートバルブ２６により閉じる。そして、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲ側を支持部材１０を介して高周波電源２３に接続された下部電極２４上の吸着保持部材２５（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic  chuck）に静電気力で吸着、保持する。
【００２３】
次に、図示しない冷媒供給手段から下部電極２４内の図示しない冷却通路内に冷媒を循環させ、排気装置２７を作動してハウジング２１内の雰囲気を排気口２８を通して真空排気し、ガス供給手段２９から高周波電源３２に接続された上部電極３０の噴出口３１を通してハウジング２１内にエッチングガスをデバイスウエーハＷの表面ＷＳ側に向けて供給する。なお、この際、ハウジング２１内を所定の圧力に維持する。そして、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源３２から上部電極３０に高周波電力を印加する。これにより、下部電極２４と上部電極３０との間にプラズマが発生し、下部電極２４に高周波電源２３から高周波電力を供給してプラズマ中のイオンをデバイスウエーハＷに引き込み、デバイスウエーハＷの表面ＷＳをエッチングする。
【００２４】
デバイスウエーハＷの分割予定ラインＬの基板Ｓが露出しているために、溝形成工程ＳＴ２は、エッチングガスの種類、高周波電源２３，３２が印加する高周波電力の周波数及び電力を、基板Ｓのエッチングレートが高く、パッシベーション膜ＰＦのエッチングレートが基板Ｓのエッチングレートよりも低い条件に選択される。実施形態１において、基板Ｓのエッチングレートのパッシベーション膜ＰＦのエッチングレートに対する比（エッチング選択比）が、５００以上であるとよい。例えば、高周波電源３２が印加する高周波電力の周波数は、２ＭＨｚ又は１３．５６ＭＨｚであり、高周波電源２３が印加する高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚである。
【００２５】
溝形成工程ＳＴ２は、基板Ｓのエッチングレートがパッシべーション膜ＰＦのエッチングレートよりも十分高いので、基板Ｓがパッシベーション膜ＰＦよりも早くエッチングされ、分割予定ラインＬに表面から金属膜Ｆに延びる溝Ｒが形成される。また、溝形成工程ＳＴ２は、デバイスウエーハＷの表面ＷＳの外周部ＰＰの全周にレジストＲＳが形成されているために、溝ＲがデバイスウエーハＷの外周面ＰＳ（又は外縁ともいう）に開口することなく、表面ＷＳから裏面ＷＲに向かって延びる。また、実施形態１において、基板Ｓのエッチングレートのパッシベーション膜ＰＦのエッチングレートに対する比は、図８に示すように、溝Ｒが金属膜Ｆに到達してもデバイスＤの回路Ｃを保護するパッシベーション膜ＰＦが残存する値であることが望ましい。実施形態１において、溝Ｒが金属膜Ｆに到達する時間、エッチングを行った後、溝形成工程ＳＴ２を終了するが、本発明は、溝形成工程ＳＴ２において形成される溝Ｒは、金属膜Ｆに到達しなくても良い。即ち、本発明は、溝Ｒの底に基板Ｓの一部が残存しても良い。また、実施形態１において、溝Ｒは、図９に示すように、各分割予定ラインＬの全長に亘って設けられ、各分割予定ラインＬに一本の溝Ｒが設けられている。なお、図９は、最も外側のデバイスＤの辺に沿って溝を形成するようにレジストを形成する態様を示すが、本発明は、ウエーハＷの外周縁に沿ってレジストを形成しても良い。
【００２６】
封止工程ＳＴ３は、溝形成工程ＳＴ２後に封止部材１２を用いてデバイスウエーハＷ表面ＷＳの溝Ｒ間にエアーＡＲを封止する工程である。封止部材１２は、デバイスウエーハＷと同等の大きさの円盤状に形成され、剛性を有する硬質な材料で構成されている。封止部材１２は、剛性を有するプレートである。封止部材１２は、紫外線を透過する樹脂又はガラスにより構成されても良く、紫外線を透過しない材料で構成されても良い。封止部材１２は、図１０に示すように、紫外線を照射することにより接着力が低下する接着剤１１を用いてデバイスウエーハＷの表面ＷＳに貼着されても良く、接着剤１１を用いることなくデバイスウエーハＷの表面ＷＳに貼り付けられても良い。実施形態１において、封止部材１２は、接着剤１１を用いてデバイスウエーハＷの表面ＷＳに貼着されるが、封止部材１２とデバイスウエーハＷの裏面ＷＲとを複数個所でクランプして、デバイスウエーハＷの表面ＷＳを封止部材１２で封止しても良い。
【００２７】
接着剤１１は、紫外線を照射することにより接着力が低下し、容易に封止部材１２をデバイスウエーハＷの表面ＷＳから剥離できるものを使用するとよい。接着剤１１は、例えば、紫外線を照射することにより膨張あるいは発泡するマイクロカプセル又は発泡剤などが混入されたものにより構成される。接着剤１１は、紫外線を照射することにより硬化するものにより構成されても良い。実施形態１において、封止工程ＳＴ３は、図１１に示すように、デバイスウエーハＷの表面ＷＳに接着剤１１を介して封止部材１２を貼着した後、支持部材１０をデバイスウエーハＷの裏面ＷＲから剥がす。
【００２８】
減圧工程ＳＴ４は、封止工程ＳＴ３を実施した後に、デバイスウエーハＷを図１２に示す真空容器５０内に配置し、真空容器５０内を減圧吸引する工程である。減圧工程ＳＴ４は、図１２に示す真空容器５０内にデバイスウエーハＷを収容し、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲ側が下方に向けて配置されるように、デバイスウエーハＷに貼着された封止部材１２を真空容器５０内の保持部５２で保持する。減圧工程ＳＴ４は、真空容器５０内と吸引管５３を介して接続された真空吸引源５４により真空容器５０内の気体を吸引して、真空容器５０内を減圧する。
【００２９】
分割工程ＳＴ５は、減圧された真空容器５０内の圧力と、溝Ｒ内に封止されたエアーＡＲの気圧との差圧により金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断し、デバイスウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する工程である。分割工程ＳＴ５は、真空吸引源５４により真空容器５０内の圧力が減圧されると、デバイスウエーハＷの表面ＷＳには、剛性を有するプレートである封止部材１２が貼着されているために、真空容器５０内の圧力と溝Ｒ内に封止されたエアーＡＲの気圧との差圧により、溝Ｒ内に封止されたエアーＡＲは、金属膜Ｆを溝Ｒの外側に押圧する。分割工程ＳＴ５は、溝Ｒ内に封止されたエアーＡＲが溝Ｒの幅方向の両縁に沿って、図１３に示すように、金属膜Ｆを破断して、図１４に示すように、デバイスウエーハＷを個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴに分割する。
【００３０】
その後、デバイスウエーハＷは、乾燥、洗浄された後、封止部材１２が紫外線を透過する場合には、表面ＷＳ側から封止部材１２を通してデバイスウエーハＷに紫外線を照射する。接着剤１１の接着力を低下させ、個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴが封止部材１２からピックアップされる。また、本発明は、デバイスウエーハＷの裏面ＷＲに図示しない他の支持部材を貼着し、封止部材１２をデバイスウエーハＷから剥がした後、個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴを他の支持部材からピックアップしても良い。なお、本発明では、封止部材１２が紫外線を透過しない場合には、接着剤１１として熱硬化型の接着剤を用いても良い。
【００３１】
実施形態１に係る加工方法は、保護部材形成工程ＳＴ１においてデバイスウエーハＷの表面ＷＳの外周部ＰＰにレジストＲＳを形成し、溝形成工程ＳＴ２においてデバイスウエーハＷの分割予定ラインＬの表面から金属膜Ｆに延び外周面ＰＳに露出しない溝Ｒを形成する。また、実施形態１に係る加工方法は、封止工程ＳＴ３においてデバイスウエーハＷの表面ＷＳを封止部材１２で封止した後、減圧工程ＳＴ４で溝Ｒの内外に差圧を生じさせ、分割工程ＳＴ５において溝Ｒの内外に差圧により金属膜Ｆを破断させる。このために、実施形態１に係る加工方法は、溝Ｒの内外の差圧を利用して金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断するので、デバイスウエーハＷを容易に個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴに分割することができる（個片化することができる）。
【００３２】
また、加工方法は、封止部材１２が剛性を有するプレートであるので、溝Ｒの内外の差圧が金属膜Ｆを外側に押し出す方向に作用する。その結果、加工方法は、金属膜Ｆを破断することができる。
【００３３】
また、加工方法は、溝形成工程ＳＴ２において、プラズマエッチングにより分割予定ラインＬに溝Ｒを形成するので、分割予定ラインＬの幅が数十μｍ以下でかつデバイスＤが０．１ｍｍ角以上でかつ２０ｍｍ角以下のデバイスウエーハＷのデバイスチップＤＴへの分割に好適である。
【００３４】
また、加工方法は、溝Ｒの内外の差圧を利用して金属膜Ｆを破断するので、デバイスウエーハＷを湾曲（変形）させることなく金属膜Ｆを破断することとなる。このために、加工方法は、金属膜Ｆを破断する際に、デバイスチップＤＴ同士が擦れることを抑制でき、デバイスチップＤＴにカケ（チッピング）が発生することを抑制できる。
【００３５】
〔実施形態２〕
実施形態２に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１５は、実施形態２に係るデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の平面図である。図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３６】
実施形態２に係るデバイスウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、溝形成工程ＳＴ２において形成する溝Ｒ−２を、図１５に示すように、互いに隣り合うデバイスＤ間に形成されるデバイス間部Ｒａと、分割予定ラインＬ同士の交差点に形成される交差点部Ｒｂとにより構成している。互いに隣り合うデバイス間部Ｒａ間、及びデバイス間部Ｒａと交差点部Ｒｂとの間の間隔は、数μｍに形成される。また、実施形態２に係る加工方法は、溝Ｒ−２がデバイス間部Ｒａと交差点部Ｒｂとにより構成されるように、保護部材形成工程ＳＴ１において、分割予定ラインＬにレジストＲＳにより構成される保護部材５が形成される。実施形態２に係る加工方法は、溝Ｒ−２の形状が異なること以外、実施形態１と同様である。
【００３７】
実施形態２に係る加工方法は、溝形成工程ＳＴ２において形成されたデバイスウエーハＷの分割予定ラインＬの表面から金属膜Ｆに延び外周面ＰＳに露出しない溝Ｒ−２の内外の差圧を利用して、金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断するのでデバイスウエーハＷを容易に個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴに分割することができる（個片化することができる）。また、実施形態２に係る加工方法は、溝Ｒ−２がデバイス間部Ｒａと交差点部Ｒｂとにより構成されているので、分割予定ラインＬの全長に亘って金属膜Ｆを破断させることができる。
【００３８】
〔実施形態３〕
実施形態３に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１６は、実施形態３に係るデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程後のデバイスウエーハの要部の平面図である。図１６は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
実施形態３に係るデバイスウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、溝形成工程ＳＴ２において形成する溝Ｒ−３を、分割予定ラインＬの長手方向に間隔をあけて配置される複数の分割穴Ｒｃにより構成している。互いに隣り合う分割穴Ｒｃ間の間隔は、数μｍに形成される。また、実施形態３に係る加工方法は、溝Ｒ−３が複数の分割穴Ｒｃにより構成されるように、保護部材形成工程ＳＴ１において、分割予定ラインＬにレジストＲＳにより構成される保護部材５が形成される。実施形態３に係る加工方法は、溝Ｒ−３の形状が異なること以外、実施形態１と同様である。
【００４０】
実施形態３に係る加工方法は、溝形成工程ＳＴ２において形成されたデバイスウエーハＷの分割予定ラインＬの表面から金属膜Ｆに延び外周面ＰＳに露出しない溝Ｒ−３の内外の差圧を利用して、金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断するのでデバイスウエーハＷを容易に個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴに分割することができる（個片化することができる）。また、実施形態３に係る加工方法は、溝Ｒ−３が複数の分割穴Ｒｃにより構成されているので、分割予定ラインＬの全長に亘って金属膜Ｆを破断させることができる。
【００４１】
前述した実施形態１から実施形態３によれば、以下のデバイスウエーハの加工方法が含まれる。また、各実施形態に含まれるデバイスウエーハの加工方法を有するデバイスの製造方法が含まれる。
【００４２】
（付記１）
表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
外周部にプラズマ耐性を有する保護部材が形成され、かつ該裏面側が保持されて、該表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングされて、該金属膜に延び且つ外周面に露出しない溝が形成されたデバイスウエーハ表面に貼着された封止部材を用いて該デバイスウエーハ表面の該溝間にエアーを封止する封止工程と、
該封止工程を実施した後に、該デバイスウエーハを真空容器内に配置し該真空容器内を減圧吸引する減圧工程と、
減圧された該真空容器内の圧力と該封止されたエアーとの差圧により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、
を備えるデバイスウエーハの加工方法。
【００４３】
〔変形例１〕
各実施形態の変形例１に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１７は、各実施形態の変形例１に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの断面図である。図１７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４４】
各実施形態の変形例１に係るデバイスウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）の加工対象のデバイスウエーハＷは、外周部ＰＰのパッシベーション膜ＰＦが除去されることなく残される。変形例１に係る加工方法は、デバイスウエーハＷにデバイスＤを形成する所謂前工程が、保護部材形成工程ＳＴ１を含む。また、変形例１に係る加工方法は、溝形成工程ＳＴ２において、保護部材５であるパッシベーション膜ＰＦをマスクとして溝Ｒを形成する。また、変形例１に係る加工方法の加工対象のデバイスウエーハＷは、保護部材５としてパッシベーション膜ＰＦを用いたが、スパッタリングにより金属により構成された保護部材５を用いても良い。変形例１に係る加工方法は、実施形態１と同様に、溝Ｒの内外の差圧を使用して、金属膜Ｆを分割予定ラインＬに沿って破断するのでデバイスウエーハＷを容易に個々のデバイスＤ即ちデバイスチップＤＴに分割することができる（個片化することができる）。
【００４５】
〔変形例２〕
各実施形態の変形例２に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１８は、各実施形態の変形例２に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの要部の断面図である。図１８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
各実施形態のデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハＷ−１は、図１８に示すように、金属部材として、例えば、分割予定ラインＬにＴＥＧ（Test  Element  Group）２００が設けられても良い。ＴＥＧ２００は、プラズマエッチングにより除去が困難な導電性の金属により構成され、デバイスＤの設計、製造上の問題を見つけ出すための金属パターンである。図１８に示されたデバイスウエーハＷ−１は、保護部材形成工程ＳＴ１の前に分割予定ラインＬにアブレーション加工又は切削加工が施されて、ＴＥＧ２００が除去される。また、図１８に示されたデバイスウエーハＷ−１は、金属部材であるダミーパターンが分割予定ラインＬに設けられても良い。
【００４７】
〔変形例３〕
各実施形態の変形例３に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１９は、各実施形態の変形例３に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの要部の断面図である。図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
各実施形態のデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハＷ−２は、図１９に示すように、金属膜Ｆの代わりに支持部材１４に予め設けられたＤＡＦ（Die  Attach  Film）であるプラズマエッチングが困難な膜Ｆ−２が裏面ＷＲに形成されても良い。ＤＡＦである膜Ｆ−２の厚さは、１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下である。また、デバイスウエーハＷ−２は、膜Ｆ−２がデバイスウエーハＷを保護する図示しないＤＢＦ（ダイバックサイドフィルム）により構成されても良い。要するに、デバイスウエーハＷ−２は、金属膜Ｆ以外のプラズマエッチングが困難な膜Ｆ−２が裏面ＷＲに形成されても良い。
【００４９】
また、上記実施形態及び変形例では、減圧工程ＳＴ４において真空容器５０内を減圧することにより溝Ｒの内外に差圧を生じさせたが、本発明は、減圧工程ＳＴ４の代わりに、封止工程ＳＴ３を実施した後に、デバイスウエーハＷを耐圧容器内に配置し、耐圧容器内を加圧する加圧工程を実施し、分割工程ＳＴ５において溝Ｒの内外の差圧を利用して金属膜Ｆを破断しても良い。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５１】
５  保護部材
１２  封止部材
５０  真空容器
Ｗ，Ｗ−１，Ｗ−２  デバイスウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｌ  分割予定ライン
ＬＲ  レーザ光
Ｄ  デバイス
Ｓ  基板
Ｆ  金属膜
Ｒ，Ｒ−２，Ｒ−３  溝
ＰＦ  パッシベーション膜
ＰＰ  外周部
ＰＳ  外周面
ＡＲ  エアー
ＳＴ１  保護部材形成工程
ＳＴ２  溝形成工程
ＳＴ３  封止工程
ＳＴ４  減圧工程
ＳＴ５  分割工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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