(57)【要約】      （修正有）【課題】原子層成長処理において基板上に形成される薄膜へのパーティクルの付着を防止し、膜質を向上する。【解決手段】原子層成長装置は、成膜処理が行われる成膜容器１１と、基板１００を保持する上下移動可能なステージ１４と、ステージ１４上に保持され、かつ基板１００を保持するサセプタ５０と、ステージ１４の上昇を止め、かつサセプタ５０との接触により、該成膜処理が行われる成膜空間Ｓと基板１００の搬送が行われる搬送空間とを区画するステージストッパー１７と、を備えている。さらに、サセプタ５０は、基板１００を保持する上部サセプタ基板保持部５２Ｂと、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの周囲に配置された上部サセプタ周縁部５２Ａと、を備え、上部サセプタ周縁部５２Ａ上にサセプタ防着材１５が設けられている。【選択図】図２
2018037508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に成膜処理が行われる成膜容器と、
前記成膜容器内に設置され、上下移動可能なステージと、
前記ステージ上に保持され、前記基板を保持するサセプタと、
前記ステージの上昇を止め、前記サセプタとの接触により、前記成膜処理が行われる成膜空間と、前記基板の搬送が行われる搬送空間と、を区画するステージストッパーと、
を有し、
前記サセプタは、前記基板を保持する第１サセプタと、前記第１サセプタの周囲に配置された第２サセプタと、を備え、
前記第２サセプタ上にサセプタ防着材が設けられている、原子層成長装置。
【請求項２】
請求項１に記載の原子層成長装置において、
前記サセプタは、前記第１サセプタと前記第２サセプタとからなる上部サセプタと、前記上部サセプタを支持する下部サセプタと、を有し、
前記上部サセプタは、前記基板を保持する保持面を有した上部サセプタ基板保持部と、前記上部サセプタ基板保持部の周囲に位置し、かつ前記保持面より低い高さの上部サセプタ周縁部と、を備え、
前記上部サセプタ周縁部上に前記サセプタ防着材が設けられている、原子層成長装置。
【請求項３】
請求項２に記載の原子層成長装置において、
前記上部サセプタ周縁部の側面は、前記ステージストッパーの基板側の側面より内側に位置し、
前記上部サセプタと前記下部サセプタは、前記上部サセプタ周縁部において固定されている、原子層成長装置。
【請求項４】
請求項１に記載の原子層成長装置において、
前記サセプタは、前記第１サセプタと前記第２サセプタとからなる上部サセプタと、前記上部サセプタを支持する下部サセプタと、を有し、
前記上部サセプタは、前記基板を保持する上部サセプタ基板保持部を有し、
前記基板と前記サセプタ防着材との隙間、および前記上部サセプタ基板保持部と前記サセプタ防着材との隙間をそれぞれ介して不活性ガスを前記成膜空間に供給する不活性ガス供給路が前記サセプタに形成され、
前記不活性ガス供給路に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給部が前記成膜容器に設けられている、原子層成長装置。
【請求項５】
請求項４に記載の原子層成長装置において、
前記サセプタに形成された前記不活性ガス供給路は、前記上部サセプタに形成された上部不活性ガス供給路と、前記下部サセプタに形成された下部不活性ガス供給路と、からなり、
前記上部不活性ガス供給路と、前記下部不活性ガス供給路と、が連通されている、原子層成長装置。
【請求項６】
請求項４に記載の原子層成長装置において、
前記基板と前記サセプタ防着材との前記隙間により形成された不活性ガス排出口が、前記上部サセプタ基板保持部の周囲で全周に沿って複数個、または全周に亘って連続して形成されている、原子層成長装置。
【請求項７】
請求項６に記載の原子層成長装置において、
前記不活性ガスは、前記ステージの面温度と±１０％以内の温度で前記不活性ガス排出口から排出される、原子層成長装置。
【請求項８】
請求項２に記載の原子層成長装置において、
外部から不活性ガスを供給する不活性ガス供給路が前記サセプタに設けられ、
前記上部サセプタ基板保持部と前記上部サセプタ周縁部との間の位置に、前記不活性ガス供給路と連通する不活性ガス供給口が形成されている、原子層成長装置。
【請求項９】
請求項８に記載の原子層成長装置において、
前記不活性ガス供給口は、複数形成されている、原子層成長装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の原子層成長装置において、
前記成膜容器に、前記不活性ガス供給路と接続された不活性ガス通気口が形成されている、原子層成長装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の原子層成長装置において、
前記サセプタは、前記第１サセプタと前記第２サセプタとからなる上部サセプタと、前記上部サセプタを支持する下部サセプタと、を有し、
前記上部サセプタは、前記基板を保持する上部サセプタ基板保持部を有し、
前記基板と前記サセプタ防着材との隙間、および前記上部サセプタ基板保持部と前記サセプタ防着材との隙間をそれぞれ介して不活性ガスを前記成膜空間に供給する不活性ガス供給路が前記サセプタに形成され、
前記不活性ガス供給路に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給部が前記成膜容器に設けられ、
前記ステージストッパーに、前記サセプタの前記不活性ガス供給路と、前記成膜容器の前記不活性ガス供給部と、を繋ぐステージストッパーガス供給路が形成されている、原子層成長装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の原子層成長装置において、
前記ステージと対向する位置に平板電極が配置され、
前記ステージと前記サセプタとが電気的に接続され、
前記ステージストッパーと前記サセプタとがメタルＯリングを介して電気的に接続されている、原子層成長装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の原子層成長装置において、
前記第２サセプタは、前記ステージストッパーの基板側の側面と、前記第１サセプタの基板直下の側面との間の位置に配置されている、原子層成長装置。
【請求項１４】
請求項１１に記載の原子層成長装置において、
前記上部サセプタは、前記基板を保持する保持面を有した前記上部サセプタ基板保持部と、前記上部サセプタ基板保持部の周囲に位置し、かつ前記保持面より低い高さの上部サセプタ周縁部と、を備え、
前記上部サセプタ周縁部の側面は、前記ステージストッパーの基板側の側面より内側に位置し、
前記上部サセプタと前記下部サセプタは、前記上部サセプタ周縁部において固定されている、原子層成長装置。
【請求項１５】
（ａ）ステージ上に設けられたサセプタ上に基板を載置する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、成膜容器に設けられたガス導入部から前記成膜容器内に原料ガスを導入して、前記基板上に前記原料ガスを吸着させる工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記ガス導入部から前記成膜容器内にパージガスを導入して、前記原料ガスを前記成膜容器外に排出する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記ガス導入部から前記成膜容器内に反応ガスを導入して、前記基板上に前記反応ガスを供給し、前記基板の表面に所望の薄膜を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ガス導入部から前記成膜容器内にパージガスを導入して、前記反応ガスを前記成膜容器外に排出する工程、
を有し、
前記（ｂ）〜（ｅ）工程の間、前記成膜容器内に不活性ガスを流す、原子層成長方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の原子層成長方法において、
前記サセプタに形成された不活性ガス供給路を介して前記成膜容器内に前記不活性ガスを導入し、前記不活性ガスを前記サセプタの側部および前記ステージ上の成膜空間に供給する、原子層成長方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の原子層成長方法において、
前記ステージの上昇を止めるステージストッパーに形成されたステージストッパーガス供給路を介して前記成膜容器内に前記不活性ガスを導入し、前記不活性ガスを前記サセプタの側部および前記ステージ上の成膜空間に供給する、原子層成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、基板上に薄膜を形成する原子層成長装置および原子層成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
原子層成長技術は、形成される薄膜を構成する元素のガスを基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成するものであり、薄膜を均一に形成する技術として知られている。また、原子層成長方法は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と比較して、段差被覆性や膜厚制御性に優れている。
【０００３】
原子層成長方法によって薄膜の形成を繰り返し行うと、成膜容器の内壁にも薄膜が付着する。そして、成膜容器の内壁に付着した薄膜の厚さが厚くなると、堆積した薄膜が剥離し、その一部分がパーティクルとなる。したがって、成膜容器の内壁に付着した薄膜を定期的に除去することが必要となる。
【０００４】
例えば、特開２００６−３５１６５５号公報（特許文献１）には、防着板を使用し、かつチャンバの内壁に堆積した堆積物を非晶質膜で覆う処理方法および気相成長装置が開示されている。
【０００５】
また、反応室内に、側壁カバー、床面カバー、上部カバーおよび下部カバーがそれぞれ着脱可能に設けられ、かつサセプタの下面に不活性ガスを流す基板処理装置の構造が、例えば、特開２０００−２４３７１１号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００６】
また、成膜装置において、基板キャリアに防着部材を取り付けて基板キャリアの表面への膜の付着を防止する旨が、例えば、特開２００１−３１６７９７号公報（特許文献３）に開示されている。
【０００７】
また、プラズマ処理装置において、処理室内に防着板を設けて基板上以外に絶縁物が付着するのを防ぐ旨が、例えば、特開２０１４−１３３９２７号公報（特許文献４）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３５１６５５号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３７１１号公報
【特許文献３】特開２００１−３１６７９７号公報
【特許文献４】特開２０１４−１３３９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
原子層成長方法による成膜においては、使用される原料ガス（例えば、ＴＭＡ：Ｔｒｉ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｌｕｍｉｎｕｍ）は拡散し易いため、成膜容器内の微細な隙間に容易に侵入して膜を形成する。例えば、成膜室と搬送室とが、ステージストッパーと、ステージもしくはサセプタと、によって区画される原子層成長装置においては、上記区画部分で隙間が生じ、パーティクル発生箇所となり易い。つまり、このような微細な隙間に侵入した原料ガスは、膜及び粉となり、パーティクルの要因となる。
【００１０】
特に、大型のガラス基板に対応した大面積タイプの原子層成長装置においては、基板が大きくなるほどステージも大きくなり、ステージが大きくなるほどステージの平坦度も低下する。その結果、上記区画部分での隙間が増大し、よりパーティクルの発生が顕著となる。
【００１１】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一実施の形態による原子層成長装置は、基板に成膜処理が行われる成膜容器と、上記成膜容器内に設置され、上下移動可能なステージと、上記ステージ上に保持され、上記基板を保持するサセプタと、上記ステージの上昇を止め、上記サセプタとの接触により、上記成膜処理が行われる成膜空間と上記基板の搬送が行われる搬送空間とを区画するステージストッパーと、を有する。さらに、上記サセプタは、上記基板を保持する第１サセプタと、上記第１サセプタの周囲に配置された第２サセプタと、を備え、上記第２サセプタ上にサセプタ防着材が設けられている。
【００１３】
また、一実施の形態の原子層成長方法は、（ａ）ステージ上のサセプタ上に基板を載置する工程、（ｂ）上記（ａ）工程の後、成膜容器のガス導入部から上記成膜容器内に原料ガスを導入して、上記基板上に上記原料ガスを吸着させる工程、（ｃ）上記（ｂ）工程の後、上記ガス導入部から上記成膜容器内にパージガスを導入して、上記原料ガスを上記成膜容器外に排出する工程、を有する。さらに、（ｄ）上記（ｃ）工程の後、上記ガス導入部から上記成膜容器内に反応ガスを導入して、上記基板上に上記反応ガスを供給し、上記基板の表面に所望の薄膜を形成する工程、（ｅ）上記（ｄ）工程の後、上記ガス導入部から上記成膜容器内にパージガスを導入して、上記反応ガスを上記成膜容器外に排出する工程、を有し、上記（ｂ）〜（ｅ）工程の間、上記成膜容器内に不活性ガスを流す。
【発明の効果】
【００１４】
上記一実施の形態によれば、成膜容器内におけるパーティクルの発生を抑制して、基板上に形成される薄膜の膜質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１の原子層成長装置の構造の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す原子層成長装置における不活性ガス供給路の一例を示す要部拡大断面図である。
【図３】図２に示す不活性ガス供給路の構造の一例を示す部分拡大断面図と拡大平面図である。
【図４】実施の形態１の原子層成長方法の一例を示すフロー図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は図４に示すフローに沿った薄膜形成の手順の一例を示す基板断面図である。
【図６】実施の形態２の原子層成長装置の構造の一例を示す要部拡大断面図である。
【図７】図６に示す原子層成長装置における不活性ガス供給路の一例を示す要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態１）
＜原子層成長装置の構成＞
図１を参照して、本実施の形態の原子層成長装置１０の構成を説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態の原子層成長装置の構造の一例を示す概略構成図である。
【００１８】
本実施の形態１の原子層成長装置１０は、基板１００に対して原料ガスと反応ガスとを交互に供給し、基板１００上に原子層単位で薄膜を形成するものである。その際、反応活性を高めるため、基板１００を加熱することができる。本実施の形態１では原料ガスの一例としてＴＭＡ（Ｔｒｉ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｌｕｍｉｎｕｍ）を用い、成膜処理時は、反応活性を高めるため、プラズマを発生させる。本実施の形態１では、プラズマの発生に平行平板電極を用いるが、この方式に限定されるものではない。
【００１９】
原子層成長装置１０に設置された成膜容器（チャンバとも言う）１１は、内部で基板１００に対して成膜処理を行う容器である。そして、成膜容器１１は、インジェクタ２１と、排気フランジ３１と、平板電極１２と、平板電極１２の対向電極となるステージ１４と、ステージ１４上に保持され、かつ基板１００を保持する基板保持体であるサセプタ５０と、高周波電源１６と、を備えている。
【００２０】
平板電極１２は、ステージ１４と対向して配置されており、成膜空間Ｓを隔てて基板１００の上方に設けられ、平板電極１２の側方に配置された絶縁支持体４１によって支持されている。絶縁支持体４１は、天板４２に取り付けられた天板支持部４７によって支持されている。そして、絶縁支持体４１を保持する天板支持部４７の周縁部に、天板支持部４７および絶縁支持体４１を覆う上部絶縁防着材４３を備えている。
【００２１】
また、平板電極１２のステージ１４の方向に露出している面の端部が、平板電極１２の端部に相当し、平板電極１２の露出している下面側には、導電性の板状の平板電極防着材１３が設けられている。
【００２２】
ステージ１４は、基板１００を保持し、かつヒーターを備え、基板１００の温度を所望の温度に調整することができる。例えば、原子層成長処理の場合、基板１００を５０〜２００℃に加熱する。成膜容器１１は、成膜処理に際し、真空に維持される。そして、高周波電源１６が所定の周波数の高周波電流を平板電極１２に供給する。
【００２３】
なお、ステージ１４は上下移動可能な機構を備えており、成膜処理時には、最も上昇した位置で処理が行われる。さらに、ステージ１４上には基板１００を保持する導電性のサセプタ５０が配置されている。したがって、基板１００は、サセプタ５０上に保持され、高周波電源１６が所定の周波数の高周波電流を平板電極１２に供給することにより、平板電極１２とサセプタ５０との間でプラズマが生成される。
【００２４】
次に、原料ガス、反応ガス、パージガスが導入されるガス導入部２０について説明する。ガス導入部２０は、原料ガス、反応ガス、パージガスを、処理過程に従って成膜容器１１内に供給するものである。また、インジェクタ２１は成膜容器１１のガス導入側開口部２５に取り付けられており、ガス導入側開口部２５に成膜容器１１の内側からインジェクタ防着材２２が挿入されて、ガス導入側開口部２５を囲むように取り付けられる。
【００２５】
次に、排気部３０について説明する。排気部３０は、原料ガス、反応ガス、パージガスを、処理過程に従って成膜容器１１から排気するものである。排気フランジ３１は成膜容器１１のガス排気側開口部３３に取り付けられ、ガス排気側開口部３３に成膜容器１１の内側から排気防着材３２が挿入されて、ガス排気側開口部３３を囲むように取り付けられる。そして、成膜容器１１に導入されたガスは、処理過程に従ってガス導入部２０から排気部３０に向けて流れる。このガスの流れ方向に沿う方向を以下では側方として説明する。
【００２６】
次に、図１〜図３を用いて、サセプタ５０およびサセプタ５０の周辺の詳細構造について説明する。
【００２７】
図２は図１に示す原子層成長装置における不活性ガス供給路の一例を示す要部拡大断面図、図３は図２に示す不活性ガス供給路の構造の一例を示す部分拡大断面図と拡大平面図である。なお、図２は、図１に示すガス導入部２０から排気部３０に向けたガス流れ方向に平行なインジェクタ２１の保持面から見た場合のサセプタ５０の周辺の拡大断面図でもある。
【００２８】
本実施の形態１の原子層成長装置１０では、図２に示すように、ステージ１４上にサセプタ５０が配置されており、基板１００はサセプタ５０によって保持されている。サセプタ５０は、基板１００を保持する上部サセプタ５２と、上部サセプタ５２を支持する下部サセプタ５１と、を備えている。さらに、上部サセプタ５２は、基板１００を保持する保持面５２ＢＡを有した上部サセプタ基板保持部（第１サセプタ）５２Ｂと、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの周囲に位置し、かつ保持面５２ＢＡより低い高さの上部サセプタ周縁部（第２サセプタ）５２Ａと、を備えている。
【００２９】
また、下部サセプタ５１は、ステージ１４によって支持され、基板１００の保持面５２ＢＡよりも高さが低い位置の下部サセプタ周縁部５１Ａと、上部サセプタ５２を保持する下部サセプタ支持部５１Ｂとを有している。なお、ステージストッパー１７は、成膜容器１１の４つの側壁の内壁１１Ａに接するように設けられた部材であり、さらに、ステージ１４の上昇を止め、かつサセプタ５０との接触により、成膜容器１１内に、成膜処理が行われる成膜空間Ｓと、基板１００の搬送が行われる図１に示す搬送空間Ｔと、を区画形成するものである。そして、下部サセプタ支持部５１Ｂ上には導電性の上部サセプタ５２が配置されており、基板１００を保持する上部サセプタ基板保持部５２Ｂと、その周囲に配置され、かつ上部サセプタ基板保持部５２Ｂよりも低い高さの面を備えた上部サセプタ周縁部５２Ａとを有している。なお、少なくとも上部サセプタ周縁部５２Ａ上にはサセプタ防着材１５が設けられ、本実施の形態１の原子層成長装置１０では、下部サセプタ周縁部５１Ａの一部および上部サセプタ周縁部５２Ａ上に、サセプタ防着材１５が設けられている。
【００３０】
また、上部サセプタ周縁部５２Ａのステージストッパー１７側の側面は、ステージストッパー１７の基板側の側面より内側に位置しており、上部サセプタ５２と下部サセプタ５１は、上部サセプタ周縁部５２Ａにおいて固定ビス５４によって固定されている。
【００３１】
ここで、上部サセプタ周縁部５２Ａには、不活性ガスを供給する不活性ガス放出部６３が取り付けられている。図３に示すように、不活性ガス放出部６３は、上部サセプタ基板保持部５２Ｂを囲むように、例えば枠状に形成されており、上方に向けて不活性ガスを供給する複数の不活性ガス供給口６３Ａが設けられている。そして、不活性ガス供給口６３Ａは、下部サセプタ支持部５１Ｂの下部不活性ガス供給路６２Ａに連通している。
【００３２】
つまり、外部から不活性ガスを供給する不活性ガス供給路Ｇがサセプタ５０に設けられ、上部サセプタ基板保持部５２Ｂと上部サセプタ周縁部５２Ａとの間の位置に不活性ガス放出部６３が配置され、さらにその不活性ガス放出部６３に、不活性ガス供給路Ｇと連通する不活性ガス供給口６３Ａが形成されている。
【００３３】
また、図２に示すように、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面と、サセプタ防着材１５の基板側の側面と、の隙間は、上部サセプタ不活性ガス供給路６４を構成しており、また、基板１００の下面とサセプタ防着材１５の上面との隙間は、不活性ガス排出口６５を構成している。すなわち、基板１００とサセプタ防着材１５との隙間からなる不活性ガス排出口６５、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間からなる上部サセプタ不活性ガス供給路６４をそれぞれ介して不活性ガスを成膜空間Ｓに供給する不活性ガス供給路Ｇがサセプタ５０に形成されている。そして、サセプタ５０の不活性ガス供給路Ｇに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部６１が成膜容器１１に設けられている。
【００３４】
なお、サセプタ５０に形成された不活性ガス供給路Ｇは、上部サセプタ５２に形成された上部不活性ガス供給路６２Ｂと、下部サセプタ５１に形成された下部不活性ガス供給路６２Ａと、からなり、上部不活性ガス供給路６２Ｂと、下部不活性ガス供給路６２Ａと、が連通されている。
【００３５】
以上のように本実施の形態１の原子層成長装置１０では、外部から不活性ガスを供給し、かつ上部不活性ガス供給路６２Ｂと下部不活性ガス供給路６２Ａとからなる不活性ガス供給路Ｇがサセプタ５０に形成されている。そして、成膜容器１１に、不活性ガス供給路Ｇと不活性ガス供給チューブ５３を介して接続された不活性ガス通気口６６が形成されている。
【００３６】
なお、成膜容器１１の内壁１１Ａに設けられたステージストッパー１７の上面には、ステージストッパー防着材２４が設けられ、さらに、インジェクタ防着材２２の内壁１１Ａ側には、側壁防着材２６が設けられている。
【００３７】
ここで、本実施の形態１の課題の詳細について説明する。
【００３８】
原子層成長方法を用いた成膜処理では、それぞれの工程で、ガスの拡散を一旦待って、次の反応剤のガスを導入する。その際、使用される原料ガス（例えば、ＴＭＡ）が拡散し易いため、成膜容器内の微細な隙間にも原料ガスは容易に侵入して膜を形成する。例えば、成膜容器内に設置されたステージ１４およびサセプタ５０やその周囲の部材に形成された微細な隙間に対して原料ガスや反応ガスが侵入し、その微細な隙間に着膜が生じる。そして、この着膜がパーティクルの要因となって基板１００上に形成される薄膜の特性を劣化させるという課題が生じる。着膜を抑制したい場合には、ガス進入経路となる流路断面積を小さくし、かつ流路距離を大きくし、さらに不活性ガスをパージする必要がある。しかしながら、装置構造上、ガス進入経路となる流路断面積を小さく、かつ流路を大きくできない場合もある。このような場合、着膜を軽減することは可能であるが、着膜を完全に回避することは困難である。
【００３９】
なお、成膜装置のうち、例えば、ＣＶＤ装置では、ドライエッチングによってチャンバ内の余計な膜を除去している。すなわち、チャンバをばらすことなく、クリーニングガス（例えばＮＦ3等）を流してプラズマを形成することで、余計な膜を除去している。
【００４０】
ところが、原子層成長装置で使用するアルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）は、ドライエッチングを実施しようとすると高温処理（例えば、８００℃）となり、コストがかかる。
【００４１】
また、プラズマを利用し、絶縁膜を形成する原子層成長装置においては、膜の堆積により、区画する部分が絶縁化されるため、サセプタ５０とステージストッパー１７との間で流れる高周波電流の量が成膜を重ねるごとに変化し、成膜再現性が低下するという問題が生じる。また、ステージストッパー１７の近傍は、サセプタ５０に流れた高周波電流が集中するため、隙間や凹凸が存在すると、その部分でアーキングが生じやすい。これにより、アーキング源となる防着板の継ぎ目やビスを極力低減することが必要となる。
【００４２】
また、原子層成長装置が大きくなると、それだけ防着板の枚数が増加するため、メンテナンスの所要時間も増加するという問題も生じる。成膜容器１１のメンテナンスは、成膜容器１１の天板４２を解放し、成膜容器１１の上方から成膜空間Ｓに手を伸ばして作業を行うことになるが、ステージストッパー１７の側方面（側面）およびサセプタ近傍は、メンテナンス時の防着板へのアクセスが悪いため、作業性は著しく悪い。
【００４３】
そこで、原子層成長装置において、そのサセプタ５０の近傍の防着板には、防着板の表面以外への着膜が抑制され、かつ防着板の着脱が容易である構造が要求される。
【００４４】
本実施の形態１の原子層成長装置１０では、ステージストッパー１７の内側の領域において、下部サセプタ周縁部５１Ａおよび上部サセプタ周縁部５２Ａ上に、サセプタ防着材１５が設けられている。
【００４５】
次に、サセプタ５０の周囲の更なる詳細な構造について説明する。
【００４６】
原子層成長装置１０において、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面と基板１００の側面との距離（距離ａ）は、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下が好適である。距離ａが大きいことで、原料ガスおよび反応ガスの不活性ガス排出口６５の内側への進入が抑制され、上部サセプタ基板保持部５２Ｂへの着膜を軽減することが可能となる。ただし、距離ａが大きいと、基板１００の外周部が上部サセプタ基板保持部５２Ｂと接触しない領域が増加するため、基板１００の外周部で温度低下が生じる。基板１００のエッジエクスクルージョンは、５ｍｍであることが一般的であるため、本実施の形態１では、その値となる５ｍｍを好適値とする。
【００４７】
また、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面とサセプタ防着材１５の基板側の側面との隙間（距離ｂ）は、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下が好適である。距離ｂが小さいことで、原料ガスおよび反応ガスの上部サセプタ不活性ガス供給路６４の内側への進入が抑制され、上部サセプタ基板保持部５２Ｂおよび上部サセプタ周縁部５２Ａへの着膜が軽減される。距離ｂの値が小さすぎる場合、組み立て精度次第では、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面とサセプタ防着材１５とが干渉する。よって、好適値が必要であり、本実施の形態１では０．５ｍｍとする。
【００４８】
また、基板１００とサセプタ防着材１５との水平方向の重なり距離（距離ｃ）は、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下が好適である。距離ｃが大きいことで、原料ガスおよび反応ガスの不活性ガス排出口６５の内側への進入が抑制される。しかしながら、距離ｂの値が小さい場合、組み立て精度次第では、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面とサセプタ防着材１５とが干渉する。その際、距離ｃは、距離ａ、ｂの好適値で決まるため、本実施の形態１では距離ｃを４．５ｍｍとする。
【００４９】
また、基板１００の下面とサセプタ防着材１５の上面との隙間（距離ｄ）は、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下が好適である。距離ｄが小さいことで、原料ガスおよび反応ガスの不活性ガス排出口６５の内側への進入が抑制される。距離ｄの値が小さすぎる場合、組み立て精度次第では、基板１００とサセプタ防着材１５とが干渉する。よって、好適値が必要であり、本実施の形態１では１ｍｍとする。
【００５０】
なお、上部サセプタ周縁部５２Ａは、その内部に、不活性ガス供給口６３Ａに連通する上部不活性ガス供給路６２Ｂを有しており、上部不活性ガス供給路６２Ｂの終端は、下部サセプタ５１に設けられた下部不活性ガス供給路６２Ａに接続されている。下部不活性ガス供給路６２Ａ、上部不活性ガス供給路６２Ｂは、下部サセプタ５１および上部サセプタ５２に貫通穴を設け、その間に例えばＯリングを介することで、不活性ガス供給口６３Ａに不活性ガスを供給することができる。下部不活性ガス供給路６２Ａには、下部サセプタ５１の外周側に配置した不活性ガス供給チューブ５３が接続されており、不活性ガス供給チューブ５３の他端側は、成膜容器１１に設けた不活性ガス通気口６６に接続されている。そして、不活性ガス通気口６６には、成膜容器１１の外側に設けられた不活性ガス供給部６１が接続されている。
【００５１】
不活性ガス供給チューブ５３は、例えば、ステンレス製チューブ、ベローズフレキシブルチューブ等で構成することができる。基板１００を成膜容器１１内に搬入または搬出する際にはステージ１４が上下動するが、不活性ガス供給チューブ５３はその上下動に追従することが必要となる。不活性ガス供給チューブ５３も不活性ガス供給路の一部を構成するものである。
【００５２】
図３に示すように、不活性ガスは、不活性ガス放出部６３の不活性ガス供給口６３Ａにより、上部サセプタ不活性ガス供給路６４および不活性ガス排出口６５の全周からシャワー供給することが好ましい。図３では不活性ガス供給部６１を１か所設けているが、数カ所設けることが好ましい。なお、不活性ガス排出口６５は、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの周囲で全周に沿って複数個、または全周に亘って連続して形成されていてもよい。
【００５３】
また、各不活性ガス供給口６３Ａにおけるシャワー穴の径は１〜３ｍｍ径の範囲内であることが好ましく、１ｍｍ程度でよい。シャワー穴のピッチは１０ｍｍ〜２００ｍｍピッチであることが好ましい。上部サセプタ周縁部５２Ａに貫通穴を設けてシャワー穴を形成してもよく、シャワープレートを個別に形成し、上部サセプタ周縁部５２Ａに取り付けてもよい。
【００５４】
また、下部サセプタ５１と上部サセプタ５２との固定は、例えばビスを使用する。ここで、固定ビス５４の位置は、上部サセプタ周縁部５２Ａ部であることが好ましい。固定ビス５４が上部サセプタ基板保持部５２Ｂに存在する場合は、ビス頭が基板１００と干渉する可能性がある。また、ビス頭が上部サセプタ基板保持部５２Ｂの上面よりも低い位置に存在する場合は、このビス頭の部分で基板１００と接触することができないため、局所的な温度低下が生じる。
【００５５】
また、図２に示すように、本実施の形態１の不活性ガス排出口６５においては、その不活性ガス排出口６５を構成する、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの側面と基板１００の側面との距離（距離ａ）の値を、基板１００の温度均一性の劣化を考慮して５ｍｍとしている。さらに、基板１００の下面とサセプタ防着材１５の上面との隙間（距離ｄ）の値を、基板１００とサセプタ防着材１５の干渉を考慮して１ｍｍとしている。しかしながら、原料ガスおよび反応ガスの進入を抑制するための流路幅、流路長が十分でない可能性が高い。
【００５６】
そこで、不活性ガス供給量を増加させることで、不活性ガス排出口６５への原料ガスおよび反応ガスの進入を軽減することは可能であるが、流量を増大させると原料ガスおよび反応ガスのガス均一性に影響を与え、膜厚均一性および膜質均一性が劣化する可能性がある。
【００５７】
したがって、上記隙間での粉の発生や上部サセプタ基板保持部５２Ｂへの着膜を完全に抑制するのは困難である可能性が高いため、上部サセプタ５２は容易に脱着可能な構造であることが好ましい。
【００５８】
そこで、上部サセプタ周縁部５２Ａの外周部の端面（側面）は、ステージストッパー１７の基板側の端面（側面）よりも成膜空間Ｓの内側に位置していることが好ましい。ステージストッパー１７は成膜容器１１に完全に固定されているため、その脱着は容易ではないが、上部サセプタ５２がステージストッパー１７よりも小さなサイズであれば、ステージストッパー１７を取り外すことなく、簡単に上方へ取り外すことが可能となり、成膜容器１１のメンテナンス性を向上させることができる。
【００５９】
なお、不活性ガスは、ステージ１４の面温度と±１０％以内の温度まで加熱された後に不活性ガス供給口６３Ａから放出され、さらに不活性ガス排出口６５を介して排出されることが好ましい。例えば、ステージを１００℃に加熱する場合、常温の不活性ガスを供給すると、下部サセプタ５１および上部サセプタ５２の外周が冷却されるため、基板１００の温度分布も低下し、膜厚均一性および膜質均一性が低下する。したがって、下部サセプタ５１および上部サセプタ５２の温度を一定に保つため、例えば９０〜１１０℃の不活性ガスを供給することが好ましい。
【００６０】
本実施の形態１の原子層成長装置１０によれば、ステージ１４上に配置されるサセプタ５０上にサセプタ防着材１５が設けられたことにより、サセプタ５０への着膜を抑制することができる。
【００６１】
具体的には、基板１００を保持する上部サセプタ５２における上部サセプタ周縁部５２Ａの上面と、下部サセプタ５１の下部サセプタ周縁部５１Ａの上面とに、サセプタ防着材１５が設けられたことにより、上部サセプタ周縁部５２Ａや下部サセプタ周縁部５１Ａへの着膜、および上部サセプタ周縁部５２Ａと下部サセプタ周縁部５１Ａとの隙間への着膜を抑制することができる。
【００６２】
特に、原子層成長装置１０で使用されるＴＭＡ等の原料ガスは、拡散性が強いため、成膜容器１１内の種々の隙間に侵入し易いが、サセプタ５０がサセプタ防着材１５で覆われていることにより、サセプタ５０やサセプタ５０周辺の隙間への原料ガスの侵入を防ぐことができる。その結果、薄膜や粉等からなるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００６３】
これにより、成膜容器１１内におけるパーティクルの発生を抑制して、基板１００上に形成される薄膜の膜質を向上させることができる。
【００６４】
また、上部サセプタ５２における上部サセプタ周縁部５２Ａの側面の位置が、ステージストッパー１７の基板側の側面の位置より内側に配置されていることにより、上部サセプタ５２を容易に着脱することができる。その結果、成膜容器１１および上部サセプタ５２のメンテナンス作業性を向上させることができる。
【００６５】
また、サセプタ５０に、下部不活性ガス供給路６２Ａと上部不活性ガス供給路６２Ｂとからなる不活性ガス供給路Ｇが形成されていることにより、成膜処理時に、サセプタ防着材１５と上部サセプタ基板保持部５２Ｂとの間の隙間、および基板１００とサセプタ防着材１５との隙間に、それぞれ不活性ガスを流すことができる。
【００６６】
これにより、サセプタ防着材１５の側面付近への原料ガスの侵入を阻止することができ、サセプタ５０への着膜を抑制することができる。その結果、成膜容器１１のメンテナンスの頻度を低減して原子層成長装置１０の稼働率を向上させることができる。
【００６７】
また、サセプタ５０に不活性ガス供給路Ｇが形成されていることにより、ステージ１４に不活性ガス供給路を形成する場合と比較して、コストの低減化を図ることができる。さらに、不活性ガス供給路をステージ１４に形成する場合には、ステージ１４の設計が困難であることに対して、不活性ガス供給路をサセプタ５０に形成する方が、ステージ１４の設計が容易である。また、サセプタ５０に不活性ガス供給路を形成する方が、ステージ１４に形成するのに比べて、より自由度を高めることができる。
【００６８】
＜原子層成長方法＞
次に、原子層成長装置１０を用いた薄膜形成の処理手順（原子層成長方法）を説明する。
【００６９】
図４は実施の形態の原子層成長方法の一例を示すフロー図、図５（ａ）〜（ｄ）は図４に示すフローに沿った薄膜形成の手順の一例を示す基板断面図である。
【００７０】
まず、図１に示す成膜容器１１内に設けられたステージ１４上に基板１００を載置する。
【００７１】
次に、原料ガス供給部が成膜容器１１の内部に原料ガスを供給する（図４に示すステップｓ１）。具体的には、図１に示す成膜容器１１のガス導入部２０に原料ガスを供給する（ステップｓ１）。原料ガスは、例えば、ＴＭＡであり、成膜容器１１の内部に供給される。原料ガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給する。図５（ａ）に示されるように、ステップｓ１によって、成膜容器１１の内部に原料ガス１１０が供給され、基板１００の上に原料ガス１１０が吸着して、吸着層１０２が形成される。
【００７２】
また、ステップｓ１において、図２に示す不活性ガス供給部６１からも窒素等の不活性ガスＦを図１に示す成膜容器１１の内部に供給する。具体的には、サセプタ５０に形成された不活性ガス供給路Ｇを介して成膜空間Ｓに不活性ガスを供給する。本実施の形態１では、ステップｓ１のみでなく、後述するステップｓ２〜ｓ４も含めて、常に成膜容器１１内に不活性ガスＦを供給する。これにより、基板１００とサセプタ防着材１５の隙間、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間に、それぞれ原料ガスおよび反応ガスが入り込むのを軽減することが可能となり、上記各隙間への着膜の抑制化を図ることができる。
【００７３】
次に、原料ガス１１０の供給を停止し、ガス導入部２０からパージガスを供給する（図４に示すステップｓ２）。パージガスは、成膜容器１１の内部に供給される。原料ガス１１０は、成膜容器１１の排気部３０から成膜容器１１の外部に排出される。
【００７４】
上記パージガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給する。そして、排気部３０が成膜容器１１の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。排気部３０は、例えば、２秒間、成膜容器１１の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。図５（ｂ）に示されるように、ステップｓ２によって、成膜容器１１の内部にパージガス１１２が供給され、基板１００の上に吸着していない原料ガス１１０が成膜容器１１からパージされる。その際、不活性ガスＦも不活性ガス供給部６１から供給する。
【００７５】
次に、成膜容器１１の内部に反応ガスを供給する（図４に示すステップｓ３）。具体的には、ガス導入部２０を通して反応ガスを供給する（ステップｓ３）。反応ガスは、ガス導入部２０の通路を通って、成膜容器１１の内部に供給される。反応ガスは、例えば、１秒間、成膜容器１１の内部に供給される。図５（ｃ）に示されるように、ステップｓ３によって、成膜容器１１の内部に反応ガス１１４が供給され、基板１００の表面に所望の薄膜層１０４が形成される。なお、薄膜層１０４は、一例として、有機ＥＬの保護膜である。また、ステップｓ３においても不活性ガス供給部６１から不活性ガスＦを供給する。
【００７６】
次に、反応ガスの供給を停止し、ガス導入部２０にパージガスを供給する（図４に示すステップｓ４）。パージガス１１２は、成膜容器１１の内部に供給される。パージガス１１２は、排気部３０から成膜容器１１の外部に排出される。パージガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給される。排気部３０が、成膜容器１１の内部の反応ガス１１４やパージガス１１２を成膜容器１１外に排気する。図５（ｄ）に示されるように、ステップｓ４によって、成膜容器１１の内部にパージガス１１２が供給され、反応ガス１１４が成膜容器１１からパージされる。この時、不活性ガス供給部６１から不活性ガスＦも供給される。
【００７７】
以上説明したステップｓ１〜ｓ４により、基板１００の上に一原子層分の薄膜層１０４が形成される。以下、ステップｓ１〜４を所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚の薄膜層１０４を形成することができる。
【００７８】
以上のように、本実施の形態１の原子層成長装置１０では、その成膜処理中（上記ステップｓ１〜ｓ４の間）、不活性ガス供給部６１からサセプタ５０に形成された不活性ガス供給路Ｇを介して成膜容器１１内に不活性ガスＦが供給される（導入される）。これにより、不活性ガスＦが、サセプタ５０の側部およびステージ１４上の成膜空間Ｓに供給される。
【００７９】
詳細には、成膜処理の間、図２に示すように、不活性ガス供給部６１から不活性ガスが供給され、基板１００とサセプタ防着材１５との隙間、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間のそれぞれに不活性ガスＦが流れるため、上部サセプタ基板保持部５２Ｂへの着膜の堆積量を軽減することが可能になる。その結果、成膜容器１１内のウェットエッチングによるクリーニング頻度を低減させることができる。
【００８０】
また、本実施の形態１の原子層成長方法では、成膜処理の間、基板１００とサセプタ防着材１５との隙間、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間に、それぞれに不活性ガスＦを流し続ける。
【００８１】
これにより、成膜処理の間、常に成膜容器１１内を一定の圧力に維持することができる。成膜容器１１内の圧力が変動するとパーティクルが発生し易く、基板１００上に形成する薄膜の膜質が悪くなるが、本実施の形態１の原子層成長方法では、成膜処理の間、不活性ガスＦを流し続けるため、成膜容器１１内の圧力を一定に維持してパーティクルの発生を低減することができる。
【００８２】
その結果、基板１００上に形成される薄膜の膜質を向上させることができる。
【００８３】
また、上記それぞれの隙間に不活性ガスＦを流すことにより、上記それぞれの隙間への原料ガス１１０および反応ガス１１４の侵入を阻止することができ、ステージストッパー１７や各隙間への着膜を抑制することができる。
【００８４】
ここで、本実施の形態１に示した原子層成長装置１０を用いて、３７０ｍｍ×４７０ｍｍの大面積ガラス基板にＡｌＯＮ薄膜を形成する評価を行ったその結果について説明する。原子層成長装置１０における各種値は以下の通りとした。
【００８５】
距離ａ：５ｍｍ、距離ｂ：０．５ｍｍ、距離ｃ：４．５ｍｍ、距離ｄ：１ｍｍ、シャワー穴径：１ｍｍ、シャワー穴ピッチ：１００ｍｍ、ステージ温度：１００℃、不活性ガス温度：１００℃、不活性ガス流量：５００ｓｃｃｍである。
【００８６】
また、液体原料（原料ガス、Ａｌ源）としてＴＭＡ、反応ガスとして酸素プラズマおよび窒素プラズマを用いた。成膜は図４に示したシーケンスとした。成膜容器１１内の圧力は１００Ｐａとし、上部不活性ガス供給路６２Ｂおよび下部不活性ガス供給路６２Ａより不活性ガスＦとして窒素１０００ｓｃｃｍを供給し、成膜シーケンス中、常時不活性ガスＦを供給した。
【００８７】
成膜容器１１の内部の膜厚が２０μｍとなるように成膜処理を実施した後、上部サセプタ基板保持部５２Ｂには２００ｎｍの着膜が観察されたが、粉の発生は観測されなかった。サセプタ５０は、使用する材質と堆積される膜質によるが、本実施の形態１においては、２μｍの膜がサセプタ５０に堆積された場合にパーティクルを発生することが分かっている。
【００８８】
なお、成膜処理中に成膜容器内に不活性ガスを供給しない原子層成長装置では、成膜容器の内部の膜厚が２０μｍに到達した時点で粉の発生が観察され、その都度ステージストッパーを解体した後、メンテナンスを実施することを必要とした。これに対して、本実施の形態１の原子層成長装置１０においては、成膜容器１１の内部の膜厚が、上述の不活性ガスを供給しない原子層成長装置と比較して１０倍である２０μｍまでメンテナンスフリーとすることができる。
【００８９】
さらに、メンテナンス時は、上部サセプタ５２の脱着を容易に行うことができるため、メンテナンス性を著しく向上できることが確認できた。
【００９０】
（実施の形態２）
＜原子層成長装置の構成＞
図６は実施の形態２の原子層成長装置の構造の一例を示す要部拡大断面図、図７は図６に示す原子層成長装置における不活性ガス供給路の一例を示す要部拡大断面図である。
【００９１】
本実施の形態２の原子層成長装置１０では、下部サセプタ５１（下部サセプタ支持部５１Ｂ）に形成された不活性ガス供給路と、成膜容器１１に形成された不活性ガス通気口６６と、を繋ぐ不活性ガス供給路がステージストッパー１７の内部に形成されている。
【００９２】
ここで、図６および図７を用いて本実施の形態２の原子層成長装置１０の要部の構造の特徴について説明すると、実施の形態１の原子層成長装置１０と同様に、サセプタ５０は、基板１００を保持する上部サセプタ基板保持部（第１サセプタ）５２Ｂと、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの周囲に配置された上部サセプタ周縁部（第２サセプタ）５２Ａと、を備えている。そして、上部サセプタ周縁部５２Ａ上と、下部サセプタ周縁部５１Ａの一部の上と、に跨がってサセプタ防着材１５が設けられている。
【００９３】
さらに、下部サセプタ支持部５１Ｂに形成された下部不活性ガス供給路６２Ａと連通する不活性ガス供給路として、ステージストッパーガス供給路１７Ａがステージストッパー１７に形成されており、成膜処理中には、下部サセプタ５１の下部不活性ガス供給路６２Ａと、ステージストッパー１７の不活性ガス供給路であるステージストッパーガス供給路１７Ａと、を介して上記不活性ガスが成膜空間Ｓに供給される。
【００９４】
すなわち、本実施の形態２の原子層成長装置１０では、図７に示すように、下部サセプタ５１に形成された下部不活性ガス供給路６２Ａが、ステージストッパー１７に形成されたステージストッパーガス供給路１７Ａと繋がっており、さらにこのステージストッパーガス供給路１７Ａが、成膜容器１１の不活性ガス通気口６６と連通している。したがって、成膜容器１１の不活性ガス供給部６１から供給された不活性ガスは、ステージストッパー１７のステージストッパーガス供給路１７Ａおよび下部サセプタ５１の下部不活性ガス供給路６２Ａを介して成膜空間Ｓに供給される。
【００９５】
また、上部サセプタ周縁部５２Ａと下部サセプタ支持部５１Ｂとは、ステージストッパー１７の基板側の側面と基板１００の端部との間の位置で、固定ビス５４によってねじ固定されている。詳細には、上部サセプタ周縁部５２Ａは、ステージストッパー１７の基板側の側面と、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの基板直下の側面との間の位置に配置されており、上部サセプタ周縁部５２Ａと下部サセプタ支持部５１Ｂとが、ステージストッパー１７の基板側の側面と、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの基板１００の直下の側面と、の間の位置で、固定ビス５４によってねじ固定されている。
【００９６】
また、原子層成長装置１０がプラズマを用いて成膜処理を行うものである場合には、導電性のサセプタ５０（下部サセプタ周縁部５１Ａ）と、ステージストッパー１７とがメタルＯリング５５を介して電気的に接続されている。つまり、ステージ１４と対向する位置に平板電極１２が配置され、かつステージ１４とサセプタ５０とが電気的に接続されており、さらに下部サセプタ５１の下部サセプタ周縁部５１Ａとステージストッパー１７との接触部にメタルＯリング５５が設けられている。これにより、ステージストッパー１７と下部サセプタ周縁部５１ＡとがメタルＯリング５５を介して電気的に接続されている。
【００９７】
なお、本実施の形態２の原子層成長装置１０のその他の構造については、実施の形態１の原子層成長装置１０と同様のため、その重複説明は省略する。
【００９８】
＜原子層成長方法＞
以上のような要部構造を備えた原子層成長装置１０を用いて成膜処理を実施する。
【００９９】
なお、成膜処理の手順は、実施の形態１の図４および図５を用いて説明した手順（原子層成長方法）と同様である。
【０１００】
まず、図６に示す成膜容器１１内に設けられたステージ１４上に基板１００を載置する。
【０１０１】
次に、原料ガス供給部が成膜容器１１の内部に原料ガスを供給する（図４に示すステップｓ１）。具体的には、図６に示す成膜容器１１のガス導入部２０に原料ガスを供給する（ステップｓ１）。原料ガスは、例えば、ＴＭＡであり、成膜容器１１の内部に供給される。原料ガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給する。図５（ａ）に示されるように、ステップｓ１によって、成膜容器１１の内部に原料ガス１１０が供給され、基板１００の上に原料ガス１１０が吸着して、吸着層１０２が形成される。
【０１０２】
また、ステップｓ１において、図７に示す不活性ガス供給部６１からステージストッパー１７のステージストッパーガス供給路１７Ａを介して窒素等の不活性ガスＦを成膜容器１１の内部に供給する。本実施の形態２においても、ステップｓ１のみでなく、後述するステップｓ２〜ｓ４も含めて、常に成膜容器１１内に不活性ガスＦを供給する。これにより、基板１００とサセプタ防着材１５との隙間、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間に、それぞれ原料ガスが入り込むのを軽減することが可能となり、上記各隙間への着膜の抑制化を図ることができる。
【０１０３】
次に、原料ガス１１０の供給を停止し、ガス導入部２０からパージガスを供給する（図４に示すステップｓ２）。パージガスは、成膜容器１１の内部に供給される。原料ガス１１０は、成膜容器１１の排気部３０（図１参照）から成膜容器１１の外部に排出される。
【０１０４】
上記パージガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給する。そして、排気部３０が成膜容器１１の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。排気部３０は、例えば、２秒間、成膜容器１１の内部の原料ガス１１０やパージガス１１２を排気する。図５（ｂ）に示されるように、ステップｓ２によって、成膜容器１１の内部にパージガス１１２が供給され、基板１００の上に吸着していない原料ガス１１０が成膜容器１１からパージされる。その際、不活性ガスＦも不活性ガス供給部６１から供給する。
【０１０５】
次に、成膜容器１１の内部に反応ガスを供給する（図４に示すステップｓ３）。具体的には、ガス導入部２０を通して反応ガスを供給する（ステップｓ３）。反応ガスは、ガス導入部２０の通路を通って、成膜容器１１の内部に供給される。反応ガスは、例えば、１秒間、成膜容器１１の内部に供給される。図５（ｃ）に示されるように、ステップｓ３によって、成膜容器１１の内部に反応ガス１１４が供給され、基板１００の表面に所望の薄膜層１０４が形成される。なお、薄膜層１０４は、一例として、有機ＥＬの保護膜である。また、ステップｓ３においても不活性ガス供給部６１から不活性ガスＦを供給する。
【０１０６】
次に、反応ガスの供給を停止し、ガス導入部２０にパージガスを供給する（図４に示すステップｓ４）。パージガス１１２は、成膜容器１１の内部に供給される。パージガス１１２は、排気部３０から成膜容器１１の外部に排出される。パージガスは、例えば、０．１秒間、成膜容器１１の内部に供給される。排気部３０が、成膜容器１１の内部の反応ガス１１４やパージガス１１２を成膜容器１１外に排気する。図５（ｄ）に示されるように、ステップｓ４によって、成膜容器１１の内部にパージガス１１２が供給され、反応ガス１１４が成膜容器１１からパージされる。この時、不活性ガス供給部６１から不活性ガスＦも供給される。
【０１０７】
以上説明したステップｓ１〜ｓ４により、基板１００の上に一原子層分の薄膜層１０４が形成される。以下、ステップｓ１〜ｓ４を所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚の薄膜層１０４を形成することができる。
【０１０８】
以上のように、本実施の形態２の原子層成長装置１０においても、その成膜処理中（上記ステップｓ１〜ｓ４の間）、不活性ガス供給部６１からステージストッパー１７に形成されたステージストッパーガス供給路１７Ａを介して成膜容器１１内に不活性ガスＦが供給される（導入される）。これにより、不活性ガスＦが、サセプタ５０の側部および成膜空間Ｓに供給される。したがって、上部サセプタ基板保持部５２Ｂへの着膜の堆積量を軽減することが可能になる。その結果、成膜容器１１内のウェットエッチングによるクリーニング頻度を低減させることができる。
【０１０９】
また、本実施の形態２の原子層成長方法においても、成膜処理の間、基板１００とサセプタ防着材１５との隙間、および上部サセプタ基板保持部５２Ｂとサセプタ防着材１５との隙間に、それぞれに不活性ガスＦを流し続ける。
【０１１０】
これにより、実施の形態１と同様に、成膜処理の間、常に成膜容器１１内を一定の圧力に維持することができる。成膜容器１１内の圧力が変動するとパーティクルが発生し易く、基板１００上に形成する薄膜の膜質が悪くなるが、本実施の形態２の原子層成長方法においても、成膜処理の間、不活性ガスＦを流し続けるため、成膜容器１１内の圧力を一定に維持してパーティクルの発生を低減することができる。
【０１１１】
その結果、基板１００上に形成される薄膜の膜質を向上させることができる。
【０１１２】
また、上記それぞれの隙間に不活性ガスＦを流すことにより、上記それぞれの隙間への原料ガス１１０および反応ガス１１４の侵入を阻止することができ、上記各隙間への着膜を抑制することができる。
【０１１３】
また、本実施の形態２の原子層成長装置１０では、成膜容器１１に固定されたステージストッパー１７に、不活性ガス供給路であるステージストッパーガス供給路１７Ａが形成されている。これにより、下部サセプタ５１の下部不活性ガス供給路６２Ａに、直接ガス配管チューブを繋ぐことを回避することができ、ステージ１４の上下動によるガス配管チューブの伸縮による消耗を懸念する必要を無くすことができる。さらに、メタルＯリング５５によって、ステージストッパー１７と下部サセプタ周縁部５１Ａとの導通を確保するとともに、ステージストッパー１７と下部サセプタ周縁部５１Ａとの接触部をシールすることができる。
【０１１４】
また、本実施の形態２の原子層成長装置１０においても、上部サセプタ周縁部５２Ａが、ステージストッパー１７の基板側の側面と、上部サセプタ基板保持部５２Ｂの基板直下の側面との間の位置、すなわち、ステージストッパー１７の基板側の側面の位置より内側に配置されていることにより、上部サセプタ５２を容易に着脱することができる。その結果、成膜容器１１および上部サセプタ５２のメンテナンスの作業性を向上させることができる。
【０１１５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１６】
例えば、上記実施の形態１および２において説明した原子層成長装置１０は、プラズマを用いて成膜処理を行うものであってもよいし、プラズマを用いずに成膜処理を行うものであってもよい。
【０１１７】
また、上記実施の形態１および２では、基板１００上に形成する薄膜の一例が有機ＥＬの保護膜の場合を説明したが、上記薄膜は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) のゲート絶縁膜等であってもよい。
【０１１８】
なお、上記実施の形態の説明に際し、実施の形態１と実施の形態２とに分けて説明を行ったが、それらはお互いに無関係なものではない。例えば、実施の形態１と実施の形態２とを組み合わせて適用してもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１０    原子層成長装置
１１    成膜容器
１４    ステージ
１５    サセプタ防着材
１７    ステージストッパー
１７Ａ  ステージストッパーガス供給路
２４    ステージストッパー防着材
５０    サセプタ
５１    下部サセプタ
５２    上部サセプタ
５２Ａ  上部サセプタ周縁部（第２サセプタ）
５２Ｂ  上部サセプタ基板保持部（第１サセプタ）
６２Ａ  下部不活性ガス供給路
６２Ｂ  上部不活性ガス供給路
１００    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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