(57)【要約】【課題】電子部品の実装性を向上することが可能な配線板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の配線板１０では、コア基板１１の表裏の両面に、銅箔層１２Ａ，３２Ａ，３３Ａ上にめっき層１２Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂを有してなるコア導電層１２又はビルドアップ導電層２２と、絶縁樹脂層２１と、が複数ずつ交互に積層されていて、絶縁樹脂層２１上に積層されているビルドアップ導電層２２のうち、最外のビルドアップ導電層２２（最外の導電層３３）における銅箔層３３Ａが、最も厚い。【選択図】図１
2018026392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、が複数ずつ交互に積層されている配線板であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記金属箔層が、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層よりも厚い。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板であって、
前記コア基板上に積層されている前記導電層における前記金属箔層が、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層よりも厚い。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線板であって、
複数の前記導電層の全ての厚さが略同一である。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記金属箔層の厚さは、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層の厚さの２倍以上である。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
各前記導電層における配線パターンの側面が窪んでいて、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記配線パターンの前記側面の最大深さが、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記配線パターンの前記側面の最大深さよりも大きい。
【請求項６】
請求項５に記載の配線板であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記配線パターンの前記側面の最大深さが、最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層の厚さの１０〜２０％であり、
最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記配線パターンの前記側面の最大深さが、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層の厚さの１０％以下である。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の配線板であって、
前記配線パターンの前記側面がエッチング面となっている。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記導電層の全ての厚さが１０〜２０μｍである。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全てが芯材を含んでいる。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全ての厚さが３０〜６０μｍである。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全ての厚さが略同一である。
【請求項１２】
請求項１１に記載の配線板であって、
前記絶縁樹脂層の厚さと前記コア基板の厚さとが略同一である。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
前記コア基板又は前記絶縁樹脂層を貫通し、その表裏の前記導電層同士を接続するフィルドビアを有する。
【請求項１４】
コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、を複数ずつ交互に積層することを含む配線板の製造方法であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記金属箔層を、前記最外以外の前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層よりも厚くする。
【請求項１５】
請求項１４に記載の配線板の製造方法であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層をサブトラクティブ法により形成し、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層をモディファイドセミアディティブ法により形成する。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の配線板の製造方法であって、
前記コア基板上の前記導電層における前記金属箔層を、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層よりも厚くする。
【請求項１７】
請求項１６に記載の配線板の製造方法であって、
最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層及び前記コア基板上の前記導電層をサブトラクティブ法により形成し、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層をモディファイドセミアディティブ法により形成する。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７の何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
複数の前記導電層の全ての厚さを略同一にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の表裏の両面に、導電層と絶縁樹脂層とを複数ずつ交互に積層されている配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の配線板として、最外の絶縁樹脂層上の導電層に、電子部品が実装されるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０１５４３３号公報（段落［００１７］、図１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した配線板においては、電子部品の実装性の向上が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る配線板は、コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、が複数ずつ交互に積層されている配線板であって、最外の前記絶縁樹脂層上の前記導電層における前記金属箔層が、最外を除く前記絶縁樹脂層上の各前記導電層における前記金属箔層よりも厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線板の側断面図
【図２】（Ａ）最外の導電層周辺の拡大側断面図、（Ｂ）最外以外の導電層周辺の拡大側断面図
【図３】配線板の製造工程を示す側断面図
【図４】配線板の製造工程を示す側断面図
【図５】配線板の製造工程を示す側断面図
【図６】配線板の製造工程を示す側断面図
【図７】配線板の製造工程を示す側断面図
【図８】配線板の製造工程を示す側断面図
【図９】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１０】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１１】配線板の製造工程を示す側断面図
【図１２】変形例に係る配線板の側断面図
【図１３】変形例に係る配線板の側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜１１に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態の配線板１０は、コア基板１１の表裏の両面上にビルドアップ層２０，２０を積層してなる。なお、この明細書中において、単に「上」側というときは、コア基板１１を基準としてビルドアップ層２０，２０が積層されていく側を指す。つまり、コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆでは「上」側が図１における上方となり、コア基板１１の裏側の面であるＢ面１１Ｂでは「上」側が図１における下方となる。
【０００８】
コア基板１１は、絶縁性部材で構成され、その表裏の両面には、コア導電層１２がそれぞれ形成されている。コア基板１１の厚さは、３０〜６０μｍになっている。
【０００９】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０も、Ｂ面１１Ｂ側のビルドアップ層２０も共に、コア基板１１側から、絶縁樹脂層２１とビルドアップ導電層２２とを３層ずつ交互に積層してなる。以降、適宜、最外の絶縁樹脂層２１上のビルドアップ導電層２２を最外の導電層３３といい、最外を除く絶縁樹脂層２１上のビルドアップ導電層２２を最外以外の導電層３２という。
【００１０】
絶縁樹脂層２１は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなる樹脂シート）である。また、絶縁樹脂層２１の厚さは３０〜６０μｍであり、コア基板１１と略同じ厚さになっている。
【００１１】
コア基板１１及び絶縁樹脂層２１には、複数のビアホール１１Ｈ，２１Ｈが形成され、それらビアホール１１Ｈ，２１Ｈ内にめっきが充填されて複数のビア導体１１Ｄ，２１Ｄ（本発明の「フィルドビア」に相当する）が形成されている。そして、これらビア導体１１Ｄ，２１Ｄによって、コア基板１１又は絶縁樹脂層２１を挟む導電層同士の間（即ち、コア導電層１２同士の間、コア導電層１２とビルドアップ導電層２２との間又はビルドアップ導電層２２同士の間）が接続されている。また、絶縁樹脂層２１に形成されているビアホール２１Ｈは、コア基板１１に向かって徐々に縮径したテーパー状になっていて、コア基板１１に形成されているビアホール１１Ｈは、Ｆ面１１ＦからＢ面１１Ｂに向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。
【００１２】
コア基板１１の表裏のビルドアップ層２０，２０のうち最外のビルドアップ導電層２２，２２（最外の導電層３３，３３）上には、ソルダーレジスト層２５，２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５，２５には、複数のパッド用孔２５Ｈ，２５Ｈが形成され、最外のビルドアップ導電層２２，２２のうちパッド用孔２５Ｈ，２５Ｈから露出した部分がパッド２６，２６になっている。
【００１３】
ところで、本実施形態の配線板１０では、コア導電層１２及びビルドアップ導電層２２の全てが、コア基板１１又は絶縁樹脂層２１上に形成される銅箔層１２Ａ，３２Ａ，３３Ａ（本発明の「金属箔層」に相当する）と、その上のめっき層１２Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂとからなる二層構造をなす。そして、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａの厚さが約７〜１０μｍであるのに対し、最外以外の導電層３２の銅箔層３２Ａの厚さが約１〜５μｍとなっていて、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａが最外以外の導電層３２の銅箔層３２Ａよりも厚くなっている。なお、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａの厚さは最外以外の導電層３２の銅箔層３２Ａの厚さの２倍以上となっている。なお、コア導電層１２の銅箔層１２Ａは、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａと略同じ厚さになっていることが好ましい。また、各導電層１２，３２，３３全体の厚さは略同一で、１０〜２０μｍになっている。
【００１４】
図２に示すように、各導電層１２，３２，３３における配線パターンの側面は窪んでいる。最外の導電層３３及びコア導電層１２における配線パターンの側面の最大深さが各導電層１２，３３の厚さの１０〜２０％になっている一方、最外以外の導電層３２における配線パターンの側面の最大深さが各導電層３２の厚さの１０％以下になっていて、最外の導電層３３及びコア導電層１２における配線パターンの側面が、最外以外の導電層３２における配線パターンの側面よりも窪んでいる。なお、各導電層１２，３２，３３における配線パターンの側面は、エッチングにより形成されるエッチング面となっている。
【００１５】
次に、本実施形態の配線板１０の製造方法について説明する。
【００１６】
（１）図３（Ａ）に示すように、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなるコア基板１１の表裏の両面に銅箔１１Ｃがラミネートされているコア基材５０が用意される。なお、このコア基材５０は、例えば、ベルトコンベア等により搬送される。
【００１７】
（２）図３（Ｂ）に示すように、コア基材５０にＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて、Ｆ面１１Ｆ側の銅箔１１Ｃとコア基板１１とを貫通するビアホール１１Ｈが形成される。
【００１８】
（３）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と、ビアホール１１Ｈ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００１９】
（４）電解めっき処理が行われ、図３（Ｃ）に示すように、電解めっきがビアホール１１Ｈ内に充填されてビア導体１１Ｄが形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に電解めっき膜３５が形成される。以降、銅箔１１Ｃ、無電解めっき膜及び電解めっき膜３５を合わせて導体膜３４という。
【００２０】
（５）図３（Ｄ）に示すように、導体膜３４上に、所定パターンのエッチングレジスト４３が形成される。
【００２１】
（６）エッチングが行われ、図４（Ａ）に示すように、導体膜３４のうちエッチングレジスト４３から露出した部分が除去される。
【００２２】
（７）エッチングレジスト４３が剥離され、図４（Ｂ）に示すように、残された導体膜３４によりコア導電層１２が形成される。これにより、コア基板１１の表裏のコア導電層１２，１２がビア導体１１Ｄにより接続された状態になる。なお、コア導電層１２のうち、無電解めっき膜と電解めっき膜３５とから残された部分から上述しためっき層１２Ｂが構成される。
【００２３】
（８）図４（Ｃ）に示すように、コア基板１１の表裏の両面上のコア導電層１２，１２上に、絶縁樹脂層２１としてのプリプレグと銅箔１１Ｃよりも薄い薄銅箔３７とが積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア導電層１２，１２同士の間がプリプレグにて埋められる。
【００２４】
（９）図５（Ａ）に示すように、上記したプリプレグによって形成されたコア基板１１の表裏の両側の絶縁樹脂層２１，２１にＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール２１Ｈ，２１Ｈが形成される。
【００２５】
（１０）無電解めっき処理が行われ、絶縁樹脂層２１，２１上と、ビアホール２１Ｈ，２１Ｈ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２６】
（１１）図５（Ｂ）に示すように、薄銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００２７】
（１２）電解めっき処理が行われ、図６（Ａ）に示すように、めっきがビアホール２１Ｈ，２１Ｈ内に充填されてビア導体２１Ｄ，２１Ｄが形成され、さらには、薄銅箔３７，３７上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００２８】
（１３）めっきレジスト４０が剥離されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び薄銅箔３７が除去され、図６（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び薄銅箔３７により、コア基板１１の表裏の各絶縁樹脂層２１上に最外以外の導電層３２としてのビルドアップ導電層２２が１層ずつ形成される。そして、コア基板１１の表裏の各ビルドアップ導電層２２の一部とコア導電層１２とがビア導体２１Ｄによって接続される。なお、ビルドアップ導電層２２のうち、無電解めっき膜と電解めっき膜３９とから残された部分から上述しためっき層３２Ｂが構成される。
【００２９】
（１４）上記した（８）〜（１３）と同様の処理により、図７に示すように、コア基板１１の表裏に絶縁樹脂層２１とビルドアップ導電層２２とがさらに一層ずつ形成されると共に、ビルドアップ導電層２２同士の間がビア導体２１Ｄによって接続された状態になる。
【００３０】
（１５）図８に示すように、コア基板１１の表裏の最も外側の絶縁樹脂層２１，２１上に、さらに絶縁樹脂層２１としてのプリプレグと銅箔１１Ｃと同厚の厚銅箔３８とが積層されて、加熱プレスされる。その際、その下のビルドアップ導電層２２，２２同士の間がプリプレグにて埋められる。
【００３１】
（１６）上記した（２）〜（７）と同様の処理により、図９に示すように、最外の導電層３３としてのビルドアップ導電層２２が形成されると共に、そのビルドアップ導電層２２と、下方の最外以外の導電層３２としてのビルドアップ導電層２２との間がビア導体２１Ｄによって接続された状態になる。
【００３２】
（１７）図１０に示すように、コア基板１１の表裏の各最外の導電層３３上にソルダーレジスト層２５，２５が積層される。
【００３３】
（１８）図１１に示すように、コア基板１１の表裏のソルダーレジスト層２５，２５の所定箇所にテーパー状のパッド用孔２５Ｈ，２５Ｈが形成され、コア基板１１の表裏の各最外の導電層３３のうちパッド用孔から露出した部分がパッド２６になる。
【００３４】
（１９）パッド２６上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図１に示した金属膜４１が形成される。以上で配線板１０が完成する。なお、金属膜４１の代わりに、ＯＳＰ（プリフラックス）による表面処理をおこなっても良い。
【００３５】
なお、上述したコア基板１１のコア導電層１２及び最外の導電層３３の形成方法は、サブトラクティブ法と呼ばれ、最外以外の導電層３２の形成方法は、モディファイドセミアディティブ法と呼ばれている。また、エッチングにより除去する部分が多い、つまり、エッチング時間が長いサブトラクティブ法により形成されるコア導電層１２及び最外の導電層３３の配線パターンの側面の方が、最外以外の導電層３２の配線パターンの側面よりも大きく窪む。
【００３６】
本実施形態の配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に配線板１０の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態の配線板１０は、パッド２６上に、半田バンプが形成されて、その上（Ｆ面１０Ｆ側）にＣＰＵ等の電子部品が搭載されて半田付けされることで使用される。
【００３７】
ところで、最外に配されるビルドアップ導電層２２（最外の導電層３３）の厚さにムラがあり、極端に薄い部分が存在すると、電子部品との接続の信頼性が低下する、つまり、電子部品の実装性が低下することが考えられる。これに対し、本実施形態の配線板１０では、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａが最外以外の導電層３２の銅箔層３２Ａよりも厚くなっていて、最外の導電層３３の厚さがある程度確保されているので、電子部品との接続の信頼性が向上し、電子部品の実装性が向上すると考えられる。
【００３８】
また、導電層３２，３３における銅箔層３２Ａ，３３Ａの割合が、最外の導電層３３が最外以外の導電層３２よりも高いので、最外の導電層３３の平坦性が向上し、電子部品の実装性がより向上する。さらに、銅箔が厚い方がその下の絶縁樹脂層２１に対するアンカーを大きくすることができるので、電子部品が実装される最外の導電層３３の銅箔層３３Ａと最外の絶縁樹脂層２１とのピール強度が向上する。
【００３９】
また、一般的に、導電層をエッチングにより形成するサブトラクティブ法では、比較的厚い銅箔を用い、導電層をメッキにより形成するモディファイドセミアディティブ法では、比較的薄い銅箔を用いるため、最外の導電層３３をサブトラクティブ法により形成し、最外以外の導電層３２をモディファイドセミアディティブ法により形成することで、最外の導電層３３の銅箔層３３Ａの厚さと、最外以外の導電層３２の銅箔層３２Ａの厚さとを容易に異ならせることができる。
【００４０】
ここで、全てのビルドアップ導電層２２をサブトラクティブ法により形成することも考えられるが、モディファイドセミアディティブ法により形成される導電層の方がサブトラクティブ法により形成される導電層よりも配線パターンを密（ファイン）にすることができるので、最外の導電層３３をサブトラクティブ法により形成し、最外以外の導電層３２をモディファイドセミアディティブ法により形成することで、電子部品の実装性を向上しつつ、配線パターンを密（ファイン）にすることができる。また、配線パターンを密（ファイン）にすることにより、導電層の数を減らすことができるので、配線板１０自体を薄くすることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、コア導電層１２もサブトラクティブ法により形成されていて、コア導電層１２の銅箔層１２Ａが比較的厚くなっている。これにより、コア導電層１２をモディファイドセミアディティブ法により形成する場合よりも、コア基材５０が厚くなるので、製造過程においてコア基材５０を搬送しやすくなる。
【００４２】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４３】
（１）上記実施形態では、コア基板の表裏に設けられている最外以外の導電層３２が２層ずつであったが、１層ずつであってもよいし、３層以上であってもよい。
【００４４】
（２）上記実施形態では、ビア導体１１ＤがＦ面側１１Ｆの銅箔１１Ｃとコア基板１１とを貫通する一方、Ｂ面１１Ｂ側の銅箔１１Ｃを貫通していない構成であったが、図１２，１３に示すようにＢ面１１Ｂ側の銅箔１１Ｃを貫通している構成であってもよい。その際、図１２に示すように、Ｆ面１１ＦからＢ面１１Ｂに向かって縮径した形状であってもよいし、Ｆ面１１Ｆ及びＢ面１１Ｂの両面から徐々に縮径しながら互いに近いて連通した中間括れ形状であってもよい。
【００４５】
（３）上記実施形態では、本発明の「金属箔」が銅製であったが、これに限られるものではなく、例えば、ニッケル製、チタン製等であってもよい。
【００４６】
（４）上記実施形態では、各導電層１２，３２，３３の全ての厚さが略同一となっていたが、例えば、コア導電層１２と最外の導電層３３とが最外以外の導電層３２よりも厚くなっていてもよいし、その逆であってもよい。
【００４７】
（５）上記実施形態では、全ての絶縁樹脂層２１が同じ厚さであったが、例えば、最外の絶縁樹脂層２１が最外を除く絶縁樹脂層２１よりも厚くなっていてもよいし、その逆であってもよい。
【００４８】
（６）上記実施形態では、絶縁樹脂層２１の厚さとコア基板１２の厚さとが略同じであったが、異なっていてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０    配線板
１１    コア基板
１１Ｄ    ビア導体（フィルドビア）
１２    コア導電層（導電層）
１２Ａ    銅箔層（金属箔層）
２１    絶縁樹脂層
２１Ｄ    ビア導体（フィルドビア）
２２    ビルドアップ導電層（導電層）
２６    パッド
３２    最外の導電層（導電層）
３２Ａ    銅箔層（金属箔層）
３３    最外以外の導電層（導電層）
３３Ａ    銅箔層（金属箔層）
５０    コア基材
【図１】
2018026392.tif 000003
【図２】
2018026392.tif 000004
【図３】
2018026392.tif 000005
【図４】
2018026392.tif 000006
【図５】
2018026392.tif 000007
【図６】
2018026392.tif 000008
【図７】
2018026392.tif 000009
【図８】
2018026392.tif 000010
【図９】
2018026392.tif 000011
【図１０】
2018026392.tif 000012
【図１１】
2018026392.tif 000013
【図１２】
2018026392.tif 000014
【図１３】
2018026392.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、が複数ずつ交互に積層されている配線板であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、最外の前記導電層の前記金属箔層が最も厚い。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板であって、
前記コア基板上に積層されている前記導電層の前記金属箔層が、前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、前記最外の導電層を除く前記導電層の前記金属箔層よりも厚い。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線板であって、
複数の前記導電層の全ての厚さが略同一である。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、最外の前記導電層の前記金属箔層の厚さは、他の前記導電層における前記金属箔層の厚さの２倍以上である。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
各前記導電層における配線パターンの側面が窪んでいて、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、前記最外の導電層における前記配線パターンの前記側面の窪みの最大深さが、他の前記導電層における前記配線パターンの前記側面の窪みの最大深さよりも大きい。
【請求項６】
請求項５に記載の配線板であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、
前記最外の導電層における前記配線パターンの前記側面の窪みの最大深さが、その導電層の厚さの１０〜２０％であり、
他の前記導電層における前記配線パターンの前記側面の窪みの最大深さが、その導電層の厚さの１０％以下である。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の配線板であって、
前記配線パターンの前記側面がエッチング面となっている。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記導電層の全ての厚さが１０〜２０μｍである。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全てが芯材を含んでいる。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全ての厚さが３０〜６０μｍである。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
複数の前記絶縁樹脂層の全ての厚さが略同一である。
【請求項１２】
請求項１１に記載の配線板であって、
前記絶縁樹脂層の厚さと前記コア基板の厚さとが略同一である。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
前記コア基板又は前記絶縁樹脂層を貫通し、その表裏の前記導電層同士を接続するフィルドビアを有する。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか１の請求項に記載の配線板であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、前記最外の前記導電層の厚みにおける前記金属箔層の厚みの占有割合が最も高い。
【請求項１５】
コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、を複数ずつ交互に積層することを含む配線板の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、最外の前記導電層の前記金属箔層を最も厚くする。
【請求項１６】
請求項１５に記載の配線板の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、前記最外の導電層をサブトラクティブ法により形成し、他の前記導電層をモディファイドセミアディティブ法により形成する。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の配線板の製造方法であって、
前記コア基板上の前記導電層の前記金属箔層を、前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち前記最外の導電層を除く前記導電層の前記金属箔層よりも厚くする。
【請求項１８】
請求項１７に記載の配線板の製造方法であって、
前記コア基板上の前記導電層をサブトラクティブ法により形成する。
【請求項１９】
請求項１５乃至１８の何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
複数の前記導電層の全ての厚さを略同一にする。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９の何れか１の請求項に記載の配線板の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層上に積層される前記導電層のうち、前記最外の前記導電層の厚みにおける前記金属箔層の厚みの占有割合を最も高くする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る配線板は、コア基板の表裏の両面に、金属箔層上にめっき層を有してなる導電層と、絶縁樹脂層と、が複数ずつ交互に積層されている配線板であって、前記絶縁樹脂層上に積層されている前記導電層のうち、最外の前記導電層における前記金属箔層が、最も厚い。