(57)【要約】【課題】ＳＪ構造の半導体装置において、本体領域と電流検出領域とを分離しつつ、耐圧低下を抑制する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の内部に形成された１以上の動作用セルを含む本体領域と、半導体基板の内部に形成された１以上の電流検出用セルを含む電流検出領域と、半導体基板の内部において本体領域と電流検出領域との間に設けられ、耐圧構造部を含む中間領域とを備え、本体領域、電流検出領域および中間領域において、第１導電型のカラムおよび第２導電型のカラムが等間隔で交互に配置された半導体装置を提供する。【選択図】図２
2018026450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の内部に形成された１以上の動作用セルを含む本体領域と、
前記半導体基板の内部に形成された１以上の電流検出用セルを含む電流検出領域と、
前記半導体基板の内部において前記本体領域と前記電流検出領域との間に設けられ、耐圧構造部を含む中間領域と
を備え、
前記本体領域、前記電流検出領域および前記中間領域において、第１導電型のカラムおよび第２導電型のカラムが等間隔で交互に配置された
半導体装置。
【請求項２】
前記中間領域は、前記半導体基板の上方に形成された形成されたフィールドプレートを有する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記中間領域は、前記本体領域に隣接する領域と、前記電流検出領域に隣接する領域とにダイオード部が形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板の内部には、
第１導電型のベース領域と、
前記ベース領域の下方に形成された第２導電型のドリフト領域と
が形成され、
前記本体領域および前記電流検出領域は、
前記半導体基板の上面から前記ベース領域の下側まで延伸して形成され、同一の間隔で配置された複数のトレンチ部と、
それぞれのトレンチ部の間の領域における前記ベース領域の上方に形成された第２導電型の高濃度領域と
を有し、
前記中間領域には、前記高濃度領域が形成されていない
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記本体領域に隣接する前記ダイオード部と、前記電流検出領域に隣接する前記ダイオード部は、共通の前記ベース領域を有する
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記本体領域に隣接する前記ダイオード部と、前記電流検出領域に隣接する前記ダイオード部は、分離した前記ベース領域を有する
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記中間領域は、前記本体領域に隣接する前記ダイオード部の前記ベース領域と、前記電流検出領域に隣接する前記ダイオード部の前記ベース領域との間に、分離した前記ベース領域を更に有する
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記本体領域の少なくとも一部の領域の上方に形成された上面側電極と、
前記電流検出領域の少なくとも一部の領域の上方に形成された電流検出用電極と
を更に備え、
前記本体領域に隣接する前記ダイオード部は、前記上面側電極に接続され、
前記電流検出領域に隣接する前記ダイオード部は、前記電流検出用電極に接続される
請求項３から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１導電型のカラムおよび前記第２導電型のカラムは、前記本体領域、前記電流検出領域および前記中間領域において、同じ不純物濃度であることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体装置において、素子として駆動する本体領域と、電流を検出するための電流検出領域とを有する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１  特開２０１０−２１９２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
電流検出領域を、フィールドプレート等の耐圧構造で囲む場合がある。耐圧構造を有する装置において、本体領域と電流検出領域とに超接合構造を形成すると、超接合構造のｐ型およびｎ型の不純物のチャージバランスが崩れて耐圧が低下する場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一つの態様においては、半導体基板を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板の内部に形成された１以上の動作用セルを含む本体領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部に形成された１以上の電流検出用セルを含む電流検出領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部において本体領域と電流検出領域との間に設けられ、耐圧構造部を含む中間領域を備えてよい。本体領域、電流検出領域および中間領域において、第１導電型のカラムおよび第２導電型のカラムが等間隔で交互に配置されてよい。
【０００５】
中間領域は、半導体基板の上方に形成された形成されたフィールドプレートを有してよい。中間領域は、本体領域に隣接する領域と、電流検出領域に隣接する領域とにダイオード部が形成されていてよい。
【０００６】
半導体基板の内部には、第１導電型のベース領域と、ベース領域の下方に形成された第２導電型のドリフト領域とが形成されてよい。本体領域および電流検出領域は、半導体基板の上面からベース領域の下側まで延伸して形成され、同一の間隔で配置された複数のトレンチ部を有してよい。本体領域および電流検出領域は、それぞれのトレンチ部の間の領域におけるベース領域の上方に形成された第２導電型の高濃度領域を有してよい。中間領域には、高濃度領域が形成されていなくてよい。
【０００７】
本体領域に隣接するダイオード部と、電流検出領域に隣接するダイオード部は、共通のベース領域を有してよい。本体領域に隣接するダイオード部と、電流検出領域に隣接するダイオード部は、分離したベース領域を有してよい。中間領域は、本体領域に隣接するダイオード部のベース領域と、電流検出領域に隣接するダイオード部のベース領域との間に、分離したベース領域を更に有してよい。
【０００８】
半導体装置は、本体領域の少なくとも一部の領域の上方に形成された上面側電極を備えてよい。半導体装置は、電流検出領域の少なくとも一部の領域の上方に形成された電流検出用電極を備えてよい。本体領域に隣接するダイオード部は、上面側電極に接続されてよい。電流検出領域に隣接するダイオード部は、電流検出用電極に接続されてよい。第１導電型のカラムおよび第２導電型のカラムは、本体領域、電流検出領域および中間領域において、同じ不純物濃度であってよい。
【０００９】
上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置１００の上面の模式図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ'断面の一例を示す図である。
【図３】図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。
【図４】図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。
【図５】図１における電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。
【図６】図１における電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１２】
本明細書においては半導体基板の深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は重力方向に限定されない。
【００１３】
本明細書においては「ソース」、「ドレイン」の用語を用いているが、半導体装置はＭＯＳＦＥＴに限定されない。ＩＧＢＴ等のバイポーラトランジスタにおける「エミッタ」および「コレクタ」も、本明細書における「ソース」および「ドレイン」の用語の範囲に含まれ得る。
【００１４】
各実施例においては、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とした例を示しているが、基板、層、領域等の導電型は、それぞれ逆の極性であってもよい。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の上面の模式図である。半導体装置１００は、半導体基板３０を備える。半導体基板３０は、シリコン基板であってよく、窒化物半導体または炭化珪素等の化合物半導体基板であってもよい。半導体基板３０の上面の上方には、ソース電極１１および電流検出用電極１２が形成されている。ソース電極１１は上面側電極の一例である。半導体基板３０の上面の上方には、ゲート電極１３が更に形成されてよい。
【００１６】
一例としてソース電極１１、電流検出用電極１２およびゲート電極１３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の金属材料で形成される。ソース電極１１、電流検出用電極１２およびゲート電極１３は互いに分離して設けられる。本例の半導体装置１００は、半導体基板３０の深さ方向に主電流が流れる縦型デバイスである。本例の半導体基板３０の下面には、ドレイン電極が形成される。
【００１７】
半導体基板３０の内部には、本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４が形成される。本体領域２１は、半導体装置１００の主電流が流れる領域である。本体領域２１に流れる主電流は、ソース電極１１を介して外部に流れる。ソース電極１１は、本体領域２１の少なくとも一部の領域の上方に形成される。
【００１８】
電流検出領域２２は、被検出電流が流れる領域である。被検出電流は、電流検出用電極１２を介して外部の電流検出装置に流れる。電流検出用電極１２は、電流検出領域２２の少なくとも一部の領域の上方に形成される。半導体基板３０の上面において、電流検出用電極１２が覆う面積は、ソース電極１１が覆う面積よりも小さい。
【００１９】
電流検出装置は、被検出電流の電流値を検出する。電流検出装置は、検出した電流値に基づいて、半導体装置１００を制御してよい。例えば電流検出装置は、検出した電流値が所定の閾値を超えた場合に、半導体装置１００をオフ状態に制御する。
【００２０】
中間領域２４は、本体領域２１および電流検出領域２２の間に設けられ、本体領域２１および電流検出領域２２を分離する。中間領域２４には、フィールドプレート等の耐圧構造が設けられる。
【００２１】
半導体基板３０の外周に沿って、耐圧構造領域２３が形成されていてもよい。耐圧構造領域２３は、本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４の外側に形成される。耐圧構造領域２３には、ガードリングまたはフィールドプレート等の耐圧構造が形成される。中間領域２４は、耐圧構造領域２３と同様の構造を有してよい。
【００２２】
図２は、図１におけるＡ−Ａ'断面の一例を示す図である。図２に示す各構成は、図２の紙面と垂直な方向に延伸して形成されてよい。図２においては、一例として、半導体装置１００の下面側においては、ｎ型の不純物がドープされたｎ+型のドレイン領域３３およびドレイン電極１４が形成されている。
【００２３】
本体領域２１には、主電流が流れる１以上の動作用セル５２が形成されている。電流検出領域２２には、被検出電流が流れる１以上の電流検出用セル５４が形成されている。本例の動作用セル５２および電流検出用セル５４は、半導体基板３０の深さ方向に電流を流すか否かを切り替えるトランジスタとして機能する。動作用セル５２および電流検出用セル５４は、同一の構造、同一の不純物濃度を有することが好ましい。
【００２４】
半導体基板３０の上面において、電流検出領域２２が占める面積は、本体領域２１が占める面積よりも小さい。電流検出領域２２が占める面積は、本体領域２１が占める面積の１０分の１以下であってよく、１００分の１以下であってもよい。
【００２５】
中間領域２４は、本体領域２１および電流検出領域２２の間において、半導体基板３０の内部に形成される。中間領域２４は、電流検出領域２２を取り囲むように、フィールドプレート７２等を有する。
【００２６】
中間領域２４における半導体基板３０の内部には、トレンチ部４０、動作用セル５２および電流検出用セル５４が形成されていない。本例では、中間領域２４には、トランジスタとして動作する領域が形成されていない。本例の中間領域２４には、少なくとも本体領域２１に隣接する領域と、電流検出領域２２に隣接する領域とに、ダイオード部５８が形成されている。
【００２７】
本体領域２１に隣接するダイオード部５８は、ソース電極１１に電気的に接続される。電流検出領域２２に隣接するダイオード部５８は、電流検出用電極１２に電気的に接続される。また、それぞれのダイオード部５８は、共通のベース領域３４を有する。
【００２８】
本例の半導体基板３０には、本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４において、下面側から順番にｎ+型のドレイン領域３３およびｎ−型のドリフト領域３２が形成されている。また、ドリフト領域３２の表面層にはｐ型のベース領域３４が形成されている。また、本体領域２１および電流検出領域２２には、ベース領域３４を貫通して、半導体基板３０の上面からベース領域３４の下側まで延伸してドリフト領域３２に達するトレンチ部４０が形成されている。
【００２９】
それぞれのトレンチ部４０に挟まれるメサ領域が、動作用セル５２および電流検出用セル５４のいずれかとして機能する。本例ではトレンチ部４０の短手方向の幅の中心をそれぞれのセルの境界とする。本例の動作用セル５２および電流検出用セル５４においては、ベース領域３４の上方にｎ＋型のソース領域３８が形成される。ソース領域３８には、ドリフト領域３２よりも高濃度に不純物がドープされている。ソース領域３８は高濃度領域の一例である。これにより動作用セル５２および電流検出用セル５４はトランジスタとして機能する。本例では、トランジスタとして機能するセルのうち、ソース電極１１の下方に形成されるセルを動作用セル５２とし、電流検出用電極１２の下方に形成されるセルを電流検出用セル５４とする。
【００３０】
これに対して中間領域２４では、ベース領域３４の上方にソース領域３８が形成されない。中間領域２４におけるベース領域３４は、ドリフト領域３２（ｎ型のカラム６２）とのｐｎ接合ダイオードとして機能する。中間領域２４により、本体領域２１と電流検出領域２２とを分離して、被検出電流を精度よく検出できる。
【００３１】
また、動作用セル５２および電流検出用セル５４においては、半導体基板３０の上面に露出する領域にｐ＋型のｐ＋領域３６が形成されてもよい。ｐ＋領域３６には、ベース領域３４よりも不純物が高濃度にドープされている。これにより、各セルと、ソース電極１１等の電極との接触抵抗を低減できる。また、中間領域２４におけるベース領域３４は、ソース電極１１の下方に位置する領域と、電流検出用電極１２の下方に位置する領域とを有する。ベース領域３４の、各電極の下方に位置する領域には、ｐ＋領域３６が形成されてよい。これにより、ベース領域３４と、ソース電極１１等との接触抵抗を低減し、トランジスタセル内の寄生バイポーラトランジスタの動作を抑制できる。
【００３２】
フィールドプレート７２は、中間領域２４のベース領域３４の上方に形成される。フィールドプレート７２は、例えば不純物が添加されたポリシリコンで形成される。フィールドプレート７２と半導体基板３０の上面との間にはゲート絶縁膜４２よりも厚い絶縁膜７０が形成される。また、フィールドプレート７２を覆う層間絶縁膜７４が更に形成される。
【００３３】
フィールドプレート７２は、ソース電極１１またはゲート電極（電極部４４）と同電位が与えられてよい。フィールドプレート７２等の耐圧構造を、電流検出領域２２を囲むように中間領域２４に設けることで、中間領域２４近傍における電界集中を緩和できる。
【００３４】
本例のトレンチ部４０は、半導体基板３０の上面からドリフト領域３２まで達するトレンチと、トレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜４２と、トレンチ内に設けられゲート絶縁膜４２に覆われる電極部４４とを有する。
【００３５】
一例としてゲート絶縁膜４２は、トレンチの内壁に露出する半導体基板３０を熱酸化した酸化膜である。一例として電極部４４は、不純物がドープされたポリシリコン等で形成される。本例の電極部４４は、図１に示したゲート電極１３と電気的に接続される。電極部４４に印加されるゲート電圧に応じて、電極部４４と対向するベース領域３４にチャネルが形成される。これにより、動作用セル５２および電流検出用セル５４におけるソース領域３８と、ドリフト領域３２との間で電流が流れる。なお、電極部４４とフィールドプレート７２は同時に形成してもよい。
【００３６】
半導体装置１００がＩＧＢＴを含む場合、一部の電極部４４は、ソース電極１１（ＩＧＢＴにおけるエミッタ電極）と電気的に接続されてもよい。ソース電極１１に接続されたトレンチ部４０は、ダミートレンチとして機能する。これにより、キャリアの注入促進効果（ＩＥ効果）が生じてオン電圧を低減できる。
【００３７】
それぞれのトレンチ部４０は、当該断面の動作用セル５２および電流検出用セル５４において同一の間隔で配置されている。複数のトレンチ部４０は、当該断面と垂直な方向にストライプ状に延伸して形成されてよい。
【００３８】
半導体基板３０の上面には、ゲート絶縁膜４２の一部が形成されている。ただし、それぞれのセルにおけるｐ＋領域３６およびソース領域３８は、少なくとも部分的にゲート絶縁膜４２に覆われていない。
【００３９】
半導体基板３０の上面およびゲート絶縁膜４２の上面には、層間絶縁膜２６が形成される。ただし、各セルにおけるｐ＋領域３６およびソース領域３８が露出するように、層間絶縁膜２６には開口が形成されている。これらの開口内には、ソース電極１１または電流検出用電極１２が充填される。
【００４０】
本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４のドリフト領域３２には、ｐ型のカラム６０およびｎ型のカラム６２が、等間隔で交互に配置されている。カラム６０およびカラム６２は超接合が形成できるように、不純物濃度および幅が調節されている。このような構造により、カラム６０およびカラム６２の境界から空乏層が横方向に広がるので、ｎ型領域の不純物濃度を高くしてオン抵抗を下げても、高耐圧を維持することができる。
【００４１】
本例では、カラム６０は、各領域のベース領域３４の下面から下側に突出して形成される。カラム６０の間のドリフト領域３２がカラム６２として機能する。それぞれのカラム６０の間隔は、各セルの間隔と同一である。カラム６０は、動作用セル５２および電流検出用セル５４のそれぞれに対して形成される。また、中間領域２４におけるベース領域３４の下側にも、本体領域２１および電流検出領域２２と同一の間隔でカラム６０が形成されている。中間領域２４においては、一つのベース領域３４の下面から、複数のカラム６０が延伸してよい。
【００４２】
半導体装置１００においては、本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４に、同一の間隔でカラム６０およびカラム６２が配置されている。このため、本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４に同一構造の超接合が形成できる。本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４における超接合の各カラムの不純物濃度は同一である。
【００４３】
このような構造により、本体領域２１および電流検出領域２２を分離する中間領域２４を設けつつ、超接合のカラム６０およびカラム６２を均等な間隔で配置することができる。このため、超接合におけるｐ型およびｎ型の不純物のチャージバランスを保ちやすく、耐圧を維持することができる。
【００４４】
図３は、図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。本例では、中間領域２４に、互いに分離した複数のベース領域３４が形成されている。他の構造は、図２に示した例と同一である。
【００４５】
本例の中間領域２４のソース電極１１、および電流検出用電極１２に接続されるそれぞれのダイオード部５８は、互いに分離したベース領域３４を有する。それぞれのダイオード部５８におけるベース領域３４には、ｐ＋領域３６が形成されている。それぞれのベース領域３４の少なくとも一部は、フィールドプレート７２の下方以外の領域に形成されてよい。
【００４６】
また、それぞれのダイオード部５８のベース領域３４の間に、更に分離したベース領域３４が形成されていてもよい。それぞれのベース領域３４は、イオン注入および熱処理により形成してよい。
【００４７】
中間領域２４におけるベース領域３４は、カラム６０と同一の間隔で配置される。なお、中間領域２４において、ソース電極１１および電流検出用電極１２のいずれにも接続されないベース領域３４には、ｐ＋領域３６が形成されない。ｐ＋領域３６が形成されていないベース領域３４は、フィールドプレート７２の下方に配置されてよい。
【００４８】
このような構造によっても、本体領域２１および電流検出領域２２を分離する中間領域２４を設けつつ、超接合のカラム６０およびカラム６２を均等な間隔で配置することができる。このため、超接合におけるｐ型およびｎ型の不純物のチャージバランスを保ちやすく、耐圧を維持することができる。
【００４９】
図４は、図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。本例では、図３に示した中間領域２４のそれぞれのベース領域３４が接続されている。本例のベース領域３４の下面には、イオン注入および拡散により凹凸が形成されている。ただし、中間領域２４のベース領域３４は、下側に突出する部分が、カラム６０と同一の間隔で配置されている。
【００５０】
このような構造によっても、本体領域２１および電流検出領域２２を分離する中間領域２４を設けつつ、超接合のカラム６０およびカラム６２を均等な間隔で配置することができる。このため、超接合におけるｐ型およびｎ型の不純物のチャージバランスを保ちやすく、耐圧を維持することができる。
【００５１】
図５は、図１に示す半導体装置１００の上面における、電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。図５は、図２に示した構造に対応している。図５は、トレンチ部４０、電極部４４、ベース領域３４、ソース領域３８、ｐ＋領域３６、フィールドプレート７２、ソース電極１１および電流検出用電極１２を示しており、他の構造を省略している。
【００５２】
複数のトレンチ部４０は、本体領域２１および電流検出領域２２において、所定の配列方向に沿って一定の間隔で配置されている。本例のトレンチ部４０は、中間領域２４には形成されない。それぞれのトレンチ部４０は、所定の延伸方向に沿って延伸して設けられる。
【００５３】
それぞれのトレンチ部４０の間におけるメサ領域には、ベース領域３４が形成されている。ただし、本体領域２１および電流検出領域２２においては、半導体基板３０の上面において、ソース領域３８およびｐ＋領域３６が延伸方向に沿ってストライプ状に延伸して形成されている。これに代えて、ソース領域３８およびｐ＋領域３６が、延伸方向に沿って交互に形成されていてもよい。
【００５４】
中間領域２４は、延伸方向および配列方向の双方において、本体領域２１および電流検出領域２２の間に設けられる。中間領域２４における半導体基板３０の上面近傍には、ベース領域３４が形成され、半導体基板３０の上面の上方にはフィールドプレート７２が形成されている。配列方向における、中間領域２４と他の領域との境界近傍には、延伸方向に沿ってｐ＋領域３６が形成されてよい。
【００５５】
また、中間領域２４には、ソース領域３８が形成されていない。これにより、延伸方向において本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４が存在するメサ領域において、本体領域２１および電流検出領域２２のソース領域３８を分離している。本体領域２１、電流検出領域２２および中間領域２４が存在するメサ領域において、電流検出用電極１２の下側に形成される中間領域２４の長さＬ１は、ソース電極１１の下側に形成される中間領域２４の長さＬ２よりも大きくてよい。これにより、ソース電極１１に下側に形成される中間領域２４の面積を小さくすることができる。
【００５６】
図６は、半導体装置１００の上面における、電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。図６の例では、フィールドプレート７２を、動作用セル５２および電流検出用セル５４のトレンチ部４０にゲート絶縁膜４２を介して埋め込まれる電極部４４と同時に形成している。また、フィールドプレート７２と、動作用セル５２および電流検出用セル５４のトレンチ部４０にゲート絶縁膜４２を介して埋め込まれる電極部４４がトレンチ部４０の長手方向（図中の延伸方向）に平行な方向において接続している。その他の構造は図５と同じであり、図５の例と同様な効果を得ることができる。
【００５７】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００５８】
なお、本発明の実施の形態は、トレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜４２と、トレンチ部４０内に設けられゲート絶縁膜４２に覆われる電極部４４とを有するトレンチゲート構造について記載しているが、半導体基板の表面層に選択的に配置されたベース領域と、ベース領域内に選択的に配置されたソース領域とを備え、半導体基板の表面にゲート絶縁膜を配置してゲート絶縁膜上に電極部を備えたプレーナーゲート構造としてもよい。
【００５９】
また、ベース領域３４およびトレンチ部４０は図５、図６に示すように平面形状をストライプ状としたが、ベース領域３４の平面形状を島状にし、トレンチ部４０の平面形状をベース領域３４の島状の間に配置する格子状として電極部４４を格子状としてもよい。上述したプレーナーゲート構造においても同様にベース領域の平面形状を島状とし、電極部の平面形状をベース領域の島状の間を跨ぐように配置された格子状としてもよい。なお、ベース領域を島状に形成する場合は、ｐ型のカラムも平面形状が島状に配置される。
【符号の説明】
【００６０】
１１・・・ソース電極、１２・・・電流検出用電極、１３・・・ゲート電極、１４・・・ドレイン電極、２１・・・本体領域、２２・・・電流検出領域、２３・・・耐圧構造領域、２４・・・中間領域、２６・・・層間絶縁膜、３０・・・半導体基板、３２・・・ドリフト領域、３３・・・ドレイン領域、３４・・・ベース領域、３６・・・ｐ＋領域、３８・・・ソース領域、４０・・・トレンチ部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・電極部、５２・・・動作用セル、５４・・・電流検出用セル、５８・・・ダイオード部、６０・・・カラム、６２・・・カラム、７０・・・絶縁膜、７２・・・フィールドプレート、７４・・・層間絶縁膜、１００・・・半導体装置
【図１】
2018026450.tif 000003
【図２】
2018026450.tif 000004
【図３】
2018026450.tif 000005
【図４】
2018026450.tif 000006
【図５】
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【図６】
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